(57)【要約】【課題】半導体装置の組み立てにおける生産効率の向上を図る。【解決手段】ダイシングテープとして熱硬化性テープ１９を採用し、パッケージダイシング後、熱硬化性テープ１９を加熱し、その後、個片化されたＣＳＰ７を反転コレット２３でピックアップすることにより、熱硬化性テープ１９は所定温度に加熱されて粘着力がゼロになっているため、ＣＳＰ７の熱硬化性テープ１９からの剥離を行わずに反転コレット２３で上方にピックアップすることができる。これにより、剥離帯電が発生しないため、除電処理を行わなくて済み、その結果、半導体装置（ＣＳＰ７）の組み立てにおける生産効率の向上を図れる。【選択図】図７
2008078492.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数の半導体チップが搭載され、かつ樹脂体が形成された多数個取り基板を、熱硬化性テープ上に貼り付けられた状態でダイシングブレードで切断して個々の半導体装置に個片化する工程と、
（ｂ）前記（ａ）工程後、前記熱硬化性テープを加熱して硬化させる工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程後、前記半導体装置をピックアップする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程では、コレットにより前記半導体装置をピックアップすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程の後、前記個々の半導体装置が貼り付けられ、かつ治具に貼り付けられた前記熱硬化性テープを前記治具ごと前記ピックアップが行われるピックアップ部に搬送し、その後、前記ピックアップ部で前記熱硬化性テープを加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程は、複数の前記半導体装置に対応した前記熱硬化性テープの領域を加熱する第１加熱工程と、１つの前記半導体装置に対応した前記熱硬化性テープの領域を加熱する第２加熱工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、前記第２加熱工程で、１つの前記半導体装置に対応してその下方に配置される加熱手段によって前記熱硬化性テープを加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程で、前記熱硬化性テープが所定の温度になるように加熱して前記熱硬化性テープの粘着力をゼロにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
（ａ）主面と前記主面に対向する裏面とを有し、前記主面に複数の装置形成領域が形成された多数個取り基板を準備する工程と、
（ｂ）前記多数個取り基板の装置形成領域に半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記多数個取り基板の電極と前記半導体チップの表面電極とを金属製のワイヤで電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記複数の装置形成領域を樹脂成形金型の１つのキャビティで覆って前記半導体チップ及び前記ワイヤを樹脂封止する工程と、
（ｅ）前記多数個取り基板の裏面に複数の半田ボールを設ける工程と、
（ｆ）前記多数個取り基板を切断して個々の半導体装置に個片化する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程後、前記熱硬化性テープを加熱して硬化させ、その後、前記半導体装置をピックアップする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｇ）工程では、コレットにより前記半導体装置をピックアップすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｆ）工程の後、前記個々の半導体装置が貼り付けられ、かつ治具に貼り付けられた前記熱硬化性テープを前記治具ごと前記ピックアップが行われるピックアップ部に搬送し、前記（ｇ）工程で、前記ピックアップ部で前記熱硬化性テープを加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｇ）工程で前記熱硬化性テープを加熱する工程は、複数の前記半導体装置に対応した前記熱硬化性テープの領域を加熱する第１加熱工程と、１つの前記半導体装置に対応した前記熱硬化性テープの領域を加熱する第２加熱工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、前記第２加熱工程で、１つの前記半導体装置に対応してその下方に配置される加熱手段によって前記熱硬化性テープを加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｇ）工程で、前記熱硬化性テープが所定の温度になるように加熱して前記熱硬化性テープの粘着力をゼロにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程の前に、ＵＶ硬化型テープが貼り付けられた半導体ウェハをダイシングブレードによって切断して個片化する工程と、前記ＵＶ硬化型テープに紫外線を照射して硬化させる工程と、個片化された半導体チップをピックアップする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）第１のダイシングテープが貼り付けられた半導体ウェハをダイシングブレードによって切断して個片化する工程と、
（ｂ）前記第１のダイシングテープに紫外線を照射して硬化させる工程と、
（ｃ）個片化された半導体チップをピックアップする工程と
