(57)【要約】【課題】酸素に曝露されても、周囲条件下で一定期間実質的に劣化せず、安定である電気デバイスを提供する。【解決手段】電子デバイスは、構造式（Ｉ）、 2008153666.tif 000025式中、各Ｒ′は、独立に、水素および適当な炭化水素の少なくとも一つであり、Ａｒは、アリールおよびヘテロアリールの少なくとも一つであり、Ｍは、少なくとも一つのチオフェン系共役セグメントを表す、で構成される半導体を含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造式（Ｉ）、
【化１】
2008153666.tif 000015
式中、各Ｒ′は、独立に、水素および適当な炭化水素の少なくとも一つであり、Ａｒは、アリールおよびヘテロアリールの少なくとも一つであり、Ｍは、少なくとも一つのチオフェン系共役セグメントを表す、
の半導体を含む電子デバイス。
【請求項２】
基板と、ゲート電極と、ゲート誘電体層と、ソース電極およびドレイン電極と、前記ソース／ドレイン電極および前記ゲート誘電体層に接触する、構造式（Ｉ）、
【化２】
2008153666.tif 000016
式中、各Ｒ′は、独立に、水素および適当な炭化水素の少なくとも一つであり、Ａｒは、アリール置換基であり、Ｍは、少なくとも一つのチオフェン系共役セグメントを表す、
で構成される半導体層と、で構成される薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記適当な炭化水素は、アルキル、アルコキシ、アリール、およびそれらの置換誘導体の少なくとも一つであり、Ｍは、チオフェン環である、請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記半導体層は、
【化３】
2008153666.tif 000017
【化４】
2008153666.tif 000018
【化５】
2008153666.tif 000019
【化６】
2008153666.tif 000020
式中、Ｒ′は、独立に、水素および適当な炭化水素の少なくとも一つであり、Ｒは、適当な炭化水素、ハロゲンおよび水素の少なくとも一つであり、ｍおよびｎは、置換基の数を表し、Ａｒは、アリールであり、ｘ、ｙ、ｚは、繰り返し単位の数を表す、
の少なくとも一つで構成される、請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記炭化水素は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシルおよびオクタデシルのアルキルの少なくとも一つであり、前記アルコキシは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、トリデシルオキシ、テトラデシルオキシ、ペンタデシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、ヘプタデシルオキシおよびオクタデシルオキシの少なくとも一つであり、前記アリールは、フェニル、ナフチル、メチルフェニル（トリル）、エチルフェニル、プロピルフェニル、ブチルフェニル、ペンチルフェニル、ヘキシルフェニル、ヘプチルフェニル、オクチルフェニル、ノニルフェニル、デシルフェニル、ウンデシルフェニル、ドデシルフェニル、トリデシルフェニル、テトラデシルフェニル、ペンタデシルフェニル、ヘキサデシルフェニル、ヘプタデシルフェニル、オクタデシルフェニルおよびハロフェニルの少なくとも一つである、請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項１に記載のデバイスであって、基板と、ゲート電極と、ゲート誘電体層と、ソース電極およびドレイン電極と、前記ソース／ドレイン電極および前記ゲート電極に接触する、
【化７】
2008153666.tif 000021
【化８】
2008153666.tif 000022
【化９】
2008153666.tif 000023
【化１０】
2008153666.tif 000024
式中、Ｒ′は、独立に、水素、アルキル、アルコキシおよびアリールの少なくとも一つであり、Ｒは、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲンおよび水素の少なくとも一つであり、ｍおよびｎは、置換基の数を表し、Ａｒは、アリールまたは置換アリールであり、ｘ、ｙおよびｚは、繰り返し単位の数を表す、
の一つで構成される前記半導体層と、で構成される薄膜トランジスタであるデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、全体として、本明細書に例示される構造式の半導体、これらの半導体の調製プロセスおよびこれらの半導体の使用を目的とする。より詳しくは、本開示は、実施態様において、本明細書に例示される式の新規な種類の置換芳香族ビニル系チオフェン半導体を目的とする。
【背景技術】
【０００２】
これらの置換芳香族ビニル系チオフェン半導体は、例えばアセン系半導体より安定と考えられる。これらの半導体材料は、高分子バインダに溶解するかまたはブレンドして、一様な薄膜を作製することができる。これらの薄膜は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）用の半導体として選択することができる。従って、実施態様において、溶解したこれらの半導体分子は、結晶として析出させ、高度に規則的な連続半導体膜を形成させることができると考えられる。これらの連続半導体膜は、効率的な電界効果電荷キャリア輸送など、優れたＴＦＴ性能特性を提供することができる。実施態様において、これらの新しい半導体材料は、ＴＦＴ用の半導体として選択することができる。これらの半導体材料は、ＴＦＴなどの有機電子デバイスにおいて、溶液プロセスによって加工することができる著しく安定なチャネル半導体として選択することができる。これらのデバイスは、経済性の高い溶液プロセスによって作り出すことができる。これらの電子デバイスは、空気中で安定である。すなわち、これらの電子デバイスは、酸素に曝露されても、一定期間にわたって実質的に分解しない。
