(57)【要約】【課題】積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）のＤＣバイアス特性の向上を図る。【解決手段】平均粒径が０．０５μｍ超、０．１８μｍ以下のチタン酸バリウムを主成分として含む原料と、ガラス成分とを混合し、１１００℃以下の温度で焼結することによって、焼結後のチタン酸バリウムの平均粒径が０．１８μｍ以下である誘電体層１１を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸バリウムとガラス成分とを含有する誘電体磁器組成物において、焼結後のチタン酸バリウムの平均粒径が０．１８μｍ以下であることを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記ガラス成分が、シリコン（Ｓｉ）の化合物からなる第１成分と、ホウ素（Ｂ）の化合物及びアルミニウム（Ａｌ）の化合物の少なくともいずれかを含む第２成分と、バリウム（Ｂａ）の化合物、亜鉛（Ｚｎ）の化合物及びカルシウム（Ｃａ）の化合物のうち少なくとも１つを含む第３成分とを含み、かつ前記第１成分のモル比をＸ、前記第２成分のモル比をＹ、前記第３成分のモル比をＺとした場合、これら第１成分、第２成分、第３成分のモル比による組成比（Ｘ，Ｙ，Ｚ）は、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（１，０，０）、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０，１，０）、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０，０，１）の３点を頂点とする三角図における、点Ａ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．２１，０．３７，０．４２）、点Ｂ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．４１６，０．１０２，０．４８２）、点Ｃ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．６３，０．０９５，０．２７５）、点Ｄ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．６１８，０．２６８，０．１１４）及び点Ｅ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．２６１，０．３７５，０．３６４）で囲まれる範囲内を満たすことを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の誘電体磁器組成物からなる誘電体層を備えることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
平均粒径が０．０５μｍ超、０．１８μｍ以下のチタン酸バリウムを主成分として含む原料と、ガラス成分とを混合し、１１００℃以下の温度で焼結することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
【請求項５】
前記ガラス成分が、シリコン（Ｓｉ）の化合物からなる第１成分と、ホウ素（Ｂ）の化合物及びアルミニウム（Ａｌ）の化合物の少なくともいずれかを含む第２成分と、バリウム（Ｂａ）の化合物、亜鉛（Ｚｎ）の化合物及びカルシウム（Ｃａ）の化合物のうち少なくとも１つを含む第３成分とを含み、かつ前記第１成分のモル比をＸ、前記第２成分のモル比をＹ、前記第３成分のモル比をＺとした場合、これら第１成分、第２成分、第３成分のモル比による組成比（Ｘ，Ｙ，Ｚ）は、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（１，０，０）、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０，１，０）、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０，０，１）の３点を頂点とする三角図における、点Ａ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．２１，０．３７，０．４２）、点Ｂ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．４１６，０．１０２，０．４８２）、点Ｃ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．６３，０．０９５，０．２７５）、点Ｄ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．６１８，０．２６８，０．１１４）及び点Ｅ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．２６１，０．３７５，０．３６４）で囲まれる範囲内を満たすことを特徴とする請求項４に記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体磁器組成物及び積層セラミックコンデンサ並びに誘電体磁器組成物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）のＤＣバイアス特性の改善方法として、ＤＣ−Ｂｉａｓ印加時の容量は小さいがＤＣバイアス印加時の容量変化率の小さい比較的粒径の小さいチタン酸バリウムで誘電体層を構成する方法が一般的に知られている。例えば特許文献１には、容量が高くＤＣバイアス印加時の容量変化率の大きい比較的粒径の大きいチタン酸バリウムと、容量は小さいがＤＣバイアス印加時の容量変化率の小さい比較的粒径の小さいチタン酸バリウムとを混在させる方法が記載されている。
