(57)【要約】【課題】  記録感度を保持したまま、キズ、及び紫外線による記録データの損失を低減することを可能にした光記録媒体及び光記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】  光記録媒体の光入射側の基板上に、Ｓｉ，Ｏ，Ｃを構成元素として含むハードコート層を設ける。ハードコート層の光学定数は、波長４０５ｎｍにおける屈折率をｎ１、消衰係数をｋ１、波長３５０ｎｍにおける消衰係数をｋ２、基板材料の波長４０５ｎｍにおける屈折率をｎ０としたときに、｜ｎ１−ｎ０｜≦０．１５、ｋ１≦１×１０−２、１×１０−３≦ｋ２とすることを特徴とする。【選択図】      図１４
2008152839.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、光照射によって情報の記録がなされる記録層から構成される光記録媒体において、
基板の光入射側の面上に、Ｓｉ，Ｏ，Ｃを構成元素として含む誘電体膜から成るハードコート層が設けられており、かつ、ハードコート層の波長４０５ｎｍにおける屈折率をｎ１、消衰係数をｋ１、波長３５０ｎｍにおける消衰係数をｋ２、基板材料の波長４０５ｎｍにおける屈折率をｎ０としたときに、｜ｎ１−ｎ０｜≦０．１５、ｋ１≦１×１０−２、１×１０−３≦ｋ２であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記ハードコート層の構成元素として、Ｓｉ，Ｏ，Ｃに加えて、Ｎが含有されていることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記ｎ０及びｎ１はｎ１≦ｎ０であることを特徴とする請求項１乃至２記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記ハードコート層が単層膜であって、膜厚が、１０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記ハードコート層のＣ（炭素）の含有量が、０．０１［ａｔ．％］以上３０［ａｔ．％］以下であることを特徴とする請求項１乃至４記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記ハードコート層のＯ（酸素）の含有量が、１０［ａｔ．％］以上７０［ａｔ．％］以下であることを特徴とする請求項１乃至５記載の光記録媒体。
【請求項７】
前記ハードコート層のＮ（窒素）の含有量が、０．０１［ａｔ．％］以上６０［ａｔ．％］以下、より好ましくは１［ａｔ．％］以上５０［ａｔ．％］以下であることを特徴とする請求項２乃至６記載の光記録媒体。
【請求項８】
前記ハードコート層の構成元素が、Ｓｉ，Ｏ，Ｎ，Ｃに加えて、Ｔｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｃｅ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｆ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｓから成る群より選択される少なくとも一種の元素を含有していることを特徴とする請求項１乃至７記載の光記録媒体。
【請求項９】
前記ハードコート層のヌープ硬度が１０００［ｋｇｆ／ｍｍ２］以上であることを特徴とする請求項１乃至８記載の光記録媒体。
【請求項１０】
前記ハードコート層が、Ｓｉ，Ｏ，Ｎ，Ｃを構成元素とするＳｉＯＮＣ膜を含む、波長４０５ｎｍにおける屈折率の異なる複数の誘電体膜の積層膜であることを特徴とする請求項１乃至８記載の光記録媒体。
【請求項１１】
光入射側から見て手前側の基板、及び奥側の基板の厚さが、共に０．５ｍｍ以上０．７ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１０記載の光記録媒体。
【請求項１２】
光入射側から見て手前側の基板の厚さが、０．０１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下であり、光入射側から見て奥側の基板の厚さが、１ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１０記載の光記録媒体。
【請求項１３】
請求項１乃至１２記載の光記録媒体の前記ハードコート層を、ＳｉとＣを主成分とするスパッタリングターゲットを用い、酸素と窒素を含むガス中でスパッタリングによって形成することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記スパッタリングターゲットの構成元素として、ＳｉとＣと共に、Ｏ，Ｎ，のうちの一方の元素、ないし両方の元素が含まれていることを特徴とする請求項１３記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記スパッタリングターゲットの構成元素として、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｅ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｆ，Ｚｒ，Ｓｂ，Ｓから成る群より選択される少なくとも一種の元素を含有していることを特徴とする請求項１３乃至１４記載の光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー光の照射により情報の記録及び再生がなされる光記録媒体、及び光記録媒体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光記録の分野において、更なる高密度化が要求されており、この要求に対応する為、光源波長の短波長化、及び光学ピックアップに用いられる対物レンズの開口数（ＮＡ）の高ＮＡ化によって、光スポット径の小径化を目指した開発が行われている。従来のＣＤのピックアップが光源波長７８０nm，ＮＡが０．４５であるのに対し、従来のＣＤの６〜８倍程度の記録容量を有するＤＶＤでは、光源波長を６５０nm，ＮＡを０．６として、スポット径の小径化が図られている。
【０００３】
