(57)【要約】【課題】不要な部位に半田が付着するのを防止した半田付け端子の端子構造を提供する。【解決手段】端子台１の上面には、半田付けが不能な材料により形成された突起部２が複数個列設されている。各突起部２は、円盤状のベース部３の上面に、ベース部３に比べて小径の円柱状の凸部４を突設したような形状に形成されている。そして、端子台１の表面からベース部３の表面（周面および上面の一部）を通って凸部４の上面まで、金属めっき層からなる導体部５が形成されている。この導体部５の幅は、凸部４の直径に比べて小さい寸法に設定されており、凸部４の上面（すなわちリード線１０の載置面）の一部に形成されている。この突起部２にリード線１０を接続するにあたっては、凸部４の上面にリード線１０を載置した状態で、凸部４の上面に形成された導体部５にリード線１０を半田付けするのである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田付けが不能な材料により形成されて、リード線が載置される突起部を表面に設けた端子台と、前記突起部において前記リード線が載置される面の一部に形成されて、前記リード線が半田付けされる導体部とを備えて成ることを特徴とする半田付け端子の端子構造。
【請求項２】
前記突起部は、前記端子台における他の部位とともに絶縁材料により成型された成型品からなり、当該成型品の表面に前記導体部が形成されたことを特徴とする請求項１記載の半田付け端子の端子構造。
【請求項３】
前記突起部は先端面に凹部を備え、当該凹部の底部に前記導体部が形成されたことを特徴とする請求項１又は２記載の半田付け端子の端子構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リード線が半田付けされる半田付け端子の端子構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の端子構造として、挿入部の先端に固定撮像素子などを内蔵する電子内視鏡において、固定撮像素子などの電子部品が実装された回路基板に信号線を接続するために用いられるものが従来提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
図７は上記特許文献に示される端子構造を示し、固体撮像素子３１やその駆動回路を構成する電子部品３２が実装される回路基板３０を備え、この回路基板３０の配線部分に配置された複数の平板状の接続端子部３３に、導電性の部材からなる柱状の中継部材３４，３５を突設してある。このような端子構造にリード線３６を接続するにあたっては、接続端子部３３に設けられた導電材料からなる中継部材３４，３５にリード線３６を半田付けしていた。
【特許文献１】特開２００５−３０４８７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の端子構造を有する回路基板３０は電子内視鏡の挿入部内に配置されるため、中継部材３４，３５を高密度に実装する必要があるが、隣接する中継部材３４，３５の間隔が狭くなると、リード線３６を半田付けする際に溶融した半田が隣接する中継部材３４，３５に付着して、短絡などの不具合が発生する虞があった。
【０００５】
本発明は上記問題点に鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、不要な部位に半田が付着するのを防止した半田付け端子の端子構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、半田付けが不能な材料により形成されて、リード線が載置される突起部を表面に設けた端子台と、突起部においてリード線が載置される面の一部に形成されて、リード線が半田付けされる導体部とを備えて成ることを特徴とする。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、突起部は、端子台における他の部位とともに絶縁材料により成型された成型品からなり、当該成型品の表面に導体部が形成されたことを特徴とする。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、突起部は先端面に凹部を備え、当該凹部の底部に導体部が形成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１の発明によれば、リード線が載置される突起部は半田付けが不能な材料により形成されており、突起部においてリード線が載置される面の一部にしか導体部が形成されていないので、リード線を導体部に半田付けした際に、溶融した半田が導体部以外の突起部表面に付着することはない。したがって、複数の突起部が近接して設けられた場合でも、導体部以外の突起部表面に半田が付着しないので、不要な部位に付着した半田によって短絡などの不具合が発生するのを確実に防止できるという効果がある。
【００１０】
請求項２の発明によれば、突起部が端子台の他の部位とともに成型により形成されており、多芯のリード線を接続するために突起部が複数設けられた場合でも、複数の突起部の相対位置がずれないので、多芯のリード線の位置決めを容易に行えるという効果がある。しかも、突起部と端子台の他の部位が同じ材料で形成されているので、半田付け時に突起部とその周りの部位との間に大きな熱応力が発生しにくいという効果もある。
【００１１】
