(57)【要約】      （修正有）【課題】圧電素子の特性が均一化されたアクチュエータ装置の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】基板上に圧電素子の電極とは電気的に不連続で且つ圧電素子の上電極と同一層を有するテストパターン４００を形成し、圧電素子を覆う保護膜２００で覆うと共に、保護膜２００のテストパターン４００の上電極に相対向する領域を圧電素子を覆う保護膜２００に設けられる開口部と同時にエッチングすることにより検査用開口部２０４を形成し、前記テストパターン４００に検査用開口部２０４が形成されていない第１の状態で、当該テストパターン４００の上電極の電気抵抗値を測定し、テストパターン４００に検査用開口部２０４を有する保護膜２００が形成された第２の状態で、当該テストパターン４００の上電極の電気抵抗値を測定し、第１の状態の電気抵抗値と第２の電気抵抗値とに基づいて上電極のエッチング量を取得する工程を具備する。【選択図】図７
2008124343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方面に下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子を形成し、該圧電素子を覆う絶縁材料からなる保護膜を形成した後、該保護膜の前記上電極に相対向する領域をエッチングすることにより、当該上電極を露出する開口部を形成するアクチュエータ装置の製造方法であって、
前記基板上に前記圧電素子の電極とは電気的に不連続で且つ前記上電極と同一層を有するテストパターンを形成し、該テストパターンを前記圧電素子を覆う前記保護膜で覆うと共に、前記保護膜の前記テストパターンの前記上電極に相対向する領域を前記開口部と同時にエッチングすることにより当該上電極を露出する検査用開口部を形成し、
前記テストパターンに前記検査用開口部が形成されていない第１の状態で、当該テストパターンの前記上電極の電気抵抗値を測定し、前記テストパターンに前記検査用開口部を有する前記保護膜が形成された第２の状態で、当該テストパターンの前記上電極の電気抵抗値を測定し、前記第１の状態の電気抵抗値と前記第２の電気抵抗値とに基づいて、前記開口部を形成した際の前記上電極のエッチング量を取得する工程を具備することを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の状態が、前記テストパターンを覆う前記保護膜の前記検査用開口部の外側に前記上電極を露出する端子露出部を２つ以上形成した状態であると共に、前記電気抵抗値の測定を前記端子露出部で行うことを特徴とする請求項１記載のアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項３】
前記テストパターンが、前記下電極、前記圧電体層及び前記上電極と同一層で構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項４】
前記テストパターンの電気抵抗値の測定を四端子法によって行うことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の状態が、前記圧電素子及び前記テストパターンを覆う前記保護膜を形成する前の状態であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項６】
前記テストパターンを２つ形成すると共に、前記第１の状態が、一方のテストパターンに、前記検査用開口部が設けられていない前記保護膜を形成した状態であり、且つ第２の状態が、他方のテストパターンに、前記検査用開口部が設けられた前記保護膜を形成した状態であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項７】
前記テストパターンとして、前記上電極を十字形状に形成すると共に、前記第１の状態として、一方のテストパターンを前記保護膜で覆い且つ当該テストパターンの４つの端部を露出する端子露出部を形成した状態とし、前記第２の状態として、他方のテストパターンを前記保護膜で覆い且つ当該テストパターンの４つの端部を露出する端子露出部と、十字形状の交差する領域を露出する前記検査用開口部とを形成した状態とし、２つのテストパターンの前記端子露出部により露出された端部の互いに隣接する一対に電流を流すと共に、他の端部間の電位差を測定することで電気抵抗値を測定することを特徴とする請求項６記載のアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項８】
前記圧電素子から引き出される引き出し配線を形成すると共に、前記テストパターンの前記端子露出部により露出された前記上電極に、前記引き出し配線と同一層からなり且つ前記引き出し配線とは電気的に不連続なテスト用引き出し配線を形成した後、前記テストパターンの前記第１の状態及び前記第２の状態での電気抵抗値の測定を、前記テスト用引き出し配線を介して行うことを特徴とする請求項７記載のアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項９】
前記上電極の前記エッチング量を取得する工程によって取得した当該エッチング量をフィードバックして前記開口部のエッチング量を制御することを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載のアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項に記載の製造方法によって、液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が設けられた流路形成基板の一方面に、前記アクチュエータ装置を形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に変位可能に設けられた圧電素子を有するアクチュエータ装置の製造方法及びノズル開口から液体を噴射する液体噴射手段としてアクチュエータ装置を具備する液体噴射ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクチュエータ装置に用いられる圧電素子としては、電気機械変換機能を呈する圧電材料、例えば、結晶化した誘電材料からなる圧電体層を、下電極と上電極との２つの電極で挟んで構成されたものがある。このようなアクチュエータ装置は、一般的に、撓み振動モードのアクチュエータ装置と呼ばれ、例えば、液体噴射ヘッド等に搭載されて使用されている。