(57)【要約】      （修正有）【課題】チップの突き上げを不要とするピックアップ方法、およびピックアップ装置を提供する。【解決手段】固定ジグ３は、片面に複数の突起物３６と側壁３５を有するジグ基台３０と、ジグ基台３０の突起物３６を有する面上に積層され側壁３５の上面に接着された密着層３１とからなる。ジグ基台３０の突起物を有する面には、密着層３１、突起物３６および側壁３５により区画空間３７が形成され、貫通孔３８によって真空源に接続されている。貫通孔３８を通して区画空間３７内の空気を吸引して密着層３１を変形させるとともに、チップ１３の上面側から吸着コレット７０がチップ１３を吸引して、チップ１３を密着層３１からピックアップする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップが固定されている固定ジグからチップをピックアップする方法であって、
前記固定ジグは、片面に複数の突起物を有し、かつ該片面の外周部に前記突起物と略同じ高さの側壁を有するジグ基台と、該ジグ基台の前記突起物を有する面上に積層され、前記側壁の上面で接着された密着層とからなり、前記ジグ基台の突起物を有する面には、前記密着層、前記突起物および前記側壁により区画空間が形成され、前記ジグ基台には、外部と前記区画空間とを貫通する少なくとも一つの貫通孔が設けられており、
前記チップを前記固定ジグの密着層面に固定された状態とするチップ固定工程と、
前記貫通孔を通して前記区画空間内の空気を吸引して前記密着層を変形させる密着層変形工程と、
前記チップの上面側から吸着コレットが前記チップを吸引して、当該チップを前記密着層から完全にピックアップするピックアップ工程とを含むことを特徴とするチップのピックアップ方法。
【請求項２】
前記チップが半導体ウエハを個片化した半導体チップであることを特徴とする請求項１に記載のチップのピックアップ方法。
【請求項３】
前記半導体チップが、半導体チップをダイシングシート上でダイシングを行って個片化されたものであり、半導体チップの露出した面を前記固定ジグの密着層に密着させた後、ダイシングシートを剥離することによって半導体チップを固定ジグの密着層面に配列させたことを特徴とする請求項２に記載のチップのピックアップ方法。
【請求項４】
前記半導体チップが、半導体ウエハの回路面側をハーフカットし回路面を保護シートで保護して裏面側からハーフカットの溝まで達するように研削を行って個片化されたものであり、半導体チップの露出した面を前記固定ジグの密着層に密着させた後、保護シートを剥離することによって半導体チップを固定ジグの密着層面に配列させたことを特徴とする請求項２に記載のチップのピックアップ方法。
【請求項５】
前記半導体チップが、レーザー光により半導体ウエハの層内に脆弱部を形成し、該脆弱部の軌跡が所望の輪郭となるようレーザー光を対向移動させ、半導体ウエハに衝撃を与えて該脆弱部の軌跡を破断させて個片化されたものであり、レーザー光を照射する前に半導体ウエハを固定ジグの密着層に密着させたことを特徴とする請求項２に記載のチップのピックアップ方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかのピックアップ方法において用いるピックアップ装置であって、前記固定ジグを固定するテーブルとチップを吸引保持する吸着コレットとを有し、前記テーブルは前記固定ジグ本体を固定する吸着部と、固定ジグの貫通孔に接続して前記区画空間を吸引するための吸引部が開口し、それぞれ独立して吸着が可能となっていることを特徴とするチップのピックアップ装置。
【請求項７】
前記テーブルは、Ｘ方向、Ｙ方向、回転方向に移動可能であり、目標のチップと吸着コレットが正対するように位置制御可能であることを特徴とする請求項６に記載のチップのピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップの突き上げを行わないピックアップ方法およびピックアップ装置に関し、特に、極薄に研削され比較的大面積の半導体チップをダメージ無くピックアップすることが可能なチップのピックアップ方法およびピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣカードや携帯電子機器の普及が進み、さらなる半導体部品の薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。
【０００３】
半導体チップは、表面回路形成を行った後、裏面を所定の厚さに切削を行い回路毎にダイシングを行って形成される。また別の方法として、表面回路形成を行った後、回路面から所定の厚さを越える溝を形成し裏面から所定の厚さまで研削を行うことによる方法（先ダイシング）によっても半導体チップが形成される。
