(57)【要約】【課題】他の基板への接続部を増やすことができ、設計の自由度が向上できる構造の半導体基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】一方の面１１ａに表面電極１２を有する半導体基板１１と、該基板１１の一方の面１１ａの上に設けられ表面電極１２と整合する位置に開口部１４ａを有する第１の絶縁樹脂層１３ａと、該絶縁樹脂層１３ａの上に配され開口部１４ａを通して表面電極１２と電気的に接続される第１の導電層１５ａと、第１の絶縁樹脂層１３ａ及び半導体基板１１を貫通する貫通穴２１を通して第１の導電層１５ａと電気的に接続される貫通電極２０と、半導体基板の他方の面１１ｂの上に設けられ貫通電極２０と整合する位置に開口部１４ｂを有する第２の絶縁樹脂層１３ｂと、該絶縁樹脂層１３ｂの上に配され開口部１４ｂを通して貫通電極２０と電気的に接続される第２の導電層１５ｂとを備える半導体装置１０。【選択図】図１
2008124301.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に表面電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板の一方の面の上に設けられ、かつ前記表面電極と整合する位置に開口部を有する第１の絶縁樹脂層と、
前記第１の絶縁樹脂層の上に配され、かつ前記第１の絶縁樹脂層の開口部を通して前記表面電極と電気的に接続される第１の導電層と、
前記第１の絶縁樹脂層及び半導体基板を貫通する貫通穴を通して前記第１の導電層と電気的に接続される貫通電極と、
前記半導体基板の他方の面の上に設けられ、かつ前記貫通電極と整合する位置に開口部を有する第２の絶縁樹脂層と、
前記第２の絶縁樹脂層の上に配され、かつ前記第２の絶縁樹脂層の開口部を通して前記貫通電極と電気的に接続される第２の導電層とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の導電層及び第２の導電層のうち少なくとも一方の導電層の上にバンプが形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の導電層と前記貫通電極とは同一の部材からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
一方の面に表面電極を有する半導体基板の前記一方の面の上に、第１の絶縁樹脂層を設ける工程と、
前記第１の絶縁樹脂層を貫通するとともに前記半導体基板の途中の深さまで達する導電体充填用穴を形成する工程と、
前記第１の絶縁樹脂層の前記表面電極と整合する位置に開口部を設ける工程と、
前記第１の絶縁樹脂層の上に、第１の絶縁樹脂層の開口部を通して前記表面電極と電気的に接続される第１の導電層を設ける工程と、
前記導電体充填用穴に導電体を充填して、前記第１の導電層と電気的に接続される導電体充填部を設ける工程と、
前記半導体基板の前記一方の面とは反対の側から前記半導体基板の他方の面側の部分を除去し、前記導電体充填部を前記半導体基板の他方の面に露呈させて貫通電極とする工程と、
前記半導体基板の他方の面の上に、前記貫通電極と整合する位置に開口部を有する第２の絶縁樹脂層を設ける工程と、
前記第２の絶縁樹脂層の上に、第２の絶縁樹脂層の開口部を通して前記貫通電極と電気的に接続される第２の導電層を設ける工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の導電層を設ける工程と前記導電体充填部を設ける工程とは、同一の導電体を用いて同時に行われることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、ウエハレベルＣＳＰ（ＣＳＰ：Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）の半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージとしては、デュアル・インライン・パッケージ（Ｄｕａｌ  Ｉｎｌｉｎｅ  ｐａｃｋａｇｅ）やクアッド・フラット・パッケージ（Ｑｕａｄ・Ｆｌａｔ・ｐａｃｋａｇｅ）など、樹脂パッケージの側面部や周辺部に金属リードを配置した周辺端子配置型のパッケージが知られている。これに対して、高密度実装可能なチップ・サイズ／スケール・パッケージ（ＣＳＰ：Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が提案され、実用に供されている。