(57)【要約】【課題】本発明は、電極間での短絡を防止することが可能な有機ＥＬ素子を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上にパターン状に形成された電荷注入輸送層と、上記電荷注入輸送層上にパターン状に形成された発光層と、上記発光層上に形成された第２電極層とを有し、上記電荷注入輸送層のパターンのエッジが、上記発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ素子を提供することにより、上記目的を達成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上にパターン状に形成された電荷注入輸送層と、前記電荷注入輸送層上にパターン状に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２電極層とを有し、
前記電荷注入輸送層のパターンのエッジが、前記発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記発光層が、前記電荷注入輸送層の全面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上にパターン状に形成された電荷注入輸送層と、前記電荷注入輸送層上にパターン状に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２電極層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記電荷注入輸送層のパターンのエッジが前記発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されるように、パターン状の前記電荷注入輸送層およびパターン状の前記発光層を形成するパターン形成工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記パターン形成工程が、パターン状の前記電荷注入輸送層の全面を覆うように、パターン状の前記発光層を形成する発光層形成工程を有することを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
前記パターン形成工程が、前記電荷注入輸送層のパターンのエッジが前記発光層のパターンのエッジと略同一に配置されるように、パターン状の前記電荷注入輸送層およびパターン状の前記発光層を形成するパターニング工程と、パターン状の前記電荷注入輸送層のみをサイドエッチングするサイドエッチング工程とを有することを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記パターニング工程にて、フォトリソグラフィー法により、前記電荷注入輸送層および前記発光層をパターニングすることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記パターニング工程が、前記第１電極層が形成された基板上に前記電荷注入輸送層を形成する電荷注入輸送層形成工程と、前記電荷注入輸送層上に前記発光層を形成する発光層形成工程と、前記発光層上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、前記フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、前記フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、前記フォトレジスト層が除去された部分の前記発光層および前記電荷注入輸送層を除去することにより、前記発光層および前記電荷注入輸送層をパターニングする発光層・電荷注入輸送層パターニング工程とを有し、
前記パターン形成工程が、残存する前記フォトレジスト層を剥離する剥離工程を有し、
前記サイドエッチング工程後に、前記剥離工程を行うことを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、正孔注入輸送層や電子注入輸送層等を有する有機エレクトロルミネッセンス（以下、エレクトロルミネッセンスをＥＬと略す場合がある。）素子およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＥＬ素子は、対向する２つの電極から注入された正孔および電子が発光層内で結合し、そのエネルギーで発光層中の蛍光物質を励起し、蛍光物質に応じた色の発光を行うものであり、自発光の面状表示素子として注目されている。その中でも、有機物質を発光材料として用いた有機ＥＬ素子は、印加電圧が１０Ｖ弱であっても高輝度な発光を実現できるなど発光効率が高く、単純な素子構造で発光が可能であり、特定のパターンを発光表示させる広告その他低価格の簡易表示ディスプレイへの応用が期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子の層構成としては、例えば、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極などが知られている。正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の導電性が高い場合、発光層にピンホール等の欠陥があると、陽極および陰極間で短絡が発生し、発光不良の原因となる。また一般的に、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等はパターン状に形成されることがある（例えば特許文献１参照）。例えば、陽極の上に、正孔注入層および発光層をパターン状に形成し、発光層上に陰極を形成した場合、正孔注入層のパターンの端部では正孔注入層が露出しているため、正孔注入層の導電性が高いと、正孔注入層と陰極とが接触して短絡が生じることがある。短絡は、ディスプレイの画像不良の原因となるだけでなく、回路や装置の故障にもつながるため、未然に防ぐ必要がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１９７１５５公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、電極間での短絡を防止することが可能な有機ＥＬ素子を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記目的を達成するために、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上にパターン状に形成された電荷注入輸送層と、上記電荷注入輸送層上にパターン状に形成された発光層と、上記発光層上に形成された第２電極層とを有し、上記電荷注入輸送層のパターンのエッジが、上記発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ素子を提供する。
【０００７】
本発明によれば、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されているので、電荷注入輸送層のパターンの端部と第２電極層とが接触するのを防ぎ、電荷注入輸送層の導電性が高い場合であっても、電極間での短絡を防止することが可能である。
【０００８】
上記発明においては、上記発光層が、上記電荷注入輸送層の全面を覆うように形成されていてもよい。これにより、電荷注入輸送層のパターンの端部と第２電極層とが接触するのを回避することができるからである。
【０００９】
また、本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上にパターン状に形成された電荷注入輸送層と、上記電荷注入輸送層上にパターン状に形成された発光層と、上記発光層上に形成された第２電極層とを有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、上記電荷注入輸送層のパターンのエッジが上記発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されるように、パターン状の上記電荷注入輸送層およびパターン状の上記発光層を形成するパターン形成工程を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【００１０】
本発明によれば、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されるように、パターン状の電荷注入輸送層およびパターン状の発光層を形成するので、電荷注入輸送層のパターンの端部と第２電極層とが接触していない有機ＥＬ素子を得ることができる。したがって、電荷注入輸送層の導電性が高い場合であっても、電極間での短絡を防止することが可能な有機ＥＬ素子を得ることができる。
【００１１】
上記発明においては、上記パターン形成工程が、パターン状の上記電荷注入輸送層の全面を覆うように、パターン状の上記発光層を形成する発光層形成工程を有していてもよい。このような工程を行うことにより、電荷注入輸送層のパターンの端部と第２電極層とが接触するのを回避することができるからである。
【００１２】
また、上記発明においては、上記パターン形成工程が、上記電荷注入輸送層のパターンのエッジが上記発光層のパターンのエッジと略同一に配置されるように、パターン状の上記電荷注入輸送層およびパターン状の上記発光層を形成するパターニング工程と、パターン状の上記電荷注入輸送層のみをサイドエッチングするサイドエッチング工程とを有していてもよい。サイドエッチング工程を行うことにより、電荷注入輸送層のパターンの端部と第２電極層とが接触するのを防ぐことができるからである。また、異なるパターンとなるように電荷注入輸送層および発光層をパターニングするよりも、略同一のパターンとなるように電荷注入輸送層および発光層をパターニングする方が、簡便であるからである。
【００１３】
この際、上記パターニング工程にて、フォトリソグラフィー法により、上記電荷注入輸送層および上記発光層をパターニングすることが好ましい。フォトリソグラフィー法では、フォトレジスト層の露光条件を適宜選択することにより、電荷注入輸送層および発光層のパターンを容易に調整することができるからである。
【００１４】
この場合、上記パターニング工程が、上記第１電極層が形成された基板上に上記電荷注入輸送層を形成する電荷注入輸送層形成工程と、上記電荷注入輸送層上に上記発光層を形成する発光層形成工程と、上記発光層上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、上記フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、上記フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、上記フォトレジスト層が除去された部分の上記発光層および上記電荷注入輸送層を除去することにより、上記発光層および上記電荷注入輸送層をパターニングする発光層・電荷注入輸送層パターニング工程とを有し、上記パターン形成工程が、残存する上記フォトレジスト層を剥離する剥離工程を有し、上記サイドエッチング工程後に、上記剥離工程を行うことが好ましい。パターニングされた発光層上に残存するフォトレジスト層を剥離することなく、サイドエッチングを行うことにより、フォトレジスト層によって、電荷注入輸送層をサイドエッチングするときの発光層表面へのダメージを防ぐことができるからである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明においては、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されているので、電荷注入輸送層のパターンの端部と第２電極層とが接触することがなく、電荷注入輸送層の導電性が高い場合であっても、電極間での短絡を防止することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の有機ＥＬ素子およびその製造方法について詳細に説明する。
【００１７】
Ａ．有機ＥＬ素子
まず、本発明の有機ＥＬ素子について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上にパターン状に形成された電荷注入輸送層と、上記電荷注入輸送層上にパターン状に形成された発光層と、上記発光層上に形成された第２電極層とを有し、上記電荷注入輸送層のパターンのエッジが、上記発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されていることを特徴とするものである。
【００１８】
本発明の有機ＥＬ素子について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す概略断面図である。図１に例示するように、有機ＥＬ素子１０においては、基板１上に、第１電極層２がパターン状に形成され、この第１電極層２のパターン間に絶縁層３が形成され、第１電極層２上に、パターン状の正孔注入輸送層４（電荷注入輸送層）および発光層５が形成され、発光層５上に第２電極層６が形成されている。また、発光層５が正孔注入輸送層４の全面を覆うように形成され、正孔注入輸送層４のパターンのエッジが、発光層５のパターンのエッジよりも内側に配置されている。
【００１９】
このような有機ＥＬ素子においては、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジよりも内側に配置され、電荷注入輸送層の全面が発光層に覆われているので、電荷注入輸送層のパターンの端部と第２電極層とが接触することがなく、電荷注入輸送層の導電性が高い場合であっても、電極間での短絡を防止することが可能である。
【００２０】
