(57)【要約】【課題】逆浸透膜装置から電気式脱イオン装置へ供給される給水を所望の水質に維持する。【解決手段】機器への給水ライン２に、逆浸透膜装置３および電気式脱イオン装置４を上流側からこの順で設け、前記逆浸透膜装置３からの濃縮水の一部を排水するとともに、残部を前記逆浸透膜装置３の上流側の前記給水ライン２へ還流させる純水製造システムの運転方法であって、前記逆浸透膜装置３と前記電気式脱イオン装置４との間における給水のスケーリング促進成分の濃度またはファウリング促進成分の濃度に基づいて、これらスケーリング促進成分の濃度またはファウリング促進成分の濃度が、前記電気式脱イオン装置４においてスケーリングまたはファウリングによる詰まりが生じない濃度になるように、前記逆浸透膜装置３からの濃縮水排水流量を調節することを特徴とする。【選択図】図１
2008221195.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機器への給水ラインに、逆浸透膜装置および電気式脱イオン装置を上流側からこの順で設け、前記逆浸透膜装置からの濃縮水の一部を排水するとともに、残部を前記逆浸透膜装置の上流側の前記給水ラインへ還流させる純水製造システムの運転方法であって、
前記逆浸透膜装置と前記電気式脱イオン装置との間における給水のスケーリング促進成分の濃度またはファウリング促進成分の濃度に基づいて、これらスケーリング促進成分の濃度またはファウリング促進成分の濃度が、前記電気式脱イオン装置においてスケーリングまたはファウリングによる詰まりが生じない濃度になるように、前記逆浸透膜装置からの濃縮水排水流量を調節することを特徴とする純水製造システムの運転方法。
【請求項２】
機器への給水ラインに、逆浸透膜装置および電気式脱イオン装置を上流側からこの順で設け、前記逆浸透膜装置からの濃縮水の一部を排水するとともに、残部を前記逆浸透膜装置の上流側の前記給水ラインへ還流させる純水製造システムの運転方法であって、
前記逆浸透膜装置と前記電気式脱イオン装置との間における給水の電気伝導度に基づいて、この電気伝導度が目標値以下になるように、前記逆浸透膜装置からの濃縮水排水流量を調節することを特徴とする純水製造システムの運転方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、逆浸透膜装置と電気式脱イオン装置を備え、高純度の純水を供給する純水製造システムの運転方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体洗浄装置などの機器へ純水を供給する純水製造システムが知られている。この純水製造システムとしては、前記機器への給水ラインに、逆浸透膜装置および電気式脱イオン装置を設けたものがある（たとえば、特許文献１参照）。このように前記逆浸透膜装置と前記電気式脱イオン装置とを備えた純水製造システムでは、前記逆浸透膜装置によって原水が濾過されて原水に含まれる不純物の９０％以上が除去され、さらに残りの不純物が前記電気式脱イオン装置によって除去されて、高純度の純水が得られる。
【０００３】
前記逆浸透膜装置にあっては、一側から給水が流入して逆浸透膜による濾過が行われ、他側から処理水と濃縮水とが流出するようになっている。処理水は、前記給水ラインを通って前記電気式脱イオン装置へ供給される。一方、濃縮水は、一部が系外へ排水されるとともに残部が前記逆浸透膜装置の上流側の前記給水ラインへ還流するようになっている。
【０００４】
また、前記電気式脱イオン装置は、陽イオン交換膜と陰イオン交換膜とを交互に配置して脱塩室と濃縮室とを形成し、前記脱塩室にイオン交換樹脂を収容した電気透析槽を備えている。そして、前記脱塩室からの処理水は前記機器へ供給され、一方で前記濃縮室からの濃縮水は、一部が系外へ排水されるとともに残部が前記電気式脱イオン装置の上流側へ還流するようになっている。また、前記濃縮室からの濃縮水が、全部系外へ排水されるようになっているものもある。
【０００５】
