(57)【要約】      （修正有）【課題】工数増加が少ない補助配線構造を採用し、輝度ムラが少ない有機ＥＬディスプレイパネルを提供する。【解決手段】有機ＥＬ基板と、カラーフィルタ基板を貼り合わせた上面発光型ディスプレイパネルにおいて、有機ＥＬ基板が、透明基板と、ＴＦＴ＋平坦化樹脂層と、反射電極層と、有機ＥＬ層と、透明電極とをこの順に積層され、反射電極層は反射電極と、補助配線と、反射電極上の発光部対応位置と補助配線上に開口を有する絶縁膜とからなり、前記補助配線は画面の一方の端から他方の端までつながるように設けられ、前記開口内の補助配線上にその底面が接するように逆テーパ状断面を有するシャドウマスクが設けられ、前記反射電極層上の有機ＥＬ層は前記絶縁膜の発光部対応位置の開口内に設けられた反射電極を覆うように形成され、前記透明電極は前記反射電極とその周辺の絶縁膜を覆うように形成された前記有機ＥＬ膜を覆うと共に、前記補助配線に接続する。【選択図】図３
2008078038.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ基板と、カラーフィルタ基板を貼り合わせてなるトップエミッション構造の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、有機ＥＬ基板が、透明基板と、その上に設けられたＴＦＴ＋平坦化樹脂層と、該ＴＦＴ＋平坦化樹脂層上に形成された反射電極層と、その上に成膜された有機ＥＬ層と、該有機ＥＬ層上に形成された透明電極とを有してなり、反射電極層は反射電極と、補助配線と、反射電極上の発光部に対応する位置と補助配線上に開口を有する絶縁膜とからなり、前記補助配線は画面の一方の端から他方の端までつながるように設けられ、前記開口内の補助配線上にその底面が接するように逆テーパ状断面を有するシャドウマスクが前記補助配線に沿って延在するように設けられ、前記反射電極層上に設けられた前記有機ＥＬ層は前記絶縁膜の発光部に対応する位置の開口内に設けられた反射電極とその周辺の絶縁膜を覆うように形成され、前記透明電極は前記反射電極とその周辺の絶縁膜を覆うように形成された前記有機ＥＬ膜を覆うと共に、シャドウマスクと有機ＥＬ層の間の空間を埋めることで前記補助配線に接続することを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項２】
前記逆テーパ状断面を有するシャドウマスクの底面が、補助配線上の絶縁膜開口の片側に偏って配置され、前記底面の一部が絶縁膜上にかかるように配置され、前記透明電極が前記シャドウマスクの片側だけで前記補助配線と接続していることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項３】
前記逆テーパ状断面を有するシャドウマスクが前記補助配線に沿って画面の一方の端から他方の端までつながるように設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項４】
前記逆テーパ状断面を有するシャドウマスクが、画面内で部分的に切れているか、或いは、部分的にしか存在しないことを特徴とする請求項１又は２記載の有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項５】
透明基板上にＴＦＴ＋平坦化樹脂層を形成するＴＦＴ＋平坦化樹脂層形成工程と、該ＴＦＴ＋平坦化樹脂層上に各サブピクセルの間において画面の一方の端から他方の端までつながった補助配線と反射電極とを同時に形成する反射電極形成工程と、反射電極上の発光部に対応する部分に開口を有し、前記補助配線上にも開口を有する絶縁膜層を形成する絶縁膜形成工程と、前記補助配線上に設けられた開口内の補助配線上にその底面が接するように前記補助配線に沿って延在する逆テーパ状断面を有するシャドウマスクを設けるシャドウマスク形成工程と、前記絶縁膜の発光部に対応する位置の開口内に設けられた反射電極とその周辺の絶縁膜を覆うように有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程と、前記前記反射電極とその周辺の絶縁膜を覆うように形成された前記有機ＥＬ膜を覆うと共に、シャドウマスクと有機ＥＬ層の間の空間を埋めることで前記補助配線に接続する透明電極形成工程とを有することを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記逆テーパ状断面を有するシャドウマスクの底面が、補助配線上の絶縁膜開口の片側に偏って配置され、前記底面の一部が絶縁膜上にかかるように配置され、前記透明電極がシャドウマスクの片側だけで補助配線と接続していることを特徴とする請求項５記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記逆テーパ状断面を有するシャドウマスクが前記補助配線に沿って画面の一方の端から他方の端までつながるように設けられていることを特徴とする請求項５又は６記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記逆テーパ状断面を有するシャドウマスクが、画面内で部分的に切れているか、或いは、部分的にしか存在しないことを特徴とする請求項５又は６記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬディスプレイパネル、より詳しくはトップエミッション構造の有機ＥＬディスプレイパネルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
