(57)【要約】【課題】浮遊容量を低減して高周波特性を向上させることが可能な積層型インダクタを提供すること。【解決手段】積層型インダクタは、非磁性体層Ａ１〜Ａ１５がこの順に積層されて構成され、互いに平行となるように対向する一対の主面Ｓ１，Ｓ２を有する積層体１０と、導体パターンＢ１〜Ｂ９が互いに電気的に接続されたコイルＬと、引き出し導体Ｃ１，Ｃ２とを備える。引き出し導体Ｃ１、導体パターンＢ１〜Ｂ９及び引き出し導体Ｃ２は、非磁性体層Ａ３〜Ａ１３の表面にそれぞれ形成され、一対の主面Ｓ１，Ｓ２の対向方向に並置されている。導体パターンＢ１〜Ｂ９は、引き出し導体Ｃ１と引き出し導体Ｃ２との間に位置している。導体パターンＢ１〜Ｂ９のうち対向方向に隣り合う導体パターン同士は、対向方向から見て直交している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁体層が積層されて構成され、互いに平行となるように対向する一対の主面を有する積層体と、
前記積層体の外表面にそれぞれ配置された第１及び第２の外部電極と、
複数の直線状の導体パターンが互いに電気的に接続されて構成され、前記積層体の内部に設けられたコイルと、
前記コイルの一端に電気的に接続されると共に前記第１の外部導体に電気的に接続される第１の引き出し導体と、
前記コイルの他端に電気的に接続されると共に前記第２の外部電極に電気的に接続される第２の引き出し導体とを備え、
前記複数の導体パターンは、前記一対の主面の対向方向に垂直な複数の仮想平面のうち互いに異なる仮想平面にそれぞれ位置するように前記対向方向に並置されており、
前記複数の導体パターンのうち前記対向方向に隣り合う導体パターン同士は、前記対向方向から見て交差するように配置されていることを特徴とする積層型インダクタ。
【請求項２】
前記第１の引き出し導体は、前記コイルの一端から前記第１の外部電極に向かうにつれて幅が広くなるように形成されており、
前記第２の引き出し導体は、前記コイルの他端から前記第２の外部電極に向かうにつれて幅が広くなるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載された積層型インダクタ。
【請求項３】
前記第１の引き出し導体と前記複数の導体パターンと前記第２の引き出し導体とは、前記複数の仮想平面のうち互いに異なる仮想平面にそれぞれ位置するように前記対向方向に並置されており、
前記複数の導体パターンは、前記第１の引き出し導体と前記第２の引き出し導体との間に位置していることを特徴とする請求項２に記載された積層型インダクタ。
【請求項４】
前記複数の導体パターンのうち前記対向方向に隣り合う導体パターン同士は、前記対向方向から見て直交していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載された積層型インダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型インダクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、複数の絶縁体層が積層された積層体と、複数の導体パターンが互いに電気的に接続されることで積層体の内部に設けられたコイルと備え、各導体パターンが略Ｃ字状となっている積層型インダクタが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−１６６７４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に記載された従来の積層型インダクタでは、コイルを構成する各導体パターンが略Ｃ字状となっていたため、導体パターンが屈曲している部分において浮遊容量が発生していた。そのため、積層型インダクタを高周波領域で使用したときに、所望の特性を得ることができないという問題があった。
【０００４】
本発明は、浮遊容量を低減して高周波特性を向上させることが可能な積層型インダクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る積層型インダクタは、複数の絶縁体層が積層されて構成され、互いに平行となるように対向する一対の主面を有する積層体と、積層体の外表面にそれぞれ配置された第１及び第２の外部電極と、複数の直線状の導体パターンが互いに電気的に接続されて構成され、積層体の内部に設けられたコイルと、コイルの一端に電気的に接続されると共に第１の外部導体に電気的に接続される第１の引き出し導体と、コイルの他端に電気的に接続されると共に第２の外部電極に電気的に接続される第２の引き出し導体とを備え、複数の導体パターンは、一対の主面の対向方向に垂直な複数の仮想平面のうち互いに異なる仮想平面にそれぞれ位置するように対向方向に並置されており、複数の導体パターンのうち対向方向に隣り合う導体パターン同士は、対向方向から見て交差するように配置されていることを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る積層型インダクタでは、複数の直線状の導体パターンが互いに電気的に接続されてコイルが構成されている。そのため、屈曲している部分が導体パターンに存在しなくなる。その結果、従来の積層型インダクタと比較して、導体パターンが屈曲している部分において発生していた浮遊容量を低減することができ、高周波特性を向上させることが可能となる。また、本発明に係る積層型インダクタでは、複数の導体パターンが、一対の主面の対向方向に垂直な複数の仮想平面のうち互いに異なる仮想平面にそれぞれ位置するように対向方向に並置されている。そのため、一の導体パターンに対して対向方向に隣り合う導体パターンの数が２つ以下となる。その結果、対向方向に垂直な所定の仮想平面に複数の導体パターンが位置している場合と比較して、対向方向に隣り合う導体パターンの数が少なくなるので、対向方向に隣り合う導体パターン同士の間に生じる浮遊容量についても低減することが可能となる。
【０００７】
