(57)【要約】【課題】有機発光ダイオードの劣化に関係なく所望の輝度の映像を表示するようにした画素を提供する。【解決手段】本発明の画素は、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、走査線Ｓｎに走査信号が供給される時にデータ線Ｄｍに供給されるデータ信号を伝達するための第１トランジスタＭ１と、所定の電流を第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに供給するための第２トランジスタＭ２と、一側端子が第２トランジスタＭ２のゲート電極に接続されて他側端子が有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続されて前記データ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタＣｓｔと、走査線Ｓｎに走査信号が供給される時に基準電源Ｖｒｅｆの電圧を有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に供給するための第３トランジスタＭ３と、を備える。【選択図】図３
2008152221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光ダイオードと、
走査線に走査信号が供給される時にデータ線に供給されるデータ信号を伝達するための第１トランジスタと、
所定の電流を第１電源から前記有機発光ダイオードを経由して第２電源に供給するための第２トランジスタと、
一側端子が前記第２トランジスタのゲート電極に接続されて他側端子が前記有機発光ダイオードのアノード電極に接続されて、前記データ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと、
前記走査線に走査信号が供給される時に基準電源の電圧を前記有機発光ダイオードのアノード電極に供給するための第３トランジスタと、
を備えることを特徴とする画素。
【請求項２】
前記ストレージキャパシタは、前記走査信号が供給される時に前記データ信号の電圧と前記基準電源の電圧との差に対応する電圧を充電することを特徴とする請求項１記載の画素。
【請求項３】
前記所定の電流は、前記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流であることを特徴とする請求項２記載の画素。
【請求項４】
前記基準電源の電圧値は、前記第１電源の電圧値に前記有機発光ダイオードの閾値電圧を合わせた電圧値より低い電圧値に設定されることを特徴とする請求項１記載の画素。
【請求項５】
前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタ、及び前記第３トランジスタは、ＮＭＯＳ型で形成されることを特徴とする請求項１記載の画素。
【請求項６】
前記第２トランジスタと前記第１電源との間に接続されて発光制御線に発光制御信号が供給される時にターンオフされて、それ以外の場合にターンオンされる第４トランジスタを備えることを特徴とする請求項１記載の画素。
【請求項７】
前記発光制御信号は、前記走査信号と重畳されるように供給されることを特徴とする請求項６記載の画素。
【請求項８】
前記第４トランジスタは、ＮＭＯＳ型で形成されることを特徴とする請求項６記載の画素。
【請求項９】
走査線に走査信号を供給するための走査駆動部と、
データ線にデータ信号を供給するためのデータ駆動部と、
前記走査線及びデータ線の交差部に位置される画素と、を含み、
前記画素それぞれは、
有機発光ダイオードと、
走査線に走査信号が供給される時にデータ線に供給されるデータ信号を伝達するための第１トランジスタと、
所定の電流を第１電源から前記有機発光ダイオードを経由して第２電源に供給するための第２トランジスタと、
一側端子が前記第２トランジスタのゲート電極に接続されて他側端子が前記有機発光ダイオードのアノード電極に接続されて、前記データ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと、
前記走査線に走査信号が供給される時に基準電源の電圧を前記有機発光ダイオードのアノード電極に供給するための第３トランジスタと、
を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記ストレージキャパシタは、前記走査信号が供給される時に前記データ信号の電圧と前記基準電源の電圧との差に対応する電圧を充電することを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記所定の電流は、前記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流であることを特徴とする請求項１０記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記基準電源の電圧値は、前記第１電源の電圧値に前記有機発光ダイオードの閾値電圧を合わせた電圧値より低い電圧値に設定されることを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタ、及び前記第３トランジスタは、ＮＭＯＳ型で形成されることを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第２トランジスタと前記第１電源との間に接続されて発光制御線に発光制御信号が供給される時にターンオフされて、それ以外の場合にターンオンされる第４トランジスタを備えることを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記発光制御信号は、前記走査信号と重畳されるように供給されることを特徴とする請求項１４記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素及びこれを利用した有機電界発光表示装置に関し、特に、有機発光ダイオードの劣化に関係なく所望の輝度の映像を表示するようにした画素及びこれを利用した有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）の短所である重さと体積を減らすことができる各種平板表示装置が開発されている。