（ｄ）複数の半導体チップが搭載され、かつ樹脂体が形成された多数個取り基板を、第２のダイシングテープ上に貼り付けられた状態でダイシングブレードで切断して個々の半導体装置に個片化する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記第２のダイシングテープを加熱して硬化させ、その後、前記半導体装置をピックアップする工程とを有し、
前記（ｃ）工程と（ｅ）工程のそれぞれのピックアップ開始時のテープ粘着力は、前記（ｅ）工程の前記第２のダイシングテープの方が低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程では、コレットにより前記半導体装置をピックアップすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、前記第１のダイシングテープはＵＶ硬化型テープであり、前記第２のダイシングテープは熱硬化性テープであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程で、前記個々の半導体装置が貼り付けられ、かつ治具に貼り付けられた前記熱硬化性テープを前記治具ごと前記ピックアップが行われるピックアップ部に搬送し、その後、前記ピックアップ部で前記熱硬化性テープを加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、パッケージダイシング（樹脂モールド後のダイシング）工程を有する半導体装置の組み立てに適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板母体の部品搭載面上に搭載された複数の半導体チップを封止用樹脂により一括して封止するモールド工程において、成形金型の下型と上型とで基板母体をクランプする時のクランプ圧力を、封止用樹脂の注入初期は相対的に低いクランプ圧力となるようにし、封止用樹脂が樹脂注入方向の最終段の半導体チップを被覆したところで、相対的に高いクランプ圧力となるように切り換えるようにした技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、ピックアップ装置において、接続状態検出手段により検出されるワークと吸着コレットとの接触状態に基づいて、ワークのピックアップ高さに関する位置情報を取得し、この位置情報に基づいて、ワークのピックアップ動作を制御するようにした技術がある（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−１８３７９４号公報
【特許文献２】特開２００１−１９６４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＣＳＰ（Chip Size Package)等の小型の半導体装置の組み立てでは、多数個取り基板の主面に形成された複数のデバイス領域に半導体チップを搭載し、その後、樹脂封止工程で、複数のデバイス領域を樹脂成形金型の１つのキャビティで一括して覆った状態で樹脂成形を行う（以降、この樹脂モールディング方法を、一括モールディングともいう）。
【０００５】
さらに、樹脂封止後、ボールマウントを行って半田ボールによる外部端子を形成し、その後、ダイシングによって切断して個々のＣＳＰに個片化する（以降、この工程をパッケージダイシングともいう）。
【０００６】
ＣＳＰのパッケージダイシング工程では、ダイシングテープが設けられたリング状治具の前記ダイシングテープ上に、半田ボール側が上方を向くように表裏反転させたパッケージの樹脂体側を貼り付け、この状態でダイシングブレードで切断してＣＳＰへの個片化を行っている。なお、ダイシングテープとしては、一般的に、ＵＶ（Ultraviolet)を照射すると、接着層が硬化して粘着力が低下するＵＶ硬化型テープが用いられている。
【０００７】
そして、個片化された各ＣＳＰを、ダイシングテープの反対側（ＣＳＰが貼り付けられていない側）から、例えば突き上げピンにより取得したいＣＳＰのみ持ち上げ、ＣＳＰの半田ボール側から、例えば吸着コレットにより保持することで取得するピックアップ工程を行う。
【０００８】
しかしながら、ダイシング（切断）後のピックアップ工程で、突き上げによってダイシングテープからＣＳＰの樹脂体を引き剥がす際に、樹脂体とダイシングテープの間で剥離帯電が発生する。すなわち、ダイシングテープにＵＶ（紫外光）を照射してテープの粘着力を低下させても、個片化されたＣＳＰがダイシングテープから飛散しない程度の粘着力がダイシングテープに残るため、その状態で下から突き上げピンで突き上げて樹脂体をテープから引き剥がすため、剥離帯電が発生する。その際、樹脂体は絶縁材料であるため、帯電量は例えばシリコンから成る半導体チップをダイシングテープから引き剥がす際に生じる帯電量より大きい。  そこで、剥離帯電に対して、イオナイザを用いて除電を行っている。
【０００９】
ところが、イオナイザを用いて帯電除去をする場合、１方向（１つの面）側からイオナイザを照射しただけでは、照射された面とは反対側に静電気が回り込んでしまい、完全に除電することが困難である。そこで、複数の面側からイオナイザを照射するために、ピックアップ本来の作業より除電時間が長くなり、生産効率が低下することが問題となる。
【００１０】
なお、前記特許文献１（特開２００５−１８３７９４号公報）には、一括モールディング方法を採用したＣＳＰの組み立てが開示されており、また、前記特許文献２（特開２００１−１９６４４２号公報）には、突き上げ対象をチップとした突き上げピンによるピックアップ方法が開示されている。そこで、従来、パッケージダイシングを行った後のパッケージのピックアップについても、前記特許文献２に記載されているような突き上げピンによるピックアップ方法が、主に適用されているが、これらの方法では、前述したような剥離帯電が発生し、その結果、除電の時間が長くなって、半導体装置の生産効率が低下するという問題が起こる。
