(57)【要約】 【課題】  容量の減少なしに漏れ電流の不良率の小さい固体電解コンデンサを提供する。【解決手段】  弁作用金属または弁作用金属の電気的性質を有する化合物からなる拡面化された表面を備えた陽極体４と、拡面化された陽極体４の表面に形成された第一の酸化物誘電体層１と、第一の酸化物誘電体層１が表面に形成された陽極体の所定形状への切断により生じる陽極体露出端面に形成された第二の酸化物誘電体層３と、第一の酸化物誘電体層１上に形成された第一の導電性高分子層５と、第二の酸化物誘電体層３上に形成された第二の導電性高分子層２と、第一の導電性高分子層５および／または前記第二の導電性高分子層２の上に形成されたグラファイト層６、銀層７からなる陰極層とを有する。【選択図】  図１
2008078641.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁作用金属または弁作用金属の電気的性質を有する化合物からなる拡面化された表面を備えた陽極体と、前記拡面化された陽極体表面に形成された第一の酸化物誘電体層と、前記第一の酸化物誘電体層が表面に形成された陽極体の所定形状への切断により生じる陽極体露出端面に形成された第二の酸化物誘電体層と、前記第一の酸化物誘電体層上に形成された第一の導電性高分子層と、前記第二の酸化物誘電体層上に形成された第二の導電性高分子層と、前記第一の導電性高分子層および／または前記第二の導電性高分子層の上に形成された陰極層とを有することを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項２】
弁作用金属または弁作用金属の電気的性質を有する化合物からなる拡面化された表面を備えた陽極体と、前記拡面化された陽極体表面に形成された第一の酸化物誘電体層と、前記第一の酸化物誘電体層が表面に形成された陽極体の所定形状への切断により生じる陽極体露出端面に形成された第二の酸化物誘電体層と、前記第一の酸化物誘電体層上に形成された第一の導電性高分子層と、前記第二の酸化物誘電体層上に前記第一の導電性高分子層の少なくとも一部を介して形成された第二の導電性高分子層と、前記第一の導電性高分子層および／または前記第二の導電性高分子層の上に形成された陰極層とを有することを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記第二の導電性高分子層が前記第一の導電性高分子層よりも絶縁化が容易であることを特徴とする請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
前記第一の導電性高分子層がポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、または、それらの誘導体からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項５】
前記第二の導電性高分子層が少なくとも導電性高分子およびバインダーを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項６】
前記第二の導電性高分子層に含まれる導電性高分子がポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフラン、または、それらの誘導体から選択される少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項７】
前記第二の導電性高分子層に含まれるバインダーがアクリル、ポリウレタン、エポキシ、ポリフェノール、シリコン、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリカーボネートまたはそれらの誘導体、エーテル、ラクトン、アミドまたはラクタムの基を有する化合物、スルホン、スルホキシド、糖、糖誘導体、糖アルコール、フラン誘導体またはジアルコール、ポリアルコールから選択される少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項８】
前記陽極体が、タンタル、ニオブ、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、またはそれらの少なくとも１種の金属を含む合金もしくは化合物、ＮｂＯまたはＮｂＯを含む化合物であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体電解コンデンサに関し、特に電解質として導電性高分子を用いた固体電解コンデンサの構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性高分子を電解質として用いた固体電解コンデンサとしては、図８、図９に示すものが知られている。図８、図９は従来の固体電解コンデンサを示す断面図である。図５は従来の固体電解コンデンサ内部素子を示す図であり、図５（ａ）はその斜視図、図５（ｂ）は図５（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子５００をＡ−Ａ線で切断した断面図、図５（ｃ）は図５（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子５００をＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【０００３】
