(57)【要約】【課題】放電特性が優れており、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は製造原価を低減させることができる。【解決手段】本発明によるプラズマディスプレイパネルは、互いに対向配置される第１基板及び第２基板；前記第２基板に対向する前記第１基板の一面に形成される複数のアドレス電極；前記アドレス電極を覆って前記第１基板に形成される誘電体層；前記第１基板に対向する前記第２基板の一面に前記アドレス電極と交差する方向に配置されて形成される複数の表示電極；前記表示電極上に位置する無機酸化物層；前記無機酸化物層を覆って形成されるＭｇＯ保護層；前記第１基板及び第２基板の間の空間に配置され、複数の放電セルを区画するように形成される隔壁；及び前記放電セル内に形成される蛍光体層；を含む。【選択図】図２
2008140781.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置される第１基板及び第２基板；
前記第２基板に対向する前記第１基板の一面に形成される複数のアドレス電極；
前記アドレス電極を覆って前記第１基板に形成される誘電体層；
前記第１基板に対向する前記第２基板の一面に前記アドレス電極と交差する方向に配置されて形成される複数の表示電極；
前記表示電極上に位置する無機酸化物層；
前記無機酸化物層を覆って形成されるＭｇＯ保護層；
前記第１基板及び第２基板の間の空間に配置され、複数の放電セルを区画するように形成される隔壁；及び
前記放電セル内に形成される蛍光体層；を含む、プラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記表示電極及び無機酸化物層の間に形成される誘電体層をさらに含む、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記無機酸化物層はパターン化されて形成される、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記無機酸化物層は、前記第２基板で前記表示電極が形成された部分にだけ形成され、前記表示電極を覆って形成される、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記無機酸化物層の厚さは１０ないし１０００ｎｍである、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記無機酸化物層の厚さは１００ないし３００ｎｍである、請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記無機酸化物層は非貴金属の酸化物を含む、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記無機酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化クロム、酸化銅、酸化ニッケル、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される酸化物を含む、請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記表示電極は、銀、アルミニウム、マグネシウム、銅、ニッケル、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属を含む、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記ＭｇＯ保護層の厚さは０．５ないし１０μｍである、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記ＭｇＯ保護層の厚さは１ないし５μｍである、請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記ＭｇＯ保護層は、Ｓｃ、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｉ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるドーピング元素をさらに含む、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
互いに対向配置される第１基板及び第２基板；前記第２基板に対向する前記第１基板の一面に形成される複数のアドレス電極；前記第１基板に対向する前記第２基板の一面に前記アドレス電極と交差する方向に配置されて形成される複数の表示電極；前記第１基板及び第２基板の間の空間に配置され、複数の放電セルを区画するように形成される隔壁；及び前記放電セル内に形成される蛍光体層；を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記第２基板に形成された表示電極上に犠牲電極層を形成する段階；
前記第２基板をＭｇＯ粉末及び溶媒を含む電気泳動液に浸漬する段階；
前記犠牲電極層に電圧を印加し、電気泳動法を利用してＭｇＯ保護層を形成する段階；及び、
前記犠牲電極層を酸化させる段階；を含む、プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記表示電極及び犠牲電極層の間に誘電体層を形成する段階をさらに含む、請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記犠牲電極層はパターン化されて形成される、請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１６】
前記犠牲電極層の厚さは１０ないし１０００ｎｍである、請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１７】
前記犠牲電極層の厚さは１００ないし３００ｎｍである、請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１８】
前記犠牲電極層は非貴金属を含む、請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１９】
前記犠牲電極層は、アルミニウム、マグネシウム、クロム、銅、ニッケル、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属を含む、請求項１８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２０】
前記犠牲電極層は、無電解メッキ法、熱蒸着法、スパッタリング法、化学蒸着法、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される方法によって形成される、請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２１】
前記ＭｇＯ粉末は、Ｓｃ、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｉ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるドーピング元素をさらに含む、請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２２】
前記ＳｃはＭｇＯ粉末全体に対して５０ないし６００ｐｐｍ、前記ＡｌはＭｇＯ粉末全体に対して５０ないし４００ｐｐｍ、前記ＣａはＭｇＯ粉末全体に対して５０ないし４００ｐｐｍ、前記ＳｉはＭｇＯ粉末全体に対して５０ないし４００ｐｐｍで含まれる、請求項２１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２３】
前記ＭｇＯ粉末は、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｎｉ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される不純物を含み、前記ＭｎはＭｇＯ粉末全体に対して５０ｐｐｍ未満、前記ＮａはＭｇＯ粉末全体に対して３０ｐｐｍ未満、前記ＫはＭｇＯ粉末全体に対して３０ｐｐｍ未満、前記ＣｒはＭｇＯ粉末全体に対して１０ｐｐｍ未満、前記ＦｅはＭｇＯ粉末全体に対して２０ｐｐｍ未満、前記ＺｎはＭｇＯ粉末全体に対して２０ｐｐｍ未満、前記ＢｉはＭｇＯ粉末全体に対して１０ｐｐｍ未満、前記ＮｉはＭｇＯ粉末全体に対して１０ｐｐｍ未満で含まれる、請求項２１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２４】
