(57)【要約】【課題】マイクロレンズのレンズ表面の帯電を防止する。【解決手段】フォトダイオード１４がマトリクス状に配列された半導体基板３０上に、遮光膜３６と、絶縁層３８と、平坦化層４０と、カラーフィルタ４２とを順次形成する。カラーフィルタ４２上に、光透過性を有する導電膜４４を形成する。マイクロレンズ４６を、各フォトダイオード１４の上方にそれぞれ位置するように、導電膜４４上に直接形成する。マイクロレンズ４６のレンズ表面４６ａの電荷５４を導電膜４４に流すことにより、レンズ表面４６ａの帯電を抑えることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のフォトダイオードが配列された半導体基板と、前記複数のフォトダイオードの個々の上方にそれぞれ位置する複数のマイクロレンズとを有する固体撮像装置において、
前記複数のマイクロレンズが、光透過性を有する第１導電膜上に直接形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記マイクロレンズのレンズ表面が光透過性を有する第２導電膜で覆われており、
前記第２導電膜は、前記第１導電膜と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１導電膜は接地されていることを特徴とする請求項１または２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１及び第２導電膜は、導電性金属酸化物または金で形成された金属薄膜であることを特徴とする請求項２または３記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１及び第２導電膜は、炭素を主成分とする膜であることを特徴とする請求項２または３記載の固体撮像装置。
【請求項６】
複数のフォトダイオードが配列された半導体基板と、前記複数のフォトダイオードの個々の上方にそれぞれ位置する複数のマイクロレンズとを有する固体撮像装置の製造方法において、
前記複数のフォトダイオードの上方に、光透過性を有する第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、
前記第１導電膜上に、光学材料用樹脂からなる樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層上にレジストを塗布し、露光、現像を経て前記レジストをパターニングして、前記複数のマイクロレンズに対応する形状のレジストパターンを前記樹脂層上に形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンを加熱溶融させて、前記レジストパターンを凸レンズ形状にする加熱工程と、
凸レンズ形状の前記レジストパターンをマスクとして、前記レジストパターン及び前記樹脂層を全面エッチングして前記レジストパターンを除去することにより、前記樹脂層を前記複数のマイクロレンズに形成するエッチング工程とを有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記複数のマイクロレンズの形成後に、前記複数のマイクロレンズの個々の表面を覆いつつ、前記第１導電膜と電気的に接続される第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程を有することを特徴とする請求項６記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記レジストは、前記樹脂層と同じエッチングレートを有していることを特徴とする請求項６または７記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＣＤ等の固体撮像装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＣＤなどの固体撮像装置を用いて撮像した撮影画像をデジタルの画像データに変換し、内蔵メモリやメモリカードなどに記録するデジタルカメラが普及してきている。このデジタルカメラに設けられているような固体撮像装置では、マトリクス状に配列されたフォトダイオードが形成された半導体基板上には、各フォトダイオードの位置に合わせた開口を有する遮光膜が形成され、さらに、この遮光膜の個々の開口上方にそれぞれ位置するマイクロレンズが形成されている。そして、撮影レンズ光学系からの入射光は、各マイクロレンズにより集光され、遮光膜の各開口を通過して各フォトダイオードに受光される。
