(57)【要約】【課題】基板と可動部との固着が少ないＭＥＭＳ素子およびその簡便な製造方法を提供すること。【解決手段】ＭＥＭＳ構造体１の可動部１１は、最大可動部１５および中間可動部１４を有し、最大可動部１５とシリコン基板３との距離ｄ１は、中間可動部１４とシリコン基板３との距離ｄ２と比較して長い。最大可動部１５は、シリコン基板３方向への変位量が最大の部分を含んでいる。シリコン基板３方向への変位量が最大の部分は、シリコン基板３と接触する機会が多いが、最大可動部１５とシリコン基板３との距離が長いので、最大可動部１５がシリコン基板３と接触する機会を少なくできる。したがって、シリコン基板３との固着が起こりにくいＭＥＭＳ素子１０を得ることができる。【選択図】図１
2008200757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を酸化して形成した犠牲層を除去することによって、ＭＥＭＳ構造体の可動部が可動可能になるＭＥＭＳ素子であって、
前記ＭＥＭＳ構造体は、前記可動部と前記半導体基板に固定された基部とを有し、
前記可動部は、前記半導体基板方向への変位量が最大の部分を含む最大可動部と、
前記基部と前記最大可動部との中間位置にある中間可動部とを備え、
前記最大可動部に対向する前記半導体基板の領域のＮ型不純物濃度は、前記中間可動部に対向する前記半導体基板の領域のＮ型不純物濃度と比較して高く、
前記最大可動部と前記半導体基板との間の距離をｄ１、
前記中間可動部と前記半導体基板との間の距離をｄ２とすると、
ｄ１とｄ２とは以下の関係である
ｄ２＜ｄ１
ことを特徴とするＭＥＭＳ素子。
【請求項２】
半導体基板上に、基部を有するＭＥＭＳ構造体を備えたＭＥＭＳ素子の製造方法であって、
前記半導体基板にＮ型不純物を導入することによって、
前記ＭＥＭＳ構造体の前記半導体基板方向の変位量が最大の部分を含む最大可動部に対向する前記半導体基板の領域のＮ型不純物濃度を、
前記基部と前記最大可動部との中間位置にある中間可動部に対向する前記半導体基板の領域のＮ型不純物濃度と比較して高くする不純物領域形成工程と、
熱酸化によって前記半導体基板に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記ＭＥＭＳ構造体を前記犠牲層上に形成する工程と、
ウェットエッチング法によって前記犠牲層を除去する工程とを含む
ことを特徴とするＭＥＭＳ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板方向に変位する可動部を有するＭＥＭＳ構造体を備えたＭＥＭＳ素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  System）素子は、加速度センサー、映像デバイス等に利用され、その需要も伸びている。
ＭＥＭＳ素子は、ＭＥＭＳ構造体の可動部の変位量と変位量に連動する電気的変量とを利用して、周波数制御、スイッチング、力学量検出等に使用されている。
可動部の形成方法としては、基板に犠牲層を形成した後、犠牲層に可動部を形成し、その後、犠牲層を除去して可動部を基板から分離する方法が広く用いられている。
ここで、犠牲層を除去するのにウェットエッチング法を用いると、エッチング液との置換液である純水が、可動部と基板との間に入り込み、純水が乾燥する際に、可動部が基板側に引っ張られ、可動部が基板の表面に固着することがある。
可動部の基板に対向する面に、可動範囲制限用突起を形成し、可動部と基板表面との固着を防ぐ方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１８０２１号公報（６頁、段落番号［００３５］〜［００３８］、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、可動部の基板に対向する面に可動範囲制限用突起を形成する方法として、犠牲層をエッチングして凹部を形成した後、犠牲層に可動部を形成し、凹部に倣って可動範囲制限用突起を形成する方法が取られている。ここで、犠牲層のエッチングの精度によって、可動範囲制限用突起の形状、高さ等が決まるので、高いエッチングの制御が要求される。しかし、ウェット、ドライどちらのエッチング方法であってもエッチングの制御は難しい。また、部分的にエッチングするため、マスクやレジストが必要となり、製造工程が長くなる。
