(57)【要約】【課題】高い色再現性でカラー撮像するとともに、近赤外撮像においても鮮明な画像を得ることができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】多層膜干渉フィルタ１０６は、赤色領域Ｒ、緑色領域Ｇ及び青色領域Ｂからなり、それぞれ赤色光、緑色光及び青色光を透過させる。  赤色領域Ｒは誘電体層２０１Ｒ〜２０７Ｒからなる７層の多層膜干渉フィルタであって、スペーサ層２０４Ｒ、２０６Ｒを他の誘電体層からなるλ／４多層膜にて挟んだ層構成を有する。  また、緑色領域Ｇ、Ｂはそれぞれスペーサ層２０４Ｇ、２０４Ｂを他の誘電体層からなるλ／４多層膜にて挟んだ層構成を有する。  領域毎のスペーサ層の光学膜厚の合計値は緑色領域Ｇにおいて他の領域と異なっている。また、何れの合計値もλ／４多層膜の設計中心波長の４分の１よりも小さい。【選択図】図２
2008153308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分光特性が相異なる複数の濾光手段を備えた固体撮像装置であって、
前記各濾光手段は、屈折率が相異なる誘電体層が交互に積層されたλ／４多層膜と、該誘電体層に挟まれた１以上の絶縁体層と、を備え、
赤色光を選択的に透過する濾光手段は、第１の絶縁体層と、第２の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層と前記第２の絶縁体層の間に挟まれた１層からなる前記λ／４多層膜と、を含む
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記赤色光を選択的に透過する濾光手段は、前記第１の絶縁体層と前記第２の絶縁体層の膜厚が異なる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記赤色光を選択的に透過する濾光手段と緑色光を選択的に透過する濾光手段とは、互いに前記絶縁体層の物理膜厚の和が等しく、且つ青色光を選択的に透過する濾光手段における前記絶縁体層の物理膜厚の和と異なり、
何れの濾光手段も、前記λ／４多層膜の光学膜厚が等しい
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記各濾光手段の間における，該物理膜厚の差がλ／４多層膜の設定中心波長の４分の１よりも小さい
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の固体撮像装置を備える
ことを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置及びカメラに関し、特に、近赤外波長域における感度を向上させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルカメラや携帯電話機等、固体撮像装置の適用分野が爆発的に拡大しつつあり、いずれの分野においてもカラー化が必須となっている。このため、入射光の波長程度の膜厚で色分離化でき、かつ、カラーフィルタの薄膜化に伴う混色の影響を改善できる多層膜干渉フィルタが開発されている。
多層膜干渉フィルタは、ＲＧＢの波長帯に透過帯域を持つカラーフィルタとして携帯電話やデジタルスチルカメラなどに広く使用されている顔料タイプのカラーフィルタと比較しても遜色のない良好な分光特性を実現する（例えば、特許文献１を参照）。
【特許文献１】国際出願番号ＰＣＴ/ＪＰ２００４/０１３７００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
さて、固体撮像装置の一適用分野である車載用イメージセンサは、昼夜に関係なく鮮明な撮像が求められる。十分な日照が得られる昼間は通常のカラー撮像を行えば良いが、夜間においては、可視波長域の光量自体が非常に少ないため、可視光よりも波長７００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度の近赤外光にて撮像する方がより鮮明な画像を得ることができると期待される。
【０００４】
通常、カメラモジュールにはカラー撮像の際の色再現性を向上させるために赤外線カットフィルタが搭載されるので、近赤外撮像においてはこの赤外線カットフィルタを外す必要がある。しかしながら、赤外線カットフィルタを外した構成にて撮像しても、実際には、あまり鮮明な画像を得ることができない。
