(57)【要約】【課題】  炭素ナノチューブを製造するための反応チャンバー、これを含む製造装置、及びシステムが開示される。【解決手段】  反応チャンバーは、反応炉、ガス流入路、ガス排出路、及び熱移動路を含む。前記反応炉は、内部に基板が収容されるボックス型構造を有し、前記ガス流入路は前記反応炉の第１部分に形成された通孔構造を含み、前記ガス排出路は前記反応炉の第２部分に形成された通孔構造を含み、前記熱移動路は、前記基板と実質的に平行な方向に沿って前記反応炉の第３部分に形成された四角貫通ホール構造を含む。前記製造装置は、前述した反応チャンバー、ガス提供部、ガス排出部、及び加熱部を含む。前記製造システムは、前述した製造装置及び移送装置を含む。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が収容可能なボックス型の構造を有し、前記基板上に炭素ナノチューブを形成するための空間を提供する反応炉と、
前記反応炉の第１部分に形成された通孔構造を含み、前記反応炉内に炭素ナノチューブの形成のためのソースガスを流入する通路を提供するガス流入路と、
前記反応炉の第２部分に形成された通孔構造を含み、前記反応炉から前記ソースガスを排出させる通路を提供するガス排出路と、
前記基板に対して平行な方向に沿って前記反応炉の第３部分に形成された少なくとも１つの四角形貫通ホール構造を含み、前記反応炉の加熱のために前記反応炉内に熱を移動させる通路を提供する熱移動路と、を具備することを特徴とする炭素ナノチューブを製造するための反応チャンバー。
【請求項２】
前記反応炉は、石英、グラファイト、又はこれらの混合物を使用して形成されることを特徴とする請求項１記載の反応チャンバー。
【請求項３】
前記反応炉は、前記基板に対して直交する短軸の長さが前記基板に対して平行な長軸の長さより実質的により長い直六面体ボックス型構造を有することを特徴とする請求項１記載の反応チャンバー。
【請求項４】
前記ガス流入路と前記ガス排出路は、互いに対向することを特徴とする請求項１記載の反応チャンバー。
【請求項５】
前記熱移動路は、前記反応炉に収容された前記基板の前面と裏面に向かう部分に形成された複数の貫通ホール構造を含むことを特徴とする請求項１記載の反応チャンバー。
【請求項６】
前記反応炉の第４部分に形成された通孔構造を含み、前記反応炉内の圧力を調整するための通路を提供する圧力調整路を更に具備することを特徴とする請求項１記載の反応チャンバー。
【請求項７】
前記反応炉の一側部に形成されたドアタイプ、シャッタータイプ、又はスライディングタイプの構造の開閉部材を更に含み、前記開閉部材を通じて前記反応炉に前記基板が出入されることを特徴とする請求項１記載の反応チャンバー。
【請求項８】
基板が収容可能なボックス型の構造を有し、前記基板に炭素ナノチューブを形成するための空間を提供する反応炉と、前記反応炉の第１部分に形成された通孔構造を含み、前記反応炉内に炭素ナノチューブの形成のためのソースガスを流入する通路を提供するガス流入路と、前記反応炉の第２部分に形成された通孔構造を含み、前記ソースガスを前記反応炉から排出させる通路を提供するガス排出路と、前記基板に対して平行な方向に沿って前記反応炉の第３部分に形成された少なくとも１つの四角形貫通ホール構造を含み、前記反応炉の加熱のために前記反応炉内に熱を移動させる通路を提供する熱移動路とを含む反応チャンバーと、
前記ガス流入路に連結され前記ソースガスを前記ガス流入路を通じて前記反応路内に提供するガス提供部と、
前記ガス排出路に連結され前記ソースガスを前記ガス排出路を通じて前記反応炉から排出させるガス排出部と、
前記熱移動路に対向して配置され、前記熱移動路を通じて熱を移動させて前記反応炉を加熱するための加熱部と、を含む炭素ナノチューブ製造装置。
【請求項９】
前記反応炉は、石英、グラファイト、又はこれらの混合物を使用して形成され、前記基板に平行な長軸の長さが前記基板に直交する短軸の長さより実質的により長い直六面体ボックス型構造を有することを特徴とする請求項８記載の炭素ナノチューブ製造装置。
【請求項１０】
前記ガス流入路と前記ガス排出路は互いに対向し、前記熱移動路は前記反応炉内に収容された前記基板の前面と裏面に向かう部分に形成された複数の貫通ホール構造を具備することを特徴とする請求項８記載の炭素ナノチューブ製造装置。
【請求項１１】
前記反応炉の第４部分に形成された通孔構造を含み、前記反応炉の圧力を調整するための通路を提供する圧力調整路と、
前記圧力調整路に連結され、前記圧力調整路を通じて前記反応炉の圧力を調整するための圧力調整部と、を更に具備することを特徴とする請求項８記載の炭素ナノチューブ製造装置。
【請求項１２】
前記反応炉の一側部に形成され、ドアタイプ、シャッタータイプ、又はスライディングタイプの構造を有する開閉部材を更に具備し、前記開閉部材を通じて前記反応炉内に前記基板が出入されることを特徴とする請求項８記載の炭素ナノチューブ製造装置。
【請求項１３】
前記加熱部は、
ランプと、
前記ランプから生成される熱を前記熱移動路に向かって反射する反射板と、
前記熱移動路を充分に覆うように設置され、前記ランプから生成される熱を前記熱移動路に充分に伝達させる発熱板と、を含むことを特徴とする請求項８記載の炭素ナノチューブ製造装置。
【請求項１４】
前記ランプは、ハロゲンランプ又は赤外線ランプを含むことを特徴とする請求項１３記載の炭素ナノチューブ製造装置。
【請求項１５】
前記発熱板は、石英、グラファイト、又はこれらの混合物を使用して形成され、前記製造装置は、前記発熱板が前記熱移動路を充分に覆う時、前記発熱板の周辺部をシールするシーリング部を更に具備することを特徴とする請求項１３記載の炭素ナノチューブ製造装置。
【請求項１６】
前記製造装置は、２つ以上の反応チャンバーが積層される複層構造を有することを特徴とする請求項８記載の炭素ナノチューブ製造装置。
【請求項１７】
前記反応炉内に設置され、その上部に基板が置かれるボートを更に具備することを特徴とする請求項８記載の炭素ナノチューブ製造装置。
【請求項１８】
前記反応炉内部の両側のそれぞれに互いに向かい合うように設置され、前記反応炉内に移動される熱を前記反応炉内の両側のそれぞれから中心に集中させる熱集中部を更に具備することを特徴とする請求項８記載の炭素ナノチューブ製造装置。
【請求項１９】
前記ガス提供部は、前記ガス流入路に向かうように設置された多数の噴射ホールを有するシャワーヘッドを含むことを特徴とする請求項８記載の炭素ナノチューブ製造装置。
