(57)【要約】【課題】ウェーハ背面の液状接着剤の塗布を利用した半導体パッケージ製造用のインラインシステムを提供する。【解決手段】 ウェーハをローディングするローディング部１２、ローディング部１２から移送されたウェーハの背面を研磨するバックラップ部１４、大気圧プラズマ発生装置を備え、大気圧プラズマを使用してバックラップ部１４で研磨が完了したウェーハを洗浄する洗浄部１６、洗浄部１６によって洗浄が完了したウェーハの背面に液状接着剤を塗布して接着層を形成する塗布部１８、ウェーハに形成された接着層上にダイシングテープを付着する付着部２４、接着層が形成されたウェーハをアンローディングするアンローディング部２６及びウェーハをローディング部１２、バックラップ部１４、洗浄部１６、塗布部１８、付着部２４及びアンローディング部２６に順次に移送する移送手段２８を備える半導体パッケージ製造用のインラインシステムである。【選択図】図５
2008153659.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インラインシステムにウェーハをローディングするローディング部と、
前記ローディング部から移送されたウェーハの背面を研磨器を利用して研磨するバックラップ部と、
大気圧プラズマ発生装置を備え、前記バックラップ部で研磨が完了したウェーハを洗浄する洗浄部と、
前記洗浄部によって洗浄が完了した前記ウェーハの背面にノズルを利用して液状接着剤を塗布して接着層を形成する塗布部と、
前記ウェーハに形成された接着層上にダイシングテープを付着する付着部と、
前記接着層が形成されたウェーハをアンローディングするアンローディング部と、
前記ウェーハを前記ローディング部、前記バックラップ部、前記洗浄部、前記塗布部、前記付着部、及び前記アンローディング部に順次に移送する移送手段と、を備えることを特徴とする半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項２】
前記移送手段は、
前記ウェーハを前記ローディング部から前記バックラップ部に移送する第１断続移送部材と、
前記ウェーハを前記バックラップ部から前記洗浄部に移送する第２断続移送部材と、
前記ウェーハを前記洗浄部から前記塗布部、前記付着部、及び前記アンローディング部に連続的に移送する第１連続移送部材と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項３】
前記第１及び第２断続移送部材は、それぞれロボットアームを備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項４】
前記塗布部は、前記ウェーハを回転させずに塗布することを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項５】
前記第１断続移送部材と前記第２断続移送部材とは、それぞれ複数個であることを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項６】
前記第１連続移送部材は、コンベヤーベルトを備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項７】
前記塗布部から前記ウェーハを移送されて前記接着層内の気泡を真空を使用して除去する真空吸入部と、
前記真空吸入部から前記ウェーハを移送されて前記接着層を硬化する硬化部と、をさらに備え、
前記移送手段は、前記ウェーハを前記塗布部から前記真空吸入部及び前記硬化部を経由して前記アンローディング部に順次に移送することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項８】
前記移送手段は、第１連続移送部材とそれと接続される第２連続移送部材とを備えることを特徴とする請求項７に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項９】
第２連続移送部材は、コンベヤーベルトを備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項１０】
前記ノズルは、移動しつつ前記ウェーハ上に前記液状接着剤を塗布することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項１１】
前記ノズルは、スリットを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項１２】
前記ノズルは、複数のノズルを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項１３】
前記ウェーハは、ウェーハチャックに付着されて移送されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項１４】
前記ウェーハチャックは、多孔質ウェーハチャックまたは非接触移送装置ベルヌーイウェーハチャックであることを特徴とする請求項１３に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項１５】
前記バックラップ部は、複数の研磨器を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項１６】
前記バックラップ部で研磨が完了したウェーハは、２０から２００μｍの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項１７】
前記洗浄部は、酸素、窒素、アルゴン、メタン、ヘリウム、二酸化炭素、またはこれらの混合ガスで構成された群から選択されたいずれか一つの反応ガスを使用してプラズマを発生することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項１８】
前記液状接着剤は、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系、シリコン系またはこれらの混合物で構成された群から選択されたいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項１９】
前記液状接着剤は、５０から５００００ｃｐｓの範囲の粘度を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項２０】
前記接着層は、２から１００μｍの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。    
【請求項２１】
前記硬化部は、熱、赤外線、紫外線またはマイクロウェーブのうち一つを利用して前記液状接着剤を硬化することを特徴とする請求項７に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項２２】
インラインシステムにウェーハをローディングするローディング部と、
前記ローディング部から移送されたウェーハの背面を研磨器を利用して研磨するバックラップ部と、
大気圧プラズマ発生装置を備え、前記バックラップ部で研磨が完了したウェーハを洗浄する洗浄部と、
前記洗浄部によって洗浄が完了した前記ウェーハの背面に前記ウェーハを回転させ、液状接着剤をノズルを利用して塗布して接着層を形成する塗布部と、
前記塗布部から移送された前記ウェーハ上に形成された前記接着層内の気泡を真空を使用して除去する真空吸入部と、
