(57)【要約】【課題】層間の接続信頼性が高く、生産性、経済性に優れる配線層間の層間接続を有する半導体パッケージ多層基板の製造方法を提供する。【解決手段】半導体パッケージ多層基板の製造方法において、金属層の一の面に、導電性を有する突起物１３を形成する工程と、突起物１３が形成された一の面に、第一の絶縁樹脂層１４を形成する工程と、第一の絶縁樹脂層１４の上に第二の配線層１５を形成する工程と、金属層の他の面をパターニングして第一の配線層１８を形成する工程と、外部接続端子部１６，１９を除いた第一の配線層１８及び第二の配線層１５の上に、それぞれ第二の絶縁樹脂層２０を形成する工程と、外部接続端子部１６，１９に拡散防止層２１、貴金属メッキ層２２を形成する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図９
2008078309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージ多層基板の製造方法において、
金属層の一の面に、導電性を有する突起物を形成する工程と、
前記突起物が形成された前記一の面に、第一の絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記第一の絶縁樹脂層の上に第二の配線層を形成する工程と、
前記金属層の他の面をパターニングして第一の配線層を形成する工程と、
外部接続端子部を除いた前記第一の配線層及び前記第二の配線層の上に、それぞれ第二の絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記外部接続端子部に拡散防止層、貴金属メッキ層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体パッケージ多層基板の製造方法。
【請求項２】
前記突起物は、前記一の面からの突出高さが前記第一の絶縁樹脂層の厚さよりも高くなることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法。
【請求項３】
前記突起物は、前記第一の絶縁樹脂層の上面から前記突起物の頂部までの高さが前記第二の絶縁樹脂層の厚さよりも低くなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法。
【請求項４】
前記突起物は、エッチング工法、メッキ工法の化学的処理により形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法。
【請求項５】
前記突起物は、印刷方式により形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法。
【請求項６】
前記突起物の底面の形状は、円形または正多角形であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法。
【請求項７】
前記突起物の底面における直径、または中心点を通る対角線長さは、前記突起物の高さよりも長くなることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法。
【請求項８】
前記突起物の頂部には、前記突起物の底面に平行な平面部が形成され、前記平面部における直径、または中心点を通る対角線長さは、前記底面における直径、または中心点を通る対角線長さよりも短くなることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法。
【請求項９】
前記第一の絶縁樹脂層の上面を、化学的表面処理、物理的表面処理により粗化することを特徴とした請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第一の絶縁樹脂層を積層後、前記突起物の頂部が露出するまで当該第一の絶縁樹脂層を除去する工程を有することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第二の配線層は、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、アデティブ法、セミアデティブ法、ダイレクトメッキ法、又はそれらを組み合わせた方法によって形成されることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置に使用される半導体パッケージの製造方法に関し、特に生産性、経済性、接続信頼性を向上させた半導体パッケージ多層基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型軽量化及び高機能化に伴い、使用される半導体パッケージの配線密度もさらに増加する傾向にある。この半導体パッケージの配線密度を増加させる手段としては、配線層の微細化だけでは限界があり十分とは言えない。そこで、絶縁樹脂層を介して配線層を積層するとともに、これら配線層間にある絶縁樹脂層に層間接続構造を設けて配線層を立体的に接続させることにより、配線密度をさらに増加させた半導体パッケージ多層基板が注目されている。