【０００３】
このようなマイクロレンズは、絶縁性の高い高分子樹脂材料で形成されているのが通常である。このため、マイクロレンズは、レンズ表面が帯電しやすく、異物が付着しやすいという問題があった。特に固体撮像装置の表面は、マイクロレンズの存在により凹凸を有しているため付着した異物の除去が難しく、さらに、画素の微細化が進めば異物の除去が一層困難となる。そこで、異物付着を防止するため、マイクロレンズのレンズ表面を導電膜で覆うことにより、レンズ表面の帯電を防止する方法がよく知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−８３９４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
とこで、上記特許文献１記載のようにマイクロレンズのレンズ表面を導電膜で覆う場合には、導電膜の厚みにばらつきが生じやすい。このようにレンズ表面を覆う導電膜の厚みにばらつきが生じると、マイクロレンズの形状が変わってしまうため、マイクロレンズの光学特性が変わってしまう。その結果、固体撮像装置の品質や歩留まりが低下してしまうという問題が生じていた。
【０００５】
本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、マイクロレンズの光学特性を変えることなく、レンズ表面の帯電が防止可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、複数のフォトダイオードが配列された半導体基板と、前記複数のフォトダイオードの個々の上方にそれぞれ位置する複数のマイクロレンズとを有する固体撮像装置において、前記複数のマイクロレンズが、光透過性を有する第１導電膜上に直接形成されていることを特徴とする。
【０００７】
前記マイクロレンズのレンズ表面が光透過性を有する第２導電膜で覆われており、前記第２導電膜は、前記第１導電膜と電気的に接続されていることが好ましい。また、前記第１導電膜は接地されていることが好ましい。
【０００８】
前記第１及び第２導電膜は、導電性金属酸化物または金で形成された金属薄膜であることが好ましい。また、前記第１及び第２導電膜は、炭素を主成分とする膜であることが好ましい。
【０００９】
また、本発明は、複数のフォトダイオードが配列された半導体基板と、前記複数のフォトダイオードの個々の上方にそれぞれ位置する複数のマイクロレンズとを有する固体撮像装置の製造方法において、前記複数のフォトダイオードの上方に、光透過性を有する第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、前記第１導電膜上に、光学材料用樹脂からなる樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層上にレジストを塗布し、露光、現像を経て前記レジストをパターニングして、前記複数のマイクロレンズに対応する形状のレジストパターンを前記樹脂層上に形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンを加熱溶融させて、前記レジストパターンを凸レンズ形状にする加熱工程と、凸レンズ形状の前記レジストパターンをマスクとして、前記レジストパターン及び前記樹脂層を全面エッチングして前記レジストパターンを除去することにより、前記樹脂層を前記複数のマイクロレンズに形成するエッチング工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
前記複数のマイクロレンズの形成後に、前記複数のマイクロレンズの個々の表面を覆いつつ、前記第１導電膜と電気的に接続される第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程を有することが好ましい。また、前記レジストは、前記樹脂層と同じエッチングレートを有していることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、光透過性を有する第１導電膜上にマイクロレンズを直接形成するようにしたので、マイクロレンズのレンズ表面の電荷を第１導電膜に流すことができる。その結果、マイクロレンズの光学特性（形状）を変えることなく、レンズ表面の帯電を抑えることができる。これにより、マイクロレンズの光学特性の変化や異物付着に起因する固体撮像装置の品質や歩留まりの低下が抑えられる。
