(57)【要約】【課題】スプレー塗布された薄膜パターンのコーナ部の輪郭を改善し、薄膜パターンの精度を向上し得るスプレー塗布用メタルマスクを提供すること。【解決手段】被塗布物の表面に当接する被塗布物当接面１０Ａおよびこれとは反対側の表面１０Ｂを有するマスク本体１０と、被塗布物当接面１０Ａと表面１０Ｂとを貫通してマスク本体１０に設けられた少なくとも１個のパターン形成用孔３０とを備え、このパターン形成用孔３０は、その両開口部３１がそれぞれ少なくとも３つの頂点３１Ａを有するとともに、これら各頂点３１Ａのうち隣り合う頂点３１Ａ同士を結んでなる開口縁部３１Ｂが開口部３１の内側方向Ｄに凸をなす弧状の曲線で構成されているスプレー塗布用メタルマスク１。【選択図】図１
2008237966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被塗布物の表面に当接する被塗布物当接面およびこの面とは反対側の表面を有するマスク本体と、前記被塗布物当接面と表面とを貫通して前記マスク本体に設けられた少なくとも１個のパターン形成用孔と、を備え、
前記パターン形成用孔は、その両開口部がそれぞれ少なくとも３つの頂点を有するとともに、これら各頂点のうち隣り合う頂点同士を結んでなる開口縁部が、前記開口部内側方向に凸をなす弧状の曲線で構成されていることを特徴とするスプレー塗布用メタルマスク。
【請求項２】
前記開口部が、４つの頂点を有する請求項１記載のスプレー塗布用メタルマスク。
【請求項３】
前記弧状の曲線が、二次曲線の一部から構成されている請求項１または２記載のスプレー塗布用メタルマスク。
【請求項４】
前記二次曲線が、円、楕円、放物線、および双曲線から選ばれる少なくとも１種である請求項３記載のスプレー塗布用メタルマスク。
【請求項５】
前記二次曲線が、楕円である請求項４記載のスプレー塗布用メタルマスク。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載のスプレー塗布用メタルマスクを、被塗布物上に、前記被塗布物当接面が前記被塗布物に接する態様で載置し、前記パターン形成用孔を通して被塗布物表面に薄膜形成用塗布液をスプレー塗布する工程を含むことを特徴とする薄膜作製方法。
【請求項７】
前記塗布液が、電荷輸送性ワニスである請求項６記載の薄膜作製方法。
【請求項８】
被塗布物の表面に当接する被塗布物当接面およびこの面とは反対側の表面を有するマスク本体と、前記被塗布物当接面と表面とを貫通して前記マスク本体に設けられた少なくとも１個のパターン形成用孔とを備えるスプレー塗布用メタルマスクの前記パターン形成用孔を通して前記被塗布物上に形成されたパターンコーナ部の輪郭改良方法であって、
前記各パターン形成用孔を、その両開口部がそれぞれ少なくとも３つの頂点を有するものとし、これら各頂点の隣り合う頂点同士を結んでなる開口縁部のうち、１つの前記頂点を共有する少なくとも一対の前記開口縁部を、前記開口部内側方向に凸をなす弧状の曲線で構成することを特徴とするパターンコーナ部の輪郭改良方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スプレー塗布用メタルマスクおよびこのマスクを用いた薄膜作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリマーやオリゴマー等の有機化合物、無機化合物、および有機無機ハイブリッド材料は、電子デバイス材料中において、絶縁膜、電荷輸送性膜、保護膜および平坦化膜などの各種薄膜として使用されることが多い。
これらの薄膜を作製するためのプロセスは、真空蒸着法などに代表されるドライプロセスと、スピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別できる。
ドライプロセスとウェットプロセスとを比較した場合、ウェットプロセスで作製した薄膜の方が、ＩＴＯ、ＩＺＯや、フィルムなどに代表される基材を被覆する能力が高く、基材表面の異物などを一様の膜厚で均一に被膜することができる。このため、ウェットプロセスは、大面積の電子デバイスを安価で、かつ、高い歩留まりで製造できる方法であり、優位性が高い。
【０００３】
