(57)【要約】【課題】  プリカット加工などにより所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シート及びその製造方法並びに接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】  剥離基材と、該剥離基材上に分散配置された複数の積層体と、複数の前記積層体の間の剥離基材上に形成された支持層とを有する接着シートであって、前記積層体は接着剤層及び該接着剤層側に粘着性を有し、接着剤層を覆い且つ該接着剤層の外周の少なくとも一部で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムからなり、前記支持層は前記接着剤層及び前記粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する接着シート。【選択図】      図１
2008303386.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
剥離基材と、
該剥離基材上に分散配置された複数の積層体と、
複数の前記積層体の間の剥離基材上に形成された支持層とを有する接着シートであって、
前記積層体は接着剤層及び該接着剤層側に粘着性を有し、接着剤層を覆い且つ該接着剤層の外周の少なくとも一部で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムからなり、
前記支持層は前記接着剤層及び前記粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する接着シート。
【請求項２】
前記支持層が、前記接着剤層と同一組成の支持接着剤層及び前記粘着フィルムと同一組成の支持粘着フィルムが積層されたものである請求項１記載の接着シート。
【請求項３】
前記支持粘着フィルムは前記支持接着剤層を覆い、且つ、一部が前記剥離基材と接するように前記支持接着剤層上に積層されている請求項２記載の接着シート。
【請求項４】
前記剥離基材が、長尺のものであり、前記積層体が、少なくとも剥離基材の長さ方向に複数分散配置された請求項１〜３のいずれかに記載の接着シート。
【請求項５】
前記接着剤層及び前記粘着フィルムの少なくとも一方が、円形形状又は前記剥離基材を剥離した後に前記接着剤層若しくは前記粘着フィルムを貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有したものである請求項１〜４のいずれかに記載の接着シート。
【請求項６】
前記接着剤層が、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有したものである請求項１〜５のいずれかに記載の接着シート。
【請求項７】
前記熱可塑性樹脂が、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上の高分子量成分である請求項６記載の接着シート。
【請求項８】
前記高分子量成分が、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体である請求項７記載の接着シート。
【請求項９】
前記熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有する請求項６〜８のいずれかに記載の接着シート。
【請求項１０】
前記接着剤層が、２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜３０ＭＰａである請求項１〜９のいずれかに記載の接着シート。
【請求項１１】
高エネルギー線の照射により、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの間の粘着力が低下する請求項１〜１０のいずれかに記載の接着シート。
【請求項１２】
剥離基材上に基礎接着剤層を積層する第１の積層工程、
前記基礎接着剤層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、不要部分の基礎接着剤層を剥離して複数の接着剤層と、該接着剤層同士の間に配置される支持接着剤層とを形成する第１の切断工程、前記接着剤層、支持接着剤層及び剥離基材を覆うように、粘着面を接着剤層側に向けて基礎粘着フィルムを積層する第２の積層工程及び
前記基礎粘着フィルムの前記剥離基材側と反対側の面から基礎粘着フィルムの次の層に達するまで切り込みを入れ、不要部分の基礎粘着フィルムを剥離して、前記接着剤層を覆い且つ該接着剤層の外周の少なくとも一部で前記剥離基材に接する上記粘着フィルムと前記支持接着剤層上に配置される支持粘着フィルムとを形成する第２の切断工程
を含むことを特徴とする接着シートの製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれかに記載の接着シート又は請求項１２記載の方法で製造された接着シートを用いて半導体装置を製造する方法であって、
前記接着剤層及び前記粘着フィルムからなる積層体を前記剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程、
前記積層体付き半導体ウェハを、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの界面までダイシングし、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程、
前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着フィルムの前記接着剤層に対する粘着力を低下させる照射工程、
前記照射後、粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程及び
前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子である請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３又は１４記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着シート及びその製造方法並びに接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材との接合には銀ペーストが主に使用されている。
【０００３】
しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。
【０００４】
こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、銀ペーストからなる接着剤層の膜厚の制御困難性及び接着剤層のボイド発生などにより上記要求に対処しきれなくなってきている。
【０００５】
そのため、上記要求に対処するべく、近年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。このフィルム状接着剤は、個片貼付け方式又はウェハ裏面貼付け方式において使用されている。
【０００６】
フィルム状接着剤を用いて個片貼付け方式により半導体装置を作製する場合には、まず、ロール状（リール状）に巻き取られたフィルム状接着剤をカッティング又はパンチングによって任意のサイズに切り出し、フィルム状接着剤の個片を得る。
【０００７】
この個片を、半導体素子搭載用の支持部材に貼り付け、フィルム状接着剤付き支持部材を得る。
【０００８】
その後、ダイシング工程によって個片化した半導体素子をフィルム状接着剤付き支持部材に接合（ダイボンド）して半導体素子付き支持部材を作製する。
【０００９】
更に、必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程等を経ることにより半導体装置を作製する。
【００１０】
しかし、個片貼付け方式においてフィルム状接着剤を用いる場合には、フィルム状接着剤を切り出して支持部材に接着するための専用の組立装置が必要であるため、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。
【００１１】
一方、フィルム状接着剤を用いてウェハ裏面貼付け方式により半導体装置を作製する場合には、まず、半導体ウェハの回路面とは反対側の面（裏面）にフィルム状接着剤を貼付け、更にフィルム状接着剤の半導体ウェハ側と反対側の面にダイシングテープを貼り合わせる。
【００１２】
次に、ダイシングによって半導体ウェハ及びフィルム状接着剤を個片化し、フィルム状接着剤付き半導体素子を得る。得られたフィルム状接着剤付き半導体素子をダイシングテープからピックアップし、それを半導体素子搭載用の支持部材に接合（ダイボンド）する。
【００１３】
その後、加熱、硬化、ワイヤボンド等の工程を経ることにより半導体装置を作製する。
【００１４】
このフィルム状接着剤を用いたウェハ裏面貼付け方式は、フィルム状接着剤付き半導体素子を支持部材に接合するため、フィルム状接着剤を個片化するための専用の装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのまま又は熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、フィルム状接着剤を用いた半導体装置の組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。
【００１５】
しかし、フィルム状接着剤を用いた上記のウェハ裏面貼付け方式においては、半導体ウェハのダイシングを行うまでに、フィルム状接着剤を半導体ウェハに貼付する工程とダイシングテープをフィルム状接着剤に貼付する工程との２つの貼付工程が必要である。
【００１６】
そこで、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせ、一枚で両方の機能を併せ持つ接着シート（ダイボンドダイシングシート）が開発されている（例えば、特許文献１参照）。このような接着シートは、例えば、剥離基材／接着剤層／粘着フィルムの三層構造を有している。
【００１７】