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであって、高い色再現性でカラー撮像するとともに、近赤外撮像においても鮮明な画像を得ることができる固体撮像装置及びカメラを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明に係る固体撮像装置は、分光特性が相異なる複数の濾光手段を備えた固体撮像装置であって、前記各濾光手段は、屈折率が相異なる誘電体層が交互に積層されたλ／４多層膜と、該誘電体層に挟まれた１以上の絶縁体層と、を備え、赤色光を選択的に透過する濾光手段は、第１の絶縁体層と、第２の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層と前記第２の絶縁体層の間に挟まれた１層からなる前記λ／４多層膜と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
このようにすれば、高い色再現性でカラー撮像するとともに、近赤外撮像においても鮮明な画像を得ることができる。
この場合において、前記赤色光を選択的に透過する濾光手段は、前記第１の絶縁体層と前記第２の絶縁体層の膜厚が異なるとすれば、近赤外波長域における感度を更に向上させることができる。
【０００７】
また、前記赤色光を選択的に透過する濾光手段と緑色光を選択的に透過する濾光手段とは、互いに前記絶縁体層の物理膜厚の和が等しく、且つ青色光を選択的に透過する濾光手段における前記絶縁体層の物理膜厚の和と異なり、何れの濾光手段も、前記λ／４多層膜の光学膜厚が等しいとすれば、濾光手段を透過した入射光が予定された光電変換素子以外の光電変換素子に入射することによって発生する混色を防止することができる。この場合において、前記各濾光手段の間における，該物理膜厚の差がλ／４多層膜の設定中心波長の４分の１よりも小さいとすればなお好適である。
【０００８】
また、本発明に係るカメラは、本発明に係る固体撮像装置を備えることを特徴とする。このようにしても、高い色再現性でカラー撮像するとともに、近赤外撮像においても鮮明な画像を得ることができるのは言うまでも無い。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明に係る固体撮像装置及びカメラの実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
［１］  第１の実施の形態
（１）  固体撮像装置の構成
先ず、本実施の形態に係る固体撮像装置の構成について説明する。
【００１０】
図１は、本実施の形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面図である。図１に示されるように、固体撮像装置１は、Ｎ型半導体層１０１上にＰ型半導体層１０２、層間絶縁膜１０４、多層膜干渉フィルタ１０６及び集光レンズ１０７が順次積層されてなる。なお、Ｐ型半導体層１０２の層間絶縁膜１０４側にはＮ型不純物がイオン注入されてなるフォトダイオード１０３が画素毎に形成されている。隣り合うフォトダイオード１０３の間にはＰ型半導体層が介在しており、これを素子分離領域という。
【００１１】
また、層間絶縁膜１０４中には遮光膜１０５が形成されている。個々のフォトダイオード１０３と集光レンズ１０７とは対応関係にあり、遮光膜１０５は集光レンズ１０７を透過した光が対応関係に無いフォトダイオード１０３に入射するのを防ぐ。
（２）  多層膜干渉フィルタ１０６の構成
次に、多層膜干渉フィルタ１０６の構成について説明する。
【００１２】
図２は、多層膜干渉フィルタ１０６の構成を示す断面図である。図２に示されるように、多層膜干渉フィルタ１０６は、それぞれ赤色光、緑色光及び青色光を透過させる赤色領域（Ｒ）、緑色領域（Ｇ）及び青色領域（Ｂ）からなっている。
ａ）  赤色領域
赤色領域は誘電体層２０１Ｒ〜２０７Ｒからなる７層の多層膜干渉フィルタであって、二酸化チタン（ＴｉＯ２）層２０１Ｒ、２０３Ｒ、２０５Ｒ及び２０７Ｒと二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層２０２Ｒ、２０４Ｒ、及び２０６Ｒとが交互に積層されている。
【００１３】
誘電体層２０１Ｒ〜２０３Ｒは層数３層のλ／４多層膜となっており、誘電体層２０５Ｒ及び誘電体層２０７Ｒはそれぞれ層数１層のλ／４多層膜となっている。ここで、λ／４多層膜とは、光学膜厚を同じくする一方、屈折率を異にする２種類の誘電体層を交互に積層した多層膜をいう。また、光学膜厚とは、物理膜厚に屈折率を乗じて得られる指数を意味する。
