(57)【要約】      （修正有）【課題】ビス−スチリル染料、及びそれを用いる高密度記憶媒体の構造及び製造方法を提供する。【解決手段】例えば下記反応で得られるビス−スチリル染料が例示される。2008274291.tif 000024式中、ＹはＯ、Ｓ等、Ｒ１−Ｒ４はＨ、アルキル基等を示す。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
染料であって：
次の化学構造：
【化１】
2008274291.tif 000023
〔式中、Ｙは、酸素原子、イオウ原子、置換基を有する炭素原子（Ｃ−Ｒ５）、又は置換基を有する窒素原子（Ｎ−Ｒ６）か又は置換基を有しない窒素原子からなり；
Ｒ１は、炭素数１〜１８を有し、置換基又はエーテル基を有するか又は有しないアルキル基、置換基を有するか又は有しないｐ−アルキルベンジル基からなり；
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７は、水素原子、ハロゲン原子、ボロン酸、ニトロ基、シアノ基、アダマンチル基、スルホ基、スルホニル基、アミド基でそれぞれが酸素、イオウ又は窒素を含み、炭素数１〜８を有するスルアルキル基、炭素数１〜８を有するアルコキシル基、炭素数１〜８を有するカルボキシ基、炭素数１〜８を有するアルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基、フェロセニル基又は複素環式基を含む同じか又は異なる基であることができ；
Ｒ４は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、スルホニル基、置換基を有するか又は有しないベンゼン環であることができ；及び
Ｘは、ハロゲン原子、ＣｌＯ４−，ＢＦ４−，ＰＦ６−，ＳｂＦ６−，ＴＣＮＱ−，ＴＣＮＥ−，ナフタレンスルホン酸又は有機金属複合体からなる。〕
で示される構造を有するビス−スチリル染料誘導体を含有することを特徴とする染料。
【請求項２】
光学記録媒体であって：
透明基板；
化学構造：［化１］で示される構造を有するビス−スチリル染料誘導体を少なくとも含有する記録層；
前記記録層上に配置される反射層；及び
前記反射層上に配置される第２基板
を含むことを特徴とする光学記録媒体。
【請求項３】
記憶媒体の製造方法であって：
化学構造：［化１］で示される構造を有するビス−スチリル染料誘導体を含有する染料を提供すること；
信号面を有する第１透明基板を提供すること；
有機溶媒中に前記染料を溶解させることによって染料溶液を調製すること；
第１透明基板上に記録層を形成すること；
記録層上に反射層を形成すること；及び
第１透明基板上に第２基板を接着させること
を含むことを特徴とする記憶媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の背景  発明の分野
本発明は、概して、高密度光ディスク記録媒体のための染料に関する。さらに特に、本発明は、ビス−スチリル染料及びその製造方法並びに高密度光ディスク記録媒体のためのその使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
関連技術の記載
迅速な情報通信の進展及びコンピュータ機能の発達に伴い、種々の情報を、より一層高い記憶密度、より一層高い記憶容量及び低費用を有するより一層コンパクトな記憶媒体において貯蔵する必要がある。通常の磁気記憶媒体の記憶容量、密度及び費用は、現在の情報技術の発達の要求を満たしていない。これらの記憶媒体、特に光学記憶媒体の発達及び研究の動向は、非常に興味のある話題である。光学記憶媒体のための、記録層製造用染料の発達は、最も興味ある現状打破である。目下、有機化学合成及び光化学によって製造される機能的な顔料を有する染料は、光学的特徴を有し、種々の産業分野における装置において、及び非線形光学素子、ディスク上での情報の記録及び表示、フォトレジスタ、サーマル／フォト／エレクトリックセンジング及びインジケータ、エネルギーの変換及び貯蔵、治療及びバイオテクノロジーのような産業分野における更なる発達のために用いられている。