弁作用金属の陽極体４の表面に化成処理により第一の酸化物誘電体層１を形成する。第一の酸化物誘電体層１が形成された陽極体４を所定の大きさに切断した際に、切断した端面に陽極体４が露出する。この露出した陽極体４の表面に化成処理により再び酸化物誘電体層を形成し第二の酸化物誘電体層３とする。
【０００４】
次に、第一の酸化物誘電体層１と第二の酸化物誘電体層３上に第一の導電性高分子層５を形成する。さらにその周囲にグラファイト層６、銀層７からなる陰極層を形成することにより固体電解コンデンサ内部素子５００が得られる。
【０００５】
次に、固体電解コンデンサ内部素子５００の陽極体４に、陽極リード９を接続し、銀層７に陰極リード１０を接続し、外装樹脂８でモールド外装することにより固体電解コンデンサが得られる。
【０００６】
ここで、陽極体４の切断した端面に化成処理により形成された第二の酸化物誘電体層３は、切断にともなう潰れなどにより、第一の酸化物誘電体層１よりも均一性に欠ける。そのため、第一の酸化物誘電体層１に比べて絶縁性が悪い。この固体電解コンデンサ素子に電圧を印加すると、絶縁性の劣る第二の酸化物誘電体層３を通って大きな漏れ電流が流れやすい。
【０００７】
また、図９の固体電解コンデンサは三端子型固体電解コンデンサと呼ばれるものであるが、固体電解コンデンサ内部素子の構造は陽極リード９を接続する陽極体４が内部素子の両側に存在するものである。
【０００８】
特許文献１によれば、表面に酸化物誘電体層を有する陽極箔と集電陰極箔との間に多孔質セパレーターを介在させて巻回した素子を用い、定量的に化学重合を行うことによりポリピロールを巻回素子に含浸形成する固体電解コンデンサの製造方法において未化成部分を絶縁材料で被覆することが提案されている。しかし、この方法には絶縁樹脂が拡面化により生じた空孔内部に浸透し容量が減少してしまう欠点がある。また、これを改善した技術として特許文献２に第一の酸化物誘電体層が形成された陽極体の切断後の露出端面に形成された第二の酸化物誘電体層上に絶縁性樹脂層を形成する技術が提案されているがまだ改善の余地があった。さらに、非特許文献１〜５には導電性高分子の絶縁化反応について記載されている。
【０００９】
【特許文献１】特開平３−９５９１０号公報
【特許文献２】特開２００７−４２９３２号公報
【非特許文献１】F.Beck,P.Braun,and M.Oberst, Ber.Bunsenges.Phys.Chem.,91,p.9    67-974(1987年)
【非特許文献２】山本秀雄 他３名 Electrochemistry,67,p.855-861(1999年)
【非特許文献３】谷ツ田雄司 他２名 日本化学会誌，1985,p.1331-1336(1985年)
【非特許文献４】H.Tang,A.Kitani,and M.Shiotani,Electrochimica Acta,41,p.1561    -1567(1996年)
【非特許文献５】A.Zykwinska,W.Domagala,B.Pilawa and M.Lapkowski,Electrochimica Acta,50,p.1625-1633(2005年)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、容量の減少なしに漏れ電流の不良率の小さい固体電解コンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、弁作用金属または弁作用金属の電気的性質を有する化合物からなる拡面化された表面を備えた陽極体と、前記拡面化された陽極体表面に形成された第一の酸化物誘電体層と、前記第一の酸化物誘電体層が表面に形成された陽極体の所定形状への切断により生じる陽極体露出端面に形成された第二の酸化物誘電体層と、前記第一の酸化物誘電体層上に形成された第一の導電性高分子層と、前記第二の酸化物誘電体層上に形成された第二の導電性高分子層と、前記第一の導電性高分子層および／または前記第二の導電性高分子層の上に形成された陰極層とを有することを特徴とする固体電解コンデンサが得られる。
【００１２】