本発明の目的は、基板と可動部との固着が少ないＭＥＭＳ素子およびその簡便な製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のＭＥＭＳ素子は、半導体基板を酸化して形成した犠牲層を除去することによって、ＭＥＭＳ構造体の可動部が可動可能になるＭＥＭＳ素子であって、前記ＭＥＭＳ構造体は、前記可動部と前記半導体基板に固定された基部とを有し、前記可動部は、前記半導体基板方向への変位量が最大の部分を含む最大可動部と、前記基部と前記最大可動部との中間位置にある中間可動部とを備え、前記最大可動部に対向する前記半導体基板の領域のＮ型不純物濃度は、前記中間可動部に対向する前記半導体基板の領域のＮ型不純物濃度と比較して高く、前記最大可動部と前記半導体基板との間の距離をｄ１、前記中間可動部と前記半導体基板との間の距離をｄ２とすると、ｄ１とｄ２とは以下の関係であることを特徴とする。
ｄ２＜ｄ１
【０００６】
この発明によれば、ＭＥＭＳ構造体の可動部は、最大可動部および中間可動部を有し、最大可動部と半導体基板との距離ｄ１は、中間可動部と半導体基板との距離ｄ２と比較して長い。最大可動部は、半導体基板方向への変位量が最大の部分を含んでいる。半導体基板方向への変位量が最大の部分は、半導体基板と接触する機会が多いが、最大可動部と半導体基板との距離が長いので、最大可動部が半導体基板と接触する機会が少なくなる。したがって、半導体基板との固着が起こりにくいＭＥＭＳ素子が得られる。
【０００７】
本発明のＭＥＭＳ素子の製造方法は、半導体基板上に、基部を有するＭＥＭＳ構造体を備えたＭＥＭＳ素子の製造方法であって、前記半導体基板にＮ型不純物を導入することによって、前記ＭＥＭＳ構造体の前記半導体基板方向の変位量が最大の部分を含む最大可動部に対向する前記半導体基板の領域のＮ型不純物濃度を、前記基部と前記最大可動部との中間位置にある中間可動部に対向する前記半導体基板の領域のＮ型不純物濃度と比較して高くする不純物領域形成工程と、熱酸化によって前記半導体基板に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記ＭＥＭＳ構造体を前記犠牲層上に形成する工程と、ウェットエッチング法によって前記犠牲層を除去する工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、Ｎ型不純物濃度の高い領域の熱酸化による犠牲層は、増速酸化によって、Ｎ型不純物濃度の低い領域と比較して厚く形成される。Ｎ型不純物濃度の高い領域は、最大可動部に対応して形成するので、最大可動部と半導体基板との距離は、中間可動部と半導体基板との距離と比較して長くなる。ウェットエッチング法によって犠牲層を除去する際に、エッチング液または洗浄液の乾燥に伴う半導体基板との固着は、半導体基板方向の変位量が最大の部分を含む最大可動部で起こりやすい。ここで、最大可動部と半導体基板との距離が長いので、エッチング液または洗浄液は、表面張力によって中間可動部と半導体基板との間に移動して乾燥する。したがって、半導体基板との固着が起こりにくいＭＥＭＳ素子の製造方法が得られる。
なお、犠牲層を除去する工程には、エッチング液または洗浄液の乾燥工程が含まれる。また、ウェットエッチング法には、エッチング液を洗浄する工程が含まれていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明を具体化した実施形態および変形例について、図面に基づいて説明する。
なお、各実施形態および変形例の図面において、同じ構成要素には同じ符号を付して説明する。
【００１０】
（第１実施形態）
図１は、本発明にかかるＭＥＭＳ素子１０の実施形態を示す概略構成図である。図１（ａ）はＭＥＭＳ素子１０の概略部分平面図、図１（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断線に沿う概略部分断面図である。
【００１１】
図１（ａ）および（ｂ）において、ＭＥＭＳ素子１０は、ＭＥＭＳ構造体１と不純物拡散領域２とを備えている。そして、ＭＥＭＳ素子１０は、半導体基板であるシリコン基板３上に形成されている。
【００１２】
ＭＥＭＳ構造体１は、可動部１１と基部１２と固定部１３とを備えている。
