(57)【要約】【課題】低温での光半導体素子の封止を可能とし、しかも優れた耐熱性および耐光性を付与することのできる光半導体素子保護用ガラス材料組成物およびそれを用いた光半導体装置を提供する。【解決手段】光半導体素子を封止し保護するために用いられる光半導体素子保護用ガラス材料組成物であって、ガラス材料を主成分とし、バインダー成分としてシリコーン樹脂を含有するものである。そして、上記光半導体素子保護用ガラス材料組成物を用いて光半導体素子を封止し、保護することにより得られる光半導体装置である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子を封止し保護するために用いられる光半導体素子保護用ガラス材料組成物であって、ガラス材料を主成分とし、バインダー成分としてシリコーン樹脂を含有することを特徴とする光半導体素子保護用ガラス材料組成物。
【請求項２】
上記ガラス材料が、下記の（Ａ）を含有するガラス粉末からなる請求項１の光半導体素子保護用ガラス材料組成物。
（Ａ）ＳｉＯ2 、もしくは、ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 。
【請求項３】
２００℃以下における熱膨張係数が１００ｐｐｍ／℃以下である請求項１または２記載の光半導体素子保護用ガラス材料組成物。
【請求項４】
ガラス材料組成物硬化体の波長４７０ｎｍにおける全光線透過率が７０％以上である請求項１〜３のいずれか一項記載の光半導体素子保護用ガラス材料組成物。
【請求項５】
上記ガラス材料が、最大粒径１００μｍ以下で、かつ平均粒子径５〜４５μｍの範囲に設定されたガラス粉末である請求項１〜４のいずれか一項記載の光半導体素子保護用ガラス材料組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項記載の光半導体素子保護用ガラス材料組成物を用いて光半導体素子を封止し保護してなる光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種光半導体素子を封止し保護するために用いられる光半導体素子保護用ガラス材料組成物、およびそのガラス材料組成物を用いて光半導体素子が封止された光半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光半導体素子をガラス材料で封止してなる光半導体装置が知られている。このガラス材料は、封止材料として広く知られているエポキシ樹脂やシリコーン樹脂と比較して、耐光性，耐熱性に優れていることから、近年、その需要が高まりつつある大出力型，高輝度型のＬＥＤあるいはブルーレイ等の光ピックアップ用光半導体素子の封止材料としてその使用が有望視されている。
【０００３】
しかし、ガラス材料を用いて光半導体素子を封止するには、ガラス材料を軟化させて所望の形状に加工する必要があるが、上記ガラス材料は融点が高いために、一般的なガラス加工温度の条件にて光半導体素子を封止しようとすると、光半導体素子が加工時に熱によってダメージを受けてしまうという不具合が生じたり、成形加工の際に多量の熱エネルギーを必要とすることから環境や生産コストに課題が生じるという問題がある。したがって、上記のような問題を回避するために、例えば、石英ガラスとリン酸系ガラスの混合物を用いて光半導体素子等の固体素子を封止し、固体素子にダメージを与えないようにする方法が提案され一部で実行されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−２２３２２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記材料を用いて固体素子を封止したものであっても、やはりその封止時にはある程度の高温条件を必要とする。このように、従来の封止材料では、上記課題を解決するために充分であるとは言えず、低温での封止作業を実現し、優れた特性を付与することのできる光半導体素子の封止材料が切望されている。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、低温での光半導体素子の封止を可能とし、しかも優れた耐熱性および耐光性を付与することのできる光半導体素子保護用ガラス材料組成物およびそれを用いた光半導体装置の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明は、光半導体素子を封止し保護するために用いられる光半導体素子保護用ガラス材料組成物であって、ガラス材料を主成分とし、バインダー成分としてシリコーン樹脂を含有する光半導体素子保護用ガラス材料組成物を第１の要旨とする。