次世代の光ディスクとして、光源波長を青紫色領域とし、ＮＡを０．６以上とすることで、更にスポット径を小径化して高密度化を目指した開発がなされている。しかし、ビームスポットを小径化することは、大容量化することが可能な一方で、キズに弱く、読み取り面上のキズによって記録データを損失してしまう、という課題がある。また、光ディスクの持つ、持ち運びが可能であるというメリットを生かす為には、多様な使用環境に対する優れた耐久性と信頼性が必要である。そのためには、記録層材料にとって有害な紫外線の多い屋外での使用にも耐えうるものでなければならない。
【０００４】
上述したキズ・紫外線による記録データの損失を防ぐ方法としては、特開２００４−４７０４０号（特許文献１）に、光記録媒体の光入射面側の表面に、透明な無機誘電体膜をハードコート層として設け、そのハードコート層の材料として、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ等が好ましい、と開示されている。
【特許文献１】特開２００４−０４７０４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この特許文献１には、ハードコート層材料の組成や光学定数に関する定量的な記述が無く、ハードコート層としての優れた特性はどのようにして得られるかという点に関して、容易に実施できる程度の具体的な開示が無い。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、上記の問題を解決するために成されたものであり、光記録媒体において、キズや紫外線による記録データの損失から守るハードコート層を具備した光記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した課題を解決するために、この発明は、基板と、光照射によって情報の記録がなされる記録層から構成される光記録媒体において、基板の光入射側の面上に、Ｓｉ，Ｏ，Ｃを構成元素として含む誘電体膜から成るハードコート層が設けられており、かつ、ハードコート層の波長４０５ｎｍにおける屈折率をｎ１、消衰係数をｋ１、波長３５０ｎｍにおける消衰係数をｋ２、基板材料の波長４０５ｎｍにおける屈折率をｎ０としたときに、｜ｎ１−ｎ０｜≦０．１５、ｋ１≦１×１０−２、１×１０−３≦ｋ２であることを特徴とする。
【０００８】
上記した課題を解決するために、この発明は、本発明の光記録媒体のハードコート層を、ＳｉとＣを主成分とするスパッタリングターゲットを用い、酸素を含むガス中でスパッタリングによって形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、光記録媒体は、キズ、紫外線の両方に強いハードコート層が具備されているため、取り扱いの際の不注意や汚れ拭き取りの際等でキズをつけても、記録データが殆ど損失せずに済み、また、紫外線が降り注ぐ快晴時の屋外に長時間放置しても、記録データが殆ど損失せずに済むといった効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１１】
本発明の一実施形態による光記録媒体は、図１に示すように、光入射側に誘電体膜から成るハードコート層が具備されており、Ｓｉ，Ｏ，Ｃ を構成元素として含むことが好ましい。加えて、Ｎが含まれていても良い。光ディスク用の基板としてはポリカーボネイトが一般的に用いられるが、ハードコート層として、ＳｉとＯから成る誘電体膜であるＳｉＯ２を用いた場合には、次世代の光ディスクの記録再生光として用いられる青紫色の波長域で互いの光学定数が近い為、記録再生時に反射による光の損失が小さいが、膜の硬度が低い為キズに弱く、また紫外領域で透明な為に紫外光照射によってデータが損失される。
【００１２】
ＳｉとＮから成る誘電体膜であるＳｉ３Ｎ４は、青紫色領域でポリカーボネイトと屈折率が大きく異なる為、記録再生時に反射による光の損失が大きくなる。ＳｉとＣから成る誘電体膜であるＳｉＣは、青紫色領域で吸収が非常に大きい為、やはり光の損失が大きい。ハードコート層を、Ｓｉ，Ｏ，Ｃ，Ｎを構成元素として含む誘電体膜とすることによって、硬度が大きく、かつ青紫色領域において、屈折率がポリカーボネイトに近く、同時に吸収が小さく、更に紫外領域において適度に吸収を大きくすることができ、キズとともに紫外線に強い光記録媒体となる。なお、本発明のハードコート層である、Ｓｉ，Ｏ，Ｃ，Ｎを構成元素として含むＳｉＯＣＮ膜とは、典型的には、Ｓｉ，Ｏ，Ｎ，Ｃのａｔ．％を合計すると９９％以上となる膜を意味する。
【００１３】
ハードコート層を形成する膜の構成元素は、ＲＢＳ（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ：ラザフォード後方散乱法），ＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｒｏｂｅ  Ｍｉｃｒｏ−Ａｎａｌｙｓｉｓ：電子プローブＸ線マイクロアナライザ）、ＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ：エネルギー分散型蛍光Ｘ線分析），ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：高周波誘導結合プラズマ）発光分光分析、ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：二次イオン質量分析）等を用いて定性分析、定量分析をすることができる。
【００１４】
さらに、前記ハードコート層の光学定数は、光ディスクの光源波長における屈折率が基板材料と近く、かつ消衰係数は小さい程好ましい。また紫外領域における消衰係数が大きい程好ましい。具体的な光学定数としては、ハードコート層の波長４０５ｎｍにおける屈折率をｎ１、消衰係数をｋ１、波長３５０ｎｍにおける消衰係数をｋ２、基板材料の波長４０５ｎｍにおける屈折率をｎ０としたときに、｜ｎ１−ｎ０｜≦０．１５、ｋ１≦１×１０−２、１×１０−３≦ｋ２であることが好ましい。｜ｎ１−ｎ０｜≧０．１５、ｋ１≧１×１０−２であると、記録再生光を照射した際に、ハードコート層による吸収、及びハードコート層と基板の界面における反射が大きくなる為、光の損失が大きくなり、結果として記録層に到達する光量が下がる為、媒体の低感度化につながる。
【００１５】
また、１×１０−３≧ｋ２であると、例えば屋外での使用時に、紫外線が過剰に光ディスクの記録層に到達することになり、結果として記録層が劣化し、記録データを大幅に損失することになる。
【００１６】