前記真空吸入部から移送された前記ウェーハ上に塗布された前記接着層を硬化する硬化部と、
前記ウェーハに形成された接着層上にダイシングテープを付着する付着部と、
前記接着層が形成されたウェーハをアンローディングするアンローディング部と、
前記ウェーハを前記ローディング部、前記バックラップ部、前記洗浄部、前記塗布部、前記付着部、前記真空吸入部、前記硬化部、及び前記アンローディング部に順次に移送する移送手段と、を備えることを特徴とする半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項２３】
前記移送手段は、
前記ウェーハを前記ローディング部から前記バックラップ部に移送する第１断続移送部材と、
前記ウェーハを前記バックラップ部から前記洗浄部に移送する第２断続移送部材と、
前記ウェーハを前記洗浄部内で移送する第１連続移送部材と、
前記ウェーハを前記洗浄部から前記塗布部に移送する第３断続移送部材と、
前記ウェーハを前記塗布部から前記真空吸入部に移送する第４断続移送部材と、
前記ウェーハを前記前記真空吸入部から、前記硬化部、前記付着部及び前記アンローディング部に移送する第２連続移送部材と、を備えることを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項２４】
前記第１から第４断続移送部材のそれぞれは、ロボットアームを備えることを特徴とする請求項２３に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項２５】
前記第１から第４断続移送部材の一部は、同じであることを特徴とする請求項２３に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項２６】
前記第１から第４断続移送部材は、それぞれ複数個であることを特徴とする請求項２３に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項２７】
前記第１及び第２連続移送部材は、コンベヤーベルトを備えることを特徴とする請求項２３に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項２８】
前記ノズルは、前記液状接着剤を液滴状に前記ウェーハ上に落とすことを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項２９】
前記塗布部でウェーハは回転せず、前記ノズルは、移送しつつ前記液状接着剤を塗布することを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項３０】
前記ノズルは、スリットを備えることを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項３１】
前記ノズルは、複数個であることを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項３２】
前記ウェーハが回転すると同時に、前記ウェーハ上に前記液状接着剤が塗布されることを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項３３】
前記ウェーハが回転した後に、前記ウェーハ上に前記液状接着剤が塗布されることを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項３４】
前記ウェーハが回転する前に、前記ウェーハ上に前記液状接着剤が塗布されることを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項３５】
前記ウェーハは、ウェーハチャックに付着されて移送されることを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項３６】
前記ウェーハチャックは、多孔質ウェーハチャックまたは非接触移送装置ベルヌーイウェーハチャックであることを特徴とする請求項３５に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項３７】
前記バックラップ部は、複数の研磨器を備えることを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項３８】
前記バックラップ部で研磨が完了したウェーハは、２０から２００μｍの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項３９】
前記洗浄部は、酸素、窒素、アルゴン、メタン、ヘリウム、二酸化炭素、またはこれらの混合ガスで構成された群から選択されたいずれか一つの反応ガスを使用してプラズマを発生させることを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項４０】
前記液状接着剤は、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系、シリコン系またはこれらの混合物で構成された群から選択されたいずれか一つであることを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項４１】
前記液状接着剤は、５０から５００００ｃｐｓの範囲の粘度を有することを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項４２】
前記接着層は、２から１００μｍの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項４３】
前記硬化部は、熱、赤外線、紫外線またはマイクロウェーブのうち一つを利用して前記液状接着剤を硬化することを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ製造用のインラインシステム。
【請求項４４】
ローディング部によってインラインシステムにウェーハをローディングする工程と、
バックラップ部によって前記ローディング部から移送されたウェーハの背面を研磨器を利用して研磨する工程と、
大気圧プラズマ発生装置を備える洗浄部によって、大気圧プラズマを使用して前記バックラップ部で研磨が完了したウェーハを洗浄する工程と、
塗布部によって前記洗浄部によって洗浄が完了した前記ウェーハの背面に、液状接着剤をノズルを利用して塗布して接着層を形成する工程と、
付着部によって前記ウェーハに形成された接着層上にダイシングテープを付着する工程と、
アンローディング部によって前記接着層が形成されたウェーハをアンローディングする工程と、を含み、
移送手段によって前記ウェーハを前記ローディング部、前記バックラップ部、前記洗浄部、前記塗布部、前記付着部、及び前記アンローディング部に順次に移送する複数の移送工程を、前記それぞれの工程の間に含めることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項４５】
前記複数の移送工程は、
第１断続移送部材によって前記ウェーハを前記ローディング部から前記バックラップ部に移送する工程と、
第２断続移送部材によって前記ウェーハを前記バックラップ部から前記洗浄部に移送する工程と、
第１連続移送部材によって前記ウェーハを前記洗浄部から前記塗布部、前記付着部、及び前記アンローディング部に順次に移送する工程と、で構成されたことを特徴とする請求項４４に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４６】
