(57)【要約】【課題】トランジスタの配線を絶縁する絶縁膜をトランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さに形成する際、トランジスタ特性を劣化させることなく、形成された絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる構成を有する電気光学装置を提供する。【解決手段】第１層間絶縁膜４１は、高密度プラズマＣＶＤによって、ゲート電極３ａを平面視した状態で覆うよう形成された第１の絶縁膜４１ｈと、ゲート電極３ａの形状に起因して形成された第１の絶縁膜４１ｈの少なくとも側壁部４１ｐを平面視した状態で覆う位置に、第１の絶縁膜４１ｈに設定厚さ積層されて形成された第２の絶縁膜４１ｔと、により構成されていることを特徴とする。【選択図】図４
2008078554.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタの配線と該トランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を絶縁する絶縁膜が基板上に形成された電気光学装置であって、
前記絶縁膜は、
高密度プラズマＣＶＤによって、少なくとも一方の前記配線を平面視した状態で覆うよう形成された第１の絶縁膜と、
少なくとも一方の前記配線の形状に起因して形成された前記第１の絶縁膜の少なくとも側壁部を平面視した状態で覆う位置に、前記第１の絶縁膜に設定厚さ積層されて形成された第２の絶縁膜と、
により構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記トランジスタの配線は、前記トランジスタを構成するゲート電極であり、前記絶縁膜は、前記トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記トランジスタに電気的に接続された配線は、前記トランジスタの下層に形成された走査線であり、前記絶縁膜は、前記トランジスタの下層に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜は、テトラエトキシシラン膜から形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
トランジスタの配線と該トランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を絶縁する絶縁膜が基板上に形成された電気光学装置の製造方法であって、
少なくとも一方の前記配線上に、該配線を平面視した状態で覆うよう、高密度プラズマＣＶＤを用いて第１の絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工程と、
前記第１の絶縁膜上に、第２の絶縁膜を積層して形成する第２の絶縁膜形成工程と、
前記第２の絶縁膜に対しエッチングバックを行い、少なくとも一方の前記配線の形状に起因して形成された前記第１の絶縁膜の少なくとも側壁部を平面視した状態で覆う位置に、前記第２の絶縁膜を、設定厚さ残すエッチングバック工程と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記トランジスタの配線は、前記トランジスタを構成するゲート電極であり、前記絶縁膜は、前記トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記トランジスタに電気的に接続された配線は、前記トランジスタの下層に形成された走査線であり、前記絶縁膜は、前記トランジスタの下層に形成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の絶縁膜は、テトラエトキシシラン膜から形成することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
トランジスタの配線と該トランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を絶縁する絶縁膜が基板上に形成された電気光学装置を具備する電子機器であって、
前記絶縁膜は、
高密度プラズマＣＶＤによって、少なくとも一方の前記配線を平面視した状態で覆うよう形成された第１の絶縁膜と、
少なくとも一方の前記配線の形状に起因して形成された前記第１の絶縁膜の少なくとも側壁部を平面視した状態で覆う位置に、前記第１の絶縁膜に設定厚さ積層されて形成された第２の絶縁膜と、
により構成されていることを特徴とする電気光学装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスタの配線とトランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を絶縁する絶縁膜が基板上に形成された電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば光透過型の液晶装置は、ガラス基板、石英基板、シリコン基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に介在された液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
また、トランジスタを配置した素子基板と、この素子基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。素子基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜等の各種薄膜を積層することによって構成される。層毎に各種薄膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程とを繰り返すことによって形成されるのである。
【０００４】
ここで、石英基板上に各種薄膜を形成する手法としては、蒸着による手法や既知のプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)による手法が周知である。特に、半導体薄膜と導電性薄膜との間、半導体薄膜間、及び導電性薄膜間を絶縁する上述した絶縁性の薄膜（以下、単に絶縁膜と称す） を形成する際は、プラズマＣＶＤを用いると、低温かつ枚葉処理で絶縁膜を高速に形成することができる。
