(57)【要約】【課題】ポンプの吐出圧力を必要以上に高くすることなく、定圧弁の二次側圧力若しくは二次側流量を一定に保って、定圧若しくは定流量の処理液の供給を実現できるようにすること。【解決手段】処理液を貯留する処理液タンク３と、処理液を供給する処理液供給ノズル３６とを接続する配管２に、処理液タンク３から処理液を連続的に吐出するベローズポンプ４と、このベローズポンプ４の二次側に位置し、ベローズポンプ４による液流の脈動を抑制する定圧弁５と、を介設する処理液供給システムにおいて、配管２におけるベローズポンプ４の二次側に、ベローズポンプ４による液流の脈動の圧力低下を補完する気体を供給する気体供給源７を接続すると共に、この気体供給源７から配管２内に供給された気体を排出する気体抜き部８ａを有するフィルタ８を介設する。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を貯留する処理液供給源と、処理液を供給する処理液供給手段とを接続する配管に、上記処理液供給源から処理液を連続的に吐出するポンプと、このポンプの二次側に位置し、ポンプによる液流の脈動を抑制する定圧弁と、を介設する処理液供給システムにおいて、
上記配管における上記ポンプの二次側に、ポンプによる液流の脈動の圧力低下を補完する気体を供給する気体供給手段を接続すると共に、この気体供給手段から配管内に供給された気体を排出する気体抜き手段を介設してなる、ことを特徴とする処理液供給システム。
【請求項２】
請求項１記載の処理液供給システムにおいて、
上記気体供給手段が定圧弁の一次側に接続されている、ことを特徴とする処理液供給システム。
【請求項３】
請求項１又は２記載の処理液供給システムにおいて、
上記気体供給手段から配管内に供給される気体が、窒素（Ｎ２）ガス，アルゴン（Ａｒ）ガス又はヘリウム（Ｈｅ）ガスのいずれかである、ことを特徴とする処理液供給システム。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか記載の処理液供給システムにおいて、
上記定圧弁に、この定圧弁によって所定圧に設定された液体の流量を絞り調整する絞りを更に具備する、ことを特徴とする処理液供給システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理液供給システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイスの製造プロセス中のフォトリソグラフィ技術においては、ウエハ等の基板にフォトレジスト（以下にレジストという）を塗布してレジスト膜を形成し、その後、このレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に所望の回路パターンを形成する、一連のリソグラフィ工程によって行われている。
【０００３】
このような一連の処理は、一般に基板にレジスト液を塗布して処理するレジスト塗布処理ユニット、レジスト塗布処理終了後の基板や露光処理後の基板を加熱処理する加熱処理ユニット、露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理する現像処理ユニット等が複数備えられた塗布・現像処理システムによって行われている。
【０００４】
従来のこの種の塗布・現像処理システムにおいては、現像液やレジスト液等の処理液を、このシステムに設けられた各処理ユニット、すなわち、アドヒージョン処理ユニット，レジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニット等に供給する必要がある。この場合、処理液は、工場配管に備えられたＮ２ガス圧送設備により処理液供給源であるタンクに一旦貯留された後、このタンクから各処理ユニットに供給されるようになっている。タンクからの供給手段としては、ポンプ又はＮ２ガス圧送設備が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
一般に、タンク内の処理液を、例えばベローズポンプ等のポンプを用いて各処理ユニットに圧送供給する場合には、処理液が繰り返し加圧されるため、処理ユニットに到達した処理液に脈動が生じている可能性がある。そのため、図９に示すように、処理液を貯留する処理液供給源例えばタンクａから処理液を連続的に吐出するベローズポンプｂ（以下にポンプｂという）の二次側の配管ｃに、ポンプｂによる液流の脈動を抑制する定圧手段例えば定圧弁ｄが設けられている。
【０００６】
