(57)【要約】【課題】複数のヒータや複数の熱伝導性材料を用いることなく、簡便な構成の下で塗布膜からなる薄膜の膜厚均一性を向上させた乾燥装置および液晶表示装置を提供することである。【解決手段】ホットプレート１１は、基板Ｓと対向する加熱面１３ａを有し、加熱面１３ａが、その中央部Ｃを頂点とする断面円弧状の曲面を呈する。そして、外縁ピン１５Ｅおよび中央ピン１５Ｃが、それぞれ基板Ｓを支持して基板Ｓに水平姿勢を維持させ、基板Ｓの中央と加熱面１３ａとの間の距離（中央離間距離ＬＣ）を、基板Ｓの外縁と加熱面１３ａとの間の距離（外縁距離ＬＥ）よりも短くさせる。【選択図】図１
2008221130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と対向する加熱面から前記基板に向けて輻射熱を与えるホットプレートを有し、前
記基板に塗布された塗布膜を加熱して乾燥させる乾燥装置であって、
前記ホットプレートは、前記基板の中央と前記加熱面との間の距離を前記基板の外縁と
前記加熱面との間の距離よりも短くさせること、
を特徴とする乾燥装置。
【請求項２】
請求項１に記載の乾燥装置であって、
前記加熱面は、前記加熱面の中央に頂点を有する曲面であり、
前記ホットプレートは、前記加熱面の頂点を前記基板の中央に対向させて、前記基板の
中央と前記加熱面との間の距離を前記基板の外縁と前記加熱面との間の距離よりも短くさ
せること、
を特徴とする乾燥装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の乾燥装置であって、
前記ホットプレートは、
前記加熱面の外縁から前記基板に向けて第一の距離だけ突出する複数の第一ピンと、
前記加熱面の中央から前記基板に向けて前記第一の距離よりも短い第二の距離だけ突出
する第二ピンと、を有し、
前記第一ピンに前記基板の外縁を支持させて前記基板の外縁を前記加熱面から前記第一
の距離だけ離間させるとともに前記基板の中央を前記基板の自重によって撓ませ、前記基
板の中央を第二ピンに支持させて前記基板の中央を前記加熱面から前記第二の距離だけ離
間させること、
を特徴とする乾燥装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の乾燥装置であって、
前記基板の表面上の気体を前記基板の中央から前記基板の外縁に向けて排気する排気部
をさらに備えたことを特徴とする乾燥装置。
【請求項５】
請求項４に記載の乾燥装置であって、
前記塗布膜は、一方向に延びる描画領域ごとに形成されて、
前記排気部は、前記基板の表面上の気体を前記一方向に沿って排気する排気部をさらに
備えたことを特徴とする乾燥装置。
【請求項６】
液晶分子を封入する基板に薄膜を備えた液晶表示装置であって、
前記薄膜は、請求項１〜５のいずれか１つに記載の乾燥装置を用いて形成されたこと、
を特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、乾燥装置および液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程においては、材料コストの低減を図るために、薄
膜材料を含む液状体を基板の上に吐出して塗布膜を形成し、その塗布膜を乾燥あるいは焼
成させて所望の薄膜を形成する方法、いわゆる塗布法が広く用いられている。この塗布法
における乾燥工程では、基板の全面に塗布された液状体を乾燥させるために、基板の全体
を減圧雰囲気に晒す減圧チャンバ、あるいは、基板の全体を加熱する乾燥炉やホットプレ
ートなど、各種の乾燥装置が用いられている。
【０００３】
基板の加熱を利用する乾燥炉やホットプレートにおいては、基板の全体を一様に加熱す
ると、塗布膜の外周で蒸発成分の蒸気圧が低くなり、逆に、塗布膜の中央で蒸発成分の蒸
気圧が高くなる。そして、塗布膜の外周では乾燥速度が速くなり、逆に、塗布膜の中央で