【０００５】
さらに、プラズマＣＶＤの中でも、Ｐ−ＴＥＯＳ（プラズマ−テトラエトキシシラン）を用いたプラズマＣＶＤによって、例えば半導体薄膜を有するトランジスタを覆う絶縁膜を形成すると、形成後の絶縁膜によるトランジスタの被覆性が良く、液晶装置の形成効率が向上する。
【０００６】
このように、ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって、絶縁膜を形成する手法は周知であり、例えば特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開平１０−１４４６６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって、トランジスタを覆う絶縁膜、例えばトランジスタの配線を構成するゲート電極を絶縁する絶縁膜を形成すると、図１０に示すように、トランジスタのゲート電極の電圧（ゲート電圧）がゼロの際、トランジスタのドレインを流れる電流量（ドレイン電流量）が増加し、トランジスタのスイッチング性能が低下するため、トランジスタ特性が劣化してしまうことが、最近の研究により分かってきた。尚、図１０は、Ｐ−ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって、ゲート電極を絶縁する絶縁膜を形成した場合のトランジスタ特性を概略的に示す図表である。
【０００８】
また、このような事情に鑑み、高密度プラズマＣＶＤ（以下、ＨＤＰ；High-Density Plasma−ＣＶＤと称す）を用いてゲート電極を覆う絶縁膜の形成を行えば、絶縁膜は、緻密な低ストレスの膜に形成され、図１１に示すように、トランジスタのゲート電圧がゼロの際、トランジスタのドレイン電流量の増加を抑えることができ、トランジスタ特性の劣化を防止できることも、最近の研究により分かってきた。尚、図１１は、ＨＤＰ−ＣＶＤによって、ゲート電極を絶縁する絶縁膜を形成した場合のトランジスタ特性を概略的に示す図表である。
【０００９】
ここで、例えばトランジスタのゲート電極を覆う絶縁膜は、絶縁膜上に形成される導電性の薄膜が、トランジスタを遮光する遮光膜として機能することから、トランジスタの遮光性を向上させるため、トランジスタと遮光膜との距離が狭まるよう、出来るだけ薄膜に形成されることが好ましい。
【００１０】
ところが、図１２、図１３に示すように、トランジスタのゲート電極１３０ａを覆う絶縁膜を、ＨＤＰ−ＣＶＤを用いて薄膜に形成すると、ＨＤＰ−ＣＶＤは、エッチングを行いながら成膜する手法であるため、形成された絶縁膜１４１において、ゲート電極１３０ａ等の形状に起因する急峻で薄肉な側壁部１４１ｓが形成されてしまう。
【００１１】
その結果、ゲート電極１３０ａに対する絶縁膜１４１に被覆性が低下し、絶縁膜１４１の側壁部１４１ｓにおける、ゲート電極１３０ａと導電性の薄膜１７０とが電気的にショートしてしまうのを防止するショートマージンＳ１が、ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって形成された絶縁膜２４１の側壁部２４１ｓのショートマージンＳ２よりも低下してしまう（Ｓ１＜Ｓ２）といった問題があった。尚、図１２は、ＨＤＰ−ＣＶＤによって、ゲート電極を絶縁する絶縁膜を形成した場合の絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを示す部分断面図、図１３は、Ｐ−ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって、ゲート電極を絶縁する絶縁膜を形成した場合の絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを示す部分断面図である。
【００１２】
本発明は上記問題点に着目してなされたものであり、トランジスタの配線とトランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を絶縁する絶縁膜をトランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さに形成する際、トランジスタ特性を劣化させることなく、形成された絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる構成を有する電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、トランジスタの配線と該トランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を絶縁する絶縁膜が基板上に形成された電気光学装置であって、前記絶縁膜は、高密度プラズマＣＶＤによって、少なくとも一方の前記配線を平面視した状態で覆うよう形成された第１の絶縁膜と、少なくとも一方の前記配線の形状に起因して形成された前記第１の絶縁膜の少なくとも側壁部を平面視した状態で覆う位置に、前記第１の絶縁膜に設定厚さ積層されて形成された第２の絶縁膜と、により構成されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、トランジスタの配線とトランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を覆って絶縁する絶縁膜が、ＨＤＰ−ＣＶＤによって形成された第１の絶縁膜を有して構成されていることにより、トランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さの絶縁膜の形成に起因して、トランジスタ特性が劣化してしまうことを確実に防止することができる。また、第１の絶縁膜上の側壁部を覆う位置に、被覆性の良い第２の絶縁膜が最小限の設定厚さに形成されていることにより、即ち、絶縁膜は第２の絶縁膜を有して構成されていることにより、トランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さの絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。以上から、トランジスタ特性を劣化させることなく、トランジスタの配線とトランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方を絶縁する絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。
