(57)【要約】【課題】ハーフカットダイシングにより端子部を分離した状態においても端子部と樹脂モールド部とを強固に結合状態とする。【解決手段】樹脂モールド部５内の半導体チップ１を外部に接続するための端子部４が、樹脂モールド部５に埋設された内部端子部７と、これに積層状態に重ねられ樹脂モールド部５の底面に一部が露出される外部端子部８とを有し、一対の端子部４が縦列状態で複数対並べられており、その両端子部４における前記内部端子部７は、外部端子部８よりも幅の広い幅広部９を有し、各対の幅広部９の間又は外側端子部８の間に、モールド樹脂が入り込んだ樹脂侵入部１６が設けられ、この樹脂侵入部１６において各対の端子部４が樹脂モールド部５の底面からのハーフカット状態のダイシング溝１７によって分断されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂モールド部内の半導体チップを外部に接続するための端子部が複数設けられるとともに、これら端子部は、樹脂モールド部に埋設され半導体チップに接続される内部端子部と、該内部端子部に積層状態に重ねられ樹脂モールド部の底面に一部が露出される外部端子部とを有する表面実装型半導体パッケージであって、
少なくとも一対の前記端子部が縦列状態で複数対並べられており、その縦列状態の両端子部における前記内部端子部は、外部端子部よりも幅の広い幅広部を有し、各対の幅広部の間又は外側端子部の間に、モールド樹脂が入り込んだ樹脂侵入部が設けられ、この樹脂侵入部において各対の端子部が樹脂モールド部の底面からのハーフカット状態のダイシング溝によって分断されていることを特徴とする表面実装型半導体パッケージ。
【請求項２】
前記樹脂侵入部は内部端子部の幅広部間に設けられるとともに、ダイシング溝の内側面には樹脂侵入部の切断面が露出し、内部端子部は樹脂侵入部に埋没状態とされていることを特徴とする請求項１記載の表面実装型半導体パッケージ。
【請求項３】
前記内部端子部における両幅広部の間に、該幅広部よりも幅の狭い細幅部が両幅広部を連結する方向に設けられるとともに、前記外部端子部は、小片状に形成されて内部端子部における各幅広部にそれぞれ積層状態に重ねられており、前記樹脂侵入部は、内部端子部における細幅部の両側方及び両外部端子部の間に設けられ、ダイシング溝の内側面には、前記細幅部の切断面及び樹脂侵入部の切断面が露出し、外部端子部は樹脂侵入部に埋没状態とされていることを特徴とする請求項１記載の表面実装型半導体パッケージ。
【請求項４】
前記半導体チップが搭載される板状のステージ部と、該ステージ部から延びるサポートリード部とを備え、該サポートリード部の延在方向に配置され前記ダイシング溝によってサポートリード部との間が分断されてなる追加端子部が設けられてなり、該追加端子部は、樹脂モールド部に埋設され半導体チップに接続される内部端子部と、該内部端子部に積層状態に重ねられ樹脂モールド部の底面に露出される外部端子部とを有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の表面実装型半導体パッケージ。
【請求項５】
前記樹脂モールド部はその外形が矩形に形成され、前記サポートリード部は、樹脂モールド部の外形のいずれかの辺と平行に設けられていることを特徴とする請求項４記載の表面実装型半導体パッケージ。
【請求項６】
前記サポートリード部は、樹脂モールド部に埋設され半導体チップに接続される内部端子部と、該内部端子部に積層状態に重ねられ樹脂モールド部の底面に露出される外部端子部とを有することを特徴とする請求項４又は５記載の表面実装型半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂モールド部内の半導体チップを外部に接続するための端子部の少なくとも一部が樹脂モールド部の底面に露出された表面実装型半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装型半導体パッケージは、樹脂モールド部内で半導体チップと端子部とが電気的に接続され、その端子部の一部が樹脂モールド部の底面に露出されており、その露出部分にハンダを密着させて実装基板に搭載することにより、半導体パッケージと基板とをハンダにより直接接続する構成とされている。最近ではＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプと称し、パッケージの裏面（実装面）に多数の端子部が配列されたものが用いられるようになってきている。
