(57)【要約】【課題】研磨後の基板における砥粒の突き刺さり及びうねりを低減でき、表面品質が向上されたハードディスク基板を製造できるハードディスク基板の製造方法の提供【解決手段】酸化アルミニウム粒子及び水を含有する研磨液組成物を研磨パッドに接触させながら基板を研磨する工程を有し、前記酸化アルミニウム粒子の二次粒子の体積中位粒子径が０．１〜０．７μｍであり、前記酸化アルミニウム粒子中における粒子径が１μｍ以上の粒子の含有量が０．２重量％以下であり、前記研磨パッドに対する前記研磨液組成物の接触角が０〜１００度であるハードディスク基板の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化アルミニウム粒子及び水を含有する研磨液組成物を研磨パッドに接触させながら被研磨基板を研磨する工程を有するハードディスク基板の製造方法であって、
前記酸化アルミニウム粒子の二次粒子の体積中位粒子径が０．１〜０．７μｍであり、
前記酸化アルミニウム粒子中における粒子径が１μｍ以上の粒子の含有量が０．２重量％以下であり、
前記研磨パッドに対する前記研磨液組成物の接触角が０〜１００度である、ハードディスク基板の製造方法。
【請求項２】
前記酸化アルミニウム粒子がα−アルミナ粒子を含有し、前記α−アルミナ粒子が前記酸化アルミニウム粒子全体の２０重量％以上である、請求項１記載のハードディスク基板ハードディスク基板の製造方法。
【請求項３】
前記研磨液組成物が接触角調整剤を含有する、請求項１又は２に記載のハードディスク基板の製造方法。
【請求項４】
前記研磨液組成物のｐＨが１〜５である、請求項１から３のいずれか一項に記載のハードディスク基板の製造方法。
【請求項５】
前記接触角調整剤が、アルコール、テトラヒドロフラン及びその誘導体、並びに、ケトンからなる群から選択される分子量が２００以下の物質である、請求項３又は４に記載のハードディスク基板の製造方法。
【請求項６】
前記接触角調整剤が界面活性剤である、請求項３又は４に記載のハードディスク基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピューターの急速な普及やデジタル放送等の開始等に伴い、ハードディスクドライブの高容量・小径化が求められている。例えば、ハードディスクドライブに使用されるメモリーハードディスクの記録密度を上げる方法として、磁気ヘッドの浮上量を低下させて、単位記録面積を小さくすることが提案されている。しかしながら、ヘッドの低浮上化に対応するためには、ハードディスク基板の表面の表面粗さ、微小うねり、ロールオフなどを低減する必要がある。かかる要求を満たすために、研磨後の基板のスクラッチを低減し得る研磨剤スラリー（特許文献１〜３）や、ロールオフを低減できる研磨液組成物（特許文献４）が知られている。
【０００３】
ハードディスク基板の製造方法においては、より平滑で、傷が少ないといった表面品質向上と生産性向上の両立の観点から、２段階以上の研磨工程を有する多段研磨方式が採用されることが多い。多段研磨方式の最終研磨工程、即ち、仕上げ研磨工程では、表面粗さの低減、傷の低減という要求を満たすために、一般に、コロイダルシリカ粒子を使用した仕上げ用研磨液組成物で研磨される。一方、仕上げ研磨工程より前の研磨工程においては、生産性の観点から、高い研磨速度を実現し得る比較的粒子径の大きな砥粒、例えば酸化アルミニウム粒子が使用される傾向にある。
【特許文献１】特開２０００−１５５６０号公報
【特許文献２】特開２０００−４５８号公報
【特許文献３】特開２００１−１５５３３２号公報
【特許文献４】特開２００２−１６７５７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、酸化アルミニウム粒子を砥粒として使用した場合、テキスチャースクラッチとしてメディアでの欠陥を引き起こし、さらに、磁気特性の低下、即ち、シグナルノイズ比（ＳＮＲ）の低下を引き起こすという問題がある。また、テキスチャー処理を施さない垂直記録用の基板においても、前記砥粒を使用した場合、記録エラー、磁気特性の低下、ＳＮＲの低下等の原因となりうるという問題がある。また、メモリーハードディスク基板の高密度化に必要な表面品質を達成するためには、磁気ヘッドの浮上量低減の観点から、うねりの低減も重要な課題である。
【０００５】
本発明は、酸化アルミニウム粒子を砥粒として含有する研磨液組成物を用いて研磨する工程を有するハードディスク基板の製造方法であって、表面品質が向上されたハードディスク基板を製造できるハードディスク基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のハードディスク基板の製造方法は、酸化アルミニウム粒子及び水を含有する研磨液組成物を研磨パッドに接触させながら被研磨基板を研磨する工程を有し、前記酸化アルミニウム粒子の二次粒子の体積中位粒子径が０．１〜０．７μｍであり、前記酸化アルミニウム粒子中における粒子径が１μｍ以上の粒子の含有量が０．２重量％以下であり、前記研磨パッドに対する前記研磨液組成物の接触角が０〜１００度であるハードディスク基板の製造方法である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のハードディスク基板の製造方法によれば、例えば、酸化アルミニウム粒子の基板への突き刺さり及び基板のうねりが低減され、高記録密度に適したハードディスク基板を製造できるという効果が奏される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明において、砥粒の「突き刺さり」とは、基板に付着した砥粒とは異なり、基板に押し込まれて残留している状態を指す。この「突き刺さり」は、後述の実施例のように、コロイド粒子を砥粒として含有する研磨液組成物で、基板表面をわずかに研磨して基板に付着した砥粒を除去した後、その基板表面を暗視野顕微鏡観察又は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）若しくは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察によって調べることができる。
【０００９】
この突き刺さりがあると、ハードディスク基板のメディア化工程で実施されるテキスチャー処理において表面に深いスクラッチが入るなどの欠陥が発生したり、完成したハードディスクにおいて磁気特性の低下、即ち、シグナルノイズ比（ＳＮＲ）の低下を引き起こしたりすると考えられる。従って、この砥粒の突き刺さりを低減することは、優れたハードディスク基板を得るために重要である。
【００１０】
本発明は、研磨液組成物の砥粒である酸化アルミニウム粒子の粒子径を特定のサイズに制御すること、及び、砥粒中に存在する特定の大きさの粗大粒子を特定量以下に低減することにより、研磨後の基板への砥粒の突き刺さりの低減が可能になるという知見に基づく。
【００１１】
本発明は、また、研磨パッドが研磨液組成物によって均一に濡れることにより、研磨後の基板のうねりが効果的に低減されるという知見に基づく。本発明において基板のうねりとは、粗さよりも波長の長い基板表面の凹凸であり、本明細書においては、波長５０〜５００μｍの短波長うねり、及び、波長０．５〜５ｍｍの長波長うねりのことを指す。この基板のうねりが低減されることにより、磁気ヘッドの浮上量が低減でき、磁気ディスク基板の記録密度向上が可能となる。本発明のうねり低減効果が奏されるメカニズムについては、未だ不明であるが、次のように推定される。従来の研磨液組成物は、研磨パッドが均一に濡れにくいことに起因して、研磨パッド上で研磨砥粒を含む凹凸のある膜を形成することがある。これに対し、本発明では、研磨パッドに対する研磨液組成物の濡れ性（接触角）を所定の範囲としているため、研磨液組成物が研磨パッド上に均一に濡れ広がり、研磨パッド上に研磨液組成物の平坦な膜が形成される。これにより、基板が平坦に研磨され、うねりが低減されると推定される。ただし、これらの推測は、本発明を限定するものではない。