また、ｎ１≦ｎ０であることがより好ましい。ｎ１≦ｎ０であると、ハードコート層の存在によって、基板と大気中との界面の反射率を下げることができ、結果として媒体の高感度化につながる。なお、光学定数は分光エリプソメトリーによって測定することができる。
【００１７】
ハードコート層の膜厚は、１０ｎｍ以上であることが好ましい。１０ｎｍ以上であると、ハードコート層として十分な硬度が得られる。また、より好ましくは、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることによって、基板と大気中との界面の反射率を下げることができ、反射防止膜としての機能をも具備させることができるため、結果として媒体の高感度化につながる。このような反射防止膜としての機能を最も発揮するのは、光ディスクの光源波長をλ［ｎｍ］、λ［ｎｍ］におけるハードコート層の屈折率をｎ、膜厚をｄとすると、ｎ×ｄ＝λ／４となる場合である。光源波長を青紫色領域として、λ＝４０５、また屈折率をｎ＝１．５５と仮定すると、ｄ＝６５［ｎｍ］となる。
【００１８】
ハードコート層の構成元素の組成比については、Ｃ（炭素）の含有量が、０．０１［ａｔ．％］以上３０［ａｔ．％］以下であることが好ましい。０．０１［ａｔ．％］以下であると、紫外域における膜の吸収が小さくなるため、紫外線の照射によって記録層材料が劣化することになる。３０［ａｔ．％］以上であると、次世代の光ディスクに用いられる青紫色領域で吸収が大きくなるため、記録再生時に高いパワーの光が必要となり、媒体の感度が下がる。
【００１９】
また、Ｎ（窒素）の含有量が、０．０１［ａｔ．％］以上６０［ａｔ．％］以下であることが好ましく、１［ａｔ．％］以上５０［ａｔ．％］以下であることが特に好ましい。１［ａｔ．％］以上５０［ａｔ．％］以下であることによって、十分な硬度が得られ、キズに強くなる。５０［ａｔ．％］以上であると、屈折率が高くなり過ぎ、ハードコート層と基板の界面の反射が大きくなる為、光の損失が大きくなって、やはり低感度となる。
【００２０】
さらに、Ｏ（酸素）の含有量が、１０［ａｔ．％］以上７０［ａｔ．％］以下であることが好ましい。１０［ａｔ．％］以下であると、青紫色領域で吸収が大きくなるため、感度が下がる。７０［ａｔ．％］以上であると、紫外域における膜の吸収が小さくなるため、紫外線の照射によって記録層材料が劣化することになる。また、十分な硬度が得られなくなる。なお、本発明のハードコート層は、膜中で元素の濃度勾配が形成された、いわゆる傾斜機能材料であっても良い。元素の濃度勾配は、成膜時のプロセス条件によって制御することが可能である。
【００２１】
また、ハードコート層は、構成元素をＳｉ，Ｏ，Ｃ，Ｎに限定する必要は無く、透明な誘電体との混合物であっても良い。透明な誘電体としては、ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５，ＭｇＦ，ＣｅＯ２，ＺｒＯ２，ＺｎＯ，ＺｎＳ，ＡｌＮ，等が挙げられる。
【００２２】
ハードコート層の具体的な硬度としては、ヌープ硬度が１０００［ｋｇｆ／ｍｍ２］以上であることが好ましい。ヌープ硬度が１０００［ｋｇｆ／ｍｍ２］以上であることで、十分にキズに強い光記録媒体となる。ヌープ硬度は、菱形形状のダイアモンド角錐圧子を使って薄膜を押し付け、その際に薄膜表面に出来た錐状くぼみの対角線の長さを測ることによって、求めることが出来る。薄膜を押す力をＦ［ｋｇｆ］、くぼみの対角線の長さをｄ［ｍｍ］すると、ヌープ硬度 ＨＫ ＝（１４５０．９５×１０２×Ｆ）÷ｄ２ で表される。
【００２３】
また、ハードコート層は、構成元素をＳｉ，Ｏ，Ｃ，ＮとするＳｉＯＣＮ膜の単膜に限定する必要は無く、屈折率の異なる複数の誘電体膜の積層膜であっても良い。具体的には、高屈折率誘電体膜と低屈折率誘電体膜を順に積層することが好ましい。例えば、高屈折率誘電体膜をＨ、低屈折率誘電体膜をＬと略記すると、それぞれの膜の光学的厚さ（屈折率と膜厚の積）を、光ディスクの光源波長λ［ｎｍ］の１／４に揃えると共に、それらをＨＬＨＬＨＬＨＬＬＬＨＬＨＬＨＬＨといった積層構造とし、低屈折率膜Ｌとして、ＳｉＯＣＮ膜を用いる。このような積層構造にすることで、記録再生光照射時の反射による光の損失を抑えることができる。なお、高屈折率膜Ｈとしては、ＺｎＳ，ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＧｅＮ，ＧｅＣｒＮ，ＣｅＯ，Ｃｒ2Ｏ3，ＺｎＳ・ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5から選ばれる少なくとも1種の誘電体を主成分とする材料を用いることが好ましい。
【００２４】
次に、上述したハードコート層を具備した光記録媒体の製造方法の実施形態について述べる。この実施形態の光記録媒体の製造工程は、上述したハードコート層を、ＳｉとＣを構成元素として含むスパッタリングターゲットを、酸素を含むガス中でスパッタリングする工程を具備する。好適なハードコート層を得るには、スパッタリングによる成膜条件を適切に設定することが好ましい。スパッタガスとしては、例えばアルゴンのような不活性ガスに適量の酸素、もしくは酸素と窒素を添加した混合ガスが用いられる。またこの他には、ＣＯ２やメタンガスなどを用いることもできる。このようなスパッタリング工程によって、Ｓｉ，Ｏ，Ｃ，Ｎを構成元素として含むハードコート層が形成される。ターゲットの構成元素はＳｉとＣに限定されるものでは無く、ＯやＮが含まれていても良い。この実施形態による光記録媒体の製造方法は、ハードコート層の成膜速度が高いため、光記録媒体の製造工程の量産性を高めることができる。なお、このハードコート層中に前記したＳｉとＣを構成元素として含むターゲット中に不可避的に含まれる不純物元素が微量取り込まれていても、それは本発明の趣旨に反するものではない。
【００２５】
（第１の実施形態）・・・片面書換型光記録媒体
次に、本発明の光記録媒体の第１の実施形態について説明する。ここでは上述したハードコート層を具備した光記録媒体について、相変化光記録媒体に応用した実施形態について述べる。相変化光記録媒体は、単層媒体でも良いし、片面二層媒体でも良い。いずれの場合においても、相変化光記録媒体は基本構成として、光入射側から第１の誘電体膜、相変化記録膜、第２の誘電体膜、金属反射膜を順に積層した積層膜を具備するものである。
【００２６】