【００１４】
λ／４多層膜は設定中心波長λを中心とする波長域の光を反射する。λ／４多層膜を構成する誘電体層は何れも設定中心波長λの１／４に略等しい光学膜厚となっている。本実施の形態においては、設定中心波長λを５３０ｎｍとした。従って、誘電体層２０１Ｒ〜２０３Ｒ、２０５Ｒ及び２０７Ｒとは何れも光学膜厚が１３２．５（＝５３０／４）ｎｍとなっている。
【００１５】
二酸化チタンの屈折率は２．５であり、二酸化シリコンの屈折率は１．４５なので、二酸化チタン層２０１Ｒ、２０３Ｒ、２０５Ｒ及び２０７Ｒの物理膜厚は５３（＝１３２．５／２．５）ｎｍであり、二酸化シリコン層２０２Ｒの物理膜厚は９１（１３２．５／１．４５）ｎｍである。
このように、赤色領域は３つのλ／４多層膜にてスペーサ層２０４Ｒ、２０６Ｒを挟んだ多層膜干渉フィルタとなっている。多層膜干渉フィルタはスペーサ層の膜厚に応じた波長の光を透過させる。赤色領域においては、スペーサ層２０４Ｒ、２０６Ｒの物理膜厚はそれぞれ６０ｎｍ、７０ｎｍとなっている。また、赤色領域における多層膜干渉フィルタ１０６の物理膜厚は４２９ｎｍである。
【００１６】
ｂ）  緑色領域
緑色領域は二酸化チタン層２０１Ｇ、２０３Ｇ及び２０５Ｇと二酸化シリコン層２０２Ｇ、２０４Ｇとを交互に積層した５層の多層膜干渉フィルタである。このうち、誘電体層２０３Ｇの上半分は層数１層のλ／４多層膜となっている。また、誘電体層２０３Ｇの下半分と誘電体層２０１Ｇ、２０２Ｇは層数３層のλ／４多層膜となっており、誘電体層２０５Ｇは層数１層のλ／４多層膜となっている。
【００１７】
これらλ/４多層膜の設定中心波長もまた５３０ｎｍである。したがって、二酸化チタン層２０１Ｇ及び２０５Ｇの物理膜厚は５３ｎｍであり、二酸化チタン層２０３Ｇの物理膜厚は上下合わせて１０６ｎｍである。また、二酸化シリコン層２０２Ｇの物理膜厚は９１ｎｍである。
一方、誘電体層２０４Ｇはスペーサ層となっており、物理膜厚は１３０ｎｍである。また、緑色領域における多層膜干渉フィルタ１０６の物理膜厚は４２９ｎｍである。
【００１８】
ｃ）  青色領域
青色領域は二酸化チタン層２０１Ｂ、２０３Ｂ及び２０５Ｂと二酸化シリコン層２０２Ｂ、２０４Ｂとを交互に積層した５層の多層膜干渉フィルタである。誘電体層２０３Ｂの上半分は層数１層のλ／４多層膜となっている。また、誘電体層２０３Ｂの下半分と誘電体層２０１Ｂ、２０２Ｂとは層数３層のλ／４多層膜となっており、誘電体層２０５Ｂは層数１層のλ／４多層膜となっている。
【００１９】
これらλ/４多層膜の設定中心波長もまた５３０ｎｍであり、二酸化チタン層２０１Ｂ及び２０５Ｂの物理膜厚は５３ｎｍであり、二酸化チタン層２０３Ｂの物理膜厚は上下合わせて１０６ｎｍである。また、二酸化シリコン層２０２Ｇの物理膜厚は９１ｎｍである。
一方、誘電体層２０４Ｂはスペーサ層となっており、物理膜厚は７０ｎｍである。また、青色領域における多層膜干渉フィルタ１０６の物理膜厚は３６９ｎｍである。
【００２０】
（３）  多層膜干渉フィルタ１０６の製造方法
次に、多層膜干渉フィルタ１０６の製造方法について説明する。図３は、多層膜干渉フィルタ１０６を製造する諸工程を示す図である。図３において、多層膜干渉フィルタ１０６の製造工程は（ａ）から（ｋ）へと進む。また、Ｎ型半導体層１０１、Ｐ型半導体層１０２、フォトダイオード１０３及び遮光膜１０５は図示を省略した。
【００２１】
先ず、層間絶縁膜３０１上に、高周波（RF: Radio Frequency）スパッタ装置を用いて、二酸化チタン層３０２、二酸化シリコン層３０３、二酸化チタン層３０４及び二酸化シリコン層３０５を順次積層する（図３（ａ））。
赤色領域において、二酸化チタン層３０２、３０４及び二酸化シリコン層３０３はそれぞれ二酸化チタン層２０１Ｒ、２０３Ｒ及び二酸化シリコン層２０２Ｒに相当し、λ／４多層膜を形成する。
【００２２】
また、緑色領域と青色領域とにおいては、二酸化チタン層３０２と二酸化シリコン層３０３とはそれぞれ二酸化チタン層２０１Ｇ、２０１Ｂと二酸化シリコン層２０２Ｇ、２０２Ｂに相当し、λ／４多層膜を形成する。
次に、二酸化シリコン層３０５上にレジスト３０６を形成し（図３（ｂ））、二酸化シリコン層３０５の赤色領域以外の領域、つまり青色領域と緑色領域をエッチングする（図３（ｃ））。そして、レジスト３０６を除去すると、赤色領域のスペーサ層２０４Ｒが得られる（図３（ｄ））。