【００１２】
さらに、本発明は、前記酸化アルミニウム粒子を含み研磨パッドに対する研磨液組成物の濡れ性（接触角）が所定範囲であることにより、研磨後の基板における砥粒の突き刺さりの低減とうねりの低減とがともに可能になるという知見に基づく。
【００１３】
本発明のハードディスク基板の製造方法（以下、本発明の製造方法ともいう）は、上述したように、酸化アルミニウム粒子及び水を含有する研磨液組成物を研磨パッドに接触させながら被研磨基板を研磨する工程を有するハードディスク基板の製造方法であって、前記酸化アルミニウム粒子の二次粒子の体積中位粒子径が０．１〜０．７μｍであり、前記酸化アルミニウム粒子中における粒子径が１μｍ以上の粒子の含有量が０．２重量％以下であり、前記研磨パッドに対する前記研磨液組成物の接触角が０〜１００度であることを技術的特徴の１つとする。このような技術的特徴を備えることにより、本発明は、研磨後の基板における砥粒の突き刺さり及びうねりがともに低減でき、優れた表面品質の高記録密度に適したハードディスク基板を製造することができる。
【００１４】
［酸化アルミニウム粒子］
本発明における研磨液組成物は、砥粒として酸化アルミニウム（以下、アルミナと称することがある）粒子を含有する。本発明に用いられる酸化アルミニウム粒子としては、突き刺さり低減、うねり低減、表面粗さ低減、研磨速度向上及び表面欠陥防止の観点から、アルミナとしての純度が９５％以上のアルミナが好ましく、より好ましくは９７％以上、さらに好ましくは９９％以上のアルミナである。また、研磨速度向上の観点からは、α−アルミナが好ましく、表面性状及びうねり低減の観点からは、中間アルミナ及びアモルファスアルミナが好ましい。中間アルミナとは、α−アルミナ以外の結晶性アルミナ粒子の総称であり、具体的にはγ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、η−アルミナ、κ−アルミナ、及びこれらの混合物等が挙げられる。その中間アルミナの中でも、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、γ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ及びこれらの混合物が好ましく、より好ましくはγ−アルミナ及びθ−アルミナである。研磨速度向上及びうねり低減の観点からは、α−アルミナと、中間アルミナ及び／又はアモルファスアルミナとを混合して使用することが好ましく、α−アルミナとθ−アルミナとを混合して使用することがより好ましい。また、酸化アルミニウム粒子中のα−アルミナの含有量は、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、２０重量％以上が好ましく、３０重量％以上がより好ましく、４０重量％以上がさらに好ましく、５０重量％以上がさらにより好ましく、また、ロールオフ低減の観点から、１０〜９０重量％が好ましく、２０〜８０重量％がより好ましく、３０〜７０重量％がさらに好ましい。本発明において、酸化アルミニウム粒子中のα−アルミナの含有量は、ＷＡ−１０００（昭和電工（株）製酸化アルミニウム粒子）の１０４面のピーク面積を１００％として、Ｘ線回折におけるα−アルミナの対応ピーク面積を相対比較することにより求める。
【００１５】
酸化アルミニウム粒子の二次粒子の体積中位粒子径は、突き刺さり低減の観点、並びにうねり低減及び表面粗さ低減の観点から、０．７μｍ以下であり、０．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以下がより好ましく、０．３５μｍ以下がさらに好ましく、０．３μｍ以下がさらにより好ましく、０．２５μｍ以下がさらにより好ましい。また、該粒子径は、研磨速度向上の観点から、０．１μｍ以上であり、０．１５μｍ以上が好ましく、０．２μｍ以上がより好ましい。即ち、該粒子径は、０．１〜０．７μｍであり、好ましくは０．１〜０．５μｍ、より好ましくは０．１〜０．４μｍ、さらに好ましくは０．１５〜０．３５μｍ、さらにより好ましくは０．１５〜０．３μｍ、さらにより好ましくは０．２〜０．２５μｍである。中でも、α−アルミナの二次粒子の体積中位粒子径は、突き刺さり低減、うねり低減及び表面粗さ低減の観点、並びに研磨速度向上の観点から、０．１〜０．７μｍが好ましく、０．１〜０．５μｍがより好ましく、０．１〜０．４μｍがさらに好ましく、０．１〜０．３５μｍがさらにより好ましく、０．１５〜０．３μｍがさらにより好ましく、０．１５〜０．２５μｍがさらにより好ましい。
【００１６】
酸化アルミニウム粒子の一次粒子の平均粒子径は、突き刺さり低減及びうねり低減の観点から、０．００５〜０．５μｍが好ましく、０．０１〜０．４μｍがより好ましく、０．０３〜０．３μｍがさらに好ましく、０．０５〜０．２μｍがさらにより好ましい。中でも、α−アルミナの一次粒子の平均粒子径は、研磨速度向上、うねり低減、及び突き刺さり低減の観点から、０．０５〜０．５μｍが好ましく、０．０５〜０．４μｍがより好ましく、０．０５〜０．３μｍがさらに好ましく、０．０７〜０．２μｍがさらにより好ましい。
【００１７】
酸化アルミニウム粒子の一次粒子の平均粒子径（体積基準）及び０．１μｍ未満の二次粒子の体積中位粒子径は、走査型電子顕微鏡で観察（好適には３０００〜３００００倍）又は透過型電子顕微鏡で観察（好適には１００００〜３０００００倍）して画像解析を行い、粒子径を測定することにより求めることができる。具体的には、拡大写真等を用い、個々の一次粒子又は二次粒子の最大長を少なくとも２００個の粒子について測定し、該長さを直径とする球の体積を算出し、小粒径側からの累積体積頻度が５０％となる粒径（Ｄ50）をそれぞれ、一次粒子の平均粒子径又は二次粒子の体積中位粒子径とする。また、０．１μｍ以上の二次粒子の体積中位粒子径（Ｄ50）は、レーザー光回折法を用いて該粒子径を測定する。
【００１８】
ＢＥＴ法にて測定されたα−アルミナの比表面積は、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、０．１〜５０ｍ2／ｇが好ましく、より好ましくは１〜４０ｍ2／ｇ、さらに好ましくは２〜２０ｍ2／ｇである。さらに、ＢＥＴ法で測定された中間アルミナ又はアモルファスアルミナの比表面積は、好ましくは３０〜３００ｍ2／ｇ、より好ましくは５０〜２００ｍ2／ｇである。
【００１９】
研磨液組成物中における酸化アルミニウム粒子の含有量は、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、好ましくは０．０５重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、さらにより好ましくは１重量％以上である。また、該含有量は、表面品質向上及び経済性の観点から、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１５重量％以下、さらにより好ましくは１０重量％以下である。即ち、研磨液組成物中における酸化アルミニウム粒子の含有量は好ましくは０．０５〜３０重量％、より好ましくは０．１〜２０重量％、さらに好ましくは０．５〜１５重量％、さらにより好ましくは１〜１０重量％である。
【００２０】
酸化アルミニウム粒子中における粒子径が１μｍ以上の粗大粒子の含有量は、突き刺さり低減の観点から、０．２重量％以下であり、好ましくは０．１５重量％以下、より好ましくは０．１重量％以下、さらに好ましくは０．０５重量％以下である。また、酸化アルミニウム粒子中における粒子径が３μｍ以上の粗大粒子の含有量は、同様の観点から、０．０５重量％以下が好ましく、より好ましくは０．０４重量％以下、さらに好ましくは０．０３重量％以下、さらにより好ましくは０．０２重量％以下、さらにより好ましくは０．０１重量％以下である。なお、前記「粒子径が１μｍ以上の粗大粒子」又は「粒子径が３μｍ以上の粗大粒子」は、一次粒子のみならず、一次粒子が凝集した二次粒子をも含むものとする。
