(57)【要約】【課題】周辺部品を含めた実際の動作状況にありながらも、評価対象とする半導体装置単体の、高周波ノイズに対する耐量を評価することのできる半導体評価装置を提供する。【解決手段】半導体評価装置は、評価対象とする半導体装置２０が実装され、該半導体装置２０が有する複数の端子の各別に専用の第１コネクタ２１ａを有する第１実装基板２１と、半導体装置２０の周辺部品２２が実装され、該周辺部品２２と電気的に接続された第２コネクタ２３ａを有する第２実装基板２３とを有する。そして、半導体装置２０の注入端子２１ｂ及びモニタ端子２１ｃから第１コネクタ２１ａまでの配線２１ｄは、そのインピーダンスが同一となるインピーダンス整合された上で、第１実装基板２１に形成されており、周辺部品と第２コネクタとの間には、伝達する電気信号のうちの交流成分が伝達することを抑制するバイアスティが介在している。【選択図】図１
2008261709.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号を生成する高周波信号生成器を含んで構成される試験器と、
評価対象とする半導体装置が実装され、該半導体装置が有する複数の端子の各別に専用の第１コネクタを複数有する第１実装基板と、
前記半導体装置の周辺部品が実装され、該周辺部品と電気的に接続された第２コネクタを有する第２実装基板と、
前記第１実装基板に実装された前記半導体装置が有する複数の端子のうちのモニタ端子とされる端子から出力される出力信号を計測する出力信号計測器と、
前記第１コネクタと前記第２コネクタとの機械的な接続を通じて前記周辺部品と電気的に接続されるとともに前記周辺部品も含めた動作状態にある前記半導体装置が有する複数の端子のうちの注入端子とされる端子に、前記高周波信号生成器を通じて高周波信号を注入し、この高周波信号注入時における前記出力信号を計測することで前記高周波信号に対する耐量を前記複数の端子毎に評価する評価手段とを備える半導体評価装置であって、
前記複数の端子から前記第１コネクタまでの配線は、そのインピーダンスが同一となるインピーダンス整合された上で、前記第１実装基板に形成されているとともに、
前記周辺部品と前記第２コネクタとの間には、伝達する電気信号のうちの交流成分が伝達することを抑制する伝達抑制手段が介在していることを特徴とする半導体評価装置。
【請求項２】
前記第１コネクタは、前記半導体装置が前記第１実装基板に実装される位置である実装位置を囲むようにその周囲に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体評価装置。
【請求項３】
前記第１コネクタは、前記実装位置を中心とした円周上に配置されており、
前記第１実装基板の配線は、前記半導体装置が有する複数の端子から前記第１コネクタまで放射状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体評価装置。
【請求項４】
前記第１実装基板の配線は、マイクロストリップラインにて形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体評価装置。
【請求項５】
前記第１及び第２コネクタは前記第１及び第２実装基板の一面にのみそれぞれ配置されており、
前記第１及び第２実装基板は、前記第１及び第２コネクタが機械的に接続されることで、これら第１及び第２コネクタの実装面が互いに対向するように階層状に支持された積層体を構成していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体評価装置。
【請求項６】
前記第１実装基板は、前記第１コネクタが配置された面と同一面に前記半導体を有するとともに、前記第１コネクタが配置された面と対向する面に電磁ノイズを吸収する電磁吸収板を有し、
前記第２実装基板は、前記第２コネクタが配置された面と同一面に電磁ノイズを吸収する電磁吸収板を有し、
前記積層体は、電磁ノイズを吸収する電磁吸収板をその側面に有することで、電波暗室が構成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体評価装置。
【請求項７】
前記伝達抑制手段は、インダクタを含んで構成されるバイアスティであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体評価装置。
【請求項８】