ＣＳＰは、いわゆるボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）技術を応用したものであって、パッケージの表面に複数の電極を口字状あるいは格子状に配置した構造（ＢＧＡ構造）のリードレス半導体パッケージである。このような構造のＣＳＰでは、電極端子数が同じでも、パッケージの占有面積を狭くすることができる。さらに高密度実装化を目指して、上記ＣＳＰをさらに発展させたものとして、ウエハレベル（ＷＬ）ＣＳＰが提案されている。ＷＬＣＳＰでは表面に電極を有する半導体ウエハ上に、応力の緩衝層としての絶縁樹脂層や、電極と接続される再配線層、再配線層を保護する封止層等を積層し、再配線層の上に半田バンプを設けた後で半導体ウエハを所定のチップ寸法に切断することにより、パッケージ構造のチップを得ることができる。
【０００３】
なお、特許文献１には、半導体基板の表面に層間絶縁膜を有するチップを複数積層してなるマルチチップ半導体装置において、少なくとも１つのチップは、その半導体基板および層間絶縁膜を貫通する貫通孔内に金属からなる接続プラグが形成された構造を有し、前記接続プラグは半導体基板の裏面側で半田バンプや金属ボール等を介して他のチップと電気的に接続されているマルチチップ半導体装置が記載されている。
【特許文献１】特開平１０−２２３８３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）は、チップの表面電極がある側にのみ形成する。そのため、実装基板と導通を取るバンプを多く配置しようとすると、チップの表面電極がある側だけではスペースが少なくなり、設計が困難になる場合がある。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、他の基板への接続部を増やすことができ、設計の自由度が向上できる構造の半導体基板およびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するため、本発明は、一方の面に表面電極を有する半導体基板と、前記半導体基板の一方の面の上に設けられ、かつ前記表面電極と整合する位置に開口部を有する第１の絶縁樹脂層と、前記第１の絶縁樹脂層の上に配され、かつ前記第１の絶縁樹脂層の開口部を通して前記表面電極と電気的に接続される第１の導電層と、前記第１の絶縁樹脂層及び半導体基板を貫通する貫通穴を通して前記第１の導電層と電気的に接続される貫通電極と、前記半導体基板の他方の面の上に設けられ、かつ前記貫通電極と整合する位置に開口部を有する第２の絶縁樹脂層と、前記第２の絶縁樹脂層の上に配され、かつ前記第２の絶縁樹脂層の開口部を通して前記貫通電極と電気的に接続される第２の導電層とを備えることを特徴とする半導体装置を提供する。
本発明の半導体装置は、前記第１の導電層及び第２の導電層のうち少なくとも一方の導電層の上にバンプが形成されるものとすることができる。
前記第１の導電層と前記貫通電極とは同一の部材からなることが好ましい。
【０００７】
また、本発明は、一方の面に表面電極を有する半導体基板の前記一方の面の上に、第１の絶縁樹脂層を設ける工程と、前記第１の絶縁樹脂層を貫通するとともに前記半導体基板の途中の深さまで達する導電体充填用穴を形成する工程と、前記第１の絶縁樹脂層の前記表面電極と整合する位置に開口部を設ける工程と、前記第１の絶縁樹脂層の上に、第１の絶縁樹脂層の開口部を通して前記表面電極と電気的に接続される第１の導電層を設ける工程と、前記導電体充填用穴に導電体を充填して、前記第１の導電層と電気的に接続される導電体充填部を設ける工程と、前記半導体基板の前記一方の面とは反対の側から前記半導体基板の他方の面側の部分を除去し、前記導電体充填部を前記半導体基板の他方の面に露呈させて貫通電極とする工程と、前記半導体基板の他方の面の上に、前記貫通電極と整合する位置に開口部を有する第２の絶縁樹脂層を設ける工程と、前記第２の絶縁樹脂層の上に、第２の絶縁樹脂層の開口部を通して前記貫通電極と電気的に接続される第２の導電層を設ける工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
本発明の半導体装置において、前記第１の導電層を設ける工程と前記導電体充填部を設ける工程とは、同一の導電体を用いて同時に行われることが好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体基板の表面電極を備える側とその反対側との両面に導電層が設けられているので、どちらの側にも他の基板への接続部を設けることができ、設計の自由度を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
