(57)【要約】【課題】フロントモニターに入射される光ビームの光量を高精度に制御することができる偏光ビームスプリッタを提供する。【解決手段】偏光ビームスプリッタ１０は、光源としての半導体レーザー２１０から射出されるレーザー光の入射面１２の長さＬ及び幅Ｗが、入射されるレーザー光の最大有効光束径ｄよりも大きく、入射されるレーザー光の光軸方向の厚さｔが前記入射されるレーザー光の最大有効光束径ｄよりも小さい扁平形状を有し、入射面１２に対して傾斜角θを有して設けられる誘電体多層膜２０が形成された分離面１１を備えている。このような扁平形状の偏光ビームスプリッタ１０は、ハーフミラー２２０と光検出器２７０との間の最小間隙Ｈの間に配設することができる。【選択図】図１
2008103042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一対の三角柱形状の光学材料を該三角柱形状の光学材料の斜面が対向するように貼り合せてなる直方体の偏光ビームスプリッタであって、
光線の入射する入射面の外形寸法Ｌ，Ｗが前記入射する光線の最大有効光束径ｄよりも大きく、前記入射する光線の光軸方向の厚さｔが前記最大有効光束径ｄよりも小さいことを特徴とする偏光ビームスプリッタ。
【請求項２】
請求項１に記載の偏光ビームスプリッタにおいて、
前記一対の三角柱形状の光学材料を該三角柱形状の光学材料の斜面が対向するように貼り合せてなる直方体を並列に複数個貼り合せてなり、
隣接する前記直方体の夫々の斜面が該斜面の端部で接していることを特徴とする偏光ビームスプリッタ。
【請求項３】
一方の主面に誘電体多層膜、他方の主面にマッチングコートが形成された複数の基板を形成する工程と、
前記複数の基板を隣合う基板の端部を結んで構成される平面が、前記一方の主面に対して傾斜角θを有し、且つ、前記複数の基板を前記誘電体多層膜と前記マッチングコートが対向するように階段状に積層接合して積層体Ａを形成する工程と、
前記積層体Ａの前記平面に交差する側面方向を前記平面に対してθの傾斜角度で所定の間隔をおいて切断して分割して複数の積層体Ｂを形成する工程と、
前記複数の積層体Ｂを前記誘電体多層膜が形成された面の端部が接するように積層接合して積層体Ｃを形成する工程と、
前記積層体Ｃの接合面に対して垂直に所定の間隔をおいて切断して分割して複数の積層体Ｄを形成する工程と、
前記積層体Ｄを所定の格子状に分割して複数の偏光ビームスプリッタを形成する工程と、
を含むことを特徴とする偏光ビームスプリッタの製造方法。
【請求項４】
光源と、
前記光源から射出される光線の光軸上に配設されるハーフミラーと、
前記ハーフミラーによって反射された光線の光軸上に配設される光検出器と、
前記ハーフミラーと前記光検出器との間に、請求項１または２に記載の偏光ビームスプリッタと、
を備えていることを特徴とする光ピックアップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光ビームスプリッタ、この偏光ビームスプリッタの製造方法、偏光ビームスプリッタを備える光ピックアップに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光ピックアップ装置に用いられている半導体レーザーにおいては、温度変動、経年変化等によって出射されるレーザーパワーが変動する。このため、ＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路によりレーザーパワーを制御することによって、光ディスク等の情報記録媒体に対して照射される光ビームのパワーレベルの安定化が図られている。このようなＡＰＣ回路の代表的なものとして、リアモニター方式（内部モニタ方式）のＡＰＣ回路とフロントモニター方式（外部モニター方式）のＡＰＣ回路とが挙げられる。
【０００３】
リアモニター方式は、半導体レーザーの光出射側端面とは反対側の端面に設けられたモニターによって、その反対側の端面から出射された光ビームをモニターする方式であるため、レーザーパワーの検出精度が低くなる等の問題がある。このため、より一般的には、フロントモニター方式が採用されている。フロントモニター方式は、半導体レーザーの光出射側端面から出射される光ビームをビームスプリッタ等を用いて分岐し、分岐された光ビームの一部をフロントモニターによってモニターして、モニター結果を半導体レーザーの駆動回路にフィードバックすることによって、光ビームのパワーを一定に保つように制御する方式である。
