(57)【要約】【課題】ＳＯＩ基板の製造プロセスの低温化を可能とすること。【解決手段】単結晶Ｓｉ基板１０の表面に酸化膜１１を介して水素イオンを注入して単結晶Ｓｉ基板１０の表面近傍の所定の深さに均一なイオン注入層１２を形成する。このとき、Ｓｉ基板１０の温度が４００℃を超えない状態に保持される条件下でイオン注入を実行する。続いて、単結晶Ｓｉ基板１０に４００℃以下の温度で熱処理が施される。この熱処理は、剥離工程に先立って、予めイオン注入層１２の「注入界面」の機械的強度を弱めておくためのものであり、熱処理温度が４００℃以下とされるのは「マイクロキャビティ」の発生と「気泡成長」を抑制するためである。両基板の接合面にプラズマ処理やオゾン処理を施し、基板同士を貼り合わせた状態で外部衝撃を付与して単結晶シリコンのバルク１４からシリコン膜１３を機械的に剥離して石英基板２０上に酸化膜１１を介して設けられたＳＯＩ膜１３が得られる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の主面に水素イオン注入層を形成するイオン注入工程と、絶縁性基板と前記シリコン基板の少なくとも一方の主面に活性化処理を施す表面処理工程と、前記絶縁性基板と前記シリコン基板の主面同士を貼り合わせる工程と、前記貼り合せ基板の前記シリコン基板からシリコン薄膜を機械的剥離して前記絶縁性基板の主面上にシリコン膜を形成する剥離工程を備え、前記イオン注入工程における前記シリコン基板の温度が４００℃以下に保持されることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２】
前記イオン注入工程の後で前記貼り合わせる工程の前に、前記シリコン基板を４００℃以下の温度で熱処理する工程を備えている請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項３】
前記イオン注入工程における前記シリコン基板の温度は２００℃以上４００℃以下である請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項４】
前記活性化処理がプラズマ処理又はオゾン処理の少なくとも一方で実行される請求項１乃至３の何れか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項５】
前記貼り合わせる工程の後で前記剥離工程の前に、前記絶縁性基板と前記シリコン基板を貼り合わせた状態で、４００℃以下の温度で熱処理する工程を備えている請求項１乃至４の何れか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項６】
前記シリコン基板は主面にシリコン酸化膜を有するものである請求項１乃至５の何れか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項７】
前記シリコン酸化膜の厚みが０．２μｍ以上である請求項６に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁性基板は、高抵抗シリコン基板、酸化膜付きシリコン基板、石英基板、サファイア基板、ガラス基板、有機フィルム基板の何れかである請求項１乃至７の何れか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性基板上にシリコン膜を有するＳＯＩ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの高性能化を可能とする半導体基板として、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）ウェーハが注目を浴びている。これは、ＳＯＩ構造を採用して単結晶シリコン薄膜下に酸化膜を埋め込むことにより、寄生容量を低減し、動作速度を向上させ、消費電力を抑えることが可能となるためである。しかし、現在に至るまで、ＳＯＩウェーハはＬＳＩデバイス製造用基板の主流とはなっていない。その理由は、ＳＯＩウェーハの製造コストが通常のＳｉウェーハの製造コストの数倍程度（あるいはそれ以上）となるためである。
【０００３】
また、石英基板上にシリコン薄膜を有するＳＯＱ（Silicon On Quartz）ウェーハは、光学デバイス、例えばＴＦＴ液晶モニタ製造用デバイスなどへの応用が期待されているＳＯＩウェーハであり、通常のＳＯＩウェーハとは異なった用途をもつ半導体基板として近年注目を浴びているが、このＳＯＱウェーハにおいても、製造コストの高さが問題となっている。
【０００４】