図１に示す半導体装置は、本発明の半導体装置の一形態例を模式的に示したものである。この半導体装置１０は、一方の面１１ａに表面電極１２を有する半導体基板１１を備える。表面電極１２は、例えばＡｌパッド等の導電体からなる部材であり、半導体基板１１に形成された不図示のＩＣ等に接続されている。
【００１０】
この半導体基板１１の一方の面１１ａの上には、表面電極１２と整合する位置に開口部１４ａを有する第１の絶縁樹脂層１３ａが設けられている。第１の絶縁樹脂層１３ａは、例えばポリエチレン（ＰＥ）、ポリイミド、エポキシ、シリコーン等の絶縁樹脂から構成することができる。第１の絶縁樹脂層１３ａは、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。第１の絶縁樹脂層１３ａの開口部１４ａは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
【００１１】
第１の絶縁樹脂層１３ａの上には、第１の絶縁樹脂層１３ａの開口部１４ａを通して表面電極１２と電気的に接続される第１の導電層１５ａが配されている。第１の導電層１５ａの材料としては、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ等の各種金属や合金等の導電体などのうち１種あるいは２種以上を選択して用いることができる。第１の導電層１５ｂは、複数の導体体の層が積層されたものであっても良い。第１の導電層１５ａの形成は、例えば、電解銅メッキ法等のメッキ法、スパッタリング法、蒸着法、または２つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
【００１２】
さらに本形態例の半導体装置１０は、第１の絶縁樹脂層１３ａ及び半導体基板１１を貫通する貫通穴２１を通して第１の導電層１５ａと電気的に接続される貫通電極２０を備える。この貫通電極２０を介して第１の導電層１５ａと第２の導電層１５ｂ（後述）とが電気的に接続される。図１には貫通電極２０を１つのみ図示しているが、本発明においては、貫通電極２０を半導体基板１１の複数箇所に設けることができる。このため、第１の導電層１５ａの少なくとも一部と第２の導電層１５ｂの少なくとも一部とから、閉回路を構成することも可能である。
【００１３】
貫通穴２１の形成方法としては、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法に代表されるＤｅｅｐ−Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ（ＤＲＩＥ）法、エッチング溶液を用いたウェットエッチング法、マイクロドリルによる機械加工法などが挙げられる。第１の絶縁樹脂層１３ａに貫通穴を形成するときと、半導体基板１１に貫通穴を形成するときとで、異なる方法を採用しても良い。
シリコンなどの半導体基板１１においては、貫通穴２１の周囲の半導体基板１１と貫通電極２０との間の絶縁を確保するため、必要に応じて貫通穴２１の内面に絶縁層２４を形成することができる。絶縁層２４は、例えばＳｉＯ２などの絶縁体を用いて形成することができる。
【００１４】
また、半導体基板１１の他方の面１１ｂの上には、貫通電極２０と整合する位置に開口部１４ｂを有する第２の絶縁樹脂層１３ｂが設けられている。第２の絶縁樹脂層１３ｂは、例えばポリエチレン（ＰＥ）、ポリイミド、エポキシ、シリコーン等の絶縁樹脂から構成することができる。第２の絶縁樹脂層１３ｂは、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。第２の絶縁樹脂層１３ｂの開口部１４ｂは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
【００１５】
第２の絶縁樹脂層１３ｂの上には、第２の絶縁樹脂層１３ｂの開口部１４ｂを通して貫通電極２０と電気的に接続される第２の導電層１５ｂが配されている。第２の導電層１５ｂの材料としては、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ等の各種金属や合金等の導電体などのうち１種あるいは２種以上を選択して用いることができる。第２の導電層１５ｂは、複数の導体体の層が積層されたものであっても良い。第２の導電層１５ｂの形成は、例えば、電解銅メッキ法等のメッキ法、スパッタリング法、蒸着法、または２つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
【００１６】