前記接着層形成工程と前記テープ付着工程との間に、
真空吸入部によって前記塗布部から前記ウェーハを移送されて前記接着層内の気泡を真空を使用して除去する工程と、
硬化部によって前記真空吸入部から前記ウェーハを移送されて前記接着層を硬化する工程と、をさらに含み、
前記接着層の形成工程、前記真空除去工程、前記硬化工程、及び前記テープ付着工程のそれぞれの間には、移送手段によって前記ウェーハを順次に移送する複数の移送工程をさらに含むことを特徴とする請求項４４に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ製造装置に係り、さらに詳細には、素子が形成されたウェーハのバックラップ工程からダイシング工程前までを連続工程で処理する半導体パッケージ製造用のインラインシステム及び半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積工程を終えた半導体チップは、外部環境から物理的に保護し、また、外部と電気的に接続するための半導体パッケージ工程を経る。半導体パッケージ工程を簡略に説明すれば、次の通りである。素子が形成されたウェーハの背面を研磨し（バックラップ（Ｂａｃｋ−Ｌａｐ）、ダイシング（Ｄｉｃｉｎｇ）してそれぞれの半導体チップに分離して基板に接着する（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ）。場合によっては、前記基板に付着された半導体チップの上面または下面に別個の半導体チップを積層することもある。次いで、ワイヤーボンディングを行って各半導体チップを基板と電気的に接続し、モルディング工程、ソルダーボール付着工程、マーキング工程、及び検査工程を経て半導体素子として完成される。必要な場合、工程の間に追加的な洗浄工程を経る。
【０００３】
一方、半導体パッケージのサイズが小型化し、その厚さがさらに薄くなるにつれて、半導体パッケージの組立工程では、ダイシングテープ付着工程に先立ち、ウェーハ厚さをさらに薄くするためのウェーハ背面研磨工程が適用される。このようなウェーハ背面研磨工程は、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＤＤＰ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｄｉｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＯＰ（ｖｅｒｙ−ｖｅｒｙ Ｔｈｉｎ ｐｒｏｆｉｌｅ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔ−ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）及びＵＳＯＰ（Ｕｌｔｒａ ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔ−ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）類のような進歩した半導体パッケージの組立工程に主に適用される。      
【０００４】
一般的に、ウェーハ背面の研磨工程を進行すれば、ウェーハ厚は、２００μｍ以上から１００μｍ以下に薄くなる。これにより、研磨されたウェーハは、厚さが過度に薄いので、反り現象が容易に発生する。このため、実際に半導体パッケージの組立装備の間でウェーハを移送するか、または装備内でウェーハを取扱うこと自体に大きな困難性がある。
【０００５】
図１Ａ及び図１Ｂは、バックラップ工程によって厚さが薄くなって反ったウェーハを示す写真である。図１Ａのウェーハは、その厚さが約８０μｍであり、図１Ｂのウェーハは、その厚さが約６５μｍである。図示したように、厚さが薄くなるほど、ウェーハがさらに激しく反る。ウェーハが反れば、それぞれのチップに引張応力または圧縮応力が残留して、素子の性能が劣化し、またウェーハがハンドリング過程で破損される恐れがある。したがって、バックラップ工程以後にダイアタッチ工程までウェーハが反ることを防止せねばならない。
【０００６】
一方、バックラップ工程を行った後、ダイシング工程を行う前に、ウェーハの背面、すなわち研磨された面に接着層を形成する。従来の接着層の形成方法は、シート状のＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｔａｐｅ）をウェーハの背面に圧着することが一般的である。
図２は、従来のダイシング工程を終えた後に、ＤＡＦがダイの周辺で変性されて固着されたところを示す写真である。
【０００７】
図２を参照すれば、ａ部分でダイシングによってＤＡＦが変性されたところが示され、特に、ウェーハに付着された部分であるｂ部分でＤＡＦが固着されたことが示される。これは、ダイシング工程で発生する熱によってＤＡＦが変性されてウェーハに必要以上に固着されたものである。
図３は、従来のＤＡＦが付着されたダイを分離する時に発生したクラックを示す写真である。
【０００８】
図３を参照すれば、複数の素子ａａとボンディングパッドｂｂとを横切ってクラックｃｃが形成されている。これは、ウェーハの厚さが薄くなるにつれて、変性によって固着されたＤＡＦの接着力がウェーハの耐せん断応力に対して相対的に増大し、これにより、それぞれの半導体ダイを分離する過程で前記半導体チップが破損されたものである。
【０００９】
また、ＤＡＦがダイシング過程で変性し、これにより、ダイの一部領域でＤＡＦが分離されない不良が発生する。図４は、従来のＤＡＦの固着によってダイ分離時に発生する接着不良を概念的に説明した概略図である。
【００１０】
図４を参照すれば、ブレードソーイング法またはレーザ切断法を利用したダイシング工程は、ウェーハ１の前面からＤＡＦ ２を経過して基底層４の一部の厚さまで一体に切断する。この場合において、ＤＡＦ ２に含まれた接着剤成分３が切断ラインに沿って局部的に加熱されて溶融された後、ウェーハチップ５、ＤＡＦ ２及び基底層４の切断面上に固着される。したがって、真空パッド６及びピックアップニードル７によってダイシングされたウェーハチップの分離時に、すなわち、ピックアップ工程で固着された接着剤成分８によってウェーハチップ５の角部分の分離が妨害されて、ウェーハチップ５の反りによる引張応力が発生する。このような応力により、ウェーハチップ５は反り、甚だしく角部分が破損される。
【００１１】
最近、背面研磨工程を経たウェーハチップは、約５０から１００μｍの厚さを有するので、ウェーハが反るという問題点及びアタッチテープの使用による問題点が著しく発生している。このような問題点は、ダイが破損されるか、または素子性能を劣化させて、生産性及び製品信頼性を低下させる。それだけでなく、ＤＡＦは、相対的に高コストであるので、製造コストを上昇させるという問題点もある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明が解決しようとする技術的課題は、バックラップ工程からダイシング工程前までを連続工程として処理して、ウェーハの反り、ダイ固着によるダイ不良を防止し、ウェーハの背面に液状の接着剤を塗布して接着物質を形成し、半導体チップを基板に接着することを目的とする半導体パッケージ製造用のインラインシステムを提供することである。
【００１３】