【０００３】
１９８１年に、３，３′−ジエチル−１２−アセチル−チアテトラシアニン過塩素酸塩が、Ｌａｗ（ロウ）等によって、ディスクの製造に最初に用いられている（例えば、非特許文献１参照）。かかる有機顔料を用いる主な理由は、近赤外（“ＮＩＲ”）領域におけるその最大光吸収特性のためである。記録ディスクを、３，３′−ジエチル−１２−アセチル−チアテトラシアニン過塩素酸塩とＰＶＡｃとを混合することによって製造し、及びディスク上にスピンコートすることができる。光学記憶媒体上への有機顔料の好結果の適用を用い、異なった構造を有する種々の染料が光学記憶媒体の発達に用いられる（例えば、特許文献１〜７等参照）。かかる有機染料を記憶媒体として用いる主な理由は、この有機染料材料が、蒸着法を用いること以外の、通常のスピンコーティング法を用いることによって、基板上に被覆できるからであり、従って、製造過程が簡素化でき、及び費用も減少させることができる。したがって、有機溶媒中での有機染料の安定性及び溶解性が有機染料を選定する際の重要な要因である。
【非特許文献１】Ｋ．Ｙ．Ｌａｗ，Ｐ．Ｓ．Ｖｉｎｃｅｔｔ（ビンス），及びＧ．Ｅ．Ｊｏｈｎｓｏｎ（ジョンソン），Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，３９，７１８（１９８１）
【特許文献１】特開平７−２５４１６７号公報
【特許文献２】特開平９−１９３５４５号公報
【特許文献３】特開平９−１９４５４５号公報
【特許文献４】特開平９−２２６２５０号公報
【特許文献５】特開平９−２７４７３２号公報
【特許文献６】特開平１１−２４０２０４号公報
【特許文献７】特開平１１−３１０７２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、本発明の目的は、ビス−スチリル染料、及びそれを用いる高密度記憶媒体の構造及び製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書において具体化し、及び広範に記載するように、本発明は、次の化学構造（Ｉ）：
【化１】
2008274291.tif 000002
で示される構造を含むビス−スチリル染料誘導体を提供する。
【０００６】
上記化学構造において、Ｙは、酸素原子、イオウ(硫酸)原子、置換基を有する炭素原子（Ｃ−Ｒ５）、又は置換基を有する窒素原子（Ｎ−Ｒ６）か又は置換基を有しない窒素原子を示す。
【０００７】
Ｒ１は、炭素数１〜１８を有し、置換基又はエーテル基を有するか又は有しないアルキル基、置換基を有するか又は有しないｐ−アルキルベンジル基を示す。
【０００８】
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７は、水素原子、ハロゲン原子、ボロン酸、ニトロ基、シアノ基、アダマンチル基、スルホ基、スルホニル基、アミド基でそれぞれが酸素、イオウ又は窒素を含み、炭素数１〜８を有するスルアルキル(sulalkyl)基、炭素数１〜８を有するアルコキシル基、炭素数１〜８を有するカルボキシ基、炭素数１〜８を有するアルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基、フェロセニル基又は複素環式基を含む同じか又は異なる基であることができる。
【０００９】
Ｒ４は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、スルホニル基、置換基を有するか又は有しないベンゼン環であることができる。
【００１０】
Ｘは、ハロゲン原子、ＣｌＯ４−，ＢＦ４−，ＰＦ６−，ＳｂＦ６−，ＴＣＮＱ−，ＴＣＮＥ−，ナフタレンスルホン酸又は有機金属複合体(錯体)であることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の好適例では、ビス−スチリル染料の製造方法を提供する。化学構造（Ｉ）を有するビス−スチリル染料の製造方法には、次の３種の工程が含まれる：
【００１２】
工程（ａ）：化学構造（ＩＶ）を有する化合物を、化学構造（ＩＩ）及び化学構造（ＩＩＩ）を有する化合物から以下に示すように合成する：