【０００３】
この種の表面実装型半導体パッケージとして、パッケージの裏面を端子部の部分でハーフカットダイシングし、そのダイシング溝によって端子部を複数に分断することにより、多くの端子部を形成した構造のものがある。この場合、この半導体パッケージを基板に搭載した後等に端子部とパッケージとが剥離しないように、端子部はパッケージから露出する外部側よりも内部側の方が大きな面積に形成されており、その内部側の裏側にモールド樹脂による食いつき手段が設けられた構成とされている（例えば特許文献１の図１６及び図１７参照）。
【特許文献１】特開２０００−２８６３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ハーフカットダイシングによって端子部が個々に分離された後に、端子部をダイシング溝内に突出させる方向に衝撃力が加わると、その衝撃力がモールド樹脂との接合力より大きい場合に端子部が動いて、パッケージが破壊されるおそれがある。
【０００５】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、ハーフカットダイシングにより端子部を分離した状態においても端子部と樹脂モールド部とを強固に結合状態とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の表面実装型半導体パッケージは、樹脂モールド部内の半導体チップを外部に接続するための端子部が複数設けられるとともに、これら端子部は、樹脂モールド部に埋設され半導体チップに接続される内部端子部と、該内部端子部に積層状態に重ねられ樹脂モールド部の底面に一部が露出される外部端子部とを有する表面実装型半導体パッケージであって、  少なくとも一対の前記端子部が縦列状態で複数対並べられており、その縦列状態の両端子部における前記内部端子部は、外部端子部よりも幅の広い幅広部を有し、各対の幅広部の間又は外側端子部の間に、モールド樹脂が入り込んだ樹脂侵入部が設けられ、この樹脂侵入部において各対の端子部が樹脂モールド部の底面からのハーフカット状態のダイシング溝によって分断されていることを特徴とする。
【０００７】
すなわち、内部端子部は、その幅広部の部分がこれに積層状態の外部端子部よりも幅が広いことから、外部端子部の両側に張り出す内部端子部の側部が裏側からモールド樹脂により覆われた構造となり、その剥離が防止される。一方、内部端子部の両幅広部間はモールド樹脂が入り込んだ樹脂侵入部とされており、その樹脂侵入部にダイシング溝が設けられているから、端子部の長さ方向の移動も樹脂侵入部によって防止される。
【０００８】
この半導体パッケージにおいて、前記樹脂侵入部は内部端子部の幅広部間に設けられるとともに、ダイシング溝の内側面には樹脂侵入部の切断面が露出し、内部端子部は樹脂侵入部に埋没状態とされている。
このような構成とすることにより、内部端子部の両幅広部が二つに分離した状態となり、樹脂侵入部によって埋没状態とされるので、その移動をより確実に拘束することができる。また、内部端子部には半導体チップからのボンディングワイヤが接合されるが、ダイシング時にダイシング刃が内部端子部に接触しないので、ボンディングワイヤの接合部への振動の影響を少なくすることができる。さらに、ハーフカットダイシングにおいては、ほぼ外部端子部のみをダイシングすればよいから、ダイシング深さも小さくすることができる。
【０００９】
また、この半導体パッケージにおいて、前記内部端子部における両幅広部の間に、該幅広部よりも幅の狭い細幅部が両幅広部を連結する方向に設けられるとともに、前記外部端子部は、小片状に形成されて内部端子部における各幅広部にそれぞれ積層状態に重ねられており、前記樹脂侵入部は、内部端子部における細幅部の両側方及び両外部端子部の間に設けられ、ダイシング溝の内側面には、前記細幅部の切断面及び樹脂侵入部の切断面が露出し、外部端子部は樹脂侵入部に埋没状態とされている。
