(57)【要約】【課題】処理液を基板上に供給する際に、処理液と基板との間の放電により生じる基板へのダメージを抑制する。【解決手段】基板処理装置１は、導電性の処理液を基板９に向けて連続的に流れる状態で吐出する吐出部３２を備える。吐出部３２の吐出口３２１の近傍には導電性の接液部３２２が設けられ、接液部３２２は電位付与部４１に接続される。また、基板９の周囲を囲むカップ部２３の帯電により処理対象の基板９は誘導帯電する。処理液を基板９上に供給して基板９を処理する際には、処理液の吐出開始時に接液部３２２を介して処理液に電位が付与され、基板９上に吐出される処理液と基板９との間の電位差が低減される。これにより、処理液と基板９との間の放電により生じる基板９へのダメージを抑制することができる。【選択図】図１
2008183532.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、
導電性の処理液を基板に向けて連続的に流れる状態で吐出する吐出部と、
吐出前の前記処理液が貯溜される容器、前記容器から前記吐出部に至る流路、または、前記吐出部において、少なくとも前記処理液の吐出開始時に前記処理液に電位を付与することにより、前記基板上に吐出される処理液と前記基板との間の電位差を低減する電位付与部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記電位付与部が、前記吐出部から前記処理液が吐出される間に、継続して前記処理液に電位を付与することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記電位付与部が、前記吐出開始時に前記電位差を０とする電位を前記処理液に付与することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記吐出部の吐出口近傍に導電性の接液部が設けられており、
前記電位付与部が前記接液部に電位を付与することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記吐出部が、前記処理液を含む複数種類の処理液の吐出が可能とされ、
前記複数種類の処理液のそれぞれが、前記吐出口から吐出されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板の表面の電位を非接触状態にて測定する表面電位計をさらに備え、
前記処理液の吐出直前における前記表面電位計の測定値に基づいて、前記吐出開始時に前記電位付与部により前記処理液に付与される電位が決定されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板の表面の電位を非接触状態にて測定する表面電位計をさらに備え、
前記吐出部が、前記処理液を含む複数種類の処理液を順次吐出し、
各処理液が吐出される際に、前記各処理液の吐出直前における前記表面電位計の測定値に基づいて、前記各処理液の吐出開始時に前記電位付与部により前記各処理液に付与される電位が決定されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、
ａ）導電性の処理液を吐出部から基板に向けて連続的に流れる状態で吐出する工程と、
ｂ）吐出前の前記処理液が貯溜される容器、前記容器から前記吐出部に至る流路、または、前記吐出部において、少なくとも前記処理液の吐出開始時に前記処理液に電位を付与することにより、前記基板上に吐出される処理液と前記基板との間の電位差を低減する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理液を基板に供給して基板を処理する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体製品の製造工程では、基板処理装置を用いて酸化膜等の絶縁膜を有する半導体基板（以下、単に「基板」という。）に対して様々な処理が施されている。例えば、基板を主面に垂直な中心軸を中心として回転しつつ、基板の回転中心に処理液を棒状にて供給することにより、基板の表面に対して均一な処理が行われる（このような処理について、例えば特許文献１参照）。このとき、回転する基板から飛散する処理液は基板の周囲を囲むカップ部（スプラッシュガードとも呼ばれる。）により受け止められ、処理液が装置の外部にまで飛散することが防止される。このようなカップ部は、処理液に対する耐食性の観点から、通常、フッ素樹脂や塩化ビニル樹脂等の絶縁材料にて形成される。
