(57)【要約】【課題】電源端子の種類が増加しても、帯状配線の幅方向における帯状配線形成領域の拡大を少なくして、配線領域を十分に確保することが可能な配線基板を提供する。【解決手段】半導体チップ１０２にワイヤー１１１，１１２を介して電源電圧又は接地電圧を供給する帯状配線１２，１３がチップ搭載領域１１０の周囲を取り囲むように内外二重に形成され、内側の帯状配線１２に、幅方向における一部分を切り取った切り取り部１４が複数形成され、切り取り部１４に、帯状配線１２，１３とは異なった電源電圧又は接地電圧を半導体チップ１０２にワイヤー１７を介して供給する配線パターン１５が形成され、各帯状配線１２，１３と配線パターン１５とがそれぞれ裏側のボール電極に接続されている。【選択図】図１
2008153477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングにより端子を外部に引き出す板状の配線基板であって、
表面に、金属配線パターンを有する金属配線層が形成され、
金属配線層に半導体チップを搭載するチップ搭載領域が形成され、
表面とは反対側の裏面に外部端子が設けられ、
金属配線パターンは一端が半導体チップとワイヤーボンディングされるとともに他端が外部端子に接続されており、
金属配線パターンにワイヤーボンドパッドが接続され、
半導体チップにワイヤーを介して電源電圧又は接地電圧を供給する帯状配線がチップ搭載領域の周囲を取り囲むようにして形成され、
ワイヤーボンドパッドは帯状配線の外側に配置されており、
帯状配線に、幅方向における一部分を切り取った切り取り部が形成され、
切り取り部に、帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧を半導体チップにワイヤーを介して供給する配線パターンが形成され、
帯状配線と配線パターンとがそれぞれ外部端子に接続されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングにより端子を外部に引き出す板状の配線基板であって、
表面に、金属配線パターンを有する金属配線層が形成され、
金属配線層に半導体チップを搭載するチップ搭載領域が形成され、
表面とは反対側の裏面に外部端子が設けられ、
金属配線パターンは一端が半導体チップとワイヤーボンディングされるとともに他端が外部端子に接続されており、
金属配線パターンにワイヤーボンドパッドが接続され、
半導体チップにワイヤーを介して電源電圧又は接地電圧を供給する複数の帯状配線がチップ搭載領域の周囲を取り囲むようにして内外多重に形成され、
ワイヤーボンドパッドは最外側の帯状配線の外側に配置されており、
幅方向において相対向する内側の帯状配線の外周部と外側の帯状配線の内周部とにそれぞれ、幅方向の複数の凹凸部が形成され、
内側の帯状配線と外側の帯状配線との各凹部同士および各凸部同士が向かい合って配置され、
内側の帯状配線の凹部と外側の帯状配線の凹部とで切り取り部が形成され、
切り取り部に、各帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧を半導体チップにワイヤーを介して供給する配線パターンが形成され、
各帯状配線と配線パターンとがそれぞれ外部端子に接続されていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
配線パターンは帯状配線の幅方向の凹部と複数の凸部とを有する櫛形状に形成され、
同電位のワイヤーが前記各凸部に接続されることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングにより端子を外部に引き出す板状の配線基板であって、
表面に、金属配線パターンを有する金属配線層が形成され、
金属配線層に半導体チップを搭載するチップ搭載領域が形成され、
表面とは反対側の裏面に外部端子が設けられ、
金属配線パターンは一端が半導体チップとワイヤーボンディングされるとともに他端が外部端子に接続されており、
金属配線パターンにワイヤーボンドパッドが接続され、
半導体チップにワイヤーを介して電源電圧又は接地電圧を供給する複数の帯状配線がチップ搭載領域の周囲を取り囲むようにして内外多重に形成され、
ワイヤーボンドパッドは最外側の帯状配線の外側に配置されており、
幅方向において相対向する内側の帯状配線の外周部と外側の帯状配線の内周部とにそれぞれ、幅方向の複数の凹凸部が形成され、
内側の帯状配線の凸部が外側の帯状配線の凹部に入り込むとともに、外側の帯状配線の凸部が内側の帯状配線の凹部に入り込み、
内側の帯状配線の凸部と外側の帯状配線の凸部との間に切り取り部が形成され、
切り取り部に、各帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧を半導体チップにワイヤーを介して供給する配線パターンが形成され、
各帯状配線と配線パターンとがそれぞれ外部端子に接続されていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
切り取り部は、半導体チップのコーナー部付近に配置されず、コーナー部から帯状配線の長さ方向へ離れた箇所に配置されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングにより端子を外部に引き出す板状の配線基板であって、
表面に、金属配線パターンを有する金属配線層が形成され、
金属配線層に半導体チップを搭載するチップ搭載領域が形成され、
表面とは反対側の裏面に外部端子が設けられ、
金属配線パターンは一端が半導体チップとワイヤーボンディングされるとともに他端が外部端子に接続されており、
金属配線パターンにワイヤーボンドパッドが接続され、
半導体チップにワイヤーを介して電源電圧又は接地電圧を供給する複数の帯状配線がチップ搭載領域の周囲を取り囲むようにして内外多重に形成され、
ワイヤーボンドパッドは最外側の帯状配線の外側に配置されており、
最外側の帯状配線に切り取り部が形成され、
切り取り部は、帯状配線の幅方向における両側端に連通せず、両側端から一定距離だけ離間した位置にあり、
切り取り部に、各帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧を半導体チップにワイヤーを介して供給する配線パターンが形成され、
帯状配線と配線パターンとがそれぞれ外部端子に接続されていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
最外側の帯状配線が同電位のワイヤーボンドパッドに接続されていることを特徴とする請求項６に記載の配線基板。
【請求項８】
半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングにより端子を外部に引き出す板状の配線基板であって、
表面に、金属配線パターンを有する金属配線層が形成され、
金属配線層に半導体チップを搭載するチップ搭載領域が形成され、
表面とは反対側の裏面に外部端子が設けられ、
金属配線パターンは一端が半導体チップとワイヤーボンディングされるとともに他端が外部端子に接続されており、
金属配線パターンにワイヤーボンドパッドが接続され、
半導体チップにワイヤーを介して電源電圧又は接地電圧を供給する複数の帯状配線がチップ搭載領域の周囲を取り囲むようにして内外多重に形成され、
ワイヤーボンドパッドは最外側の帯状配線の外側に配置されており、
幅方向において相対向する内側の帯状配線の外周部に凹凸部が形成されているとともに外側の帯状配線の内周部に凹部が形成され、
内側の帯状配線の凹凸部と外側の帯状配線の凹部とで切り取り部が形成され、
切り取り部に、各帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧を半導体チップにワイヤーを介して供給する配線パターンが複数形成され、
各配線パターンは帯状配線の幅方向の凹部と複数の凸部とを有する櫛形状に形成され、
同電位のワイヤーが配線パターンの各凸部に接続され、
