(57)【要約】【課題】リードフレームとして、そのリードを容易に多ピン化することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ４がリードフレームのアイランド７にマウントされたチップ４上の千鳥配列の電極とリードフレームのリード８、９を金属細線５で電気的に接続する場合に、リード８、９を多段かつ千鳥配列にすることで、狭ピッチ対応の多ピン化リードフレームを実現する。【選択図】図２
2008124228.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードが２段以上の多段かつ千鳥配列であるリードフレームの前記リードと半導体集積回路素子上に設けられた電極との間を金属細線で接続する構造と、
前記２段以上の多段かつ千鳥配列であるリード部が少なくとも一つおきに同一平面上に存在しない構造と、
前記同一平面上に存在しないリード部分の少なくとも前記金属細線で接続された部分が覆われるように絶縁樹脂により封止した構造と、
前記絶縁樹脂により封止されていない部分の前記同一平面上に存在しないリード部を切断した構造と、
前記封止されていないリード部分を片方、または両方を折り曲げて同一平面に並べた構造とを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
リードが２段以上の多段かつ千鳥配列であるリードフレームの前記リードと半導体集積回路素子上に設けられた電極との間を金属細線で接続する構造と、
前記２段以上の多段かつ千鳥配列であるリード部が少なくとも一つおきに同一平面上に存在しない構造と、
前記同一平面上に存在しないリード部分の少なくとも前記金属細線が接続された部分が覆われるように絶縁樹脂により封止した構造と、
前記絶縁樹脂により封止されていない部分の前記同一平面上に存在しないリード部を切断した構造と、
前記封止されていないリード部分がそのままか、少なくとも一方が折り曲げられた構造、または前記封止されていない多段構造である同一平面上に存在しないリード部分がそれぞれ逆方向に折り曲げられた構造とを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記金属細線で接続された同一平面上に存在しないリード部分の長さが均一でない
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記封止樹脂に覆われていないリード部分の長さが均一でない
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記金属細線で接続された同一平面上に存在しないリード部分の一部が上下方向に重なっている構造を有する
ことを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記封止樹脂に覆われていないリード部分の一部が上下方向に重なっている構造を有する
ことを特徴とする請求項１または請求項２または請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項２記載の半導体装置を複数上下方向に積層し、前記封止されていないリード部分を電気的に接続した構造を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
リードが２段以上の多段かつ千鳥配列である同一のリードフレームの前記リードと半導体集積回路素子上に設けられた電極との間を金属細線で接続する工程と、
前記２段以上の多段かつ千鳥配列であるリード部を少なくとも一つおきに折り曲げて同一平面上に存在しない構造とする工程と、
前記同一平面上に存在しないリード部分の少なくとも前記金属細線が接続された部分が覆われるように絶縁樹脂により封止する工程と、
前記絶縁樹脂により封止されていない部分の前記同一平面上に存在しないリード部を切断する工程と、
前記封止されていないリード部分を片方、または両方を折り曲げて同一平面に並べる工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
リードが２段以上の多段かつ千鳥配列である同一のリードフレームの前記リードと半導体集積回路素子上に設けられた電極との間を金属細線で接続する工程と、
前記２段以上の多段かつ千鳥配列であるリード部を少なくとも一つおきに折り曲げて同一平面上に存在しない構造とする工程と、
前記同一平面上に存在しないリード部分の少なくとも前記金属細線が接続された部分が覆われるように絶縁樹脂により封止する工程と、
前記絶縁樹脂により封止されていない部分の前記同一平面上に存在しないリード部を切断する工程と、
前記封止されていないリード部分がそのままか、少なくとも一方を折り曲げる工程、または、前記封止されていないリード部分を逆方向に折り曲げる工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
少なくとも２枚以上のリードフレームのリード部分を２段以上の多段かつ千鳥配列に配置する工程と、
