(57)【要約】【課題】処理容器内に配置された電極に２以上の異なる周波数の高周波電力が重畳して供給される場合にも、適切な周波数の高周波電力のピーク−ピーク間電圧（Ｖｐｐ）の挙動から基板処理のプロセス状態の判断が可能なプラズマ処理技術を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置１を、互いに周波数の異なる高周波電力を供給する複数の高周波電源２１、３１と、前記複数の高周波電源２１、３１から各々供給された高周波電力を重畳し、同一の高周波電極６に給電する共通の給電ライン３５と、前記給電ライン３５で給電される高周波電力から所定の周波数の高周波電力を抽出する高周波電力抽出手段４１、４５と、前記高周波電力抽出手段４１、４５により抽出した前記所定の周波数の高周波電力の電圧を測定する高周波電圧検出器４２、４６と、を有するように構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に上下に対向する高周波電極を有し、それらの高周波電極の少なくともいずれかの高周波電極に高周波電力を供給して処理容器内にプラズマを生成し、基板を処理するプラズマ処理装置であって、
互いに周波数の異なる高周波電力を供給する複数の高周波電源と、
前記複数の高周波電源から各々供給された高周波電力を同一の高周波電極に給電する共通の給電ラインと、
前記給電ラインで給電される高周波電力から所定の周波数の高周波電力を抽出する高周波電力抽出手段と、
前記高周波電力抽出手段により抽出した前記所定の周波数の高周波電力の電圧、電流及び位相のうちの少なくとも１つ以上を測定する高周波検出器と、を有することを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記高周波検出器は、前記所定の周波数の高周波電力の電圧を測定する高周波電圧検出器であることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記所定の周波数は、前記複数の高周波電源が各々供給する高周波電力の周波数であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記高周波電力抽出手段は、前記所定の周波数の高周波電力だけを通過させるバンドパスフィルタ、ローパスフィルタ又はハイパスフィルタの少なくともいずれかを有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記高周波電力抽出手段は、前記給電ラインで給電される高周波電力を前記所定の周波数の高周波電力に分解する高周波電力分解手段を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記複数の高周波電源は、前記給電ラインとの間に各々整合器を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記給電ラインで給電される高周波電力から直流電圧を抽出する直流電圧抽出手段と、
前記直流電圧抽出手段により抽出した直流電圧を測定する直流電圧検出器と、を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記高周波電圧検出器で測定された前記所定の周波数の高周波電力の電圧を、予め保持するか又は取得したインピーダンス情報に基づいて補正し、前記高周波電極における前記所定の周波数の高周波電力の電圧を算出する計算機を有することを特徴とする、請求項２〜７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
処理容器内に設けた上下に対向する高周波電極の少なくともいずれかの高周波電極に高周波電力を供給して処理容器内にプラズマを生成し、基板を処理するプラズマ処理方法であって、
互いに周波数の異なる複数の高周波電力を共通の給電ラインを用いて同一の高周波電極に給電し、
前記給電ラインで給電される高周波電力から前記周波数のいずれかである所定の周波数の高周波電力を抽出してその電圧を測定し、
前記測定した電圧を所定のインピーダンス情報を用いて補正し、前記同一の高周波電極における前記所定の周波数の高周波電力の電圧を算出することを特徴とする、プラズマ処理方法。
【請求項１０】
前記所定の高周波電力を抽出する際に、前記所定の周波数の高周波電力だけを通過させるバンドパスフィルタ、ローパスフィルタ又はハイパスフィルタの少なくともいずれかを用いて抽出することを特徴とする、請求項９に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
前記所定の高周波電力を抽出する際に、前記給電ラインで給電される高周波電力を前記所定の周波数の高周波電力に分解して抽出することを特徴とする、請求項９又は１０に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】
