(57)【要約】【課題】ヒーター熱効率を高めることができる薄膜磁気ヘッドを得る。【解決手段】上下シールド層間に形成した再生素子と、上部シールド層上に積層された記録素子と、この再生素子及び記録素子の少なくとも一方を熱膨張により記録媒体側へ突出させるヒーターと、記録素子の磁性層に上下シールド層の電位と同一の基準電位を与えるシャント配線とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、上記シャント配線を、ヒーターの発熱領域の中心からトラック幅方向に外れた位置で、記録素子の磁性層に接続した。【選択図】図３
2008152836.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部シールド層と上部シールド層の間に形成した再生素子と、前記上部シールド層上に積層された記録素子と、この再生素子及び記録素子の少なくとも一方を熱膨張により記録媒体側へ突出させるヒーターと、前記記録素子の磁性層に前記下部シールド層及び前記上部シールド層の電位と同一の基準電位を与えるシャント配線とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記シャント配線は、前記ヒーターの発熱領域の中心からトラック幅方向に外れた位置で、前記記録素子の磁性層に接続していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記シャント配線は、前記ヒーターの発熱領域よりトラック幅方向の外側で、前記記録素子の磁性層に接続している薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記シャント配線は、前記ヒーターの発熱領域のトラック幅方向の端部から該発熱領域のトラック幅方向の寸法の１／２以上離間した位置で、前記記録素子の磁性層に接続している薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記シャント配線は、前記記録素子の磁性層のハイト方向後端部から延出している薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記シャント配線は、前記記録素子の磁性層のトラック幅方向の端部に接続している薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記シャント配線は、非磁性金属材料により形成されている薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通電により発熱するヒーターを素子近傍に備えた薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッドには、磁気抵抗効果を利用して記録媒体から磁気情報を読み出す再生素子と、この再生素子の上に積層され、記録媒体に対して記録磁界を印加して磁気情報を記録する記録素子とが備えられている。周知のように、再生素子は下部シールド層と上部シールド層の間にギャップ層を介して形成されており、記録素子は、例えば垂直記録方式においては、記録媒体との対向面に磁気ギャップ層を挟んで露出する主磁極層及びリターンヨーク層や主磁極層に記録磁界を与える記録コイル等により構成される。近年では、さらに、通電により発熱するヒーターを素子近傍に設け、素子部を熱膨張により記録媒体側へ突出させて該素子部と記録媒体との対向間隔を局所的に狭めることで、再生記録性能を向上させるものがある。
【０００３】
このような薄膜磁気ヘッドでは、素子部の静電破壊を防止するため、媒体対向面に露出する金属材料面を同電位に保つことが必須である。具体的には例えば、上部シールド層、下部シールド層及びリターンヨーク層の各層に、同一の基準電位を与えるシャント配線を設けることが提案されている。このシャント配線を設ける構成によれば、例えばトンネル磁気抵抗効果を利用するＴＭＲ素子のような、磁気抵抗効果膜の膜面に対して垂直に電流が流れるＣＰＰ構造の再生素子を用いる場合、すなわち、下部シールド層と上部シールド層が再生素子の電極としても機能するために両シールド層を接地できない場合であっても、再生素子の静電破壊を防止できる。