また、第１の引き出し導体は、コイルの一端から第１の外部電極に向かうにつれて幅が広くなるように形成されており、第２の引き出し導体は、コイルの他端から第２の外部電極に向かうにつれて幅が広くなるように形成されていることが好ましい。このようにすると、第１の外部電極と第１の引き出し導体との接触面積及び第２の外部電極と第２の引き出し導体との接触面積が大きくなる。そのため、第１の外部電極と第１の引き出し導体との接続信頼性及び第２の外部電極と第２の引き出し導体との接続信頼性の向上を図ることが可能となる。また、このようにすると、第１の引き出し導体とコイルの一端との接続部分及び第２の引き出し導体とコイルの他端との接続部分において、電気信号の伝送経路の急激な変化がなくなる。すなわち、インピーダンスと導体の断面積の大きさとが反比例するので、第１の外部電極からコイルの一端へと向かうにつれて、第１の引き出し導体のインピーダンスが徐々に高くなると共に、第２の外部電極からコイルの他端に向かうにつれて、第２の引き出し導体のインピーダンスが徐々に高くなる。その結果、インピーダンスマッチングが行われ、電気信号の反射を低減することが可能となる。
【０００８】
また、第１の引き出し導体と複数の導体パターンと第２の引き出し導体とは、複数の仮想平面のうち互いに異なる仮想平面にそれぞれ位置するように対向方向に並置されており、複数の導体パターンは、第１の引き出し導体と第２の引き出し導体との間に位置していることが好ましい。第１の引き出し導体と導体パターンとが一体的に形成されており、第２の引き出し導体と導体パターンとが一体的に形成されている場合、第１の引き出し導体と導体パターンとの接続部分で屈曲することにより浮遊容量が発生し、第２の引き出し導体と導体パターンとの接続部分で屈曲することにより浮遊容量が発生することがあったが、このようにすると、第１及び第２の引き出し導体が共に複数の導体パターンのいずれの導体パターンとも一体的に形成されないこととなる。その結果、屈曲が存在しなくなり、浮遊容量をより低減することが可能となる。
【０００９】
また、複数の導体パターンのうち対向方向に隣り合う導体パターン同士は、対向方向から見て直交していることが好ましい。このようにすると、対向方向に隣り合う導体パターン同士が対向方向から見て直交していない場合と比較して、大きなコイル径を確保することが可能となる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、浮遊容量を低減して高周波特性を向上させることが可能な積層型インダクタを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１〜図３を参照して、本実施形態に係る積層型インダクタ１の構成について説明する。図１は、本実施形態に係る積層型インダクタを示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体の構成を説明するための分解斜視図である。図３は、（ａ）が本実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体の側面透視図であり、（ｂ）が本実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体の上面透視図である。
【００１３】
積層型インダクタ１は、図１に示されるように、略直方体形状の積層体１０と、積層体１０の長手方向の両側面にそれぞれ形成された一対の外部電極１２，１４と、積層体１０の内部において直線状（略Ｉ字状）の導体パターンＢ１〜Ｂ９がそれぞれ互いに電気的に接続されてなるコイルＬとを備える。積層体１０は、互いに平行となるように対向する一対の主面Ｓ１，Ｓ２を有している。
【００１４】
積層体１０は、図２に示されるように、非磁性体層Ａ１〜Ａ１５がこの順に積層されることで構成される。すなわち、非磁性体層Ａ１の上面が積層体１０の主面Ｓ１を構成し、非磁性体層Ａ１５の下面が積層体１０の主面Ｓ２を構成することとなり（図２参照）、主面Ｓ１，Ｓ２の対向方向（以下、対向方向と称する）は本実施形態において積層体１０（非磁性体層Ａ１〜Ａ１５）の積層方向（以下、積層方向と称する）に一致する。非磁性体層Ａ１〜Ａ１５は、電気絶縁性を有する絶縁体として機能する。非磁性体層Ａ１〜Ａ９は、例えば、ストロンチウム、カルシウム、アルミナ、酸化ケイ素等を含むガラス系セラミックを用いて形成することができる。実際の積層型インダクタ１では、非磁性体層Ａ１〜Ａ１５の境界が視認できない程度に一体化されている。そのため、以下において積層型インダクタ１の構成を説明するために用いている「非磁性体層の表面」とは、仮想的な平面を意味している。
【００１５】
非磁性体層Ａ３の表面には、引き出し導体Ｃ１が形成されている。引き出し導体Ｃ１の一端は、非磁性体層Ａ３を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ１と電気的に接続される。このため、引き出し導体Ｃ１は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ１を介して、対応する導体パターンＢ１と電気的に接続される。引き出し導体Ｃ１は、非磁性体層Ａ３の外部電極１２が形成される側の縁に引き出され、その端部が非磁性体層Ａ３の端面に露出している。引き出し導体Ｃ１は、導体パターンＢ１（コイルＬの一端）が沿う終端軸線ＰからコイルＬの軸心側に向けて（終端軸線Ｐから見て非磁性体層Ａ３の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されている。引き出し導体Ｃ１は、導体パターンＢ１（コイルＬの一端）から非磁性体層Ａ３の端面（外部電極１２）に向かうにつれて、幅が広くなっている。
【００１６】
