(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体ウエハが個片化されたチップ群を移動不能に吸着することができ、しかも吸着されたチップ群から一個のチップを選択的に確実に剥離して吸着することが可能な固定ジグを提供する。【解決手段】ジグ基台３０と密着層３１とからなる固定ジグ３であって、ジグ基台３０の片面に凹部２が設けられ、該凹部２は側壁３５と略同じ高さの仕切り壁１２により小部屋１５に区画され、該凹部２を覆うように側壁３５および仕切り壁１２の上縁に密着層３１が設けられ、前記各小部屋１５内にそれぞれ外部に連通する貫通孔１７が形成されていることを特徴としている。【選択図】図１
2008103494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジグ基台と密着層とからなる固定ジグであって、
前記ジグ基台の片面に凹部が設けられ、該凹部は側壁と略同じ高さの仕切り壁により小部屋に区画され、該凹部を覆うように前記側壁および前記仕切り壁の上縁に密着層が設けられ、前記各小部屋内にそれぞれ外部に連通する貫通孔が形成されていることを特徴とする固定ジグ。
【請求項２】
請求項1に記載の固定ジグに固定されたチップをピックアップする方法であって、
ウエハ形状のチップ群が、密着層に固定された状態とするチップ固定工程と、
前記固定ジグの小部屋内の貫通孔を介して、該当する小部屋内の空気を吸引し、この小部屋を覆う前記密着層を変形させる密着層変形工程と、
前記小部屋が吸引され前記密着層が変形された部位の前記チップを、吸着コレットが吸引して、この吸引されたチップを前記密着層から完全にピックアップする工程と、によりチップをピックアップすることを特徴とするチップをピックアップする方法。
【請求項３】
請求項２に記載のチップのピックアップ方法において用いるピックアップ装置であって、
ジグ基台の厚さ方向に形成された貫通孔の一方の開口部側に配置される吸引手段と、
前記貫通孔の他方の開口部側に配置される吸着コレットと、
ジグ基台の外周を着脱自在に固定するドーナッツ形状のテーブルと、を有し、
前記吸引手段により前記ドーナッツ形状のテーブルに着脱自在に支持されたジグ基台の任意の小部屋内を吸引し、前記吸着コレットでチップを吸引することを特徴とするピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、個片化されてなるウエハ形状のチップ群を固定するための固定ジグおよびチップの突き上げを行わないピックアップ方法並びにピックアップ装置に関し、特に、極薄に研削され比較的大面積の半導体チップをダメージ無く一個ずつ、個別にピックアップすることが可能な固定ジグおよびチップのピックアップ方法並びにピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣカードや携帯電子機器の普及が進み、さらなる半導体部品の薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。
【０００３】
半導体チップは、表面回路形成を行った後、裏面を所定の厚さに切削を行い回路毎にダイシングを行って形成される。また別の方法として、表面回路形成を行った後、回路面から所定の厚さを越える溝を形成し裏面から所定の厚さまで研削を行うことによる方法（先ダイシング）によっても半導体チップが形成される。
【０００４】
半導体チップは、チップがバラバラにならないようダイシングシートなどの粘着シート上に固定された状態でピックアップ工程に投入される。粘着シート上のチップをピックアップする際には、粘着シートとの接触面積を低減させるため、チップの裏面の粘着シートを細針によって突き上げることが行われている。細針で突き上げられたチップは、上面から吸引コレットで吸着され粘着シートから剥離してチップ基板等のダイパッドに移送させる。
【０００５】
ところで、チップが極薄化してきていることによって、細針による突き上げはチップに少なくないダメージを与える。ダメージを受けたチップを使用した半導体装置は、熱履歴を受けることによってパッケージクラックを起こすなど信頼性に欠ける品質となる。また、受けたダメージが大きいとチップの突き上げでチップの損壊が起こる場合がある。
【０００６】
