(57)【要約】【課題】高輝度かつ輝度ムラの少ない画像表示が可能な有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】有機発光素子１００の補助電極１５０は、壁状絶縁層１４０の一部分に設けられており、補助電極１５０が設けられた壁状絶縁層１４０の部分は補助電極１５０が設けられていない部分よりも幅広である。【選択図】図６
2008153237.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
上記基板上にマトリクス状に配列された複数の第１電極と、
上記基板上に設けられ、上記複数の第１電極をそれぞれに区画する壁状絶縁層と、
上記複数の第１電極のそれぞれの上に設けられた発光有機層と、
上記壁状絶縁層の上に設けられた補助電極と、
上記壁状絶縁層、上記補助電極、及び上記発光有機層の表面全体を被覆するように設けられ、該補助電極に電気的に接続された、上記発光有機層の光を透過させる第２電極と、
を備え、
上記補助電極は、上記壁状絶縁層の一部分に設けられており、
上記補助電極が設けられた壁状絶縁層の部分は該補助電極が設けられていない部分よりも幅広である有機発光素子。
【請求項２】
基板と、
上記基板上にマトリクス状に配列された複数の第１電極と、
上記基板上に設けられ、上記複数の第１電極をそれぞれに区画する壁状絶縁層と、
上記複数の第１電極のそれぞれの上に設けられた発光有機層と、
上記壁状絶縁層の上に設けられた補助電極と、
上記壁状絶縁層、上記補助電極、及び上記発光有機層の表面全体を被覆するように設けられ、該補助電極に電気的に接続された、上記発光有機層の光を透過させる第２電極と、
を備え、
上記補助電極は、上記壁状絶縁層上において断片的に設けられており、
上記補助電極が設けられた壁状絶縁層の部分は該補助電極が設けられていない部分よりも幅広である有機発光素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された有機発光素子において、
上記補助電極が設けられた壁状絶縁層の部分の幅は上記補助電極が設けられていない部分の幅の２倍以上である有機発光素子。
【請求項４】
請求項１又は２に記載された有機発光素子において、
上記発光有機層は、各々、発光色の異なる複数種類の発光材料のいずれかで形成されており、
上記発光有機層はその発光色によって相互に発光面積が異なり、
上記補助電極は、上記壁状絶縁層のうち発光面積が最も小さい発光有機層に隣接する幅広部分の上に設けられている有機発光素子。
【請求項５】
請求項４に記載された有機発光素子において、
上記補助電極は、最も大きな発光面積を有する上記発光有機層と最も小さな発光面積を有する上記発光有機層との間に設けられた上記壁状絶縁層の幅広部分の上に設けられている有機発光素子。
【請求項６】
請求項１又は２に記載された有機発光素子において、
上記補助電極と上記第２電極との間に設けられ、該補助電極と該第２電極とを連通させるスルーホールが形成された發液層をさらに有し、
上記第２電極は上記スルーホールを経由して上記補助電極に電気的に接続されている有機発光素子。
【請求項７】
請求項１又は２に記載された有機発光素子において、
上記補助電極と上記第２電極との間に設けられた単分子層からなる發液層をさらに有する有機発光素子。
【請求項８】
請求項１又は２に記載された有機発光素子において、
上記発光有機層が有機エレクトロルミネッセンス発光材料を含む有機発光素子。
【請求項９】
請求項１又は２に記載された有機発光素子を備えた表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子、及び、それを備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面表示装置は従来一般に使用されている陰極線管（ＣＲＴ）よりも消費電力が少なく、薄型化が可能である。このため、近年の情報処理機器の多様化に伴って、平面表示装置に対する需要が高まってきている。平面表示装置としては、例えば、液晶表示装置やエレクトロルミネッセント表示装置（以下、「ＥＬ表示装置」と略称する。）が挙げられる。その中でも有機ＥＬ表示装置は、低電圧駆動、全固体型、高速応答性、自発光性という特徴を有するため、特に研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、その駆動方式により、パッシブマトリクス方式（以下、「ＰＭ方式」と略称する。）と、アクティブマトリクス方式（以下、「ＡＭ方式」と略称する。）とに大別される。
【０００４】
ＰＭ方式の有機ＥＬ素子は線順次駆動される。よって、ＰＭ方式で高輝度な有機ＥＬ素子を実現するためには、各画素（発光層）に大きな瞬間電力を印加しなければならない。従って、ＰＭ方式の有機ＥＬ素子では、発光層の劣化が激しい。その結果、ＰＭ方式の有機ＥＬ素子は製品寿命が短いという問題がある。特に、走査電極数が多い（高精細な）有機ＥＬ素子では各画素に印加される電圧が大きくなる。このため、高精細な有機ＥＬ素子は特に製品寿命が短い。
【０００５】
一方、ＡＭ方式の有機ＥＬ素子では、各画素ごとにスイッチング素子（例えば、ＴＦＴ）が設けられているため、各画素ごとにスイッチングを行うことができる。そのため、ＡＭ方式の有機ＥＬ素子では、原理的に走査電極数に制約がなく、１フレーム期間のほぼ１００％に近い表示が可能である。このため、ＡＭ方式の有機ＥＬ素子によれば、ＰＭ方式の有機ＥＬ素子に比べて瞬間輝度を低くした場合であっても、高輝度で高品位な表示を実現することができる。また、ＡＭ方式の有機ＥＬ素子では、ＰＭ方式の有機ＥＬ素子よりも瞬間輝度を低くすることができるので、低い駆動電圧、及び、長い製品寿命を実現することができる。従って、近年は、ＡＭ方式の有機ＥＬ素子の研究開発が特に盛んに行われている。
【０００６】
図１４は、従来の有機ＥＬ素子６００の概略断面図である。
【０００７】
有機ＥＬ素子６００は、基板６０１と、基板６０１の上に設けられた発光有機層６０３と、発光有機層６０３を狭持するように設けられた第１電極６０２及び第２電極６０４とを有する。
【０００８】
第１電極６０２は発光有機層６０３にホールを注入する。第２電極６０４は発光有機層６０３に電子を注入する。第１電極６０２から注入されたホールと、第２電極６０４から注入された電子とが発光有機層６０３において再結合することにより、発光有機層６０３が発光する。有機ＥＬ素子６００では、基板６０１及び第１電極６０２は光透過性を有する。第２電極６０４は光反射性を有する。発光有機層６０３の発光は第１電極６０２及び基板６０１を透過して有機ＥＬ素子６００から出射される（ボトムエミッション方式）。
