(57)【要約】【課題】コストを上昇させずに高温の乾燥空気を供給することが可能な乾燥空気供給装置およびこれを備えた基板処理装置を提供する。【解決手段】一次ロータ６０３および二次ロータ６０６のハニカム構造体にはセラミックの吸着剤が充填されている。閉塞部材６４１の領域Ｘ１は、配管６１０により電動三方バルブ６１１の入口に接続されている。閉塞部材６４３の領域Ｚ３は、配管６１４により熱交換ユニット６１３の一方の入口に接続されている。また、電動三方バルブ６１１の一方の出口は、配管６１２により熱交換ユニット６１３の他方の入口に接続されている。電動三方バルブ６１１の他方の出口は、ドライエア発生装置６０の外部に延びる排気のための配管６１７に接続されている。熱交換ユニット６１３の一方の出口には、基板処理装置の上記配管６１が接続されている。熱交換ユニット６１３の他方の出口には、排気のための配管６１８が接続されている。【選択図】図２
2008183516.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乾燥空気を供給する乾燥空気供給装置であって、
吸着剤を内蔵し、回転可能に支持された回転体と、
前記回転体を回転駆動する回転駆動手段と、
前記回転体内の第１の部分を通過するように空気を前記回転体に供給する第１の供給系と、
前記回転体内の第２の部分を通過するように空気を前記回転体に供給する第２の供給系と、
前記回転体内の前記第２の部分を通過し前記回転体から排出された空気を加熱する加熱手段と、
前記回転体内の第３の部分を通過するように前記加熱手段により加熱された空気を再生用空気として前記回転体内に供給する第３の供給系と、
前記回転体内の前記第３の部分を通過し前記回転体から排出された再生用空気の熱量を前記回転体内の前記第１の部分を通過し前記回転体から排出された空気に与えることにより昇温された乾燥空気を生成する熱交換手段とを備えたことを特徴とする乾燥空気供給装置。
【請求項２】
前記回転体内の前記第３の部分を通過し前記回転体から排出された再生用空気を前記熱交換手段に供給する第４の供給系と、
前記第４の供給系により前記熱交換手段に供給される再生用空気の量を調整する空気量調整手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の乾燥空気供給装置。
【請求項３】
前記熱交換手段により昇温される乾燥空気の温度を検出する温度検出手段をさらに備え、
前記空気量調整手段は、前記温度検出手段により検出された温度に基づいて前記第４の供給系により前記熱交換手段に供給される再生用空気の量を調整することを特徴とする請求項２記載の乾燥空気供給装置。
【請求項４】
前記回転体は、共通の回転軸を有する第１および第２の回転体を含み、
前記回転駆動手段は、前記第１の回転体を前記第２の回転体よりも高い回転数で回転駆動することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の乾燥空気供給装置。
【請求項５】
前記熱交換手段により昇温された乾燥空気の温度は６０℃以上７０℃以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の乾燥空気供給装置。
【請求項６】
基板に処理を施す基板処理装置であって、
基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、
前記処理部により処理された基板に乾燥空気を供給する請求項１〜５のいずれかに記載の乾燥空気供給装置とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、乾燥空気を供給する乾燥空気供給装置およびこれを備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
例えば、基板を洗浄する基板処理装置では、基板を洗浄処理した後、洗浄処理後の基板を乾燥させるために乾燥空気（ドライエア）が用いられる。この場合、乾燥空気を供給する乾燥空気供給装置が用いられる（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１に記載の乾燥空気供給装置においては、ファンにより吸引された空気が吸着剤を有するロータを通過することにより除湿され、乾燥空気として基板処理装置に供給される。また、乾燥空気の一部がクーラーにより所定温度に冷却された後、再度ロータを通過する。ロータを通過した乾燥空気は、ヒータにより所定温度に加熱され、ロータ内の吸着剤に吸着された水分を脱離させるために当該ロータ内に供給された後、乾燥空気供給装置の外部へ排出される。
