(57)【要約】【課題】高エネルギーの光を照射してもゲート絶縁膜の絶縁性が低下することのない積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、これらの製造方法、電子素子アレイ及び表示装置の提供。【解決手段】少なくとも基板上に、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層と、該濡れ性変化層によってパターン形成された電極層とを有する積層構造体において、該エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料が主鎖と多分岐構造を含む側鎖とを有する高分子であることを特徴とする積層構造体。【選択図】図１
2008041951.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基板上に、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層と、該濡れ性変化層によってパターン形成された電極層とを有する積層構造体において、該エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料が主鎖と多分岐構造を含む側鎖とを有する高分子であることを特徴とする積層構造体。
【請求項２】
前記エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料の側鎖となる多分岐構造が疎水性を有する高分子であることを特徴とする請求項１に記載の積層構造体。
【請求項３】
前記主鎖と多分岐構造を含む側鎖とを有する高分子がポリイミドであることを特徴とする請求項１または２に記載の積層構造体。
【請求項４】
前記ポリイミドが可溶性ポリイミドであることを特徴とする請求項３に記載の積層構造体。
【請求項５】
少なくとも基板上に半導体層、絶縁膜層、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の積層構造体を有することを特徴とする電子素子。
【請求項６】
前記半導体層に有機半導体材料を用いることを特徴とする請求項５に記載の電子素子。
【請求項７】
ゲート絶縁膜と積層構造体が積層された構造を有することを特徴とする請求項５または６に記載の電子素子。
【請求項８】
前記濡れ性変化層が絶縁膜層を兼ねることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の電子素子。
【請求項９】
前記積層構造体が複数の電極層に用いられることを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一項に記載の電子素子。
【請求項１０】
請求項５乃至９のいずれか一項に記載の電子素子が基板上に複数個配設されたことを特徴とする電子素子アレイ。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子素子アレイを備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
エネルギーの付与によって濡れ性変化層の臨界表面張力が変化することにより、高表面エネルギー部と低表面エネルギー部が形成される工程と、高表面エネルギー部表面に導電性材料を含有する液体を付与することで高表面エネルギー部に導電層を形成する工程と、を有する積層構造体の製造方法において、該濡れ性変化層がエネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料が主鎖と多分岐構造を含む側鎖とを有する高分子であることを特徴とする積層構造体の製造方法。
【請求項１３】
前記エネルギーの付与が紫外線照射であることを特徴とする請求項１２記載の積層構造体の製造方法。
【請求項１４】
前記エネルギーの付与が熱であることを特徴とする請求項１２記載の積層構造体の製造方法。
【請求項１５】
前記導電性材料を含有する液体を付与する方法はインクジェット法であることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項１６】
ゲート電極を形成する工程と、ソース電極を形成する工程とドレイン電極を形成する工程と、半導体層を形成する工程と、絶縁層を形成する工程からなる電子素子の製造方法において、少なくとも１つ以上の電極形成において、エネルギーの付与によって濡れ性変化層の臨界表面張力が変化することにより、高表面エネルギー部と低表面エネルギー部が形成される工程と、高表面エネルギー部表面に導電性材料を含有する液体を付与することで高表面エネルギー部に導電層を形成する工程を有し、該濡れ性変化層がエネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料が主鎖と多分岐構造を含む側鎖とを有する高分子であることを特徴とする電子素子の製造方法。
【請求項１７】
前記エネルギーの付与が紫外線照射であることを特徴とする請求項１６記載の電子素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機薄膜トランジスタに関し、より詳細には、有機半導体層を有する電界効果型の有機薄膜トランジスタ等に好適な積層構造体、該積層構造体を用いた有機薄膜トランジスタ等の電子素子、これらの製造方法、電子素子アレイ及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、有機半導体材料を用いた有機薄膜トランジスタが精力的に研究されており、トランジスタに有機半導体材料を用いる利点として、フレキシビリティ、大面積化、単純層構成によるプロセスの単純化および安価な製造装置が挙げられている。
【０００３】
また、印刷法を用いることで従来のＳｉ系半導体装置よりも桁違いに安く製造可能であり、さらに印刷法、スピンコート法、浸漬法等の手段を用いて、簡便に薄膜や回路も形成可能である。
【０００４】
このような有機薄膜トランジスタの特性を示すパラメータの一つに電流のオンオフ比（Ｉｏｎ/Ｉｏｆｆ）がある。有機薄膜トランジスタにおいて、飽和領域でのソース・ドレイン電極間に流れる電流（Ids）は、次式（１）で示される。
【０００５】
【数１】
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ここで、電界効果移動度（μ）、ゲート絶縁膜の単位面積あたりのキャパシタンス（Cin=εε0/d、ここでεはゲート絶縁膜の比誘電率、ε0は真空の誘電率、dはゲート絶縁膜の厚さ）、チャネル幅（W）、チャネル長（L）、VGはゲート電圧、VTHは閾値電圧である。
