(57)【要約】【課題】半導体装置の配置をウエハー状で製造された際の行列配置を維持した状態、あるいは、集合基板状で製造された際の行列配置を維持した状態でも、検査動作対象となる半導体装置以外の半導体装置の外部電極に接触することなく、高周波特性の検査が可能な半導体装置の検査装置を提供することを目的とする。【解決手段】検査回路基板９に真空吸引孔１２を設け、真空吸引孔１２から空気を吸引して検査回路基板９と検査装置１間を減圧することにより、締結要素を用いずに検査回路基板９と検査装置１間とを固定することができるため、半導体装置２の配置をウエハー状で製造された際の行列配置を維持した状態、あるいは、集合基板状で製造された際の行列配置を維持した状態でも、検査動作対象となる半導体装置以外の半導体装置の外部電極に接触することなく、高周波特性の検査が可能となる。【選択図】図１
2008008726.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列配置された複数の半導体装置を検査する半導体装置の検査装置であって、
前記半導体装置の外部電極と１対１で対応して接続する第１の導電性接触子と、
前記第１の導電性接触子を保持する保持部材と、
一方の端部が前記第１の導電性接触子と１対１で対応して接続する複数の導電パターンを絶縁性シートに形成して成る第２の導電性接触子と、
前記第２の導電性接触子における他方の端子と１対１で対応して接続する複数のランド電極を備えて測定装置と接続される検査回路基板と、
前記検査回路基板に設けられた真空吸引孔と、
前記保持部材と前記検査回路基板の間における前記第２の導電性接触子が形成された領域の気密性を維持するために前記保持部材と前記検査回路基板の間に設けられる弾性材料と
を有し、前記真空吸引孔から前記第２の導電性接触子が形成された領域を減圧することにより前記保持部材を前記検査回路基板に固定した状態で前記測定装置により検査を行うことを特徴とする半導体装置の検査装置。
【請求項２】
前記検査回路基板に固定した状態で前記保持部材が測定対象となる前記半導体装置に隣接する前記半導体装置の前記外部電極に不干渉な外形寸法であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の検査装置。
【請求項３】
前記保持部および前記第２の導電性接触子から成る検査部が前記検査回路基板上に複数固定されることにより、複数の前記半導体装置を同時に検査することが可能となることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の検査装置。
【請求項４】
複数の前記検査部を同一の前記絶縁性シートおよび同一の保護部材上に一体的に形成することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の検査装置。
【請求項５】
前記第１の導電性接触子がスプリングプローブ方式の接触子であることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載の半導体装置の検査装置。
【請求項６】
前記第１の導電性接触子が異方性導電シート方式の接触子であることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載の半導体装置の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の電気的特性を測定するために、半導体装置の外部電極と測定装置を電気的に接続する半導体装置の検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の電気的特性検査を行う際、一般的に、半導体装置の外部電極を測定装置に電気的に接続して検査を行う半導体装置の検査装置が用いられる。また、携帯電話などの高周波機器に使用可能で良好な高周波特性を有する半導体装置が求められており、その半導体装置の検査装置として、高周波特性を保証するため極力短い導電性接触子を有する半導体装置の検査装置が必要とされている。
【０００３】
以下、従来の半導体装置の検査装置について図５，図６，図７，図８を用いて説明する。
図５は半導体装置の検査装置に用いるスプリングプローブ方式の導電性接触子の概略図、図６は従来の異方性導電シート方式の導電性接触子を用いた半導体装置の検査装置の概略図、図７は従来の異方性導電シート方式の導電性接触子を用いた半導体装置の検査装置による検査状態を説明する概略図、図８は従来のスプリングプローブ方式の導電性接触子を用いた半導体装置の検査装置による検査状態を説明する概略図である。