各帯状配線と各配線パターンとがそれぞれ外部端子に接続されていることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
三本の帯状配線が内外三重に形成され、
最外側の帯状配線の内周部に凹部が形成され、
最外側の帯状配線の内側に対向する帯状配線の外周部に凹凸部が形成されていることを特徴とする請求項８記載の配線基板。
【請求項１０】
配線パターンに、同電位の複数のワイヤーが接続されることを特徴とする請求項１又は請求項２又は請求項６又は請求項７に記載の配線基板。
【請求項１１】
配線パターンは帯状配線の幅方向の凹部と複数の凸部とを有する櫛形状に形成され、
同電位のワイヤーが前記各凸部に接続され、
切り取り部が配線パターンと同形状に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項６又は請求項７に記載の配線基板。
【請求項１２】
前記請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の配線基板を備えた半導体装置であって、
配線基板のチップ搭載領域に半導体チップが搭載され、
半導体チップの端子とワイヤーボンドパッド、半導体チップの端子と帯状配線、半導体チップの端子と配線パターンが、それぞれワイヤーでボンディングされ、
半導体チップと各ワイヤーとが樹脂で封止されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングして半導体装置を形成する配線基板およびそれを備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の配線基板およびそれを備えた半導体装置について図１８、図１９を参照しながら説明する。
図１８は従来の配線基板を示す図であり、図１８（ａ）は配線基板の平面図を示し、図１８（ｂ）は図１８（ａ）の配線基板におけるＵ部拡大図を示している。また、図１９（ａ）は従来の配線基板を用いた半導体装置の平面図を示している。
【０００３】
図１８、図１９に示すように、配線基板１０１は半導体チップ１０２を搭載して、半導体チップ１０２に形成されたパッド１０３を配線基板１０１のボール電極１０４に引き出している。配線基板１０１は、絶縁性樹脂で形成された絶縁材１０５に、絶縁層と配線層とを順次積み重ねた多層構造を有している。
【０００４】
配線基板１０１の上面（表面）には、ワイヤー１０６を介して半導体チップ１０２と接続されてボール電極１０４に引き出す金属配線パターン１０７と、半導体チップ１０２に電源電圧やＧＮＤ電圧（接地電圧）等を供給する複数の帯状配線１０８ａ，１０８ｂが形成されている。金属配線パターン１０７にはワイヤーボンドパッド１１３が接続されている。
【０００５】
帯状配線１０８ａ，１０８ｂは、配線基板１０１の上面に形成されたチップ搭載領域１１０の周囲を取り囲むようにして内外二重に配置されており、電源やＧＮＤ等の異なる電位毎に対応するように形成されている。各帯状配線１０８ａ，１０８ｂからそれぞれワイヤー１１１，１１２を介して、電源電圧やＧＮＤ電圧を半導体チップ１０２に供給している。
【０００６】
半導体装置１１５は、前記配線基板１０１と、配線基板１０１の底面に配置されたボール電極１０４と、配線基板１０１の上面のチップ搭載領域１１０に接着して搭載された半導体チップ１０２と、金属配線パターン１０７と半導体チップ１０２とを電気的に接続したワイヤー１０６と、帯状配線１０８ａ，１０８ｂと半導体チップ１０２とを電気的に接続したワイヤー１１１，１１２と、半導体チップ１０２を含んだ配線基板１０１の上面を封止した絶縁性の封止樹脂１１６とにより構成されている。
【０００７】
配線基板１０１と半導体チップ１０２とはそれぞれ直方体形状であり、四辺の側面は上面および底面に対して垂直方向に配置されている。配線基板１０１の底面には、金属配線パターン１０７と基板内部で電気的に接続した外部パッド電極１１７が形成され、その外部パッド電極１１７上にボール電極１０４が形成されている。ボール電極１０４は半田ボール等であって、実装基板への二次実装の際に高い接続信頼性を確保するために付設されるものであり、配線基板１０１の底面にマトリックス状に配置されている。尚、各帯状配線１０８ａ，１０８ｂはそれぞれビア１１４を介して外部パッド電極１１７に接続されている。
【０００８】
次に、半導体装置１１５の製造方法を簡単に説明する。
複数の配線基板１０１に区分けされて複数個の半導体チップ１０２を搭載可能な基板を用い、その基板の区分された個々の配線基板１０１のチップ搭載領域１１０に、半導体チップ１０２をダイボンド材１１８によって接着固定して搭載する。搭載された半導体チップ１０２のパッド１０３（端子）と金属配線パターン１０７のワイヤーボンドパッド１１３とをワイヤー１０６によって電気的に接続するとともに、前記パッド１０３と内側の帯状配線１０８ａとをワイヤー１１１によって電気的に接続し、さらに、前記パッド１０３と外側の帯状配線１０８ｂとをワイヤー１１２によって電気的に接続する。
【０００９】
その後、半導体チップ１０２を含んだ配線基板１０１の上面を封止樹脂１１６により封止する。次に、回転ブレードで前記基板を配線基板１０１の区分けに従って一括切断することにより、半導体装置１１５の個片に分離し、その後の工程において、ボール電極１０４を形成する。尚、前記基板を一括切断するのに先立って、ボール電極１０４を形成する方法もある。
【００１０】
このようなＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプの配線基板１０１は、多ピン化に対応できる構造ではあるが、多ピン化が進むにつれて電源の種類も増加し、配線の配置スペースの確保が困難になってきている。
【００１１】
尚、下記特許文献１には、配線基板の上面に、電源電圧やＧＮＤ電圧（接地電圧）等を半導体チップへ供給する電源電位供給用パターンと接地電位供給用パターンとが形成されており、これら供給用パターンはチップ搭載領域の周囲を取り囲むようにして内外二重に配置されている構成が開示されている。
【００１２】
同様に、下記特許文献２には、配線基板の上面に、電源電圧やＧＮＤ電圧（接地電圧）等を半導体チップへ供給するパワーリングとグランドリングとが形成されており、これらリングはチップ搭載領域の周囲を取り囲むようにして内外多重に配置されている構成が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−２７７１４４
【特許文献２】米国特許第６,４８９,６８２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従来のＢＧＡタイプの半導体装置では、以下のような課題がある。半導体装置を搭載するための配線基板１０１では、近年、半導体チップ１０２のピン数が大幅に増大しているため、配線数も増大している。さらに電源端子やＧＮＤ端子もその種類が増加しているため、電源やＧＮＤを接続する配線領域はますます拡大し、信号線など他の配線を引き廻す領域を確保することがより困難になってきている。
【００１４】
従来では、図１８に示すように、同じ電位を持つものを帯状配線１０８ａ，１０８ｂに接続することによって余分なビアを配置せず、その分、配線を引き廻すための領域として使用している。しかしながら、図１８に示した帯状配線１０８ａ，１０８ｂは内外二重に配置しているが、電位の種類がさらに増加すると、それに応じて、図２０に示すように、両帯状配線１０８ａ，１０８ｂの間に、１本又は複数本の別の帯状配線１０８ｃを追加して形成する必要があり、このため、帯状配線１０８ａ〜１０８ｃの幅方向における帯状配線形成領域Ｗが拡大してしまうといった問題がある。これにより、外側の帯状配線１０８ｂとワイヤーボンドパッド１１３との間の配線領域１１９を十分に確保することが困難になる。
【００１５】
また、前記特許文献２に記載されているように、パワーリングやグランドリングにジグザグ状のパターンを形成する方法もあるが、異なる電源やＧＮＤの種類が増えた場合の対応が困難である。
