(57)【要約】      （修正有）【課題】冷媒全体の入替えをすることなく、冷媒中に混入する水分を効果的に除去できる静電チャック及び製造装置を提供する。【解決手段】製造装置内で被処理基板７を静電気で保持する静電チャック１の内部を流れる冷媒６に混入した水分８を静電チャック１の外に排出する水分排出機構５を設ける。水分排出機構５としては、静電チャック１の側部に設けた水抜きバルブでも、あるいは静電チャック１の側部に設けた水抜き穴でも良く、さらには、これらを併せて設けても良い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造装置内で被処理基板を静電気で保持する静電チャックであって、前記静電チャックの内部を流れる冷媒に混入した水分を静電チャックの外に排出する水分排出機構を有することを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
上記水分排出機構が、上記静電チャックの側部に設けた水抜きバルブであることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
【請求項３】
上記水分排出機構が、上記静電チャックの側部に設けた水抜き穴であることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
【請求項４】
上記静電チャックの冷媒経路の吸熱部の外周端部と前記冷媒経路の流入部及び排出部の外周端部とが揃っていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の静電チャック。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の静電チャックを装備したことを特徴とする製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は静電チャック及び製造装置に関するものであり、特に、プラズマＣＶＤ装置やプラズマエッチング等の真空・減圧雰囲気中で各種の処理を行う製造装置においてウェーハ等の被処理基板を固定・保持する静電チャックの温度を一定にするための構成に特徴のある静電チャック及び製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置、主にエッチング装置等においてはウェーハを固定・保持するために静電チャックが用いられているが、この静電チャックはウェーハを処理チャンバー内で静電気により保持するものである。
【０００３】
一般に、半導体装置の製造工程においては、処理中におけるウェーハの温度変化は非常に重要であり、一定温度にウェーハを保持できれば安定的なプロセスが維持できるが、ウェーハ温度が処理中に変化した場合にはプロセスの安定性を維持できなくなり、製造不良となる可能性が高くなる。
【０００４】
そのために、ウェーハと接する静電チャックの温度を一定に保つために、静電チャックの内に一定温度の冷媒を流し静電チャックを一定温度にすることにより、その上に保持したウェーハの温度を一定にしている。
例えば、通常の処理においては５０℃程度にし、一方、酸化物のエッチング処理等においては−５℃程度に温度を維持する。
【０００５】
また、静電チャック内の経路には、外部の冷却ユニットで一定温度に調整された冷媒、例えば、フッ素系冷媒カルデンＨＴ（アウジモント社製商品名）が流れており、その温度を静電チャック全体に伝達することによって、静電チャックの上面に保持したウェーハの冷却を行っている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３０３８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このようなフッ素系冷媒を循環させる静電チャックを備えた半導体製造装置によって処理を繰り返すと、冷却機能が十分ではなくなり、製造不良が発生するので、この事情を図８及び図９を参照して説明する。
【０００７】
図８参照  
図８は、フッ素系冷媒を循環させる静電チャックを備えた半導体製造装置の概念的構成図であり、チャンバーを含む半導体製造装置本体５１には冷媒ユニット５２から配管系５３を介して冷媒５４が循環供給されている。
【０００８】
図９参照  
図９は、静電チャックの冷媒循環系を示す概略的構成図であり、静電チャック６０には、供給管６１、吸熱部６２及び排出管６３により構成され、吸熱部６２の上にウェーハ５５が静電的に固着される。
