(57)【要約】【課題】浮遊容量を低減して高周波特性を向上させることが可能な積層型インダクタを提供すること。【解決手段】積層型インダクタは、非磁性体層Ａ１〜Ａ９が積層された積層体１０と、導体パターンＢ１〜Ｂ９が互いに電気的に接続されたコイルＬ１と、引き出し導体Ｃ１，Ｃ２とを備える。導体パターンＢ２，Ｂ３は非磁性体層Ａ４上に、導体パターンＢ４，Ｂ５は非磁性体層Ａ５上に、導体パターンＢ６，Ｂ７は非磁性体層Ａ６上に、導体パターンＢ８，Ｂ９は非磁性体層Ａ７上にそれぞれ形成されている。導体パターンＢ２，Ｂ４，Ｂ３，Ｂ５，Ｂ６，Ｂ８，Ｂ７，Ｂ９は、この順に電気的に接続されている。導体パターンＢ８と引き出し導体Ｃ２との距離ｄ２は、導体パターンＢ７と引き出し導体Ｃ２との距離ｄ１以上となるように設定されている。【選択図】図２
2008078226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁体層が積層されて構成され、互いに平行となるように対向する一対の主面を有する積層体と、
前記積層体の外表面にそれぞれ配置された第１及び第２の外部電極と、
複数の直線状の導体パターンが互いに電気的に接続されて構成され、前記積層体の内部に設けられたコイルと、
前記コイルの一端に電気的に接続されると共に前記第１の外部導体に電気的に接続される第１の引き出し導体と、
前記コイルの他端に電気的に接続されると共に前記第２の外部電極に電気的に接続される第２の引き出し導体とを備え、
前記複数の導体パターンは、前記一対の主面の対向方向に垂直な複数の仮想平面のうち一の仮想平面において互いに所定間隔を有するように配置された一対の第１及び第２の導体パターンと、前記複数の仮想平面のうち前記一の仮想平面とは異なる他の仮想平面において互いに所定間隔を有するように配置されると共に前記第１及び第２の導体パターンと前記対向方向に隣り合う一対の第３及び第４の導体パターンとを有し、
前記第１及び第２の導体パターンと前記第３及び第４の導体パターンとは、前記対向方向から見て交差しており、
前記第１の導体パターンの一端と前記第３の導体パターンの一端とは電気的に接続され、前記第３の導体パターンの他端と前記第２の導体パターンの一端とは電気的に接続され、前記第２の導体パターンの他端と前記第４の導体パターンの一端とは電気的に接続され、
前記複数の導体パターンのうち一の導体パターンは、前記複数の仮想平面のうち前記第１の引き出し導体が位置する仮想平面と同一の仮想平面に位置し、且つ、前記第１の引き出し導体と一体的に形成されておらず、
前記複数の導体パターンのうち前記一の導体パターンと異なる他の導体パターンは、前記複数の仮想平面のうち前記第１の引き出し導体が位置する仮想平面と異なる仮想平面に位置し、且つ、前記第１の引き出し導体と前記対向方向に隣り合っており、
前記第１の引き出し導体と前記一の導体パターンとの距離は、前記第１の引き出し導体と前記他の導体パターンとの距離以上であることを特徴とする積層型インダクタ。
【請求項２】
複数の絶縁体層が積層されて構成され、互いに平行となるように対向する一対の主面を有する積層体と、
前記積層体の外表面にそれぞれ配置された第１及び第２の外部電極と、
複数の直線状の導体パターンが互いに電気的に接続されて構成され、前記積層体の内部に設けられたコイルと、
前記コイルの一端に電気的に接続されると共に前記第１の外部導体に電気的に接続される第１の引き出し導体と、
前記コイルの他端に電気的に接続されると共に前記第２の外部電極に電気的に接続される第２の引き出し導体とを備え、
前記複数の導体パターンは、前記一対の主面の対向方向に垂直な複数の仮想平面のうち一の仮想平面において互いに所定間隔を有するように配置された一対の第１及び第２の導体パターンと、前記複数の仮想平面のうち前記一の仮想平面とは異なる他の仮想平面において互いに所定間隔を有するように配置されると共に前記第１及び第２の導体パターンと前記対向方向に隣り合う一対の第３及び第４の導体パターンとを有し、
前記第１及び第２の導体パターンと前記第３及び第４の導体パターンとは、前記対向方向から見て交差しており、
前記第１の導体パターンの一端と前記第３の導体パターンの一端とは電気的に接続され、前記第３の導体パターンの他端と前記第２の導体パターンの一端とは電気的に接続され、前記第２の導体パターンの他端と前記第４の導体パターンの一端とは電気的に接続され、
前記第１の引き出し導体と前記複数の導体パターンのうち前記第１の引き出し導体と一体的に形成されていない導体パターンとは、前記複数の仮想平面のうち互いに異なる仮想平面に配置されていることを特徴とする積層型インダクタ。
【請求項３】
前記第１の引き出し導体は、前記コイルの一端から前記第１の外部電極に向かうにつれて幅が広くなるように形成されており、
前記第２の引き出し導体は、前記コイルの他端から前記第２の外部電極に向かうにつれて幅が広くなるように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載された積層型インダクタ。
【請求項４】
前記第１の引き出し導体は、前記複数の導体パターンのうちいずれの導体パターンとも一体的に形成されていないことを特徴とする請求項３に記載された積層型インダクタ。
【請求項５】
前記第１及び第２の導体パターンは、前記対向方向から見て互いに平行となるように前記一の仮想平面に配置され、
前記第３及び第４の導体パターンは、前記対向方向から見て互いに平行となるように前記他の仮想平面に配置されており、
前記第１及び第２の導体パターンと前記第３及び第４の導体パターンとは、前記対向方向から見て直交していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載された積層型インダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型インダクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、複数の絶縁体層が積層された積層体と、複数の導体パターンが互いに電気的に接続されることで積層体の内部に設けられたコイルと備え、各導体パターンが略Ｃ字状となっている積層型インダクタが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−１６６７４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に記載された従来の積層型インダクタでは、コイルを構成する各導体パターンが略Ｃ字状となっていたため、導体パターンが屈曲している部分において浮遊容量が発生していた。そのため、積層型インダクタを高周波領域で使用したときに、所望の特性を得ることができないという問題があった。
【０００４】
本発明は、浮遊容量を低減して高周波特性を向上させることが可能な積層型インダクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る積層型インダクタは、複数の絶縁体層が積層されて構成され、互いに平行となるように対向する一対の主面を有する積層体と、積層体の外表面にそれぞれ配置された第１及び第２の外部電極と、複数の直線状の導体パターンが互いに電気的に接続されて構成され、積層体の内部に設けられたコイルと、コイルの一端に電気的に接続されると共に第１の外部導体に電気的に接続される第１の引き出し導体と、コイルの他端に電気的に接続されると共に第２の外部電極に電気的に接続される第２の引き出し導体とを備え、複数の導体パターンは、一対の主面の対向方向に垂直な複数の仮想平面のうち一の仮想平面において互いに所定間隔を有するように配置された一対の第１及び第２の導体パターンと、複数の仮想平面のうち一の仮想平面とは異なる他の仮想平面において互いに所定間隔を有するように配置されると共に第１及び第２の導体パターンと対向方向に隣り合う一対の第３及び第４の導体パターンとを有し、第１及び第２の導体パターンと第３及び第４の導体パターンとは、対向方向から見て交差しており、第１の導体パターンの一端と第３の導体パターンの一端とは電気的に接続され、第３の導体パターンの他端と第２の導体パターンの一端とは電気的に接続され、第２の導体パターンの他端と第４の導体パターンの一端とは電気的に接続され、複数の導体パターンのうち一の導体パターンは、複数の仮想平面のうち第１の引き出し導体が位置する仮想平面と同一の仮想平面に位置し、且つ、第１の引き出し導体と一体的に形成されておらず、複数の導体パターンのうち一の導体パターンと異なる他の導体パターンは、複数の仮想平面のうち第１の引き出し導体が位置する仮想平面と異なる仮想平面に位置し、且つ、第１の引き出し導体と対向方向に隣り合っており、第１の引き出し導体と一の導体パターンとの距離は、第１の引き出し導体と他の導体パターンとの距離以上であることを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る積層型インダクタでは、複数の直線状の導体パターンが互いに電気的に接続されてコイルが構成されている。そのため、屈曲している部分が導体パターンに存在しなくなる。その結果、従来の積層型インダクタと比較して、導体パターンが屈曲している部分において発生していた浮遊容量を低減することができ、高周波特性を向上させることが可能となる。また、本発明に係る積層型インダクタでは、コイルを構成する複数の導体パターンが、第１〜第４の導体パターンを有しており、第１及び第２の導体パターンが一の仮想平面に配置され、第３及び第４の導体パターンが他の仮想平面に配置されている。そして、第１の導体パターンの一端と第３の導体パターンの一端とが電気的に接続され、第３の導体パターンの他端と第２の導体パターンの一端とが電気的に接続され、第２の導体パターンの他端と第４の導体パターンの一端とが電気的に接続されている。そのため、第１〜第４の導体パターンをそれぞれ異なる仮想平面に配置した場合と比較して、一対の主面の対向方向における積層体の厚さを小さくすることができる。その結果、積層型インダクタの小型化を図ることが可能となる。さらに、本発明に係る積層型インダクタでは、第１の引き出し導体と一の導体パターンとの距離が、第１の引き出し導体と他の導体パターンとの距離以上となっている。そのため、同一の仮想平面に配置された第１の引き出し導体と一の導体パターンとが十分に離間されることとなる。その結果、第１の引き出し導体と一の導体パターンとの間に生じる浮遊容量についても低減することが可能となる。
【０００７】
また、本発明に係る積層型インダクタは、複数の絶縁体層が積層されて構成され、互いに平行となるように対向する一対の主面を有する積層体と、積層体の外表面にそれぞれ配置された第１及び第２の外部電極と、複数の直線状の導体パターンが互いに電気的に接続されて構成され、積層体の内部に設けられたコイルと、コイルの一端に電気的に接続されると共に第１の外部導体に電気的に接続される第１の引き出し導体と、コイルの他端に電気的に接続されると共に第２の外部電極に電気的に接続される第２の引き出し導体とを備え、複数の導体パターンは、一対の主面の対向方向に垂直な複数の仮想平面のうち一の仮想平面において互いに所定間隔を有するように配置された一対の第１及び第２の導体パターンと、複数の仮想平面のうち一の仮想平面とは異なる他の仮想平面において互いに所定間隔を有するように配置されると共に第１及び第２の導体パターンと対向方向に隣り合う一対の第３及び第４の導体パターンとを有し、第１及び第２の導体パターンと第３及び第４の導体パターンとは、対向方向から見て交差しており、第１の導体パターンの一端と第３の導体パターンの一端とは電気的に接続され、第３の導体パターンの他端と第２の導体パターンの一端とは電気的に接続され、第２の導体パターンの他端と第４の導体パターンの一端とは電気的に接続され、第１の引き出し導体と複数の導体パターンのうち第１の引き出し導体と一体的に形成されていない導体パターンとは、複数の仮想平面のうち互いに異なる仮想平面に配置されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る積層型インダクタでは、複数の直線状の導体パターンが互いに電気的に接続されてコイルが構成されている。そのため、屈曲している部分が導体パターンに存在しなくなる。その結果、従来の積層型インダクタと比較して、導体パターンが屈曲している部分において発生していた浮遊容量を低減することができ、高周波特性を向上させることが可能となる。また、本発明に係る積層型インダクタでは、コイルを構成する複数の導体パターンが、第１〜第４の導体パターンを有しており、第１及び第２の導体パターンが一の仮想平面に配置され、第３及び第４の導体パターンが他の仮想平面に配置されている。そして、第１の導体パターンの一端と第３の導体パターンの一端とが電気的に接続され、第３の導体パターンの他端と第２の導体パターンの一端とが電気的に接続され、第２の導体パターンの他端と第４の導体パターンの一端とが電気的に接続されている。そのため、第１〜第４の導体パターンをそれぞれ異なる仮想平面に配置した場合と比較して、一対の主面の対向方向における積層体の厚さを小さくすることができる。その結果、積層型インダクタの小型化を図ることが可能となる。さらに、本発明に係る積層型インダクタでは、第１の引き出し導体と複数の導体パターンのうち第１の引き出し導体と一体的に形成されていない所定の導体パターンとが、複数の仮想平面のうち互いに異なる仮想平面に配置されている。そのため、第１の引き出し導体と当該所定の導体パターンとが十分に離間されることとなる。その結果、第１の引き出し導体と当該所定の導体パターンとの間に生じる浮遊容量についても低減することが可能となる。また、第１の引き出し導体と当該所定の導体パターンとが同一の仮想平面に配置されている場合には、第１の引き出し導体と当該所定の導体パターンとを十分に離間させるようにして配置する必要があったが、このような配慮をする必要がなくなることとなる。