そこで、このような問題を解消するため、細針による突き上げを行わないピックアップ方法が検討されている。（特開２００３−１７９１２６号公報（特許文献１参照）これらのピックアップ方法は、粘着テープの代わりにポーラス素材の吸着テーブルを用い、チップをピックアップする際に吸着テーブルの吸着を停止してチップの保持力を消している。しかし、この方法では、チップ間の隙間は塞がれず空気がリークしており、さらにチップをピックアップするごとにリーク量が増大する。これにより、ピックアップされずに残っているチップに対する保持力が低下し、振動によってチップの位置がずれ、コレットがチップを捉えられなくなるという問題が出てくる。
【特許文献１】特開２００３−１７９１２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記のような問題に鑑み、半導体ウエハが個片化されたチップ群を移動不能に吸着することができ、しかも吸着されたチップ群から一個のチップを選択的に剥離して吸着することが可能な固定ジグを提供することを目的としている。
【０００８】
また、本発明は、上記の固定ジグを用いることにより、チップの突き上げを不要とするとともに、ピックアップの進行でピックアップされていないチップの保持力が変動するこ
とがなく、チップを確実にピックアップすることのできるピックアップ方法、およびこのようなピックアップ方法を実現するのに好適なピックアップ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る固定ジグは、
ジグ基台と密着層とからなる固定ジグであって、
前記ジグ基台の片面に凹部が設けられ、該凹部は側壁と略同じ高さの仕切り壁により小部屋に区画され、該凹部を覆うように前記側壁および前記仕切り壁の上縁に密着層が設けられ、前記各小部屋内にそれぞれ外部に連通する貫通孔が形成されていることを特徴としている。
【００１０】
係る構成の固定ジグによれば、密着層を介してジグ基台に吸着されたチップの吸着力を選択的に解除することができる。
本発明に係るピックアップする方法は、上記に記載の固定ジグに固定されたチップをピックアップする方法であって、
ウエハ形状のチップ群が、密着層に固定された状態とするチップ固定工程と、
前記固定ジグの小部屋内の貫通孔を介して、該当する小部屋内の空気を吸引し、この小部屋を覆う前記密着層を変形させる密着層変形工程と、
前記小部屋が吸引され前記密着層が変形された部位の前記チップを、吸着コレットが吸引して、この吸引されたチップを前記密着層から完全にピックアップする工程と、によりチップをピックアップすることを特徴としている。
【００１１】
このようなピックアップ方法によれば、固定ジグの独立した小部屋内の空気を吸引すれば、選択的にチップをピックアップすることができる。
本発明に係るピックアップ装置は、
上記のピックアップ方法において用いるピックアップ装置であって、
ジグ基台の厚さ方向に形成された貫通孔の一方の開口部側に配置される吸引手段と、
前記貫通孔の他方の開口部側に配置される吸着コレットと、
ジグ基台の外周を着脱自在に固定するドーナッツ形状のテーブルと、を有し、
前記吸引手段により前記ドーナッツ形状のテーブルに着脱自在に支持されたジグ基台の任意の小部屋内を吸引し、前記吸着コレットでチップを吸引することを特徴としている。
【００１２】
このような構成の本発明に係る装置では、先ずチップが密着している固定ジグの複数の小部屋のうち、該当する小部屋内の貫通孔を介して吸引を行うと、その小部屋内が減圧される。この減圧で、該当する部分の密着層がテーブルの底部側に引き寄せられることにより、チップ周辺から外気がチップとの密着面に流入してチップと密着層が剥離し、仕切り壁上面だけがチップと密着する。これにより、反対側から吸着コレットで吸引すれば、個別のチップをピックアップすることができる。
【００１３】
続いて、吸着コレットで次々とチップをピックアップしていっても、空気のリークで固定ジグ上に残っているチップとの密着状態が変化しない。従って、どのチップも常に安定した小さい密着力で固定ジグに固定されており、最後のチップまで位置ずれは起こらない。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る固定ジグによれば、ジグ基台の片面に設けられた凹部が仕切り壁により小部屋に区画されているので、１つの小部屋内の貫通孔を吸引して、その上の密着層を変形させれば、該当する部分のチップが密着層から剥離されるので、チップをピックアップすることが可能になる。
