(57)【要約】【課題】分離溝への異物の侵入を阻止して、異物による障害発生を確実に防止する。【解決手段】樹脂モールド部５内の半導体チップ１を外部に接続するための端子部４が、前記樹脂モールド部５の底面に一部を露出させた状態で複数埋設されるとともに、これら端子部４は、少なくとも一対が縦列状態で複数対並べられており、前記モールド樹脂の底面に、縦列状態の両端子部４の間を分断する分離溝１８が設けられ、該分離溝１８内に、絶縁樹脂１９が埋め込まれている。【選択図】図２
2008078324.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂モールド部内の半導体チップを外部に接続するための端子部が、前記樹脂モールド部の底面に一部を露出させた状態で複数埋設されるとともに、これら端子部は、少なくとも一対が縦列状態で複数対並べられており、前記モールド樹脂の底面に、縦列状態の両端子部の間を分断する分離溝が設けられ、該分離溝内に、絶縁樹脂が埋め込まれていることを特徴とする表面実装型半導体パッケージ。
【請求項２】
前記分離溝の開口部に、その開口幅を広げてなる拡幅部が長さ方向に沿って一体に形成されていることを特徴とする請求項１記載の表面実装型半導体パッケージ。
【請求項３】
半導体チップ及びこれを外部に接続するための複数の端子部を樹脂モールド部内に埋設状態とするとともに、該樹脂モールド部の底面に、各端子部の一部を少なくとも一対ずつが縦列状態に複数対並ぶように露出させておき、
その縦列状態の両端子部の間を樹脂モールド部の底面からハーフカット状態にダイシングすることにより前記両端子部をダイシング溝を介して分離状態とするダイシング工程と、そのダイシング溝内に絶縁樹脂を埋め込む樹脂埋め込み工程とを経て表面実装型半導体パッケージを製造することを特徴とする表面実装型半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記樹脂埋め込み工程においては、
前記ダイシング溝を下方に向けて配置するとともに、該ダイシング溝の下方に、液状の絶縁樹脂を溜めたシートを配置し、該シートを樹脂モールド部の底面に押し付けながら前記液状の絶縁樹脂をダイシング溝内に埋め込んだ後、該絶縁樹脂を硬化させ、前記シートを除去することを特徴とする請求項３記載の表面実装型半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記樹脂埋め込み工程においては、
前記ダイシング溝を上方に向けて配置するとともに、その上方から粉末状の絶縁樹脂を振りかけてダイシング溝上に盛り上げ、半導体パッケージに振動を付与しながらダイシング溝内に前記粉末状の絶縁樹脂を充填した後、該ダイシング溝内の絶縁樹脂を硬化させることを特徴とする請求項３記載の表面実装型半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記樹脂埋め込み工程においては、
液状の絶縁樹脂を充填したシリンジのノズルからダイシング溝内に液状の絶縁樹脂を注入した後、該液状の絶縁樹脂を硬化させることを特徴とする請求項３記載の表面実装型半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂モールド部内の半導体チップを外部に接続するための端子部の少なくとも一部が樹脂モールド部の底面に露出された表面実装型半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装型半導体パッケージは、樹脂モールド部内で半導体チップと端子部とが電気的に接続され、その端子部の一部が樹脂モールド部の底面に露出されており、その露出部分にハンダを密着させて実装基板に搭載することにより、半導体パッケージと基板とをハンダにより直接接続する構成とされている。最近ではＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプと称し、パッケージの裏面（実装面）に多数の端子部が配列されたものが用いられるようになってきている。
【０００３】
この種の表面実装型半導体パッケージとして、パッケージの裏面を端子部の部分で溝を形成するようにハーフカットダイシングし、その分離溝によって端子部を複数に分断することにより、多くの端子部を形成した構造のものがある。（例えば特許文献１参照）。
