(57)【要約】【課題】複数の処理室でのウエハ処理にぽいて、ウエハ面内の不均一を良くすることができ、処理の効率や歩留まりを向上させた真空処理装置を提供する。【解決手段】減圧された内部に配置された処理対象の基板状の試料を処理可能な処理室を備えた複数の真空容器と、前記試料が複数収納可能なカセットが載置されるカセット台と、前記試料を前記カセットから一つの前記処理容器内の処理室に所定の経路に沿って搬送しこれら処理室で処理された試料を前記カセットに戻す少なくとも１つの搬送装置と、前記カセット台と前記複数の真空容器との間の前記経路上に配置され内部で前記試料を予め定められた位置に位置合わせする位置合せ装置とを備えた真空処理装置であって、前記位置合せ装置が、前記試料に施される処理に応じて異なる位置に前記試料を位置合わせする。【選択図】図１
2008124191.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧された内部に配置された処理対象の基板状の試料を処理可能な処理室を備えた複数の真空容器と、前記試料が複数収納可能なカセットが載置されるカセット台と、前記試料を前記カセットから一つの前記処理容器内の処理室に所定の経路に沿って搬送しこれら処理室で処理された試料を前記カセットに戻す少なくとも１つの搬送装置と、前記カセット台と前記複数の真空容器との間の前記経路上に配置され内部で前記試料を予め定められた位置に位置合わせする位置合せ装置とを備えた真空処理装置であって、
前記位置合せ装置が、前記試料に施される処理に応じて異なる位置に前記試料を位置合わせする真空処理装置。
【請求項２】
減圧された内部に配置された処理対象の基板状の試料を処理可能な処理室を備えた複数の真空容器と、前記試料が複数収納可能なカセットが載置されるカセット台と、前記試料を前記カセットから一つの前記処理容器内の処理室に所定の経路に沿って搬送しこれら処理室で処理された試料を前記カセットに戻す少なくとも１つの搬送装置と、前記カセット台と前記複数の真空容器との間の前記経路上に配置され内部で前記試料を予め定められた位置に位置合わせする位置合せ装置とを備えた真空処理装置であって、
前記位置合せ装置が、前記試料に処理を施す前記処理室に応じて異なる位置に前記試料を位置合わせする真空処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の真空処理装置であって、
前記位置合わせ装置が前記試料に施される前記処理の特性に応じて定まる異なる方向に前記前記試料を位置合わせする真空処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載の真空処理装置であって、
前記試料が略円板形状を有し、前記位置合わせ装置が前記試料の中心及びこの中心周りの前記試料の周縁部に配置された所定の形状の位置を予め定めた箇所で前記搬送手段がこの位置合わせ装置から取り出し可能に保持する真空処理装置。
【請求項５】
平面形状が略多角形を有し減圧された内部を処理対象の略円板状の試料が搬送される搬送容器と、この搬送容器の前記多角形の隣り合う側壁に連結され減圧された内部に搬送された前記試料を処理可能な処理室を備えた複数の処理装置と、これら処理装置内の前記処理室に配置され前記試料がその上面に載置される試料台と、前記試料が複数収納可能なカセットが載置されるカセット台と、前記試料を前記カセットから一つの前記処理容器内の処理室に所定の経路に沿って搬送しこれら処理室で処理された試料を前記カセットに戻す少なくとも１つの搬送装置とを備えた真空処理装置であって、
前記隣り合う複数の処理装置が前記多角形の頂点部に関して対象に配置されたものであって、
それぞれの前記試料台が前記試料が載置される上面において、前記試料の周縁の所定の箇所に予め配置された特定の形状に合わせて形成され前記所定の箇所が載せられる特定形状部を有して、各々の前記処理室内において前記特定形状部がこの処理室内の所定の方向に対する配置が等しくされた真空処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の真空処理装置であって、
前記試料の周縁に予め配置された切り欠き部の形状に合わせて形成され略円形の前記試料の載置面の外周に配置された切り欠き部を備えた真空処理装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の真空処理装置であって、
前記カセット台と前記複数の真空容器との間の前記経路上に配置され内部で前記試料を予め定められた位置に位置合わせする位置合せ装置とを備えて、この位置合せ装置が前記特定形状部上に合わせて前記試料の周縁部の前記所定の箇所を位置合わせする真空処理装置。
【請求項８】
請求項５乃至７の何れかに記載の真空処理装置であって、
各々の前記処理室内において前記特定形状部がこの処理室下部に配置され排気のための開口の方向に対する配置位置が等しくされた真空処理装置。
【請求項９】
請求項５乃至８の何れかに記載の真空処理装置であって、
各々の前記処理室内において前記特定形状部がこの処理室内の処理の特性から定まる所定の方向に対する配置が等しくされた真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体処理装置の処理室等の間で、半導体被処理基板（以下、「ウエハ」という。）を移動させることに関し、更に詳細には、ウエハの切り欠き（以下、「ノッチ」）という。）位置を制御する装置および方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置あるいはスパッタリング装置などの真空処理装置においては、定められた１つまたは複数枚の被処理基板を一つの単位（一般にロットとよばれる）として処理基板収納装置に収納して装置に投入し、処理済みの基板も同一の単位毎に処理基板収納装置に収容して回収することにより、生産の効率化を図るのが一般的な真空処理装置である。
【０００３】
このような真空処理装置を用いて半導体ウエハを処理して製造される高集積回路等の半導体デバイスは、その動作速度を増加するために回路の構造は長さは益々小さく幅は益々狭くなっており、このような回路を形成するために、半導体処理装置には更に高い処理の精度が要求されている。特に、回路の配線や絶縁層を形成するために上表面の膜層にエッチングを行うエッチング処理装置では、素子の最も小さな幅である臨界寸法（critical  dimensions)を精度良く形成して、素子の製造の歩留まりを高くすることが必要とされる。
【０００４】
上記のような真空処理装置、特にドライエッチング装置では、真空処理容器内の処理室内に試料を配置して、この処理室内に形成したプラズマを用いて半導体ウエハの表面を処理する。このエッチングが行われる半導体ウエハの表面には、基板となるシリコンの表面に配置された処理対象の材料層と、この上方に配置されたフォトレジスト等のパターン化したマスクとを有し、マスクに覆われていない部分の材料層の表面がプラズマによる物理、化学反応を行ってエッチングが進行し、マスクされた部分はエッチングされずに残り、配線や絶縁構造としての溝や穴が形成される。
このようなマスクの寸法が下方の処理される材料層に形成される回路構造は、前処理であるリソグラフィー処理がウエハ処理の元になっている。
【０００５】
また、真空処理というのは、ウエハ中心、即ち、ノッチに対してある特定の方向性があり、これを修正するために、ホトグラフィーのレシピ等を微調整している。ウエハ処理においては、ウエハの向きがとても重要になり、このウエハ向きを制御しないと結果的には、処理特性が悪くなる。そして、真空処理において、処理特性にばらつきが出る原因としては、排気方向（ガス流れ）やソース高周波の入力方向とウエハの向きの相対位置が異なっていることが解っている。
【０００６】
そこで、マスクの回路構造は、ウエハのノッチを基準に形成されているので、次工程であるエッチング処理においても、大気搬装送装置内の位置合せ装置にて、全ウエハのノッチ位置合わせを精度良く実施後に各処理室にてエッチング処理されてきた。このような機能を備えた真空処理装置の一例として、特許文献１に開示された装置などがあげられる。
【特許文献１】特開平１０−８９９０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来技術は、ウエハのノッチ位置合わせを精度良く実施しても、各処理でのエッチング処理の結果において、以下の問題点があった。
（１）各処理容器の形状あるいは配置によって、ウエハのノッチ位置との相関位置関係が異なるために、ウエハ面内のウエハ処理特性が各処理室間で異なるという問題が発生していた。即ち、ウエハ処理において、精度良く安定して行って処理の効率や歩留まりを向上させるための構成については、十分に考慮されていなかった。
【０００８】
本発明の目的は、複数の処理室でのウエハ処理において、ウエハ面内の不均一を良くすることができ、処理の効率や歩留まりを向上させた真空処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的は、減圧された内部に配置された処理対象の基板状の試料を処理可能な処理室を備えた複数の真空容器と、前記試料が複数収納可能なカセットが載置されるカセット台と、前記試料を前記カセットから一つの前記処理容器内の処理室に所定の経路に沿って搬送しこれら処理室で処理された試料を前記カセットに戻す少なくとも１つの搬送装置と、前記カセット台と前記複数の真空容器との間の前記経路上に配置され内部で前記試料を予め定められた位置に位置合わせする位置合せ装置とを備えた真空処理装置であって、前記位置合せ装置が、前記試料に施される処理に応じて異なる位置に前記試料を位置合わせする真空処理装置により達成される。
【００１０】
