(57)【要約】【課題】半導体マイクチップの製造において発生するダイヤフラムの引張応力を緩和して、半導体マイクチップの感度を向上させると共にダイヤフラムの強度低下を防止できるようにする。【解決手段】支持部２１の内孔２１ａを覆うようにダイヤフラム２５を設けてなる半導体マイクチップ１３を備える半導体マイクユニット１であって、前記支持部２１よりも熱膨張係数の大きな支持基板１５の表面１５ａに前記ダイヤフラム２５を対向させた状態で、熱硬化性接着剤２７により前記支持部２１を前記支持基板１５の表面１５ａに貼り付けて構成されていることを特徴とする半導体マイクユニット１を提供する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部の内孔を覆うようにダイヤフラムを設けてなる半導体マイクチップを備える半導体マイクユニットであって、
前記支持部よりも熱膨張係数の大きな支持基板の表面に前記ダイヤフラムを対向させた状態で、熱硬化性接着剤により前記支持部を前記支持基板の表面に貼り付けて構成されていることを特徴とする半導体マイクユニット。
【請求項２】
硬化した状態における前記熱硬化性接着剤が、前記半導体マイクチップ及び前記支持基板を冷却する際に前記支持基板に発生する収縮力を前記支持部に伝達できる程度の引張弾性率を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体マイクユニット。
【請求項３】
前記支持基板に、前記内孔を介して前記ダイヤフラムを外方に露出させる貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体マイクユニット。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体マイクユニットを基板の表面に搭載する半導体マイクユニットの搭載方法であって、
前記基板に前記支持基板の裏面を対向させて、熱硬化性を有する搭載用接着剤により前記支持基板を前記基板に貼り付け、
硬化した状態における前記搭載用接着剤が、前記支持基板及び前記基板の熱膨張係数の差に基づいてこれらの間に発生する応力を吸収できる程度の引張弾性率を有することを特徴とする半導体マイクユニットの搭載方法。
【請求項５】
支持部の内孔を覆うようにダイヤフラムを設けた半導体マイクチップを製造し、
前記支持部よりも熱膨張係数の大きな支持基板の表面に前記ダイヤフラムを対向させて、熱硬化性接着剤により前記支持部を前記支持基板の表面に貼り付けることを特徴とする半導体マイクユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体マイクチップを備える半導体マイクユニット、その製造方法、及び、半導体マイクユニットを基板に搭載する半導体マイクユニットの搭載方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコンコンデンサマイクロホンのように音響等の圧力変動を振動により検出するダイヤフラムを備える半導体マイクチップは、基板の表面に実装されて、この基板と共にマイクパッケージを構成するようになっている（例えば、特許文献１，２参照。）。この半導体マイクチップは、環状の支持部の内孔を覆うようにダイヤフラムを設けて構成されている。
ところで、この種の半導体マイクチップは、半導体デバイスの製造プロセスを応用して製造される。この製造プロセスにおいては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により不純物がドープされた多結晶シリコン膜をダイヤフラムとして成膜するが、この成膜は高温で行われるため、この成膜終了後にダイヤフラムが冷却されると引張側の内部応力が発生する。
【特許文献１】特表２００４−５３７１８２号公報
【特許文献２】特表２００３−５０８９９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述のようにダイヤフラムに引張応力が存在すると、音響等の圧力変動に基づくダイヤフラムの撓み量が減少して感度が低下するという問題がある。