また、本発明によれば弁作用金属または弁作用金属の電気的性質を有する化合物からなる拡面化された表面を備えた陽極体と、前記拡面化された陽極体表面に形成された第一の酸化物誘電体層と、前記第一の酸化物誘電体層が表面に形成された陽極体の所定形状への切断により生じる陽極体露出端面に形成された第二の酸化物誘電体層と、前記第一の酸化物誘電体層上に形成された第一の導電性高分子層と、前記第二の酸化物誘電体層上に前記第一の導電性高分子層の少なくとも一部を介して形成された第二の導電性高分子層と、前記第一の導電性高分子層および／または前記第二の導電性高分子層の上に形成された陰極層とを有することを特徴とする固体電解コンデンサが得られる。
【００１３】
さらに、前記第二の導電性高分子層が前記第一の導電性高分子層よりも絶縁化が容易であることが好ましく、前記第一の導電性高分子層がポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、または、それらの誘導体からなることが好ましく、前記第二の導電性高分子層が少なくとも導電性高分子およびバインダーを含むことが好ましく、前記第二の導電性高分子層に含まれる導電性高分子がポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフラン、または、それらの誘導体から選択される少なくとも１種からなることが好ましく、前記第二の導電性高分子層に含まれるバインダーがアクリル、ポリウレタン、エポキシ、ポリフェノール、シリコン、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリカーボネートまたはそれらの誘導体、エーテル、ラクトン、アミドまたはラクタムの基を有する化合物、スルホン、スルホキシド、糖、糖誘導体、糖アルコール、フラン誘導体またはジアルコール、ポリアルコールから選択される少なくとも１種からなることが好ましく、前記陽極体が、タンタル、ニオブ、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、またはそれらの少なくとも１種の金属を含む合金もしくは化合物、ＮｂＯまたはＮｂＯを含む化合物であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、所定の大きさに第一の酸化物誘電体層を切断した時に露出する陽極体の上に形成した耐電圧の低い酸化物誘電体層を第二の導電性高分子層で覆うことにより、第二の導電性高分子層が第二の酸化物誘電体層を通る電流により絶縁化され、容量の減少なしに漏れ電流の不良率の小さい固体電解コンデンサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１６】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の固体電解コンデンサ内部素子を示す図であり、図１（ａ）はその斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子１００をＡ−Ａ線で切断した断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子１００をＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【００１７】
タンタル、ニオブ、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、またはそれらの少なくとも１種の金属を含む合金もしくは化合物、ＮｂＯまたはＮｂＯを含む化合物からなる弁作用金属または弁作用金属の電気的性質を有する化合物をエッチング等により拡面化した表面を備えた陽極体４の表面に電気化学的方法等により第一の酸化物誘電体層１を形成する。次に、第一の酸化物誘電体層が表面に形成された陽極体の所定形状への切断により生じる陽極体露出端面に電気化学的方法等により第二の酸化物誘電体層３を形成する。その後、第二の酸化物誘電体層３上に第二の導電性高分子層２を形成した後、第一の酸化物誘電体層１および第二の導電性高分子層２上に第一の導電性高分子層５を形成し、さらにグラファイト層６、銀層７を順次形成して陰極層とし固体電解コンデンサ素子を形成し、外装して固体電解コンデンサとする。
【００１８】
この第二の導電性高分子層は第一の導電性高分子層よりも絶縁化が容易であることが好ましい。ここで、第二の導電性高分子層が第一の導電性高分子層よりも絶縁化が容易であることが好ましいと記載したが非特許文献１〜５に導電性高分子の絶縁化反応についての記載があり、反応の詳細について記載されている。これらから導電性高分子の絶縁化反応は、過電圧の印加により、導電性高分子の電解酸化重合における重合電位より高い電位で起こると考えられ、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェンについて絶縁化反応の起こる電位を推定すると表１のようになる。ここで電位が低いほど絶縁化が容易となる。
【００１９】
【表１】
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【００２０】
