(57)【要約】【課題】電子部品の裏面に放熱用半田層を備え、バイアホールを介して他面側に放熱する放熱構造を備えたプリント基板において、バイアホールの他面側開口に発生する半田ボールによる製造時の不具合を解消する。【解決手段】両面基板のプリント基板において、電子部品の搭載面となる部分に放熱用半田付けランド部を設けると共に、対向する他面側に半田収容用ランド部を形成し、かつ、これら放熱用半田付けランド部と半田吸収用ランド部に両端が開口するバイアホールを設け、バイアホールの開口から溶融半田を半田吸収用ランド部で広がらせて半田ボールの発生を抑制し、かつ、該半田吸収用ランド部の表面に前記半田を埋め込むようにクリーム半田を塗布して半田層を形成している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の両面に、銅箔からなる導体パターンおよびランド部を形成し、かつ、一面側には電子部品の搭載面となる部分に放熱用半田付けランド部を設けると共に、対向する他面側に半田吸収用ランド部を形成し、かつ、これら放熱用半田付けランド部と半田吸収用ランド部に両端が開口するバイアホールを備えたプリント基板を設け、
前記プリント基板の両面の半田不要部にソルダ・レジストを形成し、該ソルダ・レジストで前記放熱用半田付けランド部および前記半田吸収用ランド部を囲み、
ついで、一面側にメタルマスクを載置して、前記ランド部および放熱用半田付けランド部にクリーム半田を塗布し、
ついで、前記一面に電子部品を載置し、ファーストリフローで前記クリーム半田を溶融して、前記電子部品のリード端子をランド部と半田接続し、かつ、前記放熱用半田付けランド部と前記電子部品の裏面と密着させる半田層を形成すると共に、前記バイアホールを通して他面側に漏出する溶融半田を前記半田吸収用ランド部に流出させて開口部に偏平に付着させ、
ついで、前記プリント基板の他面にメタルマスクを載置し、前記半田吸収用ランド部では前記バイアホールの開口部分で固化している半田を被覆した状態でクリーム半田を塗布し、該クリーム半田をセカンドリフローして前記半田吸収用ランド部に半田層を形成していることを特徴とする放熱構造を備えたプリント基板の製造方法。
【請求項２】
プリント基板の両面に導体パターンが設けられた両面基板であって、
電子部品が実装されるプリント基板の一面に、前記電子部品の裏面と対向する領域に放熱用半田付けランド部が設けられ、該放熱用半田付けランド部に一端が開口する複数のバイアホールがプリント基板の他面に貫通して設けられ、これら複数のバイアホールの他端が開口するプリント基板の他面に半田吸収用ランド部が設けられ、
前記放熱用半田付けランド部に塗布されたクリーム半田をリフローして形成した半田層が前記電子部品の裏面と放熱用半田付けランド部との間に設けられていると共に、該半田が溶融し前記バイアホールを通して漏出し前記半田吸収用ランド部に広がって偏平状に付着され、
前記半田吸収用ランド部に、前記偏平状に付着された半田を被覆した状態で塗布されたクリーム半田をリフローして形成した半田層が設けられていることを特徴とするプリント基板の放熱構造。
【請求項３】
前記半田吸収用ランド部の面積は、前記放熱用半田付けランド部の面積と同等としてプリント基板の厚さ方向に対向して設けられ、かつ、前記複数のバイアホールは前後左右方向に所定ピッチをあけて配置され、前後左右方向の外端に位置するバイアホールから所要間隔をあけて前記半田吸収用ランド部の外縁が設定されている請求項２に記載のプリント基板の放熱構造。
【請求項４】
前記電子部品は外側面より突出するリード端子が前記プリント基板の一面に設けられたランド部に夫々半田接続されると共に、該電子部品は裏面に放熱スラグまたはヒートシンクからなる放熱材を備え、
前記放熱用半田付けランド部に形成される前記半田層を前記放熱材とが面接触で固着されている請求項２または請求項３に記載のプリント基板の放熱構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント基板の放熱構造および、その製造方法に関し、特に、大電流が通電されるＩＣチップ等の発熱電子部品の放熱性能を高めると共に、該放熱性能を有するプリント基板を製造時に不具合を発生させないようにするものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板に実装される電子部品の放熱用として、電子部品を載置面に半田付け用のランド部を設け、該ランド部に開口した貫通穴を通して裏面側に放熱する構造が提供されている。
