(57)【要約】      （修正有）【課題】厚さ方向に複数の貫通孔を有するサポートプレートにおいて、ウエハのノッチを位置合わせする際に、貫通孔から、ドライエッチングの際の冷却ガスの漏れを防ぎ、冷却が不均一になることを防止する。【解決手段】ウエハ５を支持するサポートプレート１であって、厚み方向に複数の貫通孔が形成されると共に、ウエハ５と重ね合わせる際に位置決めするための位置決め部３を備える構成とし、貫通孔が位置決め部３より露出しないようにする。【選択図】図３Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを支持するサポートプレートであって、
厚み方向に複数の貫通孔が形成され、
前記ウエハと重ね合わせる際に位置決めするための位置決め部を備えることを特徴とするサポートプレート。
【請求項２】
前記ウエハを支持した状態において、前記複数の貫通孔が前記ウエハと完全に重なることを特徴とする請求項１記載のサポートプレート。
【請求項３】
前記位置決め部は、前記ウエハに形成されるノッチ部と位置決めされることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のサポートプレート。
【請求項４】
前記サポートプレートは、前記ウエハと同径又は該ウエハよりも大径の円形であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか1項記載のサポートプレート。
【請求項５】
前記位置決め部は、光透過性を有すると共に、前記サポートプレートの周縁部に位置し、
前記位置決め部を除く周縁部は、光遮蔽性を有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項記載のサポートプレート。
【請求項６】
前記位置決め部は、光透過性を有し、
前記位置決め部を除く部分は、光遮蔽性を有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項記載のサポートプレート。
【請求項７】
前記光遮蔽性の部位は、粗面であることを特徴とする請求項５又は請求項６記載のサポートプレート。
【請求項８】
前記位置決め部は、切り欠きであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項記載のサポートプレート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの基となる半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）を支持するサポートプレートに関し、更に詳しくは、ウエハのエッチング性能を高めるサポートプレートに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣカード、携帯電話、デジタルカメラ、その他の携帯用電子機器等に組み込まれる半導体チップは、一般的にウエハから長方形或いは正方形等に切り出されて完成される。このウエハには、回路パターンが形成されている。
【０００３】
ウエハの薄板化に際しては、回路パターンが形成された後のウエハの、回路パターン側の面に、接着等によりサポートプレートを貼り合わせる。次に、ウエハの、回路パターンが形成されていない裏面を研削加工等により薄くしていく。そして、ウエハを所望の薄さまで研削等した後、サポートプレートを剥離させる。このサポートプレートの剥離に際しては、剥離液等を供給して剥離を容易にする手法が多く用いられている。
【０００４】
ここで、厚さ方向に貫通孔が形成されたサポートプレートを用いることで、サポートプレートとウエハとの接着部分への剥離液の供給を容易にする手法が知られている。（例えば、特許文献１参照。）
【０００５】
このサポートプレートの貫通孔は、サポートプレートとウエハとが同径の場合にはサポートプレートの略全面に、サポートプレートがウエハよりも大径の場合には周縁を除く位置（ウエハに対向する位置）に形成されるのが一般的である。
【特許文献１】特開２００４−２９６９３５号公報（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記特許文献１記載のサポートプレートに形成される貫通孔は、ウエハを支持する部分に形成されるが、ウエハを支持する際にはウエハのノッチ部に露出してしまう。