なお、液体噴射ヘッドの代表例としては、例えば、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッド等がある。また、インクジェット式記録ヘッドに搭載されるアクチュエータ装置としては、例えば、振動板の表面全体に亘って成膜技術により均一な圧電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けて圧力発生室毎に独立するように圧電素子を形成したものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、圧電素子の破壊を防止すると共に圧電素子の変形を阻害しないようにするヘッド構造として、圧電素子を絶縁体からなる保護膜で覆うと共に、保護膜の上電極の主要部に対応する領域に開口部を設けたものがある（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
このような構成によれば、圧電素子の変位を阻害する保護膜に開口部を設けることによって、圧電素子の変位量を確保することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３-１２７３６６号公報（第４〜７頁、第１〜４図）
【特許文献２】特許第３５５２０１３号公報（第４〜５頁、第４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献２のような保護膜の開口部は、一般的にドライエッチング等のエッチングにより形成されると共に、開口部に保護膜が残留しないように、上電極の表面に達するまでオーバーエッチングされて形成される。
【０００７】
しかしながら、保護膜の開口部をエッチングにより形成する際に、上電極の表面も同時にオーバーエッチングされるため、このとき保護膜の成膜厚さのばらつきなどによって、上電極をオーバーエッチングするエッチング量にばらつきが生じてしまい、圧電素子の変位特性にばらつきが生じてしまうという問題がある。
【０００８】
また、複数の液体噴射ヘッドの間で、上電極をオーバーエッチングしたエッチング量にばらつきが生じると、液体噴射ヘッドを複数組み合わせてヘッドユニットを形成した際にヘッドユニットの液体噴射特性にばらつきが生じてしまうという問題がある。
【０００９】
さらに、上電極をオーバーエッチングしたエッチング量の測定は、圧電素子を切断して測定するしかなく、コストが増大してしまうという問題がある。
【００１０】
本発明はこのような事情に鑑み、上電極をオーバーエッチングしたエッチング量を取得することができると共に、圧電素子の特性が均一化されたアクチュエータ装置の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の態様は、基板の一方面に下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子を形成し、該圧電素子を覆う絶縁材料からなる保護膜を形成した後、該保護膜の前記上電極に相対向する領域をエッチングすることにより、当該上電極を露出する開口部を形成するアクチュエータ装置の製造方法であって、前記基板上に前記圧電素子の電極とは電気的に不連続で且つ前記上電極と同一層を有するテストパターンを形成し、該テストパターンを前記圧電素子を覆う前記保護膜で覆うと共に、前記保護膜の前記テストパターンの前記上電極に相対向する領域を前記開口部と同時にエッチングすることにより当該上電極を露出する検査用開口部を形成し、前記テストパターンに前記検査用開口部が形成されていない第１の状態で、当該テストパターンの前記上電極の電気抵抗値を測定し、前記テストパターンに前記検査用開口部を有する前記保護膜が形成された第２の状態で、当該テストパターンの前記上電極の電気抵抗値を測定し、前記第１の状態の電気抵抗値と前記第２の電気抵抗値とに基づいて、前記開口部を形成した際の前記上電極のエッチング量を取得する工程を具備することを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法にある。
【００１２】
かかる態様では、テストパターンの第１の状態の電気抵抗値と、第２の状態の電気抵抗値に基づいて、テストパターンの上電極がエッチングされたエッチング量を取得することで、圧電素子の上電極がオーバーエッチングされたエッチング量を把握することができる。これにより、圧電素子の上電極のエッチング量に起因する圧電素子の変位特性を把握して、圧電素子の変位特性に基づいてアクチュエータ装置のランク分けを行うことができる。したがって、圧電素子の変位特性が均一化された複数のアクチュエータ装置を得ることができる。
【００１３】
ここで、前記第２の状態が、前記テストパターンを覆う前記保護膜の前記検査用開口部の外側に前記上電極を露出する端子露出部を２つ以上形成した状態であると共に、前記電気抵抗値の測定を前記端子露出部で行うことが好ましい。これによれば、端子露出部により露出された上電極の電気抵抗値を測定することで、測定位置のずれによる測定誤差を低減できる。
【００１４】
また、前記テストパターンが、前記下電極、前記圧電体層及び前記上電極と同一層で構成されていることが好ましい。これによれば、テストパターンを圧電素子と同じ構成で形成することで、圧電素子の成膜条件とテストパターンの成膜条件とを同じにして、上電極をオーバーエッチングしたエッチング量をさらに高精度に測定することができる。
【００１５】
また、前記テストパターンの電気抵抗値の測定を四端子法によって行うことが好ましい。これによれば、アクチュエータ装置に用いられる上電極のような薄膜の電気抵抗値を高精度に測定することができる。
【００１６】
また、前記第１の状態が、前記圧電素子及び前記テストパターンを覆う前記保護膜を形成する前の状態であることが好ましい。これによれば、同一のテストパターンを第１の状態及び第２の状態とすることができるため、狭い面積にテストパターンを形成することができ、テストパターンの形成位置の制限が減少する。
【００１７】
