(57)【要約】【課題】第１、第２の圧力検出部に加えられる熱応力の大きさを同一にできる圧力センサを提供する。【解決手段】ケース１０と、ケース１０の内部に収納された第１、第２のセンサチップ２０、３０と、ケース１０に形成され、第１、第２のセンサチップ２０、３０のそれぞれに連通する第１、第２の圧力導入孔４０、５０と、第１、第２のセンサチップ２０、３０の検出結果の差を演算する半導体回路チップ６０とを備えた構成圧力センサＳ１において、ケース１０の平面レイアウトにおいて、圧力隔壁１４を基準として、第１、第２の圧力導入孔４０、５０を互いに線対称に配置し、第１、第２のセンサチップ２０、３０も互いに線対称に配置する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケース（１０）と、
前記ケース（１０）の内部に並んで配置され、受けた圧力に基づく電気信号を出力する第１、第２の圧力検出部（２０、３０）と、
前記ケース（１０）に並んで設けられ、前記第１、第２の圧力検出部に、それぞれ検出対象の圧力を導入する第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）と、
前記第１、第２の圧力検出部から電気信号が入力され、入力された電気信号に基づいて、前記第１、第２の圧力検出部が検出した圧力の差を演算する演算部（６０）とを備える圧力センサにおいて、
前記第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）は、互いに形状および大きさが同一であって、前記ケース（１０）にて、互いに対称的に配置された平面レイアウトであり、
前記第１、第２の圧力検出部（２０、３０）は、互いに形状および大きさが同一であって、前記ケース（１０）の内部にて、前記第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）の対称基準と同じ基準で、互いに対称的に配置された平面レイアウトであることを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
前記第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）は、前記ケース内で、１つの隔壁（１４）によって隔てられており、
前記隔壁（１４）を基準として、前記第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）が対称的に配置されていると共に、前記第１、第２の圧力検出部（２０、３０）が対称的に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項３】
前記隔壁の一部（１４ａ）を基準として、前記第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）が点対称に配置されていると共に、前記第１、第２の圧力検出部（２０、３０）が点対称に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の圧力センサ。
【請求項４】
第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）は、それぞれ、平面レイアウト形状が円であって、同一の大きさである第１、第２の円形状部（４１、５１）を有しており、
前記第１、第２の円形状部（４１、５１）は、前記ケース（１０）にて、前記隔壁（１４）を基準として、互いに対称に配置された平面レイアウトであり、
前記第１、第２の圧力検出部（２０、３０）は、前記ケース（１０）の内部にて、それぞれ、前記第１、第２の円形状部（４１、５１）の中心に位置する平面レイアウトであることを特徴とする請求項２または３に記載の圧力センサ。
【請求項５】
前記演算部（６０）は、前記ケース（１０）の内部に設けられており、
前記演算部（６０）は、前記ケース（１０）にて、前記隔壁（１４）を基準として対称的に配置された平面レイアウトであることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項６】
前記ケース（１０）は、長短方向を有する複数の添加物（１５）が添加されており、
前記ケース内部での平面レイアウトにおいて、前記複数の添加物（１５）は、前記隔壁（１４）を基準に、前記添加物の長手方向の向きが対称となって、前記ケース内部に配置されていることを特徴とする請求項２ないし５のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項７】
前記隔壁（１４）は、前記ケース（１０）よりも熱伝導率の高い材料で構成されていることを特徴とする請求項２ないし６のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項８】
前記第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）には、それぞれ、前記第１、第２の圧力検出部（２０、３０）に圧力を伝達する第１、第２の圧力伝達媒体（７１、７２）が充填されており、
前記第１、第２の圧力伝達媒体（７１、７２）の形状および大きさは、同一であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項９】
前記第１、第２の圧力伝達媒体（７１、７２）は、ゲル部材であることを特徴とする請求項８に記載の圧力センサ。
【請求項１０】
前記第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）は、前記ケース（１０）の一面（１１ａ）側に設けられており、
前記ケース（１０）の他面（１１ｂ）側に並んで設けられ、検出対象の圧力に対して基準となる基準圧力を、それぞれ、前記第１、第２の圧力検出部（２０、３０）に導入する第３、第４の圧力導入通路（１３ａ、１３ｂ）と、
前記第１、第２の圧力検出部に前記基準圧力を伝達するように、前記第３、第４の圧力導入通路内に充填されており、吸熱性を有するゲル部材（７４、７５）とを備え、
前記第１の圧力検出部は、前記第１、第３の圧力導入通路から導入された両圧力の差に基づいて圧力検出を行い、前記第２の圧力検出部は、第２、第４の圧力導入通路から導入された両圧力の差に基づいて圧力検出を行うようになっており、
前記第１の圧力導入通路（４０）の内部が、前記第２の圧力導入通路（５０）の内部よりも高温となった場合に、前記第１の圧力導入通路（４０）の内部からの放熱量を前記第２の圧力導入通路（５０）の内部からの放熱量よりも多くするために、前記第３の圧力導入通路内に充填されたゲル部材（７４）の方が、前記第４の圧力導入通路内に充填されたゲル部材（７５）よりも量が多くなっていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項１１】
前記第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）は、前記ケース（１０）の一面（１１ａ）側に設けられており、