【０００７】
また、本発明は、上記光半導体素子保護用ガラス材料組成物を用いて光半導体素子を封止し保護してなる光半導体装置を第２の要旨とする。
【０００８】
すなわち、本発明者らは、低温での光半導体素子の封止を可能にするとともに、優れた耐熱性および耐光性を備えた光半導体素子封止用材料を得るべく鋭意検討を重ねた。その結果、主成分としてガラス材料を用いるとともに、バインダー成分としてシリコーン樹脂を用いることにより、高温での封止を行うことなく従来と同程度の温度条件にて光半導体素子を封止することが可能となり、しかも優れた耐熱性および耐光性が実現することを見出し本発明に到達した。
【発明の効果】
【０００９】
このように、本発明は、ガラス材料を主成分とし、バインダー成分としてシリコーン樹脂を含有する光半導体素子保護用ガラス材料組成物である。このため、従来の封止材料である低融点ガラス材料に比べて低温での光半導体素子の封止が可能となり、封止時の熱による光半導体素子の劣化を防止することができ、例えば、従来の射出成形機を用いての優れた生産性が付与されることとなる。このことから、優れた耐熱性および耐光性を備えた光半導体装置が得られることとなる。したがって、本発明の光半導体素子保護用ガラス材料組成物によって光半導体素子が封止，保護された光半導体装置は、信頼性および透明性に優れ、その機能を充分に発揮することができる。
【００１０】
そして、ガラス材料組成物が、２００℃以下における熱膨張係数が１００ｐｐｍ／℃以下であると、固体素子封止後の冷却過程において、熱収縮による素子へのダメージが低減され、また反りが抑制されることとなる。これによって、光半導体装置の冷熱サイクル時の熱収縮による固体素子や電極ワイヤーへのダメージが低減するという効果が得られる。
【００１１】
また、上記ガラス材料が、最大粒径１００μｍ以下で、かつ平均粒子径が５〜４５μｍの範囲に設定されたガラス粉末を用いると、ガラス材料組成物全体の粘度や透明性を適正なものに調製することが容易となり、しかも成形性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の光半導体素子保護用ガラス材料組成物（以下「ガラス材料組成物」と称す）は、ガラス材料を主成分とし、バインダー成分としてシリコーン樹脂を用いて得られるものである。本発明において、上記「ガラス材料を主成分とし」とは、実質的にガラス材料がガラス材料組成物全体の５０重量％以上を占めることをいう。
【００１３】
上記ガラス材料としては、例えば、ＳｉＯ2 、あるいはＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 を主成分とするガラス粉末があげられる。上記主成分とは、ガラス粉末が、上記ＳｉＯ2 のみ、あるいはＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 のみからなる場合も含める趣旨である。この場合、上記ＳｉＯ2 、あるいはＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 がガラス粉末の組成全体の４０重量％以上を示すことが好ましい。さらに、上記主成分とともに、ガラス粉末のアッベ数を調整するために、亜鉛，チタン，セリウム，ビスマス，鉛およびセレンを単独でもしくは２種以上併せて適宜配合し含有させてなるガラス粉末を用いることが好ましい。特に、シリコーン樹脂を硬化して得られる硬化体のアッベ数に、ガラス粉末のアッベ数を近似させるためには、亜鉛，チタンをそれぞれ単独でもしくは２種併せて用い配合し含有させることが好ましい。上記亜鉛を配合し含有させる際には、通常、ＺｎＯとして配合し、その含有率は、ガラス粉末の組成全体の１〜１０重量％の範囲に設定することが好ましい。また、上記チタンを配合し含有させる際には、通常、ＴｉＯ2 として配合し、その含有率は、ガラス粉末の組成全体の１〜１０重量％の範囲に設定することが好ましい。
