(57)【要約】【課題】いずれかの装置で生じる待ち時間を有効に活用する。【解決手段】第１の処理装置５０で第１の処理が施された物体Ｗに第２の処理装置１０で第２の処理を行う。第１の処理装置５０の処理能力と第２の処理装置１０の処理能力の差により生じる空き時間に、第１の処理と第２の処理の少なくともいずれか一方に関連する関連処理の調整を行う調整工程を有する。【選択図】図１
2008124380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の処理装置で第１の処理が施された物体に第２の処理装置で第２の処理を行う電子部品の製造方法であって、
前記第１の処理装置の処理能力と前記第２の処理装置の処理能力の差により生じる空き時間に、前記第１の処理と前記第２の処理の少なくともいずれか一方に関連する関連処理の調整を行う調整工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品の製造方法において、
前記調整工程では、前記関連処理の処理時間を前記空き時間に応じて延ばして実施することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の電子部品の製造方法において、
前記調整工程では、前記関連処理を前記空き時間に応じて複数選択して実施することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の電子部品の製造方法において、
前記複数の関連処理は、互いに異なる処理であることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４記載の電子部品の製造方法において、
前記物体に前記第２の処理を行った結果に基づいて、実施する前記関連処理を変更することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、
前記物体に前記第２の処理を行った結果に基づいて前記空き時間を予測し、
予測した空き時間に応じて前記関連処理の調整を行うことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項７】
請求項１から５のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、
前記物体に前記第１の処理を行った情報に基づいて前記空き時間を予測し、
予測した空き時間に応じて前記関連処理の調整を行うことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、
前記第２の処理で前記物体毎に設定される所定の空き時間を、複数の前記物体の数に応じて合計した時間内に前記調整工程を行った後に、前記複数の物体に対して連続して前記第２の処理を行う第１工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の電子部品の製造方法において、
前記第１の処理が施された前記物体にそれぞれ前記所定の空き時間をあけて複数、第２の処理を施す第２工程と、前記第１工程とを選択して実施することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、
前記関連処理は、前記第２の処理に関する計測処理、該計測処理の較正処理、前記第２の処理に用いる材料の交換処理の少なくとも一つであることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、
前記第２の処理装置で行う前記第２の処理は、露光装置で行う露光処理であることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の電子部品の製造方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１３】
物体に第１の処理を施す第１の処理装置と、前記第１の処理が施された物体に第２の処理を施す第２の処理装置とを有する電子部品の製造システムであって、
前記第１の処理と前記第２の処理の少なくともいずれか一方に関連する関連処理を行う関連処理装置と、
前記第１の処理装置の処理能力と前記第２の処理装置の処理能力の差により生じる空き時間に、前記関連処理装置の調整を行わせる調整装置とを有することを特徴とする電子部品の製造システム。
【請求項１４】
請求項１３記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記調整装置は、前記関連処理装置の処理時間を前記空き時間に応じて延ばして実施させることを特徴とする電子部品の製造システム。
【請求項１５】
請求項１３記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記調整装置は、前記関連処理装置を前記空き時間に応じて複数選択して調整させることを特徴とする電子部品の製造システム。
【請求項１６】
請求項１５記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記複数の関連処理装置は、互いに異なる関連処理を実施することを特徴とする電子部品の製造システム。
【請求項１７】
請求項１５または１６記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記調整装置は、前記物体に前記第２の処理を行った結果に基づいて、選択する前記関連処理装置を変更することを特徴とする電子部品の製造システム。
【請求項１８】
請求項１３から１７のいずれかに記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記調整装置は、前記物体に前記第２の処理を行った結果に基づいて前記空き時間を予測し、
予測した空き時間に応じて前記関連処理装置に調整を行わせることを特徴とする電子部品の製造システム。
【請求項１９】
請求項１３から１７のいずれかに記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記調整装置は、前記物体に前記第１の処理を行った結果に基づいて前記空き時間を予測し、
予測した空き時間に応じて前記関連処理装置に調整を行わせることを特徴とする電子部品の製造システム。
【請求項２０】