【特許文献１】特開２００５−２４３８９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、焼成前に微粒のチタン酸バリウムを原料に用いても、従来のＭＬＣＣの製造に際しては焼結温度が１２００〜１３００℃と比較的高温であるために、表面活性の高い微粒子は焼結中に粒成長を起こしていた。そのため、焼成後にチタン酸バリウムの粒径が大きい焼結体となり、ＤＣバイアス特性の向上が図れない問題があった。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、ＤＣバイアス特性の向上を図ることが可能な誘電体磁器組成物及び積層セラミックコンデンサ並びに誘電体磁器組成物の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、チタン酸バリウムとガラス成分とを含有する誘電体磁器組成物において、焼結後のチタン酸バリウムの平均粒径が０．１８μｍ以下であることを特徴とする誘電体磁器組成物である。
請求項２に係る発明は、前記ガラス成分が、シリコン（Ｓｉ）の化合物からなる第１成分と、ホウ素（Ｂ）の化合物及びアルミニウム（Ａｌ）の化合物の少なくともいずれかを含む第２成分と、バリウム（Ｂａ）の化合物、亜鉛（Ｚｎ）の化合物及びカルシウム（Ｃａ）の化合物のうち少なくとも１つを含む第３成分とを含み、かつ前記第１成分のモル比をＸ、前記第２成分のモル比をＹ、前記第３成分のモル比をＺとした場合、これら第１成分、第２成分、第３成分のモル比による組成比（Ｘ，Ｙ，Ｚ）は、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（１，０，０）、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０，１，０）、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０，０，１）の３点を頂点とする三角図における、点Ａ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．２１，０．３７，０．４２）、点Ｂ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．４１６，０．１０２，０．４８２）、点Ｃ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．６３，０．０９５，０．２７５）、点Ｄ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．６１８，０．２６８，０．１１４）及び点Ｅ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．２６１，０．３７５，０．３６４）で囲まれる範囲内を満たすことを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物である。
請求項３に係る発明は、請求項１又は２に記載の誘電体磁器組成物からなる誘電体層を備えることを特徴とする積層セラミックコンデンサである。
【０００６】
請求項４に係る発明は、平均粒径が０．０５μｍ超、０．１８μｍ以下のチタン酸バリウムを主成分として含む原料と、ガラス成分とを混合し、１１００℃以下の温度で焼結することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法である。
請求項５に係る発明は、前記ガラス成分が、シリコン（Ｓｉ）の化合物からなる第１成分と、ホウ素（Ｂ）の化合物及びアルミニウム（Ａｌ）の化合物の少なくともいずれかを含む第２成分と、バリウム（Ｂａ）の化合物、亜鉛（Ｚｎ）の化合物及びカルシウム（Ｃａ）の化合物のうち少なくとも１つを含む第３成分とを含み、かつ前記第１成分のモル比をＸ、前記第２成分のモル比をＹ、前記第３成分のモル比をＺとした場合、これら第１成分、第２成分、第３成分のモル比による組成比（Ｘ，Ｙ，Ｚ）は、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（１，０，０）、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０，１，０）、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０，０，１）の３点を頂点とする三角図における、点Ａ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．２１，０．３７，０．４２）、点Ｂ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．４１６，０．１０２，０．４８２）、点Ｃ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．６３，０．０９５，０．２７５）、点Ｄ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．６１８，０．２６８，０．１１４）及び点Ｅ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．２６１，０．３７５，０．３６４）で囲まれる範囲内を満たすことを特徴とする請求項４に記載の誘電体磁器組成物の製造方法である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の誘電体磁器組成物によれば、焼結後にＤＣバイアスによる容量変化率の小さい微粒のチタン酸バリウムを得ることができる。例えばＢａ−Ｃａ−Ｚｎ−Ｓｉ−Ｂ−Ａｌを少なくとも有するガラス成分を焼結助剤として１１００℃以下での焼結が可能となり、微粒のチタン酸バリウムを粒成長させることとなく緻密化させることができる。
