(57)【要約】【課題】透明導電層の欠陥の発生を防止して、表示領域に画素の表示欠陥が生じることを回避することのできる電気光学装置、電子機器を提供する。【解決手段】素子基板２１上に反射電極層４４を備えた電気光学装置１であって、素子基板２１上に設けられる層間絶縁層３３と、層間絶縁層３３上に設けられ金属からなる反射電極層４４と、反射電極４４層と層間絶縁層３３との境界を覆う共通電極４５と、を備え、反射電極層４４のエッジ部には、基板面に対して７０°以下の角度で傾斜する傾斜面４４ａが設けられている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に反射層を備えた電気光学装置であって、
前記基板上に設けられる下地層と、
前記下地層上に設けられ金属からなる前記反射層と、
少なくとも前記反射層と前記下地層との境界を覆う透明導電層と、を備え、
前記反射層の端部には、基板面に対して７０°以下の角度で傾斜する傾斜面が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記傾斜面が、前記基板面に対して５５°〜７０°以下の角度で傾斜していることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記反射層は、画素の一部に設けられることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記透明導電層上に、絶縁層を介して第２の透明導電層が形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年では、携帯電話機や携帯情報端末等の携帯用電子機器の表示部として、液晶表示装置などの電気光学装置が用いられていることが多い。このような電気光学装置として、マトリクス状に設けられた画素に反射電極層が備えられており、当該反射電極層が透明導電材料や透明絶縁材料からなる透明導電層によって覆われた構成となっている。
【０００３】
しかしながら、上記従来の電気光学装置は、反射電極層を覆う透明導電層をエッチングする際に、透明導電層のカバレッジが不良な部位や、透明導電層の下層の下地層と反射電極層との密着が不良な部位が存在すると、そのような欠陥からエッチング液が侵入するという問題がある。透明導電層のエッチング液によって、反射電極膜と透明導電層との間で電食反応が生じ、たとえばアルミニウム（Ａｌ）からなる反射電極層が侵食してしまうことがあった。
【０００４】
このような電極層の侵食反応を抑制する対策の一つとして、反射電極層の縁の周囲に透明導電層を額縁状に余らせた状態で反射電極層の周縁を覆う手法が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−５０３８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１では電極層の侵食を確実に阻止することが難しい。すなわち、絶縁性基板上にパターン形成される反射電極層のエッジ部は、基板面に対して通常７０°以上のテーパ形状となっていることが多い。そのため、このような反射電極層を覆うようにして積層された透明導電層をウェットエッチングにより加工する場合、絶縁性基板上に形成された樹脂層と透明導電層との膜応力がそれぞれ相反する方向（絶縁性基板はテンスル方向、透明導電層はコンプレッシブ方向）へ作用することから、反射電極層の端部外側において当該反射電極層上に積層される透明導電層の欠けや浮きが発生することがある。すると、このような透明導電層の欠陥からエッチング液が侵入して、反射電極層が浸食してしまうという問題があった。反射電極層は、エッチング液により短時間で侵食され消失してしまう。反射電極層が消失した画素は表示欠陥となってしまうため、反射電極層の浸食を確実に防止する新たな手法が望まれている。
【０００６】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、透明導電層の欠陥の発生を防止して、表示領域に画素の表示欠陥が生じることを回避することのできる電気光学装置、電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に反射層を備えた電気光学装置であって、基板上に設けられる下地層と、下地層上に設けられ金属からなる反射層と、少なくとも反射層と下地層との境界を覆う透明導電層と、を備え、反射層の端部には、基板面に対して７０°以下の角度で傾斜する傾斜面が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、反射層の端部に、基板面に対して７０°以下の角度で傾斜する傾斜面を設けることにより、反射電極層と下地層との間で極端な段差をなくすことができる。これにより、反射電極層上に積層形成される透明電極層の段差部分における透明電極層成膜時の膜厚変化や上下層の相反する膜応力等に起因した欠けや下地層からの浮きが生じることを防止できる。すなわち、透明導電層と下地層との間で互いに相反する方向に生じる膜応力が緩和されることで、反射層の端部外側において透明導電層の欠けや浮きが生じることを防止できる。そのため、反射層及び下地層に対する透明導電層の密着性が向上し、透明導電層のカバレッジ不足が解消される。このようにして、画素欠陥の発生が防止され、良好な表示を可能とした電気光学装置を得ることができる。
