(57)【要約】【課題】移動時の配管長さの変化により液の温度変化を抑制すると共に、バタツキや膨らみ等による塵の発生を抑制する複合配管及び複合配管を備える塗布・現像処理装置を提供すること。【解決手段】少なくとも液用管体６１と電気用管体６２を含む複数の管体６１，６２が並列状に固着され、一端が固定設備側の配管連結ブロックに接続され、他端が移動体側のノズルヘッドに接続される複合配管６０において、複数の管体６１，６２を可撓性を有する被覆部材６３にて一体結合し、液用管体６１内に空間を空けて液供給管６４を挿入すると共に、液用管体６１と液供給管６４との空間部６８ａ内に温度調整用流体６５を介在可能に形成する。【選択図】    図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも液用管体と電気用管体を含む複数の管体が並列状に固着され、一端が固定設備側に接続され、他端が移動体側に接続される複合配管であって、
上記複数の管体は可撓性を有する被覆部材にて一体結合され、上記液用管体内に空間を空けて液供給管が挿入されると共に、液用管体と液供給管との空間部内に温度調整用流体が介在可能に形成されている、ことを特徴とする複合配管。
【請求項２】
請求項１記載の複合配管において、
上記管体が伸縮及び可撓性を有する蛇腹状管体であることを特徴とする複合配管。
【請求項３】
請求項１又は２記載の複合配管において、
上記電気用管体内に空間を空けて電気配線が挿入されると共に、電気用管体と電気配線との空間部が、排気手段に接続可能な排気通路を形成する、ことを特徴とする複合配管。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の複合配管において、
少なくとも上記液用管体は、該管体の全周を被覆する被覆部材との間に断熱層が形成されている、ことを特徴とする複合配管。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の複合配管において、
上記被覆部材における管体の配列方向に沿って板状ばね部材が添設されている、ことを特徴とする複合配管。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の複合配管において、
上記被覆部材を移動可能に載置するベース部材を具備し、このベース部材と被覆部材の対向する接触面には、互いに摺動可能に係合する凹条及び凸条が形成されている、ことを特徴とする複合配管。
【請求項７】
請求項１、２又は４に記載の複合配管において、
上記液用管体の端部に、該管体内を流れる液の容積拡大部が設けられている、ことを特徴とする複合配管。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の複合配管を備える塗布・現像処理装置であって、
被処理基板に塗布液を供給して処理を施す塗布処理部と、上記被処理基板に現像液を供給して処理を施す現像処理部を具備し、上記塗布処理部及び現像処理部は、液供給ノズル及び該ノズルの移動手段を具備すると共に、これら液供給ノズル及びノズルの移動手段に上記複合配管の移動体側端部を接続してなる、ことを特徴とする複合配管を備える塗布・現像処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、複合配管及び複合配管を備える塗布・現像処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等の基板の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術においては、基板にフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に所望の回路パターンを形成する、一連の工程によって行われている。
【０００３】
このような処理は、一般に基板にレジスト液を塗布して処理するレジスト塗布処理ユニット、レジスト塗布処理終了後の基板や露光処理後の基板を加熱処理する加熱処理ユニット、加熱処理後の基板を所定温度にまで冷却処理する冷却処理ユニット、基板に現像液を供給して現像処理する現像処理ユニット等が個別に複数備えられた塗布・現像処理装置によって行われている。
【０００４】
また、上記塗布・現像処理装置のレジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニットにおいては、基板にレジスト液，現像液の他にリンス液等の処理液を供給するノズル及びこれらノズルを基板表面側と基板の側方の待機位置との間に移動する移動手段等が設けられている。しかも、ノズルは複数種類のものがセットされ、目的に応じて種類の異なる処理液を基板に供給している。
【０００５】
そのため、上記レジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニットにおいては、複数本の液用管体と電気用管体が移動可能な状態に配設されており、配管の一端は固定設備側に接続され、他端は移動体側すなわちノズル及びノズルの移動手段に接続されている。
【０００６】
ところで、処理の際の配管移動時に配管同士が擦れて配管が損傷を受けることがあり、また、配管の振動によるバタツキや膨らみ等による周辺機器との接触により配管が損傷を受けるなどの問題がある。
【０００７】
上記配管の損傷を防止する手段として、複数の配管を例えば接着剤や熱収縮性のチューブ等で一体的かつ平状に固着したものが知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【特許文献１】特許第２７３５７７３号公報（特許請求の範囲、図２）
【特許文献２】特許第２８０７６２７号公報（特許請求の範囲、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許第２７３５７７３号公報及び特許第２８０７６２７号公報に記載の配管構造において、液用管体を用いた場合には、移動によって配管長さが変化すると、液用管体内を流れる液の温度が変化し、温度管理されている液の配管には使用できないという問題がある。また、複数の配管を接着剤や熱収縮性のチューブ等で固着すると、配管の折り返しの屈曲変形の自由度が拘束され、移動時に配管の折り返し部にバタツキや膨らみ等が生じ、このバタツキや膨らみによって周辺機器と接触して塵を発生する虞がある。
【０００９】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、移動時の配管長さの変化により液の温度変化を抑制すると共に、バタツキや膨らみ等による塵の発生を抑制する複合配管及び複合配管を備える塗布・現像処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、少なくとも液用管体と電気用管体を含む複数の管体が並列状に固着され、一端が固定設備側に接続され、他端が移動体側に接続される複合配管であって、上記複数の管体は可撓性を有する被覆部材にて一体結合され、上記液用管体内に空間を空けて液供給管が挿入されると共に、液用管体と液供給管との空間部内に温度調整用流体が介在可能に形成されている、ことを特徴とする。
【００１１】
このように構成することにより、各管体は可撓性を有する被覆部材にて一体結合されているので、配管の移動時の変形に自由度を持たせることができる。また、液用管体と液供給管との空間部内に温度調整用流体が介在されているので、液供給管内を流れる液体の温度を温度調整用流体によって一定の温度に調整することができる。
【００１２】
この発明において、上記管体は直状の管体であっても差し支えないが、好ましくは伸縮及び可撓性を有する蛇腹状管体である方がよい（請求項２）。
【００１３】
このように構成することにより、管体自体に変形の自由度を持たせることができる。
【００１４】
また、上記電気用管体内には電気配線を単に挿入するようにしてもよいが、好ましくは電気用管体内に空間を空けて電気配線を挿入すると共に、電気用管体と電気配線との空間部に、排気手段に接続可能な排気通路を形成する方がよい（請求項３）。
【００１５】
このように構成することにより、配管の固定設備側に排気手段を接続することで、移動体側に発生したパーティクルやミスト等を排気通路から外部に排出することができる。
