(57)【要約】【課題】チップが傾斜して実装されることなく、歩留まりの良好なフイルム及びそのフイルムを使用するチップパッケージの製造方法を提供する。【解決手段】フイルム３は、取り外し可能な基材３２と、固体の樹脂層３４と、円弧状弾性体３６とを備える。樹脂層３４は半硬化樹脂により形成され、基材３４に粘着され、第一の温度を越えると粘性がある半溶融状態になり、第二の温度より下がると粘性がない固態になる。円弧状弾性体３６が樹脂層３４内に配置される。【選択図】図３ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
取り外し可能な基材と、
半硬化樹脂により形成され、第一の温度を越えると粘性がある半溶融状態になり、第二の温度より下がると粘性がない固態になる前記基材に粘着される固体の樹脂層と、
前記樹脂層内に配置される複数個の円弧状弾性体と、
を備えることを特徴とするフイルム。
【請求項２】
前記基材は、ＢＴ基板、テープ、弾性テープ、ＵＶテープ及びブルーテープのいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載のフイルム。
【請求項３】
前記第一の温度が８５℃で、前記第二の温度が４５℃であることを特徴とする請求項１に記載のフイルム。
【請求項４】
前記円弧状弾性体は第１の球体及び第２の球体を含み、上記第１の球体の直径が上記第２の球体の直径より大きいことを特徴とする請求項１に記載のフイルム。
【請求項５】
前記樹脂層が前記第１の球体の直径より大きい所定の厚さを有し、前記樹脂層の表面と前記第１及び第２の球体との間に距離があることを特徴とする請求項４に記載のフイルム。
【請求項６】
前記第２の球体の数が、すべての円弧状弾性体の数の２０％未満とすることを特徴とする請求項５に記載のフイルム。
【請求項７】
前記第１及び第２の球体は、円球体或いは楕球体のいずれか一つであることを特徴とする請求項６に記載のフイルム。
【請求項８】
前記第１の球体は、円球体及び楕球体を含むことを特徴とする請求項６に記載のフイルム。
【請求項９】
前記円弧状弾性体が、耐熱性材料により形成されることを特徴とする請求項３に記載のフイルム。
【請求項１０】
前記円弧状弾性体及び樹脂層が、非導電材料により形成されることを特徴とする請求項１に記載のフイルム。
【請求項１１】
前記円弧状弾性体が、全て同じ大きさの円球体であることを特徴とする請求項１に記載のフイルム。
【請求項１２】
第一の温度を越えると粘性がある半溶融状態になり、第二の温度より下がると粘性がない固態になる半硬化樹脂により形成され、複数個の円弧状弾性体が配置された固体の樹脂層と、基材との結合により構成されるフイルムをチップの粘着材料とするチップパッケージの製造方法であって、
表面及び上記表面と反対側の裏面を有し、前記表面に複数個のパッドが形成されている半導体ウェハを提供する工程と；
前記フイルムを前記半導体ウェハの裏面に粘着させる工程と；
前記半導体ウェハを切断分離し、裏面に前記フイルムが貼り付いている複数のチップを形成する工程と；
前記複数のチップの一つを第一のチップとし、上記第一のチップの裏面に貼り付いているフイルムの基材を剥離する工程と；
前記第一のチップをその裏面の樹脂層により、キャリアに粘着させる工程と；
を備え、前記円弧状弾性体により前記第一のチップと前記キャリアとの間に必要なスペースを確保することを特徴とするチップパッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記半導体ウェハを提供する工程において、前記半導体ウェハを所定の厚さに研磨させる工程をさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載のチップパッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記フイルムを半導体ウェハの裏面に粘着させる工程において、前記フイルムを前記半導体ウェハの裏面に粘着させるために第一の温度以上に加熱する工程、また、前記第一のチップを前記キャリアに粘着させる工程の前に、前記フイルムを第一の温度以上に加熱する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載のチップパッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記キャリアは、基板、リードフレーム、及び第二のチップのいずれか一つであることを特徴とする請求項１２に記載のチップパッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記円弧状弾性体は第１の球体及び第２の球体を含み、上記第１の球体の直径が上記第２の球体の直径より大きく、また前記第１の球体が前記第一のチップと前記キャリアとの間に必要なスペースを確保するための所定の直径があることを特徴とする請求項１２に記載のチップパッケージの製造方法。
【請求項１７】
前記キャリアは、基板、リードフレーム、及び第二のチップのいずれか一つであることを特徴とする請求項１６に記載のチップパッケージの製造方法。
【請求項１８】
前記第一のチップとキャリアとの間の必要なスペースは、ボンディングワイヤ及び受動素子のために提供されることを特徴とする請求項１７に記載のチップパッケージの製造方法。
【請求項１９】
前記第１及び第２の球体は、円球体或いは楕球体のいずれか一つであることを特徴とする請求項１６に記載のチップパッケージの製造方法。
【請求項２０】
前記第１の球体は、円球体及び楕球体を含むことを特徴とする請求項１６に記載のチップパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フイルムに関し、特に、チップパッケージの製造方法に使用されるフイルムに関する。
【０００２】
本願発明は、ここに引用して本明細書に組み込む出願日２００６年１１月９日の台湾出願第０９５１４１５０２号における全開示内容に係り優先権主張するものである。
【背景技術】
【０００３】
既存の積層チップパッケージによれば、図１に示すように、そのチップパッケージは、基板１０、下部チップ２０、ダミーチップ３０及び上部チップ４０を含んでいる。下部チップ２０は、粘着材２２により基板１０上に実装されており、下部チップ２０の上部表面の両端には複数のアルミニウムパッド２４が設けられ、それらのパッドは複数の第１のボンディングワイヤ２６を介して基板１０に設けられた複数のパッド１２に電気的に接続される。ダミーチップ３０は、粘着材により下部チップ２０上に実装され、例えば０．１２７ｍｍ（５ミル）などの高さ（Ｈ）を越えるような第１のボンディングワイヤ２６に必要なスペースを確保している。上部チップ４０は、粘着材４２によりダミーチップ３０上に実装されており、上部チップ４０の上面４８には複数個のアルミニウムパッド４４が設けられ、それらのパッドは複数個の第２のボンディングワイヤ４６を介して基板１０のパッド１２に電気的に接続され、かくして２個のチップ２０、４０は基板１０上に積み重ねられる。しかしながら、この既存のチップパッケージでは、高い製造コストを要するばかりか、比較的長い実装時間を必要とする。更に、ダミーチップと粘着材との膨張係数の間に不整合があると、封止工程後にダミーチップと粘着材間における接合部分に発生する応力に起因するチップクラックも生じ、チップパッケージの製造歩留が減少する。チップパッケージの歩留は一般に３０％から４０％の範囲内である。
【０００４】
従来技術による他の積層チップパッケージによれば、図２に示すように、そのチップパッケージは、基板１１０と、第１のチップ１２０と、非導電性粘着材１３０と、第２のチップ１４０と、複数個の支持ボール１３２とを備える。第１のチップ１２０は、上部表面及びこの上部表面と反対側の下部表面を有し、その下部表面は基板１１０に実装される。非導電性粘着材１３０は、第１のチップ１２０の上部表面に配置される。第２のチップ１４０は、上部表面とこの上部表面と反対側の下部表面を有し、この下部表面は非導電性粘着材１３０により第１のチップ１２０の上部表面上に実装される。支持ボール１３２は、第２のチップ１４０を支持するために上記非導電性粘着材１３０内に配置される。この既存のチップパッケージでは、非導電性粘着材１３０とチップとの間の接着領域を増加することにより、封止工程後における応力集中を緩和させると共にチップクラックの発生を回避し、ボンディングワイヤに必要なスペースを支持ボール１３２により確保できる。しかしながら、上記非導電性粘着材１３０は、ダイアタッチする度にチップの表面にいちいち塗布される必要があるため、実装時間が長くなる。さらに、上記非導電性粘着材１３０が液状であるため、この液状の非導電性粘着材１３０がチップの表面に塗布される際に、その使用量をコントロールし難く、その結果、該非導電性粘着材１３０上に実装される第２のチップ１４０の傾斜を生じる可能性がある。