【０００９】
また、傾斜面が、基板面に対して５５°〜７０°以下の角度で傾斜していることが好ましい。
このような構成により、反射層としての機能を損なうことなく透明導電層及び下地層に作用する応力を緩和することができ、透明導電層に欠陥が生じることをより効果的に防止することができる。
【００１０】
また、反射層は、画素の一部に設けられることが好ましい。
このような構成によれば、画素の一部に反射層を備えることにより、半透過反射型の電気光学装置とすることができる。半透過反射型の電気光学装置は、バックライトの消費電力を抑えるとともに、周囲の環境によらず良好な視認性を確保することができるという利点がある。
【００１１】
また、前記透明導電層上に、絶縁層を介して第２の透明導電層が形成されることが好ましい。
このような構成によれば、横電界方式（ＦＦＳモード）の電気光学装置を得ることができる。上記したように、透明導電層の下層にある反射層はその端部に傾斜面を備えた構成であることから、透明導電層に対する絶縁層のカバレッジ不足が解消され、第２の透明電極層を形成する際に使用するエッチング液が反射層へと浸透することを防ぐことができる。これにより、エッチング液の浸透による反射層の浸食を回避することができ、画素欠陥のない良好な表示を確保することができる。
【００１２】
本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本発明の電子機器によれば、上記した電気光学装置を備えていることから、表示領域の画素の表示欠陥を防止することができる電子機器を得ることができる。これにより、電子機器の歩留まりを向上させ、製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（第１の実施形態）
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
図１は本発明の第１の実施形態である電気光学装置を示す等価回路図、図２はサブ画素領域の平面構成図、図３は図２のＡ−Ａ矢視図である。
【００１４】
〔液晶装置〕
本実施形態における液晶装置１（電気光学装置）は、カラー液晶装置であって、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出射する３個のサブ画素領域で１個の画素を構成する液晶装置である。以下、表示を構成する最小単位となる画素領域を「サブ画素領域」と称する。なお、画素の構成はこれに限らず、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）で１個の画素を構成しても良いし、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｃ（シアン）で1個の画素を構成しても良く、サブ画素の色の構成に限定されるものではない。
【００１５】
まず、液晶装置１の概略構成について説明する。液晶装置１は、図１に示すように、画像表示領域を構成する複数のサブ画素領域がマトリクス状に配置されている。この複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極１１と、画素電極１１をスイッチング制御するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子（駆動素子）１２とが形成されている。このＴＦＴ素子１２は、ソース電極が液晶装置１に設けられたデータ線駆動回路１３から延在するデータ線１４に電気的に接続されるとともに、ゲートが液晶装置１に設けられた走査線駆動回路１５から延在する走査線１６に電気的に接続され、さらにドレイン電極が画素電極１１に電気的に接続されている。
【００１６】
液晶装置１は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子１２が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線１４から供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極１１に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１１を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極１１と後述する共通電極４５との間で一定期間保持される。これにより、画像表示領域に任意の画像を表示することができる。
【００１７】
次に、液晶装置１の詳細な構成について、図２、図３（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。なお、図２では、対向基板の図示を省略している。また、図２において、平面視でほぼ矩形状のサブ画素領域Ｓの長軸方向をＸ軸方向、短軸方向をＹ軸方向とする。
液晶装置１は、各サブ画素領域Ｓにおいて、図２及び図３（ａ）に示すようにサブ画素領域Ｓの長軸方向（Ｘ軸方向）の一端部（サブ画素領域Ｓのうち長軸方向で二分割した領域のうち当該サブ画素領域Ｓと対応して設けられた走査線１６から離間する側）と対応する領域を反射表示領域Ｒとし、他の領域を透過表示領域Ｔとした２つの表示領域を有している。
【００１８】