前記第一の導電性高分子層はポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフランまたは、それらの誘導体からなることが好ましい。
【００２１】
（実施の形態２）
図２は本発明の実施の形態２の固体電解コンデンサ内部素子を示す図であり、図２（ａ）はその斜視図、図２（ｂ）は図２（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子２００をＡ−Ａ線で切断した断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子２００をＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【００２２】
実施の形態１と同様に第一の酸化物誘電体層１が表面に形成された陽極体の所定形状への切断により生じる陽極体露出端面に電気化学的方法等により第二の酸化物誘電体層３を形成した後、第二の酸化物誘電体層３の上に第一の導電性高分子層５を介して第二の導電性高分子層２を形成する。
【００２３】
ここで、第二の導電性高分子層２は第一の導電性高分子層５よりも膜厚が大きいことが好ましい。第一の導電性高分子層の膜厚は１〜５００ｎｍであることが好ましい。より好ましくは５〜１００ｎｍ、さらに好ましいのは１０〜５０ｎｍである。前記第一の導電性高分子層は内部抵抗を小さくするためになるべく膜厚を小さくするのが望ましいが、小さすぎると界面抵抗が大きくなる恐れがある。前記第二の導電性高分子層の膜厚は１〜５００μｍであることが好ましい。より好ましくは２〜１００μｍ、さらに好ましいのは５〜５０μｍである。前記第二の導電性高分子層の膜厚を大きくすることで陽極体露出端面にかかる機械ストレスを吸収させることが可能となるが、大きすぎると抵抗が大きくなる恐れがある。
【００２４】
さらに、第二の導電性高分子層は前記第一の導電性高分子層よりも導電性が低いことが好ましい。陽極体露出端面近傍のコンデンサエッジ部は電流が流れやすいためである。また、第二の導電性高分子層に導電性の低い高分子層を用いても表面を覆う第一の導電性高分子層と比較してコンデンサの抵抗値が上がりにくい。第一の導電性高分子層の導電率は１Ｓ／ｍ以上であることが好ましい。より好ましくは１０Ｓ／ｍ以上、さらに好ましいのは５０Ｓ／ｍ以上である。前記第二の導電性高分子層の導電率は１Ｓ／ｍ以上であることが好ましい。より好ましくは１０Ｓ／ｍ以上である。
【００２５】
第二の導電性高分子層の鉛筆硬度（ＪＩＳＫ５６００−５−４準拠）はＢ以上であることが好ましい。より好ましくはＨ以上、さらに好ましくは２Ｈ以上、もっとも好ましいのは３Ｈ以上である。第二の導電性高分子層が固いことにより陽極体露出端面にかかる機械的ストレスを緩和することが可能となる。
【００２６】
第一の導電性高分子層はポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフランまたは、それらの誘導体を使用することができる。
【００２７】
第二の導電性高分子層が少なくとも導電性高分子およびバインダーを含むことが好ましく、前記第二の導電性高分子層を構成するバインダーの重量比は０．１〜９０重量％が好ましい。より好ましくは１〜８０重量％、さらに好ましいのは５〜６０重量％である。バインダーの量を増やすと導電性高分子層の結合力は強化されるが導電性が著しく減少してしまうためである。
【００２８】
第二の導電性高分子層を構成する導電性高分子はポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフランまたは、それらの誘導体を使用することができる。
【００２９】
第二の導電性高分子層を構成するバインダーはアクリル、ポリウレタン、エポキシ、ポリフェノール、シリコン、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリカーボネートまたはそれらの誘導体、エーテル、ラクトン、アミドまたはラクタムの基を有する化合物、スルホン、スルホキシド、糖、糖誘導体、糖アルコール、フラン誘導体またはジアルコール、ポリアルコールまたはそれらの誘導体を使用することができる。
【００３０】
第二の導電性高分子層は前記第二の導電性高分子層を構成する導電性高分子、バインダー、添加物を溶媒中に分散させた溶液を塗布、乾燥することにより形成することができる。
【００３１】
第二の導電性高分子層を構成する導電性高分子、バインダー、添加物を溶媒中に分散させた溶液の粘度は１０ｍＰａ・ｓ以上であることが好ましい。より好ましくは５０ｍＰａ・ｓ以上、さらに好ましくは１００ｍＰａ・ｓ以上、もっとも好ましいのは２００ｍＰａ・ｓ以上である。粘度が小さいとコンデンサ素子端部に第二の導電性高分子層を形成することが困難であるからである。
【００３２】
前記第二の導電性高分子層を構成する導電性高分子、バインダー、添加物を溶媒中に分散させた溶液の固形分量は１重量％以上であることが好ましい。より好ましくは３重量％以上、さらに好ましいのは５重量％以上である。固形分量が小さいと高粘度の溶液を作製することが困難だからである。
