(57)【要約】【課題】  液晶パネルの大画面化に伴い、コモンストレージ線の抵抗増加により信号伝播遅延時間が増大する。そのためフリッカやクロストークが発生し、液晶パネルの画質が低下するという問題がある。 【解決手段】  本発明の液晶パネルは、表示エリア内においてコモンストレージ線と対向電極とを導電性凸状構造体により接続し、コモンストレージ線の配線抵抗をゲート線の配線抵抗より小さくする。コモンストレージ線の配線抵抗を低減することでフリッカやクロストークを低減できる。大型の液晶パネルにおいても、画質のよい液晶パネル及びそれを用いた液晶表示装置が得られる。 【選択図】  図１
2008275908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向基板とＴＦＴ基板とをシール材にて貼り合わせ、対向基板とＴＦＴ基板の間に液晶材を充填した構造を有する液晶パネルであって、
表示エリアにはそれぞれのゲート線及びコモンストレージ線と、データ線とが直交するように配置された複数の画素がマトリクス状に配列され、前記ＴＦＴ基板に形成されたコモンストレージ線は、表示エリア外において共通電位供給回路からの配線に接続され、さらに前記対向基板に形成された対向電極と接続され、表示エリア内の画素において、それぞれの画素におけるコモンストレージ線の電位回復期間（ｔｃ）はデータ入力期間（ｔｇ）よりも同等以下の期間長さとなるように、表示エリア内のコモンストレージ線と対向電極とを接続することを特徴とする液晶パネル。
【請求項２】
対向基板とＴＦＴ基板とをシール材にて貼り合わせ、対向基板とＴＦＴ基板の間に液晶材を充填した構造を有する液晶パネルであって、
表示エリアにはそれぞれのゲート線及びコモンストレージ線と、データ線とが直交するように配置された複数の画素がマトリクス状に配列され、前記ＴＦＴ基板に形成されたコモンストレージ線は、表示エリア外において共通電位供給回路からの配線に接続され、さらに前記対向基板に形成された対向電極と接続され、前記ＴＦＴ基板に形成されたゲート線は、表示エリア外において走査回路からの配線に接続され、表示エリア内の画素において、それぞれの画素におけるコモンストレージ線と蓄積容量とが接続される点から、前記共通電位供給回路からの配線に接続された点までのコモン配線抵抗（Ｒｃ）は、ゲート電極から前記走査回路からの配線に接続される点までのゲート配線抵抗（Ｒｇ）よりも同等以下の抵抗値となるように、表示エリア内のコモンストレージ線と対向電極とを接続することを特徴とする液晶パネル。
【請求項３】
前記表示エリア内のコモンストレージ線と対向電極とを導電性凸状構造体により接続する接続点を、前記コモン配線抵抗として均一な抵抗値となるような密度分布で配置することを特徴とする請求項２に記載の液晶パネル。
【請求項４】
前記密度分布は、共通電位供給回路との接続点からの距離が遠い表示エリア部における密度を密に、接続点に近づくにつれて粗になる分布を有することを特徴とする請求項３に記載の液晶パネル。
【請求項５】
前記コモンストレージ線が不透明膜で形成され、対向電極との接点を前記不透明膜上に配置することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかひとつに記載の液晶パネル。
【請求項６】
前記コモンストレージ線は画素電極に対して蓄積容量を形成する形状を有することを特徴とする請求項５の液晶パネル。
【請求項７】
表示エリア内のコモンストレージ線と対向電極との電気的接続は、導電性凸状構造体により電気的に接続されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかひとつに記載の液晶パネル。
【請求項８】
前記導電性凸状構造体は対向基板に形成され、ＴＦＴ基板と貼り合わせることで電気的に接続することを特徴とする請求項７記載の液晶パネル。
【請求項９】
前記導電性凸状構造体はＴＦＴ基板に形成され、対向基板と貼り合わせることで電気的に接続することを特徴とする請求項７記載の液晶パネル。
【請求項１０】
前記導電性凸状構造体は接着性を有する材料であり、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせることで電気的に接続することを特徴とする請求項７記載の液晶パネル。
【請求項１１】
前記導電性凸状構造体は、ＴＦＴ基板上に形成されたコモンストレージ線と任意の位置で重なるように対向基板上に形成された柱状構造体と、その柱状構造体を被覆するように透明導電性膜からなる対向電極から形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶パネル。
【請求項１２】
前記導電性凸状構造体は、対向基板の少なくとも表示エリアの全面に透明導電性膜からなる第１の対向電極が形成され、前記第１の対向電極の上に、ＴＦＴ基板上に形成されたコモンストレージ線と任意の位置で重なるように柱状構造体が形成され、さらに前記柱状構造体の上に導電性膜からなる第２の対向電極が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶パネル。
【請求項１３】
前記導電性凸状構造体は、対向基板の少なくとも表示エリアの全面に透明導電性膜からなる対向電極が形成され、ＴＦＴ基板上に形成されたコモンストレージ線と任意の位置で重なるように前記対向電極の上に、導電性体である柱状構造体が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶パネル。
【請求項１４】
前記導電性凸状構造体は、透明導電性膜を含む材料により形成されることを特徴とする請求項７に記載の液晶パネル。
【請求項１５】
前記導電性凸状構造体は、導電性ポリマを含む材料により形成されることを特徴とする請求項７に記載の液晶パネル。
【請求項１６】
前記導電性凸状構造体は、樹脂と金属のコンポジットにより形成されることを特徴とする請求項７に記載の液晶パネル。
【請求項１７】
前記導電性凸状構造体は、樹脂と炭素のコンポジットにより形成されることを特徴とする請求項７に記載の液晶パネル。
【請求項１８】
前記導電性凸状構造体は、金属により形成されることを特徴とする請求項７に記載の液晶パネル。
【請求項１９】
