(57)【要約】【課題】基板の下面側に半導体素子が装着された高周波モジュールの厚みを薄くする。【解決手段】基板３１の外周に沿って設けられた中継基板３３と、この中継基板３３の天面３３ａに形成された複数の接続ランド９と、基板３１の孔３３ｂに囲まれた領域に装着された半導体素子２や電子部品４を備え、中継基板３３の天面３３ａにおいて接続ランド９の少なくとも内側と外側のいずれか一方に接続ランド３５を設け、接続ランド３５はグランド端子とするとともに、基板３５の中継基板３３側は開放されたものである。そしてこのような高周波モジュール２１をマザー基板２３へ実装すれば、シールド性が確保でき、基板３１の裏側におけるカバーが不要となる。従って、カバーが不要となる分、高周波モジュール２１を薄型化できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板の外周に沿って設けられた凸部と、この凸部の天面に形成された複数の第１の接続ランドと、前記凸部で囲まれた凹部の底面に装着された電子部品とを備え、前記凸部の天面において前記第１の接続ランドの少なくとも内側と外側のいずれか一方に設けられた第２の接続ランドを設け、前記第２の接続ランドはグランド端子とするとともに、前記基板の前記凸部形成面側が開放された高周波モジュール。
【請求項２】
凸部と第２の接続ランドは共にロの字形状とした請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
第２の接続ランドは、離散的に形成されるとともに、隣り合う第１の接続ランドのほぼ中心となる位置に形成された請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
第２の接続ランドは、凸部の天面側に形成された天面電極と、この天面電極に接続されるとともに凹部の側面に形成された側面電極とから形成された請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
凸部は、一方の接続ランドが設けられた中継基板を基板の裏面に装着して形成した請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
マザー基板と、このマザー基板に装着された高周波モジュールとを備え、前記高周波モジュールには請求項１に記載の高周波モジュールを用いるとともに、前記マザー基板には第１の接続ランドが前記マザー基板側に対向するように前記高周波モジュールが装着される電子機器において、前記マザー基板には第１の接続ランドに対応する位置に第３の接続ランドを設けるとともに、第２の接続ランドに対応する位置に第４の接続ランドを設け、前記第４の接続ランドをグランドに接続し、前記第１の接続ランドと前記第３の接続ランドとが接続されるとともに、前記第２の接続ランドと前記第４の接続ランドとが接続された電子機器。
【請求項７】
マザー基板の高周波モジュールが搭載される面には、凹部と対応する位置にグランドパターンを設けた請求項６に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波モジュールとこれを用いた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来の高周波モジュール１について図面を用いて説明する。図５は従来の電子機器の断面図である。
【０００３】
近年、携帯電話に代表される携帯機器（電子機器の一例として用いた）は、多機能化と携帯性との両立が要求されてきている。そこでこのような機器に搭載される高周波モジュール１には、半導体素子２のフリップチップ実装や、基板３へ電子部品４や半導体素子２を両面実装し、基板３の両面に高周波回路を形成したモジュールが提案されている。
【０００４】
このような高周波モジュール１において基板３の下面側には、下面の電子部品４や半導体素子２を囲うように中継基板５が搭載される。そして、高周波回路のシールドのために、中継基板５の孔５ａ内には下面側の高周波回路を覆う裏カバー６が嵌合され、基板３の上面側には上面側の高周波回路を覆う表カバー７が装着されている。
【０００５】
一方このような高周波モジュール１が搭載されるマザー基板８には、接続ランド１０が設けられる。この接続ランド１０は中継基板５の下面に設けられた接続ランド９と対応する位置に設けられる。そして高周波モジュール１は接続ランド９が接続ランド１０と対向するようにマザー基板８へ搭載され、接続ランド９と接続ランド１０とが半田１１によって接続される。
