(57)【要約】 【課題】  半導体装置を配線基板に実装するに際して、電極同士のフリップチップ接合と、半導体装置と配線基板との樹脂封着を同時に一括して確実に行う。【解決手段】  突出して並設された電極を有する下側基板１と上側基板２とが対向して該電極同士が接合される接合用基板１００であって、該電極１０、２０は、柱状をなす金属製のバンプからなり、溝状隙間３を介して封止樹脂からなる樹脂層１１、２１に周りを取り囲まれているように接合用基板１００を構成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
突出して並設された電極を有する下側基板と上側基板とが対向して該電極同士が接合される接合用基板であって、
該電極は、柱状をなす金属製のバンプからなり、溝状隙間を介して封止樹脂からなる樹脂層に周りを取り囲まれている
ことを特徴とする接合用基板。
【請求項２】
該下側基板の下電極は、高さが該下側基板の下樹脂層の厚さよりも高くなっており、
該上電極は、高さが該上側基板の上樹脂層の厚さよりも低くなっている
ことを特徴とする請求項１記載の接合用基板。
【請求項３】
該溝状隙間は、隣接する隙間同士が連通溝を通して連なり、最終端の溝状隙間は、基板外部に開口している
ことを特徴とする請求項１記載の接合用基板。
【請求項４】
請求項１記載の下側基板の上に上側基板をフェースダウンで対向させて、下電極と下樹脂層とのそれぞれと上電極と上樹脂層とのそれぞれとを対向させ、
真空雰囲気中で上下の該基板を押圧して上下の電極同士を当接させ、
該電極同士をフリップチップ接合する温度に加熱して接合させるとともに、上下の該樹脂層同士を軟化、粘着させ、
次いで、該樹脂層の硬化温度まで昇温して上下の該樹脂層同士を完全硬化させる
ことを特徴とする基板の接合方法。
【請求項５】
請求項１記載の下側基板は配線基板からなり、上側基板は半導体素子が形成された半導体チップからなる
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合用基板とその接合方法に係わり、特に半導体素子のチップを配線基板に実装するに際して、半導体素子と基板の電極同士の接合と、チップと配線基板との封着とを同時に一括して行うことができる接合用基板とその接合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小形化、高密度化にともなって、電子機器に搭載する電子部品の実装技術の進展が著しい。なかでも、半導体装置や多層配線基板などの小形化、高密度実装を実現するために、半導体チップと配線基板との接続技術が重要になっている。
【０００３】
半導体装置の小形化は、半導体素子のチップの小形化が素子の高密度、高性能化を指向している一方で、チップを配線基板に実装した、いわゆる半導体パッケージの薄型化も電子機器としての小形化に必須の重要な課題となっている。
【０００４】
半導体パッケージの薄型化が進展するに伴って、チップと配線基板との間隙はますます狭くなっており、特に半導体素子と配線基板との電極を金属バンプにしてフリップチップ方式で接合したあとに、チップと配線基板との間隙に封止樹脂を注入して封着することが困難になってきている。加えて、チップや配線基板に設ける電極のピッチも微細化しているために、封止樹脂の注入が一層困難になっている。
【０００５】
その結果、半導体素子と配線基板との電極同士を接合した後に、封止樹脂をデスペンサなどによってチップと配線基板との間隙に注入する、いわゆる後入れを行うと、封入樹脂はチップと配線基板との狭い隙間と、隣接する電極同士の狭い隙間との両方の狭い隙間に阻まれてしまう。その結果、封止樹脂は行き場を失って一様に流れ込まず間隙内にボイドが発生し易いという不具合がある。
【０００６】
そこで、こうしたボイドの発生を防ぐために、電極同士の接合と、チップと配線基板との封着とをどのような手順で行うかに対して、いろいろな提案がなされている。
【０００７】