【０００４】
半導体チップは、チップがバラバラにならないようダイシングシートなどの粘着シート上に固定された状態でピックアップ工程に投入される。粘着シート上のチップをピックアップする際には、粘着シートとの接触面積を低減させるため、チップの裏面の粘着シートを細針によって突き上げることが行われている。細針で突き上げられたチップは、上面から吸引コレットで吸着され粘着シートから剥離してチップ基板等のダイパッドに移送させる。
【０００５】
ところで、チップが極薄化してきていることによって、細針による突き上げはチップに少なくないダメージを与える。ダメージを受けたチップを使用した半導体装置は、熱履歴を受けることによってパッケージクラックを起こすなど信頼性に欠ける品質となる。また、受けたダメージが大きいとチップの突き上げでチップの損壊が起こる場合がある。
【０００６】
そこで、このような問題を解消するため、細針による突き上げを行わないピックアップ方法が検討されている。（特開２００３−１７９１２６号公報（特許文献１参照）これらのピックアップ方法は、粘着テープの代わりにポーラス素材の吸着テーブルを用い、チップをピックアップする際に吸着テーブルの吸着を停止してチップの保持力を消している。しかし、この方法では、チップ間の隙間は塞がれず空気がリークしており、さらにチップをピックアップするごとにリーク量が増大する。これにより、ピックアップされずに残っているチップに対する保持力が低下し、振動によってチップの位置がずれ、コレットがチップを捉えられなくなるという問題が出てくる。
【特許文献１】特開２００３−１７９１２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記のような問題に鑑み、チップの突き上げを不要とするとともに、ピックアップの進行でピックアップされていないチップの保持力が変動するようなことのないピックアップ方法、およびこのようなピックアップ方法を実現するためのピックアップ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るチップのピックアップ方法は、
チップが固定されている固定ジグからチップをピックアップする方法であって、
前記固定ジグは、片面に複数の突起物を有し、かつ該片面の外周部に前記突起物と略同じ高さの側壁を有するジグ基台と、該ジグ基台の前記突起物を有する面上に積層され、前記側壁の上面で接着された密着層とからなり、前記ジグ基台の突起物を有する面には、前記密着層、前記突起物および前記側壁により区画空間が形成され、前記ジグ基台には、外部と前記区画空間とを貫通する少なくとも一つの貫通孔が設けられており、
前記チップを前記固定ジグの密着層面に固定された状態とするチップ固定工程と、
前記貫通孔を通して前記区画空間内の空気を吸引して前記密着層を変形させる密着層変形工程と、
前記チップの上面側から吸着コレットが前記チップを吸引して、当該チップを前記密着層から完全にピックアップするピックアップ工程とを含むことを特徴としている。
【０００９】
また、本発明は、前記チップが半導体ウエハを個片化した半導体チップに好ましく適用できる。
さらに、本発明は、前記半導体チップが、半導体チップをダイシングシート上でダイシングを行って個片化されたものであり、半導体チップの露出した面を前記固定ジグの密着層に密着させた後、ダイシングシートを剥離することによって半導体チップを固定ジグの密着層面に配列させることが好ましい。
【００１０】
また、本発明は、前記半導体チップが、半導体ウエハの回路面側をハーフカットし回路面を保護シートで保護して裏面側からハーフカットの溝まで達するように研削を行って個片化されたものであり、半導体チップの露出した面を前記固定ジグの密着層に密着させた後、保護シートを剥離することによって半導体チップを固定ジグの密着層面に配列させることもできる。
【００１１】
さらに、本発明は、前記半導体チップが、レーザー光により半導体ウエハの層内に脆弱部を形成し、該脆弱部の軌跡が所望の輪郭となるようレーザー光を対向移動させ、半導体ウエハに衝撃を与えて脆弱部の軌跡を破断させて個片化されたものであり、レーザー光を照射する前に半導体ウエハを固定ジグの密着層に密着させたことができる。
【００１２】
本発明に係るチップのピックアップ装置は、本発明のピックアップ方法において用いるピックアップ装置であって、前記固定ジグを固定するテーブルとチップを吸引保持する吸着コレットとを有し、前記テーブルは前記固定ジグ本体を固定する吸着部と、固定ジグの貫通孔に接続して前記区画空間を吸引するための吸引部が開口し、それぞれ独立して吸着が可能となっていることを特徴としている。