【特許文献１】特開２００６−６６８１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、基板処理装置では、純水を用いる処理（例えば、洗浄処理）も行われる。このとき、基板から飛散する比抵抗が高い純水により、絶縁性を有するカップ部にて摩擦帯電が生じ、カップ部からの電界により、基板の本体が誘導帯電してしまう。この状態にて基板に向けて導電性を有する処理液が棒状にて供給されると、棒状の処理液の先端部と基板の本体との間において比較的大きな放電（絶縁膜を介する放電）が発生し、基板上の放電箇所に大きなダメージが生じてしまう。このような放電は、絶縁膜の絶縁性が破壊されて発生するものに限らず、例えば、基板上に微細なパターンが形成されている場合に、パターンの要素間にて挟まれる狭い空間において棒状の処理液の先端部と基板の表面との間にて空気を介して放電が発生することもあり、この場合、放電の影響により当該空間に近接するパターンの部位が損傷することもある。
【０００４】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、処理液を基板上に供給する際に、処理液と基板との間の放電により生じる基板へのダメージを抑制することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に記載の発明は、処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、導電性の処理液を基板に向けて連続的に流れる状態で吐出する吐出部と、吐出前の前記処理液が貯溜される容器、前記容器から前記吐出部に至る流路、または、前記吐出部において、少なくとも前記処理液の吐出開始時に前記処理液に電位を付与することにより、前記基板上に吐出される処理液と前記基板との間の電位差を低減する電位付与部とを備える。
【０００６】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記電位付与部が、前記吐出部から前記処理液が吐出される間に、継続して前記処理液に電位を付与する。
【０００７】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記電位付与部が、前記吐出開始時に前記電位差を０とする電位を前記処理液に付与する。
【０００８】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記吐出部の吐出口近傍に導電性の接液部が設けられており、前記電位付与部が前記接液部に電位を付与する。
【０００９】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記吐出部が、前記処理液を含む複数種類の処理液の吐出が可能とされ、前記複数種類の処理液のそれぞれが、前記吐出口から吐出される。
【００１０】
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記基板の表面の電位を非接触状態にて測定する表面電位計をさらに備え、前記処理液の吐出直前における前記表面電位計の測定値に基づいて、前記吐出開始時に前記電位付与部により前記処理液に付与される電位が決定される。
【００１１】
請求項７に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記基板の表面の電位を非接触状態にて測定する表面電位計をさらに備え、前記吐出部が、前記処理液を含む複数種類の処理液を順次吐出し、各処理液が吐出される際に、前記各処理液の吐出直前における前記表面電位計の測定値に基づいて、前記各処理液の吐出開始時に前記電位付与部により前記各処理液に付与される電位が決定される。
【００１２】