【０００６】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００５−３４０７１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながらこのような従来の高周波モジュール１では、基板３の下面にも高周波回路が形成されるので、基板３の下面側に裏カバーを装着する必要がある。これにより、高周波モジュール１の厚みが厚くなるという課題を有している。
【０００８】
そこで本発明は、この問題を解決したもので、高周波モジュールの厚みを薄くすることを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的を達成するために本発明の高周波モジュールは、凸部の天面において第１の接続ランドの少なくとも内側と外側のいずれか一方に設けられた第２の接続ランドを設け、前記第２の接続ランドはグランド端子とするとともに、前記基板の前記凸部形成面側が開放されたものである。これにより所期の目的を達成できる。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように本発明によれば、基板と、この基板の外周に沿って設けられた凸部と、この凸部の天面に形成された複数の第１の接続ランドと、前記凸部で囲まれた凹部の底面に装着された電子部品とを備え、前記凸部の天面において前記第１の接続ランドの少なくとも内側と外側のいずれか一方に設けられた第２の接続ランドを設け、前記第２の接続ランドはグランド端子とするとともに、前記基板の前記凸部形成面側が開放された高周波モジュールである。
【００１１】
これにより、凹部内に形成された回路はグランドによって囲まれるので、凹部を覆うための裏カバーが不要となり、その分高周波モジュールを薄くできる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（実施の形態１）
以下、本実施の形態について図面を用いて説明する。図１は、本実施の形態における高周波モジュールを用いた携帯機器の断面図であり、図２は同、高周波モジュールの下面図であり、図３は同、携帯機器のマザー基板の上面図である。なお、本実施の形態において、図５と同じものには同じ番号を用いて、その説明は簡略化している。
【００１３】
図１から図３において、本実施の形態における携帯電話（電子機器の一例として用いた）には、高周波モジュール２１や回路部品２２が搭載されたマザー基板２３が収納されている。本実施の形態における高周波モジュール２１はＴＶ放送受信用のチューナモジュールであるが、例えばＦＭ放送受信用のチューナやＧＰＳ受信器のように高周波回路を含んだモジュールであれば良い。一方、本実施の形態においてマザー基板２３上には回路部品２２によって携帯電話用の高周波回路が構成されているが、これは、例えばＣＰＵや液晶などの回路でも良い。つまり、高周波モジュール２１に対してノイズや妨害を与える原因となる回路である。
【００１４】
次に高周波モジュール２１について、図１、図２を用いて詳細に説明する。図１、図２において、基板３１は多層基板であり、その上面には半導体素子２や電子部品４が半田付けされ、これら上面側の半導体素子２や電子部品４を覆うように金属製の表カバー７が装着されている。
【００１５】
中継基板３３（凸部の一例として用いた）はロの字形状であり、基板３１の外形に沿って装着されている。そして中継基板３３の上面と基板３１の下面とがはんだ３２によって接続されている。なお、中継基板３３の外形は基板３１の外形より小さくしておくことが望ましい。これは、中継基板３３を基板３１へ装着したときのずれにより中継基板３３の外周が基板３１の外周より突出しないようにするためである。
【００１６】
ここで、基板３１の下面に実装された半導体素子２や電子部品４は、中継基板３３で囲まれた領域（凹部の一例として用いた）にはんだ付けにより装着されている。なお、半導体素子２と基板３１との間には樹脂が充填されている。
【００１７】
中継基板３３の天面３３ａには、接続ランド９と接続ランド３５とが形成されている。ここで、接続ランド３５は接続ランド９の内側に配置されており、接続ランド９は主に基板３１上に形成された回路の信号端子として用いられ、接続ランド３５がその回路のグランド端子として用いられる。接続ランド３５は中継基板３３の孔３３ｂに沿ってロの字型の形状をしている。なお本実施の形態では、接続ランド３５が内側に設けられたが、これは接続ランド９を内側に設けても良い。
