(57)【要約】【課題】装置構成が簡便で、スループットを向上させることが可能となる近接場露光装置等を提供する。【解決手段】露光用マスク１０３側から被露光物１０５側への露光用光の照射によって、露光用マスクの開口に対応して生じる近接場光を用い、  マスク変形手段により露光用マスクを前記被露光物に密着させて該被露光物の露光を行う近接場露光装置であって、  前記マスク変形手段は、前記露光用光に対して透明で弾性変形が可能な中間緩衝層２００を備え、  前記中間緩衝層は、前記露光用光側に設けられた該露光用光に対して透明な剛体２０１と、前記被露光物側に設けられた前記露光用マスクとの間に配置され、  前記中間緩衝層を介して、前記露光用マスクへ圧力１０６の印加が可能に構成する。【選択図】            図１
2008103560.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光用光の波長よりも小さい開口が形成された遮光膜を有し、曲げ変形が可能な露光用マスクと、
圧力の印加によって前記露光用マスクを変形させ、被露光物に密着させるマスク変形手段とを備え、
前記露光用マスク側から前記被露光物側への露光用光の照射によって、前記露光用マスクの開口に対応して生じる近接場光を用い、
前記マスク変形手段により前記露光用マスクを前記被露光物に密着させて該被露光物の露光を行う近接場露光装置であって、
前記マスク変形手段は、前記露光用光に対して透明で弾性変形が可能な中間緩衝層を備え、
前記中間緩衝層は、前記露光用光側に設けられた該露光用光に対して透明な剛体と、前記被露光物側に設けられた前記露光用マスクとの間に配置され、
前記中間緩衝層を介して、前記露光用マスクへの圧力印加が可能に構成されていることを特徴とする近接場露光装置。
【請求項２】
前記中間緩衝層は、少なくとも前記露光用マスク側に凸形状部を備えていることを特徴とする請求項１に記載の近接場露光装置。
【請求項３】
前記中間緩衝層が、ゴム状弾性体で構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の近接場露光装置。
【請求項４】
前記ゴム状弾性体が、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）による材料で形成されていることを特徴とする請求項３に記載の近接場露光装置。
【請求項５】
前記露光用光に対して透明な剛体は、少なくとも前記露光用マスク側に凸形状部を備えていることを特徴とする請求項１に記載の近接場露光装置。
【請求項６】
露光用光の波長よりも小さい開口が形成された遮光膜を有し、曲げ変形が可能な露光用マスクを、圧力の印加によって変形させて被露光物に密着させ、
前記露光用マスク側から前記被露光物側への露光用光の照射により前記露光用マスクの開口に対応して生じる近接場光によって、前記被露光物の露光を行う近接場露光方法であって、
前記圧力の印加によって前記露光用マスクを変形させるに際し、
前記露光用光側に設けられた該露光用光に対して透明な剛体と、前記被露光物側に設けられた前記露光用マスクとの間に配置された、前記露光用光に対して透明で弾性変形が可能な中間緩衝層を介し、前記露光用マスクへの圧力を印加する工程、
を有することを特徴とする近接場露光方法。
【請求項７】
前記中間緩衝層は、少なくと前記露光用マスク側に凸形状部を備えていることを特徴とする請求項６に記載の近接場露光方法。
【請求項８】
前記中間緩衝層が、ゴム状弾性体で構成されていることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の近接場露光方法。
【請求項９】
前記ゴム状弾性体が、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）による材料で形成されていることを特徴とする請求項８に記載の近接場露光方法。
【請求項１０】
前記露光用光に対して透明な剛体は、少なくと前記露光用マスク側に凸形状部を備えていることを特徴とする請求項６に記載の近接場露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近接場露光装置及び近接場露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリの大容量化やＣＰＵプロセッサの高速化・大集積化の進展とともに、光リソグラフィーのさらなる微細化は必要不可欠のものとなっている。