トップエミッション構造の有機ＥＬディスプレイのパネルユニットは、図１に示すように、有機ＥＬ基板（ＴＦＴ基板）１１とカラーフィルタ基板１２を貼り合わせた構成が一般的である。
【０００３】
このパネルの画素部に関して、従来の有機ＥＬディスプレイは、図２のような構造のものを用いている。図２（ａ）は画素部を示す平面図であり、図２（ｂ）左側はＡＢ断面図であり、図２（ｂ）右側はＣＤ断面図である。まず、ガラス基板上には、ＴＦＴとそれを包み込んで全体を平坦化する平坦化樹脂２０が設けられている。平坦化樹脂２０は、必要に応じて、無機のパッシベーション膜で覆われていてもよい。平坦化樹脂２０又はパッシベーション膜の上に密着性を良くする下地層２１を介して、反射電極２２が形成されている。この上に発光部に開口のある絶縁膜２３が形成されており、その上に有機ＥＬ層２４が形成されている。有機ＥＬ層は、有機発光層、あるいはこれと例えば電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層のいずれか１つ以上を組み合わせてなる層であり、これらの膜は例えば蒸着により形成される。この有機ＥＬ層の上には透明電極層２５が設けられている。この透明電極層２５は例えばスパッタ成膜することができる。透明電極２５は、パネル外周部で配線に接続されている。最後に、画素部全面がバリア層２６で覆われている。
【０００４】
一方、カラーフィルタ基板側は、ガラス基板上にブラックマトリクス２７、カラーフィルタ２８、更に色変換層２９が形成されている。勿論、色変換層を使わない方式もある。
そして、有機ＥＬ基板１１とカラーフィルタ基板１２を画素が合うように位置決めして貼り合わせられている。ギャップ層は、有機ＥＬ基板１１とカラーフィルタ基板１２の間のギャップを埋めるもので、一般的には接着剤などの固体が使われるが、液体や気体の場合もある。有機ＥＬ基板１１とカラーフィルタ基板１２の間のギャップを精密に制御したい場合などは、カラーフィルタ２８又は色変換層２９の上にスペーサを設けてもよい。ギャップが広すぎる場合は、光が隣の画素に侵入するクロストークの問題が生じ、狭すぎると干渉の影響や発光領域への機械的接触などが懸念されるためである。
【０００５】
図２のようなトップエミッション構造では、透明電極層２５は、ＩＺＯやＩＴＯなどの、金属にくらべて抵抗率が高い材料が用いられており、しかも、有機ＥＬ層にダメージを与えないように薄くしているため、配線抵抗が大きく、画面中央と周辺では、電位差ができて表示ムラになることがある。これは、画面が大きくなるほど顕著である。これに対して、金属の補助配線を形成して、抵抗を減らす試みがある（例えば、特許文献１参照。）。  
ただ、この方法では、メタルマスクによって有機膜が補助配線を隠さないようにしなければ、透明電極と補助配線を電気的に接続できない。したがって、高精細化は難しい上、マスク合わせ機構やマスク自体の費用が増大する。
【０００６】
そこで、高精細なメタルマスクを用いず、金属補助配線自体を使って有機層を分断し、透明電極だけを金属補助配線に接続する方法が登場している（例えば、特許文献２参照。）。これは、蒸着が比較的指向性があり、スパッタでは、粒子が陰の部分にも回り込むという現象の差を利用している。
【０００７】
また、透明基板上にストライプ状に配された複数の透明電極と該透明電極と交差する方向に伸張する互いに平行な複数の隔壁と、透明電極の前記隔壁に覆われずに露出する領域に形成された有機ＥＬ層とを有し、前記隔壁は前記透明基板に平行に突出するオーバーハング部を有し、前記隔壁は透明基板上に少なくとも隔壁形成領域を含んで形成された絶縁膜の上に形成され、前記絶縁膜状の隔壁の根元部に隔壁の慎重方向に沿って延在する補助導電線が形成された有機ＥＬディスプレイパネルの提案もある（例えば、特許文献３参照。）。この補助導電線は反射電極に電気的に結合しており、電流源より離れた位置にある反射電極と透明電極の間の電圧降下を低減しようとしている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−２８８９９４号公報
【特許文献２】特開２００５−９３３９８号公報  図１、図１１