【０００９】
また、第１の引き出し導体は、コイルの一端から第１の外部電極に向かうにつれて幅が広くなるように形成されており、第２の引き出し導体は、コイルの他端から第２の外部電極に向かうにつれて幅が広くなるように形成されていることが好ましい。このようにすると、第１の外部電極と第１の引き出し導体との接触面積が大きくなる。そのため、第１の外部電極と第１の引き出し導体との接続信頼性の向上を図ることが可能となる。また、このようにすると、第１の引き出し導体とコイルの一端との接続部分において、電気信号の伝送経路の急激な変化がなくなる。すなわち、インピーダンスと導体の断面積の大きさとが反比例するので、第１の外部電極からコイルの一端へと向かうにつれて、第１の引き出し導体のインピーダンスが徐々に高くなる。その結果、インピーダンスマッチングが行われ、電気信号の反射を低減することが可能となる。
【００１０】
また、第１の引き出し導体は、複数の導体パターンのうちいずれの導体パターンとも一体的に形成されていないことが好ましい。第１の引き出し導体と導体パターンとが一体的に形成されている場合、第１の引き出し導体と導体パターンとの接続部分で屈曲することにより浮遊容量が発生することがあったが、このようにすると、第１の引き出し導体と導体パターンとの接続部分において屈曲が存在しなくなるので、浮遊容量をより低減することが可能となる。
【００１１】
また、第１及び第２の導体パターンは、対向方向から見て互いに平行となるように一の仮想平面に配置され、第３及び第４の導体パターンは、対向方向から見て互いに平行となるように他の仮想平面に配置されており、第１及び第２の導体パターンと第３及び第４の導体パターンとは、対向方向から見て直交していることが好ましい。このようにすると、第１及び第２の導体パターンが対向方向から見て互いに平行でなく、第３及び第４の導体パターンが対向方向から見て互いに平行でなく、第１及び第２の導体パターンと第３及び第４の導体パターンとが対向方向から見て直交していないような場合と比較して、大きなコイル径を確保することが可能となる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、浮遊容量を低減して高周波特性を向上させることが可能な積層型インダクタを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１４】
（第１実施形態）
図１〜図４を参照して、第１実施形態に係る積層型インダクタ１の構成について説明する。図１は、第１〜第３実施形態に係る積層型インダクタを示す斜視図である。図２は、第１実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体の構成を説明するための分解斜視図である。図３は、第１実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体を構成している一の非磁性体層を示す正面図である。図４は、第１実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体の上面透視図である。
【００１５】
積層型インダクタ１は、図１に示されるように、略直方体形状の積層体１０と、積層体１０の長手方向の両側面にそれぞれ形成された一対の外部電極１２，１４と、積層体１０の内部において直線状（略Ｉ字状）の導体パターンＢ１〜Ｂ９がそれぞれ互いに電気的に接続されてなるコイルＬ１とを備える。積層体１０は、互いに平行となるように対向する一対の主面Ｓ１，Ｓ２を有している。
【００１６】
積層体１０は、図２に示されるように、非磁性体層Ａ１〜Ａ９が積層されることで構成される。すなわち、非磁性体層Ａ１の上面が積層体１０の主面Ｓ１を構成し、非磁性体層Ａ９の下面が積層体１０の主面Ｓ２を構成することとなり（図２参照）、主面Ｓ１，Ｓ２の対向方向（以下、対向方向と称する）は本実施形態において積層体１０（非磁性体層Ａ１〜Ａ９）の積層方向（以下、積層方向と称する）に一致する。非磁性体層Ａ１〜Ａ９は、電気絶縁性を有する絶縁体として機能する。非磁性体層Ａ１〜Ａ９は、例えば、ストロンチウム、カルシウム、アルミナ、酸化ケイ素等を含むガラス系セラミックを用いて形成することができる。実際の積層型インダクタ１では、非磁性体層Ａ１〜Ａ９の境界が視認できない程度に一体化されている。そのため、以下において積層型インダクタ１の構成を説明するために用いている「非磁性体層の表面」とは、仮想的な平面を意味している。
【００１７】
非磁性体層Ａ３の表面には、導体パターンＢ１及び引き出し導体Ｃ１が形成されている。導体パターンＢ１は、コイルＬ１の一端に位置するように配置されている。導体パターンＢ１の一端には、引き出し導体Ｃ１が一体的に形成されている。引き出し導体Ｃ１は、非磁性体層Ａ３の外部電極１２が形成される側の縁に引き出され、その端部が非磁性体層Ａ３の端面に露出している。引き出し導体Ｃ１は、導体パターンＢ１（コイルＬ１の一端）が沿う終端軸線ＰからコイルＬ１の軸心側に向けて（終端軸線Ｐから見て非磁性体層Ａ３の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されている。引き出し導体Ｃ１は、導体パターンＢ１（コイルＬ１の一端）から非磁性体層Ａ３の端面（外部電極１２）に向かうにつれて、幅が広くなっている。このため、導体パターンＢ１は、引き出し導体Ｃ１を介して、外部電極１２と電気的に接続される。導体パターンＢ１の他端は、非磁性体層Ａ３を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ１と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ１は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ１を介して、対応する導体パターンＢ２と電気的に接続される。
【００１８】