一般に光リソグラフィー装置における微細加工限界は、用いる光の波長程度である。
このため、光リソグラフィー装置に用いる光の短波長化が進み、現在は近紫外線レーザが用いられ、１００ｎｍ程度の微細加工が可能となっている。
このように微細化が進む光リソグラフィーであるが、１００ｎｍ以下の微細加工を行うためには、レーザのさらなる短波長化、その波長域でのレンズ開発等解決しなければならない課題も多い。
【０００３】
一方、光による１００ｎｍ以下の微細加工を可能にする手段として、近接場光学顕微鏡（以下ＳＮＯＭと略す）の構成を用いた微細加工装置が提案されている。
例えば、１００ｎｍ以下の大きさの微小開口から滲み出るエバネッセント光を用いてレジストに対し、光波長限界を越える局所的な露光を行う装置である。
しかしながら、これらのＳＮＯＭ構成のリソグラフィ装置では、いずれも１本（または数本）の加工プローブを走査して微細加工を行う構成であるため、スループットが低いという問題点を有していた。
【０００４】
これを解決する方法として、近接場が遮光膜間から滲み出るようなパターンを有したフォトマスクを、基板上のフォトレジストに密着させて露光し、フォトマスク上の微細パターンを一度にフォトレジストに転写する、という方法が提案されている。
ここで、フォトマスクと、被露光基板は、お互いがそれぞれ理想平面であれば、両者を近づけるのみで全体が密着する。
しかし、実際はパターンを作りこむ前の、加工前シリコンウエハでさえも凹凸がある。
このため、両者をただ近づけただけではその間に気泡を巻き込んでしまうことがあり、大面積を一度に密着させることが難しい。
例えば、４インチシリコンウエハ全体で数μｍ程度の凹凸を有していることがある。また、基板加工を行うことにより、被露光基板に凹凸が作製されることがある。
そこで、フォトマスク上の微細パターンをフォトレジストに密着させるために、つぎのような方法が提案されている。
特許文献１では、レジスト塗布基板をマスク側に撓ませて固定した状態で、マスクをレジスト塗布基板に押し当てることにより、レジスト塗布基板とマスクとの密着を確保することが提案されている。
特許文献２では、マスク基板厚さを薄くし、この薄い部分を圧力制御等により変形させることで、レジストとの密着剥離を行うことが提案されている。
【特許文献１】特開２００２−３６７８９５号公報
【特許文献２】特開２０００−１１２１１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した従来例による密着露光方式を用いた近接場露光方法においては、つぎのような課題を有している。
すなわち、露光用波長よりも微細なパターンをレジストに転写するためには、この微小開口とレジスト間の距離を極力近づける必要がある。これは、近接場光の強度分布は微小開口から離れるに従って急激に減衰することによる。
そのため、従来例における特許文献１においては、上記したようにレジスト塗布基板をマスク側に撓ませて固定した状態で、マスクをレジスト塗布基板に押し当てることにより、レジスト塗布基板とマスクとの密着を確保する方法が採られている。
このような密着方法を用いた近接場露光装置においては、基板を撓ませる機構が必要となる。
また、前記密着方法における精密な密着剥離動作及び制御には一定の時間を要する。
また、特許文献２では、マスク基板厚さを薄くし、この薄い部分を圧力制御等により変形させることで、レジストとの密着剥離を行う手法が採られている。
このような密着方法を用いた近接場露光装置においては、密着剥離時に圧力制御を行うための圧力制御機構や、基板端から基板中心にかけて順番に剥離していくための駆動機構が必要となる。
また、密着剥離の精密な動作、制御には一定の時間を要する。
【０００６】
以上に説明したとおり、上記した従来例による特許文献１、特許文献２、等においては、密着剥離動作に必要な制御機構や、駆動機構が必要であり、露光装置コストの増大要因となっていた。
