(57)【要約】【課題】小面積化および薄型化した半導体装置を優れた生産性で製造することのできる多層ダイボンドシート、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに片面を接して接着されたリードフレーム、リードフレームの開口部を通して、半導体接着フィルムの樹脂層Ａにダイボンドシートを用いて接着された半導体素子、半導体素子とリードフレームのインナーリードとを接続するワイヤ並びに半導体素子及びワイヤを封止している封止材からなる半導体装置。【選択図】図１
2008103700.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに片面を接して接着されたリードフレーム、リードフレームの開口部を通して、半導体接着フィルムの樹脂層Ａにダイボンドシートを用いて接着された半導体素子、半導体素子とリードフレームのインナーリードとを接続するワイヤ並びに半導体素子及びワイヤを封止している封止材からなる半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置から前記半導体用接着フィルムを剥離して得られる半導体装置。
【請求項３】
インナーリードを有するリードフレームの片面に半導体用接着フィルムを接着する工程、リードフレーム開口部を通して、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａにダイボンドシートを用いて半導体素子を接着する工程、ワイヤボンディングにより、半導体素子とインナーリードとをワイヤで接続する工程、リードフレームの露出面、半導体素子及びワイヤを封止材で封止する工程並びに半導体用接着フィルムをリードフレームおよび封止材およびダイボンドシートから剥離する工程からなる半導体装置の製造方法。
【請求項４】
リードフレームが各々ダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンからなり、封止する工程後又は半導体用接着フィルムを剥離する工程後に、封止したリードフレームを分割することにより、各々１個の半導体素子を有する複数の半導体装置を得る工程を含む請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体用接着フィルムが樹脂層Ａの少なくとも一層からなり、半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、かつ半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との０〜２５℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である請求項１記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項６】
封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレームおよび封止材との１００〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である請求項５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項７】
封止材で封止した後に半導体用接着フィルムをリードフレーム及び封止材から引き剥がすときの温度における樹脂層Ａとリードフレームおよび封止材との９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である請求項５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項８】
半導体用接着フィルムの樹脂層Ａのガラス転移温度が１００〜３００℃である請求項５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項９】
半導体用接着フィルムの樹脂層Ａが５％重量減少する温度が３００℃以上である請求項５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１０】
半導体用接着フィルムの樹脂層Ａの２３０℃における弾性率が１ＭＰａ以上である請求項５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１１】
半導体用接着フィルムの樹脂層Ａが熱可塑性樹脂を含有する請求項５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１２】
熱可塑性樹脂が、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基、スルホン基のいずれかを有する熱可塑性樹脂である請求項１１記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１３】
半導体用接着フィルムが支持フィルムを有しており、かつ半導体用接着フィルムの支持フィルムの片面又は両面に樹脂層Ａが形成されている請求項５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１４】
半導体用接着フィルムの支持フィルムの材質が芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれる請求項１３記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１５】
半導体用接着フィルムの樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が、０．５以下である請求項１３記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１６】
半導体用接着フィルムの支持フィルムの片面に接着性を有する樹脂層Ａが形成されており、その反対面に２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂが形成されている請求項１３記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１７】
インナーリードを有するリードフレームの片面に半導体用接着フィルムを接着する工程において、半導体用接着フィルムが請求項５〜１６いずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置の半導体用接着フィルムであり、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａとリードフレームを接着する、請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
リードフレームの開口部を通して、半導体用接着テープの樹脂層Ａにダイボンドシートを用い半導体素子を接着した後の、ダイボンドシートと半導体用接着テープとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、かつ封止材で封止した後の樹脂層Ａとダイボンドシートとの０〜２５℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である請求項１記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１９】
封止材で封止した後の樹脂層Ａとダイボンドシートとの１００〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である請求項１８記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項２０】
封止材で封止した後に半導体用接着フィルムをリードフレーム、封止材及びダイボンドシートから引き剥がすときの温度における樹脂層Ａとリードフレーム、封止材及びダイボンドシートとの９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である請求項１８記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項２１】
ダイボンドシートが架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分１５〜４０重量％及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分６０〜８５重量％を含む樹脂１００重量部と、フィラー４０〜１８０重量部と、着色剤０〜１０重量部とを含有し、厚さが１０〜２５０μｍである請求項１８記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項２２】
ダイボンドシートの硬化前の２５℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２００〜３０００ＭＰａであり８０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａである請求項２１記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項２３】
ダイボンドシートの硬化後の１７０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２０〜６００ＭＰａである請求項２１又は２２記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項２４】
ダイボンドシートの硬化前の１００℃での溶融粘度が１０００〜７５００Ｐａ・ｓである請求項２１〜２３のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項２５】
ダイボンドシートが樹脂１００重量部とフィラー４０〜１８０重量部とを含有する、請求項２１〜２４のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項２６】
ダイボンドシートのフィラーのモース硬度が３〜８である、請求項２１〜２５のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項２７】
第１の接着剤層及び第２の接着剤層が直接的に又は間接的に積層された構造を有してなる多層ダイボンドシートであって、少なくとも第２の接着層が請求項１８〜２７のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置におけるダイボンドシートからなり、かつ、第１の接着剤層のフロー量Ａμｍ、厚さａμｍ、第２の接着剤層のフロー量Ｂμｍ、厚さｂμｍとが、Ａ×３＜Ｂかつａ×２＜ｂの関係を有する多層ダイボンドシート。
【請求項２８】
第１の接着剤層及び第２の接着剤層が直接的に又は間接的に積層された構造を有してなる多層ダイボンドシートであって、少なくとも第２の接着層が請求項１８〜２７のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置におけるダイボンドシートからなり、かつ、第１の接着剤層の溶融粘度αＰａ・ｓ、厚さａμｍ、第２の接着剤層の溶融粘度βＰａ・ｓ、厚さｂμｍとが、α＞β×３かつａ×２＜ｂの関係を有する多層ダイボンドシート。
【請求項２９】
ダイボンドシートが（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、及び（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物、を含有している請求項１８記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項３０】
ダイボンドシートの（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化剤との合計重量をＡとし、（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物の重量をＢとしたとき、その比率Ａ／Ｂが０．２４〜１．０である請求項２９記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項３１】
ダイボンドシートの（ａ）エポキシ樹脂が環球式で測定した軟化点が５０℃以上の固形エポキシ樹脂である請求項２９または３０記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項３２】
ダイボンドシートの（ａ）エポキシ樹脂が変異原性を有しないものである請求項２９〜３１のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項３３】
ダイボンドシートの（ｂ）硬化剤が、水酸基等量１５０ｇ／ｅｑ以上のフェノール樹脂である請求項２９〜３２のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項３４】
ダイボンドシートの（ｂ）硬化剤が、下記一般式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂である請求項３３記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【化１】
2008103700.tif 000007
（式中、Ｒ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐アルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、アニケル基、水酸基、アリール基、又はハロゲン原子を表し、ｎは１〜３の整数を表し、そしてｍは０〜５０の整数を表す。）
【請求項３５】
ダイボンドシートの一般式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂の吸水率が２体積％以下である請求項３４記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項３６】
ダイボンドシートの（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物が、官能基含有アクリル共重合体である請求項２９〜３５のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項３７】
ダイボンドシートの官能基含有アクリル共重合体が、エポキシ基含有アクリル共重合体である請求項３６記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項３８】
ダイボンドシートのエポキシ基含有アクリル共重合体が、その原料としてグリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートを０．５〜６重量％含有するものである請求項３７記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項３９】
ダイボンドシートの官能基含有アクリル共重合体が、重量平均分子量が１０万以上である請求項３６〜３８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項４０】
ダイボンドシートの官能基含有アクリル共重合体が、ガラス転移温度が−５０℃〜３０℃である請求項３６〜３９のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項４１】
ダイボンドシートに更に（ｄ）フィラーを含有する請求項２９〜４０のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項４２】
ダイボンドシートの（ｄ）フィラーが０．００５μｍ〜０．１μｍの平均粒径を含有する請求項４１記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項４３】
ダイボンドシートの（ｄ）フィラーがシリカである請求項４１または４２記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項４４】
ダイボンドシートの（ｄ）フィラーが、表面を有機物でコーティングされたものである請求項４１〜４３のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項４５】
ダイボンドシートの（ｄ）フィラーが、水との接触角が０度〜１００度のものである請求項４１〜４４のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項４６】
ダイボンドシートの（ｃ）高分子化合物が、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを１．５〜２．５重量％を含む重量平均分子量が１０万以上のエポキシ基含有アクリル共重合体であり、平均粒径が０．０１０μｍ〜０．１μｍの（ｄ）無機フィラーを樹脂１００体積部に対して１〜５０体積部含むものである請求項４１〜４５のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項４７】
ダイボンドシートがさらに（ｅ）硬化促進剤を含有する請求項２９〜４６のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項４８】
ダイボンドシートの（ｅ）硬化促進剤がイミダゾール化合物である請求項４７記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項４９】
ダイボンドシートが硬化した段階の断面において、成分が二相に分離している請求項２９〜４８のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項５０】
ダイボンドシートの二相が海相と島相からなり、島相の外周長さＳが、断面積Ｖに対して下記式（１）で示される関係を有するものである請求項４９記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【数１】
2008103700.tif 000008
【請求項５１】
ダイボンドシートの２４０℃における貯蔵弾性率が１〜２０ＭＰａである請求項２９〜５０のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項５２】
ダイボンドシートが硬化した段階で、０．０１〜２μｍの平均径を有する空孔を有し、空孔の体積含有率が０．１〜２０体積％であることを特徴とする請求項２９〜５１のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項５３】
ダイボンドシートが、（ａ）硬化した段階で成分が二相に分離している、（ｂ）２４０℃における貯蔵弾性率が１〜２０ＭＰａの硬化物を与える、（ｃ）硬化した段階で０．０１〜２μｍの平均径を有する空孔を有し空孔の体積含有率が０．１〜２０体積％である、のうち少なくとも一つの条件を満足するものである請求項２９〜４８のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層ダイボンドシート、リードフレーム及び封止樹脂から簡便に引き剥がせるため、半導体パッケージを高い作業性で製造できる半導体用接着フィルムを用いた半導体用接着フィルム付き半導体装置、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージの小型化、薄型化を図るため、リードフレームの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏側のむき出しのリードフレームを外部接続用に用いる構造のパッケージが開発されてきた。この構造のパッケージはリードが封止樹脂から突出していないので、小面積化及び薄型化が図れる利点がある。例えば、リードフレームの片面に接着フィルムを貼った後、リードフレームの反対面にチップを搭載し、ワイヤボンド、封止後、接着フィルムを剥がす方法が提案されている。しかし、現在のリードフレームではリードフレームの厚さ、材質に制限があり、半導体パッケージの高さがまだ高く、小型化、薄型化ができていないという問題がある。また、半導体素子と、その半導体素子の近傍に配置された端子部と、半導体素子と端子部とを接続したワイヤーと、そのワイヤーを含む半導体素子および端子部の表面領域を封止した樹脂とよりなり、半導体素子および端子部の裏面が樹脂より露出させた構造を有する樹脂封止型半導体装置が開示されている（特許文献１参照）。
【０００３】
一方、上記と類似の半導体パッケージを製造する別の方法として、接着フィルムを貼り付けてあるリードフレームの開口部を通して、接着フィルムに直接半導体素子を搭載し、ワイヤボンド、封止後、接着フィルムを剥がす方法が考案されているが、封止時に封止樹脂が半導体素子と接着フィルム間に回りこむのを防いだり、フィルムを剥がす時に半導体素子から容易に剥がせるようにするためには半導体素子を搭載する接着フィルムとしてどのような特性が必要なのかが明らかではない。
【特許文献１】特開平１０−１２７７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、半導体用途に必要とされる諸特性を兼ね備える半導体用接着フィルム付き半導体装置、半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、小面積化および薄型化した半導体装置を優れた生産性で製造することのできる多層ダイボンドシート、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下に関する。
【０００６】
（１）樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに片面を接して接着されたリードフレーム、リードフレームの開口部を通して、半導体接着フィルムの樹脂層Ａにダイボンドシートを用いて接着された半導体素子、半導体素子とリードフレームのインナーリードとを接続するワイヤ並びに半導体素子及びワイヤを封止している封止材からなる半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【０００７】
（２）前記（１）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置から前記半導体用接着フィルムを剥離して得られる半導体装置。
【０００８】
（３）インナーリードを有するリードフレームの片面に半導体用接着フィルムを接着する工程、リードフレーム開口部を通して、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａにダイボンドシートを用いて半導体素子を接着する工程、ワイヤボンディングにより、半導体素子とインナーリードとをワイヤで接続する工程、リードフレームの露出面、半導体素子及びワイヤを封止材で封止する工程並びに半導体用接着フィルムをリードフレームおよび封止材およびダイボンドシートから剥離する工程からなる半導体装置の製造方法。
【０００９】
（４）リードフレームが各々ダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンからなり、封止する工程後又は半導体用接着フィルムを剥離する工程後に、封止したリードフレームを分割することにより、各々１個の半導体素子を有する複数の半導体装置を得る工程を含む前記（３）記載の半導体装置の製造方法。
【００１０】
（５）半導体用接着フィルムが樹脂層Ａの少なくとも一層からなり、半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、かつ半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との０〜２５℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である前記（１）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００１１】
（６）封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレームおよび封止材との１００〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である前記（５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００１２】