液晶装置１は、図３（ａ）に示すように、素子基板２１と、素子基板２１と対向配置された対向基板２２と、素子基板２１及び対向基板２２の間に挟持された液晶層２３と、素子基板２１の外面側（液晶層２３と反対側）に設けられた偏光板２４と、対向基板２２の外面側に設けられた偏光板２５とを備えている。そして、液晶装置１は、素子基板２１の外面側に設けられた不図示のバックライトから照明光が照射される構成となっている。
液晶装置１には、素子基板２１と対向基板２２とが対向する領域の縁端に沿ってシール材（図示略）が設けられており、このシール材、素子基板２１及び対向基板２２によって液晶層２３が封止されている。
【００１９】
素子基板２１は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料からなる基板本体３１と、基板本体３１の内側（液晶層２３側）の表面に順次積層されたゲート絶縁膜３２、層間絶縁層３３（下地層）及び配向膜３６とを備えている。この素子基板２１は、基板本体３１の内側の表面に配置された走査線１６と、ゲート絶縁膜３２の内側の表面に配置されたデータ線１４（図２に示す）、半導体層４１、ソース電極４３及びドレイン電極４２と、層間絶縁層３３の内側の表面に配置された反射電極層４４（反射層）と、層間絶縁層３３及び反射電極層４４の内側の表面に配置された共通電極４５（透明導電層）と、共通電極４５の内側表面に配置された絶縁層３５と、絶縁層３５の内側の表面に配置された画素電極１１とを備えている。
【００２０】
データ線１４及び走査線１６は、図２に示すように平面視でほぼ格子状に配線され、データ線１４が平面視で矩形状のサブ画素領域Ｓの長軸方向（Ｘ軸方向）に沿って配置され、走査線１６がサブ画素領域Ｓの短軸方向（Ｙ軸方向）に沿って配置されている。
【００２１】
図３（ａ）に示すゲート絶縁膜３２は、例えばＳｉＯ２（酸化シリコン）などの透光性材料で構成されており、基板本体３１上に形成された走査線１６を覆うように設けられている。
【００２２】
半導体層４１は、図２及び図３（ａ）に示すように、平面視でゲート絶縁膜３２を介して走査線１６と重なる領域に部分的に形成され、アモルファスシリコンやポリシリコンなどの半導体で構成されている。また、ソース電極４３は、データ線１４から分岐しており、一部が半導体層４１の一部を覆うように形成されている。そして、ドレイン電極４２は、一部が半導体層４１の一部を覆うように形成されており、層間絶縁層３３に設けられたコンタクトホールＨを介して画素電極１１と導通している。また、ＴＦＴ素子１２は、図２に示すようにデータ線１４及び走査線１６の交差部近傍に設けられている。これら半導体層４１、ドレイン電極４２及びソース電極４３によってＴＦＴ素子１２が構成されている。
【００２３】
層間絶縁層３３は、ゲート絶縁膜３２と同様に、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）などの透光性材料で構成され、図２及び図３（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜３２上に形成されたデータ線１４、半導体層４１、ソース電極４３及びドレイン電極４２を覆うようにしてゲート絶縁膜３２の表面に設けられている。
【００２４】
反射電極層４４は、アルミニウム、銀などの光反射性を有する金属膜をパターン形成したものであって、図３（ａ）に示すように反射表示領域Ｒに対応する層間絶縁層３３の内側の表面上に形成されている。本実施形態の反射電極層４４は、図３（ｂ）に示すように周縁端部のエッジ部がテーパ形状となっており、基板面に対して所定の角度で傾斜する傾斜面４４ａを有している。基板面に対する傾斜面４４ａの傾斜角度θ（以下、テーパ角度θともいう）は７０°以下に設定され、５５°〜７０°の範囲内が特に好ましい。また、反射電極層４４の膜厚は１５０ｎｍ以下とする。なお、上記したテーパ角度θの数値限定の根拠については後述するものとする。
【００２５】
共通電極４５は、図２及び図３（ａ），（ｂ）に示すように、層間絶縁層３３及び反射電極層４４の表面を覆うように形成されており、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透光性導電材料で構成されている。層間絶縁層３３の膜厚は１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度あり、反射電極層４４のテーパ形状を反映して途中（反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界部分）に段差を有したものとなっている。この共通電極４５には、例えば液晶層２３の駆動に用いられる所定の一定の電圧あるいは０Ｖ、または所定の一定の電位とこれと異なる他の所定の一定の電位とが周期的（フレーム期間毎またはフィールド期間毎）に切り替わる信号が印加される。
【００２６】
絶縁層３５は、共通電極４５を覆うように形成されており、無機物である場合には酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の透明絶縁材料、有機物である場合にはアクリル樹脂等の透明絶縁材料から構成される。この絶縁層３５は、当該絶縁層３５上に形成される後述の画素電極１１と共通電極４５とを絶縁する機能を有している。この絶縁層３５においても、内側表面は反射電極層４４の形状を反映して段差を有した膜形状となっている。
