(57)【要約】【課題】レーザ光の照射で形成された結晶性の半導体層を含むトランジスタを利用した電流生成回路において出力電流の電流値の誤差を低減する。【解決手段】電流生成回路２０は、複数の電流源トランジスタＴAを各々が含む複数の単位回路Ｕ1〜Ｕnを具備する。各単位回路Ｕiは、複数の電流源トランジスタＴAを選択的に導通させることで設定データＳＤに応じた出力電流Ｉout[i]を生成する。各電流源トランジスタＴAは、レーザ長軸方向ＤAに長尺な領域に対するレーザ光の照射で結晶化された半導体層３１を含む。ひとつの単位回路Ｕiにおいては、各電流源トランジスタＴAの半導体層３１がレーザ長軸方向ＤAに配列する。【選択図】図６
2008152075.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が出力電流を生成する複数の単位回路を具備する電流生成回路であって、
前記複数の単位回路の各々は、
第１方向に長尺な領域に対するレーザ光の照射で結晶化された半導体層を有するとともに各々の半導体層が前記第１方向に配列する複数の電流源トランジスタを含み、前記複数の電流源トランジスタに流れる電流を設定データに応じて選択的に加算することで出力電流を生成する
ことを特徴とする電流生成回路。
【請求項２】
前記各単位回路の電流値を指定する入力データと当該単位回路が設定データに基づいて生成する出力電流の電流値との相対比が所定値に近づくように前記各単位回路の入力データから設定データを生成する制御回路
を具備する請求項１に記載の電流生成回路。
【請求項３】
前記複数の単位回路のうち前記第１方向に垂直な第２方向の位置が異なる第１単位回路と第２単位回路とでは各々の設定データと出力電流の電流値との関係が相違し、
前記制御回路は、前記第１単位回路と前記第２単位回路とに対して同じ電流値が入力データによって指定されたときに前記第１単位回路の出力電流と前記第２単位回路の出力電流とが同等の電流値となるように、前記第１単位回路と前記第２単位回路とで異なる設定データを生成する
ことを特徴とする請求項２に記載の電流生成回路。
【請求項４】
設定データと出力電流の電流値との関係を示す特性データを前記各単位回路について記憶する記憶部を具備し、
前記制御回路は、前記各単位回路の入力データと前記記憶部が当該単位回路について記憶する特性データとに基づいて設定データを生成する
請求項３に記載の電流生成回路。
【請求項５】
前記各単位回路の設定データと当該単位回路の出力電流の調整後の電流値との相対比が所定値に近づくように当該単位回路の出力電流を調整する電流調整回路
を具備する請求項１に記載の電流生成回路。
【請求項６】
前記複数の単位回路は、前記第１方向に垂直な第２方向の位置が異なる第１単位回路と第２単位回路とを含み、
前記電流調整回路は、前記第１単位回路の出力電流を調整する第１調整回路と前記第２単位回路の出力電流を調整する第２調整回路とを含み、
前記第１調整回路および前記第２調整回路の各々は、
前記第１単位回路の設定データと前記第１調整回路による調整後の前記第１単位回路の出力電流の電流値との相対比と、前記第２単位回路の設定データと前記第２調整回路による調整後の前記第２単位回路の出力電流の電流値との相対比とが同等となるように調整を実行する
請求項５に記載の電流生成回路。
【請求項７】
前記第１調整回路は、前記第１単位回路の出力電流を電圧生成トランジスタに流すことで当該出力電流に応じた電圧を生成する電圧生成部と、前記電圧生成部が生成した電圧に対応する前記調整後の出力電流を電流生成トランジスタによって生成する電流生成部とを含み、前記電圧生成部が生成する電圧の電圧値と前記電流生成部が生成する出力電流の電流値との少なくとも一方が可変に制御され、
前記電圧生成トランジスタの半導体層と前記電流生成トランジスタの半導体層とは前記第１方向に配列する
請求項６に記載の電流生成回路。
【請求項８】
前記複数の電流源トランジスタの各々のゲート電極には基準電圧が供給され、
前記第１調整回路は、電流生成トランジスタによって基準電流を生成する電流生成部と、前記基準電流を電圧生成トランジスタに供給することで当該基準電流に応じた前記基準電圧を生成する電圧生成部とを含み、前記電流生成部が生成する前記基準電流の電流値と前記電圧生成部が生成する前記基準電圧の電圧値との少なくとも一方が可変に制御され、
前記電流生成トランジスタの半導体層と前記電圧生成トランジスタの半導体層とは前記第１方向に配列する
請求項６に記載の電流生成回路。
【請求項９】
出力電流に応じて駆動される複数の電気光学素子と、
各々が出力電流を生成する複数の単位回路とを具備し、
前記複数の単位回路の各々は、
第１方向に長尺な領域に対するレーザ光の照射で結晶化された半導体層を有するとともに各々の半導体層が前記第１方向に配列する複数の電流源トランジスタを含み、前記複数の電流源トランジスタに流れる電流を設定データに応じて選択的に加算することで出力電流を生成する
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
前記電気光学素子の階調を指定する階調データから前記設定データを生成する制御回路を具備し、
前記複数の単位回路のうち前記第１方向に垂直な第２方向の位置が異なる第１単位回路と第２単位回路とでは各々の設定データと出力電流の電流値との関係が相違し、
前記制御回路は、前記第１単位回路に対応する電気光学素子と前記第２単位回路に対応する単位回路とに対して同じ階調が階調データによって指定されたときに前記第１単位回路の出力電流と前記第２単位回路の出力電流とが同等の電流値となるように、前記第１単位回路と前記第２単位回路とで異なる設定データを生成する
ことを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記複数の単位回路は、前記第１方向に垂直な第２方向の位置が異なる第１単位回路と第２単位回路とを含み、
前記第１単位回路の出力電流を調整する第１調整回路と前記第２単位回路の出力電流を調整する第２調整回路とを具備し、
前記第１調整回路および前記第２調整回路の各々は、
前記第１単位回路の設定データと前記第１調整回路による調整後の前記第１単位回路の出力電流の電流値との相対比と、前記第２単位回路の設定データと前記第２調整回路による調整後の前記第２単位回路の出力電流の電流値との相対比とが同等となるように調整を実行する
ことを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
請求項９から請求項１１の何れかに記載の電気光学装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所望の電流値の複数の電流を生成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光の照射によって非晶質の半導体膜を結晶化することでトランジスタの半導体層を作成する技術においては、半導体膜の面内で結晶の粒径が相違することに起因して、各トランジスタにおける半導体層の電気的な特性にバラツキが発生するという問題がある。特許文献１から特許文献３には、半導体膜のうちレーザ光が照射される領域の長軸の方向に沿った領域（以下「レーザ照射領域」という）において結晶の粒形が均等化されるという性質を利用して、複数のトランジスタをレーザ照射領域内に形成する技術が開示されている。また、特許文献４および特許文献５には、相互に近接する各トランジスタにて特性の誤差を平均化する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−７７２０号公報