（７）封止材で封止した後に半導体用接着フィルムをリードフレーム及び封止材から引き剥がすときの温度における樹脂層Ａとリードフレームおよび封止材との９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である前記（５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００１３】
（８）半導体用接着フィルムの樹脂層Ａのガラス転移温度が１００〜３００℃である前記（５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００１４】
（９）半導体用接着フィルムの樹脂層Ａが５％重量減少する温度が３００℃以上である前記（５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００１５】
（１０）半導体用接着フィルムの樹脂層Ａの２３０℃における弾性率が１ＭＰａ以上である前記（５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００１６】
（１１）半導体用接着フィルムの樹脂層Ａが熱可塑性樹脂を含有する前記（５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００１７】
（１２）熱可塑性樹脂が、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基、スルホン基のいずれかを有する熱可塑性樹脂である前記（１１）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００１８】
（１３）半導体用接着フィルムが支持フィルムを有しており、かつ半導体用接着フィルムの支持フィルムの片面又は両面に樹脂層Ａが形成されている前記（５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００１９】
（１４）半導体用接着フィルムの支持フィルムの材質が芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれる前記（１３）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００２０】
（１５）半導体用接着フィルムの樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が、０．５以下である前記（１３）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００２１】
（１６）半導体用接着フィルムの支持フィルムの片面に接着性を有する樹脂層Ａが形成されており、その反対面に２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂが形成されている前記（１３）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００２２】
（１７）インナーリードを有するリードフレームの片面に半導体用接着フィルムを接着する工程において、半導体用接着フィルムが前記（５）〜（１６）いずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置の半導体用接着フィルムであり、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａとリードフレームを接着する、前記（３）または（４）に記載の半導体装置の製造方法。
【００２３】
（１８）リードフレームの開口部を通して、半導体用接着テープの樹脂層Ａにダイボンドシートを用い半導体素子を接着した後の、ダイボンドシートと半導体用接着テープとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、かつ封止材で封止した後の樹脂層Ａとダイボンドシートとの０〜２５℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である前記（１）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００２４】
（１９）封止材で封止した後の樹脂層Ａとダイボンドシートとの１００〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である前記（１８）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００２５】
（２０）封止材で封止した後に半導体用接着フィルムをリードフレーム、封止材及びダイボンドシートから引き剥がすときの温度における樹脂層Ａとリードフレーム、封止材及びダイボンドシートとの９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下である前記（１８）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００２６】
（２１）ダイボンドシートが架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分１５〜４０重量％及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分６０〜８５重量％を含む樹脂１００重量部と、フィラー４０〜１８０重量部と、着色剤０〜１０重量部とを含有し、厚さが１０〜２５０μｍである前記（１８）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００２７】
（２２）ダイボンドシートの硬化前の２５℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２００〜３０００ＭＰａであり８０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａである前記（２１）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００２８】
（２３）ダイボンドシートの硬化後の１７０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２０〜６０００ＭＰａである前記（２１）又は（２２）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００２９】
（２４）ダイボンドシートの硬化前の１００℃での溶融粘度が１０００〜７５００Ｐａ・ｓである前記（２１）〜（２３）のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００３０】
（２５）ダイボンドシートが樹脂１００重量部とフィラー４０〜１８０重量部とを含有する、前記（２１）〜（２４）のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００３１】
（２６）ダイボンドシートのフィラーのモース硬度が３〜８である、前記（２１）〜（２５）のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００３２】
（２７）第１の接着剤層及び第２の接着剤層が直接的に又は間接的に積層された構造を有してなる多層ダイボンドシートであって、少なくとも第２の接着層が前記（１８）〜（２６）のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置におけるダイボンドシートからなり、かつ、第１の接着剤層のフロー量Ａμｍ、厚さａμｍ、第２の接着剤層のフロー量Ｂμｍ、厚さｂμｍとが、Ａ×３＜Ｂかつａ×２＜ｂの関係を有する多層ダイボンドシート。
【００３３】
（２８）第１の接着剤層及び第２の接着剤層が直接的に又は間接的に積層された構造を有してなる多層ダイボンドシートであって、少なくとも第２の接着層が前記（１８）〜（２６）のいずれか一項記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置におけるダイボンドシートからなり、かつ、第１の接着剤層の溶融粘度αＰａ・ｓ、厚さａμｍ、第２の接着剤層の溶融粘度βＰａ・ｓ、厚さｂμｍとが、α＞β×３かつａ×２＜ｂの関係を有する多層ダイボンドシート。
【００３４】
（２９）ダイボンドシートが（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、及び（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物、を含有している前記（１８）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００３５】
（３０）ダイボンドシートの（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化剤との合計重量をＡとし、（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物の重量をＢとしたとき、その比率Ａ／Ｂが０．２４〜１．０である前記（２９）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００３６】
（３１）ダイボンドシートの（ａ）エポキシ樹脂が環球式で測定した軟化点が５０℃以上の固形エポキシ樹脂である前記（２９）または（３０）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００３７】
（３２）ダイボンドシートの（ａ）エポキシ樹脂が変異原性を有しないものである前記（２９）〜（３１）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００３８】
（３３）ダイボンドシートの（ｂ）硬化剤が、水酸基等量１５０ｇ／ｅｑ以上のフェノール樹脂である前記（２９）〜（３２）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００３９】
（３４）ダイボンドシートの（ｂ）硬化剤が、下記一般式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂である前記（３３）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【化１】
2008103700.tif 000003
【００４０】
（式中、Ｒ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐アルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、アニケル基、水酸基、アリール基、又はハロゲン原子を表し、ｎは１〜３の整数を表し、そしてｍは０〜５０の整数を表す。）
（３５）ダイボンドシートの一般式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂の吸水率が２体積％以下である前記（３４）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００４１】
（３６）ダイボンドシートの（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物が、官能基含有アクリル共重合体である前記（２９）〜（３５）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００４２】
（３７）ダイボンドシートの官能基含有アクリル共重合体が、エポキシ基含有アクリル共重合体である前記（３６）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００４３】
（３８）ダイボンドシートのエポキシ基含有アクリル共重合体が、その原料としてグリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートを０．５〜６重量％含有するものである前記（３７）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００４４】
（３９）ダイボンドシートの官能基含有アクリル共重合体が、重量平均分子量が１０万以上である前記（３６）〜（３８）のいずれか一項に記載の半導体装置。
【００４５】
（３８）ダイボンドシートの官能基含有アクリル共重合体が、ガラス転移温度が−５０℃〜３０℃である前記（３６）〜（３９）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００４６】
（４１）ダイボンドシートに更に（ｄ）フィラーを含有する前記（２９）〜（４０）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００４７】
（４２）ダイボンドシートの（ｄ）フィラーが０．００５μｍ〜０．１μｍの平均粒径を含有する前記（４１）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００４８】
（４３）ダイボンドシートの（ｄ）フィラーがシリカである前記（４１）または（４２）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００４９】
（４４）ダイボンドシートの（ｄ）フィラーが、表面を有機物でコーティングされたものである前記（４１）〜（４３）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００５０】
（４５）ダイボンドシートの（ｄ）フィラーが、水との接触角が０度〜１００度のものである前記（４１）〜（４４）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００５１】
（４６）ダイボンドシートの（ｃ）高分子化合物が、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを１．５〜２．５重量％を含む重量平均分子量が１０万以上のエポキシ基含有アクリル共重合体であり、平均粒径が０．０１０μｍ〜０．１μｍの（ｄ）無機フィラーを樹脂１００体積部に対して１〜５０体積部含むものである前記（４１）〜（４５）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００５２】
（４７）ダイボンドシートがさらに（ｅ）硬化促進剤を含有する前記（２９）〜（４６）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００５３】
（４８）ダイボンドシートの（ｅ）硬化促進剤がイミダゾール化合物である前記（４７）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００５４】
（４９）ダイボンドシートが硬化した段階の断面において、成分が二相に分離している前記（２９）〜（４８）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００５５】
（５０）ダイボンドシートの二相が海相と島相からなり、島相の外周長さＳが、断面積Ｖに対して下記式（１）で示される関係を有するものである前記（４９）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【数１】
2008103700.tif 000004
【００５６】
（５１）ダイボンドシートの２４０℃における貯蔵弾性率が１〜２０ＭＰａである前記（２９）〜（５０）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００５７】
（５２）ダイボンドシートが硬化した段階で、０．０１〜２μｍの平均径を有する空孔を有し、空孔の体積含有率が０．１〜２０体積％であることを特徴とする前記（２９）〜（５１）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【００５８】
（５３）ダイボンドシートが、（ａ）硬化した段階で成分が二相に分離している、（ｂ）２４０℃における貯蔵弾性率が１〜２０ＭＰａの硬化物を与える、（ｃ）硬化した段階で０．０１〜２μｍの平均径を有する空孔を有し空孔の体積含有率が０．１〜２０体積％である、のうち少なくとも一つの条件を満足するものである前記（２９）〜（４８）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【発明の効果】
【００５９】
本発明により、小面積化および薄型化した半導体装置を優れた生産性で製造することのできる多層ダイボンドシート、半導体用接着フィルム付き半導体装置、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６０】
次に本発明の多層ダイボンドシート、半導体用接着フィルム付き半導体装置、半導体装置および半導体装置の製造方法の実施の形態について詳しく説明する。
【００６１】
半導体装置
本発明において、半導体用接着フィルムを用いて製造される半導体装置の構造は特に限定されないが、例えばパッケージの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面のむき出しのリードフレームを外部接続用に用いる構造のパッケージ（Ｎｏｎ  Ｌｅａｄ  Ｔｙｐｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。上記パッケージの具体例としては、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）等が挙げられる。
【００６２】
本発明の半導体装置は、例えば、半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに片面を接して接着されたリードフレーム、リードフレームの開口部を通してダイボンドシートを用い、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに接着された半導体素子、半導体素子とリードフレームのインナーリードとを接続するワイヤ並びに半導体素子及びワイヤを封止している封止材からなる構造を有する半導体用接着フィルム付き半導体装置から、半導体用接着フィルムを剥離して製造される。
【００６３】
本発明の半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化等の点で優れており、例えば携帯電話等の情報機器に組み込まれる。
【００６４】
半導体装置の製造方法
本発明の半導体装置の製造方法は、インナーリードを有するリードフレームの片面に、半導体用接着フィルムを接着する工程、リードフレームの開口部を通して、半導体用接着フィルムにダイボンドシートを用いて半導体素子を接着する工程、ワイヤボンディングにより、半導体素子とインナーリードとをワイヤで接続する工程、リードフレームの露出面、半導体素子及びワイヤを封止材で封止する工程、並びに、半導体用接着フィルムをリードフレーム、ダイボンドシート及び封止材から剥離する工程からなる。
【００６５】
本発明において、リードフレームが各々ダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンからなるものである場合、必要に応じ、封止したリードフレームを分割することにより、各々１個の半導体素子を有する複数の半導体装置を得ることができる。この分割工程は、封止する工程後又は半導体用接着フィルムを剥離する工程の後のいずれにおいて行ってもよい。
【００６６】
本発明の半導体の製造方法に用いられる半導体用接着フィルムには、特に制限はない。例えば、後述の半導体用接着フィルムを用いることができる。
【００６７】
本発明の半導体の製造方法に使用することのできる半導体用接着フィルムをリードフレームに接着する際の接着条件は、特に制限はないが、接着温度は１５０〜４００℃の間であることが好ましく、１８０〜３５０℃がより好ましく、２００〜３００℃がさらに好ましい。温度が１５０℃未満の場合、リードフレームと樹脂層Ａとの９０度ピール強度が低下する傾向がある。また４００℃を超えると、リードフレームが劣化する傾向がある。
【００６８】
本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着圧力は０．５〜３０ＭＰａの間が好ましく、１〜２０ＭＰａがより好ましく、３〜１５ＭＰａがさらに好ましい。接着圧力が０．５ＭＰａ未満の場合、樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度が低下する傾向がある。また３０ＭＰａを超えると、リードフレームが破損しやすい傾向がある。
【００６９】
本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着時間は０．１〜６０秒の間が好ましく、１〜３０秒がより好ましく、３〜２０秒がさらに好ましい。接着時間が０．１秒未満の場合、樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度が低下しやすい傾向がある。また６０秒を超えると、作業性と生産性が低下しやすい傾向がある。また、圧力を加える前に、５〜６０秒程度の予備加熱を行うことが好ましい。
【００７０】
半導体素子をリードフレームの開口部を通して、半導体用接着フィルムに接着するために用いる接着剤としては、特に制限はなく、例えば、ダイボンドシート等や銀ペースト等の接着剤を用いることができる。本発明において、半導体用接着フィルムへダイボンドシートを用いて半導体素子を接着する場合の接着条件は特に制限はないが、接着温度は５０〜３００℃の間であることが好ましく、１００〜２５０℃がより好ましく、１５０〜２００℃がさらに好ましい。温度が５０℃未満の場合、ダイボンドシートと樹脂層Ａとの９０度ピール強度が低下する傾向がある。また３００℃を超えると、半導体素子が劣化する傾向がある。
【００７１】
本発明において、半導体用接着フィルムへダイボンドシートを用いて半導体素子を接着する場合の接着圧力は０．００１〜１ＭＰａの間が好ましく、０．０５〜０．５ＭＰａがより好ましく、０．１〜０．３ＭＰａがさらに好ましい。接着圧力が０．００１ＭＰａ未満の場合、ダイボンドシートと樹脂層Ａとの９０度ピール強度が低下する傾向がある。また１ＭＰａを超えると、半導体素子が破損しやすい傾向がある。
【００７２】
本発明において、半導体用接着フィルムへダイボンドシートを用いて半導体素子を接着する場合の接着時間は０．１〜６０秒の間が好ましく、０．５〜３０秒がより好ましく、１〜１０秒がさらに好ましい。接着時間が０．１秒未満の場合、ダイボンドシートと樹脂層Ａとの９０度ピール強度が低下しやすい傾向がある。また６０秒を超えると、作業性と生産性が低下しやすい傾向がある。また、圧力を加える前に、５〜６０秒程度の予備加熱を行うことが好ましい。
【００７３】
本発明において、半導体用接着フィルムへ半導体素子を接着する前に、ダイボンドシートを予備加熱することが好ましい。予備加熱条件は特に制限はないが、加熱温度は５０〜２５０℃が好ましく、１００〜２００℃がより好ましく、１３０℃〜１８０℃がさらに好ましい。また、加熱時間は、０〜１８０分が好ましく、０〜１２０分がより好ましく、３分〜６０分がさらに好ましい。なお、予備加熱は、半導体素子にダイボンドシートを接着させてからでも良い。本発明において、半導体素子をダイパッドに接着した後、通常、接着剤を１４０〜２００℃で３０分〜２時間加熱することにより硬化させることが好ましい。
【００７４】
本発明において、ワイヤボンディングに用いるワイヤの材質には特に制限はないが、金線などが挙げられる。ワイヤボンディング工程では、例えば、２００〜２７０℃で３〜３０分加熱してワイヤを半導体素子及びインナーリードに接合する。本発明において、封止材の材質には特に制限はないが、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ、ナフトールノボラックエポキシ樹脂などのエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００７５】
封止材には、フィラーや、ブロム化合物等の難燃性物質等の添加材が添加されていてもよい。封止材による封止条件は、特に制限はないが、通常、１５０〜２００℃、圧力１０〜１５ＭＰａで、２〜５分の加熱を行うことにより行われる。