【００２７】
画素電極１１は、絶縁層３５上に形成されており、図２に示すように、平面視でほぼ梯子形状であって、上記共通電極４５と同様に、例えばＩＴＯなどの透光性導電材料で構成されている。この画素電極１１は、平面視で矩形の枠状の枠部１１ａと、ほぼサブ画素領域Ｓの短軸方向（Ｙ軸方向）に延在すると共にサブ画素領域Ｓの長軸方向（Ｘ軸方向）で間隔をあけて複数（１５本）配置された帯状部１１ｂ（電極指）とを備えており、絶縁層３５の段差の上を避けるようにして枠部１１ａが配置してある。
【００２８】
枠部１１ａは、図２に示すように、データ線１４及び走査線１６にそれぞれ沿う２対の帯状の電極を平面視でほぼ矩形の枠状となるように接続した構成となっており、互いに対向する２対の辺がそれぞれＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って延在している。
帯状部１１ｂは、互いが平行となるように形成されており、その両端がそれぞれ枠部１１ａのうちＹ軸方向に沿って延在する部分と接続されている。また、帯状部１１ｂは、その延在方向がＹ軸方向と非平行となるように設けられている。すなわち、帯状部１１ｂは、その延在方向が平面視においてデータ線１４から離間する一端から近接する他端に向かうにしたがって走査線１６に近接するように形成されている。
【００２９】
また、層間絶縁層３３及び絶縁層３５には、平面視でドレイン電極４２と重なる領域にコンタクトホールＨが形成されている。このコンタクトホールＨの内面にも画素電極１１が延設され、当該コンタクトホールＨを介して画素電極１１とドレイン電極４２とが電気的に接続されている。
【００３０】
配向膜３６は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、図３（ａ），（ｂ）に示す絶縁層３５上に形成された画素電極１１を覆うように設けられている。また、配向膜３６の表面には、図２に示すサブ画素領域Ｓの短軸方向（Ｙ軸方向）を配向方向とする配向処理が施されている。
【００３１】
一方、対向基板２２は、図３（ａ）に示すように、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体５１と、基板本体５１の内側（液晶層２３側）の表面に順次積層された遮光膜５２、カラーフィルタ層５３、配向膜５４ｂ、位相差層５５及び配向膜５４ａとを備えている。
【００３２】
遮光膜５２は、基板本体５１の表面のうち平面視でサブ画素領域Ｓの縁部と重なる領域に形成されており、サブ画素領域Ｓを縁取っている。また、カラーフィルタ層５３は、各サブ画素領域Ｓに対応して配置されており、例えばアクリルなどで構成されて各サブ画素領域Ｓで表示する色に対応する色材を含有している。
【００３３】
位相差層５５はカラーフィルタ層５３上における反射表示領域Ｒ側に設けられ、これにより適切な反射表示及び透過表示を得られるようにしている。液晶セルに位相差層５５を内蔵させると、液晶セルの外側に位相差の調整のための位相差板等を設ける必要がなくなるため液晶セルの薄型化や低コスト化に貢献できる。
【００３４】
配向膜５４ａは、例えばポリイミドなどの透光性の樹脂材料で構成されており、カラーフィルタ層５３及び位相差層５５を覆うように設けられている。配向膜５４ａの内側の表面には、配向膜３６の配向方向と同方向のラビング処理が施されている。また、位相差層５５の基板本体５１側に設けられた配向膜５４ｂは、位相差層５５の配向用に設けられたもので、その表面には所望の遅相軸に対応した配向処理が施されている。
【００３５】
液晶層２３を構成する液晶分子は、配向膜３６、５４ａにサブ画素領域Ｓの短軸方向（Ｙ軸方向）を配向方向とする配向処理が施されているため、画素電極１１及び共通電極４５の間に電圧を印加しない状態（オフ状態）において、図２に示すＹ軸方向に沿って水平に配向する。また、液晶分子は、画素電極１１及び共通電極４５の間に電圧を印加した状態（オン状態）において、帯状部１１ｂの延在方向と直交する方向に沿って配向する。したがって、液晶層２３では、オフ状態とオン状態とにおける液晶分子の配向状態の差異に基づく複屈折性を利用して液晶層２３を透過する光に対して位相差を付与している。
【００３６】
偏光板２４は、その透過軸がサブ画素領域Ｓの長軸方向（図２に示すＸ軸方向）に沿うように設けられており、偏光板２５は、その透過軸がサブ画素領域Ｓの短軸方向（図２に示すＹ軸方向）に沿うように設けられている。したがって、偏光板２４、２５は、その透過軸が互いにほぼ直交するように設けられている。ここで、偏光板２４、２５の一方または双方の内側には、光学補償フィルム（図示略）を配置してもよい。光学補償フィルムを配置することで、液晶装置１を斜視した場合の液晶層２３の位相差を補償することができ、光漏れを減少させてコントラストを増加させることができる。
【００３７】
以上より、ＦＦＳ方式の電極構造をなす液晶装置１が構成され、帯状部１１ｂと共通電極４５との間に電圧を印加し、これによって生じる基板平面方向の電界（横電界）によって液晶を駆動するようになっている。
【００３８】