【００１２】
マイクロレンズのレンズ表面を第２導電膜で覆うようにしたので、レンズ表面の電荷を確実に第１導電膜に流すことができる。その結果、マイクロレンズの光学特性（形状）の規格値に余裕がある場合には、レンズ表面を第２導電膜で覆うことで、レンズ表面の帯電がより確実に抑制される。
【００１３】
第１導電膜を接地させるようにしたので、この第１導電膜を介してレンズ表面の電荷をＧＮＤ（グランド）に逃がすことができる。その結果、マイクロレンズのレンズ表面の帯電をより確実に抑制することができる。
【００１４】
第１導電膜形成後に、この第１導電膜上に樹脂層とレジストパターンとを順に形成し、レジストパターンをマスクとして、樹脂層及びレジストパターンを全面エッチング（エッチバック）してマイクロレンズを形成するようにしたので、同様にマイクロレンズのレンズ表面の帯電を抑えつつ、互いに隣接するマイクロレンズ間に隙間を形成することができる。さらに、マイクロレンズ間の隙間の大きさを任意に調整することができる。
【００１５】
レジストとして、樹脂層と同じエッチングレートを有するものを用いるようにしたので、樹脂層をレジストパターンの形状に応じた形状にエッチバックすることができる。その結果、望む形状のマイクロレンズを容易に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１に示すように、本発明の固体撮像装置に相当する固体撮像素子１０は、インターライントランスファ方式のＣＣＤイメージセンサであり、行列状（２次元マトリクス状）に配列されたフォトダイオード（受光素子）１４と、フォトダイオード１４の垂直列ごとに設けられた垂直ＣＣＤ（ＶＣＣＤ）１６と、フォトダイオード１４とＶＣＣＤ１６との間に設けられた読み出し転送ゲート（ＴＧ）１８と、各ＶＣＣＤ１６の最終段に共通に接続された水平ＣＣＤ（ＨＣＣＤ）２０と、ＨＣＣＤ２０の最終段に隣接して設けられた出力ゲート（ＯＧ）２２およびフローティングディフュージョン（ＦＤ）２４と、ＦＤ２４に接続されたソースフォロア型のアンプ回路２６とから構成されている。
【００１７】
フォトダイオード１４は、入射光を光電変換し、入射光の光量に応じた信号電荷を生成して蓄積する。ＴＧ１８は、フォトダイオード１４に蓄積された信号電荷をＶＣＣＤ１６へ転送する。ＶＣＣＤ１６は、フォトダイオード１４から転送された信号電荷を受け取り、ＨＣＣＤ２０に向けて１行ずつ垂直転送を行う。ＨＣＣＤ２０は、ＶＣＣＤ１６の最終段から出力される信号電荷を１行ずつ受け取り、１行分（１水平ライン分）の信号電荷を受け取るたびに順にＯＧ２２に向けて水平転送を行う。ＯＧ２２は、ＨＣＣＤ２０から送られた信号電荷を画素ごとに順にＦＤ２４へ転送する。ＦＤ２４は、ＯＧ２２から転送された信号電荷を電圧信号に変換する。アンプ回路２６は、ＦＤ２４が生成した電圧信号を増幅し、撮像信号Ｖｏｕｔとして出力を行う。
【００１８】
図２に示すように、固体撮像素子１０は、フォトダイオード１４とＶＣＣＤ１６とが形成された半導体基板３０を備えている。ＶＣＣＤ１６上には、光透過性の絶縁膜３２を介して転送電極３４が形成されている。この転送電極３４に印加する電圧を制御することで、フォトダイオード１４に蓄積された電荷が、ＴＧ１８を介して、ＶＣＣＤ１６により垂直転送される。なお、転送電極３４は、例えばドライエッチング法などによってポリシリコンから形成されている。また、絶縁膜３２は、例えば熱酸化法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによってＳｉＯ２  （二酸化シリコン）から形成される。
【００１９】
また、半導体基板３０上には、遮光膜３６と、絶縁層３８と、平坦化層４０と、カラーフィルタ４２と、導電膜４４と、マイクロレンズ４６とが形成されている。遮光膜３６は、スパッタリング法により例えばアルミニウムなどの金属で形成され、転送電極３４を覆って遮光する。絶縁層３８は、透光性を有する絶縁材料、例えばＢＰＳＧ（ホウ素リンシリケートガラス）などから形成され、遮光膜３６及び絶縁膜３２の上面を覆っている。