【０００４】
例えば、図５（特許文献１の図１）に開示された光ピックアップにおいては、半導体レーザー１１、１２から出射したレーザー光が、Ｐ偏光を透過しＳ偏光を反射する光学特性を有する偏光ビームスプリッタ１６へ入射し、偏光ビームスプリッタ１６で反射したＳ偏光成分のレーザー光をモニター光量検出用受光素子（フロントモニター）１５で受光することが開示されている。
【０００５】
また、図６（特許文献２の図１）に開示された光ピックアップには、半導体レーザー１から出射したレーザー光が偏光ビームスプリッタ３へ入射し、偏光ビームスプリッタ３で透過したレーザー光をフロントモニター６で受光することが開示されている。
【０００６】
一般的に、半導体レーザーは、製造時にストレスを加えると、使用時に温度や出力パワーが変化したとき、偏光状態が変化する場合がある。たとえば、偏光面方位角が傾いたり、直線偏光が楕円偏光に変わったり、楕円偏光の消光比が変化したりする。他方、偏光ビームスプリッタは入射光の偏光状態で透過率や反射率が変わり、たとえばＰ波（Ｐ偏光）を透過しＳ（Ｓ偏光）波を反射させる。したがって、偏光状態が変化すると、偏光ビームスプリッタに対しての各波成分の光量が変化するため、結果的にフロントモニターへ分岐される光量が変化する。そのため、フロントモニター出力が変化し、半導体レーザーの出力制御が正確に行なわれなくなる。
【０００７】
たとえば、偏光面方位角がθだけ傾くと、Ｐ成分は（ｃｏｓθ）2に低下し、逆にＳ成分は（ｓｉｎθ）2だけ増加する。偏光ビームスプリッタの分光特性によれば、Ｐ成分は、（ｃｏｓθ）2の９０％が対物レンズ方向へ透過し、（ｃｏｓθ）2の１０％がフロントモニター方向へ反射する。他方、（ｓｉｎθ）2のＳ成分は全てフロントモニターへ反射される。したがって、この場合、フロントモニターへの光パワーは「（ｃｏｓθ）2×０．１＋（ｓｉｎθ）2」である。
【０００８】
方位角がずれていない状態と比較すると、フロントモニターへのパワー増加率は、「｛（ｃｏｓθ）2×０．１＋（ｓｉｎθ）2｝／０．１」となる。この状態でＡＰＣをかけると、フロントモニター光量が１０％になるように半導体レーザーの出力が制御される。その結果、対物レンズ方向への光量は、「｛（ｃｏｓθ）2×０．９｝／［｛（ｃｏｓθ）2×０．１＋（ｓｉｎθ）2｝／０．１］となる。たとえば、偏光面方位角のずれθが５°の場合、対物レンズへの光量は８４パーセントに低下し、１０°なら６９％にも低下してしまう。
このような偏光状態の変化による不正確なレーザー出力制御を防止するためには、偏光状態の変化時に増加するフロントモニターへのＳ波の影響を排除する必要があった。
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−１１０８９７号公報（第５，６頁、図１）
【特許文献２】特開２００４−２５９３７６号公報（第６〜第８頁、図１、図５〜図９）
【特許文献３】特開平５−１００７９号公報（第３頁、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このような要求に応えるために、特許文献３では、図７（ａ）に示す如く偏光フィルムの両主面を保護基板で挟んだ偏光板を、図７（ｂ）に示すように光ピックアップ装置に搭載している。ここで、前記偏光板はＰ波を透過し、Ｓ波を遮断する光学特性を有している。これよるとハーフミラーで反射したレーザー光の内、Ｐ波は前記偏光板を透過すると共にフロントモニター２７０で受光され、Ｓ波は前記偏光板で遮断され透過することができない。
【００１１】
ところが、前記偏光板においては使用環境の因子として温度以上に重要な因子が湿度であり、この湿度の影響によって偏光フィルムの厚みが変化してしまうので、光学特性が劣化し信頼性が低下してしまうという課題があった。この問題を解決するために、図８に示すように、偏光板の外周端部５を接着剤６等を用いて封止することによって、偏光フィルムを外部環境から遮断し耐湿性を向上させる試みがなされている。
