(57)【要約】  【課題】  無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板を用いることによって、高密度で回路部品の実装が可能であり且つ信頼性が高い回路部品内蔵モジュールの製造方法を提供する。  【解決手段】  無機フィラー７０重量％〜９５重量％と熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板１０１と、電気絶縁性基板１０１の一方の主面に形成された第１の配線パターン１０２ｂと、電気絶縁性基板１０１の他方の主面に形成された第２の配線パターン１０２ａと、電気絶縁性基板１０１に埋設され第１の配線パターン１０２ｂに電気的に接続された少なくとも１つの回路部品１０３と、第１の配線パターン１０２ｂと第２の配線パターン１０２ａを電気的に接続するように電気絶縁性基板１０１内に形成されたインナービア１０４とを含む。【選択図】  図１
2008153693.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機フィラー７０重量％〜９５重量％と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を用いて板状体Ａを形成する工程と、
第１の銅箔の一主面に少なくとも１つ以上の回路部品を実装する工程と、
前記第１の銅箔の前記一主面上に、前記板状体Ａを位置合わせして重ね、さらにその上に第２の銅箔を重ねて加圧することによって、前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程と、
前記板状体Ｂにインナービアを形成する工程と、
前記第１および第２の銅箔を加工して配線パターンを形成する工程とを含み、
前記第１の銅箔の前記一主面上に、前記板状体Ａを位置合わせして重ね、さらにその上に第２の銅箔を重ねて加圧することによって、前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程は、１５０℃〜２６０℃の温度範囲に加熱し、かつ、１０〜２００Ｋｇ／ｃｍ2の範囲の圧力で加圧し行われることを特徴とする回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項２】
無機フィラー７０重量％〜９５重量％と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を用いて板状体Ａを形成する工程と、
第１の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、前記配線パターン上に少なくとも１つ以上の回路部品を実装する工程と、
第２の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する工程と、
前記第１の離型フィルムと前記板状体Ａと前記第２の離型フィルムとを前記配線パターンが前記板状体Ａ側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧することによって前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程と、
前記板状体Ｂにインナービアを形成する工程と、
前記第１および第２の離型フィルムを前記板状体Ｂから剥離する工程とを含み、
前記第１の離型フィルムと前記板状体Ａと前記第２の離型フィルムとを前記配線パターンが前記板状体Ａ側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧することによって前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程は、１５０℃〜２６０℃の温度範囲に加熱し、かつ、１０〜２００Ｋｇ／ｃｍ2の範囲の圧力で加圧し行われることを特徴とする回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記銅箔または前記配線パターンに前記回路部品を実装した後、前記銅箔または前記配線パターンと前記回路部品との間に封止樹脂を注入する工程をさらに含む請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記板状体Ａを形成する工程が、前記混合物を板状に成型した後、前記板状の混合物を前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理することによって、前記板状の混合物の粘着性を失わせる工程を含む請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記回路部品を前記板状体Ａに埋設することによって前記板状体Ｂを形成する工程を、前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で行う請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記回路部品を前記配線パターンに実装する工程は、前記回路部品と前記配線パターンとを半田によって電気的および機械的に接続する工程からなる請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記回路部品が能動部品を含み、前記能動部品を前記配線パターンに実装する際に、前記能動部品の金バンプと前記配線パターンとを導電性接着剤によって電気的に接続する請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記回路部品が半導体ベアーチップを含み、前記半導体ベアーチップは前記配線パターンにフリップチップボンディングされている請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記回路部品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品を含む請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記インナービアの形成は、前記板状体Ｂに貫通孔を形成した後に導電性樹脂組成物を充填することにより行われる請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記第１および第２の銅箔を加工して配線パターンを形成する工程がエッチングである請求項１に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記第１の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する工程および、前記第２の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する工程がエッチングである請求項２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路部品内蔵モジュールに関し、特にたとえば、回路部品が電気絶縁性基板の内部に配置される回路部品内蔵モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化、小型化の要求に伴い、回路部品の高密度、高機能化が一層叫ばれている。そのため、回路部品の高密度、高機能化に対応した回路基板が要求されている。
【０００３】
回路部品を高密度化する方法として、回路を多層化する方法が考えられるが、従来のガラス−エポキシ基板では、ドリルによる貫通スルーホール構造を用いる必要があるため、高密度実装化への対応が困難である。このため、最も回路の高密度化が図れる方法として、ＬＳＩ間や部品間の配線パターンを最短距離で接続できるインナービアホール接続法の開発が、各方面で進められている。
【０００４】
