(57)【要約】【課題】ＦＥＴスイッチにおける低ひずみ特性を得るためＤＣ−ＤＣ変換回路を用いながらも、従来に比して消費電力の少ない半導体スイッチ集積回路を提供する。【解決手段】  ＤＣ−ＤＣ変換回路２と、外部からの経路切替信号に応じてＤＣ−ＤＣ変換回路２の出力電圧を、スイッチ回路４へ供給するデコーダ回路３とを具備してなると共に、ＤＣ−ＤＣ変換回路２には、その接地側を、選択的に、開放状態と、グランド接続状態に切り替え可能に構成されてなる動作切替回路２５が設けられ、また、ＤＣ−ＤＣ変換回路２とデコーダ回路３との間には、電圧切替回路５が設けられ、ＤＣ−ＤＣ変換回路２から昇圧電圧出力がある場合には、その昇圧電圧がデコーダ回路３を介してスイッチ回路４へ供給される一方、ＤＣ−ＤＣ変換回路２からの昇圧電圧がない場合には、電圧ＶＤＤがデコーダ回路３を介してスイッチ回路４へ供給されるようになっている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの共通入出力端子と、２つ以上の複数の個別外部回路接続端子と、前記共通入出力端子と前記複数の個別外部回路接続端子とを選択的に接続する半導体スイッチ素子とを有すると共に、前記半導体スイッチ素子の動作電圧を生成、出力するＤＣ−ＤＣ変換回路と、外部からの経路切替信号に応じて前記ＤＣ−ＤＣ変換回路の出力電圧を、前記半導体スイッチ素子へ供給するデコーダ回路とを具備してなる半導体スイッチ集積回路において、
外部から印加される動作切替信号に応じて、前記ＤＣ−ＤＣ変換回路の接地側を、選択的に、開放状態と、グランド接続状態に切り替え可能に構成されてなる動作切替回路と、
前記ＤＣ−ＤＣ変換回路から所定の電圧出力がある場合には、当該ＤＣ−ＤＣ変換回路の出力電圧を、前記ＤＣ−ＤＣ変換回路の電圧出力がない場合には、外部から印加された電源電圧を、それぞれ前記デコーダ回路へ供給可能に構成されてなる電圧切替回路とを設け、
前記動作切替信号によって所定の場合にのみ、前記ＤＣ−ＤＣ変換回路を動作状態として、当該ＤＣ−ＤＣ変換回路の出力電圧による前記半導体スイッチ素子の駆動を可能としてなることを特徴とする半導体スイッチ集積回路。
【請求項２】
前記動作切替回路は、エンハンスメント電界効果トランジスタを用いてなり、動作切替信号を、ゲートに印加することで、その導通、非導通を制御可能に構成されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体スイッチ集積回路。
【請求項３】
前記電圧切替回路は、ダイオードを用いてなり、そのアノード側に外部から印加された電源電圧が、そのカソード側にＤＣ−ＤＣ変換回路の出力電圧が、それぞれ印加されるように設けられると共に、カソード側がデコーダ回路に接続されるよう構成されてなることを特徴とする請求項１又は請求項２いずれかに記載の半導体スイッチ集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話端末や移動体通信機器等において、通信機器のアンテナと送信回路又は受信回路との接続を切り替える、いわゆるアンテナスイッチに係り、特に、ＤＣ−ＤＣ変換回路を備える半導体スイッチ集積回路の消費電力の低減を図ったものに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯電話端末の高機能化に伴い、携帯電話端末機器等における複数の周波数帯を利用できるマルチバンド化が進んでいる。かかるマルチバンド化における携帯端末は、複数の周波数帯に対応した送受信フロントエンド部を備えており、これら複数のフロントエンド部とアンテナの切り替えには、アンテナスイッチが用いられる。また、アンテナの送受信感度向上のため、複数のアンテナを切り替えるべく複数のアンテナ端子が必要となる場合や、さらに、内部アンテナと外部アンテナとを使い分けるため、複数のアンテナ端子が必要となる場合もあり、このような場合にも、アンテナスイッチを用いて複数のアンテナを選択できるように構成することが行われる。