図２は、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されている有機ＥＬ素子としては、図１に例示するものに限定されるものではなく、図２に例示する有機ＥＬ素子の製造方法により得られるものであってもよい。
【００２１】
図２に例示する有機ＥＬ素子の製造方法においては、まず、基板１１上に第１電極層１２をパターン状に形成し、この第１電極層１２のパターン間に絶縁層１３を形成し、第１電極層１２および絶縁層１３の上に正孔注入輸送層１４（電荷注入輸送層）および発光層１５を形成する（図２（ａ））。次に、発光層１５上にポジ型フォトレジストを塗布して、フォトレジスト層２１を形成する（図２（ｂ））。次いで、少なくとも発光領域２２のフォトレジスト層２１が残存するように、フォトマスク２３を介してフォトレジスト層２１をパターン露光した後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、パターン状のフォトレジスト層２１´を形成する（図２（ｃ）および（ｄ））。次に、フォトレジスト層の除去により露出した部分の発光層および正孔注入輸送層を除去することにより、パターン状の発光層１５´および正孔注入輸送層１４´を形成する（図２（ｅ））。
【００２２】
次に、パターン状の正孔注入輸送層１４´のみをサイドエッチングする（図２（ｆ））。これにより、正孔注入輸送層１４´´のパターンのエッジを、発光層１５´のパターンのエッジよりも内側に配置することができる。
【００２３】
次いで、残存するフォトレジスト層２１´を剥離する（図２（ｇ））。そして最後に、発光層１５´上に第２電極層１６を形成する（図２（ｈ））。
一般に、第２電極層には、金属や金属酸化物等が用いられる。図２（ｇ）に例示するようなパターン状の発光層１５´上に、金属や金属酸化物等を蒸着法により成膜した場合、金属や金属酸化物等は、発光層のパターンの端部を回り込むことができずに、直線的に堆積する。このため、図２（ｈ）に例示するように、サイドエッチングされた正孔注入輸送層の部分は空隙ｈになると考えられる。すなわち、正孔注入輸送層１４´´のパターンの端部と第２電極層１６との間には空隙ｈが存在することになると想定される。
【００２４】
このような有機ＥＬ素子においては、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されており、電荷注入輸送層のパターンの端部と第２電極層との間に空隙が存在すると考えられるので、電荷注入輸送層のパターンの端部と第２電極層とが接触することがなく、電荷注入輸送層の導電性が高い場合であっても、電極間での短絡を防止することが可能である。
【００２５】
本発明においては、電荷注入輸送層および発光層がパターン状に形成され、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されていれば、電荷注入輸送層および発光層のパターンの配置としては特に限定されるものではない。例えば図１に示すように、発光層５が正孔注入輸送層４（電荷注入輸送層）の全面を覆うように形成されていてもよく、また例えば図２（ｈ）に示すように、正孔注入輸送層１４´´（電荷注入輸送層）のみがサイドエッチングされていてもよい。
【００２６】
ここで、発光層が電荷注入輸送層の全面を覆うように形成されているとは、電荷注入輸送層の表面および側面の全てが発光層で覆われ、電荷注入輸送層が露出していないことを意味する。例えば図１に示すように、正孔注入輸送層４（電荷注入輸送層）のいずれの面も露出しないように発光層５が形成されている場合をいう。
【００２７】
なお、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されていることは、有機ＥＬ素子の断面の光学顕微鏡観察等により確認することができる。
以下、本発明の有機ＥＬ素子の各構成について説明する。
【００２８】
１．電荷注入輸送層
本発明における電荷注入輸送層は、第１電極層と発光層との間に形成されるものである。また、電荷注入輸送層はパターン状に形成されており、電荷注入輸送層のパターンのエッジは発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されている。
【００２９】
本発明において、電荷注入輸送層とは、第１電極層から発光層に電荷を安定に輸送する機能を有するものである。第１電極層と発光層との間に電荷注入輸送層が形成されているにより、発光層への電荷の注入が安定化し、発光効率を高めることができる。
【００３０】
電荷注入輸送層としては、陽極から注入された正孔を発光層内へ輸送する正孔注入輸送層と、陰極から注入された電子を発光層内へ輸送する電子注入輸送層とがある。一般に、有機ＥＬ素子を製造する際には、陽極側から積層する方が安定して有機ＥＬ素子を作製することができることから、第１電極層が陽極であり、電荷注入輸送層が正孔注入輸送層であることが好ましい。
以下、正孔注入輸送層および電子注入輸送層について説明する。
【００３１】
（１）正孔注入輸送層
本発明に用いられる正孔注入輸送層としては、発光層に正孔を注入する正孔注入層、および、発光層に正孔を輸送する正孔輸送層のいずれか一方であってもよく、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよく、または、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有する単一の層であってもよい。
【００３２】
正孔注入輸送層に用いられる材料としては、陽極から注入された正孔を安定に発光層内へ輸送することができる材料であれば特に限定されるものではない。この正孔注入輸送層に用いられる材料としては、例えば、アリールアミン類、フタロシアニン類、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレンおよびこれらの誘導体等の導電性高分子などを挙げることができる。具体的には、ビス（Ｎ−（１−ナフチル−Ｎ−フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＤ）、４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
【００３３】
また、正孔注入輸送層の膜厚としては、その機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されるものではなく、具体的には０．５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度とすることができ、中でも１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００３４】
なお、正孔注入輸送層の形成方法については、後述の「Ｂ．有機ＥＬ素子の製造方法」の項に詳しく記載するので、ここでの説明は省略する。
【００３５】
（２）電子注入輸送層
本発明に用いられる電子注入輸送層としては、発光層に電子を注入する電子注入層、および電子を輸送する電子輸送層のいずれか一方であってもよく、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよく、または、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有する単一の層であってもよい。
【００３６】
電子注入層に用いられる材料としては、発光層内への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではない。この電子注入層に用いられる材料としては、例えば、アルミリチウム合金、リチウム、セシウム等のアルカリ金属やその合金；フッ化リチウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属のハロゲン化物；ストロンチウム、カルシウム等のアルカリ土類金属；フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム等のアルカリ土類金属のハロゲン化物；酸化マグネシウム、酸化ストロンチウム、酸化アルミニウム等の酸化物；などが挙げられる。また、電子注入層に用いられる材料として、ポリメチルメタクリレートポリスチレンスルホン酸ナトリウム等を挙げることができる。
【００３７】
電子注入層の膜厚としては、その機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されるものではない。
【００３８】
また、電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層内へ輸送することができる材料であれば特に限定されるものではない。この電子輸送層に用いられる電子輸送性材料としては、例えば、オキサジアゾール類、トリアゾール類、バソキュプロイン、バソフェナントロリン等のフェナントロリン類、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等のアルミキノリノール錯体などが挙げられる。
【００３９】
電子輸送層の膜厚としては、その機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。
【００４０】
さらに、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有する単一の層からなる電子注入輸送層に用いられる材料としては、例えば、アルカリ金属またはアルカリ土類金属がドープされた電子輸送性の有機材料が挙げられる。電子輸送性の有機材料としては、例えば、バソキュプロイン、バソフェナントロリン等のフェナントロリン類を挙げることができる。また、ドープする金属としては、例えば、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ等が挙げられる。
【００４１】
上記の単一の層からなる電子注入輸送層の膜厚としては、電子注入機能および電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。
【００４２】
なお、電子注入輸送層の形成方法については、後述の「Ｂ．有機ＥＬ素子の製造方法」の項に詳しく記載するので、ここでの説明は省略する。
【００４３】
２．発光層
本発明に用いられる発光層は、電荷注入輸送層と第２電極層との間に形成されるものである。また、発光層はパターン状に形成されており、発光層のパターンのエッジは電荷注入輸送層のパターンのエッジよりも外側に配置されている。
【００４４】
発光層に用いられる発光材料としては、蛍光または燐光を発する材料を含み、発光するものであれば特に限定されるものではなく、発光機能と正孔輸送機能もしくは電子輸送機能とを兼ねていてもよい。
【００４５】
発光材料としては、色素系発光材料、金属錯体系発光材料、および高分子系発光材料を挙げることができる。
【００４６】
色素系発光材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を挙げることができる。
【００４７】
金属錯体系発光材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体、あるいは、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等またはＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子に、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等を挙げることができる。
【００４８】
高分子系発光材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体等、あるいは、上記の色素系発光材料や金属錯体系発光材料を高分子化したもの等を挙げることができる。
【００４９】
後述の「Ｂ．有機ＥＬ素子の製造方法」の項に記載するように、発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成し、フォトリソグラフィー法により発光層をパターニングする場合には、フォトリソグラフィー法によって発光層を精度良くパターニングすることができるという利点を活かすという観点から、発光材料として、上記高分子系発光材料を用いることが好ましい。
【００５０】
また、上記発光材料には、種々の添加剤を添加することが可能である。例えば、上記発光材料には、発光効率の向上、発光波長を変化させる等の目的でドーピング剤を添加してもよい。このようなドーピング剤としては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体を挙げることができる。
【００５１】
発光層の膜厚としては、電子と正孔との再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、具体的には２ｎｍ〜２００ｎｍ程度とすることができる。
【００５２】
なお、発光層の形成方法については、後述の「Ｂ．有機ＥＬ素子の製造方法」の項に詳しく記載するので、ここでの説明は省略する。
【００５３】
３．第１電極層および第２電極層
本発明に用いられる第１電極層および第２電極層は、一方が陽極であり他方が陰極であれば、いずれが陽極であってもよく陰極であってもよい。一般に、有機ＥＬ素子を製造する際には、陽極側から積層する方が安定して有機ＥＬ素子を作製することができることから、第１電極層が陽極であり、第２電極層が陰極であることが好ましい。
【００５４】