インナービアホール接続法では、必要な各層間のみの接続が可能であり、回路部品の実装性にも優れている（特許文献１および２を参照）。
【特許文献１】特開昭６３−４７９９１号公報
【特許文献２】特開平６−２６８３４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来、インナービアホール接続法で用いられてきた基板は、樹脂系の材料で構成されていたため、熱伝導度が低いという問題があった。回路部品内蔵モジュールでは、回路部品の実装密度が高密度になればなるほど部品から発生する熱を放熱させる必要が高くなるが、従来の基板では十分に放熱をすることができず、回路部品内蔵モジュールの信頼性が低下するという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記従来の問題を解決するため、高密度で回路部品の実装が可能であり且つ信頼性の高い回路部品内蔵モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の第１の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、無機フィラー７０重量％〜９５重量％と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を用いて板状体Ａを形成する工程と、第１の銅箔の一主面に少なくとも１つ以上の回路部品を実装する工程と、前記第１の銅箔の前記一主面上に、前記板状体Ａを位置合わせして重ね、さらにその上に第２の銅箔を重ねて加圧することによって、前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程と、前記板状体Ｂにインナービアを形成する工程と、前記第１および第２の銅箔を加工して配線パターンを形成する工程とを含み、前記第１の銅箔の前記一主面上に、前記板状体Ａを位置合わせして重ね、さらにその上に第２の銅箔を重ねて加圧することによって、前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程は、１５０℃〜２６０℃の温度範囲に加熱し、かつ、１０〜２００Ｋｇ／ｃｍ2の範囲の圧力で加圧し行われることを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、無機フィラー７０重量％〜９５重量％と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を用いて板状体Ａを形成する工程と、第１の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、前記配線パターン上に少なくとも１つ以上の回路部品を実装する工程と、第２の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する工程と、前記第１の離型フィルムと前記板状体Ａと前記第２の離型フィルムとを前記配線パターンが前記板状体Ａ側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧することによって前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程と、前記板状体Ｂにインナービアを形成する工程と、前記第１および第２の離型フィルムを前記板状体Ｂから剥離する工程とを含み、前記第１の離型フィルムと前記板状体Ａと前記第２の離型フィルムとを前記配線パターンが前記板状体Ａ側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧することによって前記回路部品が埋設された板状体Ｂを形成する工程は、１５０℃〜２６０℃の温度範囲に加熱し、かつ、１０〜２００Ｋｇ／ｃｍ2の範囲の圧力で加圧し行われることを特徴とする。
【０００９】
上記第１および第２の製造方法では、前記銅箔または前記配線パターンに前記回路部品を実装した後、前記銅箔または前記配線パターンと前記回路部品との間に封止樹脂を注入する工程をさらに含むことが好ましい。この工程によって、回路部品と配線パターンとの間に空間が形成されることを防止することができ、また、回路部品と配線パターンとの接続を強固にすることができる。
【００１０】
上記第１および第２の製造方法では、前記板状体Ａを形成する工程が、前記混合物を板状に成型した後、前記板状の混合物を前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理することによって、前記板状の混合物の粘着性を失わせる工程を含むことが好ましい。
【００１１】
上記第１および第２の製造方法では、前記回路部品を前記板状体Ａに埋設することによって前記板状体Ｂを形成する工程を、前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で行うことが好ましい。
【００１２】
上記第１および第２の製造方法では、前記回路部品を前記配線パターンに実装する工程は、前記回路部品と前記配線パターンとを半田によって電気的および機械的に接続する工程からなることが好ましい。
【００１３】
上記第１および第２の製造方法では、前記回路部品が能動部品を含み、前記能動部品を前記配線パターンに実装する際に、前記能動部品の金バンプと前記配線パターンとを導電性接着剤によって電気的に接続することが好ましい。
【００１４】
上記第１および第２の製造方法では、前記回路部品が半導体ベアーチップを含み、前記半導体ベアーチップは前記配線パターンにフリップチップボンディングされていることが好ましい。
【００１５】
上記第１および第２の製造方法では、前記回路部品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品を含むことが好ましい。
【００１６】
上記第１および第２の製造方法では、前記インナービアの形成は、前記板状体Ｂに貫通孔を形成した後に導電性樹脂組成物を充填することにより行われることが好ましい。
【００１７】
上記第１および第２の製造方法では、配線パターンを形成する工程がエッチングであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物からなる電気絶縁性基板を用いているため、放熱性が高い回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。また、多層構造とすることによって、さらに高密度に回路部品を実装可能な回路部品内蔵モジュールを得ることができる。さらに、無機フィラーを選択することによって、電気絶縁性基板の熱伝導度、線膨張係数、誘電率などを制御することが可能である。したがって、電気絶縁性基板の線膨張係数を半導体素子とほぼ同じにすることが可能であるため、半導体素子を内蔵した回路部品内蔵モジュールを得ることができる。また、電気絶縁性基板の熱伝導度を向上させることができるため、放熱を必要とする半導体素子などを内蔵した回路部品内蔵モジュールを得ることができる。さらに、電気絶縁性基板の誘電率を低くすることもできるため、高周波回路用の回路部品内蔵モジュールを得ることができる。
【００１９】
また、本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、配線パターンを形成した離型フィルムを用いることによって、配線パターンを電気絶縁性基板に埋設することができるため、表面が平滑な回路部品内蔵モジュールが得られる。したがって、表面の配線パターンにさらに回路部品を実装する場合に、高密度で回路部品を実装することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態の一例について説明する。
【００２１】
（実施形態１）
この実施形態１は、本発明の回路部品内蔵モジュールの一例であり、図１は、この実施形態の回路部品内蔵モジュール１００の斜視断面図である。
【００２２】