また、このような接着シートを、半導体素子を構成するウェハの形状にあらかじめ加工しておく方法（いわゆるプリカット加工）が知られている（例えば、特許文献２及び３参照）。かかるプリカット加工は、使用されるウェハの形状に合わせて樹脂層（接着剤層及び粘着フィルム）を打ち抜き、ウェハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。
【００１８】
プリカット加工が施された接着シートは、例えば、図５に示すような構造を有している。図５の（ａ）は接着シート２００の平面図であり、（ｂ）は、図５の（ａ）の接着シート２００のＸ−Ｘ線断面図であり、剥離基材１上に接着剤層２が積層され、その上にさらに粘着フィルム３が、剥離基材１側が粘着性を有する面となるようにして積層されている。
【００１９】
なお、粘着フィルム３は接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１に接するように積層されており、これにより、半導体ウェハのダイシングを行う際に、半導体ウェハの外周部のウェハリングに粘着フィルム３を貼り付けて接着剤層２および粘着フィルム３を固定することができるようになっている。
【００２０】
かかるプリカット加工を施す場合、上記の接着シートは一般的に、剥離基材１表面に積層したフィルム状接着剤をウェハ形状に合わせてプリカット加工した接着剤層２と、ダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウェハリング形状に合わせたプリカット加工を施して粘着フィルム３として作製される。又はあらかじめウェハリング形状にプリカット加工したダイシングテープを、プリカット加工したフィルム状接着剤と貼り合わせることによって作製される。
【特許文献１】特開平７−４５５５７号公報
【特許文献２】実公平６−１８３８３号公報
【特許文献３】特開２００７−２１７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
上記プリカット加工が施された接着シート２００は、通常、長尺の剥離基材１を用いて円筒状の巻き芯に巻きつけて、ロール状の接着シートロールとして供給される。このとき、上記接着シート２００などの従来のプリカット加工が施された接着シートでは、以下のような不具合が生じることを本発明者らは見出した。
【００２２】
すなわち、上記プリカット加工が施された接着シート２００においては、図５（ｂ）に示すように、部分的に接着剤層２と粘着フィルム３とを積層するため、接着剤層２と粘着フィルム３との積層体部分が他の部分よりも厚くなる。そのため、接着シートロールの直径が大きくなったり、巻き取り時の張力が高くなったりした場合、積層部分に外圧が集中することになる。
【００２３】
その結果、接着剤層２の部分に他の接着剤層２の巻き跡が転写され、フィルムの平滑性が損なわれることがある。
【００２４】
また、接着剤層２の厚みが厚くなった場合、巻き跡が更に転写されやすくなる。
【００２５】
これら巻き跡の転写により接着シート２００に平滑性の欠陥があると、接着シート２００を半導体ウェハへ貼り付けた時に半導体ウェハと接着剤層２との間に空気を巻き込み、半導体ウェハとの密着が十分にとれないため半導体装置組み立て方法上、不具合が生じることがある。
【００２６】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、プリカット加工などにより所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合に、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に低減することが可能な接着シート及びその製造方法並びに接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明は、（１）剥離基材と、
該剥離基材上に分散配置された複数の積層体と、
複数の前記積層体の間の剥離基材上に形成された支持層とを有する接着シートであって、
前記積層体は接着剤層及び該接着剤層側に粘着性を有し、接着剤層を覆い且つ該接着剤層の外周の少なくとも一部で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムからなり、
前記支持層は前記接着剤層及び前記粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する接着シートに関する。
【００２８】
また、本発明は、（２）前記支持層が、前記接着剤層と同一組成の支持接着剤層及び前記粘着フィルムと同一組成の支持粘着フィルムが積層されたものである上記（１）の接着シートに関する。
【００２９】
また、本発明は、（３）前記支持粘着フィルムは前記支持接着剤層を覆い、且つ、一部が前記剥離基材と接するように前記支持接着剤層上に積層されている上記（２）の接着シートに関する。
【００３０】
また、本発明は、（４）前記剥離基材が、長尺のものであり、前記積層体が、少なくとも剥離基材の長さ方向に複数分散配置された上記（１）〜（３）のいずれかの接着シートに関する。
【００３１】
また、本発明は、（５）前記接着剤層及び前記粘着フィルムの少なくとも一方が、円形形状又は前記剥離基材を剥離した後に前記接着剤層若しくは前記粘着フィルムを貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有したものである上記（１）〜（４）のいずれかの接着シートに関する。
【００３２】
また、本発明は、（６）前記接着剤層が、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有したものである上記（１）〜（５）のいずれかの接着シートに関する。
【００３３】
また、本発明は、（７）前記熱可塑性樹脂が、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上の高分子量成分である上記（６）の接着シートに関する。
【００３４】
また、本発明は、（８）前記高分子量成分が、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体である上記（７）の接着シートに関する。
【００３５】
また、本発明は、（９）前記熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有する上記（６）〜（８）のいずれかの接着シートに関する。
【００３６】
また、本発明は、（１０）前記接着剤層が、２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜３０ＭＰａである上記（１）〜（９）のいずれかの接着シートに関する。
【００３７】
また、本発明は、（１１）高エネルギー線の照射により、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの間の粘着力が低下する上記（１）〜（１０）のいずれかの接着シートに関する。
【００３８】
また、本発明は、（１２）剥離基材上に基礎接着剤層を積層する第１の積層工程、
前記基礎接着剤層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、不要部分の基礎接着剤層を剥離して複数の接着剤層と、該接着剤層同士の間に配置される支持接着剤層とを形成する第１の切断工程、前記接着剤層、支持接着剤層及び剥離基材を覆うように、粘着面を接着剤層側に向けて基礎粘着フィルムを積層する第２の積層工程及び
前記基礎粘着フィルムの前記剥離基材側と反対側の面から基礎粘着フィルムの次の層に達するまで切り込みを入れ、不要部分の基礎粘着フィルムを剥離して、前記接着剤層を覆い且つ該接着剤層の外周の少なくとも一部で前記剥離基材に接する上記粘着フィルムと前記支持接着剤層上に配置される支持粘着フィルムとを形成する第２の切断工程
を含むことを特徴とする接着シートの製造方法に関する。
【００３９】
また、本発明は、（１３）上記（１）〜（１１）のいずれかの接着シート又は上記（１２）の方法で製造された接着シートを用いて半導体装置を製造する方法であって、
前記接着剤層及び前記粘着フィルムからなる積層体を前記剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程、
前記積層体付き半導体ウェハを、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの界面までダイシングし、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程、
前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着フィルムの前記接着剤層に対する粘着力を低下させる照射工程、
前記照射後、粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程及び
前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。
【００４０】
また、本発明は、（１４）前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子である上記（１３）の製造方法に関する。
【００４１】
さらに、本発明は、（１５）上記（１３）または（１４）の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置に関する。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合に、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に低減することが可能な接着シート及びその製造方法並びに接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、図面を引用して本発明を詳細に説明する。なお、以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４４】
また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。
【００４５】