請求項１３から１９のいずれかに記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記関連処理装置は、前記第２の処理に関する計測処理を行う計測装置、前記第２の処理に用いる材料を交換する材料交換装置の少なくとも一つであることを特徴とする電子部品の製造システム。
【請求項２１】
請求項１３から２０のいずれかに記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記第２の処理装置は、露光処理を行う露光装置であることを特徴とする電子部品の製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法及びデバイス製造方法並びに電子部品の製造システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の製造工程では、複数の処理装置を用いた処理が行われることがある。
このような複数の処理装置を用いて処理が行われる電子部品の製造工程の一例として、半導体の露光（リソグラフィ）工程では、例えば基板上に感光材を塗布する機能と、露光後に基板の現像を行う機能とを有するコータ・デベロッパ装置（以下Ｃ／Ｄ装置）を露光装置にインラインで接続したインライン・リソグラフィシステムを用いることがある。
この種のインライン・リソグラフィシステムでは、Ｃ／Ｄ装置において定期的なメンテナンス、部品交換等、運転を停止した場合に露光装置の運転も停止しなければならないことから、露光装置の稼働率を低下させる要因が露光装置単体の場合に比べて、明らかに多くなる。
【０００３】
そこで、特許文献１には、露光装置が、Ｃ／Ｄ装置からのメンテナンスに関する情報に基づいて、自装置の動作を決定する動作決定装置としての主制御装置を備え、主制御装置が、Ｃ／Ｄ装置のメンテナンス中、すなわち露光装置の本来の運転も必然的に停止しなければならないときに、これと並行して、自装置の性能維持のために必要な動作であって装置本来の動作の停止が必要となる特定動作を行うことを決定する技術が開示されている。この技術によれば、その特定動作を行うのに必要な露光装置のダウンタイムを全体として減少させることができ、これにより、基板処理装置にインライン接続された露光装置の装置性能を低下させることなく、稼働率を向上させることができる。
【特許文献１】国際公開第０６／０２５３０２号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
Ｃ／Ｄ装置と露光装置とでは処理能力に差があり、多くの場合、露光装置の方が処理能力が優れていることから、露光装置にはＣ／Ｄ装置が運転を停止させない通常の稼働状態でも、待ち時間が生じる場合がある。
このように、装置間で処理能力に差がある場合でも、いずれかの装置で生じる待ち時間を有効に活用できる方策が望まれていた。
【０００５】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、いずれかの装置で生じる待ち時間を有効に活用できる電子部品の製造方法及びデバイス製造方法並びに電子部品の製造システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図６に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の電子部品の製造方法は、第１の処理装置（５０）で第１の処理が施された物体（Ｗ）に第２の処理装置（１０）で第２の処理を行う電子部品の製造方法であって、第１の処理装置の処理能力と第２の処理装置の処理能力の差により生じる空き時間に、第１の処理と第２の処理の少なくともいずれか一方に関連する関連処理の調整を行う調整工程を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の電子部品の製造方法では、第１の処理装置（５０）の処理能力と第２の処理装置（１０）の処理能力の差により生じる空き時間に、第１の処理と第２の処理の少なくともいずれか一方に関連する関連処理の調整を行うため、別途、上記関連処理の調整時間を確保する必要がなくなり、空き時間を有効活用でき、生産性の向上に寄与できる。
この関連としては、第２の処理に関する計測処理、この計測処理の較正処理、第２の処理に用いる材料の交換処理の少なくとも一つを選択可能である。
【０００７】
また、本発明のデバイス製造方法は、先に記載の電子部品の製造方法を用いることを特徴とするものである。
従って、本発明のデバイス製造方法では、空き時間を有効に活用してデバイスを製造することができる。
【０００８】
そして、本発明の電子部品の製造システムは、物体（Ｗ）に第１の処理を施す第１の処理装置（５０）と、第１の処理が施された物体（Ｗ）に第２の処理を施す第２の処理装置（１０）とを有する電子部品の製造システムであって、第１の処理と第２の処理の少なくともいずれか一方にに関連する関連処理を行う関連処理装置（ＡＬＧ）と、第１の処理装置の処理能力と第２の処理装置の処理能力の差により生じる空き時間に、関連処理装置（ＡＬＧ）の調整を行わせる調整装置（１２０）とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の電子部品の製造システムでは、第１の処理装置（５０）の処理能力と第２の処理装置（１０）の処理能力の差により生じる空き時間に、第１の処理と第２の処理の少なくともいずれか一方に関連する関連処理の調整を行うため、別途、上記関連処理の調整時間を確保する必要がなくなり、空き時間を有効活用でき、生産性の向上に寄与できる。
【０００９】
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明では、処理能力の差により生じた空き時間を有効に活用することで、生産性の向上に寄与できるとともに、処理精度の向上も図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の電子部品の製造方法及びデバイス製造方法並びに電子部品の製造システムの実施の形態を、図１ないし図８を参照して説明する。
ここでは、例えば、第１の処理装置として、半導体デバイス製造用の半導体ウエハに対する感光材塗布処理を第１の処理として行うとともに、露光処理が施されたウエハに現像処理を施すコータデベロッパ装置（以下、Ｃ／Ｄ装置と称する）を用い、第２の処理装置として、Ｃ／Ｄ装置から搬送されたウエハに対して、第２の処理として露光処理を施す露光装置を用いる場合について説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１２】