この半導体パッケージを実装基板に搭載する際に、パッケージの裏面をハンダ浴に漬けて、その裏面に露出している端子部にハンダを付着させることが行われる。
【特許文献１】特開２０００−２８６３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記分離溝内に異物が入り込む可能性があり、様々な障害を引き起こす原因となる問題がある。例えば、異物がダイシング溝よりも突出すると実装不良となる問題があり、また、導電性の異物が入り込むと両端子部が短絡してしまう問題を生じる。その他、有機系異物の侵入により端子部の腐食を生じさせたり、モールド樹脂と端子部との界面に水分が侵入してクラックを生じさせる原因となったり、分離溝に入り込んだ異物が実装工程中に落下して、他の電子部品等に障害を及ぼしたりするおそれがある。
【０００５】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、分離溝への異物の侵入を阻止して、異物による障害発生を確実に防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の表面実装型半導体パッケージは、樹脂モールド部内の半導体チップを外部に接続するための端子部が、前記樹脂モールド部の底面に一部を露出させた状態で複数埋設されるとともに、これら端子部は、少なくとも一対が縦列状態で複数対並べられており、前記モールド樹脂の底面に、縦列状態の両端子部の間を分断する分離溝が設けられ、該分離溝内に、絶縁樹脂が埋め込まれていることを特徴とする。
つまり、分離溝内に絶縁樹脂を埋め込んだ状態として、異物の侵入を阻止するものである。この分離溝としてはハーフカット状態のダイシング溝が該当する。
【０００７】
この場合、前記分離溝の開口部に、その開口幅を広げてなる拡幅部が長さ方向に沿って一体に形成されている構成としてもよく、このような構成とすることにより、分離溝内に埋め込んだ絶縁樹脂の量が多すぎた場合でも、拡幅部においてこれを面方向に広げるようにして吸収して、実装面である樹脂モールド部の底面から突出させないようにすることができる。
【０００８】
一方、本発明の製造方法は、半導体チップ及びこれを外部に接続するための複数の端子部を樹脂モールド部内に埋設状態とするとともに、該樹脂モールド部の底面に、各端子部の一部を少なくとも一対ずつが縦列状態に複数対並ぶように露出させておき、その縦列状態の両端子部の間を樹脂モールド部の底面からハーフカット状態にダイシングすることにより前記両端子部をダイシング溝を介して分離状態とするダイシング工程と、そのダイシング溝内に絶縁樹脂を埋め込む樹脂埋め込み工程とを経て表面実装型半導体パッケージを製造することを特徴とする。
【０００９】
この場合、前記樹脂埋め込み工程においては、前記ダイシング溝を下方に向けて配置するとともに、該ダイシング溝の下方に、液状の絶縁樹脂を溜めたシートを配置し、該シートを樹脂モールド部の底面に押し付けながら前記液状の絶縁樹脂をダイシング溝内に埋め込んだ後、該絶縁樹脂を硬化させ、前記シートを除去するようにすればよい。
このようにシートを使うことにより、液状の絶縁樹脂をダイシング溝に全面的に埋め込んでいくことができる。
なお、樹脂モールド部の底面を斜めに配置し、その下方位置から液状樹脂を順次埋め込むようにすることにより、ダイシング溝内のエア抜きを効果的に行うことができる。
【００１０】
また、前記樹脂埋め込み工程においては、前記ダイシング溝を上方に向けて配置するとともに、その上方から粉末状の絶縁樹脂を振りかけてダイシング溝上に盛り上げ、半導体パッケージに振動を付与しながらダイシング溝内に前記粉末状の絶縁樹脂を充填した後、該ダイシング溝内の絶縁樹脂を硬化させるようにしてもよい。
この製造方法においては、絶縁樹脂が粉末状であるため、飛散した場合でも清掃等が容易になるとともに、振動を付与しながらダイシング溝の全体に均一に充填することができる。
【００１１】
