(57)【要約】【課題】本発明は、高いサイドバンド抑圧度を得ることのできる光変調器の提供を目的とする。【解決手段】本発明に係る光ＳＳＢ変調器は、光波長フィルタ１５を用いて側波帯の一方を抑圧する光ＳＳＢ変調器において、光強度変調器１４にて光強度変調を行うためのマルチキャリア電気信号を発生させるマルチキャリア信号発生器１１に加え、さらに、マルチキャリア電気信号とは異なる一定周波数のシングルキャリア電気信号を発生させるシングルキャリア信号発生器１２を備え、合波器１３においてマルチキャリア電気信号及びシングルキャリア電気信号を多重化する。マルチキャリア電気信号及びシングルキャリア電気信号を多重化した信号によって光強度変調を行うことで、シングルキャリア電気信号による側波帯の一方を新たな光キャリアとして利用可能とすることを特徴とする。【選択図】図１
2008261979.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め定められた周波数帯のマルチキャリア電気信号を発生させるマルチキャリア信号発生器と、
前記周波数帯とは異なる予め定められた周波数のシングルキャリア電気信号を発生させるシングルキャリア信号発生器と、
前記マルチキャリア信号発生器の発生させたマルチキャリア電気信号及び前記シングルキャリア信号発生器の発生させたシングルキャリア電気信号を合波して周波数多重信号を出力する合波器と、
波長が一定のキャリア光を、前記合波器の出力する周波数多重信号で強度変調して出力する光強度変調器と、
前記光強度変調器の変調によって発生した前記周波数多重信号による側波帯の一方の波長成分及び前記キャリア光の波長成分を遮断し、前記光強度変調器の変調によって発生した前記周波数多重信号による側波帯の他方の波長成分を通過させる光波長フィルタと、を備えることを特徴とする光ＳＳＢ変調器。
【請求項２】
予め定められた周波数帯のマルチキャリア電気信号を発生させるマルチキャリア信号発生器と、
前記周波数帯とは異なる予め定められた周波数のシングルキャリア電気信号を発生させるシングルキャリア信号発生器と、
前記マルチキャリア信号発生器の発生させたマルチキャリア電気信号及び前記シングルキャリア信号発生器の発生させたシングルキャリア電気信号を合波する合波器と、
波長が一定のキャリア光を、前記合波器の合波したマルチキャリア電気信号及びシングルキャリア電気信号によって直接変調する光発生器と、
前記光発生器の変調によって発生した前記シングルキャリア電気信号及び前記マルチキャリア電気信号による側波帯の一方並びに前記キャリア光を遮断し、前記光発生器の変調によって発生した前記シングルキャリア電気信号及び前記マルチキャリア電気信号による側波帯の他方を通過させる光波長フィルタと、を備えることを特徴とする光ＳＳＢ変調器。
【請求項３】
前記シングルキャリア電気信号は、振幅が一定であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光ＳＳＢ変調器。
【請求項４】
前記マルチキャリア信号発生器の発生させたマルチキャリア電気信号の周波数を、前記シングルキャリア電気信号の周波数だけ高くなるように周波数変換する周波数変換器を、前記マルチキャリア信号発生器と前記合波器の間にさらに備え、
前記合波器は、前記周波数変換器の変換する信号及び前記シングルキャリア信号発生器の発生させたシングルキャリア電気信号を合波することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光ＳＳＢ変調器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気信号によって変調された光信号を得る光変調器に関する。特に、片側の側波帯を抑圧して出力する光ＳＳＢ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｓｉｄｅｂａｎｄ）変調技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