【特許文献１】特開２００４−３２１９６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来から、基板処理装置において、基板の乾燥処理を含めた基板処理のスループットをさらに向上することが課題となっている。乾燥処理の時間を短縮化するために、基板処理装置内に供給する乾燥空気を予めヒータにより加熱する方法がある。これにより、高温の乾燥空気を供給することが可能となり、乾燥処理の時間を短縮することができる。しかしながら、ヒータを設けることにより乾燥空気供給装置の製造コストが上昇する。また、ヒータに電力を供給する必要があるので、乾燥空気供給装置の運転コストが上昇する。
【０００６】
一方、乾燥空気供給装置にヒータを設けずに乾燥空気を基板処理装置内に供給する場合、乾燥処理の時間の短縮化を実現することができない。
【０００７】
本発明の目的は、コストを上昇させずに高温の乾燥空気を供給することが可能な乾燥空気供給装置およびこれを備えた基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る乾燥空気供給装置は、乾燥空気を供給する乾燥空気供給装置であって、吸着剤を内蔵し、回転可能に支持された回転体と、回転体を回転駆動する回転駆動手段と、回転体内の第１の部分を通過するように空気を回転体に供給する第１の供給系と、回転体内の第２の部分を通過するように空気を回転体に供給する第２の供給系と、回転体内の第２の部分を通過した空気を加熱する加熱手段と、回転体内の第３の部分を通過するように加熱手段により加熱された空気を再生用空気として回転体内に供給する第３の供給系と、回転体内の第３の部分を通過し回転体から排出された再生用空気の熱量を回転体内の第１の部分を通過し回転体から排出された空気に与えることにより昇温された乾燥空気を生成する熱交換手段とを備えたものである。
【０００９】
第１の発明に係る乾燥空気供給装置においては、吸着剤が内蔵された回転体は回転駆動手段により回転駆動される。回転体内の第１の部分を通過するように第１の供給系により空気が回転体に供給される。また、回転体内の第２の部分を通過するように第２の供給系により空気が回転体に供給される。回転体内の第２の部分を通過した上記空気は加熱手段により加熱される。
【００１０】
加熱手段により加熱された空気は、再生用空気として、回転体内の第３の部分を通過するように第３の供給系により回転体内に供給される。そして、回転体内の第３の部分を通過し回転体から排出された再生用空気の熱量が、熱交換手段により回転体内の第１の部分を通過し回転体から排出された空気に与えられる。これにより、熱交換手段によって昇温された乾燥空気が生成される。
【００１１】
このような構成により、回転体内から流出した空気を加熱するヒータを設けることなく、昇温された乾燥空気を熱交換手段により生成することができる。これにより、乾燥空気供給装置の製造コストおよび運転コストを上昇させることなく昇温された乾燥空気を基板処理装置に供給することが可能となる。それにより、基板の乾燥速度を向上できる。したがって、コストを上昇させることなく基板処理のスループットを向上できる。
【００１２】
（２）乾燥空気供給装置は、回転体内の第３の部分を通過し回転体から排出された再生用空気を熱交換手段に供給する第４の供給系と、第４の供給系により熱交換手段に供給される再生用空気の量を調整する空気量調整手段とをさらに備えてもよい。
【００１３】
この場合、回転体内の第３の部分を通過し回転体から排出された再生用空気が第４の供給系により熱交換手段に供給される。そして、第４の供給系により熱交換手段に供給される再生用空気の量は空気量調整手段により調整される。
【００１４】
このような構成により、所望の量の再生用空気が熱交換手段内に供給されるよう上記空気量調整手段により当該再生用空気の量が調整される。これにより、所望の温度を有する乾燥空気を生成することができる。
【００１５】