【００１１】
本発明の目的は、半導体装置の組み立てにおける生産効率の向上を図ることができる技術を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の目的は、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１５】
すなわち、本発明は、（ａ）複数の半導体チップが搭載され、かつ樹脂体が形成された多数個取り基板を、熱硬化性テープ上に貼り付けられた状態でダイシングブレードで切断して個々の半導体装置に個片化する工程と、（ｂ）前記（ａ）工程後、前記熱硬化性テープを加熱して硬化させる工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程後、前記半導体装置をピックアップする工程とを有するものである。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１７】
ダイシングテープとして熱硬化性テープを採用し、パッケージダイシング後、熱硬化性テープを加熱して硬化させ、その後、個片化された半導体装置をピックアップすることにより、半導体装置の熱硬化性テープからの剥離を行わずにピックアップすることが可能になる。これにより、剥離帯電が発生しないため、除電処理を行わなくて済み、その結果、半導体装置の組み立てにおける生産効率の向上を図ることができる。
【００１８】
半導体装置のピックアップにおいて剥離帯電が発生しないため、半導体装置の帯電防止を図ることができ、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
【００１９】
ダイシングテープとして熱硬化性テープを採用することにより、半導体装置をピックアップする際に下方からの突き上げを行わなくてもピックアップすることができる。その結果、半導体装置の封止体のチッピングを防止することができ、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２１】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２２】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２４】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態の半導体装置の組み立て手順の一例を示す工程フロー図、図２は本発明の実施の形態の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールドまでの組み立ての一例を示す製造プロセスフロー図、図３は本発明の実施の形態の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の組み立ての一例を示す製造プロセスフロー図、図４は本発明の実施の形態のチップピックアップにおける詳細処理の一例を示す工程フロー図である。また、図５は本発明の実施の形態の半導体装置の組み立てで用いられるダイサーとピッカーの構造の一例を示す平面図、図６は本発明の実施の形態の半導体装置の組み立てにおけるパッケージダイシング時に用いられる熱硬化性テープの構造の一例を示す部分拡大断面図、図７は図５に示すピッカーを用いた半導体装置のピックアップ方法の概要の一例を示すプロセスフロー図である。さらに、図８は図５に示すピッカーを用いた半導体装置のピックアップにおけるスポット加熱状態の一例を示す断面図、図９は図８に示すスポット加熱後のピックアップ状態の一例を示す断面図、図１０は図９に示す吸着後の移送状態の一例を示す断面図、図１１は本発明の実施の形態の変形例のダイサーとピッカーの構造を示す平面図、図１２は図１１に示すピッカーにおけるピックアップ部のさらに他の構造を示す平面図である。また、図１３は本発明の実施の形態の他の変形例のダイサーとピッカーの構造を示す平面図、図１４は図１３に示すピッカーの予備加熱ステージにおける予備加熱状態の一例を示す断面図である。
【００２５】
本実施の形態の半導体装置は、配線基板上に  半導体チップ１が搭載された樹脂封止型の小型の半導体パッケージであり、本実施の形態ではその一例として、図３に示すようなＣＳＰ７を取り上げて説明する。なお、ＣＳＰ７は、配線基板の裏面３ｂに複数の外部端子である半田ボール８が格子状に配置されて取り付けられており、したがって、ＣＳＰ７は、ＢＧＡ型の半導体パッケージである。
【００２６】
図３に示すＣＳＰ７の構造について説明すると、配線基板であるパッケージ基板３と、パッケージ基板３の主面３ａに搭載され、かつ集積回路を有する半導体チップ１と、半導体チップ１の表面電極であるパッド１ｃとパッケージ基板３のボンディング用端子３ｃとを電気的に接続する導電性のワイヤ４と、パッケージ基板３の裏面３ｂの複数のランド部３ｄ上に設けられた複数の外部端子である半田ボール８と、樹脂体６とからなる。
【００２７】
なお、半導体チップ１は、例えば、シリコンなどによって形成され、その主面１ａには集積回路が形成されている。また、半導体チップ１におけるその厚さと交差する平面形状は方形状であり、本実施の形態では正方形である。さらに、主面１ａの周縁部には集積回路と電気的に接続される複数のパッド１ｃが形成されている。また、このパッド１ｃと、パッケージ基板３の主面３ａの周縁部に配置されたボンディング用端子３ｃとが導電性のワイヤ４によってそれぞれ電気的に接続されている。このワイヤ４は、例えば、金線等である。
【００２８】
また、半導体チップ１は、その裏面１ｂが、ペースト剤やダイアタッチフィルム等の接着剤２を介してパッケージ基板３に固着され、主面１ａを上方に向けた状態でパッケージ基板３に搭載されている。