【００２３】
なお、レジストを形成するには、例えば、ウエハ一面にレジスト剤を塗布し、露光前ベーク（プリベーク）の後、ステッパなどの露光装置によって露光を行い、レジスト現像、および最終ベーク（ポストベーク）すれば良い。また、二酸化シリコン層をエッチングするには、例えば、４フッ化メタン（ＣＦ4）系のエッチングガスを用いれば良い。
更に、二酸化チタンがスパッタされ、赤色領域においては二酸化チタン層３０８が形成される。これにより、λ／４多層膜をなす二酸化チタン層２０５Ｒが得られる。一方、緑色領域と青色領域とにおいては、二酸化チタン層３０４に二酸化チタンが追加的に積層されてなる二酸化チタン層３０７が形成される。これにより、スペーサ層２０３Ｇ、２０３Ｂが得られる（図３（ｅ））。
【００２４】
次に、二酸化シリコンがスパッタされて、二酸化チタン層３０７上に二酸化シリコン層３０９が形成され、二酸化チタン層３０８上には二酸化シリコン層３１０が形成される（図３（ｆ））。
そして、緑色領域にレジスト３１１が形成され（図３（ｇ））、二酸化シリコン層３１０及び青色領域の二酸化シリコン層３０９がエッチングにより除去され（図３（ｈ））、その後、レジスト３１１が除去される（図３（ｉ））。緑色領域の二酸化シリコン層３０９はスペーサ層２０４Ｇの下部となるべき層である。
【００２５】
次に、二酸化シリコンがスパッタされることによって、赤色領域においては二酸化チタン層３０８上に二酸化シリコン層３１３が形成される。これによって、二酸化シリコン層２０６Ｒが得られる。
また、緑色領域においては二酸化シリコン層３０９上に二酸化シリコンが追加的に積層されてなる二酸化シリコン層３１４が形成される。これによって、スペーサ層２０４Ｇが得られる。
【００２６】
また、青色領域においては二酸化チタン層３０７上に二酸化シリコン層３１２が形成される。これによって二酸化シリコン層２０４Ｂが得られる（図３（ｊ））。
最後に、二酸化チタンがスパッタされて、赤色領域と緑色領域とにおいては二酸化シリコン層３１３上に二酸化チタン層３１６が形成される。これによって、二酸化チタン層２０７Ｒ、２０５Ｇが得られる。
【００２７】
また、青色領域においては二酸化シリコン層３１２上に二酸化チタン層３１５が形成される。これによって、二酸化チタン層２０５Ｂが得られ、多層膜干渉フィルタ１０６が完成する（図３（ｋ））。
（４）  多層膜干渉フィルタ１０６の分光特性
次に、本実施の形態に係る多層膜干渉フィルタ１０６の分光特性について、従来技術に係る多層膜干渉フィルタと比較しながら説明する。
【００２８】
図４は、従来技術に係る多層膜干渉フィルタの構造を示す断面図である。図４に示されるように、従来技術に係る多層膜干渉フィルタ４は二酸化チタン層と二酸化シリコン層とを交互に積層した層構成を備えている。赤色領域（Ｒ）と青色領域（Ｂ）は７層、緑色領域（Ｇ）は５層となっている。
図５は、本実施の形態に係る多層膜干渉フィルタ１０６と従来技術に係る多層膜干渉フィルタ４との分光特性を示すグラフであって、（ａ）は赤色領域、緑色領域及び青色領域の分光特性を表わし、（ｂ）は赤色領域の分光特性のみを表わす。なお、これら分光特性はマトリックス法を用いて算出されたものである。
【００２９】
図５において、縦軸は何れも透過率を表わし、横軸は何れも透過光の波長（４００ｎｍ〜１０００ｎｍ）を表わす。また、実線グラフ５０１〜５０３はそれぞれ多層膜干渉フィルタ１０６の赤色領域、緑色領域及び青色領域の分光特性を表わし、破線グラフ５１１〜５１３は多層膜干渉フィルタ４の赤色領域、緑色領域及び青色領域の分光特性を表わす。
さて、図５（ｂ）に示されるように、従来技術に係る多層膜干渉フィルタ４は波長７００ｎｍ付近の透過率が４０％に満たない。このため、夜間のセンサ感度が十分に得られない。一方、本実施の形態に係る多層膜干渉フィルタ１０６は波長７００ｎｍ付近の透過率が６０％以上ある。すなわち、多層膜干渉フィルタ１０６を用いれば、近赤外波長域における感度を従来比で５０％以上も向上させることができるので、昼夜を問わず鮮明なデジタル画像を得ることができる。
【００３０】