【０００３】
従来、このような半導体パッケージ多層基板においては、ポリイミドフィルムなどからなる絶縁樹脂層にＣＯレーザーなどを用いて貫通孔であるビアホールを設け、このビアホールの壁面に銅めっき膜を形成し、絶縁樹脂層の両表面に設けられた配線層を立体的に層間接続している（例えば特許文献１参照）。この層間接続方法はめっきスルーホール法と呼ばれ、最も一般的な層間接続方法である。めっきスルーホール法は、絶縁性を有するビアホールの壁面を無電解めっきにより導体化処理する工程と、電解めっきにより銅の厚付けめっきを行う工程との二つの大きな工程からなる。このようなめっきスルーホール法の特徴としては、ビアホール内の銅めっき膜とビアホールが形成されている絶縁樹脂層との熱膨張率が略同一であるため、スルーホール内の銅めっき膜と絶縁膜との熱膨張率の差に起因したこれらの接合界面の剥離がなく、熱に対する接続信頼性に優れていることが挙げられる。
【０００４】
また、配線層の形成後にビアホール内に半田ペーストを印刷して溶融固化する方法等が提案されている（例えば特許文献２参照）。この層間接続方法の特徴としては、上記のめっきスルーホール法と比較して簡略なプロセスで層間接続を行えるため生産性が高いこと、配線層の形成後に層間接続を施すために配線層の銅箔の厚みに関して何ら影響を与えず配線層の微細化を阻害することがないこと、が挙げられる。
【特許文献１】特開平５−１７５６３６号公報
【特許文献２】特開平７−１７６８４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述のめっきスルーホール法においては、銅の厚付けめっきを施した場合には、ビアホール内の銅めっき膜の厚みだけでなく配線層の原材料である銅箔の厚みも増加させてしまうため、その後のエッチング処理による配線層の微細化が難しくなるという問題があった。また、絶縁樹脂層にレーザーによってビアホールを形成し、ビアホールの壁面に銅めっき膜を形成し、メッキ法によって絶縁樹脂層の両面に設けられた配線層を立体的に層間接続するため、生産性もあまり良くなく、且つプロセスが長大であるため経済性に劣る。 
【０００６】
また、配線層の形成後にビアホール内に半田ペーストを印刷して溶融固化する方法においては、半田をビアホール内に配置した後に加熱すると、半田の熱膨張率が絶縁樹脂層の熱膨張率と比較して大きいため、ビアホール内の半田が絶縁樹脂層以上に熱膨張する。このため、この熱膨張の差に起因して絶縁樹脂層表面の配線層と半田との接合界面が剥離するおそれが有る。このように、半田を用いた層間接続方法は、熱による接続信頼性が十分でないという問題があった。
【０００７】
以上のように、従来のめっきスルーホール法による半導体パッケージ多層基板の層間接続は、接続信頼性に優れるものの、配線層の微細化と生産性において問題があり、また、半田を用いた層間接続方法は、上記めっきスルーホール法において問題となる配線層の微細化と生産性の向上は図れるものの、接続信頼性に問題があった。
【０００８】
したがって、半導体パッケージ多層基板の層間接続において高い接続信頼性を有するとともに、高い生産性、経済性を備えた半導体パッケージ多層基板の製造方法が要求されていた。 
【０００９】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、層間の接続信頼性が高く、生産性、経済性に優れる配線層間の層間接続を有する半導体パッケージ多層基板の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者等は、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ね、本発明の半導体パッケージ多層基板の製造方法を提案する。
【００１１】
請求項１に係る発明は、半導体パッケージ多層基板の製造方法において、金属層の一の面に、導電性を有する突起物を形成する工程と、前記突起物が形成された前記一の面に、第一の絶縁樹脂層を形成する工程と、前記第一の絶縁樹脂層の上に第二の配線層を形成する工程と、前記金属層の他の面をパターニングして第一の配線層を形成する工程と、外部接続端子部を除いた前記第一の配線層及び前記第二の配線層の上に、それぞれ第二の絶縁樹脂層を形成する工程と、前記外部接続端子部に拡散防止層、貴金属メッキ層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージ多層基板の製造方法である。