しかしながら、偏光板の外周端部を封止するという手間や煩雑性を伴うため、その結果コスト高となってしまうという問題があった。
【００１２】
本発明の目的は、上述した課題を解決するるためになされたものであって、フロントモ
ニターに入射される光ビームの光量を高精度に制御することができる偏光ビームスプリッタ及びこの製造方法、偏光ビームスプリッタを備えた光ピックアップ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の偏光ビームスプリッタは、少なくとも一対の三角柱形状の光学材料を略三角柱形状の光学材料の斜面が対向するように貼り合せてなる直方体の偏光ビームスプリッタであって、光線の入射する入射面の外形寸法Ｌ，Ｗが前記入射する光線の最大有効光束径ｄよりも大きく、前記入射する光線の光軸方向の厚さｔが前記最大有効光束径ｄよりも小さいことを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、偏光ビームスプリッタが、入射面よりも光軸方向の厚さｔが小さい扁平形状をしていることから、入射光の最大有効光束径ｄが大きく、偏光ビームスプリッタの前後に配設される他の光学系素子間の間隙が入射光の最大有効光束径ｄよりも小さい光学系に配設することができる。
【００１５】
また、このようにすれば、従来の分離面の傾斜角θが４５度と異なる傾斜角θを有する偏光ビームスプリッタを提供することができ、光学系の設計に柔軟性を持たせることができるという効果を有する。
【００１６】
また、前記一対の三角柱形状の光学材料を該三角柱形状の光学材料の斜面が対向するように貼り合せてなる直方体を並列に複数個貼り合せてなり、隣接する前記直方体の夫々の斜面が該斜面の端部で接していることが好ましい。
【００１７】
前述した従来技術による分離面の傾斜角θが４５度の場合、光軸方向の厚さは入射光の入射面の一辺と同じとなり、光軸方向の厚さが入射光の最大有効光束径よりも大きくなることから偏光ビームスプリッタの前後の他の光学系素子間の間隙を縮減することはできない。しかしながら本発明によれば、傾斜角θ＝４５度の偏光ビームスプリッタの小片を並列に接合する構造であるため、傾斜角θを従来の４５度にしながら、入射面が広い扁平形状の偏光ビームスプリッタを実現することができる。
【００１８】
また、各偏光ビームスプリッタの小片それぞれの分離面を稜線部において交差（つまり、直角に交差する）させることから、従来の光学系と同様な設計を可能にする。
【００１９】
また、本発明の偏光ビームスプリッタの製造方法は、一方の主面に誘電体多層膜、他方の主面にマッチングコートが形成された複数の基板を形成する工程と、前記複数の基板を隣合う基板の端部を結んで構成される平面が、前記一方の主面に対して傾斜角θを有し、且つ、前記複数の基板を前記誘電体多層膜と前記マッチングコートが対向するように階段状に積層接合して積層体Ａを形成する工程と、前記積層体Ａの前記平面に交差する側面方向を前記平面に対してθの傾斜角度で所定の間隔をおいて切断して分割して複数の積層体Ｂを形成する工程と、前記複数の積層体Ｂを前記誘電体多層膜が形成された面の端部が接するように積層接合して積層体Ｃを形成する工程と、前記積層体Ｃの接合面に対して垂直に所定の間隔をおいて切断して分割して複数の積層体Ｄを形成する工程と、前記積層体Ｄを所定の格子状に分割して複数の偏光ビームスプリッタを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２０】
この発明の製造方法によれば、誘電体多層膜を形成した大判の基板を傾斜角θだけずらして積層して、この積層体Ａを傾斜角θで分割して積層体Ｂを形成し、積層体Ｂを誘電体多層膜が稜線部で交差するように積層接合して積層体Ｃを形成し、さらに積層体Ｃを分割して積層体Ｄを形成した後、個片化して単体の偏光ビームスプリッタを形成するため、小型で扁平形状の偏光ビームスプリッタを高精度に効率よく製造することができる。
【００２１】
また、このような製造方法によれば、様々な光学系の設計において、傾斜角θが４５度に限らず、任意の角度で扁平形状の偏光ビームスプリッタの形成を可能にするという効果を有する。
【００２２】
