(57)【要約】【課題】半導体チップのチッピングやクラックや回路面の膜剥離やブレード破損を防止または低減することができるダイシングブレードを提供することを目的とする。【解決手段】本発明によれば、ダイシングブレードの輪形刃の内周厚が外周厚より薄く、輪形刃内周部１と輪形刃外周部２との変局点で厚さ方向に段差８を形成する構造としたことにより、ダイシング時に発生する切削屑がダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６との間に押し挟まる事を低減し、半導体チップ４のチッピングやクラックや回路面の膜剥離やブレード破損を防止または低減するという効果が得られる。【選択図】図１
2008153312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを切削して個々の半導体チップに分離するダイシングに用いるダイシングブレードであって、
基台に回転可能に搭載されたダイシングブレードの輪形刃の内周厚が外周厚より薄い形状であり、輪形刃内周部と輪形刃外周部との変局点で厚さ方向に段差を有することを特徴とするダイシングブレード。
【請求項２】
前記輪形刃外周部の厚さ方向の断面形状が、先端程薄くなるＶ字凸型で、前記輪形刃外周部側面側が鋭角に突起を形成することを特徴とする請求項１に記載のダイシングブレード。
【請求項３】
前記輪形刃内周部と輪形刃外周部との変局点の厚さ方向に勾配を形成することを特徴とする請求項２に記載のダイシングブレード。
【請求項４】
前記輪形刃内周部から前記輪形刃外周部方向に放射状に複数のカーボンナノチューブを含有することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３のいずれかに記載のダイシングブレード。
【請求項５】
水平となるＸＹ方向に回転するチャックテーブルを配置し、前記チャックテーブル上にダイシングシートを介して面固定した半導体ウェーハを配置し、前記チャックテーブル及び前記半導体ウェーハに対し相対的に垂直となるＺ方向に請求項１または請求項２または請求項３のいずれかに記載のダイシングブレードを配置し、Ｘ方向の切削移動とＹ方向のピッチ移動とＺ方向の切込移動により前記ダイシングブレードの輪形刃と前記半導体ウェーハを交差する位置関係にさせ、回転する前記ダイシングブレードで前記半導体ウェーハを切削し、個々の半導体チップに分離するダイシング方法であって、
切削時に前記ダイシングブレードの輪形刃の内周部最下点を半導体ウェーハ表面より下にすることを特徴とするダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置や電子部品などを複数形成した半導体ウェーハを切削し、個々の半導体チップに分離するダイシングの際に用いるダイシングブレード及びダイシング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造プロセスは、拡散工程により回路パターンを形成した半導体ウェーハが電気的不良検出試験のプローブ検査完了後、ダイシング工程で個々の半導体チップに分離される。その後、個々の半導体チップが部品基板に接着固定され、半導体チップ上のボンディングパッドと部品基板のボンディングポイントを金属ワイヤで導通配線する。さらに、樹脂封止と外形加工を経て半導体装置や電子部品として完成する。
【０００３】
プローブ検査完了後、半導体ウェーハの外周部を囲む形で剛性のある輪形状のダイシングフレームを配置し、片面に粘着層を形成したダイシングシートで半導体ウェーハとダイシングフレームを張り合わせる。ダイシング工程内で半導体ウェーハはダイシングシートに粘着固定された状態で搬送、加工される。
【０００４】
ダイシング工程では、ダイシング装置にダイシングブレードが取り付けられ、水平となるＸＹ方向に回転するチャックテーブルを配置し、チャックテーブル上にダイシングシートを介して面固定した半導体ウェーハを配置し、チャックテーブル及び半導体ウェーハに対し相対的に垂直となるＺ方向にダイシングブレードを配置し、Ｘ方向の切削移動とＹ方向のピッチ移動とＺ方向の切込移動によりダイシングブレードの輪形刃と半導体ウェーハが交差する位置関係において、回転するダイシングブレードで洗浄兼冷却用水を射出しながら半導体ウェーハを切削し、個々の半導体チップに分離する。
【０００５】
このダイシング方法では、ボンド材で集積した砥粒による輪形刃を回転可能な状態で基台に接合したダイシングブレードが用いられる。
従来、この種のダイシングブレードは図１９，図２０に示されるような構成を有していた。
【０００６】
図１９は従来の半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの斜視図である。図２０は従来の半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの断面図であり、図１９におけるＺＦ０―ＺＦ１のダイシングブレード厚み方向のダイシングブレードの断面図である。
【０００７】