【化２】
2008274291.tif 000003
【００１３】
工程（ｂ）：化学構造（ＩＩ）を有する化合物を、化学構造（Ｖ）及び化学構造（ＶＩ）を有する化合物から、以下の反応によって合成する：
【化３】
2008274291.tif 000004
【００１４】
式中、Ｙには、酸素原子、イオウ（硫酸）原子、置換基を有する炭素原子（すなわち、Ｃ−Ｒ５）、又は置換基を有する窒素原子（すなわち、Ｎ−Ｒ６）か又は置換基を有しない窒素原子が含まれ；Ｒ１には、炭素数１〜１８を有し、置換基又はエーテル基を有するか又は有しないアルキル基、置換基を有するか又は有しないｐ−アルキルベンジル基が含まれる。以下、化学構造（ＩＩＩ）、（Ｖ）及び（ＶＩ）を有する化合物を次に記載するが、しかしながら、本発明は、多くの異なる形態で具体化することができ、及び以下に示す具体例に制限されると解釈してはならない。
【００１５】
化学構造（ＩＩＩ）を有する化合物について、以下に示す：
【化４】
2008274291.tif 000005
【００１６】
第１に、Ｒ３が水素原子であるとき、化学構造（ＩＩＩ）を有する化合物は、以下に示す構造（ＩＩＩ−１）を有する化合物の１種であることができる：
【化５−１】
2008274291.tif 000006
【化５−２】
2008274291.tif 000007
【化５−３】
2008274291.tif 000008
【００１７】
第２に、Ｒ３がアルキル基、アルコキシ基又はアルキレート基であるとき、化学構造（ＩＩＩ）を有する化合物は、以下に示す構造（ＩＩＩ−２）を有する化合物の１種であることができる：
【化６】
2008274291.tif 000009
【００１８】
第３に、Ｒ３がハロゲン原子であるとき、化学構造（ＩＩＩ）を有する化合物は、以下に示す構造（ＩＩＩ−３）を有する化合物の１種であることができる：
【化７】
2008274291.tif 000010
【００１９】
化学構造（Ｖ）を有する化合物について、以下に示す：
【化８】
2008274291.tif 000011
【００２０】
第１に、Ｙが置換基を有する炭素原子であるとき、化学構造（Ｖ）を有する化合物は、以下に示す構造（Ｖ−１）を有する化合物の１種であることができる：
【化９】
2008274291.tif 000012
【００２１】
第２に、Ｙが酸素原子又はイオウ（硫酸）原子であるとき、化学構造（Ｖ）を有する化合物は、以下に示す構造（Ｖ−２）を有する化合物の１種であることができる：
【化１０】
2008274291.tif 000013
【００２２】
第３に、Ｙが窒素原子であるとき、化学構造（Ｖ）を有する化合物は、以下に示す構造（Ｖ−３）を有する化合物の１種であることができる：
【化１１】
2008274291.tif 000014
【００２３】
化学構造（ＶＩ）を有する化合物について、以下に示す：
【化１２】
2008274291.tif 000015
【００２４】
第１に、Ｒ１が置換基を有するか又は有しないアルキル基であるとき、化学構造（ＶＩ）を有する化合物は、以下に示す構造（ＶＩ−１）を有する化合物の１種であることができる：
【化１３】
2008274291.tif 000016
【００２５】
第２に、Ｒ１が置換基を有するか又は有しないｐ−アルキルベンジル基であるとき、化学構造（ＶＩ）を有する化合物は、以下に示す構造（ＶＩ−２）を有する化合物の１種であることができる：
【化１４】
2008274291.tif 000017
【００２６】
工程（ｃ）：化学構造（Ｉ）を有する化合物を、以下に示すように、有機溶媒中での、化学構造（ＩＶ）を有する化合物及びＮａＸ，ＫＸ又は有機金属複合体のイオン交換反応から合成する：
【化１５】
2008274291.tif 000018
【００２７】
上記化学構造において、Ｘには、ハロゲン原子、ＣｌＯ４−，ＢＦ４−，ＰＦ６−，ＳｂＦ６−，ＴＣＮＱ−，ＴＣＮＥ−，ナフタレンスルホン酸又は有機金属複合体が含まれる。
【００２８】
以下に示すように、Ｘが有機金属複合体である場合、Ｘは、以下に示す構造（Ｘ−１）を有する化合物の１種であることができる：
【化１６】
