(57)【要約】【課題】レーザ光を精度良く被トリミング部に照射することができるとともに、被トリミング部を安定して切断することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】レーザ光により切断され得る被トリミング部と、被トリミング部の位置を検出するためにレーザ光が照射され得るアライメントマーク部と、を基板上に備え、被トリミング部およびアライメントマーク部はそれぞれ複数の金属含有層が積層された構成になっており、アライメントマーク部を構成する複数の金属含有層のそれぞれの層の材質および積層順序は、被トリミング部の層構成から最上層が欠如した層構成のそれぞれの層の材質および積層順序に一致し、アライメントマーク部の最上面の少なくとも一部が外部に露出している半導体装置とその製造方法である。【選択図】図１
2008103404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光により切断され得る被トリミング部と、前記被トリミング部の位置を検出するためにレーザ光が照射され得るアライメントマーク部と、を基板上に備え、
前記被トリミング部および前記アライメントマーク部はそれぞれ複数の金属含有層が積層された構成になっており、
前記アライメントマーク部を構成する複数の金属含有層のそれぞれの層の材質および積層順序は、前記被トリミング部の層構成から最上層が欠如した層構成のそれぞれの層の材質および積層順序に一致し、
前記アライメントマーク部の最上面の少なくとも一部が外部に露出していることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記被トリミング部の最上層の金属含有層が窒化チタンを主成分とすることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記被トリミング部の最上層の金属含有層の厚さが８０ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記被トリミング部の最下層および前記アライメントマーク部の最下層がチタンを含むことを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記被トリミング部の最下層および前記アライメントマーク部の最下層がチタンとタングステンとの合金または窒化チタンを主成分とすることを特徴とする、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記アライメントマーク部の最上層はアルミニウムを含むことを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置を製造する方法であって、前記基板上に複数の金属含有層を積層する工程と、前記金属含有層の一部を除去することによって前記被トリミング部および前記アライメントマーク部の前駆体を形成する工程と、前記被トリミング部および前記前駆体を覆う被覆層を形成する工程と、前記前駆体の最上層を除去することによって前記アライメントマーク部を形成する工程と、前記被覆層の一部を除去することによって前記アライメントマーク部の最上面の少なくとも一部を外部に露出させる工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記前駆体の最上層の除去と、前記被覆層の一部の除去と、が１つの工程で行なわれることを特徴とする、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記金属含有層の一部が除去されることによって前記被トリミング部および前記前駆体とともに配線層が形成されることを特徴とする、請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、レーザ光を精度良く被トリミング部に照射することができるとともに、被トリミング部を安定して切断することができる半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路装置のような半導体装置の特性の調整および不良回路ブロックと冗長回路ブロックとの置き換えにおいては、ポリシリコンまたは金属からなる被トリミング部（ヒューズ）が用いられている。被トリミング部は、ＩＣ（Integral Circuit）内のトランジスタのゲート電極、抵抗層または配線層等に用いられているポリシリコン層または金属層と同時に形成され、遮断したい配線に被トリミング部を挿入するだけの簡単な構成で半導体装置の特性の調整等が可能であることから多く用いられている。