図１９，図２０において、１は輪形刃外周部、２は輪形刃内周部、３は基台、４は半導体チップ、５はダイシングシートである。ダイシング装置に取り付けられるダイシングブレードは基台３と輪形刃内周部２と輪形刃外周部１からなる。
【０００８】
図２１は従来のダイシングブレードによる切削状態を示す要部拡大図であり、図２０の切削瞬間の輪形刃と半導体チップ４及びダイシングシートのダイシングブレード厚み方向の断面を示した部分拡大図である。
【０００９】
図２２は従来のダイシングブレードによる切削面を示す透視図であり、切削瞬間の半導体チップ切削面側からの透視図である。
図２０と図２１に示すように、ダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面表面側の間隔はｃＦであり、見かけ上ｃＦ＝０である。
【００１０】
また、図２２に示すように、ＳＦ１はダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６及びダイシングシート切削面との瞬間接触領域であり、瞬間接触領域ＳＦ１は広範囲で相対的に大きかった。
【００１１】
また、従来もう１つのこの種のダイシングブレードは図２３に示されるような構成を有していた。
図２３は従来の半導体ウェーハ切削時のブレード厚を連続的に変化させたダイシングブレードの斜視図である。図２４は従来の半導体ウェーハ切削時のブレード厚を連続的に変化させたダイシングブレードの断面図であり、図２３におけるＺＧ０―ＺＧ１のダイシングブレード厚み方向のダイシングブレードの断面図である。
【００１２】
図２３，図２４において、１は輪形刃外周部、２は輪形刃内周部、３は基台、４は半導体チップ、５はダイシングシートである。ダイシング装置に取り付けられるダイシングブレードは基台３と輪形刃外周部２と輪形刃内周部１からなる。
【００１３】
図２５は従来のブレード厚を連続的に変化させたダイシングブレードによる切削状態を示す要部拡大図であり、図２３の切削瞬間の輪形刃と半導体チップ４及びダイシングシートのダイシングブレード厚み方向の断面を示した部分拡大図である。
【００１４】
図２６は従来のブレード厚を連続的に変化させたダイシングブレードによる切削面を示す透視図であり、切削瞬間の半導体チップ切削面６側からの透視図透視図である。
図２７は従来のブレード厚を連続的に変化させたダイシングブレードによるブレを考慮した切削面を示す透視図であり、ブレを考慮した場合の切削瞬間の半導体チップ切削面６側からの透視図およびチップ表面からの透視図である。
【００１５】
図２４と図２５に示すように、ｔＧ１は輪形刃最外周部の厚さ、ｔＧ２は切削瞬間に半導体チップ表面とＺ方向の位置で一致する輪形刃の厚さ、ｔＧ３は輪形刃最内周部の厚さである。寸法関係はｔＧ１＞ｔＧ２＞ｔＧ３であり、輪形刃の厚さは最外周から内周に向かって連続的に小さくなる。
【００１６】
また、輪形刃の最外周部と最内周部の半径の差はｒＧ０−ｒＧ３、切削瞬間の半導体チップの切削深さはｄＧ、ダイシングシートの切削深さはｅＧである。
ダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面表面側の間隔はｃＧであり、
ｃＧ＝（ｔＧ１−ｔＧ２）／２＝（ｔＧ１−ｔＧ３）／２×（ｄＧ＋ｅＧ）／（ｒＧ０−ｒＧ３）＞０
の関係式が成立する。
【００１７】
また、図２６に示すように、ＳＧ１はダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６及びダイシングシート切削面との瞬間接触領域であり、瞬間接触領域ＳＧ１は見かけ上輪形刃外周線に沿い、図２２の瞬間接触領域ＳＦ１と比較して小さい。
【００１８】
ところが、現実的なダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６表面側の間隔を数値的に鑑みると、昨今の現実的な代表値として、ｔＧ１＝２５μｍ、ｔＧ３＝１５μｍ、ｄＧ＝５０μｍ、ｅＧ＝２０μｍ、ｒＧ０−ｒＧ３＝６４０μｍの場合、ｃＧ＝０．５５μｍである。
【００１９】
さらに、ダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６表面側の間隔を確保するため、切削物の反射衝突による輪形刃破損やチップ破損の弊害を考慮した中で輪形刃の最外周部と最内周部の半径の差ｒＧ０−ｒＧ３を極力小さくし、ｔＧ１＝２５μｍ、ｔＧ３＝１５μｍ、ｄＧ＝５０μｍ、ｅＧ＝２０μｍ、ｒＧ０−ｒＧ３＝１００μｍの場合でも、ｃＧ＝３．５μｍである。
【００２０】
しかも、前記のダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面表面側の間隔ｃＧはＺＧ０−ＺＧ１断面上の数値に過ぎない。
図２７で示すように、チップ表面からみた場合、ダイシングブレードの輪形刃外周寄りにおいて、ダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６表面側の間隔は更に小さく、ｃＧ＜３．５μｍとなる。