図２は、本発明の相変化光記録媒体の一実施形態の構成を示す断面図である。図２に示す相変化光記録媒体は、光入射側に配置される第１の基板７を有し、第１の基板７の光入射面側には、上述した本発明のハードコート層１４が設けられている。この第１の基板７の光入射面側とは反対側の面上に、第１の誘電体膜８、光照射により可逆的に記録・消去がなされる相変化記録膜９、第２の誘電体膜１０、金属反射膜１１が順に積層されている。金属反射膜１１上には紫外線硬化型樹脂層１２を介して第２の基板１３が貼り合されており、これらによって相変化光記録媒体が構成されている。
【００２７】
上述したＳｉ，Ｏ，Ｃ，Ｎを構成元素とするハードコート層１４は、ＳｉとＣを構成元素として含むターゲットを、酸素と窒素を含むガス中でスパッタリングすることで成膜することができる。優れたハードコート層１４を得るためには、スパッタリングによる成膜条件を適切に設定することが好ましい。放電用のガスとしては、Ａｒ等の希ガスとＯ2とＮ2との混合ガスを用いることができる。スパッタリング法としては、ＲＦスパッタ、ＲＦ重畳ＤＣスパッタ、パルスモードを含むＤＣスパッタ、ＤＣスパッタ等を適用することができる。
【００２８】
第１の基板７は、記録再生光の波長で透明であり、情報層への光入射を妨げない材料で構成されている。構成する材料としては特に限定されるものではなく、例えば、ポリカーボネイト、アモルファスポリオレフィン、熱可塑性ポリイミド、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエーテルニトリル）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）等の熱可塑性透明樹脂（プラスチック）、熱硬化型ポリイミド、紫外線硬化型アクリル樹脂等の熱硬化型透明樹脂、及びそれらの組み合わせが挙げられる。第１の基板７の厚さは特に限定されるものではなく、０．１〜１．２ｍｍ程度の厚さが適当である。
【００２９】
相変化記録膜９としては、ＧｅＳｂＴｅＢｉ、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＢｉＴｅ、ＧｅＳｂＴｅＳｎ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＩｎＳｂＴｅ等が用いられる。相変化記録膜９の上下または片側にＧｅＮ、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＳｉＣ、Ｔａ２Ｏ５等の界面層を設けてもよい。
【００３０】
相変化記録膜９の光入射側に配置された第１の誘電体膜８は、高屈折率誘電体膜の単層膜、あるいは高屈折率誘電体膜、低屈折率誘電体膜および高屈折率誘電体膜を順に積層した積層誘電体膜、等で構成される。高屈折率誘電体膜の構成材料は特に限定されるものではないが、記録・再生光の波長に対して透明でかつ屈折率の高い材料を使用することが好ましい。このような誘電体材料としては、ＺｎＳ，ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＧｅＮ，ＧｅＣｒＮ，ＣｅＯ，Ｃｒ2Ｏ3およびＴａ2Ｏ5から選ばれる少なくとも1種の誘電体を主成分とする材料を用いることが好ましく、さらにＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる誘電体を主成分とする材料を用いることが望ましい。低屈折率誘電体膜の構成材料としては、ＳｉＯ，ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＦ，ＳｉＯＮ，ＳｉＯＣから選ばれる少なくとも1種の誘電体を主成分とする材料を用いることが好ましい。なお、第２の誘電体膜には上述した高屈折率誘電体膜と同様な材料が用いられる。金属反射膜の構成材料には、例えばＡｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｓｉおよびこれらを主成分とする合金が用いられる。
【００３１】
第２の基板１３は、光記録媒体に適当な強度を付与し得る材料で構成されている。なお、第２の基板１３を構成する材料の光学的特性は、特に限定されるものではなく、透明であっても不透明であっても良い。基板を構成する材料としては、例えば、ガラス、ポリカーボネイト、アモルファスポリオレフィン、熱可塑性ポリイミド、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥＳ等の熱可塑性樹脂熱硬化型ポリイミド、紫外線硬化型アクリル樹脂等の熱硬化型樹脂、及びそれらの組み合わせが挙げられる。第２の基板１３の厚さは特に限定されるものではなく、例えば０．３〜１．２ｍｍ程度の厚さが適当である。
【００３２】
更に、第１の基板７、または第２の基板１３における内側の面上には、図示しない記録情報に対応した凹凸形状のピットや案内用の溝が形成されている。ピット或いは案内用の溝は、０．３〜１．６μｍ程度のピッチ、３０〜２００ｎｍ程度の深さが適当である。
【００３３】
（第２の実施形態）・・・片面追記型光記録媒体
次に、本発明の光記録媒体の第２の実施形態について説明する。ここでは上述したハードコート層を具備した光記録媒体について、追記型の光記録媒体に応用した実施形態について述べる。追記型光記録媒体は、単層媒体でも良いし、片面二層媒体でも良い。
【００３４】
単層媒体の場合の基本構成は、光入射側から順に、ハードコート層、第１の基板、記録膜、金属反射膜、第２の基板を有する。図３は本発明の追記型光記録媒体の一実施形態の構成を示す断面図である。図３に示す追記型の光記録媒体は、光入射側に配置されるポリカーボネイト基板等の第１の基板１５を有している。この上には光照射により非可逆的に記録がなされる記録膜１６、金属反射膜１７、が順に積層されている。金属反射膜１７上には紫外線硬化型樹脂層１８を介して貼り合せ基板が貼り合されている。記録膜１６にはアゾ金属錯体色素、シアニン系等を用いることができる。記録膜１６は光により非可逆的に変化するものであればよく、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ，ＡｌＳｉ，Ｚｎ−Ｓ−Ｍｇ−Ｏ−Ｓｉ，及び金属酸化物等の無機系記録膜であってもよい。
【００３５】