このような構成とすることにより、樹脂モールド部の底面には、二つに分離された小片状の外部端子部とその間に介在する樹脂侵入部とが露出することになる。したがって、この半導体パッケージを実装基板にハンダ付けによって搭載する場合に、小片状の外部端子部からハンダが若干はみ出しても、樹脂侵入部との親和性は小さいので、両外部端子部間がハンダで接続状態となることは防止される。
【００１０】
さらに、この半導体パッケージにおいて、前記半導体チップが搭載される板状のステージ部と、該ステージ部から延びるサポートリード部とを備え、該サポートリード部の延在方向に配置され前記ダイシング溝によってサポートリード部との間が分断されてなる追加端子部が設けられてなり、該追加端子部は、樹脂モールド部に埋設され半導体チップに接続される内部端子部と、該内部端子部に積層状態に重ねられ樹脂モールド部の底面に露出される外部端子部とを有する構成としてもよい。
すなわち、この構成の半導体パッケージは、ハーフダイシングによってサポートリード部も分断されるので、その分断された部分を追加端子部として利用できるようにしたものであり、端子部の総数を増やすことができる。
【００１１】
さらに、この半導体パッケージにおいて、前記樹脂モールド部はその外形が矩形に形成され、前記サポートリード部は、樹脂モールド部の外形のいずれかの辺と平行に設けられている構成としてもよい。
すなわち、サポートリード部を対角線上に配置した場合、四辺の近傍に辺の長さ方向に並べて配置される端子部が四隅の付近ではサポートリード部の障害となって配置できなくなる。これに対して、サポートリード部を外形の辺と平行に配置すれば、四隅の付近も端子部を並べることが可能になり、その分、端子部の総数を増やす効果を大きくすることができる。
【００１２】
さらに、前記サポートリード部は、樹脂モールド部に埋設され半導体チップに接続される内部端子部と、該内部端子部に積層状態に重ねられ樹脂モールド部の底面に露出される外部端子部とを有する構成としてもよく、ステージ部に接続状態のサポートリード部自体も端子部として利用できるようにしたものであり、グランド用端子として利用可能である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の表面実装型半導体パッケージによれば、内部端子部が外部端子部よりも幅が広いことから、外部端子部の両側に張り出す内部端子部の側部が裏側からモールド樹脂により覆われ、その剥離が防止される。一方、内部端子部の両幅広部間はモールド樹脂が入り込んだ樹脂侵入部とされ、その樹脂侵入部にダイシング溝が設けられているから、端子部の長さ方向の移動も樹脂侵入部によって防止される。したがって、ハーフカットダイシングにより端子部を分離した状態においても、端子部と樹脂モールド部とを強固に結合状態とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
（第１実施形態）
図１から図７は第１実施形態の表面実装型半導体パッケージを示している。この実施形態の半導体パッケージは、図１及び図２に示すように、半導体チップ１が搭載される板状のステージ部２の周囲に、複数の端子部３・４がステージ部２を囲むように並べられ、これらステージ部２と端子部３・４とが一体に樹脂モールド部５によって封止された構成とされている。
【００１５】
ステージ部２及び端子部３・４は、金属板を打ち抜いてなるリードフレームにエッチング処理を施すことによって構成されている。そのうち、ステージ部２はほぼ正方形の板状に形成されるとともに、樹脂モールド部５の底面のほぼ中央部に配置されており、その四隅に、放射方向に沿う細幅帯状のサポートリード部６が一体に設けられている。この場合、樹脂モールド部５も、その底面はステージ部２と同じ正方形に形成され、その外形の四辺はステージ部２の各辺にそれぞれ平行に形成されている。
【００１６】