【０００７】
このようにサポートプレートの貫通孔がウエハのノッチ部に露出すると、静電吸着時のドライエッチングの際等に用いられる冷却ガス（例えば、ヘリウムガス）が貫通孔から漏れてしまう。そのため、ウエハの冷却が不均一になると共に、エッチングレートがダウンするといった問題があった。
【０００８】
ここで、ウエハの冷却が不均一になると、エッチング性能が落ち、ひいては半導体チップの性能が悪化してしまう。
【０００９】
本発明の課題は、上記従来の実情に鑑み、ウエハのエッチング性能を高めるサポートプレートを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明のサポートプレートは、ウエハを支持するサポートプレートであって、厚み方向に複数の貫通孔が形成され、上記ウエハと重ね合わせる際に位置決めするための位置決め部を備える構成とする。
【００１１】
上記構成によれば、位置決め部によってサポートプレートとウエハとの位置合わせをすることができる。そのため、サポートプレートの貫通孔が形成されていない部分を、ウエハのノッチ部等の切り欠きに露出させることで、冷却ガス（例えば、ヘリウムガス）等が貫通孔から漏れるのが防止される。
【００１２】
好ましくは、上記ウエハを支持した状態において、上記複数の貫通孔が上記ウエハと完全に重なる構成とする。
上記構成によれば、冷却ガス等が貫通孔から漏れるのが有効に防止される。更に、上記の構成により、ウエハが完全にサポートプレートによって支持されるため、研削時等に、特にウエハのノッチ部において欠けが生じるのを防止することができる。
【００１３】
好ましくは、上記位置決め部は、上記ウエハに形成されるノッチ部と位置決めされる構成とする。
上記構成によれば、位置決め部に貫通孔を形成しないようにすることで、この位置決め部をウエハのノッチ部に位置決めするという容易な作業で、冷却ガス等が貫通孔から漏れるのが有効に防止される。
【００１４】
好ましくは、上記サポートプレートは、上記ウエハと同径又はこのウエハよりも大径の円形である構成とする。
上記構成によれば、サポートプレートが有効にウエハを支持する。
【００１５】
好ましくは、上記位置決め部は、光透過性を有すると共に、上記サポートプレートの周縁部に位置し、上記位置決め部を除く周縁部は、光遮蔽性を有する構成とする。
上記構成によれば、例えば光学式のアライナ等の光によって位置決め部が容易に認識される。
【００１６】
好ましくは、上記位置決め部は、光透過性を有し、上記位置決め部を除く部分は、光遮蔽性を有する構成とする。
上記構成によれば、例えば光学式のアライナ等の光によって位置決め部が容易に認識される。
【００１７】
好ましくは、上記光遮蔽性の部位は、粗面である構成とする。
上記構成によれば、光遮蔽性の部位をすりガラス等の粗面にした簡素なサポートプレートにより、光透過性の位置決め部が容易に認識される。
【００１８】
好ましくは、上記位置決め部は、切り欠きである構成とする。
上記構成によれば、切り欠きの位置決め部をウエハのノッチ部に露出させることで、冷却ガス等が貫通孔から漏れるのが容易に防止される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、位置決め部によってサポートプレートとウエハとの位置合わせをすることで、サポートプレートの貫通孔が形成されていない部分を、ウエハのノッチ部に露出させることができる。これにより、エッチング加工時において冷却ガス（例えば、ヘリウムガス）等が貫通孔から漏れるのを防止でき、したがって、ウエハの冷却が均一になると共に、エッチングレートが向上する。よって、ウエハのエッチング性能を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態に係るサポートプレートについて、図面を参照しながら説明する。
【００２１】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係るサポートプレートを示す平面図である。
図２は、本発明の第１実施形態に係るウエハを示す平面図である。
図３Ａは、上記サポートプレートとウエハとを貼り合わせた状態を示す斜視図である。