また、前記テストパターンを２つ形成すると共に、前記第１の状態が、一方のテストパターンに、前記検査用開口部が設けられていない前記保護膜を形成した状態であり、且つ第２の状態が、他方のテストパターンに、前記検査用開口部が設けられた前記保護膜を形成した状態であることが好ましい。これによれば、保護膜を形成する前にテストパターンにプローブを接触させることで、上電極に傷が付き、その後の保護膜を形成する際に上電極が剥離して異物が生じてしまうのを確実に防止することができる。また、第１の状態のテストパターンの電気抵抗値を測定した後に保護膜をスパッタリングにより形成すると、逆スパッタによってテストパターンの上電極がエッチングされるため、第１の状態での電気抵抗値と第２の状態での電気抵抗値との差には、保護膜に開口部を形成した際のエッチング量に加えて逆スパッタのエッチング量が加わった値が測定されてしまうが、２つのテストパターンを設けることで、取得するエッチング量に誤差が生じるのを防止することができる。
【００１８】
また、前記テストパターンとして、前記上電極を十字形状に形成すると共に、前記第１の状態として、一方のテストパターンを前記保護膜で覆い且つ当該テストパターンの４つの端部を露出する端子露出部を形成した状態とし、前記第２の状態として、他方のテストパターンを前記保護膜で覆い且つ当該テストパターンの４つの端部を露出する端子露出部と、十字形状の交差する領域を露出する前記検査用開口部とを形成した状態とし、２つのテストパターンの前記端子露出部により露出された端部の互いに隣接する一対に電流を流すと共に、他の端部間の電位差を測定することで電気抵抗値を測定することが好ましい。これによれば、テストパターンの十字形状が交差する領域の電気抵抗値のみを測定することができるため、その他の領域の影響による電気抵抗値の誤差を防止して高精度な測定を行うことができる。
【００１９】
また、前記圧電素子から引き出される引き出し配線を形成すると共に、前記テストパターンの前記端子露出部により露出された前記上電極に、前記引き出し配線と同一層からなり且つ前記引き出し配線とは電気的に不連続なテスト用引き出し配線を形成した後、前記テストパターンの前記第１の状態及び前記第２の状態での電気抵抗値の測定を、前記テスト用引き出し配線を介して行うことが好ましい。これによれば、テストパターンの電気抵抗値を測定するタイミングが制限されることがなく、上電極の最終的な厚さを把握することができる。
【００２０】
また、前記上電極の前記エッチング量を取得する工程によって取得した当該エッチング量をフィードバックして前記開口部のエッチング量を制御することが好ましい。これによれば、取得したエッチング量をフィードバックして保護膜をエッチングするエッチング量を制御することで、上電極のエッチング量が均一化されて変位特性の均一化された圧電素子を有するアクチュエータ装置を形成することができる。
【００２１】
さらに本発明は、上記態様のアクチュエータ装置の製造方法によって、液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が設けられた流路形成基板の一方面に、前記アクチュエータ装置を形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。これによれば、液体噴射ヘッドの液体噴射特性を均一化することができるため、複数の液体噴射ヘッドを組み合わせてヘッドユニットを形成した際に、液体噴射特性を均一化して、高精度及び高品質な印刷を行わせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、流路形成基板の平面図及びインクジェット式記録ヘッドの圧力発生室の長手方向の断面図である。
【００２３】
図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では板厚方向の結晶面方位が（１１０）面のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化によって二酸化シリコンからなる厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。
【００２４】
流路形成基板１０には、他方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁１１によって区画された圧力発生室１２がその幅方向（短手方向）に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向一端部側には、インク供給路１４と連通路１５とが隔壁１１によって区画されている。また、連通路１５の一端には、各圧力発生室１２の共通のインク室（液体室）となるリザーバ１００の一部を構成する連通部１３が形成されている。すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路が設けられている。
【００２５】
インク供給路１４は、圧力発生室１２の長手方向一端部側に連通し且つ圧力発生室１２より小さい断面積を有する。例えば、本実施形態では、インク供給路１４は、リザーバ１００と各圧力発生室１２との間の圧力発生室１２側の流路を幅方向に絞ることで、圧力発生室１２の幅より小さい幅で形成されている。なお、このように、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路１４を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。さらに、各連通路１５は、インク供給路１４の圧力発生室１２とは反対側に連通し、インク供給路１４の幅方向（短手方向）より大きい断面積を有する。本実施形態では、連通路１５を圧力発生室１２と同じ断面積で形成した。
【００２６】
すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２と、圧力発生室１２の短手方向の断面積より小さい断面積を有するインク供給路１４と、このインク供給路１４に連通すると共にインク供給路１４の短手方向の断面積よりも大きい断面積を有する連通路１５とが複数の隔壁１１により区画されて設けられている。
【００２７】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
【００２８】
一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、二酸化シリコンからなり厚さが例えば、約１．０μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等からなり厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５５が積層形成されている。また、この絶縁体膜５５上には、厚さが約０．１〜０．５μｍの下電極膜６０と、圧電体膜の一例であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなり厚さが例えば、約１．１μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエータ装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜５０、絶縁体膜５５及び下電極膜６０が振動板として作用するが、弾性膜５０、絶縁体膜５５を設けずに、下電極膜６０のみを残して下電極膜６０を振動板としてもよい。また、圧電素子３００自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。