【０００３】
被トリミング部が挿入された配線を遮断するためには、レーザリペア装置を用いて、レーザ光を被トリミング部に照射し、被トリミング部を切断する必要があり、レーザ光が照射される被トリミング部の位置を検出するために被トリミング部の周辺にはアライメントマーク部が形成されている。
【０００４】
被トリミング部とアライメントマーク部との相対的な位置関係は半導体装置の設計データから把握できるものの、レーザリペア装置においてこれらの正確な位置関係が把握される必要がある。そのため、次のような方法によって被トリミング部の位置が検出されている。
【０００５】
まず、アライメントマーク部の近傍にレーザ光を照射し、その反射光の強度からアライメントマーク部の正確な位置を検出する。そして、検出されたアライメントマーク部の位置から、被トリミング部とアライメントマーク部との相対的な位置関係を用いて被トリミング部の位置が検出される。
【０００６】
たとえば図１２に示すように、半導体基板２０６上にＬＯＣＯＳ(Local Oxidation of Silicon)によって形成された酸化シリコンからなるＬＯＣＯＳ層２０４と、保護層２０３と、が順次積層されており、保護層２０３上にアライメントマーク部２０１と被トリミング部２０２とを備えた半導体装置を用いて、被トリミング部の位置の検出方法を簡単に説明する。ここで、アライメントマーク部２０１と被トリミング部２０２とは５００μｍの距離をあけて配置されている。
【０００７】
このような構成の半導体装置において、まず、レーザ光２０５によりアライメントマーク部２０１上をスキャンし、アライメントマーク部２０１上で正確にフォーカスを合わせることでレーザ光２０５の深度を調整するとともに、アライメントマーク部２０１の位置をアライメントマーク部２０１の最上層で反射したレーザ光２０５の反射光２０５ａから正確に検出する。
【０００８】
次に、検出されたアライメントマーク部２０１から被トリミング部２０２までレーザ光の照射領域を５００μｍ移動させた後に被トリミング部２０２にレーザ光が照射されることで、被トリミング部２０２のレーザ光の照射部が切断される。
【０００９】
次に、図１３を用いて、従来の半導体装置の構成および製造方法の一例について説明する。ここでは、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）またはバイポーラトランジスタ等の素子を形成する工程は省略し、素子間を結ぶ配線層とレーザ光により切断される被トリミング部とアライメントマーク部に関わる部分について主に説明する。
【００１０】
まず、半導体基板１０１上に６００ｎｍ程度の厚さのＬＯＣＯＳ層１０２を形成する。次に、ＬＯＣＯＳ層１０２上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって形成された酸化シリコンまたはＢＰＳＧ(Borophosphosilicate glass)からなる保護層１０３を形成する。続いて、スパッタリングによってＡｌＣｕ（アルミニウムと銅との合金）層およびＴｉＮ（窒化チタン）層を順次積層し、その後、フォトリソグラフィによるフォトレジストのパターンニングおよびＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によるドライエッチングを行なうことによって、素子間を結ぶ配線層１０４が必要な箇所に形成される。
【００１１】
次に、第１層間層１０５、第２層間層１０６および第３層間層１０７をＣＶＤ法または塗布法等によって順次積層する。続いて、スパッタリングによってＡｌＣｕ層およびＴｉＮ層を順次積層し、その後、フォトリソグラフィによるフォトレジストのパターンニングおよびエッチング等を行なうことによって、被トリミング部１０９とアライメントマーク部１１０とが１つの工程で形成される。
【００１２】
続いて、ＰＳＧ（Phosphosilicate Glass）層およびＳｉＮ（窒化シリコン）層を順次積層することによって、第１被覆層１１１および第２被覆層１１２を形成する。その後、被トリミング部１０９の上方およびアライメントマーク部１１０の上方に位置する第２被覆層１１２をそれぞれ除去することによって、開口部１１３および開口部１１４を形成する。ここで、開口部１１３を形成するのは、被トリミング部１０９をレーザ光により切断するためである。
【特許文献１】特開２００５−１９６２２号公報
【特許文献２】特開昭５９−１５４０３８号公報
