(57)【要約】【課題】  本発明は、情報を磁気的に記録する磁気記録媒体等に関し、低ノイズ性能を維持したまま、記録層と裏打層との間の距離を縮めることにより被ライト性能を向上させる。【解決手段】  非磁性基体と、非磁性基体の上に形成された裏打層２２と、裏打層２２の上に形成された下地層２３と、下地層２３の上に形成された中間層２４と、中間層２４の上に形成された、垂直磁気異方性を有する記録層とを有し、中間層２４が、上層側の層ほど下層側の層に比較して膜厚が厚くかつ高ガス圧で製膜された、２層以上の層２４１，２４２からなる。【選択図】        図４
2008140436.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体と、
前記非磁性基体の上に形成された裏打層と、
前記裏打層の上に形成された下地層と、
前記下地層の上に形成された中間層と、
前記中間層の上に形成された、垂直磁気異方性を有する記録層とを有し、
前記中間層が、上層側の層ほど下層側の層に比較して膜厚が厚くかつ高ガス圧で製膜された、２層以上の層からなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記中間層を構成する２層以上の層が、いずれも非磁性の最密六方構造を有する層であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記中間層を構成する２層以上の層が、いずれもＲｕ層であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記下地層が、面心立方構造を有する層１層からなる層であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記下地層が、Ｎｉ−Ｃｒ層であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記裏打層が、アモルファス化した材料からなる第１の軟磁性層と、該軟磁性層の上に形成された非磁性層と、該非磁性層の上に形成された、アモルファス化した材料からなる第２の軟磁性層とからなる層であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記第１の軟磁性層および前記第２の軟磁性層が、いずれも、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｚｒ−Ｔａ層であり、前記非磁性層が、Ｒｕ層であることを特徴とする請求項６記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記記録層が最密六方構造を有する層であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
情報が磁気的に記録される磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体への情報の書込みおよび該磁気記録媒体からの情報の読出しを行なう磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体表面に沿って該磁気記録媒体に対し相対的に移動させる移動手段とを備え、
前記磁気記録媒体が、非磁性基体と、該非磁性基体の上に形成された裏打層と、該裏打層の上に形成された下地層と、該下地層の上に形成された中間層と、該中間層の上に形成された、垂直磁気異方性を有する記録層とを有し、
前記中間層が、上層側の層ほど下層側の層に比較して膜厚が厚くかつ高ガス圧で製膜された、２層以上の層からなることを特徴とする磁気記録装置。
【請求項１０】
非磁性基体上に裏打層を形成する工程と、
前記裏打層の上に下地層を形成する工程と、
前記下地層の上に中間層を形成する工程と、
前記中間層の上に垂直磁気異方性を有する記録層を形成する工程とを有し、
前記中間層を形成する工程が、上層側の層ほど下層側の層に比較して高ガス圧で厚い膜厚に製膜することにより、２層以上の層からなる中間層を形成する工程であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報を磁気的に記録する磁気記録媒体、その磁気記録媒体を備えた磁気記録装置、および、その磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体は、その高い転送能力とストレージキャパシティから、情報化社会の発展に伴い、従来の用途であるパーソナルコンピュータやサーバ以外にも、カーナビゲーションシステム、ポータブルミュージックプレーヤ、ＨＤＤレコーダ、携帯電話機等にも搭載され始めており、更なる小型化、更なる大容量化のために磁気記録の更なる高記録密度化が要求されてきている。この様な背景の中にあって、高記録密度化の達成のために、近年、磁気記録媒体をその厚み方向に磁化することにより情報を磁気的に記録する垂直磁気記録媒体の開発が活発に行なわれている。
【０００３】