光変調器には、光の強度を変調する強度変調方式が広く知られている。この強度変調方式には、両側の側波帯を出力する方式、いわゆる光ＤＳＢ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｓｉｄｅｂａｎｄ）変調方式と、片側の側波帯を抑圧して出力する光ＳＳＢ変調方式とがある（非特許文献１及び２参照。）。
【０００３】
光ＤＳＢ変調方式では、光信号伝送を行うと、光ファイバの分散（Ｃｈｒｏｍａｔｉｃ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ）によって、波形が劣化し、また、その振幅が増減してしまい、伝送距離に制限を受けてしまうという問題があった。
【０００４】
一方、光ＳＳＢ変調方式では、光信号伝送を行っても、光ファイバの分散によっては、波形は劣化せず、また、その振幅が一定となり、伝送距離に制限を受けないという利点がある。これまでに、光ＳＳＢ変調を得るには、ＬＮ−ＭＺ（Ｌｉｔｈｉｕｍ  Ｎｉｏｂａｔｅ  Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄａｒ）変調器による方法と、光波長フィルタによる方法とが知られている（特許文献１及び非特許文献２参照。）。
【０００５】
図６は、従来のＬＮ−ＭＺ変調器の一例を示す概略構成図である。ＤＦＢ−ＬＤ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  ｆｅｅｄｂａｃｋ  ｌａｓｅｒ  ｄｉｏｄｅ）３１からの波長１５５９ｎｍのキャリア光を、ＬＮ−ＭＺ変調器３５に入力する。また、マルチキャリア信号発生器３２からのマルチキャリア電気信号（ｆｓ＝１１．７２７ＧＨｚ〜１１．９９６ＧＨｚ）は、９０°カプラ３３で、２つの信号に位相差９０°をつけて分岐される。ここで、マルチキャリア電気信号は、衛星（ＢＳ、Ｂｒｏａｄｃａｓｔ  Ｓａｔｅｌｌｉｔｅ）信号キャリアと呼ばれる。マルチキャリア電気信号は、９０°カプラ３３で、２つの信号に位相差９０°をつけて分岐される。分岐されたこの２つの信号を先のＬＮ−ＭＺ変調器３５の２つの電極に印加して、キャリア光を光ＳＳＢ変調し、変調信号光を出力する。出力光の光スペクトルを図７に示す。キャリア光の波長１５５９ｎｍに現れる光キャリア５０の両側に側波帯５２ａ及び５２ｂが出現しており、側波帯５２ｂが抑圧されている。図６の中のフェーズシフター３４ａ、３４ｂによって、ＬＮ−ＭＺ変調器３５へ入力する電気信号の位相を調整し、最大のサイドバンド抑圧度を得る。
【０００６】
図８は、従来の光波長フィルタによる光ＳＳＢ変調器の一例を示す概略構成図である。ＤＦＢ−ＬＤ３１からの波長１５５９ｎｍのキャリア光を、外部変調器３６を用いて、マルチキャリア信号発生器３２からのマルチキャリア電気信号（ｆｓ＝１１．７２７ＧＨｚ〜１１．９９６ＧＨｚ）により、強度変調を加える。すると、光ＤＳＢ変調が加えられる。この光ＤＳＢ変調された光を光波長フィルタ３７に入力する。ここで用いる光波長フィルタ３７の透過特性を図９に示す。この光波長フィルタ３７の透過特性により、片側の側波帯を抑圧して光ＳＳＢ変調信号光を出力する。
【０００７】
図８のＡ点、Ｂ点の光スペクトルをそれぞれ、図１０、図１１に示す。Ａ点では、光ＤＳＢ変調がかかっているが、光波長フィルタの透過特性によって片側の側波帯を抑圧することによって、光ＳＳＢ変調された光信号となる。
【特許文献１】特開２００５−２７４８０６号公報
【非特許文献１】Ｄ．Ｆｏｎｓｅｃａ，Ａ．Ｖ．Ｔ．Ｃａｒｔａｘｏ  ａｎｄ  Ｐ．Ｍｏｎｔｅｉｒｏ，“Ｏｐｔｉｃａｌ  ｓｉｎｇｌｅ−ｓｉｄｅｂａｎｄ  ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ  ｆｏｒ  ｖａｒｉｏｕｓ  ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｓｉｇｎａｌｉｎｇ  ｆｏｒｍａｔｓ，”  Ｊ．Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈ．，  ｖｏｌ．２４，ｎｏ．５，ｐｐ．２０５９−２０６９，Ｍａｙ．２００６