また、下部シールド層及び上部シールド層とリターンヨーク層を直に接続しなくて済むので、リターンヨーク層のノイズが再生素子の出力に悪影響を及ぼすことがない。特許文献１には、記録素子の下部磁極層に、下部シールド層または上部シールド層の電位に等しいガード電位を供給する構成が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−２０６７９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ヒーターを素子近傍に備える薄膜磁気ヘッドでは、上記シャント配線をリターンヨーク層に設けると、該シャント配線を介してヒーターの熱が逃げ、ヒーター熱効率（素子に伝わる熱量とヒーターが発する全熱量との比）が悪化してしまうことが課題となっている。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、ヒーター熱効率を高めることができる薄膜磁気ヘッドを得ることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、記録素子の磁性層に設けるシャント配線の接続位置に応じてヒーター熱分布が変化すること、より具体的には、該シャント配線の接続位置がヒーターの発熱領域の中心からトラック幅方向に離れるほどシャント配線からの熱拡散が低減すること、を見出して完成されたものである。
【０００７】
すなわち、本発明は、下部シールド層と上部シールド層の間に形成した再生素子と、上部シールド層上に積層された記録素子と、この再生素子及び記録素子の少なくとも一方を熱膨張により記録媒体側へ突出させるヒーターと、記録素子の磁性層に下部シールド層及び上部シールド層の電位と同一の基準電位を与えるシャント配線とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、シャント配線は、ヒーターの発熱領域の中心からトラック幅方向に外れた位置で、記録素子の磁性層に接続していることを特徴としている。記録素子の磁性層は、長手記録方式であれば下部コア層または上部コア層であり、垂直記録方式であればリターンヨーク層である。
【０００８】
シャント配線は、ヒーターの発熱領域よりトラック幅方向の外側で、記録素子の磁性層に接続していることが好ましい。より好ましくは、ヒーターの発熱領域のトラック幅方向の端部から該発熱領域のトラック幅方向の寸法の１／２以上離間した位置で、記録素子の磁性層に接続していることがよい。これらの場合には、シャント配線を記録素子の磁性層のハイト方向後端部から延出させる。
【０００９】
シャント配線は、記録素子の磁性層のトラック幅方向の端部に接続することができる。この態様によれば、シャント配線接続位置がヒーターの発熱領域からトラック幅方向に最も離間する位置となるから、シャント配線による熱拡散を最大限低減することができる。
【００１０】
シャント配線は、非磁性金属材料により形成されていることが実際的である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、記録素子の磁性層に基準電位を与えるシャント配線の接続位置が少なくともヒーター発熱領域の中心から外れた位置となるので、該シャント配線からの熱拡散が低減され、ヒーター熱効率を高められる薄膜磁気ヘッドが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態による薄膜磁気ヘッドＨの構造を素子中央で切断して示す縦断面図である。図において、Ｘ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向及びＺ方向は薄膜磁気ヘッドを構成する各層の積層方向を示している。
【００１３】
薄膜磁気ヘッドＨは、再生素子Ｒと記録素子Ｗを積層してなる、いわゆる複合型の薄膜磁気ヘッドである。本実施形態の再生素子Ｒはトンネル効果を利用して記録媒体から再生信号を読み出すトンネル型磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）であり、記録素子Ｗは記録媒体Ｍに対して記録磁界Φを垂直に与えることで記録動作する垂直記録方式の記録素子である。
【００１４】
