(57)【要約】【課題】素子部と記録媒体の接触を防止し、且つ、素子部突出量のばらつきを抑制できる薄膜磁気ヘッドを得る。【解決手段】積層形成した再生素子及び記録素子と、通電により発熱して両素子を熱膨張により記録媒体側へ突出させるヒーターとを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、ヒーターに対して並列接続させた、負の抵抗温度係数を有する温度補正抵抗体を設けた。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層形成した再生素子及び記録素子と、通電により発熱して前記再生素子及び前記記録素子の少なくとも一方を熱膨張により記録媒体側へ突出させるヒーターとを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記ヒーターに対して並列接続させた、負の抵抗温度係数を有する温度補正抵抗体を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記温度補正抵抗体は、該温度補正抵抗体を厚さ方向の上下に挟んで通電する一対の電極配線を有する薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記温度補正抵抗体は、前記再生素子のシールド層よりハイト方向後方に配置されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項３記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記温度補正抵抗体は、前記ヒーターの引出電極間に設けられている薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項３記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記温度補正抵抗体は、前記ヒーターの引出電極とヘッド表面の電極パッドとを接続する一対の引出配線間に接続する薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記温度補正抵抗体は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌのうち少なくとも１種を含む金属酸化膜により形成されている薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、再生素子及び記録素子を熱膨張により記録媒体側へ突出させるヒーターを備えた薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘッドには、磁気抵抗効果を利用して記録媒体から磁気記録情報を読み出す再生素子と、記録媒体に記録磁界を印加して各種情報を磁気記録する記録素子とが備えられている。再生素子は、媒体対向面で所定間隔をあけて対向する下部シールド層と上部シールド層の間に磁気抵抗効果を発揮する多層膜を有し、記録素子は、上部シールド層の上に積層形成され、媒体対向面で磁気ギャップ層を介して対向する一対の磁性層及びこの一対の磁性層に記録磁界を与える記録コイル等を有している。また近年では、再生素子及び記録素子の近傍に、通電により発熱するヒーターを備えた薄膜磁気ヘッドも知られている。このヒーターを備えた薄膜磁気ヘッドでは、ヒーターの熱により再生素子及び記録素子が膨張して記録媒体側へ突出することで、記録媒体との対向間隔（ヘッド浮上量）が素子部で局所的に狭められ、記録再生特性を向上させることができる。
【特許文献１】特開２００６−２２８３３２号公報