【非特許文献２】Ｊ．Ｐａｒｋ，Ｗ．Ｖ．Ｓｏｒｉｎ  ａｎｄ  Ｋ．Ｙ．Ｌａｕ，“Ｅｌｉｍｉｎａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｆｉｂｒｅ  ｃｈｒｏｍａｔｉｃ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ  ｐｅｎａｌｔｙ  １５５０ｎｍ  ｍｉｌｉｍｅｔｒｅ−ｗａｖｅ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ，”Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．３３，ｎｏ．６，ｐｐ．５１２−５１３，Ｍａｒ．１９９７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来のＬＮ−ＭＺ変調器は、サイドバンド抑圧度の程度が、２つの電極に入力する電気信号の振幅と位相の精度に依存し、高いサイドバンド抑圧度を得るのは困難であった。また、光波長フィルタによる光ＳＳＢ変調器は、変調周波数が高いと高いサイドバンド抑圧度を得ることができるが、変調周波数か低いと高いサイドバンド抑圧度を得ることができなかった。高いサイドバンド抑圧度を光変調器によって得ることができれば、光信号伝送を行っても、光ファイバの分散によっては、波形は劣化せず、また、その振幅が一定となり、伝送距離に制限を受けないという理想的な伝送ができる。しかし、高いサイドバンド抑圧度を光変調器によって得ることができなければ、光信号伝送を行うと、光ファイバの分散によっては、波形が若干劣化し、また、その振幅が一定とならずに増減し、その振幅の増減の程度によっては、伝送距離に制限が生じてしまう。
【０００９】
本発明は、高いサイドバンド抑圧度を得ることのできる光ＳＳＢ変調器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明に係る光ＳＳＢ変調器は、フィルタを用いて側波帯の一方を抑圧する光ＳＳＢ変調器において、光強度変調を行うマルチキャリア電気信号に、さらに、マルチキャリア電気信号とは異なる一定周波数のシングルキャリア電気信号を多重化する。そして、マルチキャリア電気信号及びシングルキャリア電気信号を多重化した波長多重信号によって光強度変調を行うことで、シングルキャリア電気信号による側波帯の一方を新たな光キャリアとして利用可能とする。
【００１１】
具体的には、本発明に係る光ＳＳＢ変調器は、予め定められた周波数帯のマルチキャリア電気信号を発生させるマルチキャリア信号発生器と、前記周波数帯とは異なる予め定められた周波数のシングルキャリア電気信号を発生させるシングルキャリア信号発生器と、前記マルチキャリア信号発生器の発生させたマルチキャリア電気信号及び前記シングルキャリア信号発生器の発生させたシングルキャリア電気信号を合波して周波数多重信号を出力する合波器と、波長が一定のキャリア光を、前記合波器の出力する周波数多重信号で強度変調して出力する光強度変調器と、前記光強度変調器の変調によって発生した前記周波数多重信号による側波帯の一方の波長成分及び前記キャリア光の波長成分を遮断し、前記光強度変調器の変調によって発生した前記周波数多重信号による側波帯の他方の波長成分を通過させる光波長フィルタと、を備えることを特徴とする。
【００１２】
光波長フィルタが、マルチキャリア電気信号及びシングルキャリア電気信号の側波帯の一方を残す。残されているシングルキャリア電気信号の側波帯は新たな光キャリアと見ることができ、新たな光キャリアは元の光キャリアから波長がシフトしている。新たな光キャリアを中心とした衛星信号キャリアの周波数帯にはマルチキャリア電気信号による他方の側波帯しか存在しないため、高いサイドバンド抑圧度を得ることができる。新たな光キャリア及び衛星信号キャリアの伝送時において、マルチキャリア電気信号による一方の側波帯の影響を排除することができる。
【００１３】