当該半導体評価装置は、前記高周波信号生成器を通じて高周波信号を注入する第１実装基板を複数有するとともに、これらを切り替える切替手段を備えており、
前記評価手段は、前記高周波信号を注入する第１実装基板を前記切替手段を通じて切り換えつつ、前記高周波信号に対する耐量を各半導体装置毎に評価することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体評価装置。
【請求項９】
前記試験器は、前記半導体装置が有する複数の端子のうちの注入端子とされる端子に注入される入力信号を計測する入力信号計測器を有しており、
前記評価手段は、前記高周波信号注入時における前記出力信号及び前記入力信号を計測することで前記高周波信号に対する耐量を前記複数の端子毎に評価することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体評価装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体評価装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体評価装置として、例えば特許文献１に記載の技術が知られている。この文献に記載の技術も含め、図５を参照しつつ、一般に知られている半導体評価装置について説明する。
【０００３】
図５に示されるように、半導体装置（ＩＣ）の特性評価試験であるＥＭＣ（電磁両立性）試験の１つとして、外部からの妨害波等による耐性を評価するイミュニティ試験がある（例えば、特許文献１参照）。また、イミュニティ試験の１つとして、試験規格ＩＥＣ６２１３２−４に規定されているＤＰＩ（Direct RF Power Injection：直接電力注入）試験がある。
【０００４】
図５に、ＤＰＩ試験を行う半導体評価装置の概略構成例を示す。同図５に示されるように、半導体評価装置は、基本的に、ＤＰＩ試験器１１０と、出力信号計測器４０と、評価器５０を有している。
【０００５】
このうち、ＤＰＩ試験器１１０は、周辺部品を含めて動作状態にある被評価ＩＣ１３０に、例えば１００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ等の高周波ノイズを印加（注入）する。具体的には、ＤＰＩ試験器１１０は、高周波信号を生成する高周波信号生成器１１を始め、この高周波信号生成器１１に接続された増幅器１２及び方向性結合器１３を介して接続された端子１４を備えている。高周波信号生成器１１にて生成される高周波信号は、増幅器１２にて増幅されるとともに、試験対象である被評価ＩＣ１３０が有する複数の端子のうちの１つ（注入端子）に、ＤＰＩ試験器１１０の端子１４を介して高周波ノイズとして出力される。なお、端子１４と注入端子との間にはフィルタ１５が介在しており、このフィルタ１５によって、増幅器１２で増幅された高周波信号から直流成分がカットされている。こうしたフィルタ１５として、例えばコンデンサが用いられる。
【０００６】
また、ＤＰＩ試験器１１０は、方向性結合器１３に接続された第１及び第２電力検出器１６及び１７と、これら第１及び第２電力検出器１６及び１７に接続された電力測定器１８とを備えており、第１及び第２の電力検出器１６及び１７並びに電力測定器１８によって、真の進行波の電力が測定されるようになっている。すなわち、方向性結合器１３から進行方向の高周波（進行波）が取り出されて、第１電力検出器１６でその電力（Ｐｆ）が検出され、検出結果が電力測定器１８に入力され、方向性結合器１３から進行方向とは反対の高周波（反射波）が取り出されて、第２電力検出器１７でその電力（Ｐｒ）が検出され、検出結果が電力測定器１８に入力され、電力測定器１８で、進行波と反射波の電力が差し引かれることで、真の進行波の電力（Ｐｎｅｔ＝Ｐｆ−Ｐｒ）が測定される。
【０００７】
被評価ＩＣ１３０は、例えば図示しないプリント基板からなる評価用基板に周辺部品と共々実装されており、ＤＰＩ試験器１１０の端子１４は、フィルタ１５及び被評価基板に形成された配線を介して、被評価ＩＣ１３０が有する複数の端子１３１のうちの注入端子とされる端子に電気的に接続されている。
【０００８】
出力信号計測器４０は、高周波ノイズが注入された被評価ＩＣ１３０のＩＣ特性を計測するものであり、例えばオシロスコープ等のモニタ機器を用いることができる。なお、出力信号計測器４０は、被評価ＩＣ１３０が有する端子の注入端子とは異なる端子（モニタ端子）と例えば同軸ケーブルを介して電気的に接続されている。