更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【００４６】
（接着シート）
図１〜４は、それぞれ本発明になる接着シートの第１〜第４の例を示す模式図である。このうち、図１の（ａ）は、本発明の一実施形態になる接着シートの平面図で、図１の（ｂ）は、図１（ａ）に示す接着シート１００のＡ−Ａ線断面図である。図２の（ａ）は、本発明の他の一実施形態になる接着シート平面図で、図２の（ｂ）は、図２の（ａ）に示す接着シート１１０の、図１と同様の個所の断面図である。
【００４７】
また、図３の（ａ）は、本発明の他の一実施形態になる接着シートの平面図で、図３の（ｂ）は、図３の（ａ）に示す接着シート１２０の、図１と同様の個所の断面図である。図４の（ａ）は、本発明の他の一実施形態になる接着シートの平面図で、図４の（ｂ）は、図４の（ａ）に示す接着シート１３０の、図１と同様の個所の断面図である。
【００４８】
図１〜４に示すように、接着シートは、長尺の剥離基材１上に、接着剤層２及び粘着フィルム３からなる複数の積層体４が形成された構成を有している。
【００４９】
また、接着剤層２は所定の平面形状を有して剥離基材１上の一部に積層されており、粘着フィルム３は、接着剤層２側に粘着性を有し、接着剤層を覆い、且つ、接着剤層２の外周の少なくとも一部で剥離基材１に接するように積層されている。複数の積層体４は剥離基材１上に分散配置され、粘着フィルム３同士も互いに間隔をあけて配置されている。
【００５０】
そして、各積層体４間の剥離基材１上には、支持接着剤層５及び支持粘着フィルム６からなる支持層７が形成されている。この支持層７の最大膜厚である、支持接着剤層５と支持粘着フィルム６とが積層されている部分の膜厚（支持接着剤層５及び支持粘着フィルム６の合計の膜厚）を、以下、「支持層の膜厚」ともいう。前記支持層の膜厚は、積層体４の最大膜厚である、接着剤層２と粘着フィルム３とが積層されている部分の膜厚（接着剤層及び粘着フィルムの合計の膜厚）と同等又はそれ以上を有するように形成されている。
【００５１】
本発明において前記支持層の膜厚が前記接着剤層及び前記粘着フィルムの合計の膜厚と「同等」であるとは、支持層の膜厚が接着剤層及び粘着フィルムの合計の膜厚と実質的に同一であることを意味する。
【００５２】
前記支持層の膜厚は、接着剤層及び粘着フィルムの合計の膜厚の１．０〜１．５倍であることが好ましく、１．０〜１．２倍であることがより好ましい。
【００５３】
図１に示す接着シート１００において、支持層７は、接着シート１００の短手方向中央部分で各積層体４に挟まれる形で、積層体４の周囲を囲むようにかつ各積層体４により分断されて形成されている。
【００５４】
また、接着シート１００における支持層７は、支持粘着フィルム６が支持接着剤層５側に粘着性を有し、支持接着剤層を覆い、且つ、支持粘着フィルム６と支持接着剤層５とが同一形状となるように構成されている。
【００５５】
図２に示す接着シート１１０において、支持層７は、支持粘着フィルム６の外周全ての端部が剥離基材１と接するように構成されている。他は図１と同様である。
【００５６】
図３に示す接着シート１２０において、支持層７は、支持粘着フィルム６が支持接着剤層５と積層されており、且つ、支持粘着フィルム６が支持接着剤層５よりも面積が小さく、支持接着剤層５の外周全てが露出するように構成されている。
【００５７】
図４に示す接着シート１３０において、支持層７は、積層体４の全周囲を囲んで形成されている。他は図１と同様に、支持粘着フィルム６と支持接着剤層５とが同一形状となるように構成されている。
【００５８】
本発明になる接着シートは、所定の平面形状に形成された接着剤層２を有する接着シートであるが、剥離基材１上の、半導体装置を製造する場合などに必要とされる接着剤層２及び粘着フィルム３以外の部分に、これらの積層体４部分と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持層７が形成されていることにより、接着シートをロール状に巻き取った際に、接着剤層２に他の接着剤層の巻き跡が転写されることを十分に抑制することができる。
【００５９】
従来の接着シートでは、接着剤層２と粘着フィルム３との積層体４部分のみが他の部分に比べて厚くなるため、ロール状に巻き取ると、この積層体４部分に巻き取りの圧力が集中していた。そのため、この積層体４部分と粘着フィルム３のみの部分との段差、またはこの積層体４部分と剥離基材１のみの部分との段差が巻き取りの圧力により他の接着剤層に転写されることとなる。
【００６０】
これに対して本発明になる接着シートは、支持層７を積層体４の直近に備えることで、プリカット加工が施された接着シートにかかっていた巻き取りの圧力を分散すると同時に、前記段差の影響を最小限に抑えることが可能となる。その結果、前記段差が他の接着剤層に転写されるのを抑制することが可能となる。
【００６１】
そして、接着剤層への巻き跡の転写が抑制されることにより、半導体ウェハなどの被着体に接着剤層を貼り付ける際に、空気の巻き込みによるボイドなどの発生を十分に抑制することができる。
【００６２】
また、本発明になる接着シートにおいて、前記支持層は、前記接着剤層と同一組成の支持接着剤層及び前記粘着フィルムと同一組成の支持粘着フィルムが積層されたものであることが好ましい。これにより、支持層を設けるために新たに粘着フィルムなどを用意する必要がなく、プリカットの形状の変更のみで、容易に、かつ積層体４と同じ厚みで支持層７を設けることができる。
【００６３】
また、上記支持層の支持粘着フィルムは、図３に示すような、支持接着剤層を覆い、且つ、一部が前記剥離基材と接するように前記支持接着剤層上に積層されていることが好ましい。支持粘着フィルムの一部が剥離基材に接していることにより、支持層が剥離基材に貼り付けられた状態を十分に維持することができる。
【００６４】
そのため、本発明になる接着シートにおける接着剤層及び粘着フィルムを半導体ウェハに貼り付ける際に、半導体ウェハに貼り付けるべき接着剤層及び粘着フィルムを剥離基材１から剥離する前に、不要な部分である支持層が剥離して工程の不具合が発生することを十分に抑制することができる。
【００６５】
また、本発明になる接着シートにおいて、前記剥離基材はその上に複数の積層体を分散配置できれば必ずしも長尺のものに限定されないが、積層体が少なくとも剥離基材の長さ方向に分散配置されているのが好ましい。さらに、支持層はその各積層体の長手方向の間に形成されていることが好ましい。
【００６６】
これにより、接着シートを長手方向でロール状に巻き取った際に、接着剤層に他の接着剤層の巻き跡が転写されることをより十分に抑制することができる。
【００６７】
更に、本発明になる接着シートは、高エネルギー線の照射をすることが好ましい。高エネルギー線の照射をすることにより、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの間の粘着力が低下し、接着剤層と粘着フィルムの剥離が容易に可能となる。
【００６８】
本発明になる接着シートは、前記に示す方法で製造することにより、ロール状に巻き取った際に、接着剤層に他の接着剤層の巻き跡が転写されることを十分に抑制することが可能となり、接着シートを効率的に製造することができる。
【００６９】
また、本発明になる半導体装置は、前記に示す方法で製造することにより、半導体ウェハに接着剤層を貼り付ける際に、空気の巻き込みによるボイドなどの発生を十分に抑制することができ、半導体装置を効率的に製造することができる。なお、半導体装置を製造する際に用いられる被着体は、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子であることが好ましい。
【００７０】
以下、これら本発明になる接着シートの各構成要素について詳細に説明する。
【００７１】
支持接着剤層５は、その形状、大きさ、位置について特に制限されるものではない。支持接着剤層５の形状は、図１〜３のように断続的でも図４のように連続的でもよいが、作製工程の観点から断続的に配置されているほうが好ましい。
【００７２】
支持接着剤層５は、圧力を分散させ巻き跡の転写をより低減する観点から、剥離基材１の短手方向についてもより幅広く形成されていることが好ましい。例えば図１〜４のように積層体４を囲んで形成することが挙げられる。
【００７３】
また、支持接着剤層５の組成は特に制限はないが、例えば、後述する接着剤層２と同様の組成とされるのが好ましい。
【００７４】
支持粘着フィルム６は、その形状、大きさ、位置について特に制限されるものではない。粘着フィルム６の形状は、断続的でも連続的でもよいが、作製工程の観点から断続的に配置されているほうが好ましい。
【００７５】
支持粘着フィルム６は、圧力を分散させ巻き跡の転写をより低減する観点から、剥離基材１の短手方向についてもより幅広く形成されていることが好ましい。
【００７６】
また、支持粘着フィルム６の組成および構造は特に制限はないが、例えば、後述する粘着フィルム３と同様の組成および構造とされるのが好ましい。
【００７７】
本発明になる接着シートにおいては、これら支持接着剤層５及び支持粘着フィルム６が積層されて支持層７が形成されている。支持層７は、積層体４端部の段差の影響を小さくするという観点から積層体４と支持積層体７の間隔は狭くなるように配置されていることが好ましい。同時に積層体４と接する（接触する）ことのないように、存在することがより好ましい。
【００７８】
また、支持層７は、上述したように、接着剤層２及び粘着フィルム３からなる積層体４の膜厚（接着剤層２と粘着フィルム３とが積層されている部分の膜厚）と同等又はそれ以上の膜厚を有し、支持層７の膜厚は、積層体４の膜厚の１．０〜１．２倍であることが好ましい。
【００７９】
支持層７において、支持接着剤層５と支持粘着フィルム６との大きさの関係については特に制限はないが、巻き取り時の圧力を支持層７に分散させ、巻き跡の転写をより十分に低減する観点からは、両方とも面積が大きい方が好ましく、さらに、支持接着剤層５と支持粘着フィルム６とが積層されている部分が大きい方が好ましい。例えば図１〜４に示される接着シートのうち、図１及び図４に示される接着シートがより好ましい。
【００８０】