ところで、前記逆浸透膜装置においては、前記逆浸透膜の表面付近における不純物の濃縮度合が高くなると、前記逆浸透膜装置からの給水へリークする不純物の量が多くなる。このように前記逆浸透膜装置からの給水へリークする不純物の量が多くなると、前記電気式脱イオン装置における前記イオン交換樹脂や前記イオン交換膜において、スケーリングやファウリングといった現象による目詰まりが発生する。ここで、スケーリングとは、水中に溶解している硬度分やシリカなどの溶存塩類が溶解度以上に濃縮されることによって析出し、前記イオン交換樹脂や前記イオン交換膜に沈着する現象を云う。また、ファウリングとは、水中の懸濁物質，コロイド，有機物などが前記イオン交換樹脂や前記イオン交換膜に沈着または吸着する現象を云う。
【０００６】
また、前記逆浸透膜装置からの給水へリークする不純物の量が多くなると、前記電気式脱イオン装置への給水の電気伝導度が上昇することになるので、所定純度の純水を得るためにはより多くの電流を流す必要があり、前記電気式脱イオン装置における消費電力が増大することにもなる。
【０００７】
そこで、あらかじめ原水，すなわち前記逆浸透膜装置への給水の水質（たとえば、硬度分やシリカ等のスケーリング促進成分の濃度，鉄分やマンガンあるいは有機物，懸濁物質等のファウリング促進成分の濃度，電気伝導度など）を測定し、測定値に基づいて前記逆浸透膜装置からの濃縮水排水流量を設定することにより、前記逆浸透膜の表面付近における不純物の濃縮を抑制して前記逆浸透膜装置からの給水を所定の水質とし、前記電気式脱イオン装置における目詰まりの発生を防止するとともに、前記電気式脱イオン装置への給水の電気伝導度が高くなることを防止している。
【特許文献１】特開２００４−１６０３８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前記逆浸透膜装置への給水，とくに地下水を原水とする給水の水質や水温は、季節的要因などによって変動する。前記逆浸透膜装置への給水の不純物濃度が高くなると、前記逆浸透膜の表面付近における不純物の濃縮度合が高くなり、前記逆浸透膜装置からの処理水への不純物のリーク量が増える。また、前記逆浸透膜装置への給水の水温が変動すると、前記逆浸透膜における不純物の除去性能が悪化し、前記逆浸透膜装置からの処理水への不純物のリーク量が増えるおそれがある。さらに、前記逆浸透膜装置からの給水への不純物のリーク量は、前記逆浸透膜における不純物の除去性能が経年劣化によって低下することによっても増える。このように、前記逆浸透膜装置からの給水への不純物のリーク量が増えると、前記電気式脱イオン装置においてファウリングやスケーリングによる詰まりが発生したり、前記逆浸透膜装置からの給水の電気伝導度が高くなり前記電気式脱イオン装置の消費電力が増大したりする。
【０００９】
この発明が解決しようとする課題は、逆浸透膜装置から電気式脱イオン装置へ供給される給水を所望の水質に維持することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、前記課題を解決するためになされたもので、請求項１に記載の発明は、機器への給水ラインに、逆浸透膜装置および電気式脱イオン装置を上流側からこの順で設け、前記逆浸透膜装置からの濃縮水の一部を排水するとともに、残部を前記逆浸透膜装置の上流側の前記給水ラインへ還流させる純水製造システムの運転方法であって、前記逆浸透膜装置と前記電気式脱イオン装置との間における給水のスケーリング促進成分の濃度またはファウリング促進成分の濃度に基づいて、これらスケーリング促進成分の濃度またはファウリング促進成分の濃度が、前記電気式脱イオン装置においてスケーリングまたはファウリングによる詰まりが生じない濃度になるように、前記逆浸透膜装置からの濃縮水排水流量を調節することを特徴とする。
【００１１】
請求項１に記載の発明では、前記逆浸透膜装置と前記電気式脱イオン装置との間における給水のスケーリング促進成分の濃度またはファウリング促進成分の濃度に基づいて、前記逆浸透膜装置からの濃縮水排水流量を調節するようになっており、前記逆浸透膜装置からの給水のスケーリング促進成分の濃度またはファウリング促進成分の濃度が高くなるほど前記逆浸透膜装置からの濃縮水排水流量を増加させることにより、前記逆浸透膜の表面付近におけるスケーリング促進成分およびファウリング促進成分の濃縮度合を抑制することができる。これにより、前記逆浸透膜装置からの給水へのスケーリング促進成分およびファウリング促進成分のリーク量を抑制することができるので、スケーリングやファウリングによる前記電気式脱イオン装置の目詰まりが起きることを防止することができる。