は乾燥速度が遅くなる。この結果、基板の加熱を利用した乾燥装置においては、塗布膜中
の薄膜材料が基板の中央から基板の外周に向けて流動し、乾燥後の薄膜の膜厚が、基板の
中央と基板の外周との間でバラツキを生じてしまう。
【０００４】
そこで、塗布膜を乾燥させる乾燥装置においては、従来から、膜厚の均一性を向上させ
る提案がなされている。特許文献１は、ホットプレートが有するヒータを基板の径方向に
沿って分割し、ホットプレートの面内に径方向の温度勾配を与える。これにより、基板の
面内における溶剤の蒸発レートを均一にさせて、乾燥状態の差異に起因する膜厚均一性の
劣化を回避させる。特許文献２は、ホットプレートの表面と基板との間に、異なる熱伝導
領域を有した熱伝導プレートを挟入させる。熱伝導プレートは、塗布膜の長手方向の端に
低熱伝導領域を有し、塗布膜の長手方向の中央に高熱伝導領域を対応させる。これにより
、液状体の流動を塗布膜の長手方向に沿って抑制させて、塗布膜の膜厚均一性を向上させ
ている。
【特許文献１】特開平２−１２５６１０号公報
【特許文献２】特開２００６−１３０３７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１は、複数のヒータを利用するために、ヒータのみならず、ヒ
ータを駆動させるための駆動源がヒータの数量分だけ必要となり、乾燥装置としての部材
点数を著しく増大させてしまう。また、特許文献１は、各ヒータの駆動量に基づいて所望
の温度勾配を形成させるために、乾燥装置の制御系を大幅に複雑化させる虞がある。
【０００６】
一方、特許文献２では、熱伝導プレートを別途必要とするために、熱伝導プレートの分
だけ部材点数や製造コストを増大させてしまう。また、特許文献２では、熱伝導プレート
が熱伝導性の異なる複数の材料によって構成されるために、熱伝導プレートの全体から見
た温度分布を異なる構成材料間で不連続にさせる可能性が高い。
【０００７】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、複数のヒータ
や複数の熱伝導性材料を用いることなく、簡便な構成の下で塗布膜からなる薄膜の膜厚均
一性を向上させた乾燥装置および液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の乾燥装置は、基板と対向する加熱面から前記基板に向けて輻射熱を与えるホッ
トプレートを有し、前記基板に塗布された塗布膜を加熱して乾燥させる乾燥装置であって
、前記ホットプレートは、前記基板の中央と前記加熱面との間の距離を前記基板の外縁と
前記加熱面との間の距離よりも短くさせる。
【０００９】
本発明の乾燥装置によれば、ホットプレートが、基板中央と加熱面との間の距離を、基
板外縁と加熱面との間の距離よりも短くする。したがって、基板と加熱面との間の距離を
規定させるだけで、基板中央の温度を基板外縁の温度よりも高くさせることができる。こ
の結果、乾燥装置においては、温度分布を形成するための熱伝導性の異なる複数の材料、
あるいは、熱量を調整するための複雑な制御系が必要ない。よって、簡便な構成の下で膜
厚均一性を向上させることができる。
【００１０】
この乾燥装置において、前記加熱面は、前記加熱面の中央に頂点を有する曲面であり、
前記ホットプレートは、前記加熱面の頂点を前記基板の中央に対向させて、前記基板の中
央と前記加熱面との間の距離を前記基板の外縁と前記加熱面との間の距離よりも短くさせ
る構成であってもよい。
【００１１】
この乾燥装置によれば、曲面を呈する加熱面が、基板の中央と加熱面との間の距離を、
基板の外縁と加熱面との間の距離よりも短くする。したがって、加熱面を曲面にするだけ
で、基板中央の温度を基板外縁の温度よりも高くさせることができる。この結果、簡便な
構成の下で膜厚均一性を向上させることができる。