【０００９】
ＡＭ方式の有機ＥＬ素子６００では、基板６０１上にＴＦＴや電極（画素電極、ゲート電極、ソース電極等）を配設する必要がある。一般的に、ＴＦＴや電極は光透過性の低い材料で形成される。具体的には、ＴＦＴは光透過率の低いシリコン等で形成される。このため、有機ＥＬ素子６００では、画素面積に対する発光面積の割合（開口率）が小さいという問題がある。
【００１０】
ＡＭ方式の有機ＥＬ素子は、さらに電流駆動方式の有機ＥＬ素子と電圧駆動方式の有機ＥＬ素子とに分けることができる。電流駆動方式の有機ＥＬ素子は各画素の表示性能のばらつきを抑制し、発光材料の劣化による表示性能の劣化を効果的に抑制することができる。しかし、電流駆動方式の有機ＥＬ素子では、電圧駆動方式の有機ＥＬ素子と比較して、各画素に配設されるＴＦＴの個数が多くなる。このため、電流駆動方式の有機ＥＬ素子では、さらに開口率が小さくなるという問題がある。
【００１１】
係る問題に鑑み、上面発光方式の有機ＥＬ素子が提案されている（例えば、特許文献１等）。上面発光方式の有機ＥＬ素子では、第２電極が光透過性を有し、第１電極が光反射性を有する。このため、光透過率が低いＴＦＴや電極が配設された基板とは反対側の第２電極側から発光有機層の発光を取り出すことができる。従って、上面発光方式の有機ＥＬ素子は下面発光方式の有機ＥＬ素子よりも大きな開口率を有する。その結果、上面発光方式を採用することによって、高輝度な有機素子を実現することができる。
【特許文献１】特開２００４−１２７５５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上面発光方式の有機ＥＬ表示装置では、発光有機層からの発光は第２電極側から取り出される。このため、第２電極は光透過率の高い透明電極材料により形成されていることが好ましい。透明導電材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
【００１３】
しかし、ＩＴＯ等の透明導電材料は、従来電極材料として用いられてきた銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）等の低抵抗金属材料と比較して高い電気抵抗を有する。そのため、透明導電材料により形成された第２電極は大きな面抵抗を有する。従って、駆動電圧が高いという問題がある。
【００１４】
また、第２電極の面抵抗が高い場合、第２電極の一部で電圧低下が発生する。このため、電気抵抗の大きな透明導電材料により形成された第２電極には均一な電圧が印加されない。従って、均一性の高い画像表示をすることができないという問題がある。
【００１５】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、高輝度かつ輝度ムラのない画像表示が可能である有機ＥＬ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明にかかる有機発光素子は、基板と、基板上にマトリクス状に配列された複数の第１電極と、基板上に設けられ、複数の第１電極をそれぞれに区画する壁状絶縁層と、複数の第１電極のそれぞれの上に設けられた発光有機層と、壁状絶縁層の上に設けられた補助電極と、壁状絶縁層、補助電極、及び発光有機層の表面全体を被覆するように設けられ、補助電極に電気的に接続された、発光有機層の光を透過させる第２電極とを備え、補助電極が壁状絶縁層の一部分に設けられており、補助電極が設けられた壁状絶縁層の部分は補助電極が設けられていない部分よりも幅広である。
【００１７】
本発明にかかる有機発光素子は、基板と、基板上にマトリクス状に配列された複数の第１電極と、基板上に設けられ、複数の第１電極をそれぞれに区画する壁状絶縁層と、複数の第１電極のそれぞれの上に設けられた発光有機層と、壁状絶縁層の上に設けられた補助電極と、壁状絶縁層、補助電極、及び発光有機層の表面全体を被覆するように設けられ、補助電極に電気的に接続された、発光有機層の光を透過させる第２電極とを備え、補助電極が壁状絶縁層上において断片的に設けられており、補助電極が設けられた壁状絶縁層の部分は補助電極が設けられていない部分よりも幅広である。
【００１８】
本発明に係る有機発光素子では、補助電極が設けられた壁状絶縁層の部分の幅は補助電極が設けられていない部分の幅の２倍以上であってもよい。
【００１９】
本発明に係る有機発光素子では、発光有機層が、各々、発光色の異なる複数種類の発光材料のいずれかで形成されており、発光有機層はその発光色によって相互に発光面積が異なり、補助電極が、壁状絶縁層のうち発光面積が最も小さい発光有機層に隣接する幅広部分の上に設けられていてもよい。
【００２０】
本発明にかかる有機発光素子は、補助電極が、最も大きな発光面積を有する発光有機層と最も小さな発光面積を有する発光有機層との間に設けられた壁状絶縁層の幅広部分の上に設けられている。
【００２１】
本発明に係る有機発光素子は、補助電極と第２電極との間に設けられ、補助電極と第２電極とを連通させるスルーホールが形成された發液層をさらに有し、第２電極はスルーホールを経由して補助電極に電気的に接続されていてもよい。
【００２２】
本発明に係る有機発光素子は補助電極と第２電極との間に設けられた単分子層からなる發液層をさらに有していてもよい。
【００２３】
本発明に係る有機発光素子では、発光有機層が有機エレクトロルミネッセンス発光材料を含んでいてもよい。
【００２４】
本発明に係る表示装置は本発明に係る有機発光素子を備えている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、電気導電率の高い補助電極により第２電極の電圧降下の発生を効果的に抑制することができるので、高輝度かつ輝度ムラの少ない画像表示をすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２７】
（実施形態１）図１は実施形態１に係る有機ＥＬ素子１００の概略平面図である。
【００２８】
図２は図１中の切り出し線II−IIによって切り出された部分の概略断面図である。
【００２９】