【００１２】
さらに、請求項２に記載の発明は、機器への給水ラインに、逆浸透膜装置および電気式脱イオン装置を上流側からこの順で設け、前記逆浸透膜装置からの濃縮水の一部を排水するとともに、残部を前記逆浸透膜装置の上流側の前記給水ラインへ還流させる純水製造システムの運転方法であって、前記逆浸透膜装置と前記電気式脱イオン装置との間における給水の電気伝導度に基づいて、この電気伝導度が目標値以下になるように、前記逆浸透膜装置からの濃縮水排水流量を調節することを特徴とする。
【００１３】
請求項２に記載の発明では、前記逆浸透膜装置と前記電気式脱イオン装置との間における給水の電気伝導度に基づいて、前記逆浸透膜装置からの濃縮水排水流量を調節するようになっており、前記逆浸透膜装置からの給水の電気伝導度が高くなるほど前記逆浸透膜装置からの濃縮水排水流量を増加させることにより、前記逆浸透膜の表面付近における不純物の濃縮度合を抑制することができる。これにより、前記逆浸透膜装置からの給水への不純物のリーク量を抑制することができるので、前記電気式脱イオン装置への給水の電気伝導度を目標値以下にすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載の発明によれば、前記逆浸透膜装置から前記電気式脱イオン装置へ供給される給水を、所望の水質，すなわちスケーリングやファウリングによる前記電気式脱イオン装置の目詰まりが起きることを防止できる水質に維持することができる。
【００１５】
請求項２に記載の発明によれば、前記逆浸透膜装置から前記電気式脱イオン装置へ供給される給水を、所望の水質，すなわち電気伝導度が目標値以下である水質に維持することができる。これにより、前記電気式脱イオン装置における消費電力を抑制することができるなどの効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
つぎに、この発明の実施の形態について図面に基づいて詳細に説明する。  
（第一実施形態）
まず、この発明の第一実施形態について説明する。図１は、この発明を実施する純水製造システムの第一実施形態を示す概略的な説明図である。
【００１７】
図１において、純水製造システム１は、半導体洗浄装置などの機器（図示省略）への給水ライン２に、逆浸透膜装置３および電気式脱イオン装置４が上流側からこの順で設けられている。そして、前記逆浸透膜装置３と前記電気式脱イオン装置４の間の前記給水ライン２には、第一測定装置５および第二測定装置６が設けられている。これら各測定装置５，６は、制御部７と接続されている。
【００１８】
前記逆浸透膜装置３は、逆浸透膜モジュール（図示省略）により給水を濾過処理し、給水に含まれる不純物を除去するように構成されている。前記逆浸透膜モジュールの逆浸透膜（ＲＯ膜）は、ポリアミド系，ポリエーテル系などの合成高分子膜であり、分子量が数十程度の物質の透過を阻止できる液体分離膜である。前記逆浸透膜装置３にあっては、一側から供給された給水が、他側から処理水と濃縮水として流出するようになっている。そして、処理水は前記給水ライン２を流れて前記電気式脱イオン装置４へ供給される。一方、濃縮水は前記逆浸透膜装置３と接続された第一濃縮水ライン８へ流出する。この第一濃縮水ライン８は、排水ライン９と還流ライン１０とに分岐しており、前記還流ライン１０は前記逆浸透膜装置３の上流側の前記給水ライン２と接続されている。したがって、前記逆浸透膜装置３から前記第一濃縮水ライン８へ流出した濃縮水は、一部が前記排水ライン９を介して系外へ排水されるとともに、残部が前記還流ライン１０を介して前記逆浸透膜装置３の上流側の前記給水ライン２へ還流するようになっている。
【００１９】
前記排水ライン８は、さらに第一排水ライン１１，第二排水ライン１２および第三排水ライン１３に分岐しており、これら各排水ライン１１，１２，１３には、第一排水バルブ１４，第二排水バルブ１５および第三排水バルブ１６がそれぞれ設けられている。前記各排水バルブ１４，１５，１６は、前記制御部７と接続されている。そして、前記各排水バルブ１４，１５，１６は、前記制御部７からの開閉信号を受けて開閉状態が設定されるようになっており、前記各排水バルブ１４，１５，１６の開閉状態を変えることにより、前記排水ライン９からの濃縮水排水流量が段階的に調節されるようになっている。