前記ケース（１０）の他面（１１ｂ）側に並んで設けられ、検出対象の圧力に対して基準となる基準圧力を、それぞれ、前記第１、第２の圧力検出部（２０、３０）に導入する第３、第４の圧力導入通路（１３ａ、１３ｂ）を備え、
前記第１の圧力検出部は、前記第１、第３の圧力導入通路から導入された両圧力の差に基づいて圧力検出を行い、前記第２の圧力検出部は、第２、第４の圧力導入通路から導入された両圧力の差に基づいて圧力検出を行うようになっており、
前記第１の圧力導入通路（４０）の内部が、前記第２の圧力導入通路（５０）の内部よりも高温となった場合に、前記第１の圧力導入通路（４０）の内部からの放熱量を前記第２の圧力導入通路（５０）の内部からの放熱量よりも多くするために、前記第３、第４の圧力導入通路のうち、前記第３の圧力導入通路内にのみ、前記第１の圧力検出部に前記基準圧力を伝達するように、吸熱性を有するゲル部材（７４）が充填されていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、圧力センサとしては、受けた圧力に基づく電気信号を出力する２つの圧力検出部を有し、この２つの圧力検出部が検出した圧力の差を、演算部で演算するものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
そして、このような圧力センサとしては、以下に説明する構造のものが公然実施されている。図９に従来の圧力センサの縦断面図を示し、図１０、１１にそれぞれ、図９中の圧力センサを上側から見た上面図、下側から見た下面図を示す。
【０００４】
図９に示す圧力センサは、ケース８１の内部に、圧力を検出する２つのセンサチップ８２、８３と、演算部としてのＩＣチップ８４やコンデンサ８５等のセンサチップ以外の素子が、セラミック基板８６に搭載された状態で、収納されている。また、ケース８１には、２つのセンサチップ８２、８３にそれぞれ外部から圧力を導入するための圧力導入通路８７、８８が２つ設けられている。
【０００５】
そして、この２つの圧力導入通路８７、８８の平面レイアウトは、図１０に示すように、非対称の関係であった。また、センサチップ以外の素子８４、８５の平面レイアウトも、図１１に示すように、センサチップ８２、８３に対して非対称な関係であった。
【特許文献１】特開平５−２４８９７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
圧力センサは、ケース８１、セラミック基板８６等の複数の部品により構成されており、各部品を構成する材料の線膨張係数が異なるため、圧力センサの使用環境温度によっては、熱応力が生じる。
【０００７】
そして、上記した構造の圧力センサでは、平面レイアウトにおいて、２つの圧力導入通路８７、８８が対称的に配置されていなかった。このため、２つのセンサチップ８２、８３において、圧力導入通路に対するセンサチップの相対的な位置が異なっていたため、圧力導入通路８７、８８を介してセンサチップ８２、８３にかかる熱応力の大きさが異なっていた。
【０００８】
このため、演算部で、２つのセンサチップが検出した圧力の差を演算したとき、熱応力分がキャンセルされずに、熱応力分の一部が演算結果に残り、圧力センサの検出結果に誤差が生じてしまう。
【０００９】
なお、この誤差が生じるとは、圧力センサの温度特性に非直線成分が発生してしまうことを意味する。すなわち、圧力センサの電圧値と温度との関係においては、温度にかかわらず一定もしくは比例である直線関係が正常であるが、この関係が崩れることを意味する。
【００１０】
本発明は、上記点に鑑み、第１、第２の圧力検出部に加えられる熱応力の大きさを同一にできる圧力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明は、第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）が、互いに形状および大きさが同一であって、ケース（１０）にて、互いに対称的に配置された平面レイアウトであり、第１、第２の圧力検出部（２０、３０）は、互いに形状および大きさが同一であって、ケース（１０）の内部にて、第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）の対称基準と同じ基準で、互いに対称的に配置された平面レイアウトであることを特徴としている。
【００１２】
このように、ケースにおける第１、第２の圧力導入部および第１、第２の圧力検出部の平面レイアウトにおいて、同一の基準に対して、第１、第２の圧力導入部を対称的に配置し、第１、第２の圧力検出部も対称に配置することで、第１、第２の圧力導入通路それぞれに対する第１、第２の圧力検出部の相対的な位置を同一にできる。すなわち、第１の圧力検出部から第１の圧力導入通路を構成する壁までの距離と、第２の圧力検出部から第２の圧力導入通路を構成する壁までの距離とを同一にできる。
【００１３】
これにより、第１、第２の圧力検出部に加えられる熱応力の大きさを同等にできるので、演算部で、第１、第２の圧力検出部が検出した圧力の差を演算したときに、第１、第２の圧力検出部に加えられる熱応力分を検出結果から除去できる。
【００１４】
なお、「対称」とは、例えば、線対称、点対称である。
【００１５】
また、本発明では、例えば、第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）が、ケース内で、１つの隔壁（１４）によって隔てられている場合、隔壁（１４）を基準として、第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）を対称的に配置すると共に、第１、第２の圧力検出部（２０、３０）を対称的に配置することができる。なお、「隔壁を基準とした対称」とは、隔壁の全体もしくは一部を基準とした対称を意味する。
【００１６】
具体的には、例えば、隔壁の一部（１４ａ）を基準として、第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）を点対称に配置すると共に、第１、第２の圧力検出部（２０、３０）を点対称に配置することができる。これにより、第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）の平面レイアウトにおいて、ケースに対する第１、第２の圧力導入通路が占める領域を最小にできるため、圧力センサの小型化を図ることができる。
【００１７】
また、本発明では、例えば、第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）を、それぞれ、平面レイアウト形状が円であって、同一の大きさである第１、第２の円形状部（４１、５１）を有する形状として、第１、第２の円形状部（４１、５１）を、ケース（１０）にて、隔壁（１４）を基準として、互いに対称に配置された平面レイアウトとし、  第１、第２の圧力検出部（２０、３０）を、ケース（１０）の内部にて、それぞれ、第１、第２の円形状部（４１、５１）の中心に位置する平面レイアウトとすることが好ましい。