【特許文献３】特開２００３−１６３２６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上述したように、被トリミング部１０９とアライメントマーク部１１０とは１つの工程で形成する方が有利である。これは、被トリミング部１０９とアライメントマーク部１１０とを１つの工程で形成することによって、被トリミング部１０９とアライメントマーク部１１０の位置のばらつきを低減することができるとともに、製造コストを低減することができるためである。
【００１４】
被トリミング部１０９の製造工程についてさらに詳細に説明すると、スパッタリングによってＡｌＣｕ層およびＴｉＮ層を順次積層した後、ＴｉＮ層の表面全面にフォトレジストを塗布し、露光機により露光し、現像してフォトレジストのパターンニングを行なう。しかしながら、露光の際に、ＡｌＣｕ層からの反射光によってフォトレジストがくびれることがあった。そこで、ＡｌＣｕ層上にＴｉＮ層を積層することによって露光時に照射される光の反射率を抑えていた。
【００１５】
図１４に、ＡｌＣｕ層上に積層されたＴｉＮ層の厚さとそれに照射される波長４３６ｎｍのレーザ光の反射率との関係を示す。図１４においては、波長４３６ｎｍの光を照射した際の反射率（％）を縦軸とし、ＴｉＮ層の厚さ（ｎｍ）を横軸としており、ＴｉＮ層の形成によって光の反射率が低下することがわかる。
【００１６】
ここで、上述したような従来の半導体装置においては、次のような問題があった。レーザ光の照射による被トリミング部１０９の切断の際には、たとえば波長１０４７ｎｍのレーザ光をアライメントマーク部１１０に照射し、その反射光を検出する。しかしながら、従来の半導体装置においては、ＡｌＣｕ層上にＴｉＮ層を積層してアライメントマーク部１１０を形成していたため、図１５に示すように、最上層となるＴｉＮ層によってそのレーザ光の反射率が低下し、アライメントマーク部１１０の正確な位置を検出することができず、被トリミング部１０９の検出位置ずれが発生するという問題があった。なお、図１５は、ＡｌＣｕ層上に積層されたＴｉＮ層の厚さとそれに照射される波長１０４７ｎｍのレーザ光の反射率との関係を示しており、縦軸は波長１０４７ｎｍのレーザ光を照射した際の反射率（％）を示し、横軸はＴｉＮ層の厚さ（ｎｍ）を示している。
【００１７】
また、ＴｉＮ層の厚さにばらつきが生じた場合には反射率もばらつくため、被トリミング部１０９の位置を正確に検出することができないという問題があった。また、ＴｉＮ層を形成しなかった場合にはアライメントマーク部１１０に照射されるレーザ光の反射率については問題はなくなるが、被トリミング部１０９の切断時のレーザ光の反射率が大きくなって、被トリミング部１０９が切断しにくくなるという問題もあった。
【００１８】
上記の問題を解決するため、たとえば特許文献１には、図１６に示すように、半導体基板３０１上に層間絶縁層３０２、アルミニウム層３０３および酸化シリコン層３０４をこの順序で積層し、アルミニウム層３０３をアライメントマーク部とした半導体装置が開示されている（特許文献１の図２参照）。このアライメントマーク部の構成によれば、アルミニウム層３０３上にＴｉＮ層が形成されていないため、ＴｉＮ層の厚さに起因する反射率のばらつきの問題が解消される。一方、被トリミング部にはＴｉＮ層が残されているためにレーザ光の反射率が抑えられ、被トリミング部の切断も安定化する。
【００１９】
しかしながら、特許文献１に開示されている半導体装置においては、アライメントマーク部となるアルミニウム層３０３上の酸化シリコン層３０４の制御が困難であり、酸化シリコン層３０４のばらつきによって反射率にばらつきが生じるという問題があった。また、アルミニウム層３０３からなるアライメントマーク部においては、アルミニウムの粒界による凹凸の影響で反射光の波形が安定しないという問題もあった。
【００２０】
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、レーザ光を精度良く被トリミング部に照射することができるとともに、被トリミング部を安定して切断することができる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、レーザ光により切断され得る被トリミング部と、被トリミング部の位置を検出するためにレーザ光が照射され得るアライメントマーク部と、を基板上に備え、被トリミング部およびアライメントマーク部はそれぞれ複数の金属含有層が積層された構成になっており、アライメントマーク部を構成する複数の金属含有層のそれぞれの層の材質および積層順序が被トリミング部の層構成から最上層が欠如した層構成のそれぞれの層の材質および積層順序に一致し、アライメントマーク部の最上面の少なくとも一部が外部に露出している半導体装置である。なお、本発明において、被トリミング部およびアライメントマーク部はそれぞれ、被トリミング部の切断が必要な際にレーザ光が照射されればよく、必ずしもレーザ光が照射されるわけではないことは言うまでもない。