【００２１】
研磨液組成物中の前記粗大粒子の含有量の測定には、個数カウント方式（Ｓｉｚｉｎｇ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｅｎｓｉｎｇ法）が使用される。具体的には、米国パーティクルサイジングシステムズ（Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｓｉｚｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）社製「アキュサイザー（Ａｃｃｕｓｉｚｅｒ）７８０」によって、酸化アルミニウム粒子の粒子径を測定することにより、該含有量を求めることができる。
【００２２】
酸化アルミニウム粒子中における粒子径が１μｍ以上の粗大粒子の含有量を制御する方法としては、特に限定はなく、研磨液組成物の製造の際あるいは製造後に、一般的な分散方法あるいは粒子除去方法を用いることができる。例えば、特定の平均粒子径とすべく、湿式の循環式ビーズミルにより均一に解砕した酸化アルミニウム粒子スラリーを、さらに、静置沈殿法や遠心分離装置等による沈降法、又は濾過材による精密濾過等により粗大粒子を除去する方法に供することによって上記含有量を制御することができる。粗大粒子の除去方法については、それぞれ単独の方法で処理しても２種以上の方法を組み合わせて処理しても良く、組合せの処理順序についても何ら制限はない。また、その処理条件や処理回数についても、適宜選択して使用することができる。
【００２３】
本発明において、研磨パッドに対する研磨液組成物の接触角は、うねり低減の観点から、０〜１００度であり、０〜８０度が好ましく、０〜６０度がより好ましく、０〜４０度がさらに好ましい。
【００２４】
［接触角調整剤］
本発明において、接触角調整剤とは、研磨液組成物の研磨パッドに対する接触角（以下、単に「研磨液組成物の接触角」ともいう）を調整するための剤をいう。前記接触角調整剤は、研磨液組成物の研磨パッドに対する接触角が上記範囲となるように、必要に応じて含有される。研磨液組成物の研磨パッドに対する接触角は、図１の概略図を用いて示すと、研磨パッドＣの表面と研磨液組成物Ｂの表面とが成す角Ａとなる。とりわけ、本発明において、研磨パッドに対する研磨液組成物の接触角とは、以下の測定方法により測定した値をいう。なお、研磨液組成物の接触角は、研磨液組成物に後述の接触角調整剤を添加することにより、容易に調整され得る。
【００２５】
（研磨液組成物の接触角の測定方法）
１．研磨パッドに研磨液組成物を０．１ｍｌ滴下する。
２．２５℃で５分間、１．の研磨パッドを静置する。
３．接触角測定器（型番ＣＡ−Ｓ３５０、協和界面科学株式会社製）を用い、２．で得られた研磨パッドに対する研磨液組成物の接触角を測定する（図１参照）。なお、研磨パッドに対する水の接触角を測定する際は、２．の静置時間を３分間にして測定する。なお、上記測定には、研磨前または研磨途中の研磨パッドが使用される。
【００２６】
本発明における接触角調整剤としては、うねり低減の観点から、下記の１）〜４）が好ましい。
【００２７】
１）アルコール
アルコールとしては、分子量２００以下のものが好ましく、ハロゲン、硫黄、窒素及びその他の原子を含んでいてもよい。具体的な例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、２−クロロプロパノール等が挙げられる。研磨液組成物の安定性やうねり低減の観点から、メタノール及びエタノールが好ましく、メタノールがより好ましい。
【００２８】
２）テトラヒドロフラン及びその誘導体
テトラヒドロフラン及びその誘導体としては、分子量２００以下のものが好ましく、ハロゲン、硫黄、窒素及びその他の原子や水酸基を含んでいてもよい。具体的な例としては、テトラヒドロフラン、２−ヒドロキシテトラヒドロフラン、３−ヒドロキシテトラヒドロフランなどが挙げられる。研磨液組成物の安定性及びうねり低減の観点から、テトラヒドロフランが好ましい。
【００２９】
３）ケトン
ケトンとしては、分子量２００以下のものが好ましく、ハロゲン、硫黄、窒素、酸素及び水酸基等を含んでいてもよい。具体的な例としては、アセトン、クロロアセトン、ジクロロアセトン、ヒドロキシアセトン、ジヒドロキシアセトン等が挙げられる。研磨液組成物の安定性及びうねり低減の観点から、アセトン及びヒドロキシアセトンが好ましく、アセトンがより好ましい。
【００３０】
上記１）〜３）に挙げた接触角調整剤の分子量は、水溶性の観点及びうねり低減の観点から、３０〜２００が好ましく、３０〜１５０がより好ましく、３０〜１００がさらに好ましい。また、研磨液組成物中における前記の接触角調整剤の含有量は、廃液負荷や研磨速度の観点から、５０重量％以下が好ましく、２５重量％以下がより好ましく、１０重量％以下がさらに好ましい。また、うねり低減の観点から、１重量％以上が好ましく、３重量％以上がより好ましく、５重量％以上がさらに好ましい。即ち、前記の含有量は、１〜５０重量％が好ましく、３〜２５重量％がより好ましく、５〜１０重量％がさらに好ましい。
【００３１】
なお、研磨液組成物の親油性を低下させることにより、研磨パッドに対する濡れ性を向上させることができる。従って、いずれも親油性化合物である１）〜３）の接触角調整剤を用いて接触角の調整を行う場合には、該調整剤の研磨液組成物中の含有量により研磨パッドに対する濡れ性の調節を行う事が好ましい。
【００３２】
４）界面活性剤
界面活性剤は、研磨液組成物の研磨パッドに対する濡れ性を向上させるのに有効な化合物である。界面活性剤としては、非イオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤及び両性界面活性剤等が挙げられる。うねり低減の観点から、非イオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤及びアニオン性界面活性剤が好ましく、非イオン性界面活性剤及びカチオン性界面活性剤がより好ましく、非イオン性界面活性剤がさらに好ましい。接触角調整剤として、界面活性剤を用いる場合には、水に溶ける範囲内で親油性を持つものが好ましい。界面活性剤として非イオン性界面活性剤を用いる場合には、例えば、親油基のアルキル鎖数又は親水基のオキシエチレン基及びオキシプロピレン基の平均付加モル数で親油性の調節を行う。またそれ以外の界面活性剤においては、親油基のアルキル鎖数を多くすることにより調節することが好ましい。
【００３３】
カチオン性界面活性剤としては、特に限定されるものではないが、うねり低減の観点から、下記一般式（Ｉ）に表される、炭素数８〜３６の炭化水素基を少なくとも１個有するものが好ましい。
【００３４】
【化１】
2008302489.tif 000002
［式（Ｉ）中、Ｒは炭素数８〜３６の炭化水素基であり、Ｒ’、Ｒ’’及びＲ’’’は炭化水素基又はＨであり、Ｒ’、Ｒ’’及びＲ’’’は、同一のものでもよく、異なるものでもよい。Ｘは陰イオン成分である。］
【００３５】
式（Ｉ）中、Ｘとしては、例えば、ＣＨ3ＣＯＯ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｃ2Ｈ5ＳＯ3等が挙げられ、好ましくはＣＨ3ＣＯＯ、Ｃｌ、Ｃ2Ｈ5ＳＯ3である。Ｒ’、Ｒ’’及びＲ’’’としては、界面活性剤自身の溶解性の観点から、それぞれＨ、ＣＨ3、ＣＨ3ＣＨ2等が好ましく、より好ましくはＨ、ＣＨ3である。
【００３６】
カチオン性界面活性剤が有し得る炭化水素基のうち、炭素数の最も多い基の炭素数と２番目に多い基の炭素数の合計は、うねり低減の観点から、１５以上が好ましく、１６以上がより好ましく、１７以上がさらに好ましい。また、界面活性剤の分散性の観点から、前記合計は、７２以下が好ましく、３２以下がより好ましく、２４以下がさらに好ましい。即ち、カチオン性界面活性剤の一番炭素数が多い基と２番目に多い基の合計炭素数は、１５〜７２が好ましく、１６〜３２がより好ましく、１７〜２４がさらに好ましい。