さらに、前記樹脂埋め込み工程においては、液状の絶縁樹脂を充填したシリンジのノズルからダイシング溝内に液状の絶縁樹脂を注入した後、該液状の絶縁樹脂を硬化させるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の表面実装型半導体パッケージ及びその製造方法によれば、分離溝内に絶縁樹脂を埋め込んだ状態として、異物の侵入を阻止することができるので、異物による実装不良の問題や端子部間の短絡等の障害発生を確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１から図７は一実施形態の表面実装型半導体パッケージを示している。この実施形態の半導体パッケージは、図１及び図２に示すように、半導体チップ１が搭載される板状のステージ部２の周囲に、複数の端子部３・４がステージ部２を囲むように並べられ、これらステージ部２と端子部３・４とが一体に樹脂モールド部５によって封止された構成とされている。
【００１４】
ステージ部２及び端子部３・４は、金属板を打ち抜いてなるリードフレームにエッチング処理を施すことによって構成されている。そのうち、ステージ部２はほぼ正方形の板状に形成されるとともに、樹脂モールド部５の底面のほぼ中央部に配置されており、その四隅に、放射方向に沿う細幅帯状のサポートリード部６が一体に設けられている。この場合、樹脂モールド部５も、その底面はステージ部２と同じ正方形に形成され、その外形の四辺はステージ部２の各辺にそれぞれ平行に形成されている。
【００１５】
端子部３・４は、樹脂モールド部５の周辺部に、各辺に沿って並べられた状態に配置されるとともに、各辺の中央位置においては、周辺部の列の内側位置にもう一列並べられている。図示例では、各辺に７個の端子部３・４が並べられ、その中央位置の３個に対して内側位置にさらに３個並べられている。すなわち、この中央位置の外側位置の３個と、内側位置の３個の各端子部４が、二つずつ縦列状態をなし、その縦列状態の両端子部４が３対配置された構成である。
【００１６】
これら対をなす端子部４は、連結状態の二つの端子部４を後述するダイシング溝（本発明の分離溝）によって分断して構成したものである。この分断される前の連結状態の両端子部４は、図５及び図６に示すように、全体としては帯状に形成されているが、その表面と裏面とで異なる形状とされており、その一方の面側が樹脂モールド部５に埋設状態の内部端子部７とされ、他方の面側が樹脂モールド部５の底面に露出する外部端子部８とされ、これら両端子部７・８が積層状態に重ねられた形状とされている。
【００１７】
外部端子部８は、横断面が一様な比較的細幅の帯状小片に形成されている。一方、内部端子部７は、外部端子部８よりも幅の広い幅広部９を有するとともに、この幅広部９が長さ方向に沿って二つ並べられ、その間が、外部端子部８と同じ幅の細幅部１０によって一体に連結された形状とされている。そして、内部端子部７の各幅広部９の裏面に外部端子部８が１個ずつ一体に重ねられていることにより、内部端子部７の二つの幅広部９が外部端子部８の両側方に張り出した形状とされている。なお、これら内部端子部７と外部端子部８とは、比較的厚肉の横断面一様な帯状板の両面に異なるマスクを施して、両面からエッチング処理することにより形成される。
【００１８】
この端子部４は、その内部端子部７から外部端子部８の両側面までが樹脂モールド部５に埋設され、外部端子部８の底面が樹脂モールド部５の底面に露出した状態とされている。この樹脂モールド部５内に内部端子部７が埋没状態となることにより、各幅広部９において外部端子部８から張り出している部分の裏面側に樹脂が入り込んでいるとともに、両幅広部９とその間の細幅部１０との段差により生じるくびれ部分にも樹脂が入り込んでいる。また、外部端子部８は樹脂モールド部５の底面に島状に露出し、その間にモールド樹脂が入り込んでいる。
この幅広部９において外部端子部８から張り出している部分の裏面側に樹脂が入り込んでいる部分を側部側樹脂侵入部１５、両幅広部９とその間の細幅部１０との間のくびれ部分に樹脂が入り込んでいる部分を内部側樹脂侵入部１６、両外部端子部８の間に樹脂が入り込んでいる部分を外部側樹脂侵入部１７とそれぞれ称することとする。
【００１９】
一方、縦列状態の両端子部４以外の端子部３は単独の端子部とされ、幅広の内部端子部７と、これより幅の小さい外部端子部８とが積層状態に重ねられた形状とされ、内部端子部７の両側部が外部端子部８の両側方に張り出した状態とされている。これら単独の端子部３も、横断面一様な帯状板の両面に異なるマスクを施してエッチング処理することにより形成されるとともに、外部端子部８の両側方に、内部端子部７の裏面側に樹脂が入り込んだ側部側樹脂侵入部１５が形成される。