本発明になる接着シートにおいて、接着剤層２と粘着フィルム３との積層状態は、それぞれが同じ大きさでちょうど重なり合うように積層されている構造も考えられるが、ウェハリングと半導体素子の大きさの関係上、粘着フィルム３はその外周部が、接着剤層の外周の少なくとも一部、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは９０％以上の外側にあり、その部分は剥離基材１と粘着フィルム層３とがこの順に備えた形状であることが望ましい。
【００８１】
更に、本発明の接着シートにおいて、接着剤層２と粘着フィルム３との積層状態は、粘着フィルム３が接着剤層２を全て覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１に接するように形成されていることが好ましい。
【００８２】
すなわち、接着剤層２の平面形状の面積よりも粘着フィルム３の平面形状の面積が大きく、接着剤層２が全て覆われており、接着剤層２の周囲において剥離基材１と粘着フィルム層３とが直接接している状態となっていることが好ましい。なお、接着剤層２は、剥離起点として外周の一部に突出部を有していてもよく、この突出部は粘着フィルム３で覆われていなくてもよい。
【００８３】
また、本発明になる接着シートの積層体は、前記剥離基材から剥離した後に被着体へ貼り付けられる。接着剤層及び粘着フィルムの少なくとも一方は、円形形状又は被着体の平面形状に合致する平面形状を有していることが好ましい。
【００８４】
前記被着体としては、例えば半導体ウェハが挙げられるが、この半導体ウェハの平面形に合致する平面形状を接着剤層が有していることにより、半導体ウェハをダイシングする工程が容易となる傾向がある。
【００８５】
なお、接着剤層の平面形状は、半導体ウェハの平面形状に完全に一致している必要はなく、例えば、半導体ウェハの平面形状よりもやや大きい平面形状であってもよい。また一般的に半導体ウェハは円の外周の一部が直線である平面形状を有しているため、接着シートの平面形状が完全円形形状である場合でも、位置、方向合わせが容易となる理由により、一般的な半導体ウェハへの接着剤層の貼り付け及び半導体ウェハのダイシングを容易に行うことが可能となる傾向がある。
【００８６】
接着剤層２の形状としては、被着体である半導体ウェハの貼り付けが可能な形状であれば特に制限はなく、例えば、平面形状として、円形、ウェハ形状（円の外周の一部が直線である形状）、四角形、五角形、六角形、八角形等が挙げられる。
【００８７】
なお、接着剤層２において、半導体ウェハを貼り付ける部分以外の部分は無駄になるため、作製工程の観点から一般的な半導体ウェハと貼り合わせる場合には、接着剤層２は、円形の平面形状又は半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状（半導体ウェハ形状）であることが好ましい。
【００８８】
また、接着剤層２の外周の一部が粘着フィルム３の外周の一部の近傍にあるようにするために、外周の一部に凸部を有していてもよい。
【００８９】
粘着フィルム３の形状としては、ウェハリングと密着させることが可能な形状であれば特に制限はなく、例えば、平面形状として、円形、四角形、五角形、六角形、八角形、菱形形状、星型等が挙げられる。
【００９０】
なお、現在のウェハリングの形状及び半導体素子の形状を考慮すると、粘着フィルム３の平面形状は、円形又は円形に順ずる形状であることが好ましい。
【００９１】
更に、半導体素子との貼付けを考慮すると、接着剤層２の平面形状と同様に平面形状であることが好ましい。
【００９２】
また、本発明になる接着シートにおいて、前記接着剤層は、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有したものであることが好ましい。これにより、かかる接着剤層を介して、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができる。
【００９３】
接着剤層２は、特に制限はないが、例えば、熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤、熱可塑性接着剤、及び、酸素反応性接着剤等により構成される。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができるが、接着剤として半導体素子の固定に使用されることを考慮すると、接着剤層２は熱硬化性接着剤により構成されていることが好ましい。
【００９４】
熱硬化性接着剤としては、熱により硬化するものであれば特に制限はなく、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソジアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ熱重合性成分を含むものが挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができるが、接着シートとしての耐熱性及び熱硬化による接着力を考慮すると、上記の熱重合性成分と熱可塑性樹脂とを含有してなる熱硬化性接着剤を用いることが好ましい。
【００９５】
ここで、熱可塑性樹脂としては、熱可塑性を有する樹脂又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であれば特に制限はないが、（Ａ）Ｔｇ（ガラス転移温度）が１０〜１００℃であり、且つ、重量平均分子量が５,０００〜２００,０００であるもの又は（Ｂ）Ｔｇが−５０℃〜１０℃であり、且つ、重量平均分子量が１００,０００以上であるものが好ましい。
【００９６】
前者の熱可塑性樹脂（Ａ）としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等が挙げられる。これらの中でもポリイミド樹脂を用いることが好ましい。
【００９７】
後者の熱可塑性樹脂（Ｂ）としては、官能性モノマーを含む重合体を使用することが好ましく、この重合体の官能性モノマーの官能基としてはグリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリシジル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートなどの官能基モノマーを含むグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体などが好ましく、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂と非相溶であることがより好ましい。
【００９８】
ここで、官能性モノマーを含む重合体の重量平均分子量が１０万以上であることが好ましい。これにより、半導体装置作製における作業環境下でフィルム形状を維持し、取り扱い易い接着シートにすることができる。
【００９９】
また、重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を用いることにより、接着剤層の室温での硬さを高めることができ、接着シートを巻き取った際の圧力により接着剤層に巻き跡が転写されることを抑制することができる。
【０１００】
更に、何らかの原因で接着剤層に巻き跡の転写が生じた場合でも、上記の熱可塑性樹脂を用いていることで、接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける際の熱により容易に変形し、ボイドを低減することができる。
【０１０１】
上記官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が挙げられ、それらの中でもエポキシ樹脂と非相溶であるものが好ましい。グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体の具体例としては、例えば、ナガセケムテックス（株）製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３などが挙げられる。
【０１０２】
上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。
【０１０３】
また、上記高分子量成分は、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体であることが好ましい。これにより、かかる接着剤層を介して、半導体装置作製の作業の中で、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子に十分に固定することができ、作製上の不具合を低減することができる。
【０１０４】
上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体における、上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ樹脂含有モノマー単位の量は、モノマー全量を基準として０．５〜６．０質量％が好ましく、０．５〜５．０質量％がより好ましく、０．８〜５．０質量％がさらに好ましい。グリシジル基含有モノマー単位の量がこの範囲にあると、十分な接着力が確保できると共に、ゲル化を防止することができる。
【０１０５】
グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート以外の上記官能性モノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。
【０１０６】
官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して決定し、Ｔｇが−１０℃以上となるようにすることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での接着剤層２のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向がある。
【０１０７】
上記モノマーを重合させて、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。
【０１０８】
官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、１０万以上であることが好ましく、３０万〜３００万であることがより好ましく、５０万〜２００万であることがさらに好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を意味する。
