(57)【要約】【課題】薄膜超電導線材の電極取付部に歪み発生を低減し、長期に渡り臨界電流値が低下しない超電導コイルを提供する。【解決手段】一面側が超電導層側、他面側が基板側とされる多層構造の薄膜超電導線材を巻回してなるシングルパンケーキ型の超電導コイルにおいて、前記薄膜超電導線材の最内周ターンの先端内周面に内電極、最外周ターンの先端外周面に外電極が取り付けられ、前記内電極の取付位置と外電極の取付位置との間で少なくとも１箇所あるいは奇数箇所で、内周面側から外周面側への積層順位を逆とする切替接合部が設けられ、内電極および外電極の取付位置では、電極取付面側が前記超電導層側とされている。【選択図】図３
2008140930.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面側が超電導層側、他面側が基板側とされる多層構造の薄膜超電導線材を巻回してなるシングルパンケーキ型の超電導コイルにおいて、
前記薄膜超電導線材の最内周ターンの先端内周面に内電極、最外周ターンの先端外周面に外電極が取り付けられ、
前記内電極の取付位置と外電極の取付位置との間で少なくとも１箇所あるいは奇数箇所で、内周面側から外周面側への積層順位を逆とする切替接合部が設けられ、
内電極および外電極の取付位置では、電極取付面側が前記超電導層側とされていることを特徴とする超電導コイル。
【請求項２】
前記切替接合部では、前記薄膜超電導線材の超電導層側同士が半田付け、超音波溶接、抵抗溶接または導電性接着剤により接合されている請求項１に記載の超電導コイル。
【請求項３】
前記切替接合部の長さが５ｍｍ以上３０ｍｍ以下である請求項１または請求項２に記載の超電導コイル。
【請求項４】
前記切替接合部の位置は、前記外電極から１００ｍｍ以内あるいは最外周ターンに位置させている請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の超電導コイル。
【請求項５】
前記薄膜超電導線材は、金属からなる基板層、セラミックスからなる中間層、超電導層、銀からなる安定化層が積層されていると共に、全周が銅被覆され、前記銀安定化層を介して超電導層が位置される側を前記超電導層側とし、
前記内電極および外電極は銅からなり、半田付け、超音波溶接、抵抗溶接または導電性接着剤により前記薄膜超電導線材に取り付けている請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の超電導コイル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超電導コイルに関し、より詳しくは、多層構造の薄膜超電導線材を巻回してなるシングルパンケーキ型の超電導コイルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、特開２００３−３２３８２２号公報等において、多層構造の薄膜超電導線材が提供されている。
前記薄膜超電導線材をプリプレグテープ等の絶縁テープと重ねて巻枠に渦巻状に巻回して形成したシングルパンケーキ型の超電導コイルが提供されており、該シングルパンケーキ型のコイルでは、その最内周ターンの先端に内電極、最外周ターンの先端に外電極が取り付けられる。
【０００３】
前記多層構造の薄膜超電導線材は、金属からなる基板層、セラミックスからなる中間層、超電導層、銀からなる安定化層が積層され、表裏両面が超電導層側と基板側と異なる層となる。そのため、薄膜超電導線材を連続して巻回すると、最内周ターンの内周面と、最外周ターンの外周面とは異なる層となる。
【０００４】
シングルパンケーキ型コイルにおいては、図５に示すように、その中心の巻枠１２に内電極１３が固定されるため、内電極１３は薄膜超電導線材１１の最内周ターン先端の内周面側を取り付ける必要があり、内周面側が超電導層側Ｓとなる。その場合、最外周ターン先端の外周面は基板側Ｂとなる。電極は超電導層側Ｓに取り付ける必要があるため、図５に示すように、外電極１４は必然的に最外周ターン先端の内周面側に取り付けられることになる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３２３８２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、図５に示すように、薄膜超電導線材１１の最外周ターンの内周側に外電極１４を取り付けると、薄膜超電導線材１１の厚み（通常０．２ｍｍ以下）と外電極１４の厚み（通常２ｍｍ以上）の差異により、外電極１４と薄膜超電導線材１１の間に隙間が発生し、特に、外電極１４の角部で薄膜超電導線材１１が曲げられて、歪みが生じるおそれがある。
