(57)【要約】【課題】位相差層を有する液晶表示装置について良好な表示品位が得られる液晶表示装置等を提供することである。【解決手段】液晶表示装置５０は、一対の基板１１０，２１０と、一対の基板１１０，２１０の間に挟持された液晶層３００と、一対の基板１１０，２１０の少なくとも一方の基板上に位相差層用配向膜２１２を介して配置された位相差層２１４と、位相差層２１４よりも液晶層３００側に配置されたカラーフィルタ２２０と、カラーフィルタ２２０と位相差層２１４との間に位相差層２１４を覆って配置されたオーバーコート層２１６と、を備える。【選択図】図１
2008275903.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
前記一対の基板の間に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板上に位相差層用配向膜を介して配置された位相差層と、
前記位相差層よりも前記液晶層側に配置されたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタと前記位相差層との間に前記位相差層を覆って配置されたオーバーコート層と、
を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
一対の基板の間に液晶層が挟持された液晶表示装置を製造する方法であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板上に位相差層用配向膜を形成し、
前記位相差層用配向膜上に位相差層を形成し、
前記位相差層の形成時の膜厚は前記位相差層の形成後に実施される各熱処理と前記位相差層の膜厚との相関に基づいて設定されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記位相差層の形成時の膜厚は前記熱処理後の前記位相差層の膜厚より大きく１．５倍以下であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係り、特に位相差層を有する液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式やＩＰＳ（In-Plane  Switching）方式の半透過型液晶表示装置では、反射領域に内面位相差層が設けられている。内面位相差層はオーバーコート層上に配置されている。なお、オーバーコート層は、カラーフィルタ等の上に配置される層であり、例えば平坦化（平滑化）のために設けられる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
オーバーコート層が下地面の凹凸状態の影響を受けると、当該オーバーコート層の平坦性を確保し難い場合がある。この場合、内面位相差層をオーバーコート層上に均一の膜厚で形成することが難しくなる。不均一な膜厚の内面位相差層は例えば反射領域のコントラスト低下をもたらし、表示品位の低下を招いてしまう。
【０００５】
本発明の目的は、位相差層を有する液晶表示装置について良好な表示品位が得られる液晶表示装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る液晶表示装置は、一対の基板と、前記一対の基板の間に挟持された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板上に位相差層用配向膜を介して配置された位相差層と、前記位相差層よりも前記液晶層側に配置されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタと前記位相差層との間に前記位相差層を覆って配置されたオーバーコート層と、を備えることを特徴とする。上記構成によれば、位相差層が比較的平坦な面上に配置される。このため、位相差層の膜厚の均一性が向上する。したがって、良好な表示品位が得られる。また、上記構成によれば、オーバーコート層によって位相差層とカラーフィルタとの接触が回避される。このため、位相差層の形状、特性等が上記接触によって変化するのを防止することができる。したがって、良好な表示品位が得られる。
【０００７】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、一対の基板の間に液晶層が挟持された液晶表示装置を製造する方法であって、前記一対の基板の少なくとも一方の基板上に位相差層用配向膜を形成し、前記位相差層用配向膜上に位相差層を形成し、前記位相差層の形成時の膜厚は前記位相差層の形成後に実施される各熱処理と前記位相差層の膜厚との相関に基づいて設定されることを特徴とする。上記構成によれば、所定膜厚の位相差層が得られ、良好な表示品位が得られる。