【請求項２０】
内部に基板の収容が可能なボックス型構造を有し、前記基板に炭素ナノチューブを製造するための空間を提供する反応炉と、前記反応炉の第１部分に形成された通孔構造を含み、前記反応炉内に炭素ナノチューブの製造のためのソースガスを流入させる通路を提供するガス流入路と、前記反応炉の第２部分に形成された通孔構造を含み、前記ソースガスを前記反応炉から排出させる通路を提供するガス排出路と、前記基板と平行な方向に沿って前記反応炉の第３部分に形成された少なくとも１つの四角形貫通ホール構造を含み、前記反応炉内に前記反応炉の加熱のための熱を移動させる通路を提供する熱移動路とを含む反応チャンバーと、前記ガス流入路に連結され前記ソースガスを前記ガス流入路を通じて前記反応炉内に提供するガス提供部と、前記ガス排出路に連結され前記ソースガスを前記ガス排出路を通じて前記反応炉から排出させるガス排出部と、前記熱移動路に向かうように設置され、前記熱移動路を通じて熱を移動させて前記反応炉を加熱する加熱部と、を含む炭素ナノチューブ製造装置と、
前記炭素ナノチューブ製造装置の一側に連結され、前記反応炉から前記基板をローディング／アンローディングする移送装置と、を含む炭素ナノチューブ製造システム。
【請求項２１】
前記炭素ナノチューブ製造装置と前記移送装置との間に設置されたゲートバルブを更に具備し、前記ゲートバルブを通じて前記炭素ナノチューブ製造装置と前記移送装置とが連結されることを特徴とする請求項２０記載の炭素ナノチューブ製造システム。
【請求項２２】
前記反応炉の第４部分に形成された通孔構造を具備し、前記反応炉の圧力を調整するための通路を提供する圧力調整路と、
前記圧力調整路に連結され前記圧力調整路を通じて前記反応炉の圧力を調整するための圧力調整部と、を更に含むことを特徴とする請求項２０記載の炭素ナノチューブ製造システム。
【請求項２３】
前記反応炉は、前記移送装置に向かう前記反応炉の一側部に形成されたドアタイプ、シャッタータイプ、又はスライディングタイプの構造を有する開閉部材を更に含み、前記開閉部材を通じて前記基板が前記反応炉に出入されることを特徴とする請求項２０記載の炭素ナノチューブ製造システム。
【請求項２４】
前記加熱部は、
ハロゲンランプ又は赤外線ランプを含む熱源と、
前記熱源から生成される熱を前記熱移動路に向かって反射する反射板と、
前記熱移動路を充分に覆うように設置され、前記熱源から生成される熱を前記熱移動路に充分に発熱させる発熱板と、を含むことを特徴とする請求項２０記載の炭素ナノチューブ製造システム。
【請求項２５】
前記反応炉内に設置され、その上部に基板が置かれるボートを更に含むことを特徴とする請求項２０記載の炭素ナノチューブ製造システム。
【請求項２６】
前記反応炉内の両側のそれぞれに互いに向かい合うように設置され、前記反応炉内に移動される熱を前記反応炉内部の両側のそれぞれから中心に集中させる熱集中部を更に含むことを特徴とする請求項２０記載の炭素ナノチューブ製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応チャンバー、これを含む炭素ナノチューブ製造装置、及び炭素ナノチューブ製造システムに関する。より詳細には、本発明は、高温で純度の高い炭素ナノチューブを製造することができる反応チャンバー、これを含む炭素ナノチューブ製造装置、及び炭素ナノチューブシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
炭素同素体である炭素ナノチューブは、１つの炭素原子が他の炭素原子と六角形の蜂の巣のような形状に結合されチューブ形態を形成している物質であって、一般的に数ｎｍ程度の直径を有する。特に、炭素ナノチューブは、優れた機械的特性、電気的選択性、電界放出特性、及び高効率の水素保存媒体特性等を有する。これによって、炭素ナノチューブは、空港宇宙、生命工学、環境エネルギー、材料産業、医学医療、電子コンピュータ、保安安全等の幅広い技術分野にその適用が可能である。
【０００３】
従来の炭素ナノチューブを製造するための方法の例としては、電気放電方法、プラズマ化学気象蒸着方法、熱化学気象蒸着方法、熱分解方法等が挙げられ、これらの方法の中でも、熱化学気象蒸着又は熱分解方法が常用的に使用されている。
【０００４】
図１は、従来の炭素ナノチューブ製造装置を説明するための概略的な断面図である。
従来の熱化学気象蒸着方法又は熱分解方法を適用した炭素ナノチューブの製造では、図１に示すように、主に円通型の反応炉１、及びこのような反応炉１を加熱する加熱部３を含む炭素ナノチューブ製造装置を使用する。ここで、加熱部３は、主に円通型の反応炉１を取り囲む構造を有するヒーティングコイル等を含み、約１０００℃以上の温度で反応炉１を加熱する。
【０００５】
図１に図示した炭素ナノチューブ製造装置は、反応炉１の一側にガスが提供され、反応炉１の一側と向かい合う反応炉１の他側にガスが排出される構造を有する。このような炭素ナノチューブ製造装置において、基板が収容された反応炉１を高温に加熱しながら、ガスを提供することにより、基板に炭素ナノチューブを製造する。
【０００６】
しかし、図１に図示した従来の炭素ナノチューブ製造装置は、加熱部３が反応炉１の全体を取り囲むことができず、一部を取り囲む構造を有する。これは、加熱部３が反応炉１の全体を取り囲む場合、その周辺に位置する他の部材に熱的影響を及ぼす可能性があるからである。これによって、従来の炭素ナノチューブ製造装置は、反応炉１の空間的な活用効率性の低下のような問題点を発生させる。即ち、加熱部３が取り囲んだ部分に該当する反応炉１部分にのみ基板を位置させるので、反応炉１の空間的な効率性が低下される。実際的に、反応炉１全体空間中で約４０乃至６０％だけ活用している実情である。これに、前記製造装置を使用した炭素ナノチューブの製造では、反応炉１にガスを均一に提供することができない状況がよく発生する。即ち、反応炉１に提供されるガスが基板が位置しない部分を経由しなければならないためである。従って、前記製造装置を使用した炭素ナノチューブの製造では、言及した空間的な活用効率性の低下によって基板に製造される炭素ナノチューブの純度が低下されるという問題点があり、従来の炭素ナノチューブ製造装置は、空間的な効率性の低下によって大型化にも多少支障がある。又、前述した従来の炭素ナノチューブ製造装置は、反応炉１自体を直接的に加熱するため、反応炉１の寿命を短縮させる原因を誘発する場合もある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、空間的及び生産的な効率性に優れ、高純度の炭素ナノチューブを製造することができる反応チャンバーを提供することにある。