【特許文献３】特開２０００−３３１７８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、特許文献２におけるスパッタでは、粒子が陰の部分にも回り込むという現象の差を利用するには、金属の補助配線を有機層の膜厚に比べて十分厚くしなければならないことは言うまでもない。ところが、特許文献２の図１の場合は、反射電極と同時に形成される補助配線なので、これを厚くしてしまうと、反射電極自体が厚くなり、表面の凹凸が拡大してリークの原因になるとか、絶縁膜の形成が難しくなるなどの問題が出てくる。
【００１０】
一方、特許文献２の図１１のような構成で厚い補助配線を絶縁膜の上に形成する場合は、金属をパターニングする際の残渣が反射電極上に残ってリークが発生したり、先につけた金属の反射電極が僅かにエッチングされることで、反射率の低下即ち輝度の低下に繋がったり、凹凸の拡大によってリークの恐れなどが出てくる。更にこの構成では、補助配線だけのために、金属の成膜⇒レジスト塗布・露光⇒金属エッチングという工程が必要となり、コストアップとなる。
また、特許文献２では、透明電極の接続位置が補助配線側面であるため、実質的な接続幅は数十〜数百ｎｍ程度に制限され、十分な接続面積を確保し難いという問題もある。
【００１１】
また、特許文献３の有機ＥＬディスプレイパネルはボトムエミッション構造のものであり、また、ここでは絶縁膜の上に補助導電線を形成後にオーバーハング部を備えた隔壁を形成した後に形成した有機ＥＬ層の上に反射電極を形成している。即ち、特許文献３に記載の有機ＥＬディスプレイ製造に当たっては、従来の有機ＥＬディスプレイ製造工程に補助導電性形成工程を追加する必要があり、特許文献２の図１１の場合と同様、金属の成膜⇒レジスト塗布・露光⇒金属エッチングという工程が必要となり、コストアップとなる。
【００１２】
従って、本発明の課題は、補助配線構造を採用するに当たって、リークや反射率の低下といった反射電極への影響やダメージを押さえ、且つ工数増加が少ない構造を実現し、ひいては輝度ムラが少ない有機ＥＬディスプレイパネルを安価に提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の有機ＥＬディスプレイパネルは、有機ＥＬ基板と、カラーフィルタ基板を貼り合わせてなるトップエミッション構造の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、有機ＥＬ基板が、透明基板と、その上に設けられたＴＦＴ＋平坦化樹脂層と、該ＴＦＴ＋平坦化樹脂層上に形成された反射電極層と、その上に成膜された有機ＥＬ層と、該有機ＥＬ層上に形成された透明電極とを有してなり、反射電極層は反射電極と、補助配線と、反射電極上の発光部に対応する位置と補助配線上に開口を有する絶縁膜とからなり、前記補助配線は画面の一方の端から他方の端までつながるように設けられ、前記開口内の補助配線上にその底面が接するように逆テーパ状断面を有するシャドウマスクが前記補助配線に沿って延在するように設けられ、前記反射電極層上に設けられた前記有機ＥＬ層は前記絶縁膜の発光部に対応する位置の開口内に設けられた反射電極とその周辺の絶縁膜を覆うように形成され、前記透明電極は前記反射電極とその周辺の絶縁膜を覆うように形成された前記有機ＥＬ膜を覆うと共に、シャドウマスクと有機ＥＬ層の間の空間を埋めることで前記補助配線に接続することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法は、透明基板上にＴＦＴ＋平坦化樹脂層を形成するＴＦＴ＋平坦化樹脂層形成工程と、該ＴＦＴ＋平坦化樹脂層上に各サブピクセルの間において画面の一方の端から他方の端までつながった補助配線と反射電極とを同時に形成する反射電極形成工程と、反射電極上の発光部に対応する部分に開口を有し、前記補助配線上にも開口を有する絶縁膜層を形成する絶縁膜形成工程と、前記補助配線上に設けられた開口内の補助配線上にその底面が接するように前記補助配線に沿って延在する逆テーパ状断面を有するシャドウマスクを設けるシャドウマスク形成工程と、前記絶縁膜の発光部に対応する位置の開口内に設けられた反射電極とその周辺の絶縁膜を覆うように有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程と、前記前記反射電極とその周辺の絶縁膜を覆うように形成された前記有機ＥＬ膜を覆うと共に、シャドウマスクと有機ＥＬ層の間の空間を埋めることで前記補助配線に接続する透明電極形成工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法では、反射電極と同時に補助配線を形成するので、補助配線だけの製造工程が不要である。しかも、有機シャドウマスクによって確実に有機ＥＬ層を分断できるため、補助配線＝反射電極を厚くする必要がない。さらに、有機シャドウマスクを用いるので、レジスト塗布・露光という工程が増えるだけである。若しくは、もともとスペーサを用いる必要がある場合は、これをスペーサとして利用できるので、トータルの工数増加はない。また、本発明の有機ＥＬディスプレイは電源から離れるに従っての反射電極・透明電極間の電圧降下が少なく、しかも反射電極を厚くしたときのような凹凸が大きくなる問題や製造工程の増加によるコスト上昇もないという特徴を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