【０００６】
この式は、オン電流を大きくするためには、１、移動度を向上させる、２、チャネル長をより短くする、３、チャネル幅を大きくすることなどが有効であることを示している。また、電界効果移動度は材料特性によるところが大きく、移動度向上のための材料開発が行なわれている。
【０００７】
一方で、チャネル長は素子構成に由来するので、素子構成の工夫によりオン電流を向上させる試みが行われてきた。
【０００８】
一般的に、チャネル長を短くする方法は、ソース・ドレイン電極間距離を小さくすることである。
【０００９】
有機半導体材料はもともと移動度が大きくないため、チャネル長は少なくとも１０μｍ以下、できれば５μｍ以下が求められている。
【００１０】
短いソース・ドレイン電極間距離を正確に作りこむ方法の一つにはSiプロセスで用いられるフォトリソグラフィがあり、この工程は以下の通りである。（１）薄膜層を有する基板上にフォトレジスト層を塗布する（レジスト塗布）、（２）加熱により溶剤を除去する（プリベーク）、（３）パターンデータに従ってレーザー或いは電子線を用いて描画されたハードマスクを通して紫外光を照射する（露光）、（４）アルカリ溶液で露光部のレジストを除去する（現像）、（５）加熱により未露光部（パターン部）のレジストを硬化する（ポストベーク）、（６）エッチング液に浸漬又はエッチングガスに暴露し、レジストのない部分の薄膜層を除去する（エッチング）、（７）アルカリ溶液又は酸素ラジカルでレジストを除去する（レジスト剥離）。各薄膜層を形成後、上記の工程を繰返すことによって能動素子が完成するが、高価な設備と工程の長さがコストを上昇させる原因となっている。
【００１１】
一方で製造コストを低減するためにインクジェットなどを利用した印刷法による電極パターン形成が試みられている。
【００１２】
インクジェット印刷は、電極パターンを直接描画できるため、材料使用率が高いために、製造プロセスの簡略化、低コストを実現できる可能性がある。しかしながら、インクジェット印刷は吐出量の少量化が困難であること、機械的な誤差等により着弾精度を考慮すると３０μｍ以下のパターンは形成が難しく、５μｍの電極間隔を作りこむことは不可能である。これはインクジェット装置のみでは高精細なデバイスを作ることは困難であることを意味する。そのために、高精細化のために何らかの工夫が必要となり、その一つとして、インクを着弾させる表面に細工を施すことがある。
【００１３】
例えば、紫外線などのエネルギーの付与により臨界表面張力（表面自由エネルギーとも呼ぶ）が変化する材料から作製されたゲート絶縁膜を利用する方法が示されている（特許文献１参照）。電極作製部位にのみマスクを通じて紫外線を照射し、絶縁膜表面上に高表面自由エネルギー部位を作製する。ここに水溶性インクからなる電極材料をインクジェット塗布すると、高エネルギー部位にのみ電極が作製され、ゲート絶縁膜上に高精細な電極パターンの形成が可能となる。この方法を用いると、高表面自由エネルギーと低表面自由エネルギーの境界ライン上にインク滴が着弾しても、エネルギーの差により、高エネルギー側に滴が移動し、結果として均一なラインを有するパターンを作製することができる。しかしながら、この方法は、５μｍ以下の電極間隔が実現可能ということで優れているが、紫外線とりわけ３００ｎｍ以下の短波長の紫外線をゲート絶縁膜上に照射するため、これにより絶縁膜が影響を受け絶縁性が低下するという問題がある。
【００１４】
一方で、ゲート絶縁膜上に、紫外線により表面自由エネルギーが変化する材料からなる膜を積層している（非特許文献１参照）。この膜上に特許文献１と同様の手法で紫外線照射により表面自由エネルギーの異なる部位を作製し、インクジェット法により電極パターンを作製している。この方法は、絶縁性の保持層と表面自由エネルギーの変化する層というように機能分離を行った点で優れているが、やはり、紫外線をゲート絶縁膜上に照射するため、絶縁膜が影響を受け絶縁性が低下するという問題を避けることができない。結果として、ゲートリークが多くなり、オンオフ比の小さなデバイスしか得られない。
【００１５】
また、非特許文献１ではゲート絶縁膜の厚さを大きく取る（およそ１μｍ）ことで下地層に透過する紫外線の量を減らし、この問題を回避しようとしているが、式１から分かるように、ゲート絶縁膜の厚さを大きくすると取り出せる電流値Idsは小さくなる。結果として、オンオフ比の小さなデバイスしか得られない。
【００１６】
そこで、オンオフ比を確保するために印加電圧VGを大きくする必要性が生じ、結果として、消費電力の小さいデバイスを作ることが困難となる。
【特許文献１】特開２００５−３１０９６２号公報
【非特許文献１】第５２回応用物理学関係連合講演会  公演予稿集  p1510
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
このように、ゲート絶縁膜上に表面自由エネルギーの高いところと低いところを紫外光や電子線により作製するという方法は、従来の印刷法で困難であった高精細で高密度の電極パターンを作製可能とするものであるが、しかしながら、高エネルギーの光を照射するためにゲート絶縁膜の絶縁性が低下するという問題が生じており、高エネルギー光照射による影響を少なくする必要があった。
【００１８】
したがって、本発明は上述に鑑みてなされたものであり、高エネルギーの光を照射してもゲート絶縁膜の絶縁性が低下することのない積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、これらの製造方法、電子素子アレイ及び表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明者らは、上述の課題を解決するために鋭意検討した結果、本発明を完成するにいたった。
【００２０】
即ち上記目的は、請求項１に記載されるがごとく、少なくとも基板上に、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層と、該濡れ性変化層によってパターン形成された電極層とを有する積層構造体において、該エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料が主鎖と多分岐構造を含む側鎖とを有する高分子であることを特徴とする積層構造体によって達成される。これにより、少ない紫外線照射量で表面自由エネルギーが大きく変化する積層構造体を提供できることから、積層構造体の製造プロセスの簡略化、低コスト化が望める。
【００２１】
