(57)【要約】【課題】ガス貯留空間に貯留されているガスをガス貯留空間の外部に向かって導出する開口を構成する開口周壁の強度の向上を図ることができかつ中空構造体の各中空部の容積及び各中空部を画成する膜厚の均一化を図ることができる中空構造体形成用基板を提供する。【解決手段】本発明の中空構造体形成用基板は、塑性変形可能な材料を用いて塑性変形膜２４が形成される表面２３”と、規則的に配列された複数個のガス貯留空間２１と、各ガス貯留空間２２に臨む開口２２ｂと表面２３”に臨む開口２２ａとを有して各ガス貯留空間２２に存在するガスを減圧環境条件のもとで表面２３”に向かって導出するガス導出部２２とからなり、両開口の間が塑性変形可能な材料の浸入を阻止する浸入阻止空間２２ｃとなっている。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
塑性変形可能な材料を用いて塑性変形膜が形成される表面と、規則的に配列された複数個のガス貯留空間と、該各ガス貯留空間に臨む開口と前記表面に臨む開口とを有して前記各ガス貯留空間に存在するガスを減圧環境条件のもとで表面に向かって導出するガス導出部とからなり、前記両開口の間が前記塑性変形可能な材料の浸入を阻止する浸入阻止空間となっていて、前記塑性変形膜を前記ガスの膨張圧力により延伸変形させて規則的に配列された中空部を有する中空構造体を造形することを特徴とする中空構造体形成用基板。
【請求項２】
前記ガス導出部が円柱状開口部からなり、前記ガス貯留空間が円柱状凹処又は角柱状凹処からなることを特徴とする請求項１に記載の中空構造体形成用基板。
【請求項３】
前記ガス導出部が円柱状開口部からなり、前記ガス貯留空間が六角柱状凹処からなることを特徴とする請求項１に記載の中空構造体形成用基板。
【請求項４】
前記ガス貯留空間が六方細密構造からなることを特徴とする請求項３に記載の中空構造体形成用基板。
【請求項５】
前記表面に前記円柱状開口部を中央に有する六角形状の環状輪郭部が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の中空構造体形成用基板。
【請求項６】
前記環状輪郭部が環状突起からなることを特徴とする請求項５に記載の中空構造体形成用基板。
【請求項７】
前記環状輪郭部で包囲された表面が撥水処理され、該環状輪郭部が親水性を有していることを特徴とする請求項５に記載の中空構造体形成用基板。
【請求項８】
前記環状輪郭部がチタン金属膜により形成されていることを特徴とする請求項７に記載の中空構造体形成用基板。
【請求項９】
前記円柱状開口部の直径が５μｍ以上かつ３０μｍ以下であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の中空構造体形成用基板。
【請求項１０】
前記ガス導出部の容積が前記ガス貯留空間の容積に較べて無視できる程度の大きさであることを特徴とする請求項９に記載の中空構造体造形用基板。
【請求項１１】
前記円柱状開口部を底部中央に有する断面円弧状の複数個の凹部を有し各隣接する凹部を画成する隔壁の形状が六角形であることを特徴とする請求項３に記載の中空構造体形成用基板。
【請求項１２】
金属基板の一面にレジスト薄膜を形成する工程と、
規則的パターンに従って前記レジスト薄膜を露光してかつ非露光部のレジスト薄膜を前記一面から除去して円柱状開口部に対応する円柱状露光部を形成する工程と、
前記円柱状露光部を除去して規則的に配列された円柱状開口部に対応する円柱状凹処を有しかつ塑性変形膜が形成される金属薄膜を前記金属基板の一面側に形成する工程と、
前記金属薄膜の一面側に前記円柱状凹処を埋めるようにしてレジスト厚膜を形成する工程と、
規則的パターンに従って前記レジスト厚膜を露光してかつ非露光部のレジスト厚膜を前記金属薄膜の表面から除去して非露光部が前記円柱状開口部を中央に有する規則的に配列されたガス貯留空間の隔壁形成用凹処となる角柱状露光部を形成する工程と、
前記隔壁形成用凹処に前記金属薄膜と一体化するようにしてかつ前記角柱状露光部が埋もれないようにして前記隔壁形成用凹処に電鋳により金属厚膜を形成する工程と、
前記金属薄膜と前記金属厚膜と前記角柱状露光部とからなる構成体を前記金属基板から剥離する工程と、
前記角柱状露光部を除去して塑性変形膜が形成される表面と規則的に配列された複数個のガス貯留空間と該各ガス貯留空間に臨む開口と前記表面に臨む開口とを有して前記各ガス貯留空間に存在するガスを減圧環境条件のもとで表面に向かって導出するガス導出部とを有する中空構造体形成用基板を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする中空構造体形成用基板の形成方法。
【請求項１３】
前記金属基板の一面に、円柱状開口部を中央に有する六角形状の規則的に配列された環状突起部を形成するための六角形状環状溝部が予め形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の中空構造体形成用基板の形成方法。
【請求項１４】
更に、前記表面に親水性のチタン膜を形成する工程と、前記親水性のチタン膜を除く箇所に撥水処理膜を形成する工程とが付加されていることを特徴とする請求項１２に記載の中空構造体形成用基板の形成方法。
【請求項１５】
請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の中空構造体形成用基板の表面に塑性変形可能な材料を塗布して塑性変形膜を形成する工程と、
塑性変形膜が形成された前記中空構造体形成用基板を減圧環境条件にセットするセット工程と、
前記減圧環境条件で請求項１に記載のガス貯留空間に貯留されているガスを膨張させて該ガスの膨張圧力により前記塑性変形膜を延伸変形させることにより規則的に配列された複数個の中空部を有する中空構造体を造形する工程と、
からなることを特徴とする中空構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、規則的に配列された中空部を有する中空構造体を形成するのに好適な中空構造体形成用基板及びこの中空構造体形成用基板の製造方法及びこの中空構造体形成用基板を用いた中空構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、水平断面形状が格子状の熱可塑性樹脂体の各四角形状の中空凹部内に熱可塑性樹脂高発泡体を充填して、加熱することにより熱可塑性樹脂高発泡体を体積膨張させることにより発泡させた中空構造体が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
ところで、近時、基板にガスを貯留するガス貯留空間を規則的に形成し、この基板の表面に塑性変形可能な材料からなる平坦状の塑性変形膜を形成し、ガス貯留空間内のガス膨張圧力によりその塑性変形膜を膨張延伸させて規則的に配列された多数個の中空部を有する中空構造体を製造する製造技術が開発されつつある（例えば、特願２００５−２６２２０２号）。
