(57)【要約】【課題】製造が容易で特性の良い有機薄膜トランジスタの製造方法及びこれにより製造される有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基板と第１の有機半導体層を有し、両者の間に基板より第１の有機半導体層に対する加熱、押圧後の接着力が小さい剥離層を有する第１部材、及び、基板上に絶縁膜及びソース電極とドレイン電極が設けられ、絶縁膜がある面を第１の面とする第２部材を準備し、第１の面で有機半導体層が形成される第１の領域、又は、有機半導体層となる様に提供される第１の有機半導体層の部分の表面の何れかに、剥離層と剥離層の上に接して有する層との接着力より小さい第１の面と第１の有機半導体層との接着力を加熱、押圧により大きくする自己組織化膜を形成し、第１部材と第２部材を重ね合わせ、第１部材と第２部材とを加熱、押圧し、第１部材と前記第２部材を分離する。【選択図】図３
2008078281.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくともソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結する有機半導体層、ゲート電極及び前記有機半導体層と前記ゲート電極との間に絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
基板と前記有機半導体層を提供する第１の有機半導体層を有し、更に前記基板と前記第１の有機半導体層との間に前記基板より前記第１の有機半導体層に対する加熱、押圧後の接着力が小さい剥離層を有する第１部材、及び、基板上に絶縁膜がある面を第１の面とする第２部材を準備する工程と、
前記第１の面で前記有機半導体層が形成される第１の領域、又は、前記有機半導体層を提供する前記第１の有機半導体層の部分の表面の何れかに、前記剥離層と前記剥離層の上に接して有するの層との接着力より加熱、押圧後であっても小さい前記第１の面と前記第１の有機半導体層との接着力を加熱、押圧により大きくする自己組織化膜を形成する工程と、
前記第１部材の前記第１の有機半導体層と前記第２部材の前記第１の面とが対向する向きで、前記第１部材と前記第２部材を重ね合わせる工程と、
前記第１部材と前記第２部材とを加熱、押圧する工程と、
前記第１部材と前記第２部材を分離する工程と、をこの順で行うことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
準備される前記第２部材の第１の面には最上層として前記ソース電極と前記ドレイン電極が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記第１部材と前記第２部材を分離する工程後、前記第２部材に形成された前記有機半導体層を間にして前記有機半導体層に連結する前記ソース電極と前記ドレイン電極とを設ける工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記第１部材が、基板と前記剥離層と前記第１の有機半導体層とをこの順で有し、更に前記剥離層と前記第１の有機半導体層との間に、加熱、押圧後における前記基板と前記剥離層との接着力及び前記第１の有機半導体層との接着力の何れよりも前記剥離層との接着力が小さい保護層を有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記自己組織化膜を形成する工程において、前記第１の領域に自己組織化膜を形成することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記自己組織化膜が、自己組織化単分子膜であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
基板の上に、少なくともソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結する有機半導体層、ゲート電極及び前記有機半導体層と前記ゲート電極との間に絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
基板と前記有機半導体層となる有機半導体層を提供する第１の有機半導体層を有し、更に前記基板と前記第１の有機半導体層との間に前記基板より前記第１の有機半導体層に対する加熱、押圧後の接着力が小さい剥離層を有する第１部材、及び、基板上に第１の面を成す絶縁膜がある面を第１の面とする第２部材を準備する工程と、
前記第１の面で前記有機半導体層が形成される第１の領域を除く残りの第２の領域に、加熱、押圧後の前記第２の領域との接着力が前記剥離層と前記第１の有機半導体層の接着力より小さいリフトオフレジストを形成する工程と、
前記第１の面に前記リフトオフレジストが形成された後の表面、又は、前記第１の有機半導体層に、加熱、押圧により、前記第１の領域の面と前記第１の有機半導体層との接着力を前記剥離層と前記剥離層の上に接して有する層との接着力より大きくし、且つ、前記第１の有機半導体層と前記リフトオフレジストとの接着力を前記第１の面の前記第２の領域と前記リフトオフレジストとの接着力より大きくする自己組織化膜を形成する工程と、
前記第１部材の前記第１の有機半導体層と前記第２部材の前記自己組織化膜とが対向する向きで、重ね合わせる工程と、
前記第１部材と前記第２部材とを加熱、押圧する工程と、
前記第１部材と前記第２部材を分離する工程と、をこの順で行うことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
準備される前記第２部材の前記絶縁膜の上に最上層として前記ソース電極と前記ドレイン電極が設けられていることを特徴とする請求項７に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記第１部材と前記第２部材を分離する工程後、前記第２部材に形成された前記有機半導体層を間にして前記有機半導体層に連結する前記ソース電極と前記ドレイン電極とを設ける工程を行うことを特徴とする請求項７に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記第１部材が、基板と前記剥離層と前記第１の有機半導体層とをこの順で有し、更に前記剥離層と前記第１の有機半導体層との間に、加熱、押圧後における前記基板と前記剥離層との接着力及び前記第１の有機半導体層との接着力の何れよりも前記剥離層との接着力が小さい保護層を有することを特徴とする請求項７乃至９の何れか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記自己組織化膜を形成する工程において、前記第１の面に前記リフトオフレジストが形成された後の表面に自己組織化膜を形成することを特徴とする請求項７乃至１０の何れか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記リフトオフレジストが、第２部材側から光を照射することで前記第１の面側の接着力が低下する光熱変換機能を有することを特徴とする請求項７乃至１１の何れか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記リフトオフレジストが有する光変換機能が、光が照射されることでガスが発生して接着力が低下することを特徴とする請求項１２に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法により製造される有機薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代の低価格のフラットパネルディスプレイデバイスあるいは電子ペーパーの画素駆動のためのスイッチング素子として、有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＯＴＦＴ）が注目されている。