本発明の積層セラミックコンデンサによれば、焼結後にＤＣバイアスによる容量変化率の小さい微粒のチタン酸バリウムを誘電体層に用いることで、ＭＬＣＣのＤＣ−Ｂｉａｓ特性の向上を図ることが可能となる。また、平均粒径の小さいチタン酸バリウムで誘電体層を構成することで、信頼性の向上が期待できる。
本発明の誘電体磁器組成物の製造方法によれば、微粒のチタン酸バリウムを１１００℃以下で焼結することにより、微粒のチタン酸バリウムを粒成長させることとなく緻密化させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
【０００９】
図１は、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）の断面構造を例示する模式断面図である。この積層セラミックコンデンサ１０は、対向する内部電極１２間に、前述の誘電体磁器組成物からなる誘電体層１１を備える。このような誘電体層１１は、誘電体磁器組成物をシート状に成形したグリーンシートの片面に内部電極１２を形成し、これを複数枚積層して得られる積層体を焼成することで得られる。また、この積層体の側面には、内部電極１２の端部に接続された外部電極１３，１４が設けられている。
【００１０】
内部電極１２や外部電極１３，１４の材料としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属もしくはこれらの合金、インジウム−ガリウム（Ｉｎ−Ｇａ）、銀（Ａｇ）、銀−１０パラジウム（Ａｇ−１０Ｐｄ）合金等、または、カーボン、グラファイト、カーボンとグラファイトとの混合物等を用いることができる。
【００１１】
内部電極１２は、例えば上記の主たる材料からなる粉末に、有機バインダ、分散剤、有機溶剤、必要に応じて還元剤等を所定量加えた後に混練し、所定の粘度とした導電ペーストを、グリーンシートの片面に所定のパターンとなるように印刷し、還元雰囲気中で焼成することにより形成することができる。内部電極１２としては、比較的安価なニッケル（Ｎｉ）又はニッケル合金が望ましい。
【００１２】
また、外部電極１３，１４としては、低抵抗で安価であることから、銅（Ｃｕ）が望ましい。外部電極１３，１４は、内部電極１２及び誘電体層１１からなる積層体に対して、その外側面に塗布法などを用いて形成することができる。
【００１３】
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの誘電体層１１は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）とガラス成分とを含有する誘電体磁器組成物から構成され、焼結後のチタン酸バリウムの平均粒径が０．１８μｍ以下である。
【００１４】
本実施形態の誘電体磁器組成物に用いられるチタン酸バリウムの平均粒径は、焼結前において、０．０５μｍ超、０．１８μｍ以下であることが好ましく、０．０８μｍ以上、０．１８μｍ以下であることがより好ましい。
【００１５】
また、前記ガラス成分としては、シリコン（Ｓｉ）の化合物からなる第１成分と、ホウ素（Ｂ）の化合物及びアルミニウム（Ａｌ）の化合物の少なくともいずれかを含む第２成分と、バリウム（Ｂａ）の化合物、亜鉛（Ｚｎ）の化合物及びカルシウム（Ｃａ）の化合物のうち少なくとも１つを含む第３成分とを含むものが好ましい。
【００１６】
さらに前記第１成分のモル比をＸ、前記第２成分のモル比をＹ、前記第３成分のモル比をＺとした場合、これら第１成分、第２成分、第３成分のモル比による組成比（Ｘ，Ｙ，Ｚ）は、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（１，０，０）、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０，１，０）、点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０，０，１）の３点を頂点とする三角図（図２を参照）における、点Ａ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．２１，０．３７，０．４２）、点Ｂ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．４１６，０．１０２，０．４８２）、点Ｃ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．６３，０．０９５，０．２７５）、点Ｄ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．６１８，０．２６８，０．１１４）及び点Ｅ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０．２６１，０．３７５，０．３６４）で囲まれる範囲内を満たすものが好ましい。
このような組成のガラス成分は、本出願人による特願２００６−２６６９３９に記載されている焼結助剤（詳しくは後述する。）を用いることで、誘電体磁器組成物に配合することができる。
【００１７】