【００２１】
またさらに、ブレードの仕上がり精度や嵌め合い具合によりブレが生じるが、前記ブレを考慮してダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６及びダイシングシート切削面との接触を回避する間隔を鑑みると、昨今の現実的な代表値としてｃＧ＞（ｔＧ１―ｔＧ３）／８、ｔＧ１＜ｄＧ＋ｅＧの場合、ダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６及びダイシングシート切削面との瞬間接触領域ＳＧ１であり、瞬間非接触領域ＳＧ２より圧倒的に大きかった。
【００２２】
また、ダイシングブレードは剛性を高めるため構成材料としてカーボンナノチューブを含有する場合もあった。
このような従来の技術としては、例えば特許文献１及び特許文献２に記載されたものが知られている。
【特許文献１】特開昭６４−２６４０９号公報
【特許文献２】特開２００４−６４０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
しかしながら、従来のダイシングブレードにおいては、ダイシング時に発生する切削屑がダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との間に押し挟まり、半導体チップのチッピングやクラックや回路面の膜剥離やブレード破損を発生するという問題点を有していた。
【００２４】
本発明は上記従来の問題点を解決するものであり、ダイシング時に発生する切削屑がダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との間に押し挟まる事を低減し、半導体チップのチッピングやクラックや回路面の膜剥離やブレード破損を防止または低減することができるダイシングブレードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
上記目的を達成するために、本発明のダイシングブレードは、半導体ウェーハを切削して個々の半導体チップに分離するダイシングに用いるダイシングブレードであって、基台に回転可能に搭載されたダイシングブレードの輪形刃の内周厚が外周厚より薄い形状であり、輪形刃内周部と輪形刃外周部との変局点で厚さ方向に段差を有することを特徴とする。
【００２６】
また、前記輪形刃外周部の厚さ方向の断面形状が、先端程薄くなるＶ字凸型で、前記輪形刃外周部側面側が鋭角に突起を形成することを特徴とする。
また、前記輪形刃内周部と輪形刃外周部との変局点の厚さ方向に勾配を形成することを特徴とする。
【００２７】
また、前記輪形刃内周部から前記輪形刃外周部方向に放射状に複数のカーボンナノチューブを含有することを特徴とする。
さらに、本発明のダイシング方法は、水平となるＸＹ方向に回転するチャックテーブルを配置し、前記チャックテーブル上にダイシングシートを介して面固定した半導体ウェーハを配置し、前記チャックテーブル及び前記半導体ウェーハに対し相対的に垂直となるＺ方向に前記ダイシングブレードを配置し、Ｘ方向の切削移動とＹ方向のピッチ移動とＺ方向の切込移動により前記ダイシングブレードの輪形刃と前記半導体ウェーハを交差する位置関係にさせ、回転する前記ダイシングブレードで前記半導体ウェーハを切削し、個々の半導体チップに分離するダイシング方法であって、切削時に前記ダイシングブレードの輪形刃の内周部最下点を半導体ウェーハ表面より下にすることを特徴とする。
【００２８】
以上により、半導体チップのチッピングやクラックや回路面の膜剥離やブレード破損を防止または低減することができる。
【発明の効果】
【００２９】
以上のように、本発明によれば、ダイシングブレードの輪形刃の内周厚を外周厚より薄い形成とすることにより、ダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との瞬間非接触領域を確保すると共に、ダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との間隔を十分に確保することができ、ダイシング時に発生する切削屑がダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との間に押し挟まる事を低減し、半導体チップのチッピングやクラックや回路面の膜剥離やブレード破損を防止または低減することができる。
【００３０】
また、輪形刃の内周部から外周部方向に放射状に複数のカーボンナノチューブを含有する構成とすることにより、切削方向に優れた強度を確保できるので、ダイシング時に含有するボンド材の特性を活かしつつダイシングブレードの輪形刃の磨耗を抑え、半導体チップのチッピングやクラックや回路面の膜剥離やブレード破損を防止または低減することができる。
【００３１】