なお、ここでいう基板、金属反射膜の特性、材料等は、それぞれ、第１の実施形態で述べたものと同様なため、説明を省略する。また、必要に応じて第１の基板１５と記録膜１６の間、記録膜１６と金属反射膜１７の間、及び金属反射膜１７と紫外線硬化型樹脂層１８との間に、誘電体膜が設けられるが、必ずしも全て配置しなければならないものではない。誘電体膜を配置する位置は、組合せる膜の特性や光記録媒体の使用線速等の条件に応じて適宜に変更可能である。
【００３６】
（片面単層書換型媒体（ディスク１〜１８））
次に、ここでは片面単層書換型媒体において、ハードコート層の構成元素や材料などを変えた１８種類の媒体（ディスク１〜１８）を用意し、それら媒体の評価を行った。
【００３７】
図４に構造を示した光記録媒体を以下のようにして作製した。まず、第１の基板２１として厚さ０．６ｍｍのポリカーボネイト基板を用意した。この基板には０．６８μｍピッチ、深さ４０ｎｍのグルーブが設けられている。ランド・グルーブ記録を行う場合には、トラックピッチは０．３４μｍとなる。以下、グルーブ・トラックとは光入射面からの距離が近いトラック、ランド・トラックとは光入射面から遠い方のトラックを指すものとする。
【００３８】
このような第１の基板２１のグルーブが設けられている面上に、光入射側から順に、高屈折率誘電体膜２２ａ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）／低屈折率誘電体膜２３／高屈折率誘電体膜２２ｂ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）／相変化記録膜２５／高屈折率誘電体膜２２ｃ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）／Ａｇ合金反射膜２６、をスパッタリングによって成膜した。ここでは、相変化記録膜２５の光入射側に設けられる第１の誘電体膜を、高屈折率誘電体膜２２ａ／低屈折率誘電体膜２３／高屈折率誘電体膜２２ｂの積層膜で構成した。
【００３９】
なお、ディスク１〜３では、低屈折率膜２３としてＳｉＯ2、相変化記録膜２５としてＧｅＳｂＴｅＢｉを用いて界面層は設けず、ディスク４〜６では、低屈折率膜２３としてＳｉＯＣ、相変化記録膜２５としてＧｅＳｂＴｅＢｉを用いて界面層は設けず、ディスク７〜９では、低屈折率膜２３としてＳｉＯＣ、相変化記録膜２５としてＧｅＢｉＴｅ、界面層としてＧｅＮを用いた。
【００４０】
さらに、紫外線硬化樹脂をスピンコート法で塗布した後、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネイト基板を貼り合せて光硬化させた。その後、第１の基板２１の光入射側の面上に、ハードコート層２９として、ＳｉＯＣ膜、またはＳｉＯＣＮ膜を、適切なプロセス条件を選択して、スパッタリングによって成膜した。
【００４１】
一方、ディスク１０〜１２では、ディスク１〜３同様に、層構成を光入射側から順に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2／ＳｉＯ2／ＺｎＳ−ＳｉＯ2／ＧｅＳｂＴｅＢｉ／ＺｎＳ−ＳｉＯ2／Ａｇ合金反射膜、ディスク１３〜１５では、ディスク４〜６同様に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2／ＳｉＯＣ／ＺｎＳ−ＳｉＯ2／ＧｅＳｂＴｅＢｉ／ＺｎＳ−ＳｉＯ2／Ａｇ合金反射膜、ディスク１６〜１８では、ディスク４〜６同様に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2／ＳｉＯＣ／ＺｎＳ−ＳｉＯ2／ＧｅＮ／ＧｅＢｉＴｅ／ＧｅＮ／ＺｎＳ−ＳｉＯ2／Ａｇ合金反射膜、とし、図１０に示すハードコート層を設けた。
【００４２】
作製した各相変化光記録媒体を初期化装置に設置し、幅５０μｍ、長さ１μｍの長円形ビームを照射して全面の記録膜を初期化（結晶化）した。
図１０に、各ディスクにおける、ハードコート層の構成元素、膜材料名、波長４０５ｎｍにおける屈折率ｎ１、消衰係数ｋ１、ｎ１と光入射側の基板材料であるポリカーボネイトの屈折率ｎ０＝１．５５との差ｎ０−ｎ１、波長３５０ｎｍにおける消衰係数ｋ２を示す。
【００４３】
ディスク１〜９のハードコート層の光学定数は、本発明の範囲内である｜ｎ１−ｎ０｜≦０．１５、ｋ１≦１×１０−２、１×１０−３≦ｋ２、であった。
【００４４】
このような光記録媒体の記録・消去試験を以下のようにして行った。第１の基板２１側から光を入射し、記録・消去実験を行った。記録・消去試験には、ＮＡ＝０．６５の対物レンズと波長４０５ｎｍの半導体レーザを有するピックアップを具備する光ディスク評価装置を用いた。記録線速度を５．６ｍ／ｓとし、ランダムパターンを記録してｂＥＲ（ビットエラーレート）を測定した。
【００４５】
キズに対する強さを測定する為の試験としては、記録後のディスクに対し、ＪＩＳ規格（ＪＩＳ  Ｋ７２０４）に基づき、磨耗輪試験を行い、試験後にディスクのｂＥＲを測定した。また、紫外線耐光試験としては、記録後のディスクに対し、キセノンランプを照射量にして１２Ｍｌｕｘ×ｈ照射し、照射後にディスクのｂＥＲを測定した。
【００４６】
図１１に、各ディスクの試験前のｂＥＲをｂＥＲ−０とし、最適記録パワーＰｗ、磨耗輪試験後のｂＥＲをｂＥＲ−１、紫外線耐光試験後のｂＥＲをｂＥＲ−２として示す。
【００４７】
ディスク１〜１８の媒体を、各種試験前に評価したところ、ｂＥＲは１０−５前半から１０−６後半であり、良好な記録特性であった。
【００４８】
ディスク１〜９の媒体は最適記録パワーが５〜６ｍＷ程度と、低い記録パワーで記録ができた。一方、ディスク１２，１７では、ハードコート層の屈折率が大き過ぎる為、反射による光の損失が大きく、結果として低感度化した。同様に、ディスク１３，１４では、ハードコート層の記録再生光波長における吸収が大きい為、やはり低感度となった。
【００４９】
さらに、ディスク１〜９の媒体は、磨耗試験、及び耐光試験後も殆ど記録特性が低下することなく、ｂＥＲ−１，ｂＥＲ−２共に１０−５台であった。一方、ディスク１０，１５，１８ではハードコート層を用いていない為に、ｂＥＲ−１，ｂＥＲ−２共に１０−３台へと大幅に記録特性が低下した。また、ディスク１１，１６では、ＳｉＯ２膜を用いているが、ＳｉＯ２膜では硬度が不十分であり、また紫外域でも透明なので、やはり、ｂＥＲ−１，ｂＥＲ−２共に１０−３台へと大幅に記録特性が低下した。
【００５０】
（片面単層書換型媒体（ディスク１９，２０））