本形態例の半導体装置１０の場合、必要に応じて、少なくとも導電層１５ａ，１５ｂを覆う封止層１６ａ，１６ｂを設けることができる。前記少なくとも第１の導電層１５ａを覆う第１の封止層１６ａは、第１の絶縁樹脂層１３ａ及び第１の導電層１５ａの上に配されている。また、前記少なくとも第２の導電層１５ｂを覆う第２の封止層１６ｂは、第２の絶縁樹脂層１３ｂ及び第２の導電層１５ｂの上に配されている。
【００１７】
封止層１６ａ，１６ｂは、例えばポリエチレン、ポリイミド、エポキシ、シリコーン等の絶縁樹脂から構成することができる。封止層１６ａ，１６ｂを設けた場合において、導電層１５ａ，１５ｂから外部への電気的接続を行うためには、外部への出力端子となる構造物を設けることができる。例えばバンプ１８を設けるときには、封止層１６ａ，１６ｂには、バンプ１８を介した接続がなされる位置に開口部１７ａ，１７ｂが設けられる。
図１には、半導体基板１１の第１および第２の封止層１６ａ，１６ｂの両方が開口部１７ａ，１７ｂを有する構成を例示しているが、他の基板への接続部を半導体基板１１の片側にのみ設ける場合、封止層の開口部は、他の基板への接続部を設ける側にのみ形成すれば良い。
【００１８】
本形態例の半導体装置１０は、半導体基板１１の表面電極１２を備える側とその反対側との両面に導電層１５ａ，１５ｂが設けられているので、半導体基板１１の裏表のうち、どちらの側にも他の基板への接続部を設けることができる。例えば、半導体基板１１の両面の導電層１５ａ，１５ｂは、インダクタ（誘導素子）、キャパシタ（容量素子）、レジスタ（抵抗素子）等の回路素子を含むことができる。
【００１９】
本発明では半導体基板１１のどちらの側にも他の基板への接続部を設けることができるので、半導体基板１１の両面のスペースを有効に活用して、回路素子を配するスペースと、他の基板への接続部を配するスペースとを設定することができる。これにより、回路素子の高密度実装が可能になる。他の基板への接続部は、回路設計上の必要に応じて、半導体基板１１の表面電極１２が配された側に設けるようにしたり、半導体基板１１の表面電極１２が配された側とは反対の側に設けるようにしたり、半導体基板１１の両側に設けるようにしたりする選択が可能になる。本発明では、このようにして、半導体装置の設計の自由度を向上することができる。また、バンプの数を増やして、外部との電気的接続の信頼性を向上したり、一部のバンプを放熱に利用して、動作の安定性を向上したりすることが可能になる。
【００２０】
また、他の基板への接続部を半導体基板１１の両側に設けた場合、図２に示すように、実装基板３０の上に複数の半導体装置１０を積み上げて三次元実装することにより、さらなる高密度実装が可能となる。図２に示す例では、半導体装置１０の第１の導電層１５ａの上にバンプ１８を形成し、これらのバンプ１８を介して実装基板３０との電気的接続と、他の半導体装置１０の第２の導電層１５ｂへの電気的接続を行っている。なお、本発明では、図２に示す例とは逆に、半導体装置１０の第２の導電層１５ｂの上にバンプ１８を形成し、これらのバンプ１８を介して実装基板３０との電気的接続と、他の半導体装置１０の第１の導電層１５ａへの電気的接続を行うことによっても、三次元実装することが可能である。
【００２１】
次に、本発明の半導体装置の製造方法について図３〜図５に示す形態例を参照しながら説明する。
【００２２】
図３〜図４に示す半導体装置の製造方法の場合、まず、図３（ａ）に示すように、一方の面１１ａに表面電極１２を備えた半導体基板１１を用意する。
次に、図３（ｂ）に示すように、半導体基板１１の一方の面１１ａの上に、第１の絶縁樹脂層１３ａを設ける。このとき、表面電極１２は、第１の絶縁樹脂層１３ａにより覆われる。第１の絶縁樹脂層１３ａは、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。
【００２３】
次に、図３（ｃ）に示すように、第１の絶縁樹脂層１３ａの上に、導電体充填用穴の位置を定めるためのレジスト２５を設ける。このレジスト２５には、導電体充填用穴２２が形成される位置に開口部２５ａが形成される。
次に、図３（ｄ）に示すように、レジスト２５の開口部２５ａを通して穴あけ加工を行うことにより、第１の絶縁樹脂層１３ａを貫通するとともに半導体基板１１の途中の深さまで達する導電体充填用穴２２を形成する。導電体充填用穴２２を形成した後、用済みとなったレジスト２５は、図３（ｅ）に示すように剥離して、第１の絶縁樹脂層１３ａの上から除去する。
【００２４】
次に、図３（ｆ）に示すように、第１の絶縁樹脂層１３ａの表面電極１２と整合する位置に開口部１４ａを設ける。第１の絶縁樹脂層１３ａの開口部１４ａは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