【特許文献１】特開平８−１１２８７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
その特願２００５−２６２２０２号に開示の技術では、図１（ａ）に示すように、中空構造体形成用基板１にガス貯留空間として内壁面の形状が略球形状の凹処２を規則的に配列形成し、その凹処２に大気と連通する円形状の開口３を形成している。この開口３は凹処２内の空気を凹処２の外部に向かって導出させるガス導出部として用いられる。
【０００５】
そして、この特願２００５−２６２２０２号に開示の技術では、以下に説明する工程を経て、中空構造体を製造している。
【０００６】
まず、図１（ｂ）に示すように、この開口３を塞ぐようにして、基板１の表面１ａに、塑性変形可能な材料からなる薄状の塑性変形膜４を、例えば、スピンコート方法やスリットコート方法によって形成する。
【０００７】
ついで、図１（ｂ）に示す塑性変形膜４が形成された中空構造体形成用基板１を真空容器（図示を略す）の内部にセットし、塑性変形膜４が硬化する前に真空容器の内部を１ＫＰａ〜５０ＫＰａ（１００分の１気圧〜１／２気圧）に減圧する。
【０００８】
凹処２内の空気は真空容器の内部が減圧されることによって膨張し、開口３から塑性変形膜４に向けて導出される。塑性変形膜４の開口３に対応する部位は凹処２内に存在する空気の膨張圧力によって、図１（ｃ）に示すように膨張延伸され、塑性変形膜４が多数個の中空部５ａを有する構造体に変形される。
【０００９】
この構造体を構成する塑性変形可能な材料のうち液体成分は、減圧環境条件のもとで蒸発する。その結果、膨張体が固化して、多数個の中空部５ａを有する中空構造体５が形成される。図１（ｄ）は中空構造体形成用基板１から剥離された中空構造体５を示している。
【００１０】
ところが、この特願２００５−２６２２０２号に開示の技術では、図１（ｂ）に符号４ａで示すように、開口３から凹処２内に塑性変形可能な材料の一部が浸入することがあり、この塑性変形可能な材料の一部が入り込んだ凹処２と入り込んでいない凹処２とでは、凹処２内に閉じ込められている空気（ガス）の量が異なるために、減圧環境条件のもとでガスの膨張圧力が異なることとなり、その結果、中空部５ａの容積にばらつきが生じると共に、その各中空部５ａを仕切る隔壁５ｂ、表層膜５ｃの膜厚が不均一になるという問題がある。
【００１１】
この塑性変形可能な材料の凹処２内への浸入を防止するため、その開口３の大きさを小さくすることが考えられるが、その開口３の大きさを小さくすればするほど、開口３を構成する開口周壁３ａの厚さが薄くなり、開口周壁３ａの強度が弱くなる。
【００１２】
このため、中空構造体形成用基板１を用いて何度も中空構造体５を形成するうちに開口周壁３ａの部分に欠け、割れが生じ、中空構造体形成用基板１の利用効率が低下するという不都合がある。
【００１３】
本発明は、上記の事情に鑑みて為されたもので、その目的とするところは、ガス貯留空間に貯留されているガスをガス貯留空間の外部に向かって導出する開口を構成する開口周壁の強度の向上を図ることができかつ中空構造体の各中空部の容積及び各中空部を画成する膜厚の均一化を図ることができる中空構造体形成用基板及びこの中空構造体形成用基板の製造方法及びこの中空構造体形成用基板を用いた中空構造体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１に記載の中空構造体形成用基板は、塑性変形可能な材料を用いて塑性変形膜が形成される表面と、規則的に配列された複数個のガス貯留空間と、該各ガス貯留空間に臨む開口と前記表面に臨む開口とを有して前記各ガス貯留空間に存在するガスを減圧環境条件のもとで表面に向かって導出するガス導出部とからなり、前記両開口の間が前記塑性変形可能な材料の浸入を阻止する浸入阻止空間となっていて、前記塑性変形膜を前記ガスの膨張圧力により延伸変形させて規則的に配列された中空部を有する中空構造体を造形することを特徴とする。
【００１５】
請求項２に記載の中空構造体形成用基板は、前記ガス導出部が円柱状開口部からなり、前記ガス貯留空間が円柱状凹処又は角柱状凹処からなることを特徴とする。
【００１６】
請求項３に記載の中空構造体形成用基板は、前記ガス導出部が円柱状開口部からなり、前記ガス貯留空間が六角柱状凹処からなることを特徴とする。
【００１７】
請求項４に記載の中空構造体形成用基板は、前記ガス貯留空間が六方細密構造からなることを特徴とする。
【００１８】
請求項５に記載の中空構造体形成用基板は、前記表面に前記円柱状開口部を中央に有する六角形状の環状輪郭部が形成されていることを特徴とする。
【００１９】
請求項６に記載の中空構造体形成用基板は、前記環状輪郭部が環状突起からなることを特徴とする。
【００２０】
請求項７に記載の中空構造体形成用基板は、前記環状輪郭部で包囲された表面が撥水処理され、該環状輪郭部が親水性を有していることを特徴とする。
【００２１】
請求項８に記載の中空構造体形成用基板は、前記環状輪郭部がチタン金属膜により形成されていることを特徴とする。
【００２２】
請求項９に記載の中空構造体形成用基板は、前記円柱状開口部の直径が５μｍ以上かつ３０μｍ以下であることを特徴とする。
【００２３】
請求項１０に記載の中空構造体造形用基板は、前記ガス導出部の容積が前記ガス貯留空間の容積に較べて無視できる程度の大きさであることを特徴とする。
【００２４】
請求項１１に記載の中空構造体形成用基板は、前記円柱状開口部を底部中央に有する断面円弧状の複数個の凹部を有し各隣接する凹部を画成する隔壁の形状が六角形であることを特徴とする。
【００２５】
請求項１２に記載の中空構造体形成用基板の形成方法は、
金属基板の一面にレジスト薄膜を形成する工程と、
規則的パターンに従って前記レジスト薄膜を露光してかつ非露光部のレジスト薄膜を前記一面から除去して円柱状開口部に対応する円柱状露光部を形成する工程と、
前記円柱状露光部を除去して規則的に配列された円柱状開口部に対応する円柱状凹処を有しかつ塑性変形膜が形成される金属薄膜を前記金属基板の一面側に形成する工程と、
前記金属薄膜の一面側に前記円柱状凹処を埋めるようにしてレジスト厚膜を形成する工程と、
規則的パターンに従って前記レジスト厚膜を露光してかつ非露光部のレジスト厚膜を前記金属薄膜の表面から除去して非露光部が前記円柱状開口部を中央に有する規則的に配列されたガス貯留空間の隔壁形成用凹処となる角柱状露光部を形成する工程と、
前記隔壁形成用凹処に前記金属薄膜と一体化するようにしてかつ前記角柱状露光部が埋もれないようにして前記隔壁形成用凹処に電鋳により金属厚膜を形成する工程と、
前記金属薄膜と前記金属厚膜と前記角柱状露光部とからなる構成体を前記金属基板から剥離する工程と、
前記角柱状露光部を除去して塑性変形膜が形成される表面と規則的に配列された複数個のガス貯留空間と該各ガス貯留空間に臨む開口と前記表面に臨む開口とを有して前記各ガス貯留空間に存在するガスを減圧環境条件のもとで表面に向かって導出するガス導出部とを有する中空構造体形成用基板を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする。