ＴＦＴ基板上に形成されるコモンストレージ線は絶縁膜で被覆され、前記絶縁膜の一部が開口され、対向電極に形成された前記導電性凸状構造体が前記開口を介してコモンストレージ線と接続される構造を有し、その開口された面積が前記導電性凸状構造体の断面積よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至１８にいずれかひとつに記載の液晶パネル。
【請求項２０】
前記導電性凸状構造体の高さ（Ｈ）は、前記開口の深さ（Ｄ）とＴＦＴ基板と対向基板とのギャップ（Ｇ）の和よりも同等以上（Ｈ≧Ｇ＋Ｄ）であることを特徴とする請求項１９記載の液晶パネル。
【請求項２１】
請求項１乃至２０のいずれかひとつに記載の液晶パネルに、少なくとも駆動用回路、バックライト等光源を具備したことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、特にフリッカやクロストークを低減可能な液晶パネル及びそれを用いた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の表示装置であるＣＲＴ（Cathode Ray Tube）に代わって、近年は薄型で省スペースである液晶表示装置が普及している。パソコンやテレビにおいては、すでにＣＲＴに代わり、液晶表示装置が主流となっている。さらに高画質が要求される産業用モニター、医療用モニターとしても普及している。そのため、これらの液晶表示装置には、ＣＲＴに匹敵する表示品質と、大画面化が要求される。しかし、液晶表示装置を大画面化した場合には、従来の構造では配線長が増大し、それに伴いコモンストレージ線の抵抗が増大し、信号伝播遅延時間が増大する。さらに画素の高精細化に伴う配線幅の縮小によりコモンストレージ線の抵抗が増大し、信号伝播遅延時間が増大するという問題が生じる。
【０００３】
従来の液晶パネル、液晶表示装置について、図１６、１７を参照して説明する。図１６には従来の液晶表示装置の構成図、図１７には液晶パネルの断面図を示す。液晶表示装置は、画素がマトリクス状に配置された表示エリアと、表示エリア内のそれぞれの画素を表示させるための走査回路４と、共通電位供給回路５と、データ回路６とから構成される。液晶パネルのそれぞれの画素はＴＦＴ（Thin Film Transistor）１０と画素電極１１と蓄積容量とから構成され、マトリクス状に配置されている。
【０００４】
走査回路４からのゲート線７は各画素を活性化する信号でＴＦＴ１０のゲートに接続される。データ回路６からのデータ線９は各画素のデータ信号でＴＦＴ１０のドレインに接続される。スイッチング素子のＴＦＴ１０のソースは画素電極１１に、さらに画素電極１１とコモンストレージ線８との間には蓄積容量が形成される。共通電位共通回路５からの基準電位はコモンストレージ線８に接続され、コモンストレージ線８の電位を基準電位に維持する。ゲート線７及びコモンストレージ線８と、データ線９とは画素マトリクスの行、列として直交配置されている。その交点に配置されたスイッチング素子のＴＦＴ１０は、ゲート線７で選択され、データ線９からのデータ信号により画素電極１１に電圧を印加し、データ信号に従って色表示する。
【０００５】
液晶パネル１は、ＴＦＴ基板２と対向基板３とをシール材１３にて封止し、その内部に液晶材１４が充填されている。表示エリアの内は画素がマトリクス状に配置された領域であり、画面表示される領域である。図１７では、簡単のため表示エリアの内には、ゲート線７とコモンストレージ線８のみを示している。その端部の表示エリア外において、対向基板３の対向電極１２と、ＴＦＴ基板２のコモンストレージ線８とを導電性凸状構造体１５により接続する。このようにＴＦＴ基板２のコモンストレージ線８は、表示エリア外で対向基板３の対向電極１２と電気的に接続される。
【０００６】
コモンストレージ線８の電位は、極性反転駆動の場合は、データ線９の電位変動の影響を受けて変動するが、一定時間後には共通電位供給回路５から供給される基準電位により元の基準電位に復帰する。画面サイズや解像度が小さい場合は、十分コモンストレージ線８の電位変動時間が短く、短期間で基準電位に復帰することから画質への影響はなかった。しかし大画面化に伴い、配線長が長くなり、表示エリア内でデータ書き込み時間内に、基準電位に戻れない領域が発生する。この領域においては、データ書き込み時間内にコモンストレージ線８が基準電位に復帰出来ず、画質への悪影響を及ぼし、表示画質が劣化するという問題を本願発明者の知見により見出した。
【０００７】
従来の構造では大画面化に伴う配線長の増大によるコモンストレージ線の抵抗増加、それに伴う信号伝播遅延時間の増大を防ぐ手段として、配線幅の増大や配線厚みの増大、低抵抗導体が採用されていた。しかし配線幅の増大は開口率の低下となり、輝度低下や高精細化の妨げとなる。配線厚みの増大はプロセス負荷が増大し、コスト増加や生産性低下につながり望ましくない。また、配線材料については選択できる材料に制約があり、その実現は容易ではない。このように液晶パネルの大画面化に伴いコモンストレージ線の抵抗が増大し、信号伝播遅延時間が増大する。そのため大画面の液晶パネルの画質が低下するという問題が残る。
【０００８】
液晶パネルの対向電極とコモンストレージ線との接続に関する先行文献として下記文献がある。特許文献１（特許３０１４２９１号）では対向基板側に形成する柱状スペーサに導電膜を形成し、対向基板の対向電極とＴＦＴ基板のコモンストレージ線とを接続する内容が開示されている。この先行文献ではコモン電圧ＶＣＯＭの反転駆動における対向電極の面内電位ばらつきを改善する方法が示されているのみである。コモン電圧ＶＣＯＭを一定電位として駆動させるアクティブマトリックス型液晶パネルにおいて、各画素の動作を均一にするために必要な導通箇所についての知見が示されていない。
【０００９】
特許文献２（特開２０００−２７５６０７）には、コモン電位を最適コモン電位となるように、ＴＦＴ基板と対向基板のコモン電位を基板の近端又は遠端で接続する技術が開示されている。特許文献３（特開２０００−１９９９１５）には、導電球体を含むシール接着剤を用いることで、額縁の狭い液晶パネルを実現する技術が開示されている。しかし上記したこれらの先行文献においても、コモン電圧ＶＣＯＭを一定電位として駆動させるアクティブマトリックス型液晶パネルにおいて、各画素の動作を均一にするために必要な導通箇所についての知見が示されていないものである。
【００１０】
【特許文献１】特許３０１４２９１号公報
