(57)【要約】【課題】リンス処理に要する時間を短くして、半導体ウエハや液晶基板などの製造のスループットを向上させること。【解決手段】本発明では、リンス処理時に、リンス液の液面位置(LV1)から被処理体(ウエハ２)の上端位置(LV2)までの距離(L1)が薬液処理時の薬液の液面位置(LV3)から被処理体(ウエハ２)の上端位置(LV4)までの距離(L2)よりも短くなるように、或いは、リンス液の液面位置(LV1)から被処理体(ウエハ２)の上端位置(LV2)までの距離(L1)がリンス液の底面位置(LV5)から被処理体(ウエハ２)の下端位置(LV6)までの距離(L3)よりも短くなるようにした。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理槽の内部に被処理体を支持するための支持具を昇降可能に配設し、処理槽の内部で支持具で支持した被処理体を薬液又はリンス液に浸漬して薬液処理とリンス処理とを行う液処理装置において、
薬液処理を行った後に支持具を上昇させて、被処理体を薬液処理時よりも上昇させた位置でリンス処理を行うことを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
リンス処理時に、リンス液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離が薬液処理時の薬液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離よりも短くなるように、支持具を上昇させることを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】
薬液処理時に支持具を昇降させるとともに、昇降する被処理体の上端の平均位置を前記薬液処理時の被処理体の上端位置として支持具を上昇させることを特徴とする請求項２に記載の液処理装置。
【請求項４】
薬液処理時に支持具を昇降させるとともに、昇降する被処理体の上端の最高位置を前記薬液処理時の被処理体の上端位置として支持具を上昇させることを特徴とする請求項２に記載の液処理装置。
【請求項５】
処理槽の内部に被処理体を支持するための支持具を昇降可能に配設し、処理槽の内部で支持具で支持した被処理体をリンス液に浸漬してリンス処理を行う液処理装置において、
リンス液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離がリンス液の底面位置から被処理体の下端位置までの距離よりも短くなるように、支持具を上昇させることを特徴とする液処理装置。
【請求項６】
被処理体を薬液又はリンス液に浸漬して薬液処理とリンス処理とを行う液処理方法において、
薬液処理時よりも被処理体を上昇させてからリンス処理を行うことを特徴とする液処理方法。
【請求項７】
被処理体を薬液又はリンス液に浸漬して薬液処理とリンス処理とを行う液処理方法において、
リンス液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離を薬液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離よりも短くなるようにしてリンス処理を行うことを特徴とする液処理方法。
【請求項８】
薬液処理時に被処理体を昇降させるとともに、昇降する被処理体の上端の平均位置を前記薬液処理時の被処理体の上端位置とすることを特徴とする請求項７に記載の液処理方法。
【請求項９】
薬液処理時に被処理体を昇降させるとともに、昇降する被処理体の上端の最高位置を前記薬液処理時の被処理体の上端位置とすることを特徴とする請求項７に記載の液処理方法。
【請求項１０】
被処理体をリンス液に浸漬してリンス処理を行う液処理方法において、
リンス液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離をリンス液の底面位置から被処理体の下端位置までの距離よりも短くなるようにしてリンス処理を行うことを特徴とする液処理方法。
【請求項１１】
処理槽の内部に被処理体を支持するための支持具を昇降可能に配設した液処理装置に、処理槽の内部で支持具で支持した被処理体を薬液又はリンス液に浸漬して薬液処理とリンス処理とを行わせる液処理プログラムにおいて、
被処理体を薬液処理時よりも上昇させた位置でリンス処理を行うように薬液処理を行った後に支持具を上昇させる支持具上昇ステップを有することを特徴とする液処理プログラム。
【請求項１２】
前記支持具上昇ステップは、リンス液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離が薬液処理時の薬液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離よりも短くなるように、支持具を上昇させることを特徴とする請求項１１に記載の液処理プログラム。
【請求項１３】
薬液処理時に支持具を昇降させる支持具昇降ステップを有するとともに、昇降する被処理体の上端の平均位置を前記薬液処理時の被処理体の上端位置として前記支持具上昇ステップで支持具を上昇させることを特徴とする請求項１２に記載の液処理プログラム。
【請求項１４】
薬液処理時に支持具を昇降させる支持具昇降ステップを有するとともに、昇降する被処理体の上端の最高位置を前記薬液処理時の被処理体の上端位置として前記支持具上昇ステップで支持具を上昇させることを特徴とする請求項１２に記載の液処理プログラム。