前記ＭｇＯ粉末は平均粒径が５０ないし１０００ｎｍである、請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２５】
前記ＭｇＯ粉末は平均粒径が１００ないし５００ｎｍである、請求項２４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２６】
前記溶媒は、アルコール系の溶媒、ケトン系の溶媒、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される溶媒である、請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２７】
前記アルコール系の溶媒は、メタノール、エタノール、Ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、Ｎ−ブタノール、セカンダリー−ブタノール、イソ−ブタノール、ターシャリー−ブタノール、Ｎ−アミルアルコール、イソアミルアルコール、セカンダリー−アミルアルコール、ターシャリー−アミルアルコール、Ｎ−ヘキシルアルコール、シクロ−ヘキサノール、２−エチル−１−ブタノール、メチルイソブチルカルビノール、２−エチル−１−ヘキサノール、Ｎ−オクチルアルコール、セカンダリー−オクチルアルコール、ノニルアルコール、デシルアルコール、ベンジルアルコール、アリルアルコール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、テキサノールエステル−アルコール、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項２６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２８】
前記ケトン系の溶媒は、アセトン、メチルエチルケトン、メチルＮ−プロピルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、シクロ−ヘキサノン、メシチルオキシドケトン、メチルイソブチルケトン、メチルＮ−ブチルケトン、エチルＮ−ブチルケトン、メチルＮ−アミルケトン、メチルイソアミルケトン、ジプロピルケトン、ジアセトンアルコール、アセト−フェノン、メチルＮ−ヘキシルケトン、エチルＮ−アミルケトン、イソ−フォロン、ジイソ−ブチルケトン、イソブチルヘプチルケトン、Ｅａｓｔｍａｎ Ｃ−１１（Ｅａｓｔｍａｎ社製品）、アセトニル−アセトン、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項２６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２９】
前記電気泳動液は、ＭｇＯ粉末を電気泳動液全体に対して０．１ないし１０重量％で含む、請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３０】
前記電気泳動液は、ＭｇＯ粉末を電気泳動液全体に対して０．５ないし３重量％で含む、請求項２９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３１】
前記電気泳動液を製造する段階は、分散剤を添加する段階をさらに含む、請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３２】
前記分散剤は、電気泳動液全体に対して０．５ないし２重量％添加する、請求項３１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３３】
前記分散剤は、Ｄａｒｖａｎ ８２１Ａ（ＲＴ Ｖａｎｄｅｒｂｉｌｔ社製品）、ポリアクリル酸、ヒドロキシプロピルセルロース、アンモニウムポリメタクリレート、ポリメタクリル酸、エチレンジアミンテトラアセテート、ナトリウムヘキサメタホスフェート、エアゾール２２（Ｃｙｔｅｃ社製品）、パルミチン酸、ＢＹＫ−１８０（ＢＹＫ ｃｈｅｍｉｃａｌ社製品）、ＢＹＫ−１８１（ＢＹＫ ｃｈｅｍｉｃａｌ社製品）、ＢＹＫ−１１１（ＢＹＫ ｃｈｅｍｉｃａｌ社製品）、ＢＹＫ−１１６（ＢＹＫ ｃｈｅｍｉｃａｌ社製品）、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項３１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３４】
前記犠牲電極層を酸化させる段階は、ＭｇＯ保護層を焼成する段階と同時に行われる、請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３５】
前記犠牲電極層を酸化させる段階は、４５０ないし６００℃の温度で行われる、請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３６】
前記ＭｇＯ保護層の厚さは０．５ないし１０μｍである、請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３７】
前記ＭｇＯ保護層の厚さは１ないし５μｍである、請求項３６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関し、より詳細には、放電特性が優れているプラズマディスプレイパネル、及び製造原価を低減させることができるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネル（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）は、気体放電によって形成されたプラズマから放射される真空紫外線（ｖａｃｕｕｍ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ、ＶＵＶ）が蛍光体層を励起させることによって発生する可視光を利用して画像を表示するディスプレイ素子である。このようなプラズマディスプレイパネルは、高解像度の大画面構成が可能であるため、次世代薄型表示装置として脚光を浴びている。
【０００３】
プラズマディスプレイパネルの一般的な構造は、３電極面放電型構造である。３電極面放電型構造は、２つの電極から構成される表示電極が形成される前面基板、及び前記基板から所定の距離だけ離れ、アドレス電極が形成される背面基板を含み、この時、表示電極は誘電層で覆われる構造からなる。そして、前記前面基板及び前記背面基板の間の空間は隔壁によって多数の放電セルに区画され、放電セルの内部に放電ガスが注入され、背面基板側に蛍光体層が形成される。
【０００４】
ＭｇＯ保護層は、プラズマディスプレイパネルのグロー放電で２次電子放出及びエキソ電子放出（ｅｘｏ−ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）を起こして放電電圧を低下させて、放電遅延を改善する特性を有しているため、プラズマディスプレイパネルの開発初期から電子放出材料として使用されてきた。このようなプラズマディスプレイパネル用ＭｇＯ保護層は、純粋なＭｇＯ蒸着源を利用し、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの真空蒸着工程によって製造されてきた。
【０００５】
しかし、プラズマディスプレイパネルの消費電力を節減するためには、ＭｇＯからの２次電子放出係数をより向上させて放電開始電圧を低下させ、シングルスキャン駆動による部品原価を低減させるために、ＭｇＯ保護層内に意図的にドーピング元素を添加した保護層の使用が増加している。つまり、ドーピング元素を利用してＭｇＯの結合エネルギーレベル及び濃度を調節することによって、ＭｇＯの電子放出特性を積極的に調節しようとする方法である。
【０００６】
このようなドーピング元素の添加によってＭｇＯの電子放出特性を向上させるための方法は、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６などに詳細に開示されている。
