(57)【要約】【課題】高周波の信号を精度よく検波する検波素子を提供する。【解決手段】基板と、基板の上面に形成され、半導体材料に不純物が添加された不純物層と、金属材料で形成され、不純物層の上面と接触して設けられたアノード電極と、アノード電極の上面に接触して設けられ、受信した信号をアノード電極に供給するアンテナ部と、基板の上面に形成され、アノード電極に供給された信号を、不純物層を介して受け取るカソード電極とを備え、アノード電極の、アンテナ部と接触する上面において、アンテナ部が接触する位置に窪み部を形成した検波素子を提供する。【選択図】図１
2008078420.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上面に形成され、半導体材料に不純物が添加された不純物層と、
金属材料で形成され、前記不純物層の上面と接触して設けられたアノード電極と、
前記アノード電極の上面に接触して設けられ、受信した信号を前記アノード電極に供給するアンテナ部と、
前記基板の前記上面に形成され、前記アノード電極に供給された信号を、前記不純物層を介して受け取るカソード電極と
を備え、
前記アノード電極の、前記アンテナ部と接触する前記上面において、前記アンテナ部が接触する位置に窪み部を形成した検波素子。
【請求項２】
前記不純物層は、
前記基板の上面に形成され、半導体材料に不純物が添加された高濃度不純物層と、
前記高濃度不純物層の上面に形成され、前記半導体材料に添加される前記不純物の濃度が前記高濃度不純物層より低い低濃度不純物層と
を有し、
前記検波素子は、前記高濃度不純物層の前記上面において前記低濃度不純物層の周囲を囲むように設けられ、前記高濃度不純物層とオーミック接触するガードリングを更に備える
請求項１に記載の検波素子。
【請求項３】
前記アノード電極は、
前記アンテナ部と接続されるアンテナ側接触部と、
前記アンテナ側接触部から前記低濃度不純物層に、前記アンテナ側接触部より延伸して設けられ、延伸方向における断面積が前記アンテナ側接触部より小さい不純物層側接触部と
を有し、
前記検波素子は、
前記アンテナ側接触部と、前記低濃度不純物層との間に、絶縁材料で形成された支持部を更に備える
請求項２に記載の検波素子。
【請求項４】
前記アノード電極は、前記支持部を前記低濃度不純物層の上面に形成し、前記支持部の上面から前記低濃度不純物層の前記上面まで貫通孔を形成し、前記支持部の前記上面に前記金属材料を堆積することにより形成される
請求項３に記載の検波素子。
【請求項５】
前記低濃度不純物層は、前記高濃度不純物層の前記上面における略中心に形成され、
前記ガードリングは、前記高濃度不純物層の前記上面における端部に形成される
請求項２に記載の検波素子。
【請求項６】
無線信号を受信する受信装置であって、
前記無線信号を検出し、電気信号に変換する検波素子と、
前記電気信号を処理する電気回路と
を備え、
前記検波素子は、
基板と、
前記基板の上面に形成され、半導体材料に不純物が添加された不純物層と、
金属材料で形成され、前記不純物層と接触して設けられたアノード電極と、
前記アノード電極の上面に接触して設けられ、受信した前記無線信号に応じた信号を前記アノード電極に供給するアンテナ部と、
前記基板の前記上面に形成され、前記アノード電極に供給された信号を、前記不純物層を介して受け取り、前記電気信号として出力するカソード電極と
を備え、
前記アノード電極の、前記アンテナ部と接触する面において、前記アンテナ部が接触する位置に窪み部を形成した受信装置。
【請求項７】
検波素子を製造する製造方法であって、
半導体材料に不純物が添加された不純物層を、基板の上面に形成し、
前記不純物層と接触するアノード電極を金属材料で形成し、
前記アノード電極の上面に窪み部を形成し、
前記アノード電極の前記窪み部に挿入して設けられ、受信した信号を前記アノード電極に供給するアンテナ部を形成し、