まず本発明の有機ＥＬディスプレイパネルに付き説明する。  
図３は、本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの第１の形態である。図３（ａ）は画素部の平面図であり、図３（ｂ）はＡＢ断面図である。図３に示す構造は、補助電極を各サブピクセルの間に配置し、サブピクセル長辺方向に配線したものであり、配線抵抗低減を重視したものである。
【００１７】
透明基板上には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）とそれを包み込んで全体を平坦化する平坦化樹脂２０が設けられている。平坦化樹脂２０は、必要に応じて、無機のパッシベーション膜で覆われていてもよい。平坦化樹脂２０又はパッシベーション膜の上に反射電極２２の密着性を良くする反射電極下地層２１を介して、反射電極２２が形成されている。透明基板、ＴＦＴ、平坦化樹脂、としては通常、有機ディスプレイパネルの透明基板、ＴＦＴ、平坦化樹脂に用いられるものはいずれも用いることができる。各画素へのＴＦＴからの配線は、平坦化樹脂に設けられたコンタクトホールを介して設置される。無機パッシベーション膜も有機ディスプレイパネルに用いられるものはいずれも用いることができ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどの単層もしくは積層体を例示できる。
【００１８】
反射電極下地層２１は反射電極２２の平坦化層２０又は無機パッシベーション層への密着性を確保するために設けられる層であり、ＩＴＯやＩＺＯなどの酸化物が用いられる。平坦化樹脂２０又はパッシベーション膜の上には、補助配線下地層３１を介して補助配線３２も設けられている。補助配線下地層３１も補助配線３２の平坦化層２０又は無機パッシベーション層への密着性を確保するために設けられる層であり、ＩＴＯやＩＺＯなどの酸化物が用いられる。反射電極下地層２１の上に例えばＭｏＣｒやＣｒＢやＡｇ或いはＡｇ合金などの反射電極２２が形成されている。また、補助配線下地層３１の上には同様の材料からなる補助配線３２も形成されている。  
反射電極２２は発光部に対応する位置にある絶縁膜の開口部に設けられ、補助配線３２はその発光部とそれに隣接する発光部の間の部分（補助配線形成位置）にある絶縁部の開口部に設けられる。補助配線は、画面（有機ＥＬディスプレイの表示画面）の一方の端から他方の端までつながるように設けられている。
【００１９】
反射電極２２と補助配線３２がその上に設けられた平坦化樹脂２０又はパッシベーション膜の上には、発光部に開口を有する絶縁膜層が設けられている。この発光部は有機ＥＬディスプレイパネルの画素あるいはサブピクセルに対応する位置にある部分であり、有機ＥＬ層をはさんで対抗する反射電極と透明電極の間に電位差が生じると発光する部分である。
【００２０】
前記開口内の補助配線３２上にその底面が接するように逆テーパ状断面を有するシャドウマスク３３が前記補助配線３２に沿って延在するように設けられている。図３に示す例では、シャドウマスク３３は補助配線の幅方向中央部にその底面が位置するように設けられており、補助配線の長手方向においては、画面の一方の端から他方の端までつながるように設けられている。
【００２１】
有機ＥＬ層は前記絶縁膜の発光部に対応する位置の開口内に設けられた反射電極とその周辺の絶縁膜を覆うように形成されている。有機ＥＬ層は、有機発光層を少なくとも含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および／または電子注入層を含有する。  
すなわち、有機ＥＬ層は（Ａ）有機発光層のみからなってもよく、透明電極側から、
（Ｂ）正孔注入層／有機発光層
（Ｃ）有機発光層／電子輸送層
（Ｄ）正孔注入層／有機発光層／電子輸送層
（Ｅ）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
（Ｆ）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層
の構成となっていてもよい。
【００２２】
図３に示すように、シャドウマスク３３の逆テーパ断面形状のため、シャドウマスク上部に形成された有機ＥＬ層と反射電極およびその周囲の絶縁膜上に形成された有機ＥＬ層は分断されている。すなわち、有機ＥＬ層２４は、シャドウマスク３３によって図３（ａ）に示すようにサブピクセル列ごとに分断され、シャドウマスク根元では、補助配線がむき出しのままとなっている。