なお、この引張応力を軽減させる方法としては、ダイヤフラムを多くのバネを介して支持部に取りつけることでダイヤフラムを支持部から切り離すことも考えられるが、切り離した場合にはダイヤフラムの強度が低下するという問題もある。
【０００４】
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、半導体マイクチップの感度を向上させると共にダイヤフラムの強度低下を防止できる半導体マイクユニット、その製造方法、及び、半導体マイクユニットを基板に搭載する半導体マイクユニットの搭載方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項１に係る発明は、支持部の内孔を覆うようにダイヤフラムを設けてなる半導体マイクチップを備える半導体マイクユニットであって、前記支持部よりも熱膨張係数の大きな支持基板の表面に前記ダイヤフラムを対向させた状態で、熱硬化性接着剤により前記支持部を前記支持基板の表面に貼り付けて構成されていることを特徴とする半導体マイクユニットを提案している。
【０００６】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の半導体マイクユニットにおいて、硬化した状態における前記熱硬化性接着剤が、前記半導体マイクチップ及び前記支持基板を冷却する際に前記支持基板に発生する収縮力を前記支持部に伝達できる程度の引張弾性率を有することを特徴とする半導体マイクユニットを提案している。
【０００７】
これらの発明に係る半導体マイクユニットを製造する際には、熱硬化性接着剤により半導体マイクチップを支持基板に貼り付ける。この際には、熱硬化性接着剤を加熱して硬化させる。なお、この加熱では、半導体マイクチップ及び支持基板も加熱されるため伸長するため、半導体マイクチップの支持部と支持基板との固定は上記のように伸長した状態で行われる。
そして、熱硬化性接着剤が硬化して半導体マイクチップと支持基板とが相互に固定された後には、半導体マイクチップ及び支持基板を冷却する。
【０００８】
この冷却においては、支持基板が半導体マイクチップの支持部よりも大きく収縮することになるが、支持部は熱硬化性接着剤によって支持基板に固定されているため、収縮量の差に基づく支持基板の収縮力が熱硬化性接着剤を介して支持部に伝達されることになる。
そして、上記収縮力は、支持基板の表面に対向配置されたダイヤフラムを縮めようとする方向に作用するため、ダイヤフラムの引張応力を緩和することができる。
また、上述のように引張応力を緩和することができるため、従来のように、支持部からダイヤフラムを切り離す必要がなくなり、ダイヤフラムの強度が低下することも防止できる。
【０００９】
請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載の半導体マイクユニットにおいて、前記支持基板に、前記内孔を介して前記ダイヤフラムを外方に露出させる貫通孔が形成されていることを特徴とする半導体マイクユニットを提案している。
【００１０】
この発明に係る半導体マイクユニットを基板の表面に搭載する際には、支持基板の裏面を基板の表面に対向させた状態で、別途接着剤（後述の搭載用接着剤）により支持基板を基板に貼り付ければよい。この状態においては、ダイヤフラム及び基板が、内孔及び貫通孔を介して相互に対向することになる。したがって、内孔、貫通孔、ダイヤフラム及び基板によって外方空間から隔離された空洞部を形成することができる。そして、この空洞部は貫通孔が形成されていない場合と比較して大きくなるため、空洞部の容積拡大を図ることができる。
この空洞部の容積が小さい場合には、ダイヤフラムの振動に対して空洞部内の圧力が上昇しやすくなるため、ダイヤフラムが撓みにくくなるが、上述のように空洞部の容積拡大を図ることで空洞部内の圧力上昇を抑制できるため、ダイヤフラムが撓みにくくなることを容易に防止することが可能となる。
【００１１】