このウェットプロセスとしては、スピンコート法、印刷法、インクジェット法、スプレー法などが、従来汎用されている。
スピンコート法や、印刷法によって薄膜を作製する場合、薄膜の作製に要する薬液量に対する廃棄薬液量の割合が非常に多く、コストパフォーマンスが悪い。
一方、スプレー法やインクジェット法は高効率で薄膜を作製することが可能であり、特に、装置の汎用性、メンテナンスの簡便性、ヘッドの薬液種依存性の低さから、スプレー法が大面積のデバイスを作製できるウェットプロセスとして有効である。
【０００４】
これまで、本発明者らは有機エレクトロルミネッセンス素子に好適な電荷輸送性薄膜を見出し（例えば、特許文献１参照）、各電子デバイスに対応した電荷輸送性薄膜をウェットプロセスで作製するための技術を構築し（例えば、特許文献２参照）、特に、スプレー法に最適な電荷輸送性ワニスの検討を継続している。
ところで、スプレー法を実ラインに導入して薄膜を作製するためには、スプレー法に適したワニスおよび基材を試行錯誤して選択することに加え、薄膜を特定の位置にパターン化できることが要求される。この要求を満たすべく、基材に形成するパターンに応じたパターン形成用孔が設けられた各種メタルマスクが開発され、これらが利用されている（例えば、特許文献３、４参照）。
【０００５】
メタルマスクを用いたスプレー工程では、薄膜を作製する基材の上にメタルマスクを載置し、薄膜形成用の塗布液をスプレーして基材上にパターンを形成した後、メタルマスクを取り除き、基材を焼成することが一般的である。
通常、パターン形成用孔の開口縁部は直線で構成され、開口縁部同士が交わるコーナ部は直角に構成されている。
【０００６】
このメタルマスクを用いて形成された薄膜パターンは、パターン形成用孔の開口部のコーナ部に対応する部分の輪郭が、開口部形状を反映した直角とはならずに、丸みを帯びて成膜されることがほとんどである。
通常、スプレー塗布用ワニスは、スプレー塗布した場合に、基材に対する濡れ性および基材上でのレベリング機能（平坦化性）が良好になるよう、動的粘度や静的表面張力などの液物性が調整されている。コーナ部に対応する部分の輪郭が丸みを帯びてしまう要因は、このスプレー塗布用ワニスの液物性に起因するものである。
すなわち、スプレー塗布に好適なワニスは、塗布したときのレベリング機能が高く、良好な平坦化機能を有している一方、そのコーナ部の輪郭形状が、パターン形成用孔の開口部を反映した直角とならないという問題を有している。
【０００７】
パターン形成用孔の開口部形状を反映した薄膜パターンが得られないということは、目的とする薄膜パターン形状を制御できない、すなわち、塗布を要する部分と塗布を要しない部分とが同一基材上に存在する場合、これらを高精度で塗り分けられないということを意味している。
塗布を要しない部分に薄膜パターンが形成されてしまった場合、この部分が、最終目的である電子デバイスの欠陥となり、生産時の歩留まりの低下を招来することになる。
したがって、高精度の塗り分けは、電子デバイスを作製するうえで極めて重要な課題となる。
しかし、上述したように、ワニスの液物性をスプレー塗布により適したものとした場合、パターンコーナ部の輪郭が丸みを帯びてしまうものであるため、スプレー塗布用ワニスの液物性を調整することで、塗布液の濡れ性および平坦化性を良好にしながら、パターンコーナ部の輪郭形状を改善することは難しい。
【特許文献１】特開２００２−１５１２７２号公報
【特許文献２】特開２００５−１０８８２８号公報
【特許文献３】特開２００５−７８８９２号公報
【特許文献４】特開２００６−７３２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、スプレー塗布された薄膜パターンのコーナ部の輪郭を改善し、薄膜パターンの精度を向上し得るスプレー塗布用メタルマスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決すべく、メタルマスクのパターン形成用孔の開口部形状について鋭意検討を重ねた結果、メタルマスクのパターン形成用孔の開口縁部を、開口部内側に向かって凸をなす弧状の曲線で構成することで、このメタルマスクを用いて被塗布物上に作製された薄膜パターンのコーナ部の輪郭が開口部の形状をより反映したものとなることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明に係るスプレー塗布用メタルマスクは、被塗布物の表面に当接する被塗布物当接面およびこの面とは反対側の表面を有するマスク本体と、被塗布物当接面と表面とを貫通してマスク本体に設けられた少なくとも１個のパターン形成用孔と、を備え、パターン形成用孔は、その両開口部がそれぞれ少なくとも３つの頂点を有するとともに、これら各頂点のうち隣り合う頂点同士を結んでなる開口縁部が開口部内側方向に凸をなす弧状の曲線で構成されているものである。
