(57)【要約】【課題】化合物半導体素子の高耐圧化を図る。【解決手段】  化合物半導体領域の一方の主面に形成された電極と基体とを電気的に接続して、化合物半導体領域の一方の主面に形成される電極の電位に基体の電位を固定するので、デバイスの動作状態の変化によって基体の電位変動を抑制でき、デバイスの電気的特性が安定化する。また、化合物半導体領域の一方の主面と基体との間に縦方向に流れる漏れ電流を遮断する絶縁膜を化合物半導体領域と基体との間に形成するため、化合物半導体領域と基体との間に十分に高い耐圧特性を付与できる。更に、化合物半導体領域の厚み方向に一方の主面から少なくとも絶縁膜にまで達する切り欠け部を化合物半導体領域に設け、導電膜の側面を絶縁性保護膜によって被覆するので、導電膜と基体との間で放電の発生を抑制して、安定な高耐圧化を図ることができる。【選択図】図１
2008124409.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性材料から成る基体、該基体の一方の主面に形成された絶縁膜、前記基体の一方の主面に前記絶縁膜を介して形成された導電膜を有する基板と、
前記基板の一方の主面に形成された化合物半導体領域と、
該化合物半導体領域の一方の主面に形成され且つ前記基体に電気的に接続された電極とを有し、
前記化合物半導体領域の前記一方の主面から少なくとも前記導電膜と前記絶縁膜との界面にまで達する切り欠け部を厚み方向に設け、前記切り欠け部に露出する前記導電膜の側面を絶縁性保護膜によって被覆したことを特徴とする化合物半導体素子。
【請求項２】
前記絶縁性保護膜は、前記導電膜の側面から前記化合物半導体領域の一方の主面側と前記基板側に延伸して、前記化合物半導体領域及び前記絶縁膜の前記切り欠け部に露出する側面を被覆する請求項１に記載の化合物半導体素子。
【請求項３】
前記切り欠け部の底面に前記絶縁膜が露出し、前記絶縁性保護膜が前記絶縁膜の上面に接する請求項２に記載の化合物半導体素子。
【請求項４】
前記基体は、シリコン単結晶基板であり、前記導電膜は、シリコン単結晶膜であり、前記化合物半導体領域は、窒化ガリウム系化合物である請求項１に記載の化合物半導体素子。
【請求項５】
化合物半導体素子の外周縁に沿って前記切り欠け部を環状に形成し、前記切り欠け部の側面に露出する前記導電膜の全体を環状の前記絶縁性保護膜によって被覆した請求項１に記載の化合物半導体素子。
【請求項６】
導電性材料から成る基板と、
該基板の一方の主面に形成された化合物半導体領域と、
該化合物半導体領域の一方の主面に形成され且つ前記基板と電気的に接続された電極とを有し、
前記化合物半導体領域の前記一方の主面から前記化合物半導体領域と前記基板との界面にまで達する切り欠け部を厚み方向に設け、
前記切り欠け部に露出する前記化合物半導体領域の側面を絶縁性保護膜により被覆したことを特徴とする化合物半導体素子。
【請求項７】
前記基板と前記化合物半導体領域との界面を越えて前記基板の他方の主面側に前記切り欠け部を延伸させ、
前記切り欠け部に露出する前記化合物半導体領域及び前記基板の側面に前記界面を跨って前記絶縁性保護膜を形成し、
前記絶縁性保護膜の延長部は、前記切り欠け部の底面に露出する前記基板の上面に接する請求項６に記載の化合物半導体素子。
【請求項８】
化合物半導体素子の外周縁に沿って前記切り欠け部を環状に形成し、前記切り欠け部の側面に環状の前記絶縁性保護膜を被覆した請求項６又は７に記載の化合物半導体素子。
【請求項９】
前記基板は、シリコン単結晶基板であり、前記化合物半導体領域は、窒化ガリウム系の化合物である請求項６〜８の何れか１項に記載の化合物半導体素子。
【請求項１０】
前記絶縁性保護膜をシリコン窒化膜により形成し、前記化合物半導体領域の一方の主面をシリコン酸化膜の絶縁性保護膜により被覆した請求項１〜９の何れか１項に記載の化合物半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高耐圧化の可能な窒化ガリウム系化合物半導体素子等の化合物半導体素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