【００１６】
また、少なくとも上記液用管体は、該管体の全周を被覆する被覆部材との間に断熱層を形成する方が好ましい（請求項４）。
【００１７】
このように構成することにより、管体内を流れる液体，液供給管内を流れる液体と温度調整用流体が外部の雰囲気温度によって影響を受けるのを防止することができる。
【００１８】
また、上記被覆部材における管体の配列方向に沿って板状ばね部材を添設するようにしてもよい（請求項５）。
【００１９】
このように構成することにより、配管の移動時に配管の折り返し部に生じる配管の振動によるバタツキや膨らみを抑制することができる。
【００２０】
また、上記被覆部材を移動可能に載置するベース部材を具備し、このベース部材と被覆部材の対向する接触面には、互いに摺動可能に係合する凹条及び凸条を形成するようにしてもよい（請求項６）。
【００２１】
このように構成することにより、配管の移動時に被覆部材とベース部材の対向する接触面に設けられた凹条と凸条が互いに摺動して配管の左右のバタツキを抑制することができると共に、移動を円滑にすることができる。
【００２２】
加えて、上記液用管体においては、液用管体の端部に、該管体内を流れる液の容積拡大部を設ける方が好ましい（請求項７）。
【００２３】
このように構成することにより、配管の移動による配管長さの変化に伴う液供給管内を流れる液体の容積変化を容積拡大部によって可変調節することができる。
【００２４】
請求項８記載の発明は、請求項１ないし７のいずれかに記載の複合配管を備える塗布・現像処理装置であって、被処理基板に塗布液を供給して処理を施す塗布処理部と、上記被処理基板に現像液を供給して処理を施す現像処理部を具備し、上記塗布処理部及び現像処理部は、液供給ノズル及びノズルの移動手段を具備すると共に、これら液供給ノズル及びノズルの移動手段に上記複合配管の移動体側端部を接続してなる、ことを特徴とする。
【００２５】
このように構成することにより、塗布処理部及び現像処理部において、処理の際の配管の移動時の変形に自由度を持たせることができる。また、液用管体と液供給管との空間部内に温度調整用流体が介在可能に形成されているので、液供給管内を流れる塗布液，現像液等の処理液の温度を温度調整用流体によって一定の温度に調整することができる。
【発明の効果】
【００２６】
以上に説明したように、この発明の基板搬送処理装置は、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００２７】
（１）請求項１記載の発明によれば、各管体は可撓性を有する被覆部材にて一体結合され、配管の移動時の変形に自由度を持たせることができるので、配管の振動によるバタツキや膨らみ等による塵の発生を抑制することができる。また、液供給管内を流れる液体の温度を温度調整用流体によって一定の温度に調整することができるので、液処理を安定させると共に、処理精度の向上が図れる。
【００２８】
（２）請求項２記載の発明によれば、管体自体に変形の自由度を持たせることができるので、上記（１）に加えて、更に、バタツキや膨らみ等による塵の発生を抑制することができる。
【００２９】
（３）請求項３記載の発明によれば、配管の固定設備側に排気手段を接続することで、移動体側に発生したパーティクルやミスト等を排気通路から外部に排出することができるので、上記（１），（２）に加えて、更に別途に排気用配管を設けることなく、配管に排気機能を持たせることができる。
【００３０】
（４）請求項４記載の発明によれば、管体内を流れる液体，液供給管内を流れる液体と温度調整用流体が外部の雰囲気温度によって影響を受けるのを防止することができるので、上記（１）〜（３）に加えて、更に液処理を安定させると共に、処理精度の向上を図ることができる。
【００３１】
（５）請求項５記載の発明によれば、配管の移動時に配管の折り返し部に生じる配管の振動によるバタツキや膨らみを抑制し、周辺機器との接触を防止することができるので、上記（１）〜（４）に加えて、更に配管移動時における塵の発生を抑制することができる。
【００３２】
（６）請求項６記載の発明によれば、配管の移動時に被覆部材とベース部材の対向する接触面に設けられた凹条と凸条が互いに摺動して配管の左右のバタツキを抑制し、周辺機器との接触を防止することができると共に、移動を円滑にすることができる。したがって、上記（１）〜（５）に加えて、更に配管移動時における塵の発生を抑制することができる。
【００３３】
（７）請求項７記載の発明によれば、配管の移動による配管長さの変化に伴う液供給管内を流れる液体の容積変化を容積拡大部によって可変調節することができるので、上記（１），（２），（４）に加えて、更に液処理を安定できると共に、処理精度の向上が図れる。
【００３４】
（８）請求項８記載の発明によれば、塗布処理部及び現像処理部において、処理の際の配管の移動時の変形に自由度を持たせることができるので、配管の振動によるバタツキや膨らみ等による塵の発生を抑制することができる。また、液用管体と液供給管との空間部内に温度調整用流体が介在可能に形成されているので、液供給管内を流れる塗布液，現像液等の処理液の温度を温度調整用流体によって一定の温度に調整することができる。したがって、塗布・現像処理における処理の安定化が図れると共に、処理精度の向上が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る複合配管を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理装置に適用した場合について説明する。
【００３６】
図１は、上記レジスト塗布・現像処理装置の一例を示す概略平面図、図２は、同概略斜視図、図３は、同概略側面図である。
【００３７】
上記レジスト塗布・現像処理装置は、基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）が例えば２５枚密閉収容されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば５個の単位ブロックＢ１〜Ｂ５を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。
【００３８】
上記キャリアブロックＳ１には、複数個（例えば４個）のキャリア２０を載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、基板収納部を構成する棚ユニットＵ５に設けられた受渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、並びに鉛直軸回りに回転自在に移動自在に構成されている。
【００３９】
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、下段側の２段が現像処理を行うための第１及び第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第１の反射防止膜形成用単位ブロックである第３の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、レジスト液の塗布処理を行うための塗布膜形成用単位ブロックである第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第２の反射防止膜形成用単位ブロックである第５の単位ブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５として割り当てられている。ここで上記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２が現像処理用の単位ブロック、ＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＴＣＴ層Ｂ５が塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。
【００４０】