【００２９】
このような圧電素子３００を構成する圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。
【００３０】
また、圧電素子３００は、耐湿性を有する絶縁材料からなる保護膜２００によって覆われている。本実施形態では、保護膜２００を圧電体層７０の側面と上電極膜８０の側面及び上面の周縁部を覆い、且つ複数の圧電素子３００に亘って連続して設けるようにした。すなわち、上電極膜８０の上面の略中心領域である主要部は、保護膜２００が設けられておらず、上電極膜８０の上面の主要部を開口する開口部２０１が設けられている。
【００３１】
開口部２０１は、保護膜２００を厚さ方向に貫通して圧電素子３００の長手方向に沿って矩形状に開口するものであり、例えば、流路形成基板１０上の全面に亘って保護膜２００を形成した後、保護膜２００を選択的にイオンミリングや反応性ドライエッチングなどのドライエッチングをすることにより形成することができる。
【００３２】
このように圧電素子３００を保護膜２００で覆うことにより、大気中の水分等に起因する圧電素子３００の破壊を防止することができる。ここで、このような保護膜２００の材料としては、耐湿性を有する材料であればよいが、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化タンタル（ＴａＯｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）等の無機絶縁材料を用いるのが好ましく、特に、無機アモルファス材料である酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いるのが好ましい。保護膜２００の材料として酸化アルミニウムを用いた場合、保護膜２００の膜厚を１００ｎｍ程度と比較的薄くしても、高湿度環境下での水分透過を十分に防ぐことができる。本実施形態では、保護膜２００としてアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いた。
【００３３】
また、保護膜２００に開口部２０１を設けることにより、圧電素子３００（圧電体能動部）の変位を阻害することなく、インク吐出特性を良好に保持することができる。
【００３４】
なお、保護膜２００は、圧電素子３００の少なくとも圧電体層７０の表面を覆うように設ければよく、各圧電素子３００毎に保護膜を設け、複数の圧電素子３００に亘って不連続となるようにしてもよい。
【００３５】
この保護膜２００上には、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０が設けられている。リード電極９０は、保護膜２００に設けられた接続孔２０２を介して一端部が上電極膜８０に接続されると共に、他端部が流路形成基板１０のインク供給路１４側まで延設され、延設された先端部は、後述する圧電素子３００を駆動する駆動回路１２０と接続配線１２１を介して接続されている。
【００３６】
また、流路形成基板１０上には、保護膜２００の開口部２０１を形成する際に上電極膜６０をオーバーエッチングしたエッチング量を測定するためのテストパターン４００が設けられている。テストパターン４００については、詳しくは後述する。
【００３７】
さらに、圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、連通部１３に対向する領域にリザーバ部３１が設けられた保護基板３０が接着剤３５を介して接合されている。このリザーバ部３１は、上述したように、流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通の液体室となるリザーバ１００を構成している。また、流路形成基板１０の連通部１３を圧力発生室１２毎に複数に分割して、リザーバ部３１のみをリザーバとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板１０に圧力発生室１２のみを設け、流路形成基板１０と保護基板３０との間に介在する部材（例えば、弾性膜５０、絶縁体膜５５等）にリザーバと各圧力発生室１２とを連通するインク供給路１４を設けるようにしてもよい。
【００３８】
また、保護基板３０には、圧電素子３００に対向する領域に、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３２が設けられている。なお、圧電素子保持部３２は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。
【００３９】
さらに、保護基板３０の圧電素子保持部３２とリザーバ部３１との間の領域には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられ、この貫通孔３３内に下電極膜６０の一部及びリード電極９０の先端部が露出されている。
【００４０】
また、保護基板３０上には、圧電素子３００を駆動するための駆動回路１２０が実装されている。この駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路１２０とリード電極９０とはボンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線１２１を介して電気的に接続されている。
【００４１】
保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料の面方位（１１０）のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００４２】
また、保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００４３】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路１２０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００４４】