【０００５】
また、「マルチチップ積層パッケージの製造方法」と題する台湾特許公告番号Ｉ２４０３９２号には、従来技術による他の積層チップパッケージが開示されている。そのパッケージの製造方法は、ウェハの裏面に半硬化樹脂を形成した後、ウェハをカットして複数個の第一のチップに形成する。裏面に半硬化樹脂が形成されていたこの複数個の第一のチップを基板上或いは第二のチップの表面に実装させる。第一のチップが、複数個のボンディングワイヤを介して、基板に接続される。第一のチップと第二のチップとを積層して粘着する際に、それらの間にある半硬化樹脂が加熱されて溶融状態になり、前記ボンディングワイヤを包む。これによって、所定のパッケージの厚さに、より多いチップを積層できる。この半硬化樹脂によって、粘着材がダイアタッチする度にチップの表面にいちいち塗布する必要がなく、実装時間を短縮できる。しかしながら、この半硬化樹脂が加熱されると溶融状態になるため、ダイアタッチするときの応力が大きすぎる場合、前記第一のチップと基板或いは第二のチップとの間の高さを維持できないという問題を生じ、第一のチップをボンディングワイヤに接触させることがあり、製造歩留の低下を招く。
【０００６】
従って、上記問題を解消することを可能とする積層チップパッケージの必要性が生じている。
【特許文献１】台湾特許公告番号Ｉ２４０３９２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、フイルムとチップとの間に適切な接着領域を含み、それによって封止処理後における応力集中を緩和させると共にチップクラックの発生を回避できるフイルムとそのフイルムを使用するチップパッケージの製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、フイルム内に配置され、ボンディングワイヤ或いはコンポーネントに必要なスペースを確保するためのチップを支持する複数個の円弧状弾性体を備えるフイルムとそのフイルムを使用するチップパッケージの製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、一枚のフイルムをウェハの裏面に粘着することにより、粘着材がダイアタッチする度にいちいちチップに塗布されることなく、実装時間を短縮できるフイルムとそのフイルムを使用するチップパッケージの製造方法を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、所定の体積及び高さがあるフイルムを使うことにより、ダイアタッチする度に、その高さを制御し難い問題を回避すると共に、パッケージの製造歩留を向上できるフイルムとそのフイルムを使用するチップパッケージの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明では、取り外し可能な基材と、半硬化樹脂により形成され、第一の温度を越えると粘性がある半溶融状態になり、第二の温度より下がると粘性がない固態になる前記基材に設けられる固体の樹脂層と、前記樹脂層内に配置される複数個の円弧状弾性体とを備えることを特徴とするフイルムを提供することにある。
【００１２】
本発明では、第一の温度を越えると粘性がある半溶融状態になり、第二の温度より下がると粘性がない固態になる半硬化樹脂により形成され、複数個の円弧状弾性体が配置されている固体の樹脂層と基材との結合により構成されるフイルムをチップの粘着材料とするチップパッケージの製造方法であって、表面及び上記表面と反対側の裏面を有し、前記表面に複数個のパッドが形成されている半導体ウェハを提供する工程と；前記フイルムを前記半導体ウェハの裏面に粘着させる工程と；前記半導体ウェハを切断分離し、裏面に前記フイルムが貼り付いている複数個のチップを形成する工程と；前記複数個のチップの一つを第一のチップとし、上記第一のチップの裏面に貼り付いているフイルムの基材を剥離する工程と；前記第一のチップを裏面の樹脂層により、キャリアに粘着させる工程とを備え、前記円弧状弾性体により前記第一のチップと前記キャリアとの間に必要なスペースを確保することを特徴とするチップパッケージの製造方法を提供することにある。