請求項４に係る発明は、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体マイクユニットを基板の表面に搭載する半導体マイクユニットの搭載方法であって、前記基板に前記支持基板の裏面を対向させて、前記支持基板を搭載用接着剤により前記基板に貼り付け、硬化した状態における前記搭載用接着剤が、前記支持基板及び前記基板の熱膨張係数の差に基づいてこれらの間に発生する応力を吸収できる程度の引張弾性率を有することを特徴とする半導体マイクユニットの搭載方法を提案している。
【００１２】
この発明に係る半導体マイクユニットの搭載方法においては、半導体マイクユニットを構成した後に半導体マイクユニットを基板に搭載するため、この搭載において半導体マイクユニットや基板を加熱冷却する熱サイクルがあっても、この熱サイクルに基づく基板の伸び縮みが半導体マイクチップに影響することを防止できる。
すなわち、熱硬化性を有する搭載用接着剤により支持基板と基板とを貼り付ける場合には、搭載用接着剤を硬化させるために半導体マイクユニット及び基板を加熱させる。この際には半導体マイクチップ、支持基板及び基板が加熱されて膨張することになる。
【００１３】
そして、搭載用接着剤が硬化して支持基板と基板とが相互に固定された後には、半導体マイクユニット及び基板を冷却する。この冷却においては、支持基板及び基板の熱膨張係数の差に基づいて支持基板と基板との間に応力が発生する。ここで、この応力は搭載用接着剤によって吸収されるため、支持基板や基板がこの応力に基づいて変形することはない。したがって、半導体マイクユニットの搭載に際して、半導体マイクチップが変形することを容易に防止できる。
【００１４】
請求項５に係る発明は、支持部の内孔を覆うようにダイヤフラムを設けた半導体マイクチップを製造し、前記支持部よりも熱膨張係数の大きな支持基板の表面に前記ダイヤフラムを対向させて、熱硬化性接着剤により前記支持部を前記支持基板の表面に貼り付けることを特徴とする半導体マイクユニットの製造方法を提案している。
【００１５】
この発明に係る半導体マイクユニットの製造方法によれば、上述したように、半導体マイクチップの製造において発生するダイヤフラムの引張応力を、半導体マイクチップの支持基板への貼り付けにおいて緩和することができる。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１及び請求項５に係る発明によれば、支持基板に半導体マイクチップの支持部を貼り付ける際に、支持基板の収縮に基づいてダイヤフラムの引張応力を容易に緩和することができるため、半導体マイクチップの感度向上を図ることができる。また、ダイヤフラムの強度低下を防止することもできる。
【００１７】
請求項２に係る発明によれば、熱硬化性接着剤を硬化させた後に冷却する際に、支持基板の収縮力を確実に支持部に伝達することができるため、ダイヤフラムの引張応力を確実に緩和することができる。
【００１８】
請求項３に係る発明によれば、空洞部の容積拡大を図ることでダイヤフラムが撓みにくくなることを容易に防止できるため、半導体マイクチップの感度低下を防止することができる。
【００１９】
請求項４に係る発明によれば、半導体マイクユニットの搭載に際して半導体マイクユニットや基板を加熱冷却する熱サイクルがあっても、半導体マイクチップが変形することを容易に防止できる。したがって、半導体マイクユニットの搭載に際してダイヤフラムに応力が発生することを容易に防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図１，２を参照して本発明の第１実施形態に係るシリコンマイクユニット（半導体マイクユニット）について説明する。図１に示すように、この実施形態に係るシリコンマイクユニット１は、ベース基板（基板）３の表面３ａに搭載されると共に蓋体５によって覆われており、これらシリコンマイクユニット１、ベース基板３及び蓋体５によってマイクパッケージ１１が構成されている。このマイクパッケージ１１は、例えばベース基板３を図示しない回路基板に搭載することで、この回路基板と電気接続されるように構成されている。
シリコンマイクユニット１は、ベース基板３の表面３ａ上に配置されたシリコンマイクチップ（半導体マイクチップ）１３と、シリコンマイクチップ１３及びベース基板３の間に配置される支持基板１５とを備えている。