上記ポンプｂの二次側ではポンプｂの動作のため、図１０（ａ）に示すように、時間と共に配管ｃ内の圧力が変動する。そのため、定圧弁ｄを用いることにより、設定圧力になるように動作ポイントを変化させる。例えば、図１０（ｂ）に示すように、Ｐ１の圧力に設定した場合、定圧弁ｄの二次側は、図１０（ｃ）に示すようになる。すなわち、ポンプｂの二次側（定圧弁ｄの一次側）で設定圧力以上の圧力がある場合、定圧弁ｄを自動的に閉じることにより、定圧弁ｄの二次側に圧力が伝達しないため、定圧弁ｄの二次側では配管ｃ内の圧力は設定圧力Ｐ１となる。しかし、設定圧力Ｐ１よりもポンプｂの二次側（定圧弁ｄの一次側）の圧力が下がると、定圧弁ｄは開ききり圧力を伝達しようとするが、定圧弁ｄの一次側の圧力よりも圧力を上げる効果はないため、設定圧力Ｐ１以下の圧力になってしまう。したがって、図１０（ｃ）に示すように、設定圧力Ｐ１と設定圧力以下の圧力で脈動が残ることになる。この脈動を減らすためには、定圧弁ｄの設定圧力をポンプｂの二次側（定圧弁ｄの一次側）の圧力の最低値以下に設定する必要がある。すなわち、図１０（ｂ）に示すような設定圧力Ｐ２にする必要がある。しかし、この設定圧力Ｐ２は、ポンプｂの二次側（定圧弁ｄの一次側）の最低圧力以下であるため、定圧弁ｄの二次側では、図１０（ｄ）のように非常に低い圧力のみでの動作しかできない。これは、ポンプｂの圧力発生能力のうち、図１０（ｄ）のハッチングの部分のエネルギを破棄することを意味しており、エネルギ消費の観点でも無駄が多いシステムということになる。
【０００７】
上記定圧弁ｄの動作を保障するためには、定圧弁ｄの一次側に設定値以上の圧力を常に与える必要がある。この圧力が変動している場合、その最低値以下の設定圧力であるならば、脈動のないシステムを構築することができるようになる。
【特許文献１】特許第３５６１４３８号公報（特許請求の範囲、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、一般に使用されているベローズポンプでは、脈動は非常に大きく、定圧弁との組み合わせによって脈動のない定圧・定量の処理液を供給するシステムを構築することは困難であった。
【０００９】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、ポンプの吐出圧力を必要以上に高くすることなく、定圧弁の二次側圧力若しくは二次側流量を一定に保って、定圧若しくは定流量の処理液の供給を実現できるようにした処理液供給システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、この発明の処理液供給システムは、処理液を貯留する処理液供給源と、処理液を供給する処理液供給手段とを接続する配管に、上記処理液供給源から処理液を連続的に吐出するポンプと、このポンプの二次側に位置し、ポンプによる液流の脈動を抑制する定圧弁と、を介設する処理液供給システムにおいて、上記配管における上記ポンプの二次側に、ポンプによる液流の脈動の圧力低下を補完する気体を供給する気体供給手段を接続すると共に、この気体供給手段から配管内に供給された気体を排出する気体抜き手段を介設してなる、ことを特徴とする。
【００１１】
このように構成することにより、ポンプの二次側の配管中に、気体供給手段から気体を供給して、ポンプによる液流の脈動の圧力低下を補完し、脈動の圧力低下の補完に供した気体を配管中から排気することができる。
【００１２】
この発明において、上記気体供給手段はポンプの二次側であれば定圧弁の二次側の配管に接続しても差し支えないが、好ましくは、気体供給手段を定圧弁の一次側に接続する方がよい（請求項２）。
【００１３】
このように構成することにより、ポンプの二次側の大きな脈動を気体の供給によって補完して高圧に保った後に定圧弁によって設定圧力を維持することができる。
【００１４】
また、上記気体供給手段から配管内に供給される気体は、窒素（Ｎ２）ガス，アルゴン（Ａｒ）ガス又はヘリウム（Ｈｅ）ガスのいずれかである方が好ましい（請求項３）。
【００１５】
このように構成することにより、処理液中に溶解しない性質を有する窒素（Ｎ２）ガス，アルゴン（Ａｒ）ガス又はヘリウム（Ｈｅ）ガスを用いてポンプによる液流の脈動の圧力低下を補完することができる。
【００１６】
加えて、上記定圧弁に、この定圧弁によって所定圧に設定された液体の流量を絞り調整する絞りを更に具備する方が好ましい（請求項４）。
【００１７】
このように構成することにより、定圧弁によって所定圧に制御された処理液の流量をオリフィスによって安定させることができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上に説明したように、この発明の処理液供給システムは、上記のように構成されているので、以下のような顕著な効果が得られる。
【００１９】
（１）請求項１記載の発明によれば、ポンプの二次側の配管中に、気体供給手段から気体を供給して、ポンプによる液流の脈動の圧力低下を補完し、脈動の圧力低下の補完に供した気体を配管中から排気することで、ポンプの吐出圧力を必要以上に高くすることなく、定圧弁の二次側圧力若しくは二次側流量を一定に保って、定圧若しくは定流量の処理液の供給を実現することができる。
【００２０】
