(57)【要約】【課題】小型化を図りながら、グランドの強化を行うことが可能なマルチチップモジュールを提供する。【解決手段】このマルチチップモジュール１は、表面２ａに実装された電子部品４と、その電子部品４を覆うように表面２ａに取り付けられたシールド蓋５とを含むモジュール基板２と、表面３ａに実装された電子部品６を含むモジュール基板３とを備えている。そして、モジュール基板２および３は、モジュール基板２の表面２ａおよびモジュール基板３の裏面３ｂが互いに対向するように積層されており、モジュール基板３の裏面３ｂには、シールド蓋５に電気的に接続される接続ランド１０が形成されている。【選択図】図１
2008124183.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面および第１裏面を有し、前記第１表面に実装された第１部品と、前記第１部品を覆うように前記第１表面に取り付けられた導電性の第１部品用シールド蓋とを少なくとも含む第１モジュール基板と、
第２表面および第２裏面を有し、前記第２表面に実装された第２部品を少なくとも含む第２モジュール基板とを備え、
前記第１モジュール基板および前記第２モジュール基板は、前記第１モジュール基板の第１表面および前記第２モジュール基板の第２裏面が互いに対向するように積層されており、
前記第１モジュール基板の第１表面には、第１接続ランドが形成され、
前記第２モジュール基板の第２裏面には、前記第１接続ランドに電気的に接続される第２接続ランドと、前記第１部品用シールド蓋に電気的に接続される第３接続ランドとが形成されていることを特徴とするマルチチップモジュール。
【請求項２】
前記第１接続ランドと前記第２接続ランドとの間には、前記第１接続ランドおよび前記第２接続ランドに接続されたモジュール基板用半田ボールが設けられており、
前記モジュール基板用半田ボールの直径は、前記第１部品用シールド蓋の前記第１表面からの突出高さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項３】
前記第１接続ランドと前記第２接続ランドとの間には、前記第１接続ランドおよび前記第２接続ランドに半田付けされた金属直方体が設けられており、
前記金属直方体の高さは、前記第１部品用シールド蓋の前記第１表面からの突出高さ以上であることを特徴とする請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項４】
前記金属直方体は、抵抗成分を有していることを特徴とする請求項３に記載のマルチチップモジュール。
【請求項５】
前記第２モジュール基板は、前記第２部品を覆うように前記第２表面に取り付けられた第２部品用シールド蓋をさらに含んでいることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のマルチチップモジュール。
【請求項６】
前記第１モジュール基板の第１裏面側にマザー基板が配置され、
前記第１モジュール基板の第１裏面には、前記マザー基板に電気的に接続されるマザー基板用接続ランドが形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のマルチチップモジュール。
【請求項７】
前記第１モジュール基板の第１裏面側にマザー基板が配置され、
前記第１モジュール基板の第１裏面には、前記マザー基板に電気的に接続されるマザー基板用半田ボールが設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のマルチチップモジュール。
【請求項８】
前記第１部品は、前記第１モジュール基板の第１表面に加えて、前記第１モジュール基板の第１裏面にも実装されており、
前記第１モジュール基板の第１裏面に実装された前記第１部品の前記第１裏面からの突出高さは、前記マザー基板用半田ボールの直径よりも小さいことを特徴とする請求項７に記載のマルチチップモジュール。
【請求項９】
前記第２モジュール基板の第２表面側にマザー基板が配置され、
前記第２モジュール基板の第２表面には、前記マザー基板に電気的に接続されるマザー基板用半田ボールが設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のマルチチップモジュール。
【請求項１０】
前記第１部品は、前記第１モジュール基板の第１表面に加えて、前記第１モジュール基板の第１裏面にも実装されていることを特徴とする請求項９に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１１】
前記第１部品用シールド蓋は、前記第１モジュール基板の第１表面に加えて、前記第１モジュール基板の第１裏面にも取り付けられていることを特徴とする請求項１０に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１２】
前記第１モジュール基板に実装された前記第１部品および前記第２モジュール基板に実装された前記第２部品の一方は、受信機の部品であるチューナを含むとともに、前記第１モジュール基板に実装された前記第１部品および前記第２モジュール基板に実装された前記第２部品の他方は、受信機の部品である復調器を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のマルチチップモジュール。
【請求項１３】