前記基板の前記上面に形成され、前記アノード電極に供給された信号を、前記不純物層を介して受け取るカソード電極を形成する製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検波素子、受信装置、及び製造方法に関する。特に本発明は、高周波の無線信号を検波するのに適した検波素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線信号を検波する装置として、ショットキーバリアダイオードを用いた装置が考えられる。例えば、アンテナ部により電気信号に変換した信号を、ショットキーバリアダイオードを用いて整流して検波することが考えられる。
【０００３】
ショットキーバリアダイオードは、金属材料のアノード電極及びカソード電極間に、低濃度の不純物層及び高濃度の不純物層が設けられることによりショットキー障壁が形成され、ダイオードとして動作する。例えば、低濃度不純物層の上面にアノード電極が接触し、高濃度不純物層の側面にカソード電極が接触して設けられる。また、低濃度不純物層は、高濃度不純物層の上面に形成される（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５，０４１，８８１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上述したショットキーバリアダイオードは、高周波の信号に応じて動作することが困難であった。例えば、低濃度不純物層からの高周波電流が、表皮効果により高濃度不純物層の表面を伝送してカソード電極に供給されてしまい、ダイオードとして精度よく動作することが困難であった。また、電極と不純物層との間の寄生容量が大きく、高周波の信号を精度よく伝送することが困難であった。
【０００６】
このため、本発明の一つの側面においては、上記の課題を解決する検波素子、受信装置、及び製造方法を提供することを目的とする。この目的は、請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の第１の形態においては、基板と、基板の上面に形成され、半導体材料に不純物が添加された不純物層と、金属材料で形成され、不純物層の上面と接触して設けられたアノード電極と、アノード電極の上面に接触して設けられ、受信した信号をアノード電極に供給するアンテナ部と、基板の上面に形成され、アノード電極に供給された信号を、不純物層を介して受け取るカソード電極とを備え、アノード電極の、アンテナ部と接触する上面において、アンテナ部が接触する位置に窪み部を形成した検波素子を提供する。
【０００８】
本発明の第２の形態においては、無線信号を受信する受信装置であって、無線信号を検出し、電気信号に変換する検波素子と、電気信号を処理する電気回路とを備え、検波素子は、基板と、基板の上面に形成され、半導体材料に不純物が添加された不純物層と、金属材料で形成され、不純物層と接触して設けられたアノード電極と、アノード電極の上面に接触して設けられ、受信した無線信号に応じた信号をアノード電極に供給するアンテナ部と、基板の上面に形成され、アノード電極に供給された信号を、不純物層を介して受け取り、電気信号として出力するカソード電極とを備え、アノード電極の、アンテナ部と接触する面において、アンテナ部が接触する位置に窪み部を形成した受信装置を提供する。
【０００９】
本発明の第３の形態においては、検波素子を製造する製造方法であって、半導体材料に不純物が添加された不純物層を、基板の上面に形成し、不純物層と接触するアノード電極を金属材料で形成し、アノード電極の上面に窪み部を形成し、アノード電極の窪み部に挿入して設けられ、受信した信号をアノード電極に供給するアンテナ部を形成し、基板の前記上面に形成され、アノード電極に供給された信号を、不純物層を介して受け取るカソード電極を形成する製造方法を提供する。
【００１０】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１２】
図１及び図２は、本発明の一つの実施形態に係る検波素子１００の構成の一例を示す図である。図２は、検波素子１００の上面図の一例を示し、図１は、図２におけるＡ−Ａ'間の断面図の一例を示す。