【００１０】
このように、メタルマスクのパターン形成用孔の開口縁部を、開口部内側方向に凸をなす弧状の曲線とすることで、開口縁部が直線で構成されている従来のメタルマスクよりも、被塗布物に塗布されたパターンのコーナ部の輪郭が開口部の形状をより反映したものとなり、その精度が著しく向上する。
したがって、被塗布物における塗布を要する部分と、塗布を要しない部分との境界がより明確なるため、電子デバイスの欠陥が減少し、生産時の歩留まりを向上させることができる。
なお、上記弧状の曲線で構成する開口縁部は、精度の良い塗布が要求されるコーナ部に対応する頂点を共有する一対の開口縁部とすればよいが、本発明のメタルマスクのように、全ての開口縁部を上記弧状の曲線とすれば、パターンの全コーナ部の輪郭精度が向上するので好適である。
【００１１】
本発明において、開口部の頂点の数は任意であり、目的とするパターン形状に応じて適宜なものとすればよいが、一般的に用いられるパターン形状は矩形であることから、これに対応し、開口部の頂点も４つとし、この４つの頂点から構成される形状を矩形状とすることが好適である。この場合、被塗布物上に形成されたパターンのコーナ部も、開口部の形状を反映して直角に近いものとなる。
【００１２】
本発明のメタルマスクにおいて、開口縁部を構成する弧状の曲線は、開口部内側方向に凸をなす曲線であれば任意であるが、パターンコーナ部の輪郭精度をより向上させるためには、当該曲線が、二次曲線の一部から構成されていることが好ましい。
ここで、二次曲線とは、円錐曲線とも呼ばれ、円錐を任意の平面で切断した場合に、その切り口断面に現れる曲線であり、本発明では、円、楕円、放物線および双曲線を包含する概念であるが、特に楕円が好適である。
開口縁部を構成する弧状の曲線を、楕円の一部で構成する場合、楕円周を長軸と平行な弦で二分した場合の劣弧（短い方の弧）とすることが好ましく、特に、長軸の長さが短軸の長さの１．２倍よりも長い扁平状の楕円における上記劣弧とすることが好適である。
【００１３】
また、各開口縁部を構成する弧状の曲線は、全て同一でも、それぞれ異なるものでもよいが、形成されるパターン精度を均一にするためには、全ての開口縁部を同一の曲線で構成することが好ましい。
なお、パターン形成用孔の開口部の大きさは任意であり、目的とするパターンの大きさに応じた適宜なものとすることができる。
【００１４】
さらに、パターン形成用孔の内壁形状も任意であり、表面側開口部の頂点およびこれに対応する被塗布物当接面側開口部の頂点で構成される平面や、開口縁部の曲線に対応した曲面で構成することができるが、本発明においては、開口縁部の曲線に対応した曲面とすることが好ましい。
開口縁部を上述した二次曲線の一部で構成するときは、パターン形成用孔の内壁は、それぞれの二次曲線に対応した曲面となり、例えば、円の場合は円柱の一部で、楕円の場合は楕円柱の一部で、放物線の場合は放物線柱面の一部で、双曲線の場合は双曲線柱面の一部で構成されることになる。
なお、上述した開口縁部を構成する弧状の曲線や、パターン形成用孔の内壁は、エッチングや掘削などの従来公知の手法によって加工して形成すればよい。
【００１５】
また、パターン形成用孔の被塗布物当接面側の、開口部周縁には、被塗布物当接面と被塗布物との間に所望の隙間を形成するために、凹部が形成されていてもよい。このようにすることで、マスク本体と被塗布物との間に隙間が形成されるため、パターン形成用孔を通過して被塗布物に付着した塗布液が毛細管現象などにより被塗布物とマスク本体との間隙に浸入することを防ぐことができる。
【００１６】
本発明のメタルマスクを構成する金属は、使用する塗布液に応じて従来公知のものから適宜選択して用いればよい。