（第１実施形態）
図１には、本発明に係る露光装置及びＣ／Ｄ装置を含んで構成された第１実施形態に係るリソグラフィシステムの構成が、平面図にて示されている。
この図１に示されるリソグラフィシステム（電子部品の製造システム）１００は、クリーンルーム内に設置されている。このリソグラフィシステム１００は、クリーンルームの床面上に設置された露光装置（第２の処理装置）１０と、該露光装置１０の−Ｙ側（図１における紙面左側）に、インライン・インタフェース部（以下、「インラインＩ／Ｆ部」と呼ぶ）１１０を介して接続された第１の処理装置としてのＣ／Ｄ装置５０とを備えている。このリソグラフィシステム１００は、クリーンルーム内に設置されている。
【００１３】
露光装置１０は、図１におけるＹ軸方向の中央やや−Ｙ側寄りの位置に仕切り壁１４が設けられたチャンバ１６と、該チャンバ１６内部の仕切り壁１４によって区画されたＸ軸方向一側（−Ｘ側）の大部屋１２Ａの内部に収容された露光装置本体１０Ａ（図１では、ウエハステージＷＳＴ及び投影光学系ＰＬ以外の部分は図示省略）と、チャンバ１６内部の仕切り壁１４によって区画されたＸ軸方向他側（＋Ｘ側）の小部屋１２Ｂの内部にその大部分が収容された基板搬送系としてのウエハローダ系４０とを備えている。露光装置本体１０Ａには、チャンバ１６の外部に配置された光源としてのレーザ装置１が、引き回し光学系ＢＭＵを介して接続されている。
【００１４】
図２には、露光装置１０の構成が正面図にて概略的に示されている。但し、この図２では、チャンバ１６が仮想線（二点鎖線）にて示されている。この露光装置１０は、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置、すなわちいわゆるスキャナ（スキャニング・ステッパとも呼ばれる）である。
【００１５】
前記レーザ装置１としては、ＫｒＦエキシマレーザ（発振波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエキシマレーザ（発振波長１９３ｎｍ）などの遠紫外域のパルス光を発振するパルスレーザが用いられている。なお、レーザ装置１として、Ｆ２レーザ（発振波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光源を用いても良い。
【００１６】
前記露光装置本体１０Ａは、照明ユニットＩＬＵ、マスクとしてのレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、ウエハＷを保持してＸＹ平面内を自在に移動可能なウエハステージＷＳＴ、前記レチクルステージＲＳＴ及び投影光学系ＰＬなどが搭載されたボディＢＤ、並びに装置全体を統括的に制御する主制御装置１２０等を備えている。
【００１７】
前記照明ユニットＩＬＵは、照明系ハウジング１１１と、該照明系ハウジング１１１内に所定の位置関係で配置されたビーム整形光学系、エネルギ粗調器、オプティカルインテグレータ、照明系開口絞り板、ビームスプリッタ及びリレー光学系等（いずれも図示せず）から成る照明光学系と、を備えている。また、照明光学系のリレー光学系の内部には、不図示の固定ブラインド及び可動ブラインドから成る視野絞り（レチクルブラインド又はマスキングブレードとも呼ばれる）が配置されている。なお、オプティカルインテグレータとしては、フライアイレンズ、ロッド型（内面反射型）インテグレータ、あるいは回折光学素子などが用いられる。
【００１８】
この照明ユニットＩＬＵの入射端部、すなわち照明光学系の入射端部に設けられた上記ビーム整形光学系に、送光光学系ＢＭＵを介してレーザ装置１が接続されている。
この照明ユニットＩＬＵは、レチクルステージＲＳＴ上に保持されたレチクルＲ上でＸ軸方向に細長く延びる矩形（例えば長方形）スリット状の照明領域ＩＡＲ（固定ブラインドの開口で規定される）を均一な照度分布で照明する。本実施形態と同様の照明ユニットの内部構成は、例えば特開平６−３４９７０１号公報などに詳細に開示されている。
【００１９】
前記レチクルステージＲＳＴは、ボディＢＤを構成する第２コラム１３４の天板部であるレチクルベース１３６の上面の上方に設けられている。このレチクルステージＲＳＴ上には、レチクルＲが、例えば真空吸着（又は静電吸着など）により固定されている。レチクルステージＲＳＴは、リニアモータ等を含むレチクルステージ駆動部１１２により、照明光学系の光軸（投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに一致）に垂直なＸＹ平面内で２次元的に（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＸＹ平面に直交するＺ軸回りの回転方向（θｚ方向）に）微少駆動可能であるとともに、レチクルベース１３６上をＹ軸方向に指定された走査速度で駆動可能となっている。
【００２０】
レチクルステージＲＳＴのＸＹ面内の位置（Ｚ軸回りの回転方向であるθｚ方向の回転を含む）は、移動鏡１５（及びＸ軸方向計測用のＸ移動鏡（不図示））を介してレチクルベース１３６に固定されたレチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）１３によって常時検出されている。
レチクルステージＲＳＴの位置情報（又は速度情報）は、主制御装置１２０に送られ、主制御装置１２０では該位置情報（又は速度情報）に基づいてレチクルステージ駆動部１１２を介してレチクルステージＲＳＴを駆動する。レチクルステージＲＳＴのレチクルＲの載置領域の−Ｙ側の位置には、不図示のレチクルフィデューシャルマーク板（ＲＦＭ板）が設けられている。このＲＦＭ板には、複数種類の計測用マークが形成されている。本実施形態と同様の、ＲＦＭ板については、例えば特開２００２−１９８３０３号公報などに詳細に開示されている。
【００２１】