本実施形態の液晶装置１によれば、反射電極層４４のエッジ部に傾斜面４４ａを設けてテーパ形状としたことから、反射電極層４４と層間絶縁層３３との間で極端な段差をなくすことができ、反射電極層４４及び層間絶縁層３３に対して、その上に積層される共通電極４５の密着性を向上させることができる。すなわち、反射電極層上に積層形成される透明電極層の段差部分における透明電極層成膜時の膜厚変化や上下層の相反する膜応力等に起因した欠けや下地層からの浮きが生じることを防止することによって、当該共通電極４５に対する絶縁層３５のカバレッジ不足が解消されることになる。そのため、画素電極１１をパターン形成する際に用いるエッチング液が共通電極４５の欠陥から侵入することもないため、エッチング液による反射電極層４４の腐食を防ぐことができる。これにより、画素欠陥のない良好な表示が可能な液晶装置１となる。
【００３９】
なお、上記実施形態においては、反射電極層４４の全体を覆うようにして共通電極４５を形成したが、少なくとも反射電極層４４と層間絶縁層３３との境界部分を覆うように形成してあっても良い。すなわち、反射電極層４４の少なくとも周縁端部、つまり傾斜面４４ａ全体を含む反射電極層４４のエッジ部と層間絶縁層３３との境界部分を覆うように共通電極４５を形成しても良い。
【００４０】
（液晶装置の製造方法）
次に、このような構成の液晶装置１の製造方法について図４〜図６を用いて説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、従来の液晶装置の製造方法と同様に、基板本体３１上に走査線１６を形成し、これを覆うようにゲート絶縁膜３２を形成する。そして、ゲート絶縁膜３２上にデータ線１４（図１参照）、半導体層４１、ソース電極４３及びドレイン電極４２を形成してＴＦＴ素子１２を構成し、これを覆うようにして層間絶縁層３３を形成する。
【００４１】
次に、図４（ｂ）に示すように、層間絶縁層３３の内側の表面全体にＡｌなどからなる金属膜６１を形成する。そして、図４（ｂ）に示すように、所定の開口パターンを有したレジストをマスクＭ１として、金属膜６１をウェットエッチングによりパターニングする。このようにして、図４（ｃ）に示すように層間絶縁層３３の内側の表面のうち反射表示領域Ｒと対応する領域に反射電極層４４を形成する。エッチング液には、リン酸、硝酸、酢酸の混酸をとする水溶液が用いられ、濃度、各酸の比率、温度などの条件を変更することによって傾斜面４４ａと基板面との傾斜角度、すなわちテーパ角度θを調整することが可能である。本実施形態においては、テーパ角度θが７０°以下、好ましくは５５°〜７０°の範囲内となるように加工する。
【００４２】
続けて、図５（ａ）に示すように、反射電極層４４及び層間絶縁層３３上にＩＴＯを塗布して第１の透明電極層６２を形成する。そして、所定の開口パターンを有したレジストをマスクＭ２として、第１の透明電極層６２をウェットエッチングすることにより、図５（ｂ）に示すようにサブ画素領域Ｓと対応する領域に共通電極４５を形成する。第１の透明電極層６２をウェットエッチングによりパターニングする際、反射電極層４４のエッジ部がテーパ形状とされているので、互いに相反する方向に作用する層間絶縁層３３の膜応力と第１の透明電極層６２の膜応力とが緩和され、反射電極層４４及び層間絶縁層３３に対して十分に密着した共通電極４５が形成される。すなわち、層間絶縁層３３の膜応力はテンスル方向へ作用し、第１の透明電極層６２の膜応力はコンプレッシブ方向へ作用するが、これら膜応力は反射電極層４４のエッジ部に設けられた傾斜面４４ａによって低下（緩和）することになる。そのため、反射電極層４４の端部外側において欠けや浮きのない共通電極４５が得られる。
【００４３】
そして、図５（ｃ）に示すように、共通電極４５上に透明絶縁材料を塗布して絶縁層３５を形成する。絶縁層３５は、共通電極４５が欠陥を有しないことから当該共通電極４５に対して十分なカバレッジとなる。ここで、コンタクトホールＨに対応する位置に針などを用いて孔を穿設しておく。
【００４４】
次に、図６（ａ）に示すように、絶縁層３５の表面全体にＩＴＯを塗布して第２の透明電極層６３を形成する。そして、所定の開口パターンを有したレジストをマスクＭとして第２の透明電極層６３をウェットエッチングすることにより、図６（ｂ）に示すように絶縁層３５上に画素電極１１をパターン形成する。ここで、反射電極層４４に対する共通電極４５のカバレッジ不良な部位や、共通電極４５の反射電極層４４及び層間絶縁層３３に対する密着が不良な部位がないことから、第２の透明電極層６３の加工に用いたエッチング液が反射電極層４４にまで浸透することがない。その後、図６（ｃ）に示すように、画素電極１１を覆うようにして基板本体３１の最表層の表面全体にポリイミドなどの樹脂材料を塗布することによって配向膜３６を形成し、素子基板２１を完成させる。
【００４５】
従来においては、図１２に示すようにパターン形成された反射電極層９７は、基板面に対する端面９７ａの傾斜角度θが７０°以上の略垂直に近い状態となっている。この場合、素子基板２１上に形成された層間絶縁層３３と共通電極４５との膜応力がそれぞれ相反する方向（絶縁性基板はテンスル方向、透明導電層はコンプレッシブ方向）へ作用することから、反射電極層９７の端部外側（図中の破線で囲む領域）において当該反射電極層９７上に積層される共通電極４５の欠けや浮きが発生することがあった。
【００４６】