第１〜第５の単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、前面側に配設され、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、背面側に配設され、上記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱ユニット等の処理ユニットと、前面側に配設される上記液処理ユニットと背面側に配設される加熱ユニット等の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ５と、を備えている。
【００４１】
これら単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上記液処理ユニットと、加熱ユニット等の処理ユニットと、搬送手段との配置レイアウトが同じに形成されている。ここで、配置レイアウトが同じであるとは、各処理ユニットにおけるウエハＷを載置する中心つまり液処理ユニットにおけるウエハＷの保持手段であるスピンチャックの中心や、加熱ユニットにおける加熱プレートや冷却プレートの中心が同じという意味である。
【００４２】
上記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は同様に構成されており、この場合、共通に形成されている。このＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は、図１に示すように、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のほぼ中央には、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の長さ方向（図中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送領域Ｒ１（メインアームＡ１の水平移動領域）が形成されている。
【００４３】
この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、上記液処理ユニットとして、現像処理を行うための複数個の現像処理部を備えた現像ユニット３１が例えば２段設けられている。各単位ブロックは、手前側から奥側に向かって左側に、順に加熱系のユニットを多段化した例えば４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４が設けられており、この図では現像ユニット３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種ユニットを複数段、例えば３段ずつに積層した構成とされている。このようにして上記搬送領域Ｒ１によって現像ユニット３１と棚ユニットＵ１〜Ｕ４が区画されており、搬送領域Ｒ１に洗浄エアを噴出させて排気することにより、当該領域内のパーティクルの浮遊を抑制するようになっている。
【００４４】
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図４に示すように、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＥＢ１）や、現像処理後のウエハＷの水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニット等と呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）等が含まれている。これら加熱ユニット（ＰＥＢ１、ＰＯＳＴ１）等の各処理ユニットは、それぞれ処理容器２６内に収容されており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、上記処理容器２６が３段ずつ積層されて構成され、各処理容器２６の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口２７が形成されている。
【００４５】
上記搬送領域Ｒ１には上記メインアームＡ１が設けられている。このメインアームＡ１は、当該ＤＥＶ層Ｂ１内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニット、現像ユニット３１，棚ユニットＵ５の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【００４６】
なお、メインアームＡ１（Ａ３〜Ａ５）は、同様に構成されており、メインアームＡ１を代表して説明すると、例えば図４に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の湾曲アーム片８１を有するアーム本体８０を備えており、これら湾曲アーム片８１は基台８３に沿って互いに独立して進退自在に構成されている。またこの基台８３は回転機構８４により鉛直軸回りに回転自在に構成されると共に、移動機構８５により、棚ユニットＵ１〜Ｕ４を支持する台部８６の搬送領域Ｒ１に臨む面に取り付けられたＹ軸レール８７に沿ってＹ方向に移動自在、かつ昇降レール８８に沿って昇降自在に構成されている。このようにして湾曲アーム片８１は、Ｘ方向に進退自在，Ｙ方向に移動自在，昇降自在及び鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１〜Ｕ６の各ユニットや受渡しステージＴＲＳ１、液処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このようなメインアームＡ１は、制御部７０からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。また、メインアームＡ１（Ａ３〜Ａ５）の加熱ユニットでの蓄熱を防止するために、ウエハＷの受け取り順番をプログラムで任意に制御できるようになっている。
【００４７】
また、上記塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５は、いずれも同様に構成されており、上述の現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２と同様に構成されている。具体的にＣＯＴ層Ｂ４を例にして図３，図５及び図６を参照して説明すると、液処理ユニットとしてウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行うための塗布ユニット３２が設けられ、ＣＯＴ層Ｂ４の棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、レジスト液塗布後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）や、レジスト液とウエハＷとの密着性を向上させるための疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）を備えており、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２と同様に構成されている。すなわち、塗布ユニット３２と加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）及び疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）とをメインアームＡ４の搬送領域Ｒ４（メインアームＡ４の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、このＣＯＴ層Ｂ４では、メインアームＡ４により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、塗布ユニット３２と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。なお上記疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）は、ＨＭＤＳ雰囲気内でガス処理を行なうものであるが、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５のいずれかに設けられればよい。
【００４８】
