(57)【要約】      （修正有）【課題】小型化、薄型、多機能で、特にワイヤボンディングがし易く、作製上の歩留まりの向上が期待でき、生産性の良い、パッケージとして、メタルサブストレートを用いた樹脂封止型の半導体装置とその製造方法の提供する。【解決手段】複数個の端子部材１１０を、複数積層した積層半導体素子群１２０，１２１の周辺に沿い離して配設し、該半導体素子と、それに接続するボンディングワイヤ１３０と、該端子部材とを一体的に樹脂封止したもの１０１で、端子部材は、エッチング加工法にて、厚肉部を加工用素材の厚さ１１０ｂにし、薄肉部１１０ａ，１１０ｃを加工用素材の一面側からのハーフエッチングにて薄肉にして形成されたもので、厚肉部と薄肉部とを有し、一方側を平坦にし、他方の側を２段の段状にしており、順次、端子面のサイズが小サイズとなる各半導体素子の端子部と、端子部材の各段部の内部端子部とを、ボンディングワイヤにて接続している。【選択図】 図１
2008078483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個の端子部材を、互いに離間して、半導体素子を複数積層した積層半導体素子群の周辺に沿い離して配設し、該積層半導体素子群と、それに接続するボンディングワイヤと、該複数の端子部材とを一体的に樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、前記端子部材は、エッチング加工法にて、加工用素材から、厚肉部を加工用素材の厚さにし、薄肉部を該加工用素材の一面側からのハーフエッチングにて薄肉にして形成されたもので、厚肉部と薄肉部とを有し、一方側を平坦にし、他方の側を２段の段状にし、厚肉部の両側にその端に至る薄肉部を配し、該一方の側の平坦な面を外部端子部とし、該他方の側の各段部の面を内部端子部としており、前記積層半導体素子群は、前記端子部材の薄肉部の厚さより薄い第１の半導体素子の端子面側に、端子面の向きを揃え、該第１の半導体素子を含み、順次、端子面のサイズが小サイズとなる、１以上の薄肉の半導体素子を積層したもので、該積層半導体素子群の各半導体素子の端子部と、端子部材の各段部の内部端子部とを、ボンディングワイヤにて接続しており、各端子部材を、その前記一方の側の平坦な面を一平面上に揃えて、同じ向きにして、各端子部材の一方の端に至る薄肉部側を半導体素子側に向け、他方の端に至る薄肉部を外側に向けて、配し、各端子部材の一方の側の平坦な面とその側面とを露出させ、且つ、前記第１の半導体素子の端子面でない側の裏面を、各端子部材の前記一方の側の平坦な面に揃えて、前記第１の半導体素子裏面を露出させるようにして、樹脂中に、配置して、全体を端子部材の厚肉部の厚さ幅より大きい幅として、樹脂封止していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置であって、前記端子部材の前記一方の側の平坦な面に半田ボールを備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
請求項１ないし２のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置であって、前記端子部材の半導体素子側の薄肉部の先端断面は、ハーフエッチング形成面と側面とが鋭角をなすことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置であって、前記各端子部材は、その半導体素子側の薄肉部の先端幅を先細としていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置であって、前記各端子部材の前記封止用樹脂表面と接する表面部に粗面化処理を施したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の樹脂封止型半導体装置であって、前記粗面化処理による、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢＯ６０１−１９９４）が、１μｍ〜２μｍの範囲であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置であって、外部端子部の前記他方側、外側の面と外側側面にわたる切り欠け部を設けていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置であって、端子部材は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置であって、内部端子部および外部端子部に、表層として、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層として設けていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置であって、半導体素子の厚みが１００μｍ以下であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置であって、ＱＦＮ型あるいはＳＯＮ型であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、前記端子部材の外側を支持部で連結した状態で、向きを揃えて面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側ではない側を、平板状の真空引き板にて真空引きし、加工シートを真空引き板に密着させた状態で、面付け分だけ、積層半導体素子群を所定の位置に位置決めして、その端子面側ではない裏面を真空引きして、真空引き板に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ）真空引き板を外し、これに代え、モールド用のテープを、加工シートの両面に、それぞれ、各面を覆うように、平面状に貼り、半導体素子の裏面を一方のテープにて貼り固定するテープ貼り工程と、（ｆ）表裏をモールド固定用の平板にて挟み、加工シート全体について、真空引きあるいは減圧してモールドを行う、モールド工程と、（ｇ）表裏のモールド固定用の平板とテープを除去し、必要に応じて半田めっきで外部端子部の外装めっきを施した後、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、平板状の真空引き板が、全面に真空吸着用の孔を配設したものであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１ないし１１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（Ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、前記端子部材の外側を支持部で連結した状態で、向きを揃えて面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（Ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（Ｃ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