【００２１】
シリコンマイクチップ１３は、図２に示すように、シリコンにより形成されて平面視略円形の内孔２１ａを有する環状の支持部２１と、内孔２１ａの上端を覆うように配置された略円板状のバックプレート２３と、支持部２１の内孔２１ａ側にバックプレート２３と略平行に配されて内孔２１ａを覆うように配置された円板状のダイヤフラム２５とから構成されている。なお、バックプレート２３は、例えば多結晶シリコンを略円板状に形成した導電性の半導体膜であり、このバックプレート２３には、その厚さ方向に貫通する複数の通孔２３ａが形成されている。また、ダイヤフラム２５は、例えば、燐（Ｐ）などの不純物をドープした多結晶シリコンを円板状に形成した導電性の半導体膜である。
このシリコンマイクチップ１３においては、バックプレート２３とダイヤフラム２５との間にバイアス電圧を印加できるようになっており、ダイヤフラム２５の振動に基づくバックプレート２３とダイヤフラム２５との間の静電容量の変化によって、音響等の圧力変動を検出するようになっている。
【００２２】
支持基板１５は、支持部２１を構成するシリコンよりも熱膨張係数の大きい材料により形成されている。すなわち、シリコンの膨張係数は約３ppm／Kであるため、支持基板１５は、例えば銅合金や４２アロイ（鉄−ニッケル合金）等の金属材料によって形成されていればよい。なお、支持基板１５は金属材料に限らず、シリコンの熱膨張係数よりも大きければ、例えば樹脂材料により形成されるとしてもよい。
この支持基板１５の表面１５ａには、この表面１５ａにダイヤフラム２５が対向するように、熱硬化性接着剤２７を介して上述のシリコンマイクチップ１３の支持部２１が貼り付けられている。この熱硬化性接着剤２７は、シリコンマイクチップ１３の内孔２１ａの周囲と支持基板１５との間を埋めるように配されており、これが硬化した状態においては、内孔２１ａ、ダイヤフラム２５及び支持基板１５の表面１５ａとにより画定される空洞部Ｓ１が外方空間に対してほぼ密封されることになる。なお、実際に上記空洞部Ｓ１が密封されていると、温度や大気圧の変化に基づいてダイヤフラム２５の両側において圧力差が生じるため、例えば、支持基板１５と支持部２１との間の一部分のみに熱硬化性接着剤２７を塗布せずに、この塗布しない部分を利用して空洞部Ｓ１を外方空間に連通させる細孔を形成する場合がある。
【００２３】
この熱硬化性接着剤２７としては、例えば、エポキシ系の接着剤である日立化成工業株式会社製の型番「ＥＮ−４０７２」が挙げられる。この熱硬化性接着剤２７は、１５０℃の高温を６０分間維持することで硬化するようになっており、硬化状態における引張弾性率が３６００ＭＰａ以上となっている。この引張弾性率は、後述するシリコンマイクユニット１の製造方法において、シリコンマイクチップ１３及び支持基板１５を冷却する際に支持基板１５に発生する収縮力をシリコンマイクチップ１３の支持部２１に伝達することができる程度の大きさとなっている。また、この熱硬化性接着剤２７にはフィラーが混入されている。
図１に示すように、ベース基板３は、例えば、その内部に電気的な配線部（不図示）を設けた所謂多層配線基板からなり、シリコンマイクチップ１３と電気的に接続できるように構成されている。なお、シリコンマイクチップ１３とベース基板３との電気接続は、例えばワイヤーボンディングによって行われる。
【００２４】
このベース基板３の表面３ａには、熱硬化性を有する搭載用接着剤２９を介して上述したシリコンマイクユニット１の支持基板１５が貼り付けられている。
この搭載用接着剤２９としては、例えば、アクリル系の接着剤である日立化成工業株式会社製の型番「ＥＮ−４９００Ｆ−１」が挙げられる。この搭載用接着剤２９は、熱硬化性接着剤２７と同様に、１５０℃の高温を６０分間維持することで硬化するようになっている。また、硬化状態における搭載用接着剤２９の引張弾性率は、３００〜５００ＭＰａとなっている。この引張弾性率は、後述するシリコンマイクユニット１の搭載方法において、支持基板１５及びベース基板３の熱膨張係数の差に基づいてこれらの間に発生する応力を吸収できる程度の大きさとなっている。
【００２５】