メタルマスクの材質としては、磁性材料、非磁性材料があるが、スプレー塗布装置の被塗布物（基材）設置ステージを磁性材料で構成し、メタルマスクとステージとで被塗布物を挟み込んで固定することでアライン工程を無くし、ラインのスループット向上および歩留まりの向上を図るためには、メタルマスクも磁性材料を含むものが好ましい。
この場合、メタルマスクの磁力の強弱は、スプレー塗布装置のステージの材質を考慮した上で、スプレー塗布中にメタルマスクが被塗布物からずれない強さに設定すればよい。
【００１７】
メタルマスクを構成する非磁性材料の具体例としては、ＳＵＳ２０１、ＳＵＳ２０２、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０１Ｊ、ＳＵＳ３０２、ＳＵＳ３０２Ｂ、ＳＵＳ３０３、ＳＵＳ３０３Ｓｅ、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０４Ｌ、ＳＵＳ３０４Ｎ１、ＳＵＳ３０４Ｎ２、ＳＵＳ３０４ＬＮ、ＳＵＳ３０４Ｊ１、ＳＵＳ３０４Ｊ２、ＳＵＳ３０４Ｊ３、ＳＵＳ３０５、ＳＵＳ３０５Ｊ１、ＳＵＳ３０９Ｓ、ＳＵＳ３１０Ｓ、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１６Ｌ、ＳＵＳ３１６Ｎ、ＳＵＳ３１６ＬＮ、ＳＵＳ３１６Ｔｉ、ＳＵＳ３１６Ｊ１、ＳＵＳ３１６Ｊ１Ｌ。ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３１７Ｌ、ＳＵＳ３１７ＬＮ、ＳＵＳ３１７Ｊ１、ＳＵＳ３１７Ｊ２、ＳＵＳ３１７Ｊ３Ｌ、ＳＵＳ３１７Ｊ４Ｌ、ＳＵＳ３１７Ｊ５Ｌ、ＳＵＳ３２１、ＳＵＳ３４７、ＳＵＳ３８４、ＳＵＳ３２９Ｊ１、ＳＵＳ３２９Ｊ３Ｌ、ＳＵＳ３２９Ｊ４Ｌ、ＳＵＳ４０３、ＳＵＳ４１０、ＳＵＳ４１０Ｓ、ＳＵＳ４１０Ｆ２、ＳＵＳ４１０Ｊ１、ＳＵＳ４３１、ＳＵＳ４１６、ＳＵＳ４２０Ｆ、ＳＵＳ４２０Ｆ２、ＳＵＳ４２９Ｊ１、ＳＵＳ４０５、ＳＵＳ４１０Ｌ、ＳＵＳ４２９、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ４３０Ｆ、ＳＵＳ４３０ＬＸ、ＳＵＳ４３０Ｊ１Ｌ、ＳＵＳ４３４、ＳＵＳ４３６Ｌ、ＳＵＳ４３６Ｊ１Ｌ、ＳＵＳ４４４、ＳＵＳ４４７Ｊ１、ＳＵＳ４４０Ａ、ＳＵＳ４４０Ｂ、ＳＵＳ４４０Ｃ、ＳＵＳ４４０Ｆ、ＳＵＳ４２０Ｊ１、ＳＵＳ４２０Ｊ２、ＳＵＳ６３０、ＳＵＳ６３１、ＳＵＳ６３１Ｊ、ＳＵＳ６３２Ｊ１、ＳＵＳＸＭ７、ＳＵＳＸＭ１５Ｊ１、ＳＵＳＸＭ２７などが挙げられる。
【００１８】
一方、磁性材料の具体例としては、ＳＵＳ４０３、ＳＵＳ４１０、ＳＵＳ４１０Ｓ、ＳＵＳ４１０Ｆ２、ＳＵＳ４１０Ｊ１、ＳＵＳ４３１、ＳＵＳ４１６、ＳＵＳ４２０Ｆ、ＳＵＳ４２０Ｆ２、ＳＵＳ４２９Ｊ１、ＳＵＳ４０５、ＳＵＳ４１０Ｌ、ＳＵＳ４２９、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ４３０Ｆ、ＳＵＳ４３０ＬＸ、ＳＵＳ４３０Ｊ１Ｌ、ＳＵＳ４３４、ＳＵＳ４３６Ｌ、ＳＵＳ４３６Ｊ１Ｌ、ＳＵＳ４４４、ＳＵＳ４４７Ｊ１、ＳＵＳ４４０Ａ、ＳＵＳ４４０Ｂ、ＳＵＳ４４０Ｃ、ＳＵＳ４４０Ｆ、ＳＵＳ４２０Ｊ１、ＳＵＳ４２０Ｊ２、ＳＵＳＸＭ２７などが挙げられる。
【００１９】
以上で説明したスプレー塗布用メタルマスクを、被塗布物当接面が被塗布物に接する態様で被塗布物上に載置し、パターン形成用孔を通して被塗布物表面に、電荷輸送性ワニスなどの薄膜形成用塗布液をスプレー塗布することで各種機能性薄膜を形成することができる。
ここで機能性薄膜とは、導電率、誘電率、透明性、仕事関数、光学特性、耐熱性、耐溶剤性等の種々の要求特性を満足する機能が付与された１〜１０００ｎｍ程度の厚みを有する膜である。
【００２０】
使用する被塗布物（基材）は、例えば、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄および乾燥を予め行って浄化しておき、使用直前にオゾン処理、酸素−プラズマ処理、エキシマ−ＵＶ処理などの表面処理を行うことが好ましい。なお、被塗布物（基材）が有機物を主成分とする場合、表面処理は施さなくともよい。