【００１６】
また、半導体装置１１５を製造する際には、各工程で製造ばらつきが生じる。例えば、ダイボンドの工程では、半導体チップ１０２のピン数の大幅な増加により、パッド１０３間の間隔が益々狭ピッチとなり、これに伴って各ワイヤー１０６，１１１，１１２間の間隔もより一段と狭まってきているため、半導体チップ１０２を搭載する際に生じる製造ばらつきにより、各ワイヤー１０６，１１１，１１２同士が接触する危険性が益々高くなっている。このようなワイヤー１０６，１１１，１１２同士の近接問題を考慮し、近接するワイヤー１０６，１１１，１１２同士の接触を回避するためには、ワイヤー１０６，１１１，１１２を接続するワイヤーボンディング位置の調整をすることが必要であり、その領域をいくらか確保することも必要である。このように、単に配線領域１１９の確保のみでなく、組立工程を配慮した配線パターンの配置も重要となっている。
【００１７】
本発明は、電源端子やＧＮＤ端子の種類が増加しても、帯状配線の幅方向における帯状配線形成領域の拡大を少なくして、配線領域を十分に確保することが可能な配線基板およびそれを備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本第１発明における配線基板は、
半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングにより端子を外部に引き出す板状の配線基板であって、
表面に、金属配線パターンを有する金属配線層が形成され、
金属配線層に半導体チップを搭載するチップ搭載領域が形成され、
表面とは反対側の裏面に外部端子が設けられ、
金属配線パターンは一端が半導体チップとワイヤーボンディングされるとともに他端が外部端子に接続されており、
金属配線パターンにワイヤーボンドパッドが接続され、
半導体チップにワイヤーを介して電源電圧又は接地電圧を供給する帯状配線がチップ搭載領域の周囲を取り囲むようにして形成され、
ワイヤーボンドパッドは帯状配線の外側に配置されており、
帯状配線に、幅方向における一部分を切り取った切り取り部が形成され、
切り取り部に、帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧を半導体チップにワイヤーを介して供給する配線パターンが形成され、
帯状配線と配線パターンとがそれぞれ外部端子に接続されているものである。
【００１９】
これによると、電源電圧又は接地電圧が外部端子から帯状配線とワイヤーとを介して半導体チップに供給され、前記帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧が外部端子から配線パターンとワイヤーとを介して半導体チップに供給される。
【００２０】
また、前記配線パターンは帯状配線の切り取り部に形成されているため、複数の帯状配線を電源電圧又は接地電圧の種類毎に応じて内外多重に配置した従来の配線基板に比べて、帯状配線の幅方向における帯状配線形成領域の拡大を少なくすることができ、したがって、配線領域を十分に確保することが可能となる。
【００２１】
本第２発明における配線基板は、半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングにより端子を外部に引き出す板状の配線基板であって、
表面に、金属配線パターンを有する金属配線層が形成され、
金属配線層に半導体チップを搭載するチップ搭載領域が形成され、
表面とは反対側の裏面に外部端子が設けられ、
金属配線パターンは一端が半導体チップとワイヤーボンディングされるとともに他端が外部端子に接続されており、
金属配線パターンにワイヤーボンドパッドが接続され、
半導体チップにワイヤーを介して電源電圧又は接地電圧を供給する複数の帯状配線がチップ搭載領域の周囲を取り囲むようにして内外多重に形成され、
ワイヤーボンドパッドは最外側の帯状配線の外側に配置されており、
幅方向において相対向する内側の帯状配線の外周部と外側の帯状配線の内周部とにそれぞれ、幅方向の複数の凹凸部が形成され、
内側の帯状配線と外側の帯状配線との各凹部同士および各凸部同士が向かい合って配置され、
内側の帯状配線の凹部と外側の帯状配線の凹部とで切り取り部が形成され、
切り取り部に、各帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧を半導体チップにワイヤーを介して供給する配線パターンが形成され、
各帯状配線と配線パターンとがそれぞれ外部端子に接続されているものである。
【００２２】
これによると、電源電圧又は接地電圧が外部端子から複数の帯状配線とワイヤーとを介して半導体チップに供給され、前記各帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧が外部端子から配線パターンとワイヤーとを介して半導体チップに供給される。
【００２３】
また、前記配線パターンは帯状配線の切り取り部に形成されているため、複数の帯状配線を電圧の種類毎に応じて内外多重に配置した従来の配線基板に比べて、帯状配線の幅方向における帯状配線形成領域の拡大を少なくすることができ、したがって、配線領域を十分に確保することが可能となる。
【００２４】
また、各ワイヤーをそれぞれ、相対向する内側の帯状配線の凸部と外側の帯状配線の凸部とに接続することにより、外側の帯状配線のワイヤーボンディング位置を、帯状配線の幅方向において、内側の帯状配線のワイヤーボンディング位置と配線パターンのワイヤーボンディング位置とに接近させることができる。これにより、半導体チップを搭載する時の製造ばらつきに対して、外側の帯状配線に接続されたワイヤーがその隣りにある内側の帯状配線に接続されたワイヤー又は配線パターンに接続されたワイヤーに接触するのを防ぐことができる。
【００２５】
本第３発明における配線基板は、配線パターンは帯状配線の幅方向の凹部と複数の凸部とを有する櫛形状に形成され、
同電位のワイヤーが前記各凸部に接続されるものである。
【００２６】
これによると、１個の配線パターンに対して同電位の複数本のワイヤーを接続しているため、１個の配線パターンに対して１本のワイヤーを接続する場合に比べ、配線パターンの総数を減らすことができ、これに伴ってビアの個数も減少し、コストを削減できる。
【００２７】
本第４発明における配線基板は、半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングにより端子を外部に引き出す板状の配線基板であって、
表面に、金属配線パターンを有する金属配線層が形成され、
金属配線層に半導体チップを搭載するチップ搭載領域が形成され、
表面とは反対側の裏面に外部端子が設けられ、
金属配線パターンは一端が半導体チップとワイヤーボンディングされるとともに他端が外部端子に接続されており、
金属配線パターンにワイヤーボンドパッドが接続され、
半導体チップにワイヤーを介して電源電圧又は接地電圧を供給する複数の帯状配線がチップ搭載領域の周囲を取り囲むようにして内外多重に形成され、
ワイヤーボンドパッドは最外側の帯状配線の外側に配置されており、
幅方向において相対向する内側の帯状配線の外周部と外側の帯状配線の内周部とにそれぞれ、幅方向の複数の凹凸部が形成され、
内側の帯状配線の凸部が外側の帯状配線の凹部に入り込むとともに、外側の帯状配線の凸部が内側の帯状配線の凹部に入り込み、
内側の帯状配線の凸部と外側の帯状配線の凸部との間に切り取り部が形成され、
切り取り部に、各帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧を半導体チップにワイヤーを介して供給する配線パターンが形成され、
各帯状配線と配線パターンとがそれぞれ外部端子に接続されているものである。
【００２８】
これによると、電源電圧又は接地電圧が外部端子から複数の帯状配線とワイヤーとを介して半導体チップに供給され、前記各帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧が外部端子から配線パターンとワイヤーとを介して半導体チップに供給される。