従来より、２枚の基板を貼り合わせてＳＯＩ基板を製造する方法として、貼り合せ面側に水素イオンを注入したシリコン基板とハンドリング用基板とを貼り合わせ、概ね５００℃以上の熱処理を施して注入水素イオンの濃度が最も高い領域からシリコン薄膜を熱剥離させるというＳＯＩＴＥＣ法（SmartCut法）が知られており、この方法は、水素イオンの注入で形成された「マイクロキャビティ」と呼ばれる高密度の「気泡」を加熱により「成長」させ、この「気泡成長」を利用してシリコン薄膜を剥離するというメカニズムを基礎としている（例えば、特許文献１や非特許文献１）。
【０００５】
しかしながら、上述のＳＯＩＴＥＣ法は多くの高温プロセスを必要とするという問題があり、これがＳＯＩ基板の製造コストを高める要因となっている。また、ＳＯＩＴＥＣ法では、シリコン基板と絶縁性基板（石英やサファイアなどの支持基板）を貼り合わせた後に４５０℃近傍の温度で水素イオン注入界面に沿って熱的剥離を行うが、シリコン基板と石英基板のような熱膨張係数の異なる基板同士を貼り合わせた状態で４５０℃近傍の熱処理を施すと、両基板の熱膨張係数の差異に起因する熱歪が生じ、この熱歪により接合面の剥離やひび割れ等を発生させ易い。
【０００６】
このため、比較的低温のプロセスでシリコン薄膜の剥離を完了することが望ましいが、一般に、シリコン基板と絶縁性基板の貼り合わせ面の全面にわたって接合状態を良好なものとして十分な接合強度をもたせるためには、両基板を貼り合わせた状態で比較的高温の熱処理を施す必要がある。
【０００７】
つまり、シリコン基板と絶縁性基板を貼り合せることでＳＯＩ基板を作製する場合には、両基板の熱膨張係数差によって生じる熱歪に起因した接合面の剥離やひび割れ等を回避するために求められる低温プロセス化への要求と、貼り合わせ面の全面で良好な接合状態とするために必要とされる比較的高温での熱処理とは、互いに矛盾する関係となってしまうという問題があり、ＳＯＩＴＥＣ法ではこの問題を解決することができない。加えて、絶縁性基板として安価なガラス基板や有機フィルム基板を用いる場合には、その融点の低さから低温プロセス化が必要条件となるが、高温プロセスを必要とする従来法ではこの課題に応えることが困難である。
【特許文献１】特許第３０４８２０１号公報
【非特許文献１】A. J. Auberton-Herve et al., "SMART CUT TECHNOLOGY: INDUSTRIAL STATUS of SOI WAFER PRODUCTION and NEW MATERIAL DEVELOPMENTS" (Electrochemical Society Proceedings Volume 99-3 (1999) p.93-106).
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ＳＯＩ基板の製造方法の低温プロセス化を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、このような課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、シリコン基板の主面に水素イオン注入層を形成するイオン注入工程と、絶縁性基板と前記シリコン基板の少なくとも一方の主面に活性化処理を施す表面処理工程と、前記絶縁性基板と前記シリコン基板の主面同士を貼り合わせる工程と、前記貼り合せ基板の前記シリコン基板からシリコン薄膜を機械的剥離して前記絶縁性基板の主面上にシリコン膜を形成する剥離工程を備え、前記イオン注入工程における前記シリコン基板の温度が４００℃以下に保持される。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法において、前記イオン注入工程の後で前記貼り合わせる工程の前に、前記シリコン基板を４００℃以下の温度で熱処理する工程を備えている。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法において、前記イオン注入工程における前記シリコン基板の温度は２００℃以上４００℃以下である。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３の何れか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法において、前記活性化処理がプラズマ処理又はオゾン処理の少なくとも一方で実行される。