(57)【要約】【課題】発熱量の大きな半導体素子が搭載された半導体モジュールから効率的に熱放散可能であって、発熱量の異なる半導体装置が混在しても容易に搭載可能な半導体モジュールを提供する。【解決手段】動作時の発熱量が異なるメモリ素子１４と制御素子１６とが混在して基板１２に搭載されたモジュール本体１０に、基板１２に搭載された全てのメモリ素子１４と制御素子１６との外面が覆われるように、放熱板２０ａ，２０ｂが装着されている半導体モジュールであって、発熱量が大きな制御素子１６を覆う放熱板２０ａの部分が、放熱板２０ａの他の部分よりも厚く形成されていることを特徴とする。【選択図】図４
2008103595.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作時の発熱量が異なる複数種の半導体素子が混在して基板に搭載されたモジュール本体に、前記基板に搭載された全ての半導体素子の外面が覆われるように、放熱板が装着されている半導体モジュールであって、
前記発熱量が最も大きな高発熱半導体素子を覆う放熱板の部分が、前記放熱板の他の部分よりも厚く形成されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
放熱板の厚い部分と他の部分との板厚差が０．２〜０．５ｍｍである請求項１記載の半導体モジュール。
【請求項３】
放熱板が、基板に搭載された半導体素子の外面との間に熱伝導シートを介装して装着され、且つ高発熱半導体素子には、前記高発熱半導体素子よりも発熱量の少ない半導体素子に用いられる熱伝導シートに比較して、熱伝導性の高い熱伝導シートが用いられる請求項１又は請求項２記載の半導体モジュール。
【請求項４】
放熱板は、基板の平面領域を覆う平面形状に形成され、前記基板の平面領域に搭載された全半導体素子の外面を覆って装着されている請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体モジュール。
【請求項５】
基板の両面に半導体素子が搭載されて成るモジュール本体の両面側に、放熱板が装着された請求項１〜４のいずれか一項記載の半導体モジュール。
【請求項６】
基板に搭載された半導体素子として、メモリ素子とこのメモリ素子よりも動作時の発熱量が大きなメモリバッファ用の制御素子とが用いられている請求項１〜５のいずれか一項記載の半導体モジュール。
【請求項７】
動作時の発熱量が異なる複数種の半導体素子が混在して基板に搭載されたモジュール本体に、前記基板に搭載された半導体素子の外面が覆われるように装着される放熱板であって、
前記発熱量が最も大きな高発熱半導体素子を覆う放熱板の部分が、前記放熱板の他の部分よりも厚く形成されていることを特徴とする半導体モジュール用放熱板。
【請求項８】
放熱板の厚い部分と他の部分との板厚差が０．２〜０．５ｍｍである請求項７記載の半導体モジュール用放熱板。
【請求項９】
放熱板の半導体素子を覆う面には、前記半導体素子の配置位置に合わせて熱伝導シートが貼着され、且つ前記放熱板の高発熱半導体素子を覆う面には、前記高発熱半導体素子よりも発熱量の少ない半導体素子を覆う面に用いられる熱伝導シートに比較して、熱伝導性の高い熱伝導シートが用いられている請求項７又は請求項８記載の半導体モジュール用放熱板。
【請求項１０】
放熱板が、基板の平面領域を覆う平面形状に形成され、前記基板の平面領域に搭載された全半導体素子の外面を覆って装着される放熱板である請求項７〜９のいずれか一項記載の半導体モジュール用放熱板。
【請求項１１】
放熱板が、半導体素子としてのメモリ素子とこのメモリ素子よりも動作時の発熱量が大きなメモリバッファ用の制御素子とが搭載されたモジュール本体に装着される放熱板である請求項７〜１０のいずれか一項記載の半導体モジュール用放熱板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体モジュール及び半導体モジュール用放熱板に関し、更に詳細には動作時の発熱量が異なる複数種の半導体素子が混在して基板に搭載されたモジュール本体に、前記基板に搭載された全ての半導体素子の全外面が覆われるように、放熱板が装着されている半導体モジュール及び半導体モジュール用放熱板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子が基板に搭載された半導体装置から熱放散させるために、半導体素子の外面に放熱板を取り付け、或いは半導体素子と放熱板との間に熱伝導性が良好な樹脂を介在させて熱放散させる方法は一般的になされている（例えば下記特許文献１、２参照）。