非磁性体層Ａ４の表面には、導体パターンＢ２，Ｂ３が形成されている。導体パターンＢ２と導体パターンＢ３とは、非磁性体層Ａ４において、対向方向（積層方向）から見て互いに平行となるように配置されている。導体パターンＢ２，Ｂ３は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンＢ１，Ｂ４，Ｂ５と直交するように配置されている。導体パターンＢ２の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ１と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ２の他端は、非磁性体層Ａ４を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ２と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ２は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ２を介して、対応する導体パターンＢ４と電気的に接続される。導体パターンＢ３の一端は、非磁性体層Ａ４を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ３と電気的に接続される。導体パターンＢ３の他端は、非磁性体層Ａ４を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ４と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ３は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ３，Ｄ４を介して、対応する導体パターンＢ３，Ｂ４とそれぞれ電気的に接続される。
【００１９】
非磁性体層Ａ５の表面には、導体パターンＢ４，Ｂ５が形成されている。導体パターンＢ４と導体パターンＢ５とは、非磁性体層Ａ５において、対向方向（積層方向）から見て互いに平行となるように配置されている。導体パターンＢ４，Ｂ５は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンＢ２，Ｂ３，Ｂ６，Ｂ７と直交するように配置されている。導体パターンＢ４の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ２と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ４の他端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ３と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ５の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ４と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ５の他端は、非磁性体層Ａ５を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ５と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ５は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ５を介して、対応する導体パターンＢ６と電気的に接続される。
【００２０】
非磁性体層Ａ６の表面には、導体パターンＢ６，Ｂ７が形成されている。導体パターンＢ６と導体パターンＢ７とは、非磁性体層Ａ６において、対向方向（積層方向）から見て互いに平行となるように配置されている。導体パターンＢ６，Ｂ７は、対向方向（積層方向）から見て、積層体１０の積層方向に隣り合う導体パターンＢ４，Ｂ５，Ｂ８，Ｂ９と直交するように配置されている。導体パターンＢ６の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ５と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ６の他端は、非磁性体層Ａ６を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ６と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ６は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ６を介して、対応する導体パターンＢ８と電気的に接続される。導体パターンＢ７の一端は、非磁性体層Ａ６を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ７と電気的に接続される。導体パターンＢ７の他端は、非磁性体層Ａ６を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ８と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ７は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ７，Ｄ８を介して、対応する導体パターンＢ８，Ｂ９とそれぞれ電気的に接続される。
【００２１】
非磁性体層Ａ７の表面には、導体パターンＢ８，Ｂ９及び引き出し導体Ｃ２が形成されている。導体パターンＢ８と導体パターンＢ９とは、非磁性体層Ａ７において、対向方向（積層方向）から見て互いに平行となるように配置されている。そして、導体パターンＢ８，Ｂ９は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンＢ６，Ｂ７と直交するように配置されている。導体パターンＢ８の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ６と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ８の他端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ７と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ９は、コイルＬ１の他端に位置するように配置されている。導体パターンＢ９の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ８と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ９の他端には、引き出し導体Ｃ２が一体的に形成されている。引き出し導体Ｃ２は、非磁性体層Ａ７の外部電極１４が形成される側の縁に引き出され、その端部が非磁性体層Ａ７の端面に露出している。引き出し導体Ｃ２は、導体パターンＢ９（コイルＬ１の他端）が沿う終端軸線ＱからコイルＬ１の軸心側に向けて（終端軸線Ｑから見て非磁性体層Ａ７の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されている。引き出し導体Ｃ２は、導体パターンＢ９（コイルＬ１の他端）から非磁性体層Ａ７の端面（外部電極１４）に向かうにつれて、幅が広くなっている。このため、導体パターンＢ９は、引き出し導体Ｃ２を介して、外部電極１４と電気的に接続される。
【００２２】