【０００３】
有機ＴＦＴは、シリコンＴＦＴと構造的には、ほぼ同じ形態を有するが、半導体活性層領域に、シリコンの代りに有機物を使用するという相違点がある。有機ＴＦＴは、製作工程の面において、印刷法等により作製できるため、シリコンＴＦＴに比べて簡単且つ低コストであり、衝撃により割れず、曲げたり折り畳みうる電子回路基板に適しているという長所がある。これらの長所を生かした、表示パネルの軽量化、耐衝撃性の向上、曲面表示、大面積化などを目的とし、フレキシブル基板に有機ＴＦＴ素子を形成するための研究が進められている。こうした表示パネルを低コストで製造するためには、成膜のための真空工程やパターニングのためのフォトリソグラフィ工程等の大がかりな設備や複雑な工程が必要とされることで高コストとなる工程をできるだけ排除する必要がある。
【０００４】
高コストとなる工程をできるだけ排除する例として、薄膜形成材料が溶媒に溶解している溶液を吐出することにより、溶液の液滴を基板上に配置し、液滴から溶媒を蒸発させることにより基板上に薄膜を形成する方法において、基板上を薄膜形成材料との親和性を有する表面状態に処理した後に、溶液の吐出を行う薄膜形成方法があり、基板上を薄膜形成材料との親和性を有する表面状態に処理する方法として自己組織化膜を形成している。（特許文献１参照）。
【０００５】
自己組織化膜として、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ：Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）を利用したパターニング方法がある。ＳＡＭは、基板表面で自発的に整列して、単分子膜を形成する性質がある。基板に形成されたＳＡＭは、撥水、親水性を制御することができる。また、ＳＡＭに紫外線を照射すると分解されるので、紫外線を用いたマスク露光をすることにより、撥水、親水性パターンを容易に形成することができる。このパターンを利用して、印刷法の精度を超えた、高精細なパターンを作成することができる。
【０００６】
また、ＳＡＭを利用するパターニング方法として、ＳＡＭのパターンを形成後に、有機半導体材料をＯＶＰＤ（有機気相反応法、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成を行うと、有機半導体のパターンを自己選択成長させることに関しての記載がある（非特許文献１参照）。
【０００７】
また、ガラス基板やシリコン基板等の耐熱基板に比べて、低コストのプラスチックシート等のフレキシブル基板にデバイスを形成する方法として、耐熱基材上に剥離層を形成する第１の工程と、剥離層上に薄膜デバイスを形成する第２の工程と、薄膜デバイスの耐熱基材と反対側に表面層を設ける第３の工程と、剥離層と耐熱基材との界面で剥離現象を生じさせることにより耐熱基材を薄膜デバイス側から剥がす第４の工程とを有する薄膜デバイス装置の製造方法であって、第１の工程では、剥離層として、耐熱基材との界面に液相存在により、剥離層の耐熱基材に対する接着力が低減して剥離現象を生ずる性質を有する有機物膜を形成し、第４の工程では、剥離層と耐熱基材界面に液相を介在させて剥離現象を起こさせる薄膜デバイス装置の製造方法がある（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−２３４５２２号公報
【特許文献２】特開２００３−３１８１９５号公報
【非特許文献１】ＳＩＤ’０４  ＤＩＧＥＳＴ  ４５．２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載されている薄膜形成方法においては、液滴を基板上に配置して薄膜形成するとあるが、具体的には、インクジェット法を用いているため、自己組織化膜を利用することで形状精度の良いパターニングが可能であるが、大面積の多数の有機ＴＦＴを製造する場合、製造時間が長くなってしまうという問題がある。
【０００９】
また、非特許文献１に記載されている有機半導体膜の形成にＯＶＰＤ法を用いる場合は、必要な装置が大がかりで高価である。
【００１０】
特許文献２に記載の薄膜デバイス装置の製造方法によれば、転写の際、剥離層と耐熱基材の界面で、部分的に接着力の異なる部位を設けることで、転写を容易として、シリコンやガラスの耐熱基材にデバイスを形成し、それを別の安価な基材に転写することによって、デバイスを形成している。この方法によって、耐熱基材の再利用を含めて、最終製品の基材の材質として求められる条件が緩やかになり、信頼性を損なうことなく基材のコストを下げることは記載されているが、有機半導体膜の製造を容易にすることに関する記述がされていない。
【００１１】
有機ＴＦＴ素子を形成する場合、通常、有機半導体膜を形成する前段階の基板上には、ソース電極、ドレイン電極、画素電極、バス配線などがあらかじめ形成されている。これらの上に有機半導体膜を印刷法や蒸着法によって形成しようとすると、段差や、表面状態が異なる部分があるので、有機半導体分子配列の乱れが起こり、有機ＴＦＴ素子の性能が悪くなるという問題が生じる。
【００１２】
一方で、形成された膜を提供するための平坦性の良いドナー基板に、有機半導体の均質な膜を形成し、この均質な有機半導体膜をソース・ドレイン電極等を予め設けてあるデバイス形成基板に転写する方法を用いれば、均質な有機半導体膜をデバイス形成基板の上に形成することが出来る。この場合、有機半導体膜がデバイス形成基板の全面に形成されてしまい、有機半導体のパターンを形成することができない。このため、有機半導体がデバイスが形成される基板の全面に形成されると、リーク電流が発生して、有機半導体素子のオフ電流が増加して良好な特性とならないという問題が生じる。また、有機薄膜は耐薬品性が低いため、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程からなる通常のパターニング方法でパターニングすることは困難である。
【００１３】
本発明は、上記の問題を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、製造が容易で特性の良い有機薄膜トランジスタ素子の製造方法及びこれにより製造される有機薄膜トランジスタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の課題は、以下の構成により解決される。
【００１５】