【００２０】
平坦化層４０は、例えば上述のＢＰＳＧで形成される。この平坦化層４０は、その上面が平坦化されるように形成されており、透光性を有している。カラーフィルタ４２は、平坦化層４０の上面に形成される。このカラーフィルタ４２は、例えば、３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）又は４色（Ｒ，Ｇ，Ｂ＋中間色）の色に対応する色素がそれぞれ含まれたカラーレジスト材などを塗布・パターニングして形成される。
【００２１】
導電膜４４は、本発明の第１導電膜に相当するものであり、カラーフィルタ４２の上面に形成された光透過性・導電性を有する薄膜である。この導電膜４４は、例えばＣＶＤ法やスパッタ法などにより形成された金属薄膜や、炭素を主成分する膜などである。金属薄膜としては、酸化スズ、酸化インジウム、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）、酸化亜鉛、ＣＴＯ（酸化カドミウムスズ）、酸化イリジウム等の導電性金属酸化物や、金などが例に挙げられる。また、炭素を主成分する膜としては、ダイヤモンド状炭素膜などが例に挙げられる。
【００２２】
導電膜４４の厚みｔは、膜を形成する材料にも依存するが、受光すべき光に対して導電膜４４が必要な光透過率を有するように、１ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内から選択される。特に光の反射を抑制するために、導電膜４４の厚みｔは、１〜２０ｎｍの範囲が好ましく、さらに１〜１０ｎｍの範囲がより好ましい。なお、各材料に応じた導電膜４４の最適な厚みｔは、予め実験を行うことで決定することができる。
【００２３】
また、導電膜４４は、固体撮像素子１０に形成されるＧＮＤ配線５０に電気的に接続され、さらに、このＧＮＤ配線５０を介してＧＮＤ５２に接続されている。つまり、導電膜４４は接地されている。
【００２４】
マイクロレンズ４６は、凸レンズ形状を有しており、各フォトダイオード１４の上方にそれぞれ位置するように導電膜４４上に直接形成されている。各マイクロレンズ４６により集光された光は、それぞれの下方（光軸上）に位置するフォトダイオード１４により受光される。そして、各マイクロレンズ４６は、詳しくは後述する方法によりノボラック樹脂等の絶縁性の高い高分子樹脂材料（光学材料用樹脂）で形成されている。
【００２５】
このようにマイクロレンズ４６は、高分子樹脂材料のような帯電し易い材料で形成されているが、上述したように、各マイクロレンズ４６は導電膜４４上に直接形成されている。従って、各マイクロレンズ４６のレンズ底面（下面）は、導電膜４４に当接している。このため、マイクロレンズ４６のレンズ表面４６ａの電荷５４は、導電膜４４及びＧＮＤ配線５０を介してＧＮＤ５２に流れる。これにより、各マイクロレンズ４６の帯電が抑制される。
【００２６】
次に、図３のフローチャート及び図４〜図８の説明図を用いて、本実施形態の固体撮像素子１０の製造工程について説明を行う。なお、カラーフィルタ４２より下方の構造は、周知の半導体デバイス製造工程、及びカラーフィルタ製造工程により形成できるものであるので、ここでは説明を省略する。
【００２７】
図３及び図４に示すように、カラーフィルタ４２が形成されたら、ＣＶＤ装置やスパッタ装置（図示せず）を用いて、例えばＩＴＯからなる導電膜４４をカラーフィルタ４２上に形成する。次いで、図５に示すように、樹脂塗布装置及び加熱装置（図示せず）を用いて、導電膜４４上にノボラック樹脂（光学材料用樹脂材料）を塗布・熱硬化させて、マイクロレンズ４６を形成するための樹脂層５８を形成する。
【００２８】
図６に示すように、樹脂層５８が形成されたら、レジスト塗布装置（図示せず）を用いて樹脂層５８上にレジスト６０を塗布する。ここで、レジスト６０としては、樹脂層５８（マイクロレンズ４６）と同じエッチングレートを有するものが選定される。例えば、樹脂層５８がノボラック樹脂で形成されている場合には、レジスト６０として、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製のＧＫＲ５３１５等のレジストが選定される。
【００２９】