請求項２にかかる発明は、請求項１に記載の発明において、前記エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料の側鎖となる多分岐構造が疎水性を有する高分子であることを特徴とする。これにより、少ない紫外線照射量で表面自由エネルギーが大きく変化する積層構造体を提供できることから、積層構造体の製造プロセスの簡略化、低コスト化が望める。
【００２２】
請求項３にかかる発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記主鎖と多分岐構造を含む側鎖とを有する高分子がポリイミドであることを特徴とする。これにより、絶縁性にすぐれたポリイミド材料をもちいることで、紫外線照射を受けても影響が少なく高絶縁性を保った積層構造体を提供でき、結果として、製造プロセスの簡略化、低コスト化が実現できる。
【００２３】
請求項４にかかる発明は、請求項３に記載の発明において、前記ポリイミドが可溶性ポリイミドであることを特徴とする。これにより、絶縁性にすぐれたポリイミド材料をもちいることで、紫外線照射を受けても影響が少なく高絶縁性を保った積層構造体を提供でき、結果として、製造プロセスの簡略化、低コスト化が実現できる。
【００２４】
請求項５にかかる発明は、少なくとも基板上に半導体層、絶縁膜層、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の積層構造体を有することを特徴とする電子素子によって達成される。これにより、少ない紫外線照射量で高精細かつ高密度の電極パターン形成が可能となるとともに、紫外線照射を受けても影響が少なく高絶縁性を保ったゲート絶縁膜層が提供できる。その結果、特性の良い薄膜トランジスタ等の電子素子の提供が可能となる。
【００２５】
請求項６にかかる発明は、請求項５に記載の発明において、前記半導体層に有機半導体材料を用いることを特徴とする。これにより、半導体層に有機半導体材料を用いることから、有機薄膜トランジスタ等の電子素子の製造プロセスの簡略化、低コスト化が実現できる。
【００２６】
請求項７にかかる発明は、請求項５または６に記載の発明において、ゲート絶縁膜と積層構造体が積層された構造を有することを特徴とする。これにより、ゲート絶縁膜と積層構造体が積層されていることから、紫外線照射を受けても影響の少ない高絶縁性を保ったゲート絶縁膜層が提供できる。その結果、特性の良い有機薄膜トランジスタ等の電子素子が提供可能となる。
【００２７】
請求項８にかかる発明は、請求項５乃至７のいずれか一項に記載の発明において、前記濡れ性変化層が絶縁膜層を兼ねることを特徴とする。これにより、濡れ性変化層が絶縁膜を兼ねることから、有機薄膜トランジスタ等の電子素子の製造プロセスの簡略化、低コスト化が実現できる。
【００２８】
請求項９にかかる発明は、請求項５乃至８のいずれか一項に記載の発明において、前記積層構造体が複数の電極層に用いられることを特徴とする。これにより、積層構造体が複数の電極層に用いられていることから、有機薄膜トランジスタ等の電子素子の全ての電極層において高精細でかつ高密度の電極を形成できる。
【００２９】
請求項１０にかかる発明は、請求項５乃至９のいずれか一項に記載の電子素子が基板上に複数個配設されたことを特徴とする電子素子アレイによって達成される。これにより、製造プロセスが簡略化され、低コストかつ高性能な有機薄膜トランジスタからなるアクティブマトリクス基板を提供できる。
【００３０】
請求項１１にかかる発明は、請求項１０に記載の電子素子アレイを備えたことを特徴とする表示装置によって達成される。これにより、有機薄膜トランジスタからなるアクティブマトリクス基板と画素表示素子を組み合わせることで、安価で可撓性に優れた表示装置が作製される。
【００３１】
請求項１２にかかる発明は、エネルギーの付与によって濡れ性変化層の臨界表面張力が変化することにより、高表面エネルギー部と低表面エネルギー部が形成される工程と、高表面エネルギー部表面に導電性材料を含有する液体を付与することで高表面エネルギー部に導電層を形成する工程と、を有する積層構造体の製造方法において、該濡れ性変化層がエネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料が主鎖と多分岐構造を含む側鎖とを有する高分子であることを特徴とする積層構造体の製造方法によって達成される。これにより、印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法で、簡便に製造できる微細な電極パターンを有する積層構造体を製造することが可能な製造方法を提供できる。
【００３２】
請求項１３にかかる発明は、請求項１２に記載の発明において、前記エネルギーの付与が紫外線照射であることを特徴とする。これにより、エネルギーの付与に波長に短い紫外線を使用することから、より高精細で高密度な電極パターンを有する積層構造体を製造することが可能な製造方法を提供できる。
【００３３】
請求項１４にかかる発明は、請求項１２に記載の発明において、前記エネルギーの付与が熱であることを特徴とする。これにより、エネルギーの付与に熱を使用することから、素子内部に影響を与えることなく簡便に微細な電極パターンを有する積層構造体を製造することが可能な製造方法を提供できる。
【００３４】
請求項１５にかかる発明は、請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の発明において、前記導電性材料を含有する液体を付与する方法はインクジェット法であることを特徴とする。これにより、液体を付与する方法がより少量の液滴を供給できるインクジェット法を利用することによって、濡れ性変化層の表面エネルギーの影響を受けやすくできるので、濡れ性変化層の特徴を活かした積層構造体の製造に適した製造方法を提供できる。
【００３５】
請求項１６にかかる発明は、ゲート電極を形成する工程と、ソース電極を形成する工程とドレイン電極を形成する工程と、半導体層を形成する工程と、絶縁層を形成する工程からなる電子素子の製造方法において、少なくとも１つ以上の電極形成において、エネルギーの付与によって濡れ性変化層の臨界表面張力が変化することにより、高表面エネルギー部と低表面エネルギー部が形成される工程と、高表面エネルギー部表面に導電性材料を含有する液体を付与することで高表面エネルギー部に導電層を形成する工程を有し、該濡れ性変化層がエネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料が主鎖と多分岐構造を含む側鎖とを有する高分子であることを特徴とする電子素子の製造方法によって達成される。これにより、印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法で、簡便に製造できる微細な電極パターンを有する電界効果型トランジスタ等の電子素子を製造することが可能となる製造方法を提供できる。