破壊電界が高く且つＧａＡｓと同程度の高い電子移動度が得られる窒化ガリウム系化合物半導体を用いる半導体素子は、高周波・高出力用半導体デバイスとして注目されている。例えば、従来の窒化ガリウム系化合物半導体を用いるショットキーバリアダイオードは、サファイアから成る基板と、一層又は複数層のＧａＮ系化合物半導体を積層して成るバッファ層及びアンドープのＧａＮ層及びアンドープのＡｌＧａＮ層を基板の上面に順次形成した窒化ガリウム系の化合物半導体領域と、化合物半導体領域の上面に形成されるショットキーバリア電極と、オーミック電極とを備える。ショットキーバリア電極は、ＡｌＧａＮ層との界面にショットキー障壁を形成し、オーミック電極は、ＡｌＧａＮ層と低抵抗接触する。ショットキーバリア電極を備える窒化ガリウム系化合物半導体素子は、例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
近年、サファイアから成る基板の代わりにシリコン基板を使用する試みがある。シリコン基板を使用する窒化ガリウム系化合物半導体は、サファイア基板を使用する窒化ガリウム系化合物半導体に比較してダイシング等の機械加工が容易であり、製造コストが安価になる利点がある。
【０００４】
しかしながら、シリコン等の導電性基板を使用するとき、動作状態の変化によって基板の電位が変動して、デバイスの電気的特性が不安定になる。この問題を解決するため、例えば、基板の裏面に形成された電極をアノード電極に電気的に接続して、基板の電位をアノード電位に固定する試みがある。
【０００５】
基板の電極をアノード電極に接続する構造の半導体素子では、窒化ガリウム系の化合物半導体領域の表面に設けられるアノード電極と基板との間に電圧を印加するため、化合物半導体領域の表面と基板との間で厚み方向（縦方向）に漏れ（リーク）電流が流れ、結果としてアノード・カソード間の耐圧を十分に増加できない欠陥があった。この問題を解決するため、化合物半導体領域の厚みを増大して、漏れ電流を減少して高耐圧化を図ることが考えられた。しかしながら、シリコン基板上に良好な結晶性の化合物半導体領域を厚くエピタキシャル成長させることは難しい。
【０００６】
また、周知のＳＯＩ（silicon-on-insulator）基板を用いて、シリコン基板と窒化ガリウム系の化合物半導体領域との間に絶縁膜を介在させて漏れ電流を減少させ、高耐圧化を図ることが考えられた。しかしながら、前記素子構造としても、化合物半導体領域又は導電膜の側面と、基板との間で放電が発生することがあり、安定な高耐圧化特性を得ることは困難であった。また、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）は、シリコン基板上に窒化ガリウム系の化合物半導体領域を積層し、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を窒化ガリウム系の化合物半導体領域上に形成し、ソース電極又はドレイン電極とシリコン基板とを電気的に接続する構造を有するが、前記と同様の原因により高電子移動度トランジスタにも安定な高耐圧化特性が得られない問題が生じる。更に、シリコン基板以外の導電性基板を使用する場合にも、同様の問題が生じる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１５６４５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように、従来では、導電性基板の上に積層された化合物半導体領域の表面電極と導電性基板とを電気的に接続する化合物半導体素子の高耐圧化が困難であった。
【０００９】
本発明は、化合物半導体素子の導電性基板上に積層された化合物半導体領域の表面電極と導電性基板とを電気的に接続しても、高耐圧化を良好に達成できる化合物半導体素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の化合物半導体素子は、導電性材料から成る基体(5)、基体(5)の一方の主面に形成された絶縁膜(6)、基体(5)の一方の主面に絶縁膜(6)を介して形成された導電膜(7)を有する基板(1)と、基板(1)の一方の主面(1a)に形成された化合物半導体領域(2)と、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)に形成され且つ前記基体(5)に電気的に接続された電極(3, 4)とを有する。