【００２０】
そして、樹脂モールド部５の底面には、縦列状態の両端子部４の間、具体的には内部端子部７の細幅部１０の中央部を経由するダイシング溝１８が各辺に沿って設けられ、このダイシング溝１８によって両端子部４が分断された状態となっており、このダイシング溝１８内に絶縁樹脂１９が埋め込まれている。この絶縁樹脂１９は、例えばモールド樹脂と同じ樹脂、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が使用される。
【００２１】
前記ダイシング溝１８は、いわゆるハーフカットダイシングによって形成されたものであり、樹脂モールド部５に埋設状態となっている内部端子部７における細幅部１０を切断し得るまでの深さとされている。ダイシング溝１８の幅は、両外部端子部８の離間距離あるいは内部端子部７の細幅部１０の長さよりも小さく、ダイシング溝１８の両側に外部側樹脂侵入部１７が残された状態とされている。
また、樹脂モールド部５の各辺に沿ってダイシング溝１８が形成されているから、樹脂モールド部５の四隅部においては、ダイシング溝１８が交差状態となり、その交差状態のダイシング溝１８によって前記サポートリード部６も先端に端子部（本発明における追加端子部）３が分断されている。
なお、各端子部３・４と半導体チップ１との間はボンディングワイヤ２０によって接続される。
【００２２】
このようにして構成された半導体パッケージは、樹脂モールド部５の底面に露出している各端子部３・４の外部端子部８にハンダを付着させた状態で基板（図示略）に搭載され、ハンダを溶融固着することにより、基板の回路と半導体パッケージ内の半導体チップ１とが端子部３・４を介して接続状態となるものである。
この場合、樹脂モールド部５の底面に外部端子部８が島状に離間し、その間に外部側樹脂侵入部１７及びダイシング溝１８内の絶縁樹脂１９が介在した状態とされるから、各端子部４の外部端子部８にハンダＸを付着させた場合、端子部４間にハンダによるブリッジ現象が生じることを抑制することができる。すなわち、ハンダＸの付着量が多すぎると、溶融したハンダＸが両外部端子部８の間に流出するが、図７に拡大して示したように、両外部端子部８の間に外部側樹脂侵入部１７及び絶縁樹脂１９が露出しており、これらの樹脂とハンダＸの親和性が低いので、ハンダＸの流出が抑制され、両外部端子部８間でハンダＸのブリッジ現象が生じることが防止されるのである。
【００２３】
なお、各端子部４は、ダイシング溝１８によって分離されるが、その外部端子部８より内部端子部７の方が幅が大きく、外部端子部８の両側方に張り出している部分の裏面側に側部側樹脂侵入部１５が設けられているため、基板から半導体パッケージ１が引き離される方向に力が作用する場合も、側部側樹脂侵入部１５が抵抗となって端子部３・４と樹脂モールド部５とが剥離することが防止される。単独の端子部３においても同様に幅広の内部端子部７によって剥離防止される。
【００２４】
図８はダイシング溝の部分の他の例を示しており、この半導体パッケージにおいては、ダイシング溝１８の開口部に、その開口幅を広げてなる拡幅部２５が長さ方向に沿って一体に形成されている。この拡幅部２５は、その幅は両外部端子部８の離間距離よりも小さく、深さは外部端子部８厚さよりも小さいものであり、この拡幅部２５の内面に端子部４を露出させない大きさに設定されている。
そして、ダイシング溝１８内に絶縁樹脂１９が埋め込まれており、拡幅部２５に一部はみ出ているが、その場合もはみ出し部１９ａが拡幅部２５から突出しないようにされている。
【００２５】
この拡幅部２５を有するダイシング溝１８を形成する場合は、端子部４の分離用のダイシング刃よりも肉厚のブレードを使用し、最初に、外部側樹脂侵入部１７の部分を浅く切削して拡幅部２５を溝状に形成し、その後、この拡幅部２５の幅の中心位置にハーフダイシング用のダイシング刃によってダイシング溝１８を形成するようにすればよい。逆に、ハーフダイシングによってダイシング溝１８を形成した後に、このダイシング溝１８の開口部分にダイシング刃より肉厚のブレードを使用して拡幅部２５を形成する方法であってもよい。