【００２６】
請求項１３に記載の中空構造体形成用基板の形成方法は、前記金属基板の一面に、円柱状開口部を中央に有する六角形状の規則的に配列された環状突起部を形成するための六角形状環状溝部が予め形成されていることを特徴とする。
【００２７】
請求項１４に記載の中空構造体形成用基板の形成方法は、更に、前記表面に親水性のチタン膜を形成する工程と、前記親水性のチタン膜を除く箇所に撥水処理膜を形成する工程とが付加されていることを特徴とする。
【００２８】
請求項１５に記載の中空構造体の製造方法は、
請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の中空構造体形成用基板の表面に塑性変形可能な材料を塗布して塑性変形膜を形成する工程と、
塑性変形膜が形成された前記中空構造体形成用基板を減圧環境条件にセットするセット工程と、
前記減圧環境条件で請求項１に記載のガス貯留空間に貯留されているガスを膨張させて該ガスの膨張圧力により前記塑性変形膜を延伸変形させることにより規則的に配列された複数個の中空部を有する中空構造体を造形する工程と、
からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
請求項１ないし請求項１１に記載の発明によれば、ガス貯留空間に貯留されているガスをガス貯留空間の外部に向かって導出する開口を構成する開口周壁の強度の向上を図ることができるという効果、中空構造体の各中空部の容積及び各中空部を画成する膜厚の均一化を図ることができるという効果を奏する。
【００３０】
とくに、請求項６ないし請求項８に記載の発明によれば、ガス導出部の開口径が小さい場合であっても、ガス導出部の開口径よりも大きな直径を有する中空部を有する中空構造体を製造できる。
【００３１】
請求項１２ないし請求項１４に記載の発明によれば、ガス貯留空間に貯留されているガスをガス貯留空間の外部に向かって導出する開口を構成する開口周壁の強度の向上と中空構造体の各中空部の容積及び各中空部を画成する膜厚の均一化を図ることができる中空構造体形成用基板を製造できる。
【００３２】
請求項１５に記載の発明によれば、減圧環境条件のもとでガスの膨張圧力により塑性変形膜を膨張・延伸させるので、膜厚の均一なかつ中空部の容積の均一な中空構造体を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下に、本発明に係わる中空構造体形成用基板及びこの中空構造体形成用基板の製造方法及びこの中空構造体形成用基板を用いた中空構造体の製造方法の発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
【実施例】
【００３４】
（実施例１）
以下に、本発明の実施例１に係わる中空構造体形成用基板の製造方法及びこの中空構造体形成用基板を用いての中空構造体の製造方法について説明する。
【００３５】
図２は本発明に係わる中空構造体形成用基板の製造方法を説明するための説明図である。
【００３６】
まず、ニッケル材料からなる金属基板１０の一面に、図２（ａ）に示すようにレジスト薄膜１１をスピンコート方法によって形成する。そのレジスト薄膜１１の膜厚は約２０μｍ〜３０μｍである。レジストにはＳＵ−８（Micro Chem Corp株式会社製）のものを用いた。
【００３７】
ついで、図３に示すように、正方格子状に配列された円形領域１２を露光して、レジスト薄膜１１の非露光部分１３を現像処理により除去する。これによって、図２（ｂ）に示すように、金属基板１０に規則的に配列された円柱状露光部としての円柱状レジスト体１４が形成される。ここでは、その円柱状レジスト体１４は正方格子状に配列されている。その円柱状レジスト体１４の直径ｄ0は約１５μｍである。また、その円柱状レジスト体１４のピッチｐ0は約１５０μｍである。この円柱状レジスト体１４が後述するガス導出部としての円柱状開口部の内径となる。
【００３８】
次に、図２（ｃ）に示すように、円柱状レジスト体１４をマスクとして、ニッケル電鋳方法によって金属薄膜としてのニッケル電鋳膜１５を形成する。このニッケル電鋳膜１５の膜厚は円柱状レジスト体１４がニッケル電鋳によってニッケル電鋳膜１５に埋もれない程度とした。ここでは、ニッケル電鋳膜１５の膜厚は１５μｍ程度とした。
【００３９】
ついで、金属基板１０を水洗した後、円柱状レジスト体１４を除去する。これによって、図２（ｄ）に示すように、ニッケル電鋳膜１５に規則的に配列された円柱状開口部に対応する円柱状凹所１６が形成された金属基板１０が得られる。
【００４０】
次に、図２（ｅ）に示すように、レジスト厚膜１７を円柱状凹処１６を埋めるようにして形成する。このレジスト厚膜１７の膜厚は５０μｍ〜６０μｍである。ついで、図４に示すように、規則的に配列された正方形状領域１８を露光する。この正方形領域１８は後述する角柱状凹処を形成するための角柱状露光部となり、正方形領域１８を除く部分は後述する格子状溝を形成するための非露光部分１８’となっている。
【００４１】
この正方形状領域１８の対角線の交点と円柱状レジスト体１４の中心とは一致するようにする。この正方形状領域１８の一辺の長さは約６０μｍとする。
【００４２】
次に、レジスト厚膜１７の非露光部分１８’を現像処理により除去する。これによって、規則的に配列された角柱状レジスト体１９が図２（ｆ）に示すように形成される。角柱状レジスト体１９の間はガス貯留空間の隔壁形成用凹処としての格子状溝１９ａとなっている。
【００４３】
ついで、図２（ｇ）に示すように、この角柱状レジスト体１９をマスクとして、ニッケル電鋳方法によって格子状溝１９ａに金属厚膜としてのニッケル電鋳膜２０を形成する。このニッケル電鋳膜２０は角柱状レジスト体１９がニッケル電鋳によってニッケル電鋳膜２０に埋もれない程度とした。ここでは、ニッケル電鋳膜２０の膜厚は４０μｍ程度とした。ニッケル電鋳膜２０はニッケル電鋳膜１５と一体化される。
【００４４】
次に、図２（ｈ）に示すように、金属基板１０から公知の方法でニッケル電鋳膜２０とニッケル電鋳膜１５と角柱状レジスト体１９とからなる構成体を剥離する。
【００４５】
ついで、角柱状レジスト体１９を除去する。これによって、図２（i）に示す中空構造体形成用基板２３が得られる。この中空構造体形成用基板２３は角柱状凹所２１と円柱状開口部２２とを有する。
【００４６】
その中空構造体形成用基板２３にはその表面側に、図５（ａ）に示すように円柱状開口部２２が所定ピッチで形成され、その裏面側には図５（ｂ）に示すように格子状隔壁２３’によって囲まれた角柱状凹所２１が所定ピッチで形成されている。このニッケル電鋳膜２０の裏面側は、例えば、粘着シート２２’を用いて封止される。
【００４７】
その角柱状凹所２１はガス（空気）を貯留するガス貯留空間としての作用を果たし、円柱状開口部２２は角柱状凹所２１の内部のガスを角柱状凹所２１の外部に向かって導出するガス導出部としての作用を果たす。
【００４８】