上述の非磁性体層Ａ１〜Ａ９が積層された積層体１０においては、図４に示されるように、同一の非磁性体層に形成された一対の導体パターンが対向方向（積層方向）から見て互いに平行となっており、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターン同士が対向方向（積層方向）から見て直交している。
【００２３】
ここで、導体パターンＢ７は、引き出し導体Ｃ２が形成されている非磁性体層Ａ７とは異なる非磁性体層Ａ６の表面に形成されていると共に、引き出し導体Ｃ２と対向方向（積層方向）に隣り合っている。導体パターンＢ７と引き出し導体Ｃ２との距離ｄ１は、例えば３０μｍ程度とすることができる。導体パターンＢ８は、図２及び図３に示されるように、引き出し導体Ｃ２と同一の非磁性体層Ａ７の表面に形成されていると共に、引き出し導体Ｃ２と一体的に形成されていないものとなっている。導体パターンＢ８と引き出し導体Ｃ２との距離ｄ２は、導体パターンＢ７と引き出し導体Ｃ２との距離ｄ１以上となるように設定されており、例えば４０〜５０μｍ程度とすることができる。
【００２４】
以上のように、第１実施形態においては、直線状の導体パターンＢ１〜Ｂ９が互いに電気的に接続されてコイルＬ１が構成されている。そのため、屈曲している部分が導体パターンＢ１〜Ｂ９に存在しなくなる。その結果、従来の積層型インダクタと比較して、導体パターンが屈曲している部分において発生していた浮遊容量を低減することができ、高周波特性を向上させることが可能となる。
【００２５】
また、第１実施形態においては、導体パターンＢ２，Ｂ３が同一の非磁性体層Ａ４上に形成され、導体パターンＢ４，Ｂ５が同一の非磁性体層Ａ５上に形成され、導体パターンＢ６，Ｂ７が同一の非磁性体層Ａ６上に形成され、導体パターンＢ８，Ｂ９が同一の非磁性体層Ａ７上に形成されている。そして、導体パターンＢ２の他端が導体パターンＢ４の一端と電気的に接続され、導体パターンＢ４の他端が導体パターンＢ３の一端と電気的に接続され、導体パターンＢ３の他端が導体パターンＢ５の一端と電気的に接続され、導体パターンＢ５の他端が導体パターンＢ６の一端と電気的に接続され、導体パターンＢ６の他端が導体パターンＢ８の一端と電気的に接続され、導体パターンＢ８の他端が導体パターンＢ７の一端と電気的に接続され、導体パターンＢ７の他端が導体パターンＢ９の一端と電気的に接続されている。そのため、導体パターンＢ２〜Ｂ９をそれぞれ異なる非磁性体層に形成した場合と比較して、対向方向（積層方向）における積層体１０の厚さ小さくすることができる。その結果、積層型インダクタ１の小型化を図ることが可能となる。
【００２６】
また、第１実施形態においては、導体パターンＢ８と引き出し導体Ｃ２との距離ｄ２が、導体パターンＢ７と引き出し導体Ｃ２との距離ｄ１以上となるように設定されている。そのため、同一の非磁性体層Ａ７の表面に形成されている導体パターンＢ８と引き出し導体Ｃ２とが十分に離間されることとなる。その結果、導体パターンＢ８と引き出し導体Ｃ２との間に生じる浮遊容量についても低減することが可能となる。
【００２７】
また、第１実施形態においては、引き出し導体Ｃ１が、導体パターンＢ１（コイルＬ１の一端）が沿う終端軸線ＰからコイルＬ１の軸心側に向けて（終端軸線Ｐから見て非磁性体層Ａ３の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されていると共に、導体パターンＢ１（コイルＬ１の一端）から非磁性体層Ａ３の端面（外部電極１２）に向かうにつれて幅が広くなっている。そして、引き出し導体Ｃ２が、導体パターンＢ９（コイルＬ１の他端）が沿う終端軸線ＱからコイルＬ１の軸心側に向けて（終端軸線Ｑから見て非磁性体層Ａ７の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されていると共に、導体パターンＢ９（コイルＬ１の他端）から非磁性体層Ａ７の端面（外部電極１４）に向かうにつれて幅が広くなっている。そのため、外部電極１２と引き出し導体Ｃ１との接続信頼性及び外部電極１４と引き出し導体Ｃ２との接続信頼性の向上を図ることが可能となる。また、引き出し導体Ｃ１とコイルＬ１の一端（導体パターンＢ１）との接続部分及び引き出し導体Ｃ２とコイルＬ１の他端（導体パターンＢ９）との接続部分において、電気信号の伝送経路の急激な変化がなくなる。すなわち、インピーダンスと導体の断面積の大きさとが反比例するので、外部電極１２からコイルＬ１の一端（導体パターンＢ１）へと向かうにつれて、引き出し導体Ｃ１のインピーダンスが徐々に高くなると共に、外部電極１４からコイルＬ１の他端（導体パターンＢ９）へと向かうにつれて、引き出し導体Ｃ２のインピーダンスが徐々に高くなる。その結果、インピーダンスマッチングが行われ、電気信号の反射を低減することが可能となる。
【００２８】
また、第１実施形態においては、導体パターンＢ２，Ｂ３が互いに平行となるように非磁性体層Ａ４上に形成され、導体パターンＢ４，Ｂ５が互いに平行となるように非磁性体層Ａ５上に形成され、導体パターンＢ６，Ｂ７が互いに平行となるように非磁性体層Ａ６上に形成され、導体パターンＢ８，Ｂ９が互いに平行となるように非磁性体層Ａ７上に形成されている。そして、導体パターンＢ１〜Ｂ９は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンと直交するように配置されている。そのため、導体パターンＢ２，Ｂ３、導体パターンＢ４，Ｂ５、導体パターンＢ６，Ｂ７及び導体パターンＢ８，Ｂ９のそれぞれが互いに平行でなく、導体パターンＢ１〜Ｂ９が対向方向（積層方向）から見て対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンと直交していない場合と比較して、大きなコイル径を確保することが可能となる。
【００２９】
（第２実施形態）
続いて、図１及び図５を参照して、第２実施形態に係る積層型インダクタ２の構成について説明する。図５は、第２実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体の構成を説明するための分解斜視図である。以下では、第１実施形態に係る積層型インダクタ１との相違点を中心に説明し、重複する説明は省略する。
【００３０】
積層型インダクタ２は、図１に示されるように、略直方体形状の積層体２０と、積層体２０の内部において直線状（略Ｉ字状）の導体パターンＢ１〜Ｂ９及び島状の導体パターンＢ２１がそれぞれ互いに電気的に接続されてなるコイルＬ２とを備える。
【００３１】
積層体２０は、図５に示されるように、非磁性体層Ａ１〜Ａ６，Ａ２１，Ａ２２，Ａ８，Ａ９が積層されることで構成される。非磁性体層Ａ１〜Ａ６，Ａ２１，Ａ２２，Ａ８，Ａ９は、電気絶縁性を有する絶縁体として機能する。実際の積層型インダクタ２では、非磁性体層Ａ１〜Ａ６，Ａ２１，Ａ２２，Ａ８，Ａ９の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００３２】