前記第１モジュール基板および前記第２モジュール基板は、各々のグランドが互いに電気的に接続されないように構成されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載のマルチチップモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マルチチップモジュールに関し、特に、複数のモジュール基板を備えたマルチチップモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化や小型化に伴って、電子機器に搭載される電子部品（半導体チップなど）の小型化や実装面積の低減が要求されている。このような要求に対するアプローチとして、従来では、半導体チップやそれを含む半導体パッケージが縦方向に積層されたＰＯＰ（パッケージオンパッケージ）構造のマルチチップモジュールが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１０は、上記特許文献１に開示された従来のマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。図１０を参照して、従来のマルチチップモジュール１００では、２つの半導体パッケージ１０１が縦方向（図１０のＡ方向）に積層されている。縦方向に積層された２つの半導体パッケージ１０１は、それぞれ、モジュール基板１０２の表面１０２ａに半導体チップ（電子部品）１０３が実装された構造を有している。また、各半導体チップ１０３は、エポキシ樹脂などからなる保護膜１０４により覆われている。
【０００４】
縦方向に積層された２つの半導体パッケージ１０１は、上段のモジュール基板１０２の裏面１０２ｂに設けられた複数の半田ボール１０５を介して、互いに電気的に接続されている。また、下段のモジュール基板１０２の裏面１０２ｂにも複数の半田ボール１０５が設けられている。そして、マルチチップモジュール１００とマザー基板（図示せず）との電気的な接続は、下段のモジュール基板１０２の裏面１０２ｂに設けられた複数の半田ボール１０５を介して行われる。
【０００５】
上記特許文献１のようにマルチチップモジュールを構成することにより、実装効率を向上させることができるので、電子機器の高機能化や小型化に対応することが可能となる。なお、図１０に示したマルチチップモジュール１００では、１つのモジュール基板１０２に半導体チップ１０３が１つだけ実装されているが、１つのモジュール基板１０２に複数の半導体チップ１０３が実装される場合もある。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１３５２６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、図１０に示した従来のマルチチップモジュールは、モジュールサイズが約１０ｍｍ角以下になるように小型化される場合がある。この場合、２つのモジュール基板１０２間を電気的に接続する半田ボール１０５の設置領域が小さくなるので、設置可能な半田ボール１０５の個数が少なくなるという不都合がある。たとえば、半田ボール１０５の直径を約０．６ｍｍとし、半田ボール１０５間のクリアランスも約０．６ｍｍとした場合、１辺が約１０ｍｍのモジュール基板１０２には、そのモジュール基板１０２の１つの辺に半田ボール１０５を８個だけしか並べることができない。さらに、下段のモジュール基板１０２に実装される半導体チップ１０３の縦方向（図１０のＡ方向）の高さが大きい場合には、その半導体チップ１０３の高さよりも大きい直径を有する半田ボール１０５が必要となるので、半田ボール１０５の直径が大きくなる分、設置可能な半田ボール１０５の個数がより少なくなる。
【０００８】
なお、上記した不都合を解消するために、モジュール基板１０２の１つの辺に２列の半田ボール１０５群を設置する方法が考えられる。しかしながら、この方法では、モジュール基板１０２の半導体チップ１０３を実装するための領域が小さくなるという不都合が生じる。
【０００９】
図１０に示した従来のマルチチップモジュールでは、上記したように、小型化が進むことにより設置可能な半田ボール１０５の個数が少なくなる。このため、２つのモジュール基板１０２間のインターフェイスに多くの電気的な接続を必要とする場合、２つのモジュール基板１０２間に設置される複数の半田ボール１０５のうち、グランド電極として機能する半田ボール１０５の個数を減らさなければならないという不都合が生じる。その結果、図１０に示した従来のマルチチップモジュールでは、小型化を図りながら、グランドの強化を行うのが困難であるという問題点がある。
【００１０】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、小型化を図りながら、グランドの強化を行うことが可能なマルチチップモジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面によるマルチチップモジュールは、第１表面および第１裏面を有し、第１表面に実装された第１部品と、第１部品を覆うように第１表面に取り付けられた導電性の第１部品用シールド蓋とを少なくとも含む第１モジュール基板と、第２表面および第２裏面を有し、第２表面に実装された第２部品を少なくとも含む第２モジュール基板とを備えている。そして、第１モジュール基板および第２モジュール基板は、第１モジュール基板の第１表面および第２モジュール基板の第２裏面が互いに対向するように積層されており、第１モジュール基板の第１表面には、第１接続ランドが形成され、第２モジュール基板の第２裏面には、第１接続ランドに電気的に接続される第２接続ランドと、第１部品用シールド蓋に電気的に接続される第３接続ランドとが形成されている。
【００１２】
