(57)【要約】【課題】蒸着粒子がクラスター化するのを防ぎ、欠陥のない有機化合物層を有する有機ＥＬ素子を製造する。【解決手段】蒸着源２１の直上領域を飛翔する蒸着粒子の状態を、レーザー光源４１から出力されたレーザー光を２つの偏光光線に分割してセンサー４２の２つの受光素子で受光する光遮蔽式のパーティクルモニター４によってモニターする。パーティクルモニター４の２つの受光素子の出力を比較して位相の異なる信号を取り込むことで、蒸着粒子のクラスター化を検出する。クラスターが発生した時は、制御ＰＣ４４によって蒸着電源２３のパワーをセーブする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機化合物層を成膜する蒸着装置において、
基板に飛翔する蒸着粒子を発生させる蒸着源と、
前記蒸着源の直上領域で、蒸着粒子の飛翔状態をモニターするパーティクルモニターと、を有し、
前記パーティクルモニターは、レーザー光源からのレーザー光を２つの偏光光線に分けて前記蒸着源の前記直上領域に照射し、前記２つの偏光光線をそれぞれ別の受光素子で受光し、前記受光素子の検出値を比較して位相の合っていない信号を取り込むことにより、蒸着粒子のクラスターを検出することを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記パーティクルモニターで検出された前記信号により、前記蒸着源の蒸着電源を制御する制御手段を有することを特徴とする請求項１記載の蒸着装置。
【請求項３】
基板上に電極及び有機化合物層を積層した有機ＥＬ素子の前記有機化合物層を成膜するための蒸着装置であることを特徴とする請求項１又は２記載の蒸着装置。
【請求項４】
基板上に電極及び有機化合物層を積層した有機ＥＬ素子の製造方法であって、
有機化合物の蒸着源から蒸着粒子を発生させる工程と、
前記蒸着源の直上領域で、蒸着粒子の飛翔状態をパーティクルモニターによってモニターする工程と、
前記パーティクルモニターの出力に基づいて前記蒸着源の蒸着電源を制御する工程と、を有し、
前記パーティクルモニターが、レーザー光源からのレーザー光を２つの偏光光線に分けて前記蒸着源の前記直上領域に照射し、前記２つの偏光光線をそれぞれ別の受光素子で受光し、前記受光素子の検出値を比較して位相の合っていない信号を取り込むことにより、蒸着粒子のクラスターを検出することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陽極と陰極間に少なくとも一層の有機化合物層を備える有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）等を製造するための蒸着装置及び有機ＥＬ素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図４は、一般的な発光素子の断面構造を示すもので、基板１０１、陽極１０２、陰極１０３、正孔輸送層１０４、発光層１０５、電子輸送層１０６、電子注入層１０７を有する。
【０００３】
この発光素子においては、陰極１０３から、電子注入層１０７、電子輸送層１０６を通して、発光層１０５に注入された電子と、陽極１０２から正孔輸送層１０４を通して発光層１０５へ注入された正孔との再結合によって励起子が生成される。この励起子が基底状態にもどる際に放射される光を利用する素子である。
【０００４】
発光を基板面より取り出すいわゆるボトムエミッション型発光素子の陰極には、比較的仕事関数が小さく電子注入特性が良好な材料、例えばマグネシウム（Ｍｇ）のような単体金属や、Ａｇ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｌｉ等の金属合金が用いられる。
【０００５】
また、発光を陰極の膜面側より取り出すいわゆるトップエミッション型発光素子の陰極には、抵抗値が低く透過率の高い材料、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電性酸化物材料が用いられる。
【０００６】
正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層は一般的にボート、バスケット、セル等を用いた真空蒸着法で形成されるものであり、例えば特許文献１に開示されたように電子注入性電極（電子注入層）を多元蒸着法で形成する方法が知られている。
【０００７】