平板表示装置としては液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示パネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、及び有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。
【０００３】
平板表示装置の中で有機電界発光表示装置は、電子と正孔との再結合によって光を発生する有機発光ダイオードを利用して映像を表示する。このような有機電界発光表示装置は早い応答速度を有すると同時に低い消費電力で駆動されるという長所がある。
【０００４】
図１は、従来の有機電界発光表示装置の画素を示す回路図である。図１において、画素に含まれるトランジスタはＮＭＯＳ型で形成される。
【０００５】
図１を参照すれば、従来の有機電界発光表示装置の画素４は有機発光ダイオードＯＬＥＤと、データ線Ｄｍ及び走査線Ｓｎに接続されて有機発光ダイオードＯＬＥＤを制御するための画素回路２とを備える。
【０００６】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は画素回路２に接続されて、カソード電極は第２電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは画素回路２から供給される電流に対応されて所定輝度の光を生成する。
【０００７】
画素回路２は走査線Ｓｎに走査信号が供給される時にデータ線Ｄｍに供給されるデータ信号に対応されて有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給される電流量を制御する。このために、画素回路２は第１電源ＥＬＶＤＤと有機発光ダイオードＯＬＥＤとの間に接続された第２トランジスタＭ２と、第２トランジスタＭ２、データ線Ｄｍ、及び走査線Ｓｎの間に接続された第１トランジスタＭ１と、第２トランジスタＭ２のゲート電極と第２電極との間に接続されたストレージキャパシタＣｓｔを備える。
【０００８】
第１トランジスタＭ１のゲート電極は、走査線Ｓｎに接続されて、第１トランジスタＭ１の第１電極はデータ線Ｄｍに接続される。そして、第１トランジスタＭ１の第２電極は、ストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に接続される。ここで、第１電極はソース電極及びドレイン電極の中でいずれか一つに設定されて、第２電極は第１電極と別の電極に設定される。例えば、第１電極がドレイン電極に設定されれば、第２電極はソース電極に設定される。
【０００９】
走査線Ｓｎ及びデータ線Ｄｍに接続された第１トランジスタＭ１は、走査線Ｓｎから走査信号が供給される時にターンオンされてデータ線Ｄｍから供給されるデータ信号をストレージキャパシタＣｓｔに供給する。この時、ストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号に対応する電圧を充電する。
【００１０】
第２トランジスタＭ２のゲート電極は、ストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に接続されて、第２トランジスタＭ２の第１電極は第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。そして、第２トランジスタＭ２の第２電極はストレージキャパシタＣｓｔの他側端子、及び有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。このような第２トランジスタＭ２は、ストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応して第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。
【００１１】
ストレージキャパシタＣｓｔの一側端子は、第２トランジスタＭ２のゲート電極に接続されて、他側端子は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。このようなストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号に対応する電圧を充電する。
【００１２】
このような従来の画素４は、ストレージキャパシタＣｓｔに充電された電圧に対応する電流を有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給することで所定輝度の画像を表示する。しかし、このような従来の有機電界発光表示装置は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化に対応して所望の輝度の映像を表示することができないという問題点がある。