【発明の効果】
【００１３】
上述したように、図１に示している従来の積層チップパッケージでは、チップクラック及び長い実装時間という問題があり、図２に示しているチップパッケージでは、非導電性粘着材の使用量をコントロールし難く、第二のチップの実装が傾斜するという問題がある。図１及び図２の積層チップパッケージと比較して、本発明に係るフイルム（図３ａ〜３ｂ）を使用するチップパッケージの製造方法では、フイルムの中に複数個の円弧状弾性体を配置することによりチップを支持し、コンポーネント及びボンディングワイヤに必要なスペースを確保でき、かつ実装時間が短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
この発明のその他の目的、特徴および利点は、添付図面に関連して行われる以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１５】
図３ａに示すように、本発明に係る第一の実施例によるフイルム３が示されている。フイルム３は、取り外し可能な基材３２と、樹脂層３４と、樹脂層３４内に配置される複数個の円弧状弾性体３６とを備える。フイルム３は、チップの粘着材料として半導体チップパッケージの製造方法に使用される。基材３２は、ＢＴ基板(BT substrate)またはテープとすることができる。基材３２がＢＴ基板である場合、エポキシ樹脂により樹脂層３４と結合することができる。基材３２がテープである場合、例えば弾性テープ、ＵＶテープ或いはブルーテープ(blue tape)とすることができ、それを直接に樹脂層３４に結合させることができる。基材３２には、複数個の円弧状弾性体３６を配置された固体の樹脂層３４が結合されている。基材３２は、チップパッケージ作業に適用するため、少なくとも８５℃を耐えることが必要である。
【００１６】
樹脂層３４は半硬化樹脂により形成されることができ、例えばエポキシ樹脂(epoxy resin)とフェノール樹脂(phenol resin)とをミキシングして構成される樹脂である。樹脂層３４は、常温(４５℃以下)下で粘性がない固態であり、高温（８５℃以上）になると粘性がある半溶融状態になることが好ましい。円弧状弾性体３６は、例えばゴムなどの耐熱性材料により形成されることが好ましい。円弧状弾性体３６は、直径の小さい第２の球体３６１と直径の大きい第１の球体３６２とを含み、第２の球体３６１が第１の球体３６２を分離するために用いられる。また、第２の球体３６１の数は、すべての円弧状弾性体の数の２０％未満とすることが好ましい。また、第２の球体３６１の形状は、円球体に限定されるものではなく、どんな形状でもできる、例えば楕球体。第１の球体３６２は、半導体チップパッケージに使用され、ボンディングワイヤまたは受動素子に必要なスペースを確保し、その直径は例えば０．０７６２〜０．２０３２ｍｍ（３〜８ミル(１ミル＝２５．４マイクロメートル)）にすることが好ましい。本実施例によれば、樹脂層３４の厚さが第１の球体３６２の直径より大きいことが必要で、好ましくは４〜１０マイクロメートル程度の差である。これによって、円弧状弾性体３６と樹脂層３４の表面との間に距離があり、そして円弧状弾性体３６が受熱して半溶融状態になった樹脂層３４の中に自由に移動することができ、一様に再配列される。樹脂層３４及び円弧状弾性体３６は、非導電材料により形成されることが好ましい。
【００１７】
図３ｂに示すように、本発明に係る第二の実施例によるフイルム３’が示されている。第二の実施例について、第一の実施例と似ているユニットは同じ番号で表示されることを先ずここで説明する。この実施例と第一の実施例との差は、円弧状弾性体３６は第２の球体３６１と第１の球体３６２とを含むだけでなく、さらに複数個の楕円体３６３を含むことである。楕円体３６３の長軸の長さは、第１の球体３６２の直径と同じにすることが好ましい、これに係る詳細な理由は以下の段落に説明する。樹脂層３４の厚さは第１の球体３６２の直径より、例えば、４マイクロメートル〜１０マイクロメートル大きいことが好ましい。また、円弧状弾性体３６は耐熱性材料(例えば、ゴム)により形成され、樹脂層３４及び円弧状弾性体３６は非導電材料により形成される。
