(57)【要約】【課題】従来、半導体製造装置で発生する搬送キズは、特に同一仕様の装置においては同じような形状となるため、搬送キズの発生を検知しても、直ちに発生装置の特定ができないという課題を有していた。【解決手段】ウエハ基板５をカセットから出し入れする搬送機構において、ハンド２が搬送しようとするウエハ基板５を吸着する際、例えば前記ハンドの裏面の中で、前記搬送しようとするウエハ基板５と隣接しているウエハ基板６の表面とが最も近接する位置に、搬送キズ識別用パターン３を施すことにより、前記接触が発生した場合に、前記搬送キズ識別用パターン３より、発生する搬送キズに特徴を持たせることが可能となり、搬送キズの凹凸を検知することにより、搬送キズ発生装置を迅速に特定することが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を平行に並べて収容する基板収容装置に対し、基板を個別に出し入れする基板搬送用ハンドにおいて、
前記基板収容装置で対象基板と当該ハンドを挟む位置にある他の基板にキズが生じたとき、そのキズの凹凸により当該ハンドを識別するための凹凸を有する搬送キズ識別用パターンを当該ハンドの前記他の基板側に設けたことを特徴とする基板搬送用ハンド。
【請求項２】
前記搬送キズ識別用パターンが、前記他の基板との最近接位置に配置されたことを特徴とする請求項１記載の基板搬送用ハンド。
【請求項３】
前記搬送キズ識別用パターンが、前記基板の出し入れ方向に平行な直線状の凹凸により形成されたことを特徴とする請求項１記載の基板搬送用ハンド。
【請求項４】
請求項１記載の基板搬送用ハンドを用いて基板を搬送することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
前記搬送キズ識別用パターンが、他の半導体製造装置で用いられる基板搬送用ハンドに設けられた前記搬送キズ識別用パターンと異なることを特徴とする請求項４記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記他の半導体製造装置と仕様が同一又は類似であることを特徴とする請求項５記載の半導体製造装置。
【請求項７】
複数の半導体製造装置のうちから基板にキズが発生した半導体製造装置を特定する方法において、
各半導体製造装置が、複数の基板を平行に並べて収容する基板収容装置に対し、基板を個別に出し入れする基板搬送用ハンドであって、前記基板収容装置で対象基板と当該ハンドを挟む位置にある他の基板側に、他の半導体製造装置で用いられる基板搬送用ハンドと異なる凹凸を有する搬送キズ識別用パターンを設けた基板搬送用ハンドを用いて基板を搬送し、
前記基板収容装置に収容されていた基板のキズを検出し、
検出された基板のキズの凹凸に基づいて、そのキズをつけた基板搬送用ハンドを用いた半導体製造装置を特定することを特徴とする搬送キズ発生装置特定方法。
【請求項８】
各半導体製造装置が用いる基板搬送用ハンドに対し予め登録されたキズのパターンと、検出された基板のキズの凹凸とを比較することにより、そのキズをつけた基板搬送用ハンドを用いた半導体製造装置を特定することを特徴とする請求項７記載の搬送キズ発生装置特定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法、およびその製造装置に関し、特に半導体製造装置における搬送系で発生した搬送キズの検査に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路装置の製造コスト上昇、大型化に伴い、半導体製造装置の搬送系に関する課題として高スループット化、小型化、高性能化が求められている。
【０００３】
図９に従来の半導体製造装置における搬送系の概略図を示す。図９に示すようにハンド２とハンド２を保持するアーム１によりウエハ搬送を行う半導体製造装置において、カセットステージ７上のウエハカセット４からウエハ基板５をハンド２およびアーム１により半導体製造装置に搬送し、ウエハ処理終了後、半導体製造装置内よりウエハ基板５をハンド２およびアーム１がカセットステージ７上のウエハカセット４に搬送する。
【０００４】
