(57)【要約】【課題】面積が広く、かつ均一な強度分布のレーザビームで溶融、再結晶化を実現することにより、回路設計上の自由度を大として集積度を向上するための半導体製造装置と、その製造方法を提供する。【解決手段】レーザビーム発生するレーザ源と、レーザビームを走査方向と交差する方向の両側に傾けて揺動させるミラー装置とを具備し、前記走査方向と交差する方向の中央部のエネルギー強度よりも両端部のエネルギー強度が大きいレーザビームを、絶縁基板上に形成された半導体膜に、絶縁基板またはレーザビームを走査しながら照射する。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成された半導体膜に、レーザビームを前記絶縁基板または前記レーザビームを走査しながら照射して、前記半導体膜の所定の領域を溶融、再結晶化する半導体製造装置であって、
前記レーザビーム発生するレーザ源と、
前記レーザビームを走査方向と交差する方向の両側に傾けて揺動させるミラー装置とを具備し、
前記レーザビームは、前記走査方向と交差する方向の中央部のエネルギー強度よりも両端部のエネルギー強度が大きいことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
絶縁基板上に形成された半導体膜に、レーザビームを前記絶縁基板または前記レーザビームを走査しながら照射して、前記半導体膜の所定の領域を溶融、再結晶化する半導体装置の製造方法であって、
前記レーザビーム発生するレーザ源と、
前記レーザビームを走査方向と交差する方向の両側に傾けて揺動させるミラー装置とを具備し、
前記走査方向と交差する方向の中央部のエネルギー強度よりも両端部のエネルギー強度が大きい前記レーザビームを、前記走査方向と交差する方向の両側に傾けて揺動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記走査方向に結晶粒が成長する如く結晶化して改質された略帯状結晶半導体薄膜を形成することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記レーザビームは、２本のレーザビームが重ね合わされた合成レーザビームであることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記レーザビームは、エネルギー強度のプロファイルがガウシアン分布をなすレーザビームを、シリンドリカルレンズの後段に回折光学素子を配置して成形されることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置に係り、アクティブ・マトリクス方式のフラット・パネル型表示装置用の半導体製造装置と製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置などのアクティブ・マトリクス方式のフラット・パネル型表示装置では、二次元マトリクス状に画素を配置したガラス等の絶縁基板の主面（表面）に該画素をオン・オフするための駆動回路や付帯回路を作り込むことで、高精細かつ高速表示を実現できる。
【０００３】
より高精細かつ高速表示を実現するためには、駆動回路を構成する薄膜トランジスタの高速化が必要である。薄膜トランジスタを構成するシリコン半導体膜のキャリア移動度を高めるため、非晶質シリコン半導体膜をエキシマレーザの照射でアニールして粒状結晶（ポリシリコン）半導体膜に結晶化し、このポリシリコン半導体膜を薄膜トランジスタの活性層（能動層）とすることでキャリア移動度を上げることが行われている。
【０００４】
そして、さらにキャリア移動度を上げる方法として、高速動作が必要な薄膜トランジスタ形成領域の非晶質シリコン半導体膜あるいはポリシリコン半導体膜に連続発振レーザを選択的に走査し照射して溶融し、再結晶化させることで走査方向に沿って長い粒界をもつ帯状結晶シリコン半導体膜に改質する方法が開発されている。以下、この方法を選択的レーザ結晶化法と称することとする。
【０００５】
図１５は、選択的レーザ結晶化法による帯状結晶シリコン半導体膜への改質を説明する模式図で、図１５（ａ）は平面図、図１５（ｂ）は断面図を示す。ガラスを好適とする絶縁基板（以下、単に基板とも称する）１の主面（表面）に窒化シリコン層ＳｉＮと酸化シリコン層ＳｉＯをこの順で積層成膜して下地膜２とする。この下地膜２の上にシリコン半導体薄膜３（非晶質シリコンまたは非晶質シリコン半導体膜をエキシマレーザの照射等でアニールした粒状結晶シリコン半導体膜）が成膜されている。