【００２９】
また、樹脂体６は、例えば、エポキシ樹脂等からなるとともに、パッケージ基板３の主面３ａ側に形成されており、半導体チップ１及び複数の導電性のワイヤ４を樹脂封止するものである。
【００３０】
また、パッケージ基板３の裏面３ｂに設けられた複数の外部端子である半田ボール８は、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ等の半田からなり、パッケージ基板３の裏面３ｂに格子状に配置されている。
【００３１】
また、パッケージ基板３は、主面３ａと、主面３ａに対向する裏面３ｂと、主面３ａの周縁部に形成された複数のボンディング用端子３ｃと、裏面３ｂに形成された複数のランド部３ｄと、主面３ａ及び裏面３ｂに形成され、かつ複数のボンディング用端子３ｃと複数のランド部３ｄの間にそれぞれ形成された複数のスルーホール配線とを有している。すなわち、主面３ａの周縁部に形成された複数のボンディング用端子３ｃは、それぞれ対応するスルーホール配線を介して裏面３ｂのランド部３ｄに電気的に接続されている。
【００３２】
なお、パッケージ基板３におけるその厚さと交差する平面形状は方形状であり、本実施の形態では正方形である。
【００３３】
また、パッケージ基板３のボンディング用端子３ｃやランド部３ｄ等を含む導体パターンは、例えば、銅合金からなり、さらにこれらの導体パターンに施されるメッキは、例えば、Ｎｉ／Ａｕメッキである。
【００３４】
次に、本実施の形態１のＣＳＰ７の製造方法を、図１に示す工程フロー図、図２、図３及び図４に示す製造プロセスフロー図を用いて説明する。
【００３５】
まず、図１のステップＳ１に示すダイシングを行って半導体チップ１を取得する。半導体チップ１はその主面１ａの周縁部に、表面電極である複数のパッド１ｃが形成されている。
【００３６】
なお、チップダイシング工程において、ダイシング時及びダイシング後のチップピックアップ時には、図４に示すように、ＵＶ硬化型テープ（第１のダイシングテープ）１４を使用する。ＵＶ硬化型テープ１４は、紫外線であるＵＶを照射すると、その粘着層が硬化して粘着力が低下するテープである。
【００３７】
まず、図４のウェハマウントに示すように、リング状治具３３に固定されたＵＶ硬化型テープ１４に半導体ウェハ１３を貼り付け、その後、ダイシングを行って個々の半導体チップ１に個片化する。
【００３８】
その後、図４のＵＶ照射に示すように、ＵＶ硬化型テープ１４に対してＵＶランプ１６から紫外線１６ａを照射してＵＶ硬化型テープ１４の粘着層を硬化させてその粘着力を低下させる。その後、図４のピックアップ開始に示すように、個片化された半導体チップ１の上方に吸着コレット１８を配置するとともに、半導体チップ１の下方に突き上げ駒１７ａを配置する。さらに、突き上げ駒１７ａ内から突き上げ針１７ｂを上昇させて半導体チップ１を突き上げるとともに、吸着コレット１８で半導体チップ１を吸着することで半導体チップ１をＵＶ硬化型テープ１４から剥離する。その後、図４のピックアップ終了に示すように、吸着コレット１８で半導体チップ１を吸着保持しながら半導体チップ１を上方にピックアップする。これにより、図２に示す半導体チップ１の取得を完了する。
【００３９】
なお、半導体チップ１をＵＶ硬化型テープ１４から剥離した際に、剥離帯電は発生する可能性はあるが、半導体チップ１は、樹脂等の絶縁材ではなく、シリコン等の半導体によって形成されているため、剥離帯電量はほぼゼロに等しい。このことについて詳細に説明すると、半導体チップ１の場合、その裏面１ｂがＵＶ硬化型テープ１４に固定されているが、半導体チップ１の裏面１ｂは、ウェハ状態で研削処理により所望の厚さまで削られた後、その裏面（研削面）１ｂに形成された微細な凹凸による応力を緩和するために、研磨工程（ポリシング加工）を行っている。そのため、個片化された半導体チップ１の裏面１ｂは、鏡面加工されている。これに対し、樹脂封止体の場合、金型により成形した後の離型性を考慮し、金型の表面（キャビティの表面）は梨地加工が施されている。そのため、成形される樹脂封止体の表面も梨地面となる。すなわち、その裏面１ｂが鏡面加工された半導体チップ１とＵＶ硬化型テープ１４との密着力は、その表面が梨地加工された樹脂封止体とＵＶ硬化型テープ１４との密着力よりも低い（弱い）。そのため、半導体チップ１の場合は、剥離帯電量がほぼゼロとなり、不具合に至るような問題は発生せず、除電工程を省略することが可能である。
【００４０】
したがって、半導体チップ１のダイシングを含めたピックアップ時には、熱を加えて硬化させる熱硬化性テープに比べて硬化時間が短く、かつ処理時間が速いＵＶ硬化型テープ１４を使用することが得策である。
【００４１】
一方、図２に示す基板準備を行う。ここでは、主面９ａと主面９ａに対向する裏面９ｂとを有し、主面９ａに、パッケージ基板３を形成する装置形成領域であるデバイス領域９ｄが複数区画配置された多数個取り基板９を準備する。
【００４２】
その後、図１のステップＳ２及び図２に示すダイボンディングを行って多数個取り基板９のデバイス領域９ｄ上に接着剤２を介して半導体チップ１を固着する。
【００４３】
その後、図１のステップＳ３及び図２に示すワイヤボンディングを行う。ここでは、半導体チップ１の主面１ａのパッド１ｃと、これに対応する多数個取り基板９の電極９ｃ（ボンディング用端子３ｃ）とを金線等の導電性のワイヤ４によって電気的に接続する。
【００４４】
その後、ステップＳ４に示す樹脂モールドを行う。ここでは、多数個取り基板９上において、複数のデバイス領域９ｄを樹脂成形金型１５の１つのキャビティ１５ａで一括して覆って樹脂封止する。すなわち、複数の半導体チップ１や複数のワイヤ４を樹脂成形金型１５の１つのキャビティ１５ａで一括して覆って樹脂封止し、これによって一括封止体５を形成する。なお、一括封止体５を形成する封止用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等である。