垂直磁気記録は、隣接する記録ビットの反磁界の影響により、高記録密度であるほど磁化が安定する利点があり、その結果、熱揺らぎ耐性も強化される。また、垂直磁気記録媒体には、硬磁性材料からなる裏打層が形成されることもある。裏打層を形成しなくても記録や再生は可能であるが、磁気ヘッドと裏打層との組合せにより、記録時における磁気ヘッドからの発生磁界を、従来の面内記録用ヘッドと比較して約１．３倍又はそれ以上に大幅に増幅することができ、これにより、垂直磁気記録媒体に、面内磁気記録媒体と比較して高い保持力を付与することが可能となる。また裏打層は、記録ヘッドから発生する磁界（磁束）を急峻に引き込む為、磁気勾配が小さくなり、信号の書き広がりの影響を低減させる効果も有する。
【０００４】
この様に、垂直磁気記録媒体には、面内磁気記録媒体と比較して様々な優位性が存在する。しかしながら、垂直磁気記録媒体においても、高記録密度化を図るためには、ノイズの低減は必須であり、その為には、記録層の磁化容易軸の配向分散を小さくすることが必須である。配向分散を抑制するためには、裏打層の上層に、Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ等のアモルファス層とＦｅ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｇ等の面心立方構造を有する層とからなる下地層と、Ｒｕ，Ｒｅ等の最密立方構造を有する中間層を、この順に形成することが有効であることが知られており、また各層を厚くするほど効果的であることが知られている。特許文献１には、中間層を２層で構成しその２層のうちの下層側の層について金属材料を島状に形成することが提案されている。この特許文献１に提案された構造の中間層を形成すると、媒体ノイズの低減に効果的である。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に提案された中間層の場合、その中間層が厚くなり、記録層と裏打層との間の距離が大きくなる。記録層と裏打層との間の距離が大きくなると、記録ヘッドから発生する磁界の勾配の急峻さが失なわれ、磁気記録媒体が情報の記録を受ける性能である被ライト性能が著しく劣化するという問題を生じ、かえって高記録密度化への障害となるおそれがある。
【特許文献１】特開２００５−３５３２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑み、低ノイズ性能を維持したまま、記録層と裏打層との間の距離を縮めた磁気記録媒体、その磁気記録媒体を備えた磁気記録装置、およびその磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成する本発明の磁気記録媒体は、非磁性基体と、非磁性基体の上に形成された裏打層と、裏打層の上に形成された下地層と、下地層の上に形成された中間層と、中間層の上に形成された、垂直磁気異方性を有する記録層とを有し、中間層が、上層側の層ほど下層側の層に比較して膜厚が厚くかつ高ガス圧で製膜された、２層以上の層からなることを特徴とする。
【０００８】
前掲の特許文献１の場合、中間層（特許文献１にいう下地層）をＲｕの２層構造し、それぞれの層を形成する際のガス圧や堆積速度を規定しているが、その２層の厚さの大小は様々である。また、この特許文献１の場合、規定された体積速度では量産化は困難である。これに対し、本発明の磁気記録媒体は、上記中間層が、上層側の層ほど下層側の層に比較して膜厚が厚くかつ高ガス圧で製膜された、２層以上の層からなるため、後述する実施形態の欄で詳細に説明するように中間層全体の層厚を薄くすることができ、したがって低ノイズ性能を維持したまま記録層と裏打層との間の距離を縮めることができる。
【０００９】
ここで、本発明の磁気記録媒体において、上記中間層を構成する２層以上の層が、いずれも非磁性の最密六方構造を有する層であることが好ましく、上記中間層を構成する２層以上の層が、いずれもＲｕ層であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明の磁気記録媒体において、下地層が、面心立方構造を有する層１層からなる層であること、また、下地層が、Ｎｉ−Ｃｒ層であることが好ましい。
【００１１】
本発明では、中間層の結晶配向性を向上させることができ、このため、その中間層の下地となる下地層からＴａ，Ｗ，Ｍｏ等からなるアモルファス層を省いて、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｇ等の面心立方構造を有する層１層のみとすることができ、この、下地層を１層のみとした構造を採用した場合、記録層と裏打層との間の距離を更に縮めることができる。
【００１２】
また、上記本発明の磁気記録媒体において、上記裏打層が、アモルファス化した材料からなる第１の軟磁性層と、その軟磁性層の上に形成された非磁性層と、その非磁性層の上に形成された、アモルファス化した材料からなる第２の軟磁性層とからなる層であることが好ましい。
【００１３】
この構造の裏打層を採用すると、記録層の保持力を高め、情報の書込みおよび読出しの信頼性を更に向上させることができる。