【特許文献２】特開平１０−１６３４９５号公報
【特許文献３】特開２００４−６７４１号公報
【特許文献４】特開平１１−８７７２０号公報
【特許文献５】特開２００３−１８６４４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
有機発光素子などの電流駆動型の電気光学素子を利用した電気光学装置においては、所望の電流値の複数の電流（以下「出力電流」という）を生成する電流生成回路が駆動回路として利用される。電流生成回路においては、電流源として機能する複数のトランジスタ（以下「電流源トランジスタ」という）が電気光学素子の配列に沿って直線状に配列する。基板の表面に形成された結晶性の半導体層を利用して電流生成回路の各電流源トランジスタを作成すれば、装置の小型化や部品点数の削減を実現することができる。
【０００４】
ところで、レーザ照射領域内とは言っても、相当の距離をあけて離間した各位置では半導体層における結晶の粒径が相違する。したがって、特許文献１から特許文献３の技術で電流生成回路の各電流源トランジスタを作成したとしても、例えば配列の両端部に位置する各電流源トランジスタなど相当の間隔をあけて離間した各電流源トランジスタの間では電気的な特性の相違が顕著となる。また、特許文献４や特許文献５の技術においては相互に近接する各電流源トランジスタの特性が平均化されるに過ぎないから、相当の距離をあけて離間した各トランジスタの特性の相違はやはり抑制されない。
【０００５】
以上のように、特許文献１から特許文献５の何れの技術を利用しても、総ての出力電流について電流値の誤差を高精度に抑制する（例えば各出力電流の電流値を均一化する）ことは困難である。このような事情を背景として、本発明は、レーザ光の照射で形成された結晶性の半導体層を含むトランジスタを利用した電流生成回路において出力電流の電流値の誤差を低減するという課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するために、本発明に係る電流生成回路は、各々が出力電流を生成する複数の単位回路を具備する電流生成回路であって、複数の単位回路の各々は、第１方向（例えば図５のレーザ長軸方向ＤA）に長尺な領域に対するレーザ光の照射で結晶化された半導体層（例えば低温ポリシリコン）を有するとともに各々の半導体層が第１方向に配列する複数の電流源トランジスタを含み、複数の電流源トランジスタに流れる電流を設定データに応じて選択的に加算することで出力電流を生成する。第１方向は、光軸に垂直な横断面が線状または帯状であるレーザ光を半導体層の結晶化に使用する場合において当該横断面の長手の方向に相当する。
【０００７】
以上の構成によれば、ひとつの単位回路に含まれる複数の電流源トランジスタが第１方向に配列するから、各電流源トランジスタの電気的な特性は単位回路内で均一化される。したがって、各単位回路が生成する出力電流の電流値の誤差が低減される。また、各電流源トランジスタの電気的な特性に仮に誤差がある場合（例えばひとつの単位回路内の各電流源トランジスタに特性の誤差がある場合や複数の単位回路間で電流源トランジスタの特性に誤差がある場合）であっても、以下に例示する第１および第２の態様によって各単位回路の出力電流を高い精度で所期の電流値に調整することが可能である。
【０００８】
本発明の第１の態様に係る電流生成回路は、各単位回路の電流値を指定する入力データ（例えば実施形態における階調データＧＤ）と当該単位回路が設定データに基づいて生成する出力電流の電流値との相対比が所定値に近づくように各単位回路の入力データから設定データを生成する制御回路を具備する。本態様によれば、入力データと出力電流の電流値との相対比が所定値に近づく（理想的には合致する）ように制御回路が入力データから設定データを生成するから、各単位回路の電流源トランジスタの特性が相違する場合であっても、各単位回路の出力電流の電流値を均一化することが可能である。
【０００９】
第１の態様に係る電流生成回路においては、例えば、複数の単位回路のうち第１方向に垂直な第２方向の位置が異なる第１単位回路と第２単位回路とでは各々の設定データと出力電流の電流値との関係が相違する場合に、制御回路は、第１単位回路と第２単位回路とに対して同じ電流値が入力データによって指定されたときに第１単位回路の出力電流と第２単位回路の出力電流とが同等の電流値となるように、第１単位回路と第２単位回路とで異なる設定データを生成する。本態様によれば、第１単位回路の出力電流と第２単位回路の出力電流とを高精度に均一化することができる。さらに具体的な態様においては、設定データと出力電流の電流値との関係を示す特性データを各単位回路について記憶する記憶部が配置され、制御回路は、各単位回路の入力データと記憶部が当該単位回路について記憶する特性データとに基づいて設定データを生成する。
【００１０】
本発明の第２の態様に係る電流生成回路は、各単位回路の設定データと当該単位回路の出力電流の調整後の電流値との相対比が所定値に近づくように当該単位回路の出力電流を調整する電流調整回路を具備する。設定データと調整後の出力電流の電流値との相対比が所定値に近づく（理想的には一致する）ように出力電流が調整されるから、本態様によっても、各単位回路の出力電流の電流値が均一化される。
【００１１】
第２の態様に係る電流生成回路においては、複数の単位回路が、第１方向に垂直な第２方向の位置が異なる第１単位回路と第２単位回路とを含み、電流調整回路は、第１単位回路の出力電流を調整する第１調整回路と第２単位回路の出力電流を調整する第２調整回路とを含み、第１調整回路および第２調整回路の各々は、第１単位回路の設定データと第１調整回路による調整後の第１単位回路の出力電流の電流値との相対比と、第２単位回路の設定データと第２調整回路による調整後の第２単位回路の出力電流の電流値との相対比とが同等となるように調整を実行する。本態様によれば第１単位回路の出力電流と第２単位回路の出力電流とを高精度に均一化することができる。
【００１２】
第２の態様に係る電流生成回路において、第１調整回路は、第１単位回路の出力電流を電圧生成トランジスタに流すことで当該出力電流に応じた電圧を生成する電圧生成部（例えば図１５や図１７の電圧生成部２６）と、電圧生成部が生成した電圧に対応する調整後の出力電流を電流生成トランジスタによって生成する電流生成部（例えば図１５や図１７の電流生成部２７）とを含み、電圧生成部が生成する電圧の電圧値と電流生成部が生成する出力電流の電流値との少なくとも一方が可変に制御され、電圧生成トランジスタの半導体層と電流生成トランジスタの半導体層とは第１方向に配列する。本態様によれば、第１調整回路における電圧生成トランジスタの半導体層と電流生成トランジスタの半導体層との電気的な特性が均一化されるという利点がある。
【００１３】