【０００８】
前記位相差層の形成時の膜厚は前記熱処理後の前記位相差層の膜厚より大きく１．５倍以下であることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に図面を用いて本発明に係る実施の形態について詳細に説明する。
【００１０】
図１に実施の形態に係る液晶表示装置５０を説明する断面図を示す。液晶表示装置５０の表示領域内には複数の画素６０が例えばマトリクス配列されており、図１にはそのうちの１個の画素６０を例示している。なお、画素６０をマトリクス型以外で配列してもよい。
【００１１】
液晶表示装置５０は、対向配置された一対の基板１１０，２１０と、当該一対の基板１１０，２１０の間に挟持された液晶層３００とを含んでいる。基板１１０，２１０は、例えばガラス板、ガラス板に各種のコーティングがされた基板等の透光性基板で構成可能である。基板１１０および基板２１０は以下に例示する種々の要素が設けられて素子基板１００および対向基板２００をそれぞれ構成する。このため、液晶層３００は素子基板１００と対向基板２００との間に挟持されているとも捉えられる。液晶層３００の厚さ、換言すれば基板１００，２００間の距離がセルギャップに対応する。
【００１２】
各画素６０は透過領域６２と反射領域６４とを有する半透過型に構成されている。透過領域６２ではバックライト装置４００からの出射光７２を利用して表示を行い、反射領域６４では外光を反射させ当該反射光７４を利用して表示を行う。このとき、これらの表示光７２，７４は対応する領域６２，６４において着色・調光される。両領域６２，６４の面積比は、図示の例示に限られるものではなく、種々に設定可能である。図１には液晶表示装置５０が基板１１０の外側にバックライト装置４００を含む構成を例示している。
【００１３】
ここでは透過領域６２と反射領域６４との両方にＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式が適用された構成を例示するが、後述のように他の配向制御方式を適用することも可能である。
【００１４】
素子基板１００は例えば、基板１１０の液晶層３００側に、絶縁層１１２と、画素電極１１４と、反射層１１６と、絶縁層１１８と、共通電極１２０と、不図示の配向膜とを含んでいる。
【００１５】
絶縁層１１２は、基板１１０上に配置されており、酸化シリコン、窒化シリコン等の透光性の絶縁材料で構成可能である。絶縁層１１２中には不図示の画素ＴＦＴ（Thin  Film  Transistor）等が作り込まれている。
【００１６】
画素電極１１４は、絶縁層１１２上に配置されており、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）、ＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）等の透光性導電材料で構成可能である。画素電極１１４は各画素６０に設けられており、ここでは透過領域６２と反射領域６４との両方にまたがっている場合を例示する。画素電極１１４は不図示の画素ＴＦＴ等と接続されている。これにより、当該画素ＴＦＴを介して、その画素６０の表示に応じた電位が画素電極１１４に供給される。なお、画素ＴＦＴに代えて、トランジスタ以外の他のスイッチング素子を用いることも可能である。
【００１７】
反射層１１６は、各画素６０の反射領域６４に設けられ、外光を反射して反射表示光７４にする。反射層１１６は画素電極１１４上に配置されている。反射層１１６は外光（可視光）を反射可能な材料、例えばアルミニウム等で構成可能である。画素電極１１４が反射領域６４にも設けられている場合、反射層１１６は導電性材料と非導電性材料とのいずれによっても構成可能である。これに対して、反射層１１６を導電性材料、例えば上記のアルミニウムで構成する場合、画素電極１１４のうちで反射領域６４内の部分を省略し当該部分を反射層１１６によって構成することも可能である。
【００１８】
絶縁層１１８は、反射層１１６上および画素電極１１４上に配置されており、酸化シリコン、窒化シリコン等の透光性の絶縁材料で構成可能である。
【００１９】
共通電極１２０は、絶縁層１１８上に配置されている。すなわち、共通電極１２０と画素電極１１４とは絶縁層１１８を介して積層されている。共通電極１２０はＩＴＯ、ＩＺＯ等の透光性導電材料で構成可能である。ここでは、共通電極１２０が全ての画素６０にまたがって配置され、これにより各画素６０に共通電極１２０が設けられる場合を例示する。共通電極１２０によって各画素６０へ共通の電位が供給される。共通電極１２０には画素電極１１４に対向する位置に複数のスリット１２２が設けられている。各スリット１２２を通って電極１１４，１２０間に形成される電界（換言すれば電圧）が液晶層３００に印加されることによって、液晶分子の配向が制御される。