【００１４】
ここで、上記の構造の裏打層を採用した場合に、上記第１の軟磁性層および上記第２の軟磁性層が、いずれも、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｚｒ−Ｔａ層であり、上記非磁性層が、Ｒｕ層であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の磁気記録媒体において、記録層が最密六方構造を有する層であることが好ましく、また、記録層が、グラニュラ層と、そのグラニュラ層の上に形成されたキャップ層との２層からなる層であることが好ましい。記録層をグラニュラ層とキャップ層との２層構造とした場合、そのグラニュラ層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｏｘｉｄｅ層であり、キャップ層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ層であることが好ましい。
【００１６】
また、上記目的を達成する本発明の磁気記録装置は、情報が磁気的に記録される磁気記録媒体と、磁気記録媒体への情報の書込みおよび磁気記録媒体からの情報の読出しを行なう磁気ヘッドと、磁気ヘッドを磁気記録媒体表面に沿って磁気記録媒体に対し相対的に移動させる移動手段とを備え、磁気記録媒体が、非磁性基体と、非磁性基体の上に形成された裏打層と、裏打層の上に形成された下地層と、下地層の上に形成された中間層と、中間層の上に形成された、垂直磁気異方性を有する記録層とを有し、中間層が、上層側の層ほど下層側の層に比較して膜厚が厚くかつ高ガス圧で製膜された、２層以上の層からなることを特徴とする。
【００１７】
さらに、上記目的を達成する本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基体上に裏打層を形成する工程と、裏打層の上に下地層を形成する工程と、下地層の上に中間層を形成する工程と、中間層の上に垂直磁気異方性を有する記録層を形成する工程とを有し、上記中間層を形成する工程が、上層側の層ほど下層側の層に比較して高ガス圧で厚い膜厚に製膜することにより、２層以上の層からなる中間層を形成する工程であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
以上、説明したとおり、本発明によれば、従来よりも中間層の膜厚を薄くすることが可能であり、また、裏打層の上層に形成される下地層のうちの、Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ等のアモルファス層の形成も不要とすることができ、これにより、低ノイズ性能を維持したまま、記録層と裏打層との間の距離を縮めて被ライト性能を向上させ、高記録密度化が達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００２０】
ここでは先ず、従来技術である比較例について説明し、次いで、本発明の実施形態について説明する。
【００２１】
図１は、従来の磁気記録媒体の層構造を示す図である。
【００２２】
ここに示す磁気記録媒体１０の場合、非磁性の基板１１上に、順に、裏打層１２、下地層１３、中間層１４、記録層１５、および保護層１６が形成されている。
【００２３】
裏打層１２は、ここに示す例では、アモルファス化した材料（ここではＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ−Ｔａ）からなる第１の軟磁性層１２１と、その第１の軟磁性１２１の上に形成された非磁性の材料（ここではＲｕ）からなる非磁性層１２２と、その非磁性層１２２の上に形成された、アモルファス化した材料（ここでは、第１の軟磁性層１２１と同じくＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ−Ｔａ）からなる第２の軟磁性層１２３とから構成されている。図１の、第１の軟磁性層１２１および第２の軟磁性層１２３に示す矢印は磁化の方向を示しており、第１の軟磁性層１２１および第２の軟磁性層１２３を、この図１に示すように、互いに逆方向に磁化した反強磁性結合とすることにより、磁気的に安定した裏打層１２が形成される。この裏打層１２は、記録ヘッドからの磁束を吸い込んで磁気ヘッドからの磁界の広がりを抑える役割りを担っている。
【００２４】
また、下地層１３は、Ｔａのアモルファス層１３１と、その上に形成された、面心立方構造を有するＮｉ−Ｃｒ層１３２との２層から構成されている。ここで、Ｎｉ−Ｃｒ層１３２は、（１，１，１）方向に配向する層であるが、その下のＴａのアモルファス層１３１は、Ｎｉ−Ｃｒの結晶配向性を向上させる役割りを担っている。
【００２５】
中間層１４は、Ｒｕの下層１４１とＲｕの上層１４２とから構成されている。下層１４１は、例えば２Ｐａのガス圧下で製膜させた２３ｎｍほどの厚さの層であり、厚膜化による結晶性の確保と中庸なガス圧製膜による適度な表面粗さ（上層１４２の結晶分離構造に寄与するのに適切な表面粗さ）の確保がなされている。