その円柱状開口部２２は角柱状凹所２１に向かって開口する開口２２ａと表面に向かって開口する開口２２ｂとを有し、開口２２ａと開口２２ｂとの間の空間が後述する塑性変形可能な材料が角柱状凹所２１に浸入するのを阻止する浸入阻止空間２２ｃとなっている。その中空構造体形成用基板２３の表面２３”には後述する塑性変形膜が形成される。
【００４９】
次に、この中空構造体形成用基板２３を用いて中空構造体を形成する方法を図６を用いて説明する。
【００５０】
まず、図６に示すように、塑性変形可能な材料を用いて、塑性変形膜２４を中空構造体形成用基板２３の表面２３”に形成する。塑性変形可能な材料には、界面活性剤を含んだ水溶性紫外線硬化樹脂、ポリウレタン、ゼラチン、ポリビニルアルコール等の水溶性樹脂を用いる。また、塑性変形膜２４の形成には、スピンコーター、スリットコーター等の膜形成装置を用いる。
【００５１】
この塑性変形膜２４の形成の際、塑性変形可能な材料の一部が円柱状開口部２２から角柱状凹所２１に向かって浸入しようとするが、開口２２ａ、開口２２ｂの直径ｄ0が３０μｍ程度と小さいこと、開口２２ａと開口２２ｂの間に浸入阻止空間２２ｃが存在することにより、その材料が角柱状凹所２１に浸入するのが阻止される。
【００５２】
また、塑性変形可能な材料がたとえ浸入阻止空間２２ｃに浸入したとしても、その浸入阻止空間２２ｃの容積Ｖ1は、Ｖ1＝πｈ1・ｄ02／４であり、これに対して、角柱状凹所２１の容積Ｖ2は、Ｖ2＝ｈ2・ｘ1・ｙ1であり、Ｖ2はＶ1に対して無視できる程度に大きいので、各角柱状凹所２１毎のガスの膨張量のばらつきに起因する膨張圧力の相違を無視できる。ここで、ｈ1は浸入阻止空間２２ｃの長さ、ｈ2は角柱状凹処２１の深さ、ｘ1、ｙ1は角柱状凹処２１の各辺の長さである。
【００５３】
開口２２ａ、２２ｂの直径ｄ0が３０μｍ以下であると、塑性変形可能な材料が角柱状凹所２１に浸入しにくいことは、以下の実験により裏付けられる。
【００５４】
すなわち、まず、開口２２ａ、２２ｂの直径ｄ0が１０μｍ、３０μｍ、５０μｍ、７０μｍ、９０μｍの中空構造体形成用基板２３をそれぞれ準備した。また、界面活性剤を含んだ水溶性紫外線硬化樹脂としてのアルコキシアクリレートＰＥＧ４００ＤＡ（ダイセルサイテック株式会社製）にフッ素系界面活性剤ノベックＦＣ−４４３０（３Ｍ株式会社製）を添加した液体材料、界面活性剤を含んだ水溶性紫外線硬化樹脂としてのエポキシアクリレートＡＱ９（荒川化学工業株式会社製）にフッ素系界面活性剤ノベックＦＣ−４４３０（３Ｍ株式会社製）を添加した液体材料を塑性変形可能な材料に用いた。
【００５５】
これらの塑性変形可能な材料をスピンコート法により各直径ｄ0を有する中空構造体形成用基板２３に塗布して塑性変形膜２４を形成した。
【００５６】
これらの液体材料の場合、直径ｄ0が５０μｍ以下の開口２２ａ、２２ｂを有する中空構造体形成用基板２３では、液体材料の角柱状凹所２１への浸入はみられなかった。
【００５７】
次に、水溶性樹脂として、ポリウレタンとしてハイドランＷＬＳ−２０１（大日本インキ化学工業株式会社製）の液体材料、ゼラチンとしてＭＣ−２４３（ゼライス株式会社製）の粉末材料、ポリビニルアルコールとしてポバールＰＶＡ１１７（株式会社  クラレ製）の粉末材料を準備した。ゼラチン、ポリビニルアルコールはスピンコート法によって膜が形成可能な下限の粘度が得られる比率で水を加えて溶解させた。
【００５８】
これらの水溶性樹脂を塑性変形可能な材料として用いて、スピンコート法により各直径ｄ0を有する中空構造体形成用基板２３に塗布して塑性変形膜２４を形成した。
【００５９】
ポリウレタンの場合、直径ｄ0が７０μｍ以下の開口２２ａ、２２ｂを有する中空構造体形成用基板２３では、液体材料の角柱状凹所２１への浸入はみられなかった。
【００６０】
ゼラチン、ポリビニルアルコールを用いた塑性変形可能な材料の場合、膜が形成可能な下限の低粘度のものについて、直径ｄ0が３０μｍ以下の開口２２ａ、２２ｂを有する中空構造体形成用基板２３では、液体材料の角柱状凹所２１への浸入はみられなかった。
【００６１】
また、ゼラチン、ポリビニルアルコールを用いた塑性変形可能な材料の場合、所望の膜厚を有する中空構造体を形成するのに要求される高粘度のものについて、直径ｄ0が９０μｍ以下の開口２２ａ、２２ｂを有する中空構造体形成用基板２３では、液体材料の角柱状凹所２１への浸入はみられなかった。
【００６２】
これらの実験結果により、安全を見込んで、開口２２ａ、２２ｂの直径ｄ0が３０μｍ以下の中空構造体形成用基板２３では、塑性変形可能な材料の角柱状凹所２１への浸入を確実に阻止できると考えられる。
【００６３】
これは、直径ｄ0が３０μｍ以下の開口２２ａでは、重力の影響よりも塑性変形材料の表面張力の影響が支配的になると考えられるからである。なお、開口２２ａ、２２ｂの直径ｄ0はガスの噴出速度を考慮して５μｍ以上が望ましい。
【００６４】
この実施例１では、ポリウレタンとしてハイドランＷＬＳ−２０１（大日本インキ化学工業株式会社製）の液体材料を中空構造体形成用基板２３の表面２３”に塗布し、この液体材料が塗布された中空構造体形成用基板２３をスピンコート装置にセットして、１２００ｒｐｍの回転数で１０秒間回転させ、中空構造体形成用基板２３の表面２３”に塑性変形膜２４を形成した。
【００６５】
ついで、この塑性変形膜２４が形成された中空構造体形成基板２３を図７（ａ）に示すように真空容器２５にセットし、真空容器２５の内部圧力を１００ＫＰａ（１気圧）から２ＫＰａに減圧する。
【００６６】
すると、角柱状凹所２１内の空気（ガス）が５０倍程度に膨張し、このガスの膨張圧力により、塑性変形膜２４が図７（ｂ）に示すように膨張・延伸される。
【００６７】
これによって、規則的な中空部（セル）２４を有する中空構造体２５が形成される。この中空部２４の形状は、角柱状凹所２１に貯留されている空気の量がほぼ等しいのでほぼ均一となり、均一な中空部２４を有する中空構造体２５が得られた。
【００６８】
その中空構造体２５は中空構造体形成用基板２３から図７（ｃ）に示すように剥離される。その中空構造体２５は、中空部２４に帯電色素粒子（帯電着色粒子）が分散された溶媒を充填してなる電気泳動ディスプレイ等に利用される。
【００６９】
この実施例１では、中空部２４の一辺の長さが１３０μｍ、深さが約６０μｍ、中空部（セル）２４の隔壁２４ａの壁厚が約１０μｍ、中空部２４の開口２４ｂの開口径が３０μｍ〜４０μ程度の中空構造体２５が得られた。
【００７０】
この実施例１の中空構造体形成用基板２３によれば、この中空構造体形成用基板２３を繰り返し用いたとしても、円柱状開口部２２が所定の厚さを有するので、その劣化・破損が小さい。
【００７１】
（実施例２）
まず、Ｃｕ（銅）材料からなる金属基板１０に、図８（ａ）に示すようにレジスト膜１１をスピンコート方法によって形成する。そのレジスト膜１１の膜厚は約１μｍである。レジストにはＴＳＭＲ−８９００（東京応化株式会社製）のものを用いた。
【００７２】