側ではない側を覆うようにモールド用のテープを貼り、面付け分だけ、積層半導体素子群を所定の位置に位置決めして、その端子面側ではない裏面を前記テープに貼り付け搭載する半導体素子搭載工程と、（Ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（Ｅ）モールド用のテープを、加工シートの両面に、それぞれ、各面を覆うように、平面状に貼り、半導体素子の裏面を一方のテープにて貼り固定するテープ貼り工程と、（Ｆ）表裏を、それぞれ、テープを介して、モールド固定用の平板にて挟み、加工シート全体について、一括してモールドを行う、一括モールド工程と、（Ｇ）表裏のモールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、端子部材を用いた、小型、薄型の樹脂封止型半導体装置とその製造方法に関し、特に、複数個の端子部材を、互いに離間して、半導体素子を複数積層した積層半導体素子群の周辺に沿い離して配設し、該積層半導体素子群と、それに接続するボンディングワイヤと、該複数の端子部材とを一体的に樹脂封止した樹脂封止型半導体装置と、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められている。
このような状況のもと、薄型化に対応するものとして、特開平１１−３０７６７５号公報に記載の接続用リードの上面及び下面を露出させた構造の樹脂封止型半導体装置や、特開平１１−２６０９８９号公報に記載の接続用リードの一部を露出して外部端子としている樹脂封止型半導体装置が提案されている。
一方、システムＬＳＩのワンチップ化の開発が盛んであるが、２次元方向への配線展開となるため、配線の短縮による高速化には限界があり、また、その開発費、開発期間の増加を招いているのが実状で、最近では、これに代わり、半導体素子を３次元方向に積層したパッケージでシステムＬＳＩを実現しようとする試みがなされている。
このようなパッケージをシステムパッケージとも言う。
【０００３】
特開平１１−３０７６７５号公報には、これに記載の樹脂封止型半導体装置を積層し、その上面及び下面を露出させた接続用リードで電気的接続をとった、いわゆるスタック構造の積層型樹脂封止型半導体装置も記載されているが、ここに記載の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッドを備えたもので、薄型化は十分でない。
尚、特開平１１−２６０９８９号公報に記載の樹脂封止型半導体装置はスタック構造をとれるものではない。
また、特開平２００２−３３４３４号公報には、パッケージ内に半導体素子（チップ）を積層したパッケージが記載されているが、この構造では、自由度が少なく、汎用化しずらい。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３０７６７５号公報
【特許文献２】特開平１１−２６０９８９号公報
【特許文献３】特開平２００２−３３４３４号公報
【０００５】
一方、最近では、携帯電話用やデジタルカメラ用として、ＴＳＯＰやＱＦＰを２段重ねして、厚さ２．５ｍｍ程度にした、ＳＲＡＭやフラッシュメモリが多く用いられ、また、パソコンやサーバー等の用途には、基板の両側にＴＳＯＰあるいはＴＣＰを配した、厚さ５ｍｍ以下のＳＤＲＡＭが用いられている。
尚、メモリカードに使用するチップ（半導体素子とも言う）としては厚さが薄いとことが好ましく、１チップの最大厚さは通常１．２ｍｍが標準規格となっており、ＴＳＯＰやＱＦＰの形態で用いられる。
小型、多ピンを実現でき、高速電気特性を得ることができるものとして、有機の配線基材を用いて、その一面にチップを多段に積層し、樹脂封止し、半田ボールを他面に配設した形態もあるが、この形態のものは、先に述べた、ＴＳＯＰやＱＦＰを２段重ねして、厚さ２．５ｍｍ程度にした形態のものより、高価となる。
このような中、小型化、薄型、多機能（多ピン）で、特にワイヤボンディングがし易く、作製上の歩留まりの向上が期待でき、生産性が良い、パッケージで、メタルサブストレートを用いた樹脂封止型の半導体装置を実現することが求めらるようになってきた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、近年、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められており、最近では、小型化、薄型、多機能（多ピン）で、特にワイヤボンディングがし易く、作製上の歩留まりの向上が期待でき、生産性が良いパッケージで、メタルサブストレートを用いた樹脂封止型の半導体装置を実現することが求めらるようになってきた。
本発明はこれらに対応するもので、小型化、薄型、多機能（多ピン）で、特にワイヤボンディングがし易く、作製上の歩留まりの向上が期待でき、生産性の良い、パッケージとして、メタルサブストレートを用いた樹脂封止型の半導体装置を提供しようとするものである。
同時に、そのような樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、複数個の端子部材を、互いに離間して、半導体素子を複数積層した積層半導体素子群の周辺に沿い離して配設し、該積層半導体素子群と、それに接続するボンディングワイヤと、該複数の端子部材とを一体的に樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、前記端子部材は、エッチング加工法にて、加工用素材から、厚肉部を加工用素材の厚さにし、薄肉部を該加工用素材の一面側からのハーフエッチングにて薄肉にして形成されたもので、厚肉部と薄肉部とを有し、一方側を平坦にし、他方の側を２段の段状にし、厚肉部の両側にその端に至る薄肉部を配し、該一方の側の平坦な面を外部端子部とし、該他方の側の各段部の面を内部端子部としており、前記積層半導体素子群は、前記端子部材の薄肉部の厚さより薄い第１の半導体素子の端子面側に、端子面の向きを揃え、該第１の半導体素子を含み、順次、端子面のサイズが小サイズとなる、１以上の薄肉の半導体素子を積層したもので、該積層半導体素子群の各半導体素子の端子部と、端子部材の各段部の内部端子部とを、ボンディングワイヤにて接続しており、各端子部材を、その前記一方の側の平坦な面を一平面上に揃えて、同じ向きにして、各端子部材の一方の端に至る薄肉部側を半導体素子側に向け、他方の端に至る薄肉部を外側に向けて、配し、各端子部材の一方の側の平坦な面とその側面とを露出させ、且つ、前記第１の半導体素子の端子面でない側の裏面を、各端子部材の前記一方の側の平坦な面に揃えて、前記第１の半導体素子裏面を露出させるようにして、樹脂中に、配置して、全体を端子部材の厚肉部の厚さ幅より大きい幅として、樹脂封止していることを特徴とするものである。
そして、上記の樹脂封止型半導体装置であって、前記端子部材の前記一方の側の平坦な面に半田ボールを備えていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかの樹脂封止型半導体装置であって、前記端子部材の半導体素子側の薄肉部の先端断面は、ハーフエッチング形成面と側面とが鋭角をなすことを特徴とするものである。
