(57)【要約】【課題】パネル内に残留する不純ガスに起因する駆動特性の不安定化や寿命特性の悪化を抑制することができるプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】スキャン電極１１，１２と維持電極１３，１４との間でサステイン放電を行う放電領域３１、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域３２を有し、前記スキャン電極および前記維持電極の放電空間と接する面が少なくとも保護層１６で覆われている面放電型のプラズマディスプレイパネルであって、前記非放電領域３２における前記保護層１６ｂの比表面積が、前記放電領域３１における前記保護層１６ａの比表面積よりも大きくなるように構成する。【選択図】図３
2008041552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャン電極と維持電極との間でサステイン放電を行う放電領域、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域を有し、前記スキャン電極および前記維持電極の放電空間と接する面が少なくとも保護層で覆われている面放電型のプラズマディスプレイパネルであって、
前記非放電領域における前記保護層の比表面積が、前記放電領域における前記保護層の比表面積よりも大きいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記スキャン電極および前記維持電極が誘電体層および前記保護層で覆われており、前記非放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面の表面粗さが、前記放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面の表面粗さよりも大きいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記非放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面は、表面粗さＲａが２０ｎｍ〜１００ｎｍの凹凸構造を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
マトリクス表示の行選択のための複数の前記スキャン電極と、
該スキャン電極に平行に配置された複数の前記維持電極と、
前記スキャン電極および前記維持電極と交差する列選択のための複数のアドレス電極と、
前記スキャン電極および前記維持電極を被覆する誘電体層並びに前記保護層と、を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
スキャン電極と記維持電極との間でサステイン放電を行う放電領域、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域を有し、前記スキャン電極および前記維持電極を誘電体層と保護層で被覆してなる面放電型のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記非放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面を、表面粗さＲａが２０ｎｍ〜１００ｎｍの凹凸構造に形成し、該誘電体層上に薄膜形成法で前記保護層を形成することにより、前記非放電領域における前記保護層の比表面積を、前記放電領域における前記保護層の比表面積よりも大きくなるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
スキャン電極と記維持電極との間でサステイン放電を行う放電領域、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域を有し、前記スキャン電極および前記維持電極を誘電体層と保護層で被覆してなる面放電型のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記非放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面にＩＴＯ層を形成し、該誘電体層および該ＩＴＯ層上に薄膜形成法で前記保護層を形成することにより、前記非放電領域における前記保護層の比表面積を、前記放電領域における前記保護層の比表面積よりも大きくなるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