次いで、図７に示すように、露光・現像装置（図示せず）を用いてレジスト６０を露光・現像してパターニングして、各マイクロレンズ４６に対応する形状で且つ略凸状のレジストパターン６２を形成する。具体的には、各マイクロレンズ４６の形成位置に対応する部分をマスクするパターンを用いて露光し、不要部分を除去する。これにより、レジストパターン６２が、各マイクロレンズ４６の個々の形成位置の上方に形成される。
【００３０】
レジストパターン６２が形成されたら、加熱装置（図示せず）を用いて各レジストパターン６２を加熱する。図８に示すように、略凸状の各レジストパターン６２が加熱により溶融すると、溶融したレジストパターン６２自体の表面張力により、レジストパターン６２が凸レンズ形状（略半球状）に形成される。
【００３１】
図９に示すように、加熱溶融後のレジストパターン６２が冷却・硬化したら、このレジストパターン６２をマスクとして、例えば異方性エッチングを行うエッチング装置（図示せず）を用いて、レジストパターン６２及び樹脂層５８を厚み方向（矢印方向）に全面エッチングする所謂エッチバックを行う。このエッチバックは、レジストパターン６２が全て除去され、且つ、図中点線Ａで示すような、互いに隣接するマイクロレンズ４６の間に導電膜４４が露出したところで停止される。なお、レジストパターン６２が全てエッチングされる前に、各マイクロレンズ４６の間に導電膜４４が露呈されないように、樹脂層５８及びレジストパターン６２の厚みは適切に調整されている。
【００３２】
上述のエッチバック処理時に、本実施形態では樹脂層５８とレジスト６０とが同じエッチングレートを有している。従って、図１０に示すように、樹脂層５８がレジストパターン６２の形状に応じた形状にエッチバックされて、レジストパターン６２の形状が樹脂層５８に転写される。これにより、マイクロレンズ４６が個々のフォトダイオード１４の上方に位置するように導電膜４４上に直接形成される。なお、樹脂層５８とレジスト６０とが異なるエッチングレートを有していると、望む形状のマイクロレンズ４６の形成が困難である。このため、レジスト６０としては、樹脂層５８と同じエッチングレートを有するものを選定することが好ましい。
【００３３】
以上のように本実施形態では、各マイクロレンズ４６を導電膜４４上に直接形成して、各マイクロレンズ４６の底面が導電膜４４に接するようにしたので、従来のようにマイクロレンズ４６の光学特性（形状）を変えることなく、マイクロレンズ４６のレンズ表面４６ａの電荷５４（図２参照）を導電膜４４に流して、レンズ表面４６ａの帯電を抑えることができる。これにより、マイクロレンズ４６のレンズ表面４６ａへの異物の付着を抑えることができる。その結果、マイクロレンズ４６の光学特性の変化や異物付着に起因する固体撮像素子１０の品質や歩留まりの低下を抑えることができる。
【００３４】
また、導電膜４４をＧＮＤ５２（図２参照）に接地させているので、導電膜４４などを介してレンズ表面４６ａの電荷５４をＧＮＤ５２に流すことができる。その結果、各マイクロレンズ４６のレンズ表面４６ａの帯電がより確実に抑制される。
【００３５】
また、導電膜４４上に樹脂層５８とレジストパターン６２とを順次形成し、両者をエッチバックして各マイクロレンズ４６を形成するようにしたので、互いに隣接するマイクロレンズ４６間に隙間を形成することができるとともに、隙間の大きさを任意に調整することができる。
【００３６】
なお、上記実施形態では、各マイクロレンズ４６の光学特性（形状）を変えることなく、マイクロレンズ４６のレンズ表面４６ａの帯電を抑えるようにしているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、マイクロレンズ４６の光学特性（形状）の規格値（スペック）に余裕がある場合などには、図１１に示す固体撮像素子６５のように、各マイクロレンズ４６のレンズ表面４６ａを表面被覆用導電膜６６で覆うようにしてもよい。
【００３７】
表面被覆用導電膜６６は、本発明の第２導電膜に相当するものであり、ＣＶＤ法やスパッタ法などにより上述の導電膜４４と同じ材料で形成される。この表面被覆用導電膜６６の厚みも、導電膜４４と同様に１ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内から選択できるが、特にマイクロレンズ４６のレンズ表面４６ａでの光の反射を抑制するために、厚みは１〜２０ｎｍの範囲が好ましく、さらに、１〜１０ｎｍの範囲がより好ましい。また、表面被覆用導電膜６６の端部は、導電膜４４上に形成されており、この導電膜４４と電気的に接続される。このため、レンズ表面４６ａの電荷５４（図２参照）を、このレンズ表面４６ａに直接接している表面被覆用導電膜６６から導電膜４４（ＧＮＤ５２）へ流すことができる。