例えば、特開平９−１４８６９１号公報では図８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示すように、発熱素子１が取り付けられる両面基板２の一面２ａに、該発熱素子１の裏面に銅箔平面パターン３が設けられ、該銅箔平面パターン３に発熱素子１が半田やペーストにより固着され、該銅箔平面パターン３はバイアホール４を介して他面２ｂに設けられた銅箔平面パターン５と導通され、発熱素子１で発生する熱を銅箔平面パターン３、バイアホール４を介して他面２ｂの銅箔平面パターン５から放熱している。
【０００３】
前記特許文献１の構成とすると、発熱素子１で発生する熱は、バイアホール４の内周面にメッキ処理で形成された導電層４ａを介して銅箔平面パターン３から他面の銅箔平面パターン５へと効率よく導電されて、放熱効果を高めることができる。
しかしながら、特許文献１では、発熱素子１は銅箔平面パターン３上にペーストあるいは半田等により固着されると簡単に記載されているだけであり、半田やペーストによる具体的は固着方法が不明である。
【０００４】
また、特開２００４−１２７９９２号公報では、プリント規範の表裏両面に開口するスルーホールを形成した後、該裏面側をベース板上に載置した後、表面側からスキージでスルーホール内に樹脂ペーストを印刷してスルーホール内を穴埋めし、スルーホール内に流れる半田により裏面側に突出部が形成されないようにしている。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１４８６９１号公報
【特許文献２】特開２００４−１２７９９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記特許文献１に記載された導体パターンを両面に備えたプリント基板において、発熱素子１と銅箔平面パターン３との間をペーストや半田で固着している方法が不明であるが、発熱素子１の裏面に放熱と電気接続を行うためのヒートシンクを備えるものと銅箔平面パターン３とを半田で固着する場合、具体的には、図９（Ａ）〜（Ｄ）に示す工程となり、バイアホール４内に溶融した半田が流れこむ場合があり、溶融した半田が裏面側で固まり、裏面側に所謂半田ボール７ａが形成され突出することがある。
【０００７】
即ち、（Ａ）に示すように、基板２の一面２ａの発熱素子１のリード端子１ａと半田接続するランド部６および放熱用の銅箔平面パターン３上にクリーム半田７が塗布され、（Ｂ）に示すように、その上面に発熱素子１を載置した状態で加熱しファーストリフローして、（Ｃ）に示すように、発熱素子１のリード端子１ａとランド部６および発熱素子１の裏面と銅箔平面パターン３とを半田接続する。
その際、銅箔平面パターン３上に塗布された半田が溶融しバイアホール４中に流れ込み他面２ｂの銅箔平面パターン５に囲まれた開口に溢れでて半田が開口部分に盛り上がった状態で固まり、（Ｃ）に示すような半田ボール７ａが出来ることがある。
【０００８】
この状態で、他面２ｂ側のランド部にクリーム半田８を塗布した後、セカンドリフローして他面２ｂ側の銅箔パターンと端子や電子部品との半田接続がなされる。
その際、（Ｄ）に示すように、メタルマスク９を被せてクリーム半田８をスキージ１０で塗布するが、メタルマスク９が半田ボール７ａにより凹凸が生じる。
そのため、クリーム半田８を塗布する時に、メタルマスク９やスキージ１０を破損させる問題がある。
さらに、クリーム半田をリフローで加熱すると、半田と半田付けを容易に行うためのフラックスに分離するが、該フラックスが溶融した半田と共にバイアホール４内に流れ込み、裏面側の銅箔平面パターン５に付着する。このフラックスは粘着性があるため、裏面側でメタルマスクをしてクリーム半田を塗布した後、メタルマスクを剥がしにくくなり、生産性の低下を招く問題もある。
【０００９】
前記半田ボール７ａを発生させないためには、特許文献２のように、スルーホール内に予め樹脂を充填して塞ぐことは半田ボール７ａを発生させない点では有効であるが、樹脂塗布工程が増えるために、製造コストの上昇を招く。
【００１０】