【０００９】
評価器５０は、高周波信号生成器１１を制御（注入電力制御）する。また、評価器５０は、上記真の進行波の電力測定結果を電力測定器１８から取り込むとともに、ＩＣ特性の計測結果を出力信号計測器４０から取り込み、これらの結果に基づいて、被評価ＩＣ１３０の、高周波ノイズに対する耐量を評価する。
【特許文献１】特許第３６４２９７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、こうした従来の半導体評価装置では、図６にその一例を示すように、評価対象とする被評価ＩＣ１３０を周辺部品や配線とともに評価用基板に実装した上で、被評価ＩＣ１３０が有する複数の端子毎に、上記高周波信号生成器１１にて生成する電力を注入し、この電力が注入される注入端子とは異なるモニタ端子における出力を出力信号計測器４０にてモニタリングしていた。そうした評価結果は、当然のことながら、評価対象とする被評価ＩＣ１３０単体の評価結果とはならず、被評価ＩＣ１３０及びその周辺部品と電気的に接続する配線の形状や周辺部品等々の特性（インピーダンス）をも含んだ評価結果となっている。
【００１１】
また、従来の半導体評価装置では、被評価ＩＣ１３０の注入端子に高周波信号生成器１１にて生成された高周波信号（電力）を注入すると、被評価ＩＣ１３０が有する複数の端子にそれぞれ接続された配線の配線形状や周辺部品等々のインピーダンスが異なることに起因して、反射が生じてしまう。この反射は、注入される高周波信号にとってはノイズでしかなく、注入される高周波信号が減衰することになる。しかも、被評価ＩＣ１３０が有する複数の端子毎に接続される配線の配線形状や周辺部品等々のインピーダンスが異なることに起因してさらに、反射量も各端子間で異なっている。そのため、たとえ高周波信号生成器１１にて同一の高周波信号を生成し、その同一の高周波信号を被評価ＩＣ１３０が有する複数の端子毎に注入したところで、異なる反射量にて減衰された高周波信号に対する出力が得られるに過ぎず、同一の高周波信号に対する出力が得られるとは限らない。
【００１２】
これに対し、被評価ＩＣ１３０を周辺部品や配線と電気的に接続することなく、被評価ＩＣ１３０単体で電力注入試験を実行することが考えられる。しかしながら、こうした場合に得られる評価結果は、周辺部品や配線と電気的に接続されて動作する実際の状況における被評価ＩＣ１３０の評価結果とは異なってしまう。
【００１３】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、周辺部品を含めた実際の動作状況にありながらも、評価対象とする半導体装置単体の、高周波ノイズに対する耐量を評価することのできる半導体評価装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
こうした目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、高周波信号を生成する高周波信号生成器を含んで構成される試験器と、評価対象とする半導体装置が実装され、該半導体装置が有する複数の端子の各別に専用の第１コネクタを複数有する第１実装基板と、前記半導体装置の周辺部品が実装され、該周辺部品と電気的に接続された第２コネクタを有する第２実装基板と、前記第１実装基板に実装された前記半導体装置が有する複数の端子のうちのモニタ端子とされる端子から出力される出力信号を計測する出力信号計測器と、前記第１コネクタと前記第２コネクタとの機械的な接続を通じて前記周辺部品と電気的に接続されるとともに前記周辺部品も含めた動作状態にある前記半導体装置が有する複数の端子のうちの注入端子とされる端子に、前記高周波信号生成器を通じて高周波信号を注入し、この高周波信号注入時における前記出力信号を計測することで前記高周波信号に対する耐量を前記複数の端子毎に評価する評価手段とを備える半導体評価装置として、前記複数の端子から前記第１コネクタまでの配線は、そのインピーダンスが同一となるインピーダンス整合された上で、前記第１実装基板に形成されているとともに、前記周辺部品と前記第２コネクタとの間には、伝達する電気信号のうちの交流成分が伝達することを抑制する伝達抑制手段が介在していることとした。
【００１５】