図１を参照して、この実施形態の回路部品内蔵モジュール１００は、電気絶縁性基板１０１と、電気絶縁性基板１０１の一主面および他主面に形成された配線パターン１０２ａおよび１０２ｂと、配線パターン１０２ｂに接続され電気絶縁性基板１０１の内部に配置された回路部品１０３と、配線パターン１０２ａおよび１０２ｂを電気的に接続するインナービア１０４とを含む。
【００２３】
電気絶縁性基板１０１は、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる。無機フィラーには、たとえば、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮまたはＳｉＯ2などを用いることができる。無機フィラーは、混合物に対して７０重量％から９５重量％であることが好ましい。無機フィラーの平均粒子径は、０．１μｍ〜１００μｍ以下であることが好ましい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、耐熱性が特に高いため特に好ましい。なお、混合物は、さらに分散剤、着色剤、カップリング剤または離型剤を含んでいてもよい。
【００２４】
配線パターン１０２ａおよび１０２ｂは、電気導電性を有する物質からなり、たとえば、銅箔や導電性樹脂組成物からなる。配線パターンとして銅箔を用いる場合、たとえば、電解メッキにより作製された厚さ１８μｍ〜３５μｍ程度の銅箔が使用できる。銅箔は、電気絶縁性基板１０１との接着性を向上させるため、電気絶縁性基板１０１と接触する面を粗化することが望ましい。また、銅箔には、接着性および耐酸化性向上のため、銅箔表面をカップリング処理したものや、銅箔表面に錫、亜鉛またはニッケルをメッキしたものを使用してもよい。また、配線パターン１０２ａおよび１０２ｂには、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームを用いてもよい。
【００２５】
回路部品１０３は、たとえば、能動部品１０３ａおよび受動部品１０３ｂを含む。能動部品１０３ａとしては、たとえば、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子が用いられる。半導体素子は、半導体ベアーチップであってもよい。受動部品１０３ｂとしては、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサまたはチップ状インダクタなどが用いられる。なお、回路部品１０３は、受動部品１０３ｂを含まない場合であってもよい。
【００２６】
配線パターン１０２ｂと能動部品１０３ａとの接続には、たとえばフリップチップボンディングが用いられる。
【００２７】
インナービア１０４は、たとえば、熱硬化性の導電性物質からなる。熱硬化性の導電性物質としては、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子としては、金、銀、銅またはニッケルなどを用いることができる。金、銀、銅またはニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好ましい。
【００２８】
この実施形態１に示した回路部品内蔵モジュール１００では、配線パターン１０２ａと配線パターン１０２ｂとが、電気絶縁性基板１０１の貫通孔に充填されたインナービア１０４によって接続される。したがって、回路部品内蔵モジュール１００では、高密度に回路部品１０３を実装することができる。
【００２９】
また、回路部品内蔵モジュール１００では、電気絶縁性基板１０１に含まれる無機フィラーによって回路部品で発生した熱が速やかに伝導される。したがって、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。
【００３０】
また、回路部品内蔵モジュール１００では、電気絶縁性基板１０１に用いる無機フィラーを選択することによって、電気絶縁性基板１０１の線膨張係数、熱伝導度、誘電率などを容易に制御することができる。電気絶縁性基板１０１の線膨張係数を半導体素子と略等しくすると、温度変化によるクラックの発生等を防止することができるため、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。電気絶縁性基板１０１の熱伝導性を向上させると、高密度で回路部品を実装した場合にも、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。電気絶縁性基板１０１の誘電率を低くすることによって、誘電損失の少ない高周波回路用モジュールが得られる。
【００３１】
また、回路部品内蔵モジュール１００では、電気絶縁性基板１０１によって回路部品１０３を外気から遮断することができるため、湿度による信頼性低下を防止することができる。
【００３２】
また、本発明の回路部品内蔵モジュール１００は、電気絶縁性基板１０１の材料として、無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物を用いているため、セラミック基板と異なり、高温で焼成する必要がなく製造が容易である。
【００３３】
なお、図１に示した回路部品内蔵モジュール１００では、配線パターン１０２ａが電気絶縁性基板１０１に埋設されていない場合を示したが、配線パターン１０２ａが電気絶縁性基板１０１に埋設されていてもよい（図３（ｈ）参照）。
【００３４】
また、図１に示した回路部品内蔵モジュール１００では、配線パターン１０２ａ上に回路部品が実装されていない場合を示したが、配線パターン１０２ａ上に回路部品を実装してもよく、さらに回路部品内蔵モジュールを樹脂モールドしてもよい（以下の実施形態において同様である）。配線パターン１０２ａ上に回路部品を実装することによって、さらに高密度に回路部品を実装できる。
【００３５】
（実施形態２）
この実施形態２では、図１に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態を説明する。実施形態２で用いられる材料および回路部品は、実施形態１で説明したものである。
【００３６】
図２（ａ）〜（ｈ）は回路部品内蔵モジュールの製造工程の一実施形態を示す断面図である。
【００３７】
まず、図２（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物２００を形成する。板状の混合物２００は、無機フィラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂とを混合してペースト状混練物とし、そのペースト状混練物を一定厚みに成型することによって形成することができる。
【００３８】
なお、板状の混合物２００を、熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理をしてもよい。熱処理をすることによって、混合物２００の可撓性を維持しながら粘着性を除去することができるため、その後の処理が容易になる。また、溶剤によって熱硬化性樹脂を溶解させた混合物では、熱処理をすることによって、溶剤の一部を除去することができる。
【００３９】
その後、図２（ｂ）に示すように、混合物２００の所望の位置に貫通孔２０１を形成することによって、貫通孔２０１が形成された板状体を形成する。貫通孔２０１は、たとえば、レーザ加工、ドリルによる加工または金型による加工で形成することができる。レーザ加工は、微細なピッチで貫通孔２０１を形成することができ、削り屑が発生しないため好ましい。レーザ加工では、炭酸ガスレーザやエキシマレーザを用いると加工が容易である。なお、貫通孔２０１は、ペースト状混練物を成型して板状の混合物２００を形成する際に、同時に形成してもよい。
【００４０】
その後、図２（ｃ）に示すように、貫通孔２０１に導電性樹脂組成物２０２を充填することによって、貫通孔２０１に導電性樹脂組成物２０２が充填された板状体を形成する。