【００１５】
また、前記トランジスタの配線は、前記トランジスタを構成するゲート電極であり、前記絶縁膜は、前記トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、トランジスタのゲート電極を絶縁する絶縁膜が、ＨＤＰ−ＣＶＤによって形成された第１の絶縁膜を有していることにより、トランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さの絶縁膜の形成に起因して、トランジスタ特性が劣化してしまうことを確実に防止することができる。また、第１の絶縁膜上の側壁部を覆う位置に、被覆性の良い第２の絶縁膜が最小限の設定厚さに形成されていることにより、即ち、絶縁膜は第２の絶縁膜を有していることにより、トランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さの絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。以上から、トランジスタ特性を劣化させることなく、トランジスタのゲート電極を絶縁する絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。
【００１７】
さらに、前記トランジスタに電気的に接続された配線は、前記トランジスタの下層に形成された走査線であり、前記絶縁膜は、前記トランジスタの下層に形成されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、トランジスタに電気的に接続された走査線上を絶縁する絶縁膜が、ＨＤＰ−ＣＶＤによって形成された第１の絶縁膜を有していることにより、トランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さの絶縁膜の形成に起因して、トランジスタ特性が劣化してしまうことを確実に防止することができる。また、第１の絶縁膜上の側壁部を覆う位置に、被覆性の良い第２の絶縁膜が最小限の設定厚さに形成されていることにより、即ち、絶縁膜は第２の絶縁膜を有していることにより、トランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さの絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。以上から、トランジスタ特性を劣化させることなく、トランジスタに電気的に接続された走査線を絶縁する絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。
【００１９】
また、前記第２の絶縁膜は、テトラエトキシシラン膜から形成されていることを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、確実に、第１の絶縁膜の側壁部を覆う位置に、設定厚さを有する被覆性の良い第２の絶縁膜が形成されることから、トランジスタの配線とトランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を絶縁する絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、トランジスタの配線と該トランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を絶縁する絶縁膜が基板上に形成された電気光学装置の製造方法であって、少なくとも一方の前記配線上に、該配線を平面視した状態で覆うよう、高密度プラズマＣＶＤを用いて第１の絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工程と、前記第１の絶縁膜上に、第２の絶縁膜を積層して形成する第２の絶縁膜形成工程と、前記第２の絶縁膜に対しエッチングバックを行い、少なくとも一方の前記配線の形状に起因して形成された前記第１の絶縁膜の少なくとも側壁部を平面視した状態で覆う位置に、前記第２の絶縁膜を、設定厚さ残すエッチングバック工程と、を具備することを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、トランジスタの配線とトランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を絶縁する絶縁膜を、ＨＤＰ−ＣＶＤによって、第１の絶縁膜として配線を覆うように形成することにより、トランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さの絶縁膜の形成に起因して、トランジスタ特性が劣化してしまうことを確実に防止することができる。また、第１の絶縁膜上の側壁部を覆う位置に、被覆性の良い第２の絶縁膜を最小限の設定厚さに形成することにより、トランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さの絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。以上から、トランジスタ特性を劣化させることなく、トランジスタの配線とトランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を絶縁する絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。
【００２３】
また、前記トランジスタの配線は、前記トランジスタを構成するゲート電極であり、前記絶縁膜は、前記トランジスタの上層に形成されていることを特徴とする。
【００２４】