【００３３】
（実施の形態３）
図３は本発明の実施の形態３の固体電解コンデンサ内部素子を示す図であり、図３（ａ）はその斜視図、図３（ｂ）は図３（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子３００をＡ−Ａ線で切断した断面図、図３（ｃ）は図３（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子３００をＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【００３４】
実施の形態１では陽極リードを接続する陽極体が内部素子の片側のみに存在するのに対して、実施の形態３では陽極リードを接続する陽極体４が内部素子の両側に存在する。それにより実施の形態１では陽極リードの接続が片側のみであるのに対し、実施の形態３では陽極リードの接続が両側ともにおこなう。以上の点以外は実施の形態１と構造、製造方法ともに同様である。これにより三端子型固体電解コンデンサを得る。
【００３５】
（実施の形態４）
図４は本発明の実施の形態４の固体電解コンデンサ内部素子を示す図であり、図４（ａ）はその斜視図、図４（ｂ）は図４（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子４００をＡ−Ａ線で切断した断面図、図４（ｃ）は図４（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子４００をＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【００３６】
実施の形態３では第二の酸化物誘電体層３の上に直接第二の導電性高分子層２を形成するのに対して、実施の形態４では第二の酸化物誘電体層３の上に第一の導電性高分子層５を介して第二の導電性高分子層２を形成する。以下に示す点以外は実施の形態３と構造、製造方法ともに同様にして三端子型固体電解コンデンサを得る。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明を実施例に基づき、図面を参照してさらに具体的に説明する。
【００３８】
（実施例１）
実施例１について実施の形態１の説明で用いた図１を参照して説明する。
【００３９】
エッチングにより拡面化し、結果として表面積が１００倍に拡大された厚み１００μｍのアルミニウムを陽極体４とした。陽極体４にリン酸水溶液中にて６Ｖの電圧を印加することにより第一の酸化物誘電体層１を形成した。第一の酸化物誘電体層１が形成された陽極体４を長さ１．０ｃｍ、幅０．５ｃｍの大きさに切断した。切断した端面に露出した陽極体４にリン酸水溶液中にて５Ｖの電圧を印加することにより第二の酸化物誘電体層３を形成した。
【００４０】
第二の酸化物誘電体層３の上に重量比１：１に混合したポリチオフェン、アクリル樹脂を、ジエチレングリコール中に分散させ、固形分量を５重量％、粘度を１００ｍＰａ・ｓに調整した溶液を塗布、乾燥することにより、第二の導電性高分子層２を膜厚が平均１０μｍとなるように形成した。第一の酸化物誘電体層１および第二の導電性高分子層２の上にポリチオフェンからなる第一の導電性高分子層５を化学重合により膜厚が平均１０ｎｍとなるように形成した。その上にグラファイト層６、銀層７からなる陰極層を膜厚がそれぞれ１０μｍとなるようにインクジェット塗布により順次形成して固体電解コンデンサ内部素子１００を得た。
【００４１】
固体電解コンデンサ内部素子１００の陽極体４に陽極リードを、銀層７に陰極リードをそれぞれ接続して外装樹脂によりモールドすることにより固体電解コンデンサを得た。
【００４２】
（実施例２）
実施例２について実施の形態２の説明で用いた図２を参照して説明する。  
【００４３】
実施例１では第二の酸化物誘電体層３の上に直接第二の導電性高分子層を形成したのに対して、実施例２では第二の酸化物誘電体層３の上に第一の導電性高分子層５を介して第二の導電性高分子層２を形成した。以下に示す点以外は実施例１と構造、製造方法ともに同様である。
【００４４】
第一の酸化物誘電体層１および第二の導電性高分子層２の上にポリチオフェンからなる第一の導電性高分子層５を化学重合により膜厚が平均１０ｎｍとなるように形成した。重量比１：１に混合したポリチオフェン、アクリル樹脂を、ジエチレングリコール中に分散させ、固形分量を５重量％、粘度を１００ｍＰａ・ｓに調整した溶液を塗布、乾燥することにより、第二の酸化物誘電体層３の上に第一の導電性高分子層５を介して第二の導電性高分子層２を膜厚が平均１０μｍとなるように形成した。
【００４５】
（実施例３）
実施例３について実施の形態３の説明で用いた図３を参照して説明する。
【００４６】