有機ＥＬ素子１００は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板１１０と、ＴＦＴ基板１１０上に所定配列で（例えば、マトリクス状に）配設された複数の第１電極１２０と、複数の第１電極１２０をそれぞれに区画する壁状絶縁層１４０と、第１電極１２０のそれぞれの上に設けられた発光有機層１３０と、壁状絶縁層１４０の上に設けられた補助電極１５０と、壁状絶縁層１４０、補助電極１５０、及び発光有機層１３０の表面全体を被覆するように設けられ、補助電極１５０に電気的に接続された第２電極１６０とを備えている。第２電極１６０は発光有機層１３０の光を透過させる。尚、説明の便宜上、図１には、第２電極１６０は描画していない。
【００３０】
ＴＦＴ基板１１０は、絶縁基板１１１と、所定配列で配設された複数の第１電極１２０のそれぞれに接続されたＴＦＴ１１４と、ＴＦＴ１１４に電気的に接続されたソース電極１１２及びゲート電極１１３と、ＴＦＴ基板１１０の発光有機層１３０側表面を平坦にする平坦化膜１１５とを有する。
【００３１】
絶縁基板１１１は有機ＥＬ素子１００の機械的強度を担保でき、絶縁性を有するものであることが好ましい。例えば、絶縁基板１１１は、石英、ソーダガラス等のガラス、セラミックス等の無機材料、又は、ポリイミド、ポリエステル等の有機材料からなる基板により構成することができる。
【００３２】
ＴＦＴ１１４は、ゲート電極１１３と、ゲート電極１１３の上に設けられたゲート絶縁膜１１７と、ゲート絶縁膜１１７によりゲート電極１１３と絶縁された島状半導体１１８と、島状半導体１１８の周辺部分を覆うように中抜き形状に形成されたＴＦＴ電極１１９とを有する（ボトムゲート構造）。尚、本発明において、ＴＦＴはボトムゲート構造を有するのものに限定されない。ＴＦＴは、例えばトップゲート構造を有するものであってもよい。
【００３３】
第１電極１２０はＴＦＴ基板１１０の上に所定配列で（例えば、マトリクス状に）配設されている。第１電極１２０は、平坦化膜１１５に設けられた電気接続部（スルーホール）１２１を経由してＴＦＴ電極１１９に接続されている。第１電極１２０は、ＴＦＴ１１４から入力される信号に応じて、発光有機層１３０にホールを注入する。
【００３４】
第１電極１２０はゲート電極１１３、ソース電極１１２等と重畳しないように設けることが好ましい。第１電極１２０と電極１１２、１１３等が重畳する場合、大きな寄生容量が生じるため、表示品位が低下するためである。
【００３５】
第１電極１２０の材料としては、銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物などが挙げられる。
【００３６】
発光有機層１３０への高いホール注入効率を実現する観点から、第１電極１２０は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の高い仕事関数を有する材料により形成することがより好ましい。また、有機ＥＬ素子１００では、発光層１３０の発光は第２電極１６０を透過させて取り出されるため、第１電極１２０は光反射性であることが好ましい。言い換えれば、第１電極１２０を銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）等の光反射性を有する材料により形成することが好ましい。
【００３７】
第１電極１２０を、高い導電性と高い光反射率を有するアルミニウム（Ａｌ）等の金属層と、大きな仕事関数を有するインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の電極層とを含む多層構造としてもよい。この構成によれば、第１電極１２０の高い光反射率と高いホール注入効率とを同時に実現することができる。従って、より高輝度な有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
【００３８】
尚、本実施形態１に係る有機ＥＬ素子１００では、第１電極１２０の各々が矩形に構成されているが、第１電極１２０の各々は種々の形状（円形、楕円形等）に形成してもよい。
【００３９】
発光有機層１３０をインクジェット法やスピンコート法等の有機溶媒を用いた湿式塗布法により形成する場合は、第１電極１２０にＵＶ／Ｏ３処理等により、第１電極１２０の表面を親液化（インクになじむ性質を付与）しておくことが好ましい。これにより、第１電極１２０と発光有機層１３０を形成するためのインクとの親和性が向上するので、より均一な発光有機層１３０を形成することができる。よって、欠損の少ない有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
【００４０】
壁状絶縁層１４０は、所定配列で（マトリクス状に）配列された複数の第１電極１２０をそれぞれに区画するように格子状に設けられている。壁状絶縁層１４０は加熱による形状・特性等の変化が少ない材料により形成することが好ましい。壁状絶縁層１４０の材料としては、感光性ポリイミド、アクリル系樹脂、メタリル系樹脂、又は、ノボラック系樹脂等が挙げられる。
壁状絶縁層１４０は、感光性樹脂により形成することがより好ましい。壁状絶縁層１４０の材料として感光性樹脂を用いることによって、フォトリゾグラフィー工程による壁状絶縁層１４０のパターニングが可能となる。従って、壁状絶縁層１４０をエッチングや剥離プロセス等を行うことなく容易にパターニングできる。
【００４１】
発光有機層１３０を湿式塗布法（インクジェット法やスピンコート法等）により形成する場合は、壁状絶縁層１４０を有機溶媒（インク）をはじく性質（以下、「發液性」と称呼する。）を有する材料により形成することが好ましい。この構成によれば、湿式塗布法により発光有機層１３０を形成する場合においても、供給されたインクが壁状絶縁層１４０に付着することが抑制される。このため、均一な発光有機層１３０を形成することができる。
【００４２】
また、供給されるインク液滴の着弾位置がずれ、壁状絶縁層１４０の斜面部分にインク液滴が落ちた場合であっても、インク液滴は壁状絶縁層１４０の斜面部分を滑り落ち、所望の滴下位置にインクが配置される。このため、ムラの少ない発光有機層１３０を形成することができる。發液性を有する壁状絶縁層１４０の材料としては、ポリイミドやアクリル樹脂等の有機材料にフッ素やシリコン系の添加物をドープした材料が挙げられる。
【００４３】
尚、壁状絶縁層１４０を形成した後に、壁状絶縁層１４０に發液性を付与してもよい。發液性を付与する方法としては、例えば、酸素プラズマ処理、４フッ化炭素プラズマ処理等が挙げられる。
【００４４】
発光有機層１３０は格子状に形成された壁状絶縁層１４０によりそれぞれに区画された第１電極１２０の上に設けられている。発光有機層１３０はホール輸送層１３１と発光層１３２とを有する。但し、本発明はこの構成に限定されるものではない。すなわち、発光有機層１３０は発光層１３２のみからなるものであってもよい。発光有機層１３０を、発光層１３２と、ホール注入層、ホール輸送層１３１、電子輸送層、及び、電子注入層のうちのいずれか１種以上の層とにより構成してもよい。