【００１２】
この半導体パッケージ多層基板の製造方法によれば、ビアホールの形成と絶縁樹脂層両面との層間接続が同時に行えるため、生産性を大幅に向上させることが可能となる。また層間接続の機能を有する導電性を有した突起物は、メッキ工法だけでなく、エッチング工法、印刷工法を用いることができるため、大面積にて一括に形成することが可能である。このため、タクトタイムの大幅な削減、工程数の削減により、生産性、経済性を大幅に向上することが可能となる。また、絶縁樹脂層の熱膨張率に近接した熱膨張率を有した導電性を持つ突起物を選択、形成することで層間接続での接続信頼性の高い半導体パッケージ多層基板を製造することが可能である。
【００１３】
請求項２に係る発明は、前記突起物は、前記一の面からの突出高さが前記第一の絶縁樹脂層の厚さよりも高くなることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法である。
この半導体パッケージ多層基板の製造方法によれば、絶縁樹脂層両面の配線層の層間接続は導電性を有する突起物がその機能を果たしており、その突起物の頂部が確実に絶縁樹脂層から露出していることで、絶縁樹脂層両面の配線層の接続信頼性が向上する。
【００１４】
請求項３に係る発明は、前記突起物は、前記第一の絶縁樹脂層の上面から前記突起物の頂部までの高さが、前記第二の絶縁樹脂層の厚さよりも低くなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法である。
この半導体パッケージ多層基板の製造方法によれば、絶縁樹脂層形成後の絶縁樹脂層の上面から前記突起物の頂部までの高さが、前記絶縁樹脂層の絶縁樹脂層厚よりも低いことにより、導電性を持つ突起物が外部に露出することがなくなり、電気的信頼性を十分に保つことが可能となる。
【００１５】
請求項４に係る発明は、前記突起物は、エッチング工法、メッキ工法の化学的処理により形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法である。
この半導体パッケージ多層基板の製造方法によれば、エッチング工法、メッキ工法を用いることで、広幅により一括で導電性を有する突起物を形成することが可能となる。
【００１６】
請求項５に係る発明は、前記突起物は、印刷方式により形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法である。
この半導体パッケージ多層基板の製造方法によれば、スクリーン印刷工法、インクジェット印刷工法等の印刷方式を用いることで、広幅により一括で導電性を有する突起物を形成することが可能となる。
【００１７】
請求項６に係る発明は、前記突起物の底面の形状は、円形または正多角形であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法である。
この半導体パッケージ多層基板の製造方法によれば、導電性を有する突起物の底面の形状を円形または多角形に制御することで、一方向からの外力により変形、破断等が起きにくくなり、全方向からの外力に対して耐性を持つことが可能となる。
【００１８】
請求項７に係る発明は、前記突起物の底面における直径、または中心点を通る対角線長さは、前記突起物の高さよりも長くなることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法である。
この半導体パッケージ多層基板の製造方法によれば、導電性を有する突起物の底面における直径、または中心点を通る対角線長さが前記突起物の高さよりも短くなることによって、金属層との接触面積と突起物の高さとのバランスが取れ、より接続信頼性の高い半導体パッケージ多層基板を製造することが可能となる。なお、導電性を有する突起物の底面における直径、または中心点を通る対角線長さが前記突起物の高さよりも長くなると、突起物形成時の不均一性、また絶縁樹脂層形成時の突起物の変形、破断による接続信頼性の低下が懸念されるので、前述のように構成することが好ましい。
【００１９】
請求項８に係る発明は、前記突起物の頂部には、前記突起物の底面に平行な平面部が形成され、前記平面部における直径、または中心点を通る対角線長さは、前記底面における直径、または中心点を通る対角線長さよりも短くなることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法である。