【００２２】
ここで、本発明の半導体装置において、被トリミング部の最上層の金属含有層が窒化チタンを主成分とすることが好ましい。
【００２３】
また、本発明の半導体装置において、被トリミング部の最上層の金属含有層の厚さが８０ｎｍ以上であることが好ましい。
【００２４】
また、本発明の半導体装置において、被トリミング部の最下層およびアライメントマーク部の最下層がチタン（Ｔｉ）を含むことが好ましい。
【００２５】
また、本発明の半導体装置において、被トリミング部の最下層およびアライメントマーク部の最下層がチタンとタングステンとの合金（ＴｉＷ）または窒化チタン（ＴｉＮ）を主成分とすることが好ましい。
【００２６】
また、本発明の半導体装置において、アライメントマーク部の最上層がアルミニウム（Ａｌ）を含むことが好ましい。
【００２７】
さらに、本発明は、上記のいずれかの半導体装置を製造する方法であって、基板上に複数の金属含有層を積層する工程と、金属含有層の一部を除去することによって被トリミング部およびアライメントマーク部の前駆体を形成する工程と、被トリミング部およびアライメントマーク部の前駆体を覆う被覆層を形成する工程と、アライメントマーク部の前駆体の最上層を除去することによってアライメントマーク部を形成する工程と、被覆層の一部を除去することによってアライメントマーク部の最上面の少なくとも一部を外部に露出させる工程と、を含む、半導体装置の製造方法である。
【００２８】
なお、本発明の半導体装置の製造方法において、アライメントマーク部の前駆体の最上層を除去することによってアライメントマーク部を形成する工程と、被覆層の一部を除去することによってアライメントマーク部の最上面の少なくとも一部を外部に露出させる工程と、の順序は特に限定されない。また、これらの工程は、１つの工程で行なわれることが好ましい。
【００２９】
また、本発明の半導体装置の製造方法においては、金属含有層の一部が除去されることによって被トリミング部およびアライメントマーク部の前駆体とともに配線層が形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、レーザ光を精度良く被トリミング部に照射することができるとともに、被トリミング部を安定して切断することができる半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。また、本明細書において、化学式は、その化学式で表わされる材料の構成元素のみが表わされており、その構成元素の組成比については記載が省略されている。また、本発明に用いられる材料は必ずしも化学量論組成を満たしている必要はない。
【００３２】
図１に、本発明の半導体装置の一例の模式的な断面図を示す。この半導体装置は、半導体基板１、ＬＯＣＯＳ層２、保護層３、第１配線層４、第１窒化シリコン層５、ＳＯＧ（Spin On Glass）層６、酸化シリコン層７、第２配線層８、被トリミング部１０、アライメントマーク部１１、酸窒化シリコン層１２および第２窒化シリコン層１３を含んでいる。そして、この半導体装置においては、被トリミング部１０の上方に位置する第２窒化シリコン層１３が除去された部分である第１開口部１４とアライメントマーク部１１の上方に位置する酸窒化シリコン層１２および第２窒化シリコン層１３が除去された部分である第２開口部１５とが形成されている。
【００３３】
以下、図１に示す本発明の半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２の模式的断面図に示すように、半導体基板１上にＭＯＳＦＥＴやバイポーラトランジスタ等の素子（図示せず）および抵抗層（図示せず）等を形成すると同時に、たとえば厚さ６００ｎｍ程度のＬＯＣＯＳ酸化膜からなるＬＯＣＯＳ層２を形成する。ここで、ＬＯＣＯＳ層２上にさらにたとえば厚さ１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の窒化シリコン層を形成することが好ましい。この場合には、被トリミング部１０の直下の硬度を向上させることができるため、被トリミング部１０の切断時の半導体基板１側へのダメージを低減することができる傾向にある。
【００３４】
次に、図３の模式的断面図に示すように、ＬＯＣＯＳ層２の表面全面にたとえば厚さ４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のＣＶＤ酸化膜またはＢＰＳＧ膜等からなる保護層３を形成する。
