(57)【要約】【課題】発光ダイオード特性を悪化させずに、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの表面欠陥を低減する。【解決手段】有機金属気相成長法を用いて、導電性基板(1)上に、少なくとも、ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層(3)と、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層(4)と、ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層(5)と、ＧａＰからなる電流分散層(6)とを積層形成するＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの作製方法において、ＧａＰからなる電流分散層(6)の成長に際して、成長初期のＧａＰ層(6a)の成長温度を前記ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層(5)の成長温度よりも高温で成長し、その後、残りのＧａＰ層(6b)を前記ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層(5)の成長温度と同等かそれ以下の低温で成長する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機金属気相成長法を用いて、導電性基板上に、少なくとも、ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層と、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層と、ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層からなる発光層と、ＧａＰからなる電流分散層とを積層形成するＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの作製方法において、
前記ＧａＰからなる電流分散層の成長に際して、成長初期のＧａＰ層の成長温度を前記ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層の成長温度よりも高温で成長し、その後、残りのＧａＰ層を前記ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層の成長温度と同等か若しくはそれより低温で成長することを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの作製方法。
【請求項２】
前記ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層の成長温度が、６００〜６５０℃の範囲であることを特徴とする請求項１に記載のＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの作製方法。
【請求項３】
前記成長初期のＧａＰ層の成長温度が、７５０〜９００℃であることを特徴とする請求項１又は２に記載のＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの作製方法。
【請求項４】
前記成長初期のＧａＰ層の厚さは、１００〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの作製方法。
【請求項５】
前記残りのＧａＰ層の成長温度は、５５０〜６５０℃であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの作製方法。
【請求項６】
導電性基板上に、少なくとも、ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層と、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層と、ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層からなる発光層と、ＧａＰからなる電流分散層とを備えたＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハにおいて、
前記ＧａＰからなる電流分散層が、厚さ１００〜５００ｎｍであって前記ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層の成長温度よりも高温で成長したＧａＰ下地層と、前記ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層の成長温度と同等かより低温で成長したＧａＰ層とからなることを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＧａＰを電流分散層に用いたＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその作製方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード（ＬＥＤ）用エピタキシャルウェハは、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）を用いて作製されることが多い。ＭＯＶＰＥ法とは、結晶基板をヒータで加熱し、そこにキャリアガスとして水素や窒素を用いてIII族原料となるＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）など、Ｖ族原料となるＡｓＨ３（アルシン）、ＰＨ３（ホスフィン）などを供給し、熱分解反応により結晶基板上へ配列よく結晶を成長させる方法である。
【０００３】
ＭＯＶＰＥ法を用いて、ＡｌＧａＩｎＰ系のダブルヘテロ構造の発光ダイオードを作製する従来方法では、６５０℃に加熱したｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、発光部となるアンドープＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を積層成長させ、その後、成長温度を７００℃に昇温して電流分散層であるＧａＰを成長させている。こうして成長したエピタキシャルウェハをチップ形成プロセスにかけ、基板側にｎ型電極、電流分散層上にｐ型電極を形成した後、ウェハを切断して、ＬＥＤチップを作製している。