【００４５】
その後、図１に示すステップＳ５に示すマーク（図３のマーク）を行う。ここではレーザマーキング方法等でマーキング１０を行って一括封止体５にマークを付す。なお、マーキング１０は、例えば、インクマーキング方法等で行ってもよい。
【００４６】
その後、ステップＳ６に示すボールマウント（図３のボールマウント）を行って多数個取り基板９の裏面９ｂの各ランド部３ｄに半田ボール８を接続する。
【００４７】
その際、各ランド部３ｄにフラックスを塗布し、その後、ボール搭載を行って、さらに加熱処理（約２００℃）を行う。これにより、半田ボール８が硬化してボールマウント完了となる。ボールマウントが行われると、半田ボール８の接合箇所付近等にフラックスの残りカスであるフラックス残渣が形成される。
【００４８】
その後、ステップＳ７に示すフラックス洗浄を行ってフラックス残渣を除去する。
【００４９】
フラックス洗浄終了後、図３に示す個片化（パッケージダイシング）を行う。すなわち、フラックス洗浄済みの多数個取り基板９を切断して個々の半導体装置（ＣＳＰ７）に個片化する。ここでは、まず、図１のステップＳ８に示すテープ貼付けを行う。つまり、図３の個片化に示すように、樹脂モールドによって形成された一括封止体５の表面にダイシングテープ１２を貼る。
【００５０】
なお、本実施の形態のパッケージダイシングで用いるダイシングテープ１２は、図６に示す熱硬化性テープ（第２のダイシングテープ）１９である。熱硬化性テープ１９は、例えば、ポリエステル等からなる基材１９ａと熱剥離粘着層１９ｂとを有しており、これらが積層されてなる２層構造である。熱剥離粘着層１９ｂの熱剥離温度は、例えば、９０℃であり、この場合、熱剥離粘着層１９ｂが９０℃以上に加熱されると硬化して粘着力がゼロ（０）になるという特性を有している。ここで、ＵＶ硬化型テープ１４の場合、ＵＶ（紫外線）１６ａを照射すると、ＵＶ硬化型テープ１４の表面に形成された粘着層（接着剤）が硬化するために、その粘着力が低下するものであるが、ＵＶ硬化型テープ１４の表面状態は硬化前に比べてもほとんど変化しない。これに対し、熱硬化性テープ１９の場合、熱をかけるとＵＶ硬化型テープ１４の場合と同様に、熱硬化性テープ１９の表面に形成された熱剥離粘着層１９ｂが硬化するために、その粘着力が低下するものであるが、熱硬化性テープ１９に熱を加えるため、熱硬化性テープ１９の表面状態は乾燥した状態となる。すなわち、単に粘着層（接着剤）が硬化するだけではなく、その表面状態も乾燥した状態となるため、ＵＶ硬化型テープ１４に比べ、粘着力をゼロに低下させることが容易である。
【００５１】
そこで、本実施の形態のパッケージダイシングでは、ＣＳＰ７を熱硬化性テープ１９からピックアップする際の剥離帯電の発生を防ぐためにダイシングテープ１２として熱硬化性テープ１９を使用する。すなわち、パッケージダイシング後、ピックアップ部でピックアップを行う際に、熱硬化性テープ１９が９０℃もしくはそれ以上になるようにピックアップ部で加熱し、熱硬化性テープ１９の熱剥離粘着層１９ｂの粘着力をゼロ（０）にしてからＣＳＰ７のピックアップを行うことで、ピックアップ時の剥離帯電の発生を防止することができる。
【００５２】
ただし、熱硬化性テープ１９の粘着力をゼロ（０）にする温度は９０℃であるが、温度を上げすぎると、半田ボール８の接合強度が低下してしまう。そのため、ＣＳＰ７の特性（例えば、半田ボール８の接続強度等）を考慮すると、１２０℃を超える温度を印加することは好ましくなく、したがって、熱硬化性テープ１９に印加する温度は、９０℃以上で、かつ１２０℃以下が好ましい。
【００５３】
また、熱硬化性テープ１９の加熱は、図５に示すダイサー２１においてパッケージダイシング（切断）を行った後、ピッカー２２内のピックアップ部であるピックアップステージ２２ａに搬送し、搬送完了後、このピックアップステージ２２ａでピックアップ前（図９に示す反転コレット２３が上昇する前）に行う。
【００５４】
これは、ピックアップステージ２２ａに搬送される前に熱硬化性テープ１９の加熱を行ってしまうと、熱硬化性テープ１９の粘着力がゼロ（０）になり、熱硬化性テープ１９上でダイシング済みのＣＳＰ７がばらけてしまって（ダイシングテープからＣＳＰ７が飛散してしまって）ピックアップステージ２２ａへの搬送ができなくなってしまうからである。したがって、熱硬化性テープ１９の加熱は、ピックアップステージ２２ａ上への搬送完了後、ピックアップ開始まで（図９に示す反転コレット２３がＣＳＰ７を吸着して上昇を開始するまで）の間に行うことが好ましい。
【００５５】
ここで、図５に示す本実施の形態のダイサー２１及びピッカー２２の構成について説明する。
【００５６】
ダイサー２１は、ダイシングが行われるダイシングステージ２１ａと、ダイシング後の洗浄が行われるステージであるスピナ２１ｂと、ローダ部２１ｃとを有している。一方、ダイサー２１と連結して配置されるピッカー２２は、ピックアップが行われるピックアップ部であるピックアップステージ２２ａと、製品をピックアップする反転ヘッド２２ｂと、製品を移送する移送ヘッド２２ｃと、収容済みトレイを回収するトレイ用アンローダ２２ｄと、空トレイを送り出すトレイ用ローダ２２ｅとを有している。
【００５７】
パッケージダイシング工程では、まず、図１のステップＳ８に示すテープ貼付けを行う。ここでは、図３の個片化に示すように、樹脂モールドによって形成された一括封止体５の表面にダイシングテープ１２（熱硬化性テープ１９）を貼る。すなわち、図７のリング状治具３３に貼り付けられた熱硬化性テープ１９上に一括封止体５を貼り付ける。
【００５８】
その後、図１のステップＳ９に示すパッケージダイシング（テープ式）を行う。
【００５９】