また、減圧された内部に配置された処理対象の基板状の試料を処理可能な処理室を備えた複数の真空容器と、前記試料が複数収納可能なカセットが載置されるカセット台と、前記試料を前記カセットから一つの前記処理容器内の処理室に所定の経路に沿って搬送しこれら処理室で処理された試料を前記カセットに戻す少なくとも１つの搬送装置と、前記カセット台と前記複数の真空容器との間の前記経路上に配置され内部で前記試料を予め定められた位置に位置合わせする位置合せ装置とを備えた真空処理装置であって、前記位置合せ装置が、前記試料に処理を施す前記処理室に応じて異なる位置に前記試料を位置合わせする真空処理装置により達成される。
【００１１】
さらに、前記位置合わせ装置が前記試料に施される前記処理の特性に応じて定まる異なる方向に前記前記試料を位置合わせすることにより達成される。さらにまた、前記試料が略円板形状を有し、前記位置合わせ装置が前記試料の中心及びこの中心周りの前記試料の周縁部に配置された所定の形状の位置を予め定めた箇所で前記搬送手段がこの位置合わせ装置から取り出し可能に保持することにより達成される。
【００１２】
また、上記目的は、平面形状が略多角形を有し減圧された内部を処理対象の略円板状の試料が搬送される搬送容器と、この搬送容器の前記多角形の隣り合う側壁に連結され減圧された内部に搬送された前記試料を処理可能な処理室を備えた複数の処理装置と、これら処理装置内の前記処理室に配置され前記試料がその上面に載置される試料台と、前記試料が複数収納可能なカセットが載置されるカセット台と、前記試料を前記カセットから一つの前記処理容器内の処理室に所定の経路に沿って搬送しこれら処理室で処理された試料を前記カセットに戻す少なくとも１つの搬送装置と、を備えた真空処理装置であって、前記隣り合う複数の処理装置が前記多角形の頂点部に関して対称に配置されたものであって、それぞれの前記試料台が前記試料が載置される上面において、前記試料の周縁の所定の箇所に予め配置された特定の形状に合わせて形成され前記所定の箇所が載せられる特定形状部を有して、各々の前記処理室内において前記特定形状部がこの処理室内の所定の方向に対する配置が等しくされた真空処理装置により達成される。
【００１３】
さらに、前記試料の周縁に予め配置された切り欠き部の形状に合わせて形成され略円形の前記試料の載置面の外周に配置された切り欠き部を備えたことにより達成される。さらにまた、前記カセット台と前記複数の真空容器との間の前記経路上に配置され内部で前記試料を予め定められた位置に位置合わせする位置合せ装置とを備えて、この位置合せ装置が前記特定形状部上に合わせて前記試料の周縁部の前記所定の箇所を位置合わせすることにより達成される。
さらにまた、各々の前記処理室内において前記特定形状部がこの処理室下部に配置され排気のための開口の方向に対する配置位置が等しくされたことにより達成される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、高精度の製品処理ができる、即ち、高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理装置及び真空処理方法を提供することができるという効果が有る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
上記の通り、本発明は、内部で試料を処理する処理室を有する処理容器複数が取り付けられた真空搬送容器と大気搬送容器及び複数のカセットと、試料のノッチ位置を任意の複数の位置で検出する位置合せ装置を所定の位置に備え、試料を処理室で処理される前において位置合せ装置にていずれか任意の複数位置で測定されるように構成した真空処理装置、あるいは真空処理方法である。以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
本発明の実施例１を図１乃至４を用いて説明する。図１は、本発明の実施例に係る真空処理装置の全体の構成を示す上面図である。本図において、本実施例の真空処理装置１００は、大きく前後２つのブロックに分けられる。図１の下側の真空処理装置１００本体の前方側の部分は、装置に供給されたウエハが大気圧下で減圧されるチャンバへ搬送されて処理室へ供給される大気側ブロック１５１である。また、図１の大気側ブロック１５１の上方側である真空処理装置１００本体の後方（奥）側は、処理対象の半導体ウエハ等の基板上の試料を真空下で処理するための処理用ブロックである真空側ブロック１５２である。
【００１７】
大気側ブロック１５１は、内部に大気搬送ロボット１０８を備えた筐体１０９を有し、さらに、処理用またはクリーニング用のウエハが収納されているウエハカセット或いはクリーニング等に用いられるダミーウエハが格納されたダミーカセットがその上に載置されて筐体１０９と接続される複数のカセット台１０５を筐体１０９前面に備えている。また、筐体１０９の背面には、真空側ブロック１５２の前端部を構成する複数のロード／アンロード容器が接続されている。
【００１８】
大気搬送ロボット１０８はカセット台１０５上に載せられたカセットとロード／アンロード容器との間でカセット内のウエハを搬入あるいは搬出する作業を行う。また、大気側ブロック１５１はその筐体１０９の左側の側壁上に位置合せ装置２００を備えており、この位置合せ装置２００内がカセットから搬送される略円形状のウエハを所定の位置にする位置合わせ動作を行う。
【００１９】
真空側ブロック１５２は、内部が減圧される真空容器の内部にウエハが処理される処理室が配置された処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４と、減圧下の内部をウエハが搬送される真空搬送ユニットとを備えている。真空搬送ユニットは、その上方から見た平面形状が略多角形（本実施例では略六角形）に構成され内部の真空搬送室にウエハを搬送するための真空搬送ロボット１１５が配置された真空搬送容器１１０と、この真空搬送容器１１０と大気側ブロック１５１とを接続し大気側ブロック１５１と処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４との間で搬入または搬出されるウエハが通過する複数のロード／アンロード容器を備えている。これらの容器あるいはユニットは、内部が減圧されて高い真空度の圧力に維持可能なユニットであり、真空側ブロックは真空処理用のブロックである。
【００２０】
また、本実施例における真空側ブロック１５２の処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４は、真空搬送容器１１０の前記略六角形の隣接した辺を構成する側壁面に隣り合って並列するよう着脱可能に取り付けられている。本実施例では、これらの処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４はカセットから真空側ブロック１５２に搬送されるウエハが内部に配置された処理室内に搬送されこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理されるプラズマ処理ユニットであり、各処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４は、内部の処理室が密封されて高い真空度に減圧されこれが維持されつつウエハが処理される空間になる真空容器を備えている。
【００２１】
すなわち、これらの処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４の真空容器は、、所定の圧力（真空圧）に減圧される内部の空間である処理室内にウエハ等試料が載置される試料台１２１，１２２，１２３，１２４を有し、処理室内に処理用のガスを供給しつつ電界または磁界の供給手段から電界または磁界を印加して処理室の試料台上方の空間にプラズマを形成し、試料の表面を処理する真空容器となっている。
【００２２】
処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４のうち、後方に位置する２つの処理ユニット１０２，１０３は、真空容器内部の処理室においてウエハをエッチング処理するエッチング処理ユニットである。これらの処理ユニット１０２，１０３の真空容器の上部は、プラズマが内部に形成される処理室の放電部となっており、この放電部の外周側及び上側には、プラズマを形成するに必要な磁界を供給するための電磁コイル及びその上方に配置されプラズマを形成するための電界を供給する電波源を含む電磁波源１１８，１１９が配置されている。これら電磁波源１１８，１１９を保守、点検したり真空容器内を大気開放して処理室内部を保守、点検したりするには、これらを上方に移動させる必要がある。
【００２３】
このため本実施例では、処理ユニット１０２，１０３の真空容器の側面に取り付けられて上記電磁波源１１８，１１９を上下に移動させるリフター、クレーン等の起重装置１１６，１１７が備えられている。これらの起重装置１１６，１１７により、真空容器内部を開放して使用者が容易に保守・点検作業を行うことができる。
【００２４】
さらに、処理ユニット１０１，１０４は、処理ユニット１０２，１０３等で行われたエッチング処理後のウエハの表面のマスクを灰化処理するためのアッシング処理ユニットとなっている。これら処理ユニット１０１，１０４の各真空容器上方にも、図示していないが、その内部の処理室内にプラズマを形成するために必要な電界を供給する電波源が配置されている。これら処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４は、成膜やスパッタリングを実行するための処理ユニットであっても良い。
【００２５】
さらに、各処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４の真空容器の下方には、後述の通り、内部に配置された処理室内を減圧するための排気手段である真空ポンプが配置されている。さらに、真空容器およびこれに連結された真空ポンプをその上方で支持する支持台である臥台１１１，１１２，１１３，１１４とこの臥台１１１，１１２，１１３，１１４上に配置されて、これら臥台と真空容器との間を連結して真空容器を支持する複数の支持柱を備え、各処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４が、真空処理装置１００が設置される床面上に固定し保持してされている。