【００１８】
図３ｃに示すように、本発明に係る第三の実施例によるフイルム３’’が示されている。第三の実施例について、第一の実施例と似ているユニットは同じ番号で表示されることを先ずここで説明する。この実施例と第一及び第二の実施例との差は、円弧状弾性体３６が全て同じ直径の球体（例えば第一及び第二の実施例に係る第１の球体３６２）となっていることである。フイルム３’’はチップパッケージの製造方法に使用され、ボンディングワイヤまたは受動素子に必要なスペースを確保する。そのために、球体の直径が少なくとも０．０７６２〜０．２０３２ｍｍ（３〜８ミル）にすることが好ましい。ここで、樹脂層３４の厚さは円弧状弾性体３６の直径より４〜１０マイクロメートル大きいことが好ましい。円弧状弾性体３６は耐熱性材料(例えば、ゴム)により形成され、また樹脂層３４及び円弧状弾性体３６は非導電材料により形成されることが好ましい。
【００１９】
図４，５ａ〜５ｆ及び６ａ〜６ｂに示すように、本発明の各実施例のフイルム３、３’及び３’’を使用するチップパッケージの製造方法に係るフローチャート及びその概略断面図が示されている。ここで、各実施例によるフイルム３、３’及び３’’はチップの粘着材料として使用されている。チップパッケージの製造方法は、表面及び上記表面と反対側の裏面を有し、前記表面に複数個のパッドが形成さている半導体ウェハを提供する工程（工程２０１）と；フイルムを前記半導体ウェハの裏面に粘着させる工程（工程２０２）と；前記半導体ウェハを切断分離して、裏面に前記フイルムが貼り付いている複数個のチップを形成する工程（工程２０３）と；前記複数個のチップの一つを第一のチップとし、上記第一のチップの裏面に貼り付いているフイルムの基材を剥離する工程（工程２０４）と；前記第一のチップを、その裏面の樹脂層によって、キャリアに粘着させる（工程２０５）とを備え、前記円弧状弾性体によって、前記第一のチップと前記キャリアとの間に必要なスペースを確保する。さらに、前記チップを前記キャリアに電気的に接続する工程(工程２０６)と、封止材によって気密封止する工程（工程２０７）とを備える。また、以下の説明に、似ているユニットは同じ番号で表示されている。
【００２０】
図４及び５ａに示すように、本発明に係るチップパッケージの製造方法によれば、先ず、表面４２ａ及び上記表面と反対側の裏面４２ｂを有する半導体ウェハ４２が提供されており、表面４２ａには複数個のパッド４２１が形成されている（工程２０１）。次に、半導体ウェハ４２が、前記表面４２ａによってウェハキャリア４４上に置く。研磨ツール９０で半導体ウェハ４２の裏面４２bを研磨して、所定の厚さ（例えば通常、０．０２５４ｍｍ（１ミル））までバックグラインド加工を施す。
【００２１】
図４及び５ｂに示すように、前記半導体ウェハ４２が所定の厚さまで研磨された後、本発明に係るフイルム３’を半導体ウェハ４２の裏面４２ｂに貼り付ける工程を行う（工程２０２）。ここで注意したいことは、図５ａ〜５ｆの説明には本発明の第二の実施例のフイルム３’にて説明するが、本発明の第一の実施例のフイルム３及び第三の実施例のフイルム３’’を使用するチップパッケージの製造方法は、この後の説明と類似するので、それに関する詳細な説明はここで省略される。前述したように、前記フイルム３’は常温（４５℃以下）下で固態であるため、半導体ウェハ４２の裏面４２ｂに貼り付けようとする前に、加熱工程で半溶融状態になる高温(８５℃まで)まで、例えばキュアリングオーブン(curing oven)（図示せず）にて加熱する。しかしながら、フイルム３’が過反応しないように、短期間で加熱することが好ましい。この加熱時間は、フイルム３’が半溶融状態になり半導体ウェハ４２に仮粘着できる時間（例えば２秒間）に制御される。
【００２２】
図４及び５ｃに示すように、次にブレード９２で前記半導体ウェハ４２を切断分離して、複数個のチップを形成する。複数個のチップの一つを例えば第一のチップ４２２とし、この複数個のチップ（第一のチップ４２２が含まれる）の裏面には、分割されたフイルム３’が貼り付いていて、それぞれのチップの表面に複数のパッド４２１が設けられている（工程２０３）。ここで、第一のチップ４２２はダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）、スタティク・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）、フラッシュ・メモリ（ＦＬＡＳＨ）、ダブルデータレート・メモリ（ＤＤＲ）、ランバス・メモリ等のメモリチップ、マイクロプロセッサ、論理チップまたはラジオチップとすることができる。