陽極には、正孔が注入し易いように仕事関数の大きい導電性材料が好ましく用いられる。仕事関数の大きい導電性材料としては、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＩＴＯ）、Ａｕ等が挙げられる。一方、陰極には、電子が注入し易いように仕事関数の小さい導電性材料が好ましく用いられる。仕事関数の小さい導電性材料としては、例えば、ＭｇＡｇ等のＭｇ合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のＡｌ合金、Ｃａなどが挙げられる。
導電性材料としては、一般に金属材料が用いられるが、有機物や無機化合物を用いてもよい。また、陽極および陰極には、複数の材料を混合して用いてもよい。
【００５５】
また、第１電極層および第２電極層は、透明性を有していても有さなくてもよく、光の取り出し面に応じて適宜選択される。例えば図１に示す有機ＥＬ素子においてボトムエミッション型とする場合、第１電極層２は透明性を有することが好ましい。この場合、第２電極層６に透明性は要求されない。一方、例えば図１に示す有機ＥＬ素子においてトップエミッション型とする場合、第２電極層６は透明性を有することが好ましい。この場合、第１電極層２に透明性は要求されない。また、例えば図１に示す有機ＥＬ素子において両面から光を取り出す場合には、第１電極層２および第２電極層６はいずれも透明性を有することが好ましい。
【００５６】
透明性を有する導電性材料としては、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ（ＩＺＯ）、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＩＴＯ）、Ｚｎ−Ｏ−Ａｌ、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ等を好ましいものとして例示することができる。また、透明性が要求されない場合、導電性材料としては、金属を用いることができ、具体的にはＡｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、あるいは、Ａｌ合金、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金等を挙げることができる。
【００５７】
陽極および陰極のいずれであっても、抵抗が比較的小さいことが好ましい。
【００５８】
第１電極層および第２電極層の厚みとしては、２ｎｍ〜２００ｎｍ程度で設定することができる。
【００５９】
第１電極層および第２電極層の形成方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等を挙げることができる。
【００６０】
４．基板
本発明に用いられる基板は、透明性を有していても有さなくてもよい。例えば図１に示す有機ＥＬ素子においてボトムエミッション型とする場合、基板１は透明性を有することが好ましい。一方、例えば図１に示す有機ＥＬ素子においてトップエミッション型とする場合、基板１に透明性は要求されない。また、例えば図１に示す有機ＥＬ素子において両面から光を取り出す場合には、基板１は透明性を有することが好ましい。
【００６１】
透明性を有する基板には、例えば、ガラス等の無機材料や、透明樹脂などを用いることができる。
上記透明樹脂としては、フィルム状に成形可能であれば特に限定されるものではないが、透明性が高く、耐溶媒性、耐熱性が比較的高いことが好ましい。このような透明樹脂としては、例えば、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフッ化ビニル（ＰＦＶ）、ポリアクリレート（ＰＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、非晶質ポリオレフィン、またはフッ素系樹脂等が挙げられる。
【００６２】
また、透明性が要求されない場合、基板としては、金属箔等を用いることができる。
【００６３】
５．絶縁層
本発明においては、第１電極層のパターンの端部および非発光領域に絶縁層が形成されていてもよい。絶縁層が形成されていることにより、有機ＥＬ素子の短絡等を抑制し、長寿命で安定に発光する有機ＥＬ素子とすることができる。
【００６４】
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、光硬化性樹脂等を挙げることができる。
【００６５】
また、絶縁層の膜厚としては、０．１μｍ〜１０μｍ程度で設定することができる。中でも、ドライエッチングにより発光層をパターニングする場合には、ドライエッチング耐性が発現される程度の厚みであることが好ましい。
【００６６】
絶縁層の形成方法としては、一般的な絶縁層の形成方法を用いることができる。絶縁層を形成する際には、発光領域が開口部となるように、あらかじめ絶縁層をパターン状に形成してもよい。
【００６７】
６．その他の層
本発明においては、発光層と第２電極層との間に、第２の電荷注入輸送層が形成されていてもよい。すなわち、基板／第１電極層／電荷注入輸送層／発光層／第２の電荷注入輸送層／第２電極層の順に積層されていてもよい。
【００６８】
通常、湿式法で電荷注入輸送層、発光層および第２の電荷注入輸送層を形成する場合、溶媒との関係で多数の層を積層することが困難であるが、溶媒への溶解性が異なるように有機材料を工夫したり、真空蒸着法を組み合わせたりすることにより、多数の層を積層することができる。
【００６９】
第２の電荷注入輸送層としては、上記電荷注入輸送層の項に記載した、正孔注入輸送層および電子注入輸送層が挙げられる。第２の電荷注入輸送層の種類は、上記電荷注入輸送層の種類に応じて適宜選択される。例えば、電荷注入輸送層が正孔注入輸送層である場合は、第２の電荷注入輸送層は電子注入輸送層となる。
【００７０】
なお、第２の電荷注入輸送層のその他の点については、上記電荷注入輸送層と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００７１】
また、発光層と電荷注入輸送層または第２の電荷注入輸送層との間に、キャリアブロック層が形成されていてもよい。キャリアブロック層は、正孔もしくは電子の突き抜けを防止し、さらに励起子の拡散を防止して発光層内に励起子を閉じ込めることにより、再結合効率を高めるための層である。
【００７２】
Ｂ．有機ＥＬ素子の製造方法
次に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上にパターン状に形成された電荷注入輸送層と、上記電荷注入輸送層上にパターン状に形成された発光層と、上記発光層上に形成された第２電極層とを有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、上記電荷注入輸送層のパターンのエッジが上記発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されるように、パターン状の上記電荷注入輸送層およびパターン状の上記発光層を形成するパターン形成工程を有することを特徴とするものである。
【００７３】
本発明におけるパターン形成工程において、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されるように、パターン状の発光層を形成する方法としては、特に限定されるものではない。中でも、パターン状の電荷注入輸送層の全面を覆うように、パターン状の発光層を形成する方法、あるいは、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジと略同一に配置されるように、パターン状の電荷注入輸送層および発光層を形成し、パターン状の電荷注入輸送層のみをサイドエッチングする方法が好ましい。
【００７４】
以下、パターン形成工程が、パターン状の電荷注入輸送層の全面を覆うように、パターン状の発光層を形成する発光層形成工程を有する場合（第１態様）、および、パターン形成工程が、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジと略同一に配置されるように、パターン状の電荷注入輸送層およびパターン状の発光層を形成するパターニング工程と、パターン状の電荷注入輸送層のみをサイドエッチングするサイドエッチング工程とを有する場合（第２態様）について、説明する。
【００７５】
１．第１態様
まず、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の第１態様について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の第１態様は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上にパターン状に形成された電荷注入輸送層と、上記電荷注入輸送層上にパターン状に形成された発光層と、上記発光層上に形成された第２電極層とを有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、上記電荷注入輸送層のパターンのエッジが上記発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されるように、パターン状の上記電荷注入輸送層およびパターン状の上記発光層を形成するパターン形成工程を有し、上記パターン形成工程が、パターン状の電荷注入輸送層の全面を覆うように、パターン状の発光層を形成する発光層形成工程を有することを特徴とするものである。
【００７６】
本態様の有機ＥＬ素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図３は、本態様の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。まず、基板１上に第１電極層２をパターン状に形成し、この第１電極層２のパターン間に絶縁層３を形成する（図３（ａ）、第１電極層形成工程および絶縁層形成工程）。次いで、第１電極層２および絶縁層３の上に、シャドウマスクを用いた蒸着法により、パターン状の正孔注入輸送層４（電荷注入輸送層）を形成する（図３（ｂ）、電荷注入輸送層形成工程）。次いで、同様に、シャドウマスクを用いた蒸着法により、パターン状の発光層５を形成する（図３（ｃ）、発光層形成工程）。この際、発光層形成用のシャドウマスクの開口部の面積を、正孔注入輸送層形成用のシャドウマスクの開口部の面積よりも大きくすることで、正孔注入輸送層のパターンのエッジが、発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されるように、パターン状の発光層を形成することができる。なお、図３（ｂ）および（ｃ）は、パターン形成工程を示す。そして最後に、発光層５上に第２電極層６を形成する（図３（ｄ）、第２電極層形成工程）。
【００７７】
本態様によれば、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されるように、かつ、パターン状の電荷注入輸送層の全面を覆うように、パターン状の発光層を形成するので、電荷注入輸送層のパターンの端部と第２電極層とが接触していない有機ＥＬ素子を得ることができる。したがって、電荷注入輸送層の導電性が高い場合であっても、電極間での短絡を防止することが可能な有機ＥＬ素子を得ることができる。
以下、本態様の有機ＥＬ素子の製造方法における各工程について説明する。
【００７８】
（１）パターン形成工程
本態様におけるパターン形成工程は、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されるように、パターン状の電荷注入輸送層およびパターン状の発光層を形成する工程である。また、パターン形成工程は、パターン状の電荷注入輸送層の全面を覆うように、パターン状の発光層を形成する発光層形成工程を有している。通常、このパターン形成工程は、第１電極層上にパターン状の電荷注入輸送層を形成する電荷注入輸送層形成工程を有している。
以下、パターン形成工程における各工程について説明する。
【００７９】
（ｉ）電荷注入輸送層形成工程
本態様における電荷注入輸送層形成工程は、第１電極層上にパターン状の電荷注入輸送層を形成する工程である。
【００８０】
電荷注入輸送層の形成方法としては、電荷注入輸送層に用いられる材料により適宜選択されるものであり、例えば、シャドウマスクを用いた真空蒸着法、スパッタリング法等、あるいは、電荷注入輸送層に用いられる材料を含む電荷注入輸送層形成用塗工液を用いたインクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法、あるいは、フォトリソグラフィー法、レーザー転写法等を挙げることができる。
【００８１】
なお、電荷注入輸送層のその他の点については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の電荷注入輸送層の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【００８２】
（ii）発光層形成工程
本態様における発光層形成工程は、パターン状の電荷注入輸送層の全面を覆うように、パターン状の発光層を形成する工程である。
【００８３】
発光層の形成方法としては、パターン状の電荷注入輸送層の全面を覆うように、パターン状の発光層を形成することができる方法であれば、特に限定されるものではない。発光層の形成方法としては、使用する発光材料により適宜選択されるものであり、例えば、上記電荷注入輸送層の形成方法と同様の方法を挙げることができる。
【００８４】