端子部３・４は、樹脂モールド部５の周辺部に、各辺に沿って並べられた状態に配置されるとともに、各辺の中央位置においては、周辺部の列の内側位置にもう一列並べられている。図示例では、各辺に７個の端子部３・４が並べられ、その中央位置の３個に対して内側位置にさらに３個並べられている。すなわち、この中央位置の外側位置の３個と、内側位置の３個の各端子部４が、二つずつ縦列状態をなし、その縦列状態の両端子部４が３対配置された構成である。
【００１７】
これら対をなす端子部４は、連結状態の二つの端子部４を後述するダイシング溝によって分断して構成したものである。この分断される前の連結状態の両端子部４は、図５から図７に示すように、全体としては帯状に形成されているが、その表面と裏面とで異なる形状とされており、その一方の面側が樹脂モールド部５に埋設状態の内部端子部７とされ、他方の面側が樹脂モールド部５の底面に露出する外部端子部８とされ、これら両端子部７・８が積層状態に重ねられた形状とされている。
【００１８】
外部端子部８は、横断面が一様な一本の比較的細幅の帯状板に連続して形成されている。一方、内部端子部７は、外部端子部８よりも幅の広い幅広部９を有するとともに、この幅広部９が長さ方向に沿って二つ並べられ、その間が、外部端子部８と同じ幅の細幅部１０によって一体に連結された形状とされている。そして、外部端子部８の上に内部端子部７がその細幅部１０を外部端子部８の幅に合わせた状態で一体に重ねられていることにより、内部端子部７の二つの幅広部９が外部端子部８の両側方に張り出した形状とされている。なお、これら内部端子部７と外部端子部８とは、比較的厚肉の横断面一様な帯状板の両面に異なるマスクを施して、両面からエッチング処理することにより形成される。
【００１９】
この端子部４は、その内部端子部７から外部端子部８の両側面までが樹脂モールド部５に埋設され、外部端子部８の底面が樹脂モールド部５の底面に露出した状態とされている。この樹脂モールド部５内に内部端子部７が埋没状態となることにより、各幅広部９において外部端子部８から張り出している部分の裏面側に樹脂が入り込んでいるとともに、両幅広部９とその間の細幅部１０との段差により生じるくびれ部分にも樹脂が入り込んでいる。幅広部９において外部端子部８から張り出している部分の裏面側に樹脂が入り込んでいる部分を側部側樹脂侵入部１５と称し、両幅広部９とその間の細幅部１０との間のくびれ部分に樹脂が入り込んでいる部分を内部側樹脂侵入部１６と称する。
【００２０】
一方、縦列状態の両端子部４以外の端子部３は単独の端子部とされ、幅広の内部端子部７と、これより幅の小さい外部端子部８とが積層状態に重ねられた形状とされ、内部端子部７の両側部が外部端子部８の両側方に張り出した状態とされている。これら単独の端子部３も、横断面一様な帯状板の両面に異なるマスクを施してエッチング処理することにより形成されるとともに、外部端子部８の両側方に、内部端子部７の裏面側に樹脂が入り込んだ側部側樹脂侵入部１５が形成される。
【００２１】
そして、樹脂モールド部５の底面には、縦列状態の両端子部４の間、具体的には内部端子部７の細幅部１０の中央部を経由するダイシング溝１７が各辺に沿って設けられており、このダイシング溝１７によって両端子部４が分断された状態となっている。このダイシング溝１７は、いわゆるハーフカットダイシングによって形成されたものであり、樹脂モールド部５に埋設状態となっている内部端子部７における細幅部１０を切断し得るまでの深さとされている。したがって、このダイシング溝１７の内側面には、外部端子部８及び内部端子部７における細幅部１０の切断面が露出し、その周囲は樹脂モールド部５の樹脂が露出している。この場合、細幅部１０の中央部で切断されているから、樹脂モールド部５における前記内部側樹脂侵入部１６もダイシング溝１７の内側面に露出することになる。
また、樹脂モールド部５の各辺に沿ってダイシング溝１７が形成されているから、樹脂モールド部５の四隅部においては、ダイシング溝１７が交差状態となり、その交差状態のダイシング溝１７によって前記サポートリード部６も先端に端子部（本発明における追加端子部）３が分断されている。
なお、各端子部３・４と半導体チップ１との間はボンディングワイヤ１８によって接続される。
【００２２】