また、ダイシングの際に、ダイシングブレードの輪形刃の内周部最下点を半導体ウェーハ表面より下にすることにより、ダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との瞬間非接触領域を確保すると共に、半導体チップ表面側の瞬間接触領域の長さを短くすることになるので、ダイシング時に発生する切削屑がダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との間に押し挟まる事を低減し、半導体チップの表面チッピングや表面クラックや回路面の膜剥離を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施例におけるダイシングブレードについて、図面を参照しながら説明する。
（実施例１）
図１は実施例１における半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの斜視図である。
【００３３】
図１において、１は輪形刃外周部、２は輪形刃内周部、３はダイシングブレードを回転可能なように搭載する基台、４は半導体チップ、５はダイシングシート、６は半導体チップ切削面、７はダイシングシート切削面、８は段差である。ダイシング装置に取り付けられるダイシングブレードは基台３と輪形刃内周部２と輪形刃外周部１からなり、輪形刃内周部２と輪形刃外周部１の間に段差８を有している。
【００３４】
図２は実施例１における半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの断面図であり、図１におけるＺＡ０―ＺＡ１のダイシングブレード厚み方向のダイシングブレードの断面図である。
【００３５】
図３は実施例１におけるダイシングブレードによる切削状態を示す要部拡大図であり、図２の切削瞬間の輪形刃と半導体チップ４及びダイシングシート５のダイシングブレード厚み方向の断面を示した部分拡大図である。
【００３６】
図４は実施例１におけるダイシングブレードによる切削面を示す透視図であり、切削瞬間の半導体チップ切削面６側からの透視図および半導体チップ４表面からの透視図である。
【００３７】
図２に示すように、ｔＡ１は輪形刃外周部１の厚さであり、ｔＡ２は輪形刃内周部２の厚さであり、輪形刃外周部１の厚さｔＡ１＞輪形刃内周部２の厚さｔＡ２である。
図３に示すように、ダイシングブレードの輪形刃内周部２側面と半導体チップ切削面６表面側の間隔はｃＡでありｃＡ＝（ｔＡ１−ｔＡ２）／２の関係式が成立する。
【００３８】
図４に示すように、ＳＡ１はダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６及びダイシングシート切削面７との瞬間接触領域であり、ＳＡ２はダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６及びダイシングシート切削面７との瞬間非接触領域であり、瞬間接触領域ＳＡ１は図２７の瞬間接触領域ＳＥ１と比較して小さくなり、一方、瞬間非接触領域ＳＡ２は図２７の瞬間非接触領域ＳＥ２と比較して大きくなっている。
【００３９】
また、ｐＡは半導体チップ切削面表面側における瞬間非接触領域の長さであり、瞬間非接触領域の長さｐＡは図２７の瞬間非接触領域ｐＥと比較しては長くなっている。
より明確にするため、現実的なダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面表面６側の間隔ｃＡを数値的に鑑みると、昨今の現実的な代表値として、ｔＡ１＝２５μｍ、ｔＡ３＝１５μｍ、ｄＡ＝５０μｍ、ｅＡ＝２０μｍ、ｒＡ０−ｒＡ２＜ｄＡ＋ｅＡの場合、ｃＡ＝５μｍであり、図２７のダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面表６面側の間隔ｃＡ≦３．５と比較して大きくなる。
【００４０】
以上のように本実施例によれば、輪形刃内周部の厚さｔＡ２が輪形刃外周部の厚さｔＡ１より薄く、輪形刃内周部２と輪形刃外周部１との変局点で厚さ方向に段差を形成することにより、ダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との瞬間非接触領域ＳＡ１を確保すると共に、ダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との間隔ｃＡを十分に確保することになるので、ダイシング時に発生する切削屑が間隔ｃＡから排出されてダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との間に押し挟まる事を低減し、半導体チップのチッピングやクラックや回路面の膜剥離やブレード破損を防止または低減するという効果が得られる。
（実施例２）
以下、本発明の実施例２におけるダイシングブレードについて、図面を参照しながら説明する。
【００４１】
図５は実施例２における半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの斜視図である。
図５において、１は輪形刃外周部、２は輪形刃内周部、３は基台、４は半導体チップ、５はダイシングシート、６は半導体チップ切削面、７はダイシングシート切削面、８は段差である。ダイシング装置に取り付けられるダイシングブレードは基台３と輪形刃内周部２と輪形刃外周部１からなり、輪形刃内周部２と輪形刃外周部１の間に段差８を有している。