【０００７】
特許文献１では、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎのうちの少なくとも１つの元素及び周期律表の４族、５族、６族、７族の元素のうちの１つの元素をドーピング元素として使用するＭｇＯ材料を提供している。Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎのうちの元素は２０重量ｐｐｍないし８０００重量ｐｐｍの範囲のドーピング濃度で使用され、周期律表の４族、５族、６族、７族のうちの元素は１０重量ｐｐｍないし１００００重量ｐｐｍの範囲で使用されると開示している。
【０００８】
特許文献２では、ＭｇＣ２、Ｍｇ２Ｃ３、Ｍｇ３Ｃ４などの炭化マグネシウムを含むＭｇＯ材料を提供している。この炭化マグネシウムは５０重量ｐｐｍないし７０００重量ｐｐｍの範囲の濃度で使用されると開示している。
【０００９】
特許文献５では、Ｓｉがドーピングされた保護層材料を提供しているが、この場合、Ｓｉの含有量が２０ｐｐｍないし５００ｐｐｍの範囲で放電遅延時間が最も短いと開示している。この場合、不純物の含有量をＣａが５０ｐｐｍ以下、Ｆｅが５０ｐｐｍ以下、アルミニウムが２５０ｐｐｍ以下、ニッケルが５ｐｐｍ以下、ナトリウムが５ｐｐｍ以下、カリウムが５ｐｐｍ以下に制限している。
【００１０】
特許文献３では、Ｃａ、Ａｌ、Ｆｅ、及びＳｉがドーピングされたＭｇＯ保護層材料を提供し、このようなドーピング元素の相互作用によってプラズマディスプレイパネルの放電遅延時間を最短化することができると開示している。ここで、Ｃａの含有量は１００ないし３００ｐｐｍ、Ａｌの含有量は６０ないし９０ｐｐｍ、Ｆｅの含有量は６０ないし９０ｐｐｍ、Ｓｉの含有量は４０ないし１００ｐｐｍの組成を開示している。
【００１１】
特許文献４では、希土類元素からなる群から選択される１つ以上の元素及びＡｌ、Ｃａ、Ｓｉから選択される１つの元素を含むＭｇＯの組成を提供している。希土類元素として、マグネシウム酸化物に対してＳｃの含有量が５０ないし６００ｐｐｍ、Ｃａの含有量が５０ないし４００ｐｐｍ、Ａｌの含有量が５０ないし４００ｐｐｍ、Ｓｉの含有量が５０ないし４００ｐｐｍの組成を開示している。また、この組成は、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｎｉ、及びＺｒからなる不純物において、マグネシウム酸化物に対してＭｎは５０ｐｐｍ未満、Ｎａは３０ｐｐｍ未満、Ｋは３０ｐｐｍ未満、Ｃｒは１０ｐｐｍ未満、Ｆｅは２０ｐｐｍ未満の純度を有する組成を開示している。
【００１２】
特許文献６では、Ｓｃ、Ｃａ、ＳｉがドーピングされたＭｇＯの組成を提供している。この発明によれば、Ｓｃの含有量が５０ｐｐｍないし２０００ｐｐｍ、Ｃａの含有量が１００ｐｐｍないし１０００ｐｐｍ、Ｓｉの含有量が３０ｐｐｍないし５００ｐｐｍである場合に放電遅延時間が著しく短縮されると開示している。
【００１３】
このように、ＭｇＯにドーピング元素をドーピングさせることによって、ＭｇＯ薄膜の特性を向上させ、放電効率を向上させ、放電遅延時間を短縮させて、プラズマディスプレイパネルの性能を改善するのに寄与している。しかし、Ｓｃを含むＭｇＯ膜材料の場合には、原材料原価が上昇し、Ｍｇに比べて原子量が大きいドーピング元素の場合には、蒸着雰囲気内で移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が低いため、薄膜内にドーピングされる分率が低下するという問題がある。つまり、前記方法は、真空蒸着工程でターゲットソースに前記ドーピング元素がドーピングされている場合に、真空蒸着工程で前記ドーピング元素が基板に円滑に蒸着されない問題がある。
【００１４】
また、ＭｇＯ内のドーピング元素の溶解度は、イオンの半径、原子価などによって左右される。つまり、Ｍｇイオン及びドーピング元素イオンの半径差が大きいほど、原子価の差が大きいほど、ＭｇＯ内の溶解度が低下する。したがって、ドーピング元素のうちのイオンの半径差が大きかったり原子価の差が大きい材料の場合には、ＭｇＯ薄膜形成工程中に溶解度が低すぎてドーピングされずに第２相で析出されて、ドーピングによる放電特性の改善効果を得ることができなくなる。
【００１５】
このような薄膜形成工程は、工程速度が遅く、製造装置が高価であるため、製造原価が高価である短所がある。このような薄膜形成工程の問題を解決することができる方法として、ＭｇＯ粉末を積層して保護層を形成する厚膜工程がある。厚膜工程は、ＭｇＯ粉末をペーストまたはグリーンシート形態に製造した後、これを印刷またはラミネーション法を利用して厚膜を形成した後、乾燥、焼成などの工程を経て保護層を製造する方法である。このような厚膜工程は、特許文献７、特許文献８、特許文献９、特許文献１０などに詳細に開示されている。
【００１６】
特許文献７では、ＭｇＯナノ粉末が含まれているグリーンシートをラミネーション法によって前面パネルの誘電体層の上面に接着させ、これを焼成して保護層を形成する方法を提供している。この時、グリーンシートの厚さは２０μｍないし１００μｍの範囲であると開示している。特許文献８では、１００ｎｍ以下のＭｇＯナノ粉末を利用して、スクリーンプリンティング、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）、ダイコーティング（ｄｙｅｃｏａｔｉｎｇ）、スピンコーティング、グリーンシートコーティング、インクジェットなどの厚膜工程を利用して保護層を形成する方法を提供している。
【００１７】
特許文献９では、大きさが１００ｎｍ以下であるＭｇＯ粉末及び所定のアルカリ金属粉末またはＴｉＯ２粉末の混合物を利用して保護層を形成する方法を提供している。前記厚膜コーティング法は、ペーストまたはグリーンシートを形成するために、溶媒、バインダー、分散剤などの有機物が多量に使用され、適正な厚さに形成するために、乾燥していない状態のペースト層及びグリーンシート層が厚くなる問題がある。
【００１８】
特許文献１０では、電気泳動法（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｓｉｓ）を利用して誘電層及びＭｇＯ粉末保護層を形成する方法を提供している。つまり、前面基板をＭｇＯ粉末が分散されている電気泳動液に浸漬した後、前面基板の電極に直流電源の負極を印加し、金属電極には正極を印加して、コーティングする方法である。この時、イソプロピルアルコールを溶媒として使用し、硝酸マグネシウム水和物または硝酸イットリウム水和物を添加剤として使用する溶液組成を開示している。
【００１９】
このような電気泳動法を利用したＭｇＯ厚膜形成方法は公知の技術であって、多様な研究者が主要工程変数がＭｇＯ厚膜の特性に及ぼす影響について研究を行ってきた。しかし、電気泳動法による厚膜の形成は、電圧が印加された電極の表面部位にだけＭｇＯ膜が形成されるため、誘電体の表面に均一に厚膜を形成するのが困難な問題がある。
【００２０】
図１は従来の電気泳動法によってＭｇＯ保護層を形成する過程を示した模式図である。
【００２１】
図１を参照すれば、基板１１０の一面に複数の表示電極１２０が形成され、前記表示電極１２０を覆って基板１１０の全体に誘電体層１３０が形成される。前記誘電体層１３０上にＭｇＯ保護層１５０が形成される。
【００２２】
水槽１９０に電気泳動液１６０を入れ、前記電気泳動液１６０に直流電源１７０の（＋）端子に連結された共通電極１８０を浸漬する。また、前記第２基板１１０の前記表示電極１２０に直流電源１７０の（−）端子を連結し、前記（−）端子に連結された第２基板１１０を前記電気泳動液１６０に浸漬する。その後、電気泳動を行って、表示電極１２０の表面にＭｇＯ保護層１５０を形成する。
【００２３】
従来の電気泳動法によってＭｇＯ保護層を形成する場合、表示電極が形成された部分にだけＭｇＯ保護層が形成される。また、誘電体層が３０μｍ程度にコーティングされている前面基板の誘電体の表面にＭｇＯ厚膜を形成するためには、数百ボルト以上の高電圧を印加しなければならないため、装置の安全性及び製造原価に問題がある。
【特許文献１】特開２００５−１２３１７２号公報
【特許文献２】特開２００５−１２３１７３号公報