また、上記いずれかの樹脂封止型半導体装置であって、前記各端子部材は、その半導体素子側の薄肉部の先端幅を先細としていることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの樹脂封止型半導体装置であって、前記各端子部材の前記封止用樹脂表面と接する表面部に粗面化処理を施したことを特徴とするものであり、前記粗面化処理による、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢＯ６０１−１９９４）が、１μｍ〜２μｍの範囲であることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの樹脂封止型半導体装置であって、外部端子部の前記他方側、外側の面と外側側面にわたる切り欠け部を設けていることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの樹脂封止型半導体装置であって、端子部材は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの樹脂封止型半導体装置であって、内部端子部および外部端子部に、表層として、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層として設けていることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの樹脂封止型半導体装置であって、半導体素子の厚みが１００μｍ以下であることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの樹脂封止型半導体装置であって、ＱＦＮ型あるいはＳＯＮ型であることを特徴とするものである。
尚、最大高さ粗さＲｙの測定は２００μｍ長さで行ったものである。
また、「前記複数個の端子部材を前記半導体素子の周辺に沿い離して配設し、」としているが、これは、各端子部材を半導体素子の周辺に沿い離して配設するとともに、前記複数個の端子部材は、それぞれ、互いに離して配設されていることを前提としている。
【０００８】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、前記端子部材の外側を支持部で連結した状態で、向きを揃えて面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側ではない側を、平板状の真空引き板にて真空引きし、加工シートを真空引き板に密着させた状態で、面付け分だけ、積層半導体素子群を所定の位置に位置決めして、その端子面側ではない裏面を真空引きして、真空引き板に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ）真空引き板を外し、これに代え、モールド用のテープを、加工シートの両面に、それぞれ、各面を覆うように、平面状に貼り、半導体素子の裏面を一方のテープにて貼り固定するテープ貼り工程と、（ｆ）表裏をモールド固定用の平板にて挟み、加工シート全体について、真空引きあるいは減圧してモールドを行う、モールド工程と、（ｇ）表裏のモールド固定用の平板とテープを除去し、必要に応じて半田めっきで外部端子部の外装めっきを施した後、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とするものである。  そして、上記の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、平板状の真空引き板が、全面に真空吸着用の孔を配設したものであることを特徴とするものである。
【０００９】
あるいは、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１ないし１１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（Ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、前記端子部材の外側を支持部で連結した状態で、向きを揃えて面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（Ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（Ｃ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側ではない側を覆うようにモールド用のテープを貼り、面付け分だけ、積層半導体素子群を所定の位置に位置決めして、その端子面側ではない裏面を前記テープに貼り付け搭載する半導体素子搭載工程と、（Ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（Ｅ）モールド用のテープを、加工シートの両面に、それぞれ、各面を覆うように、平面状に貼り、半導体素子の裏面を一方のテープにて貼り固定するテープ貼り工程と、（Ｆ）表裏を、それぞれ、テープを介して、モールド固定用の平板にて挟み、加工シート全体について、一括してモールドを行う、一括モールド工程と、（Ｇ）表裏のモールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とするものである。
【００１０】
（作用）
本発明の樹脂封止型半導体装置は、このような構成にすることにより、小型化、薄型、多機能（多ピン）で、特にワイヤボンディングがし易く、作製上の歩留まりの向上が期待でき、生産性の良い、パッケージとして、メタルサブストレートを用いた樹脂封止型の半導体装置の提供を可能としている。
端子部材は、エッチング加工法にて、加工用素材から、厚肉部を加工用素材の厚さにし、薄肉部を該加工用素材の一面側からのハーフエッチングにて薄肉にして形成されたもので、端子部材自体を小型に、精度よく、所望の形状を、生産性良く、得ることができるものとしているが、更に、各端子部材を、その前記一方の側の平坦な面を一平面上に揃えて、同じ向きにして、各端子部材の一方の端に至る薄肉部側を半導体素子側に向け、他方の端に至る薄肉部を外側に向けて、配し、各端子部材の一方の側の平坦な面とその側面とを露出させ、且つ、前記第１の半導体素子の端子面でない側の裏面を、各端子部材の前記一方の側の平坦な面に揃えて、前記第１の半導体素子裏面を露出させるようにして、樹脂中に、配置している構造としていることにより、全体の薄化を可能にしている。
また、積層半導体素子群を用いて、各半導体素子について、端子部材とボンディングワイヤ接続をしていることにより、他機能化（多ピン化）を可能としている。
特に、前記積層半導体素子群は、前記端子部材の薄肉部の厚さより薄い第１の半導体素子の端子面側に、端子面の向きを揃え、該第１の半導体素子を含み、順次、端子面のサイズが小サイズとなる、１以上の薄肉の半導体素子を積層したもので、該積層半導体素子群の各半導体素子の端子部と、端子部材の各段部の内部端子部とを、ボンディングワイヤにて接続していることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、後述する、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製でき、量産性の良い構造といえる。