【０００６】
この半導体薄膜３をその所要部分（薄膜トランジスタの活性層を形成する領域）Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３のように島状に並ぶ帯状結晶シリコン半導体膜（擬似単結晶化）に改質する場合、シリコン半導体膜の平面に焦点を合わせた長さＬのプロフィルを有する連続発振レーザを長さＬの方向に交差する方向（矢印Ｓで示す）で基板１の平面に沿って走査させる。まず、所要部分Ｚ１の並びについて一回目の走査（１st）を行い、次いで所要部分Ｚ２の並びに２回目の走査（２nd）を行う。さらに、所要部分Ｚ３の並びに３回目の走査（３ｒｄ）を行う。
【０００７】
この選択的レーザ結晶化法によるシリコン半導体層の帯状結晶化（擬似単結晶化）では、レーザ源から出射するレーザビームをミラーで基板側に反射させ、レンズを通して集光することによりシリコン半導体膜を溶融し、再結晶化させている。この際、レーザビームが当たった領域のみが溶融されるため、レーザビームが照射される面積が大きいほど、すなわち図１５の長さＬを大きくすることで作業効率のよい擬似単結晶化が可能となる。特許文献１は、ミラーをレーザビームに対して垂直な方向に回転させて円形のレーザパターンとして照射面積を拡大する半導体製造装置を開示している。更に、特許文献１は、ミラーを振動さることでレーザビームを走査方向と交差する方向に振り、幅を広く（上記長さＬを大きく）することで照射面積を拡大する半導体装置を開示している。
【特許文献１】特開平６−１２０１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１のミラーをレーザビームに対して垂直な方向に回転させる方法では、レーザビームのプロファイルはドーナツ型で、ビーム強度分布は双峰型となり、均一な強度分布が得られず、レーザビームの照射面積を拡大しても、良好な擬似単結晶化を得ることが難しい。
また、特許文献１のミラーを振動さることでレーザビームを走査方向と交差する方向に振る方法でも、均一な強度分布のビームプロファイルは得られない。
【０００９】
以下にその理由を説明する。図１０の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）（詳細は後述）は、レーザビーム５を線状のレーザビーム照射位置９に照射し、ミラー装置６を振動させレーザビームが照射される幅を広くする様子を示している。
【００１０】
図１６と図１７は、ミラーを振動させレーザビームが照射される幅を広くする場合の問題点を説明する図である。図１６はレーザビームのエネルギー強度と分布の説明図、図１７は図１６のレーザビームの照射による結晶性の説明図である。
【００１１】
図１６の横軸はレーザビームのエネルギー強度を示す。また、図１６の縦軸はミラーによって傾けられたレーザビームの長さ（図１５の長さＬ）に相当する位置を示す。図１６においては、符号２０に示したエネルギー分布がフラットなビームプロファイルをもつレーザを用いている。このビームプロファイルをレーザビーム２１１及び２１２に示すように傾ける。レーザビームを傾けることによって、このとき得られる合成ビームプロファイルは符号２２で示すようになる。この合成ビームプロファイル２２を走査させて、シリコン半導体層をアニールしたところ、図１７に示した擬似単結晶が得られた。
【００１２】
図１７の（ａ）は、図１６に符号２２で示した強度プロファイルのレーザビームを矢印１５方向に５００ｍｍ／ｓｅｃでシリコン半導体層を走査して擬似単結晶化した結晶性を示す。５００ｍｍ／ｓｅｃという早い走査速度でレーザアニールを施した場合、中央領域２６は良好な結晶性を示すが、走査方向の両側の照射エネルギー強度が弱い領域２７の結晶性は良くない。又、ミラーによるレーザビームの揺動動作と、レーザビームの走査が同時に進行するために端部に波状のうねりが発生して、アニール加工幅が狭くなり、ますますアニール効率が低下する。
【００１３】