本発明の他の目的は、空間的及び生産的な効率性に優れ、高純度の炭素ナノチューブを製造することができる炭素ナノチューブ製造装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の更に他の目的は、空間的及び生産的な効率性に優れ、高純度の炭素ナノチューブを製造することができる炭素チューブ製造システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一側面による炭素ナノチューブの製造のための反応チャンバーは、反応炉、ガス流入路、ガス排出路、及び熱移動路を含む。ここで、前記反応炉は、その内部に基板の収容が可能なボックス型構造を有することができ、前記基板に炭素ナノチューブを製造するための空間を提供することができる。前記ガス流入路は、前記反応炉の第１部分に形成された通孔構造を有することができ、前記反応炉内に炭素ナノチューブの製造のためのソースガスを流入させる通路を提供することができる。前記ガス排出路は、前記反応炉の第２部分に形成された通孔構造を有することができ、前記反応炉から前記ソースガスを排出させる通路を提供することができる。前記熱移動路は、前記基板と平行な方向に沿って前記反応炉の第３部分に形成された少なくとも１つの四角形貫通ホール構造を有することができ、前記反応炉内に加熱のための熱を移動させる通路を提供することができる。
【００１０】
本発明の実施例において、前記反応炉は、石英、グラファイト、又はこれらの混合物を使用して形成されることができる。
本発明の実施例において、前記反応炉は、前記基板と平行な方向である水平方向の長さが垂直方向の長さより実質的により長い直六面体ボックス型構造を有することができる。
【００１１】
本発明の実施例において、前記ガス流入路とガス排出路は、互いに対向して配置されることができる。
本発明の実施例において、前記熱移動路は、前記反応炉に収容された前記基板の前面と裏面に向かう部分に形成された複数の貫通ホール構造を含むことができる。
【００１２】
本発明の実施例において、前記反応炉の第４部分に形成された通孔構造を含み、前記反応炉内の圧力を調整するための通路を提供する圧力調整路が更に具備されることができる。
【００１３】
本発明の実施例において、前記反応炉の一側部に形成されたドアタイプ、シャッタータイプ、又はスライディングタイプの構造の開閉部材が更に具備されることができ、前記開閉部材を通じて前記反応炉内に前記基板が出入されることができる。
【００１４】
本発明の他の側面による炭素ナノチューブ製造装置は、反応炉、ガス流入路、ガス排出路、及び熱移動路を具備する反応チャンバー、ガス提供部、ガス排出部、そして加熱部を含む。前記反応炉は、基板が収容可能なボックス型の構造を有することができ、前記基板に炭素ナノチューブを形成するための空間を提供することができる。前記ガス流入路は、前記反応炉の第１部分に形成された通孔構造を有することができ、前記反応炉内に炭素ナノチューブの形成のためのソースガスが流入される通路を提供することができる。前記ガス流出路は、前記反応炉の第２部分に形成された通孔構造を有することができ、前記ソースガスを前記反応炉から排出させる通路を提供することができる。前記熱移動路は、前記基板に対して平行な方向に沿って前記反応炉の第３部分に形成された少なくとも１つの四角形貫通ホール構造を有することができ、前記反応炉の加熱のために、前記反応炉内に熱を移動させる通路を提供することができる。前記ガス提供部は前記ガス流入路に連結され、前記ソースガスを前記ガス流入路を通じて前記反応炉内に提供することができる。前記ガス排出部は前記ガス排出路に連結され、前記ソースガスを前記ガス排出路を通じて前記反応炉から排出させることができる。前記加熱部は前記熱移動路に対向して配置され、前記熱移動路を通じて熱を移動させて前記反応炉を加熱することができる。
【００１５】
本発明の実施例において、前記反応炉は、石英、グラファイト、又はこれらの混合物を使用して形成されることができ、前記基板と平行な直交する短軸の長さが前記基板に平行な長軸の長さより実質的により長い直六面体ボックス型構造を有することができる。
【００１６】
本発明の実施例において、前記ガス流入路とガス排出路は互いに対向することができ、前記熱移動路は、前記反応炉内に収容された前記基板の前面と裏面に向かう部分に形成された複数の貫通ホール構造を具備することができる。
【００１７】
本発明の実施例において、前記炭素ナノチューブ製造装置は、圧力調整路及び圧力調整部を更に具備することができる。前記圧力調整路は、前記反応炉の第４部分に形成された通孔構造を有することができ、前記反応炉の圧力を調整するための通路を提供することができる。前記圧力調整部は、前記圧力調整路に連結され前記圧力調整路を通じて前記反応炉の圧力を調整することができる。
【００１８】
本発明の実施例において、前記反応炉は、前記反応炉の一側部に形成され、ドアタイプ、シャッタータイプ、又はスライディングタイプの構造を有する開閉部材を更に具備することができ、前記開閉部材を通じて前記反応炉内に前記基板が出入されることができる。
【００１９】
本発明の実施例において、前記加熱部は、ランプ、反射板、及び発熱板を含むことができる。前記反射板は、前記ランプから生成される熱を前記熱移動路に向かって反射することができる。前記発熱板は、前記熱移動路を充分に覆うように設置されることができ、前記ランプから生成される熱を前記熱移動路に充分に伝達させることができる。
【００２０】
本発明の実施例において、前記ランプは、ハロゲンランプ又は赤外線ランプを含むことができる。
本発明の実施例において、前記発熱板は、石英、グラファイト、又はこれらの混合物を使用して形成されることができ、前記製造装置は、前記発熱板が前記熱移動路を充分に覆う時、前記発熱板の周辺をシールするシーリング部を更に含むことができる。
【００２１】
本発明の一実施例において、前記製造装置は、２つ以上の反応チャンバーが積層される複層構造を有することができる。
本発明の実施例において、前記反応炉内に設置され、その上部に基板が置かれるボートが更に具備されることができる。