【００１５】
本発明のチップのピックアップ方法およびピックアップ装置によれば、細針によりチップの裏面を突き上げることなく、吸引コレットの吸引力だけでチップをピックアップすることが可能となるため、チップにダメージを与えることがない。
【００１６】
また、極めて薄く加工されたチップであっても個別のチップを確実にピックアップすることが可能であり、安全に次工程へ移送することができる。
さらに、本発明に係るピックアップ方法およびピックアップ装置によれば、吸引コレットで次々とチップをピックアップしていっても、空気のリークで固定ジグ上に残っているチップとの密着状態が変化しない。従って、どのチップも常に安定した小さい密着力で固定ジグに固定されているので、最後のチップまで位置ずれを生じさせずにピックアップすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施例について説明する。
＜固定ジグ＞
先ず、本発明に用いられる固定ジグについて説明する。
【００１８】
図１は、本発明に係る固定ジグを示したもので、この固定ジグは、本発明のピックアップ装置に組み込まれて使用される。
図１に示したように、本発明に係る固定ジグ３は、ジグ基台３０と密着層３１とからなる。ジグ基台３０の形状としては、略円形、略楕円形、略矩形、略多角形が挙げられ、その中でも図２に示したように略円形が好ましい。ジグ基台３０の片面には、外周部に側壁３５が、側壁３５の内側に円形状の凹部２が形成されている。この凹部２内には、図１および図２に示したように、仕切り壁１２が格子状に、すなわち縦横に形成されている。これにより、凹部２内が複数個の小部屋１５，１５…１５に区画されている。ジグ基台３０の仕切り壁１２と側壁３５とは、略同じ高さに設定されている。
【００１９】
なお、格子状の仕切り壁１２を配置する縦横の間隔は、任意であるが、チップの大きさに基いて適宜設定される。ここで、仕切り壁１２の間隔が小さい程、ピックアップすることのできるチップサイズの種類を増加させることができる。
【００２０】
また、図２に示したように、各小部屋１５の中央部に、貫通孔１７が形成されている。
一方、仕切り壁１２を有するジグ基台３０の面上には、シート状の密着層３１が積層されている。この密着層３１は、仕切り壁１２と側壁３５の上面に接着され、隣接する小部屋どうしが隔離されお互いが気密状態となっている。
【００２１】
このように個片化されたチップ群を、例えば図４に示したように、紙面の左右方向に移動させ、所定の貫通孔１７（本実施例の場合４個の貫通孔）を吸引手段としてのバキューム装置Ｖ上に配置し、さらにバキューム装置Ｖの吸引部を４個の貫通孔１７に接続すれば、４つの小部屋１５、１５内を減圧することができる。すなわち、本実施例の場合は、図２に斜線で示したように、４つの小部屋１５に跨って１個のチップ１３が配置されるため、４つの小部屋１５内を同時に減圧する。
【００２２】
このように、４つの小部屋１５内が吸引されれば、それに対応する位置の密着層３１が凹凸状に変形されるので、これにより変形した部分の密着層３１に密着していたチップ１３’が密着層３１から剥離される。したがって、密着層３１の上方から吸着コレット７０で吸引すれば、図５に示したように、剥離されたチップ１３’を上方に吸着し、持上げることが可能になる。
【００２３】
ジグ基台３０の材質は、機械強度に優れたものであれば特に限定されないが、たとえば、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニルなどの熱可塑性樹脂；アルミニウム合金、マグネシウム合金、ステンレスなどの金属材料；ガラスなどの無機材料；ガラス繊維強化エポキシ樹脂などの有機無機複合材料等が挙げられる。ジグ基台３０の曲げ弾性率は、１ＧＰa以上で
あることが好ましい。このような曲げ弾性率を有していれば、ジグ基台の厚さを必要以上に厚くすることなく剛直性を与えることができる。このような材料を用いることにより、ウエハの裏面研削の後でウエハを湾曲させずに十分に支持することができる。また、半導体ウエハの研削砥石の回転による剪断応力に対向する強度を持ち、先ダイシングの後でチップの配列を乱すことがない。