この一の局面によるマルチチップモジュールでは、上記のように、第１モジュール基板の第１表面および第２モジュール基板の第２裏面が互いに対向するように積層された構成において、第１モジュール基板の第１表面に、第１接続ランドを形成するとともに、第２モジュール基板の第２裏面に、第１接続ランドに電気的に接続される第２接続ランドを形成することによって、第１モジュール基板と第２モジュール基板との電気的な接続を、第１接続ランドおよび第２接続ランドを介して行うことができる。なお、第１接続ランドと第２接続ランドとの電気的な接続は、たとえば、第１モジュール基板と第２モジュール基板との間に設置された半田ボールを介して行われる。さらに、第２モジュール基板の第２裏面に、第１部品用シールド蓋に電気的に接続される第３接続ランドを形成することによって、第１モジュール基板と第２モジュール基板との電気的な接続を、第１部品用シールド蓋および第３接続ランドを介して行うこともできる。この場合、第１部品用シールド蓋と第３接続ランドとの電気的な接続部分を大きく取ることができるため、第１部品用シールド蓋と第３接続ランドとの接続部分をグランド電極として機能させることにより、マルチチップモジュールのグランドの強化を行うことができる。
【００１３】
また、一の局面では、第１部品用シールド蓋と第３接続ランドとの接続部分をグランド電極として機能させることにより、グランド電極として機能する半田ボールを第１モジュール基板と第２モジュール基板との間に設置する必要がなくなるので、グランド電極として機能する半田ボールの設置領域を省略することができる。これにより、グランド電極として機能する半田ボールの設置領域を省略した分、マルチチップモジュールを小型化することができる。
【００１４】
なお、一の局面では、第１部品が第１部品用シールド蓋により覆われているので、第１部品に電磁波ノイズの影響が及ぶのを抑制することもできる。
【００１５】
上記一の局面によるマルチチップモジュールにおいて、好ましくは、第１接続ランドと第２接続ランドとの間には、第１接続ランドおよび第２接続ランドに接続されたモジュール基板用半田ボールが設けられており、モジュール基板用半田ボールの直径は、第１部品用シールド蓋の第１表面からの突出高さよりも大きい。このように構成すれば、容易に、第１モジュール基板と第２モジュール基板との間に第１部品用シールド蓋が配置された状態で、第１接続ランドと第２接続ランドとをモジュール基板用半田ボールを介して電気的に接続することができる。なお、第１部品用シールド蓋の第１表面からの突出高さよりも大きい直径を有するモジュール基板用半田ボールを用いるのは、第１接続ランドと第２接続ランドとをモジュール基板用半田ボールを介して電気的に接続する際に、モジュール基板用半田ボールが多少つぶれるためである。
【００１６】
上記一の局面によるマルチチップモジュールにおいて、好ましくは、第１接続ランドと第２接続ランドとの間には、第１接続ランドおよび第２接続ランドに半田付けされた金属直方体が設けられており、金属直方体の高さは、第１部品用シールド蓋の第１表面からの突出高さ以上である。なお、金属直方体の高さとは、第１モジュール基板と第２モジュール基板とが積層されている方向（積層方向）の高さである。このように構成すれば、容易に、第１モジュール基板と第２モジュール基板との間に第１部品用シールド蓋が配置された状態で、第１接続ランドと第２接続ランドとを金属直方体を介して電気的に接続することができる。
【００１７】
この場合、好ましくは、金属直方体は、抵抗成分を有している。ここで、高調波成分を含むクロック信号のような信号は、他の部品に影響を及ぼしてマルチチップモジュールの性能を劣化させる。このようなマルチチップモジュールの性能の劣化を抑制するために、クロック信号が伝達されるラインに抵抗成分を付加する手法が一般的に用いられている。したがって、抵抗成分を有する金属直方体を介して、第１接続ランドと第２接続ランドとの電気的な接続を行うことによって、マルチチップモジュールの性能の劣化を抑制しながら、第１モジュール基板または第２モジュール基板に実装するチップ抵抗（部品）を省略することができる。
【００１８】
上記一の局面によるマルチチップモジュールにおいて、好ましくは、第２モジュール基板は、第２部品を覆うように第２表面に取り付けられた第２部品用シールド蓋をさらに含んでいる。このように構成すれば、第２部品に電磁波ノイズの影響が及ぶのを抑制することができる。
【００１９】
上記一の局面によるマルチチップモジュールにおいて、好ましくは、第１モジュール基板の第１裏面側にマザー基板が配置され、第１モジュール基板の第１裏面には、マザー基板に電気的に接続されるマザー基板用接続ランドが形成されている。このように構成すれば、マザー基板用接続ランドをマザー基板に電気的に接続することにより、容易に、第１モジュール基板とマザー基板とを電気的に接続することができる。なお、上記した構成の場合、マザー基板に所定の半田ボールが設置されており、その所定の半田ボールがマザー基板用接続ランドに電気的に接続される。このため、第１モジュール基板とマザー基板とを電気的に接続するための半田ボールを第１モジュール基板の第１裏面に設置する必要がないので、その分、マルチチップモジュールを小型化することができる。
【００２０】
上記一の局面によるマルチチップモジュールにおいて、好ましくは、第１モジュール基板の第１裏面側にマザー基板が配置され、第１モジュール基板の第１裏面には、マザー基板に電気的に接続されるマザー基板用半田ボールが設けられている。このように構成すれば、マザー基板用半田ボールをマザー基板に電気的に接続することにより、容易に、第１モジュール基板とマザー基板とを電気的に接続することができる。なお、上記した構成の場合、第１モジュール基板とマザー基板とを電気的に接続するための半田ボールをマザー基板に設置する工程を省略することができる。
【００２１】