（３）乾燥空気供給装置は、熱交換手段により昇温される乾燥空気の温度を検出する温度検出手段をさらに備え、空気量調整手段は、温度検出手段により検出された温度に基づいて第４の供給系により熱交換手段に供給される再生用空気の量を調整してもよい。
【００１６】
この場合、温度検出手段により検出された乾燥空気の温度に基づいて、第４の供給系により熱交換手段に供給される再生用空気の量が空気量調整手段によって調整される。これにより、乾燥空気の温度を正確に調整することができる。
【００１７】
（４）回転体は、共通の回転軸を有する第１および第２の回転体を含み、回転駆動手段は、第１の回転体を第２の回転体よりも高い回転数で回転駆動してもよい。
【００１８】
このように、回転駆動手段により第１の回転体が第２の回転体よりも高い回転数で回転駆動されることによって、空気または乾燥空気内に残留する水分、有機成分およびイオン成分等を十分に除去できる。
【００１９】
（５）熱交換手段により昇温された乾燥空気の温度は６０℃以上７０℃以下であってもよい。このような高い温度を有する乾燥空気を基板処理装置に供給することにより、基板の乾燥速度を向上できる。したがって、基板処理のスループットを向上できる。
【００２０】
（６）第２の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を施す基板処理装置であって、基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、処理部により処理された基板に乾燥空気を供給する上記第１の発明に係る乾燥空気供給装置とを備えたものである。
【００２１】
第２の発明に係る基板処理装置においては、処理部により基板に処理液を用いた処理が行われる。そして、上記乾燥空気供給装置によって処理部により処理された基板に乾燥空気が供給される。
【００２２】
このように、乾燥空気供給装置により生成された高い温度を有する乾燥空気が処理後の基板に供給されることによって、基板の乾燥速度を向上できる。それにより、基板処理のスループットを向上できる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、コストを上昇させずに高温の乾燥空気を供給することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の一実施の形態に係る乾燥空気供給装置およびこれを備えた基板処理装置について図面を参照しながら説明する。
【００２５】
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等をいう。
【００２６】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、処理槽４、ダウンフローダクト２０、基板移動機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、制御部７０およびファンフィルタユニットＦＦＵを備える。
【００２７】
ダウンフローダクト２０の上方にファンフィルタユニットＦＦＵが配置されている。ファンフィルタユニットＦＦＵは、ファンおよびフィルタを備える。ファンフィルタユニットＦＦＵのファンが動作することにより、ダウンフローダクト２０内に清浄な下降気流（ダウンフロー）が発生する。
【００２８】
ダウンフローダクト２０内の下部に処理槽４が設けられている。処理槽４は複数の基板Ｗを収納可能な内槽４０および内槽４０の上部外周を取囲むように設けられた外槽４３により形成されている。内槽４０は略直方体形状を有する。
【００２９】
内槽４０の底部には、内槽４０内に処理液を供給するための処理液供給管４１および内槽４０内の処理液を排出するための処理液排出管４２が接続されている。本実施の形態において、内槽４０内では基板Ｗの洗浄処理が行われる。洗浄処理時に内槽４０内に供給される処理液は、洗浄液またはリンス液である。
【００３０】
すなわち、内槽４０内に洗浄液を供給し、洗浄液の貯留された内槽４０内に基板Ｗを浸漬することにより、基板Ｗの表面を洗浄する。その後、内槽４０内の洗浄液をリンス液に置換する。
【００３１】
洗浄液としては、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が用いられる。リンス液としては、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水等が用いられる。