ここで、インクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図９を参照して説明する。なお、図３、図４、図８及び図９は、圧力発生室の長手方向の断面図であり、図５は、流路形成基板用ウェハの平面図及びその要部を拡大した平面図であり、図６は、流路形成基板用ウェハの要部を拡大した平面図及びそのＢ−Ｂ′断面図であり、図７は、流路形成基板用ウェハの要部を拡大した平面図である。
【００４５】
まず、図３（ａ）に示すように、流路形成基板１０が複数個一体的に形成されるシリコンウェハからなる流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。
【００４６】
次いで、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜５５を形成する。
【００４７】
次いで、図３（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成した後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。なお、下電極膜６０は、白金（Ｐｔ）とイリジウム（Ｉｒ）とを積層したものに限定されず、これらを合金化させたものを用いるようにしてもよい。また、下電極膜６０として、白金（Ｐｔ）とイリジウム（Ｉｒ）の何れか一方の単層として用いるようにしてもよく、さらに、これらの材料以外の金属又は金属酸化物等を用いるようにしてもよい。
【００４８】
次に、図４（ａ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０とを流路形成基板１０の全面に形成した後、図４（ｂ）に示すように、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。圧電素子３００を構成する圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。また、圧電体層７０の形成方法は、本実施形態では、金属有機物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成した。なお、圧電体層７０の形成方法は、特に限定されず、例えば、ＭＯＤ法やスパッタリング法等を用いるようにしてもよい。
【００４９】
また、流路形成基板用ウェハ１１０上に、後の工程で保護膜２００の開口部２０１を形成する際に上電極膜６０をオーバーエッチングしたエッチング量を測定するためのテストパターン４００を形成する。
【００５０】
本実施形態では、図５（ａ）に示すように、圧電素子３００をエッチングによりパターニングする際に、同時に圧電体層７０及び上電極膜８０をエッチングすることによりテストパターン４００を形成した。また、テストパターン４００を流路形成基板用ウェハ１１０の各流路形成基板１０となる領域に、圧電素子３００の並設方向の一方側の下電極膜６０上に設けるようにした。
【００５１】
また、テストパターン４００としては、図５（ｂ）に示すように、第１のテストパターン４０１と、第２のテストパターン４０２とを形成するようにした。このような第１のテストパターン４０１及び第２のテストパターン４０２は、本実施形態では、平面視した際に十字形状となるように形成した。すなわち、テストパターン４００を構成する第１のテストパターン４０１及び第２のテストパターン４０２は、ファンデルポール（Van der Pol）構造となるようにした。
【００５２】
さらに、このようなテストパターン４００は、圧電体層７０及び上電極膜８０をエッチングすることにより形成したため、図６（ｂ）に示すように、圧電素子３００の圧電体層７０と同一層からなり且つ圧電素子３００とは不連続な圧電体層７０と、圧電素子３００の上電極膜８０と同一層からなり且つ圧電素子３００の各電極６０、８０とは電気的に不連続な上電極膜８０とで構成されている。
【００５３】
次に、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に保護膜２００を形成後、保護膜２００の各圧電素子３００に対応する領域をエッチングすることにより開口部２０１及び接続孔２０２を形成する。なお、保護膜２００のエッチングは、例えば、イオンミリングや、反応性ドライエッチング（ＲＩＥ）等のドライエッチングにより行うことができる。
【００５４】
また、図６に示すように、保護膜２００のテストパターン４００に対応する領域を同時にエッチングすることにより、端子露出部２０３及び検査用開口部２０４を形成する。
【００５５】
端子露出部２０３は、テストパターン４００の上電極膜８０の各端部を露出するものである。すなわち、端子露出部２０３は、第１のテストパターン２０３及び第２のテストパターン２０３のそれぞれに４つずつ設けられている。
【００５６】
また、検査用開口部２０４は、第２のテストパターン４０２の十字形状が交差する領域を開口するものであり、第２のテストパターン４０２を覆う保護膜２００のみに形成するようにした。これにより、第２のテストパターン４０２の端子露出部２０３は、検査用開口部２０４の外側に設けられていることになる。
【００５７】
本実施形態では、第１のテストパターン４０１に端子露出部２０３のみを設けた状態を第１の状態、第２のテストパターン４０２に端子露出部２０３と検査用開口部２０４とを設けた状態を第２の状態としている。
【００５８】
そして、保護膜２００のエッチングでは、保護膜２００を圧電素子３００の上電極膜８０及びテストパターン４００の上電極膜８０が露出するまで行う。これにより、保護膜２００に開口部２０１、接続孔２０２、端子露出部２０３及び検査用開口部２０４を形成した際のエッチングによって、圧電素子３００の上電極膜８０及びテストパターン４００の上電極膜８０は、それぞれ厚さ方向の一部がオーバーエッチングされる。このテストパターン４００の上電極膜８０がオーバーエッチングされるエッチング量は、圧電素子３００の上電極膜８０がオーバーエッチングされるエッチング量と同じ量となる。
【００５９】
