(57)【要約】【課題】溶接鑞剤の這い上がりを阻止する。【解決手段】電子部品用コンタクトの素材または下地メッキ層を溶接鑞剤の低濡れ性物質で構成し、その表面に溶接鑞剤の高濡れ性物質で構成した仕上げメッキ層を形成し、高濡れ性仕上げメッキ層の一部領域を選択的に取り除いて低濡れ性素材表面或いは下地メッキ層表面の露出された領域を形成し、この露出された領域を、加熱溶融した溶接鑞剤が高濡れ性仕上げメッキ層に沿って這い上がり移動するのを阻止する領域として用いる。【選択図】図５
2008103351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鑞接される端子部および接触部を持ったコンタクトを具える電子部品であって、
上記コンタクトは、
上記端子部および接触部が形成されたコンタクト素材と、
上記コンタクト素材の表面上に形成され溶接鑞剤に対する低濡れ性を持った物質で構成された下地メッキ層と、
上記下地メッキ層の表面上に形成され、溶接鑞剤に対する高濡れ性を持った物質で構成された仕上げメッキ層と、
溶接鑞剤の這い上がり阻止領域として働く低濡れ性領域とを具え、
上記低濡れ性領域は、上記高濡れ性仕上げメッキ層の一部領域をレーザー加工技術により選択的に除去することにより露出した上記下地メッキ層であり、この領域を上記溶接鑞剤の這い上がり阻止領域とする
ことを特徴とする。
【請求項２】
請求項１に記載される電子部品であって、
上記下地メッキ層はニッケル合金メッキ層であることを特徴とする。
【請求項３】
鑞接される端子部および接触部を持ったコンタクトを具える電子部品であって、
上記コンタクトは、
上記端子部および接触部が形成され溶接鑞剤に対する低濡れ性を持った物質で構成されたコンタクト素材と、
上記コンタクト素材の表面上に形成された下地メッキ層と、
上記下地メッキ層の表面上に形成され、溶接鑞剤に対する高濡れ性を持った物質で構成された仕上げメッキ層と、
溶接鑞剤の這い上がり阻止領域として働く低濡れ性領域とを具え、
上記低濡れ性領域は、上記高濡れ性仕上げメッキ層の一部領域とその下の上記下地メッキ層の一部領域とを共にレーザー加工技術により選択的に除去することにより露出した上記コンタクト素材であり、この領域を上記溶接鑞剤の這い上がり阻止領域とする
ことを特徴とする。
【請求項４】
鑞接される端子部および接触部を持ったコンタクトを具える電子部品の製造方法であって、
コンタクト素材に端子部および接触部を形成し、
上記コンタクト素材の表面上に、溶接鑞剤に対する低濡れ性を持った物質で構成された下地メッキ層を形成し、
上記下地メッキ層の表面上に溶接鑞剤に対する高濡れ性を持った物質で構成された仕上げメッキ層を形成し、
上記端子部と接触部との中間部にある上記高濡れ性仕上げメッキ層の一部領域をレーザー加工技術により選択的に取り除いて、この除去部分に上記低濡れ性下地メッキ層を露出させ、この露出領域を溶接鑞剤の這い上がり阻止領域とする、
ことを特徴とする。
【請求項５】
鑞接される端子部および接触部を持ったコンタクトを具える電子部品の製造方法であって、
溶接鑞剤に対する低濡れ性を持った物質で構成されたコンタクト素材に、端子部および接触部を形成し、
このコンタクト素材表面上に下地メッキ層を形成し、
この下地メッキ層の表面上に溶接鑞剤に対する高濡れ性を持った物質で構成された仕上げメッキ層を形成し、
上記端子部と接触部との中間部にある上記高濡れ性仕上げメッキ層の一部領域と、その下の下地メッキ層の一部領域とを共にレーザー加工技術により選択的に取り除いて、この除去部分に上記低濡れ性コンタクト素材を露出させ、この露出領域を溶接鑞剤の這い上がり阻止領域とする、
ことを特徴とする。
【請求項６】
請求項４に記載される方法であって、
上記下地メッキ層としてニッケル合金を用いることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、鑞接用コンタクトを持った電子部品およびその製法に関し、特に、コンタクトに、その表面に形成される溶接鑞剤の高濡れ性皮膜である仕上げメッキ層上を這い上がる溶接鑞剤の這い上がりを阻止する領域を形成する新規な方法、及びかかる阻止領域を持った電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来例を図１及び２を参照して説明する。