また、本発明の光ピックアップは、光源と、前記光源から射出される光線の光軸上に配設されるハーフミラーと、前記ハーフミラーによって反射された光線の光軸上に配設される光検出器と、前記ハーフミラーと前記光検出器との間に、請求項１または２に記載の偏光ビームスプリッタと、を備えていることを特徴とする。
【００２３】
この発明によれば、扁平形状の偏光ビームスプリッタを用いていることから、ハーフミラーと光検出器との間の距離を小さくすることができ、小型の光ピックアップを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、以下の説明で参照する図は、図示の便宜上、部材ないし部分の縦横の縮尺は実際のものとは異なる模式図である。
（実施形態１）
【００２５】
図１は、本発明の実施形態１に係る光ピックアップ装置の概略構成を示す構成図である。図１において、光ピックアップ装置２００は、基本構成として、光源としての半導体レーザー２１０と、半導体レーザー２１０から射出されたレーザー光を透過または９０度光路変更（つまり、反射）させるハーフミラー２２０と、拡散光であるレーザー光を平行光に変換するコリメートレンズ２４０と、レーザー光を変調する１／４波長板２５０と、記憶媒体としての光ディスク３００の表面にレーザー光を集光する対物レンズ２６０と、を備えている。
【００２６】
さらに、光ピックアップ装置２００は、半導体レーザー２１０から射出されたレーザー光をハーフミラー２２０にて光軸２１１に対して垂直方向（９０度方向）に反射し、反射したレーザー光が透過する偏光ビームスプリッタ１０と、光の強度を検出するフロントモニターとしての光検出器２７０と、光ディスク３００から反射したレーザー光を受光する光検出器２３０と、を備えている。
【００２７】
偏光ビームスプリッタ１０は、図示するようにハーフミラー２２０から９０度光路変更されたレーザー光が入射する偏光ビームスプリッタ１０の入射面に対して垂直方向、つまりレーザー光の光軸方向の厚さが薄い扁平形状をしている。ここで、レーザー光の偏光ビームスプリッタ１０における前記入射面における最大有効光束径ｄは、入射面の大きさ＞ｄの関係にあり、偏光ビームスプリッタ１０の厚さｔは、ｔ＜ｄで表される関係にある。
【００２８】
次に、最大有効光束径ｄと厚さｔと、ハーフミラー２２０と光検出器２７０との最小隙間Ｈと、の関係について具体的に説明をする。本実施形態では、最大有効光束径ｄは２〜３ｍｍである。従って、偏光ビームスプリッタ１０の前記入射面の長さ及び幅寸法は、３ｍｍ以上に設定される。また、光ピックアップ装置２００におけるハーフミラー２２０と光検出器２７０との最小隙間Ｈは１〜２ｍｍで設定されるので、偏光ビームスプリッタ１０の厚さｔは１ｍｍ以下に設定しなければならない。従って、本実施形態の偏光ビームスプリッタ１０の前記入射面の長さ、幅寸法は３ｍｍ以上、厚さｔは１ｍｍ以下の適切なサイズに設定される。
【００２９】
光検出器２７０による光の強度検出については詳しい説明を省略するが、半導体レーザー２１０から射出された直線偏光のレーザー光は、ハーフミラー２２０に入射すると、約９０％のＰ偏光はハーフミラー２２０を透過し、約１０％のＰ偏光はハーフミラー２２０で反射される。ハーフミラー２２０で反射したＰ偏光のレーザー光は光検出器２７０で受光される。ここで、偏光ビームスプリッタ１０の分離面１１は、低屈折率材料であるＳｉＯ2と高屈折率材料であるＴｉＯ2とを交互に積層し、総数が２０から４０層程度の誘電体多層膜で構成されており、分離面１１はＰ偏光を透過し、Ｓ偏光を反射する光学特性を有している。
【００３０】
ここで、半導体レーザーが射出するレーザー光が前述したような何らかの要因により完全な直線偏光ではなく楕円偏光のレーザー光、或いは偏光面方位角が傾いた直線偏光のレーザー光だった場合、該レーザー光がハーフミラー２２０で反射すると、その反射したレーザー光は、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分とを含んだレーザー光となってしまう。しかし、該レーザー光は、光検出器２７０で受光される前に、偏光ビームスプリッタ１０を通過するので分離面１１でＳ偏光をカットされるため、Ｐ偏光のみが確実に光検出器２７０で受光されるこことなり、半導体レーザー２１０が射出するレーザー光の光量を一定に保つことができるのである。