更に、端子部材の薄肉部の厚さより、第１の半導体素子の厚さを薄くしていることにより、第１の半導体素子の端子と薄肉部である内部端子部とワイヤボンデインング接続を行う場合、第１のビンディングポイントを第１の半導体素子とすることにより、ワイヤの垂れを防止できる構造となる。
第１の半導体素子に積層した各半導体装置については、該薄肉の段部の面を内部端子として、また、厚肉の段部の面を内部端子部として、ワイヤボンデインング接続を行うことができ、ワイヤボンデインング接続の自由度を大きなものとしている。
これらにより、ワイヤボンデインング接続を行い易くしており、結果として、ワイヤボンデインング接続作業における歩留まりを上げることができる。
各半導体素子の厚みとしては、特に、１００μｍ以下である場合に有効である。
具体的には、前記端子部材の前記一方の側の平坦な面に半田ボールを備えている形態が挙げられる。
パッケージの形態としては、ＱＦＮ型あるいはＳＯＮ型が挙げられる。
【００１１】
また、前記端子部材の半導体素子側の薄肉部の先端断面は、ハーフエッチング形成面と側面とが鋭角をなす、請求項３の発明の形態とすることにより、内部端子部の半導体素子側のその長手方向の先端において、温度変化に伴う、樹脂の締め付けが起こる構造で、耐湿性の良い構造となる。
先端が鋭角となった分だけ封止用樹脂の量を増やすことも可能で、封止用樹脂の量が増える分、構造的、品質面で安定する。
特に、ＱＦＰ型である場合には、端子数が多くても、品質面で安定でき、有効である。  尚、前記鋭角の角度としては、８５度以下が好ましい。
また、記各端子部材は、その半導体素子側の薄肉部の先端幅を先細としている、請求項４の発明の形態とすることにより、先端が先細となった分だけ封止用樹脂の量を増やすことも可能で、封止用樹脂の量が増える分、構造的、品質面で安定する。
また、前記各端子部材の前記封止用樹脂表面と接する表面部に粗面化処理を施した、請求項５の発明の形態とすることにより、端子部材と封止用樹脂との密着性の向上が図れる。
特に、前記粗面化処理による、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢＯ６０１−１９９４）が、１μｍ〜２μｍの範囲である場合には、有効である。
また、外部端子部の前記他方側、外側の面と外側側面にわたる切り欠け部を設けている、請求項７の発明の形態とすることにより、その面付け作製において、個片化の際、その切断をし易いものとしている。
特に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態で一括モールドが簡単に行え、量産性、設備の面からも好ましい構造と言える。
端子部材としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなるものが挙げられる。
また、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層としていることにより、ワイヤボンディング接続を信頼性良いものとしている。
また、半導体素子の端子面側でない面を露出させるようにして、配置していることにより、ダイパッドレスからパッケージ内の半導体素子上のレジン厚を増し、組み立て加工し易いものとしており、より放熱性に優れるものとしている。
【００１２】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、このような構成にすることにより、請求項１〜請求項１１の各発明の薄型の樹脂封止型半導体装置を、量産性良く製造できるものとしている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、上記のように、小型化、薄型、多機能（多ピン）で、特にワイヤボンディングがし易く、作製上の歩留まりの向上が期待でき、生産性が良い、パッケージとして、メタルサブストレートを用いた樹脂封止型の半導体装置の提供を可能とした。
同時に、このような樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供を可能とした。
このような樹脂封止型半導体装置や積層型樹脂封止型半導体装置は、メモリ用のパッケージ、システムパッケージの他、カードモジュール内、ＩＣカード内、ＰＯＰ（Ｐｏｉｎｔ  Ｏｆ  Ｐｕｒｃｈａｓｅ  ａｄｖｅｒｔｉｓｉｎｇ  ）カード内、基板（紙スート等）内等に、特に薄さが求められる場合に、有効に利用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を示した概略断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図で、図２（ａ）は端子部材の断面図で、図２（ｂ）は図１（ａ）のＢ１側から見た図で、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ２側からみた図で、図２（ｄ）は図２（ｄ）のＢ３側からみた図で、図３（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例を示した概略断面図で、図３（ｂ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例を示した概略断面図で、図３（ｃ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例を示した概略断面図で、図４（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第５の例を示した概略断面図で、図４（ｂ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第６の例を示した概略断面図で、図５（ａ）〜図５（ｅ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の第１の例の一部製造工程を示した工程断面図で、図６（ｆ）〜図６（ｉ）は、図５に続く製造工程を示した工程断面図で、図６（ｊ）は半田ボールをつけた断面図で、図７（ａ）〜図７（ｆ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の第２の例の一部製造工程を示した工程断面図で、図８（ｇ）〜図８（ｊ）は、図７に続く製造工程を示した工程断面図で、図８（ｋ）は半田ボールをつけた断面図で、図９はダイシングソーによる切断状態を示した図である。
尚、図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ１−Ａ２側から見た図で、図５〜図８においては、分かり易くするために、半導体素子の端子部は省略して示している。
また、図６（ｈ）、図８（ｉ）における両方向矢印は、ダイシングソーの昇降方向を示している。