半導体評価装置としてのこのような構成では、評価対象とする半導体装置及びその周辺部品は、異なる基板である第１及び第２実装基板にそれぞれ分離して実装されながらも、第１及び第２コネクタによって機械的に接続されることで電気的にも接続されている。なお、第１実装基板では、半導体装置が有する複数の端子から第１コネクタまでの配線は、そのインピーダンスが同一となるインピーダンス整合されている。さらに、第２実装基板では、周辺部品と第２コネクタとの間に、伝達する電気信号のうちの交流信号が伝達することを抑制する伝達抑制手段が介在している。このような構成に対し、周辺部品を含めた当該半導体装置の動作状態において、高周波信号生成器によって生成される高周波信号を半導体装置が有する複数の端子毎に注入するとともに、この高周波信号注入時の、半導体装置のモニタ端子から出力される出力信号を信号計測器にて計測することで、高周波信号に対する耐量を各端子毎に評価手段を通じて評価されることになる。
【００１６】
これにより、第１実装基板に形成される配線はインピーダンス整合されており、半導体装置が有する複数の端子毎に配線のインピーダンスは変わらないため、たとえ高周波信号が注入されても反射が生じにくくなる。そのため、高周波信号が減衰することは少なくなり、たとえ減衰したとしても、その減衰量（反射量）は端子毎に変わることはなく略同一であるため、高周波信号生成器１１にて同一の高周波信号を生成し、その同一の高周波信号を被評価ＩＣ１３０が有する各端子毎に注入することで、その同一の高周波信号に対する出力が得られるようになる。
【００１７】
また、周辺部品と第２コネクタとの間に伝達抑制手段が介在するため、高周波信号生成器１１にて生成された高周波信号が周辺部品へ伝達しようにも、伝達抑制手段によってほとんど伝達しなくなる。したがって、評価結果には、周辺部品と電気的に接続する配線の形状や周辺部品等々の特性が含まれなくなる。しかもこのとき、伝達抑制手段は、伝達する電気信号のうちの直流成分については伝達するため、半導体装置は、周辺回路を含めた実際の動作状態にある。
【００１８】
このように、背景技術の欄に記載した従来技術とは異なり、周辺部品も含めた実際の動作状況にありながらも、評価対象とする半導体装置単体の、高周波ノイズに対する耐量を各端子毎に評価することができるようになる。なお、第１実装基板については、評価対象とする半導体装置が有する端子数が同数である限り、共用化することができるようにもなる。
【００１９】
また、上記請求項１に記載の構成において、例えば請求項２に記載の発明のように、前記第１コネクタは、前記半導体装置が前記第１実装基板に実装される位置である実装位置を囲むようにその周囲に配置されていることとしてもよい。
【００２０】
通常、配線インピーダンスは、配線長さ、断面積及び断面形状等に影響を受けて変化する。その点、上記請求項２に記載の構成において、例えば請求項３に記載の発明のように、前記第１コネクタは、前記実装位置を中心とした円周上に配置されており、前記第１実装基板の配線は、前記半導体装置が有する複数の端子から前記第１コネクタまで放射状に形成されていることとすれば、第１実装基板に配線を容易に形成することができるようになる。
【００２１】
こうした構成においては、例えば請求項４に記載の発明のように、前記第１実装基板の配線は、マイクロストリップラインにて形成されていることが望ましい。
【００２２】
また、例えば請求項５に記載の発明のように、前記第１及び第２コネクタは前記第１及び第２実装基板の一面にのみそれぞれ配置されており、前記第１及び第２実装基板は、前記第１及び第２コネクタが機械的に接続されることで、これら第１及び第２コネクタの実装面が互いに対向するように階層状に支持された積層体を構成していることとしてもよい。これにより、第１及び第２実装基板が併せて占める面積を小さくすることができるため、当該半導体評価装置の体格の小型化を図ることができるようにもなる。
【００２３】
通常、外来電磁ノイズが評価結果に与える影響を低減するには、電波暗室内において当該評価を行うことが望ましいものの、そうした電波暗室は大規模な設備となってしまう。
【００２４】
その点、上記請求項５に記載の構成において、例えば請求項６に記載の発明のように、前記第１実装基板は、前記第１コネクタが配置された面と同一面に前記半導体を有するとともに、前記第１コネクタが配置された面と対向する面に外来電磁ノイズを吸収する電磁吸収板を有し、前記第２実装基板は、前記第２コネクタが配置された面と同一面に外来電磁ノイズを吸収する電磁吸収板を有し、前記積層体は、外来電磁ノイズを吸収する電磁吸収板をその側面に有することで、電波暗室が構成することとすれば、外来電磁ノイズが与える影響を簡素な構成での低減することができるようになる。