【００７６】
封止材で封止した後、半導体用接着フィルムを引き剥がす温度は、０〜２５０℃の間が好ましい。温度が０℃未満の場合、リードフレーム及び封止材に樹脂が残りやすい。また温度が２５０℃を超えると、リードフレームや封止材が劣化する傾向がある。同様の理由で１００〜２５０℃がより好ましく、１５０〜２００℃が特に好ましい。
【００７７】
一般に、封止材で封止した後、封止材を１５０℃〜２００℃程度で数時間加熱することにより硬化させる工程がある。上記半導体用接着フィルムを封止材及びリードフレームから引き剥がす工程は、上記の封止材を硬化させる工程の前後のどちらで行ってもよい。
【００７８】
本発明において、封止材で封止した後に半導体用接着フィルムを０〜２５０℃で引き剥がした際、リードフレーム、ダイボンドシート及び封止材に樹脂が残らないことが好ましい。樹脂の残留量が多い場合、外観が劣るだけでなく、リードフレームを外部接続用に用いると、接触不良の原因になりやすい。
【００７９】
従って、リードフレーム、ダイボンドシート及び封止材に残留した樹脂を機械的ブラッシング、溶剤等で除去することが好ましい。溶剤には特に制限はないが、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等が好ましい。
【００８０】
半導体用接着フィルム
本発明において用いる半導体用接着フィルムは樹脂層Ａを有する、例えば半導体装置の製造法に好適に使用することができる。前記半導体用接着フィルムを半導体装置の製造法に使用する場合、下記の工程からなる方法により半導体装置を製造することが好ましい。
【００８１】
即ち、（１）リードフレームに１５０〜４００℃で半導体用接着フィルムを接着する工程、（２）リードフレームの開口部を通して、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに５０〜３００℃でダイボンドシートを用いて半導体素子を接着し、１４０〜２００℃で３０分〜２時間の加熱を行うことによりダイボンドシートの接着剤を硬化する工程、（３）２００〜２７０℃で３分〜３０分加熱して、リードフレームのインナーリードと半導体素子とに金線等のワイヤボンドを行う工程、（４）１５０〜２００℃で封止材で封止する工程、（５）１５０〜２００℃で４〜６時間の加熱を行うことにより、封止材樹脂を硬化する工程、（６）０〜２５０℃で半導体用接着フィルムをリードフレーム、ダイボンドシートおよび封止材から引き剥がす工程である。リードフレームが各々ダイパッドおよびインナーリードを有する複数のパターンからなるものである場合には、必要に応じ、各々１つの半導体素子を有する複数の半導体装置に分割される。
【００８２】
本発明において、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７の９０度引き剥がし法に準じて、リードフレームに対して半導体用接着フィルムを９０度方向に引き剥がして測定する。具体的には、２５℃において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、好ましくは毎分３００ｍｍの速さで半導体用接着フィルムを引きはがす際の９０度ピール強度を、９０度剥離試験機（テスタ産業製）で測定される。
【００８３】
本発明において、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度は５Ｎ／ｍ以上が好ましく、１０Ｎ／ｍ以上がより好ましく、５０Ｎ／ｍ以上がさらにより好ましく、１００Ｎ／ｍ以上が特に好ましい。９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満の場合、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後の搬送工程で、半導体用接着フィルムがリードフレームから剥がれやすく、また封止工程時に、リードフレームと樹脂層Ａ間に封止用樹脂が入り込むやすいなどの問題がある。また、この９０度ピール強度は、５００Ｎ／ｍ以下であることがより好ましく、３００Ｎ／ｍ以下であることがさらにより好ましく、２００Ｎ／ｍ以下であることが特に好ましい。
【００８４】
なお、このピール強度を測定するために半導体用接着フィルムとリードフレームとを接着する条件としては特に制限はない。例えば、リードフレームとして、パラジウムを被覆した銅リードフレーム又は４２アロイ製リードフレームを用い、（１）温度２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒、（２）温度３５０℃、圧力３ＭＰａ、時間３秒、又は（３）温度２８０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒のいずれかの接着条件で接着する。
【００８５】
また本発明において、２５℃における樹脂層Ａとダイボンドシート付き半導体素子との９０度ピール強度は５Ｎ／ｍ以上が好ましく、１０Ｎ／ｍ以上がより好ましく、５０Ｎ／ｍ以上がさらにより好ましく、１００Ｎ／ｍ以上が特に好ましい。９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満の場合、樹脂層Ａにダイボンドシートを用いて半導体素子を接着後の工程で、樹脂層Ａからダイボンドシート付き半導体素子が剥がれやすく、また封止工程時に、ダイボンドシートと樹脂層Ａ間に封止用樹脂が入り込みやすいなどの問題がある。また、この９０度ピール強度は、５００Ｎ／ｍ以下であることがより好ましく、３００Ｎ／ｍ以下であることがさらにより好ましく、２００Ｎ／ｍ以下であることが特に好ましい。
【００８６】
本発明においては、特に封止工程を行う直前の２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度が上記の範囲（即ち、好ましくは５Ｎ／ｍ以上、より好ましくは１０Ｎ／ｍ以上、さらにより好ましくは５０Ｎ／ｍ以上）にあることが好ましい。封止工程を行う直前の９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満である場合、封止工程時にリードフレームと樹脂層Ａ間に封止用樹脂が入り込みやすいなどの問題が生じる。
【００８７】
また、封止工程を行う直前の２５℃における樹脂層Ａとダイボンドシートとの９０度ピール強度が上記の範囲（即ち、好ましくは５Ｎ／ｍ以上、より好ましくは１０Ｎ／ｍ以上、さらにより好ましくは５０Ｎ／ｍ以上）にあることが好ましい。封止工程を行う直前の９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満である場合、封止工程時にダイボンドシートと樹脂層Ａ間に封止用樹脂が入り込みやすいなどの問題が生じる。
【００８８】
また、上記において封止工程を行う直前とは、封止工程の前でありなおかつ封止工程の前に行う全ての工程が終了した状態を意味する。
【００８９】
また、上記において半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後、封止工程を行う前に、加熱を行うことにより、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を向上させることもできる。この加熱温度は特に限定されないが、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を向上させるためには１００℃以上で加熱することが好ましい。また、リードフレームや半導体用接着フィルムの耐熱性の点から、３００℃以下で加熱することが好ましい。同様の理由で、１３０℃以上２７０℃以下に加熱することがより好ましい。また、加熱時間は特に限定されないが、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を十分に向上させるために１０秒以上が好ましい。同様の理由で加熱時間は１分以上２時間以下がより好ましい。
【００９０】
上記の加熱工程を、生産性の点から、封止工程に移る前の諸工程（例えば、ダイボンドシート、銀ペースト等の接着剤の硬化工程、ワイヤボンド工程等）における加熱によって行うことが好ましい。例えば、上記したように、半導体素子の接着工程では通常、接着に用いる接着剤を硬化させるために１４０〜２００℃で３０分〜２時間の加熱が行われる。また、ワイヤボンド工程では、通常、２００℃〜２７０℃程度で３分〜３０分程度の加熱が行われる。従って、上記の加熱工程をこれらの諸工程における加熱により行うことができる。
【００９１】
本発明において、封止材で封止した後の０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における樹脂層Ａとリードフレーム、ダイボンドシート及び封止材との９０度ピール強度は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７の９０度引き剥がし法を準じて、リードフレームと接着フィルムを室温で、又は０〜２５０℃のオーブン中で、リードフレームに対して接着フィルムを９０度方向に引き剥がして測定する。具体的には、０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、好ましくは毎分３００ｍｍの速さで半導体用接着フィルムを引き剥がす際の９０度ピール強度をテンシロンＲＴＭ−１００（オリエンテック製）で測定する。このピール強度の測定温度の好ましい範囲は１００〜２５０℃であり、より好ましくは１５０〜２５０℃である。
【００９２】
封止材で封止した後の０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点において樹脂層Ａとリードフレーム、ダイボンドシート及び封止材との９０度ピール強度は、どちらも１０００Ｎ／ｍ以下が好ましく、８００Ｎ／ｍ以下がより好ましく、５００Ｎ／ｍ以下がさらにより好ましい。この９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍを超える場合、リードフレームや封止材に応力が加わり、破損する可能性がある。なお、測定温度が高くなるにつれ、通常、上記の９０度ピール強度は低下する。この９０度ピール強度は、０Ｎ／ｍ以上であることがより好ましく、３Ｎ／ｍ以上であることがさらにより好ましく、５Ｎ／ｍ以上であることが特に好ましい。
【００９３】
なお、本発明においては、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後に半導体用接着フィルムをリードフレーム、ダイボンドシート及び封止材から引き剥がすときの温度における樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との９０度ピール強度がどちらも１０００Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。封止材で封止した後、半導体用接着フィルムを引き剥がす温度は、通常、０〜２５０℃の間が好ましい。
【００９４】
上記の０〜２５０℃の温度範囲の少なくとも一点における９０度ピール強度を測定するための封止材による封止条件としては、特に制限はないが、後述の本発明の半導体装置の製造方法における封止条件において封止することが好ましい。例えば、封止材としてＣＥＬ−９２００（商品名、日立化成工業（株）製ビフェニル封止材）を用い、温度１８０℃、圧力１０ＭＰａ、時間３分の条件で封止を行い、次いで１８０℃で５時間加熱して封止材を硬化させることが好ましい。
【００９５】
本発明においては、半導体用接着フィルムは、樹脂層Ａ単層からなるものであってもよいし、支持フィルム上に少なくとも樹脂層Ａが形成されたものであってもよい。後者の例としては、樹脂層Ａが支持フィルムの片面又は両面に形成されているもの、及び、支持フィルムの片面に樹脂層Ａが形成され、反対面に他の樹脂層が形成されたものが挙げられる。支持フィルムを有するものが好ましい。
【００９６】
本発明においては、支持フィルム上に樹脂層Ａを形成する方法は、特に制限はないが、樹脂層Ａの形成に用いられる樹脂（ａ）をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶剤に溶解して作製した接着剤ワニスを、支持フィルムの片面又は両面上に塗工した後、加熱処理して溶剤を除去することにより、二層構造又は三層構造の接着フィルムを得ることができる。又は、ワニス塗布後に加熱処理等によって耐熱性樹脂（ａ）（例えばポリイミド樹脂）となる樹脂（ａ）の前駆体（例えばポリアミド酸）を溶剤に溶解した前駆体ワニスを支持フィルムの片面又は両面上に塗工した後、加熱処理することで、二層構造又は三層構造の接着フィルムを得ることができる。この場合、塗工後の加熱処理により、溶剤を除去し、前駆体を樹脂（ａ）とする（例えばイミド化）。塗工面の表面状態等の点から、接着剤ワニスを用いることが好ましい。
【００９７】
上記において、ワニスを塗工した支持フィルムを溶剤の除去やイミド化等のために加熱処理する場合の処理温度は、接着剤ワニスであるか前駆体ワニスであるかで異なる。接着剤ワニスの場合には溶剤が除去できる温度であればよく、前駆体ワニスの場合には、イミド化させるために樹脂層Ａのガラス転移温度以上の処理温度が好ましい。
【００９８】
上記において、支持フィルムの片面に塗布される接着剤ワニス又は前駆体ワニスの塗工方法には、特に制限はないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート等を用いて行なうことができる。また、接着剤ワニス又は前駆体ワニス中に支持フィルムを通して塗工しても良い。
【００９９】
本発明においては、樹脂層Ａのガラス転移温度は１００〜３００℃であることが好ましく、１５０〜３００℃であることがより好ましく、１５０〜２５０℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度が１００℃未満の場合、リードフレーム及び封止材から引き剥がした際、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離が生じたり、樹脂層Ａが凝集破壊しやすい傾向がある。また、リードフレーム及び封止材に樹脂が残留しやすく、また、ワイヤボンド工程での熱によって樹脂層Ａが軟化し、ワイヤの接合不良が生じやすい傾向がある。さらには、封止工程での熱によって樹脂層Ａが軟化し、リードフレームと樹脂層Ａ間に封止材が入り込むなどの不具合が起きやすい傾向がある。また、ガラス転移温度が３００℃を超える場合、接着時に樹脂層Ａが十分軟化せず、２５℃におけるリードフレームとの９０度ピール強度が低下しやすい傾向がある。
【０１００】
本発明においては、樹脂層Ａが５重量％減少する温度が３００℃以上であることが好ましく、３５０℃以上であることがより好ましく、４００℃以上であることがさらに好ましい。樹脂層Ａが５重量％減少する温度が３００℃未満の場合、リードフレームに接着フィルムを接着する際の熱や、ワイヤボンド工程での熱でアウトガスが生じ、リードフレームやワイヤを汚染しやすい傾向がある。尚、樹脂層Ａが５重量％減少する温度は、示差熱天秤（セイコー電子工業製、ＴＧ／ＤＴＡ２２０）により、昇温速度１０℃／分で測定して求めた。
【０１０１】
本発明においては、樹脂層Ａの２３０℃における弾性率は１ＭＰａ以上であることが好ましく、３ＭＰａ以上であることがより好ましい。ワイヤボンド温度は、特に制限はないが、一般には２００〜２６０℃程度であり、２３０℃前後が広く用いられる。したがって、２３０℃における弾性率が１ＭＰａ未満の場合、ワイヤボンド工程での熱により樹脂層Ａが軟化し、ワイヤの接合不良が生じやすい。樹脂層Ａの２３０℃における弾性率の好ましい上限は、２０００ＭＰａであり、より好ましくは１５００ＭＰａであり、さらに好ましくは１０００ＭＰａである。樹脂層Ａの２３０℃における弾性率は、動的粘弾性測定装置、ＤＶＥ  ＲＨＥＯＳＰＥＣＴＯＬＥＲ（レオロジ社製）を用いて、昇温速度２℃／分、測定周波数１０Ｈｚの引張モードによって測定される。
【０１０２】
本発明においては、樹脂層Ａの形成に用いられる樹脂（ａ）は、アミド基（−ＮＨＣＯ−）、エステル基（―ＣＯ−Ｏ−）、イミド基（−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−）、エーテル基（−Ｏ−）又はスルホン基（−ＳＯ２−）を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。特に、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。具体的には、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポリエステルイミド及び芳香族ポリエーテルイミド等が挙げられる。これらのなかで、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミドが、耐熱性、接着性の点から好ましい。
【０１０３】
上記の樹脂はいずれも、塩基成分である芳香族ジアミン又はビスフェノール等と、酸成分であるジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸若しくは芳香族塩化物又はこれらの反応性誘導体を重縮合させて製造することができる。すなわち、アミンと酸との反応に用いられている公知の方法で行うことができ、諸条件等についても特に制限はない。芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボン酸又はこれらの反応性誘導体とジアミンの重縮合反応については、公知の方法が用いられる。
【０１０４】
芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合成に用いられる塩基成分としては、例えば、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）］ヘキサフルオロプロパン等のエーテル基を有する芳香族ジアミン；４，４′−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアミン）等のエーテル基を有しない芳香族ジアミン；１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミン；及び１，１２−ジアミノドデカン、１，６−ジアミノヘキサン等のα，ω−ジアミノアルカンが好適に用いられる。塩基成分総量中、上記のエーテル基を有する芳香族ジアミンを好ましくは４０〜１００モル％、より好ましくは５０〜９７モル％、エーテル基を有しない芳香族ジアミン、シロキサンジアミン及びα，ω−ジアミノアルカンから選ばれる少なくとも１種を好ましくは０〜６０モル％、より好ましくは３〜５０モル％の量で用いることが望ましい。好ましい塩基成分の具体例としては、（１）エーテル基を有する芳香族ジアミンを好ましくは６０〜８９モル％、より好ましくは６８〜８２モル％、シロキサンジアミンを好ましくは１〜１０モル％、より好ましくは３〜７モル％、及びα，ω−ジアミノアルカンを好ましくは１０〜３０モル％、より好ましくは１５〜２５モル％からなる塩基成分、（２）エーテル基を有する芳香族ジアミンを好ましくは９０〜９９モル％、より好ましくは９３〜９７モル％、及びシロキサンジアミンを好ましくは１〜１０モル％、より好ましくは３〜７モル％からなる塩基成分、（３）エーテル基を有する芳香族ジアミンを好ましくは４０〜７０モル％、より好ましくは４５〜６０モル％、エーテル基を有しない芳香族ジアミンを好ましくは３０〜６０モル％、より好ましくは４０〜５５モル％からなる塩基成分が挙げられる。
【０１０５】
芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合成に用いられる酸成分としては、例えば、（Ａ）無水トリメリット酸、無水トリメリット酸クロライド等の無水トリメリット酸の反応性誘導体、ピロメリット酸二無水物等の単核芳香族トリカルボン酸無水物又は単核芳香族テトラカルボン酸二無水物、（Ｂ）ビスフェノールＡビストリメリテート二無水物、オキシジフタル酸無水物等の多核芳香族テトラカルボン酸二無水物、（Ｃ）テレフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸クロライド、イソフタル酸クロライド等のフタル酸の反応性誘導体等の芳香族ジカルボン酸などが挙げられる。
【０１０６】
中でも、上記塩基成分（１）又は（２）１モル当たり、上記酸成分（Ａ）を好ましくは０．９５〜１．０５モル、より好ましくは０．９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルアミドイミド、及び、上記塩基成分（３）を好ましくは１モル当たり、上記酸成分（Ｂ）を好ましくは０．９５〜１．０５モル、より好ましくは０．９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルイミドが好適に用いられる。
【０１０７】
本発明においては、樹脂（ａ）にセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーや、カップリング剤を添加してもよい。フィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ａ）１００重量部に対して１〜３０重量部が好ましく、５〜１５重量部がより好ましい。
【０１０８】
カップリング剤としては、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシラン、チタネート、アルミキレート、ジルコアルミネート等のカップリング剤が使用できるが、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等の末端に有機反応基を有するシランカップリング剤で、これらの内、エポキシ基を有するエポキシシランカップリング剤が好ましく用いられる。なお、ここで有機反応性基とは、エポキシ基、ビニル基、アミノ基、メルカプト基等の官能基である。シランカップリング剤の添加は、樹脂の支持フィルムに対する密着性を向上させ、１００〜３００℃の温度で引き剥がした際に、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離が生じにくくするためである。カップリング剤の添加量は、樹脂（ａ）１００重量部に対して、１〜１５重量部が好ましく、２〜１０重量部がより好ましい。
【０１０９】
本発明においては、支持フィルムには特に制限はないが、樹脂の塗工、乾燥、半導体装置組立工程中の熱に耐えられる樹脂からなるフィルムが好ましく、樹脂は、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれることが好ましい。また。支持フィルムのガラス転移温度は、耐熱性を向上させるために２００℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であることがより好ましい。上記の耐熱性樹脂フィルムを用いることにより、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程、引き剥がし工程などの熱の加わる工程において、支持フィルムが軟化せず、効率よく作業を行うことができる。
【０１１０】
上記の支持フィルムは、樹脂層Ａに対して密着性が十分高いことが好ましい。密着性が低いと、１００〜３００℃の温度でリードフレーム及び封止材から引き剥がした際、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離が生じやすく、リードフレーム及び封止材に樹脂が残留しやすい。支持フィルムは、耐熱性を有し、かつ樹脂層Ａに対する密着性が十分高いことが好ましいことから、ポリイミドフィルムがより好ましい。
【０１１１】
上記ポリイミドフィルムの種類は特に限定されないが、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減するために、２０〜２００℃における線熱膨張係数が３．０×１０−５／℃以下であることが好ましく、２．５×１０−５／℃以下であることがより好ましく、２．０×１０−５／℃以下であることがさらに好ましい。また半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減するために、２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率が０．１５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがさらに好ましく、０．０５％以下であることが特に好ましい。