【００２０】
なお、画素電極１１４はスリット１２２だけでなくスリット１２２に挟まれた共通電極１２０の電極部にも対向しており、これにより両電極１２０，１１４は絶縁層１１８を介して保持容量を構成している。
【００２１】
不図示の配向膜は、液晶層３００中の液晶分子の配向制御用の膜であり、共通電極１２０を覆って配置されている。当該配向膜の液晶層３００側の表面はスリット１２２の長手方向に略平行に、例えば約５°〜１０°傾いた方向にラビングされている。
【００２２】
液晶表示装置５０は、基板１１０の液晶層３００とは反対側に、不図示の偏光板を含んでいる。なお、当該偏光板を素子基板１００に含めることも可能である。
【００２３】
対向基板２００は例えば、基板２１０の液晶層３００側に、位相差層用配向膜２１２と、位相差層２１４と、第１のオーバーコート層２１６と、遮光膜２１８と、カラーフィルタ２２０と、第２のオーバーコート層２２２と、マルチギャップ層２２４と、不図示の配向膜とを含んでいる。
【００２４】
位相差層用配向膜２１２は基板２１０上に配置されており、位相差層用配向膜２１２上に位相差層２１４が配置されている。つまり、位相差層２１４は位相差層用配向膜２１２を介して基板２１０上に配置されている。位相差層２１４は各画素６０の反射領域６４に設けられており、隣接する反射領域６４にまたがって設けてもよい。位相差層２１４は、反射表示光７４の位相を透過表示光７２の位相との関係において調整するために設けられている。位相差層２１４における位相差量は例えば当該層２１４の厚さの制御によって調整可能であり、これにより位相差層２１４を例えば１／２波長板（２分の１波長板）、１／４波長板（４分の１波長板）等として機能させることができる。位相差層２１４の厚さは例えば２００ｎｍ〜４００ｎｍである。位相差層用配向膜２１２は、位相差層２１４の遅相軸方向を規定する膜である。このため、位相差層用配向膜２１２は少なくとも位相差層２１４の配置領域に設けられる。なお、図１では位相差層用配向膜２１２が反射領域６４および透過領域６２の両方に設けられた場合を例示している。位相差層用配向膜２１２の厚さは例えば５０ｎｍである。
【００２５】
第１のオーバーコート層２１６は、位相差層２１４上および位相差層用配向膜２１２上に配置されており、これらの層２１４および膜２１２を液晶層３００側から覆っている。第１のオーバーコート層２１６は例えばアクリル樹脂等の透光性の絶縁材料で構成可能である。第１のオーバーコート層２１６の厚さは例えば２μｍである。図１では第１のオーバーコート層２１６が平坦化膜を兼ねる場合を例示しており、当該オーバーコート層２１６は液晶層３００側に平坦面を有している。
【００２６】
遮光膜２１８は、第１のオーバーコート層２１６上に配置されており、基板２１０よりも遮光性の高い材料、例えば黒色顔料を含有した各種樹脂等で構成可能である。遮光膜２１８の厚さは例えば１．５μｍである。遮光膜２１８には各画素電極１１４に対向して開口部が設けられている。図１では透過領域６２と反射領域６４とのそれぞれに対して開口部が設けられた構成を例示している。これに対して、遮光膜２１８において各画素６０内で領域６２，６４を分断している部分を取り除いた構成、すなわち各画素６０において両領域６２，６４を連結した構成にしてもよい。この構成によれば、領域６２，６４をそれぞれ広くすることができ、表示光７２，７４の明るさを増大させることができる。また、図１では遮光膜２１８が位相差層２１４の周縁部に重なっている構成を例示している。
【００２７】
カラーフィルタ２２０は、遮光膜２１８の各開口部に設けられており、第１のオーバーコート層２１６上に配置されている。各カラーフィルタ２２０の色（色相）は、その画素６０の表示色（色相）に応じて選定されている。カラーフィルタ２２０の厚さは例えば２μｍである。図１では透過領域６２と反射領域６４とのそれぞれにカラーフィルタ２２０が設けられた構成を例示しているが、各画素６０においてカラーフィルタ２２０を両領域６２，６４にまたがって設けてもよい。また、カラーフィルタ２２０は、画素６０ごとに設けてもよいし、隣接する画素６０の表示色が同じ場合にそれらの画素６０にまたがって設けてもよい。
【００２８】
ここでは液晶表示装置５０がカラー表示用である場合を例示するが、例えばカラーフィルタ２２０を省略することによって、白黒表示用に構成することも可能である。