本実施の形態による多層膜干渉フィルタ１０６において７００ｎｍ以上の近赤外波長域での透過率が増加するのは、多層膜干渉フィルタの膜構成に起因している。従来の多層膜干渉フィルタは、１層のスペーサ層をλ/４多層膜が挟み込んだ構成である。一方、本実施の形態の場合、λ/４多層膜中に２層のスペーサ層を設け、この２層のスペーサ層の間に１層のλ/４多層膜を挟み込んだ構成である。１層のスペーサ層の場合、波長６００ｎｍ付近のピーク波長を形成する役割を果たしているが、さらにもう１層スペーサ層を設けることにより、各層で反射される反射光の位相を変化させ、特定の波長帯の反射率を弱めることが可能となる。さらに、本実施の形態では、第２のスペーサ層２０６Ｒの物理膜厚を７０ｎｍとして、第１のスペーサ層２０４Ｒの物理膜厚の６０ｎｍよりも厚くすることにより、６００ｎｍのピーク波長より長波長側の透過特性を増加させ、結果的に波長７００ｎｍ付近の透過率が６０％以上まで増加することができる。なお、２つのスペーサ層の物理膜厚が等しい場合でも、以下に説明するように、従来よりも透過率を向上することは可能である。
【００３１】
また、従来技術に係る多層膜干渉フィルタ４においては赤色領域、緑色領域及び青色領域の間の段差が最大１３３ｎｍであるのに対して、本実施の形態に係る多層膜干渉フィルタ１０６においては、赤色領域、緑色領域及び青色領域の間の段差を最大６０ｎｍまで小さくすることができるので、画素の微細化に伴う斜め光による混色の発生を抑えることができる。
【００３２】
［２］  第２の実施の形態
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る固体撮像装置は、第１の実施の形態に係る固体撮像装置と概ね同様の構成を備える一方、多層膜干渉フィルタの層構成において相違している。以下、専ら相違点に着目して説明する。
（１）  多層膜干渉フィルタの構成
先ず、本実施の形態に係る多層膜干渉フィルタの構成について説明する。
【００３３】
図６は、本実施の形態に係る多層膜干渉フィルタの構成を示す断面図である。図６に示されるように、多層膜干渉フィルタ６は、それぞれ赤色光、緑色光及び青色光を透過させる赤色領域（Ｒ）、緑色領域（Ｇ）及び青色領域（Ｂ）からなっている。
ａ）  赤色領域
赤色領域は誘電体層６０１Ｒ〜６０７Ｒからなる７層の多層膜干渉フィルタであって、二酸化チタン層６０１Ｒ、６０３Ｒ、６０５Ｒ及び６０７Ｒと二酸化シリコン層６０２Ｒ、６０４Ｒ、及び６０６Ｒとが交互に積層されている。二酸化シリコン層６０４Ｒ、６０６Ｒがスペーサ層となっており、何れの物理膜厚も６０ｎｍである。
【００３４】
ｂ）  緑色領域
緑色領域は二酸化チタン層６０１Ｇ、６０３Ｇ、６０５Ｇと二酸化シリコン層６０２Ｇ、６０４Ｇとを交互に積層した５層の多層膜干渉フィルタである。このうち、二酸化シリコン層６０４Ｇがスペーサ層となっており、その物理膜厚は１２０ｎｍである。
ｃ）  青色領域
青色領域は二酸化チタン層６０１Ｂ、６０３Ｂ、６０５Ｂ及び６０７Ｂと二酸化シリコン層６０２Ｂ、６０４Ｂ及び６０６Ｂとを交互に積層した７層の多層膜干渉フィルタである。このうち、二酸化シリコン層６０４Ｂ及び６０６Ｂがスペーサ層となっており、その物理膜厚は何れも１２０ｎｍである。
【００３５】
このように、本実施の形態に係る多層膜干渉フィルタにおいては、赤色領域、緑色領域及び青色領域の間の段差を最大１２０ｎｍとすることができるので、従来技術に係る多層膜干渉フィルタ４との比較において、画素の微細化に伴う斜め光による混色の発生を抑えることができる。
なお、上記実施の形態１に係る多層膜干渉フィルタ１０６は、フォトリソ工程とエッチング工程とを２度行うことによって形成されるが、本実施の形態に係る多層膜干渉フィルタ６はフォトリソ工程とエッチング工程とを３度行なうことによって形成される。
【００３６】
（２）  多層膜干渉フィルタ６の分光特性
次に、多層膜干渉フィルタ６の分光特性について説明する。
図７は、多層膜干渉フィルタ６と従来技術に係る多層膜干渉フィルタ４との何れも赤色領域における分光特性を示すグラフである。図７においては、実線グラフ７０１は多層膜干渉フィルタ６の分光特性を表わし、破線グラフ７０２は従来技術に係る多層膜干渉フィルタ４の分光特性を表わす。
【００３７】
図７に示されるように、多層膜干渉フィルタ６もまた波長７００ｎｍ付近において、従来技術に係る多層膜干渉フィルタ４よりも透過率が向上している。
［３］  変形例
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することができる。
【００３８】
（１）  上記実施の形態においては、高屈折率層の材料として二酸化チタンをい用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて次のようにしても良い。