【００２５】
なお、前記伝達抑制手段としては、例えば請求項７に記載の発明のように、インダクタを含んで構成されるバイアスティを採用するとよい。
【００２６】
また、例えば請求項８に記載の発明のように、当該半導体評価装置は、前記高周波信号生成器を通じて高周波信号を注入する第１実装基板を複数有するとともに、これらを切り替える切替手段を備えており、前記評価手段は、前記高周波信号を注入する第１実装基板を前記切替手段を通じて切り換えつつ、前記高周波信号に対する耐量を各半導体装置毎に評価してもよい。これにより、複数の半導体装置の評価を行うに要する時間を短縮することができるようになる。
【００２７】
さらに、例えば請求項９に記載の発明のように、前記試験器は、前記半導体装置が有する複数の端子のうちの注入端子とされる端子に注入される入力信号を計測する入力信号計測器を有しており、前記評価手段は、前記高周波信号注入時における前記出力信号及び前記入力信号を計測することで前記高周波信号に対する耐量を前記複数の端子毎に評価することとしてもよい。これにより、評価手段は、半導体装置の注入端子に入力される入力信号及びモニタ端子から出力される出力信号を実際に測定し、これらに基づき半導体装置の評価を行うため、より評価精度を向上することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明に係る半導体評価装置の一実施の形態について、図１〜図３を参照して説明する。ここで、図１は、本実施の形態において採用する、評価対象とする半導体装置を実装する第１実装基板の平面構造を示す平面図である。また、図２（ａ）及び（ｂ）は、そうした第１実装基板及び半導体装置の周辺部品を実装する第２実装基板の側面構造をそれぞれ示す側面図であり、図３は、第１実装基板及び第２実装基板の側面構造を示すとともに、これら第１及び第２実装基板が機械的に接続された状態を示す側面図である。なお、この実施の形態の半導体評価装置も、先の図５に示した従来の半導体評価装置に準じた構成を有している。そのため、以下の説明においては、従来の半導体評価装置と重複する要素についての説明を割愛する。
【００２９】
図１に示されるように、平面視略正方形状の第１実装基板２１の上表面には、本実施の形態において評価対象となる半導体装置２０が該第１実装基板２１の略中央に実装されており、この半導体装置２０は、複数（本実施の形態では例えば「２０個」）の端子を有している。なお、以下では便宜上、これら複数の端子のうちの特定の「１９個」の端子を、後述する高周波信号を注入する注入端子２１ｂとするとともに、これら複数の端子のうちの特定の「１個」の端子を、高周波信号注入時の応答波形をモニタリングするためのモニタ端子２１ｃとして説明するが、実際には、これら各端子はそれぞれ、注入端子としてだけでなく、同時に、モニタ端子としても同時に機能することができる。そのため、こうした注入端子あるいはモニタ端子といった端子の区別は、図示した態様に限られるものではなく任意である。またちなみに、こうした注入端子あるいはモニタ端子といった端子の区別は、当該半導体装置２０の機能上の入力端子あるいは出力端子とは無関係になっている。さらに、本実施の形態の第１実装基板２１は、平面視略正方形状としているが、これに限らず、平面視円形状あるいは平面視八角形状等の平面視多角形状としてもよい。
【００３０】
図１に示されるように、第１実装基板２１は、当該半導体装置２０が有する複数の端子の各別に専用の第１コネクタ２１ａを有している。これら第１コネクタ２１ａは、半導体装置２０が実装される実装位置を中心とした同心同一の円周上に配置されており、半導体装置２０を囲んでいる。なお、本実施の形態の第１コネクタ２１ａは、半導体装置２０の実装位置を中心とした同心同一の円周上に配置されているが、これに限られず、同心の円周上に配置されたり、矩形状に配置されたりしても、後述のインピーダンス整合がなされている限り任意である。
【００３１】