【００２９】
第２のオーバーコート層２２２は、遮光膜２１８上およびカラーフィルタ２２０上に配置されており、遮光膜２１８およびカラーフィルタ２２０を液晶層３００側から覆っている。第２のオーバーコート層２２２は例えばアクリル樹脂等の透光性の絶縁材料で構成可能である。第２のオーバーコート層２２２の厚さは例えば２μｍである。図１では第２のオーバーコート層２２２が平坦化膜を兼ねる場合を例示しており、当該オーバーコート層２２２は液晶層３００側に平坦面を有している。
【００３０】
マルチギャップ層２２４は、第２のオーバーコート層２２２上に配置されており、アクリル樹脂等の透光性の絶縁材料で構成可能である。マルチギャップ層２２４は、反射領域６４に設けられており、位相差層２１４と同様の配置範囲に設けられている。すなわち、マルチギャップ層２２４と位相差層２１４とは重畳して設けられている。マルチギャップ層２２４は、反射領域６４の液晶層３００の層厚すなわちセルギャップを調整する層厚調整膜（換言すればセルギャップ調整膜）である。例えば、反射領域６４のセルギャップが透過領域６２の半分になるように、マルチギャップ層２２４の厚さが設定されている。
【００３１】
不図示の配向膜は、液晶層３００中の液晶分子の配向制御用の膜であり、マルチギャップ層２２４および第２のオーバーコート層２２２を覆って配置されている。当該配向膜の液晶層３００側の表面は所定方向にラビングされている。
【００３２】
液晶表示装置５０は、基板２１０の液晶層３００とは反対側に、不図示の偏光板を含んでいる。なお、当該偏光板を対向基板２００に含めることも可能である。
【００３３】
透過領域６２における表示は例えば、液晶分子の配向制御用の上記２つの配向膜のラビング方向と上記２つの偏光板の偏光軸方向との関係によって、ノーマリ・ブラック（Normally  Black）とノーマリ・ホワイト（Normally  White）とのいずれにも設定可能である。反射領域６４における表示は、さらに位相差層２１４による位相差量を調整することによって、透過領域６２でのノーマリ・ブラックまたはノーマリ・ホワイトに合わせることが可能である。上記では位相差層２１４が反射領域６４に設けられた構成を例示したが、位相差層２１４を透過領域６２に設けることによって透過表示光７２の位相を反射表示光７４の位相との関係において調整することも可能である。
【００３４】
図２に液晶表示装置５０の製造方法、特に対向基板２００の製造方法を説明するフローチャートを示す。本製造方法は例えば以下に例示する工程ＳＴ１〜ＳＴ８を含んでいる。
【００３５】
工程ＳＴ１では、基板２１０上に位相差層用配向膜２１２を形成する。工程ＳＴ２では、位相差層用配向膜２１２上の所定領域に位相差層２１４を形成する。工程ＳＴ３では、位相差層２１４を覆って位相差層用配向膜２１２上に第１のオーバーコート層２１６を形成する。
【００３６】
工程ＳＴ４では、第１のオーバーコート層２１６上に、開口部を有する遮光膜２１８を形成する。工程ＳＴ５では、遮光膜２１８の開口部に露出した第１のオーバーコート層２１６上にカラーフィルタ２２０を形成する。カラーフィルタ２２０が複数色ある場合、例えば各色のカラーフィルタ２２０を順次、形成すればよい。なお、工程ＳＴ４，ＳＴ５は実施順序を入れ替えてもよい。
【００３７】
工程ＳＴ６では、遮光膜２１８上およびカラーフィルタ２２０上に第２のオーバーコート層２２２を形成する。工程ＳＴ７では、第２のオーバーコート層２２２上にマルチギャップ層２２４を形成する。工程ＳＴ８では、マルチギャップ層２２４を覆って第２のオーバーコート層２２２上に、液晶層３００中の液晶分子を配向制御するための配向膜（図示せず）を形成しラビングする。
【００３８】
位相差層用配向膜２１２および位相差層２１４は例えば次のようにして形成可能である（工程ＳＴ１，ＳＴ２）。まず、基板２１０上に水平配向性の配向膜材料を塗布し焼成およびラビング処理を順次施すことによって、位相差層用配向膜２１２を形成する。そして、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶と反応開始剤とを含む有機溶媒を位相差層用配向膜２１２上に塗布し、加熱により有機溶媒を取り除く。このとき、上記光反応性液晶は位相差層用配向膜２１２のラビング方向に従って配向している。次に、上記光反応性液晶に紫外線を照射してアクリル基を光重合し成膜化することによって、位相差層２１４が形成される。紫外線の未照射部分は各種薬液等によって除去する。紫外線の照射部分を選定することによって、位相差層２１４を所定領域に選択的に形成することができる。なお、位相差層用配向膜２１２および位相差層２１４を上記例示以外の方法によって形成してもよい。例えば、位相差層用配向膜２１２を光配向材料で形成することもでき、この場合ラビングが不要である。