スキャン電極と記維持電極との間でサステイン放電を行う放電領域、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域を有し、前記スキャン電極および前記維持電極を誘電体層と保護層で被覆してなる面放電型のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記非放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面に微粉末層を形成し、該誘電体層および該微粉末層上に薄膜形成法で前記保護層を形成することにより、前記非放電領域における前記保護層の比表面積を、前記放電領域における前記保護層の比表面積よりも大きくなるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法に関し、特に、スキャン電極（走査電極）と維持電極との間でサステイン放電（維持放電）を行う放電領域、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域を有する面放電型のプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１はプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の一例の基本構造を示す斜視図であり、三電極面放電型のＰＤＰを示すものである。
図１に示されるように、前面ガラス基板１には、例えば、水平方向に複数のＸ電極および複数のＹ電極が等間隔に形成され、各隣接するＸ電極とＹ電極との間が表示ラインとなる。Ｘ電極およびＹ電極は、それぞれＩＴＯ等の幅の広い透明電極１１および１３、並びに、例えば、Ｃr／Ｃu／Ｃrの積層構造等の幅の狭いバス電極１２および１４により構成されている。そして、Ｘ電極（１１，１２）およびＹ電極（１３，１４）上には、誘電体層１５および保護層１６が形成されている。
【０００３】
背面ガラス基板２には、例えば、垂直方向に複数のアドレス電極２０が形成され、隣接するアドレス電極間の誘電体層１９上には、隔壁１７が形成されている。さらに、隔壁１７の側面および隔壁間の誘電体層１９上には、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）用の蛍光体層２１，２２および２３が形成されている。
【０００４】
そして、ＰＤＰは、前面ガラス基板１に形成されたＸ電極およびＹ電極と背面ガラス基板２に形成されたアドレス電極２０とが交差するように、前面ガラス基板１および背面ガラス基板２を対向配置して周囲を封止し、隔壁１７で囲まれた放電空間に放電ガスを充填することにより作製される。
【０００５】
図１に示すＰＤＰでは、Ｘ電極（１１，１２）およびＹ電極（１３，１４）とアドレス電極２０との交差部の放電空間が表示の最小単位である１つのセル領域（単位発光領域：サブピクセル）となり、Ｒ，ＧおよびＢの３つのセルで１画素（ピクセル）が構成されることになる。
【０００６】
ところで、従来、動作電圧が低くて経時的な変化のない高安定で長寿命のガス放電パネルを提供するものとして、少なくとも一方の基板上に導電性電極とそれを覆う誘電体層および保護層を積層し、その誘電体層表面に、例えば、保護層の膜厚以上で誘電体層の膜厚以下のピッチで凹凸を形成するようにしたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
また、従来、より多くの不純ガスを効率よく吸着すると共に吸着された不純ガスの再放出を最小限に抑えるために、主放電セルと隙間部とを区画するように横隔壁を形成し、隙間部の内部にガス吸着層を設けるようにしたＰＤＰも提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
さらに、従来、経時変化が少なく長寿命で信頼性の高い表示品質を得るために、保護層の成膜中に基板の非表示領域の表面の酸素分圧を表示領域の表面よりも高くすることで、結晶性が良くて結晶粒の大きい膜を形成し、放電ガス導入時にその放電ガスに含まれる不純物ガスを非表示領域の保護層表面に吸着させて表示領域の放電空間内に混入するのを防ぐようにしたＰＤＰも提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００９】
そして、従来、発光効率の向上およびプラズマの放電開始電圧の低減を行うために、絶縁層のプラズマ発生側表面（すなわち、保護層の放電空間に面した表面）を凹凸形状としたプラズマディスプレイ装置も提案されている（例えば、特許文献４参照）。
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−３７３５８９号公報
【特許文献２】特開２００５−３０２５４７号公報
【特許文献３】特開２００５−３３２６０１号公報
【特許文献４】国際公開第９８／４３２７０号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図１を参照して説明したように、ＰＤＰにおいて、例えば、前面ガラス基板１に設けたＸ電極（１１，１２）およびＹ電極（１３，１４）は誘電体層１５で被覆され、その上に保護層１６が形成されている。一般に、保護層１６には酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が使用されるが、このＭｇＯは二次電子放出係数が高く、且つ、耐スパッタ性に優れているといった特徴がある。
【００１２】
ところで、近年のＰＤＰの動作電圧の低減と長寿命化に向けて、ＭｇＯの結晶性を向上させることが望まれている。しかしながら、ＭｇＯは、その結晶性が高くなると、不純ガス（水、炭酸および有機物等）の吸蔵量が大きくなる傾向にある。
【００１３】
また、ＰＤＰでは、封止排気工程において、パネル内の不純ガスをパネルに設置された通気孔と通気管を介して除去するようになっているが、不純ガス量が多くなりすぎると、完全に除去することができず、その一部がパネル内に残留することがある。