【特許文献２】特開２００５−０１１４１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、熱膨張による素子部突出量は、ヒーターが発する熱量だけでなく外部環境温度にも依存し、外部環境温度が高くなるほど増大する。このため、ヒーター動作時に外部環境温度が高くなると、素子部が記録媒体に接触し、素子部及び記録媒体を傷つけてしまうおそれがある。これを回避するには、ヒーター熱量を低減して素子部の熱膨張を抑える方法があるが、単にヒーター熱量を低減するだけでは、外部環境温度に応じて素子部の熱膨張がヒーター熱量と外部環境温度による場合（外部環境温度が高温の場合）とヒータ熱量のみによる場合（外部環境温度が低温の場合）とがあるから、外部環境温度の高低に応じて素子部突出量がばらついてしまう。素子部突出量がばらつけば、素子部と記録媒体の対向間隔が安定せず、信頼性が低下する。
【０００４】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、素子部と記録媒体の接触を防止し、且つ、素子部突出量のばらつきを抑制できる薄膜磁気ヘッドを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、外部環境温度変化による素子部突出量の増減を打ち消すようにヒーター熱による素子部突出量を補正すれば、外部環境温度が変化しても素子部突出量の増減を抑制でき且つ素子部と記録媒体の接触を防止できること、そして、ヒーター熱による素子部突出量を補正する方法としては、外部環境温度に応じてヒーターに流れる電流量を制御することが最適であることに着目して完成されたものである。
【０００６】
すなわち、本発明は、積層形成した再生素子及び記録素子と、通電により発熱して再生素子及び記録素子の少なくとも一方を熱膨張により記録媒体側へ突出させるヒーターとを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、ヒーターに対して並列接続させた、負の抵抗温度係数を有する温度補正抵抗体を設けたことを特徴としている。
【０００７】
負の抵抗温度係数を有する温度補正抵抗体は、外部環境温度が高くなると抵抗値が下がり、外部環境温度が低くなると抵抗値が上がる。よって、この温度補正抵抗体とヒーターにより構成される閉回路では、外部環境温度が高くなると、温度補正抵抗体に流れる電流量が増大してヒーターに流れる電流量が低減し、ヒーター熱量が抑えられる。このとき、外部環境温度による素子部突出量は増大するもののヒーター熱量による素子部突出量は減少するから、外部環境温度が変化しても素子部突出量のばらつきを抑えることができる。
【０００８】
温度補正抵抗体は、該温度補正抵抗体を厚さ方向の上下に挟んで通電する一対の電極配線を有することが好ましい。この態様によれば、温度補正抵抗体の厚さ方向に電流が流れるから、温度補正抵抗体の膜厚制御または温度補正抵抗体のパターン面積制御により該電気抵抗値を容易且つ最適に設定することができる。
【０００９】
温度補正抵抗体は、再生素子のシールド層よりハイト方向後方に配置されていることが実際的である。この態様によれば、通電により温度補正抵抗体から発せられる熱量の大部分は、素子部まで伝わらず、素子部の突き出しに寄与しない。
【００１０】
温度補正抵抗体は、ヒーターの引出電極間、あるいは、ヒーターの引出電極とヘッド表面の電極パッドとを接続する一対の引出配線間に接続することができる。
【００１１】
温度補正抵抗体は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌのうち少なくとも１種を含む金属酸化膜により形成されていることが好ましい。この金属酸化膜は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌのうち少なくとも１種を含む金属膜を成膜した後に酸化処理を施して形成することができる。または、スパッタ成膜により形成することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ヒーターに流れる電流量が外部環境温度に応じて温度補正抵抗体により自動制御され、外部環境温度による素子部突出量の増減を打ち消すようにヒーター熱量による素子部突出量が補正されるので、外部環境温度が変化しても素子部突出量のばらつきが抑えられ、且つ、素子部と記録媒体の接触を防止できる薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１及び図２は、本発明を適用した薄膜磁気ヘッドを示す断面図及び平面図である。図中のＸ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向、Ｚ方向は薄膜磁気ヘッドを構成する各層の積層方向で定義される。