【特許文献２】特開２０００−２７５６０７号公報
【特許文献３】特開２０００−１９９９１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記したように液晶パネルの大画面化に伴い、コモンストレージ線の抵抗の増大により信号伝播遅延時間が増大し、データ書き込み時間内にコモンストレージ線８が基準電位に復帰出来ない。そのためフリッカやクロストークが発生し、表示画質が低下するという問題がある。本発明の目的は、これらの課題に鑑み、表示エリア内において、対向基板の対向電極とＴＦＴ基板のコモンストレージ線とを導電性凸状構造体により電気的に接続する。このようにしてコモンストレージ線の抵抗を低減し、信号伝播遅延時間を短縮できる。本発明は、フリッカやクロストークを低減可能な液晶パネル及びそれを用いた液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願は上記した課題を解決するため、基本的には下記に記載される技術を採用するものである。またその技術趣旨を逸脱しない範囲で種々変更できる応用技術も、本願に含まれることは言うまでもない。
【００１３】
本発明の液晶パネルは、対向基板とＴＦＴ基板とをシール材にて貼り合わせ、対向基板とＴＦＴ基板の間に液晶材を充填した構造を有する液晶パネルであって、表示エリアにはそれぞれのゲート線及びコモンストレージ線と、データ線とが直交するように配置された複数の画素がマトリクス状に配列され、前記ＴＦＴ基板に形成されたコモンストレージ線は、表示エリア外において共通電位供給回路からの配線に接続され、さらに前記対向基板に形成された対向電極と接続され、表示エリア内の画素において、それぞれの画素におけるコモンストレージ線の電位回復期間（ｔｃ）はデータ入力期間（ｔｇ）よりも同等以下の期間長さとなるように、表示エリア内のコモンストレージ線と対向電極とを接続することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の液晶パネルは、対向基板とＴＦＴ基板とをシール材にて貼り合わせ、対向基板とＴＦＴ基板の間に液晶材を充填した構造を有する液晶パネルであって、表示エリアにはそれぞれのゲート線及びコモンストレージ線と、データ線とが直交するように配置された複数の画素がマトリクス状に配列され、前記ＴＦＴ基板に形成されたコモンストレージ線は、表示エリア外において共通電位供給回路からの配線に接続され、さらに前記対向基板に形成された対向電極と接続され、前記ＴＦＴ基板に形成されたゲート線は、表示エリア外において走査回路からの配線に接続され、表示エリア内の画素において、それぞれの画素におけるコモンストレージ線と蓄積容量とが接続される点から、前記共通電位供給回路からの配線に接続された点までのコモン配線抵抗（Ｒｃ）は、ゲート電極から前記走査回路からの配線に接続される点までのゲート配線抵抗（Ｒｇ）よりも同等以下の抵抗となるように、表示エリア内のコモンストレージ線と対向電極とを接続することを特徴とする。
【００１５】
本発明の液晶パネルにおいては、前記表示エリア内のコモンストレージ線と対向電極とを導電性凸状構造体により接続する接続点を、前記コモン配線抵抗として均一な抵抗値となるような密度分布で配置することを特徴とする。
【００１６】
本発明の液晶パネルにおける前記密度分布は、共通電位供給回路との接続点からの距離が遠い表示エリア部における密度を密に、接続点に近づくにつれて粗になる分布を有することを特徴とする。
【００１７】
本発明の液晶パネルにおいては、前記コモンストレージ線が不透明膜で形成され、対向電極との接点を前記不透明膜上に配置することを特徴とする。
【００１８】
本発明の液晶パネルにおいては、前記コモンストレージ線は画素電極に対して蓄積容量を形成する形状を有することを特徴とする。
【００１９】
本発明の液晶パネルにおいては、表示エリア内のコモンストレージ線と対向電極との電気的接続は、導電性凸状構造体により電気的に接続されることを特徴とする。
【００２０】
本発明の液晶パネルにおける前記導電性凸状構造体は、対向基板に形成され、ＴＦＴ基板と貼り合わせることで電気的に接続することを特徴とする。
【００２１】
本発明の液晶パネルにおける前記導電性凸状構造体は、ＴＦＴ基板に形成され、対向基板と貼り合わせることで電気的に接続することを特徴とする。
【００２２】
本発明の液晶パネルにおける前記導電性凸状構造体は、導電性接着剤であり、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせることで電気的に接続することを特徴とする。
【００２３】
本発明の液晶パネルにおける前記導電性凸状構造体は、ＴＦＴ基板上に形成されたコモンストレージ線と任意の位置で重なるように対向基板上に形成された柱状構造体と、その柱状構造体を被覆するように透明導電性膜からなる対向電極から形成されていることを特徴とする。
【００２４】
本発明の液晶パネルにおける前記導電性凸状構造体は、対向基板の少なくとも表示エリアの全面に透明導電性膜からなる第１の対向電極が形成され、前記第１の対向電極の上に、ＴＦＴ基板上に形成されたコモンストレージ線と任意の位置で重なるように柱状構造体が形成され、さらに前記柱状構造体の上に導電性膜からなる第２の対向電極が形成されていることを特徴とする。
【００２５】
本発明の液晶パネルにおける前記導電性凸状構造体は、対向基板の少なくとも表示エリアの全面に透明導電性膜からなる対向電極が形成され、ＴＦＴ基板上に形成されたコモンストレージ線と任意の位置で重なるように前記対向電極の上に、導電性体である柱状構造体が形成されていることを特徴とする。
【００２６】
本発明の液晶パネルにおける前記導電性凸状構造体は、透明導電性膜を含む材料により形成されることを特徴とする。
【００２７】
本発明の液晶パネルにおける前記導電性凸状構造体は、導電性ポリマを含む材料により形成されることを特徴とする。
【００２８】
本発明の液晶パネルにおける前記導電性凸状構造体は、樹脂と金属のコンポジットにより形成されることを特徴とする。
【００２９】
本発明の液晶パネルにおける前記導電性凸状構造体は、樹脂と炭素のコンポジットにより形成されることを特徴とする。
【００３０】
本発明の液晶パネルにおける前記導電性凸状構造体は、金属により形成されることを特徴とする。
【００３１】