電子部品１０は、コンタクト１１と、このコンタクト１１を一体にモールド成型して保持した絶縁材料より成る端子保持部材１２とから成り、コンタクト１１は、配線基板２に形成される貫通孔２１の内周部に形成された貫通孔メッキ層２１Aに鑞付けされる端子部１１１と他の電子部品に電気接触する接触部１１２より成る。３は配線基板２の下面に形成された配線（図示せず）の鑞接パッド２２に予め付与されている半田の如き溶接鑞剤を示す。
【０００３】
コンタクト１１の端子部１１１は、その表面に溶接鑞剤の高濡れ性物質である錫或いは金がメッキされている。この端子部１１１を配線基板２のメッキ層２１Aを持った貫通孔２１に挿入した状態（図１）で、配線基板２の下面に付与されている溶接鑞剤３を加熱溶融することにより、端子部１１１と貫通孔メッキ層２１A及び鑞接パッド２２は電気機械的に鑞接で接続され、電気端子１は配線基板２に実装されて、電子部品１０を構成する。
この鑞付けに際して、加熱溶融した溶接鑞剤３は、端子部１１１の表面の高い濡れ性を持ったメッキ層を濡らしながら吸い上げられ（以下これを「這い上がり」と称する）、端子部１１１と貫通孔メッキ層２１Aの間の接合領域における溶接鑞剤３の量が減少する。加熱の回数が複数回にも及ぶと、溶接鑞剤は不足するに到り、端子部１１１と貫通孔メッキ層２１Aの間の電気機械的接続が不完全になる。
【０００４】
溶接鑞剤の這い上がりに起因して端子部１１１とメッキ貫通孔２１の間の溶接鑞剤が不足する問題を解消するための一方策として、図１及び２に示される如く、コンタクト１１の端子部１１１の一部の領域に這い上がり阻止用の酸化物被膜領域１１３を形成することが行なわれている（特許文献１参照）。
即ち、コンタクト１１の端子部１１１の高濡れ性領域を形成している錫メッキ層表面、或いは金メッキ層表面の一部の領域であって、溶融鑞剤が這い上がって到達する部分を帯状に強制酸化して表面層物質の酸化された被膜領域１１３を形成してこの領域を加熱溶融した溶接鑞剤３に濡れない低濡れ性領域にして、加熱溶融した溶接鑞剤３が越えることができない領域としている。
【０００５】
しかし、この酸化物被膜は表層を構成する錫の原子或いは金の原子に酸素原子が結合したものに過ぎないので、端子部１１１の表面に被着された錫メッキ層或いは金メッキ層の表面に実際に酸化被膜形成処理が施されているか否か、或いは酸化被膜形成処理が端子部１１１の適正な位置、形状、寸法に施されているか否かを目視により確認することはできない。
コンタクトの端子部の溶接鑞剤が不足する問題を解消する他の手法として、図３ａ〜３ｃに示した如く、コンタクト１１の全面にニッケルメッキ層１１Ａを下地層として形成した後に、接触部１１２と端子部１１１との間に所定の間隔（０.３ｍｍ）を空けて、接触部１１２には厚く（０.４(ｍ）金メッキ１１２Ａを施し、端子部１１１には鑞付け用として薄く（０.０５(ｍ）金メッキ１１１Ａを施し、両者の間に残されたニッケルメッキ層の露出部１１Ｂを陽極酸化により酸化ニッケル層１１３’として溶融した鑞剤の這い上がり阻止領域として形成する従来例がある（特許文献２参照）。
【０００６】
この酸化ニッケル層１１３’も低濡れ性領域であり、加熱溶融した溶接鑞剤３が越えることができずに、これ以上這い上がり移動することはない。
ところが、図３ａ〜３ｂの従来例において、この酸化ニッケル層１１３’の幅を０. ２ｍｍ未満の狭い幅に形成することは困難である。
液体を用いて加工（メッキや塗布加工）することはその位置・範囲の精度が低く、特にメッキ領域の形成位置の精度は、液面を調整したりテープ或いは治具を用いてマスキングすることが必要であり１ｍｍ以下の公差で安定した加工を行うことは困難である。
【０００７】
すなわち、形成される酸化ニッケル層の位置および幅の精度は、接触部１１２の金メッキ層の加工位置精度、端子部１１１の鑞付け用金メッキ層の加工位置精度の影響を受けるので、高くはなく、端子長が２ｍｍ以下の微細なコンタクトの場合に量産性に乏しくなる。