【請求項１５】
処理槽の内部に被処理体を支持するための支持具を昇降可能に配設した液処理装置に、処理槽の内部で支持具で支持した被処理体をリンス液に浸漬してリンス処理を行わせる液処理プログラムにおいて、
リンス液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離がリンス液の底面位置から被処理体の下端位置までの距離よりも短くなるように、支持具を上昇させる支持具上昇ステップを有することを特徴とする液処理プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや液晶基板などの被処理体を処理槽の内部で薬液又はリンス液に浸漬して薬液処理やリンス処理を行う液処理装置及び液処理方法並びに液処理プログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体部品やフラットディスプレイなどの製造過程においては、半導体ウエハや液晶基板などに対して洗浄処理を施す洗浄工程が設けられている。この洗浄工程では、半導体ウエハや液晶基板などの被処理体を処理槽の内部で薬液に浸漬し、その後、被処理体を処理槽の内部でリンス液に浸漬して、被処理体の表面を洗浄するようにしていた。
【０００３】
そして、洗浄工程で用いられる液処理装置としては、処理槽の内部に被処理体を支持するための支持具を昇降可能に配設し、処理槽の内部で支持具で支持した被処理体を薬液又はリンス液に浸漬して薬液処理とリンス処理とを行うように構成したものが知られている（たとえば、特許文献１参照。）。
【０００４】
この従来の液処理装置では、処理槽に薬液を充填しておき、支持具を処理槽の内部に降下させることによって被処理体を薬液に浸漬して薬液処理を行い、その後、支持具の高さを変えることなく、処理槽の内部の薬液をリンス液に置換してリンス処理を行い、リンス液の比抵抗が所定の値よりも高くなったことを検出した時点でリンス処理を終了するようにしていた。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記従来の液処理装置では、リンス処理時にリンス液の液面において大気中の窒素ガスや炭酸ガスなどが溶解し、溶解した窒素ガスや炭酸ガスなどの影響でリンス液の比抵抗が所定の値まで上昇するのに長時間を要するようになり、洗浄処理に要する時間が長くなって、半導体ウエハや液晶基板などの製造のスループットが低減してしまうおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、リンス液の液面と被処理体の上端との間に貯留されているリンス液の量に応じて窒素ガスや炭酸ガスなどの溶解量が異なり、リンス液の液面と被処理体の上端との間の距離を短くすることによって、リンス液の比抵抗が所定の値まで上昇するのに要する時間を短縮できることを確認し、本発明を成すに至った。
【０００８】
すなわち、請求項１に係る本発明では、処理槽の内部に被処理体を支持するための支持具を昇降可能に配設し、処理槽の内部で支持具で支持した被処理体を薬液又はリンス液に浸漬して薬液処理とリンス処理とを行う液処理装置において、薬液処理を行った後に支持具を上昇させて、被処理体を薬液処理時よりも上昇させた位置でリンス処理を行うことことにした。
【０００９】
また、請求項２に係る本発明では、前記請求項１に係る本発明において、リンス処理時に、リンス液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離が薬液処理時の薬液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離よりも短くなるように、支持具を上昇させることにした。
【００１０】
また、請求項３に係る本発明では、前記請求項２に係る本発明において、薬液処理時に支持具を昇降させるとともに、昇降する被処理体の上端の平均位置を前記薬液処理時の被処理体の上端位置として支持具を上昇させることにした。
【００１１】
また、請求項４に係る本発明では、前記請求項２に係る本発明において、薬液処理時に支持具を昇降させるとともに、昇降する被処理体の上端の最高位置を前記薬液処理時の被処理体の上端位置として支持具を上昇させることにした。
【００１２】
また、請求項５に係る本発明では、処理槽の内部に被処理体を支持するための支持具を昇降可能に配設し、処理槽の内部で支持具で支持した被処理体をリンス液に浸漬してリンス処理を行う液処理装置において、リンス液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離がリンス液の底面位置から被処理体の下端位置までの距離よりも短くなるように、支持具を上昇させることにした。
【００１３】
また、請求項６に係る本発明では、被処理体を薬液又はリンス液に浸漬して薬液処理とリンス処理とを行う液処理方法において、薬液処理時よりも被処理体を上昇させてからリンス処理を行うことにした。
【００１４】
また、請求項７に係る本発明では、被処理体を薬液又はリンス液に浸漬して薬液処理とリンス処理とを行う液処理方法において、リンス液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離を薬液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離よりも短くなるよう被処理体を上昇させてからリンス処理を行うことにした。