【０００７】
この種のシングルパンケーキ型の超電導コイルにおいて、薄膜超電導線材をプリプレグテープ等の絶縁テープと重ねて巻枠に巻回して成形した後、これを加熱処理して一体的に固化した所謂、含浸コイルはターン間に絶縁材を介在させて隙間をなくしているため、安定性においても極めて優れている。しかしながら、該含浸コイルの場合には、絶縁シートと共に一体的に固化したコイルターン間に隙間のない強固な構造に成形されるため、前記歪みが部分的に発生すると、全体的に影響を与える恐れがある。
【０００８】
本発明は前記問題に鑑みてなされたものであり、薄膜超電導線材の電極取付部付近に生じる歪みを大幅に低減し、長期に渡り臨界電流値が低下しない超電導コイルを提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため、本発明は、一面側が超電導層側、他面側が基板側とされる多層構造の薄膜超電導線材を巻回してなるシングルパンケーキ型の超電導コイルにおいて、
前記薄膜超電導線材の最内周ターンの先端内周面に内電極、最外周ターンの先端外周面に外電極が取り付けられ、
前記内電極の取付位置と外電極の取付位置との間で少なくとも１箇所あるいは奇数箇所で、内周面側から外周面側への積層順位を逆とする切替接合部が設けられ、
内電極および外電極の取付位置では、電極取付面側が前記超電導層側とされていることを特徴とする超電導コイルを提供している。
【００１０】
本発明によれば、少なくとも１箇所あるいは奇数箇所で内周面側と外周面側とを切替接合しているので、該切替接合部で前記薄膜超電導線材の積層順位が逆とされ、最内周ターンの先端内周面に内電極を取り付けた状態で、最外周ターンの先端外周面に外電極を取り付けることができる。すなわち、外電極を超電導コイルの外側に配置することができるので、電極に厚みがあっても超電導コイルの内部に隙間を生じさせることがなく、薄膜超電導線材にも歪みを生じさせることはない。その結果、臨界電流値の低下を抑え、より安定な超電導コイルとすることができる。
【００１１】
さらに、本発明によれば、短尺の薄膜超電導線材を接合して長尺化することができる。そのため、薄膜超電導線材の端材を有効利用することができるほか、バッチプロセスで製造した薄膜超電導線材を使用することができる。
通常、薄膜超電導線材の製造は連続プロセスで行われているが、その製造工程には蒸着、スパッタリング等の真空プロセスを含むため、バッチプロセスで製造した方が真空状態が安定し、より性能の良い薄膜超電導線材を製造することができる。
【００１２】
前記切替接合部を少なくとも１箇所あるいは奇数箇所としているのは、偶数箇所とすれば、最外周ターンの内周面に外電極を取り付けることになり、切替接合部を有しない従来と同様の超電導コイルの構成となるからである。
臨界抵抗値を低下させない、さらに安定な超電導コイルとする観点からは、切替接合部はできるだけ少ない方が好ましく、３箇所以下であることがより好ましい。最も好ましくは、１箇所である。
【００１３】
本発明においては、内電極と外電極の取り付け面は超電導層側としている。
これは、電極取付面を基板側とするより超電導層側とする方が電極から超電導層までの距離を短くでき、より抵抗を小さくすることができるためである。
【００１４】
前記切替接合部では、２本の薄膜超電導線材の超電導層同士が半田付け、超音波溶接、抵抗溶接または導電性接着剤により接合されていることが好ましい。
薄膜超電導線材の超電導層側同士を接合することにより、２つの薄膜超電導線材の超電導層の距離を近接させて電気的に接合することができるため、余分な抵抗を発生させることがない。
また、接合方法は２つの薄膜超電導線材が電気的に接合されていればよいが、高い導電性および十分な接合強度が得られる点で前記接合方法とするのが好ましく、なかでも半田付け、超音波溶接、抵抗溶接がより好ましい。
【００１５】