【００２３】
反射電極およびその周囲の絶縁膜上に形成された有機ＥＬ層の上には透明電極が形成されており、前記透明電極は前記反射電極とその周辺の絶縁膜を覆うように形成された前記有機ＥＬ膜を覆うと共に、シャドウマスクと有機ＥＬ層の間の空間を埋めることで前記補助配線に接続している。すなわち、シャドウマスク上部に形成された有機ＥＬ層と反射電極およびその周囲の絶縁膜上に形成された有機ＥＬ層を分断している空間、その空間につながる絶縁膜とシャドウマスク側壁の間の空間を透明電極が埋め尽くすことにより、透明電極は絶縁膜とシャドウマスク側壁の間に露出した補助配線と接続している。透明電極と補助配線の接続は特許文献２のように補助配線の側面ではなく、上面に接続しているので、接続幅を数μｍとすることができ、十分な接続面積を確保できる。
【００２４】
透明電極と有機ＥＬ層の間には、透明電極形成時に有機ＥＬ膜に与えられるダメージを緩和するためにＭｇ、ＡｇやＡｕなどの透明性の高い金属を数〜１０ｎｍ程度成膜してもよい。
【００２５】
こうして形成された透明電極を画面全体において覆うように無機バリア層２６が形成されている。無機バリア層としては、ＳｉＯ２やＳｉＮ，ＳｉＯＮなどの単層若しくは積層からなるものを例示できる。
【００２６】
一方、カラーフィルタ基板は、透明基板上にブラックマトリクス２７、カラーフィルタ２８、必要に応じて色変換層２９という順に積層されてなる。有機ＥＬ基板とカラーフィルタ基板は、接着剤によって接合され、ギャップ層は、固体又は必要に応じて液体又は気体が充填されている。
【００２７】
図４は、本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの第２の実施形態である。図４（ａ）は画素部を示す平面図であり、図４（ｂ）はＣＤ断面図である。図４に示す構造は、補助配線を画素（ＲＧＢのサブピクセルで１画素）と画素の間に配置し、サブピクセルの短辺方向に配線したものであり、画素の有効領域を第１の形態より拡大したものである。
【００２８】
図５は、本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの第３の形態である。図５（ａ）は画素部を示す平面図であり、図５（ｂ）はＣＤ断面図である。図５に示す構造は、補助電極を画素と画素の間に配置し、サブピクセルの短辺方向に配線し、シャドウマスク５３の底面付近において片側でだけ補助配線と透明電極がコンタクトできるようにしたものである。これは補助配線を細くすることにより、画素の有効領域を第２の形態より更に拡大できる構造である。ただし、補助配線を細くすると、その分コンタクト抵抗と補助配線の抵抗は増加する。このとき、シャドウマスクの設置範囲は、図５ＣＤ断面において、シャドウマスク上面左端が絶縁膜の画素開口まで、底面右端が、絶縁膜補助配線開口を埋めてしまわない位置までとすることが好ましい。図５では、シャドウマスク底面が絶縁膜上と開口部配線の両方に乗った構造を示しているが、絶縁膜上に底面があり、開口部がシャドウマスクの片側だけにある構造としてもよい。ただし、この場合、開口を作るためのプロセスルールが厳しく、あまり狭い穴をあけられないことを考慮する必要がある。
【００２９】
図６は、本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの第４の形態である。図６（ａ）は画素部を示す平面図であり、図６（ｂ）はＣＤ断面図である。図６に示す構造は、補助配線を画素と画素の間に配置し、サブピクセルの短辺方向に配線したものであるが、シャドウマスク６３が途中で切れていることが特徴である。これは、例えば補助配線を細くすると、透明電極と接続できない箇所やコンタクト抵抗が増大する箇所が発生する確率が増すが、そのような箇所が補助配線１ライン全てにあったとしても、透明電極自体は、面状に全画面で繋がっているので、配線抵抗が均一になる。また、この構造の場合、接着剤などの粘度の高い材料をギャップ層に充填するとき、障壁が少ないので、全面にきれいに広がりやすい。また、ギャップ層へ充填材を注入する場合も滴下した状態から拡がり易くなり、ギャップ層への充填材の注入が容易となる。
【００３０】
第１〜第４の形態は、単独で使われてもよいし、それぞれ組み合わせて使っても良い。例えば、補助配線をサブピクセルの長辺方向にも短辺方向にも（即ち格子状に）形成し、その上に部分的にシャドウマスクを載せる構造なども本発明の範囲である。  
なお、金属の補助配線は画面外周部まで延び、そのまま外部への配線に繋がる構造が望ましいが、途中で切れて、もう一度透明電極を介して外部への配線に繋がる構造であっても良い。本発明では、その構造は第１〜第４の形態のみに特定されるものではない。
【００３１】
次に、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法に付き説明する。  