【特許文献３】韓国特許出願第１０−２００４−００３７２６８号
【特許文献４】韓国特許出願第１０−２００４−０１０８０７５号
【特許文献５】韓国特許出願第１０−２００５−００６１４２６号
【特許文献６】米国特許出願公開第２００６／０１４５６１４号明細書
【特許文献７】韓国特許出願第１０−２００３−００９０１４１号
【特許文献８】韓国特許出願第１０−２００３−００５８５３６号
【特許文献９】韓国特許出願第１０−２００４−０００９３２３号
【特許文献１０】韓国特許登録第０１８６５４１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
本発明は、前記問題を解決するためのものであって、本発明の目的は、優れた放電特性を有するプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【００２５】
本発明の他の目的は、電気泳動法によってＭｇＯ保護層を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
このような目的を達成するために、本発明は、互いに対向配置される第１基板及び第２基板；前記第２基板に対向する前記第１基板の一面に形成される複数のアドレス電極；前記アドレス電極を覆って前記第１基板に形成される誘電体層；前記第１基板に対向する前記第２基板の一面に前記アドレス電極と交差する方向に配置されて形成される複数の表示電極；前記表示電極上に位置する無機酸化物層；前記無機酸化物層を覆って形成されるＭｇＯ保護層；前記第１基板及び第２基板の間の空間に配置され、複数の放電セルを区画するように形成される隔壁；及び前記放電セル内に形成される蛍光体層；を含む、プラズマディスプレイパネルを提供する。
【００２７】
前記無機酸化物層は、前記第２基板で前記表示電極が形成された部分にだけ形成され、前記表示電極を覆って形成される。
【００２８】
前記プラズマディスプレイパネルは、表示電極及び無機酸化物層の間に形成される誘電体層をさらに含む。
【００２９】
前記無機酸化物層はパターン化されて形成される。
【００３０】
前記無機酸化物層の厚さは１０ないし１０００ｎｍであるのが好ましく、１００ないし３００ｎｍであるのがより好ましい。
【００３１】
前記無機酸化物層は非貴金属の酸化物を含み、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化クロム、酸化銅、酸化ニッケル、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される酸化物を含むのがより好ましい。
【００３２】
前記表示電極は、銀、アルミニウム、マグネシウム、銅、ニッケル、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属を含むのが好ましい。
【００３３】
前記ＭｇＯ保護層の厚さは０．５ないし１０μｍであるのが好ましく、１ないし５μｍであるのがより好ましい。
【００３４】
前記ＭｇＯ保護層は、Ｓｃ、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｉ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるドーピング元素をさらに含むのが好ましい。
【００３５】
本発明は、また、基板に形成された表示電極上に犠牲電極層を形成する段階；前記基板をＭｇＯ粉末及び溶媒を含む電気泳動液に浸漬する段階；前記犠牲電極層に電圧を印加し、電気泳動法を利用してＭｇＯ保護層を形成する段階；及び前記犠牲電極層を酸化させる段階；を含む、プラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。
【００３６】
前記プラズマディスプレイパネルの製造方法は、表示電極及び犠牲電極層の間に誘電体層を形成する段階をさらに含む。
【００３７】
前記犠牲電極層は、無電解メッキ法、熱蒸着法、スパッタリング法、化学蒸着法、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される方法によって形成されるのが好ましい。
【００３８】
前記ＭｇＯ粉末は、Ｓｃ、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｉ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるドーピング元素をさらに含み、前記ＳｃはＭｇＯに対して５０ないし６００ｐｐｍ、前記ＡｌはＭｇＯに対して５０ないし４００ｐｐｍ、前記ＣａはＭｇＯに対して５０ないし４００ｐｐｍ、前記ＳｉはＭｇＯに対して５０ないし４００ｐｐｍで含まれるのが好ましい。
【００３９】
また、前記ＭｇＯ粉末は、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｎｉ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される不純物を含み、前記ＭｎはＭｇＯに対して５０ｐｐｍ未満、前記ＮａはＭｇＯに対して３０ｐｐｍ未満、前記ＫはＭｇＯに対して３０ｐｐｍ未満、前記ＣｒはＭｇＯに対して１０ｐｐｍ未満、前記ＦｅはＭｇＯに対して２０ｐｐｍ未満で含まれるのが好ましい。
【００４０】
前記ＭｇＯ粉末は平均粒径が５０ないし１０００ｎｍであるのが好ましく、１００ないし５００ｎｍであるのがより好ましい。
【００４１】
前記溶媒は、アルコール系の溶媒、ケトン系の溶媒、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される溶媒であるのが好ましい。
【００４２】
前記電気泳動液は、分散剤をさらに含むこともできる。
【００４３】
前記分散剤は、電気泳動液全体に対して０．５ないし２重量％で添加されるのが好ましい。
【００４４】
前記犠牲電極層を酸化させる段階は、４５０ないし６００℃の温度で行われるのが好ましく、ＭｇＯ保護層を焼成する段階と同時に行われることもできる。
【発明の効果】
【００４５】
本発明の一実施例によるＭｇＯ保護層は、特定の含有量でドーピング元素がドーピングされているＭｇＯ粉末を使用して電気泳動法を利用して形成されるので、前記ＭｇＯ保護層を含むプラズマディスプレイパネルは、放電効率が向上し、放電時間が短縮するなど、優れた放電特性を有する。
【００４６】
また、本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、ＭｇＯ保護層の製造工程が単純で、製造原価が低減され、品質の均一性が優れていて、安定性が優れているので、製品収率が上昇し、プラズマディスプレイパネルの製造原価を画期的に低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下、本発明をより詳細に説明する。
【００４８】
本発明は、互いに対向配置される第１基板及び第２基板；前記第２基板に対向する前記第１基板の一面に形成される複数のアドレス電極；前記アドレス電極を覆って前記第１基板に形成される誘電体層；前記第１基板に対向する前記第２基板の一面に前記アドレス電極と交差する方向に配置されて形成される複数の表示電極；前記表示電極上に位置する無機酸化物層；前記無機酸化物層を覆って形成されるＭｇＯ保護層；前記第１基板及び第２基板の間の空間に配置され、複数の放電セルを区画するように形成される隔壁；及び前記放電セル内に形成される蛍光体層；を含む、プラズマディスプレイパネルを提供する。
【００４９】
前記無機酸化物層の厚さは１０ないし１０００ｎｍであるのが好ましく、１００ないし３００ｎｍであるのがより好ましい。
【００５０】
前記無機酸化物層の厚さが１０ｎｍ未満である場合には、電気抵抗が増加し、電気伝導度が低下するので好ましくなく、１０００ｎｍを超える場合には、誘電体の誘電率を変化させて放電特性を低下させる可能性があり、光学的透過率が低下して輝度を減少させる可能性がある。
【００５１】
前記無機酸化物層は非貴金属の酸化物を含み、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化クロム、酸化銅、酸化ニッケル、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される酸化物を含むのがより好ましい。