また、図１に示されるように、半導体装置２０の注入端子２１ｂ及びモニタ端子２１ｃは、例えばアルミニウムや銅などの適宜の金属材料を用いて形成された配線２１ｄによって、第１コネクタ２１ａと電気的に接続されている。こうした配線２１ｄのうち、半導体装置２０を起点として図１において左右へ伸びる配線は、略直線状に形成されており、半導体装置２０を起点として図１において上下へ伸びる配線は、直線状に形成されているものの、第１コネクタ２１ａの近傍においては若干左右へ広がっている。このように、配線２１ｄは、半導体装置２０を中心として放射状に形成され、注入端子２１ｂ及びモニタ端子２１ｃから第１コネクタ２１ａまでのインピーダンスが同一となるインピーダンス整合された上で、第１実装基板２１上に形成されている。これにより、半導体装置２０が有する端子２１ｂ及び２１ｃ毎に配線２１ｄのインピーダンスは変わらないため、たとえ高周波信号が注入されても反射が生じにくくなる。そのため、高周波信号が減衰することは少なくなり、たとえ減衰したとしても、その減衰量（反射量）は端子２１ｂ及び２１ｃ毎に変わることはなく略同一であるため、高周波信号生成器１１にて同一の高周波信号を生成し、その同一の高周波信号を半導体装置２０が有する各注入端子２１ｂ毎に注入することで、その同一の高周波信号に対する出力がモニタ端子２１ｃから得られるようになる。
【００３２】
ここで、第１実装基板２１は、図２（ａ）に示されるように、上記半導体装置２０、該半導体装置２０の注入端子２１ｂ及びモニタ端子２１ｃ（図２（ａ）では図示略）、上記第１コネクタ２１ａ及び上記配線２１ｄを全て、同一の実装面（図２（ａ）では実装基板２１の下表面）に有している。
【００３３】
さらに、第１実装基板２１は、図２（ａ）に示されるように、上記実装面と対向する面、すなわち、図２（ａ）では実装基板２１の上表面に、適宜の電磁吸収材にて形成された、電磁ノイズを吸収する電磁吸収板２１ｅが配設されている。なお、この電磁吸収板２１ｅは、第１実装基板２１と同一の外形形状に形成されているため、第１実装基板２１の上表面の全面を覆っている。これにより、図２（ａ）中の上方から下方へ伝播しようとする電磁ノイズを吸収することができ、ひいては、半導体装置２０や配線２４ｄ等を伝達する電気信号にそうした電磁ノイズが重畳することを抑制することができるようになる。
【００３４】
一方、図２（ｂ）に示されるように、第２実装基板２３の一面、例えば、実装基板２３の下表面には、半導体装置２０の周辺部品２２が実装されており、この周辺部品２２が実装された面と対向する面、すなわち、実装基板２３の上表面には、後述する配線２３ｄ及びバイアスティ２４を通じて周辺部品２２と電気的に接続された第２コネクタ２３ａが配設されている。なお、この図２（ｂ）においては便宜上、第２実装基板２３は、第２コネクタ２３ａをそれぞれ「２個」有しているものとして示しているが、第２実装基板２３は、先の第１コネクタ２１ａと同数第２コネクタ２３ａを有しているため、実際には、第２コネクタ２３ａを「２０個」有している。なお、こうした数は、評価対象とする半導体装置２０によって異なるため、「２０個」に限らない。
【００３５】
また、図２（ｂ）に示されるように、周辺部品２２は、例えばアルミニウムや銅などの適宜の金属材料にて第２実装基板２３下表面に形成された配線２３ｄ、及び、当該バイアスティ２４を伝達する電気信号のうちの交流成分が伝達することを抑制するバイアスティ２４を介して、第２コネクタ２３ａと電気的に接続されている。
【００３６】
詳しくは、配線２３ｄは、図２（ｂ）に示されるように、第２実装基板２３下表面に実装された周辺部品２２から第２実装基板２３下表面のうちのバイアスティ２４直下の部分に至るまで、第２実装基板２３下表面に沿うように形成されている。そして配線２３ｄは、バイアスティ２４直下の部分から第２実装基板２３内部を貫通してバイアスティ２４に接続されている。バイアスティ２４は、基本的に、図示しないインダクタを内部に含んで構成される。インダクタは、一般に、当該インダクタを伝達する電気信号が高周波になるほどそのインピーダンスが大きくなる一方、当該インダクタを伝達する電気信号が低周波になるほどそのインピーダンスが小さくなる。そのため、バイアスティ２４は、当該バイアスティ２４を伝達する電気信号のうちの高周波成分が伝達することを抑制するとともに、低周波成分あるいは直流成分の伝達を妨げないようにしている。これにより、高周波信号生成器１１にて生成された高周波信号が周辺部品へ伝達しようにも、バイアスティ２４によってほとんど伝達しなくなる。したがって、評価結果には、周辺部品２２と電気的に接続する配線２３ｄの形状や周辺部品２２等々の特性が含まれなくなる。しかもこのとき、バイアスティ２４は、伝達する電気信号のうちの直流成分については伝達するため、半導体装置２０は、周辺部品２２を含めた実際の動作状態にある。
【００３７】