【０００４】
従来における検査装置の一つとして、図５に示すスプリングプローブ方式の導電性接触子４０１を用いた検査装置がある。
このスプリングプローブ方式の導電性接触子４０１は、筒体４０３の内部に、コイル状の圧縮ばね４０４と一方のプランジャ４０５と他方のプランジャ４０６とを備えたものである。一方のプランジャ４０５の先端部は筒体４０３から上方へ出退自在に突出し、他方のプランジャ４０６の先端部は筒体４０３から下方へ出退自在に突出している。また、圧縮ばね４０４は、一方のプランジャ４０５と他方のプランジャ４０６との間に配置され、両プランジャ４０５，４０６を突出方向へ付勢している。
【０００５】
圧縮ばね４０４の伸縮によって、一方のプランジャ４０５が半導体装置４０７の外部電極４０８に押し当てられるとともに、他方のプランジャ４０６が測定装置４０９に接続された検査回路基板４１０のパターン電極４１１に押し当てられることで、外部電極４０８とパターン電極４１１とは両プランジャ４０５，４０６および筒体４０３を介して電気的に接続される（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
さらに、検査装置の他の一つとして、図６に示す異方性導電シート方式の導電性接触子を用いた検査装置がある。
この異方性導電シート方式の導電性接触子を用いた検査装置は、半導体装置５０２の外部電極５０３と測定装置に接続された検査回路基板５０４のパターン電極５０５との間を電気的に接続する導電性接触子群５０６において、測定装置に接続された検査回路基板５０４側に配置され、絶縁性弾性体からなるシート部材５０７と、シート部材５０７の内部に設けられ、少なくとも一部がシート部材５０７を貫通するように電気的導通を得るため分散配置された導電性金属５０８とからなる第一の導電性接触子５０９と、第一の導電性接触子５０９上に配置され、絶縁性を有するメッシュシートまたは多孔性シート５１０に、半導体装置５０２の外部電極５０３に対応し、表裏間に導通がある導電性パターン５１１が形成された第二の導電性接触子５１２からなり、半導体装置５０２を第二の導電性接触子５１２，第一の導電性接触子５０９を介して検査回路基板５０４に押し付けることにより、第二の導電性接触子５１２の導電性パターン５１１，第一の導電性接触子５０９の導電性金属線５０８を介して、半導体装置５０２の外部電極５０３と、検査回路基板５０４のパターン電極５０５とが電気的に接続されて検査される（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
近年、半導体装置の小型化のため、ウェハーレベルでチップ上のパッド電極から外部電極までを再配線するチップサイズパッケージが開発されている。また、半導体装置のコストダウンのため、封止樹脂形の半導体装置において、複数の半導体装置を一括して樹脂モールドする一括モールドを行った後、ダイシングして個片化する工法が開発されている。
こうした工法を採用した半導体装置の検査は、半導体装置の配置をウエハー状で製造された際の行列配置を維持した状態、あるいは、集合基板状で製造された際の行列配置に維持した状態で実施される。
【特許文献１】特開２００１−２０８７９３号公報
【特許文献２】特開２００２−３２４６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前記のような検査装置で、半導体装置の配置をウエハー状で製造された際の行列配置を維持した状態、あるいは、集合基板状で製造された際の行列配置に維持した状態で検査するには、下記のような課題がある。
【０００９】
図７に示すように、従来の異方向性導電シート方式導電性接触子を用いた検査装置６０１では、検査装置６０１を検査回路基板６０２にボルトなどの締結要素６０３で導電性接触子群６０４を検査回路基板とで挟み込むように締結して固定する構成となっている。締結要素６０３は検査装置６０１内に収容されているので、検査装置６０１の外形寸法は半導体装置６０５の外形寸法より大きくなり、検査動作対象である半導体装置６０５以外の半導体装置６０５ａの外部電極６０６ａに対し検査装置６０１の一部が接触してダメージを与える。このため、半導体装置６０５を単体で検査するか、あるいは、隣接する半導体装置６０５ａ間の間隔が広くなるように再配置して検査しなければならず、半導体装置の配置をウエハー状で製造された際の行列配置を維持した状態、あるいは、集合基板状で製造された際の行列配置に維持した状態で検査することは困難であった。
