(57)【要約】【課題】位相差層を有する液晶表示装置について良好な表示品位が得られる液晶表示装置等を提供することである。【解決手段】液晶表示装置５０は、一対の基板１１０，２１０と、一対の基板１１０，２１０の間に挟持された液晶層３００と、一対の基板１１０，２１０の少なくとも一方の基板に設けられた位相差層２２０と、上記一方の基板に設けられ位相差層２２０よりも液晶層３００側に所定パターンを有して配置された電極２２６と、電極２２６と位相差層２２０との間に位相差層２２０を覆って配置されたオーバーコート層２２２とを備える。【選択図】図１
2008275902.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
前記一対の基板の間に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板に設けられた位相差層と、
前記一方の基板に設けられ前記位相差層よりも前記液晶層側に所定パターンを有して配置された電極と、
前記電極と前記位相差層との間に前記位相差層を覆って配置されたオーバーコート層と、
を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
各画素が透過領域と反射領域とを有し、前記透過領域および前記反射領域の少なくとも一方の領域に前記位相差層が配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか１項に記載の液晶表示装置であって、
前記一方の基板に設けられ前記位相差層よりも前記基板側に配置されたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタと前記位相差層との間に前記カラーフィルタを覆って配置された別のオーバーコート層と、
をさらに備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
一対の基板の間に液晶層が挟持された液晶表示装置を製造する方法であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板に位相差層を形成し、
前記位相差層を覆ってオーバーコート層を形成し、
前記オーバーコート層を覆って導電膜を形成しパターニングすることによって電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係り、特に位相差層を有する液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＥＣＢ（Electrically  Controlled  Birefringence）方式の液晶表示装置では、液晶層を挟持する一対の基板間に形成される電界によって液晶分子の配向が制御される。例えばノーマリホワイトモードＥＣＢ方式の場合、良好な黒表示を得るために、上記基板の外側に位相差板を設けることによって電界印加時の残留位相差の解消が図られる。
【０００３】
また、基板の内側に位相差層を設けた構成の液晶表示装置が知られている。この構成によれば、位相差板を外付けした構成に比べて液晶表示装置を薄くできる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
液晶分子を配向制御する電極が液晶層を挟持する基板のそれぞれに設けられ位相差層が基板の内側に設けられた構成では、上記電極と位相差層とが同じ基板に積層される。このような構成において位相差層の直上に透明電極、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）電極を形成した場合、位相差層の形状、特性等が変化して表示品位が低下してしまう。
【０００６】
本発明の目的は、位相差層を有する液晶表示装置について良好な表示品位が得られる液晶表示装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る液晶表示装置は、一対の基板と、前記一対の基板の間に挟持された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に設けられた位相差層と、前記一方の基板に設けられ前記位相差層よりも前記液晶層側に所定パターンを有して配置された電極と、前記電極と前記位相差層との間に前記位相差層を覆って配置されたオーバーコート層と、を備えることを特徴とする。上記構成によれば、位相差層はオーバーコート層によって電極形成時に保護される。このため、位相差層の形状、特性等の変化を防止することができる。したがって、良好な表示品位が得られる。
