(57)【要約】【課題】  膜厚方向に弾力性があり、繰り返し検査が可能であると共に、耐熱性に優れ、さらに高温雰囲気下での検査においても優れた接続信頼性を有する異方性導電膜、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】  電気絶縁性の基膜５と、前記基膜の第一表面から第二表面に貫通する状態で設けられた導通部６を有する異方性導電膜であって、前記基膜５は、多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂からなる第一の樹脂層と、ポリテトラフルオロエチレン樹脂よりも熱膨張係数の小さい樹脂からなる第二の樹脂層２の少なくとも二層を有する多層膜であり、前記導通部６は、前記基膜５を構成する樹脂に導電性金属が付着したものであることを特徴とする異方性導電膜。【選択図】      図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁性の基膜と、前記基膜の第一表面から第二表面に貫通する状態で設けられた導通部を有する異方性導電膜であって、
前記基膜は、多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂からなる第一の樹脂層と、ポリテトラフルオロエチレン樹脂よりも熱膨張係数の小さい樹脂からなる第二の樹脂層の少なくとも二層を有する多層膜であり、
前記導通部は、前記基膜を構成する樹脂に導電性金属が付着したものであることを特徴とする異方性導電膜。
【請求項２】
前記導電部が前記基膜の第一表面から第二表面に貫通する貫通孔の壁面に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の異方性導電膜。
【請求項３】
前記第二の樹脂層が多孔質構造であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の異方性導電膜。
【請求項４】
前記第二の樹脂層がアラミド樹脂からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電膜。
【請求項５】
前記基膜が、二層の多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂からなる樹脂層と、前記二層の多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂からなる樹脂層の間に配置された、前記ポリテトラフルオロエチレン樹脂よりも熱膨張係数の小さい樹脂からなる第二の樹脂層の三層からなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の異方性導電膜。
【請求項６】
多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂からなる第一の樹脂層と、ポリテトラフルオロエチレン樹脂よりも熱膨張係数の小さい樹脂からなる第二の樹脂層の少なくとも二層を熱融着して電気絶縁性の基膜を形成する工程、及び
前記基膜の第一表面から第二表面に貫通する状態で前記基膜の樹脂部に導電性金属を付着させて、第一表面から第二表面に貫通する導通部を形成する工程、
を有することを特徴とする異方性導電膜の製造方法。
【請求項７】
前記導通部を形成する工程は、前記基膜の第一表面から第二表面に貫通する貫通孔を形成する工程、及び前記貫通孔の壁面の樹脂に導電性金属を付着させる工程、を有することを特徴とする請求項６に記載の異方性導電膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品の電気的検査や、電子部品と配線基板との接続等に用いることができる異方性導電膜及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップ、ＬＳＩチップなどの電子部品の不良品を取り除くスクリーニング手法の一つとしてバーンイン試験が行われている。バーンイン試験は電子部品の通常の動作条件よりも高温条件で加速ストレスを印加し、故障発生を加速して短時間で不良品を取り除く試験である。試験対象である電子部品をバーンインボードに配置し、高温漕中で外部から加速ストレスとなる電源電圧及び入力信号を一定時間印加した後、電子部品を外部に取り出して良品と不良品との判定試験を行う。
【０００３】
例えば半導体ウェハのバーンイン試験を行う場合、半導体ウェハの表面の電極パッドと検査装置（バーンインボード）のヘッド電極との間に異方性導電膜を挟んで試験を行う。この異方性導電膜は半導体ウェハ電極の高さばらつきや検査装置のヘッド電極の高さばらつきによる接触不良を解消するために用いられるものである。