【００３６】
請求項１７にかかる発明は、請求項１６に記載の発明において、前記エネルギーの付与が紫外線照射であることを特徴とする。これにより、エネルギーの付与に波長に短い紫外線を使用することから、より高精細で高密度な電極パターンを有する電界効果型トランジスタ等の電子素子を製造することが可能な製造方法を提供できる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によると、高エネルギーの光を照射してもゲート絶縁膜の絶縁性が低下することのない積層構造体、積層構造体を用いた電界効果型の有機薄膜トランジスタ等の電子素子、これらの製造方法、電子素子アレイ及び表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明について図面と共に説明する。
【００３９】
[積層構造体]
まず、本実施の積層構造体について説明する。図１は、本発明の積層構造体の一つの実施態様である、積層構造体１の原理的構成例を示す断面模式図である。本実施の形態の積層構造体１は、例えば基板（図示せず）上に形成された濡れ性変化層２をベースとして構成されている。ここに、濡れ性変化層２は、エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料からなる層であって、本実施の形態では、少なくとも臨界表面張力の異なる２つの部位として、より臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部３と、より臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部４とを有している。ここに、図示例の２つの高表面エネルギー部３間は、例えば、１〜５μｍ程度の微小ギャップに設定されている。そして、濡れ性変化層２に対して高表面エネルギー部３の部位には各々導電層５が形成され、かつ、濡れ性変化層２に対して少なくとも低表面エネルギー部４に接するようにして半導体層６が設けられている。
【００４０】
[濡れ性変化層]
まず、濡れ性変化層に含まれる、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料を説明する。
【００４１】
本発明の積層構造体において、濡れ性変化層に含まれる、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料は、紫外線の照射量を低下することを特徴とする。
【００４２】
一般的に、紫外線のような高エネルギー光を照射しない限り表面自由エネルギーを変化させることは不可能であるので、したがって、本発明の積層構造体において、濡れ性変化層に含まれる、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料は、光感度が非常によく低照射量で表面自由エネルギーの変化する材料として、紫外線の照射量をより低下するために用いられる。
【００４３】
紫外線照射により表面自由エネルギーが変化するメカニズムを以下に詳細に説明する。
【００４４】
３００ｎｍ以下の波長を有する光を照射すると、高分子側鎖に含まれるC=O（カルボニル基）が光分解され、C=Oのラジカルが生成される。ラジカルは反応性が高いため直ちに雰囲気に含まれる水分と反応し、COOH（カルボキシル基）が生成される。このカルボキシル基により表面は親水化される。よって、このメカニズムを利用すると、以下の分子設計が可能となる。具体的には、炭化水素やフッ化水素のような撥水性を持つ構造からなる側鎖の一部、できれば主鎖との近くにエステル結合を導入しておく。すなわち主鎖から出ている側鎖において、主鎖に近い側にエステル結合を導入し、ここから先の主鎖から離れる方に、炭化水素やフッ化水素のような撥水性を有する基からなる長鎖を作製しておく。また、C=Oの2重結合が含まれていれば、他の官能基であっても良い。このような分子からできた膜では、紫外線が照射されない場合は側鎖が切れないので撥水性を示し、紫外線を照射するとエステル結合部位が切れることにより、そこから先の炭化水素鎖やフッ化水素鎖の長鎖は切れ、生成されたカルボキシル基により親水性が生じる、という表面ができる。
【００４５】
したがって、本発明では、光感度を良くするために、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料が、主鎖と多分岐構造を含む側鎖とを有する高分子とした。
【００４６】
好ましくは、１個の光子により１個のエステル結合が分解されるので、１つのエステル結合に炭化水素鎖やフッ化水素鎖を２個以上つけておく、すなわち多分岐構造とすることで、少ない照射エネルギーにより、大きな表面自由エネルギー変化を可能としたものである。ここで多分岐構造はデンドリマーでもハイパーブランチいずれの構造体でもよいが、好ましくはデンドリマーが良い。ここで言うデンドリマーとは、中心分子から対称性良く枝分かれした構造を有するものである。一方、ハイパーブランチは、AB2型のモノマーを重合させて得られる様々な分枝度と重合度をもつ、すなわち枝分かれがランダムな構造を有するものである。なおデンドリマーやハイパーブランチ構造体の定義については、例えば「デンドリティック高分子」  監修  青井啓悟、柿本雅明、株式会社NTS発行に詳細に掲載されている。
【００４７】
また、本発明の積層構造体において、濡れ性変化層に含まれる、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料は、紫外線を照射されても絶縁性を確保することを特徴とする。
【００４８】
通常、紫外線照射により絶縁性が低下する理由は、紫外線により側鎖だけでなく主鎖も切れるためである。これを防ぐためには主鎖に紫外線を吸収しないような基（シグマ結合からなる基、例えばビニル基やシロキサンのようなSi−Oを含む骨格）を導入することが考えられる。しかしながらポリビニルやポリビニルフェノールあるいはシロキサン構造を有する高分子ポリマーの特性から分かるように、これらの骨格を有するポリマーの絶縁性は良くないことが知られている。これは３次元立体構造を見ると、剛直な構造ではないため、パッキングが悪く密な構造が取れないことによる。よって主鎖に紫外線を吸収しないような基を導入するだけでは絶縁性は保てない。別の考えとして、主鎖を長くし（平均分子量を大きくする）、紫外線により主鎖が切れてもなお、絶縁性を保つのに十分な長さを確保することである。しかしながら、主鎖を長くする、すなわち平均分子量を大きくすると、溶媒への溶解性が悪くなり結果として、成膜性が悪くなるという問題がある。そのため単純に主鎖を長くするとか平均分子量を大きくすることはできない。また紫外線を良く吸収するような吸収係数の高い材料を導入することも考えられるが、有機材料においては、吸収係数の大きなものは無いため、膜厚を極端に大きくするか、吸収係数が有機物よりも大きい無機物（TiO2など）を使用することになる。