非磁性体層Ａ２１の表面には、導体パターンＢ８及び導体パターンＢ２１が形成されている。導体パターンＢ２１には、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ８と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ２１の中央は、非磁性体層Ａ２１を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ２１と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ２１は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ２１を介して、対応する導体パターンＢ９の一端と電気的に接続される。
【００３３】
非磁性体層Ａ２２の表面には、導体パターンＢ９及び引き出し導体Ｃ２が形成されている。
【００３４】
以上のように、第２実施形態においては、直線状の導体パターンＢ１〜Ｂ９及び島状の導体パターンＢ２１が互いに電気的に接続されてコイルＬ２が構成されている。そのため、屈曲している部分が導体パターンＢ１〜Ｂ９，Ｂ２１に存在しなくなる。その結果、従来の積層型インダクタと比較して、導体パターンが屈曲している部分において発生していた浮遊容量を低減することができ、高周波特性を向上させることが可能となる。
【００３５】
また、第２実施形態においては、導体パターンＢ２，Ｂ３が同一の非磁性体層Ａ４上に形成され、導体パターンＢ４，Ｂ５が同一の非磁性体層Ａ５上に形成されている。そして、導体パターンＢ２の他端が導体パターンＢ４の一端と電気的に接続され、導体パターンＢ４の他端が導体パターンＢ３の一端と電気的に接続され、導体パターンＢ３の他端が導体パターンＢ５の一端と電気的に接続されている。そのため、導体パターンＢ２〜Ｂ５をそれぞれ異なる非磁性体層に形成した場合と比較して、対向方向（積層方向）における積層体２０の厚さを小さくすることができる。その結果、積層型インダクタ２の小型化を図ることが可能となる。
【００３６】
また、第２実施形態においては、導体パターンＢ２〜Ｂ８，Ｂ２１が引き出し導体Ｃ１，Ｃ２と一体的に形成されておらず、導体パターンＢ２〜Ｂ８，Ｂ２１と引き出し導体Ｃ１，Ｃ２とが異なる非磁性体層に形成されている。そのため、導体パターンＢ２〜Ｂ８，Ｂ２１と引き出し導体Ｃ１，Ｃ２とが十分に離間されることとなる。その結果、導体パターンＢ２〜Ｂ８，Ｂ２１と引き出し導体Ｃ１，Ｃ２との間に生じる浮遊容量についても低減することが可能となる。また、第１実施形態のように、導体パターンＢ８と引き出し導体Ｃ２とが同一の非磁性体層Ａ７の表面に形成されている場合には、導体パターンＢ８と引き出し導体Ｃ２とを十分に離間させるようにして非磁性体層Ａ７上に形成する必要があったが、第２実施形態においては、このような配慮をする必要がなくなる。
【００３７】
また、第２実施形態においては、引き出し導体Ｃ１が、導体パターンＢ１（コイルＬ２の一端）が沿う終端軸線ＰからコイルＬ２の軸心側に向けて（終端軸線Ｐから見て非磁性体層Ａ３の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されていると共に、導体パターンＢ１（コイルＬ２の一端）から非磁性体層Ａ３の端面（外部電極１２）に向かうにつれて幅が広くなっている。そして、引き出し導体Ｃ２が、導体パターンＢ９（コイルＬ２の他端）が沿う終端軸線ＱからコイルＬ２の軸心側に向けて（終端軸線Ｑから見て非磁性体層Ａ２２の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されていると共に、導体パターンＢ９（コイルＬ２の他端）から非磁性体層Ａ２２の端面（外部電極１４）に向かうにつれて幅が広くなっている。そのため、外部電極１２と引き出し導体Ｃ１との接続信頼性及び外部電極１４と引き出し導体Ｃ２との接続信頼性の向上を図ることが可能となる。また、引き出し導体Ｃ１とコイルＬ２の一端（導体パターンＢ１）との接続部分及び引き出し導体Ｃ２とコイルＬ２の他端（導体パターンＢ９）との接続部分において、電気信号の伝送経路の急激な変化がなくなる。すなわち、インピーダンスと導体の断面積の大きさとが反比例するので、外部電極１２からコイルＬ２の一端（導体パターンＢ１）へと向かうにつれて、引き出し導体Ｃ１のインピーダンスが徐々に高くなると共に、外部電極１４からコイルＬ２の他端（導体パターンＢ９）へと向かうにつれて、引き出し導体Ｃ２のインピーダンスが徐々に高くなる。その結果、インピーダンスマッチングが行われ、電気信号の反射を低減することが可能となる。
【００３８】
また、第２実施形態においては、導体パターンＢ２，Ｂ３が互いに平行となるように非磁性体層Ａ４上に形成され、導体パターンＢ４，Ｂ５が互いに平行となるように非磁性体層Ａ５上に形成され、導体パターンＢ６，Ｂ７が互いに平行となるように非磁性体層Ａ６上に形成されている。そして、導体パターンＢ１〜Ｂ９は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンと直交するように配置されている。そのため、導体パターンＢ２，Ｂ３、導体パターンＢ４，Ｂ５及び導体パターンＢ６，Ｂ７のそれぞれが互いに平行でなく、導体パターンＢ１〜Ｂ９が対向方向（積層方向）から見て対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンと直交していない場合と比較して、大きなコイル径を確保することが可能となる。
【００３９】
（第３実施形態）
続いて、図１及び図６を参照して、第３実施形態に係る積層型インダクタ３の構成について説明する。図６は、第３実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体の構成を説明するための分解斜視図である。以下では、第１実施形態に係る積層型インダクタ１との相違点を中心に説明し、重複する説明は省略する。
【００４０】
積層型インダクタ３は、図１に示されるように、略直方体形状の積層体３０と、積層体３０の内部において直線状（略Ｉ字状）の導体パターンＢ１〜Ｂ８，Ｂ３１がそれぞれ互いに電気的に接続されてなるコイルＬ３とを備える。
【００４１】
積層体３０は、図６に示されるように、非磁性体層Ａ１〜Ａ６，Ａ３１，Ａ３２，Ａ８，Ａ９が積層されることで構成される。非磁性体層Ａ１〜Ａ６，Ａ３１，Ａ３２，Ａ８，Ａ９は、電気絶縁性を有する絶縁体として機能する。実際の積層型インダクタ３では、非磁性体層Ａ１〜Ａ６，Ａ３１，Ａ３２，Ａ８，Ａ９の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００４２】