【００２９】
また、前記配線パターンは内側の帯状配線の凸部と外側の帯状配線の凸部との間に形成されているため、複数の帯状配線を電圧の種類毎に応じて内外多重に配置した従来の配線基板に比べて、帯状配線の幅方向における帯状配線形成領域の拡大を少なくすることができ、したがって、配線領域を十分に確保することが可能となる。
【００３０】
また、各ワイヤーをそれぞれ、相対向する内側の帯状配線の凸部と外側の帯状配線の凸部とに接続することにより、外側の帯状配線のワイヤーボンディング位置と内側の帯状配線のワイヤーボンディング位置と配線パターンのワイヤーボンディング位置とを帯状配線の長さ方向に沿った一直線上に配列することができる。したがって、ワイヤーの長さの種類を減らすことができる。また、半導体チップを搭載する時の製造ばらつきに対して、外側の帯状配線に接続されたワイヤーがその隣りにある内側の帯状配線に接続されたワイヤー又は配線パターンに接続されたワイヤーに接触するのを防ぐことができる。
【００３１】
本第５発明における配線基板は、切り取り部は、半導体チップのコーナー部付近に配置されず、コーナー部から帯状配線の長さ方向へ離れた箇所に配置されているものである。
これによると、半導体チップのコーナー部付近における帯状配線の面積が切り取り部によって削減されることはなく、前記面積を十分に確保することができる。したがって、組立工程での製造ばらつきによる半導体チップの搭載ずれに対して、半導体チップのコーナー部付近における帯状配線のワイヤーボンディング位置の範囲を十分に確保することができ、半導体チップのコーナー部付近において、ワイヤー同士の接触不良の発生を低減することができる。
【００３２】
本第６発明における配線基板は、半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングにより端子を外部に引き出す板状の配線基板であって、
表面に、金属配線パターンを有する金属配線層が形成され、
金属配線層に半導体チップを搭載するチップ搭載領域が形成され、
表面とは反対側の裏面に外部端子が設けられ、
金属配線パターンは一端が半導体チップとワイヤーボンディングされるとともに他端が外部端子に接続されており、
金属配線パターンにワイヤーボンドパッドが接続され、
半導体チップにワイヤーを介して電源電圧又は接地電圧を供給する複数の帯状配線がチップ搭載領域の周囲を取り囲むようにして内外多重に形成され、
ワイヤーボンドパッドは最外側の帯状配線の外側に配置されており、
最外側の帯状配線に切り取り部が形成され、
切り取り部は、帯状配線の幅方向における両側端に連通せず、両側端から一定距離だけ離間した位置にあり、
切り取り部に、各帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧を半導体チップにワイヤーを介して供給する配線パターンが形成され、
帯状配線と配線パターンとがそれぞれ外部端子に接続されているものである。
【００３３】
これによると、電源電圧又は接地電圧が外部端子から各帯状配線とワイヤーとを介して半導体チップに供給され、前記各帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧が外部端子から配線パターンとワイヤーとを介して半導体チップに供給される。
【００３４】
また、前記配線パターンは最外側の帯状配線の切り取り部に形成されているため、複数の帯状配線を電圧の種類毎に応じて内外多重に配置した従来の配線基板に比べて、帯状配線の幅方向における帯状配線形成領域の拡大を少なくすることができ、したがって、配線領域を十分に確保することが可能となる。
【００３５】
また、配線パターンの周囲は最外側の帯状配線に囲まれるため、最外側の帯状配線が配線パターンに対してシールドの役割を果たし、これによって、配線パターンの信号が周囲の信号から影響を受けず、電気的に安定し良好な特性が得られる。
【００３６】
本第７発明における配線基板は、最外側の帯状配線が同電位のワイヤーボンドパッドに接続されているものである。
これによると、電源電圧又は接続電圧を強化（電気特性を安定）させることができる。
【００３７】
本第８発明における配線基板は、半導体チップを搭載し、ワイヤーボンディングにより端子を外部に引き出す板状の配線基板であって、
表面に、金属配線パターンを有する金属配線層が形成され、
金属配線層に半導体チップを搭載するチップ搭載領域が形成され、
表面とは反対側の裏面に外部端子が設けられ、
金属配線パターンは一端が半導体チップとワイヤーボンディングされるとともに他端が外部端子に接続されており、
金属配線パターンにワイヤーボンドパッドが接続され、
半導体チップにワイヤーを介して電源電圧又は接地電圧を供給する複数の帯状配線がチップ搭載領域の周囲を取り囲むようにして内外多重に形成され、
ワイヤーボンドパッドは最外側の帯状配線の外側に配置されており、
幅方向において相対向する内側の帯状配線の外周部に凹凸部が形成されているとともに外側の帯状配線の内周部に凹部が形成され、
内側の帯状配線の凹凸部と外側の帯状配線の凹部とで切り取り部が形成され、
切り取り部に、各帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧を半導体チップにワイヤーを介して供給する配線パターンが複数形成され、
各配線パターンは帯状配線の幅方向の凹部と複数の凸部とを有する櫛形状に形成され、
同電位のワイヤーが配線パターンの各凸部に接続され、
各帯状配線と各配線パターンとがそれぞれ外部端子に接続されているものである。
【００３８】
これによると、電源電圧又は接地電圧が外部端子から帯状配線とワイヤーとを介して半導体チップに供給され、前記帯状配線とは異なった電源電圧又は接地電圧が外部端子から配線パターンとワイヤーとを介して半導体チップに供給される。
【００３９】
また、前記配線パターンは帯状配線の切り取り部に形成されているため、複数の帯状配線を電圧の種類毎に応じて内外多重に配置した従来の配線基板に比べて、帯状配線の幅方向における帯状配線形成領域の拡大を少なくすることができ、したがって、配線領域を十分に確保することが可能となる。
【００４０】
また、１個の配線パターンに対して同電位の複数本のワイヤーを接続しているため、１個の配線パターンに対して１本のワイヤーを接続する場合に比べ、配線パターンの総数を減らすことができ、これに伴ってビアの個数も減少し、コストを削減できる。
【００４１】
本第９発明における配線基板は、三本の帯状配線が内外三重に形成され、
最外側の帯状配線の内周部に凹部が形成され、
最外側の帯状配線の内側に対向する帯状配線の外周部に凹凸部が形成されているものである。
【００４２】
本第１０発明における配線基板は、配線パターンに、同電位の複数のワイヤーが接続されるものである。
これによると、１個の配線パターンに対して１本のワイヤーを接続する場合に比べて、配線パターンの総数を減らすことができ、これに伴ってビアの個数も減少し、コストを削減できる。さらに、前記のように同電位の配線パターンを可能な限り一つの配線パターンにまとめて配置した方が下層の電源やＧＮＤとの関係で電気的に安定するといった効果もある。
【００４３】
本第１１発明における配線基板は、配線パターンは帯状配線の幅方向の凹部と複数の凸部とを有する櫛形状に形成され、
同電位のワイヤーが前記各凸部に接続され、
切り取り部が配線パターンと同形状に形成されているものである。
【００４４】
これによると、１個の配線パターンに対して同電位の複数本のワイヤーを接続しているため、１個の配線パターンに対して１本のワイヤーを接続する場合に比べ、配線パターンの総数を減らすことができ、これに伴ってビアの個数も減少し、コストを削減できる。さらに、前記のように同電位の配線パターンを可能な限り一つの配線パターンにまとめて配置した方が下層の電源やＧＮＤとの関係で電気的に安定するといった効果もある。
【００４５】