【０００４】
特許文献１には、電気絶縁性の多孔質樹脂膜を基膜とし、該基膜の複数箇所に、第一表面から第二表面にかけて厚み方向に貫通する複数の貫通孔を設け、次いで、各貫通孔内壁面の樹脂部に導電性金属を付着させて導通部を形成した異方性導電膜が開示されている。
【０００５】
特許文献１に記載の異方性導電膜は、電気絶縁性の多孔質樹脂膜の厚み方向に複数の導通部がそれぞれ独立して形成されており、膜厚方向に導通可能であるが各導通部間は導通することがない。また該導通部は、貫通孔内壁面の多孔質構造を構成する樹脂部に、無電解めっきなどにより導電性金属を付着させたものである。
【０００６】
この異方性導電膜は膜厚方向に弾力性があり、低圧縮加重で膜厚方向の導通が可能である。また繰り返し荷重負荷を加えても、弾性により膜厚が復帰し、検査に繰り返し使用することが可能である。また微細な貫通孔を開けることで導通部を微細化し、ファインピッチの電子部品検査に対応可能である。
【０００７】
異方性導電膜の基膜としては、多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜が多く使用されている。多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜はフィブリルと該フィブリルによって互いに連結されたノードとからなる微細繊維状組織による多孔質構造により優れた弾力性を示し、また耐熱性にも優れるからである。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２６５８４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
半導体ウェハのバーンイン試験においては、検査対象である半導体ウェハの表面の電極パッドと検査装置（バーンインボード）のヘッド電極とを正確に位置合わせして接続した状態で試験を行う必要がある。しかし高温雰囲気下での試験や、高温と低温とを繰り返すヒートサイクル試験を行うと、試験中に異方性導電膜と被検査体、または異方性導電膜と検査装置の電極位置がずれ、被検査体と検査装置との接続が悪くなる場合がある。
【００１０】
この原因として、異方性導電膜の熱膨張係数と被検査体の熱膨張係数との違いが挙げられる。例えば、セラミック基板の半導体ウェハを検査する場合、セラミックの熱膨張係数が３〜６ｐｐｍ／℃程度であるのに対し、異方性導電膜の基膜として用いられるポリテトラフルオロエチレンの熱膨張率は約１００ｐｐｍ／℃と大きく異なっている。このため、検査時の温度変化によって被検査体と異方性導電膜と間に熱応力が発生し、接続部のずれが生じて試験時の信頼性が低下すると考えられる。
【００１１】
本発明は上記の問題に鑑み、膜厚方向の弾力性によって繰り返し検査が可能であると共に、耐熱性に優れ、さらに高温雰囲気下での検査においても優れた接続信頼性を有する異方性導電膜、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、電気絶縁性の基膜と、前記基膜の第一表面から第二表面に貫通する状態で設けられた導通部を有する異方性導電膜であって、前記基膜は、多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂からなる第一の樹脂層と、ポリテトラフルオロエチレン樹脂よりも熱膨張係数の小さい樹脂からなる第二の樹脂層の少なくとも二層を有する多層膜であり、前記導通部は、前記基膜を構成する樹脂に導電性金属が付着したものであることを特徴とする異方性導電膜である（請求項１）。
【００１３】
図１に、本発明の異方性導電膜の一例を示す斜視模式図を、また図１のＡ−Ａ’断面を図７に模式的に示す。導通部６は基膜５の第一表面から第二表面に貫通する状態で設けられ、前記基膜５は、多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂（以下、多孔質ＰＴＦＥ樹脂と略記する）からなる第一の樹脂層１と、ＰＴＦＥ樹脂よりも熱膨張係数の小さい樹脂からなる第二の樹脂層２の少なくとも二層を有する多層膜である。
【００１４】
多孔質ＰＴＦＥ樹脂からなる第一の樹脂層と、ＰＴＦＥ樹脂よりも熱膨張係数の小さい樹脂からなる第二の樹脂層の少なくとも二層を組み合わせた基膜を使用することで異方性導電膜全体の熱膨張係数を低くすることができ、高温雰囲気下での試験においても優れた接続信頼性が得られると共に、多孔質ＰＴＦＥ樹脂の優れた弾力性を損なうことがなく、繰り返し検査に耐える異方性導電膜が得られる。
【００１５】