【００１５】
また、請求項８に係る本発明では、前記請求項７に係る本発明において、薬液処理時に被処理体を昇降させるとともに、昇降する被処理体の上端の平均位置を前記薬液処理時の被処理体の上端位置とすることにした。
【００１６】
また、請求項９に係る本発明では、前記請求項７に係る本発明において、薬液処理時に被処理体を昇降させるとともに、昇降する被処理体の上端の最高位置を前記薬液処理時の被処理体の上端位置とすることにした。
【００１７】
また、請求項１０に係る本発明では、被処理体をリンス液に浸漬してリンス処理を行う液処理方法において、リンス液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離をリンス液の底面位置から被処理体の下端位置までの距離よりも短くなるようにしてリンス処理を行うことにした。
【００１８】
また、請求項１１に係る本発明では、処理槽の内部に被処理体を支持するための支持具を昇降可能に配設した液処理装置に、処理槽の内部で支持具で支持した被処理体を薬液又はリンス液に浸漬して薬液処理とリンス処理とを行わせる液処理プログラムにおいて、被処理体を薬液処理時よりも上昇させた位置でリンス処理を行うように薬液処理を行った後に支持具を上昇させる支持具上昇ステップを有することにした。
【００１９】
また、請求項１２に係る本発明では、前記請求項１１に係る本発明において、前記支持具上昇ステップは、リンス液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離が薬液処理時の薬液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離よりも短くなるように、支持具を上昇させることにした。
【００２０】
また、請求項１３に係る本発明では、前記請求項１２に係る本発明において、薬液処理時に支持具を昇降させる支持具昇降ステップを有するとともに、昇降する被処理体の上端の平均位置を前記薬液処理時の被処理体の上端位置として前記支持具上昇ステップで支持具を上昇させることにした。
【００２１】
また、請求項１４に係る本発明では、前記請求項１３に係る本発明において、薬液処理時に支持具を昇降させる支持具昇降ステップを有するとともに、昇降する被処理体の上端の最高位置を前記薬液処理時の被処理体の上端位置として前記支持具上昇ステップで支持具を上昇させることにした。
【００２２】
また、請求項１５に係る本発明では、処理槽の内部に被処理体を支持するための支持具を昇降可能に配設した液処理装置に、処理槽の内部で支持具で支持した被処理体をリンス液に浸漬してリンス処理を行わせる液処理プログラムにおいて、リンス液の液面位置から被処理体の上端位置までの距離がリンス液の底面位置から被処理体の下端位置までの距離よりも短くなるように、支持具を上昇させる支持具上昇ステップを有することにした。
【発明の効果】
【００２３】
そして、本発明では、以下に記載する効果を奏する。
【００２４】
すなわち、本発明では、リンス処理時にリンス液の液面と被処理体の上端との間の距離を短くすることで、リンス液の液面と被処理体の上端との間に貯留されているリンス液の量を低減することができ、これに応じて大気からリンス液への窒素ガスや炭酸ガスなどの溶解量を低減することができるので、リンス液の比抵抗が所定の値まで上昇するのに要する時間を短縮することができ、洗浄処理に要する時間が短くなって半導体ウエハや液晶基板などの製造のスループットを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に本発明に係る液処理装置及び液処理方法並びに液処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、ウエハを被処理体として洗浄処理及び乾燥処理を行う基板処理装置に本発明を適用した場合について説明するが、本発明は基板処理装置に限られずリンス処理を行う各種の液処理装置に適用することができる。
【００２６】
図１に示すように、基板処理装置１は、複数枚のウエハ２（基板）を収容したキャリア３の搬入及び搬出を行うキャリア搬入出部４と、複数のキャリア３に収容されたウエハ２を組合わせることによって一括処理するバッチ５を編成するバッチ編成部６と、各バッチ５ごとにウエハ２の洗浄処理及び乾燥処理を行う基板処理部７とで構成している。
【００２７】
キャリア搬入出部４は、キャリア３を載置するキャリアステージ８に密閉状の開閉扉９を形成し、この開閉扉９の内側にキャリア搬送機構10を配設し、このキャリア搬送機構10によってキャリアステージ８に載置されたキャリア３を必要に応じてキャリアストック11に一時的に保管するとともに、キャリア載置台12に搬入するようにしている。
【００２８】
また、キャリア搬入出部４は、基板処理部７で処理が完了したウエハ２が収容されたキャリア３に対し、上記搬入時とは逆に、キャリア載置台12に載置されたキャリア３を必要に応じてキャリア搬送機構10によってキャリアストック11に一時的に保管するとともに、キャリアステージ８に搬出するようにしている。
【００２９】