実施例１では陽極リードを接続する陽極体が内部素子の片側のみに存在するのに対して、実施例３では陽極リード９を接続する陽極体４が内部素子の両側に存在する。それにより実施例１では陽極リードの接続が片側のみであるのに対し、実施例３では陽極リード９の接続が両側ともに行った。以上の点以外は実施例１と構造、製造方法ともに同様である。これにより三端子型固体電解コンデンサを得た。
【００４７】
（実施例４）
実施例４について実施の形態４の説明で用いた図４を参照して説明する。
【００４８】
実施例３では第二の酸化物誘電体層の上に直接第二の導電性高分子層を形成するのに対して、実施例４では第二の酸化物誘電体層３の上に第一の導電性高分子層５を介して第二の導電性高分子層を形成する。以下に示す点以外は実施例３と構造、製造方法ともに同様である。
【００４９】
第一の酸化物誘電体層１および第二の導電性高分子層２の上にポリチオフェンからなる第一の導電性高分子層５を化学重合により膜厚が平均１０ｎｍとなるように形成した。重量比１：１に混合したポリチオフェン、アクリル樹脂を、ジエチレングリコール中に分散させ、固形分量を５重量％、粘度を１００ｍＰａ・ｓに調整した溶液を塗布、乾燥することにより、第二の酸化物誘電体層３の上に第一の導電性高分子層５を介して第二の導電性高分子層２を膜厚が平均１０μｍとなるように形成した。
【００５０】
（比較例１）
比較例１について図５を参照しながら説明する。図５は従来技術による比較例１の固体電解コンデンサ内部素子を示す図であり、図５（ａ）はその斜視図、図５（ｂ）は図５（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子５００をＡ−Ａ線で切断した断面図、図５（ｃ）は図５（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子５００をＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【００５１】
実施例１では第二の導電性高分子層２を形成するのに対して、比較例１では第二の導電性高分子層２を形成しない。以上の点以外は実施例１と構造、製造方法ともに同様である。これにより固体電解コンデンサを得た。
【００５２】
（比較例２）
以下、比較例２について、図６を参照しながら説明する。図６は従来技術を基にした比較例２の固体電解コンデンサ内部素子を示す図であり、図６（ａ）はその斜視図、図６（ｂ）は図６（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子６００をＡ−Ａ線で切断した断面図、図６（ｃ）は図６（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子６００をＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【００５３】
実施例１では第二の酸化物誘電体層３の上に重量比１：１に混合したポリチオフェン、アクリル樹脂を、ジエチレングリコール中に分散させ、固形分量を５重量％、粘度を１００ｍＰａ・ｓに調整した溶液を塗布、乾燥することにより、第二の導電性高分子層２を膜厚が平均１０μｍとなるように形成するのに対し、比較例２では第二の酸化物誘電体層３の上にエポキシ樹脂からなる絶縁樹脂層１１を膜厚が平均１０μｍとなるようにインクジェット塗布により形成する。以上の点以外は実施例１と構造、製造方法ともに同様である。これにより固体電解コンデンサを得た。
【００５４】
（比較例３）
以下、比較例３について、図７を参照しながら説明する。図７は従来技術を基にした比較例３の固体電解コンデンサ内部素子を示す図であり、図７（ａ）はその斜視図、図７（ｂ）は図７（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子７００をＡ−Ａ線で切断した断面図、図７（ｃ）は図７（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子７００をＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【００５５】
実施例１と同様の方法により陽極体４に第一の酸化物誘電体層１を形成し、第一の酸化物誘電体層１が形成された陽極体４を所定の大きさに切断する。切断面の陽極体４に第二の酸化物誘電体層を形成することなく直接第二の導電性高分子層２を形成する。その後、第一の酸化物誘電体層１および第二の導電性高分子層２の上に第一の導電性高分子層５を形成し、さらに陰極層を形成して得た固体電解コンデンサ内部素子を外装して固体電解コンデンサを得た。
【００５６】
表２に、本発明の実施例１、実施例２、実施例３、実施例４および従来の比較例１、比較例２、比較例３により作製した固体電解コンデンサそれぞれ１００個の漏れ電流値の分布、平均、不良率および容量の分布、平均を示す。漏れ電流の測定条件は、印加電圧２．５Ｖ、印加時間６０秒で１５μＡ以上を不良とした。容量の測定条件は１２０Ｈｚである。