化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)に形成された電極(3)と基体(5)とを電気的に接続するため、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)に形成される電極(3,)の電位に基体(5)の電位が固定されるので、デバイスの動作状態の変化によって基体の電位が変動することを抑制でき、デバイスの電気的特性が安定化する。また、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)と基体(5)との間に縦方向に流れる漏れ電流を遮断する絶縁膜(6)を化合物半導体領域(2)と基体(5)との間に形成するため、化合物半導体領域(2)と基体(5)との間に十分に高い耐圧特性を付与することができる。更に、化合物半導体領域(2)の厚み方向に一方の主面(2a)から少なくとも絶縁膜(6)にまで達する切り欠け部(14)を化合物半導体領域(2)に設け、切り欠け部(14)に露出する導電膜(7)の側面を絶縁性保護膜(15)によって被覆するので、導電膜(7)と基体(5)との間で放電の発生を抑制して、安定な高耐圧化を図ることができる。本明細書では、用語「化合物半導体素子」は、特に説明がない限り、ショットキーバリアダイオード、高電子移動度トランジスタを含み、化合物半導体領域と基板との間に放電が発生する可能性のある化合物半導体素子を意味する。
【００１１】
また、本発明による化合物半導体素子の実施の形態は、導電性材料から成る基板(1)と、基板(1)の一方の主面(1a)に形成された化合物半導体領域(2)と、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)に形成され且つ基板(1)と電気的に接続された電極(3,4)とを有する。化合物半導体領域(2)の厚み方向に一方の主面(2a)から基板(1)の一方の主面(1a)にまで達する切り欠け部(14)を化合物半導体領域(2)に設け、切り欠け部(14)に露出する化合物半導体領域(2)の側面を絶縁性保護膜(15)によって被覆する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、安定化した電気的特性と高い耐圧特性とが得られかつ化合物半導体領域の側面に発生する放電を抑制できる信頼性の高い化合物半導体素子が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
窒化ガリウム系化合物半導体素子に適用した本発明の第１及び第２の実施の形態を図１及び２について以下説明する。
【００１４】
図１は、本発明をショットキーバリアダイオードに適用した第１の実施の形態を示す。
【００１５】
第１の実施の形態によるショットキーバリアダイオードは、基板(1)と、基板(1)の一方の主面(1a)に形成された窒化ガリウム系の化合物半導体領域(2)と、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)に形成されたアノード電極(3)及びカソード電極(4)とを有する。基板(1)は、導電性のシリコン単結晶基板から成る基体(5)と、基体(5)の一方の主面に形成されたシリコン酸化膜等から成る絶縁膜(6)と、絶縁膜(6)の表面に形成された単結晶シリコン膜から成る導電膜(7)と、基体(5)の他方の主面(1b)に形成された取り出し電極(11)とを有する。このため、基板(1)の一方の主面(1a)には導電膜(7)が露出し、他方の主面(1b)には基体(5)が露出する。化合物半導体領域(2)は、基板(1)の一方の主面(1a)、即ち導電膜(7)の表面に形成されたバッファ層(8)と、バッファ層(8)の表面に形成された電子走行層としてのアンドープのＧａＮ層(9)と、ＧａＮ層(9)の表面に形成された電子供給層としてのアンドープのＡｌＧａＮ層(10)とを備える。
【００１６】
第１の実施の形態のショットキーバリアダイオードでは、ＡｌＮ層とＧａＮ層とを繰り返し形成して成る超格子バッファ層（多層バッファ層）をバッファ層(8)として用いる。しかし、ＡｌＮ等から成る単層のバッファ層(8)にすることもできる。バッファ層(8)は、シリコンから成る基体(5)及び導電膜(7)と窒化ガリウム系の化合物半導体領域(2)の格子定数の差を緩和し、これにより化合物半導体領域(2)内に結晶欠陥の発生を防止することができる。
【００１７】