なお、ここでは、静電吸着機構については図示・説明を省略するが、従来公知の各種の構成を採用するものである。
【０００９】
この場合、供給管６１から供給された冷媒５４、例えば、フッ素系冷媒カルデンＨＴ（アウジモント社製商品名）は吸熱部６２においてウェーハ５５の熱を吸熱してウェーハ５５を一定の温度に保ち、吸熱で温度上昇した冷媒５４は排出管６３から配管系５３を介して冷却ユニット５２に戻される。
【００１０】
この時、冷媒５４の循環経路は外部の冷却ユニット５２が空気雰囲気対して完全に密閉されているわけではないので、この外部の冷却ユニット５２において冷媒５４が空気雰囲気に晒されて冷媒５４への水分の混入が起こり長時間の連続使用で冷媒５４中の水分濃度が除々に上昇し、規定飽和値を超える状態となる。
即ち、冷媒５４を長期間使用した場合の冷媒中に混入する水分濃度を測定した結果、長期間使用した冷媒５４の水分濃度は規定飽和値を超えており、明らかに水分濃度が上昇していることを確認した。
【００１１】
この時、フッ素系の冷媒５４よりも水分のほうが比重が軽いので、水分の混入により冷媒５４は冷媒層５６と水分層５７の２層分離状態で経路を流れることとなり、この２層分離状態の冷媒５４は、静電チャック６０内の経路を流れる時に水分層５７が静電チャック６０上面の経路に滞留するという状態となる。
【００１２】
この結果、冷媒５４の温度は水分層５７を介して静電チャック６０上面に伝わることとなり、温度伝達効率が悪化し、処理中のウェーハ５５の温度制御に影響を及ぼし製造不良となる可能性が高くなるという問題がある。
【００１３】
そこで、このような状態における製造不良を未然に防止するために、処理中のウェーハ５５の温度変化に起因する製造障害の発生時には、まずは静電チャック６０の交換を試みているがその場合、一時的にはウェーハ５５の温度変化は改善されるが、その後使用を続けるとウェーハ５５の温度変化が再発し製造障害が再度発生するという問題がある。
【００１４】
即ち、上述のように、ウェーハ温度変化の原因が冷媒中の水分濃度上昇によるものということが判明しているので、単に静電チャックだけを交換して冷媒自体を交換していないので、冷媒経路には水分を含んだ冷媒が残っているため対策にはならない。
【００１５】
そこで、このような問題を解決するために、冷媒劣化防止という意味で、冷媒の定期交換を行う仕様を新たに設定し運用を行っているが、
（１）現状の定期交換を１０か月毎としているが、湿度等の変化により水分の冷媒への混入が毎回一定ではないので正確な冷媒交換タイミングが分からず、製造障害が発生してしまう場合があり、また、
（２）冷媒の総入れ替えになるので、製造設備から静電チャックを取り外す必要があり、生産に与える影響が大きく、さらに、
（３）冷媒の総入れ替えになるので、冷媒コストが高くなり、生産コストに跳ね返ることになる
という問題点が顕在化している。
【００１６】
したがって、本発明は、冷媒全体の入替えをすることなく、冷媒中に混入する水分を効果的に除去することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記の課題を解決するために、本発明は、製造装置内で被処理基板７を静電気で保持する静電チャック１であって、静電チャック１の内部を流れる冷媒６に混入した水分８を静電チャック１の外に排出する水分排出機構５を有することを特徴とする。
【００１８】
このように、静電チャック１の内部を流れる冷媒６に混入した水分８を静電チャック１の外に排出する水分排出機構５を設けることによって、静電チャック１内の冷媒経路上面に滞留した水分８を静電チャック１を装置から取り外すことなく定期的に除去することができ、それによって、冷媒６全体の入替えが不要になる。
【００１９】
この場合の水分排出機構５としては、静電チャック１の側部に設けた水抜きバルブでも或いは静電チャック１の側部に設けた水抜き穴でも良く、さらには、これらを併せて設けても良いものである。
なお、水抜き穴を設ける場合には、プロセス処理中に水抜き穴を塞ぐためのイモネジ等の閉塞手段が必要になる。
【００２０】
また、上述の水分排出機構５を有する静電チャック１に設けられた冷媒経路の排出側に経路遮断バルブを設けても良く、この経路遮断バルブを閉めることによって、冷媒６の上層に溜まっている水分８を効率的に除去することができる。
【００２１】