【０００３】
本明細書に例示される式の半導体で作製された、薄膜トランジスタすなわちＴＦＴなどの電子デバイスがあると望ましい。これらの半導体は、溶媒溶解性が優れ、溶液プロセスによって加工することができる。これらのデバイスは、プラスチック基板などの複数の基板上に可撓性ＴＦＴを作製する場合に望ましい機械的耐久特性および構造的可撓特性を有する。可撓性ＴＦＴは、構造的可撓特性および機械的耐久特性を有する電子デバイスの設計を可能にする。プラスチック基板と、本明細書に例示される式の半導体とを一緒に使用すると、これまでは剛直であったシリコンＴＦＴを、機械的耐久性が向上し、構造的に可撓性のＴＦＴ設計に変えることができる。これは、大面積画像センサ、電子ペーパーおよびその他の表示媒体などの大面積デバイスにとって特に価値がある。本明細書に例示される式の半導体を選択すると、実施態様において、スマートカード、ラジオ周波数識別（ＲＦＩＤ）タグおよびメモリ／記憶デバイスなどの低価格超小型電子機器用の集積回路論理素子に適した長さの共役長も実現され、機械的耐久性、ひいては使用寿命も向上する。
【０００４】
複数の半導体材料は、空気に曝露されると安定ではないと考えられる。これは、周囲の酸素によって酸化ドーピングされ、その結果、導電性が増加するためである。これらの材料から作製されたデバイスの場合、その結果、オフ電流が大きくなり、従って、電流オン／オフ比は小さくなる。従って、これらの材料の多くで、通常、材料プロセス時およびデバイス作製時に厳重な注意を払って環境中の酸素を排除し、酸化的ドーピングを回避し、もしくは最小化する。これらの予防措置によって製造コストが増大し、従って、特に大面積デバイスの場合、非晶質シリコン技術に代わる経済性の高い技術としてのある種の半導体ＴＦＴの魅力が相殺されてしまう。本開示の実施態様においては、これらの不利およびその他の不利は回避されるか、もしくは最小化される。
【０００５】
本明細書に例示される式のｐ−型半導体材料から作製されるＴＦＴは、機械的耐久性、構造的可撓性、ならびにデバイスの活性媒質上に直接組み込まれ、従ってデバイスの小型化を促進して持ち運びしやすくすることができる可能性を提供する点で、機能と構造との両面において従来のシリコン半導体および他の半導体より望ましい。複数の既知の小分子系ＴＦＴデバイスまたはオリゴマー系ＴＦＴデバイスは、作製する際に難しい真空蒸着技法に依拠している。主として、選択された材料が不溶性であるか、あるいは、一般的に、スピンコーティング法、溶液キャスト法または刻印印刷法による溶液プロセス法では一様な薄膜が得られないため、真空蒸着法が選択される。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第６，１５０，１９１号
【特許文献２】米国特許第６，１０７，１１７号
【特許文献３】米国特許第５，９５９，３７６号
【特許文献４】米国特許第５，６１９，３５７号
【特許文献２】米国特許第５，７７７，０７０号
【特許文献３】米国特許第６，７７４，３９３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
さらに、真空蒸着法には、大面積規格用のムラのない薄膜の品質を実現する難しさも含まれる。例えば、立体規則性ポリ（３−アルキルチオフェン−２，５−ジイル）の立体規則性成分から溶液プロセスによって作製されたものなどの高分子ＴＦＴは、ある程度の移動度を示すものの、空気中で酸化ドーピングされやすいという問題がある。従って、実用的な低コストＴＦＴの設計にとって、安定で溶液プロセスによって加工することができ、周囲の酸素によって性能が悪影響を受けない半導体材料は価値が高い。例えば、ポリ（３−アルキルチオフェン−２，５−ジイル）で作り出されるＴＦＴは、空気に敏感である。これらの材料から作製されたＴＦＴは、常温の大気中では、一般に、大きなオフ電流、非常に低い電流オン／オフ比を示し、性能特性は急速に劣化する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
ＴＦＴデバイスなどの超小形電子デバイス用途に有用な、本明細書に例示される式の半導体を提供することは、本開示の特徴である。
【０００９】
約１．５ｅＶから約４ｅＶ（電子ボルト）のバンドギャップを有する、本明細書に例示される式の半導体高分子を提供することは、本開示の別の特徴である。バンドギャップは、薄膜の吸収スペクトルから求める。
【００１０】
本開示のさらに別の特徴においては、超小型電子構成部品として有用な、本明細書に例示される式のｐ−型半導体が提供される。これらの半導体は、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンおよび類似物など普通の有機溶媒中に、例えば少なくとも約０．１重量パーセントから約９５重量パーセントの溶解性を有する。従って、これらの半導体は、スピンコーティング法、スクリーン印刷法、刻印印刷法、ディップコーティング法、溶液キャスト法、インクジェット印刷法および類似法などの溶液プロセスによって経済的に作製することができる。
【００１１】
本開示の別の特徴は、ＴＦＴ用の半導体として選択することができる一様な薄膜を作製するために、高分子バインダ樹脂中に溶解するかまたはブレンドすることができる、本明細書に例示される式のｐ−型半導体を提供する。従って、実施態様において、溶解した半導体分子は、結晶化して析出し、高度に規則的な連続半導体膜を形成して効率的な電界効果電荷キャリア輸送などの優れたＴＦＴ性能特性を提供することができると考えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１から４には、本開示のさまざまな代表的な実施態様が例示されている。これらの実施態様では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構成中のチャネルまたは半導体材料として、本明細書に例示される式の半導体が選択されている。
【００１３】