【特許文献１】特開平０５−１５９８８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１では、モリブデン製ボートにＬｉＡｌ、タングステン製バスケットにＡｌを入れ同時に真空蒸着法で電子注入性電極を形成している。しかし、真空蒸着法の場合小さな分子レベルで均一に蒸発せず、しばしば大きな塊（クラスター）で蒸発することがある。特にＡｌｑ３等の昇華性の材料は蒸着特性が悪くクラスターが発生しやすい。このようなクラスターが基板に入射すると、下地が有機化合物層の場合はクラスターが有機化合物層に埋め込まれたり、下地の有機化合物層を弾き飛ばすか溶かしてしまう状態となる。また、基板上に下地の有機化合物層が形成されておらず陰極にクラスターが入射した場合は、そのままの状態で堆積するため有機化合物層の表面にあたかも異物が付着した状態となる。いずれの場合も有機化合物層の表面に凹凸が形成され不均一な表面状態となり、発光する画素の一部分にダークスポットが発生する。あるいは、画素全体が非点灯となるといった欠陥が発生する。
【０００９】
本発明は、陽極と陰極間に少なくとも一層の有機化合物層を備える有機ＥＬ素子等の製造において、有機化合物のクラスターの付着に起因するダークスポットや非点灯等の欠陥が発生するのを回避できる蒸着装置及び有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の蒸着装置は、有機化合物層を成膜する蒸着装置において、基板に飛翔する蒸着粒子を発生させる蒸着源と、前記蒸着源の直上領域で、蒸着粒子の飛翔状態をモニターするパーティクルモニターと、を有し、前記パーティクルモニターは、レーザー光源からのレーザー光を２つの偏光光線に分けて前記蒸着源の前記直上領域に照射し、前記２つの偏光光線をそれぞれ別の受光素子で受光し、前記受光素子の検出値を比較して位相の合っていない信号を取り込むことにより、蒸着粒子のクラスターを検出することを特徴とする。
【００１１】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に電極及び有機化合物層を積層した有機ＥＬ素子の製造方法であって、有機化合物の蒸着源から蒸着粒子を発生させる工程と、前記蒸着源の直上領域で、蒸着粒子の飛翔状態をパーティクルモニターによってモニターする工程と、前記パーティクルモニターの出力に基づいて前記蒸着源の蒸着電源を制御する工程と、を有し、前記パーティクルモニターが、レーザー光源からのレーザー光を２つの偏光光線に分けて前記蒸着源の前記直上領域に照射し、前記２つの偏光光線をそれぞれ別の受光素子で受光し、前記受光素子の検出値を比較して位相の合っていない信号を取り込むことにより、蒸着粒子のクラスターを検出することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
有機ＥＬ素子の有機化合物層を蒸着する蒸着装置において、蒸着源から発生する蒸着粒子の飛翔状態をパーティクルモニターによってモニターし、蒸着電源を制御する。これによって、有機化合物のクラスター化を防ぎ、クラスターの付着によるダークスポットや、非点灯といった有機ＥＬ素子の欠陥が発生するのを回避する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【００１４】
図１及び図２は、一実施形態による蒸着装置を示す。本実施形態の蒸着装置は、チャンバー１内に、蒸着源２と、基板Ｗを保持する基板保持手段と、シャッター３と、を有する。蒸着源２は、図２の（ａ）に示すように、第１の蒸着材料を入れた第１の蒸着源２１と、第２の蒸着材料を入れた第２の蒸着源２２を備える。また、蒸着源２１と基板Ｗの間における蒸着粒子の飛翔状態をモニターするために、レーザー光を照射する光遮蔽式のパーティクルモニター４を備えている。
【００１５】
蒸着源２は、それぞれ別の材料を入れた第１、第２の蒸着源２１、２２の蒸着電源２３、２４を同時に駆動するいわゆる共蒸着が可能な構造となっている。蒸着源２１の直上のモニター領域（直上領域）には、蒸着源２１より蒸発した蒸着粒子の飛翔状態をモニターする光遮蔽式のパーティクルモニター４が配置される。パーティクルモニター４からの信号により蒸着電源２３を制御し、蒸着粒子がクラスター状で飛翔していない状態とした後に、シャッター３を開いて基板Ｗに蒸着粒子を堆積させる。
【００１６】
チャンバー１は、ステンレス鋼又はアルミ等の金属製容器であり、電気的に接地されており、不図示のゲートバルブにより気密が保たれるようになっている。チャンバー１の容積は、基板Ｗの大きさに応じて決まるが、特殊な場合を除けば、２０リットルから１０００リットル程度であり、不図示の複合排気系により高真空に排気することが可能となっている。