次に、片面単層書換型媒体において、２種類の媒体（ディスク１９、２０）を用意し、それら媒体の評価を行った。
図５に構造を示した光記録媒体を以下のようにして作製した。まず、第１の基板３０として厚さ０．６ｍｍのポリカーボネイト基板を用意した。この基板には０．４μｍピッチ、深さ５０ｎｍのグルーブが設けられている。グルーブ記録を行うものである。
【００５１】
このような第１の基板３０のグルーブが設けられている面上に、光入射側から順に、高屈折率誘電体膜３１ａ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）／界面層３２ａ／相変化記録膜３３／界面層３２ｂ／高屈折率誘電体膜３１ｂ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）／Ａｇ合金反射膜３４、をスパッタリングによって成膜した。なお、ディスク１９では、相変化記録膜としてＧｅＢｉＴｅ、界面層としてＧｅＮを用い、ディスク２０では、相変化記録膜としてＧｅＳｂＴｅＢｉ、界面層として（ＺｒＯ２）（Ｃｒ２Ｏ３）を用いた。
【００５２】
さらに、紫外線硬化樹脂をスピンコート法で塗布した後、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネイト基板を貼り合せて光硬化させた。その後、第１の基板３０の光入射側の面上に、ハードコート層３７として、ＳｉＯＣ膜、またはＳｉＯＮＣ膜を、適切なプロセス条件を選択して成膜した。
【００５３】
作製した各相変化光記録媒体を初期化装置に設置し、幅５０μｍ、長さ１μｍの長円形ビームを照射して全面の記録膜を初期化（結晶化）した。このような光記録媒体の記録・消去試験を以下のようにして行った。第１の基板３０側から光を入射し、記録・消去実験を行った。記録・消去試験には、ＮＡ＝０．６５の対物レンズと波長４０５ｎｍの半導体レーザを有するピックアップを具備する光ディスク評価装置を用いた。記録線速度を６．６１ｍ／ｓとし、記録試験を行った。
【００５４】
（片面単層書換型媒体（ディスク２１，２２））
次に、片面単層書換型媒体において、２種類の媒体（ディスク２１，２２）を用意し、それら媒体の評価を行った。
図６に構造を示した光記録媒体を以下のようにして作製した。まず、第１の基板３８として厚さ１．１ｍｍのポリカーボネイト基板を用意した。この基板には０．３２μｍピッチ、深さ５０ｎｍのグルーブが設けられている。グルーブ記録を行うものである。
【００５５】
このような第１の基板３８のグルーブが設けられている面上に、Ａｇ合金反射膜３９／高屈折率誘電体膜４０ａ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）／界面層４１ａ／相変化記録膜４２／界面層４１ｂ／高屈折率誘電体膜４０ｂ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）／の順にスパッタリングによって成膜した。なお、ディスク２１では、相変化記録膜４２としてＧｅＳｂＴｅ、界面層４１ａ、４１ｂとしてＧｅＮを用い、ディスク２２では、相変化記録膜４２としてＧｅＢｉＴｅ、界面層４１ａ、４１ｂとして（ＺｒＯ２）・（Ｃｒ２Ｏ３）を用いた。
【００５６】
さらに、紫外線硬化樹脂をスピンコート法で塗布した後、厚さ０．１ｍｍのポリカーボネイト樹脂によるカバー基板４４を貼り合せて光硬化させた。その後、カバー基板４４の光入射側の面上に、ハードコート層４５として、ＳｉＯＣ膜、またはＳｉＯＮＣ膜を、ＳｉＯＮＣ膜を、適切なプロセス条件を選択してスパッタリングによって成膜した。
【００５７】
作製した各相変化光記録媒体を初期化装置に設置し、幅５０μｍ、長さ１μｍの長円形ビームを照射して全面の記録膜を初期化（結晶化）した。このような光記録媒体の記録・消去試験を以下のようにして行った。カバー基板４４側から光を入射し、ＮＡ＝０．８５の対物レンズと波長４０５の半導体レーザを有するピックアップを具備する光ディスク評価装置を用いた。記録線速度を５．６ｍ／ｓとし、記録試験を行った。
【００５８】
（片面二層書換型媒体（ディスク２３））
次に、片面二層書換型媒体において、１種類の媒体（ディスク２３）を用意し、その媒体の評価を行った。
図７に構造を示した光記録媒体を以下のようにして作製した。この媒体は、いわゆる片面二層媒体であり、光入射側から見て手前側のＬ０基板４６と、光入射側から見て奥側のＬ１基板５３とを貼り合せたものである。まず、Ｌ０基板４６として厚さ０．５９ｍｍのポリカーボネイト基板を用意した。この基板には０．６８μｍピッチ、深さ４０ｎｍのグルーブが設けられている。ランド・グルーブ記録を行う場合には、トラックピッチは０．３４μｍとなる。以下、グルーブ・トラックとは光入射面からの距離が近いトラック、ランド・トラックとは光入射面から遠い方のトラックを指すものとする。
【００５９】
このようなＬ０基板４６のグルーブが設けられている面上に、高屈折率誘電体膜４９ｂ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）／界面層５０ｂ（ＺｒＯ２）（Ｃｒ２Ｏ３）／相変化記録膜５１（ＧｅＳｂＴｅＢｉ）／界面層５０ａ（ＺｒＯ２）（Ｃｒ２Ｏ３）／高屈折率誘電体膜４９ａ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）／Ａｇ合金反射膜４８、をスパッタリングによって順に成膜した。透過率は約５０［％］であった。
【００６０】
Ｌ１基板５３は、厚さ０．５９ｍｍのポリカーボネイト基板に、Ａｇ合金反射膜４８／第２高屈折率誘電体膜４９ａ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）／界面層５０ａ（ＺｒＯ２）（Ｃｒ２Ｏ３）／相変化記録膜５１／界面層５０ｂ／第１高屈折率誘電体膜４９ｂ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）、を順にスパッタリングによって成膜したものである。Ｌ１基板５３表面の第１高屈折率誘電体膜４９ｂ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）が、Ｌ０基板４６上に塗布された紫外線硬化樹脂を介してＬ０基板４６に貼り合わされている。従って、Ｌ１基板５３を光入射側から見ると、成膜時とは逆順となり、第１高屈折率誘電体膜４９ｂ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）／界面層５０ａ（ＺｒＯ２）（Ｃｒ２Ｏ３）／相変化記録膜５１（ＧｅＳｂＴｅＢｉ）／界面層５０ｂ（ＺｒＯ２）（Ｃｒ２Ｏ３）／第２高屈折率誘電体膜４９ａ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）／Ａｇ合金反射膜４８、となる。