【００３５】
続いて、図４の模式的断面図に示すように、保護層３の表面全面に、スパッタリングにより、たとえば厚さ４０ｎｍのＴｉ層４ａ、たとえば厚さ１５０ｎｍのＴｉＮ層４ｂ、たとえば厚さ４００ｎｍのＡｌＣｕ層４ｃ、たとえば厚さ１０ｎｍのＴｉ層４ｄ、およびたとえば厚さ１５０ｎｍのＴｉＮ層４ｅをこの順序に積層する。
【００３６】
その後、フォトリソグラフィによってパターンニングされたフォトレジストの形成、Ｔｉ層４ａ、ＴｉＮ層４ｂ、ＡｌＣｕ層４ｃ、Ｔｉ層４ｄおよびＴｉＮ層４ｅのそれぞれの層の一部のエッチングならびにフォトレジストの除去を行なうことによって、図５の模式的断面図に示すように、Ｔｉ層４ａ、ＴｉＮ層４ｂ、ＡｌＣｕ層４ｃ、Ｔｉ層４ｄおよびＴｉＮ層４ｅの積層構造体が所定の形状にパターンニングされた第１配線層４が形成される。
【００３７】
次いで、図６の模式的断面図に示すように、たとえばプラズマＣＶＤ法により形成された第１窒化シリコン層５、たとえば塗布法により形成されたＳＯＧ層６、およびたとえばＴＥＯＳ（Tetra-ethoxy-silane）ガスを用いて形成された酸化シリコン層７をこの順序で積層する。
【００３８】
続いて、図７の模式的断面図に示すように、第１窒化シリコン層５、ＳＯＧ層６、および酸化シリコン層７の一部を除去することによって空隙であるスルーホール１６が形成される。そして、そのスルーホール１６を金属等の導電材料によって埋める。
【００３９】
次に、図８の模式的断面図に示すように、酸化シリコン層７の表面全面に、スパッタリングにより、金属含有層として、たとえば厚さ１００ｎｍのＴｉ層１７、たとえば厚さ６００ｎｍのＡｌＣｕ層１８、およびたとえば厚さ８０ｎｍのＴｉＮ層１９をこの順序で積層する。ここで、Ｔｉ層１７の代わりに、たとえば、ＴｉＷ層、またはＴｉ層とＴｉＮ層の積層体を用いてもよい。また、ＡｌＣｕ層１８の代わりに、たとえばＡｌＳｉ層またはＡｌＳｉＣｕ層を用いてもよい。
【００４０】
その後、フォトリソグラフィによってパターンニングされたフォトレジストの形成、Ｔｉ層１７、ＡｌＣｕ層１８およびＴｉＮ層１９のそれぞれの層の一部のエッチングならびにフォトレジストの除去を行なうことによって、図９の模式的断面図に示すように、第２配線層８、被トリミング部１０およびアライメントマーク部の前駆体１１ａを形成する。ここで、第２配線層８、被トリミング部１０およびアライメントマーク部の前駆体１１ａは１つの電気回路に含まれており、この電気回路と第１配線層４を含む電気回路とがスルーホール１６を埋めた導電材料によって電気的に接続されている。
【００４１】
次に、図１０の模式的断面図に示すように、第２配線層８、被トリミング部１０およびアライメントマーク部の前駆体１１ａを覆うようにして、酸窒化シリコン層１２および第２窒化シリコン層１３をこの順序で積層することによって、酸窒化シリコン層１２と第２窒化シリコン層１３とからなる被覆層を形成する。
【００４２】
その後、フォトリソグラフィによるフォトレジストのパターンニングおよびエッチングを行なうことによって、図１１の模式的断面図に示すように、第２配線層８、被トリミング部１０およびアライメントマーク部の前駆体１１ａのそれぞれの上方に位置する第２窒化シリコン層１３を除去する。
【００４３】
最後に、フォトリソグラフィによってパターンニングされたフォトレジストの形成およびエッチングを行なうことによって、第２配線層８およびアライメントマーク部の前駆体１１ａのそれぞれの上方に位置する酸窒化シリコン層１２が除去され、これに引き続いて、第２配線層８およびアライメントマーク部の前駆体１１ａのそれぞれの最上層であるＴｉＮ層１９が除去される。ここで、アライメントマーク部の前駆体１１ａの最上層であるＴｉＮ層１９が除去されることによって、アライメントマーク部１１が形成され、図１に示す構成の半導体装置が形成される。なお、第２配線層８の最上層であるＴｉＮ層１９が除去されることによって露出した第２配線層８のＡｌＣｕ層１８の表面はパッド部として用いることができる。また、第２配線層８は、ＭＯＳＦＥＴやバイポーラトランジスタ等の素子間を電気的に結ぶ配線として機能し得る。
【００４４】
図１に示す構成の半導体装置においては、被トリミング部９およびアライメントマーク部１１はそれぞれ複数の金属含有層が積層された構成になっているとともに、アライメントマーク部１１を構成する複数の金属含有層のそれぞれの層の材質および積層順序（Ｔｉ層１７／ＡｌＣｕ層１８）が、被トリミング部９の層構成から最上層（ＴｉＮ層１９）が欠如した層構成のそれぞれの層の材質および積層順序（Ｔｉ層１７／ＡｌＣｕ層１８）に一致している。そして、開口部１５において、アライメントマーク部１１の最上面の少なくとも一部が外部に露出している構成となっている。