【０００８】
各画素が透過領域と反射領域とを有し、前記透過領域および前記反射領域の少なくとも一方の領域に前記位相差層が配置されていることが好ましい。また、前記一方の基板に設けられ前記位相差層よりも前記基板側に配置されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタと前記位相差層との間に前記カラーフィルタを覆って配置された別のオーバーコート層と、をさらに備えることが好ましい。
【０００９】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、一対の基板の間に液晶層が挟持された液晶表示装置を製造する方法であって、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に位相差層を形成し、前記位相差層を覆ってオーバーコート層を形成し、前記オーバーコート層を覆って導電膜を形成しパターニングすることによって電極を形成することを特徴とする。上記構成によれば、位相差層はオーバーコート層によって電極形成時に保護される。このため、位相差層の形状、特性等の変化を防止することができる。したがって、良好な表示品位が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に図面を用いて本発明に係る実施の形態について詳細に説明する。
【００１１】
図１に実施の形態に係る液晶表示装置５０を説明する断面図を示す。液晶表示装置５０の表示領域内には複数の画素６０が例えばマトリクス配列されており、図１にはそのうちの１個の画素６０を例示している。なお、画素６０をマトリクス型以外で配列してもよい。
【００１２】
液晶表示装置５０は、対向配置された一対の基板１１０，２１０と、当該一対の基板１１０，２１０の間に挟持された液晶層３００とを含んでいる。基板１１０，２１０は、例えばガラス板等の透光性基板で構成可能である。基板１１０および基板２１０は以下に例示する種々の要素が設けられて素子基板１００および対向基板２００をそれぞれ構成する。このため、液晶層３００は素子基板１００と対向基板２００との間に挟持されているとも捉えられる。液晶層３００の厚さ、換言すれば基板１００，２００間の距離がセルギャップに対応する。
【００１３】
液晶表示装置５０では各画素６０は透過領域６２と反射領域６４とを有する半透過型に構成されている。透過領域６２ではバックライト装置４００からの出射光７２を利用して表示を行い、反射領域６４では外光を反射させ当該反射光７４を利用して表示を行う。このとき、これらの表示光７２，７４は対応する領域６２，６４において着色・調光される。両領域６２，６４の面積比は、図示の例示に限られるものではなく、種々に設定可能である。図１には液晶表示装置５０が基板１１０の外側にバックライト装置４００を含む構成を例示している。
【００１４】
ここでは透過領域６２にＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式が適用され反射領域６４にＥＣＢ（Electrically  Controlled  Birefringence）方式が適用された構成を例示するが、後述のように他の配向制御方式を適用することも可能である。
【００１５】
素子基板１００は例えば、基板１１０の液晶層３００側に、絶縁層１１２と、透過表示用共通電極１１４と、絶縁層１１６と、反射層１１８と、画素電極１２０と、不図示の配向膜とを含んでいる。
【００１６】
絶縁層１１２は、基板１１０上に配置されており、酸化シリコン、窒化シリコン等の透光性の絶縁材料で構成可能である。絶縁層１１２中には不図示の画素ＴＦＴ（Thin  Film  Transistor）等が作り込まれている。
【００１７】
透過表示用共通電極１１４は、絶縁層１１２上に配置されており、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）、ＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）等の透光性導電材料で構成可能である。図１では透過表示用共通電極１１４が各画素６０の透過領域６２に設けられた構成を例示している。これに対して、透過表示用共通電極１１４を各画素６０において反射領域６４内にも延在させてもよい。また、透過表示用共通電極１１４を複数の画素６０にまたがって延在させてもよく、また、表示領域内の全面に設けてもよい。透過表示用共通電極１１４を複数の電極で構成する場合、これら複数の透過表示用共通電極１１４を不図示の配線で接続することによって各透過領域６２へ共通の電位が供給される。