また導通部は前記基膜を構成する樹脂に導電性金属が付着したものである。基膜５は多孔質ＰＴＦＥ樹脂層１を有するため、基膜５の少なくとも一部は多孔質構造を持つ。図８に、多孔質構造を持つ樹脂７の表面に導電性金属８が付着した状態の断面模式図を示す。導通部の一部又は全部がこのような構造を取ることで、導通部は多孔質構造となる。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、前記導電部が前記基膜の第一表面から第二表面に貫通する貫通孔の壁面に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の異方性導電膜である。前記基膜の第一表面から第二表面に貫通する貫通孔の壁面に導通部を形成することで、導通部を微細化することができ、ファインピッチの電子部品検査に対応が可能な異方性導電膜が得られる。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、前記第二の樹脂層が多孔質構造であることを特徴とする請求項１又は２に記載の異方性導電膜である。前記第二の樹脂層を多孔質構造とすることで、第二の樹脂層の柔軟性や弾力性が向上し、異方性導電膜全体の厚み方向の柔軟性や弾力性をさらに向上することができる。また導電性金属の付着量が多くなり、導電性が向上する。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、前記第二の樹脂層がアラミド樹脂からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電膜である。アラミド樹脂は熱膨張係数が小さく、異方性導電膜全体の熱膨張係数を低くすることができる。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、前記基膜が、二層の多孔質樹脂からなる樹脂層と、前記二層の多孔質ＰＴＦＥ樹脂からなる樹脂層の間に配置された、前記ＰＴＦＥ樹脂よりも熱膨張係数の小さい樹脂からなる第二の樹脂層の三層からなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の異方性導電膜である。基膜をこのような構造とすると、電極と接触する部分は弾力性の高い多孔質ＰＴＦＥ樹脂層となるため、異方性導電膜の両面において電極との接続性が良好となる。また熱膨張係数の小さい樹脂からなる第二の樹脂層が基膜の中心部分にあるため、高温検査時の位置ずれを更に防止することができる。
【００２０】
請求項６に記載の発明は、多孔質ＰＴＦＥ樹脂からなる第一の樹脂層とＰＴＦＥ樹脂よりも熱膨張係数の小さい樹脂からなる第二の樹脂層の少なくとも二層を熱融着して電気絶縁性の基膜を形成する工程、及び前記基膜の第一表面から第二表面に貫通する状態で前記基膜の樹脂部に導電性金属を付着させて、第一表面から第二表面に貫通する導通部を形成する工程、を有することを特徴とする異方性導電膜の製造方法である。第一の樹脂層と第二の樹脂層を熱融着して接着することで、接着剤が不必要となり、接着剤の硬化収縮に起因する基膜の反りが起こらず、反りの少ない異方性導電膜を得ることができる。
【００２１】
請求項７に記載の発明は、前記導通部を形成する工程が、前記基膜の第一表面から第二表面に貫通する貫通孔を形成する工程、及び前記貫通孔の壁面の樹脂に導電性金属を付着させる工程、を有することを特徴とする請求項６に記載の異方性導電膜の製造方法である。基膜に貫通孔を形成し、貫通孔の壁面の樹脂に導電性金属を付着させることで、導通部を微細化することができ、ファインピッチの電子部品検査に対応が可能な異方性導電膜が得られる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、膜厚方向の弾力性によって繰り返し検査が可能であると共に、耐熱性に優れ、さらに高温雰囲気下での検査においても優れた接続信頼性を有する異方性導電膜及びその製造方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の基膜を構成する材料として、多孔質ＰＴＦＥ樹脂を使用する。特に延伸法により得られた延伸多孔質ＰＴＦＥ膜は、弾性、耐熱性、加工性、機械的特性、誘電特性、低アウトガス特性などに優れ、しかも均一な孔径分布を持つため、基膜を構成する材料として好ましい。図９は延伸多孔質ＰＴＦＥ膜の内部構造を示す断面写真の一例である。図９に示すように、延伸多孔質ＰＴＦＥ膜は、非常に細かいフィブリル９と、該フィブリルによって互いに連結されたノード１０からなる微細組織を有しており、この微細網目状構造が多孔質構造を形成している。