【００１３】
このような構成の本発明に係る装置では、先ずチップが密着している固定ジグから貫通孔を通して吸引を行うと、区画空間が減圧される。突起から離れチップ間の隙間に位置する部分では、減圧で密着層が基台の底部に引き寄せられることにより、チップ周辺から外気がチップとの密着面に流入してチップと密着層が剥離し、突起部分上面だけがチップと密着する状態になる。このため、チップは極めて小さい密着力でのみ固定ジグに固定された状態となり、吸着コレットの吸引のみでピックアップすることが可能となる。
【００１４】
続いて、吸着コレットで次々とチップをピックアップしていっても、空気のリークで固定ジグ上に残っているチップとの密着状態が変化しない。従って、どのチップも常に安定した小さい密着力で固定ジグに固定されており、最後のチップまで位置ずれは起こらない。
【００１５】
このように本発明に係る装置によれば、本発明のピックアップ方法を容易に実施することができる。
ここで、本発明のピックアップ装置では、前記テーブルは、Ｘ方向、Ｙ方向、回転方向
に移動可能であり、目標のチップと吸着コレットが正対するように位置制御可能であることが好ましい。
【００１６】
これにより、所定位置に載置された任意のチップを選択的に自由にピックアップすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のチップのピックアップ方法およびピックアップ装置によれば、細針によりチップの裏面を突き上げることなく、吸引コレットの吸引力だけでチップをピックアップすることが可能となるため、チップにダメージを与えることがない。
【００１８】
また、チップをピックアップし続けても固定ジグ上に残っているチップとの密着状態に変化はないので、ピックアップの後半の段階でチップが位置ずれしないように吸引力を調整するような作業は必要ない。
【００１９】
従って、極めて薄く加工されたチップであってもチップをピックアップすることが可能であり、安全に次工程へ移送することができる。
さらに、本発明に係るピックアップ方法およびピックアップ装置によれば、固定ジグの密着層面にチップが固定された状態から、貫通孔を介して区画空間内の空気を吸引すれば、この密着層が不均一に凹凸変形される。これにより、今までチップが密着層に対して面接着で接着されていたものが、点接着状態となり、密着層から剥がれ易くなる。よって、吸着コレットにより上面側から吸着すれば、裏面側から細針などで突き上げを行わなくても、容易に持上げることができる。また、吸引コレットで次々とチップをピックアップしていっても、空気のリークで固定ジグ上に残っているチップとの密着状態が変化しない。従って、どのチップも常に安定した小さい密着力で固定ジグに固定されているので、最後のチップまで位置ずれを生じさせずにピックアップすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施例について説明する。
＜固定ジグ＞
先ず、本発明に用いられる固定ジグについて説明する。図１の固定ジグは、本発明のピックアップ装置に組み込まれて使用される。
【００２１】
図１に示したように、本発明に用いられる固定ジグ３は、ジグ基台３０と密着層３１とからなる。ジグ基台３０の形状としては、略円形、略楕円形、略矩形、略多角形が挙げられ、略円形が好ましい。ジグ基台３０の一方の面には、図１および図２に示すように、複数の突起物３６が間隔をおいて上方に突出して形成されている。突起物３６の形状は特に限定されないが、円柱形または円錐台形が好ましい。また、この突起物３６を有する面の外周部には、突起物３６と略同じ高さの側壁３５が形成されている。また、この突起物を有する面上には密着層３１が積層されている。この密着層３１は側壁３５の上面で接着され、また、突起物３６の上面と密着層３１は接着されてもよいし接着されていなくてもよい。ジグ基台３０の突起物を有する面には、突起物３６、側壁３５および密着層３１により区画空間３７が形成されている。これらの区画空間３７は全て連通されている。
【００２２】
一方、ジグ基台３０の突起物を有しない面には、この面側の外部と区画空間３７とを貫通する貫通孔３８がジグ基台３０の厚さ方向に設けられている。貫通孔３８はジグ基台３０に少なくとも１個が設けられていればよく、複数個が設けられてもよい。また、ジグ基台３０の突起物を有しない面の貫通孔３８の代わりに、ジグ基台３０の水平方向に貫通孔３８を設け、側壁３５に開口部を設けてもよい。この貫通孔３８の開口部に、着脱自在のバキューム装置を接続することにより、区画空間３７内の気体が排気され密着層３１を凹