また、下記特許文献３には、図７に示す半導体モジュールが提案されている。図７に示す半導体モジュールは、搭載されたメモリー素子の熱放散性を向上させるべく、メモリー素子の外面に放熱板が装着された半導体モジュールである。
この図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、半導体モジュールの正面図、横断面図、縦断面図である。この半導体モジュールは、回路基板１００の両面に複数個のメモリ素子１０２が搭載され、メモリ素子１０２の外面に接触させるように放熱板１０４ａ、１０４ｂを取り付けている。
かかる放熱板１０４ａ、１０４ｂは、その端縁の一方がヒンジ１０８により係止され、回路基板１００を厚さ方向に挟むようにして装着され、開閉側をクリップ１１０により挟んで固定されている。メモリ素子１０２の外面は放熱板１０４ａ、１０４ｂの内側面に当接して熱放散される。
【特許文献１】特開平１１−１６３５６６号公報
【特許文献２】特開２００２−１３４９７０号公報
【特許文献３】特開２００１−１９６５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
図７に示す半導体モジュールは、回路基板１００に搭載したメモリ素子１０２から熱放散させるものである。
ところで、最近の半導体モジュールでは、サーバ等で使用するための高速メモリーモジュールとして、ＡＭＢ(Advanced Memory Buffer)と称されるコントロール用の制御素子を搭載した製品がある。このＡＭＢを搭載した半導体モジュールでは、メモリ素子からの発熱も問題となるが、ＡＭＢからの発熱量がメモリ素子の発熱量を大きく上回るため、AMBから効率的に熱放散させることが求められる。ＡＭＢは規定温度を超えると正常に動作しなくなり、所要の特性が得られなくなるからである。
従って、半導体モジュールの熱放散性を向上させることは、これらの製品にあっては極めて重要である。
そこで、本発明は、このように、動作時の発熱量が異なる半導体素子が搭載されている半導体モジュールからの熱放散の課題を解決して、発熱量の大きな半導体素子が搭載された半導体モジュールから効率的に熱放散可能とし、発熱量の異なる半導体素子が混在しても容易に搭載可能とする半導体モジュール及び半導体モジュール用放熱板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者は、前記課題を解決すべく検討したところ、放熱板の厚さが放熱量に関与し、放熱板の厚さが厚いほど放熱量が多くなることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、動作時の発熱量が異なる複数種の半導体素子が混在して基板に搭載されたモジュール本体に、前記基板に搭載された全ての半導体素子の外面が覆われるように、放熱板が装着されている半導体モジュールであって、前記発熱量が最も大きな高発熱半導体素子を覆う放熱板の部分が、前記放熱板の他の部分よりも厚く形成されていることを特徴とする半導体モジュールにある。
また、本発明は、動作時の発熱量が異なる複数種の半導体素子が混在して基板に搭載されたモジュール本体に、前記基板に搭載された半導体素子の外面が覆われるように装着される放熱板であって、前記発熱量が最も大きな高発熱半導体素子を覆う放熱板の部分が、前記放熱板の他の部分よりも厚く形成されていることを特徴とする半導体モジュール用放熱板でもある。
【０００５】
かかる本発明において、放熱板の厚い部分と他の部分との板厚差を０．２〜０．５ｍｍとすることが好ましい。
また、放熱板を基板に搭載した半導体素子の外面との間に熱伝導シートを介装して装着し、且つ高発熱半導体素子には、前記高発熱半導体素子よりも発熱量の少ない半導体素子に用いる熱伝導シートに比較して、熱伝導性の高い熱伝導シートを用いることによって、高発熱半導体素子からの放熱性を更に向上できる。