【００１２】
この乾燥装置において、前記ホットプレートが、前記加熱面の外縁から前記基板に向け
て第一の距離だけ突出する複数の第一ピンと、前記加熱面の中央から前記基板に向けて前
記第一の距離よりも短い第二の距離だけ突出する第二ピンと、を有し、前記第一ピンに前
記基板の外縁を支持させて前記基板の外縁を前記加熱面から前記第一の距離だけ離間させ
るとともに前記基板の中央を前記基板の自重によって撓ませ、前記基板の中央を第二ピン
に支持させて前記基板の中央を前記加熱面から前記第二の距離だけ離間させる構成であっ
てもよい。
【００１３】
この乾燥装置によれば、ピンに支持される基板が、その自重によって撓み、第一ピンと
第二ピンの長さに応じて、基板の中央と加熱面との間の距離を、基板の外縁と加熱面との
間の距離よりも短くする。したがって、第二ピンを第一ピンよりも短くするだけで、基板
中央の温度を基板外縁の温度よりも高くさせることができる。この結果、簡便な構成の下
で膜厚均一性を向上させることができる。
【００１４】
この乾燥装置は、前記基板の表面上の気体を前記基板の中央から前記基板の外縁に向け
て排気する排気部をさらに備える構成であってもよい。
この乾燥装置によれば、塗布膜の蒸発成分が基板の外縁に向けて排気されるため、基板
の中央における蒸発成分の排気効率を向上させることができる。したがって、温度分布に
対応する排気方向を与えることができ、基板の表面上における蒸発成分の分圧を、より均
一にさせることができる。ひいては、塗布膜の膜厚均一性を、さらに向上させることがで
きる。
【００１５】
この乾燥装置において、前記塗布膜は、一方向に延びる描画領域ごとに形成されて、前
記排気部は、前記基板の表面上の気体を前記一方向に沿って排気する排気部をさらに備え
る構成であってもよい。
【００１６】
この乾燥装置によれば、塗布膜の蒸発成分が、塗布膜の描画方向に沿って排気されるた
め、塗布膜の中央における蒸発成分の排気効率を、描画領域ごとに向上させることができ
る。したがって、塗布膜の膜厚均一性を、さらに向上させることができる。
【００１７】
本発明の液晶表示装置は、液晶分子を封入する基板に薄膜を備えた液晶表示装置であっ
て、前記薄膜は、上記乾燥装置を用いて形成される。
本発明の液晶表示装置によれば、薄膜の膜厚均一性を、簡便な構成の下で向上させるこ
とができ、ひいては、液晶表示装置の生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（第一実施形態）
以下、本発明を具体化した第一実施形態を図１および図２に従って説明する。図１（ａ
）および（ｂ）は、それぞれ乾燥装置を模式的に示す平面図および側断面図である。図２
は、乾燥装置に移載される基板の配置状態を示す側断面図である。
【００１９】
図１において、乾燥装置１０は、基板Ｓと対向する板状のホットプレート１１を有して
いる。基板Ｓとしては、例えば、液晶表示装置に利用される平面板状のガラス基板や半導
体装置に利用される円盤状のシリコン基板を用いることができる。この基板Ｓの表面Ｓａ
（図１の上面）には、液状体からなる塗布膜ＦＬが塗布されている。液状体としては、ポ
リイミドなどの配向性高分子を含む配向膜インクやノボラック系樹脂などの感光性樹脂を
含むレジスト膜インクなどを用いることができる。
【００２０】
ホットプレート１１は、所定の駆動電力を受けて発熱するヒータ１２と、ヒータ１２の
上側に配設されるヒータプレート１３とを有している。ヒータ１２としては、例えば、セ
ラミックヒータ、シーズヒータ、赤外線ヒータなどの各種のヒータを用いることができる
。
【００２１】
ヒータプレート１３は、アルミニウムなどの高い熱伝導性を有した金属材料からなるプ
レートであり、ヒータ１２から受ける熱量をホットプレート１１の上方に輻射する。ヒー