【００１８】
このような配置とすることで、製造時において、第１、第２の圧力検出部をケースに設置するときの位置合わせが容易となる。
【００１９】
また、本発明では、例えば、演算部（６０）を、ケース（１０）の内部に設ける場合では、ケースおよび圧力導入通路から第１、第２の圧力検出部に加えられる熱応力の大きさが同一となるように、演算部（６０）を、ケース（１０）にて、隔壁（１４）を基準として対称的に配置された平面レイアウトとすることが好ましい。
【００２０】
また、本発明では、例えば、ケース（１０）に、長短方向を有する複数の添加物（１５）を添加する場合では、ケースおよび圧力導入通路から第１、第２の圧力検出部に加えられる熱応力の大きさが同一となるように、ケース内部での平面レイアウトにおいて、複数の添加物（１５）を、隔壁（１４）を基準に、添加物の長手方向の向きが対称として、ケース内部に配置することが好ましい。
【００２１】
また、本発明では、例えば、第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）に、それぞれ、第１、第２の圧力検出部（２０、３０）に圧力を伝達する第１、第２の圧力伝達媒体（７１、７２）が充填される場合、第１、第２の圧力伝達媒体（７１、７２）の形状および大きさは、同一であることが好ましい。
【００２２】
また、本発明では、例えば、隔壁（１４）を、ケース（１０）よりも熱伝導率の高い材料で構成することが好ましい。
【００２３】
これにより、第１、第２の圧力導入通路間の熱伝導が良好になるため、第１、第２の圧力導入通路の内部温度に差が生じるような圧力センサの使用環境であっても、第１、第２の圧力導入通路内の温度差を低減し、第１、第２の圧力導入通路内を同じ温度に近づけることができるからである。
【００２４】
また、例えば、第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）が、ケース（１０）の一面（１１ａ）側に設けられており、ケース（１０）の他面（１１ｂ）側に並んで設けられ、検出対象の圧力に対して基準となる基準圧力を、それぞれ、第１、第２の圧力検出部（２０、３０）に導入する第３、第４の圧力導入通路（１３ａ、１３ｂ）と、第３、第４の圧力導入通路内に充填された吸熱性を有するゲル部材（７４、７５）とを備える場合では、第１の圧力導入通路（４０）の内部が、第２の圧力導入通路（５０）の内部よりも高温となったときに、第１の圧力導入通路（４０）の内部からの放熱量を第２の圧力導入通路（５０）の内部からの放熱量よりも多くするために、第３の圧力導入通路内に充填されたゲル部材（７４）の方が、第４の圧力導入通路内に充填されたゲル部材（７５）よりも量が多くなっていることが好ましい。
【００２５】
ここで、ゲル部材の量が多いほど、ゲル部材の吸熱量が多いことから、第３の圧力導入通路内に充填されたゲル部材（７４）の量を、第４の圧力導入通路内に充填されたゲル部材（７５）よりも多くすることで、第１の圧力検出部を介しての高温側となる第１の圧力導入通路の内部から第３のゲル部材への放熱量を、第２の圧力検出部を介しての低温側となる第２の圧力導入通路の内部から第４のゲル部材への放熱量よりも多くできる。
【００２６】
この結果、第１、第２の圧力導入通路の内部温度に差が生じるような圧力センサの使用環境であっても、第１、第２の圧力導入通路内の温度差を低減し、第１、第２の圧力導入通路内を同じ温度に近づけることができる。
【００２７】
同様の理由により、例えば、第１、第２の圧力導入通路（４０、５０）が、ケース（１０）の一面（１１ａ）側に設けられており、ケース（１０）の他面（１１ｂ）側に並んで設けられ、検出対象の圧力に対して基準となる基準圧力を、それぞれ、第１、第２の圧力検出部（２０、３０）に導入する第３、第４の圧力導入通路（１３ａ、１３ｂ）を備える場合では、第１の圧力導入通路（４０）の内部が、第２の圧力導入通路（５０）の内部よりも高温となった場合に、第１の圧力導入通路（４０）の内部からの放熱量を第２の圧力導入通路（５０）の内部からの放熱量よりも多くするために、第３、第４の圧力導入通路のうち、第３の圧力導入通路内にのみ、第１の圧力検出部に基準圧力を伝達するように、吸熱性を有するゲル部材（７４）を充填することが好ましい。
【００２８】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
（第１実施形態）
図１に、本発明の第１実施形態における圧力センサの平面図を示し、図２に図１中のＡ−Ａ線断面図を示す。
【００３０】
本実施形態の圧力センサＳ１は、例えば、自動車のディーゼルエンジンの排気管に設けられたＤＰＦ（ディーゼルパティキュレートフィルタ）の圧力損失を検出するために当該排気管に取り付けられ、当該ＤＰＦ前後の排気管の差圧、すなわち、ＤＰＦの上流側圧力とＤＰＦの下流側圧力との差圧を検出する差圧（相対圧）検出型の圧力センサとして用いられる。なお、ＤＰＦとは、排気管途中に煤煙をトラップするフィルタを設け、一定量溜まったら煤煙を燃やすことで、大気中に煤煙が放出されることを防ぐシステムである。
【００３１】
図２に示すように、本実施形態の圧力センサＳ１は、ケース１０と、第１の圧力検出部としての第１のセンサチップ２０と、第２の圧力検出部としての第２のセンサチップ３０と、第１の圧力導入通路としての第１の圧力導入孔４０と、第２の圧力導入通路としての第２の圧力導入孔５０と、演算部としての半導体回路チップ６０とを主に備えた構成となっている。
【００３２】
ケース１０は、第１、第２のセンサチップ２０、３０を収容するものであり、例えば、主として、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）やＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）等の樹脂材料で構成されており、ガラスフィラー等の添加物が添加されている。
【００３３】
また、ケース１０は、例えば、全体が扁平形状であり、ケース本体部１１と蓋部１２とを備えている。
【００３４】
ケース本体部１１は、図２に示すように、図中上側と下側の互いに略平行な第１、第２の面１１ａ、１１ｂを有する形状である。図中上側の面である第１の面１１ａに、第１、第２の圧力導入孔４０、５０が横に並んで形成されている。一方、図中下側の面である第２の面１１ｂに、第１、第２のセンサチップ２０、３０および半導体回路チップ６０を設置するための１つの凹部１３が形成されている。なお、第１、第２の圧力導入孔４０、５０は、凹部１３に到達しており、ケース本体部１１の厚さ方向で、ケース本体部１１を貫通している。
【００３５】
蓋部１２は、第１、第２の圧力導入孔４０、５０を覆うものであって、第１、第２の圧力導入孔４０、５０に圧力を導入する第１、第２のポート１２ａ、１２ｂを有している。