【００３９】
第１のオーバーコート層２１６は、例えば液状の樹脂の塗布や樹脂フィルムの転写等によって形成可能である（工程ＳＴ３）。また、樹脂製の遮光膜２１８は例えば次のようにして形成可能である（工程ＳＴ４）。例えば第１のオーバーコート層２１６上に樹脂膜を形成し当該樹脂膜をパターニングすることによって、上記開口部を有する遮光膜２１８を形成できる。樹脂膜の形成は、第１のオーバーコート層２１６の上記形成方法を応用可能である。樹脂膜のパターニングは、例えば上記樹脂膜が感光性を有する場合、当該感光性樹脂膜をパターン露光し現像することによって実施可能である。カラーフィルタ２２０、第２のオーバーコート層２２２、マルチギャップ層２２４等を樹脂材料で形成する場合、上記例示の形成方法を応用することができる（工程ＳＴ５〜ＳＴ７）。上記形成方法において適宜（例えば樹脂の塗布後、現像後等）、焼成等の熱処理を実施してもよい。
【００４０】
なお、工程ＳＴ１〜ＳＴ８において洗浄等を適宜、実施してもよい。
【００４１】
対向基板２００は、別途形成された素子基板１００とシール等によって貼り合わされる。なお、素子基板１００は例えば公知の各種方法によって形成可能である。液晶層３００は例えば浸漬注入法やＯＤＦ（One  Drop  Fill）法によって形成される。これにより、上記例示の構成を有する液晶表示装置５０を製造することができる。なお、液晶表示装置５０の各種要素は上記以外の他の方法によって形成してもよい。
【００４２】
上記のように位相差層用配向膜２１２と位相差層２１４とは基板２１０上に順次積層されている。基板２１０の表面は、例えば遮光膜およびカラーフィルタを覆って形成されたオーバーコート層の上面に比べて、高い平坦性が得られる。このため、位相差層２１４を比較的平坦な面上に形成可能である。したがって、位相差層２１４の膜厚の均一性が向上し、コントラスト低下等が抑制されて良好な表示品位が得られる。
【００４３】
また、上記のように位相差層２１４とカラーフィルタ２２０との間に第１のオーバーコート層２１６が介在する。このため、第１のオーバーコート層２１６によって位相差層２１４とカラーフィルタ２２０との接触が回避され、当該接触が位相差層２１４の形状、特性等を変化させるのを防止することができる。つまり、第１のオーバーコート層２１６が、カラーフィルタ２２０からの影響に対する保護膜として機能する。したがって、良好な表示品位が得られる。なお、第１のオーバーコート層２１６以外の要素、例えば上記例示の構成とは別途に設けられた膜等によって上記オーバーコート層を構成してもよい。
【００４４】
仮に位相差層２１４がカラーフィルタ２２０に接触する場合、当該接触による位相差層２１４の形状、特性等の変化は位相差層２１４の形成後の各種熱処理によって増大すると考えられる。なお、上記例示の製造工程ＳＴ１〜ＳＴ８の場合、位相差層２１４は後続の工程ＳＴ３〜ＳＴ８において各種の熱処理、例えば樹脂膜の焼成等の熱処理を受ける（図２参照）。しかし、上記オーバーコート層によれば、各種熱処理が及ぼす位相差層２１４の変化増大を抑制することができる。特に位相差層２１４は対向基板２００の製造初期に形成されるので、位相差層２１４は例えば位相差層２１４とカラーフィルタ２２０等との配置位置（配置レイヤー）を入れ替えた構成に比べてより多くの熱処理を経ることになる。このため、位相差層２１４を基板２１０近傍に有する液晶表示装置５０において上記オーバーコート層は有用である。
【００４５】
種々の評価から位相差層２１４は熱収縮することが分かった。この点について以下に説明する。
【００４６】
図３に位相差層２１４の厚さ（または位相差量）と当該層２１４に対する加熱時間との相関を説明する概略図を示す。図３には加熱温度を一定にした場合における位相差層２１４の厚さの経時変化を例示している。図３に示すように、位相差層２１４の厚さは形成直後の厚さｄ０から加熱の時間経過に従って（換言すれば加熱時間の累積に従って）減少し、その減少率は加熱時間の経過に伴って小さくなっていく。なお、十分な加熱によって位相差層２１４の膜厚は一定値に収束すると考えられる。
【００４７】
上記のように位相差層２１４は後続の工程ＳＴ３〜ＳＴ８において樹脂膜の焼成等の各種熱処理を受ける（図２参照）。例えば後続の各工程ＳＴ３〜ＳＴ８における加熱温度および加熱時間が同じである場合、位相差層２１４の膜厚変化は図３に例示した特性線を参照することができる。この場合について工程ＳＴ３〜ＳＴ８の期間を図３中に併記している。なお、ここでは液晶表示装置５０が３色の画素６０を含む場合を例示し、このため図３にはカラーフィルタ形成工程ＳＴ５の期間を３つ図示している。