【００２４】
ジグ基台３０の外径は、半導体ウエハの外径と略同一または半導体ウエハの外径よりも大きいことが好ましい。ジグ基台３０が半導体ウエハの規格サイズの最大径（例えば３００ｍｍ径）に対応できる外径を有していれば、それより小さい全ての半導体ウエハに対して適用することができる。また、ジグ基台３０の厚さは、０．５〜２．０ｍｍが好ましく、０．５〜０．８ｍｍがより好ましい。ジグ基台の厚さが上記範囲にあると、ウエハの裏面研削の後でウエハを湾曲させずに十分に支持することができる。小部屋１５の形は特に限定されず、例えば、格子状、ハニカム状などの多角形でも良いし、円形状であっても良いが、特に格子状であるものが好ましい。また、小部屋１５が格子状である場合のサイズは、固定されるチップのサイズよりも小さければ特に限定されないが、１辺が０．５〜５ｍｍの範囲が好ましい。
【００２５】
仕切り壁１２および側壁３５の高さは、０．０５〜０．５ｍｍがより好ましい。また、仕切り壁１２の上面の幅は、０．２〜０．６ｍｍが好ましい。仕切り壁１２の大きさが上記範囲にあると、各小部屋１５内の脱気により、その上の密着層３１を十分に凹凸状に変形させることができ、個片化された１つの半導体チップ１３を容易に密着層３１から取り外すことができる。さらに、密着層３１の凹凸の変形を何度も繰り返した後でも、元の平坦な状態に復元し続けることができる。
【００２６】
チップ吸着用の貫通孔１７の径は小部屋１５のサイズよりも小さければ特に限定されないが、２ｍｍ以下が好ましい。
このようなジグ基台３０は、たとえば、熱可塑性の樹脂材料を金型を用いて加熱成形して、ジグ基台３０の底部と、側壁３５と、仕切り壁１２とを一体で製造してもよいし、平面円形板上に側壁３５および仕切り壁１２を形成して製造してもよい。仕切り壁１２の形成方法としては、電鋳法により金属を所定の形状に析出させる方法、スクリーン印刷により形成する方法、平面円形板上にフォトレジストを積層し、露光、現像して突起物を形成する方法などが挙げられる。また、金属製平面円形板の表面をエッチングにより側壁及び仕切り壁部分を残して侵食除去する方法やサンドブラストにより平面円形板の表面を側壁及び仕切り壁の形成部分を残して除去する方法などによりジグ基台３０を製造することもできる。なお、貫通孔１７は小部屋１５を形成する前に予め形成してもよいし、後で形成してもよい。また、ジグ基台の成型と同時に形成してもよい。
【００２７】
ジグ基台３０上に配置された密着層３１の材質としては、可撓性、柔軟性、耐熱性、弾性、粘着性等に優れた、ウレタン系、アクリル系、フッ素系またはシリコーン系のエラストマーが挙げられる。このエラストマーには、必要に応じて補強性フィラーや疎水性シリカなどの各種添加剤を添加してもよい。
【００２８】
密着層３１はジグ基台３０と略同一形状の平板であることが好ましく、密着層３１の外径はジグ基台３０の外径と略同一であることが好ましく、厚さは、２０〜２００μｍが好ましい。密着層３１の厚さが２０μｍ未満では、吸引の繰り返しに対する機械的な耐久性
に乏しくなることがある。一方、密着層３１の厚さが２００μｍを超えると、吸引による剥離に著しく時間がかかることがあり好ましくない。
【００２９】
また、密着層３１の引張破断強度は５ＭＰａ以上であることが好ましく、引張破断伸度は５００％以上であることが好ましい。引張破断強度や引張破断伸度が上記範囲にあると、密着層３１の変形を何度も繰り返した場合でも、密着層３１の破断も弛みも発生せず、元の平坦な状態に復元させることができる。
【００３０】
また、密着層３１の曲げ弾性率は、１０〜１００ＭＰａの範囲が好ましい。密着層３１の曲げ弾性率が１０ＭＰａ未満の場合、密着層３１は仕切り壁１２との接点以外の部分が重力でたわんでしまい、ウエハに密着できなくなる場合がある。一方、１００ＭＰａを超えると、吸引による変形が起こりにくくなり、ウエハを容易に剥離することができなくなる場合がある。
【００３１】