その例として、基板表面に突出して設けられた電極と電極の周囲部に面一に設けられた樹脂層を利用し、基板同士を対面させて電極同士と樹脂層同士を同時に一括して接合と封着を行う、いわゆる、先アンダーフィル方式か、あるいは先に樹脂層同士を接触させて電極同士を接合する方法が知られている。
【０００８】
ところで、電極のフリップチップ接合という観点からすると、最も一般的なＳｎ−Ａｇ系鉛フリーはんだを用いて溶融接合を行う場合には、融点は２２０℃前後であり、リフロー温度の最高値は、２５０℃程度となる。また、ＡｕまたはＣｕなどのめっきバンプによる固相拡散を行う場合には、一般的に２００℃以上の高い温度が必要とされる。
【０００９】
ところが、一般的な半硬化または未硬化の封止樹脂では、１００℃〜１５０℃程度で流動性が生じる。その結果、電極となるバンプを形成する金属の溶融、未溶融に関わらず、電極間の金属接合が十分になされる前に、電極間の間隙に封止樹脂が挟まってしまう不具合が生じる。
【００１０】
そのため、こうした方法では、電極接合の際の加熱温度によって封止樹脂が軟化し流動して電極の先端に回り込んでしまうために、電極同士の接合が達成されなかったり、電極同士の接続不良を起こす不具合があった。
【００１１】
そこで、電極同士の接合に加熱や加圧を用いず、エネルギー波やイオンビームなどによって金属接合面の洗浄、活性化によって低温で接続できるようにした方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【００１２】
また、相対する位置にバンプが形成された両配線基体を熱硬化性樹脂を介在させて加熱状態で圧接し、超音波振動を印加してバンプ接合部に固相拡散相を形成することによって電極接合を行う。その接合完了まで、熱硬化性樹脂層がゲル化しないようにして、樹脂が接合部に噛み込まないようにする（例えば、引用文献２参照）。
【００１３】
さらに、図６は電極と樹脂層との構成の従来例を示したもので、図６（Ａ）に示した少なくとも一方の半導体６の表面に電極６０が設けられており、図６（Ｂ）において、隣接する電極６０の隙間に樹脂を充てんし、図６（Ｃ）に示したように樹脂と電極６０の表面を面一にして電極６０の表面を露出してから樹脂をエッチングし、図６（Ｄ）に示したように少なくとも一方の半導体６の表面の電極６０を樹脂層６１の表面から突出させる。そして、先ず両半導体の電極６０同士を接触させて加圧して電極表面の接触部を押し拡げる。そのあと、樹脂層６１の表面同士を接触させる（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特許第２７９１４２９号公報
【特許文献２】特開２００１−２９８１４６号公報
【特許文献３】特開２００３−２４９６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
このように、半導体素子を配線基板の上に実装するに際して、半導体素子に設けられた電極と配線基板上に設けられた電極とを確実に接合し、しかも半導体素子のチップを配線基板上に確実に封着させる方法がいろいろ提案されている。
【００１５】
しかし、半導体素子の高密度化や半導体パッケージの薄形化に伴う電極間ピッチやチップと配線基板との間隙の狭小化によって、電極同士をフリップチップ方式によって接合することと、チップを配線基板上に樹脂封着することとを同時に一括して確実に行うことが困難になっている。
【００１６】
そこで本発明は、基板に突設した電極を取り囲むように溝状隙間を介して熱硬化性の樹脂層を設けた基板同士をフェースダウンで対向させて電極同士と樹脂層同士を当接させ、加圧、加熱して、電極同士の接合と樹脂層同士の封着とを一括して行い、安定した確実なフリップチップ接合を実現する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題は、請求項１記載の突出して並設された電極を有する下側基板と上側基板とが対向して該電極同士が接合される接合用基板であって、電極は、柱状をなす金属製のバンプからなり、溝状隙間を介して封止樹脂からなる樹脂層に周りを取り囲まれているように構成された接合用基板によって解決される。