【００２６】
また、上層１４２は、ゆっくりとした製膜のレート（例えば１．２５ｎｍ／ｓｅｃ）と高ガス圧（例えば８Ｐａ）による、結晶分離構造の確保がなされている層である。
【００２７】
また、記録層１５は、ここに示す例ではＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｏｘｉｄｅからなるグラニュラ層１５１と、そのグラニュラ層１５１のＨｃ（保持力）調整用の、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂからなるキャップ層１５２とから構成されている。
【００２８】
さらに、その記録層１５の上にはカーボンからなる保護層（ＣＯＣ（カーボンオーバーコート）層）が形成され、記録層１５が保護されている。
【００２９】
図２は、図１に示す層構造のうちの中間層の構造を中心に示した模式図である。
【００３０】
図１に示す層構造の場合、下地層１３を構成する２層のうちのＴａのアモルファス層１３１の厚さは、一例として４．０ｎｍであり、その上のＮｉ−Ｃｒの層１３２の厚さは、一例として、６．５ｎｍである。
【００３１】
また、その上の中間層１４のうちの下層１４１は、２Ｐａのガス圧で製膜された厚さ２３ｎｍの層であり、上層１４２は、８Ｐａのガス圧で製膜された厚さ５ｎｍの層である。ここでは下層１４１を中庸なガス圧（２Ｐａ）で厚膜化することにより適度な表面粗さを確保し、その上の上層１４２の分離構造の形成に寄与させている。この中間層１４の場合、下層１４１と上層１４２とを合わせてδθ５０＝３．０１ｄｅｇ．の結晶配向性が得られている。
【００３２】
しかしながら、この層構造の場合、下地層１３が２層に形成され、その上の中間層の厚さも厚く、したがって記録層と裏打層との間の距離が大きく、裏打層を形成することによって記録ヘッドから発生する磁界の勾配の急峻さを確保しようとしているにもかかわらず、その急峻さが失なわれ、この磁気記録媒体の被ライト性能の向上が難しいという問題を抱えている。
【００３３】
図３は、本発明の一実施形態としての磁気記録媒体の層構造を示す図である。
【００３４】
ここに示す磁気記録媒体２０は、大きく括ったときの層構造は図１に示す磁気記録媒体１０と同様であって、非磁性の基板２１上に、順に、裏打層２２、下地層２３、中間層２４、記録層２５、および保護層２６が形成されている。
【００３５】
裏打層２２は、図１に示す磁気記録媒体１０の裏打層１２と同一構造であり、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｚｒ−Ｔａからなる第１の軟磁性層２２１と、その第１の軟磁性層２２１の上に形成された、Ｒｕからなる非磁性層２２２と、その非磁性層２２２の上に形成された、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｚｒ−Ｔａからなる第２の軟磁性層２３３とから構成されている。この裏打層２２については、図１に示す磁気記録媒体１０の裏打層１２と同一であり、これ以上の説明は省略する。
【００３６】
その裏打層２２の上の下地層２３は、この図３に示す磁気記録媒体２０の場合、Ｎｉ−Ｃｒからなる面心立方構造を有する層１層のみで構成されており、図１に示す磁気記録媒体１０における、Ｔａのアモルファス層１３１は形成されていない。Ｔａのアモルファス層１３１は、その上のＮｉ−Ｃｒの結晶配向性を向上させる役割りを担っており、図３に示す実施形態の場合、このＴａのアモルファス層１３１が形成されていないことにより、下地層２３のＮｉ−Ｃｒの結晶配向性は低下傾向となるが、この図３に示す実施形態の場合、図１に示す従来例と比べ、その上の中間層２４の結晶配向性の向上が図られているため、下地層２３のＮｉ−Ｃｒの結晶配向性が低下傾向になっても、その下のＴａのアモルファス層１７１を省くことができる。
【００３７】
本実施形態の場合、図１に示すＴａのアモルファス層１３１を省いたことも、その上の中間層の薄膜化とともに、記録層と裏打層との間の距離の短縮化に役立っている。
【００３８】
また、図３に示す、本実施形態の磁気記録媒体２０の場合、中間層２４は、図１に示す従来例の磁気記録媒体１０の場合と同様、いずれもＲｕからなる下層２４１と上層２４２との２層で構成されているが、ここに示す例では、下層２４１は９ｎｍ厚、上層２４２は１１ｎｍ厚であって、上層２４２の方が下層２４１よりも厚い層構造となっている。また、製膜時のガス圧は、下層２４１の場合０．６７Ｐａ、上層２４２の場合８Ｐａである。この中間層２４についてはさらに後述する。
【００３９】
中間層２４の上の記録層２５は、図１に示す従来例の磁気記録媒体１０の記録層１５と同様、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｏｘｉｄｅからなるグラニュラ層２５１と、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂからなるキャップ層１５２とから構成されている。
【００４０】