【００１４】
そして、パネル内に残留した不純ガスは、一旦はパネル内面に吸着されるが、放電によるイオン衝撃や紫外線照射等により遊離し、放電面のＭｇＯに吸着して駆動特性（放電特性）を不安定としてパネルの信頼性を損なう要因となっている。
【００１５】
今後、さらにＰＤＰの大面積化と高精細化が進むものと考えられるが、封止排気工程での不純ガス除去は、より一層困難になることが予測され、パネル内に残留する不純ガスが駆動特性に悪影響を及ぼさないような工夫が望まれている。
【００１６】
ところで、前述した特許文献２では、背面ガラス基板にガス吸着層を設けることで駆動特性の安定化を図っているが、ガス吸着層を放電セル間に形成された隙間部の内部に設けるようにされているため、リブ（隔壁）構造がボックス（ＢＯＸ）構造等の閉鎖系リブに限定されてしまう。
【００１７】
また、前述した特許文献３では、保護層の成膜中に基板の非表示領域の表面の酸素分圧を表示領域の表面よりも高くして結晶粒の大きい膜を形成するとされているが、各表示画素において酸素分圧の制御を行うことは極めて困難であり、現実的ではない。
【００１８】
本発明は、上述した従来技術が有する課題に鑑み、パネル内に残留する不純ガスに起因する駆動特性の不安定化や寿命特性の悪化を抑制することができるプラズマディスプレイパネルの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の第１の形態によれば、スキャン電極と維持電極との間でサステイン放電を行う放電領域、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域を有し、前記スキャン電極および前記維持電極の放電空間と接する面が少なくとも保護層で覆われている面放電型のプラズマディスプレイパネルであって、前記非放電領域における前記保護層の比表面積が、前記放電領域における前記保護層の比表面積よりも大きいことを特徴とするプラズマディスプレイパネルが提供される。
【００２０】
本発明の第２の形態によれば、スキャン電極と記維持電極との間でサステイン放電を行う放電領域、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域を有し、前記スキャン電極および前記維持電極を誘電体層と保護層で被覆してなる面放電型のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記非放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面を、表面粗さＲａが２０ｎｍ〜１００ｎｍの凹凸構造に形成し、該誘電体層上に薄膜形成法で前記保護層を形成することにより、前記非放電領域における前記保護層の比表面積を、前記放電領域における前記保護層の比表面積よりも大きくなるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法が提供される。
【００２１】
本発明の第３の形態によれば、スキャン電極と記維持電極との間でサステイン放電を行う放電領域、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域を有し、前記スキャン電極および前記維持電極を誘電体層と保護層で被覆してなる面放電型のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記非放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面にＩＴＯ層を形成し、該誘電体層および該ＩＴＯ層上に薄膜形成法で前記保護層を形成することにより、前記非放電領域における前記保護層の比表面積を、前記放電領域における前記保護層の比表面積よりも大きくなるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法が提供される。
【００２２】
本発明の第４の形態によれば、スキャン電極と記維持電極との間でサステイン放電を行う放電領域、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域を有し、前記スキャン電極および前記維持電極を誘電体層と保護層で被覆してなる面放電型のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記非放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面に微粉末層を形成し、該誘電体層および該微粉末層上に薄膜形成法で前記保護層を形成することにより、前記非放電領域における前記保護層の比表面積を、前記放電領域における前記保護層の比表面積よりも大きくなるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、プラズマディスプレイパネル内に残留した不純ガスに起因した駆動特性の不安定化や寿命特性の悪化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法の実施例を詳述する前に、本発明の概要を説明する。
【００２５】
まず、本発明は、パネル内に残留した不純ガスを、駆動特性に影響の少ない領域の保護層（ＭｇＯ）に吸蔵させることにより、リブ（隔壁）構造の設計に制約を受けることなく、駆動特性の安定化と長寿命化を図るものである。