上記のような高速の走査によるアニール加工幅の狭小化を改善するため、レーザビームの走査速度を遅くすることが考えられる。図１７の（ｂ）は、レーザビームを矢印１５方向に２５０ｍｍ／ｓｅｃでシリコン半導体層を走査して擬似単結晶化した結晶性を示す。その結果、走査方向の両側２６の結晶性は良好になり、走査方向の両側端部の波状うねりは小さくなるが、中央領域２７はエネルギー強度が強すぎ、凝集が生じ易くなり、結晶性が劣化する。
【００１４】
本発明の目的は、面積が広く、かつ均一な強度分布のレーザビームで擬似単結晶化を実現することにより、回路設計上の自由度を大として集積度を向上するための半導体製造装置と、その製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明の半導体製造装置は、レーザビーム発生するレーザ源と、レーザビームを走査方向と交差する方向の両側に傾けて揺動させるミラー装置とを具備し、前記走査方向と交差する方向の中央部のエネルギー強度よりも両端部のエネルギー強度が大きいレーザビームを、絶縁基板上に形成された半導体膜に、絶縁基板またはレーザビームを走査しながら照射する。
【００１６】
そして、本発明の半導体装置の製造方法は、前記走査方向と交差する方向の中央部のエネルギー強度よりも両端部のエネルギー強度が大きい前記レーザビームを、前記走査方向と交差する方向の両側に傾けて揺動させると共に、絶縁基板上に形成された半導体膜に、絶縁基板またはレーザビームを走査しながら照射する。
【００１７】
また、本発明は、前記レーザビームを照射して、前記走査方向に結晶粒が成長する如く結晶化して改質された略帯状結晶半導体薄膜を形成することができる。
また、本発明は、レーザビームを２本のレーザビームが重ね合わされた合成レーザビームで形成することができる。
【００１８】
また、本発明は、前記エネルギー強度プロファイルが両端において大であるレーザビームを、エネルギー強度プロファイルがガウシアン分布をなすレーザビームを、シリンドリカルレンズの後段回折光学素子を配置して成形することができる。更に、本発明は、前記エネルギー強度プロファイルが両端において大であるレーザビームの当該両端におけるエネルギー強度を、前記シリンドリカルレンズと回折光学素子の距離で調整することができる。
【発明の効果】
【００１９】
面積が広く、かつ均一な強度分布のレーザビームで擬似単結晶化を実現することができ、回路設計上の自由度を大として集積度を向上した半導体製造装置と製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の最良の実施形態を、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１〜図１２を用いて、本発明にかかる半導体装置の製造方法および製造装置の実施例１を説明する。本発明の半導体装置の製造装置は、レーザビーム発生するレーザ源と、レーザビームを走査方向と交差する方向の両側に傾けて揺動させるミラー装置とを具備し、前記走査方向と交差する方向の中央部のエネルギー強度よりも両端部のエネルギー強度が大きいレーザビームを、絶縁基板上に形成された半導体膜に、絶縁基板またはレーザビームを走査しながら照射する。
【００２２】
図１は、本発明の半導体装置の製造方法におけるレーザビームのエネルギー強度と分布および擬似単結晶化されたシリコン半導体層の結晶性を説明する図である。図1の（ａ）に本発明で用いるレーザビームのエネルギー強度と分布を示す。図1の（ａ）においては、端部の強度を大きくしたビームプロファイルをもつレーザ２００を用いている。このビームプロファイルをレーザビーム２１１０及び２１２０に示すように傾ける。このとき得られる合成ビームプロファイル２２０のエネルギー強度は、走査方向と直角な方向（図１５の長さＬの方向）で直線２３０に沿った略均一なものとなる。この合成ビームプロファイル２２０を走査させてシリコン半導体層をアニールしたところ、図１の（b）に示したような擬似単結晶化が得られた。走査速度は図１７の（ｂ）の場合と同じにした。
【００２３】
図１の（b）に示した領域２４は、図１６のフラットなビームプロファイルをもつレーザ２０を用いたときに得られるアニール範囲である。本発明によれば、走査方向の両側端部の波状うねりも図１７の（ｂ）と同様で、領域２４よりも幅広の領域２５において良好な結晶性を示す。
【００２４】