【００３１】
従って、光検出器２７０にて検出された光の強度は、図示しないフィードバック回路にて入力され、フィードバック回路にて半導体レーザー２１０の出力を調整し、適切なレーザー光の強度に制御することができる。
【００３２】
続いて、本実施形態に係る偏光ビームスプリッタ１０について図面を参照して説明する。
図２は、本実施形態に係る偏光ビームスプリッタを示し、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は正面図である。図２（ａ）、（ｂ）において、光学ガラスからなる偏光ビームスプリッタ１０のレーザー光の入射面１２または射出面１３は、長さ（縦寸法）をＬ、幅（横寸法）をＷ、厚さをｔとしたときに、Ｌ＝Ｗ＞ｔの関係にある直方体である。また、図中ドット表示される有効光束領域３０を最大有効光束径ｄで表したときＬ＝Ｗ＞ｄの関係に設定される。従って、偏光ビームスプリッタ１０は扁平形状の直方体である。
【００３３】
そして、偏光ビームスプリッタ１０の入射面１２側の稜線部１２ａと、稜線部１２ａとは対角方向の射出面１３側の稜線部１３ａを結んだ平面には分離面１１が設けられており、分離面１１には誘電体多層膜２０が形成されている。従って、分離面１１は、入射面１２及び射出面１３に対して傾斜角θを有する斜面である。
【００３４】
次に、図２（ｂ）を参照して偏光ビームスプリッタ１０の作用について説明する。図２（ｂ）において、ハーフミラー２２０にて９０度光路変更されたレーザー光Ａ（以降、入射光Ａと表す）は、偏光ビームスプリッタ１０の入射面１２に入射される。入射光Ａは分離面１１において、分離面１１を透過するＰ偏光Ｂと反射されるＳ偏光Ｃとに分離する。そして、Ｐ偏光Ｂのみが光検出器２７０に入射され、光検出器２７０にて光の強度を検出する。
【００３５】
従って、前述した実施形態１によれば、偏光ビームスプリッタ１０が、入射面１２の長さＬ、幅Ｗよりも光軸方向の厚さｔが小さい扁平形状をしていることから、入射されるレーザー光の最大有効光束径ｄが大きく、偏光ビームスプリッタ１０を挟んで配設されるハーフミラー２２０と光検出器２７０との最小隙間Ｈがレーザー光の最大有効光束径ｄよりも小さい光学系に偏光ビームスプリッタ１０を配設することができる。
【００３６】
また、このように構成すれば、従来の正立方体の偏光ビームスプリッタの分離面１１の傾斜角θ＝４５度よりも小さい傾斜角θを有する偏光ビームスプリッタを提供することができ、光学系の設計に柔軟性を持たせることができるという効果を有する。
【００３７】
また、扁平形状の偏光ビームスプリッタ１０を用いていることから、ハーフミラー２２０と光検出器２７０との間の最小隙間Ｈを小さくすることができ、小型の光ピックアップを実現することができる。
（実施形態２）
【００３８】
続いて、本発明の実施形態２に係る偏光ビームスプリッタについて図面を参照して説明する。実施形態２は、複数の偏光ビームスプリッタの小片を並列に接合して扁平形状の偏光ビームスプリッタを形成しているところに特徴を有している。
図３は、実施形態２に係る偏光ビームスプリッタを示し、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は正面図である。図３（ａ）、（ｂ）において、偏光ビームスプリッタ４０は、断面形状が正方形の偏光ビームスプリッタの小片１０ａ，１０ｂ，１０ｃを並列に接合して形成されている。
【００３９】
偏光ビームスプリッタの小片１０ａ，１０ｂ，１０ｃは、同じ形状をした小片であって、断面形状の一辺の寸法が偏光ビームスプリッタ４０の厚さｔに相当する正方形である。また、偏光ビームスプリッタの小片１０ａ，１０ｂ，１０ｃは、それぞれ傾斜角θが４５度の分離面１１ａ，１１ｂ，１１ｃを有している。分離面１１ａ，１１ｂ，１１ｃには誘電体多層膜２０が形成されている。
【００４０】
偏光ビームスプリッタの小片１０ａ，１０ｂ，１０ｃが接合された状態で、レーザー光の入射面１２または射出面１３は、長さ（縦寸法）をＬ、幅（横寸法）をＷ、厚さをｔとしたときに、Ｌ＝Ｗ＞ｔの関係にある直方体である。また、図中ドットで表される有効光束領域３０を最大有効光束径ｄで表したときＬ＝Ｗ＞ｄの関係に設定される。従って、偏光ビームスプリッタ４０は、各小片が接合された状態で、前述した実施形態１（図２（ａ）、参照）と外形形状が同等である。