タプレート１３の表面（図１の上面）は、その中央部Ｃに頂点を有する断面円弧状の曲面
である。
【００２２】
ここで、ヒータプレート１３の表面を、加熱面１３ａという。加熱面１３ａの中央部Ｃ
とは、例えば、加熱面１３ａを鉛直方向（Ｚ方向）から見たときに、二次元平面における
直交する二方向（Ｘ方向とＹ方向）において、加熱面１３ａのＸ方向の幅ＷｘとＹ方向の
幅Ｗｙとをそれぞれ二等分する点として規定される。
【００２３】
加熱面１３ａの曲率半径は、予め試験等に基づいて規定されるものであり、加熱面１３
ａの上方に規定される水平面において、中央部Ｃに対向する領域が外縁部Ｅに対向する領
域よりも大きい熱量を受け、かつ、中央部Ｃに対応する液状体と外縁部Ｅに対応する液状
体とが互いに等しい乾燥状態を得るように設定されている。
【００２４】
加熱面１３ａの形状は、例えば、Ｘ方向から見た加熱面１３ａと、Ｙ方向から見た加熱
面１３ａとが、それぞれ等しい曲率半径を有する形状であってもよい。あるいは、加熱面
１３ａの曲面形状は、例えば、幅Ｗｘが幅Ｗｙよりも大きいとき、そのＸ方向の曲率半径
がＹ方向の局率半径よりも大きい形状であってもよい。これによって、ヒータプレート１
３の加熱面１３ａにおいては、中央部Ｃと水平面との間の距離が、外縁部Ｅと水平面との
間の距離よりも短くなり、中央部Ｃに対向する領域の液状体と外縁部Ｅに対向する領域の
液状体との乾燥状態の差を抑えることができる。
【００２５】
ヒータ１２およびヒータプレート１３の四隅には、それぞれを鉛直方向に貫通する共通
の外縁挿通孔１４Ｅが形成され、４つの外縁挿通孔１４Ｅには、それぞれ外縁ピン１５Ｅ
が挿通されている。また、ヒータ１２およびヒータプレート１３の中央には、鉛直方向に
貫通する共通の中央挿通孔１４Ｃが形成され、中央挿通孔１４Ｃには、中央ピン１５Ｃが
挿通されている。各ピン１５Ｅ，１５Ｃは、それぞれ上側の尖端部で基板Ｓの裏面（以下
単に、対向面Ｓｂという。）を支持し、塗布膜ＦＬを上側にした状態で基板Ｓに水平姿勢
を保持させる。各ピン１５Ｅ，１５Ｃとしては、例えば、ステンレスやアルミニウムなど
の金属からなる基材を用い、その尖端部に熱伝導性の低いセラミックや耐熱性の樹脂材料
を配設したものを用いることができる。
【００２６】
図２において、各ピン１５Ｅ，１５Ｃは、それぞれヒータ１２の下側に配設された支持
プレート１６に共通に支持され、この支持プレート１６を介して昇降機構１７と連結して
いる。各ピン１５Ｅ，１５Ｃは、昇降機構１７が支持プレート１６を鉛直方向に沿って昇
降させるとき、図２の二点鎖線で示す上方の移載位置と、図２の実線で示す下方の乾燥位
置との間で昇降する。
【００２７】
乾燥位置に位置する各ピン１５Ｅ，１５Ｃは、フォークＦに支持される状態の基板Ｓが
ヒータプレート１３の直上に進入するとき、乾燥位置から移載位置に上昇して、基板Ｓを
フォークＦの上から各ピン１５Ｅ，１５Ｃの上に移載させる。移載位置で基板Ｓを支持す
る各ピン１５Ｅ，１５Ｃは、フォークＦがヒータプレート１３の直上から退出するとき、
移載位置から乾燥位置に下降し、基板Ｓに水平姿勢を保持させて加熱面１３ａの直上に配
置させる。
【００２８】
乾燥位置に位置する各ピン１５Ｅ，１５Ｃは、加熱面１３ａの曲面形状に応じ、基板Ｓ
の各位置と加熱面１３ａとの間の距離に関して、基板Ｓの面内で分布を形成させる。すな
わち、乾燥位置に位置する各ピン１５Ｅ，１５Ｃは、基板Ｓの中央と加熱面１３ａとの間
の距離（以下単に、中央離間距離ＬＣという。）を、基板Ｓの外縁と加熱面１３ａとの間
の距離（以下単に、外縁離間距離ＬＥという。）よりも短くさせる。
【００２９】
基板Ｓ上の塗布膜ＦＬは、加熱面１３ａから輻射熱を受けるとき、液状体の中から蒸発
成分を蒸発させて、基板Ｓの中央上方で蒸発成分の分圧を高くさせ、基板Ｓの外縁上方で
蒸発成分の分圧を低くさせる。
【００３０】