【００３６】
第１、第２のセンサチップ２０、３０は、圧力を検出する検出部を構成するものであり、印加された圧力値に応じたレベルの電気信号を出力するものである。具体的には、第１、第２のセンサチップ２０、３０は、シリコン等で構成された半導体基板にダイヤフラム２１、３１が形成された半導体ダイヤフラム式の半導体センサチップである。このダイヤフラム２１、３１は、歪みゲージとして機能する部分であり、例えば、半導体基板の一面（裏面）２０ｂ、３０ｂ側に、エッチングなどによって凹部を形成することで、半導体基板の他面（表面）２０ａ、３０ａ側に、この凹部に対応した薄肉部として形成される。なお、第１、第２のセンサチップ２０、３０は、同じ形状および大きさのものである。
【００３７】
このようなセンサチップ２０、３０は、表裏両面２０ａ、２０ｂ、３０ａ、３０ｂで圧力を受け、両圧力の差圧によってダイヤフラム２１、３１が歪み、図３に示すように、ダイヤフラム２１、３１に形成されたピエゾ抵抗２１ａ〜２１ｄ、３１ａ〜３１ｄにより構成されたブリッジ回路（歪みゲージ）によって、このダイヤフラム２１、３１の歪みに基づく信号を出力する。
【００３８】
また、図２に示すように、第１、第２のセンサチップ２０、３０は、それぞれ、ガラス等よりなる台座２２、３２を介して、ケース本体部１１の凹部１３に並んで設置されている。台座２２、３２には、それぞれ、第１、第２の圧力導入孔４０、５０と連通する貫通孔２２ａ、３２ａが形成されている。
【００３９】
なお、第１、第２のセンサチップ２０、３０と台座２２、３２とは、例えば、陽極接合などにより接合されている。また、台座２２、３２は、シリコーン系接着剤等の接着剤２３、３３により、ケース本体部１１に接着されている。このようにして、第１、第２のセンサチップ２０、３０は、ケース１０に収納固定されている。
【００４０】
第１、第２の圧力導入孔４０、５０は、それぞれ、第１、第２のセンサチップ２０、３０に、圧力検出対象の流体（圧力Ａ、Ｂ）を導入するための通路である。例えば、第１の圧力導入孔４０に圧力Ａとしての上流側排気が流れ、第２の圧力導入孔５０に圧力Ｂとして下流側排気が流れる。
【００４１】
第１、第２の圧力導入孔４０、５０は、１つの圧力隔壁１４によって隔てられている。第１、第２の圧力導入孔４０、５０は、互いに形状および大きさが同一である。ここで、形状とは、断面形状および平面形状の両方を含み、すなわち、全体の形状を意味する。
【００４２】
また、本実施形態では、第１、第２の圧力導入孔４０、５０は、センサチップ４０、５０側の部分４１、５１と、圧力導入側すなわちケース本体部１１の第１の面１１ａ側の部分４２、５２とにおいて、幅が異なっており、センサチップ４０、５０側の部分４１、５１の方が幅が狭くなっている。
【００４３】
また、第１、第２の圧力導入孔４０、５０には、それぞれ、ゲル状の材料からなる第１、第２のゲル部材７１、７２が充填されている。第１、第２のゲル部材７１、７２は、台座２２、３２の孔部２２ａ、３２ａを介して、センサチップ２０、３０の裏面２０ｂに到達している。第１、第２のゲル部材７１、７２は、同じ材質、同じ量である。このため、第１、第２のゲル部材７１、７２の形状および大きさは同じである。
【００４４】
この第１、第２のゲル部材７１、７２は、圧力ポートから導入された圧力をセンサチップ２０、３０に媒介すると共に、腐食ガスや湿度からセンサチップ２０、３０や第１、第２の圧力導入孔４０、５０等を保護するものである。
【００４５】
半導体回路チップ６０は、第１、第２のセンサチップ２０、３０から電気信号が入力され、入力された電気信号に基づいて、第１、第２のセンサチップ２０、３０が検出した圧力の差を演算するものである。
【００４６】
半導体回路チップ６０は、第１、第２のセンサチップ２０、３０と共に、ケース本体部１１の凹部１３に、接着剤６１を介して固定されており、第１、第２のセンサチップ２０、３０と金やアルミニウムなどからなるボンディングワイヤ６２（図１、２参照）を介して結線され電気的に接続されている。
【００４７】
また、図示しないが、ケース本体部１１には、半導体回路チップ６０と外部との電気的な接続を行うためのコネクタ部が設けられている。このコネクタ部には、半導体回路チップ６０と電気的に接続された配線部材としてのターミナルが設けられており、このターミナルを介して、半導体回路チップ６０から出力される信号が取り出される。例えば、このターミナルが外部配線部材に接続されることで、半導体回路チップ６０は、外部回路（たとえば、車両のＥＣＵ等）に対して信号のやり取りが可能となっている。
【００４８】
また、ケース本体部１１の凹部１３には、ゲル材料からなる第３のゲル部材７３が充填されている。この第３のゲル部材７３によって、センサチップ２０、３０、半導体回路チップ６０およびボンディングワイヤ６２などによる接続部が封止され、保護されている。また、第３のゲル部材７３は、例えば、大気に曝されており、大気圧をセンサチップ２０、３０に媒介するようになっている。
【００４９】
なお、第１〜第３のゲル部材７１、７２、７３に用いられるゲル材料としては、例えば、フッ素ゲル、シリコンゲル、フロロシリコンゲルなどを採用できる。特に、排気ガス圧を測定する場合では、排気ガスによる凝縮水は、排気ガスの窒素酸化物や硫黄酸化物が溶け込み強い酸性を持つため、ゲル材料としては、耐酸性が強いフッ素ゲルを使用することが望ましい。
【００５０】
次に、第１、第２の圧力導入孔４０、５０および第１、第２のセンサチップ等の平面レイアウトについて説明する。なお、本明細書中の平面レイアウト、平面レイアウト形状とは、それぞれ、図１に示すように、ケース本体部１１の第１の面１１ａを真上から見たときの各構成部の配置、形状を意味し、平面レイアウト方向とは、第１、第２の圧力導入孔４０、５０が並ぶ面方向、すなわち、第１の面１１ａに平行な面方向を意味する。
【００５１】
第１、第２の圧力導入孔４０、５０の圧力導入側部分４２、５２は、その平面レイアウト形状が同じ大きさの略四角形であり、互いの位置関係については、直線形状の圧力隔壁１４を基準として線対称に配置されている。言い換えると、圧力隔壁１４が第１、第２の圧力導入孔４０、５０の対称軸となっている。なお、圧力隔壁１４の幅は均一である。
【００５２】
また、第１、第２の圧力導入孔４０、５０のセンサチップ側部分４１、５１は、その平面レイアウト形状が同じ大きさの円形状であり、それぞれ、圧力導入側部分４２、５２の中央付近に位置している。すなわち、センサチップ側部分４１、５１は、圧力隔壁１４から離れている。また、センサチップ側部分４１、５１の互いの位置関係については、圧力導入側部分４２、５２と同様に、圧力隔壁１４を基準として線対称に配置されている。
【００５３】
このように、本実施形態では、平面レイアウトにおいて、第１、第２の圧力導入孔４０、５０が直線形状の圧力隔壁１４を基準として線対称に配置されている。
【００５４】