図３Ｂは、上記サポートプレートとウエハとを貼り合わせた状態を示す側面図である。
【００２２】
図１に示すサポートプレート１は、その周縁を除いて、厚み方向に複数の貫通孔２が形成されている。また、サポートプレート１の周縁には、位置決め部としての切り欠き３が扇形に形成されている。更に、サポートプレート１の切り欠き３を除く周縁には、例えばすりガラス等の粗面からなる、光遮蔽性を有する光遮蔽部４が形成されている。
【００２３】
サポートプレート１は、図２に示すウエハ５よりも大径であり、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、接着部７を挟んでウエハ５と貼り合わされる（図３Ａにおける接着部７の図示は省略している）。なお、ウエハ５のうち接着部７と接する面は、所望の回路パターンが形成された回路面となっている。
【００２４】
サポートプレート１とウエハ５との貼り合わせの際には、切り欠き３がウエハ５のノッチ部６に露出するように、光学式のアライナ等により切り欠き３を認識して位置決め（θ合わせ）している。
【００２５】
また、サポートプレート１の貫通孔２は、ウエハ５との貼り合わせた時にウエハ５に対向する領域に形成されており、複数の貫通孔２は、ウエハ５と完全に重なった状態となっている。 なお、Ａ部については図６に拡大図を示すが、その内容については後述する。
【００２６】
図４は、上記サポートプレートに貼り合わせたウエハの研削加工を示す概略説明図である。
【００２７】
同図に示すように、サポートプレート１に支持された（貼り合わされた）ウエハ５を吸着プレート８に載置する。そして、この吸着プレート８により真空吸着等で吸着させた状態で、グラインダ９により研削する。この際、グラインダ９は、支持軸１０を中心として回転しながら（矢印ａ）、ウエハ５上を移動しながら研削していく。
【００２８】
所望の薄さに達するまでウエハ５を加工した後には、研磨によりウエハ５の研削面を鏡面加工する。
【００２９】
図５は、上記ウエハのエッチング工程を示す概略説明図である。
同図において、サポートプレート１に支持されたウエハ５は、真空チャンバ１１内の載置台１２によって吸着されている。具体的には、サポートプレート１及びウエハ５は、載置台１２内の不図示の静電吸着手段によって、静電吸着されている。
【００３０】
ウエハ５は、サポートプレート１側から上記のように吸着された状態で、プラズマ処理（矢印ｂ）等によりエッチング加工される。この際、温度上昇に起因するウエハ５の回路パターン損傷等を防止するべく、載置台１２の通路１２ａからヘリウムガス等の冷却ガス（不活性ガス）を供給して（矢印ｃ）、ウエハ５を冷却している。
【００３１】
サポートプレート１の切り欠き３は、上述のように、ウエハ５のノッチ部６に位置合わせされ、貫通孔２がウエハ５と完全に重なった状態である。そのため、冷却ガスの貫通孔２からの漏れが防止されている。
【００３２】
ここで、サポートプレート１の接着部７に対向する面には、冷却ガスをウエハ５に均等に行き渡らせるべく、微細な溝加工を形成することがある。この場合、上記の溝を通って冷却ガスが切り欠き３から漏れてしまうように思える。
【００３３】
しかし、貫通孔２を省略した図６（図１のＡ部拡大図）に示すように、サポートプレート１に形成する溝１３を切り欠き３にまで到達させないようにすることで、貫通孔２からの冷却ガスの漏れを有効に防止することができる。
【００３４】
図７は、上記サポートプレートに貼り合わされたウエハに更にダイシングフレームを貼り合わせた状態を示す斜視図である。
【００３５】
同図においてサポートプレート１の下部に位置するウエハ５の下面には、ダイシングフレーム１４が貼り合わされている。このダイシングフレーム１４は、ウエハ５に当接するダイシングテープ１４ａと、このダイシングテープ１４ａの周縁に位置し、ダイシングフレーム１４の載置時或いは移動時に保持される保持部１４ｂとから構成されている。
【００３６】
図８Ａ及び図８Ｂは、上記サポートプレートと上記ウエハとの剥離工程を示す概略説明図である。
【００３７】
まず、図７に示す状態のサポートプレート１、ウエハ５及びダイシングテープ１４を、吸着プレート１５上で吸着する。この吸着された状態において、ダイシングフレーム１４の保持部１４ｂは、上下動可能なリフトピン１６上に設けられたフレームガイド１６ａに保持されている。リフトピン１６は、吸着プレート１５と共にベース部１７に配設されている。