再生素子Ｒは、例えばＮｉＦｅ等の導電性磁性材料からなる下部シールド層１１と上部シールド層１３の間に、下部シールド層１１側から順に反強磁性層、固定磁性層、絶縁障壁層、フリー磁性層及び導電層を積層してなる多層膜１２で形成されている。下部シールド層１１及び上部シールド層１３は、トラック幅方向及びハイト方向に再生素子Ｒよりも長く延出し、再生素子Ｒを構成する各層の膜面に対して垂直に電流を流す上部電極層及び下部電極層として機能する。下部シールド層１１は、ヘッド基板１のＡｌ2Ｏ3アンダーコート膜２上に形成されている。図１には示されていないが、再生素子Ｒの両側領域には下部シールド層１１側から順に絶縁層、バイアス層及び絶縁層が積層形成されており、この絶縁層と再生素子Ｒのハイト方向後方を埋める絶縁層１５を介して下部シールド層１１と上部シールド層１３の間が電気的に絶縁されている。下部シールド層１１及び上部シールド層１３のハイト方向後方には絶縁層１４、１６が形成されており、これら絶縁層１４、１５、１６は例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等の絶縁材料からなる。
【００１５】
記録素子Ｗは、上部シールド層１３上に分離層２０を介して積層形成されていて、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い強磁性材料からなる主磁極層３４及びリターンヨーク層４０と、記録媒体Ｍとの対向面（媒体対向面）Ｆで主磁極層３４とリターンヨーク層４０の間に介在させたＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｕ、Ｒｕ等の非磁性材料からなる磁気ギャップ層３５と、主磁極層３４に記録磁界を与えるコイル層（３１、３７）と、主磁極層３４よりも飽和磁束密度に低い磁性材料で該主磁極層３４の直下に形成した補助ヨーク層３３と、磁気ギャップ層３５上に媒体対向面Ｆから所定距離後退させて形成したハイト決め層３９とを有している。主磁極層３４は、媒体対向面Ｆに露出する先端面の図示Ｘ方向の寸法が書込トラック幅に規定されており、リターンヨーク層４０は、媒体対向面Ｆに露出する先端面４０ａで所定間隔（ギャップ間隔）をあけて主磁極層３４と対向し、該先端面４０ａよりもハイト方向奥側に位置する接続部４０ｂで主磁極層３４と接続する。このリターンヨーク層４０は、例えば図３に平面形状が示されるように、主磁極層３４よりもトラック幅方向及びハイト方向に大きな寸法で形成されている。主磁極層３４及び補助ヨーク層３３の周囲には、例えばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ等からなる絶縁層４１、４２が形成されている。上部シールド層１３上にコイル絶縁下地層３０を介して積層した下層コイル３１と磁気ギャップ層３５上にコイル絶縁下地層３６を介して積層した上層コイル３７は、トラック幅方向に延びる複数のコイル線をハイト方向に複数列並べて形成したもので、各コイル線の端部同士が接続され、主磁極層３４及び補助ヨーク層３３を中心として両層の上下に巻回されたソレノイド状コイルをなす。下層コイル３１及び上層コイル３７の各コイル線は、例えばＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｗ、Ｎｉ、ＮｉＰ、Ｒｈ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉから選ばれる１種または２種以上の非磁性金属材料から形成され、レジストなどの有機絶縁材料からなるコイル絶縁層３２、３８で覆われている。コイル絶縁層３２、３８の上面は平坦化されており、この平坦面の上に補助ヨーク層３３及びリターンヨーク層４０がそれぞれ形成されている。リターンヨーク層４０の上には、Ａｌ2Ｏ3からなる保護層４３が形成されている。
【００１６】