【０００３】
かかるアンテナスイッチは、所望のアンテナと送受信フロントエンド部への接続を制御するための制御信号によって、信号の通過経路が切り替えられるようになっている。一般に、アンテナスイッチに用いられる素子は、ＰＩＮダイオードとＦＥＴとに大別できる。この内、ＦＥＴを用いた場合には、ＩＣの小型化が容易であると共に、消費電流が極めて少なくできるという利点がある。
アンテナスイッチに必要とされる機能は、上述のように所望の送受信フロントエンドとアンテナ端子間を切り替えることであり、性能的には切り替える際の通過損失が少なく、切り離した経路間のアイソレーションを十分に確保できることが必要となるが、さらに、アンテナスイッチの性能を判断する要素として、ひずみ特性がある。
【０００４】
アンテナスイッチには、上述のようにダイオードやＦＥＴなどの半導体素子を用いるので、少なからず非線形特性が生ずる。そして、携帯電話端末の送信信号がアンテナスイッチを通過する際に、この非線形特性によってひずみを発生する。例えば、送信周波数の整数倍の周波数は高調波と称されるが、高調波がアンテナから不要に輻射される電力レベルは、法律で規制されており、送信電力に対して、極めて低いレベルに抑制する必要がある。
【０００５】
また、第３世代携帯電話で使用されるＷＣＤＭＡ(Wide Band CDMA)方式では、ブロッキング特性と称される仕様があり、ひずみ特性の重要な指標となっている。ＷＣＤＭＡやｃｄｍａ方式では、送信と受信を同時に行うが、送信信号に対して外部から妨害信号として、特性の周波数信号がアンテナスイッチに混入すると、アンテナスイッチのひずみ特性によって受信周波数帯の信号を発生してしまう。これは、受信妨害を生ずるため、ひずみにより妨害受信信号を発生するレベルは、極めて低いレベルが要求される。この特性は、ＩＭＤ(Inter Modulation Distortion)特性と称されるものである。
【０００６】
このように、アンテナスイッチには、高周波やＩＭＤ等のひずみを抑制することが強く要求されている。
ところで、ＦＥＴを用いたアンテナスイッチにおいて、低ひずみ特性を実現する場合、スイッチ回路を構成するトランジスタを多段に縦続接続する方法と、ＦＥＴの動作電圧を上げる方法が考えられる。
前者は、設計上は容易であるが、スイッチを構成するＩＣチップの面積が極めて大きくなり、コストが増大するという欠点がある。一方、後者の動作電圧を上げる方法は、スイッチを構成するＩＣチップ面積を小さくすることができるという利点があるが、携帯電話端末ではバッテリ電圧の制約があるため、低電圧動作が要求されており、アンテナスイッチに外部から供給される電源電圧を上げることにより、ＦＥＴの動作電圧を上げることはできない。
【０００７】
これに対するひとつの解決策として、アンテナスイッチ内部に、ＤＣ−ＤＣコンバータ（ＤＣ−ＤＣ変換回路）を内蔵し、外部から供給される電源電圧を昇圧し、スイッチを実際に駆動するための動作電圧を高くすることが考えられる。
このように、動作電圧を上げるためのＤＣ−ＤＣ変換回路を備える半導体スイッチ集積回路としては、例えば、特許文献１等において、発振回路とチャージポンプを用いてなるＤＣ−ＤＣ変換回路を備えたものが開示されている。
【０００８】
図４には、かかる従来の半導体スイッチ集積回路の構成例が示されており、以下、同図を参照しつつ従来の半導体スイッチ集積回路について説明する。
この半導体スイッチ集積回路１Ａは、ＤＣ−ＤＣ変換回路２Ａと、デコーダ回路（図４においては「ＤＥＣ」と表記）３Ａと、スイッチ回路４Ａとを主たる構成要素として構成されたものとなっている。