前記切替接合部の長さは５ｍｍ以上３０ｍｍ以下としていることが好ましい。これは切替接合部の長さが５ｍｍ未満であると電気的に安全に接合することができないおそれがあり、３０ｍｍを超えると厚みが増えるため最大曲げ径が大きくなるからである。
【００１６】
前記薄膜超電導線材は、金属からなる基板層、セラミックスからなる中間層、超電導層、銀からなる安定化層が積層されていると共に、全周が銅被覆され、前記銀安定化層を介して超電導層が位置される側を前記超電導層側としていることが好ましい。
【００１７】
前記基板は、金属であることが好ましく、さらに少なくとも表面に結晶配向性を有する結晶を含有する基板であることがより好ましく、配向金属基板が最も好ましく用いられる。しかし、これに限られず、金属以外の単結晶板を用いることもできる。
具体的には、前記金属として、ニッケル、ハステロイ（登録商標）等のニッケル合金、ステンレス鋼、もしくは銅（合金）やアルミニウム（合金）とニッケル（合金）とを貼り合わせた積層体等を用いることができる。これらのなかでも、特に、ニッケル、ハステロイ（登録商標）を用いることが好ましい。
基板はテープ状であることが好ましく、線材に強度を付与する必要があることから、その厚みは８０〜１００μｍ程度であることが好ましい。
【００１８】
前記中間層は、基板と超電導層の結晶格子の不整合を緩和したり、超電導層を形成する際の加熱等における基板と超電導層との相互拡散による超電導層の性能劣化を回避するために前記金属基板上に形成する。そのため、超電導層の結晶に近い結晶組織を有し、超電導層の熱膨張率に近い熱膨張率を有するものが好ましく、例えば、ＹＳＺ（イットリウム安定化ジルコニア）、ＳｒＴｉＯ３、ＭｇＯ、ＣｅＯ２などセラミックス系の材料で形成することが好ましい。
中間層は、スパッタ法、真空蒸着法、レーザ蒸着法、化学気相成長法（ＣＶＤ）などのいずれの成膜法を用いても良い。なかでも、成膜速度が速く、量産に優れるパルスレーザ蒸着法（ＰＬＤ法）を用いることが好ましい。
中間層の厚みは、一般に数μｍ程度である。
【００１９】
超電導層は、超電導の性質を示すものであればよく、酸化物超電導体が好ましい。例えば、希土類元素含有のペロブスカイト型酸化物超電導体や、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体が適用される。
【００２０】
希土類元素を含有しペロブスカイト型構造を有する酸化物超電導体は、例えば、ＲＥＭ２ＣｕＯ７−Ｘ系の酸化物が挙げられる。ここでＲＥは、Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ，Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ等の希土類元素から選ばれた少なくとも１種の元素であり、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｃａから選ばれた少なくとも１種の元素、Ｘは１以下の数である。
ＲＥＭ２ＣｕＯ７−Ｘのうち、Ｃｕの一部はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎで置換することも可能である。
具体的には、ＹＢａ２ＣｕＯ７−Ｘが挙げられる。
【００２１】
また、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超電導体には、Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯＸやＢｉ２（Ｓｒ，Ｃａ）３Ｃｕ２ＯＸで示される酸化物が含まれる。このうち、Ｂｉの一部はＰｂで置換することが可能である。代表的には、（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｃａ２Ｓｒ２Ｃｕ３ＯＸ、（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｃａ２Ｓｒ３Ｃｕ４ＯＸなどが挙げられる。Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体は、Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯＸやＴｌ２（Ｂａ，Ｃａ）３Ｃｕ２ＯＸ、Ｔｌ１Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯＸ、Ｔｌ１Ｂａ２Ｃａ３Ｃｕ４ＯＸ等で表される酸化物が挙げられる。