パッケージダイシングでは、図５のダイサー２１において、熱硬化性テープ１９上に製品が貼り付けられた状態のリング状治具３３を、ローダ部２１ｃからダイシングステージ２１ａに向けて送り出し、ダイシングステージ２１ａ上で、図３の個片化に示すように、ダイシングテープ１２（熱硬化性テープ１９）で固定した状態でダイシングブレード１１によって切断して各ＣＳＰ７に個片化する。
【００６０】
その後、リング状治具３３に貼り付けられた状態で個片化済みの複数のＣＳＰ７を、リング状治具３３ごとダイサー２１のスピナ２１ｂ上に搬送し、スピナ２１ｂによって高速洗浄してダイシング時の切削クズ等を洗い流す。
【００６１】
その後、リング状治具３３に貼り付けられた状態の個片化済みの複数のＣＳＰ７を、リング状治具３３ごとそのままの状態を維持してピッカー２２のピックアップステージ２２ａ上に搬送し、図１のステップＳ１０に示すピックアップを行う。
【００６２】
ピッカー２２におけるピックアップでは、まず、図７の熱照射に示すように、ピックアップステージ２２ａ上で熱硬化性テープ１９（少なくとも全てのＣＳＰ７に対応した領域）をヒータ等の加熱部材３４によって９０℃になるように加熱して熱剥離粘着層１９ｂを硬化させる。その際、例えば、図８に示すように、１つのＣＳＰ７に対応してその下方に配置されたスポットヒータ（加熱手段）２４を熱硬化性テープ１９に接触させ、これによって熱硬化性テープ１９を加熱する。スポットヒータ２４は、熱硬化性テープ１９の１つのＣＳＰ７のみに対応した領域をスポット的に加熱するものであり、これによって、ピックアップするＣＳＰ７のみのテープ領域の粘着力をゼロにすることができ、ピックアップしないＣＳＰ７については熱硬化性テープ１９に貼り付けたままの状態を維持することができる。
【００６３】
一方、ＣＳＰ７の上方に真空吸着用の反転コレット２３を半田ボール８に軽く接触させる状態で配置する。
【００６４】
その後、熱硬化性テープ１９が９０℃になるまで加熱し硬化させて、熱硬化性テープ１９の粘着力がゼロ（０）になるようにする。
【００６５】
なお、熱硬化性テープ１９の場合、９０℃になるまでテープを加熱して硬化させることで、その粘着力をゼロ（０）にすることができるが、図４に示すチップピックアップの場合のＵＶ硬化型テープ１４では、紫外線１６ａを照射して粘着力を低下させることはできてもゼロ（０）にすることはできない。
【００６６】
すなわち、それぞれピックアップ開始時の両テープの粘着力は、熱硬化性テープ（第２のダイシングテープ）１９の方が、ＵＶ硬化型テープ（第１のダイシングテープ）１４よりも低い。つまり、パッケージダイシング後のＣＳＰ７（製品）のピックアップでは、剥離帯電を発生させないためにも、ＵＶ硬化型テープ１４ではなく、熱硬化性テープ１９を採用することが必須である。
【００６７】
熱硬化性テープ１９の粘着力をゼロ（０）とした後、図７のピックアップ開始に示すように、反転コレット２３によるＣＳＰ７の真空吸着を開始する。すなわち、図９に示すように、反転コレット２３でＣＳＰ７の半田ボール８を吸着して上方にピックアップし、その後、反転コレット２３を反転させて移送コレット２５に受け渡す。反転コレット２３を反転させたことでＣＳＰ７の樹脂体６の表面が上方を向き、移送コレット２５によってＣＳＰ７の樹脂体６の表面を真空吸着保持することができる。
【００６８】
これにより、図７に示すようにピックアップ終了となる。その後、図１０に示すように、移送ヘッド２２ｃ上で移送コレット２５を移動させて所定位置まで搬送し、そこでピックアップしたＣＳＰ７の真空吸着を停止することによりＣＳＰ７をトレイ２０に収容する。
【００６９】
なお、ピックアップステージ２２ａでの熱硬化性テープ１９の加熱は、ピックアップステージ２２ａそのものに図１４に示すような加熱手段（例えば、ステージヒータ３２のようにステージそのものに加熱手段が設けられているもの）を設けておき、このピックアップステージ２２ａの加熱手段によって予め熱硬化性テープ１９を加熱してから、スポットヒータ２４等で加熱してもよい。
【００７０】
このようにピックアップステージ２２ａに設けられた加熱手段によって予備加熱（第１加熱）してからスポットヒータ２４で加熱（第２加熱）することで、加熱時間を短縮することができる。
【００７１】
ピックアップを終了してパッケージダイシング（個片化）を完了することにより、図３に示すＣＳＰ７の組み立てを完了して製品完成となる。
【００７２】
なお、図１のステップＳ６のボールマウントの工程では、多数個取り基板９のランド部３ｄに半田を塗布した後、リフロー処理により半田ボール８を形成する。このため、ボールマウントの工程においても、このリフロー処理により多数個取り基板９がさらに反る問題が生じる。マークの工程では、レーザマーキング方法等でマーキングを行うが、パッケージ基板３が反った状態では、一括封止体５の表面に垂直にレーザを照射することが困難となるため、一括封止体５の表面にマークが付されないというマーキング不良が発生する。
【００７３】
そこで、本実施の形態のように、マークを行った後にボールマウントを行うことにより、多数個取り基板９が反る要因の一つである半田ボール８形成時のリフロー処理を行う前に、先にマークの工程を行うことで、マーキング不良を抑制することができる。
【００７４】
ただし、一括封止体５にマークを付す工程は、ボールマウントの工程後に行ってもよい。
【００７５】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、ダイシングテープ１２として熱硬化性テープ１９を採用し、パッケージダイシング後、熱硬化性テープ１９を所定の温度に加熱し、その後、個片化されたＣＳＰ７（製品）を反転コレット２３でピックアップすることにより、ＣＳＰ７を熱硬化性テープ１９から剥離することなく、反転コレット２３で上方にピックアップすることが可能になる。すなわち、熱硬化性テープ１９においては所定温度（例えば、９０℃）に加熱することで粘着力がゼロになるため、ＣＳＰ７（半導体装置）の熱硬化性テープ１９からの剥離を行わずに反転コレット２３で上方にピックアップすることができる。