更に、形成された酸化物被膜は、その処理が行なわれているか否かを、目視により確認することができない。陽極酸化による酸化ニッケル層の加工を接触部１２の金メッキ層、端子部１１１の鑞付け用金メッキ層の形成に先だって実施する場合も同様の問題を生ずる。
【０００８】
さらに、他の形式のコンタクトでも問題があることを以下に説明する。
図４ａを参照するに、これは配線基板２の表面に鑞接パッド２２を形成し、鑞接パッド２２上に溶接鑞剤３を載置し、この溶接鑞剤３を溶融加熱してコンタクト１１の端子部１１１を鑞接パッド２２に鑞接する従来例である。
図４ａに示した従来例の場合は、溶接鑞剤３が加熱溶融されると、図４ｂに示される如く溶融した溶接鑞剤３が、端子部１１１の表面１１１Ａを濡らしながら吸い上げられ、図４ｃに示される如く接触部１１２の表面１１２Ａにも到達してその表面を濡らし、それだけ端子部１１１と鑞接パッド２２の間の接合領域における溶接鑞剤３の量が不足する。なお図においてＢは両表面１１１Ａと１１２Ａの境界線である。
【特許文献１】特開平８−２１３０７０号公報
【特許文献２】特開平１０−２４７５３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図１及び２に示された従来例では、形成された酸化物被膜は、その処理が行なわれているか否かを、目視により確認することができないという欠点がある。
図３に示された従来例では、メッキ領域の形成位置の精度が低く、安定した加工を行うことは困難であり、微細なコンタクトの場合に量産性に乏しくなる。また形成された酸化物被膜を目視により確認することはできない。
図４に示された従来例では、溶接鑞剤３の量が不足する。
このように、図１〜４に示された従来例において、溶接鑞剤３の這い上がり問題が解消されていないことを説明した。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、上述の溶接鑞剤の這い上がり問題を解消した電子部品およびその新規な製法を提供するものである。
本願発明の一つの観点として、コンタクト１１の素材に端子部と接触部とを形成しかつ溶接鑞剤３に対する低濡れ性表面を持たせ、その表面上に溶接鑞剤３に対する高濡れ性物質で構成した仕上げメッキ層を形成し、溶融した鑞剤が這い上がってくる端子部１１１の高濡れ性仕上げメッキ層の一部を選択的に取り除いて素材の低濡れ性表面の露出部１１４を形成し、この露出部を溶融した鑞剤の這い上がりを阻止する阻止部として働かせるように構成した改良したコンタクト１１を得て、この改良したコンタクト１１を用いて基板に鑞接して電子部品１０を構成する。
【００１１】
本願発明の他の一つの観点として、コンタクト１１の素材を溶接鑞剤３に対する低濡れ性物質で構成し、この素材の上に下地メッキ層を形成し、その表面に溶接鑞剤３に対する高濡れ性物質で構成した仕上げメッキ層を形成し、溶融した鑞剤が這い上がってくる端子部１１１の高濡れ性仕上げメッキ層の一部と、その下の下地メッキ層の一部の両方を、選択的に取り除いて低濡れ性物質の素材の露出部１１４を形成し、この露出部を溶融した鑞剤の這い上がり阻止部として働かせるように構成した改良したコンタクト１１を得て、この改良したコンタクト１１を用いて基板に鑞接して電子部品１０を構成する。
【００１２】
そして、コンタクト１１の素材１１Ｘを露出させて上記溶融した鑞剤の這い上がり阻止部を形成する場合には、素材の構成材料として、例えばＣｕ、並びにＣｕとＴｉ、Ｂｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚｎとの銅合金（Ｐ、Ｓｉなどの添加物を含んでも良い）が使用可能であるが、このほかにＣｏ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｆｅ、ＳＵＳなどの金属も使用可能である。
コンタクト１１の表面に施される仕上げメッキは、たとえば金メッキ、錫或いはＳｎとＡｇ、ＳｎとＣｕ、ＳｎとＣｕ及びＡｇとの錫合金メッキ、鉛或いはＰｂとＳｎとの鉛合金メッキ、Ｐｄ或いはＰｄとＮｉまたはＰｄとＣｏのＰｄ合金が使用可能である。
【００１３】
また、本願発明のさらに他の観点として、仕上げメッキ層の形成の前に、素材上に仕上げメッキ層の被着を助成するためのＮｉとＰ、ＮｉとＳ、またはＮｉとＢとのニッケル合金メッキ層から成る下地メッキ層を形成する。そしてこの下地メッキ層の上に高濡れ性物質の仕上げメッキ層を形成する。