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４の何れか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法において、前記貼り合わせる工程の後で前記剥離工程の前に、前記絶縁性基板と前記シリコン基板を貼り合わせた状態で、４００℃以下の温度で熱処理する工程を備えている。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５の何れか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法において、前記シリコン基板は主面にシリコン酸化膜を有するものである。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載のＳＯＩ基板の製造方法において、前記シリコン酸化膜の厚みが０．２μｍ以上である。
【００１６】
請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７の何れか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法において、前記絶縁性基板は、高抵抗シリコン基板、酸化膜付きシリコン基板、石英基板、サファイア基板、ガラス基板、有機フィルム基板の何れかである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によりＳＯＩ基板の製造プロセスの低温化が図られるため、製造コスト低減が図られるとともに、従来法のような比較的高温領域での剥離が不要となることから、剥離後のＳＯＩ膜の面荒れも抑制され、ＳＯＩ基板全面において均一なＳＯＩ膜の厚みを確保することが可能となる。
【００１８】
また、一貫して低温プロセスであるために転写欠陥やスリップ転位の発生が抑制されて高品質のＳＯＩ基板を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明のＳＯＩ基板の製造方法を実施例により説明する。なお、以下の実施例において絶縁性基板を石英基板として説明するが、本発明で用いられる絶縁性基板は、高抵抗シリコン基板、酸化膜付きシリコン基板、サファイア基板、ガラス基板、有機フィルム基板などであってもよい。
【実施例１】
【００２０】
図１は、本発明のＳＯＩ基板の製造方法のプロセス例を説明するための図である。なお、本実施例では、シリコン基板の表面に予め酸化膜が設けられているが、当該酸化膜は必須のものではなく、酸化膜を設けていない一般のシリコン基板でもよい。
【００２１】
図１（Ａ）に図示されたシリコン基板１０は一般には単結晶Ｓｉ基板であり、支持基板は石英基板２０である。ここで、単結晶Ｓｉ基板１０は、例えば、ＣＺ法（チョクラルスキ法）により育成された一般に市販されているＳｉ基板であり、その導電型や比抵抗率などの電気特性値や結晶方位や結晶径は、本発明の方法で製造されるＳＯＩ基板が供されるデバイスの設計値やプロセスあるいは製造されるデバイスの表示面積などに依存して適宜選択される。なお、上述したように、この単結晶Ｓｉ基板１０の表面（貼り合せ面）には、例えば熱酸化などのよって予め酸化膜１１が形成されている。
【００２２】
貼り合わされる単結晶Ｓｉ基板１０および石英基板２０の直径は同一であり、後のデバイス形成プロセスの便宜のため、石英基板２０にも単結晶Ｓｉ基板１０に設けられているオリエンテーション・フラット（ＯＦ）と同様のＯＦを設けておき、これらのＯＦ同士を一致させて貼り合わせるようにすると好都合である。
【００２３】
先ず、Ｓｉ基板１０の温度が４００℃を超えない状態（４００℃以下）に保持される条件下で、単結晶Ｓｉ基板１０の表面に酸化膜１１を介して水素イオンを注入する（図１（Ｂ））。このイオン注入面が後の「接合面（貼り合せ面）」となる。水素イオン注入により、単結晶Ｓｉ基板１０の表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に均一なイオン注入層１２が形成される（図１（Ｃ））。従来法であれば、シリコン中に注入された水素によって結晶欠陥とマイクロキャビティの発生によって単結晶Ｓｉ基板１０の表面領域の平均イオン注入深さＬに対応する領域に局在する「微小気泡層」が形成されるが、上述のようにイオン注入工程中のＳｉ基板１０の温度を４００℃以下に保持することとすると、この「マイクロキャビティ」の発生を顕著に抑制することができる。なお、本実施例では、水素イオン注入時の単結晶Ｓｉ基板１０の温度は２００℃以上４００℃以下に設定されている。
【００２４】