化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)、即ちＡｌＧａＮ層(10)の表面にはアノード電極(3)とカソード電極(4)が形成され、例えばＮｉ（ニッケル）とＡｕ（金）から成るアノード電極(3)は、ＡｌＧａＮ層(10)との界面にショットキー障壁を形成するショットキーバリア電極であり、例えばＴｉ（チタン）とＡｌ（アルミニウム）から成るカソード電極(4)は、ＡｌＧａＮ層(10)と低抵抗性接触するオーミック電極である。
【００１８】
ピエゾ分極と自発分極に基づく電荷の供給によって、密度約１０１３ｃｍ−２程度の高濃度２次元電子ガス層（又は２次元ホールガス層）が、ＧａＮ層(9)とＡｌＧａＮ層(10)との界面に形成される。２次元電子ガス層の存在によって、化合物半導体領域(2)に界面と水平な方向へ電流が流れる。即ち、アノード電極(3)とカソード電極(4)との間にアノード電極(3)側の電位を上昇する電圧を印加すると、アノード電極(3)から２次元電子ガス層を通ってカソード電極(4)に電流が流れる。
【００１９】
第１の実施の形態のショットキーバリアダイオードでは、アノード電極(3)が基板(1)の他方の主面(1b)、即ち基体(5)に電気的に接続される。即ち、基体(5)の他方の主面に形成した取り出し電極(11)を支持板（放熱板）(12)に半田等を介して固着し、アノード電極(3)の表面にワイヤ（リード細線）(13)の一端をボンディング接続して、ワイヤ(13)の他端を支持板(12)にボンディング接続する。この結果、基体(5)が支持板(12)及びワイヤ(13)を介してアノード電極(3)と電気的に接続され、同電位となる。これにより、デバイスの動作状態の変化に対して基体(5)の電位変動を抑制し、デバイスの電気的特性を安定化することができる。
【００２０】
また、本実施の形態のショットキーバリアダイオードでは、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)から絶縁膜(6)に達する切り欠け部(14)が化合物半導体領域(2)に設けられる。切り欠け部(14)は、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)側から平面的に見て、化合物半導体領域(2)の外周縁に沿って環状に形成される。切り欠け部(14)は、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)から基板(1)の他方の主面(1b)に向かって半導体素子の厚み方向に延伸し、切り欠け部(14)の底面(14a)は、絶縁膜(6)の一方の主面（上面）よりも下側に配置される。この結果、切り欠け部(14)の側面には、バッファ層(8)、ＧａＮ層(9)、ＡｌＧａＮ層(10)及び導電膜(7)の側面全体と、絶縁膜(6)の側面の一部が露出する。また、切り欠け部(14)の底面(14a)には絶縁膜(6)が露出する。このように、切り欠け部(14)は、素子上面側と素子側面側が環状の切り溝であり、切り欠け部(14)の側面に露出する導電膜(7)及び化合物半導体領域(2)の側面全体は、シリコン窒化膜である絶縁性保護膜(15)により環状に被覆される。この場合に、シリコン窒化膜の絶縁性保護膜(15)をプラズマＣＶＤにより形成できる。
【００２１】
切り欠け部(14)の側面に露出するバッファ層(8)、ＧａＮ層(9)、ＡｌＧａＮ層(10)、導電膜(7)及び絶縁膜(6)の側面と、切り欠け部(14)の底面(14a)に露出した絶縁膜(6)の上面は、切り欠け部(14)に形成される絶縁性保護膜(15)によって被覆される。即ち、バッファ層(8)、ＧａＮ層(9)、ＡｌＧａＮ層(10)及び導電膜(7)の側面は素子側面に露出しない。一方、切り欠け部(14)の形成されない絶縁膜(6)の下側の側面と基体(5)の側面は、絶縁性保護膜(15)によって被覆されず、素子側面から露出する。このように、絶縁膜(6)の上側に形成される導電膜(7)と化合物半導体領域(2)が素子側面に露出しないため、素子側面での放電の発生を良好に防止し、結果として素子の安定な高耐圧化、特に静電気に弱い窒化ガリウム系化合物半導体素子の高耐圧化を良好に達成できる。
【００２２】