【０１１２】
上記の支持フィルムは、樹脂層Ａに対する密着性を十分高めるために、表面を処理することが好ましい。支持フィルムの表面処理方法には特に制限はないが、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、コロナ処理等が挙げられる。
【０１１３】
上記の支持フィルムの厚さは特に制限はないが、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減するために、１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以下がさらに好ましい。なお支持フィルムの厚さは、５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。
【０１１４】
また、支持フィルムの材質を、上記した樹脂以外の、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケルよりなる群から選ぶこともできる。支持フィルムを上記の金属とすることにより、リードフレームと支持フィルムの線膨張係数を近くし、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減することができる。
【０１１５】
本発明における半導体用接着フィルムは、支持フィルムの片面又は両面に樹脂層を設けた場合、特に支持フィルムの片面に樹脂層Ａを設けた場合、樹脂層の厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が０．５以下であることが好ましく、０．３以下がより好ましく、０．２以下がさらに好ましい。樹脂層の厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｂ）との比（Ａ／Ｂ）が０．５を超える場合、塗工後の溶剤除去時の樹脂層の体積減少によりフィルムがカールしやすく、リードフレームに接着する際の作業性や生産性が低下しやすい傾向がある。支持フィルムの両面に樹脂層を設けた場合には、両樹脂層の厚みの比を０．８：１〜１．２：１とすることが好ましく、０．９：１〜１．１：１とすることがより好ましく、１：１とすることが特に好ましい。なお、樹脂層Ａの厚さ（Ａ）は１〜２０μｍであることが好ましく、３〜１５μｍであることがより好ましく、４〜１０μｍであることがさらに好ましい。
【０１１６】
溶剤除去時の樹脂層Ａの体積減少に起因する半導体用接着フィルムのカールを相殺するために、支持フィルムの両面に樹脂層Ａを設けてもよい。支持フィルムの片面に樹脂層Ａを設け、反対面に高温で軟化しにくい樹脂層を設けることが好ましい。すなわち、前記支持フィルムの片面に接着性を有する樹脂層Ａを形成し、その反対面に２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂを形成することが好ましい。
【０１１７】
本発明においては、接着性を有しない樹脂層Ｂの２３０℃での弾性率は１０ＭＰａ以上であることが好ましく、１００ＭＰａ以上がより好ましく、１０００ＭＰａ以上がさらに好ましい。樹脂層Ｂの２３０℃での弾性率が１０ＭＰａ未満の場合、ワイヤボンド工程などの熱の加わる工程で軟化しやすく、金型やジグに貼り付きやすい傾向がある。この弾性率は、２０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１５００ＭＰａ以下であることがより好ましい。
【０１１８】
上記の接着性を有しない樹脂層Ｂの金型やジグに対する接着力は、工程上、金型やジグに張り付かない程度に低ければ特に制限はないが、２５℃における樹脂層Ｂと金型やジグとの９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満であることが好ましく、１Ｎ／ｍ以下であることがより好ましい。このピール強度は、例えば、真鍮製の金型に温度２５０℃、圧力８ＭＰａで１０秒間圧着した後に測定する。
【０１１９】
上記の２３０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上である樹脂層Ｂのガラス転移温度は、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程、引き剥がし工程などで軟化しにくく、金型やジグに貼り付きにくくするため、１５０℃以上であることが好ましく、２００℃以上がより好ましく、２５０℃以上がさらに好ましい。なお、このガラス転移温度は、３５０℃以下であることが好ましく、３００℃以下であることがより好ましい。
【０１２０】
上記の樹脂層Ｂの形成に用いられる樹脂（ｂ）の組成には特に制限はなく、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれも用いることができる。熱可塑性樹脂の組成は、特に制限はないが、前記した樹脂と同様の、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂が好ましい。特に、上記の塩基成分（３）１モルと上記の酸成分（Ａ）を好ましくは０．９５〜１．０５モル、より好ましくは０．９８〜１．０２モルを反応させて得られる芳香族ポリエーテルアミドイミドが好ましい。また、熱硬化性樹脂の組成には、特に制限はないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂（例えば、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンをモノマーとするビスマレイミド樹脂）などが好ましい。また、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合せて用いることもできる。熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合わせる場合、熱可塑性樹脂１００重量部に対し、熱硬化性樹脂５〜１００重量部とすることが好ましく、２０〜７０重量部とすることがより好ましい。
【０１２１】
さらには、上記の樹脂（ｂ）にセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーやカップリング剤を添加することが好ましい。フィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ｂ）１００重量部に対して１〜３０重量部とすることが好ましく、５〜１５重量部とすることがより好ましい。カップリング剤の添加量は、樹脂（ｂ）１００重量部に対して１〜２０重量部とすることが好ましく、５〜１５重量部とすることがより好ましい。
【０１２２】
上記の接着性を有しない樹脂層Ｂを支持フィルム上に形成する方法としては、特に制限はないが、通常、樹脂（ｂ）をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶剤に溶解して作製した樹脂ワニスを、支持フィルム上に塗工した後、加熱処理して溶剤を除去することにより形成することができる。又は、ワニス塗布後に加熱処理等によって耐熱性樹脂（ｂ）（例えばポリイミド樹脂）となる樹脂（ｂ）の前駆体（例えばポリアミド酸）を溶剤に溶解した前駆体ワニスを支持フィルム上に塗工した後、加熱処理することで、形成することができる。この場合、塗工後の加熱処理により、溶剤を除去し、前駆体を樹脂（ｂ）とする（例えばイミド化）。塗工面の表面状態等の点から、樹脂ワニスを用いることが好ましい。
【０１２３】
上記のワニスを塗工した支持フィルムを溶剤の除去やイミド化等のために加熱処理する場合の処理温度は、樹脂ワニスであるか前駆体ワニスであるかで異なる。樹脂ワニスの場合には溶剤が除去できる温度であればよく、前駆体ワニスの場合には、イミド化させるために樹脂層Ｂのガラス転移温度以上の処理温度が好ましい。
【０１２４】
上記の樹脂（ｂ）として熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の組合せを用いる場合は、塗工後の加熱処理によって、熱硬化性樹脂を硬化させ、樹脂層Ｂの弾性率を１０ＭＰａ以上にすることもできる。この加熱処理は、溶剤の除去やイミド化と同時に行うこともできるし、別途行うこともできる。
【０１２５】
上記の樹脂層Ｂにおいて、溶剤除去時の樹脂層Ｂの体積減少又はイミド化や熱硬化性樹脂の硬化の際の収縮により、樹脂層Ａの体積減少に起因する半導体用接着フィルムのカールを相殺することができる。
【０１２６】
上記において、樹脂（ｂ）の樹脂ワニス又は前駆体ワニスの塗工方法は特に制限はないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート等を用いて行なわれる。また、樹脂ワニス又は前駆体ワニス中に支持フィルムを通して塗工しても良い。
【０１２７】
リードフレーム
本発明において用いるリードフレームは、例えば、前記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａをリードフレームの片面に接して接着することにより製造することができる。本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着条件は、先に本発明の半導体装置の製造方法について記載した条件と同様である。本発明において、リードフレームの材質には特に制限はないが、例えば、４２アロイなどの鉄系合金、又は銅や銅系合金などを用いることができる。また、銅や銅系合金のリードフレームの表面には、パラジウム、金、銀などを被覆することもできる。
【０１２８】
ダイボンドシート
本発明において、半導体用接着フィルムへダイボンドシートを用いて半導体素子を接着する場合の接着条件は、先に本発明の半導体装置の製造方法について記載した条件と同様である。本発明で用いるダイボンドシートは、架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分１５〜４０重量％及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分６０〜８５重量％を含む樹脂１００重量部と、フィラー４０〜１８０重量部とを含み、厚さが１０〜２５０μｍであることが好ましい。
【０１２９】
本発明で用いるダイボンドシートは、架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上でＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分１５〜４０重量％、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分６０〜８５重量％を含む樹脂１００重量部とフィラー４０〜１８０重量部とを含む接着シートであることが好ましく、その構成成分に特に制限はないが、適当なタック強度を有しシート状での取扱い性が良好であることから、高分子量成分、熱硬化性成分、及びフィラーの他に、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を含んでも良い。
【０１３０】
高分子量成分としてはエポキシ基、アルコール性またはフェノール性水酸基、カルボキシル基などの架橋性官能基を有するポリイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。上記のダイボンドシートは、高分子量成分が樹脂の１５〜４０重量％含まれる場合に充てん性が良好となり、高分子量成分の含有量は、さらに好ましくは２０〜３７重量％であり、より好ましくは２５〜３５重量％である。
【０１３１】
本発明における高分子量成分は、Ｔｇ（ガラス転移温度）が−５０℃〜５０℃で架橋性官能基を有する重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分であることが好ましい。高分子量成分として、例えば、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどの官能性モノマを含有するモノマを重合して得た、重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体などが好ましい。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、たとえば、（メタ）アクリル酸エステル共重合体、アクリルゴムなどを使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。
【０１３２】
高分子量成分のＴｇが５０℃を超えると、ダイボンドシートの柔軟性が低くなる場合があり、Ｔｇが−５０℃未満であると、ダイボンドシートの柔軟性が高すぎるため、ウエハダイシング時にダイボンドシートが切断し難く、バリが発生しやすくなる場合がある。また、高分子量成分の重量平均分子量は、より好ましくは１０万以上１００万以下であり、分子量が１０万未満であるとダイボンドシートの耐熱性が低下する場合があり、分子量が１００万を超えるとダイボンドシートのフローが低下する場合がある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【０１３３】
ウエハダイシング時にダイボンドシートが切断しやすく樹脂くずが発生し難い点、また耐熱性が高い点で、Ｔｇが−２０℃〜４０℃で重量平均分子量が１０万〜９０万の高分子量成分がより好ましく、Ｔｇが−１０℃〜４０℃で分子量が２０万〜８５万の高分子量成分が特に好ましい。
【０１３４】
本発明において用いられる熱硬化性成分としては、半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性および耐湿性を有するエポキシ樹脂が好ましい。なお、本発明において、「エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分」には、エポキシ樹脂硬化剤も含まれるものとする。エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
【０１３５】
特にＢステージ状態でのフィルムの可撓性が高い点でエポキシ樹脂の分子量が１０００以下であることが好ましく、さらに好ましくは５００以下である。また、可撓性に優れる分子量５００以下のビスフェノールＡ型又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂５０〜９０重量部と、硬化物の耐熱性に優れる分子量が８００〜３０００の多官能エポキシ樹脂１０〜５０重量％とを併用することが好ましい。
【０１３６】
エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。さらに、本発明で用いるダイボンドシートには、Ｂステージ状態における接着シートのダイシング性の向上、接着シートの取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与などを目的としてフィラー、好ましくは無機フィラーを配合する。
【０１３７】
無機フィラーとしては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物などが挙げられる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、ダイシング性を向上させるためにはアルミナ、シリカが好ましい。
【０１３８】
本発明において、上記フィラーを樹脂１００重量部に対して、４０〜１８０重量部含むことが、ダイシング性が向上する点、接着シート硬化後の貯蔵弾性率が１７０℃で５０〜６００ＭＰａになり、ワイヤボンディング性が良好となる点で好ましい。フィラー量は樹脂１００重量部に対して、６０〜１６０重量部であることがより好ましく、６０〜１２０重量部であることがさらに好ましい。フィラーの配合量が多くなると、ダイボンドシートの貯蔵弾性率の過剰な上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が起きやすくなるので１８０重量部以下とするのが好ましい。フィラーの配合量が少ないと、ダイシング時の樹脂ばりが発生し易くなる傾向があるがあるので４０重量部以上とするのが好ましい。
【０１３９】
本発明において、下記のダイシング工程における樹脂ばりを大幅に低減できることからフィラーを添加することが好ましい。すなわち、ダイシングには、通常、回転刃でウエハ、接着シート、ダイシングテープを同時に切断し、洗浄後、接着剤付き半導体チップを得る工程が取られている。この切断後にできたダイシングテープの溝に、接着シートやウエハの切断くずが付着し、それが切断時や切断後などの洗浄時やチップピックアップ時にダイシングテープから糸状に剥離し、樹脂ばりを発生することがある。
【０１４０】
前記ダイボンドシートを使用した場合、特にシリカ、アルミナフィラー等を樹脂１００重量部に対して、４０〜１８０重量部含むため、ダイシング時に発生する樹脂やシリコンの切断くずがフィラーを中心にした細かい粉体状になり、洗浄水と共に除去されやすく、ダイシングテープ上に溜まる切断くずの量が少なくなるので好ましい。また、この少ない切断くずがダイシングテープ上に密着しているため、ダイシングテープから糸状に剥離しにくくなる。
【０１４１】
これに対し、フィラーを含有しない場合には、切断くずが粘土状であり、洗浄水と共に除去されないため、ダイシングテープ上に多量の切断くずが付着する傾向にある。これらの切断くずは、洗浄時や、半導体チップをピックアップする時にダイシングテープから剥離しやすいため、樹脂ばりが多く発生する可能性がある。
【０１４２】
さらに、本発明においては、ダイボンドシートがフィラーを含有することにより、シート切断時に回転刃に樹脂を残すことなく、回転刃を研磨しながら、短時間で接着シートを良好に切削し易い。したがって、回転刃の研磨効果及び接着シート切断性の点から、接着シートは硬いフィラーを含有することが好ましく、モース硬度（１０段階）３〜８の範囲の硬さのフィラーを含有することがより好ましく、モース硬度６〜７のフィラーを含有することがさらに好ましい。このときフィラーのモース硬度（１０段階）が３未満では回転刃の研磨効果が少なく、モース硬度が８を超えるとダイシング用の回転刃の寿命が短くなる傾向がある。なお、モース硬度３〜８のフィラーとしては、方解石、大理石、金（１８Ｋ）、鉄など（モース硬度３）、蛍石、パールなど（モース硬度４）、燐灰石、ガラスなど（モース硬度５）、正長石、オパールなど（モース硬度６）、シリカ、水晶、トルマリンなど（モース硬度７）があるが、中でも安価であり入手が容易でありことからモース硬度７のシリカが好ましい。
【０１４３】
フィラーの平均粒径は、０．０５μｍ未満であるとフィラーに回転刃の研磨効果を持たせつつ、ダイボンドシートに流動性を持たせることが困難となる傾向があり、また平均粒径が５μｍを超えるとダイボンドシートの薄膜化が困難となり、ダイボンドシート表面の平滑性を保つことが難しくなる傾向がある。したがって、ダイボンドシートの流動性と表面平滑性の点から、フィラーの平均粒径は、０．０５〜５μｍが好ましい。さらに、流動性が優れる点で平均粒径の下限としては、０．１μｍがより好ましく、０．３μｍが特に好ましい。また平滑性の点で、平均粒径の上限としては３μｍがより好ましく、１μｍが特に好ましい。
【０１４４】
なお、本発明においては、レーザー回折式粒度分布測定装置（日機装製マイクロトラック）を用いてフィラーの平均粒径を測定した。具体的には、フィラー０．１〜１．０ｇを秤取り、超音波により分散した後、粒度分布を測定し、その分布での累積重量が５０％となる粒子径を平均粒径とした。フィラーの比表面積に関しても、フィラーの平均粒径と同様に、流動性と表面平滑性の点から２〜２００ｍ２／ｇが好ましく、さらに流動性の点から比表面積の上限は５０ｍ２／ｇがより好ましく、１０ｍ２／ｇが特に好ましい。なお、本発明において、比表面積（ＢＥＴ比表面積）は、ブルナウアー・エメット・テーラー（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）式により、無機フィラーに窒素を吸着させてその表面積を測定した値であり、市販されているＢＥＴ装置により測定できる。
【０１４５】
本発明のダイボンドシートは、前記高分子量成分、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分、フィラー、及び他の成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製した後、基材フィルム上に上記ワニスの層を形成させ、加熱乾燥した後、基材を除去して得ることができる。上記の混合、混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常６０℃〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。
【０１４６】
上記ダイボンドシートの製造における上記ワニスの調製に用いる有機溶媒、即ちダイボンドシート調製後の残存揮発分は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ―メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどを使用することが好ましい。
【０１４７】
有機溶媒の使用量は、ダイボンドシート調製後の残存揮発分が全重量基準で０．０１〜３重量％であれば特に制限はないが、耐熱信頼性の観点からは全重量基準で０．０１〜２重量％が好ましく、全重量基準で０．０１〜１．５重量％がさらに好ましい。
【０１４８】
ダイボンドシートの膜厚は、基板の配線回路や下層の半導体チップに付設された金ワイヤ等の凹凸を充てん可能とするため、１０〜２５０μｍとすることが好ましい。１０μｍより薄いと応力緩和効果や接着性が乏しくなる傾向があり、２５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えにくくなる。なお、接着性が高く、また、半導体装置を薄型化できる点でより好ましくは２０〜１００μｍ、さらに好ましくは４０〜８０μｍである。
【０１４９】
本発明において、硬化前（Ｂステージ状態）のダイボンドシートの２５℃における動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２００〜３０００ＭＰａであると、ダイシング性が優れる点で好ましい。ダイシング性に優れ、かつウエハとの密着性が優れる点で５００〜２０００ＭＰａがより好ましい。また、硬化前（Ｂステージ状態）のダイボンドシートの８０℃における動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａであると、８０℃でウエハにラミネート可能である点で好ましい。特にウエハへの密着性が高い点で、０．５〜５ＭＰａであるとことがより好ましい。
【０１５０】
本発明において、硬化後（Ｃステージ状態）のダイボンドシートの１７０℃における動的粘弾性測定による貯蔵弾性率は、良好なワイヤボンディング性を得るために２０〜６００ＭＰａであることが好ましい。貯蔵弾性率は、より好ましくは４０〜６００ＭＰａ、さらに好ましくは４０〜４００ＭＰａである。弾性率は、動的粘弾性測定装置（レオロジー社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定することができる（サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、温度範囲−３０〜２００℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重）。
【０１５１】
本発明ではダイボンドシートを多層構造を有する多層ダイボンドシートとして用いても良く、例えば、上述したダイボンドシートを２枚以上ラミネートしたもの、または、上述したダイボンドシートとそれ以外のダイボンドシートを複数ラミネートしたものとして用いても良い。例えば、第１の接着剤層及び第２の接着層剤が直接的又は間接的に積層された構造を有してなる多層ダイボンドシートであって、少なくとも第２の接着剤層が上述のダイボンドシートからなり、かつ、第１の接着剤層のフロー量Ａ、厚さａμｍと、第２の接着剤層のフロー量Ｂ、厚さｂμｍとが、Ａ×３＜Ｂかつａ×２＜ｂの関係を有する多層接着シートとして用いることができる。多層ダイボンドシートは、ウエハ、ダイボンドシート及びダイシングテープを貼り合せた際に、ウエハに接する側が第１の接着剤層であり、ダイシングテープに接する側が第２の接着剤層であることが好ましい。