【００２３】
図４及び５ｄに示すように、前記フイルム３’に結合している基材３２が、前記第一のチップ４２２をキャリアに実装する前に、剥離される必要がある（工程２０４）。前記基材３２が紫外線テープである場合、紫外線ＵＶで基材３２を露光したら剥離できる。一方、基材３２が弾性テープ、ブルーテープ或いはＢＴ基板である場合、それを直接に剥離できる。次に、吸着設備９４で第一のチップ４２２を所定のキャリア５２に配置させる。
【００２４】
図５ｅに示すように、次に前記第一のチップ４２２を前記樹脂層３４によってキャリア５２に実装させる（工程２０５）。本発明に係る各実施例において、キャリア５２は基板、リードフレーム、或いはチップ（例えば第二のチップ）とすることができる。第一のチップ４２２を前記樹脂層３４によってキャリア５２に実装するために、短期間の高温（例えば８５℃以上に２秒間）で第一のチップ４２２を加熱する必要がある。これによって、第一のチップ４２２をキャリア５２に仮固定できる。キャリア５２が基板である場合、本発明の第二の実施例に係るフイルム３’を第一のチップ４２２の粘着材料とすることが好ましい。すなわち、前記円弧状弾性体３６は、直径の大きい第１の球体３６２と、直径の小さい第２の球体３６１と、楕円体３６３に分類され、また第１の球体３６２及び楕円体３６３は、第２の球体３６１により分離されている。樹脂層３４を前記キャリア５２に粘着しようとする場合、樹脂層３４は加熱されて半溶融状態になったので、その中にある第１の球体３６２及び楕円体３６３が自由に移動でき、キャリア５２に実装されていたコンポーネント５２２（例えば受動素子）をかわすことができ、第１の球体３６２によって、コンポーネント５２２に必要なスペースを確保できる。また、前記楕円体３６３がコンポーネント５２２の上方にある場合、その表面が円弧状であるため、回転により方向が変わり、図５ｅに示すように、前記第一のチップ４２２を前記キャリア５２に平らに実装することができる。これによって、ダイアタッチするときの応力が大きくても、前記第１の球体３６２によって、第一のチップ４２２を平らに実装することができる。次いで、複数個の第一のボンディングワイヤ５２４を介して、第一のチップ４２２のパッド４２１をキャリア５２に電気的に接続する（工程２０６）。
【００２５】
図５ｆに示すように、最後に封止材６０によって、第一のチップ４２２及び第一のボンディングワイヤ５２４を封止し、そしてキュアリングオーブン（図示せず）に入れて、より長い期間の高温（例えば８５℃以上に１２０秒間）で加熱する。これによって、前記キャリア５２に仮固定していた樹脂層３４が完全に反応され、キャリア５２と完全に粘着する。このとき、本発明に係るチップパッケージの製造方法が完了する（工程２０７）。
【００２６】
図６ａに示すように、次に前記キャリア５２がチップ（例えば第二のチップ）である場合を説明する。第二のチップには、通常、複数の第二のボンディングワイヤ５２６が設けられており、またこの第二のチップが基板或いはリードフレームに実装されている。この場合、本発明に係る第一の実施例のフイルム３を第一のチップ４２２の粘着材料とすることができる。すなわち、前記円弧状弾性体３６は、複数個の直径の大きい第１の球体３６２と、直径の小さい第２の球体３６１を含み、また第１の球体３６２は、第２の球体３６１により分離されている。樹脂層３４が前記キャリア５２に粘着しようとする場合、樹脂層３４は加熱されて半溶融状態になったので、その中にある第１の球体３６２は自由に移動でき、キャリア５２にボンディングされていた第二のボンディングワイヤ５２６をかわすことができ、それと同時に、第１の球体３６２によって第二のボンディングワイヤ５２６に必要なスペースを確保できる。これによって、ダイアタッチするときの応力が大きくても、前記第１の球体３６２によって第一のチップ４２２を平らに実装することができる。次いで、複数個の第一のボンディングワイヤ５２４を介して、第一のチップ４２２のパッド４２１を基板或いはリードフレームに電気的に接続する（工程２０６）。また、前記キャリア５２がチップである場合、本発明に係る第二の実施例のフイルム３’或いは第三の実施例のフイルム３’’を前記第一のチップ４２２の粘着材料とすることも可能である。