【００３２】
本実施の形態では、処理液供給管４１が処理液ミキシング装置５０に接続されている。処理液ミキシング装置５０には、例えば薬液および純水が供給されている。処理液ミキシング装置５０は、供給される薬液および純水を所定の割合で混合することができる。したがって、処理液ミキシング装置５０は、薬液、純水またはそれらの混合液を洗浄液またはリンス液として処理液供給管４１を介して内槽４０内に供給する。
【００３３】
外槽４３の底部には、内槽４０の上部から溢れ出し（オーバーフロー）、外槽４３内に流れ込む処理液を排出するための処理液排出管４４が接続されている。
【００３４】
内槽４０の上方位置に基板移動機構３０が設けられている。基板移動機構３０は複数の基板Ｗを保持する保持部３３を上下方向に移動させる。
【００３５】
ダウンフローダクト２０の上部には、搬送エリアＴＥが設けられている。搬送エリアＴＥは、基板Ｗを保持する保持部３３と図示しない搬送機構との間で基板Ｗの受け渡しを行う際に用いられる。
【００３６】
搬送エリアＴＥを取囲むダウンフローダクト２０の部分において、対向する２つの側面にはそれぞれ開口２０ｈが形成されている。２つの開口２０ｈの近傍には、それぞれ開口２０ｈを上下方向に開閉可能なシャッタＳＨおよびシャッタ駆動部ＳＤが設けられている。シャッタ駆動部ＳＤは、シャッタＳＨを駆動することによりダウンフローダクト２０の開口２０ｈの開閉を行う。
【００３７】
例えば、シャッタＳＨが開くことにより、洗浄処理前の基板Ｗを保持する搬送機構（図示せず）が開口２０ｈを介してダウンフローダクト２０内の搬送エリアＴＥに搬入され、保持部３３に基板Ｗを渡す。また、洗浄処理後の基板Ｗを保持部３３から受け取った搬送機構（図示せず）が開口２０ｈを介してダウンフローダクト２０外に搬出される。
【００３８】
処理槽４の上部近傍に位置するダウンフローダクト２０の部分において、対向する２つの側面にはそれぞれドライエア供給ダクト６２およびドライエア排気ダクト６３が取り付けられている。ドライエア供給ダクト６２は配管６１を介してドライエア発生装置６０と接続されている。なお、ドライエア発生装置６０の詳細な構成については後述する。
【００３９】
ドライエア発生装置６０により発生されたドライエア（乾燥空気）ＤＦが、配管６１を通じてドライエア供給ダクト６２に送られる。それにより、内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。基板Ｗに吹き付けられたドライエアＤＦはドライエア排気ダクト６３から排気される。
【００４０】
図１に示すように、制御部７０は基板移動機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、シャッタ駆動部ＳＤおよびファンフィルタユニットＦＦＵと接続されている。制御部７０がこれら構成部の動作を制御することにより、ダウンフローダクト２０内のダウンフロー、基板処理装置１００に対する基板Ｗの搬入搬出動作、基板Ｗの洗浄処理および基板Ｗの乾燥処理が制御される。
【００４１】
例えば、制御部７０はファンフィルタユニットＦＦＵを制御することにより、ダウンフローダクト２０内にダウンフローを発生させる。
【００４２】
制御部７０は基板移動機構３０を制御することにより、洗浄処理の開始時に基板Ｗを保持する保持部３３を内槽４０内に移動させる。この状態で、制御部７０は処理液ミキシング装置５０を制御することにより、薬液または薬液と純水との混合液を洗浄液として内槽４０内に供給する。これにより、基板Ｗが内槽４０内で洗浄液に浸漬され、基板Ｗの表面が洗浄される。
【００４３】
その後、制御部７０は処理液ミキシング装置５０を制御することにより、リンス液として純水を内槽４０内に供給し、内槽４０内の洗浄液を純水に置換する。これにより、基板Ｗが内槽４０内で純水に浸漬される。それにより、基板Ｗの洗浄処理が完了する。
【００４４】
制御部７０は基板移動機構３０を制御することにより、洗浄処理が完了した基板Ｗを内槽４０の上方へ引き上げる。そこで、制御部７０はドライエア発生装置６０を制御することにより、引き上げられた基板ＷにドライエアＤＦを供給する。これにより、基板Ｗに付着した純水がドライエアＤＦにより置換され、基板Ｗの表面が乾燥される（乾燥処理）。
【００４５】