ＴＦＴ＋平坦化樹脂層形成工程：
まず、透明基板上にＴＦＴを形成し、その上を平坦にするため光硬化性樹脂を塗布・露光する。このとき、各画素のＴＦＴからの配線は、樹脂にコンタクトホール(開口)を設けることで対応する。更に、樹脂からのアウトガスを防止するために、この上にＳｉＯ２やＳｉＮ，ＳｉＯＮなどの単層若しくは積層の無機パッシベーション膜を化学蒸着(ＣＶＤ)などにより設けてもよい。
【００３２】
反射電極形成工程：
次に、この上に密着性を確保するためにＩＺＯやＩＴＯなどの酸化物の下地層２１をフォトプロセスによって形成する。その際、同じ材料で補助配線の下地層３１も同時形成する。この上に例えばＭｏＣｒやＣｒＢやＡｇ或いはＡｇ合金などの反射電極２２を形成する。同様にその際、同じ材料で補助配線３２も同時形成する。反射電極形成の際、これらの合金はコンタクトホール内にも入り込み、反射電極とＴＦＴの接続が行われる。
【００３３】
絶縁膜形成工程：
そしてＳｉＯ２やＳｉＮ，ＳｉＯＮなどをＣＶＤなどで成膜し、フォトプロセスの後、ドライエッチングを行って開口を有する絶縁膜２３を形成する。もちろん、フォトリソグラフ法だけで形成できる有機の絶縁膜を上記無機絶縁膜の代わりに形成してもよい。絶縁膜開口は、画素の発光部と補助配線上に作られる。
【００３４】
シャドウマスク形成工程：
次に感光性レジスト材料を塗布し、露光量を調整することで、補助配線上に設けられた絶縁膜の開口内の補助配線上にその底面が接するように前記補助配線に沿って延在する断面が逆テーパ状のシャドウマスク３３を形成する。
【００３５】
有機ＥＬ層形成工程：
これを蒸着装置に入れ、有機ＥＬ層２４を成膜する。有機ＥＬ層は、有機発光層を少なくとも含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および／または電子注入層を含有するものであり、いずれも減圧下での蒸着により形成される。これらの層は途中で減圧を常圧に戻すことなく連続して形成するのが好ましい。  
加えてこの上に、透明電極スパッタ時のダメージ緩和のために、ＭｇＡｇやＡｕなどの透過率の高い金属を数ｎｍ〜１０ｎｍ程度蒸着してもよい。この時点で有機ＥＬ層（＋蒸着金属）は、シャドウマスク３３によってサブピクセル列ごとに分断され、シャドウマスク根元では、補助配線がむき出しのままとなっている。
【００３６】
透明電極形成工程：
次にスパッタ装置に入れて、ＩＺＯやＩＴＯといった透明電極を成膜する。スパッタ装置では、陰になる部分にも粒子が回りこむため、シャドウマスク根元にまで透明電極材料が成膜され、補助配線と導通する。
【００３７】
バリア層形成工程：
次に、ＣＶＤ装置などを用いて、少なくとも画面全体をＳｉＯ２やＳｉＮ，ＳｉＯＮなどの単層若しくは積層の無機バリア層２６で覆う。
【００３８】
一方、カラーフィルタ基板は、ガラスにブラックマトリクス２７、カラーフィルタ２８、必要に応じて色変換層２９という順にフォトリソグラフ法によって形成する。有機ＥＬ基板とカラーフィルタ基板は、接着剤によって接合され、ギャップ層は、固体又は必要に応じて液体又は気体が充填される。
【００３９】
反射電極形成工程において、補助配線をサブピクセルの長辺方向に配線し、シャドウマスク形成工程において、シャドウマスクの底面が補助配線の幅方向中央部に位置するようにシャドウマスクを設ければ図３に示すような本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの第１の形態になり、補助配線を画素（ＲＧＢのサブピクセルで１画素）と画素の間、かつ、サブピクセルの短辺方向に配線し、その上にシャドウマスクをその底面が補助配線の幅方向中央部に位置するように設ければ図４に示すような本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの第２の形態になり、シャドウマスク５３の底面付近において片側でだけ補助配線と透明電極がコンタクトできるようにシャドウマスクの底面の位置を設定すれば図５に示すような本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの第３の形態になる。補助配線を画素と画素の間に配置し、サブピクセルの短辺方向に配線したものであるが、シャドウマスク６３が途中で切れているように設置すれば図６に示すような本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの第４の形態になる。
【実施例】
【００４０】
以下に、実施例を用いて本発明を更に説明する。  
＜実施例１＞