ガラス成分は、下記のステップＳ１からＳ５にしたがって、ガラス粉末として製造することができる。
（ステップＳ１）各成分の化合物を調合し、乾式混合を行い、粉末を得る。または、各成分の化合物を調合し、湿式混合・粉砕を行い、スラリーとし、このスラリーを脱水乾燥して、粉末を得るようにしても良い。
（ステップＳ２）得られた粉末を、例えば（Ｐｔ−Ｒｈ）からなるルツボに入れ、大気中、１２００〜１７００℃で、１〜４時間溶融する。
（ステップＳ３）溶融により得られた溶湯を鋳型に流し込む。
（ステップＳ４）急冷してガラス化する。
（ステップＳ５）ガラスを粉砕してガラス粉末を得る。
【００１８】
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウムを主成分とする原料と、上述のガラス成分からなる焼結助剤を添加し、例えば還元性雰囲気で焼成することによって製造することができる。チタン酸バリウム以外の原料、すなわち副成分としては、希土類元素（Ｒｅ）の化合物、マグネシウム（Ｍｇ）の化合物、マンガン（Ｍｎ）の化合物を含有することが好ましい。ここで希土類元素（Ｒｅ）としては、ジスプロシウム（Ｄｙ）、イットリウム（Ｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、サマリウム（Ｓｍ）の少なくとも一種以上を含むことが好ましい。具体的な化合物としては、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）等の希土類元素（Ｒｅ）の酸化物、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化マンガン（Ｍｎ３Ｏ４）等が挙げられる。
【００１９】
また、焼結温度を１１００℃以下とすることにより、微粒のチタン酸バリウムを粒成長させることとなく緻密化させることができる。これにより、焼結後のチタン酸バリウムの平均粒径が０．１８μｍ以下である誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００２０】
特に、焼結助剤として、本出願人による特願２００６−２６６９３９に記載されているように、シリコン（Ｓｉ）の化合物（例えばＳｉＯ２）からなる第１成分と、ホウ素（Ｂ）の化合物（例えばＢ２Ｏ３）及びアルミニウム（Ａｌ）の化合物（例えばＡｌ２Ｏ３）の少なくともいずれかを含む第２成分と、バリウム（Ｂａ）の化合物（例えばＢａＣＯ３）、亜鉛（Ｚｎ）の化合物（例えばＺｎＯ）及びカルシウム（Ｃａ）の化合物（例えばＣａＣＯ３）のうち少なくとも１つを含む第３成分とを含み、前述した図２の三角図における点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ及び点Ｅで囲まれる範囲内を満たす組成比のガラス成分を添加することで、１１００℃以下の低温で焼結する場合であっても焼結を促進させることができ、緻密で、かつ電気特性の悪化も抑制された誘電体磁器組成物を得ることができる。さらに、低温での焼成により、製造コストの低減も図れる。
また、焼結後にＤＣバイアスによる容量変化率の小さい微粒のチタン酸バリウムを誘電体層に用いることで、ＭＬＣＣのＤＣ−Ｂｉａｓ特性の向上を図ることが可能となる。また、平均粒径の小さいチタン酸バリウムで誘電体層を構成することで、信頼性の向上が期待できる。
【実施例】
【００２１】
以下、実施例をもって本発明を具体的に説明する。
【００２２】
（１．チタン酸バリウムの合成法）
《蓚酸法》
四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）と塩化バリウム二水和物（ＢａＣｌ２・２Ｈ２Ｏ）とを準備し、これらを秤量した後、蓚酸チタニルバリウム（ＢａＴｉＯ（Ｃ２Ｏ４）・４Ｈ２Ｏ）として沈殿させ、沈殿物を得た。この沈殿物を９００℃以上の温度で加熱分解させて、主成分としてのＢａＴｉＯ３を合成した。
【００２３】
《固相法》
炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）と酸化チタン（ＴｉＯ２）とを準備し、これらを秤量した後、これらの化合物をボールミルに入れ、水を加え湿式で約２０時間混合した。そして、得られたスラリーを脱水し、９００℃以上の温度で焼成し、主成分としてのＢａＴｉＯ３を合成した。
【００２４】
なお、チタン酸バリウムを得る方法は、蓚酸法、固相法に限定される訳ではなく、水熱合成法、ゾルゲル法により合成しても構わない。
【００２５】
前記に示した合成法により作製したチタン酸バリウムを走査型電子顕微鏡によって観察し、１００個の粒子径を測長して平均粒径および最大粒径を求めた。評価に用いたチタン酸バリウムを表１に示す。また、蛍光Ｘ線により求めたＢａ／Ｔｉ比についても併せて示す。表１において、チタン酸バリウムの種類は、ＢＴ−１からＢＴ−６の記号を用いて示した。
【００２６】
【表１】
2008162818.tif 000003
【００２７】
（２．ガラス成分）
まず、表２に表す組成表に基づいて、各成分の化合物を調合し、乾式混合を行い、粉末を得る。または、各成分の化合物を調合し、湿式混合・粉砕を行いスラリーとし、このスラリーを脱水乾燥して、粉末を得るようにしてもよい。表２において、ガラス成分の種類は、Ｇ−１からＧ−５の記号を用いて示した。
【００２８】
【表２】
2008162818.tif 000004
【００２９】
その得られた粉末を例えば（Ｐｔ−Ｒｈ）からなるルツボに入れ、大気中、１２００〜１７００℃で、１〜４時間溶融し、その溶湯を鋳型に流し込み、急冷してガラス化させた。このガラスを粉砕して、焼結助剤を得た。