本発明は、前記問題に鑑みてなされたものであり、前記バイアホールに流入した半田が他面で高く盛り上がった半田ボールを形成しないようにし、他面側のランド部にクリーム半田を塗布するためにメタルマスクを被せた時、該メタルマスクに凹凸を発生させず、メタルマスクおよびクリーム塗布用のスキージに破損を発生させないようにすることを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するため、第１の発明として、
絶縁基板の両面に、銅箔からなる導体パターンおよびランド部を形成し、かつ、一面側には電子部品の搭載面となる部分に放熱用半田付けランド部を設けると共に、対向する他面側に半田吸収用ランド部を形成し、かつ、これら放熱用半田付けランド部と半田吸収用ランド部に両端が開口するバイアホールを備えたプリント基板を設け、
前記プリント基板の両面の半田不要部にソルダ・レジストを形成し、該ソルダ・レジストで前記放熱用半田付けランド部および前記半田吸収用ランド部を囲み、
ついで、一面側にメタルマスクを載置して、前記ランド部および放熱用半田付けランド部にクリーム半田を塗布し、  
ついで、前記一面に電子部品を載置し、ファーストリフローで前記クリーム半田を溶融して、前記電子部品のリード端子をランド部と半田接続し、かつ、前記放熱用半田付けランド部と前記電子部品の裏面と密着させる半田層を形成すると共に、前記バイアホールを通して他面側に漏出する溶融半田を前記半田吸収用ランド部に流出させて開口部に偏平に付着させ、
ついで、前記プリント基板の他面にメタルマスクを載置し、前記半田吸収用ランド部では前記バイアホールの開口部分で固化している半田を被覆した状態でクリーム半田を塗布し、該クリーム半田をセカンドリフローして前記半田吸収用ランド部に半田層を形成していることを特徴とする放熱構造を備えたプリント基板の製造方法を提供している。
【００１２】
前記のように、ファーストリフローで溶融した半田がバイアホールを流れこみ、他端側の開口から溢れでた場合、この開口周縁に半田吸収用ランド部を設けて銅箔を露出させているため、溢れ出た半田は銅箔の表面に馴染んで開口周縁に広がって偏平状となる。よって、バイアホールの開口から盛り上がった状態で半田が固まった半田ボールとならず、バイアホールの開口を囲んで偏平状に固化する。
よって、このプリント基板の他面側にメタルマスクをしてクリーム半田を塗布する際、大きく突出する半田ボールが無いため、メタルマスクは凹凸に変形しない、かつ、半田吸収用ランド部にもクリーム半田を塗布するため、半田吸収用ランド部に該当する部分ではメタルマスクは開口としているため、メタルマスクに凹凸を発生させない。
よって、メタルマスクの上面にクリーム半田をスキージで塗布していく工程で、スキージやメタルマスクに破損が発生することを防止できる。さらに、半田吸収用ランド部にはメタルマスクが被せられないため、フラックスによりメタルマスクが粘着してメタルマスクが剥がしにくくなることもない。このように、製造工程で従来発生していた問題を解消でき、製造工程での生産効率を高めて製造コストを低減することができる。
【００１３】
また、第２の発明として、
プリント基板の両面に導体パターンが設けられた両面基板であって、
電子部品が実装されるプリント基板の一面に、前記電子部品の裏面と対向する領域に放熱用半田付けランド部が設けられ、該放熱用半田付けランド部に一端が開口する複数のバイアホールがプリント基板の他面に貫通して設けられ、これら複数のバイアホールの他端が開口するプリント基板の他面に半田吸収用ランド部が設けられ、
前記放熱用半田付けランド部に塗布されたクリーム半田をリフローして形成した半田層が前記電子部品の裏面と放熱用半田付けランド部との間に設けられていると共に、該半田が溶融し前記バイアホールを通して漏出し前記半田吸収用ランド部に広がって偏平状に付着され、
前記半田吸収用ランド部に、前記偏平状に付着された半田を被覆した状態で塗布されたクリーム半田をリフローして形成した半田層が設けられていることを特徴とするプリント基板の放熱構造を提供している。
この第２の発明のプリント基板の放熱構造は、前記第１の発明の製造方法で製造することが好ましい。
【００１４】
具体的には、前記半田吸収用ランド部の面積は、前記放熱用半田付けランド部の面積と同等としてプリント基板の厚さ方向に対向して設けられ、かつ、前記複数のバイアホールは前後左右方向に所定ピッチをあけて配置され、前後左右方向の外端に位置するバイアホールから所要間隔をあけて前記半田吸収用ランド部の外縁が設定されていることが好ましい。
【００１５】