【００１４】
また、上記ガラス粉末の屈折率を調整するためには、必要に応じて、さらに、Ｎａ2 Ｏ、Ｂ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ等が適宜配合されていることが好ましい。
【００１５】
そして、上記ガラス粉末は、例えば、つぎのようにして作製することができる。すなわち、上記各原料成分を溶融した後、急冷して得られたガラスフリットを、ボールミル等を用いて粉砕することにより作製することができる。得られたガラス粉末は、粉砕状ガラス粉末としてそのまま用いてもよいが、例えば、その表面をフレーム処理して球状化して球状ガラス粉末として用いることが好ましい。このような球状ガラス粉末は、表面の泡やクラック等が無く、樹脂成分とガラス粉末との界面での光散乱が少なく、得られた硬化体の光透過率を向上させることができる。
【００１６】
また、上記のようにして作製し得られたガラス粉末は、例えば、これを篩等によって所定の粒子径のものとして使用に供することがより好ましい。上記ガラス粉末の粒子径としては、ガラス材料組成物の粘度や透明性、成形時のゲート詰まり等の成形性等を考慮すると、具体的には、平均粒子径は５〜４５μｍに設定することが好ましく、より好ましくは５〜３０μｍである。また、最大粒径１００μｍ以下に設定することが好ましく、より好ましくは最大粒径は３０〜８０μｍの範囲に設定することである。なお、上記ガラス粉末の平均粒子径および最大粒径は、母集団から任意に一部のガラス粉末を抽出し、これを、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用い測定して算出することにより得られた値である。
【００１７】
上記ガラス材料の含有量は、ガラス材料組成物の熱膨張係数を考慮して、先に述べたように、ガラス材料組成物全体の５０重量％以上に設定することが好ましく、より好ましくは７０重量％以上である。
【００１８】
つぎに、バインダー成分として用いられる上記シリコーン樹脂としては、熱硬化型シリコーン樹脂であれば特に限定するものではなく、各種シリコーン樹脂が用いられるが、大別してシリコーンゴムとシリコーンレジンがあげられる。上記シリコーンレジンとしては、脱水縮合型シリコーンレジン、付加反応型シリコーンレジン、過酸化物硬化型シリコーンレジン、湿気硬化型シリコーンレジン等があげられる。そして、これら熱硬化型シリコーン樹脂のなかでも、成形時における発泡、ボイドの観点から、付加反応型シリコーンレジンを用いることがより好ましい。
【００１９】
上記シリコーン樹脂の含有量は、ガラス材料組成物の熱膨張係数および成形性の観点から、ガラス材料組成物全体の１０〜６０重量％の範囲に設定することが好ましく、より好ましくは１５〜５０重量％である。すなわち、シリコーン樹脂の含有量が上記範囲を外れ少な過ぎると、成形時におけるガラス材料組成物の流動性が低下し、未充填部等が発生する傾向がみられ、逆に上記範囲を外れ多過ぎると、熱膨張係数が大きくなり、前記した固体素子や電極ワイヤーへのダメージを与える傾向がみられるからである。
【００２０】
さらに、本発明のガラス材料組成物には、前記ガラス材料およびシリコーン樹脂以外に、必要に応じて、無機質充填剤、蛍光体、顔料等の各種の材料を適宜配合してもよい。
【００２１】
上記無機質充填剤としては、特に限定するものではなく、例えば、破砕シリカや溶融シリカ、さらにはヒュームドシリカ、チタン変性シリカ等があげられる。これら無機質充填剤の含有量は、ガラス材料組成物の熱膨張係数，成形性および屈折率等を考慮して、ガラス材料組成物全体の１０重量％以下に設定することが好ましい。
【００２２】
上記蛍光体としては、特に限定するものではなく従来公知のもの、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、テルビウム・アルミニウム・ガーネット（ＴＡＧ）系蛍光体等があげられる。
【００２３】