【００１３】
検波素子１００は、基板１０、第１の絶縁層１２、第２の絶縁層１４、第３の絶縁層、不純物層（高濃度不純物層１８、低濃度不純物層２２）、ガードリング２４、アノード電極２６、カソード電極３０、及びアンテナ部３２を備える。基板１０は、例えば半絶縁性半導体の基板である。本例において基板１０は、ＳＩ−ＧａＡｓ基板である。尚、本例においては、ＧａＡｓを主材料とした検波素子１００を説明するが、他の材料を主材料として形成してもよい。例えばＩｎＰ又はＧａＮ等を主材料として検波素子１００を形成してよい。
【００１４】
第１の絶縁層１２は、基板１０の上面に形成される。第１の絶縁層１２は、例えばｎ＋−ＧａＡｓ層に、所定の材料をインプラントすることにより、絶縁層として形成される。高濃度不純物層１８は、基板１０の上面に形成され、半導体材料に不純物が添加される。本例における高濃度不純物層１８は、ＧａＡｓに不純物を添加して形成される。また、第１の絶縁層１２と高濃度不純物層１８は、基板１０の同一の面に形成される。例えば基板１０の上面にＧａＡｓ層を形成し、高濃度不純物層１８を形成する領域にレジストを塗布した後に、ＧａＡｓ層に所定の材料をインプラントすることにより形成されてよい。本例において、高濃度不純物層１８は、基板１０の上面において、略円形の領域に形成される。
【００１５】
低濃度不純物層２２は、高濃度不純物層１８の上面に形成され、半導体材料に不純物が添加される。尚、低濃度不純物層２２において、半導体材料に添加される不純物の濃度は、高濃度不純物層１８における不純物の濃度より低い。本例において低濃度不純物層２２は、高濃度不純物層１８と同一の半導体材料（ＧａＡｓ）に、同一の不純物が、より低濃度で添加される。
【００１６】
また本例において、基板１０の上面における、低濃度不純物層２２の面積は、高濃度不純物層１８の面積より小さい。本例では、低濃度不純物層２２は、高濃度不純物層１８の上面の略中心に、略円形に形成される。また、高濃度不純物層１８は、アンテナ部３２と電気的接触が可能な程度の面積を有していればよい。当該面積以上であれば、高濃度不純物層１８の面積は、低濃度不純物層２２の面積と略同一であってよく、低濃度不純物層２２の面積より小さくてもよい。
【００１７】
ガードリング２４は、高濃度不純物層１８の上面において、低濃度不純物層２２の周囲を囲むように設けられる。例えばガードリング２４は、高濃度不純物層１８の端部に、リング状に形成される。また、ガードリング２４の外周は、高濃度不純物層１８の外周に沿って形成されてよい。また、ガードリング２４の内周は、低濃度不純物層２２の外周と高濃度不純物層１８の外周との間に、同心円状に形成されてよい。また、高濃度不純物層１８の上面に対する、ガードリング２４の高さは、低濃度不純物層２２より高く形成されてよい。
【００１８】
また、ガードリング２４は、高濃度不純物層１８とオーミック接触して設けられる。ガードリング２４は、例えばＡｕＧｅＮｉを主材料として形成してよい。例えばガードリング２４は、ＧａＡｓに、ＡｕＧｅを４００度程度で合金化して形成してよい。これにより、ＧａＡｓとのバンドの障壁を低減し、高濃度不純物層１８との間の抵抗を低減することができる。また、ガードリング２４は、ＩｎＳｎ、ＡｕＳｉ等を主材料として形成してもよい。
【００１９】
アノード電極２６は、金属材料で形成され、低濃度不純物層２２の上面と接触して設けられる。アノード電極２６は、例えばチタン又は金で形成されてよく、これらの合金で形成されてもよい。また、図１においては、アノード電極２６の上面と、アンテナ部３２とを離間して示しているが、アノード電極２６の上面は、アンテナ部３２と接触して設けられる。アノード電極２６の上面には、アンテナ部３２が接触する位置に窪み部２８が形成される。
【００２０】
アンテナ部３２は、金属材料で形成され、針状の外形を有してよい。アンテナ部３２は、外部から受信した無線信号（例えば電磁波信号、光信号等）を電気信号に変換してアノード電極２６に供給する。
【００２１】