【００１３】
これを詳しく説明すれば、データ信号Ｄｍが供給される時にストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号の電圧と有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に印加される電圧との差に対応する電圧を充電する。ここで、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に印加される電圧は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化に対応してその電圧値が変化する。したがって、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化に対応してストレージキャパシタＣｓｔに充電される電圧が変化し、これによって所望の輝度の映像を表示することができないという問題点が発生する。
【特許文献１】大韓民国公開特許第２００５−０１２１３７９号明細書
【特許文献２】大韓民国公開特許第２００６−００２０５０２号明細書
【特許文献３】大韓民国公開特許第２００６−００４８８３４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
したがって、本発明の目的は有機発光ダイオードの劣化に関係なく所望の輝度の映像を表示するようにした画素及びこれを利用した有機電界発光表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記目的を果たすために、本発明の画素は、有機発光ダイオードと、走査線に走査信号が供給される時にデータ線に供給されるデータ信号を伝達するための第１トランジスタと、所定の電流を第１電源から前記有機発光ダイオードを経由して第２電源に供給するための第２トランジスタと、一側端子が前記第２トランジスタのゲート電極に接続されて他側端子が前記有機発光ダイオードのアノード電極に接続されて前記データ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと、前記走査線に走査信号が供給される時に基準電源の電圧を前記有機発光ダイオードのアノード電極に供給するための第３トランジスタを備える。
【００１６】
望ましくは、前記ストレージキャパシタは、前記走査信号が供給される時に前記データ信号の電圧と前記基準電源の電圧との差に対応する電圧を充電する。前記所定の電流は前記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流である。前記基準電源の電圧値は前記第１電源の電圧値に前記有機発光ダイオードの閾値電圧を合わせた電圧値より低い電圧値に設定される。前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタ、及び第３トランジスタはＮＭＯＳ型で形成される。前記第２トランジスタと前記第１電源との間に接続されて発光制御線に発光制御信号が供給される時にターンオフされて、それ以外の場合にターンオンされる第４トランジスタを備える。前記発光制御信号は前記走査信号と重畳されるように供給される。前記第４トランジスタはＮＭＯＳ型で形成される。
【００１７】
また、本発明の有機電界発光表示装置は、走査線に走査信号を供給するための走査駆動部と、データ線にデータ信号を供給するためのデータ駆動部と、前記走査線及びデータ線の交差部に位置される画素と、を含み、前記画素それぞれは有機発光ダイオードと、走査線に走査信号が供給される時にデータ線に供給されるデータ信号を伝達するための第１トランジスタと、所定の電流を第１電源から前記有機発光ダイオードを経由して第２電源に供給するための第２トランジスタと、一側端子が前記第２トランジスタのゲート電極に接続されて他側端子が前記有機発光ダイオードのアノード電極に接続されて前記データ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと、前記走査線に走査信号が供給される時に基準電源の電圧を前記有機発光ダイオードのアノード電極に供給するための第３トランジスタを備える。
【００１８】
望ましくは、前記ストレージキャパシタは、前記走査信号が供給される時に前記データ信号の電圧と前記基準電源の電圧との差に対応する電圧を充電する。前記所定の電流は前記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流である。前記基準電源の電圧値は前記第１電源の電圧値に前記有機発光ダイオードの閾値電圧を合わせた電圧値より低い電圧値に設定される。前記第１トランジスタ、第２トランジスタ、及び第３トランジスタはＮＭＯＳ型で形成される。前記第２トランジスタと前記第１電源との間に接続されて発光制御線に発光制御信号が供給される時にターンオフされて、それ以外の場合にターンオンされる第４トランジスタを備える。前記発光制御信号は前記走査信号と重畳されるように供給される。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように、本発明によれば、有機発光ダイオードＯＬＥＤの電圧が変化されても有機発光ダイオードＯＬＥＤへ流れる電流ＩＯＬＥＤは、ほぼ一定に維持される。したがって、本発明の画素では有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化に関係なく所望の輝度の映像を表示することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者が本発明を容易に実施することができる望ましい実施形態を添付された図２ないし図８を参照して詳しく説明する。