【００２６】
このように構成した半導体パッケージにおいては、ダイシング溝１８内が絶縁樹脂１９により埋め込まれているので、異物の侵入が防止されるのはもちろん、このダイシング溝１８内に埋め込んだ絶縁樹脂１９の量が多すぎた場合でも、拡幅部２５においてこれを面方向に広げるようにして吸収して、実装面である樹脂モールド部５の底面から突出させないようにすることができる。
【００２７】
次に、前記各半導体パッケージを製造する方法について説明する。
この場合、その一連の製造過程においては、半導体チップ１及びこれを外部に接続するための複数の端子部３・４を樹脂モールド部５内に埋設状態とするとともに、該樹脂モールド部５の底面に、各端子部４の一部を少なくとも一対ずつが縦列状態に複数対並ぶように露出させてパッケージ体を製造する工程、及びその縦列状態の両端子部４の間を樹脂モールド部５の底面からハーフカット状態にダイシングすることにより前記両端子部４をダイシング溝１８を介して分離状態とするダイシング工程を有するが、これらの工程に関しては、従来からの周知方法を採用することができる。
【００２８】
そこで、樹脂モールド部５の裏面におけるダイシング溝１８内に絶縁樹脂１９を埋め込む樹脂埋め込み工程を中心として、図９以降を参照しながら説明する。なお、このパッケージ体製造工程、ダイシング工程、樹脂埋め込み工程は、各パッケージを個片化する前の状態で行われ、各図において符号３１は、各パッケージ体を平面的にマトリックス状に集合形成したパッケージ集合体を示している。
【００２９】
図９から図１１は、その製造方法の第１実施形態を示している。
この製造方法における樹脂埋め込み工程は、ダイシング工程を経たパッケージ集合体３１の上面を平板状の上型３２の下面に吸着させることにより、パッケージ集合体３１の各ダイシング溝１８を下方に向けて配置しておき、その下方から、硬化前の液状（又はペースト状）の絶縁樹脂３３を溜めたシート３４を押し付けながら液状絶縁樹脂３３をダイシング溝１８に埋め込む方法である。この場合、前記上型３２は、図９に示すように全体として傾斜していることにより、その下面が水平方向に対して傾斜している。したがって、この下面に吸着されたパッケージ集合体３１も、ダイシング溝１８が形成されている裏面は水平方向に対して傾斜して配置されており、その一方に対して他方が持ち上がった状態となっている。図９に示す例では図の左側部に対して右側部が上方に持ち上がった状態となっている。
【００３０】
前記シート３４としては、樹脂モールド時の温度に対する耐熱性を備え、モールド樹脂から容易に剥離できる材料のものが使用され、例えばポリテトラフルオロチレン樹脂（ＰＴＦＥ）等のフッ素系樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）などが使用される。
また、前記シート３４の下方には、上型３２の傾斜に沿って転動させられるローラ３５が設けられており、図１０に示すように、このローラ３５によってシート３４をパッケージ集合体３１に押し付けるようにしながら、その裏面に沿って矢印で示すように転動させることにより、シート３４に溜められている液状絶縁樹脂３３がパッケージ集合体３１のダイシング溝１８内に埋め込まれていく。そして、パッケージ集合体３１の裏面の全面にシート３４が張り付いた状態となったら、上型３２を加熱するなどにより液状絶縁樹脂３３を加熱して硬化させ、この絶縁樹脂１９として硬化した後、シート３４を剥離する。
【００３１】
この製造方法においては、上型３２の下面が傾斜させられているので、これに吸着させたパッケージ集合体３１の裏面も傾斜させられ、その傾斜方向に沿うダイシング溝１８は、左端部から右端部に向けて持ち上がった状態となる。したがって、このパッケージ集合体１８の傾斜状態の裏面にシート３４が押し付けられた際にダイシング溝１８に左端部から順に液状絶縁樹脂３３が入り込むことになり、ダイシング溝１８内のエアが順次上方に追いやられて、自然とエア抜きされることになる。このダイシング溝１８は縦横に格子状に形成されているので、この方法によって内部のエアを確実に排除することができ、ダイシング溝１８内に均等に絶縁樹脂１９を埋め込むことができる。
【００３２】
図１２から図１５は、製造方法の第２実施形態を示している。
