(57)【要約】【課題】電極の変形を最小化し、誘電体の間隔を一定に維持するプラズマ発生装置を提供すること。【解決手段】  本発明では、ノズルヘッド５０に一対の誘電体板５２、５２’が着脱可能に設置される。このため、前記誘電体板５２、５２’の上端は、チャンバハウジング４６の下部に形成された安着スリット４９に挟み込まれ、前記誘電体板５２、５２’の下端は、電極カバー５８の下端に形成された段差部５９におかれることにより、固定される。また、前記誘電体板５２、５２’間の隙間５３ｈを維持するために、前記隙間５３ｈの両端部には、スペーサ６４が挿入される。このような構成を有する本発明によると、誘電体板間の隙間を一定に維持することができるので、均一なプラズマを形成することができ、誘電体板の交替及びメンテナンスが容易になるという利点がある。【選択図】図３
2008103323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向に延び、内部に反応ガスが混合されるガスチャンバが形成されるチャンバハウジングと、
前記チャンバハウジングの下部に互いに対向して設けられ、両方の間の隙間で前記反応ガスがプラズマに変化する一対の誘電体板と、
前記誘電体板の裏面に互いに平行に設けられる一対の電極と、
前記電極を取り囲む電極カバーと、
を備えることを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項２】
前記誘電体板は、着脱可能に設置されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生装置。
【請求項３】
前記誘電体板は、
前記チャンバハウジングの下端から所定の深さめり込み、前記誘電体板の上端に対応する形状に形成された安着スリットに、前記誘電体板の上端が挟み込まれることにより、前記チャンバハウジングと結合されることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ発生装置。
【請求項４】
前記電極カバーの下部には、
前記誘電体板の下端がおかれる段差部が形成されることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ発生装置。
【請求項５】
前記誘電体板の両端部において、前記隙間には、
前記誘電体板の間隔を維持させるスペーサが挿入されることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ発生装置。
【請求項６】
前記スペーサは、
前記電極カバーの両端に結合される端部カバーの中央に垂直方向に形成された安着溝に挿入されることにより固定されることを特徴とする請求項５に記載のプラズマ発生装置。
【請求項７】
前記チャンバハウジングの下部には、前記ガスチャンバと前記誘電体板との隙間を連結する連結スリットが形成され、前記連結スリットは、前記チャンバハウジングを縦方向に長く貫通して形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のプラズマ発生装置。
【請求項８】
前記電極には、前記電極で発生する熱を冷却させるための流体が通る冷却ラインが設置されることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ発生装置。
【請求項９】
前記電極カバーは、ウルテム材で形成されることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ発生装置。
【請求項１０】
前記電極カバーの外側には、補強板が設けられ、前記補強板を貫通して調節ボルトが螺合され、前記調節ボルトの先端が前記電極カバーの外側面と接触することを特徴とする請求項９に記載のプラズマ発生装置。
【請求項１１】
前記チャンバハウジングの上部には、外部から流入したガスが一時貯蔵されるガス流入口が内部に形成され、前記ガス流入口と前記ガスチャンバを連結する連結通路が形成される本体がさらに備えられ、
前記本体は、アルミニウムで形成されることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマ発生装置。
【請求項１２】
ガス供給チャンネルの本体に形成されたガス流入口に反応ガスを注入する第１の工程と、
前記ガス流入口に充填されたガスをガスチャンバに流入させる第２の工程と、
前記ガスチャンバで反応ガスとキャリアガスが混合される第３の工程と、
前記ガスチャンバで混合されたガスを、前記ガスチャンバの下部に長手方向に延びた連結スリットを通じて、誘電体板間の隙間に流入させる第４の工程と、