この下地メッキ層の材質は、溶接鑞剤３に対して低い濡れ性を持った導電材料なので、仕上げメッキ層のみを除去して下地メッキ層を露出させて、この下地メッキ層の露出部によって上記溶融した鑞剤の這い上がり阻止部を形成することもできる。
【００１４】
この場合には、素材の構成材料として導電材料に限らず、プラスチックス、セラミックス、ガラスなどの非導電材料も使用できるので、予め、これらの材料を用いて成型によって接触部と端子部をもったコンタクトを形成し、その表面全面に無電解メッキによってニッケル合金の無電解メッキ層を形成し、その上に全面に仕上げ金メッキ層を形成した後に、端子部の仕上げメッキ層の一部を除去して、下地層の露出部を以って鑞剤の這い上がり阻止部を形成する。
また、低い濡れ性を持った導電材料で構成した素材の上に高濡れ性物質で構成した下地メッキ層を形成し、その上に仕上げメッキ層を形成した場合には、仕上げメッキ層および下地メッキ層の双方を取り除いて露出部１１４を得る。
【００１５】
コンタクト１１の表面に形成された高濡れ性物質のメッキ領域の一部を選択的に取り除いて、低濡れ性表面の露出部１１４を形成する加工は、低濡れ性表面露出部１１４が形成されるべき高濡れ性物質のメッキ領域に、機械的な切削或いは研磨技術、放電加工或いは電子ビーム加工技術、レーザ加工技術を適用する。  この加工技術は、良好な加工位置精度で容易に実施することができる。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、電子部品のコンタクトにおいて、その溶接鑞剤に対する高い濡れ性の表面層を選択的に一部除去し、低濡れ性の表面を持った下地メッキ層或いは素地を露出させることにより、低濡れ性表面の露出部１１４を形成し、溶接鑞剤の這い上がりをその箇所で阻止することができる。
なお、これまで素材は低濡れ性表面を有するものと言う説明において、下地メッキ層は別体として説明してきたが、下地メッキ層が素材と一体となったものを以って素材と考えることもできる。この考えによれば、下地メッキ層の表面が、素材の表面と定義できる。
【００１７】
この低濡れ性表面の露出部の形成位置精度および幅精度についても、下地メッキおよび仕上げメッキ加工精度に影響を受けず、コンタクトの基準寸法から適正な低濡れ性露出部形成位置を直接に測定設定し、そこに先の加工技術を適用することにより、高濡れ性皮膜の除去位置および範囲を高精度で加工して低濡れ性露出部を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
この発明の実施の形態を図５〜図９に示した電子部品を参照して説明する。なお、従来例で示したものと同一物については同一記号を付す。
図６（ｆ）に斜視図で示したように、電子部品１０は、コンタクト１１とインシュレータハウジング１２とからなる。
配線基板２の表面には鑞接パッド２２が形成されている。周知の如く、この配線基板２には印刷配線（図示せず）が設けられ、鑞接パッド２２と結合している。なお、図１の如く、印刷配線が基板の裏面（図において基板２の下側）に設けられ、貫通孔と貫通孔メッキ層とを介して基板表面の鑞接パッドに結合するように構成しても良い。
【００１９】
そして、鑞接パッド２２上に半田の如き溶接鑞剤３を介して電子部品１０のコンタクト１１の端子部１１１を載置し、この溶接鑞剤３を溶融加熱することにより、配線基板２の表面の鑞接パッド２２に鑞接する。
コンタクト１１の素材を導体で構成する場合には、銅合金で構成する。
コンタクト１１の表面に施される仕上げメッキは、金メッキ、錫或いは錫合金メッキ、鉛或いは鉛合金メッキの何れかで構成する。
そして、仕上げメッキに先だって、コンタクト１１を構成する金属材料に対する仕上げメッキの密着を良好にするために、素材１１Ｘの表面に形成する下地メッキ層１１Ａはニッケル合金メッキ層とする。
【００２０】
仕上げメッキ層を一部分除去して下地のニッケル合金メッキ層を露出させた場合、ニッケル合金メッキ層は、本来的に、或いは表面層の除去処理中に自然酸化により、低濡れ性なので、強制的に酸化させなくても、溶融溶接鑞剤３の這い上がりが阻止されることは実験的に確認されている。このため酸化被膜形成の確認作業を必要としない。