また、精密な動作や制御に時間を要することから、スループットを向上させることが困難であり、総合的なリソグラフィーコストの増大要因となっていた。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑み、装置構成が簡便で、スループットを向上させることが可能となる近接場露光装置及び近接場露光方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下のように構成した近接場露光装置及び近接場露光方法を提供するものである。
本発明の近接場露光装置は、露光用光の波長よりも小さい開口が形成された遮光膜を有し、曲げ変形が可能な露光用マスクと、
圧力の印加によって前記露光用マスクを変形させ、被露光物に密着させるマスク変形手段とを備え、
前記露光用マスク側から前記被露光物側への露光用光の照射によって、前記露光用マスクの開口に対応して生じる近接場光を用い、
前記マスク変形手段により前記露光用マスクを前記被露光物に密着させて該被露光物の露光を行う近接場露光装置であって、
前記マスク変形手段は、前記露光用光に対して透明で弾性変形が可能な中間緩衝層を備え、
前記中間緩衝層は、前記露光用光側に設けられた該露光用光に対して透明な剛体と、前記被露光物側に設けられた前記露光用マスクとの間に配置され、
前記中間緩衝層を介して、前記露光用マスクへの圧力印加が可能に構成されていることを特徴とする。
また、本発明の近接場露光装置は、前記中間緩衝層は、少なくとも前記露光用マスク側に凸形状部を備えていることを特徴とする。
また、本発明の近接場露光装置は、前記中間緩衝層が、ゴム状弾性体で構成されていることを特徴とする。
また、本発明の近接場露光装置は、前記ゴム状弾性体が、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）による材料で形成されていることを特徴とする。
また、本発明の近接場露光装置は、前記露光用光に対して透明な剛体は、少なくとも前記露光用マスク側に凸形状部を備えていることを特徴とする。
また、本発明の近接場露光方法は、露光用光の波長よりも小さい開口が形成された遮光膜を有し、曲げ変形が可能な露光用マスクを、圧力の印加によって変形させて被露光物に密着させ、
前記露光用マスク側から前記被露光物側への露光用光の照射により前記露光用マスクの開口に対応して生じる近接場光によって、前記被露光物の露光を行う近接場露光方法であって、
前記圧力の印加によって前記露光用マスクを変形させるに際し、
前記露光用光側に設けられた該露光用光に対して透明な剛体と、前記被露光物側に設けられた前記露光用マスクとの間に配置された、前記露光用光に対して透明で弾性変形が可能な中間緩衝層を介し、前記露光用マスクへの圧力を印加する工程、
を有することを特徴とする。
また、本発明の近接場露光方法は、前記中間緩衝層は、少なくと前記露光用マスク側に凸形状部を備えていることを特徴とする。
また、本発明の近接場露光方法は、前記中間緩衝層が、ゴム状弾性体で構成されていることを特徴とする。
また、本発明の近接場露光方法は、前記ゴム状弾性体が、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）による材料で形成されていることを特徴とする。
また、本発明の近接場露光方法は、前記露光用光に対して透明な剛体は、少なくと前記露光用マスク側に凸形状部を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、装置構成が簡便で、スループットを向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
本実施の形態の近接場露光装置においては、露光用光に対して透明で、少なくともその片側が凸形状となっている中間緩衝層と、露光用光に対して透明な剛体と、を備えている。
また、露光用光に対して透明な剛体、中間緩衝層、マスクステージに保持された近接場露光用マスク、ウェハステージに保持された被露光物が、露光用光の光源側から見てこの順に配置されている。
そして、上記透明な剛体に力を加えることにより、遮光膜と被露光物とを密着させる。
その際、上記中間緩衝層を介して力を近接場露光用マスクに伝えることにより、該近接場露光用マスクと該透明な剛体との間には、これらの厚み方向に変形した該中間緩衝層によって満たされる。