【００１４】
本薄膜磁気ヘッドは、スライダ１のトレーリング側端面１ｂに薄膜を積層してなるヘッド構造部１０を有している。ヘッド構造部１０には、磁気抵抗効果を利用して記録媒体Ｍから磁気記録情報を読み出す再生ヘッドＲと、記録媒体Ｍに対して垂直な記録磁界Φを印加して磁気情報を記録する垂直記録方式の記録ヘッドＷと、通電により発熱するヒーターＨとが備えられている。
【００１５】
記録媒体Ｍは、残留磁化の高いハード膜Ｍａを媒体表面側に、磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂをハード膜Ｍａよりも内側に有する。スライダ１はＡｌ2Ｏ3・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１が記録媒体Ｍの表面から浮上する。スライダ１は、端面１ａで記録媒体Ｍに対向する。
【００１６】
再生ヘッドＲは、スライダ１のトレーリング側端面１ｂにＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等の非磁性絶縁材料で形成された保護層２上に積層されており、この保護層２上に形成された下部シールド層１１と、この下部シールド層１１と所定のギャップ間隔をあけて対向する上部シールド層１４と、この上下シールド層１１、１４間を埋めるギャップ絶縁層１２と、このギャップ絶縁層１２内に位置する再生素子１３とを有している。再生素子１３は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子であり、図示Ｘ方向の寸法が再生トラック幅に規定されている。
【００１７】
記録ヘッドＷは、上部シールド層１４上にＡｌ2Ｏ3等からなる分離層１５を介して積層されており、強磁性材料からなる主磁極層２０及びリターンヨーク層２６と、記録媒体Ｍとの対向面（媒体対向面）Ｆ側で主磁極層２０及びリターンヨーク層２６の間に介在する磁気ギャップ層２１と、下層コイル１７及び上層コイル２３からなる記録コイルと、主磁極層２０よりも飽和磁束密度の低い磁性材料で主磁極層２０の直下に形成した補助ヨーク層１９と、主磁極層２０及び補助ヨーク層１９の周囲を埋める絶縁層２７、２８と、磁気ギャップ層２１上に媒体対向面Ｆから所定距離後退させて形成したハイト決め層２５とを有している。主磁極層２０は、媒体対向面Ｆに露出する先端面の図示Ｘ方向の寸法が書込トラック幅に規定されている。リターンヨーク層２６は、主磁極層２０よりも図示ＸＹ方向に大面積で形成されており、媒体対向面Ｆに露出する先端面２６ａで所定間隔（ギャップ間隔）をあけて主磁極層２０と対向し、該先端面２６ａよりもハイト方向奥側に位置する接続部２６ｂで主磁極層２０と接続する。下層コイル１７及び上層コイル２３は、トラック幅方向に長く延びる複数のコイル線をハイト方向に複数列並べて形成したもので、各コイル線のトラック幅方向の端部同士が接続され、主磁極層２０及び補助ヨーク層１９の上下に巻回されたソレノイド状コイルをなす。下層コイル１７及び上層コイル２３はコイル絶縁下地層１６、２２上に形成されており、例えばＡｌ2Ｏ3からなるコイル絶縁層１８、２４で覆われている。リターンヨーク層２６の上には、Ａｌ2Ｏ3からなる保護層２９が形成されている。
【００１８】
ヒーターＨは、再生ヘッドＲと記録ヘッドＷの間に介在する分離層１５内に設けられている。このヒーターＨは、図２に示すように、実際に発熱する平面Ｍ形状を有する発熱領域３０と、この発熱領域３０のトラック幅方向の両端からハイト方向奥側に延出させた一対の引出電極３１と、この引出電極３１より幅広に形成され、該一対の引出電極３１とヘッド表面の電極パッド（不図示）と電気的に接続する一対の引出配線３２とを有している。発熱領域３０のパターン形状は任意であり、例えばミアンダ形状としてもよい。ヘッド表面の電極パッドには外部電源が接続され、一対の引出配線３２及び引出電極３１を介してヒーターＨの発熱領域３０がトラック幅方向に通電される。ヒーターＨの発熱領域３０は抵抗値Ｒｈを有する抵抗体であり、この発熱領域３０には電流Ｉｈが流れる（図３）。ヒーターＨは、例えばＮｉＦｅ、ＣｕＮｉ、ＣｕＭｎ等により形成される。