本発明が解決しようとする技術的課題は、バックラップ工程からダイシング工程前までを連続工程として処理できる半導体パッケージの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記課題を達成するための本発明による半導体パッケージ製造用のインラインシステムは、ウェーハをローディングするローディング部、前記ローディング部から移送されたウェーハの背面を研磨器を利用して研磨するバックラップ部、大気圧プラズマ発生装置を備え、大気圧プラズマを使用して前記バックラップ部で研磨が完了したウェーハを洗浄する洗浄部、前記洗浄部によって洗浄が完了した前記ウェーハの背面に前記ウェーハを回転させず、液状の接着剤をノズルを利用して塗布して接着層を形成する塗布部、前記ウェーハに形成された接着層上にダイシングテープを付着する付着部、前記接着層が形成されたウェーハをアンローディングするアンローディング部、及び前記ウェーハを前記ローディング部、前記バックラップ部、前記洗浄部、前記塗布部、前記付着部、及び前記アンローディング部に順次に移送する移送手段を備える。
【００１５】
また、本発明による半導体パッケージ製造用のインラインシステムは、前記塗布部から前記ウェーハを移送されて前記接着層内の気泡を真空を使用して除去する真空吸入部、前記真空吸入部から前記ウェーハを移送されて前記接着層を硬化する硬化部を備え、前記移送手段は、前記ウェーハを前記塗布部から前記真空吸入部及び前記硬化部を経由して前記アンローディング部に順次に移送しうる。
【００１６】
前記移送手段は、前記ウェーハを前記ローディング部から前記バックラップ部に移送する第１断続移送部材、前記ウェーハを前記バックラップ部から前記洗浄部に移送する第２断続移送部材、及び前記ウェーハを前記洗浄部から前記塗布部、前記付着部、及び前記アンローディング部に連続的に移送する第１連続移送部材を備えうる。前記断続移送部材は、ロボットアームを備えることもあり、前記連続移送部材は、コンベヤーベルトを備えることもある。
【００１７】
また、前記課題を達成するための本発明による半導体パッケージ製造用のインラインシステムは、ウェーハをローディングするローディング部、前記ローディング部から移送されたウェーハの背面を研磨器を利用して研磨するバックラップ部、大気圧プラズマ発生装置を備え、大気圧プラズマを使用して前記バックラップ部で研磨が完了したウェーハを洗浄する洗浄部、前記洗浄部によって洗浄が完了した前記ウェーハの背面に前記ウェーハを回転させ、液状接着剤をノズルを利用して塗布して接着層を形成する塗布部、前記塗布部から移送された前記ウェーハ上に形成された前記接着層内の気泡を真空を使用して除去する真空吸入部、前記真空吸入部から移送された前記ウェーハ上に塗布された前記接着層を硬化する硬化部、前記ウェーハに形成された接着層上にダイシングテープを付着する付着部、前記接着層が形成されたウェーハをアンローディングするアンローディング部、及び前記ウェーハを前記ローディング部、前記バックラップ部、前記洗浄部、前記塗布部、前記付着部、前記真空吸入部、前記硬化部、及び前記アンローディング部に順次に移送する移送手段を備える。
【００１８】
前記移送手段は、前記ウェーハを前記ローディング部から前記バックラップ部に移送する第１断続移送部材、前記ウェーハを前記バックラップ部から前記洗浄部に移送する第２断続移送部材、前記ウェーハを前記洗浄部内から移送する第１連続移送部材、前記ウェーハを前記洗浄部から前記塗布部に移送する第３断続移送部材、前記ウェーハを前記塗布部から前記真空吸入部に移送する第４断続移送部材、前記ウェーハを前記前記真空吸入部から前記硬化部、前記付着部及び前記アンローディング部に連続的に移送する第２連続移送部材を備えうる。前記断続移送部材は、ロボットアームを備えることもあり、前記連続移送部材は、コンベヤーベルトを備えることもある。
【００１９】
前記ノズルは、前記液状接着剤を液滴状に前記ウェーハ上に落とせる。前記ノズルは、移送しつつ前記液状接着剤を塗布しうる。前記ノズルは、スリット状でありうる。前記ノズルは、複数個でありうる。
前記ウェーハは、ウェーハチャックに付着されて移送されることもあり、前記ウェーハチャックは、多孔質のウェーハチャックまたは非接触移送装置ベルヌーイウェーハチャックでありうる。
【００２０】
前記バックラップ部は、複数の研磨器を備えうる。前記バックラップ部で研磨が完了したウェーハは、２０から２００μｍの範囲の厚さを有しうる。
前記洗浄部は、酸素、窒素、アルゴン、メタン、ヘリウム、二酸化炭素、またはこれらの混合ガスのうち選択されたいずれか一つの反応ガスを使用してプラズマを発生しうる。
【００２１】
前記液状接着剤は、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系、シリコン系またはこれらの混合物のうち選択されたいずれか一つでありうる。前記液状接着剤は、５０から５００００ｃｐｓの範囲の粘度を有しうる。前記接着層は、２から１００μｍの範囲の厚さを有しうる。
前記硬化部は、熱、赤外線、紫外線またはマイクロウェーブのうち一つを利用して前記液状接着剤を硬化しうる。
【００２２】
また、前記課題を達成するための本発明による半導体パッケージの製造方法は、ローディング部によってウェーハをローディングする工程、バックラップ部によって前記ローディング部から移送されたウェーハの背面を研磨器を利用して研磨する工程、大気圧プラズマ発生装置を備える洗浄部によって、大気圧プラズマを使用して前記バックラップ部で研磨が完了したウェーハを洗浄する工程、塗布部によって前記洗浄部によって洗浄が完了した前記ウェーハの背面に液状接着剤をノズルを利用して塗布して接着層を形成する工程、付着部によって前記ウェーハに形成された接着層上にダイシングテープを付着する工程、及びアンローディング部によって前記接着層が形成されたウェーハをアンローディングする工程を含み、移送手段によって前記ウェーハを前記ローディング部、前記バックラップ部、前記洗浄部、前記塗布部、前記付着部、及び前記アンローディング部に順次に移送する複数の移送工程を前記それぞれの工程の間に含む。
【００２３】
また、本発明による半導体パッケージの製造方法は、前記複数の移送工程は、第１断続移送部材によって前記ウェーハを前記ローディング部から前記バックラップ部に移送する工程、第２断続移送部材によって前記ウェーハを前記バックラップ部から前記洗浄部に移送する工程、及び第１連続移送部材によって前記ウェーハを前記洗浄部から前記塗布部、前記付着部、及び前記アンローディング部に順次に移送する工程で構成される。
【００２４】
また、本発明による半導体パッケージの製造方法は、前記接着層の形成工程と前記テープ付着工程との間に、真空吸入部によって前記塗布部から前記ウェーハを移送されて前記接着層内の気泡を真空を使用して除去する工程、及び硬化部によって前記真空吸入部から前記ウェーハを移送されて前記接着層を硬化する工程をさらに含み、前記接着層形成工程、前記真空除去工程、前記硬化工程、及び前記テープ付着工程のそれぞれの間には、移送手段によって前記ウェーハを順次に移送する複数の移送工程をさらに含みうる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の半導体パッケージ製造用のインラインシステムは、素子が形成されたウェーハのバックラップ工程からダイシング工程前までを連続工程として処理して、ウェーハの反り及びダイ不良を防止しうる。本発明の半導体パッケージ製造用のインラインシステムは、ダイ接着のために液状接着剤をウェーハに塗布して接着層を形成することにより、従来のＤＡＦの固着によるウェーハの損傷を防止し、高コストのＤＡＦを代替して製造コストを低減しうる。また、大気圧プラズマの洗浄工程及び真空吸入工程を経つつ、ウェーハの背面と液状接着剤との間の濡れ性が向上して接着力が増大し、ウェーハと液状接着剤との間の気泡が減少してパッケージの組立て後に気泡による膨らみ不良を減らせる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。