かかる放熱板を、基板の平面領域を覆う平面形状に形成し、前記基板の平面領域に搭載した全半導体素子の外面を覆って装着することによって、基板に搭載した全半導体素子からの熱を放熱できる。
更に、基板の両面に半導体素子を搭載して成るモジュール本体の両面側に、放熱板を装着することによって、基板の両面に搭載している半導体素子からの熱を効率的に放熱できる。
また、基板に搭載した半導体素子として、メモリ素子とこのメモリ素子よりも動作時の発熱量が大きなメモリバッファ用の制御素子とを用いることによって、メモリバッファ用の制御素子から効率的に放熱できる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明に係る半導体モジュール及び半導体モジュール用放熱板では、発熱量が最も大きな高発熱半導体素子を覆う放熱板の部分が、他の半導体素子を覆う放熱板の部分よりも厚く形成されている。
したがって、高発熱半導体素子は放熱板の熱放散性が良好な部分で覆われており、高発熱半導体素子で発生した熱を速やかに放熱でき、動作時の発熱量が異なる半導体素子が混在して搭載されている半導体モジュールでも、安定した特性を呈することができる。
その結果、本発明に係る半導体モジュールは、ＡＭＢ(Advanced Memory Buffer)用として好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明に係る半導体モジュールを構成するモジュール本体の一例を図１（ａ）及び（ｂ）に示す。図１（ａ）及び（ｂ）は、モジュール本体１０の平面図及び正面図である。
モジュール本体１０は、長方形に形成された基板１２と、基板１２の両面に搭載されたメモリ素子１４，１４・・と、基板１２の基板面の一方に搭載された制御素子１６とを備える。基板１２の長手方向に沿った端縁の一方には、コネクタ１３が設けられている。
【０００８】
基板１２の基板面の一方に搭載された制御素子１６は、メモリバッファ（AMB）として作用するものであって、メモリ素子１４に比較して動作時の発熱量が大きい高発熱半導体素子である。
この制御素子１６は回路基板１７に搭載され、回路基板１７が基板１２に接合される。このため、制御素子１６の上面は、基板１２の基板面の一方に直接搭載されたメモリ素子１４，１４・・の上面に比較して高くなる。
他方、基板１２の他方の基板面には、複数のメモリ素子１４，１４・・のみが直接搭載されており、基板１２の他方の基板面に搭載されたメモリ素子１４，１４・・の上面の高さ位置は揃っている。
かかる図１に示すモジュール本体１０は、メモリバッファを備えた半導体モジュールの構成として最も一般的な構成である。製品によっては、メモリ素子１４が基板１２の長手方向に２列に配置される場合もある。
【０００９】
図１に示すモジュール本体１０に装着する放熱板を図２に示す。図２（ａ）及び図２（ｂ）は、基板１２の制御素子１６が搭載された面（基板面の一方）に装着される放熱板２０ａの平面図及び正面図である。図２（ｃ）及び図２（ｄ）は、基板１２の他方の基板面に装着される放熱板２０ｂの平面図及び正面図である。
かかる放熱板２０ａ、２０ｂは、基板１２の平面形状に合わせて、基板１２の平面領域を覆う大きさの長方形状に形成されている。
【００１０】
基板１２の基板面の一方に装着される放熱板２０ａには、制御素子１６の配置位置に合わせて収納凹部２４が形成されている。収納凹部２４は、図２（ｂ）に示す様に、放熱板２０ａが外方に突出して、放熱板２０ａの外面に段差が形成されている。この収納凹部２４の底面２４ａは平坦面に形成される。
更に、かかる収納凹部２４の底面２４ａを含む底部は、放熱板２０ａの他の部分よりも厚く形成されている。この収納凹部２４の底部と収納凹部２４を除く放熱板２０ａの他の部分との板厚差を、０．２〜０．５ｍｍとすることが好ましい。具体的には、収納凹部２４の底部の厚さを１ｍｍとすると、放熱板２０ａの他の部分の厚さを０．５〜０．８ｍｍとすることが好ましい。
他方、基板１２の他方の基板面に装着される図２（ｃ）（ｄ）に示す放熱板２０ｂは、放熱板２０ａに形成された収納凹部２４が形成されておらず平坦面に形成されている。放熱板２０ｂが装着される、基板１２の他方の基板面に搭載されたメモリ素子１４，１４・・の上面の高さ位置が、図１（ｂ）に示されているように揃っているからである。