このようにして構成された半導体パッケージは、樹脂モールド部５の底面に露出している各端子部３・４の外部端子部８にハンダを付着させた状態で基板（図示略）に搭載され、ハンダを溶融固着することにより、基板の回路と半導体パッケージ内の半導体チップ１とが端子部３・４を介して接続状態となるものである。
このとき、各端子部３・４は、その外部端子部８より内部端子部７の方が幅が大きく、外部端子部８の両側方に張り出している部分の裏面側に側部側樹脂侵入部１５が設けられているため、基板から半導体パッケージ１が引き離される方向に力が作用する場合も、側部側樹脂侵入部１５が抵抗となって端子部３・４と樹脂モールド部５とが剥離することが防止される。また、各端子部３・４をダイシング溝１７内に突出させる方向に衝撃力が加わった場合でも、内部端子部７の幅広部９とダイシング溝１７の内側面との間に内部側樹脂侵入部１６が食い込んだ状態に設けられているから、その衝撃力に対する抵抗が大きく、端子部３・４にずれが生じることはない。
【００２３】
（第２実施形態）
図８から図１１は本発明の第２実施形態を示している。この実施形態の表面実装型半導体パッケージでは、ダイシング溝１７によって分断される前の連結状態の端子部４において、内側端子部２１が、細幅部のない幅広部のみから構成されている点が第１実施形態のものと異なる点である。すなわち、ダイシング溝１７によって分断される前の連結状態の端子部４は、横断面が一様な一本の比較的細幅の帯状板の外側端子部８に、この外部端子部８よりも幅の広いほぼ方形板状の内部端子部（幅広部）２１が外側端子部８の長さ方向に相互に間隔をあけて二つ並べられた状態に積層されている。
【００２４】
そして、樹脂モールド部５に内部端子部（幅広部）２１が埋設された状態に設けられており、この状態では、両内部端子部（幅広部）２１を二つに分離した状態とするように両内部端子部（幅広部）２１の間に内部側樹脂侵入部１６が介在している。図示は略すが、外部端子部８の両側方に張り出している部分の内部端子部（幅広部）２１の裏側に側部側樹脂侵入部１５が食い込んだ状態となっていることは、第１実施形態の図4に示す例と同じである。また、両内部端子部（幅広部）２１の間を経由するハーフカットダイシングによって両内部端子部（幅広部）２１の間で端子部４が分断されている。したがって、ダイシング溝１７の内側面には、外部端子部８の切断面のみが露出し、その周囲は前記内部側樹脂侵入部１６を含む樹脂モールド部５の切断面が露出することになる。
【００２５】
このように構成した半導体パッケージでは、内部端子部２１が完全に樹脂モールド部５内に埋没してダイシング溝１７内に露出しないため、ダイシング溝１７内に突出させる方向の衝撃力に対して強い抵抗力を発揮することができる。
また、図8から明らかなように、ハーフカットダイシングする際に、外部端子部８はダイシング刃によって切断されるが、内部端子部２１はダイシング刃に接触せず、内部側樹脂侵入部１６が切断されるので、内部端子部２１にダイシング時の振動が伝わることが少なく、この内部端子部７と半導体チップ１との間を接続しているボンディングワイヤ１８への振動の影響を少なくすることができる。
【００２６】
この場合、ハーフカットダイシングは端子部４を分断する目的でなされるものであり、ダイシングする前に内部端子部２１は分離された状態であるから、ハーフカットダイシングにおいては、ほぼ外部端子部８のみをダイシングすればよく、ダイシング深さも小さくすることができる。このため、ダイシング刃による一回の切削量も少なくなり、その磨耗量が減少して、刃としての寿命も大きくなる効果もある。
【００２７】
（第３実施形態）
図１２から図１６は本発明の第３実施形態を示している。この実施形態の表面実装型半導体パッケージでは、ダイシング溝１７によって分断される前の連結状態の端子部４において、内側端子部７は、第１実施形態の場合と同様に、二つの幅広部９の間を細幅部１０で連結してなる形状とされているが、外部端子部３１は、小片状をなして二つに分離しており、これら外部端子部３１が内側端子部７の各幅広部９の裏面に重ね合わせられた形状とされている。つまり、この第３実施形態の場合は、第２実施形態の場合とは逆に、外側端子部３１が分離しているのである。
【００２８】