第２の態様に係る電流生成回路において、複数の電流源トランジスタの各々のゲート電極には基準電圧が供給され、第１調整回路は、電流生成トランジスタによって基準電流を生成する電流生成部（例えば図１９の電流生成部２７）と、基準電流を電圧生成トランジスタに供給することで当該基準電流に応じた基準電圧を生成する電圧生成部（例えば図１９の電圧生成部２６）とを含み、電流生成部が生成する基準電流の電流値と電圧生成部が生成する基準電圧の電圧値との少なくとも一方が可変に制御され、電流生成トランジスタの半導体層と電圧生成トランジスタの半導体層とは第１方向に配列する。本態様においても、第１調整回路における電流生成トランジスタの半導体層と電圧生成トランジスタの半導体層との電気的な特性が均一化される。
【００１４】
本発明の好適な態様において、複数の電流源トランジスタにおける各半導体層のチャネル長の方向（例えば図４のチャネル長方向ＤC）は相互に平行である。以上の構成によれば、各半導体層のチャネル長の方向が単位回路内で相違する場合と比較して半導体層の電気的な特性が均一化されるという利点がある。さらに、各半導体層のチャネル長の方向を第１方向とした構成によれば、半導体層における結晶の粒径の相違が各半導体層の抵抗値に与える影響が低減されるという利点がある。
【００１５】
本発明の好適な態様において、複数の単位回路は、第１方向に垂直な第２方向に配列する（例えば図７）。さらに別の態様において、複数の単位回路のうち一の単位回路と他の単位回路とは第１方向に配列する。例えば、複数の単位回路は、第１方向に垂直な第２方向に配列する２以上の単位回路で構成される第１回路群と、第２方向に配列する２以上の単位回路で構成されるとともに第１回路群に対して第１方向に隣接する第２回路群とを含む（例えば図１３）。
【００１６】
さらに好適な態様において、複数の電流源トランジスタは、第１方向に配列する複数の第１電流源トランジスタ（例えば図１８の電流源トランジスタＴA1）と、第１電流源トランジスタの配列から離間した位置で第１方向に配列する複数の第２電流源トランジスタ（例えば図１８の電流源トランジスタＴA2）とを含む。以上の構成によれば、単位回路における電流源トランジスタの配列の全長を抑制しながら、電流源トランジスタの個数を確保することで充分な電流値の出力電流を生成できる。
【００１７】
本発明は、以上の各態様に係る電流生成回路を備えた電気光学装置としても特定される。本発明に係る電気光学装置は、出力電流に応じて駆動される複数の電気光学素子と、各々が出力電流を生成する複数の単位回路とを具備し、複数の単位回路の各々は、第１方向に長尺な領域に対するレーザ光の照射で結晶化された半導体層を有するとともに各々の半導体層が第１方向に配列する複数の電流源トランジスタを含み、複数の電流源トランジスタに流れる電流を設定データに応じて選択的に加算することで出力電流を生成する。本発明に係る電流生成回路によれば、各単位回路の出力電流が高い精度で所期の電流値に調整されるから、本発明の電流生成回路を電気光学素子の駆動に利用した電気光学装置においては、各電気光学素子を高い精度で所期の状態（階調）に駆動できるという利点がある。
【００１８】
第１の態様に係る電流生成回路を採用した電気光学装置は、電気光学素子の階調を指定する階調データから設定データを生成する制御回路を具備し、複数の単位回路のうち第１方向に垂直な第２方向の位置が異なる第１単位回路と第２単位回路とでは各々の設定データと出力電流の電流値との関係が相違し、制御回路は、第１単位回路に対応する電気光学素子と第２単位回路に対応する単位回路とに対して同じ階調が階調データによって指定されたときに第１単位回路の出力電流と第２単位回路の出力電流とが同等の電流値となるように、第１単位回路と第２単位回路とで異なる設定データを生成する。本態様によれば第１単位回路の出力電流と第２単位回路の出力電流とを高精度に均一化することができる。
【００１９】
また、第２の態様に係る電流生成回路を採用した電気光学装置において、複数の単位回路は、第１方向に垂直な第２方向の位置が異なる第１単位回路と第２単位回路とを含み、第１単位回路の出力電流を調整する第１調整回路と第２単位回路の出力電流を調整する第２調整回路とを具備し、第１調整回路および第２調整回路の各々は、第１単位回路の設定データと第１調整回路による調整後の第１単位回路の出力電流の電流値との相対比と、第２単位回路の設定データと第２調整回路による調整後の第２単位回路の出力電流の電流値との相対比とが同等となるように調整を実行する。本態様によっても、第１単位回路の出力電流と第２単位回路の出力電流とを高精度に均一化することができる。
【００２０】
以上の各態様に係る電気光学装置は各種の電子機器に利用される。電子機器の典型例は、電気光学装置を表示装置として利用した機器である。本発明に係る電子機器の典型例はパーソナルコンピュータや携帯電話機である。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置（露光ヘッド）としても本発明の電気光学装置を適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置２００の構成を示すブロック図である。電気光学装置２００は、静止画や動画を表示する表示装置として各種の電子機器に利用される。図１に示すように、電気光学装置２００は、多数の画素回路Ｐが配列する素子アレイ部１０と、各画素回路Ｐを駆動する電流生成回路（データ線駆動回路）２０および選択回路（走査線駆動回路）４５と、電流生成回路２０および選択回路４５を制御する制御回路６０とを具備する。素子アレイ部１０と電流生成回路２０と選択回路４５とは矩形状の基板５０の表面に形成される。
【００２２】
素子アレイ部１０には、Ｘ方向に延在するｍ本の選択線１４と、Ｘ方向に直交するＹ方向に延在するｎ本の信号線１５とが形成される（ｍおよびｎの各々は２以上の自然数）。各画素回路Ｐは、選択線１４と信号線１５との各交差に対応して配置される。したがって、複数の画素回路Ｐは、縦ｍ行×横ｎ列のマトリクス状に配列する。
【００２３】
選択回路４５は、ｍ本の選択線１４の各々を順番に選択する。電流生成回路２０は、各々が別個の信号線１５に対応するｎ個の単位回路Ｕ1〜Ｕnを含む。第ｉ番目（ｉは１≦ｉ≦ｎを満たす整数）の単位回路Ｕiは、電気光学素子１２の駆動に使用される出力電流Ｉout[i]を設定データＳＤから生成して第ｉ列目の信号線１５に出力する電流出力型のＤＡＣ（Digital to Analog Converter）である。設定データＳＤは、出力電流Ｉout[1]〜Ｉout[n]の各々の電流値を指定する４ビットのデータである。
【００２４】
制御回路６０は、クロック信号など各種の信号の出力によって電流生成回路２０および選択回路４５を制御するほか、外部から供給される階調データＧＤに基づいて設定データＳＤを生成して電流生成回路２０に出力する。階調データＧＤは、画像の各画素（画素回路Ｐ）の階調を指定する４ビットのデータである。制御回路６０は、電流生成回路２０の制御に使用される各種のデータを不揮発に記憶する記憶部６２を具備する。記憶部６２が記憶するデータの内容については後述する。
【００２５】
図２は、各画素回路Ｐの構成を示す回路図である。同図においては、第ｊ行（ｊは１≦ｊ≦ｍを満たす整数）の第ｉ列に位置するひとつの画素回路Ｐが代表的に図示されている。図２に示すように画素回路Ｐは電気光学素子１２を含む。本形態の電気光学素子１２は、陽極と陰極との間に有機ＥＬ（Electroluminescence）材料の発光層が介在する有機発光ダイオード素子である。電気光学素子１２は、発光層に供給される駆動電流ＩELの電流値に応じた輝度で発光する。