基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時において、制御部７０は、処理液ミキシング装置５０を制御することにより少量の純水を継続して内槽４０内に供給している。したがって、基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時には、内槽４０の上部開口から純水が溢れ出している。内槽４０から溢れ出した純水は外槽４３へ流れ込み、外槽４３に接続された処理液排出管４４から排出される。
【００４６】
処理液供給管４１および処理液排出管４２，４４には、それぞれ図示しないバルブが設けられている。制御部７０はこれらのバルブの開閉動作も制御する。これにより、処理槽４内の処理液の供給系および排出系の開閉動作が、制御部７０により制御される。
【００４７】
なお、本実施の形態に係る基板処理装置１００内の雰囲気の温度および湿度は、それぞれ例えば２３℃±０．５℃および４５％±５％になるように管理されている。
【００４８】
（２）ドライエア発生装置の詳細
（２−１）ドライエア発生装置の構成
図２は、図１のドライエア発生装置６０の構成を示すブロック図である。
【００４９】
図２に示すように、ドライエア発生装置６０は、主として、給気ファン６０１、円筒形の一次ロータ６０３、円筒形の二次ロータ６０６、再生用エアヒータ６０８、電動三方バルブ６１１、および熱交換ユニット６１３を備える。
【００５０】
一次ロータ６０３および二次ロータ６０６は、互いに直列に配置されており、それぞれハニカム構造体からなり、ハニカム構造体にはセラミックの吸着剤（吸着物質）が充填されている。
【００５１】
エア（空気）が一次ロータ６０３および二次ロータ６０６内を通過することによって、エア中に含まれる水分、有機成分（例えばＮＯＸ  ）およびイオン成分（例えばＳＯ２−）等が吸着剤に吸着されて除去される。以下、水分、有機成分およびイオン成分等を単に水分等と呼ぶ。このように、一次ロータ６０３および二次ロータ６０６を設けることにより、水分等の除去効果をより高めることができる。
【００５２】
一次ロータ６０３および二次ロータ６０６は、中心軸の周りで回転可能に支持されている。一次ロータ６０３はモータ６３１により回転駆動され、二次ロータ６０６はモータ６３２により回転駆動される。なお、本実施の形態においては、一次ロータ６０３の回転数は、例えば１０回転／時間であり、二次ロータ６０６の回転数は、例えば３回転／時間に設定される。
【００５３】
一次ロータ６０３の一方の端面と二次ロータ６０６の一方の端面との間には、環状の閉塞部材６４２がそれぞれに近接して配置されている。また、一次ロータ６０３の他方の端面に近接するように円形の閉塞部材６４１が配置されており、二次ロータ６０６の他方の端面に近接するように円形の閉塞部材６４３が配置されている。
【００５４】
閉塞部材６４１は、円形の端面部および環状の周壁部を有し、内側の空間が複数の仕切片により３つの領域Ｘ１，Ｙ１，Ｚ１に区画されている。閉塞部材６４２の内側の空間は３つの領域Ｘ２，Ｙ２，Ｚ２に区画されている。閉塞部材６４３は、円形の端面部および環状の周壁部を有し、内側の空間が複数の仕切片により３つの領域Ｘ３，Ｙ３，Ｚ３に区画されている。
【００５５】
領域Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３は、ほぼ同じ面積を有し、互いに対向するように配置されている。また、領域Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３は、ほぼ同じ面積を有し、互いに対向するように配置されている。さらに、領域Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３は、ほぼ同じ面積を有し、互いに対向するように配置されている。
【００５６】
閉塞部材６４１，６４２，６４３は固定されている。したがって、一次ロータ６０３および二次ロータ６０６が回転しつつエアが領域Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３を通過すると、一次ロータ６０３および二次ロータ６０６内でエアが通過する領域が変化する。同様に、一次ロータ６０３および二次ロータ６０６が回転しつつエアが領域Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３を通過すると、一次ロータ６０３および二次ロータ６０６内でエアが通過する領域が変化する。また、一次ロータ６０３および二次ロータ６０６が回転しつつエアが領域Ｘ３，Ｘ２，Ｘ１を通過すると、一次ロータ６０３および二次ロータ６０６内でエアが通過する領域が変化する。