蓋体５は、ベース基板３の表面３ａから厚さ方向に離間した位置に配される略板状の上端壁部５ａと、ベース基板３の表面３ａの周縁に固定される略環状の側壁部５ｂとを備えている。すなわち、蓋体５は、これら上端壁部５ａ及び側壁部５ｂにより側壁部５ｂの先端部側に開口する略凹状に形成されている。
したがって、側壁部５ｂの先端部をベース基板３の表面３ａに配した状態においては、ベース基板３及び蓋体５によりシリコンマイクチップ１３を含む中空空間Ｓ２が画定されることになる。この中空空間Ｓ２は、上端壁部５ａに形成された開口部５ｃを介してマイクパッケージ１１の外方空間に連通している。
【００２６】
以上のように構成されたマイクパッケージ１１を製造する際には、シリコンマイクユニット１を予め製造しておき、このシリコンマイクユニット１をベース基板３に搭載し、最後に蓋体５を取りつける。
はじめに、シリコンマイクユニット１の製造方法について、以下に述べる。この製造方法においては、はじめにシリコンマイクチップ１３を製造する。この際には、図２に示すように、ＣＶＤ等により燐（Ｐ）などの不純物をドープした多結晶シリコン膜をダイヤフラム２５として支持部２１上に成膜する。このようにダイヤフラム２５を成膜した後にシリコンマイクチップ１３が冷却されるとダイヤフラム２５に引張応力が発生する。この引張応力は、ダイヤフラム２５の面方向（Ａ方向）に作用している。
なお、ダイヤフラム２５の成膜後には、ＣＶＤ等でバックプレート２３を成膜し、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等でエッチングを施すことでバックプレート２３に複数の通孔２３ａを形成する。以上により、シリコンマイクチップ１３の製造が完了する。
【００２７】
次いで、支持基板１５の表面１５ａにダイヤフラム２５を対向させた状態で、熱硬化性接着剤２７によりシリコンマイクチップ１３の支持部２１を支持基板１５の表面１５ａに貼り付ける。
この貼り付けの際には、はじめに、シリコンマイクチップ１３の内孔２１ａの周囲と支持基板１５との間が埋められるように熱硬化性接着剤２７を塗布する。次いで、熱硬化性接着剤２７を硬化させてシリコンマイクチップ１３の支持部２１と支持基板１５とを相互に固定する。この硬化の際には、常温（２５℃）から１５０℃の高温まで加熱し、この加熱状態を６０分維持すればよい。なお、この加熱では、シリコンマイクチップ１３及び支持基板１５も加熱されて支持基板１５の表面１５ａ方向に伸長するため、シリコンマイクチップ１３の支持部２１と支持基板１５との固定は上記のように伸長した状態で行われることになる。
【００２８】
シリコンマイクチップ１３及び支持基板１５が相互に固定された後には、これらシリコンマイクチップ１３及び支持基板１５を常温まで冷却する。この冷却においては、支持基板１５がシリコンマイクチップ１３の支持部２１よりも大きく収縮することになるが、支持部２１は硬化した熱硬化性接着剤２７によって支持基板１５に固定されているため、収縮量の差に基づく支持基板１５の収縮力が熱硬化性接着剤２７を介して支持部２１に伝達されることになる。ここで、支持基板１５の収縮方向（Ｂ方向）は支持基板１５の表面１５ａ方向であり、ダイヤフラム２５の面方向に沿っているため、上記収縮力は、ダイヤフラム２５を縮めようとする方向に作用し、ダイヤフラム２５の引張応力を緩和することができる。
以上により、シリコンマイクユニット１の製造が完了する。
【００２９】
次に、上記シリコンマイクユニット１をベース基板３に搭載するシリコンマイクユニット１の搭載方法について、以下に述べる。
この搭載方法においては、図１に示すように、ベース基板３に支持基板１５の裏面１５ｂを対向させて熱硬化性の搭載用接着剤２９により支持基板１５をベース基板３に貼り付ける。この貼り付けの際には、ベース基板３の表面３ａと支持基板１５の裏面１５ｂとの間に搭載用接着剤２９を塗布する。次いで、搭載用接着剤２９を硬化させて支持基板１５とベース基板３とを相互に固定する。この硬化の際には、常温（２５℃）から１５０℃の高温まで加熱し、この加熱状態を６０分維持すればよい。なお、この加熱では、支持基板１５及びベース基板３が加熱されてベース基板３の表面３ａ方向に伸長するため、支持基板１５とベース基板３との固定は上記のように伸長した状態で行われる。