【００２６】
真空側ブロック１５２の前端部を構成する複数のロード／アンロード容器には、各々、図示しない真空排気装置が接続されて、それぞれがその内部にウエハが載置された状態で、この内部が高度な真空の状態と大気圧との状態とで圧力を維持可能に構成された空間であるロック室１０６，１０７を有している。図上その前後端部に配置された図示しないゲートバルブにより、大気側ブロック１５１あるいは筐体１０９および真空搬送室との間が連通可能に開閉される。このようにロック室１０６，１０７は、カセットが連結される大気搬送室１０９と真空側ブロックとの間でのウエハの取り出しや受け渡しのための開閉機構であるとともに、可変圧インタフェースとして機能する。
【００２７】
本実施例では、これらのロック室１０６，１０７は、それぞれ同等の機能を有しており、いずれか一方が真空から大気圧および大気圧から真空への圧力変化のいずれかのみを実施するものではないが、求められる仕様により一方を何れかに限定して使用しても良い。本実施例では、両用されることから単にロック室１０６，１０７と呼ぶ。
【００２８】
このような構成において、本実施例の真空処理装置１００では、大気側ブロック１５１のカセット戴置台１０５に戴置されたカセットと真空側ブロック１５２の処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４の何れかとの間でウエハをやりとりする。真空処理装置１００に取り付けられた各部センサや、大気搬送ロボット１０８、位置合わせ装置２００、ロック室１０６，１０７、真空搬送ロボット１１５、各処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４等は、主制御装置１２０と連結されて、この主制御装置１２０に検知した結果を送信し指令を受信して、その動作が調節される。上記ウエハのやりとりや各処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４での処理等の動作は、主制御部１２０からの指令に応じて調節される。
【００２９】
また、本実施例のような真空処理装置１００は、半導体ウエハを処理して半導体デバイスを製造する製造ラインに設置される。このような場合、製造の効率を向上するため、同様の処理を行う複数の処理装置の一つとして他の装置とともに同じ建屋の一つのラインに沿って並べられ、各装置はこのラインに沿って搬送される半導体ウエハを収納したカセットを授受する。本実施例の真空処理装置１００では筐体１０９の前面が搬送ラインに面する部位であり、カセット台１０５上で搬送されるカセットを授受する構成となっている。このような半導体製造ラインでは、高いクリーン度を要するため、ライン全体が一つのクリーンルーム内に設置される。
【００３０】
各装置の建屋の床面の占有面積が大きくなると、クリーンルーム等の建屋内に設置できる装置数が低減され、半導体装置の製造の効率が低下してしまう。一方、これを抑制しようとして各装置間の距離を小さくすると、装置周囲で作業者が行う作業のための空間が小さくなってしまい、保守や点検の効率が低下してしまう。
【００３１】
例えば、本実施例の真空処理装置１００では、各処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４でウエハの処理が行われ、処理された枚数が多くなるにつれて、各々の処理に伴って生成され処理室内に付着し堆積する反応生成物等の付着物の量も増大し、ついには付着物が剥がれて処理対象のウエハ上に付着して異物としてウエハを汚染してしまうことになる。このため、各処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４は、予め定められた枚数のウエハを処理したり、所定値以上の付着物の堆積が検知されたりすると真空容器の内部を大気開放し、部品上の付着物の除去や部品を交換する等のメンテナンスが一般に行われている。このようなメンテナンスでは、真空容器内を大気圧にして真空容器を開放し、作業者が処理室内部に手をいれて作業する。このため、真空処理装置１００の周囲には、作業者が作業を行うためのスペースが必要となる。
【００３２】
しかし、上記のように作業用のスペースを小さくしてしまうと、処理室内の部品の取り付け、取り外しや交換に支障を来したり、余分な部品の取り外しを要したり等、作業効率が低下してしまい、装置の稼働効率が低下して半導体装置の製造コストを増大させることに繋がってしまう。これを抑制し上記製造の効率を向上するには、ラインに設置される各処理装置の占有面積を小さくする、あるいは、搬送ラインに沿う方向についての装置の長さを小さくすることが求められる。
【００３３】
本実施例では、起重装置１１６，１１７それぞれが、処理ユニット１０２，１０３の真空容器側面に取り付けられている。その側面は、それぞれが隣接する真空容器の側と反対となる真空容器の側方の面に取り付けられている。つまり、各々隣接するアッシング処理ユニットである処理ユニット１０１，１０４に面する側面上に起重装置１１６，１１７が取り付けられている。これにより、電磁波源１１８，１１９を上方に移動した後、装置の外側へ（図上左右外方向へ）回転させ移動することで、処理ユニット１０２，１０３同士の間やこれら後方側において作業者が立ってこれら処理ユニット１０２，１０３に作業を行う空間をより広く確保することができ、作業の効率が向上する。また、処理ユニット１０２，１０３の真空容器を構成する上部部材が真空容器の真空搬送容器１１０側に取り付けられたヒンジにより真空搬送容器１１０側に跳ね上げて回転して真空容器内が開放される場合には、処理ユニット１０２，１０３同士の間のスペースを作業用として作業者が２つの真空容器についてこのスペースで並行して作業を行うことができ作業の効率が向上する。
【００３４】
さらに、本実施例の真空処理装置１００は、筐体１０９の前面が搬送ラインの方向に略並行に配置され、真空側ブロック１５２がその前面に垂直な奥行き方向である図面の上下方向の面について左右対称に配置されている。つまり、筐体１０９後方において、真空搬送容器１１０は上方から見た平面形が略線対称の六角形状であり、対称線に重なる建屋の床面に略垂直な仮想の平面（上下方向に広がる平面）の両側において、真空搬送容器１１０の側面に取り付けられる処理ユニット１０２，１０３及び処理ユニット１０１，１０４は、真空容器の形状、処理室内の形状、部品の配置や電磁波源１１８，１１９の形状や向き等を含め対称に配置されている。また、ロード／アンロード容器も同様である。
【００３５】
これら対称に配置された各ユニットや容器を有する真空側ブロック１５２の占有面積を低減する、或いは搬送ライン方向の幅を小さくするために、真空処理装置１００では、処理ユニット１０２，１０３の真空容器同士を近接させ、これらが連結された真空搬送容器１１０の側壁同士がなす角度が鈍角となるように構成している。さらに、真空搬送容器１１０内の真空搬送室内で回転する真空搬送ロボット１１５の回転の中心と処理ユニット１０２，１０３各々の試料台１２２，１２３上面に載せられた状態でのウエハ中心に相当する位置とを結ぶ線がなす角度θが鋭角をなすように構成されている。
【００３６】
本実施例の大気搬送ロボット１０８は、カセット戴置台１０５に戴置されたカセット内に収納されたウエハを取り出して、筐体１０９内の大気搬送室に運び、次いで、筐体１０９の左側面に配置された位置合わせ装置２００に搬入する。ウエハは、位置合わせ装置２００によりセンタリング及びノッチ合わせ等の位置合わせを行った後、再び、大気搬送ロボット１０８により、ロック室１０６または１０７に搬入される。
【００３７】
ロック室１０６または１０７に搬入されたウエハは、その内側に配置された試料台上に載置される。内部が密封されて減圧された後、試料台内に配置された複数のピン形状のプッシャーに持ち上げられた状態で真空搬送容器１１０側のゲートを開放して真空搬送ロボット１１５のアーム先端部に配置されたハンドがウエハ下方に移動する。プッシャーが下方に移動することで、ハンド上へウエハの受渡しが行われ、プッシャーは下方の試料台内に再度格納される。ウエハの受渡しが完了すると真空ロボット１１１のアームが縮み、ハンド上に載せられたウエハが真空搬送容器１１０内の真空搬送室内に運び込まれる。
【００３８】
真空搬送室内では、ハンド上にウエハを載せてアームを短縮した状態で真空搬送ロボット１１５がその中心の回転軸周りに回転して、処理室１０１，１０２，１０３，１０４の方向に向きが変更される。目標の処理ユニットへの搬送に適した位置に向きを変えた後、アームが伸張されて先端のハンド上のウエハが目標の処理室内へ移動される。処理室内に移送されたウエハは処理室内で保持されてエッチング等の処理が施される。
【００３９】
例えば、目標の処理ユニットが１０２の場合、真空搬送ロボット１１５は、図１のハンド上のウエハの中心位置がこの真空搬送ロボット１１５の回転軸から試料台１２２上面の試料載置面上に載せられるウエハの中心の予定位置に向かう位置からアームが伸張されて、試料台１２２上面に載置される。試料台１２２は、ロードロック室１０６または１０７と同様に、試料台１２２内部に配置され上下に移動してウエハを上下に昇降させる複数のプッシャーピンを備えており、ウエハが試料台１２２の載置面上方に移動した状態で、これらプッシャーピンが上方に移動して、上方に位置するウエハをハンド上方に持ち上げてハンドから載せ変える。アームの短縮によりハンドを試料台１２２上方から移動させた後、プッシャーピンを試料台１２２内に下降させてウエハの試料台１２２との受渡しが行われる。
【００４０】
アームが真空搬送室内へ移動して処理室を閉塞した後、ウエハが試料台１２２の載置面を構成する誘電体製の吸着膜内に配置された電極に電力を供給してウエハを載置面上に静電吸着して保持する。その後、処理室内に処理用ガスが導入されると共に、真空ポンプの動作により排気されて所定の圧力（真空圧）に調節され、ウエハ載置面の表面とウエハ裏面との間には、Ｈｅ等の熱伝達用のガスが導入されて、ウエハと試料台との間の熱伝達が調節されてウエハの表面の温度が所望の範囲に調節される。