【００５２】
前記表示電極は、銀、アルミニウム、マグネシウム、銅、ニッケル、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属を含むのが好ましい。
【００５３】
前記ＭｇＯ保護層の厚さは０．５ないし１０μｍであるのが好ましく、１ないし５μｍであるのがより好ましい。一般に、ＭｇＯ保護層の厚さが増加するほど、放電効率が向上するが、可視光線の透過率が低下して放電電圧が上昇するようになる。ＭｇＯ保護層の厚さが前記範囲内である場合には、放電電圧を一定の範囲に維持した状態で、放電効率を向上させることができるので好ましい。
【００５４】
前記ＭｇＯ保護層は、Ｓｃ、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｉ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるドーピング元素をさらに含むのが好ましい。前記ＭｇＯ保護層が前記ドーピング元素をさらに含む場合には、放電効率を向上させ、放電遅延時間を短縮させて、プラズマディスプレイパネルの性能を改善するので好ましい。
【００５５】
以下、添付した図面を参照して、本発明の一実施例について、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異した形態で具現され、ここで説明する一実施例に限定されない。
【００５６】
図２は本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルを示した部分分解斜視図である。図２を参照すれば、本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの構造は、第１基板３上に一方向（図面のｙ軸方向）に沿ってアドレス電極１３が形成され、このアドレス電極１３を覆って第１基板３の全体に誘電体層１５が形成される。この誘電体層１５上に各アドレス電極１３の間に配置されるように隔壁５が形成され、各々の隔壁５の間に複数の放電セル７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成される。前記放電セル７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ内には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色の蛍光体層８Ｒ、８Ｇ、８Ｂが形成される。
【００５７】
前記隔壁５は、放電空間を区画する形態であればいずれも適用可能で、多様なパターンの隔壁に形成される。例えば、前記隔壁５は、ストライプなどの開放型隔壁はもちろん、ワッフル、マトリックス、デルタなどの閉鎖型隔壁でもよい。また、閉鎖型隔壁は、放電空間の横断面が四角形、三角形、五角形などの多角形や、円形、楕円形などになるように形成される。
【００５８】
そして、第１基板３に対向する第２基板１の一面には、アドレス電極１３と交差する方向（図面のｘ軸方向）に沿って一対の透明電極９ａ、１１ａ及びバス電極９ｂ、１１ｂからなる表示電極が形成され、この表示電極を覆って第２基板１の全体に誘電体層１７が形成される。
【００５９】
また、前記誘電体層１７を覆って第２基板１の全体に無機酸化物層１８及びＭｇＯ保護層１９が形成される。
【００６０】
前記第１基板３上のアドレス電極１３及び第２基板１上の表示電極が交差する地点が、放電セルを構成する部分になる。
【００６１】
前記プラズマディスプレイパネルは、アドレス電極１３及び表示電極９、１１の間にアドレス電圧（Ｖａ）を印加してアドレス放電を行い、再び一対の表示電極の間に維持電圧（Ｖｓ）を印加して維持放電を行って駆動する。この時に発生する励起源が当該蛍光体を励起させ、第２基板１を通じて可視光が放出されて、プラズマディスプレイパネルの画面を実現する。前記励起源としては、真空紫外線（Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）が主に利用される。
【００６２】
図３は本発明の第１実施例によるプラズマディスプレイパネルの第２基板を示した模式図である。
【００６３】
図３を参照すれば、第２基板３１０の一面に複数の表示電極３２０が形成され、前記表示電極３２０を覆って第２基板３１０の全体に誘電体層３３０が形成される。前記誘電体層３３０上に無機酸化物層３４０及びＭｇＯ保護層３５０が形成される。
【００６４】
前記無機酸化物層の厚さは１０ないし１０００ｎｍであるのが好ましく、１００ないし３００ｎｍであるのがより好ましい。
【００６５】
前記無機酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化クロム、酸化銅、酸化ニッケル、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される酸化物を含むのが好ましい。
【００６６】
前記表示電極は、銀、アルミニウム、マグネシウム、銅、ニッケル、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属を含むのが好ましい。
【００６７】
前記ＭｇＯ保護層の厚さは０．５ないし１０μｍであるのが好ましく、１ないし５μｍであるのがより好ましい。
【００６８】
前記ＭｇＯ保護層は、Ｓｃ、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｉ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるドーピング元素をさらに含むのが好ましい。
【００６９】
図４は本発明の第２実施例によるプラズマディスプレイパネルの第２基板を示した模式図である。
【００７０】
図４を参照すれば、第２基板４１０の一面に複数の表示電極４２０が形成され、前記表示電極４２０を覆って第２基板４１０の全体に誘電体層４３０が形成される。前記誘電体層４３０上に無機酸化物層４４０及びＭｇＯ保護層４５０が形成される。
【００７１】
この時、前記無機酸化物層４４０は、前記表示電極４２０のパターンによってパターン化されて誘電体層４３０上に形成される。前記無機酸化物層４４０は、前記表示電極４２０が四角形、Ｔ字型など多様な形態にパターン化されることによって、四角形、Ｔ字型など多様な形態にパターン化されて形成されることもできる。また、前記無機酸化物層４４０は、前記誘電体層４３０がない場合にも、前記表示電極４２０のパターンによってパターン化されて形成されることができる。
【００７２】
図５は本発明の第３実施例によるプラズマディスプレイパネルの第２基板を示した模式図である。
【００７３】
図５を参照すれば、第２基板５１０の一面に複数の表示電極５２０が形成され、前記表示電極５２０上に無機酸化物層５４０が形成されている。また、第２基板５１０上に前記無機酸化物層５４０を覆ってＭｇＯ保護層５５０が形成されている。
【００７４】
前記無機酸化物層５４０は、前記第２基板５１０で前記表示電極５２０が形成された部分にだけ形成され、前記表示電極５２０を覆って形成される。前記無機酸化物層５４０は、誘電体層（図示しない）の役割を果たすものであって、薄く形成することができるため、電気泳動法によるＭｇＯ保護層５５０の製造時に電圧を低下させることができるので好ましい。
【００７５】
本発明は、また、基板に形成された表示電極上に犠牲電極層を形成する段階；前記基板をＭｇＯ粉末及び溶媒を含む電気泳動液に浸漬する段階；前記犠牲電極層に電圧を印加し、電気泳動法を利用してＭｇＯ保護層を形成する段階；及び前記犠牲電極層を酸化させる段階；を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。
【００７６】
ここでは、まず、基板上に表示電極を形成し、前記表示電極上に犠牲電極層を形成する。
【００７７】
前記本発明の第１実施例によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、前記表示電極及び犠牲電極層の間に誘電体層を形成する段階をさらに含むことができる。また、前記犠牲電極層はパターン化されて形成されることができる。
【００７８】
前記犠牲電極層の厚さは１０ないし１０００ｎｍであるのが好ましく、１００ないし３００ｎｍであるのがより好ましい。