【００３７】
カチオン性界面活性剤の対イオン成分としては、特に限定されるものではなく、ハロゲン化物イオン又は炭素数１から３のモノアルキル硫酸イオン等が挙げられる。
【００３８】
具体的なカチオン性界面活性剤の例としては、塩化テトラデシルトリメチルアンモニウム、塩化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、塩化オクタデシルトリメチルアンモニウム，臭化テトラデシルトリメチルアンモニウム、臭化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、臭化オクタデシルトリメチルアンモニウム、塩化ジオクチルジメチルアンモニウム、塩化ジデシルジメチルアンモニウム、塩化ジドデシルジメチルアンモニウム、塩化ジテトラデシルジメチルアンモニウム、塩化ジヘキサデシルジメチルアンモニウム、塩化ジオクタデシルジメチルアンモニウム、ビス（β−ヒドロキシルステアリル）ジエチルアンモニウムクロライド等が好ましい。
【００３９】
アニオン性界面活性剤としては、特に限定されるものではないが、下記の一般式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表されるスルホン酸又はその塩が好ましく使用され得る。
Ｒ−（Ｏ）n−Ｘ−ＳＯ3Ｈ                （ＩＩ）
Ｒ−（Ｏ）n−ＳＯ3Ｈ                    （ＩＩＩ）
（式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）中、Ｒは一部又はすべての水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数３〜２０の炭化水素基であり、Ｘは芳香族炭化水素の芳香環から水素原子を二つ除いた残基であり、ｎは０又は１を表す。）
【００４０】
上記式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）において、Ｒは、飽和炭化水素でも不飽和炭化水素でもよく、また、直鎖構造でも分岐鎖構造でもよい。さらに、Ｒは一部又はすべての水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい他、本発明の効果を奏する範囲内で炭化水素の水素原子の一部がフッ素原子以外の置換基で置換されていてもよい。うねり低減の観点から、Ｒは炭素数６〜２０のアルキル基（前記フッ素原子以外の置換基で置換された炭化水素を含む。以下同様。）又は炭素数６〜２０のパーフルオロ炭化水素基が好ましく、さらに耐泡立ち性などの操作性の観点からは、炭素数６〜１８のアルキル基又は炭素数６〜１８のパーフルオロ炭化水素基がより好ましい。
【００４１】
式（ＩＩ）中、Ｘは、ベンゼン、ナフタレン等の芳香族炭化水素の芳香環から水素原子を二つ除いた残基であり、該芳香環に結合した水素原子が他の原子又は原子団で置換された残基であってもよい。Ｘは、ロールオフ低減の観点からフェニレン基（前記置換フェニレン基を含む）が好ましい。
【００４２】
スルホン酸塩の対イオンとしては、水素原子、無機カチオン、又は有機カチオンであり、たとえば、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオンの他に、アニモニウムイオン、四級アンモニウムイオンなどが挙げられる。スルホン酸塩の水への溶解性の観点から、アルカリ金属イオンが好ましい。
【００４３】
非イオン性界面活性剤としては、特に限定されるものではないが、下記の一般式（ＩＶ）で表されるものが好ましく使用され得る。
Ｙ−（ＥＯ）l（ＰＯ）m−Ｚ              （ＩＶ）
［式（ＩＶ）中、ＥＯはオキシエチレン基であり、ＰＯはオキシプロピレン基であり、ｌ、ｍはそれぞれの平均付加モル数を示し、ｌ＋ｍは８〜１００であり、Ｙは−ＯＲ1基、−ＯＨ基又は−ＯＣＯＲ2基（Ｒ1及びＲ2は炭化水素基）であり、Ｚは−Ｒ3基、水素原子又は−ＣＯＲ4基（Ｒ3及びＲ4は炭化水素基）である。］
【００４４】
かかる非イオン性界面活性剤の例としては、下記一般式（Ｖ）〜（ＩＸ）で表されるものが挙げられる。
【化２】
2008302489.tif 000003
【００４５】
上記式（ＩＶ）〜（ＩＸ）において、Ｒ1〜Ｒ4は炭化水素基であり、Ｎ、Ｏ、Ｓ及び他元素を含んでいてもよい。Ｒ1〜Ｒ4としては、非イオン性界面活性剤の安定性及び分散性の観点から、炭素数が１〜３６の炭化水素基が好ましく、１〜２２の炭化水素基がより好ましく、１〜１８の炭化水素基がさらに好ましい。また、うねり低減の観点からは、Ｒ1〜Ｒ4の炭素数は、１２以上が好ましく、１４以上がより好ましく、１６以上がさらに好ましい。
【００４６】
（ＥＯ）l（ＰＯ）mは、オキシエチレン基及び／又はオキシプロピレン基であり、ランダム又はブロックのどちらでもよい。また、ブロックにおいては２段以上のブロックであってもよい。また、研磨液組成物の研磨パッドに対する濡れ性を満足させる為には、界面活性剤がある程度の親油性を有することが好ましく、例えば、親水親油バランス（ＨＬＢ）が１８以下であることが好ましく、より好ましくは１６以下、さらに好ましくは１５以下である。
【００４７】
うねり低減の観点から（ＥＯ）の平均付加モル数は、８０以下が好ましく、５０以下がより好ましく、３０以下がさらに好ましく、２０以下がさらにより好ましい。また、更に研磨液組成物に濡れ性を与えたい場合では、（ＥＯ）の平均付加モル数と（ＰＯ）の平均付加モル数を同じような数にする事が好ましい。即ち、（ＥＯ）の平均付加モル数が２０の場合には、（ＰＯ）の平均付加モル数は１０〜２２が好ましく、１５〜２２がより好ましく、１７〜２２がさらに好ましい。また、ｌ＋ｍとしては、界面活性剤自身の溶解性の観点から、８〜１００が好ましく、１０〜８０がより好ましく、１５〜６０がさらに好ましい。
【００４８】
これらの非イオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンカルボン酸エステル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンカルボン酸エステル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンコポリマーが挙げられる。
【００４９】
上記の界面活性剤の研磨液組成物中の含有量は、研磨速度向上の観点から、５重量％以下が好ましく、３重量％以下がより好ましく、１重量％以下がさらに好ましい。また、研磨液組成物の濡れ性向上の観点から、０．００１重量％以上が好ましく、０．０１重量以上がより好ましく、０．０５重量％以上がさらに好ましい。即ち、界面活性剤の研磨液組成物中の含有量は、０．００１〜５重量％が好ましく、０．０１〜３重量％がより好ましく、０．０５〜１重量％がさらに好ましい。
【００５０】
［水］
本発明における研磨液組成中の水は、媒体として使用されるものであり、蒸留水、イオン交換水又は超純水等が使用され得る。研磨液組成中の水の含有量は、研磨液組成物の取り扱い性（粘度）の観点から、５５重量％以上が好ましく、７５％重量％以上がより好ましく、８５重量％以上がさらに好ましく、９０重量％以上がさらにより好ましい。また、研磨速度の向上並びに突き刺さり及びうねりの低減の観点から、９９．８重量％以下が好ましく、９９．３重量％以下がより好ましく、９８．８重量％以下がさらに好ましい。即ち、研磨液組成物中の水の含有量は５５〜９９．８重量％が好ましく、７５〜９９．８重量％がより好ましく、８５〜９９．３重量％がさらに好ましく、９０〜９８．８重量％がさらにより好ましい。
【００５１】
［酸］