また、帯状配線の長さ方向に沿った一直線上において、同電位のボンディング位置間に異なる電位のボンディング位置がある場合であっても、櫛形状の配線パターンの各凸部に同電位のボンディング位置を設定することで、１個の配線パターンに対して同電位の複数本のワイヤーを接続することができる。
【００４６】
本第１２発明は、前記第１発明から第１１発明のいずれか１項に記載の配線基板を備えた半導体装置であって、
配線基板のチップ搭載領域に半導体チップが搭載され、
半導体チップの端子とワイヤーボンドパッド、半導体チップの端子と帯状配線、半導体チップの端子と配線パターンが、それぞれワイヤーでボンディングされ、
半導体チップと各ワイヤーとが樹脂で封止されているものである。
【発明の効果】
【００４７】
本発明によれば、配線パターンは帯状配線の切り取り部に形成されているため、複数の帯状配線を電圧の種類毎に応じて内外多重に配置した従来の配線基板に比べて、帯状配線の幅方向における帯状配線形成領域の拡大を少なくすることができる。したがって、電源端子やＧＮＤ端子の種類が増加しても、配線領域を十分に確保することが可能となり、配線の引き廻しに柔軟に対応することができ、設計の自由度も向上する。
【００４８】
また、ワイヤーの長さの種類を減らすことができ、半導体チップを搭載する時の製造ばらつきに対して、各ワイヤー間の近接を緩和することもできる。
また、半導体チップのコーナー部付近における帯状配線の面積が切り取り部によって削減されることはなく、前記面積を十分に確保することができるため、半導体チップのコーナー部付近において、ワイヤー同士の接触不良の発生を低減することができる。
【００４９】
また、１個の配線パターンに対して同電位の複数本のワイヤーを接続することによって、配線パターンの総数を減らすことができ、これに伴ってビアの個数も減少し、コストを削減できる。さらに、前記のように同電位の配線パターンを可能な限り一つの配線パターンにまとめて配置した方が下層の電源やＧＮＤとの関係で電気的に安定するといった効果もある。
【００５０】
また、同電位のボンディング位置間に異なる電位のボンディング位置がある場合であっても、櫛形状の配線パターンの各凸部に同電位のボンディング位置を設定することで、１個の配線パターンに対して同電位の複数本のワイヤーを接続することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。尚、先述した従来のものと同じ部材については、同一の符号を付記してその説明を省略する。
（実施の形態１）
先ず、本発明の実施の形態１について図１，図２を参照しながら説明する。
【００５２】
配線基板１１は、例えば有機樹脂よりなる多層配線構造をなしており、その上面（表面）には、金属配線パターン１０７を有する金属配線層１８が形成されている。配線基板１１の中央部には、金属配線層１８上に半導体チップ１０２を搭載するチップ搭載領域１１０が形成されている。半導体チップ１０２の上面には、複数のパッド１０３が四辺の縁部に沿って配置されている。
【００５３】
配線基板１１の下面（裏面）には外部パッド電極１１７が複数形成され、各外部パッド電極１１７上には、外部端子の一例としてのボール電極１０４が形成されている。各金属配線パターン１０７の一端部にはワイヤーボンドパッド１１３が接続され、各金属配線パターン１０７の他端部は外部パッド電極１１７に基板内部で電気的に接続されている。
【００５４】
配線基板１１の上面には、半導体チップ１０２に電源電圧又は接地電圧（ＧＮＤ電圧）を供給する四角枠形状の帯状配線１２，１３がチップ搭載領域１１０の周囲を取り囲むようにして内外二重に形成されている。各ワイヤーボンドパッド１１３は外側の帯状配線１３の外側を取り囲むように配置されている。
【００５５】
内側の帯状配線１２には、幅方向における一部分を切り取った切り取り部１４が複数形成されている。各切り取り部１４は四角形状であり、各切り取り部１４の外端部が内側の帯状配線１２の幅方向における外側端に連通している。各切り取り部１４には、帯状配線１２，１３とは異なった電源電圧（又は接地電圧）を半導体チップ１０２に供給する配線パターン１５が形成されている。各帯状配線１２，１３と各配線パターン１５とはそれぞれビア１６を介して外部パッド電極１１７に接続されている。尚、前記複数の配線パターン１５は、それぞれが異なった電位の電源電圧（又は接地電圧）に対応していてもよく、或いは、一部が同電位の電源電圧（又は接地電圧）に対応していてもよい。
【００５６】
前記配線基板１１を備えた半導体装置３１は以下のように構成されている。
配線基板１１のチップ搭載領域１１０に半導体チップ１０２がダイボンド材１１８によって接着固定されて搭載されている。半導体チップ１０２のパッド１０３とワイヤーボンドパッド１１３とはワイヤー１０６によって電気的に接続され、前記パッド１０３と内側の帯状配線１２とがワイヤー１１１によって電気的に接続され、前記パッド１０３と外側の帯状配線１３とがワイヤー１１２によって電気的に接続され、前記パッド１０３と各配線パターン１５とがワイヤー１７によって電気的に接続されている。半導体チップ１０２と各ワイヤー１７，１０６，１１１，１１２とは封止樹脂１１６で封止されている。
【００５７】
尚、前記ワイヤー１７は、１個の配線パターン１５に対して、１本接続されている。また、１９は各ワイヤー１７と配線パターン１５とのワイヤーボンディング位置を示し、２０は各ワイヤー１１１と内側の帯状配線１２とのワイヤーボンディング位置を示し、２１は各ワイヤー１１２と外側の帯状配線１３とのワイヤーボンディング位置を示し、２２は各ワイヤー１０６とワイヤーボンドパッド１１３とのワイヤーボンディング位置を示している。
【００５８】
以下、前記構成における作用を説明する。
電源電圧又は接地電圧がボール電極１０４から各帯状配線１２，１３とワイヤー１１１，１１２とを介して半導体チップ１０２に供給され、前記各帯状配線１２，１３とは異なった電源電圧（又は接地電圧）がボール電極１０４から配線パターン１５とワイヤー１７とを介して半導体チップ１０２に供給される。
【００５９】
また、前記各配線パターン１５は内側の帯状配線１２の切り取り部１４に形成されているため、図２０に示した複数の帯状配線１０８ａ〜１０８ｃを電源電圧又は接地電圧の種類毎に応じて内外多重に配置した従来の配線基板１０１に比べて、帯状配線１２，１３の幅方向における帯状配線形成領域Ｗの拡大を少なくすることができる。したがって、外側の帯状配線１３とワイヤーボンドパッド１１３との間の配線領域１１９を十分に確保することが可能となる。
【００６０】
前記実施の形態１では、切り取り部１４を、内側の帯状配線１２に形成しているが、外側の帯状配線１３に形成してもよい。
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２について図３を参照しながら説明する。
【００６１】
配線パターン１５に、同電位の複数本（図３では４本）のワイヤー１７が接続されている。
これによると、１個の配線パターン１５に対して１本のワイヤー１７を接続する場合に比べて、配線パターン１５の総数を減らすことができ、これに伴って配線パターン１５のビア１６の個数も減少し、コストを削減できるとともに設計の自由度が向上する。さらに、前記のように同電位の配線パターン１５を可能な限り一つの配線パターン１５にまとめて配置した方が下層の電源やＧＮＤとの関係で電気的に安定するといった効果もある。
【００６２】
前記実施の形態２では、１個の配線パターン１５にワイヤー１７を４本接続しているが、４本以外の複数本接続してもよい。
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３について図４を参照しながら説明する。
【００６３】
配線パターン１５は帯状配線１２の幅方向の凹部１５ａと複数個（図４では２個）の凸部１５ｂとを有する櫛形状に形成されている。各凸部１５ｂには、同電位のワイヤー１７が接続されている。切り取り部１４は配線パターン１５と同形状に形成されている。
【００６４】