非磁性体層Ａ３１の表面には、導体パターンＢ８，Ｂ３１が形成されている。導体パターンＢ８と導体パターンＢ３１とは、非磁性体層Ａ３１において、積層体３０の積層方向から見て互いに平行となるように配置されている。導体パターンＢ８，Ｂ３１は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンＢ６，Ｂ７と直交するように配置されている。導体パターンＢ３１は、コイルＬ３の他端に位置するように配置されている。導体パターンＢ３１の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ８と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ３１の他端は、非磁性体層Ａ３１を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｄ３１と電気的に接続される。このため、導体パターンＢ３１は、積層された状態で、スルーホール電極Ｄ３１を介して、対応する引き出し導体Ｃ３１と電気的に接続される。
【００４３】
非磁性体層Ａ３２の表面には、引き出し導体Ｃ３１が形成されている。引き出し導体Ｃ３１の一端には、積層された状態でスルーホール電極Ｄ３１と電気的に接続される領域が含まれている。引き出し導体Ｃ３１は、非磁性体層Ａ３２の外部電極１４が形成される側の縁に引き出され、その端部が非磁性体層Ａ３２の端面に露出している。引き出し導体Ｃ３１は、導体パターンＢ９（コイルＬ３の他端）が沿う終端軸線ＱからコイルＬ３の軸心側に向けて（終端軸線Ｑから見て非磁性体層Ａ３２の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されている。引き出し導体Ｃ３１は、導体パターンＢ９（コイルＬ３の他端）から非磁性体層Ａ３２の端面（外部電極１４）に向かうにつれて、幅が広くなっている。
【００４４】
以上のように、第３実施形態においては、直線状の導体パターンＢ１〜Ｂ８，Ｂ３１が互いに電気的に接続されてコイルＬ３が構成されている。そのため、屈曲している部分が導体パターンＢ１〜Ｂ８，Ｂ３１に存在しなくなる。その結果、従来の積層型インダクタと比較して、導体パターンが屈曲している部分において発生していた浮遊容量を低減することができ、高周波特性を向上させることが可能となる。
【００４５】
また、第３実施形態においては、導体パターンＢ２，Ｂ３が同一の非磁性体層Ａ４上に形成され、導体パターンＢ４，Ｂ５が同一の非磁性体層Ａ５上に形成され、導体パターンＢ６，Ｂ７が同一の非磁性体層Ａ６上に形成され、導体パターンＢ８，Ｂ３１が同一の非磁性体層Ａ３１上に形成されている。そして、導体パターンＢ２の他端が導体パターンＢ４の一端と電気的に接続され、導体パターンＢ４の他端が導体パターンＢ３の一端と電気的に接続され、導体パターンＢ３の他端が導体パターンＢ５の一端と電気的に接続され、導体パターンＢ５の他端が導体パターンＢ６の一端と電気的に接続され、導体パターンＢ６の他端が導体パターンＢ８の一端と電気的に接続され、導体パターンＢ８の他端が導体パターンＢ７の一端と電気的に接続され、導体パターンＢ７の他端が導体パターンＢ３１の一端と電気的に接続されることで、コイルＬ３の一部が構成されている。そのため、導体パターンＢ２〜Ｂ８，Ｂ３１をそれぞれ異なる非磁性体層に形成した場合と比較して、対向方向（積層方向）における積層体３０の厚さを小さくすることができる。その結果、積層型インダクタ３の小型化を図ることが可能となる。
【００４６】
また、第３実施形態においては、導体パターンＢ２〜Ｂ８，Ｂ３１が引き出し導体Ｃ１，Ｃ３１と一体的に形成されておらず、導体パターンＢ２〜Ｂ８，Ｂ３１と引き出し導体Ｃ１，Ｃ３１とが異なる非磁性体層に形成されている。そのため、導体パターンＢ２〜Ｂ８，Ｂ３１と引き出し導体Ｃ１，Ｃ３１とが十分に離間されることとなる。その結果、導体パターンＢ２〜Ｂ８，Ｂ３１と引き出し導体Ｃ１，Ｃ３１との間に生じる浮遊容量についても低減することが可能となる。また、第１実施形態のように、導体パターンＢ８と引き出し導体Ｃ２とが同一の非磁性体層Ａ７の表面に形成されている場合には、導体パターンＢ８と引き出し導体Ｃ２とを十分に離間させるようにして非磁性体層Ａ７上に形成する必要があったが、第３実施形態においては、このような配慮をする必要がなくなる。
【００４７】
また、第３実施形態においては、引き出し導体Ｃ１が、導体パターンＢ１（コイルＬ３の一端）が沿う終端軸線ＰからコイルＬ３の軸心側に向けて（終端軸線Ｐから見て非磁性体層Ａ３の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されていると共に、導体パターンＢ１（コイルＬ３の一端）から非磁性体層Ａ３の端面（外部電極１２）に向かうにつれて幅が広くなっている。そして、引き出し導体Ｃ３１が、導体パターンＢ３１（コイルＬ３の他端）が沿う終端軸線ＱからコイルＬ３の軸心側に向けて（終端軸線Ｑから見て非磁性体層Ａ３２の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されていると共に、導体パターンＢ３１（コイルＬ３の他端）から非磁性体層Ａ３２の端面（外部電極１４）に向かうにつれて幅が広くなっている。そのため、外部電極１２と引き出し導体Ｃ１との接続信頼性及び外部電極１４と引き出し導体Ｃ３１との接続信頼性の向上を図ることが可能となる。また、引き出し導体Ｃ１とコイルＬ３の一端（導体パターンＢ１）との接続部分及び引き出し導体Ｃ３１とコイルＬ３の他端（導体パターンＢ３１）との接続部分において、電気信号の伝送経路の急激な変化がなくなる。すなわち、インピーダンスと導体の断面積の大きさとが反比例するので、外部電極１２からコイルＬ３の一端（導体パターンＢ１）へと向かうにつれて、引き出し導体Ｃ１のインピーダンスが徐々に高くなると共に、外部電極１４からコイルＬ３の他端（導体パターンＢ３１）へと向かうにつれて、引き出し導体Ｃ３１のインピーダンスが徐々に高くなる。その結果、インピーダンスマッチングが行われ、電気信号の反射を低減することが可能となる。
【００４８】
また、第３実施形態においては、引き出し導体Ｃ３１が導体パターンＢ１〜Ｂ８，Ｂ３１と一体的に形成されていない。そのため、引き出し導体Ｃ３１が導体パターンＢ１〜Ｂ８，Ｂ３１のいずれかと一体的に形成されている場合と比較して、引き出し導体Ｃ３１と導体パターンとの接続部分において屈曲が存在しなくなるので、浮遊容量をより低減することが可能となる。
【００４９】
また、第３実施形態においては、導体パターンＢ２，Ｂ３が互いに平行となるように非磁性体層Ａ４上に形成され、導体パターンＢ４，Ｂ５が互いに平行となるように非磁性体層Ａ５上に形成され、導体パターンＢ６，Ｂ７が互いに平行となるように非磁性体層Ａ６上に形成され、導体パターンＢ８，Ｂ３１が互いに平行となるように非磁性体層Ａ３１上に形成されている。そして、導体パターンＢ１〜Ｂ８，Ｂ３１は、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンと直交するように配置されている。そのため、導体パターンＢ２，Ｂ３、導体パターンＢ４，Ｂ５、導体パターンＢ６，Ｂ７及び導体パターンＢ８，Ｂ３１のそれぞれが互いに平行でなく、導体パターンＢ１〜Ｂ８，Ｂ３１が対向方向（積層方向）から見て対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンと直交していない場合と比較して、大きなコイル径を確保することが可能となる。