【００４９】
無機物を用いる場合は、無機物単独では薄膜は形成できないため、これらの微粒子をポリマー中に分散させる必要がある。しかしながら、TiO2などの無機物微粒子はどんなに小さくてもたかだか１μｍ程度の大きさであり、ポリマー膜内に十分に分散できるほど入れるためには、膜の厚さを数ミクロンにする必要があり、これでは結果として印加電圧が大きくなってしまう。
【００５０】
よって、本発明では、ある程度切れても、主鎖が剛直であるため、分子間でのパッキングが保てるポリイミド骨格を本発明の積層構造体の濡れ性変化層に導入することとした。ポリイミドにはポリアミック酸を加熱することで脱水縮合反応が生じポリイミドが生じる熱硬化型と、ポリイミドが既に溶媒に溶けている可溶性型がある。可溶性型ポリイミド（可溶性ポリイミドとも言う）は、塗布後加熱により溶剤を飛ばすことで、良好な膜が得られる。一方で熱硬化型では、脱水反応が起こる程度まで加熱しないと反応が生じないため、一般には高温（２００度以上）にする必要がある。
【００５１】
したがって、本発明の積層構造体において、濡れ性変化層に含まれるエネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化する材料である、主鎖と多分岐構造を含む側鎖とを有する高分子が、特に高い熱をかけなくても高絶縁で耐溶剤性のあるポリイミドが得られる可溶性ポリイミドが好ましい。
【００５２】
また、図１を参照して、濡れ性変化層２の構成材料について以下に詳述する。
【００５３】
濡れ性変化層２は、単一の材料からなっていても良いし、２種類以上の材料から構成されていても良い。２種類以上の材料から構成する場合には、具体的には、電気絶縁性のより大きな材料（例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、エポキシ、シルセスキオキサン、ポリビニルフェノール、ポリカーボネート、フッ素系樹脂、ポリパラキシリレン。あるいは、ポリビニルフェノールやポリビニルアルコールに、架橋剤を添加しても良い。）に濡れ性変化のより大きな材料（側鎖に疎水性基を有する材料を用いることが望ましい。例えば、ポリイミドやポリイミドアミド、メタアクリレート等の骨格を有する主鎖に直接あるいは結合基を通じて疎水性基を有する側鎖が結合しているものである。疎水性基としては、末端構造が−CF2CH3、−CF2CF３、−CF（CF３）2、−CFH2などである基が挙げられる。アルキル側鎖のついたポリイミドについては、文献「次世代のエレクトロニクス・電子材料に向けた新しいポリイミドの開発と高機能付与技術」、技術情報協会発行、で紹介されている。）を混合することにより、電気絶縁性に優れ、かつ、濡れ性変化にも優れた濡れ性変化層２を提供することが可能となる。
【００５４】
また、濡れ性変化は大きいが成膜性に問題がある材料を用いることが可能となるため選択できる材料が多くなる。具体的には、一方の材料の濡れ性変化はより大きいが凝集力が強いため成膜することが困難な材料である場合に、この材料を成膜性の良いもう一方の材料と混合することで、上記濡れ性変化層を容易に作製することが可能となる。
【００５５】
濡れ性変化層２は、前述したように、熱、紫外線、電子線、プラズマ等のエネルギーを与えることによって、臨界表面張力が変化する材料からなる層で、エネルギー付与前後での臨界表面張力の変化量が大きいものが好ましい。このような材料の場合、濡れ性変化層２の一部分にエネルギーを付与し、高表面エネルギー部３と低表面エネルギー部４とからなる臨界表面張力の異なるパターンを形成することにより、導電性材料を含有する液体が、高表面エネルギー部３には付着しやすく（親液性）、低表面エネルギー部４には付着しにくく（疎液性）なるため、パターン形状に従って導電性材料を含有する液体が親液性である高表面エネルギー部３に選択的に付着し、それを固化することにより導電層５が形成される。
【００５６】
本実施の形態における濡れ性変化層２の厚さは３０ｎｍ〜３μｍが好ましく、５０ｎｍ〜１μｍがさらに好ましい。これより薄い場合にはバルク体としての特性（絶縁性、ガスバリア性、防湿性等）が損なわれ、これより厚い場合には表面形状が悪化するため好ましくない。
【００５７】
ゲート絶縁膜との積層構造について説明する。
【００５８】
ゲート絶縁膜と積層構造体は積層されているが、濡れ性変化層の絶縁性が良好な場合には、絶縁膜層を兼ねることができる。
【００５９】
この場合には、ゲート絶縁層が無くても良い。
【００６０】
ゲート絶縁膜と積層構造とする場合は、濡れ性変化層は、紫外線照射により影響を受けることを防ぐため、高絶縁層を形成する材料よりも吸収係数が大きい材料からなることが望ましい。
【００６１】
またゲート絶縁膜は、濡れ性変化層よりも絶縁性の高い材料からなる層である。
【００６２】
ここで絶縁性とは、体積抵抗がより大きいことを示している。
【００６３】
高絶縁層上に濡れ性制御層が積層されており、濡れ性制御層がソース・ドレイン電極と接する構造であるならば、三層以上の構成になっていても構わない。なお、高絶縁層が濡れ性制御層を兼ねていても構わない。
【００６４】
ゲート絶縁膜材料について説明する。
【００６５】
絶縁膜材料は、ポリイミド、ポリアミドイミド、エポキシ、シルセスキオキサン、ポリビニルフェノール、ポリカーボネート、フッ素系樹脂、ポリパラキシリレンなどを用いることが可能である。
【００６６】
［多分岐構造］
本実施の形態で用いられる多分岐構造を含む側鎖には、以下の多分岐構造を有することができる。なお、アルキル長鎖やフッ化水素の長鎖は、この例にあげたもの以外の分子鎖でも構わない。また多分岐構造は、この例に挙げたもの以外でも構わない。
【００６７】
以下の化学構造式１から７において、ｎは２から１６までの整数である。溶媒への溶解性を考慮すると、特に４から１２が望ましい。
【００６８】
ここでは長鎖が第一世代のものを記述しているが、例えば化学構造式５から８で表されるように第二世代以上でも構わない。
【００６９】
化学構造式１