図２は、平行な二本のレーザビームを対物レンズに通した場合の焦点（フォーカス）位置と焦点ずれ（デフォーカス）位置の説明図である。図３は、図１の（ａ）に示すレーザ２００のような、端部のエネルギー強度を大きくしたビームプロファイルを有するレーザを形成する第１方法を説明する図である。第１方法においては、２本のレーザビームを対物レンズを用いた光学系で合成させて、端部のエネルギー強度を大きくしたビームプロファイルを有するレーザを形成する。
【００２５】
図２は、前記図１６に符号２０で示したようなフラットなエネルギー強度をもつプロファイルの二本のレーザビーム５１，５２を対物レンズ１２に通したときの焦点（フォーカス）位置ｆと焦点ずれ（デフォーカス）位置ｄｆ１（焦点位置ｆよりも対物レンズ１２側）、ｄｆ２（焦点位置ｆよりも対物レンズ１２とは反対側）を示す。図２の（ａ）は光学系の側面図、図２の（ｂ）は対物レンズ１２の平面図である。レーザビーム５１、５２は線状の断面を有し、これを対物レンズ１２に平行に通過させる。対物レンズ１２を通過したレーザビームは焦点ｆの位置では二本のビームのエネルギー強度が加算され、焦点ずれｄｆの位置では加算の程度は焦点位置から離れる距離に応じて小さくなる。
【００２６】
図３の（ａ）は、図１の（ａ）と同様にレーザビームのエネルギー強度と分布を示す図、図３の（ｂ）はミラーの傾きによる、線状の断面を有する２本のレーザビームが集光される状態の違いを示す図である。図３の（ｂ）に示すように、ミラーを傾けていない状態において、２本のレーザビームを予め中央の位置でデフォーカスさせておく。この状態では、レーザビームの線状断面において、中央の位置よりも両端の位置の方が、２本のレーザビームが集光される度合いが大きい（レーザビーム５１とレーザビーム５２の離間距離が小さい）。即ち、エネルギー強度プロファイルが中央部よりも両端において大きいレーザビームを形成できる。また、この状態で、ミラーを傾けることによって、集光位置（レーザビーム５１とレーザビーム５２の交差する位置）を周辺に持っていくことができる。これにより、レーザビームが傾けられたときに、レーザビームの一方の端部のエネルギー強度をより大きくすることができる。以上のように、図３の（ａ）に示すような、走査方向と直角な方向（図１５の長さＬの方向）に略均一なエネルギー強度のプロファイルをもつレーザビーム２２０を得ることができる。
【００２７】
図４は、端部のエネルギー強度を大きくしたビームプロファイルのレーザを形成する第２方法の光学系を説明する図である。図５は、第２方法により形成されたレーザビームの走査方向と直角な方向（図１５の長さＬの方向）のエネルギー強度の説明図である。二本のレーザビーム５１、５２は図４の（ｃ）に示したような走査方向と直角な方向（図１５の長さＬの方向）にガウシアン分布のエネルギー強度プロファイルを有する。このレーザビーム５１、５２をシリンドリカルレンズ１３に平行に入射する。
【００２８】
シリンドリカルレンズ１３の後段に回折光学素子（ＤＯＥ）１４が配置されている。回折光学素子１４はガウシアン分布のレーザビーム５１、５２をエネルギー強度がフラットな出力ビームプロファイルに成形することが可能である。また、回折光学素子１４は、図４の（ｂ）レーザビームの端部のエネルギー強度を高くするような設計が可能である。さらに、シリンドリカルレンズ１３と回折光学素子１４の間の距離、レーザビームの大きさなどでも出力ビームプロファイルの形状を調整できる。これによっても、図５に示したような端部のエネルギー強度を大きくしたプロファイルのレーザビーム２００を得ることができる。
【００２９】
本発明の半導体装置の製造方法は、上記した第１方法、又は第２方法で得られるレーザビームを用いてガラス基板等の絶縁基板上に成膜されたアモルファスシリコン半導体層あるいはポリシリコン半導体層を走査し、その溶融と再結晶により擬似単結晶化する。
【００３０】
図６〜図１４により、本発明による導体装置の製造方法の実施例を詳しく説明する。ここでは、絶縁基板としてガラス基板を用いるものとして説明する。図６は、ガラス基板にアニールする半導体層を形成した状態の説明図である。ガラス基板１の表面に下地膜２を成膜する。下地膜２は、酸化シリコンと窒化シリコンを蒸着して形成する。この下地膜２の上にシリコン半導体層３を堆積する。このシリコン半導体層３はアモルファスシリコンでも、あるいはアモルファスシリコン層をエキシマレーザの照射等でアニールした粒状結晶シリコン（所謂、ポリシリコン）であってもよい。