【００２１】
図２は、本発明の実施形態による有機電界発光表示装置を示す図面である。
【００２２】
図２を参照すれば、本発明の実施形態による有機電界発光表示装置は、走査線Ｓ１ないしＳｎ及びデータ線Ｄ１ないしＤｍと接続されるように位置される画素１４０を含む画素部１３０と、走査線Ｓ１ないしＳｎを駆動するための走査駆動部１１０と、データ線Ｄ１ないしＤｍを駆動するためのデータ駆動部１２０と、走査駆動部１１０及びデータ駆動部１２０を制御するためのタイミング制御部１５０と、を備える。
【００２３】
走査駆動部１１０は、タイミング制御部１５０から走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受ける。走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受けた走査駆動部１１０は、走査信号を生成して、生成された走査信号を走査線Ｓ１ないしＳｎに順次に供給する。
【００２４】
データ駆動部１２０は、タイミング制御部１５０からデータ駆動制御信号ＤＣＳの供給を受ける。データ駆動制御信号ＤＣＳの供給を受けたデータ駆動部１２０はデータ信号を生成して、生成されたデータ信号を走査信号と同期されるようにデータ線Ｄ１ないしＤｍに供給する。
【００２５】
タイミング制御部１５０は、外部から供給される同期信号に対応してデータ駆動制御信号ＤＣＳ及び走査駆動制御信号ＳＣＳを生成する。タイミング制御部１５０で生成されたデータ駆動制御信号ＤＣＳはデータ駆動部１２０に供給されて、走査駆動制御信号ＳＣＳは走査駆動部１１０に供給される。そして、タイミング制御部１５０は外部から供給されるデータＤａｔａをデータ駆動部１２０に供給する。
【００２６】
画素部１３０は、外部から第１電源ＥＬＶＤＤ、第２電源ＥＬＶＳＳ、及び基準電源Ｖｒｅｆの供給を受けてそれぞれの画素１４０に供給する。第１電源ＥＬＶＤＤ、第２電源ＥＬＶＳＳ、及び基準電源Ｖｒｅｆの供給を受けた画素１４０それぞれはデータ信号に対応する光を生成する。ここで、画素１４０にはトランジスタが含まれて、トランジスタはＮＭＯＳ型に設定される。
【００２７】
図３は、図２に示された画素の実施形態を示す図面である。
【００２８】
図３を参照すれば、本発明の実施形態による画素１４０は有機発光ダイオードＯＬＥＤと、データ線Ｄｍ及び走査線Ｓｎに接続されて有機発光ダイオードＯＬＥＤを制御するための画素回路１４２とを備える。
【００２９】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は画素回路１４２に接続されて、カソード電極は第２電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは画素回路１４２から供給される電流に対応されて所定輝度の光を生成する。
【００３０】
画素回路１４２は、走査線Ｓｎに走査信号が供給される時、データ線Ｄｍに供給されるデータ信号に対応する電圧を充電して、充電された電圧に対応して有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給される電流量を制御する。このために、画素回路１４２は第１電源ＥＬＶＤＤと有機発光ダイオードＯＬＥＤとの間に接続された第２トランジスタＭ２と、第２トランジスタＭ２、データ線Ｄｍ、及び走査線Ｓｎの間に接続された第１トランジスタＭ１と、第２トランジスタＭ２のゲート電極と第２電極との間に接続されるストレージキャパシタＣｓｔと、第２トランジスタＭ２の第２電極、走査線Ｓｎ、及び基準電源Ｖｒｅｆと接続される第３トランジスタＭ３とを備える。ここで、第１トランジスタＭ１、第２トランジスタＭ２、および第３トランジスタＭ３はＮＭＯＳ型で形成される。
【００３１】
第１トランジスタＭ１のゲート電極は走査線Ｓｎに接続されて、第１トランジスタＭ１の第１電極はデータ線Ｄｍに接続される。そして、第１トランジスタＭ１の第２電極はストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に接続される。このような第１トランジスタＭ１は、走査線Ｓｎに走査信号が供給される時、ターンオンされてデータ線Ｄｍに供給されるデータ信号をストレージキャパシタＣｓｔに供給する。この時、ストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号に対応する電圧を充電する。
【００３２】
第２トランジスタＭ２のゲート電極は、ストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に接続されて、第１電極は第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。そして、第２トランジスタＭ２の第２電極はストレージキャパシタＣｓｔの他側端子及び有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。このような第２トランジスタＭ２はストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応して第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳへ流れる電流量を制御する。
【００３３】