本発明の液晶パネルにおいては、ＴＦＴ基板上に形成されるコモンストレージ線は絶縁膜で被覆され、前記絶縁膜の一部が開口され、対向電極に形成された前記導電性凸状構造体が前記開口を介してコモンストレージ線と接続される構造を有し、前記既開口された面積が前記導電性凸状構造体の断面積よりも大きいことを特徴とする。
【００３２】
本発明の液晶パネルにおける前記導電性凸状構造体の高さ（Ｈ）は、前記開口の深さ（Ｄ）とＴＦＴ基板と対向基板とのギャップ（Ｇ）の和よりも同等以上（Ｈ≧Ｇ＋Ｄ）であることを特徴とする。
【００３３】
本発明の液晶表示装置は、上記したいずれかに記載の液晶パネルに、少なくとも駆動用回路、バックライト等光源を具備したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の液晶パネルは、表示エリア内において、対向基板の対向電極とＴＦＴ基板のコモンストレージ線とを導電性凸状構造体により接続する。そのためコモンストレージ線の抵抗が低減され、信号伝播遅延時間が短縮できる効果が得られる。本発明の構成によれば、フリッカやクロストークを低減可能な液晶パネル及びそれを用いた液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明の液晶パネル及びそれを用いた液晶表示装置の最良の実施形態について、以下図面を参照して詳細に説明する。しかし、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を施すことができ、これらの変更例も本願に含まれることはいうまでもない。また、実施例はＴＮ（Twisted Nematic）型液晶パネルで説明するが、本発明の要旨を逸脱しない限り、ＶＡ（Vertical Aligned）型など対向基板に対向電極を有する他方式の液晶パネルへも適用可能である。
【実施例１】
【００３６】
本発明の液晶パネルの第１の実施例について、図１〜６を参照して説明する。図１には液晶パネルの断面図、図２には液晶表示装置の構成図を示す。図３にはサブピクセル市松模様を表示させた模式図、図４には表示エリアの分割方法の説明図を示す。図５、図６には電位波形図を示す。
【００３７】
本発明の液晶パネル１は、図１に示すように対向基板３とＴＦＴ基板２とをシール材１３にて貼り合わせ、対向基板３とＴＦＴ基板２の間に液晶材１４を充填した構造を有する。なお、対向基板には必要に応じて赤、青、緑などの色層を配置してカラーフィルター基板とすることもできる。さらに表示エリア内において、導電性凸状構造体１５によりコモンストレージ線８と対向電極１２とを接続している。図１には、表示エリア内に２つの導電性凸状構造体１５を備えた例を示している。ここでのＴＦＴを含む画素の他の構成は一般的な構成であることから、その説明は省略し、主として本発明に関係するコモンストレージ線８と対向電極１２との接続について説明する。
【００３８】
図２を参照して液晶表示装置全体の接続を説明する。液晶表示装置は、ＴＦＴ基板２と対向基板３とを貼り合わせた液晶パネルと、走査回路４を備えた回路基板Ｖと、データ回路６と共通電位供給回路５と制御回路を備えた回路基板Ｈから構成される。さらに回路基板Ｖと回路基板Ｈとの間は接続基板Ｄにより、回路基板Ｈと液晶パネルとの間は接続基板Ｘにより、回路基板Ｖと液晶パネルとの間は接続基板Ｙにより、それぞれ接続されている。図２においては表示エリア内にマトリクス状に配置された画素に対し、横方向にゲート線７とコモンストレージ線８、縦方向にデータ線９が配線される。データ線９は、データ回路からそれぞれの画素にデータ信号を供給する。ゲート線７は、ＴＦＴ基板２の表示エリア外の接続点Ｂｍにおいて、走査回路４と電気的に接続され、それぞれの画素にゲート電位を供給する。
【００３９】
コモンストレージ線８は、ＴＦＴ基板２の表示エリア外において、共通電位供給回路５からの配線に接続され、それぞれの画素に基準電位を供給する。さらにコモンストレージ線は、表示エリア外の上側及び下側に対向電極と接続するための接続用コモンストレージ線が設けられている。図の上側に示す接続用コモンストレージ線は接続点Ａにおいて、共通電位供給回路５と電気的に接続され、さらに接続点Ｃ１、Ｃ２において、対向基板３に形成される対向電極１２と接続される。
【００４０】
さらに、図の下側に示す接続用コモンストレージ線は、共通電位供給回路５からの配線と電気的に接続され、さらに接続点Ｃ４、Ｃ３において、対向基板３に形成される対向電極１２と接続される。しかしこれらの接続点は特に限定されるものではなく、適当に表示エリア外に設けることができる。このように従来においては、これらのコモンストレージ線と対向電極との接続点は全て表示エリア外に設けられているものである。
【００４１】
本発明においては、さらに表示エリア内の接続点Ｐｎｍ（複数点乃至は単一点）において、導電性凸状構造体１５により電気的に接続する。接続点Ｐｎｍは、図２においては表示エリア内の中央部の単一点として示しているが、図４に示すように表示エリアを分割し、複数点設けることができる。ここでのｎ、ｍは、マトリクス状に配置されたｎ番目のデータ線、ｍ番目のゲート線に接続された画素（以下、画素ＴＦＴｎｍと記す）を示す。接続点Ｐｎｍにおいて、導電性凸状構造体１５によりコモンストレージ線８と対向電極１２とを接続する。接続点Ｐｎｍと表記した場合には、点Ｐｎｍにおいてコモンストレージ線８と対向電極１２とを導電性凸状構造体１５により接続された場合を示す。単に点Ｐｎｍと表記した場合には、画素ＴＦＴｎｍにおける点Ｐｎｍを示すものとする。
【００４２】
以下、液晶パネルの表示面積が３７６．３ｍｍ×３０１．１ｍｍであり、解像度が１２８０×１０２４（SXGA）である１９型液晶パネルについて説明する。また、比較として表示エリア内に接続点Ｐｎｍを有しない構造の１９型液晶パネル（３７６．３ｍｍ×３０１．１ｍｍ、SXGA）と１７型液晶パネル（３３７．９２ｍｍ×２７０．３４ｍｍ、SXGA）について説明する。本発明の実施例に示す液晶パネルは、ドット反転方式で動作するものとする。ドット反転方式はデータ回路６から供給されるデータ信号が、共通電位供給回路５からコモンストレージ線８に供給させる共通電位に対して極性が反転する極性反転駆動をし、かつ、上下左右に隣接するＴＦＴにおいて反対の極性信号を出力する。また、コモンストレージ線は図２に示すＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４の４点（表示エリア外）で、ＣＦ基板に形成される対向電極に接続されている。