本発明における研磨液組成物は、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、酸を含有することが好ましい。本発明に用いられ得る酸は、研磨速度の向上並びに突き刺さり及びうねりの低減の観点から、そのｐＫ１が好ましくは７以下、より好ましくは５以下、さらに好ましくは３以下、さらにより好ましくは２以下の酸である。ここで、ｐＫ１とは、第１酸解離定数（２５℃）の逆数の対数値である。各化合物のｐＫ１は、例えば化学便覧改訂４版（基礎編）ＩＩ、ｐ３１６〜３２５（日本化学会編）等に記載されている。
【００５２】
本発明に用いられ得る酸の具体例を以下に示す。無機酸としては硝酸、塩酸、過塩素酸、アミド硫酸等の一価の鉱酸類と、硫酸、亜硫酸、リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等の多価鉱酸類が挙げられる。また、有機酸としてはギ酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、プロパン酸、ヒドロキシプロパン酸、酪酸、安息香酸、グリシン等のモノカルボン酸類、シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、イソクエン酸、フタル酸、ニトロトリ酢酸、エチレンジアミン四酢酸等の多価カルボン酸類、メタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等のアルキルスルホン酸類、エチルリン酸、ブチルリン酸等のアルキルリン酸類、ホスホノヒドロキシ酢酸、ヒドロキリエチリデンジホスホン酸、ホスホノブタントリカルボン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸等のホスホン酸類等が挙げられる。これらの内、研磨速度の向上並びに突き刺さり及びうねりの低減の観点から、多価酸が好ましく、より好ましくは多価鉱酸、多価有機カルボン酸及び多価有機ホスホン酸、さらに好ましくは多価鉱酸及び多価有機カルボン酸である。ここで多価酸とは分子内に２つ以上の、水素イオンを発生させ得る水素を持つ酸をいう。また、被研磨物の表面汚れ防止の観点からは、硝酸、硫酸、スルホン酸及びカルボン酸が好ましい。
【００５３】
前記酸は単独で用いても良いが、２種以上を混合して使用することが好ましい。特に、Ｎｉ−Ｐメッキ基板のような金属表面を研磨する場合で、研磨中に被研磨物の金属イオンが溶出して研磨液組成物のｐＨが上昇し、高い研磨速度が得られないとき、ｐＨ変化を小さくするためにｐＫ１が２．５未満の酸とｐＫ１が２．５以上の酸とを組み合わせて使用することが好ましく、ｐＫ１が１．５以下の酸とｐＫ１が２．５以上の酸とを組み合わせて使用することがより好ましい。このような２種以上の酸を含有する場合、研磨速度向上及びうねり低減、かつ入手性を考慮すると、ｐＫ１が２．５未満の酸としては、硝酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸や有機ホスホン酸を用いることが好ましい。一方、ｐＫ１が２．５以上の酸としては、同様な観点から、酢酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、イタコン酸等の有機カルボン酸が好ましく、中でも、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、イタコン酸が好ましく、クエン酸がより好ましい。また、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、ｐＫ１が２．５以上の有機カルボン酸を使用する場合は、オキシカルボン酸と２価以上の多価カルボン酸とを組み合わせて使用することがより好ましい。例えば、オキシカルボン酸としては、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸等が挙げられ、多価カルボン酸としては、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸等が挙げられる。従って、これらをそれぞれ１種以上組み合わせて使用することが好ましく、中でも、クエン酸と多価カルボン酸を組み合わせることが好ましい。
【００５４】
研磨液組成物中における前記酸の含有量は、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、好ましくは０．００２重量％以上、より好ましくは０．００５重量％以上、さらに好ましくは０．００７重量％以上、さらにより好ましくは０．０１重量％以上である。また、該含有量は、表面品質及び経済性の観点から、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下、さらにより好ましくは５重量％以下である。即ち、研磨液組成物中における酸の含有量は、好ましくは０．００２〜２０重量％、より好ましくは０．００５〜１５重量％、さらに好ましくは０．００７〜１０重量％、さらにより好ましくは０．０１〜５重量％である。また、研磨速度向上の観点から、ｐＫ１が２．５未満の酸とｐＫ１が２．５以上の酸との重量比〔（ｐＫ１が２．５未満の酸）／（ｐＫ１が２．５以上の酸）〕は、９／１〜１／９が好ましく、７／１〜１／７がより好ましく、５／１〜１／５がさらに好ましい。
【００５５】
［酸化剤］
本発明における研磨液組成物は、研磨速度の向上並びに突き刺さり及びうねりの低減の観点から、酸化剤を含有することが好ましい。本発明に用いられる酸化剤としては、例えば、過酸化物、金属のペルオキソ酸若しくはその塩、又は酸素酸若しくはその塩等が挙げられる。酸化剤はその構造から無機系酸化剤と有機系酸化剤に大別される。無機系酸化剤としては、過酸化水素；  過酸化ナトリウム、過酸化カリウム、過酸化カルシウム、過酸化バリウム、過酸化マグネシウムのようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の過酸化物；  ペルオキソ炭酸ナトリウム、ペルオキソ炭酸カリウム等のペルオキソ炭酸塩；  ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム、ペルオキソ一硫酸等のペルオキソ硫酸又はその塩；  ペルオキソリン酸ナトリウム、ペルオキソリン酸カリウム、ペルオキソリン酸アンモニウム等のペルオキソリン酸又はその塩；  ペルオキソホウ酸ナトリウム、ペルオキソホウ酸カリウム等のペルオキソホウ酸塩；  ペルオキソクロム酸ナトリウム、ペルオキソクロム酸カリウム等のペルオキソクロム酸塩；  過マンガン酸ナトリウム、過マンガン酸カリウム等の過マンガン酸塩；  過塩素酸ナトリウム、過塩素酸カリウム、次亜塩素酸ナトリウム、過沃素酸ナトリウム、過沃素酸カリウム、沃素酸ナトリウム、沃素酸カリウム等の含ハロゲン酸素酸塩；  及び塩化鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩＩ）等の無機酸金属塩等が挙げられる。有機系酸化剤としては、過酢酸、過蟻酸、過安息香酸等の過カルボン酸類；  ｔ−ブチルパーオキサイト、クメンパーオキサイト等のパーオキサイト；  及びクエン酸鉄（ＩＩＩ）等の有機酸鉄（ＩＩＩ）塩等が挙げられる。これらの内、研磨速度の向上、入手性、及び水への溶解度等の取り扱い性の観点から、無機系酸化剤が好ましい。中でも、過酸化水素、ペルオキソホウ酸ナトリウム、沃素酸ナトリウム及び沃素酸カリウムが好ましい。また、これらの酸化剤は一種でもよいが、二種以上を混合して用いても良い。
【００５６】
酸化剤の研磨液組成物中の含有量は、研磨速度の向上、並びにうねり及び基板汚れの低減の観点から、０．００２重量％以上が好ましく、０．００５重量％以上がより好ましく、０．００７重量％以上がさらに好ましく、０．０１重量％以上がさらにより好ましい。また、ロールオフ低減及び表面品質の観点から、２０重量％以下が好ましく、１５重量％以上がより好ましく、１０重量％以下がさらに好ましく、５重量％以下がさらにより好ましい。即ち、研磨液組成物中の酸化剤の含有量は、０．００２〜２０重量％が好ましく、０．００５〜１５重量％がより好ましく、０．００７〜１０重量％がさらに好ましく、０．０１〜５重量％がさらにより好ましい。