本発明のガラス材料組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、所定量のガラス材料およびシリコーン樹脂ならびに他の各種材料を、万能攪拌釜，混練機，２本ロールあるいは３本ロールを用いて混合する。あるいは、上記各成分をトルエン，アセトン，メチルエチルケトン，酢酸エチル等の有機溶剤に溶解し、これらを混合した後、有機溶剤を除去することにより、目的とするガラス材料組成物を製造することができる。このようにして得られたガラス材料組成物は、例えば、ナイロン（Ｒ）１２やポリプロピレン等のプラスチック製のシリンジまたは密閉カップ等に封入することにより、後述する光半導体素子の封止方式に対して用いることができる。
【００２４】
本発明のガラス材料組成物を用いて得られる硬化体は、１５０℃における熱時硬度が５０以上であることが、光半導体素子の保護の観点から好ましい。また、２００℃における熱膨張係数は内部発生応力の低減という観点から１００ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。さらには、波長４７０ｎｍにおける全光線透過率が７０％以上であることが好ましい。なお、上記熱時硬度は、例えば、試験片を作製し、これをショアーＡ硬度計を用いて測定することができる。また、上記熱膨張係数は、例えば、試験片を作製し、これを熱分析装置（ＴＭＡ）を用いて、所定の昇温速度（例えば、２℃／分）にて、室温（例えば、２５℃）から２００℃の熱膨張係数を測定することにより得られる。さらには、上記全光線透過率は、例えば、試験片を作製し、これを用い、波長４７０ｎｍの光透過率を分光光度計を使用して測定することができる。
【００２５】
このようにして得られたガラス材料組成物は、発光ダイオード，センサー等の光半導体素子の保護・封止材料として用いられる。すなわち、本発明のガラス材料組成物を用いて光半導体素子を封止して光半導体装置を得るには、従来のトランスファー成形や圧縮成形等の公知のモールド方法により行なうことができる。なお、本発明のガラス材料組成物を用いての光半導体素子の封止工程における封止条件としては、つぎのように設定することが好ましい。例えば、その温度条件としては、１２０〜１８０℃の範囲に設定することが好適である。
【００２６】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００２７】
ガラス粉末として、最大粒径７５μｍ、平均粒子径３０μｍの破砕状ガラス粉末〔屈折率１．５４０、組成および組成比率（重量％）：ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＣａＯ／Ｂ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ／ＺｎＯ＝４５／１７／１０／２０／５／３〕７０重量部（以下「部」と略す）と、シリコーン樹脂（旭化成ワッカーシリコーン社製、ＥＯ−１８０９）２９．４部とを、１００℃で１０分間攪拌した後、室温（２５℃）に冷却し、その後、さらに上記シリコーン樹脂０．６部を加え、１０分間攪拌することによりガラス材料組成物を得た。
【実施例２】
【００２８】
ガラス粉末として、最大粒径７５μｍ、平均粒子径３０μｍの破砕状ガラス粉末〔屈折率１．５４０、組成および組成比率（重量％）：ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＣａＯ／Ｂ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ／ＺｎＯ＝４５／１７／１０／２０／５／３〕６７部と、ヒュームドシリカ（トクヤマ社製、ＳＱ−１０２）３部と、シリコーン樹脂（旭化成ワッカーシリコーン社製、ＥＯ−１８０９）２９．４部とを、１００℃で１０分間攪拌した後、室温（２５℃）に冷却し、その後、さらに上記シリコーン樹脂０．６部を加え、１０分間攪拌することによりガラス材料組成物を得た。
【実施例３】
【００２９】
ガラス粉末として、最大粒径７５μｍ、平均粒子径３０μｍの球状ガラス粉末〔屈折率１．５４０、組成および組成比率（重量％）：ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＣａＯ／Ｂ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ／ＺｎＯ＝４５／１７／１０／２０／５／３〕６７部と、ヒュームドシリカ（トクヤマ社製、ＳＱ−１０２）３部と、シリコーン樹脂（旭化成ワッカーシリコーン社製、ＥＯ−１８０９）２９．４部とを、１００℃で１０分間攪拌した後、室温（２５℃）に冷却し、その後、さらに上記シリコーン樹脂０．６部を加え、１０分間攪拌することによりガラス材料組成物を得た。