【００４５】
ホール輸送層１３１は、第１電極１２０から注入されたホールを発光層１３２に輸送する。ホール輸送層１３１は高いホール輸送効率を有することが好ましい。高い輸送効率を有し、ホール輸送層１３１に好適な低分子材料としては、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクドリン化合物、スチルアミン化合物等が挙げられる。具体的に、芳香族第３級アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等が挙げられる。
【００４６】
ホール輸送層１３１に好適な高分子材料としては、ポリアニリン、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネート（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン誘導体）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。ホール輸送層１３１に好適な高分子材料前駆体としては、ポリ（Ｐ−フェニレンビニレン）前駆体、ポリ（Ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体等が挙げられる。
【００４７】
ホール輸送層１３１は単層構造に限定されない。ホール輸送層１３１は多層構造であってもよい。また、ホール輸送層１３１と発光層１３２との間にホール注入層をさらに設けてもよい。ホール注入層を設けることによって、発光層１３２へのホール注入効率を向上させることができる。従って、より高輝度な有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
【００４８】
第１電極１２０から注入されたホールと第２電極１６０から注入された電子とは発光層１３２において再結合され、発光層１３２中に励起子が形成される。励起子が基底状態へ失活する際に発光層１３２から光が出射される。
【００４９】
発光層１３２は、低分子発光材料を含むものであっても、高分子発光材料を含むものであってもよい。発光層１３２が低分子発光材料を含むものである場合は、真空蒸着法等の方法により成膜することができる。一方、発光層１３２が高分子発光材料を含むものである場合は、インクジェット法やスピンコート法等の湿式塗布法により成膜することができる。湿式塗布法によれば、高精度かつ大面積ＴＦＴ基板１１０を有する有機ＥＬ素子１００を少ない工程で安価に製造することができる。
【００５０】
発光層１３２の材料としては、ポリ（２−デシルオキシ−１、４−フェニレン）（ＤＯ−ＰＰＰ）、ポリ［２、５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１、４−フェニル−アルト−１、４−フェニレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ３＋）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１、４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等が挙げられる。
【００５１】
第２電極１６０は、補助電極１５０、発光有機層１３０、及び壁状絶縁層１４０の表面全体を覆うように面状に形成されている。第２電極１６０は発光有機層１３０に電子を注入する。第２電極１６０は発光層１３２の光を透過させるため、第２電極１６０が高い光透過率を有することが好ましい。光透過率が高く、第２電極１６０に好適な材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
【００５２】
発光有機層１３０への高い電子注入効率を実現する観点から、第２電極１６０を仕事関数の小さな材料により形成することが好ましい。仕事関数が小さい材料としてはカルシウム（Ｃａ）やアルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。また、第２電極１６０を小さな仕事関数を有するカルシウム（Ｃａ）やアルミニウム（Ａｌ）からなる金属層と、高い光透過率を有するインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等からなる透明電極層との積層により構成してもよい。この構成によれば、第２電極１６０の高い電子注入効率と、高い光透過率を同時に実現することができる。従って、より高輝度な有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
【００５３】
第２電極１６０は、金属等からなる極薄の薄膜により形成してもよい。
【００５４】
尚、本実施形態１において、第２電極１６０は発光有機層１３０の表面全体を被覆するように設けられるが、第２電極１６０を２つ以上の面状電極によって構成してもよい。
【００５５】
第２電極１６０は、その下に形成された補助電極１５０と電気的に接続されている。補助電極１５０は第２電極１６０と比べて低い電気抵抗を有する。このため、第２電極１６０の面抵抗を低下させることができる。従って、第２電極１６０が電圧降下することによる画像表示ムラの発生を効果的に抑制することができるので、均一な画像表示が可能な有機ＥＬ素子１００を実現することができる。また、補助電極１５０により第２電極１６０の面抵抗を低下させることができるため、駆動電圧の低い有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
【００５６】
補助電極１５０の材料としては低抵抗金属材料等が挙げられる。低抵抗金属材料の具体例としては、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等が挙げられる。
【００５７】
図１に示すように、本実施形態１では補助電極１５０は壁状絶縁層１４０の全体の上に設けられている。しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。
【００５８】
図３〜５は、補助電極１５０の形成例を示す概略平面図である。
【００５９】