ＤＣ−ＤＣ変換回路２Ａは、発振回路（図４においては「ＯＳＣ」と表記）２１Ａと、バッファ回路（図４においては「ＢＵＦ」と表記）２２Ａと、チャージポンプ回路（図４においては「ＰＵＭＰ」と表記）２３Ａと、平滑回路（図４においては「ＦＩＬ」と表記）２４Ａとを有して構成されたものとなっている。
【０００９】
かかる構成において、スイッチ回路４Ａは、デコーダ回路３Ａからの制御信号に応じて、第１及び第２の外部回路接続端子４０２Ａ，４０３Ａにそれぞれ接続された外部回路（図示せず）を、選択的にアンテナ接続端子４０１Ａに接続できるようになっている。
ここで、第１及び第２の外部回路接続端子４０２Ａ，４０３Ａに接続される外部回路は、送信回路や受信回路あるいは送受信回路などである。
【００１０】
デコーダ回路３Ａは、電源供給端子２０１Ａを介して印加される電源電圧ＶＤＤによって動作し、経路切替信号入力端子３０１Ａから入力される経路切替信号に応じて、ＤＣ−ＤＣ変換回路２Ａからの昇圧電圧ＶＤＯＵＴを、スイッチ回路４Ａに対する制御信号として出力するようになっている。
【００１１】
ＤＣ−ＤＣ変換回路２Ａには、電源供給端子２０１Ａから電源電圧ＶＤＤが印加され、発振回路２１Ａにおいてクロック電圧が発生され、このクロック電圧がバッファ回路２２Ａを介してチャージポンプ２３Ａに入力されるようになっている。そしてチャージポンプ２３Ａにおいて、入力されたクロック電圧の昇圧がなされ、昇圧されたクロック電圧は、平滑回路２４Ａによる平滑化により直流電圧に変換されて、デコーダ回路３Ａの制御に応じて、スイッチ回路４Ａのトランジスタスイッチ４１Ａに印加されるようになっている。
【００１２】
かかる従来回路においては、外部からの電源電圧よりも大きい電圧を、スイッチ回路４Ａに供給することが可能であり、そのため、外部回路が送信状態で大電力が通過する場合に問題となるひずみの発生を抑圧した半導体スイッチ集積回路を実現することができる。
【特許文献１】特開平１１−５５１５６号公報（第５−８頁、図１−図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上述のようなＤＣ−ＤＣ変換回路２Ａを備える半導体スイッチ集積回路は、ＤＣ−ＤＣ変換回路２Ａを構成する発振回路２１Ａなどを駆動するための消費電力が大きく、また、昇圧電圧が大きくなるにしたがいトランジスタ４１Ａにおける消費電流が増加するため、ＤＣ−ＤＣ変換回路２Ａを備えない半導体スイッチ集積回路と比較して消費電力が増加するという問題があった。これは、ＦＥＴを用いた高周波スイッチの特徴である低消費電流、低消費電力を損なってしまうものである。
このため、ＦＥＴの低消費電流、低消費電力という特徴を損なうことなく低ひずみ実現のためにＤＣ−ＤＣ変換回路を用いることができる半導体スイッチ集積回路が所望されている。
【００１４】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたもので、ＦＥＴスイッチにおける低ひずみ特性を得るためＤＣ−ＤＣ変換回路を用いながらも、従来に比して大幅に消費電力の少ない半導体スイッチ集積回路を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記本発明の目的を達成するため、本発明に係る半導体スイッチ集積回路は、
少なくとも１つの共通入出力端子と、２つ以上の複数の個別外部回路接続端子と、前記共通入出力端子と前記複数の個別外部回路接続端子とを選択的に接続する半導体スイッチ素子とを有すると共に、前記半導体スイッチ素子の動作電圧を生成、出力するＤＣ−ＤＣ変換回路と、外部からの経路切替信号に応じて前記ＤＣ−ＤＣ変換回路の出力電圧を、前記半導体スイッチ素子へ供給するデコーダ回路とを具備してなる半導体スイッチ集積回路において、