洗浄・表面処理した被塗布物（基材）表面に、薄膜形成用塗布液をスプレー塗布する工程は、スプレー装置内への被塗布物（基材）の導入、被塗布物（基材）上へのメタルマスク載置、スプレー塗布の一連の工程から構成される。この場合、スプレー塗布装置内の環境、スプレーヘッドのスペック、およびスプレー条件などのパラメータは、最適な薄膜パターンおよび成膜面を作製できるように調節・設定すればよい。なお、スプレー条件としては、スプレーヘッドが被塗布物（基材）をスキャンする移動範囲、ピッチ、ステージからヘッドまでの距離、スキャン速度、塗布液量、エア量、塗布待機時間、タンク内圧安定時間などが挙げられる。
【００２１】
スプレー塗布後、塗布液をレベリングし、続いて塗布液が塗布された基材を焼成し、乾燥する。
レベリングは、大気雰囲気下や窒素雰囲気下などの適切な雰囲気下で行われる。
焼成は、例えば、ホットプレート、プロキシミティホットプレート、オーブンなどを用い、大気雰囲気下、窒素等の不活性ガス雰囲気下、または真空中で行われる。この場合、焼成温度は、溶媒を蒸発させることができれば特に限定されないが、４０〜２５０℃で行うことが好ましい。なお、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよい。
【００２２】
以上の一連の工程により、被塗布物である基材上に、薄膜パターンが形成される。
本発明では、パターン形成用孔の開口縁部が弧状の曲線で構成されたメタルマスクを用いているから、形成された薄膜パターンのコーナ部の輪郭はパターン形成用孔の開口部の形状をより反映したものとなる。
【００２３】
本発明のメタルマスクは、各種機能性薄膜の成膜に使用することができ、例えば、コンデンサ電極保護膜、帯電防止膜、ガスセンサ、温度センサ、湿度センサ、圧力センサ、光センサ、放射線センサ、イオンセンサ、バイオセンサ、フィールドエミッショントランジスタセンサ等に利用される有機膜；一次電池、二次電池、燃料電池、太陽電池、ポリマー電池に利用される有機膜；電磁シールド膜、紫外線吸収膜、ガスバリア膜、光情報記録媒体、光集積回路に利用される有機膜などの成膜に使用することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明のメタルマスクを用いることで、得られた薄膜パターンのコーナ部分がメタルマスクの開口部の形状をより反映したものとなる。このため、塗布を要する部分と塗布を要しない部分とが同一の被塗布物上に存在する場合でも、これらを精度良く塗り分けることができ、その結果、電子デバイスの欠陥を減少させて生産時の歩留まりを向上させることができる。
ＩＴＯ、ＩＺＯおよびフィルムなどの被塗布物（基材）に本発明のメタルマスクを使用することで、薄膜パターンの作製が必要な種々の電子デバイスのプロセスマージンを拡大できる。例えば、有機ＥＬにおけるパッシブマトリクスまたはアクティブマトリクスなどの、塗布面および非塗布面の明確な区別が必要な電子デバイスを作製する場合、歩留まりが向上する等、多大な効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。
本発明の実施の一形態に係るメタルマスク１は、図１および図２に示されるように、被塗布物である基材の表面に当接する被塗布物当接面１０Ａおよびこれとは反対側の表面１０Ｂを有する磁性材料製（ＳＵＳ４３０製）のマスク本体１０と、被塗布物当接面１０Ａと表面１０Ｂとを連通してマスク本体１０に設けられた、４つのパターン形成用孔３０とを備えて構成されている。
【００２６】
このパターン形成用孔３０の表面１０Ｂ側の開口部３１は、４つの頂点３１Ａを有しており、これら各頂点３１Ａのうち、隣り合う頂点３１Ａ同士を結んでなる開口縁部３１Ｂは、開口部内側方向Ｄに凸をなす弧状の曲線で構成されている。なお、本実施形態では、４つの開口縁部３１Ｂは全て同一の曲線で構成されている（図２（ａ）参照）。
一方、被塗布物当接面１０Ａ側の開口部３２も、同様に４つの頂点３２Ａを有しており、これらのうち隣り合う頂点３２Ａ同士を結んでなる開口縁部３２Ｂも、同様に開口部内側方向Ｄに凸をなす、開口縁部３１Ｂと同一の弧状の曲線で構成されている（図２（ｂ）参照）。