【００１７】
蒸着源２１、２２は、それぞれの材料をのせた金属のボートに電流を流して加熱するいわゆる抵抗加熱の蒸着源であり、蒸着電源２３、２４からそれぞれ電流が供給されることにより別材料を同時に蒸着できる構造である。蒸着源２１は、制御手段である制御ＰＣ４４からの信号により蒸着電源２３のパワーをコントロールすることが可能となっている。本実施形態では抵抗加熱法を用いているが、坩堝内に蒸着材料を仕込み、外部ヒーターにより加熱するクヌーセンセルや、バルブセルを用いることも可能である。
【００１８】
パーティクルモニター４は、レーザー光源４１、センサー４２、コントローラー４３、制御ＰＣ４４等を有し、レーザー光を用いた高感度の光遮蔽式のダークフィールドセンサーであり、パーティクルの最小検出径は０．３μｍである。
【００１９】
図２の（ｂ）はパーティクルモニター４の構成を示すもので、レーザー光源４１から出力されたレーザー光を２つの偏光光線４５、４６に分けて、センサー４２内のそれぞれ別の受光素子４７、４８で受光する。０．３μｍ以上の大きさのクラスター状の蒸着粒子が偏光光線４５、４６をさえぎると、光遮蔽効果を受光素子４７又は受光素子４８が検出して電気信号に変換し、クラスターの存在を検出するものである。
【００２０】
詳しく説明すると、受光素子４７、４８から出力された検出値を比較し、位相の合っていない信号のみを取り込み、コントローラー４３で増幅して粒子数、粒子径の計算を行っている。受光素子４７、４８の出力の位相差をもとに粒子数、粒子径を検出するため、光散乱方式のパーティクルモニターでは不可能であったイオンプレーティング等のプラズマ光等の光ノイズがある環境下でも精度よく蒸着粒子の飛翔状態を測定することができる。
【００２１】
このようにパーティクルモニター４は、クラスター状の蒸着粒子が偏光光線をさえぎることを検出しているため、蒸着粒子の密な領域で測定するほうが測定精度として高くなる。従って、蒸着源２１の直上領域、例えば蒸着源より１００ｍｍ以内の領域がモニターできるように配置することが望ましい。
【００２２】
図３は蒸着の制御フローチャートである。蒸着開始後、ステップＳ０１でパーティクルモニター４を作動させ、ステップＳ０２で制御ＰＣ４４のプログラムをスタートし、ステップＳ０３でパーティクルモニター４により、クラスター発生の確認を行う。
【００２３】
すなわち、蒸着電源２３のパワーはパーティクルモニター４の信号より制御ＰＣ４４でコントロールされており、蒸着粒子がクラスター状態で飛翔している場合はパワーをセーブする。再びクラスター確認を行い（ステップＳ０５）、３分間待機後（ステップＳ０６）、昇温を開始する（ステップＳ０７）。クラスターが飛翔していない状態では所望の成膜速度が得られるようにパワーを上昇させる（ステップＳ０８）。
【００２４】
ステップＳ０９、ステップＳ１０で、所望の成膜速度でクラスターが飛翔していない安定な蒸着状態が得られたことを確認後、シャッター３を開いて蒸着を開始する（ステップＳ１１）。ステップＳ１２で、シャッター３を開いた後、成膜中にクラスターを検出した場合は、その基板を不良と判断し制御ＰＣ４４上で欠陥表示する（ステップＳ１３）。クラスターが検出されなければ、ステップＳ１４でシャッター３を閉じて、プログラムを終了し（ステップＳ１５）、パーティクルモニター４を停止する（ステップＳ１６）。
【００２５】
このようにして、クラスターが付着することなく均一な表面状態の有機化合物層を基板上に形成できる。
【００２６】
蒸着中に蒸着粒子のクラスターが飛翔し基板に堆積してしまった場合においても、パーティクルモニターにより常時クラスターの飛翔状態をモニターすることにより、その基板を後工程に送ることなく抜き取ることが可能となる。
【実施例１】
【００２７】
前処理室と複数の蒸着室及びスパッタ室が真空状態で連結され、グローブボックスが中間室を介して連結された有機ＥＬ製造装置を用いた。図４に示すように、陽極と、陰極と、両者の間の有機化合物層と、封止ガラスと、を有する有機ＥＬ素子（発光素子）を製作した。有機化合物層は陽極から供給される正孔と陰極から供給される電子との再結合によって発光する発光層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層を含む。発光素子の大きさは２ｍｍ×２ｍｍである。成膜マスクを用いて基板上に発光素子をマトリクス状に４８個形成した。
【００２８】
次に、有機ＥＬ素子の製造方法を具体的に説明する。
【００２９】
（Ｃｒ電極（陽極）の形成）