この半導体パッケージ多層基板の製造方法によれば、導電性を有する突起物の頂部に平面部が形成されているので、この突起物の上方に積層される配線層との接続信頼性を向上させることができる。さらに、突起物間のスペースが確保され、効率良く絶縁性樹脂層を積層させることができる。
【００２０】
請求項９に係る発明は、前記第一の絶縁樹脂層の上面を、化学的表面処理、物理的表面処理により粗化することを特徴とした請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法である。
この半導体パッケージ多層基板の製造方法によれば、絶縁樹脂層を化学的表面処理、物理的表面処理により粗化することにより、配線層と絶縁樹脂層との密着性がより向上することになり、配線層の信頼性が向上する。
【００２１】
請求項１０に係る発明は、前記第一の絶縁樹脂層を積層後、前記突起物の頂部が露出するまで当該第一の絶縁樹脂層を除去する工程を有することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法である。
この半導体パッケージ多層基板の製造方法によれば、導電性を有する突起物の頂部に形成された第一の絶縁樹脂層を除去するので、配線層との接続信頼性が更に向上する。また、前記突起物の頂部を露出させる際に、第一の絶縁樹脂層の表面も粗化されることになり、配線層と絶縁樹脂層との密着性がより向上する。
【００２２】
請求項１１に係る発明は、前記第二の配線層は、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、アデティブ法、セミアデティブ法、ダイレクトメッキ法、又はそれらを組み合わせた方法によって形成されることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれかに記載の半導体パッケージ多層基板の製造方法である。
この半導体パッケージ多層基板の製造方法によれば、第二の配線層を、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、アデティブ法、セミアデティブ法、又はそれらを組み合わせた方法によって形成することにより、広幅により一括で配線層を形成することが可能となる。特に、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法においては、一括に第二の配線層を形成することができ、メッキ工程が不要となり、大幅な生産性、経済性の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、導電性を有する突起物を金属層の一の面に形成することで、ビアホールの形成及び絶縁樹脂層両面との層間接続が同時に行えるため、生産性、経済性を大幅に向上させることができる。
また、層間接続の機能を有する導電性を有する突起物は、メッキ工法だけでなく、エッチング工法、印刷工法を用いて形成することが可能である。そのため、広幅、大面積にて一括に突起物を形成することが可能であり、生産性の大幅な向上、また工程数の削減により経済性を大幅に向上することができる。
これに加えて、工程内にて、突起物の頂部に形成された第一の絶縁樹脂層を化学的表面処理、物理的表面処理により除去することにより、配線層と突起物との接続信頼性を更に向上させることができる。
また、第一の絶縁樹脂層の表面を粗化することにより、配線層と絶縁樹脂層との密着性がより向上し、配線層の信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に本発明の実施の形態について添付した図面を参照して説明する。
本実施形態である半導体パッケージ多層基板の製造方法は、
（Ａ）金属層１１の一の面１１Ａに導電性を有する突起物１３を形成する突起物形成工程と、
（Ｂ）突起物１３が形成された金属層１１の一の面１１Ａに第１絶縁樹脂層１４を形成する第１絶縁樹脂層形成工程と、
（Ｃ）第１絶縁樹脂層１４を、前記突起物１３の頂部が露出するまで除去する第１絶縁樹脂層除去工程と、
（Ｄ）第１絶縁樹脂層１４の上に第２配線層１５を形成する第２配線層形成工程と、
（Ｅ）金属層１１の他の面１１Ｂに第１配線層１８を形成する第１配線層形成工程と、
（Ｆ）第１配線層１８、第２配線層１５の表面にそれぞれ第２絶縁樹脂層２０を形成する第２絶縁樹脂層形成工程と、
（Ｇ）外部端子部（半田ボール接続端子パターン１６及びボンディングパッドパターン１９）に拡散防止層２１、貴金属メッキ層２２を形成する外部端子部被膜工程と、
を有している。
【００２５】
（Ａ）突起物形成工程