【００４１】
この状態で、電磁波源１１８から処理室内のウエハ上方の空間に供給された電界及び磁界により処理用ガスがプラズマ化され、このプラズマを用いてウエハ表面がエッチング処理される。所定のエッチング処理の終了が検出されると、処理用ガスの供給が停止されてプラズマを消失させ、さらに静電吸着力が低減された後、プッシャーピンが上昇してウエハがウエハ載置面から上方に持ち上げられる。処理室を密封しているゲートバルブが開放された後、真空搬送ロボット１１１のアームが伸張されて先端側のハンドがウエハの下方に移動される。プッシャーピンの下降によりウエハがハンド上に載せられてアームに受け渡された後搬出され、処理前とは逆に大気側ブロックの元のカセットの元の位置に戻される。
【００４２】
上記のような真空処理装置１００の動作において、各部の動作は主制御装置１２０からの指令により調節される。この主制御装置１２０は、真空処理装置１００各部の動作を制御する制御装置と指令を授受可能に接続されるか、またはこれと一体となっていても良く、また、真空処理装置１００が設置される製造のラインの動作を調節する制御装置と通信可能に構成されてこの制御装置からの指令に基づいて真空処理装置１００の動作を調節する指令信号を発信するように構成しても良い。
【００４３】
図２は、図１に示す真空処理装置の大気側ブロック部の構成の概略の拡大図である。この図に示すように、筐体１０９の前面には、搬送されるカセット２０６が載せられる３つの載置台１０５が配置され、背面にはロード／アンロード容器が取り付けられ、対応するロック室１０６，１０７と大気搬送室とが連通可能に構成されている。左側の側面には、位置合わせ装置２００が取り付けられている。この位置合わせ装置２００は、カセット台１０５に載せられたカセット２０６内から取り出されて載せられたウエハ１３０を軸周りに回転させるとともに、ウエハ１３０の周縁部の特定の箇所に予め形成されて配置されたノッチや切り欠き、孔といった特定の形状部分と円板状のウエハ１３０の中心との相対的な位置、つまり、特定の箇所の中心周りの角度位置を判定するための基準箇所を検出可能な測定装置を備えており、搬送されるウエハ１３０の基準箇所を少なくとも２つの任意の位置で検出して停止させ、測定装置に対する基準箇所を２つの位置となるように位置合わせすることができる。
【００４４】
本実施例の位置合わせ装置２００では、ウエハ１３０の周方向について２箇所に配置された光学測定手段２０１，２０２を用いてウエハ１３０に形成されたノッチ１３１の位置を測定し２つの任意の位置でウエハ１３０を位置合わせすることができる。また、本実施例の真空処理装置１００は、大気側ブロックの位置合わせ装置２００以外に、処理対象のウエハ１３０の基準箇所の位置を検出あるいは調節する手段を備えていない。つまり、カセット２０６から処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４の何れかまでの処理前の搬送経路上でウエハ１３０の位置合わせをする手段は、位置合わせ装置２００のみである。
【００４５】
位置合わせが終了したウエハは、再度大気搬送ロボット１０８により、位置合わせ装置２００から搬出されて、ロック室１０６，１０７の何れかに搬入される。搬入されたウエハは、上記のように、ロック室１０６または１０７の内部の試料台に載せられた後、減圧された状態で真空搬送ロボット１１５により目標の処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４のいずれかに搬送される。これらの真空処理装置１００の動作も、上記の通り、主制御装置１２０からの指令により調節される。
【００４６】
例えば、主制御装置１２０は、カセット台１０５の上のカセット２０６またはカセット２０６と接続される筐体１０９の部位に配置されたセンサ（図示せず）からの出力を受けて、カセット２０６に記録された処理対象のウエハ１３０に対応する処理の条件や処理の順序、処理を行う処理室等の処理に関する情報を検出し、この検出結果に応じて、大気搬送ロボット１０８、位置合わせ装置２００やロック室１０６,１０７の動作を調節して、目標の処理ユニットにおける処理に適合するように位置合わせした処理対象のウエハ１３０を大気側ブロック１５１から真空側ブロック１５２に搬送する。
【００４７】
さらに、主制御装置１２０は、真空側ブロック１５２において、ロック室１０６または１０７の減圧が終了したことを検出した後、真空搬送ロボット１１５に指令を発信して動作を調節して、ウエハ１３０を目標の箇所に搬入させる。主制御装置１２０は、各処理室のいずれか（例えば、処理ユニット１０３の処理室）にウエハ１３０が搬送され、所定の基準箇所（ノッチ１３１）の位置で試料台１２３に配置されたセンサ（図示せず）からの出力により検出すると、指令信号を対象の処理室に発信して閉塞した処理室内でウエハ１３０の処理を行う。この処理の条件も主制御装置１２０からの指令により調節される。
【００４８】
さらに、ウエハ１３０の処理の終了を検出した後、ウエハ１３０を搬入の経路とは逆方向に搬出してロック室１０６，１０７の何れかに搬送させる。この後、大気搬送ロボット１０８に指令を発信して、大気側ブロック１５１に運ばれたウエハ１３０を、カセットの元の位置に収納させる。なお、処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４内の試料台１２１，１２２，１２３，１２４は略円筒形状を有してウエハが載せられるその上面に略円形状の誘電体製の膜からなる載置面を備えている。さらに、この載置面には前記切り欠きや孔等の特定の形状に合わせてその形状が形成されてこのウエハの特定の形状の箇所がその上に載せられる箇所を備えている。例えば、ウエハが載せられた際に、外周縁の切り欠きの形状が載置面の外周部と合致するように略相似の切り欠き形状の部分が配置される。
【００４９】
図３及び図４を用いて、本実施例における処理の動作の流れを説明する。図３は、図１に示す真空処理装置が行うウエハの搬送の処理の流れを示す平面図である。図４は、図１に示す実施例に係る真空処理装置の動作の流れを示すフローチャートである。
【００５０】
これらの図において、本実施例の真空処理装置１００のウエハの処理は、大気側ブロック１５１内のカセット載置台１０５上に、少なくとも１つのカセット２０６に収納された複数のウエハが処理対象の一纏まりの試料として載置された（ステップ４０１）状態で、主制御装置１２０が使用者または通信手段を介してクリーンルーム内のライン制御用コンピュータ等の他の制御装置から発信された処理の指令を受信してから開始される（ステップ４０２)。
【００５１】
この指令を受信した後主制御装置１２０が、この指令内容に応じて対応するカセット２０６のうちの特定の１つに収納されたウエハのうちの一つを処理対象のウエハ１３０として設定し、大気搬送ロボット１０８にこのウエハ１３０を収納されたカセット２０６から搬出して位置合わせ装置２００に搬入するように指令を送信する。この指令を受けた大気搬送ロボット１０８は、このウエハ１３０をカセット２０６から取り出して搬送し位置合わせ装置２００内の所定の位置に載せる（ステップ４０３、図３矢印３０２）。
【００５２】
また、位置合わせ装置２００上に載せられたウエハ１３０は、その中心の位置及び中心位置周りのウエハ上の特定の箇所の位置が設定、調節されるが、本実施例では、このよう特定箇所の位置は次のように設定される。すなわち、主制御装置１２０が処理対象の特定のウエハ１３０を設定すると、主制御装置１２０は、このウエハ１３０の処理の情報を、通信手段を介して入手する（ステップ４０４）。このような処理の情報は、例えば、カセット２０６或いはウエハ１３０本体に記録されたものを、筐体１０９のカセット載置台１０５やその近傍に取り付けられた読み取り装置により検出し、筐体１０９の内部や位置合わせ装置２００の内部に配置された読み取り装置により検出しても良い。或いは、真空処理装置１００と通信可能に配置された記憶装置を備えたデータベース４２５から通信手段を介して入手しても良い。
【００５３】
この処理の情報には、少なくとも、処理を行う処理ユニット及びこの内部の処理室の情報を含み、膜の種類や厚さ、加工形状等の処理対象や処理にかける時間や圧力、ガスの種類、バイアス電力の値といった処理の条件と処理の特性とを含んでいても良い。この処理の特性には、所定の処理対象を所定の条件で処理した際に得られる指定された処理ユニットの処理室内のプラズマやガス、生成物の分布、ウエハの表面の処理速度やＣＤ等の形状の分布が含まれる。また、所定の処理を施すウエハの枚数の情報も含まれて良い。
【００５４】
主制御装置１２０は得られた処理の情報に基づいて、ウエハ１３０の目標となる処理を行う処理ユニットの処理室内での位置、搬送、処理の動作の内容や手順を演算し選択する。この際、通信可能に設置されたデータベース内の情報や真空処理装置１００に設置されたセンサから得られた各処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４の動作の状態やメンテナンス開始までの処理可能なウエハ枚数、等の装置の情報を用いて、処理の動作、手順が選択される。また、この処理の条件の情報には、位置合わせ装置２００におけるウエハの位置の情報が含まれていても良い。
【００５５】
例えば、処理対象のウエハ１３０のエッチング処理を行う場合、得られたエッチング処理の条件に関する情報に基づいてこれを行うに適切な処理ユニットを、処理ユニット１０２，１０３の中から選択して設定する。処理対象のウエハに行う処理が灰化処理の場合は処理ユニット１０１，１０４から選択される。この選択の際に、何れかの処理ユニット内で行われている処理の情報から、ウエハ１３０の処理を終えて次のウエハの処理を行えるまでの時間が最短にできる、つまりスループットが最大となる処理ユニットが選択される。
【００５６】