【００２６】
駆動電流ＩELの経路上にはｐチャネル型の駆動トランジスタＱDRが配置される。駆動トランジスタＱDRは、駆動電流ＩELの電流値をゲート電極の電圧に応じて制御する。駆動トランジスタＱDRのドレインと電気光学素子１２の陽極との間にはｎチャネル型の発光制御トランジスタＱELが介在する。また、駆動トランジスタＱDRのソースとゲートとの間には容量素子Ｃが介挿される。
【００２７】
駆動トランジスタＱDRのドレインと第ｉ列目の信号線１５との間にはトランジスタＱSW1が介在する。また、駆動トランジスタＱDRのゲートとドレインとの間にはトランジスタＱSW2が介在する。第ｊ行の各画素回路ＰにおけるトランジスタＱSW1およびＱSW2の各々のゲートは第ｊ行目の選択線１４に共通に接続される。
【００２８】
以上の構成において、選択回路４５が第ｊ行目の選択線１４を選択してハイレベルの電圧を供給すると、トランジスタＱSW2がオン状態に変化することで駆動トランジスタＱDRがダイオード接続される。このときにトランジスタＱSW1もオン状態となっているから、電流生成回路２０が生成した出力電流Ｉout[i]が駆動トランジスタＱDRとトランジスタＱSW1とを経由して第ｉ列目の信号線１５に流れ込む。したがって、容量素子Ｃには出力電流Ｉout[i]に応じた電圧が保持される。
【００２９】
選択回路４５による選択が終了して第ｊ行の選択線１４の電圧がローレベルに設定されると、トランジスタＱSW1およびＱSW2がオフ状態となるから、駆動トランジスタＱDRのゲート−ソース間の電圧は直前に容量素子Ｃに保持された電圧に維持される。次いで、発光制御トランジスタＱELがオン状態に遷移すると、駆動トランジスタＱDRのゲートの電圧に応じた駆動電流ＩEL（すなわち出力電流Ｉout[i]の電流値に応じた電流）が駆動トランジスタＱDRと発光制御トランジスタＱELとを経由して電気光学素子１２に供給される。したがって、電気光学素子１２は出力電流Ｉout[i]に応じた輝度で発光する。
【００３０】
図３は、電流生成回路２０を構成するひとつの単位回路Ｕiの構成を示す回路図である。図３に示すように、単位回路Ｕiは、設定データＳＤを構成するビットｂ1〜ｂ4の総数に相当する４個の電流源Ａ1〜Ａ4と４個のスイッチング素子Ｂ1〜Ｂ4とを含む。電流源Ａk（ｋ＝１,２,３,４）は電流Ｉkを生成する。スイッチング素子Ｂkは、電流源ＡkとノードＮとの間に介在し、設定データＳＤのビットｂkに応じて電流Ｉkの通過および遮断を制御する。したがって、電流源Ａ1〜Ａ4が生成する電流Ｉ1〜Ｉ4のうち設定データＳＤに応じて導通したスイッチング素子Ｂkを通過した電流（電流Ｉ1〜Ｉ4のひとつまたは複数）の加算が出力電流Ｉout[i]としてノードＮに流れる。すなわち、設定データＳＤ（さらには設定データＳＤの基礎となる階調データＧＤ）は、出力電流Ｉout[i]の電流値を指定するデータである。
【００３１】
図３に示すように、電流源Ａ1〜Ａ4の各々はひとつまたは複数の電流源トランジスタＴAで構成される。各電流源トランジスタＴAは、ゲート電極の電圧に応じた電流がドレイン電極とソース電極との間（チャネル領域）に発生するｎチャネル型の薄膜トランジスタである。各電流源トランジスタＴAのゲート電極には共通の基準電圧Ｖrefが供給される。また、各単位回路Ｕiに属する複数の電流源トランジスタＴAはサイズ（例えばチャネル長やチャネル幅）が共通する。
【００３２】
電流源Ａ1〜Ａ4の各々を構成する電流源トランジスタＴAの個数は、電流Ｉ1〜Ｉ4の電流値の相対比が２の累乗となる（Ｉ1：Ｉ2：Ｉ3：Ｉ4＝１：２：４：８）ように決定される。本形態においては各電流源トランジスタＴAのサイズが共通であるから、電流源Ａ1〜Ａ4の各々における電流源トランジスタＴAの個数の相対比は電流Ｉ1〜Ｉ4の電流値の相対比に合致する。すなわち、電流源Ａ1は１個の電流源トランジスタＴAで構成され、電流源Ａ2は、相互に並列に接続された２個の電流源トランジスタＴAで構成される。また、電流源Ａ3は４個の電流源トランジスタＴAで構成され、電流源Ａ4は８個の電流源トランジスタＴAで構成される。
【００３３】
図４は、ひとつの電流源トランジスタＴAの構成を示す平面図および断面図である。図４に示すように、電流源トランジスタＴAは、基板５０の表面に形成された半導体層３１と、半導体層３１を被覆するゲート絶縁層３２と、ゲート絶縁層３２を挟んで半導体層３１に対向するゲート電極３３とを含む薄膜トランジスタである。半導体層３１のうちゲート電極３３に対向するチャネル領域３１１の両側にはドレイン領域３１２およびソース領域３１３が形成される。ドレイン領域３１２にはドレイン電極Ｄが接続され、ソース領域３１３にはソース電極Ｓが接続される。なお、図４の平面図においてはドレイン電極Ｄおよびソース電極Ｓが便宜的に直線として図示されている。図４に示すように、ドレイン領域３１２とソース領域３１３とを結ぶ方向（すなわち半導体層３１のチャネル領域３１１にてキャリアが移動する方向）がチャネル長の方向（以下「チャネル長方向」という）ＤCとして定義される。
【００３４】
各電流源トランジスタＴAの半導体層３１は、図５に示すように、基板５０の表面に成膜された非晶質の半導体膜５３にXeClレーザなど各種のレーザ光を照射するレーザアニールによって形成される。レーザ光の光束の横断面は、所定の方向（以下「レーザ長軸方向」という）ＤAに延在する長尺状（線状または帯状）である。したがって、図５に示すように、半導体膜５３のうちレーザ長軸方向ＤAに沿った長尺状の領域Ｒにレーザ光が到達する。図５においては、基板５０のひとつの縁辺５１に沿う方向をレーザ長軸方向ＤAとした場合が例示されている。
【００３５】
半導体膜５３の領域Ｒはレーザ光の照射によって溶融および結晶化する。半導体膜５３に対するレーザ光の照射は、レーザ長軸方向ＤAに垂直な方向ＤBにおける半導体膜５３とレーザ光との相対的な位置を変化させながら順次に反復（走査）される。レーザアニール後の半導体膜５３をパターニングすることで電流源トランジスタＴAの半導体層３１が形成される。なお、各単位回路Ｕiを構成するスイッチング素子Ｂ1〜Ｂ4や選択回路４５を構成するスイッチング素子（図示略）は電流源トランジスタＴAとともに基板５０の表面に形成される。
【００３６】
図６は、ひとつの単位回路Ｕi内で複数の電流源トランジスタＴAが配列する様子を模式的に示す平面図である。同図においては、スイッチング素子Ｂ1〜Ｂ4の図示が便宜的に省略されている。図６に示すように、単位回路Ｕiに含まれる複数の電流源トランジスタＴAは、レーザアニール時のレーザ長軸方向ＤA（すなわち基板５０の縁辺５１が延在する方向）に沿って直線状に配列する。また、各電流源トランジスタＴAにおける半導体層３１のチャネル長方向ＤCは相互に平行である。さらに詳述すると、各半導体層３１のチャネル長方向ＤCはレーザ長軸方向ＤAに平行である。
【００３７】
図７は、電流生成回路２０のｎ個の単位回路Ｕ1〜Ｕnが配列する様子を模式的に示す平面図である。同図に示すように、単位回路Ｕ1〜Ｕnはレーザ長軸方向ＤAに垂直な方向ＤBに配列する。すなわち、方向ＤBは図１におけるＸ方向に平行である。
【００３８】