【００３１】
図７は、シリコン半導体層を堆積したガラス基板をレーザ照射装置のステージに載置してレーザを照射する状態の説明図である。レーザ照射装置は、本発明の半導体製造装置を構成している。ステージ７に載置したガラス基板１のシリコン半導体層３に、レーザ源４から出射したレーザビーム５を、ミラー６を介してレーザビーム５ａとして照射する。シリコン半導体層３は、レーザビーム５ａの照射で溶融する。レーザ照射で溶融した部分を矢印Ａで示す。
【００３２】
図８は、シリコン半導体層を連続的に溶融するためのレーザビームの照射状態を説明する図である。ガラス基板１を載置したステージ７を矢印８方向に移動させ、レーザビーム５ａの照射でシリコン半導体層を連続的に溶融する。
【００３３】
図９は、溶融したシリコン半導体層が冷却して擬似単結晶となる状態を説明する図である。ステージ７の移動によってレーザビーム５ａの照射域から外れた部分から放熱が始まり、冷却して、順次走査方向に沿って結晶が成長し、帯状結晶（擬似単結晶）３ａとなる。この放熱を矢印Ｂで示す。
【００３４】
図１０は、図１〜図５で説明したレーザビームのプロファイルでシリコン半導体層を照射することで幅広の面積で擬似単結晶化を行うためのミラー制御を説明する図である。図１０の（ａ）は基板に堆積したシリコン半導体層の中央領域にレーザビームを照射する状態、図１０の（ｂ）は基板に堆積したシリコン半導体層の、レーザビーム走査方向と交差（ここでは、直交）する方向の一方の端部側領域にレーザビームを照射する状態、図１０の（ｃ）は基板に堆積したシリコン半導体層の、同じく他方の端部側領域にレーザビームを照射する状態を示す。図１０の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）において、上側は斜視図、下側は平面図である。
【００３５】
シリコン半導体層を図１〜図５で説明したレーザビームのプロファイルで走査するため、レーザ源４から出射したレーザビーム５をミラー装置６で反射させ、シリコン半導体層３の上に照射する。ミラー装置６がシリコン半導体層３の中央領域にレーザビームを照射する状態、すなわちシリコン半導体層３の中央領域に照射位置９が位置する（図１０（ａ））。
【００３６】
シリコン半導体層３の面と交差する軸１２の周りでミラー装置６を矢印Ｃ方向に揺動させる（振る）ことでレーザビーム５ａの照射位置はシリコン半導体層３の一方の端部側の領域（照射位置９a）に移動する（図１０（ｂ））。そして、同じように、シリコン半導体層３の面と交差する軸１２の周りでミラー装置６を矢印Ｄ方向に振ることでレーザビーム５ａの照射位置はシリコン半導体層３の他方の端部側の領域（照射位置９ｂ）に移動する（図１０（ｃ））。
【００３７】
図１１に示したように、上記図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）の動作を高速、連続的に反復繰り返しを行うことで、シリコン半導体層３を照射位置９aから照射位置９ｂに渡る広い幅の領域でレーザ照射できる。この動作とステージ７の１回の移動との組み合わせで、上記の広い幅でステージ７の移動距離に応じた領域を帯状結晶（擬似単結晶）３ａに改質することが可能となる。
【００３８】
図１２は、本発明による擬似単結晶化と従来の擬似単結晶化とを比較して説明する図で、図１２（ａ）は従来の技術で擬似単結晶に改質した帯状結晶（擬似単結晶）３ａの平面模式図、図１２（ｂ）は本発明の技術で擬似単結晶に改質した帯状結晶（擬似単結晶）３ａの平面模式図である。なお、ここでは、擬似単結晶（帯状単結晶）の状態を整列した境界（結晶粒界）をもって配列した帯状として示すが、実際の帯状単結晶は走査方向のサイズが幅方向のサイズよりも格段に長いので、途中で切れたり、新しく生成した境界と重なったりし、形状が不定形な帯状となる場合もある。したがって、レーザビームの走査方向に交差する境界も存在する。
【００３９】