本半導体を調製するためのプロセスは、（ａ）溶媒、バインダ樹脂および任意選択の分散剤を含む連続相、および（ｂ）本明細書に例示される式の有機半導体材料を含む分散相または溶液、で構成される分散または溶液を作り出す工程を含む。実施態様において、溶媒中の半導体材料の溶解性の度合いは、例えば０パーセントから約１００パーセント溶解性、より詳しくは０．５パーセントから約１００パーセント溶解性の実施態様の範囲にあるとよい。
【００１４】
バインダ樹脂および任意選択の分散剤は、実施態様において、溶媒中に完全に溶解することを含めて、実質的に溶媒中に可溶性である。しかし、バインダ樹脂および分散剤の溶媒中の溶解性の程度は、例えば約９５重量パーセントから１００重量パーセント溶解性、より詳しくは約９９重量パーセントから１００重量パーセント溶解性の実施態様の範囲にあるとよい。
【００１５】
分散液（または溶液）および半導体層において、成分は、さまざまな濃度で存在してよい。例えば、半導体材料は、半導体材料とバインダ樹脂との合計重量を基準として、例えば約２０重量パーセントから約９９．５重量パーセント、より詳しくは約６０重量パーセントから約９５重量パーセント存在する。バインダ樹脂は、半導体材料とバインダ樹脂との合計重量を基準として、例えば約８０重量パーセントから約１重量パーセント未満、より詳しくは約４０重量パーセントから約５重量パーセント存在する。任意選択の分散剤のバインダ樹脂に対する比は、重量基準で、例えば０から約０．５であるが、溶媒は、分散液または溶液の合計重量を基準として、例えば約１０重量パーセントから約９５重量パーセント、より詳しくは約５０重量パーセントから約９０重量パーセント量存在する。
【００１６】
バインダ樹脂は、主に、スピンコーティング法、ディップコーティング法、溶液キャスト法、刻印印刷法またはインクジェット印刷法および類似法などの溶液プロセスによって半導体層を作製し、それによって一様な半導体層を形成することを可能にする有機半導体材料用の媒質として働く。バインダ樹脂は、電気絶縁性または半導体性であり、例えば、本明細書に例示される複数の既知のオリゴマーおよび高分子、より詳しくはポリ（ビニルブチラール）、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ（塩化ビニル）、ポリアクリラートおよびポリメタクリラート、塩化ビニルと酢酸ビニルとの共重合体、フェノキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ（ビニルアルコール）、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン、ポリチオフェンなどの高分子半導体、それらの混合物および類似物から選択するとよい。コーティングされた分散液またはコーティング溶液から溶媒が蒸発した後、バインダ樹脂は、通常、実質的に滑らかな連続相を形成する。滑らかな連続相は、基板に接着し、半導体材料を一様に被覆する。実施態様において、バインダ樹脂は、凝塊を最小化し、分散一様性を増加させ、分散液を貯蔵するとき、半導体材料の沈降を防ぐことによって、半導体材料の粒子のための分散剤として働いてもよい。
【００１７】
半導体層分散液中に、バインダ樹脂の重量の例えば約０．１重量パーセントから約５０重量パーセント、より詳しくは、約１重量パーセントから約１０重量パーセントの量の分散剤を含むとよい。エトキシル化長鎖アルコール、ステアリン酸グリセリル、アルカノールアミド、ラウリル硫酸ナトリウム、アルキルナフタレンスルホン酸塩および脂肪族系リン酸エステル、トリメチルセチルアンモニウムクロリド、オレイン酸イミダゾリンおよびエトキシル化脂肪族アミン、レシチンおよびポリグリコールエーテル誘導体など、本明細書に例示される分散剤を含む多くの種類の分散剤が知られている（例えば、郵便番号０７４５２  ニュージャージー州グレンロック（Ｇｌｅｎ  Ｒｏｃｋ，Ｎ．Ｊ．）ロックロード１７５番地（１７５  Ｒｏｃｋ  Ｒｏａｄ）のＭＣ出版社（ＭＣ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏ．）のマッカチオン部門（ＭｃＣｕｔｃｈｅｏｎ’ｓ  ｄｉｖｉｓｉｏｎ）が毎年出版し、参照によって本明細書に開示全体が組み込まれる書籍「マッカチオンズ  第1巻  乳化剤および洗剤（ＭｃＣｕｔｃｈｅｏｎ‘ｓ，Ｖｏｌｕｍｅ  １：Ｅｍｕｌｓｉｆｉｅｒｓ  ａｎｄ  Ｄｅｔｅｒｇｅｎｔｓ）」に記載されている）。これらの薬剤は、主として、分散された半導体材料をフロキュレーション、凝集または沈降に対して安定化させ、それによって分散液を微細に分割された状態に維持するように働く。
【００１８】
本開示の別の特徴は、有機薄膜トランジスタ用の、本明細書に例示される式のｐ−型半導体を用いるＴＦＴなどの電子デバイスを提供することにある。これらの半導体層は、例えば約１０−４から約１０−１０Ｓ／ｃｍ（ジーメンス／センチメートル）の電気伝導率を有する。
【００１９】
本開示のさらに別の特徴においては、本明細書に例示される式の新規なｐ−型半導体、ならびにそれらのｐ−型半導体のデバイスも提供される。これらのデバイスは、酸素の悪影響に対する抵抗性の増大を示す。すなわち、これらのデバイスは、比較的高いオン／オフ比を示し、これらのデバイスの性能は、アセン類または立体規則性ポリ（３−アルキルチオフェン−３，５−ジイル）で作製した類似のデバイスほど著しく急速に劣化しない。
【００２０】
さらに、本開示の別の特徴において、固有の構造的特徴を有する、本明細書に例示される式の新規なｐ−型半導体の種類が提供される。これらの構造的特徴は、適切なプロセス条件下での分子自己配置を助長し、デバイス性能の安定性も高める。適切な分子配置によって薄膜中の分子構造の規則性をより高くすることができる。これは、効率的な電荷キャリア輸送、ひいてはより高い電気的性能にとって価値が高い。
【００２１】
実施態様において、本明細書に例示される式の半導体と、これらの半導体の電子デバイスとが開示される。より詳しくは、本開示は、構造式（Ｉ）、
【化１】
2008153666.tif 000002