すなわち、高屈折率層の材料として、二酸化チタンに代えて、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）や三酸化二タンタル（Ｔａ２Ｏ３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等、他の材料を用いても良い。また、低屈折率層の材料についても二酸化シリコン以外の材料を用いても良い。多層膜干渉フィルタに用いる材料の如何に関わらず本発明の効果を得ることができる。
【００３９】
（２）  上記実施の形態においては、スペーサ層の材料として二酸化シリコンを用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて他の材料を用いても良い。また、スペーサ層の材料はλ／４多層膜を構成する高屈折率層と低屈折率層との何れと同じ材料を用いても良いし、何れとも異なる材料を用いても良い。また、上述のように、２つのスペーサ層で異なる材料を用いても良い。
【００４０】
（３）  上記実施の形態においては、多層膜干渉フィルタがスペーサ層を２層だけ備える場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えてスペーサ層を３層以上設けても良い。
（４）  上記実施の形態においては、専ら固体撮像装置について説明したが、本発明に係る固体撮像装置を備えるカメラもまた近赤外波長域の感度が高く、例えば、夜間のように可視光量が少ない場合でも鮮明な撮像を実現することができる。
【００４１】
この場合において、スチルカメラであれビデオカメラであれ、本発明を適用すれば、その効果を得ることができる。また、車載用のカメラに限らず、近赤外光を用いて撮像するすべてのカメラにおいて、本発明の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明に係る固体撮像装置及びカメラは、近赤外波長域において高い感度を有し、夜間においても鮮明な撮像を実現する技術として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る多層膜干渉フィルタ１０６の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る多層膜干渉フィルタ１０６を製造する諸工程を示す図である。
【図４】従来技術に係る多層膜干渉フィルタの構造を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る多層膜干渉フィルタ１０６と従来技術に係る多層膜干渉フィルタ４との分光特性を示すグラフであって、（ａ）は赤色領域、緑色領域及び青色領域の分光特性を表わし、（ｂ）は赤色領域の分光特性のみを表わす。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る多層膜干渉フィルタの構成を示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る多層膜干渉フィルタ６と従来技術に係る多層膜干渉フィルタ４との何れも赤色領域における分光特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４４】
１………………………固体撮像装置
１０１…………………Ｎ型半導体層
１０２…………………Ｐ型半導体層
１０３…………………フォトダイオード
１０４…………………層間絶縁膜
１０５…………………遮光膜
１０６…………………多層膜干渉フィルタ
１０７…………………集光レンズ
２０１Ｒ〜２０７Ｒ…誘電体層
２０１Ｇ〜２０５Ｇ…誘電体層
２０１Ｂ〜２０５Ｂ…誘電体層
３０１…………………層間絶縁膜
３０２〜３０５………誘電体層
３０７〜３１０………誘電体層
３１２〜３１６………誘電体層
３０６、３１１………レジスト
６０１Ｒ〜６０７Ｒ…誘電体層
６０１Ｇ〜６０５Ｇ…誘電体層
６０１Ｂ〜６０７Ｂ…誘電体層
【図１】
2008153308.tif 000003
【図２】
2008153308.tif 000004
【図３】
2008153308.tif 000005
【図４】
2008153308.tif 000006
【図５】
2008153308.tif 000007
【図６】
2008153308.tif 000008
【図７】
2008153308.tif 000009