レーザアニールによる結晶化後の半導体膜５３の電気的な特性はレーザ長軸方向ＤAに沿って揃うという傾向がある。本形態においては、図６や図７のように、ひとつの単位回路Ｕiにおける複数の電流源トランジスタＴAの半導体層３１がレーザ長軸方向ＤAに沿って配列するから、各電流源トランジスタＴAの電気的な特性は単位回路Ｕi内で均一化される。さらに詳述すると、各電流源トランジスタＴAのサイズとゲート電極の電圧（基準電圧Ｖref）が共通とされた本形態においては、単位回路Ｕiに属する各電流源トランジスタＴAに流れる電流の電流値を高い精度で合致させることが可能となる。したがって、図８に示すように、各単位回路Ｕiが生成する出力電流Ｉout[i]の電流値は、当該単位回路Ｕiに供給される設定データＳＤに応じて線形性をもって変化する。
【００３９】
一方、図７に示したようにｎ個の単位回路Ｕ1〜Ｕnはレーザ長軸方向ＤAに垂直な方向ＤBに配列するから、各電流源トランジスタＴAの電気的な特性は単位回路Ｕ1〜Ｕnの各々にて相違し得る。例えば、図８に示すように、単位回路Ｕ1における設定データＳＤと出力電流Ｉout[1]の電流値との関係と、単位回路Ｕ2における設定データＳＤと出力電流Ｉout[2]の電流値との関係とは相違し得る。したがって、例えば階調データＧＤがそのまま設定データＳＤとして各単位回路Ｕ1〜Ｕnに供給されるとすれば、階調データＧＤによって単位回路Ｕ1と単位回路Ｕ2とに同じ階調が指定されたとしても、出力電流Ｉout[1]と出力電流Ｉout[2]との相違に起因して単位回路Ｕ1と単位回路Ｕ2とで電気光学素子１２の階調が相違する（すなわち階調のムラが発生する）という問題がある。
【００４０】
以上の問題を解決するために、本形態の制御回路６０は、各単位回路Ｕiの階調データＧＤと当該単位回路Ｕiが設定データＳＤに基づいて生成する出力電流Ｉout[i]の電流値との相対比が単位回路Ｕ1〜Ｕnについて所定値に近づく（理想的には合致する）ように、各単位回路Ｕiの階調データＧＤから設定データＳＤを生成する。例えばいま、図８に示すように、電流値Ｉ0に対応した階調（すなわち電流値Ｉ0の出力電流Ｉout[1]を画素回路Ｐに供給したときの電気光学素子１２の階調）が階調データＧＤによって単位回路Ｕ1および単位回路Ｕ2の双方に指定された場合を想定する。制御回路６０は、出力電流Ｉout[1]と出力電流Ｉout[2]とが同等の電流値Ｉ0に均一化されるように単位回路Ｕ1と単位回路Ｕ2とで異なる数値の設定データＳＤを生成する。すなわち、図８に示すように、制御回路６０は、単位回路Ｕ1については数値ＳＤ1の設定データＳＤを生成し、単位回路Ｕ2については数値ＳＤ2の設定データＳＤを生成する。
【００４１】
単位回路Ｕ1〜Ｕnの各々の特性と階調データＧＤとに基づいて以上のように設定データＳＤを生成するために、本形態の記憶部６２は、図９に示すテーブル（ルックアップテーブル）TBL1と図１０に示すテーブルTBL2とを記憶する。図９に示すように、テーブルTBL1は、ｎ個の単位回路Ｕ1〜Ｕnの各々について特性データＦＤを含む。単位回路Ｕiの特性データＦＤは、単位回路Ｕiの設定データＳＤと出力電流の電流Ｉout[i]の電流値との関係を示すデータである。図８を参照して説明したように、各電流源トランジスタＴAの特性が均一化されることで出力電流Ｉout[i]は設定データＳＤに対して直線的に変化する。そこで、本形態においては、設定データＳＤの変化に対する出力電流Ｉout[i]の電流値の変化率（すなわち設定データＳＤが単位量だけ変化したときの出力電流Ｉout[i]の変化量（図８の直線の傾き））が単位回路Ｕiの特性データＦＤとしてテーブルTBL1に含められる。すなわち、例えば電気光学装置２００の出荷前に設定データＳＤと出力電流Ｉout[i]の電流値との関係が単位回路Ｕ1〜Ｕnの各々について測定され、測定の結果に応じて生成された特性データＦＤが記憶部６２に格納される。
【００４２】
テーブルTBL2においては、図１０に示すように、階調データＧＤが取り得る各数値と特性データＦＤが取り得る各数値との総ての組合せに対して設定データＳＤが対応付けられる。テーブルTBL2の各設定データＳＤは、出力電流Ｉout[1]〜Ｉout[n]の各々の電流値と階調データＧＤとの相対比が所定値に均一化される（すなわち各単位回路Ｕiの特性データＦＤの相違が補償される）ように選定される。
【００４３】
制御回路６０は、単位回路Ｕiの階調データＧＤが外部から供給されると、当該単位回路Ｕiの特性データＦＤをテーブルTBL1から検索し、外部から受信した階調データＧＤとテーブルTBL1から検索した特性データＦＤとに対応する設定データＳＤをテーブルTBL2から検索して電流生成回路２０に出力する。以上の構成によれば、半導体層３１内の結晶の粒径の相違に起因して電流源トランジスタＴAの特性が単位回路Ｕiごとに相違するにも拘わらず電流Ｉout[1]〜Ｉout[n]の電流値は均一化されるから、各電気光学素子１２の階調のムラを有効に抑制することができる。
【００４４】
なお、単位回路Ｕiにおける各電流源トランジスタＴAの半導体層３１がレーザ長軸方向ＤAとは異なる方向に配列された構成（以下「対比例１」という）においては、半導体膜５３上の位置に応じて結晶の粒形が相違することに起因して各半導体層３１の電気的な特性にバラツキが生じ得る。すなわち、各々のゲート電極に共通の基準電圧Ｖrefが供給されるにも拘わらず各電流源トランジスタＴAに流れる電流は相違するから、図１１に示すように、各単位回路Ｕiが生成する出力電流Ｉout[i]の電流値は設定データＳＤに対して不規則に変動する。したがって、図１１に示すように設定データＳＤを何れの数値に設定しても、出力電流Ｉout[i]は、電気光学素子１２を所期の階調に制御するための電流値（例えば電流値Ｉ0）に合致しない場合がある。これに対し、本形態においては、設定データＳＤに対して出力電流Ｉout[i]の電流値が線形に変化するから、図８に示すように各出力電流Ｉout[i]の電流値を高い精度で所期値（例えば電流値Ｉ0）に近づけることが可能である。
【００４５】
また、各単位回路Ｕiの特性データＦＤを生成するためには、設定データＳＤと出力電流Ｉout[i]の電流値との関係を単位回路Ｕ1〜Ｕnの各々について測定する必要がある。図１１のように出力電流Ｉout[i]が設定データＳＤに応じて不規則に変動する対比例１においては、設定データＳＤを総ての数値について出力電流Ｉout[i]を測定する必要がある。一方、本形態においては図８のように設定データＳＤと出力電流Ｉout[i]とが線形の関係にあるから、設定データＳＤの各数値と出力電流Ｉout[i]の電流値との関係を容易に特定できる。例えば、ひとつの電流源トランジスタＴAを導通させた場合の出力電流Ｉout[i]の電流値さえ測定すれば、設定データＳＤに対する出力電流Ｉout[i]の電流値の変化の割合（図８における直線の傾き）が特定される。すなわち、設定データＳＤを総ての数値について出力電流Ｉout[i]の電流値を測定しなくても、任意の設定データＳＤが指定された場合の出力電流Ｉout[i]の電流値を特定することが可能である。したがって、特性データＦＤを作成する作業の負荷や時間が対比例１と比較して大幅に削減されるという利点がある。また、設定データＳＤと出力電流Ｉout[i]とが線形の関係にあるから、設定データＳＤに対する出力電流Ｉout[i]の電流値の傾きを特性データＦＤとして利用できる。したがって、各単位回路Ｕiの特性を特定するためのテーブルTBL1のデータ量が低減されるという利点がある。