パターン状の電荷注入輸送層の全面を覆うように、パターン状の発光層を形成するには、例えば、シャドウマスクを用いた真空蒸着法、スパッタリング法等により電荷注入輸送層および発光層を形成する場合には、発光層形成用のシャドウマスクの開口部の面積を、電荷注入輸送層形成用のシャドウマスクの開口部の面積よりも大きくすればよい。また例えば、電荷注入輸送層形成用塗工液および発光層形成用塗工液を用いる場合には、発光層形成用塗工液の塗布面積を、電荷注入輸送層形成用塗工液の塗布面積よりも大きくすればよい。さらに例えば、フォトリソグラフィー法により電荷注入輸送層および発光層をそれぞれパターニングする場合には、発光層のパターニング時のフォトレジスト層の露光面積と、電荷注入輸送層のパターニング時のフォトレジスト層の露光面積とを調整すればよい。
【００８５】
なお、発光層のその他の点については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の発光層の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【００８６】
（２）その他の工程
本態様においては、通常、基板上に第１電極層を形成する第１電極層形成工程、および、第２電極層を形成する第２電極層形成工程が行われる。なお、第１電極層および第２電極層の形成方法等については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の第１電極層および第２電極層の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【００８７】
また、本態様においては、基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程を行ってもよい。なお、絶縁層の形成方法等については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の絶縁層の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【００８８】
２．第２態様
次に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の第２態様について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の第２態様は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上にパターン状に形成された電荷注入輸送層と、上記電荷注入輸送層上にパターン状に形成された発光層と、上記発光層上に形成された第２電極層とを有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、上記電荷注入輸送層のパターンのエッジが上記発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されるように、パターン状の上記電荷注入輸送層およびパターン状の上記発光層を形成するパターン形成工程を有し、上記パターン形成工程が、上記電荷注入輸送層のパターンのエッジが上記発光層のパターンのエッジと略同一に配置されるように、パターン状の上記電荷注入輸送層およびパターン状の上記発光層を形成するパターニング工程と、パターン状の上記電荷注入輸送層のみをサイドエッチングするサイドエッチング工程とを有することを特徴とするものである。
【００８９】
本態様の有機ＥＬ素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図２は、本態様の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。まず、基板１１上に第１電極層１２をパターン状に形成し、この第１電極層１２のパターン間に絶縁層１３を形成し、第１電極層１２および絶縁層１３の上に正孔注入輸送層１４（電荷注入輸送層）および発光層１５を形成する（図２（ａ）、電荷注入輸送層形成工程および発光層形成工程）。次に、発光層１５上にポジ型フォトレジストを塗布して、フォトレジスト層２１を形成する（図２（ｂ）、フォトレジスト層形成工程）。次いで、少なくとも発光領域２２のフォトレジスト層２１が残存するように、フォトマスク２３を介してフォトレジスト層２１をパターン露光した後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、パターン状のフォトレジスト層２１´を形成する（図２（ｃ）および（ｄ）、フォトレジスト層パターニング工程）。次に、フォトレジスト層の除去により露出した部分の発光層および正孔注入輸送層を除去することにより、パターン状の発光層１５´および正孔注入輸送層１４´を形成する（図２（ｅ）、発光層・電荷注入輸送層パターニング工程）。なお、図２（ａ）〜（ｅ）は、パターニング工程を示す。
【００９０】
次に、パターン状の正孔注入輸送層１４´のみをサイドエッチングする（図２（ｆ）、サイドエッチング工程）。これにより、正孔注入輸送層１４´´のパターンのエッジを、発光層１５´のパターンのエッジよりも内側に配置することができる。
なお、図２（ａ）〜（ｆ）は、パターン形成工程を示す。
【００９１】
次いで、残存するフォトレジスト層２１´を剥離する（図２（ｇ）、剥離工程）。そして最後に、発光層１５´上に第２電極層１６を形成する（図２（ｈ）、第２電極層形成工程）。
【００９２】
上述したように、金属や金属酸化物等を用いて蒸着法により第２電極層を形成する場合、金属や金属酸化物等は、発光層のパターンの端部を回り込むことができずに、直線的に堆積するため、正孔注入輸送層１４´のパターンの端部と第２電極層１６との間には空隙ｈが存在することになると想定される。このため、正孔注入輸送層のパターンの端部と第２電極層とが接触するのを防ぐことができると考えられる。
【００９３】
このように本態様においては、サイドエッチング工程を行うことにより、電荷注入輸送層のパターンの端部と第２電極層とが接触するのを防ぐことができるので、電荷注入輸送層の導電性が高い場合であっても、電極間での短絡を防止することが可能である。また、異なるパターンとなるように電荷注入輸送層および発光層をパターニングするのに比べて、略同一のパターンとなるように電荷注入輸送層および発光層をパターニングするのは、簡便である。
【００９４】
本態様の有機ＥＬ素子の製造方法は、少なくとも１色の発光層をパターン状に形成するものであり、上記の電荷注入輸送層形成工程、発光層形成工程、フォトレジスト層形成工程、フォトレジスト層パターニング工程、および発光層・電荷注入輸送層工程を繰り返し行うことにより、２色の発光層をパターン状に形成したり、３色の発光層をパターン状に形成したりすることもできる。
【００９５】
図４および図５は、３色の発光層をパターン状に形成する場合の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。まず、基板１１上に第１電極層１２をパターン状に形成し、この第１電極層１２のパターン間に絶縁層１３を形成し、第１電極層１２および絶縁層１３の上に第１正孔注入輸送層１４ａおよび第１発光層１５ａを形成する（図４（ａ）、第１電荷注入輸送層形成工程および第１発光層形成工程）。次に、第１発光層１５ａ上にポジ型フォトレジストを塗布して、第１フォトレジスト層２１ａを形成する（図４（ｂ）、第１フォトレジスト層形成工程）。次いで、少なくとも第１発光領域２２ａの第１フォトレジスト層２１ａが残存するように、フォトマスク２３を介して第１フォトレジスト層２１ａをパターン露光した後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、パターン状の第１フォトレジスト層２１ａ´を形成する（図４（ｃ）および（ｄ）、第１フォトレジスト層パターニング工程）。次に、第１フォトレジスト層の除去により露出した部分の第１発光層および第１正孔注入輸送層を除去することにより、パターン状の第１発光層１５ａ´および第１正孔注入輸送層１４ａ´を形成する（図４（ｅ）、第１発光層・電荷注入輸送層パターニング工程）。
【００９６】
次に、パターン状の第１フォトレジスト層２１ａ´、第１発光層１５ａ´および第１正孔注入輸送層１４ａ´が形成された基板１１上に、第２正孔注入輸送層１４ｂおよび第２発光層１５ｂを形成する（図４（ｆ）、第２電荷注入輸送層形成工程および第２発光層形成工程）。次に、第２発光層１５ｂ上にポジ型フォトレジストを塗布して、第２フォトレジスト層２１ｂを形成する（図４（ｇ）、第２フォトレジスト層形成工程）。次いで、少なくとも第２発光領域２２ｂの第２フォトレジスト層２１ｂが残存するように、フォトマスク２３を介して第２フォトレジスト層２１ｂをパターン露光した後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、パターン状の第２フォトレジスト層２１ｂ´を形成する（図４（ｈ）および（ｉ）、第２フォトレジスト層パターニング工程）。次に、第２フォトレジスト層の除去により露出した部分の第２発光層および第２正孔注入輸送層を除去することにより、パターン状の第２発光層１５ｂ´および第２正孔注入輸送層１４ｂ´を形成する（図４（ｊ）、第２発光層・電荷注入輸送層パターニング工程）。
【００９７】
次に、パターン状の第１フォトレジスト層２１ａ´、第１発光層１５ａ´および第１正孔注入輸送層１４ａ´、ならびにパターン状の第２フォトレジスト層２１ｂ´、第２発光層１５ｂ´および第２正孔注入輸送層１４ｂ´が形成された基板１１上に、第３正孔注入輸送層１４ｃおよび第３発光層１５ｃを形成する（図５（ａ）、第３電荷注入輸送層形成工程および第３発光層形成工程）。次に、第３発光層１５ｃ上にポジ型フォトレジストを塗布して、第３フォトレジスト層２１ｃを形成する（図５（ｂ）、第３フォトレジスト層形成工程）。次いで、少なくとも第３発光領域２２ｃの第３フォトレジスト層２１ｃが残存するように、フォトマスク２３を介して第３フォトレジスト層２１ｃをパターン露光した後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、パターン状の第３フォトレジスト層２１ｃ´を形成する（図５（ｃ）および（ｄ）、第３フォトレジスト層パターニング工程）。次に、第３フォトレジスト層の除去により露出した部分の第３発光層および第３正孔注入輸送層を除去することにより、パターン状の第３発光層１５ｃ´および第３正孔注入輸送層１４ｃ´を形成する（図５（ｅ）、第３発光層・電荷注入輸送層パターニング工程）。
なお、図４（ａ）〜（ｊ）および図５（ａ）〜（ｅ）は、パターニング工程を示す。
【００９８】
次に、パターン状の各正孔注入輸送層１４ａ´、１４ｂ´および１４ｃ´のみをサイドエッチングする（図５（ｆ）、サイドエッチング工程）。これにより、各正孔注入輸送層１４ａ´、１４ｂ´および１４ｃ´のパターンのエッジを、各発光層１５ａ´、１５ｂ´および１５ｃ´のパターンのエッジよりも内側に配置することができる。
なお、図４（ａ）〜（ｊ）および図５（ａ）〜（ｆ）は、パターン形成工程を示す。
【００９９】
次いで、残存する各フォトレジスト層２１ａ´、２１ｂ´および２１ｃ´を剥離する（図５（ｇ）、剥離工程）。そして最後に、各発光層１５ａ´、１５ｂ´および１５ｃ´の上に第２電極層１６を形成する（図５（ｈ）、第２電極層形成工程）。
【０１００】
上記の有機ＥＬ素子の製造方法においては、第２電荷注入輸送層および第２発光層をパターニングする際には、パターニングされた第１電荷注入輸送層および第１発光層上に残存する第１フォトレジスト層を剥離することなく、第２電荷注入輸送層および第２発光層を形成するので、第２電荷注入輸送層および第２発光層を除去するときの、第１電荷注入輸送層および第１発光層へのダメージを低減することができる。また、第３電荷注入輸送層および第３発光層をパターニングする際にも、同様に、パターニングされた第１電荷注入輸送層および第１発光層上に残存する第１フォトレジスト層、ならびに、パターニングされた第２電荷注入輸送層および第２発光層上に残存する第２フォトレジスト層を剥離することなく、第３電荷注入輸送層および第３発光層を形成するので、第３電荷注入輸送層および第３発光層を除去するときの、第１電荷注入輸送層、第１発光層、第２電荷注入輸送層および第２発光層へのダメージを低減することができる。
【０１０１】
また、第２フォトレジスト層パターニング工程にて、第２発光領域の第２フォトレジスト層が残存するように第２フォトレジスト層をパターニングするので、パターニングされた第１電荷注入輸送層および第１発光層上に、第２フォトレジスト層が残存することがない。すなわち、パターニングされた第１電荷注入輸送層および第１発光層上に積層されているフォトレジスト層は第１フォトレジスト層のみである。さらに、第２フォトレジスト層の除去により露出した部分の第２電荷注入輸送層および第２発光層も、第２発光層・電荷注入輸送層パターニング工程にて、除去されることから、第１電荷注入輸送層および第１発光層上に、第２電荷注入輸送層および第２発光層が残存することもない。したがって、パターニングされた第１電荷注入輸送層および第１発光層上に、余分な層が積層されている状態を回避することができる。これにより、複数の層を積層することから生じる膜厚ムラ等を解消することが可能となる。
【０１０２】
さらに、第１発光層上には、剥離工程にて剥離される第１フォトレジスト層が積層されているだけであり、この第１フォトレジスト層は、各発光層・電荷注入輸送層パターニング工程後において、最上層に位置することとなる。したがって、第１フォトレジスト層を容易に速やかに剥離することができる。また、第２フォトレジスト層および第３フォトレジスト層も、同様に、各発光層・電荷注入輸送層パターニング工程後において、最上層に位置するものであり、容易に速やかに剥離することができる。
以下、本態様の有機ＥＬ素子の製造方法における各工程について説明する。
【０１０３】
（１）パターン形成工程