【００１８】
絶縁層１１６は、透過表示用共通電極１１４上および絶縁層１１２上に配置されており、酸化シリコン、窒化シリコン等の透光性の絶縁材料で構成可能である。
【００１９】
反射層１１８は、各画素６０の反射領域６４に設けられ、外光を反射して反射表示光７４にする。反射層１１８は絶縁層１１６上に配置されている。反射層１１８は外光（可視光）を反射可能な材料、例えばアルミニウム等で構成可能である。図１では反射層１１８が絶縁層１１６と画素電極１２０との間に配置された構成を例示しているが、例えば反射層１１８を画素電極１２０よりも液晶層３００側に設け画素電極１２０上に配置してもよい。
【００２０】
画素電極１２０は、各画素６０に設けられており、ここでは透過領域６２と反射領域６４との両方にまたがっている場合を例示する。画素電極１２０は、絶縁層１１６上および反射層１１８上に配置されている。この場合、少なくとも透過領域６２では画素電極１２０と透過表示用共通電極１１４とは絶縁層１１６を介して積層されている。画素電極１２０はＩＴＯ、ＩＺＯ等の透光性導電材料で構成可能である。画素電極１２０には透過表示用共通電極１１４に対向する位置に複数のスリット１２２が設けられている。
【００２１】
画素電極１２０は不図示の画素ＴＦＴ等と接続されている。これにより、当該画素ＴＦＴを介して、その画素６０の表示に応じた電位が画素電極１２０に供給される。なお、画素ＴＦＴに代えて、トランジスタ以外の他のスイッチング素子を用いることも可能である。透過領域６２では、各スリット１２２を通って電極１１４，１２０間に形成される電界（換言すれば電圧）が液晶層３００に印加されることによって、液晶分子の配向が制御される。
【００２２】
なお、透過表示用共通電極１１４はスリット１２２だけでなくスリット１２２に挟まれた画素電極１２０の電極部にも対向しており、これにより両電極１１４，１２０は絶縁層１１６を介して保持容量を構成している。
【００２３】
ここで、画素電極１２０が反射領域６４内にも設けられている場合、反射層１１８は導電性材料と非導電性材料とのいずれによっても構成可能である。これに対して、反射層１１８を導電性材料、例えば上記のアルミニウムで構成する場合、画素電極１２０のうちで反射領域６４内の部分を省略し当該部分を反射層１１８によって構成することも可能である。
【００２４】
不図示の配向膜は、液晶層３００中の液晶分子の配向制御用の膜であり、画素電極１２０を覆って配置されている。当該配向膜の液晶層３００側の表面はスリット１２２の長手方向に略平行に、例えば約５°〜１０°傾いた方向にラビングされている。
【００２５】
液晶表示装置５０は、基板１１０の液晶層３００とは反対側に、不図示の偏光板を含んでいる。なお、当該偏光板を素子基板１００に含めることも可能である。
【００２６】
対向基板２００は例えば、基板２１０の液晶層３００側に、遮光膜２１２と、カラーフィルタ２１４と、第１のオーバーコート層２１６と、位相差層用配向膜２１８と、位相差層２２０と、第２のオーバーコート層２２２と、マルチギャップ層２２４と、反射表示用共通電極２２６と、不図示の配向膜とを含んでいる。
【００２７】
遮光膜２１２は、基板２１０上に配置されており、基板２１０よりも遮光性の高い材料、例えば黒色顔料を含有した各種樹脂等で構成可能である。遮光膜２１２の厚さは例えば１．５μｍである。遮光膜２１２には各画素電極１２０に対向して開口部が設けられている。図１では透過領域６２と反射領域６４とのそれぞれに対して開口部が設けられた構成を例示している。これに対して、遮光膜２１２において各画素６０内で領域６２，６４を分断している部分を取り除いた構成、すなわち各画素６０において両領域６２，６４を連結した構成にしてもよい。この構成によれば、領域６２，６４をそれぞれ広くすることができ、表示光７２，７４の明るさを増大させることができる。
【００２８】
カラーフィルタ２１４は、遮光膜２１２の各開口部に設けられており、基板２１０上に配置されている。各カラーフィルタ２１４の色（色相）は、その画素６０の表示色（色相）に応じて選定されている。カラーフィルタ２１４の厚さは例えば２μｍである。図１では透過領域６２と反射領域６４とのそれぞれにカラーフィルタ２１４が設けられた構成を例示しているが、各画素６０においてカラーフィルタ２１４を両領域６２，６４にまたがって設けてもよい。また、カラーフィルタ２１４は、画素６０ごとに設けてもよいし、隣接する画素６０の表示色が同じ場合にそれらの画素６０にまたがって設けてもよい。