【００２２】
本発明の実施例において、前記反応炉内部の両側のそれぞれに互いに向かい合うように設置され、前記反応炉内に移動される熱を前記反応炉内の両側のそれぞれから中心に集中させる熱集中部が更に具備されることができる。
【００２３】
本発明の実施例において、前記ガス提供部は、前記ガス流入路に向かうように設置された多数の噴射ホールを有するシャワーヘッドを含むことができる。
本発明の更に他の側面による炭素ナノチューブ製造システムは、炭素ナノチューブ製造装置及び前記炭素ナノチューブ製造装置の一側に連結される移送装置を含む。前記炭素ナノチューブ製造装置は、反応炉、ガス流入路、ガス流出路、及び熱移動路を有する反応チャンバー、ガス提供部、ガス排出部、そして加熱部を具備する。前記反応炉は、内部に基板の収容が可能なボックス型構造を有することができ、前記基板に炭素ナノチューブを製造するための空間を提供することができる。前記ガス流入路は、前記反応炉の第１部分に形成された通孔構造を有することができ、前記反応炉内に炭素ナノチューブの製造のためのソースガスを流入させる通路を提供することができる。前記ガス流出路は、前記反応炉の第２部分に形成された通孔構造を有することができ、前記ソースガスを前記反応炉から排出させる通路を提供することができる。前記熱移動路は、前記基板と平行な方向に沿って前記反応炉の第３部分に形成された少なくとも１つの四角形貫通ホール構造を有することができ、前記反応炉内に前記反応炉の加熱のための熱を移動させる通路を提供することができる。前記ガス提供部は前記ガス流入路に連結され、前記ソースガスを前記ガス流入路を通じて前記反応炉内に提供することができる。前記ガス排出部は前記ガス排出路に連結され、前記ソースガスを前記ガス排出路を通じて前記反応炉から排出させることができる。前記加熱部は前記熱移動路に向かうように設置され、前記熱移動路を通じて熱を移動させて前記反応炉を加熱することができる。前記移送装置を通じて前記反応炉から前記基板をローディング／アンローディングすることができる。
【００２４】
本発明の実施例において、前記炭素ナノチューブ製造装置と前記移送装置との間にはゲートバルブが設置されることができ、前記ゲートバルブを通じて前記炭素ナノチューブ製造装置と前記移送装置が連結されることができる。
【００２５】
本発明の実施例において、前記システムは、前記反応炉の第４部分に形成された通孔構造を具備し、前記反応炉内の圧力を調整するための通路を提供する圧力調整路、そして前記圧力調整路に連結され、前記圧力調整路を通じて前記反応炉内の圧力を調整するための圧力調整部を更に具備することができる。
【００２６】
本発明の実施例において、前記反応炉は、前記移送装置に向かう前記反応炉の一側部に形成されたドアタイプ、シャッタータイプ、又はスライディングタイプの構造を有する開閉部材を更に具備することができ、前記開閉部材を通じて前記基板が出入されることができる。
【００２７】
本発明の実施例において、前記加熱部は、熱源、反射板、及び発熱板を具備することができる。前記熱源は、ハロゲンランプ又は赤外線ランプを含むことができ、前記反射板は、前記熱源から生成される熱を前記熱移動路に向かって反射することができる。前記発熱板は、前記熱移動路を充分に覆うように設置されることができ、前記熱源から生成される熱を熱移動路に充分に発熱させることができる。
【００２８】
本発明の実施例において、前記反応炉内に設置され、その上部に基板が置かれるボートが更に具備されることができる。
本発明の実施例において、前記反応炉内の両側のそれぞれに互いに向かい合うように設置され、前記反応炉内に移動される熱を前記反応炉内部の両側のそれぞれから中心に集中させる熱集中部が更に具備されることができる。
【００２９】
前述したように、本発明の実施例による反応チャンバーは、ボックス型構造を有する反応炉を含むことができる。また、本発明の実施例による炭素ナノチューブ製造装置とシステムは、ボックス型構造を有する反応炉を具備する反応チャンバーと共に、これに適合した加熱部等を含む。従って、本発明の実施例による反応チャンバー、炭素ナノチューブ製造装置とシステムでは、反応炉の空間活用性を充分に向上させ、得られる炭素ナノチューブの純度を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施例による炭素ナノチューブ製造用反応チャンバー、これを含む炭素ナノチューブ製造装置、及びシステムについて、添付図面を参照して詳細に説明するが、本発明が下記の実施例に制限されるものでなく、該当分野における通常の知識を有する者なら、本発明の技術的思想を外れない範囲内で本発明を多様な他の形態に具現することができる。添付図面において、本発明において、各基板、部材、構造物、ホール、又は装置が基板、部材、構造物、ホール、又は装置の「上に」、「上部に」、又は「下部」に形成されると言及される場合には、各部材、基板、ホール、構造物、又は装置が直接基板、各部材、ホール、構造物、又は装置上に形成されるか、下に位置することを意味するか、他の部材、他のホール、他の構造物又は他の装置が追加的に形成されることができる。
【００３１】
反応チャンバー
図２は、本発明の実施例による反応チャンバーを説明するための部分切開斜視図で、図３は、図２に図示した反応チャンバーの断面図である。
【００３２】
図２及び図３を参照すると、反応チャンバー１００は、反応炉１０、ガス流入路１４、ガス排出路１６、熱移動路１２、そして圧力調整路１８を含む。
反応炉１０は、その内部に収容される基板上に炭素ナノチューブを形成するための空間を提供することができる。例えば、反応炉１０はボックス構造を有することができる。
【００３３】
本発明の実施例において、反応炉１０の長手方向に対して実質的に平行な方向に沿って反応炉１０内に前記基板が収容されるので、このような基板のローディングを考慮して、反応炉１０の内部空間を設計することができる。例えば、反応炉１０は、言及した長手方向であるその内部に収容される基板と平行な水平方向の長さが垂直方向の長さより長い直六面体のボックス構造を有することができる。
【００３４】
本発明の他の実施例によると、反応炉１０内に２枚以上の基板が平行に収容されることができるので、これを考慮して反応炉１０の空間を決定することができる。