１．  基板上に、少なくともソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結する有機半導体層、ゲート電極及び前記有機半導体層と前記ゲート電極との間に絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
基板と前記有機半導体層を提供する第１の有機半導体層を有し、更に前記基板と前記第１の有機半導体層との間に前記基板より前記第１の有機半導体層に対する加熱、押圧後の接着力が小さい剥離層を有する第１部材、及び、基板上に絶縁膜がある面を第１の面とする第２部材を準備する工程と、
前記第１の面で前記有機半導体層が形成される第１の領域、又は、前記有機半導体層を提供する前記第１の有機半導体層の部分の表面の何れかに、前記剥離層と前記剥離層の上に接して有するの層との接着力より加熱、押圧後であっても小さい前記第１の面と前記第１の有機半導体層との接着力を加熱、押圧により大きくする自己組織化膜を形成する工程と、
前記第１部材の前記第１の有機半導体層と前記第２部材の前記第１の面とが対向する向きで、前記第１部材と前記第２部材を重ね合わせる工程と、
前記第１部材と前記第２部材とを加熱、押圧する工程と、
前記第１部材と前記第２部材を分離する工程と、をこの順で行うことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１６】
２．  準備される前記第２部材の第１の面には最上層として前記ソース電極と前記ドレイン電極が設けられていることを特徴とする１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１７】
３．  前記第１部材と前記第２部材を分離する工程後、前記第２部材に形成された前記有機半導体層を間にして前記有機半導体層に連結する前記ソース電極と前記ドレイン電極とを設ける工程を行うことを特徴とする１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１８】
４．  前記第１部材が、基板と前記剥離層と前記第１の有機半導体層とをこの順で有し、更に前記剥離層と前記第１の有機半導体層との間に、加熱、押圧後における前記基板と前記剥離層との接着力及び前記第１の有機半導体層との接着力の何れよりも前記剥離層との接着力が小さい保護層を有することを特徴とする１乃至３の何れか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００１９】
５．  前記自己組織化膜を形成する工程において、前記第１の領域に自己組織化膜を形成することを特徴とする１乃至４の何れか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００２０】
６．  前記自己組織化膜が、自己組織化単分子膜であることを特徴とする１乃至５の何れか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００２１】
７．  基板の上に、少なくともソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結する有機半導体層、ゲート電極及び前記有機半導体層と前記ゲート電極との間に絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
基板と前記有機半導体層となる有機半導体層を提供する第１の有機半導体層を有し、更に前記基板と前記第１の有機半導体層との間に前記基板より前記第１の有機半導体層に対する加熱、押圧後の接着力が小さい剥離層を有する第１部材、及び、基板上に第１の面を成す絶縁膜がある面を第１の面とする第２部材を準備する工程と、
前記第１の面で前記有機半導体層が形成される第１の領域を除く残りの第２の領域に、加熱、押圧後の前記第２の領域との接着力が前記剥離層と前記第１の有機半導体層の接着力より小さいリフトオフレジストを形成する工程と、
前記第１の面に前記リフトオフレジストが形成された後の表面、又は、前記第１の有機半導体層に、加熱、押圧により、前記第１の領域の面と前記第１の有機半導体層との接着力を前記剥離層と前記剥離層の上に接して有する層との接着力より大きくし、且つ、前記第１の有機半導体層と前記リフトオフレジストとの接着力を前記第１の面の前記第２の領域と前記リフトオフレジストとの接着力より大きくする自己組織化膜を形成する工程と、
前記第１部材の前記第１の有機半導体層と前記第２部材の前記自己組織化膜とが対向する向きで、重ね合わせる工程と、
前記第１部材と前記第２部材とを加熱、押圧する工程と、
前記第１部材と前記第２部材を分離する工程と、をこの順で行うことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００２２】
８．  準備される前記第２部材の前記絶縁膜の上に最上層として前記ソース電極と前記ドレイン電極が設けられていることを特徴とする７に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００２３】
９．  前記第１部材と前記第２部材を分離する工程後、前記第２部材に形成された前記有機半導体層を間にして前記有機半導体層に連結する前記ソース電極と前記ドレイン電極とを設ける工程を行うことを特徴とする７に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００２４】
１０．  前記第１部材が、基板と前記剥離層と前記第１の有機半導体層とをこの順で有し、更に前記剥離層と前記第１の有機半導体層との間に、加熱、押圧後における前記基板と前記剥離層との接着力及び前記第１の有機半導体層との接着力の何れよりも前記剥離層との接着力が小さい保護層を有することを特徴とする７乃至９の何れか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００２５】
１１．  前記自己組織化膜を形成する工程において、前記第１の面に前記リフトオフレジストが形成された後の表面に自己組織化膜を形成することを特徴とする７乃至１０の何れか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００２６】
１２．  前記リフトオフレジストが、第２部材側から光を照射することで前記第１の面側の接着力が低下する光熱変換機能を有することを特徴とする７乃至１１の何れか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００２７】
１３．  前記リフトオフレジストが有する光変換機能が、光が照射されることでガスが発生して接着力が低下することを特徴とする１２に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【００２８】
１４．  １乃至１３のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法により製造される有機薄膜トランジスタ。
【発明の効果】
【００２９】
請求項１に記載の発明によれば、第１部材と第２部材とを重ね合わせた後、加熱、押圧することで、以下の様になる。