【００２４】
延伸多孔質ＰＴＦＥ膜は例えば特公昭４２−１３５６０号公報に記載の方法により製造することができる。まずＰＴＦＥの未焼結粉末に液体潤滑剤を混合し、ラム押し出しによってチューブ状または板状に押し出す。厚みの薄いフィルムまたはシートが所望の場合は圧延ロールによって板状体の圧延を行う。押出圧延工程の後、必要に応じて押出品または圧延品から液体潤滑剤を除去する。こうして得られた押出品または圧延品を一軸方向に延伸すると、未焼結の延伸多孔質ＰＴＦＥ膜が膜状で得られる。未焼結の延伸多孔質ＰＴＦＥ膜を、収縮が起こらないように固定しながらＰＴＦＥの融点である３２７℃以上の温度に加熱して、延伸した構造を焼結・固定すると、強度の高い延伸多孔質ＰＴＦＥ膜が得られる。延伸多孔質ＰＴＦＥ膜がチューブ状である場合には、チューブを切り開くことにより平らな膜にすることができる。得られた延伸多孔質ＰＴＦＥ膜をそのまま、又は複数の膜を積層して第一の樹脂層とする。
【００２５】
多孔質ＰＴＦＥ樹脂の気孔率は２０〜８０％であることが好ましい。また平均孔径は１０μｍ以下であることが好ましく、導通部のファインピッチ化の観点からは、平均孔径が１μｍ以下であることがより好ましい。なお気孔率とは多孔質体の総体積に対する全ての気孔の体積の割合をいい、ＡＳＴＭ Ｄ−７９２に従って基膜の密度を測定することで求めることができる。
【００２６】
第一の樹脂層の樹脂層の厚みは、使用目的や使用箇所等に応じて適宜選択することができるが、好ましくは５〜５００μｍ、より好ましくは１０〜２００μｍ、特に好ましくは１５〜１００μｍである。
【００２７】
本発明の本発明の基膜を構成する第二の樹脂層としては、ＰＴＦＥ樹脂よりも熱膨張係数の小さい樹脂を使用する。ＰＴＦＥ樹脂の熱膨張係数は約１００ｐｐｍ／℃であり、これより熱膨張係数の低い樹脂であれば第二の樹脂層として好適に使用できる。このような樹脂としては、ポリエーテルイミド樹脂（熱膨張係数：約５６ｐｐｍ／℃）、ポリアミドイミド樹脂（熱膨張係数：約４３ｐｐｍ／℃）、アラミド樹脂（熱膨張係数：約３６ｐｐｍ／℃）が挙げられる。この中でも熱膨張係数が小さいアラミド樹脂が特に好ましく使用できる。
【００２８】
第二の樹脂層の厚みは、使用目的や使用箇所等に応じて適宜選択することができるが、好ましくは５〜２５０μｍ、より好ましくは５〜５０μｍ、特に好ましくは１０〜２０μｍ程度である。
【００２９】
第二の樹脂層は多孔質構造をとる必要はない。第二の樹脂層と多孔質ＰＴＦＥ膜とを組み合わせることで異方性導電膜全体の弾力性が確保できるためである。しかし第二の樹脂層を多孔質構造とすると、第二の樹脂層の柔軟性や弾力性が向上し、異方性導電膜全体の厚み方向の柔軟性や弾力性をさらに向上することができるため好ましい。また導電部を形成する際、導電性粒子は樹脂の表面から付着していくため、第二の樹脂層も多孔質構造であると導電性粒子の付着量が多くなり、異方性導電膜の導電性が向上する。このような多孔質樹脂としては、例えばアラミド不織布等を使用することができる。
【００３０】
本発明の基膜は、上記のＰＴＦＥ樹脂膜（第一の樹脂層）と第二の樹脂層の少なくとも二層を接着させたものである。第一の樹脂層と第二の樹脂層の接着方法は特に限定されないが、第一の樹脂層と第二の樹脂層を積層し、樹脂の融点以上の温度で加熱、圧着して熱融着することが好ましい。
【００３１】
本発明では、基膜の第一表面から第二表面に貫通する状態で、基膜を構成する樹脂部に導電性金属を付着させて導通部を設ける。導電性金属を付着させる方法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、無電解めっき法などが挙げられるが、多孔質構造の樹脂部に導電性金属を析出させて付着させるには無電解めっき法が好ましい。
【００３２】
導電性金属の付着量を適度に制御することによって、導通部での多孔質構造を保持することができる。本発明の異方性導電膜では、導電性金属が多孔質構造の樹脂部の表面に沿って付着しているため、導電性金属層が多孔質構造と一体となって多孔質構造となっており、その結果導電部は多孔質構造となる。そのため、例えば基膜中に導電性金属の塊を埋め込んだ導電部に比べて弾力性が高く、電極検査において圧縮荷重を繰り返し加えても弾性回復し、繰り返し使用可能となる。導通部は基膜の任意の位置に設けることができ、規則的な配列で設けても良いし、検査対象となる電気部品の電極位置と対応させた部分に設けることもできる。
【００３３】