この製造方法における樹脂埋め込み工程では、パッケージ集合体３１を載置するテーブル４１、及び粉末状絶縁樹脂４２をふりかけるケース４３が使用される。
テーブル４１は上面が平坦面とされており、水平方向に振動させるための振動機構（図示略）が備えられている。ケース４３は、その下面をテーブル４１の上面に対向させて配置されており、その下面に等間隔で複数の孔４４が開けられるとともに、これら孔４４を開閉するシャッタ板４５が取り付けられている。
【００３３】
そして、テーブル４１上にパッケージ集合体３１を裏返し状態、つまりダイシング溝１８を上方に向けた状態で載置し、その上に、粉末状絶縁樹脂４２を収納したケース４３を対向させ、ケース４３の下面のシャッタ板４５を開けて孔４４を開放状態とすることにより、内部の粉末状絶縁樹脂４２をパッケージ集合体３１の上に落下させると、図１２に示すように、ケース４３の孔４４が対向した部分でパッケージ集合体３１の上に粉末状絶縁樹脂４２が盛り上げられる。このとき、シャッタ板４５の開放時間により、パッケージ集合体３１上に盛られる絶縁樹脂４２の量が調整される。
【００３４】
パッケージ集合体３１のダイシング溝１８を埋めるに足る所定の量の絶縁樹脂４２をパッケージ集合体３１の上に盛り上げたら、ケース４３のシャッタ板４５により孔４４を閉塞し、テーブル４１を水平方向に振動させることによりパッケージ集合体３１上の粉末状絶縁樹脂４２を分散させ、図１３に示すようにダイシング溝１８内に均等に充填する。
【００３５】
次いで、図１４に示すように、ブラシ４６によってパッケージ集合体３１の表面を擦りながら、ダイシング溝１８に充填しきれなかったパッケージ集合体３１上の余分な粉末状絶縁樹脂４２を払い落とした後、図１５に示すようにパッケージ集合体３１の四辺にシート４７を当接させ、フレーム４８により押さえてパッケージ集合体３１の四辺をシート４７により囲った状態とし、その状態で粉末状絶縁樹脂４２を加熱することによりダイシング溝１８内で硬化させ、絶縁樹脂１９とする。
【００３６】
この製造方法では、ダイシング溝１８内に粉末状絶縁樹脂４２を充填した後に、これを硬化させるようにしており、粉末状態で取り扱えるため、その飛散による清掃等の作業を容易にすることができる。
なお、粉末状絶縁樹脂４２を加熱して硬化させる際に、粉末状の絶縁樹脂４２がまず液状化した後に硬化するが、パッケージ集合体３１の四辺をシート４７によって囲っているので、液状化した樹脂がパッケージ集合体３１の四辺から流れ出ないようにすることができる。
【００３７】
図１６及び図１７は製造方法の第３実施形態に使用される樹脂注入装置を示している。
この樹脂注入装置５１は、空気等の流体の圧力によって作動するシリンジ５２に、液状絶縁樹脂３３が収納されているとともに、シリンジ５２の先端部５２ａに、パッケージ集合体３１のダイシング溝１８内に挿入される複数本のノズル５３が設けられた構成である。前記シリンジ５２内には、内部空間を上下二つに区画するピストン５４が上下往復移動自在に設けられ、その上半分に空気等の作動流体５５、下半分に液状絶縁樹脂３３が充填されている。そして、その作動流体５５をコンプレッサー５６によって加圧し、ピストン５４を移動させることにより、下端のノズル５３から液状絶縁樹脂３３を吐出する構成である。
【００３８】
この場合、図１７にパッケージ集合体３１の一部をノズル５３に重ねて二点鎖線で示したように、ノズル５３は、縦列状態の両端子部４の間に配置されるように設けられている。また、ノズル５３の径はパッケージ集合体３１のダイシング溝１８内に挿入できる大きさに設定されている。
そして、パッケージ集合体３１を裏返してダイシング溝１８を上方に向けた状態でテーブル（図示略）等に載置し、その上に、図１７に示すように両端子部４の間のダイシング溝１８内にノズル５３を挿入し得るようにシリンジ５１を配置し、そのノズル５３をダイシング溝１８内に挿入してノズル５３から液状絶縁樹脂３３をダイシング溝１８内に注入する。このダイシング溝１８を液状絶縁樹脂３３で埋めたら、パッケージ集合体３１をオーブン等に入れて加熱することにより液状絶縁樹脂３３を硬化させる。
【００３９】
この製造方法は、ノズル５３によって端子部４の切断箇所に液状絶縁樹脂を直接注入する方法であるから、少なくとも、分離した両端子部４間に確実に絶縁樹脂１９を介在させることができる。したがって、ハンダによる両端子部４間のブリッジ現象の発生をより確実に防止することができる。