【００４１】
図２（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図２（ｄ）に示すように、銅箔２０３に回路部品２０４をフリップチップボンディングする。回路部品２０４は、導電性接着剤２０５を介して銅箔２０３と電気的に接続されている。導電性接着剤２０５には、たとえば、金、銀、銅、銀−パラジウム合金などを熱硬化性樹脂で混練したものが使用できる。また、導電性接着剤２０５の代わりに、金ワイヤボンディング法で作製したバンプまたは半田によるバンプを回路部品側にあらかじめ形成し、熱処理によって金または半田の溶解して回路部品２０４を実装することも可能である。さらに、半田バンプと導電性接着剤とを併用することも可能である。
【００４２】
なお、銅箔２０３に実装した回路部品２０４と銅箔２０３との間に封止樹脂を注入してもよい（以下の実施形態において、回路部品と銅箔との間あるいは回路部品と配線パターンとの間に封止樹脂を注入してもよいことは同様である）。封止樹脂の注入によって、後の工程で半導体素子を板状体に埋設する際に、半導体素子と配線パターンとの間に隙間ができることを防止することができる。封止樹脂には通常のフリップチップボンディングに使用されるアンダーフィル樹脂を用いることができる。
【００４３】
図２（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、銅箔２０６を形成する。
【００４４】
その後、図２（ｆ）に示すように、回路部品２０４を実装した銅箔２０３、図２（ｃ）の板状体および銅箔２０６を位置合わせして重ねる。
【００４５】
その後、図２（ｇ）に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧することによって回路部品２０４が埋設された板状体を形成した後、これを加熱することによって、混合物２００および導電性樹脂組成物２０２中の熱硬化性樹脂を硬化させ、回路部品２０４が埋設された板状体を形成する。加熱は、混合物２００および導電性樹脂組成物２０２中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物２００は電気絶縁性基板２０７となり、導電性樹脂組成物はインナービア２０８となる。この工程によって、銅箔２０３および２０６と回路部品２０４と電気絶縁性基板２０７とが機械的に強固に接着する。また、インナービア２０８によって、銅箔２０３および２０６が電気的に接続される。なお、加熱によって混合物２００および導電性樹脂組成物２０２中の熱硬化性樹脂を硬化させる際に、加熱しながら１０ｋｇ／ｃｍ2〜２００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加圧することによって、回路部品モジュールの機械的強度を向上させることができる（以下の実施形態において同様である）。
【００４６】
その後、図２（ｈ）に示すように、銅箔２０３および２０６を加工することによって配線パターン２０９および２１０を形成する。
【００４７】
このようにして、実施形態１で説明した回路部品内蔵モジュールが形成される。上記製造方法によれば、実施形態１で説明した回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
【００４８】
なお、実施形態２では、貫通孔２０１に充填する導電性物質として導電性樹脂組成物２０２を用いたが、熱硬化性の導電性物質であればよい（以下の実施形態において同様である）。
【００４９】
（実施形態３）
この実施形態３では、図１に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を説明する。実施形態３で用いられる材料および回路部品は、実施形態１で説明したものである。
【００５０】
図３（ａ）〜（ｈ）は、実施形態３における回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。
【００５１】
まず、図３（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物３００を形成する。この工程は図２（ａ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【００５２】
その後、図３（ｂ）に示すように、混合物３００の所望の位置に、貫通孔３０１を形成する。この工程は図２（ｂ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【００５３】
その後、図３（ｃ）に示すように、貫通孔３０１に導電性樹脂組成物３０２を充填することによって、貫通孔３０１に導電性樹脂組成物３０２が充填された板状体を形成する。
【００５４】
図３（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図３（ｄ）に示すように、離型フィルム３０５上に配線パターン３０３を形成し、配線パターン３０３に回路部品３０４を実装する。回路部品３０４を実装する方法は、図２（ｄ）で説明した方法と同様であるため、重複する説明は省略する。離型フィルム３０５には、たとえば、ポリエチレンテレフタレートやポリフェニレンサルファイトのフィルムを用いることができる。配線パターン３０３は、たとえば、離型フィルム３０５に銅箔を接着した後フォトリソ工程およびエッチング工程を行うことによって形成できる。また、配線パターン３０３には、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームを用いてもよい。
【００５５】
図３（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図３（ｅ）に示すように、離型フィルム３０７上に配線パターン３０６を形成する。配線パターン３０６は、配線パターン３０３と同様の方法で形成できる。
【００５６】
その後、図３（ｆ）に示すように、配線パターン３０３および３０６と導電性物質３０２とが所望の部分で接続されるように、離型フィルム３０５、図２（ｃ）の板状体および離型フィルム３０７を位置合わせして重ねる。
【００５７】
その後、図３（ｇ）に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧し加熱することによって、混合物３００および導電性樹脂組成物３０２中の熱硬化性樹脂を硬化させ、回路部品３０４ならびに配線パターン３０３および３０６が埋設された板状体を形成する。加熱は、混合物３００および導電性樹脂組成物３０２中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物３００は電気絶縁性基板３０８となり、導電性樹脂組成物３０２はインナービア３０９となる。インナービア３０９によって、配線パターン３０３および３０６が電気的に接続される。
【００５８】
その後、図３（ｈ）に示すように、離型フィルム３０５および３０７を図３（ｇ）の板状体から剥離する。
【００５９】
このようにして、実施形態１で説明した回路部品内蔵モジュールが形成される。上記製造方法によれば、実施形態１で説明した回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
【００６０】
なお、本方法では、あらかじめ配線パターン３０６を形成した離型フィルム３０７を用いるため、配線パターン３０６が電気絶縁性基板３０８に埋め込まれ表面が平坦な回路部品内蔵モジュールを製造できる。表面が平坦であることによって配線パターン３０６上に高密度に部品を実装することができるため、より高密度に回路部品を実装できる。
【００６１】
（実施形態４）
この実施形態４では、本発明の多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの一実施形態を説明する。図４は、この実施形態４の回路部品内蔵モジュール４００の斜視断面図である。