前記ボディＢＤは、第１コラム１３２と、この第１コラム１３２上に配置された第２コラム１３４とを備えている。第１コラム１３２は、３本の脚部１３７Ａ、１３７Ｂ、１３７Ｃ（但し、図２における紙面奥側の脚部１３７Ｃは図示省略）と、これらの脚部１３７Ａ〜１３７Ｃによって支持され、第１コラム１３２の天板を構成する鏡筒定盤（メインフレームとも呼ばれる）１３８とを備えている。脚部１３７Ａ〜１３７Ｃのそれぞれは、支柱１４０と、該支柱１４０の上部に固定された防振ユニット１３９とを備えている。各防振ユニット１３９によって、床面からの微振動ができるだけ絶縁され、鏡筒定盤１３８に殆ど伝達されないようになっている。鏡筒定盤１３８には、そのほぼ中央部に、不図示の円形開口が形成され、この開口内に投影光学系ＰＬが上方から挿入されている。この投影光学系ＰＬの鏡筒には、フランジＦＬＧが設けられ、該フランジＦＬＧを介して投影光学系ＰＬが鏡筒定盤１３８によって支持されている。前記第２コラム１３４は、鏡筒定盤１３８の上面に、投影光学系ＰＬを取り囲んで設けられ、上下方向にそれぞれ延びる複数本、例えば３本の脚４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ（但し、図２における紙面奥側の脚４１Ｃは図示省略）と、これらの脚４１Ａ〜４１Ｃの上端面相互間を連結するとともに、これらの脚４１Ａ〜４１Ｃによって支持された前述のレチクルベース１３６とを備えている。
【００２２】
前記投影光学系ＰＬとしては、ここでは両側テレセントリックな縮小系であり、共通のＺ軸方向の光軸ＡＸを有する複数枚のレンズエレメントから成る屈折光学系が使用されている。この投影光学系ＰＬとしては投影倍率βが、一例として１／４の縮小光学系が用いられている。このため、照明ユニットＩＬＵ（照明光学系）からの照明光ＩＬによってレチクルＲ上のスリット状照明領域ＩＡＲが照明されると、このレチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、そのスリット状照明領域ＩＡＲ内のレチクルＲの回路パターンの投影光学系ＰＬを介した縮小像（部分倒立像）が表面にフォトレジストが塗布されたウエハ（基板、物体）Ｗ上の前記照明領域ＩＡＲに共役な露光領域ＩＡに形成される。
【００２３】
前記ウエハステージＷＳＴは、リニアモータあるいは平面モータ等の不図示の駆動系によってＸＹ２次元面内（θｚ回転を含む）でステージベースＳＢ上面に沿って自在に駆動されるＸＹステージ１４１と、該ＸＹステージ１４１上に搭載されたウエハテーブルＴＢとを含んで構成されている。前記ステージベースＳＢは、定盤とも呼ばれ、本実施形態では、床面上に設置された複数、例えば３つ又は４つの防振ユニット４３を介して支持されている。
【００２４】
前記ウエハステージＷＳＴは、リニアモータあるいは平面モータ等の不図示の駆動系によってＸＹ２次元面内（θｚ回転を含む）でステージベースＳＢ上面に沿って自在に駆動されるＸＹステージ１４１と、該ＸＹステージ１４１上に搭載されたウエハテーブルＴＢとを含んで構成されている。前記ステージベースＳＢは、定盤とも呼ばれ、本実施形態では、床面上に設置された複数、例えば３つ又は４つの防振ユニット４３を介して支持されている。
【００２５】
ウエハテーブルＴＢ上には、ウエハホルダ２５を介してウエハＷが真空吸着（又は静電吸着）によって保持されている。また、ウエハテーブルＴＢ上には、ウエハレーザ干渉計（以下、「ウエハ干渉計」という）３１からのレーザビームを反射する移動鏡２７（及びＸ軸方向計測用のＸ移動鏡（不図示））が固定され、鏡筒定盤１３８から吊り下げ支持されたウエハ干渉計３１により、ウエハテーブルＴＢ（ウエハＷ）のＸＹ面内の位置が常時検出されている。以下の説明ではウエハ干渉計３１によって、ウエハテーブルＴＢのＸ、Ｙ、θｚ、θｙ、θｘの５自由度方向の位置が計測されるものとする。ウエハテーブルＴＢの位置情報（又は速度情報）は主制御装置１２０に送られ、主制御装置１２０では前記位置情報（又は速度情報）に基づいてウエハステージ駆動部１２８を介してウエハテーブルＴＢを制御する。
【００２６】
ウエハステージ駆動部１２８はリニアモータあるいは平面モータ、ボイスコイルモータなどを含んで構成されるが、図２では図示の便宜上から単なるブロックとして示されている。ウエハテーブルＴＢ上には、その表面がウエハＷの表面とほぼ同一の高さとされた基準マーク板ＦＭが固定されている。この基準マーク板ＦＭの表面には、各種の基準マークが形成されている。また、ウエハテーブルＴＢ上には、基準平面板１４３が固定されている。この基準平面板１４３の表面は、上記基準マーク板ＦＭと同様、ウエハＷの表面とほぼ同一の高さとされている。
【００２７】
基準平面板１４３の一部には、スリット開口が形成されており、このスリット開口を除く部分は、反射膜が成膜された反射面とされている。スリット開口下方のウエハテーブルＴＢの内部には、フォトマルチプライヤチューブ（ＰＭＴ）などの不図示の光電変換素子が配置されている。この光電変換素子からの光電変換信号が主制御装置１２０に供給されている。主制御装置１２０は、前述のＲＦＭ板を投影光学系ＰＬの視野内に位置させ、ウエハテーブルＴＢをＹ軸方向又はＸ軸方向に移動しつつ、光電変換素子からの光電変換信号を受信することで、投影光学系ＰＬによって像面に形成された各種計測用マークの空間像をスリットスキャン方式で計測できるようになっている。すなわち、本実施形態では、基準平面板１４３に形成されたスリット開口及びウエハテーブルＴＢ内の光電変換素子等を含んで、前述の特開２００２−１９８３０３号公報などに開示される空間像計測器が構成されている。
【００２８】
さらに、本実施形態の露光装置本体１０Ａには、送光系１６０ａ及び受光系１６０ｂを有し、ウエハＷ表面の光軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）に関する位置及びＸＹ面に対する傾斜を検出する斜入射方式の多点焦点位置検出系（以下、適宜「多点ＡＦ系」と呼ぶ）が設けられている。本実施形態の多点ＡＦ系と同様の多点ＡＦ系は、例えば特開平６−２８３４０３号公報などに詳細に開示されている。主制御装置１２０では、走査露光時等に、多点ＡＦ系１６０ａ，１６０ｂからのフォーカス信号に基づいてウエハステージ駆動部１２８を介してウエハステージＷＳＴのＺ軸方向への移動に加え、２次元的な傾斜（すなわち、θｘ，θｙ方向の回転）をも制御する、すなわち多点ＡＦ系を用いてウエハステージＷＳＴの移動を制御することにより、照明光ＩＬの照射領域（前述の露光領域ＩＡ）内で投影光学系ＰＬの結像面とウエハＷの表面とを実質的に合致させるオートフォーカス（自動焦点合わせ）及びオートレベリングを実行する。