これにより、前記近接場露光用マスクを曲げ変形させて前記被露光物の凹凸に倣わせ、近接場露光用マスクに形成された開口パターンを、被露光物に気体を追い出しながら漸次密着させることができる。
【００１１】
上記中間緩衝層の一例として、ゴム状弾性体が挙げられる。
このゴム状弾性体につき、本発明においては、ガラスや金属に比べて大きく変形し、除荷すれば元の形状に復元する物質であると定義する。
ゴム状弾性体として、露光用光に対する透過性があり、ヤング率が１Ｍｐａ〜１ＧＰａのものが好ましく、１ＭＰａ〜１００ＭＰａのものが特に好ましい。
中間緩衝層の具体的な材料として、一般には、エラストマー（ｅｌａｓｔｏｍｅｒ）と呼ばれる高分子材料が好ましい。
エラストマーには、架橋エラストマーと熱可塑性エラストマーがあるが、高耐熱性、低熱膨張係数の観点から架橋エラストマーが好ましい。
架橋エラストマーとしては、例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）などのシリコーン系、スチレン系（ＳＢＣ）、オレフィン系（ＴＰＯ）、塩ビ系（ＴＰＶＣ）、ウレタン系（ＰＵ）、エステル系（ＴＰＥＥ）、アミド系（ＴＰＡＥ）などがある。
【００１２】
ＰＤＭＳが透明性の観点から特に好ましい。ＰＤＭＳは波長２５０ｎｍ以上において透明である。
ＰＤＭＳの具体例としては、ダウ・コーニング社（Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ  Ｃｏｍｐａｎｙ）によって製造され、Ｓｙｌｇａｒｄの商標で市販されているＳｙｌｇａｒｄ１８２、１８４および１８６などが挙げられる。
屈折率がマスク母材と近いものを選択することがより好ましい。屈折率がマスク母材と大きく異なる、つまり、両者の屈折率差が大きくなると、界面での反射が大きくなり、被露光基板への露光量が落ちる。
【実施例】
【００１３】
以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１においては、本発明を適用して構成された近接場露光装置について説明する。
図１に、本実施例における近接場露光装置の構成を説明するための図を示す。
図１において、１００は開口、１０１は遮光膜、１０２はマスク母材、１０３は近接場露光用マスク、１０５は被露光基板、１０６は透明な剛体に加えられる力、１０７は基板、１０８はレジスト層である。
また、２００は中間緩衝層、２０１は透明な剛体である。
なお、図１では近接場露光用マスク１０３や、非露光基板１０５の凹凸を強調して示されている。
実際には、例えば４インチのシリコンウエハ全面において１μｍ程度の凹凸があることが知られている。
【００１４】
本実施例の近接場露光装置では、近接場露光用マスク１０３に接触する側に、緩やかな凸形状部を備えた中間緩衝層２００を有している。この中間緩衝層２００として、ゴム状弾性体を用いることができる。
近接場露光用マスク１０３は、露光用光に対して透明なマスク母材１０２と、露光用光を遮光する遮光膜１０１とから構成されている。
遮光膜１０１には、露光用光の波長より小さい幅の開口１００が１つ以上形成されている。
近接場露光では、微小開口１００の断面形状が、開口近傍の近接場分布に大きく寄与する。
このため、遮光膜１０１材料としては、露光用光に対する遮光性が高いことは勿論のこと、微小開口パターンの形成が容易である材料を選択することが必要である。
具体的には、露光用波長としてｉ線（波長：３６５ｎｍ）を用いる場合、遮光性が高い材料はＣｒ、Ａｌ、ＡｌＳｉ、単結晶シリコン（ｃ−Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等が挙げられる。
この中から更に、微小開口パターンの形成が容易なものとして、ｃ−Ｓｉ、ｐ−ＳｉやａＳｉがより好ましい。
【００１５】
マスク母材としては、窒化シリコン、シリコーンゴム、合成樹脂、スピン・オン・グラス、石英など、露光波長に対して透明な材料を用いることができる。
シリコーンゴムや合成樹脂などは、露光光に対して透明でかつ低弾性率なので、レジスト基板のうねりへのマスクの追従性が高く、密着露光である近接場露光のマスク母材として、特に好ましい。
マスク母材の厚みは特に限定されないが、好ましくは０．１〜１０ｍｍであり、より好ましくは０．５〜５ｍｍである。