【００６２】
図４を参照して、この実施形態の回路部品内蔵モジュール４００は、積層された電気絶縁性基板４０１ａ、４０１ｂおよび４０１ｃからなる電気絶縁性基板４０１と、電気絶縁性基板４０１の主面および内部に形成された配線パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃおよび４０２ｄと、電気絶縁性基板４０１の内部に配置され配線パターン４０２ａ、４０２ｂまたは４０２ｃに接続された回路部品４０３と、配線パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃおよび４０２ｄを電気的に接続するインナービア４０４とを含む。
【００６３】
電気絶縁性基板４０１ａ、４０１ｂおよび４０１ｃは、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる。無機フィラーには、たとえば、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮまたはＳｉＯ2などを用いることができる。無機フィラーは、混合物に対して７０重量％〜９５重量％であることが好ましい。無機フィラーの平均粒子径は、０．１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、耐熱性が特に高いため特に好ましい。なお、混合物は、さらに分散剤、着色剤、カップリング剤または離型剤を含んでいてもよい。
【００６４】
配線パターン４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃおよび４０２ｄは、実施形態１で説明した配線パターン１０２ａおよび１０２ｂと同様であるので、重複する説明は省略する。
【００６５】
回路部品４０３は、たとえば、能動部品４０３ａや受動部品４０３ｂを含む。能動部品４０３ａとしては、たとえば、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子が用いられる。半導体素子は、半導体ベアーチップであってもよい。受動部品４０３ｂとしては、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサまたはチップ状インダクタなどが用いられる。なお、回路部品４０３は、受動部品４０３ｂを含まない場合であってもよい。
【００６６】
配線パターン４０２ａ、４０２ｂおよび４０２ｃと能動部品４０３ａとの接続には、たとえばフリップチップボンディングが用いられる。
【００６７】
インナービア４０４は、たとえば、熱硬化性の導電性物質からなる。インナービア４０４としては、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子の材料としては、金、銀、銅またはニッケルなどの金属を用いることができる。金、銀、銅またはニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。また、熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好ましい。
【００６８】
なお、図４に示した回路部品内蔵モジュール４００は、配線パターン４０２ｄが電気絶縁性基板４０１ｃに埋設されていない場合を示したが、配線パターン４０２ｄが電気絶縁性基板４０１ｃに埋設されていてもよい（図６（ｇ）参照）。
【００６９】
また、図４には３層構造の回路部品内蔵モジュール４００を示したが、設計に応じた多層構造とすることができる（以下の実施形態において同様である）。
【００７０】
（実施形態５）
この実施形態５では、実施形態４に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態を説明する。実施形態５で用いられる材料および回路部品は、実施形態４で説明したものである。
【００７１】
図５を参照して、実施形態４に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一例を説明する。図５（ａ）〜（ｈ）は、この実施形態の回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。
【００７２】
まず、図５（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物５００を形成し、貫通孔に導電性樹脂組成物５０１を充填することによって、貫通孔に導電性樹脂組成物５０１が充填された板状体を形成する。この工程は、図２（ａ）〜（ｃ）で説明した工程と同様であるので、重複する説明は省略する。
【００７３】
一方、離型フィルム５０３上に配線パターン５０６を形成し、配線パターン５０６上に能動部品５０４および受動部品５０５を実装する。この工程は、図３（ｄ）で説明したものと同様であり、重複する説明は省略する。
【００７４】
その後、図５（ｂ）に示すように、図５（ａ）の板状体と離型フィルム５０３とを位置合わせして重ねて加圧した後、離型フィルム５０３を剥離することによって、配線パターン５０６、能動部品５０４および受動部品５０５が埋設された板状体を形成する。
【００７５】
図５（ａ）および（ｂ）の工程と平行して、図５（ａ）および（ｂ）と同様の工程で、配線パターン５０６および回路部品が埋設された板状体を複数形成する（図５（ｃ）および（ｄ）、図５（ｅ）および（ｆ）参照）。なお、配線パターン５０６と回路部品は、設計に応じて各層ごとに異なる。
【００７６】
その後、図５（ｇ）に示すように、図５（ｂ）、（ｄ）および（ｆ）の板状体を位置合わせして重ね、図５（ｆ）の板状体の配線パターンが形成されていない主面上にさらに銅箔５０７を重ねる。
【００７７】
その後、図５（ｈ）に示すように、図５（ｇ）で重ねた板状体および銅箔５０７を加圧し加熱することによって多層構造を有する板状体を形成する。加熱は、混合物５００および導電性樹脂組成物５０１中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物５００は電気絶縁性基板５０８となり、導電性樹脂組成物５０１はインナービア５０９となる。この工程によって、回路部品５０４および５０５、銅箔５０７および電気絶縁性基板５０８が機械的に強固に接着する。また、インナービア５０９によって、配線パターン５０６および銅箔５０７が電気的に接続される。その後、銅箔５０７を加工して配線パターン５１０を形成する。
【００７８】
このようにして、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを形成できる。上記製造方法によれば、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
【００７９】
（実施形態６）
この実施形態６では、実施形態４で説明した回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を説明する。実施形態６で用いられる材料および回路部品は、実施形態４で説明したものである。
【００８０】
図６を参照して、この実施形態における回路部品内蔵モジュールの製造方法の一例を説明する。図６（ａ）〜（ｇ）は、この実施形態における回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。
【００８１】
まず、図６（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物６００を形成し、貫通孔に導電性物質６０１を充填することによって貫通孔に導電性樹脂組成物６０１が充填された板状体を形成する。この工程は、図２（ａ）〜（ｃ）で説明したものと同様であり、重複する説明は省略する。一方、離型フィルム６０３上に配線パターン６０６を形成し、配線パターン６０６上に能動部品６０４および受動部品６０５を実装する。この工程は、図３（ｄ）で説明したものと同様であり、重複する説明は省略する。