これらの酸化物超電導体のなかでも、希土類元素を含有しペロブスカイト型構造を有する酸化物超電導体が好適に用いられる。このなかでも特に、ホルミウム系、イットリウム系の酸化物超電導体が好ましく、ホルミウム系が最も好ましい。
【００２２】
前記超電導層は、物理蒸着法であるスパッタ法、反応性蒸着法、レーザ蒸着法、あるいは化学蒸着法であるＣＶＤ法、有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ法）等の各種薄膜形成方法を用いて前記中間層の上に形成することができる。中でも、成膜速度が速く均一な膜を連続的に長時間成膜することが可能なＰＬＤ法を用いることが好ましい。ＰＬＤ法でレーザ蒸着を行うには、超電導体材料の焼結体をターゲットとし、このターゲットに真空中でエキシマレーザを照射してプラズマ化して、ターゲットに対向された中間層付き基板に超電導層を堆積させる。
【００２３】
安定化層は、超電導層と反応しないか、反応が少ない材料を用いる。特に、酸化物超電導体と熱膨張係数が近いかまたは大きい値を有する金属材料が好ましく用いられる。例えば、金や銀、白金あるいはその合金が挙げられる。特に、経済性で銀が好ましい。
安定化層の厚みは、約１μｍ〜数１０μｍ程度である。
安定化層を形成する方法は、前述の各種成膜法のいずれを用いても良い。金や銀の安定化層は、レーザ蒸着によって非常に速い成膜速度で形成することが可能である。特に、酸化物超電導層を形成する装置と安定化層を形成する装置とを連続して運転できるようにすることによって、高い生産性が達成される。
【００２４】
さらに、前記薄膜超電導線材は、全周が金属膜で覆われ、基板と超電導層の導通をとっていることが好ましい。金属膜は、金、白金、銀、銅等で形成することが好ましく、特に銅であることが好ましい。
このように基板と超電導層の導通をとることにより、基板側にも安定化層の機能を付与することができる。
前記金属膜は、薄膜超電導線材に無電解メッキを行って形成することが好ましい。
金属膜の厚みは、約１μｍ〜数１０μｍ程度である。
【００２５】
このように薄膜超電導線材は、多層構造を有しており、特にセラミックス系材料で形成される中間層は、圧縮には強いが引っ張りに対して弱い。そのため、中間層を内周側に位置させ、超電導層側を内周側として巻回していることが好ましい。
【００２６】
前記切替接合部の位置は、前記外電極から１００ｍｍ以内あるいは最外周ターンに位置させていることが好ましい。
切替接合部を最外周ターンに位置させることにより、コイルターン間には接合部がなく、密な含浸コイル構造を維持することができる。
さらに、切替接合部の位置を１００ｍｍ以内として外電極に近づけると、より内周側とする超電導層側をより多くすることができ、薄膜超電導線材により歪みが生じにくい構成とすることができる。
【００２７】
さらに、前記内電極および外電極は銅からなり、半田付け、超音波溶接、抵抗溶接または導電性接着剤により前記薄膜超電導線材に取り付けていることが好ましい。
内電極および外電極は、金、白金、銀、銅、またはこれらを少なくとも１種含む合金であることが好ましく、特に銅からなることが好ましい。
接合方法は電極と薄膜超電導線材が電気的に接合されていればよいが、高い導電性および十分な接合強度が得られる点で前記接合方法が好ましく、なかでも半田付け、超音波溶接、抵抗溶接がより好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
前述したように、本発明によれば、内電極と外電極の電極取付面を薄膜超電導線材の同一面としながらも、薄膜超電導線材の最外周ターンの外周面側に外電極を取り付けることができるため、薄膜超電導線材の電極取付部において歪み発生を低減することができ、長期に渡り臨界電流値が低下しない超電導コイルとすることができる。
さらに、短尺の薄膜超電導線材を接合して長尺化することができるため、薄膜超電導線材の端材を有効利用できるほか、バッチプロセスで製造した性能の高い薄膜超電導線材を使用した超電導コイルとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
図１乃至図３に本発明の第１実施形態を示す。