この場合、好ましくは、第１部品は、第１モジュール基板の第１表面に加えて、第１モジュール基板の第１裏面にも実装されており、第１モジュール基板の第１裏面に実装された第１部品の第１裏面からの突出高さは、マザー基板用半田ボールの直径よりも小さい。このように構成すれば、第１モジュール基板の第１裏面に第１部品を実装したとしても、その第１部品がマザー基板に当接するのを抑制することができる。これにより、第１モジュール基板の第１裏面側にマザー基板を配置する場合において、容易に、第１モジュール基板における部品の集積度を向上させることができる。
【００２２】
上記一の局面によるマルチチップモジュールにおいて、好ましくは、第２モジュール基板の第２表面側にマザー基板が配置され、第２モジュール基板の第２表面には、マザー基板に電気的に接続されるマザー基板用半田ボールが設けられている。このように構成すれば、マザー基板用半田ボールをマザー基板に電気的に接続することにより、容易に、第２モジュール基板とマザー基板とを電気的に接続することができる。このため、第１モジュール基板の第１裏面において接続ランドや半田ボールの設置スペースを確保するのが困難であったとしても、マルチチップモジュールとマザー基板との電気的な接続を容易に行うことができる。
【００２３】
この場合、好ましくは、第１部品は、第１モジュール基板の第１表面に加えて、第１モジュール基板の第１裏面にも実装されている。このように構成すれば、第２モジュール基板の第２表面側にマザー基板を配置する場合において、第１モジュール基板における部品の集積度を向上させることができる。
【００２４】
上記第１モジュール基板の第１裏面にも第１部品が実装された構成において、好ましくは、第１部品用シールド蓋は、第１モジュール基板の第１表面に加えて、第１モジュール基板の第１裏面にも取り付けられている。このように構成すれば、第１モジュール基板の第１裏面に実装された第１部品に電磁波ノイズの影響が及ぶのを抑制することができる。
【００２５】
上記一の局面によるマルチチップモジュールにおいて、好ましくは、第１モジュール基板に実装された第１部品および第２モジュール基板に実装された第２部品の一方は、受信機の部品であるチューナを含むとともに、第１モジュール基板に実装された第１部品および第２モジュール基板に実装された第２部品の他方は、受信機の部品である復調器を含む。このように構成すれば、マルチチップモジュールを受信機モジュールとして機能させることができる。また、上記した構成では、第１モジュール基板と第２モジュール基板との間のアイソレーションの確保を容易に行うことができるので、復調器から発生されるデジタルノイズがチューナに影響を及ぼすのを抑制することができる。これにより、受信機モジュールの特性が劣化するのを抑制することができる。
【００２６】
上記一の局面によるマルチチップモジュールにおいて、好ましくは、第１モジュール基板および第２モジュール基板は、各々のグランドが互いに電気的に接続されないように構成されている。このように構成すれば、第１モジュール基板のグランドと第２モジュール基板のグランドとの間のアイソレーションを容易に確保することができるので、デジタルノイズの影響を軽減することができる。
【００２７】
なお、上記一の局面によるマルチチップモジュールにおいて、第１モジュール基板および第２モジュール基板の少なくとも一方は、多層配線基板であることが好ましい。このように構成すれば、部品間の電気的な接続や、マルチチップモジュールとマザー基板との間の電気的な接続において、より複雑な配線が可能となる。
【００２８】
また、上記一の局面によるマルチチップモジュールは、携帯端末（小型電子機器）に搭載されるマルチチップモジュールであることが好ましい。このように構成すれば、携帯端末（小型電子機器）に搭載されるマルチチップモジュールにおいて、容易に、小型化を図りながら、グランドの強化を行うことができる。
【発明の効果】
【００２９】
以上のように、本発明によれば、小型化を図りながら、グランドの強化を行うことが可能なマルチチップモジュールを容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。まず、図１を参照して、第１実施形態によるマルチチップモジュール１の構造について説明する。なお、第１実施形態によるマルチチップモジュール１は、携帯端末などの小型電子機器に搭載される。
【００３１】
第１実施形態によるマルチチップモジュール１は、図１に示すように、表面２ａおよび裏面２ｂを有するモジュール基板２と、表面３ａおよび裏面３ｂを有するモジュール基板３とを備えている。この２つのモジュール基板２および３の少なくとも一方は、多層配線基板である。また、２つのモジュール基板２および３は、モジュール基板２の表面２ａおよびモジュール基板３の裏面３ｂが互いに対向するように積層されている。すなわち、図１のＡ方向が積層方向である。また、２つのモジュール基板２および３が積層された状態において、モジュール基板２は、下段側に位置しているとともに、モジュール基板３は、上段側に位置している。なお、モジュール基板２および３は、それぞれ、本発明の「第１モジュール基板」および「第２モジュール基板」の一例である。また、表面２ａおよび裏面２ｂは、それぞれ、本発明の「第１表面」および「第１裏面」の一例であり、表面３ａおよび裏面３ｂは、それぞれ、本発明の「第２表面」および「第２裏面」の一例である。
【００３２】