前記給電ラインで給電される高周波電力から直流電圧を抽出してその電圧を測定することを特徴とする、請求項９〜１１のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理容器内にプラズマを生成して基板を処理するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体処理装置や液晶表示装置等の製造プロセスにおけるエッチング及び成膜等の基板処理では、プラズマを用いた処理が広く行われている。
【０００３】
プラズマ処理は、通常プラズマ処理装置で行われている。このプラズマ処理装置には、処理容器内に上下に対向する電極が設けられており、これらの電極のいずれか一方又は両方に高周波電力を供給することによって、プラズマを発生させて基板のプラズマ処理が行われるようになっている。
【０００４】
近年では、１電極に２以上の異なる周波数の高周波電力を供給することによって、重畳した高周波電力を電極に印加するプラズマ処理技術が開発されてきた。特許文献１には、対向して配置された上部電極及び下部電極のうち、上部電極に２つの異なる周波数の高周波電力を供給して重畳した高周波電力を用いるプラズマ処理技術が開示されている。
【０００５】
特許文献１に記載のプラズマ処理技術では、処理ガスをプラズマ化するための第１の高周波電力を上部電極に供給し、プラズマ中のイオンを基板に引込むための第１の高周波電力よりも周波数が低い第２の高周波電力を、基板が載置された下部電極に供給している。さらに、第１の高周波電力よりも周波数が低く、且つ第２の高周波電力よりも周波数が高い第３の高周波電力を上部電極に供給して第１の高周波電力と重畳させている。そして、第２の高周波電力及び第３の高周波電力の位相、周波数及び出力を調整することによってプラズマを均一化し、基板の処理を均一的に行っている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１２７０４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に記載のプラズマ処理技術を用いて基板の処理を行う場合には、上部電極に供給される第１の高周波電力及び第３の高周波電力の重畳に伴い、これらの高周波電力の各ピーク−ピーク間電圧（Ｖｐｐ）も合成されてしまう。
【０００８】
電極に供給される高周波電力が単一の周波数である場合には、その高周波電力のピーク−ピーク間電圧（Ｖｐｐ）の挙動を追うことによって、基板処理のプロセス状態を容易に判断することができる。例えば、上部電極及び下部電極が対向して配置され、上部電極に処理ガスをプラズマ化させる単一の周波数の高周波電力が供給され、下部電極にプラズマ中のイオンを基板に引込む単一の周波数の高周波電力が供給されている場合には、下部電極に供給された高周波電力のピーク−ピーク間電圧（Ｖｐｐ）の値が大きくなると、上部電極で生成されるプラズマが何らかの原因で薄くなったと判断可能である。
【０００９】
これに対し、上記特許文献１に記載のプラズマ処理技術では、上述したように複数の高周波電力のピーク−ピーク間電圧（Ｖｐｐ）が合成されてしまい、有益な情報を持つ特定の周波数の高周波電力のピーク−ピーク間電圧（Ｖｐｐ）が他の周波数の高周波電力のピーク−ピーク間電圧（Ｖｐｐ）と混ざるため、基板処理のプロセス判断する際の指標として利用するのが困難である。
【００１０】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、処理容器内に配置された電極に２以上の異なる周波数の高周波電力が重畳して供給される場合にも、適切な周波数の高周波電力のピーク−ピーク間電圧（Ｖｐｐ）の挙動から基板処理のプロセス状態を判断することが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明によれば、処理容器内に上下に対向する高周波電極を有し、それらの高周波電極の少なくともいずれかの高周波電極に高周波電力を供給して処理容器内にプラズマを生成し、基板を処理するプラズマ処理装置であって、互いに周波数の異なる高周波電力を供給する複数の高周波電源と、
前記複数の高周波電源から各々供給された高周波電力を同一の高周波電極に給電する共通の給電ラインと、前記給電ラインで給電される高周波電力から所定の周波数の高周波電力を抽出する高周波電力抽出手段と、前記高周波電力抽出手段により抽出した前記所定の周波数の高周波電力の電圧、電流及び位相のうちの少なくとも１つ以上を測定する高周波検出器と、を有することを特徴とする、プラズマ処理装置が提供される。
【００１２】
上記プラズマ処理装置において、前記高周波検出器は、前記所定の周波数の高周波電力の電圧を測定する高周波電圧検出器であってもよい。