ウエハ処理終了後、ハンド２を有する搬送アーム１が処理されたウエハ基板５を、半導体処理装置内からカセットステージ昇降用ステッピングモータ８で、設定してあるウエハカセット４内のもとの位置（最初そのウエハがあった位置）まで搬送し、真空吸着部の真空吸着を解除した後、ウエハ基板５がハンド２からウエハカセット４に載る位置までカセットステージ７を上げ、ウエハカセット４よりハンド２を引き抜いて、ウエハ基板５がウエハカセット内に搬送される。
【０００５】
今日、上記半導体製造装置の搬送系の高スループット化、小型化、高性能化に関して、特許文献１で記載されているような、高さを増さずに所定の搬送アーム機構を実用化し、高スループットでウエハ基板を搬送させる技術や、特許文献２に記載されているように、搬送アーム形状の改良によりウエハ位置決めを容易に実施する技術、また、特許文献３に記載されているようにアーム先端に検知光センサを設け、ウエハハンドリング精度を向上させる技術等が提案されている。
【特許文献１】特開平９-２１９４３１号公報
【特許文献２】特開平１１−２８４０５９号公報
【特許文献３】特開平５−３３８７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら従来の半導体集積回路製造装置の搬送系では、半導体基板ウエハの搬送時に、半導体基板に搬送キズが発生することが少なくないと言う問題があった。
【０００７】
ハンド２および搬送アーム１がウエハ基板５を搬送する上述のような一連の動作において、図９のハンド２によりウエハ基板５をウエハカセット４より引き抜く、または戻す動作が生じる際、ハンド２、ウエハカセット４間で位置ずれが発生することにより、ハンド２裏面と搬送されるウエハ５の下にあるウエハ基板６表面との間に接触がおこり、ウエハ基板６の表面に接触によるキズが発生する。この接触キズのことを本出願では搬送キズと称している。搬送キズは、ハンド２裏面とウエハ基板６表面との接触具合によりキズの深さ等異なるが、ウエハ基板６表面にハンド２の移動方向と平行な搬送キズをつけるものとし、また、図３に示されるように、カセット内のウエハが間隔Ａ（幅６ｍｍ）で密に隣接しているため、ハンド２（厚さ２ｍｍ）とカセット４の位置ずれが、微小なものであったとしても、ハンド２とウエハ基板６との接触による搬送キズが発生する可能性が高いのが現状の課題として挙げられる。
【０００８】
半導体製造装置において、搬送キズの発生は回避の難しい問題であり、現状の半導体製造工程において、通常は同一仕様すなわち同一ウエハ処理を行う同一構成の設備を複数台使用して運用している場合においては、同一形状の搬送アームを用いているのが普通であるので、生じる搬送キズの形状および特徴も同様となり、複数台ある装置のうちのどの装置で搬送キズが発生したか発生装置の特定が困難である。また、上記の問題により、搬送キズの発生から発生装置を特定するのに、例えば従来は搬送キズ発生ウエハの設備処理履歴の確認、および処理設備毎の前後処理ウエハでの搬送キズ発生有無確認による搬送キズ発生装置を特定する方法を実施しており、この方法を用いた場合、搬送キズ発生装置の特定までに時間を要していた。そして装置の特定までの間に製造された製品にも影響が生じ、大きな製造コストロスを発生させてしまうという問題が発生する。
【０００９】
前記に鑑み、本発明は、搬送キズ発生装置を迅速に特定することを可能にし、かつ発生装置特定までの間に生じていたロス低減を可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、複数の基板を平行に並べて収容する基板収容装置に対し、基板を個別に出し入れする基板搬送用ハンドにおいて、基板収容装置で対象基板と当該ハンドを挟む位置にある他の基板にキズが生じたとき、そのキズの凹凸により当該ハンドを識別するための凹凸を有する搬送キズ識別用パターンを当該ハンドの他の基板側に設けたことを特徴とする基板搬送用ハンドを提供する。
【００１１】
この基板搬送用ハンドにおいて、搬送キズ識別用パターンは、他の基板との最近接位置に配置することができる。また搬送キズ識別用パターンは、基板の出し入れ方向に平行な直線状の凹凸により形成することができる。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、上述のような基板搬送用ハンドを用いて基板を搬送する半導体製造装置を提供する。