（２）請求項２記載の発明によれば、ポンプの二次側の大きな脈動を気体の供給によって補完して高圧に保った後に定圧弁によって設定圧力を維持することができるので、定圧弁の一次側の圧力を必要以上に高くすることなく、設定圧力以上に保つことができ、上記（１）に加えて、更にエネルギの省力化を図ることができる。
【００２１】
（３）請求項３記載の発明によれば、処理液中に溶解しない性質を有する窒素（Ｎ２）ガス，アルゴン（Ａｒ）ガス又はヘリウム（Ｈｅ）ガスを用いてポンプによる液流の脈動の圧力低下を補完することができるので、上記（１），（２）に加えて、更に処理液の処理の安定化を図ることができる。
【００２２】
（４）請求項４記載の発明によれば、定圧弁によって所定圧に制御された処理液の流量をオリフィスによって安定させることができるので、上記（１）〜（３）に加えて、更に処理液の供給量の安定化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る処理液供給システムを半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムに適用した場合について説明する。
【００２４】
図１は、上記レジスト塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図、図２は、レジスト塗布・現像処理システムの概略斜視図である。
【００２５】
上記レジスト塗布・現像処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）が例えば２５枚密閉収容されたキャリア２０を搬入出するための搬入・搬出部であるキャリアブロックＳ１と、複数個例えば４個の単位ブロックＢ１〜Ｂ４を縦に配列して構成された塗布・現像処理部である塗布・現像処理ブロックＳ２（以下に処理ブロックＳ２という）と、インターフェース部であるインターフェースブロックＳ３と、を具備するレジスト塗布・現像処理装置１０と、レジスト塗布・現像処理装置１０とインラインで接続された露光装置１１とで主に構成されている。また、レジスト塗布・現像処理装置１０には、各ブロックＳ１〜Ｓ３間，ブロック内の処理ユニットとの間で、ウエハＷを搬送する搬送手段として後述するアームＡ１，Ａ２，Ｃ，Ｄが備えられている。
【００２６】
上記レジスト塗布・現像処理装置１０のキャリアブロックＳ１には、複数個（例えば４個）のキャリア２０を載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。
【００２７】
レジスト塗布・現像処理装置１０におけるトランスファーアームＣは、処理ブロックＳ２に設けられた受渡しステージＴＲＳ１との間でウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、並びに鉛直軸回りに回転自在に移動自在に構成されている。
【００２８】
キャリアブロックＳ１の奥側には、筐体７０にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、レジスト液や現像液等の薬液容器類を収納する第１の単位ブロック（ＣＨＭ）Ｂ１、現像処理を行うための第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ２、２段のレジスト液の塗布処理を行うための塗布膜形成用単位ブロック及び洗浄処理を行う洗浄単位ブロックである第３，第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３，Ｂ４として割り当てられている（図３参照）。なお、この場合、塗布膜形成用単位ブロックの一つ例えば第３の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３を、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための単位ブロック（ＢＣＴ層）としてもよい。また、更に第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４の上段に、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための反射防止膜形成用単位ブロックを設けるようにしてもよい。
【００２９】
第１〜第４の単位ブロックＢ１〜Ｂ４は、前面側に配設され、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、背面側に配設され、上記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱処理ユニット等の処理ユニットと、前面側に配設される上記液処理ユニットと背面側に配設される加熱処理ユニット等の処理ユニットとの間、具体的には下段に現像処理部を配置し、上段にレジスト処理部を配置した液処理ユニットと加熱処理ユニット等の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１，Ａ２とを備えている。