また、静電チャック１の冷媒経路の吸熱部２の外周端部と冷媒経路の流入部３及び排出部４の外周端部とが揃うようにして、冷媒経路を変更しても良く、それによって、冷媒６の流れがスムーズになって経路上面に水分８が滞留しにくくなるので、水分除去作業の周期を長くすることができる。
【００２２】
この場合、静電チャック１の冷媒経路の吸熱部２の上端部に、冷媒経路の流入部３及び排出部４の太さの１／３〜１／４の範囲に渡る曲率を持たせることが望ましく、それによって、水分８が経路上面により滞留しにくくなる。
なお、１／８未満になると曲率を持たせる効果が十分ではなくなり、一方、１／２を超えると被処理基板７の外周部との接触面において吸熱部上の厚さが熱くなり、熱伝達性が低下して被処理基板７の温度分布が不均一になりやすい。
【００２３】
上述の静電チャック１を装備することによって、処理中の被処理基板７の温度変化に起因する製造障害が発生しにくい製造装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、冷媒総入れ替えのためのメンテナンスが不要になるため、製品処理数の向上、即ち、スループットの向上に寄与するとともに、冷媒入れ替えコストが大幅に低減し、さらには、ウェーハの温度が常に一定に保たれることによりプロセスが安定し、製品品質が向上するとともに製造トラブルが低減し、併せて製品の低コスト化に寄与することが大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明は、プラズマエッチング装置等の製造装置内で半導体ウェーハ等の被処理基板を静電気で保持する静電チャックに、静電チャックの内部を流れる冷媒、特に、フッ素系冷媒に混入した水分を静電チャックの外に排出する水抜きバルブ或いは水抜き穴の少なくとも一方からなる水分除去機構を設けたものである。
【００２６】
また、必要に応じて、静電チャックに設けられた冷媒経路の排出側に経路遮断バルブを設ける、或いは、冷媒の流れをスムーズにするために、静電チャックの冷媒経路の吸熱部の外周端部と前記冷媒経路の流入部及び排出部の外周端部とが揃うようにする、さらには、静電チャックの冷媒経路の吸熱部の上端部にＲ（曲率）を設けるものである。
【実施例１】
【００２７】
ここで、図２及び図３を参照して、本発明の実施例１の静電チャック及び静電チャックを備えた半導体製造装置を説明する。
図２参照  
図２は、本発明の実施例１の静電チャックを備えた半導体製造装置の概念的構成図であり、チャンバーを含む半導体製造装置本体１１、半導体製造装置本体１１の内部に装備された静電チャック２０に冷媒１４、例えば、フッ素系冷媒カルデンＨＴ（アウジモント社製商品名）を供給する冷媒ユニット１２、冷媒ユニット１２と静電チャック２０との間に冷媒１４を循環させる配管系１３から構成される。
【００２８】
図３参照  
図３は、本発明の実施例１の静電チャックの冷媒循環系を示す概略的構成図であり、静電チャック２０は供給管２１、吸熱部２２及び排出管２３により構成されるとともに、吸熱部２２の排出管２３側の側端部に水抜き用配管２４と水抜きバルブ２５とを設ける。
なお、ここでは、静電吸着機構については図示・説明を省略するが、従来公知の各種の構成を採用するものである。
【００２９】
なお、この場合の静電チャック２０のサイズの一例を挙げると、静電チャック２０のウェーハ１５の固着面の直径は例えば、２２０ｍｍであり、吸熱部２２の厚さは４０ｍｍであり、水抜き用配管２４の直径は２ｍｍである。
また、冷媒１４は、例えば、２リットル／分の流量で供給する。
【００３０】
この場合、供給管２１から供給された冷媒１４は吸熱部２２においてウェーハ１５の熱を吸熱してウェーハ１５を一定の温度に保ち、吸熱で温度上昇した冷媒１４は排出管２３から配管系１３を介して冷却ユニット１２に戻される。
【００３１】
この実施例１においては、半導体製造装置に稼働率によるが、定期的に、例えば、４週間毎に冷媒１４を循環させた状態で水抜きバルブ２５を例えば０．５分間開いて吸熱部２２において冷媒１４の上に滞留する水分１６を静電チャック２０の外部に排出する。
この時、水分１６の厚さは１ｍｍ以下であるので、直径が２ｍｍの水抜き用配管２４から排出されることになる。
【００３２】
この様に、本発明の実施例１においては静電チャックの側端部に水抜き用配管２４と水抜きバルブ２５とからなる水分排出機構を設けているので、静電チャック２０を取り外すことなく冷媒１４の上に滞留する水分１６を定期的に静電チャック２０の外部に排出することができ、且つ、冷媒の総入替えも不要になる。
【実施例２】
【００３３】