なお、図示のように、絶縁性保護膜(15)は、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)にも延伸し、アノード電極(3)及びカソード領域(4)が形成される化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)を被覆する。絶縁性保護膜(15)は、導電膜(7)の側面から化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)側と基板(1)側に延伸して、切り欠け部(14)に露出する化合物半導体領域(2)及び絶縁膜(6)の側面を被覆する。切り欠け部(14)の底面(14a)に絶縁膜(6)が露出し、絶縁性保護膜(15)が絶縁膜(6)の上面に接する。
【００２３】
第１の実施の形態のショットキーバリアダイオードでは、下記の作用効果が得られる。
【００２４】
<1>  化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)に形成されるアノード電極(3)に電気的に基体(5)を接続し、基体(5)の電位をアノード電極(3)の電位に固定するので、デバイスの動作状態の変化によって基体(5)の電位が変動することを抑制して、デバイスの電気的特性を安定化できる。
【００２５】
<2>  化合物半導体領域(2)と基体(5)との間に形成される絶縁膜(6)により、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)と基体(5)との間に縦方向に流れる漏れ電流を阻止し又は遮断して、化合物半導体領域(2)と基体(5)との間の高耐圧化が図れる。
【００２６】
<3>  化合物半導体領域(2)の厚み方向に一方の主面(2a)から少なくとも絶縁膜(6)にまで達する切り欠け部(14)を化合物半導体領域(2)に設け、切り欠け部(14)に露出する化合物半導体領域(2)及び導電膜(7)の側面を絶縁性保護膜(15)によって被覆するので、化合物半導体領域(2)又は導電膜(7)と基体(5)との間での放電の発生を抑制して、安定な高耐圧化を図れる。
【００２７】
<4>  基体(5)と導電膜(7)とをシリコンにより形成するため、容易にダイシング加工等の機械加工を行ない、安価な窒化ガリウム系ショットキーバリアダイオードを提供できる。
【００２８】
<5>  化合物半導体領域(2)の成長層としてシリコン単結晶膜から成る導電膜(7)が良好に機能するので、比較的良好な結晶性を有する化合物半導体領域(2)を所謂ＳＯＩ（silicon-on-insulator）基板上に成長させることができる。
【００２９】
図２は、ショットキーバリアダイオードに適用した本発明の第２の実施の形態を示す。図示のように、導電性の基板(1)と、基板(1)の一方の主面(1a)に形成された窒化ガリウム系の化合物半導体領域(2)と、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)に形成されたアノード電極(3)及びカソード電極(4)と、基板(1)の他方の主面(1b)に形成された取り出し電極(11)とを有する。基板(1)は、シリコン単結晶基板から成る基板(5)である。窒化ガリウム系の化合物半導体領域(2)は、基板(1)の一方の主面(1a)に形成されたバッファ層(8)と、バッファ層(8)の表面に形成された電子走行層としてのアンドープのＧａＮ層(9)と、ＧａＮ層(9)の表面に形成された電子供給層としてのアンドープのＡｌＧａＮ層(10)とを備える。
【００３０】
第２の実施の形態のショットキーバリアダイオードでは、ＡｌＮ層とＧａＮ層とを繰り返し形成して成る超格子バッファ層（多層バッファ層）をバッファ層(8)として用いるが、ＡｌＮ等から成る単層のバッファ層(8)を使用することもできる。バッファ層(8)は、基体(5)と化合物半導体領域(2)の格子定数の差を緩和して、化合物半導体領域(2)内での結晶欠陥の発生を防止する作用を有する。
【００３１】
ピエゾ分極と自発分極に基づく電荷の供給によって、密度約１０１３ｃｍ−２の高濃度２次元電子ガス層（又は２次元ホールガス層）がＧａＮ層(9)とＡｌＧａＮ層(10)との界面に形成される。アノード電極(3)とカソード電極(4)との間にアノード電極(3)側の電位を高くする電圧を印加すると、２次元電子ガス層の存在によって、アノード電極(3)から化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)に水平な方向に電流が２次元電子ガス層を通ってカソード電極(4)に流れる。