【００５７】
［研磨液組成物のｐＨ］
本発明における研磨液組成物のｐＨは、被研磨物の種類や要求品質等に応じて適宜決定することが好ましい。例えば、研磨液組成物のｐＨは、研磨速度向上及びうねり低減の観点と、加工機械の腐食防止性及び作業者の安全性の観点とから７未満が好ましく、０．１〜６がより好ましく、さらに好ましくは０．５〜５であり、さらにより好ましくは１〜５、さらにより好ましくは１〜４、さらにより好ましくは１〜３である。該ｐＨは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。
【００５８】
［その他の成分］
また、本発明における研磨液組成物には、さらに研磨速度の向上並びに突き刺さり及びうねりの低減、その他の目的に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、例えば、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、コロイダル酸化チタン等の金属酸化物砥粒、無機塩、増粘剤、防錆剤、塩基性物質等が挙げられる。無機塩の例としては、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、硫酸カリウム、硫酸ニッケル、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム、スルファミン酸アンモニウム等が挙げられる。無機塩は、研磨速度の向上、ロールオフの改良、研磨液組成物のケーキング防止等の目的で使用され得る。前記他の成分は単独で用いても良いし、２種類以上混合して用いても良い。研磨液組成物中における前記他の成分の含有量は、経済性の観点から、好ましくは０．０５〜２０重量％、より好ましくは０．０５〜１０重量％、さらに好ましくは０．０５〜５重量％である。
【００５９】
さらに、研磨液組成物には、他の成分として必要に応じて殺菌剤や抗菌剤等を配合することができる。研磨液組成物中におけるこれらの殺菌剤及び抗菌剤等の含有量は、機能を発揮する観点、並びに研磨性能への影響及び経済性の観点から、好ましくは０．０００１〜０．１重量％、より好ましくは０．００１〜０．０５重量％、さらに好ましくは０．００２〜０．０２重量％である。
【００６０】
［研磨液組成物の調製方法］
本発明における研磨液組成物の調製方法は、何ら制限されず、少なくとも、前記酸化アルミニウム粒子、水、及び必要に応じて接触角調整剤を混合することによって調製できる。研磨パッドに対する研磨液組成物の接触角が０〜１００度とならない場合には、上述した接触角調整剤を使用して適宜調整できる。前記接触角としては、うねり低減の観点から、０〜８０度が好ましく、０〜６０度がより好ましく、０〜４０度がさらに好ましい。前記酸化アルミニウム粒子の分散は、特に制限されず、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。研磨液組成物中における前記の各成分濃度は、研磨する際の好ましい濃度であるが、研磨液組成物が濃縮液として製造される場合は、これを使用前あるいは使用時において、上述した濃度となるように希釈することが好ましい。また、研磨液組成物は目的成分を任意の方法で添加、混合して製造することができる。
【００６１】
なお、研磨液組成物が接触角調整剤による調整が必要な場合、この研磨液組成物から接触角調整剤を除いた構成の組成物（以下、中間研磨液組成物ともいう）と前記接触角調整剤との混合は、研磨液組成物の使用の直前に行ってもよい。例えば、研磨機において研磨液組成物を使用する場合、研磨機への供給配管中の中間研磨液組成物に前記接触角調整剤を添加することにより研磨液組成物を製造してもよく、あるいは、研磨機へ中間研磨液組成物を供給すると同時に前記接触角調整剤を添加することにより研磨液組成物を製造してもよい。
【００６２】
[研磨パッド]
本発明で使用される研磨パッドとしては、特に限定はなく、例えば、不織布状あるいは多孔質の有機高分子からなる研磨パッドが使用され得る。研磨パッドの形状、大きさ等には特に限定はない。また、研磨パッドの材料としては、特に限定はないが、例えば、ウレタン等の有機高分子、有機高分子にカーボン、セリア等の種々の添加剤を含有させたもの等が挙げられる。
【００６３】
研磨パッドの構成成分の１つであるウレタン化合物としては、原料であるイソシアネートと反応させる化合物の種類に応じて、主としてポリエーテル系ウレタン又はポリエステル系ウレタンの２つが挙げられる。一般的に、ポリエーテル系ウレタンは親油性が強く、ポリエステル系ウレタンは親水性が強い傾向がある。一般に、ポリエステル系ウレタンのパッドを用いた方が研磨後の基板のうねりが低くなる傾向にあり、ポリエーテル系ウレタンのパッドを用いると、研磨速度が高く、また、パッド寿命（使用可能時間）が長くなる傾向にある。従って、実生産においては、基板のうねりと研磨速度とのバランスをとりながら研磨を行っているのが現状である。上記を考慮すると、研磨パッドに対する一定の接触角を有する研磨液組成物を用いて、研磨パッドの濡れ性を向上させることにより、研磨後基板のうねりを低減する場合、研磨速度向上及びうねり低減の両立、並びにパッド寿命の観点から、ポリエーテル系ウレタンの研磨パッドを用いる事が好ましい。また、ポリエーテル系ウレタンとポリエステル系ウレタンが混合されている研磨パッドでは、研磨速度向上及びうねり低減の両立の観点から、ポリエーテル系ウレタンの含有量が多い方が好ましい。該混合率は、研磨パッドに対する水の接触角に現れるため、水とウレタンパッドとの接触角を測定し、０〜１５０度の接触角を示すもの用いることが好ましく、５０〜１５０度のものを用いることがより好ましく、１００〜１５０度のものを用いることがさらに好ましく、１１０〜１５０度のものを用いることがさらにより好ましい。
【００６４】
［ハードディスク基板の製造方法］
本発明のハードディスク基板の製造方法は、上述した研磨液組成物を上述した研磨パッドに接触させながら被研磨基板を研磨する工程（以下、「研磨する工程」ともいう）を有し、研磨パッドに対する研磨液組成物の接触角が０〜１００度である製造方法である。上述したとおり、研磨液組成物の研磨パッドに対する接触角は、うねり低減の観点から、０〜８０度が好ましく、０〜６０度がより好ましく、０〜４０度がさらに好ましい。本発明の製造方法では、「研磨する工程」において、研磨パッドに対する接触角が上述の範囲となる研磨液組成物を用いることにより、あるいは、研磨液組成物の接触角が上述の範囲となる研磨パッドを用いることにより、基板への砥粒の突き刺さり及びうねりが顕著に低減でき、高記録密度化に適したハードディスク基板を製造できる。
【００６５】
前記被研磨基板は、通常、ハードディスク基板や磁気記録用媒体の基板の製造に使用されるものである。前記被研磨基板の具体例としては、アルミニウム合金にＮｉ−Ｐ合金をメッキした基板が代表的であるが、アルミニウム合金の代わりにガラスやグラッシュカーボンを使用し、これにＮｉ−Ｐメッキを施した基板、あるいはＮｉ−Ｐメッキの代わりに、各種金属化合物をメッキや蒸着により被覆した基板を挙げることができる。研磨後の被研磨基板におけるうねり低減の効果は、Ｎｉ−Ｐメッキが施された基板の場合に顕著となる。
【００６６】
前記「研磨する工程」においては、研磨パッドで被研磨基板を挟み込み、研磨液組成物を研磨面に供給し、圧力を加えながら研磨パッドや被研磨基板を動かすことにより、被研磨基板を研磨することができる。
【００６７】