カソード電極３０は、ガードリング２４の一部と接触して設けられる。例えばカソード電極３０は、図２に示すように、ガードリング２４の略半周の領域と、接触して設けられてよい。この場合、図２に示すように、カソード電極３０は、少なくともガードリング２４の略半周の領域を覆うように形成される。但し、図１及び図２に示すように、カソード電極３０は、ガードリング２４の内周より内側には形成されないことが好ましい。また、カソード電極３０は、チタン又は金で形成されてよく、これらの合金で形成されてもよい。カソード電極３０は、アノード電極２６に供給された信号を、低濃度不純物層２２、高濃度不純物層１８、及びガードリング２４を介して受け取る。
【００２２】
第２の絶縁層１４は、第１の絶縁層１２及び高濃度不純物層１８の上面において、カソード電極３０が形成されていない領域に設けられる。また、第２の絶縁層１４が形成されるべき領域に、ガードリング２４又は低濃度不純物層２２が形成されている場合、第２の絶縁層１４は、これらの上面に形成される。更に、低濃度不純物層２２の上面に形成される第２の絶縁層１４には、アノード電極２６と低濃度不純物層２２とを接触させる貫通孔が形成される。第２の絶縁層１４は、例えばＳｉＮ又はＳｉＯ２等により形成されてよい。
【００２３】
第３の絶縁層は、図１及び図２に示すように、検波素子１００の上面において、カソード電極３０が形成されていない領域に設けられる。但し、図１及び図２に示すように、第３の絶縁層は、第２の絶縁層１４の貫通孔に対応する位置に、貫通孔が設けられる。当該貫通孔と、第２の絶縁層１４とに、アノード電極２６が設けられる。第３の絶縁層は、例えばＢＣＢ又はポリイミド等により形成されてよい。
【００２４】
このような構成により、ショットキーバリアダイオードの整流機能を有する検波素子１００を形成することができる。また、本例における検波素子１００は、アノード電極２６と、カソード電極３０とが、不純物層に対して同一の方向に形成される。つまり、アノード電極２６から低濃度不純物層２２を介して高濃度不純物層１８に流れる電流の方向と、高濃度不純物層１８からガードリング２４を介してカソード電極３０に流れる電流の方向とが逆方向となる。このため、これらの電流により生じる電磁波を相殺することができる。このため、高周波の信号に応じて精度よく動作することができる。
【００２５】
また、高濃度不純物層１８の上面において、低濃度不純物層２２の周囲を囲むようにガードリング２４を形成し、更にカソード電極３０を、ガードリング２４を介して高濃度不純物層１８に接続させているので、低濃度不純物層２２からカソード電極３０に表皮効果により流れる電流を低減することができる。このため、高周波の信号に応じて更に精度よく動作することができる。また、アノード電極２６の上面に窪み部２８を形成しているので、アンテナ部３２を容易に設置することができる。
【００２６】
図３及び図４は、検波素子１００の一部分を拡大した一例を示す図である。図３は、図１に示した断面図の一部を拡大した例を示し、図４は、図２に示した上面図の一部を拡大した例を示す。但し、図４では、検波素子１００の上面において、高濃度不純物層１８、ガードリング２４、第２の絶縁層１４、低濃度不純物層２２、及びアノード電極２６を透過した図を示す。
【００２７】
図３に示すように、アノード電極２６は、アンテナ部３２と接続されるアンテナ側接触部２６−１と、低濃度不純物層２２と接触する不純物層側接触部２６−２とを有する。不純物層側接触部２６−２は、アンテナ側接触部２６−１から低濃度不純物層２２に、アンテナ側接触部２６−１の下面から延伸して設けられる。図４に示すように、延伸方向における不純物層側接触部２６−２の断面積は、アンテナ側接触部２６−１の断面積より小さい。例えば不純物層側接触部２６−２の外周が、アンテナ側接触部２６−２の外周の内側で同心円状となるように、不純物層側接触部２６−２を設けてよい。このような構成により、不純物層側接触部２６−２と、低濃度不純物層２２との接触面積を低減することができ、当該接触面における寄生容量を低減することができる。このため、高周波の信号に応じて更に精度よく動作することができる。
【００２８】