また、図１に示すように、平面レイアウトにおいて、円形状であるセンサチップ側部分４１、５１の中心部分と、第１、第２の半導体センサチップ２０、３０の中央部とが一致している。したがって、第１、第２のセンサチップ２０、３０同士は、互いに、圧力隔壁１４を基準として線対称に配置されていると言える。
【００５５】
また、図１に示すように、平面レイアウトにおいて、半導体回路チップ６０の中心部と、圧力隔壁１４とが一致している。したがって、半導体回路チップ６０も、圧力隔壁１４を基準として線対称となる位置に配置されていると言える。
【００５６】
図４に、ケース本体部１１に添加されている添加物１５の配向の様子を示す。なお、図４は、図１に対応しており、便宜上、第１、第２の圧力導入孔４０、５０と重ねて、添加物１５を示している。図４に示すように、ケース本体部１１に添加されているガラスフィラー等の添加物１５は、例えば、繊維状で、長短方向を有しており、添加物１５の長手方向の向きが圧力隔壁１４を基準として対称となっている。すなわち、ケース本体部１１の内部において、添加物１５は、圧力隔壁１４を基準として対称的に配向している。
【００５７】
このように、添加物１５を、圧力隔壁１４を基準として対称的に配向させるには、ケース本体部１１を樹脂の射出成形により製造する際に、樹脂の射出のためのゲートの位置を、図中一点鎖線で示す圧力隔壁１４の延長線上に位置させることで可能となる。例えば、ゲートの位置を図中の矢印の位置とすればよい。これは、ケース本体部１１の圧力隔壁１４によって隔てられる２つの領域では、樹脂の流れが同じだからである。
【００５８】
なお、添加物１５は、樹脂の流れる方向に沿って配向するが、一般的にゲートから遠い側では、樹脂温度の低下もしくは射出圧からの圧力低下があるため、添加物の配向が不規則となりやすい。このため、本実施形態と異なり、ゲートの位置を圧力隔壁１４の延長線上に設けない場合、添加物の配向が非対称となる。
【００５９】
次に、本実施形態の圧力センサＳ１の作動について説明する。
【００６０】
図２に示すように、圧力センサＳ１は、第１のポート１２ａから第１の圧力導入孔４０に、圧力ＡとしてＤＰＦの上流側排気が導入され、第２のポート１２ｂから第２の圧力導入孔５０に、圧力ＢとしてＤＰＦの下流側排気が導入される。
【００６１】
これにより、第１のセンサチップ２０は、その裏面２０ｂで、第１の圧力導入孔４０の内部の第１のゲル部材７１を介して、上流側圧力を受圧すると共に、その表面２０ａで、凹部１３内の第３のゲル部材７３を介して、基準圧力Ｃとしての大気圧を受圧する。
【００６２】
したがって、第１のセンサチップ２０は、圧力Ａと基準圧力Ｃの差圧を検出する、すなわち、大気圧Ｃを基準とした上流側圧力Ａの相対圧に基づく、電気信号を半導体回路チップ６０に向けて出力する。なお、圧力センサＳ１に導入される排気が高温のため、圧力センサＳ１を構成する各材料の線膨張係数差によって熱応力が生じ、この熱応力が、第１のゲル部材７１およびケース本体部１１（より正確には、台座部２２、３２）を介して、第１のセンサチップ２０に印加される。このため、第１のセンサチップ２０の検出結果には、第１のセンサチップ２０に印加されたた熱応力分が含まれる。
【００６３】
同様に、第２のセンサチップ３０は、その裏面３０ｂで、第２の圧力導入孔５０の内部の第２のゲル部材７２を介して、下流側圧力を受圧すると共に、その表面３０ａで、凹部１３内の第３のゲル部材７３を介して、基準圧力Ｃとしての大気圧を受圧する。したがって、第２のセンサチップ３０は、圧力Ｂと圧力Ｃの差圧を検出する、すなわち、大気圧Ｃを基準とした下流側圧力Ｂの相対圧に基づく、電気信号を半導体回路チップ６０に向けて出力する。なお、この第２のセンサチップ３０の検出結果にも、第２のセンサチップ３０が印加された熱応力分が含まれる。
【００６４】
そして、半導体回路チップ６０は、第１、第２のセンサチップ２０、３０から入力された電気信号に基づいて、第１のセンサチップ２０が検出した圧力Ａの相対圧と、第２のセンサチップ３０が検出した圧力Ｂの相対圧の差を算出し、その算出結果を電気信号として、圧力センサＳ１の外部に向けて出力する。
【００６５】
すなわち、図５に示すように、半導体回路チップ６０は、第１のセンサチップ２０から検出結果Ｘが入力され、第２のセンサチップ３０から検出結果Ｙが入力される。上記のとおり、検出結果Ｘは、圧力Ａ−基準圧力Ｃ＋（ケース本体部１１からの応力）＋（第１のゲル部材７１からの応力）であり、検出結果Ｙは、圧力Ｂ−基準圧力Ｃ＋（ケース本体部１１からの応力）＋（第１のゲル部材７１からの応力）である。そして、半導体回路チップ６０は、検出結果Ｘと検出結果Ｙの差（Ｘ−Ｙ）を演算し、その演算結果を検出結果として外部に出力する。なお、図５は、第１、第２のセンサチップ２０、３０と半導体回路チップ６０の等価回路を示している。
【００６６】
次に、本実施形態の主な特徴を説明する。
【００６７】
（１）本実施形態では、ケース本体部１１に形成される第１、第２の圧力導入孔４０、５０の平面レイアウトにおいて、圧力隔壁１４を基準として、第１、第２の圧力導入孔４０、５０を互いに線対称に配置している。そして、第１、第２のセンサチップ２０、３０の平面レイアウトにおいても、圧力隔壁１４を基準として、第１、第２のセンサチップ２０、３０を互いに線対称に配置している。なお、第１、第２の圧力導入孔４０、５０の形状および大きさは同一であり、第１、第２のセンサチップ２０、３０の形状および大きさも同一である。また、第１、第２のゲル部材７１、７２の形状および大きさも同一である。
【００６８】
これにより、ケース本体部１１内の平面レイアウトにおいて、第１、第２のセンサチップ２０、３０それぞれの第１、第２圧力導入孔４０、５０に対する相対的な位置を同じにでき、図３に示すように、第１のセンサチップ２０から圧力隔壁１４までの距離Ｌ１と、第２のセンサチップ３０から圧力隔壁１４までの距離Ｌ２とを同一にすることができる。すなわち、平面レイアウトにおいて、第１のセンサチップ２０から第１の圧力導入孔４０を構成する壁までの距離と、第２のセンサチップ３０から第２の圧力導入孔５０を構成する壁までの距離とを同一にすることができる。
【００６９】
この結果、ゲル部材７１、７２およびケース本体部１１を介して、第１、第２のセンサチップ２０、３０のそれぞれに加えられる熱応力の大きさを同等にできる。したがって、図５に示すように、半導体回路チップ６０で、第１、第２のセンサチップ２０、３０が検出した圧力の差（Ｘ−Ｙ）を演算したときに、第１、第２のセンサチップ２０、３０に加えられる熱応力分を検出結果から除去することができ、圧力Ａと圧力Ｂの差圧を検出することができる。
【００７０】
また、本実施形態では、半導体回路チップ６０も、第１、第２の圧力導入孔４０、５０と同様に、圧力隔壁１４を基準として線対称に配置されており、ケース本体部１１に添加されている添加物１５も、圧力隔壁１４を基準として線対称に配向している。このことからも、ゲル部材７１、７２およびケース本体部１１を介して、第１、第２のセンサチップ２０、３０のそれぞれに加えられる熱応力の大きさが同等となっている。