【００２６】
図２はＭｇＯの比表面積と不純ガス吸着量との関係を示す図である。
図２から明らかなように、例えば、保護層として使用されるＭｇＯは、比表面積（相対値）が大きくなるに従って不純ガス吸着量が大きくなることが分かる。
【００２７】
本発明では、ＭｇＯに吸着機能を持たせる手段として比表面積に注目している。ここで、比表面積とは、層全体に含まれる表面積の総和のことであり、粒界が多く膜の緻密性が低下したときに大きくなる。そして、一般的に比表面積が大きいほど、吸着量は多くなる。
【００２８】
ところで、比表面積を大きくする手段としては、(1)材料組成、(2)プロセス雰囲気、(3)プロセス温度、並びに、(4)下地基板の表面平滑性が考えられる。前述したように、駆動特性に影響の少ない領域のＭｇＯに吸着機能を持たせるためには、放電領域と非放電領域のＭｇＯについて比表面積を異ならせる必要がある。
【００２９】
しかしながら、上記(1)〜(3)に示すように蒸着プロセスで制御する場合、蒸着工程が追加となり、且つ、形成領域が限定されるため、製造上、非常に困難なプロセスとなる。
【００３０】
一方、上記(4)は、下地基板の表面状態の違いのみで比表面積を制御するため、誘電体層の表面を加工する工程は追加されるものの、蒸着工程は従来と同様に１回でよいため、前記(1)〜(3)に比べ製造負荷は小さい。
【００３１】
ここで、下地基板の違いにより比表面積が変化する理由について説明する。なお、ＭｇＯは真空槽内でＭｇＯ原料を昇華させ、基板上に付着および結晶成長する。成膜初期は、ＭｇＯが粒状に付着し（一般的に、この層を緩衝層と呼ぶ）、その上に柱状のＭｇＯ結晶が連続的に成長する。緩衝層は、粒界も多くて結晶化していないため、比表面積が大きい。
【００３２】
下地基板となる誘電体層は、通常ガラス材質を用いるが、その表面にミクロな凹凸構造が存在すると、凹凸を緩和するために緩衝層の厚みが厚くなり、その結果、ＭｇＯ層全体としては緩衝層の割合が大きいために、比表面積が大きくなる。
【００３３】
このように、下地基板の表面平滑性を制御することでＭｇＯの比表面積を部分的に異ならせることが可能である。すなわち、誘電体層の表面粗さ（Ｒａ：単位長さ当たりの平均値の凹凸の周期）は、通常１０ｎｍ以下の平滑面であるが、２０ｎｍ以上の凹凸構造を持たせることで、その上に形成したＭｇＯの比表面積を、誘電体層の表面が平滑な場合に比べて大きくすることができることを確認した。なお、誘電体層の表面に形成する凹凸構造の上限としては、例えば、表面粗さＲａが１００ｎｍ程度である。
【００３４】
本発明の一実施例では、駆動特性に影響の少ない非放電領域の誘電体層表面に表面粗さＲａが２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の凹凸構造を形成することで、その上に成長したＭｇＯの比表面積を大きくして十分な不純ガスの吸着機能を持たせるようにしている。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明に係るプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法の実施例を、添付図面を参照して詳述する。
【００３６】
図３は本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第１実施例を概略的に示す図であり、非放電領域の誘電体層表面に凹凸を形成した例を示すものである。
【００３７】
前述した図１および図３に示されるように、スキャン電極（Ｘ電極）は、透明電極１１およびバス電極１２で構成され、維持電極は透明電極１３およびバス電極１４で構成される。スキャン電極（Ｘ電極）と維持電極（Ｙ電極）との間には、放電領域３１と放電セル間のクロストークを抑制するための非放電領域３２が配置される。
【００３８】
透明電極には、例えば、酸化インジウムを主組成とするＩＴＯ等が用いられ、また、バス電極には、Ｃｒ−Ｃｕの多層膜やＡｇ等が用いられている。
【００３９】
スキャン電極（１１，１２）および維持電極（１３，１４）が形成された前面ガラス基板１上には誘電体層１５および保護層（ＭｇＯ）１６が形成されている。ここで、誘電体層１５および保護層１６は、それぞれ放電領域３１の誘電体層１５ａおよび保護層１６ａと非放電領域３２の誘電体層１５ｂおよび保護層１６ｂで構成されている。
【００４０】
図３に示されるように、本プラズマディスプレイパネルの第１実施例では、放電領域３１の誘電体層１５ａの表面は平滑な面とされ、非放電領域３２の誘電体層１５ｂの表面は、例えば、表面粗さＲａが２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の凹凸構造が形成されている。これにより、非放電領域３２上の保護層１６ｂの比表面積を、放電領域３１上の保護層１６ａの比表面積よりも大きくするようになっている。
【００４１】
その結果、パネル内に残留した不純ガスは、例えば、放電により再放出されるが、比表面積が大きい非放電領域上の保護層１６ｂに吸着し易くなるため、駆動特性に実質寄与している放電領域上の保護層１６ａは不純ガスの影響を受け難くなり、駆動特性が安定化する。
【００４２】