本発明によれば、トランジスタのゲート電極上を覆って絶縁する絶縁膜を、ＨＤＰ−ＣＶＤによって、第１の絶縁膜としてゲート電極を覆うように形成することにより、トランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さの絶縁膜の形成に起因して、トランジスタ特性が劣化してしまうことを確実に防止することができる。また、第１の絶縁膜上の側壁部を覆う位置に、被覆性の良い第２の絶縁膜を最小限の設定厚さに形成することにより、トランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さの絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。以上から、トランジスタ特性を劣化させることなく、トランジスタのゲート電極を絶縁する絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。
【００２５】
さらに、前記トランジスタに電気的に接続された配線は、前記トランジスタの下層に形成された走査線であり、前記絶縁膜は、前記トランジスタの下層に形成されていることを特徴とする。
【００２６】
本発明によれば、トランジスタに電気的に接続された走査線を覆って絶縁する絶縁膜を、ＨＤＰ−ＣＶＤによって、第１の絶縁膜として走査線を覆うように形成することにより、トランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さの絶縁膜の形成に起因して、トランジスタ特性が劣化してしまうことを確実に防止することができる。また、第１の絶縁膜上の側壁部を覆う位置に、被覆性の良い第２の絶縁膜を最小限の設定厚さに形成することにより、トランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さの絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。以上から、トランジスタ特性を劣化させることなく、トランジスタに電気的に接続された走査線を絶縁する絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。
【００２７】
また、前記第２の絶縁膜は、テトラエトキシシラン膜から形成することを特徴とする。
【００２８】
本発明によれば、確実に、第１の絶縁膜の側壁部を覆う位置に、設定厚さを有する被覆性の良い第２の絶縁膜を形成することができることから、トランジスタの配線とトランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を絶縁する絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。
【００２９】
本発明に係る電子機器は、トランジスタの配線と該トランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を絶縁する絶縁膜が基板上に形成された電気光学装置を具備する電子機器であって、前記絶縁膜は、高密度プラズマＣＶＤによって、少なくとも一方の前記配線を平面視した状態で覆うよう形成された第１の絶縁膜と、少なくとも一方の前記配線の形状に起因して形成された前記第１の絶縁膜の少なくとも側壁部を平面視した状態で覆う位置に、前記第１の絶縁膜に設定厚さ積層されて形成された第２の絶縁膜と、により構成されていることを特徴とする電気光学装置を具備する。
【００３０】
本発明によれば、トランジスタの配線とトランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を覆って絶縁する絶縁膜が、ＨＤＰ−ＣＶＤによって形成された第１の絶縁膜を有していることにより、トランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さの絶縁膜の形成に起因して、トランジスタ特性が劣化してしまうことを確実に防止することができる。また、第１の絶縁膜上の側壁部を覆う位置に、被覆性の良い第２の絶縁膜が最小限の設定厚さに形成されていることにより、即ち、絶縁膜は第２の絶縁膜を有していることにより、トランジスタの遮光性を確保する最小限の薄さの絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。以上から、トランジスタ特性を劣化させることなく、トランジスタの配線とトランジスタに電気的に接続された配線との少なくとも一方の配線を絶縁する絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、光透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置において対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板を例に挙げて説明する。
【００３２】
図１は、本実施の形態を示す液晶装置の平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図、図３は、一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図である。
【００３３】
図１，図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英基板やガラス基板、シリコン基板等を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板、シリコン基板等を用いた対向基板２０との間の内部空間に、電気光学物質である液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００３４】
ＴＦＴ基板１０の基板上の表面１０ｆ側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する画素電極９ａが、マトリクス状に配置されている。
【００３５】
また、対向基板２０の基板上の表面２０ｆの全面に、液晶５０に画素電極９ａとともに駆動電圧を印加する対向電極２１が設けられており、対向電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００３６】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００３７】