【００４２】
図６は実施例２における半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの断面図であり、図５におけるＺＢ０―ＺＢ１のダイシングブレード厚み方向のダイシングブレードの断面図である。
【００４３】
図７は実施例２におけるダイシングブレードによる切削状態を示す要部拡大図であり、図６の切削瞬間の輪形刃と半導体チップ４及びダイシングシート５のダイシングブレード厚み方向の断面を示した部分拡大図である。
【００４４】
図８は実施例２におけるダイシングブレードによる切削面を示す透視図であり、切削瞬間の半導体チップ切削面６側からの透視図および半導体チップ４表面からの透視図である。
【００４５】
図６に示すように、ｔＢ１は輪形刃外周部１の最厚部の厚さであり、ｔＢ２は輪形刃内周部２の厚さであり、輪形刃外周部１の厚さｔＢ１＞輪形刃内周部２の厚さｔＢ２であり、輪形刃外周部１の厚さ方向断面において、先端部に行く程薄くなるＶ字凸型で、側面側が鋭角に突起を形成する。
【００４６】
図７に示すように、ダイシングブレードの輪形刃内周部２側面と半導体チップ切削面６表面側の間隔はｃＡでありｃＢ＝（ｔＢ１−ｔＢ２）／２の関係式が成立する。
図８に示すように、ＳＢ１はダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６及びダイシングシート切削面７との瞬間接触領域であり、ＳＢ２はダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６及びダイシングシート切削面７との瞬間非接触領域であり、瞬間接触領域ＳＢ１が図４の瞬間接触領域ＳＡ１と比較してさらに小さくなるようなダイシングブレードの構造にしている。
【００４７】
以上のように本実施例によれば、輪形刃外周部の厚さ方向断面において、先端部がＶ字凸型で、側面側が鋭角に突起を形成する構造としたことにより、ダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との瞬間非接触領域をさらに拡大して確保すると共に、ダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との間隔を十分に確保することになるので、ダイシング時に発生する切削屑がダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との間に押し挟まる事をさらに低減し、半導体チップのチッピングやクラックや回路面の膜剥離やブレード破損を防止または低減するという効果が得られる。
（実施例３）
以下、本発明の実施例３におけるダイシングブレードについて、図面を参照しながら説明する。
【００４８】
図９は実施例３における半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの斜視図である。
図９において、１は輪形刃外周部、２は輪形刃内周部、３は基台、４は半導体チップ、５はダイシングシート、６は半導体チップ切削面、７はダイシングシート切削面、８は段差である。ダイシング装置に取り付けられるダイシングブレードは基台３と輪形刃内周部２と輪形刃外周部１からなり、輪形刃内周部２と輪形刃外周部１の間に段差８を有している。
【００４９】
図１０は実施例３における半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの断面図であり、図９におけるＺＣ０―ＺＣ１のダイシングブレード厚み方向のダイシングブレードの断面図である。
【００５０】
図１１は実施例３におけるダイシングブレードによる切削状態を示す要部拡大図であり、図１０の切削瞬間の輪形刃と半導体チップ４及びダイシングシート５のダイシングブレード厚み方向の断面を示した部分拡大図である。
【００５１】
図１２は実施例３におけるダイシングブレードによる切削面を示す透視図であり、切削瞬間の半導体チップ切削面６側からの透視図および半導体チップ４表面からの透視図である。
【００５２】
図１３は実施例２における切削物の様子を示す図であり、切削瞬間の輪形刃と半導体チップ４及びダイシングシート５のダイシングブレード厚み方向の断面で、輪形刃と半導体チップ４及びダイシングシート５の間隔に注目した部分拡大図である。また、図１４は実施例３における切削物の様子を示す図であり、切削瞬間の輪形刃と半導体チップ４及びダイシングシート５のダイシングブレード厚み方向の断面で、輪形刃と半導体チップ４及びダイシングシート５の間隔に注目した部分拡大図である。
【００５３】
図１０に示すように、ｔＣ１は輪形刃外周部１の最厚部の厚さであり、ｔＣ２は輪形刃内周部２の厚さであり、輪形刃外周部１の厚さｔＣ１＞輪形刃内周部２の厚さｔＣ２であり、輪形刃外周部１の厚さ方向断面において、輪形刃内周部２と輪形刃外周部１との変局点で厚さ方向に勾配を形成する。