請求項８に記載の発明は、処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、ａ）導電性の処理液を吐出部から基板に向けて連続的に流れる状態で吐出する工程と、ｂ）吐出前の前記処理液が貯溜される容器、前記容器から前記吐出部に至る流路、または、前記吐出部において、少なくとも前記処理液の吐出開始時に前記処理液に電位を付与することにより、前記基板上に吐出される処理液と前記基板との間の電位差を低減する工程とを備える。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、処理液を基板上に供給する際に、処理液と基板との間の放電により生じる基板へのダメージを抑制することができる。
【００１４】
また、請求項３の発明では、処理液を基板上に供給する際に、基板にダメージが生じることを防止することができ、請求項４の発明では、基板上に吐出される処理液の電位を精度よく調整することができる。
【００１５】
また、請求項５の発明では、複数種類の処理液が吐出可能な基板処理装置において、各処理液に電位を容易に付与することができ、請求項６の発明では、処理液の吐出直前の基板の表面の電位に基づいて処理液に付与する電位を決定することにより、処理液の吐出開始時に処理液と基板との間に生じる放電を確実に抑制することができ、請求項７の発明では、複数種類の処理液が順次吐出される基板処理装置において、各処理液の吐出開始時に処理液と基板との間に生じる放電を確実に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置１の構成を示す図である。基板処理装置１は、表面に絶縁膜が形成された半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）に純水や希釈した薬液等の処理液を供給して洗浄やエッチング等の処理を行う枚葉式の装置である。本実施の形態では、表面に酸化膜が形成された基板９に対して処理液による処理が行われる。なお、以下の説明では、導電性の処理液を単に「処理液」と呼び、絶縁性の純水と区別するものとする。
【００１７】
図１に示すように、基板処理装置１は、円板状の基板９を水平に保持する略円板状の基板保持部２１、基板９を基板保持部２１と共に基板９に垂直な中心軸Ｊ１を中心に回転する保持部回転機構２２、フッ素樹脂や塩化ビニル樹脂等の絶縁材料にて形成されるとともに基板保持部２１の周囲を囲むカップ部２３、カップ部２３を図１中の上下方向に移動するシリンダ機構である昇降機構５、導電性の処理液および絶縁性の純水を基板９の上側の主面（以下、「上面」という。）上に付与する処理液付与部３、処理液付与部３の後述する吐出部３２において処理液に電位を付与する電位付与部４１、基板９の上面に対向して設けられるとともに基板９の表面（すなわち、上面）の電位を非接触状態にて測定する表面電位計４２、並びに、各構成要素を制御する制御部１０を備える。なお、導電性の処理液としては、希釈したフッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、バッファードフッ酸、あるいは、アンモニア水や、純水に二酸化炭素（ＣＯ２）等が溶け込むことにより導電性が生じた水、界面活性剤を含む水等が用いられる。
【００１８】
基板保持部２１の下面には保持部回転機構２２のシャフト２２１が設けられ、シャフト２２１はモータ２２２に接続される。基板９は、その中心がシャフト２２１の中心軸Ｊ１上に位置するように基板保持部２１に保持される。保持部回転機構２２では、制御部１０の制御によりモータ２２２が駆動されることによりシャフト２２１が回転し、基板９が基板保持部２１およびシャフト２２１と共に中心軸Ｊ１を中心として回転する。
【００１９】
カップ部２３は、基板保持部２１の周囲を囲むことにより基板９上に供給されて飛散する液体を受け止める側壁２３１を備える。側壁２３１の下端部には、中心軸Ｊ１側へと突出して基板保持部２１の下方を覆う環状の底部２３２が取り付けられ、底部２３２には基板９上に供給される液体を排出する排出口（図示省略）が設けられる。
【００２０】