本態様におけるパターン形成工程は、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジよりも内側に配置されるように、パターン状の電荷注入輸送層およびパターン状の発光層を形成する工程である。また、パターン形成工程は、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジと略同一に配置されるように、パターン状の電荷注入輸送層およびパターン状の発光層を形成するパターニング工程と、パターン状の電荷注入輸送層のみをサイドエッチングするサイドエッチング工程とを有するものである。
以下、パターン形成工程における各工程について説明する。
【０１０４】
（ｉ）パターニング工程
本態様におけるパターニング工程は、電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジと略同一に配置されるように、パターン状の電荷注入輸送層およびパターン状の発光層を形成する工程である。
【０１０５】
電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジと略同一に配置されるように、パターン状の電荷注入輸送層およびパターン状の発光層を形成する方法としては、特に限定されるものではない。このような方法としては、電荷注入輸送層に用いられる材料および使用する発光材料により適宜選択されるものであり、例えば、上記第１態様の電荷注入輸送層の形成方法と同様の方法を挙げることができる。
【０１０６】
電荷注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジと略同一に配置されるように、パターン状の電荷注入輸送層およびパターン状の発光層を形成するには、例えば、シャドウマスクを用いた真空蒸着法、スパッタリング法等により電荷注入輸送層および発光層を形成する場合には、発光層形成用のシャドウマスクの開口部の面積と、電荷注入輸送層形成用のシャドウマスクの開口部の面積とを略同一にすればよい。また例えば、電荷注入輸送層形成用塗工液および発光層形成用塗工液を用いる場合には、発光層形成用塗工液の塗布面積と、電荷注入輸送層形成用塗工液の塗布面積とを略同一にすればよい。さらに例えば、フォトリソグラフィー法を用いる場合には、電荷注入輸送層および発光層を同時にパターニングすればよい。
【０１０７】
中でも、フォトリソグラフィー法により、電荷注入輸送層および発光層をパターニングすることが好ましい。フォトリソグラフィー法では、フォトレジスト層の露光条件を適宜選択することにより、電荷注入輸送層および発光層のパターンを容易に調整することができるからである。
【０１０８】
フォトリソグラフィー法により、電荷注入輸送層および発光層をパターニングする場合、パターニング工程は、通常、第１電極層が形成された基板上に電荷注入輸送層を形成する電荷注入輸送層形成工程と、電荷注入輸送層上に発光層を形成する発光層形成工程と、発光層上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、フォトレジスト層が除去された部分の発光層および電荷注入輸送層を除去することにより、発光層および電荷注入輸送層をパターニングする発光層・電荷注入輸送層パターニング工程とを有する。
以下、フォトリソグラフィー法により電荷注入輸送層および発光層をパターニングする場合のパターニング工程における各工程について説明する。
【０１０９】
（ａ）電荷注入輸送層形成工程
本態様における電荷注入輸送層形成工程は、第１電極層が形成された基板上に電荷注入輸送層を形成する工程である。
【０１１０】
電荷注入輸送層の形成方法としては、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の電荷注入輸送層の項に記載した材料等を含む電荷注入輸送層形成用塗工液を塗布する方法、あるいは、真空蒸着法等を用いることができる。電荷注入輸送層が正孔注入輸送層である場合、正孔注入輸送層の形成方法としては、製造コスト低減の観点から、正孔注入輸送層形成用塗工液を塗布する方法が好ましい。
【０１１１】
正孔注入輸送層形成用塗工液に用いられる溶媒としては、上記の材料が分散もしくは溶解するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、水、メタノール、エタノール等のアルコール系、あるいは、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【０１１２】
また、正孔注入輸送層形成用塗工液の塗布方法としては、例えば、ディップコート法、ロールコート法、ブレードコート法、スピンコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ワイヤーバーコート法、キャスティング法、フレキソ印刷法等を挙げることができる。
【０１１３】
ここで、一般的に、膜の溶解性は、膜中の固体成分を溶剤に溶解した場合の溶解度（溶解した固形分質量／溶剤量）で定義される。このような定義では、溶解度が０．００１を下回るような場合には、難溶もしくは不溶と判断されることが多い。しかしながら、上記定義において難溶もしくは不溶であると判断される溶剤を使用しても、膜を溶剤に浸漬した場合に、膜が溶解して膜減りが発生する。
特に、有機ＥＬ素子では、電荷注入輸送層や発光層の膜厚が非常に薄く、一般的に１００ｎｍ以下である。このため、上記定義において溶解度が０．００１以下であり、難溶もしくは不溶であると判断された溶剤に膜を浸漬した場合でも、１００ｎｍ程度の膜厚であれば厚みが容易に減少してしまう。
【０１１４】
そこで、本発明においては、膜の溶解性について、基板上に膜を形成し十分に乾燥させて、その膜を２５℃で１分間溶剤に浸漬させた後、浸漬前後での膜厚を測定し、その差（浸漬前の膜厚−浸漬後の膜厚）により、以下のように定義することとした。
膜減り量が５ｎｍ以下／ｍｉｎの場合  …  不溶
膜減り量が５ｎｍ超／ｍｉｎ〜２０ｎｍ以下／ｍｉｎの場合  …  難溶
膜減り量が２０ｎｍ超／ｍｉｎの場合  …  可溶
なお、膜の溶解性の定義については、電荷注入輸送層だけでなく、発光層およびフォトレジスト層等にも適用される。
【０１１５】
電荷注入輸送層上に発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成する場合、電荷注入輸送層は発光層形成用塗工液に含まれる溶媒に対して不溶であることが好ましい。具体的には、電荷注入輸送層の溶解性は、発光層形成用塗工液の溶媒に対して、５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。これにより、発光層形成時に、発光層形成用塗工液の溶媒が電荷注入輸送層に接触しても、電荷注入輸送層は溶解されないので、安定して発光層を積層することができるからである。
【０１１６】
本態様において、図４および図５に例示するように有機ＥＬ素子を作製する場合であって、第１正孔注入輸送層、第１発光層および第１フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第２正孔注入輸送層形成用塗工液を塗布して第２正孔注入輸送層を形成する場合には、第２正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒は、第１正孔注入輸送層、第１発光層および第１フォトレジスト層を溶解しないものであることが好ましい。すなわち、第２正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒は、第１正孔注入輸送層、第１発光層および第１フォトレジスト層の溶解性がそれぞれ５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。これは、第２正孔注入輸送層形成時に、第２正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒が、第１正孔注入輸送層、第１発光層および第１フォトレジスト層に接触するためである。具体的には、第２正孔注入輸送層形成時に、第２正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒が、第１正孔注入輸送層および第１発光層のパターンの端部、ならびに、第１フォトレジスト層のパターンの表面および端部に接触する。
【０１１７】
上記の場合、第２正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒が、第１フォトレジスト層のパターンの表面および端部に接触する面積に比べて、第１正孔注入輸送層および第１発光層のパターンの端部に接触する面積は非常に小さい。このため、第２正孔注入輸送層を安定に積層する、あるいは、１画素の最小寸法値が１００μｍよりも小さい部分を有する場合には、第２正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒が、第１正孔注入輸送層および第１発光層を溶解しないことが非常に有効である。
【０１１８】
また、第１正孔注入輸送層、第１発光層、第１フォトレジスト層、第２正孔注入輸送層、第２発光層および第２フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第３正孔注入輸送層形成用塗工液を塗布して第３正孔注入輸送層を形成する場合には、第３正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒は、第１正孔注入輸送層、第１発光層、第１フォトレジスト層、第２正孔注入輸送層、第２発光層、第２フォトレジスト層を溶解しないものであることが好ましい。
【０１１９】
電荷注入輸送層を発光層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするには、電荷注入輸送層に、硬化性バインダ、または、熱エネルギーもしくは放射線の作用により溶解性が変化する材料を用いるか、あるいは、電荷注入輸送層および発光層にそれぞれ溶解性が異なる材料を用いればよい。
【０１２０】
また、電荷注入輸送層を発光層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするために、電荷注入輸送層に、光開始剤等を含有させてもよい。例えば、正孔注入輸送層上に発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成する場合であって、発光層に高分子系発光材料を用い、正孔注入輸送層に、ポリ（３，４−アルケンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）またはその誘導体等の導電性高分子を用いた場合、一般的に、正孔注入輸送層は発光層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとはならない。しかしながら、Applied physics letter, Vol 81, (2002)に記載されているような光開始剤等を、上記導電性高分子に混合することにより、紫外線照射によって硬化させることができる。
【０１２１】
中でも、電荷注入輸送層を発光層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするには、電荷注入輸送層に、硬化性バインダ、または、熱エネルギーもしくは放射線の作用により溶解性が変化する材料を用いることが好ましい。すなわち、電荷注入輸送層形成用塗工液が、硬化性バインダ、または、熱エネルギーもしくは放射線の作用により溶解性が変化する材料を含有することが好ましい。図２（ａ）に示す例においては、正孔注入輸送層４（電荷注入輸送層）に、硬化性バインダ、または、熱エネルギーもしくは放射線の作用により溶解性が変化する材料を含有させることが好ましい。電荷注入輸送層が発光層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であれば、発光層形成時に電荷注入輸送層に含まれる有機材料等が溶出するのを防ぐことができ、電荷注入輸送層の特性が低下するのを抑制することができる。
【０１２２】
以下、電荷注入輸送層が、硬化性バインダを含有する場合と、熱エネルギーまたは放射線の作用により溶解性が変化する材料を含有する場合とに分けて説明する。
【０１２３】
（硬化性バインダ）
電荷注入輸送層に用いられる硬化性バインダとしては、熱エネルギーまたは放射線の作用により硬化するものであることが好ましく、例えば、ゾルゲル反応液、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂を挙げることができる。なお、ゾルゲル反応液とは、硬化後にゲル化する反応液をいう。
【０１２４】
中でも、硬化性バインダは、オルガノポリシロキサンを含むことが好ましい。オルガノポリシロキサンは、汎用性が高く、入手が容易だからである。また、特殊な反応条件を必要とせず、簡便な方法によりオルガノポリシロキサンの架橋反応を進行させることができるので、オルガノポリシロキサンは取扱い易いという利点も有する。
【０１２５】
上記オルガノポリシロキサンとしては、例えば特開２０００−２４９８２１号公報に記載されているもの等を用いることができる。
【０１２６】
電荷注入輸送層は、上記硬化性バインダと、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の電荷注入輸送層の項に記載した材料とを含有することが好ましい。このような電荷注入輸送層は、正孔もしくは電子の注入効率が良く、また硬化されたものとすることができ、良好に機能するからである。
【０１２７】
電荷注入輸送層形成用塗工液は、上記の硬化性バインダおよび材料等を、溶媒に分散もしくは溶解して調製される。例えば、硬化性バインダがオルガノポリシロキサンを含む場合には、溶媒としては、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系が好ましく用いられる。