ストレージキャパシタＣｓｔの一側端子は、第２トランジスタＭ２のゲート電極に接続されて、他側端子は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。このようなストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号に対応する電圧を充電する。
【００３４】
第３トランジスタＭ３のゲート電極は、走査線Ｓｎに接続されて、第３トランジスタの第２電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。そして、第３トランジスタＭ３の第１電極は基準電源Ｖｒｅｆに接続される。このような第３トランジスタＭ３は走査線Ｓｎに走査信号が供給される時、ターンオンされて有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極の電圧を基準電源Ｖｒｅｆの電圧に維持する。すなわち、第３トランジスタＭ３はストレージキャパシタＣｓｔにデータ信号に対応する電圧が充電される期間の間、ストレージキャパシタＣｓｔの他側端子の電圧を基準電源Ｖｒｅｆの電圧に維持する。
【００３５】
図４は、図３の画素を駆動するための波形図を示す図面である。
【００３６】
図３及び図４を参照して動作過程を詳しく説明すれば、まず、走査線Ｓｎに走査信号が供給される。走査線Ｓｎに走査信号が供給されれば第１トランジスタＭ１及び第３トランジスタＭ３がターンオンされる。
【００３７】
第３トランジスタＭ３がターンオンされれば有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に基準電源Ｖｒｅｆが供給される。第１トランジスタＭ１がターンオンされればデータ線Ｄｍに供給されるデータ信号がストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に供給される。この場合、ストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号の電圧と基準電源Ｖｒｅｆとの差に対応する電圧を充電する。すなわち、本発明においてストレージキャパシタＣｓｔは有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化に関係なくデータ信号に対応する電圧を充電する。言い換えれば、データ信号に対応する電圧が充電される時、ストレージキャパシタＣｓｔの他側端子が基準電源Ｖｒｅｆの電圧を維持するので、ストレージキャパシタＣｓｔに所望の電圧を充電することができる。
【００３８】
以後、走査線Ｓｎに供給される走査信号の供給が中断される。すると、第２トランジスタＭ２はストレージキャパシタＣｓｔに充電された電圧に対応する電流を第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに供給する。すると、有機発光ダイオードＯＬＥＤでは所定輝度の光が生成される。
【００３９】
一方、電流が安定的に供給されるように第１電源ＥＬＶＤＤの電圧値は、第２電源ＥＬＶＳＳの電圧値より高い電圧値に設定される。そして、基準電源Ｖｒｅｆの電圧値は、第１電源ＥＬＶＤＤの電圧値に有機発光ダイオードＯＬＥＤの閾値電圧を合わせた電圧値より低い電圧値に設定される。
【００４０】
図５は、有機発光ダイオードの劣化による電流の変化を示すグラフである。図５において、ＩＯＬＥＤは有機発光ダイオードＯＬＥＤへ流れる電流量を意味し、ΔＶＯＬＥＤは有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化に対応して有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に印加される電圧の変化を示す。そして、図５において、データ信号は有機発光ダイオードＯＬＥＤへ１００ｎＡの電流が流れるようにその電圧値が設定される。
【００４１】
図５を参照すれば、従来の画素（図５に示す２ＴＦＴ）では、有機発光ダイオードの劣化によって有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極の電圧が変化すると、有機発光ダイオードＯＬＥＤの電流ＩＯＬＥＤも同時に変化する。たとえば、有機発光ダイオードＯＬＥＤの電圧がおおよそ０．２Ｖに変わる場合、有機発光ダイオードＯＬＥＤの電流ＩＯＬＥＤ偏差はおおよそ２８％になる。したがって、従来の画素では所望の輝度の映像を表示しにくかった。
【００４２】
しかし、本発明では有機発光ダイオードＯＬＥＤの電圧が変化しても有機発光ダイオードＯＬＥＤの電流ＩＯＬＥＤは、ほぼ一定に維持される。したがって、本発明の画素（図５に示す３ＴＦＴ）では有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化に関係なく所望の輝度の映像を表示することができる。
【００４３】
図６は、本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置を示す図面である。
【００４４】
図６を参照すれば、本発明の他の実施形態による有機電界発光表示装置は、走査線Ｓ１ないしＳｎ、発光制御線Ｅ１ないしＥｎ、及びデータ線Ｄ１ないしＤｍと接続されるように位置される画素２４０を含む画素部２３０と、走査線Ｓ１ないしＳｎ及び発光制御線Ｅ１ないしＥｎを駆動するための走査駆動部２１０と、データ線Ｄ１ないしＤｍを駆動するためのデータ駆動部２２０と、走査駆動部２１０及びデータ駆動部２２０を制御するためのタイミング制御部２５０とを備える。