によって例示され、または包含される半導体材料に関する。式中、各Ｒ′は、独立に、水素、適当な炭化水素、例えばアルキル、アルコキシ、ハロアルキル、アリール、それらの置換誘導体および類似物であり、Ａｒは、例えば、６から約４２の炭素原子を有するアリールまたはヘテロアリール置換基、例えば、フェニル、アルキルフェニル、クロロフェニルのようなハロフェニル、アルコキシフェニルおよび類似物であり、Ｍは、少なくとも一つのチオフェン系共役セグメントを表す。
【００２２】
半導体成分または材料（Ｉ）の例は、以下の構造式
【化２】
2008153666.tif 000003
【化３】
2008153666.tif 000004
【化４】
2008153666.tif 000005
【化５】
2008153666.tif 000006
の置換芳香族ビニル系チオフェン半導体を含むがそれらに限定されない。式中、Ｒ′およびＡｒは、式（Ｉ）に関連して本明細書に例示されるものと同じであり、Ｒは、芳香環およびチオフェン環上の適当な置換基をそれぞれ表し、より詳しくは、Ｒは、アルキル、アリール、アルコキシおよびそれらの置換誘導体のような適当な炭化水素、ハロゲン、水素および類似物であり、ｍおよびｎは、置換基の数を表し、実施態様において、ゼロ（０）、１、２、３または４であり、ｘ、ｙおよびｚは、繰り返し単位またはセグメントの数を表し、例えば、ｘは、数１、２、３、４、５または６であるとよく、ｙは、ゼロ（０）、１、２、３または４であるとよく、ｚはゼロ（０）、１、２および３であるとよい。
【００２３】
アルキルは、例えば、約１から約３５個の炭素原子を有する置換基、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコサニル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル、ペルフルオロプロピル、ペルフルオロブチル、ペルフルオロペンチル、ペルフルオロヘキシル、ペルフルオロヘプチル、ペルフルオロオクチル、ペルフルオロノニル、ペルフルオロデシル、ペルフルオロウンデシルまたはペルフルオロドデシルを含む。アルコキシは、例えば、約１から約３５個の炭素原子を有する置換基、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、トリデシルオキシ、テトラデシルオキシ、ペンタデシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、ヘプタデシルオキシまたはオクタデシルオキシを含む。アリールの例は、例えば、約６から約４２個の炭素原子を有する基、例えば、フェニル、ナフチル、メチルフェニル（トリル）、エチルフェニル、プロピルフェニル、ブチルフェニル、ペンチルフェニル、ヘキシルフェニル、ヘプチルフェニル、オクチルフェニル、ノニルフェニル、デシルフェニル、ウンデシルフェニル、ドデシルフェニル、トリデシルフェニル、テトラデシルフェニル、ペンタデシルフェニル、ヘキサデシルフェニル、ヘプタデシルフェニル、オクタデシルフェニル、クロロフェニルのようなハロフェニル、アルコキシフェニルおよび類似物である。
【００２４】
チオフェン半導体の特定の例は、
【化６】
2008153666.tif 000007
【化７】
2008153666.tif 000008
【化８】
2008153666.tif 000009
【化９】
2008153666.tif 000010
【化１０】
2008153666.tif 000011
である。式中、Ｒ′′、Ｒ′′′およびＲ′′′′は、独立に、約１から約３５個の炭素原子を有するアルキル基または置換アルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコサニル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル、ペルフルオロプロピル、ペルフルオロブチル、ペルフルオロペンチル、ペルフルオロヘキシル、ペルフルオロヘプチル、ペルフルオロオクチル、ペルフルオロノニル、ペルフルオロデシル、ペルフルオロウンデシルまたはペルフルオロドデシルといったアルキルまたは置換アルキル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、トリデシルオキシ、テトラデシルオキシ、ペンタデシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、ヘプタデシルオキシまたはオクタデシルオキシおよびそれらの置換誘導体などの少なくとも一つを表すがそれらに限定されない。
【００２５】
半導体材料は、例えば、以下の反応経路１、
【化１１】
2008153666.tif 000012
を参照して例示されるプロセスなど、複数の適切な方法によって合成することができる。式中、Ｒ′、ＡｒおよびＭは、構造（Ｉ）に関して本明細書に例示されているものと同じである。
【００２６】
本明細書に例示される構造式の半導体は、普通の塗布用溶媒に可溶性であるかまたは実質的に可溶性であると考えられる。例えば、実施態様において、これらの半導体は、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンおよび類似物のような溶媒中に、少なくとも約０．１重量パーセントから、より詳しくは約０．１重量パーセントから約１０重量パーセント、または約９５重量パーセントまでの溶解性を有する。さらに、本明細書に例示される式のｐ−型半導体は、例えば、通常の４端子電気伝導率測定法で測定して、約１０−９Ｓ／ｃｍから約１０−４Ｓ／ｃｍ、より詳しくは約１０−８Ｓ／ｃｍから約１０−５Ｓ／ｃｍの安定な電気伝導率を提供する。
【００２７】
開示される式の半導体を、例えば、約１０ナノメートルから約５００ナノメートル、または約５０から約３００ナノメートルの厚さの材料の薄膜として溶液から作製すると、アセン系半導体材料またはポリ（３−アルキルチオフェン−２，５−ジイル）から作製した類似のデバイスより周囲条件において安定と考えられる。本明細書に例示された式の前述のｐ−型半導体、および前述のｐ−型半導体のデバイスは、一般に、保護されていなくても、アセン系半導体材料またはポリ（３−アルキルチオフェン−２，５−ジイル）の場合に周囲の酸素に曝露した後のように数日または数時間ではなく、数週間、数ヵ月間安定である。従って、本明細書に例示される式の半導体から作製したデバイスの方が高い電流オン／オフ比を提供することができる。これらの半導体の性能特性は、材料調製、デバイス作製および評価時に周囲の酸素を排除するために厳重な注意を払わなくても、アセン系半導体材料またはポリ（３−アルキルチオフェン−２，５−ジイル）ほど著しく急速に変化しない。