２００×２００ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス上に、複数画面分のＴＦＴが形成され、これを覆うように厚さ３μｍの平坦化樹脂及び厚さ３００ｎｍのＳｉＯ２からなるパッシベーションが形成された基板上に、ＩＺＯを５０ｎｍスパッタ成膜した。スパッタ装置はＲＦ−プレーナマグネトロン、ガスはＡｒを使用した。これにレジスト剤「ＯＦＲＰ−８００」（商品名、東京応化製）を塗布した後、露光・現像し、ウエットエッチングによって、サブピクセルごとに島状に分離した反射電極下地層パターン２１を形成した。このパターンは、平坦化層とパッシベーション層に設けられたコンタクトホールでＴＦＴと接続する。また、サブピクセル間には、サブピクセルの長辺方向に画面の端から端まで延びる線状パターン（補助配線下地層）３１を同時形成した。
【００４１】
これらのパターンの上にＡｇを２００ｎｍスパッタ成膜し、下地パターン２１，３１からはみ出ないように、同様のプロセスで反射電極２２及び補助配線３２を同時形成した。
次にＣＶＤ装置によって、ＳｉＮを３００ｎｍ成膜し、レジスト剤を塗布し、フォトリソグラフ法を用いて発光部と補助配線上、及びパネル端子部などにレジスト開口を作り、これをドライエッチングすることによってＳｉＮに開口を設け、所定の位置に開口を有する絶縁膜２３を形成した。
【００４２】
次に補助配線上の絶縁膜開口部上において、フォトリソグラフ法でシャドウマスク３３を形成した。シャドウマスク３３は、ノボラック系レジスト材料（日本ゼオンＺＮＰ１１６８）であり、露光時間を調整して、上面が約１２μｍ幅、底面が約６μｍ幅、高さ約４μｍの逆テーパ形状とした。また、このシャドウマスクは、その底面が補助配線の中央部に位置し、画面の一方の端から他方の端まで補助配線上に連続して設けられている。
【００４３】
次いで、抵抗加熱蒸着装置内に装着し、反射電極上に１．５ｎｍのＬｉを堆積させて、陰極バッファ層を得た。そして電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層の順で真空を破らずに成膜して有機ＥＬ層を得た。成膜に際して真空槽内圧は１×１０−４Ｐａまで減圧した。それぞれの層は０．１ｎｍ／ｓの蒸着速度で堆積され、電子輸送層として膜厚２０ｎｍのトリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、発光層として膜厚３０ｎｍの４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、正孔輸送層として膜厚１０ｎｍの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、および正孔注入層として膜厚１００ｎｍの銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用いた。そして更にこの上にＭｇＡｇを５ｎｍ蒸着し、透明電極をスパッタ成膜する際のダメージ緩和層とした。有機ＥＬ層は、発光部の反射電極およびその周辺の絶縁膜の一部に形成された層とシャドウマスク上に形成された層に分断され、これにより、発光部上の有機ＥＬ層はサブピクセル列ごとに分断された。また、シャドウマスクの根元では補助配線は有機ＥＬ層に覆われることなく、むき出しのままとなっていた。
【００４４】
これを対向スパッタ装置に真空を破らずに移動させ、透明電極２５としてのＩＺＯを１００ｎｍ成膜した。これらの蒸着やスパッタ成膜の際は、表示部に対応する位置に四角窓が空いたメタルマスクを適用した。ＩＺＯのスパッタにより、ＩＺＯはシャドウマスクの根元部分にまで成膜されて、透明電極（ＩＺＯ）が補助配線に接続した。  
さらに真空を破らずに基板をＣＶＤ装置に移動させ、バリア層２６としてのＳｉＮを２μｍの厚さで透明電極の上に全面成膜した。
【００４５】
一方カラーフィルタ基板側は、まず、２００×２００ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスに、厚さ１μｍのブラックマトリクス２７（ＣＫ−７００１：富士フィルムＡＲＣＨ製）をフォトリソグラフ法で形成した。次に、カラーフィルタ２８は、赤色（ＣＲ−７００１：富士フィルムＡＲＣＨ製）、緑色（ＣＧ−７００１：富士フィルムＡＲＣＨ製）、青色（ＣＢ−７００１：富士フィルムＡＲＣＨ製）をフォトリソグラフ法でそれぞれ形成した。どれも厚さ約２μｍの短冊形状である。次にカラーフィルタと同じフォトマスクを用いて、厚さ約１０μｍの色変換層２９を形成した。塗布液は、フォトレジストＶ２５９ＰＡＰ５（新日鐵化学製）２５ｇに対し、緑色への変換用にはクマリン６を０．０５ｇ添加し、赤色への変換用にはローダミンＢ０．０４ｇ＋クマリン６  ０．０５ｇを添加した。なお、前述の有機ＥＬ素子の発光スペクトルは、青色〜緑色（４００ｎｍ〜５５０ｎｍ）であるため、青色は色変換層とせず、透明なアクリル系樹脂で形成した。
【００４６】