【００８２】
その後、図６（ｂ）に示すように、図６（ａ）の板状の混合物６００と離型フィルム６０３とを位置合わせして重ねて加圧した後、離型フィルム６０３を剥離することによって、配線パターン６０６、能動部品６０４および受動部品６０５が埋設された板状体を形成する。
【００８３】
図６（ａ）および（ｂ）の工程と平行して、図６（ａ）および（ｂ）と同様の工程で、配線パターン６０６および回路部品が埋設された板状体を形成する（図６（ｃ）および（ｄ）参照）。なお、配線パターン６０６と回路部品は、設計に応じて各層ごとに異なる。
【００８４】
図６（ａ）および（ｂ）の工程と平行して、図６（ｅ）に示すように、離型フィルム６０３上に、配線パターン６０７を形成する。
【００８５】
その後、図６（ｆ）に示すように、図６（ｂ）および（ｄ）の板状体を位置合わせして重ね、図６（ｄ）の板状体の配線パターン６０６が形成されていない主面上に、さらに図６（ｅ）の離型フィルム６０３を配線パターン６０７が内側になるように重ねる。
【００８６】
その後、図６（ｇ）に示すように、図６（ｆ）で重ねた板状体および離型フィルム６０３を加圧し加熱することによって、多層構造を有する板状体を形成する。加熱は、混合物６００および導電性樹脂組成物６０１中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物６００は電気絶縁性基板６０８となり、導電性樹脂組成物６０１はインナービア６０９となる。この工程によって、能動部品６０４、受動部品６０５、配線パターン６０６および６０７、および電気絶縁性基板６０８が機械的に強固に接着する。また、インナービア６０９によって、配線パターン６０６および６０７が電気的に接続される。
【００８７】
その後、多層構造を有する板状体から離型フィルム６０３を剥離することによって、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを形成できる。
【００８８】
このようにして、上記製造方法によれば、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
【実施例】
【００８９】
以下に、本発明の具体的な実施例を説明する。
【００９０】
（実施例１）
本発明の回路部品内蔵モジュールの作製に際し、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板の作製方法の一例について説明する。
【００９１】
本実施例では、表１に示す配合組成で電気絶縁性基板を作製した。なお、比較例を試料番号１に示す。
【００９２】
【表１】
2008153693.tif 000003
この実施例では、液状エポキシ樹脂には、日本ペルノックス（株）製のエポキシ樹脂（ＷＥ−２０２５、酸無水系硬化剤含む）を用いた。フェノール樹脂には、大日本インキ（株）製のフェノール樹脂（フェノライト、ＶＨ４１５０）を用いた。シアネート樹脂には、旭チバ（株）製のシアネート樹脂（ＡｒｏＣｙ、Ｍ−３０）を用いた。この実施例では、添加物としてカーボンブラックまたは分散剤を加えた。
【００９３】
板状体の作製は、まず、表１の組成で混合されたペースト状の混合物を、所定量だけ離型フィルム上に滴下する。ペースト状の混合物は、無機フィラーと液状の熱硬化性樹脂とを攪拌混合機によって１０分程度混合して作製した。使用した攪拌混合機は、所定の容量の容器に無機フィラーと液状の熱硬化性樹脂とを投入し、容器自身を回転させながら公転させるもので、混合物の粘度が比較的高くても充分な分散状態が得られる。離型フィルムには厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、フィルム表面にシリコンによる離型処理を施した。
【００９４】
次に、離型フィルム上のペースト状の混合物にさらに離型フィルムを重ね、加圧プレスで厚さ５００μｍになるようにプレスして、板状の混合物を得た。
【００９５】
次に、離型フィルムで挟まれた板状の混合物を離型フィルムごと加熱し、板状の混合物の粘着性が無くなる条件下で熱処理した。熱処理は、１２０℃の温度で１５分間保持である。この熱処理によって、板状の混合物の粘着性が失われるため、離型フィルムの剥離が容易になる。この実施例で用いた液状エポキシ樹脂は、硬化温度が１３０℃であるため、この熱処理条件下では、未硬化状態（Ｂステージ）である。
【００９６】
次に、板状の混合物から離型フィルムを剥離し、板状の混合物を耐熱性離型フィルム（ＰＰＳ：ポリフェニレンサルファイト、厚さ７５μｍ）で挟んで、５０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加圧しながら１７０℃の温度で加熱することによって板状の混合物を硬化させた。
【００９７】
次に、硬化した板状の混合物から耐熱性離型フィルムを剥離することによって、電気絶縁性基板を得た。
【００９８】
この電気絶縁性基板を所定の寸法に加工して、熱伝導度、線膨張係数などを測定した。熱伝導度は、１０ｍｍ角に切断した試料の表面を加熱ヒータに接触させて加熱し、反対面の温度上昇から計算で求めた。線膨張係数は、室温から１４０℃まで温度上昇させた場合の電気絶縁性基板の寸法変化を測定し、その寸法変化の平均値から求めた。絶縁耐圧は、電気絶縁性基板の厚み方向にＡＣ電圧を印加した場合の絶縁耐圧を求め、単位厚み当たりの絶縁耐圧を計算した。
【００９９】
表１に示すように、上記の方法で作製された電気絶縁性基板は、無機フィラーとしてＡｌ2Ｏ3を用いた場合には、従来のガラス−エポキシ基板（熱伝導度０．２ｗ／ｍＫ〜０．３ｗ／ｍＫ）に比べて熱伝導度が約１０倍以上となった。Ａｌ2Ｏ3の量を８５重量％以上とすることによって、熱伝導度を２．８ｗ／ｍＫ以上とすることができた。Ａｌ2Ｏ3はコストが安いという利点もある。
【０１００】
また、無機フィラーとしてＡｌＮ、ＭｇＯを用いた場合では、Ａｌ2Ｏ3を用いた場合と同等以上の熱伝導度が得られた。
【０１０１】
また、無機フィラーとして非晶質ＳｉＯ2を用いた場合では、線膨張係数がシリコン半導体（線膨張係数３×１０-6／℃）により近くなった。したがって、無機フィラーとして非晶質ＳｉＯ2を用いた電気絶縁性基板は、半導体を直接実装するフリップチップ用基板として好ましい。
【０１０２】
また、無機フィラーとしてＳｉＯ2を用いた場合には、誘電率が低い電気絶縁性基板が得られた。ＳｉＯ2は比重が軽いという利点もある。無機フィラーとしてＳｉＯ2を用いた回路部品内蔵モジュールは、携帯電話などの高周波用モジュールとして好ましい。
【０１０３】
また、無機フィラーとしてＢＮを用いた場合には、熱伝導度が高く線膨張係数が低い電気絶縁性基板が得られた。
【０１０４】
表１の比較例（試料番号１）に示すように、無機フィラーとして６０重量％のＡｌ2Ｏ3を用いた場合を除いて、電気絶縁性基板の絶縁耐圧は、１０ｋＶ／ｍｍ以上であった。電気絶縁性基板の絶縁耐圧は、電気絶縁性基板の材料である無機フィラーと熱硬化性樹脂との接着性の指標となる。すなわち、無機フィラーと熱硬化性樹脂との接着性が悪いと、その間に微小な隙間が生じて絶縁耐圧が低下する。このような微小な隙間は回路部品内蔵モジュールの信頼性低下を招く。一般に、絶縁耐圧が１０ｋＶ／ｍｍ以上であれば無機フィラーと熱硬化性樹脂との接着性が良好であると判断できる。したがって、無機フィラーの量は７０重量％以上であることが好ましい。
【０１０５】
なお、熱硬化性樹脂の含有量が低いと電気絶縁性基板の強度が低下するため、熱硬化性樹脂は４．８重量％以上であることが好ましい。
【０１０６】
（実施例２）
実施例２は、実施形態２で説明した方法で回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
【０１０７】