更に、低濡れ性物質の露出部１１４は、コンタクト１１の端子部１１１の表面に形成された鑞接用仕上げメッキ層１１１Ａの一部で接触部１１２に近い部分であって、従来鑞剤が這い上がってくる領域に帯状形状で、所定幅寸法に形成し、この露出部によって端子部の仕上げメッキ層が１１１Ａ−１と１１１Ａ−２とに２分される。
【００２１】
このコンタクトの第１の実施例は、図５〜図６に示す。
図５（ａ）を参照するに、これは配線基板２の表面に形成された鑞接パッド２２に溶接鑞剤３が載置され、溶接鑞剤３表面に仕上げメッキを施されたコンタクト１１の端子部１１１が係合せしめられた非加熱の状態を示す。
図５（ｂ）は、溶融した溶接鑞剤３が端子部１１１の表面を濡らしながら這い上がり始めたところを示している。なお、端子部１１１と接触部１１２とは、この実施例においては、接触部１１２が外部とより良好に接触するように、接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの材質及びメッキ層厚を端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの材質及びメッキ層厚と異ならせ、したがって、端子部１１１仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの間に、境界線Ｂがあるものとして示す。
【００２２】
図６（ｄ）は、図５（ｂ）の５ｄ−５ｄ線における断面図である。
図５（ｃ）は溶融した溶接鑞剤３が端子部１１１の表面を濡らし、この発明による低濡れ性露出部１１４に到達してこれを越えることができないことを示し、溶融した溶接鑞剤３がこれ以上這い上がり移動することはない。
図６（ｅ）は、図５（ｃ）の５ｅ−５ｅ線における断面図である。ここで、従来例の如く低濡れ性露出部１１４が存在しない場合、図４（ｃ）を参照するに、端子部１１１の全表面に到達した溶融溶接鑞剤３は更に接触部１１２表面を這い上がるので、端子部１１１と鑞接パッド２２の間の接合領域における溶接鑞剤３の量が不足するが、本願発明に依れば低濡れ性露出部１１４を形成することによりこの更なる這い上がり移動は阻止される。
【００２３】
図７（ｇ）〜（ｋ）に、露出部１１４の各種の形成方法を示す。ここでは、低濡れ性物質で構成された下地メッキ層１１Ａを露出部１１４として露出させる場合であり、この場合には素材の材質は導体、非導体の区別なくあらゆる物質が使用できる。
この実施例においては、コンタクト１１の表面に形成される高濡れ性物質で構成された仕上げメッキ層のうち、端子部１１１の領域１１１Ａの一部を帯状に選択的に取り除き、端子部１１１の下地メッキ層を露出させて低濡れ性露出部１１４を形成する。
【００２４】
図７（ｇ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが同一材質、同一厚さに形成し、下地メッキ層の露出部１１４を端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの領域内に形成した場合を示す。この場合には境界線Ｂは実際には存在しない。
図７（ｈ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より薄く形成し、下地メッキ層の露出部１１４を端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの領域内に形成した場合を示す。（この図は図６（ｄ）と同じ）
図７（ｉ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より厚く形成し、下地メッキ層の露出部１１４を端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの領域内に形成した場合を示す。
【００２５】
図７（ｊ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より厚く形成し、下地メッキ層の露出部１１４を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの領域内に形成した場合を示す。