バッチ編成部６は、キャリア搬入出部４との間に密閉状の開閉扉13を形成し、この開閉扉13の内側にキャリア３に収容された複数枚のウエハ２を同時に搬送するための基板搬送機構14と、この基板搬送機構14によって搬送されたウエハ２の配列間隔を半分に変更してバッチ５を形成するためのバッチ形成機構15と、基板搬送機構14によって搬送されたウエハ２の配列順序を変更する配列順序変更機構16と、バッチ形成機構15によって形成されたバッチ５をバッチ編成部６と基板処理部７との間で受渡すとともに基板処理部７の内部での搬送を行うバッチ搬送機構17とを配設している。また、バッチ編成部６は、内部にキャリア３に収容されたウエハ２の収容状態を検出するウエハ収容状態検出センサー18とキャリア３に収容された複数枚のウエハ２のノッチの位置調整を行うノッチアライナー19を配設している。
【００３０】
このバッチ編成部６では、キャリア搬入出部４から搬入される複数個（たとえば、２個）のキャリア３にそれぞれ収容された複数枚（たとえば、２５枚）のウエハ２を組合わせて基板処理部７で一括処理する複数枚（たとえば、５０枚）のウエハ２で構成されたバッチ５を形成するようにしている。
【００３１】
基板処理部７は、ウエハ２の洗浄及び乾燥を行う洗浄乾燥機構20とウエハ２の洗浄を行う洗浄機構21とで構成しており、洗浄乾燥機構20には、バッチ５を昇降機構22で昇降することによって洗浄と乾燥とを行う液処理装置23とバッチ搬送機構17の洗浄を行う洗浄装置24とが並設されており、また、洗浄機構21には、バッチ５を薬液処理する第１〜第３の薬液槽25,26,27とバッチ５を純水処理する第１〜第３の純水槽28,29,30とこれらの第１〜第３の薬液槽25,26,27と第１〜第３の純水槽28,29,30との間でバッチ５の搬送を行う第１〜第３の搬送装置31,32,33とを配設している。
【００３２】
また、基板処理部７は、洗浄乾燥機構20と洗浄機構21に沿ってバッチ搬送機構17を配設しており、このバッチ搬送機構17の始端部分をバッチ編成部６に配設している。
【００３３】
そして、基板処理部７は、バッチ編成部６で編成されたバッチ５をバッチ搬送機構17によって洗浄乾燥機構20の昇降機構22や洗浄機構21の第１〜第３の搬送装置31,32,33に搬送して、各洗浄乾燥機構20や洗浄機構21においてウエハ２の処理をバッチ５ごとに行ない、その後、処理後のバッチ５を洗浄乾燥機構20の昇降機構22や洗浄機構21の第１〜第３の搬送装置31,32,33からバッチ搬送機構17に移送し、このバッチ搬送機構17によって処理後のバッチ５をバッチ編成部６へ再び搬送するようにしている。
【００３４】
このように、基板処理装置１は、キャリア搬入出部４によってウエハ２をキャリア３ごとバッチ編成部６に搬入し、バッチ編成部６において基板処理部７で一括処理するバッチ５を編成して基板処理部７に受渡し、基板処理部７でバッチ５ごとに一括して処理を施し、その後、処理後のバッチ５をバッチ編成部６に受渡し、バッチ編成部６でバッチ５を構成するウエハ２をキャリア３に収容してキャリア搬入出部４に搬送し、キャリア搬入出部４によって処理後のウエハ２を収容したキャリア３を搬出するようにしている。
【００３５】
次に、本発明の要部となる液処理装置23の具体的な構造について以下に説明する。
【００３６】
液処理装置23は、図２〜図４に示すように、ウエハ２をバッチ５ごと洗浄するための洗浄ユニット34と、ウエハ２をバッチ５ごと乾燥させるための乾燥ユニット35とを上下に一体的に連設した構成となっており、これら洗浄ユニット34及び乾燥ユニット35の内部に両ユニット34,35間でウエハ２をバッチ５ごと昇降搬送するための支持具36を昇降自在に配設している。
【００３７】
まず、支持具36の具体的な構造について説明すると、支持具36は、上下方向に伸延させたアーム37の前側下端部に前後方向に伸延させた４本の支持体38,39,40,41を左右に間隔をあけて平行に取付け、左右２本の支持体38,39（40,41)の先端部間に連結体42,43を架設している。
【００３８】
また、支持具36は、各支持体38,39,40,41の上端部にウエハ２を１枚ずつ垂直状に支持するための支持溝44,45,46,47を前後に一定間隔をあけて形成しており、各支持溝44,45,46,47でウエハ２を支持することによって、複数枚のウエハ２を平行に前後に一定間隔をあけて支持できるようになっている。この支持具36は、アーム37を昇降機構22に連動連結しており、昇降機構22によって洗浄ユニット34と乾燥ユニット35との間でウエハ２をバッチ５ごと昇降させることができるようになっている。なお、昇降機構22には、制御部48が接続されており、この制御部48によって昇降機構22が駆動制御されている。
【００３９】
次に、洗浄ユニット34の具体的な構造について説明すると、洗浄ユニット34は、上端部を開口した有底矩形箱型状の洗浄処理槽49の左右側壁50,51に洗浄液を噴射供給するための洗浄液供給ノズル52,53を取付けるとともに、底壁54に排水管55を連通連結し、この排水管55の中途部に開閉バルブ56を介設し、さらには、洗浄処理槽49の上端外側部に環状のオーバーフロー槽57を取付け、このオーバーフロー槽57の底壁58に排水管59を連通連結し、この排水管59の中途部に開閉バルブ60を介設している。
【００４０】