【００６１】
その後、Ｌ０基板５３の光入射側の面上に、ハードコート層５４として、ＳｉＯＣ膜、またはＳｉＯＮＣ膜を、適切なプロセス条件を選択してスパッタリングによって成膜した。
【００６２】
（片面単層追記型媒体（ディスク２４））
次に、片面単層追記型媒体において、１種類の媒体（ディスク２４）を用意し、その媒体の評価を行った。
図３に構造を示した追記型光記録媒体を以下のようにして作製した。まず、第１の基板として厚さ０．６ｍｍのポリカーボネイト基板を用意した。第１の基板には０．４μｍピッチ、深さ６０ｎｍのグルーブが設けられており、グルーブ記録を行うものである。以下、グルーブ・トラックとは光入射面からの距離が近いトラックを指すものとする。
【００６３】
このような第１の基板のグルーブが設けられている面上に、光入射側から順に、有機色素膜／Ａｇ合金膜、の順に成膜した。
有機色素膜はスピンコートで塗布して形成した。Ａｇ合金膜はＡｇ合金をＡｒ中でスパッタすることにより成膜した。さらに、紫外線硬化樹脂をスピンコート法により塗布した後、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネイト基板を貼り合わせて光硬化させた。その後、第１の基板の光入射側の面上に、ハードコート層として、ＳｉＯＣ膜、またはＳｉＯＮＣ膜を、適切なプロセス条件を選択してスパッタリングによって成膜した。
【００６４】
上述した追記型光記録媒体の記録試験を以下のようにして行った。試験にはＮＡ＝０．６５の対物レンズと波長４０５ｎｍの半導体レーザを有するピックアップを具備する光ディスク評価装置を用い、記録線速度を６．６１ｍ／ｓとした。
【００６５】
（片面単層追記型媒体（ディスク２５））
次に、片面単層追記型媒体において、１種類の媒体（ディスク２５）を用意し、その媒体の評価を行った。
図８に構造を示した光記録媒体を以下のようにして作製した。まず、第１の基板５５として厚さ１．１ｍｍのポリカーボネイト基板を用意した。この基板には０．３２μｍピッチ、深さ５０ｎｍのグルーブが設けられている。グルーブ記録を行うものである。
【００６６】
このような第１の基板５５のグルーブが設けられている面上に、光入射側から順に、高屈折率誘電体膜５７ｂ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）／無機追記型記録膜５８（Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ）／高屈折率誘電体膜５７ａ（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）／Ａｇ合金反射膜５６、をスパッタリングによって成膜した。
【００６７】
さらに、紫外線硬化樹脂をスピンコート法で塗布した後、厚さ０．１ｍｍのポリカーボネイト樹脂によるカバー基板６０を貼り合せて光硬化させた。その後、カバー基板６０の光入射側の面上に、ハードコート層６１として、ＳｉＯＣ膜、またはＳｉＯＮＣ膜を、適切なプロセス条件を選択してスパッタリングによって成膜した。
【００６８】
カバー基板６０側から光を入射し、ＮＡ＝０．８５の対物レンズと波長４０５ｎｍの半導体レーザを有するピックアップを具備する光ディスク評価装置を用いた。記録線速度を５．６ｍ／ｓとし、記録試験を行った。
【００６９】
（片面二層追記型媒体（ディスク２６））
次に、片面二層追記型媒体において、１種類の媒体（ディスク２６）を用意し、その媒体の評価を行った。
図９に構造を示した光記録媒体を以下のようにして作製した。この媒体は、いわゆる片面二層媒体であり、光入射側から見て手前側のＬ０基板６２と、光入射側から見て奥側のＬ１基板６７とを貼り合せたものである。
【００７０】
まず、Ｌ０基板６２として厚さ０．５９ｍｍのポリカーボネイト基板を用意した。Ｌ０基板６２には０．４μｍピッチ、深さ６０ｎｍのグルーブが設けられおり、グルーブ記録を行うものである。以下、グルーブ・トラックとは光入射面からの距離が近いトラックを指すものとする。
【００７１】
このようなＬ０基板６２のグルーブが設けられている面上に、光入射側から順に、有機色素膜／Ａｇ合金膜、の順に成膜した。Ｌ０基板６２の透過率は約５０［％］であった。  Ｌ１基板６７は、厚さ０．５９ｍｍのポリカーボネイト基板に、Ａｇ合金膜６４、有機色素膜６５の順に成膜した。Ｌ１基板６７表面の有機色素膜６５が、Ｌ０基板６２上に塗布された紫外線硬化樹脂を介してＬ０基板６２に貼りあわされている。その後、Ｌ０基板６２の光入射側の面上に、ハードコート層６８として、ＳｉＯＣ膜、またはＳｉＯＮＣ膜を、適切なプロセス条件を選択してスパッタリングによって成膜した。
【００７２】
上述した追記型光記録媒体の記録試験を以下のようにして行った。試験にはＮＡ＝０．６５の対物レンズと波長４０５ｎｍの半導体レーザを有するピックアップを具備する光ディスク評価装置を用い、記録線速度を６．６１ｍ／ｓとした。
【００７３】
図１２に、各ディスクにおける、ハードコート層の構成元素、膜材料名、波長４０５ｎｍにおける屈折率ｎ１、消衰係数ｋ１、ｎ１と光入射側の基板材料であるポリカーボネイトの屈折率ｎ０＝１．５５との差ｎ０−ｎ１、波長３５０ｎｍにおける消衰係数ｋ２を示す。
【００７４】
ディスク１９〜２６の媒体のハードコート層の光学定数は、本発明の範囲内である、｜ｎ１−ｎ０｜≦０．１５、ｋ１≦１×１０−２、１×１０−３≦ｋ２、であった。
【００７５】
図１３に、ディスク１９〜２６の媒体のｂＥＲをｂＥＲ０とし、最適記録パワーＰｗ、磨耗輪試験後のｂＥＲをｂＥＲ１、紫外線耐光試験後のｂＥＲをｂＥＲ２として示す。
【００７６】
ディスク１９〜２６の媒体は、磨耗試験、及び耐光試験後も殆ど記録特性が低下することなく、ｂＥＲ−１，ｂＥＲ−２共に１０−５台であった。
【００７７】
（各種光記録媒体（ディスク２７〜４５））