【００４５】
このような構成の本発明の半導体装置においては、アライメントマーク部１１に反射防止層として機能するＴｉＮ層が形成されていないだけでなく、アライメントマーク部１１の上方に被覆層（酸窒化シリコン層１２と第２窒化シリコン層１３との積層体）も形成されていない。したがって、高融点金属からなる下地のＴｉ層１７によって原子の配向性が向上して凹凸が抑制されたＡｌＣｕ層１８の表面が露出することになる。このような凹凸が抑制されたＡｌＣｕ層１８の表面においては、レーザ光の反射率が高く、反射光の波形も安定することになる。
【００４６】
したがって、被トリミング部９の位置検出の際に照射されるレーザ光はアライメントマーク部１１のＡｌＣｕ層１８の表面に直接照射されることになるため、特許文献１に記載の方法と比べて、レーザ光の反射率が向上するとともに、その反射光の波形も安定する。その結果として、被トリミング部９の位置検出の精度が向上し、レーザ光を精度良く被トリミング部９に照射することができるようになる。
【００４７】
また、本発明の半導体装置においては、被トリミング部９の最上層にはＴｉＮ層１９が形成されているために、切断用のレーザ光がＴｉＮ層１９によく吸収され、被トリミング部９を安定して切断することができる。
【００４８】
なお、上述したように、被トリミング部９の最上層およびアライメントマーク部１１の前駆体１１ａの最上層にＴｉＮ層１９を用いた場合には、被トリミング部９を安定して切断することができるとともに、アライメントマーク部１１の前駆体１１ａの最上層のＴｉＮ層１９のみＲＩＥによって除去することが容易であり、アライメントマーク部１１へのダメージを抑えてＴｉＮ層１９を除去することができる点で好ましい。アライメントマーク部１１へのダメージが大きい場合には、アライメントマーク部１１のＡｌＣｕ層１８の表面状態を安定化させても、そのダメージによってレーザ光の反射光の波形が不安定になって、被トリミング部９の位置検出精度が低下するおそれがある。
【００４９】
また、本発明において、被トリミング部９の最上層を構成するＴｉＮ層１９は８０ｎｍ以上の厚さを有していることが好ましい。被トリミング部９の最上層を構成するＴｉＮ層１９の厚さが８０ｎｍ未満である場合には、ＴｉＮ層１９の厚さによって反射率がばらつく傾向にあるため、被トリミング部９の位置検出精度が低下するおそれがある。
【００５０】
また、被トリミング部９の最上層を構成するＴｉＮ層１９の厚さが８０ｎｍ未満である場合には、たとえば図１５に示すように、被トリミング部９の反射率が高くなってしまうため、被トリミング部９の切断用のレーザ光のエネルギも高くする必要がある。その結果、被トリミング部９の切断時に被トリミング部９の下方の層にダメージが入りやすくなる。
【００５１】
また、被トリミング部９の最上層を構成するＴｉＮ層１９の厚さが８０ｎｍ未満である場合には、たとえば図１５に示すように、ＴｉＮ層１９の厚さのばらつきによる反射率の変動も大きくなるため、切断に適切なレーザ光のエネルギがＴｉＮ層１９の領域において大きく相違し得る。その結果、被トリミング部９のある領域では切断に適切なレーザ光のエネルギが他の領域では不適切となる場合があるため、被トリミング部９の切断の安定性が悪化する傾向にある。
【００５２】
また、本発明において、被トリミング部９の最下層およびアライメントマーク部１１の最下層を構成する金属含有層がＴｉを含むことが好ましい。被トリミング部９の最下層にＴｉを含む層を設けた場合には、被トリミング部９が単層のＡｌＳｉ層またはＡｌＣｕ層からなる場合よりも被トリミング部９の切断が容易となり、かつ、最下層が原子の拡散を抑制するバリアメタルとしての機能を発揮する傾向にある。また、アライメントマーク部１１の最下層にＴｉを含む層を設けた場合には、その最下層上に積層される層の表面状態が向上し、アライメントマーク部１１の反射光が安定化して、被トリミング部９位置検出精度が向上する傾向にある。また、被トリミング部９の最下層およびアライメントマーク部１１の最下層を構成するＴｉを含む金属含有層としてＴｉＷを用いた場合には上記の傾向が大きくなる点でより好ましく、ＴｉＮを用いた場合には上記の傾向がさらに大きくなる点でさらに好ましい。
【００５３】
ここで、（１）最下層を形成しない場合、（２）最下層にＴｉＷを用いた場合、および（３）最下層にＴｉＮを用いた場合について、最下層上に積層された層の表面の凹凸を比較すると、（３）、（２）、（１）の順で最下層上に積層される層の表面の凹凸が抑制される傾向にあった（（３）が最も表面の凹凸が抑制され、（１）が最も表面の凹凸が抑制されなかった）。