【００５４】
図１１に示すように、ダイシングブレードの輪形刃内周部２側面と半導体チップ切削面６表面側の間隔はｃＣでありｃＣ＝（ｔＣ１−ｔＣ２）／２の関係式が成立する。
図１２に示すように、ＳＣ１はダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６及びダイシングシート切削面７との瞬間接触領域であり、ＳＣ２はダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６及びダイシングシート切削面７との瞬間非接触領域であり、瞬間接触領域ＳＣ１が図４の瞬間接触領域ＳＡ１と比較してさらに小さくなるようなダイシングブレードの構造にしている。
【００５５】
また、図１３，図１４において、９は切削物の浸入状態を示し、１０は切削物の排出、１１は切削物の滞留を示す。
図１３に示す実施例２のダイシングブレードにおいて、切削物の浸入９と切削物の排出１０が均等に衝突し、切削物の滞留１１を発生する場合があり、時折、切削物の滞留１１がダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６との間に押し挟まり、半導体チップ４のチッピングやクラックや回路面の膜剥離、ブレード破損などがあったが、図１４に示すように、実施例３のダイシングブレードでは、輪形刃外周部１の厚さ方向断面において、輪形刃内周部２と輪形刃外周部１との変局点で厚さ方向に勾配を形成する事により、切削物の浸入９と切削物の排出１０が不均等になり、切削物の滞留１１が発生しない。
【００５６】
以上のように本実施例によれば、ダイシング時に発生する切削屑がダイシングブレードの輪形刃内周部と輪形刃外周部の変局点で滞留することを防げるので、ダイシング時に発生する切削屑がダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との間に押し挟まる事をさらに一層低減し、半導体チップのチッピングやクラックや回路面の膜剥離やブレード破損を防止または低減するという効果が得られる。
（実施例４）
以下、本発明の実施例４におけるダイシング方法について、図面を参照しながら説明する。
【００５７】
図１５は実施例４における不適切な切削瞬間のダイシングブレードによる切削状態を示す要部拡大図である。図１７は実施例４における不適切な切削瞬間のダイシングブレードによる切削面を示す透視図であり、不適切な切削瞬間の半導体チップ切削面側からの透視図および半導体チップ４表面からの透視図である。
【００５８】
図１５，図１７において、１は輪形刃外周部であり、２は輪形刃内周部であり、ＳＤ１はダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６及びダイシングシート切削面７との瞬間接触領域であり、ＳＤ２はダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６及びダイシングシート切削面７との瞬間非接触領域である。ｆＤは半導体チップ切削面６表面側における瞬間接触領域の長さである。但しＳＤ２は存在しないためＳＤ２＝０である。
【００５９】
図１６は実施例４における適切な切削瞬間のダイシングブレードによる切削状態を示す要部拡大図である。図１８は実施例４における適切な切削瞬間のダイシングブレードによる切削面を示す透視図であり、実施例４の適切な切削瞬間の半導体チップ切削面６側からの透視図および半導体チップ４表面からの透視図である。
【００６０】
図１６，図１８において、１は輪形刃外周部であり、２は輪形刃内周部であり、ＳＥ１はダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６及びダイシングシート切削面７との瞬間接触領域であり、ＳＥ２はダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面６及びダイシングシート切削面７との瞬間非接触領域である。ｆＥ＝ｆＥ／２＋ｆＥ／２は半導体チップ切削面６表面側における瞬間接触領域の長さであり、ｐＥは半導体チップ切削面表面６側における非瞬間接触領域の長さである。
【００６１】
図１８で図１７と比較して示すように、非瞬間接触領域を形成すると共に、半導体チップ４表面からみた瞬間接触領域の長さｆＥは、図１７の半導体チップ４表面からみた瞬間接触領域の長さｆＤより短くなる。
【００６２】
以上のように本実施例によれば、回転する前記ダイシングブレードで前記半導体ウェーハを切削し、個々の半導体チップに分離するダイシング方法において、切削時の前記ダイシングブレードの輪形刃の内周部最下点を半導体ウェーハ表面より下にすることにより、ダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との瞬間非接触領域を確保すると共に、半導体チップ表面側の瞬間接触領域の長さを短くすることになるので、ダイシング時に発生する切削屑がダイシングブレードの輪形刃側面と半導体チップ切削面との間に押し挟まる事を低減し、半導体チップの表面チッピングや表面クラックや回路面の膜剥離の低減効果が得られる。