請求項３の発明によれば、凹部の底部に導体部を形成しているので、半田付け時にリード線が凹部内に位置決めされるから、半田付け作業を容易に行えるという効果がある。しかも、導体部に半田付けされたリード線は周りを凹部の内壁で囲まれているから、複数の突起部が隣接して設けられた場合でも、他のリード線との絶縁を確実に行えるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に本発明の実施の形態を図１〜図６に基づいて説明する。
【００１３】
図１は本発明に係る半田付け端子の端子構造の概略説明図であり、略平板状の端子台１の上面に３個の突起部２が突設されている。各突起部２は、円盤状のベース部３の上面に、ベース部３に比べて小径の円柱状の凸部４を突設したような形状に形成されている。ここで、端子台１および突起部２は絶縁材料により形成されており、半田付けが不能な材料（例えばポリフタルアミドなど）で形成されている。
【００１４】
そして、端子台１の表面からベース部３の表面（周面および上面の一部）を通って凸部４の上面まで、金属めっき層からなる導体部５が形成されている。この導体部５の幅は、凸部４の直径に比べて小さい寸法に設定されており、凸部４の上面（すなわちリード線１０の載置面）の一部に部分的に形成されている。
【００１５】
ここで、突起部２を有する端子台１や導体部５は、後述する３次元立体回路基板の製造技術を用いて形成されており、所望の形状および大きさの突起部２および導体部５を形成することができる。ここにおいて、ベース部３および凸部４の形状を、下側に行くほど直径が大きくなるような円錐台状に形成しても良く、端子台１の上面とベース部３の周面とが成す角や、ベース部３の上面と凸部４の周面とが成す角を小さくすることで、導体部５が形成しやすくなるという利点がある。
【００１６】
この端子台１にリード線１０を接続するにあたっては、突起部２の先端の凸部４上にリード線１０を載置した状態で、リード線１０を突起部２に設けた導体部５に半田付けするのであるが、突起部２自体は半田付けが不能な材料で形成されているので、突起部２に設けた導体部５のみに半田が付着することになり、導体部５以外の突起部２の部位に半田が付着することはない。したがって、端子台１の小型化のために隣接する突起部２の間隔を狭めた場合でも、導体部５以外の突起部２の表面に半田が付着することがないので、不要な部位に付着した半田によって短絡などの不具合が発生することはない。また突起部２が端子台１の他の部位とともに樹脂成型により形成されており、多芯のリード線１０を接続するために突起部２が複数設けられた場合でも、複数の突起部２の相対位置がずれないので、多芯のリード線１０の位置決めを容易に行うことができる。しかも、突起部２と端子台１の他の部位が同じ材料で形成されているので、半田付け時に突起部２とその周りの部位との間に大きな熱応力が発生しにくくできる。
【００１７】
ところで、本実施形態では突起部２の形状を略円柱状とし、円柱状の突起部２の上面にリード線１０を載置した状態で、突起部２の上面の一部に設けた導体部５にリード線１０を半田付けするようになっているが、突起部２の形状を上記の形状に限定する趣旨のものではなく、例えば図２に示すような形状の突起部２ａを設けても良い。図２に示す突起部２ａは扁平な直方体状であって、上面にＶ字状の凹溝６を形成してあり、端子台１の上面から突起部２ａの側面を通って凹溝６の谷部まで金属めっき層からなる導体部５を形成してある。
【００１８】
而して、この突起部２ａにリード線１０を接続するにあたっては、突起部２ａの上面に設けた凹溝６にリード線１０を載置した状態で、リード線１０を凹溝６（凹部）の谷部に形成された導体部５に半田付けするのであるが、上述と同様に突起部２ａ自体は半田付けが不能な材料で形成されているので、突起部２ａに設けた導体部５のみに半田が付着することになり、導体部５以外の突起部２ａの表面に半田が付着することはない。したがって、端子台１の小型化のために隣接する突起部２ａの間隔を狭めた場合でも、導体部５以外の突起部２ａの表面に半田が付着することがないので、不要な部位に付着した半田によって短絡などの不具合が発生することはない。また凹溝６の底部に導体部５を形成しているので、半田付け時にリード線１０が凹溝６内に位置決めされるから、半田付け作業を容易に行うことができる。さらに、導体部５に半田付けされたリード線１０は周りを凹溝６の内壁で囲まれているから、複数の突起部２ａが隣接して設けられた場合でも、他のリード線１０との絶縁を確実に行うことができる。
【００１９】
また、端子台１に設ける突起部として図３に示すような突起部２ｂを設けて良い。この突起部２ｂは、略直方体状であって上面が曲面状に形成されており、端子台１の上面と平行な方向において突起部２ｂを貫通する貫通孔７が形成されている。そして、端子台１の上面から、貫通孔７が開口する突起部２ｂの側面を通って貫通孔７の内面まで、金属めっき層からなる導体部５を形成してある。
【００２０】
ここで、突起部２ｂにリード線１０を接続するにあたっては、突起部２ｂの貫通孔７内にリード線１０を挿通し、貫通孔７の下側の内周面にリード線１０を載置した状態で、リード線１０を貫通孔７の内面に形成された導体部５に半田付けするのであるが、上述と同様に突起部２ｂ自体は半田付けが不能な材料で形成されているので、突起部２ｂに設けた導体部５のみに半田が付着することになり、導体部５以外の突起部２ｂの部位に半田が付着することはない。したがって、端子台１の小型化のために隣接する突起部２ｂの間隔を狭めた場合でも、導体部５以外の突起部２ｂの表面に半田が付着することがないので、不要な部位に付着した半田によって短絡などの不具合が発生することはない。