次に、図４を参照して、本発明の実施例２の静電チャック及び静電チャックを備えた半導体製造装置を説明するが、半導体製造装置の基本構成自体は上記の実施例１と全く同様であるので、静電チャックの構成のみを説明する。
【００３４】
図４参照  
図４は、本発明の実施例２の静電チャックの冷媒循環系を示す概略的構成図であり、静電チャック２０は供給管２１、吸熱部２２及び排出管２３により構成されるとともに、吸熱部２２の排出管２３側の側端部に水抜き用穴２６と、水抜き用穴２６を閉塞するイモネジ２７及びイモネジ２７を水抜き用穴２６に水密に固定するＯ−リング２８とを設ける。  なお、ここでも、静電吸着機構については図示・説明を省略するが、従来公知の各種の構成を採用するものである。
【００３５】
なお、この場合の静電チャック２０のサイズの一例を挙げると、静電チャック２０のウェーハ１５の固着面の直径は例えば、２２０ｍｍであり、吸熱部２２の厚さは４０ｍｍであり、水抜き用穴２６の直径は２ｍｍである。
また、冷媒１４は、例えば、２リットル／分の流量で供給する。
【００３６】
この実施例２においては、半導体製造装置に稼働率によるが、定期的に、例えば、５週間毎にイモネジ２７を取外し、水抜き用穴２６を例えば１分間開いた状態で冷媒１４を循環させて吸熱部２２において冷媒１４の上に滞留する水分１６を静電チャック２０の外部に排出する。
この時、水分１６の厚さは１ｍｍ以下であるので、直径が２ｍｍの水抜き用穴２６から排出されることになる。
【００３７】
この様に、本発明の実施例２においては静電チャックの側端部に水抜き用穴２６、イモネジ２７及びＯ−リング２８からなる水分排出機構を設けているので、静電チャック２０を取り外すことなく冷媒１４の上に滞留する水分１６を定期的に静電チャック２０の外部に排出することができ、且つ、冷媒の総入替えも不要になる。
【００３８】
また、静電チャック２０の水抜き用穴２６を設けた側端部はイモネジ２７で密閉された構造となり突出部が存在しないので周辺パーツに影響を及ぼすことがなく、特に、放電を伴うプラズマ処理においては突出部に伴う異常放電の発生を回避することができる。
【実施例３】
【００３９】
次に、図５を参照して、本発明の実施例３の静電チャック及び静電チャックを備えた半導体製造装置を説明するが、半導体製造装置の基本構成自体は上記の実施例１と全く同様であるので、静電チャックの構成のみを説明する。
【００４０】
図５参照  
図５は、本発明の実施例３の静電チャックの冷媒循環系を示す概略的構成図であり、静電チャック２０は供給管２１、吸熱部２２及び排出管２３により構成されるとともに、吸熱部２２の排出管２３側の側端部に水抜き用穴２６と、水抜き用穴２６を閉塞するイモネジ２７及びイモネジ２７を水抜き用穴２６に水密に固定するＯ−リング２８とを設けるとともに、排出管２３にストップバルブ２９を設ける。
なお、ここでも、静電吸着機構については図示・説明を省略するが、従来公知の各種の構成を採用するものである。
なお、この場合の静電チャック２０の各サイズ及び冷媒１４の流量は実施例２と同様である。
【００４１】
この実施例３においては、半導体製造装置に稼働率によるが、定期的に、例えば、６週間毎にイモネジ２７を取外し、水抜き用穴２６を例えば１．５分間開くとともに、排出管２３に設けたストップバルブ２９を閉めた状態で冷媒１４を循環させることによって吸熱部２２において冷媒１４の上に滞留する水分１６を静電チャック２０の外部に排出する。  この時、ストップバルブ２９は閉められているので、水分１６は冷媒１４と共に水抜き用穴２６から外部に排出されることになる。
【００４２】
この様に、本発明の実施例３においては排出管２３にストップバルブ２９を設けているので、上記の実施例２の静電チャックに比べて効率良く、短時間で水分を排出することが可能になる。
【実施例４】
【００４３】
次に、図６を参照して、本発明の実施例４の静電チャック及び静電チャックを備えた半導体製造装置を説明するが、半導体製造装置の基本構成自体は上記の実施例１と全く同様であるので、静電チャックの構成のみを説明する。
【００４４】
図６参照  
図６は、本発明の実施例４の静電チャックの冷媒循環系を示す概略的構成図であり、静電チャック３０は供給管３１、吸熱部３２及び排出管３３により構成されるとともに、吸熱部３２の排出管３３側の側端部に水抜き用穴３４と、水抜き用穴３４を閉塞するイモネジ３５及びイモネジ３５を水抜き用穴３４に水密に固定するＯ−リング３６とを設けるとともに、供給管３１及び排出管３３の取付け位置を吸熱部３２の最外周部として、吸熱部３２の外周端部と供給管３１及び排出管３３の外周端部とを一致させる。