すなわち、第２のテストパターン４０２の上電極膜８０が検査用開口部２０４を形成した際にオーバーエッチングされたエッチング量は、圧電素子３００の上電極膜８０が開口部２０１を形成した際にオーバーエッチングされたエッチング量と同じ量となる。これに対して、第１の状態となった第１のテストパターン４０１の保護膜２００には、検査用開口部２０４を形成していないため、第２のテストパターン４０１の上電極膜８０は、十字形状が交差する領域がオーバーエッチングされていない。なお、第１のテストパターン４０１及び第２のテストパターン４０２の端子露出部２０３に対応する上電極膜６０は、検査用開口部２０４と同様にオーバーエッチングされているが、後の工程でテストパターン４００の上電極膜８０の電気抵抗値を測定する際には影響がない。
【００６０】
次に、テストパターン４００の各上電極膜８０の電気抵抗値を測定する。詳しくは、図７に示すように、第１の状態である第１のテストパターン４０１の上電極膜８０の隣接する２つの端部に電流を流し、上電極膜８０の他の２つの端部間の電位差を測定することで、上電極膜８０の電気抵抗値を測定する。すなわち、測定した電流及び電圧（電位差）からオームの法則により電気抵抗値を算出する。また、第２の状態である第２のテストパターン４０２の上電極膜８０についても第１のテストパターン４０１と同様に電気抵抗値を測定する。
【００６１】
このようなテストパターン４００の各上電極膜８０の電気抵抗値の測定は、例えば、テストパターン４００の各上電極膜８０の端部に直接プローブを接触させることで行うことができる。
【００６２】
また、このような電気抵抗値の測定は、一般的に四端子法（四深針法）と呼ばれるものであり、圧電素子３００に用いられる薄膜の上電極膜８０の電気抵抗値を測定するのに有用なものである。また、本実施形態のように十字形状（ファンデルポール構造）を有するテストパターン４００の上電極膜８０の４つの端部を四端子法（四深針法）によって測定することで、テストパターン４００の上電極膜８０の十字形状が交差する領域のみの電気抵抗値を測定することができる。
【００６３】
これにより、第１の状態である第１のテストパターン４０１の上電極膜８０のオーバーエッチングされていない領域と、第２の状態である第２のテストパターン４０２の上電極膜８０のオーバーエッチングされた領域との電気抵抗値とを測定して、第２の状態である第２のテストパターン４０２の上電極膜８０のオーバーエッチングされたエッチング量を取得することができる。すなわち、上電極膜８０の電気抵抗値は、その断面積に反比例するため、第１のテストパターン４０１の上電極膜８０の厚さに比べて、第２のテストパターン４０２の上電極膜８０の厚さが薄く、第１のテストパターン４０１の電気抵抗値に比べて、第２のテストパターン４０２の電気抵抗値は大きな値となる。そして、第１のテストパターン４０１の電気抵抗値と第２のテストパターン４０２の電気抵抗値との差が大きければ、第２のテストパターン４０２がオーバーエッチングされたエッチング量が大きい（上電極膜８０の厚さが薄い）ことが分かり、電気抵抗値の差が小さければ第２のテストパターン４０２がオーバーエッチングされたエッチング量が小さい（上電極膜８０の厚さが厚い）ことが分かる。
【００６４】
このように、第２のテストパターン４０２のエッチング量を取得することで、圧電素子３００に対応する保護膜２００に開口部２０１を形成した際の上電極膜６０がオーバーエッチングされたエッチング量を取得することができる。
【００６５】
ちなみに、上電極膜８０がオーバーエッチングされるエッチング量によって、圧電素子３００全体の剛性が変化したり、上電極膜８０の電気抵抗値の変化によって圧電素子３００に印加する電界強度が変化したりするなどの要因により、圧電素子３００の変位特性が変わってしまう。
【００６６】
このため、本発明のように圧電素子３００の上電極膜８０がエッチングされたエッチング量をテストパターン４００によって取得し、上電極膜８０のエッチング量に基づいて圧電素子３００の変位量の評価を行って、インクジェット式記録ヘッドを圧電素子３００の変位量に基づいてランク分けすることができる。また、上電極膜８０のエッチング量を取得し、取得したエッチング量をフィードバックして保護膜２００をエッチングするエッチング量を制御することで、上電極膜８０のエッチング量が均一化されたインクジェット式記録ヘッドを形成することができる。すなわち、１回目に取得した流路形成基板用ウェハ１１０での上電極膜８０のエッチング量に基づいて、次の流路形成基板用ウェハ１１０での上電極膜８０のエッチング量を制御することで、複数枚の流路形成基板用ウェハ１１０から圧電素子３００の変位特性が均一化されたインクジェット式記録ヘッドを形成することができる。
【００６７】
したがって、インクジェット式記録ヘッドを複数組み合わせてインクジェット式記録ヘッドユニットを製造する際に、インクジェット式記録ヘッドのインク吐出特性（液体噴射特性）を均一化することができ、インクジェット式記録ヘッドユニットに高精度及び高品質な印刷を行わせることができる。
【００６８】
また、本実施形態のように、各流路形成基板１０となる領域のそれぞれにテストパターン４００を設けることによって、流路形成基板用ウェハ１１０の面内での上電極膜８０のエッチング量のばらつきを把握することができるため、次の流路形成基板用ウェハ１１０の面内での上電極膜８０のエッチング量を制御して、１枚の流路形成基板用ウェハ１１０から圧電素子３００の変位特性が均一化された複数のインクジェット式記録ヘッドを製造することができる。したがって、流路形成基板用ウェハ１１０の面内での上電極膜８０のエッチング量を均一化して、圧電素子３００の変位量を均一化することができるため、１枚の流路形成基板用ウェハ１１０から形成された複数のインクジェット式記録ヘッドを組み合わせて１つのヘッドユニットを形成することができる。これにより、歩留まりを向上してコストを低減することができる。すなわち、複数のインクジェット式記録ヘッドを製造後、圧電素子３００の変位量に基づいてランク分けする必要がなく、ランク毎のインクジェット式記録ヘッドの過不足が生じることがない。なお、１枚の流路形成基板用ウェハ１１０の各流路形成基板１０となる領域のテストパターン４００のエッチング量の平均を流路形成基板用ウェハ１１０全体における上電極膜８０のエッチング量としてもよい。
【００６９】
また、上電極膜８０のエッチング量の制御は、例えば、エッチングする時間や出力等のエッチング条件を変えることで行うことができる。特に、エッチング時間を調整することで、上電極膜８０のエッチング量の制御を容易に且つ確実に行うことができる。
【００７０】