【００２７】
図６ｂに示すように、封止材６０によって第一のチップ４２２と、第一のボンディングワイヤ５２４と、キャリア５２と、第二のボンディングワイヤ５２６とを封止し、そしてキュアリングオーブン（図示せず）に入れて、より長い期間の高温（例えば８５℃以上に１２０秒間）で加熱する。これによって、前記キャリア５２に仮固定していた樹脂層３４が完全に反応されてキャリア５２と完全に粘着する。このとき、本発明係るチップパッケージの製造方法が完了する（工程２０７）。
【００２８】
本発明において、第１の球体は、円球体であり、或いは円球体及び楕球体に分類される。第２の球体は、第１の球体を分離させるために設置されるため、第２の球体の形状は、特定の形状に限定されるものではない。
【００２９】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】従来の積層チップパッケージを示す概略断面図である。
【図２】従来の他の積層チップパッケージを示す概略断面図である。
【図３ａ】本発明に係るフイルムの第１の実施例を示す概略断面図である。
【図３ｂ】本発明に係るフイルムの第２の実施例を示す概略断面図である。
【図３ｃ】本発明に係るフイルムの第３の実施例を示す概略断面図である。
【図４】本発明の実施例に係るフイルムを使用するチップパッケージの製造方法を示すフローチャートである。
【図５ａ】本発明の実施例に係るフイルムを使用するチップパッケージの製造方法を示す概略断面図であって、そこにキャリアは基板である。
【図５ｂ】本発明の実施例に係るフイルムを使用するチップパッケージの製造方法を示す概略断面図であって、そこにキャリアは基板である。
【図５ｃ】本発明の実施例に係るフイルムを使用するチップパッケージの製造方法を示す概略断面図であって、そこにキャリアは基板である。
【図５ｄ】本発明の実施例に係るフイルムを使用するチップパッケージの製造方法を示す概略断面図であって、そこにキャリアは基板である。
【図５ｅ】本発明の実施例に係るフイルムを使用するチップパッケージの製造方法を示す概略断面図であって、そこにキャリアは基板である。
【図５ｆ】本発明の実施例に係るフイルムを使用するチップパッケージの製造方法を示す概略断面図であって、そこにキャリアは基板である。
【図６ａ】本発明の実施例に係るフイルムを使用するチップパッケージの製造方法を示す概略断面図であって、そこにキャリアはチップである。
【図６ｂ】本発明の実施例に係るフイルムを使用するチップパッケージの製造方法を示す概略断面図であって、そこにキャリアはチップである。
【符号の説明】
【００３１】
１０、１１０  基板
１２、４２１  パッド
２０  下部チップ
２２、４２  粘着材
２４、４４  アルミニウムパッド
２６、５２４  第一のボンディングワイヤ
３０  ダミーチップ
４０  上部チップ
４６、５２６  第二のボンディングワイヤ
４８  上部表面
１２０、４２２  第一のチップ
１３０  非導電性粘着材
１３２  支持ボール
１４０  第二のチップ
３、３’、３’’  フイルム
３２  基材
３４  樹脂層
３６  円弧状弾性体
３６１  第２の球体
３６２  第１の球体
３６３  楕円体
４２  半導体ウェハ
４２ａ  表面
４２ｂ  裏面
４４  ウェハキャリア
５２  キャリア
５２２  コンポーネント
６０  封止材
ＵＶ  紫外線
９０  研磨ツール
９２  ブレード
９４  吸着設備
２０１〜２０７  工程
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図５ｄ】
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【図５ｅ】
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【図５ｆ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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