また、密着層３１の半導体ウエハに接する側の面のせん断密着力は３５Ｎ以上であることが好ましい。本発明においてせん断密着力は、密着層３１とシリコンウエハのミラー面との間で測定した値をいい、縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ×厚さ３ｍｍの大きさを有する周知のガラス板に密着層３１を貼り付けてシリコンからなるミラーウェーハ上に配置し、ガラス板と密着層３１の全体に９００ｇの荷重を５秒間加え、ガラス板をミラーウェーハと平行に荷重を加えて押圧した場合に、動き出した時の荷重を測定したものである。
【００３２】
さらに、密着層３１の密着力は２Ｎ／２５ｍｍ以下であることが望ましい。これを超える値では密着層３１と、その上に配置されるチップとの密着が大きくなりすぎてブロッキング状態となり、吸引によるチップの剥離ができなくなるおそれがある。なお、本発明において密着力とは、密着層３１をウエハのミラー面に貼り付け、これを剥離したときの剥離強度をいう。
【００３３】
このような密着層３１は、たとえば、カレンダー法、プレス法、コーティング法または印刷法等により、予め上記エラストマーからなるフィルムを作製し、このエラストマーフィルムをジグ基台３０の少なくとも側壁３５の上面に接着することにより形成することができる。上記密着層３１を接着する方法としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂あるいはエラストマー樹脂からなる接着剤を介して接着する方法や、密着層３１がヒートシール性の場合はヒートシールによって接着する方法が挙げられる。
【００３４】
密着層３１の表面には、非粘着処理が施されていてもよく、特に、凹凸状に変形した時に半導体チップと接触する仕切り壁１２上部の密着層表面のみが、非粘着処理されていることが好ましい。このように処理すると、密着層３１が変形する前は密着層表面の非粘着処理されていない部分で半導体チップに密着し、凹凸状に変形した密着層３１は仕切り壁１２上部の表面、すなわち非粘着性の凸部表面のみで半導体チップと接触しているため、半導体チップをさらに容易に密着層３１から取り外すことができる。非粘着処理方法としては、たとえば、バキューム装置により小部屋１５内の空気を吸引して密着層３１を凹凸状に変形させ、凸部先端を砥石ローラー等により物理的に粗面化する方法、ＵＶ処理する方法、非粘着性ゴムを積層する方法、非粘着性塗料をコーティングする方法などが挙げられる。また、非粘着部は、上記凸部ではなく、密着層３１の中心を通るように十字にパターン形成してもよい。非粘着部の表面粗さは、算術平均粗さＲａが１．６μｍ以上が好ましく、１．６〜１２．５μｍがより好ましい。非粘着部を上記範囲の表面粗さで粗面化することにより、密着層３１は劣化せず、さらに、半導体チップを容易に密着層３１から取り外すことができる。
＜半導体チップ＞
本発明でピックアップされる被処理体は、図３に示したように、ダイシング工程を経て切断ライン５により賽の目状にダイシングされた半導体ウエハ１が例示される。半導体ウエハ１は、複数個のチップ１３に予め個片化されている。
【００３５】
そして、図２の中に斜線で示したように、縦横の仕切り壁１２，１２により画成される４個分の小部屋１５の大きさが、図３に示した1個のチップ１３の大きさに対応している
。
【００３６】
チップ１３は、シリコン半導体ウエハ、ガリウム・ヒ素半導体ウエハなどに回路を形成した後、これらを個片化して得られるが、半導体ウエハはこれらに限定されず、種々の半導体ウエハを用いることができる。ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法など、様々な方法により行うことができる。
【００３７】
そして、このように複数のチップ１３に個片化された半導体ウエハ１が、図４に示したように、固定ジグ３の上に配置される。
なお、多数のチップ１３に個片化された半導体ウエハ１を、固定ジグ３の密着層３１上に貼付された状態を実現する手段は特に限定されない。結果として、図４に示したような状態が実現されれば、如何なる経路を経ても良い。
【００３８】
例えば、半導体ウエハを通常のダイシングシートを用いてダイシングを行ない、これを密着層３１に転写することにより、密着層３１上にチップ１３がウエハ形状を維持した状態を達成しても良い。また、密着層３１をダイシングシートとして用い、密着層３１を切断しないように半導体ウエハ１のみをダイシングしても良い。また、ダイシングブレードを使用するダイシング装置の代わりに、レーザー光線によるダイシング装置（レーザーダイサー）によっても良い。レーザーダイサーは、レーザー光線の焦点をコントロールしてウエハの分割を行うので、密着層３１を一緒に切断しないように制御し易い。