半導体集積回路素子上に設けられた電極と前記リードとの間を金属細線で接続する工程と、
前記同一平面上に存在しないリード部分の少なくとも前記金属細線が接続された部分が覆われるように絶縁樹脂により封止する工程と、
前記絶縁樹脂により封止されていない部分の前記同一平面上に存在しないリード部を切断する工程と、
前記封止されていないリード部分を片方、または両方を折り曲げて同一平面に並べる工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
少なくとも２枚以上のリードフレームのリード部分を２段以上の多段かつ千鳥配列にする工程と、
半導体集積回路素子上に設けられた電極と前記リードとの間を金属細線で接続する工程と、
前記同一平面上に存在しないリード部分の少なくとも前記金属細線が接続された部分が覆われるように絶縁樹脂により封止する工程と、
前記絶縁樹脂により封止されていない部分の前記同一平面上に存在しないリード部を切断する工程と、
前記封止されていないリード部分を、そのままか、少なくとも一方を折り曲げる工程、または、前記封止されていないリード部分を逆方向に折り曲げる工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項２記載の半導体装置を複数上下方向に積層する工程と、
前記封止されていないリード部分を電気的に接続する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関するものであり、半導体装置であるチップの小型化、電極の狭ピッチ化に対応し、リードフレームの多ピン化技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば、携帯電話、ＤＶＤ機器、デジタルテレビなどの電化製品の小型化、高性能化、多機能化にともない、使用される半導体デバイスに対しても、多ピン化、小型化、高密度化、さらに低コストのパッケージ技術開発が求められており、組立工程において、リードフレームでの多ピン化が可能になれば、低コストで実装でき、低コストの半導体装置を実現することができる。
【０００３】
この課題に対応する半導体装置においては、内蔵される半導体集積回路素子がリードフレームのアイランドにマウントされ、半導体集積回路素子上に設けられた千鳥配列の電極と、長さが異なる屈曲したインナーリードとを、金属細線で電気的に接続している。
【０００４】
以下、図面を用いて従来例（例えば、特許文献１を参照）を説明する。
図１３はインナーリードの一部の斜視図であり、図１４は金属細線により、半導体集積回路素子上の電極とインナーリードが電気的に接続されている一部分の斜視図である。また図１５は図１４の断面図であり、図１６は一部のインナーリードとリードフレームのアイランドの平面図である。
【０００５】
（２１）は短いインナーリードの一部、（２２）は長いインナーリードの一部、（２３）はリードフレームのアイランドと同一平面上に存在するインナーリード上の金属細線の接続点、（２４）はリードフレームのアイランドよりも高い位置に存在するインナーリード上の金属細線の接続点、（２５）はインナーリードの段差部分、（４）は半導体集積回路素子の一部、（２６）は半導体集積回路素子（４）上に設けられた千鳥配列の外側に存在する電極の一部、（２７）は半導体集積回路素子（４）上に設けられた千鳥配列の内側に存在する電極の一部、（５）は金属細線、（７）はリードフレームのアイランドである。
【０００６】
従来のリードフレームのインナーリード（２１）、（２２）は、互いに異なる長さで形成され、かつ前記インナーリード（２１）、（２２）の全ては、リードフレームのアイランド（７）と同一平面上に形成した低部（２３）と前記低部（２３）より高い位置に形成した高部（２４）、また前記低部（２３）と前記高部（２５）とを結ぶインナーリードの段差部分（２５）から形成されている。
【０００７】
また、前記アイランド（７）にマウントされた半導体集積回路素子（４）上に設けられた千鳥配列の外側電極（２６）と、前記インナーリード（２１）上の低部（２３）を、金属細線（５）で電気的に接続するとともに、半導体集積回路素子（４）上に設けられた千鳥配列の内側電極（２７）と、前記インナーリード（２２）上の高部（２４）を、金属細線（５）で電気的に接続している。
【特許文献１】特開平１１−３３０１３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら上記のような従来例では、前記低部（２３）と前記外側電極（２６）、前記高部（２４）と前記内側電極（２７）とを、それぞれ金属細線（５）により接続されているため、それぞれの金属細線（５）間のクリアランスは十分確保されているが、リード間隔を保つためにはリードのピン数に限界が生じ、より多ピンの半導体集積回路素子を搭載できないという課題があった。
【０００９】