この際、加熱面１３ａは、中央離間距離ＬＣが外縁離間距離ＬＥよりも短くなる分だけ
、基板Ｓの中央に対し、基板Ｓの外縁よりも大きい熱量を与える。すなわち、加熱面１３
ａは、蒸発成分の分圧が高くなる塗布膜ＦＬの中央に対し、より大きい熱量を与え、逆に
、蒸発成分の分圧が低くなる塗布膜ＦＬの外縁に対し、より小さい熱量を与える。そして
、加熱面１３ａは、塗布膜ＦＬに与える熱量の分布によって、分圧の分布に依存する蒸発
量の差異を補填させ、塗布膜ＦＬの全体にわたりその乾燥状態を均一にさせる。
【００３１】
乾燥位置に位置する各ピン１５Ｅ，１５Ｃは、塗布膜ＦＬの乾燥処理が終了するとき、
乾燥位置から移載位置に上昇し、フォークＦが基板Ｓの直下に進入した後に、再び乾燥位
置に下降して基板ＳをフォークＦ上に移載させる。
【００３２】
上記のように構成した第一実施形態の効果を以下に記載する。
第一実施形態においては、ホットプレート１１が、基板Ｓと対向する加熱面１３ａを有
し、加熱面１３ａが、その中央部Ｃを頂点とする断面円弧状の曲面を呈する。そして、外
縁ピン１５Ｅおよび中央ピン１５Ｃが、それぞれ基板Ｓを支持して基板Ｓに水平姿勢を維
持させ、基板Ｓの中央と加熱面１３ａとの間の距離を、基板Ｓの外縁と加熱面１３ａとの
間の距離よりも短くさせる。
【００３３】
したがって、断面円弧状の加熱面１３ａが、中央離間距離ＬＣを外縁離間距離ＬＥより
も短くし、基板Ｓの中央に対して基板Ｓの外縁よりも大きい熱量を与える。この結果、加
熱面１３ａを曲面にするだけで、塗布膜ＦＬの中央の温度を塗布膜ＦＬの外縁の温度より
も高くさせることができる。よって、熱伝導性の異なる複数の材料や熱量を調整するため
の複雑な制御系を用いることなく、簡便な構成の下で薄膜の膜厚均一性を向上させること
ができる。
【００３４】
（第二実施形態）
次に、本発明を具体化した第二実施形態を、図３に従って説明する。第二実施形態は、
第一実施形態の加熱面１３ａを水平面として構成し、外縁ピン１５Ｅおよび中央ピン１５
Ｃを変更したものである。そのため以下では、変更点である外縁ピン１５Ｅおよび中央ピ
ン１５Ｃについて詳細に説明する。図３は、第二実施形態の乾燥装置１０を模式的に示す
側断面図である。
【００３５】
図３において、各外縁ピン１５Ｅは、それぞれ支持プレート１６の上面からその先端ま
での長さが外縁ピン長ＴＥで形成されている。中央ピン１５Ｃは、支持プレート１６の上
面からその先端までの長さが中央ピン長ＴＣで形成されて、外縁ピン長ＴＥよりも短く形
成されている。
【００３６】
外縁ピン長ＴＥと中央ピン長ＴＣは、予め試験等に基づいて規定されるものである。外
縁ピン長ＴＥと中央ピン長ＴＣは、それぞれ各外縁ピン１５Ｅの尖端部と中央ピン１５Ｃ
の尖端部とを含む曲面において、中央部Ｃに対向する領域が外縁部Ｅに対向する領域より
も大きい熱量を受け、かつ、中央部Ｃに対応する液状体と外縁部Ｅに対応する液状体とが
互いに等しい乾燥状態を得るように設定されている。
【００３７】
乾燥位置に位置する外縁ピン１５Ｅは、基板Ｓの外縁のみを支持して、基板Ｓを自重に
よって撓ませる。乾燥位置に位置する中央ピン１５Ｃは、撓んだ基板Ｓの中央を支持して
、中央ピン長ＴＣが外縁ピン長ＴＥよりも短い分だけ、基板Ｓを撓ませる。そして、乾燥
位置に位置する各ピン１５Ｅ，１５Ｃは、基板Ｓの裏面Ｓｂを加熱面１３ａに向かって突
出する曲面に形成し、基板Ｓの各位置と加熱面１３ａとの間の距離に裏面Ｓｂの形状に応
じた分布を形成させる。すなわち、乾燥位置に位置する各ピン１５Ｅ，１５Ｃは、基板Ｓ
の中央と加熱面１３ａとの間の距離を、基板Ｓの外縁と加熱面１３ａとの間の距離よりも
短くさせる。
【００３８】
基板Ｓ上の塗布膜ＦＬは、加熱面１３ａが基板Ｓに輻射熱を与えるとき、液状体の中か
ら蒸発成分を蒸発させて、基板Ｓの中央上方で蒸発成分の分圧を高くさせ、基板Ｓの外縁
上方で蒸発成分の分圧を低くさせる。
【００３９】