また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、後述する複数本の走査線１１ａと複数本のデータ線６ａ（いずれも図３参照）とが交差するように配線され、走査線１１ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。
【００３８】
そして、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交差部位に対応してスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）３０（図３参照）が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００３９】
ＴＦＴ３０は走査線１１ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００４０】
また、画素電極９ａと並列に、後述する蓄積容量７０（図３参照）が設けられている。蓄積容量７０によって、液晶５０に印加される電圧の保持時間が延長され、例えば画像信号が画素電極９ａに供給される時間よりも３桁も長い時間の保持が可能となる。
【００４１】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を画素領域において規定し、区画することにより、表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００４２】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。尚、液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶滴下方式で滴下される場合、シール材５２は、途中で欠落することなく連続的に周状に塗布される。
【００４３】
シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。尚、液晶滴下方式で液晶５０が滴下される場合は、液晶注入口１０８、封止材１０９は不要となる。
【００４４】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００４５】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線１１ａ及びゲート電極３ａ（図３参照）に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極３ａを駆動するドライバである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００４６】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００４７】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００４８】
また、図３に示すように、各種薄膜形成前の、石英基板、ガラス、シリコン基板等のＴＦＴ基板１０を構成する基板の表面上に、ＴＦＴ３０や画素電極９ａの他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。尚、この積層構造、及び積層された各層の機能は周知であるため、概略的に説明する。
【００４９】
この積層構造は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、シールド層４００等を含む第５層、画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層から構成されている。また、各層間には、後述する層間絶縁膜がそれぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。
【００５０】
第１層に、例えば、タングステンシリサイドからなるＴＦＴ３０に電気的に接続された配線である走査線１１ａが形成されている。走査線１１ａは、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る遮光機能をも有している。走査線１１ａ上に、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２が、例えば、常圧または減圧ＣＶＤ等により形成されている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａとＴＦＴ３０とを絶縁する。また、下地絶縁膜１２は、ＴＦＴ３０と走査線１１ａとの距離を狭めることにより、走査線１１ａがＴＦＴ３０を遮光するのに十分な薄さに形成されている。
【００５１】
第２層に、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、例えばポリシリコン膜等の結晶化シリコン膜からなる半導体層１と、ＴＦＴ３０の配線であるゲート電極３ａと、半導体層１を覆うことによりゲート電極３ａと半導体層１とを絶縁するゲート絶縁膜２とから主要部が構成されている。尚、ゲート絶縁膜２は、例えば酸化シリコン膜から構成されている。また、ゲート絶縁膜２は、多層から構成されていても構わない。
【００５２】
半導体層１は、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域１ａと、ソース領域におけるＬＤＤ領域を構成する低濃度ソース領域１ｂと、ドレイン領域におけるＬＤＤ領域を構成する低濃度ドレイン領域１ｃと、ソース領域における高濃度ソース領域１ｄと、ドレイン領域における高濃度ドレイン領域１ｅとを備えている。
【００５３】
そして、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。下地絶縁膜１２に、平面的にみて半導体層１の両脇に、データ線６ａに沿って延びる半導体層１のチャネル長と同じ幅の溝（コンタクトホール）１２ｃｖが掘られている。該コンタクトホール１２ｃｖにより、同一行の走査線１１ａとゲート電極３ａとは同電位となる。即ち、走査線１１ａとゲート電極３ａとは電気的に接続される。言い換えれば、走査線１１ａとＴＦＴ３０とは電気的に接続される。
【００５４】