本発明における研磨液組成物は、そのまま使用してもよいし、濃縮液であれば希釈して使用すればよい。前記濃縮液を希釈する場合、その希釈倍率は、特に制限されず、前記濃縮液における各成分の濃度（砥粒の含有量等）や研磨条件等に応じて適宜決定できる。また、上述したとおり、中間研磨液組成物と前記接触角調整剤とを準備し、研磨機への供給配管中の中間研磨液組成物に前記接触角調整剤を添加することにより研磨液組成物を供給してもよく、あるいは、研磨機へ中間研磨液組成物を供給すると同時に前記接触角調整剤を添加することにより研磨液組成物を供給してもよい。
【００６８】
前記研磨荷重は、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力を意味する。本発明の製造方法における研磨荷重は、酸化アルミニウム粒子の基板への突き刺さり低減及び研磨後の基板のうねりの低減の観点から、好ましくは５０ｋＰａ以下、より好ましくは４０ｋＰａ以下、さらに好ましくは３０ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、生産性（研磨速度）の観点から、好ましくは３ｋＰａ以上、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上である。したがって、前記研磨荷重は、３〜５０ｋＰａが好ましく、より好ましくは５〜４０ｋＰａ、さらに好ましくは７〜３０ｋＰａである。前記研磨荷重の調整は、定盤や基板等への空気圧や重りの負荷によって行うことができる。その他の研磨条件（研磨機の種類、研磨温度、研磨速度、研磨液組成物の供給量等）については特に限定はない。
【００６９】
研磨液組成物の供給速度は、低コストの面から、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５ｍＬ／分以下が好ましく、より好ましくは０．２ｍＬ／分以下である。また、前記供給速度は、研磨速度をさらに向上できることから、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．０１ｍＬ／分以上が好ましく、より好ましくは０．０２５ｍＬ／分以上、さらに好ましくは０．０５ｍＬ／分以上である。また、したがって、前記供給速度は、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．０１〜０．２５ｍＬ／分が好ましく、より好ましくは０．０２５〜０．２ｍＬ／分、さらに好ましくは０．０５〜０．１５ｍＬ／分である。
【００７０】
本発明の製造方法における研磨する工程によれば、被研磨基板の研磨において、顕著に酸化アルミニウム粒子の突き刺さり及び研磨後の基板のうねりを低減することができる。研磨後の被研磨基板のうねりについては、例えば、前記研磨する工程後の基板を、好ましくは、短波長うねり（うねり周期：０．０５〜０．５ｍｍ）が０．８ｎｍ以下、好ましくは０．６ｎｍ以下、より好ましくは０．４ｎｍ以下とすることができる。なお、うねりは後述の実施例のようにして測定することができる。
【００７１】
また、本発明の製造方法は、２段階以上の研磨工程を有する多段研磨方式であることが好ましく、最終工程である仕上げ研磨工程よりも前の工程で、前記の「研磨する工程」を行なうことが好ましい。仕上げ研磨工程で使用する研磨液組成物においては、ハードディスク基板の表面品質の観点、例えば、うねりの低減、表面粗さの低減、スクラッチ等の表面欠陥の低減の観点から、研磨粒子（砥粒）の一次粒子の平均粒子径が０．１μｍ以下であることが好ましく、０．０８μｍ以下であることがより好ましく、０．０５μｍ以下であることがさらに好ましく、０．０３μｍ以下であることがさらにより好ましい。また、研磨速度向上の観点から、該平均粒子径が０．００５μｍ以上であることが好ましく、０．０１μｍ以上であることがより好ましい。
【００７２】
仕上げ研磨工程で使用される研磨液組成物中の研磨粒子としては、フュームドシリカ砥粒、コロイダルシリカ砥粒等が挙げられ、表面粗さの低減、及びスクラッチ等表面欠陥の低減の観点から、コロイダルシリカ砥粒が好ましい。コロイダルシリカ砥粒の一次粒子の平均粒子径としては、０．００５〜０．０８μｍが好ましく、０．００５〜０．０５μｍがより好ましく、０．０１〜０．０３μｍがさらに好ましい。
【００７３】
仕上げ研磨工程において、一次粒子の平均粒子径が０．００５〜０．１μｍの研磨粒子を使用する場合、表面粗さの低減、酸化アルミニウム粒子の突き刺さりの低減の観点、及び生産性（研磨時間）の観点から、研磨量は、０．０５〜０．５μｍが好ましく、０．１〜０．４μｍがより好ましく、０．２〜０．４μｍがさらに好ましい。仕上げ研磨を行なう際の他の条件（研磨機の種類、研磨温度、研磨速度、研磨液の供給量等）については特に限定はなく、研磨荷重としては、前記の「研磨する工程」において例示される研磨荷重と同様であればよい。なお、研磨量は、後述の実施例のようにして求めることができる。
【００７４】
本発明の製造方法における「研磨する工程」は、ポリッシング工程として特に効果があるが、これ以外の研磨工程、例えば、ラッピング工程等にも同様に適用することができる。
【００７５】
本発明の製造方法を用いて得られたハードディスク基板は、酸化アルミニウム粒子の突き刺さり及びうねりが顕著に低減されて表面品位が向上していることから、例えば、高記録密度化に適したものである。
【００７６】
[研磨方法]
本発明は、その他の態様として、上述した研磨液組成物を上述した研磨パッドに接触させながら被研磨基板を研磨することを含む被研磨基板の研磨方法であって、前記研磨パッドに応じて接触角が０〜１００度となるような研磨液組成物を選択すること若しくは接触角が０〜１００度となるように接触角調整剤を用いて研磨液組成物を調製すること、あるいは、前記研磨液組成物に応じて接触角が０〜１００度となるような研磨パッドを選択することを含む研磨方法である。本発明の研磨方法を使用することにより、基板への砥粒の突き刺さり及びうねりが顕著に低減された基板を得ることができる。前記接触角は、うねり低減の観点から、０〜８０度が好ましく、０〜６０度がより好ましく、０〜４０度がさらに好ましい。前記接触角の調整は、例えば、中間研磨液組成物に前記接触角調整剤を添加することにより行うことができる。例えば、研磨機において本発明の研磨方法を行う場合、研磨機への供給配管中の中間研磨液組成物に前記接触角調整剤を添加することにより前記接触角を調整してもよく、あるいは、研磨機へ中間研磨液組成物を供給すると同時に前記接触角調整剤を添加することにより前記接触角を調整してもよい。本発明の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、ハードディスク基板や磁気記録用媒体の基板の製造に使用されるものが挙げられ、具体的な研磨の方法及び条件も、上述のとおりとすることができる。
【実施例】
【００７７】
１．酸化アルミニウム粒子の粗大粒子除去処理
以下の通りにして、酸化アルミニウムスラリーを調製した。
（１）下記表１に示す純度９９．９％の酸化アルミニウム粒子を１０重量％含有する酸化アルミニウムスラリー５０ｋｇに硝酸を添加し、ｐＨ３に調整した。
（２）（１）で得られた酸化アルミニウムスラリーを直径４０ｃｍ、高さ５０ｃｍの円筒状容器に移した。
（３）容器内の酸化アルミニウムスラリーを均一になるよう攪拌した。
（４）撹拌後の酸化アルミニウムスラリーを３〜１０時間静置した。
（５）静置後の酸化アルミニウムスラリーの下層部約５ｃｍを残し、上層部を別の同形状の容器に移し、前記上層部について上記（３）及び（４）の操作を行った。
（６）上記（５）をさらに２〜４回繰り返し、種々の粗大粒子を除去した酸化アルミニウムスラリーを得た。
【００７８】
２．研磨液組成物の調製
下記表１に示す酸化アルミニウムスラリー、及び、必要に応じて、下記表２に示すＮｏ．１〜１３の接触角調整剤を、硫酸（９８重量％品）０．５重量％、クエン酸０．６重量％、硫酸アンモニウム０．５重量％、過酸化水素（３５重量％品、旭電化社製）０．６重量％及びイオン交換水（残部）と配合して攪拌した。得られたスラリーをバックフィルター（ヘイワードジャパン株式会社製、型番：ＰＥ１−Ｐ０３Ｈ−４０３）で濾過し、下記表３に示す実施例１〜１６及び比較例１〜１５の研磨液組成物を得た。