【００３０】
これら単位ブロックＢ１〜Ｂ４は、この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ４の間で、上記液処理ユニットと、加熱処理ユニット等の処理ユニットと、搬送手段との配置レイアウトが同じに形成されている。ここで、配置レイアウトが同じであるとは、各処理ユニットにおけるウエハＷを載置する中心つまり液処理ユニットにおけるウエハＷの保持手段であるスピンチャックの中心や、加熱処理ユニットにおける加熱プレートや冷却プレートの中心が同じという意味である。
【００３１】
上記第２の単位ブロックすなわちＤＥＶ層Ｂ２は、図１に示すように、ＤＥＶ層Ｂ２のほぼ中央には、ＤＥＶ層Ｂ２の長さ方向（図中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェースブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送領域Ｒ１（メインアームＡ１の水平移動領域）が形成されている。また、第３，第４の単位ブロックすなわちＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４は、図示しないが、ＤＥＶ層Ｂ２と同様に、ＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４のほぼ中央には、ＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４の長さ方向（図中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェースブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送領域Ｒ２（メインアームＡ２の水平移動領域）が形成されている。
【００３２】
上記搬送領域Ｒ１（Ｒ２）のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、上記液処理ユニットとして、現像処理を行うための複数個例えば３個の現像処理ユニット３１と、２段の塗布処理ユニット３２及び洗浄ユニット（ＳＣＲ）が設けられている。
【００３３】
上記現像処理ユニット３１は、図６及び図７に示すように、ウエハＷを真空吸着し、略水平に保持する保持手段であるスピンチャック３３と、このスピンチャック３３を回転及び昇降する駆動手段であるモータ３４と、ウエハＷがスピンチャック３３に吸着保持された状態において、ウエハＷの側方を囲むように配置されるカップ３５と、スピンチャック３３によって保持されたウエハＷの表面に対して処理液、例えば現像液を供給する処理液供給手段である処理液供給ノズル３６（以下に供給ノズル３６という）と、ウエハＷの表面に洗浄液例えば純水を供給する洗浄液供給ノズル３７（以下に洗浄ノズル３７という）と、を具備している。
【００３４】
この場合、カップ３５は各々上下可動な外カップ３５ａと内カップ３５ｂとからなる。内カップ３５ｂは円筒の上部側が上方内側に傾斜し、上部側開口部が下部側開口部より狭くなるように形成されており、昇降部３５ｃにより外カップ３５ａが上昇すると外カップ３５ａの移動範囲の一部において連動して昇降するように構成されている。
【００３５】
また、カップ３５の下部側は、スピンチャック３３の周囲を囲む円板３５ｄと、円板３５ｄの周り全周に亘って凹部３５ｅを形成し、底面に排液口３５ｆが形成されている液受け部３５ｇとにより構成されている。この液受け部３５ｇの側面より僅かに内側に外カップ３５ａ（及び内カップ３５ｂ）が収まっており、凹部３５ｅと内カップ３５ｂとによりウエハＷの上方レベル及び下方レベルに跨ってウエハＷの側方を包囲している。また、円板３５ｄの周縁部には上端がウエハＷの裏面に接近する断面山形のリング体３５ｈが設けられている。
【００３６】
上記供給ノズル３６は、図６及び図８に示すように、例えばウエハＷの有効領域（デバイスの形成領域）の幅と同じかそれ以上の長さに亘る処理液の吐出領域を形成できるように、ノズルの長さ方向に配列された例えば多数の孔部に連通する吐出口３６ａと、この吐出口３６ａに現像液流路３６ｂを介して連通される現像液貯留部３６ｃを備えるスリットノズルにて形成されている。
【００３７】
現像液貯留部３６ｃは、後述するこの発明に係る処理液供給システム１を構成する配管２を介して現像液供給源である現像液タンク３に接続されている。なお、吐出口３６ａの内部には、緩衝材をなす例えば石英又はセラミック製の棒状体３６ｄが配置されており、この棒状体３６ｄは現像液流路３６ｂから供給される現像液のウエハＷ表面に向かう圧力（吐出圧力）が供給ノズル３６の長さ方向で均一になるように、例えば吐出口３６ａの内壁に接触せず（棒状体３６ｄの両端を支持する部位を除く）、かつ現像液の吐出方向となる位置に設けられる。このため、現像液は一旦棒状体３６ｄに当たってから下方側へ向かう。