また、下段のモジュール基板２は、表面２ａに実装された複数の電子部品（ＩＣチップやチップ抵抗など）４と、表面２ａに取り付けられた洋白（銅とニッケルと亜鉛との合金）からなる１つの導電性のシールド蓋５とを含んでいる。このモジュール基板２の表面２ａに取り付けられた１つのシールド蓋５によって、モジュール基板２の表面２ａに実装された全ての電子部品４が覆われている。また、上段のモジュール基板３は、表面３ａに実装された複数の電子部品（ＩＣチップやチップ抵抗など）６を含んでいる。なお、電子部品４および６は、それぞれ、本発明の「第１部品」および「第２部品」の一例である。また、シールド蓋５は、本発明の「第１部品用シールド蓋」の一例である。
【００３３】
また、下段のモジュール基板２の表面２ａおよび上段のモジュール基板３の裏面３ｂには、それぞれ、金や銅などからなる複数の接続ランド７および８が形成されている。また、接続ランド７と接続ランド８との間には、接続ランド７と接続ランド８とを電気的に接続するための半田ボール９が設けられている。この第１実施形態では、２つのモジュール基板２および３を積層する前において、半田ボール９は、接続ランド７および８のうちのいずれか一方に接続されているとともに、シールド蓋５の表面２ａからの突出高さ（Ａ方向の高さ）よりも大きい直径を有している。なお、接続ランド７および８は、それぞれ、本発明の「第１接続ランド」および「第２接続ランド」の一例である。また、半田ボール９は、本発明の「モジュール基板用半田ボール」の一例である。
【００３４】
ここで、第１実施形態では、上段のモジュール基板３の裏面３ｂに、接続ランド８に加えて、シールド蓋５の裏面３ｂと対向する表面５ａに電気的に接続される接続ランド１０が形成されている。この接続ランド１０は、他の接続ランド８と同じ金や銅などからなるとともに、他の接続ランド８よりも大きい面積を有している。また、接続ランド１０とシールド蓋５との電気的な接続は、半田層１１を介して行われる。なお、接続ランド１０は、本発明の「第３接続ランド」の一例である。
【００３５】
また、下段のモジュール基板２の裏面２ｂには、金や銅などからなる複数の接続ランド１２が形成されている。この接続ランド１２は、マルチチップモジュール１の下方に配置されるマザー基板１５に電気的に接続される。具体的には、第１実施形態のマルチチップモジュール１が搭載されるマザー基板１５には、複数の半田ボール１５ａがあらかじめ設けられている。そして、接続ランド１２は、マザー基板１５の半田ボール１５ａに電気的に接続される。なお、接続ランド１２は、本発明の「マザー基板用接続ランド」の一例である。
【００３６】
第１実施形態では、上記のように、下段のモジュール基板３の裏面３ｂに、シールド蓋５の表面５ａに電気的に接続される接続ランド１０を形成することによって、下段のモジュール基板２と上段のモジュール基板３との電気的な接続を、シールド蓋５および接続ランド１０を介して行うことができる。この場合、シールド蓋５と接続ランド１０との電気的な接続部分を大きく取ることができるため、シールド蓋５と接続ランド１０との接続部分をグランド電極として機能させることにより、マルチチップモジュール１のグランドの強化を行うことができる。
【００３７】
また、第１実施形態では、上記のように、シールド蓋５と接続ランド１０との接続部分をグランド電極として機能させることにより、グランド電極として機能する半田ボールを下段のモジュール基板２と上段のモジュール基板３との間に設置する必要がなくなるので、グランド電極として機能する半田ボールの設置領域を省略することができる。これにより、グランド電極として機能する半田ボールの設置領域を省略した分、マルチチップモジュール１を小型化することができる。
【００３８】
また、第１実施形態では、下段のモジュール基板２の表面２ａに実装された複数の電子部品４がシールド蓋５により覆われているので、複数の電子部品４に電磁波ノイズの影響が及ぶのを抑制することができる。
【００３９】
また、第１実施形態では、上記のように、下段のモジュール基板２の接続ランド７と上段のモジュール基板３の接続ランド８とを電気的に接続するための半田ボール９の直径を、シールド蓋５の表面２ａからの突出高さ（Ａ方向の高さ）よりも大きくすることによって、容易に、モジュール基板２とモジュール基板３との間にシールド蓋５が配置された状態で、接続ランド７と接続ランド８との電気的な接続を行うことができる。
【００４０】
また、第１実施形態では、上記のように、下段のモジュール基板２の裏面２ｂに、マザー基板１５に電気的に接続される接続ランド１２を形成することによって、その接続ランド１２をマザー基板１５に電気的に接続することにより、容易に、下段のモジュール基板２とマザー基板１５とを電気的に接続することができる。さらに、第１実施形態では、マザー基板１５に半田ボール１５ａが設置されており、その半田ボール１５ａが接続ランド１２に電気的に接続されるため、下段のモジュール基板２の裏面２ｂに半田ボールを設置する必要がない。このため、下段のモジュール基板２の裏面２ｂに半田ボールを設置しない分、マルチチップモジュール１のＡ方向の高さを小さくすることができるので、マルチチップモジュール１をより小型化することができる。
【００４１】
図２は、図１に示した第１実施形態によるマルチチップモジュールを受信機モジュールとして機能させる場合の概略図である。図１および図２を参照して、受信機モジュールとして機能するマルチチップモジュール１では、下段のモジュール基板２の表面２ａに、復調器４ａが実装されているとともに、上段のモジュール基板３の表面３ａに、ＢＰＦ（バンドパスフィルタ）６ａ、ＬＮＡ（ローノイズアンプ）６ｂおよびチューナ６ｃが実装されている。下段のモジュール基板２の復調器４ａは、図１に示した複数の電子部品４のいずれかに相当する。また、上段のモジュール基板３のＢＰＦ６ａ、ＬＮＡ６ｂおよびチューナ６ｃは、図１に示した複数の電子部品６のいずれかに相当する。なお、復調器４ａは、本発明の「第１部品」の一例である。また、ＢＰＦ６ａ、ＬＮＡ６ｂおよびチューナ６ｃは、本発明の「第２部品」の一例である。