前記隙間内で混合されたガスがプラズマ状態に変わる過程で発生するラジカルが、基板の上面に排出され、基板を洗浄する第５の工程と、
を含むことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１３】
前記基板は前記誘電体板間の隙間の下部に位置し、前記誘電体板に対して移動することを特徴とする請求項１２に記載の基板洗浄方法。
【請求項１４】
基板上にパターンを蒸着する工程と、
前記基板上の不純物を除去するために進められ、請求項１２または１３に記載の基板洗浄工程と、
を含むことを特徴とするディスプレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ発生装置に関し、より詳しくは、誘電体間に高周波電源を印加し、その誘電体間を流れる任意のガスをプラズマ状態として、基板上に蒸着、洗浄、アッシング、エッチング等の表面を処理するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
本明細書では、大気圧下でプラズマを発生させるもの、すなわち、常圧プラズマ発生装置を中心として説明する。
【０００３】
図１は、従来の常圧プラズマ発生装置の概略図である。図１に示すように、内部にガスが流入されて混合するように形成されたガスチャンバ１０が設けられている。前記ガスチャンバ１０の下部には、補強カバー１２が設けられるが、前記補強カバー１２は、電極１４、１４’を支持して保護するためのものである。前記電極１４、１４’は、第１の電極１４と第２の電極１４’が互いに対向して設けられ、前記電極１４、１４’の外面には、誘電層１５がコーティングされている。一方、前記第１の電極１４には、高周波（ＲＦ）を印加する高周波電源供給部１８が連結され、前記第２の電極１４’が接地されている。
【０００４】
このような構成を有する従来の技術では、前記第１の電極１４と第２の電極１４’との間に高周波を印加し、この状態で、誘電層１５間に前記ガスチャンバ１０で生成した反応ガスを流すと、そのガスは、プラズマ状態となる。このとき、前記プラズマは、前記補強カバー１２の下部に位置された基板１９に噴射され、基板１９の上面では、前記プラズマによる表面処理が行われる。
【０００５】
しかしながら、上述したような従来の技術では、次のような問題点があった。従来の技術による常圧プラズマ発生装置は、前記電極１４、１４’の外面に誘電層１５をコーティングして製作する。このようなコーティング方式としては、溶射処理があるが、より詳述すると、誘電層１５を構成する物質を溶液状態に溶かした後、これに気流を吹き込ませ、霧状に飛ばして、電極の表面に付着させる方法である。
【０００６】
このような方式で形成された誘電体は、多孔性であるので、被覆が不完全に行われ、密度組職が緻密ではなくなる。これにより、プラズマの均一性が損なわれる問題が発生した。
【０００７】
また、誘電層１５の溶液状態は、高温であるので、これを溶射して前記電極１４、１４’を被膜する過程で、前記電極１４、１４’に熱変形が生じるようになる。前記電極１４、１４’が変形すると、前記電極１４、１４’間の間隔を一定に維持することができないため、反応ガスの流速の変わるという問題点が発生した。反応ガスの流速が変わると、プラズマの均一性が落ちるようになる。特に、このような溶射方式によると、大面積基板に適用可能な電極と誘電体の作製が難しくなる。
【０００８】
また、従来の技術では、前記電極１４、１４’に誘電層１５を溶射するため、作製費用が高価である。それだけでなく、前記電極１４、１４’と誘電層１５が一体となっているため、誘電層１５のみが破損した場合、電極１４、１４’の全体を交替しなければならず、これによる交替費用が多くかかり、メンテナンスが難しいという短所があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、電極の変形を最小化し、誘電体の間隔を一定に維持するプラズマ発生装置を提供することを目的とする。
【００１０】
また、大面積基板に適用可能であり、メンテナンスが容易なプラズマ発生装置を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するため、本発明によるプラズマ発生装置は、長手方向に延び、内部に反応ガスが混合されるガスチャンバが形成されるチャンバハウジングと、前記チャンバハウジングの下部に互いに対向して設けられ、両方の間の隙間で前記反応ガスがプラズマに変化する一対の誘電体板と、前記誘電体板の裏面に互いに平行に設けられる一対の電極と、前記電極を取り囲む電極カバーと、を備えることを特徴とする。
【００１２】