【００１８】
さらに、請求項２記載の該下側基板の下電極は、高さが下側基板の下樹脂層の厚さよりも高く、接合面の表面積が上側基板の上電極よりも大きくなっており、上電極は、高さが上側基板の上樹脂層の厚さよりも低くなっているように構成された請求項１記載の接合用基板によって解決される。
【００１９】
つまり、接合する上下の基板から突出している電極を従来のドーム状ではなく柱状になるようにしている。そして、電極を取り囲むようにして周りを溝状隙間を介して封止樹脂からなる樹脂層を設けるようにしている。
【００２０】
下側基板では下電極の高さが下樹脂層の厚さより高く、上側基板では上電極の高さが上樹脂層の厚さより低くなるようにし、上下の電極同士の接合面積は、下電極の方が上電極より広くなるようにしている。
【００２１】
このような接合用基板の接合方法は、請求項５において、請求項１記載の下側基板の上に上側基板をフェースダウンで対向させて、下電極と下樹脂層とのそれぞれと上電極と上樹脂層とのそれぞれとを対向させ、真空雰囲気中で上下の基板を押圧して上下の電極同士を当接させ、電極同士をフリップチップ接合する温度に加熱して接合させるとともに、上下の樹脂層同士を軟化、粘着させ、次いで、樹脂層の硬化温度まで昇温して上下の樹脂層同士を完全硬化させるように構成された基板の接合方法によって解決される。
【００２２】
つまり、上下の基板を対向させて真空雰囲気中で押圧し、電極同士がフリップチップ接合する温度に加熱するとともに、樹脂層同士を軟化させ、粘着させる。これは、樹脂層を形成する封止樹脂に熱硬化樹脂を用い、樹脂層を硬化または半硬化状態にしているためで、Ｂステージと呼ばれる状態にしている。この状態では、常温では乾いて粘着性がないが加熱すると軟化して粘着性を示したあと、さらに加熱が続けば完全硬化してしまう半硬化の状態である。
【００２３】
次いで、樹脂層の硬化温度まで昇温して樹脂層同士を一体に完全硬化させる。
【００２４】
この接合工程で基板間に閉じ込められた気体は、電極の周りに設けて連通した溝状の隙間を通して基板外に脱泡される。従って、ボイドが発生することが抑止できる。
【００２５】
さらに、請求項６において、請求項１記載の下側基板は配線基板からなり、上側基板は半導体素子が形成された半導体チップからなるように構成される半導体装置によって解決される。
【００２６】
つまり、下側基板が配線基板になっており、上側基板が下側の配線基板に実装される半導体素子が形成された半導体チップであれば、確実な電極同士のフリップチップ接合と従来のようなボイドの発生を抑えた基板同士の封着ができる半導体装置を構成することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本願発明によれば、例えば、半導体チップを配線基板状にフリップチップ接合するに際して、電極の接合と、チップと基板の樹脂封止を同時に行うことができる。つまり、接合に際して、封止樹脂が流れても周囲を取り巻く隙間によってバンプ間隙に入り込まないので確実なフリップチップ接合ができる。また、基板間に封じ込められた気体も連通する隙間を通って基板外に放出されてボイドの発生を防止することができる。
【００２８】
その結果、高密度、高集積化が進んで、ますますバンプの数が増大し、ピッチが微細化していく半導体チップのフリップチップ接合による半導体装置の製造工程において、本願発明は組立工程の効率化に対して多いに貢献できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図１は本願発明の接合用基板の要部の一部切欠断面斜視図、図２は本願発明の接合用基板の模式的な平面図、図３は本願発明の接合用基板を対向させた側断面図、図４は本願発明の接合用基板の模式的な製造工程図（その１）、図５は本願発明の接合用基板の模式的な製造工程図（その２）である。
【００３０】
図１は接合用基板１００のうち、図１（Ａ）は下側基板１を示し、図１（Ｂ）は上側基板２を示す。下側基板１と上側基板２との構成上の違いをよく分かるように、一部を切欠いた断面斜視図で示した。