【００３８】
また、貼り合わされたサポートプレート１、ウエハ５及びダイシングフレーム１４は、供給口１８ａが形成された供給チャンバ１８に覆われている。この供給チャンバ１８の供給口１８ａから、剥離液を供給する。供給された剥離液は、上述したサポートプレート１の貫通孔２を通して接着部７に到達する。
【００３９】
なお、供給チャンバ１８の下端にはＯリング１８ｂが設けられ、剥離液の流出が防止されている。
【００４０】
そして、剥離液は、接着部７の接着力を弱まらせた所定時間経過後に供給チャンバ１８の供給口１８ａから吸い出される。この際、剥離液を完全に除去するため、窒素ガス等を供給チャンバ１８に供給しながら剥離液を吸い出すとよい。
【００４１】
剥離液を吸い出した後、供給チャンバ１８は、アーム１９を介して接続される移動手段２０によって、後述する挟持部によるサポートプレート１の剥離を妨げないように退避する。
【００４２】
図８Ａに示す供給チャンバ１８が退避した後、図８Ｂ（供給チャンバ１８の図示は省略）に示すように、挟持部２１にアーム２２を介して接続される移動手段２３によって、挟持部２１を降下させる。
【００４３】
そして、吸着プレート１５によってウエハ５側から吸着した状態で、サポートプレート１を挟持腕２１ａ，２１ｂにより挟持する。サポートプレート１を挟持してサポートプレート１とウエハ５とを剥離した後には、移動手段２３により剥離したサポートプレート１を所望の収納スペースに移動する。
【００４４】
また、サポートプレート１とウエハ５とを剥離した後、他の装置等にウエハ５を搬送してダイシングフレーム１４を剥離する。そして、ウエハ５を所望の大きさに切り出すことにより、ウエハ５を半導体チップとして使用することができる。
【００４５】
以上説明した本実施の形態によれば、位置決め部としての切り欠き３によってサポートプレート１とウエハ５との位置合わせをすることで、サポートプレート１の貫通孔２が形成されていない部分（切り欠き３）を、ウエハ５のノッチ部６に露出させることができる。これにより、エッチング時において冷却ガス（例えば、ヘリウムガス）等が貫通孔２から漏れるのを防止でき、したがって、ウエハ１の冷却が均一になると共に、エッチングレートが向上する。よって、ウエハのエッチング性能を高めることができる。
【００４６】
また、ウエハ５を支持した状態において、サポートプレート１の複数の貫通孔２がウエハ５と完全に重なるため、冷却ガス等が貫通孔２から漏れるのを有効に防止することができる。したがって、ウエハ５の冷却がより均一になり、ウエハのエッチング性能を更に高めることができる。
【００４７】
また、切り欠き（位置決め部）３を、ウエハ５に形成されるノッチ部６と位置決めしたことで、光透過部３に貫通孔２を形成しないようにすることにより、光透過部３をウエハ５のノッチ部６に位置決めするという容易な作業で、冷却ガス等が貫通孔２から漏れるのを有効に防止することができ、ウエハのエッチング性能を更に高めることができる。
【００４８】
また、位置決め部として、サポートプレート１の周縁に位置すると共に光透過性を有する切り欠き３を形成し、切り欠き３を除く周縁部に光遮蔽性を有する光遮蔽部４を形成したことにより、例えば光学式のアライナ等の光によって切り欠き３とノッチ部６とを容易に位置合わせすることができる。
【００４９】
また、光遮蔽部４を例えばすりガラス等の粗面とすることで、簡素なサポートプレート１により、切り欠き（位置決め部）３を容易に認識することができる。
【００５０】
なお、本実施形態では、光遮蔽部４をサポートプレート１の周縁に形成したが、サポートプレート１の位置決め（回転位置合わせ等）を行うに際して、光遮蔽部４が必ずしも周縁にある必要はないため、位置は限定されない。場合によっては、光遮蔽部４に貫通孔２が形成されることもあり得る。
【００５１】
＜第２実施形態＞
図９は、本発明の第２実施形態に係るサポートプレートを示す平面図である。
図１０Ａは、上記サポートプレートとウエハとを貼り合わせた状態を示す斜視図である。
図１０Ｂは、上記サポートプレートとウエハとを貼り合わせた状態を示す側面図である。
【００５２】