このような帯状結晶（擬似単結晶）３ａに薄膜トランジスタを作り込む場合、その活性層（能動層）に形成するチャネル方向が結晶粒界を横切らない配置、あるいは横切る結晶粒界数がなるべく少ない設計とすることで、薄膜トランジスタの移動度が向上する。図１２（ａ）では、境界の密度が高く、図１２（ｂ）は低い。したがって、図１２（ｂ）に示した本発明の製造方法による帯状結晶（擬似単結晶）３ａを用いることにより、高移動度の薄膜トランジスタ回路を効率よく配置でき、設計の自由度が向上する。特に、基板の上に画素領域と共に駆動回路を含む周辺回路を作り込む画像表示装置に本発明を適用することで高速、高精細な駆動回路や付帯回路を形成するとともに、画像表示装置の狭額縁化が可能となる。
【実施例２】
【００４０】
図１３は、本発明にかかる半導体装置の製造方法の実施例２の説明図である。実施例２では、実施例１の図面と同じ符号は同一機能部分に対応する。実施例２では、実施例１がミラー装置６を揺動させる方法であるのに対し、ステージ７を矢印Ｅのように高速で往復スライドさせる。他の構成は実施例１と同じである。実施例２によっても、実施例１と同様に、レーザビームの幅（図１５の長さＬの方向）を広げることができる。
【実施例３】
【００４１】
図１４は、本発明にかかる半導体装置の製造方法の実施例３の説明図である。実施例３では、ミラー６に代えてレーザビームをシリコン半導体層３に反射させるミラーとして、反射面がポリゴン構造としたポリゴンミラー１１を用いた。このようなポリゴンミラー１１を用いることで、ミラー装置の揺動を要することなく実施例１と同様に、レーザビームの幅（図１５の長さＬの方向）を広げることができる。
【００４２】
なお、前述した実施例では、主にシリコン半導体層の帯状結晶化（擬似単結晶化）において、本発明を適用した場合について説明したが、ポリシリコン半導体薄膜など他の半導体膜の結晶化に適用することも可能である。
【００４３】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法におけるレーザビームのエネルギー強度と分布および擬似単結晶化されたシリコン半導体層の結晶性を説明する図である。
【図２】平行な二本のレーザビームを対物レンズに通した場合の焦点（フォーカス）位置と焦点ずれ（デフォーカス）位置の説明図である。
【図３】端部のエネルギー強度を大きくしたビームプロファイルのレーザを形成する第１方法を説明する図である。
【図４】端部のエネルギー強度を大きくしたビームプロファイルのレーザを形成する第２方法の光学系を説明する図である。
【図５】第２方法により形成されたレーザビームの走査方向と交差する方向のエネルギー強度の説明図である。
【図６】ガラス基板にアニールする半導体層を形成した状態の説明図である。
【図７】シリコン半導体層を堆積したガラス基板をレーザ照射装置のステージに載置してレーザを照射する状態の説明図である。
【図８】シリコン半導体層を連続的に溶融するためのレーザビームの照射状態を説明する図である。
【図９】溶融したシリコン半導体層が冷却して擬似単結晶となる状態を説明する図である。
【図１０】図１〜図５で説明したレーザビームのプロファイルでシリコン半導体層を照射することで幅広の面積で擬似単結晶化を行うためのミラー制御を説明する図である。
【図１１】図１０の動作を高速、連続的に反復繰り返しを行うことで広い幅の領域でレーザ照射する様子を説明する図である。
【図１２】本発明による擬似単結晶化と従来の擬似単結晶化とを比較して説明する図である。
【図１３】本発明にかかる半導体装置の製造方法の実施例２の説明図である。
【図１４】本発明にかかる半導体装置の製造方法の実施例３の説明図である。
【図１５】選択的レーザ結晶化法による帯状結晶シリコン半導体膜への改質を説明する模式図である。
【図１６】レーザビームのエネルギー強度と分布の説明図である。
【図１７】傾けた二本のレーザビームの合成エネルギー強度の走査速度の違いによる擬似単結晶化の結晶性の説明図である。
【符号の説明】
【００４５】
１・・・絶縁基板、２・・・下地膜、３・・・シリコン半導体層、４・・・レーザ源、５・・・レーザビーム、６（６ａ、６ｂ）・・・ミラー装置、７・・・ステージ、８・・・走査方向、９（９ａ、９ｂ）・・・レーザビーム照射位置、１０・・・粒界（結晶境界）、１１・・・ポリゴンミラー、５１・・・レーザビーム、１２・・・対物レンズ、１３・・・シリンドリカルレンズ、１４・・・回折光学素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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