処理液付与部３は、供給管３１（例えば、フッ素樹脂等の絶縁材料にて形成される。）に接続されるとともに本体が絶縁材料（例えば、セラミックや樹脂等）にて形成されるノズルである吐出部３２を有し、吐出部３２は基板９の回転中心の上方に配置される。供給管３１は吐出部３２とは反対側にて分岐しており、一方は純水用バルブ３３１を介して純水の供給源である純水供給部３４１へと接続し、他方は処理液用バルブ３３２を介して処理液の供給源である処理液供給部３４２に接続する。処理液付与部３では、純水用バルブ３３１または処理液用バルブ３３２が開放されることにより、吐出部３２から純水または処理液が基板９上に供給される。処理液供給部３４２において処理液を貯溜する処理液タンク（図示省略）は接地（アース）されているため、処理液供給部３４２から処理液付与部３へと供給される処理液の電位は接地電位となっている。
【００２１】
吐出部３２において、基板９に対向する吐出口３２１の近傍には導電性の接液部３２２（図１中にて太線にて示す。）が設けられ、接液部３２２は電位付与部４１に接続される。後述するように、吐出部３２から処理液が吐出される際には、電位付与部４１により接液部３２２に電位が付与されることにより、吐出口３２１から吐出される処理液の電位が当該電位とほぼ同じ電位とされる。接液部３２２は、例えば、アモルファスカーボンやグラッシカーボン等のガラス状の導電性カーボンや、導電性ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）や導電性ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等の導電性樹脂により形成される。
【００２２】
図２は、基板処理装置１が基板９を処理する動作の流れを示す図である。図１の基板処理装置１では、まず、昇降機構５によりカップ部２３が基板保持部２１よりも下方に位置した状態で、外部の搬送装置により基板９が基板保持部２１上に載置されて保持される（すなわち、基板９がロードされる。）（ステップＳ１０）。続いて、カップ部２３が上昇して基板保持部２１がカップ部２３内に収容された後、制御部１０により保持部回転機構２２のモータ２２２が駆動されて基板９の回転が開始される（ステップＳ１１）。以下に説明する処理液および純水による処理は、通常、基板９が回転された状態で行われるが、必要に応じて基板９の回転速度は変更されてよい。
【００２３】
基板９の回転が開始されると、処理液用バルブ３３２のみが開放されて吐出部３２に処理液が供給されることにより、吐出部３２から処理液が分断されることなく柱状に連続的に流れる状態にて（すなわち、棒状にて）回転する基板９の中央に向けて吐出される（ステップＳ１４）。処理液の棒状での付与は所定の時間だけ継続され、処理液による基板９の均一な処理が実現される。なお、最初の基板９に対する基板処理動作では、図２中のステップＳ１２，Ｓ１３の処理は省略される。
【００２４】
処理液用バルブ３３２が閉じられて基板９に対する処理液の付与が完了すると、続いて、純水用バルブ３３１が開放されて吐出部３２に純水が供給され、吐出部３２から基板９上に純水が付与されて基板９の上面が純水にて洗浄される（ステップＳ１５）。このとき、基板９上から飛散する純水によりカップ部２３の内周面が摩擦帯電する。純水の吐出が停止されると、基板９を所定時間だけさらに回転させて基板９を乾燥し、その後、基板９の回転が停止される（ステップＳ１６）。そして、カップ部２３が基板保持部２１よりも下方に移動し、搬送装置により基板９が基板保持部２１から取り出されて搬出される（すなわち、基板９がアンロードされる。）（ステップＳ１７）。
【００２５】
次の（２番目の）処理対象の基板９が存在することが確認されると（ステップＳ１８）、当該基板９が基板保持部２１上に載置されて保持され（ステップＳ１０）、カップ部２３が上昇して基板保持部２１がカップ部２３内に収容される。このとき、既述のようにカップ部２３の内周面が帯電していることにより、基板保持部２１上の基板９（の本体）は、例えば（−３）キロボルト（ＫＶ）に誘導帯電する。
【００２６】