さらに、第２実装基板２３は、図２（ｂ）に示されるように、第２コネクタ２３ａの実装面、すなわち、図２（ｂ）では第２実装基板２３の上表面に、適宜の電磁吸収材にて形成された、電磁ノイズを吸収する電磁吸収板２３ｅが配設されている。なお、この電磁吸収板２３ｅは、第２実装基板２３と同一の外形形状に形成されており、第２実装基板２３の上表面の全面を覆っている。これにより、図２（ｂ）中の下方から上方へ伝播しようとする電磁ノイズを吸収することができ、ひいては、第１及び第２コネクタ２１ａ及び２３ａを通じて第１及び第２実装基板２１及び２３を機械的に接続するときに、半導体装置２０や配線２４ｄ等を伝達する電気信号にそうした電磁ノイズが重畳することを抑制することができるようになる。
【００３８】
同様に、第２実装基板２３は、図２（ｂ）に示されるように、適宜の電磁吸収材にて形成された、電磁ノイズを吸収する電磁吸収板２５を有している。なお、この電磁吸収板２５は、第１及び第２コネクタ２１ａ及び２３ａが互いに機械的に接続されたとき、「第１実装基板２１上表面〜第１実装基板２１の側面〜第１実装基板２１下表面に配設された半導体装置２０及び第１コネクタ２１ａの側方〜第２実装基板２３上表面に配設された第２コネクタ２３ａ及びバイアスティ２４の側方〜第２実装基板２３の側面〜第２実装基板２３下表面に配設された周辺部品２２の側方」を覆うことのできる大きさを有している。これにより、図２（ｂ）中の左方から右方へ及び右方から左方へ伝播しようとする電磁ノイズを吸収することができ、ひいては、第１及び第２コネクタ２１ａ及び２３ａを通じて第１及び第２実装基板２１及び２３を機械的に接続するときに、半導体装置２０や配線２４ｄ等を伝達する電気信号にそうした電磁ノイズが重畳することを抑制することができるようになる。
【００３９】
また同様に、第２実装基板２３は、図２（ｂ）に示されるように、適宜の電磁吸収材を用いて形成された、電磁ノイズを吸収する電磁吸収板２６を有している。なお、この電磁吸収板２６も、第２実装基板２３と同一の外形形状に形成されており、第２実装基板２３の下表面の全面を覆っている。これにより、図２（ｂ）中の下方から上方へ伝播しようとする電磁ノイズを吸収することができ、周辺部品２２及び配線２３ｄを伝達する電気信号にそうした電磁ノイズが重畳することを抑制することができるようになる。
【００４０】
以上のように構成された第１実装基板２１及び第２実装基板２３を用いて、半導体装置２０の、高周波信号に対する耐量を評価するに当たっては、図３に示すように、第１コネクタ２１ａ及び第２コネクタ２３ａを機械的に接続することにより、これら第１コネクタ２１ａ及び第２コネクタ２３ａの実装面が互いに対向するように階層状に支持された積層体３０が構成される。ちなみに、図示を割愛しているがＤＰＩ試験器１１０（高周波信号生成器１１）の出力端子が積層体３０の側面から例えば同軸ケーブルを介してバイアスティ２４に接続されており、バイアスティ２４を介して高周波信号が注入されている。このように、第１及び第２コネクタ２１ａ及び２３ａが機械的に接続されると、第１実装基板２１に実装された半導体装置２０と第２実装基板２３に実装された周辺部品２２とが電気的に接続されることとなる。また、第１及び第２コネクタ２１ａ及び２３ａが機械的に接続されると、電磁吸収板２１ｅが第１実装基板２１の上表面を、電磁吸収板２５が積層体３０の側面を、電磁吸収板２３ｅが第２実装基板２３の上表面を、それぞれ覆うこととなり、いわば電波暗室が積層体３０内部に構成されることになる。これにより、評価対象となる半導体装置２０は、配線２１ｄ並びに周辺部品２２及び配線２３ｄと共々、この電波暗室内にて評価実験が実行されることになるため、評価器５０（図５及び背景技術の欄参照）を通じて得られる評価結果に外来電磁ノイズが与える影響がほとんどなくなる。
【００４１】
また、このように小規模な電波暗室内にて電力注入実験が実行されるため外来電磁ノイズの影響がほとんどなくなるとは言え、周辺部品２２を含めて半導体装置２０が動作状態となると、当該半導体装置２０及び配線２１ｄ並びに周辺部品２２及び配線２３ｄ等から電磁ノイズが生じる。こうした輻射ノイズのうち、周辺部品２２及び配線２３ｄから生じる輻射ノイズについては、電磁吸収板２３ｅが配設されていることから、これを吸収することができ、上記評価結果に輻射ノイズが与える影響を低減することができるようになる。
【００４２】
また、第１実装基板２１については、評価対象とする半導体装置２０の端子２１ｂ及び２１ｃが同数である限り、共用化することができるようにもなる。