これに対し、本実施形態の液晶装置１の製造方法では、反射電極層４４のエッジ部に傾斜面４４ａを形成したことから、第１の透明電極層６２の加工時に作用する当該第１の透明電極層６２及び層間絶縁層３３の膜応力を緩和することができる。そのため、反射電極層４４上に、欠陥のない共通電極４５及び絶縁層３５を形成することができ、第２の透明電極層６３の加工時に使用するエッチング液が反射電極層４４にまで浸透することを防止できる。よって、複雑な製造工程を要することなく、エッチング液の浸透による反射電極４４の侵食を回避できるので生産性が向上する。
【００４７】
なお、上記においては、第１の透明電極層６２をウェットエッチングにより加工するとしたが、ドライエッチングによって加工を施してもよい。従来、ドライエッチングにおいて使用したレジストを剥離する際、第１の透明電極層６２と層間絶縁層３３との間に浮き等が発生することがあった。しかしながら本実施形態のように、反射電極層４４に傾斜面４４ａを形成しておくことによって、ドライエッチング加工においても第１の透明電極層６２の欠けや層間絶縁層３３からの浮き等を防止することができる。
【００４８】
〔液晶装置の欠陥発生率〕
次に、液晶装置の表示性能について、反射電極層の形状の違いから検証する。
反射電極層のエッジ部の傾斜、つまり、基板面に対する傾斜面の傾斜角度（以下、テーパ角度）が異なる試験体を複数用意し、反射電極層のテーパ角度に応じた反射電極層の欠陥発生率を調べた。ここで、反射電極層の欠陥とは、エッチング液の浸透による反射電極層の消失によって引き起こされた画素の表示欠陥のことである。
【００４９】
図７は、液晶装置の表示性能を示すグラフであって、横軸は反射電極層のテーパ角度（°）を示し、縦軸は反射電極層の欠陥発生率（％）を示している。
この図によれば、反射電極層のテーパ角度が５５°〜７０°のとき、反射電極層の欠陥発生率が０％となっている。ところが、反射電極層のテーパ角度が７０°以上になると欠陥発生率が急激に増加していることが分かる。そのため、液晶装置の表示性能を確保するには、反射電極層のテーパ角度を７０°以下に設定する必要がある。図中には、テーパ角度が５５°以下の結果について記載されていないが、テーパ角度５５°〜７０°まで、反射電極層の欠陥発生率が０％であることから、テーパ角度が５５°以下の反射電極層に関してもその欠陥発生率が０％となることは十分に予想される。但し、テーパ角度が小さすぎる場合には光が透過してしまい、エッジ部が反射電極層として機能しなくなる虞があることから、その下限値を設定するとすれば、例えばエッジ部に反射電極としての機能を十分に持たせることのできる膜厚を基準として設定すればよい。
【００５０】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について図８を用いて説明する。上記第１の実施形態では横電界方式の半透過反射型の液晶装置としたが、以下に示す第２の実施形態ではＴＮ（Twisted Nematic）方式の半透過反射型の液晶装置である。
【００５１】
図８は、本発明の第２の実施形態の液晶装置の断面構成図である。なお、以下の説明において、第１実施形態の液晶装置と同様の構成については説明を省略する。
図８に示すように、本実施形態の液晶装置１０は、画素の反射表示領域Ｒに対応する位置に反射電極層４４が配置され、当該反射電極層４４は、エッジ部に基板面から所定の角度で傾斜する傾斜面４４ａが設けられている。基板面に対する傾斜面４４ａの傾斜角度は、上記実施形態同様７０°以下に設定され、５５°〜７０°の範囲内がより好ましい。
【００５２】
本実施形態の液晶装置は、素子基板２１上のマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域に、平面視矩形状の画素電極１１をそれぞれ備えている。画素電極１１は、ＩＴＯからなり、反射電極層４４及び層間絶縁層３３を覆うようにして形成されている。そのため、反射電極層４４を保護する保護膜としても機能する。これは、上記実施形態の共通電極４５においても同様のことが言える。
【００５３】
一方、対向基板２２側には、カラーフィルタ層５３上の内側表面全体に共通電極４５が形成されている。共通電極４５上には、位相差層５５の配向用に設けられる配向膜が形成されるが図８では省略してある。
【００５４】
このように、ＴＮ方式の半透過反射型の液晶装置１０においても本発明を適用することができ、上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。本実施形態では、対向基板２２側に共通電極４５が形成され、素子基板２１側の反射電極層４４及び層間絶縁層３３上に画素電極１１が形成されている。この画素電極１１は、反射電極層４４及び層間絶縁層３３を覆うようにしてＩＴＯからなる第３の透明電極層（図示略）を形成し、この第３の透明電極層をウェットエッチングによりパターンニングすることで形成される。この際、第３の透明電極層と層間絶縁層３３との間で互いに相反する方向に膜応力が作用するが、反射電極層４４の傾斜面４４ａによりそれら膜応力が緩和されることから、画素電極１１の、特に反射電極層４４の端部外側において欠けや浮きが発生することが防止される。画素電極１１に欠陥があるとその上に積層される配向膜３６の膜形状に影響が及び、液晶配向の乱れを引き起こす虞があるなど画像表示に支障を与える虞があるが、本実施形態においてはその心配はない。したがって本実施形態の液晶装置１０においても、画素欠陥のない良好な表示が可能となる。