導通部を形成するには、まず導電性金属を付着する位置を特定する必要がある。導電性金属を付着させる位置を特定する方法としては、たとえば多孔質の基膜に液体レジストを含浸させてパターン状に露光し、現像してレジスト除去部を導電性金属の付着位置とする方法がある。また多孔質の基膜の特定位置の膜厚方向に貫通孔を形成して、該貫通孔の壁面を導電性金属の付着位置とすることもできる。前者の方法では基膜の表面のみから導通部を形成するため、導通部の径が小さいと、例えば無電解めっきのように液相処理を行う場合には、処理液が膜の内部まで浸漬し難い。これに対し後者の方法では貫通孔の壁面から処理液を浸漬させることができるため、導通部の径が小さくなっても効率よく導電部を形成でき、ファインピッチ対応可能な異方性導電膜を作成できる。
【００３４】
基膜の特定位置の膜厚方向に貫通孔を形成する方法としては、機械的に穿孔する方法の他、化学エッチング法、熱分解法、レーザ光や軟Ｘ線照射によるアブレーション法（光アブレーション法）、超音波法などが挙げられる。多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂を含む基膜を使用する場合には、特に光アブレーション法及び超音波法が好ましい。
【００３５】
光アブレーション法により貫通孔を形成する場合は、所定のパターン状にそれぞれの独立した複数の光透過部（開口部）を有する光遮蔽シートを介して基膜の表面に光を照射することにより、パターン状の貫通孔を形成する方法を採用することが好ましい。光遮蔽シートの複数の開口部より光が透過して、積層体の被照射箇所がエッチングされて貫通孔が形成される。この方法によれば比較的小さな直径を有する貫通孔を形成することができる。光アブレーション法の照射光としては、シンクロトロン放射光又は波長２５０μｍ以下のレーザ光が好ましい。
【００３６】
超音波法では、先端部に少なくとも１本の振動子を有する超音波ヘッドを用いて、積層体に超音波エネルギーを加えることにより、パターン状の貫通孔を形成する。振動氏の先端が接触した近傍のみに超音波エネルギーが加えられ、超音波による振動エネルギーによって局所的に温度が上昇し、容易に樹脂が切断、除去されて貫通孔が形成される。
【００３７】
貫通孔の形成に際し、多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂の多孔質構造内にポリメチルメタクリレートなどの可溶性ポリマーまたはパラフィンを溶液または溶融状態で含浸させ、固化させてから穿孔する方法を採用することもできる。この方法によれば、貫通孔の壁面における多孔質構造を保持しやすいので好ましい。穿孔後、可溶性ポリマーまたはバラフィンは、溶解もしくは溶融させて除去することができる。
【００３８】
貫通孔の形状は円形、星形、多角形など任意である。貫通孔の孔径は検査対象となる電極の形状に合わせて任意に選択することができ、小径の貫通孔の場合には通常５〜１０００μｍ、好ましくは５〜３０μｍとする。また比較的大径の貫通孔の場合には、貫通孔の孔径を５０〜３０００μｍ、好ましくは１００〜１５００μｍとする。
【００３９】
貫通孔の壁面の多孔質構造の樹脂部に導電性金属を析出させて付着させるには無電解めっき法が好ましい。無電解めっき法では、通常、めっきを析出させたい箇所に化学還元反応を促進する触媒を付与する必要がある。触媒としては、塩化スズ−塩化パラジウムコロイド溶液等を用いることができる。また触媒を付与する前に、エタノールや界面活性剤等で基膜を前処理しておくことが好ましい。
【００４０】
触媒を付与した後、無電解めっき法により貫通孔の壁面に導電性金属を析出させ、導電部を形成する。無電解めっき時間を制御することにより適度なめっき量とし、多孔質構造の樹脂の弾力性を保持したまま弾力性を与えることができる。導電性金属としては銅、ニッケル、ニッケル合金、金などが挙げられるが、特に高導電性が必要な場合は金又は銅を使用することが好ましい。
【００４１】
また導通部は、酸化防止及び電気的接触性を高めるため、酸化防止剤を使用するか、貴金属または貴金属の合金で被覆しておくことが好ましい。貴金属としては、電気抵抗の小さい点でパラジウム、ロジウム、金が好ましい。貴金属等の被覆層の厚さは０．００５〜０．５μｍが好ましく、さらに好ましい範囲は０．０１〜０．１μｍである。
【００４２】
次に図面を参照しながら本発明の異方性導電膜の製造方法を具体的に説明する。
【００４３】
図２は本発明の異方性導電膜の製造工程を示すものであり、延伸多孔質ＰＴＦＥ膜１と第二の樹脂層２を積層した状態の断面模式図である。図１に示すように、２枚の延伸多孔質ＰＴＦＥ膜（孔径０．１μｍ、気孔率（ＡＳＴＭ  Ｄ−７９２）６０％、膜厚３０μｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ）１と、第二の樹脂層である多孔質アラミド樹脂２（熱膨張係数３．６×１０−５／℃、膜厚２０μｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ）を重ね合わせ、これを厚さ３ｍｍのステンレス板２枚の間に挟み、ステンレス板の荷重と共に３５０℃で５時間加熱して３層を熱融着させる。図２は、延伸多孔質ＰＴＦＥ膜と第二の樹脂層を熱融着した基膜５の断面の模式図である。