続いて、基板９の回転が開始されると（ステップＳ１１）、表面電位計４２により基板９の上面において吐出部３２からの処理液の吐出位置近傍における表面電位が測定され（ステップＳ１２）、測定値は制御部１０に入力される。表面電位計４２による測定が完了すると、電位付与部４１により接液部３２２に電位（後述するように、吐出部３２から吐出される処理液に付与される電位であり、以下、「吐出電位」という。）が付与され（ステップＳ１３）、処理液用バルブ３３２のみが開放される。これにより、吐出部３２から処理液が棒状にて基板９の中央に向けて吐出されるとともに（ステップＳ１４）、吐出部３２から吐出される処理液に吐出電位が付与される。このとき、制御部１０により、処理液の吐出直前における表面電位計４２の測定値に基づいて、処理液の吐出開始時に電位付与部４１により処理液に付与される吐出電位が決定される。具体的には、吐出電位は、基板９上に吐出される処理液と基板９との間の電位差を０とする電位とされ、これにより、処理液の吐出開始時に帯電した基板９の本体と処理液との間にて（理想的には）放電が生じることが防止される。また、電位付与部４１では、処理液の吐出開始時以降にて吐出部３２から処理液が吐出される間も、吐出電位が継続して処理液に付与されることにより、処理液の吐出中に基板９と処理液との間にて放電が生じることが防止される。
【００２７】
処理液の棒状での付与が完了すると、基板９の純水による洗浄処理が行われる（ステップＳ１５）。その後、基板９の回転が停止され（ステップＳ１６）、基板９が基板保持部２１から取り出されて搬出される（ステップＳ１７）。
【００２８】
基板処理装置１では、残りの処理対象の基板９に対して上記ステップＳ１０〜Ｓ１７の処理が繰り返されることにより、基板処理装置１における基板処理動作が完了する（ステップＳ１８）。なお、本動作例では、最初の基板９に対するステップＳ１２，Ｓ１３の処理が省略されるが、もちろん、最初の基板９においてもステップＳ１２，Ｓ１３の処理が行われてもよく、この場合、全ての処理対象の基板９に対して同様の処理が行われることとなり、制御部１０における制御を簡素化することが可能となる（後述の図３の基板処理装置１ａにおいて同様）。
【００２９】
ここで、既述のように、基板９の純水による洗浄において、純水が飛散する際に生じるカップ部２３の帯電により基板９が誘導帯電する場合に、仮に、接地電位を有する処理液が基板９上に付与されると、棒状の処理液の先端部と基板９の本体との間において基板９の上面上の狭い領域に集中した比較的大きな放電が発生し、基板９上の当該領域に大きなダメージが生じてしまう。
【００３０】
これに対し、基板処理装置１では、処理液の吐出時に処理液に吐出電位が付与されることにより、基板９上に吐出される処理液と基板９との間の電位差が低減される（理想的には、電位差が０とされる。）。これにより、処理液を基板９上に供給する際に、処理液と基板９との間に生じる放電を抑制することができ、処理液と基板９との間の放電により生じる基板９へのダメージを抑制することが実現される。また、表面電位計４２により取得される処理液の吐出直前の基板９の表面電位に基づいて処理液に付与する電位を決定することにより、処理液の吐出開始時に処理液と基板９との間に生じる放電を確実に抑制することができる。
【００３１】
また、基板処理装置１では、吐出部３２からの処理液の吐出開始時においてのみ処理液に吐出電位が付与されてもよく、この場合、吐出電位を有する処理液が基板９上に到達した後に、処理液への吐出電位の付与が停止される。このとき、基板９の回転速度は比較的低速とされるため、基板９上に到達した処理液は膜状に広がり（すなわち、基板９上に処理液の膜が形成され）、その後、処理液への吐出電位の付与の停止により接地電位を有することとなる処理液が基板９上に供給され、基板９上の処理液の膜が接地される。その結果、基板９上の処理液の膜全体と基板９の本体との間にて（すなわち、基板９の上面の全体にて）微弱な放電が生じ、基板９の本体の電位がほぼ接地電位となる。このように、処理液の吐出開始時においてのみ処理液に吐出電位を付与する場合であっても、基板９上の狭い領域にて集中して放電が発生することが防止され（すなわち、上面上の広い領域に分散して微弱な放電が発生する。）、処理液と基板９との間の大きな放電により生じる基板９へのダメージが抑制される。以上のように、基板処理装置１では、少なくとも処理液の吐出開始時に、基板９上に吐出される処理液と基板９との間の電位差を低減するような電位を処理液に付与することにより、処理液と基板９との間の放電により生じる基板９へのダメージを抑制することが実現される（後述の図３の基板処理装置１ａにおいて同様）。