なお、ここでも、静電吸着機構については図示・説明を省略するが、従来公知の各種の構成を採用するものである。
なお、この場合の静電チャック３０の各サイズ及び冷媒１４の流量は実施例１と同様である。
【００４５】
この実施例４においては、半導体製造装置に稼働率によるが、定期的に、例えば、４．５週間毎にイモネジ３５を取外し、水抜き用穴３４を例えば２分間開いた状態で冷媒１４を循環させて吸熱部３２において冷媒１４の上に滞留する水分１６を静電チャック３０の外部に排出する。
【００４６】
この様に、本発明の実施例４においては供給管３１及び排出管３３の取付け位置を吸熱部３２の最外周部として、吸熱部３２の外周端部と供給管３１及び排出管３３の外周端部とを一致させているので、供給管３１及び排出管３３の外側に冷媒経路が無くなることにより流れの滞留が無くなり、吸熱部３２において冷媒１４上に滞留する水分１６が少なくなるので、定期的水抜きの周期を長くして半導体製造装置の稼働率を高めることができる。
【実施例５】
【００４７】
次に、図７を参照して、本発明の実施例５の静電チャック及び静電チャックを備えた半導体製造装置を説明するが、半導体製造装置の基本構成自体は上記の実施例１と全く同様であるので、静電チャックの構成のみを説明する。
【００４８】
図７参照  
図７は、本発明の実施例５の静電チャックの冷媒循環系を示す概略的構成図であり、静電チャック３０は上記の実施例４と同様に、供給管３１、吸熱部３２及び排出管３３により構成されるとともに、吸熱部３２の排出管３３側の側端部に水抜き用穴３４と、水抜き用穴３４を閉塞するイモネジ３５及びイモネジ３５を水抜き用穴３４に水密に固定するＯ−リング３６とを設けるとともに、供給管３１及び排出管３３の取付け位置を吸熱部３２の最外周部として、吸熱部３２の外周端部と供給管３１及び排出管３３の外周端部とを一致させ、さらに、吸熱部の外周上部に丸み（Ｒ）３７を設ける。
なお、ここでも、静電吸着機構については図示・説明を省略するが、従来公知の各種の構成を採用するものである。
【００４９】
この場合の静電チャック３０の各サイズ及び冷媒１４の流量は実施例１と同様であるが、丸み（Ｒ）３７は、外周端部から内側に向かって２０ｍｍの範囲まで全周に渡って設けるものであり、曲率半径としては、例えば、１０ｍｍとする。
【００５０】
この実施例５においては、半導体製造装置に稼働率によるが、定期的に、例えば、５．５週間毎にイモネジ３５を取外し、水抜き用穴３４を例えば１分間開いた状態で冷媒１４を循環させることによって吸熱部３２において冷媒１４の上に滞留する水分１６を静電チャック３０の外部に排出する。
【００５１】
この様に、本発明の実施例５においては吸熱部３２の外周上部に丸み（Ｒ）３７を設けているので、冷媒１４の流れがよりスムーズになって流れの滞留が無くなり、吸熱部３２において冷媒１４上に滞留する水分１６が少なくなるので、上記の実施例４の場合より定期的水抜きの周期を長くして半導体製造装置の稼働率を高めることができる。
【００５２】
以上、本発明の各実施例を説明したが、本発明は各実施例に示した構成、条件、数値に限られるものではなく、各種の変更が必要であり、例えば、静電チャックのサイズ或いは冷媒流量は単なる一例であり、扱うウェーハのサイズに応じて静電チャックのサイズや冷媒の流量は適宜変更されるものである。
【００５３】
また、上記の各実施例においては、水分排出機構として、水抜き用バルブ或いは水抜き用穴の一方しか設けていないが、両方を併せて設けても良いものである。
【００５４】
また、上記の実施例３に示した排出管に設けるストップバルブは、上記の実施例１、或いは、実施例４及び実施例５に示した静電チャックに設けも良いものである。
【００５５】
また、上記の実施例３乃至実施例５においては、水分排出機構として水抜き用穴を設けているが、実施例１と同様に水抜き用バルブを設けても良いものである。
【００５６】
また、上記の各実施例１においては冷媒として、フッ素系冷媒カルデンＨＴ（アウジモント社製商品名）を用いているが、このような冷媒に限られるものではなく、フッ素系冷媒カルデンＨＴ（アウジモント社製商品名）と同様のフッ素系冷媒、例えば、フロリナート（住友スリーエム社製商品名）等の他のフッ素系冷媒を用いても良いものである。
【００５７】