（１）剥離層と第１の有機半導体層との接着力は剥離層と第１部材の基板との接着力より小さい。
（２）第１の面と第１の半導体層との接着力は、自己組織化膜がこの間に無い場合、剥離層と剥離層の上に接して有する層に該当する第１の有機半導体層との接着力より小さい。また、自己組織化膜が間にある場合、第１の面と第１の半導体層との接着力は剥離層と剥離層の上に接して有する層に該当する第１の有機半導体層との接着力より大きい。
（３）自己組織化膜は、第１の領域、又は、第１の有機半導体層から提供されて有機半導体層となる第１の有機半導体層の部分の表面に形成される。
【００３０】
次に、第１部材と第２部材とを分離すると、自己組織化膜がある領域では、最も接着力が小さい剥離層と剥離層の上に接して有する層に該当する第１の有機半導体層とが分離し、第１の半導体層から分離して提供される半導体層が第２部材の第１の領域に形成される。この有機半導体層は、段差が無く表面状態が一様な第１部材の基板の剥離層上にあったので分子配列が良く良好な特性を備えている。また、自己組織化膜がない領域では、接着力が最も小さい第１の面と第１の半導体層とが分離し、第２部材は第１部材を重ね合わせる前と同じ状態となる。
【００３１】
よって、こ第２部材に特性の良好な有機半導体層を形成することができる。この有機半導体層を連結するようにソース電極とドレイン電極とを、予め第１の面に設けておく、又は、有機半導体層が形成された後に設けるようにすれば特性の良好な有機薄膜トランジスタを得ることができる。
【００３２】
従って、製造が容易で特性の良い有機薄膜トランジスタの製造方法及びこれにより製造される有機薄膜トランジスタを提供することができる。
【００３３】
請求項７に記載の発明によれば、第１部材と第２部材とを重ね合わせた後、加熱、押圧することで、以下の様になる。
（１）剥離層と第１の有機半導体層との接着力は剥離層と第１部材の基板との接着力より小さい。
（２）第２部材の有機半導体層が形成される第１の面の第１の領域を除く第２の領域とフォトレジストとの接着力は剥離層と剥離層の上に接して有する層に該当する第１の有機半導体層との接着力より小さい。
（３）第１の面にリフトオフレジストが形成された後の面と第１の有機半導体層の間に接着力を大きくする自己組織化膜がある。自己組織化膜を介して有機半導体層が形成される第１の領域と第１の有機半導体層との接着力は剥離層と剥離層の上に接して有する層に該当する第１の有機半導体層との接着力より大きい。また、自己組織化膜を介した第１の有機半導体層とリフトオフレジストとの接着力は第１の面の第２領域とリフトオフレジストとの接着力より大きい。
【００３４】
次に、第１部材と第２部材とを分離すると、フォトレジストがない領域では、最も接着力が小さい剥離層と第１の半導体層とが分離し、第１の有機半導体層から分離して提供される有機半導体層が第２部材の第１の領域に形成される。この有機半導体層は、段差が無く表面状態が一様な第１部材の基板の剥離層上にあったので分子配列が良く良好な特性を備えている。また、フォトレジストがある領域では、最も接着力が小さい第１の面の第２の領域とリフトオフレジストとが分離し、第２部材は第１部材を重ね合わせる前と同じ状態となる。
【００３５】
よって、こ第２部材に特性の良好な有機半導体層を形成することができる。この有機半導体層を連結するようにソース電極とドレイン電極とを、予め第１の面に設けておく、又は、有機半導体層が形成された後に設けるようにすれば特性の良好な有機薄膜トランジスタを得ることができる。
【００３６】
従って、製造が容易で特性の良い有機薄膜トランジスタの製造方法及びこれにより製造される有機薄膜トランジスタを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
本発明を図示の実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限らない。図１に有機有機薄膜トランジスタ（以下、有機ＴＦＴと称する。）の構成の一例を示す。基板３０、ゲート電極２、絶縁膜３、ソース電極４ｓ、ドレイン電極４ｄ、有機半導体層５ａから構成されている。有機ＴＦＴは、基板３０の上にゲート電極２が設けられ、ゲート電極２を覆うように絶縁膜３が設けてある。絶縁膜３の上に、有機半導体によるチャネル形成部となる空間を設けてソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄを設けてある。このソース電極４ｓとドレイン電極４ｄとの間の空間に有機半導体層５を設けることでこれらを連結している。こうした有機ＴＦＴ素子１０の、例えば、ドレイン電極４ｄにＩＴＯ等からなる透明な画素電極を設け、これをマトリクス状に配列して表示デバイスの表示回路とすることができる。このマトリクス状に配列される１画素部分を図２に示す。上述の有機ＴＦＴ部分に加えて、７はソースバス電極、８はゲートバス電極、９は透明な画素電極である。
【００３８】
尚、図１から図１０の各図において、同じもの、又は同じ機能であるものに関しては、同じ符号で示している。以下に、図１から図１０を参照しながら有機ＴＦＴの各部材の構成、材質、プロセスについて説明する。
【００３９】
（第１部材の基板及び第２部材の基板）
図３、図６、図７、図９に示す第１部材Ａの基板（以後、第１の基板と称する）３１、第２部材Ｂの基板（以後、第２の基板と称する）３０に関して説明する。第１の基板３１及び第２の基板３０は、特に限定されることはなく、例えば、ソーダガラス、無アルカリガラスなどのガラスやフレキシブルなプラスチックフィルム等の樹脂製シートを用いることができる。プラスチックフィルムとしては、具体的には、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。このようなプラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上させることができる。また、ステンレスや真鍮などの金属板を用いることができる。
【００４０】
後述する光熱変換機能を有するリフトオフレジストを用いて、これに光照射を行って剥離を促す場合は、第２の基板３０の有機ＴＦＴが形成されてない面側から光照射を行う必要があるために、使用する基板は、上記に挙げられている基板の内、光照射に使用する光の波長を透過することができる基板を使用することが必要である。
【００４１】
（ゲート電極）
第２の基板３０のゲート電極２に関して説明する。ゲート電極２の形成方法は、まず、ゲート電極２となる導電薄膜を第２の基板３０の上に形成する。導電薄膜は、導電性材料であれば特に限定されず、導電性が十分確保できる金属材料が好ましい。例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏやこれらにドーピングを加えた材料等が挙げることができる。
【００４２】
上述の導電性薄膜の形成方法としては、上述の材料を原料として公知の蒸着やスパッタリング等の方法を用いることができる。この後、公知のフォトリソグラフィ処理（レジスト塗布、露光、現像）及びエッチング処理を用いて導電性薄膜をパターニングすることでゲート電極３を形成することができる。
【００４３】
（絶縁膜）