【００３２】
図３は、複数のカップ部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを有する基板処理装置１ａの構成の一部を示す図であり、図３では、同心状の複数のカップ部２３ａ〜２３ｄにおける側壁２３１ａ〜２３１ｄの基板９に垂直な断面の右側のみを図示している。図３の基板処理装置１ａでは、吐出部３２に接続する供給管３１が、吐出部３２とは反対側にて４本の管に分岐しており、４本の管はそれぞれバルブ３３１，３３２ａ〜３３２ｃを介して、純水の供給源である純水供給部３４１、並びに、第１ないし第３処理液の供給源である第１ないし第３処理液供給部３４２ａ〜３４２ｃに接続される。後述するように、一体的に昇降する複数のカップ部２３ａ〜２３ｄの基板９に対する位置は、処理液付与部３ａから吐出される液体（純水または処理液）の種類に合わせて変更される。また、基板処理装置１ａにおいても、図１の基板処理装置１と同様に、吐出部３２の吐出口３２１近傍に導電性の接液部３２２（図３中にて太線にて示す。）が設けられ、電位付与部４１により接液部３２２に電位が付与される。
【００３３】
図４は、基板処理装置１ａが基板９を処理する動作の流れの一部を示す図であり、図２のステップＳ１３，Ｓ１４に代えて行われる動作を示している。以下、図２および図４を参照しつつ基板処理装置１ａにおける基本的な動作について説明する。
【００３４】
図３の基板処理装置１ａでは、基板９がロードされると（図２：ステップＳ１０）、複数のカップ部２３ａ〜２３ｄが昇降することにより、基板９が最も内側のカップ部２３ａにおける側壁２３１ａの上端と、この側壁２３１ａの外側の側壁２３１ｂの上端との間の位置に配置される。基板９の回転が開始された後（ステップＳ１１）、表面電位計４２により基板９の上面において吐出部３２からの処理液の吐出位置近傍における表面電位が測定される（ステップＳ１２）。続いて、表面電位計４２の測定値に基づく吐出電位が接液部３２２に付与され（図４：ステップＳ１３ａ）、吐出部３２から吐出電位を有する第１処理液が棒状にて基板９の中央に向けて吐出される（ステップＳ１４ａ）。このとき、基板９から飛散する第１処理液は、側壁２３１ａの外周面や側壁２３１ｂの内周面にて受け止められる。
【００３５】
基板９への第１処理液の付与が完了すると、基板９が最も内側の側壁２３１ａの上端の下方の位置（すなわち、図３に示す位置であり、以下、「純水洗浄位置」という。）に配置され、吐出部３２から基板９上に純水が付与されて基板９の上面が純水にて洗浄される（ステップＳ１５ａ）。純水による洗浄が終了すると、暫くの間、基板９が高速にて回転されて基板９の乾燥が行われる。続いて、基板９が側壁２３１ｂの上端と、この側壁２３１ｂの外側の側壁２３１ｃの上端との間の位置に配置され、基板９の表面電位が測定される（ステップＳ１２ｂ）。その後、直前の表面電位計４２の測定値に基づく吐出電位が接液部３２２に付与され（ステップＳ１３ｂ）、吐出部３２から吐出電位を有する第２処理液が棒状にて基板９の中央に向けて吐出される（ステップＳ１４ｂ）。このとき、基板９から飛散する第２処理液は、側壁２３１ｂの外周面や側壁２３１ｃの内周面にて受け止められる。
【００３６】
基板９への第２処理液の付与が完了すると、基板９が純水洗浄位置に配置され、基板９の上面が純水にて洗浄される（ステップＳ１５ｂ）。純水による洗浄が終了すると、暫くの間、基板９が高速にて回転されて基板９の乾燥が行われる。続いて、基板９が側壁２３１ｃの上端と、この側壁２３１ｃの外側の側壁２３１ｄ（最も外側の側壁）の上端との間の位置に配置され、基板９の表面電位が測定される（ステップＳ１２ｃ）。その後、直前の表面電位計４２の測定値に基づく吐出電位が接液部３２２に付与され（ステップＳ１３ｃ）、吐出部３２から吐出電位を有する第３処理液が棒状にて基板９の中央に向けて吐出される（ステップＳ１４ｃ）。このとき、基板９から飛散する第３処理液は、側壁２３１ｃの外周面や側壁２３１ｄの内周面にて受け止められる。