本実施例に使用した電気絶縁性基板の組成は、Ａｌ2Ｏ3（昭和電工（株）製ＡＳ−４０、球状、平均粒子径１２μｍ）が９０重量％、液状エポキシ樹脂（日本レック（株）製、ＥＦ−４５０）が９．５重量％、カーボンブラック（東洋カーボン（株）製）が０．２重量％、カップリング剤（味の素（株）製、チタネート系、４６Ｂ）が０．３重量％である。
【０１０８】
上記材料を実施例１と同様の条件で処理することによって、板状体（厚み５００μｍ）を作製した。上記板状体を所定の大きさに切断し、炭酸ガスレーザを用いてインナービアホール接続をするための貫通孔（直径０．１５ｍｍ）を形成した（図２（ｂ）参照）。
【０１０９】
この貫通孔に、導電性樹脂組成物をスクリーン印刷法によって充填した（図２（ｃ）参照）。導電性樹脂組成物は、球状の銅粒子８５重量％と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ製、エピコート８２８）３重量％と、グルシジルエステル系エポキシ樹脂（東都化成製、ＹＤ−１７１）９重量％と、アミンアダクト硬化剤（味の素製、ＭＹ−２４）３重量％とを混練して作製した。
【０１１０】
次に、厚さ３５μｍの銅箔の片面を粗化し、粗化した面に導電性接着剤を用いて半導体素子をフリップチップボンディングした（図２（ｄ）参照）。
【０１１１】
次に、半導体素子を実装した銅箔と、導電性樹脂組成物を充填した板状体と、別途作製した銅箔（片面を粗化処理した銅箔で厚さ３５μｍ）とを位置合わせして重ねた（図２（ｆ）参照）。この時、銅箔の粗化面は、板状体側になるように重ねた。
【０１１２】
次に、これを熱プレス機によってプレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2で５分間加熱加圧した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子が板状体中に容易に埋没した。
【０１１３】
次に、加熱温度を上昇させて１７５℃で６０分間加熱した（図２（ｇ）参照）。この加熱によって、板状体中のエポキシ樹脂および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、半導体素子および銅箔と板状体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱によって、導電性樹脂組成物と銅箔とが電気的（インナービア接続）、機械的に接続された。
【０１１４】
次に、半導体素子が埋設された板状体の表面の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によってエッチングし、配線パターンを形成した（図２（ｈ）参照）。このようにして、回路部品内蔵モジュールを作成した。
【０１１５】
本実施例によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。半田リフロー試験は、ベルト式リフロー試験機を用い、最高温度が２６０℃で１０秒のサイクルを１０回繰り返すことで行った。温度サイクル試験は、１２５℃で３０分間保持した後、−６０℃の温度で３０分間保持する工程を２００サイクル繰り返すことによって行った。
【０１１６】
半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、本実施例の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
【０１１７】
（実施例３）
実施例３は、実施形態３で説明した方法で回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
【０１１８】
まず、実施例２と同様の方法で、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体（厚さ５００μｍ）を作製した（図３（ｃ）参照）。
【０１１９】
次に、離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製、厚さ１５０μｍ）に、厚さ３５μｍの銅箔を接着剤によって接着した。この銅箔は、片面が粗化処理されており、光沢面が接着剤側になるように接着した。
【０１２０】
次に、離型フィルム上の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によってエッチングして、配線パターンを形成した。さらにこの配線パターン上に、半田バンプを用いて半導体素子をフリップチップボンディングした（図３（ｄ）参照）。
【０１２１】
次に、配線パターンに実装した半導体素子と配線パターンとの隙間に封止樹脂を注入した。具体的には、７０℃に加熱したホットプレートを傾け、そのホットプレート上に、半導体素子を実装した配線パターンを有する離型フィルムを設置した後、半導体素子と配線パターンとの間に注射器で徐々に封止樹脂を注入した。１０秒程度で半導体素子と配線パターンとの間に封止樹脂を注入できた。ホットプレートで加熱するのは、封止樹脂の粘度を下げて短時間に注入できるようにするためである。また、ホットプレートを傾けるのは注入を容易にするためである。封止樹脂には、テクノアルファー（株）製ＥＬ１８Ｂを用いた。ＥＬ１８Ｂは、一液性のエポキシ樹脂にＳｉＯ2粉末を混入した樹脂である。
【０１２２】
一方、上記工程と平行して、上記工程と同様に、片面に配線パターンが形成された離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製、厚さ１５０μｍ）を作製した（図３（ｅ）参照）。
【０１２３】
次に、半導体素子をボンディングした離型フィルムと、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、片面に配線パターンが形成された離型フィルムとを、位置合わせして重ねた（図３（ｆ）参照）。
【０１２４】
次に、これを熱プレス機によってプレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2で５分間加熱加圧した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子および配線パターンが板状体中に容易に埋没した。
【０１２５】
次に、加熱温度を上昇させて１７５℃で６０分間加熱した（図３（ｇ）参照）。この加熱によって、板状体および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化するため、半導体素子および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱によって、導電性樹脂組成物と配線パターンとが電気的（インナービア接続）、機械的に接続された。さらに、この加熱によって、半導体素子と配線パターンとの間に注入された封止樹脂も硬化した。
【０１２６】
次に、板状体から離型フィルムを剥離した（図３（ｈ）参照）。ポリフェニレンサルファイト製の離型フィルムは、上記加熱温度以上の耐熱性がある。また、銅箔の粗化された面は板状体およびインナービアと接着し、銅箔の光沢面は離型フィルムと接着している。したがって、板状体およびインナービアと銅箔との接着強度は、離型フィルムと銅箔との接着強度よりも大きいため、離型フィルムだけを剥離することができる。このようにして、回路部品内蔵モジュールを作成した。
【０１２７】
実施例３によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、実施例２と同様の条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。
【０１２８】
半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、実施例３の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