外部から印加される動作切替信号に応じて、前記ＤＣ−ＤＣ変換回路の接地側を、選択的に、開放状態と、グランド接続状態に切り替え可能に構成されてなる動作切替回路と、
前記ＤＣ−ＤＣ変換回路から所定の電圧出力がある場合には、当該ＤＣ−ＤＣ変換回路の出力電圧を、前記ＤＣ−ＤＣ変換回路の電圧出力がない場合には、外部から印加された電源電圧を、それぞれ前記デコーダ回路へ供給可能に構成されてなる電圧切替回路とを設け、
前記動作切替信号によって所定の場合にのみ、前記ＤＣ−ＤＣ変換回路を動作状態として、当該ＤＣ−ＤＣ変換回路の出力電圧による前記半導体スイッチ素子の駆動を可能としてなるものである。
かかる構成において、前記動作切替回路は、エンハンスメント電界効果トランジスタを用いてなり、動作切替信号を、ゲートに印加することで、その導通、非導通を制御可能に構成されてなるものとすると好適である。
さらに、かかる構成において、前記電圧切替回路は、ダイオードを用いてなり、そのアノード側に外部から印加された電源電圧が、そのカソード側にＤＣ−ＤＣ変換回路の出力電圧が、それぞれ印加されるように設けられると共に、カソード側がデコーダ回路に接続されるよう構成されてなるものとするとより好適である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、低ひずみ動作が必要とされる場合、例えば、送信時においてのみＤＣ−ＤＣ変換回路を動作させることができるような構成としたので、ＤＣ−ＤＣ変換回路を備えることによる消費電力の増大を必要最小限とすることができ、ＤＣ−ＤＣ変換回路を用いながらも、従来に比して大幅に消費電力の少ない半導体スイッチ集積回路を提供することができるという効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図１乃至図３を参照しつつ説明する。
なお、以下に説明する部材、配置等は本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨の範囲内で種々改変することができるものである。
最初に、本発明の実施の形態における半導体スイッチ集積回路の基本回路構成例について、図１を参照しつつ説明する。
本発明の実施の形態における半導体スイッチ集積回路１は、ＤＣ−ＤＣ変換回路２と、デコーダ回路（図１においては「ＤＥＣ」と表記）３と、スイッチ回路４と、電圧切替回路５とを主たる構成要素として構成されたものとなっている。
【００１８】
かかる半導体スイッチ集積回路１は、電源供給端子２０１を介して外部から電源電圧ＶＤＤが印加されるようになっている。また、動作切替信号入力端子２０２には、動作切替回路２５の動作を制御する動作切替信号が、経路切替信号入力端子３０１には、デコーダ回路３を介してスイッチ回路４の動作を切り替えるための経路切替信号が、それぞれ外部から印加されるようになっている。
【００１９】
さらに、半導体スイッチ集積回路１には、外部でアンテナ１０１が接続される共通入出力端子としてのアンテナ接続端子４０１が設けられる一方、図示されない外部回路が接続される第１及び第２の個別外部回路接続端子４０２，４０３が設けられている。これら第１及び第２の個別外部回路接続端子４０２，４０３は、後述するようにスイッチ回路４によって選択的にアンテナ接続端子４０１と接続されるものとなっている。
【００２０】
本発明の実施の形態におけるＤＣ−ＤＣ変換回路２は、発振回路（図１においては「ＯＳＣ」と表記）２１と、バッファ回路（図１においては「ＢＵＦ」と表記）２２と、チャージポンプ回路（図１においては「ＰＵＭＰ」と表記）２３と、平滑回路（図１においては「ＦＩＬ」と表記）２４と、動作切替回路２５とを有して構成されたものとなっている。かかるＤＣ−ＤＣ変換回路２は、動作切替回路２５を除けば、その回路構成は、この種の従来回路と基本的に同一である。