【００１３】
この半導体製造装置では、他の半導体製造装置で用いられる基板搬送用ハンドに設けられた搬送キズ識別用パターンと異なる搬送キズ識別用パターンを用いることで、搬送キズの凹凸も異なることになり、それによって基板搬送用ハンドや半導体製造装置を識別することができる。この搬送キズ識別用パターンを設けた基板搬送用ハンドを用いる半導体製造装置は、例えば、他の半導体製造装置と仕様が同一または類似である。仕様が同一または類似の半導体製造装置では、上述のように同一形状の搬送アームを用いているのが普通であり、生じる搬送キズの形状および特徴とも同様となるので、そのような場合であっても、搬送キズが発生した半導体製造装置を特定するためである。
【００１４】
本発明のさらに他の態様によれば、複数の半導体製造装置のうちから基板にキズが発生した半導体製造装置を特定する方法において、各半導体製造装置が、複数の基板を平行に並べて収容する基板収容装置に対し、基板を個別に出し入れする基板搬送用ハンドであって、基板収容装置で対象基板と当該ハンドを挟む位置にある他の基板側に、他の半導体製造装置で用いられる基板搬送用ハンドと異なる凹凸を有する搬送キズ識別用パターンを設けた基板搬送用ハンドを用いて基板を搬送し、基板収容装置に収容されていた基板のキズを検出し、検出された基板のキズの凹凸に基づいて、そのキズをつけた基板搬送用ハンドを用いた半導体製造装置を特定することを特徴とする搬送キズ発生装置特定方法を提供する。この搬送キズ発生装置特定方法において、各半導体製造装置が用いる基板搬送用ハンドに対し予め登録されたキズのパターンと、検出された基板のキズの凹凸とを比較することにより、そのキズをつけた基板搬送用ハンドを用いた半導体製造装置を特定することができる。
【発明の効果】
【００１５】
上記の構成によると、本発明では、ハンドに搬送キズ識別パターンを施すことにより、発生する搬送キズに識別性を持たせることを可能にし、同一仕様の装置であっても発生した搬送キズの凹凸を観察することで、発生装置の迅速な特定を可能する。さらに、前記搬送キズ識別用パターンをもつ半導体製造装置において、現状搬送キズ発生装置特定までに生じていたロス低減化を図ることができるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図８を参照しながら説明する。ここで、図１は本実施の形態における半導体製造装置で用いられる搬送系を示す構成図、図２（ａ）は、同搬送系で使用されている裏面に搬送キズ識別用パターンを配置したハンドの平面図、図２（ｂ）は、同搬送系で使用されているハンド裏面に施す搬送キズ識別用パターンの断面図、図３は半導体製造装置で使用されているハンド−ウエハ基板−ウエハカセット間の関係構成図、図４（ａ）〜（ｃ）はハンド裏面に施す搬送キズ識別用パターン取り付け箇所例、図５（ａ）〜（ｃ）は、ハンド裏面に施す搬送キズ識別用パターン取り付け方法例、図６（ａ）〜（ｃ）は、ハンド裏面に施す搬送キズ識別用パターン断面図タイプ例、図７（ａ）〜（ｃ）は前記搬送キズ識別用パターンを施すハンドを有する半導体製造装置において実際に得られる搬送キズ事例、図８（ａ）〜（ｃ）は前記搬送キズ識別用パターンを施したハンドを有する半導体製造装置において事前に搬送キズを発生させ、得られた搬送キズをデータ化した搬送キズ形状データ例を各々示す。
【００１７】
まず、図１に示すような半導体製造装置で用いられているウエハ搬送機構例の一連の動作について以下に述べる。本来、カセットステージ昇降用ステッピングモータ８で設定してあるウエハ基板５の受け渡し位置へカセットステージ７が動作し、ハンド２を有する搬送アーム１がウエハカセット４内に入った状態で、ステッピングモータ８によりカセットステージ７を、ウエハ基板５がハンド２に接触する位置まで下げ、真空吸着部１１によりウエハカセット４よりウエハ基板５を引き抜き、半導体製造装置へとウエハ搬送が実施される。ウエハ処理終了後、ハンド２を有する搬送アーム１が処理されたウエハ基板５を、半導体処理装置内からカセットステージ昇降用ステッピングモータ８で設定してあるウエハカセット４内のもとの位置まで搬送しカセット内の最初そのウエハ基板があった位置に搬送される。