この処理ユニットとして、例えば、処理ユニット１０３が選択された場合、主制御装置１２０は処理ユニット１０３においてウエハ１３０に得られた処理条件による処理を行う場合の処理の特性の情報を入手する。処理の特性の情報は、処理の条件に含まれていても良く、真空処理装置１００と通信可能に配置された記憶装置に記憶、格納された情報を主制御装置１２０が通信手段を介し受信しても良い。この情報を得た主制御装置１２０は、処理対象のウエハ１３０の処理の手順や処理の条件といった、所謂処理のレシピを選択する。
【００５７】
主制御装置１２０が、得られた処理の特性の情報に基づいて処理対象のウエハ１３０の基準箇所の位置を演算あるいは処理に関する情報に含まれるデータから選択して設定する。
さらに、位置合わせ装置２００による基準箇所の位置へのウエハ１３０の位置合わせの動作（のパターン）の指令を位置合わせ装置２００に発信する（ステップ４０５）。なお、本実施例において、このような主制御装置１２０による処理の情報の入手及びウエハ１３０の基準箇所の位置の設定、位置合わせ装置２００への指令の発信は、ステップ４０２処理の指令の受信から位置合わせ装置２００上でのウエハ１３０の位置合わせまでの間に行われる。
【００５８】
本実施例において、平面形が略六角形状の真空搬送容器１１０の側壁の隣り合う面同士に並設された処理ユニット１０２，１０３の構成は、真空搬送容器１１０の中心を前後方向に通る鉛直な面について略対称に配置されている。このため、これらの処理ユニットの各々において、処理対象の基板状の試料であるウエハに関する処理の特性は異なるものとなっている。
【００５９】
例えば、本実施例では、処理ユニット１０２，１０３は各々が外側から見て略直方体形状の真空容器を有し、これらの内部に略円筒形状の処理室を備え、さらに、各々の処理室の円筒の中心と軸を合わせた同心状に配置されその上面にウエハを載置する略円形の面を備えた略円筒形状の試料台１２２，１２３を備えている。
【００６０】
また、上述の通り、処理ユニット１０２，１０３下部の真空容器下方には、各処理室と連通して処理室内を排気する真空ポンプを備え、処理室からの排気口であって真空ポンプの入口の開口１３２，１３３が処理室下方に配置される。本実施例では、これらの開口１３２，１３３は各々試料台１２２，１２３の中心軸（処理室の中心軸）からは略水平方向について距離を開けて、ずれた位置に配置されている。
【００６１】
このため、処理室内からの排気は試料台外周の処理室内空間を下降して開口１３２，１３３方向に曲がるように移動する。この影響を受けて、試料台１２２，１２３上方の処理室内のプラズマや反応性生物、ガスの成分等の密度の分布は、前記中心軸について対称なものとならず、開口１３２，１３３に影響される特定の方向に偏りをもったものとなることが判っている。この方向は、例えば、上方から見て試料台１２２，１２３の中心軸と略円形の開口１３２，１３３の中心とを結ぶ線の方向とほぼ一致する。
【００６２】
このような処理の特性を表す特定の方向に対して、処理対象のウエハも所定の方向を備えている。この方向は、例えば、シリコン基板を有する半導体ウエハでは、その半導体デバイスの製造を容易に行う理由から定められるシリコンの結晶の方向であり、処理ユニット１０２，１０３で行われるエッチング処理の前段階の複数の処理を連動して精度、歩留まりを良くして行うために定められる処理の方向性の基準となる方向である。従来より、ウエハの所定の各処理を行う装置毎でこの方向を精度良く検出できるように、ウエハの外周側には予め定められた形状の切り欠き（ノッチ、オリエンテーション・フラップ）が配置されている。
【００６３】
以上の通り、この切り欠きとウエハの中心とを結ぶ線と前記処理の特性を示す方向を表す線とがなす角度は、前者に係る方向が処理の精度や歩留まりに大きく影響を与えるものであることから、同一の処理を施すウエハの間で均一であることが望ましいことが判る。しかしながら、上記の通り、本実施例の構成では、処理ユニット１０２，１０３では、その装置の構成が前後の軸について対称に配置されていることから、処理の特性を示す方向を表す線も対称の配置となる。
【００６４】
このため、同一と見なせる仕様のウエハ表面の膜に対して同一の処理を行うことのできる処理ユニット１０２，１０３の両者の処理の結果は、前記特定のウエハの方向に対する処理の特性の方向を考慮せずにウエハを配置した場合には、処理の結果の差異を大きくしてしまう虞が有る。これらの処理の結果の形状の差異が大きくなること、すなわち処理の精度の低下はひいては処理の歩留まりを低下させてしまい、処理の効率を損なってしまう。
【００６５】
このため、近年では処理の精度を向上させるため、同一の処理を施す複数の処理室、処理ユニット間でより均一な加工結果を得ること、このために両者の処理の特性を考慮したウエハの載置を行うことが求められていた。
さらには、処理の特性は、上記排気装置のみでなく、プラズマ形成のための電界または磁界の供給装置、試料台の形状、あるいは、処理室の内表面を構成する部材の配置の差異等の装置構成の差により影響を受けるのみでなく、両者で実施される処理の条件の差異によっても変動が生じる。例えば、同一の仕様のウエハに同一の処理を異なる処理室で行おうとする場合でも、処理室毎に異なる微小な仕様や構造上の相違から、電界の強度や周波数値、ガス圧力、ガスの流量といった処理の条件も処理室毎に異なることが一般的である。
【００６６】
すなわち、処理ユニットに応じて、処理の条件や特性が異なることになり、これらの処理の条件の差異に応じて、任意の方向に対する前記ウエハの特定の方向を調節することで、処理の結果を均一にすることが可能となる。上記のことから、本実施例では、ステップ４０４，４０５等で主制御装置１２０が入手する処理の情報には、処理を行う搬送目標となる処理室と、これに応じて定められるウエハの切り欠きと中心とを結ぶ線の処理室内の処理の特性に関する特定の方向に対する角度を含む。あるいはこれから定まる位置合わせ装置２００で位置合わせされる方向の値を含み、さらに、処理の条件や上記特性に係る方向を含むものであっても良い。
【００６７】
本実施例の真空処理装置１００は、このような処理の情報に基づいて、処理対象のウエハ１３０を位置合わせ装置２００内で、前記中心の位置および切り欠きの位置を所定の値に調節する。例えば、主制御装置１２０は処理の情報に基づいてウエハ１３０を処理ユニット１０３内で処理する場合、その切り欠きと中心とを結ぶ線と処理の特性を示す線、例えば、試料台１２３の中心と開口１３３の中心とを結ぶ線との角度を、処理ユニット１０２における角度αとなるように調節する。
【００６８】
図３に示すように、位置合わせ装置２００での位置合わせ後に処理ユニット１０２において試料台１２２上に載せられたウエハ１３０の切り欠き−ウエハ中心との間を結ぶ線と試料台１２２−真空搬送ロボット１１５の回転中心とを結ぶ線とのなす角度がβであり、さらにウエハ１３０の切り欠きとウエハ中心との間を結ぶ線と処理の特性に係る方向を示す線とのなす角度がαである場合、処理ユニット１０２と同じ位置合わせ装置の位置合わせ動作後に処理ユニット１０３に搬送されたウエハ１３０の配置は、ウエハ１３０の切り欠き−ウエハ中心との間を結ぶ線と試料台１２２−真空搬送ロボット１１５の回転中心とを結ぶ線とのなす角度もβとなって、ウエハ１３０の切り欠き−ウエハ中心との間を結ぶ線と処理ユニット１０３の処理の特性の方向とのなす角度は処理ユニット１０２のようにαとはならない。
【００６９】
処理ユニット１０２でウエハ１３０に施される処理の結果と同じものを得るために、本実施例の処理ユニット１０３に搬送されるウエハ１３０の切り欠きは、これとウエハ１３０中心とを結ぶ線がウエハ１３０（試料台１２３）中心と開口１３３中心とを結ぶ線とのなす角度がαとなる位置に配置される。本実施例の真空処理装置１００では、ロック室１０６または１０７および真空搬送ロボット１１５を介して搬送される所定の搬送経路と処理ユニット１０３内の処理室内試料台１３３上のウエハ１３０の前記位置とを考慮して、処理ユニット１０３で処理される予定のウエハ１３０に対する位置合わせ装置２００の動作による位置合わせの角度が設定される。
【００７０】
ステップ４０３において位置合わせ装置２００に搬入されたウエハ１３０は、受信した主制御装置１２０から指令に基づいてウエハ１３０に備えられた基準の箇所、例えば、ウエハ１３０の外周縁に形成された切り欠き（ノッチ）１３１の位置が光学的測定装置２０１または２０２により検出される。このような切り欠きは、半導体デバイス製造のためのウエハの処理の各段階でウエハ面上の形状を合わせるために配置される。まず、ウエハ１３０は位置合わせ装置２００の載置台に載せられた状態で載置台の中心軸周りに回転され、光学的測定装置２０１によりノッチ１３１の位置が検出される（ステップ４０６）。中心周りに回転して移動するノッチ１３１が直下方に位置する状態で、その位置をウエハ１３０の位置設定の基準の位置（位置検出の原点）としてウエハ１３０の回転を停止する（ステップ４０７）。
【００７１】
次に、上記原点から処理の情報に基づいて得られた所定の角度θ１の値だけウエハ１３０を上記中心周りに回転させて停止する（ステップ４０８）。この角度θ１は、処理ユニット１０３の処理室における処理の特性によって定まる角度である。この角度θ１は、例えば、各処理ユニット１０２，１０３内部の処理室内の試料台１２２，１２３上の試料載置面の中心から処理室内を排気するために配置された真空ポンプ１３２，１３３等の排気装置と試料台１２２，１２３との相対的な配置に影響される処理の特性を示すパラメータである。その値は、上記試料台１２２，１２３の載置面の中止から真空ポンプ１３２，１３３入口の中心に向かう方向と真空搬送ロボット１１５の回転の中心から試料台１２２，１２３の上記載置面の中心へ向かう方向とのなす角度により表すことができる。
【００７２】