【０１０９】
また、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１０〜４００質量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成型時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。
【０１１０】
前記高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１５〜３５０質量部がより好ましく、２０〜３００質量部が特に好ましい。
【０１１１】
また、熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができるが、接着シートとしての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化し接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。
【０１１２】
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れる接着剤層が得られる点でエポキシ樹脂を使用することが最も好ましい。
【０１１３】
特に、前記熱重合性成分は、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有するものであることが好ましい。これにより、かかる接着剤層を介して、半導体装置作製後、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子に十分に固定することができ、半導体装置が使用される環境下で半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。
【０１１４】
上記エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に制限はなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを使用することができる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【０１１５】
上記エポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製のエピコートシリーズ（商品名：エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９）、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１及び東都化成（株）製、商品名：ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。
【０１１６】
フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名：エピコート１５２、エピコート１５４、日本化薬（株）製、商品名：ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＮ−４３８等が挙げられる。
【０１１７】
更に、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬（株）製、商品名：ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７、東都化成（株）製、商品名：ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。
【０１１８】
多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名：Ｅｐｏｎ  １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイト０１６３、ナガセケムテックス（株）製、商品名：デナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等が挙げられる。
【０１１９】
アミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名：エピコート６０４、東都化成（株）製、商品名：ＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製、商品名：ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学（株）製、商品名：ＥＬＭ−１２０等が挙げられる。
【０１２０】
複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製、商品名：ＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【０１２１】
エポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を併用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙られる。
【０１２２】
これらの中でも、特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。これらのエポキシ樹脂硬化剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【０１２３】
上記フェノール樹脂硬化剤の中で好ましいものとしては、例えば、大日本インキ化学工業（株）製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、明和化成（株）製、商品名：Ｈ−１、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名：エピキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、エピキュアＹＬ６０６５、エピキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５及び三井化学（株）製、商品名：ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲ等が挙げられる。
【０１２４】
また、本発明になる接着シートにおいて、前記接着剤層は、２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜３０ＭＰａであることが好ましい。なお、前記の貯蔵弾性率は、強制振動非共振法による引張り試験により求めることができる。
【０１２５】
本発明になる接着シートにおいて、接着剤層が上記範囲の貯蔵弾性率を有することにより、被着体である半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材との間の応力を緩和し、幅広い温度域で十分な接着力を確保することが可能となる。これにより、半導体装置作製の作業中又は半導体装置が使用される環境下で、半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。
【０１２６】
ここで、接着剤層２の貯蔵弾性率を大きくする方法として、例えば、エポキシ樹脂の使用量を増やす方法、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用するなどしてポリマー全体の架橋密度を上げる方法、フィラーを添加する方法等が挙げられる。
【０１２７】
上記接着剤層２が熱重合性成分を含む場合、接着剤層２には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【０１２８】
この硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量１００質量部に対して５質量部以下が好ましく、３質量部以下がより好ましい。この添加量が５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。
【０１２９】
接着剤層２には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されず、例えばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分などが挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することもできる。
【０１３０】
熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、接着剤層が熱重合性成分を含む場合、熱重合性成分の総量１００質量部に対して、４０質量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、接着剤層のＴｇを確保することができる。
【０１３１】
また、接着剤層２には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。
【０１３２】
また、フィラーの形状は特に制限はない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。これらの中でも、熱伝導性向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。
【０１３３】
また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の観点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。
【０１３４】
無機フィラーの添加量は、接着剤層２の総量を基準として１〜５０質量％が好ましい。添加量が１質量％未満であると添加効果が十分に得られない傾向があり、５０質量％を超えると、接着剤層２の粘接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。