厚みが薄すぎる場合には、マスクの機械的強度が弱く、厚すぎると露光用光に対する透明性が低い。
【００１６】
マスク母材に用いる合成樹脂としては、つぎのようなポリエステル樹脂、アクリル樹脂、プラスチックフィルム乃至はシート、等の公知のものが挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、環状ポリオレフィン、ポリ塩化ビニルなどのポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート、等が挙げられる。
また、アクリル樹脂としてはポリメチルメタクリル酸などが挙げられ、またプラスチックフィルム乃至はシートとしてはポリスチレンポリカーボネート、ポリイミドなどが挙げられる。
透明性、耐熱性、耐薬品性などの観点から、環状ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリル酸が好ましく用いることができる。
より具体的には、ＪＳＲ（株）製ＡＲＴＯＮ、日本ゼオン（株）製ＺＥＯＮＯＲ（登録商標）、ＺＥＯＮＥＸ（登録商標）（以上、環状ポリオレフィン）、等を好ましく用いることができる。
あるいは、東レ（株）製ルミラー（登録商標）、帝人デュポンフィルム（株）製テトロン（登録商標）（以上、ポリエチレンテレフタラート）、帝人化成パンライト（登録商標）（ポリカーボネート）、等を好ましく用いることができる。
【００１７】
つぎに、凸型形状を有する中間緩衝層２００の作製方法の一例について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
まず、片面が凹型に湾曲した形状である型を用意する。
凹形状としては、その中心の深さが１０μｍ程度で、中心が一番深くなり端に向かって緩やかに浅くなる、湾曲形状のものを作製する（これは、湾曲形状全体の大きさを２５ｍｍφとしたときの、曲率半径として、約７．８１ｍに相当する）。
凹形状内部の平滑性はできるだけ良いことが望ましい。型材料に対して、研磨、レーザビーム加工、リソグラフィとエッチングやめっきなど半導体プロセス技術の組み合わせ等を行うことで加工を行う。
型材料としては、マスク母材形成のためのベーク温度に耐えられ、マスク母材を良好に剥離できるものであれば何でも良い。
【００１８】
次に、この型を用いてＰＤＭＳを成形する。上記型に対して、スピン塗布、スプレー塗布、気相蒸着、流しこみなどで行うことができる。
ベークはホットプレート、熱風乾燥機などの加熱手段を用い、１００〜２００℃、１０〜６０分程度で行う。
ＰＤＭＳの膜厚としては、硬化後の厚さで０．１〜１０００μｍ、好ましくは１〜１００μｍとする。基板から、中間緩衝層２００を剥離し、透明な剛体２０１に張り合わせる。
透明な剛体２０１の材料としては、露光用光の透過率の高いもの、剛性の高いものが好ましい。具体的には、石英基板が適している。
これらを図１（ａ）のように近接場露光用マスク１０３に対して、被露光基板１０５と反対側に設置する。透明な剛体２０１を、力１０６により近接場露光用マスク１０３の方に移動させる。
【００１９】
透明な剛体２０１に対して、力１０６を一定にかけていくことにより、まず中間緩衝層２００の一部分と、近接場露光用マスク１０３の上に凸の部分が接触する。
中間緩衝層２００は、その凸型の湾曲形状として中心部分が一番凸であるので、この接触も中心に近いところとなることが多い。
そして、中間緩衝層２００は変形しながら近接場露光用マスク１０３のマスク母材１０２形状にならっていく。
その際、マスク母材１０２の上に凸の部分が僅かに変形する（図１（ｂ））。
【００２０】
更に、力１０６をかけていくことにより、中間緩衝層２００全体が更に変形してマスク母材１０２に倣う。
近接場露光用マスク１０３中の遮光膜１０１は、被露光基板１０５上部のレジスト層１０８に一部が接触し、その後マスク母材１０２の緩やかな変形に従いその接触面積が、被露光基板１０５の上部に凸部分から順に増大していく（図１（ｃ））。
更に、力１０６をかけていくことにより、中間緩衝層２００は大きく変形し、それに伴いマスク母材１０２が緩やかに被露光基板１０５の凹凸に倣っていく。
遮光膜１０１とレジスト層１０８間の気体を端に追い出しながら、両者の密着面積が増大していき、最終的に全面が密着する（図１（ｄ））。