【００３１】
図１（Ａ）において、下側の接合用基板１００では、下側基板１の上には、下電極１０が５０μｍピッチで並設されている。この下電極１０は、例えば、電解めっきによって形成されたＡｕバンプで、大きさが５０μｍ□、高さが６μｍである。
【００３２】
隣接する下電極１０同士の２５μｍの隙間には、５μｍ幅の溝状隙間３で取り囲むように、例えば、ベンゾシクロブテン（Ｃｙｃｌｏｔｅｎｅ４０２２−３５、ダウケミカル社製）が厚さ３μｍの下樹脂層１１が設けられている。この下樹脂層１１は、感光性樹脂なので、ホトレジストのようにホトリソグラフィによってパターニングすることができ、いわゆるポストベークの際に半硬化状態にすることもできる。
【００３３】
隣接する下電極１０を取り囲む下樹脂層１１は、５μｍ幅の連通溝４を通して、図示してないが並設された複数の下電極１０の両末端まで連なっている。そして、最終端は、下側基板１の外に開口している。
【００３４】
つまり、下側基板１においては、下電極１０が下樹脂層１１の表面から突出しており、ここでは、厚さ３μｍの下樹脂層１１に対して、２倍の高さ６μｍの下電極１０が設けられた構成になっている。
【００３５】
図１（Ｂ）において、上側の接合用基板１００では、上側基板２の上には、上電極２０が下電極と同じ５０μｍピッチで並設されている。この上電極２０は、例えば、電解めっきによって形成されたＡｕバンプで、大きさが２０μｍ□、高さが３μｍである。
【００３６】
隣接する上電極２０同士の隙間は３０μｍあり、５μｍ幅の溝状隙間３で取り囲むように、下側基板と同様の諸元でベンゾシクロブテン製の上樹脂層２１が厚さ６μｍで設けられている。
【００３７】
隣接する上電極２０を取り囲む上樹脂層２１は、５μｍ幅の連通溝４を通して、図示してないが並設された複数の上電極２０の両末端まで連なっている。そして、最終端は、上側基板２の外に開口している。
【００３８】
つまり、上側基板２においては、上電極２０が上側基板２１の表面から突出しているが、ここでは、厚さ６μｍの上樹脂層２１に対して、１／２の厚さ３μｍ分だけ引っ込んだ構成になっている。
【００３９】
図２は本願発明の接合用基板の模式的な平面図で、接合用基板１００を構成している下電極１０や上電極２０の配列状態とか溝状隙間３を介した下樹脂層１１や上樹脂層２１の構成要素の配置がよく分かるように示したものである。
【００４０】
つまり、柱状をなす下側基板の下電極１０や上側基板の上電極２０の表面積の寸法は、図１で説明したように異なる。しかし、平面図は図２のようになっており、下側基板１や上側基板２の周囲を取り巻くように複数の下電極１０や上電極２０が並設されている。
【００４１】
下電極１０や上電極２０の周りは溝状隙間３を介して下樹脂層１１や上樹脂層２１で覆われている。また、隣接する溝状隙間３同士は連通溝４で連なっており、下電極１０や上電極２０の最終端では連通溝４が基板１、２の外に開口している。
【００４２】
図３は本願発明の接合用基板を対向させた側断面図で、図２のＸ−Ｘで切断したものであり、下側基板１の上に上側基板２が対向した際の状態を示したものである。図３からは、柱状をなす下電極１０や上電極２０の高さや表面積の寸法関係と、下樹脂層１１や上樹脂層２１の厚さの関係、および両基板１、２を対向させて電極１１、２１同士を接合させ、樹脂層１１、２１同士を封着させる際の位置関係がよく分かる。
【００４３】
つまり、下樹脂層１１の上に上側基板２をフェースダウンで重ねると、高さが高くて表面積が広い下電極１０の上に高さが低くて表面積が狭い上電極２０が当接すると共に、膜厚の薄い下樹脂層１１に膜厚の厚い上樹脂層２１が当接する。そして、上下の溝状隙間３や連通溝４が重なってトンネル状になり連通する。
【００４４】
図４は本願発明の基板の模式的な製造工程図（その１）で下側基板の製造工程を、図５は本願発明の基板の模式的な製造工程図（その２）で上側基板の製造工程のそれぞれの要部を模式的に示す。
【００４５】