【００１３】
上記プラズマ処理装置において、前記所定の周波数は、前記複数の高周波電源が各々供給する高周波電力の周波数であってもよい。
【００１４】
上記プラズマ処理装置において、前記高周波電力抽出手段は、前記所定の周波数の高周波電力だけを通過させるバンドパスフィルタ、ローパスフィルタ又はハイパスフィルタの少なくともいずれかを有していてもよい。
【００１５】
上記プラズマ処理装置において、前記高周波電力抽出手段は、前記給電ラインで給電される高周波電力を前記所定の周波数の高周波電力に分解する高周波電力分解手段を有していてもよい。
【００１６】
上記プラズマ処理装置において、前記複数の高周波電源は、前記給電ラインとの間に各々整合器を有していてもよい。
【００１７】
上記プラズマ処理装置において、前記給電ラインで給電される高周波電力から直流電圧を抽出する直流電圧抽出手段と、前記直流電圧抽出手段により抽出した直流電圧を測定する直流電圧検出器と、を有していてもよい。
【００１８】
上記プラズマ処理装置において、前記高周波電圧検出器で測定された前記所定の周波数の高周波電力の電圧を、予め保持するか又は取得したインピーダンス情報に基づいて補正し、前記高周波電極における前記所定の周波数の高周波電力の電圧を算出する計算機を有していてもよい。
【００１９】
また、本発明によれば、処理容器内に設けた上下に対向する高周波電極の少なくともいずれかの高周波電極に高周波電力を供給して処理容器内にプラズマを生成し、基板を処理するプラズマ処理方法であって、互いに周波数の異なる複数の高周波電力を共通の給電ラインを用いて同一の高周波電極に給電し、前記給電ラインで給電される高周波電力から前記周波数のいずれかである所定の周波数の高周波電力を抽出してその電圧を測定し、前記測定した電圧を所定のインピーダンス情報を用いて補正し、前記同一の高周波電極における前記所定の周波数の高周波電力の電圧を算出することを特徴とする、プラズマ処理方法が提供される。
【００２０】
上記プラズマ処理方法において、前記所定の高周波電力を抽出する際に、前記所定の周波数の高周波電力だけを通過させるバンドパスフィルタ、ローパスフィルタ又はハイパスフィルタの少なくともいずれかを用いて抽出してもよい。
【００２１】
上記プラズマ処理方法において、前記所定の高周波電力を抽出する際に、前記給電ラインで給電される高周波電力を前記所定の周波数の高周波電力に分解して抽出してもよい。
【００２２】
上記プラズマ処理方法において、前記給電ラインで給電される高周波電力から直流電圧を抽出してその電圧を測定してもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、処理容器内に配置された電極に２以上の異なる周波数の高周波電力が重畳して供給される場合にも、適切な周波数の高周波電力のピーク−ピーク間電圧（Ｖｐｐ）を指標として用いて、その挙動から基板処理のプロセス状態を判断することができ、プラズマ処理装置の稼動を安定化させることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について説明をする。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２５】
図１は、本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置１の構成図である。図１に示すように、プラズマエッチング装置１は、例えば略円筒形状の処理容器２を備えている。処理容器２の内側には、処理空間Ｋが形成される。処理容器２の壁部Ａ２は、保安接地されている。処理容器２内には、高周波電極としての上部電極５及び下部電極６が対向配置されている。上部電極５及び下部電極６は、略円板形状であり導電性材料から形成されている。上部電極５と壁部Ａ２との間には、絶縁体Ａ１が介在されている。下部電極６は、基板Ｗの載置台を兼ねている。処理空間Ｋには、ガス供給経路１０及びシャワーヘッドとしての機能も有する上部電極５を介して処理ガスが供給される。また、処理空間Ｋ内の処理ガスは、ガス排気経路１１を介して排気される。
【００２６】
上部電極５には、整合器１５を介して高周波電源１６が電気的に接続されている。高周波電源１６は、例えば６０ＭＨｚの周波数の高周波電力を上部電極５に供給できる。整合器１５は、例えば高周波電力の基本波、高調波等に対するインピーダンスを制御できる。
【００２７】
下部電極６には、整合器２０を介して例えば２ＭＨｚの周波数の高周波電力を供給する高周波電源２１が電気的に接続されている。さらに、下部電極６と整合器２０との間にある給電点２５には、整合器３０を介して例えば１３ＭＨｚの周波数の高周波電力を供給する高周波電源３１が電気的に接続されている。これにより、高周波電源２１から供給される高周波電力と、高周波電源３１から供給される高周波電力とが、給電点２５から下部電極６までの共通の給電ライン３５上で重畳し、この重畳高周波電力が下部電極６に給電されるようになっている。整合器２０、３０は、例えば高周波電力の基本波、高調波等に対するインピーダンスを制御できる。