【００４６】
次に、図１２は、レーザアニールによる結晶化後の半導体膜５３の構造を示す平面図である。同図においては、レーザ長軸方向ＤAに長尺な領域Ｒ1および領域Ｒ2が方向ＤBに隣接する様子が図示されている。半導体膜５３の結晶の粒径（さらには電気的な特性）は、領域Ｒ1内および領域Ｒ2内の各々においては揃うけれども領域Ｒ1と領域Ｒ2との間では相違する。
【００４７】
図１２の部分(a)には、チャネル長方向ＤCが方向ＤBを向くように半導体層３１を領域Ｒ1と領域Ｒ2とにわたって形成した構成（以下「対比例２」という）が図示されている。図１２の部分(a)に示す半導体層３１の等価回路は、ドレイン電極Ｄとソース電極Ｓとの間に領域Ｒ1の抵抗ｒ1と領域Ｒ2の抵抗ｒ2とが直列に接続された構成となる。したがって、例えば結晶の欠陥などに起因して領域Ｒ1の抵抗ｒ1が高い場合には電流源トランジスタＴAのドレイン−ソース間の抵抗値が顕著に上昇するという問題がある。
【００４８】
一方、図１２の部分(b)には、図６や図７に示したように、チャネル長方向ＤCがレーザ長軸方向ＤAを向くように半導体層３１を形成した場合が図示されている。図１２の部分(b)に示す半導体層３１の等価回路は、ドレイン電極Ｄとソース電極Ｓとの間に抵抗ｒ1と抵抗ｒ2とが並列に接続された構成となる。したがって、仮に結晶の欠陥などに起因して領域Ｒ1の抵抗ｒ1が高い場合であっても、電流源トランジスタＴAのドレイン−ソース間の抵抗値は対比例２の場合と比較して抑制される。以上のように、本形態においては各半導体層３１のチャネル長方向ＤCがレーザ長軸方向ＤAに平行であるから、半導体膜５３における電気的な特性の相違が半導体層３１の抵抗値に与える影響が低減されるという利点がある。
【００４９】
なお、以上の形態においては、ｎ個の単位回路Ｕ1〜Ｕnがレーザ長軸方向ＤAに垂直な方向ＤBに配列する構成（図７）を例示したが、図１３のように単位回路Ｕ1〜Ｕnがレーザ長軸方向ＤAに配列する構成も採用される。図１３の構成においては、電流生成回路２０を構成するｎ個の単位回路Ｕ1〜Ｕnが所定の個数（ここでは８個）を単位として複数の回路群Ｇ（Ｇ1，Ｇ2，……）に区分される。図１３に示すように複数の回路群Ｇはレーザ長軸方向ＤAに沿って配列する。また、ひとつの回路群Ｇに属する８個の単位回路Ｕi（Ｕ1〜Ｕ8，Ｕ9〜Ｕ16）は方向ＤBに配列する。したがって、例えば回路群Ｇ1の単位回路Ｕ1と回路群Ｇ2の単位回路Ｕ9とはレーザ長軸方向ＤAに配列する。すなわち、図７の構成においては方向ＤBがＸ方向に相当するのに対し、図１３の構成においてはレーザ長軸方向ＤAがＸ方向に相当する。図１３の構成によっても図７の構成と同様の作用および効果が奏される。
【００５０】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、本形態において作用や機能が第１実施形態と共通する要素については、以上と同じ符号を付して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
【００５１】
図１４に示すように、本形態に係る電気光学装置２００の電流生成回路２０は電流調整回路２５を含む。電流調整回路２５は、各々が別個の単位回路Ｕiに対応するｎ個の調整回路Ｇ1〜Ｇnを含む。調整回路Ｇiは、単位回路Ｕiが設定データＳＤに応じて生成した電流を調整して出力電流Ｉout[i]を出力する手段である。なお、本形態の制御回路６０は、外部から供給される階調データＧＤをそのまま設定データＳＤとして電流生成回路２０に出力する。
【００５２】
図１５は、調整回路Ｇiの具体的な構成を単位回路Ｕiとともに示す回路図である。なお、単位回路Ｕiの電流源Ａkについてはひとつの電流源トランジスタＴAのみが代表的に図示されている。単位回路Ｕiは、第１実施形態と同様に、電流源Ａ1〜Ａ4の各々が生成した電流Ｉ1〜Ｉ4を設定データＳＤに応じて選択的に加算することで電流ＩA[i]を生成する。
【００５３】
図１５に示すように、調整回路Ｇiは電圧生成部２６と電流生成部２７とで構成される。電圧生成部２６は、電流ＩA[i]に応じた電圧Ｖ0を生成する。本形態の電圧生成部２６は、ゲート電極とドレイン電極とが相互に接続（ダイオード接続）された電圧生成トランジスタＴCを含む。電圧生成トランジスタＴCのドレイン電極に電流ＩA[i]が供給されることでゲート電極が電流ＩA[i]に応じた電圧Ｖ0に設定される。
【００５４】
電流生成部２７は、電圧Ｖ0と調整データＲＤとに応じた出力電流Ｉout[i]を生成する手段である。調整データＲＤは、電流ＩA[i]に対する調整の程度を指定する４ビット（ビットｇ1〜ｇ4）のデータである。制御回路６０の記憶部６２には調整回路Ｇ1〜Ｇnの各々について調整データＲＤが格納されている。電気光学装置２００の電源が投入された直後の初期化処理において、制御回路６０は、各調整データＲＤを記憶部６２から読み出して電流調整回路２５に出力する。調整データＲＤは、調整回路Ｇ1〜Ｇnの各々に保持される。
【００５５】
本形態の電流生成部２７は、調整データＲＤのビット数に相当する４個の電流生成トランジスタＴD1〜ＴD4と４個のスイッチング素子ＳＷ1〜ＳＷ4とを含む。各電流生成トランジスタＴDk（ｋ＝１,２,３,４）は、電圧生成部２６が生成した電圧Ｖ0（電流生成トランジスタＴCのゲート電極の電圧）がゲート電極に印加されることで電流Ｉgkを生成する。すなわち、電流生成トランジスタＴDkは、電圧生成トランジスタＴCとともにカレントミラー回路を構成することで、電流ＩA[i]に対応した電流Ｉgkを生成する。電流生成トランジスタＴD1〜ＴD4のサイズは、各々に流れる電流Ｉg1〜Ｉg4の電流値の相対比が２の累乗（Ｉg1：Ｉg2：Ｉg3：Ｉg4＝１：２：４：８）となるように設定されている。もっとも、単位回路Ｕi（図３参照）の電流源トランジスタＴAと同様に、電流Ｉgkに応じた個数のトランジスタを並列に接続することで電流生成トランジスタＴDkを構成してもよい。
【００５６】
スイッチング素子ＳＷkは調整データＲＤのビットｇkに応じて制御される。電流Ｉg1〜Ｉg4のうち調整データＲＤに応じてオン状態となったスイッチング素子ＳＷkを通過する１以上の電流が選択的に加算されることで出力電流Ｉout[i]が生成される。すなわち、調整回路Ｇiは、単位回路Ｕiが設定データＳＤに応じて生成した電流ＩA[i]を調整データＲＤに応じて増減した電流値の出力電流Ｉout[i]を出力する。
【００５７】
電圧生成トランジスタＴCや各電流生成トランジスタＴD1〜ＴD4は、単位回路Ｕiの電流源トランジスタＴAとともに基板５０の表面に形成されたｎチャネル型の薄膜トランジスタである。したがって、電圧生成トランジスタＴCおよび電流生成トランジスタＴD1〜ＴD4の各々は、半導体膜５３のレーザアニールで形成された結晶性の半導体層を含む。ひとつの調整回路Ｇiにおける電圧生成トランジスタＴCの半導体層と電流生成トランジスタＴD1〜ＴD4の各々の半導体層とは、レーザ長軸方向ＤAに沿って配列することで各々の電気的な特性が均一化される。さらに、電圧生成トランジスタＴCおよび電流生成トランジスタＴD1〜ＴD4の各々の半導体層と単位回路Ｕiの電流源トランジスタＴAの半導体層３１とをレーザ長軸方向ＤAに配列してもよい。