ちなみに、テストパターンを圧電素子３００の上電極膜８０とは異なる材料や異なる工程で形成することも考えられるが、テストパターンは、保護膜２００に開口部２０１を形成する際に、上電極膜６０をオーバーエッチングしたエッチング量を測定するためのものであるため、上電極膜８０のエッチング量とテストパターンとのエッチング量に誤差が生じるため好ましくない。これに対して、本発明では、圧電素子３００の上電極膜８０と同一層の上電極膜８０でテストパターン４００を同時に形成することによって、テストパターン４００によって上電極膜６０をオーバーエッチングしたエッチング量を高精度に測定することができる。また、本実施形態のように、圧電素子３００と同じ構成のテストパターン４００を圧電素子３００と同時に形成することによって、圧電素子３００の成膜条件とテストパターン４００の成膜条件とを同じにして、上電極膜６０をオーバーエッチングしたエッチング量をさらに高精度に測定することができる。
【００７１】
次に、図８（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って金（Ａｕ）からなるリード電極９０を形成後、各圧電素子３００毎にパターニングする。
【００７２】
次に、図８（ｂ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０を、流路形成基板用ウェハ１１０上に接着剤３５を介して接着する。ここで、この保護基板用ウェハ１３０は、保護基板３０が複数一体的に形成されたものであり、保護基板用ウェハ１３０には、リザーバ部３１及び圧電素子保持部３２が予め形成されている。保護基板用ウェハ１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。
【００７３】
次いで、図８（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みに薄くする。
【００７４】
次いで、図９（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上にマスク５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図９（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をマスク５２を介してＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより、圧電素子３００に対応する圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５等を形成する。
【００７５】
その後は、流路形成基板用ウェハ１１０表面のマスク５２を除去し、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。
【００７６】
なお、本実施形態では、テストパターン４００の各上電極膜８０の端部に直接プローブを接触させることで電気抵抗値を測定しているが、特にこれに限定されない。ここで、その他の例を図１０に示す。図１０は、流路形成基板用ウェハの要部を拡大した平面図及びそのＣ−Ｃ′断面図、Ｄ−Ｄ′断面図である。
【００７７】
図１０に示すように、圧電素子３００から引き出される引き出し配線であるリード電極９０を形成する際に、テストパターン４００の各上電極膜８０のそれぞれの端部から引き出されるテスト用引き出し配線９１を形成する。そして、このテスト用引き出し配線９１にプローブを接触させてテストパターン４００の各上電極膜８０の電気抵抗値の測定を行う。この場合、テストパターン４００の各上電極膜８０の電気抵抗値の測定は、リード電極９０を形成した後であれば、特に限定されず、例えば、保護基板用ウェハ１３０を流路形成基板用ウェハ１１０に接合した後や、チップ単位に分割した後などでもよい。
【００７８】
このようにリード電極９０及びテスト用引き出し配線９１を形成した後にテストパターン４００の各上電極膜８０の電気抵抗値を測定することによって、プローブが接触することによる傷が発生して、その後の工程（特にリード電極９０を形成する工程）で、上電極膜８０が剥離して異物が発生するのを防止することができる。また、リード電極９０をスパッタリングにより形成する際の逆スパッタによって、テストパターン４００の上電極膜８０がエッチングされるため、この逆スパッタ４００によるエッチング量も合わせて測定することができ、上電極膜８０の最終的な厚さを把握することができる。
【００７９】
（実施形態２）
図１１は、本発明の実施形態２に係る流路形成基板用ウェハの要部を拡大した平面図である。なお、上述した実施形態１と同様の部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００８０】
図１１に示すように、テストパターン４００Ａは、第１のテストパターン４０１Ａと第２のテストパターン４０２Ａとで構成されている。第１のテストパターン４０１Ａ及び第２のテストパターン４０２Ａは、それぞれ圧電素子３００と同じ形状、同じ大きさで設けられている。
【００８１】
また、テストパターン４００Ａの保護膜２００には、各上電極膜８０の端部を露出する端子露出部２０３Ａが設けられている。端子露出部２０３Ａは、テストパターン４００Ａの各上電極膜８０の各端部に２個ずつ設けられている。
【００８２】
また、第２のテストパターン４０２Ａを覆う保護膜２００には、上電極膜８０の表面の一部を露出する検査用開口部２０４Ａが設けられている。
【００８３】
このように、第１のテストパターン４０１に端子露出部２０３Ａのみを設けた状態を第１の状態、第２のテストパターン４０２Ａに端子露出部２０３Ａと検査用開口部２０４Ａとを設けた状態を第２の状態としている。
【００８４】
そして、第１のテストパターン４０１Ａの上電極膜８０の外側の２つの端子露出部２０３Ａにより露出された両端部に電流を流して、内側の２つの端子露出部２０３Ａの電位差を測定することで、第１のテストパターン４０１Ａの電気抵抗値を測定する。また、第２のテストパターン４０２Ａの上電極膜８０の電気抵抗値も第１のテストパターン４０１Ａと同様の方法により測定する。これにより、第２のテストパターン４０２Ａに検査用開口部２０４Ａを形成した際に上電極膜８０のオーバーエッチングされたエッチング量を取得することができる。
【００８５】
このようなテストパターン４００Ａを用いて電気抵抗値を測定することによって、圧電素子３００の上電極膜８０がオーバーエッチングされたエッチング量を取得することができる。
【００８６】