この様な放熱板２０ａ、２０ｂの長手方向の両端には、放熱板２０ａ、２０ｂを基板面から浮かせて支持するための支持突起２６ａ、２６ｂが各々形成されている。支持突起２６ａ、２６ｂは、放熱板２０ａ、２０ｂの短手方向の全長に亘って設けられている。
放熱板２０ａ、２０ｂに基板１２と位置合わせするための突起を設けたり、基板１２との面間隔を保持するためのスペーサ突起を設けたりしてもよい。位置合わせ用の突起としては、例えば基板１２の端縁に形成された切欠或いは貫通孔に位置合わせして形成することができる。
【００１１】
放熱板２０ａ、２０ｂは、熱伝導性および熱放散性に優れる素材であれば、銅、アルミニウムといった適宜材料によって形成される。
図１及び図２に示す放熱板は、１ｍｍ厚のアルミニウム合金（アルミニウム含有率９９．５％）から成る板状体を用いて形成した。アルミニウム合金の熱伝導度は、２３０（Ｗ／m・K)である。かかるアルミニウム合金にアルマイト処理を施すことによって、高い放熱性を得ることができ、傷が付き易いという問題を解消して、十分な強度を得ることができる。
この様な板状体から底部が他の部分よりも厚い収納凹部２４を具備する放熱板２０ａを形成するには、板状体に切削加工や冷間鍛造を施すことによって形成できる。或いは、市販されている厚さの異なるアルミニウム合金から成る異形材にプレス加工を施すことによっても、放熱板２０ａを得ることができる。
尚、放熱板２０ｂは、アルミニウム合金から成る板状体に、通常のプレス加工によって形成できる。
【００１２】
図１に示すモジュール本体１０に、図２に示す放熱板２０ａ，２０ｂを装着して形成した半導体モジュールの平面図を図３に示す。
図３に示す半導体モジュールは、モジュール本体１０の両面に放熱板２０ａ、２０ｂを位置合わせし、クリップ３０ａ、３０ｂによって、放熱板２０ａ、２０ｂを両側から弾性的に挟圧して、放熱板２０ａ、２０ｂ及びモジュール本体１０を所定の挟圧力で一体的に支持している。このクリップ３０ａ、３０ｂは、弾性板を側面形状がコの字形に折曲して形成されている。
かかる図３に示す半導体モジュールは、モジュール本体１０の両面に放熱板２０ａ、２０ｂを当接させた後、クリップ３０ａ、３０ｂの押さえ片の間に放熱板２０ａ、２０ｂとモジュール本体１０を挟み込むことによって組立てることができる。
【００１３】
図３に示す半導体モジュールでは、放熱板２０ａ、２０ｂの内面と、モジュール本体１０に搭載されたメモリ素子１４及び制御素子１６の外面とを密着することによって、底部が放熱板２０ａの他の部分よりも厚く形成されて放熱性を向上した収納凹部２４内に収容した、高発熱半導体素子である制御素子１６の熱放散性を向上できる。
放熱板２０ａ、２０ｂの内面と、モジュール本体１０に搭載されたメモリ素子１４及び制御素子１６の外面とを直接接触させてもよい。
しかし、放熱板２０ａ、２０ｂの内面と、モジュール本体１０に搭載されたメモリ素子１４及び制御素子１６の外面とを確実に直接接触させることは極めて困難であるため、両者を確実に密着させるべく、接着剤を用いて接着してもよい。
但し、通常、接着剤は熱伝導性に劣るため、モジュール本体１０を放熱板２０ａ、２０ｂの間に挟み込む際に、熱伝導性の良好なシート（熱伝導シート）をモジュール本体１０と放熱板２０ａ、２０ｂとの間に介装して組み立てることが好ましい。
【００１４】
かかる熱伝導性シートを介装して組み立てた半導体モジュールの縦断面図を図４（ａ）に示す。図４（ａ）は、第１熱伝導シート４１と第２熱伝導シート４２をモジュール本体１０と放熱板２０ａ、２０ｂとの間に介装して組み立てた状態を正面方向から見た状態を示す。
メモリ素子１４と放熱板２０ａ、２０ｂとの間に第１熱伝導シート４１が介装され、制御素子１６と放熱板２０ａとの間に第２熱伝導シート４２が介装されている。第１熱伝導シート４１及び第２熱伝導シート４２は、クリップ３０ａ、３０ｂの挟圧力によって、放熱板２０ａ、２０ｂとモジュール本体１０との間に挟圧されている。
【００１５】
図４（ａ）の半導体モジュールのうち、収納凹部２４近傍の部分拡大断面図を図４（ｂ）に示す。図４（ｂ）に示す様に、放熱板２０ａに形成された収納凹部２４の底部は、放熱板２０ａの他の部分よりも厚く形成されている。かかる収納凹部２４内に収納された制御素子１６の裏面は、第２熱伝導シート４２を介して収納凹部２４の底面２４ａに接触している。