さらにその上の保護層２６も、図１に示す従来例の磁気記録媒体１０の従来例と同様である。
【００４１】
図４は、図３に示す層構造のうちの中間層の構造を中心に示した模式図である。
【００４２】
図３に示す層構造の場合、下地層２３は、Ｎｉ−Ｃｒの面心立方構造を有する層の一層のみから構成されており、図１に示す従来例の層構造におけるＴａのアモルファス層１３１は存在しない。このことから、本実施形態の場合、図１に示す従来例と比べ、先ずはＴａのアモルファス層が存在しない分、記録層２５と裏打層２２との間の距離が短縮化されている。
【００４３】
また、中間層２４は、いずれも、非磁性の最密六方構造を有するＲｕからなる、下層２４１と上層２４２との２層で構成されており、下層２４１は、０．６７Ｐａのガス圧で製膜された９ｎｍ厚の層であり、上層２４２は、８Ｐａのガス圧で製膜された１１ｎｍ厚の層である。このように、この上層２４２は、下層２４１と比べ膜厚が厚く、かつ高ガス圧で製膜されている。
【００４４】
このように、下層２４１については低ガス圧化により結晶性が改善されて薄膜化され、上層２４２については、高ガス圧下で厚膜化することにより、結晶粒の分離構造が促進化されている。これにより、下地層２３にＴａ層を形成しなくても中間層２４の特性劣化を生じさせることなく、中間層２４の薄膜化が実現している。
【００４５】
すなわち、本実施形態では、中間層２４の薄膜化と、下地層２４からＴａ層を省いたこととの双方により、記録層２５（図３参照）と裏打層２２との間の距離が短縮化され、被ライト性能が改善されている。
【００４６】
また、本実施形態における中間層２４の、下層２４１と上層２４２を合わせたときのδθ５０＝２．８８ｄｅｇ．であり、図２に示す従来例の中間層１４のδθ５０＝３．０１ｄｅｇ．と比べ結晶配向特性が改善されている。これにより、低い媒体ノイズを実現している。
【００４７】
図５は、図１，図２に示す従来技術（比較例）と、図３，図４に示す本発明技術の特性比較一覧を示す図である。
【００４８】
ここには、磁気特性としてＨｃ（保持力）とＳ（角型比）との２種類の指標が示されており、ＲＷ（リード／ライト）特性として、ＯＷ（オーバライト）とＶＮＭとの２種類の指標が示されている。磁気特性はカー効果を利用して測定した値である。
【００４９】
Ｈｃ（保持力）は、外乱に対する磁化の安定性を示す指標であり、高Ｈｃほど、熱安定性に優れ、低ノイズ、高分解能性能が得られる。
【００５０】
Ｓ（角型比）は、残留磁化と飽和磁化との比で求められ、高Ｓほど、結晶配向性が良好であることを示している。
【００５１】
ＯＷ（オーバライト）は、高周波で書き込んだ後低周波で上書きしたときの高周波成分の残留レベルを表わす。値が低いほど、被ライト性能が良好であることを示している。
【００５２】
ＶＮＭは、エラーレートの指標であり、値が小さいほど低ノイズ性能となる。
【００５３】
図５から、いずれの指標についても、図１，図２に示す従来技術（比較例）よりも、図３，図４に示す本発明技術の方が優れていることが分かる。
【００５４】
以上は、磁気記録媒体自体の層構成の説明であり、図３，図４に示す中間層２４は、下層２４１と上層２４２との２層から構成されているが、本発明では、中間層は、３層以上の層からなり、下層側の層から上層側の層に向けて順次膜厚が厚く、かつ順次高ガス圧で製膜された層であってもよい。
【００５５】
図６は、本発明の磁気記録装置の一実施形態である。ロード／アンロード方式の磁気ディスク装置の、上カバーを取外した状態の概略構成図である。
【００５６】
この磁気ディスク装置３０には、図示しないディスクコントロールモータ（ＤＣＭ）によって、回転軸３１を中心に矢印Ａ方向に回転駆動される磁気ディスク３２が備えられている。
【００５７】
この磁気ディスク３２は、図３，図４に示す層構造を有する、本発明の磁気記録媒体の一実施形態である。
【００５８】
また、この磁気ディスク装置３０には、磁気ディスク３２に対向する磁気ヘッド３３（図７参照）を先端部に備え回転軸３４を中心に回動するアーム３５、およびそのアーム３５を回動駆動して磁気ヘッド３３を磁気ディスク３２の半径方向に移動させるボイスコイルモータ（ＶＣＭ）３６が装備されている。また、この磁気ディスク装置３０には、装置内の空気を乾燥状態に保つための乾燥剤活性炭ユニット（ＡＤユニット）３７が備えられている。さらに、この磁気ディスク装置３０には、アンロード時のアーム３５の先端部を保持するランプ３８が備えられている。
【００５９】
磁気ディスク３２へのデータの書込み、あるいは磁気ディスク３２に記憶されているデータの読出しにあたっては、ＤＣＭによって磁気ディスク３２が回転駆動されている状態においてＶＣＭ３６によってアーム３５が回動駆動され、そのアーム３５が、図６に示す、ランプ３８に保持された状態から外れて、その先端部に備えられている磁気ヘッド３３（図７参照）が磁気ディスク３２上に移動（ロード）し、さらにその磁気ヘッド３３が磁気ディスク３２上の所望のトラックに位置決めされて、磁気ヘッド３３によって、磁気ディスク３２上の所望のトラックに、その磁気ディスク３３の回転に伴って順次に磁気的にデータが書き込まれ、あるいは順次に磁気的にデータがピックアップされる。磁気ディスク３２への書込み、あるいは磁気ディスク３２からの読出しが終了すると、アーム３５が図６に示す位置までアンロードされてランプ１８に保持され、磁気ディスク３２の回転が停止する。