【００５５】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について図９を用いて説明する。図９は、本実施形態の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置を示す図であって、図９（ａ）は平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ´線における断面図である。
本発明の第３の実施形態である電気光学装置は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置である。
〔有機ＥＬ装置〕
図９（ｂ）に示すトップエミッション型の有機ＥＬ装置７０（電気光学装置）では、発光層７１における発光光を封止基板７２側から取り出すので、素子基板７３としては透明基板のほか不透明基板を用いることも可能である。透明基板としては、ガラスや石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等を用いることが可能であり、特にガラス基板が好適に用いられる。
【００５６】
素子基板７３上には、発光素子３のＴＦＴ素子４（スイッチング素子）などを含む駆動回路部５が形成されている。なお、駆動回路を備えた半導体素子（ＩＣチップ）を素子基板７３に実装して、有機ＥＬ装置を構成することも可能である。
【００５７】
駆動回路部５の表面には、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層７４が形成されている。その第１層間絶縁層７４の上層には、感光性、絶縁性および耐熱性を備えたアクリル系やポリイミド系等の樹脂材料を主体とする、有機絶縁膜７５（下地層）が形成されている。この有機絶縁膜７５は、ＴＦＴ素子４のソース電極４ａ、ドレイン電極４ｂなどによる表面の凹凸を抑制するために形成されている。
【００５８】
その有機絶縁膜７５の表面には、反射電極層７７（反射層）が形成されている。この反射電極層７７は、上記実施形態同様、ＡｇやＡｌ等の高反射率の金属材料で構成することが望ましい。図９（ａ）に示すように反射電極層７７は、平面視（素子基板の法線方向からみた場合）において、発光素子３の形成領域よりも広く形成され、開口率の向上が図られている。そして図９（ｂ）に示すように、その周縁のエッジ部がテーパ形状となっており、基板面に対して所定の角度で傾斜する傾斜面７７ａを有している。基板面に対する傾斜面７７ａの傾斜角度は、７０°以下に設定され、反射率等の観点から５５°〜７０°の範囲内が特に好ましい。
【００５９】
図９（ｂ）に示すように、反射電極層７７を覆うようにして画素電極７９が形成されている。図９（ａ）に示すように、画素電極７９は発光素子３の形成領域よりも広く形成され、開口率の向上が図られている。また複数の画素電極７９が、マトリクス状に整列配置されている。なお、発光素子３の形成領域に隣接してコンタクトホール８０が形成されている。このコンタクトホール８０を通して、画素電極７９とＴＦＴ素子４のドレイン電極４ｂとが電気的接続されている。
【００６０】
画素電極７９の周囲には、ポリイミド等の有機絶縁材料からなる有機隔壁８１が形成されている。この有機隔壁８１は画素電極７９の周縁部に乗り上げるように形成され、有機隔壁８１の開口部８１ａの底部には画素電極７９が露出している。そして、開口部８１ａの内側における画素電極７９の表面に複数の機能膜が積層形成されて、発光素子３が構成されている。すなわち、有機隔壁８１の開口部８１ａにより、発光素子３の形成領域が規定されている。
【００６１】
発光素子３は、陽極として機能する画素電極７９と、有機ＥＬ物質からなる発光層７１と、陰極として機能する共通電極８２とを、少なくとも積層して構成されている。この発光素子３により画像表示単位となるサブ画素が構成され、異なる色光の発光素子（緑色発光素子３Ｇ、青色発光素子３Ｂ、赤色発光素子３Ｒ）の組み合わせにより１個の画素が構成されている。
【００６２】
陽極として機能する画素電極７９は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料によって形成されている。なおトップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、画素電極７９に反射機能を付加することも可能である。この場合、画素電極７９の構成材料として、ＡｇやＡｌ等の高反射率の導電材料を採用し、周縁のエッジ部に、基板面に対して所定の角度で傾斜する傾斜面を設けてテーパ形状とする。なお、このような画素電極７９のテーパ角度は上記反射電極層７７と同様の条件のもと設定する。
【００６３】
なお、画素電極７９と発光層７１との間に、画素電極７９から供給された正孔を発光層７１に注入／輸送する正孔注入層を設けてもよい。
【００６４】
陰極として、素子基板７３の略全面を覆う共通電極８２が形成されている。共通電極８２は、仕事関数の小さいマグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を含む材料を用いる。
【００６５】