位置合わせ装置２００に搬送されたウエハ１３０は、そのウエハがこれから処理される処理室内の条件により、それぞれの所定の切り欠きの位置が上記光学的測定装置２０１により測定される。本実施例では、測定された結果は、通信手段を介して主制御装置１２０に送信されて、この主制御装置１２０内に配置された図示しない演算器を含む検出装置によって、各ウエハの切り欠きの位置が検出される。（ステップ４０９）この際、ノッチ（切り欠き）位置を補正するための演算が行われ（ステップ４１０）、ステップ４０７とステップ４０９との出力から２つのノッチ位置の距離が許容される値の範囲内か否かが判定される（ステップ４１１）。許容値を越えていた場合には、ステップ４２７へ進み位置ずれエラーとして報知した後、エラーモードとして真空処理装置１００の動作を停止する（ステップ４２８）。
【００７３】
主制御装置１２０では、後述のように、検出した処理前におけるウエハの所定のノッチ位置の測定データを、主制御装置１２０内の図示しない記憶装置内に記憶しておくと共に、この主制御装置１２０と通信可能に接続された記憶装置内に記憶されたデータベース４２５の情報として記憶する。さらに、主制御装置１２０は、ウエハの処理前の各ウエハＮＯと各処理室ＮＯとを処理用レシピとを関連づけて記録されたデータベース４２５上の情報等を用いて、この処理前のウエハを処理室で処理する際の条件、手順等のレシピを選択或いは決定する。
【００７４】
次に、ウエハ１３０の位置合わせ装置２００でのノッチ位置が許容される誤差の範囲内であると判定されると位置合わせが終了し、ウエハ１３０がロードロック室１０６,１０７のいずれかに、大気側ロボット１０８により搬送される（ステップ４１２）。この際、位置合わせ装置２００での測定が終了すると、ウエハがその内部に配置された状態で、搬送先としてロードロック室１０６,１０７のいずれかが選択される。本実施例では、２つのロック室１０６，１０７は各々、真空側ブロック１５２へのウエハ１３０のロード（搬入）及びこれからのアンロード（搬出）の動作の何れかのみを行うように調節されている。例えば、ロック室１０６はロードのために用いられる。このため、ロック室１０６の動作状態が確認され、動作中である場合には、位置合わせ装置２００の内部で待機させる。
【００７５】
ロード用のロック室１０６が動作していないかウエハが内部に配置されていないと判断されると、位置合わせ装置２００から、ロック室１０６にウエハ１３０が搬送される（ステップ４１２、図３矢印３０３）。なお、本実施例は、位置合わせ装置２００から、処理前であってその所定のノッチ位置合わせが終了したウエハを、ロック室１０６,１０７のいずれにも搬送可能に構成されている。
【００７６】
ウエハ１３０を搬送中に、主制御装置１２０は目標となる処理ユニット１０３の処理室の状態、動作の条件（例えば、メンテナンス開始までの処理回数、付着物の堆積量、試料台の温度等）を検知し、その状態がウエハ１３０を処理可能な条件を満たしているかを判定する（ステップ４１３）。処理可能であると判定された場合には、ステップ４１４に進み、ロック室１０６内にウエハ１３０を搬入して、内部に配置された試料台上に載置する。処理ユニット１０３が処理可能な動作の条件を満たしていないと判定された場合には、ステップ４２７に進み、戻りモードに移行してウエハ１３０を位置合わせ装置２００に戻す動作を行う（ステップ４２７）。
【００７７】
ウエハ１３０がロック室１０６に搬送された後、ロック室の気密に密閉されたその内部では所定の圧力まで減圧される（ステップ４１４）。減圧中または減圧後にステップ４１３と同様に、目標の処理ユニット１０３内の処理室の動作状態を検知して、処理を実施可能な条件を満たしているかが判定される（ステップ４１５）。動作条件を満たさない場合には、真空処理装置１００は、ステップ４２７に進みウエハ１３０の戻しモードの動作を行う。
【００７８】
処理ユニット１０３が処理可能であることが検出されると、ロック室１０６内部と真空搬送容器１１０の内部の真空搬送室とを連通する通路を開閉するゲートバルブ（図示せず）を開放したのち、選択された処理ユニット１０３内の処理室へ向けてウエハ１３０が真空搬送ロボット１１５により搬出される（ステップ４１６）。この場合においても、本実施例の真空搬送ロボット１１５は、各ロック室１０６,１０７および処理ユニット１０１等との何れにも、何れの間でもウエハ１３０を搬送可能である。
【００７９】
ウエハ１３０の真空容器内の搬送を行う真空搬送ロボット１１５は、本実施例では、真空搬送容器１１０内に配置された略鉛直方向の回転軸を有して、その周囲に配置された各処理ユニットに対し、前記回転軸周りに回転して複数（２つ）のアームの何れかの上に載せたウエハを処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４またはロック室１０６，１０７間で搬送する（図３矢印３０４，３０５，３０６，３０７，３０８）。本実施例の真空搬送ロボット１１５は、２つの前記回転軸に対し径方向に伸縮可能な２つロボットアーム先端に各々ウエハを載置して搬送可能であり、例えば、一方のアーム上に処理前のウエハを載せた状態で、任意の処理ユニットの処理の終了を待機し、処理後に他方のウエハをこの処理ユニットから取り出した後に一方のウエハを処理ユニットに搬入して取り換えることが可能となっている。
【００８０】
真空搬送ロボット１１５の一方のアーム上にウエハ１３０を載せて搬送中に、主制御装置１２０は、ステップ４１３，４１５と同様に、目標の処理ユニット１０３の動作条件を検知して、処理可能か否かを判定する（ステップ４１７）。処理可能と判定されると主制御装置１２０は、ステップ４１８において最終的なウエハ１３０の処理の条件（レシピ）を、上記データベース４２５や図３に示す製造ラインを制御するホストコンピュータ３０１等から入手する（ステップ４１８）。この処理の条件の項目は、上記ステップ４０４，４０５またはこれ以後に入手した処理の条件と同等である。
【００８１】
真空処理装置１００は、ウエハ１３０が指定された目標の処理ユニット１０３内の試料台１２２上の載置面に載せられた後、入手した処理のレシピに基づいてウエハ１３０の処理を行う（ステップ４１９）。主制御装置１２０は、処理ユニット１０３が処理可能であると判定されない場合には、ステップ４２７の戻しモードの動作を真空搬送装置１００に行わせる。
【００８２】
処理が終了したことが検出されると、真空搬送ロボット１１５によりウエハ１３０が処理ユニット１０３から搬出用（アンロード用）のロック室１０７へ搬送される（ステップ４２０）。この内部の試料台上に載置された後、ウエハ１３０を真空側ブロック１５２へ搬入した際と逆の動作で、ウエハ１３０をカセット１０５へ戻す動作を行う。すなわち、ゲートバルブを閉塞してアンロードロック室１０７内部が密封後に大気圧まで昇圧され（ステップ４２１）、大気側ブロック１５１側のゲートバルブが開放されウエハ１３０が大気搬送ロボット１０８により搬出されて元のカセット１０５の元の位置に戻される（ステップ４２２、図３矢印３０９）。
【００８３】
主制御装置１２０は、さらに、未処理のウエハの有無を検出し、処理を行うべきウエハがカセット１０５内に有る場合には、ステップ４０２に戻り、再度のウエハの処理の動作を真空処理装置１００に指令する。処理すべきウエハが無いと判定された場合には、ステップ４２４へ進み更なる搬送を停止させ、進行している他のウエハの処理の動作を維持、あるいは他の動作の指令を受けるまで待機する（ステップ４２４）。
【００８４】
なお、ノッチ位置の測定を受けたウエハ１３０のその測定結果は、主制御装置１２０に送信されて、演算器を含む検出装置によって処理特性が検出される。さらに、検出された処理特性は、記憶された処理前のノッチ位置の検出結果と比較され、前記データベース４２５に記録された処理特性−レシピ相関データベースの情報等を用いて、処理前の各ノッチ位置に対応して選択されるレシピの内容が修正され、レシピの選択が変更される等の上記データベースの情報が修正される。つまり、処理後のウエハの処理特性の情報がその後のウエハの処理の動作の条件や順序等のレシピの設定、選択にフィードバックされる。
【００８５】
また、上記実施例では、同一処理室対象のウエハの各々が、処理の前に位置合わせ装置２００でそのノッチ位置が測定され主制御装置１２０においてノッチ位置データが検出される。さらに、これら同一処理室での後工程での各ウエハの処理特性の差異を検出した結果を用いて、後のウエハの処理の条件に変更、修正をする等、検出結果を反映させる。さらには、この比較の結果より得られた処理のレシピの修正や新規なレシピの情報は、フォトリソグラフィー等のエッチング処理の前段階の処理およびその条件４２６にもフィードバックされ反映されるように通信手段を介して送信されることで、処理の精度と歩留まりを向上させるものである。さらに、上記位置合わせ装置２００のウエハ１３０の処理前の所定のノッチ位置を測定した情報を用いて、位置合わせ装置２００またはこれに搭載された光学的測定装置の状態を検出し、較正の要否を判断することも可能となる。
【００８６】
以下に、図４の戻しモード４２６での本実施例の真空処理装置１００の動作を、図９を用いて説明する。図９は、図４に示す戻しモードの動作の流れを示すフローチャートである。
【００８７】
この図において、戻しモード４２６が開始される際の真空処理装置１００の動作が判定される（ステップ９０１）。ステップ４１３から戻しモード４２６が開始された場合には、ウエハ１３０は大気搬送ロボット１０８のアーム上または減圧が開始されていないロック室１０６の試料台上に載置されているので、大気搬送ロボット１０８により搬送されて、そのまま位置合わせ装置２００に戻される（ステップ９０２）。この後に、図４のステップ４０４が再度行われ、新たに処理を行う処理ユニットの処理室、処理の内容やこれに適合する位置合わせの情報を入手して、ウエハ１３０の位置合わせが再度行われる。
【００８８】
ステップ４１５またはステップ４１７から戻しモード４２６が開始されたと判定された場合には、ロック室１０６からアンロード用のロック室１０７にウエハ１３０が搬送された後（ステップ９０３）、アンロード用ロック室１０７の昇圧（ステップ９０４）後に、大気搬送ロボット１０８によりウエハ１３０が取り出されて元のカセットの元の位置に戻される（ステップ９０５）。さらに、その後に再び位置合わせ装置２００に搬送されて（ステップ９０６）図４のステップ４０４が再度行われ、新たに処理を行う処理ユニットの処理室、処理の内容やこれに適合する位置合わせの情報を入手して、ウエハ１３０の位置合わせが再度行われる。