【００１８】
真空吸着部１１の真空吸着を解除した後、ウエハ基板５がハンド２からウエハカセット４に形成されている溝に支持される位置までカセットステージ７を上げ、ウエハカセット４よりハンド２を引き抜き、ウエハ基板５がウエハカセット内に搬送される。
【００１９】
次に前記搬送機構における、搬送キズ発生機構例を述べる。ここでは、搬送キズは図１のハンド２によりウエハ基板５をウエハカセット４より引き抜く、または戻す動作が生じる際、ハンド２、ウエハカセット４間で位置ずれなどが発生することにより、ウエハカセット４で対象ウエハ基板５とハンド２を挟む位置にあるウエハ基板６とハンド２裏面とが接触し、ウエハ基板６の表面に搬送キズが発生する。
【００２０】
そこで本実施の形態における半導体製造装置では、図１のハンド２裏面に図２（ａ）に示す搬送キズ識別用パターンを施し、ハンド２裏面とウエハ基板６表面との接触が発生した場合に生じるキズに特徴を持たせることを可能にする。
【００２１】
図２（ａ）は本実施の形態で使用されている、裏面に搬送キズ識別用パターン３を配置したハンド２の平面図であり、ハンド２の真空吸着部１１によりウエハ基板を吸着、脱着することにより、ウエハカセット４とウエハ処理設備間でのウエハ基板の搬送を行うものである。また図２（ｂ）は、ハンド２裏面に施す搬送キズ識別用パターン３の断面図であり、搬送キズの発生メカニズムが起こる場合に、搬送キズ識別用パターン３によりカセット４において搬送ウエハより一段下の段に位置するウエハカセット中のウエハ基板に特定のパターンをつける作用をする。寸法Ｄは搬送キズ識別用パターン３の高さ（μｍ）、寸法Ｂは一般的なハンド２の厚み（ｍｍ）を表す。この図２では、図２（ａ）の位置に施した幅１０μｍの搬送キズ識別用パターン３（ライン−アンド−スペースパターン）を１μｍ〜３μｍのスペース間に２μｍのラインを施したものである。これらの直線状の凹凸は、ハンド２の出し入れ方向に平行になっている。
【００２２】
次に、ハンド２裏面に施す搬送キズ識別用パターン３に関して説明する。まず、図３に半導体製造装置で使用されている一般的なハンド−ウエハ基板−ウエハカセット間の関係を示す。搬送キズ識別用パターン３は、ウエハ基板６と接触する可能性のあるハンド２裏面に設けることとする。ハンド２裏面に施す箇所に関しては、図４（ａ）〜（ｃ）に示すようにハンド２裏面の端のみに施す場合（ａ）、ハンド２裏面全面に施す場合（ｂ）、ハンド２裏面根元のみに施す場合（ｃ）、またはウエハ基板６表面とハンド２裏面との接触しやすい箇所が事前に明確になっている場合はその箇所のみ限定して施す等、用途に応じて施す箇所を指定するものとする。例えば、ウエハ基板６との最も近接する箇所を指定することができる。
【００２３】
次に、前記搬送キズ識別用パターン３の材質、パターニング方法に関して述べる。材質は、半導体基板と同様の単結晶Ｓｉ板、あるいは単結晶Ｓｉ板以外の材質などを用いて、上記に示した図２のようにハンド２裏面とハンド２裏面に施す搬送キズ識別用パターン３の断面図に示すように、特定のライン−アンド−スペース（現在の半導体製造工程で十分加工可能な寸法レベル）にすることとし、容易に作製することができるものとする。ライン−アンド−スペース寸法に関しては、実際に搬送キズが発生した場合、発生する搬送キズ幅はさまざまであり限定することは困難であるが、例えば約１０〜１５μｍの搬送キズがウエハ基板６に発生した場合を想定すると、ハンド２裏面に施す搬送キズ識別用パターン３は少なくとも図２（ｂ）に示すように１０μｍ周期または、それ以下の周期で規則性を持たせる必要がある。
【００２４】
前記加工を施した搬送キズ識別用パターン３とハンド２裏面との取り付け方法に関しては、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、ハンド２裏面に段差を設け、裏面Ｅ、表面Ｆをもつハンド２において、前記シート状の搬送キズ識別用パターン３をハンド２裏面Ｅに埋め込む形態をとる場合（ａ）、前記搬送キズ識別用パターン３を、ハンド２裏面Ｅの側面と平行になるような位置でハンド２裏面Ｅの端にはめ込む形態をとり、ハンド２裏面Ｅとの取り外しを容易に実施することを可能とする場合（ｂ）、ハンド２裏面上に前記搬送キズ識別用パターン３をハンド２裏面Ｅに接着物で密着させる場合（ｃ）が挙げられる。ここで図５（ｃ）は、図４（ｂ）に示すように、搬送キズ識別用パターン３を広範囲で接着する場合の事例とする。