【００２９】
また、露光装置本体１０Ａでは、ウエハＷ上のアライメントマーク、基準マーク板ＦＭ上の基準マークなどを検出するオフアクシス方式のアライメント系ＡＬＧが投影光学系ＰＬの鏡筒の側面に配置されている。このアライメント系ＡＬＧとしては、例えばウエハＷ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標の像とを撮像素子（ＣＣＤ等）を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のＦＩＡ（Field Image Alignment）系のセンサが用いられる。なお、ＦＩＡ系に限らず、コヒーレントな検出光を対象マークに照射し、その対象マークから発生する散乱光又は回折光を検出したり、その対象マークから発生する２つの回折光（例えば同次数）を干渉させて検出するアライメントセンサを単独であるいは適宜組み合わせてもよい。
【００３０】
図１に戻り、前記ウエハローダ系４０は、Ｙ軸方向に延びるＹガイド１８と、該Ｙガイド１８の上方（図１における紙面手前側）に位置し、Ｘ軸方向に延びるＸガイド２０とを搬送ガイドとして備えている。Ｙガイド１８上には、Ｙガイド１８に沿って移動する水平多関節型のロボット２６が設けられている。また、Ｘガイド２０には、Ｘガイド２０に沿って移動するロードアーム２８とアンロードアーム３０とが設けられている。なお、仕切り壁１４には、これらロードアーム２８、アンロードアーム３０がそれぞれ通過可能な開口が形成されている。さらに、Ｘガイド２０の＋Ｘ側端部近傍の−Ｙ側の位置には、近傍に不図示のウエハエッジセンサが配置されたターンテーブル３２が設けられている。また、ローダ室１２Ｂ内には、ウエハローダ系４０の各部を制御するとともに、後述するＣ／Ｄ側の制御装置との間で通信回線を介して搬送中のウエハに関する情報の交換、すなわち通信を行うローダ制御装置３４が設けられている。
【００３１】
インラインＩ／Ｆ部１１０は、インライン受け渡し部１１４、キャリア台１１８及び水平多関節型ロボット１１６等を備えている。
【００３２】
前記Ｃ／Ｄ装置５０は、Ｃ／Ｄ装置５０の構成各部を統括的に制御する制御用コンピュータとしての塗布・現像制御装置６２、ウエハ受け渡し部６４、Ｙ軸方向に延びるＹガイド６６、Ｙガイド６６に沿って移動する水平多関節型のロボット６８、Ｙガイド６６に対向配置された第１現像部７０、第２現像部７２、及びベーク部７４、第１塗布部７６、第２塗布部７８、冷却部８０を有している。塗布・現像制御装置６２は、Ｃ／Ｄ装置５０内のウエハの搬送系等の他、前述したインラインＩ／Ｆ部１１０内のスカラーロボット１１６等をも制御する。Ｙガイド６６の端部近傍には、インラインＩ／Ｆ部１１０との境界部分にウエハ受け渡し部８２が設けられている。
【００３３】
図３には、リソグラフィシステム１００の制御系の構成がブロック図にて示されている。この図３に示されるように、露光装置１０側の制御系は、主制御装置１２０を中心として構成され、該主制御装置１２０の管理下に前述したローダ制御装置３４などが置かれている。主制御装置１２０は、ワークステーション（又はマイクロコンピュータ）などから成り、この主制御装置１２０には、キーボード、マウス等のポインティングデバイスや、ＣＲＴディスプレイ又は液晶ディスプレイなどを備えた入出力装置２３０が併設されている。一方、Ｃ／Ｄ装置５０側の制御系は、塗布・現像制御装置６２を中心として構成され、この塗布・現像制御装置６２によって、スカラーロボット６８、１１６等が制御される。この塗布・現像制御装置６２にも、入出力装置２３０と同様の入出力装置６３が接続されている。
【００３４】
本実施形態では、露光装置１０側のローダ制御装置３４とＣ／Ｄ装置５０の塗布・現像制御装置６２との間、及び主制御装置１２０と塗布・現像制御装置６２との間で、それぞれデータ通信が可能な構成となっている。この場合、ローダ制御装置３４と塗布・現像制御装置６２との間では、主として搬送中のウエハに関する情報のやり取りが行われる。また、主制御装置１２０と塗布・現像制御装置６２との間では、ウエハＷが露光装置１０へ供給されるまでの時間等の種々の情報のやり取りが行われる。
【００３５】
次に、リソグラフィシステム１００によるウエハの処理動作について説明する。
ここでは、基板（物体）としての第１枚目のウエハＷ（以下、便宜上「ウエハＷ１」と記述する）がウエハ受け渡し部６４上に載置されているものとする。そこで、スカラーロボット６８は、ウエハ受け渡し部６４上からウエハＷを例えば第１塗布部７６内に搬入する。これにより、ウエハＷは、第１塗布部７６内でレジストの塗布が開始される。そして、ウエハＷのレジスト塗布が終了すると、ロボット６８は、ウエハＷを第１塗布部７６からベーク部７４に搬入する。これにより、ウエハＷは、ベーク部７４内で加熱処理（ＰＢ）される。
【００３６】
そして、加熱処理されたウエハＷは、冷却部８０内に搬入されて、露光室１２Ａ内に搬入された際に、その露光室１２Ａ内の各部に影響を与えない温度、例えば２０〜２５℃の範囲で定められた温度に冷却される。そして、冷却部８０内での冷却が終了すると、ウエハＷは、ロボット６８によりウエハ受け渡し部８２上に載置された後、ロボット１１６によってインライン受け渡し部１１４上に載置される。
【００３７】
一方、露光装置１０側では、まず、ロボット２６が、インライン受け渡し部１１４からウエハＷを受け取り、ターンテーブル３２上に載置する。ここでウエハエッジセンサによってウエハエッジの検出が行われ、その検出信号に基づいてローダ制御装置３４によってターンテーブル３２を回転させてウエハＷのノッチ部の方向を所定方向に合わせる。その後、ロードアーム２８がターンテーブル３２上のウエハＷを受け取り、Ｘガイド２０に沿って移動してウエハステージＷＳＴに搬送する。
【００３８】
ウエハステージＷＳＴ上に搬送されたウエハＷに対しては、レチクルＲ（レチクルステージＲＳＴ）とウエハＷ（ウエハステージＷＳＴ）とを各ショット領域の露光のための走査開始位置へ位置決めする動作と、レチクルＲとウエハＷとを同期移動しつつレチクルＲ上のスリット状の照明領域を露光用照明光により照明して、レチクルＲのパターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の各ショット領域に逐次転写する走査露光動作とを、繰り返すことにより露光処理が行われる。上記の露光処理が終了すると、アンロードアーム３０が、露光済みのウエハＷを受け取り、ロボット２６に渡す。そして、ロボット２６により、ウエハＷが搬送され、インライン受け渡し部１１４に渡される。