【００４２】
また、図１および図２に示すように、受信機モジュールとして機能するマルチチップモジュール１では、下段のモジュール基板２および上段のモジュール基板３の各々のグランドは、互いに電気的に接続しないようにマザー基板１５のグランドに個別に接続されている。すなわち、接続ランド１０とシールド蓋５との接続部分を上段のモジュール基板３のグランド電極として機能させる場合、シールド蓋５は、下段のモジュール基板２のグランド電極（複数の接続ランド１２のうちの所定の接続ランド１２）に電気的に接続されることなく、マザー基板１５のグランドに電気的に接続される。
【００４３】
次に、図２を参照して、受信機モジュールとして機能するマルチチップモジュール１の動作について説明する。まず、信号入力端子１ａに入力された所定の信号は、ＢＰＦ６ａで不要周波数成分が除去された後、ＬＮＡ６ｂでの増幅後にチューナ６ｃに出力される。また、チューナ６ｃに入力された所定の信号は、周波数変換されてベースバンド信号となって復調器４ａに出力される。そして、ベースバンド信号が入力された復調器４ａでは、ベースバンド信号を復調処理した後にデジタル出力端子１ｂに出力する。
【００４４】
受信機モジュールとしてのマルチチップモジュール１では、下段のモジュール基板２および上段のモジュール基板３の各々のグランドが互いに電気的に接続されていないので、モジュール基板２および３のグランド間のアイソレーションを容易に確保することができる。これにより、復調器４ａから発生されるデジタルノイズがチューナ６ｃに影響を及ぼすのを抑制することができるので、受信機モジュールの特性が劣化するのを抑制することができる。
【００４５】
（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。次に、図３を参照して、第２実施形態によるマルチチップモジュール２０の構造について説明する。なお、第２実施形態によるマルチチップモジュール２０は、携帯端末などの小型電子機器に搭載される。
【００４６】
この第２実施形態によるマルチチップモジュール２０では、図３に示すように、上記第１実施形態の構成（図１参照）において、下段のモジュール基板２の接続ランド１２に、マザー基板１５に電気的に接続される半田ボール２１があらかじめ設けられている。すなわち、第２実施形態では、上記第１実施形態と異なり、半田ボール１５ａ（図１参照）が設けられていないマザー基板１５を用いることが可能となる。なお、半田ボール２１は、本発明の「マザー基板用半田ボール」の一例である。
【００４７】
なお、第２実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００４８】
第２実施形態では、上記のように、下段のモジュール基板２の裏面２ｂに、マザー基板１５に電気的に接続される半田ボール２１を設けることによって、その半田ボール２１をマザー基板１５に電気的に接続することにより、容易に、下段のモジュール基板２とマザー基板１５とを電気的に接続することができる。この場合、下段のモジュール基板２とマザー基板１５とを電気的に接続するための半田ボール１５ａ（図１参照）をマザー基板１５に設置する工程を省略することができる。
【００４９】
なお、第２実施形態によるマルチチップモジュール２０は、上記第１実施形態と同様、受信機モジュールとして機能させることが可能である。
【００５０】
（第３実施形態）
図４は、本発明の第３実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。次に、図４を参照して、第３実施形態によるマルチチップモジュール３０の構造について説明する。なお、第３実施形態によるマルチチップモジュール３０は、携帯端末などの小型電子機器に搭載される。
【００５１】
この第３実施形態によるマルチチップモジュール３０では、図４に示すように、上記第２実施形態の構成（図３参照）において、下段のモジュール基板２の裏面２ｂにも、複数の電子部品３１が実装されている。ここで、第３実施形態では、電子部品３１の裏面２ｂからの突出高さ（Ａ方向の高さ）は、マザー基板１５に電気的に接続される半田ボール２１の直径よりも小さい。なお、電子部品３１は、本発明の「第１部品」の一例である。
【００５２】
なお、第３実施形態のその他の構成は、上記第２実施形態と同様である。
【００５３】
第３実施形態では、上記のように、下段のモジュール基板２の裏面２ｂにも電子部品３１を実装し、その電子部品３１の裏面２ｂからの突出高さを、マザー基板１５に電気的に接続される半田ボール２１の直径よりも小さくすることによって、下段のモジュール基板２の裏面２ｂに電子部品３１を実装したとしても、その電子部品３１がマザー基板１５に当接するのを抑制することができる。これにより、下段のモジュール基板２の裏面２ｂ側にマザー基板１５を配置する場合において、容易に、下段のモジュール基板２における電子部品の集積度を向上させることができる。
【００５４】
なお、第３実施形態によるマルチチップモジュール３０は、上記第１実施形態と同様、受信機モジュールとして機能させることが可能である。
【００５５】
（第４実施形態）
図５は、本発明の第４実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。次に、図５を参照して、第４実施形態によるマルチチップモジュール４０の構造について説明する。なお、第４実施形態によるマルチチップモジュール４０は、携帯端末などの小型電子機器に搭載される。
【００５６】