2008274291.tif 000019
【００２９】
したがって、本発明のビス−スチリル染料は、光学記憶媒体を作製するための適切な材料であり、その理由は、本発明のビス−スチリル染料が、約３００ｎｍから約８００ｎｍまでの波長範囲において、高い吸収、高い感応性及び高い書き込み速度を有するからである。さらに、本発明のビス−スチリル染料を有機溶媒中に溶解させることができ、従って、ビス−スチリル染料は、制限されないが、インクジェット印刷、ロールプレス被覆、浸漬被覆又はスピン被覆法を含むシンプルな被覆法を用いることによって基板上に被覆することができる。
【００３０】
当然のことながら、上述の一般的な記載及び以下の詳細な記載のいずれもが、模範的なものであり、請求するような発明の更なる説明を提供することを意図する。
【００３１】
図面の簡単な説明
添付図面を含め、本発明の更なる理解を提供し、添付図面は、本明細書中に組み入れ、及び本明細書の一部をなす。これらの図面は、本発明の具体例を例示し、及び本明細書の説明とともに、本発明の原理を説明するのに供する。図面において、
【００３２】
図１は、本発明の好適例の化合物（Ｉ−１）の溶液の吸収スペクトルを示す図であり；
【００３３】
図２は、本発明の好適例の化合物（Ｉ−２）の溶液の吸収スペクトルを示す図であり；及び
【００３４】
図３は、本発明の好適例の化合物（Ｉ−１）によって形成された記録層を有するディスクの反射スペクトルを示す図である。
【００３５】
好適例の記載
次に、本発明を、添付図面を参照し、本発明の好適例を示して、以下に、より一層十分に説明する。しかしながら、本発明は多くの異なった形態で具体化することができ、及び本明細書に記載する具体例に制限されると解釈してはならず；むしろ、これらの具体例を提供し、その結果、本明細書の開示が十分で及び完全になり、及び当業者にとって本発明の範囲が十分に伝えられる。
【００３６】
本発明は、前掲の化学構造（Ｉ）を有するビス−スチリル染料を用いている高密度記憶媒体を提供する。次の例は、前掲の化学構造（ＩＩ）を有する中間化合物の合成を説明する。
【００３７】
例１
Ｃ４Ｈ８であるＲ１を有する構造（Ｖ）を有する化合物の出発材料０．０１モル、及びＨであるＲ４及び−Ｃ（ＣＨ３）２であるＹを有する構造（ＶＩ）を有する化合物０．０２モルを、２０ｍＬの酢酸エチル中に溶解し、及び還流温度に約３〜４時間加熱する。反応の完了後、その溶液をろ過し及びベーキングし、及び約７０％の収率を有するオフホワイトの固体結晶を得る。オフホワイトの固体の化学構造（ＩＩ−１）を以下に示す：
【化１７】
2008274291.tif 000020
【００３８】
以下、第２の例は、上記化学構造（Ｉ）を有するビス−スチリル化合物の合成を説明する。
【００３９】
例２
３，５−ジメチルピペリジンであるＲ２及び水素原子であるＲ３を有する構造（ＩＩＩ）を有する化合物の出発材料０．０２モル、及び構造（ＩＩ−１）を有する化合物０．０１モルを、２０ｍＬのアルコール中に溶解し、及びアルコールの還流温度に約３〜４時間加熱する。反応の完了後、その溶液をろ過し及びベーキングし、及び化学構造（ＩＶ−１）を有するグレイの固体結晶を得る。次いで、構造（ＩＶ−１）を有するこの固体０．０１モル及びＮａＰＦ６０．０１モルを２５ｍＬのアルコール中に溶解し、及び還流温度に加熱し、イオン交換反応で処理する。反応の完了後、その溶液をろ過し及びベーキングし、及び化学構造（Ｉ−１）及び約８０％の収率を有するパープルの固体結晶を得る。このパープルの固体結晶の化学構造（Ｉ−１）を以下に示す：
【化１８】
2008274291.tif 000021
【００４０】
図１に関して、構造（Ｉ−１）を有する化合物の溶液の吸収スペクトルを得、最大吸収が約６５７ｎｍの波長で観察され、及び屈折率は、それについて、約２．２８＋０．４４ｉである。
【００４１】
以下、第３の例は、ブルーレーザ記憶媒体のために設ける、上記化学構造（Ｉ）を有するビス−スチリル化合物を説明する。
【００４２】
例３
この例の化学反応は、第２の例で説明したものと同様であるが、上記のものと異なる出発物質を用いる。最終的に、ビス−スチリル化合物を得、及びその化学構造（Ｉ−２）を以下に示す：