また、第２の絶縁層１４は、アンテナ側接触部２６−１と、低濃度不純物層２２との間にも形成されることが好ましい。つまり、アンテナ側接触部２６−１と、低濃度不純物層２２との間において、不純物層側接触部２６−２が設けられていない領域にも、第２の絶縁層１４が形成されることが好ましい。アンテナ側接触部２６−１の下面には、不純物層側接触部２６−２が設けられていない領域３４が存在する。第２の絶縁層１４は、領域３４と低濃度不純物層２２との間を充填するように形成される。このような構成により、第２の絶縁層１４は、断面積の小さい不純物層側接触部２６−２の強度を補完する支持部としても機能することができる。このため、上述したように寄生容量を低減した場合において、アノード電極２６の強度を向上させることができる。
【００２９】
また、アンテナ側接触部２６−１と、不純物層側接触部２６−２とは、一体に形成されてよい。例えばアノード電極２６は、第２の絶縁層１４を低濃度不純物層２２の上面に形成し、第２の絶縁層１４の上面から低濃度不純物層２２の上面まで貫通孔を形成し、第２の絶縁層１４の上面に金属材料を堆積することにより形成されてよい。また、第３の絶縁層にも、アンテナ側接触部２６−１が形成されるべき貫通孔を形成し、これらの貫通孔に金属材料を充填することにより形成されてよい。このような工程により、アンテナ側接触部２６−１の上面において、第２の絶縁層１４の貫通孔に応じた位置に、窪み部２８を容易に形成することができる。
【００３０】
図５及び図６は、検波素子１００を製造する製造方法のプロセスの一例を示す図である。まず、図５（ａ）に示すように、基板１０の上面に高濃度不純物層１８を形成する。そして、高濃度不純物層１８の上面に、低濃度不純物層２２を形成する。低濃度不純物層２２は、レジスト塗布、パターン露光、レジストエッチング、低濃度不純物層２２の形成、及びレジスト除去の工程により形成してよい。そして、高濃度不純物層１８の上面に、ガードリング２４を形成する。ガードリング２４は、低濃度不純物層２２と同様の工程により形成してよい。
【００３１】
次に、図５（ｂ）に示すように、高濃度不純物層１８の上面において、ガードリング２４の外周より内側の領域にレジスト５０を形成する。そして、高濃度不純物層１８の上面に、所定の材料をインプラントすることにより、第１の絶縁層１２を形成し、レジスト５０を除去する。
【００３２】
次に、図５（ｃ）に示すように、高濃度不純物層１８及び第１の絶縁層１２の上面に、第２の絶縁層１４を形成する。このとき、第２の絶縁層１４は、高濃度不純物層１８及び第１の絶縁層１２の上面の全面に形成されてよい。そして、第２の絶縁層１４に貫通孔を形成し、低濃度不純物層２２の上面の一部を表出させる。次に、第２の絶縁層１４の上面にレジスト５０を塗布し、アノード電極２６が形成されるべき領域のレジスト５０を除去する。このとき、第２の絶縁層１４に形成された貫通孔と、レジスト５０に形成される貫通孔とに形成されるアノード電極２６が、図３において説明した形状となるようにレジスト５０を露光する。そして、レジスト５０の上面に金属材料を堆積させ、貫通孔を充填する。レジスト５０を除去することにより、アノード電極２６が形成される。
【００３３】
次に、図６（ａ）に示すように、第２の絶縁層１４の上面における所定の領域に、レジスト５０を塗布する。レジスト５０は、図２において説明したように、検波素子１００の上面において、カソード電極３０を設けない領域に形成される。そして、ＩＣＰエッチング等により、第２の絶縁層１４の一部を除去する。また、レジスト５０を除去する。これにより、ガードリング２４の一部が表出する。
【００３４】
次に、図６（ｂ）に示すように、検波素子１００の上面における所定の領域に、レジスト５０を塗布する。レジスト５０は、図６（ａ）において説明したレジスト５０と略同一の領域に形成されてよい。そして、検波素子１００の上面を金属材料でメッキし、レジスト５０を除去する。これにより、ガードリング２４と接触するカソード電極３０を形成する。
【００３５】