【００４１】
偏光ビームスプリッタの小片１０ａ，１０ｂ，１０ｃは、それぞれの分離面１１ａ，１１ｂ，１１ｃを隣接する各偏光ビームスプリッタの小片の稜線部において交差するように並列して接合されている。
【００４２】
次に、図３（ｂ）を参照して偏光ビームスプリッタ４０の作用について説明する。図１も参照する。図３（ｂ）において、ハーフミラー２２０にて９０度光路変更されたレーザー光Ａ（以降、入射光Ａと表す）は、偏光ビームスプリッタ４０の入射面１２に入射される。入射光Ａは、偏光ビームスプリッタの小片１０ａ，１０ｂ，１０ｃに入射光Ａ１，Ａ２，Ａ３として入射され、各分離面１１ａ，１１ｂ，１１ｃを透過するＰ偏光Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３と反射されるＳ偏光Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３とに分離される。透過したＰ偏光Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３の集合体としてのＰ偏光Ｂが光検出器２７０に入射され、光検出器２７０にて光の強度を検出する。
【００４３】
なお、本実施形態では、偏光ビームスプリッタの小片を３個接続する構造を例示して説明したが、偏光ビームスプリッタの小片は２個でも、３個以上でも、最大有効光束径ｄに対応して自在に増減することができる。
【００４４】
従って、上述した実施形態２によれば、分離面１１ａ，１１ｂ，１１ｃそれぞれの傾斜角θが４５度であっても、偏光ビームスプリッタの小片１０ａ，１０ｂ，１０ｃを並列に接合しているため、傾斜角θを従来技術と同じにしながら、扁平形状の偏光ビームスプリッタ４０を実現することができる。
【００４５】
また、偏光ビームスプリッタの前後に配設される他の光学素子（本実施形態では、ハーフミラー２２０と光検出器２７０の間の最小隙間Ｈ）が小さく、最大有効光束径ｄがさらに大きい場合においても、偏光ビームスプリッタの小片を図示した数よりも多く、隣接する各偏光ビームスプリッタの小片の稜線部において交差するように並列して接合することで対応できるという効果を有する。
【００４６】
また、偏光ビームスプリッタの小片１０ａ，１０ｂ，１０ｃそれぞれの分離面を稜線部において交差（つまり、直角に交差する）させることから、傾斜角θを４５度にできるので、従来の光学系と同様な設計を可能にするという効果がある。
（偏光ビームスプリッタの製造方法）
【００４７】
続いて、本発明の偏光ビームスプリッタの製造方法について図面を参照して説明する。なお、実施形態１による偏光ビームスプリッタ１０の製造方法は、分離面１１の傾斜角θが異なるものの、特許文献２（第７、第８頁、図５〜図８）で記載されている製造方法から波長板を除いた方法を踏襲できるので説明を省略し、実施形態２による偏光ビームスプリッタ４０の製造方法について説明する。
図４は、本発明の偏光ビームスプリッタの主要な製造方法を示す斜視図である。まず、図４（ａ）に示すように、大判の光学ガラスからなる複数の基板１００それぞれの一方の主面１０１（以降、表面１０１と表す）に誘電体多層膜２０、他方の主面１０２（以降、裏面１０２と表す）にマッチングコート２５を形成する。
【００４８】
次に、図４（ｂ）に示すように、基板１００の一方の稜線部１０３それぞれを結んで構成される平面１０４が、表面１０１または裏面１０２に対して傾斜角θとなるよう、且つ、複数の基板１００を誘電体多層膜２０とマッチングコート２５とが対向するように階段状に接着剤を用いて積層接合して積層体Ａを形成する。
【００４９】
次に、積層体Ａを所定の間隔にて平面１０４に対して平行にワイヤーソー等の切断手段を用いて、図４（ｃ）に示すように、積層体Ａの平面１０４に交差する側面方向を平面１０４に平行（傾斜角θ）に分割して複数の積層体Ｂに分割する。分割された各積層体Ｂを積層体１２０ａ〜１２０ｄと表す。そして、各積層体の１２０ａ〜１２０ｄの分割面を鏡面研削加工（ラッピング加工及びポリッシュ加工）を施して鏡面仕上げとする（図示せず）。なお、積層体１２０ａ〜１２０ｄの厚さｔは、図３に示す偏光ビームスプリッタ４０の厚さｔである。