【００４５】
走査駆動部２１０は、タイミング制御部２５０から走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受ける。走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受けた走査駆動部２１０は走査信号を生成し、生成された走査信号を走査線Ｓ１ないしＳｎに順次に供給する。また、走査駆動制御信号ＳＣＳの供給を受けた走査駆動部２１０は発光制御信号を生成し、生成された発光制御信号を発光制御線Ｅ１ないしＥｎに順次に供給する。ここで、ｉ番目発光制御線Ｅｉに供給される発光制御信号は、ｉ番目走査線Ｓｉに供給される走査信号と重畳されるように供給され、走査信号の幅（パルス幅）より広い幅に設定される。
【００４６】
データ駆動部２２０は、タイミング制御部２５０からデータ駆動制御信号ＤＣＳの供給を受ける。データ駆動制御信号ＤＣＳの供給を受けたデータ駆動部２２０はデータ信号を生成し、生成されたデータ信号を走査信号と同期されるようにデータ線Ｄ１ないしＤｍに供給する。
【００４７】
タイミング制御部２５０は、外部から供給される同期信号に対応してデータ駆動制御信号ＤＣＳ及び走査駆動制御信号ＳＣＳを生成する。タイミング制御部２５０で生成されたデータ駆動制御信号ＤＣＳは、データ駆動部２２０に供給されて、走査駆動制御信号ＳＣＳは走査駆動部２１０に供給される。そして、タイミング制御部２５０は外部から供給されるデータをデータ駆動部２２０に供給する。
【００４８】
画素部２３０は、外部から第１電源ＥＬＶＤＤ、第２電源ＥＬＶＳＳ、及び基準電源Ｖｒｅｆの供給を受けてそれぞれの画素２４０に供給する。第１電源ＥＬＶＤＤ、第２電源ＥＬＶＳＳ、及び基準電源Ｖｒｅｆの供給を受けた画素２４０それぞれはデータ信号に対応する光を生成する。ここで、画素２４０にはトランジスタが含まれて、トランジスタはＮＭＯＳ型に設定される。
【００４９】
図７は、図６に示された画素の実施形態を示す図面である。図７では説明の便宜性のために第ｎ走査線Ｓｎ及び第ｍデータ線Ｄｍと接続された画素を図示する。
【００５０】
図７を参照すれば、本発明の実施形態による画素２４０は有機発光ダイオードＯＬＥＤと、データ線Ｄｍ、発光制御線Ｅｎ、及び走査線Ｓｎに接続されて有機発光ダイオードＯＬＥＤを制御するための画素回路２４２を備える。
【００５１】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は、画素回路２４２に接続されて、カソード電極は第２電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは画素回路２４２から供給される電流に対応して所定輝度の光を生成する。
【００５２】
画素回路２４２は、走査線Ｓｎに走査信号が供給される時、データ線Ｄｍに供給されるデータ信号に対応する電圧を充電し、充電された電圧に対応して有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給される電流量を制御する。このために、画素回路２４２は第１電源ＥＬＶＤＤと有機発光ダイオードＯＬＥＤとの間に接続された第２トランジスタＭ２と、第２トランジスタＭ２、データ線Ｄｍ、及び走査線Ｓｎの間に接続された第１トランジスタＭ１と、第２トランジスタＭ２のゲート電極と第２電極との間に接続されるストレージキャパシタＣｓｔと、第２トランジスタＭ２の第２電極、走査線Ｓｎ、及び基準電源Ｖｒｅｆと接続される第３トランジスタＭ３と、第１電源ＥＬＶＤＤ、発光制御線Ｅｎ、及び第２トランジスタＭ２の第１電極の間に接続される第４トランジスタＭ４とを備える。ここで、第１トランジスタＭ１ないし第４トランジスタＭ４はＮＭＯＳ型で形成される。
【００５３】
第１トランジスタＭ１のゲート電極は、走査線Ｓｎに接続されて、第１トランジスタＭ１の第１電極はデータ線Ｄｍに接続される。そして、第１トランジスタＭ１の第２電極はストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に接続される。このような第１トランジスタＭ１は走査線Ｓｎに走査信号が供給される時、ターンオンされてデータ線Ｄｍに供給されるデータ信号をストレージキャパシタＣｓｔに供給する。この時、ストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号に対応する電圧を充電する。
【００５４】
第２トランジスタＭ２のゲート電極は、ストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に接続されて、第２トランジスタＭ２の第１電極は第４トランジスタＭ４の第２電極に接続される。そして、第２トランジスタＭ２の第２電極はストレージキャパシタＣｓｔの他側端子及び有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。このような第２トランジスタＭ２はストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応して第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳへ流れる電流量を制御する。
【００５５】
ストレージキャパシタＣｓｔの一側端子は、第２トランジスタＭ２のゲート電極に接続されて、他側端子は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。このようなストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号に対応する電圧を充電する。