図１〜図９中、１０１、１０１Ａ、１０２、１０２Ａは樹脂封止型半導体装置、１１０は端子部材、１１０ａ、１１０ｃは薄肉部、１１０ｂは厚肉部、１１０ｆは（一方の側の）平坦な面、１１１ａ、１１１ｂは内部端子部、１１２ａ、１１２ｂは外部端子部、１１４は切り欠け部、１１６は先端部、１１６Ｓは（先端の）側面、１１７はグルーブ（溝部）、１２０は第１の半導体素子（単に半導体素子あるいはチップとも言う）、１２１、１２２、１２３は半導体素子（チップとも言う）、１２０Ｓは（第１の半導体素子の）裏面、１２０ａ、１２１ａ、１２２ａ、１２３ａは端子部、１２５、１２５Ａ、１５Ｂは積層半導体素子群、１３０はボンディングワイヤ、１４０は封止用樹脂（単に樹脂とも言う）、２１０は加工用素材、２１０Ａは加工シート、２２０はレジスト、２３０は端子部材、２３０ａは薄肉部、２３０ｂは厚肉部、２３５は支持部（連結部とも言う）、２３７は凹部、２３７Ａは切り欠け部、２４０は平板状の多孔板（真空引き板とも言う）、２５０は積層半導体素子群、２５１、２５２は半導体素子、２６０はボンディングワイヤ、２７０、２７１は（固定用、モールド用の）テープ、２７５は（ダイシング用の）テープ、２８０は封止用樹脂、２９０は半田ボール、３１０は加工用素材、３１０Ａは加工シート、３２０はレジスト、３３０は端子部材、３３５は支持部（連結部とも言う）、３３７は凹部、３３７Ａは切り欠け部、３４０、３４１は（固定用、モールド用の）テープ、３４５は（切断用の）テープ、３５０は積層半導体素子群、３５１、３５２は半導体素子、３６０はボンディングワイヤ、３７１、３７２はモールド固定用の平板、３８０は封止用樹脂、３９０は半田ボール、４０１は単位の樹脂封止型半導体装置、４１０Ａは加工シート、４１５は枠部、４１６は治具孔、４１７は長孔部、４８５は切断ライン、４８６は切断目印（貫通孔あるいは窪み）である。
【００１５】
はじめに、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を、図１に基づいて説明する。
第１の例の樹脂封止型半導体装置１０１は、複数個の端子部材１１０を、互いに離間して、半導体素子１２０、１２１を積層した積層半導体素子群１２５の周辺に沿い積層半導体素子群１２５から離して配設し、該積層半導体素子群１２５と、それに接続するボンディングワイヤ１３０と、該複数の端子部材１１０とを一体的に樹脂封止したＱＦＮ型の樹脂封止型半導体装置である。
そして、各端子部材１１０は、エッチング加工法にて、加工用素材から、厚肉部１１０ｂを加工用素材の厚さにし、薄肉部１１０ａ、１１０ｃを該加工用素材の一面側からのハーフエッチングにて薄肉にして形成されたもので、厚肉部１１０ｂと薄肉部１１０ａ、１１０ｃとを有し、一方側を平坦にし、他方の側を２段の段状にし、厚肉部１１０ｂの両側にその端に至る薄肉部１１０ａ、１１０ｃを配し、該一方の側の平坦な面を外部端子部１１２ａとし、該他方の側の各段部の面を内部端子部１１１ａ、１１１ｂとしている。
また、積層半導体素子群１２５は、端子部材１１０の薄肉部１１０ａ、１１０ｃの厚さより薄い第１の半導体素子１２０の端子側面に、端子面の向きを揃え、第１の半導体素子１２０を含み、順次、端子面のサイズが小サイズとなる、薄肉の半導体素子１２１を樹脂ペースト等により固定して積層したもので、積層半導体素子群１２５の各半導体素子の端子部１２０ａ、１２１ａと、端子部材１１０の各段部の内部端子部１１１ａ、１１１ｂとを、ボンディングワイヤ１３０にて接続している。
半導体素子１２０、１２１は、それぞれ、その周辺に沿い、端子１２０ａ、１２１ａを設けたものである。
特に、各端子部材１１０を、その前記一方の側の平坦な面１１０ｆを一平面上に揃えて、同じ向きにして、各端子部材１１０の一方の端に至る薄肉部１１０ａ側を半導体素子１２０、１２０ａ側に向け、他方の端に至る薄肉部１１０ｃを外側に向けて、配し、各端子部材１１０の一方の側の平坦な面１１０ｆとその側面とを露出させ、且つ、第１の半導体素子１２０の端子面でない側の裏面１２０Ｓを、各端子部材１１０の一方の側の平坦な面１１０ｆに揃えて、第１の半導体素子１２０の裏面１２０Ｓを露出させるようにして、樹脂１４０中に、配置して、全体を端子部材１１０の厚肉部１１０ｂの厚さ幅より大きい幅として、樹脂封止している。
【００１６】
本例においては、各端子部材１１０は、その半導体素子１２０、１２０ａ側の薄肉部１１０ａの先端断面は、ハーフエッチング形成面（内部端子部１１１ａ）と側面１１６とが鋭角をなし、また、その半導体素子１２０、１２１側の薄肉部１１０ａの先端幅を先細とし、更に、更に、グルーブを前記一方の面側に配している。（図２（ａ）〜図２（ｄ）を参照）
本例では、厚さ０．２ｍｍのＣｕ材を加工用素材として、薄肉部１１０ａ、１１０ｃの厚さを０．１ｍｍとし、厚さ７０μｍの半導体素子１２０、１２０ａを用いたが、加工用素材としては、Ｃｕ系合金や４２合金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）等も適用できる。
本例においては、全体の厚さを、０．３ｍｍ以下とすることができる。
半導体素子１２０、１２１自体の厚さの薄化に対応して、薄型化が達成できる。
このように、端子部材１１０の薄肉部１１０ａの先端形状を工夫していることにより、薄肉部１１０ａの先端において、温度変化による封止用樹脂の締め付けを良くし、耐湿性の良いものとしている。
本例の構造は、薄い半導体素子１２０、１２１と薄い端子部材１１０とを用い、全体の厚さを薄くしながら、且つ、封止用樹脂の厚さを出来る限り厚くしている構造で、封止用樹脂の量を増やすことにより、構造的に品質面安定が期待できる。
また、本例では、第１の半導体素子１２０の端子部１２０ａと薄肉部１１０ａの内部端子部１１１ａとを接続し、半導体素子１２１の端子部１２１ａと厚肉部１１０ｂの内部端子部とを接続しているが、第１の半導体素子１２０の厚さは薄肉子部１１０ａの厚さより薄くなっており、また、積層半導体素子群１２５の厚さも厚肉部１１０ｂ厚さより薄くなっており、これにより、半導体素子１２０、１２１のボンディング作業をし易いものとしている。
第１の例の樹脂封止型半導体装置は、このような構成にすることにより、小型化、薄型、多機能（多ピン）で、特にワイヤボンディングがし易く、作製上の歩留まりの向上が期待でき、生産性の良い、パッケージとしている。
【００１７】
第１の例においては、薄型のＱＦＮ型であり、端子部材１１０の数も多く、各端子部材１１０の表面を、過酸化水素溶液にて、粗面化処理している。
これにより、一層の耐湿性の向上が図れる。
表面粗さとしては、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢＯ６０１−１９９４）で１μｍ〜２μｍの範囲が好ましい。
先にも述べたが、ここでは、最大高さ粗さＲｙの測定は２００μｍ長さで行ったものである。
【００１８】
また、第１の例においては、外部端子部１１１の前記他方側の面と外側側面にわたる切り欠け部１１４を設けており、これにより、その面付け作製において、個片化の際、その切断をし易いものとしている。
特に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態で一括モールドが簡単に行え、量産性、設備の面からも好ましい構造と言える。
【００１９】