また、ＢＣＴ層Ｂ３は、液処理ユニットとして、ウエハＷに対して第１の反射防止膜の形成処理を行うための第１の反射防止膜形成ユニット３３が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＬＨＰ３）を備えており、ＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。すなわち、第１の反射防止膜形成ユニット３３と加熱ユニット（ＣＬＨＰ３）とをメインアームＡ３の搬送領域Ｒ３（メインアームＡ３の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、この第３の単位ブロックＢ３では、メインアームＡ３により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、第１の反射防止膜形成ユニット３３と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００４９】
また、ＴＣＴ層Ｂ５は、液処理ユニットとして、ウエハＷに対して第２の反射防止膜の形成処理を行うための第２の反射防止膜形成ユニット３４が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＬＰＨ５）や、周辺露光装置（ＷＥＥ）を備えている以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。すなわち、第２の反射防止膜形成ユニット３４と加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）及び周辺露光装置（ＷＥＥ）とをメインアームＡ５の搬送領域Ｒ５（メインアームＡ５の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、このＴＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ５により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、第２の反射防止膜形成ユニット３４と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００５０】
また、処理ブロックＳ２には、棚ユニットＵ５に設けられた受渡しステージＴＲＳ２とインターフェイスブロックＳ３側の棚ユニットＵ６との間でウエハＷの受け渡しを行う基板搬送手段であるシャトルアームＡが水平のＹ方向に移動自在及び鉛直のＺ方向に昇降自在に配設されている。
【００５１】
なお、シャトルアームＡの搬送領域と上記メインアームＡ１，Ａ２〜Ａ５の搬送領域Ｒ１，Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ区画されている。
【００５２】
また、処理ブロックＳ２とキャリアブロックＳ１との間の領域は、ウエハＷの受渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１に示すように、トランスファーアームＣとメインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５，シャトルアームＡがアクセスできる位置に基板収納部である棚ユニットＵ５が設けられると共に、この棚ユニットＵ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための基板受渡し手段をなす受渡しアームＤを備えている。この場合、棚ユニットＵ５は、メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５，シャトルアームＡの水平移動方向（Ｙ方向）の軸線上に配置されており、メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５，シャトルアームＡの進退方向（Ｙ方向）に第１の開口部１１を設けると共に、受渡しアームＤの進退方向（Ｘ方向）に第２の開口部１２を設けている。
【００５３】
なお、棚ユニットＵ５の収納ブロック１０ａ〜１０ｄの最下段の第１収納ブロック１０ａには、２段の冷却プレートＣＰＬ９，ＣＰＬ１０が配置され、その上段の第２収納ブロック１０ｂには、２段の冷却プレートＣＰＬ１，ＣＰＬ２と複数の載置棚ＢＵＦ１が配置され、その上段の第３収納ブロック１０ｃには、２段の冷却プレートＣＰＬ３，ＣＰＬ４と複数の載置棚ＢＵＦ２が配置され、そして、その上段すなわち最上段の第４収納ブロック１０ｄには、２段の冷却プレートＣＰＬ５，ＣＰＬ６と複数の載置棚ＢＵＦ３が配置されている。
【００５４】
また、上記処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３の隣接する領域には、図１及び図３に示すように、メインアームＡ１，シャトルアームＡがアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられている。この棚ユニットＵ６は、図３に示すように、各ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のメインアームＡ１との間でウエハＷの受け渡しを行うように、この例では各ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は、２個の受渡しステージＴＲＳ３と、シャトルアームＡとの間でウエハＷの受け渡しを行う冷却機能を有する受渡しステージＩＣＰＬを備えている。
【００５５】
なお、図５はこれら処理ユニットのレイアウトの一例を示すものであって、このレイアウトは便宜上のものであり、処理ユニットは加熱ユニット（ＣＬＨＰ、ＰＥＢ、ＰＯＳＴ），疎水化処理装置（ＡＤＨ），周縁露光装置（ＷＥＥ）に限らず、他の処理ユニットを設けるようにしてもよいし、実際の装置では各処理ユニットの処理時間などを考慮してユニットの設置数が決められる。
【００５６】
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２のＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の棚ユニットＵ６の各部と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＥを備えている。このインターフェイスアームＥは、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この例では、上記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の受渡しステージＴＲＳ３，ＩＣＰＬに対してウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【００５７】
上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理装置では、５段に積層された各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上述の受渡しアームＤにより、それぞれ受渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２を介して、自由にウエハＷの受け渡しを行なうことができると共に、上述のインターフェイスアームＥにより、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２を介して処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるように構成されている。
【００５８】
次に、この発明に係る複合配管を備える処理部例えば塗布ユニット３２，第１の反射防止膜形成ユニット３３及び第２の反射防止膜形成ユニット３４について説明する。
【００５９】
塗布ユニット３２，第１の反射防止膜形成ユニット３３及び第２の反射防止膜形成ユニット３４は、同様に構成されているので、以下に、塗布ユニット３２を代表して、図７及び図８を参照して説明する。
【００６０】
塗布ユニット３２内には、この例では３個の液処理部３５ａ，３５ｂ，３５ｃが横方向（Ｙ方向）に配列した状態で共通の筐体３６の上に設けられている。これら液処理部３５ａ，３５ｂ，３５ｃ（以下に符号３５で代表する）には、ウエハＷの裏面側中央部を吸引吸着して水平に保持するための基板保持部であるスピンチャック３７が具備されている。このスピンチャック３７は軸部３８を介して駆動機構（スピンチャックモータ）３９に接続されており、この駆動機構３９によりウエハＷを保持した状態でスピンチャック３７は回転及び昇降自在に構成されている。