基板上に、ＣｒターゲットをＤＣスパッタし陽極として１００ｎｍの厚さにＣｒ膜を成膜した。この際成膜マスクを用いて、２ｍｍのストライプとした。Ａｒガスを用いて、０．２Ｐａの圧力、３００Ｗの投入Ｐｗ条件で行った。
【００３０】
陽極としては、仕事関数の大きなものが望ましく、例えば金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、セレン（Ｓｅ）、イリジウム（Ｉｒ）、ヨウ化銅等や、合金等を用いることができる。また、高反射率の金属又は合金の上に透明導電性酸化物（ＩＴＯ、ＩＺＯ等）を形成した積層、例えばＡｇ／ＩＺＯ、Ａｌ／ＩＴＯ、ＡｇＮｄＣｕ／ＩＴＯ、ＡｌＮｄ／ＩＺＯ等を用いることができる。
【００３１】
（大気開放）
次に基板をスパッタ装置より取り出してアセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄し、次いでＩＰＡで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン洗浄を行った。
【００３２】
（前処理）
基板を前処理室へ移し真空排気し、前処理室で基板付近に設けたリング状電極に５０ＷのＲＦ電力を投入し酸素プラズマ洗浄処理を行った。酸素圧力は０．６Ｐａ、処理時間は４０秒であった。
【００３３】
（正孔輸送層形成）
基板を前処理室より蒸着室へ移動し、１Ｅ−４Ｐａまで排気した後、下記の化学式で示される正孔輸送性を有するα−ＮＰＤを抵抗加熱蒸着法により成膜速度０．２〜０．３ｎｍ／Ｓの条件で成膜し、膜厚３５ｎｍの正孔輸送層を形成した。正孔輸送層の蒸着に際しては、パーティクルモニターにて蒸着粒子の飛翔状態をモニターせず従来の抵抗加熱蒸着法で成膜した。
【００３４】
正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層は、同一の蒸着マスクを用いることにより所定の部分に蒸着した。所定の部分とは基板で、Ｃｒ（画素電極）が露出している部分である。
【００３５】
正孔輸送層として使用できる有機化合物としては、特に限定はないが、例えばトリフェニルジアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリフィリル誘導体、スチルベン誘導体等を用いることができる。
【００３６】
【化１】
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（発光層の蒸着）
続いて基板を図１の蒸着装置のチャンバー１（蒸着室）へ移動し、正孔輸送層の上にアルキレート錯体であるＡｌｑ３を抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層と同様の成膜条件で膜厚１５ｎｍに成膜し発光層を形成した。成膜速度は〜０．５ｎｍ／Ｓで成膜した。発光層の蒸着に際しては、光遮蔽式のパーティクルモニター４を用いて蒸着粒子の飛翔状態をモニターし蒸着電源２３をコントロールして、蒸着粒子がクラスターとして飛翔せず基板に入射しない状態として成膜した。
【００３７】
詳しく説明すると、パーティクルモニター４を動作させ、続いて蒸着電源２３より蒸着源２１のボートに通電し所望の成膜速度が得られるまでパワーを上昇させる。蒸着電源２３のパワーはパーティクルモニター４の信号より制御ＰＣ４４でコントロールされている。蒸着粒子がクラスター状態で飛翔している場合はパワーをセーブし、クラスターが飛翔していない状態では所望の成膜速度が得られるようにパワーを上昇させる。このようにして所望の成膜速度でクラスターが飛翔していない安定な蒸着状態が得られた後、シャッター３を開いて蒸着を開始した。
【００３８】
なお、光遮蔽式のパーティクルモニター４としては検出感度が高く０．３μｍの粒子の計測が可能であるＨＹＴ社製のＭｏｄｅｌ  ９０００  Ｖａｃｕｕｍ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｓｅｎｓｏｒを用いた。
【００３９】
発光層の材料として使用する有機化合物は、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体等から採用できる。また、これらの発光材料の一種以上を正孔注入層や、正孔輸送層又は、電子電子輸送層にドーピングして用いることもできる。
【００４０】
（電子輸送層の形成）
次に基板を別の蒸着室へ移動し、発光層の上に下記の化学式で示されるフェナントロリン化合物を抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層と同様の成膜条件で膜厚１０ｎｍ成膜し電子輸送層を形成した。成膜速度は〜０．５ｎｍ／Ｓで成膜した。この蒸着に際しては、パーティクルモニターにて蒸着粒子の飛翔状態をモニターせず従来の抵抗加熱蒸着法で成膜した。