【００３８】
上記のように構成される供給ノズル３６は、第１の移動機構８１によりカップ３５の外側に設けられた一対のガイドレール８３に沿って、図７に示すカップ３５の外側の待機位置８４ａ（ガイドレール８３の一端側の位置）からウエハＷの上方側を通って待機位置８４ａとウエハＷを挟んで対向する待機位置８４ｂまで移動可能に配設されている。
【００３９】
第１の移動機構８１は門形のアーム部８１ａとベース部８１ｂとにより構成されており、多数の処理液の吐出孔がＸ方向に配列されるように供給ノズル３６をアーム部８１ａにより支持し、移動部であるベース部８１ｂを介してガイドレール８３に沿って移動できるようになっている。ベース部８１ｂは昇降機構８１ｃにより例えばモータなどの図示しない動力源からの駆動力によりアーム部８１ａを上下方向に移動させることができる。
【００４０】
また、洗浄ノズル３７は、ストレートノズルにて形成されており、図７に示すように、開閉弁Ｖ３を介設した洗浄液供給配管８５を介して洗浄液（純水）供給源８６に接続されている。この洗浄ノズル３７は、例えば第２の移動機構８２により、図７に示すカップ３５の外側の待機位置８４ｂ（ガイドレール８３の他端側の位置）からウエハＷの上方側を通って供給ノズル３６の待機位置８４ａ側まで水平に移動可能に設けられている。
【００４１】
なお、カップ３５、第１の移動機構８１及び第２の移動機構８２は箱状の筐体３８により囲まれた一ユニットとして形成されており、筐体３８内には図示しない搬送口を介して上記メインアームＡ１によりウエハＷの受け渡しが行われる。
【００４２】
上記処理液供給システム１は、図５ないし図８に示すように、供給ノズル３６と処理液供給源である現像液タンク３とを接続する配管２に、現像液を連続的に吐出するポンプ例えばベローズポンプやシリンジポンプ等の定量型ポンプ４（以下に、ベローズポンプ４を代表して説明する）と、このベローズポンプ４の二次側に位置して、ベローズポンプ４により現像液の脈流を抑制する定圧弁５を介設すると共に、ベローズポンプ４の二次側及び定圧弁５の一次側に、供給配管６を介して気体例えば窒素（Ｎ２）ガス，アルゴン（Ａｒ）ガス又はヘリウム（Ｈｅ）ガス等を供給する気体供給手段である気体供給源７が接続され、気体供給源７の接続部と定圧弁５との間に、気体抜き手段である気体抜き部８ａを有するフィルタ８が介設されている。なお、現像液タンク３には、この現像液タンク３内に貯留された現像液の液面を検知する例えば静電容量型の上限液面センサＬＳ１と下限液面センサＬＳ２が備えられている。これら上限液面センサＬＳ１，下限液面センサＬＳ２によって検知された検知情報はコントローラ６０に伝達され、コントローラ６０によって現像液タンク３内の現像液の状態が監視されている。
【００４３】
また、配管２における定圧弁５の二次側には定圧弁５によって脈動が抑制された現像液の流量を調整するオリフィス５ａが介設されており、定圧弁５とオリフィス５ａとで定圧・定量弁５Ａが構成されている。また、定圧弁５と各現像処理ユニット３１の供給ノズル３６との間には、開閉弁Ｖ１が介設されている。
【００４４】
また、供給配管６には、気体供給源７側から配管２の接続部側に向かって順に、供給気体の圧力を調整するレギュレータ７ａと、気体供給源７側への逆流を阻止する逆止弁７ｂが介設されている。
【００４５】
また、フィルタ８の気体抜き部８ａには、開閉弁Ｖ２を介設した戻り配管８ｂが接続され、気体抜き部８ａから排気される気体（現像液の一部が含まれる）を現像液タンク３に戻すように構成されている。
【００４６】
上記のように構成される処理液供給システム１において、ベローズポンプ４を駆動すると、現像液タンク３内に貯留された現像液が連続的に供給ノズル３６側に吐出される。このときの現像液の吐出圧力は、供給ノズル３６から吐出される設定圧力以上の０．１ＭＰａ〜１ＭＰａ例えば０．２ＭＰａに設定されている。このようにして現像液が配管２内に吐出される際、気体供給源７から配管２内に気体例えばＮ２ガスが、現像液の吐出圧力と同等例えば０．２ＭＰａで供給されて、ベローズポンプ４による現像液の脈動の圧力低下をＮ２ガスが補完する。これにより、図１１に示すように、ベローズポンプ４の二次側（定圧弁５の一次側）の比較的大きな脈動｛ベローズポンプ二次側圧力ＰB：０．０６〜０．１６ＭＰａ｝を抑制して小さな脈動｛定圧弁二次側圧力ＰC：０．１０ＭＰａ｝にする。脈動の圧力低下の補完に供した気体は、フィルタ８を通過する際、フィルタ８に設けられた気体抜き部８ａから排気されて、戻し配管２を介して現像液タンク３内に戻され、供給ノズル３６側へは流れない。脈動が抑制された現像液は次に定圧弁５によって脈動が抑制されると共に、供給ノズル３６から吐出される所定の圧力に制御され、更に、オリフィス５ａによって所定の流量に制御される。
【００４７】