【００６１】
スピンチャック３７に保持されたウエハＷの周縁外側には、このウエハＷを囲むようにして上部側が開口するカップ体４０が設けられている。カップ体４０の側周面上端側は内側に傾斜している。カップ体４０の底部側には凹部状をなす液受け部４１がウエハＷの周縁下方側に全周に渡って外側領域と内側領域とに区画されており、外側領域の底部には貯留した塗布液などのドレインを排出するための排液口４２が設けられ、内側領域の底部には二つの排気口４３ａ，４３ｂが設けられている。また、ウエハＷの下方側には円形板４４が設けられており、この円形板４４の外側を囲むようにしてリング部材４５が設けられている。更に、リング部材４５の外端面には下方に伸びる垂下筒体４６が外側領域内に進入するようにして設けられており、この垂下筒体４６及びリング部材４５の表面を伝って塗布液が外側領域内に案内されるように構成されている。なお、図示は省略するが、ウエハＷに裏面側を支持して昇降可能な昇降ピンが円形板４４を上下に貫通して設けられており、この昇降ピンとメインアームＡ１〜Ａ５との協働作用によりスピンチャック３７へのウエハＷの受け渡しが可能なように構成されている。
【００６２】
また、図９に示すように、塗布ユニット３２には、３個の液処理部３５ａ，３５ｂ，３５ｃに対して薬液を供給するための複数の供給ノズル４７を有するノズルヘッド４８と、このノズルヘッド４８のノズル駆動機構４９が設けられている。ノズル駆動機構４９は、ノズルヘッド４８を垂直方向（Ｚ方向）に昇降自在、及び塗布ユニット３２の長さ方向（Ｙ方向）に沿って設けられたガイドレール５０によりＹ方向に移動自在に構成されている。
【００６３】
また、各液処理部３５ａ，３５ｂ，３５ｃにおけるカップ体４０の外方近傍位置には、サイドリンス機構５１が設けられている。このサイドリンス機構５１は、Ｌ字状に屈曲したリンスノズル５２と、このリンスノズル５２を昇降自在及び回転自在に駆動させる駆動部５３とで構成されている。
【００６４】
上記のように構成された塗布ユニット３２におけるノズルヘッド４８及びノズル駆動機構４９には、この発明に係る複合配管６０の一端が接続されている。複合配管６０は筐体３６の側方に沿って配設され、他端が固定設備側の配管連結ブロック５４に接続されている。
【００６５】
この場合、複合配管６０は、図１０に示すように、ノズルヘッド４８に接続する２本の液用管体６１と、ノズル駆動機構４９に接続する１本の電気用管体６２が可撓性を有する例えば合成ゴム製の被覆部材６３にて並列状に一体結合されている。
【００６６】
２本の液用管体６１内には、それぞれ空間を空けて６本の液供給管６４が挿入されており、液用管体６１と液供給管６４との空間部６８ａに温度調整用流体６５が介在（流通）するように構成されている。この場合、温度調整用流体６５は、例えば図示しない温度調整機構によって所定の温度に温度調整された温調水等を使用することができる。なお、１２本の液供給管６４のうちの１１本の液供給管６４には塗布液としてのレジスト液Ｒが流通し、残りの１本の液供給管６４にはレジストの溶剤であるシンナーＴが流通するようになっている。このように液用管体６１と液供給管６４との空間部６８ａに温度調整用流体６５を介在（流通）することにより、処理に供されるレジスト液やシンナーが所定の温度に温度調整される。
【００６７】
また、電気用管体６２内には、空間を空けて複数本（図では４本の場合を示す）の電気配線６６が挿入されており、電気用管体６２と電気配線６６との空間部６８ｂが、排気手段（図示せず）に接続可能な排気通路を形成している。このように電気用管体６２と電気配線６６との空間部６８ｂを排気通路にして、排気手段に接続することにより、処理中に処理部側に発生する塵，パーティクルやミスト等を装置の外部側に排出することができる。
【００６８】
なお、この場合、各管体６１，６２は、可撓性を有するものであれば直状の管部材にて形成してもよいが、好ましくは伸縮及び可撓性を有する例えば合成樹脂製の蛇腹状管部材６７にて形成する方がよい。このように管体６１，６２を伸縮及び可撓性を有する蛇腹状管部材６７にて形成することにより、配管移動時に配管の屈曲変形の自由度を持たせることができる。したがって、可撓性を有する被覆部材６３と伸縮及び可撓性を有する蛇腹状管部材６７の相乗効果により、配管移動時に複合配管６０の折り返し部の振動や膨らみを抑制することができる。
【００６９】
なお、複合配管６０の一端側すなわちノズルヘッド４８とノズル駆動機構４９に接続する近傍部位には、供給ノズル４７の待機状態と処理状態によって変形する複合配管６０の折り返し部の自由度を上げると共に、上下の移動を規制するためのケーブルベア９０が取り付けられている。このケーブルベア９０は、図１１に示すように、一方向に回動可能に連接する複数のリンクプレート９１からなる対峙する一対の側枠９２と、側枠９２の一端側に取り付けられ、３本の管体６１，６１，６２を移動可能に保持する２分割された合成ゴム製の上、下保持部材９３ａ，９３ｂとを具備し、側枠９２及び保持部材９３ａ，９３ｂの上下部に配設された板部材９４，９５を連結ねじ９６によって固定されている。なお、ケーブルベア９０には、管体６１，６１，６２の上下部に、ケーブルベア９０と管体６１，６１，６２との擦れを防止する例えばフッ素樹脂製の保護板（図示せず）が取り付けられている。
【００７０】
上記のように構成されるケーブルベア９０を複合配管６０の折り返し部に取り付けることにより、配管移動時に折り返し部が上下に振動するのを抑制することができると共に、折り返し部の膨らみを抑制することができる。
【００７１】
上記説明では、この発明に係る複合配管６０を塗布ユニット３２に使用した場合について説明したが、現像ユニット３１においても同様に使用することができる。すなわち、現像ユニット３１の複数例えば３つの液処理部における図示しない液例えば現像液，リンス液等の供給ノズルを有するノズルブロックと、該供給ノズルの移動機構に一端が接続し、他端が固定設備側に接続する複合配管６０Ａを使用することができる。
【００７２】
この場合、複合配管６０Ａは、図１２に示すように、ノズルブロックに接続する３本の液用管体６１ａ，６１ｂ，６１ｃと、ノズル移動機構に接続する３本の電気用管体６２が可撓性を有する例えば合成ゴム製の被覆部材６３にて並列状に一体結合されている。
【００７３】
この場合、３本のうちの２本の液用管体６１ａ，６１ｂ内には例えば現像液Ｄが流通可能になっており、残りの１本の液用管体６１ｃ内には、空間を空けて２本の例えば現像液Ｄ，リンス液ＤＩＷ等の薬液が流通可能な液供給管６４Ａが挿入されており、液用管体６１ｃと液供給管６４Ａとの空間部６８ａに温度調整用流体６５が介在（流通）するように構成されている。このように液用管体６１ｃと液供給管６４Ａとの空間部６８ａに温度調整用流体６５が介在（流通）することにより、処理に供される現像液Ｄやリンス液ＤＩＷが所定の温度に温度調整される。
【００７４】
また、３本の電気用管体６２内には、それぞれ空間を空けて複数本（図では５本の場合を示す）の電気配線６６が挿入されており、電気用管体６２と電気配線６６との空間部６８ｂが、排気手段（図示せず）に接続可能な排気通路を形成している。このように電気用管体６２と電気配線６６との空間部６８ｂを排気通路にして、排気手段に接続することにより、処理中に処理部側に発生する塵，パーティクルやミスト等を装置の外部側に排出することができる。
【００７５】
なお、現像ユニット３１に使用される複合配管６０Ａにおけるその他の部分は、塗布ユニット３２に使用される複合配管６０と同様に形成されているので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００７６】
上記のように構成される複合配管６０，６０Ａにおいて、少なくとも液用管体は断熱構造とする方が好ましい。すなわち、上記複合配管６０Ａで説明すると、液用管体６１ａ，６１ｃと、この液用管体６１ａ，６１ｃの全周を被覆する被覆部材６３との間に、可撓性及び断熱性を有する例えばウレタンゴム，ウレタン樹脂材からなる断熱層６９を形成する方が好ましい（図１３（ａ），（ｂ）参照）。このように液用管体６１ａ，６１ｃと被覆部材６３との間に断熱層６９を形成することにより、液用管体６１ａ内及び液供給管６４内を流れる薬液が外部の雰囲気温度によって影響を受けるのを防止することができる。