これによると、１個の櫛形状の配線パターン１５に対して同電位の複数本（図４では３本）のワイヤー１７を接続しているため、１個の配線パターン１５に対して１本のワイヤー１７を接続する場合に比べ、配線パターン１５の総数を減らすことができ、これに伴って櫛形状の配線パターン１５のビア１６の個数も減少し、コストを削減できる。さらに、前記のように同電位の配線パターン１５を可能な限り一つの櫛形状の配線パターン１５にまとめて配置した方が下層の電源やＧＮＤとの関係で電気的に安定するといった効果もある。
【００６５】
また、帯状配線１２の長さ方向に沿った一直線Ｌ上において、同電位のワイヤーボンディング位置１９ａ間に異なる電位のワイヤーボンディング位置２０がある場合であっても、櫛形状の配線パターン１５の各凸部１５ｂに同電位のワイヤーボンディング位置１９ａを設定することで、１個の櫛形状の配線パターン１５に対して同電位の複数本のワイヤー１７を接続することができる。
【００６６】
前記実施の形態３では、１個の配線パターン１５について、凹部１５ａを１個と凸部１５ｂを２個形成しているが、凹部１５ａを複数個と凸部１５ｂを３個以上の複数個形成してもよい。
【００６７】
前記実施の形態３では、１個の配線パターン１５にワイヤー１７を３本接続しているが、３本以外の複数本接続してもよい。
（実施の形態４）
次に、本発明の実施の形態４について図５を参照しながら説明する。
【００６８】
幅方向において相対向する内側の帯状配線１２の外周部と外側の帯状配線１３の内周部とにそれぞれ、幅方向の凹凸部１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂが複数形成されている。内側の帯状配線１２の各凹部１２ａと外側の帯状配線１３の各凹部１３ａとが向かい合って配置され、同様に、各凸部１２ｂと各凸部１３ｂとが向かい合って配置されている。内側の帯状配線１２の凹部１２ａと外側の帯状配線１３の凹部１３ａとで切り取り部１４が形成されている。各切り取り部１４には、各帯状配線１２，１３とは異なった電源電圧（又は接地電圧）を半導体チップ１０２にワイヤー１７を介して供給する配線パターン１５が形成されている。
【００６９】
これによると、各配線パターン１５は帯状配線１２，１３の切り取り部１４に形成されているため、図２０に示した複数の帯状配線１０８ａ〜１０８ｃを電源電圧又は接地電圧の種類毎に応じて内外多重に配置した従来の配線基板１０１に比べて、帯状配線１２，１３の幅方向における帯状配線形成領域Ｗの拡大を少なくすることができ、したがって、配線領域１１９を十分に確保することが可能となる。
【００７０】
また、図５（ｂ）に示すように、各ワイヤー１１１を内側の帯状配線１２の凸部１２ｂに接続するとともに、各ワイヤー１１２を外側の帯状配線１３の凸部１３ｂに接続することによって、外側の帯状配線１３のワイヤーボンディング位置２１を、帯状配線１２，１３の幅方向において、内側の帯状配線１２のワイヤーボンディング位置２０と配線パターン１５のワイヤーボンディング位置１９とに接近させることができる。
【００７１】
ここで、半導体チップ１０２を搭載する時の製造ばらつきに対して、ワイヤーボンディング位置２１を中心とするワイヤー１１２の近接許容角度をＡとした時、帯状配線１２，１３の幅方向におけるワイヤーボンディング位置２１からワイヤーボンディング位置１９，２０までの距離Ｂが短くなるほど、前記近接許容角度Ａを大きくすることができる。したがって、前記のように、ワイヤーボンディング位置２１をワイヤーボンディング位置１９，２０に接近させることで、前記近接許容角度Ａを大きくすることができるため、ワイヤー１１２がその両隣りにあるワイヤー１７，１１１に接触するのを防ぐことができる。尚、前記近接許容角度Ａとは、ワイヤー１１２がその両隣りのワイヤー１７，１１１に接触してしまう角度に相当し、近接許容角度Ａ以下であれば、ワイヤー１１２はその両隣りのワイヤー１７，１１１に接触しない。
【００７２】
（実施の形態５）
次に、本発明の実施の形態５について図６を参照しながら説明する。
配線パターン１５に、同電位の複数本（図６では４本）のワイヤー１７が接続されている。
【００７３】
これによると、１個の配線パターン１５に対して１本のワイヤー１７を接続する場合に比べて、配線パターン１５の総数を減らすことができ、これに伴って配線パターン１５のビア１６の個数も減少し、コストを削減できるとともに設計の自由度が向上する。さらに、前記のように同電位の配線パターン１５を可能な限り一つの配線パターン１５にまとめて配置した方が下層の電源やＧＮＤとの関係で電気的に安定するといった効果もある。
【００７４】
前記実施の形態５では、１個の配線パターン１５にワイヤー１７を４本接続しているが、４本以外の複数本接続してもよい。
（実施の形態６）
次に、本発明の実施の形態６について図７を参照しながら説明する。
【００７５】
配線パターン１５は帯状配線１２の幅方向の凹部１５ａと複数個（図７では２個）の凸部１５ｂとを有する櫛形状に形成されている。各凸部１５ｂには、同電位のワイヤー１７が接続されている。切り取り部１４は配線パターン１５と同形状に形成されている。
【００７６】
これによると、１個の櫛形状の配線パターン１５に対して同電位の複数本（図７では３本）のワイヤー１７を接続しているため、１個の配線パターン１５に対して１本のワイヤー１７を接続する場合に比べ、配線パターン１５の総数を減らすことができ、これに伴って櫛形状の配線パターン１５のビア１６の個数も減少し、コストを削減できる。さらに、前記のように同電位の配線パターン１５を可能な限り一つの櫛形状の配線パターン１５にまとめて配置した方が下層の電源やＧＮＤとの関係で電気的に安定するといった効果もある。
【００７７】
また、帯状配線１２の長さ方向に沿った一直線Ｌ上において、同電位のワイヤーボンディング位置１９ａ間に異なる電位のワイヤーボンディング位置２０がある場合であっても、櫛形状の配線パターン１５の各凸部１５ｂに同電位のワイヤーボンディング位置１９ａを設定することで、１個の櫛形状の配線パターン１５に対して同電位の複数本のワイヤー１７を接続することができる。
【００７８】
前記実施の形態６では、１個の配線パターン１５について、凹部１５ａを１個と凸部１５ｂを２個形成しているが、凹部１５ａを複数個と凸部１５ｂを３個以上の複数個形成してもよい。
【００７９】
（実施の形態７）
次に、本発明の実施の形態７について図８を参照しながら説明する。
幅方向において相対向する内側の帯状配線１２の外周部と外側の帯状配線１３の内周部とにそれぞれ、幅方向の凹凸部１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂが複数形成されている。内側の帯状配線１２の凸部１２ｂが外側の帯状配線１３の凹部１３ａに入り込むとともに、外側の帯状配線１３の凸部１３ｂが内側の帯状配線１２の凹部１２ａに入り込んでいる。
【００８０】
帯状配線１２，１３の長さ方向において、内側の帯状配線１２の凸部１２ｂと外側の帯状配線１３の凸部１３ｂとの間に切り取り部１４が形成されている。各切り取り部１４には、各帯状配線１２，１３とは異なった電源電圧（又は接地電圧）を半導体チップ１０２にワイヤー１７を介して供給する配線パターン１５が形成されている。
【００８１】
これによると、配線パターン１５は内側の帯状配線１２の凸部１２ｂと外側の帯状配線１３の凸部１３ｂとの間に形成されているため、図２０に示した複数の帯状配線１０８ａ〜１０８ｃを電源電圧又は接地電圧の種類毎に応じて内外多重に配置した従来の配線基板１０１に比べて、帯状配線１２，１３の幅方向における帯状配線形成領域Ｗの拡大を少なくすることができ、したがって、配線領域１１９を十分に確保することが可能となる。
【００８２】