【００２１】
デコーダ回路３は、電源供給端子２０１を介して印加される電源電圧ＶＤＤによって動作し、経路切替信号入力端子３０１から入力される経路切替信号に応じて、電圧ＶＤＤ又はＤＣ−ＤＣ変換回路２からの昇圧電圧を、スイッチ回路４へ供給出力するようになっている（詳細は後述）。
本発明の実施の形態において、デコーダ回路３は、その回路動作のための電圧ＶＤＤが印加される電源印加端子Ｔpwと、スイッチ回路４へ供給する動作電圧が印加される動作電圧印加端子Ｔopとを有しており、動作電圧印加端子Ｔopには、詳細は後述するように、外部からの電源電圧ＶＤＤ又はＤＣ−ＤＣ変換回路２の出力電圧（昇圧電圧）が印加されるようになっている。
【００２２】
本発明の実施の形態におけるスイッチ回路４は、いわゆる単極双投スイッチが構成されたものとなっている。かかるスイッチ回路４は、具体的には、半導体スイッチ素子としてトランジスタ４１を用いて構成され、デコーダ回路３を介して印加される動作電圧は、トランジスタ４１のゲートに印加されるものとなっている。
【００２３】
次に、かかる構成における動作について説明する。
スイッチ回路４には、経路切替信号入力端子３０１への経路切替信号入力に応じてデコーダ回路３からの制御信号が入力され、スイッチ回路４は、この制御信号に応じて、第１の個別外部回路接続端子４０２に接続された外部回路（図示せず）と、第２の個別外部回路接続端子４０３に接続された外部回路（図示せず）を選択的にアンテナ接続端子４０１に接続するようになっている。
ここで、第１及び第２の個別外部回路接続端子４０２，４０３に接続される外部回路とは、送信回路や受信回路あるいは送受信回路などである。
【００２４】
デコーダ回路３には、後述する電圧切替回路５の作用によって、電源供給端子２０１からの電源電圧ＶＤＤ、又は、ＤＣ−ＤＣ変換回路２からの昇圧電圧ＶＤＯＵＴとが選択的に入力され、経路切替信号入力端子３０１からデコーダ回路３に入力される経路切替信号に応じて、スイッチ回路４へ出力されるものとなっている。
【００２５】
一方、本発明の実施の形態におけるＤＣーＤＣ変換回路２において、動作切替回路２５は、動作切替信号入力端子２０２からの信号に応じて動作するスイッチ回路として機能するものとなっている。すなわち、具体的には、動作切替信号入力端子２０２から入力される動作切替信号が、論理値Ｈｉｇｈに相当するレベルにある場合には、動作切替回路２５が動作状態となり、すなわち、スイッチが導通状態となったと等価な動作状態となり、発振回路２１とバッファ回路２２の接地側がグランドに接続された状態となる。
【００２６】
一方、動作切替信号入力端子２０２から入力される動作切替信号が、論理値Ｌｏｗに相当するレベルにある場合には、動作切替回路２５は非動作状態となり、すなわち、スイッチが非導通状態となったと等価な動作状態となり、発振回路２１とバッファ回路２２の接地側とグランドとの接続状態が解除され、接地側が開放状態とされるものとなっている。
【００２７】
かかる動作切替回路２５の動作によって、ＤＣ−ＤＣ変換回路２は、次述するように動作することとなる。
まず、動作切替信号が、論理値Ｈｉｇｈに相当するレベルにある場合には、動作切替回路２５は導通状態となるため、発振回路２１及びバッファ回路２２の接地側がグランドに接続された状態となる（図１参照）。したがって、発振回路２１は、電源供給端子２０１からの電源電圧ＶＤＤによって、所定のクロック電圧を発生する動作状態となる。
【００２８】
バッファ回路２２も、発振回路２１同様、その接地側がグランドに接続されることで、電源電圧ＶＤＤの供給により動作状態となり、発振回路２１からのクロック電圧を緩衝増幅してチャージポンプ回路２３へ出力する。