したがって、ベローズポンプ４の吐出圧力を必要以上に高くすることなく、定圧弁５の二次側圧力若しくは二次側流量を一定に保って、定圧若しくは定流量の現像液の供給を可能にすることができ、現像液の消費量の無駄を省くことができる。また、定圧弁５によって所定圧に制御された現像液の流量をオリフィス５ａによって安定させることができるので、現像液の供給量の安定化を図ることができる。
【００４８】
なお、上記モータ３４，昇降部３５ｃ，第１の移動機構８１及び第２の移動機構８２，開閉バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３はそれぞれコントローラ６０と接続されており、例えばモータ３４によるスピンチャック３３の回転や昇降に応じて、開閉バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３の開閉や、第１の移動機構８１による現像液や純水の供給（スキャン）を行うように、各部を連動させたコントロールを可能としている。この際、現像液，純水等の供給形態（具体的にはノズルの形態）や、開閉バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３の開閉動作のタイミングや、第１の移動機構８１や第２の移動機構８２の移動開始や停止のタイミング、移動速度、現像液（希釈液）吐出時における供給ノズル３６の高さ等は予め作成された処理レシピに基づいて制御されるようになっている。
【００４９】
なお、上記各単位ブロックは、手前側から奥側に向かって左側に、順に加熱系のユニットを多段化した例えば４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４が設けられており、ＤＥＶ層Ｂ２においては現像処理ユニット３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種処理ユニットを複数段、例えば３段ずつに積層した構成とされている。このようにして上記搬送領域Ｒ１によって現像処理ユニット３１と棚ユニットＵ１〜Ｕ４が区画されており、搬送領域Ｒ１に洗浄エアを噴出させて排気することにより、当該領域内のパーティクルの浮遊を抑制するようになっている。
【００５０】
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図４に示すように、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱処理ユニット（ＰＥＢ）や、現像処理後のウエハＷの水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニット等と呼ばれている加熱処理ユニット（ＰＯＳＴ）等が含まれている。これら加熱処理ユニット（ＰＥＢ，ＰＯＳＴ）等の各処理ユニットは、それぞれ処理容器４０内に収容されており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、上記処理容器４０が３段ずつ積層されて構成され、各処理容器４０の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口４１が形成されている。なお、加熱処理ユニット（ＰＥＢ，ＰＯＳＴ）は、コントローラ６０に電気的に接続されており、コントローラ６０からの制御信号に基づいて加熱温度や加熱時間が調整可能に形成されている。
【００５１】
上記搬送領域Ｒ１には上記メインアームＡ１が設けられている。このメインアームＡ１は、ＤＥＶ層Ｂ２内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニット、現像処理ユニット３１の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【００５２】
なお、メインアームＡ１（Ａ２）は、同様に構成されており、メインアームＡ１を代表して説明すると、例えば図１に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の湾曲アーム片５１を有するアーム本体５０を備えており、これら湾曲アーム片５１は図示しない基台に沿って互いに独立して進退自在に構成されている。またこの基台は鉛直軸回りに回転自在に構成されると共に、Ｙ方向に移動自在、かつ昇降自在に構成されている。このようにして湾曲アーム片５１は、Ｘ方向に進退自在，Ｙ方向に移動自在，昇降自在及び鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各ユニットやキャリアブロックＳ１側に配置された棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１、液処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このようなメインアームＡ１は、制御手段であるコントローラ６０からの指令に基づいて駆動が制御される。また、メインアームＡ１（Ａ２）の加熱処理ユニットでの蓄熱を防止するために、ウエハＷの受け取り順番をプログラムで任意に制御できるようになっている。