【実施例４】
【００３０】
ガラス粉末として、最大粒径４５μｍ、平均粒子径１５μｍの球状ガラス粉末〔屈折率１．５４０、組成および組成比率（重量％）：ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＣａＯ／Ｂ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ／ＺｎＯ＝４５／１７／１０／２０／５／３〕６８．５部と、ヒュームドシリカ（トクヤマ社製、ＳＱ−１０２）１．５部と、シリコーン樹脂（旭化成ワッカーシリコーン社製、ＥＯ−１８０９）２９．４部とを、１００℃で１０分間攪拌した後、室温（２５℃）に冷却し、その後、さらに上記シリコーン樹脂０．６部を加え、１０分間攪拌することによりガラス材料組成物を得た。
【実施例５】
【００３１】
ガラス粉末として、最大粒径７５μｍ、平均粒子径３０μｍの球状ガラス粉末〔屈折率１．５１５、組成および組成比率（重量％）：ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＣａＯ／Ｂ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ／ＺｎＯ＝４８／２０／２．５／２３．５／３／３〕６７部と、ヒュームドシリカ（トクヤマ社製、ＳＱ−１０２）３部と、シリコーン樹脂（ワッカーシリコーン社製、Ｈ６２−Ｃ）３０部とを１５０℃で５０分間攪拌した後、室温（２５℃）に冷却することによりガラス材料組成物を得た。
【実施例６】
【００３２】
ガラス粉末として、最大粒径４５μｍ、平均粒子径１５μｍの球状ガラス粉末〔屈折率１．５１５、組成および組成比率（重量％）：ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＣａＯ／Ｂ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ／ＺｎＯ＝４８／２０／２．５／２３．５／３／３〕６８．５部と、ヒュームドシリカ（トクヤマ社製、ＳＱ−１０２）１．５部と、シリコーン樹脂（ワッカーシリコーン社製、Ｈ６２−Ｃ）３０部とを１５０℃で５０分間攪拌した後、室温（２５℃）に冷却することによりガラス材料組成物を得た。
【実施例７】
【００３３】
ガラス粉末として、最大粒径４５μｍ、平均粒子径１５μｍの球状ガラス粉末〔屈折率１．５４０、組成および組成比率（重量％）：ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＣａＯ／Ｂ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ／ＺｎＯ＝４５／１７／１０／２０／５／３〕６８．５部と、シリコーン樹脂（信越化学社製、ＳＣＲ−１０１１）１５部と、ヒュームドシリカ（トクヤマ社製、ＳＱ−１０２）１．５部とを、１００℃で１０分間攪拌した後、室温（２５℃）に冷却し、その後、さらに上記シリコーン樹脂１５部を加え、１０分間攪拌することによりガラス材料組成物を得た。
【実施例８】
【００３４】
ガラス粉末として、最大粒径７５μｍ、平均粒子径３０μｍの球状ガラス粉末〔屈折率１．５２０、組成および組成比率（重量％）：ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＣａＯ／Ｂ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ／ＺｎＯ＝４９．５／２０／２．５／２０／５／３〕７０部と、シリコーン樹脂（信越化学社製、ＳＣＲ−１０１２）１５部とを、１００℃で１０分間攪拌した後、室温（２５℃）に冷却し、その後、さらに上記シリコーン樹脂１５部を加え、１０分間攪拌することによりガラス材料組成物を得た。
【実施例９】
【００３５】