【００５８】
図１６は、レーザ長軸方向ＤAに垂直な方向ＤBに沿った位置が異なる単位回路Ｕi（ここではＵ1およびＵ2）における設定データＳＤと電流ＩA[i]の電流値との関係を示すグラフである。第１実施形態で説明したように半導体膜５３における結晶の粒径は方向ＤBに沿った位置に応じて相違するから、単位回路Ｕ1における設定データＳＤと電流ＩA[1]の電流値との関係（傾きα1）と、単位回路Ｕ2における設定データＳＤと電流ＩA[2]の電流値との関係（傾きα2）とは相違する。
【００５９】
単位回路Ｕ1〜Ｕnの各々の調整データＲＤは、各単位回路Ｕiの設定データＳＤと調整回路Ｇiによる調整後の出力電流Ｉout[i]の電流値との相対比（すなわち図１６における直線の傾き）が単位回路Ｕ1〜Ｕnについて所定値α0に均一化されるように設定される。すなわち、調整回路Ｇ1は、図１６に矢印ａ1で示すように、単位回路Ｕ1の設定データＳＤと調整後の出力電流Ｉout[1]との相対比が所定値α0となるように設定された調整データＲＤに基づいて電流ＩA[1]を調整する。同様に、調整回路Ｇ2は、図１６に矢印ａ2で示すように、単位回路Ｕ2の設定データＳＤと調整後の出力電流Ｉout[2]との相対比が所定値α0となるように設定された調整データＲＤに基づいて電流ＩA[2]を調整する。すなわち、設定データＳＤに対する出力電流Ｉout[1]および出力電流Ｉout[2]の各々の電流値の変化率（傾き）は所定値α0に均一化される。
【００６０】
以上に説明したように、本形態においては単位回路Ｕiの生成した電流ＩA[i]が調整回路Ｇiによって調整されるから、電流源トランジスタＴAの特性が単位回路Ｕiごとに相違するにも拘わらず、出力電流Ｉout[1]〜Ｉout[n]の電流値は均一化される。したがって、各電気光学素子１２の階調のムラを有効に抑制することができる。しかも、調整回路Ｇiにおける電圧生成トランジスタＴCと各電流生成トランジスタＴDとはレーザ長軸方向ＤAに配列するから、電流ＩA[i]と出力電流Ｉout[i]の相対比（ミラー比）を高精度かつ容易に調整できるという利点がある。
【００６１】
なお、以上の形態においては電流生成部２７が電圧Ｖ0から生成する出力電流Ｉout[i]を調整データＲＤに応じて制御する構成を例示したが、図１７に示すように、電圧生成部２６が電流ＩA[i]から生成する電圧Ｖ0を調整データＲＤに応じて制御する構成も採用される。同図に示す電圧生成部２６は、電圧生成トランジスタＴC1〜ＴC4に対応するスイッチング素子ＳＷ1〜ＳＷ4を調整データＲＤに応じて選択的に制御することで電流ＩA[i]と調整データＲＤとに応じた電圧Ｖ0を生成する。一方、電流生成部２７は、電圧Ｖ0がゲート電極に供給されることで出力電流Ｉout[i]を生成する電流生成トランジスタＴDを含む。以上の構成によっても図１５の構成と同様に出力電流Ｉout[1]〜Ｉout[n]を均一化することが可能である。なお、図１７の電圧生成部２６および図１５の電流生成部２７の双方を含む調整回路Ｇiも採用される。以上のように、調整回路Ｇiにおいては、電圧生成部２６が生成する電圧Ｖ0の電圧値および電流生成部２７が生成する出力電流Ｉout[i]の電流値の少なくとも一方が調整データＲＤに応じて可変に制御される構成であれば足りる。
【００６２】
＜Ｃ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００６３】
（１）変形例１  
単位回路Ｕiにおける各電流源Ａkの構成は適宜に変更される。例えば、電流源Ａ1〜Ａ4の各々がひとつの電流源トランジスタＴAのみを含む構成としてもよい。電流源Ａ1〜Ａ4の各々を構成するトランジスタＴAのサイズは、電流Ｉ1〜Ｉ4の電流値の相対比が２の累乗となるように決定される。例えば、電流源Ａ2の電流源トランジスタＴAのチャネル幅が電流源Ａ1の電流源トランジスタＴAの２倍に設定され、電流源Ａ3の電流源トランジスタＴAのチャネル幅が電流源Ａ1の電流源トランジスタＴAの４倍に設定されるといった具合である。
【００６４】
また、以上の形態においては電流Ｉ1〜Ｉ4の電流値が個別に重み付けされた構成を例示したが、電流源Ａ1〜Ａ4の各々が同じ電流値の電流を生成する構成も採用される。例えば、電流源Ａ1〜Ａ4の各々は、特性（サイズ）が共通するひとつの電流源トランジスタＴAで構成される。以上に例示したように、本発明の好適な態様における単位回路Ｕiは、複数の電流源トランジスタＴAが生成する電流を設定データＳＤに応じて選択的に加算することで出力電流Ｉout[i]を生成する回路として特定される。
【００６５】
（２）変形例２  
以上の形態においては、単位回路Ｕiを構成する総ての電流源トランジスタＴAがレーザ長軸方向ＤAに沿って直線状に配列する構成を例示したが、電流源トランジスタＴAが複数列に配列する構成も採用される。例えば、図１８に示すように、レーザ長軸方向ＤAに平行な直線Ｌ1および直線Ｌ2の各々に沿って複数の電流源トランジスタＴA（ＴA1，ＴA2）を配列した構成も採用される。図１８に示すように、電流源Ａ1は、直線Ｌ1上のひとつの電流源トランジスタＴA1と直線Ｌ2上のひとつの電流源トランジスタＴA1とを並列に接続した構成である。同様に、電流源Ａ2は、直線Ｌ1上の２個の電流源トランジスタＴA1と直線Ｌ2上の２個の電流源トランジスタＴA2とを並列に接続した構成である。なお、図１８においては電流源Ａ4およびスイッチング素子Ｂ4の図示が省略されている。
【００６６】
図１８の構成においては電流源Ａkを構成する電流源トランジスタＴA（ＴA1，ＴA2）が増加するから、第１実施形態と比較して、ひとつの電流源Ａkが生成する電流Ｉkの電流値を充分に確保できるという利点がある。また、電流源トランジスタＴAが複数列に配列されるから、総ての電流源トランジスタＴAが単列に配列する構成と比較して単位回路Ｕiにおけるレーザ長軸方向ＤAの寸法を削減することができる。さらに、直線Ｌ1上の各電流源トランジスタＴA1の電気的な特性が揃うとともに直線Ｌ2上の各電流源トランジスタＴA2の電気的な特性が揃うから、各電流源Ａkが生成する電流Ｉkの電流値は高い精度で所期の電流値に調整される。
【００６７】
（３）変形例３  
第１実施形態においては階調データＧＤと特性データＦＤとに対応した設定データＳＤをテーブルTBL2に基づいて特定する構成を例示したが、設定データＳＤを特定するための具体的な構成は適宜に変更される。例えば、階調データＧＤと特性データＦＤとを引数とする所定の演算を制御回路６０が実行することで設定データＳＤを算定する構成としてもよい。
【００６８】
（４）変形例４  
第２実施形態においては単位回路Ｕiが生成した電流ＩA[i]を調整回路Ｇiが調整して出力電流Ｉout[i]を生成する構成を例示したが、単位回路Ｕiと調整回路Ｇiとの関係は適宜に変更される。例えば、図１９に示すように、単位回路Ｕiの前段（信号線１５とは反対側）に調整回路Ｇiが設置された構成も採用される。図１９に示す調整回路Ｇiの電流生成部２７は、調整データＲＤに応じたスイッチング素子ＳＷ1〜ＳＷ4の制御によって電流生成トランジスタＴD1〜ＴD4の電流Ｉg1〜Ｉg4を選択的に加算することで基準電流Ｉref[i]を生成する。電圧生成部２６は、電圧生成トランジスタＴCのドレイン電極（ゲート電極）に基準電流Ｉref[i]を供給することで基準電流Ｉref[i]に応じた基準電圧Ｖrefを生成する。単位回路Ｕiの各電流源トランジスタＴAのゲート電極には基準電圧Ｖrefが供給される。電流生成部２７の電流生成トランジスタＴD1〜ＴD4と電圧生成部２６の電圧生成トランジスタＴCとは、各々の半導体層がレーザ長軸方向ＤAに沿うように配列する。以上の構成によっても、単位回路Ｕiの設定データＳＤと出力電流Ｉout[i]の電流値との相対比を、第２実施形態と同様に調整データＲＤに応じて所定値に均一化することが可能である。なお、図１９においては電流生成部２７が調整データＲＤに応じて制御される構成を例示したが、図１７の構成と同様に、電圧生成部２６が調整データＲＤに応じて制御される構成も採用される。