【０００４】
なお、関連する技術として、ＡｌＧａＩｎＰを電流拡散層（電流分散層）に用いたＡｌＧａＩｎＰ系のＬＥＤ素子において、ＡｌＧａＩｎＰ電流拡散層を２層（以上）とし、活性層に近い第１電流拡散層のキャリア濃度を１〜３×１０１８ｃｍ−３、活性層から遠い第２電流拡散層のキャリア濃度を１〜２×１０１９ｃｍ−３と高くし、少なくとも電流拡散層の成長初期において成長速度を０.５〜２μｍ／ｈと低くすると共に、活性層及びクラッド層の成長温度７４０℃以下に対し、第１及び第２電流拡散層の成長温度を７５０℃以上として、発光強度が高く、表面欠陥の少ないＬＥＤ素子を製造するという提案がある（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２８０６０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したように、従来方法により作製したエピタキシャルウェハ表面、即ちＧａＰ電流分散層表面は、目視では鏡面であるが、顕微鏡観察やサーフスキャンで測定すると表面欠陥（構造物）が多数存在している。このため、それらがチップ化プロセスで割れや電極剥がれの原因となり、歩留りを大きく低下させていた。
また、従来方法では、ＧａＰ電流分散層の成長温度は、通常ＡｌＧａＩｎＰ４元層の成長温度よりも高いことが多い。これは成長温度を高くすると、ＧａＰ層表面の欠陥（構造物）が低減する理由からである。しかし、ＧａＰ層の成長膜厚は厚いため成長時間が非常に長く、この間ｐ型クラッド層以下の４元層は高温にさらされることになる。４元層が高温にさらされる時間が長くなると、ｐ型クラッド層に用いたドーパントである、Ｚｎ（亜鉛）やＭｇ（マグネシウム）が熱拡散により活性層へ移動してしまう。活性層にドーパントが拡散すると、発光出力の低下や長期信頼性の悪化といったＬＥＤ特性に問題が発生する。
つまり、表面欠陥（構造物）を抑えるためにはＧａＰ成長温度を上げれば良いが、ＧａＰの成長温度を上げるとドーパントの拡散によりＬＥＤ特性が悪化するといったトレードオフの関係がある。
【０００６】
また、特許文献１の方法を、ＧａＰを電流分散層に用いたＡｌＧａＩｎＰ系のＬＥＤに適用した場合、ＧａＰ層表面の欠陥は少なくできても、Ｇａｐ層を成長している間、ずっと高温にさらされるので、ｐ型クラッド層から活性層へのドーパント拡散が発生し、発光出力の低下、信頼性の悪化が問題となる。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決し、発光ダイオード特性を悪化させること無く、発光ダイオード用エピタキシャルウェハの表面欠陥（構造物）を低減できるＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその作製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。
本発明の第１の態様は、有機金属気相成長法を用いて、導電性基板上に、少なくとも、ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層と、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層と、ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層からなる発光層と、ＧａＰからなる電流分散層とを積層形成するＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの作製方法において、前記ＧａＰからなる電流分散層の成長に際して、成長初期のＧａＰ層の成長温度を前記ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層の成長温度よりも高温で成長し、その後、残りのＧａＰ層を前記ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層の成長温度と同等か若しくはそれより低温で成長することを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの作製方法である。
【０００９】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層の成長温度が、６００〜６５０℃の範囲であることを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの作製方法である。
【００１０】
本発明の第３の態様は、第１の態様又は第２の態様において、前記成長初期のＧａＰ層の成長温度が、７５０〜９００℃であることを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの作製方法である。
【００１１】
本発明の第４の態様は、第１〜第３の態様のいずれかの態様において、前記成長初期のＧａＰ層の厚さは、１００〜５００ｎｍであることを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの作製方法である。
【００１２】
本発明の第５の態様は、第１〜第４の態様のいずれかの態様において、前記残りのＧａＰ層の成長温度は、５５０〜６５０℃であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの作製方法である。
【００１３】