【００１０】
このため、図８に示すように、従来のスプリングプローブ方式の導電性接触子７０２を用いた検査装置７０１では、検査装置７０１の半導体装置７０３に相対する面において、スプリングプローブ方式の導電性接触子７０２が搭載され、かつ検査される半導体装置７０３の外形が投影された範囲外の領域を半導体装置から遠ざける方向に検査装置を薄くした構造とすることで、検査動作対象である半導体装置７０３以外の半導体装置７０３ａの外部電極７０４ａに接触せずに検査が出来る。
【００１１】
しかしながら、導電性接触子７０２の全長が、検査装置７０１を測定装置に接続された検査回路基板７０５に固定するために用いるボルトなどの締結要素７０６の、検査回路基板７０５から検査装置側に突出している部位の長さ以上となり、その製造上の限界から２ｍｍ以下に短くすることが不可能であるので、導電性接触子７０２の自己インダクタンス成分が大きくなり、伝送経路の低損失化が阻害され高周波特性の検査を行うことが難しくなるといった問題がある。
【００１２】
本発明は、半導体装置の配置をウエハー状で製造された際の行列配置を維持した状態、あるいは、集合基板状で製造された際の行列配置を維持した状態でも、検査動作対象となる半導体装置以外の半導体装置の外部電極に接触することなく、高周波特性の検査が可能な半導体装置の検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために請求項１記載の半導体装置の検査装置は、行列配置された複数の半導体装置を検査する半導体装置の検査装置であって、前記半導体装置の外部電極と１対１で対応して接続する第１の導電性接触子と、前記第１の導電性接触子を保持する保持部材と、一方の端部が前記第１の導電性接触子と１対１で対応して接続する複数の導電パターンを絶縁性シートに形成して成る第２の導電性接触子と、前記第２の導電性接触子における他方の端子と１対１で対応して接続する複数のランド電極を備えて測定装置と接続される検査回路基板と、前記検査回路基板に設けられた真空吸引孔と、前記保持部材と前記検査回路基板の間における前記第２の導電性接触子が形成された領域の気密性を維持するために前記保持部材と前記検査回路基板の間に設けられる弾性材料とを有し、前記真空吸引孔から前記第２の導電性接触子が形成された領域を減圧することにより前記保持部材を前記検査回路基板に固定した状態で前記測定装置により検査を行うことを特徴とする。
【００１４】
請求項２記載の半導体装置の検査装置は、請求項１記載の半導体装置の検査装置において、前記検査回路基板に固定した状態で前記保持部材が測定対象となる前記半導体装置に隣接する前記半導体装置の前記外部電極に不干渉な外形寸法であることを特徴とする。
【００１５】
請求項３記載の半導体装置の検査装置は、請求項２記載の半導体装置の検査装置において、前記保持部および前記第２の導電性接触子から成る検査部が前記検査回路基板上に複数固定されることにより、複数の前記半導体装置を同時に検査することが可能となることを特徴とする。
【００１６】
請求項４記載の半導体装置の検査装置は、請求項３記載の半導体装置の検査装置において、複数の前記検査部を同一の前記絶縁性シートおよび同一の保護部材上に一体的に形成することを特徴とする。
【００１７】
請求項５記載の半導体装置の検査装置は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載の半導体装置の検査装置において、前記第１の導電性接触子がスプリングプローブ方式の接触子であることを特徴とする。
【００１８】
請求項６記載の半導体装置の検査装置は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載の半導体装置の検査装置において、前記第１の導電性接触子が異方性導電シート方式の接触子であることを特徴とする。
【００１９】
以上により、半導体装置の配置をウエハー状で製造された際の行列配置を維持した状態、あるいは、集合基板状で製造された際の行列配置を維持した状態でも、検査動作対象となる半導体装置以外の半導体装置の外部電極に接触することなく、高周波特性の検査が可能となる。
【発明の効果】
【００２０】