遮光膜１０１とレジスト層１０８との間に残存する気体を押し出すことができる。
中間緩衝層２００が下向きに凸の形状をしていることにより、透明な剛体２０１は図１中の下方向にのみ動かせばよい。
【００２１】
本実施例によれば、機構が単純なので、近接場露光用マスク１０３の密着剥離の動作及び制御に要する時間も比較的短くてすみ、高スループットで微細なレジストパターンを形成することができる。
【００２２】
［実施例２］
実施例２においては、中間緩衝層に凸形状部が備えられている実施例１に対し、透明な剛体に凸形状部が備えられている構成例について説明する。
図２に、本実施例における近接場露光装置の構成を説明するための図を示す。
なお、図２には図１の実施例１と同じ構成に同一の符号が付されているので、共通する部分の説明は省略する。
図２において、２０３は中間緩衝層、２０４は透明な剛体である。
なお、図２では、近接場露光用マスク１０３や被露光基板１０５の凹凸を強調して示されている。
実際には、４インチのシリコンウエハ全面において１μｍ程度の凹凸がある。
【００２３】
本実施例の近接場露光装置では、中間緩衝層２０３に接触する側に緩やかな凸形状部を備えた透明な剛体２０４を有している。
中間緩衝層２０３として、ゴム状弾性体を用いることができる。
近接場露光用マスク１０３は、露光用光に対して透明なマスク母材１０２と、露光用光を遮光する遮光膜１０１とから構成されている。遮光膜１０１には、露光用光の波長より小さい幅の開口１００が１つ以上形成されている。
中間緩衝層２０３の材料として、ＰＤＭＳを成形する。
平らな基板に対してスピン塗布、スプレー塗布、気相蒸着、流しこみなどを行うことにより、平板形状を作製する。
ベークはホットプレート、熱風乾燥機などの加熱手段を用い、１００〜２００℃、１０〜６０分程度で行う。
ＰＤＭＳの膜厚としては、硬化後の厚さで０．１〜１０００μｍ、好ましくは１〜１００μｍとする。基板から、中間緩衝層２０３を剥離し、図２（ａ）のように透明な剛体２０４と近接場露光用マスク１０３との間に配置する。
【００２４】
凸型形状を有する透明な剛体２０４の材料としては、露光用光の透過率の高いもの、剛性の高いものが好ましい。具体的には、石英基板が適している。
これを、研磨、レーザビーム加工、リソグラフィとエッチングやめっきなど半導体プロセス技術の組み合わせ等を行うことで加工を行う。
凸型形状としては、その高さが１０μｍ程度のものを作製する（これは、湾曲形状全体の大きさを２５ｍｍφとしたときの、曲率半径として、約７．８１ｍに相当する）。凸形状の平滑性はできるだけ良いことが望ましい。
透明な剛体２０４を、図２（ａ）のように、その凸形状が中間緩衝層２０３側となるよう、またその凸形状の中心が、遮光膜１０１と被露光基板１０５とを密着させる面積のほぼ中心となるよう設置する。
【００２５】
そして、力１０６により近接場露光用マスク１０３の方に押し付ける。
透明な剛体２０４に対して、力１０６を一定にかけていくことにより、まず透明な剛体２０４の中心部分、つまり凸型部分と、中間緩衝層２０３の中心部分が接触する。
更に力１０６をかけることにより、中間緩衝層２０３の上部が透明な剛体２０４下部の形状にならい、中間緩衝層２０３の下部がわずかに下に凸の形状に変形する。
この中間緩衝層２０３の下部の一部と、近接場露光用マスク１０３の上に凸の部分が接触する。中間緩衝層２０３は、透明な剛体２０４の形状にならい、その凸型の湾曲形状として中心部分が一番凸であるので、近接場露光用マスク１０３の上部との接触も中心に近いところとなることが多い。
【００２６】
そして、中間緩衝層２０３は変形しながら近接場露光用マスク１０３のマスク母材１０２形状にならっていく。
その際、マスク母材１０２の上に凸の部分が僅かに変形する（図２（ｂ））。
更に、力１０６をかけていくことにより、中間緩衝層２０３全体が更に変形してマスク母材１０２にならう。
近接場露光用マスク１０３中の遮光膜１０１は、被露光基板１０５上部のレジスト層１０８に一部が接触し、その後マスク母材１０２の緩やかな変形に従いその接触面積が、被露光基板１０５の上部に凸部分から順に増大していく（図２（ｃ））。
【００２７】
更に、力１０６をかけていくことにより、中間緩衝層２０３は大きく変形し、それに伴いマスク母材１０２が緩やかに被露光基板１０５の凹凸にならっていく。