本発明に係る光ＳＳＢ変調器は、予め定められた周波数帯のマルチキャリア電気信号を発生させるマルチキャリア信号発生器と、前記周波数帯とは異なる予め定められた周波数のシングルキャリア電気信号を発生させるシングルキャリア信号発生器と、前記マルチキャリア信号発生器の発生させたマルチキャリア電気信号及び前記シングルキャリア信号発生器の発生させたシングルキャリア電気信号を合波する合波器と、波長が一定のキャリア光を、前記合波器の合波したマルチキャリア電気信号及びシングルキャリア電気信号によって直接変調する光発生器と、前記光発生器の変調によって発生した前記シングルキャリア電気信号及び前記マルチキャリア電気信号による側波帯の一方並びに前記キャリア光を遮断し、前記光発生器の変調によって発生した前記シングルキャリア電気信号及び前記マルチキャリア電気信号による側波帯の他方を通過させる光波長フィルタと、を備えることを特徴とする。
【００１４】
光波長フィルタが、マルチキャリア電気信号及びシングルキャリア電気信号の側波帯の一方を残す。残されたシングルキャリア電気信号の側波帯は新たな光キャリアと見ることができ、新たな光キャリアは元の光キャリアから波長がシフトしている。新たな光キャリアを中心とした衛星信号キャリアの周波数帯にはマルチキャリア電気信号による他方の側波帯しか存在しないため、高いサイドバンド抑圧度を得ることができる。新たな光キャリア及び衛星信号キャリアの伝送時において、マルチキャリア電気信号による一方の側波帯の影響を排除することができる。
【００１５】
本発明に係る光ＳＳＢ変調器では、前記シングルキャリア電気信号は、振幅が一定であることが好ましい。新たなキャリア光の振幅が一定となるので、伝送距離の制限を受けずに新たな光キャリア及び衛星信号キャリアの伝送をすることができる。
【００１６】
本発明に係る光ＳＳＢ変調器では、前記マルチキャリア信号発生器の発生させたマルチキャリア電気信号の周波数を、前記シングルキャリア電気信号の周波数だけ高くなるように周波数変換する周波数変換器を、前記マルチキャリア信号発生器と前記合波器の間にさらに備え、前記合波器は、前記周波数変換器の変換する信号及び前記シングルキャリア信号発生器の発生させたシングルキャリア電気信号を合波することが好ましい。新たな光キャリアと衛星信号キャリアとの周波数差が、もとの光キャリアと衛星信号キャリアとの周波数差と等しくなる。よって、残ったシングルキャリア電気信号により変調された片側の側波帯を、新しい光キャリアと見立てることで、衛星信号キャリアで光ＳＳＢ変調された光信号を得ることとなる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、本発明に係る光ＳＳＢ変調器は高いサイドバンド抑圧度が得られるので、光信号伝送を行った場合に光ファイバの分散によっては波形が劣化しにくいという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
添付の図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。以下に説明する実施の形態は本発明の構成の例であり、本発明は、以下の実施の形態に制限されるものではない。
（実施形態１）
図１は、本実施形態に係る光ＳＳＢ変調器の概略構成図である。本実施形態に係る光ＳＳＢ変調器は、マルチキャリア信号発生器１１と、シングルキャリア信号発生器１２と、合波器１３と、光強度変調器１４と、光波長フィルタ１５と、を備える。本実施形態では、さらに、光源１６を備える例を示した。また、本実施形態では、マルチキャリア信号発生器１１と合波器１３の間に、さらに周波数変換器１７を備えることが好ましい。
【００１９】
本実施形態に係る光ＳＳＢ変調器は、光源１６の出力する半導体レーザ光を、光強度変調器１４によって、周波数ｆｏを有する振幅が一定の高周波信号と、周波数帯ｆｓを有する高周波信号との周波数多重信号により直接強度変調を加える。そして、光強度変調器１４の出力光を、光波長フィルタ１５に入力し、片側の側波帯のみを出力する。
【００２０】