この第４実施形態によるマルチチップモジュール４０では、図５に示すように、上記第１実施形態の構成（図１参照）において、上段のモジュール基板３の表面３ａに、洋白（銅とニッケルと亜鉛との合金）からなる導電性のシールド蓋４１が取り付けられている。そして、第４実施形態では、シールド蓋４１によって、上段のモジュール基板３の表面３ａに実装された全ての電子部品６が覆われている。なお、シールド蓋４１は、本発明の「第２部品用シールド蓋」の一例である。
【００５７】
なお、第４実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００５８】
第４実施形態では、上記のように、上段のモジュール基板３の表面３ａにシールド蓋４１を取り付けるとともに、そのシールド蓋４１により上段のモジュール基板３の表面３ａに実装された複数の電子部品６を覆うことによって、複数の電子部品６に電磁波ノイズの影響が及ぶのを抑制することができる。
【００５９】
なお、第４実施形態によるマルチチップモジュール４０は、上記第１実施形態と同様、受信機モジュールとして機能させることが可能である。
【００６０】
（第５実施形態）
図６は、本発明の第５実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。次に、図６を参照して、第５実施形態によるマルチチップモジュール５０の構造について説明する。なお、第５実施形態によるマルチチップモジュール５０は、携帯端末などの小型電子機器に搭載される。
【００６１】
この第５実施形態によるマルチチップモジュール５０では、図６に示すように、上記第１実施形態の構成（図１参照）において、下段のモジュール基板２の接続ランド７と上段のモジュール基板３の接続ランド８との間に、半田ボールに換えて、抵抗成分を有する金属直方体５１が設けられている。この金属直方体５１は、たとえば、銀からなる直方体を錫メッキしたものである。また、金属直方体５１は、半田層５２を介して接続ランド７および８に電気的に接続されているとともに、金属直方体５１のＡ方向の高さは、シールド蓋５の表面２ａからの突出高さ（Ａ方向の高さ）と実質的に同じになるように設定されている。
【００６２】
なお、第５実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００６３】
第５実施形態では、上記のように、下段のモジュール基板２の接続ランド７と上段のモジュール基板３の接続ランド８とを電気的に接続するための金属直方体５１のＡ方向の高さを、シールド蓋５の表面２ａからの突出高さ（Ａ方向の高さ）と実質的に同じにすることによって、容易に、モジュール基板２とモジュール基板３との間にシールド蓋５が配置された状態で、接続ランド７と接続ランド８との電気的な接続を行うことができる。
【００６４】
この場合、抵抗成分を有する金属直方体５１を用いることによって、マルチチップモジュール５０の性能の劣化を抑制しながら、下段のモジュール基板２または上段のモジュール基板３に実装するチップ抵抗を省略することができる。
【００６５】
なお、第５実施形態によるマルチチップモジュール５０は、上記第１実施形態と同様、受信機モジュールとして機能させることが可能である。
【００６６】
（第６実施形態）
図７は、本発明の第６実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。次に、図７を参照して、第６実施形態によるマルチチップモジュール６０の構造について説明する。なお、第６実施形態によるマルチチップモジュール６０は、携帯端末などの小型電子機器に搭載される。
【００６７】
この第６実施形態によるマルチチップモジュール６０では、図７に示すように、上記第１実施形態の構成（図１参照）において、下段のモジュール基板２の裏面２ｂに、マザー基板１５に電気的に接続される接続ランドが形成されていない。その一方、上段のモジュール基板３の表面３ａには、金や銅などからなる複数の接続ランド６１が形成されているとともに、その接続ランド６１には、電子部品６の表面３ａからの突出高さ（Ａ方向の高さ）よりも大きい直径を有する半田ボール６２が設けられている。そして、第６実施形態では、半田ボール６２にマザー基板１５が電気的に接続される。すなわち、第６実施形態では、上記第１実施形態と異なり、マザー基板１５をマルチチップモジュール６０の上方に配置することが可能となる。なお、半田ボール６２は、本発明の「マザー基板用半田ボール」の一例である。
【００６８】
なお、第６実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００６９】
第６実施形態では、上記のように、上段のモジュール基板３の表面３ａに、マザー基板１５に電気的に接続される半田ボール６２を設けることによって、その半田ボール６２をマザー基板１５に電気的に接続することにより、容易に、モジュール基板３とマザー基板１５とを電気的に接続することができる。このため、下段のモジュール基板２の裏面２ｂにおいて接続ランドや半田ボールの設置スペースを確保するのが困難であったとしても、マルチチップモジュール６０とマザー基板１５との電気的な接続を容易に行うことができる。
【００７０】
なお、第６実施形態によるマルチチップモジュール６０は、上記第１実施形態と同様、受信機モジュールとして機能させることが可能である。
【００７１】
（第７実施形態）
図８は、本発明の第７実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。次に、図８を参照して、第７実施形態によるマルチチップモジュール７０の構造について説明する。なお、第７実施形態によるマルチチップモジュール７０は、携帯端末などの小型電子機器に搭載される。