電荷注入輸送層形成用塗工液の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法、ビードコート法等が挙げられる。
【０１２８】
電荷注入輸送層は、電荷注入輸送層形成用塗工液を塗布して得られる塗膜に硬化処理を行うことにより、形成することができる。
硬化処理としては、熱エネルギーの付与、または放射線の照射が挙げられる。熱エネルギーの付与としては、８０〜２５０℃程度、好ましくは１００〜２００℃程度の温度で加熱すればよい。これにより、シランカップリング反応を進行させて、電荷注入輸送層を架橋硬化することができる。
【０１２９】
（熱エネルギーまたは放射線の作用により溶解性が変化する材料）
ここで、材料の溶解性が変化するとは、材料の主成分が溶解もしくは分散する溶媒の極性が変化することをいう。熱エネルギーまたは放射線の作用により溶解性が変化する材料を含有する層に対して、熱エネルギーを付与または放射線を照射することにより、材料の溶解性を変化させると、その層を形成するために用いた塗工液の溶媒と、熱エネルギー付与または放射線照射後の層が溶解する溶媒とでは、極性が異なるものとなる。
【０１３０】
材料の溶解性が変化する程度としては、熱エネルギー付与または放射線照射後の電荷注入輸送層が、電荷注入輸送層形成用塗工液に用いた溶媒に、実質的に溶解したり混和したりしない程度であればよい。具体的には、熱エネルギー付与または放射線照射後の電荷注入輸送層の溶解性が、電荷注入輸送層形成用塗工液に用いた溶媒に対して、５ｎｍ以下／ｍｉｎとなることを指標にすることができる。
【０１３１】
電荷注入輸送層に用いられる、熱エネルギーまたは放射線の作用により溶解性が変化する材料としては、例えば、親水性有機材料の親水性基の一部または全部が親油性基に変換されたものであり、かつ、熱エネルギーまたは放射線の作用により親油性基の一部または全部が親水性基に戻るものが好適に用いられる。
【０１３２】
上記の材料においては、親水性有機材料の親水性基のすべてが親油性基に変換されている必要はない。親水性基が親油性基に変換されている割合としては、一般的な非水系有機溶剤に対して、所望の濃度以上の溶解性を保持し得る程度であればよい。具体的には、水、アルコール系溶剤に溶解もしくは分散する親水性有機材料が、一般的な非水系溶剤である、トルエン、キシレン、酢酸エチル、シクロヘキサノン等に０．５質量％以上溶解する程度に、親水性基が親油性基に変換されていることが好ましい。
【０１３３】
また、上記の材料においては、親油性基のすべてが親水性基に戻る必要はない。親油性基が親水性基に戻る割合としては、電荷注入輸送層が発光層形成用塗工液の溶媒に溶解しない程度であればよい。具体的には、トルエン、キシレン、酢酸エチル、シクロヘキサノン等に０．５質量％以上溶解する材料が、トルエン、キシレン、酢酸エチル、シクロヘキサノン等に不溶もしくは難溶になる程度に、親油性基が親水性基に戻ることが好ましい。この際、完全に当初の親水性有機材料に戻らなくてもよい。
【０１３４】
上記親水性有機材料としては、親水性基を有し、水に分散もしくは溶解するものであればよく、電荷注入輸送層に求められる機能に応じて適宜選択される。例えば、正孔注入輸送層に用いられる親水性有機材料としては、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミンやトリフェニルジアミン等のアリールアミン類などが挙げられる。ポリアルキルチオフェン誘導体およびポリアニリン誘導体は、ポリスチレンスルホン酸等の酸によりドーピングされていてもよい。
また、親水性基としては、変換反応の容易さから、塩を含まない、スルホン酸基、カルボン酸基、水酸基が好ましい。
【０１３５】
上記の正孔注入輸送層に用いられる親水性有機材料としては、変換処理に対する耐久性、精製の容易さ、コストの点から、ポリスチレンスルホン酸もしくはポリチオフェンスルホン酸またはそれらの誘導体を含んでいることが好ましい。
【０１３６】
親水性有機材料における親水性基を親油性基に変換する方法としては、熱エネルギーまたは放射線の作用により親油性基の一部または全部が親水性基に戻ることから、保護反応を利用する方法であることが好ましい。ここで、保護反応とは、親水性基を誘導体化して、一時的に親水性基に保護基を導入する反応をいう。保護反応としては、エステル化、アセチル化、トシル化、トリフェニルメチル化、アルキルシリル化、またはアルキルカルボニル化であることが好ましい。
【０１３７】
具体的な保護反応としては、スルホン酸基やカルボン酸基の少なくとも一部を、五酸化リンや塩化チオニルなどの塩素化剤により、スルホクロリド基やカルボニルクロリド基に変換し、これらの塩化物にメタノールやエタノール等のアルコールを反応させてエステル化する方法が挙げられる。
【０１３８】
このように親水性有機材料の親水性基の一部または全部が親油性基に変換された材料は、親水性基に保護基が導入されたために、溶解性が親水性から親油性に変化する。
【０１３９】
電荷注入輸送層形成用塗工液は、上記の親水性有機材料の親水性基の一部または全部が親油性基に変換された材料を、溶媒に分散もしくは溶解することにより調製することができる。この際、溶媒としては、親油性の材料を分散もしくは溶解できるものが用いられる。このような溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、アセトン、酢酸エチル等が挙げられる。
また、電荷注入輸送層形成用塗工液中の、親水性有機材料の親水性基の一部または全部が親油性基に変換された材料の濃度としては、材料の成分または組成によって異なるものではあるが、通常、０．１質量％以上で設定され、好ましくは１質量％〜５質量％程度である。
【０１４０】
電荷注入輸送層は、上記電荷注入輸送層形成用塗工液を塗布して得られる塗膜に、熱エネルギーを付与または放射線を照射して、塗膜の溶解性を変化させることにより、得ることができる。上記電荷注入輸送層形成用塗工液の塗布後には、乾燥を行ってもよい。電荷注入輸送層形成用塗工液塗布後の塗膜の溶解性は、親油性となっている。
【０１４１】
この塗膜に熱エネルギーを付与または放射線を照射すると、上記保護反応により導入された保護基が脱離し、揮散する。具体的には、エステル化されたスルホン酸基やカルボン酸基に、熱エネルギーを付与または放射線を照射すると、エステル結合が分解され、フリーまたは塩の状態のスルホン酸基やカルボン酸基が復元される。
【０１４２】
保護基が脱離すると、膜の溶解性が親油性から親水性に変化する。このように親水性となった膜は、電荷注入輸送層形成用塗工液に用いた溶媒には混和しなくなる。すなわち、熱エネルギー付与または放射線照射後の電荷注入輸送層は、電荷注入輸送層形成用塗工液の溶媒に対して不溶となる。
【０１４３】
熱エネルギーの付与としては、例えば、約２００〜２２０℃で約６０〜９０分間加熱処理すればよい。この加熱処理は、電荷注入輸送層形成用塗工液塗布後の乾燥と同時に行ってもよい。
【０１４４】
また、放射線としては、例えば、紫外線や電子線が挙げられる。紫外線の照射条件としては、例えば、２００〜２５０ｍＪ／ｃｍ２程度（波長：４００ｎｍ以下）で設定することができる。また、電子線の照射条件としては、例えば、５００ｋＶ以上、３５ｍＡで設定することができる。
【０１４５】
なお、電荷注入輸送層のその他の点については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の電荷注入輸送層の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１４６】
（ｂ）発光層形成工程
本態様における発光層形成工程は、電荷注入輸送層上に発光層を形成する工程である。
【０１４７】
本態様において、複数色の発光層をパターン状に形成する場合、各発光層にはそれぞれ異なる種類の発光材料が用いられる。
【０１４８】
発光層の形成方法としては、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の発光層の項に記載した発光材料等を含む発光層形成用塗工液を塗布する方法、あるいは、真空蒸着法等を用いることができる。中でも、製造コスト低減の観点から、発光層形成用塗工液を塗布する方法が好ましい。
【０１４９】
電荷注入輸送層上に発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成する場合には、電荷注入輸送層を形成する材料が発光層形成用塗工液に混合したり溶解したりするのを防ぐとともに、発光材料本来の発光特性を保つために、発光層形成用塗工液には、電荷注入輸送層を溶解しない溶媒を用いることが好ましい。具体的には、発光層形成用塗工液に用いられる溶媒は、電荷注入輸送層の溶解性が５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。
【０１５０】
例えば、正孔注入輸送層を形成する材料が水系溶媒やジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＩＭＳＯ）、アルコール等の極性溶媒に溶解する場合には、上記溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンの各異性体およびそれらの混合物、メシチレン、テトラリン、ｐ−シメン、クメン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ブチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンの各異性体およびそれらの混合物等の芳香族系；アニソール、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、テトラヒドロフラン、２−ブタノン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、ジグライム等のエーテル系；ジクロロメタン、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１−クロロナフタレン等の塩素系；シクロヘキサノンなどが好ましく用いられる。これらの溶媒は、単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【０１５１】
本態様において、図４および図５に例示するように有機ＥＬ素子を作製する場合であって、第２正孔注入輸送層上に、第２発光層形成用塗工液を塗布して第２発光層を形成する場合には、第１発光層は、第２発光層形成用塗工液の溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。第２発光層形成前において、第１発光層は、第２正孔注入輸送層によって覆われているため、第２発光層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。
【０１５２】
また、第３正孔注入輸送層上に、第３発光層形成用塗工液を塗布して第３発光層を形成する場合には、第１発光層および第２発光層は、第３発光層形成用塗工液の溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。
【０１５３】
発光層形成用塗工液の塗布方法としては、例えば、ディップコート法、ロールコート法、ブレードコート法、スピンコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ワイヤーバーコート法、キャスティング法、フレキソ印刷法等を挙げることができる。
【０１５４】
上記発光層形成用塗工液の塗布後は、乾燥を行ってもよい。
【０１５５】
本態様における発光層は硬化剤を含まないものであり、また発光層形成時には硬化・架橋処理を行わない。このため、発光層は、発光層形成用塗工液の溶媒に対して可溶な状態のままとなっている。
【０１５６】
なお、発光層のその他の点については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の発光層の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１５７】
（ｃ）フォトレジスト層形成工程
本態様におけるフォトレジスト形成工程は、発光層上にフォトレジスト層を形成する工程である。
【０１５８】
本態様に用いられるフォトレジストは、ポジ型およびネガ型のいずれであってもよい。中でも、フォトレジストの剥離し易さを考慮すると、ポジ型フォトレジストが好ましい。フォトレジストとしては、一般的なものを用いることができ、例えば、ノボラック系樹脂、ゴム＋ビスアジド系樹脂等を挙げることができる。
【０１５９】
本態様において、図４および図５に例示するように有機ＥＬ素子を作製する場合、フォトレジスト層としては第１、第２および第３の３種類を用いているが、いずれも便宜上使い分けているだけであり、すべて同様のフォトレジスト層であってもよい。
【０１６０】
また、フォトレジストに用いられるフォトレジスト溶媒としては、発光層上にフォトレジストを塗布した際に発光層がフォトレジストに混合したり溶解したりするのを防ぐために、発光材料等を溶解しないものであることが好ましい。具体的には、フォトレジスト溶媒は、発光層の溶解性が５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。
【０１６１】
具体的には、フォトレジスト溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系；プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のセロソルブアセテート系；プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のセロソルブ系；メタノール、エタノール、１−ブタノール、２−ブタノール、シクロヘキサノール等のアルコール系；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系；シクロヘキサン、デカリンなどが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【０１６２】