本発明の更に他の実施例において、反応炉１０の長手方向と平行な方向に沿って多数の基板を積層形態にローディングさせることもできるので、このような基板の積層形態を考慮して反応炉１０の空間を設計することができる。
【００３５】
本発明の実施例において、１つの基板又は多数の基板を反応炉１０内にローディングするか、反応炉１０からアンローディングする過程は、後述するように、ボートによって行われることができる。
【００３６】
本発明の実施例によると、炭素ナノチューブを製造する工程が相対的に高温で進行されるので、反応炉１０は、高温下でも機械的安定性を維持するように耐熱性を有する材質を使用して形成されることができる。例えば、前記炭素ナノチューブは、反応炉１０内で約５００〜１１００℃程度の高温温度で形成されるので、反応炉１０は、石英又はグラファイトを使用して形成されることができる。これらは、単独又は互いに混合され反応炉１０を形成することができる。
【００３７】
ガス流入路１４は、ガス保存部（図示せず）から反応炉１０内部に炭素ナノチューブの製造のためのソースガスを流入させる通路を提供することができる。ガス流入路１４は、反応炉１０の第１部分に形成された通孔構造を有することができる。ガス排出路１６は、反応炉１０内部から残留ソースガスを反応炉１０の外部に排出させる通路を提供することができる。ガス排出路１６は、ガス流入路１４が形成される一部分を除いた残り部分である第２部分に通孔構造を有するように形成する。
【００３８】
本発明の実施例において、ガス流入路１４とガス排出路１６は、反応炉１０に前記ソースガスを流入し、排出させる関係にあるため、互いに逆部分に形成されることができる。例えば、ガス流入路１４とガス排出路１６は、互いに向かい合うように形成されることができる。
【００３９】
本発明の実施例において、圧力調整路１８は、反応炉１０内部の圧力状態を調整するための通路を提供することができる。圧力調整路１８は、炭素ナノチューブを製造するための工程を行う時、反応炉１０内部を減圧させるための通路を提供する。圧力調整路１８は、ガス流入路１４、ガス排出路１６、及び後述する熱移動路１２が形成された部分を除いた残り部分である第３部分に通孔構造を有するように形成する。
【００４０】
本発明の他の実施例によると、反応炉１０が圧力調整路１８を具備しなくても良い。この場合、ガス流入路１６及び／又はガス排出路１６を通じて反応炉１０内の圧力を調節することができる。即ち、圧力調節部材（図示せず）をガス流入路１６及び／又はガス排出路１６に連結して、反応炉１０の圧力を調節することができる。
【００４１】
熱移動路１２は、反応炉１０内部にその内部の加熱のための熱を移動させる通路を提供する。熱移動路１２は、ガス流入路１４とガス排出路１６が形成された部分を除いた残り部分である第４部分にバータイプの構造を有するように形成する。本発明の一実施例において、熱移動路１２は、反応炉１０内部に収容される基板と平行な方向を有する部分にバータイプの構造を有するように形成されることができる。この際、熱移動路１２は、言及した反応炉１０の長手方向と平行な方向を有するように形成することもでき、図２に図示されたように反応炉１０の長手方向と垂直な方向を有するように形成することもできる。
【００４２】
本発明の一実施例において、反応炉１０内部を約５００〜１１００℃程度の温度に加熱するための熱の移動という観点で多数個の熱移動路１２を形成することができる。反応炉１０内に多数個の熱移動路１２を形成する場合、反応炉１０内部に収容される基板の前面と裏面に向かう部分に形成することができる。多数個の熱移動路１２を形成する場合、反応チャンバー１００の空間的効率性の向上という観点から反応炉１０の長手方向を基準に一端部から他側端部まで形成することが好ましい。
【００４３】
図２及び図３に図示した反応チャンバー１００の場合には、ガス流入路１４とガス排出路１６を反応炉１０の長手方向と垂直な方向の両側側面に互いに向かい合うように形成し、熱移動路１２を反応炉１０の上部面と下部面に互いに向かい合うように形成し、圧力調整路１８を熱移動路１２と重複されない反応炉１０の上部面に形成する。
【００４４】
本発明の実施例において、ガス流入路１４、ガス排出路１６、熱移動路１２、及び圧力調整路１８は、それらが形成される位置が前述したように、制限されない。他の例として、図４に図示されたようにガス流入路１４とガス排出路１６を反応炉１０の上部面と下部面のそれぞれに形成し、熱移動路１２をガス流入路１４とガス排出路１６と重複されない反応炉１０の上部面と下部面に互いに向かい合うように形成し、圧力調整路１８を反応炉１０の長手方向と垂直な方向の一側面に形成することもできる。即ち、言及したガス流入路１４、ガス排出路１６、熱移動路１２、及び圧力調整路１８は、ソースガスの流入と排出、熱の移動、圧力調整、反応チャンバー１００の効率等の観点を総合的に考慮して、形成される位置を変更することができる。
【００４５】
反応チャンバー１００は、反応炉１０の一側部にドアタイプの構造を有する開閉部材が形成されることができる。これは、反応炉１０の内部に基板をローディング／アンローディングさせるためである。ガス排出路１６が形成された側部を開閉が可能な構造を有するように形成する。
【００４６】
本発明の実施例において、前記開閉部材は、言及したドアタイプの構造でなくても、反応炉１０内部に基板のローディング／アンローディングが可能なシャッタータイプの構造、スライディングタイプの構造等を有するように形成しても良い。又、開閉の観点を考慮する時、反応炉１０の一側部に提供される前記開閉部材は、充分なシーリングが行わなければならない。図示していないが、前記開閉部材が位置する反応炉１０の一側部にはシーリングが可能な部材を形成することができる。
【００４７】
前述したように、本発明の実施例による反応チャンバー１００はボックス構造を有することができ、このようなボックス構造の反応チャンバー１００に適合した熱移動路１２及び圧力調整路１８等を形成するので、反応チャンバー１００は空間的な効率性を充分に確保することができ、このような反応チャンバー１００を利用して高純度の炭素ナノチューブを得ることができる。
【００４８】
炭素ナノチューブ製造装置
以下、炭素ナノチューブ製造用反応チャンバーを含む炭素ナノチューブ製造装置について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００４９】