【００６９】
（５）変形例５  
第２実施形態においては単位回路Ｕiごとに調整回路Ｇiが設置された構成を例示したが、単位回路Ｕiの所定個（複数）ごとにひとつの調整回路Ｇiが配置された構成も採用される。例えば、図１９に例示した調整回路Ｇiの生成した基準電圧Ｖrefが複数の単位回路Ｕiに供給される構成としてもよい。本態様によれば、電流生成回路２０の規模が縮小されるという利点がある。
【００７０】
（６）変形例６  
電流源トランジスタＴAを含む各種のトランジスタの形態や特性は任意に変更される。例えば、電流源トランジスタＴAがｐチャネル型のトランジスタとされた構成やボトムゲート型の薄膜トランジスタとされた構成も採用される。また、電流源Ａkやスイッチング素子Ｂkといった要素の個数や階調データＧＤや設定データＳＤなどのデータのビット数が以上の例示に限定されないことはもちろんである。
【００７１】
（７）変形例７  
有機発光ダイオード素子は電気光学素子の例示に過ぎない。本発明に適用される電気光学素子について、自身が発光する自発光型と外光の透過率を変化させる非発光型（例えば液晶素子）との区別や、電流の供給によって駆動される電流駆動型と電圧の印加によって駆動される電圧駆動型との区別は不問である。例えば、無機ＥＬ素子、フィールド・エミッション（ＦＥ）素子、表面導電型エミッション（ＳＥ：Surface-conduction Electron-emitter）素子、弾道電子放出（ＢＳ：Ballistic electron Surface emitting）素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロクロミック素子など様々な電気光学素子を本発明に利用することができる。
【００７２】
＜Ｄ：応用例＞
次に、本発明に係る電子機器について説明する。図２０から図２２には、以上に例示した電気光学装置２００を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。
【００７３】
図２０は、電気光学装置２００を採用した可搬型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置２００と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具備する。電気光学装置２００は有機発光ダイオード素子を電気光学素子１２として使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００７４】
図２１は、電気光学装置２００を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２と、各種の画像を表示する電気光学装置２００とを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置２００に表示される画面がスクロールされる。
【００７５】
図２２は、電気光学装置２００を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す斜視図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２と、各種の画像を表示する電気光学装置２００とを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が電気光学装置２００に表示される。
【００７６】
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図２０から図２２に示した機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る電気光学装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、電子写真方式の画像形成装置において露光により感光体ドラムに潜像を形成する露光装置としても本発明の電気光学装置は利用される。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図２】画素回路の構成を示す回路図である。
【図３】単位回路の構成を示す回路図である。
【図４】電流源トランジスタの構造を示す平面図および断面図である。
【図５】半導体層を形成する工程を説明するための平面図である。
【図６】単位回路における各電流源トランジスタの配列を示す平面図である。
【図７】各単位回路の配列を示す平面図である。
【図８】設定データと出力電流の電流値との関係を示すグラフである。
【図９】特性データを特定するためのテーブルの内容を示す概念図である。
【図１０】設定データを特定するためのテーブルの内容を示す概念図である。
【図１１】対比例における設定データと出力電流の電流値との関係を示すグラフである。
【図１２】第１実施形態の効果を説明するための平面図である。
【図１３】各単位回路の他の配列を示す平面図である。
【図１４】第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図１５】調整回路の構成を示す回路図である。
【図１６】調整回路の動作を説明するためのグラフである。
【図１７】調整回路の別の形態を示す回路図である。
【図１８】変形例に係る単位回路の各電流源トランジスタの配列を示す平面図である。
【図１９】変形例に係る単位回路および調整回路の構成を示す回路図である。
【図２０】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図２１】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図２２】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７８】
２００……電気光学装置、１０……素子アレイ部、１２……電気光学素子、２０……電流生成回路、Ｕi（Ｕ1〜Ｕn）……単位回路、Ａ（Ａ1〜Ａ4）……電流源、Ｂ（Ｂ1〜Ｂ4）……スイッチング素子、ＴA……電流源トランジスタ、２５……電流調整回路、Ｇi（Ｇ1〜Ｇn）……調整回路、ＴC……電圧生成トランジスタ、ＴD……電流生成トランジスタ、３１……半導体層、３２……ゲート絶縁層、３３……ゲート電極、５０……基板、５３……半導体膜、６０……制御回路、６２……記憶部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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