可動部１１は、基部１２からの距離が短い位置にある中間可動部１４と、基部１２からの距離が長い位置にある最大可動部１５とを備えている。中間可動部１４と最大可動部１５とは、段差を持って連続して形成されている。中間可動部１４および最大可動部１５は略板状の形状を有している。
また、可動部１１および基部１２も、段差を持って連続して形成されており、基部１２は、固定部１３によってシリコン基板３に固定されている。したがって、可動部１１と基部１２と固定部１３とは、片持ち梁構造を構成している。
【００１３】
片持ち梁構造の可動部１１では、可動部１１の剛性等により、基部１２に近い中間可動部１４での変位量は少なく、基部１２から距離が離れるほど変位量が大きくなる。本実施形態では、基部１２からの距離が最大になる端１８付近において、シリコン基板３方向への変位量が最大になる。最大可動部１５は、シリコン基板３方向への変位量が最大の部分を含む。
【００１４】
最大可動部１５とシリコン基板３との間の距離をｄ１、中間可動部１４とシリコン基板３との間の距離をｄ２とすると、ｄ１およびｄ２は以下の関係となっている。
ｄ２＜ｄ１
可動部１１の大まかな寸法は、例えば、長さが数十μｍ、幅数μｍ、厚み０．数μｍ程度である。これらの値は、設計により自由に選択できる。
【００１５】
不純物拡散領域２は、Ｎ型不純物濃度の高い領域２１，２３と、これらの領域と比較してＮ型不純物濃度の低い領域２２とを備えている。最大可動部１５に対向するシリコン基板３には、Ｎ型不純物濃度の高い領域２１が形成されている。中間可動部１４に対向するシリコン基板３には、Ｎ型不純物濃度の低い領域２２が形成されている。領域２２には、Ｎ型不純物が注入されていなくてもよいし、Ｐ型不純物が注入されていてもよい。
固定部１３に対向するシリコン基板３の領域は、Ｎ型不純物濃度の高い領域２３となっている。
なお、不純物拡散領域２は、導電性を有していれば、駆動電極、対向電極等として用いることができる。例えば、Ｎ型不純物濃度の高い領域２１、Ｎ型不純物濃度の低い領域２２としてＰ型不純物濃度の高い領域を形成すれば、それぞれの領域を独立した電極として使用することも可能である。
【００１６】
本実施形態では、可動部１１および基部１２は、不純物を含むポリシリコンから形成されており、導電性を有している。可動部１１および基部１２は、配線１６によって図示しない他の電源、信号線、素子等に接続されている。配線１６は、可動部１１および基部１２と同様に不純物を含むポリシリコンで一体に形成されている。一方、固定部１３は、酸化シリコンで形成されている。
Ｎ型不純物濃度の高い領域２１およびＮ型不純物濃度の低い領域２２（Ｐ型不純物濃度の高い領域）を延長して形成し、配線２２２，２１１として図示しない他の電源、信号線、素子等に接続して駆動電極等として用いれば、可動部１１と対向する電極として構成することができる。この場合、Ｎ型不純物濃度の低い領域２２（Ｐ型不純物濃度の高い領域）は、電極間距離となるｄ２を短くでき、容量の大きい対向電極を構成することができる。
【００１７】
以下に、本実施形態にかかるＭＥＭＳ素子１０の製造方法を図面に基づいて説明する。
図２には、ＭＥＭＳ素子１０の製造方法のフローチャート図が示されている。また、図３には、各工程における概略断面図が示されている。
【００１８】
図２において、ＭＥＭＳ素子１０の製造方法は、不純物領域形成工程Ｓ１、犠牲層形成工程Ｓ２、ＭＥＭＳ構造体１を犠牲層２０上に形成する工程であるＭＥＭＳ構造体等形成工程Ｓ３、ウェットエッチング法によって犠牲層２０を除去する工程である犠牲層除去工程Ｓ４を含んでいる。
【００１９】
以下、図３に基づいてＭＥＭＳ素子１０の製造方法を詳しく説明する。
図３（ａ）は、不純物領域形成工程Ｓ１を示している。
不純物領域形成工程Ｓ１では、イオン打ち込み、熱拡散によって不純物であるリンをシリコン基板３に導入し、Ｎ型不純物濃度の高い領域２１，２３を形成する。Ｎ型不純物濃度の高い領域２１は、図１に示したＭＥＭＳ素子１０の最大可動部１５に対向する領域に形成する。また、図１に示した固定部１３に対向する領域にもＮ型不純物濃度の高い領域２３を形成する。Ｎ型不純物濃度が高いとは、例えば１×１０19以上の濃度である。
図１に示した中間可動部１４に対向するシリコン基板３の領域２２には、Ｎ型不純物濃度の高い領域２１よりリンを低濃度注入するか、注入しなくてもよい。Ｎ型不純物濃度が低いとは、例えば１×１０16〜１０17の濃度である。