ここで、洗浄液供給ノズル52,53には、純水を供給するための純水供給源61と薬液を供給するための薬液供給源62とが三方コック63を介して接続されており、この三方コック63を切り換えることによって、洗浄液供給ノズル52,53から洗浄処理槽49の内部に純水又は薬液を供給できるようにしている。また、開閉バルブ56,60や三方コック63には、制御部48が接続されており、この制御部48によって開閉バルブ56,60や三方コック63が駆動制御されている。
【００４１】
また、洗浄ユニット34は、洗浄処理槽49に吸引管85を連通連結し、この吸引管85に薬液又はリンス液の比抵抗を検出するためのセンサ86を接続している。なお、センサ86は、制御部48に接続している。
【００４２】
次に、乾燥ユニット35の具体的な構造について説明すると、乾燥ユニット35は、下端部を開口した略箱型状の乾燥処理槽64の下方にシャッター機構65を配設している。このシャッター機構65は、ケーシング66の内部にシャッター収容部67を形成し、このシャッター収容部67にシャッター68を開閉自在に収容している。
【００４３】
ここで、シャッター機構65は、シャッター68に開閉機構69を連動連結しており、この開閉機構69を制御部48に接続して、この制御部48によって開閉機構69を駆動制御している。
【００４４】
また、乾燥ユニット35は、乾燥処理槽64の上部を半円弧断面状に形成するとともに、上端部に支持具36のアーム37を挿通させるための貫通孔70を形成し、この貫通孔70にパッキン71を取付けている。これにより、乾燥処理槽64は、アーム37を挿通させた状態でも気密状態を保持できるようにしている。
【００４５】
ここで、乾燥処理槽64には、昇降機構72を連動連結しており、この昇降機構72を制御部48に接続し、この制御部48によって昇降機構72を駆動制御している。そして、昇降機構72によって乾燥処理槽64を下降させた場合には、乾燥処理槽64の下端部に形成したフランジ73がシャッター機構65のシャッター68に密着するようにしている。
【００４６】
また、乾燥ユニット35は、乾燥処理槽64の内側上部に乾燥蒸気（ＩＰＡガス：イソプロピルアルコールガスなど）を噴射供給するための左右一対の乾燥蒸気供給ノズル74,75を取付けている。
【００４７】
この乾燥蒸気供給ノズル74,75は、内側上部に向けて乾燥蒸気を吐出するためのガス吐出口76,77を前後に間隔をあけて形成している。
【００４８】
ここで、この乾燥蒸気供給ノズル74,75には、乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給するための乾燥蒸気供給源78を開閉バルブ79を介して接続されており、この開閉バルブ79を開放状態とすることによって、乾燥蒸気供給ノズル74,75から乾燥処理槽64の内部に乾燥蒸気を供給できるようにしている。また、開閉バルブ79には、制御部48が接続されており、この制御部48によって開閉バルブ79が駆動制御されている。
【００４９】
液処理装置23は、以上に説明したように構成しており、制御部48によって駆動制御される。この制御部48は、液処理装置23だけでなく基板処理装置１の各部を駆動制御することができ、ＣＰＵからなるコントローラ80とこのコントローラ80に接続された記憶媒体81とで構成されている。この記憶媒体81には、各種の設定データや液処理プログラム82を格納している。なお、記憶媒体81は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーでもよく、また、ハードディスクやＣＤ−ＲＯＭなどのディスク状記憶媒体でもよい。
【００５０】
制御部48は、記憶媒体81に格納した液処理プログラム82の洗浄サブルーチン83と乾燥サブルーチン84に従って液処理装置23を駆動制御することによって、ウエハ２の洗浄処理と乾燥処理とを続けて行うようにしている。
【００５１】
まず、洗浄サブルーチン83では、図５に示すように、まず、液処理装置23の初期設定を行う（初期設定ステップＳ１）。
【００５２】
具体的には、制御部48が、図６に示すように、洗浄処理槽49の開閉バルブ56とオーバーフロー槽57の開閉バルブ60を閉塞させた状態とするとともに、開閉機構69を用いてシャッター68を開放させた状態とし、昇降機構22を用いてシャッター機構65の上方に間隔をあけて支持具36を配置し、昇降機構72を用いて支持具36の上方に間隔をあけて乾燥処理槽64を配置する。その後、制御部48が、三方コック63を駆動制御して純水供給源61から洗浄処理槽49の洗浄液供給ノズル52,53を介して洗浄処理槽49の内部に純水を供給する。このときに、制御部48は、オーバーフロー槽57の開閉バルブ60を開放状態として、洗浄処理槽49からオーバーフローした純水を排出できるようにする。
【００５３】
次に、洗浄サブルーチン83は、支持具36に複数枚（たとえば、５０枚）のウエハ２からなるバッチ５を受取る（ウエハ受取ステップＳ２）。このバッチ５は、上記バッチ編成部６で編成されたものである。
【００５４】
具体的には、制御部48が、図７に示すように、バッチ搬送機構17を駆動制御してバッチ搬送機構17で搬送されたバッチ５を構成する各ウエハ２を支持具36の支持体38〜41に形成した支持溝44〜47に載置する。
【００５５】
次に、洗浄サブルーチン83は、支持具36に載置されたウエハ２を洗浄処理槽49の内部に貯留された純水に浸漬して洗浄処理の準備を行う（洗浄準備ステップＳ３）。
【００５６】