以上のように、検査回路基板に真空吸引孔を設け、検査回路基板に検査装置を装着する際に、検査回路基板と検査装置間の機密性を高めた状態で真空吸引孔から空気を吸引して検査回路基板と検査装置間を減圧することにより、締結要素を用いずに検査回路基板と検査装置間とを固定することができるため、半導体装置の配置をウエハー状で製造された際の行列配置を維持した状態、あるいは、集合基板状で製造された際の行列配置を維持した状態でも、検査動作対象となる半導体装置以外の半導体装置の外部電極に接触することなく、高周波特性の検査が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明における実施の形態を図面に基づいて説明する。
まず、図１，図２を用いて本発明の第１の実施形態における半導体装置の検査装置を説明する。
【００２２】
図１（ａ）は第１の実施の形態における半導体装置の検査装置の断面図、図１（ｂ）は第１の実施の形態における半導体装置の検査装置の構成を示す分解斜視図、図２（ａ）は第１の実施の形態におけるスプリングプローブ方式を採用した半導体装置の検査装置の断面図、図２（ｂ）は第１の実施の形態における弾性材料を用いない半導体装置の検査装置の断面図である。
【００２３】
図１，図２に示すように、１は半導体装置２の電気的特性を測定装置３で測定して検査する検査装置である。
検査装置１は第一の導電性接触子４を有する保持部材５と、絶縁性を有するメッシュシートまたは多孔性シートにおける半導体装置２の外部電極６の配列に相応する位置に表裏間に導通がある導電性パターン７を形成させた第二の導電性接触子８と、前記測定装置３に接続された検査回路基板９および保持部材５との間に配置された弾性材料１０とを備えている。
【００２４】
検査回路基板９の表面には、半導体装置２の外部電極６の配列に相応する位置にランド電極１１が設けられており、半導体装置２の外部電極６が存在する面と対向するように配置されている。
【００２５】
保持部材５は、半導体装置２の外部電極６の配置に相応する位置に配置した第一の導電性接触子４を備え、第一の導電性接触子４の一方の接触端が前記半導体装置２の外部電極６に当接して電気的接続が得られる。
【００２６】
第二の導電性接触子８は絶縁性を有するメッシュシートまたは多孔性シートにおける半導体装置２の外部電極６の配列に相応する位置に表裏間に導通がある導電性パターン７を形成させ、導電性パターン７の一方の面が検査回路基板９のランド電極１１に当接して電気的接続を得、導電性パターン７の他方の面が第一の導電性接触子４の半導体装置２の外部電極６に当接していない側の接触端に当接して電気的接続を得ている。
【００２７】
弾性材料１０は、図１（ｂ）に示すように、保持部材５と検査回路基板９の間に位置し、第二の導電性接触子８を取り囲むように配置されており、弾性材料１０および保持材料５および検査回路基板９で囲われた空間が構成される。
【００２８】
検査回路基板９に開口されたひとつ又は複数の真空吸引孔１２から前記空間を減圧することで、弾性材料１０の弾性により、弾性材料１０および保持材料５および検査回路基板９で囲われた空間は気密が保たれる。また、図２（ａ）に示すように、第一の接触子４としてスプリングプローブ方式を採用した場合は、保持部材５内に備えられた第一の導電性接触子４が伸縮動作するための空隙が必要となるため、保持部材５に設けられた第一の接触子４を収容する収容穴１３の直径より第二の導電性接触子８に形成された導電性パターン７の外形を大きくすることで、収容穴１３に蓋をするように密閉することができ、弾性材料１０および保持材料５および検査回路基板９で囲われた空間を気密に保つことができる。
【００２９】
また、図２（ｂ）に示すように、保持部材５の材料として弾性を有する材料を用いることで、真空が吸引されていない状態では、保持部材５の端部と検査回路基板９との間に隙間が生じていたが、真空吸引孔１２から真空吸引することで、保持部材５の外周から真空吸引孔１２に向かって気流が発生し、この気流により保持基板５の端部が真空吸引孔１２に向かう力で検査回路基板９に押し付けられる。この作用により保持部材５の端部と検査回路基板９が隙間無く密着することで機密構造が保持できる。結果、弾性材料１０を省いた構成とすることが可能となる。
【００３０】
同時に、弾性材料１０および保持材料５および検査回路基板９で囲われた空間は、大気圧によって保持部材５と検査回路基板９が互いの間隔が縮まる方向に押し付けられる。この際、保持部材５と検査回路基板９の間に配置された第二の導電性接触子８の絶縁性を有するメッシュシートまたは多孔性シート基材により保持部材５と検査回路基板９は完全に密着せず一定の空間を維持することができるため、保持材料５と検査回路基板には均一な真空圧が保持できるため、検査装置１は締結要素を使わずに検査回路基板９に均一に固定できる。