【０１５２】
このような２層シートにすることで、Ａ又はＢの絶対値に応じて、接着時に適宜圧力・温度・時間（中でも特に圧力）を選択することにより、第２層は凹凸を埋め込み、第１層は凹凸により突き破られないように接着することが可能である。つまり、配線やワイヤの充てん性と、配線やワイヤと上部半導体チップとの絶縁性を確保することができる。Ａ×３≧Ｂの場合、第１の接着剤層が配線やワイヤの侵入を妨げる効果が低く、凹凸を形成する基板上の回路やワイヤの上部に位置する半導体チップと接し、絶縁性が確保されない傾向があり、またａ×２≧ｂの場合、凹凸やワイヤの充てん性が低下し、ボイドができやすくなる傾向がある。
【０１５３】
本発明において、フロー量は、硬化前のダイボンドシートとＰＥＴフィルムを１×２ｃｍの短冊状に打ち抜いたサンプルについて、熱圧着試験装置（テスター産業（株）製）を用いて熱板温度１００℃、圧力１ＭＰａで１８秒間プレスした後、サンプルの端部からはみだした樹脂の長さを光学顕微鏡で測定して得ることができる。
【０１５４】
また、例えば、第１の接着剤層及び第２の接着剤層が直接的又は間接的に積層された構造を有してなる多層ダイボンドシートであって、少なくとも第２の接着剤層が上述のダイボンドシートからなり、かつ、第１の接着剤層の溶融粘度αＰａ・ｓ、厚さａμｍと、第２の接着剤層の溶融粘度βＰａ・ｓ、厚さｂμｍとが、α＞β×３かつａ×２＜ｂの関係を有する多層ダイボンドシートとして用いることができる。多層ダイボンドシートは、ウエハ、ダイボンドシート及びダイシングテープを貼り合せた際に、ウエハに接する側が第１の接着剤層であり、ダイシングテープに接する側が第２の接着剤層であることが好ましい。
【０１５５】
このような２層シートにすることで、α又はβの絶対値に応じて、接着時に適宜圧力・温度・時間（中でも特に圧力）を選択することにより、第２層は凹凸を埋め込み、第１層は凹凸により突き破られないように接着することが可能である。つまり、配線やワイヤの充てん性と、配線やワイヤと上部半導体素子との絶縁性を確保することができる。α≦β×３の場合、第１の接着剤層が配線やワイヤの侵入を妨げる効果が低く、凹凸を形成する基板上の回路やワイヤの上部に位置する半導体チップと接し、絶縁性が確保されない傾向があり、またａ×２≧ｂの場合、凹凸やワイヤの充てん性が低下し、ボイドができやすくなる傾向がある。
【０１５６】
本発明において、溶融粘度は、後述する平行平板プラストメータ法により硬化前のダイボンドシートについて測定、算出して得ることができる。なお、Ａ、Ｂ、α、β、ａ、ｂはそれぞれ適当な範囲内にあることが好ましく、Ａは１００〜４００μｍ、Ｂは３００〜２０００μｍが好ましい。低すぎると充てん性が悪化し、大きすぎると半導体素子端部からの樹脂の浸みだしが大きくなる傾向がある。αは３０００〜１５０万Ｐａ・ｓが好ましい。βは好ましくは１０００〜７５００Ｐａ・ｓ、特に好ましくは１０００〜５０００Ｐａ・ｓ、さらに好ましくは、１５００〜３０００Ｐａ・ｓである。高すぎると充てん性が悪化し、低すぎると半導体素子端部からの樹脂の浸みだしが大きくなる傾向がある。またａは５〜３０μｍ、ｂは１０〜２５０μｍであることが好ましい。なお、ダイボンドシートを単層で用いる場合についても、ダイボンドシート単体のフロー、溶融粘度及び厚さが、それぞれ上記で規定するＢ、β及びｂの範囲であることが好ましい。
【０１５７】
第１の接着剤層としては、８０℃以下でウエハと貼付できれば、特に制限はなく、日立化成工業（株）製、ハイアタッチＨＳ−２１０、ＨＳ−２３０など使用できる。第２の接着剤層としては、上述のダイボンドシートを使用することができる。好ましい組合せの一例としては、ハイアタッチＨＳ−２３０（フロー量２５０μｍ、厚さ１０μｍ、溶融粘度３２万Ｐａ・ｓ）と上述のダイボンドシート（フロー量１０００μｍ、厚さ７０μｍ、溶融粘度２２００Ｐａ・ｓ）が挙げられる。その場合、Ａ×３＜Ｂ、α＞β×３、ａ×２＜ｂの関係式を満たしている。
【０１５８】
上述のダイボンドシートは、それ自体で用いても構わないが、一実施態様として、上述のダイボンドシートを従来公知のダイシングテープ上に積層したダイシングテープ一体型接着シートとして用いることもできる。この場合、ウエハへのラミネート工程が一回で済む点で、作業の効率化が可能である。本発明に使用するダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。
【０１５９】
また、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行っても良い。ダイシングテープは粘着性を有することが好ましく、上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものを用いても良いし、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けても良い。これは、樹脂組成物において特に液状成分の比率、高分子量成分のＴｇを調整することによって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である。
【０１６０】
また、ダイボンドシートを半導体装置を製造する際に用いた場合、ダイシング時には半導体素子が飛散しない粘着力を有し、その後ピックアップ時にはダイシングテープから剥離することが望まれる。例えば、ダイボンドシートの粘着性が高すぎるとピックアップが困難になることがある。そのため、適宜、接着シートのタック強度を調節することが好ましく、その方法としては、ダイボンドシートの室温におけるフローを上昇させることにより、粘着強度及びタック強度も上昇する傾向があり、フローを低下させれば粘着強度及びタック強度も低下する傾向があることを利用すればよい。例えば、フローを上昇させる場合には、可塑剤の含有量の増加、粘着付与材含有量の増加等の方法がある。逆にフローを低下させる場合には、前記可塑剤の含有量物の減少、粘着付与材含有量の減少等の方法がある。前記可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系のいわゆる希釈剤等が挙げられる。
【０１６１】
ダイシングテープ上にダイボンドシートを積層する方法としては、印刷のほか、予め作成したダイボンドシートをダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネートする方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネートする方法が好ましい。尚、ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、ダイボンドシートの膜厚やダイシングテープ一体型ダイボンドシートの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取扱い性が良い点で好ましくは６０〜１５０μｍ、よれ好ましくは７０〜１３０μｍである。
【０１６２】
本発明におけるダイボンドシートは、好ましくは半導体装置の製造に用いられ、より好ましくはウエハ、ダイボンドシート及びダイシングテープを０℃〜８０℃で貼り合わせた後、回転刃でウエハ、ダイボンドシート及びダイシングテープを同時に切断し、接着剤付き半導体素子を得た後、当該接着剤付き半導体素子を凹凸を有する基板又は半導体素子に荷重０．００１〜１ＭＰａで接着し、接着剤で凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造に用いられる。
【０１６３】
本発明において、ウエハとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素などの化合物半導体などが使用される。ダイボンドシートを単層で用いる場合には、ウエハにダイボンドシートを貼り合わせた後、次いでダイボンドシート面にダイシングテープを貼り合わせればよい。また、ダイボンドシートを多層で用いる場合には、ウエハに第１の接着剤層、第２の接着剤層を順に貼り合わせてもよいし、予め第１の接着剤層及び第２の接着剤層を含む多層ダイボンドシートを作成しておき、当該多層ダイボンドシートをウエハに貼り合わせてもよい。また、ダイボンドシート又は多層ダイボンドシート、及びダイシングテープを備えるダイシングテープ一体型ダイボンドシートを用いることにより、半導体装置を製造することもできる。
【０１６４】
ダイボンドシートをウエハに貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、好ましくは０〜８０℃であり、より好ましくは１５〜８０℃であり、特に好ましくは２０〜７０℃である。８０℃を超えるとダイボンドシート貼り付け後のウエハの反りが大きくなる傾向がある。ダイシングテープ又はダイシングテープ一体型ダイボンドシートを貼り付ける際にも、上記温度で行うことが好ましい。
【０１６５】
図９に、本発明の一実施態様であるダイボンドシートｂ、半導体ウエハＡ、及びダンシングテープ１１の断面図を示し、また、図１０に、本発明の一実施態様である多層ダイボンドシートｃ、半導体ウエハＡ、及びダイシングテープ１１の断面図を示す。図１０中、ａは第１の接着剤層、ｂ’は第２の接着剤層を示す。次いで、ダイボンドシート、ダイシングテープが貼り付けられた半導体ウエハを、ダイシングカッターを用いてダイシング、さらに洗浄、乾燥することにより、接着剤付き半導体素子を得ることができる。
【０１６６】
また、他の実施態様として、本発明におけるダイボンドシートは、図１２に示すように基材フィルム１５の上にダイボンドシートｂを設けた基材フィルム付きダイボンドシートとして用いてもよい。このようにすれば、ダイボンドシート単体では扱いにくい場合でも便利であり、例えば、図１２に示す構造の接着シートと上述のダイシングテープを貼り合わせた後、基材フィルム１５を剥離し、その後に半導体ウエハＡを貼り合わせることで、容易に図９のような構造とすることができる。また、基材フィルム１５を剥離しないでそのままカバーフィルムとして使用することも可能である。
【０１６７】
上記基材フィルム１５としては、特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等がある。
【０１６８】
また、本発明におけるダイボンドシートは、図１３に示すように多層接着シートが第２の接着剤層ｂ’、第１の接着剤層ａの順に基材フィルム上に設けられた基材フィルム付き接着シートとして用いてもよい。また、第１の接着剤層ａ、第２の接着剤層ｂ’の順に基材フィルム上に積層されていてもよい。
【０１６９】
さらに、他の実施態様として、本発明におけるダイボンドシートは、図１２及び図１３に示す構造で、かつダイボンドシート自体がダイシングテープとしての役割を果たしても良い。このようなダイボンドシートは、ダイシングダイボンド一体型ダイボンドシートなどと呼ばれ、一つのシートでダイシングテープとしての役割と、ダイボンドシートとしての役割を果たすので、図１４のように、ダイシングしてピックアップするだけで接着剤付き半導体素子を得ることができる。
【０１７０】
ダイボンドシートにこのような機能を持たせるには、例えば、ダイボンドシートが、光硬化性高分子量成分、光硬化性モノマー、光開始剤等の光硬化性成分を含んでいれば良い。このような一体型のシートは、半導体素子を基板又は半導体素子に接着する段階では光照射が行われており、硬化前の２５℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率、硬化前の８０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率のそれぞれの値は、光照射を行った後であり熱硬化が行われる前の段階における値を指す。
【０１７１】
ダイシングダイボンド一体型のダイボンドシートは、好ましくはウエハ、ダイボンドシート及び基材フィルムを０℃〜８０℃で貼り合わせた後、回転刃でウエハ、ダイボンドシート及び基材フィルムを同時に切断し、接着剤付き半導体素子を得た後、当該接着剤付き半導体素子を凹凸を有する基板又は半導体素子に荷重０．００１〜１ＭＰａで接着し、接着剤で凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造に用いられる。
【０１７２】
得られた接着剤付き半導体素子は、配線に起因する凹凸を有する基板又はワイヤに起因する凹凸を有する半導体素子に、接着剤を介して荷重０．００１〜１ＭＰａで接着され、接着剤により凹凸が充てんされる（図）。荷重は０．０１〜０．５ＭＰａであることが好ましく、０．０１〜０．３ＭＰａであることがより好ましい。荷重が０．００１ＭＰａ未満であるとボイドが発生し耐熱性が低下する傾向があり、１ＭＰａを超えると半導体チップが破損する傾向がある。
【０１７３】
図は、接着剤付き半導体素子をワイヤボンディングされた半導体チップに接着する際の工程の一例を示す概略図である。
【０１７４】
本発明においては、接着剤付き半導体素子を基板又は半導体素子に接着する際に、基板の配線、半導体素子のワイヤ等の凹凸を加熱することが好ましい。加熱温度は、６０〜２４０℃であることが好ましく、１００〜１８０℃であることがより好ましい。６０℃未満であると接着性が低下する傾向があり、２４０℃を超えると基板が変形し、反りが大きくなる傾向がある。加熱方法としては、基板又は半導体素子を予め加熱した熱板に接触させる、基板又は半導体素子に赤外線又はマイクロ波を照射する、熱風を吹きかける等の方法が挙げられる。
【０１７５】
本発明で用いられるダイボンドシートは、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、及び（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物を含有する接着剤組成物を硬化させたものである。
【０１７６】
（ａ）エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を呈するものであれば特に制限はない。二官能基以上で、好ましくは分子量が５０００未満、より好ましくは３０００未満のエポキシ樹脂が使用できる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することもできる。
【０１７７】
このようなエポキシ樹脂としては、市販のものでは、例えば、エピコート８０７，エピコート８１５，エピコート８２５，エピコート８２７，エピコート８２８，エピコート８３４，エピコート１００１，エピコート１００２，エピコート１００３，エピコート１０５５，エピコート１００４，エピコート１００４ＡＦ，エピコート１００７，エピコート１００９，エピコート１００３Ｆ，エピコート１００４Ｆ（以上、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名）、ＤＥＲ−３３０，ＤＥＲ−３０１，ＤＥＲ−３６１，ＤＥＲ−６６１，ＤＥＲ−６６２，ＤＥＲ−６６３Ｕ，ＤＥＲ−６６４，ＤＥＲ−６６４Ｕ，ＤＥＲ−６６７，ＤＥＲ−６４２Ｕ，ＤＥＲ−６７２Ｕ，ＤＥＲ−６７３ＭＦ，ＤＥＲ−６６８，ＤＥＲ−６６９（以上、ダウケミカル社製、商品名）、ＹＤ８１２５，ＹＤＦ８１７０（以上、東都化成株式会社製、商品名）等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ＹＤＦ−２００４（東都化成株式会社製、商品名）等のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エピコート１５２，エピコート１５４（以上、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名）、ＥＰＰＮ−２０１（日本化薬株式会社製、商品名）、ＤＥＮ−４３８（ダウケミカル社製、商品名）等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂、エピコート１８０Ｓ６５（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名）、アラルダイトＥＣＮ１２７３，アラルダイトＥＣＮ１２８０，アラルダイトＥＣＮ１２９９（以上、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名）、ＹＤＣＮ−７０１，ＹＤＣＮ−７０２，ＹＤＣＮ−７０３，ＹＤＣＮ−７０４（以上、東都化成株式会社製、商品名）、ＥＯＣＮ−１０２Ｓ，ＥＯＣＮ−１０３Ｓ，ＥＯＣＮ−１０４Ｓ，ＥＯＣＮ−１０１２，ＥＯＣＮ−１０２０，ＥＯＣＮ−１０２５，ＥＯＣＮ−１０２７（以上、日本化薬株式会社製、商品名）、ＥＳＣＮ−１９５Ｘ，ＥＳＣＮ−２００Ｌ，ＥＳＣＮ−２２０（以上、住友化学工業株式会社製、商品名）等のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポン１０３１Ｓ，エピコート１０３２Ｈ６０，エピコート１５７Ｓ７０（以上、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名）、アラルダイト０１６３（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名）、デナコールＥＸ−６１１，デナコールＥＸ−６１４，デナコールＥＸ−６１４Ｂ，デナコールＥＸ−６２２，デナコールＥＸ−５１２，デナコールＥＸ−５２１，デナコールＥＸ−４２１，デナコールＥＸ−４１１，デナコールＥＸ−３２１（以上、ナガセ化成株式会社製、商品名）、ＥＰＰＮ５０１Ｈ，ＥＰＰＮ５０２Ｈ（以上、日本化薬株式会社製、商品名）等の多官能エポキシ樹脂、エピコート６０４（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名）、ＹＨ−４３４（東都化成株式会社製、商品名）、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ（以上、三菱ガス化学株式会社製、商品名）、ＥＬＭ−１２０（住友化学株式会社製、商品名）等のアミン型エポキシ樹脂、アラルダイトＰＴ８１０（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名）等の複素環含有エポキシ樹脂、ＥＲＬ４２３４，ＥＲＬ４２９９，ＥＲＬ４２２１，ＥＲＬ４２０６（以上、ＵＣＣ社製、商品名）等の脂環式エポキシ樹脂などを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【０１７８】
本発明においては、耐熱性の観点から、室温で固体であり、環球式で測定した軟化点が５０℃以上のエポキシ樹脂が、好ましくはエポキシ樹脂全体の２０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは６０重量％以上使用される。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などが挙げられる。これらは併用してもよく、エポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
【０１７９】
エポキシ樹脂の分子量が大きく、軟化点が５０℃以上のエポキシ樹脂、エポキシ樹脂とゴムの極性の差が大きいものの組合せが相溶しにくいことから、これらを使用することが好ましい。
【０１８０】
なお、エポキシ樹脂は高分子化合物と非相溶である必要があるが、エポキシ樹脂として２種類以上のエポキシ樹脂を併用した場合には、それらの混合物と高分子化合物とが非相溶であればよく、それぞれが非相溶である必要はない。例えば、軟化点が５０℃以上の単独で非相溶性のエポキシ樹脂ＹＤＣＮ７０３と軟化点が５０℃未満の単独で相溶性のエポキシ樹脂エピコート８２８を組合せた場合、それらを１：０〜１：１０の重量比で混合したエポキシ樹脂混合物は非相溶性となる。
【０１８１】
本発明において使用する（ｂ）硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化させることが可能なものであれば、特に限定することなく使用可能である。このような硬化剤としては、例えば、多官能フェノール類、アミン類、イミダゾール化合物、酸無水物、有機リン化合物およびこれらのハロゲン化物、ポリアミド、ポリスルフィド、三ふっ化ほう素などが挙げられる。
【０１８２】
多官能フェノール類の例としては、単環二官能フェノールであるヒドロキノン、レゾルシノール、カテコール，多環二官能フェノールであるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ナフタレンジオール類、ビフェノール類、及びこれらのハロゲン化物、アルキル基置換体などが挙げられる。また、これらのフェノール類とアルデヒド類との重縮合物であるフェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。
【０１８３】
市販されている好ましいフェノール樹脂硬化剤としては、例えば、フェノライトＬＦ２８８２，フェノライトＬＦ２８２２，フェノライトＴＤ−２０９０，フェノライトＴＤ−２１４９，フェノライトＶＨ４１５０，フェノライトＶＨ４１７０（以上、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）などが挙げられる。
【０１８４】
本発明においては、また、水酸基当量１５０ｇ／ｅｑ以上のフェノール樹脂が好ましく使用される。このようなフェノール樹脂としては、上記値を有する限り特に制限は無いが、吸湿時の耐電食性に優れることから、ノボラック型あるいはレゾール型の樹脂を用いることが好ましい。前記したフェノール樹脂の具体例として、例えば、下記一般式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂が挙げられる。
【化２】
2008103700.tif 000005
【０１８５】
（式中、Ｒ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖もしくは分岐アルキル基、環状アルキル基、アラルキル基、アニケル基、水酸基、アリール基、又はハロゲン原子を表し、ｎは１〜３の整数を表し、そしてｍは０〜５０の整数を表す。）
このようなフェノール樹脂としては、式（Ｉ）に合致する限り、特に制限は無いが、耐湿性の観点から、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に４８時間投入後の吸水率が２重量％以下であることが好ましい。また、熱重量分析計（ＴＧＡ）で測定した３５０℃での加熱重量減少率（昇温速度：５℃／ｍｉｎ，雰囲気：窒素）が５重量％未満のものを使用することは、加熱加工時などにおいて揮発分が抑制されることで、耐熱性、耐湿性などの諸特性の信頼性が高くなり、また、加熱加工などの作業時の揮発分による機器の汚染を低減することができるために、好ましい。式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂は、例えば、フェノール化合物と２価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができる。
【０１８６】
上記したようなフェノール樹脂としては、例えば、ミレックスＸＬＣ−シリーズ，同ＸＬシリーズ（以上、三井化学株式会社製、商品名）などを挙げることができる。
【０１８７】
上記フェノール樹脂をエポキシ樹脂と組合せて使用する場合の配合量は、それぞれエポキシ当量と水酸基当量の当量比で０．７０／０．３０〜０．３０／０．７０となるのが好ましく、０．６５／０．３５〜０．３５／０．６５となるのがより好ましく、０．６０／０．４０〜０．４０／０．６０となるのがさらに好ましく、０．５５／０．４５〜０．４５／０．５５となるのが特に好ましい。配合比が上記範囲を超えると、接着剤にした際、硬化性に劣る可能性がある。
【０１８８】