更に、メモリ素子１４は、その外面（樹脂封止部の外面）を第１熱伝導シート４１に接触させて、第１熱伝導シート４１を介して放熱板２０ａ、２０ｂの内面に接触する。
図２〜図４に示す半導体モジュールでは、モジュール本体１０の両面に、平板状に形成した放熱板２０ａ、２０ｂを被覆している。このため、半導体モジュールの幅方向の空間部分については、幅方向に貫通する形態となっている。すなわち、図２〜図４に示す半導体モジュールでは、幅方向に気流が通流し、熱放散性が向上されている。
【００１６】
第１熱伝導シート４１と第２熱伝導シート４２とは、共にメモリ素子１４及び制御素子１６から放熱板２０ａ、２０ｂへの熱伝導を良好にするために用いられている。
しかも、図２〜図４の半導体モジュールでは、第１熱伝導シート４１と第２熱伝導シート４２として熱伝導性が異なる２種類の熱伝導シートを使用し、第２熱伝導シート４２は、第１熱伝導シート４１に比較して、熱伝導性が良好である。
この様に、熱伝導性が良好な第２熱伝導シート４２を用いることによって、放熱板２０ａの収納凹部２４の底部を放熱板２０ａの他の部分よりも厚く形成したことと相俟って、収納凹部２４内に収納された制御素子１６の熱放散性を更に向上できる。
【００１７】
かかる第１熱伝導シート４１及び第２熱伝導シート４２は、図５（ａ）（ｂ）に示す様に、モジュール本体１０のメモリ素子１４や制御素子１６と対応する放熱板２０ａ，２０ｂの内面の所定箇所に貼着して用いる。
図５（ａ）は、モジュール本体１０の制御素子１６及びメモリ素子１４，１４・・が混在する搭載面に装着される放熱板２０ａの平面図である。また、図５（ｂ）は、モジュール本体１０の制御素子１６の搭載面と反対面であって、メモリ素子１４，１４・・のみが搭載された搭載面に装着される放熱板２０ｂの平面図である。
図５（ａ）に示す放熱板２０ａには、制御素子１６の配置位置に合わせて第２熱伝導シート４２が貼着され、メモリ素子１４の配置位置に合わせて第１熱伝導シート４１が貼着されている。
他方、図５（ｂ）に示す放熱板２０ｂには、メモリ素子１４が搭載される位置に合わせて第１熱伝導シート４１が貼着されている。
【００１８】
図５（ａ）（ｂ）に示す放熱板２０ａ、２０ｂを用いることによって、モジュール本体１０に放熱板２０ａ、２０ｂを位置合わせしてクランプすることにより、第１熱伝導シート４１及び第２熱伝導シート４２がモジュール本体１０と放熱板２０ａ、２０ｂとの間に介装されて組み立てられる。
放熱板２０ａ、２０ｂに設ける支持突起２６ａ、２６ｂ、及び収納凹部２４の段差は、放熱板２０ａ、２０ｂを基板１２に取り付けた際に、メモリ素子１４及び制御素子１６が第１熱伝導シート４１と第２熱伝導シート４２とを介して接触するように高さ寸法を調製しておくことが好ましい。
【００１９】
この様に、熱伝導性が異なる２種類の熱伝導シートを使用することによって、メモリ素子１４よりも動作時の発熱量の大きな制御素子１６から、発生した熱を効率的に放熱板２０ａの収納凹部２４の底部に熱伝導させて制御素子１６からの熱放散性を向上させることができ、且つ制御素子１６から放散された熱がメモリ素子１４の側に逆流しないようにできる。
一般に、熱伝導シートを介して発熱体に放熱板を接触させ、発熱体から熱放散させる場合には、熱伝導シートとしてはなるべく熱伝導性が高い熱伝導材を使用することが効率的である。
したがって、図４に示す半導体モジュールでも、第１熱伝導シート４１と第２熱伝導シート４２としては、可及的に熱伝導性の高い熱伝導シートを使用することが効率的であると考えられる。
【００２０】
但し、図４に示す半導体モジュールのように、発熱量が異なる半導体素子が搭載されているモジュール本体１０の搭載面に放熱板２０ａを取り付ける場合には、動作時の発熱量の大きな半導体素子を、放熱板２０の他の部分よりも厚い底部に形成された収納凹部２４内に、熱伝導性の高い第２熱伝導シート４２を介装させて収納することによって、図４（ｂ）に示す太い矢印Ａ(点線)で示す様に、発熱量の大きな半導体素子の熱を収納凹部２４の底部に伝熱でき、その放熱性を向上できる。