図４は本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第１実施例を実現する製造プロセスの一例を説明するための図である。なお、上記第１実施例を実現するために、新たに図４（ｂ）〜図４（ｅ）の工程が追加されることになる。
【００４３】
図４（ａ）は、スキャン電極（Ｘ電極：透明電極１１およびバス電極１２）並びに維持電極（Ｙ電極：透明電極１３およびバス電極１４）上に誘電体層１５を形成する誘電体層形成工程であり、この誘電体層形成工程までは一般的なＰＤＰの製造プロセスと同様である。
【００４４】
次に、図４（ｂ）に示されるように、誘電体層１５の表面にドライフィルム４１を塗布した後、図４（ｃ）に示されるように、放電領域３１の誘電体層１５ａが被覆されると共に、非放電領域３２の誘電体層１５ｂが露出するようにドライフィルム４１のパターニングを行い、そして、図４（ｄ）に示されるように、サンドブラスト法により非放電領域３２における誘電体層１５ｂの表面に凹凸を形成する。
【００４５】
ここで、前述したように、非放電領域上の誘電体層１５ｂの表面には、例えば、サンドブラスト法に使用する吹き付け粒子の径や種類、並びに、吹き付け圧力（エアー圧）等の条件を適切に設定することにより、表面粗さＲａが２０ｎｍ〜１００ｎｍの凹凸構造が形成されることになる。
【００４６】
さらに、図４（ｅ）に示されるように、ドライフィルム４１を剥離して、サンドブラスト法により凹凸が形成された非放電領域３２の誘電体層１５ｂと共に、平滑のままとされた放電領域３１の誘電体層１５ａを露出させた後、図４（ｆ）に示されるように、誘電体層１５（１５ａおよび１５ｂ）の全面を覆うように、保護層（ＭｇＯ）１６を蒸着する。
【００４７】
ここで、図４（ｆ）に示す保護層１６の蒸着工程は一般的なＰＤＰの製造プロセスと同様であるが、非放電領域３２の誘電体層１５ｂの表面が凹凸とされているため、非放電領域３２における保護層１６ｂの比表面積は、放電領域３１の保護層１６ａよりも大きくなる。これにより、駆動特性に影響の少ない非放電領域の保護層１６ｂに十分な不純ガスの吸着機能を持たせることが可能となる。なお、誘電体層上に保護層を形成するのは、上述した蒸着法だけでなく様々な薄膜形成法を適用することができる。
【００４８】
図５は本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第２実施例を概略的に示す図であり、非放電領域の誘電体層表面にＩＴＯ層を形成した例を示す図である。
【００４９】
図５に示されるように、本プラズマディスプレイパネルの第２実施例は、非放電領域３２において、誘電体層１５ｂ上にＩＴＯ層１８１を設け、その上に保護層１６ｂを形成するようになっている。なお、放電領域３１においては、誘電体層１５ａ上にそのまま保護層１６ａが形成される。これにより、非放電領域３２上の保護層１６ｂの比表面積を、放電領域３１上の保護層１６ａの比表面積よりも大きくするようになっている。
【００５０】
ここで、非放電領域３２における誘電体層１５ｂ上にＩＴＯ層１８１を設けるのは、ＩＴＯは微細な多結晶構造を有しているため、その表面粗さは通常の誘電体層に比べ大きく、そのＩＴＯ上にＭｇＯ（保護層）を結晶成長させた場合には、誘電体層にＭｇＯを結晶成長させた場合上に比べて緩衝層を大きくすることができる。
【００５１】
本プラズマディスプレイパネルの第２実施例は、上記の特性を利用し、ＩＴＯ層１８１を非放電領域３２の誘電体層１５ｂ上にパターニング形成することで、非放電領域３２の保護層１６ｂの比表面積を、放電領域３１の保護層１６ａよりも大きくするようになっている。
【００５２】
図６は本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第２実施例を実現する製造プロセスの一例を説明するための図である。なお、上記第２実施例を実現するために、新たに図６（ｂ）〜図６（ｅ）の工程が追加されることになる。
【００５３】
図６（ａ）は、前述した図４（ａ）と同様に、スキャン電極（Ｘ電極：透明電極１１およびバス電極１２）並びに維持電極（Ｙ電極：透明電極１３およびバス電極１４）上に誘電体層１５を形成する誘電体層形成工程である。
【００５４】
次に、図６（ｂ）に示されるように、誘電体層１５の表面にＩＴＯ層１８１を形成した後、さらに、図６（ｃ）に示されるように、レジスト膜４２を塗布し、そして、図６（ｄ）に示されるように、放電領域３１の誘電体層１５ａ上に形成されたＩＴＯ層１８１が露出すると共に、非放電領域３２の誘電体層１５ｂ上に形成されたＩＴＯ層１８１が被覆されるようにレジスト４２のパターニングを行う。
【００５５】
ここで、図６（ｄ）に示されるように、非放電領域３２のＩＴＯ層１８１上のレジスト４２は、実際の非放電領域３２よりも少し広い範囲（幅）を被覆するようにパターニングされているが、これは、次のエッチング工程において、ＩＴＯ層１８１が幅方向で浸食されるのを見込んでいるためである。
【００５６】
さらに、図６（ｅ）に示されるように、エッチングを行った後、レジスト４２を除去して非放電領域３２の誘電体層１５ｂ上にだけＩＴＯ層１８１が残るようにする。そして、図６（ｆ）に示されるように、放電領域３１の誘電体層１５ａおよび非放電領域３２の誘電体層１５ｂ上に形成されたＩＴＯ層１８１の全面を覆うように、保護層（ＭｇＯ）１６を蒸着する。