【００７２】
この第７実施形態によるマルチチップモジュール７０では、図８に示すように、上記第６実施形態の構成（図７参照）において、下段のモジュール基板２の裏面２ｂにも、複数の電子部品７１が実装されている。なお、電子部品７１は、本発明の「第１部品」の一例である。
【００７３】
なお、第７実施形態のその他の構成は、上記第６実施形態と同様である。
【００７４】
第７実施形態では、上記のように、下段のモジュール基板２の裏面２ｂにも、複数の電子部品７１を実装することによって、上段のモジュール基板３の表面３ａ側にマザー基板１５を配置する場合において、下段のモジュール基板２における電子部品の集積度を向上させることができる。
【００７５】
なお、第７実施形態によるマルチチップモジュール７０は、上記第１実施形態と同様、受信機モジュールとして機能させることが可能である。
【００７６】
（第８実施形態）
図９は、本発明の第８実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。次に、図９を参照して、第８実施形態によるマルチチップモジュール８０の構造について説明する。なお、第８実施形態によるマルチチップモジュール８０は、携帯端末などの小型電子機器に搭載される。
【００７７】
この第８実施形態によるマルチチップモジュール８０では、図９に示すように、上記第７実施形態の構成（図８参照）において、下段のモジュール基板２の裏面２ｂに、洋白（銅とニッケルと亜鉛との合金）からなる導電性のシールド蓋８１が取り付けられている。そして、第８実施形態では、シールド蓋８１によって、下段のモジュール基板２の裏面２ｂに実装された全ての電子部品７１が覆われている。なお、シールド蓋８１は、本発明の「第１部品用シールド蓋」の一例である。
【００７８】
なお、第８実施形態のその他の構成は、上記第７実施形態と同様である。
【００７９】
第８実施形態では、上記のように、下段のモジュール基板２の裏面２ｂにシールド蓋８１を取り付けるとともに、そのシールド蓋８１により下段のモジュール基板２の裏面２ｂに実装された複数の電子部品７１を覆うことによって、複数の電子部品７１に電磁波ノイズの影響が及ぶのを抑制することができる。
【００８０】
なお、第８実施形態によるマルチチップモジュール８０は、上記第１実施形態と同様、受信機モジュールとして機能させることが可能である。
【００８１】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００８２】
たとえば、上記実施形態では、マルチチップモジュールを受信機モジュールに適用する例を説明したが、本発明はこれに限らず、受信機モジュール以外のモジュールにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の第１実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。
【図２】図１に示した第１実施形態によるマルチチップモジュールを受信機モジュールとして機能させる場合の概略図である。
【図３】本発明の第２実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。
【図５】本発明の第４実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。
【図６】本発明の第５実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。
【図７】本発明の第６実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。
【図８】本発明の第７実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。
【図９】本発明の第８実施形態によるマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。
【図１０】従来のマルチチップモジュールの構造を示した断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０  マルチチップモジュール
２  モジュール基板（第１モジュール基板）
２ａ  表面（第１表面）
２ｂ  裏面（第１裏面）
３  モジュール基板（第２モジュール基板）
３ａ  表面（第２表面）
３ｂ  裏面（第２裏面）
４、３１、７１  電子部品（第１部品）
４ａ  復調器（第１部品）
５、８１  シールド蓋（第１部品用シールド蓋）
６  電子部品（第２部品）
６ａ  ＢＰＦ（第２部品）
６ｂ  ＬＮＡ（第２部品）
６ｃ  チューナ（第２部品）
７  接続ランド（第１接続ランド）
８  接続ランド（第２接続ランド）
９  半田ボール（モジュール基板用半田ボール）
１０  接続ランド（第３接続ランド）
１２  接続ランド（マザー基板用接続ランド）
１５  マザー基板
２１、６２  半田ボール（マザー基板用半田ボール）
４１  シールド蓋（第２部品用シールド蓋）
５１  金属直方体
【図１】
2008124183.tif 000003
【図２】
2008124183.tif 000004
【図３】
2008124183.tif 000005
【図４】
2008124183.tif 000006
【図５】
2008124183.tif 000007
【図６】
2008124183.tif 000008
【図７】
2008124183.tif 000009
【図８】
2008124183.tif 000010
【図９】
2008124183.tif 000011
【図１０】
2008124183.tif 000012