【００２０】
前記電気式脱イオン装置４は、陽イオン交換膜と陰イオン交換膜（それぞれ図示省略）とを交互に配置して脱塩室と濃縮室（それぞれ図示省略）とを形成し、前記脱塩室にイオン交換樹脂を収容した電気透析槽（図示省略）を備えている。そして、この電気透析槽において、前記逆浸透膜装置３で除去しきれなかった給水中のイオンが除去され、純水が得られるようになっている。
【００２１】
前記電気式脱イオン装置４にあっては、前記逆浸透膜装置３と同様に、一側から供給された給水が、他側から処理水と濃縮水として流出するようになっている。そして、処理水は前記給水ライン２を流れて前記機器へ供給される。一方、濃縮水は前記電気式脱イオン装置４と接続された第二濃縮水ライン１７へ流出する。この第二濃縮水ライン１７は、排水ライン１８と還流ライン１９とに分岐しており、前記還流ライン１９は前記電気式脱イオン装置４の上流側の前記給水ライン２と接続されている。したがって、前記電気式脱イオン装置４から前記第二濃縮水ライン１７へ流出した濃縮水は、一部が前記排水ライン１８を介して系外へ排水されるとともに、残部が前記環流ライン１９を介して前記電気式脱イオン装置４の上流側の前記給水ライン２へ還流されるようになっている。
【００２２】
前記第一測定装置５は、スケーリング促進成分の濃度の測定装置であり、具体的には硬度測定装置やシリカ濃度測定装置などである。図１においては、前記第一測定装置５が一つしか図示されていないが、前記第一測定装置５として前記硬度測定装置および前記シリカ濃度測定装置の両方を備えるなど、前記第一測定装置５を複数備えていてもよい。
【００２３】
前記第二測定装置６は、ファウリング促進成分の濃度の測定装置であり、具体的には全鉄濃度測定装置や濁度測定装置などである。前記第一測定装置５と同様に、図１においては、前記第二測定装置６が一つしか図示されていないが、前記第二測定装置６として前記全鉄濃度測定装置および前記濁度測定装置の両方を備えるなど、前記第二測定装置６を複数備えていてもよい。
【００２４】
前記硬度測定装置，前記シリカ濃度測定装置，前記全鉄濃度測定装置としては、たとえば色素を含む試薬を添加したときの発色により、硬度，シリカ濃度または全鉄濃度を検出する比色式センサなどが用いられる。この比色式センサは、試料水を所定量収容した透明容器へ試薬を添加し、色素の反応による試料水の色相変化を特定波長の光を照射したときの吸光度から測定する。そして、吸光度に基づいて試料水中の硬度，シリカ濃度または全鉄濃度を判定する。
【００２５】
また、前記濁度測定装置としては、たとえば試料水へ光を照射し、その光強度によって濁度を検出する光学計測装置などが用いられる。この光学計測装置は、一対の光透過窓が設けられた測定セル内に試料水を貯留し、この試料水へ一方の光透過窓を通じて照射するとともに、試料水からの光強度（透過光強度または散乱光強度）を、他方の光透過窓を通じて受光素子で検出する。そして、光強度に基づいて、濁度を判定する。
【００２６】
さて、前記純水製造システム１の運転方法について説明する。前記純水製造システム１にあっては、前記制御部７が前記第一測定装置５の測定値および前記第二測定装置６の測定値に基づいて、前記各排水バルブ１４，１５，１６へ開閉指令信号を出力し、前記逆浸透膜装置３からの濃縮水排水流量を段階的に調節する。
【００２７】
濃縮水排水流量の調節について具体的に説明する。前記制御部７には、スケーリング促進成分の濃度およびファウリング促進成分の濃度と濃縮水排水流量との関係を定めたテーブル（図示省略）が記憶されている。このテーブルにおいては、スケーリング促進成分の濃度およびファウリング促進成分の濃度に応じて濃縮水排水流量が段階的に設定されている。たとえば、前記第一測定装置５として硬度測定装置およびシリカ濃度測定装置を備え、前記第二測定装置５として全鉄濃度測定装置および濁度測定装置を備えている場合、前記テーブルでは、硬度，シリカ濃度，全鉄濃度および濁度のそれぞれと、濃縮水排水流量との関係が定められている。前記テーブルにおいては、硬度，シリカ濃度，全鉄濃度および濁度が高くなるほど、濃縮水排水流量が増えるようになっている。