【００１８】
なお、本実施の形態においては中継基板３３の孔３３ｂには、切り欠き３７が点在されている。この切り欠き３７の側面にはスルーホール導体が形成されている。そして基板３１のグランドとスルーホール導体とが半田付け接続されることで、基板３１上に形成された回路のグランドがスルーホール導体を介してグランド端子へ接続される。
【００１９】
次に、このような高周波モジュール２１のマザー基板２３への塔載について説明する。図３は、本実施の形態におけるマザー基板の上面図である。図３においてマザー基板２３の上面には、中継基板３３の天面３３ａに設けられた複数の接続ランド９に対応した位置に接続ランド４１が設けられる。グランドパターン４２は、接続ランド３５の外周で囲まれた領域に対応するような領域全体に設けられている。そしてグランドパターン４２上において、孔３３ｂと対応する位置には絶縁膜を形成し、接続ランド３５と対応する領域は絶縁膜の不形成部とすることで、接続ランド４２ａが形成される。なお、マザー基板２３上において、回路部品２２を搭載するためのランドと、接続ランド４１上も絶縁膜の不形成部としている。
【００２０】
そして図１に示すように、高周波モジュール２１がマザー基板２３へ装着されると、接続ランド９と接続ランド４１との間および、接続ランド３５と接続ランド４２ａとが半田１１によって接続される。これにより、切り欠き３７、接続ランド３５、半田１１および接続ランド４２ａが基板３１の裏側に形成された高周波回路の周囲を囲み、裏カバーと等価の働きをなすこととなるので、基板３１の裏面に別途カバーを設けることなく基板３１の裏面の高周波回路をシールドできる。従って、裏側にカバーが不要となる分高周波モジュール２１を薄くできる。さらに、回路部品２２で発生するノイズや妨害波が進入し難くなるので、妨害に強い薄型の高周波モジュール２１を実現できる。
【００２１】
なお半導体素子２の天面２ａは絶縁体であるので、グランドパターン４２と接触しても構わない。そこで、半導体素子２の天面２ａは中継基板３３の天面３３ａより突出させておく。これによりさらに中継基板３３の高さを低くすることができるので、さらに高周波モジュール２１を薄くすることができる。
【００２２】
次に、図４は本実施の形態における他の高周波モジュールの下面図である。図４において図１から図３と同じものには同じ番号を用いてその説明は簡略化している。図４において、中継基板３３の孔３３ｂには、切り欠き３７が離散的に配置される。この切り欠き３７に対応して、接続ランド３８が形成される。この接続ランド３８は、中継基板３３の天面３３ａ上に設けられた天面電極３８ａと、切り欠き３７の内周面のスルーホール導体によって形成された側面電極３８ｂとによって形成される。なお本実施の形態において切り欠き３７は、１０箇所設けられている。
【００２３】
ここで、切り欠き３７は、２つの隣り合う接続ランド９同士のほぼ中間となる位置に設けられる。これにより、接続ランド９と接続ランド３８とがジグザグに配置されることとなるので、マザー基板２３へ実装されたときに接続ランド９と接続ランド４１との間を接続する半田１１と、接続ランド３５と接続ランド４２ａとの間を接続する半田１１とが短絡しにくくできる。
【００２４】
また、中継基板３３の幅を小さくできるので、孔３３ｂを広くでき、基板３１の裏面側に対し部品を有効に実装できる。従って、基板３１を小型化できるので、小型な高周波モジュール２１を実現できることとなる。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
本発明にかかる高周波モジュールは、モジュールを薄型化できるという効果を有し、携帯などのために小型化が要求される電子機器等に用いるモジュールとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施の形態における携帯機器の断面図
【図２】同、高周波モジュールの下面図
【図３】同、携帯機器のマザー基板の上面図
【図４】本実施の形態における他の高周波モジュールの下面図
【図５】従来の携帯機器の断面図
【符号の説明】
【００２７】
２  半導体素子
４  電子部品
９  接続ランド
３１  基板
３３  中継基板
３５  接続ランド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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