ここで、再び図１を参照して、改めて、本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  製造装置内で被処理基板７を静電気で保持する静電チャック１であって、前記静電チャック１の内部を流れる冷媒６に混入した水分８を静電チャック１の外に排出する水分排出機構５を有することを特徴とする静電チャック。
（付記２）  上記水分排出機構５が、上記静電チャック１の側部に設けた水抜きバルブであることを特徴とする付記１記載の静電チャック。
（付記３）  上記水分排出機構５が、上記静電チャック１の側部に設けた水抜き穴であることを特徴とする付記１記載の静電チャック。
（付記４）  上記水分排出機構５が、上記静電チャック１の側部に設けた水抜きバルブと水抜き穴とからなることを特徴とする付記１記載の静電チャック。
（付記５）  上記静電チャック１に設けられた冷媒経路の排出側に経路遮断バルブを設けたことを特徴とする付記１乃至付記４のいずれか１に記載の静電チャック。
（付記６）  上記静電チャック１の冷媒経路の吸熱部２の外周端部と前記冷媒経路の流入部３及び排出部４の外周端部とが揃っていることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載の静電チャック。
（付記７）  上記静電チャック１の冷媒経路の吸熱部２の上端部に、上記冷媒経路の流入部３及び排出部４の太さの１／３〜１／４の範囲に渡る曲率を持たせたことを特徴とする付記６記載の静電チャック。
（付記８）  付記１乃至７のいずれか１に記載の静電チャック１を装備したことを特徴とする製造装置。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明の活用例としては、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ装置等の半導体製造装置が典型的なものであるが、半導体製造装置に限られるものではなく、真空中或いは減圧雰囲気中で成膜・エッチング加工等の冷却を必要とする処理を行う製造装置一般に適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１の静電チャックを備えた半導体製造装置の概念的構成図である。
【図３】本発明の実施例１の静電チャックの冷媒循環系を示す概略的構成図である。
【図４】本発明の実施例２の静電チャックの冷媒循環系を示す概略的構成図である。
【図５】本発明の実施例３の静電チャックの冷媒循環系を示す概略的構成図である。
【図６】本発明の実施例４の静電チャックの冷媒循環系を示す概略的構成図である。
【図７】本発明の実施例５の静電チャックの冷媒循環系を示す概略的構成図である。
【図８】フッ素系冷媒を循環させる静電チャックを備えた半導体製造装置の概念的構成図である。
【図９】静電チャックの冷媒循環系を示す概略的構成図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  静電チャック
２  吸熱部
３  流入部
４  排出部
５  水分排出機構
６  冷媒
７  被処理基板
８  水分
１１  半導体製造装置本体
１２  冷媒ユニット
１３  配管系
１４  冷媒
１５  ウェーハ
１６  水分
２０  静電チャック
２１  供給管
２２  吸熱部
２３  排出管
２４  水抜き用配管
２５  水抜きバルブ
２６  水抜き用穴
２７  イモネジ
２８  Ｏ−リング
２９  ストップバルブ
３０  静電チャック
３１  供給管
３２  吸熱部
３３  排出管
３４  水抜き用穴
３５  イモネジ
３６  Ｏ−リング
３７  丸み（Ｒ）
５１  半導体製造装置本体
５２  冷媒ユニット
５３  配管系
５４  冷媒
５５  ウェーハ
５６  冷媒層
５７  水分層
６０  静電チャック
６１  供給管
６２  吸熱部
６３  排出管
【図１】
2008124090.tif 000003
【図２】
2008124090.tif 000004
【図３】
2008124090.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2008124090.tif 000008
【図７】
2008124090.tif 000009
【図８】
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【図９】
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