本発明の第６の態様は、導電性基板上に、少なくとも、ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層と、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層と、ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層からなる発光層と、ＧａＰからなる電流分散層とを備えたＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハにおいて、前記ＧａＰからなる電流分散層が、厚さ１００〜５００ｎｍであって前記ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層の成長温度よりも高温で成長したＧａＰ下地層と、前記ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層の成長温度と同等かより低温で成長したＧａＰ層とからなることを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ＧａＰ電流分散層を初期高温成長と低温成長の二段階で成長させているため、ＧａＰ電流分散層表面の欠陥を大幅に低減することができ、表面平坦性のよい発光ダイオード用エピタキシャルウェハが得られる。ＧａＰ表面欠陥が大幅に減るので、チップ化プロセスの際に、表面欠陥による割れや電極剥がれを防止でき、歩留りを向上できる。また、初期高温成長以降は低温でのＧａＰ成長であるため、活性層へのドーパント拡散が抑えられ、長期信頼性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係るＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその作製方法の実施形態を図面を用いて説明する。
図１は、本実施形態のＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの概略的な層構造を示す断面図である。図１に示すように、この発光ダイオード用エピタキシャルウェハは、導電性基板１上に、バッファ層２と、ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層３と、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層４と、ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層５からなる発光層と、ｐ型ＧａＰ層からなる電流分散層６とを有する。電流分散層６は、厚さ１００〜５００ｎｍの高温成長ＧａＰ下地層６ａと、低温成長ＧａＰ層６ｂとからなる。
【００１６】
この発光ダイオード用エピタキシャルウェハは、ＭＯＶＰＥ法を用いて作製される。ＭＯＶＰＥ装置内に導電性基板１を設置し、ヒータにより加熱された導電性基板１上に、必要とするIII原料ガス、Ｖ族原料ガス、キャリアガス及びドーパント原料ガスを供給して、バッファ層２と、ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層３と、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層４と、ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層５と、高温成長ＧａＰ下地層６ａと、低温成長ＧａＰ層６ｂとを順次、エピタキシャル成長させる。ｐ型ドーパントには、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃなど、ｎ型ドーパントには、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｔｅなどが用いられる。
【００１７】
ＧａＰからなる電流分散層６の成長では、成長初期の高温成長ＧａＰ下地層６ａの成長温度を、ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層５の成長温度よりも高温で成長し、その後、残りの低温成長ＧａＰ層６ｂをｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層５の成長温度と同等か若しくはそれより低温で成長する。より具体的には、ＭＯＶＰＥ成長での成長温度は、ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層３、（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層４およびｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層５を６００〜６５０℃とし、高温成長ＧａＰ下地層６ａを７５０〜９００℃、低温成長ＧａＰ層６ｂを５５０〜６５０℃で成長するのが好ましい。
【００１８】
本実施形態では、ＡｌＧａＩｎＰ４元層であるｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５の成長後、ＧａＰ成長を行う際の初期ＧａＰ層（厚さ：１００〜５００ｎｍ）を７５０℃から９００℃の高温で成長し、その後はＡｌＧａＩｎＰ４元層の成長温度と同等もしくはそれ以下の低温の成長温度に変更してＧａＰ層を成長している。ＧａＰ層成長温度を高温、低温の２段階で成長する意図は、ＧａＰ層を高温で成長することで表面欠陥を低減できることから、成長初期の１００〜５００ｎｍを表面欠陥の少ないＧａＰ層（高温成長ＧａＰ下地層６ａ）を成長し、その後は活性層４へのドーパント拡散を抑えるために、ＡｌＧａＩｎＰ４元層の成長温度と同等若しくはそれ以下でＧａＰ層（低温成長ＧａＰ層６ｂ）を成長する。ＧａＰ層の表面欠陥は、ＡｌＧａＩｎＰ４元層とＧａＰ層の格子不整合が原因で発生しているので、ＧａＰ層の成長初期から発生していると考えられる。よって、ＧａＰ層の成長初期を欠陥の少ない綺麗なＧａＰ層（高温成長ＧａＰ下地層６ａ）が成長できれば、その後は成長温度を低くしても綺麗なＧａＰ層は引き継がれる。低温で成長可能となれば、活性層４へのドーパントの拡散を抑えることができＬＥＤ特性の劣化も抑止できる。
このように、成長初期を高温、その後は低温という２段階の温度プロファイルで成長することで、ＧａＰからなる電流分散層６の表面欠陥は少なくなり、しかもドーパントの拡散を抑えられるのでＬＥＤ特性の劣化も抑えられる。
【００１９】
成長初期の高温成長ＧａＰ下地層６ａの成長温度を７５０℃〜９００℃にした理由は、下地層との格子不整合のため７５０℃以下では表面欠陥（構造物）の発生量が多く、９００℃以上では表面欠陥は少なくなるが、逆にＧａＰの再蒸発が発生し表面の平坦性が損なわれる（表面が曇る）からである。
また、高温で成長する高温成長ＧａＰ下地層６ａの厚みを１００〜５００ｎｍにした理由は、１００ｎｍ以下であると表面欠陥の少ない綺麗な結晶を上へ引継ぐには不十分で、成長後に表面欠陥が発生してしまうからであり、５００ｎｍ以上にするとＡｌＧａＩｎＰ４元層が高温にさらされる時間が長くなるため、ドーパントの活性層への拡散が発生してしまうからである。