金属層１１の一の面１１Ａ上に層間の接続をとる為の導電性を有する突起物１３を形成するには、（１）エッチング工法、（２）印刷工法、（３）メッキ工法の３つの工法が考えられる。
（１）エッチング工法
まず、図１（ａ）に示すように、層厚が２５〜１００μｍの金属層１１を準備し、金属層１１の一の面１１Ａに、感光性樹脂層１２により突起物１３に対応したパターンを形成する。次に、図１（ｂ）に示すように、ハーフエッチング処理を行い、前記感光性樹脂層１２が形成されていない部分を所定深さまで除去する。最後に、図１（ｃ）に示すように、感光性樹脂層１２を剥離して、突起物１３を形成する。
（２）印刷工法
図２に示すように、層厚が５〜２０μｍの金属層１１を準備し、金属層１１の一の面１１Ａに、スクリーン印刷、インクジェット印刷等の印刷方式により突起物１３を直接形成する。
（３）メッキ工法
図３（ａ）に示すように、層厚が５〜２０μｍの金属層１１を準備し、金属層１１の一の面１１Ａに、感光性樹脂層１２により、形成する突起物１３と逆のパターンを形成する。次に、図３（ｂ）に示すように、電解メッキ又は無電解メッキにより突起物１３を形成する。最後に、図３（ｃ）に示すように、感光性樹脂層１２を剥離する。
【００２６】
ここで、金属層１１としては、具体的に銅、銅合金、アルミニウム等を使用することができる。また、突起物１３を形成した後において、突起物１３を除いた金属層１１の厚さは５〜２０μｍとすることが望ましい。金属層１１の厚さが５μｍ以下では、強度の観点から、搬送時に伸び、破断等の不良を生じる原因となる。また、金属層１１の厚さが２０μｍ以上であると、ファインなパターンを形成することが難しくなる。
【００２７】
また、突起物１３の高さとしては１５〜９０μｍの範囲が望ましく、更には３０〜６０μｍの範囲が望ましい。１５μｍ以下であると、以下の工程で形成される第１絶縁樹脂層１４の層厚が大きく制限されてしまう。また、突起物１３の底面の直径、又は突起物１３の底面の中心を通る最長径は３０〜１０００μｍの範囲が望ましく、更には５０〜３５０μｍの範囲が望ましい。上記の突起物１３の高さと突起物１３の底面の直径、又は突起物１３の底面の中心を通る最長径の組み合わせは、第１絶縁樹脂層２１の厚さ、ビアホールピッチ等を考慮して、適宜設定することが望ましい。
【００２８】
さらに、突起部１３の形状は、頂部の直径または対角線長さよりも、底面の直径または対角線長さが大きいことが望ましく、概略円錐形及び角錐形とすることが好ましい。さらには、接続信頼性を向上させるために、円錐形及び角錐形の頂部に、底面と平行な平面部１３Ａを設けた、いわゆる円錐台、角錐台形状であることが好ましい。
【００２９】
（Ｂ）第１絶縁樹脂層形成工程
次に、図４に示すように、突起物１３を形成した金属層１１の一の面１１Ａに、第１絶縁樹脂層１４を形成する。第１絶縁樹脂層１４の形成方法としては、スリットコート法、スプレーコーティング法、キャスティング法、ディップ法、ダイコート法、ロールコート法等が挙げられる。第１絶縁樹脂層１４としては、具体的にポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシアクリル系樹脂を使用することができる。なお、後述する第１絶縁樹脂層除去工程における取り扱い性を考慮すると、第１絶縁樹脂層１４として、液状のものを印刷又はコーティングすることが好ましい。
【００３０】
ここで、第１絶縁樹脂層１４の層厚は、１０〜２００μｍの範囲が望ましく、更には２５〜５０μｍの範囲が望ましい。第１絶縁樹脂層１４の厚さが１０μｍ以下では、第１絶縁樹脂層１４両面の層間の絶縁性を保持することが困難であるとともに、第１絶縁樹脂層１４を形成する際にバラつきが生じる原因となる。一方、第１絶縁樹脂層１４の厚さが２００μｍ以上であると、搬送時において、ロール半径の小さいロール部にてスムーズな搬送が行えないおそれがある。
【００３１】
（Ｃ）第１絶縁樹脂層除去工程
次に、図５に示すように、突起物１３の上に形成されている第１絶縁樹脂層１４を除去して、突起物１３の頂部を露出させる。また、同時に第１絶縁樹脂層１４の表面の粗化を行う。
第１絶縁樹脂層１４の除去方法としては、具体的には物理的処理方法としてブラスティング法、化学的処理方法としては過マンガン酸カリウム水溶液による化学研磨等が挙げられる。ブラスティング法としては、ドライブラスティング法とウエットブラスティング法が挙げられる。また研磨粉としては、代表的なものとしてアルミナ、炭化珪素を用いることができる。また過マンガン酸カリウム水溶液及び水酸化ナトリウム水溶液を加えた過マンガン酸カリウム水溶液を用いることができる。
【００３２】