【００２５】
次に、図３のハンド２裏面上に取り付ける搬送キズ識別用パターン３の取り付け高さについて説明する。ウエハカセット４に形成されたウエハを支持する溝（或いは山でもよい）のピッチ（上下段中心間距離）Ａ＝６ｍｍ、ハンド２の厚さＢ＝２ｍｍ、ウエハ基板６の厚さＣ＝０．７ｍｍの場合、ハンド２とウエハ基板６の間隔は、例えば、以下の式を満たすものであるとする。
【００２６】
１／２｛Ａ−（Ｂ＋Ｃ）｝＝１．６５ｍｍ
ここで、搬送キズの深さが深い場合は、現状でも比較的容易に搬送キズ発生装置の特定が可能である。搬送キズが深く発生する場合は、１ロットのみでなく複数ロット連続で発生する場合が多く、また、搬送キズだけでなく、搬送に関する他のトラブルが発生する場合が多い（処理ウエハ基板割れが発生するぐらい搬送系の位置ズレが起こっている等設備自体の不具合で発生する場合が多い）ため、設備特定時に抽出できる要因が比較的多く、容易に搬送キズ発生設備特定を行うことが可能であるからである。
【００２７】
一方、本実施の形態における半導体製造装置では、発生した搬送キズの深さが浅い場合にもその原因となった装置を特定することができる。そこで、ハンド２裏面上に施す搬送キズ識別用パターン３の溝深さは、実際にウエハ基板に発生した搬送キズの深さを１００μｍとすると、パターン溝の深さは、少なくとも１５０μｍ施すことで、搬送キズ識別用パターン３より搬送キズに十分特徴をもたせることができる。搬送キズ識別用パターン３の溝深さに関しては、実際に発生する搬送キズ深さに合わせて最適化することが望ましい。以上のことから図２に示したような搬送キズ識別用パターン３の凹凸はハンド２の裏面とウエハ基板６との間隔よりも十分小さいものであるから、搬送キズ識別用パターン３をハンド２に付加してもハンド２とウエハ基板６との接触確率を増加させることはない。
【００２８】
本実施の形態における半導体製造装置では、前記ハンド裏面上に搬送キズ識別用パターン３を有する半導体製造装置において、同一仕様の同一構造を有する複数の装置がある場合は、搬送キズ識別用パターン３を図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、半導体製造装置毎に異なるようにハンド２に設置する。図６（ａ）〜（ｃ）は同一ハンド裏面箇所で施すウエハ搬送キズ識別用パターン３のラインーアンドースペースの間隔を、（ａ）では、２ライン−３スペース、（ｂ）では２スペース−２ライン、（ｃ）では１ライン−２スペースという様に異ならしたものである。このように装置毎で特徴をもたせることにより、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように発生した搬送キズ９は同一又は類似の仕様の装置であっても装置毎に特徴のあるキズとなり、搬送キズ発生装置の特定を迅速に行うことを可能にする。ここで、図６（ａ）〜（ｃ）、図７（ａ）〜（ｃ）を例にすると、図６（ａ）〜（ｃ）のライン（凸部）が図７（ａ）〜（ｃ）での搬送キズ９と対応する。搬送キズ識別用パターンが異なっていれば、ウエハ基板６に生じた搬送キズの凹凸も異なることになり、搬送キズをつけたハンドを用いてウエハ基板５を搬送したときにウエハ基板６にキズをつけた半導体製造装置を特定することが可能となる。
【００２９】
次に、前記ハンド裏面上に搬送キズ識別用パターン３を有する半導体製造装置において、上記により搬送キズが発生した場合における搬送キズ発生装置の特定方法に関して述べる。搬送キズ発生時における搬送キズ発生装置の特定は、あらかじめ各装置毎で図８（ａ）〜（ｃ）に示すようなモニターウエハ基板１１上に搬送キズ基準パターン１０を発生させ、半導体ウエハ基板検査装置（光学顕微鏡、またはＳＥＭ式欠陥検査装置）にて形状観察、画像取得を実施する。各製造装置のデータを収集し、搬送キズ基準データとして予め登録しておくことにより、搬送キズ発生装置を特定する。
【００３０】