【００４３】
ここで、液晶パネルの画面表示確認を行った。図３に示すような隣り合うサブピクセルで点灯、非点灯を繰り返すサブピクセル市松模様を表示させ、画面のちらつき現象（フリッカとも言う）を確認した。図においてはドット領域が点灯、マークなし領域が非点灯を示す。コモンストレージ線８上の点Ｐｎｍにおいて対向基板３に形成される対向電極１２とは電気的に接続されていない、つまり接続点Ｐｎｍが設けられていない１７型液晶パネルでは、表示によるちらつきはほとんど無かった。しかし、同じく接続点Ｐｎｍが設けられていない構造の１９型液晶パネルでは、表示エリア中央付近から接続点Ｃ３付近の領域でちらつき現象（フリッカとも言う）が発生した。
【００４４】
また、接続点Ｐｎｍを画面中央付近として、電気的接続点を設けた１９型液晶パネルにおいては、表示エリア中央付近でのフリッカはなくなったが、接続点Ｃ３付近の領域でフリッカが引き続き認められた。さらに、１９型液晶パネルの表示エリアを図４に示すように５×５＝２５分割し、分割線の交点付近のコモンストレージ線８上の点を接続点Ｐｎｍ（計１６点）とした。この場合、サブピクセル市松模様の表示確認で、画面全体でフリッカは認められなかった。このように接続点Ｐｎｍを設けていない、又は中央部に１個のみの接続点Ｐｎｍを設けた１９型液晶パネルでは、フリッカが認められた。一方、１７型液晶パネルや複数の接続点Ｐｎｍを設けた１９型液晶パネルでは、フリッカが認められなかった。
【００４５】
このフリッカの発生と、液晶パネル内における画素ＴＦＴｎｍのゲート信号と、データ信号と、コモンストレージ電位の動作波形との関係を調査した。図５に１７型液晶パネル内の動作波形、図６に接続点Ｐｎｍが設けられていない構造の１９型液晶パネル内の動作波形を示す。フリッカは認められない１７型液晶パネルにおいては、ゲート波形が低電位状態になる前にコモンストレージ電位は基準電位に回復している。データ線の電位変動からゲート線が低電位となるまでのデータ入力期間ｔｇと、コモンストレージ電位の回復期間ｔｃとの関係は、ｔｃ＜ｔｇである。一方１９型液晶パネルのフリッカが認められる画素においては、ゲート波形が低電位状態になる時点では、コモンストレージ電位は基準電位に回復していない。データ入力期間ｔｇと、コモンストレージ電位の回復期間ｔｃとの関係は、ｔｃ＞ｔｇである。
【００４６】
コモンストレージ電位の回復期間ｔｃは、データ線９からの信号によりコモンストレージ線８の電位が浮き上がり、その浮き上がりを共通電位供給回路５により基準電位に回復させる期間である。回復期間ｔｃは、共通電位供給回路５から、それぞれの画素のコモンストレージ線８までの信号伝播遅延時間である。ここで共通電位共通回路５からＴＦＴ基板２との接続点Ａまでの配線抵抗は十分小さいとする。この場合には、各画素におけるコモンストレージ線の点Ｐｎｍから、接続点Ａまでの抵抗（三次元的に接続された対向電極１２を含める）に起因する信号伝播遅延時間となる。
【００４７】
従って、表示エリア内の任意の隣り合うデータ線（Ｙｎ、Ｙｎ＋１）と、表示エリア内の任意の隣り合うゲート線（Ｘｍ−１、Ｘｍ）に囲まれたエリアにあるコモンストレージ線の点Ｐｎｍから、接続点Ａまでの抵抗を低減させる必要がある。これらの抵抗を低減し、共通電位供給回路５からの信号伝播遅延時間を小さくし、コモンストレージ電位の回復期間ｔｃを短縮させることが重要となる。本発明においては、これらの抵抗を低減するために、対向基板３に配置された対向電極１２とコモンストレージ線とを、表示エリア内の点Ｐｎｍにおいて接続することを特徴とする。
【００４８】
表示エリア内に接続点Ｐｎｍが設けられていない１９型液晶パネルにおいて、ちらつき現象が認められた領域では、図６に示すようなtc＞tｇの関係が確認された。しかし同じ１９型液晶パネルでも、ちらつき現象が認められない領域では、１７型液晶パネルのようにｔｃ＜ｔｇの関係となっていることが認められた。また表示エリアを図４に示すように５×５＝２５分割し、分割線の交点付近のコモンストレージ線上の接続点Ｐｎｍ（計１６点）とした１９型液晶パネルにおいては、全ての画素において図５に示すようなｔｃ＜ｔｇの関係となっていることが確認された。
【００４９】
回復期間ｔｃとデータ入力期間ｔｇとの関係をまとめると表1のようになることが判明した。すなわち、ｔｃ≦ｔｇの関係になるように適当な接続点Ｐｎｍを設けることでちらつき現象を無くすことが可能になる。ここでの◎印はちらつき現象が視認されない（フリッカ測定  −４０ｄＢ以下、３０Ｈｚ）、○印はちらつき現象が視認されない（フリッカ測定  −３０ｄＢ以下、３０Ｈｚ）、△印はややちらつき現象あり（フリッカ測定  −２５ｄＢ以下、３０Ｈｚ）、×印はちらつき現象あり（フリッカ測定  −２０ｄＢ以下、３０Ｈｚ）をそれぞれ示す。
【００５０】
【表１】
2008275908.tif 000003
【００５１】
これらの配線遅延を改善する方法としては、配線の抵抗値を低減させることが有効である。この目的で従来の液晶パネルでは配線材料として低抵抗金属を採用しており、その代表としてアルミニウム（以下、Ａｌと記す）乃至はＡｌを主とする合金が採用されている。代表的な成膜方法であるスパッタ法等などを用いた場合、Ａｌ乃至はＡｌ合金の比抵抗は５〜１０μΩcm程度である。材料以外の方法で配線抵抗を低くするには、配線幅乃至は膜厚を大きくすることになるが、線幅を大きくすることは開口率を低下させることとなり輝度低下を招く。
【００５２】
一般的な高解像度（XGA、SXGAやそれ以上の解像度）の液晶パネルでは２０μｍ以上の線幅は実用上望ましくない。また、膜厚については厚くすることでカバレッジ性を悪化させるために限界がある。例えば、ボトムゲート形ＴＦＴにおいてゲート絶縁膜としてチッ化シリコン膜が用いられ、その膜厚は３０００Ａ程度である。そのため、カバレッジ性を考慮すると配線膜厚は３０００Ａ程度が限界となる。このように材料、配線幅乃至は膜厚の変更には困難性がある。以上の理由より、高解像度液晶パネルにおいて、本発明の液晶パネルの構造は、画面サイズの大型化にともなうフリッカなどの画質劣化に対して有効な手段となる。
【００５３】