【００８９】
このようにして、本実施例の半導体処理装置１００では、ステップ４１３において位置合わせ装置２００からロック室１０６の搬送中に目標の処理ユニット１０３内の処理室での処理を行うことができないと判定された場合には、処理ユニット１０２での処理を行うことで、ウエハ１３０の処理を継続する。このため、処理ユニット１０３での処理の特性に合わせて位置合わせされたウエハ１３０を再度位置合わせ装置２００において処理ユニット１０２の処理の特性に合わせて位置合わせする必要が有る。
【００９０】
本実施例の大気搬送ロボット１０８はアームが１つであるため、位置合わせ装置２００に直接ウエハ１３０を戻して再度の位置合わせを行う構成である（図３矢印３１３）。２つのアームを備えたものである場合には、一端元のカセットの元の位置に戻しても良い。
【００９１】
ロック室１０６内に搬送して減圧開始後に、処理ユニット１０３から処理ユニット１０２へ搬送の目的地が変更された場合には、ウエハ１３０をロック室１０６の減圧終了後にアンロード用のロック室１０７へ搬送して大気側ブロック１５１へ搬送し（図３矢印３１０）、元のカセットの元の位置に戻す（図３矢印３１１）。その後、位置合わせ装置２００に再度ウエハ１３０が搬送され、変更された目標の処理ユニット１０２での処理の特性に対応した位置合わせが行われる（図３矢印３１３）。
【００９２】
また、ロック室１０６に搬送されて減圧を開始する前に、処理ユニット１０３から処理ユニット１０２へ搬送の目標が変更された場合には、既に位置合わせ装置２００に別のウエハが搬送されている場合も考慮して、減圧をせずに大気搬送ロボット１０８により、元のカセットの元の位置に戻されてから、再度位置合わせ装置２００に搬送されて処理ユニット１０２用の位置合わせが行われる用にしても良い。
【００９３】
真空搬送ロボット１１５による搬送中に、目標の処理ユニットが変更となった場合には、ウエハ１３０は、ロック室１０６内の減圧が開始された後の場合と同様に、アンロード用のロック室１０７へ搬送して昇圧後に元のカセットの元の位置へ戻される。その後、同様に、位置合わせ装置２００へ搬送されて再度の位置合わせ処理が行われる。
【００９４】
以上の通り、本実施例では、目標の処理ユニットが変更となった場合には、位置合わせ装置２００へウエハ１３０を戻して位置合わせを新規な処理の情報に基づいて行う。その際、元のカセットの元の位置にウエハを戻すことで、処理の効率が向上される構成となっている。
【００９５】
次に、ウエハの各ノッチ位置測定の結果がどのようにウエハの処理の動作へ反映れるかを説明する。
上記実施例の真空処理装置１００は、処理ユニット１０２，１０３は少なくとも処理室内の構成や電磁波源１１８，１１９の形状や配置が搬送ラインに垂直な奥行き方向の面について左右対称に配置されて、処理対象の試料に対して同等の処理を施すことが可能な構成を有している。しかしながら、上記のように、本実施例の処理ユニット１０２，１０３は、略多角形状の真空搬送容器１１０の隣り合う側壁に取り付けられ連結され、真空搬送容器１１０内に配置され中心の上下軸の周りに回転し処理ユニット１０２，１０３内にアームを伸張する一つの真空搬送ロボット１１５により試料が搬送される構成である。
【００９６】
真空処理装置１００では、位置合わせ装置２００において、処理位相での処理が実施される前のウエハのノッチ位置の測定が行われる。この位置合わせ装置２００での測定の結果は主制御装置１２０に送信され、主制御装置１２０内に配置された演算器を用いてウエハの所定のノッチ位置が検出される。
【００９７】
この際、エッチングによる処理の精度を向上は、このようなＣＤ寸法の大きさを所期の値にできるだけ近いものにすることであり、これを達成するための処理の条件を精密に実現する必要が有る。このためには、前記したように、位置合わせ装置２００おいて、センサ等を用いてウエハをその面に略垂直な軸方向に回転させ、ウエハのノッチ位置を複数の任意の位置で制御でき、また、各処理室において、処理に関する特定方向（ガスの排気方向やソース高周波の入力方向等）に対するウエハの基準の位置の相関位置が等しくなる角度位置で、ウエハを各処理室内の試料台へ精度良く載せることが必要となる。
【００９８】
なお、本実施例では、ウエハのノッチ位置を複数の任意の位置での制御をさらに高精度にするため、位置合わせ装置２００用駆動モータ（図示なし）のパルス数の微調整が可能となっている。
【００９９】
位置合わせ装置２００で行われた測定の結果或いは主制御装置１２０で検出されたウエハのノッチ位置データは、主制御装置１２０内に配置された記憶装置またはこの主制御装置１２０と通信手段を介して通信可能に接続された記憶装置に記憶される。さらに、主制御装置１２０は、検出した処理前のウエハのノッチ位置の情報を用いて、通信手段を介して接続された別の記憶装置内に記憶された処理前のウエハのノッチ位置対処理レシピの相関に関するデータベース４２５（レシピ−ノッチ位置相関データベース）或いはレシピのデータベース内の情報を検索し、このウエハを処理するレシピを選択または設定することが可能となっている。
【０１００】
さらに、検出された処理前のウエハのノッチ位置の情報は、ウエハ表面の樹脂製のレジストマスクを形成するマスクエッチングの処理を含むフォトリソグラフィー処理４２６のためにフィードバックされ、このノッチ位置の情報を用いてマスクエッチングのレシピの選択や決定が修正され、得られるレジストマスクの形状を修正する（トリミングする）。
【０１０１】
さらに、主制御装置１２０により検出されたノッチ位置の情報が、処理用のレシピとこれを使用した結果得られるウエハ処理特性との間の相関に関するレシピ−処理特性相関データベースに反映される。即ち、主制御装置１２０に記憶されたウエハ処理前に検出したノッチ位置の情報と処理後に検出した処理特性の情報とを比較することで、処理に用いたレシピとこれにより加工されるＣＤ寸法の変化の量等の処理の特性との関係が検出される。この関係は、レシピ−処理特性相関データベースの情報から所定範囲以上異なったものである場合、過去に行った処理の際に同様に得られた処理のレシピと処理特性とを相関付けたデータベースの過去に取得されたデータと新たなデータを置換する、あるいは追加する等データベースの更新のためにフィードバックされて用いられる。さらには、修正されたレシピが主制御装置１２０の外部で通信可能に配置された記憶装置内のレシピデータベース内に格納されこのデータベースが更新される。
【０１０２】
さらに、上記検出結果は処理用ウエハのレジストマスクを形成するフォトリソグラフィーのプロセス、例えはマスクの成膜やマスクエッチングのプロセスのレシピの選択やその修正にフィードバックされて用いられる。この際も、フォトリソグラフィーのレシピと処理の結果得られる処理特性との間の相関についてのデータベースの情報が必要に応じ更新され、このことでフォトリソグラフィーの処理の結果得られるマスク形状が調整され、エッチング処理の精度が向上される。さらに、これら位置合わせ装置２００で検出されたウエハのノッチ位置、または処理特性の情報を主制御装置１２０に送信して主制御装置１２０がレシピ−ノッチ位置データベースを更新するように構成しても良い。
【０１０３】
以下に、同じ膜種に実質的に同じ処理をして実質的に同じ処理結果を得るための２つの処理ユニット、例えば１０２，１０３の各々の処理室内において、構造や処理の特性が異なる場合の各実施例を説明する。
【実施例２】
【０１０４】
まず、実施例２のケース１について、図５，６にて説明する。ケース１は、真空処理装置１００の構造の違いのなかで、処理室
１０１，１０２，１０３，１０４のハードが異なる例の場合を示す。例えば、装置のレイアウトや設置スペース等が図５，６に示すように処理ユニット１０２，１０３の構造が対称配置による相違、即ち、各処理ユニット１０２，１０３内のウエハ１３０が載せられる試料台１２２，１３３とプラズマ形成のための高周波の導入を導入する導波管６０１，６０２の配置方向・プロセスガスの排気方向等の相対位置の相違により処理ユニット１０２，１０３内の処理室内のプラズマ状態、及び特性は異なる。
【０１０５】
従って、仮に全く同じ仕様の製品ウエハを、位置合せ装置２００でノッチ位置を全て同じにして各機種の処理ユニット１０２，１０３で処理した場合は、それぞれの装置に合った最適な処理特性が得られているとは言えない。そこで、本発明の位置合せ装置２００では、各処理ユニット１０２，１０３内の処理室の処理の特性に応じて、この処理についての情報（データベース）をもとにあるカセット２０６から搬出された各処理対象のウエハ１３０は位置合せ装置２００に搬入され高精度且つ、自在な制御により最適なノッチの位置合わせを施行後、指示された搬送経路を経て所定の処理ユニット
においてハード・プラズマ状態、及び特性・プロセス特性とウエハ膜仕様を考慮した条件にて最適な処理特性を得られるようにすることで、より最適、且つ高精度なウエハ処理ができるようにした。
【実施例３】
【０１０６】
次に、実施例３のケース２について、図７で説明する。ケース２は、真空処理装置１００の構造の違いと処理の違いが無い、即ち、各処理ユニット１０２，１０３が非対称配置でそのプロセス特性が全く同一条件の例の場合を示す。例えば、同一装置において、各処理ユニット１０２，１０３間でプロセス・被処理膜の材料、ウエハ膜仕様・処理レシピ等が同じで、各処理ユニット１０２，１０３のプロセスガス・処理圧力・印加電圧等が同じ場合は、理論的には処理ユニット１０２，１０３内の処理室内のプラズマ状態、及び特性は同じである。
【０１０７】
ところが、現実には、下記のような理由によりプラズマ状態、及び特性は、微妙に異なる場合が多い。その理由とは、処理室内のアンテナのでき具合、即ち、公差の範囲内で大きさの相違によるスペースのばらつき等により、アンテナ設置位置が若干の違いによるソース高周波の入力パワーの違いが発生する。あるいは、ウエハ１３０を載置する試料台１２２，１２３の固定ボルトの締め付け力の違いによる前記試料台の僅かな傾き等がなど一般的に処理特性における処理室間での機差の問題により前記処理室内のプラズマ状態、及び特性は異なる。