第１の例においては、図では明示していないが、端子部材１１０の内部端子部１１２の端子面および外部端子部１１１の表裏の端子面に、接続用のめっき層をつけている。
接続用のめっき層として、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層等の金属めっき層が挙げられる。
【００２０】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の別の形態例を挙げる。
第２の例は、図３（ａ）にその断面を示すように、第１の例の樹脂封止型半導体装置１０１に対して、更に、端子部材１１０一方の側の平坦な面１１０ｆに半田ボール１９０を備えているものである。
配線基板等へ半田ボール溶融により実装を行うことができる。
半田ボール１９０の外径を０．２ｍｍとした場合、加工用素材の厚さは０．２ｍｍであり、全体の厚さを、０．５ｍｍ以下とすることができる。
【００２１】
第３の例の樹脂封止型半導体装置１０２は、図３（ｂ）にその断面を示すように、複数個の端子部材１１０を、互いに離間して、半導体素子１２０、１２１、１２２を積層した積層半導体素子群１２５Ａの周辺に沿い積層半導体素子群１２５Ａから離して配設し、該積層半導体素子群１２５Ａと、それに接続するボンディングワイヤ１３０と、該複数の端子部材１１０とを一体的に樹脂封止したＱＦＮ型の樹脂封止型半導体装置である。
第１の例において、積層半導体素子群１２５を積層半導体素子群１２５Ａに置きかえて、各半導体素子１２０、１２１、１２２の端子部１２０ａ、１２１ａ、１２２ａと端子部材１１０の内部端子部１１０ａ、１１０ｃとをボンディングワイヤ１３０により接続し、第１の例と同様にして、樹脂封止したものである。
本例の端子部材は、厚さ０．２５ｍｍのＣｕ材を加工用素材として、薄肉部１１０ａ、１１０ｃの厚さを０．１２５ｍｍとしているが、サイズ以外、形状や材質については、第１の例と同様のものを用いている。
積層半導体素子群１２５Ａは、第１の例の積層半導体素子群１２５に更に厚さ７０μｍの半導体素子１２２を樹脂ペースト等により固定して積層したものである。
第２の例においては、第１の半導体素子１２０の端子部１２０ａと薄肉部１１０ａの内部端子部１１１ａとを接続し、半導体素子１２１、１２２の端子部１２１ａ、１２２ａと厚肉部１１０ｂの内部端子部とを接続しているが、第１の例の場合と同様、第１の半導体素子１２０の厚さは薄肉子部１１０ａの厚さより薄くなっており、また、第１の半導体素子１２０の裏面１２０から半導体素子１２２の端子部１２２ａまでの厚さも厚肉部１１０ｂの厚さより薄くなっており、また、積層半導体素子群１２５Ａの厚さも厚さも厚肉部１１０ｂの厚さより薄くなっており、これにより、半導体素子１２０、１２１、１２２のボンディング作業をし易いものとしている。
第３の例の構造も、薄い半導体素子１２０、１２１、１２２と薄い端子部材１１０とを用い、全体の厚さを薄くしながら、且つ、封止用樹脂の厚さを出来る限り厚くしている構造で、封止用樹脂の量を増やすことにより、構造的に品質面安定が期待できる。
第３の例の樹脂封止型半導体装置１０２は、このような構成にすることにより、小型化、薄型、多機能（多ピン）で、特にワイヤボンディングがし易く、作製上の歩留まりの向上が期待でき、生産性の良い、パッケージとしている。
第３の例の場合、全体の厚さを、０．３５ｍｍ以下とすることができる。
【００２２】
第４の例の樹脂封止型半導体装置１０２Ａは、図３（ｃ）にその断面を示すように、第３の例の樹脂封止型半導体装置１０２に対して、更に、端子部材１１０一方の側の平坦な面１１０ｆに半田ボール１９０を備えているものである。
配線基板等へ半田ボール溶融により実装を行うことができる。
半田ボール１９０の外径を０．２ｍｍとした場合、加工用素材の厚さは０．２５ｍｍであり、全体の厚さを、０．５５ｍｍ以下とすることができる。
【００２３】
第５の例の樹脂封止型半導体装置１０３は、図４（ａ）にその断面を示すように、複数個の端子部材１１０を、互いに離間して、半導体素子１２０、１２１、１２２、１２３を積層した積層半導体素子群１２５Ｂの周辺に沿い積層半導体素子群１２５Ｂから離して配設し、該積層半導体素子群１２５Ｂと、それに接続するボンディングワイヤ１３０と、該複数の端子部材１１０とを一体的に樹脂封止したＱＦＮ型の樹脂封止型半導体装置である。
第３の例において、積層半導体素子群１２５Ａを積層半導体素子群１２５Ｂに置きかえて、各半導体素子１２０、１２１、１２２の端子部１２０ａ、１２１ａ、１２２ａと端子部材１１０の内部端子部１１０ａ、１１０ｃとをボンディングワイヤにより接続し、第３の例と同様にして、樹脂封止したものである。
第５の例の端子部材は、厚さ０．２５ｍｍのＣｕ材を加工用素材として、薄肉部１１０ａ、１１０ｃの厚さを０．１２５ｍｍとしているが、サイズ以外、形状や材質については、第１の例と同様のものを用いている。
積層半導体素子群１２５Ｂは、第３の例の積層半導体素子群１２５Ａに更に厚さ７０μｍの半導体素子１２３を樹脂ペースト等により固定して積層したものである。
第５の例においては、半導体素子１２０、１２１の端子部１２０ａ、１２１ａと薄肉部１１０ａの内部端子部１１１ａとを接続し、半導体素子１２２、１２３の端子部１２２ａ、１２３ａと厚肉部１１０ｂの内部端子部とを接続しているが、第１の半導体素子１２０の厚さは薄肉子部１１０ａの厚さより薄くなっており、且つ、第１の半導体素子１２０の裏面１２０から半導体素子１２１の端子部１２１ａまでの厚さも若干薄肉子部１１０ａの厚さより薄くなっており、更にまた、第１の半導体素子１２０の裏面１２０から半導体素子１２２の端子部１２２ａまでの厚さも厚肉部１１０ｂの厚さより薄くなっており、且つ、第１の半導体素子１２０の裏面１２０から半導体素子１２３の端子部１２３ａまでの厚さも厚肉部１１０ｂの厚さより若干薄くなっており、これにより、半導体素子１２０、１２１、１２２、１２３のボンディング作業をし易いものとしている。
第５の例の構造も、薄い半導体素子１２０、１２１、１２２、１２３と薄い端子部材１１０とを用い、全体の厚さを薄くしながら、且つ、封止用樹脂の厚さを出来る限り厚くしている構造で、封止用樹脂の量を増やすことにより、構造的に品質面安定が期待できる。  第５の例の樹脂封止型半導体装置１０３は、このような構成にすることにより、小型化、薄型、多機能（多ピン）で、特にワイヤボンディングがし易く、作製上の歩留まりの向上が期待でき、生産性の良い、パッケージとしている。
第５の例の場合、全体の厚さを、０．４ｍｍ以下とすることができる。
【００２４】
第６の例の樹脂封止型半導体装置１０３Ａは、図４（ｂ）にその断面を示すように、第５の例の樹脂封止型半導体装置１０３に対して、更に、端子部材１１０一方の側の平坦な面１１０ｆに半田ボール１９０を備えているものである。
配線基板等へ半田ボール溶融により実装を行うことができる。
半田ボール１９０の外径を０．２ｍｍとした場合、加工用素材の厚さは０．２５ｍｍであり、全体の厚さを、０．６ｍｍ以下とすることができる。
【００２５】
次いで、第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例を、図５、図６に基づいて、説明する。