【化１９】
2008274291.tif 000022
【００４３】
図２に関して、アルコール中に溶解した構造（Ｉ−２）を有する化合物の吸収スペクトルを得、最大吸収が約３５９ｎｍの波長で観察される。
【００４４】
上述の構造（ＩＩＩ），（Ｖ）及び（ＶＩ）を有する出発物質において置換基を置き換えること、及び第１及び第２の例に記載した化学反応の工程を繰り返すことにより、異なる最大吸収を有する種々のビス−スチリル化合物を得ることができる。
【００４５】
以下、第４の例は、化学構造（Ｉ）を有するビス−スチリル化合物を用いている、高密度光学ディスク記録媒体の製造方法を説明する。
【００４６】
例４
上記で得られた化学構造（Ｉ−１）を有するビス−スチリル化合物１．５ｇを、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール中に溶解し、１００ｇの染料溶液を得る。
【００４７】
ランド部又はグルーブを有する０．６ｍｍの厚さの透明なポリカーボネート（“ＰＣ”）基板、ピット、及び記録データなしを提供する。上記で得られた染料溶液を、基板上にスピン被覆し、次いで、被覆処理、塗布(spreading)処理及びベーキング処理の工程を行い、及び次に、約７０ｎｍから約２００ｎｍまでの範囲の厚さを有するビス−スチリル染料の層を基板上に形成する。その後、約５０ｎｍから約３００ｎｍの範囲の厚さを有する反射層をビス−スチリル染料層上に配置し、ここで、反射層の材料には、制限されないが、金又は銀が含まれる。最後に、記録データを有しない０．６ｎｍの厚さの、他の透明なＰＣ基板を、上記で得られた基板上に接着する。このようにして、高密度の記録可能なディスク、例えば、記録可能なデジタル多目的ディスク（“ＤＶＤ−Ｒ”）を得る。基板の双方を接着する方法には、制限されないが、スピン被覆、スクリーン印刷又はホットメルト接着剤被覆法が含まれる。図３は、本発明の好適例の化合物（Ｉ−１）によって形成される記録層を有するディスクの反射スペクトルを示す図である。図３に関して、上記で得られるディスクの反射は、６３５ｎｍ又は６５０ｎｍより長い波長において４５％より大きい。
【００４８】
上記で得られるディスクの書き込み及び読み取り操作を試験する。本発明の好適例において、書込み操作を６５８ｎｍで電力１０ｍＷにより行い、及び読み取り操作をまた同じ波長で約０．５ｍＷから約１．５ｍＷまでの範囲での電力により行うとき、キャリアノイズレシオ（“ＣＮＲ”）値は約６０ｄＢである。
【００４９】
したがって、本発明のビス−スチリル染料が、約３００ｎｍから約８００ｎｍまでの波長範囲において、高吸収、高感応性及び高書き込み速度を有するので、ビス−スチリル染料から製造される記録層を有する記憶媒体は、高い記録感応性及び高い信号対ノイズ（“Ｓ／Ｎ”）比を有する。したがって、本発明のビス−スチリル染料は、光学記憶媒体の作製のための優れた材料である。さらに、本発明のビス−スチリル染料を、制限されないが、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、ハロゲン又はイミドのような有機溶媒中に溶解させることができる。したがって、ビス−スチリル染料を、制限されないが、インクジェット印刷、ロールプレス被覆、浸漬被覆又はスピン被覆法のようなシンプルな被覆法を用いることによって基板上に被覆することができる。本発明のビス−スチリル染料は、また、集積回路のフォトレジスタとして、繊維産業における織物繊維の染色用染料、複写及び印刷用色素としても用いることができる。
【００５０】
好適例は、前掲の及び前述のようなビス−スチリル染料を含有する記録層を用いることによって説明するが、しかし、当然のことながら、当業者によって、ビス−スチリル染料に加えて、他の染料材料を含めて本発明を実施することができる。
【００５１】
当業者にとって、本発明の構造について、本発明の範囲及び本発明の精神から逸脱することなく、種々の修正及び変形を行えることは明らかである。上述の点から見て、特許請求の範囲及びそれらの均等物の範囲の中に入る場合、本発明が、本発明の修正及び変形に及ぶことは意図されているものである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の好適例の化合物（Ｉ−１）の溶液の吸収スペクトルを示す図である。