超電導コイル１０は、多層構造の薄膜超電導線材１１をプリプレグテープ等の絶縁テープ（図示せず）と共に巻枠１２に渦巻き状に巻回し、加熱処理して一体に固めて形成したシングルパンケーキ型コイルである。
【００３０】
前記薄膜超電導線材１１は厚さｔ１は１００〜１５０μｍ、幅ｗ１は１０〜１２ｍｍである。該薄膜超電導線材１１の最内周ターンの先端内周面に前記内電極１３を取り付けて電気接続し、該内電極１３を前記巻枠１２に設けた取付部に固定している。一方、薄膜超電導線材１１の最外周ターンの先端外周面に外電極１４を取り付けて電気接続している。
【００３１】
前記多層構造の薄膜超電導線材１１は図２に示す如く、基板５０、中間層６０、超電導層７０、安定化層８０を順次積層し、その全周を銅からなる金属保護膜９０で被覆している。
該薄膜超電導線材１１は、シングルパンケーキの最外周ターンとなる位置で前記積層順位が逆となるように接合した薄膜超電導線材１１−１と薄膜超電導線材１１−２とから形成している。
【００３２】
即ち、最外周ターンの位置で、薄膜超電導線材１１−１を切断し、薄膜超電導線材１１−２と超電導層側Ｓ同士を半田１６により接合し、切替接合部１５を設けている。この切替接合部１５の位置は、本実施形態では最外周ターンＴ２の先端部から５０ｍｍの位置とし、かつ、切替接合部１５の長さLは２５ｍｍとしている。
【００３３】
これにより、前記切替接合部１５で連続した１本の薄膜超電導線材１１とし、薄膜超電導線材１１−１の内周側は安定化層８０を介して超電導層７０を位置させた超電導層側Ｓとし、外周側が基板側Ｂとしている。一方、薄膜超電導線材１１−２の外周側は安定化層８０を介して超電導層７０を位置させた超電導層側Ｓとし、内周側を基板側Ｂとしている。
【００３４】
図３に示すように、前記薄膜超電導線材１１−１の内周側となる超電導層側Ｓの先端に前記内電極１３を取り付けると共に、薄膜超電導線材１１−２の外周側となる超電導層側Ｓの先端に前記外電極１４を取り付けている。
【００３５】
前記薄膜超電導線材１１−１は超電導層側Ｓを内周面として、巻枠１２に渦巻き状に巻き付け、前記内電極１３を最内周ターンＴ１の先端内周面に位置させ、前記巻枠１２の取付部に固定している。
前記薄膜超電導線材１１−１を巻き付けて最外周ターンＴ２となる位置に達すると、前記外周側を超電導層側Ｓとした薄膜超電導線１１−２が巻き付けられ、その先端の外周面に前記外電極１４を位置させている。
この薄膜超電導線材１１の最外周ターンの先端からは絶縁テープのみを更に複数回数巻き付けて保護層（図示せず）を形成している。
【００３６】
前記内電極１３及び外電極１４はそれぞれ銅電極からなり、半田付けで薄膜超電導線材１１に取り付けている。内電極１３および外電極１４の厚さｔ２は２〜３ｍｍ、幅ｗ２を２０〜３０ｍｍ、長さＬ２（薄膜超電導線材１１の長さ方向と対応する長さ）は２０ｍｍである。
【００３７】
前記薄膜超電導線材１１の積層構造を詳述すると、前記基板５０はハステロイ（登録商標）テープからなり、中間層６０はＹＳＺ（イットリウム安定化ジルコニア）からなり、超電導層７０はホルミウム系酸化物超電導体からなり、安定化層８０は銀からなり、基板５０の表面に順次、レーザ蒸着等により中間層６０、超電導層７０、安定化層８０を形成し、さらに該積層体の全周は無電解メッキにより銅からなる金属保護膜９０で被覆している。
【００３８】
前記中間層６０の厚みは数μｍ、超電導層７０の厚みは約１μｍ〜数１０μｍ、安定化層８０の厚みは約１μｍ〜数１０μｍ、金属膜９０の厚みは約１μｍ〜数１０μｍとし、薄膜超電導線材１１の厚み全体（ｔ１）としては１００〜１５０μｍとしている。そのため、薄膜超電導線材１１の表面と裏面では超電導層７０までの距離が異なり、表面と裏面側の表面抵抗が異なる。
【００３９】
前記構成からなる超電導コイル１０では、薄膜超電導線材１１の最内周ターンＴ１の先端内周面に取り付ける内電極１３は超電導層側Ｓに取り付けられると共に、最外周ターンＴ２の先端外周面に取り付けられる外電極１４は超電導層側Ｓに取り付けられる。
このように、内電極１３と外電極１４の取付面側はいずれも超電導層側Ｓとしていることで、内電極１３と外電極１４の各薄膜超電導線材１１との電気接続部に、同一の電気接続特性を付与することができると共に、超電導層側Ｓに内電極１３、外電極１４を接続しているため、余分な抵抗が発生することもなく、高い導電性を維持することができる。