【００２８】
給電ライン３５上の測定点４０には、所定の閾値周波数よりも低い周波数の高周波電力だけを通過させる高周波電力抽出手段としてのローパスフィルタ４１を介して、高周波検出器としての高周波電圧検出器４２が接続されている。また、測定点４０には、所定の閾値周波数よりも高い周波数の高周波電力だけを通過させる高周波電力抽出手段としてのハイパスフィルタ４５を介して高周波電圧検出器４６が接続されている。高周波電圧検出器４２、４６は、互いに並列に測定点４０に接続されている。高周波電圧検出器４２、４６には、これらの高周波電圧検出器４２、４６で測定した電圧を解析する後述の計算機５０が接続されている。
【００２９】
ローパスフィルタ４１及びハイパスフィルタ４５の閾値周波数は、いずれも高周波電源２１が供給する高周波電力の周波数２ＭＨｚよりも大きく、且つ高周波電源３１が供給する高周波電力の周波数１３ＭＨｚよりも小さい値に設定されている。これにより、ローパスフィルタ４１を用いて、重畳高周波電力から高周波電源２１が供給する高周波電力と同じ周波数２ＭＨｚの高周波電力を抽出し、高周波電圧検出器４２でその電圧を測定することができる。また、ハイパスフィルタ４５を用いて、重畳高周波電力から高周波電源３１が供給する高周波電力と同じ周波数１３ＭＨｚの高周波電力を抽出し、高周波電圧検出器４６でその電圧を測定することができる。
【００３０】
計算機５０は、整合器２０、３０に接続されている。これにより、計算機５０は、整合器２０、３０の可変コンデンサの値からインピーダンス情報として取得可能である。また、計算機５０は、高周波電源２１及び下部電極６等で構成される第１の高周波系統５５に関連するインピーダンス情報と、高周波電源３１及び下部電極６等で構成される第２の高周波系統５６に関連するインピーダンス情報とを予め保持している。これらのインピーダンス情報には、下部電極６のインピーダンスの値等が含まれる。計算機５０は、上述したように予め保持するか又は取得したインピーダンス情報に基づいて、第１の高周波系統５５のインピーダンスの値と、第２の高周波系統５６のインピーダンスの値とを各々算出できる。
【００３１】
さらに、計算機５０は、高周波電圧検出器４２で測定した電圧を、算出した第１の高周波系統５５のインピーダンスの値に基づいて補正し、下部電極６における周波数２ＭＨｚの高周波電力の電圧を算出することができる。同様に、計算機５０は、高周波電圧検出器４６で測定した電圧を、算出した第２の高周波系統５６のインピーダンスの値に基づいて補正し、下部電極６における周波数１３ＭＨｚの高周波電力の電圧を算出することができる。計算機５０には、このようにして算出した下部電極６における周波数２ＭＨｚ、１３ＭＨｚの各高周波電力の電圧の値を、表示するディスプレイ６０、記録する記録装置６１及び解析等を行う上位システム６２が接続されている。
【００３２】
次に、以上のように構成されたプラズマエッチング装置１を用いて、本発明の実施の形態に係るプラズマ処理方法の一例としての基板Ｗのプラズマエッチング方法について説明する。
【００３３】
まず、基板Ｗが処理容器２内に搬入され、下部電極６上に載置される。排気経路１１から排気が行われ、処理容器２内が減圧され、ガス供給経路１０から上部電極５を介して所定の処理ガスが処理容器２内に供給される。
【００３４】
次に、高周波電源１６により、上部電極５にプラズマ生成用の周波数が６０ＭＨｚの高周波電力が供給される。これにより、処理空間Ｋの処理ガスがプラズマ化される。次いで、第１の高周波系統５５の高周波電源２１により、下部電極６に周波数が２ＭＨｚの高周波電力が供給され、生成されたプラズマ中のイオンが基板Ｗに引込まれることによって基板Ｗの表面膜がエッチングされる。さらに、第２の高周波系統５６の高周波電源３１により、下部電極６に周波数が１３ＭＨｚの高周波電力が供給され、その結果、周波数が２ＭＨｚの高周波電力と、周波数が１３ＭＨｚの高周波電力が重畳した重畳高周波電力が給電ライン３５経由で下部電極６に供給される。なお、第２の高周波系統５６の高周波電源３１によって周波数が１３ＭＨｚの高周波電力を供給することによって、基板Ｗに入射するイオンのエネルギー広がりをそろえる利点がある。
【００３５】
上述のように基板Ｗの表面膜がエッチングされる際には、下部電極６に供給される重畳高周波電力は、ローパスフィルタ４１を介して接続された高周波電圧検出器４２と、ハイパスフィルタ４５を介して接続された高周波電圧検出器４６とで、各々電圧が測定される。ローパスフィルタ４１を経由した重畳高周波電力は、周波数が２ＭＨｚの高周波電力だけが抽出され、その電圧Ｖ１が測定される。ハイパスフィルタ４５を経由した重畳高周波電力は、周波数が１３ＭＨｚの高周波電力だけが抽出され、その電圧Ｖ２が測定される。