前記誘電体板は、着脱可能に設置される。
【００１３】
前記誘電体板は、前記チャンバハウジングの下端から所定の深さめり込み、前記誘電体板の上端に対応する形状に形成された安着スリットに、前記誘電体板の上端が挟み込まれることにより、前記チャンバハウジングと結合される。
【００１４】
前記電極カバーの下部には、前記誘電体板の下端がおかれる段差部が形成される。
【００１５】
前記誘電体板の両端部において、前記隙間には、前記誘電体板の間隔を維持させるスペーサが挿入される。
【００１６】
前記スペーサは、前記電極カバーの両端に結合される端部カバーの中央に垂直方向に形成された安着溝に挿入されることにより固定される。
【００１７】
前記チャンバハウジングの下部には、前記ガスチャンバと前記誘電体板との隙間を連結する連結スリットが形成され、前記連結スリットは、前記チャンバハウジングを縦方向に長く貫通して形成される。
【００１８】
前記電極には、前記電極で発生する熱を冷却させるための流体が通る冷却ラインが設置される。
【００１９】
前記電極カバーは、ウルテム材で形成される。
【００２０】
前記電極カバーの外側には、補強板が設けられ、前記補強板を貫通して調節ボルトが螺合され、前記調節ボルトの先端が前記電極カバーの外側面と接触する。
【００２１】
前記チャンバハウジングの上部には、外部から流入したガスが一時貯蔵されるガス流入口が内部に形成され、前記ガス流入口と前記ガスチャンバを連結する連結通路が形成される本体がさらに備えられ、前記本体は、アルミニウムで形成される。
【００２２】
本発明による基板洗浄方法は、ガス供給チャンネルの本体に形成されたガス流入口に反応ガスを注入する第１の工程と、前記ガス流入口に充填されたガスをガスチャンバに流入させる第２の工程と、前記ガスチャンバで反応ガスとキャリアガスが混合される第３の工程と、前記ガスチャンバで混合されたガスを、前記ガスチャンバの下部に長手方向に長く延長された連結スリットを通じて、誘電体板間の隙間に流入させる第４の工程と、前記隙間内で混合されたガスがプラズマ状態に変わる過程で発生するラジカルが、基板の上面に排出され、基板を洗浄する第５の工程と、を含むことを特徴とする。
【００２３】
このとき、前記基板を前記誘電体板間の隙間の下部に位置させ、前記基板と前記誘電体板を相手移動させることを特徴とする。
【００２４】
本発明によるディスプレイ基板の製造方法は、基板上にパターンを蒸着する工程と、前記基板上の不純物を除去するために進められ、前記基板洗浄工程と、を含むことを特徴とする。
【００２５】
このような本発明によると、誘電体板と電極を別に形成して組み立てるので、均一なプラズマを発生させることができ、大面積基板に適用が容易であり、装置のメンテナンスが容易であるという利点がある。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によると、次のような効果を期待することができる。
【００２７】
第一に、電極の変形が最小化するので、均一な電界を形成するようになり、均一なプラズマを発生させることができる。また、誘電体板の間隔が一定に維持されるので、大面積の基板上に均一なプラズマを噴射することができるようになる。したがって、大面積基板上の表面処理を大面積の全体にわたって均一に行うことができ、効果的に行うようになる。
【００２８】
また、本発明では、誘電体板と電極が別に形成され、それぞれ組み立てられる方式である。したがって、前記誘電体板が損傷した場合、誘電体板のみを交替すればよいので、交替費用を減らすことができ、メンテナンスが容易であるので、装置の信頼性を高めるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳しく説明する。
【００３０】
図２は、本発明によるプラズマ発生装置の好適な実施の形態を示す斜視図であり、図３は、図２のＡ−Ａ’線による断面図であり、図４は、本発明によるプラズマ発生装置の縦断面図であり、図５は、本発明によるプラズマ発生装置において、スペーサと端部カバーの結合を示す斜視図である。
【００３１】
図２と図３に示すように、本発明によるプラズマ発生装置は、ステージ（図示せず）上に固着された被処理物、すなわち、基板２０の上部に設けられる。前記プラズマ発生装置は、基板２０の幅に対応する長さに形成されたノズルユニット３０と、前記ノズルユニット３０に高周波電源を印加する電源供給部（図示せず）と、前記ノズルユニット３０に反応ガスを供給するガス処理源(図示せず)と、を備える。また、前記ノズルユニット３０とガス処理源は、ガス供給ライン３１で連結される。
【００３２】