そして、チャージポンプ回路２３においては、入力されたクロック電圧の昇圧が行われ、昇圧電圧は、平滑回路２４を介して直流電圧に変換されてデコーダ回路３へ出力されることとなる。
【００２９】
ここで、本発明の実施の形態における電圧切替回路５は、デコーダ回路３への電源電圧ＶＤＤの供給ライン、換言すれば、デコーダ回路３に設けられた電源電圧ＶＤＤの電源印加端子Ｔpwと、デコーダ回路３を介してスイッチ回路４へ供給される動作電圧が印加される動作電圧印加端子Ｔopとの間に接続されて設けられたものとなっている。
【００３０】
そして、本発明の実施の形態における電圧切替回路５は、具体的には、ダイオード５Ａを用いて構成されたものとなっており、そのアノードが上述の電源印加端子Ｔpwに、カソードが上述の動作電圧印加端子Ｔopに、それぞれ接続されたものとなっている。
【００３１】
したがって、ＤＣ−ＤＣ変換回路２から昇圧電圧が出力されると、ダイオード５Ａは、逆バイアス状態となるため、非導通状態、すなわち、換言すれば、電圧切替回路５は、非動作状態となるようになっている。
そして、この場合、ＤＣ−ＤＣ変換回路２からの昇圧電圧は、デコーダ回路３を介してスイッチ回路４へ入力され、例えば、アンテナ接続端子４０１と、第１及び第２の個別外部回路接続端子４０２，４０３のいずれか一方とを選択的に接続するスイッチとして機能するトランジスタ４１に印加されることとなる。より具体的には、ＤＣ−ＤＣ変換回路２からの昇圧電圧は、トランジスタ４１のゲートに印加され、トランジスタ４１を導通状態とするものとなっている。
【００３２】
一方、動作切替信号入力端子２０２に印加された動作切替信号が論理値Ｌｏｗに相当するレベルである場合には、動作切替回路５が非動作状態となり、発振回路２１及びバッファ回路２２の接地側とグランドとの接続が開放状態とされることとなる。
そのため、発振回路２１及びバッファ２２には、電源電圧ＶＤＤが印加された状態にあっても、これらの回路に電流が流れることはなく、動作停止状態となる。したがって、チャージポンプ回路２３には、クロック電圧が入力されなくなり、ＤＣ−ＤＣ変換回路２の出力電圧は０Ｖとなる。
【００３３】
そして、この場合、電圧切替回路５を構成するダイオード５Ａは、順方向にバイアスされた状態となるため、導通状態となり、電圧切替回路５を介して電源電圧ＶＤＤが、スイッチ回路４を構成するトランジスタ４１へ印加されることとなる。
このように、本発明の実施の形態においては、動作切替信号によりＤＣ−ＤＣ変換回路２の動作、非動作が制御され、スイッチ回路４へ供給する電圧が選択されるようになっている。
本発明の実施の形態における半導体スイッチ集積回路１においては、動作切替信号により、ＤＣ−ＤＣ変換回路２を、その消費電流が殆ど零の状態とすることができる。したがって、かかる状態にあっては、本発明の実施の形態における半導体スイッチ集積回路１は、ＤＣ−ＤＣ変換回路２を備えない半導体スイッチ集積回路と全く同等の消費電流となる。
【００３４】
次に、動作切替回路２５のより具体的な構成例について、図２を参照しつつ説明する。なお、図１に示された構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付して、その詳細な説明を省略し、以下、異なる点を中心に説明する。
この構成例においては、動作切替回路２５は、エンハンスメントＦＥＴ２６を用いて構成されたものとなっている。
【００３５】
すなわち、エンハンスメントＦＥＴ２６のドレイン（又はソース）は、発振回路２１及びバッファ２２の接地側に接続される一方、ソース（又はドレイン）は、グランドに接続されている。そして、エンハンスメントＦＥＴ２６のゲートは、動作切替信号入力端子２０２に接続されており、動作切替信号に応じて、その導通、非導通が制御されるようになっている。