【００７９】
前記犠牲電極層の厚さが前記範囲内である場合には、電気泳動が可能な程度の電気伝導度を有し、ＭｇＯ保護層の焼成温度である４５０ないし６００℃の温度範囲で容易に酸化されるので、光学的に透明な酸化物に変換される。
【００８０】
前記犠牲電極層は、無電解メッキ法、熱蒸着法、スパッタリング法、化学蒸着法、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される方法によって好ましく形成される。
【００８１】
また、前記犠牲電極層は非貴金属を含むのが好ましく、アルミニウム、マグネシウム、クロム、銅、ニッケル、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属を含むのがより好ましい。前記非貴金属は、銀より酸化還元電位が低いものを好ましく使用することができる。また、前記非貴金属は、簡単に酸化されるもので、その酸化物が透明なものをより好ましく使用することができる。
【００８２】
電気泳動液は、ＭｇＯ粉末を溶媒に混合して製造する。
【００８３】
前記ＭｇＯ粉末は、Ｓｃ、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｉ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるドーピング元素をさらに含むのが好ましい。
【００８４】
前記ＳｃはＭｇＯ粉末全体に対して５０ないし６００ｐｐｍ、前記ＡｌはＭｇＯ粉末全体に対して５０ないし４００ｐｐｍ、前記ＣａはＭｇＯ粉末全体に対して５０ないし４００ｐｐｍ、前記ＳｉはＭｇＯ粉末全体に対して５０ないし４００ｐｐｍで含まれるのが好ましい。
【００８５】
前記Ｓｃ、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｉ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるドーピング元素が前記範囲未満である場合には、形成されたＭｇＯ保護層内のドーピング元素の含有量が微小であるので、放電効率の向上及び放電遅延時間の短縮効果を期待することができず、前記範囲を超える場合には、ＭｇＯでない第２相、つまりＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などで析出される可能性があるので好ましくない。
【００８６】
前記ＭｇＯ粉末は、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｎｉ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される不純物を含むことができ、前記ＭｎはＭｇＯ粉末全体に対して５０ｐｐｍ未満、前記Ｎａ及びＫは各々ＭｇＯ粉末全体に対して３０ｐｐｍ未満、前記Ｃｒ、Ｂｉ、及びＮｉは各々ＭｇＯ粉末全体に対して１０ｐｐｍ未満、前記Ｆｅ、及びＺｎはＭｇＯ粉末全体に対して２０ｐｐｍ未満で含まれるのが好ましい。前記不純物が前記範囲を超える場合には、前記ＭｇＯ粉末内のドーピング元素の含有量の調節が容易でなく、形成されたＭｇＯ保護層に前記ドーピング元素を含ませることによる効果を低減させるので好ましくない。
【００８７】
前記ＭｇＯ粉末は平均粒径が５０ないし１０００ｎｍであるのが好ましく、１００ないし５００ｎｍであるのがより好ましい。前記ＭｇＯ粉末の平均粒径が前記範囲内である場合には、電気泳動時に沈澱反応が発生せず、誘電体の表面に均一にパッキング（ｐａｃｋｉｎｇ）されるので好ましい。
【００８８】
前記溶媒は、ＭｇＯ粉末の表面に荷電層を容易に形成することができる極性溶媒を使用するのが好ましく、アルコール系の溶媒、ケトン系の溶媒、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される溶媒を使用するのが好ましい。特に、溶媒の乾燥速度及び表面張力は電気泳動法によって形成されたＭｇＯ保護層の欠陥発生に影響を与え、粘度は保護層の形成速度に影響を与えるので、これらの適切な組み合わせを選定することが重要である。
【００８９】
前記アルコール系の溶媒は、メタノール（Ｍｅｔｈａｎｏｌ）、エタノール（Ｅｔｈａｎｏｌ）、Ｎ−プロピルアルコール（Ｎ−Ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、イソプロピルアルコール（Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、Ｎ−ブタノール（Ｎ−Ｂｕｔａｎｏｌ）、セカンダリー−ブタノール（ｓｅｃ−Ｂｕｔａｎｏｌ）、イソ−ブタノール（Ｉｓｏ−ｂｕｔａｎｏｌ）、ターシャリー−ブタノール（ｔｅｒｔ−Ｂｕｔａｎｏｌ）、Ｎ−アミルアルコール（Ｎ−Ａｍｙｌａｌｃｏｈｏｌ）、イソアミルアルコール（Ｉｓｏａｍｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、セカンダリー−アミルアルコール（ｓｅｃ−Ａｍｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、ターシャリー−アミルアルコール（ｔｅｒｔ−Ａｍｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、Ｎ−ヘキシルアルコール（Ｎ−Ｈｅｘｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、シクロ−ヘキサノール（Ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｌ）、２−エチル−１−ブタノール（２−Ｅｔｈｙｌ−１−ｂｕｔａｎｏｌ）、メチルイソブチルカルビノール（Ｍｅｔｈｙｌ ｉｓｏｂｕｔｙｌ ｃａｒｂｉｎｏｌ）、２−エチル−１−ヘキサノール（２−Ｅｔｈｙｌ−１−ｈｅｘａｎｏｌ）、Ｎ−オクチルアルコール（Ｎ−Ｏｃｔｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、セカンダリー−オクチルアルコール（ｓｅｃ−Ｏｃｔｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、ノニルアルコール（Ｎｏｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、デシルアルコール（Ｄｅｃｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、ベンジルアルコール（Ｂｅｎｚｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、アリルアルコール（Ａｌｌｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、ジアセトンアルコール（Ｄｉａｃｅｔｏｎｅ ａｌｃｏｈｏｌ）、フルフリルアルコール（Ｆｕｒｆｕｒｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、テトラヒドロフルフリルアルコール（Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒｆｕｒｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、テキサノールエステル−アルコール（Ｔｅｘａｎｏｌ ｅｓｔｅｒ−ａｌｃｏｈｏｌ）、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるものを使用することができる。
【００９０】