再生素子Ｒと記録素子Ｗの間に介在する分離層２０内には、通電により発熱するヒーター２１が備えられている。ヒーター２１は、例えば図３に平面形状が示されるように、実際に発熱する平面Ｍ字形状の発熱領域２１ａと、該発熱領域２１ａのトラック幅方向の両端からハイト方向奥側に延出した一対の引出電極２１ｂとを有している。発熱領域２１ａは、引出電極２１ｂを介して通電されたときに高温になる発熱領域中心αをトラック幅方向の中央に有し、この発熱領域中心αが素子中央（再生トラック幅及び書込トラック幅の中心位置）と一致するように設計されている。発熱領域２１ａのパターン形状は任意である。本実施形態では、この発熱領域２１ａのトラック幅方向の一端部２１ａ１から他端部２１ａ２までの寸法をヒーター幅Ｄという。一対の引出電極２１ｂは、発熱領域２１ａより幅広に形成された給電用電極である。ヒーター２１から発せられた熱は、媒体対向面Ｆ側に向かって伝わり、素子部（再生素子Ｒ及び記録素子Ｗの主磁極層３４）を熱膨張により記録媒体Ｍ側へ局所的に突出させる。このとき、ヒーター２１から素子部へ伝わる熱量が大きくなるほど素子部の突出量は増大し、素子部と記録媒体Ｍとの対向間隔が短くなることで記録再生特性が向上する。ヒーター２１の発熱領域２１ａは例えばＮｉＦｅ、ＣｕＮｉ、ＣｕＭｎ等により形成することができ、一対の引出電極２１ｂは発熱領域２１ａと一体で形成しても別体で形成してもよい。
【００１７】
以上の全体構成を有する薄膜磁気ヘッドＨは、図２に概念的に示すように、下部シールド層１１、上部シールド層１３及びリターンヨーク層４０の各々に、同一の基準電位を与えるシャント配線５２、５１、５０を備えている。シャント配線５２、５１、５０は、一端部が下部シールド層１１、上部シールド層１３及びリターンヨーク層４０に接続し、他端部が電気抵抗Ｒ３、Ｒ２、Ｒ１を介してグランド電位Ｇとに接続する。電気抵抗Ｒ１〜Ｒ３の抵抗値は下部シールド層１１と上部シールド層１３とリターンヨーク層４０の電位が同一の基準電位になるように適宜設定されており、この電気抵抗Ｒ１〜Ｒ３にはシャント配線５０〜５２自体の電気抵抗を用いてもシャント配線５０〜５２とは別の抵抗体を用いてもよい。シャント配線５０〜５２の他端部と電気抵抗Ｒ１〜Ｒ３及びグランド電位Ｇとの接続は、薄膜磁気ヘッドＨの積層方向（図示Ｚ方向）に設ける不図示のコンタクト部を介して行うことができる。なお、シャント配線５０〜５２自体が電気抵抗Ｒ１〜Ｒ３として機能する場合は、シャント配線５０〜５２の他端部はグランド電位Ｇのみに接続させる。媒体対向面Ｆに露出する金属材料面である、下部シールド層１１と上部シールド層１３とリターンヨーク層４０（及び該リターンヨーク層４０に接続された主磁極層３４）が同電位で保たれていれば、製造工程中や使用中に静電放電が生じても再生素子Ｒ及び記録素子Ｗの静電破壊を防止できる。
【００１８】
リターンヨーク層４０に基準電位を与えるシャント配線５０は、例えばＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｗ、Ｎｉ、ＮｉＰ、Ｒｈ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉから選ばれる１種または２種以上の非磁性金属材料を用いて、上層コイル３７を形成する工程で同時に形成することができる。このシャント配線５０は、ヒーター２１の周囲に存在するＡｌ2Ｏ3（分離層２０、コイル絶縁下地層３０、コイル絶縁層３２、絶縁層４１、絶縁層４２等）に比べて熱伝導率に優れており、リターンヨーク層４０との接続位置に応じて、ヒーター２１の熱分布を変化させることが判明した（図８参照）。
【００１９】
本発明は、リターンヨーク層４０に設けるシャント配線５０の接続態様に特徴を有するものであり、以下では、図３〜図７を参照し、シャント配線５０（１５０、２５０、３５０、４５０）の具体的な接続態様について説明する。
【００２０】
図３及び図７は、本発明の第１の接続態様によるシャント配線１５０を示す平面図及び断面図である。シャント配線１５０は、主磁極層３４の周囲を埋める絶縁層４２上にハイト方向奥側に延びる直線パターンで形成され、ヒーター２１の発熱領域中心αからトラック幅方向に外れた位置で、リターンヨーク層４０のハイト方向後端部４０ｃに接続している。リターンヨーク層４０のハイト方向後端部４０ｃは、シャント配線１５０にオーバーレイして形成されており、該シャント配線１５０と確実に接続する。図示実施形態では、ヒーター幅Ｄが２０μｍ程度であり、リターンヨーク層４０とシャント配線５０の接続位置を、発熱領域中心αからトラック幅方向（図示右側）に５〜１０μｍ離間させた位置としてある。ヒーター２１の発熱領域中心αでは高温になるから、発熱領域中心αの延長線上にシャント配線１５０が位置していると該シャント配線１５０から逃げる熱量は最大となる。この発熱領域中心αからシャント配線１５０の接続位置を外すことで、発熱領域中心αの延長線上にシャント配線１５０を設ける場合（図３に破線で示す符号１５０’）よりも該シャント配線１５０から逃げる熱量を減らすことができ、ヒーター熱効率が改善される。