具体的には、硬度Ａ１以上Ａ２未満，シリカ濃度Ｂ１以上Ｂ２未満，全鉄濃度Ｃ１以上Ｃ２未満および濁度Ｄ１以上Ｄ２未満のときの濃縮水排水流量はＸ１になっており、また硬度Ａ２以上Ａ３未満，シリカ濃度Ｂ２以上Ｂ３未満，全鉄濃度Ｃ２以上Ｃ３未満および濁度Ｄ２以上Ｄ３未満のときの濃縮水排水流量はＸ２（Ｘ２＞Ｘ１）になっており、さらに硬度Ａ３以上Ａ４未満，シリカ濃度Ｂ３以上Ｂ４未満，全鉄濃度Ｃ３以上Ｃ４未満および濁度Ｄ３以上Ｄ４未満のときの濃縮水排水流量はＸ３（Ｘ３＞Ｘ２）になっている。このように硬度，シリカ濃度，全鉄濃度および濁度との関係で定められる濃縮水排水流量は、前記逆浸透膜装置３と前記電気式脱イオン装置４の間の給水の硬度，シリカ濃度，全鉄濃度および濁度が、目標値以下になるように設定されている。この目標値は、具体的には前記逆浸透膜（図示省略）の表面付近において、硬度分，シリカ，鉄分および懸濁物質の濃縮が抑制されてこれらの下流側へのリーク量が抑制され、前記電気式脱イオン装置４において、硬度分またはシリカに起因するスケーリングや鉄分または懸濁物質に起因するファウリングによる詰まりが生じない値である。
【００２８】
前記制御部７においては、前記各測定装置５，６の測定値に基づいて、前記テーブルにしたがって硬度，シリカ濃度，全鉄濃度および濁度のそれぞれに対応する濃縮水排水流量（Ｘ１，Ｘ２およびＸ３のいずれか）を選定する。そして、それぞれ選定された濃縮水排水流量の中で最も多い流量を、濃縮水排水流量として設定する。前記制御部７は、設定流量になるように前記各排水バルブ１４，１５，１６へそれぞれ開閉信号を出力してこれら各排水バルブ１４，１５，１６の開閉状態を設定する。
【００２９】
前記逆浸透膜装置３からの濃縮水排水流量は、前記第一測定装置５および前記第二測定装置６の測定値が高くなるほど増加する。この結果、前記逆浸透膜（図示省略）の表面付近におけるスケーリング促進成分およびファウリング促進成分の濃縮度合を抑制することができる。これにより、前記逆浸透膜装置３からの給水へのスケーリング促進成分およびファウリング促進成分のリーク量を抑制することができるので、スケーリングやファウリングによる前記電気式脱イオン装置４の目詰まりが起きることを防止することができる。
【００３０】
以上説明した前記純水製造システム１の運転方法によれば、前記逆浸透膜装置３から前記電気式脱イオン装置４へ供給される給水を、所望の水質，すなわちスケーリングやファウリングによる前記電気式脱イオン装置の目詰まりが起きることを防止できる水質に維持することができる。
【００３１】
ここで、この第一実施形態の変形例について説明する。図２は、第一実施形態の純水製造システムの変形例における前記電気式脱イオン装置４の部分を拡大した概略的な説明図である。図２において、前記電気式脱イオン装置４と接続された第二濃縮水ライン１７の前記排水ライン１８は、第四排水ライン２０，第五排水ライン２１および第六排水ライン２２に分岐しており、これら各排水ライン２０，２１，２２には、第四排水バルブ２３，第五排水バルブ２４および第六排水バルブ２５がそれぞれ設けられている。前記各排水バルブ２３，２４，２５は、前記制御部７（図２においては図示省略）と接続されている。そして、前記各排水バルブ２３，２４，２５は、前記制御部７からの開閉信号を受けて開閉状態が設定されるようになっており、前記各排水バルブ２３，２４，２５の開閉状態を変えることにより、前記排水ライン１８からの濃縮水排水流量が段階的に調節されるようになっている。
【００３２】
さて、この変形例の前記純水製造システム１では、前記各測定装置５，６の測定値に基づいて、前記逆浸透膜装置３からの濃縮水排水流量を増加させた後、一定時間経過しても前記第一測定装置５および前記第二測定装置６のいずれかの測定値が目標値以下にならないとき、前記制御部７は、前記電気式脱イオン装置４からの濃縮水排水流量が増えるように、前記各排水バルブ２３，２４，２５へ開閉信号を出力する。これにより、前記電気式脱イオン装置４における硬度分，シリカ，鉄分および懸濁物質の濃縮が抑制され、スケーリングやファウリングによる前記電気式脱イオン装置４の詰まりを抑制することができる。
【００３３】
（第二実施形態）
つぎに、この発明の第二実施形態について説明する。図３は、この発明を実施する純水製造システムの第二実施形態を示す概略的な説明図である。図３において、前記第一実施形態の純水製造システム１と同一の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３４】