【００３９】
さらに、ダイシングとしていわゆるステルスダイシング法として知られている方法によって行ってもよい。ステルスダイシング法は、ウエハの内部にのみ焦点を合わせてレーザーを照射し、焦点部分を改質させた後この軌跡をストレスにより破断させることにより個片化するダイシング法なので、密着層３１を同時に切断することができない。このため、この方法が特に有効である。
【００４０】
ステルスダイシング法では、半導体ウエハ内部に、半導体ウエハの各回路を区画する切断予定ラインに沿って脆弱部を形成する。この状態では、各チップ群が脆弱部を介して連接しており、全体としてウエハ形状を維持している。脆弱部の形成は、切断予定ラインに沿って半導体ウエハ内部に焦点を合わせてレーザー光を照射することで行われる。レーザー光の照射により、ウエハ内部が局所的に加熱され結晶構造の変化などにより改質される。改質された部分は、周辺の部位と比べ過剰なストレス状態におかれ、潜在的に脆弱である。したがって、半導体ウエハにストレスを加えると、この脆弱部を起点としてウエハの上下方向に亀裂が成長し、ウエハをチップ毎に分割することができる。
【００４１】
このようなステルスダイシング法の詳細は、たとえば「電子材料、２００２年９月、１７〜２１頁」、特開２００３−８８９８２号公報に記載されている。
また、ウエハの個片化を上記したステルスダイシング法により行う場合は、エキスパンドと同時に、ウエハを個片化してもよい。エキスパンド時に接着シートを延伸する際の張力は、接着シート上に固定されているウエハに伝播する。この際、ウエハ内部に脆弱部が形成されていると、この脆弱部が張力に抗することができず、脆弱部で破断が起こる。この結果、脆弱部を起点としてウエハの上下方向に亀裂が生じ、ウエハをチップ毎に分割することができる。
【００４２】
また、いわゆる先ダイシングを応用してもよい。すなわち、半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、該回路面に表面保護シートを貼着し、上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップ１３への分割を行い、研削面を、密着層３１に密着させ、該表面保護シートを剥離することで、密着層３１上に、複数のチップ１３がウエハ形状のまま整列した状態を達成してもよい。
＜ピックアップ装置＞
図６は本発明の一実施例に係るピックアップ装置１００を示したものである。
【００４３】
本発明に係るピックアップ装置１００では、各チップ１３を、細針による突き上げを行わずにピックアップすることができる。
すなわち、本発明のピックアップ装置１００では、ウエハ形状のチップ群が固定ジグ３の密着層３１に固定されたものから、密着層３１を変形させ、さらに吸着コレットで、ピックアップすることができる。
【００４４】
以下に、このような工程を行うピックアップ装置１００の概略について説明する。
このピックアップ装置１００は、Ｘ方向に移動可能な第１のテーブル４２と、第１のテーブル４２の上部に、Ｘ方向に対して直交するＹ方向（紙面に対して直角な方向）に移動可能な第２のテーブル４４と、それ自身所定角度回転することのできる第３のテーブル４９とを有している。そして、この第３のテーブル４９には、アーム５０が立設され、このアーム５０の上端部には、ドーナッツ状のテーブル５２が一体的に設けられている。
【００４５】
このドーナッツ状のテーブル５２に設けられた開口５５を塞ぐように、固定ジグ３が配置される。なお、固定ジグ３に予め位置決めピン５７を設けておくとともに、ドーナッツ状のテーブル５２に溝５９を設けて、このピン５７を溝５９内に着脱自在に挿入するなどしてドーナッツ状のテーブル５２の上に、固定ジグ３が位置決め固定される。
【００４６】
一方、第３のテーブル４９の上方には、上下方向にのみ移動可能な一軸ロボット６０が配置され、この一軸ロボット６０の先端部に吸引手段Ｖが設置されている。この吸引手段Ｖは、図示しない真空ポンプに接続されている。そして、一軸ロボット６０により所定のタイミングで上方に移動することにより、吸引手段Ｖが固定ジグ３の下面に密着して所定の小部屋１５が真空ポンプと接続する。これによって所定の小部屋１５の空間だけを吸引することができ、その位置の密着層３１のみを変形させることができる。