【００７１】
したがって、本実施形態の圧力センサＳ１によれば、高精度な検出結果が得られる。なお、上記した構造の圧力センサＳ１は、ＤＰＦシステムのように、検出結果に対して、高精度が要求される用途で使用される場合に特に有用である。
【００７２】
（２）本実施形態では、第１、第２の圧力導入孔４０、５０のセンサチップ側部分４１、５１は、その平面レイアウト形状が円形状となっており、これらのセンサチップ側部分４１、５１も、圧力隔壁１４を基準として線対称に配置されている。
【００７３】
これにより、圧力センサＳ１の製造時において、第１、第２の圧力導入孔４０、５０のセンサチップ側部分４１、５１の中心部と、第１、第２のセンサチップ２０、３０の中央部とを一致させて、第１、第２のセンサチップ２０、３０を設置することで、第１、第２のセンサチップ２０、３０を、圧力隔壁１４を基準として線対称に配置することが容易となる。
【００７４】
（第２実施形態）
本実施形態は、第１実施形態で説明した圧力センサに対して、第１、第２の圧力導入孔４０、５０等の平面レイアウトを変更したものである。図６に、本発明の第２実施形態における圧力センサの平面図を示す。なお、図６では、図１と同様の構成部には同一の符号を付しており、以下では、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００７５】
本実施形態では、図６に示すように、第１、第２の圧力導入孔４０、５０は、互いに、平面レイアウト形状および大きさが同一であり、それらの平面レイアウトにおいて、第１、第２の圧力導入孔４０、５０の中間に位置する圧力隔壁１４の一部１４ａを基準として点対称に配置されている。言い換えると、第１、第２の圧力導入孔４０、５０の対称中心１４ａが圧力隔壁１４に位置している。
【００７６】
より具体的には、第１、第２の圧力導入孔４０、５０の圧力導入側部分４２、５２および圧力隔壁１４を合わせた形状は、略長方形であることから、圧力導入側部分４２、５２は、この略長方形の図形を圧力隔壁１４で２つに分割した形状であると言える。また、圧力隔壁１４は、幅（厚さ）が均一であり、長方形の短辺に斜めの部分１４ｂと、その両端に連続する短辺に平行な部分１４ｃ、１４ｄとからなる形状となっている。
【００７７】
また、図６に示すように、平面レイアウトにおいて、第１、第２の圧力導入孔４０、５０のセンサチップ側部分４１、５１は、円形状となっており、これらのセンサチップ側部分４１、５１も、圧力隔壁１４の一部１４ａを基準として点対称に配置されている。また、第１、第２のセンサチップ２０、３０は、互いに、圧力隔壁１４の一部１４ａを基準として点対称に配置されている。なお、本実施形態では、センサチップ側部分４１、５１の中心部分と、第１、第２の半導体センサチップ２０、３０の中央部とは一致していない。
【００７８】
また、図６に示すように、平面レイアウトにおいて、半導体回路チップ６０の中心部は、圧力隔壁１４の一部１４ａを含む部分１４ｂの延長線上に一致している。したがって、半導体回路チップ６０も、圧力隔壁１４の一部１４ａを基準として点対称となる位置に配置されていると言える。
【００７９】
本実施形態においても、第１、第２のセンサチップ２０、３０それぞれの第１、第２圧力導入孔４０、５０に対する相対的な位置が同じである。このため、第１のセンサチップ２０から圧力隔壁１４までの距離Ｌ１と、第２のセンサチップ３０から圧力隔壁１４までの距離Ｌ２とを同一にすることができる。すなわち、平面レイアウトにおいて、第１のセンサチップ２０から第１の圧力導入孔４０を構成する壁までの距離と、第２のセンサチップ３０から第２の圧力導入孔５０を構成する壁までの距離とを同一にすることができる。      
【００８０】
したがって、本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を有している。
【００８１】
また、本実施形態では、第１、第２の圧力導入孔４０、５０の平面レイアウトを、圧力隔壁１４の一部１４ａを基準とした点対称としている。これにより、線対称である第１実施形態と比較して、ケース本体部１１に対する第１、第２の圧力導入孔４０、５０が占める領域を最小にでき、圧力センサＳ１の小型化を図ることができる。
【００８２】
（第３実施形態）
図７に、本発明の第３実施形態における圧力センサの縦断面図を示す。なお、図７は、図２に対応しており、図２と同様の構成部には同一の符号を付している。以下では、第１実施形態と異なる点について主に説明する。
【００８３】
第１実施形態では、第１、第２のセンサチップ２０、３０は、それぞれ、大気圧を基準圧力Ｃとした上流側圧力Ａ、下流側圧力Ｂの相対圧を検出するものであったが、本実施形態では、図７に示すように、第１、第２のセンサチップ２０、３０は、それぞれ、上流側圧力Ａ、下流側圧力Ｂの絶対圧を検出するものである。
【００８４】
具体的には、本実施形態の圧力センサＳ１は、ケース本体部１１の第１の面１１ａと第２の面１１ｂのうち、第１の面１１ａにのみ、第１、第２の圧力導入孔４０、５０が形成されており、第２の面１１ｂに、凹部は形成されていない。第１、第２の圧力導入孔４０、５０は、ケース本体部１１を厚さ方向（図中上下方向）で貫通しておらず、凹形状となっている。また、平面レイアウトでは、第１、第２の圧力導入孔４０、５０は、図１中の第１、第２の圧力導入孔４０、５０の圧力導入側部４２、５２と同様の形状および配置となっている。
【００８５】
そして、この第１、第２の圧力導入孔４０、５０の底面に、それぞれ、第１、第２のセンサチップ２０、３０が、台座２２、３２および接着材２３、３３を介して、固定されている。
【００８６】
また、本実施形態では、第１、第２のセンサチップ２０、３０の表面２０ａ、３０ａ側が、それぞれ、第１、第２のゲル部材７１、７２と接しており、その裏面２０ｂ、３０ｂ側が真空になっている。したがって、第１、第２のセンサチップ２０、３０は、それぞれ、第１、第２のゲル部材７１、７２を介して、受圧した上流側圧力Ａおよび下流側圧力Ｂと真空圧との差圧を検出する。
【００８７】
なお、図７では、半導体回路チップを省略しているが、本実施形態においても、半導体回路チップによって、第１、第２のセンサチップ２０、３０から入力された電気信号に基づいて、第１のセンサチップ２０が検出した上流側圧力Ａの絶対圧と、第２のセンサチップ３０が検出した下流側圧力Ｂの絶対圧の差を算出し、その算出結果を電気信号として、圧力センサＳ１の外部に向けて出力する。
【００８８】
このように、第１、第２のセンサチップ２０、３０が、それぞれ、上流側圧力Ａ、下流側圧力Ｂの絶対圧を検出するタイプの圧力センサＳ１においても、第１実施形態と同様の平面レイアウト構造にすることで、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００８９】
（第４実施形態）
図８に、本発明の第４実施形態における圧力センサの縦断面図を示す。なお、図８は、図２に対応しており、図２と同様の構成部には同一の符号を付している。以下では、第１実施形態と異なる点について主に説明する。