遮光膜１０１とレジスト層１０８間の気体を端に追い出しながら、両者の密着面積が増大していき、最終的に全面が密着する（図２（ｄ））。
このようにして、遮光膜１０１とレジスト層１０８との間に残存する気体を押し出すことができる。
透明な剛体２０４は、図２中の上下方向にのみ動かせばよい。
【００２８】
本実施例によれば、機構が単純なので、近接場露光用マスク１０３の密着剥離の動作及び制御に要する時間も比較的短くてすみ、高スループットで微細なレジストパターンを形成することができる。
【００２９】
（比較例１）
つぎに、更に比較例を挙げて、上記各実施例との差異について説明する。
図３に比較例１を示す。
図３に示す比較例１において、実施例１との差異は中間緩衝層がないことであり、それ以外は基本的に実施例１と差異がない。
そして、図１の実施例１と同じ構成に同一の符号が付されているので、共通する部分の説明は省略する。
なお、図３では近接場露光用マスク１０３や被露光基板１０５の凹凸が強調して示されている。
実際には、例えば４インチのシリコンウエハ全面において１μｍ程度の凹凸があることが知られている。
【００３０】
比較例１においては、近接場露光用マスク１０３、透明な剛体２０１が順に配置されている（図３（ａ））。
この比較例１において、近接場露光用マスク１０３中の微小開口を有する遮光膜１０１を、基板１０７上にレジスト層１０８を有する被露光基板１０５に密着させるため、透明な剛体２０１を図３中下方向へ移動させる。
その際、近接場露光用マスク１０３も、被露光基板１０５もそれぞれ僅かな凹凸があるため、間に気体が残ってしまう場合が生じる。
すなわち、図３のように、透明な剛体２０１を下方向に動かすことにより遮光膜１０１と被露光基板１０５とを、力１０６をかけて密着させようとしても、間に気体３００が残ってしまい、これが抜けないことがある（図３（ｂ））。
気体３００が残ったままだと、遮光膜１０１と、レジスト層１０８との間にスペースができてしまい、両者を密着することができない。
近接場光の強度分布は微小開口から離れるに従って急激に減衰するため、密着が実現できない部分では、パターンが形成できない。
従って、このような比較例１によると、上記各実施例のように高スループットで微細なレジストパターンの形成できるものと異なり、微小開口パターンを反映した露光を行うことができない。
【００３１】
（比較例２）
つぎに、図４を用いて比較例２を説明する。
なお、図４には図１の実施例１と同じ構成に同一の符号が付されているので、共通する部分の説明は省略する。
図４においても、近接場露光用マスク１０３や被露光基板１０５の凹凸が強調して示されている。
凹凸を有する近接場露光用マスク１０３と被露光基板１０５とが、図４（ａ）に示されるように配置されている。
これらを密着させるに際し、図４（ｂ）で図示するように力１０６を被露光基板１０５あるいは近接場露光用マスク１０３の端から順序よくかけて行く。
これにより、両者の間の気体が順序よく端に抜け、両者を密着させることができる。
しかし、力１０６を端から順序良く、制御性良くかけていくためには、装置の構成が複雑になる。
従って、上記各実施例のように高スループットを達成するものとは異なり、露光全体のスループットが低下する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施例１における近接場露光装置の構成を説明するための図。
【図２】本発明の実施例２における近接場露光装置の構成を説明するための図。
【図３】比較例１を説明するための図。
【図４】比較例２を説明するための図。
【符号の説明】
【００３３】
１００：開口
１０１：遮光膜
１０２：マスク母材
１０３：近接場露光用マスク
１０５：被露光基板
１０６：透明な剛体に加えられる力
１０７：基板
１０８：レジスト層
２００：中間緩衝層
２０１：透明な剛体
２０３：中間緩衝層
２０４：透明な剛体
３００：気体
【図１】
2008103560.tif 000003
【図２】
2008103560.tif 000004
【図３】
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【図４】
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