【００５３】
また、上記塗布膜形成用の単位ブロックＢ３，Ｂ４は、いずれも同様に構成されており、上述の現像処理用の単位ブロックＢ２と同様に構成されている。具体的には、液処理ユニットとしてウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行うための塗布処理ユニット３２が設けられ、ＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４の棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、レジスト液塗布後のウエハＷを加熱クーリング処理する熱処理ユニット（ＣＬＨＰ）や、レジスト液とウエハＷとの密着性を向上させるための疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）を備えており、ＤＥＶ層Ｂ２と同様に構成されている。すなわち、塗布ユニットと熱処理ユニット（ＣＬＨＰ）及び疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）とをメインアームＡ２の搬送領域Ｒ２（メインアームＡ２の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、このＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４では、メインアームＡ２により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、塗布処理ユニット３２と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してそれぞれウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。なお、上記疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）は、ＨＭＤＳ雰囲気内でガス処理を行なうものであるが、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３，Ｂ４のいずれかに設けられればよい。
【００５４】
また、上記処理ブロックＳ２とインターフェースブロックＳ３の隣接する領域には、図１に示すように、メインアームＡ１がアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられている。この棚ユニットＵ６は、ＤＥＶ層Ｂ２のメインアームＡ１との間でウエハＷの受け渡しを行うように、受渡しステージＴＲＳ２と、ウエハＷの受け渡しを行う冷却機能を有する受渡しステージ（図示せず）を備えている。また、処理ブロックＳ２とインターフェースブロックＳ３の隣接する領域には、図１及び図４に示すように、周縁露光装置（ＷＥＥ）が２段配置されている。
【００５５】
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェースブロックＳ３を介して露光装置１１が接続されている。インターフェースブロックＳ３には、処理ブロックＳ２のＤＥＶ層Ｂ２の棚ユニットＵ６の各部と露光装置１１とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェースアームＤを備えている。このインターフェースアームＤは、処理ブロックＳ２と露光装置１１との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この例では、上記ＤＥＶ層Ｂ２の受渡しステージＴＲＳ２等に対してウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【００５６】
次に、上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理システムにおけるウエハＷの処理について説明する。
【００５７】
まず、キャリアブロックＳ１の載置台２１に処理に供されるウエハＷを収納したキャリア２０を開閉部２２に載置する。次に、トランスファーアームＣによってキャリア２０から取り出されたウエハＷは、受渡しステージＴＲＳ１に搬送された後、メインアームＡ２によって疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）に搬送されて、疎水化処理が施される。
【００５８】