本実施例においては、表示エリア内においてコモンストレージ線と対向電極とを導電性凸状構造体により接続し、コモンストレージ線の配線抵抗を低減する。コモンストレージ線の配線抵抗を低減することでコモンストレージ線の回復期間ｔｃを、データ入力期間ｔｇよりも短くする。データ入力期間にコモンストレージ線を基準電位に回復させることでフリッカが発生しない液晶パネル及びそれを用いた液晶表示装置が得られる。
【実施例２】
【００５４】
本発明の液晶パネル及びそれを用いた液晶表示装置の実施例２として、図７、図８を参照して説明する。図７には全体をサブピクセル単位で縦１列毎に中間調を表示し、画面中央付近に全白のウインドウ画面を表示した表示画面、図８には図７における輝度が異なる表示異常を説明する表示画面を示す。実施例２においても、実施例1に記載の液晶パネルと同様の構造を有する１９型液晶パネルについて説明する。
【００５５】
図７に示すように、全体をサブピクセル単位で縦１列毎に中間調を表示し、画面中央付近に全白のウインドウ画面を表示した場合の画面エリアＵ、エリアＲとエリアＬ、エリアＤは、本来同じ輝度になるはずである。しかし、表示エリア内に接続点Ｐｎｍを設けられていない構造の１９型液晶パネルにおいては、図８に示すように本来同じ輝度表示であるエリアＵ、エリアＲとエリアＬ、エリアＤとで輝度が異なる表示異常が発生した（以下、クロストークという）。このとき、エリアＵ、エリアＤの輝度は暗く、エリアＬ、エリアＲの輝度は明るく表示された。
【００５６】
この現象は、下記の理由によるものである。ドット反転駆動方式において、サブピクセル単位で縦１列ごとに表示を行うと、横に並ぶ画素は同一極性側に電圧が印加される。コモンストレージ線は横に並ぶ画素に対して共通なので、共通電位が一方向に引っ張られる。ゲート電圧が下がる前に共通電位が元の基準に戻れば問題ないが、戻らなければ画素への書き込みが不足して正常な表示とならない。すなわち、エリアＵ、Ｄは十分な書き込みが出来ないので暗くなる。しかし、画面の一部に全白画面などがあると、その分、同一極性になる画素数が減少するので、共通電位の振れ幅が小さくなり、書き込み不足が少なる。そのためエリアＬ、Ｒは相対的に明るくなる。
【００５７】
このように輝度が異なるのは、ゲート電圧が下がる前にコモンストレージ線が元の基準電位に復帰できず、十分な書き込みが出来ないことから発生する。これは平行して形成されているコモンストレージ線の抵抗Ｒｃが、ゲート線の抵抗Ｒｇより大きいことに起因している。従って画面全体の輝度を同一にするためには、コモンストレージ線の抵抗Ｒｃを、ゲート線の抵抗Ｒｇより小さくすることが必須になる。即ち液晶パネル内の画素ＴＦＴｎｍのゲート電極と走査回路４との接続点Ｂｍとの間のゲート抵抗Ｒｇと、コモンストレージ線の点Ｐｎｍと共通電位供給回路５の接続点Ａとの間のコモン抵抗Ｒｃの関係を、Ｒｃ＜Ｒｇとすることが必要である。
【００５８】
例えば、ゲート線幅、コモンストレージ線幅を共に２０μｍとし、膜厚を０．３μｍとした場合、画面中央付近ではゲート抵抗Ｒｇが約２．２ｋΩになるのに対し、コモン抵抗Ｒｃは約４ｋΩであった。一方、画面中央付近に対向電極との接続点Ｐｎｍを設けると、コモン抵抗Ｒｃは約１．８ｋΩに低減された。これにより画面中央付近においては、ウインドウ画面表示によるクロスト-クは認められなくなった。ただし、画面中央付近以外においては表示異常の箇所があるため、画面いずれの画素ＴＦＴｎｍにおいてもＲｃ＜Ｒｇとなるように対向電極との接続点をさらに設けることが望ましい。
【００５９】
好適には、ＴＦＴ基板２に形成されるコモンストレージ線８と電気的に接続させる点を、ＴＦＴ基板２上に形成されるコモンストレージ線単独の抵抗分布に関わらず均一にするような密度分布で配置することが望ましい。このためには、表示エリア内での接続点の密度分布を、共通電位供給回路５との接続点Ａからの距離が遠い表示エリア部においてはその密度を高く、接続点Ａに近づくにつれて粗になる分布とすることが望ましい。また、本発明によればコモンストレージ線の信号伝播遅延を減少させる目的で、コモンストレージ線幅をゲート線幅と同様乃至は大きくすることは必須ではなくなり、コモンストレージ線を細くすることによる開口率の増大が望める。
【００６０】
本実施例においては、表示エリア内においてコモンストレージ線と対向電極とを接続し、コモンストレージ線の配線抵抗を低減する。コモンストレージ線の配線抵抗を低減し、ゲート線の抵抗より小さくすることで輝度が異なる表示異常を防止できる。このように表示異常を防止できる液晶パネル及びそれを用いた液晶表示装置が得られる。
【実施例３】
【００６１】
本発明の液晶パネル及びそれを用いた液晶表示装置の実施例３として、図９〜図１４を参照して説明する。本実施例は、コモンストレージ線と対向電極とを接続する導電性凸状構造体の形態として、その形成方法及び構造についての実施例である。図９にはＴＦＴ基板側に一体的に形成した導電性凸状構造体、図１０には対向基板側に一体的に形成した導電性凸状構造体、図１１には導電性接着剤により形成した導電性凸状構造体を用いた液晶パネルの断面図を示す。図１２〜１４には導電性凸状構造体の構造をそれぞれ示す。ここではＴＦＴからの引き出し部分を示す。
【００６２】
図９は、ＴＦＴ基板２側に一体的に形成した導電性凸状構造体１５を示す。ＴＦＴ基板２の導電性凸状構造体１５はコモンストレージ線８と接続されている。ＴＦＴ基板２と対向基板３とを貼り合わせ、コモンストレージ線８と対向電極１２とを導電性凸状構造体１５により接続する。図１０には対向基板３側に一体的に形成した導電性凸状構造体１５を示す。対向基板３の導電性凸状構造体１５は対向電極１２と接続されている。ＴＦＴ基板２と対向基板３とを貼り合わせ、コモンストレージ線８と対向電極１２とを導電性凸状構造体１５により電気的に接続する。図１１では、Ａｇ等のペーストや導電性接着剤２５によってＴＦＴ基板２上のコモンストレージ線８と対向基板３の対向電極１２とを接続している。
【００６３】
さらに、図９から図１１では順スタガー型ＴＦＴを例示したが、これに限定されるものではなく、逆スタガー型ＴＦＴであってもよい。また、図９から図１１ではゲート電極の上に保護膜を形成、電気的な接続を取るコモンストレージ線８に開口部を形成しているが、保護膜自体を形成せずに、導電性凸状構造体１５とコモンストレージ線８とを電気的に接続しても良い。また図のように導電性凸状構造体やＴＦＴは、ブラックマトリクス２３等の遮光体が形成された領域に形成することが望ましいが、特に限定されるものではない。