第３層に、容量部である蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された下部電極７１と、容量電極３００とが、容量となる誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００５５】
ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下に、例えば、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１は、ゲート電極３ａと下部電極７１とを絶縁する。また、第１層間絶縁膜４１は、ＴＦＴ３０と下部電極７１との距離を狭めることにより、下部電極７１を具備するデータ線６ａがＴＦＴ３０を遮光するのに十分な薄さに形成されている。
【００５６】
尚、下部電極７１に限らず、ＴＦＴ３０上に、第１層間絶縁膜４１を介して、シールド層４００またはデータ線６ａが積層される別の積層構造を有するＴＦＴ基板１０においては、第１層間絶縁膜４１は、ゲート電極３ａと、シールド層４００またはデータ線６ａとを絶縁する。また、第１層間絶縁膜４１の詳しい構成については、後述する。
【００５７】
第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８１が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００５８】
また、第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８３が開孔されている。
【００５９】
さらに、この第１層間絶縁膜４１に、下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１に、中継電極７１９と第２中継層６１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８２が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００６０】
第４層に、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、下層より順に、アルミニウム層４１Ａ、窒化チタン層４１ＴＮ、窒化シリコン膜層４０１の三層構造を有する膜として形成されている。
【００６１】
また、この第４層に、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６０及び第２中継層６１が形成されている。また、第２層間絶縁膜４２に、シールド層用中継層６０と容量電極３００とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０１が開孔されている。
【００６２】
第５層に、シールド層４００が形成されている。また、第５層に、このようなシールド層４００と同一膜として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。
【００６３】
第３層間絶縁膜４３に、シールド層４００とシールド層用中継層６０とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０３、及び第３中継電極４０２と第２中継層６１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００６４】
第６層に、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下に、第４層間絶縁膜４４が形成されている。また、第４層間絶縁膜４４に、画素電極９ａ及び第３中継電極４０２間を電気的に接続するために介在されたコンタクトホール８９が開孔されている。
【００６５】
尚、上述した液晶装置の構成は、上記実施形態のような形態に限定されるものではなく、別の種々の形態が考えられ得る。
【００６６】
次に、第１層間絶縁膜４１の構成について、図４を用いて説明する。図４は、図３のゲート電極及び第１層間絶縁膜の一部を、ゲート絶縁膜及びデータ線の下部電極の一部とともに拡大して示す部分断面図である。
【００６７】
図４に示すように、第１層間絶縁膜４１は、第１の絶縁膜４１ｈと第２の絶縁膜４１ｔとから主要部が構成され、ＴＦＴ３０と下部電極７１との距離を狭めることにより、データ線６ａがＴＦＴ３０を遮光するのに十分な薄さに形成されている。
【００６８】
第１の絶縁膜４１ｈは、下地絶縁膜１２、ゲート絶縁膜２（いずれも図３参照）及びゲート電極３ａ上において、少なくともゲート電極３ａを平面視した状態で覆うよう、ＨＤＰ−ＣＶＤにより、薄膜に、例えば３００ｎｍの膜厚に形成された絶縁膜である。尚、第１の絶縁膜４１ｈには、ゲート電極３ａ等の形状に起因して形成された薄肉な側壁部４１ｐが、ゲート電極３ａの各端部に形成されている。
【００６９】
第２の絶縁膜４１ｔは、第１の絶縁膜４１ｈ上において、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって、被覆性の良い薄膜のＴＥＯＳ膜に、例えば１００ｎｍの膜厚のＴＥＯＳ膜に形成されている。
【００７０】
尚、第２の絶縁膜４１ｔを構成する被覆性の良いＴＥＯＳ膜には、Ｐ−ＴＥＯＳによって形成されたＰ−ＴＥＯＳ膜や、ＬＰ−ＴＥＯＳ（減圧プラズマ−テトラエトキシシラン）によって形成されたＬＰ−ＴＥＯＳ膜や、熱酸化膜であるＨＴＯ（High Temperature Oxide)膜や、通常のＣＶＤによって形成された酸化膜や、ＳＯＧ（Spin on Glass）によって形成された酸化膜等が挙げられる。
【００７１】
また、第２の絶縁膜４１ｔにおいて、第１の絶縁膜４１ｈの少なくとも側壁部４１ｐを平面視した状態で覆う位置に、被覆性良く側壁部４１ｑが、最小限の設定厚さ、例えば４００ｎｍの膜厚に形成されている。尚、側壁部４１ｑは、４００ｎｍ以上の膜厚に形成されていても構わない。
【００７２】
尚、第１の絶縁膜４１ｈの薄肉な側壁部４１ｐと、第２の絶縁膜４１ｔの、例えば４００ｎｍの膜厚の側壁部４１ｑとは、第１層間絶縁膜４１の側壁部４１ｓを構成している。その結果、側壁部４１ｓは、側壁部が薄肉なことに起因するゲート電極３ａと下部電極７１とが電気的にショートしてしまうのを防止する十分なショートマージンＳ３を有する。
【００７３】