【００７７】
上記実施形態では、複合配管６０，６０Ａの折り返し部にケーブルベア９０を取り付けて、配管移動時の複合配管６０，６０Ａの振動や膨らみを抑制する場合について説明したが、ケーブルベア９０を取り付けずに、配管移動時の複合配管６０，６０Ａの振動や膨らみを抑制することも可能である。例えば、図１４に示すように、複数の管体すなわち蛇腹状管部材６７の下端部側を一体結合する被覆部材６３Ａにおける管体６７（蛇腹状管部材）の配列方向に沿って板状ばね部材１００を埋設して添設した複合配管６０Ｂを形成することによって、折り返し部の振動によるバタツキや膨らみを抑制することができる。
【００７８】
また、図１５に示すように、複数の蛇腹状管部材６７の下端部側を一体結合する被覆部材６３Ｂを移動可能に載置するベース部材２００を設け、このベース部材２００と被覆部材６３Ｂの対向する接触面において、被覆部材６３Ｂの接触面の中央部に、管体６７（蛇腹状管部材）の長手方向に沿う凸条２０１を設け、ベース部材２００の接触面の中央部に、凸条２０１を摺動可能に係合する凹条２０２を長手方向に沿って設けて、複合配管６０Ｃを形成してもよい。このように構成することにより、複合配管６０Ｃの左右のバタツキを抑制することができると共に、移動を円滑にすることができる。
【００７９】
なお、上記凸条２０１と凹条２０２を逆に設けてもよい。すなわち、被覆部材６３Ｂの接触面に凹条２０２を設け、ベース部材２００の接触面に凸条２０１を設けてもよい。
【００８０】
なお、図１４及び図１５では、被覆部材６３Ａ，６３Ｂは管体Ａの一部を被覆する場合について説明したが、被覆部材６３Ａ，６３Ｂは管体Ａの全周を被覆する構造であってもよい。この場合、少なくとも管体が液用管体である場合は管体と被覆部材との間に可撓性を有する断熱層を形成してもよい。
【００８１】
また、上記複合配管６０，６０Ａにおいて、液用管体６１，６１ａ，６１ｂ，６１ｃが接続する固定設備側に、管体６１，６１ａ，６１ｂ，６１ｃ内を流れる液の容積拡大部であるバッファ部３００が接続されている。このように管体６１，６１ａ，６１ｂ，６１ｃをバッファ部３００に接続することにより、配管の移動時に配管の長さが変化して管体６１，６１ａ，６１ｂ，６１ｃ内を流れる液が容積変化により脈動するのをバッファ部３００によって可変調節して抑制することができる。これによりレジスト液，現像液及びリンス液等の供給を安定化することができる。
【００８２】
次に、上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理装置におけるウエハＷの処理手順について説明する。
【００８３】
＜反射防止膜無しの処理形態＞
まず、外部からキャリア２０が載置台２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣにより、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１に搬送された後、受渡しアームＤにより棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３まで搬送され、この冷却プレートＣＰＬ３を介してＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４に受け渡される。そして、ウエハＷは、メインアームＡ４によって疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）に搬送されて疎水化処理された後、再び棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ４に搬送されて、所定温度に調整される。次に、メインアームＡ４によって棚ユニットＵ５から取り出されたウエハＷは、塗布ユニット３２に搬送されて、塗布ユニット３２においてレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウエハＷは、メインアームＡ４によって加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）に搬送されて、溶剤をレジスト膜から蒸発させるためのプリベークが施される。その後、ウエハＷは、メインアームＡ４によって棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２上に収納されて一時待機し、その後、受渡しアームＤが棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２に進入してウエハＷを受け取り、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ２に受け渡す。続いてシャトルアームＡにより棚ユニットＵ６の受渡しステージＩＣＰＬに搬送される。次いで受渡しステージＩＣＰＬのウエハＷは、インターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
【００８４】
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＥにより、ＤＥＶ層Ｂ１（又はＤＥＶ層Ｂ２）にウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ３に搬送され、このステージＴＲＳ３上のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）のメインアームＡ１に受け取られ、当該ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）にて、まず、加熱ユニット（ＰＥＢ１）で加熱処理された後、メインアームＡ１によって棚ユニットＵ６の冷却プレートＣＰＬ７（ＣＰＬ８）に搬送されて、所定温度に調整される。次いで、ウエハＷは、メインアームＡ１によって棚ユニットＵ６から取り出されて現像ユニット３１に搬送されて、現像液が塗布される。その後、メインアームＡ１によって加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）に搬送され、所定の現像処理が行われる。このようにして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ５の第１収納ブロック１０ａの冷却プレートＣＰＬ９（ＣＰＬ１０）に搬送されて所定温度に調整された後、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００８５】
＜レジスト膜の下側に反射防止膜を形成する処理形態＞
まず、外部からキャリア２０が載置台２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣから受渡しアームＤに受け渡された後、受渡しアームＤにより棚ユニットＵ５の第２収納ブロック１０ｂの冷却プレートＣＰＬ１まで搬送され、この冷却プレートＣＰＬ１を介してＢＣＴ層Ｂ３のメインアームＡ３に受け渡される。
【００８６】
そしてＢＣＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、第１の反射防止膜形成ユニット３３→加熱ユニット（ＣＬＨＰ３）→棚ユニットＵ５の第２収納ブロック１０ｂの載置棚ＢＵＦ１の順序で搬送されて、第１の反射防止膜が形成される。第２収納ブロック１０ｂ内の載置棚ＢＵＦ１に載置されたウエハＷは、受渡しアームＤによって第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３（ＣＰＬ４）に搬送されて、所定温度に温度調整される。
【００８７】
続いて第３収納ブロック１０ｃのウエハＷはメインアームＡ３により、塗布ユニット３２→加熱ユニットＣＬＨＰ４→棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２の順序で搬送されて、第１の反射防止膜の上層にレジスト膜が形成される。
【００８８】