【００７０】
【化１】
2008041951.tif 000004
化学構造式２
【００７１】
【化２】
2008041951.tif 000005
化学構造式３
【００７２】
【化３】
2008041951.tif 000006
化学構造式４
【００７３】
【化４】
2008041951.tif 000007
化学構造式５
【００７４】
【化５】
2008041951.tif 000008
化学構造式６
【００７５】
【化６】
2008041951.tif 000009
化学構造式７
【００７６】
【化７】
2008041951.tif 000010
化学構造式８
【００７７】
【化８】
2008041951.tif 000011
［可溶性ポリイミド］
より低温で成膜プロセスが行えることを考慮すると、側鎖に疎水性基を有する高分子材料は、可溶性ポリイミドを含むことが望ましい。ここで可溶性ポリイミドとは、溶剤に可溶なポリイミドのことである。原料の酸二無水物とジアミンを反応させて得られるポリアミック酸を予め溶液中で化学的イミド化処理することで得られる。ポリイミド骨格が剛直な構造を有していると溶媒に溶解しにくい。そこでポリイミドの結晶性を乱し溶媒和を受けやすくするため、嵩高い脂環式シクロカルボン酸二水物が一般には用いられる。
【００７８】
ポリイミドがどのような酸無水物から構成されているかは、ポリイミド薄膜の赤外吸収スペクトルによる特性基振動の解析や紫外−可視吸収スペクトルの測定により推察される。嵩高い脂環式シクロカルボン酸二水物骨格を有するポリイミド薄膜では、その吸収端波長は３００ｎｍ以下となる。詳細については、今井淑夫、横田力男編著、日本ポリイミド研究会編者「最新ポリイミド〜基礎と応用〜」、株式会社エヌ・ティ・エス発行、２００２年や、「次世代のためのエレクトロニクス・電子材料に向けた新しいポリイミドの開発と高機能付与技術」、株式会社技術情報協会発行、２００３年に記述がある。
【００７９】
ポリイミドが溶媒に溶解しているため、溶媒を蒸発せしめる温度、即ち２００℃以下の低温で成膜が可能となる。また、ポリイミド薄膜中に未反応のポリアミック酸や副反応生成物の酸無水物がポリイミド中に残るといったことがなく、これら不純物によりポリイミド膜の電気特性が不良となるといった問題が生じにくい。
【００８０】
可溶性ポリイミドはいかなる溶媒にも可溶性を示すわけではなく、特定の例えばγ−ブチルラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の極性の高い溶媒にのみ可溶性を示す。それゆえ、濡れ性変化層２上に半導体層を形成する際に、トルエン、キシレン、アセトン、イソプロピルアルコール等の極性の低い溶媒を用いれば、可溶性ポリイミドを含んだ薄膜が溶媒に侵食されることはない。
【００８１】
また、濡れ性変化層２を２種類以上の材料から構成する場合においては、側鎖に疎水性基を有する可溶性ポリイミド以外の材料も、可溶性材料からなることが望ましい。これにより低温で成膜が可能となる。さらには、可溶性ポリイミドと良好な相溶性を示す材料であることが望ましい。これにより溶剤下で相分離が生じにくく、成膜プロセスに最適である。
【００８２】
可溶性材料は有機物である必要はなく、有機物と無機物との化合物などを用いることが可能である。これらの例としては、ポリビニルフェノールなどのフェノール樹脂、メラミン樹脂、アセチル化処理などを施したプルランなどの多糖類、シルセスキオキサンなどが挙げられる。
【００８３】
また、側鎖に疎水性基を有する可溶性ポリイミド以外の材料も可溶性ポリイミドからなると、耐熱性、耐溶剤性、親和性の点で好適である。
【００８４】
[電極層]
電極層５は、望ましくは導電性材料を含有する液体を加熱、紫外線照射等によって固化することによって得られる層である。なお、導電性材料を含有する液体とは、
１  導電性材料を溶媒に溶解したもの、
２  導電性材料の前駆体若しくは前駆体を溶媒に溶解したもの、
３  導電性材料粒子を溶媒に分散したもの、
４  導電性材料の前駆体粒子を溶媒に分散したもの、
等を言う。より具体的には、Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉ等の金属微粒子を有機溶媒や水に分散したものやドープドＰＡＮＩ（ポリアニリン）やＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）にＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）をドープした導電性高分子の水溶液等を例示することができる。
【００８５】
導電性材料を含有する液体を濡れ性変化層２表面に付与する方法として、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法等の各種塗布法を用いることができるが、濡れ性変化層の表面エネルギーの影響を受けやすくするためには、より小さな液滴を供給できるインクジェット法が特に好ましい。前述のようにプリンタに使用されるレベルの通常のヘッドを用いた場合、インクジェット法の解像度は３０μｍ、位置合わせ精度は±１５μｍ程度であるが、濡れ性変化層２における表面エネルギーの差を利用することにより、それよりも微細なパターンを形成することが可能となる。
【００８６】
［半導体層］
半導体層６としては、ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，Ｓｉ等の無機半導体やペンタセン、アントラセン、テトラセン、フタロシアニン等の有機低分子、ポリアセチレン系導電性高分子、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体等のポリフェニレン系導電性高分子、ポリピロール及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリフラン及びその誘導体等の複素環系導電性高分子、ポリアニリン及びその誘導体等のイオン性導電性高分子等の有機半導体を用いることができるが、上述のように有機半導体を用いた場合に、濡れ性変化層２による特性向上の効果がより顕著に現れる。
【実施例】
【００８７】
以下の実施例は本発明を具体的に説明するものであり、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００８８】
実施例１
本実施例１では、デンドリマー材料から得られた膜中にデンドリマーが存在することを確認し、従来材料よりも少ない紫外線照射量で、表面自由エネルギーが変化することを確認した。
【００８９】