ゲート電極２を覆うようにある絶縁膜３に関して説明する。絶縁膜３は、特に限定されることはなく、種々の絶縁膜を用いることができる。特に比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン等が挙げられる。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
【００４４】
絶縁膜３の形成方法としては、ドライプロセスやウェットプロセスがある。ドライプロセスは、例えば、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法等が挙げられる。また、ウェットプロセスは、塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法等が挙げられる。
【００４５】
（ソース電極及びドレイン電極）
上述の絶縁膜３の上のソース電極４ｓとドレイン電極４ｄに関して説明する。ソース電極４ｓとドレイン電極４ｄとを形成する材料及び方法は、上述のゲート電極２と同様とすることができる。まず、絶縁膜３の上にソース電極４ｓとドレイン電極４ｄとなる導電性薄膜を形成する。この導電性薄膜は、導電性材料であれば特に限定されず、導電性が十分確保できる金属材料が好ましい。例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏやこれらにドーピングを加えた材料等が挙げることができる。導電性薄膜の形成方法としては、上述の材料を原料として公知の蒸着やスパッタリング等の方法を用いることができる。この後、公知のフォトリソグラフィ処理（レジスト塗布、露光、現像）及びエッチング処理を用いてソース及びドレイン電極４ｓ、４ｄを形成することができる。
【００４６】
更にソース電極４ｓとドレイン電極４ｄの形成の後、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、インジウムティンオキサイド）等による透明な画素電極９を形成することに関して説明する。画素電極９の形成方法としては、例えば、ＩＴＯを原料として公知の蒸着やスパッタリング等の方法を用いることができる。この後、公知のフォトリソグラフィ処理（レジスト塗布、露光、現像）及びエッチング処理を行うことで画素電極９を形成することができる。これまで説明した内容で、第２部材が準備できる。
【００４７】
（自己組織化膜）
自己組織化膜に関して説明する。自己組織化膜は、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）が好ましい。ＳＡＭは、例えば、シランカップリング剤がある。具体的なシランカップリング剤として、例えば、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）がある。
【００４８】
シランカップリング剤は、一般に、材料の物理強度や耐水性、接着性の向上を行うために用いられる。本実施形態の有機ＴＦＴの製造においては、例えば図３（ａ）で示すように、第２部材Ｂのソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄがある第１の面の上にＳＡＭ３７としてＯＴＳを全面に設け、その後、接着力を大きくしたい領域にＯＴＳが残るようにパターニングする。このＳＡＭ３７のパターンを形成することで、後述する、有機半導体層が連結するソース電極４ｓとドレイン電極４ｄとの間の空間にある絶縁膜３と有機半導体層５との接着力を大きくして、ソース電極４ｓとドレイン電極４ｄとを連結するように有機半導体層５ａを容易に形成することができる。
【００４９】
ＳＡＭ３７に紫外線を照射すると分解されるので、例えば図３（ｂ）で示すように、フォトマスク３５に紫外線Ｌを照射してマスク露光をすることにより、ＳＡＭ３７のパターンを容易に形成することができる。ＳＡＭ３７のパターニングに用いる紫外線Ｌの光源は、水銀ランプ、エキシマランプなどが挙げられる。また、これら紫外線の波長は１５０ｎｍから３００ｎｍの範囲を用いるのが好ましい。
【００５０】
また、ＳＡＭは、図６（Ａ）のＳＡＭ３７ａで示す様に、基板４２の上に第１の有機半導体層５を形成する下地とすることでトランジスタ特性の向上、信頼性の向上にも有効である。ＳＡＭ３７ａの上にペンタセンに代表される低分子有機半導体を真空蒸着して、第１の有機半導体層５とすると、有機半導体分子が選択的に配列され、キャリア移動度を大きくする作用がある。こうした第１の有機半導体層５を用いて形成した有機ＴＦＴは良好な特性を得ることができる（実施例２参照）。
【００５１】
また、シランカップリング剤は、ガラスやＳｉＯ2膜等の無機質の基材の上で良好な単分子膜が形成されるので、無機材料で形成される絶縁膜３を備えている第２の基板３０の上に形成することが好ましい。また、有機半導体層の上に、良好な自己組織化単分子膜を形成する材料であれば、第１部材の第１の基板３１の有機半導体層５の上に設けることができる。
【００５２】
更に、ソース及びドレイン電極４ｓ、４ｄの材料としてＡｕを用いる場合は、自己組織化膜としてチオール基を有する有機化合物を用いることで、ソース及びドレイン電極４ｓ、４ｄと有機半導体層５ａとの接着力を大きくすると同時に、電気的なコンタクト抵抗を小さくすることができる。チオール基を有する有機化合物は、アルカンチオール、ベンゼンチオールなどを好適に用いることができる。この場合、Ａｕ電極をチオール基を有する有機化合物で修飾した後に、有機半導体層５ａが形成されるソース電極４ｓとドレイン電極４ｄとの間の空間であるチャネル領域にシランカップリング剤によるＳＡＭを形成するのが望ましい。
【００５３】
（剥離層）
次に、例えば図３に示す、第１部材Ａに設けてある剥離層３９に関して説明する。剥離層３９は、第１部材Ａの第１の基板３１と第１の有機半導体層５との間にある。剥離層３９は、第２部材Ｂのソース電極４ｓとドレイン電極４ｄとを連結する有機半導体層５ａが形成できる様に、第１の基板３１の第１の有機半導体層５の一部が剥離され様にする必要がある。その一方で、剥離層３９は、第１の基板３１の上に有機半導体層が不要な場所では、第１の基板３１から有機半導体層５が剥離されない様にする必要がある。
【００５４】
図３では、ソース電極４ｓとドレイン電極４ｄとを連結する様に有機半導体層を設ける領域にＳＡＭ３７を形成した第１部材Ａと第２部材Ｂとを重ね合わせて（図３（ｄ））、加熱、押圧した後、第１部材Ａと第２部材Ｂとを分離して第２部材に有機ＴＦＴを得ている（図３（ｅ））。このためには、各層の接着力の関係が以下となる様に各層の材料の組み合わせを選ぶ必要がある。
第１の面１０２の第１の領域１００と有機半導体層５（ＳＡＭ３７あり）、剥離層３９と第１の基板３１  ＞  剥離層３９と第１の有機半導体層５  ＞  第１の面１０２の第２の領域１０１と第１の有機半導体層５（ＳＡＭ３７なし）