【００３２】
化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)、即ちＡｌＧａＮ層(10)の表面にはアノード電極(3)とカソード電極(4)とが形成される。例えばＮｉ（ニッケル）とＡｕ（金）から成るアノード電極(3)は、ＡｌＧａＮ層(10)との界面にショットキー障壁を形成するショットキーバリア電極であり、例えばＴｉ（チタン）とＡｌ（アルミニウム）から成るカソード電極(4)は、ＡｌＧａＮ層(10)と低抵抗性接触するオーミック電極である。
【００３３】
第２の実施の形態のショットキーバリアダイオードでは、アノード電極(3)は、基体(5)に電気的に接続される。即ち、基体(5)の他方の主面に形成した取り出し電極(11)を支持板（放熱板）(12)に半田等を介して固着し、アノード電極(3)の表面にワイヤ（リード細線）(13)の一端をボンディング接続して、ワイヤ(13)の他端を支持板(12)にボンディング接続する。この結果、支持板(12)及びワイヤ(13)を介して基体(5)がアノード電極(3)と電気的に接続され同電位となるので、デバイスの動作状態の変化に対して基体(5)の電位変動を抑制し、デバイスの電気的特性を安定化することができる。
【００３４】
更に、第２の実施の形態のショットキーバリアダイオードでは、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)から基体(5)に達する延伸する切り欠け部(14)は、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)側から平面的に見て、化合物半導体領域(2)又は半導体素子の外周縁に沿って環状に形成される。また、切り欠け部(14)は、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)からシリコンの基板(1)の他方の主面(1b)に向かって半導体素子の厚み方向に延伸し、切り欠け部(14)の底面(14a)は、化合物半導体領域(2)と基体(5)との界面(2b)を超えて基体(5)の他方の主面側に延伸する。この結果、切り欠け部(14)の側面には、バッファ層(8)、ＧａＮ層(9)、ＡｌＧａＮ層(10)の側面全体と、基体(5)の側面の一部が露出する。また、切り欠け部(14)の底面(14a)には基体(5)の上面が露出する。このように、切り欠け部(14)は、素子上面側と素子側面側が開放する環状の切り溝である。切り欠け部(14)に露出する化合物半導体領域(2)と基板(1)の側面に界面(2b)を跨って絶縁性保護膜(15)が形成され、絶縁性保護膜(15)の延長部(15a)は、切り欠け部(14)の底面(14a)に露出する基板(1)を被覆する。
【００３５】
切り欠け部(14)の側面に露出したバッファ層(8)、ＧａＮ層(9)、ＡｌＧａＮ層１０及び基体(5)の側面と、切り欠け部(14)の底面(14a)に露出した基体(5)の上面は、切り欠け部(14)に形成された絶縁性保護膜(15)によって被覆される。即ち、絶縁性保護膜(15)は、バッファ層(8)、ＧａＮ層(9)、ＡｌＧａＮ層(10)及び基体(10)の露出面を被覆するため、これらの側面は、素子側面に露出しない。このように、基体(5)の上側に形成された化合物半導体領域(2)が絶縁性保護膜(15)により被覆されるため、基体(5)と化合物半導体領域(2)との間での放電の発生を良好に抑制し、結果として素子の安定な高耐圧化を実現できる。即ち、切り欠け部(14)の底面(14a)に基体(5)が露出し、絶縁性保護膜(15)が基体(5)にまで延伸して、絶縁性保護膜(15)により基体(5)の上面を被覆すれば、上記放電を確実に防止することができる。
【００３６】
なお、シリコン酸化膜の絶縁性保護膜(16)は、図示のように、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)に形成され、アノード電極(3)及びカソード領域(4)の形成されない化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)を被覆する。第２の実施の形態では、切り欠け部(14)は、素子上面側と素子側面側が環状の切り溝であり、切り欠け部(14)の側面に露出する化合物半導体領域(2)の側面全体は、シリコン窒化膜である絶縁性保護膜(15)によって被覆され、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)は、シリコン酸化膜である絶縁性保護膜(16)により被覆される。この場合に、シリコン窒化膜の絶縁性保護膜(15)をプラズマＣＶＤにより形成した後に、マスキングにより絶縁性保護膜(15)を被覆して、シリコン酸化膜の絶縁性保護膜(16)をプラズマＣＶＤにより形成することができる。