図４は、接合用基板１００のうちの下側基板１の製造工程を示し、図（Ａ）は下電極１０が設けられた下側基板１を示す。下側基板１は、例えば、セラミックスや合成樹脂などからなる半導体素子をパッケージングするための配線基板である。下電極１０は、表面が平坦な柱状のバンプで、めっきなどの成膜法で被着した金属膜をホトリソグラフィによってパターニングして形成する。本実施例では、電解めっきによって形成した膜厚：６μｍ、大きさ：２５μｍ□、ピッチ：５０μｍのＡｕバンプである。
【００４６】
図４（Ｂ）において、下電極１０が設けられた下側基板１の全面に下樹脂層１１となる熱硬化性樹脂を被着する。本実施例では、下樹脂層１１の密着性を向上させるために、下樹脂層１１の下に密着改良材５を塗布している。
【００４７】
密着改良材５としては、ＡＰ３０００（ダウケミカル社製）をスピンコートによって、膜厚：数ｎｍになるように塗布し、１００℃で１分間乾燥している。なお、密着改良材５の薄膜は、下側基板１や下電極１０の表面に残っても、後工程で行われる電極同士の接合や樹脂層同士の封着には影響しない。
【００４８】
下樹脂層１１となる樹脂が非感光性樹脂を用いる場合には、全面に被着して完全硬化状態か半硬化状態に硬化させる。そのあと、ホトレジストを塗布してレジストパターンを形成し、例えば、反応性ガスを用いたドライエッチングによってパターニングする。
【００４９】
下樹脂層１１となる樹脂が感光性樹脂を用いる場合には、全面に被着してホトリソグラフィによってパターニングしたあと、ポストベークによって完全硬化か半硬化状態に硬化させる。
【００５０】
ところで、熱硬化性樹脂の半硬化状態とは、いわゆるＢステージとも呼ばれる状態で、完全に熱硬化し終わっておらず、常温では粘着性がなくべたつかなくなるまで硬化反応が進んだ状態をいう。この状態は、例えば、紙や布などで強化した樹脂製の積層板を作る際に、未硬化の樹脂を基材に含浸させてＢステージ状態にしておき、積層するときに重層して加圧しながら再加熱すると、一旦軟化して粘着性を示したあと完全硬化して一体になることで知られる。
【００５１】
本実施例では、下樹脂層１１を構成する材料として、感光性熱硬化性樹脂のベンゾシクロブテン（ＢＣＢ、商品名：Ｃｙｃｌｏｔｅｎｅ４０２２−３５、ダウケミカル社製）を用いている。４０００ｒｐｍ、３０秒間のスピンコートで膜厚：３μｍになるように塗布する。ホットプレートで予備乾燥を７０℃、９０秒間行ったあと、８０ｍＪ／ｃｍ2 で露光を行い、５０秒間のパドル現像（現像液：ＤＳ２１００、ダウケミカル社製）を行ってパターニングした。
【００５２】
図４（Ｃ）は、下電極１０が設けられた下側基板１の上に下樹脂層１１がパターニングされた状態を示したものである。下樹脂層１１は、ホットプレートで７０℃、６０秒間乾燥したあと、窒素雰囲気中で、１７５℃、６０分間の加熱でポストベークを行って半硬化状態にし、下樹脂層１１ができ上がる。下樹脂層１１の硬化率は、約４０％である。
【００５３】
下樹脂層１１は、膜厚：３μｍであり、溝幅：５μｍの溝状隙間３を介して柱状の高さ：６μｍ、表面の大きさ：２５μｍ□の下電極１０を取り囲んでおり、隣接する溝状隙間３は順次連通溝４によって連った構成になっている。
【００５４】
図５、接合用基板１００のうちの上側基板２の製造工程を示し、図５（Ａ）は上電極２０が設けられた上側基板２を示す。上側基板２は、例えば、半導体素子が形成された半導体チップである。上電極２０は、表面が平坦な柱状のバンプで、下電極と同様に、めっきなどの成膜法で被着した金属膜をホトリソグラフィによってパターニングして形成する。本実施例では、電解めっきによって形成した膜厚：３μｍ、ピッチ：５０μｍ、大きさ：２０μｍ□、のＡｕバンプである。
【００５５】
図５（Ｂ）において、上電極２０が設けられた上側基板２の全面に上樹脂層２１となる熱硬化性樹脂を被着する。本実施例では、下樹脂層のときと同様に、ＡＰ３０００（ダウケミカル社製）を密着改良材５として数ｎｍの膜厚でスピンコートしている。この密着改良材５の薄膜は、図４で述べたように、上側基板２や上電極２０の表面に残っても、後工程で行われる電極同士の接合や樹脂層同士の封着には影響しない。
【００５６】