非磁性体層Ａ４の表面には、導体パターンＢ１が形成されている。導体パターンＢ１は、コイルＬの一端に位置するように配置されている。導体パターンＢ１は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンＢ２と直交するように配置されている。導体パターンＢ１の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ１と電気的に接続される領域が含まれている。このため、導体パターンＢ１は、引き出し導体Ｃ１を介して、外部電極１２と電気的に接続される。導体パターンＢ１の他端は、非磁性体層Ａ４を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ２と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ１は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ２を介して、対応する導体パターンＢ２と電気的に接続される。
【００１７】
非磁性体層Ａ５の表面には、導体パターンＢ２が形成されている。導体パターンＢ２は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンＢ１，Ｂ３と直交するように配置されている。導体パターンＢ２の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ２と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ２の他端は、非磁性体層Ａ５を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ３と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ２は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ３を介して、対応する導体パターンＢ３と電気的に接続される。
【００１８】
非磁性体層Ａ６の表面には、導体パターンＢ３が形成されている。導体パターンＢ３は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンＢ２，Ｂ４と直交するように配置されている。導体パターンＢ３の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ３と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ３の他端は、非磁性体層Ａ６を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ４と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ３は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ４を介して、対応する導体パターンＢ４と電気的に接続される。
【００１９】
非磁性体層Ａ７の表面には、導体パターンＢ４が形成されている。導体パターンＢ４は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンＢ３，Ｂ５と直交するように配置されている。導体パターンＢ４の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ４と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ４の他端は、非磁性体層Ａ７を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ５と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ４は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ５を介して、対応する導体パターンＢ５と電気的に接続される。
【００２０】
非磁性体層Ａ８の表面には、導体パターンＢ５が形成されている。導体パターンＢ５は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンＢ４，Ｂ６と直交するように配置されている。導体パターンＢ５の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ５と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ５の他端は、非磁性体層Ａ８を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ６と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ５は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ６を介して、対応する導体パターンＢ６と電気的に接続される。
【００２１】
非磁性体層Ａ９の表面には、導体パターンＢ６が形成されている。導体パターンＢ６は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンＢ５，Ｂ７と直交するように配置されている。導体パターンＢ６の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ６と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ６の他端は、非磁性体層Ａ９を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ７と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ６は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ７を介して、対応する導体パターンＢ７と電気的に接続される。
【００２２】