前記のように半田吸収用ランド部の面積を全てのバイアホールの開口を含む広い面積とし、外縁に位置するバイアホールの開口から所要間隔をあけて半田吸収用ランド部の外縁を設定すると、バイアホールの開口から漏出する溶融半田およびフラックスが周縁のソルダ・レジストの表面まで付着することを確実に防止することができる。
【００１６】
前記電子部品は外側面より突出するリード端子が前記プリント基板の一面に設けられたランド部に夫々半田接続されると共に、該電子部品は裏面に放熱スラグまたはヒートシンクからなる放熱材を備え、
前記放熱用半田付けランド部に形成される前記半田層を前記放熱材とが面接触で固着されていることが好ましい。
このように、電子部品は、その裏面に放熱材を設けたものとしておくと、該放熱材を放熱用半田付けランド部の表面に形成する半田層と確実に面接触させることができ、電子部品の放熱性を確実に高めることができる。
【発明の効果】
【００１７】
上述したように、本発明では、発熱する電子部品の裏面側に形成する放熱用半田付けランド部を設け、該ランド部とバイアホールを介して導通する他面側に半田吸収用ランド部を設けているため、前記電子部品の裏面と放熱用半田付けランド部との間に形成する半田層の半田が加熱により溶融しバイアホールの中空部を通して裏面側にあふれ出ても半田吸収用ランド部の表面に沿って広がり、盛り上がった半田ボールを発生することを防止できる。その結果、他面側にメタルマスクをしてクリーム半田をスキージで塗布する際に、メタルマスクおよびスキージが損傷を受けることを防止でき、生産効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を図１乃至図７を参照して説明する。
図１（Ａ）〜（Ｃ）は実施形態のプリント基板１００を示す。
該プリント基板１００はガラスエポキシからなる絶縁基板１２の表裏両面の一面１２ａと他面１２ｂとに銅箔からなる導体パターン１３（１３Ａ、１３Ｂ）を備えた両面基板からなり、その一面１２ａに大電流が通電されるＩＣチップからなる電子部品２０を実装している。
【００１９】
前記電子部品２０は、そのケース２０ａの左右両側面の下端より複数のリード端子２０ｂ、２０ｃが突設していると共に、該電子部品２０の裏面（下面）にヒートシンク２１を付設している。該電子部品２０のリード端子２０ｂ、２０ｃは夫々一面１２ａの導体パターンのランド部１６、１７と半田接続して、電子部品２０を一面１２ａに実装している。
【００２０】
電子部品２０のヒートシンク２１を設けた裏面側と対向するプリント基板の一面１２ａには、ソルダレジスト１８で囲まれた放熱用半田付けランド部２２を設けて銅箔を露出させている。この放熱用半田付けランド部２２に一端開口２４ａを開口させた複数のバイアホール２４を前後左右同一ピッチでマトリクス状に形成している。本実施形態では図２に示すように左右方向に４個、前後方向に３個設け、合計１２個のバイアホール２４を設けている。なお、バイアホール２４の個数は電子部品２０の大きさに応じて適宜選択できる。
【００２１】
前記バイアホール２４が他端開口２４ｂが開口するプリント基板の他面１２ｂには、放熱用半田付けランド部２２と厚さ方向に対向させて略同一面積の半田吸収用ランド部２５を設けて銅箔を露出させ、ソルダレジスト２６で囲んでいる。
該ソルダレジスト２６で規定される半田吸収用ランド部２５の外縁は、前記バイアホール２４の外縁に位置するバイアホール２１から所要寸法Ｌをあける設定としている。この半田吸収用ランド部２５および放熱用半田付けランド部２２は電子部品２０のケース２０ｃの外形と同等な矩形状としている。
【００２２】
前記電子部品２０の実装側の放熱用半田付けランド部２２とヒートシンク２１との間にはクリーム半田をリフローして形成した半田層２７を設けている。また、放熱用半田付けランド部２２に開口したバイアホール２４には、その内周面にメッキして形成した導電層２８で囲まれた中空部に前記リフロー時に溶融した半田が流れこみ、該半田３０が充填されている。この半田３０はバイアホール２４の他面開口２４ｂから流出して半田吸収用ランド部２５の銅箔面に沿って広がり、偏平に広がった低い山型状の半田付着部３１となっている。
【００２３】
前記半田吸収用ランド部２５には、前記半田付着部３１を被覆した状態でクリーム半田が塗布され、該クリーム半田をリフローして半田層３２を設けている。
【００２４】
つぎに、前記両面基板のプリント基板の製造方法を図２〜図７を参照して説明する。