本発明の実施例は、当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものであり、下記実施例は、色々な他の形態に変形され、本発明の範囲が下記の実施例に限定されるものではない。以下の説明で、ある層が他の層上に存在すると記述されるとき、これは、他の層の真上に存在することもあり、その間に第３の層が介在されることもある。また、図面で各層の厚さやサイズは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたものであり、図面上で同じ符号は、同じ要素を表す。
【００２７】
図５は、本発明の一実施例による半導体パッケージ製造用のインラインシステム１０を説明するための概略的なブロック図である。図６Ａから図６Ｈは、本発明の一実施例による半導体パッケージの製造方法を説明するために工程別に示す概略的な断面図である。
以下では、インラインシステム１０の構成部分を半導体パッケージの製造工程と連係して詳細に説明する。
【００２８】
まず、図５を参照すれば、インラインシステム１０は、ローディング部１２、バックラップ部１４、洗浄部１６、塗布部１８、付着部２４、アンローディング部２６、及び移送手段２８を備える。また、インラインシステム１０は、真空吸入部２０及び硬化部２２をさらに備えうる。前述したインラインシステム１０の各構成部分は、それぞれ別途の装置で具現されて相互接続されることもあり、または前述したインラインシステム１０が一つの装置で具現されることもある。
【００２９】
図５及び図６Ａを参照すれば、ローディング部１２は、ウェーハ１０３をインラインシステム１０のバックラップ部１４にローディングする。インラインシステム１０内の各単位工程を行う途中に、ウェーハの薄い厚さによる反りが発生しないようにせねばならないので、ローディング部１２がウェーハ１０３のローディングを行う前にウェーハ１０３をウェーハチャック１１０に付着して固定する。ウェーハ１０３をウェーハチャック１１０に固定する方法としては、例えば、接着テープなどの接着剤を使用して付着するか、通常的な真空吸着を利用するか、多孔性ウェーハチャック、または非接触移送装置ベルヌーイウェーハチャックを使用することもある。しかし、これは、例示的なものであって、必ずしもこれに限定されるものではない。以下で、ウェーハ１０３の移送は、ウェーハ１０３及びウェーハ１０３が付着されたウェーハチャック１１０を共に移送するという意味が含まれている。
【００３０】
図５及び図６Ａを参照すれば、前述したローディング部１２のローディングによってウェーハ１０３の背面１０３ａ、すなわち、素子層１０２及びバックラップテープ１０１が形成された面の反対面が上側に向かう。バックラップテープ１０１は、素子層１０２上に付着され、研磨工程を含むパッケージ製造工程で素子層１０２の汚染を防止し、かつ外部の衝撃から保護する役割を行う。バックラップ部１４は、研磨器１４０を利用して所望の厚にウェーハ１０３の背面１０３ａを研磨する。
【００３１】
バックラップ部１４は、通常的な駆動要素（図示せず）を別途に含み、前記駆動要素によって研磨器１４０が回転するか、またはウェーハチャック１１０及びウェーハ１０３が回転することによりバックラップ工程を行える。また、本発明によるインラインシステム１０の円滑な工程フローのために、バックラップ部１４は、複数の研磨器１４０を供えて複数のウェーハ１０３を同時に研磨しうる。バックラップ部１４で研磨が完了したウェーハ１０３は、例えば、２０から２００μｍの範囲の厚さを有しうる。
【００３２】
図５及び図６Ｂを参照すれば、ウェーハ１０３の研磨を終了すれば、移送手段２８によってウェーハチャック１１０に付着されたウェーハ１０３は、洗浄部１６に移送される。移送手段２８は、ロボットアームまたはコンベヤーベルトを備え、これについては下記に詳細に説明する。洗浄部１６は、通常的な大気圧プラズマ発生装置（図示せず）を備え、前記大気圧プラズマ発生装置で発生した大気圧プラズマを利用してウェーハ１０３の研磨が完了した背面１０３ａを含めて洗浄する。図６Ｂの複数の矢印は、プラズマを表す。
【００３３】
通常的な大気圧プラズマ発生装置は、装置内に注入される反応ガス、例えば、酸素、窒素、アルゴン、メタン、ヘリウム、二酸化炭素、またはこれらの混合ガスに高電圧を印加して放電させてプラズマを生成する。前記大気圧プラズマ発生装置は、真空チャンバを必要とする真空プラズマとは異なり、密閉されたチャンバを要求しない。したがって、洗浄部１６に前記大気圧プラズマ装置を利用すれば、ウェーハ１０３を、例えば、コンベヤーベルトのような移動手段２８によって連続して移送しつつ洗浄しうる。
【００３４】
図５、図６Ｃ及び図６Ｄを参照すれば、洗浄工程を終えたウェーハ１０３は、移送手段２８によって塗布部１８に移送される。塗布部１８は、液状接着剤１０４ａを塗布するノズル１８０を備え、液状接着剤１０４ａをウェーハ１０３の研磨された背面１０３ａ上にノズル１８０を利用して塗布して接着層１０４を形成する。液状接着剤１０４ａを塗布する方法は、例えば、スピン塗布、スプレイ塗布、またはライン塗布でありうる。前記の塗布方式によって、塗布部１８は、ウェーハ１０８を回転させつつ液状接着剤１０４ａを塗布することもある。しかし、これは、例示的であり、必ずしもこれに限定されるものではない。塗布部１８及び液状接着剤１０４ａについては、下記に詳細に説明する。
【００３５】
図５を再び参照すれば、接着層１０４が形成されたウェーハ１０３は、移送手段２８によって真空吸入部２０及び硬化部２２に移送される。真空吸入部２０及び硬化部２２は、選択的な工程であって、液状接着剤の性質及び所望の接着層の物性によってこれらのうち一工程が行われないか、または二つの工程がいずれも行われない。
【００３６】
真空吸入部２０の接着層１０４に残存する微細空気を、真空を利用して除去する。前記真空は、通常的な真空ポンプ（図示せず）を利用でき、接着層１０４が真空によって破損されないように、適切な真空、例えば、１０から１０-2 Ｔｏｒｒほどの低真空でありうる。選択した真空度によって使用する真空ポンプを備えた真空設備に差があるというのは、当該技術分野の当業者に自明なことであり、これは、例示的なもので必ずしもこれに限定されるものではない。真空吸入部２０に関連したウェーハ１０３の移送については、下記に詳細に説明する。
【００３７】
図５及び図６Ｅを参照すれば、硬化部２２は、硬化チャンバ２２０内で接着層１０４を硬化して硬化した接着層１０４ｂを形成する。前記硬化工程は、液状接着剤に含まれた溶媒を除去して接着層１０４を硬化し、これにより、後続工程であるダイシングテープ付着工程及びダイシング工程を可能にするためである。本発明の適用によって硬化された接着層１０４をＢステージと通称し、Ｂステージは、液状をＡステージ、完全硬化した固状をＣステージとするとき、液状と固状との中間形態の特性を有する状態である。一方、本工程の硬化チャンバ２２０は、前記真空吸入部２０の真空チャンバの機能を行うようにデザインされることもある。