そして、樹脂モールド部５に内部端子部７が埋設された状態に設けられるとともに、外部端子部３１が島状に露出し、その間にモールド樹脂が入り込んでいる。この両外部端子部３１の間に樹脂が入り込んでいる部分を外部側樹脂侵入部３２と称す。つまり、この実施形態では、外部側樹脂侵入部３２が外部端子部３１の間に介在して、両外部端子部３１を分離状態としているのである。
【００２９】
そして、両外部端子部３１の間を経由するハーフカットダイシングによって両外部端子部３１の間で端子部４が分断されている。したがって、ダイシング溝１７の内側面には、内側端子部７の細幅部１０の切断面のみが露出し、その周囲は前記内部側樹脂侵入部１６及び外部側樹脂侵入部３２を含む樹脂モールド部５の切断面が露出することになる。なお、外部端子部３１の両側方に張り出している部分の内部端子部７の幅広部９の裏側に側部側樹脂侵入部１５が食い込んだ状態となっていることは、第１実施形態の図4に示す例と同じである。したがって、内部端子部７の幅広部９の周縁部裏面に側部側樹脂侵入部１５及び外部側樹脂侵入部３２が介在することになる。
【００３０】
このように構成した半導体パッケージにおいては、端子部４を引き剥がす方向に外力が加わった場合には、内部端子部７の幅広部９の周縁部裏面に介在している側部側樹脂侵入部１５及び外部側樹脂侵入部３２の存在によって、強い抵抗力を発揮することができ、一方、ダイシング溝１７内に突出させる方向に衝撃力が加わった場合でも、内部端子部７の幅広部９とダイシング溝１７の内側面との間の内部側樹脂侵入部１６及び小片状の外部端子部３１とダイシング溝１７の内側面との間の外部側樹脂侵入部３２がそれぞれ設けられているから、その衝撃力に対する抵抗が大きく、端子部４にずれが生じることはない。
【００３１】
また、この実施形態の半導体パッケージにおいては、樹脂モールド部５の底面に外部端子部３１が島状に離間し、その間に外部側樹脂侵入部３２が介在した状態とされるから、各端子部４の外部端子部３１にハンダＸを付着させた状態で基板（図示略）に搭載する場合、端子部４間にハンダによるブリッジ現象が生じることを抑制することができる。すなわち、ハンダＸの付着量が多すぎると、溶融したハンダＸが両端子部４の間に流出するが、図１６に拡大して示したように、両端子部４の間に外部側樹脂侵入部３２が露出しており、この樹脂とハンダＸの親和性が低いので、ハンダＸの流出が抑制され、両端子部４間でハンダＸのブリッジ現象が生じることが防止されるのである。
【００３２】
（第４実施形態）
図１７は本発明の第４実施形態を示している。前記各実施形態の半導体パッケージでは、図１又は図１２に示すように、ステージ部２の四隅に斜めにサポートリード部６が連結された例を示したが、この第４実施形態の表面実装型半導体パッケージは、図１７に示すようにサポートリード部６を樹脂モールド部５の両側辺に平行に配置した構成とし、縦列状態とされた各対の端子部が両側辺に沿って並べられ、他の辺には、その一方の辺ではサポートリード部６の間、他方の辺ではサポートリード部６の両側に縦列状態の両端子部４がそれぞれ配置され、その他は単独の端子部３が並べられた構成とされている。
【００３３】
この場合、端子部４は、小片状の外部端子部３１と幅広部９及び連結部１０からなる内部端子部７との積層形状とされており、ダイシング溝１７には両外部端子部３１の間に外部側樹脂侵入部３２が露出している。また、ステージ部２及びサポートリード部６は樹脂モールド部５の樹脂中に埋没され、底面に露出しないようにされている。
【００３４】
このように構成した半導体パッケージの場合は、図１又は図１２に示すようにサポートリード部６が斜めに配置されている場合には、ダイシング溝１７の内側の四隅付近のスペースが斜めのサポートリード部６の存在により有効活用されていなかったが、図１７に示すように、樹脂モールド部５の辺に平行にサポートリード部６が配置されているため、四隅付近まで端子部４を並べることができ、端子数をさらに多く配置することが可能になる。
【００３５】
（第５実施形態）
図１８は本発明の第５実施形態を示している。この実施形態の表面実装型半導体パッケージは、前記第４実施形態のものに対して、ステージ部２及びサポートリード部６の一部を樹脂モールド部５の底面に露出させ、サポートリード部６の一部に、縦列状態にさらに端子部４を形成したものである。