式（Ｉ）のフェノール樹脂の製造に用いられるフェノール化合物としては、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ｎ−プロピルフェノール、ｍ−ｎ−プロピルフェノール、ｐ−ｎ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｏ−ｎ−ブチルフェノール、ｍ−ｎ−ブチルフェノール、ｐ−ｎ−ブチルフェノール、ｏ−イソブチルフェノール、ｍ−イソブチルフェノール、ｐ−イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，４−キシレノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノール、２，４，６−トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、４−メトキシフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−シクロヘキシルフェノール、ｏ−アリルフェノール、ｐ−アリルフェノール、ｏ−ベンジルフェノール、ｐ−ベンジルフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−ブロモフェノール、ｐ−ブロモフェノール、ｏ−ヨードフェノール、ｐ−ヨードフェノール、ｏ−フルオロフェノール、ｍ−フルオロフェノール、ｐ−フルオロフェノール等が例示される。これらのフェノール化合物は、単独用いてもよく、二種類以上を混合して用いてもよい。特に好ましくは、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール等が挙げられる。
【０１８９】
式（Ｉ）のフェノール樹脂の製造に用いられる２価の連結基であるキシリレン化合物としては、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体が用いることができる。すなわち、α，α′−ジクロロ−ｐ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｍ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｏ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｐ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｍ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｏ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｐ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｍ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｏ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ｎ−プロポキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−イソプロポキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｏ−キシレンを挙げることが出来る。これらの内の一種類を単独で、あるいは二種以上を混合して用いられる。中でも好ましいのはα，α′−ジクロロ−ｐ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｍ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｏ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｏ−キシレンである。
【０１９０】
上記したフェノール化合物とキシリレン化合物を反応させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類；ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類；トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類；アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂のような、強酸性イオン交換樹脂類；パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂のような、超強酸性イオン交換樹脂類（商品名：ナフィオン、Ｎａｆｉｏｎ、ＤｕＰｏｎｔ社製）；天然及び合成ゼオライト類；活性白土（酸性白土）類等の酸性触媒を用い、５０〜２５０℃において実質的に原料であるキシリレン化合物が消失し、且つ反応組成が一定になるまで反応させる。反応時間は原料や反応温度にもよるが、おおむね１時間〜１５時間程度であり、実際には、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）等により反応組成を追跡しながら決定すればよい。尚、例外的に、α，α′−ジクロロ−ｐ−キシレンのようなハロゲノキシレン誘導体を用いる場合は、対応するハロゲン化水素ガスを生じながら無触媒にて反応が進行するため、酸触媒は必要としない。その他の場合は、酸触媒の存在下において反応が進行し、対応する水又はアルコールが生じる。尚、フェノール化合物とキシリレン化合物との反応モル比は通常フェノール化合物を過剰に用い、反応後、未反応フェノール化合物を回収する。この時フェノール化合物の量により平均分子量が決定し、フェノール化合物がより多く過剰にあるほど平均分子量の低いフェノール樹脂が得られる。尚、フェノール化合物部分がアリルフェノールであるフェノール樹脂は、例えば、アリル化されていないフェノール樹脂を製造し、これにアリルハライドを反応させ、アリルエーテルを経て、クライゼン転移によりアリル化する方法により得ることができる。
【０１９１】
アミン類の例としては、脂肪族あるいは芳香族の第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第四級アンモニウム塩及び脂肪族環状アミン類、グアニジン類、尿素誘導体等が挙げられる。
【０１９２】
これらの化合物の一例としては、Ｎ，Ｎ−ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、テトラメチルグアニジン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４．４．０］−５−ノネン、ヘキサメチレンテトラミン、ピリジン、ピコリン、ピペリジン、ピロリジン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメチルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−メチルアニリン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリフェニルアミン、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テトラメチルアンモニウムアイオダイド、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、ジシアンジアミド、トリルビグアニド、グアニル尿素、ジメチル尿素等が挙げられる。
【０１９３】
イミダゾール化合物の例としては、イミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、４，５−ジフェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、２−イソプロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾリン、２−フェニル−４−メチルイミダゾリン、ベンズイミダゾール、１−シアノエチルイミダゾールなどが挙げられる。
【０１９４】
酸無水物の例としては、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等がある。
【０１９５】
有機リン化合物としては、有機基を有するリン化合物であれば特に限定されずに使用でき、例えば、ヘキサメチルリン酸トリアミド、リン酸トリ（ジクロロプロピル）、リン酸トリ（クロロプロピル）、亜リン酸トリフェニル、リン酸トリメチル、フェニルフォスフォン酸、トリフェニルフォスフィン、トリ−ｎ−ブチルフォスフィン、ジフェニルフォスフィンなどが挙げられる。
【０１９６】
これらの硬化剤は、単独、或いは、組み合わせて用いることもできる。これら硬化剤の配合量は、エポキシ基の硬化反応を進行させることができれば、特に限定することなく使用できるが、好ましくは、エポキシ基１モルに対して、０．０１〜５．０当量の範囲で、特に好ましくは０．８〜１．２当量の範囲で使用する。なお、エポキシ樹脂及び硬化剤において、変異原性を有しない化合物、例えば、ビスフェノールＡを使用しないものが、環境や人体への影響が小さいので好ましい。
【０１９７】
本発明において使用される（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物としては、エポキシ樹脂と非相溶である限り、特に制限はないが、例えば、アクリル系共重合体、アクリルゴム等のゴム、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリアミドイミド等のシリコーン変性樹脂などが挙げられる。なお、エポキシ樹脂と非相溶であるとは、エポキシ樹脂と分離して二つ以上の相に分かれる性質をいう。樹脂の相溶性は、該エポキシ樹脂と該アクリル共重合体を含むワニス（成分比＝１：１）から調製したフィルム（５０μｍ）の可視光（６００ｎｍ）透過率から定義する。透過率が５０％以上を「相溶」とし、５０％未満を「非相溶（相溶しない）」とする。本発明で用いる（ｃ）高分子化合物は、該透過率が３０％未満であるものが更に好ましい。
【０１９８】
本発明で用いる（ｃ）高分子化合物は、反応性基（官能基）を有し、重量平均分子量が１０万以上であるものが好ましい。前記反応性基としては、例えば、カルボン酸基、アミノ基、水酸基及びエポキシ基等が挙げられる。これらの中でも、官能基モノマーが、カルボン酸タイプのアクリル酸であると、橋架け反応が進行しやすく、ワニス状態でのゲル化Ｂステージ状態での硬化度の上昇により接着力が低下することがある。そのため、これらを生ずることがないか、あるいは生じる場合でも期間が長いエポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを使用することがより好ましい。（ｃ）高分子化合物としては、重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有アクリル共重合体を使用することが更に好ましい。かかる（ｃ）高分子化合物は、高分子化合物を得る重合反応において、未反応モノマーが残存するように重合して得るか、又は高分子化合物を得た後、反応性基含有モノマーを添加することによっても得ることができる。
【０１９９】
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【０２００】
アクリル共重合体としては、例えば、アクリル酸エステルやメタクリル酸エステル及びアクリロニトリルなどの共重合体であるアクリルゴムが挙げられる。また、接着性及び耐熱性が高いことから、官能基としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを０．５〜６重量％を含み、ガラス転移温度（以下、「Ｔｇ」と略す）が−５０℃以上３０℃以下、更には−１０℃以上３０℃以下でかつ重量平均分子量が１０万以上であるアクリル共重合体が特に好ましい。グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを０．５〜６重量％含み、Ｔｇが−１０℃以上でかつ重量平均分子量が１０万以上であるアクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（帝国化学産業株式会社製、商品名）が挙げられる。官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの量は、２〜６重量％の共重合体比であることがより好ましい。より高い接着力を得るためには、２重量％以上が好ましく、６重量％を超えるとゲル化する可能性がある。残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１〜８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のＴｇを考慮して調整することが好ましい。Ｔｇが−１０℃未満であるとＢステージ状態での接着剤層又は接着フィルムのタック性が大きくなる傾向があり、取り扱い性が悪化することがある。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。
【０２０１】
エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量が３０万未満であると、シート状、フィルム状での強度や可とう性の低下やタック性が増大する可能性があり、一方、３００万を超えると、フロー性が小さく配線の回路充填性が低下する可能性がある。
【０２０２】
上記（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物の添加量は、弾性率低減や成型時のフロー性抑制が可能なため、（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化剤との合計重量をＡとし、（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物の重量をＢとしたとき、その比率Ａ／Ｂが０．２４〜１．０であることが好ましい。高分子化合物の配合比率が０．２４未満であると、弾性率の低減及び成形時のフロー性抑制効果が少ない傾向があり、一方、１．０を超えると、高温での取り扱い性が低下する傾向がある。
【０２０３】
本発明におけるダイボンドシートを形成する接着剤組成物には、更に、必要に応じて（ｄ）フィラー及び／又は（ｅ）硬化促進剤を添加することができる。
【０２０４】
本発明において使用される（ｄ）フィラーとしては、無機フィラー及び有機フィラーが挙げられるが、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与などのために、無機フィラーを添加することが好ましい。
【０２０５】
無機フィラーとしては特に制限が無く、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカなどが挙げられる。これらは、１種又は２種以上を併用することもできる。熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶質シリカ、非晶質シリカなどが好ましい。
【０２０６】
有機フィラーとしては、各種ゴムフィラーなどがあり、例えば、アクリロニトリルブタジエンゴムフィラー、シリコーンゴムフィラーなどが挙げられる。これらは低温における可とう性の向上及び低弾性率化に効果がある。
【０２０７】
本発明において使用するフィラーは、水との接触角が１００度以下であることがより好ましい。水との接触角が１００度超の場合、フィラーの添加効果が減少する傾向がある。水との接触角が６０度以下である場合は特に耐リフロー性向上の効果が高く、特に好ましい。フィラーの平均粒径は０．００５μｍ以上、０．１μｍ以下であることが好ましい。平均粒径が０．００５μｍ未満の場合、分散性、流動性が低下する傾向があり、０．１μｍを超える場合、接着性の向上効果が減少する傾向がある。
【０２０８】
なお、フィラーの水との接触角は以下の方法で測定される。フィラーを圧縮成型し平板を作製し、その上に水滴を滴下し、その水滴が平板と接触する角度を接触角計で測定する。接触角の値は、この測定を１０回行い、その平均値を使用する。
【０２０９】
このようなフィラーとしてはシリカ、アルミナ、アンチモン酸化物などが挙げられる。シリカはシーアイ化成株式会社からナノテックＳｉＯ２（接触角：４３度、平均粒径：０．０１２μｍ）という商品名で、或いは日本アエロジル株式会社からアエロジルＲ９７２（平均粒径：０．０１６μｍ）という商品名で市販されている。アルミナは、シーアイ化成株式会社からナノテックＡｌ２Ｏ３（接触角：５５度、平均粒径：０．０３３μｍ）という商品名で市販されている。三酸化二アンチモンは日本精鉱株式会社からＰＡＴＯＸ−Ｕ（接触角：４３度、平均粒径：０．０２μｍ）という商品名で市販されている。
【０２１０】
フィラーの添加量はエポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部に対して０重量部以上５０重量部以下であることが好ましい。前記添加量が５０重量部を超えると、接着剤の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下などの問題が起こりやすくなる傾向がある。更に好ましくは５重量部以上４０重量部未満であり、特に好ましくは１０重量部以上３０重量部未満である。
【０２１１】
本発明におけるダイボンドシートを形成する接着剤組成物に使用される（ｅ）硬化促進剤としては、特に制限が無く、例えば、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩などを用いることができる。イミダゾール類としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは１種又は２種以上を併用することもできる。イミダゾール類は、例えば、四国化成工業（株）から、２Ｅ４ＭＺ、２ＰＺ−ＣＮ、２ＰＺ−ＣＮＳという商品名で市販されている。
【０２１２】
また、ダイボンドシートの使用期間が長くなる点で潜在性を有する硬化促進剤であることが好ましい。その代表例としてはジシアンジアミド、アジピン酸ジヒドラジド等のジヒドラジド化合物、グアナミン酸、メラミン酸、エポキシ化合物とイミダゾール化合物との付加化合物、エポキシ化合物とジアルキルアミン類との付加化合物、アミンとチオ尿素との付加化合物、アミンとイソシアネートとの付加化合物などが挙げられる。また、室温での活性を低減できる点でアダクト型の構造をとっているものが好ましい。
【０２１３】
（ｅ）硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂及び硬化剤との総量に対して０〜５．０重量％とすることが好ましく、０．０５〜３．０重量％とすることがより好ましく、更には０．２〜３．０重量％とすることがより好ましい。硬化促進剤の配合量が５．０重量％を超えると、保存安定性が低下し、ポットライフが不充分となる傾向がある。
【０２１４】
また、本発明においては、前記接着剤組成物の硬化物、すなわちダイボンドシートが、２４０℃で貯蔵弾性率を測定した場合、１〜２０ＭＰａであることが好ましい。貯蔵弾性率が２０ＭＰａを超える場合には応力緩和性が低下し、そりなどが発生しやすくなり、一方、１ＭＰａ未満の場合には、リフロークラックが発生しやすくなる。
【０２１５】
なお、２４０℃での貯蔵弾性率の測定は次のように行われる。まず、初期長２０ｍｍ（Ｌ）、厚さ約５０μｍの接着剤組成物を１７０℃で１時間硬化させ、硬化フィルムを作成する。この硬化フィルムに一定荷重１〜１０ｋｇ（Ｗ）を印荷した状態で２４０℃の恒温槽に投入する。投入後、硬化フィルムの温度が２４０℃に達した後、硬化フィルムの伸び量（ΔＬ）と断面積（Ｓ）を求めて下記の式から貯蔵弾性率（Ｅ’）を算出する。
【０２１６】
Ｅ’＝Ｌ・Ｗ／（ΔＬ・Ｓ）
前記接着剤組成物を２７０℃で加熱した際の重量減少率は、２重量％以下であることが好ましく、より好ましくは１．５重量％であり、さらに好ましくは１重量％である。加熱時の重量減少率がこれより大きいと、その使用時に周辺機器を汚染する傾向がある。
【０２１７】
前記接着剤組成物には、その可とう性や耐リフロークラック性向上のため、更に、エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂としては特に制限が無く、例えば、フェノキシ樹脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂、極性の大きい官能基含有ゴム、極性の大きい官能基含有反応性ゴム等を使用することができる。
【０２１８】
フェノキシ樹脂は、東都化成（株）から、フェノトートＹＰ−４０、フェノトートＹＰ−５０という商品名で市販されている。また、フェノキシアソシエート社から、ＰＫＨＣ、ＰＫＨＨ、ＰＫＨＪという商品名でも市販されている。
【０２１９】
高分子量エポキシ樹脂としては、分子量が３万〜８万の高分子量エポキシ樹脂、さらには、分子量が８万を越える超高分子量エポキシ樹脂（特公平７−５９６１７号公報、特公平７−５９６１８号公報、特公平７−５９６１９号公報、特公平７−５９６２０号公報、特公平７−６４９１１号公報、特公平７−６８３２７号公報等参照）が挙げられる。極性の大きい官能基含有反応性ゴムとして、カルボキシル基含有アクリロニトリルブタジエンゴムは、ＪＳＲ（株）から、ＰＮＲ−１という商品名で市販されている。
【０２２０】
エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、４０重量部以下とするのが好ましい。４０重量部を超えると、エポキシ樹脂層のＴｇを低下させる可能性がある。
【０２２１】
また、前記接着剤組成物には、異種材料間の界面結合を良くするために、更に、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが、シラン系カップリング剤が最も好ましい。
【０２２２】
シラン系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エトキシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピル−トリメトキシシラン、３−（４，５−ジヒドロ）イミダゾール−１−イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピル−メチルジメトキシシラン、３−クロロプロピル−メチルジメトキシシラン、３−クロロプロピル−ジメトキシシラン、３−シアノプロピル−トリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキシ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【０２２３】
チタン系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアエチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレジルチタネートモノマー、クレジルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネート）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチタネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【０２２４】
アルミニウム系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウム−モノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−ｎ−ブトキシド−モノ−エチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−イソ−プロポキシド−モノ−エチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のアルミニウムアルコレートなどを使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【０２２５】
カップリング剤の添加量は、その効果や耐熱性およびコストから、樹脂の合計１００重量部に対し、０〜１０重量部とするのが好ましい。
【０２２６】