具体的には、制御部48が、図８に示すように、昇降機構22を用いて支持具36を洗浄処理槽49の内部まで降下させることによって支持具36に載置されたウエハ２を洗浄処理槽49の内部に貯留された純水に浸漬する。
【００５７】
次に、洗浄サブルーチン83は、洗浄処理槽49の内部でウエハ２の薬液処理を行う（薬液処理ステップＳ４）。
【００５８】
具体的には、制御部48が、洗浄処理槽49の開閉バルブ56を閉塞させた状態とするとともにオーバーフロー槽57の開閉バルブ60を開放させた状態としたまま、三方コック63を駆動制御して薬液供給源62から洗浄処理槽49の洗浄液供給ノズル52,53を介して洗浄処理槽49の内部に薬液（洗浄液）を供給し、これにより、純水が洗浄処理槽49からオーバーフロー槽57に徐々にオーバーフローしていき、最終的には、洗浄処理槽49の内部に薬液が貯留された状態となる。その後、洗浄処理槽49の内部に貯留された薬液に浸漬されたウエハ２を薬液によって洗浄処理（薬液処理）する。
【００５９】
なお、この薬液処理（薬液処理ステップＳ４）においては、支持具36を昇降させることによって薬液の内部でウエハ２を昇降させる支持具昇降ステップを実行して（図10参照。）、ウエハ２と薬液との接触を増やして短時間で良好に薬液処理が行えるようにしてもよい。
【００６０】
次に、洗浄サブルーチン83は、洗浄処理槽49の内部で支持具36を上昇させる（支持具上昇ステップＳ５）。
【００６１】
具体的には、制御部48が、図９に示すように、昇降機構22を用いて支持具36を洗浄処理槽49の内部で上昇させる。このときに、制御部48は、リンス液の液面位置LV1からウエハ２の上端位置LV2までの距離L1が薬液処理時の薬液の液面位置LV3から被処理体の上端位置LV4までの距離L2よりも短くなるように、支持具36を上昇させる。
【００６２】
次に、洗浄サブルーチン83は、洗浄処理槽49の内部でウエハ２のリンス処理を行う（リンス処理ステップＳ６）。
【００６３】
具体的には、制御部48が、洗浄処理槽49の開閉バルブ56を閉塞させた状態とするとともにオーバーフロー槽57の開閉バルブ60を開放させた状態としたまま、三方コック63を駆動制御して純水供給源61から洗浄処理槽49の洗浄液供給ノズル52,53を介して洗浄処理槽49の内部に純水（洗浄液）を供給し、これにより、薬液が洗浄処理槽49からオーバーフロー槽57に徐々にオーバーフローしていき、最終的には、洗浄処理槽49の内部に純水が貯留された状態となる。その間、洗浄処理槽49の内部に貯留された純水に浸漬されたウエハ２を純水によって洗浄処理（リンス処理）する。このリンス処理は、センサ86で検出された比抵抗が予め設定した値（たとえば、14MΩcm。）にまで上昇した時点で終了する。
【００６４】
ここで、本発明では、リンス処理を行う時に、支持具36を上昇させることによってウエハ２を上昇させて、リンス液の液面位置LV1からウエハ２の上端位置LV2までの距離L1が薬液処理時の薬液の液面位置LV3から被処理体の上端位置LV4までの距離L2よりも短くなるようにしているために、リンス液の比抵抗が所定の値まで上昇するのに要する時間（リンス処理の時間）を短縮することができる。
【００６５】
これは、支持具36を上昇させてウエハ２を上昇させることによって、リンス液の液面と被処理体の上端との間に貯留されているリンス液の量を低減することができ、これに応じて大気からリンス液への窒素ガスや炭酸ガスなどの溶解量を低減することができるからである。
【００６６】
すなわち、ウエハ２の位置を異ならせてリンス液の比抵抗が14MΩcmに回復するまでの時間を測定したところ、リンス液の液面位置LV1からウエハ２の上端位置LV2までの距離L1が短くなると、それに応じてリンス液の回復までの時間が短くなることがわかった。その結果を表１に示す。
【００６７】
【表１】
2008103435.tif 000003
【００６８】
表１では、薬液処理時の薬液の液面位置LV3から被処理体の上端位置LV4までの距離L2を67mmとし、リンス処理時のリンス液の液面位置LV1からウエハ２の上端位置LV2までの距離L1を67mm、32mm、12mm（リンス液の底面位置LV5からウエハ２の下端位置LV6までの距離L3を50mm、80mm、100mm）として、支持具36にウエハ２を載置した場合と載置していない場合とでリンス液の比抵抗が14MΩcmに回復するまでの時間を測定した結果を示している。
【００６９】
表１より、支持具36にウエハ２を載置した状態では、リンス処理時のリンス液の液面位置LV1からウエハ２の上端位置LV2までの距離L1が67mm、32mm、12mm（リンス液の底面位置LV5からウエハ２の下端位置LV6までの距離L3が50mm、80mm、100mm）となるように支持具36とともにウエハ２を上昇させると、それに応じてリンス液の比抵抗が14MΩcmに回復するまでの時間が短くなり、一方、支持具36にウエハ２を載置していない状態では、リンス処理時のリンス液の液面位置LV1からウエハ２の上端位置LV2までの距離L1が32mm、12mm（リンス液の底面位置LV5からウエハ２の下端位置LV6までの距離L3が80mm、100mm）となるように支持具36だけを上昇させても、リンス液の比抵抗が14MΩcmに回復するまでの時間にほとんど変化がみられないことがわかる。
【００７０】