図７（ｋ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より薄く形成し、下地メッキ層の露出部１１４を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの領域内に形成した場合を示す。
【００２６】
図８（ｌ）〜（ｐ）は、低濡れ性表面を持つ素材１１Ｘを露出部１１４として露出させる場合であり、端子部１１１の仕上げメッキ層およびその下に形成されている下地メッキ層を両方とも選択的に一部除去して素材の表面を露出させる。
この場合には素材の材質は低濡れ性の導体が望ましいが、例えばレーザー照射によるメッキ層の一部除去工程によって低濡れ性をもつに至るような物質を使用することも可能である。  また、下地メッキ層の材質は、その濡れ性に限定はない。
【００２７】
図８（ｌ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが同一材質、同一厚さに形成し、素材１１Ｘの露出部を端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの領域とその下の下地層を共に一部除去して形成した場合を示す。この場合には境界線Ｂは実際には存在しない。
図８（ｍ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より薄く形成し、素材１１Ｘの露出部１１４を端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの領域とその下の下地層を共に一部除去して形成した場合を示す。
【００２８】
図８（ｎ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より厚く形成し、素地１１Ｘの露出部１１４を端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの領域とその下の下地層を共に一部除去して形成した場合を示す。
図８（ｏ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より厚く形成し、素地１１Ｘの露出部１１４を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの領域とその下の下地層を共に一部除去して形成した場合を示す。
【００２９】
図８（ｐ）は、端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａと接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａとが異種の材質または、同一材質であっても端子部１１１の仕上げメッキ層１１１Ａの膜厚を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの膜厚より薄く形成し、素地１１Ｘの露出部１１４を接触部１１２の仕上げメッキ層１１２Ａの領域とその下の下地層を共に除去して形成した場合を示す。
なお、これら図７または図８において、下地メッキ層が存在しない場合には、仕上げメッキ層のみを削除することによって、素材１１Ｘの露出部１１４を形成できることは容易に理解できるであろう。
【００３０】
また、低濡れ性表面の露出部１１４を形成するために、本願発明では、レーザー光の照射による仕上げメッキ層の除去方法を開示したがこれ以外の除去方法も使用できることも理解できるであろう。
またここで露出部１１４を形成する位置、及びその形状も、帯状に限るものではない。
例えば、図９（ｑ）〜（ｓ）に示す如く、端子部１１１の領域に形成することが望ましい。
【００３１】
なお、図９（ｓ）に示した如く、露出部を複数個形成し、隣り合った露出部間に残された鑞材の流路となる高濡れ性仕上げメッキ層の狭められた領域を形成することによっても、実質的に鑞材の這い上がりを阻止することができる。
同じように、この露出部１１４が、帯状に形成される場合であっても、端子部１１１を一周することが望ましいが、完全に連続して一周することなく、不連続であっても、その不連続部が、狭められた這い上がり領域を形成していれば、這い上がり阻止の効果がある。