図３（ａ）で示す様に、第１の面１０２は第２部材Ｂでソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄがある面、第１の領域１００は有機半導体層５ａがソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄを連結する様に第１の面に形成される領域、また、第２の領域１０１は第１の面で第１の領域を除いた残りの領域をそれぞれ意味している。これらは、以降で断らない限り同じ意味とする。尚、第１の領域１００には、ソース電極４ｓ、ドレイン電極４ｄ、両電極間の空間部に絶縁膜３が存在する。また、第２の領域１０１には、絶縁膜３に加えて、図２に示す様な、ソースバス電極７，ゲートバス電極８、画素電極９が存在する。
【００５５】
剥離層３９の具体的な材料は、例えば、パラキシリレンがある。パラキシリレン膜は、ＣＶＤ法により形成できる。上記の接着力の関係を満たすことで、図３（ｅ）に示す様に第１部材Ａと第２部材Ｂを分離すると、第１部材Ａの第１の有機半導体層５から分離された有機半導体層５ａが第２部材Ｂのソース電極４ｓとドレイン電極４ｄとが連結される様に形成することができる。
【００５６】
材料の組み合わせによっては、ＳＡＭ３７の有無による接着力の大きさが十分ではなくＳＡＭ３７を介した有機半導体層５ａが形成される面と第１の半導体層５との接着力より分離膜３９と第１の有機半導体層５との接着力の方が大きい場合がある。この場合、ＳＡＭ３７がある領域に有機半導体層５ａが形成されない場合が生じることになる。こうした場合、ソース電極４ｓとドレイン電極４ｄとを連結する有機半導体層５ａが形成される面にＳＡＭ３７のパターン形成後に、図１０に示す様に、ＳＡＭ３７の境界周辺部分に接着剤７０を付けて有機半導体層５ａが形成される面と有機半導体層５との接着力をより大きくしてもよい。
【００５７】
接着剤７０を設ける場合、接着剤７０がソース及びドレイン電極４ｓ、４ｄやこれらの電極間であるチャネル領域の上に付着してしまうと、有機ＴＦＴの性能低下が生じる場合がある。よって、接着剤７０は、図１０で示すようにチャネル領域やソース及びドレイン電極４ｓ、４ｄの周囲に形成することが好ましい。水系の接着剤を用いれば、撥水性を有するＳＡＭ３７が形成されている場合では、この領域では弾かれるので、チャネル領域やソース及びドレイン電極４ｓ、４ｄの周囲だけに接着剤を選択的に塗布することが容易にできる。接着剤の塗布は、インクジェット、ディスペンサ、フレキソ印刷などの印刷法を用いることができる。
【００５８】
（リフトオフレジスト）
また、図７、９で示すように、上述した各層間の接着力の大きさの関係にパターニングされたリフトオフレジスト５０を導入して有機ＴＦＴを形成することが出来る。この場合の接着力の関係が以下となる各層の材料の組み合わせを選ぶ必要がある。
第１の面１０２の第１の領域１００と有機半導体層５（ＳＡＭ３７あり）、剥離層３９と第１の基板３１  ＞  剥離層３９と第１の有機半導体層５
且つ、剥離層３９と第１の有機半導体層５、第１の有機半導体層５とリフトオフレジスト５０（ＳＡＭ３７あり）  ＞  第１の面１０２の第２の領域１０１とリフトオフレジスト５０
リフトオフレジスト５０のパターンは、公知のフォトリソグラフィ処理で形成できる。またリフトオフレジスト５０は、本来リフトオフレジストの上に設ける膜等をリフトオフレジストを設けている基材からリフトオフレジストごと容易に除去するために用いるものであるのでその接着力は一般的に小さい。このため、第１部材Ａと第２部材Ｂとを重ね合わせて加熱、押圧してもリフトオフレジスト５０と第１の有機半導体層５との接着力が絶縁膜３とリフトオフレジスト５０との接着力より十分に大きくならない場合が生じる。これに対応するために、リフトオフレジスト５０の上にＳＡＭ３７を設ける。更に、このリフトオフレジスト５０は、光を照射することで接着力が低下する光熱変換機能を有するものが好ましい。図９に示す様に、リフトオフレジスト５０を光熱変換機能を有するものとして、これに第２の基板３０側から紫外線Ｌを照射することで接着力がより低下し、リフトオフレジスト５０を絶縁膜３からより容易に剥がすことができる。具体的には、リフトオフレジスト５０は紫外線が照射されることでリフトオフレジスト５０よりガスが発生し、その結果、接着力が低下するものが好ましい。
【００５９】
（保護層）
次に、保護層に関して説明する。図６（ｄ）に示す様に、有機半導体層５ａの上に水分の吸収や酸化等による劣化から有機半導体を保護するための保護層４０を設けるのが好ましい。このためには、図６（ｂ）で示す様に、第１部材Ａの第１の基板３１において、有機半導体層５と剥離層３９との間に保護層４０を設けておく必要がある。保護層４０は、酸化シリコン、窒化シリコンなどの無機膜や、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、アクリル系、ポリエステル系の有機膜などを用いることができる。保護層４０を設ける場合の有機ＴＦＴを得るための接着力の関係が、以下となる各層の材料の組み合わせを選ぶ必要がある。
第１の面の第１の領域と有機半導体層５（ＳＡＭ３７あり）、剥離層３９と第１の基板３１、有機半導体層５と保護層４０  ＞  保護層４０と剥離層３９  ＞  第１の面の第２の領域と有機半導体層５（ＳＡＭ３７なし）
また、保護層４０を設ける場合で、さらに上記で説明したリフトオフレジストを使用して有機ＴＦＴを得るためには、各層の接着力の関係が以下となる各層の材料の組み合わせを選ぶ必要がある。
第１の面の第１の領域と有機半導体層（ＳＡＭあり）、剥離層と第１の基板、保護層と第１の有機半導体層  ＞  剥離層と保護層
且つ、剥離層と保護層、第１の有機半導体層とリフトオフレジスト（ＳＡＭあり）  ＞  第１の面の第２の領域とリフトオフレジスト
有機ＴＦＴの有機半導体層５ａの上に保護層４０を設ける一つの具体的な方法を、図６（Ａ）〜（Ｃ）に示す。剥離層３９の上に保護層４０を設けた第１の基板３１に、剥離層３９ａ、ＳＡＭ３７ａ及び有機半導体層５を設けた第３の基板４２を重ねて加熱、押圧して接着して第３の基板４２の有機半導体層５を第１の基板３１に設けている保護層４０の上に転写する。この後、これまで説明した内容と同様にすれば良い。このようにすることで、有機半導体層５ａの上に保護層４０の設けることができる共に、ＳＡＭ３７ａの上に第１の半導体層５が形成されているため、有機半導体分子が選択的に配列され、キャリア移動度を大きくする作用があるため有機ＴＦＴの特性を良好にすることができる。
【００６０】
（有機半導体）
有機半導体層５に関して説明する。有機半導体層５を形成する材料は、特に限定されることは無く、例えば、ペンタセン、ポリチオフェン、オリゴチオフェン、Ｐ３ＨＴ（ポリ３−ヘキシルチオフェン）、フタロシアニン、又はその誘導体を用いることができる。有機半導体層５を形成する方法は、特に限定されることは無く、公知の方法で形成することができ、例えば、抵抗加熱や電子ビーム等による真空蒸着法がある。
【００６１】
電極等の凹凸がない平坦な第１の基板３１には、結晶状態が均質な有機半導体層を容易に形成することができる。この均質な有機半導体層をＳＡＭが設けてあるゲート絶縁膜の上に転写することで、特性の良好な有機ＴＦＴ素子を形成することができることになる。また、ゲート電極を有している第２の基板３０と有機半導体層を有している第１の基板３１とを重ね合わせる場合、第１の基板３１には全面に有機半導体層を設ければ良いことから、両基板間の位置決めが不要であることから製造が容易となる。但し、この場合、図３に示す様にＳＡＭ３７を第２部材Ｂに設けておく必要がある。