【００２８】
本開示のさらに別の態様では、基板と、ゲート電極と、ゲート誘電体層と、ソース電極およびドレイン電極と、ソース／ドレイン電極およびゲート誘電体層に接触する、本明細書に例示される構造式の半導体材料で構成される半導体層と、で構成される薄膜トランジスタが提供される。本開示のさらに別の態様では、半導体成分を含む電子デバイスが提供される。このデバイスは、薄膜トランジスタであり、成分は、本明細書に例示される構造式（１）から（１５）の少なくとも一つからなる群から選ばれる。本開示のさらに別の態様では、基板は、ポリエステル、ポリカーボネートまたはポリイミドのプラスチック板であり、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極は、それぞれ独立に、金、ニッケル、アルミニウム、白金、インジウム酸化チタンまたは導電性高分子で構成され、ゲート誘電体は、窒化シリコンまたは酸化シリコンで構成される、ＴＦＴデバイスが提供される。本開示のさらに別の態様では、基板は、ガラスまたはプラスチックシートであり、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極は、それぞれ金で構成され、ゲート誘電体層は、有機高分子ポリ（メタクリレート）またはポリ（ビニルフェノール）で構成される、ＴＦＴデバイスが提供される。本開示のさらに別の態様では、半導体層は、スピンコーティング法、刻印印刷法、スクリーン印刷法またはインクジェット印刷法といった溶液プロセスによって形成される、デバイスが提供される。本開示のさらに別の態様では、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極、ゲート誘電体および半導体層は、スピンコーティング法、溶液キャスト法、刻印印刷法、スクリーン印刷法またはインクジェット印刷法といった溶液プロセスによって形成される、デバイスが提供される。本開示のさらに別の態様では、基板は、ポリエステル、ポリカーボネートまたはポリイミドといったプラスチックシートであり、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極は、有機導電性高分子であるポリスチレンスルホン酸塩でドーピングしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、または高分子バインダ中の銀のコロイド分散液といった導電性インク／ペースト複合物から作製され、ゲート誘電体層は、有機高分子または無機酸化物粒子−高分子複合体である、ＴＦＴデバイスおよびＴＦＴデバイスの薄膜トランジスタが提供される。
【００２９】
図１には、基板１６、基板１６と接触する金属接点１８（ゲート電極）、および絶縁性誘電体層１４の層で構成されるＴＦＴ構成１０の概略が例示されている。ゲート電極の一部または全体は誘電体層１４と接触している。誘電体層１４の上には、二つの金属接点２０および２２（ソース電極およびドレイン電極）が蒸着される。金属接点２０および２２の上、両者の間に、構造式（Ｉ）に包含されるチオフェン半導体、より詳しくは、Ｒがペンチルを表す構造式（ａ）の２，５−ビス［２−（４−ペンチルフェニル）ビニル］−チエノ（３，２−ｂ）チオフェンで構成される層１２が配置される。
【００３０】
ゲート電極は、基板の中、誘電体層の中および類似部品の中に含まれてよい。
【００３１】
図２は、基板３６、ゲート電極３８、ソース電極４０およびドレイン電極４２、絶縁誘電体層３４、ならびにＲがペンチルを表す構造式（ａ）の２，５−ビス［２−（４−ペンチルフェニル）ビニル］−チエノ（３，２−ｂ）チオフェンの半導体層３２で構成される別のＴＦＴ構成３０の概略を例示する。
【００３２】
図３は、さらに別のＴＦＴ構成５０の概略を例示する。ＴＦＴ構成５０は、高濃度にｎ型ドーピングされ、ゲート電極として働くことができるシリコンウエハ５６、熱成長酸化シリコン誘電体層５４、Ｒがペンチルを表す例の構造式（ａ）の２，５−ビス［２−（４−ペンチルフェニル）ビニル］−チエノ（３，２−ｂ）チオフェンのチオフェン半導体層５２、およびゲート電極接点６４で構成され、チオフェン半導体層５２の上にはソース電極６０およびドレイン電極６２が蒸着される。
【００３３】
図４は、基板７６、ゲート電極７８、ソース電極８０、ドレイン電極８２、ｐ−型半導体２，５−ビス［２−（４−ペンチルフェニル）ビニル］−チエノ（３，２−ｂ）チオフェン層７２および絶縁誘電体層７４で構成されるＴＦＴ構成７０の概略を例示する。
【００３４】
本明細書に開示されない他のデバイス、特にＴＦＴデバイスも包含される。例えば、既知のＴＦＴデバイスを参照すること。例えば、図1、２、３および４のトランジスタ構成のそれぞれの上に任意選択の保護層が組み込まれてもよい。図４のＴＦＴ構成の場合、絶縁誘電体層７４も保護層として働いてよい。
【００３５】
実施態様において、本開示および図面をさらに参照すると、基板層は、一般に、意図した用途によって、さまざまな適切な形のシリコン、ガラス板、プラスチック膜またはシートおよび類似物を含むシリコン材料であるとよい。構造的に可撓性のデバイスの場合、例えば、ポリエステルシート、ポリカーボネートシート、ポリイミドシートおよび類似物などのプラスチック基板を選択するとよい。基板の厚さは、例えば、約１０マイクロメートルから１０ミリメートルを超えてよく、特に、可撓性のプラスチック基板の場合、特定の厚さは、約５０から約１００マイクロメートル、ガラスまたはシリコンなどの剛直な基板の場合、約１から約１０ミリメートルであるとよい。
【００３６】