【００５７】
給気ファン６０１は、配管６０２により閉塞部材６４１の領域Ｚ１に接続されている。また、閉塞部材６４３の領域Ｚ３は、配管６１４により熱交換ユニット６１３の一方の入口に接続されている。なお、熱交換ユニット６１３は、熱交換ユニット６１３内のエアの温度を検出する熱電対６１５を備える。
【００５８】
配管６０２から配管６０４が分岐するように設けられている。配管６０４の端部は、閉塞部材６４１の領域Ｙ１に接続されている。配管６０４には、再生用エア量調整ダンパ６０５が介挿されている。
【００５９】
閉塞部材６４３の領域Ｙ３は、配管６０７により再生用エアヒータ６０８の入口に接続されている。この再生用エアヒータ６０８の出口は、配管６０９により閉塞部材６４３の領域Ｘ３に接続されている。
【００６０】
また、閉塞部材６４１の領域Ｘ１は、配管６１０により電動三方バルブ６１１の入口に接続されている。この電動三方バルブ６１１の一方の出口は、配管６１２により熱交換ユニット６１３の他方の入口に接続されている。電動三方バルブ６１１の他方の出口は、ドライエア発生装置６０の外部に延びる排気のための配管６１７に接続されている。
【００６１】
熱交換ユニット６１３の一方の出口には、本実施の形態に係る基板処理装置１００の上記配管６１が接続されている。この配管６１には、パーティクル（微小粉末）等を除去するＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air)フィルタ６１６が介挿されている。
【００６２】
一方、熱交換ユニット６１３の他方の出口には、配管６１８が接続されている。この配管６１８は、配管６１７に接続されている。なお、熱交換ユニット６１３の一方の入口から流入するエアは一方の出口から排出され、他方の入口から流入するエアは他方の出口から排出される。
【００６３】
本実施の形態において、制御部７０（図１）は、給気ファン６０１、再生用エア量調整ダンパ６０５、再生用エアヒータ６０８、モータ６３１，６３２、および電動三方バルブ６１１の各動作を制御する。
【００６４】
（２−２）ドライエア発生装置の動作
以下、ドライエア発生装置６０の各構成部の動作（作用）について説明する。
【００６５】
最初に、給気ファン６０１により空気（例えば、１７ｍ３  ／分）が吸引される。
【００６６】
給気ファン６０１により吸引されたエア（以下、未乾燥エアと呼ぶ）は、配管６０２、閉塞部材６４１の領域Ｚ１、一次ロータ６０３、閉塞部材６４２の領域Ｚ２、二次ロータ６０６、閉塞部材６４３の領域Ｚ３、および配管６１４を通過した後、熱交換ユニット６１３の一方の入口を介して熱交換ユニット６１３内に供給される。
【００６７】
これにより、水分等が一次ロータ６０３および二次ロータ６０６によって除去されたエア（以下、ドライエアと呼ぶ）が熱交換ユニット６１３内に供給される。本実施の形態では、配管６１４により熱交換ユニット６１３内に供給されるドライエアの温度は、例えば４０〜５０℃である。
【００６８】
また、給気ファン６０１により吸引されたエアは、配管６０４、再生用エア量調整ダンパ６０５、閉塞部材６４１の領域Ｙ１、一次ロータ６０３、閉塞部材６４２の領域Ｙ２、二次ロータ６０６、および閉塞部材６４３の領域Ｙ３を通過した後、配管６０７により再生用エアヒータ６０８内に供給される。配管６０４内のエアの流量は、再生用エア量調整ダンパ６０５により調整される。
【００６９】
以下の説明において、給気ファン６０１により吸引された後、配管６０４に流入するエアを再生用エアと呼ぶ。
【００７０】
再生用エアヒータ６０８においては、再生用エアが所定温度（例えば、約２００℃）に加熱される。このように、再生用エアヒータ６０８により約２００℃に加熱された再生用エアは、配管６０９、閉塞部材６４３の領域Ｘ３、二次ロータ６０６、閉塞部材６４２の領域Ｘ２、一次ロータ６０３、および閉塞部材６４１の領域Ｘ１を通過した後、配管６１０により電動三方バルブ６１１に供給される。
【００７１】