図９に示すサポートプレート３１は、厚み方向に複数の貫通孔３２が形成されている。また、サポートプレート３１の周縁には、位置決め部としての切り欠き３３が扇形に形成されている。
【００５３】
サポートプレート３１は、図１０Ａ及び図６Ｂに示すように、接着部３７を挟んでウエハ３５と貼り合わされる（図１０Ａにおける接着部３７の図示は省略している。）。なお、ウエハ３５のうち接着部３７と接する面は、所望の回路パターンが形成された回路面となっている。
【００５４】
サポートプレート３１とウエハ３５との貼り合わせの際には、切り欠き３３がウエハ３５のノッチ部３６に露出するように、光学式のアライナ等により切り欠き３３を認識して位置決め（θ合わせ）している。そのため、切り欠き３３を除く部分（即ち、貫通孔３２が形成されている部分）は、切り欠き３３と区別して認識可能にしておく必要があり、例えば光遮蔽性等の特性を有するようにするとよい。
【００５５】
ここで、本実施形態に係るサポートプレート３１は、ウエハ３５と同径であり、上記第１実施形態で説明した、周縁に位置する光遮蔽部が形成されていない。
【００５６】
また、本実施形態では、サポートプレート３１の光透過部３３とウエハ３５のノッチ部３６とが同一の形状となっている。そのため、サポートプレート３１に形成される複数の貫通孔３２は、ウエハ３５と完全に重なった状態となっている。
【００５７】
そして、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すようにサポートプレート３１とウエハ３５とが貼り合わされた状態で、上記第１実施形態で説明したように、ウエハ３５の薄板化、エッチング加工、剥離等の工程を行う。
【００５８】
本実施形態によっても、上記第１実施形態と同様に、ウエハ２５の冷却が均一になると共に、エッチングレートが向上し、ウエハのエッチング性能を高めることができる。
【００５９】
＜第３実施形態＞
図１１は、本発明の第３実施形態に係るサポートプレートを示す平面図である。
図１２Ａは、上記サポートプレートとウエハとを貼り合わせた状態を示す斜視図である。
図１２Ｂは、上記サポートプレートとウエハとを貼り合わせた状態を示す側面図である。
【００６０】
図１１に示すサポートプレート４１は、その周縁を除いて、厚み方向に複数の貫通孔４２が形成されている。また、サポートプレート４１の周縁には、位置決め部としての光透過部４３が扇形に形成されている。更に、サポートプレート４１の光透過部４３を除く周縁には、例えばすりガラス等の粗面からなる、光遮蔽性を有する光遮蔽部４４が形成されている。なお、光透過部４３において、貫通孔４２は形成されていない。
【００６１】
サポートプレート４１は、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すウエハ４５よりも大径であり、接着部４７を挟んでウエハ４５と貼り合わされる（図１２Ａにおける接着部４７の図示は省略している。）。なお、ウエハ４５のうち接着部４７と接する面は、所望の回路パターンが形成された回路面となっている。
【００６２】
サポートプレート４１とウエハ４５との貼り合わせの際には、光透過部４３がウエハ４５のノッチ部４６に露出するように、光学式のアライナ等により光透過部４３を認識して位置決め（θ合わせ）している。
【００６３】
また、サポートプレート４１の貫通孔４２は、ウエハ４５との貼り合わせた時にウエハ４５に対向する領域に形成されており、複数の貫通孔４２は、ウエハ４５と完全に重なった状態となっている。
【００６４】
そして、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すようにサポートプレート４１とウエハ４５とが貼り合わされた状態で、上記第１実施形態で説明したように、ウエハ４５の薄板化、エッチング加工、剥離等の工程を行う。
【００６５】
本実施形態によっても、ウエハ４５のノッチ部４６に光透過部４３が露出するため、貫通孔４２から冷却ガス等が漏れない。したがって、上記第１実施形態と同様に、ウエハ４５の冷却が均一になると共に、エッチングレートが向上し、ウエハのエッチング性能を高めることができる。
【００６６】