次に、ハードコート層の膜厚を変えた各種媒体を作製した。膜厚は、選択した成膜条件における成膜速度を測定し、成膜時間によって制御した。スパッタリングターゲットには、ＳｉとＣを主成分とするターゲットを用いた。ディスク２７〜４５では、前記したディスク１〜９、１９〜２６の膜構成を用い、ハードコート層の膜厚を種々変えた媒体を作製した。
【００７８】
図１４には、各実施例の膜構成、ハードコート層を用いる前の最適記録パワーＰｗ０とビットエラーレートｂＥＲ０、及びハードコート層の膜厚と、ハードコート層を設けた媒体の最適記録パワーＰｗ、磨耗輪試験後のｂＥＲをｂＥＲ１、紫外線耐光試験後のｂＥＲをｂＥＲ２として示す。
【００７９】
ハードコート層が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にある、ディスク２７〜４３の各種媒体は、ｂＥＲ１，ｂＥＲ２共に１０−５台であり、良好な記録特性を示した。更に、ハードコート層が５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内にある媒体は、ハードコート層を設けない場合に比べて、記録感度が向上した。一方、ディスク４４の媒体は、磨耗試験、耐光試験いずれによっても記録特性が低下し、ｂＥＲ１，ｂＥＲ２共に１０−４台となった。また、ディスク４５の媒体は、最適記録パワーが２ｍＷ程度高くなり、記録感度が低下した。なお、ディスク２７〜４３記載の媒体のハードコート層の分析を行ったところ、ＲＢＳの結果から、構成元素として、Ｓｉ・Ｏ・Ｃの存在が確認された。また分光エリプソメトリーによって光学定数を測定した所、いずれの媒体についても、波長４０５ｎｍにおける屈折率をｎ１、消衰係数をｋ１、波長３５０ｎｍにおける消衰係数をｋ２、基板材料の波長４０５ｎｍにおける屈折率をｎ０としたときに、｜ｎ１−ｎ０｜≦０．１５、ｋ１≦１×１０−２、１×１０−３≦ｋ２を満たしていた。
【００８０】
（各種光記録媒体（ディスク４６））
光入射側から順に、高屈折率誘電体膜ＺｎＳ−ＳｉＯ2／ＳｉＯＣＮ膜／高屈折誘電体膜ＺｎＳ−ＳｉＯ2、というように３層の積層膜によって構成されるハードコート層を具備した片面単層追記型媒体４６を作製、評価した。このディスク４６では、前記したディスク２４と同一の膜構成を用いた。ＺｎＳ−ＳｉＯ2の膜厚は４５ｎｍ、ＳｉＯＣＮ膜の膜厚は６３ｎｍとした。記録試験にはＮＡ＝０．６５の対物レンズと波長４０５ｎｍの半導体レーザを有するピックアップを具備する光ディスク評価装置を用い、記録線速度を６．６１ｍ／ｓとした。ハードコート層を用いていない同一ディスクの最適記録パワーＰｗ０が５．９ｍＷであったのに対し、ハードコート層を設けたディスクの最適記録パワーＰｗは４．７ｍＷとなり、高感度化した。磨耗輪試験後のｂＥＲ（ｂＥＲ１）は1.3×10-5、紫外線耐光試験後のｂＥＲ（ｂＥＲ２）は、1.7×10-5であり、良好な記録特性を示した。
【００８１】
なお、本発明は上記した実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化することができる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組合せにより、様々の発明を形成することができる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の光記録媒体の断面図。
【図２】本発明の一実施形態の書換型光記録媒体の断面図。
【図３】本発明の一実施形態の追記型光記録媒体の断面図。
【図４】本発明のディスク１〜９，ディスク１０〜１８の書換型光記録媒体の断面図。
【図５】本発明のディスク１９，２０の書換型光記録媒体の断面図。
【図６】本発明のディスク２１，２２の書換型光記録媒体の断面図。
【図７】本発明のディスク２３の片面二層書換型光記録媒体の断面図。
【図８】本発明のディスク２５の追記型光記録媒体の断面図。
【図９】本発明のディスク２６の片面二層追記型光記録媒体の断面図。
【図１０】本発明のディスク１〜１８の各ハードコート層における構成を示す図。
【図１１】本発明のディスク１〜１８の記録特性を示す図。
【図１２】本発明のディスク１９〜２６の各ハードコート層における構成を示す図。
【図１３】本発明のディスク１９〜２６の記録特性を示す図。
【図１４】本発明のディスク２７〜４５の各ハードコート層における構成及び記録特性を示す図。
【符号の説明】
【００８３】
１、２１・・・第１の基板、２・・・記録層、３・・・反射層、４・・・紫外線硬化樹脂層、５・・・第２の基板、６・・・ハードコート層、７・・・第１の基板、８・・・第１の誘電体膜、９・・・相変化記録膜、１０・・・第２の誘電体膜、１１・・・金属反射膜、１２・・・紫外線硬化樹脂層、１３・・・第２の基板、１４・・・ハードコート層、１５・・・第１の基板、１６・・・追記型記録膜、１７・・・金属反射膜、１８・・・紫外線硬化樹脂層、１９・・・第２の基板、２０・・・ハードコート層、２１・・・第１の基板、２２ａ，ｂ，ｃ・・・高屈折率誘電体膜、２３・・・低屈折率誘電体膜、２４ａ，ｂ・・・界面層、２５・・・相変化記録膜、２６・・・Ａｇ合金反射膜、２７・・・紫外線硬化樹脂層、２８・・・第２の基板、２９・・・ハードコート層、３０・・・第１の基板、３１ａ，ｂ・・・高屈折率誘電体膜、３２ａ，ｂ・・・界面層、３３・・・相変化記録膜、３４・・・Ａｇ合金反射膜、３５・・・紫外線硬化樹脂層、３６・・・第２の基板、３７・・・ハードコート層、３８・・・第１の基板、３９・・・Ａｇ合金反射膜、４０ａ，ｂ・・・高屈折率誘電体膜、４１ａ，ｂ・・・界面層、４２・・・相変化記録膜、４３・・・紫外線硬化樹脂層、４４・・・カバー基板、４５・・・ハードコート層、４６・・・Ｌ０基板、４７・・・基板、４８・・・Ａｇ合金反射膜、４９ａ，ｂ・・・高屈折率誘電体膜、５０ａ，ｂ・・・界面層、５１・・・相変化記録膜、５２・・・紫外線硬化樹脂層、５３・・・Ｌ1基板、５４・・・ハードコート層、５５・・・第１の基板、５６・・・金属反射膜、５７ａ，ｂ・・・高屈折率誘電体膜、５８・・・無機追記型記録膜、５９・・・紫外線硬化樹脂層、６０・・・カバー基板、６１・・・ハードコート層、６２・・・Ｌ０基板、６３・・・基板、６４・・・Ａｇ合金反射膜、６５・・・有機色素膜、６６・・・紫外線硬化樹脂層、６７・・・Ｌ1基板、６８・・・ハードコート層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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