非磁性体層Ａ１０の表面には、導体パターンＢ７が形成されている。導体パターンＢ７は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンＢ６，Ｂ８と直交するように配置されている。導体パターンＢ７の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ７と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ７の他端は、非磁性体層Ａ１０を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ８と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ７は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ８を介して、対応する導体パターンＢ８と電気的に接続される。
【００２３】
非磁性体層Ａ１１の表面には、導体パターンＢ８が形成されている。導体パターンＢ８は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンＢ７，Ｂ９と直交するように配置されている。導体パターンＢ８の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ８と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ８の他端は、非磁性体層Ａ１１を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ９と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ８は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ９を介して、対応する導体パターンＢ９と電気的に接続される。
【００２４】
非磁性体層Ａ１２の表面には、導体パターンＢ９が形成されている。導体パターンＢ９は、コイルＬの他端に位置し、且つ、対向方向（積層方向）から見て対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンＢ８と直交するように配置されている。導体パターンＢ９の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ９と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ９の他端は、非磁性体層Ａ１２を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ１０と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ９は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ１０を介して、対応する引き出し導体Ｃ２と電気的に接続される。
【００２５】
非磁性体層Ａ１３の表面には、引き出し導体Ｃ２が形成されている。引き出し導体Ｃ２の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ１０と電気的に接続される領域が含まれている。引き出し導体Ｃ２は、非磁性体層Ａ１３の外部電極１４が形成される側の縁に引き出され、その端部が非磁性体層Ａ１３の端面に露出している。引き出し導体Ｃ２は、導体パターンＢ９（コイルＬの他端）が沿う終端軸線ＱからコイルＬの軸心側に向けて（終端軸線Ｑから見て非磁性体層Ａ１３の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されている。引き出し導体Ｃ２は、導体パターンＢ９（コイルＬの他端）から非磁性体層Ａ１３の端面（外部電極１４）に向かうにつれて、幅が広くなっている。
【００２６】
上述の非磁性体層Ａ１〜Ａ１５が積層された積層体１０においては、図３（ａ）に示されるように、引き出し導体Ｃ１と導体パターンＢ１〜Ｂ９と引き出し導体Ｃ２とが対向方向（積層方向）に並置されている。また、上述の非磁性体層Ａ１〜Ａ１５が積層された積層体１０においては、図３（ｂ）に示されるように、対向方向（積層方向）から見て、導体パターンＢ１〜Ｂ９のうち対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターン同士が直交している。
【００２７】
以上のように、本実施形態においては、直線状の導体パターンＢ１〜Ｂ９が互いに電気的に接続されてコイルＬが構成されている。そのため、屈曲している部分が導体パターンＢ１〜Ｂ９に存在しなくなる。その結果、従来の積層型インダクタと比較して、導体パターンが屈曲している部分において発生していた浮遊容量を低減することができ、高周波特性を向上させることが可能となる。
【００２８】
また、本実施形態においては、導体パターンＢ１〜Ｂ９が、非磁性体層Ａ４〜Ａ１２の表面にそれぞれ形成されており、対向方向（積層方向）に並置されている。そのため、一の導体パターンに対して対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンの数が２つ以下となる。その結果、非磁性体層の表面に複数の導体パターンが形成されている場合と比較して、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンの数が少なくなるので、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターン同士の間に生じる浮遊容量についても低減することが可能となる。
【００２９】