水素のイオン注入時のドーズ量は、ＳＯＩ基板の仕様等に応じて、例えば１×１０16〜４×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2の範囲で適当な値が選択される。なお、ＳＯＩＴＥＣ法でＳＯＩ基板を作製する場合には、水素イオンのドーズ量が１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2を越えるとその後に得られるＳＯＩ層の表面荒れが生じるとされ、７×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度のドーズ量に設定するのが一般的である。しかし、本発明者らの検討によれば、従来法において生じるとされていた上記イオン注入条件で生じるＳＯＩ層の表面荒れの原因は、水素イオンのドーズ量そのものではなく、シリコン薄膜を剥離してＳＯＩ層を得るために採用されている比較的高温（例えば５００℃）の熱処理工程にあることが明らかとなった。
【００２５】
上述したように、ＳＯＩＴＥＣ法でＳＯＩ基板を作製する際には、シリコン基板の貼り合せ面側に水素イオンを注入して「マイクロキャビティ」を高密度で発生させ、比較的高温の熱処理により生じる「マイクロキャビティ」の「気泡成長」を利用してシリコン薄膜を熱剥離している。ここで、「気泡成長」は水素原子の拡散現象に他ならないから、高ドーズ条件で形成されることとなる極めて高密度の「気泡」が「成長」する過程においては水素原子の拡散が顕著に生じていることとなる。そして、このような原子拡散現象がＳＯＩ層の表面荒れを生じさせることとなるとの解釈が可能である。
【００２６】
したがって、本発明のように、水素イオン注入工程を含む一貫した低温プロセス化が図られる場合には、水素イオン注入工程中はもとより、剥離工程も低温で実行されることとなり、当該剥離処理工程中での水素原子の拡散は著しく抑制されることとなるため、高いドーズ量の水素イオン注入を施したとしてもＳＯＩ層の表面荒れを生じさせることはない。本発明者らは種々のドーズ量で水素イオン注入を施してＳＯＩ層の表面荒れへの影響を調査したが、４００℃以下の低温熱処理でシリコン薄膜の剥離を実行する限り、少なくとも４×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2までのドーズ量での表面荒れは認められなかった。
【００２７】
イオン注入層１２の単結晶Ｓｉ基板１０表面（酸化膜１１との界面）からの深さ（平均イオン注入深さＬ）はイオン注入時の加速電圧により制御され、どの程度の厚さのＳＯＩ層を剥離させるかに依存して決定されるが、例えば、平均イオン注入深さＬを０．５μｍ以下とし、加速電圧５０〜１００ＫｅＶなどとする。なお、Ｓｉ結晶中へのイオン注入プロセスにおいて注入イオンのチャネリング抑制のために通常行われているように、単結晶Ｓｉ基板１０のイオン注入面に予め酸化膜等の絶縁膜を形成させておき、この絶縁膜を通してイオン注入を施すようにしてもよい。
【００２８】
この水素イオン注入後、単結晶Ｓｉ基板１０に４００℃以下の温度で熱処理が施される（図１（Ｄ））。この熱処理は、剥離工程に先立って、予めイオン注入層１２の「注入界面」の機械的強度を弱めておくためのものであり、熱処理温度が４００℃以下とされるのは「マイクロキャビティ」の発生と「気泡成長」を抑制するためであることは上述のとおりである。このような熱処理が施されることにより、「注入界面」での機械的強度が低減する一方、「注入界面」が後工程で剥離されて得られることとなるＳＯＩ膜表面の「粗さ」の増大が回避される。当該熱処理工程の終了時点で「注入界面」の強度が低下しているので、後の剥離工程で必要とされる「貼り合わせ強度」は相対的に低くなるため、貼り合せ前に実行される後述の表面活性化処理のみでも充分な貼り合わせ強度の確保が可能となる。
【００２９】
このようにしてイオン注入層１２を形成した単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０のそれぞれの接合面に、表面清浄化や表面活性化などを目的としたプラズマ処理やオゾン処理を施す（図１（Ｅ））。なお、このような表面処理は、接合面となる表面の有機物除去や表面上のＯＨ基を増大させて表面活性化を図るなどの目的で行われるものであり、単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０の双方の接合面に処理を施す必要は必ずしもなく、何れか一方の接合面にのみ施すこととしてもよい。
【００３０】