【００２９】
ここでは液晶表示装置５０がカラー表示用である場合を例示するが、例えばカラーフィルタ２１４を省略することによって、白黒表示用に構成することも可能である。
【００３０】
第１のオーバーコート層２１６は、遮光膜２１２上およびカラーフィルタ２１４上に配置されており、遮光膜２１２およびカラーフィルタ２１４を液晶層３００側から覆っている。第１のオーバーコート層２１６はアクリル樹脂等の透光性の絶縁材料で構成可能である。第１のオーバーコート層２１６の厚さは例えば２μｍである。図１では第１のオーバーコート層２１６が平坦化膜を兼ねる場合を例示しており、当該オーバーコート層２１６は位相差層用配向膜２１８側に平坦面を有している。
【００３１】
位相差層用配向膜２１８は第１のオーバーコート層２１６上に配置されており、位相差層用配向膜２１８上に位相差層２２０が配置されている。位相差層２２０は各画素６０の反射領域６４に設けられており、隣接する反射領域６４にまたがって設けてもよい。位相差層２２０は、反射表示光７４の位相を透過表示光７２の位相との関係において調整するために設けられている。位相差層２２０における位相差量は例えば当該層２２０の厚さの制御によって調整可能であり、これにより位相差層２２０を例えば１／２波長板（２分の１波長板）、１／４波長板（４分の１波長板）等として機能させることができる。位相差層２２０の位相差量は例えば２００ｎｍ〜４００ｎｍである。位相差層用配向膜２１８は、位相差層２２０の遅相軸方向を規定する膜である。このため、位相差層用配向膜２１８は少なくとも位相差層２２０の配置領域に設けられる。なお、図１では位相差層用配向膜２１８が反射領域６４および透過領域６２の両方に設けられた場合を例示している。位相差層用配向膜２１８の厚さは例えば５０ｎｍである。なお、図１では位相差層２２０の周縁部が遮光膜２１２に重なっている構成を例示している。
【００３２】
第２のオーバーコート層２２２は、位相差層２２０上および位相差層用配向膜２１８上に配置されており、位相差層２２０および位相差層用配向膜２１８を液晶層３００側から覆っている。第２のオーバーコート層２２２はアクリル樹脂等の透光性の絶縁材料で構成可能である。第２のオーバーコート層２２２の厚さは例えば２μｍである。図１では第２のオーバーコート層２２２が平坦化膜を兼ねる場合を例示しており、当該オーバーコート層２２２は液晶層３００側に平坦面を有している。
【００３３】
マルチギャップ層２２４は、第２のオーバーコート層２２２上に配置されており、アクリル樹脂等の透光性の絶縁材料で構成可能である。マルチギャップ層２２４は、反射領域６４に設けられており、位相差層２２０と同様の配置範囲に設けられている。すなわち、マルチギャップ層２２４と位相差層２２０とは重畳して設けられている。マルチギャップ層２２４は、反射領域６４の液晶層３００の層厚すなわちセルギャップを調整する層厚調整膜（換言すればセルギャップ調整膜）である。例えば、反射領域６４のセルギャップが透過領域６２の半分になるように、マルチギャップ層２２４の厚さが設定されている。
【００３４】
反射表示用共通電極２２６は、各画素６０の反射領域６４に設けられている。反射表示用共通電極２２６はマルチギャップ層２２４上に配置されている。例えばマルチギャップ層２２４が隣接する画素６０にまたがっている場合、当該隣接する画素６０にまたがって反射表示用共通電極２２６を設けてもよい。反射表示用共通電極２２６はＩＴＯ、ＩＺＯ等の透光性導電材料で構成可能である。各反射表示用共通電極２２６が例えば不図示の配線で接続されることによって、各反射領域６４へ共通の電位が供給される。反射領域６４では反射表示用共通電極２２６と画素電極１２０との間に形成される電界（換言すれば電圧）が液晶層３００に印加されることによって、液晶分子の配向が制御される。
【００３５】
不図示の配向膜は、液晶層３００中の液晶分子の配向制御用の膜であり、反射表示用共通電極２２６とマルチギャップ層２２４と第２のオーバーコート層２２２とを覆って配置されている。当該配向膜の液晶層３００側の表面は所定方向にラビングされている。
【００３６】
液晶表示装置５０は、基板２１０の液晶層３００とは反対側に、不図示の偏光板を含んでいる。なお、当該偏光板を対向基板２００に含めることも可能である。
【００３７】