以上から、第１層間絶縁膜４１は、側壁部４１ｓ以外は、殆どが、例えば３００ｎｍの膜厚を有する第１の絶縁膜４１ｈから構成されており、側壁部４１ｓは、殆どが、例えば４００ｎｍの膜厚を有する被覆性の良い第２の絶縁膜４１ｔから構成されている。
【００７４】
次に、図５〜図７を参照して本実施の形態による液晶装置の製造方法を説明する。尚、以下に示す液晶装置の製造方法においては、第１層間絶縁膜４１を形成する工程以外は周知であるため、その説明を省略する。
【００７５】
図５は、第１の絶縁膜形成工程を示す部分断面図、図６は、第２の絶縁膜形成工程を示す部分断面図、図７は、エッチングバック工程を示す部分断面図である。
【００７６】
先ず、図５に示すように、下地絶縁膜１２、ゲート絶縁膜２（いずれも図３参照）及びゲート電極３ａ上において、少なくともゲート電極３ａを平面視した状態で覆うよう、ＨＤＰ−ＣＶＤにより、第１の絶縁膜４１ｈを、薄膜に、例えば３００ｎｍの膜厚に形成する第１の絶縁膜形成工程を行う。その結果、第１の絶縁膜４１ｈには、ゲート電極３ａ等の形状に起因して形成された薄肉な側壁部４１ｐが、ゲート電極３ａの各端部に形成される。
【００７７】
次いで、図６に示すように、第１の絶縁膜４１ｈ上に、ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって、第２の絶縁膜４１ｔを、例えば６００ｎｍの膜厚に被覆性良く形成する第２の絶縁膜形成工程を行う。尚、第２の絶縁膜形成工程において成膜する第２の絶縁膜４１ｔの膜厚は、６００ｎｍ以上に形成しても構わない。
【００７８】
また、第２の絶縁膜形成工程後、第２の絶縁膜４１ｔにも、ゲート電極３ａの各端部に、ゲート電極３ａ及び第１の絶縁膜４１ｈの側壁部４１ｐの形状等に起因して側壁部４１ｑが形成される。
【００７９】
次いで、図７に示すように、第２の絶縁膜４１ｔに対し、第１の絶縁膜４１ｈ上に、第２の絶縁膜４１ｔを１００ｎｍ残すとともに、第１の絶縁膜４１ｈの側壁部４１ｐの側壁部４１ｐを平面視した状態で覆う位置に、第２の絶縁膜４１ｔの側壁部４１ｑを、最小限の設定厚さ、例えば４００ｎｍ残すエッチングバック工程を行う。
【００８０】
詳しくは、エッチングバック工程は、ＣＯ（一酸化炭素）、エッチャントとしてのＣ４Ｆ８（オクタフルオロシクロブタン）、Ｏ２（酸素）、Ａｒ（アルゴン）等からなる混合ガスを、ＴＦＴ基板１０が載置されたチャンバ内に導入し、第２の絶縁膜４１ｔを異方性ドライエッチングする。
【００８１】
尚、第２の絶縁膜４１ｔに対する異方性ドライエッチングは、第２の絶縁膜４１ｔの側壁部４１ｑの形状を維持したまま、側壁部４１ｑが、４００ｎｍの膜厚となるまで行うとともに、側壁部４１ｑ以外が、１００ｎｍの膜厚となるまで行う。また、側壁部４１ｑの厚さを４００ｎｍとしたのは、側壁部４１ｑの厚さを４００ｎｍ以下に設定してエッチングバックを行うと、側壁部４１ｑが全てエッチングされてしまう場合があるためである。
【００８２】
また、異方性ドライエッチングを用いると、側壁部４１ｑの形状を維持したまま、エッチングバックを行うことができる。さらに、側壁部４１ｑは、４００ｎｍ以上の膜厚にエッチングバックしても構わない。さらに、異方性ドライエッチングに用いる混合ガスのエッチャントとしては、Ｃ４Ｆ８に限らず、ＣＦ４（四フッ化炭素）、ＣＨＦ３（フロン）等であっても構わない。
【００８３】
その結果、第１層間絶縁膜４１における側壁部４１ｓは、第１の絶縁膜４１ｈの薄肉な側壁部４１ｐと、被覆性の良い第２の絶縁膜４１ｔの、例えば４００ｎｍの膜厚の側壁部４１ｑとから構成され、ゲート電極３ａと下部電極７１との間における十分なショートマージンＳ３を有する膜厚に形成される。
【００８４】
以上から、第１層間絶縁膜４１は、側壁部４１ｓ以外は、殆どが、例えば３００ｎｍの膜厚を有する第１の絶縁膜４１ｈから構成され、側壁部４１ｓは、殆どが、側壁部４１ｑが、例えば４００ｎｍの膜厚を有する被覆性の良い第２の絶縁膜４１ｔから構成される。
【００８５】
最後に、ＴＦＴ３０にドープされている不純物の活性化のため、ＴＦＴ基板１０に対して、アニール処理を行う。尚、その後の工程は周知であるため、その説明は省略する。
【００８６】
このように、本実施の形態においては、平面視した状態でゲート電極３ａを少なくとも覆い絶縁する第１の層間絶縁膜４１は、側壁部４１ｓが、殆どが、例えば４００ｎｍの膜厚を有する被覆性の良い第２の絶縁膜４１ｔの側壁部４１ｑから構成されて十分なショートマージンＳ３を有し、側壁部４１ｓ以外は、殆どが３００ｎｍの膜厚を有する第１の絶縁膜４１ｈから構成されていると示した。
【００８７】
このことによれば、ゲート電極３ａを絶縁する第１層間絶縁膜４１が、側壁部４１ｓ以外は、ＨＤＰ−ＣＶＤによって形成された第１の絶縁膜４１ｈから構成されることにより、即ち、トランジスタ特性を劣化させるＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって形成された第２の絶縁膜４１ｔは、最小限形成されているのみであることから、上述した図１０、図１１に示したように、ＴＦＴ３０の遮光性を確保する最小限の薄さの第１層間絶縁膜４１の形成に起因して、ＴＦＴ３０のトランジスタ特性が劣化してしまうことを確実に防止することができる。
【００８８】
また、第１の絶縁膜４１ｈ上の薄肉な側壁部４１ｐを覆う位置に、被覆性の良い第２の絶縁膜４１ｔの側壁部４１ｑが、例えば４００ｎｍの膜厚に形成されていることにより、ＴＦＴ３０の遮光性を確保する最小限の薄さの第１層間絶縁膜４１の側壁部４１ｓにおけるショートマージンＳ３を、第１層間絶縁膜４１を、ＨＤＰ−ＣＶＤによる絶縁膜１４１のみから形成する場合のショートマージンＳ１（図１２参照）と比して、十分確保することができる。
【００８９】
以上から、第１の層間絶縁膜４１を、ＴＦＴ３０の遮光性を確保する最小限の薄さに形成したとしても、ゲート電極３ａの被覆性を確保したまま、第１の絶縁膜４１ｈにより、トランジスタ特性を劣化させることなく、第２の絶縁膜４１ｔの側壁部４１ｑにより、第１層間絶縁膜４１の側壁部４１ｓにおけるショートマージンＳ３を十分確保することができる。
【００９０】
尚、以下、変形例を、図８を用いて示す。図８は、第１層間絶縁膜の側壁部のみに、第２の絶縁膜を残した変形例を示す部分断面図である。
【００９１】