まず、塗布し得られた膜中に、デンドリマーがあることを確認した。
【００９０】
側鎖にデンドリマーを含むポリイミド材料（ポリイミドA）と、含まないポリイミド；ポリイミドB）の溶液をガラス基板上にスピンコート塗布した。次に、オーブンにて１８０℃の温度をかけ、溶媒を除去した。得られた膜厚を触針法により求めたところ、いずれも１００ｎｍであった。また、得られた膜の一部を削り取り、クロロホルムの同位体であるCDCｌ３中に溶解させ、１Ｈ−ＮＭＲ測定を行った。
【００９１】
得られたチャートを、原料であるポリイミドAのそれと比較したところ、ほぼ同一のものであった。このことから、温度をかけた塗布成膜によりデンドリマー構造は分解せず存在すると言える。
【００９２】
また、削り取った膜の一部を熱重量分析装置にかけたところ約４５０℃にて急激な重量の変化（約２０重量％）が確認された。この値は、ポリイミドA全体の分子量に対する長鎖炭化水素からなるデンドリマー構造部分の割合と一致した。よってこの結果からも、膜中にデンドリマー構造が存在することがわかる。
【００９３】
次いで、紫外線照射に対する接触角変化を測定した。
【００９４】
それぞれの膜に紫外線（超高圧水銀ランプ）を照射した。照射時間に対する水ならびに電極材料を含む溶液の接触角変化を、液滴法により求めた。電極材料を含む溶液の接触角変化の結果を図２に示す。
【００９５】
[ポリイミドＡ]
化学構造式９
【００９６】
【化９】
2008041951.tif 000012
[ポリイミドＢ]
化学構造式１０
【００９７】
【化１０】
2008041951.tif 000013
この結果より、紫外線を照射していない場合、デンドリマー構造を含むポリイミドAは、含まないポリイミドBよりも接触角が大きいことがわかる。純水の場合も、同様の結果となった。
【００９８】
一方で紫外線を照射すると、ポリイミドAならびにBともに露光量とともに、純水ならびに電極材料溶液の接触角は減少して行き、電極材料溶液の場合は、５°付近で一定となった。
【００９９】
以上のように、デンドリマー構造を含むポリイミドAでもBでも紫外線照射により接触角が変化する、すなわち膜表面の自由エネルギーが変化することが分かる。しかしながら、同じ接触角となるのに必要な紫外線照射量が、ポリイミドAではポリイミドBよりも圧倒的に少なく、およそ４分の１程度である。このように、側鎖にデンドリマー構造を導入することにより、少ない露光量で大きな表面自由エネルギー変化が得られることが判明した。
【０１００】
実施例２
ポリイミドAとBでの電極パターニング性を比較した。
【０１０１】
実施例１と同様にしてガラス基板上に厚さ１００ｎｍのポリイミドAならびにポリイミドBの薄膜を形成した。
【０１０２】
ライン形状のフォトマスク越しに紫外線（超高圧水銀ランプ）を照度１から１５Ｊ／ｃｍ２となるように照射し、ポリイミドAならびにBの薄膜上に表面エネルギーの大きい部位を形成した。形成した表面エネルギーの大きい部位にインクジェット法を用いて電極材料インクを吐出した。ここで使用した電極材料は、周知の電極材料であり、具体的には、銀ナノ粒子を水系の溶液に分散したもの（以下、銀ナノインクと言う）を用いた。また、電極材料として、例えば、金ナノ粒子や銅ナノ粒子を用いることもできる。２００℃のオーブンで焼成した後、５μｍ間隔のラインが形成できているか金属顕微鏡観察により確認した。結果を表１に示す。
【０１０３】
【表１】
2008041951.tif 000014
この結果は、実施例１で得られた紫外線露光量と電極材料の接触角の結果に良好に対応している。すなわち、ポリイミドA膜では、たかだか２J/ｃｍ２で表面自由エネルギーの高い面が形成されるので、電極ラインが形成可能となる。一方ポリイミドBの膜では、１０J/cm２程度照射しないとエネルギーの高い面が形成されず、さらに露光されない部分の接触角はポリイミドA膜ほど高くないので、１０J/cm２の露光量でも、十分なコントラストが得られず、部分的に５μｍ間隔のラインが形成されていないところがある。
【０１０４】
このように、側鎖にデンドリマー構造を有するポリイミドAではポリイミドBよりも少ない露光量で、電極が形成できることがわかる。
【０１０５】
実施例３
ゲート絶縁膜と積層構造体が積層されている有機トランジスタの作製を行った。
【０１０６】
メタルマスクを用いた真空蒸着法により、ガラス基板上にＡｌを成膜し、膜厚５０ｎｍのゲート電極を作製した。膜厚４００ｎｍのパリレン膜上に実施例１のポリイミドＡ膜を積層し、積層絶縁膜を形成した。このとき、ポリイミドＡ膜の膜厚は、１００ｎｍであった。
【０１０７】
フォトマスク越しに紫外線（超高圧水銀ランプ）を照度2Ｊ／ｃｍ２となるように照射し、ゲート絶縁膜上に表面エネルギーの大きい部位を形成した。形成した表面エネルギーの大きい部位にインクジェット法を用いて銀ナノインクを吐出し、２００℃で焼成し、電極間距離が５μｍ、即ち、チャネル長が５μｍのソース電極及びドレイン電極を形成した。
【０１０８】
有機半導体材料として、下記式の化学構造式１１
化学構造式１１
【０１０９】
【化１１】
2008041951.tif 000015
で示されるトリアリールアミンを用い、スピンコートにより成膜し、膜厚３０ｎｍの有機半導体層を形成した。
【０１１０】
得られた有機トランジスタの構成は、基板／ゲート電極（Ａｌ）／積層絶縁膜（ゲート絶縁膜）／ソース電極・ドレイン電極／有機半導体層となる（図３参照）。
【０１１１】
比較例１
ポリイミドBの有機トランジスタを作製した。
【０１１２】
実施例２と同様にして、パリレン膜上に厚さ１００ｎｍのポリイミドBの薄膜を形成した。続いてフォトマスク越しに紫外線（超高圧水銀ランプ）を照度１５Ｊ／ｃｍ２となるように照射し、ゲート絶縁膜上に表面エネルギーの大きい部位を形成した。実施例２の結果から電極ラインが形成可能な照射量として、１５J/cm２とした。形成した表面エネルギーの大きい部位にインクジェット法を用いて銀ナノインクを吐出し、２００℃で焼成し、電極間距離が５μｍ、即ち、チャネル長が５μｍのソース電極及びドレイン電極を形成した。実施例２と同様の有機半導体材料をスピンコート成膜し、有機半導体層を形成した。
【０１１３】
［有機トランジスタの評価］
実施例３ならびに比較例１において、トランジスタ特性の評価結果を表２に示す。
【０１１４】
【表２】
2008041951.tif 000016
この結果、ポリイミドAを用いたトランジスタでは電極のパターニング性は良好であり、３×１０-３ｃｍ２／Ｖ・秒の電界効果移動度を有する有機トランジスタが得られた。なお、この値は、メタルマスクを介した真空蒸着により作製したＡｕからなるソース電極及びドレイン電極を用いて作製した有機トランジスタと比較して、遜色なかった。