すなわち、多ピン化が急速に進む中で、リードフレームは、隣接するリード間の絶縁性を保持するためにリード間に隙間が必要であり、また多ピン化するためにリード幅を細くする必要があるが、細いリード幅では金属細線がリード上にうまく接合されない、隣接する金属細線同士で接触するなどの課題があり、現状のリードフレームでは多ピン化が困難である。
【００１０】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、リードフレームとして、そのリードを容易に多ピン化することを可能とし、半導体集積回路素子電極の狭ピッチ化に対応した多ピン化リードフレームの作成を容易化することができ、少なくとも従来よりも多くのピン数をもつ半導体集積回路素子を搭載することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために、本発明の請求項１記載の半導体装置は、リードが２段以上の多段かつ千鳥配列であるリードフレームの前記リードと半導体集積回路素子上に設けられた電極との間を金属細線で接続する構造と、前記２段以上の多段かつ千鳥配列であるリード部が少なくとも一つおきに同一平面上に存在しない構造と、前記同一平面上に存在しないリード部分の少なくとも前記金属細線で接続された部分が覆われるように絶縁樹脂により封止した構造と、前記絶縁樹脂により封止されていない部分の前記同一平面上に存在しないリード部を切断した構造と、前記封止されていないリード部分を片方、または両方を折り曲げて同一平面に並べた構造とを有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の請求項２記載の半導体装置は、リードが２段以上の多段かつ千鳥配列であるリードフレームの前記リードと半導体集積回路素子上に設けられた電極との間を金属細線で接続する構造と、前記２段以上の多段かつ千鳥配列であるリード部が少なくとも一つおきに同一平面上に存在しない構造と、前記同一平面上に存在しないリード部分の少なくとも前記金属細線が接続された部分が覆われるように絶縁樹脂により封止した構造と、前記絶縁樹脂により封止されていない部分の前記同一平面上に存在しないリード部を切断した構造と、前記封止されていないリード部分がそのままか、少なくとも一方が折り曲げられた構造、または前記封止されていない多段構造である同一平面上に存在しないリード部分がそれぞれ逆方向に折り曲げられた構造とを有することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の請求項３記載の半導体装置は、請求項１または請求項２記載の半導体装置であって、前記金属細線で接続された同一平面上に存在しないリード部分の長さが均一でないことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の請求項４記載の半導体装置は、請求項１または請求項２記載の半導体装置であって、前記封止樹脂に覆われていないリード部分の長さが均一でないことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の請求項５記載の半導体装置は、請求項１または請求項２または請求項３記載の半導体装置であって、前記金属細線で接続された同一平面上に存在しないリード部分の一部が上下方向に重なっている構造を有することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の請求項６記載の半導体装置は、請求項１または請求項２または請求項４記載の半導体装置であって、前記封止樹脂に覆われていないリード部分の一部が上下方向に重なっている構造を有することを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の請求項７記載の半導体装置は、請求項２記載の半導体装置を複数上下方向に積層し、前記封止されていないリード部分を電気的に接続した構造を有することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の請求項８記載の半導体装置の製造方法は、リードが２段以上の多段かつ千鳥配列である同一のリードフレームの前記リードと半導体集積回路素子上に設けられた電極との間を金属細線で接続する工程と、前記２段以上の多段かつ千鳥配列であるリード部を少なくとも一つおきに折り曲げて同一平面上に存在しない構造とする工程と、前記同一平面上に存在しないリード部分の少なくとも前記金属細線が接続された部分が覆われるように絶縁樹脂により封止する工程と、前記絶縁樹脂により封止されていない部分の前記同一平面上に存在しないリード部を切断する工程と、前記封止されていないリード部分を片方、または両方を折り曲げて同一平面に並べる工程とを有することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の請求項９記載の半導体装置の製造方法は、リードが２段以上の多段かつ千鳥配列である同一のリードフレームの前記リードと半導体集積回路素子上に設けられた電極との間を金属細線で接続する工程と、前記２段以上の多段かつ千鳥配列であるリード部を少なくとも