この表１で示した結果から、リンス液の液面とウエハ２の上端との間に貯留されているリンス液の量に応じて窒素ガスや炭酸ガスなどの溶解量が異なり、リンス液の液面位置LV1とウエハ２の上端位置LV2との間の距離L1を短くすることによって、或いは、リンス液の液面位置LV1とウエハ２の上端位置LV2との間の距離L1をリンス液の底面位置LV5からウエハ２の下端位置LV6までの距離L3よりも短くすることによって、リンス液の比抵抗が所定の値まで上昇するのに要する時間を短縮できることが確認された。
【００７１】
そこで、本発明では、リンス処理を行う時に、支持具36を上昇させることによってウエハ２を上昇させて、リンス液の液面位置LV1からウエハ２の上端位置LV2までの距離L1が薬液処理時の薬液の液面位置LV3から被処理体の上端位置LV4までの距離L2よりも短くなるようにしている。
【００７２】
特に、本発明では、リンス処理を行う時に、支持具36を上昇させることによってウエハ２を上昇させて、リンス液の液面位置LV1とウエハ２の上端位置LV2との間の距離L1がリンス液の底面位置LV5からウエハ２の下端位置LV6までの距離L3よりも短くなるようにしている。
【００７３】
また、本発明では、薬液処理時に支持具36を昇降させる支持具昇降ステップを実行した場合には、図10に示すように、昇降するウエハ２の上端の平均位置LV７を薬液処理時のウエハ２の上端位置LV4として支持具上昇ステップＳ５で支持具36を上昇させるようにしてもよい。
【００７４】
さらに、本発明では、薬液処理時に支持具36を昇降させる支持具昇降ステップを実行した場合には、図10に示すように、昇降するウエハ２の上端の最高位置LV8を薬液処理時のウエハ２の上端位置LV4として支持具上昇ステップＳ５で支持具36を上昇させるようにしてもよい。
【００７５】
このように、本発明では、支持具36を上昇させることによってウエハ２を上昇させて、リンス液の液面位置LV1からウエハ２の上端位置LV2までの距離L1が薬液処理時の薬液の液面位置LV3から被処理体の上端位置LV4までの距離L2よりも短くなるようにし、或いは、リンス液の液面位置LV1とウエハ２の上端位置LV2との間の距離L1をリンス液の底面位置LV5からウエハ２の下端位置LV6までの距離L3よりも短くなるようにしているために、リンス液の液面とウエハ２の上端との間に貯留されているリンス液の量を低減することができ、これに応じて大気からリンス液への窒素ガスや炭酸ガスなどの溶解量を低減することができるので、リンス液の比抵抗が所定の値まで上昇するのに要する時間（リンス処理に要する時間）を短縮することができ、洗浄処理に要する時間が短くなって半導体ウエハや液晶基板などの製造のスループットを向上させることができる。
【００７６】
なお、本発明では、薬液処理とリンス処理との間に支持具36を上昇させず、リンス処理時のリンス液の液面位置LV1を薬液処理時の薬液の液面位置LV3よりも低くして、結果的に、リンス液の液面位置LV1からウエハ２の上端位置LV2までの距離L1が薬液処理時の薬液の液面位置LV3から被処理体の上端位置LV4までの距離L2よりも短くなるようにしてもよい。
【００７７】
最後に、洗浄サブルーチン83は、支持具36に載置されたウエハ２を洗浄処理槽49の内部から乾燥処理槽64の内部へ搬送する（ウエハ搬送ステップＳ７）。
【００７８】
具体的には、制御部48が、図11に示すように、昇降機構72を用いて乾燥処理槽64をシャッター機構65の直上方に降下させるとともに、昇降機構22を用いて支持具36を洗浄処理槽49の内部から乾燥処理槽64の内部まで上昇させることによって支持具36に載置されたウエハ２を乾燥処理槽64の内部に搬送する。
【００７９】
次に、乾燥サブルーチン84では、図12に示すように、まず、シャッター機構65のシャッター68によって乾燥処理槽64の下端開口部を閉塞する（シャッター閉塞ステップＳ８）。
【００８０】
具体的には、制御部48が、図13に示すように、開閉機構69を用いてシャッター機構65のシャッター68を閉塞し、このシャッター68を乾燥処理槽64の下端開口部に密着させる。
【００８１】
次に、乾燥サブルーチン84は、乾燥処理槽64の内部に乾燥蒸気を供給する（乾燥蒸気供給ステップＳ９）。
【００８２】
具体的には、制御部48が、開閉バルブ79を開放させた状態とする。これにより、乾燥蒸気供給源78から乾燥処理槽64の内部に乾燥蒸気供給ノズル74,75のガス吐出口76,77を介して所定温度の乾燥蒸気が供給される。
【００８３】
最後に、乾燥サブルーチン84は、洗浄処理及び乾燥処理を施したウエハ２をバッチ搬送機構17へ受渡す（ウエハ受渡ステップＳ１０）。
【００８４】
具体的には、制御部48が、図14に示すように、昇降機構72によって乾燥処理槽64を上昇させるとともに、バッチ搬送機構17によって支持具36からウエハ２を受取る。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明に係る基板処理装置を示す平面図。
【図２】液処理装置を示すブロック図。
【図３】同正面断面図。
【図４】同側面断面図。
【図５】洗浄サブルーチンのフローチャート。
【図６】液処理装置の動作説明図（初期設定時）。
【図７】液処理装置の動作説明図（ウエハ受取時）。
【図８】液処理装置の動作説明図（薬液処理時）。
【図９】液処理装置の動作説明図（リンス処理時）。
【図１０】液処理装置の動作説明図（ウエハ昇降時）。