疎水化処理された後に棚ユニットＵ５に一時収納されたウエハＷは、メインアームＡ２によって棚ユニットＵ５から取り出され、塗布処理ユニット３２に搬送されて、レジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウエハＷは、メインアームＡ２によって熱処理ユニット（ＣＬＨＰ）に搬送されて、溶剤をレジスト膜から蒸発させるためのプリベーク（ＰＡＢ）が施される。その後、ウエハＷは熱処理ユニット（ＣＬＨＰ）内でクーリング処理が施される。なお、図示しないが、プリベーク（ＰＡＢ）が施された後、ウエハＷは周辺露光装置（ＷＥＥ）に搬送されて、周辺露光処理が施された後に加熱処理及び上記クーリング処理が施される。次いで、ウエハＷは、インターフェースアームＤにより露光装置１１に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
【００５９】
露光処理後のウエハＷは、インターフェースアームＤにより、ＤＥＶ層Ｂ２にウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ２に搬送され、このステージＴＲＳ２上のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ２のメインアームＡ１に受け取られ、このＤＥＶ層Ｂ２にて、まず、加熱処理ユニット（ＰＥＢ）でポストエクスポージャーベーク処理された後、加熱処理ユニット（ＰＥＢ）内の冷却プレート（図示せず）で所定温度に調整される。次いで、ウエハＷは、メインアームＡ１によって加熱処理ユニット（ＰＥＢ）から取り出されて現像処理ユニット３１に搬送されて、現像液が塗布される。その後、メインアームＡ１によって加熱処理ユニット（ＰＯＳＴ）に搬送され、所定の現像処理が行われる。
【００６０】
現像処理後のウエハＷは、キャリアブロックＳ１の載置台２１に載置された空のキャリア２０内に収納されて搬出される。
【００６１】
なお、上記実施形態では、反射防止膜を形成しない場合について説明したが、レジスト膜の下側や上側に反射防止膜を形成する場合においても、上記塗布・現像処理システムを同様に適用することができる。すなわち、ウエハＷの表面に疎水化処理を施し、その後、ウエハＷの表面に犠牲膜を皮膜し、ベーク処理，クーリング処理を施した後、犠牲膜の表面に反射防止膜を形成（皮膜）する。そして、反射防止膜の表面にレジスト膜を形成した後、露光処理，現像処理を施すことができる。この場合、クーリング処理とレジスト塗布処理の間に、反射防止膜塗布処理→ベーク処理→クーリング処理の工程が追加される。
【００６２】
また、上記実施形態では、この発明に係る処理液供給システムがレジスト塗布・現像処理システムにおける現像処理ユニット３１に適用される場合について説明したが、この発明に係る処理液供給システムは、現像処理ユニット３１以外の塗布処理ユニット３２のレジスト液供給システムや洗浄液供給システムにも適用でき、更には、上記レジスト塗布・現像処理システム以外の処理液供給システム例えば、ウエハ洗浄処理の処理液供給システムや無電界メッキ処理の処理液供給システム等にも適用できる。
【００６３】
更に、この発明は、ウエハ以外に、ＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクル等の他の基板の処理システムにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】この発明に係る処理液供給システムを適用したレジスト塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】この発明におけるレジスト塗布・現像処理システムの概略斜視図である。
【図３】上記レジスト塗布・現像処理システムの液処理部を示す概略正面図である。
【図４】上記レジスト塗布・現像処理システムの熱処理部を示す概略背面図である。
【図５】この発明に係る処理液供給システムの一例を示す概略構成図である。
【図６】上記レジスト塗布・現像処理システムにおける現像処理ユニットを示す概略断面図である。
【図７】上記現像処理ユニットを示す概略平面図である。
【図８】上記現像処理ユニットにおける処理液供給ノズルの一例を示す断面図である。
【図９】従来の処理液供給システムを示す概略構成図である。
【図１０】従来の処理液供給システムにおけるポンプと定圧弁の脈動及び設定圧力の関係を示すグラフである。
【図１１】この発明に係る処理液供給システムにおけるポンプと定圧弁の脈動の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６５】
１  処理液供給システム
２  配管
３  現像液タンク（処理液供給源）
４  ベローズポンプ
５  定圧弁
５ａ  オリフィス
５Ａ  定圧・定量弁
７  気体供給源（気体供給手段）
８  フィルタ
８ａ  気体抜き部（気体抜き手段）
３６  供給ノズル（処理液供給手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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