透過領域６２における表示は例えば、液晶分子の配向制御用の上記２つの配向膜のラビング方向と上記２つの偏光板の偏光軸方向との関係によって、ノーマリブラック（Normally  Black）とノーマリホワイト（Normally  White）とのいずれにも設定可能である。反射領域６４における表示は、さらに位相差層２２０による位相差量を調整することによって、透過領域６２でのノーマリブラックまたはノーマリホワイトに合わせることが可能である。上記では位相差層２２０が反射領域６４に設けられた構成を例示したが、位相差層２２０を透過領域６２に設けることによって透過表示光７２の位相を反射表示光７４の位相との関係において調整することも可能である。
【００３８】
図２に液晶表示装置５０の製造方法、特に対向基板２００の製造方法を説明するフローチャートを示し、図３に本製造方法を説明する断面図を示す。本製造方法は例えば以下に例示する工程ＳＴ１〜ＳＴ９を含んでいる。
【００３９】
工程ＳＴ１では、基板２１０上に、開口部を有する遮光膜２１２を形成する。工程ＳＴ２では、遮光膜２１２の開口部に露出した基板２１０上にカラーフィルタ２１４を形成する。カラーフィルタ２１４が複数色ある場合、例えば各色のカラーフィルタ２１４を順次、形成すればよい。なお、工程ＳＴ１，ＳＴ２は実施順序を入れ替えてもよい。工程ＳＴ３では、遮光膜２１２上およびカラーフィルタ２１４上に第１のオーバーコート層２１６を形成する。
【００４０】
工程ＳＴ４では、第１のオーバーコート層２１６上に位相差層用配向膜２１８を形成する。工程ＳＴ５では、位相差層用配向膜２１８上の所定領域に位相差層２２０を形成する。
【００４１】
工程ＳＴ６では、位相差層２２０上および位相差層用配向膜２１８上に第２のオーバーコート層２２２を形成する。工程ＳＴ７では、第２のオーバーコート層２２２上にマルチギャップ層２２４を形成する。工程ＳＴ８では、マルチギャップ層２２４上に反射表示用共通電極２２６を形成する。工程ＳＴ９では、反射表示用共通電極２２６およびマルチギャップ層２２４を覆って第２のオーバーコート層２２２上に、液晶層３００中の液晶分子を配向制御するための配向膜（図示せず）を形成しラビングする。
【００４２】
樹脂製の遮光膜２１２は例えば次のようにして形成可能である（工程ＳＴ１）。例えば基板２１０上に樹脂膜を形成し当該樹脂膜をパターニングすることによって、上記開口部を有する遮光膜２１２を形成できる。樹脂膜の形成は、例えば液状の樹脂の塗布や樹脂フィルムの転写等によって実施可能である。樹脂膜のパターニングは、例えば上記樹脂膜が感光性を有する場合、当該感光性樹脂膜をパターン露光し現像することによって実施可能である。カラーフィルタ２１４、オーバーコート層２１６，２２２、マルチギャップ層２２４等を樹脂材料で形成する場合、遮光膜２１２について例示した上記形成方法を応用することができる（工程ＳＴ２，ＳＴ３，ＳＴ６，ＳＴ７）。上記形成方法において適宜（例えば樹脂の塗布後、現像後等）、焼成等の熱処理を実施してもよい。
【００４３】
位相差層用配向膜２１８および位相差層２２０は例えば次のようにして形成可能である（工程ＳＴ４，ＳＴ５）。まず、第１のオーバーコート層２１６上に水平配向性の配向膜材料を塗布し焼成およびラビング処理を順次施すことによって、位相差層用配向膜２１８を形成する。そして、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶と反応開始剤とを含む有機溶媒を位相差層用配向膜２１８上に塗布し、加熱により有機溶媒を取り除く。このとき、上記光反応性液晶は位相差層用配向膜２１８のラビング方向に従って配向している。次に、上記光反応性液晶に紫外線を照射してアクリル基を光重合し成膜化することによって、位相差層２２０が形成される。紫外線の未照射部分は各種薬液等によって除去する。紫外線の照射部分を選定することによって、位相差層２２０を所定領域に選択的に形成することができる。なお、位相差層用配向膜２１８および位相差層２２０を上記例示以外の方法によって形成してもよい。例えば、位相差層用配向膜２１８を光配向材料で形成することもでき、この場合ラビングが不要である。
【００４４】
反射表示用共通電極２２６は例えば次のようにして形成可能である（工程ＳＴ８）。まず、マルチギャップ層２２４上および第２のオーバーコート層２２２上に透光性導電膜２３６を形成する（図３参照）。その後、当該導電膜２３６をパターニングし、これによりマルチギャップ層２２４上に反射表示用共通電極２２６を形成する（図１参照）。透光性導電膜２３６の形成は、例えばスパッタ法によって実施可能である。透光性導電膜２３６のパターニングは、例えばフォトレジストマスクを利用した選択的なウェットエッチングによって実施可能である。
【００４５】
なお、工程ＳＴ１〜ＳＴ９において洗浄等を適宜、実施してもよい。
【００４６】