【００４１】
電子輸送層の材料となる有機化合物は、フェナントロリン化合物、キノリン誘導体、フェニルアントラセン誘導体等を用いることが可能であるが、特にフェナントロリン化合物が好ましい。
【００４２】
【化２】
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（電子注入層の形成）
次に基板を、図１のチャンバー１と同様の、別の蒸着室へ移動した。電子輸送層の上に抵抗加熱共蒸着法によりフェナントロリン化合物と炭酸セシウム（Ｃｓ２ＣＯ３）を膜厚比８：１の割合で膜中に均一に混合されるよう、２つの蒸着源の蒸着速度を調整して成膜し膜厚４０ｎｍの電子注入層を形成した。成膜速度はフェナントロリン化合物が０．４ｎｍ／Ｓ、炭酸セシウム（Ｃｓ２ＣＯ３）が０．１ｎｍ／Ｓで成膜した。詳しくは、一方の蒸着源にフェナントロリン化合物をセットし従来の抵抗加熱により蒸発させ、炭酸セシウムは他方の蒸着源にセットし、パーティクルモニターにより蒸着電源をコントロールして蒸着粒子のクラスターが飛翔していない状態として成膜した。
【００４３】
電子注入層の材料として使用できる有機化合物は、炭酸セシウム、炭酸リチウム等の炭酸塩がドーピングされた有機化合物であり、特にフェナントロリン化合物に炭酸塩がドーピングされた有機化合物が好ましい。
【００４４】
（透明導電膜（陰極）の形成）
別の成膜室（スパッタ室）に基板を移送し、電子注入層の上にＩＴＯターゲットを用いてＤＣマグネトロンリアクティブスパッタリング法により、膜厚１３０ｎｍマスク成膜によりＣｒ画素電極を覆って、Ｃｒストライプに交差するように、陰極を形成した。
【００４５】
条件としては、スパッタ室に基板に移送後ドーパントのＯ２ガスを導入開始してから電子注入層上に透明導電膜が２０ｎｍの厚みまで形成される時間の制御を行った。また、成膜条件としては、基板加熱なしの室温成膜で成膜圧力を１．０Ｐａ、Ａｒ、及びＯ２ガスを用いそれぞれの流量は１００、１．０ｓｃｃｍとし、ターゲットに印加する投入パワーは５００ｗで成膜を行った。陰極の単膜の特性としては、透過率は８６％（ａｔ．４５０ｎｍ）、比抵抗値は６．５Ｅ−４Ωｃｍであった。
【００４６】
陰極の材料としては、透明性が高く低抵抗なＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電性酸化物が好ましい。陰極を形成するにあたっては、良質の膜が形成可能なマグネトロンスパッタリング装置を用いることが好適である。具体的にはＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電膜材料のターゲットを用いてＯ２ガスをドーパントとして導入し反応させるＤＣマグネトロンリアクティブスパッタリング法にて基板（電子注入層）上に透明導電膜を形成する。また、陰極の成膜法としてはマグネトロンスパッタリング法の他にプラズマ銃を用い同様にＯ２ガスをドーパントとして導入し反応させるイオンプレーティング法も採用可能である。なお、ＲＦマグネトロンリアクティブスパッタリング法も採用可能であるが、基板温度上昇が少なく良質の膜が得られるＤＣマグネトロンスパッタリング法が好適である。
【００４７】
（ガラス封止）
中間室を介しグローブボックスに基板を移送しＮ２リークして、あらかじめ別の装置でＳｒＯ膜を素子面側に形成しておいた封止ガラスを基板にＵＶ硬化系のアクリル系の接着剤を用いて接着し封止した。封止ガラスは基板よりも少し小さなサイズであり、マトリクス状に形成された４８個の素子全てが１枚の封止ガラスで封止される構造である。なお、ＳｒＯ膜を形成した装置から封止ガラスをグローブボックスに移送する際は真空又はＮ２通い箱を使用しＳｒＯ膜が水分を吸着しないようにした。
【００４８】
封止ガラスはアクリル系の接着剤を用いて外周部で基板に接着されている。封止ガラスの素子側の面にはＳｒＯ、ＣａＯ等の吸湿膜が形成されており、素子部の気密が保たれる構造となっている。なお、吸湿膜の替わりに素子の発光部から離れた所にシート状の吸湿材を貼り付けた構造を採用することもできる。
【００４９】
（素子評価）
このようにして、基板上に陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極、及び封止ガラスを設け、マトリクス状に４８個の発光素子を得た。続いて、それぞれの発光素子に対して、Ｃｒを陽極、透明導電膜を陰極として直流電圧を印加し、素子のダークスポット数、非点灯素子数を測定した。基板中の発光素子４８個の合計した結果を末尾の表１に示す。