ついで、図９に示すように規則的に配列された六角形領域２７を露光して非露光部２６がリム部を呈するレジスト膜１１を現像処理し、非露光部２６を除去する。これによって、図８（ｂ）に示すように、六方細密に配置されたレジスト膜１１’が形成される。その非露光部（リム部）２６の幅は５μｍ、互いに隣接する六角形領域の中心間距離は１５０μｍである。
【００７３】
ついで、この立方細密構造のレジスト膜１１’をマスクとしてエッチング処理を行い、図８（ｃ）に示すリム部の形状に対応する六角形状の環状の溝部２８を形成する。この溝部２８の深さは約５μｍ程度とする。この溝部２８は後述する六角形状の環状輪郭部としての環状突起部を形成するのに用いられる。
【００７４】
次に、立方細密構造のレジスト膜１１’を除去して、図８（ｄ）に示すハニカム構造の溝部２８を有する金属基板１０を得る。
【００７５】
次に、図８（ｅ）に示すようにレジスト薄膜２９をスピンコート方法によって形成する。このレジストには、ＳＵ−８を用いる。レジスト薄膜２９の膜厚は約２０μｍ〜３０μｍとする。
【００７６】
ついで、図１０に示すように、規則的に配列された六角形の溝部２８によって囲まれた領域の中央に位置する円形領域３０を露光して、レジスト薄膜２９の非露光部分３１’を現像処理により除去する。
【００７７】
これによって、図８（ｆ）に示すように、金属基板１０に規則的に配列された円柱状レジスト体３１が形成される。その円柱状レジスト体３１の直径ｄ0は約１５μｍである。また、その円柱状レジスト体３１のピッチｐ0は約１５０μｍである。この円柱状レジスト体３１が後述するガス導出部の内径となる。
【００７８】
次に、図８（ｇ）に示すように、円柱状レジスト体３１をマスクとして、ニッケル電鋳方法によって金属薄膜としてのニッケル電鋳膜３２を形成する。このニッケル電鋳膜３２の膜厚は円柱状レジスト体３１がニッケル電鋳によってニッケル電鋳膜３２に埋もれない程度とした。ここでは、ニッケル電鋳膜３２の膜厚は１５μｍ程度とした。
【００７９】
ついで、金属基板１０を水洗した後、円柱状レジスト体３１を除去する。これによって、図８（ｈ）に示すように、規則的に配列された円柱状凹所３３が形成されたニッケル電鋳膜３２を有する金属基板１０が得られる。
【００８０】
次に、図８（i）に示すように、この金属基板１０にレジスト厚膜３４を形成する。このレジスト厚膜３４の膜厚は５０μｍ〜６０μｍである。
【００８１】
ついで、図１１に示すように、円柱状凹所３３と同軸の規則的に配列された六角形状領域３５を露光する。この六角形状領域３５の一辺の長さは約７０μｍとする。
【００８２】
次に、レジスト厚膜３４のリム部に相当する非露光部３５’を現像処理により除去する。これによって、規則的に配列された六角柱状レジスト体３６が図８（ｊ）に示すように形成される。この六角柱状レジスト体３６と六角柱状レジスト体３６との間は六角柱状溝部３６’となる。
【００８３】
ついで、図８（ｋ）に示すように、この六角柱状レジスト体３６をマスクとして、ニッケル電鋳方法によって金属厚膜としてのニッケル電鋳膜３７を形成する。このニッケル電鋳膜３７は六角柱状レジスト体３６がニッケル電鋳によってニッケル電鋳膜３７に埋もれない程度とした。ここでは、ニッケル電鋳膜３７の膜厚は４０μｍ程度とした。ニッケル電鋳膜３７はニッケル電鋳膜３２と一体化される。
【００８４】
次に、金属基板１０から公知の方法でニッケル電鋳膜３７を剥離する。ついで、角柱状レジスト体３６を除去する。これによって、図８（ｌ）に示す中空構造体形成用基板２３が得られる。
【００８５】
その中空構造体形成用基板２３にはその表面側に、図１２（ａ）に示すように円柱状開口部３９が所定ピッチで形成されると共に表面から外方に向かって突出する六角形状環状突起部４０が形成され、その裏面側には図１２（ｂ）に示すように六角形状隔壁３８’によって囲まれた六角柱状凹所３８が所定ピッチで形成されている。この中空構造体形成用基板２３の裏面側は、例えば、図８（ｍ）に示すように粘着シート２２’を用いて封止される。
【００８６】
その六角柱状凹所３８はガス（空気）を貯留するガス貯留空間としての作用を果たし、円柱状開口部３９は六角柱状凹所３７の内部のガスを六角柱状凹所３８の外部に向かって導出するガス導出部としての作用を果たす。
【００８７】
次に、この中空構造体形成用基板２３を用いて中空構造体を形成する方法を図１３を用いて説明する。
【００８８】
この実施例２では、塑性変形可能な材料にアルコキシアクリレートＰＥＧ４００ＤＡ（ダイセルサイテック株式会社製）にフッ素系界面活性剤ノベックＦＣ−４４３０（３Ｍ製）を添加した紫外線硬化樹脂を用いる。
【００８９】
まず、この塑性変形可能な材料を中空構造体形成用基板２３の表面２３”に塗布し、この液体材料が塗布された中空構造体形成用基板２３をスピンコート装置にセットして、２０００ｒｐｍの回転数で１０秒間回転させ、中空構造体形成用基板２３の表面２３”に図１３（ａ）に示すように塑性変形膜２４を形成した。
【００９０】
ついで、この塑性変形膜２４が形成された中空構造体形成基板２３を真空容器にセットし、真空容器の内部圧力を１００ＫＰａ（１気圧）から１０ＫＰａに減圧する。
【００９１】
すると、六角柱状凹所３８内の空気（ガス）が１０倍程度に膨張し、このガスの膨張圧力（矢印Ｚで示す）により、塑性変形膜２４が図１３（ｂ）に示すように膨張・延伸され、規則的な中空部（セル）２４を有する中空構造体２５が形成される。この中空部２４の形状は、六角柱状凹所３８に貯留されている空気の量がほぼ等しいのでほぼ均一となり、均一な中空部２４を有する中空構造体２５が得られた。
【００９２】
その中空構造体２５は中空構造体形成用基板２３から図１３（ｃ）に示すように剥離されて、中空部２４に帯電色素粒子（帯電着色粒子）が分散された溶媒を充填してなる電気泳動ディスプレイ等に利用される。
【００９３】
この実施例２では、中空部２４の一辺の長さが８０μｍ、深さが約６０μｍ、中空部２４の隔壁２４ａの壁厚が約３μｍの中空構造体２５が得られた。
【００９４】
この実施例２では、ガス導出部が六方細密に配置されているので、中空構造体２５がハニカム状に形成され、実施例１よりも中空構造体の強度の向上を図ることができる。
【００９５】
通常、金属は親水性であるので、表面２３ｄに付着している塑性変形可能な材料は、表面２３”の近傍では、図７（ｃ）に矢印Ｚで示すように、水平方向に膨張・延伸される。
【００９６】
実施例１で示す構造の中空構造体形成用基板２３について、ある円柱状開口部２２に着目すると、図７に示すように、この円柱開口部２２の表面２３”の近傍では、通常、金属は親水性であるので、円柱状開口部２２の開口２２ａを起点にして水平方向に塑性変形可能な材料が広がり、中空部２４の開口２４ｂの開口径はこの塑性変形可能な材料と表面２３”との接触角θ、この円柱状開口部２２の周囲に存在する円柱状開口部２２の開口２２ａを起点にして水平方向に広がる塑性変形可能な材料がこの円柱状開口部２２を起点にして水平方向に広がる塑性変形可能な材料に衝突することによる影響、膨張圧力、塑性変形可能な材料の粘性等によって定まる。
【００９７】