ガラス粉末として、最大粒径４５μｍ、平均粒子径１５μｍの球状ガラス粉末〔屈折率１．５２０、組成および組成比率（重量％）：ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＣａＯ／Ｂ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ／ＺｎＯ＝４９．５／２０／２．５／２０／５／３〕７０部と、シリコーン樹脂（信越化学社製、ＳＣＲ−１０１２）１５部とを、１００℃で１０分間攪拌した後、室温（２５℃）に冷却し、その後、さらに上記シリコーン樹脂１５部を加え、１０分間攪拌することによりガラス材料組成物を得た。
【実施例１０】
【００３６】
ガラス粉末として、最大粒径７５μｍ、平均粒子径３０μｍの球状ガラス粉末〔屈折率１．５３０、組成および組成比率（重量％）：ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＣａＯ／Ｂ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ／ＺｎＯ＝４６／２０／６／２０／５／３〕７０部と、シリコーン樹脂（東レ・ダウコーニング社製、ＳＲ−７０１０）１５部とを、１００℃で１０分間攪拌した後、室温（２５℃）に冷却し、その後、さらに上記シリコーン樹脂１５部を加え、１０分間攪拌することによりガラス材料組成物を得た。
【実施例１１】
【００３７】
ガラス粉末として、最大粒径４５μｍ、平均粒子径１５μｍの球状ガラス粉末〔屈折率１．５３０、組成および組成比率（重量％）：ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＣａＯ／Ｂ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ／ＺｎＯ＝４６／２０／６／２０／５／３〕７０部と、シリコーン樹脂（東レ・ダウコーニング社製、ＳＲ−７０１０）１５部とを、１００℃で１０分間攪拌した後、室温（２５℃）に冷却し、その後、さらに上記シリコーン樹脂１５部を加え、１０分間攪拌することによりガラス材料組成物を得た。
【００３８】
このようにして得られた各ガラス材料組成物を用い、その硬化体の物性（熱時硬度、熱膨張係数、全光線透過率）を下記の方法にしたがって測定・評価した。これらの結果を各配合成分の配合量とともに後記の表１〜表２に示した。
【００３９】
〔熱時硬度〕
射出成形機を用いて、１５０℃×２０分間の条件にて金型成形することにより、厚み４ｍｍ×幅１０ｍｍ×長さ１００ｍｍの試験片（硬化体）を作製し、上部金型開封直後にショアーＡ硬度計（上島製作所社製、ＨＤ−１０３Ｎ）を用いて１５０℃にて硬度を測定した。
【００４０】
〔全光線光透過率〕
射出成形機を用いて、１５０℃×２０分間の条件にて金型成形することにより、厚み１ｍｍの円盤状の試験片（硬化体）を作製し、色度計（大塚電子社製、色度ＭＣＰＤ７０００）を用いて波長４７０ｎｍにおける全光線光透過率を測定した。
【００４１】
〔熱膨張係数〕
射出成形機を用いて、１５０℃×２０分間の条件にて金型成形することにより、直径５ｍｍ×長さ１５ｍｍの円柱状の試験片（硬化体）を作製し、熱分析装置（島津製作所社製、ＴＭＡ−５０）により、２℃／分の昇温速度で、室温（２５℃）から２００℃の熱膨張係数を測定した。
【００４２】
【表１】
2008078521.tif 000002
【００４３】
【表２】
2008078521.tif 000003
【００４４】
上記結果から、各実施例品は、高い熱膨張係数を有するとともに、全光線透過率においても高い値を示した。
【００４５】
つぎに、上記のようにして作製した各ガラス材料組成物を用い、光半導体素子（プリント基板：材質＝ＦＲ−４、厚み＝０．３ｍｍ、ダミーチップ：材質＝シリコン、厚み０．３ｍｍ、サイズ＝１．５×１．５ｍｍ、チップ搭載個数＝９個／プリント基板、封止厚み＝０．８ｍｍ）を、多加良製作所社製：ＴＭＭ−３００を用いて１５０℃×２０分×９．８ＭＰａで成形封止し全てのガラス材料組成物に対して、樹脂クラックやチップクラック、あるいは固体素子との剥離が発生していないことを確認した。
【００４６】
このようにして得られた光半導体装置としては、封止作業工程が低温にて行われたため、光半導体素子に損傷を与えることもなく信頼性に優れたものが得られた。