【００３８】
このように、各マイクロレンズ４６を導電膜４４上に直接形成した後、さらに、各マイクロレンズ４６のレンズ表面４６ａを表面被覆用導電膜６６で覆うことで、導電膜４４上に各マイクロレンズ４６を形成しただけの場合と比較して、レンズ表面４６ａの電荷５４（図２参照）を確実に導電膜４４（ＧＮＤ５２）に流すことができる。つまり、各マイクロレンズ４６のレンズ表面４６ａの帯電がより確実に抑制される。従って、マイクロレンズ４６の光学特性の規格値に余裕がある場合には、必要に応じてレンズ表面４６ａを表面被覆用導電膜６６で覆ってもよい。
【００３９】
なお、上記実施形態では、導電膜４４上に樹脂層５８とレジストパターン６２とを順次形成し、両者をエッチバックして各マイクロレンズ４６を形成するようしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、各種方法を用いて導電膜４４上に各マイクロレンズ４６を直接形成するようにしてもよい。また、本実施形態では、互いに隣接するマイクロレンズ４６の間に隙間が形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、各マイクロレンズ４６の間に隙間が形成されていなくともよい。
【００４０】
また、上記実施形態では、固体撮像素子１０の半導体基板３０と導電膜４４との間には、遮光膜３６と、絶縁層３８と、平坦化層４０と、カラーフィルタ４２とが順に形成されているが、固体撮像素子の層構成はこれに限定されるものではなく、各マイクロレンズ４６が導電膜４４上に直接形成されていれば、各種の層構成を有していてもよい。
【００４１】
なお、上記実施形態の固体撮像素子１０では、フォトダイオード１４が行列状に配列されているが、本発明はこれに限定されるものでなく、千鳥状やハニカム状に配列されていてもよい。
【００４２】
また、上記実施形態では、インターライントランスファ方式のＣＣＤイメージセンサである固体撮像素子１０を例に挙げて説明を行ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＣＭＯＳなどの他の固体撮像装置にも本発明を適用することができる。
【００４３】
本発明の固体撮像装置は、デジタルカメラや携帯電話機用のカメラ部等の各種撮像装置に適用される他、電子内視鏡等の医療機器にも適用される。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】固体撮像素子の構成を示す概略図である。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】固体撮像素子の製造工程のフローチャートである。
【図４】導電膜形成後の状態を説明するための説明図である。
【図５】樹脂層形成後の状態を説明するための説明図である。
【図６】レジスト塗布後の状態を説明するための説明図である。
【図７】レジストパターン形成後の状態を説明するための説明図である。
【図８】加熱後の状態を説明するための説明図である。
【図９】エッチバック処理を説明するための説明図である。
【図１０】エッチバック処理が完了した後の状態を説明するための説明図である。
【図１１】レンズ表面も導電膜で覆った他の実施形態の固体撮像素子の断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０  固体撮像素子
１４  フォトダイオード
３０  半導体基板
３６  遮光膜
３８  絶縁層
４０  平坦化層
４２  カラーフィルタ
４４  導電膜
４６  マイクロレンズ
４６ａ  レンズ表面
５２  ＧＮＤ
５４  電荷
５８  樹脂層
６０  レジスト
６２  レジストパターン
６６  表面被覆用導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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