なお、本実施形態では、上記弧状の曲線は３５゜楕円分度器で表される楕円の一部で構成されている。すなわち、隣り合う頂点３１Ａを結ぶ線分を、３５゜楕円分度器で表される楕円における長軸に平行な弦とした場合の劣弧を、開口縁部３１Ｂおよび３２Ｂとして採用している。
【００２７】
また、表面１０Ｂ側の開口縁部３１Ｂと、これに対向する被塗布物当接面１０Ａ側の開口縁部３２Ｂとの間に形成されるパターン形成用孔３０の内壁３３は、開口縁部３１Ｂおよび開口縁部３２Ｂの楕円弧に対応する３５゜楕円柱面の一部からなる曲面となっている。
本実施形態において、メタルマスク１は、図２に示されるように、平面視で一片の長さｄ１＝５０ｍｍの正方形であり、パターン形成用孔４０の開口部の寸法はｄ２＝ｄ３＝１５ｍｍである。
【００２８】
次に、開口縁部３１Ｂおよび３２Ｂの曲線の規定方法の一例について、図３を参照しながら説明する。
図３はメタルマスクの開口部が楕円の一部で構成されるとした場合に、その曲線を決定するための図である。
まず、長軸の長さ２ａ（ａ＞０）、短軸の長さ２ｂ（ｂ＞０）、かつ、ａ＞ｂであり、焦点がＦおよびＦ′で、原点を中心とする楕円を考える。この楕円は下記式で表される。
【００２９】
【数１】
2008237966.tif 000003
【００３０】
ここで、パターン形成用孔の開口部の一片の長さＬ（例えば、図２におけるｄ２）を、線分ＦＦ′（焦点間距離）とし、スプレー塗布装置、薄膜パターンを作製する基材の大きさ、基材を載せるステージの大きさなどから決定される線分ＡＦの長さをｃ（ｃ＜ａ、０＜ｃ＜∞）とする。
この場合、焦点Ｆのｘ座標は、ａ−ｃとなる。
また、焦点Ｆ，Ｆ′のｘ座標は、ａ、ｂを用いて表すことができ、それぞれ下記式のようになる。
【００３１】
【数２】
2008237966.tif 000004
【００３２】
以上から、（ａ−ｃ）2＝ａ2−ｂ2が成立し、ｂは、ａとｃのみで表せる。
上述のようにａは、開口部の長さＬを用いるとＬ／２＋ｃで表される。
したがって、メタルマスクの開口部の一辺の長さＬを決定するとともに、スプレー塗布装置などからｃを決定することで、焦点およびａ，ｂが決まり、楕円の形状が定まる。
このとき、線分ＦＦ′を、ｙ軸正方向に平行移動して楕円と交わる点をＥ，Ｇとすると、このＥ，Ｇが開口部の頂点に対応し、曲線ＥＧが開口端縁の形状となる。
【００３３】
なお、上記の曲線決定法は一例であって、これに限定されるものではない。
例えば、メタルマスクの開口部の隣り合う２つの頂点を結ぶ線分の長さをＬとした場合に、長軸２ａ＞Ｌ、短軸２ｂ、ａ＞ｂ＞０で、原点を中心とする楕円を考える。
この条件で、上記線分をｘ軸に重ね、これをｙ軸方向に平行移動して楕円の弦としたときに、その弦で二分される２つの弧のうちの劣弧を採用するなどの手法を採用してもよい。
この際、ａ＞１．２ｂであるような楕円であるとより好適である。
さらに、上記劣弧を開口縁部とするようなパターン形成用孔を設け、これに応じてスプレー条件や、基板の大きさ等を選択してもよい。
なお、上記楕円は、各種の楕円分度器で描かれる楕円を用いてもよい。
また、メタルマスクの開口縁部を任意の二次曲線の一部から構成し、この曲線形状に応じてスプレー条件や、基板の大きさ等を選択してもよい。
【００３４】
上記実施形態では、開口縁部３１Ｂおよび３２Ｂを楕円弧の一部で構成していたが、これに限られず、その他の弧状の曲線、例えば、円の一部、双曲線の一部、放物線の一部などで構成してもよい。
また、開口縁部３１Ｂおよび３２Ｂを構成する楕円弧は全て同一のものとされていたが、それぞれ別個の楕円弧とすることもできる。
さらに、パターン形成用孔３０の開口部３１，３２は４つの頂点を有するものであったが、これに限られず、３つ以上であれば任意である。
また、上記実施形態では、メタルマスク１がＳＵＳ４３０製であるが、その他の磁性材料製でもよく、非磁性材料製でもよい。
その他、各部材を構成する具体的な材料や、形状・構造等は、上記説明のものに限定されず、本発明の目的を達成できる限りにおいて、適宜変更することができる。
【実施例】
【００３５】
以下、実験例および比較実験例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は、下記の実験例に限定されるものではない。なお、実験例で用いた各装置は以下のとおりである。
【００３６】
［スプレー塗布装置］