前記ノズルユニット３０の両端は、支持ブラケット３３によって、支持端３５に連結される。前記支持ブラケット３５が支持されることにより、前記ノズルユニット３０の両端が固定される。一方、前記ノズルユニット３０と前記基板２０は、相対的に移動する。例えば、本実施の形態では、前記基板２０が、図２の矢印方向に沿って移動するように設置されるが、これに限られるものではなく、前記ノズルユニット３０が基板２０に対して移動するように設置されてもよい。
【００３３】
前記ノズルユニット３０に電源を印加すると、前記ガス処理源から供給される反応ガスは、前記ガス供給ライン３１を通じて、前記ノズルユニット３０の内部を通過しながら、プラズマ状態で活性化され、ラジカルを発生させる。このように発生したラジカルは、前記基板２０の表面と化学的な反応を起こし、表面改質や洗浄またはエッチングに用いられる。
【００３４】
前記ノズルユニット３０の上部には、前記ガス供給ライン３１から流入するガスを混合し、前記ノズルヘッド５０に伝達するガス供給チャンネル４０が設けられている。前記ガス供給チャンネル４０の上部の外観を本体４１が形成し、前記本体４１の内部には、ガス流入口４３が形成される。前記ガス流入口４３には、前記ガス供給ライン３１が連結されることにより、ガスが流入する。また、前記本体４１には、連結通路４５が形成されるが、前記連結通路４５は、前記ガス流入口４３の下部と後述するガスチャンバ４７とを連結するためのものである。
【００３５】
本実施の形態では、前記本体４１をアルミニウムで製作しているが、これは、前記本体４１の強度を維持しながらも、相対的に荷重を減少させるためのものである。前記ノズルユニット３０が、前記支持端３５によって両端部でのみ支持されても、前記ノズルユニト３０の上部に位置する前記本体４１の荷重が減少することにより、その中央部の垂れが防止される。
【００３６】
一方、前記本体４１の下部には、チャンバハウジング４６が設けられるが、前記チャンパハウジング４６は、前記ガス供給チャンネル４０の下部の外観を形成する。また、前記チャンバハウジング４６の内部には、前記連結通路４５の下端と連結されるガスチャンバ４７が形成される。前記ガスチャンバ４７では、プラズマを発生させるための反応ガスが混合される。
【００３７】
前記チャンバハウジング４６の中央の下部には、前記ガスチャンバ４７と後述する誘電体板５２、５２’との間の隙間５３ｈを連結する連結スリット４８が形成される。すなわち、前記連結スリット４８は、前記ガスチャンバ４７の内部で混合された反応ガスを前記の隙間５３ｈに流入させるための通路となる。本実施の形態で、前記連結スリット４８は、前記チャンバハウジング４６の中央を縦方向に長く貫通するスリット状であり、前記チャンバハウジング４６の左右両端を横切って形成される。
【００３８】
また、前記チャンバハウジング４６の下部には、誘電体板５２、５２’が挿入されるための構造が形成される。言い換えれば、前記連結スリット４８を中心として、両方に安着スリット(seating slit)４９が形成されるが、前記安着スリット４９は、前記チャンバハウジング４６の左右両端を横切って長手方向に形成される。また、前記安着スリット４９は、前記チャンバハウジング４６の下端から所定の深さだけめり込んで形成され、後述する誘電体板５２、５２’の上端に対応する形状である。
【００３９】
一方、ノズルヘッド５０には、一対の誘電体板５２、５２’が平行に対向して設けられている。前記誘電体板５２、５２’は、長手方向に長く延長された板状であり、前記基板２０の上面と垂直方向に設けられ、所定の間隔をなすように設けられている。また、前記誘電体板５２、５２’の上端は、前記チャンバハウジング４６に形成された安着スリット４６に挟み込まれる。前記誘電体板５２、５２’が、前記安着スリット４９にそれぞれ挿入されることにより、前記誘電体板５２、５２’の上端で、前記誘電体板間の間隔が維持される。
【００４０】
本実施の形態において、前記誘電体板５２、５２’は、誘電物質が板状に予め製作されたものであり、後述する電極５４、５４’とは別に形成される。前記誘電体板５２、５２’の材質は、好ましくは、Ａｌ２Ｏ３とする。このような誘電体板５２、５２’の厚さは、好ましくは、１．５ｍｍ以上、３ｍｍ以下である。
【００４１】
また、前記誘電体板５２、５２’間には、所定の隙間５３ｈが形成されるが、前記隙間５３ｈでは、前記連結スリット４８から流入した反応ガスが通過しながら、プラズマとして活性化される。前記誘電体板５２、５２’の間隔、すなわち、前記誘電体板５２、５２’の隙間５３ｈの幅は、好ましくは、１ｍｍ以上、２．５ｍｍ以下である。
【００４２】