【０１０８】
従って、仮に全く同じ仕様の製品ウエハを、位置合せ装置２００でノッチ位置を全て同じにして各機種の処理室ユニット１０２，１０３で処理した場合は、それぞれの装置に合った最適な処理特性が得られているとは言えない。そこで、本発明の位置合せ装置２００では、各処理室に応じて、該装置の処理情報（データベース）をもとにあるカセット２０６から搬出された各ウエハ１３０は位置合せ装置２００に搬入され高精度且つ、自在な制御により最適なノッチの位置合わせを施行後、指示された搬送経路を経て所定の処理室においてハード・プラズマ状態、及び特性・プロセス特性とウエハ膜仕様を考慮した条件にて最適な処理特性を得られるようにしている。
【０１０９】
次に、実施例３のケース３について、図７で説明する。ケース３は、真空処理装置１００の構造の違いと処理の違いが無い、即ち、各処理ユニット１０２，１０３は非対称配置でそのプロセス特性が全く同一条件の例の場合を示す。例えば、同一装置において、前記各処理室間でプロセス・被処理膜の材料、ウエハ膜仕様・処理レシピ等が同じで、各処理ユニット１０２，１０３内の処理室でのプロセスガス・処理圧力・印加電圧等が同じ場合は、理論的には各処理室内のプラズマ状態、及び特性は同じである。
【０１１０】
ところが、現実には、下記のような理由により同一の処理室における経時変化の問題でプラズマ状態、及び特性は、微妙に異なる場合が多い。その理由とは、ウエハ１３０の処理枚数の増加により、経時変化していき微妙に処理特性（エッチレート低下、ＣＤ差の増大等）が悪化する場合が多い。その原因とは、各処理ユニット１０２，１０３内のウエハ処理の増加にともなって反応生成物の処理室への付着し汚染される。あるいは、ガス分散板や試料台１２２，１２３等の処理室内部材が処理枚数の増加とともにプラズマによる部品の消耗によることなどが考えられる。従って、仮に全く同じ仕様の製品ウエハを、位置合せ装置２００でノッチ位置を全て同じにして各処理室で処理した場合は、それぞれの装置に合った最適な処理特性が得られているとは言えない。
【０１１１】
そこで、本発明の位置合せ装置２００では、各処理室に応じて、該装置の処理情報（データベース）をもとにあるカセット２０６から搬出された各処理対象ウエハ１３０は位置合せ装置２００に搬入され高精度且つ、自在な制御により最適なノッチの位置合わせを施行後、指示された搬送経路を経て所定の処理室においてハード・プラズマ状態、及び特性・プロセス特性とウエハ膜仕様を考慮した条件にて最適な処理特性を得られるようにすることで、より最適、且つ高精度なウエハ処理ができる。
【０１１２】
次に実施例３のケース４について、図７で説明する。ケース４は、真空処理装置１００の処理の違いのなかで、処理ユニット１０２，１０３内の処理室での処理プロセスが異なる例の場合を示す。例えば、同一装置において、各処理室ユニット間でプロセス・ウエハ膜仕様・処理レシピ等が違えば当然、各処理室のプロセスガス・処理圧力・印加電圧等の相違により内部のプラズマ状態、及び特性は異なる。従って、仮に全く同じ仕様の製品ウエハを、位置合せ装置２００でノッチ位置を全て同じにして各処理ユニットで処理した場合は、それぞれの装置に合った最適な処理特性が得られているとは言えない。
【０１１３】
そこで、本発明の位置合せ装置２００では、各処理ユニットに応じて、該装置の処理情報（データベース）をもとにあるカセット２０６から搬出された各ウエハ１３０は位置合せ装置２００に搬入され高精度且つ、自在な制御により最適なノッチの位置合わせを施行後、指示された搬送経路を経て所定の処理室においてハード・プラズマ状態、及び特性・プロセス特性とウエハ膜仕様を考慮した条件にて最適な処理特性を得られるようにすることで、より最適、且つ高精度なウエハ処理ができる。
【実施例４】
【０１１４】
次に、実施例４のケース５の場合について、図８にて説明する。ケース５は、真空処理装置１００の構造の違いのなかで、装置の機種が異なる例の場合を示す。例えば、装置の種類がＥＣＲ，ＩＣＰ，ＵＨＦ方式等で違えば当然、各処理ユニット１０１，１０２，１０３，１０４の構造・配置・プラズマ発生方式の相違、即ち、各処理ユニットのウエハ１３０とプラズマ形成用の高周波の導入方向・処理用ガスの導入・排気方向等の相対位置の相違により各処理室内のプラズマ状態、及び特性は異なる。従って、仮に全く同じ仕様の製品ウエハを、位置合せ装置２００でノッチ位置を全て同じにして各処理室で処理した場合は、それぞれの装置に合った最適な処理特性が得られているとは言えない。
【０１１５】
そこで、本発明の位置合せ装置２００では、各処理室に応じて、該装置の処理情報（データベース）をもとにあるカセット２０６から搬出された各ウエハ１３０は位置合せ装置２００に搬入され高精度且つ、自在な制御により最適なノッチの位置合わせを施行後、指示された搬送経路を経て所定の処理室においてハード・プラズマ状態、及び特性・プロセス特性とウエハ膜仕様を考慮した条件にて最適な処理特性を得られるようにすることで、より最適、且つ高精度なウエハ処理ができる。
【０１１６】
次に、実施例３のケース６について、説明する。ケース６は、前記ケース１〜５は、真空処理装置１００において、ウエハ１３０は半導体のシリコン基板（円形）のノッチ（オリフラ・ノッチ等）例にて説明してきたが、将来的に考えた場合、半導体の液晶ガラス基板（角型）のノッチ（オリフラ）を使用しているエッチング装置も同様により高精度なウエハ処理ができることは、言うまでもない。即ち、基板の形状・材質等はいかなるものでも本発明は適用可能である。また、この他にも下記のようなものにも本発明である最適、且つ高精度なノッチ可変システムの適用が有効である。尚、ウエハ１３０は半導体のシリコン基板（円形）のノッチ（オリフラ・ノッチ等）に代表されるように、全ての半導体プロセスにおいては、ウエハのノッチを基準にフォトリソ・膜形成・エッチング等で方向性の制御しているとても大事な基準点であることは、言うまでもない。
【０１１７】
次に、本実施例における位置合わせ装置２００の較正する際の真空処理装置の動作を説明する。本実施例では、ウエハの所定のノッチ位置を検出した結果を用いて、位置合わせ装置２００の較正の要否を判定する。例えば、同一膜構造を有する異なるウエハを加工処理した結果、両者の得られた形状（例えば溝の深さや幅）の差が所定値以上である場合や、連続したウエハのレシピ同士で後のウエハのレシピについて前のウエハの処理のレシピからの修正の量が所定値以上である場合等が生じた際に、位置合わせ装置２００を較正する必要有りと判定することが考えられる。
【０１１８】
そして、較正が必要と判定された場合には、位置合わせ装置２００用の駆動モータ（図示なし）のパルス数の調整やジグ等を用いて校正を実施する。一方、必要なしと判定された場合には進みウエハの処理を継続する。さらに、本実施例の真空処理装置１００が位置合わせ装置２００の較正を行うこと（較正モードの運転を行うこと）を報知する。
【０１１９】
その後、予め定められたカセット１１２の予定の位置から較正用ウエハを、大気ロボット１０８を用いて搬出して、位置合わせ装置２００に搬入し、処理前の較正用ウエハの複数のノッチ位置を検出する。なお、較正用ウエハは予め複数のノッチ位置状の測定を受ける等して形状が判明しているものが望ましいが、ノッチ位置が所定の範囲となるように調整された製品製造用のウエハであっても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の実施例１に係る真空処理装置の全体構成を示す上面図である。
【図２】図１の真空処理装置の大気側ブロック部の構成の概略の拡大図である。
【図３】図１の真空処理装置のウエハの搬送処理の流れを示す平面図である。
【図４】図１の真空処理装置の動作の流れを示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施例２である処理室ハードの違い（対称配置）のケース１の例を示す図である。
【図６】本発明の実施例２である処理室ハードの違い（対称配置）のケース１の例を示す図である。
【図７】本発明の実施例３の図１と同一装置、同一処理室ハード（非対称配置）のケース２〜４の例を示す図である。
【図８】本発明の実施例４の機種が相違するケース５の例を示す図である。
【図９】図４に示す戻しモードの動作の流れを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１２１】
１００    真空処理装置
１０１    処理ユニット                                
１０２    処理ユニット
１０３    処理ユニット
１０４    処理ユニット
１０５    カセット戴置台
１０６    ロック室
１０７    ロック室
１０８    大気搬送ロボット
１０９    筐体
１１０    真空搬送容器
１１１    臥台
１１２    臥台
１１３    臥台
１１４    臥台
１１５    真空搬送ロボット
１２０    主制御装置
１２１    試料台
１２２    試料台
１２３    試料台
１２４    試料台
１３０    ウエハ
１３１    切り欠き（ノッチ）
１３２    開口部
１３３    開口部
１５１    真空側ブロック
１５２    大気側ブロック
２００    位置合わせ装置
２０１    光学測定手段
２０２    光学測定手段
２０６    カセット
３０１    ホストコンピュータ
４２５    データベース
６０１    導波管
６０２    導波管
【図１】
2008124191.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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