特に、外電極１４は最外周ターンＴ２の先端の外周側に取り付けているため、薄膜超電導線材１１−２に歪みが発生することを防止でき、長期に渡り臨界電流値の低下が少ない超電導コイルとすることができる。
【００４０】
なお、前記第１実施形態では、切替接合部１５は最外周ターンＴ２に設けているが、最外周ターンＴ２と最内周ターンＴ１との間の中間ターンに設けてもよく、切替接合部１５を１カ所とすることで、内電極１３の取付位置の最内周ターンＴ１の内周面と、外電極１４の取付位置の最外周ターンＴ２の外周面をいずれも超電導層側Ｓとすることができる。
【００４１】
図４に第２実施形態の超電導コイル２０を示す。
第１実施形態との相違点は、第１実施形態では切替接合部１５を１箇所としているが、第２実施形態では３カ所の切替接合部１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ設けている点と、切替接合部１５Ａ〜１５Ｃにおける接合と、内電極１３及び外電極１４の薄膜超電導線材１１への取り付けを、抵抗溶接或いは超音波溶接による溶接で行っている点である。
即ち、内周層の薄膜超電導線材１１−１と第一中間層の薄膜超電導線材１１−２を切替接合部１５Ａで接合し、第一中間層の薄膜超電導線材１１−２と第二中間層の薄膜超電導線材１１−３と切替接合部１５Ｂで接合し、第二中間層の薄膜超電導線材１１−３と外周層の薄膜超電導線材１１−４とを切替接合部１５Ｃで接合している。
【００４２】
前記のように３ケ所で切り替えると、最内周ターンＴ１の先端内周面と、最外周ターンＴ２の先端外周面の両方を同一積層順位して超電導層側Ｓとすることができる。
よって、最内周ターンＴ１の先端内周面に内電極１３、最外周ターンＴ２の先端外周面に外電極１４を取り付けると、いずれも電極取付面側が超電導層側Ｓとなる。
また、３カ所の切替接合部１５Ａ〜１５Ｃは溶接で接合しているため、切替接合部が半田付けと比較して厚くならない。
【００４３】
このように、第２実施形態においても、第１実施形態と同様、内外電極１３、１４を超電導層側Ｓに取り付けることができると共に、第２実施形態では、短尺の薄膜超電導線材を接合して長尺化することができる。そのため、バッチプロセスで製造した性能の高い薄膜超電導線材を使用することができる。
例えば、４ｍ長さの短尺の薄膜超電導線材を３箇所において切替接合することにより４本繋ぎ合わせて、１６ｍ長さの長尺の薄膜超電導線材を巻回した超電導コイルとすることができる。
他の構成および作用効果は第１実施形態と同様のため、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４４】
本発明は、前記第１、第２実施形態に限定されず、特許請求の範囲と均等の範囲内の変更が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１実施形態の超電導コイルの（Ａ）は概略斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）の電極取付部周辺の要部拡大図である。
【図２】薄膜超電導線材の断面模式図である。
【図３】第１実施形態の超電導コイルの（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は（Ａ）の外電極の電極取付部周辺の要部拡大図である。
【図４】第２実施形態の超電導コイルの平面模式図である。
【図５】従来の超電導コイルの（Ａ）は平面模式図、（Ｂ）は（Ａ）の外電極の電極取付部周辺の要部拡大図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０，２０    超電導コイル
１１（１１−１、１１−２、１１−３、１１−４）    薄膜超電導線材
１２    巻枠
１３    内電極
１４    外電極
１５    切替接合部
Ｓ      超電導層側
Ｂ      基板側
【図１】
2008140930.tif 000003
【図２】
2008140930.tif 000004
【図３】
2008140930.tif 000005
【図４】
2008140930.tif 000006
【図５】
2008140930.tif 000007