前記誘電体板５２、５２’の対向面の反対面には、一対の電極５４、５４’が面接触して設置される。前記電極５４、５４’は、前記誘電体板５２、５２’に対応する形状であり、長手方向に延び、互いに平行に設けられる。第１の電極５４には、前記電源供給部（図示せず）が連結されて高周波電源が印加され、第２の電極５４’は、接地されている。
【００４３】
前記電極５４、５４’において、前記誘電体板５２、５２’と接触する面の反対面には、長手方向に延びた埋込部５５に冷却ライン５６が設置される。前記冷却ライン５６は、前記電極５４、５４’に電源が印加されることにより、前記電極５４、５４’の温度が上昇することを防止するためのものであり、前記冷却ライン５６に沿って流体を流し、前記電極５４、５４’を冷却させる。本実施の形態では、水冷式として、前記冷却ライン５６にイオン成分が除去された純水を送り込む冷却方式による。
【００４４】
前記電極５４、５４’の外側には、前記電極５４、５４’の外面を取り囲む電極カバー５８が設けられる。すなわち、前記電極５４、５４’において、前記誘電体板５２、５２’と接触する面を除いては、電極カバー５８により取り囲まれる。前記電極カバー５８は、前記チャンバハウジング４６に対して幅方向に移動可能に設置される。
【００４５】
また、前記電極カバー５８の下部には、前記誘電体板５２、５２’の下端におかれる段差部５９が形成される。すなわち、前記段差部５９の上面が、前記誘電体板５２、５２’の下端を支持する。前記段差部５９の上面の幅は、前記誘電体板５２、５２’の幅に対応するので、前記誘電体板５２、５２’の隙間５３ｈと前記段差部５９の先端との間の間隔５９ｈが、同一の幅からなる。
【００４６】
前記電極カバー５８は、ウルテム（Ultem）素材とすることが好ましい。ウルテムとは、ポリエーテルイミド樹脂を押出成形した素材で、熱可塑性特殊プラスチックであり、絶縁破壊強度性がよく、耐熱性で低発煙性であるので、熱水や蒸気に連続的に作業しても、安定的であり、高引張強度を維持する。ウルテム素材は、耐化学性がよく、衛生性に優れ、薬品製造装置に用いられたり、または、電磁波通信装備に高周波絶縁体として用いられたりする。本実施の形態では、前記電極カバー５８を絶縁性質に優れたウルテム素材として、電極とアークの発生を抑制し、人体に触れたときの感電事故を減らすようにしたものである。
【００４７】
図４乃至図５を参照すると、前記電極カバー５８の長手方向の両端部には、前記電極カバー５８の端部を補強するための端部カバー６２が設けられる。前記端部カバー６２は、前記電極カバー５８に結合され、前記誘電体板５２、５２’の端部を支持する。また、前記端部カバー６２の中央には、垂直方向に安着溝(seating groove)６３が形成され、前記安着溝６３には、後述するスペーサ６４が挟み込まれる。また、前記端部カバー６２の下部には、前記スペーサ６４の下端を支持するスペーサ支持部６５が結合される。
【００４８】
前記誘電体板５２、５２’の長手方向の両端部には、前記誘電体板５２、５２’の隙間５３ｈにスペーサ６４が設置される。前記スペーサ６４は、前記スペーサ６４の一側端が、前記端部カバー６２に形成された安着溝６３に挿入される方式で固定される。また、前記スペーサ６４の下端は、前記スペーサ支持部６５によって支持される。前記スペーサ６４は、前記誘電体板５２、５２’の隙間５３ｈを維持させるためのものである。すなわち、前記スペーサ６４は、板状であり、誘電体板５２、５２’間の空間に挟み込まれ、前記誘電体板５２、５２’の間隔が狭くなることを防止する。
【００４９】
一方、前記電極カバー５８のそれぞれの外側面には、補強板７０が設けられている。前記補強板７０は、長手方向に長く延長され、垂直方向には、前記チャンバハウジング４６の上面と一致する高さで延長される。すなわち、前記補強板７０は、前記チャンバハウジング４６の両側面と電極カバー５８の両側面を支持する。また、前記補強板７０を貫通して調節ボルト７５が螺合されるが、このとき、前記調節ボルト７２の先端が、前記電極カバー５８の外側面と接するようになる。前記調節ボルト７２を両側から螺合で挿入させると、前記電極カバー５８の外側面を両側から押し、前記電極カバー５８の間隔が狭くなる。これは、前記誘電体板５２、５２’の組立過程で、前記誘電体板５２、５２’の隙間５３ｈが増加することを防止するためのものである。
【００５０】
以下、上述したような構成を有する本発明によるプラズマ発生装置の作用について詳述する。
【００５１】
図２乃至図５を参考して、本発明のプラズマ発生装置の動作を説明する。先ず、ガス供給ライン３１を通じて、ガス供給チャンネル４０の本体４１に形成されたガス流入口４３に反応ガスが注入される。前記ガス流入口４３に充填されたガスは、下部に形成された連結通路４５を通じて、ガスチャンバ４７に流れる。前記ガスチャンバ４７では、反応ガスとキャリアガスが混合される。