【０１３５】
また、接着剤層２には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。
【０１３６】
上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、接着剤層２全量を基準として０．０１〜１０質量％とするのが好ましい。
【０１３７】
更に、接着剤層２には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を向上させるために、イオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、接着剤層２全量を基準として０．１〜１０質量％が好ましい。
【０１３８】
接着剤層２の厚さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、１〜５０μｍであることがより好ましく、５〜４０μｍであることが特に好ましい。厚さが０．１μｍ未満であると、接着剤として十分な接着力が確保できなくなる傾向があり、１００μｍを超えると、半導体装置が肉厚になり、半導体装置の使用用途が制限される傾向がある。
【０１３９】
粘着フィルム３は、基材フィルムの一方の面に粘着剤層を設けたものが好ましい。この場合、粘着フィルム３における接着剤層２及び剥離基材１と接する側の層が上記粘着剤層となっている。
【０１４０】
粘着フィルムに使用する基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポイエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。
【０１４１】
また、上記基材フィルムは異なる２種類以上のフィルムを積層したものであっても良いこの場合、粘着剤層が形成される側のフィルムは、半導体素子のピックアップ作業性が向する点で、２５℃での引張弾性率が２０００ＭＰａ以上であることが好ましく、２２００Ｐａ以上であることがより好ましく、２４００ＭＰａ以上であることがさら好ましい。
【０１４２】
また、粘着剤層が形成される側と反対側のフィルムは、フィルムの伸びが大きく、エキスパンド工程での作業性がよい点で、２５℃での引張弾性率が１０００ＭＰａ以下であることが好ましく、８００ＭＰａ以下であることがより好ましく、６００ＭＰａ以下であることが特に好ましい。この引張弾性率は、ＪＩＳ  Ｋ７１１３号に準じて測定されるものである。
【０１４３】
基材フィルムが２種以上のフィルムを積層したものである場合、その積層方法としては方のフィルムを押出しラミネートする方法、２種類以上のフィルムを押出し塗工しながら貼り合せる方法、一方のフィルムの原料となるポリマーを溶剤に溶解又は分散してワニスとし、他方のフィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去する方法及び接着剤を用いて２種以上のフィルムを貼り合わせる方法等、公知の方法を使用することができる。
【０１４４】
粘着フィルム３の上記粘着剤層としては、高エネルギー線又は熱によって硬化する（すなわち、粘着力を制御できる）ものが好ましく、紫外線、ガンマ線、電子線等の高エネルギー線によって粘着力が低下するものがより好ましく、紫外線によって粘着力が低下するものがさらに好ましい。
【０１４５】
かかる粘着剤層を構成する粘着剤としては、従来から種々のタイプが知られている。それらの中から、高エネルギー線の照射によって、接着剤層に対する粘着力が低下するものを適宜選んで用いることが好ましい。
【０１４６】
上記粘着剤としては、特に制限はないが、例えば、ジオール基を有する化合物、イソシアネート化合物、ウレタン（メタ）アクリレート化合物、ジアミン化合物、尿素メタクリレート化合物、側鎖にエチレン性不飽和基を有する高エネルギー線重合性共重合体等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０１４７】
このような粘着フィルムを有する構成の接着シートに放射線等の高エネルギー線を照射すると、照射後には接着剤層２と粘着フィルム３との界面の粘着力が低下し、半導体素子に接着剤層２を保持したまま粘着フィルム３から容易にピックアップすることが可能となる。
【０１４８】
本発明になる接着シートにおいて、接着剤層２と粘着フィルム３との界面の粘着力を低下させる方法としては、放射線等の高エネルギー線の照射のみで粘着力を低下させる方法以外に、高エネルギー線の照射と同時に又は照射後に硬化反応を促進する目的で加熱を併用する方法が挙げられる。加熱を併用することにより、より低温短時間での粘着力の低下が可能となる。加熱温度は、接着剤層の分解点以下であれば特に制限はないが、５０〜１７０℃の温度が好ましい。
【０１４９】
また、粘着剤層が熱により硬化する熱重合性成分を含む場合、粘着剤層には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【０１５０】
硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量１００質量部に対して５質量部以下が好ましく、３質量部以下がより好ましい。この添加量が５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。
【０１５１】
また、粘着剤層が高エネルギー線の照射により硬化する高エネルギー線重合性成分を含む場合、粘着剤層には、活性光線の照射によって遊離ラジカルを生成する光重合開始剤を添加することもできる。このような光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ´−テトラメチル−４，４´−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ´−テトラエチル−４，４´−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４´−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９´−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体などが挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【０１５２】
上記光重合開始剤の使用量としては、特に制限はないが、高エネルギー線重合性成分の総量１００質量部に対して通常０．０１〜３０質量部である。
【０１５３】
粘着フィルム３において、粘着剤層の厚さは、０．１〜２０μｍであることが好ましい。この厚さが０．１μｍ未満であると、十分な粘着力を確保することが困難となる傾向があり、ダイシング時に半導体チップが飛散する可能性があり、２０μｍを超えると、経済的でなくなる上に、特性上特に有利な点はない。
【０１５４】
剥離基材１は、接着シートの使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものであり、かかる剥離基材１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルムなどのポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等を使用することができる。また紙、不織布、金属箔等も使用することができる。
【０１５５】
また、剥離基材１の接着剤層２と接する側の面は、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていてもよい。
【０１５６】
剥離基材１の厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、１０〜５００μｍであることが好ましく、２５〜１００μｍであることがより好ましく、３０〜５０μｍであることがさらに好ましい。
【０１５７】
（接着シートの製造方法）
次に、本発明の接着シートを製造する方法について説明する。
【０１５８】
本発明になる接着シートは、例えば、接着剤層２を剥離基材１に塗布する際にあらかじめ部分的に接着剤層２を形成するためのワニスなどの原材料を分布させておく方法や、剥離基材１にマスクをし、このマスク部以外の部分に上記のワニス等の原材料を塗布する方法等を用いて形成することができるが、作業の簡便さを考慮すると、あらかじめ剥離基材１の全面に接着剤層２を塗布法により形成し、打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。また粘着フィルム３を部分的に形成する方法としても、上記と同様に打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。
【０１５９】
ここで、図６の（ａ）〜（ｃ）に、本発明になる接着シートの打ち抜き加工による製造過程の一例を縦断面工程図で示す。本発明になる接着シートの製造方法においては、まず、図６の５（ａ）に示すように、基材１上全面にフィルム状の基礎接着剤層２ａを積層する（第１の積層工程）。
【０１６０】
次に、前記基礎接着剤層２ａの前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、不要部分の基礎接着剤層を剥離して、複数の接着剤層と該接着剤層同士の間に配置される支持接着剤層とを形成する（第１の切断工程）。
【０１６１】
例えば、円環状等の所定の形状の切断刃８で基礎接着剤層２ａから接着剤層２を完全に打ち抜く。次いで、図３の（ｂ）に示すように切断刃８でくりぬかれた接着剤層２部分を残して、残りを剥離・除去する。
【０１６２】
なお、接着剤層２および支持接着剤層４を同一の基礎接着剤層２ａから形成する場合は、打ち抜きにより接着剤層２と支持接着剤層５とそれらの間隙とに分断する。次いで、前記間隙部分を剥離・除去する。
【０１６３】
さらに図３の（ｃ）に示すように前記接着剤層、支持接着剤層及び剥離基材を覆うように、粘着面を接着剤層側に向けて基礎粘着フィルム３ａを積層する（第２の積層工程）。
【０１６４】