これにより、二次ロータ６０６および一次ロータ６０３内に吸着された水分等が、加熱された再生用エアによって除去される。
【００７２】
ここで、本実施の形態では、一次ロータ６０３内を通過した後の再生用エアの温度は、例えば約８０℃である。
【００７３】
電動三方バルブ６１１に供給された再生用エアは、電動三方バルブ６１１の一方の出口から配管６１２により熱交換ユニット６１３の他方の入口を介して熱交換ユニット６１３内に供給される。
【００７４】
上述したように、配管６１４により熱交換ユニット６１３内に、例えば４０〜５０℃のドライエアが供給され、配管６１２により当該熱交換ユニット６１３内に、例えば約８０℃の再生用エア（例えば、７ｍ３  ／分）が供給される。
【００７５】
これにより、熱交換ユニット６１３内でドライエアが再生用エアの熱量により加熱される。加熱されたドライエアＤＦ（例えば、１０ｍ３  ／分）は、配管６１により図１の基板処理装置１００内に供給される。この場合、ドライエアＤＦの温度を、例えば６０〜７０℃にすることが可能となる。
【００７６】
ここで、制御部７０（図１）は、熱交換ユニット６１３内のドライエアの温度を熱電対６１５によりモニタ（監視）している。すなわち、モニタされたドライエアの温度に基づいて、配管６１２内を流入する再生用エアの量を、電動三方バルブ６１１の他方の出口の開度により制御している。
【００７７】
例えば、熱交換ユニット６１３内のドライエアの温度が所定の温度よりも低い場合には、他方の出口の開度を小さくする。これにより、配管６１２により熱交換ユニット６１３内に供給される再生用エアの流量を増加させることができる。
【００７８】
逆に、熱交換ユニット６１３内のドライエアの温度が所定の温度よりも高い場合には、他方の出口の開度を大きくする。これにより、配管６１２により熱交換ユニット６１３内に供給される再生用エアの流量を減少させることができる。
【００７９】
電動三方バルブ６１１の他方の出口から流出する一部の再生用エアは、配管６１７により外部へ排出される。同様に、熱交換ユニット６１３内に供給された再生用エアは、熱交換ユニット６１３の他方の出口から流出した後、配管６１８および配管６１７により外部へ排出される。
【００８０】
（３）本実施の形態における効果
（３−１）
このように、本実施の形態に係るドライエア発生装置６０の構成においては、二次ロータ６０６から流出したドライエアを加熱するヒータを設けることなく、熱交換ユニット６１３内でドライエアを再生用エアにより約６０〜７０℃の温度に加熱することができる。これにより、ドライエア発生装置６０の製造コストおよび運転コストを上昇させることなく高温のドライエアＤＦを基板処理装置１００に供給することが可能となる。それにより、基板Ｗの乾燥速度を向上できる。したがって、コストを上昇させることなく基板処理のスループットを向上できる。
【００８１】
（３−２）
一般に、湿度の高い未乾燥エアを一次ロータ６０３および二次ロータ６０６に流入させた場合、当該一次ロータ６０３および二次ロータ６０６による除湿が十分に行われない。このような理由で、通常、プレ冷凍機を設け、このプレ冷凍機により一次ロータ６０３に流入させるエアの温度を約７〜１０℃まで冷却し、未乾燥エアに含まれる水分を除去する。これにより、低露点のエアを得ている。
【００８２】
また、一次ロータ６０３および二次ロータ６０６により未乾燥エアに含まれる水分が除去される際に、蒸発による潜熱により未乾燥エアの温度が上昇するので、通常、アフター冷凍機を設け、このアフター冷凍機により上昇したドライエアの温度を低下させる。
【００８３】
これに対して、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、上述したように、雰囲気の温度および湿度が一定範囲に管理されているので、プレ冷凍機を設けずとも、低露点（例えば、−９５℃）の未乾燥エアが一次ロータ６０３に供給される。
【００８４】
また、本実施の形態に係るドライエア発生装置６０においては、アフター冷凍機を設けないことにより、高温のドライエアＤＦがドライエア供給ダクト６２に供給される。
【００８５】
（３−３）