尚、これを以って、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例（第１の例）の説明に代える。
先ず、加工用素材２１０の両面に所定形状にレジスト２２０を配設し（図５（ａ））、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、この配置状態に、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、両面からエッチングを行い、端子部材２３０を、支持部２３５にて連結した状態で、面付けして形成する。（図５（ｂ））
これにより、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、これが支持部２３５にて連結され面付けされた、加工シート２１０Ａを得る。
加工用素材２１０としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２合金（Ｎｉ４２％−Ｆｅ合金）等が用いられ、エッチング液としては、塩化第二鉄溶液が用いられる。
また、レジスト２２０としては、耐エッチング性のもので、所望の解像性を有し、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
次いで、レジスト２２０を除去後、洗浄処理等を施し、全面に接続用の表面めっきを施した（図示していない）後、面付け形成され、表面めっきが施された加工シート２１０Ａのハーフエッチング面側ではない側を平板状の多孔板２４０にて真空引きし、加工シート２１０Ａを多孔板２４０に密着させた状態で（図５（ｃ））、面付け分の数だけ、積層半導体素子群２５０を所定の位置に位置決めして、その端子面側ではない裏面を真空引き用の多孔板２４０にて真空引きして、該多孔板２４０に搭載する。（図５（ｄ））
尚、真空ポンプ、真空配管等、真空引き用の多孔板２４０の真空引き源は別にあるが、ここでは図示していない。
次いで、この状態で、各積層半導体素子群２５０の各半導体素子２５１、２５２について、その端子（図１の１２０ａ、１２１ａに相当）と端子部材２３０の薄肉部（図１の１１０ａに相当）のハーフエッチング面である端子面（内部端子部１１１ａ，１１１ｂに相当）とをワイヤボンディング接続する。（図５（ｅ））
次いで、多孔板２４０を外し、これに代え、モールド用のテープ２７０、２７１を、加工シート２１０Ａの両面に、それぞれ、各面を覆うように、平面状に貼り、半導体素子２５０の裏面をテープ２７０にて貼り固定、表裏をモールド固定用の平板（図示していない）にて挟み、加工シート２１０Ａ全体について、一括してモールドを行い、表裏のモールド固定用の平板を取り外す。（図６（ｆ））
尚、加工シート２１０Ａの端子部材２３０を支持する支持部２３５は、通りぬけ孔等を設けたもので、モールドの際、各面付け間モールド用の樹脂が通りぬけできるような形状になっている。
次いで、モールド用のテープ２７０、２７１を剥がし、切断用のテープ２７５を貼り（図６（ｇ））、該切断用のテープ２７５とは反対側からダイシングソー（図示していない）にて切断して（図６（ｈ））、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る。（図６（ｉ））
ダイシングソー（図示していない）による切断は、（図６（ｈ）に示すように、凹部２３７とは反対側にて行うもので、この部分は加工用素材の厚さより薄肉で、容易に切断できるものとしている。
ダイシングソー（図示していない）による切断状態は、例えば、図９（ａ）や、図９（ｂ）のようになる。
尚、図９において、単位の樹脂封止型半導体装置４０１は、切断ライン４８５にて互いに分けられた各領域であり、ここでは、説明を分かり易くするため図示していないが、図６（ｈ）の支持部２３５を凹部２３７とは反対側で切断する。
加工シート２１０Ａ（図９の４１０Ａに相当）は、フレームとも呼ばれる。
また、この切断面が、作製される樹脂封止型半導体装置の外部端子の外側側面となる。  尚、切り欠け部２３７Ａの切断された面でない面には接続用のめっきが配設されておりこの部分は接続用に利用し易い。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置は製造することができる。
次いで、半田ボール２９０を端子部材２３０所定の位置に配設して、図３（ａ）に示す第２の例の樹脂封止型半導体装置１０１Ａを製造することができる。（図６（ｊ））
【００２６】
次いで、第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造方法の別の１例（第２の例）を、図７、図８に基づいて、説明する。
尚、これを以って、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例（第２の例）の説明に代える。
先ず、加工用素材３１０の両面に所定形状にレジスト３２０を配設し（図７（ａ））、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、この配置状態に、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、両面からエッチングを行い、端子部材３３０を、支持部３３５にて連結した状態で、面付けして形成する。（図７（ｂ））
これにより、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、これが支持部３３５にて連結され面付けされた、加工シート３１０Ａを得る。
次いで、レジスト３２０を除去後、洗浄処理等を施し、全面に接続用の表面めっきを施した（図示していない）後、面付け形成され、表面めっきが施された加工シート３１０Ａのハーフエッチング面側ではない側を覆うようにモールド用のテープ３４０を貼り（図７（ｃ））、面付け分の数だけ、積層半導体素子群３５０を所定の位置に位置決めして、その端子面側ではない裏面を前記テープ３４０に貼り付け搭載する。（図７（ｄ））
次いで、この状態で、各積層半導体素子群２５０の各半導体素子２５１、２５２について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続する。（図７（ｅ））
次いで、モールド用のテープ３４１を、加工シート３１０Ａの前記テープ３４０とは反対側の面に、覆うように、平面状に貼り、半導体素子３５０の裏面をテープ３４０にて貼り固定した状態で、表裏を、それぞれ、テープ３４０、３４１を介して、モールド固定用の平板３７１、３７２にて挟み、加工シート３１０Ａ全体について、一括してモールドを行う。（図７（ｆ））
ここでは、積層半導体素子群３５０を所定の位置に位置決めする際のテープをそのままモールド用のテープとして使用している。
次いで、表裏のモールド固定用の平板３７１、３７２を除去し（図８（ｇ））、更にテープ３４０、３４１を除去し、必要に応じて半田めっきで外部端子部の外装めっきを施した後、切断用のテープ３４５を貼り（図８（ｈ））、該切断用のテープ３４５とは反対側からダイシングソー（図示していない）にて切断して（図８（ｉ））、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る。（図８（ｊ））