ゲート電極をソース電極およびドレイン電極から分離することができ、半導体層と接触する絶縁誘電体層は、一般に、無機材料膜、有機高分子膜、または有機−無機複合膜であってよい。誘電体層の厚さは、例えば、約１０ナノメートルから約１マイクロメートルであり、より具体的な厚さは、約１００ナノメートルから約５００ナノメートルである。誘電体層として適当な無機材料を説明するための例は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸バリウムおよび類似物を含む。誘電体層用の有機高分子を説明するための例は、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ（ビニルフェノール）、ポリイミド、ポリスチレン、ポリ（メタクリレート）、ポリ（アクリレート）、エポキシ樹脂および類似物を含む。無機−有機複合材料を説明するための例は、ポリエステル、ポリイミド、エポキシ樹脂および類似物などの重合体中に分散したナノサイズの金属酸化物粒子を含む。絶縁誘電体層の厚さは、一般に、用いられる誘電体材料の誘電率によって、約５０ナノメートルから約５００ナノメートルである。より詳しくは、誘電体材料は、例えば、少なくとも約３の誘電定数を有し、従って、これに合せて誘電体の厚さを約３００ナノメートルにすると、例えば、約１０−９から約１０−７Ｆ／ｃｍ２といった望ましい静電容量を得ることができる。
【００３７】
本明細書に例示される式のｐ−型半導体で構成される活性半導体層は、例えば、誘電体層とソース／ドレイン電極との間に配置され、誘電体層およびソース／ドレイン電極と接触する。この層の厚さは、一般に、例えば、約１０ナノメートルから約１マイクロメートル、または約４０から約１００ナノメートルである。一般に、本開示のｐ−型半導体溶液のスピンコーティング法、キャスト法、スクリーン印刷法、刻印印刷法またはインクジェット印刷法などの溶液プロセスによってこの層を作製するとよい。
【００３８】
ゲート電極は、金属薄膜、導電性高分子膜、導電性インクまたはペーストから作られた導電膜、または基板（例えば高濃度ドーピングしたシリコン）自体であってよい。ゲート電極材料の例は、アルミニウム、金、クロム、酸化インジウムスズ、ポリスチレンスルホン酸塩でドーピングしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＳＳ／ＰＥＤＯＴ）などの導電性高分子、アチソンコロイド社（Ａｃｈｅｓｏｎ  Ｃｏｌｌｏｉｄｓ  Ｃｏｍｐａｎｙ）から入手できるエレクトロダグ（登録商標）（ＥＬＥＣＴＲＯＤＡＧ（登録象徴））などのカーボンブラック／黒鉛または高分子バインダ中に含まれるコロイド銀分散およびノエルインダストリーズ（Ｎｏｅｌｌｅ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ）（および類似物）から入手できる銀充填導電性熱可塑性インクで構成される導電性インク／ペーストを含むがそれらに限定されない。ゲート層は、真空蒸着法、金属または導電性金属酸化物のスパッタリング法、スピンコーティング法、キャスト法または印刷法による導電性高分子溶液、導電性インクまたは分散液からのコーティングによって調製するとよい。ゲート電極層の厚さは、例えば、約１０ナノメートルから約１０マイクロメートルであり、具体的な厚さは、例えば、金属膜の場合には約１０から約２００ナノメートルであり、高分子導電体の場合には約１から約１０マイクロメートルである。
【００３９】
ソース電極層およびドレイン電極層は、半導体層への低抵抗オーム接触を提供する材料から作製するとよい。ソース電極およびドレイン電極として用いるのに適する一般的な材料は、金、ニッケル、アルミニウム、白金、導電性高分子および導電性インクなどのゲート電極材料を含む。この層の一般的な厚さは、例えば、約４０ナノメートルから約１マイクロメートルであり、より具体的な厚さは、約１００から約４００ナノメートルである。ＴＦＴデバイスは、幅Ｗおよび長さＬを有する半導体チャネルを含む。半導体チャネル幅は、例えば、約１０マイクロメートルから約５ミリメートルであり、特定のチャネル幅は、約１００マイクロメートルから約１ミリメートルであるとよい。半導体チャネル長さは、例えば、約１マイクロメートルから約１ミリメートルであり、より具体的なチャネル長さは、約５マイクロメートルから約１００マイクロメートルであるとよい。
【００４０】
ソース電極を接地させ、一般に、例えば、約０ボルトから約−８０ボルトのバイアス電圧をドレイン電極に印加し、一般に、例えば、約＋１０ボルトから約−８０ボルトの電圧をゲート電極に印加して、半導体チャネル上を輸送される電荷キャリアを集める。
【実施例】
【００４１】
実施例１．
（ａ）Ｒがペンチルを表す構造（ａ）の２，５−ビス［２−（４−ペンチルフェニル）ビニル］−チエノ（３，２−ｂ）チオフェンの合成：
２，５−ジブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェン（３．０１グラム、１０．１０ｍｍｏｌ）およびトルエン（８０ミリリットル）を含み、磁気撹拌子、アルゴンラインおよびコンデンサを備えた５００ミリリットル３ツ口反応フラスコに、２−［２−（４−ペンチルフェニル）ビニル］−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（７．５８０グラム、２５．２ｍｍｏｌ）のトルエン（２０ミリリットル）溶液を加えた。得られた混合物を、アルゴン雰囲気下室温、約２３℃から約２６℃で上記反応体が溶解するまで撹拌した。炭酸ナトリウム（４．９１グラムを２３．１６グラムの蒸留水に溶解したもの、２Ｍ）、トルエン（２５ミリリットル）中の相間移動剤アリコート（登録商標）（ＡＬＩＱＵＡＴ（登録商標））３３６（２．０２グラム、５ｍｍｏｌ）、およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．２３３グラム、０．２０２ｍｍｏｌ）をそれぞれ加えた。得られた反応混合物を、撹拌しながら９０℃に加熱し、この温度で３日間還流させた。反応の間、薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）分析を用いて反応の完了を追跡した。反応混合物を放冷して室温にして、生成した沈殿物をろ過して集め、メタノールで洗浄して光沢のある黄色がかった粗生成物（４．２０グラム）を得た。トルエン（３００ミリリットル）とクロロベンゼン（１００ミリリットル）との混合物からの再結晶によって生成物をさらに精製し、真空下室温で乾燥して３．５７グラム（収率７３パーセント）の光沢のある黄色がかった２，５−ビス［２−（４−ペンチルフェニル）ビニル］−チエノ（３，２−ｂ）チオフェンのフレーク状固体を得た。質量スペクトル分析  ４８４．２２５９（Ｃ３２Ｈ３６Ｓ２、計算値４８４．２２５８）、融点  ３２０．４５℃。