次に、図６（ｃ）に示すように、アノード電極２６及びカソード電極３０を覆うように、検波素子１００の上面にレジスト５０を形成する。そして、検波素子１００の上面にＢＣＢ層を形成し、レジスト５０を除去する。以上の工程により、検波素子１００を製造することができる。
【００３６】
図７は、本発明の他の実施形態に係る受信装置３００の構成の一例を示す図である。受信装置３００は、無線信号を受信する装置であって、検波部２００及び電気回路２３０を有する。
【００３７】
検波部２００は、検波素子１００、コンデンサ２１０、及び抵抗２２０を備える。検波素子１００は、図１から図６において説明した検波素子１００と同一である。検波素子１００は、アンテナ部３２に無線信号を受け取る。アンテナ部３２は、当該無線信号を電気信号に変換し、アノード電極２６に供給する。アノード電極２６、低濃度不純物層２２、高濃度不純物層１８、ガードリング２４、及びカソード電極３０はショットキーバリアダイオードとして機能し、電気信号を整流して出力する。
【００３８】
コンデンサ２１０及び抵抗２２０は、検波素子１００が出力する整流信号に応じた信号を電気回路２３０に供給する。例えばコンデンサ２１０及び抵抗２２０は、整流信号を積分した信号を電気回路２３０に供給してよい。電気回路２３０は、与えられる信号に応じて動作する。例えば電気回路２３０は、与えられる信号を復調する復調回路等を有してよい。本例における受信装置３００によれば、高周波の信号を精度よく受信することができる。受信装置３００は、例えばテラヘルツの信号を受信する装置であってよい。
【００３９】
また、検波部２００は、同一の半導体チップに形成されてよい。例えばコンデンサ２１０及び抵抗２２０は、基板１０に形成されてよい。また、受信装置３００も、同一の半導体チップに形成されてよい。例えば電気回路２３０は、基板１０に形成されてよい。
【００４０】
図８は、本発明の他の実施形態に係る分析装置４００の構成例を示す図である。分析装置４００は、被測定サンプル５００の光吸収特性等を測定する装置である。図８（ａ）に示した分析装置４００は、光発生器４１０、第１のアンテナ４２０、第１のレンズ４３０、第２のレンズ４４０、第２のアンテナ４５０、及び検波素子１００を備える。
【００４１】
光発生器４１０は、所定の周波数の光を出力する。例えば光発生器４１０は、テラヘルツ帯の光を出力する。第１のアンテナ４２０は、光発生器４１０が出力する光を平行光に変換して出力する。
【００４２】
第１のレンズ４３０は、第１のアンテナ４２０が出力光を、被測定サンプル５００に照射する。ここで第１のレンズ４３０は、被測定サンプル５００の被測定箇所に焦点が位置するように、当該光を集光する。分析装置４００は、被測定サンプル５００の被測定箇所に光を集光するように、第１のレンズ４３０を制御する制御部を更に備えてよい。当該制御部は、例えば第１のレンズ４３０の位置等を制御してよい。
【００４３】
第２のレンズ４４０は、被測定サンプル５００から照射される光を平行光に変換する。例えば第２のレンズ４４０は、被測定サンプル５００が透過した透過光を平行光に変換してよく、また被測定サンプル５００が反射した反射光を平行光に変換してもよい。分析装置４００は、被測定サンプル５００の被測定箇所からの透過光又は反射光を平行光に変換するように、第２のレンズ４４０を制御する制御部を更に備えてよい。当該制御部は、例えば第２のレンズ４４０の位置等を制御してよい。
【００４４】
第２のアンテナ４５０は、第２のレンズ４４０が出力する透過光又は反射光を受け取り、検波素子１００に供給する。第２のアンテナ４５０は、検波素子１００のアンテナ部３２であってもよい。検波素子１００は、図１から図７に関連して説明した検波素子１００である。検波素子１００は、受け取った透過光又は反射光の強度を検波する。
【００４５】
また、光発生器４１０は、出力する光の周波数を掃引する。そして、検波素子１００は、光発生器４１０が出力する光の周波数毎に、透過光又は反射光の強度を検波する。このような構成により、被測定サンプル５００の被測定箇所における光吸収スペクトルを測定することができる。分析装置４００は、当該光吸収スペクトルに基づいて、被測定箇所の組成を分析してよい。例えば分析装置４００は、薬品等の被測定サンプル５００の組成を分析してよい。