最大可動部１５に対向するシリコン基板３の領域２１のＮ型不純物濃度を、中間可動部１４に対向するシリコン基板３の領域２２のＮ型不純物濃度と比較して高く形成すればよい。
また、Ｎ型不純物濃度の低い領域２２には、Ｎ型不純物の代わりにＰ型不純物であるボロン等を注入してもよい。
これらの領域２１，２２，２３の不純物濃度を高くすることにより、駆動電極等の電極として利用することが可能である。この場合、図１に示した配線２２２，２１１も同時に形成することができる。
この工程により、不純物拡散領域２が形成される。
【００２０】
図３（ｂ）は、犠牲層形成工程Ｓ２を示している。
犠牲層形成工程Ｓ２は、酸素の豊富な雰囲気中でシリコン基板３を加熱することによって行う。本実施形態では、犠牲層２０の一部を図１に示した固定部１３として利用する。
例えば、酸素濃度９５％、水素濃度５％の雰囲気中、９００℃で１時間加熱を行う。加熱によって、シリコン基板３は酸化されるが、Ｎ型不純物濃度の高い領域２１，２３は、増速酸化によって膜厚の厚い酸化シリコンが形成される。Ｎ型不純物濃度の低い領域２２では、１００ｎｍの酸化シリコンが形成されるのに対し、Ｎ型不純物濃度の高い領域２１，２３では、１５０ｎｍ〜２００ｎｍの酸化シリコンが形成される。したがって、図３（ｂ）に示すように、厚さの異なる犠牲層２０が形成される。犠牲層２０の厚みは、不純物領域形成工程Ｓ１において、注入するＮ型不純物濃度を変えることによって変えることができる。目的とする厚みにしたがってＮ型不純物濃度を変える。
【００２１】
図３（ｃ）は、ＭＥＭＳ構造体等形成工程Ｓ３を示している。
ＭＥＭＳ構造体等形成工程Ｓ３では、犠牲層２０上に可動部１１、基部１２および図１に示した配線１６を形成する。可動部１１、基部１２および配線１６は、減圧ＣＶＤ法によりポリシリコン膜を形成することによって得られる。このとき、導電性を得るためにリンを導入する。
ＭＥＭＳ構造体等形成工程Ｓ３は、よく知られたフォトリソ工程によって行うことができる。
【００２２】
図３（ｄ）は、犠牲層除去工程Ｓ４を示している。
犠牲層除去工程Ｓ４では、ウェットエッチング法により犠牲層２０をエッチングし除去する。このとき、固定部１３は残してエッチングする。エッチング後には純水等でエッチング液を除去する。
以上の製造工程を含む製造方法によって、ＭＥＭＳ素子１０が得られる。
【００２３】
ＭＥＭＳ素子１０の作動の様子を図１（ｂ）に基づいて説明する。
図１（ｂ）において、可動部１１がシリコン基板３方向へ変位したときの様子を点線で示した。また、ｄ１＝ｄ２として可動部１１を形成した場合に、可動部１１が変位した場合を２点鎖線で示した。
本実施形態のｄ２＜ｄ１の場合に可動部１１が変位すると、中間可動部１４と最大可動部１５との境界１７または最大可動部１５の端１８がシリコン基板３に接触することになる。したがって、点か線での接触となる。
一方、ｄ１＝ｄ２の場合の可動部１１が変形すると、可動部１１の先端部１９がシリコン基板３の大きな面積にわたって接触する。
【００２４】
以下、本実施形態の効果を記載する。
（１）ＭＥＭＳ構造体１の可動部１１は、最大可動部１５および中間可動部１４を有し、最大可動部１５とシリコン基板３との距離ｄ１は、中間可動部１４とシリコン基板３との距離ｄ２と比較して長い。最大可動部１５は、シリコン基板３方向への変位量が最大の部分を含んでいる。シリコン基板３方向への変位量が最大の部分は、シリコン基板３と接触する機会が多いが、最大可動部１５とシリコン基板３との距離ｄ１はｄ２より長いので、最大可動部１５がシリコン基板３と接触する機会をｄ１＝ｄ２の場合と比較して少なくできる。したがって、シリコン基板３との固着が起こりにくいＭＥＭＳ素子１０を得ることができる。
【００２５】
（２）Ｎ型不純物濃度の高い領域２１，２３の熱酸化による犠牲層２０は、増速酸化によって、Ｎ型不純物濃度の低い領域２２と比較して厚く形成される。Ｎ型不純物濃度の高い領域２１は、最大可動部１５に対応して形成するので、最大可動部１５とシリコン基板３との距離ｄ１を、中間可動部１４とシリコン基板３との距離ｄ２と比較して長くできる。ウェットエッチング法によって犠牲層２０を除去する際に、エッチング液または洗浄液の乾燥に伴うシリコン基板３との固着は、シリコン基板３方向の変位量が最大の部分を含む最大可動部１５で起こりやすい。ここで、最大可動部１５とシリコン基板３との距離ｄ１が長いので、エッチング液または洗浄液は、表面張力によって中間可動部１４とシリコン基板３との間に移動して乾燥する。したがって、シリコン基板３との固着が起こりにくいＭＥＭＳ素子１０の製造方法を得ることができる。