また、塑性変形可能な材料と金属の表面との接触角θは小さく、開口２２ａの直近傍では、塑性変形可能材料は非常に薄くなるので、開口２４ｂの開口径は、開口２２ａの開口径よりも若干大きいものが得られる。
【００９８】
これに対して、実施例２では、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、六角形状の環状突起部４０が存在しており、ある円柱状開口部３９に着目したとき、この円柱状開口部３９について水平方向に広がる塑性変形可能な材料は、六角形状環状突起部４０が障壁として機能し、この周囲に存在する円柱状開口部３９の開口３９ａを起点にして水平方向に広がる塑性変形可能な材料の影響を受けないので、かつ、六角形状環状突起部４０と塑性変形可能な材料との接触角θは小さいので、塑性変形可能な材料は六角形状環状突起部４０に衝突して、この六角形状環状突起部４０が延びる垂直方向に沿って膨張・延伸されることになる。
【００９９】
その結果、中空構造体形成用基板２３の表面２３”と塑性変形可能な材料との接触面積が小さくなり、中空部２４の開口２４ｂの開口径を実施例１の中空部２４の開口２４ｂの開口径よりも大きく形成することができる。
【０１００】
更に、六角形状環状突起部４０によって囲まれた凹処４０’部分に所定量の塑性変形可能な材料が、スピンコート法等により塑性変形膜２４を形成する際に蓄えられるので、中空構造体２４の膜厚の均質化がより一層図られる。なお、符号３９ｂは六角柱状凹処３８に臨む開口を示す。
【０１０１】
（実施例３）
まず、Ｃｕ（銅）材料からなる金属基板１０に、図１４Ａ（ａ）に示すようにレジスト膜１１をスピンコート方法によって形成する。そのレジスト膜１１の膜厚は約１μｍである。レジストにはＴＳＭＲ−８９００（東京応化株式会社製）のものを用いた。
【０１０２】
ついで、図１５に示すように立方細密に配列された円柱領域４１を除く部分を露光して現像処理し、円柱領域４１を除去する。これによって、図１４Ａ（ｂ）に示すように、円柱領域４１が除去された円柱状空間４２を有するレジスト膜１１’が形成される。その円柱状空間４２の内径は５０μｍ、互いに隣接する円柱状空間４２の中心間距離は１５０μｍである。
【０１０３】
ついで、このレジスト膜１１’をマスクとしてＮi電鋳を行い、図１４Ａ（ｃ）に示すニッケル膜４３を形成する。ニッケルの析出は、互いに隣接する円柱状空間４２から開始され、レジスト膜１１’の厚さ１μｍを超えると、レジスト膜１１’を覆うことになる。これによって、円柱状空間４２の中央部分のニッケル膜４３の厚さは厚くなり、周辺部分に向かうに伴ってニッケル膜４３の厚さは薄くなる。
【０１０４】
このようにして、平面的に見て六角形状でかつその六角形状の中心部分が頂部となりしかも六角形状の輪郭部が谷部を呈するニッケル膜４３がレジスト膜１１’を覆うようにして形成される。
【０１０５】
ついで、図１４Ａ（ｄ）に示すように、このニッケル膜４３に紫外線を照射し、ニッケル酸化皮膜４４を形成する。次に、このニッケル酸化皮膜４４が形成された金属基板１０の上部にレジスト薄膜４５をスピンコート方法によって図１４Ａ（ｅ）に示すように形成する。このレジストにはＳＵ−８を用いる。レジスト薄膜４５の膜厚は約２０μｍ〜３０μｍとする。
【０１０６】
ついで、図１６に示すように、規則的に配列された六角形領域の中心部の円形領域４６を露光して、レジス薄ト膜４５の非露光部分４７を現像処理により除去する。
【０１０７】
これによって、図１４Ａ（ｆ）に示すように、ニッケル膜４３の頂部であって円柱状空間４２に対応する箇所に規則的に配列された円柱状レジスト体４８が形成される。
【０１０８】
その円柱状レジスト体４８の直径ｄ0は約１５μｍである。また、その円柱状レジスト体４８のピッチｐ0は約１５０μｍである。この円柱状レジスト体４８が後述するガス導出部の内径となる。
【０１０９】
次に、図１４Ａ（ｇ）に示すように、円柱状レジスト体４８をマスクとして、ニッケル電鋳方法によって金属薄膜としてのニッケル電鋳膜４９を形成する。このニッケル電鋳膜４９の膜厚は円柱状レジスト体４８がニッケル電鋳によってニッケル電鋳膜４９に埋もれない程度とした。ここでは、ニッケル電鋳膜４９の膜厚は１５μｍ程度とした。
【０１１０】
ついで、金属基板１０を水洗した後、円柱状レジスト体４８を除去する。これによって、図１４Ａ（ｈ）に示すように、ニッケル電鋳膜４９に規則的に配列された円柱状凹所５０が形成された金属基板１０が得られる。
【０１１１】
次に、図１４Ｂ（i）に示すように、レジスト厚膜５１を形成する。このレジスト厚膜５１の膜厚は５０μｍ〜６０μｍである。ついで、図１７に示すように、円柱状凹所５０と同軸の規則的に配列された六角形状領域５１’を露光する。この六角形状領域５１’の一辺の長さは約７０μｍとする。
【０１１２】
次に、レジスト膜５１の非露光部分５１”を現像処理により除去する。これによって、規則的に配列された六角柱状レジスト体５２が図１４Ｂ（ｊ）に示すように形成される。六角柱状レジスト体５２と六角柱状レジスト体５２との間は六角柱状溝部５２’となる。
【０１１３】
ついで、図１４Ｂ（ｋ）に示すように、この六角柱状レジスト体５２をマスクとして、ニッケル電鋳方法によって金属厚膜としてのニッケル電鋳膜５３を形成する。このニッケル電鋳膜５３は六角柱状レジスト体５２がニッケル電鋳によってニッケル電鋳膜５３に埋もれない程度とした。ここでは、ニッケル電鋳膜５３の膜厚は４０μｍ程度とした。
【０１１４】
次に、ニッケル酸化被膜４４から電鋳で形成したニッケル電鋳膜５３を公知の方法で分離する。ついで、六角柱状レジスト体５２を除去する。これによって、図１４Ｂ（ｌ）に示す中空構造体形成用基板２３が得られる。なお、符号５５ａは表面２３”に臨む開口、符号５５ｂはガス著中空間に臨む開口である。
【０１１５】
この中空構造体形成用基板２３の裏面側は、例えば、図１４Ｂ（ｍ）に示すように粘着シート２２を用いて封止される。
【０１１６】
その中空構造体形成用基板２３は、その表面側に湾曲形状の凹部５４を有し、その凹部中央箇所に円柱状開口部５５が所定ピッチで形成されている。また、隣接する凹部同士は、図１８（ａ）に示すように略六角形状の環状輪郭壁５６で仕切られている。この環状輪郭壁５６は六角形状環状突起部を構成している。また、中空構造体形成用基板２３の裏面側には図１８（ｂ）に示すように六角形状隔壁５７’によって囲まれた六角柱状凹所５７が形成される。
【０１１７】
次に、この中空構造体形成用基板２３を用いて中空構造体を形成する方法を図１９を用いて説明する。
【０１１８】
この実施例３では、塑性変形可能な材料にエポキシアクリレートＡＱ９（荒川工業株式会社製）にフッ素系界面活性剤ノベックＦＣ−４４３０（３Ｍ製）を添加した紫外線硬化樹脂を用いる。
【０１１９】
まず、この塑性変形可能な材料を中空構造体形成用基板２３の表面２３ｄに塗布し、この液体材料が塗布された中空構造体形成用基板２３をスピンコート装置にセットして、２０００ｒｐｍの回転数で１０秒間回転させ、中空構造体形成用基板２３の表面２３”に図１９（ａ）に示すように塑性変形膜２４を形成した。