上樹脂層２１となる樹脂は、下樹脂層と同様に、感光性熱硬化性樹脂のＢＣＢ（商品名：Ｃｙｃｌｏｔｅｎｅ４０２２−３５、ダウケミカル社製）を用いている。１２００ｒｐｍ、３０秒間のスピンコートで膜厚：６μｍになるように塗布する。ホットプレートで予備乾燥を８０℃、９０秒間行ったあと、１４０ｍＪ／ｃｍ2 で露光を行い、６０秒間のパドル現像（現像液：ＤＳ２１００、ダウケミカル社製）を行ってパターニングした。
【００５７】
図５（Ｃ）は、上電極２０が設けられた上側基板２の上に上樹脂層２１がパターニングされた状態を示したものである。上樹脂層２１は、ホットプレートで７０℃、６０秒間乾燥したあと、窒素雰囲気中で、２１０℃、６０分間の加熱でポストベークを行って半硬化状態にし、上樹脂層２１ができ上がる。上樹脂層２１の硬化率は、約７５％である。
【００５８】
上樹脂層２１は、膜厚：６μｍであり、溝幅：５μｍの溝状隙間３を介して柱状の高さ：３μｍ、表面の大きさ：２０μｍ□の上電極２０を取り囲んでおり、隣接する溝状隙間３は順次連通溝４によって連った構成になっている。
【００５９】
こうしてでき上がった下側基板と上側基板を用いれば、下側基板の上に上側基板をフェースダウンが重ねて、電極同士の接合と基板同士の封着を一括して行うことができる。
【００６０】
下側基板１に上側基板２をフェースダウンしてフリップチップ接合するには、図３において、下側基板１の上に上側基板２をフェースダウンで重ねると、電極１０、２０の高さと、樹脂層１１、２１の膜厚とが、互い違いに構成されているので、下電極１０に上電極２０が当接し、下樹脂層１１に上樹脂層２１が当接するようになっている。
【００６１】
下電極１０ト 上電極２０とがＡｕバンプからなり、下樹脂層１１と上樹脂層２１とが感光性熱硬化性樹脂のＢＣＢ（商品名：Ｃｙｃｌｏｔｅｎｅ４０２２−３５、ダウケミカル社製）からなる。
【００６２】
まず、フリップチップ接合を行うために、下側基板１の上に上側基板２をフェースダウンで乗せた両基板１、２を、真空雰囲気中で、当接している１電極同士当たり１０ｇｆで押圧しながら１４０℃で加熱する。そうすると、Ａｕバンプ同士が接合するとともに、当接している下樹脂層１１と上樹脂層２１とが粘着性を示してタッキングを起こした状態になる。
【００６３】
引き続いて、基板１、２同士を０．５ＭＰａの押圧力で加圧しながら２５０℃で１時間加熱する。そうすると、基板間に閉じ込められている気体は溝状隙間３や連通溝４を通して基板外に放出されながら、樹脂層１１、２１同士が完全に熱硬化して基板１、２が封着される。
【００６４】
本願発明では、上で述べたように、上側基板２の上電極２０の高さを、上樹脂層２１の膜厚よりも厚く設定している。また、下側基板１の下電極１０の高さを、下樹脂層１１の膜厚よりも高く設定している。
【００６５】
従って、下側基板１に上側基板２をフェースダウンしてフリップチップ接合する際に、上樹脂層２１と下樹脂装置１１との境界面、上電極２０と下電極１０との当接面より低い位置となる。
【００６６】
つまり、このような電極の当接面と樹脂層の接触境界面との上下方向の位置関係によって、フリップチップ接合の際に、上下の樹脂層２１、１１が軟化しても上下の電極２０、１０の接合界面に樹脂が入り込むことを阻止できる。
【００６７】
本願発明は、実施例に示したように、下側基板が配線基板で上側基板が半導体チップに限定するものではなく、種々の変形が可能である。
【００６８】
また、本願発明は、上側基板が、両面に電極を有し、上側基板を挟んでさらに基板を重ねて多層に積層する構成に対しても適用することができ、種々の変形が可能である。
【００６９】
さらに、従来例で示した電極の高さや大きさ、樹脂層の厚さ、溝状隙間や連通溝の幅などは一義的に決まるものではなく、種々の変形が可能である。ただし、下側基板では、電極が樹脂層より突出しており、下側基板の電極が上側基板の電極より表面積が大きいほうが接合に際して扱い易い。
【００７０】