【００３１】
このように、検査基板に真空吸引孔を設け、検査回路基板に検査装置を装着する際に、検査回路基板と検査装置間の機密性を高めた状態で真空吸引孔から空気を吸引して検査回路基板と検査装置間を減圧することにより、締結要素を用いずに検査回路基板と検査装置間とを固定することができるため、半導体装置の配置をウエハー状で製造された際の行列配置を維持した状態、あるいは、集合基板状で製造された際の行列配置を維持した状態でも、検査動作対象となる半導体装置以外の半導体装置の外部電極に接触することなく、高周波特性の検査が可能となる。さらに、半導体装置の外部電極から、検査回路基板のランド電極にいたるまでの伝送距離は、締結要素の影響を受けることなく、第一の導電性接触子の厚みおよび第二の導電性接触子の厚みの合計程度に低減され、第一の導電性接触子に異方性導電シートを採用した場合では、例えば、第一の導電性接触子の厚みは０．４ｍｍ以下で、さらに、第二の導電性接触子に絶縁性メッシュシートを基材に採用した場合では、第二の導電性接触子の総厚みは０．４ｍｍ以下となり、半導体装置の外部電極から、検査回路基板のランド電極にいたるまでの伝送距離を０．８ｍｍ以下にすることが可能となる。
【００３２】
次に、図３を用いて本発明の第２の実施形態における半導体装置の検査装置を説明する。
図３は第２の実施の形態における半導体装置の検査装置の断面図である。
【００３３】
図３において、第２の実施の形態では、第１の実施の形態における半導体装置の検査装置に対して、半導体装置２は、ウエハー状で製造された際の行列配置を維持した状態、あるいは、集合基板状で製造された際の行列配置に配置されており、半導体装置２を個別に分離するためのダイシングシート１４上に並べられている。本図では半導体装置２は個別に分離されているが、分離される前の状態でもよい。また、ダイシングシート１４に代え、ダイシング治具上に吸着固定されていても良い。本発明の第１の実施形態に記載の検査装置と同様に、検査装置１は、第一の導電性接触子４および第二の導電性接触子８の収容領域の外周に締結要素の収容領域が不要となるため、検査装置１の半導体装置２に相対する面の寸法を、半導体装置２の外形と同等ないしは、半導体装置２の外部電極６における配列領域の寸法１５以上で隣接する半導体装置２ａの外部電極６ａまでの最小領域１６より小さい寸法にすることにより、隣接する半導体装置に不干渉な状態にすることができる。
【００３４】
このように、ダイシングシート状に複数の半導体装置を設置し、検査基板に真空吸引孔を設け、検査回路基板に検査装置を装着する際に、検査回路基板と検査装置間の機密性を高めた状態で真空吸引孔から空気を吸引して検査回路基板と検査装置間を減圧することにより、締結要素を用いずに検査回路基板と検査装置間とを固定することができるため、半導体装置の配置をウエハー状で製造された際の行列配置を維持した状態、あるいは、集合基板状で製造された際の行列配置を維持した状態でも、検査動作対象となる半導体装置以外の半導体装置の外部電極に接触することなく、高周波特性の検査が可能となる。
【００３５】
次に、図４（ａ）を用いて本発明の第３の実施形態における半導体装置の検査装置を説明する。
図４（ａ）は第３の実施の形態における半導体装置の検査装置の断面図である。
【００３６】
本発明の第２の実施形態における半導体装置の検査装置に対して、半導体装置２に相対する面の外形寸法を、単体の半導体装置２における外部電極６の配列領域の寸法１５以上で、半導体装置２と同一面内で隣接する半導体装置２ａとの間隔の中心位置までの距離と同等の寸法１７以内とした検査装置である。
【００３７】
このように、１つ１つの検査装置の寸法を最適化して検査回路基板上に複数の検査装置を設けることにより、半導体装置の配置が、ウエハー状で製造された際の行列配置を維持した状態、あるいは、集合基板状で製造された際の行列配置に維持した状態で、複数の半導体装置に対して同時に高周波特性の検査が可能となる。
【００３８】
次に、図４（ｂ）を用いて本発明の第４の実施形態における半導体装置の検査装置を説明する。
図４（ｂ）は第４の実施の形態における半導体装置の検査装置の断面図である。
【００３９】
本発明の第３の実施形態における半導体装置の検査装置に対して、複数の半導体装置２の配列に相応して複数の検査装置を配置した際、共通の保持部材に第一の導電性接触子を形成し、共通の絶縁性シートに導電性パターンを形成して、隣接して配置される複数の検査装置１を一体構造とした検査装置である。