ここで、第１絶縁樹脂層１４として液状のものを印刷又はコーティングすることにより、ブラスティング法で第１絶縁樹脂層１４を除去する際に、突起物１３の頂部以外の部分を比較的水平に保った状態で第１絶縁樹脂層１４の一部を除去することができる。このため、マスキング等の前処理を行うことなく、確実に突起物１３の頂部が露出するように第１絶縁樹脂層１４を除去することができる。
【００３３】
（Ｄ）第２配線層形成工程
続いて、図６に示すように、第１絶縁樹脂層１４の上に第２配線層１５と半田ボール接続端子パターン１６とを形成する。第２配線層１５及び半田ボール接続端子パターン１６の形成方法としては、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、アデティブ法、セミアデティブ法、又はそれらを組み合わせた方法によって形成することができる。詳しくは、スクリーン印刷による一括配線形成法、インクジェット印刷による導電性ペーストを用いた配線シード層印刷、更にシード層を基にした電解メッキによる配線層形成法、また一般的なアデティブ法、セミアデティブ法を用いたメッキによる配線層形成法が挙げられる。第２配線層１５、半田ボール接続端子パターン１６の層厚としては、５〜２０μｍの範囲が望ましい。第２配線層１５及び半田ボール接続端子パターン１６の厚さが５μｍ以下では、強度の観点から搬送時に伸び、破断等の不良を生じる原因となる。また、第２配線層１５及び半田ボール接続端子パターン１６の厚さが２０μｍ以上であると、可とう性の低下によるクラック等が生じやすくなる。
【００３４】
（Ｅ）第１配線層形成工程
次に、金属層１１の他の面１１Ｂに感光性樹脂層１７を形成する。感光性樹脂層１７に、図７（ａ）に示すように、第１配線層１８のパターン及びボンディングパッドパターン１９を形成する。そして、金属層１１をエッチングすることで、図７（ｂ）に示すように、第１配線層１８及びボンディングパッドパターン１９が形成される。ここで、エッチング液としては、一般的な塩化第２鉄液、塩化第２銅液などを使用することができる。
【００３５】
（Ｆ）第２絶縁樹脂層形成工程
続いて、図８に示すように、半田ボール接続端子パターン１６及びボンディングパッドパターン１９を除いた第１配線層１８、第２配線層１５上に、それぞれ第２絶縁樹脂層２０を形成する。第２絶縁樹脂層２０としては、熱硬化型絶縁樹脂、感光性絶縁樹脂を使用することができる。熱硬化型絶縁樹脂の具体例として、熱硬化型エポキシ系樹脂、熱硬化型アクリル系樹脂、熱硬化型エポキシアクリル系樹脂等が挙げられる。また、感光性絶縁樹脂の具体例として、感光性ポリイミド、感光性エポキシ系樹脂、感光性アクリル系樹脂、感光性エポキシアクリル系樹脂等が挙げられる。
また、第２絶縁樹脂層２０の厚さとしては、１０〜４０μｍの範囲が好ましい。第２絶縁樹脂層２０の厚さが１０μｍ以下であると、外部からの吸湿、埃等から第１配線層１８、第２配線層１５を保護することが難しくなり、信頼性を低下させる要因となる。一方、第２絶縁樹脂層２０の厚さが４０μｍ以上であると、第２絶縁樹脂層２０の可とう性が低下し、クラック等が発生し信頼性を低下させる要因となる。
【００３６】
（Ｇ）外部端子部被膜工程
最後に、図９に示すように、半田ボール接続端子パターン１６、ボンディングパッドパターン１９に拡散防止層２１及び貴金属メッキ層２２を形成する。拡散防止層２１としては、錫、銀、ニッケル、白金等が挙げられる。また貴金属メッキ層２２としては、白金、金などが挙げられる。
このような工程を経て、半導体パッケージ多層基板を製造することができる。
【００３７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、第２配線層形成工程においては、第１絶縁樹脂層１４の上に直接、第２配線層１５の配線パターンを形成しても良いし、第１絶縁樹脂層１４の上に第２金属層を設けて、この第２金属層をパターニングして第２配線層１５を形成しても良い。
【実施例１】
【００３８】
以下に、本発明の半導体パッケージの製造方法について実施例を挙げてより具体的に説明する。
最初に、厚さ７０μｍの銅箔（古河サーキットフォイル製  ＧＴＳ−ＭＰ）の片面に、フォトリソグラフィー技術によって円錐台状の突起物を形成した。詳しくは、銅箔の片面にドライフィルムレジスト（旭化成製 ＡＱ１０５８）を形成し、露光、現像によりビアホールパターンに対応した円形パターンを形成した。続いて、パターニングされたドライフィルムレジストをマスクとして、銅箔層を塩化第２鉄液によりエッチングした後、ドライフィルムレジストを５％水酸化ナトリウム水溶液により剥離した。これにより形成される突起物の高さは５８μｍ、突起物底面の直径は２００μｍ、突起物のピッチは３５０μｍ、突起物以外の銅箔の厚さは１２μｍに調整した。