その後、受渡しアームＤが棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２に進入してウエハＷを受け取り、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ２に受け渡す。続いてシャトルアームＡにより棚ユニットＵ６の受渡しステージＩＣＰＬに搬送される。続いて受渡しステージＩＣＰＬのウエハＷは、インターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
【００８９】
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＥにより、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ３→加熱ユニット（ＰＥＢ１）→棚ユニットＵ６の冷却プレートＣＰＬ７（ＣＰＬ８）→現像ユニット３１→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）に搬送され、所定の現像処理が行われる。このようにして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ５の第１収納ブロック１０ａの冷却プレートＣＰＬ９（ＣＰＬ１０）に搬送されて所定温度に調整された後、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００９０】
＜レジスト膜の上側に反射防止膜を形成する処理形態＞
まず、外部からキャリア２０が載置台２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣにより、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１に搬送された後、受渡しアームＤにより、棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３まで搬送され、この冷却プレートＣＰＬ３を介してＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４に受け渡される。そして、ウエハＷは、メインアームＡ４により、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ４に搬送されて、所定温度に調整される。次に、メインアームＡ４によって棚ユニットＵ５から取り出されたウエハＷは、塗布ユニット３２に搬送されて、塗布ユニット３２においてレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウエハＷは、メインアームＡ４によって加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）に搬送されて、溶剤をレジスト膜から蒸発させるためのプリベークが施される。その後、ウエハＷは、メインアームＡ４によって棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２上に収納されて一時待機する。
【００９１】
続いて第３収納ブロック１０ｃのウエハＷは、受渡しアームＤによって棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｄの冷却プレートＣＰＬ５（ＣＰＬ６）に搬送されて、所定温度に温度調整された後、メインアームＡ５によりＴＣＴ層Ｂ５のメインアームＡ５に受け渡される。そして、ＴＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ５により、第２の反射防止膜形成ユニット３４→加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）→棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ３の順序で搬送されて、第２の反射防止膜が形成される。なお、この場合、加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）による加熱処理後に周辺露光装置（ＷＥＥ）に搬送して、周辺露光処理を行った後に、棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ３に搬送してもよい。
【００９２】
その後、受渡しアームＤが棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｄの載置棚ＢＵＦ３に進入してウエハＷを受け取り、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ２に受け渡す。続いてシャトルアームＡにより棚ユニットＵ６の受渡しステージＩＣＰＬに搬送される。続いて受渡しステージＩＣＰＬのウエハＷは、インターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
【００９３】
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＥにより、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ３→加熱ユニット（ＰＥＢ１）→棚ユニットＵ６の冷却プレートＣＰＬ７（ＣＰＬ８）→現像ユニット３１→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）に搬送され、所定の現像処理が行われる。このようにして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ５の第１収納ブロック１０ａの冷却プレートＣＰＬ９（ＣＰＬ１０）に搬送されて所定温度に調整された後、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００９４】
＜レジスト膜の下側及び上側に反射防止膜を形成する処理形態＞
レジスト膜の下側及び上側に反射防止膜を形成する場合は、上述したレジスト膜の下側に反射防止膜を形成する搬送処理とレジスト膜の下側に反射防止膜を形成する搬送処理とを組み合わせてレジスト膜の下側及び上側に反射防止膜を形成することができる。すなわち、まず、外部からキャリア２０が載置台２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出され、受渡しアームＤに受け渡された後、受渡しアームＤにより棚ユニットＵ５の第２収納ブロック１０ｂの冷却プレートＣＰＬ１まで搬送され、この冷却プレートＣＰＬ１を介してＢＣＴ層Ｂ３のメインアームＡ３に受け渡される。
【００９５】
そしてＢＣＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、第１の反射防止膜形成ユニット３３→加熱ユニット（ＣＬＨＰ３）→棚ユニットＵ５の第２収納ブロック１０ｂの載置棚ＢＵＦ１の順序で搬送されて、第１の反射防止膜が形成される。第２収納ブロック１０ｂ内の載置棚ＢＵＦ１に載置されたウエハＷは、受渡しアームＤによって第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３（ＣＰＬ４）に搬送されて、所定温度に温度調整される。
【００９６】
続いて第３収納ブロック１０ｃのウエハＷはメインアームＡ３により、塗布ユニット３２→加熱ユニットＣＬＨＰ４→棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２の順序で搬送されて、第１の反射防止膜の上層にレジスト膜が形成される。
【００９７】
続いて第３収納ブロック１０ｃのウエハＷは、受渡しアームＤによって棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｄの冷却プレートＣＰＬ５（ＣＰＬ６）に搬送されて、所定温度に温度調整された後、メインアームＡ５によりＴＣＴ層Ｂ５のメインアームＡ５に受け渡される。そして、ＴＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ５により、第２の反射防止膜形成ユニット３４→加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）→棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ３の順序で搬送されて、レジスト膜の上層に第２の反射防止膜が形成される。なお、この場合、加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）による加熱処理後に周辺露光装置（ＷＥＥ）に搬送して、周辺露光処理を行った後に、棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ３に搬送してもよい。