前記ケトン系の溶媒は、アセトン（Ａｃｅｔｏｎｅ）、メチルエチルケトン（Ｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、メチルＮ−プロピルケトン（Ｍｅｔｈｙｌ Ｎ−ｐｒｏｐｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、メチルイソプロピルケトン（Ｍｅｔｈｙｌ ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、ジエチルケトン（Ｄｉｅｔｈｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、シクロ−ヘキサノン（Ｃｙｃｌｏ−ｈｅｘａｎｏｎｅ）、メシチルオキシドケトン（Ｍｅｓｉｔｙｌ ｏｘｉｄｅ ｋｅｔｏｎｅ）、メチルイソブチルケトン（Ｍｅｔｈｙｌｉｓｏｂｕｔｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、メチルＮ−ブチルケトン（Ｍｅｔｈｙｌ Ｎ−ｂｕｔｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、エチルＮ−ブチルケトン（Ｅｔｈｙｌ Ｎ−ｂｕｔｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、メチルＮ−アミルケトン（Ｍｅｔｈｙｌ Ｎ−ａｍｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、メチルイソアミルケトン（Ｍｅｔｈｙｌ ｉｓｏａｍｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、ジプロピルケトン（Ｄｉｐｒｏｐｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、ジアセトンアルコール（Ｄｉａｃｅｔｏｎｅ ａｌｃｏｈｏｌ）、アセト−フェノン（Ａｃｅｔｏ−ｐｈｅｎｏｎｅ）、メチルＮ−ヘキシルケトン（Ｍｅｔｈｙｌ Ｎ−ｈｅｘｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、エチルＮ−アミルケトン（Ｅｔｈｙｌ Ｎ−ａｍｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、イソ−フォロン（Ｉｓｏ−ｐｈｏｒｏｎｅ）、ジイソ−ブチルケトン（Ｄｉｉｓｏ−ｂｕｔｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、イソブチルヘプチルケトン（Ｉｓｏｂｕｔｙｌ ｈｅｐｔｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）、Ｅａｓｔｍａｎ Ｃ−１１（Ｅａｓｔｍａｎ社製品）、アセトニル−アセトン（Ａｃｅｔｏｎｙｌ−ａｃｅｔｏｎｅ）、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるものを使用することができる。
【００９１】
前記ＭｇＯ粉末は電気泳動液全体に対して０．１ないし１０重量％で含まれるのが好ましく、０．５ないし３重量％で含まれるのがより好ましい。ＭｇＯ粉末の含有量が０．１重量％未満である場合には、ＭｇＯ保護膜を充分な厚さに形成することができず、１０重量％を超える場合には、ＭｇＯ粉末の濃度が濃すぎて、ＭｇＯ保護膜が形成される部分以外の部分にもＭｇＯが漏出されるので好ましくない。
【００９２】
前記ＭｇＯ粉末が前記電気泳動液内で分散された懸濁液状態で存在するようにするために、前記電気泳動液に分散剤をさらに添加することができる。前記分散剤を溶媒内に先に添加して、前記分散剤が前記ＭｇＯ粉末の表面に吸着して分散が効率的に行われるようにするのが好ましい。また、分散をより容易にするために、前記電気泳動液をフラッタリーミル、ボールミル、アトリッションミル、バスケットミルなどを利用して処理するのも好ましい。
【００９３】
前記分散剤は、電気泳動液全体に対して０．５ないし２重量％で添加されるのが好ましい。前記分散剤の含有量が前記範囲内である場合には、ＭｇＯ粉末の分散性を向上させて、均一な蒸着を可能にし、ＭｇＯ粉末の表面電位を変化させて、電気泳動速度や泳動方向などの調節を可能にする。前記分散剤の含有量はＭｇＯ粉末の表面積によって決定する。つまり、ＭｇＯ粉末の粒子が小さくて表面積が大きい場合には、分散剤の含有量を増加させるのが好ましく、ＭｇＯ粉末の粒子が大きくて表面積が小さい場合には、分散剤の含有量を減少させるのが好ましい。
【００９４】
前記分散剤は、Ｄａｒｖａｎ ８２１Ａ（ＲＴ Ｖａｎｄｅｒｂｉｌｔ社製品）、ポリアクリル酸、ヒドロキシプロピルセルロース、アンモニウムポリメタクリレート、ポリメタクリル酸、エチレンジアミンテトラアセテート、ナトリウムヘキサメタホスフェート、エアゾール２２（Ｃｙｔｅｃ社製品）、パルミチン酸、ＢＹＫ−１８０（ＢＹＫ ｃｈｅｍｉｃａｌ社製品）、ＢＹＫ−１８１（ＢＹＫ ｃｈｅｍｉｃａｌ社製品）、ＢＹＫ−１１１（ＢＹＫ ｃｈｅｍｉｃａｌ社製品）、ＢＹＫ−１１６（ＢＹＫ ｃｈｅｍｉｃａｌ社製品）、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるもの好ましく使用することができる。
【００９５】
前記電気泳動液に直流電源の（＋）端子に連結された共通電極を浸漬する。また、前記製造された基板の犠牲電極層に直流電源の（−）端子を連結し、前記（−）端子に連結された基板を前記電気泳動液に浸漬する。その後、電気泳動を行って、犠牲電極層の表面にＭｇＯ保護層を形成する。
【００９６】
前記ＭｇＯ保護層は０．５ないし１０μｍの厚さに形成されるのが好ましく、１ないし５μｍの厚さに形成されるのがより好ましい。
【００９７】
一般に、ＭｇＯ保護層の厚さが増加するほど、放電効率は向上するが、可視光線の透過率が低下して、放電電圧が上昇するようになる。ＭｇＯ保護層の厚さが前記範囲内である場合には、放電電圧を一定の範囲に維持した状態で、放電効率を向上させることができるので好ましい。
【００９８】
図６は本発明の第１実施例によってプラズマディスプレイパネルを製造する場合の、電気泳動法によるＭｇＯ保護層形成段階を示した模式図である。
【００９９】
図６を参照すれば、基板６１０の一面に複数の表示電極６２０が形成され、前記表示電極６２０を覆って基板６１０の全体に誘電体層６３０が形成される。前記誘電体層６３０上に犠牲電極層６４０及びＭｇＯ保護層６５０が形成される。
【０１００】
水槽６９０に電気泳動液６６０を入れ、前記電気泳動液６６０に直流電源６７０の（＋）端子に連結された共通電極６８０を浸漬する。また、前記製造された基板６１０の犠牲電極層６４０に直流電源６７０の（−）端子を連結し、前記（−）端子に連結された基板６１０を前記電気泳動液６６０に浸漬する。その後、電気泳動を行って、犠牲電極層６４０の表面にＭｇＯ保護層６５０を形成する。
【０１０１】
図７は本発明の第２実施例によるプラズマディスプレイパネルを製造する場合の、電気泳動法によるＭｇＯ保護層形成段階を示した模式図である。
【０１０２】
図７を参照すれば、基板７１０の一面に複数の表示電極７２０が形成され、前記表示電極７２０を覆って基板７１０の全体に誘電体層７３０が形成される。前記誘電体層７３０上に犠牲電極層７４０及びＭｇＯ保護層７５０が形成される。この時、前記犠牲電極層７４０は、パターン化されて誘電体層７３０上に形成される。前記犠牲電極層７４０は、四角形、Ｔ字型など多様な形態にパターン化されて形成されることができる。この場合、放電空間に露出した誘電体層７３０がスパッタリングによってエッチングされるのを防止するために、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの耐スパッタリング特性が優れている薄膜をコーティングすることもできる。
【０１０３】
水槽７９０に電気泳動液７６０を入れ、前記電気泳動液７６０に直流電源７７０の（＋）端子に連結された共通電極７８０を浸漬する。また、前記製造された基板７１０の犠牲電極層７４０に直流電源７７０の（−）端子を連結し、前記（−）端子に連結された基板７１０を前記電気泳動液７６０に浸漬する。その後、電気泳動を行って、犠牲電極層７４０の表面にＭｇＯ保護層７５０を形成する。
【０１０４】
図８は本発明の第３実施例によるプラズマディスプレイパネルを製造する場合の、電気泳動法によるＭｇＯ保護層形成段階を示した模式図である。
【０１０５】
図８を参照すれば、基板８１０の一面に複数の表示電極８２０が形成されており、前記表示電極８２０上に犠牲電極層８４０が形成されている。また、基板８１０上に前記犠牲電極層８４０を覆ってＭｇＯ保護層８５０が形成されている。
【０１０６】
前記犠牲電極層８４０は、前記基板８１０で前記表示電極８２０が形成された部分にだけ形成され、前記表示電極８２０を覆って形成される。前記犠牲電極層は、薄く形成することができるので、低電圧でＭｇＯ保護層を形成することができる。
【０１０７】