一つおきに折り曲げて同一平面上に存在しない構造とする工程と、前記同一平面上に存在しないリード部分の少なくとも前記金属細線が接続された部分が覆われるように絶縁樹脂により封止する工程と、前記絶縁樹脂により封止されていない部分の前記同一平面上に存在しないリード部を切断する工程と、前記封止されていないリード部分がそのままか、少なくとも一方を折り曲げる工程、または、前記封止されていないリード部分を逆方向に折り曲げる工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の請求項１０記載の半導体装置の製造方法は、少なくとも２枚以上のリードフレームのリード部分を２段以上の多段かつ千鳥配列に配置する工程と、半導体集積回路素子上に設けられた電極と前記リードとの間を金属細線で接続する工程と、前記同一平面上に存在しないリード部分の少なくとも前記金属細線が接続された部分が覆われるように絶縁樹脂により封止する工程と、前記絶縁樹脂により封止されていない部分の前記同一平面上に存在しないリード部を切断する工程と、前記封止されていないリード部分を片方、または両方を折り曲げて同一平面に並べる工程とを有することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の請求項１１記載の半導体装置の製造方法は、少なくとも２枚以上のリードフレームのリード部分を２段以上の多段かつ千鳥配列にする工程と、半導体集積回路素子上に設けられた電極と前記リードとの間を金属細線で接続する工程と、前記同一平面上に存在しないリード部分の少なくとも前記金属細線が接続された部分が覆われるように絶縁樹脂により封止する工程と、前記絶縁樹脂により封止されていない部分の前記同一平面上に存在しないリード部を切断する工程と、前記封止されていないリード部分を、そのままか、少なくとも一方を折り曲げる工程、または、前記封止されていないリード部分を逆方向に折り曲げる工程とを有することを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の請求項１２記載の半導体装置の製造方法は、請求項２記載の半導体装置を複数上下方向に積層する工程と、前記封止されていないリード部分を電気的に接続する工程とを有することを特徴とする。
【００２３】
以上により、リードを多段かつ千鳥配列にすることにより、リードフレームとして、そのリードを容易に多ピン化してリード数を増加させることができ、リード間隔を保つためにリードのピン数に限界があって、より多ピンのＬＳＩを搭載できないという課題を解決することができる。
【発明の効果】
【００２４】
以上のように本発明によれば、リードを多段かつ千鳥配列にすることにより、リードフレームとして、そのリードを容易に多ピン化してリード数を増加させることができる。
そのため、半導体集積回路素子電極の狭ピッチ化に対応した多ピン化リードフレームの作成を容易化することができ、少なくとも従来よりも多くのピン数をもつ半導体集積回路素子を搭載することができる。
【００２５】
また、金属細線による接合方法も多様となり、様々な実装方法が可能になるなどの効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を示す半導体装置およびその製造方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
（実施の形態１）
図１は本実施の形態１における半導体装置のリードフレーム（１）部分を拡大した斜視図、図２はリード（２）（３）と半導体集積回路素子（４）上の電極とを金属細線（５）で電気的に接合した半導体装置の断面図であり、図３は図２の封止されていないリード部分を両方折り曲げ同一平面に並べた構造の断面図であり、図４は図２の封止されていないリード部分を片方折り曲げ同一平面に並べた構造の断面図である。
【００２７】
図１に示すように、２段以上の多段かつ千鳥配列であるリードフレーム（１）のリード（２）（３）を有し、リード（２）と（３）は少なくとも一つおきに同一平面上に存在せず、異なる長さの構造となっている。また、同一平面上に存在しないリード（２）（３）の一部分が上下方向に重なっていても構わない。
【００２８】
さらに、図２に示すように、半導体装置は、アイランド（７）上の半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極（図示せず）と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続し、絶縁性の樹脂（６）でリードの一部を封止し、絶縁性の樹脂（６）により覆われていないリード（８）（９）を有し、前記封止されていない千鳥配列のリード（８）と（９）は、少なくとも一つおきに同一平面上に存在せず、異なる長さの構造となっている。また、同一平面上に存在しないリード（８）（９）の一部分が上下方向に重なっていても構わない。
【００２９】