【００５６】
第３トランジスタＭ３のゲート電極は走査線Ｓｎに接続されて、第３トランジスタＭ３の第２電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。そして、第３トランジスタＭ３の第１電極は基準電源Ｖｒｅｆに接続される。このような第３トランジスタＭ３は走査線Ｓｎに走査信号が供給される時、ターンオンされて有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に基準電源Ｖｒｅｆの電圧を供給する。すなわち、第３トランジスタＭ３はストレージキャパシタＣｓｔにデータ信号に対応する電圧が充電される期間の間、ストレージキャパシタＣｓｔの他側端子の電圧を基準電源Ｖｒｅｆの電圧で維持する。
【００５７】
第４トランジスタＭ４のゲート電極は発光制御線Ｅｎに接続されて、第４トランジスタの第１電極は第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。そして、第４トランジスタＭ４の第２電極は第２トランジスタＭ２の第１電極に接続される。このような第４トランジスタＭ４は発光制御信号が供給される期間の間、第１電源ＥＬＶＤＤと第２トランジスタＭ２とを電気的に遮断し、それ以外の期間の間、第１電源ＥＬＶＤＤと第２トランジスタＭ２とを電気的に接続させる。
【００５８】
図８は、図７の画素を駆動するための波形図を示す図面である。
【００５９】
図７及び図８を参照して動作過程を詳しく説明すれば、まず、発光制御線Ｅｎに発光制御信号が供給される。発光制御線Ｅｎに発光制御信号が供給されれば第４トランジスタＭ４がターンオフされる。第４トランジスタＭ４がターンオフされれば第２トランジスタＭ２と第１電源ＥＬＶＤＤとが電気的に遮断され、これによって有機発光ダイオードＯＬＥＤに不要な電流が流れることを防止することができる。
【００６０】
以後、走査線Ｓｎに走査信号が供給される。走査線Ｓｎに走査信号が供給されれば第１トランジスタＭ１及び第３トランジスタＭ３がターンオンされる。
【００６１】
第３トランジスタＭ３がターンオンされれば有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に基準電源Ｖｒｅｆが供給される。第１トランジスタＭ１がターンオンされればデータ線Ｄｍに供給されるデータ信号がストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に供給される。この場合、ストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号の電圧と基準電源Ｖｒｅｆとの差に対応する電圧を充電する。すなわち、本発明においてストレージキャパシタＣｓｔは、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化に関係なくデータ信号に対応する電圧を充電する。言い換えれば、データ信号に対応する電圧が充電される時、ストレージキャパシタＣｓｔの他側端子が基準電源Ｖｒｅｆの電圧を維持するからストレージキャパシタＣｓｔに所望の電圧を充電することができる。
【００６２】
以後、走査線Ｓｎに供給される走査信号の供給が中断される。すると、第１トランジスタＭ１及び第３トランジスタＭ３がターンオフされる。そして、発光制御線Ｅｎに供給される発光制御信号の供給が中断されて第４トランジスタＭ４がターンオンされる。この時、第２トランジスタＭ２はストレージキャパシタＣｓｔに充電された電圧に対応する電流を第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに供給する。すると、有機発光ダイオードＯＬＥＤでは所定輝度の光が生成される。
【００６３】
一方、電流が安定的に供給されるように第１電源ＥＬＶＤＤの電圧値は第２電源ＥＬＶＳＳの電圧値より高い電圧値に設定される。そして、基準電源Ｖｒｅｆの電圧値は第１電源ＥＬＶＤＤの電圧値に有機発光ダイオードＯＬＥＤの閾値電圧を合わせた電圧値より低い電圧値に設定される。
【００６４】
以上、添付した図面を参照して本発明について詳細に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということを理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】従来の画素を示す図面である。
【図２】本発明の第１実施形態の有機電界発光表示装置を示す図面である。
【図３】図２に示された画素の実施形態を示す回路図である。
【図４】図３に示された画素の駆動方法を示す波形図である。
【図５】有機発光ダイオードの劣化による電流の変化を示すグラフである。
【図６】本発明の第２実施形態の有機電界発光表示装置を示す図面である。
【図７】図６に示された画素の実施形態を示す回路図である。
【図８】図６に示された画素の駆動方法を示す波形図である。
【符号の説明】
【００６６】
２、１４２    画素回路、
４、１４０    画素、
１１０    走査駆動部、
１２０    データ駆動部、
１３０    画素部、
１５０    タイミング制御部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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