なお、本実施形態では、サポートプレート４１の周縁に、ウエハ４５のノッチ部４６に露出する部分に扇形の光透過部４３を形成し、この光透過部４３を除く周縁に光遮蔽部４４を形成した構成を説明したが、ウエハ４５のノッチ部４６に露出する部分に扇形の光遮蔽部を形成し、この光遮蔽部を除く周縁に光透過部を形成しても、サポートプレート４１とウエハ４５との位置合わせを容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の第１実施の形態に係るサポートプレートを示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施の形態に係るウエハを示す平面図である。
【図３Ａ】上記サポートプレートとウエハとを貼り合わせた状態を示す斜視図である。
【図３Ｂ】上記サポートプレートとウエハとを貼り合わせた状態を示す側面図である。
【図４】上記サポートプレートに貼り合わせたウエハの研削加工を示す概略説明図である。
【図５】上記ウエハのエッチング工程を示す概略説明図である。
【図６】図１のＡ部拡大図である。
【図７】上記サポートプレートに貼り合わされたウエハに更にダイシングフレームを貼り合わせた状態を示す斜視図である。
【図８Ａ】上記サポートプレートと上記ウエハとの剥離工程を示す概略説明図（その１）である。
【図８Ｂ】上記サポートプレートと上記ウエハとの剥離工程を示す概略説明図（その２）である。
【図９】本発明の第２実施形態に係るサポートプレートを示す平面図である。
【図１０Ａ】上記サポートプレートとウエハとを貼り合わせた状態を示す斜視図である。
【図１０Ｂ】上記サポートプレートとウエハとを貼り合わせた状態を示す側面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係るサポートプレートを示す平面図である。
【図１２Ａ】上記サポートプレートとウエハとを貼り合わせた状態を示す斜視図である。
【図１２Ｂ】上記サポートプレートとウエハとを貼り合わせた状態を示す側面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１      サポートプレート
２      貫通孔
３      切り欠き
４      光遮蔽部
５      ウエハ
６      ノッチ部
７      接着部
８      吸着プレート
９      グラインダ
１０      支持軸
１１      真空チャンバ
１２      載置台
１２ａ      通路
１３      溝
１４      ダイシングフレーム
１４ａ      ダイシングテープ
１４ｂ      保持部
１５      吸着プレート
１６      リフトピン
１６ａ      フレームガイド
１７      ベース部
１８      供給チャンバ
１８ａ      供給口
１８ｂ      Ｏリング
１９      アーム
２０      移動手段
２１      挟持部
２１ａ，２１ｂ      挟持腕
２２      アーム
２３      移動手段
３１      サポートプレート
３２      貫通孔
３３      切り欠き
３５      ウエハ
３６      ノッチ部
３７      接着部
４１      サポートプレート
４２      貫通孔
４３      光透過部
４４      光遮蔽部
４５      ウエハ
４６      ノッチ部
４７      接着部
【図１】
2008041985.tif 000003
【図２】
2008041985.tif 000004
【図３Ａ】
2008041985.tif 000005
【図３Ｂ】
2008041985.tif 000006
【図４】
2008041985.tif 000007
【図５】
2008041985.tif 000008
【図６】
2008041985.tif 000009
【図７】
2008041985.tif 000010
【図８Ａ】
2008041985.tif 000011
【図８Ｂ】
2008041985.tif 000012
【図９】
2008041985.tif 000013
【図１０Ａ】
2008041985.tif 000014
【図１０Ｂ】
2008041985.tif 000015
【図１１】
2008041985.tif 000016
【図１２Ａ】
2008041985.tif 000017
【図１２Ｂ】
2008041985.tif 000018