図３、図４、及び図５に示すように、補助電極１５０が壁状絶縁層１４０の一部分に形成されていてもよい。また、図５に示すように、補助電極１５０が断片的に形成されていてもよい。図３〜５に示した構成によっても、第２電極１６０の面抵抗を低下することができるので、第２電極１６０の電圧降下の発生を抑制することができる。
【００６０】
補助電極１５０を壁状絶縁層１４０の一部分に形成する場合、補助電極１５０を形成しない壁状絶縁層１４０の部分を、補助電極１５０を形成する壁状絶縁層１４０の部分よりも幅狭に形成してもよい。言い換えれば、補助電極１５０が設けられた壁状絶縁層１４０の部分は補助電極１５０が設けられていない部分よりも幅広であってもよい。この構成によれば、有機ＥＬ素子１００のうち、画像表示領域に対する、壁状絶縁層１４０の占める面積、すなわち、非発光領域の面積の比をより小さくすることができる。従って、より開口率が高く、高輝度な有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
【００６１】
補助電極１５０が設けられている壁状絶縁層１４０の部分の幅は補助電極１５０が設けられていない壁状絶縁層１４０の部分の幅の２倍以上であることがより好ましい。壁状絶縁層１４０は、発光有機層１３０を形成する際に、隣接する発光有機層１３０が混じり合うことが抑制される。例えば、インクジェット法により発光有機層１３０を形成する場合、壁状絶縁層１４０の幅は、一般的に、インク液滴の着弾位置ずれが発生した場合であっても隣接する発光有機層１３０にインク液滴が混入しないような最低幅に設定されている。従って、補助電極１５０を形成する壁状絶縁層１４０の部分の幅を隣接する発光有機層１３０にインク液滴が混入しないような幅の２倍以上に設定することにより、発光有機層１３０を形成する際に、インク液滴の着弾位置ずれによって壁状絶縁層１４０の上の補助電極１５０がインクによって覆われてしまうことを抑止することができる。よって、補助電極１５０と第２電極１６０とが確実に電気的に接続された、製造容易な有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
【００６２】
有機ＥＬ素子１００が、それぞれ赤色（Ｒ）発光、緑色（Ｇ）発光、青色（Ｂ）発光である副画素（絵素）を有するカラー有機ＥＬ素子である場合は、壁状絶縁層１４０のうち、発光色が赤色（Ｒ）である副画素、緑色（Ｇ）である副画素、及び青色（Ｂ）である副画素により構成される画素を各々に区画する部分の上にのみ補助電極１５０を設けてもよい。
【００６３】
尚、本明細書において、画素は２つ以上の副画素を含むものであり、相互に発光色の異なる３つの副画素で構成されているものに限定されるものではない。ひとつの画素に含まれる２つ以上の副画素のそれぞれは同一の発光色を有するものであってもよい。また、ひとつの画素に含まれる２つ以上の副画素のそれぞれは相互に異なる発光色を有するものであってもよい。例えば、各々発光色が赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、白色（Ｗ）である４つによってひとつの画素を構成してもよい。副画素とはひとつの発光有機層１３０によって構成されるものである。
【００６４】
図６は、壁状絶縁層１４０のうち、画素を各々に区画する部分の上に補助電極１５０を設けた場合の有機ＥＬ素子１００の概略断面図である。
【００６５】
図６に示した構成では、発光色が赤色（Ｒ）である発光有機層１３０Ｒと、発光色が緑色（Ｇ）である発光有機層１３０Ｇと、発光色が青色（Ｂ）である発光有機層１３０Ｂとにより各々の画素が構成されている。そして、画素を各々に区画する部分、すなわち、発光有機層１３０Ｒと発光有機層１３０Ｂとの間に設けられた壁状絶縁層１４０ａの上にのみ補助電極１５０が設けられている。発光有機層１３０Ｒと発光有機層１３０Ｇとの間に設けられた壁状絶縁層１４０ｂ、及び発光有機層１３０Ｇと発光有機層１３０Ｂとの間に設けられた壁状絶縁層１４０ｂには補助電極１５０が設けられていない。補助電極１５０を壁状絶縁層１４０の全体に形成した場合は、補助電極１５０を形成しない場合と比べると、プロセス的に制約を受けることが多く、壁状絶縁層１４０の幅を広げることを余儀なくされることがあり、画素ひとつあたりの発光面積が小さくなる場合がある。しかしながら、この構成によれば、画素ひとつあたりの発光面積が小さくなることを必要最小限に抑えることができる。よって、高輝度な有機ＥＬ素子１００を実現することができる。尚、図６に示した構成によっても、補助電極１５０による第２電極１６０の面抵抗を低減する効果が得られる。
【００６６】
補助電極１５０を発光面積が最も小さい発光有機層１３０に隣接する壁状絶縁層１４０の部分の上に設けてもよい。具体的には、発光有機層１３０Ｇと発光有機層１３０Ｒとの間に設けられた壁状絶縁層１４０の部分の上に補助電極１５０を設けてもよい。尚、発光効率、色度、寿命特性の相互関係を考慮した場合、発光有機層１３０Ｇが最も小さい発光面積になり、次に発光有機層１３０Ｒが小さな発光面積になる。
【００６７】
図７は発光有機層１３０Ｇと発光有機層１３０Ｒとの間に設けられた壁状絶縁層１４０ａの上に補助電極１５０を設けた場合の有機ＥＬ素子１００の概略断面図である。
【００６８】
一般的に、発光材料のうち発光色が緑色（Ｇ）である発光材料が最も発光効率が高く、発光色が赤色（Ｒ）である発光材料が最も発光輝度が低い。発光色が青色（Ｂ）である発光材料は発光色が緑色（Ｇ）である発光材料の発光輝度と発光色が赤（Ｒ）である発光材料の発光輝度との間の発光輝度を有する。このため、赤色（Ｒ）の発光材料を含む発光有機層１３０Ｒ、緑色（Ｇ）の発光材料を含む発光有機層１３０Ｇ、青色（Ｂ）の発光材料を含む発光有機層１３０Ｂのそれぞれが同じ発光面積を有する有機ＥＬ素子では、すべての発光有機層１３０を同一輝度で発光させる場合、発光有機層１３０Ｒに他の発光有機層１３０Ｇ、１３０Ｂよりも大きな電流を流す必要がある。一方、素子寿命に関しては、発光有機層１３０Ｂが最も輝度減衰率が速い。このため、経時的に色バランスが変化し、表示画像に色ずれが発生する。
【００６９】
そこで、発光有機層１３０Ｂを最も大きな発光面積とし、発光有機層１３０Ｇを最も小さな発光面積とすることによって、発光有機層１３０Ｒ，１３０Ｇに対する発光有機層１３０Ｂの相対的劣化速度を低減することができる。言い換えれば、発光有機層１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂの各々の輝度減衰速度を略同一にすることができる。このため、表示画像の色バランスが経時的に変化しにくく、製品寿命の長い有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