さらに前記接着剤組成物には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を添加することもできる。イオン捕捉剤としては、特に制限が無く、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤などを使用することができ、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤を使用することもできる。
【０２２７】
イオン捕捉剤の添加量は、添加による効果や耐熱性、コストなどから、接着剤組成物１００重量部に対し、０〜１０重量部とすることが好ましい。
【０２２８】
前記接着剤組成物及びその硬化物であるダイボンドシートは、前記したように、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、及び（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物、並びに必要に応じて（ｄ）フィラー及び／又は（ｅ）硬化促進剤を含有する組成物からなり、硬化した段階における硬化物の断面において、成分が二相に分離していることが好ましい。ここでいう二相とは、硬化物が海／島構造を有することをいう。本発明における海／島構造とは、接着剤組成物を硬化した状態の断面を研磨し、走査型電子顕微鏡などを使用して観察した場合に、例えば、共立出版刊、「高分子新素材ｏｎｅ  ｐｏｉｎｔポリマーアロイ」１６頁に記載されているように、観察像が連続相（「海」という）と分散相（「島」という）からなる不均一な構造を有するものを意味する。
【０２２９】
本発明において、効果した段階での断面において、成分が二相に分離していることを特徴とする接着剤組成物及びダイボンドシートは、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及びその硬化剤、及びそれらと非相溶である高分子化合物、例えば、アルリルゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、シリコーンゴム、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドイミドなど、及びそれらの共重合物又は混合物、並びに必要に応じてフィラー及び／又は硬化促進剤からなる接着剤組成物又はその硬化物により達成される。
【０２３０】
本発明においては、上記二相が海相と島相からなり、島相の外周長さＳが断面積Ｖに対して下記式（１）：の関係を有するものであることが、海相と島相間の密着性が高く、接着性が高いことから好ましい。また、上記式（１）はＳ／（Ｖ１／２）＞４．０であることが、更に海相と島相間の密着性がより高いことから好ましい。
【数２】
2008103700.tif 000006
【０２３１】
本発明において、二相が海相と島相からなり、島相の外周長さＳが断面積Ｖに対してＳ／（Ｖ１／２）＞３．６で示される関係を有する接着剤組成物及びダイボンドシートは、例えば、エポキシ樹脂及びその硬化剤、及びそれらと非相溶である高分子化合物、例えば、フェノキシ樹脂など、並びにフィラー及び硬化促進剤からなる接着剤組成物又はダイボンドシートにより達成される。特にフィラーを含有するものが好ましく、０．００５〜０．１μｍの平均粒径を有するフィラーを含有するものが特に好ましい。また、フィラーがシリカであり、表面が有機物でコーティングされたものが好ましい。
【０２３２】
本発明においては、また、好ましくは２４０℃における貯蔵弾性率が１〜２０ＭＰａの硬化物を与える接着剤組成物が提供される。このような特性を有する接着剤組成物は、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及びその硬化剤、及びそれらと非相溶である高分子化合物、並びにフィラー及び硬化促進剤からなる接着剤組成物により達成される。特にフィラーを含有するものが好ましく、０．００５〜０．１μｍの平均粒径を有するフィラーを含有するものが特に好ましい。
【０２３３】
本発明においては、更に、硬化した段階で、好ましくは０．０１μｍ〜２μｍの平均径を有する空孔を有し、空孔の体積含有率が０．１〜２０体積％である接着剤組成物またはダイボンドシートが提供される。
【０２３４】
本発明におけるダイボンドシートは、好ましくは平均径０．０１〜２．０μｍの空孔を有するものであり、０．０３〜０．１μｍであることがより好ましい。本発明において、ダイボンドシートの有する空孔とは、空隙、空間、隙間等を意味し、空孔の平均径とはその空孔の体積をおおよそ球に換算した場合の直径を意味する。空孔の平均径が０．０１μｍ未満、あるいは２．０μｍを超える場合、耐ＰＣＴ性（接着強度低下低減）が劣る可能性がある。
【０２３５】
空孔の体積含有率は、ダイボンドシートの０．１〜２０体積％であることが好ましい。０．１体積％未満の場合、空孔の存在効果が小さく、耐ＰＣＴ性が劣る可能性がある。２０体積％を超える場合、耐リフロー性、耐ＰＣＴ性が低下する可能性がある。空孔は均一に分散していることがより好ましい。
【０２３６】
空孔の体積含有率測定は、以下の方法で算出する。
【０２３７】
（１）走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で用いたフィラーの平均粒径の１００倍の長さを１辺とする正方形面積を有し、かつ空孔数５０個存在する場所を設定する。
【０２３８】
（２）その正方形面積と５０個の空孔の面積を次の方法で求める。密度および膜厚が均一な透明なフィルムをＳＥＭ写真上に載せて５０個すべての空孔の形に沿ってペンでトレース後、そのトレース部分を切り離す。
【０２３９】
（３）一定の面積部分（５０個の空孔部分を含む）を（２）と同様にペンでトレース後、そのトレース部分を切り離す。
【０２４０】
（４）切り離した（２）と（３）の重量を測定し、（２）／（３）を求める。
【０２４１】
（５）Ｖ＝［（２）／（３）］３／２を求める。
【０２４２】
（６）（１）〜（５）を５回繰り返し、得られたＶの平均値を体積含有率とする。
【０２４３】
本発明における接着剤組成物及びダイボンドシートとしては、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤及び（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物、並びに必要に応じて（ｄ）フィラー及び（ｅ）硬化促進剤を含有する接着剤組成物の硬化物からなり、平均径０．０１〜２．０μｍの空孔を有し、空孔の体積含有率が０．１〜２０体積％であるものがとりわけ好ましい。
【０２４４】
本発明においては、また、フローの低下量が好ましくは６０℃、７２時間後において５０％以下であることを特徴とするダイボンドシートが提供される。ダイボンドシートのフローの低下量が５０％以下の場合、ダイボンドシートの２５℃又は５℃での保存期間が長く、長期保管が可能であるために好ましい。なお、フローの低下量は、以下の手順で測定することができる。
【０２４５】
まず、１ｃｍ×２ｃｍのサイズに打ち抜いたダイボンドシートを１６０℃、１ＭＰａ、１８秒の条件でプレスする。４個の試料について端部からはみだした試料の長さを光学顕微鏡で各試料についてそれぞれ２点測定し、平均長さを求め、これをフロー量とした。初期のフロー量Ｆ（０）と６０℃、７２時間後のフロー量Ｆ（７２）から６０℃、７２時間後のフローの低下量を以下の式により求める。
【０２４６】
フローの低下量（％）＝（Ｆ（０）−Ｆ（７２））／Ｆ（０）×１００
また、本発明におけるダイボンドシートは、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）エポキシ樹脂と非相溶性である高分子化合物（ｄ）フィラー及び（ｅ）硬化促進剤を含有する接着剤組成物の硬化物からなり、前記（ａ）〜（ｅ）の成分が、０．７５＞ａ／ｂ（ここで、ａは、（ｄ）フィラーの水との接触角を表し、ｂは、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｅ）の配合物を塗布、乾燥させたものの水との接触角を表す）の関係を満たすものであることが好ましい。
【０２４７】
上記特性を有するダイボンドシートは、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及びその硬化剤、及びそれらと非相溶である高分子化合物、例えば、アルリルゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、シリコーンゴム、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドイミドなど、及びそれらの共重合物又は混合物、並びに必要に応じてフィラー及び／又は硬化促進剤からなる接着剤組成物又はダイボンドシートにより達成される。特にエポキシ樹脂、及びその硬化剤、及びそれらと非相溶であるグリシジルアルクレート又はグリシジルメタクリレートを１．５〜２．０重量％含有する重量平均分子量が１０万以上のエポキシ基含有アクリル共重合体、並びにフィラー及び硬化促進剤からなるダイボンドシートにより達成される。特に、エポキシ樹脂の軟化点が５０℃以上のものを使用することが好ましい。また、硬化剤が前記一般式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂であることが好ましい。
【０２４８】
本発明におけるダイボンドシートは、前記（ａ）〜（ｅ）からなる接着剤組成物を塗布、乾燥してなり、前記（ａ）〜（ｅ）の成分が、０．７５＞ａ／ｂ（ここで、ａ及びｂは、前記のとおりである）の関係を満たすように選ばれたものであることが好ましい。０．７５＞ａ／ｂすなわち、ａ／ｂが０．７５未満であることが好ましく、０．６６未満であることがより好ましく、０．５０未満であることが特に好ましい。ａ／ｂの下限は０．２５程度である。ａ／ｂが、０．７５以上であると、吸湿後の接着性が劣ることがある。
【０２４９】
なお、フィラーと水との接触角ａは前記した方法で測定される。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｅ）の配合物を塗布、乾燥させたものの水との接触角ｂも同様に測定される。
【０２５０】
更に、本発明における接着剤組成物及びダイボンドシートは、（ａ）〜（ｅ）の成分の配合割合が、
（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化剤との合計  ４９．５〜１７．０重量％、
（ｃ）高分子化合物  ５０．０〜７０．０重量％、
（ｄ）フィラー  ０．４５〜１０．０重量％及び
（ｅ）硬化促進剤  ０．０５〜３．０重量％
から成るものであることが好ましい。
【０２５１】
（ａ）エポキシ樹脂及び（ｂ）硬化剤の合計の配合量は、１７．０〜４９．５重量％であることが好ましい。１７．０重量％未満では、接着性、成形性（フロー性）等が不充分となる傾向があり、一方、４９．５重量％を超えると、弾性率が高くなりすぎる傾向がある。
【０２５２】
ここで、（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化剤との比率〔（ａ）：（ｂ）〕は、３３：６７〜７５：２５であることが好ましい。この比率で、（ａ）エポキシ樹脂が多すぎると、耐熱性、成形性（フロー性）等が不充分となる傾向があり、（ｂ）硬化剤が多すぎると成形性（フロー性）等が不充分となる傾向がある。
【０２５３】
上記した配合からなる接着剤組成物を使用することにより、吸湿後の耐熱性、耐リフロー性、吸湿後の接着性などに優れたダイボンドシートを得ることができる。
【０２５４】
本発明におけるダイボンドシートは、また、（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）前記式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂の合計重量をＡとし、（ｃ）０．５〜６重量％の反応性基含有モノマーを含む、重量平均分子量が１０万以上であるアクリル共重合体の重量をＢとしたとき、その比率Ａ／Ｂが０．２４〜１．０である接着剤組成物からなることが好ましい。
【０２５５】
本発明においては、上記接着剤組成物とポリイミドフィルムとの積層硬化物からなり、該積層硬化物の２４０℃で測定したピール強度が好ましくは５０Ｎ／ｍ以上であるダイボンドシートが提供される。本発明においては、また、該積層硬化物が、吸湿処理後の２６０℃、１２０秒間の熱処理において、該積層硬化物中に直径２ｍｍ以上の剥離が生じないものであるダイボンドシートが提供される。本発明においては、更に、８５℃、８５％相対湿度、１６８時間の吸湿処理後に、２６０℃のリフロー炉を１２０秒間とおした時、接着剤層と半導体素子間に直径１ｍｍ以上の剥離が生じないものである半導体装置が提供される。
【０２５６】
上記したダイボンドシート及び半導体装置は、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及びその硬化剤、及びそれらと非相溶であり、架橋性の官能基を有する高分子化合物、並びに必要に応じてフィラー及び／又は硬化促進剤からなる接着剤組成物又はダイボンドシート及びそれらを適用した半導体装置により達成される。特にエポキシ樹脂、及びその硬化剤、及びそれらと非相溶であるグリシジルアルクレート又はグリシジルメタクリレートを１．５〜６．０重量％含有する重量平均分子量が１０万以上のエポキシ基含有アクリル共重合体、並びにフィラー及び硬化促進剤からなるダイボンドシートにより達成される。特に、エポキシ樹脂の軟化点が５０℃以上のものを使用することが好ましい。また、硬化剤が前記一般式（Ｉ）で示されるフェノール樹脂であることが好ましい。特に０．００５〜０．１μｍの平均粒径を有するフィラーを含有するものが好ましい。また、フィラーがシリカであり、表面が有機物でコーティングされたものが好ましい。
【０２５７】
本発明における接着剤組成物は、式（Ｉ）で示される低吸湿性フェノール樹脂を用いることによる優れた耐吸湿特性が、反応性基含有モノマーを含むアクリル共重合体を用い適切な架橋構造を形成させることによる優れた耐リフロークラック特性が、及びエポキシ樹脂と非相溶性のアクリル共重合体を用いることにより、硬化後に明確な海島構造を形成させることによる、優れた耐リフロークラック特性及び耐熱特性が得られるものである。更に、無機フィラーの添加により高温弾性率が高く、かつ高温ピール強度が高くなり、リフロークラック防止効果が働き、耐リフロークラック性に優れる接着剤組成物を得ることができる。
【０２５８】
本発明におけるダイボンドシートは、前記接着剤組成物をメチルエチルケトン、トルエン、シクロヘキサノンなどの溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、表面を離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムなどの支持体フィルム上に塗布、加熱、乾燥し、溶剤を除去することにより、支持体フィルム上に形成された接着剤層として得られる。この際の加熱条件としては、例えば、８０〜２５０℃で、１０分間〜２０時間程度であることが好ましい。
【０２５９】
前記支持体フィルムとしては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムを使用することができ、これらプラスチックフィルムは表面を離型処理して使用しることもできる。支持体フィルムは、使用時に剥離して接着剤層のみを使用することもできるし、支持体フィルムとともに使用し、後で除去することもできる。
【０２６０】
使用時に支持体フィルムを剥離して接着剤層（すなわちダイボンドシート）のみを使用することもできるし、支持体フィルムとともに使用し、後で除去することもできる。
【０２６１】
支持体フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
【０２６２】
接着剤層（すなわちダイボンドシート）の厚さは、特に制限されるものではないが、３〜３００μｍであることが好ましく、２５〜２５０μｍであることがより好ましく、１０〜２００μｍであることが更に好ましく、２０〜１００μｍであることが特に好ましい。３μｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、３００μｍより厚いと経済的でなくなる。
【０２６３】
前記ワニス化の溶剤としては、特に制限は無いが、フィルム作製時の揮発性等を考慮し、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−エトキシエタノール、トルエン、キシレン、ブチルセルソルブ、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノールなど比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させるなどの目的で、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなど比較的高沸点の溶媒を加えることもできる。
【０２６４】
本発明の接着剤組成物にフィラーを添加した際のワニスの製造には、フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、３本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用するのが好ましく、これらを組み合せて使用することもできる。また、フィラーと低分子化合物をあらかじめ混合した後、高分子化合物を配合することによって、混合する時間を短縮することも可能となる。また、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することが好ましい。
【０２６５】
また、本発明においてフィラーを接着剤組成物に添加する場合、エポキシ樹脂及び硬化剤とフィラーを混合した後、それらの混合物にエポキシ樹脂と非相溶性の高分子化合物を混合することにより接着剤組成物を製造する方法を採用することが好ましい。この製造法をとることにより、フィラーの界面にエポキシ樹脂の膜が形成されるため、ゴムとエポキシ樹脂が相分離して硬化した後も、エポキシ樹脂相中に多くのフィラーが残存しており、エポキシ樹脂とフィラーの界面の補強硬化が大きくなり、耐熱性が向上する。硬化後のエポキシ樹脂相に含有されているフィラーＡの体積ＶＡと、ゴム成分の相に含有されているフィラーＢの体積ＶＢの比ＶＡ／ＶＢが１．２以上であることが好ましい。ＶＡ／ＶＢが１．２未満であると、フィラーＡ，フィラーＢの界面の補強効果が不足し、耐熱性が不十分となる傾向がある。ＶＡ／ＶＢは２以上であることが特に好ましく、さらに好ましくは４以上である。なお、ＶＡ／ＶＢは以下の手順で測定することができる。フィルムの破断面を走査型電子顕微鏡で観察し、フィラーＡ，フィラーＢを主成分とする領域についてそれぞれＸＭＡでフィラーを形成する原子のピークを測定する。このピークの高さの比でＶＡ／ＶＢが決定される。
【０２６６】
また、本発明のダイボンドシートにおける接着剤層は、所望の厚さを得るために、２枚以上を貼り合わせることもできる。この場合には、接着剤層同士の剥離が発生しないような貼り合わせ条件が必要である。
【０２６７】
本発明のダイボンドシートは、コア材となるフィルムの両面に形成し、接着部材を形成し、これを使用することができる。この接着部材は、フィルムの取り扱い性及び金型による打ち抜き性が向上するという利点を有する。コア材の厚みは、５〜２００μｍの範囲内であることが好ましいが、これに制限されるものでは無い。
【０２６８】
コア材に用いられるフィルムとしては、特に制限は無いが、好ましくは、耐熱性熱可塑フィルムであり、更に好ましくは、軟化点温度が２６０℃以上の耐熱性熱可塑フィルムである。軟化点温度が２６０℃未満の耐熱性熱可塑フィルムをコア材に用いると、はんだリフローなどの高温時に接着フィルムが剥離する可能性がある。更には、液晶ポリマーを用いた耐熱性熱可塑フィルム、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、全芳香族ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、エチレン−テトラフルオロエチレンコポリマー、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマー、テトラフルオロエレチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマーなどが好適に用いられる。また、耐熱性熱可塑フィルムは、接着剤層の弾性率低減のため、多孔質フィルムを用いることもできる。
【０２６９】
コア材の両面に形成される接着剤層は、接着剤組成物を溶剤に溶解ないし分散してワニスとすることができる。このワニスをコア材となる耐熱性熱可塑フィルム上に塗布、加熱して溶剤を除去することにより接着フィルムを耐熱性熱可塑フィルム上に形成することができる。塗布方法としては前述の方法等を使用することができる。この工程を耐熱性熱可塑フィルムの両面について行うことにより、コア材の両面に接着剤層を形成したダイボンドシートを作製することができる。この場合には、両面の接着剤層同士がブロッキングしないようにカバーフィルムで表面を保護することが好ましい。しかし、ブロッキングが起こらない場合には、経済的な理由からカバーフィルムを用いないことが好ましく、制限を加えるものではない。
【０２７０】
また、接着剤組成物を溶剤に溶解ないし分散してワニスとしたものを、前述の支持体フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することにより接着剤層を支持体フィルム上に形成し、この接着剤層をコア材の両面に貼り合せることによりコア材の両面に接着剤層を形成したダイボンドシートを作製することもできる。この場合には、支持体フィルムをカバーフィルムとして用いることもできる。
【０２７１】
本発明で用いる半導体搭載用基板としては、ダイパットを有するリードフレーム、セラミック基板や有機基板など基板材質に限定されることなく用いることができる。セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミ基板などを用いることができる。有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含漬させたＢＴ基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。
【０２７２】
配線の形状としては、片面配線、両面配線、多層配線いずれの構造でも良く、必要に応じて電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けても良い。さらに、配線が半導体装置の外部表面に現れる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。
【０２７３】
ダイボンドシートを支持部材へ張り付ける方法としては、ダイボンドシートを所定の形状に切断し、その切断されたダイボンドシートを支持部材の所望の位置に熱圧着する方法が一般的ではあるが、これに限定されるものではない。
【０２７４】
半導体素子と配線基板とを接着した半導体装置は、半導体素子と配線基板の間にダイボンドシートを第１の接着剤層が半導体素子側の面になるように配設し、熱圧着することによって製造することができる。また、前記のダイボンドシートを備えた半導体搭載用配線基板に半導体素子を載せ、熱圧着しても良い。半導体ウエハにダイボンドシート、及びダイシングテープをラミネートした後、ウエハ及びダイボンドシートをチップに切断し、その後、回路付き基板または回路付きフィルムと素子を、ダイボンドシートを介して接着する半導体装置の製造工程は、素子毎のダイボンドシート貼付の工程を省くことができる点で好ましい。
【０２７５】
本発明の半導体装置の構造としては、半導体素子の電極と支持部材とがワイヤーボンディングで接続されている構造、半導体素子の電極と支持部材とがテープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）のインナーリードボンディングで接続されている構造等があるが、これらに限定されるものではなく、何れの場合でも効果がある。
【０２７６】
半導体素子と回路付き基板または回路付きフィルムを、ダイボンドシートを介して接着する半導体装置の製造工程において、熱圧着の条件は配線板の回路を空隙無く埋め込み、十分な接着性を発現する程度の温度、荷重、時間で貼りつければよい。素子の破損が起こりにくい点で荷重が１９６ｋＰａ以下であることが好ましく、特に９８ｋＰａ以下が好ましい。