マルチキャリア信号発生器１１は、予め定められた周波数帯のマルチキャリア電気信号を発生させる。マルチキャリア電気信号の周波数帯は、例えば、衛星信号キャリアの周波数帯である。衛星信号キャリアの周波数帯は、例えば、１１．７２７ＧＨｚ〜１１．９９６ＧＨｚである。マルチキャリア電気信号のキャリア数は、情報を伝送することの可能な数であり、例えば、８又は６４である。本実施形態では光キャリアの周波数がシングルキャリア電気信号の周波数ｆｏだけずれるので、マルチキャリア信号発生器１１の発生させたマルチキャリア電気信号の周波数を、シングルキャリア電気信号の周波数だけ高くなるように周波数変換する周波数変換器１７を設けることが好ましい。あらかじめ元の衛星信号キャリアの周波数帯からシングルキャリア電気信号の周波数ｆｏだけ増加又は減少させた周波数帯にマルチキャリア電気信号の周波数帯が設定されていれば、周波数変換器１７を省略することができる。
【００２１】
シングルキャリア信号発生器１２は、周波数帯とは異なる予め定められた一定の周波数ｆｏのシングルキャリア電気信号を発生させる。一定の周波数ｆｏは、マルチキャリア電気信号の周波数帯ｆｓとは異なる周波数であり、周波数帯ｆｓよりも高くてもよいし、低くてもよい。シングルキャリア電気信号は、マルチキャリア電気信号の周波数帯よりも周波数が低いことが好ましい。光キャリアよりも高周波数側の側波帯に、元の光キャリア側から順に、シングルキャリア電気信号による側波帯、マルチキャリア電気信号による側波帯を発生させることができる。上側の側波帯の長波長側に新たな光キャリアが発生し、短波長側に衛星信号キャリアを発生させることができるので、従来の復調器との整合がよい。
【００２２】
また、一定の周波数ｆｏは、光波長フィルタ１５によって、元の光キャリアを抑圧してシングルキャリア電気信号による側波帯を抽出可能な周波数である。例えば、一定の周波数ｆｏが周波数帯ｆｓよりも低い場合は、周波数ｆｏは、光キャリアの周波数と衛星信号キャリアの周波数帯の差分と同程度の周波数を有することが好ましい。例えば、衛星信号キャリアの周波数帯の低周波数側が１１．７２７ＧＨｚであれば、周波数ｆｏは１０ＧＨｚ程度とすることが好ましい。元の光キャリアを抑圧しやすくすることで、シングルキャリア電気信号による変調で発生させた新たな光キャリアの信号品質を高めることができる。
【００２３】
また、シングルキャリア電気信号は、振幅が一定であることが好ましい。例えば、シングルキャリア信号発生器１２は、振幅が一定のシングルキャリア電気信号を発生させる。また、振幅を一定にする増幅器を備えていてもよい。シングルキャリア電気信号の振幅が一定であることで、シングルキャリア電気信号によって発生させる新たな光キャリアの振幅が一定となる。光キャリアの振幅が一定であることで、新たな光キャリア及び信号キャリアの高いサイドバンド抑圧度が得られるので、伝送距離の制限を受けずに光信号の伝送をすることができる。
【００２４】
合波器１３は、マルチキャリア信号発生器１１の発生させたマルチキャリア電気信号及びシングルキャリア信号発生器１２の発生させたシングルキャリア電気信号を合波する。そして、マルチキャリア電気信号及びシングルキャリア電気信号の合波されている波長多重信号を出力する。マルチキャリア信号発生器１１と合波器１３の間に、さらに周波数変換器１７を備える場合は、周波数変換器１７の変換するマルチキャリア電気信号と、シングルキャリア信号発生器１２の発生させたシングルキャリア電気信号とを合波する。合波器１３がマルチキャリア電気信号及びシングルキャリア電気信号を多重化することで、周波数差が一定の新たな光キャリア及び信号キャリアを安定して発生させることができる。
【００２５】
光源１６は、波長が一定のキャリア光を発生させる。光源１６は、たとえば、ＤＦＢ−ＬＤなどの半導体レーザである。
【００２６】
光強度変調器１４は、波長が一定のキャリア光を、合波器１３の合波した波長多重信号で強度変調して出力する。キャリア光は、光源１６の出力する光である。光強度変調器１４は、例えば、ＥＡ変調器（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）又はＬＮ−ＭＺ変調器である。
【００２７】