発光有機層１３０Ｂを最も大きな発光面積とし、発光有機層１３０Ｇを最も小さな発光面積とした場合、ＴＦＴ基板１１０の設計上の制約から、発光面積の小さな発光有機層１３０Ｇと発光有機層１３０Ｒとの間の非発光領域が相対的に幅広になることがある。そこで、発光有機層１３０Ｇと発光有機層１３０Ｒとの間の幅の広い非発光領域に幅広の壁状絶縁層１４０を形成し、その上に補助電極１５０を形成することによって、開口率をほとんど犠牲にすることなく補助電極１５０を設けることができる。よって、この構成によれば、表示画像の色バランスが経時的に変化しにくく、製品寿命が長く、かつ、開口率が高い、高輝度な有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
【００７０】
以下、有機ＥＬ素子１００の製造方法について説明する。
【００７１】
図８は有機ＥＬ素子１００の製造工程の一部を表すフォローチャートである。
【００７２】
まず、絶縁基板１１１の上にソース電極１１２、ゲート電極１１３、ＴＦＴ１１４、及び平坦化膜１１５を形成する。ソース電極１１２、ゲート電極１１３、ＴＦＴ１１４、及び平坦化膜１１５の成膜方法及びパターニング方法は限定されない。平坦化膜１１５の上に、アルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料を、スパッタ法等により成膜する。成膜した導電膜をフォトリゾグラフィー技術等により所望の形状にパターニングすることにより第１電極１２０を形成する（ステップ１）。発光有機層１３０を湿式塗布法（インクジェット法、スピンコート法等）により形成する場合は、ＵＶ／Ｏ３処理等により、第１電極１２０の表面を親液化（インクジェット法等に用いる有機溶媒に馴染みやすく）しておくことが好ましい（ステップ２）。親液化しておくことによって、第１電極１２０と発光有機層１３０との親和性が向上し、より均一な発光有機層１３０を形成することができる。従って、欠損の少ない有機ＥＬ素子１００を実現することができる。
【００７３】
第１電極１２０を形成したＴＦＴ基板１１０上に、壁状絶縁層１４０を形成する（ステップ３）。壁状絶縁層１４０は、例えば以下に示す方法により形成することができる。まず、スピンコート法等を用いて、感光性ポリイミド等からなる薄膜を成膜する。形成したポリイミド等の薄膜を、フォトレジスト塗布、プリベーク、露光、現像、ポストベーク、エッチング、及び、フォトレジスト剥離という一連のフォトレジスト工程により所望の形状にパターニングすることにより壁状絶縁層１４０を形成することができる。発光有機層１３０をインクジェット法やスピンコート法等の有機溶媒を用いた湿式塗布法により形成する場合は、例えば、壁状絶縁層１４０をフッ素やシリコン系の添加物をドープした、發液性を有する材料により形成することが好ましい。壁状絶縁層１４０を發液性材料により形成するかわりに、壁状絶縁層１４０の表面を發液化する処理（発光有機層１３０の材料を含んだ液体（インク）をはじく性質を付与する処理）を行ってもよい。發液化処理としては、酸素プラズマ処理、４フッ化炭素プラズマ処理等が挙げられる。このように壁状絶縁層１４０の表面を發液性にしておくことによって、発光有機層１３０の材料を含んだインク液滴の着弾位置ずれを効果的に防止することができる。
【００７４】
壁状絶縁層１４０の上に補助電極１５０を形成する。補助電極１５０は、例えば、スパッタ法等により形成することができる。壁状絶縁層１４０によりマトリクス状に区画されたそれぞれの第１電極１２０上に、湿式塗布法（インクジェット法、スピンコート法等）を用いて、ホール輸送層１３１及び発光層１３２をそれぞれ成膜することにより、発光有機層１３０を形成する。発光有機層１３０をインクジェット法やスピンコート法等の湿式塗布法を用いて形成することにより、比較的少ない製造工程で安価に発光有機層１３０を形成することができる。
【００７５】
湿式塗布法を用いて発光有機層１３０を形成する場合、具体的には発光有機層１３０の原料を含むインクを塗布する工程（ステップ４）及び塗布したインクを乾燥させる工程（ステップ５）を行う。以下、詳細に発光有機層１３０の形成工程を説明する。まず、ホール輸送層１３１の原料を含むインクを第１電極１２０上に塗布する（ステップ４）。塗布したインクを乾燥させることによってホール輸送層１３１を形成する（ステップ５）。次に、ホール輸送層１３１の上に、発光層１３２の原料を含むインクを塗布する（ステップ４）。塗布したインクを乾燥させることによって発光層１３２を形成する（ステップ５）。
【００７６】
発光有機層１３０の表面全体を被覆するように第２電極１６０を形成する。第２電極１６０はスパッタ法等により形成することができる。
【００７７】
図９は有機ＥＬ素子１００を備えた有機ＥＬ表示装置Ｄの模式図である。
【００７８】
上述のように、有機ＥＬ素子１００は、高輝度かつ輝度ムラの少ない画像表示が可能であり、少ない製造工程により安価に製造することができるものである。従って、有機ＥＬ素子１００を用いた有機ＥＬ表示装置Ｄもまた、高輝度かつ輝度ムラの少ない画像表示が可能であり、少ない製造工程により安価に製造することができる。
【００７９】
（実施形態２）
実施形態２に係る有機ＥＬ素子２００は、補助電極のパターン及び画素の構成を除いては実施形態１に係る有機ＥＬ素子１００と同様の構成を有する。ここでは、実施形態２に係る有機ＥＬ素子２００の補助電極パターン及び画素Ｐの構成について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００８０】
図１０は本実施形態２に係る有機ＥＬ素子２００の構成を表す平面図である。
【００８１】
有機ＥＬ素子２００は、発光色が青色（Ｂ）の発光有機層２３０Ｂと、発光色が赤色（Ｒ）の発光有機層２３０Ｒと、発光色が緑色（Ｇ）の発光有機層２３０Ｇとを有する。発光有機層２３０Ｂ、２３０Ｒ、２３０Ｇ中、発光有機層２３０Ｂの発光面積が最も大きく、発光有機層２３０Ｇの発光面積が最も小さい。発光有機層２３０Ｒの発光面積は発光有機層２３０Ｂの発光面積よりも小さく、発光有機層２３０Ｇの発光面積よりも大きい。例えば、各色の発光材料の特性等を考慮した上で、発光有機層６３０Ｇの発光面積ＳＧ、発光有機層６３０Ｒの発光面積ＳＲ、発光有機層６３０Ｂの発光面積ＳＢの比、ＳＧ：ＳＲ：ＳＢを１：２：１０とすることができる。
【００８２】