【００３８】
硬化のためのエネルギー源として、熱、赤外線、紫外線またはマイクロウェーブを利用しうる。しかし、これは、例示的なものであって、必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、接着層１０４をドライエアーを噴射して硬化させることもあり、または他の硬化剤をさらに塗布して接着層１０４を硬化させることもある。
【００３９】
硬化のために熱エネルギーを利用する場合、すなわち、通常的な熱処理オーブンを利用する場合、装備が簡単で、コストが低いという長所を有する。しかし、硬化のために相対的に長い時間、例えば、数十分ほどの時間がかかって、かえって工程コストが上昇することもある。また、接着層１０４が熱によって表面から硬化するので、接着層１０４の内部に熱が蓄積されるか、または内部気泡が膨脹して、接着層１０４の表面に噴火口のような起伏を形成するなどの接着層１０４の品質を低下させることもある。また、バックラップテープ１０１に熱損傷を与えて素子層１０２を損傷させることもある。
【００４０】
硬化のために赤外線または紫外線を利用する場合には、接着層１０４の表面及び内部の温度を均一に上昇させて前記接着層１０４の熱衝撃による品質低下を防止しうる。また、通常的に、数分ほどの赤外線照射として硬化を完了しうるので、工程時間が短いという長所を有する。しかし、接着層１０４が赤外線または紫外線を吸収して加熱される材料として形成されねばならないという制限がある。
【００４１】
マイクロウェーブは、０.３から３００ＧＨｚの周波数を有する電磁波であって、媒質に照射されれば、媒質の性質によって、媒質が金属である場合は反射、媒質が非極性を有する場合は透過、または、媒質が極性を有する場合は吸収される。マイクロウェーブは、極性を有する物質に吸収されて前記物質の温度を上昇させる。すなわち、原子的観点でこれについて概略的に説明すれば、極性を有する物質、例えば、水の水素原子が酸素原子との結合を維持しつつ、酸素原子を中心に回転または振動を増加させ、これにより、物質の温度が上昇する。したがって、マイクロウェーブを利用して接着層１０４を硬化する場合、接着層１０４を形成する液状接着剤が極性を有する物質を含まねばならず、望ましくは、前記極性を有する物質が液状接着剤内で均一に分布せねばならない。
【００４２】
また、マイクロウェーブの吸収深さは、マイクロウェーブの周波数に反比例するので、接着層１０４の厚さによって適切なマイクロウェーブの周波数を決定せねばならない。また、ウェーハチャックのような金属で反射されるマイクロウェーブによって、素子層１０２に形成された素子が毀損される恐れがあるので、適切な措置、例えば、接地が必須的である。一方、硬化のためにマイクロウェーブを利用する場合には、接着層１０４の表面及び内部を均一に硬化し、硬化時間を短縮しうるという長所がある。しかし、装置が相対的に複雑で、均一な硬化制御が難しく、マイクロウェーブを吸収する材料として接着層１０４を形成せねばならないという制限を有する。
【００４３】
図５及び図６Ｆを参照すれば、真空吸入部２０及び硬化部２２を経て、または、これらの工程を経ず、接着層１０４の硬化が完了した後、ウェーハ１０３は、移送手段２８によって付着部２４に移送される。付着部２４では、硬化した接着層１０４ｂ上に通常のダイシングテープ１０５を付着する。ダイシングテープ１０５は、後続されるダイシング工程でそれぞれのダイが接着層１０４を備えて明確に分離させると同時に、その下側のステージ１１２（図６Ｇを参照）がソー１９０（図６Ｈを参照）によって損傷されないために付着する。一方、ダイシングテープ１０５は、前述したバックラップテープ１０１と同じ材質でありうる。
【００４４】
図５及び図６Ｇを参照すれば、ウェーハ１０３は、移送手段２８によってアンローディング部２６に移送される。アンローディング部２６は、ウェーハ１０３をインラインシステム１０からその外部にアンローディングする。前記アンローディングは、通常的なマガジンに搭載するなどの方法に続く後続工程であって、ウェーハ１０３を移送する。留意せねばならない点は、前述したように、ウェーハ１０３は、研磨によって反ることがあるので、ウェーハチャック１１０によって固定された状態でアンローディングせねばならない。
【００４５】
図６Ｇ及び図６Ｈは、アンローディング部２６以後の工程を示す。図６Ｇを参照すれば、ダイシングテープ１０５が付着されたウェーハ１０３を裏返してバックラップテープ１０１が上向きになるようにステージ１１２に位置させる。ウェーハ１０３の反りを防止するために、ステージ１１２は、真空吸着によってウェーハ１０３を固定するか、または多孔質ウェーハチャックで構成されてウェーハ１０３を固定する。または、ダイシングテープ１０５に接着層を形成してウェーハ１０３を固定する。次いで、除去テープ１０６を利用してバックラップテープ１０１をウェーハ１０３から除去する。これにより、素子層１０２がウェーハ１０３の最上面に露出される。
【００４６】
図６Ｈを参照すれば、素子層１０２、ウェーハ１０３及び硬化した接着層（ダイアタッチ膜）１０４ｂが共に切断されるようにソー１９０を利用してダイシングしてダイを形成する。次いで、ダイシングされたダイをダイアタッチなどの通常的な後続パッケージ工程を利用して半導体パッケージを完成する。
以下では、移送手段２８について詳細に説明する。前述したように、本発明によるインラインシステム１０は、ウェーハ１０３をローディング部１２からアンローディング部２６に至たるまで連続的に移送しつつ、各単位工程を行うところに発明の一特徴がある。したがって、各単位工程が変形されるにつれて、移送手段２８が変わりうる。本発明によるインラインシステム１０内で、ウェーハ１０３は、連続的に線形移動するが、バックラップ部１４と塗布部１８とでは回転することもある。以下では、前述した各単位工程の工程条件に対応して、可能な移送手段２８の組合わせを説明する
【００４７】
図７Ａ及び図７Ｂは、図５のインラインシステム１０の移送手段２８の多様な変形例を示す。移送手段２８は、連続移送部材２００と断続移送部材２１０とを備える。
図７Ａを参照すれば、前述したようにウェーハチャック１１０に付着されたウェーハ１０３は、ローディング部１２によってバックラップ部１４に移送される。このときのウェーハ１０３の移送は、通常的なロボットアームを利用して行える。バックラップ部１４では、ウェーハ１０３が回転するか、または研磨器１４０が回転して研磨工程を行うので、ウェーハ１０３がバックラップ部１４で移動しない工程時間が要求される。したがって、これは、インラインシステム１０の全体工程フローに障害となるので、バックラップ部１４は、複数の研磨器１４０を備えて複数のウェーハ１０３を同時に研磨することもある。
【００４８】
バックラップ部１４で研磨を終えた後、ウェーハ１０３は、バックラップ部１４から洗浄部１６に移送される。このときの移送は、研磨を終えたウェーハ１０３のみを移送せねばならないので、断続的な移送が要求される。すなわち、一度に一つのウェーハ１０３のみを研磨する場合には、研磨中には移送手段２８が作動せず、研磨を終了した後に移送手段２８が作動することを意味する。本明細書では、このような断続的な移送を可能にする移送手段を断続移送部材と定義する。
【００４９】