図５は、本発明の実施例による炭素ナノチューブ製造装置を示す断面図である。図５において、炭素ナノチューブ製造装置４００は、図１を参照して説明した反応チャンバーと実質的に同じ構成を有する反応チャンバー１０を具備する。
【００５０】
図５を参照すると、炭素ナノチューブ製造装置４００は、反応チャンバー１００、ガス提供部４１、ガス排出部４３、加熱部４７、及び圧力調整部４５を含む。
反応チャンバー１００は、前述したように、反応炉１０、ガス流入路１４、ガス排出路１６、熱移動路１２、及び圧力調整路１８を含む。
【００５１】
ガス提供部４１は、ガス流入路１４を通じて反応炉１０内部に炭素ナノチューブを製造するためのソースガスを提供する。ガス提供部４１は、ガス流入路１４と連結される。ここで、ガス提供部４１は、ソースガスを保存する容器、ガス流入路１４と前記容器とを連結する供給ライン、前記ソースガスの提供を調節するバルブ等を含むことができる。本発明の一実施例において、ガス提供部４１は、前記ソースガスの提供をより容易に制御するために、ガス流量機（ｍａｓｓ  ｆｌｏｗ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ；ＭＦＣ）を更に含むことができる。
【００５２】
ガス提供部４１は、反応チャンバー１００の反応炉１０にソースガスをより均一に提供するために、図６に図示されたように、ガス流入路１４と連結される部位に多数の噴射ホールを有するシャワーヘッド４１０を設置することができる。シャワーヘッド４１０は、ガス流入路１４とすぐ連結されるように位置するように設置されるか、ガス流入路１４を経由して反応チャンバー１００の反応炉１０内部に位置するように設置されることができる。
【００５３】
ガス排出部４３は、ガス排出路１６を通じて反応炉１０の外部にソースガスを排出させる。ガス排出部４３は、ガス排出路１６と連結される。ここで、ガス排出部４３は、ガス排出路１６と連結するライン、ガスの排出を開閉するバルブ等を含む。ガス排出部４３は、環境的な側面を考慮する時、排出されるソースガスのフィルタリングが可能なフィルター、円滑な排出のためにポンピングを行うポンプ等を更に含むこともできる。又、ガス排出部４３が開閉が可能な側面に連結される場合には、言及したガス排出路１６と連結するラインをフレキシブルラインに形成すると、特に支障を受けない。
【００５４】
圧力調整部４５は、圧力調整路１８を通じて反応炉１０内部の圧力状態を調整する。圧力調整部４５は、圧力調整路１８と連結される。ここで、圧力調整部４５は、圧力調整路１８と連結するライン、圧力調整のための真空ポンピングを行う真空ポンプ、真空ポンピングによる開閉を行うバルブ等を含む。
【００５５】
加熱部４７は、熱移動路１２を通じて反応炉１０の内部に熱を移動させて反応炉１０内部を加熱する。加熱部４７は、熱移動路１２に向かうように設置される。ここで、加熱部４７は、ランプ４７ａ、反射板４７ｂ、及び発熱板４７ｃを含む。ランプ４７ａは、発熱の側面を考慮する時、ハロゲンランプや赤外線ランプ等を含むことができる。反射板４７ｂは、ランプ４７ａから生成される熱が熱移動路１２に充分に向かうように反射が可能に設置される。反射板４７ｂは、ランプ４７ａの周辺にキャップ構造を有するように設置されることができる。この際、反射板４７ｂは、反射という側面を考慮する時、金（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）等の反射度を有する金属を使用して形成することができる。発熱板４７ｃは、ランプ４７ａから生成される熱を熱移動路１２に充分に発熱させる。これによって、発熱板４７ｃは、熱移動路１２を充分に覆うように設置されることができる。
【００５６】
本発明の実施例において、発熱板４７ｃが熱移動路１２をカバーする形態に設置される場合、発熱板４７ｃも充分なシーリングが確保されなければならない。図７に示すように、発熱板４７ｃの周辺部分には、発熱板４７ｃの周辺をシールするシーリング部５５を形成する。又、発熱板４７ｃは、ランプ４７ａから生成される熱を熱移動路１２を通じて反応炉１０の内部に充分に発熱しなければならないのみならず、ランプ４７ａから生成される熱に堅固な特性を有しなければならない。発熱板４７ｃの場合にも石英又はグラファイト等を使用して形成することができる。これらは単独又は互いに混合され発熱板４７ｃを形成することができる。
【００５７】
本発明の実施例において、熱移動路１２が多数個形成される場合、多数個の熱移動路１２のそれぞれに加熱部４７を設置することができる。加熱部４７は、熱移動路１２のそれぞれに独立的に形成されるので、反応チャンバー１００の反応炉１０を基準に一側端部と近接した部分から他側端部と近接した部分までその設置が可能である。これによって、反応炉１０の加熱のための充分な空間的な活用性を向上させることができる。又、加熱部４７は、ランプ４７ａを独立的に設置するので、周辺に位置する部材に熱的損傷を殆ど及ぼさないため、言及した拡張が可能である。
【００５８】
このように本発明の実施例による炭素ナノチューブ製造装置４００は、前述した構造を有する少なくとも１つの加熱部４７を具備するので、反応チャンバー１００の反応炉１０を工程条件に適合に加熱することができる。
【００５９】
本発明の実施例において、炭素ナノチューブ製造装置４００は、ボート５１及び熱集中部４９を更に含むことができる。ボート５１は反応炉１０の内部に位置し、反応炉１０の内部に収容される基板５３がその上部に置かれる。ここで、ボート５１は、そのサイズが多少可変的に反応炉１０の内部のサイズと反応炉１０の内部に収容可能な基板５３の枚数、基板５３の積層単位等によってそのサイズが決定される。又、反応チャンバー１００の空間的な活用性を考慮してボート５１のサイズを決定することができる。例えば、反応炉１０が２枚の基板５３を平行に収容し、３層に積層することができる空間を提供する場合、ボート５１も２枚の基板５３が平行に置かれる長さと３層の積層構造を有するように設置する。ボート５１の場合にも熱に堅固な特性を有しなければならないため、石英やグラファイトを使用して形成されることができる。これらは、単独又は互いに混合されボート５１を形成することができる。ボート５１は、反応炉１０の内部に固定されるように設置することもでき、反応炉１０の内部に移送が可能に設置することもできる。
【００６０】
熱集中部４９は、加熱部４６から熱移動路１２を通じて反応炉１０の内部に移動する熱を反応炉の１０内部両側のそれぞれから中心に集中させる。熱集中部４９は、反応炉１０内部の両側のそれぞれに互いに向かい合うように設置されることができる。