まず、ガラスエポキシからなる絶縁基板１２の両面に銅箔を備えた銅張積層板を用い、所要位置にドリルでバイアホール用の貫通孔を設け、その内周面にメッキして導電層２８を設けたバイアホール２４を形成している。また、エッチングにより基板の両面１２ａ、１２ｂに銅箔パターン１３Ａ、１３Ｂを所要の回路形状に形成する。ついで、両面１２ａ、１２ｂの表面に半田付け部分を残してソルダレジスト１８、２６を形成し、図２（Ａ）〜（Ｃ）に示す状態とする。
【００２５】
図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、電子部品２０を実装する一面１２ａ側では、電子部品２０の載置部と対向する面に、複数のバイアホール２４の一端開口２４ａが位置する矩形状の放熱用半田付けランド部２２を形成すると共に、その周囲をソルダレジスト１８で囲んでいる。さらに、放熱用半田付けランド部２２の左右両側に電子部品２０のリード端子との半田接続用のランド部１６、１７の銅箔を露出させている。
一方、他面１２ｂ側では、バイアホール２４の他端開口２４ｂを全て含む半田吸収用ランド部２５をソルダレジスト２６で囲んで形成している。該半田吸収用ランド部２５は放熱用半田付けランド部２２と絶縁基板１２の厚さ方向に対向して同一形状で形成している。
【００２６】
ついで、図３に示すように、電子部品実装側の一面１２ａの表面に、半田付け部分のみを開口したメタルマスク３５を被せる。該メタルマスク３５はソルダレジスト１８が設けられていない部分である放熱用半田付けランド部２２およびランド部１６、１７の対向面は開口３５ａとなっている。
【００２７】
ついで、図４（Ａ）（Ｂ）に示すように、メタルマスク３５の表面に一側にクリーム半田３６を乗せ、スキージ３８でメタルマスク３５の表面に塗布していく。クリーム半田３６は開口３５ａの部分で、放熱用半田付けランド部２２およびランド部１６、１７の表面に塗布される。塗布された厚さはメタルマスク３５の厚さと同等である。
クリーム半田３６を塗布した後にメタルマスク３５は除去する。
【００２８】
ついで、図５に示すように、電子部品２０を載置し、そのリード端子２０ｂ、２０ｃをランド部１６、１７の表面のクリーム半田３６上に接触させると共に、電子部品２０の裏面のヒートシンク２１を放熱用半田付けランド部２２の表面に充填したクリーム半田３６の表面と接触させる。
【００２９】
ついで、加熱手段（図示せず）を用いて、所要温度で加熱してクリーム半田３６を溶融して、ファースト・リフローを行う。
このファースト・リフローで、図６に示すように、電子部品２０のリード端子２０ｂ、２０ｃはクリーム半田３６からなる半田でランド部１６、１７と半田接続している。
また、放熱用半田付けランド部２２に充填したクリーム半田３６は溶融してヒートシンク２１と放熱用半田付けランド部２２の銅箔とに固着する。その後、リフロー炉から取り出すと固化し、前記半田層２７となる。
【００３０】
さらに、溶融したクリーム半田３６は放熱用半田付けランド部２２に開口する全てのバイアホール２４の中空部に流れ込み、バイアホール２４の内周面の導電層２８と固着した状態で充填され、その後、固化して前記半田３０となる。
さらに、バイアホール２４に流れ込んだ溶融半田は、半田吸収用ランド部２５側の開口２４ｂからも流出するが、半田吸収用ランド部２５の表面には銅箔が露出しているため、該銅箔に馴染んで広がる。その結果、従来のような突出した半田ボールとならず、開口２４ｂを中心として偏平な山形状に広がる。
その後、固化すると、半田吸収用ランド部２２のバイアホール２４の開口部分に、前記偏平な半田付着部３１が形成される。この半田付着部３１の高さは後述のメタルマスク４０の厚さｔよりも低くなる。
【００３１】
ついで、図７（Ａ）（Ｂ）に示すように、プリント基板の他面１２ｂ側で、メタルマスク４０を被せて、クリーム半田４１をスキージ３８で塗布していく。
前記メタルマスク４０は、半田吸収用ランド部２５と対向する部分は開口４０ａとなっており、かつ、前記半田付着部３１の高さはメタルマスク４０の高さよりも低いため、メタルマスク４０は、従来の半田ボールによる凹凸を形成することなく、偏平な状態で被覆することができる。よって、スキージ３８でクリーム半田４１を塗布していく工程でメタルマスク４０およびスキージ３８に損傷を発生させることなく、スムーズにクリーム半田４１を塗布できる。
【００３２】