【００４２】
（ｂ）ＯＴＦＴ（有機薄膜トランジスタ）デバイス作製および評価：
例えば図３に概略が例示される上部接触薄膜トランジスタ構成を試験デバイス構造として選択した。約２００ナノメートルの厚さを有する熱成長酸化シリコン層を上に有するｎ−型ドーピングしたシリコンウエハ上に試験デバイスを構築した。このデバイスは、キャパシタメーターで測定して、約１５ｎＦ／ｃｍ２（平方センチメートル当たりナノファラッド）の静電容量を有していた。ウエハはゲート電極として働き、酸化シリコン層はゲート誘電体として働いていた。まず、シリコンウエハをイソプロパノール、アルゴンプラズマ、イソプロパノールの順にクリーニングし、空気乾燥し、次に、トルエン中のオクチルトリクロロシラン（ＯＴＳ−８）の０．１Ｍ溶液に６０℃で２０分間浸漬した。続いて、ウエハをトルエン、イソプロパノールで洗浄し、空気乾燥した。１０−６トールの高真空下、１Å／秒の速度で真空蒸着して、ＯＴＳ−８で処理したシリコンウエハ基板上に、上記で調製したチオフェン化合物（ａ）の厚さ１００ナノメートルの半導体層を蒸着した。このとき、基板を室温または６０℃に保持した。続いて、さまざまなチャネル長さおよび幅を有するシャドーマスク越しに真空蒸着して、半導体層の上に約５０ナノメートルの金のソース電極とドレイン電極とを析出させ、こうしてさまざまな寸法の一連のトランジスタを作り出した。
【００４３】
周囲条件の暗箱（すなわち、周囲の光を遮断した密閉箱）中のキースリー（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ）４２００  ＳＣＳ（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｓｙｓｔｅｍ）半導体特性測定システムを用いて、実施例１の半導体を用いた上記ＯＴＦＴデバイスの性能をキャラクタリゼーションした。飽和領域（ゲート電圧ＶＧ＜ソース−ドレイン電圧ＶＳＤ）におけるデータから、式（１）、
［数１］
ＩＳＤ＝Ｃｉμ（Ｗ／２Ｌ）（ＶＧ−ＶＴ）２    …（１）
によって電界効果移動度μを計算した。式中、ＩＳＤは、飽和領域におけるドレイン電流、ＷおよびＬは、それぞれ半導体のチャネル幅およびチャネル長さ、Ｃｉは、ゲート誘電体層の単位面積当たり静電容量、ＶＧおよびＶＴは、それぞれゲート電圧およびしきい値電圧である。飽和領域におけるＩＳＤの平方根とデバイスのＶＧとの関係から、測定データをＩＳＤ＝０に外挿することによって、デバイスのＶＴを定めた。
【００４４】
デバイスの移動特性および出力特性によると、この半導体は、ｐ−型半導体であった。Ｗ＝５，０００μｍおよびＬ＝９０μｍの寸法のトランジスタを用いて、以下の性質を得た。
【表１】
2008153666.tif 000013
【００４５】
実施例２．
（ａ）Ｒがペンチルを表す構造（ｂ）の５，５′−ビス−［２−（４−ペンチルフェニル）−ビニル］−２，２′−ビチオフェンの合成：
５，５−ジブロモ−２，２−ビチオフェン（３．２５グラム、１０．０１ｍｍｏｌ）およびトルエン（８０ミリリットル）を含み、磁気撹拌子、アルゴンラインおよびコンデンサを備える５００ミリリットル３ツ口反応フラスコに、２−［２−（４−ペンチルフェニル）ビニル］−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（７．５１グラム、２５．２ｍｍｏｌ）のトルエン（２０ミリリットル）溶液を加えた。得られた混合物を、次にアルゴン雰囲気下、室温、約２３℃から約２６℃で、上記の反応体がすべて溶解するまで撹拌した。次に、炭酸ナトリウム（４．９１グラムを２３．１６グラムの蒸留水に溶解したもの、２Ｍ）、トルエン（２５ミリリットル）中の相間移動剤アリコート（登録商標）３３６（２．０２３グラム、５．０１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．２３１グラム、０．２０ミリモル）を加えた。得られた反応混合物を、撹拌しながら９０℃に加熱し、この温度で３日間還流させた。反応混合物を放冷して室温にして、得られた沈殿物をろ過して集め、メタノールで洗浄し、３．３グラムの光沢のあるオレンジ色の黄色がかった重要生成物を得た。ろ液を分液ロートに注ぎ、有機層をトルエンで抽出し、水（３×２５０ミリリットル）で洗浄し、硫酸マグネシウムＭｇＳＯ４で乾燥させた。有機溶媒を除去した後、１．１グラムの光沢のあるオレンジ色の黄色がかった重要生成物を得た。これらの生成物を併せ、４．４グラムの生成物を、トルエン（３００ミリリットル）とクロロベンゼン（１００ミリリットル）との混合物からの再結晶によってさらに精製し、真空下、室温で乾燥し、３．４グラム（収率６６パーセント）のオレンジ色の黄色がかった５，５−ビス［２−（４−ペンチルフェニル）ビニル］−２，２′−ビチオフェンのフレーク状固体を得た。質量スペクトル分析  ５１０．２４１１（Ｃ３４Ｈ３８Ｓ２、計算値５１０．２４１５）、融点  ２１４．３９℃。
【００４６】
（ｂ）ＯＴＦＴデバイス作製および評価：
例えば、図３に概略が例示される上記（ａ）の半導体を用いた上部接触薄膜トランジスタ構成を試験デバイス構造として選択した。実施例１の場合と同じ手順を用いて、デバイスを作製し、キャラクタリゼーションした。Ｗ＝５，０００μｍおよびＬ＝９０μｍの寸法を有するトランジスタを用いて以下の性質を得た。
【表２】
2008153666.tif 000014
【００４７】
実施例３．
（ａ）Ｒはペンチルを表し、Ｒ′はドデシルを表す構造（Ｈ）の５，５′′′−ビス［２−（４−ペンチルフェニル）ビニル］−３，３′′′−ドデシル−２，２′：５′，２′′：５′′，２′′′−クアテルチオフェンの合成：