【０１１５】
一方、ポリイミドBを用いたトランジスタでは、オフ電流が大きくオンオフ比は３桁であった。電界効果移動度も１０-４ｃｍ２／Ｖのオーダーであり、ポリイミドAのそれよりも約２桁小さかった。この結果は、紫外線露光量の違いによるものと推察される。すなわち、ポリイミドBではソース・ドレイン電極を形成するために、紫外線の長時間照射が必要であるため、下地のパリレンが影響を受けたと考えられる。
【０１１６】
このように、側鎖にデンドリマー構造を有するポリイミドAでは、優れた特性を示すトランジスタを得る事が可能である。
【０１１７】
実施例４
積層構造体が複数の電極層に用いられる有機トランジスタを作製した。
【０１１８】
フィルム基板上に下記化学構造式１２の化学構造式で示されるポリイミドCをスピンコート塗布し、１５０℃にて乾燥し薄膜を形成した。
【０１１９】
化学構造式１２
【０１２０】
【化１２】
2008041951.tif 000017
この時の厚さは約９０ｎｍであった。次にフォトマスク越しに紫外線（超高圧水銀ランプ）を照度2Ｊ／ｃｍ２となるように照射し、この膜上に表面エネルギーの大きい部位を形成した。形成した表面エネルギーの大きい部位にインクジェット法を用いて銀ナノインクを吐出し、１５０℃で焼成し、ゲート電極を形成した。
【０１２１】
続いて、化学構造式１３で表されるポリイミドDを少量化学構造式１４で表されるポリイミドEの溶液に混合したものをスピンコート塗布し、１５０℃で乾燥させ、厚さ５００ｎｍのゲート絶縁膜を得た。
【０１２２】
化学構造式１３
【０１２３】
【化１３】
2008041951.tif 000018
化学構造式１４
【０１２４】
【化１４】
2008041951.tif 000019
続いて、フォトマスク越しに紫外線（超高圧水銀ランプ）を照度0.5Ｊ／ｃｍ２となるように照射し、ゲート絶縁膜上に表面エネルギーの大きい部位を形成した。形成した表面エネルギーの大きい部位にインクジェット法を用いて銀ナノインクを吐出し、１５０℃で焼成し、電極間距離が５μｍ、即ち、チャネル長が５μｍのソース電極及びドレイン電極を形成した。
【０１２５】
有機半導体材料として、化学構造式（９）のものを実施例３と同様にして成膜した。
【０１２６】
得られた有機トランジスタの構成は、基板／濡れ性変化層／ゲート電極／濡れ性変化層を兼ねたゲート絶縁膜／ソース電極・ドレイン電極／有機半導体層となる（図４参照）。
【０１２７】
ゲート電極ならびにソース・ドレイン電極の形成に問題は見られず、２×１０−３cm2/Vsの移動度を有するトランジスタが得られた。この値は、メタルマスクを介した真空蒸着により作製したAuからなるソース・ドレイン電極を用いて作製した有機薄膜トランジスタにくらべ、遜色なかった。
【０１２８】
複数の有機トランジスタを有する装置（図５参照）を作製した。
【０１２９】
本実施例は図５に示すような電子素子アレイ５１の作製に関するものである。
【０１３０】
まず、フィルム基板上に実施例４と同様に濡れ性変化層、続いて、ゲート電極４２及びゲート絶縁膜を兼ねる濡れ性変化層２を作製した。続いてソース電極層５ａ及びドレイン電極層５ｂを実施例４と同様にして形成した。最後に上記重合体１をトルエンに溶解した溶液を用いて、マイクロコンタクトプリンティング法で半導体層６を島状に形成した。
【０１３１】
以上の工程により、基板７上に３２×３２個（素子間ピッチ５００μｍ）のＴＦＴ（電子素子４１）を２次元アレイ状に有する電子素子アレイ５１を作製した。これらの複数のＴＦＴ（電子素子４１）の平均的な移動度は１．1×１０−3ｃｍ２／Ｖｓであった。
【０１３２】
次いで、表示装置（図６参照）を作製した。
【０１３３】
本実施例は図５に示すような電子素子アレイ５１を用いた表示装置６１の作製に関するものである。
【０１３４】
まず、酸化チタン粒子６５とオイルブルーで着色したアイソパー６６を内包するマイクロカプセル６７を表示素子６４としてＰＶＡ水溶液に混合して、ＩＴＯからなる透明電極６２を形成したポリカーボネート基板６３上に塗布して、マイクロカプセル６７とＰＶＡバインダー６８からなる層を形成した。この基板と、実施例４で作製したＴＦＴアレイ（電子素子アレイ５１）が形成された基板７とを接着した。ゲート電極４２に繋がるバスラインに走査信号用のドライバーＩＣを、ソース電極５ａに繋がるバスラインにデータ信号用のドライバーＩＣを各々接続した。0.5秒毎に画面切替えを行ったところ、良好な静止画表示を行うことができた。
【０１３５】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の趣旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】本発明の積層構造体の原理的構成例を示す断面模式図である。
【図２】紫外線照射量と電極材料を含む溶液の接触角の関係を示す特性図である。
【図３】ゲート絶縁膜と積層構造体が積層されている有機トランジスタの構成図である。
【図４】積層構造体が複数の電極層に用いられている有機トランジスタの構成図である。
【図５】電子素子アレイの一例を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は電極等の配置関係の平面図である。
【図６】図５の電子素子アレイを用いた表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１３７】
１    積層構造体
２    濡れ性変化層
３    臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部
４    臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部
５    導電層
５ａ  ソース電極層
５ｂ  ドレイン電極層
６    半導体層
７    基板
４１  電子素子
４２  ゲート電極
５１  電子素子アレイ
６１  表示装置
６２  透明電極
６３  ポリカーボネート基板
６５  酸化チタン粒子
６６  オイルブルーで着色したアイソパー
６７  マイクロカプセル
６８  ＰＶＡバインダー
【図１】
2008041951.tif 000020
【図２】
2008041951.tif 000021
【図３】
2008041951.tif 000022
【図４】
2008041951.tif 000023
【図５】
2008041951.tif 000024
【図６】
2008041951.tif 000025