この際、基板Ｓの裏面Ｓｂは、中央離間距離ＬＣが外縁離間距離ＬＥよりも短くなる分
だけ、塗布膜ＦＬの中央に対し、塗布膜ＦＬの外縁よりも大きい熱量を与える。そして、
基板Ｓは、塗布膜ＦＬに与える熱量の分布によって、蒸発成分の分圧分布に依存する蒸発
量の差異を補填させ、塗布膜ＦＬの全体にわたりその乾燥状態を均一にさせる。
【００４０】
上記のように構成した第二実施形態の効果を以下に記載する。
第二実施形態においては、中央ピン１５Ｃの中央ピン長ＴＣが、外縁ピン１５Ｅの外縁
ピン長ＴＥよりも短く形成されて基板Ｓを撓ませる。そして、基板Ｓの裏面Ｓｂが、加熱
面１３ａに向かって突出する曲面を呈し、基板Ｓの中央と加熱面１３ａとの間の距離を、
基板Ｓの外縁と加熱面１３ａとの間の距離よりも短くさせる。
【００４１】
したがって、基板Ｓの裏面Ｓｂが、中央離間距離ＬＣを外縁離間距離ＬＥよりも短くさ
せ、塗布膜ＦＬの中央に対して塗布膜ＦＬの外縁よりも大きい熱量を与える。この結果、
中央ピン１５Ｃを外縁ピン１５Ｅよりも短くするだけで、塗布膜ＦＬの中央の温度を塗布
膜ＦＬの外縁の温度よりも高くさせることができる。よって、熱伝導性の異なる複数の材
料や熱量を調整するための複雑な制御系を用いることなく、簡便な構成の下で薄膜の膜厚
均一性を向上させることができる。
【００４２】
（第三実施形態）
次に、本発明を具体化した第三実施形態を、図４に従って説明する。第三実施形態では
、第一実施形態の塗布膜ＦＬに描画方向を規定して排気部を付加したものである。そのた
め以下では、変更点である描画方向と排気部について詳細に説明する。図４（ａ）および
（ｂ）は、それぞれ第三実施形態の乾燥装置を模式的に示す平面図および側断面図である
。
【００４３】
図４において、基板Ｓ上の塗布膜ＦＬは、Ｙ方向に延びる３つの単膜ＦＬａによって構
成されている。各単膜ＦＬａは、それぞれ図示しない吐出ヘッドと基板ＳとをＹ方向に相
対移動させて、その吐出ヘッドから液状体を吐出させることによって形成されている。そ
して、これら３つの単膜ＦＬａがＸ方向から順に形成され、各単膜ＦＬａがＸ方向に併設
されることによって、一つの塗布膜ＦＬが形成されている。
【００４４】
各単膜ＦＬａは、それぞれ基板Ｓの表面Ｓａに描画されるとき、対応する外縁から順に
自然乾燥を開始させて固定される。そのため、各単膜ＦＬａは、それぞれ描画方向（Ｙ方
向）における液状体の流動が幅方向（Ｘ方向）における流動よりも大きくなる。すなわち
、塗布膜ＦＬの液状体は、主に基板Ｓの中央から基板ＳのＹ方向両側の外縁に向けて流動
し、基板ＳのＸ方向における膜厚のバラツキよりも基板ＳのＹ方向における膜厚のバラツ
キが大きくなる。なお、各単膜ＦＬａが形成される表面Ｓａの領域を、それぞれ描画領域
という。
【００４５】
乾燥装置１０は、ホットプレート１１を収容する箱体状の筐体１８を有している。
筐体１８の上側にあって、加熱面１３ａの中央部Ｃの直上には、筐体１８の内部に外気
を吸気する吸気口１９Ｃが配設されている。吸気口１９Ｃは、各ピン１５Ｅ，１５Ｃが基
板Ｓを支持するとき、塗布膜ＦＬの中央に向けて外気を供給し、塗布膜ＦＬの中央上方に
ある気体を塗布膜ＦＬの外縁に向けて流動させる。
【００４６】
筐体１８のＹ方向両側には、筐体１８の気体を排気する一対の排気口１９Ｅが配設され
ている。一対の排気口１９Ｅは、各ピン１５Ｅ，１５Ｃが基板Ｓを支持するとき、塗布膜
ＦＬの上方にある気体を塗布膜ＦＬの中央から塗布膜ＦＬのＹ方向に沿って、すなわち、
単膜ＦＬａの描画方向に沿って流動させる。
【００４７】
この際、乾燥装置１０に移載される塗布膜ＦＬは、加熱面１３ａが基板Ｓに輻射熱を与
えるとき、液状体の中から蒸発成分を蒸発させて、基板Ｓの中央上方で蒸発成分の分圧を
高くさせ、基板Ｓの外縁上方で蒸発成分の分圧を低くさせる。吸気口１９Ｃと排気口１９