対向基板２００は、別途製造された素子基板１００とシール等によって貼り合わされる。なお、素子基板１００は例えば公知の各種方法によって製造可能である。液晶層３００は例えば浸漬注入法やＯＤＦ（One  Drop  Fill）法によって形成される。これにより、上記例示の構成を有した液晶表示装置５０を製造することができる。なお、液晶表示装置５０の各種要素は上記以外の他の方法によって形成してもよい。
【００４７】
上記のように、反射表示用共通電極２２６は透光性導電膜２３６をパターニングすることによって所定形状に形成される。また、上記のように透光性導電膜２３６と位相差層２２０との間には第２のオーバーコート層２２２が介在する。このため、位相差層２２０は第２のオーバーコート層２２２によって、反射表示用共通電極２２６の形成時に保護される。例えばエッチング液や洗浄液等の薬液から位相差層２２０が保護される。つまり、第２のオーバーコート層２２２が、反射表示用共通電極２２６の形成プロセスに対する保護膜として機能する。このため、薬液によって位相差層２２０の形状、特性等が変化するのを防止することができる。これにより、良好な表示品位が得られる。
【００４８】
ここで、透光性導電膜２３６と位相差層２２０との間には、第２のオーバーコート層２２２だけでなく、マルチギャップ層２２４も存在する。このため、両層２２２，２２４の積層膜が保護膜として機能すると捉えることも可能である。また、例えば上記例示の構成とは別途に設けられた膜等によって上記オーバーコート層を構成してもよい。
【００４９】
上記では電極１２０が画素電極であり電極１１４，２２６が共通電極である場合を例示した。これに対して、例えば電極１２０を共通電極とし電極１１４，２２６を画素電極とすることも可能である。また、上記ではＦＦＳ方式とＥＣＢ方式との組み合わせを例示したが、他の配向制御方式を適用することも可能である。例えば、画素電極１２０と共通電極１１４との両方を基板１１０に設けて液晶層３００に電界を印加する配向制御方式としてＩＰＳ（In-Plane  Switching）方式等があり、画素電極１２０と共通電極２２６とを別々の基板１１０，２１０に設けて液晶層３００に電界を印加する配向制御方式としてＴＮ（Twisted  Nematic）方式、ＶＡ（Vertical  Alignment）方式等がある。
【００５０】
ここでＶＡ方式では画素電極および共通電極にスリットを設けて液晶分子の配向を制御する構成が知られている。この配向制御用スリットは例えば上記透光性導電膜２３６に相当する透光性導電膜をパターニングすることによって形成される。このため、当該透光性導電膜と位相差層２２０との間にオーバーコート層２２２等の保護膜を設けることによって、上記効果が得られる。
【００５１】
上記では透過領域６２と反射領域６４との配向制御方式が異なる場合を例示したが、両領域６２，６４に同じ配向制御方式を適用してもよい。例えば両領域６２，６４を上記配向制御用スリットを有するＶＡ方式で構成した場合にも上記効果が得られる。
【００５２】
上記では位相差層２２０が基板２１０に設けられた構成を例示したが、位相差層２２０を基板１１０または両方の基板１１０，２１０に設けることも可能である。この場合についても、位相差層２２０と電極２２６に相当する電極との間にオーバーコート層を設けることによって、上記効果が得られる。また、上記では位相差層２２０が反射領域６４に設けられた構成を例示したが、位相差層２２０を透過領域６２または両方の領域６２，６４に設けた構成によっても透過表示光７２と反射表示光７４との間の位相調整は可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】実施の形態に係る液晶表示装置を説明する断面図である。
【図２】実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。
【図３】実施の形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
５０  液晶表示装置、６０  画素、６２  透過領域、６４  反射領域、１００  素子基板、１１０  基板、２００  対向基板、２１０  基板、２１４  カラーフィルタ、２１６，２２２  オーバーコート層、２２０  位相差層、２２４  マルチギャップ層、２２６  反射表示用共通電極、２３６  透光性導電膜、３００  液晶層。
【図１】
2008275902.tif 000003
【図２】
2008275902.tif 000004
【図３】
2008275902.tif 000005