【００４０】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこれらの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。例えば、いずれの実施形態においても、一対の端子部４の間をダイシング溝１８によって分離しているが、二つ以上の端子部を複数のダイシング溝によって分離する構成のものとしてもよく、その各ダイシング溝に絶縁樹脂が埋め込まれる。また、本発明は、各実施形態に示したランド型の外部端子部をパッケージ裏面に配置したＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプだけでなく、外部端子部をパッケージ裏面の四辺方向から取り出すＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄ）タイプ、外部端子部にハンダボールを固着したＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプ等の各種の表面実装型の半導体パッケージに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の表面実装型半導体パッケージの実施形態の裏面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う矢視断面図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ線に沿う絶縁樹脂充填前の状態を示す矢視断面図である。
【図４】図２のＣ−Ｃ線に沿う矢視断面図である。
【図５】図１における端子部の連結状態のものを示す平面図である。
【図６】図５の端子部の裏面図である。
【図７】図２における外部端子部にハンダを付着した状態を示す拡大図である。
【図８】本発明の半導体パッケージの他の実施形態を示す図７同様の拡大図である。
【図９】本発明の製造方法の第１実施形態を示し、樹脂埋め込み工程においてパッケージ集合体の下方に液状絶縁樹脂を溜めたシートを配置した状態を示すモデル図である。
【図１０】図９に示す状態からパッケージ集合体にシートを押し付けている途中の状態を示すモデル図である。
【図１１】パッケージ集合体の全面にシートを押し付けて、絶縁樹脂を硬化させた状態を示すモデル図である。
【図１２】本発明の製造方法の第２実施形態を示し、樹脂埋め込み工程においてパッケージ集合体のダイシング溝に上方から粉末状絶縁樹脂を盛った状態を示すモデル図である。
【図１３】図１２に示す状態からパッケージ集合体のダイシング溝の全体に粉末状絶縁樹脂を充填した状態を示すモデル図である。
【図１４】図１３に示す状態からパッケージ集合体の上の余分な粉末状絶縁樹脂を取り除いている状態を示すモデル図である。
【図１５】パッケージ集合体の四隅をシートで囲って粉末状絶縁樹脂を硬化させた状態を示すモデル図である。
【図１６】本発明の製造方法の第３実施形態に使用される樹脂注入装置を示す一部を断面にした正面図である。
【図１７】図１６におけるＤ−Ｄ線に沿う矢視図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…半導体チップ、２…ステージ部、３…端子部、４…端子部、５…樹脂モールド部、６…サポートリード部、７…内部端子部、８…外部端子部、９…幅広部、１０…細幅部、１５…側部側樹脂侵入部、１６…内部側樹脂侵入部、１７…外部側樹脂侵入部、１８…ダイシング溝（分離溝）、１９…絶縁樹脂、２０…ボンディングワイヤ、２５…拡幅部、３１…パッケージ集合体、３２…上型、３３…液状絶縁樹脂、３４…シート、３５…ローラ、４１…テーブル、４２…粉末状絶縁樹脂、４３…ケース、４４…孔、４５…シャッタ板、４６…ブラシ、４７…シート、４８…フレーム、５１…樹脂注入装置、５２…シリンジ、５３…ノズル、５４…ピストン、５５…作動流体、５６…コンプレッサー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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