【００４７】
さらに、固定ジグ３の上方側には、吸着コレット７０が配置されている。この吸着コレット７０も上下方向に移動可能に形成され、所定のタイミングで吸着部７０ａからチップ１３’を吸引し、持上げることが可能にされている。
【００４８】
このようなピックアップ装置１００は、第１のテーブル４２、および第２のテーブル４４側がＸ，Ｙ方向に移動され、さらに第３のテーブル４９が所定の角度でθ方向に回転することで、固定ジグ３の吸着コレット７０に対する位置が決定される。よって、図示しないセンサなどで、固定ジグ３の位置を検出すれば、任意のチップ１３を吸着コレット７０の直下に配置することができる。
【００４９】
なお、吸着コレット７０は、それ自身上下および水平方向に移動可能である。これにより、ピックアップされたチップ１３を必要に応じて反転させたり、ダイボンド工程に移送したり、あるいはチップトレイ内に搬送することが可能にされている。
【００５０】
このように本実施例のピックアップ装置１００では、細針による突き上げを必要としな
いので、チップ１３にダメージを与えることもない。よって、高品質のチップ１３を次工程に提供することができる。また、一つのチップ１３をピックアップする場合に、他のチップ１３は、何ら影響を受けないので、確実に一つのチップのみをピックアップすることができる。
【００５１】
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明は、上記実施例に何ら限定されない。例えば、また、各仕切り壁１２で区画される小部屋１５内に、仕切り壁１２と同じ高さの突起物を立設し、この突起物の頂部でチップを支持することも可能である。このように突起物を設ければ、大きなチップでも安定した状態で支持することができる。
【００５２】
また上記実施例では、１つのチップ１３の大きさを４つの小部屋１５の大きさに対応させているが、例えば、チップ一個の大きさを、６つの小部屋１５に対応するように設定することもできる。したがって、仕切り壁１２で区画される一つの小部屋１５の大きさをより小さく設定すれば、様々な大きさのチップに対応することができる。具体的には、コレットの吸着部７０ａとバキューム装置Ｖのヘッド部をピックアップすべきチップのサイズに合わせて用意しておき、チップサイズの変更に合わせてコレットの吸着部７０ａを交換するとともに、バキューム装置Ｖのヘッド部も交換することで、目的とするチップサイズをピックアップできるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１は、本発明に係るピックアップ方法を実施するピックアップ装置に用いられる固定ジグの概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示した固定ジグを構成するジグ基台の概略平面図である。
【図３】図３は、本発明のピックアップ装置で処理される個片化された半導体ウエハの概略平面図である。
【図４】図４は、個片化された半導体ウエハが固定ジグに載置され、ピックアップされる前の状態を示す概略略断面図である。
【図５】図５は図４に示した固定ジグから一個のチップがピックアップされるときの概略断面図である。
【図６】図６は、本発明に係るピックアップ方法を実施するのに好適なピックアップ装置の概略正面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・半導体ウエハ
３・・・固定ジグ
１２・・・仕切り壁
１３・・・チップ
１３’・・・吸着コレットで吸着されるチップ
１５・・・小部屋
１７・・・チップ吸着用の貫通孔
３０・・・ジグ基台
３１・・・密着層
３５・・・側壁
５２・・・ドーナッツ形状のテーブル
７０・・・吸着コレット
１００・・・ピックアップ装置
Ｖ・・・バキューム装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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