【００５７】
【表２】
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【００５８】
実施例１、実施例２、実施例３および実施例４では、第二の導電性高分子層を形成しない比較例１と比較して漏れ電流の不良率が改善する。比較例２では、漏れ電流の不良率が実施例１、実施例２、実施例３および実施例４よりも小さいが、実施例１、実施例２、実施例３および実施例４と比べて容量の分布のばらつきが大きく、容量の平均が小さい。比較例３では、比較例１の漏れ電流の不良率よりも向上するが実施例１に比べて漏れ電流の不良率は大きい。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明にかかる固体電解コンデンサは、電子部品や電気部品のプリント配線基板等の基板に実装されるタイプに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の形態１の固体電解コンデンサ内部素子を示す図、図１（ａ）はその斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子をＡ−Ａ線で切断した断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子をＢ−Ｂ線で切断した断面図。
【図２】本発明の実施の形態２の固体電解コンデンサ内部素子を示す図、図２（ａ）はその斜視図、図２（ｂ）は図２（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子をＡ−Ａ線で切断した断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子をＢ−Ｂ線で切断した断面図。
【図３】本発明の実施の形態３の固体電解コンデンサ内部素子を示す図、図３（ａ）はその斜視図、図３（ｂ）は図３（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子をＡ−Ａ線で切断した断面図、図３（ｃ）は図３（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子をＢ−Ｂ線で切断した断面図。
【図４】本発明の実施の形態４の固体電解コンデンサ内部素子を示す図、図４（ａ）はその斜視図、図４（ｂ）は図４（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子をＡ−Ａ線で切断した断面図、図４（ｃ）は図４（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子をＢ−Ｂ線で切断した断面図。
【図５】従来技術による比較例１の固体電解コンデンサ内部素子を示す図、図５（ａ）はその斜視図、図５（ｂ）は図５（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子をＡ−Ａ線で切断した断面図、図５（ｃ）は図５（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子をＢ−Ｂ線で切断した断面図。
【図６】従来技術による比較例２の固体電解コンデンサ内部素子を示す図、図６（ａ）はその斜視図、図６（ｂ）は図６（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子をＡ−Ａ線で切断した断面図、図６（ｃ）は図６（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子をＢ−Ｂ線で切断した断面図。
【図７】従来技術による比較例３の固体電解コンデンサ内部素子を示す図、図７（ａ）はその斜視図、図７（ｂ）は図７（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子をＡ−Ａ線で切断した断面図、図７（ｃ）は図７（ａ）の固体電解コンデンサ内部素子をＢ−Ｂ線で切断した断面図。
【図８】従来の固体電解コンデンサを示す断面図。
【図９】従来の三端子型固体電解コンデンサを示す断面図。
【符号の説明】
【００６１】
１    第一の酸化物誘電体層
２    第二の導電性高分子層
３    第二の酸化物誘電体層
４    陽極体
５    第一の導電性高分子層
６    グラファイト層
７    銀層
８    外装樹脂
９    陽極リード
１０    陰極リード
１１ 絶縁樹脂層
１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００    固体電解コンデンサ内部素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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