【００５７】
なお、図６（ｆ）に示す保護層１６の蒸着工程は一般的なＰＤＰの製造プロセスと同様であるが、非放電領域３２の誘電体層１５ｂ上にはＩＴＯ層１８１が形成されているため、非放電領域３２における保護層１６ｂの比表面積は、放電領域３１の保護層１６ａよりも大きくなる。これにより、駆動特性に影響の少ない非放電領域の保護層１６ｂに十分な不純ガスの吸着機能を持たせることが可能となる。
【００５８】
本プラズマディスプレイパネルの第２実施例は、一般に透明電極として使用されるＩＴＯを利用するため、パネルを製造する装置を大幅に改良する必要が無いといった長所もある。
【００５９】
図７は本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第３実施例を概略的に示す図であり、非放電領域の誘電体層表面に微粉末を塗布（微粉末層を形成）した例を示す図である。
【００６０】
図７と前述した図５との比較から明らかなように、本プラズマディスプレイパネルの第３実施例は、上述した第２実施例における非放電領域のＩＴＯ層１８１の代わりに微粉末層１８２を設けるようにしたものである。すなわち、非放電領域３２の誘電体層１５ｂ上に微粉末層１８２を設け、その上に保護層１６ｂを形成することにより、保護層１６ｂの比表面積を大きくするようになっている。
【００６１】
ここで、酸化物の微粉末層１８２としては、例えば、ＭｇＯやＣａＯ、或いは、Ａｌ2Ｏ3等を挙げることができ、また、酸化物以外の微粉末層１８２としてＡｌＮ等の窒化物の微粉末も使用することができる。
【００６２】
上述した第１〜第３実施例は、一般的な三電極面放電型のＰＤＰに関するものであるが、本発明は、ＡＬｉＳ構造に代表されるような電極の両側で主放電を行うパネル構造のＰＤＰに対しても適用することができる。
【００６３】
図８はＡＬｉＳ構造のプラズマディスプレイパネルにおける電極形状の一例を概略的に示す図である。
ＡＬｉＳ構造のＰＤＰでは、隣接するスキャン電極（Ｘ電極）と維持電極（Ｙ電極）との間が放電領域３１に相当し、各スキャン電極および維持電極の本線上が非放電領域３２に相当すると考えられる。
【００６４】
すなわち、図８に示されるように、スキャン電極および維持電極の透明電極１１および１３は、例えば、放電セル内で放電開始電圧を決定するＴ字形状の突起電極部１１ａおよび１３ａを構成しており、隣接する突起電極部１１ａおよび１３ａにより放電領域３１が形成され、そして、ほぼバス電極１２および１４の位置に非放電領域３２が形成されることになる。
【００６５】
図９に示す第４実施例は、前述した図３の第１実施例をＡＬｉＳ構造のＰＤＰに適用したものを示し、また、図１０に示す第５実施例は、前述した図５の第２実施例をＡＬｉＳ構造のＰＤＰに適用したものを示し、そして、図１１に示す第６実施例は、前述した図７の第３実施例をＡＬｉＳ構造のＰＤＰに適用したものを示している。
【００６６】
すなわち、図９は本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第４実施例を概略的に示す図であり、スキャン電極および維持電極の本線上の誘電体層１５ｂの表面に凹凸を形成した例を示す図である。
【００６７】
図９に示されるように、本プラズマディスプレイパネルの第４実施例では、放電領域３１の誘電体層１５ａの表面は平滑な面とされ、非放電領域３２（スキャン電極および維持電極の本線上）の誘電体層１５ｂの表面は、例えば、サンドブラスト法により表面粗さＲａが２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の凹凸構造が形成されている。これにより、非放電領域３２上の保護層１６ｂの比表面積を、放電領域３１上の保護層１６ａの比表面積よりも大きくして、パネル内に残留した不純ガスを非放電領域上の保護層１６ｂに吸着させ、駆動特性に実質寄与している放電領域上の保護層１６ａが不純ガスの影響を受け難くして駆動特性を安定化させるようになっている。
【００６８】
また、図１０は本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第５実施例を概略的に示す図であり、スキャン電極および維持電極の本線上の誘電体層１５ｂの表面にＩＴＯ層１８１を形成した例を示す図である。さらに、図１１は本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第６実施例を概略的に示す図であり、スキャン電極および維持電極の本線上の誘電体層１５ｂの表面に微粉末層を形成した例を示す図である。
【００６９】
図１０或いは図１１に示されるように、本プラズマディスプレイパネルの第５実施例或いは第６実施例では、非放電領域３２における誘電体層１５ｂ上にＩＴＯ層１８１或いは微粉末層１６２を形成し、その上に保護層１６ｂを形成することにより、非放電領域３２の保護層１６ｂの比表面積を、放電領域３１の保護層１６ａよりも大きくするようになっている。
【００７０】
このように、例えば、本発明をＡＬｉＳ構造のＰＤＰに適用することにより、スキャン電極および維持電極の本線部に対応する非放電領域３２の保護層１６ｂの比表面積の大きくして不純ガスの吸着機能を持たせることで、駆動特性を決定する突起電極部分１１および１３の保護層を比較的安定に保つことが可能となる。