【００７９】
３．研磨方法
厚さ１．２７ｍｍ、直径３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金からなる基板の表面を両面加工機により、以下の設定条件でポリッシングし、磁気記録媒体用基板として用いられるＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板の研磨物を得た。なお、研磨用に用いた上記基板は、「Ｚｙｇｏ社製  ＮｅｗＶｉｅｗ５０３２」を用いた測定における短波長うねり（波長：５０〜５００μｍ）の振幅が３．８ｎｍであり、同測定による長波長うねり（波長：０．５〜５ｍｍ）の振幅が１．６ｎｍであった。
両面加工機の設定条件
両面加工機：スピードファム（株）製、９Ｂ型両面加工機
研磨荷重：９．８ｋＰａ
定盤回転数：４５ｒ／ｍｉｎ
研磨液組成物供給流量：１００ｍＬ／ｍｉｎ
研磨時間：４ｍｉｎ
投入した基板の枚数：１０枚
研磨パッド
パッドＡ：エーテル系ポリウレタンパッド、水の接触角１４０度、平均孔径４３μｍ
パッドＢ：エステル系ポリウレタンパッド、水の接触角０度、平均孔径４３μｍ
【００８０】
４．評価方法
（１）うねりの評価
研磨後の１０枚の基板から任意に２枚を選択し、選択した各基板の両面を１８０°おきに２点（計８点）について、下記の条件で測定した。その８点の測定値の平均値を基板の短波長うねり又は長波長うねりとして算出した。その結果を実施例のアルミナ粒子の平均粒径ごとにまとめて下記表３〜表６に示す。これは、基板のうねりがアルミナ粒子の平均粒径の影響を受けやすいからである。各表において、平均粒径が実施例と同一又はほぼ同じアルミナ粒子を用いた比較例の結果を基準値１００としたうねりの相対値を示す。
機器        ：Ｚｙｇｏ  ＮｅｗＶｉｅｗ５０３２
レンズ      ：２．５倍    Ｍｉｃｈｅｌｓｏｎ
ズーム比    ：０．５
リムーブ    ：Ｃｙｌｉｎｄｅｒ
フィルター  ：ＦＦＴ  Ｆｉｘｅｄ  Ｂａｎｄ  Ｐａｓｓ
短波長うねり：５０〜５００μｍ
長波長うねり：０．５〜５ｍｍ
エリア      ：４．３３ｍｍ×５．７７ｍｍ
【００８１】
（２）砥粒の突き刺さりの評価
研磨後の基板を、以下の仕上げ用研磨液組成物を用いて研磨量が０．０５μｍ±０．００５μｍとなるように研磨した後の基板表面を観察することにより、砥粒の突き刺さりを評価した。仕上げ用研磨液組成物の組成、研磨条件、研磨量の測定方法、突き刺さりの観察方法及び評価基準を以下に示す。
仕上げ用研磨液組成物
コロイダルシリカスラリー（デュポン社製、一次粒子の平均粒子径０．０２μｍ）をシリカ粒子濃度として７重量％、ＨＥＤＰ（１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、ソルーシアジャパン製）を有効分として２重量％、過酸化水素（旭電化製）を有効分として０．６重量％、及びイオン交換水を残分として含有する研磨液組成物を用いた。
研磨条件
研磨試験機          ：スピードファム（株）製、両面９Ｂ研磨機
研磨パッド          ：フジボウ（株）製、ウレタン製仕上げ研磨用パッド
上定盤回転数        ：３２．５ｒ／ｍｉｎ
研磨液組成物供給量  ：１００ｍＬ／ｍｉｎ
研磨時間            ：０．５〜２ｍｉｎ（研磨量が０．０５μｍ±０．００５μｍとなるように調整）
研磨荷重            ：７．８ｋＰａ
投入した基板の枚数  ：１０枚
研磨量の測定方法
研磨前後の各基板の重さを計り（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製、「ＢＰ−２１０Ｓ」）を用いて測定し、下記式に導入することにより、研磨量を求めた。
重量減少量（ｇ）＝｛研磨前の重量（ｇ）−研磨後の重量（ｇ）｝
研磨量（μｍ）＝重量減少量（ｇ）／基板片面面積（ｍｍ２）／２／Ｎｉ−Ｐメッキ密度（ｇ／ｃｍ3）×１０6
（基板片面面積は、６５９７ｍｍ2、Ｎｉ−Ｐメッキ密度８．４ｇ／ｃｍ3として算出）
突き刺さりの観察方法
オリンパス光学製顕微鏡（本体ＢＸ６０Ｍ、デジタルカメラＤＰ７０、対物レンズ１００倍、中間レンズ２．５倍）を使用し、暗視野観察（視野１００×７５μｍ）により突き刺さった砥粒を輝点として検出し、その数を測定した。上記観察は、研磨後の１０枚の基板から任意に２枚を選択し、基板の両面について中心から３０ｍｍの位置を９０°ごとの各４点、計１６点観察した。そして、観察された輝点数の平均値を砥粒の突き刺さり数とした。
突き刺さり評価基準
５：突き刺さり数が１００以上
４：突き刺さり数が３０〜９９
３：突き刺さり数が１０〜２９
２：突き刺さり数が５〜９
１：突き刺さり数が０〜４
【００８２】
（３）粗大粒子含有量の測定
以下の測定条件で、酸化アルミニウム粒子中における粒径１μｍ以上の粒子及び粒径３μｍ以上の粒子の含有量を測定した。
測定機器：ＰＳＳ社製    「アキュサイザー７８０ＡＰＳ」
Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｏｏｐ  Ｖｏｌｕｍｅ：１ｍＬ
Ｆｌｏｗ  Ｒａｔｅ                        ：６０ｍＬ／ｍｉｎ
Ｄａｔａ  Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ  Ｔｉｍｅ  ：６０ｓｅｃ
Ｎｕｍｂｅｒ  Ｃｈａｎｎｅｌｓ            ：１２８
【００８３】
（４）二次粒子の粒子径の測定
以下の測定条件で二次粒子の粒子径（Ｄ10、Ｄ50及びＤ90）を測定した。なお、Ｄ10、Ｄ50及びＤ90とは、小粒径側からの積算粒径分布（体積基準）がそれぞれ１０％、５０％及び９０％となる粒径であり、このうち、Ｄ50を体積中位粒子径とする。
測定機器  ：堀場製作所製    レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置ＬＡ９２０
循環強度  ：４
超音波強度：４
【００８４】
（５）酸化アルミニウム粒子中のα−アルミナの含有量
上述の方法で調製した研磨液組成物２０ｇを１０５℃で５時間乾燥させて粉末とした。そして、得られた粉末について、Ｘ線回折装置（理学電機製、型番：ＲＩＮＴ２５００ＶＰＣ）にて管電圧４０ｋＷ、管電流１２０ｍＡの条件で１０４面のピーク面積を測定し、同様に測定した昭和電工製アルミナ粒子ＷＡ−１０００のピーク面積から下記式のとおりに算出することによって求めた。
α−アルミナ含有量（重量％）＝（試験試料ピーク面積）÷（ＷＡ−１０００のピーク面積）×１００
【００８５】
【表１】
2008302489.tif 000004
【００８６】
【表２】
2008302489.tif 000005
【００８７】
【表３】
2008302489.tif 000006
【００８８】
【表４】
2008302489.tif 000007
【００８９】
【表５】
2008302489.tif 000008
【００９０】
【表６】
2008302489.tif 000009
【００９１】
上記表３〜６に示される通り、実施例１〜１６の研磨液組成物を用いた場合、比較例１〜１５の研磨液組成物に比べ、基板への砥粒の突き刺さりが顕著に低減し、かつ、被研磨基板の表面のうねりが低減されることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明を用いることにより、例えば、高記録密度化に適したハードディスク基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】図１は、研磨パッドに対する研磨液組成物の接触角を示す略図である。
【符号の説明】
【００９４】
Ａ：接触角
Ｂ：研磨液組成物
Ｃ：研磨パッド
【図１】
2008302489.tif 000010