凸状に変形させることができる。
【００２３】
ジグ基台３０の材質は、機械強度に優れたものであれば特に限定されないが、たとえば、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニルなどの熱可塑性樹脂；アルミニウム合金、マグネシウム合金、ステンレスなどの金属材料；ガラスなどの無機材料；ガラス繊維強化エポキシ樹脂などの有機無機複合材料等が挙げられる。ジグ基台３０の曲げ弾性率は、１ＧＰa以上で
あることが好ましい。このような曲げ弾性率を有していれば、ジグ基台の厚さを必要以上に厚くすることなく剛直性を与えることができる。このような材料を用いることにより、固定ジグにチップを密着させてからピックアップ装置に搭載するまでの搬送において湾曲することがなく、チップの位置ずれや脱落が起こらない。
【００２４】
ジグ基台３０の外径は、半導体ウエハの外径と略同一または半導体ウエハの外径よりも大きいことが好ましい。ジグ基台３０が半導体ウエハの規格サイズの最大径（例えば３００ｍｍ径）に対応できる外径を有していれば、それより小さい全ての半導体ウエハに対して適用することができる。また、ジグ基台３０の厚さは、０．５〜２．０ｍｍが好ましく、０．５〜０．８ｍｍがより好ましい。ジグ基台の厚さが上記範囲にあると、ウエハの裏面研削の後でウエハを湾曲させずに十分に支持することができる。
【００２５】
突起物３６および側壁３５の高さは、０．０５〜０．５ｍｍがより好ましい。また、突起物３６の上面の径は０．０５〜１．０ｍｍが好ましい。さらに、突起物の間隔（突起物の中心間距離）は０．２〜２．０ｍｍが好ましい。突起物３６の大きさならびに突起物の間隔が上記範囲にあると、区画空間３７内の脱気により密着層３１を十分に凹凸状に変形させることができ、半導体チップを容易に密着層３１から取り外すことができる。さらに、密着層３１の凹凸の変形を何度も繰り返した後でも、元の平坦な状態に復元し続けることができる。
【００２６】
貫通孔３８の径は特に限定されないが、２ｍｍ以下が好ましい。
このようなジグ基台３０は、たとえば、熱可塑性の樹脂材料を金型を用いて加熱成形して、ジグ基台の底部と、側壁３５と、突起物３６とを一体で製造してもよいし、平面円形板上に側壁３５および突起物３６を形成して製造してもよいし、あるいは、凹型円板の凹部内表面に突起物３６を形成して製造してもよい。突起物３６の形成方法としては、電鋳法により金属を所定の形状に析出させる方法、スクリーン印刷により突起物を形成する方法、平面円形板上にフォトレジストを積層し、露光、現像して突起物を形成する方法などが挙げられる。また、金属製平面円形板の表面をエッチングにより突起物形成部分を残して侵食除去する方法やサンドブラストにより平面円形板の表面を突起物形成部分を残して除去する方法などによりジグ基台３０を製造することもできる。なお、貫通孔３８は突起物を形成する前に予め形成してもよいし、後で形成してもよい。また、ジグ基台の成型と同時に形成してもよい。
【００２７】
ジグ基台３０上に配置された密着層３１の材質としては、可撓性、柔軟性、耐熱性、弾性、粘着性等に優れた、ウレタン系、アクリル系、フッ素系またはシリコーン系のエラストマーが挙げられる。このエラストマーには、必要に応じて補強性フィラーや疎水性シリカなどの各種添加剤を添加してもよい。
【００２８】
密着層３１はジグ基台３０と略同一形状の平板であることが好ましく、密着層３１の外径はジグ基台３０の外径と略同一であることが好ましく、厚さは、２０〜２００μｍが好ましい。密着層３１の厚さが２０μｍ未満では、吸引の繰り返しに対する機械的な耐久性に乏しくなることがある。一方、密着層３１の厚さが２００μｍを超えると、吸引による剥離に著しく時間がかかることがあり好ましくない。
【００２９】
また、密着層３１の引張破断強度は５ＭＰａ以上であることが好ましく、引張破断伸度は５００％以上であることが好ましい。引張破断強度や引張破断伸度が上記範囲にあると、密着層３１の変形を何度も繰り返した場合でも、密着層３１の破断も弛みも発生せず、元の平坦な状態に復元させることができる。
【００３０】
また、密着層３１の曲げ弾性率は、１０〜１００ＭＰａの範囲が好ましい。密着層３１の曲げ弾性率が１０ＭＰａ未満の場合、密着層３１は突起物３６との接点以外の部分が重力でたわんでしまい、チップに密着できなくなる場合がある。一方、１００ＭＰａを超えると、吸引による変形が起こりにくくなり、チップを容易に剥離することができなくなる場合がある。