図３は、Ｃ点での変調信号光の一例を示すスペクトル図である。波長１５５９ｎｍの光キャリアの長波長側及び短波長側に、シングルキャリア電気信号により変調された側波帯５１ａ及び５１ｂと、マルチキャリア電気信号により変調された側波帯５２ａ及び５２ｂが出現している。本実施形態では、合波器１３の合波したシングルキャリア電気信号の一定周波数ｆｏを１０ＧＨｚ、マルチキャリア電気信号の周波数帯ｆｓを２１．７２７ＧＨｚ〜２１．９９６ＧＨｚとしているので、１０ＧＨｚ一定のシングルキャリア電気信号と、２１．７２７ＧＨｚ〜２１．９９６ＧＨｚを周波数帯にもつ８つのマルチキャリア電気信号とで光ＤＳＢ変調がかかっている。
【００２８】
光波長フィルタ１５は、光強度変調器１４の変調によって発生したシングルキャリア電気信号及びマルチキャリア電気信号による側波帯の一方並びにキャリア光を遮断し、光強度変調器の変調によって発生したシングルキャリア電気信号及びマルチキャリア電気信号による側波帯の他方を通過させる。光波長フィルタ１５は、元の光キャリアと側波帯とを分離することのできる透過特性を有することが好ましい。光波長フィルタ１５の透過特性の一例を図２に示す。本実施形態では、元の光キャリアの波長１９９５ｎｍを抑圧して上側の側波帯を透過させるので、光キャリアの波長１９９５ｎｍよりもシングルキャリア電気信号の一定周波数ｆｏに相当する１０ＧＨｚだけ長い波長以上の波長を透過させるハイパスフィルタを用いることができる。図１のＤ点におけるノイズを減らすために、光波長フィルタ１５は、シングルキャリア電気信号及びマルチキャリア電気信号の片側の側波帯のみを透過させるバンドパスフィルタであることが好ましい。
【００２９】
図４は、Ｄ点での変調信号光の一例を示すスペクトル図である。光波長フィルタの透過特性によって下側の側波帯５１ｂ及び５２ｂが抑圧され、さらに、波長１５５９ｎｍの元の光キャリア５０も抑圧されている。残った１０ＧＨｚ一定のシングルキャリア電気信号により変調された上側の側波帯５１ａと、マルチキャリア電気信号により変調された上側の側波帯５２ａと、が出力される。これにより、上側の側波帯５１ａを新たな光キャリア、上側の側波帯５２ａを新たな衛星信号キャリアとして利用することができる。
【００３０】
本実施形態に係る光ＳＳＢ変調器の動作につい図１を用いて説明する。マルチキャリア信号発生器１１は、衛星信号キャリアに対応する周波数帯ｆｓ（本実施形態では１１．７２７ＧＨｚ〜１１．９９６ＧＨｚ。）のマルチキャリア電気信号を発生させる。周波数帯ｆｓは、本実施形態では８つである例を示した。周波数変換器１７は、一括して、２１．７２７ＧＨｚ〜２１．９９６ＧＨｚを周波数帯にもつマルチキャリア電気信号を得る。
【００３１】
このようにして得た、一定周波数ｆｏ（本実施形態では１０ＧＨｚ。）のシングルキャリア電気信号と、ｆｓ＝１１．７２７ＧＨｚ〜１１．９９６ＧＨｚを周波数帯にもつ８つの衛星信号キャリアとを合波器によって合波することによって、周波数多重信号を得る。この周波数多重した電気信号を光強度変調器１４に印加して、光源１６から出力されるキャリア光を強度変調する。すると、光ＤＳＢ変調された光が出力される、この光ＤＳＢ変調された光を光波長フィルタ１５に入力する。
【００３２】
光波長フィルタ１５では、その透過特性によって、片側の側波帯を抑圧するだけではなく、元の光キャリアも抑圧することによって、光ＳＳＢ変調された光信号を得る。なお、光波長フィルタ１５から出力された光ＳＳＢ変調された光信号の周波数は、ｆｓ＝２１．７２７ＧＨｚ〜２１．９９６ＧＨｚから、ｆｏ＝１０ＧＨｚを差し引いた周波数、１１．７２７ＧＨｚ〜ｌｌ．９９６ＧＨｚとなり、所望の入力された衛星信号キャリアの周波数となる。
【００３３】
図１のＣ点、Ｄ点の光スペクトルをそれぞれ、図３及び図４に示す。Ｃ点では、１０ＧＨｚ一定の周波数信号と、ｆｓ＝２１．７２７ＧＨｚ〜２１．９９６ＧＨｚを周波数にもつ８つのマルチキャリア電気信号とで光ＤＳＢ変調がかかっている。光波長フィルタの透過特性によって下側の側波帯を抑圧し、さらに、波長１５５９ｎｍのもとの光キャリアを抑圧する。残った１０ＧＨｚ一定のシングルキャリア電気信号により変調された上側の側波帯と、８つのマルチキャリア電気信号で変調のかかった上側の側波帯とが出力される。
【００３４】