上述した本実施の形態においては、第２の絶縁膜４１ｔは、第１の絶縁膜４１ｈ上において、側壁部４１ｓ以外は、例えば１００ｎｍの膜厚となるよう、エッチングバックされると示した。
【００９２】
これに限らず、図８に示すように、側壁部４１ｓ以外は、第２の絶縁膜４１ｔを全てエッチングバックにより除去してしまっても構わない。このことによれば、第１層間絶縁膜４１におけるＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって形成された第２の絶縁膜４１ｔの比率が本実施の形態よりも小さくなるため、第１層間絶縁膜４１のショートマージンＳ３を保ったまま、よりトランジスタ特性が向上する。
【００９３】
また、以下、別の変形例を示す。本実施の形態においては、配線は、ゲート電極３ａを例に挙げ、絶縁膜は、第１層間絶縁膜４１を例に挙げて示したが、これに限らず、配線を、ゲート電極３ａに電気的に接続された走査線１１ａとし、絶縁膜を下地絶縁膜１２として、下地絶縁膜１２を、上述した第１絶縁膜４１ｈと、第２絶縁膜４１ｔとから構成しても構わない。
【００９４】
このような構成によれば、走査線１１ａを絶縁する下地絶縁膜１２が、下地絶縁膜１２の側壁部以外は、ＨＤＰ−ＣＶＤによって形成された第１の絶縁膜４１ｈから殆どが構成されることにより、即ち、トランジスタ特性を劣化させるＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって形成された第２の絶縁膜４１ｔは、最小限形成されているのみであることから、上述した図１０、図１１に示したように、ＴＦＴ３０の遮光性を確保する最小限の薄さの下地絶縁膜１２の形成に起因して、ＴＦＴ３０のトランジスタ特性が劣化してしまうことを確実に防止することができる。
【００９５】
また、第１の絶縁膜４１ｈ上の薄肉な側壁部４１ｐを覆う位置に、被覆性の良い第２の絶縁膜４１ｔの側壁部４１ｑが、例えば４００ｎｍの膜厚に形成されることにより、ＴＦＴ３０の遮光性を確保する最小限の薄さの下地絶縁膜１２の側壁部におけるショートマージンを、ＨＤＰ−ＣＶＤによる絶縁膜１４１のみから形成する場合のショートマージンＳ１（図１２参照）と比して、十分確保することができる。
【００９６】
以上から、下地絶縁膜１２を、ＴＦＴ３０の遮光性を確保する最小限の薄さに形成したとしても、走査線１１ａに対する被覆性を確保したまま、第１の絶縁膜４１ｈにより、トランジスタ特性を劣化させることなく、第２の絶縁膜４１ｔの側壁部４１ｑにより、下地絶縁膜１２の側壁部におけるショートマージンを十分確保することができる。
【００９７】
尚、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタが挙げられる。図９は、図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。
【００９８】
同図に示すように、プロジェクタ１１００に、液晶装置１００は、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、例えば３つ（１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ）配設されている。
【００９９】
プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂに各々導かれる。
【０１００】
この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【０１０１】
そして、ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【０１０３】
さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【０１０４】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【０１０５】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本実施の形態を示す液晶装置の平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図３】一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図。
【図４】図３のゲート電極及び第１層間絶縁膜の一部を、ゲート絶縁膜及びデータ線の下部電極の一部とともに拡大して示す部分断面図。
【図５】第１の絶縁膜形成工程を示す部分断面図。
【図６】第２の絶縁膜形成工程を示す部分断面図。
【図７】エッチングバック工程を示す部分断面図。
【図８】第１層間絶縁膜の側壁部のみに、第２の絶縁膜を残した変形例を示す部分断面図。
【図９】図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。
【図１０】Ｐ−ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって、ゲート電極を絶縁する絶縁膜を形成した場合のトランジスタ特性を概略的に示す図表。
【図１１】ＨＤＰ−ＣＶＤによって、ゲート電極を絶縁する絶縁膜を形成した場合のトランジスタ特性を概略的に示す図表。
【図１２】ＨＤＰ−ＣＶＤによって、ゲート電極を絶縁する絶縁膜を形成した場合の絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを示す部分断面図。
【図１３】Ｐ−ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって、ゲート電極を絶縁する絶縁膜を形成した場合の絶縁膜の側壁部におけるショートマージンを示す部分断面図。
【符号の説明】
【０１０７】
３ａ…ゲート電極、１１ａ…走査線、１２…下地絶縁膜、３０…ＴＦＴ、４１…第１層間絶縁膜、４１ｈ…第１の絶縁膜、４１ｐ…第１の絶縁膜の側壁部、４１ｔ…第２の絶縁膜、１１００…プロジェクタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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