【００２６】
（第２実施形態）
図４は、本発明にかかるＭＥＭＳ素子３０の実施形態を示す概略構成図である。図４（ａ）はＭＥＭＳ素子３０の概略部分平面図、図４（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ断線に沿う概略部分断面図である。
【００２７】
図４（ａ）および（ｂ）において、本実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態における固定部１３と基部１２とが一体となって、ＭＥＭＳ構造体１が形成されている点である。その他に、Ｎ型不純物濃度の高い領域２３が基部１２とシリコン基板３とが接しているシリコン基板３の領域以外の領域に形成されている点が異なる。
【００２８】
以下、図５に基づいてＭＥＭＳ素子３０の製造方法を説明する。
図５（ａ）は、不純物領域形成工程Ｓ１を示している。
不純物領域形成工程Ｓ１では、イオン打ち込み、熱拡散によって不純物であるリンをシリコン基板３に導入し、Ｎ型不純物濃度の高い領域２１，２３およびＮ型不純物濃度の低い領域２２を形成する。本実施形態では、Ｎ型不純物濃度の高い領域２３は、固定部１３に対応する領域外に形成する。図５においては、固定部１３に対し、紙面に向かって左側の領域に形成されている。不純物の種類および濃度は第１実施形態と同様に選択できる。
さらに、第１実施形態と異なるのは、基部１２に対応する領域にマスク３１を形成する点が異なる。マスク３１は、よく知られたフォトリソ工程によって形成する。
なお、基部１２に対向する領域にＮ型不純物濃度の高い、あるいはＰ型不純物濃度の高い領域２４を設けておいてもよい。この場合、この領域は、導電性を持たせたＭＥＭＳ構造体１の配線として利用できる。
【００２９】
図５（ｂ）は、犠牲層形成工程Ｓ２を示している。
犠牲層形成工程Ｓ２は、第１実施形態と同様に、酸素の豊富な雰囲気中でシリコン基板３を加熱することによって犠牲層２０の形成を行う。
本実施形態では、マスク３１が存在するので、基部１２に対応する領域は酸化されない。一方、マスク３１に対し、紙面に向かって左側の領域は酸化される。
【００３０】
図５（ｃ）は、マスク除去工程を示している。
本実施形態では、不純物領域形成工程Ｓ１で形成したマスク３１を取り除いた後、Ｎ型不純物濃度の高い領域２３に形成された犠牲層２０の表面にマスク３３を形成する。マスク３１を取り除いた後は、犠牲層２０にシリコン基板３が露出する穴３２が形成されることになる。
【００３１】
図５（ｄ）は、ＭＥＭＳ構造体等形成工程Ｓ３を示している。
本実施形態では、ＭＥＭＳ構造体１の図４（ｂ）に示した可動部１１、基部１２（固定部１３）および図４（ａ）に示した配線１６を形成する。基部１２は第１実施形態における固定部１３を兼ねる。
減圧ＣＶＤ法によりポリシリコン膜を犠牲層２０および穴３２に形成する。
ポリシリコン膜を形成後、マスク３３を取り除くことにより、マスク上に形成されたポリシリコン膜も取り除くことができる。
【００３２】
図５（ｅ）は、犠牲層除去工程Ｓ４を示している。
犠牲層除去工程Ｓ４では、ウェットエッチングにより犠牲層２０をエッチングし除去する。ＭＥＭＳ構造体１は、基部１２を介してシリコン基板３と接触している。
以上の製造工程を含む製造方法によって、ＭＥＭＳ素子３０が得られる。
本実施形態の作動の様子は、図１（ｂ）に示した第１実施形態と同様である。
【００３３】
以下、本実施形態の効果を記載する。
（３）第１実施形態の効果に加え、基部１２が第１実施形態における固定部１３を兼ねるので、構造がより単純で製造方法もより簡便なＭＥＭＳ素子３０を得ることができる。
【００３４】
（第３実施形態）
図６は、本発明にかかるＭＥＭＳ素子４０の実施形態を示す概略構成図である。図６（ａ）はＭＥＭＳ素子４０の概略部分平面図、図６（ｂ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ断線に沿う概略部分断面図である。