また、図３に示すように、半導体装置は、アイランド（７）上の半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続し、絶縁性の樹脂（６）でリードの一部を封止し、絶縁性の樹脂（６）により覆われていないリード（１０）（１１）を有し、前記封止されていない千鳥配列のリード（１０）（１１）を両方を折り曲げ、その折り曲げ端部を同一平面に並べた構造となっている。
【００３０】
また、図４に示すように、半導体装置は、アイランド（７）上の半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続し、絶縁性の樹脂（６）でリードの一部を封止し、絶縁性の樹脂（６）により覆われていないリード（１０）（１２）を有し、前記封止されていない千鳥配列のリード（１０）を折り曲げ、前記封止されていない千鳥配列のリード（１２）はそのままで、同一平面に並べた構造となっている。また、この半導体装置のアイランド（７）部分は、絶縁性の樹脂（６）で覆われず、樹脂の外部に露出していても構わない。
【００３１】
以上のような半導体装置の構造により、隣接するリード（２）（３）間の隙間を無くすことが可能であり、リードフレームの多ピン化を容易に実現できる。さらに、リード（２）（３）（８）（９）が千鳥配列の多段構造になっていることにより、半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続する場合の金属細線同士のクリアランスが確保できることで、電気的不良の解消につながり、高信頼性の半導体装置が提供できる。
【００３２】
図２、図３、図４、図５、図６は本実施の形態１における半導体装置の製造方法を示す図である。
図５に示すように、まず、２段以上の多段かつ千鳥配列であるリードフレーム（１）のリード（２）（３）と、アイランド（７）上の半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極との間を金属細線（５）で接続し、その後、図６に示すように、絶縁性の樹脂（６）でリード（２）（３）の一部を封止し、図２に示すように、結合した状態のリードを切断し、長さの異なる千鳥配列のリードを形成し、絶縁性の樹脂（６）により覆われていないリード（８）（９）を形成する。
【００３３】
次に、図３に示すように、封止されていない千鳥配列のリード（１０）（１１）を、それらの両方を折り曲げ同一平面に並べ、また、図４に示すように、封止されていない千鳥配列の上部リード（１０）を折り曲げ、前記封止されていない千鳥配列の下部リード（１２）はそのままで、それらのリード（１０）（１２）を同一平面に並べる。
【００３４】
以上のような半導体装置の製造方法により、隣接するリード（２）（３）間の隙間を無くすことが可能であり、リードフレームの多ピン化を容易に実現できる。さらに、リード（２）（３）（８）（９）が千鳥配列の多段構造になっていることにより、半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続する場合に、金属細線同士のクリアランスが確保できることで、電気的不良の解消につながり、さらに、多様な実装方法が可能になり、高信頼性で自由度のある半導体装置が提供できる。
（実施の形態２）
図１は本実施の形態２における半導体装置のリードフレーム（１）部分を拡大した斜視図、図２はリード（２）（３）と半導体集積回路素子（４）上の電極とを金属細線（５）で電気的に接合した半導体装置の断面図であり、図７は図２の封止されていないリード部分を逆方向に両方折り曲げた構造の断面図であり、図８は図２の封止されていないリード部分を片方折り曲げ、もう一方はそのままである構造の断面図である。
【００３５】
図１に示すように、２段以上の多段かつ千鳥配列であるリードフレーム（１）のリード（２）（３）を有し、リード（２）と（３）は少なくとも一つおきに同一平面上に存在せず、異なる長さの構造となっている。また、同一平面上に存在しないリード（２）（３）の一部分が上下方向に重なっていても構わない。
【００３６】
さらに、図２に示すように、半導体装置は、アイランド（７）上の半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続し、絶縁性の樹脂（６）でリードの一部を封止し、絶縁性の樹脂（６）により覆われていないリード（８）（９）を有し、前記封止されていない千鳥配列のリード（８）とリード（９）は少なくとも一つおきに同一平面上に存在せず、異なる長さの構造となっている。また、同一平面上に存在しないリード（８）（９）の一部分が上下方向に重なっていても構わない。
【００３７】
また、図７に示すように、半導体装置は、アイランド（７）上の半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続し、絶縁性の樹脂（６）でリードの一部を封止し、絶縁性の樹脂（６）により覆われていないリード（１４）（１５）を有し、前記封止されていない千鳥配列のリード（１４）とリード（１５）を逆方向に両方を折り曲げた構造となっている。
【００３８】