【００３７】
第２の実施の形態のショットキーバリアダイオードでは、下記の更なる作用効果が得られる。
【００３８】
<6>  化合物半導体領域(2)等の切り欠けによる露出部分が、耐湿性及び被覆性に優れるシリコン窒化膜から成る絶縁性保護膜(15)によって被覆されるので、安定した高耐圧化が得られる。更に、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)がシリコン酸化膜から成る絶縁性保護膜(16)によって被覆されるので、リーク電流を低減できる。
【００３９】
図１及び図２の実施の形態では、ショットキーバリアダイオードの例を示したが、その他の半導体デバイスに適用することもできる。たとえば、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）に適用するとき、シリコン基板から成る基体(5)上に絶縁膜(6)と導電膜(7)を介して積層した窒化ガリウム系の化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)に、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成し、ソース電極又はドレイン電極とシリコン基板(1)裏面の取り出し電極(11)とを電気的に接続し、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)から絶縁膜(6)に至る切り欠け部(14)が形成される。切り欠け部(14)の側面に露出する化合物半導体領域(2)、導電膜(7)及び絶縁膜(6)の側面、切り欠け部(14)の底面(14a)に露出する絶縁膜(6)の上面を絶縁性保護膜(15, 16)により被覆する。この高電子移動度トランジスタでも、前記実施の形態と同様の作用効果が得られる。
【００４０】
また、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)に形成されるアノード電極(3)と基体(5)とをワイヤで電気的に接続する代わりに、化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)から基体(5)まで延伸する貫通孔（スルーホール、ヴィアホール）を形成し、貫通孔に充填した導電膜を介して化合物半導体領域(2)の一方の主面(2a)に形成された電極(3)と基体(5)とを電気的に接続しても良い。この場合、基体(5)の下面にまで到達して基体(5)の下面に形成された電極に貫通孔を接続し又は基体(5)の厚み方向の途中まで延伸する構造でも良い。また、貫通孔の代わりに貫通溝等の均等な構成でもよい。また、基体(5)まで延長した切り欠け部(14)の底面(14a)に露出する基体(5)の上面を絶縁性保護膜(15, 16)で被覆してもよい。更に、本実施の形態では、シリコンで形成する基体(5)を説明したが、シリコンの代わりにシリコンカーバイド等を使用することもできる。また、窒化ガリウム系化合物半導体以外の化合物半導体にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示すショットキーバリアダイオードの断面図
【図２】本発明の第２の実施の形態を示すショットキーバリアダイオードの断面図
【符号の説明】
【００４２】
(1)・・基板、  (2)・・化合物半導体領域、  (3)・・アノード電極、  (4)・・カソード電極、  (5)・・基体、  (6)・・絶縁膜、  (7)・・導電膜、  (8)・・バッファ層、  (9)・・ＧａＮ層、  (10)・・ＡｌＧａＮ層、  (11)・・取り出し電極、  (12)・・支持板（放熱板）、  (13)・・ワイヤ、  (14)・・切り欠け部、  (15)(16)・・絶縁性保護膜
【図１】
2008124409.tif 000003
【図２】
2008124409.tif 000004