（実施例５）
以下、本発明の実施例５におけるダイシングブレードの構成について説明する。
【００６３】
カーボンナノチューブは一般に炭素からなる微細な繊維であり、円筒状である。カーボンナノチューブの組成は安定し、剛性が高いが、カーボンナノチューブと砥粒とボンド材を無作為に混合した輪形刃を用いたダイシングブレードの場合、切削量が増加するにつれ、均等な強度は得られず、歪な磨耗により、適切な切削ができない場合があった。
【００６４】
しかし、輪形刃の内周部から外周部方向に放射状に複数のカーボンナノチューブを含有する構成とすることにより、輪形刃は均等な強度を確保し、切削時の応力を均等に分散するため、切削量が増加する場合でも、ダイシング時に含有するボンド材の特性を活かしつつダイシングブレードの輪形刃の磨耗を抑える効果が得られる。
【００６５】
また、このカーボンナノチューブを実施例１〜実施例３のダイシングブレードに含有させることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、半導体チップのチッピングやクラックや回路面の膜剥離やブレード破損を防止または低減することができ、半導体装置や電子部品などを形成した半導体ウェーハを切削し、個々の半導体チップに分離するダイシングの際に用いるダイシングブレード及びダイシング方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】実施例１における半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの斜視図
【図２】実施例１における半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの断面図
【図３】実施例１におけるダイシングブレードによる切削状態を示す要部拡大図
【図４】実施例１におけるダイシングブレードによる切削面を示す透視図
【図５】実施例２における半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの斜視図
【図６】実施例２における半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの断面図
【図７】実施例２におけるダイシングブレードによる切削状態を示す要部拡大図
【図８】実施例２におけるダイシングブレードによる切削面を示す透視図
【図９】実施例３における半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの斜視図
【図１０】実施例３における半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの断面図
【図１１】実施例３におけるダイシングブレードによる切削状態を示す要部拡大図
【図１２】実施例３におけるダイシングブレードによる切削面を示す透視図
【図１３】実施例２における切削物の様子を示す図
【図１４】実施例３における切削物の様子を示す図
【図１５】実施例４における不適切な切削瞬間のダイシングブレードによる切削状態を示す要部拡大図
【図１６】実施例４における適切な切削瞬間のダイシングブレードによる切削状態を示す要部拡大図
【図１７】実施例４における不適切な切削瞬間のダイシングブレードによる切削面を示す透視図
【図１８】実施例４における適切な切削瞬間のダイシングブレードによる切削面を示す透視図
【図１９】従来の半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの斜視図
【図２０】従来の半導体ウェーハ切削時のダイシングブレードの断面図
【図２１】従来のダイシングブレードによる切削状態を示す要部拡大図
【図２２】従来のダイシングブレードによる切削面を示す透視図
【図２３】従来の半導体ウェーハ切削時のブレード厚を連続的に変化させたダイシングブレードの斜視図
【図２４】従来の半導体ウェーハ切削時のブレード厚を連続的に変化させたダイシングブレードの断面図
【図２５】従来のブレード厚を連続的に変化させたダイシングブレードによる切削状態を示す要部拡大図
【図２６】従来のブレード厚を連続的に変化させたダイシングブレードによる切削面を示す透視図
【図２７】従来のブレード厚を連続的に変化させたダイシングブレードによるブレを考慮した切削面を示す透視図
【符号の説明】
【００６８】
１    輪形刃外周部
２    輪形刃内周部
３    基台
４    半導体チップ
５    ダイシングシート
６    半導体チップ切削面
７    ダイシングシート切削面
８    段差
９    切削物の浸入
１０    切削物の排出
１１    切削物の滞留
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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