次に、基礎粘着フィルムの剥離基材側と反対側の面から基礎粘着フィルムの次の層、すなわち剥離基材または接着剤層に達するまで切り込みを入れ、不要部分の基礎粘着フィルムを剥離して、接着剤層を覆い且つ該接着剤層の外周の少なくとも一部で剥離基材に接する粘着フィルムと、支持接着剤層上に配置される支持粘着フィルムとを形成する（第２の切断工程）。
【０１６５】
例えば接着剤層用の切断刃８よりも大きい径をもつ円環状の切断刃９を使用して基礎粘着フィルム３ａから粘着フィルム３を完全に打ち抜き、さらに接着剤層と同様に円外部を除去して所定の粘着フィルム３構造を形成することが出来る。
【０１６６】
基礎接着剤層２ａは、接着剤組成物を溶剤に溶解又は分散してワニスとし、剥離基材１上に塗布し、加熱により溶剤を除去してＢステージ状態にする。
【０１６７】
ここで、上記のワニス化するための溶剤としては特に制限はないが、フィルム作製時の揮発性などを考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒を使用することが好ましい。
【０１６８】
また、塗膜性を向上させるなどの目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【０１６９】
接着剤組成物に無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、３本ロール、ボールミル、ビーズミル等を使用することが好ましく、またこれらを組み合わせて使用することもできる。
【０１７０】
また、無機フィラーと低分子量の原料をあらかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することによって、混合する時間を短縮することもできる。
【０１７１】
更に、ワニスとした後、真空脱気などによってワニス中の気泡を除去することもできる。
【０１７２】
また、第３の積層工程における粘着フィルム３は、例えば、粘着剤層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して粘着剤層形成用ワニスとし、これを基材フィルム上に塗布した後、加熱により溶剤を除去して、基材フィルム及び粘着剤層からなる粘着フィルム３を形成する。そして、得られた粘着フィルム３を、接着剤層２、支持接着剤層５及び露出している剥離基材１の全体を覆うように積層することによって行うことができる。
【０１７３】
ここで、剥離基材１及び基材フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等を用いることができる。
【０１７４】
また、粘着フィルム３の積層は、従来公知の方法によって行うことができ、例えば、ラミネーター等を用いて行うことができる。
【０１７５】
（半導体装置の製造方法）
次に、本発明の接着シートを用いて半導体装置を製造する方法について、説明する。
【０１７６】
本発明の半導体装置の製造方法は、上記本発明の接着シートまたは本発明の製造方法で製造された接着シートを用いて半導体装置を製造する方法であって、
前記接着剤層及び前記粘着フィルムからなる積層体を前記剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程、
前記積層体付き半導体ウェハを、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの界面までダイシングし、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程、
前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着フィルムの前記接着剤層に対する粘着力を低下させる照射工程、
前記照射後、粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程及び
前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程
を含む。
【０１７７】
図７の（ａ）〜（ｃ）を用いて、接着シートとして図１に示した接着シート１００における積層体を半導体ウェハ１０に貼り付ける作業を行う一連の工程を説明する。また、接着シート１００において、粘着フィルム３は、図示しないが粘着剤層と基材フィルムとが積層された構成を有していることとする。
【０１７８】
図７の（ａ）に示すように加熱可能であるステージ１１上にウェハリング１２及び半導体ウェハ１０を設置する。
【０１７９】
次に、図７の（ｂ）に示すように、接着シート１００から剥離した積層体４を貼付する。すなわち、接着剤層２を半導体ウェハ１０へ、粘着フィルム３の外周部をウェハリング１２への貼付を行う。
【０１８０】
本貼付は、加熱ステージを使用することなく可能であるが、ウェハとの密着性を上げるという観点から、３０〜１５０度にステージを加熱した上で貼り付けを行うことが好ましい。
【０１８１】
以上半導体ウェハ１０への積層体４の貼り付けを、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハ１０への積層体４の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック（株）製、商品名：ＲＡＤ−２５００などが挙げられる。
【０１８２】
このような工程により積層体４を半導体ウェハ１０に貼り付ける場合、接着シート１００はロール状に巻き取られた状態で用いられるが、このとき、接着シート１００が支持層７を有していることにより、接着剤層２に巻き跡が転写されることを十分に抑制することができる。
【０１８３】
これにより、半導体ウェハ１０に積層体４を貼り付ける際に空気の巻き込み等を低減することができ、半導体ウェハ１０と接着剤層２との界面におけるボイドの発生を十分に抑制することができる。
【０１８４】
次に、上記の工程により得られた積層体付き半導体ウェハをダイシングし（図示せず）、必要な大きさの積層体付き半導体素子を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、接着剤層２及び粘着フィルム３により半導体ウェハ１０は積層体４に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハが脱落することが抑制される。
【０１８５】
次に、放射線などの高エネルギー線を積層体４の粘着フィルム３に照射し、粘着フィルム３における粘着剤層の一部又は大部分を重合硬化せしめる。これにより粘着フィルムの接着剤層に対する粘着力を低下させる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。
【０１８６】
粘着フィルム３への高エネルギー線の照射は、基材フィルムの粘着剤層が設けられていない側の面から行う。したがって、高エネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材フィルムは光透過性であることが必要である。なお、高エネルギー線として電子線を用いる場合には、基材フィルムは必ずしも光透過性である必要はない。
【０１８７】
高エネルギー線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、図７の（ｃ）に示すように、例えば吸引コレット２０によりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を基材フィルムの下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。
【０１８８】
粘着剤層を硬化させることにより、半導体素子と接着剤層２との間の粘着力は、接着剤層２と粘着剤層との間の粘着力よりも大きくなるため、半導体素子のピックアップを行うと、接着剤層２と粘着剤層との界面で剥離が生じ、接着剤層２が半導体素子の下面に付着した状態の接着剤層付き半導体素子がピックアップされることとなる。
【０１８９】
この接着剤層付き半導体素子を、接着剤層２を介して半導体素子搭載用の支持部材に載置し、加熱を行う。加熱により接着剤層２は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。
【０１９０】
その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。
【０１９１】
（半導体装置）
図８は、上述した半導体装置の製造方法により製造される本発明になる半導体装置の模式断面図である。
【０１９２】
図８に示すように、半導体装置３００は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板１３上に、接着剤層２及び半導体素子１４からなる接着剤層付き半導体素子が２つ積層されている。
【０１９３】
また、有機基板１３には、回路パターン１６及び端子１７、１８が形成されており、この回路パターン１６と２つの半導体素子１４とが、ワイヤボンド１５によってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材１９により封止され、半導体装置３００が形成されている。この半導体装置３００は、上述した本発明の半導体装置の製造方法により、本発明の接着シート１００を用いて製造されるものである。
【実施例】
【０１９４】
以下、実施例及び比較例をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に制限するものではない。
【０１９５】
（接着剤層形成用ワニスの作製）
まず、エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成（株）製、商品名：ＹＤＣＮ−７０３、エポキシ当量：２２０）６０質量部及び硬化剤として低吸水性フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名：ＸＬＣ−ＬＬ、フェノールキシレングリコールジメチルエーテル縮合物）４０質量部に、シクロヘキサノン１５００質量部を加えて撹拌混合し、第１のワニスを調製した。
【０１９６】
次に、この第１のワニスに、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー（株）製、商品名：ＮＵＣ  Ａ−１８９）１．５質量部及びγ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（日本ユニカー（株）製、商品名：ＮＣＵ  Ａ−１１６０）３質量部を加え、更に無機物フィラーとしてシリカフィラー（日本アエロジル（株）製、商品名：Ｒ９７２Ｖ）３２質量部を加えて撹拌混合した後、ビーズミルにより分散処理を行うことで第２のワニスを調製した。