【００６０】
図７は、図６に示すアーム３５の先端部分の概略構造を示す図である。
【００６１】
アーム３５は、そのアーム３５の回転軸から延びるキャリッジ３５１と、そのキャリッジ３５１の先端部に後端部が取り付けられてキャリッジ３５１の先端部からさらに延び、先端部に磁気ヘッド３３を備えたサスペンション３５２とを有するものであり、また、磁気ヘッド３３は、サスペンション３５２の先端部に揺動自在に支持されたジンバル３３１と、そのジンバル３３１に支持されたスライダ３３２とを有する。
このアーム３５が磁気ディスク３２の上にロードされると、スライダ３３２がその磁気ディスク３２から極めて僅かだけ浮上した状態となり、そのスライダ３３２の一部に設けられた、磁気ディスク３２を直接にアクセスする要素により、磁気ディスク３２にデータが書き込まれ、あるいは磁気ディスク３２からデータが読み出される。
【００６２】
これら図６，図７に示すように構成された磁気ディスク装置３０には、図３，図４を参照して説明した構造の磁気記録媒体（磁気ディスク）が採用されているため、情報を、高い信頼性をもって高密度に記録することができる。
【００６３】
以下、本発明の各種形態を付記する。
【００６４】
（付記１）
非磁性基体と、
前記非磁性基体の上に形成された裏打層と、
前記裏打層の上に形成された下地層と、
前記下地層の上に形成された中間層と、
前記中間層の上に形成された、垂直磁気異方性を有する記録層とを有し、
前記中間層が、上層側の層ほど下層側の層に比較して膜厚が厚くかつ高ガス圧で製膜された、２層以上の層からなることを特徴とする磁気記録媒体。
【００６５】
（付記２）
前記中間層を構成する２層以上の層が、いずれも非磁性の最密六方構造を有する層であることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００６６】
（付記３）
前記中間層を構成する２層以上の層が、いずれもＲｕ層であることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００６７】
（付記４）
前記下地層が、面心立方構造を有する層１層からなる層であることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００６８】
（付記５）
前記下地層が、Ｎｉ−Ｃｒ層であることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００６９】
（付記６）
前記裏打層が、アモルファス化した材料からなる第１の軟磁性層と、該軟磁性層の上に形成された非磁性層と、該非磁性層の上に形成された、アモルファス化した材料からなる第２の軟磁性層とからなる層であることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００７０】
（付記７）
前記第１の軟磁性層および前記第２の軟磁性層が、いずれも、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｚｒ−Ｔａ層であり、前記非磁性層が、Ｒｕ層であることを特徴とする付記６記載の磁気記録媒体。
【００７１】
（付記８）
前記記録層が最密六方構造を有する層であることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００７２】
（付記９）
前記記録層が、グラニュラ層と、該グラニュラ層の上に形成されたキャップ層との２層からなる層であることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
【００７３】
（付記１０）
前記グラニュラ層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｏｘｉｄｅ層であり、前記キャップ層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ層であることを特徴とする付記９記載の磁気記録媒体。
【００７４】
（付記１１）
情報が磁気的に記録される磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体への情報の書込み、および該磁気記録媒体からの情報の読出しを行なう磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体表面に沿って該磁気記録媒体に対し相対的に移動させる移動手段とを備え、
前記磁気記録媒体が、
非磁性基体と、該非磁性基体の上に形成された裏打層と、該裏打層の上に形成された下地層と、該下地層の上に形成された中間層と、該中間層の上に形成された、垂直磁気異方性を有する記録層とを有し、