Ｅによる気体の流動は、塗布膜ＦＬ上の蒸気成分を塗布膜ＦＬの中央から塗布膜ＦＬのＹ
方向両側に流動させ、各単膜ＦＬａの描画方向において、その蒸発成分の分圧差を緩和さ
せる。
【００４８】
これによって、塗布膜ＦＬは、液状体が大きく流動する方向、すなわち、各単膜ＦＬａ
の描画方向に関し、蒸発成分の分圧差を緩和させることができ、塗布膜ＦＬの全体にわた
りその乾燥状態を、さらに均一にさせることができる。
【００４９】
上記のように構成した第三実施形態の効果を以下に記載する。
上記第三実施形態においては、吸気口１９Ｃが、塗布膜ＦＬの中央に向けて外気を供給
し、一対の排気口１９Ｅが、塗布膜ＦＬの上方にある気体を塗布膜ＦＬのＹ方向両側の外
縁から排気させる。すなわち、吸気口１９Ｃおよび排気口１９Ｅが、塗布膜ＦＬの蒸発成
分を塗布膜ＦＬの中央からＹ方向の外縁に向けて排気させる。
【００５０】
したがって、吸気口１９Ｃが、塗布膜ＦＬの中央における蒸発成分の分圧を低下させ、
塗布膜ＦＬの全体から見て、蒸発成分の分圧差を緩和させる。さらに、一対の排気口１９
Ｅが、各単膜ＦＬａの描画方向に沿って蒸発成分を流動させ、各単膜ＦＬａの描画方向に
おいて、蒸発成分の分圧差を緩和させる。この結果、塗布膜ＦＬの乾燥状態を、さらに均
一にさせることができる。よって、熱伝導性の異なる複数の材料や熱量を調整するための
複雑な制御系を用いることなく、簡便な構成の下で薄膜の膜厚均一性を向上させることが
できる。
【００５１】
（第四実施形態）
次に、本発明を具体化した実施第四形態を、図５および図６に従って説明する。第四実
施形態では、塗布膜ＦＬからなる薄膜を液晶表示装置の配向膜およびオーバーコート層に
具体化したものである。
【００５２】
図５において、液晶表示装置２０は、相対向する素子基板２１と対向基板２２を有し、
素子基板２１と対向基板２２は、四角枠状のシール材２３により貼り合わされて、その間
隙に液晶Ｌを封入している。素子基板２１の下面には、偏光板や位相差板などの光学基板
２４が貼り合わされている。光学基板２４は、所定の方向に透過軸を有し、バックライト
などからの光を液晶Ｌに向けて透過可能にする。
【００５３】
素子基板２１の上面（以下単に、素子形成面２１ａと言う。）には、複数の素子領域２
５が区画形成されて、各素子領域２５には、それぞれＴＦＴからなる図示しないスイッチ
ング素子や光透過性の画素電極２６などが形成されている。
【００５４】
各画素電極２６の上側には、素子形成面２１ａの全面にわたる配向膜ＯＦ１が積層され
ている。配向膜ＯＦ１は、配向性ポリイミドなどの配向性高分子からなる薄膜であって、
対応する画素電極２６の近傍で液晶Ｌの配向方向を規定する。配向膜ＯＦ１は、配向膜材
料（例えば、ポリイミドなどの配向性高分子）の分散したインクを液滴にして各素子領域
２５の上側全体に吐出し、複数の液滴からなる塗布膜ＦＬを、上記乾燥装置１０を用いて
乾燥させることにより形成される。
【００５５】
図６は、素子基板２１の側を上にした状態の対向基板２２を示す斜視図である。図６に
おいて、対向基板２２の下面（図５における上面）には、偏光板２７が配設されている。
偏光板２７は、所定の方向に透過軸を有して液晶Ｌからの光を透過可能にする。対向基板
２２の上面（図５における下面：以下単に、フィルタ形成面２２ａと言う。）には、ブラ
ックマトリックスＢＭが形成されている。ブラックマトリックスＢＭは、液晶Ｌから出射
される光を遮光する遮光材料によって形成された薄膜であり、画素電極２６と対向する領
域を囲う格子状に形成されている。フィルタ形成面２２ａには、ブラックマトリックスＢ
Ｍによって囲まれる領域に、それぞれカラーフィルタＣＦが形成されている。カラーフィ
ルタＣＦは、液晶Ｌから出射される光の中から特定波長の光を透過し、液晶Ｌからの光を
有色の光に変換して出射する。
【００５６】
ブラックマトリックスＢＭおよびカラーフィルタＣＦの上側には、共通するオーバーコ