更に、低温成長ＧａＰ層６ｂの成長温度を５５０〜６５０℃にした理由は、成長温度が５５０℃未満ではＧａＰ層の表面状態が悪化し、５５０〜６５０℃では、下地がＧａＰ層（高温成長ＧａＰ下地層６ａ）なので格子不整合による表面欠陥が発生せず、またＡｌＧａＩｎＰ４元層の成長温度以下なのでドーパント拡散が進まないからである。従って、低温成長ＧａＰ層６ｂの成長温度を５５０〜６５０℃にすると、ＧａＰ表面の平坦性を維持しつつ、ドーパントの活性層４への拡散を防止できる。
【００２０】
なお、上記実施形態において、例えば、バッファ層２とｎ型クラッド層３との間、或いはバッファ層２に替えて、分布ブラッグ反射膜などの光反射層を設けたり、また、ｐ型クラッド層５と高温成長ＧａＰ下地層６ａとの間に、ｐ型クラッド層５よりもバンドギャップが小さくヘテロ界面の電位障壁を低減するための、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型介在層を設けたりするなど、種々に変更可能である。
【実施例】
【００２１】
次に、本発明の実施例を説明する。本実施例のＡｌＧａＩｎＰ系のＬＥＤ用エピタキシャルウェハは、図１に示す上記実施形態のＬＥＤ用エピタキシャルウェハと同一の層構造のものであり、図１を用いて本実施例を説明する。
【００２２】
図１に示すように、本実施例のＡｌＧａＩｎＰ系のＬＥＤ用エピタキシャルウェハは、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３と、アンドープのＡｌＧａＩｎＰ活性層４と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５と、高温成長ＧａＰ下地層６ａ及び低温成長ＧａＰ層６ｂからなる電流分散層６とを有する。
【００２３】
このＬＥＤ用エピタキシャルウェハを、ＭＯＶＰＥ法を用いて作製した。ｎ型ＧａＡｓ基板１をヒータで加熱し、そこにキャリアガスとして水素を用いて、III族原料となるＴＭＧ、ＴＭＡ、ＴＭＩ、Ｖ族原料となるＡｓＨ３、ＰＨ３、ドーパントとなるＨ２Ｓｅ（セレン化水素）、ＤＥＺ（ジエチル亜鉛）を必要に応じ供給し成長を行った。
【００２４】
６５０℃に加熱したｎ型ＧａＡｓ基板１上に、Ｓｅドープのｎ型ＧａＡｓバッファ層（厚さ２００ｎｍ、キャリア濃度１×１０１８ｃｍ−３）２、Ｓｅドープのｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（厚さ４００ｎｍ、キャリア濃度１×１０１８ｃｍ−３）３、アンドープのＡｌＧａＩｎＰ活性層（厚さ５００ｎｍ）４、Ｚｎドープのｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（厚さ５００ｎｍ、キャリア濃度５×１０１７ｃｍ−３）５を順に積層成長した。次に、成長温度を７５０℃に昇温してＺｎドープの高温成長ＧａＰ下地層（厚さ２００ｎｍ、キャリア濃度５×１０１８ｃｍ−３）６ａを成長し、その後、成長温度を６５０℃に下げて残りのＺｎドープの低温成長ＧａＰ層（厚さ９.８μｍ、キャリア濃度５×１０１８ｃｍ−３）６ｂを成長した。
【００２５】
また、実施例と比較するための比較例として、図２に示す構造のＬＥＤ用エピタキシャルウェハを作製した。比較例のＬＥＤ用エピタキシャルウェハの作製では、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２からｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５までは上記実施例の成長方法と同じく成長したが、電流分散層であるＧａＰ層の成長は、成長温度を７００℃にしてＺｎドープのＧａＰ電流分散層（厚さ１０μｍ、キャリア濃度５×１０１８ｃｍ−３）７を成長した。
【００２６】
成長したＬＥＤ用エピタキシャルウェハの表面は、実施例、比較例ともに目視では鏡面であった。しかし、顕微鏡で観察すると、比較例のＬＥＤ用エピタキシャルウェハでは、表面欠陥（構造物）が多く存在し、実施例のＬＥＤ用エピタキシャルウェハでは、比較例に比べて大幅に表面欠陥（構造物）が少なかった。また、サーフスキャンの測定を行なったところ、５〜５０μｍ径の表面欠陥（構造物）が、比較例では２５１個／ｃｍ２であったが、実施例では７個／ｃｍ２であった。
【００２７】
上記実施例及び比較例のＬＥＤ用エピタキシャルウェハに対してチップ化プロセスを行い、チップサイズ３００μｍ角のＬＥＤチップを作製し、発光出力の信頼性の評価を行なった。信頼性評価試験は、室温で５０ｍＡ連続通電をし、評価は２４時間おきに発光出力を測定し、初期の特性との出力変化率（相対出力）を測定した。図３に信頼性評価試験の結果を示す。図３に示すように、比較例から作製したＬＥＤチップは、時間と共に出力が低下していくが、実施例から作製したＬＥＤチップでは、殆ど低下は見られなかった。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態及び実施例に係る発光ダイオード用エピタキシャルウェハの断面模式図である。
【図２】比較例の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの断面模式図である。
【図３】実施例及び比較例の発光ダイオード用エピタキシャルウェハを用いて作製したＬＥＤチップの長期信頼性試験における相対出力を示したグラフである。
【符号の説明】
【００２９】
１  導電性基板（ｎ型ＧａＡｓ基板）
２  バッファ層（ｎ型ＧａＡｓバッファ層）
３  ｎ型（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｐクラッド層
４  （Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｐ活性層
５  ｐ型（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐクラッド層
６  電流分散層（ＧａＰ電流分散層）
６ａ  高温成長ＧａＰ下地層
６ｂ  低温成長ＧａＰ層
７  ＧａＰ電流分散層
【図１】
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【図３】
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【図２】
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