【００７１】
なお、以上の説明では、保護層として一般に使用されているＭｇＯを例として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な種類の保護層に対しても適用することが可能である。さらに、例えば、非放電領域の誘電体層表面に凹凸を形成するのは、サンドブラスト法に限定されるものではなく、他の物理的なエッチング法を始めとして様々な手法を適用することができる。
【００７２】
以上、詳述したように、本発明によれば、パネル内に残留した不純ガスを駆動特性に影響の少ない領域の保護層に吸蔵させることにより、リブ構造の設計に制約を与えることなくプラズマディスプレイパネルの駆動特性の安定化および長寿命化を図ることができる。
【００７３】
（付記１）
スキャン電極と維持電極との間でサステイン放電を行う放電領域、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域を有し、前記スキャン電極および前記維持電極の放電空間と接する面が少なくとも保護層で覆われている面放電型のプラズマディスプレイパネルであって、
前記非放電領域における前記保護層の比表面積が、前記放電領域における前記保護層の比表面積よりも大きいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【００７４】
（付記２）
付記１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記スキャン電極および前記維持電極が誘電体層および前記保護層で覆われており、前記非放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面の表面粗さが、前記放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面の表面粗さよりも大きいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【００７５】
（付記３）
付記２に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記非放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面は、表面粗さＲａが２０ｎｍ〜１００ｎｍの凹凸構造を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【００７６】
（付記４）
付記３に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記凹凸構造は、サンドブラスト法により形成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【００７７】
（付記５）
付記１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、さらに、
前記非放電領域における誘電体層の前記保護層に接する面に形成されたＩＴＯ層を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【００７８】
（付記６）
付記１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、さらに、
前記非放電領域における誘電体層の前記保護層に接する面に形成された微粉末層を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【００７９】
（付記７）
付記１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
マトリクス表示の行選択のための複数の前記スキャン電極と、
該スキャン電極に平行に配置された複数の前記維持電極と、
列選択のための前記スキャン電極および前記維持電極と交差する複数のアドレス電極と、
前記スキャン電極および前記維持電極を被覆する誘電体層並びに前記保護層と、を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【００８０】
（付記８）
付記７に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記各スキャン電極および前記各維持電極は、それぞれ放電セル内に突き出した突起電極部と行方向に伸びた本線部を有し、前記スキャン電極の両側の維持電極と交互にサステイン放電を行うようになっており、前記非放電領域がほぼ前記本線部に対応することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【００８１】
（付記９）
スキャン電極と記維持電極との間でサステイン放電を行う放電領域、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域を有し、前記スキャン電極および前記維持電極を誘電体層と保護層で被覆してなる面放電型のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記非放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面を、表面粗さＲａが２０ｎｍ〜１００ｎｍの凹凸構造に形成し、該誘電体層上に薄膜形成法で前記保護層を形成することにより、前記非放電領域における前記保護層の比表面積を、前記放電領域における前記保護層の比表面積よりも大きくなるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【００８２】