株式会社藤森技術研究所製 ＮＶＤコーティング装置 ＮＶＤ−２００を使用した。基材を設置するステージの材質にはＳＵＳ４３０を使用した。
［ＵＶ−Ｏ3洗浄装置］
株式会社テクノビジョン製 ＵＶ−Ｏ3洗浄システム Ｍｏｄｅｌ２０８を使用した。
［光学顕微鏡］
株式会社Ｎｉｋｏｎ製 ＥＣＬＩＰＳＥ Ｅ６００ ＰＯＬを使用した。
【００３７】
［参考例１］電荷輸送性ワニスＡの調製
ブレティン・オブ・ケミカル・ソサエティ・オブ・ジャパン（Bulletin of Chemical Society of Japan）、１９９４年、第６７巻、ｐ.１７４９−１７５２に従って、ｐ−ヒドロキシジフェニルアミンとｐ−フェニレンジアミンとから、式（１）に示すフェニルテトラアニリン（以下ＰＴＡと略す）を合成した（収率８５％）。
【００３８】
【化１】
2008237966.tif 000005
【００３９】
上記で得られたＰＴＡ０．０６３７ｇ（０．１４３９ｍｍｏｌ）と、式（２）に示す５−スルホサリチル酸（５−ＳＳＡ）（和光純薬工業（株）製）０．１２５６ｇ（０．５７５７ｍｍｏｌ）とを、窒素雰囲気下、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）１．２４１０ｇに完全に溶解させた。得られた溶液にシクロヘキサノール（ＣＨＡ）６．２０５０ｇ、次いでブチルセロソルブ（ＢＣＳ）４．９６４０ｇを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスＡを調製した（固形分１．５％）。
【００４０】
【化２】
2008237966.tif 000006
【００４１】
［参考例２］電荷輸送性ワニスＢの調製
ＰＴＡ０．０６３７ｇ（０．１４３９ｍｍｏｌ）と、式（３）に示すナフタレンジスルホン酸オリゴマー（ＮＳＯ−２）０．５６０１ｇ（０．５７５７ｍｍｏｌ）とを窒素雰囲気下、ＤＭＩ８．１９２６ｇに完全に溶解させた。得られた溶液に２，３−ブタンジオール１２．２８８９ｇ、次いでイソプロピルアルコール２０．４８１４ｇを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスＢを調製した（固形分１．５％）。
なお、ＮＳＯ−２は、国際公開第２００６／０２５３４２号パンフレットに従って合成した（収率８１％）。
【００４２】
【化３】
2008237966.tif 000007
【００４３】
［実験例１］
［１］基材の洗浄・表面処理
被塗布物である基材には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）付きガラス基板を用いた。基板の厚さは０．７ｍｍであり、サイズは、メタルマスクと同じ５０ｍｍ×５０ｍｍものを使用した。
基材を、クラス１０００のクリーンルーム内で純水、中性洗剤、純水リンス、純水中で超音波、電子工業用アセトン、電子工業用イソプロピルアルコールの順で洗浄し、乾燥エアで乾燥させた後、さらにクリーンオーブン中で完全に乾燥させた。乾燥後の基材を、ＵＶ−Ｏ3洗浄装置内に導入し、表面処理を行った。表面処理後、ＩＴＯ表面は極性項が上がり、水の接触角は５°以下となった。
【００４４】
［２］スプレー塗布
上記で得られた基材を、スプレー塗布装置内に導入し、基材上に、メタルマスク１を載置した。続いて、電荷輸送性ワニスＡをスプレー塗布し、薄膜パターン作製を行った。この場合、スプレー塗布条件Ａは、ＸＹスキャン範囲が２００ｍｍ×２００ｍｍ、ピッチが１２ｍｍ、ステージからヘッドまでの距離が８０ｍｍ、スキャン速度が４００ｍｍ／ｓｅｃ、薬液量が１．０ｍＬ／ｍｉｎ、エア量が５．０Ｌ／ｍｉｎ、スプレー後待機時間が３０ｓｅｃ、タンク内圧安定時間が１０ｓｅｃ、スプレー塗布待機時間が１０ｓｅｃである。
【００４５】
スプレー塗布後、ウェット膜付き基材を、ホットプレートにて８０℃で５分乾燥した後、オーブンにて２００℃で１時間焼成し、厚み１５ｎｍの薄膜を得た。
焼成後、十分に余熱をとった基材の成膜面を光学顕微鏡で観察した。観察した場所はメタルマスク１のコーナ部に対応するパターンのコーナ部である。パターンのコーナ部の成膜面の輪郭は、図５に示されるように、ほぼ直角に近い形状であった。
【００４６】
［実験例２］