トップエミッション型の有機ＥＬ装置７０では、光取出し効率を向上させるため共通電極８２が薄膜状に形成されるので、共通電極８２の導電性が低くなっている。そこで、図９（ａ）に示すように、共通電極の表面にライン状の補助電極８３が形成されている。この補助電極８３は、上述した共通電極の導電性を補助するものであり、導電性に優れたＡｌやＡｕ、Ａｇ等の金属材料で構成されている。
【００６６】
図９（ｂ）に戻り、共通電極８２の表面には、ＳｉＯ２等からなる無機封止膜８４が形成されている。さらに接着層８５を介して、ガラス等の透明材料からなる封止基板７２が貼り合わされている。この無機封止膜８４により、封止基板７２側から発光素子３への水分や酸素等の浸入が防止されている。
【００６７】
上述した有機ＥＬ装置７０では、外部から供給された画像信号が、ＴＦＴ素子４により所定のタイミングで画素電極７９に印加される。そして、その画素電極７９から注入された正孔と、共通電極８２から注入された電子とが、発光層７１で再結合して所定波長の光が放出される。なお発光層７１は画素電極７９との接触領域において正孔の注入を受けるので、発光層７１のうち画素電極７９との接触領域が発光部になる。その発光部から共通電極８２側に放出された光は、透明材料からなる封止基板７２を透過して外部に取り出される。また画素電極７９側に放出された光は、反射電極層７７により反射され、封止基板７２から外部に取り出される。これにより、封止基板７２側において画像表示が行われるようになっている。
【００６８】
このように、トップエミッション型の有機ＥＬ装置７０においても本発明を適用することができ、上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。つまり、反射電極層７７のエッジ部をテーパ形状とすることによって、その上に積層される画素電極７９の有機絶縁膜７５に対する密着性が向上し、画素電極７９を形成する際に用いたエッチング液によって反射電極層７７が浸食することを防ぐことができる。これにより、表示領域の画素の表示欠陥を防止することができるので、視認性の良好な画像表示が可能となる。
【００６９】
（電子機器）
次に、上述の実施形態で説明した電気光学装置を備えた電子機器について説明する。
図１０に示すように、電子機器の実施形態の一例であるモバイル型のパーソナルコンピュータ９０は、キーボード９１を備えた本体部９２と、液晶表示ユニット９３とを有している。液晶表示ユニット９３は、前述した電気光学装置からなる表示部１００を備えている。
図１１示すように、電子機器の実施形態の別の例である携帯電話機９５は、複数の操作ボタン９６と、前述した電気光学装置からなる表示部１００とを有している。
このように、パーソナルコンピュータ９０および携帯電話機９５は、上述した電気光学装置を備えているので、画素に表示欠陥が生じることをより効果的に防止することのできるパーソナルコンピュータ９０および携帯電話機９５を提供することができる。
【００７０】
尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上述の実施形態では、半透過反射型の液晶装置について説明したが、反射型の液晶装置にも本発明を適用することができる。反射型の液晶装置は、バックライトを設ける必要がないので、消費電力の低減、小型、軽量化を図ることができる。
【００７１】
また、電子機器としては、上述のパーソナルコンピュータ、携帯電話機に限られることなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、プリンタの液晶表示部、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を示す等価回路図。
【図２】本発明の実施形態に係るサブ画素領域の平面構成図。
【図３】（ａ）は図２のＡ−Ａ矢視断面図、（ｂ）は（ａ）の要部拡大断面図。
【図４】液晶装置の製造工程を示す側断面図である。
【図５】図４に続く製造工程を示す側断面図である。
【図６】図５に続く製造工程を示す側断面図である。
【図７】液晶装置の表示性能を示すグラフ。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を示す断面構成図。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図１０】本発明の実施形態における電子機器の一例を示す斜視図。
【図１１】本発明の実施形態における電子機器の一例を示す斜視図。
【図１２】透明導電膜に欠陥が発生する様子を示す説明図。
【符号の説明】
【００７３】
１…液晶装置（第１の実施形態の電気光学装置）、１０…液晶装置（第２の実施形態の電気光学装置）、１１…画素電極（透明導電層）、２１…素子基板（第１，２の実施形態の基板）、２２…対向基板、３３…層間絶縁層（下地層）、４４ａ…傾斜面、４５…共通電極（透明導電層）、４４…反射電極層（反射層）、７０…有機ＥＬ装置（電気光学装置）、７２…封止基板、７３…素子基板（第３の実施形態の基板）、７５…有機絶縁層（下地層）、７７…反射電極層（反射層）、７７ａ…傾斜面、９０…パーソナルコンピュータ（電子機器）、９５…携帯電話機（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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