【０１２０】
ついで、この塑性変形膜２４が形成された中空構造体形成基板２３を真空容器にセットし、真空容器の内部圧力を１００ＫＰａ（１気圧）から１０ＫＰａに減圧する。
【０１２１】
すると、角柱状凹所５７内の空気（ガス）が１０倍程度に膨張し、このガスの膨張圧力により、塑性変形膜２４が図１９（ｂ）に示すように膨張・延伸され、規則的な中空部（セル）２４を有する中空構造体２５が形成される。この中空部２４の形状は、六角柱状凹所５７に貯留されている空気の量がほぼ等しいのでほぼ均一となり、均一な中空部２４を有する中空構造体２５が得られた。
【０１２２】
その中空構造体２５は中空構造体形成用基板２３から図１９（ｃ）に示すように剥離されて、中空部２４に帯電色素粒子（帯電着色粒子）が分散された溶媒を充填してなる電気泳動ディスプレイ等に利用される。
【０１２３】
この実施例３では、中空部２４の一辺の長さが８０μｍ、深さが約６０μｍ、中空部２４の隔壁２４ａの壁厚が約５μｍの中空構造体２５が得られた。
【０１２４】
この実施例３では、ガス貯留空間が六方細密に配置されているので、中空構造体２５がハニカム状に形成され、実施例１よりも中空構造体の強度の向上を図ることができる。
【０１２５】
また、金属は通常親水性であるので、表面２３”に付着している塑性変形可能な材料は、表面２３”の近傍では、図１９（ｂ）に示すように、水平方向に膨張・延伸される。
【０１２６】
環状輪郭部５６は、実施例２と同様に六角形状環状突起部と同様の機能を有するので、中空部２４の開口２４ｂの開口径を実施例１の中空部２４の開口２４ｂの開口径よりも大きく形成することができる。
（実施例４）
実施例１と同様な方法で中空構造体形成用基板２３を形成する。ただし、ここでは、円柱状開口部２２は実施例２、３と同様に六方細密に配列されている。まず、中空構造体形成用基板２３の表面２３”に、図２０（ａ）に示すように、ドライフィルムレジスト５７を積層形成する。
【０１２７】
ついで、図２１に示すように規則的に配列された六角形領域５８を露光して非露光部５９がリム部を呈するドライフィルムレジスト５７を現像処理し、非露光部５９を除去する。
【０１２８】
これによって、図２０（ｂ）に示すように、六方細密に配置された六角形状の環状溝部６０によって仕切られたドライフィルムレジスト５７’が形成される。
【０１２９】
次に、ついで、この立方細密構造のドライフィルムレジスト５７’をマスクとして酸化チタン材料を用いてスパッタリング処理を行い、図２０（ｃ）に示す酸化チタン膜６１を形成する。そのスパッタリング処理によって形成される酸化チタン膜６１の膜厚は約１００〜１０００オングストロームである。
【０１３０】
次に、ドライフィルムレジスト５７’を除去し、図２０（ｄ）に示す六角形状の環状輪郭部を構成する酸化チタン膜６１が形成された中空構造体形成用基板２３を作製する。その酸化チタン膜６１はニッケルよりも親水性が大きい。
【０１３１】
次に、中空構造体形成用基板２３の表面２３”を疎水処理する。この疎水処理には、オプツールＤＳＸ（ダイキン株式会社製）を用いる。
【０１３２】
すなわち、このオプツールＤＳＸをハイドロフルオロエーテルノベックＨＦＥ７２００（３Ｍ製）に加えて０．５％の希釈液を作製した。この希釈液を中空構造体形成用基板２３の酸化チタン膜６１を含めて表面２３”に塗布して自然乾燥させ、図２０（ｅ）に示す撥水処理膜６２を形成し、ついで、中空構造体形成用基板２３の撥水処理膜６２に紫外線を照射する。
【０１３３】
酸化チタン膜６１はこの紫外線照射により活性化され、酸化チタン膜６１の表面を覆う撥水処理膜６２が分解される。ニッケル部分の撥水処理膜６２も分解されるが、酸化チタン膜６１の撥水処理膜６２の分解速度が早く、酸化チタン膜６１の撥水処理膜６２の分解除去時点で、紫外線の照射を停止し、ついで、１５０度Ｃの温度条件のもとで、撥水処理膜６２を中空構造体形成用基板２３に焼き付け、撥水処理膜６２と中空構造体形成用基板２３との密着性を向上させる。ついで、図２０（ｅ）に示すように、中空構造体形成用基板２３の裏面側を粘着シート２２’により封止する。
【０１３４】
次に、この中空構造体形成用基板２３を用いて中空構造体を形成する方法を図２２を用いて説明する。
【０１３５】
まず、ゼラチンにＭＣ−２４３（ゼライス株式会社製の粉末）を用い、ゼラチンと純水とを重量比１：５の割合で調合して、ゼラチン溶液を作製した。ついで、ゼラチン溶液を加熱して５０度Ｃの温度にし、中空構造体形成用基板２３に塗布し、１２００ｒｐｍの回転数のもとで１０秒間スピンコートし、ゼラチンからなる塑性変形膜２４を図２２（ａ）に示すように形成した。
【０１３６】
この図２２（ａ）に示す塑性変形膜２４が形成された中空構造体形成用基板２３を真空容器にセットし、真空容器の内部の圧力が５ＫＰａになるまで減圧する。
【０１３７】
すると、角柱状凹所２１内の空気が膨張すると共に、ゼラチンに含まれている水分が蒸発する。撥水膜６２が表面に形成されていると、図２２（ｂ）に示すように、塑性変形可能な材料は親水性の酸化チタン膜６１を起点として膨張しようとするため、かつ、撥水膜６２の箇所では塑性変形可能な材料がはじかれるため、塑性変形可能な材料は酸化チタン膜６１の箇所から膨張を縦方向に開始し、従って、図２２（ｃ）に示すように、中空部２４の開口２４ｂが大きな中空構造体２５が形成される。塑性変形膜２４は水分の蒸発により適度な大きさで固化する。この実施例４では、六角形の中空部の一辺の長さが８０μｍ、深さが６０μｍ、隔壁２４ａの壁厚が５μｍの中空構造体２５が得られた。
【０１３８】
この中空構造体２５は、円柱状開口部２２が立方細密に配置されているので、ハニカム構造の中空構造体となり、実施例１に示す中空構造体２５よりも強度が大きい。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】従来の中空構造体形成用基板を用いての中空構造体の製造方法の説明図であって、（ａ）は従来の中空構造体形成用基板の縦断面図、（ｂ）は（ａ）に示す中空構造体形成用基板の表面に塑性変形膜を形成した状態を示す説明図、（ｃ）は減圧条件のもとで凹処内のガスを膨張させて中空構造体を形成した状態を示す説明図、（ｄ）はその中空構造体の縦断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係わる中空構造体形成用基板の製造方法の説明図であって、（ａ）は金属基板にレジスト膜を形成した状態を示す断面図、（ｂ）は円柱レジスト体が形成された金属基板の断面図、（ｃ）はニッケル電鋳膜が形成された金属基板の断面図、（ｄ）は円柱状凹処が形成された金属基板の断面図、（ｅ）はニッケル電鋳膜の円柱状凹処を埋めるようにしてレジスト膜が形成された金属基板の断面図、（ｆ）はレジスト膜に角柱状レジスト体と格子状溝とが形成された金属基板の断面図、（ｇ）は格子状溝にニッケル電鋳膜が形成された金属基板の断面図、（ｈ）はニッケル電鋳膜と角柱状レジスト体とからなる構造体を金属基板から分離した状態を示す断面図、（i）は角柱状レジスト体が除去された中空構造体形成用基板の断面図、（ｊ）は裏面側に粘着シートが接着されて構成された完成品としての中空構造体形成用基板の断面図である。