【００６１】
前述したように、本発明の実施例による製造装置４００は、充分な発熱が可能なランプ４７ａ以外にも、反射板４７ｂ、発熱板４７ｃを含む加熱部４７と共に熱集中部４９を含むことにより、反応チャンバー１００の反応炉１０を工程条件に適合に加熱することができる。例えば、反応炉１０の内部が約５００〜１１００℃程度の温度になるように加熱することができる。
【００６２】
本発明の実施例による製造装置４００は、反応チャンバー１００がボックスタイプの構造を有する反応炉１０を含むので、図８に図示されたように、２つ以上の反応チャンバー１００が積層される多層構造に設置することができる。反応チャンバー１００自体の空間的な効率性の向上のみならず、製造装置４００が設置される空間的な効率性の向上も期待することができる。
【００６３】
炭素ナノチューブ製造システム
以下、炭素ナノチューブ製造装置を含む炭素ナノチューブ製造システムについて、添付図面を参照して説明する。
【００６４】
図９は、本発明の実施例による炭素ナノチューブ製造システムを示す断面図である。図９に図示した炭素ナノチューブ製造システムに含まれる反応チャンバーと炭素ナノチューブ製造装置は、それぞれ図１及び図５を参照して説明した反応チャンバー及び製造装置と実質的に同じ構成を有する。
【００６５】
図５及び図９を参照すると、炭素ナノチューブ製造システム７００は、炭素ナノチューブ製造装置４００以外にも、移送装置５００、ゲートバルブ５５０等を更に含む。又、図示していないが、炭素ナノチューブ製造システム７００は、洗浄装置、触媒薄膜形成装置、触媒薄膜エッチング装置、後処理装置等を更に含むことができる。
【００６６】
炭素ナノチューブ製造装置４００は、前述したように実質的に同じ反応炉１０、ガス流入路１４、ガス排出路１６、熱移動路１２、圧力調整路１８を含む反応チャンバー１００、そしてガス提供部４１、ガス排出部４３、加熱部４７、圧力調整部４５、熱集中部４９、ボート５１等を含む。
【００６７】
移送装置５００は、製造装置４００の反応炉１０から基板をローディング／アンローディングする。移送装置５００は、製造装置４００の一側に連結されることができる。特に、移送装置５００は、製造装置４００で開閉が可能な反応チャンバー１００の一側と連結されることが好ましい。又、移送装置５００は、製造装置４００の反応炉１０から基板をローディング／アンローディングさせることができるのみならず、前記洗浄装置、前記触媒薄膜形成装置、前記触媒薄膜エッチング装置及び／又は前記後処理装置にも基板をローディング／アンローディングさせることができる構造を有することができる。
【００６８】
本発明の実施例において、移送装置５００は、主にブレード（ｂｌａｄｅ）タイプの構造を有するロボットアームを含む。この際、製造装置４００の反応炉１０がボックスタイプの構造を有するように設置され、空間的な活用性が向上されるので、移送装置５００も従来に対して相対的に短い長さを有するブレードタイプの構造を有するロボットアームを含むことができる。従って、移送装置５００の場合には、既存仕様をそのまま適用することができるという利点を期待することができる。即ち、炭素ナノチューブ製造装置４００の反応炉１０がボックスタイプの構造を有するので、基板をローディング／アンローディングするための経路が短くなるからである。
【００６９】
移送装置５００は、反応炉１０にローディングするための基板の待機が可能な待機領域、炭素ナノチューブの製造が行われた基板を反応炉１０からアンローディングして臨時保管する保管領域等を更に含むことができる。
【００７０】
ゲートバルブ５５０は、炭素ナノチューブ製造装置４００と移送装置５００との間に介在され、開閉動作を行う。これに、ゲートバルブ５５０は、開閉を通じて製造装置４００と移送装置５００との間を連結する空間を提供する。特に、ゲートバルブ５５０は、急激な工程条件の変化を多少緩和させる役割も行う。例えば、ゲートバルブ５５０は、ロードロックチャンバーの機能を有することができる。
【００７１】
前記洗浄装置、前記触媒薄膜形成装置、前記触媒薄膜エッチング装置、及び前記後処理装置は、移送装置５００を中心にその周辺に設置される。前記洗浄装置は、主に炭素ナノチューブを製造するための基材である基板を洗浄することができる。前記触媒薄膜形成装置は、基板に炭素ナノチューブの製造のための触媒物質を形成することができ、前記触媒薄膜エッチング装置は、基板に形成された触媒薄膜をエッチングすることができる。ここで、触媒薄膜をエッチングすることは、触媒薄膜が凸凹形態の不均一な表面を有する時、より容易に炭素ナノチューブの製造が可能であるからである。前記後処理装置は、製造がなされた炭素ナノチューブから触媒薄膜を除去し、これを回収する。
【００７２】
本発明の実施例によると、炭素ナノチューブ製造システム７００は、反応チャンバー１００がボックスタイプの構造を有する反応炉１０を含むので、空間的な効率性の向上を充分に期待することができる。更に、空間的な効率性の向上を通じてソースガスの均一な提供を図ることができ、製造がなされる炭素ナノチューブの純度と収率の向上を期待することができる。又、言及したように、既存仕様の移送装置の適用が可能であるので、装置的活用性の向上という側面も期待することができる。
【００７３】
炭素ナノチューブ製造方法
以下、前述した炭素ナノチューブ製造装置及び炭素ナノチューブ製造システムを利用して炭素ナノチューブを製造する方法について詳細に説明する。
【００７４】
炭素ナノチューブの製造のための基材である基板を準備する。前記基板は、半導体基板、金属酸化物基板、ガラス基板等を含むことができる。例えば、前記基板は、シリコン基板、ＳＯＩ基板、ＩＴＯ基板、ＩＴＯコーティングガラス基板、ソーダライムガラス基板等を含むことができる。前記基板は、炭素ナノチューブを形成する間、充分な機械的強度を有することができる。
【００７５】
前記基板を準備した後、移送装置を利用して前記基板を洗浄装置にローディングさせる。前記洗浄装置は、洗浄ガスや洗浄溶液を使用して前記基板上に残留する不純物や異物を充分に除去することができる。本発明の実施例において、前記基板はドライ洗浄工程又はウェット洗浄工程を利用して洗浄されることができる。前記基板をドライ洗浄工程で洗浄する場合、前記洗浄ガスは、不活性ガスを含むことができる。例えば、前記洗浄ガスは、窒素ガス、ヘリウムガス、及び／又はアルゴンガスを含むことができる。