【００３９】
この後、露光済みのウエハＷは、ロボット１１６によりインライン受け渡し部１１４からウエハ受け渡し部８２上に搬送され、さらにロボット６８によりベーク部７４内に搬入され、該ベーク部７４内でＰＥＢ（ポストベーク）が行われる。
一方、ＰＥＢが終了したウエハＷは、ロボット６８によりベーク部７４から取り出され、例えば第１現像部７０内に搬入され、現像処理される。現像が終了したウエハＷは、ロボット６８によりウエハ受け渡し部６４上に載置される。
【００４０】
ところで、上述したＣ／Ｄ装置５０と、露光装置１０とでは処理能力に差があることがある。本実施形態では、露光装置１０における処理能力がＣ／Ｄ装置５０における処理能力よりも高い場合について説明する。
露光装置１０における処理能力がＣ／Ｄ装置５０における処理能力よりも高い場合、露光装置１０においてウエハＷに対する処理開始までに空き時間（待ち時間）が生じることがある。また、ウエハの処理動作を長期間に亘り円滑に行うためには、リソグラフィシステム１００を構成する露光装置１０やＣ／Ｄ装置５０の構成各部のメンテナンスなどの装置の性能維持のために、露光処理に関連して必要な特定動作（関連処理）を行うことが必要である。なお、この特定動作とは、メンテナンス（定期メンテナンス、その他のメンテナンスの他、部品交換なども含む）、及び自己キャリブレーションなどの、装置の性能維持のために必要な動作であって装置の本来の動作を停止することが必要となる動作の全てを含む。
そこで、本実施形態では、上記装置１０、５０間の処理能力の差により生じる空き時間に、上記特定動作の調整を行う。
【００４１】
ここでは、露光処理に関連する処理の一例として、図４に示すように、キャリブレーションＡ〜Ｃの処理を行う場合について説明する。これらのキャリブレーションＡ〜Ｃは、ウエハ毎やロット毎の頻度で行われるものであり、例えばフォーカスキャリブレーション、照射量センサのキャリブレーションなどを行う。
なお、図４に示す関連処理の実施時間として、比較的短時間のものを「短」、比較的長時間のものを「長」、比較的短時間のものと比較的長時間のものとの間のものを「中」と示している。
【００４２】
なお、上記の複数の露光関連処理（以下、単に関連処理と称する）については、処理に要する時間と優先順位とがオペレータによって予め入出力装置２３０を介して主制御装置１２０に入力されているものとする。また、これら関連処理及びその調整処理は、当該関連処理を実施すべき頻度に応じて、以下の２つのモードを適宜選択して実施する。
【００４３】
（第１モード）
図５（ａ）は、第１モード（第２工程）における１ロット２５枚のウエハに対するリソグラフィシステム１００での処理が開始されてから終了するまでの、露光装置１０側における空き時間と露光処理時間とを示したタイムチャートである。この図に示すように、Ｃ／Ｄ装置５０においてロット先頭のウエハに対する処理が開始された時間Ｔ０から、レジスト塗布処理が完了して空き時間Ｔ１が経過した後に、露光装置１０では１枚目のウエハＷに対して処理時間Ｔｅで露光処理を実施し、以後は、空き時間Ｔ２を介して２枚目以降のウエハＷ２〜Ｗ２５に対してそれぞれ処理時間Ｔｅで露光処理を実施する。この空き時間Ｔ１、Ｔ２は、塗布・現像制御装置６２から主制御装置１２０に出力されるものである。
【００４４】
そして、露光装置１０においては、主制御装置１２０が調整装置として、上記の空き時間Ｔ１、Ｔ２において、露光装置１０で予め設定されている優先順位に基づいて上記関連処理を逐次実施させる。具体的には、まず空き時間Ｔ１においては、空き時間Ｔ１内で完了する関連処理の中、優先順位の高い処理から順次実施する。この場合、例えば、長い空き時間Ｔ１においては、処理時間が長いキャリブレーションＣ等の較正処理を実施する。また、短い空き時間Ｔ２においては、処理時間が短いキャリブレーションＡ等の較正処理を実施する。さらに、上記空き時間Ｔ１、Ｔ２で関連処理を実施した残りの空き時間内で完了する処理が存在する場合には、その関連処理を実施し、残りの空き時間では完了する関連処理がなくなるまで、関連処理を実施する。なお、いずれの場合でも、実施可能な関連処理が複数存在する場合には、設定されている上記優先順位に応じて、実施する関連処理を異ならせて選択することが好ましい。
【００４５】
また、ウエハＷ２の露光処理以後で生じる空き時間Ｔ２においては、空き時間Ｔ２内で完了する関連処理の中、それ以前の処理前の空き時間Ｔ１、Ｔ２で未実施の関連処理を優先して選択・実施する。この場合も複数の関連処理が選択可能であれば、上記優先順位の高い処理を選択し、さらに、複数の関連処理が実施可能であれば、これらの関連処理を選択して連続して実施する。
【００４６】
（第２モード）
続いて、第２モード（第１工程）について説明する。
例えば上記のキャリブレーション以外の例えば露光に用いるレーザの材料であるガスの交換や、光学系と液体を介してパターンを形成する液浸露光装置に用いられる液体の交換は、場合によっては３０分程度の長い処理時間を要するため、上記第１モードでの空き時間Ｔ１、Ｔ２で処理時間を確保することが困難である。そこで、このように処理時間が長い関連処理を実施する必要が生じる場合には、ウエハに対する総処理時間を増やすことなく、長い処理時間を確保できるモードを選択する。
【００４７】
図５（ｂ）は、第２モードにおける１ロット２５枚のウエハに対するリソグラフィシステム１００での処理が開始されてから終了するまでの、露光装置１０側における空き時間と露光処理時間とを示したタイムチャートである。この図に示すように、第２モードにおいては、予めＣ／Ｄ装置５０の塗布・現像制御装置６２から出力されて判明している空き時間Ｔ２について、ウエハの数に応じて合計し、さらに空き時間Ｔ１と併せた空き時間Ｔ３として設定する（図５（ｂ）では空き時間Ｔ２を４枚分のみ図示しているが、実際には２４枚分）。そして、ウエハＷ１〜Ｗ２５に対する露光処理については、空き時間Ｔ３が経過した後に、空き時間を設けることなく連続して実施する。
【００４８】