【００３１】
また、密着層３１の半導体ウエハに接する側の面のせん断密着力は３５Ｎ以上であることが好ましい。本発明においてせん断密着力は、密着層３１とシリコンウエハのミラー面との間で測定した値をいい、縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ×厚さ３ｍｍの大きさを有する周知のガラス板に密着層３１を貼り付けてシリコンからなるミラーウェーハ上に配置し、ガラス板と密着層３１の全体に９００ｇの荷重を５秒間加え、ガラス板をミラーウェーハと平行に荷重を加えて押圧した場合に、動き出した時の荷重を測定したものである。
【００３２】
さらに、密着層３１の密着力は２Ｎ／２５ｍｍ以下であることが望ましい。これを超える値では密着層３１と、その上に配置されるチップとの密着が大きくなりすぎてブロッキング状態となり、吸引によるチップの剥離ができなくなるおそれがある。なお、本発明において密着力とは、密着層３１をウエハのミラー面に貼り付け、これを剥離したときの剥離強度をいう。
【００３３】
このような密着層３１は、たとえば、カレンダー法、プレス法、コーティング法または印刷法等により、予め上記エラストマーからなるフィルムを作製し、このエラストマーフィルムをジグ基台３０の少なくとも側壁３５の上面に接着することにより形成することができ、これにより、区画空間３７が形成される。上記密着層３１を接着する方法としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂あるいはエラストマー樹脂からなる接着剤を介して接着する方法や、密着層３１がヒートシール性の場合はヒートシールによって接着する方法が挙げられる。
【００３４】
密着層３１の表面には、非粘着処理が施されていてもよく、特に、凹凸状に変形した時に半導体チップと接触する突起物３６上部の密着層表面のみが、非粘着処理されていることが好ましい。このように処理すると、密着層３１が変形する前は密着層表面の非粘着処理されていない部分で半導体チップに密着し、凹凸状に変形した密着層３１は突起物３６上部の表面、すなわち非粘着性の凸部表面のみで半導体チップと接触しているため、半導体チップをさらに容易に密着層３１から取り外すことができる。非粘着処理方法としては、たとえば、バキューム装置により区画空間３７内の空気を吸引して密着層３１を凹凸状に変形させ、凸部先端を砥石ローラー等により物理的に粗面化する方法、ＵＶ処理する方法、非粘着性ゴムを積層する方法、非粘着性塗料をコーティングする方法などが挙げられる。非粘着部の表面粗さは、算術平均粗さＲａが１．６μｍ以上が好ましく、１．６〜１２．５μｍがより好ましい。非粘着部を上記範囲の表面粗さで粗面化することにより、密着層３１は劣化せず、さらに、半導体チップを容易に密着層３１から取り外すことができる。
＜チップ＞
本発明でピックアップされる被処理体は、図３に示したように、ダイシング工程を経て切断ライン５により賽の目状にダイシングされた半導体ウエハ１である。これにより、半導体ウエハ１は、複数個のチップ１３に予め個片化されている。
【００３５】
チップ１３は、シリコン半導体ウエハ、ガリウム・ヒ素半導体ウエハなどに回路を形成した後、これらを個片化して得られる。ここで、半導体ウエハを個片化して作成された半導体チップをチップ１３として説明しているが、チップ１３としてはこれらに限られず、有機基板、セラミック基板やガラス基板等の平板状物から分割されて個片化される種々のチップを用いることができる。ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法など、様々な方法により行うことができる。
【００３６】
そして、このように複数のチップ１３に個片化された半導体ウエハ１が図４に示したように、固定ジグ３の上に配置される。
なお、多数のチップ１３に個片化された半導体ウエハ１を、固定ジグ３の密着層３１上に貼付された状態を実現する手段は特に限定されない。結果として、図４に示したような状態が実現されれば、如何なる経路を経ても良い。
【００３７】
例えば、半導体ウエハを通常のダイシングシートを用いてダイシングを行ない、これを密着層３１に転写することにより、密着層３１上にチップ１３がウエハ形状を維持した状態を達成しても良い。また、密着層３１をダイシングシートとして用い、密着層３１を切断しないように半導体ウエハ１のみをダイシングしても良い。また、ダイシングブレードを使用するダイシング装置の代わりに、レーザー光線によるダイシング装置（レーザーダイサー）によっても良い。レーザーダイサーは、レーザー光線の焦点をコントロールしてウエハの分割を行うので、密着層３１を一緒に切断しないように制御し易い。