【００３０】
そして、支持基板１５及びベース基板３が相互に固定された後に、シリコンマイクユニット１及びベース基板３を冷却して、シリコンマイクユニット１の搭載が完了する。この冷却においては、支持基板１５及びベース基板３の熱膨張係数の差に基づいて支持基板１５とベース基板３との間に応力が発生する。ここで、この応力は搭載用接着剤２９によって吸収されるため、支持基板１５やベース基板３がこの応力に基づいて変形することはない。したがって、シリコンマイクチップ１３が変形することを容易に防止できる。
上述したシリコンマイクユニット１の搭載が完了した後には、シリコンマイクユニット１を覆う蓋体５をベース基板３の表面３ａに固定することで、マイクパッケージ１１の製造が完了する。
なお、以上のように製造されたマイクパッケージ１１においては、音響等の圧力変動が蓋体５の開口部５ｃを介してシリコンマイクチップ１３のダイヤフラム２５に到達した際に、この圧力変動に基づいてダイヤフラム２５が振動することで、上記圧力変動を検出することができる。
【００３１】
上記シリコンマイクユニット１及びその製造方法によれば、支持基板１５の表面１５ａにシリコンマイクチップ１３の支持部２１を貼り付ける際に、支持基板１５の収縮に基づいてダイヤフラム２５の引張応力を容易に緩和することができるため、シリコンマイクチップ１３の感度向上を図ることができる。特に、熱硬化性接着剤２７は、シリコンマイクチップ１３及び支持基板１５を冷却する際に支持基板１５に発生する収縮力を支持部２１に伝達できる程度の引張弾性率を有しているため、上記引張応力を確実に緩和することができる。
また、上述のように引張応力を緩和できるため、従来のように、ダイヤフラム２５を支持部２１から切り離す必要がなくなり、ダイヤフラム２５の強度が低下することも防止できる。
【００３２】
また、上記シリコンマイクユニット１の搭載方法によれば、シリコンマイクユニット１を構成した後にシリコンマイクユニット１をベース基板３に搭載するため、この搭載においてシリコンマイクユニット１やベース基板３を加熱冷却する熱サイクルがあっても、シリコンマイクチップ１３が変形することを防止できる。したがって、シリコンマイクチップ１３の搭載に際してダイヤフラム２５に応力が発生することを防止できる。すなわち、上記熱サイクルに基づくベース基板３の伸び縮みがダイヤフラム２５に影響することを防止できる。
【００３３】
次に、本発明による第２実施形態について図３を参照して説明する。なお、この第２実施形態のシリコンマイクユニットは、第１実施形態と支持基板の構成についてのみ異なっている。ここでは、主に上記相違点についてのみ説明し、第１実施形態のシリコンマイクユニット１及びマイクパッケージ１１の構成要素と同一の部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３４】
図３に示すように、シリコンマイクユニット（半導体マイクユニット）３１を構成する支持基板３３には、その表面３３ａから裏面３３ｂまで貫通する貫通孔３３ｃが形成されている。この貫通孔３３ｃは、シリコンマイクチップ１３の内孔２１ａを介してダイヤフラム２５をシリコンマイクユニット３１の外方に露出させる役割を果たしている。
この構成のシリコンマイクユニット３１をベース基板３の表面３ａに搭載する際には、上記第１実施形態と同様に、支持基板３３の裏面３３ｂをベース基板３の表面３ａに対向させた状態で、支持基板３３を搭載用接着剤２９によりベース基板３に貼り付ければよい。なお、この状態においては、ダイヤフラム２５及びベース基板３が内孔２１ａ及び貫通孔３３ｃを介して相互に対向することになる。
【００３５】
ここで、搭載用接着剤２９は、支持基板３３の貫通孔３３ｃの周囲とベース基板３との間を埋めるように配されており、これが硬化した状態においては、内孔２１ａ、貫通孔３３ｃ、ダイヤフラム２５及びベース基板３とにより画定される空洞部Ｓ３が外方空間に対してほぼ密封されることになる。すなわち、空洞部Ｓ３が外方空間に対してほぼ隔離されることになる。なお、実際に上記空洞部Ｓ３が密封されていると、温度や大気圧の変化に基づいてダイヤフラム２５の両側において圧力差が生じるため、例えば、ベース基板３と支持基板３３との間の一部分のみに搭載用接着剤２９を塗布せずに、この塗布しない部分を利用して空洞部Ｓ３を外方空間に連通させる細孔を形成する場合がある。