また、ワイヤー１１１を内側の帯状配線１２の凸部１２ｂに接続するとともに、ワイヤー１１２を外側の帯状配線１３の凸部１３ｂに接続することによって、内側の帯状配線１２のワイヤーボンディング位置２０と外側の帯状配線１３のワイヤーボンディング位置２１と配線パターン１５のワイヤーボンディング位置１９とを帯状配線１２の長さ方向に沿った一直線Ｌ上に配列することができる。これにより、各ワイヤー１７，１１１，１１２を同じ長さにすることができ、各ワイヤー１７，１０６，１１１，１１２の長さの種類を減らすことができる。例えば、図８では、ワイヤーの長さを短いワイヤー１７，１１１，１１２と長いワイヤー１０６との２種類に減らすことができる。
【００８３】
また、前記実施の形態４（図５（ｂ）参照）と同様に、半導体チップ１０２を搭載する時の製造ばらつきに対して、ワイヤーボンディング位置２１を中心とするワイヤー１１２の近接許容角度をＡとした時、各ワイヤーボンディング位置１９〜２１が一直線Ｌ上に配列されているため、前記近接許容角度Ａを大きくすることができる。したがって、ワイヤー１１２がその隣りにあるワイヤー１７に接触するのを防ぐことができる。
【００８４】
（実施の形態８）
次に、本発明の実施の形態８について図９を参照しながら説明する。
図９は半導体チップ１０２のコーナー部１０２ａの付近の平面図である。切り取り部１４は、前記コーナー部１０２ａの付近には配置されず、前記コーナー部１０２ａから帯状配線１２，１３の長さ方向へ離れた箇所（コーナー部１０２ａ以外の箇所）に配置されている。
【００８５】
これによると、半導体チップ１０２のコーナー部１０２ａの付近における帯状配線１２，１３の面積が切り取り部１４によって削減されることはなく、前記面積を十分に確保することができる。したがって、組立工程での製造ばらつきによる半導体チップ１０２の搭載ずれに対して、前記コーナー部１０２ａの付近における帯状配線１２，１３のワイヤーボンディング位置２０，２１の範囲を十分に確保することができ、前記コーナー部１０２ａの付近において、ワイヤー１１１，１１２同士の接触不良の発生を低減することができる。
【００８６】
尚、図９の配線基板１１は、先述した実施の形態６（図７参照）に示した配線基板１１の半導体チップ１０２のコーナー部１０２ａ付近に切り取り部１４を配置していないものであるが、実施の形態１〜５又は実施の形態７に示した配線基板１１の半導体チップ１０２のコーナー部１０２ａ付近に切り取り部１４を配置していないものであってもよい。
【００８７】
（実施の形態９）
次に、本発明の実施の形態９について図１０を参照しながら説明する。
外側の帯状配線１３には、幅方向における一部分を切り取った切り取り部１４が複数形成されている。各切り取り部１４は、四角形状であり、外側の帯状配線１３の幅方向における両側端に連通せず、両側端から一定距離Ｃだけ離間した位置にある。各切り取り部１４には、帯状配線１２，１３とは異なった電源電圧（又は接地電圧）を半導体チップ１０２に供給する配線パターン１５が形成されている。各帯状配線１２，１３と各配線パターン１５とはそれぞれビア１６を介して外部パッド電極１１７に接続されている。
【００８８】
これによると、各配線パターン１５は外側の帯状配線１３の切り取り部１４に形成されているため、図２０に示した複数の帯状配線１０８ａ〜１０８ｃを電源電圧又は接地電圧の種類毎に応じて内外多重に配置した従来の配線基板１０１に比べて、帯状配線１２，１３の幅方向における帯状配線形成領域Ｗの拡大を少なくすることができ、したがって、配線領域１１９を十分に確保することが可能となる。
【００８９】
また、各配線パターン１５の周囲は外側の帯状配線１３に囲まれるため、外側の帯状配線１３が各配線パターン１５に対してシールドの役割を果たし、これによって、各配線パターン１５の信号が周囲の信号から影響を受けず、電気的に安定し良好な特性が得られる。
【００９０】
（実施の形態１０）
次に、本発明の実施の形態１０について図１１を参照しながら説明する。
外側の帯状配線１３が同電位のワイヤーボンドパッド１１３に接続パターン２５を介して接続されている。
【００９１】
これによると、電源電圧又は接続電圧を強化（電気特性を安定）させることができる。
（実施の形態１１）
次に、本発明の実施の形態１１について図１２を参照しながら説明する。
【００９２】
実施の形態１１は前記実施の形態９の変形例であって、配線パターン１５に、同電位の複数本（図１２では３本）のワイヤー１７が接続されている。
これによると、１個の配線パターン１５に対して１本のワイヤー１７を接続する場合に比べて、配線パターン１５の総数を減らすことができ、これに伴って配線パターン１５のビア１６の個数も減少し、コストを削減できるとともに設計の自由度が向上する。さらに、前記のように同電位の配線パターン１５を可能な限り一つの配線パターン１５にまとめて配置した方が下層の電源やＧＮＤとの関係で電気的に安定するといった効果もある。
【００９３】
前記実施の形態１１では、１個の配線パターン１５にワイヤー１７を３本接続しているが、３本以外の複数本接続してもよい。
（実施の形態１２）
次に、本発明の実施の形態１２について図１３を参照しながら説明する。
【００９４】
実施の形態１２は前記実施の形態１１の変形例であって、外側の帯状配線１３が同電位のワイヤーボンドパッド１１３に接続パターン２５を介して接続されている。
これによると、電源電圧又は接続電圧を強化（電気特性を安定）させることができる。
【００９５】
（実施の形態１３）
次に、本発明の実施の形態１３について図１４を参照しながら説明する。
実施の形態１３は前記実施の形態１１の変形例であって、配線パターン１５は帯状配線１３の幅方向の凹部１５ａと複数個（図１４では２個）の凸部１５ｂとを有する櫛形状に形成されている。各凸部１５ｂには、同電位のワイヤー１７が接続されている。切り取り部１４は配線パターン１５と同形状に形成されている。
【００９６】
これによると、帯状配線１３の長さ方向に沿った一直線Ｌ上において、同電位のワイヤーボンディング位置１９ａ間に異なる電位のワイヤーボンディング位置２１がある場合であっても、櫛形状の配線パターン１５の各凸部１５ｂに同電位のワイヤーボンディング位置１９ａを設定することで、１個の櫛形状の配線パターン１５に対して同電位の複数本のワイヤー１７を接続することができる。
【００９７】
前記実施の形態１３では、１個の配線パターン１５について、凹部１５ａを１個と凸部１５ｂを２個形成しているが、凹部１５ａを複数個と凸部１５ｂを３個以上の複数個形成してもよい。
【００９８】
前記実施の形態１３では、１個の配線パターン１５にワイヤー１７を２本接続しているが、２本以外の複数本接続してもよい。
（実施の形態１４）
次に、本発明の実施の形態１４について図１５を参照しながら説明する。
【００９９】
実施の形態１４は前記実施の形態１３の変形例であって、外側の帯状配線１３が同電位のワイヤーボンドパッド１１３に接続パターン２５を介して接続されている。
これによると、電源電圧又は接続電圧を強化（電気特性を安定）させることができる。
【０１００】
（実施の形態１５）
次に、本発明の実施の形態１５について図１６を参照しながら説明する。
内側の帯状配線１２の外周部に複数の凹凸部１２ａ，１２ｂが形成されているとともに外側の帯状配線１３の内周部に複数の凹部１３ａが形成されている。前記凹凸部１２ａ，１２ｂと凹部１３ａとで切り取り部１４が形成されている。切り取り部１４には、各帯状配線１２，１３とは異なった電源電圧（又は接地電圧）を半導体チップ１０２にワイヤー１７を介して供給する配線パターン１５が複数個形成されている。
【０１０１】
各配線パターン１５は帯状配線１２の幅方向の凹部１５ａと複数個（図１６では２個）の凸部１５ｂとを有する櫛形状に形成されている。各配線パターン１５の凸部１５ｂが内側の帯状配線１２の凹部１２ａに突入し、各配線パターン１５の凹部１５ａに内側の帯状配線１２の凸部１２ｂが突入している。
【０１０２】
配線パターン１５の各凸部１５ｂには同電位のワイヤー１７が接続されている。また、各帯状配線１２，１３と各配線パターン１５とはそれぞれビア１６を介して外部パッド電極１１７に接続されている。
【０１０３】