（付記１０）
スキャン電極と記維持電極との間でサステイン放電を行う放電領域、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域を有し、前記スキャン電極および前記維持電極を誘電体層と保護層で被覆してなる面放電型のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記非放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面にＩＴＯ層を形成し、該誘電体層および該ＩＴＯ層上に薄膜形成法で前記保護層を形成することにより、前記非放電領域における前記保護層の比表面積を、前記放電領域における前記保護層の比表面積よりも大きくなるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【００８３】
（付記１１）
スキャン電極と記維持電極との間でサステイン放電を行う放電領域、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域を有し、前記スキャン電極および前記維持電極を誘電体層と保護層で被覆してなる面放電型のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記非放電領域における前記誘電体層の前記保護層に接する面に微粉末層を形成し、該誘電体層および該微粉末層上に薄膜形成法で前記保護層を形成することにより、前記非放電領域における前記保護層の比表面積を、前記放電領域における前記保護層の比表面積よりも大きくなるようにしたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は、スキャン電極と維持電極との間でサステイン放電を行う放電領域、および、隣接する該放電領域の間を区画する非放電領域を有する面放電型のプラズマディスプレイパネルに対して幅広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】プラズマディスプレイパネルの一例の基本構造を示す斜視図である。
【図２】ＭｇＯの比表面積と不純ガス吸着量との関係を示す図である。
【図３】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第１実施例を概略的に示す図である。
【図４】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第１実施例を実現する製造プロセスの一例を説明するための図である。
【図５】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第２実施例を概略的に示す図である。
【図６】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第２実施例を実現する製造プロセスの一例を説明するための図である。
【図７】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第３実施例を概略的に示す図である。
【図８】ＡＬｉＳ構造のプラズマディスプレイパネルにおける電極形状の一例を概略的に示す図である。
【図９】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第４実施例を概略的に示す図である。
【図１０】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第５実施例を概略的に示す図である。
【図１１】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの第６実施例を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００８６】
１    前面ガラス基板
２    背面ガラス基板
１１    透明電極（Ｘ電極，スキャン電極）
１１ａ    突起電極部（Ｘ電極，スキャン電極）
１２    バス電極（Ｘ電極，スキャン電極：本線部）
１３    透明電極（Ｙ電極，維持電極）
１３ａ    突起電極部（Ｙ電極，維持電極）
１４    バス電極（Ｙ電極，維持電極：本線部）
１５，１９    誘電体層
１５ａ    放電領域の誘電体層
１５ｂ    非放電領域の誘電体層
１６    保護層
１６ａ    放電領域の保護層
１６ｂ    非放電領域の保護層
１７    隔壁
２０    アドレス電極
２１，２２，２３    蛍光体層
３１    放電領域
３２    非放電領域
１８１    ＩＴＯ層
１８２    微粉末層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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