５，５−ジブロモ−２，２−ビチオフェン（１．５４２グラム、１．８７ｍｍｏｌ）およびトルエン（２０ミリリットル）を含み、磁気撹拌子、アルゴンラインおよびコンデンサを備える２５０ミリリットル３ツ口反応フラスコに、２−［２−（４−ペンチルフェニル）ビニル］−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（１．４０２グラム、４．６７ｍｍｏｌ）のトルエン（１０ミリリットル）溶液を加えた。得られた混合物を、反応体が十分に溶解するまでアルゴン雰囲気下、室温で撹拌した。次に、炭酸ナトリウム（０．９２グラムを４．３４グラムの蒸留水に溶解したもの、２Ｍ）、トルエン（５ミリリットル）中の相間移動剤アリコート（登録商標）３３６（０．３７７グラム、０．９３ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．２３３グラム、０．２０ｍｍｏｌ）をそれぞれ加えた。次に、反応混合物を、撹拌しながら９０℃に加熱し、この温度で３日間還流させた。反応混合物を放冷して室温にして、分液ロートに注いだ。得られた有機層をトルエンで抽出し、水（３×２５０ミリリットル）で洗浄し、硫酸マグネシウムＭｇＳＯ４で乾燥させた。溶媒の蒸発の後に得られた赤色の固体を、ヘキサンとジクロロメタンとの混合溶媒（ヘキサン／ジクロロメタン体積比７０／３０）によるシリカゲル上のカラムクロマトグラフィーで精製し、ヘキサンから再結晶して１．２グラム（収率６０パーセント）の５，５′′′−ビス［２−（４−ペンチルフェニル）ビニル］−３，３′′′−ドデシル−２，２′：５′，２′′：５′′，２′′′−クアテルチオフェンを赤色の固体生成物として得た。質量スペクトル分析  １０１１．４０（Ｃ６６Ｈ９０Ｓ４、計算値１０１１．６８）、融点  ９１．３℃。
【００４８】
（ｂ）ＯＴＦＴデバイス作製および評価：
例えば、図３に概略が例示される上部接触薄膜トランジスタ構成を試験デバイス構造として選択した。実施例１に記載される手順によってシリコンウエハ基板をクリーニングし、修飾（modified）した。上記で合成したチオフェン化合物は、普通の有機溶媒中で良好な溶解性を有していたので、以下のように溶液プロセスによってトランジスタを調製することができる。上記のチオフェン化合物（１０ミリグラム）とポリスチレンバインダ（１０ミリグラム）とを、１グラムのクロロベンゼンに溶かした。得られた溶液を、次に、０．４５ミクロンのシリンジフィルタでろ過し、上記で修飾した、クリーニングした基板上にスピンコートして、薄い半導体層を形成させた。真空オーブン中で乾燥させて残留量の溶媒を除去した後、さまざまなチャネル長さおよびチャネル幅を有するシャドーマスク越しに真空蒸着して、厚さがそれぞれ約５０ナノメートルの金のソース電極とドレイン電極とを半導体層の上に蒸着し、こうしてさまざまな寸法の一連のトランジスタを作り出した。その結果、実施例１の手順を用いて、これらのトランジスタの性能を評価することができた。
【００４９】
上記の実験データは、これらの芳香族ビニル系チオフェン半導体が、例えば、空気中で非常に迅速に劣化するアセン系半導体材料および立体規則性ポリ（３−アルキルチオフェン−２，５−ジイル）半導体材料より安定であることを示した。より詳しくは、上記でチオフェン（ａ）を用いて調製した薄膜トランジスタは、優れた電子的性質の証拠を示し、移動度は、最大０．１５ｃｍ２／Ｖ・秒であり、電流オン／オフ比は最大１０６という大きさであった。これらの半導体チオフェン（ａ）は、高分子バインダに溶解させるかまたはブレンドさせて一様な薄膜を作製することができる。一様な薄膜は、ＴＦＴなどの電子デバイス用の半導体として選択することができる。これらのＴＦＴは、酸素に曝露されても、周囲条件下で一定期間、例えば一ヶ月間、実質的に劣化せず、安定である。
【００５０】
［付記］
（１）構造式（Ｉ）の前記アルキルは１から約１２個の炭素原子を含み、前記アルコキシは１から約１０個の炭素原子を含み、前記アリールは６から約１８個の炭素原子を含む、請求項１に記載のデバイス。
（２）構造式（Ｉ）の前記アルキルはメチルであり、前記アルコキシはエトキシであり、前記アリールはクロロフェニルであり、前記Ｍはチオフェン、ビチオフェン、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン、ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチオフェン、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ′］ジチオフェン、以上の化合物の置換誘導体、およびそれらの混合物である、請求項１に記載のデバイス。
（３）構造式（Ｉ）の前記アルキルはエチルであり、前記アルコキシはエトキシまたはプロポキシであり、前記アリールはアルキルフェニルまたはアルコキシフェニルである、請求項１に記載のデバイス。
（４）上記構造式（１）かた（１５）において、前記アルキルは１から約１２個の炭素原子を含み、前記アルコキシは１から約１０個の炭素原子を含み、前記アリールは６から約１８個の炭素原子を含むデバイス。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本開示の実施形態における薄膜トランジスタの構造の一例を示す図である。
【図２】本開示の実施形態における薄膜トランジスタの構造の他の例を示す図である。
【図３】本開示の実施形態における薄膜トランジスタの構造の他の例を示す図である。
【図４】本開示の実施形態における薄膜トランジスタの構造の他の例を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０  ＴＦＴ構成、１４  誘電体層、１６  基板、１８，２０，２２  金属接点。
【図１】
2008153666.tif 000026
【図２】
2008153666.tif 000027
【図３】
2008153666.tif 000028
【図４】
2008153666.tif 000029