また、図８に示すように、半導体装置は、アイランド（７）上の半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続し、絶縁性の樹脂（６）でリードの一部を封止し、絶縁性の樹脂（６）により覆われていないリード（１４）（１６）を有し、前記封止されていない千鳥配列のリード（１４）を折り曲げ、リード（１６）をそのままにした構造となっている。また、この半導体装置のアイランド（７）部分は、絶縁性の樹脂（６）で覆われず、樹脂６の外部に露出していても構わない。
【００３９】
以上のような半導体装置の構造により、隣接するリード（２）（３）間の隙間を無くすことが可能であり、リードフレームの多ピン化を容易に実現できる。さらに、リード（２）（３）（８）（９）が千鳥配列の多段構造になっていることにより、半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続する場合に、金属細線同士のクリアランスが確保できることで、電気的不良の解消につながり、高信頼性の半導体装置が提供できる。
【００４０】
図２、図５、図６、図７、図８は本実施の形態２における半導体装置の製造方法を示す図である。
図５に示すように、まず、２段以上の多段かつ千鳥配列であるリードフレーム（１）のリード（２）（３）と、アイランド（７）上の半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極との間を、金属細線（５）で接続し、その後、図６に示すように、絶縁性の樹脂（６）でリードの一部を封止し、絶縁性の樹脂（６）により覆われていないリード（８）（９）を形成し、図２に示すように結合した状態のリードを切断し、長さの異なる千鳥配列のリードを形成する。
【００４１】
次に、図７に示すように、封止されていない千鳥配列のリード（１４）とリード（１５）を、互いに逆方向に両方を折り曲げ、また、図８に示すように、封止されていない千鳥配列の上部リード（１４）を折り曲げ、前記封止されていない千鳥配列の下部リード（１６）はそのままとする。また、リード（１４）とリード（１６）の位置関係は逆転しても構わない。
【００４２】
以上のような半導体装置の製造方法により、隣接するリード（２）（３）間の隙間を無くすことが可能であり、リードフレームの多ピン化を容易に実現できる。さらに、リード（２）（３）（８）（９）が千鳥配列の多段構造になっていることにより、半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続の金属細線同士のクリアランスが確保できることで、電気的不良の解消につながり、さらに、多様な実装方法が可能になり、高信頼性で自由度のある半導体装置が提供できる。
（実施の形態３）
図１は本実施の形態３における半導体装置のリードフレーム（１）部分を拡大した斜視図、図９は半導体装置２個を積層した断面図である。
【００４３】
図１に示すように、２段以上の多段かつ千鳥配列であるリードフレーム（１）のリード（２）（３）を有し、リード（２）と（３）は少なくとも一つおきに同一平面上に存在せず、異なる長さの構造となっている。また、同一平面上に存在しないリード（２）（３）の一部分が上下方向に重なっていても構わない。
【００４４】
さらに、半導体装置は、アイランド（７）上の半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続し、絶縁性の樹脂（６）でリードの一部を封止し、絶縁性の樹脂（６）により覆われていないリード（１４）（１７）を有し、前記封止されていない千鳥配列のリード（１４）とリード（１７）は少なくとも一つおきに同一平面上存在せず、異なる長さの構造となっている。また、図７に示すように、同一平面上に存在しないリード（１４）（１５）の一部分が上下方向に重なっていても構わない。
【００４５】
次に、図９に示すように、前記の半導体装置を２個上下方向に積層し、電気的に接続した構造となっている。この場合の接続方法としては、半田ボール（１８）による、半田付けなどがある。
【００４６】
以上のような半導体装置の構造により、隣接するリード（２）（３）間の隙間を無くすことが可能であり、リードフレームの多ピン化を容易に実現できる。さらに、リード（２）（３）（１４）（１７）が千鳥配列の多段構造になっていることにより、半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続する場合に、金属細線同士のクリアランスが確保できることで、電気的不良の解消につながり、高信頼性の半導体装置が提供できる。さらに、リードフレームにおいて、半導体装置を複数段積層する実装方法が可能になる。
【００４７】
図５、図６、図９、図１０、図１１は本実施の形態３における半導体装置の製造方法を示す図である。