次に、有機ＥＬ基板及びカラーフィルタ基板を酸素５ｐｐｍ，水分５ｐｐｍ以下の貼り合せ装置に移動させた。そして、カラーフィルタ基板プロセス面を上に向けてセットし、ディスペンサーを用いて複数画面のそれぞれの外周（図１の１３の位置）にエポキシ系紫外線硬化接着剤を切れ目無く塗布して、いわゆる土手を形成し、各画面中央付近に低粘度熱硬化型エポキシ接着剤を滴下した。滴下量は、シャドウマスク上面までカラーフィルタ基板を接近させたときに形成されるギャップ層の容積とした。そして、有機ＥＬ基板プロセス面を下に向けた状態でセットし、カラーフィルタ基板とプロセス面同士を対向させた状態で、約１０Ｐａ程度まで減圧してから貼り合わせ、画素位置を合わせ込んだ後に大気圧に戻した。これによって、低粘度熱硬化型エポキシ接着剤は、パネル全面に広がり、カラーフィルタ基板の色変換層と有機ＥＬ基板のシャドウマスク上面が接触するところまで接近した。
【００４７】
次に、カラーフィルタ基板側から外周接着部（図１の１３の位置）にだけ紫外線を照射して仮硬化させ、一般環境に取り出した。次いで、これを加熱炉に入れて８０℃で１時間加熱し、炉内で３０分間自然冷却して取り出した。これを自動ガラススクライブ装置と自動ブレイク装置によって図１のような個々のディスプレイパネル（ただし、この段階でＩＣは無い。）に分割した。最後に、ドライエッチング装置に入れ、端子部１５やＩＣ接続用パッドを覆う厚さ２μｍのバリア層を除去した。
【００４８】
得られたディスプレイパネルの輝度ムラ（画面中央と端部の輝度差）は補助配線がない場合に比べて約１／１０に低減できた。
【００４９】
＜実施例２＞
補助配線下地層のパターンをサブピクセルの短辺方向に画面の端から端まで延びる線状パターンとした以外は実施例１と同様にして図４に示す形態の有機ＥＬディスプレイパネルを得た。
【００５０】
＜実施例３＞
補助配線下地層のパターンをサブピクセルの短辺方向に画面の端から端まで延びる線状パターンとし、シャドウマスクの底面付近において片側でだけ補助配線と透明電極がコンタクトできるようにシャドウマスクの底面の位置を図５に示すように設定した以外は実施例１と同様にして図５に示す形態の有機ＥＬディスプレイパネルを得た。
【００５１】
＜実施例４＞
補助配線下地層のパターンをサブピクセルの短辺方向に画面の端から端まで延びる線状パターンとし、シャドウマスクの保持配線長手方向の長さを、画素の１／３程度の長さとし、１画素ごとに切れているようにした以外は実施例１と同様にして図６に示す形態の有機ＥＬディスプレイパネルを得た。
【００５２】
実施例２〜４のいずれにおいても、得られたディスプレイパネルの輝度ムラは補助配線がない場合に比べて約１／１０に低減できた。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明のトップエミッション型有機ディスプレイパネルは、配線抵抗を低減でき、これにより、大型化しても輝度むらの少ない有機ＥＬディスプレイとなる。また、本発明のトップエミッション型有機ディスプレイパネルの製造方法によれば、反射電極へのダメージや工数の増加を招くことなく補助配線構造が実現でき、大型化しても輝度むらの少ない有機ＥＬディスプレイを安価に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】トップエミッション型有機ＥＬディスプレイパネルユニットの全体図
【図２】従来のトップエミッション型有機ＥＬパネル断面構造を示す模式図
【図３】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの第１の形態を示す模式図
【図４】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの第２の形態を示す模式図
【図５】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの第３の形態を示す模式図
【図６】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの第４の形態を示す模式図
【符号の説明】
【００５５】
１１：有機ＥＬ基板（必要に応じてＴＦＴを含む）
１２：カラーフィルタ基板（必要に応じて、色変換層などを含む）
１３：外周シール領域  １４：パネル内配線
１５：ＦＰＣ取り付け用端子  １６：制御ＩＣ
２０：ＴＦＴ＋平坦化樹脂層（必要に応じて表面に無機膜が存在）
２１：反射電極下地層  ２２：反射電極層
２３：絶縁膜  ２４：有機ＥＬ層
２５：透明電極  ２６：バリア層
２７：ブラックマトリクス  ２８：カラーフィルタ
２９：色変換層  ３０：スペーサ（リブ）
３１、４１、５１：補助配線下地層
３２、４２、５２：補助配線
３３、４３：シャドウマスク（補助配線の中央にあり、ほぼ画面の端から端まで繋がって存在）
５３：シャドウマスク（補助配線の片側に偏っており、ほぼ画面の端から端まで繋がって存在）
６３：シャドウマスク（画面内で切れている。この図では、画素より小さい）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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