【００３７】
第３処理液の付与が完了すると、基板９が純水洗浄位置に配置され、吐出部３２から基板９上に純水が付与されて基板９の上面が純水にて洗浄される（図２：ステップＳ１５）。純水の吐出が停止されると、暫くの間、基板９が高速にて回転されて基板９の乾燥が行われ、その後、基板９の回転が停止される（ステップＳ１６）。そして、基板９がアンロードされ（ステップＳ１７）、次の処理対象の基板９が基板処理装置１ａにロードされる（ステップＳ１８，Ｓ１０）。
【００３８】
基板処理装置１ａにおける２枚目以降の基板９に対する処理では、当該基板９よりも前の基板９に対するステップＳ１５ａ，Ｓ１５ｂ，Ｓ１５の処理の際に、基板９上から飛散する純水により内側の側壁２３１ａの内周面が摩擦帯電するため、基板保持部２１にて保持される基板９は誘導帯電する。また、図４のステップＳ１４ａ〜Ｓ１４ｃのそれぞれにて第１、第２または第３処理液を基板９上に吐出する際には、処理液の吐出直前のステップＳ１２，Ｓ１２ｂ，Ｓ１２ｃにおける表面電位計４２の測定値に基づいて、吐出開始時に電位付与部４１により処理液に付与される吐出電位が、基板９上に吐出される処理液と基板９との間の電位差を０とする電位に決定される。
【００３９】
ここで、図４のステップＳ１４ａにおける第１処理液の吐出、ステップＳ１４ｂにおける第２処理液の吐出、および、ステップＳ１４ｃにおける第３処理液の吐出では、帯電しているカップ部２３ａの側壁２３１ａと基板９との相対位置が互いに異なるため、誘導帯電による基板９の表面の電位も相違する。したがって、仮に、複数種類の処理液に一定の電位を付与する場合に当該電位の値によっては、各処理液の付与において基板９上に吐出される処理液と基板９との間の電位差を低減することができない場合がある。
【００４０】
これに対し、図３の基板処理装置１ａでは、複数種類の処理液が吐出部３２から順次吐出される際に各処理液に付与する電位が、当該処理液の吐出直前の表面電位計４２の測定値に基づいて決定されることにより、基板９の表面の電位が帯電している側壁２３１ａと基板９との相対位置に従って変化する場合であっても、処理液の吐出開始時に処理液と基板９との間に生じる放電を確実に抑制することが可能となる。その結果、処理液と基板９との間の放電により生じる基板９へのダメージを抑制することができる。また、吐出部３２では、吐出口３２１近傍に接液部３２２が設けられ、複数種類の処理液のそれぞれが同一の吐出口３２１から吐出されることにより、複数種類の処理液の吐出が可能とされる基板処理装置１ａにおいて、各処理液に電位を容易に付与することができる。
【００４１】
なお、基板処理装置１ａにおいて、複数種類の処理液に一定の電位を付与する場合であっても、第１ないし第３処理液の基板９への吐出において、例えば、基板９と基板９上に吐出される処理液との間の電位差の和が最小となるように、あるいは、基板９と処理液との間の電位差の最大値が基板９上の絶縁膜の耐電圧（絶縁破壊電圧）よりも小さくなるように、接液部３２２に付与される一定の電位の大きさが決定される場合には、処理液と基板９との間の放電により生じる基板９へのダメージを抑制することができ、この場合、制御部１０による制御処理を簡素化することも可能となる。
【００４２】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【００４３】
基板処理装置１，１ａでは、基板９の純水による洗浄において純水が飛散する際に生じるカップ部２３，２３ａの帯電により基板９が誘導帯電する場合に、基板９に向けて吐出される処理液に電位が付与されることにより、処理液と基板９との間の放電により生じる基板９へのダメージが抑制されるが、基板９の純水による洗浄が省略される場合であっても、処理対象の基板９が外部における直前の処理により帯電している、あるいは、処理液が帯電している（複数種類の処理液が用いられる場合、複数種類の処理液が互いに異なる電位に帯電していることも考えられる。）等のときに、電位付与部４１により電位を付与することなく処理液が基板９上に吐出されると、処理液と基板９との間にて生じる放電による基板９へのダメージが大きくなってしまう。したがって、処理液と基板９との間に電位差がある場合には、処理液と基板９との間の放電により生じる基板９へのダメージを抑制することが可能な上記手法が用いられることが必要となる。