【００２１】
図４及び図７は、本発明の第２の接続態様によるシャント配線２５０を示す平面図及び断面図である。シャント配線２５０は、主磁極層３４の周囲を埋める絶縁層４２上にハイト方向奥側に延びる直線パターンで形成され、ヒーター２１の発熱領域２１ａからトラック幅方向に外れた位置（トラック幅方向端部２１ａ２よりも図示右側位置）で、リターンヨーク層４０のハイト方向後端部４０ｃに接続している。リターンヨーク層４０のハイト方向後端部４０ｃは、シャント配線２５０にオーバーレイして形成されており、該シャント配線１５０と確実に接続する。図示実施形態では、ヒーター幅Ｄが２０μｍ程度であり、リターンヨーク層４０とシャント配線２５０の接続位置を、発熱領域中心αからトラック幅方向（図示右側）に１５μｍ離間させた位置としてある。この第２の接続態様によれば、シャント配線２５０の接続位置がヒーター２１の発熱領域２１ａ外となり、上述した第１の接続態様のときよりも発熱領域中心αからトラック幅方向に離れるので、該シャント配線２５０から逃げる熱量をより低減できる。
【００２２】
図５及び図７は、本発明の第３の接続態様によるシャント配線３５０を示す平面図及び断面図である。シャント配線３５０は、主磁極層３４の周囲を埋める絶縁層４２上にハイト方向奥側に延びる直線パターンで形成され、ヒーター２１の発熱領域２１ａのトラック幅方向端部２１ａ２からトラック幅方向にヒーター幅Ｄの１／２以上離間した位置で、リターンヨーク層４０のハイト方向後端部４０ｃに接続している。リターンヨーク層４０のハイト方向後端部４０ｃは、シャント配線３５０にオーバーレイして形成されており、該シャント配線１５０と確実に接続する。図示実施形態では、ヒーター幅Ｄが２０μｍであり、リターンヨーク層４０とシャント配線３５０の接続位置を、発熱領域中心αからトラック幅方向（図示右側）に２０μｍ離間させた位置としてある。この第３の接続態様によれば、シャント配線３５０の接続位置が上述した第１及び第２の接続態様のときよりも発熱領域中心αからトラック幅方向に離れるので、該シャント配線２５０から逃げる熱量はさらに減り、ヒーター熱効率を大幅に改善できる。
【００２３】
図６及び図７は、本発明の第４の接続態様によるシャント配線４５０を示す平面図及び断面図である。シャント配線４５０は、主磁極層３４の周囲を埋める絶縁層４２上に、リターンヨーク層４０のトラック幅方向端部４０ｄからハイト方向奥側に延びる逆Ｌ字パターンで形成されている。シャント配線４５０とリターンヨーク層４０の接続位置は、上記トラック幅方向端部４０ｄであり、ヒーター２１の発熱領域中心αからトラック幅方向に最も離れた位置となる。この第４の接続態様によれば、上述の第３の接続態様と同様に、シャント配線４５０の接続位置がヒーター２１の発熱領域中心αからトラック幅方向に十分に離れているので、該シャント配線４５０から逃げる熱量を低減することができ、高いヒーター熱効率が得られる。
【００２４】
図８は、リターンヨーク層４０に設けるシャント配線５０の接続位置とヒーター２１の発熱による素子部の突出量との関係を示すグラフである。シャント配線５０の接続位置は、ヒーター２１の発熱領域中心αからトラック幅方向へのオフセット量（離間距離）［μｍ］で示す。具体的には、ヒーター２１の発熱領域中心αでオフセット量０、ヒーター２１のトラック幅方向端部２１ａ２に接する位置でオフセット量１０、同トラック幅方向端部２１ａ２からヒーター幅Ｄ／２離れた位置でオフセット量２０、リターンヨーク層４０のトラック幅方向端部４０ｄに接する位置でオフセット量３０としてある。ヒーター幅Ｄは２０μｍである。上述した第１の接続態様は０＜オフセット量≦１０に相当し、第２の接続態様は１０＜オフセット量＜２０に相当し、第３の接続態様は２０≦オフセット量＜３０に相当し、第４の接続態様はオフセット量＝３０に相当する。素子部の突出量は、ヒーター２１の発熱領域中心αで測定した、ヒーター２１の発熱前と発熱中における素子先端面（媒体対向面）の変化量［ｎｍ］で示す。シャント配線５０の接続位置以外の条件、例えばヒーター２１への供給電力や給電時間などはすべて同一である。