【００５０】
このように分割された積層体Ｂを図４（ｄ）に示すように積層接合して積層体Ｃを形成する。ここで、積層体１２０ａ〜１２０ｄは、それぞれの分離面１１が交差するように積層される。そして、積層体Ｃの接合面に垂直な切断線１２１に沿って積層体Ｃをワイヤーソー等の切断手段を用いて積層体Ｄに分割する。
【００５１】
図４（ｅ）に、積層体Ｃを分割して積層体Ｄを形成した状態を示す。そして、各積層体Ｄの分割面に鏡面研削加工（ラッピング加工及びポリッシュ加工）を施して鏡面仕上げとする（図示せず）。本実施形態では、前述した実施形態２の傾斜角θが４５度の偏光ビームスプリッタ４０の製造方法を示しているため、分割された積層体Ｃの厚さはｔである。
【００５２】
次に、図４（ｆ）に示すように、積層体Ｄを幅Ｗ、長さＬとなるように格子状に分割して単体の偏光ビームスプリッタ４０に個片化する。つまり、断面形状が一辺の長さがｔである正方形の偏光ビームスプリッタの小片が３個並列に接合され、長さＬで切断されて形成された実施形態２で示された偏光ビームスプリッタ４０が形成されていることを意味する。
【００５３】
従って、上述した製造方法によれば、誘電体多層膜２０を形成した大判の基板１００を傾斜角θだけずらして積層して積層体Ａを形成し、この積層体Ａを傾斜角θで分割して積層体Ｂを形成し、積層体Ｂを誘電体多層膜２０（分離面１１に相当する）が稜線部で交差するように積層接合して積層体Ｃを形成し、さらに、積層体Ｃを厚さｔで分割して積層体Ｄを形成した後、個片化して偏光ビームスプリッタ４０を形成するため、小型で扁平形状の偏光ビームスプリッタを高精度に効率よく製造することができる。
【００５４】
また、このような製造方法によれば、様々な光学系の設計において、傾斜角θが４５度に限らず、任意の角度で扁平形状の偏光ビームスプリッタの形成を可能にするという効果を有する。
【００５５】
なお、前述した実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。また、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００５６】
従って、前述した実施の形態によれば、レーザー光の入射面に対して厚さが薄い扁平形状の偏光ビームスプリッタを生産性が高い製造方法で実現し、レーザー光の最大有効光束径が大きく、且つ、偏光ビームスプリッタの光軸上の前後に配設される他の光学素子間の距離が小さい光学系に対応できる光ピックアップを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施形態１に係る光ピックアップの概略構成を示す構成図。
【図２】本発明の実施形態１に係る偏光ビームスプリッタを示し、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は正面図。
【図３】本発明の実施形態２に係る偏光ビームスプリッタを示し、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は正面図。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の偏光ビームスプリッタの主要な製造方法を示す斜視図。
【図５】特許文献１に開示された光ピックアップ。
【図６】特許文献２に開示された光ピックアップ。
【図７】（ａ）は特許文献３に開示された光遮蔽窓材、（ｂ）は（ａ）に示す光遮蔽窓材を搭載した光ピックアップ装置。
【図８】特許文献３に開示された光遮蔽窓材の外周端部を接着剤等を用いて封止した光遮蔽窓材。
【符号の説明】
【００５８】
１０…偏光ビームスプリッタ、１２…入射面、１３…射出面、２０…誘電体多層膜、２１０…光源としての半導体レーザー、２２０…ハーフミラー、２７０…フロントモニターとしての光検出器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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