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態１及び２では、下電極膜６０上に圧電体層７０及び上電極膜８０からなるテストパターン４００、４００Ａを形成するようにしたが、テストパターンは、圧電素子３００の上電極膜８０と同一層からなり且つ圧電素子３００の各電極６０、８０とは電気的に不連続な上電極膜８０を有するものであればよい。すなわち、流路形成基板用ウェハ１１０の下電極膜６０が設けられていない領域に上電極膜８０のみで構成されるテストパターンや、圧電体層７０及び上電極膜８０のみで構成されるテストパターンを設けるようにしてもよい。
【００８７】
また、上述した実施形態１及び２では、十字形状又は圧電素子３００と同一形状のテストパターン４００、４００Ａを用いるようにしたが、テストパターンの形状及び大きさは、特にこれに限定されるものではない。
【００８８】
さらに、上述した実施形態１及び２では、ヘッド製造時に使用したテストパターン４００、４００Ａをヘッド完成時に残すようにしたが、特にこれに限定されず、テストパターン４００、４００Ａによって上電極膜８０をオーバーエッチングしたエッチング量を測定した後は、テストパターン４００、４００Ａを除去するようにしてもよい。すなわち、例えば、流路形成基板用ウェハ１１０のチップとなる領域以外の不要部分にテストパターン４００、４００Ａを形成し、不要部分を除去した際に同時にテストパターン４００、４００Ａが除去されるようにしてもよい。
【００８９】
また、上述した実施形態１及び２では、流路形成基板用ウェハ１１０の各流路形成基板１０となる領域にテストパターン４００、４００Ａを形成するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、複数個の流路形成基板１０に対して１つのテストパターン４００、４００Ａを形成するようにしてもよく、また、流路形成基板用ウェハ１１０毎に１つのテストパターン４００、４００Ａを形成するようにしてもよい。
【００９０】
さらに、上述した実施形態１及び２では、第１の状態である第１のテストパターン４０１、４０１Ａと、第２の状態である第２のテストパターン４０２、４０２Ａとの２つで構成されるテストパターン４００、４００Ａを形成し、第１のテストパターン４０１、４０１Ａと第２のテストパターン４０２、４０２Ａとの電気抵抗値を同時に測定するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、１つのテストパターンを形成し、このテストパターンに保護膜を形成する前の状態を第１の状態として、第１の状態のテストパターンの上電極膜の電気抵抗値を測定し、その後、テストパターンに検査用開口部が設けられた保護膜２００を形成して第２の状態として、第２の状態でテストパターンの上電極膜の電気抵抗値を測定するようにしてもよい。すなわち、１つのテストパターンに保護膜を形成する前と検査用開口部を有する保護膜を形成した後との両方で電気抵抗値を測定するようにしてもよい。このような場合は、例えば、電気抵抗値を測定するためのプローブを接触させる位置を第１の状態と第２の状態とで同じ位置とする必要がある。また、第１の状態のテストパターンにプローブを接触させることで、上電極膜６０に傷が付き、その後の保護膜２００を形成する工程で、上電極膜６０が剥離して異物が生じてしまう虞がある。また、第１の状態のテストパターンに保護膜を形成してテストパターンを第２の状態にすると、保護膜をスパッタリングにより形成する際の逆スパッタによって、テストパターンの上電極膜がエッチングされるため、第１の状態での電気抵抗値と第２の状態での電気抵抗値との差には、保護膜２００に開口部２０１を形成した際のエッチング量に加えて逆スパッタのエッチング量が加わった値が測定されてしまう。
【００９１】
また、上述した実施形態１及び２では、流路形成基板１０としてシリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、ＳＯＩ基板、ガラス基板、ＭｇＯ基板等においても本発明は有効である。また、振動板の最下層に二酸化シリコンからなる弾性膜５０を設けるようにしたが、振動板の構成は、特にこれに限定されるものではない。
【００９２】
なお、上述した実施形態１及び２では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００９３】
また、本発明は、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに搭載されるアクチュエータ装置の製造方法に限られず、他の装置に搭載されるアクチュエータ装置の製造方法にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す平面図である。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す平面図及び断面図である。
【図７】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す平面図である。
【図８】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図９】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図１０】実施形態１の他の例を示す記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図１１】実施形態２に係る記録ヘッドの要部を拡大した平面図である。
【符号の説明】
【００９５】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  １３  連通部、  １４  インク供給路、  １５  連通路、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ３１  リザーバ部、  ３２  圧電素子保持部、  ４０  コンプライアンス基板、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  １００  リザーバ、  １２０  駆動回路、  １２１  接続配線、  ２００  保護膜、  ２０１  開口部、  ２０２  接続孔、  ２０３、２０３Ａ  端子露出部、  ２０４、２０４Ａ  検査用開口部、  ３００  圧電素子、  ４００、４００Ａ  テストパターン、  ４０１、４０１Ａ  第１のテストパターン、  ４０２、４０２Ａ  第２のテストパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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