【００３６】
測定された電圧Ｖ１、Ｖ２は、計算機５０に入力される。計算機５０においては、接続された整合器２０、３０の可変コンデンサの各値を取得し、予め保持する下部電極６のインピーダンス情報等に基づいて、第１の高周波系統５５及び第２の高周波系統５６のインピーダンスを予め算出しておく。そして、計算機５０では、測定された電圧Ｖ１、Ｖ２の値を、算出した第１の高周波系統５５及び第２の高周波系統５６のインピーダンスに基づいて各々補正し、下部電極６における周波数２ＭＨｚ、１３ＭＨｚの高周波電力の電圧Ｖ１０、Ｖ２０を各々算出する。算出された電圧Ｖ１０、Ｖ２０は、作業員がその挙動を監視できるようにディスプレイ６０に入力され、表示される。これにより、作業員は、基板Ｗのプロセスの経過を、例えば表示される電圧Ｖ１０、Ｖ２０の挙動（例えば、各ピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐ等）から把握し、プロセスの異常を即座に検出可能である。
【００３７】
また、算出された電圧Ｖ１０、Ｖ２０は、記録装置６１に入力されて記録される。さらに、算出された電圧Ｖ１０、Ｖ２０は、上位システム６２に入力され、この上位システム６２にて各々のピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐが算出され、算出したピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐの変化に基づいて、基板Ｗのプラズマエッチング処理が正常な状態であるか否か等、プロセス状態の解析が行われる。
【００３８】
以上の実施の形態によれば、下部電極６に異なる２つの周波数２ＭＨｚ、１３ＭＨｚの高周波電力が重畳した重畳高周波電力が供給される場合にも、ローパスフィルタ４１及びハイパスフィルタ４５を経由させて各周波数２ＭＨｚ、１３ＭＨｚの高周波電力を各々抽出してから抽出した各高周波電力の電圧を測定するようにしたことによって、各高周波電力のピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐの挙動を把握し、基板処理のプロセス状態を適切に判断することができる。特に、計算機５０において、各高周波系統５５、５６のインピーダンスを算出し、これらインピーダンスに基づいて補正を行い、下部電極６における各高周波電力の電圧を算出するようにしたことによって、プラズマ処理装置のプロセスをさらに正確に把握できる。これにより、プラズマ処理装置の稼動を安定化させることができる。
【００３９】
本発明の第２の実施の形態として、図２に示すように、給電ライン３５上の測定点４０に、高周波電圧検出器４２、４６と並列に、高周波成分を除去し、直流電圧だけを通過させる直流電圧抽出手段としてのローパスフィルタ６５を介して直流電圧検出器６６を接続するようにしてもよい。さらに、直流電圧検出器６６は、計算機５０に接続されている。
【００４０】
以上の第２の実施の形態によれば、高周波電源２１、３１によって下部電極６に供給される重畳高周波電力からローパスフィルタ６５を用いて直流電圧を抽出し、下部電極６の直流バイアス電圧Ｖｄｃを測定することができる。この直流バイアス電圧Ｖｄｃの挙動を追うことが可能である。例えば、測定した直流バイアス電圧Ｖｄｃの値を計算機５０に入力し、必要に応じた処理を行った後、ディスプレイ６０に入力して表示させたり、記録装置６１に入力して記録したり、或いは上位システム６２に入力して解析すること等が可能である。これにより、プラズマ処理装置のプロセスをさらに正確に把握し、プラズマ処理装置の稼動をより安定化させることができる。なお、第２の実施の形態においても、図１を用いて説明した第１の実施の形態で得られる効果が同様に得られる。
【００４１】
本発明の第３の実施の形態として、図３に示すように、図１に示すローパスフィルタ４１及びハイパスフィルタ４５に代えて、高周波電力分解手段７０を、高周波電力抽出手段として給電ライン３５上の測定点４０に接続するようにしてもよい。高周波電力分解手段７０は、重畳高周波電力を分解し、周波数２ＭＨｚ、１３ＭＨｚの高周波電力の各成分の値を得ることができる。高周波電力分解手段７０は、分解した各高周波電力から各々の電圧を求めた後、接続されているディスプレイ６０、記録装置６１及び上位システム６２に各々入力するように構成されている。これにより、ディスプレイ６０での表示、記録装置６１での記録、或いは上位システム６２での解析が行うことができるようになっている。本実施の形態では、高周波電力分解手段７０で、各高周波電力のピーク−ピーク間電圧等を求めるようになっている。なお、上位システム６２で、得られた各高周波電力のピーク−ピーク間電圧等を求めるようにしてもよい。
【００４２】