【００４０】
このように、複数の検査装置を一体構造とすることで、半導体装置の配置をウエハー状で製造された際の行列配置より密集させて配置した状態、あるいは、集合基板状で製造された際の行列配置より密集されて配置した状態で検査する場合、あるいは、より微細化、小型化、高密度化され、配列がさらに密となった半導体装置を検査する場合でも、検査動作中に隣接する半導体装置の外部電極に検査装置１の一部が接触することなく、一括して検査回路基板９電気的導通を得ることが可能であり、検査の同時測定が可能となる。また、順次に測定を行う場合でも、検査毎に半導体装置もしくは検査装置を移動させて電気的接続を得ることなく実施することができるので検査時間を短縮することが出来る。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、検査動作対象となる半導体装置以外の半導体装置の外部電極に接触することなく、高周波特性の検査が可能となり、半導体装置の電気的特性を測定するために、半導体装置の外部電極と測定装置を電気的に接続する半導体装置の検査装置等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】（ａ）第１の実施の形態における半導体装置の検査装置の断面図（ｂ）第１の実施の形態における半導体装置の検査装置の構成を示す分解斜視図
【図２】（ａ）第１の実施の形態におけるスプリングプローブ方式を採用した半導体装置の検査装置の断面図（ｂ）第１の実施の形態における弾性材料を用いない半導体装置の検査装置の断面図
【図３】第２の実施の形態における半導体装置の検査装置の断面図
【図４】（ａ）第３の実施の形態における半導体装置の検査装置の断面図（ｂ）第４の実施の形態における半導体装置の検査装置の断面図
【図５】半導体装置の検査装置に用いるスプリングプローブ方式の導電性接触子の概略図
【図６】従来の異方性導電シート方式の導電性接触子を用いた半導体装置の検査装置の概略図
【図７】従来の異方性導電シート方式の導電性接触子を用いた半導体装置の検査装置による検査状態を説明する概略図
【図８】従来のスプリングプローブ方式の導電性接触子を用いた半導体装置の検査装置による検査状態を説明する概略図
【符号の説明】
【００４３】
１    検査装置
２    半導体装置
２ａ    半導体装置
３    測定装置
４    第一の導電性接触子
５    保持部材
６    外部電極
６ａ    外部電極
７    導電性パターン
８    第二の導電性接触子
９    検査回路基板
１０    弾性材料
１１    ランド電極
１２    真空吸引孔
１３    収容穴
１４    ダイシングシート
１５    配列領域の寸法
１６    最小領域
１７    寸法
４０１    接触子
４０３    筒体
４０４    圧縮バネ
４０５    プランジャ
４０６    プランジャ
４０７    半導体装置
４０８    外部電極
４０９    測定装置
４１０    検査回路基板
４１１    電極パターン
５０２    半導体装置
５０３    外部電極
５０４    検査回路基板
５０５    パターン電極
５０６    導電性接触子群
５０７    シート部材
５０８    導電性金属
５０９    第一の導電性接触子
５１０    絶縁性を有するメッシュシートまたは多孔性シート
５１１    導電性パターン
５１２    第二の導電性接触子
６０１    検査装置
６０２    検査回路基板
６０３    締結要素
６０４    導電性接触子群
６０５    半導体装置
６０５ａ    半導体装置
６０６ａ    外部電極
７０１    検査装置
７０２    導電性接触子
７０３    半導体装置
７０３ａ    半導体装置
７０４ａ    外部電極
７０５    検査回路基板
７０６    締結要素
【図１】
2008008726.tif 000003
【図２】
2008008726.tif 000004
【図３】
2008008726.tif 000005
【図４】
2008008726.tif 000006
【図５】
2008008726.tif 000007
【図６】
2008008726.tif 000008
【図７】
2008008726.tif 000009
【図８】
2008008726.tif 000010