【０２７７】
半導体素子としては、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等一般の半導体素子を使用することができる。
【０２７８】
半導体素子と支持部材の間に発生する熱応力は、半導体素子と支持部材の面積差が小さい場合に著しいが、本発明の半導体装置は低弾性率のダイボンドシートを用いることによりその熱応力を緩和して信頼性を確保する。これらの効果は、半導体素子の面積が、支持部材の面積の７０％以上である場合に非常に有効に現れるものである。また、このように半導体素子と支持部材の面積差が小さい半導体装置においては、外部接続端子はエリア状に設けられる場合が多い。
【０２７９】
また、本発明におけるダイボンドシートの特性として、前記接着フィルムを支持部材の所望の位置に熱圧着する工程や、ワイヤーボンディングで接続する工程等、加熱される工程において、接着剤層からの揮発分を抑制できる。
【０２８０】
本発明における  ダイボンドシートを備えた半導体搭載用配線基板に用いる配線基板としては、セラミック基板や有機基板など基板材質に限定されることなく用いることができる。例えばセラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミ基板などを用いることができる。また、有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含浸させたＢＴ基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。
【０２８１】
配線の形状としては、片面配線、両面配線、多層配線いずれの構造でも良く、必要に応じて電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けても良い。さらに、配線が半導体装置の外部表面に現れる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。
【０２８２】
接着フィルムを配線基板へ張り付ける方法としては、ダイボンドシートを所定の形状に切断し、その切断されたダイボンドシートを配線基板の所望の位置に熱圧着する方法が一般的ではあるが、これを限定するものではない。
【実施例】
【０２８３】
次に実施例により本発明を具体的に説明するが、これらは本発明を制限するものではない。
【０２８４】
製造例１（実施例１及び２で半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに使用した芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスの製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２７０．９ｇ（０．６６モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン８．７ｇ（０．０３５モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１９５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１４９．５ｇ（０．７１モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリエチルアミン１００ｇを添加した。室温で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇ及びシランカップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）３６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミド接着剤ワニスを得た。
【０２８５】
製造例２（実施例１および２で半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂに用いた芳香族ポリエーテルアミドイミドワニスの製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１７２．４ｇ（０．４２モル）、４，４′−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）１５３．７ｇ（０．４２モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１５５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１７４．７ｇ（０．８３モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解したら、トリエチルアミン１３０ｇを添加した。室温で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉末１２０ｇにシランカップリング剤（信越化学工業株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３６０ｇに溶解し、芳香族ポリエーテルアミドイミドワニスを得た。
【０２８６】
製造例３（実施例１に用いたダイボンドシート）
エポキシ樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６０、東都化成株式会社製商品名ＹＤ−８１７０Ｃを使用）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１０、東都化成株式会社製商品名ＹＤＣＮ−７０３を使用）１０重量部；エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製商品名プライオーフェンＬＦ２８８２を使用）２７重量部；エポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム（ゲル  パーミエーション  クロマトグラフィーによる重量平均分子量８０万、グリシジルメタクリレート３重量％、Ｔｇは−７℃、ナガセケムテックス株式会社製商品名ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲを使用）２８重量部；硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．１重量部；シリカフィラー（アドマファイン株式会社製、Ｓ０−Ｃ２（比重：２．２ｇ／ｃｍ３、モース硬度７、平均粒径０．５μｍ、比表面積６．０ｍ２／ｇ））を使用）９５重量部；シランカップリング剤として（日本ユニカー株式会社製商品名Ａ−１８９を使用）０．２５重量部および（日本ユニカー株式会社製商品名Ａ−１１６０を使用）０．５重量部；からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、真空脱気して接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを、厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、９０℃１０分間、１２０℃で５分間加熱乾燥して膜厚が７５μｍの塗膜とし、Ｂステージ状態のダイボンドシートを作製した。このフィルムのフローは７５７μｍであった。
【０２８７】
製造例４（実施例２に用いたダイボンドシート）
ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂：ＹＤＣＮ−７０３（東都化成株式会社製、商品名、エポキシ当量２１０）６１重量部、ビスフェノールＡノボラック樹脂：プライオーフェンＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）３９重量部、エポキシ基含有アクリルゴム：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（帝国化学産業株式会社製、商品名、分子量１００万、Ｔｇ−７℃）１５０重量部、硬化剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（四国化成工業株式会社製、商品名）０．５重量部及びγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン：ＮＵＣ  Ａ−１８７（日本ユニカー株式会社製、商品名）０．７重量部からなる接着剤組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気した。
【０２８８】
この接着剤ワニスを、厚さ７５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が７５μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、支持体フィルムを備えたダイボンドシートを作製した。
【０２８９】
実施例１
厚さ２５μｍの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製  ユーピレックス２５ＳＧＡ）を、支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した芳香族ポリアミドイミド接着剤ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ１０μｍの樹脂層Ａを形成した。この樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２３０℃、５重量％減少温度が４５１℃、２３０℃における弾性率が１５０ＭＰａのものであった。さらに、ポリイミドフィルムの反対面に、製造例２で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ１０μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂのガラス転移温度は２６０℃、５重量％減少温度が４２１℃、２３０℃における弾性率が１７００ＭＰａのものであった。これより、図６のように、支持フィルム７に樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつ塗布された半導体用接着フィルムを得た。次に、温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に半導体用接着フィルムの樹脂層Ａを接するように接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。図５のように、半導体用接着フィルム２０を接着後のリードフレーム２１を台９の上に載せ、リードフレーム２１の長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、５ｍｍ程度であった。
【０２９０】
次に、加工すべき半導体ウエハＡ（厚さ８０μｍ）に製造例３で製造したダイボンドシートを６０℃でラミネートし、端部を切断した。これにダイシングテープ１をホットロールラミネータ（Ｄｕ  Ｐｏｎｔ製Ｒｉｓｔｏｎ）で２５℃でラミネートした。この際ダイシングテープには古河電工（株）製（ＵＣ３００４Ｍ−８０）を用いた。ダイシングテープの膜厚は、１００μｍであった。さらに、得られたダイボンドシート、ダイシングテープ付き半導体ウエハを１７０℃のホットプレートで１０分間加熱させた。これをダイシングカッターを用いてダイシングし、洗浄、乾燥を行いダイボンドシート付き半導体素子を得た。
【０２９１】
次に、半導体用接着フィルムを接着したリードフレーム及びダイボンドシート付き半導体素子を用いて、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行った。得られたパッケージは、図２のパッケージが複数繋がった構造のものである。まず、半導体用接着フィルム１を接着したリードフレーム２の開口部を通して、半導体用接着フィルム１の樹脂層Ａにダイボンドシート６付き半導体素子５を温度２００℃、圧力０．２ＭＰａ、時間２秒で接着させ、１７０℃で６０分ダイボンドシート６を硬化させた。ワイヤボンドは、ワイヤ４として金線を用い、２６０℃で５分加熱して行った。封止工程には封止材３としてビフェニル封止材（日立化成工業株式会社製、商品名：ＣＥＬ９２００）を用い、温度１８０℃、圧力１０ＭＰａ、時間３分で行い、その後、１８０℃で５時間の加熱を行い、封止樹脂を硬化させた。いずれの工程でも問題は生じなかった。図１において、１は半導体用接着フィルム、２はリードフレーム、３は封止材、４はワイヤ、５は半導体素子、６はダイボンドシートを表す。封止工程後、２５℃でリードフレーム、ダイボンドシート及び封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）、９０度ピール強度は２００Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせ、樹脂はリードフレーム及び封止樹脂にほとんど残留しなかった。ごくわずかに残留した樹脂もＮ−メチル−２−ピロリドンで洗浄することにより、除去することができた。
【０２９２】
さらに、このパッケージを分割して各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。図１は半導体用接着フィルム付き半導体装置を示し、図３は半導体用接着フィルムを剥離して得られた半導体装置を示す。
実施例２
厚さ２５μｍの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製  ユーピレックス２５ＳＧＡ）を、支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した芳香族ポリアミドイミド接着剤ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ１０μｍの樹脂層Ａを形成した。この樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２３０℃、５重量％減少温度が４５１℃、２３０℃における弾性率が１５０ＭＰａのものであった。さらに、ポリイミドフィルムの反対面に、製造例２で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ１０μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂのガラス転移温度は２６０℃、５重量％減少温度が４２１℃、２３０℃における弾性率が１７００ＭＰａのものであった。これより、図６のように、支持フィルム７に樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつ塗布された半導体用接着フィルムを得た。次に、温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に半導体用接着フィルムの樹脂層Ａを接するように接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールは少なく、接着時の作業性は良好であった。図５のように、半導体用接着フィルム（４）を接着後のリードフレーム（３）を台（５）の上に載せ、リードフレーム（３）の長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、５ｍｍ程度であった。
【０２９３】
次に、加工すべき半導体ウエハＡ（厚さ８０μｍ）に製造例４で製造したダイボンドシートを６０℃でラミネートし、端部を切断した。これにダイシングテープをホットロールラミネータ（Ｄｕ  Ｐｏｎｔ製Ｒｉｓｔｏｎ）で２５℃でラミネートした。この際ダイシングテープには古河電工（株）製（ＵＣ３００４Ｍ−８０）を用いた。ダイシングテープの膜厚は、１００μｍであった。さらに、得られたダイボンドシート、ダイシングテープ付き半導体ウエハを１７０℃のホットプレートで６０分間加熱させた。これをダイシングカッターを用いてダイシングし、洗浄、乾燥を行いダイボンドシート付き半導体素子を得た。
【０２９４】
次に、半導体用接着フィルムを接着したリードフレーム及びダイボンドシート付き半導体素子を用いて、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行った。得られたパッケージは、図２のパッケージが複数繋がった構造のものである。まず、半導体用接着フィルム１を接着したリードフレーム２の開口部を通して、半導体用接着フィルム１の樹脂層Ａにダイボンドシート６付き半導体素子５を温度２００℃、圧力０．２ＭＰａ、時間２秒で接着させ、１７０℃で６０分ダイボンドシート６を硬化させた。ワイヤボンドは、ワイヤとして金線を用い、２６０℃で５分加熱して行った。封止工程には封止材３としてビフェニル封止材（日立化成工業株式会社製、商品名：ＣＥＬ９２００）を用い、温度１８０℃、圧力１０ＭＰａ、時間３分で行い、その後、１８０℃で５時間の加熱を行い、封止樹脂を硬化させた。いずれの工程でも問題は生じなかった。封止工程後、２５℃でリードフレーム、ダイボンドシート及び封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）、９０度ピール強度は３００Ｎ／ｍで簡単に引き剥がせ、樹脂はリードフレーム及び封止樹脂にほとんど残留しなかった。ごくわずかに残留した樹脂もＮ−メチル−２−ピロリドンで洗浄することにより、除去することができた。
【０２９５】
さらに、このパッケージを分割して各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
【０２９６】
比較例１
厚さ２５μｍの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産（株）製  ユーピレックス２５ＳＧＡ）を、支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した芳香族ポリアミドイミド接着剤ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ１０μｍの樹脂層Ａを形成した。この樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２３０℃、５重量％減少温度が４５１℃、２３０℃における弾性率が１５０ＭＰａのものであった。さらに、ポリイミドフィルムの反対面に、製造例２で製造した芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂ワニスを５０μｍの厚さに流延し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ１０μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂのガラス転移温度は２６０℃、５重量％減少温度が４２１℃、２３０℃における弾性率が１７００ＭＰａのものであった。これより、図６のように、支持フィルム７に樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつ塗布された半導体用接着フィルムを得た。次に、温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に半導体用接着フィルムの樹脂層Ａを接するように接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。
【０２９７】
次に、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行った。得られたパッケージは、図２のようなパッケージが複数繋がった構造のものであるが、比較例１では半導体素子の接着にはダイボンドシートの代りに銀ペーストを用い、１５０℃で６０分加熱して銀ペーストを硬化させた。ワイヤとして金線を用い、２６０℃で５分加熱して行った。封止工程には封止材としてビフェニル封止材（日立化成工業株式会社製、商品名：ＣＥＬ９２００）を用い、温度１８０℃、圧力１０ＭＰａ、時間３分で行い、その後、１８０℃で５時間の加熱を行い、封止樹脂を硬化させた。いずれの工程でも問題は生じなかった。封止工程後、２５℃でリードフレーム及び封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）、９０度ピール強度は１３００Ｎ／ｍで簡単に引き剥がすことはできなかった。さらに、剥がした半導体用接着フィルムに銀ペーストが残留してしまった。樹脂はリードフレーム及び封止材に大量に残留し、Ｎ−メチル−２−ピロリドンで洗浄しても、除去することが難しかった。
【０２９８】
実施例１〜２及び比較例１の結果より、２５℃におけるリードフレームとの９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上で、なおかつ樹脂封止後、０℃〜２５０℃の温度範囲の少なくとも１点においてリードフレーム、ダイボンドシート及び封止材との９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下であるような半導体用接着フィルム及びダイボンドシートを用いることにより、半導体装置を高い作業性と生産性で製造できることが示される。
【産業上の利用可能性】
【０２９９】
本発明における半導体用接着フィルム及びダイボンドシートは、２５℃においてリードフレームと半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａとダイボンドシートとの密着性が高く、なおかつ樹脂封止後、０〜２５０℃で、半導体用接着フィルムとリードフレーム、ダイボンドシート及び封止樹脂から簡便に引き剥がせるため、半導体パッケージを高い作業性と生産性で製造することを可能とするものである。
【０３００】
また、この半導体用接着フィルムを用いて作製される本発明の半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化の点で優れており、例えば、携帯電話等の情報機器への使用に適している。
【図面の簡単な説明】
【０３０１】
【図１】本発明の一態様の半導体用接着フィルム付き半導体装置を示す断面図である。
【図２】本発明の一態様の半導体用接着フィルム付き半導体装置を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体用接着フィルムを用いて作製された半導体装置を示す断面図である。
【図４】本発明の一態様の半導体用接着フィルムの断面図である。
【図５】半導体用接着フィルムを接着したリードフレームの反りの測定方法を示す断面図である。
【図６】本発明の一態様の半導体用接着フィルムの断面図である
【図７】ＣＳＰの一実施態様を示す断面図である。
【図８】スタックドＣＳＰの一実施態様を示す断面図である。
【図９】本発明のダイボンドシート、半導体ウエハ、及びダイシングテープの一実施態様を示す断面図である。
【図１０】本発明の多層ダイボンドシート、半導体ウエハ、及びダイシングテープの一実施態様を示す断面図である。
【図１１】本発明のダイボンドシートを用いた接着材付き半導体素子を、ワイヤボンディングされた素子に接着する際の工程の一実施態様を示す概略図である。
【図１２】本発明の基材フィルム付きダイボンドシートの一実施態様を示す断面図である。
【図１３】本発明の基材フィルム付き多層ダイボンドシートの一実施態様を示す断面図である。
【図１４】本発明の接着材付き半導体素子の一実施態様を示す断面図である。
【符号の説明】
【０３０２】
１    半導体用接着フィルム
２    リードフレーム
３    封止材
４    ワイヤ
５    半導体素子
６    ダイボンドシート
７    支持フィルム
８    樹脂層Ａ
９    台
１０  樹脂層Ｂ
１１  ダイシングテープ
１２  ワイヤ
１３  基板
１４  配線
１５  基材フィルム
２０  半導体用接着フィルム
２１  リードフレーム
Ａ    半導体ウエハ
Ａ１  半導体素子
ａ    第一の接着剤層
ｂ    ダイボンドシート
ｂ‘  第２の接着層
ｂ１  接着剤
ｃ    多層ダイボンドシート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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