【００５２】
ガスチャンバ４７で混合された反応ガスは、連結スリット４８を通じて誘電体板５２、５２’間の空間に伝達される。このとき、本発明では、連結スリット４８がチャンバハウジング４６の下部中央を長手方向に貫通するスリット状に形成されるので、前記ガスチャンバ４７から誘電体板５２、５２’の隙間５３ｈに供給される反応ガスの流速が、ノズルヘッド５０の全長にわたって均一になる。
【００５３】
一方、ノズルヘッド５０に設けられた一対の電極に高周波電源が印加されると、前記隙間５３ｈに電界が形成される。これにより、隙間５３ｈ内において、グロー放電が起こり、前記反応ガスがプラズマ状態に変わる。このような過程で、ラジカルが発生し、これらのラジカルは、ノズルヘッド５０の下部に設けられる基板２０の上面に排出される。このような工程で発生するラジカルを用いて、基板２０上の異物やパターンの一部を除去する洗浄工程が進行される。このとき、前記基板２０とノズルヘッド５０を相手移動させながら行われる。
【００５４】
前記洗浄工程は、液晶ディスプレイ基板の製造方法にも用いられてもよい。例えば、液晶ディスプレイの製造過程中で、基板にパターンを蒸着した後に基板の異物を除去する段階において、前記洗浄工程が進行されてもよい。
【００５５】
一方、本発明では、電極５４、５４’に誘電体を溶射する方式ではなく、別に作製された誘電体板５２、５２’を電極５４、５４’間に挟み込む方式で行われるので、電極５４、５４’の熱的変形を防止することができる。電極５４、５４’が変形しないので、均一な電界が形成される。
【００５６】
また、本発明によると、誘電体板５２、５２’の隙間５３ｈが均一に維持されながらも、前記ノズルヘッド５０で着脱可能に結合される。すなわち、前記誘電体板５２、５２’は、前記誘電体板５２、５２’の上端が、チャンバハウジング４６の下端に形成された安着スリット４９に挿入され、前記誘電体板５２、５２’の下端が、前記電極５４、５４’を取り囲む電極カバー５８の下端に形成された段差部５９により支持されることにより、ノズルヘッド５０に設置される。また、前記誘電体板５２、５２’の長手方向に両端部の隙間５３ｈには、スペーサが設置され、誘電体板５２、５２’間の隙間を維持させる。このようになると、ノズルヘッド５０の全長にわたって誘電体板５２、５２’の隙間５３ｈの幅が一定になるので、隙間５３ｈから噴射されるプラズマの流れを均一に維持することができる。したがって、大面積の基板２０の上面に均一な表面処理を行うことができる。
【００５７】
一方、本発明では、誘電体板５２、５２’と電極５４、５４’が別に形成され、それぞれ組み立てられる方式である。したがって、前記誘電体板５２、５２’が損傷した場合、誘電体板５２、５２’のみを交替すればよい。
【００５８】
本発明の権利は、上述した実施の形態に限定されず、請求の範囲に記載されたところによって定められ、本発明の技術の分野における通常の知識を有する者が、請求の範囲に記載された権利範囲内で様々な変形と改作が可能であることは、自明である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】従来の常圧プラズマ発生装置の概路図である。
【図２】本発明によるプラズマ発生装置の好適な実施の形態を示す斜視図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線による断面図である。
【図４】本発明によるプラズマ発生装置の縦断面図である。
【図５】本発明によるプラズマ発生装置において、スペーサと端部カバーの結合を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６０】
３０    ノズルユニット
４０    ガス供給チャンネル
４１    本体
４３    ガス流入口
４５    連結通路
４６    チャンバハウジング
４７    ガスチャンバ
４８    連結スリット
４９    安着スリット
５０    ノズルヘッド
５２、５２’  誘電体板
５３ｈ  隙間
５４、５４’  電極
５５    凹込部
５６    冷却ライン
５８    電極カバー
５９    段差部
６２    端部カバー
６３    安着溝
６４    スペーサ
６５    スペーサ支持部
７０    補強板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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