【００３０】
（３．サンプル作製）
各サンプルの作製に用いた焼結助剤の種類および添加量（主成分１００重量部に対する重量部［ｗｔ部］で表した。）は、表３の「ガラス成分の種類／添加量」の欄に示すとおりとした。サンプルとして、上記主成分および焼結助剤に加え、副成分として、Ｙ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、ＭｇＯ等の各化合物の粉末を、モル比がチタン酸バリウム１００ｍｏｌに対して、Ｙ１．５ｍｏｌ、Ｍｎ０．３ｍｏｌ、Ｍｇ１．０ｍｏｌとなるように秤量し、ビーズミルに入れ、トルエン−エタノール混合溶剤、ポリビニルブチラール系バインダおよび可塑剤とともに適当な粘度になるまで混合し、ドクターブレード法によりグリーンシートを作製した。
【００３１】
各シート上に、Ｎｉ粉末からなる内部電極の導電ペーストを用いて電極を所定形状にスクリーン印刷した後、導電ペーストが印刷されたグリーンシートを積層し、熱圧着して一体化し、積層成形体を作製した。
【００３２】
該積層体を空気中にて加熱することで有機バインダを除去した後、１１００℃の還元雰囲気で２時間焼成した後、Ｎ２雰囲気中１０００℃で２時間再酸化処理して誘電体磁器組成物を得た。次に、内部電極が露出する積層チップの端面部に外部電極を焼き付け、積層セラミックコンデンサとした。得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅が１．６ｍｍ、長さが３．２ｍｍおよび厚さが１．６ｍｍであり、内部電極間に介在する誘電体層一層あたりの厚みは２．５μｍで、有効誘電体層は１０層であった。１層あたりの対向電極面積は、３．２８ｍｍ２であった。
【００３３】
（４．測定）
次に、以上のようにして得られた試料について粒径及び電気特性を測定した。
【００３４】
《焼結体の粒径》
焼結体の断面を研磨し、ケミカルエッチング処理を行った後、走査型電子顕微鏡によって観察し、１００個の粒子径を測長して平均粒径および最大粒径を求めた。
【００３５】
《Ｘ５Ｒ規格》
高温槽の中に試料を入れ、−５５℃〜８５℃の各温度において周波数１ｋＨｚ、電圧２．０Ｖの条件で静電容量を測定し、ＥＩＡのＸ５Ｒ規格（−５５℃から８５℃の容量変化率（２５℃基準）が±１５％以内）を満足するかを確認した。
【００３６】
《ＤＣバイアス》
直流電圧４．０Ｖ／μｍ印加時の容量（２５℃）を測定電圧２．０Ｖで測定し、容量変化率［（無印加時の容量−印加時の容量）／（無印加時の容量）×１００］を算出した。本発明の望ましい特性は直流電圧４．０Ｖ／μｍ印加時の容量変化率が−５０％以内であることとした。
【００３７】
《比抵抗》
絶縁抵抗計を用い、２５℃で２０Ｖの直流電圧を２分間印加した時の絶縁抵抗Ｒを測定し、比抵抗ｌｏｇρを算出した。望ましい範囲は１１．０Ω・ｃｍ以上とした。
【００３８】
（５．結果）
３．で作製した各試料で用いたチタン酸バリウムの種類、ガラス成分の種類及び添加量と、４．で測定した焼結体の粒径及び電気特性の測定結果を、まとめて表３に表す。
表３において、各試料に用いたチタン酸バリウム及びガラス成分の種類は、それぞれ表１及び表２で用いた記号により示した。
【００３９】
【表３】
2008162818.tif 000005
【００４０】
《試料番号１》
平均粒径０．２０μｍの原料チタン酸バリウムを用いた場合、得られた焼結体の平均粒径は０．２１μｍであった。ＤＣバイアス４．０Ｖ／μｍ印加時の容量変化率は−５３．３％であり所望の特性を満足することが出来なかった。
【００４１】
《試料番号２》
平均粒径０．０８μｍの原料チタン酸バリウムを用い、焼結助剤にＳｉＯ２を用いた場合、焼結温度が１２００℃と高いため、焼成前後での粒径の変化が大きかった。得られた焼結体の平均粒径は０．２８μｍであった。ＤＣバイアス４．０Ｖ／μｍ印加時の容量変化率は−８３．２％であり所望の特性を満足することが出来なかった。
【００４２】
《試料番号３》
平均粒径０．０５μｍの原料チタン酸バリウムを用いた場合、得られた焼結体の平均粒径は０．３５μｍであった。焼成前後での粒径の変化が大きかった。ＤＣバイアス４．０Ｖ／μｍ印加時の容量変化率は−８６．４％であり所望の特性を満足することが出来なかった。
【００４３】
《試料番号４〜８》
焼成前後での粒径の変化が小さく、焼結時の著しい粒成長は見られなかった。所望のＤＣバイアス特性が得られた。
平均粒径が０．０８μｍ以上のチタン酸バリウム粒子を原料に用いる場合、焼結助剤に例えばＢ−Ｃａ−Ｚｎ−Ｓｉ−Ｂ−Ａｌを有するガラス成分を用いることで焼結時のチタン酸バリウム粒子の著しい粒成長を抑制することが可能となった。このことによりＤＣバイアス印加時の容量変化率を抑えることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面構造を例示する模式断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るガラス成分に含まれる第１成分、第２成分及び第３成分の組成範囲を表す三角図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０…積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）、１１…誘電体層、１２…内部電極、１３，１４…外部電極。
【図１】
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【図２】
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