次に、必要に応じて、図３（ｇ）に示すように、導電体充填用穴２２の内面に絶縁層２４を設ける。
【００２５】
次に、図４（ａ）に示すように、第１の絶縁樹脂層１３ａの上に、第１の絶縁樹脂層１３ａの開口部１４ａを通して表面電極１２と電気的に接続される第１の導電層１５ａを設ける。また、導電体充填用穴２２に導電体を充填して、第１の導電層１５ａと電気的に接続される導電体充填部２３を設ける。
【００２６】
第１の導電層１５ａを形成する好適な方法の一例について説明する。まず、スパッタ法や無電解メッキ法等により、電解メッキ用の薄いシード層（図示略）を第１の絶縁樹脂層１３ａ上の全面または必要な領域に形成する。次に、シード層の上にメッキレジスト膜（図示略）を形成する。このレジスト膜には第１の導電層１５ａを形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において前記シード層を露出させておく。レジスト膜は、例えばフィルムレジストをラミネートする方法、液体レジストを回転塗布する方法等により形成することができる。そして、前記レジスト膜の開口部に露出したシード層上に、電解メッキ法等によりメッキ層を積層する。レジスト膜を除去したのち、メッキ層をマスクとして、シード層の上にメッキ層が積層されていない部分のシード層をエッチングで除去する。
【００２７】
本形態例では、第１の導電層１５ａと導電体充填部２３とは同一の導電体を用いて同時に形成するようにしている。これにより、工程の数を少なくできる。なお、本発明では、第１の導電層１５ａと導電体充填部２３とは、別々の工程で形成することもできる。すなわち、第１の導電層１５ａを先に形成して、その後で第１の導電層１５ａと接続するように導電体充填部２３を形成しても良いし、導電体充填部２３を先に形成して、その後で導電体充填部２３と接続するように第１の導電層１５ａを形成しても良い。
【００２８】
次に、図４（ｂ）に示すように、少なくとも第１の導電層１５ａを覆う第１の封止層１６ａを、第１の絶縁樹脂層１３ａ及び第１の導電層１５ａの上に設ける。
次に、図４（ｃ）に示すように、半導体基板１１の一方の面１１ａとは反対の側から半導体基板１１の他方の面側の部分１９（図４（ｂ）の二点鎖線１９ａで示す位置より下方の部分）を除去し、導電体充填部２３を半導体基板１１の他方の面１１ｂに露呈させて貫通電極２０とする。
【００２９】
次に、図４（ｄ）に示すように、半導体基板１１の他方の面１１ｂの上に、貫通電極２０と整合する位置に開口部１４ｂを有する第２の絶縁樹脂層１３ｂを設ける。第２の絶縁樹脂層１３ｂは、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また、第２の絶縁樹脂層１３ｂの開口部１４ｂは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
【００３０】
次に、図４（ｅ）に示すように、第２の絶縁樹脂層１３ｂの開口部１４ｂを通して貫通電極２０と電気的に接続される第２の導電層１５ｂを、第２の絶縁樹脂層１３ｂの上に設ける。
第２の導電層１５ｂを形成する好適な方法の一例について説明する。まず、スパッタ法や無電解メッキ法等により、電解メッキ用の薄いシード層（図示略）を第２の絶縁樹脂層１３ｂ上の全面または必要な領域に形成する。次に、シード層の上にメッキレジスト膜（図示略）を形成する。このレジスト膜には第２の導電層１５ｂを形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において前記シード層を露出させておく。レジスト膜は、例えばフィルムレジストをラミネートする方法、液体レジストを回転塗布する方法等により形成することができる。そして、前記レジスト膜の開口部に露出したシード層上に、電解メッキ法等によりメッキ層を積層する。レジスト膜を除去したのち、メッキ層をマスクとして、シード層の上にメッキ層が積層されていない部分のシード層をエッチングで除去する。
【００３１】
次に、図４（ｆ）に示すように、少なくとも第２の導電層１５ｂを覆う第２の封止層１６ｂを、第２の絶縁樹脂層１３ｂ及び第２の導電層１５ｂの上に設ける。
次に、図４（ｇ）に示すように、外部への接続部とするため、導電層１５ａ，１５ｂの一部を露呈させる開口部１７ａ，１７ｂを、第１および第２の封止層１６ａ，１６ｂに開口する。以上により、図１（ｂ）に示す半導体装置１０を製造することができる。封止層１６ａ，１６ｂの開口部１７ａ，１７ｂは、例えば図１（ａ）に示すように、導電層と電気的に接続されるバンプ１８を形成するため、あるいは他の半導体基板上に設けられたバンプ１８を用いて電気的接続をするために利用することができる。