【００２１】
また図３に示す突起部２ｂでは、リード線１０が貫通孔７の内部に挿通された状態で半田付けされるので、図１及び図２に示す突起部２，２ａのように上面にリード線１０を載置した状態で半田付けする場合に比べて、リード線１０を外れにくくでき、また半田付け時にもリード線１０の位置がずれにくくなって、半田付け作業を容易に行うことができる。さらにリード線１０の周りを絶縁性の突起部２ｂで覆うことにより、リード線１０に導体（他のリード線など）が触れて短絡などの不具合が発生するのをより確実に防止することができる。なお、図３に示す突起部２ｂでは、貫通孔７の下側の内周面からリード線１０を載置する載置面が構成されており、この載置面の一部に導体部５を設けてある。
【００２２】
ところで、上述の突起部２，２ａ，２ｂや導体部５は３次元立体回路基板の製造技術を用いて形成されるのであるが、その製造技術について図４〜図６を参照して説明する。
【００２３】
図４は３次元立体回路基板の製造方法の概要を示すフローである。３次元立体回路基板は、樹脂材料を射出成型することで所望の三次元形状の基板２１を成型する成型工程（Ｓ１）、基板２１の表面にスパッタリング、蒸着、イオンプレーティングなどの物理蒸着法による導電性薄膜２２の成膜を行うメタライズ処理工程（Ｓ２）、高エネルギービーム（本実施形態ではレーザビーム）による回路部／非回路部の分離を行うレーザ処理工程（Ｓ３）、回路部のめっきによる厚膜化を行ってめっき層２３を形成するめっき処理工程（Ｓ４）、非回路部のエッチング処理工程（Ｓ５）の各工程を順次実施することで製造される。
【００２４】
図５（ａ）〜（ｃ）および図６（ａ）（ｂ）は、上記各工程における３次元立体回路基板Ｂの表面処理の様子を示している。まず図５（ａ）は基板２１の成型工程（Ｓ１）であり、絶縁性を有する合成樹脂を射出成形することによって、所望の三次元形状を有する基板２１が成型される。ここにおいて基板２１の成型材料としては、例えば熱可塑性樹脂の場合は芳香族ポリアミドや液晶性ポリエステルなどが、熱硬化性樹脂の場合はエポキシ樹脂や飽和ポリエステルなどが用いられ、またセラミックの場合は窒化アルミナなどが用いられる。また基板２１の成型方法は射出成形に限らず、押出成型やトランスファ成型などの成型方法を用いても良い。
【００２５】
次に、図５（ｂ）はメタライズ処理工程（Ｓ２）であり、例えば銅をターゲットとするスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどの物理蒸着法（ＰＶＤ法）によって、基板２１の表面に導電性薄膜２２が形成される。しかし、物理蒸着法に限定されることなく化学蒸着法などの他の方法で行ってもよい。導電性薄膜２２は、銅以外に、ニッケル、金、アルミニウム、チタン、モリブデン、クロム、タングステン、スズ、鉛などの単体金属、又は黄銅、ＮｉＣｒなどの合金を用いてもよい。
【００２６】
図５（ｃ）はレーザ処理工程（Ｓ３）であり、導電性薄膜２２における回路部２３ａと非回路部２３ｂとの境界部分に高エネルギービーム、例えば電磁波ビームであるレーザビームが照射され、その部分の導電性薄膜２２が蒸発除去されて、その除去部２３ｃによって回路部２３ａと非回路部２３ｂとが分離され、所定の回路パターンが形成される。
【００２７】
次に、図６（ａ）はめっき処理工程（Ｓ４）であり、回路部２３ａに給電されて電流が流れ、回路部２３ａの部分が例えば電解銅めっきにより厚膜化されて、めっき層２４が形成される。このとき、非回路部２３ｂには電流が流れず、非回路部２３ｂの部分はめっきされないので、その膜厚はもとのままの薄膜の状態にある。尚、めっき層２４としてはニッケル金めっきなどを形成しても良い。
【００２８】
次に、図６（ｂ）はエッチング処理工程（Ｓ５）であり、回路パターン形成面全体をエッチングすることにより、非回路部２３ｂが除去されて、回路パターンが形成された３次元回路基板が完成するのであり、このような製造技術を用いて、上述の突起部２，２ａ，２ｂを有する端子台１や導体部５を形成することができるのである。
【００２９】
なお、本発明の精神と範囲に反することなしに、広範に異なる実施形態を構成することができることは明白なので、この発明は、特定の実施形態に制約されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本実施形態の端子構造の概略構成を示す要部外観斜視図である。
【図２】同上の他の実施形態の要部外観斜視図である。
【図３】同上のまた別の実施形態の要部外観斜視図である。
【図４】同上の製造方法の概要を示すフロー図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）同上の各工程における表面処理の様子を示す斜視図である。
【図６】（ａ）（ｂ）同上の各工程における表面処理の様子を示す斜視図である。
【図７】従来の端子構造を用いた電子内視鏡の要部外観斜視図である。
【符号の説明】
【００３１】
１  端子台
２  突起部
３  ベース部
４  凸部
５  導体部
１０  リード線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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