【００６２】
（加熱、押圧）
ＳＡＭ３７を設けている第２部材Ｂと第１の有機半導体層５を設けている第１部材Ａとを重ね合わせて、加熱、押圧する際、設定される温度や圧力は使用する絶縁膜３、ＳＡＭ３７及び第１の有機半導体層５等の材料によるが、おおよその温度が５０℃から２００℃、圧力が１００００Ｐａから１０００００Ｐａの範囲である。
【００６３】
また、図６（Ａ）から（Ｃ）で示している第１の基板３１と第３の基板４２とを重ね合わせて加熱、押圧した後、分離することで保護層４０を備えた第１部材を形成する場合、上記の第２部材Ｂと第１部材Ａとを重ね合わせて加熱、押圧する温度、圧力より、使用する材料にもよるが、低くいことが好ましい。
【００６４】
これまでの説明では、図１に示すボトムゲートボトムコンタクト型の有機ＴＦＴ１０で説明したが、ボトムゲートトップコンタクト型の有機ＴＦＴとすることもできる。トップコンタクト型の有機ＴＦＴの構成例を図１１（ａ）に示す。図１１（ａ）に示す有機ＴＦＴ２０は、有機半導体層５ａの上にソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄを備えている。ボトムゲートトップコンタクト型の有機ＴＦＴ２０を製造する場合、これまで説明した第２部材Ｂの構成を図１１（ｂ）に示す第２部材Ｂ’のように、絶縁膜３までを設け、ソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄは設けられていない。図１１（ｂ）で示す第２部材Ｂ’をこのまま図３（ａ）の第２部材Ｂに置き換えて、これまで説明した内容と同じように第１部材Ａと第２部材Ｂ’とを重ねあわせ、加熱・押圧後第１部材Ａと第２部材Ｂ’を分離する。この結果、第２部材Ｂ’の第１領域１００に有機半導体層が形成することができる。この後、第２部材Ｂ’に形成された有機半導体層５ａを間にしてこの有機半導体層５ａに連結するソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄを設けることで図１１（ａ）に示す有機ＴＦＴ２０を製造することができる。
【実施例】
【００６５】
（実施例１）
図３に沿って説明する。（ａ）から（ｅ）は製造工程を有機ＴＦＴ部分に注目した断面図で示しており、また図４及び図５は、（ｃ）、（ｅ）それぞれにおいて第２部材Ｂを図の上側から見た面の様子を示している。第２の基板３０として、大きさ１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚み２００μｍの住友ベークライト製ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）基板を用いた。第２の基板３０の上に、４００×４００のマトリクスの有機トランジスタアレイを形成するために、スパッタ法、および、フォトリソグラフィ法により、以下を順に形成した（図３（ａ））。
（１）アルミニウムからなるゲート電極２及びゲートバス電極（不図示）。
（２）ＳｉＯ2からなる絶縁膜３。
（３）金（Ａｕ）からなるソース電極４ｓ、ドレイン電極４ｄ、ソースバス電極４ｄ（チャネル部分のゲート長は１０μｍ、ゲート幅は１００μｍである。）。
（４）錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）からなる画素電極９。
【００６６】
次に、上記の通りに電極等を形成した第２の基板３０をオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）の５質量％トルエン溶液に３分間浸漬および超音波処理を行い、第２の基板３０の表面に撥水性の高いオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）の自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）３７を形成した。
【００６７】
次に、有機半導体層５ａを形成するチャネル領域とソース及びドレイン電極４ｓ、４ｄ部以外の領域に、フォトマスク３５を介して水銀ランプにより紫外線Ｌ（波長１８５ｎｍ）を照射して（図３（ｂ））、第１の領域１００のＳＡＭ３７を残して照射されたＳＡＭを除去した（図３（ｃ）、図４）。
【００６８】
次に、第１の基板３１として、大きさ１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚み２００μｍの住友ベークライト製ＰＥＳ基板を用いた。ＣＶＤ法によって、厚み２００ｎｍの剥離層３９とするパラキシリレン膜を形成した。その上に、抵抗加熱式真空蒸着法によって、厚み５００ｎｍの第１の有機半導体層５であるペンタセン膜を形成し、第１部材Ａとした。ペンタセン膜は、剥離層３９を介して平坦な第１の基板３１の表面に形成されるので、均質で結晶の粒径が揃った膜を成膜することができた（図３（ｃ））。
【００６９】
次に、第２部材ＢのＳＡＭ（ＯＴＳ）３７と、第１部材Ａの第１の有機半導体層（ペンタセン膜）５とを対向させて重ね合わせ、温度１００℃、圧力３００００Ｐａで、３分間加熱、押圧した状態とした（図３（ｄ））。この後、第２部材Ｂと第１部材Ａとを引き剥がした（図３（ｅ）、図５）。
【００７０】
引き剥がした結果、第２部材のソース電極４ｓとドレイン電極４ｄを連結する有機半導体層５ａが形成されて、有機ＴＦＴが完成している。
【００７１】
作製した有機ＴＦＴアレイは、ペンタセン膜の結晶状態が均質であり、ばらつきが少ない良好なトランジスタ特性を示した。具体的には、移動度０．１ｃｍ2／Ｖ・ｓ、オンオフ比１０５という良好なトランジスタ特性を示し、有機ＴＦＴアレイを成す各有機ＴＦＴ素子の移動度のばらつきはおよそ５％の範囲内であった。
【００７２】
（実施例２）
図６に沿って説明する。（ａ）から（ｅ）は製造工程をＴＦＴ部分に注目した断面図で示しており、（ｃ）、（ｅ）それぞれにおいて第２部材Ｂを図の上側から見た面の様子は、実施例１と同じで図４、図５に示している。実施例１と同様の工程に関しては説明を省く。
【００７３】
実施例１と同様にして、第２の基板３０の上に、ゲート電極２から画素電極９までを形成し、さらに第１の領域１００のＳＡＭ３７を形成した（図６（ｃ）、図５）。
【００７４】
第３の基板４２として、大きさ１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚み２００μｍの無アルカリガラス基板を用いた。この第３の基板４２の上にＣＶＤ法によって、厚み２００ｎｍの剥離層３９ａとするパラキシリレン膜を形成した。次に、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）の５質量％トルエン溶液に３分間浸漬および超音波処理を行い、剥離層３９ａの表面に撥水性の高いＳＡＭ３７ａを形成した。更に、ＳＡＭ３７ａの上に、抵抗加熱式真空蒸着法によって、厚み５００ｎｍの有機半導体層５であるペンタセン膜を形成した（図６（Ａ））。ペンタセン膜は平坦な表面に形成されるので、均質で結晶の粒径が揃った膜として成膜することができた。また、ペンタセン膜は、ＳＡＭ３７ａの上に成膜されたので、ＳＡＭ３７ａの面上のペンタセン分子は方向の揃った多結晶膜となる。