【００２５】
図８を見ると、オフセット量が増えることで素子部の突出量が増大することがわかる。つまり、シャント配線５０の接続位置をヒーター２１の発熱領域中心αからずらすことで素子部の突出量は増え、該発熱領域中心αからトラック幅方向に離れるほど素子部の突出量が増大する。素子部の突出量が増大するのは、ヒーター２１から素子部へ伝わる熱量が増大しているからである。これにより、シャント配線５０の接続位置をヒーター２１の発熱領域中心αからトラック幅方向に離間させることで該シャント配線５０による熱拡散が低減し、ヒーター効率が改善されていることを確認できる。シャント配線５０の接続位置は、発熱領域中心αから若干ずらすだけでもよいが、より好ましくは、素子部の突出量が高い値で安定するオフセット量≧２０となる位置に設定するのがよい。
【００２６】
以上のように本実施形態によれば、リターンヨーク層４０に基準電位を与えるシャント配線５０の接続位置を少なくともヒーター２１の発熱領域中心αから外して設けるので、ヒーター２１から発せられる熱がシャント配線５０を介して拡散されることが低減され、シャント配線５０を備えた薄膜磁気ヘッドＨにおいてもヒーター熱効率を高めることができる。
【００２７】
以上では、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドＨに本発明を適用した実施形態について説明したが、本発明は長手記録方式の薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。長手記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用する場合は、記録素子の下部コア層または上部コア層にシャント配線を設ければよい。また、再生素子としては、ＴＭＲ素子以外にも、磁気抵抗効果膜の膜面に対して垂直に電流が流れるＣＰＰ構造の再生素子を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態による薄膜磁気ヘッドの構造を、素子中央で切断して示す縦断面図である。
【図２】下部シールド層と上部シールド層とリターンヨーク層に同一の基準電位を与えるシャント配線を説明する概念図である。
【図３】本発明の第１の接続態様によるシャント配線を示す平面図である。
【図４】本発明の第２の接続態様によるシャント配線を示す平面図である。
【図５】本発明の第３の接続態様によるシャント配線を示す平面図である。
【図６】本発明の第４の接続態様によるシャント配線を示す平面図である。
【図７】第１〜第４の接続態様によるシャント配線を示す断面図である。
【図８】リターンヨーク層に基準電位を与えるシャント配線の接続位置と素子部の突出量の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００２９】
１１  下部シールド層
１２  多層膜（トンネル型磁気抵抗効果素子）
１３  上部シールド層
２０  分離層
２１  ヒーター
２１ａ  発熱領域
２１ａ１、２１ａ２  トラック幅方向端部
２１ｂ  引出電極
３１  下層コイル
３４  主磁極層
３７  上層コイル
４０  リターンヨーク層
４０ｃ  ハイト方向後端部
４０ｄ  トラック幅方向端部
４１、４２  絶縁層
５０（１５０、２５０、３５０、４５０）  シャント配線
Ｄ  ヒーター幅
Ｆ  媒体対向面
Ｈ  薄膜磁気ヘッド
Ｒ  再生素子
Ｗ  記録素子
α  発熱領域中心
【図１】
2008152836.tif 000003
【図２】
2008152836.tif 000004
【図３】
2008152836.tif 000005
【図４】
2008152836.tif 000006
【図５】
2008152836.tif 000007
【図６】
2008152836.tif 000008
【図７】
2008152836.tif 000009
【図８】
2008152836.tif 000010