そして、露光装置１０においては、第１モードと同様に、主制御装置１２０が空き時間Ｔ３に応じて、上述した関連処理を実施させるが、第２モードでは長時間の空き時間Ｔ３を確保できるため、上記キャリブレーションやレーザガス交換処理等を実施できる。また、このモードにおいても、関連処理を実施した後の空き時間で完了する処理が存在する場合には、その関連処理を実施し、残りの空き時間では完了する関連処理がなくなるまで、関連処理を実施する。また、実施可能な関連処理が複数存在する場合には、設定されている上記優先順位に応じて、実施する関連処理を異ならせて選択することが好ましい。
なお、本実施形態では、露光装置１０における処理能力がＣ／Ｄ装置５０における処理能力よりも高い場合について説明したが、露光装置１０における処理能力がＣ／Ｄ装置５０における処理能力よりも低い場合でも本発明を用いることができることはいうまでもない。
【００４９】
以上説明したように、本実施形態では、Ｃ／Ｄ装置５０が停止しない場合でも、処理能力の差により生じる空き時間に露光関連処理及びその調整処理を実施するため、この空き時間を有効に活用することで、例えばこれらの関連処理及びその調整処理のための時間を別途設ける必要がなくなり、生産性の向上に寄与できる。
また、本実施形態では、従来では実施していないタイミングで、例えば各種計測処理に係るキャリブレーションを実施できるため、それ以降の露光処理における計測精度が向上し、パターンの転写精度やパターン線幅の微細化等、露光精度の向上にも寄与できる。
さらに、本実施形態では、実施すべき関連処理に要する時間に応じて第１モード、第２モードを選択できるため、処理時間が長い関連処理が存在する場合でも、露光処理時間を長くすることなく当該関連処理を実施して露光装置１０の性能を確保することができる。
【００５０】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について、図６を参照して説明する。ここで、前述した第１の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を省略するものとする。この第２実施形態のリソグラフィシステムは、制御系の構成が、前述した第１実施形態と相違するのみであるから、以下では、この相違点を中心として説明する。
【００５１】
図６には、第２の実施形態のリソグラフィシステムの制御系の構成が、ブロック図にて示されている。この図６に示されるように、第２の実施形態では、Ｃ／Ｄ装置５０側の塗布現像装置６２と、露光装置１０の主制御装置１２０とに、管理装置としてのホストコンピュータ９０が共通に接続されている。このリソグラフィシステムでは、主制御装置１２０で管理されている露光装置１０側の前述の各種の関連処理に関する情報（処理内容、時期（タイミング）、所要時間など）が、常時ホストコンピュータ９０に送られている。また、塗布・現像制御装置６２で管理されている、Ｃ／Ｄ装置５０側の露光関連処理に関する情報が、常時ホストコンピュータ９０に送られている。そして、ホストコンピュータ９０では、露光装置１０側及びＣ／Ｄ装置５０側の関連処理の必要性などを総合的に管理し、Ｃ／Ｄ装置５０側の関連処理と露光装置１０側の関連処理とを、調整装置として協調して行う。
【００５２】
具体的には、ホストコンピュータ９０は、Ｃ／Ｄ装置５０側から出力された塗布処理状況に応じて、露光装置１０にウエハＷが供給されるまでの空き時間を予測し、露光装置１０側の主制御装置１２０に出力する。そして、主制御装置１２０では、ホストコンピュータ９０から出力（フィードフォワード）された空き時間に基づいて、上述した関連処理を実施させる。また、ホストコンピュータ９０は、Ｃ／Ｄ装置５０における塗布処理が実施される毎に、露光装置１０にウエハＷが供給されるまでの空き時間を予測し、主制御装置１２０に出力する空き時間情報を逐次修正する。これにより、主制御装置１２０においては、常時、より正確な空き時間情報に基づいて的確に上述した関連処理を選択することができる。同様に、ホストコンピュータ９０は、露光装置１０側（主制御装置１２０）から出力された露光処理状況に応じて、空き時間を予測し、主制御装置１２０に出力する構成としてもよい。この場合も、露光処理状況によって変動する空き時間を正確に把握することが可能になり、上述した関連処理を的確に選択して実施させることができる。
【００５３】
また、ホストコンピュータ９０は、リソグラフィシステム１００で処理が施されたウエハを計測した結果に基づいて（フィードバックして）、空き時間に実施すべき関連処理を主制御装置１２０に選択させることもできる。例えばウエハに重ね合わせて形成されたパターンの重ね合わせ精度が規定値以下であった場合、ホストコンピュータ９０は、主制御装置１２０に対して、実施すべき関連処理を異ならせて、アライメントキャリブレーションを優先的に選択して実施させるように指示を出したり、パターン線幅が規定値から外れている場合に主制御装置１２０に対してフォーカスキャリブレーションを優先的に選択して実施させるように指示を出す構成としてもよい。
【００５４】
（第３実施形態）
続いて、本発明の第３実施形態について説明する。
上記実施形態では、空き時間または空き時間に相当（対応）する時間を使って、関連処理を開始する手順としているが、本実施形態では、この空き時間または空き時間に相当する時間を用い、関連処理時間を延ばして実施する場合について説明する。
【００５５】
例えば、ウエハＷに対する露光処理が第２層目以降の露光処理であるときには、既に形成されているパターンと重ね合わせ精度良く回路パターンを形成するために、アライメント系ＡＬＧを使用したＥＧＡ計測（特開昭６１−４４４２９号公報等に開示されているいわゆるエンハンストグローバルアライメント）により、ウエハＷ上におけるショット領域の配列座標が高精度で検出される。このＥＧＡ計測では、ウエハＷ上の所定配置の複数（例えば８ヶ所）のウエハマークの座標を統計処理することによって、ウエハＷ上の全部のショット領域の配列座標の算出を行っているが、上述した空き時間Ｔ１、Ｔ２が通知された際には、この空き時間で計測可能なウエハマークの個数（例えば１２ヶ所）を求めておき、ＥＧＡ計測を実施する際に、空き時間に相当する時間を延ばして、１２ヶ所の計測・演算処理を行う。
【００５６】
このように、空き時間を活用して、関連処理の処理時間を延ばして実施することにより、ウエハに対する総処理時間を増加させることなく、パターンの転写精度等の露光精度を向上させることが可能になる。