【０１９７】
次いで、この第２のワニスに、グリシジル基含有アクリル系共重合体（帝国化学産業（株）製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３）２００質量部及び硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（四国化成（株）製、商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．５質量部を加えて撹拌混合し、接着剤層形成用ワニスを調整した。
【０１９８】
（実施例１）
上記接着剤層形成用ワニスを、剥離基材である膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、商品名：テイジンピューレックスＡ３１、短手方向４００ｍｍ）の片面に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥を行い、膜厚１０μｍのＢステージ状態の基礎接着剤層を形成した。
【０１９９】
得られた基礎接着剤層に対して、剥離基材と接していない面から、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して直径２１０ｍｍ（φ）の円形プリカット加工を行うと共に、剥離基材の短手方向の両端部に基礎接着剤層（支持接着剤層）が残る形状になるようにかつ接着剤層２と同心円状に、直径２７７ｍｍ（φ）で同様に円形プリカット加工を行った。また、不要部分である同心円の間の環状の基礎接着剤層を剥離して接着剤層２と支持接着剤層５とを形成した（第１の切断工程）。なお、複数の接着剤層同士の間隔は長手方向に２５ｍｍ空けた。
【０２００】
別に、基礎粘着フィルムとして、DC tape(古河電工製)を用意した。
【０２０１】
基礎粘着フィルムをその粘着剤層が上記接着剤層および支持接着剤層と接するように、室温、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で貼付けた。そして、基礎粘着フィルムに対して、剥離基材と接していない面から、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して接着剤層と同心円状に直径２９０ｍｍ（φ）の円形プリカット加工を行うと共に、支持接着剤層上に基礎粘着フィルム（支持粘着フィルム）が同形状に積層されるよう加工を行った。ついで、不要部分である同心円の間の環状の基礎粘着フィルムを剥離して粘着フィルム３と支持粘着フィルム６とを形成した（第２の切断工程）。これにより、図１に示す構造を有する接着シートを得た。なお、複数の粘着フィルム同士の間隔は長手方向に３ｍｍ空けた。
【０２０２】
（実施例２）
接着剤層の膜厚を２５μｍとした以外は実施例１と同様にして接着シートを得た。
【０２０３】
（実施例３）
接着剤層の膜厚を４０μｍとした以外は実施例１と同様にして接着シートを得た。
【０２０４】
（実施例４）
上記接着剤層形成用ワニスを、膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、商品名：テイジンピューレックスＡ３１）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥を行い、膜厚１０μｍのＢステージ状態の基礎接着剤層を形成した。
【０２０５】
得られた基礎接着剤層に対して実施例１と同様にして、図４に示す構造を有する接着シートを得た。
【０２０６】
（実施例５）
基礎接着剤層の膜厚を２５μｍとした以外は実施例４と同様にして接着シートを得た。
【０２０７】
（実施例６）
基礎接着剤層の膜厚を４０μｍとした以外は実施例５と同様にして接着シートを得た。
【０２０８】
（比較例１）
上記接着剤層形成用ワニスを、膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、商品名：テイジンピューレックスＡ３１）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥を行い、膜厚１０μｍのＢステージ状態の基礎接着剤層を形成した。
【０２０９】
得られた基礎接着剤層に対して、剥離基材と接していない面から、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して直径２１０ｍｍ（φ）の円形プリカット加工を行った。
【０２１０】
その後、円形以外の基礎接着剤層の不要部分を除去し、基礎粘着フィルムを実施例１と同じ条件で貼付けた。そして、粘着フィルムに対して、剥離基材と接していない面から、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して接着剤層と同心円状に直径２９０ｍｍ（φ）の円形プリカット加工を行った。円形以外の基礎粘着フィルムの不要部分を除去し、これにより、図５に示す構造を有する接着シートを得た。
【０２１１】
（比較例２）
接着剤層の膜厚を２５μｍとした以外は比較例１と同様にして接着シートを得た。
【０２１２】
（比較例３）
接着剤層の膜厚を４０μｍとした以外は比較例１と同様にして接着シートを得た。
【０２１３】
［巻き跡の転写抑制性評価試験］
上記の実施例１〜６及び比較例１〜３で得た接着シートを、円形形状の粘着フィルムの数が３００枚になるように、巻き取り張力を１ｋｇ及び３ｋｇとしてロール状に巻き取り、接着シートロールを作製した。得られた接着シートロールを２週間冷蔵庫内（５℃）で放置した。
【０２１４】
その後、接着シートロールを室温に戻してからロールを解き、１５０枚目の粘着フィルムについて目視で巻き跡の転写の有無を観察し、以下の評価基準に従って、○、△及び×の３段階で接着シートの巻き跡の転写抑制性を評価した。その結果を表１に示す。
【表１】
2008303386.tif 000003
【０２１５】
○：あらゆる角度から観察しても凹み（巻き跡の転写）を確認できない。
【０２１６】
△：粘着フィルム上面からは凹み（巻き跡の転写）が確認できないが、粘着フィルムの角度を変え観察することで凹みが確認できる。
【０２１７】
×：粘着フィルム上面から観察し、粘着フィルム上に凹み（巻き跡の転写）が確認できる。
【０２１８】
また、巻き跡の転写抑制性を評価した後の接着シートにおいて、接着剤層及び粘着フィルムを剥離基材から剥離し、これを接着剤層側から半導体ウェハに貼り付けたときのボイドの発生の有無を目視にて評価した。
【０２１９】
その結果、上記巻き跡の転写抑制性の評価結果が○であったものは、ボイドの発生も十分に抑制されており、△であったものは、ボイドがやや発生しており、×であったものは、ボイドが多く発生していることが確認された。
【０２２０】
表１に示されるように、本発明になる接着シート（実施例１〜６）は、接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける際にボイドの発生を十分に抑制することができることが確認された。すなわち、本発明になる接着シート（実施例１〜６）によれば、比較例の接着シート（比較例１〜３）と比較して、ロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制することができることが明らかである。
【図面の簡単な説明】
【０２２１】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施例になる接着シートの平面図で、（ｂ）は、（ａ）に示す接着シートのＡ−Ａ線断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の他の一実施例になる接着シートの平面図で、（ｂ）は、（ａ）に示す接着シートの、図１と同様の個所の断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の他の一実施例になる接着シートの平面図で、（ｂ）は、（ａ）に示す接着シートの、図１と同様の個所の断面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の他の一実施例になる接着シートの平面図で（ｂ）は、（ａ）に示す接着シートの、図１と同様の個所の断面図である。
【図５】（ａ）は、従来の接着シートの平面図で、（ｂ）は、（ａ）に示す接着シートのＸ−Ｘ線断面図である。
【図６】本発明になる接着シートの製造過程を示す工程図であり、このうち（ａ）は接着シートの第一の切断工程を示し、（ｂ）は第一の切断工程後のフィルムを示し、（ｃ）は接着シートの第二の切断工程を示す。
【図７】積層体を半導体ウェハに貼り付ける過程を示す工程図であり、このうち（ａ）は接着シートを貼り付ける半導体ウェハ及びウェハリングを示し、（ｂ）は接着シートを貼り付けた状態を示し、（ｃ）は貼り付け後にさらにダイシングした後の状態を示す。
【図８】本発明になる半導体装置の模式断面図である。
【符号の説明】
【０２２２】
１  剥離基材
２  接着剤層
３  粘着フィルム
４  積層体
５  支持接着剤層
６  支持粘着フィルム
７  支持層
８  切断刃
９  切断刃
１０  半導体ウェハ
１１  ステージ
１２  ウェハリング
１３  有機基板
１４  半導体素子
１５  ワイヤボンド
１６  回路パターン
１７  端子
１８  端子
１９  封止材
２０  吸引コレット
１００  接着シート
１１０  接着シート
１２０  接着シート
１３０  接着シート
２００  接着シート
３００  半導体装置
【図１】
2008303386.tif 000004
【図２】
2008303386.tif 000005
【図３】
2008303386.tif 000006
【図４】
2008303386.tif 000007
【図５】
2008303386.tif 000008
【図６】
2008303386.tif 000009
【図７】
2008303386.tif 000010
【図８】
2008303386.tif 000011