【００４６】
図８（ｂ）に示した分析装置４００は、図８（ａ）に示した分析装置４００の構成に加え、ローカル光発生器４７０、第３のアンテナ４８０、反射部４９０、及び合波器４６０を更に備える。他の構成要素は、図８（ａ）において同一の符号を付した構成要素と同一であってよい。
【００４７】
ローカル光発生器４７０は、光発生器４１０が出力する光に対して、所定のＩＦ周波数だけ異なる周波数のローカル光を出力する。例えば光発生器４１０が出力光の周波数を掃引する場合、ローカル光発生器４７０は、当該出力光の周波数の掃引に同期して、且つ当該出力光に対する周波数差を上記ＩＦ周波数に維持して、ローカル光の周波数を掃引する。例えばローカル光発生器４７０は、１００ＭＨｚから数１００ＭＨｚ程度の周波数差を維持してローカル光の周波数を掃引してよい。
【００４８】
第３のアンテナ４８０は、ローカル光発生器４７０が出力するローカル光を平行光に変換する。反射部４９０は、第３のアンテナ４８０が出力する光を反射し、合波器４６０に供給する。合波器４６０は、第２のレンズ４４０からの光と、反射部４９０からの光とを合成し、第２のアンテナ４５０に供給する。例えば第２のレンズ４４０からの光の周波数が１ＴＨｚであり、反射部４９０からの光の周波数が１．１ＴＨＺである場合、合波器４６０は、１ＴＨｚの周波数成分と、１．１ＴＨｚの周波数成分とを有する光を第２のアンテナ４５０に供給する。
【００４９】
検波器１００は、第２のアンテナ４５０から受け取った光を検波する。このとき、検波器１００において、当該光の周波数は、光発生器４１０が出力する光と、ローカル光発生器４１０が出力する光との周波数差に略等しい周波数に変換される。これにより、高周波の光を精度よく検波することができる。
【００５０】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示した分析装置４００によれば、検波素子１００が高周波の光を精度よく検波することができるので、被測定サンプル５００を精度よく分析することができる。
【００５１】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一つの実施形態に係る検波素子１００の断面図の一例を示す図である。
【図２】検波素子１００の上面図の一例を示す図である。
【図３】図１に示した断面図の一部を拡大した例を示す図である。
【図４】図２に示した上面図の一部を拡大した例を示す図である。
【図５】検波素子１００を製造する製造方法のプロセスの一例を示す図である。
【図６】検波素子１００を製造する製造方法のプロセスの一例を示す図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る受信装置３００の構成の一例を示す図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る分析装置４００の構成の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０・・・基板、１２・・・第１の絶縁層、１４・・・第２の絶縁層、１６・・・第３の絶縁層、１８・・・高濃度不純物層、２２・・・低濃度不純物層、２４・・・ガードリング、２６・・・アノード電極、２８・・・窪み部、３０・・・カソード電極、３２・・・アンテナ部、５０・・・レジスト、１００・・・検波素子、２００・・・検波部、２１０・・・コンデンサ、２２０・・・抵抗、２３０・・・電気回路、３００・・・受信装置、４００・・・分析装置、４１０・・・光発生器、４２０・・・第１のアンテナ、４３０・・・第１のレンズ、４４０・・・第２のレンズ、４５０・・・第２のアンテナ、５００・・・被測定サンプル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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