【００３８】
さらに、ダイシングとしていわゆるステルスダイシング法として知られている方法によって行ってもよい。ステルスダイシング法は、ウエハの内部にのみ焦点を合わせてレーザーを照射し、焦点部分を改質させた後この軌跡をストレスにより破断させることにより個片化するダイシング法なので、密着層３１を同時に切断することができない。このため、この方法が特に有効である。
【００３９】
ステルスダイシング法では、半導体ウエハ内部に、半導体ウエハの各回路を区画する切断予定ラインに沿って脆弱部を形成する。この状態では、各チップ群が脆弱部を介して連接しており、全体としてウエハ形状を維持している。脆弱部の形成は、切断予定ラインに沿って半導体ウエハ内部に焦点を合わせてレーザー光を照射することで行われる。レーザー光の照射により、ウエハ内部が局所的に加熱され結晶構造の変化などにより改質される。改質された部分は、周辺の部位と比べ過剰なストレス状態におかれ、潜在的に脆弱である。したがって、半導体ウエハにストレスを加えると、この脆弱部を起点としてウエハの上下方向に亀裂が成長し、ウエハをチップ毎に分割することができる。ストレスとしては機械的な振動や超音波などが活用でき、これより固定ジグ上のウエハを分割することができる。
【００４０】
このようなステルスダイシング法の詳細は、たとえば「電子材料、２００２年９月、１７〜２１頁」、特開２００３−８８９８２号公報に記載されている。
また、ダイシングシートに貼付されたウエハを上記のようにステルスダイシング法により個片化を行う場合は、エキスパンドと同時に、ウエハを個片化してもよい。エキスパンド時にダイシングシートを延伸する際の張力は、ダイシングシート上に固定されているウエハに伝播する。この際、ウエハ内部に脆弱部が形成されていると、この脆弱部が張力に抗することができず、脆弱部で破断が起こる。この結果、脆弱部を起点としてウエハの上下方向に亀裂が生じ、ウエハをチップ毎に分割することができる。こうして形成されたチップは前述のようにダイシングシートから固定ジグの密着層に転写することで固定ジグ上にチップを配列することができる。
【００４１】
また、いわゆる先ダイシングを応用してもよい。すなわち、半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、該回路面に表面保護シートを貼着し、上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップ１３への分割を行い、研削面を、密着層３１に密着させ、該表面保護シートを剥離することで、密着層３１上に、複数のチップ１３がウエハ形状のまま整列した状態を達成してもよい。
【００４２】
＜ピックアップ装置＞
図６は、本発明の一実施例に係るピックアップ装置１００を示したものであり、図４および図５は、ピックアップ装置１００によるピックアップ方法を模式的に示した図である。
【００４３】
本実施例におけるピックアップ装置１００は、その上面に固定ジグ３を搭載するためのテーブル５１が配置される。テーブル５１には、固定ジグ３の下部を構成するジグ基台３０を吸着固定するための吸着部５０が複数個形成されるとともに、中央部に固定ジグ３の貫通孔３８を介して区画空間３７を吸引するための吸引部５２が形成されている。吸引部５２の外側に設けられた複数個の吸着部５０は、テーブル５１の内部で連通されており、これらは配管通路５４を介して同一のバキューム装置５６に接続されている。一方、吸引部５２は、固定ジグ３の貫通孔３８と対応する位置に形成されており、この吸引部５２は、配管通路６０を介して他のバキューム装置４に接続され、バキューム装置はそれぞれ独立に制御可能となっている。
【００４４】
このようにして、ピックアップ装置１００では、バキューム装置５６を駆動させることにより、テーブル５１上に載置された固定ジグ３を移動不能に固定することができる。一方、バキューム装置４を駆動させることにより、固定ジグ３の密着層３１が凹凸状に変形し、密着層３１上のチップ１３をピックアップ可能な状態に変化させることができる。
【００４５】
本実施例におけるピックアップ装置１００は、テーブル５１がＸ方向、Ｙ方向および回転方向に移動可能となっている。このピックアップ装置１００は、装置フレームの基底部から順に、Ｘ方向に移動可能な第１のテーブル４２と、第１のテーブル４２の上部に、Ｘ方向に対して直交するＹ方向(図６の紙面に対して直角な方向)に移動可能な第２のテーブル４４と、回転装置４９とを有している。第１のテーブル４２では、上部側の作動台４２ａが下方部４２ｂに対してＸ方向に移動し、第２のテーブル４４では、上部側の作動台４４ａが下方部４４ｂに対してＹ方向に移動する。さらに、この第２のテーブル４４上には、モーターが内蔵された回転台４６が具備され、この回転台４６の駆動により、上部のターンテーブル４８が水平方向に任意の角度に回転可能にされている。そして、このターンテーブル４８の上に、吸着部５０，５２を備えたテーブル５１がセットされている。