【００７６】
したがって、ピックアップ時の剥離帯電が発生しないため、除電処理を行わなくて済み、その結果、ＣＳＰ７のピックアップ処理の効率を向上することができ、ＣＳＰ７の組み立てにおける生産効率の向上を図ることができる。
【００７７】
また、ＣＳＰ７のピックアップにおいて剥離帯電が発生しないため、ＣＳＰ７の帯電防止を図ることができ、ＣＳＰ７の信頼性の向上を図ることができる。
【００７８】
さらに、ダイシングテープ１２として熱硬化性テープ１９を採用することにより、テープを所定の温度（例えば、９０℃）に加熱することで熱硬化性テープ１９の粘着力をゼロにすることができ、ＣＳＰ７をピックアップする際に下方からの突き上げを行わなくても反転コレット２３による吸着のみでピックアップすることができる。
【００７９】
これにより、ＣＳＰ７の樹脂体６のチッピングを防止することができ、ＣＳＰ７の信頼性の向上を図ることができる。
【００８０】
次に、本実施の形態の変形例について説明する。図１１〜図１４に示す変形例は、ピックアップ部（ステージ）が２つ設けられたピッカー２２を示している。図１１に示す変形例は、第１ピックアップステージ（ピックアップ部）２６と第２ピックアップステージ（ピックアップ部）２７が設けられたピッカー２２を示している。このようにピックアップ用のステージが２つ設けられていることにより、一方のステージでピックアップ処理を行っている間に他方のステージで熱硬化性テープ１９の加熱を行うことができ、ＣＳＰ７のピックアップと熱硬化性テープ１９の加熱とを同時に行うことでピックアップ処理の効率をさらに向上できる。
【００８１】
なお、熱硬化性テープ１９の加熱手段については、図８に示すようなスポットヒータ２４を用いてもよいし、また、図１４に示すような複数のＣＳＰ７に対応した熱硬化性テープ１９の領域を加熱することが可能なステージヒータ３２を用いてもよいし、あるいはスポットヒータ２４とステージヒータ３２の両者を組み合わせてもよい。スポットヒータ２４とステージヒータ３２を組み合わせることにより、予めステージヒータ３２で予備加熱してからスポットヒータ２４で本加熱することにより、加熱時間を短縮してピックアップ工程でかかる時間の効率を向上できる。
【００８２】
また、図１２に示す変形例は、ピックアップ部のさらに他の構造を示すものであり、それぞれに加熱手段を備えた第１ピックアップステージ２６及び第２ピックアップステージ２７と、製品を送り出す製品ローダ２９と、各ステージから製品をピックアップするピックアップコレット２８と、空トレイを送り出す空トレイローダ３０と、ＣＳＰ７を収容したトレイ２０を回収する製品回収アンローダ３１とを有するピッカー２２である。
【００８３】
すなわち、図１２に示すピッカー２２は、第１ピックアップステージ２６と第２ピックアップステージ２７の２つのステージを有しているとともに、それぞれのステージが、図１４に示すような複数のＣＳＰ７に対応した熱硬化性テープ１９の領域を加熱することが可能な加熱手段であるステージヒータ３２の機能を有している。
【００８４】
これにより、例えば、第１ピックアップステージ２６で製品（ＣＳＰ７）をピックアップしている際に、製品ローダ２９から第２ピックアップステージ２７に製品を供給して第２ピックアップステージ２７で熱硬化性テープ１９の加熱処理を行い粘着力をゼロ（０）にする。さらに、第１ピックアップステージ２６でのピックアップ終了後、ピックアップコレット２８を第２ピックアップステージ２７に移動させ、第２ピックアップステージ２７で製品のピックアップを行う。
【００８５】
図１２に示す変形例においても、ピックアップ用のステージが２つ設けられていることにより、一方のステージでピックアップ処理を行っている間に他方のステージで熱硬化性テープ１９の加熱を行うことができ、ＣＳＰ７のピックアップと熱硬化性テープ１９の加熱とを同時に行うことでピックアップ処理の効率を向上できる。
【００８６】
また、図１２に示す変形例では、各ステージが図１４に示すようなステージヒータ３２となっており、さらに図８に示すようなスポットヒータ２４を併用してもよく、ステージヒータ３２とスポットヒータ２４を組み合わせることにより、図１１に示すピッカー２２と同様に、予めステージヒータ３２で予備加熱してからスポットヒータ２４で本加熱することにより、加熱時間を短縮してピックアップ工程でかかる時間の効率を向上できる。
【００８７】
次に、図１３に示す変形例は、予備加熱用の第１ピックアップステージ（ピックアップ部）２６と、本加熱用の第２ピックアップステージ（ピックアップ部）２７が設けられたピッカー２２を示している。予備加熱用の第１ピックアップステージ２６は、図１４に示すように、複数のＣＳＰ７に対応した熱硬化性テープ１９の領域を加熱することが可能なステージヒータ３２の機能を有している。
【００８８】
これにより、まず、第１ピックアップステージ２６においてこのステージ上に配置された複数のＣＳＰ７に対応した熱硬化性テープ１９の領域を所定温度（例えば、５０〜６０℃程度）まで加熱する第１加熱工程を行う。その後、製品（ＣＳＰ７）を第２ピックアップステージ２７上に搬送し、第２ピックアップステージ２７においてＣＳＰ７をピックアップする。その際、例えば、図８に示すような１つのＣＳＰ７に対応してその下方に配置されたスポットヒータ２４によってこのＣＳＰ７に対応した熱硬化性テープ１９の領域のみを加熱する第２加熱工程を行う。この第２加熱工程では、熱硬化性テープ１９の温度が９０℃になるように熱硬化性テープ１９を加熱する。
【００８９】
これにより、熱硬化性テープ１９のピックアップしたいＣＳＰ７のみの領域の粘着力をゼロ（０）にすることができる。