【００３９】
続いて、突起物の形成された銅箔面に、熱硬化型絶縁樹脂（太陽インキ製造（株） Ｓ−５００  Ｆ５３４）をキャスティングにより形成した。その後、熱硬化型絶縁樹脂を硬化させる為に、熱風オーブンにて１５０℃、３０ｍｉｎ熱キュアを行った。これにより形成される感光性絶縁樹脂の厚さは５０μｍに調整した。
続いて、ブラスティングにより突起物の上部の感光性絶縁樹脂を除去し、突起物の頂部を露出した。加えて感光性絶縁樹脂面を粗化した。ブラスティングについては、ウエットブラスト装置（マコー（株））を用いて、粒度１．５±１．０μｍで揃ったアルミナのスラリー懸濁水溶液をスプレーした。その時の処理エアー圧力は０．１５ＭＰａとした。
【００４０】
次に、感光性絶縁樹脂上に、スクリーン印刷により配線パターン、半田ボール搭載部パターンを導電性ペーストにより形成した。導電ペーストにはＡｇペースト（大研化学工業（株） ＣＡ−２５０３）、スクリーンにはＷＬ−ＣＳＰ再配線印刷用サスペンドメタルマスク（ソノコム（株））、印刷機にはＬＳ−３４ＴＶＡ（ニューロング精密工業（株））を使用した。その後２００℃３０ｍｉｎ熱処理により硬化した。その時の比抵抗値は２５μΩ・ｃｍであった。
【００４１】
続いて、突起物の形成された面とは反対側の銅箔面にドライフィルムレジスト（日立化成(株) ＲＹ−３３１０）を形成し、配線パターン、ボンディングパッドパターンをパターンニングし、続いてパターニングされたドライフィルムレジストをマスクとして、銅箔層を塩化第２鉄液によりエッチングした後、ドライフィルムレジストを５％水酸化ナトリウム水溶液により剥離した。
【００４２】
最後に、ボンディングパッドパターン部、半田ボール搭載部を除いた配線パターン両面に熱硬化型絶縁樹脂（アサヒ化学研究所（株）  ＣＣＲ−２４０ＧＳ）をスクリーン印刷により形成し、１３０℃１ｈ熱処理により硬化した。その時の熱硬化型絶縁樹脂の層厚は２０μｍに調節した。その後露出したボンディングパッドパターン部、半田ボール搭載部に電解メッキによりニッケルメッキ、金メッキを形成することで半導体パッケージ多層基板を製造することができた。
【実施例２】
【００４３】
最初に、厚さ１２μｍの銅箔（日本電解（株） ＵＳＬＰ）の片面に、導電ペーストを用いてスクリーン印刷により円錐台状の突起物を形成した。導電ペーストにはＣｕペースト（太陽インキ製造（株）ＶＩ−８９０２）、スクリーンにはサブストレートバンプ用メタルマスク（ソノコム（株））、印刷機にはＭＫ−８３８−ＳＶＭ（ミナミ（株））を使用した。スクリーン印刷後、１５０℃３０ｍｉｎ熱風循環式乾燥炉にて硬化した。その時形成された突起物の高さは３５μｍ、突起物底面の直径は７５μｍ、突起物のパターンピッチは１２０μｍに調節した。
【００４４】
続いて、突起物の形成された銅箔面に、熱硬化型絶縁樹脂（太陽インキ製造製  ＨＢＩ−２００ＢＫ１）をスリットコートより形成した。その後、熱硬化型絶縁樹脂を硬化させる為に、熱風オーブンにて１１０℃２０ｍｉｎにて仮硬化、１５０℃３０ｍｉｎにて本硬化した。これにより形成された熱硬化型絶縁樹脂の厚さは２５μｍに調整した。
続いて、室温の過マンガン酸カリウム水溶液によりディッピングにて、突起物の上部の熱硬化型絶縁樹脂を除去し、加えて熱硬化型絶縁樹脂表面を粗化した。
【００４５】
次に、熱硬化型絶縁樹脂上に、配線パターン、半田ボール搭載部パターンをダイレクトメッキ工法により形成し、その後電解めっきによりめっきアップすることにより配線パターン、半田ボール搭載部パターンを形成した。詳しくは、ドライフィルムレジスト（日立化成(株) ＲＹ−３３１０）に所望するパターンに対して反転したパターンを形成した。  次に、ダイレクトメッキ液（日本マクダーミッド ブラックホール）によりディッピングにてカーボン処理を行った。続いて、ドライフィルムレジストを５％水酸化ナトリウム水溶液により剥離した。そして、カーボン処理されたパターンを電解めっきにより成長させ、所望の配線、半田ボール搭載部パターンを形成した。
【００４６】
続いて、突起物の形成された面とは反対側の銅箔面に、ドライフィルムレジスト（日立化成(株) ＲＹ−３３１０）を形成し、配線パターン、ボンディングパッドパターンをパターンニングし、続いてパターニングされたドライフィルムレジストをマスクとして、銅箔層を塩化第２鉄液によりエッチングした後、ドライフィルムレジストを５％水酸化ナトリウム水溶液により剥離した。
【００４７】