【００９８】
その後、受渡しアームＤが棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｄの載置棚ＢＵＦ３に進入してウエハＷを受け取り、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ２に受け渡す。続いてシャトルアームＡにより棚ユニットＵ６の受渡しステージＩＣＰＬに搬送される。続いて受渡しステージＩＣＰＬのウエハＷは、インターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
【００９９】
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＥにより、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ３→加熱ユニット（ＰＥＢ１）→棚ユニットＵ６の冷却プレートＣＰＬ７（ＣＰＬ８）→現像ユニット３１→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）に搬送され、所定の現像処理が行われる。このようにして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ５の第１収納ブロック１０ａの冷却プレートＣＰＬ９（ＣＰＬ１０）に搬送されて所定温度に調整された後、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【０１００】
以上において、上述の塗布・現像処理装置は、各処理ユニットのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のスケジュール管理や、各処理ユニットにおける処理や、メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５、トランスファーアームＣ、受渡しアームＤ、インターフェイスアームＥの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部７０を備えており、この制御部７０にて、単位ブロックＢ１〜Ｂ５を使用してウエハＷを搬送させ、処理が行われるようになっている。
【０１０１】
上記搬送フローのスケジュールは単位ブロック内のウエハＷの搬送経路（搬送の順番）を指定したものであり、単位ブロックＢ１〜Ｂ５毎に、形成する塗布膜の種類に応じて作成され、これにより単位ブロックＢ１〜Ｂ５毎に複数個の搬送フローのスケジュールが制御部７０に格納されている。
【０１０２】
また、形成する塗布膜によって、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５にウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）とレジスト液の塗布を行なう単位ブロック（ＣＯＴ層Ｂ４）と第１の反射防止膜を形成するための単位ブロック（ＢＣＴ層Ｂ３）とにウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）とレジスト液の塗布を行なう単位ブロック（ＣＯＴ層Ｂ４）と第２の反射防止膜を形成するための単位ブロック（ＴＣＴ層Ｂ５）とにウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）のみにウエハＷを搬送するモードとがあり、制御部７０のモード選択手段により、形成しようとする塗布膜の種類に応じてウエハＷを搬送する単位ブロックを選択すると共に、かつ選択された単位ブロック毎に用意された複数の搬送フローのスケジュールから最適なレシピを選択することにより、形成する塗布膜に応じて使用する単位ブロックが選択されて、当該単位ブロックでは、各処理ユニットやアームの駆動が制御され、一連の処理が行われるようになっている。
【０１０３】
このような塗布・現像処理装置では、各塗布膜形成用の単位ブロックと、現像処理用の単位ブロックとを異なるエリアに設け、それぞれに専用のメインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５及びシャトルアームＡを設けたので、これらアームＡ１，Ａ３〜Ａ５及びＡの負荷が軽減する。このためアームＡ１，Ａ３〜Ａ５及びＡの搬送効率が向上するので、効果としてスループットを高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】この発明に係る複合配管を備えるレジスト塗布・現像処理装置の一例を示す概略平面図である。
【図２】上記レジスト塗布・現像処理装置の概略斜視図である。
【図３】上記レジスト塗布・現像処理装置の概略側断面図である。
【図４】この発明における処理ブロックの単位ブロック（ＤＥＶ層）を示す概略斜視図である。
【図５】この発明における処理ブロックの処理ユニットの一例を示す概略断面図である。
【図６】この発明における処理ブロックの単位ブロック（ＣＯＴ層）を示す概略平面図である。
【図７】上記単位ブロック（ＣＯＴ層）の平面図である。
【図８】上記単位ブロック（ＣＯＴ層）の塗布処理部の概略断面図である。
【図９】上記塗布処理部におけるこの発明に係る複合配管の接続状態を示す概略斜視図である。
【図１０】上記複合配管の断面図（ａ）及び（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図（ｂ）である。
【図１１】上記複合配管の折り返し部を示す斜視図である。
【図１２】上記単位ブロック（ＤＥＶ層）の現像処理部における複合配管を示す断面図である。
【図１３】この発明における処理ブロックの処理ユニットの一例を示す概略断面図である。
【図１４】別の複合配管を示す要部斜視図（ａ）及び（ａ）のII−II線に沿う断面図（ｂ）である。
【図１５】更に別の複合配管を示す要部斜視図（ａ）及び（ａ）のIII−III線に沿う断面図（ｂ）である。
【図１６】容積拡大部（バッファ部）を具備する複合配管を示す概略側面図である。
【符号の説明】
【０１０５】
Ｗ  半導体ウエハ（被処理基板）
Ｂ１，Ｂ２  第１，第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）
Ｂ３  第３の単位ブロック（ＢＣＴ層）
Ｂ４  第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）
Ｂ５  第５の単位ブロック（ＴＣＴ層）
Ｓ１  キャリアブロック
Ｓ２  処理ブロック
３１  現像ユニット（処理ユニット）
３２  塗布ユニット（処理ユニット）
３３  第１の反射防止膜形成ユニット（処理ユニット）
３４  第２の反射防止膜形成ユニット（処理ユニット）
３５，３５ａ〜３５ｃ  液処理部
４７  供給ノズル
４８  ノズルヘッド
４９  ノズル駆動機構
５４  配管連結ブロック（固定設備側）
６０，６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ  複合配管
６１，６１ａ〜６１ｃ  液用管体
６２  電気用管体
６３，６３Ａ  被覆部材
６４，６４Ａ  液供給管
６５  温度調整流体
６６  電気配線
６７  蛇腹状管部材
６８ａ  空間部
６８ｂ  空間部（排気通路）
６９  断熱層
１００  板状ばね部材
２００  ベース部材
２０１  凸条
２０２  凹条
３００  バッファ部（容積拡大部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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