上述のように、一般的に、発光材料のうち発光色が緑色（Ｇ）である発光材料が最も発光効率が高く、発光色が赤色（Ｒ）である発光材料が最も発光輝度が低い。また、素子寿命に関しては、発光有機層２３０Ｂが最も輝度減衰率が速い。このため、経時的に色バランスが変化し、表示画像に色ずれが発生する。
【００８３】
本実施形態２に係る有機ＥＬ素子２００のように、発光色によって発光有機層２３０の発光寿命（輝度減衰速度）及び発光効率が異なることを考慮して、本実施形態２に係る有機ＥＬ素子２００のように発光有機層２３０Ｂ、２３０Ｒ、２３０Ｇのそれぞれの発光面積を異ならしめることによって、経時的な色バランスの変化が抑制され、製品寿命の長い有機ＥＬ素子２００を実現することができる。特に、各色の発光材料の特性を考慮すると、本実施形態３のように、発光有機層２３０Ｂの発光面積を最大とし、発光有機層２３０Ｇの発光面積を最小とすることが好ましい。
【００８４】
有機ＥＬ素子２００では、各々の画素Ｐが、発光有機層２３０Ｂ、２３０Ｒ、２３０Ｇを各々ひとつずつ備えている。ひとつの画素Ｐ内において、発光有機層２３０Ｂは発光有機層２３０Ｒ及び発光有機層２３０Ｇに隣接しており、発光有機層２３０Ｇは発光有機層２３０Ｒ及び発光有機層２３０Ｂに隣接している。言い換えれば、発光有機層２３０Ｂ、２３０Ｒ、２３０Ｇが略デルタ配列されている。本明細書において、「略デルタ配列」とは３つの発光領域の重心が三角形を形成する配列をいう。
【００８５】
図１０に示す有機ＥＬ素子２００の場合、ＴＦＴ基板の設計上の制約（特にスルーホールの位置的制約）から、発光面積が最も小さい発光有機層２３０Ｇの周辺に相対的に幅広の間隔が生じることがある。具体的には、発光有機層２３０Ｂと発光有機層２３０Ｒ及び２３０Ｇとの間に相対的に幅広の間隔が生じることがある。本実施形態２に係る有機ＥＬ素子２００では、その幅広部分に設ける壁状絶縁層の幅を他の部分と比べて相対的に広くしている。そして、その壁状絶縁層の幅広部分に補助電極２５０を設けている。このような構成にすることによって、開口率をほとんど低下させることなく、補助電極２５０を設けることができる。従って、高輝度であり、表示ムラの少ない有機ＥＬ素子２００を実現することができる。
【００８６】
（実施形態３）
実施形態３に係る有機ＥＬ素子３００は、補助電極のパターン及び画素の構成を除いては実施形態１に係る有機ＥＬ素子１００と同様の構成を有する。ここでは、実施形態３に係る有機ＥＬ素子３００の補助電極パターン及び画素Ｐの構成について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００８７】
図１１は本実施形態３に係る有機ＥＬ素子３００の構成を表す平面図である。
【００８８】
有機ＥＬ素子３００は、発光色が青色（Ｂ）の発光有機層３３０Ｂと、発光色が赤色（Ｒ）の発光有機層３３０Ｒと、発光色が緑色（Ｇ）の発光有機層３３０Ｇとを有する。発光有機層３３０Ｂ、３３０Ｒ、３３０Ｇ中、発光有機層３３０Ｂの発光面積が最も大きく、発光有機層３３０Ｇの発光面積が最も小さい。発光有機層３３０Ｒの発光面積は発光有機層３３０Ｂの発光面積よりも小さく、発光有機層３３０Ｇの発光面積よりも大きい。このため、本実施形態３に係る有機ＥＬ素子３００は経時的な色バランスの変化が少なく、長い製品寿命を有する。
【００８９】
有機ＥＬ素子３００では、各々の画素Ｐが、発光有機層３３０Ｂ、３３０Ｒ、３３０Ｇを各々ひとつずつ備えている。ひとつの画素Ｐ内において、発光有機層３３０Ｂ、３３０Ｒ、３３０Ｇが略デルタ配列されている
図１１に示す有機ＥＬ素子３００の場合、ＴＦＴ基板の設計上の制約（特にスルーホールの位置的制約）から、発光面積が最も小さい発光有機層３３０Ｇの周辺に相対的に幅広の間隔が生じることがある。本実施形態３に係る有機ＥＬ素子３００では、発光有機層３３０Ｇと発光有機層３３０Ｒとの間、及び発光有機層３３０Ｇと発光有機層３３０Ｂとの間に補助電極３５０が設けられている。このような構成にすることによって、開口率をほとんど低下させることなく、補助電極３５０を設けることができる。従って、高輝度であり、表示ムラの少ない有機ＥＬ素子３００を実現することができる。
【００９０】
尚、本実施形態３では、複数の補助電極３５０が断片的に形成されているが、この場合であっても第２電極（上部共通電極）の面抵抗を低下させる効果が得られる。
【００９１】
（実施形態４）
実施形態４に係る有機ＥＬ素子４００は、補助電極のパターン及び画素の構成を除いては実施形態１に係る有機ＥＬ素子１００と同様の構成を有する。ここでは、実施形態４に係る有機ＥＬ素子４００の補助電極パターン及び画素Ｐの構成について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００９２】
図１２は本実施形態４に係る有機ＥＬ素子４００の構成を表す平面図である。
【００９３】
有機ＥＬ素子４００は、発光色が青色（Ｂ）の発光有機層４３０Ｂと、発光色が赤色（Ｒ）の発光有機層４３０Ｒと、発光色が緑色（Ｇ）の発光有機層４３０Ｇとを有する。発光有機層４３０Ｂ、４３０Ｒ、４３０Ｇ中、発光有機層４３０Ｂの発光面積が最も大きく、発光有機層４３０Ｇの発光面積が最も小さい。発光有機層４３０Ｒの発光面積は発光有機層４３０Ｂの発光面積よりも小さく、発光有機層４３０Ｇの発光面積よりも大きい。このため、本実施形態４に係る有機ＥＬ素子４００は経時的な色バランスの変化が少なく、長い製品寿命を有する。
【００９４】
有機ＥＬ素子４００では、各々の画素Ｐが、発光有機層４３０Ｂ、４３０Ｒ、４３０Ｇを各々ひとつずつ備えている。ひとつの画素Ｐ内において、発光有機層４３０Ｂ、４３０Ｒ、４３０Ｇがストライプ配列されている。具体的には、それぞれ細長形状に形成された発光有機層４３０Ｂ、４３０Ｒ、４３０Ｇが相互に並行に配列されている。
【００９５】
図１２に示す有機ＥＬ素子４００の場合、ＴＦＴ基板の設計上の制約（特にスルーホールの位置的制約）から、発光面積が最も小さい発光有機層４３０Ｇの周辺に相対的に幅広の間隔が生じることがある。具体的には、発光有機層４３０Ｇと発光有機層４３０Ｒとの間に相対的に幅広の間隔が生じることがある。本実施形態４に係る有機ＥＬ素子４００では、その幅広部分に設ける壁状絶縁層の幅を他の部分と比べて相対的に広くしている。そして、その壁状絶縁層の幅広部分に補助電極４５０を設けている。このような構成にすることによって、開口率をほとんど低下させることなく、補助電極４５０を設けることができる。従って、高輝度であり、表示ムラの少ない有機ＥＬ素子４００を実現することができる。
【００９６】