【００６４】
次に導電性凸状構造物体の構成を示す。ここでの説明は対向基板３に一体的な構成としているが、ＴＦＴ基板２に一体的に形成することもできる。導電性凸状構造物体の構成の第一の例を図１２に示す。ＴＦＴ基板２上に形成されたコモンストレージ線８と任意の位置で重なるように、対向基板３の所定の位置に柱状構造体２６を形成する。柱状構造体２６は、対向基板３に形成される色層２４の上に形成され、さらに透明導電性膜を色層２４及び柱状構造体２６を被覆するようにして形成して対向電極１２とする。
【００６５】
この柱状構造体２６は導電性を有する必要はなく、エポキシ、アクリル、ポリアミド、ポリイミドなどの樹脂や、これら樹脂を母体とする複合体等任意の材料を選択できる。さらに、色層と同一材料にて同時に形成してもよい。尚、色層はカラ−発色させるためにＲＧＢ等の色層を配置しても良い。形成方法としては、フォトリソグラフィ技術を利用したアディティブ法、セミアディティブ法やサブトラクティブ法が微細な構造物を再現性良く形成でき好適である。また、スクリーン印刷法やオフセット印刷法等で形成する方法も安価な製造方法として好適である。柱状構造体２６は透明導電性膜で覆われ、全体として導電性の凸状構造体となる。透明導電性膜はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などでよく、導電性ポリマを選択してもよい。
【００６６】
導電性凸状構造物体の構成の第二の例を図１３に示す。対向基板３に形成された色層２４の全面に透明導電性膜を形成し、第一の対向電極１２を形成する。次いで、ＴＦＴ基板２上に形成されたコモンストレージ線８と任意の位置で重なるように対向基板３の所定の位置で、かつ、透明導電性膜上に柱状構造体２６を形成する。この柱状構造体２６を被覆し、第一の対向電極12と電気的に接続するように導電性膜を形成し、第２の対向電極１２−１とする。第一の対向電極１２を形成する透明導電性膜としてはＩＴＯ膜でも、導電性ポリマでもよい。
【００６７】
また、対向基板３とＴＦＴ基板２を重ね合わせたときに、コモンストレージ線８と対向する位置に柱状構造体２６を形成するため、図１３に示すように柱状構造体２６はブラックマトリックス２３などの遮光体が形成された領域に形成されることが望ましい。このため、第２の対向電極１２−１を形成する導電性膜は透明導電性膜である必要はなく、金属材料の蒸着、スパッタなどを用いて形成してよい。また、第1の対向電極１２と別材料でもよく、同一材料を選択してもよい。
【００６８】
柱状構造体２６は、第２の対向電極１２−１により被覆されることから導電性を有する必要はなく、エポキシ、アクリル、ポリアミド、ポリイミドなどの樹脂や、これら樹脂を母体とする複合体でもよい。形成方法はフォトリソグラフィ技術を利用したアディティブ法、セミアディティブ法やサブトラクティブ法が微細な構造物を再現性良く形成でき好適である。またスクリーン印刷法やオフセット印刷法等で形成する方法も安価な製造方法として好適である。
【００６９】
導電性凸状構造体の構成の第三の例を図１４に示す。対向基板３に形成された色層２４の全面に透明導電性膜からなる対向電極１２を形成する。ＴＦＴ基板２上に形成されたコモンストレージ線８と任意の位置で重なる位置の透明導電性膜上に導電性凸状構造体１５を形成する。導電性凸状構造体１５は、構成の第一、第二の例のように導電性膜と柱状構造体との組み合わせではなく、凸状構造体自体が導電性の材料で形成される。
【００７０】
導電性凸状構造体１５は導電性ポリマであってもよい。導電性ポリマは、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリパラフェニリンやポリアセンでよく、また、これらから選択する複数材料の複合体でもよい。形成方法としては、透明導電性膜による対向電極を電解重合の電極に用い、前駆体を重合して成膜すると、大面積を一括して形成でき好適である。例えば、ピロールを適当な濃度で含有するアセトニトリル溶液に対向電極を形成した対向基板を浸漬し、対向電極を正極として電圧を印加してポリピロール膜を形成する方法などを用いればよい。
【００７１】
また、導電性凸状構造体１５は樹脂と金属のコンポジット、また、樹脂と炭素とのコンポジットであってもよい。樹脂は、エポキシ、アクリル、ポリアミド、ポリイミドなど、いずれでもよく、低温で硬化するものが好ましい。有機物で構成されるカラーフィルター基板を用いる場合は、その耐熱温度以下であることが望ましい。具体的にはアクリルを用いた場合は270℃以下となる。ただし、対向基板やTFT基板に用いられるガラスに熱ひずみを生じさせないために、200℃以下が望ましく、偏向板の熱収縮を避けるために150℃以下のさらに望ましい。また、ＵＶ硬化などの熱以外のプロセスで硬化する樹脂でもよい。硬化過程で収縮する樹脂であると、含有する金属粒子の接触を促進し、導電性が発現してより好適である。金属はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉなど、いずれでもよい。形状は球状、リン片状、不定形などいずれでもよいが、球状粒子を適当な粒度分布に配合したものが、塗布性や塗布後の均一性を保持できて好適である。また、リン片状の粒子を含有させると、導電性粒子間の接点が増大することで導電性が高まり好適である。
【００７２】
また、粒子径が１００nm以下の粒子を含有させると、樹脂を硬化させる１００〜２００℃程度の熱処理で焼結が進行し、導電性が増大するので更に好適である。この粒子径は５０nm以下、更には２０nm以下にすると焼結温度が１５０℃以下、１００℃以下となり更に好適である。金属は炭素にしても同様の効果が得られる上、金属材料と比較して安価であり好適である。また、導電性凸状構造体は金属で形成してもよい。金属はＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉなどいずれでもよいが、Ｃｕ、Ｎｉなどが安価であり好適である。形成方法としては、フォトリソグラフィ法を利用したアディティブめっき法さらには金属ナノ粒子などが、微細な構造物を形成でき好適である。
【００７３】