【００７６】
前記移送装置を使用して前記基板を前記洗浄装置からアンローディングさせた後、前記基板を触媒薄膜形成装置内にローディングさせる。前記触媒薄膜形成装置を利用して前記基板上に触媒薄膜を形成する。前記基板上に形成される触媒薄膜は、鉄（Ｆｅ）及び／又はニッケル（Ｎｉ）を含むことができる。ここで、前記触媒薄膜は、スパッタリング工程又は化学気相蒸着工程等を利用して形成されることができる。従って、前記触媒薄膜形成装置は、その構造がスパッタリング装置又は化学気相蒸着装置等と類似な構造を有することができる。
【００７７】
製造システム７００の移送装置５００を使用して基板を触媒薄膜形成装置からアンローディングさせた後、触媒薄膜エッチング装置にローディングさせる。そして、触媒薄膜のエッチングでは、水を使用して希釈させたフッ化水素（ＨＦ）溶液を使用することができる。このように、触媒薄膜をエッチングすることにより、基板上には凸凹形態のような不均一な表面を有する触媒薄膜パターンが形成される。
【００７８】
炭素ナノチューブ製造システム７００の移送装置５００を使用して基板を触媒薄膜エッチング装置からアンローディングさせた後、炭素ナノチューブ製造装置４００にローディングさせる。前記基板を製造装置４００にローディングする時、製造システム７００のゲートバルブ５５０と反応チャンバー１００の一側が開放される。前記基板は、反応チャンバー１００内に位置するボート５１に置かれる。特に、ボート５１が言及したように、反応チャンバー１００の反応炉１０の一側端部と殆ど近接する部位から他側端部と殆ど近接する部位まで位置し、多重構造を有するので、反応炉１０内部に基板を充分に収容させることができる。
【００７９】
反応チャンバー１００の反応炉１０内部に基板をローディングして収容させた後、ゲートバルブ５５０と反応チャンバー１００の一側を閉鎖させる。加熱部４７を使用して反応チャンバー１００の反応炉１０内部を約５００〜１１００℃程度の温度に加熱し、圧力調整部４５を使用して反応炉１０内部を設定された真空状態を有するように調整する。
【００８０】
ガス提供部４１を使用して反応炉１０内部に炭素ナノチューブの製造のためのソースガスを提供する。前記ソースガスは、アセチレン、エチレン、メタン、ベンゼン、キシレン、一酸化炭素、又は二酸化炭素を含むことができる。これらは単独で使用するか、又は２以上が混合され使用されることができる。このように、反応炉１０内部の温度と圧力を条件に合うように調整し、前記ソースガスを提供することにより、触媒薄膜パターンを有する基板上には炭素ナノチューブの製造が行われる。
【００８１】
加熱部４７は、ボート５１と同様に反応チャンバー１００の反応炉１０の一側端部と殆ど近接する部位から他側端部と殆ど近接する部位まで位置した状態で加熱をするので、前記炭素ナノチューブに熱的損傷が殆ど発生しない。又、ソースガスが経由して経路が短いため、ソースガスもより均一に提供される。従って、言及した炭素ナノチューブ製造システム７００を使用した炭素ナノチューブの製造では、より高い純度を有する炭素ナノチューブの収得が可能である。
【００８２】
炭素ナノチューブの製造が終了されると、ガス排出部４３を使用して反応炉１０の内部に残留するガスを排出させる。そして、製造システム７００の移送装置５００を使用して基板を製造装置４００からアンローディングさせた後、後処理装置にローディングさせる。このように、基板を製造装置４００からアンローディングする場合にも製造システム７００のゲートバルブ５５０と反応チャンバー１００の一側が開放される。
【００８３】
前記後処理装置を使用して製造された炭素ナノチューブから触媒薄膜を除去し、炭素ナノチューブを回収する。そうすると、炭素ナノチューブの製造のための一連の工程が終了される。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明の実施例によると、ボックス構造の反応炉を含み、四角形貫通ホール構造の熱移動路を反応炉の一端部近接部位で他側端部近接部位まで設置した反応チャンバーを製造装置及びシステムとして使用するので、空間的活用性を充分に向上させることができる。これに、本発明の製造装置及びシステムを使用した炭素ナノチューブの製造では、ソースガスの均一な提供が可能であるため、純度の高い炭素ナノチューブの収得が可能である。従って、本発明の製造装置及びシステムは、炭素ナノチューブの製造による信頼度が向上されるという利点を期待することができる。又、言及したように空間的活用性の充分な向上を通じて移送による速度向上と安定性向上も期待することができる。又、ランプの適用が可能な加熱を行うことにより、反応チャンバーの寿命が延長されるという利点を期待できるのみならず、維持補修観点でもより有利な利点を期待することができる。
【００８５】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】従来の炭素ナノチューブ製造装置を示す概略的な断面図である。
【図２】本発明の実施例による炭素ナノチューブ製造のための反応チャンバーを示す部分切開斜視図である。
【図３】図２に図示した反応チャンバーの断面図である。
【図４】本発明の他の実施例による炭素ナノチューブ製造のための反応チャンバーを示す断面図である。
【図５】本発明の実施例による炭素ナノチューブ製造装置を示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施例による炭素ナノチューブ製造装置のガス提供部を示す部分切開断面図である。
【図７】図５のＩＶ部分を拡大した図である。
【図８】本発明の他の実施例による炭素ナノチューブ製造装置を示す図である。
【図９】本発明の実施例による炭素ナノチューブ製造システムを示す構成図である。
【符号の説明】
【００８７】
１０…反応炉、１２…熱移動路、１４…ガス流入路、１６…ガス排出路、１８…圧力調整路、４１…ガス提供部、４３…ガス排出部、４５…圧力調整部、４７…加熱部、４９…熱集中部、５１…ボート、５３…基板、１００…反応チャンバー、４００…合成装置、５００…移動装置、５５０…ゲートバルブ、７００…合成システム。
【図１】
2008156205.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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