したがって、第４実施形態のものよりも、サポートリード部６の数の分（この例では３個）、さらに端子部４の数を増やすことができる。ただし、このサポートリード部６としてステージ部２に接続状態の部分に端子部４を形成する場合は、半導体チップからサポートリード部６の端子部４にワイヤボンディングして、これをグランドに接続するためのグランド端子として利用される。
各端子部４が小片状の外部端子部３１と幅広部９及び連結部１０からなる内部端子部７との積層形状とされ、ダイシング溝１７には両外部端子部３１の間に外部側樹脂侵入部３２が露出している点等は、第４実施形態のものと同様である。
【００３６】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこれらの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。例えば、いずれの実施形態においても、一対の端子部４の間をダイシング溝１７によって分離しているが、二つ以上の端子部を複数のダイシング溝によって分離する構成のものとしてもよい。また、本発明は、各実施形態に示したランド型の外部端子部をパッケージ裏面に配置したＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプだけでなく、外部端子部をパッケージ裏面の四辺方向から取り出すＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄ）タイプ、外部端子部にハンダボールを固着したＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプ等の各種の表面実装型の半導体パッケージに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施形態の表面実装型半導体パッケージの裏面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う矢視断面図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ線に沿う矢視断面図である。
【図４】図２のＣ−Ｃ線に沿う矢視断面図である。
【図５】図１における端子部の連結状態のものを示す平面図である。
【図６】図５の端子部の側面図である。
【図７】図５の端子部の裏面図である。
【図８】本発明の第２実施形態の半導体パッケージにおける図２同様の要部の断面図である。
【図９】図８のＤ−Ｄ線に沿う矢視断面図である。
【図１０】図８における端子部の結状態のものを示す平面図である。
【図１１】図１０の端子部の側面図である。
【図１２】本発明の第３実施形態の半導体パッケージの裏面図である。
【図１３】図１２のＥ−Ｅ線に沿う矢視断面図である。
【図１４】図１２における端子部の連結状態のものを示す平面図である。
【図１５】図１４の端子部の裏面図である。
【図１６】図１３における外部端子部にハンダを付着した状態を示す拡大図である。
【図１７】本発明の第４実施形態の半導体パッケージの裏面図である。
【図１８】本発明の第５実施形態の半導体パッケージの裏面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…半導体チップ、２…ステージ部、３…端子部、４…端子部、５…樹脂モールド部、６…サポートリード部、７…内部端子部、８…外部端子部、９…幅広部、１０…細幅部、１５…側部側樹脂侵入部、１６…内部側樹脂侵入部、１７…ダイシング溝、１８…ボンディングワイヤ、２１…内部端子部（幅広部）、３１…外部端子部、３２…外部側樹脂侵入部
【図１】
2008078323.tif 000003
【図２】
2008078323.tif 000004
【図３】
2008078323.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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