【００４８】
ここで、加熱温度が高いほど膜厚減少率（特性線の傾きが対応する）は大きくなり、逆に加熱温度が低いほど膜厚減少率は小さくなる。この点に鑑みれば、各工程ＳＴ３〜ＳＴ８での加熱温度が異なる場合の膜厚変化は図３の概略図から容易に推測可能である。例えば、図３に例示した工程ＳＴ３〜ＳＴ８の各期間において特性線の傾きを大きくするまたは小さくすることによって、上記膜厚変化を知ることが可能である。
【００４９】
また、各工程ＳＴ３〜ＳＴ８での加熱時間の相違による膜厚変化は、図３に例示した工程ＳＴ３〜ＳＴ８の各期間の長さを変動させることによって容易に推測可能である。
【００５０】
なお、各工程ＳＴ３〜ＳＴ８における一般的な熱処理、例えば上記の樹脂膜焼成処理を以下に例示する。第１のオーバーコート層２１６の形成工程ＳＴ３では例えば２２０℃で６０分の熱処理が実施される。遮光膜２１８の形成工程ＳＴ４では例えば２２０℃で６０分の熱処理が実施される。カラーフィルタ２２０の形成工程ＳＴ５では例えば２２０℃で６０分の熱処理が実施される。第２のオーバーコート層２２２の形成工程ＳＴ６では例えば２２０℃で６０分の熱処理が実施される。マルチギャップ層２２４の形成工程ＳＴ７では例えば２２０℃で６０分の熱処理が実施される。配向膜形成工程ＳＴ８では例えば２２０℃で３０分の熱処理が実施される。
【００５１】
上記のように位相差層２１４は後続の各種熱処理によって膜厚が減少する。このため、その膜厚減少量に基づいて初期の膜厚ｄ０を設定するのが好ましい。このとき、膜厚減少は例えば図３に概略した相関図から知ることができる。これにより、所定厚さの位相差層２１４が得られ、良好な表示品位が得られる。なお、種々の評価によれば、初期膜厚ｄ０を所定厚さより大きく所定厚さの１．５倍以下に設定すればよいことがわかった。例えば、完成した液晶表示装置５０において厚さ２７０ｎｍの位相差層２１４を必要とする場合、初期膜厚ｄ０を３５０ｎｍの設定が最適であった。
【００５２】
上記では位相差層２１４が基板２１０の液晶層３００側に設けられた場合、すなわち液晶層３００側に内蔵された場合を例示した。これに対して、位相差層２１４を基板２１０の液晶層３００とは反対側に設ける、すなわち基板２１０に外付けすることも可能である。また、上記では位相差層２１４が基板２１０に設けられた構成を例示したが、位相差層２１４を基板１１０または両方の基板１１０，２１０に設けることも可能である。また、上記では位相差層２１４が反射領域６４に設けられた構成を例示したが、位相差層２１４を透過領域６２または両方の領域６２，６４に設けた構成によっても透過表示光７２と反射表示光７４との間の位相調整は可能である。
【００５３】
上記では共通電極１２０が液晶層３００側に配置された構成を例示したが、画素電極１１４を液晶層３００側に配置することも可能である。また、上記ではＦＦＳ方式を例示したが、他の配向制御方式を適用することも可能である。例えば、画素電極１１４と共通電極１２０との両方を基板１１０に設けて液晶層３００に電界を印加する配向制御方式としてＩＰＳ（In-Plane  Switching）方式等があり、画素電極１１４と共通電極１２０とを別々の基板１１０，２１０に設けて液晶層３００に電界を印加する配向制御方式としてＴＮ（Twisted  Nematic）方式、ＥＣＢ（Electrically  Controlled  Birefringence）方式、ＶＡ（Vertical  Alignment）方式等がある。また、領域６２，６４で配向制御方式を異ならせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施の形態に係る液晶表示装置を説明する断面図である。
【図２】実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。
【図３】実施の形態について位相差層の膜厚と加熱時間との相関を説明する概略図である。
【符号の説明】
【００５５】
５０  液晶表示装置、６０  画素、６２  透過領域、６４  反射領域、１００  素子基板、１１０  基板、２００  対向基板、２１０  基板、２１２  位相差層用配向膜、２１４  位相差層、２１６，２２２  オーバーコート層、２２０  カラーフィルタ、３００  液晶層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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