【００４３】
なお、本発明に係る半導体評価装置は、上記実施の形態で例示した構成に限られるものではなく、本実施の形態を適宜変更した例えば次の形態として実行することもできる。
【００４４】
上記実施の形態では、図２（ａ）に示されるように、第１実装基板２１の下表面に通常の配線２１ｄを形成することとしたがこれに限らない。他に例えば、配線２１ｄの周りに図示しないＧＮＤ配線を配置するとともに、この配線２１ｄ直上（配線２１ｄと第１実装基板２１下表面との間）にもＧＮＤ配線を配置した、いわゆるマイクロストリップラインとしてもよい。これにより、伝達される電気信号に重畳するノイズをより低減することができるようになる。
【００４５】
上記実施の形態では、第１及び第２実装基板２１及び２３が第１及び第２コネクタ２１ａ及び２３ａによって機械的に接続された積層体３０を１つのみ評価対象として、評価実験（電力注入実験）を実行していたが、これに限らない。他に例えば、図５に対応する図として図４に示すように、当該半導体評価装置１０ａは、半導体装置２０が実装された第１実装基板２１（正確には積層体３０）を複数有するとともに、例えば複数のスイッチング素子を多段に配置して構成された切替回路６０を備えるものとする。評価器５０は、高周波信号を注入する第１実装基板２１をこの切替回路６０を通じて所定時間毎に切り換えつつ（スキャン）、高周波信号に対する耐量を各半導体装置２０毎に評価することとしてもよい。これにより、複数の半導体装置２０の耐量を評価するに要する時間の短縮を図ることができるようになる。ちなみに、ＤＰＩ試験器１１０の出力端子から切替回路６０までにおける電気信号伝達経路のインピーダンス、及び、切替回路６０における配線のインピーダンスはそれぞれ、第１実装基板２１と同様に、インピーダンス整合されていることが望ましい。これにより、第１実装基板２１上だけでなく、ＤＰＩ試験器１１０の出力端子から切替回路６０までにおける電気信号伝達経路や切替回路６０の配線においても、注入された高周波信号が減衰するようなことがほとんどなくなる。
【００４６】
上記実施の形態では、先の図２及び図３に示されるように、当該半導体評価装置では、周辺部品２２と第２コネクタ２３ａとの間にバイアスティ２４が介在した第２実装基板２３を採用していたが、これに限らない。要は、伝達する電気信号のうちの交流成分が伝達することを抑制することができれば、所期の目的を達成することができる。
【００４７】
上記実施の形態では、先の図２及び図３に示されるように、当該半導体評価装置が上記電磁吸収板２１ｅ、２３ｅ、２５及び２６を備えることにより、積層体３０内部にいわゆる電波暗室を構成していたが、これに限らない。こうした電磁吸収板２１ｅ、２３ｅ、２５及び２６については、割愛した構成としてもよい。これによっても、所期の目的を達成することはできる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係る半導体評価装置の一実施の形態で採用される第１実装基板の平面図。
【図２】同実施の形態において、（ａ）及び（ｂ）は、第１実装基板及び第２実装基板の側面図。
【図３】同実施の形態において、第１実装基板及び第２実装基板が機械的に接続された状態を示す側面図。
【図４】本発明に係る半導体評価装置の変形例について、全体構成を示すブロック図。
【図５】従来の半導体評価装置について、全体構成を示すブロック図。
【図６】従来の半導体評価装置において採用される実装基板の平面図。
【符号の説明】
【００４９】
１０、１０ａ…半導体評価装置、１１…高周波信号生成器、１２…増幅器、１３…方向性結合器、１４…出力端子、１５…フィルタ、１６…第１電力検出器、１７…第２電力検出器、１８…電力測定器（入力信号計測器）、２０…半導体装置、２１…第１実装基板、２１ａ…第１コネクタ、２１ｂ…注入端子、２１ｃ…モニタ端子、２１ｄ…配線、２１ｅ…電磁吸収板、２２…周辺部品、２３…第２実装基板、２３ａ…第２コネクタ、２３ｄ…配線、２３ｅ…電磁吸収板、２４…バイアスティ、２５…電磁吸収板、３０…積層体、４０…出力信号測定器、５０…評価器（評価手段）、６０…切替回路（切替手段）、１１０…ＤＰＩ試験器、１２０…実装基板、１３０…被評価ＩＣ、１３１…端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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