【図１１】液処理装置の動作説明図（ウエハ搬送時）。
【図１２】乾燥サブルーチンのフローチャート。
【図１３】液処理装置の動作説明図（乾燥処理時）。
【図１４】液処理装置の動作説明図（ウエハ受渡時）。
【符号の説明】
【００８６】
１  基板処理装置                            ２  ウエハ
３  キャリア                                ４  キャリア搬入出部
５  バッチ                                  ６  バッチ編成部
７  基板処理部                              ８  キャリアステージ
９  開閉扉                                  10  キャリア搬送機構
11  キャリアストック                        12  キャリア載置台
13  開閉扉                                  14  基板搬送機構
15  バッチ形成機構                          16  配列順序変更機構
17  バッチ搬送機構                          18  ウエハ収容状態検出センサー
19  ノッチアライナー                        20  洗浄乾燥機構
21  洗浄機構                                22  昇降機構
23  液処理装置                              24  洗浄装置
25  第１の薬液槽                            26  第２の薬液槽
27  第３の薬液槽                            28  第１の純水槽
29  第２の純水槽                            30  第３の純水槽
31  第１の搬送装置                          32  第２の搬送装置
33  第３の搬送装置                          34  洗浄ユニット
35  乾燥ユニット                            36  支持具
37  アーム                                  38,39,40,41  支持体
42,43  連結体                               44,45,46,47  支持溝
48  制御部                                  49  洗浄処理槽
50,51  左右側壁                             52,53  洗浄液供給ノズル
54  底壁                                    55  排水管
56  開閉バルブ                              57  オーバーフロー槽
58  底壁                                    59  排水管
60  開閉バルブ                              61  純水供給源
62  薬液供給源                              63  三方コック
64  乾燥処理槽                              65  シャッター機構
66  ケーシング                              67  シャッター収容部
68  シャッター                              69  開閉機構
70  貫通孔                                  71  パッキン
72  昇降機構                                73  フランジ
74,75  乾燥蒸気供給ノズル                   76,77  ガス吐出口
78  乾燥蒸気供給源                          79  開閉バルブ
80  コントローラ                            81  記憶媒体
82  液処理プログラム                        83  洗浄サブルーチン
84  乾燥サブルーチン                        85  吸引管
86  センサ
【図１】
2008103435.tif 000004
【図２】
2008103435.tif 000005
【図３】
2008103435.tif 000006
【図４】
2008103435.tif 000007
【図５】
2008103435.tif 000008
【図６】
2008103435.tif 000009
【図７】
2008103435.tif 000010
【図８】
2008103435.tif 000011
【図９】
2008103435.tif 000012
【図１０】
2008103435.tif 000013
【図１１】
2008103435.tif 000014
【図１２】
2008103435.tif 000015
【図１３】
2008103435.tif 000016
【図１４】
2008103435.tif 000017