一方、前記表示電極８２０を酸化が可能な金属で形成することによって、表示電極８２０及び犠牲電極層８４０を同時に形成することもできる。つまり、酸化が可能な金属で表示電極８２０及び犠牲電極層８４０を一体に形成した後、電気泳動法によってＭｇＯ保護層８５０を形成し、前記表示電極８２０を一定の深さまで酸化させて無機酸化物層を形成することもできる。
【０１０８】
水槽８９０に電気泳動液８６０を入れ、前記電気泳動液８６０に直流電源８７０の（＋）端子に連結された共通電極８８０を浸漬する。また、前記製造された基板８１０の犠牲電極層８４０に直流電源８７０の（−）端子を連結し、前記（−）端子に連結された基板８１０を前記電気泳動液８６０に浸漬する。その後、電気泳動を行って、犠牲電極層８４０の表面にＭｇＯ保護層８５０を形成する。
【０１０９】
ＭｇＯ保護層６５０、７５０、８５０を形成した後、溶媒を乾燥させ、前記犠牲電極層６４０、７４０、８４０を酸化させ、ＭｇＯ保護層６５０、７５０、８５０を焼成する。前記犠牲電極層６４０、７４０、８４０を酸化させる段階は、ＭｇＯ保護層６５０、７５０、８５０を焼成する段階と同時に行われることもできる。前記犠牲電極層６４０、７４０、８４０を酸化させると、不導体である酸化物に変換される。
【０１１０】
前記犠牲電極層を酸化させる段階は、４５０ないし６００℃の温度で行われるのが好ましい。前記犠牲電極層を酸化させる温度が前記範囲内である場合には、ＭｇＯ保護層の焼成と同時に前記犠牲電極層の酸化ができるので好ましい。
【０１１１】
以下、本発明の好ましい実施例及び比較例を記載する。しかし、下記の実施例は本発明の好ましい一実施例にすぎず、本発明は下記の実施例に限定されない。
【０１１２】
（プラズマディスプレイパネルの製造）
（実施例１）
ＭｇＯ粉末１ｇ、イソプロピルアルコール６０ｍｌ、及び２−ブタノール（２−ｂｕｔａｎｏｌ）４０ｍｌを混合して、電気泳動液を製造した。
【０１１３】
基板に表示電極を形成し、前記表示電極上に誘電体層を形成し、前記誘電体層上に犠牲電極層を熱蒸着／スパッタリング法によって２０ｎｍの厚さに形成した。
【０１１４】
水槽に電気泳動液を入れ、前記電気泳動液に直流電源の（＋）端子に連結された共通電極を浸漬した。また、前記製造された基板の犠牲電極層に直流電源の（−）端子を連結し、前記（−）端子に連結された基板を前記電気泳動液に浸漬した。その後、電気泳動を行って、犠牲電極層の表面にＭｇＯ保護層を１μｍの厚さに形成した。
【０１１５】
前記基板を利用してプラズマディスプレイパネルを製造した。
【０１１６】
（実施例２）
形成されたＭｇＯ保護層の厚さが２μｍであることを除いては、実施例１と同一にプラズマディスプレイパネルを製造した。
【０１１７】
（実施例３）
形成されたＭｇＯ保護層の厚さが３μｍであることを除いては、実施例１と同一にプラズマディスプレイパネルを製造した。
【０１１８】
（実施例４）
形成されたＭｇＯ保護層の厚さが４μｍであることを除いては、実施例１と同一にプラズマディスプレイパネルを製造した。
【０１１９】
（実施例５）
形成されたＭｇＯ保護層の厚さが５μｍであることを除いては、実施例１と同一にプラズマディスプレイパネルを製造した。
【０１２０】
（比較例１）
イオンプレーティング（ｉｏｎ−ｐｌａｔｉｎｇ）法を利用してＭｇＯ保護層を０．７μｍの厚さに形成して第２基板を製造し、前記第２基板を利用してプラズマディスプレイパネルを製造した。
【０１２１】
（比較例２）
犠牲電極層を形成せず、表示電極に直流電源の（−）端子を連結したことを除いては、実施例１と同一にプラズマディスプレイパネルを製造した。
【０１２２】
（実施例６）
犠牲電極層を四角形にパターン化して形成したことを除いては、実施例１と同一にプラズマディスプレイパネルを製造した。
【０１２３】
（実施例７）
表示電極上に誘電体層を形成せず、犠牲電極層を前記表示電極が形成された部分にだけ前記表示電極を覆うように形成したことを除いては、実施例１と同一にプラズマディスプレイパネルを製造した。
【０１２４】
（実施例８）
ＳｃをＭｇＯに対して１０００ｐｐｍ、ＡｌをＭｇＯに対して１０００ｐｐｍ、ＣａをＭｇＯに対して１０００ｐｐｍ、ＳｉをＭｇＯに対して１０００ｐｐｍで含むＭｇＯ粉末を使用したことを除いては、実施例１と同一にプラズマディスプレイパネルを製造した。
【０１２５】
（実施例９）
電気泳動液に分散剤としてＢＹＫ−１８０（ＢＹＫ ｃｈｅｍｉｃａｌ社製）を電気泳動液全体に対して０．６重量％で添加したことを除いては、実施例１と同一にプラズマディスプレイパネルを製造した。
【０１２６】
（製造されたプラズマディスプレイパネルの放電効率の測定及び結果）
前記実施例１ないし９、及び比較例１で製造されたプラズマディスプレイパネルの放電効率を測定して、実施例１ないし３、及び比較例１に対する結果を図９に示した。
【０１２７】
図９を参照すれば、実施例１ないし３で製造されたプラズマディスプレイパネルが比較例１で製造されたプラズマディスプレイパネルに比べて放電特性が優れていることが分かる。また、電気泳動法によってＭｇＯ保護層を形成した場合、ＭｇＯ保護層の厚さが厚いほど、放電効率が向上することが分かる。実施例４ないし９で製造されたプラズマディスプレイパネルの放電効率も実施例１と同程度であった。
【０１２８】
実施例１で製造されたプラズマディスプレイパネルの場合、ＭｇＯ保護層が誘電体層全体に均一な厚さに形成されたが、比較例２で製造されたプラズマディスプレイパネルの場合、ＭｇＯ保護層が誘電体層全体に均一な厚さに形成されず、表示電極上にだけ形成された。
【０１２９】
本発明の単純な変形または変更は、この分野の通常の知識を有する者によって容易に実施され、このような変形や変更は、全て本発明の領域に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】従来の電気泳動法によってＭｇＯ保護層を形成する過程を示した模式図である。
【図２】本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルを示した部分分解斜視図である。
【図３】本発明の第１実施例によるプラズマディスプレイパネルの第２基板を示した模式図である。
【図４】本発明の第２実施例によるプラズマディスプレイパネルの第２基板を示した模式図である。
【図５】本発明の第３実施例によるプラズマディスプレイパネルの第２基板を示した模式図である。
【図６】本発明の第１実施例によるプラズマディスプレイパネルにおいて、電気泳動法によってＭｇＯ保護層を形成する段階を示した模式図である。
【図７】本発明の第２実施例によるプラズマディスプレイパネルにおいて、電気泳動法によってＭｇＯ保護層を形成する段階を示した模式図である。
【図８】本発明の第３実施例によるプラズマディスプレイパネルにおいて、電気泳動法によってＭｇＯ保護層を形成する段階を示した模式図である。
【図９】実施例１ないし３、及び比較例１で製造したプラズマディスプレイパネルの放電効率を示したグラフである。
【符号の説明】
【０１３１】
１  第２基板
３  第１基板
５  隔壁
７  放電セル
８  蛍光体層
９ａ、１１ａ  透明電極
９ｂ、１１ｂ  バス電極
１３  アドレス電極
１５、１７  誘電体層
１８  無機酸化物層
１９  ＭｇＯ保護層
３１０、４１０、５１０、６１０、７１０、８１０  基板
３２０、４２０、５２０、６２０、７２０、８２０  表示電極
３３０、４３０、６３０、７３０  誘電体層
３４０、４４０、５４０  無機酸化物層
６４０、７４０、８４０  犠牲電極層
３５０、４５０、５５０、６５０、７５０、８５０  ＭｇＯ保護層
６６０、７６０、８６０  電気泳動液
６７０、７７０、８７０  直流電源
６８０、７８０  共通電極
６９０、７９０、８９０  水槽
【図１】
2008140781.tif 000003
【図２】
2008140781.tif 000004
【図３】
2008140781.tif 000005
【図４】
2008140781.tif 000006
【図５】
2008140781.tif 000007
【図６】
2008140781.tif 000008
【図７】
2008140781.tif 000009
【図８】
2008140781.tif 000010
【図９】
2008140781.tif 000011