図３に示す純水製造システム３０においては、前記逆浸透膜装置３と前記電気式脱イオン装置４の間の前記給水ライン２に、測定装置として電気伝導度測定装置３１が設けられている。この電気伝導度測定装置３１は、前記制御部７と接続されている。
【００３５】
さて、前記純水製造システム３０の運転方法について説明する。前記純水製造システム３０にあっては、前記制御部７が、前記電気伝導度測定装置３１の測定値に基づいて、第一実施形態と同様に前記各排水バルブ１４，１５，１６へ開閉指令信号を出力し、前記逆浸透膜装置３からの濃縮水排水流量を段階的に調節する。具体的に説明すると、前記制御部７には、電気伝導度と濃縮水排水流量との関係を定めたテーブル（図示省略）が記憶されている。このテーブルにおいては、電気伝導度に応じて濃縮水排水流量が段階的に設定されており、電気伝導度が高くなるほど、濃縮水排水流量が増えるようになっている。具体的には、電気伝導度Ｅ１以上Ｅ２未満のときの濃縮水排水流量はＸ１０に設定され、また電気伝導度Ｅ２以上Ｅ３未満のときの濃縮水排水流量はＸ１１（Ｘ１１＞Ｘ１０）に設定され、さらに電気伝導度Ｅ３以上Ｅ４未満のときの濃縮水排水流量はＸ１２（Ｘ１２＞Ｘ１１）に設定されている。このように電気伝導度との関係で設定される濃縮水排水流量は、前記逆浸透膜装置３と前記電気式脱イオン装置４の間の給水の電気伝導度が、目標値以下になるように設定されている。この目標値は、具体的には前記逆浸透膜（図示省略）の表面付近において、不純物の濃縮を抑制することでその下流側へのリーク量を低減し、前記電気式脱イオン装置４への給水の純度を所定範囲に維持することにより、この電気式脱イオン装置４における消費電力を抑制できる値である。
【００３６】
前記制御部７においては、前記電気伝導度測定装置３１の測定値に基づいて、前記テーブルにしたがって濃縮水排水流量を設定し、この設定流量になるように前記各排水バルブ１４，１５，１６へそれぞれ開閉信号を出力してこれら各排水バルブ１４，１５，１６の開閉状態を設定する。
【００３７】
前記逆浸透膜装置３からの濃縮水排水流量は、前記電気伝導度測定装置３１の測定値が高くなるほど増加する。この結果、前記逆浸透膜（図示省略）の表面付近における不純物の濃縮度合を抑制することができる。これにより、前記逆浸透膜装置３からの給水への不純物のリーク量を抑制することができるので、前記電気式脱イオン装置４への給水の純度の低下が防止でき、この電気式脱イオン装置４における消費電力を抑制することができる。
【００３８】
以上説明した前記純水製造システム３０の運転方法によれば、前記逆浸透膜装置３から前記電気式脱イオン装置４へ供給される給水を、所望の水質，すなわち電気伝導度が目標値以下である水質に維持することができる。
【００３９】
ここで、この第二実施形態の純水製造システム３０においても、前記第一実施形態の変形例と同様に前記電気式脱イオン装置４からの濃縮水排水流量を調節できるようになっていてもよい（図示省略）。この場合、前記電気伝導度測定装置３１の測定値に基づいて、前記逆浸透膜装置３からの濃縮水排水流量を増加させた後、一定時間経過しても前記電気伝導度測定装置３１の測定値が目標値以下にならないとき、前記第一実施形態の変形例と同様に、前記電気式脱イオン装置４からの濃縮水排水流量を増やすようにする。
【００４０】
以上、この発明を実施形態により説明したが、この発明は、その主旨を変更しない範囲で種々変更実施可能なことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】この発明を実施する純水製造システムの第一実施形態を示す概略的な説明図である。
【図２】第一実施形態の純水製造システムの変形例における電気式脱イオン装置の部分を拡大した概略的な説明図である。
【図３】この発明を実施する純水製造システムの第二実施形態を示す概略的な説明図である。
【符号の説明】
【００４２】
１，３０  純水製造システム
２  給水ライン
３  逆浸透膜装置
４  電気式脱イオン装置
【図１】
2008221195.tif 000003
【図２】
2008221195.tif 000004
【図３】
2008221195.tif 000005