【００１９】
上記ヒーターＨから発せられた熱は、媒体対向面Ｆ側に向かって伝わり、ヘッド構造部１０を熱膨張させる。ヘッド構造部１０では、Ａｌ2Ｏ3からなる分離層１５やコイル絶縁層１８、ギャップ絶縁層１２等よりも熱膨張係数の高い上下シールド層１１、１４及び主磁極層２０が特に熱膨張しやすく、上下シールド層１１、１４に挟まれた再生素子１３と主磁極層２０がそれぞれ記録媒体Ｍ側へ局所的に突出する。このとき、ヒーターＨからの熱量が大きくなるほど再生素子１３と主磁極層２０の突出量は増大し、該再生素子１３と主磁極層２０と記録媒体Ｍの対向間隔が短くなることで記録再生特性が向上する。
【００２０】
以下では、記録再生特性に寄与する再生素子１３及び主磁極層２０をまとめて「素子部」といい、この再生素子１３及び主磁極層２０の記録媒体Ｍ側への突出量を「素子部突出量」ということにする。
【００２１】
素子部突出量は、ヒーター熱量による素子部の突出量と外部環境温度による素子部の突出量との合計により得られる。外部環境温度による素子部の突出量は外部環境温度に応じて変化し、外部環境温度が高温になるほど増大する。このため、外部環境温度が低温時の素子部突出量はヒーター熱量に起因し、高温時の素子部突出量はヒーター熱量と外部環境温度の両方に起因することとなる。この素子部突出量は、素子部と記録媒体Ｍとの対向間隔を規定するものであるから、記録再生動作時は外部環境温度にかかわらず一定に保持することが望ましい。
【００２２】
上記全体構成を有する薄膜磁気ヘッドには、ヘッド構造部１０に、外部環境温度による素子部の突出量変化を補正する温度補正手段として、温度補正抵抗体４０が設けられている。図３は温度補正抵抗体４０の第１の配置態様を示している。温度補正抵抗体４０は、図２及び図３に示されるように、ヒーターＨに対して並列に接続され、該ヒーターＨと外部電源Ａの間に閉回路を形成する。
【００２３】
温度補正抵抗体４０は、負の温度抵抗係数を有し、外部環境温度Ｔが高温になると抵抗値Ｒａ（Ｔ）が下がり、外部環境温度Ｔが低温になると抵抗値Ｒａ（Ｔ）が上がる構造となっている。本実施形態では、具体的に例えば、外部環境温度が５０℃以上のときを高温とし、５℃未満のときを低温として定義する。この温度補正抵抗体４０は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌのうち少なくとも１種を含む金属酸化膜により形成されている。この金属酸化膜は、スパッタ成膜により形成するか、あるいは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌのうち少なくとも１種を含む金属膜を成膜後に酸化処理を施すことで得られる。
【００２４】
温度補正抵抗体４０は、上部シールド層１４よりハイト方向後方で、ヒーターＨの一対の引出電極３１間に配置されている。上部シールド層１４よりハイト方向後方に設けることで、温度補正抵抗体４０が通電により発熱しても、該熱量が素子部まで伝わらず、素子部の突き出しに影響を及ぼすことがない。
【００２５】
この温度補正抵抗体４０は、ヒーターＨと同一の積層位置に形成されており、一対の電極配線４１、４２を介して、上記ヒーターＨの一対の引出電極３１間に接続する。一対の電極配線４１、４２は、一方４１が引出電極３１と温度補正抵抗体４０の下面を接続し、他方４２が引出電極３１と温度補正抵抗体４０の上面を接続しており、温度補正抵抗体４０の厚さ方向（図示Ｚ方向）に電流Ｉａ（Ｔ）を流す。外部環境温度Ｔ、比抵抗ρ（Ｔ）、温度補正抵抗体４０の厚さｔ、温度補正抵抗体４０の断面積Ｓとすると、温度補正抵抗体４０の抵抗値Ｒａ（Ｔ）は、Ｒａ（Ｔ）＝ρ（Ｔ）（ｔ／Ｓ）により決定される。ここで、抵抗値Ｒａ（Ｔ）及び比抵抗ρ（Ｔ）は温度に対する関数であり、比抵抗ρ（Ｔ）は金属酸化膜の材料により決定される。したがって、温度補正抵抗体４０の材料と厚さｔと断面積Ｓを制御することにより、ヘッドに応じた抵抗値Ｒａ（Ｔ）を有する温度補正抵抗体４０を得ることができる。