製品ウエハにおいて、図７（ａ）〜（ｃ）のような搬送キズ９が発生した場合、搬送キズ発生ウエハを前記半導体ウエハ基板検査装置（光学顕微鏡、またはＳＥＭ式欠陥検査装置）により、観察し、形状等から基板のキズを検出する。検出した基板のキズと、前記モニターウエハ基板１１で取得した搬送キズ基準データとの照合（画像比較）を実施することで、搬送キズ発生装置の特定を行う。
【００３１】
図７〜８を例に説明すると、図７（ａ）の搬送キズ９が製品ウエハに実際発生した場合、図８（ａ）〜（ｃ）の搬送キズ基準パターン１０との画像比較を行う。この場合、図７（ａ）の搬送キズ９の凹凸とマッチングする搬送キズ基準パターン１０は図８（ａ）であるため、その搬送キズ基準パターン１０に対応付けられた図８（ａ）の号機が搬送キズ発生装置であると特定できる。ここで、図８（ｂ）、（ｃ）に関して各々照合した場合、図８（ｂ）では図７（ａ）の搬送キズ９に比べ、搬送キズ基準パターン１０のスペース間隔が異なり、また、図８（ｃ）では図７（ａ）の搬送キズ９と照合した場合、搬送キズ形状パターンのライン数が多いため、対象外となる。以上、前記特定方法により搬送キズ発生装置を容易に特定することが可能となる。
【００３２】
ここで、搬送キズ識別パターンは、半導体製造装置ごとではなく、ハンドごとに異ならせるようにし、また搬送キズ基準パターンも、ハンドごとに登録するようにしてもよい。例えば半導体製造装置に対する搬送と搬入に異なる複数のハンドが用いられる場合でも、ハンドごとに搬送キズ識別パターンを異ならせておけば、いずれのハンドにより搬送キズが発生したかまで特定することが可能となる。その場合、ハンドとそのハンドを用いる半導体製造装置の関係をテーブル等に記述しておけば、そのテーブルを用いることにより、識別したハンドを用いる半導体製造装置を特定することができる。
【００３３】
また半導体製造装置は、基板を処理する基板処理装置だけでなく、検査装置を含んでもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
以上説明したように、本発明は、各半導体製造装置が発生させる搬送キズの早期発見に有用であり、搬送キズ発生装置特定までに要していたロスの低減化を図ることができると
いう優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の概略図
【図２】本発明で使用されている裏面に搬送キズ識別用パターンを配置したハンドの平面図および、ハンド裏面に施す搬送キズ識別用パターンの断面図
【図３】半導体製造装置で使用されているハンド−ウエハ基板−ウエハカセット間の関係構成図
【図４】本発明の実施形態に係る半導体製造装置に使用されるハンド裏面に施す搬送キズ識別用パターン取り付け箇所例を示す図
【図５】本発明の実施形態に係る半導体製造装置に使用されるハンド裏面に施す搬送キズ識別用パターン取り付け方法例を示す図
【図６】本発明の実施形態に係る半導体製造装置に使用されるハンド裏面に施す搬送キズ識別用パターン断面図タイプ例を示す図
【図７】本発明の実施形態に係る半導体製造装置において実際に得られる搬送キズ事例を示す図
【図８】本発明の実施形態に係る半導体製造装置において事前にデータ取得した搬送キズ事例を示す図
【図９】従来の半導体装置搬送系の概略図
【符号の説明】
【００３６】
１    搬送アーム
２    ハンド
３    搬送キズ識別用パターン
４    ウエハカセット
５    ウエハ基板  （上段）
６    ウエハ基板  （下段）
７    カセットステージ
８    カセットステージ昇降用ステッピングモータ
９    搬送キズ
１０  搬送キズ形状パターン
１１  モニターウエハ基板
Ａ    ウエハが支持されているピッチ（上下段中心間距離）
Ｂ    ハンド３の厚さ
Ｃ    ウエハ基板の厚さ
Ｄ    ハンド２裏面に施す規則的なパターン３の厚み
Ｅ    ハンド２裏面
Ｆ    ハンド２表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2008078444.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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