上記した導電性凸状構造体の構造、形成方法により導電性凸状構造体を形成することで、実施例１や実施例２の液晶パネルが得られる。対向基板に形成した対向電極とＴＦＴ基板に形成したコモンストレージ線とを、導電性凸状構造体により表示エリア内で電気的に接続させることで、フリッカやクロストークのない液晶パネルが得られる。良好な画質が得られる液晶パネル及びそれを用いた液晶表示装置が得られる。
【実施例４】
【００７４】
本発明の液晶パネル及びそれを用いた液晶表示装置の実施例４として、図１５を参照して説明する。本実施例は、導電性凸状構造体の大きさ（サイズ）に関する実施例である。図１５に液晶パネルの断面図を示す。
【００７５】
ＴＦＴ基板２上に形成されるコモンストレージ線８は保護膜である絶縁膜１７で被覆され、その絶縁膜の一部が開口されている。その開口部に導電性凸状構造体１５が配置され、コモンストレージ線８と対向電極１２とが接続される。この開口部を導電性凸状構造体１５の底面の面積よりも大きくすることで、位置ずれなく形成することができ好適である。ここで、導電性凸状構造体１５の高さＨ、開口部の深さＤ、ＴＦＴ基板２と対向基板３のギャップＧとする。導電性凸状構造体１５の高さは、対向基板に形成する際の高さである。この導電性凸状構造体１５の高さＨは、開口の深さ（Ｄ）とＴＦＴ基板と対向基板とのギャップ（Ｇ）の和よりも同等以上（Ｈ≧Ｇ＋Ｄ）に設定する、すなわち、ギャップよりも導電性凸状構造体１５の高さが大きく、対向基板とＴＦＴ基板とを貼り合わせることで圧縮される構成となると、電気的接続が安定して好適である。なお、対向基板とＴＦＴ基板とを分離すると、圧縮された導電性凸状構造体１５の高さが製造時の高さＨに復元するような弾性を有すると、電気的接続がさらに安定して好適である。
【００７６】
ＴＦＴ基板と対向基板とのギャップ（Ｇ）は、ＴＦＴ基板と対向基板との間にスペーサを設けて大きさを均一にする必要がある。たとえば、均一な径の球状粒子を分散させて、ギャップ（Ｇ）の大きさを均一にすることが可能である。また、ＴＦＴ基板と対向基板とのギャップ（Ｇ）を、導電性凸状構造体１５が圧縮されることで保持される距離とすると、前記スペーサが不要になり好適である。スペーサと導電性凸状構造体１５との複合でギャップ（Ｇ）を均一にすることも、スペーサ材料を少なくすることが可能になり好適である。
【００７７】
本実施例においては、表示エリア内においてコモンストレージ線と対向電極とを接続する導電性凸状構造体のサイズを最適化し、電気的接続を安定化できる。サイズを最適化した導電性凸状構造体によりコモンストレージ線の配線抵抗を低減する。コモンストレージ線の配線抵抗を低減することでフリッカやクロストークを低減可能な液晶パネル及びそれを用いた液晶表示装置が得られる。
【００７８】
本発明の液晶パネルは、表示エリア内においてコモンストレージ線と対向電極とを接続し、コモンストレージ線の配線抵抗を低減する。コモンストレージ線の配線抵抗を低減することでフリッカやクロストークを低減できる。本発明の構造を備えることで大型の液晶パネルにおいても、画質のよい液晶パネル及びそれを用いた液晶表示装置が得られる。
【００７９】
なお、本発明の説明ではドット反転駆動を用いて説明したが、ライン反転などの他の極性反転駆動方法であっても同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明における液晶パネルの断面図である。
【図２】本発明における液晶表示装置の構成図である。
【図３】液晶パネルにサブピクセル市松模様を表示させた模式図である。
【図４】液晶パネルの表示エリアの分割方法を示す説明図である。
【図５】液晶パネルにおいてフリッカが発生していない画素の電位波形図である。
【図６】液晶パネルにおいてフリッカが発生している画素の電位波形図である。
【図７】画面中央付近に全白のウインドウ画面を表示させた表示画面である。
【図８】図７において表示異常を説明するための表示画面である。
【図９】液晶パネルにおける導電性凸状構造体の第１の形態を説明する断面図である。
【図１０】液晶パネルにおける導電性凸状構造体の第２の形態を説明する断面図である。
【図１１】液晶パネルにおける導電性凸状構造体の第３の形態を説明する断面図である。
【図１２】液晶パネルにおける導電性凸状構造体の第１の構造を説明する断面図である。
【図１３】液晶パネルにおける導電性凸状構造体の第２の構造を説明する断面図である。
【図１４】液晶パネルにおける導電性凸状構造体の第３の構造を説明する断面図である。
【図１５】液晶パネルにおける導電性凸状構造体のサイズを説明する断面図である。
【図１６】従来の液晶表示装置の構成図である。
【図１７】従来の液晶パネルの断面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１    液晶パネル
２    ＴＦＴ基板
３    対向基板
４    走査回路
５    共通電位供給回路
６    データ回路
７    ゲート線
８    コモンストレージ線
９    データ線
１０    ＴＦＴ
１１    画素電極
１２、１２−１    対向電極
１３    シール材
１４    液晶材
１５    導電性凸状構造体
１６    遮光膜（Ｃｒ）
１７    絶縁膜（ＳｉＯｘ）
１８    ａ―Ｓｉ
１９    チッ化シリコン
２０    保護膜
２１    ドレイン
２２    ソース
２３    ブラックマトリクス（遮光体）
２４    色層
２５    導電性接着剤
２６    柱状構造体
【図１】
2008275908.tif 000004
【図２】
2008275908.tif 000005
【図３】
2008275908.tif 000006
【図４】
2008275908.tif 000007
【図５】
2008275908.tif 000008
【図６】
2008275908.tif 000009
【図７】
2008275908.tif 000010
【図８】
2008275908.tif 000011
【図９】
2008275908.tif 000012
【図１０】
2008275908.tif 000013
【図１１】
2008275908.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2008275908.tif 000018
【図１６】
2008275908.tif 000019
【図１７】
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