この表面処理をプラズマ処理により実行する場合には、予めＲＣＡ洗浄等を施した表面清浄な単結晶Ｓｉ基板および／または石英基板を真空チャンバ内の試料ステージに載置し、当該真空チャンバ内にプラズマ用ガスを所定の真空度となるように導入する。なお、ここで用いられるプラズマ用ガス種としては、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスなどがある。プラズマ用ガスの導入後、１００Ｗ程度の電力の高周波プラズマを発生させ、プラズマ処理される単結晶Ｓｉ基板および／または石英基板の表面に５〜１０秒程度の処理を施して終了する。
【００３１】
表面処理をオゾン処理で実行する場合には、表面清浄な単結晶Ｓｉ基板および／または石英基板を酸素含有の雰囲気とされたチャンバ内の試料ステージに載置し、当該チャンバ内に窒素ガスやアルゴンガスなどのプラズマ用ガスを導入した後に所定の電力の高周波プラズマを発生させ、当該プラズマにより雰囲気中の酸素をオゾンに変換させ、処理される単結晶Ｓｉ基板および／または石英基板の表面に所定の時間の処理が施される。
【００３２】
このような表面処理が施された単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０の表面を接合面として密着させて貼り合わせる（図１（Ｆ））。上述したように、単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０の少なくとも一方の表面（接合面）は、プラズマ処理やオゾン処理などにより表面処理が施されて活性化しているために、室温で密着（貼り合せ）した状態でも後工程での機械的剥離や機械研磨に十分耐え得るレベルの接合強度を得ることができる。
【００３３】
なお、図１（Ｆ）の貼り合わせ工程に続いて、剥離工程の前に、単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０とを貼り合わせた状態で、図１（Ｄ）で図示した工程時の熱処理温度よりも低温で熱処理する工程を設けるようにしてもよい。この熱処理工程は、単結晶シリコン基板１０（に形成された酸化膜１１）と石英基板２０との接合強度を高めるという効果を得ることを主な目的とするものである。
【００３４】
この熱処理工程時の温度は、３５０℃以下とすることが好ましい。この主な理由は、上述した「マイクロキャビティ」の発生を防ぐことに加え、単結晶シリコンと石英との熱膨張係数差と当該熱膨張係数差に起因する歪量、およびこの歪量と単結晶シリコン基板１０ならびに石英基板２０の厚みを考慮したことによる。
【００３５】
なお、この熱処理には、水素イオンの注入量によっては、単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０の両基板間の熱膨張係数差に起因する熱応力を生じさせてイオン注入層１２内のシリコン原子の化学結合を弱化させるという副次的な効果も期待できる。
【００３６】
このような処理に続いて、貼り合わされた基板に何らかの手法により外部衝撃を付与して単結晶シリコンのバルク１４からシリコン膜１３を機械的に剥離して、石英基板２０上に酸化膜１１を介して設けられたＳＯＩ膜が得られる（図１（Ｇ））。なお、シリコン薄膜の剥離のための外部からの衝撃付与の手法としては種々のものがあり得るが、本実施例ではこの剥離は加熱なしに実行している。
【００３７】
このようにして得られたＳＯＩ膜の剥離後の表面の１０μｍ×１０μｍの領域を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定したところ、ＲＭＳの平均値は５ｎｍ以下と良好であった。また、ＳＯＩ膜の基板面内バラつき（ＰＶ）は４ｎｍ以下であった。このような比較的平滑な剥離面が得られる理由は、従来の熱剥離とは剥離メカニズムが異なるためである。
【実施例２】
【００３８】
本実施例は、シリコン基板１０の主面に酸化膜を設ける場合の厚みについて検討した例である。
【００３９】
図２は、本発明のＳＯＩ基板の製造方法で用いられる単結晶Ｓｉ基板の貼り合わせ面の様子の概要を説明するための断面図（図２（Ａ））、および剥離して得られたシリコン膜を備えたＳＯＩ基板の断面概略図（図２（Ｂ））である。
【００４０】
図２（Ａ）に図示されているように、単結晶Ｓｉ基板１０の一方主面（貼り合わせ面）には膜厚ｔoxのシリコンの酸化膜１１が設けられており、基板表面近傍には水素のイオン注入層１２が平均イオン注入深さＬで形成されている。本実施例においては、石英基板と貼り合わせた後のシリコン薄膜の剥離工程中での転写欠陥やスリップ転位の発生を抑制するために、酸化膜１１の膜厚ｔoxを０．２μｍ以上に設定している。
【００４１】