図５に示すように、まず、２段以上の多段かつ千鳥配列であるリードフレーム（１）のリード（２）（３）と、アイランド（７）上の半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極との間を金属細線（５）で接続し、その後、図６に示すように、絶縁性の樹脂（６）でリードの一部を封止し、結合した状態のリードを切断して、図１０に示すように、絶縁性の樹脂（６）により覆われていない同じ長さのリード（１４）（１７）を形成する。
【００４８】
次に、図１１に示すように、封止されていない千鳥配列のリード（１４）とリード（１７）を逆方向に両方折り曲げる。ここで、図９に示すように、半導体装置を２個上下方向に積層し、一方の半導体装置の前記封止されていないリード（１４）と他方の半導体装置の前記封止されていないリード（１７）を半田ボール（１８）などで電気的に接続する。
【００４９】
以上のような半導体装置の構造により、隣接するリード（２）（３）間の隙間を無くすことが可能であり、リードフレームの多ピン化を容易に実現できる。さらに、リード（２）（３）（１４）（１７）が千鳥配列の多段構造になっていることにより、半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続の金属細線同士のクリアランスが確保できることで、電気的不良の解消につながり、高信頼性の半導体装置が提供できる。さらに、リードフレームにおいて、半導体装置を複数段積層する実装方法が可能になる。
（実施の形態４）
図２、図３、図４、図５、図６、図１２は本実施の形態４における半導体装置の製造方法を示す図である。
【００５０】
図１２は本実施の形態４における半導体装置のリードフレーム（１）部分を拡大した斜視図、図２はリード（２）（３）と半導体集積回路素子（４）上の電極とを金属細線（５）で電気的に接合した半導体装置の断面図であり、図３は図２の封止されていないリード部分を両方折り曲げ同一平面に並べた構造の断面図であり、図４は図２の封止されていないリード部分を片方折り曲げ同一平面に並べた構造の断面図、図５はリード（２）（３）と半導体集積回路素子（４）上の電極とを金属細線（５）で電気的に接合し封止されていない断面図であり、図６はリード（２）（３）と半導体集積回路素子（４）上の電極とを金属細線（５）で電気的に接合し封止された断面図である。
【００５１】
図１２に示すように、２枚のリードフレーム（１９）（２０）があり、リード（１９）とリード（２０）は多段かつ千鳥配列となるように配置する。
さらに、図５に示すように、まず、２段以上の多段かつ千鳥配列とした複数枚のリードフレーム（１）のリード（２）（３）と、アイランド（７）上の半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極との間を金属細線（５）で接続する。
【００５２】
その後、図６に示すように、絶縁性の樹脂（６）でリードの一部を封止し、結合した状態のリードを切断し、図２に示すように、絶縁性の樹脂（６）により覆われていない長さの異なる千鳥配列のリード（８）（９）を形成する。
【００５３】
次に、図３に示すように、封止されていない千鳥配列のリード（１０）（１１）についてそれらの両方を折り曲げて同一平面に並べ、また、図４に示すように、封止されていない千鳥配列の上部リード（１０）を折り曲げ、前記封止されていない千鳥配列の下部リード（１２）はそのままで同一平面に並べる。
【００５４】
以上のような半導体装置の製造方法により、隣接するリード（２）（３）間の隙間を無くすことが可能であり、リードフレームの多ピン化を容易に実現できる。さらに、リード（２）（３）（８）（９）が千鳥配列の多段構造になっていることにより、半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続の金属細線同士のクリアランスが確保できることで、電気的不良の解消につながり、さらに、多様な実装方法が可能になり、高信頼性で自由度のある半導体装置が提供できる。
（実施の形態５）
図２、図５、図６、図７、図８、図１２は本実施の形態５における半導体装置の製造方法を示す図である。
【００５５】
図１２は本実施の形態５における半導体装置のリードフレーム（１）部分を拡大した斜視図、図２はリード（２）（３）と半導体集積回路素子（４）上の電極とを金属細線（５）で電気的に接合した半導体装置の断面図であり、図７は図２の封止されていないリード部分を逆方向に両方折り曲げた構造の断面図であり、図８は図２の封止されていないリード部分を片方折り曲げ、もう一方はそのままである構造の断面図であり、図５はリード（２）（３）と半導体集積回路素子（４）上の電極とを金属細線（５）で電気的に接合し封止されていない断面図であり、図６はリード（２）（３）と半導体集積回路素子（４）上の電極とを金属細線（５）で電気的に接合し封止された断面図である。
【００５６】
図１２に示すように、２枚のリードフレーム（１９）（２０）があり、リード（１９）とリード（２０）は多段かつ千鳥配列となるように配置する。
さらに、図５に示すように、まず、２段以上の多段かつ千鳥配列であるリードフレーム（１）のリード（２）（３）と、アイランド（７）上の半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極との間を金属細線（５）で接続する。