【０１２９】
（実施例４）
この実施例４は、実施形態５で説明した方法で多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
【０１３０】
この実施例４では、回路部品として、半導体素子とチップ部品とを用いた。
【０１３１】
まず、実施例２と同様の方法で、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体を形成した。
【０１３２】
次に、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、回路部品がフリップチップボンディングされた配線パターンを備える離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製）とを、位置合わせして重ねた（図５（ａ）参照）。
【０１３３】
次に、これを熱プレス機によって、プレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2で５分間加熱加圧した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、回路部品が板状体中に容易に埋没した。そして、離型フィルムを板状体から剥離することによって回路部品が埋設された板状体を形成した（図５（ｂ）参照）。
【０１３４】
この板状体を複数個作製し、複数個の板状体と銅箔とを位置合わせして重ねた（図５（ｇ）参照）。
【０１３５】
次に、これを熱プレス機によって、プレス温度１７５℃、圧力５０ｋｇ／ｃｍ2で６０分間加熱加圧した。この加熱加圧処理によって、回路部品が埋設された複数の板状体と銅箔とが一体となって、一つの板状体が形成された。この加熱加圧処理によって、板状体および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、回路部品および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱加圧処理によって、銅箔および配線パターンと導電性樹脂組成物とが電気的（インナービア接続）、機械的に接続された。
【０１３６】
次に、回路部品が埋設された板状体の表面の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によってエッチングすることによって、配線パターンを形成した（図５（ｈ）参照）。このようにして、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した。
【０１３７】
実施例４によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、実施例２と同様の条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。
【０１３８】
半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、実施例４の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
【０１３９】
（実施例５）
この実施例５は、実施形態６で説明した方法で多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
【０１４０】
まず、実施例２と同様の方法で、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体を形成した。次に、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、回路部品がフリップチップボンディングされた配線パターンを備える離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製）とを、位置合わせして重ねた（図６（ａ）参照）。
【０１４１】
次に、これを熱プレス機によって、プレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2で５分間加熱加圧した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、回路部品が板状体中に容易に埋没した。そして、離型フィルムを板状体から剥離することによって板状体を形成した（図６（ｂ）参照）。同様に、回路部品が埋設された板状体を形成した（図６（ｄ）参照）。
【０１４２】
次に、離型フィルム（ポリフェニレンサルファイト製）の片面に配線パターンを形成した（図６（ｅ）参照）。
【０１４３】
次に、回路部品が埋設された２個の板状体と、配線パターンが形成された離型フィルムとを位置合わせして重ねた（図６（ｆ）参照）。
【０１４４】
次に、これを熱プレス機によって、プレス温度１７５℃、圧力５０ｋｇ／ｃｍ2で６０分間加熱加圧した。この加熱加圧処理によって、回路部品が埋設された複数の板状体と離型フィルムとが一体となって、一つの板状体が形成された。この加熱加圧処理によって、板状体中のエポキシ樹脂が硬化し、回路部品および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱加圧処理によって導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、配線パターンと導電性樹脂組成物とが電気的（インナービア接続）、機械的に接続された。
【０１４５】
次に、一体となった板状体から離型フィルムを剥離することによって、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した（図６（ｇ）参照）。
【０１４６】
実施例５によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、実施例２と同様の条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。
【０１４７】
半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、実施例５の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】本発明の回路部品内蔵モジュールの一実施形態を示す斜視断面図である。
【図２】本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図３】本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を示す工程図である。
【図４】本発明の回路部品内蔵モジュールの他の一実施形態を示す斜視断面図である。
【図５】本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を示す工程図である。
【図６】本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を示す工程図である。
【符号の説明】
【０１４９】
１００、４００      回路部品内蔵モジュール
１０１、４０１、４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃ      電気絶縁性基板
１０２ａ、１０２ｂ、４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃ、４０２ｄ      配線パターン
１０３、４０３      回路部品
１０３ａ、４０３ａ      能動部品
１０３ｂ、４０３ｂ      受動部品
１０４、４０４      インナービア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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