単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０とを貼り合わせた後の剥離工程では、図２（Ａ）中に符号１２で示した平均イオン注入深さＬの位置でシリコン薄膜の剥離が生じ、このシリコン薄膜が石英基板２０上に酸化膜１１を介して転写されてＳＯＩ膜１３となる（図２（Ｂ））。
【００４２】
ところが、石英基板２０の貼り合わせ面は理想的な完全平坦面というわけではなく、微視的なラフネスを有していたり、貼り合わせ面上に微小なパーティクル等が付着していたりするために表面凹凸が生じている状態にある。このような貼り合わせ面をもつ石英基板２０と単結晶Ｓｉ基板１０とを接合させると、石英基板２０の表面凹凸等を反映して貼り合わせ面内で局所的な「隙間」が生じ、その結果として局所的に歪が集中し易い領域が発生する。
【００４３】
従来法であれば、接合強度を高めるための「本接合」工程で比較的高温の熱処理が施され、この熱処理工程中で石英基板２０面と酸化膜１１との接合面におけるＳｉとＯの原子再配列が局所的に生じて歪集中は緩和される傾向にあるが、本発明のように一貫した低温プロセスでＳＯＩ基板を作製する場合にはこのような原子再配列に基づく局所的歪緩和を生じさせる熱エネルギが外部から付与されることはないから、単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０とを貼り合わせ、外部から衝撃を付与するなどしてシリコン薄膜を剥離すると、石英基板２０の表面凹凸等を反映した局所的な歪集中によってスリップ転位や転写不良などの欠陥が生じるといった不都合が生じる。
【００４４】
本発明のＳＯＩ基板の製造方法では、シリコン基板と石英基板との間の熱膨張係数差に起因する熱歪（熱応力）の発生を抑えることを目的として低温プロセスを採用するため、従来法のような両基板の接合強度向上を目的とした比較的高温での熱処理を採用せず、その代わりに、酸化膜１１の膜厚ｔoxを０．２μｍ以上と厚く設定することで単結晶シリコン基板側から剥離される薄膜に十分な機械的強度をもたせ、かつ比較的厚膜の酸化膜に歪を吸収・緩和させることで、剥離工程中での転写欠陥の発生を抑制している。
【００４５】
本発明において酸化膜１１の膜厚ｔoxを０．２μｍ以上に設定する主な理由は、単結晶Ｓｉ基板側から剥離される薄膜（すなわち、酸化膜とシリコン膜）の総厚を厚くして機械的強度を高めることおよび酸化膜に歪を吸収・緩和させることで剥離工程での「転写欠陥」の発生を抑制するためである。なお、本発明において選択される０．２μｍ以上という酸化膜の厚みは、貼り合わせ界面から発生する転写欠陥やスリップ転位等をシリコン薄膜にまで到達させないために有効なものとして経験的に得られた値である。
【００４６】
シリコン膜を剥離して石英基板上に転写する際に単結晶Ｓｉ基板側から剥離される薄膜の機械的強度は、厚みｔSi（＝Ｌ）のシリコン薄膜と厚みｔoxの酸化膜の合計膜厚に依存するから、シリコン薄膜と酸化膜の合計膜厚（ｔSi+ｔox）が厚いほど、ボイドなどの「転写欠陥」の剥離工程での発生を抑制することができる。
【００４７】
例えば、酸化膜１１の厚みが０．１μｍ程度と薄い場合には、この酸化膜１１と石英基板２０の貼り合わせ面との間にパーティクルが介在等して貼り合わせ面内で局所的な「隙間」が生じた場合に、当該領域で局所的に歪が集中し易いためにこれを基点として転写欠陥やスリップ転位が発生し易いが、酸化膜１１の厚みを０．２μｍ以上とした場合には、歪が酸化膜１１中で緩和されてその上に設けられるシリコン膜（ＳＯＩ膜）への応力負荷が軽減されることとなる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、ＳＯＩ基板の製造プロセスの低温化、ＳＯＩ膜の面荒れの抑制、高品質ＳＯＩ基板の提供を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明のＳＯＩ基板の製造方法のプロセス例を説明するための図である。
【図２】本発明のＳＯＩ基板の製造方法で用いられる単結晶Ｓｉ基板の貼り合わせ面の様子の概要を説明するための断面図（Ａ）、および剥離して得られたシリコン膜を備えたＳＯＱ基板の断面概略図（Ｂ）である。
【符号の説明】
【００５０】
１０  シリコン基板
１１  酸化膜
１２  イオン注入層
１３  シリコン膜
１４  単結晶シリコンのバルク
２０  石英基板
【図１】
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【図２】
2008153411.tif 000004