他方、発熱量が小さな半導体素子については、熱伝導性の高い第２熱伝導シート４２よりも熱伝導性が低い第１熱伝導シート４１を介装させて収納凹部２４の底部よりも薄い放熱板２０ａの部分を装着することによって、図４（ｂ）の矢印Ｂ（点線）で示す様に、放熱板２０ａの収納凹部２４の底部に蓄熱されている熱が、発熱量が小さな半導体素子に伝熱されることを可及的に防止できる。
【００２１】
図４及び図５で用いた第１熱伝導シート４１として、熱伝導率が約２．０（Ｗ／m/K）の伝導シートを用い、第２の熱伝導シート４２として、熱伝導率約３．０（Ｗ／m/K）の熱伝導シートを用いた。
この第１熱伝導シート４１と第２熱伝導シート４２として熱伝導性が異なる熱伝導シートを使用した場合と、第１熱伝導シート４１と第２熱伝導シート４２の双方に高熱伝導シート（熱伝導率約３．０（Ｗ／m/K）の熱伝導シート）を用いた場合とを比較すると、第１熱伝導シート４１と第２熱伝導シート４２として熱伝導性が異なる熱伝導シートを使用した場合には、他方の場合に対して、制御素子１６の温度上昇を３３％低減できた。
【００２２】
また、クリップ３０ａ、３０ｂによる作用を確かめるべく、クリップ３０ａ、３０ｂの材厚を０．５ｍｍとした場合と、クリップ３０ａ、３０ｂの材厚を０．６ｍｍとした場合とについて、制御素子１６の動作温度がどのように変化するかを測定したところ、クリップ３０ａ、３０ｂの材厚を０．６ｍｍとした場合には、制御素子１６の動作温度が１２％低減した。
このことは、放熱板２０ａ、２０ｂを一定圧力で挟圧することが制御素子１６の動作温度を低減させる上で大きく寄与することを示す。したがって、クリップ３０ａ、３０ｂを設計する際には、クリップ３０ａ、３０ｂによる挟圧位置、挟圧面積と、クリップ３０ａ、３０ｂの材厚、材質を選択することが有効となる。
【００２３】
更に、放熱板２０ａと制御素子１６との間に介装される第２熱伝導シート４２は、可及的に薄厚であることが、制御素子１６から放熱板２０ａに熱伝導させる上では有効である。熱伝導シート４２としては、種々の厚さのシートを利用することができるが、制御素子１６の裏面と収納凹部２４の底面２４ａとの間隔をできるだけ狭くするように収納凹部２４の段差を設計するのがよい。収納凹部２４の底面２４ａとの間隔としては０．０５ｍｍ程度とするのがよい。
【００２４】
図１〜５に示す放熱板２０ａでは、高発熱半導体素子としての制御素子１６を収容する収納凹部２４を形成し、その底部を放熱板２０ａの他の部分よりも厚く形成したが、図６に示す様に、高発熱半導体素子としての制御素子１６の上面に対応する放熱板２０ａの部分を凸部５０に形成してもよい。凸部５０の下面は、制御素子１６の上面に、直接、接着剤又は熱伝導シートによって密着させる。
また、図１〜図６では、メモリ素子１４とAMBとして使用される制御素子１６が搭載された半導体モジュールについて説明したが、発熱量が相違する半導体素子が搭載された半導体モジュールついて同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係る半導体モジュールを構成するモジュール本体の一例を説明する平面図及び正面図である。
【図２】放熱板の一例を説明する平面図及び正面図である。
【図３】図１に示すモジュール本体に図２に示す放熱板を取り付けた半導体モジュールの平面図である。
【図４】図３に示す半導体モジュールの断面図である。
【図５】図２に示す放熱板に熱伝導シートを貼着した状態を説明する放熱板の平面図である。
【図６】放熱板の他の例を説明する側面図である。
【図７】従来の放熱板が装着された半導体モジュールの構成を示す平面図及び断面図である。
【符号の説明】
【００２６】
１０  モジュール本体
１２  基板
１４  メモリ素子
１６  制御素子（高発熱半導体素子）
２０ａ，２０ｂ  放熱板
２４  収納凹部
２４ａ  底面
２６ａ  支持突起
３０ａ  クリップ
４１，４２  熱伝導シート
５０  凸部
【図１】
2008103595.tif 000003
【図２】
2008103595.tif 000004
【図３】
2008103595.tif 000005
【図４】
2008103595.tif 000006
【図５】
2008103595.tif 000007
【図６】
2008103595.tif 000008
【図７】
2008103595.tif 000009