本態様において、図４および図５に例示するように有機ＥＬ素子を作製する場合であって、第１電荷注入輸送層、第１発光層および第１フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第２正孔注入輸送層形成用塗工液を塗布して第２正孔注入輸送層を形成する場合には、第１フォトレジスト層は、第２正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。すなわち、第１フォトレジスト層の溶解性は、第２正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒に対して５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。これにより、第２正孔注入輸送層形成時に、第２正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒が第１フォトレジスト層に接触しても、第１フォトレジスト層は溶解されないので、安定して第２正孔注入輸送層を積層することができるからである。
【０１６３】
また、第１電荷注入輸送層、第１発光層および第１フォトレジスト層がパターン状に形成され、第２電荷注入輸送層、第２発光層および第２フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第３正孔注入輸送層形成用塗工液を塗布して第３正孔注入輸送層を形成する場合には、第１フォトレジスト層および第２フォトレジスト層は、第３正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。すなわち、第１フォトレジスト層および第２フォトレジスト層の溶解性は、第３正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒に対して５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。これにより、第３正孔注入輸送層形成時絵に、第３正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒が第１フォトレジスト層および第２フォトレジスト層に接触しても、第１フォトレジスト層および第２フォトレジスト層は溶解されないので、安定して第３正孔注入輸送層を積層することができるからである。
【０１６４】
第１フォトレジスト層を第２正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするためには、第１フォトレジスト層と第２正孔注入輸送層とに溶解性が異なる材料を用いればよい。また、第１フォトレジスト層および第２フォトレジスト層を第３正孔注入輸送層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするために、第１フォトレジスト層および第２フォトレジスト層と第３正孔注入輸送層とに溶解性が異なる材料を用いればよい。
【０１６５】
また、第２フォトレジスト層形成工程にて用いられるフォトレジスト溶媒は、第１電荷注入輸送層、第１発光層および第１フォトレジスト層を溶解するものであってもよく溶解しないものであってもよい。第２フォトレジスト層形成前において、第１電荷注入輸送層、第１発光層および第１フォトレジスト層は、第２電荷注入輸送層および第２発光層によって覆われているため、フォトレジスト溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。
【０１６６】
さらに、第３フォトレジスト層形成工程にて用いられるフォトレジスト溶媒は、第１電荷注入輸送層、第１発光層、第１フォトレジスト層、第２電荷注入輸送層、第２発光層、第２フォトレジスト層を溶解するものであってもよく溶解しないものであってもよい。
【０１６７】
フォトレジストの塗布方法としては、基板上の全面に塗布することができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、スピンコート法、キャスティング法、ディップコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、スプレーコート法、フレキソ印刷法等が用いられる。
【０１６８】
フォトレジスト層の膜厚は、特に限定されるものではないが、後述する発光層・電荷注入輸送層パターニング工程にて、発光層および電荷注入輸送層をドライエッチングする場合には、０．１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは０．５μｍ〜５μｍの範囲内である。フォトレジスト層の膜厚が上記範囲であれば、レジスト機能を保ったまま、加工精度の高いドライエッチングが可能となるからである。
【０１６９】
（ｄ）フォトレジスト層パターニング工程
本態様におけるフォトレジスト層パターニング工程は、フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、フォトレジスト層をパターニングする工程である。
【０１７０】
フォトレジスト層をパターン露光する方法としては、例えば、フォトマスクを介して露光する方法、レーザー描画法など、一般的な方法を用いることができる。
【０１７１】
パターン露光の際、ポジ型フォトレジストを用いた場合には、少なくとも発光領域が非露光領域となるように露光し、ネガ型フォトレジストを用いた場合には、少なくとも発光領域が露光領域となるように露光する。
【０１７２】
本態様に用いられるフォトレジスト現像液としては、発光材料等を溶解しないものであれば特に限定されるものではない。具体的には、フォトレジスト現像液は、発光層の溶解性が５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。このようなフォトレジスト現像液としては、一般的に使用されている有機アルカリ系現像液を使用できる。また、フォトレジスト現像液として、無機アルカリ系現像液や、第１フォトレジスト層の現像が可能な水溶液を使用することもできる。
【０１７３】
また、フォトレジスト層を現像した後は、水で洗浄するのが好ましい。
【０１７４】
（ｅ）発光層・電荷注入輸送層パターニング工程
本態様における発光層・電荷注入輸送層パターニング工程は、フォトレジスト層が除去された部分の発光層および電荷注入輸送層を除去することにより、発光層および電荷注入輸送層をパターニングする工程である。
【０１７５】
発光層および電荷注入輸送層の除去方法としては、発光層および電荷注入輸送層を溶解する溶媒を用いるウェットエッチング、およびドライエッチングのいずれも用いることができる。中でも、混色等が生じにくく、また高精細なパターニングが可能であることから、ドライエッチングが好ましい。
【０１７６】
ウェットエッチングでは、フォトレジスト層を溶解することなく、発光層および電荷注入輸送層を溶解することができる溶媒を用いて、フォトレジスト層が除去された部分の発光層および電荷注入輸送層を溶解して除去する。この際に使用できる溶媒としては、上述した発光層形成用塗工液、正孔注入輸送層形成用塗工液、電子注入輸送層形成用塗工液等に用いられる溶媒を例示することができる。
【０１７７】
また、ウェットエッチングでは、超音波浴中で発光層および電荷注入輸送層の除去を行ってもよい。超音波浴を用いることにより、例えば発光層のパターンの線幅が細くなったり、発光層から発光材料等が流出したりするのを防ぐことができ、高精度のパターニングが可能となるからである。また、短時間で高精度のパターニングが可能となる点でも好ましい。
【０１７８】
この超音波浴に用いる超音波の条件は、２５℃、２０〜１００ｋＨｚの発振周波数で、０．１〜６０秒間が好ましい。このような条件とすることで、短時間で精度の高いパターニングが可能となるからである。
【０１７９】
また、ドライエッチングでは、フォトレジスト層の膜厚が発光層および電荷注入輸送層よりもかなり厚いことから、基板に対して全体的にドライエッチングを行うことにより、フォトレジスト層が除去された部分の発光層および電荷注入輸送層を除去することができる。ドライエッチングを用いれば、エッチングの端部をよりシャープとすることができるため、発光層および電荷注入輸送層のパターンの端部に存在する膜厚不均一領域をより狭くすることができ、その結果、より高精細なパターニングが可能となる。
【０１８０】
ドライエッチングの方法としては、例えば、大気圧プラズマエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、不活性ガスによるプラズマエッチング、レーザー、イオンビーム等によるエッチングなどを用いることができる。
【０１８１】
反応性イオンエッチングでは、有機膜が化学的に反応を受け、分子量の小さい化合物となることにより、気化・蒸発して除去される。このため、反応性イオンエッチングを用いた場合には、エッチング精度が高く、短時間での加工が可能となる。
【０１８２】
また、大気圧プラズマエッチングを用いた場合には、真空装置を要することがなく、処理時間の短縮およびコストの低減が可能である。大気圧プラズマエッチングでは、プラズマ化した大気中の酸素によって有機物が酸化分解することを利用する。この際、ガスの置換および循環によって、反応雰囲気のガス組成を任意に調整してもよい。
【０１８３】
さらに、ドライエッチングに際して、酸素単体または酸素を含むガスを用いてもよい。酸素単体または酸素を含むガスを用いることで、有機膜の酸化反応による分解除去が可能であり、不要な有機物を除去することができるからである。
【０１８４】
（ii）サイドエッチング工程
本態様におけるサイドエッチング工程は、パターン状の電荷注入輸送層のみをサイドエッチングする工程である。本工程においては、電荷注入輸送層のパターンの端部から中心部に向けてエッチングする。
【０１８５】
本態様において、図４および図５に例示するように、３色の発光層をパターン状に形成する場合、サイドエッチング工程は、各発光層・電荷注入輸送層パターニング工程後に毎回行ってもよく、最後の発光層・電荷注入輸送層パターニング工程後に１回のみ行ってもよい。中でも、工程の簡略化の観点から、最後の発光層・電荷注入輸送層パターニング工程後に１回のみサイドエッチング工程を行うことが好ましい。
【０１８６】
電荷注入輸送層のパターンの端部をエッチングする方法としては、電荷注入輸送層を溶解する溶媒を用いるウェットエッチング、およびドライエッチングのいずれも用いることができる。
【０１８７】
ウェットエッチングでは、電荷注入輸送層を溶解することができる溶媒を用いて、電荷注入輸送層のパターンの端部を溶解する。エッチャントとしては、電荷注入輸送層を溶解することができる溶媒であれば特に限定されるものではないが、中でも、発光層を溶解しない溶媒であることが好ましく、さらにはフォトレジスト層を溶解しない溶媒であることが好ましい。この際に使用できる溶媒としては、上述した正孔注入輸送層形成用塗工液等に用いられる溶媒を例示することができる。
【０１８８】
なお、ウェットエッチングおよびドライエッチングのその他の点については、上記発光層・電荷注入輸送層パターニング工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１８９】
電荷注入輸送層のパターンの端部を所望の部分だけエッチングするには、エッチング時間を適宜調整すればよい。
【０１９０】
（iii）剥離工程
本態様におけるパターン形成工程では、通常、サイドエッチング工程後に、残存するフォトレジスト層を剥離する剥離工程が行われる。パターニングされた発光層上に残存するフォトレジスト層を剥離することなく、サイドエッチングを行うことにより、フォトレジスト層によって、電荷注入輸送層をサイドエッチングするときの発光層表面へのダメージを防ぐことができる。
【０１９１】
フォトレジスト層を剥離する方法としては、フォトレジスト剥離液に基板を浸漬させる方法、フォトレジスト剥離液をシャワー状に基板に噴出する方法等を用いることができる。
【０１９２】
フォトレジスト剥離液は、発光層および電荷注入輸送層を溶解せずに、フォトレジスト層を溶解することができるものであれば特に限定されるものではなく、使用するフォトレジストおよび発光材料の組み合わせ等により異なるものであり、適宜選択される。具体的には、フォトレジスト剥離液は、フォトレジスト層の溶解性が２０ｎｍ超／ｍｉｎであり、発光層および電荷注入輸送層の溶解性がそれぞれ２０ｎｍ以下／ｍｉｎ、中でも５ｎｍ以下／ｍｉｎであることが好ましい。
【０１９３】
このようなフォトレジスト剥離液としては、上述したフォトレジスト溶媒を使用することができる。また、ポジ型フォトレジストを用いた場合は、フォトレジスト現像液をフォトレジスト剥離液として用いることができる。さらに、フォトレジスト剥離液として、強アルカリ水溶液、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等、それらの混合物、および、市販のフォトレジスト剥離液を用いてもよい。
【０１９４】
（２）その他の工程
本態様においては、通常、基板上に第１電極層を形成する第１電極層形成工程、および、第２電極層を形成する第２電極層形成工程が行われる。なお、第１電極層および第２電極層の形成方法等については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の第１電極層および第２電極層の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１９５】