これにより、ウェーハ１０３は、バックラップ部１４から洗浄部１６に断続移送部材２１０によって移送される。断続移送部材２１０は、ロボットアームでありうる。前記ロボットアームは、通常的なものであって、ウェーハ１０３をウェーハチャックと共にバックラップ部１４のステージから取り上げて洗浄部１６上に移送する。また、前記ロボットアームは、前述したように、ローディング部１２で使用するロボットアームと同じでありうる。
【００５０】
または、断続移送部材２１０は、追加的なウェーハチャックを備えうる。この場合には、前記追加的なウェーハチャックがウェーハ１０３の研磨された面、すなわち、背面１０３ａ（図６Ａを参照）の上部でウェーハを吸着して、既存のウェーハチャック１１０とウェーハ１０３とを分離して洗浄部１６に移送する。前記追加的なウェーハチャックにウェーハ１０３を付着させる方法は、真空吸着を利用するか、または多孔性ウェーハチャックを使用しうる。
【００５１】
前記追加的なウェーハチャックは、洗浄部１６を備える以後の工程でウェーハ１０３に付着され続ける。または、洗浄部１６が他のウェーハチャックを備え、前記追加的なウェーハチャックからウェーハ１０３を再び伝達されることもある。このような移送において、ウェーハ１０３の反り（ｗａｒｐａｇｅ）を防止するために、常時ウェーハチャックに付着されていなければならない。以下で、ウェーハ１０３は、ウェーハチャックに付着されたウェーハ１０３を意味し、前記ウェーハチャックは、部材番号“１０３”のウェーハチャックでもあり、前述したように、他の追加的なウェーハチャックでもある。
【００５２】
次いで、ウェーハ１０３は、洗浄部１６、塗布部１８、真空吸入部２０、硬化部２２、付着部２４、及びアンローディング部２６が各単位工程を行うと同時に、連続的に移送される。連続的な移送の意味は、ウェーハ１０３の移送が各単位工程を行うのに停止しないことであって、本明細書では、このような連続的な移送を可能にする移送手段を連続移送部材と定義する。これにより、ウェーハ１０３は、洗浄部１６からアンローディング部２６まで連続移送部材２００によって移送される。連続移動部材２００は、例えば、コンベヤーベルトでありうる。
【００５３】
前述したように、洗浄部１６は、大気圧プラズマ発生装置を備え、大気圧プラズマを利用してウェーハ１０３を洗浄する。大気圧プラズマは、真空装置を要求しないので、ウェーハ１０３を前記大気圧プラズマ発生装置の内部で連続移送部材２００によって連続的に移送しつつ洗浄しうる。また、前記大気圧プラズマ発生装置は、大気圧プラズマの漏れを防止する遮断壁（図示せず）をさらに備えうる。
【００５４】
洗浄部１６で洗浄を終えたウェーハ１０３は、連続移送部材２００によって連続的に塗布部１８に移送される。塗布部１８でもウェーハ１０３は、連続移送部材２００によって移送されつつ、液状接着剤１０４ａを塗布して接着層１０４を形成する塗布工程が行われる。したがって、ウェーハ１０３は、回転してはならず、これは、下記で塗布部１８の塗布方法の色々な例と関連して詳細に説明する。
【００５５】
塗布工程後、ウェーハ１０３は、連続移送部材２００によって連続的に真空吸入部１８に移送される。前述したように、真空吸入部１８は、接着層１０４内の気泡除去のために行われる工程であって、場合によっては、省略することもある。真空吸入部１８は、真空のために遮断膜を有する真空チャンバを備えることもあり、またはウェーハ１０３上に真空吸着のための通常的なジャバラ形状の吸入部を接続して、移送中に真空吸入工程が行われる。しかし、これは、例示的なものであり、これに必ずしも限定されるものではない。
【００５６】
真空吸入後、ウェーハ１０３は、連続移送部材２００によって硬化部２２に移送される。硬化部２２は、接着層１０４を硬化するために行われる工程であって、場合によっては、省略することもある。硬化部２２内の硬化工程中でも、ウェーハ１０３は、連続移送部材２００によって連続的に移送されつつ、接着層１０４を硬化する。続く付着部２４及びアンローディング部２６まで、ウェーハ１０３はまた、連続移送部材２００によって連続的に移送されつつ、各単位工程が行われる。
【００５７】
連続移動部材２００は、例えば、一つまたはそれ以上の連続移動部材２００、例えば、コンベヤーベルトが相互接続されてウェーハ１０３を移送しうる。また、インラインシステム１０内でローディング部１２からアンローディング部２６までの配置は、いずれも直線的でもあるが、これに限定されるものではない。例えば、ローディング部１２に隣接してアンローディング部２６が配置されるように、全体配置を環状にすることもある。
【００５８】
図７Ｂは、図５のインラインシステム１０の移送手段２８の他の変形例であって、塗布部１８でウェーハ１０３が回転する場合である。発明の簡単で明確な説明のために、図７Ａの説明と重畳される部分は省略する。
図７Ｂを参照すれば、バックラップ部１４で研磨を終えた後、ウェーハ１０３は、バックラップ部１４から第１断続移送部材２１０ａによって洗浄部１６に移送される。第１断続移送部材２１０ａについての説明は、前記に図７Ａの断続移送部材２１０に関連して詳細に説明したので、ここでは省略する。
【００５９】
洗浄部では、第１連続移送部材２００ａによってウェーハ１０３が移送され、その移送中に洗浄工程を行う。洗浄工程を終了した後、ウェーハ１０３は、第２断続移送部材２１０ｂによって塗布部１８に移送される。第２断続移送部材２１０ｂは、第１断続移送部材２１０ａのような種類の装置であり、場合によっては、同一であることもある。
【００６０】
塗布部１８では、ウェーハ１０３が回転し、その上に液状接着剤１０４ａを塗布して接着層を形成する。塗布部１８は、ウェーハ１０３の回転のために回転ステージ（図示せず）を備える通常的な回転要素を備える。ウェーハ１０３が回転する場合の塗布部１８の塗布方法については、下記で詳細に説明する。また、バックラップ部１４の場合のように、ウェーハ１０３が回転する場合には、ウェーハ１０３が塗布部１８で移動しない工程時間が要求される。したがって、これは、インラインシステム１０の全体工程フローに障害となるので、塗布部１８は、複数のウェーハ１０３を同時に塗布するように構成されることもある。
【００６１】
塗布工程を終了した後、ウェーハ１０３は、第３断続移送部材２１０ｃによって真空吸入部２０に移送される。第３断続移送部材２１０ｂは、第１及び第２断続移送部材２１０ａ，２１０ｂのような種類の装置であり、場合によっては、相互同一でありうる。
真空吸入部２０からアンローディング部２６までのウェーハ１０３の移送は、第２連続移送部材２００ｂでなされる。第２連続移送部材２００ｂは、図７Ａの断続移送部材２１０に関連して詳細に説明したので、ここでは省略する。
【００６２】
前述したような移送手段２８は、例示的なものであり、必ずしもこれに限定されるものではない。本発明によるインラインシステム１０は、前述したように、パッケージ工程の一部を連続的に行うところに発明の一特徴があるので、移送手段２８を適切に選択して組合わせて、その配置を最適化することが重要である。また各単位工程の移送時間を最適化せねばならない。このために、一部または全部の工程で複数のウェーハ１０３に同時に同じ工程を行うように複数のウェーハ１０３を移送手段２８上に配置するか、または各単位工程の一部または全部を複数に設置することもある。
【００６３】
以下では、塗布部１８による塗布工程について詳細に説明する。図８Ａから図８Ｃは、図５の塗布部１８の色々な変形例を示す。