上記シリコンマイクユニット３１によれば、支持基板３３に貫通孔３３ｃを形成しておくことで、上記第１実施形態の空洞部Ｓ１と比較してより大きな空洞部Ｓ３を形成することができる、すなわち、空洞部Ｓ３の容積拡大を図ることができる。
【００３６】
なお、この種の空洞部の容積が小さい場合には、ダイヤフラム２５の振動に対して空洞部内の圧力が上昇しやすくなるため、ダイヤフラム２５が撓みにくくなるが、上述のように空洞部Ｓ３の容積拡大を図ることで空洞部Ｓ３内の圧力上昇を抑制できるため、ダイヤフラム２５が撓みにくくなることを容易に防止することが可能となる。したがって、シリコンマイクチップ１３の感度低下を防止することができる。
【００３７】
なお、熱硬化性接着剤２７は上記実施形態のものに限ることはなく、少なくとも硬化状態における熱硬化性接着剤２７が、シリコンマイクチップ１３及び支持基板１５，３３を冷却する際に支持基板１５，３３に発生する収縮力をシリコンマイクチップ１３に伝達できる程度の引張弾性率を有していればよい。この引張弾性率の具体的な大きさは、上記実施形態と同様に、３６００ＭＰａ以上であればよい。
また、搭載用接着剤２９は上記実施形態のものに限ることはなく、少なくとも硬化状態における搭載用接着剤２９が、支持基板１５，３３及びベース基板３の熱膨張係数の差に基づいてこれらの間に発生する応力を吸収できる程度の引張弾性率を有していればよい。
この引張弾性率の具体的な大きさは、上記実施形態と同様に３００〜５００ＭＰａの範囲内であればよい。
【００３８】
さらに、例えば、支持基板１５，３３及びベース基板３の熱膨張係数が等しい場合には、冷却の際に上記応力が発生しないため、搭載用接着剤２９は上記応力を吸収できる程度の引張弾性率を有していなくてもよい。
また、搭載用接着剤２９は、熱硬化性を有するとしたが、これに限ることはなく、少なくとも支持基板１５とベース基板３とを相互に固定することができればよく、例えば熱硬化性を有していなくても構わない。
【００３９】
さらに、シリコンマイクチップ１３に備える内孔２１ａ、バックプレート２３やダイヤフラム２５は、平面視で略円形状に形成されるとしたが、平面視で多角形状に形成されるとしても構わない。また、環状の支持部２１の外形形状も、平面視で円環形状や多角形の環状に形成されていてよい。
さらに、シリコンマイクユニット１は、マイクパッケージ１１を構成するベース基板３の表面３ａに搭載されるとしたが、これに限ることはなく、例えば、回路基板（基板）に直接搭載されるとしても構わない。この場合でも、上記実施形態と同様の搭載用接着剤２９により支持基板１５，３３を回路基板の表面に貼り付ければよい。
【００４０】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】この発明の第１実施形態に係るシリコンマイクユニットを備えるマイクパッケージを示す側断面図である。
【図２】この発明の第１実施形態に係るシリコンマイクユニットを示す側断面図である。
【図３】この発明の第２実施形態に係るシリコンマイクユニットを備えるマイクパッケージを示す側断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１，３１・・・シリコンマイクユニット（半導体マイクユニット）、３・・・ベース基板（基板）、３ａ・・・表面、１３・・・シリコンマイクチップ（半導体マイクチップ）、１５，３３・・・支持基板、１５ａ，３３ａ・・・表面、１５ｂ，３３ｂ・・・裏面、２１・・・支持部、２１ａ・・・内孔、２５・・・ダイヤフラム、２７・・・熱硬化性接着剤、２９・・・搭載用接着剤、３３ｃ・・・貫通孔
【図１】
2008092561.tif 000003
【図２】
2008092561.tif 000004
【図３】
2008092561.tif 000005