ート層ＯＣが積層されている。オーバーコート層ＯＣは、液晶Ｌから出射される光を透過
する光透過性樹脂によって形成された薄膜であり、対向基板２２の表面全体を平坦にする
。オーバーコート層ＯＣは、光透過性樹脂の分散したインクを液滴にして対向基板２２の
全体に吐出し、複数の液滴からなる塗布膜ＦＬを、上記乾燥装置１０を用いて乾燥させる
ことにより形成される。
【００５７】
オーバーコート層ＯＣの上側には、光透過性の対向電極２８が積層されている。対向電
極２８は、所定の共通電位を受けて、各画素電極２６と対向電極２８との間の電位差を形
成し、対応する液晶Ｌの配向状態を変調する。これにより、光学基板２４から出射された
光の偏光状態を素子領域２５ごとに変調させる。
【００５８】
対向電極２８の上側には、配向膜ＯＦ２が積層されている。配向膜ＯＦ２は、配向膜Ｏ
Ｆ２と同じく、配向性ポリイミドなどの配向性高分子からなる薄膜であって、近傍に位置
する液晶分子の配向状態を規定する。配向膜ＯＦ２は、配向性高分子の分散したインクを
液滴にして対向電極２８の全体に吐出し、複数の液滴からなる塗布膜ＦＬを、上記乾燥装
置１０を用いて乾燥させることにより形成される。
【００５９】
これによれば、配向膜ＯＦ１，ＯＦ２、および、オーバーコート層ＯＣの膜厚均一性を
、簡便な構成の下で向上させることができる。ひいては、液晶表示装置２０の生産性を向
上させることができる。
【００６０】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、ヒータ１２とヒータプレート１３とを別部材によって構成したが
、これに限らず、例えば、ヒータ１２とヒータプレート１３とが一体形成される構成であ
ってもよい。すなわち、ヒータ１２の上面を加熱面１３ａとする構成であってもよい。こ
れによれば、ヒータプレート１３を必要としない分だけ、乾燥装置１０の部材点数を少な
くすることができる。
【００６１】
・上記実施形態では、各ピン１５Ｅ，１５Ｃを昇降する構成にした。これに限らず、例
えば、各ピン１５Ｅ，１５Ｃをヒータプレート１３あるいはヒータ１２に固着させる構成
にしてもよい。なお、この際、基板Ｓの移載動作は、フォークＦの昇降によって行う構成
が好ましい。
【００６２】
・上記第四実施形態では、薄膜を、配向膜ＯＦ１，ＯＦ２、および、オーバーコート層
ＯＣに具体化した。これに限らず、薄膜を、感光性樹脂からなるブラックマトリックスＢ
Ｍや、エッチング工程に利用するレジスト膜に具体化してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明を具体化した第一実施形態の乾燥装置を模式的に示す平面図および側断面図。
【図２】同じく、基板の配置状態を示す側断面図。
【図３】第二実施形態の乾燥装置を示す側断面図。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ第三実施形態の乾燥装置を示す上面図および側断面図。
【図５】第四実施形態の液晶表示装置を示す斜視図。
【図６】同じく、液晶表示装置の対向基板を示す斜視図。
【符号の説明】
【００６４】
ＦＬ…塗布膜、ＬＥ…第一の距離としての外縁離間距離、ＬＣ…第二の距離としての中央
離間距離、ＯＦ１，ＯＦ２…薄膜としての配向膜、ＯＣ…薄膜としてのオーバーコート層
、Ｓ…基板、Ｓａ…表面、１０…乾燥装置、１１…ホットプレート、１３ａ…加熱面、１
５Ｅ…第一ピンとしての外縁ピン、１５Ｃ…第二ピンとしての中央ピン、１９Ｃ…排気部
を構成する吸気口、１９Ｅ…排気部を構成する排気口、２０…液晶表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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