【００５４】
また、本発明において、アライメントマーク部１１の最上層はＡｌを含んでいることが好ましい。アライメントマーク部１１の最上層が主要金属（最上層に含まれる金属のうち最も原子数の多い金属）としてＡｌを含んでいる場合には、Ａｌ以外の金属を主要金属として含んでいる場合と比べてレーザ光の反射率が大きくなるため、被トリミング部９の位置検出精度が向上する傾向にある。
【００５５】
また、本発明においては、アライメントマーク部１１の前駆体１１ａの最上層の除去と、被覆層（酸窒化シリコン層１２と第２窒化シリコン層１３との積層体）の一部の除去と、が１つの工程で行なわれることが好ましい。この場合には、工数を減少することができるため、製造コストを低減することができる傾向にある。
【００５６】
また、本発明において、金属含有層の一部が除去されることによって、被トリミング部９およびアライメントマーク部１１の前駆体１１ａとともに、第２配線層８等の配線層が形成されることが好ましい。この場合にも、製造コストを低減することができる傾向にある。
【００５７】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明によれば、レーザ光を精度良く被トリミング部に照射することができるとともに、被トリミング部を安定して切断することができる半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の半導体装置の一例の模式的な断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の一例の一部を図解する模式的な断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の一例の一部を図解する模式的な断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の一例の一部を図解する模式的な断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法の一例の一部を図解する模式的な断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法の一例の一部を図解する模式的な断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法の一例の一部を図解する模式的な断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法の一例の一部を図解する模式的な断面図である。
【図９】本発明の半導体装置の製造方法の一例の一部を図解する模式的な断面図である。
【図１０】本発明の半導体装置の製造方法の一例の一部を図解する模式的な断面図である。
【図１１】本発明の半導体装置の製造方法の一例の一部を図解する模式的な断面図である。
【図１２】被トリミング部の位置の検出方法と被トリミング部の切断方法を図解する模式図である。
【図１３】従来の半導体装置の一例の模式的な断面図である。
【図１４】ＡｌＣｕ層上に積層されたＴｉＮ層の厚さとそれに照射される波長４３６ｎｍの光の反射率との関係を示す図である。
【図１５】ＡｌＣｕ層上に積層されたＴｉＮ層の厚さとそれに照射される波長１０４７ｎｍのレーザ光の反射率との関係を示す図である。
【図１６】従来の半導体装置の他の一例の模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１，１０１，２０６，３０１  半導体基板、２，１０２，２０４  ＬＯＣＯＳ層、３，１０３，２０３  保護層、４  第１配線層、４ａ，４ｄ，１７  Ｔｉ層、４ｂ，４ｅ，１９  ＴｉＮ層、４ｃ，１８  ＡｌＣｕ層、５  第１窒化シリコン層、６  ＳＯＧ層、７，３０４  酸化シリコン層、８  第２配線層、１０，１０９，２０２  被トリミング部、１１，１１０，２０１  アライメントマーク部、１１ａ  前駆体、１２  酸窒化シリコン層、１３  第２窒化シリコン層、１４  第１開口部、１５  第２開口部、１６  スルーホール、１０４  配線層、１０５  第１層間層、１０６  第２層間層、１０７  第３層間層、１１１  第１被覆層、１１２  第２被覆層、１１３，１１４  開口部、２０５  レーザ光、２０５ａ  反射光、３０２  層間絶縁層、３０３  アルミニウム層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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