前記中間層が、上層側の層ほど下層側の層に比較して膜厚が厚くかつ高ガス圧で製膜された、２層以上の層からなることを特徴とする磁気記録装置。
【００７５】
（付記１２）
非磁性基体上に裏打層を形成する工程と、
前記裏打層の上に下地層を形成する工程と、
前記下地層の上に中間層を形成する工程と、
前記中間層の上に垂直磁気異方性を有する記録層を形成する工程とを有し、
前記中間層を形成する工程が、上層側の層ほど下層側の層に比較して高ガス圧で厚い膜厚に製膜することにより、２層以上の層からなる中間層を形成する工程であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００７６】
（付記１３）
前記中間層を形成する工程が、いずれも非磁性の最密六方構造を有する、２層以上の層からなる中間層を形成する工程であることを特徴とする付記１２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００７７】
（付記１４）
前記中間層を形成する工程が、２層以上の、いずれもＲｕ層からなる中間層を形成する工程であることを特徴とする付記１２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００７８】
（付記１５）
前記中間層を形成する工程が、ガス圧０．６７ＰａでＲｕからなる下層を製膜し、さらに、ガス圧８ＰａでＲｕからなる上層を製膜することにより、いずれもＲｕの下層と上層とからなる２層の中間層を形成する工程であることを特徴とする付記１２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００７９】
（付記１６）
前記中間層を形成する工程が、Ｒｕからなる９ｍｍ厚の下層を製膜し、さらに、Ｒｕからなる１１ｍｍ厚の上層を製膜することにより、いずれもＲｕの下層と上層とからなる２層の中間層を形成する工程であることを特徴とする付記１２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００８０】
（付記１７）
前記下地層を形成する工程が、面心立方構造を有する層１層からなる下地層を形成する工程であることを特徴とする付記１２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００８１】
（付記１８）
前記下地層を形成する工程が、Ｎｉ−Ｃｒ層を形成する工程であることを特徴とする付記１２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００８２】
（付記１９）
前記裏打層を形成する工程が、アモルファス化した材料からなる第１の軟磁性層を形成し、該第１の軟磁性層の上に非磁性層を形成し、該非磁性層の上に、アモルファス化した材料からなる第２の軟磁性層を形成する工程であることを特徴とする付記１２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００８３】
（付記２０）
前記裏打層を形成する工程が、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｚｒ−Ｔａからなる第１の軟磁性層を形成し、該第１の軟磁性層の上にＲｕからなる非磁性層を形成し、該非磁性層の上に、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｚｒ−Ｔａからなる第２の軟磁性層を形成する工程であることを特徴とする付記１２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】従来の磁気記録媒体の層構造を示す図である。
【図２】図１に示す層構造のうちの中間層の構造を中心に示した模式図である。
【図３】本発明の一実施形態としての磁気記録媒体の層構造を示す図である。
【図４】図３に示す層構造のうちの中間層の構造を中心に示した模式図である。
【図５】図１，図２に示す従来技術（比較例）と、図３，図４に示す本発明技術の特性比較一覧を示す図である。
【図６】ロード／アンロード方式の磁気ディスク装置の、上カバーを取外した状態の概略構成図である。
【図７】図６に示すアームの先端部分の概略構造を示す図でである。
【符号の説明】
【００８５】
１０，２０    磁気記録媒体
２１    基板
２２    裏打層
２２１，２２３    軟磁性層
２２２    非磁性層
２３    下地層
２４    中間層
２４１    下層
２４２    上層
２５    記録層
２５１    グラニュラ層
２５２    キャップ層
２６    保護層
３０    磁気ディスク装置
３２    磁気ディスク
【図１】
2008140436.tif 000003
【図２】
2008140436.tif 000004
【図３】
2008140436.tif 000005
【図４】
2008140436.tif 000006
【図５】
2008140436.tif 000007
【図６】
2008140436.tif 000008
【図７】
2008140436.tif 000009