メタルマスク１に換えて、開口縁部が、５５゜楕円分度器の曲線の一部（開口部の隣り合う頂点を結ぶ線分を、５５゜楕円分度器で表される楕円における長軸に平行な弦とした場合の劣弧を、各開口縁部として採用した）で構成されたメタルマスク２を用いた以外は、実験例１と同様にして薄膜パターンを作製した。
成膜面を光学顕微鏡で観察したところ、パターンのコーナ部の成膜面の輪郭は、図６に示されるように、ほぼ直角に近い形状であった。
【００４７】
［比較実験例１］
図４に示される一般的なメタルマスク３を用いた以外は、実験例１と同様にして薄膜パターンを作製した。
成膜面を光学顕微鏡で観察したところ、パターンのコーナ部の成膜面の輪郭は、図７に示されるように、丸みを帯びていた。
なお、メタルマスク３は、被塗布物当接面２０Ａおよび塗布液付着面２０Ｂを有するマスク本体２０に、４つのパターン形成用孔４０が形成されているものである。このパターン形成用孔４０は、その両開口部４１，４２が、それぞれ４つの頂点４１Ａ，４２Ａを有し、これら各頂点４１Ａ，４２Ａのうち隣り合う頂点同士を結んでなる開口縁部４１Ｂ，４２Ｂが、長さｄ２＝ｄ３の直線で構成されている。すなわち、開口部４１，４２は平面視で正方形である。また、メタルマスク３は、平面視で、一片の長さ５０ｍｍの正方形である。
【００４８】
［実験例３］
電荷輸送性ワニスＢを用いた以外は、実験例１と同様にして薄膜パターンを作製した。
成膜面を光学顕微鏡で観察したところ、パターンのコーナ部の成膜面の輪郭は、図８に示されるように、ほぼ直角に近い形状であった。
【００４９】
［実験例４］
電荷輸送性ワニスＢを用いた以外は、実験例２と同様にして薄膜パターンを作製した。
成膜面を光学顕微鏡で観察したところ、パターンのコーナ部の成膜面の輪郭は、図９に示されるように、ほぼ直角に近い形状であった。
【００５０】
［比較実験例２］
電荷輸送性ワニスＢを用いた以外は、比較実験例１と同様にして薄膜パターンを作製した。
成膜面を光学顕微鏡で観察したところ、パターンのコーナ部の成膜面の輪郭は、図７に示されるように、丸みを帯びていた。
【００５１】
図５〜１０に示されるように、開口縁部が３５゜楕円分度器の曲線の一部で構成されたメタルマスク１を用いた場合では、コーナが若干丸みを帯びているもののほぼ直角になっていることがわかる。また、開口縁部が５５゜楕円分度器の曲線の一部で構成されたメタルマスク３を用いた場合では、コーナ部がほぼ直角となっていることがわかる。成膜された薄膜パターンのコーナ部の輪郭は、メタルマスク開口縁部の曲線の形状で変化することがわかった。
一方、開口縁部が直線で構成されたメタルマスク２を用いた場合、ワニスが濡れ広がりすぎてしまい、コーナ部が丸みを帯びてしまうことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１実施形態に係るメタルマスクを示す斜視図である。
【図２】第１実施形態に係るメタルマスクを示す上面図（ａ）および底面図（ｂ）である。
【図３】端縁部の曲線形状の決定法を示す図である。
【図４】比較例に係るメタルマスクを示す上面図（ａ）および底面図（ｂ）である。
【図５】実験例１で形成した薄膜パターンのコーナ部を示す光学顕微鏡写真である。
【図６】実験例２で形成した薄膜パターンのコーナ部を示す光学顕微鏡写真である。
【図７】比較実験例１で形成した薄膜パターンのコーナ部を示す光学顕微鏡写真である。
【図８】実験例３で形成した薄膜パターンのコーナ部を示す光学顕微鏡写真である。
【図９】実験例４で形成した薄膜パターンのコーナ部を示す光学顕微鏡写真である。
【図１０】比較実験例２で形成した薄膜パターンのコーナ部を示す光学顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００５３】
１  メタルマスク
１０  マスク本体
１０Ａ  被塗布物当接面
１０Ｂ  表面
３０  パターン形成用孔
３１，３２  開口部
３１Ａ，３２Ａ  頂点
３１Ｂ，３２Ｂ  開口縁部（弧状の曲線）
Ｄ  開口部内側方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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