これによると、電源電圧又は接地電圧がボール電極１０４から各帯状配線１２，１３とワイヤー１１１，１１２とを介して半導体チップ１０２に供給され、前記各帯状配線１２，１３とは異なった電源電圧（又は接地電圧）がボール電極１０４から配線パターン１５とワイヤー１７とを介して半導体チップ１０２に供給される。
【０１０４】
また、配線パターン１５は帯状配線１２，１３の切り取り部１４に形成されているため、図２０に示した複数の帯状配線１０８ａ〜１０８ｃを電源電圧又は接地電圧の種類毎に応じて内外多重に配置した従来の配線基板１０１に比べて、帯状配線１２，１３の幅方向における帯状配線形成領域Ｗの拡大を少なくすることができ、したがって、配線領域１１９を十分に確保することが可能となる。
【０１０５】
また、１個の配線パターン１５に対して同電位の複数本（図１６では三本）のワイヤー１７を接続しているため、１個の配線パターン１５に対して１本のワイヤー１７を接続する場合に比べて、配線パターン１５の総数を減らすことができ、これに伴って配線パターン１５のビア１６の個数も減少し、コストを削減できるとともに設計の自由度が向上する。さらに、前記のように同電位の配線パターン１５を可能な限り一つの配線パターン１５にまとめて配置した方が下層の電源やＧＮＤとの関係で電気的に安定するといった効果もある。
【０１０６】
また、帯状配線１２の長さ方向に沿った一直線Ｌ上において、同電位のワイヤーボンディング位置１９ａ間に異なる電位のワイヤーボンディング位置２０がある場合であっても、櫛形状の配線パターン１５の各凸部１５ｂに同電位のワイヤーボンディング位置１９ａを設定することで、１個の櫛形状の配線パターン１５に対して同電位の複数本のワイヤー１７を接続することができる。
【０１０７】
前記実施の形態１５では、１個の配線パターン１５について、凹部１５ａを１個と凸部１５ｂを２個形成しているが、凹部１５ａを複数個と凸部１５ｂを３個以上の複数個形成してもよい。
【０１０８】
前記実施の形態１５では、１個の配線パターン１５にワイヤー１７を３本接続しているが、３本以外の複数本接続してもよい。
前記実施の形態１５では、図１６に示したように切り取り部１４に配線パターン１５を二個配置しているが、三個以上配置してもよい。
【０１０９】
前記実施の形態１〜１５では、二本の帯状配線１２，１３を内外二重に配置しているが、三本以上の帯状配線を内外三重以上に配置してもよい。
（実施の形態１６）
次に、本発明の実施の形態１６について図１７を参照しながら説明する。
【０１１０】
実施の形態１６は前記実施の形態１５の変形例であって、三本の帯状配線１１，１２，２７が内外三重に形成されている。最外側の帯状配線１３の内周部に凹部１３ａが形成されている。最外側の帯状配線１３の内側に対向する帯状配線１２の外周部に凹凸部１２ａ，１２ｂが形成されている。前記凹凸部１２ａ，１２ｂと凹部１３ａとで切り取り部１４が形成されている。切り取り部１４には、各帯状配線１２，１３，２７とは異なった電源電圧又は接地電圧を半導体チップ１０２にワイヤー１７を介して供給する配線パターン１５が複数個形成されている。
【０１１１】
これによると、電源電圧又は接地電圧がボール電極１０４から各帯状配線１２，１３，２７とワイヤー１１１，１１２，２８とを介して半導体チップ１０２に供給され、前記各帯状配線１２，１３，２７とは異なった電源電圧（又は接地電圧）がボール電極１０４から配線パターン１５とワイヤー１７とを介して半導体チップ１０２に供給される。
【０１１２】
前記実施の形態１６では、三本の帯状配線１２，１３，２７を内外三重に配置しているが、四本以上の帯状配線を内外四重以上に配置してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明にかかる配線基板とそれを用いた半導体装置は、多機能化により電源やＧＮＤの種類が増えても、配線の引廻し領域をうまく利用することにより、従来よりも電源やＧＮＤを表層で可能な限りまとめ、電源やＧＮＤを接続するための配線パターンを工夫することにより、配線領域をより確保できる効果がある。多ピンのパッケージなどの配線基板およびそれを用いた半導体装置に有用である。ＢＧＡ型のパッケージ構造のみでなく、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）やＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、多段のＳＩＰなどにも同等の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の実施の形態１における配線基板の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＳ部の拡大平面図である。
【図２】同、配線基板を備えた半導体装置の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ’断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２における配線基板の一部拡大平面図である。
【図４】本発明の実施の形態３における配線基板の一部拡大平面図である。
【図５】本発明の実施の形態４における配線基板の図であり、（ａ）は一部拡大平面図、（ｂ）は近接許容角度を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態５における配線基板の一部拡大平面図である。
【図７】本発明の実施の形態６における配線基板の一部拡大平面図である。
【図８】本発明の実施の形態７における配線基板の一部拡大平面図である。
【図９】本発明の実施の形態８における配線基板の一部拡大平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態９における配線基板の一部拡大平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１０における配線基板の一部拡大平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態１１における配線基板の一部拡大平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１２における配線基板の一部拡大平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態１３における配線基板の一部拡大平面図である。
【図１５】本発明の実施の形態１４における配線基板の一部拡大平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態１５における配線基板の一部拡大平面図である。
【図１７】本発明の実施の形態１６における配線基板の一部拡大平面図である。
【図１８】従来の配線基板の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＵ部の拡大平面図である。
【図１９】従来の配線基板を備えた半導体装置の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ’断面図である。
【図２０】同、配線基板の一部拡大平面図であり、帯状配線を増設したものである。
【符号の説明】
【０１１５】
１１    配線基板
１２，１３，２７    帯状配線
１２ａ，１３ａ    凹部
１２ｂ，１３ｂ    凸部
１４    切り取り部
１５    配線パターン
１５ａ    凹部
１５ｂ    凸部
１７，２８，１０６，１１１，１１２    ワイヤー
１８    金属配線層
３１    半導体装置
１０２    半導体チップ
１０２ａ    コーナー部
１０３    パッド（端子）
１０４    ボール電極（外部端子）
１０７    金属配線パターン
１１０    チップ搭載領域
１１３    ワイヤーボンドパッド
１１６    封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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