【００９０】
さらに、第２ピックアップステージ２７でピックアップ処理を行っている間に、第１ピックアップステージ２６で熱硬化性テープ１９の第１加熱（予備加熱）を行うことができ、加熱時間の短縮を図ってピックアップ処理の効率を向上できる。
【００９１】
なお、第２ピックアップステージ２７においても、図１４に示すようなステージヒータ３２を用いてもよく、予め第１ピックアップステージ２６のステージヒータ３２で予備加熱してから第２ピックアップステージ２７のステージヒータ３２で本加熱することにより、加熱時間を短縮してピックアップ工程でかかる時間の効率を向上できる。
【００９２】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００９３】
例えば、前記実施の形態では、熱硬化性テープ１９の熱剥離温度が９０℃の場合を一例として説明したが、前記熱剥離温度は、９０℃に限定されるものではなく、９０℃より上であっても下であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明は、ダイシング及びピックアップ処理を有する電子装置の組み立てに好適である。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の実施の形態の半導体装置の組み立て手順の一例を示す工程フロー図である。
【図２】本発明の実施の形態の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールドまでの組み立ての一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図３】本発明の実施の形態の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の組み立ての一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図４】本発明の実施の形態のチップピックアップ工程における詳細処理の一例を示す工程フロー図である。
【図５】本発明の実施の形態の半導体装置の組み立てで用いられるダイサーとピッカーの構造の一例を示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態の半導体装置の組み立てにおけるパッケージダイシング時に用いられる熱硬化性テープの構造の一例を示す部分拡大断面図である。
【図７】図５に示すピッカーを用いた半導体装置のピックアップ方法の概要の一例を示すプロセスフロー図である。
【図８】図５に示すピッカーを用いた半導体装置のピックアップにおけるスポット加熱状態の一例を示す断面図である。
【図９】図８に示すスポット加熱後のピックアップ状態の一例を示す断面図である。
【図１０】図９に示す吸着後の移送状態の一例を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態の変形例のダイサーとピッカーの構造を示す平面図である。
【図１２】図１１に示すピッカーにおけるピックアップ部のさらに他の構造を示す平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態の他の変形例のダイサーとピッカーの構造を示す平面図である。
【図１４】図１３に示すピッカーの予備加熱ステージにおける予備加熱状態の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９６】
１  半導体チップ
１ａ  主面
１ｂ  裏面
１ｃ  パッド（表面電極）
２  接着剤
３  パッケージ基板（配線基板）
３ａ  主面
３ｂ  裏面
３ｃ  ボンディング用端子
３ｄ  ランド部
４  ワイヤ
５  一括封止体
６  樹脂体
７  ＣＳＰ（半導体装置）
８  半田ボール
９  多数個取り基板（配線基板）
９ａ  主面
９ｂ  裏面
９ｃ  電極
９ｄ  デバイス領域（装置形成領域）
１０  マーキング
１１  ダイシングブレード
１２  ダイシングテープ
１３  半導体ウェハ
１４  ＵＶ硬化型テープ（第１のダイシングテープ）
１５  樹脂成形金型
１５ａ  キャビティ
１６  ＵＶランプ
１６ａ  紫外線
１７ａ  突き上げ駒
１７ｂ  突き上げ針
１８  吸着コレット
１９  熱硬化性テープ（第２のダイシングテープ）
１９ａ  基材
１９ｂ  熱剥離粘着層
２０  トレイ
２１  ダイサー
２１ａ  ダイシングステージ
２１ｂ  スピナ
２１ｃ  ローダ部
２２  ピッカー
２２ａ  ピックアップステージ（ピックアップ部）
２２ｂ  反転ヘッド
２２ｃ  移送ヘッド
２２ｄ  トレイ用アンローダ
２２ｅ  トレイ用ローダ
２３  反転コレット
２４  スポットヒータ（加熱手段）
２５  移送コレット
２６  第１ピックアップステージ（ピックアップ部）
２７  第２ピックアップステージ（ピックアップ部）
２８  ピックアップコレット
２９  製品ローダ
３０  空トレイローダ
３１  製品回収アンローダ
３２  ステージヒータ（加熱手段）
３３  リング状治具
３４  加熱部材
【図１】
2008078492.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2008078492.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2008078492.tif 000012
【図１１】
2008078492.tif 000013
【図１２】
2008078492.tif 000014
【図１３】
2008078492.tif 000015
【図１４】
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