【００５０】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、第１実施形態において、引き出し導体Ｃ２と導体パターンＢ８との距離ｄ２が導体パターンＢ７と引き出し導体Ｃ２との距離ｄ１以上となるように設定されていれば、引き出し導体Ｃ２を種々の形状とすることができる。具体的には、図７（ａ）に示されるように、第１実施形態に係る積層型インダクタ１における引き出し導体Ｃ２と比較して、導体パターンＢ９（コイルＬ１の他端）が沿う終端軸線ＱからコイルＬ１の軸心側に向けて（終端軸線Ｑから見て非磁性体層Ａ７の遠い方の縁に向けて）延びる引き出し導体Ｃ４１の長さを短くすることで、引き出し導体Ｃ４１と導体パターンＢ８との距離ｄ３を導体パターンＢ７と引き出し導体Ｃ２との距離ｄ１以上となるように設定してもよい。また、図７（ｂ）に示されるように、引き出し導体Ｃ４２の導体パターンＢ８と向かい合う辺を非磁性体層Ａ７の端面（外部電極１４）に向けて凸となるように湾曲させつつ、導体パターンＢ９（コイルＬ１の他端）から非磁性体層Ａ７の端面（外部電極１４）に向かうにつれて導体パターンＣ４２の幅が広くなるようにすることで、引き出し導体Ｃ４２と導体パターンＢ８との距離ｄ４が導体パターンＢ７と引き出し導体Ｃ２との距離ｄ１以上となるように設定してもよい。
【００５１】
また、第１〜第３実施形態では、引き出し導体Ｃ１が、導体パターンＢ１（コイルＬ１〜Ｌ３の一端）が沿う終端軸線ＰからコイルＬ１の軸心側に向けて（終端軸線Ｐから見て非磁性体層Ａ３の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されており、引き出し導体Ｃ２，Ｃ３１が、導体パターンＢ９，Ｂ３１（コイルＬ１〜Ｌ３の他端）が沿う終端軸線ＱからコイルＬ１〜Ｌ３の軸心側に向けて（終端軸線Ｑから見て非磁性体層Ａ７，Ａ２２，Ａ３２の遠い方の縁に向けて）延びるように形成されていたが、これに限られない。すなわち、引き出し導体Ｃ１が、導体パターンＢ１（コイルＬ１〜Ｌ３の一端）が沿う終端軸線ＰからコイルＬ１の軸心と反対側に向けて（終端軸線Ｐから見て非磁性体層Ａ３の近い方の縁に向けて）延びるように形成されていてもよく、引き出し導体Ｃ２，Ｃ３１が、導体パターンＢ９，Ｂ３１（コイルＬ１〜Ｌ３の他端）が沿う終端軸線ＱからコイルＬ１〜Ｌ３の軸心と反対側に向けて（終端軸線Ｑから見て非磁性体層Ａ７，Ａ２２，Ａ３２の近い方の縁に向けて）延びるように形成されていてもよい。また、引き出し導体Ｃ１が、導体パターンＢ１（コイルＬ１〜Ｌ３の一端）が沿う終端軸線Ｐを挟んで両側に向けて延びるように形成されていてもよく、引き出し導体Ｃ２，Ｃ３１が、導体パターンＢ９，Ｂ３１（コイルＬ１〜Ｌ３の他端）が沿う終端軸線Ｑを挟んで両側に向けて延びるように形成されていてもよい。さらに、引き出し導体Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３１が直線状（略Ｉ字状）となるようにそれぞれ形成されていてもよい。
【００５２】
また、第１〜第３実施形態では、導体パターンＢ１〜Ｂ９及び導体パターンＢ１〜Ｂ８，Ｂ３１が、対向方向（積層方向）から見て、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターンと直交するように配置されていたが、対向方向（積層方向）に隣り合う導体パターン同士が交差するように導体パターンＢ１〜Ｂ９及び導体パターンＢ１〜Ｂ８，Ｂ３１が配置されていてもよい。
【００５３】
また、第１〜第３実施形態では、引き出し導体Ｃ１と導体パターンＢ１とが一体的に形成されていたが、引き出し導体Ｃ１と導体パターンＢ１とを一体的に形成せずに異なる非磁性体層上に形成してもよい。また、第１実施形態では、引き出し導体Ｃ２と導体パターンＢ９とが一体的に形成されていたが、引き出し導体Ｃ２と導体パターンＢ９とを一体的に形成せずに異なる非磁性体層上に形成してもよい。
【００５４】
また、第１〜第３実施形態では、非磁性体層を積層することで積層体１０，２０，３０を構成していたが、磁性体層を積層することで積層体を構成してもよい。磁性体層は、例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト又はＮｉ−Ｃｕ系フェライト等のフェライトを用いて形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】第１〜第４実施形態に係る積層型インダクタを示す斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体の構成を説明するための分解斜視図である。
【図３】第１実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体を構成している一の非磁性体層を示す正面図である。
【図４】第１実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体の上面透視図である。
【図５】第２実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体の構成を説明するための分解斜視図である。
【図６】第３実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体の構成を説明するための分解斜視図である。
【図７】第４実施形態に係る積層型インダクタが備える積層体を構成している一の非磁性体層を示す正面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１〜３…積層型インダクタ、１０，２０，３０…積層体、１２，１４…外部電極、Ａ１〜Ａ９，Ａ２１，Ａ２２，Ａ３１，Ａ３２…非磁性体層、Ｂ１〜Ｂ９，Ｂ２１，Ｂ３１…導体パターン、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３１，Ｃ４１，Ｃ４２…引き出し導体、Ｄ１〜Ｄ８，Ｄ２１，Ｄ３１…スルーホール電極、ｄ１〜ｄ４…距離、Ｌ１〜Ｌ３…コイル、Ｐ，Ｑ…終端軸線。
【図１】
2008078226.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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