８つのマルチキャリア電気信号で変調のかかった片側の側波帯と、１０ＧＨｚ一定のシングルキャリア電気信号により強度変調された片側の側波帯との周波数の差は、１１．７２７ＧＨｚ〜１１．９９６ＧＨｚであり、これは、もとの衛星信号キャリアの周波数に等しい。残ったシングルキャリア電気信号により変調された片側の側波帯を、新しい光キャリアと見立てれば、マルチキャリア電気信号で変調のかかった８つの衛星信号キャリアで変調のかかった片側の側波帯を有する光ＳＳＢ変調された光信号を得ることとなる。新しい光キャリアを中心としては、残った８つの衛星信号キャリアで変調のかかった片側の側波帯の反対側には、変調された信号は全く存在しないことになる。このことから、無限大のサイドバンド抑圧度を得ることとなる。
【００３５】
（実施形態２）
図５は、本実施形態に係る光ＳＳＢ変調器の概略構成図である。本実施形態に係る光ＳＳＢ変調器は、光ＤＳＢ変調された光を得るために、光発生器を直接強度変調している点で実施形態１と異なる。図５に示す光ＳＳＢ変調器は、マルチキャリア信号発生器１１と、シングルキャリア信号発生器１２と、合波器１３と、光発生器１８と、光波長フィルタ１５と、を備える。本実施形態では、さらに、周波数変換器１７を備える例を示した。マルチキャリア信号発生器１１と、シングルキャリア信号発生器１２と、合波器１３と、光波長フィルタ１５と、の機能及び動作については、前述の実施形態１に係る光ＳＳＢ変調器と同様である。本実施形態では、前述の実施形態１に係る光ＳＳＢ変調器において説明した光源１６及び光強度変調器１４に代えて、光発生器１８を備えることを特徴とする。
【００３６】
光発生器１８は、波長が一定のキャリア光を、合波器１３の合波したマルチキャリア電気信号及びシングルキャリア電気信号によって直接変調する。光発生器１８は、例えば、ＤＦＢ−ＬＤである。ＤＦＢ−ＬＤの直接強度変調は外部変調に比べて、レーザ光の光周波数ゆらぎ（チャープ）の量が一般に大きい。このチャープ量を無視すれば、図５のＥ点及びＦ点の光スペクトルは、それぞれ、図１のＣ点及びＤ点の光スペクトルにそれぞれ対応し、同じ光スペクトルが得られ、それぞれの光スペクトルは、図３、図４に示される。このようにして、Ｆ点においては、光ＳＳＢ変調された光を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、光信号伝送に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】実施形態１に係る光ＳＳＢ変調器の概略構成図である。
【図２】光波長フィルタ１５の透過特性の一例である。
【図３】Ｃ点での変調信号光の一例を示すスペクトル図である。
【図４】Ｄ点での変調信号光の一例を示すスペクトル図である。
【図５】実施形態２に係る光ＳＳＢ変調器の概略構成図である。
【図６】従来のＬＮ−ＭＺ変調器の一例を示す概略構成図である。
【図７】従来のＬＮ−ＭＺ変調器による変調信号光の一例を示すスペクトル図である。
【図８】従来の光波長フィルタによる光ＳＳＢ変調器の一例を示す概略構成図である。
【図９】従来の光波長フィルタの透過特性の一例である。
【図１０】Ａ点での変調信号光の一例を示すスペクトル図である。
【図１１】Ｂ点での変調信号光の一例を示すスペクトル図である。
【符号の説明】
【００３９】
１１  マルチキャリア信号発生器
１２  シングルキャリア信号発生器
１３  合波器
１４  光強度変調器
１５  光波長フィルタ
１６  光源
１７  周波数変換器
１８  光発生器
３１  ＤＦＢ−ＬＤ
３２  マルチキャリア信号発生器
３３  ９０°カプラ
３４  フェーズシフター
３５  ＬＮ−ＭＺ変調器
３６  外部変調器
３７  光波長フィルタ
５０  光キャリア
５１ａ  シングルキャリア電気信号により発生した上側側波帯
５１ｂ  シングルキャリア電気信号により発生した下側側波帯
５２ａ  マルチキャリア電気信号により発生した上側側波帯
５２ｂ  マルチキャリア電気信号により発生した下側側波帯
【図１】
2008261979.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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