【００２６】
上記温度補正抵抗体４０とヒーターＨで構成される閉回路では、外部環境温度が高くなると、温度補正抵抗体４０の抵抗値Ｒａ（Ｔ）が下がるから、温度補正抵抗体４０に流れる電流Ｉａ（Ｔ）が増大してヒーターＨに流れる電流Ｉｈが低減し、ヒーター熱量が低減する。閉回路を流れる全電流Ｉｄｃは、温度補正抵抗体４０に流れる電流Ｉａ（Ｔ）とヒーターＨに流れる電流Ｉｈの総和である。この場合、外部環境温度による素子部の突出量は増大し、ヒーター熱量による素子部の突出量は減少するから、互いの増減分が相殺され、素子部の突出量変化を抑えることができる。逆に、外部環境温度が低くなると、温度補正抵抗体４０の抵抗値Ｒａ（Ｔ）が上がるから、温度補正抵抗体４０に流れる電流Ｉａ（Ｔ）が減少してヒーターＨに流れる電流Ｉｈが増大し、ヒーター熱量が増大する。この場合、外部環境温度による素子部の突出量は低減し、ヒーター熱量による素子部の突出量は増大するから、互いの増減分が相殺され、素子部の突出量変化を抑えることができる。このようにして、ヒーターＨに流れる電流量は温度補正抵抗体４０により外部環境温度に応じて自動制御され、外部環境温度による素子部突出量の増減を打ち消すようにヒーター熱量による素子部突出量が補正される。これにより、外部環境温度が変化しても素子部突出量のばらつきは抑えられ、素子部と記録媒体Ｍが接触するほど素子部突出量が増大するおそれがない。
【００２７】
図４は、図３とは別の配置態様による温度補正抵抗体１４０を示している。温度補正抵抗体１４０は、上部シールド層１４よりハイト方向後方でヒーターＨの一対の引出配線３２間に配置され、この一対の引出配線３２間に、一対の電極配線４１、４２を介して接続されている。一対の電極配線４１、４２は、一方が引出配線３２と温度補正抵抗体１４０の下面に接続し、他方４２が引出配線３２と温度補正抵抗体１４０の上面を接続して、温度補正抵抗体４０の厚さ方向に電流Ｉａ（Ｔ）を流す。温度補正抵抗体１４０は、ヒーターＨへの接続位置が異なる以外は、図２及び図３に示す第１実施形態の温度補正抵抗体４０と同様である。この実施態様によっても、第１実施形態と同様に、ヒーターＨに流れる電流Ｉｈが温度補正抵抗体１４０により外部環境温度に応じて自動制御されるので、外部環境温度が変化しても素子部突出量のばらつきを抑えることができ、延いては、素子部と記録媒体Ｍの接触を防止することができる。温度補正抵抗体１４０は、素子周辺温度を高感度で検知できるように、素子部の突出量に影響を及ぼさない位置、すなわち、上部シールド層１４よりハイト方向後方であれば、より媒体対向面Ｆ側に近い側で一対の引出配線３２間に接続することが好ましい。
【００２８】
図５及び図６は、ヒーターＨに並列接続した温度補正抵抗体４０（１４０）を備えた薄膜磁気ヘッド（実施例）と温度補正抵抗体を具備しない薄膜磁気ヘッド（比較例）において、外部環境温度を０℃〜１００℃まで変化させて、素子部突出量を測定または演算により算出した結果を示すグラフである。素子部突出量は、媒体対向面Ｆの所定位置において、常温２５℃での突出量を基準０として測定または演算により算出した値であり、外部環境温度による素子部の突出量と、ヒーター熱量による素子部の突出量と、素子部全体としての突出量とを個別に示す。ヒーターＨ及び温度補正抵抗体４０（１４０）に与える電力は一定である。実施例と比較例は、温度補正抵抗体４０の有無以外は同一構造をなしている。
【００２９】
図５は、温度補正抵抗体４０（１４０）を備えた薄膜磁気ヘッド（実施例）において、外部環境温度を０℃〜１００℃まで変化させたときの素子部突出量を示している。図５を見ると、外部環境温度による素子部の突出量は外部環境温度が高くなるにつれて増大しているが、ヒーター熱による素子部の突出量は外部環境温度が高くなるにつれて減少している。このため、素子部全体としての突出量は、外部環境温度が０℃から１００℃まで変化しても、２ｎｍ未満に抑えられている。現状ではヘッド浮上量を１０〜１５ｎｍ程度に制御しているが、素子部突出量は１０ｎｍ以下に保持されているから、素子部と記録媒体Ｍの接触を防止できる。