以上、実施形態１〜４として補助電極の種々のパターンについて説明したが、これらは一例であって、本発明は何らこれらの構成に限定されるものではない。
【００９７】
（実施形態５）図１３は実施形態５に係る有機ＥＬ素子５００の概略断面図である。
【００９８】
本実施形態５に係る有機ＥＬ素子５００は、実施形態１に係る有機ＥＬ素子１００の補助電極１５０と第２電極１６０との間にさらに發液層が設けられた構成となっている。
【００９９】
具体的には、有機ＥＬ素子５００は、ＴＦＴ基板５１０と、ＴＦＴ基板５１０上に所定配列で（例えば、マトリクス状に）配設された複数の第１電極５２０と、複数の第１電極５２０をそれぞれに区画する壁状絶縁層５４０と、第１電極５２０のそれぞれの上に設けられた発光有機層５３０と、壁状絶縁層５４０の上に設けられた補助電極５５０と、補助電極５５０を被覆する發液層５７０と、發液層５７０、壁状絶縁層５４０、及び発光有機層５３０の表面全体を被覆するように設けられ、スルーホール５７１を経由して補助電極５５０に電気的に接続された第２電極５６０とを備えている。発光有機層５３０はホール輸送層５３１と発光層５３２とを有する。第２電極５６０は発光層５３２の光を透過させる。
【０１００】
ＴＦＴ基板５１０は、絶縁基板５１１と、所定配列で配設された複数の第１電極５２０のそれぞれに接続されたＴＦＴ５１４と、ＴＦＴ５１４に電気的に接続されたソース電極５１２及びゲート電極５１３と、ＴＦＴ基板５１０の発光有機層５３０側を平坦にする平坦化膜５１５とを有する。
【０１０１】
發液層５７０は發液性を有する。このため、例えば、インクジェット法により発光有機層５３０を形成する際に、インク液滴の着弾ずれが起こり、發液層５７０の上にインク液滴が着弾した場合であっても、所望の位置に滑り落ちる。よって、インク液滴が發液層５７０の上に残留することが抑止される。従って、本実施形態５では、補助電極５５０と第２電極５６０との確実な電気的接続を確保することができる。
【０１０２】
發液層５７０の材料としては、例えばフッ素やシリコン系の材料をドープしたポリイミド樹脂等が挙げられる。
【０１０３】
また、スピンコート法等を用いて、發液性を有さない膜を形成した後、その膜に發液処理を行うことによって發液性の發液層５７０を形成してもよい。發液処理としては、例えば酸素プラズマ処理、４フッ素プラズマ処理等が挙げられる。酸素プラズマ処理と４フッ素プラズマ処理とを併用してもよい。
【０１０４】
先に形成した補助電極５５０の表面に酸素プラズマ処理、４フッ素プラズマ処理等の發液処理を施すことにより補助電極５５０の表層に發液層５７０を形成してもよい。
【０１０５】
尚、發液層５７０を単分子層としてもよい。単分子層は非常に薄く、電気導電性を有する。このため、単分子層により發液層５７０を構成した場合は、發液層５７０にスルーホール５７１を設けることなく、補助電極５５０と第２電極５６０とを電気的に接続をすることができる。従って、より製造が容易な有機ＥＬ素子５００を実現することができる。
【０１０６】
尚、単分子層の材料としてはステアリン酸等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】実施形態１に係る有機ＥＬ素子の概略平面図である。
【図２】図１中の切り出し線II−IIによって切り出された部分の概略断面図である。
【図３】補助電極の形成例を示す概略平面図である。
【図４】補助電極の形成例を示す概略平面図である。
【図５】補助電極の形成例を示す概略平面図である。
【図６】壁状絶縁層のうち、画素を各々に区画する部分の上に補助電極を設けた場合の有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【図７】発光有機層と発光有機層との間に設けられた壁状絶縁層の上に補助電極を設けた場合の有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【図８】有機ＥＬ素子の製造工程の一部を表すフォローチャートである。
【図９】有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置Ｄの模式図である。
【図１０】本実施形態２に係る有機ＥＬ素子の構成を表す平面図である。
【図１１】本実施形態３に係る有機ＥＬ素子の構成を表す平面図である。
【図１２】本実施形態４に係る有機ＥＬ素子の構成を表す平面図である。
【図１３】実施形態５に係る有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【図１４】従来の有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１００、２００、３００、４００、５００、６００      有機ＥＬ素子 
１１０、５１０      ＴＦＴ基板 
１１１、５１１      絶縁基板 
１１２、５１２      ソース電極 
１１３、５１３      ゲート電極 
１１４、５１４      ＴＦＴ 
１１５、５１５      平坦化膜 
１１７      ゲート絶縁膜 
１１８      島状半導体 
１１９      ＴＦＴ電極 
１２０、５２０、６２０      第１電極 
１３０、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０      発光有機層 
１３１、５３１、６３１      ホール輸送層 
１３２、５３２、６３２      発光層 
１４０、５４０、６４０      壁状絶縁層 
１５０、２５０、３５０、４５０、５５０、６５０      補助電極 
１６０、５６０      第２電極 
５７０      發液層 
５７１、６８０      スルーホール
【図１】
2008153237.tif 000003
【図２】
2008153237.tif 000004
【図３】
2008153237.tif 000005
【図４】
2008153237.tif 000006
【図５】
2008153237.tif 000007
【図６】
2008153237.tif 000008
【図７】
2008153237.tif 000009
【図８】
2008153237.tif 000010
【図９】
2008153237.tif 000011
【図１０】
2008153237.tif 000012
【図１１】
2008153237.tif 000013
【図１２】
2008153237.tif 000014
【図１３】
2008153237.tif 000015
【図１４】
2008153237.tif 000016