【図２】本発明の好適例の化合物（Ｉ−２）の溶液の吸収スペクトルを示す図である。
【図３】本発明の好適例の化合物（Ｉ−１）によって形成された記録層を有するディスクの反射スペクトルを示す図である。
【図１】
2008274291.tif 000025
【図２】
2008274291.tif 000026
【図３】
2008274291.tif 000027
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月7日(2008.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学記録媒体であって、
透明な第１基板、
記録層であり、次の化学式、即ち
【化１】
2008274291.tif 000028
〔式中、
Ｙは、酸素原子、イオウ原子、置換基を有する炭素原子（Ｃ−Ｒ５）、置換基を有する窒素原子（Ｎ−Ｒ６）及び置換基を有しない窒素原子からなる群より選ばれ、
Ｒ１は、炭素数１〜１８を有し、置換基又はエーテル基を有するか又は有しないアルキル基、及び置換基を有するか又は有しないｐ−アルキルベンジル基からなる群より選ばれ、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は、水素原子、ハロゲン原子、ボロン酸、ニトロ基、シアノ基、アダマンチル基、スルホ基、スルホニル基、アミド基、炭素数１〜８を有するアルキル基、炭素数１〜８を有するアルコキシル基、炭素数１〜８を有するカルボキシ基、炭素数１〜８を有するアルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基、フェロセニル基、及び複素環式基からなる群より選ばれ、それぞれ同じか又は異なる基であってよく、
Ｒ４は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、スルホニル基、及び置換基を有するか又は有しないベンゼン環からなる群より選ばれ、及び
Ｘは、ハロゲン原子、ＣｌＯ４−、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−、ＴＣＮＱ−、ＴＣＮＥ−、ナフタレンスルホン酸及び有機金属複合体からなる群より選ばれる。〕
で表される構造を有するビス−スチリル染料誘導体を少なくとも含有する記録層、
前記記録層上に配置される反射層、及び
前記反射層上に配置される第２基板
を具えることを特徴とする光学記録媒体。
【請求項２】
記憶媒体の製造方法であって、
化学式、即ち請求項１記載の［化１］で表される構造を有するビス−スチリル染料誘導体を備える染料を提供する工程、
信号面を有する第１透明基板を提供する工程、
有機溶媒中に前記染料を溶解させることによって染料溶液を調製する工程、
透明な第１基板上に記録層を形成する工程、
記録層上に反射層を形成する工程、及び
透明な第１基板上に第２基板を接着させる工程
を具えることを特徴とする記憶媒体の製造方法。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
したがって、本発明のビス−スチリル染料は、光学記憶媒体を作製するための適切な材料であり、その理由は、本発明のビス−スチリル染料が、約３００ｎｍから約８００ｎｍまでの波長範囲において、高い吸収、高い感応性及び高い書き込み速度を有するからである。さらに、本発明のビス−スチリル染料を有機溶媒中に溶解させることができ、従って、ビス−スチリル染料は、制限されないが、インクジェット印刷、ロールプレス被覆、浸漬被覆又はスピン被覆法を含むシンプルな被覆法を用いることによって基板上に被覆することができる。このほか、この類の染料は特殊なインタフェイス付着性を有しており、ディスクパケットのインタフェイスの誤差（PI error）の改善に役立つ（優先権書類である中国語明細書の中に記載されている。）。