なお、処理時間を延ばすことで、精度向上に寄与する関連処理としては、上記のＥＧＡ計測の他に、例えば冷却部８０における温度調節処理が挙げられる。
この場合、上述した空き時間を利用して、レジスト塗布後のウエハに対する冷却時間を長くして、より露光室１２Ａ内の温度に近づけることができ、温度差に起因してウエハＷに歪が生じたり、ウエハホルダ２５を膨張させたりすることを防止して、露光精度の向上に寄与できる。
【００５７】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００５８】
例えば、上記第１実施形態では、第１モードと第２モードとを選択して実施する構成としたが、長時間に亘って関連処理及びその調整処理が実施可能な第２モードのみを連続して実施することも可能である。ただし、特にレーザ光源を用いる場合、ウエハに対する露光処理が完了してから、現像処理を実施するまでの時間を一定に維持することで、レジストの感光特性を一定状態に維持する点を考慮した場合、通常は第１モードを選択し、比較的長時間の関連処理を実施する場合に第２モードを選択することが好ましい。
【００５９】
また、上記実施形態では、露光装置とＣ／Ｄ装置とが接続されたシステムに本発明を適用する構成としたが、これに限定されるものではなく、例えば基板（ウエハ）を検査する検査装置とＣ／Ｄ装置とが接続されたシステムや、上記検査装置と露光装置とが接続されたシステム、さらには基板搬送装置と露光装置とが接続されたシステムなど、複数の処理装置を用いて電子部品を製造するシステムに広く適用可能である。
【００６０】
なお、２つの処理装置の能力差による空き時間を利用するだけでなく、第１の処理装置、第２の処理装置、第３の処理装置……のように、３つ以上の処理装置がある場合、所定の処理装置の処理能力（例えば第３の処理装置）と、この所定の処理装置よりも前処理を行う複数の処理装置の処理能力（例えば第１の処理装置と第２の処理装置とを合わせた処理能力）との処理能力差による空き時間を利用することもできる。
【００６１】
なお、上記各実施形態の基板（物体）としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００６２】
露光装置１０としては、レチクルＲとウエハＷとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、レチクルＲとウエハＷとを静止した状態でレチクルＲのパターンを一括露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明はウエハＷ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００６３】
露光装置１０の種類としては、ウエハＷに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００６４】
また、本発明が適用される露光装置の光源には、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）等のみならず、ｇ線（４３６ｎｍ）及びｉ線（３６５ｎｍ）を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、反射屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではなく、投影光学系の光軸（レチクル中心）と投影領域の中心とが異なる位置に設定される屈折型の投影光学系にも適用可能である。
【００６５】
また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置に適用したが、液浸露光装置については、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
【００６６】
また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウエハステージに適用してもよい。
【００６７】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００６８】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図７は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００６９】
図８は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００７０】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るリソグラフィシステムの構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１の露光装置の構成を示す図である。
【図３】図１のリソグラフィシステムの制御系の構成を概略的に示すブロック図である。
【図４】露光処理に関連する処理の一例を示す図表である。
【図５】露光装置における空き時間と露光処理時間とを示したタイムチャートである。
【図６】第２実施形態に係るリソグラフィシステムの制御系の構成を概略的に示すブロック図である。
【図７】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図８】図７におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
ＡＬＧ…アライメント系（関連処理装置）、  Ｒ…レチクル（マスク）、  Ｗ…ウエハ（基板、物体）、  １…レーザ装置（用力供給装置、関連処理装置）、  １０…露光装置（第２の処理装置）、  ５０…Ｃ／Ｄ装置（第１の処理装置）、  ９０…ホストコンピュータ（調整装置）、  １００…リソグラフィシステム（電子部品の製造システム）、  １２０…主制御装置（調整装置）
【図１】
2008124380.tif 000003
【図２】
2008124380.tif 000004
【図３】
2008124380.tif 000005
【図４】
2008124380.tif 000006
【図５】
2008124380.tif 000007
【図６】
2008124380.tif 000008
【図７】
2008124380.tif 000009
【図８】
2008124380.tif 000010