【００３２】
図３および図４に示した製造方法では、第１の導電層と第２の導電層とを作製した後にバンプを設ける手順としたが、本発明の半導体装置を製造する手順はこれに限定されるものではない。図５に、第２の導電層を設ける前にバンプを設ける手順の一例を示す。この
製造方法では、図３（ａ）から図４（ｂ）までは、上述の製造方法と同様に行うことができる。第２の導電層を設ける前にバンプを設けるため、図４（ｂ）に示すように、少なくとも第１の導電層１５ａを覆う第１の封止層１６ａを、第１の絶縁樹脂層１３ａ及び第１の導電層１５ａの上に設けた後、図５（ａ）に示すように、第１の導電層１５ａの一部を露呈させる開口部１７ａを、第１の封止層１６ａに開口する。
【００３３】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１の封止層１６ａの開口部１７ａにバンプ１８を設けた後、図５（ｃ）に示すように、バンプ１８の上に保護テープ２６を貼着する。
次に、図５（ｄ）に示すように、半導体基板１１の一方の面１１ａとは反対の側から半導体基板１１の他方の面側の部分１９（図５（ｃ）の二点鎖線１９ａで示す位置より下方の部分）を除去し、導電体充填部２３を半導体基板１１の他方の面１１ｂに露呈させて貫通電極２０とする。
【００３４】
次に、図５（ｅ）に示すように、半導体基板１１の他方の面１１ｂの上に、貫通電極２０と整合する位置に開口部１４ｂを有する第２の絶縁樹脂層１３ｂを設け、第２の絶縁樹脂層１３ｂの開口部１４ｂを通して貫通電極２０と電気的に接続される第２の導電層１５ｂを、第２の絶縁樹脂層１３ｂの上に設け、少なくとも第２の導電層１５ｂを覆う第２の封止層１６ｂを、第２の絶縁樹脂層１３ｂ及び第２の導電層１５ｂの上に設け、第２の導電層１５ｂの一部を露呈させる開口部１７ｂを、第２の封止層１６ｂに開口する。
この工程は、図３および図４に示した上述の製造方法において図４（ｄ）から図４（ｇ）までの工程と同様にして行うことができる。
【００３５】
最後に、バンプ１８の上に保護テープ２６を剥がして除去することにより、図１（ｂ）に示す半導体装置１０を製造することができる。封止層１６ａ，１６ｂの開口部１７ａ，１７ｂは、例えば図１（ａ）に示すように、導電層と電気的に接続されるバンプ１８を形成するため、あるいは他の半導体基板上に設けられたバンプ１８を用いて電気的接続をするために利用することができる。
【００３６】
上述した半導体装置の製造方法によれば、絶縁樹脂層や導電層が半導体基板の両面に設けられた本発明の半導体装置を、絶縁樹脂層や導電層が半導体基板の片面に設けられた従来の半導体装置の製造方法と同様の工程で、容易に作製することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明の半導体装置は、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）やリジッド基板等の実装基板に実装して、各種の電気機器や電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の半導体装置の一例を示す断面図であり、（ａ）はバンプを設けた状態を、また、（ｂ）は、バンプを設けていない状態を示す。
【図２】図１に示す半導体装置を用いて三次元積層してなる実装構造の一例を示す概略構成図である。
【図３】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の半導体装置の製造方法の一形態例において、導電体充填用穴を設ける工程までを順に示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の半導体装置の製造方法の一形態例において、導電体充填用穴を設けた後の工程を順に示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の半導体装置の製造方法の改変例における主要な工程を順に示す断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０…半導体装置、１１…半導体基板、１１ａ…一方の面、１１ｂ…他方の面、１２…表面電極、１３ａ…第１の絶縁樹脂層、１３ｂ…第２の絶縁樹脂層、１４ａ，１４ｂ…開口部、１５ａ…第１の導電層、１５ｂ…第２の導電層、２０…貫通電極、２１…貫通穴、２２…導電体充填用穴、２３…導電体充填部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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