【００９０】
本実施形態の圧力センサＳ１は、図８に示すように、第１のセンサチップ２０が上流側圧力Ａと下流側圧力Ｂの相対圧を検出し、第２のセンサチップ３０がケース本体部等からの熱応力を検出するタイプのものである。
【００９１】
具体的には、本実施形態の圧力センサＳ１は、第１、第２の圧力導入孔４０、５０は、ケース本体部１１を厚さ方向（図中上下方向）で貫通して設けられている
第１の圧力導入孔４０は、ケース本体部１１の厚さ方向において、第１の面１１ａ側部分４３と、中央側部分４４と、第２の面１１ｂ側の部分４５とが順に連続した構成である。同様に、第２の圧力導入孔５０は、ケース本体部１１の厚さ方向において、第１の面１１ａ側部分５３と、中央側部分５４と、第２の面１１ｂ側の部分５５とが順に連続した構成である。
【００９２】
また、第１、第２の圧力導入孔４０、５０の第１の面１１ａ側部分４３、５３に、それぞれ、第１、第２のセンサチップ２０、３０が、台座２２、３２および接着材２３、３３を介して、中央側部分４４、５４を塞ぐように固定されている。
【００９３】
また、第１の圧力導入孔４０には、第１のセンサチップ２０の表面２０ａ側と、裏面２０ｂ側のそれぞれに接するように、第１のゲル部材７１ａ、７１ｂが充填されている。同様に、第２の圧力導入孔５０には、第２のセンサチップ３０の表面３０ａ側と、裏面３０ｂ側のそれぞれに接するように、第２のゲル部材７２ａ、７２ｂが充填されている。
【００９４】
そして、第１のセンサチップ２０は、表面２０ａ側で上流側圧力Ａを受圧し、裏面２０ｂ側で下流側圧力Ｂを受圧し、受圧した上流側圧力Ａと下流側圧力Ｂの差圧を検出するようになっている。なお、第１のセンサチップ２０の検出結果には、第１実施形態で説明したように、ゲル部材７１およびケース本体部１１を介して、第１のセンサチップ２０に加えられる熱応力分が含まれる。
【００９５】
一方、第２のセンサチップ３０は、表面２０ａ側および裏面２０ｂ側で、大気圧を受圧し、両面３０ａ、３０ｂで受圧した大気圧の差、すなわち、ゲル部材７２およびケース本体部１１を介して、第２のセンサチップ３０に加えられる熱応力の大きさを検出するようになっている。
【００９６】
また、図８では半導体回路チップを省略しているが、本実施形態においても、半導体回路チップが搭載されており、第１、第２のセンサチップ２０、３０から入力された電気信号に基づいて、第１のセンサチップ２０の検出結果と、第２のセンサチップ３０の検出結果との差を算出し、その算出結果を電気信号として、圧力センサＳ１の外部に向けて出力する。
【００９７】
本実施形態では、図示しないが、第１、第２の圧力導入孔４０、５０は、同じ平面レイアウト形状および大きさであり、平面レイアウトにおいて、第１実施形態と同様に圧力隔壁１４を基準として線対称に配置されている。具体的には、第１、第２の圧力導入孔４０、５０の第１の面１１ａ側部分４３、５３と第２面１１ｂ側部分４５、５５は、図１中の圧力導入側部４２、５２と同様の形状および配置となっており、第１、第２の圧力導入孔４０、５０の中央側部分４４、５４は、図１中のセンサチップ側部分４１、５１と同様に、円形状で、圧力隔壁１４を基準として線対称に配置されている。
【００９８】
また、第１、第２のセンサチップ２０、３０の平面レイアウトにおいても、圧力隔壁１４を基準として、第１、第２のセンサチップ２０、３０を互いに線対称に配置している。
【００９９】
これにより、第１実施形態と同様に、ゲル部材７１、７２およびケース本体部１１を介して、第１、第２のセンサチップ２０、３０のそれぞれに加えられる熱応力の大きさを同等にできる。したがって、半導体回路チップ６０で、第１、第２のセンサチップ２０、３０が検出した圧力の差を演算することで、第１のセンサチップ２０に加えられる熱応力分を検出結果から除去することができ、圧力Ａと圧力Ｂの差圧を高精度に検出することができる。
【０１００】
（第５実施形態）
図９に、本発明の第５実施形態における圧力センサの縦断面図を示す。なお、図９は、図２に対応しており、図２と同様の構成部には同一の符号を付している。以下では、第１実施形態と異なる点について主に説明する。
【０１０１】
本実施形態では、図９に示すように、圧力隔壁１４を金属で構成している。より詳細には、圧力隔壁１４のうち、第１、第２の圧力導入孔４０、５０の圧力導入側部分４２、５２を隔てている部分１４ｅは、金属で構成されており、台座２２、３２が固定される部分１４ｆ、ケース本体部１１と同じ樹脂材料で構成されている。
【０１０２】
ここで、圧力センサの使用環境においては、第１、第２の圧力導入孔４０、５０に導入される上流側と下流側の排気温度の違いや、第１、第２の圧力導入孔４０、５０に対して排気管から照射される輻射熱の違い等が原因で、第１の圧力導入孔４０の内部と、第２の圧力導入孔５０の内部とで温度差が生じる場合がある。  
【０１０３】
この場合、実際には、第１の圧力導入孔４０の内部に導入される上流側排気と、第２の圧力導入孔５０の内部に導入される下流側排気の圧力に差が無くても、温度差が原因により、第１の圧力導入孔４０の内部と、第２の圧力導入孔５０の内部とでの圧力差が生じるため、この圧力差が上流側排気と下流側排気の差圧として、誤って検出されるという問題が生じる。
【０１０４】
これに対して、本実施形態では、圧力隔壁１４を、ケース１０よりも熱伝導性が高い材料、例えば、金属で構成しているので、圧力隔壁１４が樹脂材料で構成されている場合と比較して、第１の圧力導入孔４０の内部と、第２の圧力導入孔５０の内部との間での熱伝導を高めている。
【０１０５】
これにより、第１の圧力導入孔４０の内部と、第２の圧力導入孔５０の内部とで、温度差が生じるような場合であっても、圧力隔壁１４を介して、高温側から低温側への熱の移動が容易となるため、第１の圧力導入孔４０の内部と、第２の圧力導入孔５０の内部とで生じる温度差を低減し、第１の圧力導入孔４０の内部と、第２の圧力導入孔５０の内部とを同じ温度に近づけることができる。この結果、第１、第２の圧力導入孔４０、５０内での温度差により生じる圧力センサの誤検出を抑制することができる。
【０１０６】
（第６実施形態）
図１０に、本発明の第６実施形態における圧力センサの縦断面図を示す。なお、図１０は、図２に対応しており、図２と同様の構成部には同一の符号を付している。以下では、第１実施形態と異なる点について主に説明する。
【０１０７】
本実施形態では、図１０に示すように、ケース本体部１１の第２の面１１ｂに設けられている凹部１３が、圧力隔壁１４によって、第１のセンサチップ２０側の部分１３ａと、第２のセンサチップ３０側の部分１３ｂとに分け隔てられている。なお、凹部１３の第１のセンサチップ２０側の部分１３ａおよび第２のセンサチップ３０側の部分１３ｂが、それぞれ、特許請求の範囲に記載の第３の圧力導入通路および第４の圧力導入通路に相当する。
【０１０８】