【００４６】
本実施例のピックアップ装置１００は、テーブル５１の上方に吸着コレット７０が配置される。吸着コレットはその下部に吸着部７０ａを有し、図示しないバキューム装置と連通し、吸着部７０ａの下面はチップ１３を吸着保持可能となっている。また、吸着コレット７０は、そのアーム部が上昇下降および水平方向へ動作可能であり、チップ１３へ下降近接して吸着部７０が吸着することによりチップ１３を固定ジグ３よりピックアップすることができる。さらに、アーム部が上昇し、続いて水平方向に移動することにより、吸着コレット７０はチップ１３を所望の場所へ移送することができる。
【００４７】
ピックアップ装置１００の側方には、図示しないチップ回収装置あるいはチップボンド装置が配置され、吸着コレット７０が移送するチップ１３を受け取り、所定の処理が行われるようになっている。
【００４８】
次に本実施例におけるピックアップ装置１００を用いたチップ１３のピックアップ方法について説明する。
前述の手段等によって固定ジグ３の密着層３１の面上に半導体ウエハを個片化してチップ１３を配列する。チップ１３を密着した固定ジグ３を、ピックアップ装置１００のテーブル５１上に、固定ジグの貫通孔３８とテーブル５１の吸着部５２が一致するように搭載する。バキューム装置５６を駆動して複数の吸着部５０に負圧をかけることにより、固定ジグ３がテーブル５１に移動不能に固定される。ここでバキューム装置４を駆動し、固定ジグ３の区画空間３７を吸引して密着層３１を凹凸状に変形させる。これにより、チップ１３は密着層３１上に点接触で密着するだけとなり、細針の突き上げなしでピクアップ可能な状態となる。
【００４９】
続いて、図示しないカメラ等でチップ１３の配列を観察し、ピックアップすべきチップが吸着コレット７０の受け渡し位置に一致するように、第１のテーブル４２、第２のテーブル４４および回転装置４９を操作して、テーブル５１を所定位置へ移動させる。目的のチップのＸ方向、Ｙ方向および角度が吸着コレット７０に相対したことが確認されたところで、吸着コレット７０が下降される。吸着コレット７０がチップ１３の表面に接触しない程度に近接したところで、吸着部７０ａに負圧をかけることにより、チップ１３を固定ジグ３の密着層３７からピックアップする。ピックアップされたチップ１３は、吸着コレット７０で図示しないチップ回収装置あるいはチップボンド装置に移送され、次工程となる所定の処理が行われる。
【００５０】
このように本実施例のピックアップ装置１００では、細針により突き上げを必要としないので、チップ１３にダメージを与えることもない。よって高品質のチップ１３を次工程に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１は、本発明に係るピックアップ方法を実施するピックアップ装置に用いられる固定ジグの概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示した固定ジグにおける固定ジグを構成するジグ基台の概略平面図である。
【図３】図３は、本発明のピックアップ装置で処理される個片化された半導体ウエハの概略平面図である。
【図４】図４は、個片化された半導体ウエハが固定装置に載置された状態を示す概略略断面図である。
【図５】図５は図４に示した固定装置から空気を吸引したときの作用を示すもので、特にチップ固定工程の概略断面図である。
【図６】図６は、本発明に係るピックアップ方法を実施するのに好適なピックアップ装置の概略正面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１・・・半導体ウエハ
３・・・固定ジグ
４・・・バキューム装置
１３・・・チップ
３０・・・ジグ基台
３１・・・密着層
３５・・・側壁
３６・・・突起物
３７・・・区画空間
３８・・・貫通孔
５０・・・吸着部
５１・・・テーブル
５２・・・吸引部
７０・・・吸着コレット
７０ａ・・・吸着部
１００・・・ピックアップ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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