また、本実施形態においては、引き出し導体Ｃ１が、導体パターンＢ１（コイルＬの一端）が沿う終端軸線ＰからコイルＬの軸心側に向けて（終端軸線Ｐから見て非磁性体層Ａ３の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されていると共に、導体パターンＢ１（コイルＬの一端）から非磁性体層Ａ３の端面（外部電極１２）に向かうにつれて幅が広くなっている。そして、引き出し導体Ｃ２が、導体パターンＢ９（コイルＬの他端）が沿う終端軸線ＱからコイルＬの軸心側に向けて（終端軸線Ｑから見て非磁性体層Ａ１２の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されていると共に、導体パターンＢ９（コイルＬの他端）から非磁性体層Ａ１２の端面（外部電極１４）に向かうにつれて幅が広くなっている。そのため、外部電極１２と引き出し導体Ｃ１との接続信頼性及び外部電極１４と引き出し導体Ｃ２との接続信頼性の向上を図ることが可能となる。また、引き出し導体Ｃ１とコイルＬの一端（導体パターンＢ１）との接続部分及び引き出し導体Ｃ２とコイルＬの他端（導体パターンＢ９）との接続部分において、電気信号の伝送経路の急激な変化がなくなる。すなわち、インピーダンスと導体の断面積の大きさとが反比例するので、外部電極１２からコイルＬの一端（導体パターンＢ１）へと向かうにつれて、引き出し導体Ｃ１のインピーダンスが徐々に高くなると共に、外部電極１４からコイルＬの他端（導体パターンＢ９）へと向かうにつれて、引き出し導体Ｃ２のインピーダンスが徐々に高くなる。その結果、インピーダンスマッチングが行われ、電気信号の反射を低減することが可能となる。
【００３０】
また、本実施形態においては、導体パターンＢ１〜Ｂ９が形成されている非磁性体層Ａ４〜Ａ１２と異なる非磁性体層Ａ３，Ａ１３に引き出し導体Ｃ１，Ｃ２がそれぞれ形成され、導体パターンＢ１〜Ｂ９が引き出し導体Ｃ１と引き出し導体Ｃ２との間に位置している。引き出し導体Ｃ１，Ｃ２が導体パターンＢ１〜Ｂ９のいずれかと一体的に形成されている場合、引き出し導体Ｃ１，Ｃ２と導体パターンとの接続部分で屈曲することにより浮遊容量が発生することがあったが、このようにすると、引き出し導体Ｃ１，Ｃ２が共に導体パターンＢ１〜Ｂ９のいずれにも一体的に形成されないこととなる。その結果、屈曲が存在しなくなり、浮遊容量をより低減することが可能となる。
【００３１】
また、本実施形態においては、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターン同士が直交するように導体パターンＢ１〜Ｂ９が配置されている。そのため、対向方向（積層方向）から見て、導体パターンＢ１〜Ｂ９が対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンと直交していない場合と比較して、大きなコイル径を確保することが可能となる。
【００３２】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、本実施形態では、引き出し導体Ｃ１が、導体パターンＢ１（コイルＬの一端）が沿う終端軸線ＰからコイルＬの軸心側に向けて（終端軸線Ｐから見て非磁性体層Ａ３の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されており、引き出し導体Ｃ２が、導体パターンＢ９（コイルＬの他端）が沿う終端軸線ＱからコイルＬの軸心側に向けて（終端軸線Ｑから見て非磁性体層Ａ１３の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されていたが、これに限られない。すなわち、引き出し導体Ｃ１が、導体パターンＢ１（コイルＬの一端）が沿う終端軸線ＰからコイルＬの軸心と反対側に向けて（終端軸線Ｐから見て非磁性体層Ａ３の近い方の縁に向けて）延びるように形成されていてもよく、引き出し導体Ｃ２が、導体パターンＢ９（コイルＬの他端）が沿う終端軸線ＱからコイルＬの軸心と反対側に向けて（終端軸線Ｑから見て非磁性体層Ａ１３の近い方の縁に向けて）延びるように形成されていてもよい。また、引き出し導体Ｃ１が、導体パターンＢ１（コイルＬの一端）が沿う終端軸線Ｐを挟んで両側に向けて延びるように形成されていてもよく、引き出し導体Ｃ２が、導体パターンＢ９（コイルＬの他端）が沿う終端軸線Ｑを挟んで両側に向けて延びるように形成されていてもよい。さらに、引き出し導体Ｃ１，Ｃ２が直線状（略Ｉ字状）となるようにそれぞれ形成されていてもよい。
【００３３】
また、本実施形態では、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターン同士が直交するように導体パターンＢ１〜Ｂ９が配置されていたが、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターン同士が交差するように導体パターンＢ１〜Ｂ９が配置されていてもよい。
【００３４】
また、本実施形態では、引き出し導体Ｃ１と導体パターンとが一体的に形成されておらず、引き出し導体Ｃ２と導体パターンとが一体的に形成されていなかったが、引き出し導体Ｃ１と導体パターンとを一体的に形成したものでもよく、引き出し導体Ｃ２と導体パターンとを一体的に形成したものでもよい。
【００３５】
また、本実施形態では、非磁性体層Ａ１〜Ａ１５を積層することで積層体１０を構成していたが、磁性体層を積層することで積層体を構成してもよい。磁性体層は、例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト又はＮｉ−Ｃｕ系フェライト等のフェライトを用いて形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本実施形態に係る積層型インダクタを示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体の構成を説明するための分解斜視図である。
【図３】（ａ）は本実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体の側面透視図であり、（ｂ）は本実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体の上面透視図である。
【符号の説明】
【００３７】
１…積層型インダクタ、１０…積層体、１２，１４…外部電極、Ａ１〜Ａ１５…非磁性体層、Ｂ１〜Ｂ９…導体パターン、Ｃ１，Ｃ２…引き出し導体、Ｄ１〜Ｄ１０…スルーホール電極、Ｌ…コイル、Ｐ，Ｑ…終端軸線。
【図１】
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【図２】
2008078228.tif 000004
【図３】
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