【００４４】
基板処理装置１，１ａでは、吐出部３２に接液部３２２を設けることにより処理液に電位を付与することが可能とされるが、図５に示すように、吐出前の処理液が貯溜されるとともに絶縁材料にて形成される容器３４（すなわち、処理液タンク）において処理液中に導電部材３５（例えば導電性カーボンや導電性樹脂にて形成される。後述の導電部３１１において同様。）が浸漬されたり、図６に示すように、容器３４から吐出部３２に至る流路である供給管３１の一部に導電部３１１が形成され、導電部材３５または導電部３１１が電位付与部４１に接続されることにより、基板９上に吐出される処理液に電位が付与されてもよい。また、吐出部３２において吐出口３２１から離れた位置にて導電性の接液部が設けられ、処理液に電位が付与されてもよい。
【００４５】
以上のように、基板９上に吐出される処理液への電位の付与は、吐出前の処理液が貯溜される容器３４、容器３４から吐出部３２に至る流路、または、吐出部３２において、処理液に接する部材に電位を付与することにより実現される。ただし、基板処理装置の設計によっては、容器３４から吐出部３２に至る流路や、吐出部３２にて電圧降下が生じる場合があるため、基板９上に吐出される処理液の電位を精度よく調整するには、吐出部３２の吐出口３２１近傍に導電性の接液部３２２が設けられ、電位付与部４１により接液部３２２に電位が付与されることが好ましい。
【００４６】
また、上記実施の形態のように、処理対象の基板９が表面に絶縁膜が形成されたものとされる場合に、基板処理装置から表面電位計４２が省略され、吐出開始時に電位付与部４１により処理液に付与される吐出電位が、基板９上に吐出される処理液と基板９との間の電位差を当該絶縁膜の耐電圧以下とする固定電位とされてもよい。
【００４７】
ところで、基板９の表面に一様な絶縁膜が形成されている場合以外に、既述のように、基板上に絶縁材料にて微細なパターンが形成されている場合にも、パターンの要素間にて挟まれる狭い空間において処理液の先端部と基板の表面との間にて空気を介して放電が発生することがあり、この場合、放電の影響により当該空間に近接するパターンの部位が損傷することもある。したがって、処理液を基板上に供給する際に基板にダメージ（絶縁膜やパターンの損傷等）が生じることを防止するには、処理液の吐出開始時に電位付与部４１により処理液に付与される吐出電位が、基板上に吐出される処理液と基板との間の電位差を０とする電位として決定されることが好ましい。
【００４８】
上記実施の形態では、吐出部３２から棒状にて処理液が吐出されるが、吐出部３２において処理液が連続的に流れる状態にて吐出されるのであるならば、例えば、カーテン状にて処理液が吐出されてもよい。
【００４９】
基板処理装置１，１ａは、プリント配線基板やフラットパネル表示装置に使用されるガラス基板等、半導体基板以外の様々な基板の処理に利用されてよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】基板処理装置の構成を示す図である。
【図２】基板を処理する動作の流れを示す図である。
【図３】基板処理装置の他の例を示す図である。
【図４】基板を処理する動作の流れの一部を示す図である。
【図５】処理液に電位を付与する他の手法を説明するための図である。
【図６】処理液に電位を付与するさらに他の手法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５１】
１，１ａ    基板処理装置
９    基板
３１    供給管
３２    吐出部
３４    容器
４１    電位付与部
４２    表面電位計
３２１    吐出口
３２２    接液部
Ｓ１３，Ｓ１３ａ〜Ｓ１３ｃ，Ｓ１４，Ｓ１４ａ〜Ｓ１４ｃ    ステップ
【図１】
2008183532.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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