【００７５】
次に、第１の基板３１として、大きさ１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚み２００μｍの住友ベークライト製ポリエーテルスルホン基板を用いた。ＣＶＤ法によって、厚み２００ｎｍの剥離層３９としてパラキシリレン膜を形成した。その上に、保護層４０として、スパッタ法により２００ｎｍの酸化シリコン膜を形成した（図６（Ａ））。
【００７６】
第３の基板４２と第１の基板３１を温度８０℃、圧力２００００Ｐａで加熱・押圧した（図６（Ｂ））。次に、第３の基板と第２の基板とを引き剥がした（図６（Ｃ））。ペンタセン膜５は第３の基板４２から第１の基板３１に転写されている。第１の基板３１に転写されたペンタセン膜の表面に紫外線を照射して表面に残存しているオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）を除去した。オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）が除去された第１の有機半導体層５は分子の配向性が良好で且つ表面の平坦性が良好となっている。
【００７７】
その後、実施例１と同様に、第２部材Ｂと第１部材Ａとを加熱・押圧した（図６（ｄ））。この後、第２部材Ｂと第１部材Ａとを引き剥がした（図６（ｅ））。
【００７８】
引き剥がした結果、第２部材のソース電極４ｓとドレイン電極４ｄを連結する有機半導体層５ａが形成されて、有機ＴＦＴが完成している。
【００７９】
作製した有機ＴＦＴアレイにおけるペンタセン膜は、膜の結晶状態が均質であることに加えて、実施例１と比べて、結晶サイズが大きく、配向の揃った有機半導体結晶を形成することができた。トランジスタ特性は、移動度０．２ｃｍ2／Ｖ・ｓ、オンオフ比１０６という良好なトランジスタ特性を示し、有機ＴＦＴアレイを成す各有機ＴＦＴ素子の移動度のばらつきはおよそ２％の範囲内であった。
【００８０】
また、酸化シリコンの保護層４０が形成されているので、酸素、水蒸気、有機溶剤などによる劣化がなく、信頼性の高い長寿命の素子とすることができる。
【００８１】
（実施例３）
図７に沿って説明する。（ａ）から（ｅ）は製造工程をＴＦＴ部分に注目した断面図で示しており、また図８は、（ｂ）においてリフトオフレジスト５０がパターン形成されている第２部材Ｂを図の上側から見た面の様子を示している。実施例１と同様の工程に関しては説明を省く。
【００８２】
実施例１と同様に、第２の基板３０の上に、ゲート電極２から画素電極（不図示）までを形成を形成し第２部材Ｂとした（図７（ａ））。
【００８３】
有機ＴＦＴのチャネル領域とソース及びドレイン電極４ｓ、４ｄ部以外の領域を覆うように、フォトリソグラフィ法によって、第２部材Ｂにリフトオフレジスト膜５０（東京応化（株）製）のパターンを第２の領域１０１に形成した（図７（ｂ）、図８）。
【００８４】
更に、第２部材Ｂをオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）の５質量％トルエン溶液に３分間浸漬および超音波処理を行い、表面に撥水性の高いオクタデシルトリクロロシランの自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）３７を形成した（図７（ｃ））。
【００８５】
次に、実施例１と同様に、第１の基板３１に剥離層３９（パラキシリレン膜）と有機半導体層５（ペンタセン）を形成し第１部材Ａとした。第２部材Ｂと第１部材Ａとを重ね合わせ、温度１００℃、圧力３００００Ｐａで、３分間加熱、押圧した状態とした（図７（ｄ））。この後、第１の基板と第２の基板とを引き剥がした（図７（ｅ））。
【００８６】
引き剥がした結果、第２部材のソース電極４ｓとドレイン電極４ｄを連結する有機半導体層５ａが形成されて、有機ＴＦＴが完成している。
【００８７】
作製した有機ＴＦＴアレイは、実施例１と同等の良好なトランジスタ特性を示した。リフトオフレジストは第２部材Ｂから容易に剥がれることから、有機半導体層５ａの形成が良好に行われ有機ＴＦＴの欠陥の発生が少なかった。
【００８８】
（実施例４）
図９に沿って説明する。（ａ）から（ｅ）は製造工程をＴＦＴ部分に注目した断面図で示している。製造工程（ｄ）において、紫外線Ｌを照射することが実施例３と異なる。
【００８９】
リフトオフレジスト５０の材料として光熱変換機能を有し、光照射による発熱によりガスを発生する材料を用いた。実施例３と同じ方法で第２部材Ｂと第１部材Ａとを用意し、それらを重ね合わせて、加熱・押圧した後、紫外線ランプにより紫外線Ｌ（波長１８５ｎｍ）を第２の基板３０側から照射した。その後、第２部材Ｂと第１部材Ａとを引き剥がした。
【００９０】
リフトオフレジスト５０が光熱変換機能により加熱分解され、ガスが発生するため接着力が低下していることから、リフトオフレジスト５０と絶縁膜３との接着力はほとんど感じることなく第２部材Ｂと第１部材Ａとを容易に剥がすことができた。引き剥がした結果、第２部材のソース電極４ｓとドレイン電極４ｄを連結する有機半導体層５ａが形成されて、有機ＴＦＴが完成している。
【００９１】
作製した有機トランジスタアレイは、実施例１と同等の良好なトランジスタ特性を示した。有機半導体層５ａの形成不良による有機ＴＦＴの欠陥の発生は、実施例３よりもさらに少なかった。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】有機ＴＦＴの構成の例を示す図である。
【図２】有機ＴＦＴが表示デバイスの画素に使用されている例を示す図である。
【図３】有機ＴＦＴの製造工程の例を説明する図である。
【図４】ＳＡＭがパターン形成されている１画素分の様子を第１の基板の上部から見た図である。
【図５】完成した有機ＴＦＴを有する１画素分の様子を第１の基板の上部から見た図である。
【図６】有機ＴＦＴの製造工程の例を説明する図である。
【図７】有機ＴＦＴの製造工程の例を説明する図である。
【図８】第１の基板の上にリフトオフレジストがパターン形成されている様子を示す図である。
【図９】有機ＴＦＴの製造工程の例を説明する図である。
【図１０】ＳＡＭ周辺部に接着剤を付けている様子を示す図である。
【図１１】有機ＴＦＴの構成の例を示す図である。
【符号の説明】
【００９３】
２  ゲート電極
３  絶縁膜
４ｓ  ソース電極
４ｄ  ドレイン電極
５  有機半導体層
７  ソースバス電極
８  ゲートバス電極
９  画素電極
１０、２０  有機ＴＦＴ
３０  第２の基板
３１  第１の基板
３５  フォトマスク
３７、３７ａ  ＳＡＭ
３９、３９ａ  剥離層
４０  保護層
４２  第３の基板
５０  リフトオフレジスト膜
７０  接着剤
１００  第１の領域
１０１  第２の領域
１０２  第１の面
Ａ  第１部材
Ｂ、Ｂ’  第２部材
Ｌ  紫外線照射光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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