通常、本実施の形態のように、ドライエア発生装置６０とドライエア供給ダクト６２とは配管６１により接続されるので、ドライエアＤＦが配管６１内を流れる間に、ドライエアＤＦの温度が低下する。例えば、ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６等）からなる配管６１の長さが約１０ｍであり、配管６１内を流れるドライエアＤＦの温度が約６０℃である場合には、ドライエアＤＦの温度は２０℃前後低下することがある。
【００８６】
本実施の形態では、熱交換ユニット６１３により約６０〜７０℃の温度を有するドライエアＤＦを生成することができる。これにより、配管６１の途中でドライエアＤＦの温度が低下したとしても、ドライエア供給ダクト６２の直前の部分で少なくとも約５０〜６０℃の温度を有する高温のドライエアＤＦを供給することができる。それにより、基板Ｗの乾燥速度を向上できる。
【００８７】
（４）他の実施の形態
上述したように、本実施の形態では、基板処理装置１００内の雰囲気の温度および湿度が一定範囲に管理されているが、温度および湿度が管理されていない場合には、水分が除去された低露点の未乾燥エアを得るために、上述のプレ冷凍機を設けてもよい。
【００８８】
また、上記実施の形態では、制御部７０は、基板処理装置１００の構成部およびドライエア発生装置６０の構成部をそれぞれ制御することとしたが、これに限定されるものではなく、各構成部を独立に制御するよう２つの制御部を設けてもよい。
【００８９】
（５）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００９０】
上記実施の形態においては、一次ロータ６０３および二次ロータ６０６が回転体の例であり、モータ６３１，６３２が回転駆動手段の例であり、領域Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３が回転体内の第１の部分の例であり、給気ファン６０１および配管６０２が第１の供給系の例であり、領域Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３が回転体内の第２の部分の例であり、配管６０４および再生用エア量調整ダンパ６０５が第２の供給系の例であり、再生用エアヒータ６０８が加熱手段の例である。
【００９１】
また、上記実施の形態においては、領域Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３が回転体内の第３の部分の例であり、配管６０９が第３の供給系の例であり、熱交換ユニット６１３が熱交換手段の例であり、配管６１０，６１２および電動三方バルブ６１１が第４の供給系の例であり、電動三方バルブ６１１および配管６１７，６１８が空気量調整手段の例である。
【００９２】
さらに、上記実施の形態においては、熱電対６１５が温度検出手段の例であり、一次ロータ６０３が第１の回転体の例であり、二次ロータ６０６が第２の回転体の例であり、処理槽４が処理部の例であり、基板移動機構３０が基板昇降手段の例であり、配管６１、ドライエア供給ダクト６２およびドライエア排気ダクト６３が供給部の例であり、ドライエアＤＦが乾燥空気の例である。
【００９３】
なお、請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板の製造に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。
【図２】図１のドライエア発生装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００９６】
４  処理槽
３０  基板移動機構
６０  ドライエア発生装置
６１  配管
６２  ドライエア供給ダクト
６３  ドライエア排気ダクト
７０  制御部
１００  基板処理装置
６０１  給気ファン
６０３  一次ロータ
６０５  再生用エア量調整ダンパ
６０６  二次ロータ
６０８  再生用エアヒータ
６１１  電動三方バルブ
６１３  熱交換ユニット
６１５  熱電対
６３１，６３２  モータ
６４１，６４２，６４３  閉塞部材
ＤＦ  ドライエア
Ｗ  基板
Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３  領域
Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３  領域
【図１】
2008183516.tif 000003
【図２】
2008183516.tif 000004