また、本態様においては、基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程を行ってもよい。なお、絶縁層の形成方法等については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子」の絶縁層の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１９６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【０１９７】
以下、本発明について実施例および比較例を用いて具体的に説明する。
［実施例１］
（正孔注入輸送層の形成）
第１電極層としてＩＴＯ膜がパターン状に形成された基板（６インチ□、板厚１．１ｍｍ）を準備し、洗浄した。また、正孔注入輸送層形成用塗工液として、ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（PEDOT/PSS）の水分散体（バイエル社製、Baytron P）を用いた。上記基板上に、スクリーン印刷にて、上記正孔注入輸送層形成用塗工液を塗布し、発光領域に対応させて、膜厚８００Åのドットパターン状の正孔注入輸送層を形成した。
【０１９８】
（発光層の形成）
ポリビニルカルバゾール ７０重量部と、オキサジアゾール ３０重量部と、ジシアノメチレンピラン誘導体 １重量部とを、モノクロロベンゼン ４９００重量部に混合分散し、赤色発光層用形成用塗工液を調製した。上記正孔注入輸送層上に、スクリーン印刷にて、この赤色発光層形成用塗工液を塗布し、正孔注入輸送層の全面を覆うように、発光層を形成した。その後、１００℃で１時間乾燥した。
【０１９９】
（第２電極層の形成）
次に、上記発光層上に、Ｃａを５００Åの厚みで蒸着し、さらに、保護層としてＡｇを２５００Åの厚みで蒸着して、第２電極層を形成した。このようにして、有機ＥＬ素子を得た。
【０２００】
（発光特性の評価）
ＩＴＯ電極側を正極、金属電極側を負極として、ソースメーターに接続し、直流電流を印加したところ、１０Ｖ印加時に発光層より発光が認められた。短絡による素子特性の劣化は確認されなかった。
【０２０１】
［実施例２］
（正孔注入輸送層の形成）
第１電極層としてＩＴＯ膜がパターン状に形成された基板（６インチ□、板厚１．１ｍｍ）を準備し、洗浄した。また、正孔注入輸送層形成用塗工液として、ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（PEDOT/PSS）の水分散体（バイエル社製、Baytron P）を用いた。この正孔注入輸送層形成用塗工液 ０．５ｍｌを、上記基板の中心部に滴下して、２５００ｒｐｍで２０秒間のスピンコーティングを行った。これにより、膜厚８００Åの正孔注入輸送層を形成した。
【０２０２】
（発光層の形成）
ポリビニルカルバゾール ７０重量部と、オキサジアゾール ３０重量部と、ジシアノメチレンピラン誘導体 １重量部とを、モノクロロベンゼン ４９００重量部に混合分散し、赤色発光層用形成用塗工液を調製した。この赤色発光層形成用塗工液 １ｍｌを、上記正孔注入輸送層が形成された基板の中心部に滴下して、２０００ｒｐｍで１０秒間のスピンコーティングを行った。これにより、膜厚８００Åの発光層を形成した。
【０２０３】
（フォトレジスト層の形成）
ポジ型フォトレジスト（東京応化社製、OFPR-800）２ｍｌを、上記の正孔注入輸送層および発光層が形成された基板の中心部に滴下して、５００ｒｐｍで１０秒間、さらに２０００ｒｐｍで２０秒間のスピンコーティングを行った。得られた塗膜の膜厚は約１μｍであった。その後、８０℃で３０分間プリベークを行った。
【０２０４】
（正孔注入輸送層および発光層のパターニング）
次に、アライメント露光機に、露光マスクと上記フォトレジスト層が形成された基板とを配置し、上記基板の非発光領域に紫外線露光した。レジスト現像液（東京応化社製、NMD-3）で２０秒間現像した後、水洗し、露光領域のフォトレジスト層を除去した。その後、１２０℃で３０分間ポストベークした。
次に、酸素プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより、フォトレジスト層が除去された部分の正孔注入輸送層および発光層を除去した。
【０２０５】
次に、得られた基板を純水中に５分間浸漬させ、正孔注入輸送層のサイドエッチングを行った。その後、１００℃で１時間乾燥した。
純水浸漬後の基板を光学顕微鏡にて観察したところ、正孔注入輸送層の端部が純水で浸食されて、正孔注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジよりも内側になっていることを確認した。
【０２０６】
（フォトレジスト層の剥離）
次いで、アセトンを用いて、残存するフォトレジスト層を除去した。
【０２０７】
（第２電極層の形成）
次に、上記発光層上に、Ｃａを５００Åの厚みで蒸着し、さらに、保護層としてＡｇを２５００Åの厚みで蒸着して、第２電極層を形成した。このようにして、有機ＥＬ素子を得た。
【０２０８】
（発光特性の評価）
ＩＴＯ電極側を正極、金属電極側を負極として、ソースメーターに接続し、直流電流を印加したところ、１０Ｖ印加時に発光層より発光が認められた。短絡による素子特性の劣化は見られなかった。
【０２０９】
［比較例１］
実施例２において、正孔注入輸送層および発光層のパターニングの際に、得られた基板を純水中に浸漬しなかった以外は、実施例２と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０２１０】
（発光特性の評価）
ＩＴＯ電極側を正極、金属電極側を負極として、ソースメーターに接続し、直流電流を印加したところ、１０Ｖ印加時に発光層より発光が認められた。しかしながら、部分的に、正孔注入輸送層および第２電極層間で短絡が確認され、基板上の配線に焼きつきが生じた。
【０２１１】
［実施例３］
（第１電極層の形成）
透明ガラス基板上に、マスクを介して、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）を蒸着して、第１電極層をパターン状に形成した。
【０２１２】
（第１正孔注入輸送層の形成）
ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（PEDOT/PSS）の水分散体（バイエル社製、Baytron P）に、有機官能基としてグリシド基（-CHOCH2）を有するγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東芝シリコーン社製、TSL8350）を、PEDOT/PSS固形分に対して１０重量％添加し、正孔注入輸送層形成用塗工液を調製した。上記基板上の全面に、この正孔注入輸送層形成用塗工液をスピンコート法により、乾燥後の膜厚が８００Åとなるように塗布し、ホットプレートで１００℃、１０分間加熱して硬化処理を行い、第１正孔注入輸送層を形成した。
【０２１３】
（第１発光層の形成）
ポリビニルカルバゾール ７０重量部と、オキサジアゾール ３０重量部と、ジシアノメチレンピラン誘導体 １重量部とを、モノクロロベンゼン ４９００重量部に混合分散し、赤色発光層用形成用塗工液を調製した。この赤色発光層形成用塗工液 １ｍｌを、上記第１正孔注入輸送層が形成された基板の中心部に滴下して、２０００ｒｐｍで１０秒間のスピンコーティングを行った。これにより、膜厚８００Åの第１発光層を形成した。
【０２１４】
（第１フォトレジスト層の形成）
上記第１発光層上の全面に、ポジ型フォトレジスト（東京応化社製、OFPR-800）をスピンコート法により、乾燥後の膜厚が１μｍとなるように塗布し、乾燥させ、第１フォトレジスト層を形成した。
【０２１５】
（第１正孔注入輸送層および第１発光層のパターニング）
第１発光領域が遮光部となるように設計されたフォトマスク（ライン幅（遮光部）８５μｍ、スペース幅（透過部）２１５μｍ）を用いて、アライメント露光機により紫外線を照射した。次いで、レジスト現像液（東京応化社製、NMD-3）により露光領域の第１フォトレジスト層を除去した。
その後、大気圧プラズマ装置によりドライエッチングを行い、第１フォトレジスト層が除去された部分の第１正孔注入輸送層および第１発光層を除去した。
【０２１６】
（第２正孔注入輸送層の形成）
次に、残った第１フォトレジスト層を剥離することなく、上記基板上の全面に、上記正孔注入輸送層形成用塗工液をスピンコート法により、乾燥後の膜厚が８００Åとなるように塗布し、ホットプレートで１００℃、１０分間加熱して硬化処理を行い、第２正孔注入輸送層を形成した。
【０２１７】
（第２発光層の形成）
ポリビニルカルバゾール ７０重量部と、オキサジアゾール ３０重量部と、クマリン６ １重量部とを、モノクロロベンゼン ４９００重量部に混合分散し、緑色発光層用形成用塗工液を調製した。この緑色発光層形成用塗工液 １ｍｌを、上記第２正孔注入輸送層が形成された基板の中心部に滴下して、２０００ｒｐｍで１０秒間のスピンコーティングを行った。これにより、膜厚８００Åの第２発光層を形成した。
【０２１８】
（第２フォトレジスト層の形成）
上記第２発光層上の全面に、ポジ型フォトレジスト（東京応化社製、OFPR-800）をスピンコート法により、乾燥後の膜厚が１μｍとなるように塗布し、乾燥させ、第２フォトレジスト層を形成した。
【０２１９】
（第２正孔注入輸送層および第２発光層のパターニング）
上記フォトマスクを用い、このフォトマスクを基板に対して１ピッチ分（１００μｍ）ずらして配置し、アライメント露光機により紫外線を照射した。次いで、レジスト現像液（東京応化社製、NMD-3）により露光領域の第２フォトレジスト層を除去した。
その後、大気圧プラズマ装置によりドライエッチングを行い、第２フォトレジスト層が除去された部分の第２正孔注入輸送層および第２発光層を除去した。
【０２２０】
（第３正孔注入輸送層の形成）
次に、残った第１フォトレジスト層および第２フォトレジスト層を剥離することなく、上記基板上の全面に、上記正孔注入輸送層形成用塗工液をスピンコート法により、乾燥後の膜厚が８００Åとなるように塗布し、ホットプレートで１００℃、１０分間加熱して硬化処理を行い、第３正孔注入輸送層を形成した。
【０２２１】
（第３発光層の形成）
ポリビニルカルバゾール ７０重量部と、オキサジアゾール ３０重量部と、ペリレン １重量部とを、モノクロロベンゼン ４９００重量部に混合分散し、青色発光層用形成用塗工液を調製した。この青色発光層形成用塗工液 １ｍｌを、上記第３正孔注入輸送層が形成された基板の中心部に滴下して、２０００ｒｐｍで１０秒間のスピンコーティングを行った。これにより、膜厚８００Åの第３発光層を形成した。
【０２２２】
（第３フォトレジスト層の形成）
上記第３発光層上の全面に、ポジ型フォトレジスト（東京応化社製、OFPR-800）をスピンコート法により、乾燥後の膜厚が１μｍとなるように塗布し、乾燥させ、第３フォトレジスト層を形成した。
【０２２３】
（第３正孔注入輸送層および第３発光層のパターニング）
上記フォトマスクを用い、このフォトマスクを基板に対して２ピッチ分（２００μｍ）ずらして配置し、アライメント露光機により紫外線を照射した。次いで、レジスト現像液（東京応化社製、NMD-3）により露光領域の第３フォトレジスト層を除去した。
その後、大気圧プラズマ装置によりドライエッチングを行い、第３フォトレジスト層が除去された部分の第３正孔注入輸送層および第３発光層を除去した。
【０２２４】
得られた基板を光学顕微鏡により観察したこところ、各正孔注入輸送層および各発光層はライン幅８５μｍ、スペース幅１５μｍのパターンを有するものであった。
【０２２５】
（各正孔注入輸送層のサイドエッチング）
次に、得られた基板をアルカリ水溶液中に５分間浸漬させ、正孔注入輸送層のサイドエッチングを行った。
アルカリ水溶液浸漬後の基板を光学顕微鏡にて観察したところ、正孔注入輸送層の端部がアルカリ水溶液で浸食されて、正孔注入輸送層のパターンのエッジが発光層のパターンのエッジよりも内側になっていることを確認した。
【０２２６】
（各フォトレジスト層の剥離）
次に、未露光領域の残存している各フォトレジスト層をフォトレジスト溶媒に１０分間浸漬し、フォトレジスト層部分のみ完全に除去した。その後、そのまま１００℃で1時間乾燥させた。
【０２２７】
（第２電極層の形成）
次いで、露出した各発光層上に、Ｃａを５００Åの厚みで蒸着し、さらに、保護層としてＡｇを２５００Åの厚みで蒸着して、第２電極層を形成した。このようにして、有機ＥＬ素子を得た。
【０２２８】
（発光特性の評価）
ＩＴＯ電極側を正極、金属電極側を負極として、ソースメーターに接続し、直流電流を印加したところ、１０Ｖ印加時にＲＧＢ三色の各発光層より発光が認められた。短絡による焼きつきや発光不良は確認されなかった。
【図面の簡単な説明】
【０２２９】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の他の例を示す工程図である。
【符号の説明】
【０２３０】
１、１１  …  基板
２、１２  …  第１電極層
３、１３  …  絶縁層
４、１４、１４´、１４´´  …  正孔注入輸送層
５、１５、１５´  …  発光層
６、１６  …  第２電極層
２１、２１´  …  フォトレジスト層
１０  …  有機ＥＬ素子
【図１】
2008078590.tif 000003
【図２】
2008078590.tif 000004
【図３】
2008078590.tif 000005
【図４】
2008078590.tif 000006
【図５】
2008078590.tif 000007