そして、凹部１３の第１のセンサチップ２０側の部分１３ａに第３のゲル部材７４が充填され、凹部１３の第２のセンサチップ３０側の部分１３ｂに第４のゲル部材７５が充填されている。第３、第４のゲル部材７４、７５は、第１実施形態中の第３のゲル部材７３に対応しており、それぞれ、第１、第２のセンサチップ２０、３０に対して、基準圧力Ｃとしての大気圧を伝達するものである。なお、第３、第４のゲル部材７４、７５としては、例えば、フッ素ゲル、シリコンゲル等が用いられる。
【０１０９】
また、本実施形態では、第１のポート１２ａから第１の圧力導入孔４０に導入される圧力ＡとしてＤＰＦの上流側排気の方が、第２のポート１２ｂから第２の圧力導入孔５０に導入される圧力ＢとしてＤＰＦの下流側排気よりも高温である場合を想定して、第１の圧力導入孔４０の内部からの放熱量を、第２の圧力導入孔５０の内部からの放熱量よりも多くするために、第３のゲル部材７４の方が、第４のゲル部材７５よりも量が多くなっている。
【０１１０】
ここで、第３、第４のゲル部材７４、７５は、吸熱性を有しており、量が多いほど、吸熱量が多い。すなわち、第３、第４のゲル部材７４、７５は、ヒートシンクとしての機能を備えている。したがって、第３のゲル部材７４の量を、第４のゲル部材７５よりも多くすることで、第１のセンサチップ２０を介しての高温側である第１の圧力導入孔４０の内部からの第３のゲル部材７４への放熱量を、第２のセンサチップ３０を介しての低温側である第２の圧力導入孔５０の内部からの第４のゲル部材７５への放熱量よりも多くできる。  
【０１１１】
そして、本実施形態では、第１の圧力導入孔４０の内部と、第２の圧力導入孔５０の内部とで生じる温度差を低減し、第１の圧力導入孔４０の内部と、第２の圧力導入孔５０の内部とを同じ温度に近づけるように、第３のゲル部材７４と第４のゲル部材７５の量が調整されている。
【０１１２】
これにより、本実施形態においても、第５実施形態と同様に、第１、第２の圧力導入孔４０、５０内での温度差により生じる圧力センサの誤検出を抑制することができる。
【０１１３】
なお、第３、第４のゲル部材７４、７５は、上記したように、第１、第２のセンサチップ２０、３０に対して基準圧力Ｃを伝達するものであり、検出対象の圧力を伝達するものでないことや、凹部１３の第１のセンサチップ２０側の部分１３ａおよび第２のセンサチップ３０側の部分１３ｂは、第１、第２の圧力導入孔４０、５０のセンサチップ側部分４１、５１よりも広いことから、第３、第４のゲル部材７４、７５の量が異なっていても、第１、第２のセンサチップ２０、３０の圧力検出への影響はほとんど無い。
【０１１４】
また、本実施形態では、第３のゲル部材７４の量を、第４のゲル部材７５よりも多くする場合を例として説明したが、第４のゲル部材７５を省略して、凹部１３の第１のセンサチップ２０側の部分１３ａにのみ、第３のゲル部材７４を充填させても良い。このようにしても、本実施形態と同様の効果が得られる。
【０１１５】
（他の実施形態）
（１）上記した各実施形態では、平面レイアウトにおいて、第１、第２の圧力導入孔４０、５０が、ケース本体部１１の中央部に配置されている場合を例として説明したが、第１、第２の圧力導入孔４０、５０同士の位置関係が対称的であれば、必ずしもケース本体部１１の中央部に配置されていなくても良い。このようにすることで、少なくとも圧力隔壁１４から各センサチップ２０、３０に加えられる熱応力の大きさを同等にすることができるからである。
【０１１６】
（２）上記した各実施形態では、ケース本体部１１が、第１、第２の圧力導入孔４０、５０が１つの圧力隔壁１４で隔てられる構造である場合を例として説明したが、必ずしも、圧力隔壁は１つでなくても良い。例えば、特許文献１の図３に示されるように、第１、第２の圧力導入孔４０、５０が離間して設けられている場合においても、本発明を適用することができる。この場合、平面レイアウトにおいて、第１、第２の圧力導入孔４０、５０の中間点に、対称基準が位置する。
【０１１７】
（３）上記した各実施形態では、第１、第２の圧力導入孔４０、５０に充填される圧力伝達媒体としてゲル部材７１、７２を用いる場合を例として説明したが、圧力伝達媒体としては、ゲル部材以外の固体や、オイル等の液体を用いても良い。また、圧力伝達媒体を省略しても良い。
【０１１８】
（４）上記した各実施形態では、ケース１０の内部に１つの半導体回路チップ６０を搭載する場合を例として説明したが、センサチップ以外の複数の素子をケース１０の内部に配置しても良い。この場合、第１、第２の圧力導入孔４０、５０と同様に、圧力隔壁１４を基準として、対称的に配置することが好ましい。第１、第２のセンサチップ２０、３０に加わる熱応力を同等にするためである。
【０１１９】
（５）上記した各実施形態では、ケース１０の内部に半導体回路チップ６０が搭載されている場合を例として説明したが、ケース１０の外部に配置しても良い。
【０１２０】
（６）上記した各実施形態では、ＤＰＦに用いられる圧力センサを例として説明したが、本発明の圧力センサの用途はこれに限定されないものである。また、上記した各実施形態では、圧力検出手段として半導体センサチップを用いていたが、他の手段を採用することもできる。また、上記した各実施形態は、可能な範囲において種々の組み合わせが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明の第１実施形態における圧力センサの平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１中の第１、第２のセンサチップ２０、３０の内部構成および平面レイアウトを示す図である。
【図４】ケース本体部１１に添加されている添加物１５の配向の様子を示すケース本体部の平面レイアウト図である。
【図５】図１中の第１、第２のセンサチップ２０、３０と半導体回路チップ６０の等価回路を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態における圧力センサの平面図である。
【図７】本発明の第３実施形態における圧力センサの縦断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態における圧力センサの縦断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態における圧力センサの縦断面図である。
【図１０】本発明の第６実施形態における圧力センサの縦断面図である。
【図１１】従来の圧力センサの縦断面図である。
【図１２】図１１の圧力センサの上面図である。
【図１３】図１１の圧力センサの下面図である。
【符号の説明】
【０１２２】
１０…ケース、１１…ケース本体部、１４…圧力隔壁、
２０…第１のセンサチップ、３０…第２のセンサチップ、
４０…第１の圧力導入孔、５０第２の圧力導入孔、６０…半導体回路チップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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