また、半田吸収用ランド部２５に塗布されるクリーム半田４１は、各バイアホール２４の開口２４ｂを中心として付着される半田付着部３１を埋め込んで被覆した状態で、メタルマスク４０と同一高さまで塗布される。よって、半田付着部３１の表面にフラックスＦが漏出してもクリーム半田４１に埋め込まれ、フラックスＦはクリーム半田４１の表面に漏出しない。
クリーム半田４１を塗布した後に、メタルマスク４０を剥がすが、其の際、メタルマスク４０は開口となっていると共に半田付着部３１がクリーム半田４１で埋め込まれることにより、前記のようにフラックスＦがメタルマスク４０と接触することはなく、メタルマスク４０をスムーズに剥がすことができる。
【００３３】
その後、加熱手段を用いて、セカンド・リフローを行い、クリーム半田４１を溶融して、半田吸収用ランド部２５の半田付着部３１とクリーム半田４１とを固着すると共に、半田吸収用ランド部２５の銅箔とクリーム半田４１とを固着し、その後、固化して前記半田層３２を形成している。
【００３４】
前記方法で製造した場合、電子部品２０の実装面側に放熱用半田付けランド部２２とバイアホール２４を介して連通する他面側に半田吸収用ランド部２５を設けているため、バイアホール２４から他面側に流出した溶融半田を半田吸収用ランド部２５の銅箔面に添わせて拡がらせることができ、他面側に突出した半田ボールの形成を阻止できる。
また、このバイアホール２４から溶融半田が流出する部分に半田吸収用ランド部２５を設け、該他面側のソルダレジスト２６に被せるメタルマスク４０では、該半田吸収用ランド部２５と対向部分は開口となり、前記流出して固化した半田付着部３１にメタルマスク４０を被せないため、従来の問題点となる半田ボールによるメタルマスクの変形を発生させない。その結果、メタルマスク４０の表面にクリーム半田４１をスキージ３８で塗布していく時に、メタルマスク４０およびスキージ３８の損傷の発生を防止でき、生産効率を高めることができる。
【００３５】
本発明は前記実施形態に限定されず、例えば、前記電子部品のケースの全周からリード端子が突出した場合においても、該リード端子と半田接続するランド部に囲まれた領域に、前記放熱用半田付けランド部をソルダレジストで外周を規定して設けてもよい。
さらに、他面側の半田吸収用ランド部の面積は、スペース上で可能であれば、放熱用半田付けランド部の面積よりも拡大してもよく、その場合には放熱性能をより高めることができる。
さらにまた、前記広い面積の半田吸収用ランド部をアース回路もしくは電源回路として併用するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明のプリント基板の要部を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図、（Ｃ）は底面図である。
【図２】前記プリント基板の製造方法を説明する図面で、両面導体パターンおよびバイアホールを備えた基板を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は底面図である。
【図３】図２のプリント基板の一面にメタルマスクを取り付けた状態の断面図である。
【図４】（Ａ）（Ｂ）はメタルマスクを備えた状態でクリーム半田を塗布する状態を示す断面図である。
【図５】クリーム半田塗布後に電子部品を載置した状態を示す断面図である。
【図６】ファースト・リフローした状態を示す断面図である。
【図７】（Ａ）（Ｂ）は他面側にメタルマスクをして、クリーム半田を塗布する状態を示す断面図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｃ）は従来例を示す図面である。
【図９】（Ａ）〜（Ｄ）は、従来の製造工程を示す図面である。
【符号の説明】
【００３７】
１２  絶縁基板
１２ａ  電子部品実装側の一面
１２ｂ  他面
１３（１３Ａ、１３Ｂ）導体パターン
１６、１７  ランド部
１８、２６  ソルダレジスト
２０  電子部品
２０ｂ、２０ｃ  リード端子
２１  ヒートシンク
２２  放熱用半田付けランド部
２４  バイアホール
２５  半田吸収用ランド部
２７、３２  半田層
２８  バイアホール内周面の導電層
３１  半田付着部
３５、４０  メタルマスク
３６、４１  クリーム半田
３８  スキージ
１００  プリント基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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