【００４４】
さらに基膜５の両面に、マスク層として延伸多孔質ＰＴＦＥ膜３（孔径０．１μｍ、気孔率（ＡＳＴＭ  Ｄ−７９２）６０％、膜厚３０μｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ）を重ね合わせて基膜の作製と同様に３５０℃で３０分加熱して、基膜５とマスク層３との積層体を作製する。図５は基膜５とマスク層３との積層体の断面模式図である。
【００４５】
次いで、開口率９％、開口径１５μｍφ、ピッチ８０μｍで均等配列に開口したタングステンシートを積層体の片面に重ねてシンクロトロン放射光を照射して、孔径１５μｍφ、ピッチ８０μｍで均等に配列した貫通孔４を形成する。図６は基膜５とマスク層３との積層体に貫通孔４を形成したものの断面模式図である。
【００４６】
貫通孔を形成した積層体をエタノールに１分間浸漬して親水化した後、１００ｍｌ／Ｌに希釈したメルテックス（株）製メルプレートＰＣ−３２１に６０℃で４分間浸漬し脱脂処理を行う。さらに積層体を１０％硫酸に１分間浸漬した後、プレディップとして０．８％塩酸にメルテックス（株）製エンプレートＰＣ−２３６を１８０ｇ／Ｌの割合で溶解した液に２分間浸漬する。
【００４７】
さらに積層体を触媒付与液（メルテックス（株）製エンプレートアクチベータ４４４を３％、エンプレートアクチベータアディティブを１％、塩酸を３％溶解した水溶液にメルテックス（株）製エンプレートＰＣ−２３６を１５０ｇ／Ｌの割合で溶解した液）に５分間浸漬し、触媒粒子を貫通孔の壁面に付着させる。
【００４８】
次に積層体をメルテックス（株）製エンプレートＰＡ−３６０の５％溶液に５分間浸漬し、パラジウム触媒核の活性化を行う。その後マスク層３を剥離して貫通孔の壁面のみに触媒パラジウム粒子が付着した基膜５を得る。
【００４９】
メルテックス（株）製メルプレートＣｕ−３０００Ａ、メルプレートＣｕ−３０００Ｂ、メルプレートＣｕ−３０００Ｃ、メルプレートＣｕ−３０００Ｄをそれぞれ５％、メルプレート３０００−スタビライザーを０．１％で建浴した無電解銅めっき液に、エアー攪拌を行いながら上記基膜を２０分間浸漬して、１５μｍφの貫通孔の壁面のみに銅粒子を析出させる。さらに、５ｍｌ／Ｌで建浴したメルテックス（株）製エンテックＣｕ−５６に３０秒間浸漬して防錆処理して貫通孔の壁面に導通部６を形成することで、異方性導電膜が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の異方性導電膜の一例を示す、斜視模式図である。
【図２】本発明の異方性導電膜の製造工程を示すものであり、多孔質ＰＴＦＥ膜と第二の樹脂層を積層した状態の断面模式図である。
【図３】本発明の異方性導電膜の製造工程を示すものであり、多孔質ＰＴＦＥ膜と第二の樹脂層を熱融着した基膜の断面模式図である。
【図４】本発明の異方性導電膜の製造工程を示すものであり、基膜とマスク層の積層体の断面模式図である。
【図５】本発明の異方性導電膜の製造工程を示すものであり、基膜とマスク層の積層体に貫通孔を形成したものの断面模式図である。
【図６】本発明の異方性導電膜の製造工程を示すものであり、貫通孔を形成した基膜の断面の模式図である。
【図７】図１の異方性導電膜のＡＡ’断面の模式図である。
【図８】多孔質樹脂表面に導電性金属が付着した状態の断面模式図である。
【図９】延伸多孔質PTFE膜の内部構造を示す断面写真である。
【符号の説明】
【００５１】
１    延伸多孔質ＰＴＦＥ層
２    第二の樹脂層
３    マスク層
４    貫通孔
５    基膜
６    導電部
７    多孔質樹脂
８    導電性金属
９    フィブリル
１０  ノード
【図１】
2008041593.tif 000003
【図２】
2008041593.tif 000004
【図３】
2008041593.tif 000005
【図４】
2008041593.tif 000006
【図５】
2008041593.tif 000007
【図６】
2008041593.tif 000008
【図７】
2008041593.tif 000009
【図８】
2008041593.tif 000010
【図９】
2008041593.tif 000011