本実施形態は、第２実施形態におけるＭＥＭＳ素子３０二つを、最大可動部１５を向かい合わせて結合した両持ち梁構造となっている。製造方法は、第２実施形態と同じ方法を用いることができる。
【００３５】
ＭＥＭＳ素子４０の作動の様子を図６（ｂ）に基づいて説明する。
図６（ｂ）において、可動部１１がシリコン基板３方向へ変位したときの様子を点線で示した。また、ｄ１＝ｄ２として可動部１１を形成した場合に、可動部１１が変位した場合を２点鎖線で示した。
本実施形態のｄ２＜ｄ１の場合に可動部１１が変位すると、中間可動部１４と最大可動部１５との境界１７がシリコン基板３に接触することになる。したがって、点か線での接触となる。
一方、ｄ１＝ｄ２の場合の可動部１１が変位すると、可動部１１の中央部４１がシリコン基板３の大きな面積にわたって接触する。
【００３６】
以下、本実施形態の効果を記載する。
（４）両持ち梁構造のＭＥＭＳ素子４０においても、第１実施形態および第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３７】
（変形例）
図７は、本発明にかかるＭＥＭＳ素子５０の実施形態を示す概略構成図である。図７（ａ）はＭＥＭＳ素子５０の概略部分平面図、図７（ｂ）は同図（ａ）のＤ−Ｄ断線に沿う概略部分断面図である。
変形例では、第２実施形態におけるＮ型不純物濃度の高い領域２１とＮ型不純物濃度の低い領域２２の平面視での形状が異なる。平面視において、Ｎ型不純物濃度の低い領域２２が舌状にＮ型不純物濃度の高い領域２１に張り出した形状となっている。
本発明のＭＥＭＳ素子５０の製造方法によれば、熱酸化によって形成される犠牲層２０の形状がＭＥＭＳ構造体１の可動部１１のシリコン基板３に対向する面に反映されるので、可動部１１のシリコン基板３に対向する面の段差形状を特別な工程を経なくても変えることができる。
【００３８】
なお、本発明は前述の実施形態および変形例に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、基板として絶縁体基板にシリコン層を形成し、シリコン層に不純物拡散領域２としての領域２１，２２，２３を形成してＭＥＭＳ素子を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施形態にかかるＭＥＭＳ素子の概略部分平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断線に沿う概略部分断面図。
【図２】本発明の第１実施形態にかかるＭＥＭＳ素子の製造方法を示すフローチャート図。
【図３】本発明の実施形態にかかるＭＥＭＳ素子の製造方法の各工程における概略断面図。
【図４】（ａ）は、本発明の第２実施形態にかかるＭＥＭＳ素子の概略部分平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ断線に沿う概略部分断面図。
【図５】本発明の第２実施形態にかかるＭＥＭＳ素子の製造方法の各工程における概略断面図。
【図６】（ａ）は、本発明の第３実施形態にかかるＭＥＭＳ素子の概略部分平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ断線に沿う概略部分断面図。
【図７】（ａ）は、本発明の変形例にかかるＭＥＭＳ素子の概略部分平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＤ−Ｄ断線に沿う概略部分断面図。
【符号の説明】
【００４０】
１…ＭＥＭＳ構造体、３…半導体基板としてのシリコン基板、１０，３０，４０，５０…ＭＥＭＳ素子、１１…可動部、１２…基部、１４…中間可動部、１５…最大可動部、１８…変位量が最大の部分である端、２０…犠牲層、２１…Ｎ型不純物濃度の高い領域、２２…Ｎ型不純物濃度の低い領域。
【図１】
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【図２】
2008200757.tif 000004
【図３】
2008200757.tif 000005
【図４】
2008200757.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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