【００５０】
光遮蔽式のパーティクルモニターを用い蒸着粒子の飛翔状態をモニターし、蒸着粒子がクラスター状態で飛翔することを防止して有機化合物層を形成したことにより、ダークスポット、非点灯の欠陥の発生が極めてない素子が得られている。
【実施例２】
【００５１】
電子注入層中のドーパントを炭酸リチウム（ＬｉＦ）としたことを除き実施例１の条件にて発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１と同様に発光素子のダークスポット数、非点灯素子数を測定した。その結果を表１に示す。
【００５２】
光遮蔽式のパーティクルモニターを用い蒸着粒子の飛翔状態をモニターし、蒸着粒子がクラスター状態で飛翔することを防止して有機化合物層を形成したことにより、ダークスポット、非点灯といった欠陥の発生が極めて少ない素子が得られている。
【実施例３】
【００５３】
電子注入層のフェナントロリン化合物、炭酸セシウムの成膜速度をそれぞれ０．８ｎｍ／Ｓ、０．２ｎｍ／Ｓとしたことを除き、実施例１の条件で発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１と同様に発光素子のダークスポット数、非点灯素子数を測定した。その結果を表１に示す。
【００５４】
電子注入層のフェナントロリン化合物、炭酸セシウムの成膜速度を増加させたことによる欠陥の増加はなく、実施例１と同様に非点灯といった欠陥の発生が極めて少ない素子が得られている。
【００５５】
（比較例１）
発光層、及び電子注入層を形成する際に、パーティクルモニターで蒸着粒子の飛翔状態をモニターせず、蒸着電源にパワー導入後所望の成膜速度が得られた直後に成膜を行ったことを除き実施例１と同様の条件にて発光素子を作製した。
【００５６】
このようにして作製した素子について、実施例１と同様に発光素子のダークスポット数、非点灯素子数を測定した。その結果を表１に示す。
【００５７】
ダークスポット、非点灯の欠陥が多く発生している。
【００５８】
（比較例２）
発光層、及び電子注入層を形成する際に、パーティクルモニターで蒸着粒子の飛翔状態をモニターせず、蒸着電源にパワー導入後所望の成膜速度が得られた直後に成膜を行ったことを除き実施例２と同様の条件にて発光素子を作製した。
【００５９】
このようにして作製した素子について、実施例１と同様に発光素子のダークスポット数、非点灯素子数を測定した。その結果を表１に示す。
【００６０】
ダークスポット、非点灯の欠陥が多く発生している。
【００６１】
（比較例３）
発光層、及び電子注入層を形成する際に、パーティクルモニターで蒸着粒子の飛翔状態をモニターせず、蒸着電源にパワー導入後所望の成膜速度が得られた直後に成膜を行ったことを除き、実施例３の条件で発光素子を作製した。このようにして作製した素子について、実施例１と同様に発光素子のダークスポット数、非点灯素子数を測定した。その結果を表１に示す。
【００６２】
電子注入層のフェナントロリン化合物、炭酸セシウムの成膜速度を増加させたことによりダークスポット、非点灯の欠陥が増加している。
【００６３】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の蒸着装置は、有機ＥＬ素子の有機化合物層の成膜に限定されるものではなく、蒸着安定性が悪い他の昇華性材料等を用いたデバイス等の作製にも使用可能であり、デバイスの欠陥発生防止に効果が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】一実施形態による蒸着装置を示す模式断面図である。
【図２】図１の蒸着装置を示すのもで、（ａ）は図１と別の方向からみた断面図、（ｂ）はパーティクルモニターの構成を説明する図である。
【図３】図１の蒸着装置における蒸着制御の工程を示すフローチャートである。
【図４】発光素子の断面構造を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１    チャンバー
２、２１、２２    蒸着源
３    シャッター
４    パーティクルモニター
４１    レーザー光源
４２    センサー
４４    制御ＰＣ
Ｗ      基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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