【００３２】
図１０に本願発明の他の実施例を示す。
この実施例は、図３に示した従来例のコンタクトを改良したものである。（図１０（ａ））この実施例においても、他の図面に示したものと同一物は同一符号を付す。
この従来例が前述した如く、メッキ技術を用いて、ニッケルメッキ層の下地層１１Ａをコンタクト１１の素材表面に形成した後、所定の間隔（０.３ｍｍ）を持った露出部１１Ｂとして露出させるように、上記所定の間隔だけ空けて接触部１１２用の厚い（０.４(ｍ）金メッキ部１１２Ａと端子部１１１鑞付け用の薄い（０.０５(ｍ）金メッキ部１１１Ａを形成し（図３（ｂ））、その後上記ニッケルメッキ層の露出部を陽極酸化によって酸化ニッケル層１１３’を形成し（図３（ｃ））、これを溶融鑞剤の這い上がり阻止領域として用いているのに対し、本願発明においては、図１０（ｂ）に示す如く、コンタクト素材１１Ｘの表面に下地層１１Ａを形成した後、接触部１１２側には接触用の金メッキ部１１２Ａと、端子部１１１側には鑞付け用の金メッキ部１１１Ａを形成する。この時両者の間には従来例のように所定の間隔だけ空けることは要しない。
【００３３】
次いで、図１０（ｃ）に示す如く、端子部側の金メッキ部１１１Ａの接触部に近い領域にレーザ加工技術を適用して、帯状に端子部表面を一周するように金メッキ部１１１Ａを除去して下地層１１Ａを露出させ低濡れ性露出部１１４を形成する。
これにより、金メッキ部１１１Ａが、２つの部分１１１Ａ−１と１１１Ａ−２に２分される。
このコンタクトを、図２の如く貫通孔２１と、貫通孔メッキ層２１Ａと、溶接鑞剤３とを持った基板２に装着し、鑞剤３を溶融したとき、この鑞剤３は、２分された端子部側金メッキ部の一方１１１Ａ−１を這い上がってくるが、図１０（ｄ）に示す如く低濡れ性露出部１１４によってそれ以上の這い上がりが阻止され、２分された端子部側金メッキ部の他方１１１Ａ−２及び接触部側金メッキ部１１２Ａには到達しない。
【００３４】
なお、低濡れ性露出部１１４の形成位置は、端子部側金メッキ部１１１Ａと接触部側金メッキ部１１２Ａの接合領域に形成しても、或いは、接触部側金メッキ部１１２Ａの端子部に近い領域に形成しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
メッキ、塗布の如く液体による加工技術と比較して、高濡れ性皮膜の除去の如く固体を取り扱う加工技術はその位置精度および、範囲の精度を高める上において好適な技術であり、量産性を向上することができる。
更に、除去形成した低濡れ性露出部の位置および範囲を目視で容易に確認することができるので、寸法管理も容易に実施することができ、量産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】１つの従来例を説明する図。
【図２】図１の部分拡大図
【図３】他の従来例を説明する図。
【図４】更なる他の従来例を説明する図。
【図５】この発明の１つの実施例を説明する図。
【図６】この発明の実施例を更に説明する図。
【図７】この発明の実施例を更に説明する図。
【図８】この発明の実施例を更に説明する図。
【図９】この発明の実施例を更に説明する図。
【図１０】この発明の他の実施例を説明する図。
【符号の説明】
【００３７】
２    配線基板
３    溶接鑞剤
１０    電子部品
１１    コンタクト
１１Ａ  下地ニッケルメッキ層
１１Ｂ  下地ニッケルメッキ層の露出部
１１Ｘ  素材
１２    端子保持部材
２１    貫通孔
２１Ａ  貫通孔メッキ層
２２    鑞接パッド
１１１    端子部
１１１Ａ、１１１Ａ-１、１１１Ａ-２  端子部メッキ層
１１２    接触部
１１２Ａ、１１２Ａ-１、１１２Ａ-２  接触部メッキ層
１１４    低濡れ性物質の露出された領域
１１３    酸化被膜
１１３’  酸化ニッケル層
Ｂ    境界線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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