尚、図７、図８に示す製造方法においても、各工程の処理、各部材等は基本的に図５、図６に示す製造方法に準じるもので、ここでは、説明を省いている。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置は製造することができる。
次いで、半田ボール３９０を端子部材３３０所定の位置に配設して、図３（ａ）に示す第２の例の樹脂封止型半導体装置１０１Ａを製造することができる。（図８（ｋ））
【００２７】
上記、図５、図６や図７、図８に示す第１の例、第２の例の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、第３の例〜第６の樹脂封止型半導体装置の製造にも適用できるものである。
【００２８】
図１、図３、図４に示す樹脂封止型半導体装置の形態は、ＱＦＮ型であるが、本発明の樹脂封止型半導体装置は、これには限定されない。
ＳＯＮ型の形態をとることもできる。
また、上記では、積層半導体素子群は半導体素子を４層まで積層したものを挙げたが、本発明の樹脂封止型半導体装置においては、半導体素子を４層以上としても良い。
用いる半導体素子の薄化が進めば、更に、多数の半導体素子を積層した形態としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を示した概略断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図である。
【図２】図２（ａ）は端子部材の断面図で、図２（ｂ）は図１（ａ）のＢ１側から見た図で図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ２側からみた図で、図２（ｄ）は図２（ｄ）のＢ３側からみた図である。
【図３】図３（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例を示した概略断面図で、図３（ｂ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例を示した概略断面図で、図３（ｃ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例を示した概略断面図である。
【図４】図４（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第５の例を示した概略断面図で、図４（ｂ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第６の例を示した概略断面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｅ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の第１の例の一部製造工程を示した工程断面図である。
【図６】図６（ｆ）〜図６（ｉ）は、図５に続く製造工程を示した工程断面図で、図６（ｊ）は半田ボールをつけた断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｆ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の第２の例の一部製造工程を示した工程断面図である。
【図８】図８（ｇ）〜図８（ｊ）は、図７に続く製造工程を示した工程断面図で、図８（ｋ）は半田ボールをつけた断面図である。
【図９】ダイシングソーによる切断状態を示した図である。
【符号の説明】
【００３０】
１０１、１０１Ａ、１０２、１０２Ａ    樹脂封止型半導体装置
１１０                端子部材
１１０ａ、１１０ｃ    薄肉部
１１０ｂ              厚肉部
１１０ｆ            （一方の側の）平坦な面
１１１ａ、１１１ｂ    内部端子部
１１２ａ、１１２ｂ    外部端子部
１１４                切り欠け部
１１６                先端部
１１６Ｓ            （先端の）側面
１１７                グルーブ（溝部）
１２０                第１の半導体素子（単に半導体素子あるいはチップとも言う）
１２１、１２２、１２３    半導体素子（チップとも言う）
１２０Ｓ            （第１の半導体素子の）裏面
１２０ａ、１２１ａ、１２２ａ、１２３ａ    端子部
１２５、１２５Ａ、１５Ｂ    積層半導体素子群
１３０                ボンディングワイヤ
１４０                封止用樹脂（単に樹脂とも言う）
２１０                加工用素材
２１０Ａ              加工シート
２２０                レジスト
２３０                端子部材
２３０ａ              薄肉部
２３０ｂ              厚肉部
２３５                支持部（連結部とも言う）
２３７                凹部
２３７Ａ              切り欠け部
２４０                平板状の多孔板（真空引き板とも言う）
２５０                積層半導体素子群
２５１、２５２        半導体素子
２６０                ボンディングワイヤ
２７０、２７１      （固定用、モールド用の）テープ
２７５              （ダイシング用の）テープ
２８０                封止用樹脂
２９０                半田ボール
３１０                加工用素材
３１０Ａ              加工シート
３２０                レジスト
３３０                端子部材
３３５                支持部（連結部とも言う）
３３７                凹部
３３７Ａ              切り欠け部
３４０、３４１      （固定用、モールド用の）テープ
３４５              （切断用の）テープ
３５０                積層半導体素子群
３５１、３５２        半導体素子
３６０                ボンディングワイヤ
３７１、３７２        モールド固定用の平板
３８０                封止用樹脂
３９０                半田ボール
４０１                単位の樹脂封止型半導体装置
４１０Ａ              加工シート
４１５                枠部
４１６                治具孔
４１７                長孔部
４８５                切断ライン
４８６                切断目印（貫通孔あるいは窪み）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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