なお、かかる構成における回路全体の動作は、先の図１に示された基本構成例で説明したと基本的に同一であるので、ここでの再度の詳細な説明は省略する。
【００３６】
上述の構成例においては、発振回路２１及びバッファ２２の接地側を、選択的に、開放状態、又は、グランド接続状態とすることができる構成としたが、勿論、このような構成に限定される必要はなく、例えば、発振回路２１の接地側のみを、動作切換回路２５を介して所望に応じてグランドに接続できるような構成としても良い。
【００３７】
次に、他の構成例について、図３を参照しつつ説明する。なお、図１又は図２に示された構成例における構成要素と同一の構成要素には、同一の符号を付して、その詳細な説明を省略し、以下、異なる点を中心に説明する。
図３に示された構成例は、ＤＣ−ＤＣ変換回路２の接地側を動作切替回路２５により、選択的に開放状態、又は、グランド接続状態とすることができるように構成したものである。
かかる構成における動作は、図１及び図２を参照しつつ説明した動作と基本的に同一であるので、再度の詳細な説明は省略し、以下、概括的に説明することとする。
【００３８】
まず、かかる構成において、動作切替信号入力端子２０２からの動作信号が論理値Ｈｉｇｈに相当するレベルの場合、動作切替回路２５を構成するエンハンスメントＦＥＴ２６が動作状態、すなわち、換言すれば、動作切替回路２５が動作状態となり、ＤＣ−ＤＣ変換回路２の接地側がエンハンスメントＦＥＴ２６を介してグランドに接続されることとなる。これによって、ＤＣ−ＤＣ変換回路２は、電源供給端子２０１を介して供給された電源電圧ＶＤＤによって動作状態となり、先に説明したようにデコーダ回路３を介して、ＤＣ−ＤＣ変換回路２の昇圧電圧がスイッチ回路４を構成するトランジスタスイッチ４１のゲートに印加されることとなる。
【００３９】
一方、動作切替信号入力端子２０２からの動作信号が論理値Ｌｏｗに相当するレベルの場合、動作切替回路２５は、上述とは逆に非動作状態となるため、ＤＣ−ＤＣ変換回路２の接地側はグランドと非接続状態、すなわち、換言すれば、開放状態となる。そのため、ＤＣ−ＤＣ変換回路２には、回路電流が流れなくなり、非動作状態となる。
したがって、この場合、電圧切替回路５を構成するダイオード５Ａのアノードの電圧がカソードの電圧より高くなるため、スイッチ回路４には、ダイオード５Ａ及びデコーダ回路３を介して電源電圧ＶＤＤが供給されることとなる。
【００４０】
なお、本発明の実施の形態においては、スイッチ回路として、１つのアンテナ端子と２つの送信及び受信、あるいは、送受信経路を有する単極双投スイッチ（ＳＰＤＴ）の構成例を示したが、本発明はこのような構成に限定される必要はなく、例えば、複数のアンテナ端子を有する場合や、１つ又は複数の送信及び受信、あるいは、送受信経路を有するスイッチ回路にも適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態における半導体スイッチ集積回路の基本構成例を示す構成図である。
【図２】図１に示された半導体スイッチ集積回路における動作切替回路路の具体回路構成例を示した回路図である。
【図３】本発明の実施の形態における半導体スイッチ集積回路の他の回路構成例を示す回路図である。
【図４】従来回路の一構成例を示す構成図である。
【符号の説明】
【００４２】
２…ＤＣ−ＤＣ変換回路
３…デコーダ回路
４…スイッチ回路
５…電圧切替回路
２５…動作切替回路
【図１】
2008124805.tif 000003
【図２】
2008124805.tif 000004
【図３】
2008124805.tif 000005
【図４】
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