【図３】図２（ａ）に示すレジスト膜の円形領域を露光した状態を示す平面図である。
【図４】図２（ｅ）に示すレジスト膜の正方形状領域を露光した状態を示す平面図である。
【図５】実施例１に係わる中空構造体形成用基板の形状を説明するための説明図であって、（ａ）は図２（i）に示す中空構造体形成用基板を表面側から目視した状態を示す平面図、（ｂ）は図２（i）に示す中空構造体形成用基板を裏面側から目視した状態を示す平面図である。
【図６】図２（ｊ）に示す中空構造体形成用基板の表面に塑性変形膜が形成された状態を示す断面図である。
【図７】図６に示す塑性変形膜が形成された中空構造体形成用基板を用いて中空構造体を製造するための説明図であって、（ａ）はその中空構造体形成用基板を真空容器にセットした状態を示す説明図、（ｂ）は（ａ）に示す塑性変形膜の膨張・延伸過程の説明図、（ｃ）は（ｂ）に示す過程を経て製造された中空構造体の縦断面図である。
【図８】本発明の実施例２に係わる中空構造体形成用基板の製造方法の説明図であって、（ａ）は金属基板にレジスト膜を形成した状態を示す断面図、（ｂ）は立方細密構造のレジスト膜が形成された金属基板の断面図、（ｃ）は環状溝部が形成された金属基板の断面図、（ｄ）は（ｃ）に示すレジスト膜が除去された金属基板の断面図、（ｅ）は（ｄ）に示す金属基板にレジスト膜を形成した状態を示す断面図、（ｆ）は円柱レジスト体が形成された金属基板の断面図、（ｇ）はニッケル電鋳膜が形成された金属基板の断面図、（ｈ）は円柱状凹処が形成された金属基板の断面図、（i）はニッケル電鋳膜の円柱状凹処を埋めるようにしてレジスト膜が形成された金属基板の断面図、（ｊ）はレジスト膜に六角柱状レジスト体と六角柱状溝部とが形成された金属基板の断面図、（ｋ）は六角柱状溝部にニッケル電鋳膜が形成された金属基板の断面図、（ｌ）はニッケル電鋳膜と六角柱状レジスト体とからなる構造体を金属基板から分離すると共に六角柱状レジスト体を除去した状態を示す断面図、（ｍ）は裏面側に粘着シートが接着されて構成された完成品としての中空構造体形成用基板の断面図である。
【図９】図８（ａ）に示すレジスト膜の六角形領域を露光した状態を示す平面図である。
【図１０】図８（ｅ）に示すレジスト膜の円形領域を露光した状態を示す平面図である。
【図１１】図８（i）に示すレジスト膜の六角形領域を露光した状態を示す平面図である。
【図１２】実施例２に係わる中空構造体形成用基板の形状を説明するための説明図であって、（ａ）は図８（ｌ）に示す中空構造体形成用基板を表面側から目視した状態を示す平面図、（ｂ）は図８（ｌ）に示す中空構造体形成用基板を裏面側から目視した状態を示す平面図である。
【図１３】図８（ｍ）に示す中空構造体形成用基板を用いて中空構造体を製造するための説明図であって、（ａ）はその中空構造体形成用基板に塑性変形膜を形成した状態を示す説明図、（ｂ）は（ａ）に示す塑性変形膜の膨張・延伸過程の説明図、（ｃ）は（ｂ）に示す過程を経て製造された中空構造体の縦断面図である。
【図１４Ａ】本発明の実施例３に係わる中空構造体形成用基板の製造方法の説明図であって、（ａ）は金属基板にレジスト膜を形成した状態を示す断面図、（ｂ）は円柱状空間を有する金属基板の断面図、（ｃ）は円柱状空間にニッケル膜が形成された金属基板の断面図、（ｄ）は（ｃ）に示すニッケル膜に酸化皮膜が形成された金属基板の断面図、（ｅ）は（ｄ）に示す金属基板にレジスト膜を形成した状態を示す断面図、（ｆ）は酸化皮膜の頂部に円柱レジスト体が形成された金属基板の断面図、（ｇ）は（ｆ）に示す酸化皮膜にニッケル電鋳膜が形成された金属基板の断面図、（ｈ）は（ｇ）に示す円柱レジスト体が除去されることによって円柱状凹処が形成された金属基板の断面図である。
【図１４Ｂ】本発明の実施例３に係わる中空構造体形成用基板の製造方法の説明図であって、（i）はニッケル電鋳膜の円柱状凹処を埋めるようにしてレジスト膜が形成された金属基板の断面図、（ｊ）はレジスト膜に六角柱状レジスト体と六角柱状溝部とが形成された金属基板の断面図、（ｋ）は六角柱状溝部にニッケル電鋳膜が形成された金属基板の断面図、（ｌ）はニッケル電鋳膜と六角柱状レジスト体とからなる構造体を酸化皮膜から分離すると共に六角柱状レジスト体を除去した状態を示す断面図、（ｍ）は裏面側に粘着シートが接着されて構成された完成品としての中空構造体形成用基板の断面図である。
【図１５】図１４Ａ（ａ）に示すレジスト膜の円柱領域を除く部分を露光した状態を示す平面図である。
【図１６】図１４Ａ（ｅ）に示すレジスト膜の円形領域を露光した状態を示す平面図である。
【図１７】図１４Ｂ（i）に示すレジスト膜の円形領域を露光した状態を示す平面図である。
【図１８】実施例３に係わる中空構造体形成用基板の形状を説明するための説明図であって、（ａ）は図１４Ｂ（ｌ）に示す中空構造体形成用基板を表面側から目視した状態を示す平面図、（ｂ）は図１４Ｂ（ｌ）に示す中空構造体形成用基板を裏面側から目視した状態を示す平面図である。
【図１９】図１４Ｂ（ｍ）に示す中空構造体形成用基板を用いて中空構造体を製造するための説明図であって、（ａ）はその中空構造体形成用基板に塑性変形膜を形成した状態を示す説明図、（ｂ）は（ａ）に示す塑性変形膜の膨張・延伸過程の説明図、（ｃ）は（ｂ）に示す過程を経て製造された中空構造体の縦断面図である。
【図２０】本発明の実施例４に係わる中空構造体形成用基板の製造方法の説明図であって、（ａ）は中空構造体形成用基板の表面にドライフィルムレジストを形成した状態を示す断面図、（ｂ）は環状溝部が形成されたドライフィルムレジストを説明するための断面図、（ｃ）は酸化チタン膜をスパッタリング膜がドライフィルムレジストの上面に形成された状態を示す断面図、（ｄ）はドライフィルムを除去することによって六方細密構造の酸化チタン膜が形成された中空構造体形成用基板の断面図、（ｅ）は中空構造体形成用基板の表面に撥水処理膜が形成された状態を示す断面図、（ｆ）は中空構造体形成用基板の裏面側に粘着シートを接着した状態を示す断面図である。
【図２１】図２０（ａ）に示す六角形状領域を露光した状態を示す平面図である。
【図２２】図２０（ｆ）に示す中空構造体形成用基板を用いて中空構造体を製造するための説明図であって、（ａ）はその中空構造体形成用基板に塑性変形膜を形成した状態を示す説明図、（ｂ）は（ａ）に示す塑性変形膜の膨張・延伸過程の説明図、（ｃ）は（ｂ）に示す過程を経て製造された中空構造体の縦断面図である。
【符号の説明】
【０１４０】
２１…角柱状凹処（ガス貯留空間）
２２…円柱状開口部（ガス導出部）
２２ａ、２２ｂ…開口
２２ｃ…浸入阻止空間
２３…中空構造体形成用基板
２３”…表面
２４…塑性変形膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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