図８Ａを参照すれば、塗布部１８は、ノズル１８０を利用してウェーハチャック１１０に搭載されたウェーハ１０３上に液状接着剤１０４ａを塗布する。液状接着剤１０４ａは、塗布が可能な粘度とウェーハに対して小さな接触角とを有さねばならず、非伝導性でなければならない。例えば、液状接着剤１０４ａは、５０から５００００ｃｐｓの範囲の粘度を有しうる。一般的に、液状接着剤１０４ａの粘度が低いほど接着層を薄く形成しやすい。また、液状接着剤１０４ａによって形成する接着層の厚さは、例えば、２から１００μｍでありうる。前記液状接着剤は、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系、シリコン系またはこれらの混合物のうち選択されたいずれか一つでありうる。
【００６４】
ノズル１８０は、図８Ａに示したように、ウェーハ１０３の上面１０３ａの全面にわたって液状接着剤１０４ａをスプレイ塗布しうる。この場合には、ウェーハ１０３は、回転することもあり、回転しないこともある。したがって、移送手段は、前述した図７Ａまたは図７Ｂの構成のうち一つでありうる。
【００６５】
しかし、前述したノズル１８０の塗布方法は、例示的であり、必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、図示していないが、ウェーハ１０３の上面１０３ａの中心を含む一定の領域に液状接着剤１０４ａを塗布し、ウェーハ１０３の回転によって結果的に上面１０３ａの全体にわたって液状接着剤１０４ａを塗布することもある。また、ノズル１８０は、液状接着剤１０４ａをスプレイ塗布せずに液滴の形態で上面１０３ａに落とした後、ウェーハ１０３の回転によって、結果的に上面１０３ａの全体にわたって液状接着剤１０４ａを塗布することもある。このような方法を、通常的にスピンコーティングという。ウェーハ１０３が回転する場合には、ウェーハは、塗布部１８に備えられる回転ステージ（図示せず）上に装着されねばならず、移送手段２８は、図７Ｂのような構成を有さねばならない。
【００６６】
液状接着剤１０４ａの塗布時にウェーハ１０３が回転すれば、液状接着剤１０４ａは、遠心力によってウェーハ１０３上にさらに均一な接着層１０４を形成しうる。ウェーハ１０３の回転は、時計回り方向または反時計回り方向でありうる。液状接着剤１０４ａは、ウェーハ１０３の回転と同時に塗布されるか、ウェーハ１０３が回転した後に塗布されるか、またはウェーハ１０３の回転前に塗布される。また、液状接着剤１０４ａの塗布後に、ウェーハ１０３の回転速度が変化しうる。液状接着剤１０４ａの均一な塗布のために、前記液状接着剤１０４ａの粘度及び接着層１０４の所望の厚さ（例えば、２から１００μｍ）を考慮して、塗布される液状接着剤の量、噴射時の圧力、ノズル１８０とウェーハ１０３との距離、及びウェーハ１０３の回転速度、回転時間及び回転時点を決定する。
【００６７】
図８Ｂを参照すれば、ノズル１８２は、ウェーハ１０３をノズル移動手段（図示せず）によって移動しつつ、液状接着剤１０４ａを塗布する。また、ウェーハ１０３は、前述したように回転することもある。ウェーハ１０３が回転する場合には、ノズル１８２は、ウェーハ１０３の中心を含む一部領域にのみ塗布しても、回転によって均一に塗布しうる。ノズル１８２は、ウェーハ１０３に液状接着剤１０４ａの均一な塗布のために多様な形態で移動しうる。例えば、ウェーハ１０３の中心から外郭に向かって（または、その反対方向に）半径方向に移動することもあり、またはジグザグ経路に移動することもある。または、円周方向に回転することもある。図８の変形例は、相対的に厚く接着層１０４を形成する場合に効果的である。
【００６８】
図８Ｃを参照すれば、ノズル１８４は、ウェーハ１０３の相対的に広い領域にわたって一度に液状接着剤１０４ａを塗布する。特に、ウェーハ１０３を回転させずに液状接着剤１０４ａを塗布すれば、ノズル１８４がウェーハ１０３の直径と少なくとも同一か、またはノズル１８４によって一度に塗布される領域の直径がウェーハ１０３の直径と少なくとも同一でなければならない。また、このようなノズル１８４を使用する場合にも、塗布中にウェーハ１０３を回転しうる。ノズル１８４は、スリット型のノズルでもあり、複数のノズル孔が結合された型でもある。
【００６９】
図８Ｃのノズル１８４は、図７Ａに示したような線形移動部材２００を利用してウェーハ１０３を移送すると同時に、液状接着剤１０４ａを塗布するところに効果的でありうる。前記変形例は、回転ステージの回転速度が遅いか、または液状接着剤の粘度が過度に高いか、または過度に低い場合に、効果的でありうる。また、前記変形例は、工程時間を効果的に短縮させられる。しかし、図８Ａから図８Ｃに示された多様な変形例は例示的であり、本発明は、これに限定されない。
【００７０】
以上、本発明は、前述した実施例及び添付された図面に限定されず、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で色々な置換、変形及び変更が可能であるというのは、当業者にとって明らかになる。
(産業上の利用可能性)
本発明は、半導体パッケージ製造関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１Ａ】バックラップ工程によって厚さが薄くなって反ったウェーハを示す写真である。
【図１Ｂ】バックラップ工程によって厚さが薄くなって反ったウェーハを示す写真である。
【図２】従来のダイシング工程を終えた後に、ＤＡＦがダイの周辺で変性されて固着されたことを示す写真である。
【図３】従来のＤＡＦが付着されたダイを分離する時に発生したクラックを示す写真である。
【図４】従来のＤＡＦの固着によってダイの分離時に発生する固着不良を概念的に説明した概略図である。
【図５】本発明の一実施例による半導体パッケージ製造用のインラインシステムを説明するための概略図である。
【図６Ａ】本発明の一実施例による半導体パッケージの製造方法を説明する概略図である。
【図６Ｂ】本発明の一実施例による半導体パッケージの製造方法を説明する概略図である。
【図６Ｃ】本発明の一実施例による半導体パッケージの製造方法を説明する概略図である。
【図６Ｄ】本発明の一実施例による半導体パッケージの製造方法を説明する概略図である。
【図６Ｅ】本発明の一実施例による半導体パッケージの製造方法を説明する概略図である。
【図６Ｆ】本発明の一実施例による半導体パッケージの製造方法を説明する概略図である。
【図６Ｇ】本発明の一実施例による半導体パッケージの製造方法を説明する概略図である。
【図６Ｈ】本発明の一実施例による半導体パッケージの製造方法を説明する概略図である。
【図７Ａ】図５のインラインシステムの移送手段の変形例を示す概略図である。
【図７Ｂ】図５のインラインシステムの移送手段の他の変形例を示す概略図である。
【図８Ａ】図５の塗布部のノズルの変形例を示す概略図である。
【図８Ｂ】図５の塗布部のノズルの他の変形例を示す概略図である。
【図８Ｃ】図５の塗布部のノズルのさらに他の変形例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０：インラインシステム、１２：ローディング部、１４：バックラップ部、１６：洗浄部、１８：塗布部、２０：真空吸入部、２２：硬化部、２４：付着部、２６：アンローディング部、２８：移送手段
【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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