最後に、配線パターン両面に感光性絶縁樹脂フィルム（ニチゴーモートン（株）  ４０Ｓ１０５Ｅ）を熱圧着ラミネーターにより形成した。ボンディングパッドパターン部、半田ボール搭載部上の感光性絶縁樹脂を露光、現像により露出した。その時の感光性絶縁樹脂の層厚は３５μｍにであった。その後、露出したボンディングパッドパターン部、半田ボール搭載部に電解メッキによりニッケルメッキ、金メッキを形成することで半導体パッケージ多層基板を製造することができた。
【実施例３】
【００４８】
最初に、厚さ１２μｍの銅箔（古河電気（株） Ｆ２−ＷＳ）の片面に、電解めっき工法によって円錐台状の突起物を形成した。詳しくは銅箔の片面にドライフィルムレジスト（旭化成製 ＡＱ４０５８）を形成し、露光、現像によりビアホールパターンに対して反転したパターンを形成した。続いてパターニングされたドライフィルムレジストをマスクとして、銅箔層を電解めっきによりめっきアップした。その後ドライフィルムレジストを５％水酸化ナトリウム水溶液により剥離した。これにより形成された突起物の高さは６０μｍ、突起物底面の直径は３００μｍ、突起物のピッチは４００μｍに調整した。
【００４９】
続いて、突起物の形成された銅箔面に、熱硬化型絶縁樹脂（太陽インキ製造製  ＨＢＩ−２００ＢＫ１）をスプレーコーティングより形成した。その後、熱硬化型絶縁樹脂を硬化させる為に、熱風オーブンにて１１０℃２０ｍｉｎにて仮硬化、１５０℃３０ｍｉｎにて本硬化した。これにより形成された熱硬化型絶縁樹脂の厚さは５０μｍに調整した。
続いて、ブラスティングにより突起物の上部の感光性絶縁樹脂を除去し、加えて感光性絶縁樹脂面を粗化した。ブラスティングについては、ウエットブラスト装置（マコー（株））を用いて、粒度１．５±１．０μｍで揃ったアルミナのスラリー懸濁水溶液をスプレーした。その時の処理エアー圧力は０．１５ＭＰａとした。
【００５０】
次に、熱硬化型絶縁樹脂上に、配線パターン、半田ボール搭載部パターンをダイレクトメッキ工法により形成し、その後電解めっきによりめっきアップすることにより配線パターン、半田ボール搭載部パターンを形成した。詳しくは、ドライフィルムレジスト（日立化成(株) ＲＹ−３３１０）に所望するパターンと逆のパターンを形成した。次に、ダイレクトメッキ液（日本マクダーミッド ブラックホール）によりディッピングにてカーボン処理を行った。続いて、ドライフィルムレジストを５％水酸化ナトリウム水溶液により剥離した。そして、カーボン処理されたパターンを電解めっきにより成長させ、所望の配線、半田ボール搭載部パターンを形成した。
【００５１】
続いて、突起物の形成された面とは反対側の銅箔面にドライフィルムレジスト（日立化成(株) ＲＹ−３３１０）を形成し、配線パターン、ボンディングパッドパターンをパターンニングし、続いてパターニングされたドライフィルムレジストをマスクとして、銅箔層を塩化第２鉄液によりエッチングした後、ドライフィルムレジストを５％水酸化ナトリウム水溶液により剥離した。
【００５２】
最後に、配線パターン両面に感光性絶縁樹脂フィルム（ニチゴーモートン（株）  ４０Ｓ１０５Ｅ）を熱圧着ラミネーターにより形成した。ボンディングパッドパターン部、半田ボール搭載部上の感光性絶縁樹脂を露光、現像により露出した。その時の感光性絶縁樹脂の層厚は３５μｍであった。その後露出したボンディングパッドパターン部、半田ボール搭載部に電解メッキによりニッケルメッキ、金メッキを形成することで半導体パッケージ多層基板を製造することができた。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施形態である半導体パッケージ多層基板の製造方法において、突起物を形成するエッチング工法の説明図である。
【図２】突起物を形成する印刷工法の説明図である。
【図３】突起物を形成するメッキ工法の説明図である。
【図４】第１絶縁樹脂層形成工程の説明図である。
【図５】第１絶縁樹脂層除去工程の説明図である。
【図６】第２配線層形成工程の説明図である。
【図７】第１配線層形成工程の説明図である。
【図８】第２絶縁樹脂層形成工程の説明図である。
【図９】外部接続端子部被膜工程の説明図である。
【符号の説明】
【００５４】
１１  金属層
１３  突起物
１４  第１絶縁樹脂層（第一の絶縁樹脂層）
１５  第２配線層（第二の配線層）
１６  半田ボール接続端子パターン（外部接続端子部）
１８  第１配線層（第一の配線層）
１９  ボンディングパッドパターン（外部接続端子部）
２０  第２絶縁樹脂層（第二の絶縁樹脂層）
２１  拡散防止層
２２  貴金属メッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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