さらに、電極と樹脂層は、用いる材料によっていろいろな形成方法が適用できる。また、下側基板と上側基板とが同一材料である必要はなく、それによって、電極の接合や樹脂層の封着の条件には、種々の変形が可能である。ただし、上側基板の樹脂層が、下側基板の樹脂層よりも硬化反応を進めた方が接合に際して扱い易い。
【００７１】
さらに、電極や樹脂層の形成方法は実施例で例示したものに限らず、従来から知られている種々の方法が適用可能である。
【００７２】
さらに、電極の接合および樹脂層の封着は、電極や樹脂の材料に依存して真空雰囲気中に限らず窒素雰囲気中でも大気中でもよく、種々の変形が可能である。
である。
【００７３】
（付記１）  突出して並設された電極を有する下側基板と上側基板とが対向して該電極同士が接合される接合用基板であって、
該電極は、柱状をなす金属製のバンプからなり、溝状隙間を介して封止樹脂からなる樹脂層に周りを取り囲まれている
ことを特徴とする接合用基板。
【００７４】
（付記２）  該下側基板の下電極は、高さが該下側基板の下樹脂層の厚さよりも高くなっており、
該上電極は、高さが該上側基板の上樹脂層の厚さよりも低くなっている
ことを特徴とする付記１記載の接合用基板。
【００７５】
（付記３）  該下側基板の下電極は、接合面の表面積が該上側基板の上電極よりも大きくなっている
ことを特徴とする付記１記載の接合用基板。
【００７６】
（付記４）  該樹脂層が、硬化または半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる
ことを特徴とする付記１記載の接合用基板。
【００７７】
（付記５）  該溝状隙間は、隣接する隙間同士が連通溝を通して連なり、最終端の溝状隙間は、基板外部に開口している
ことを特徴とする付記１記載の接合用基板。
【００７８】
（付記６）  付記１記載の下側基板の上に上側基板をフェースダウンで対向させて、下電極と下樹脂層とのそれぞれと上電極と上樹脂層とのそれぞれとを対向させ、
真空雰囲気中で上下の該基板を押圧して上下の電極同士を当接させ、
該電極同士をフリップチップ接合する温度に加熱して接合させるとともに、上下の該樹脂層同士を軟化、粘着させ、
次いで、該樹脂層の硬化温度まで昇温して上下の該樹脂層同士を完全硬化させる
ことを特徴とする基板の接合方法。
【００７９】
（付記７）  該上側基板が、両面に突出する貫通電極を有し、
該下側基板の上に該上側基板を複数層重ねて積層していく
ことを特徴とする付記６記載の接合方法。
【００８０】
（付記８）  付記１記載の下側基板は配線基板からなり、上側基板は半導体素子が形成された半導体チップからなる
ことを特徴とする半導体装置。
【００８１】
（付記９）  該上側基板が、両面に突出する貫通電極を有し、                        該下側基板の上に該上側基板が複数層重ねて積層されている
ことを特徴とする付記８記載の半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本願発明の接合用基板の要部の一部切欠断面斜視図である。
【図２】本願発明の接合用基板の模式的な平面図である。
【図３】本願発明の接合用基板を対向させた側断面図である。
【図４】本願発明の接合用基板の模式的な製造工程図（その１）である。
【図５】本願発明の接合用基板の模式的な製造工程図（その２）である。
【図６】電極と樹脂層との構成の従来例である。
【符号の説明】
【００８３】
１  下側基板
１０  下電極                          １１  下樹脂層
２  上側基板
２０  上電極                          ２１  上樹脂層
３  溝状隙間
４  連通溝
５  密着改良材
１００  接合用基板
【図１】
2008078419.tif 000003
【図２】
2008078419.tif 000004
【図３】
2008078419.tif 000005
【図４】
2008078419.tif 000006
【図５】
2008078419.tif 000007
【図６】
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