本発明の第３の実施の形態によれば、高周波電源２１、３１により供給される高周波電力が重畳した重畳高周波電力を高周波電力分解手段７０で分解し、高周波電力分解手段７０にてそのまま各高周波電力の電圧からピーク−ピーク間電圧等を求めることができる。これにより、装置の構成を簡略化することができる。なお、第３の実施の形態においても、図１を用いて説明した第１の実施の形態で得られる効果が同様に得られる。
【００４３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００４４】
上述した実施形態においては、高周波電力抽出手段として単一のローパスフィルタ４１及びハイパスフィルタ４５が用いられている場合について説明したが、高周波電力抽出手段として、複数のローパスフィルタ及びハイパスフィルタを用いてもよい。また、それらを組合せて用いてもよいし、バンドパスフィルタ等のその他のフィルタを用いてもよい。
【００４５】
上述した実施形態においては、複数の高周波電力を重畳した重畳高周波電力が供給される高周波電極が下部電極６である場合について説明したが、重畳高周波電力が供給される高周波電極は、上部電極５であってもよいし、上部電極５及び下部電極６の両方であってもよい。また、下部電極６にプラズマ生成用の高周波電力とイオン引込み用の高周波電力を重畳し、上部電極５に高周波電力を印加しない装置であってもよい。
【００４６】
上述した実施形態においては、高周波電極としての下部電極６に２つの異なる周波数の高周波電力が供給される場合について説明したが、高周波電極に供給される高周波電力は、３以上であってもよい。
【００４７】
上述した実施形態においては、上部電極５に供給される高周波電力の周波数が６０ＭＨｚであり、下部電極６に供給される高周波電力の周波数が２ＭＨｚ、１３ＭＨｚである場合について説明したが、各高周波電極に供給される高周波電力の周波数は任意の周波数であってもよい。
【００４８】
上述した実施形態においては、重畳高周波電力から得られた各周波数の各高周波電力の電圧若しくは直流電圧の値を処理するように、計算機５０又は高周波電力分解手段７０に接続された装置が、ディスプレイ６０、記録装置６１及び上位システム６２である場合について説明したが、各高周波電力の電圧若しくは直流電圧の値を処理する装置は、これらの装置の一部だけであってもよいし、その他の装置であってもよい。
【００４９】
上述した実施形態では、高周波電力抽出手段を介した高周波電圧検出器を高周波検出器として用いて高周波電圧を検出する場合について説明したが、それぞれの高周波電流や位相を検出する検出器を高周波検出器として用いて、最終的にプラズマ処理装置のプラズマを把握するような形態であってもよい。
【００５０】
上述した実施形態では、高周波電力分解手段７０を用いて重畳した高周波電力を実際に分解することによって、各高周波電力を求める場合について説明したが、高周波電力分解手段７０において実際に重畳高周波電力を分解せずに、解析によって各高周波電力を求めるようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、例えば基板のプラズマ処理設備に有用であり、特に、基板をプラズマエッチングするプラズマエッチング設備に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置１の構成図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置１の構成図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係るプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置１の構成図である。
【符号の説明】
【００５３】
１    プラズマエッチング装置
２    処理容器
５    上部電極
６    下部電極
１０    ガス供給経路
１１    ガス排気経路
１５、２０、３０    整合器
１６、２１、３１    高周波電源
２５    給電点
３５    給電ライン
４０    測定点
４１    ローパスフィルタ
４２、４６    高周波電圧検出器
４５    ハイパスフィルタ
５０    計算機
６０    ディスプレイ
６１    記録装置
６２    上位システム
６６    直流電圧検出器
７０    高周波電力分解手段
Ａ１    絶縁体
Ａ２    壁部
Ｋ    処理空間
Ｖ１、Ｖ２    各高周波電力の電圧
Ｖ１０、Ｖ２０    補正された各高周波電力の電圧
Ｖｄｃ    直流バイアス電圧
Ｖｐｐ    ピーク−ピーク間電圧
Ｗ    基板
【図１】
2008041795.tif 000003
【図２】
2008041795.tif 000004
【図３】
2008041795.tif 000005