【００３０】
図６は、温度補正抵抗体を具備しない薄膜磁気ヘッド（比較例）において、外部環境温度を０℃〜１００℃まで変化させたときの素子部突出量を示している。図６を見ると、外部環境温度による素子部の突出量は外部環境温度が高くなるにつれて増大し、ヒーター熱による素子部の突出量は外部環境温度にかかわらず一定となっている。このため、素子部全体としての突出量は外部環境温度が高くなるにつれて増加し、外部環境温度が０℃から１００℃まで変化すると、その突出量の差は５ｎｍを超えてしまう。また外部環境温度が５０℃より高い場合には、素子部突出量が１０ｎｍを超えるから、ヘッド浮上量を１０〜１５ｎｍに制御している現状では素子部が記録媒体Ｍに接触する危険性が高い。
【００３１】
図５及び図６を比較して明らかなように、ヒーターＨに並列接続した温度補正抵抗体４０（１４０）を備えることによって、外部環境温度が変化しても素子部突出量のばらつきは抑制される。
【００３２】
本実施形態では、温度補正抵抗体４０（１４０）をヒーターＨと同一の積層高さ位置に形成しているが、温度補正抵抗体を設ける層位置は、任意であり、ヒーターＨより上層に設けてもよい。
【００３３】
また本実施形態では、温度補正抵抗体４０の厚さ方向（図示Ｚ方向）に電流Ｉａ（Ｔ）を流しているが、図７に示すように、温度補正抵抗体２４０をトラック幅方向に挟む一対の電極配線４３を設け、この電極配線４３を介して電流Ｉａ（Ｔ）を流す構成であってもよい。この場合、外部環境温度Ｔ、比抵抗ρ（Ｔ）、一対の電極配線４３の対向間隔Ｌ、温度補正抵抗体２４０の厚さｔ、温度補正抵抗体２４０の幅寸法ｗとすると、温度補正抵抗体２４０の抵抗値Ｒａ（Ｔ）は、Ｒａ（Ｔ）＝ρ（Ｔ）（Ｌ／（ｔ×ｗ））により決定される。温度補正抵抗体の抵抗値Ｒａ（Ｔ）は、温度補正抵抗体４０の厚さ方向に電流Ｉａ（Ｔ）を流す構成のほうが、より簡単且つ適切に設定することができる。
【００３４】
また本実施形態では、ヒーターＨを再生ヘッドＲと記録ヘッドＷの間に介在する分離層１５内に設けているが、ヒーターＨの配設位置は任意であり、例えばリターンヨーク層２６と保護層２９の間に設けることも可能である。
【００３５】
本実施形態では垂直記録方式の記録ヘッドＷを備えているが、長手記録方式の記録ヘッドを備える薄膜磁気ヘッドにも本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの積層構造を、素子中央で切断して示す断面図（図２のＩ−Ｉ線に沿う断面図）である。
【図２】同薄膜磁気ヘッドをヘッド上面側から見て示す平面図である。
【図３】温度補正抵抗体の第１の配置態様を説明する模式平面図である。
【図４】温度補正抵抗体の第２の配置態様を説明する模式平面図である。
【図５】温度補正抵抗体を備えた薄膜磁気ヘッド（実施例）において、外部環境温度を変化させたときの素子部突出量を示すグラフである。
【図６】温度補正抵抗体を具備しない薄膜磁気ヘッド（比較例）において、外部環境温度を変化させたときの素子部突出量を示すグラフである。
【図７】温度補正抵抗体の別の通電態様を説明する平面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０  ヘッド構造部
１１  下部シールド層
１２  ギャップ絶縁層
１３  再生素子
１４  上部シールド層
１５  分離層
２０  主磁極層
２６  リターンヨーク層
３０  発熱領域
３１  引出電極
３２  引出配線
４０、１４０、２４０  温度補正抵抗体
４１、４２、４３  電極配線
Ｒ  再生ヘッド
Ｗ  記録ヘッド
Ｈ  ヒーター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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