【００５７】
その後、図６に示すように、絶縁性の樹脂（６）でリードの一部を封止し、結合した状態のリードを切断し、図２に示すように、絶縁性の樹脂（６）により覆われていない長さの異なる千鳥配列のリード（８）（９）を形成する。
【００５８】
次に、図７に示すように、封止されていない千鳥配列のリード（１４）とリード（１５）を逆方向に両方折り曲げ、また、図８に示すように、封止されていない千鳥配列の上部リード（１４）を折り曲げ、前記封止されていない千鳥配列の下部リード（１６）はそのままとする。また、リード（１４）とリード（１６）の位置関係は逆転しても構わない。
【００５９】
以上のような半導体装置の製造方法により、隣接するリード（２）（３）間の隙間を無くすことが可能であり、リードフレームの多ピン化を容易に実現できる。さらに、リード（２）（３）（８）（９）が千鳥配列の多段構造になっていることにより、半導体集積回路素子（４）上に設けられた電極と、前記リード（２）（３）間を金属細線（５）で接続の金属細線同士のクリアランスが確保できることで、電気的不良の解消につながり、さらに、多様な実装方法が可能になり、高信頼性で自由度のある半導体装置が提供できる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明の半導体装置およびその製造方法は、リードフレームとして、リードを多段かつ千鳥配列にすることで、リード数を増加させることができることより、半導体集積回路素子電極の狭ピッチ化に対応した多ピン化リードフレームの作成が容易となって、金属細線による接合方法も多様となり、様々な実装方法が可能になり、例えば、ＤＶＤ機器や、携帯電話、デジタルＴＶなどのデジタル家電において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施の形態の半導体装置およびその製造方法におけるリード部分を拡大した斜視図
【図２】本発明の実施の形態の半導体装置およびその製造方法におけるリードと半導体集積回路素子上の電極とを金属細線で電気的に接合した断面図
【図３】図２の封止されていないリード部分を両方折り曲げて同一平面に並べた構造の断面図
【図４】図２の封止されていないリード部分を片方折り曲げて同一平面に並べた構造の断面図
【図５】本発明の実施の形態の半導体装置およびその製造方法におけるリードと半導体集積回路素子上の電極とを金属細線で電気的に接合し封止されていない断面図
【図６】本発明の実施の形態の半導体装置およびその製造方法におけるリードと半導体集積回路素子上の電極とを金属細線で電気的に接合し封止されている断面図
【図７】図２の封止されていないリード部分を逆方向に両方折り曲げた構造の断面図
【図８】図２の封止されていないリード部分を片方折り曲げてもう一方はそのままである構造の断面図
【図９】本発明の実施の形態の半導体装置およびその製造方法において半導体装置を２個積層した断面図
【図１０】本発明の実施の形態の半導体装置およびその製造方法において封止されていない部分のリードの長さが等しい半導体装置の断面図
【図１１】本発明の実施の形態の半導体装置およびその製造方法において封止されていない部分の長さが等しいリードを両方折り曲げた構造の半導体装置の断面図
【図１２】本発明の実施の形態の半導体装置およびその製造方法において半導体装置の２枚のリードフレーム部分を拡大した斜視図
【図１３】従来の半導体装置およびその製造方法におけるインナーリードの一部の斜視図
【図１４】従来の半導体装置およびその製造方法における金属細線により半導体集積回路素子上の電極とインナーリードが電気的に接続されている一部分の斜視図
【図１５】図１４の断面図
【図１６】従来の半導体装置およびその製造方法における一部のインナーリードとリードフレームアイランドの平面図
【符号の説明】
【００６２】
１    リードフレーム
２、８、１０、１４、１９    （千鳥配列となった）上部リード
３、９、１１、１２、１５、１６、１７、２０    （千鳥配列となった）下部リード
４    半導体集積回路素子
５    金属細線
６    絶縁性の樹脂
７、１３    （リードフレームの）アイランド
（１８）    半田ボール
２１    短いインナーリード
２２    長いインナーリード
２３    （アイランドと同一平面上に存在するインナーリード上の金属細線の）接続点
２４    （アイランドより高い位置に存在するインナーリード上の金属細線の）接続点
２５    （リードの）段差部分
２６    （半導体集積回路素子上に設けられた千鳥配の外側に存在する）電極の一部
２７    （半導体集積回路素子上に設けられた千鳥配の内側に存在する）電極の一部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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