(57)【要約】【課題】つなぎ露光領域とつなぎ露光領域以外の領域とでラインパターンの潜像の線幅が異なることを十分に抑制できる原版、原版データ生成方法、原版データ生成プログラム、及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】原版は、原版のパターンを縮小倍率１／Ｍ倍で基板に投影する露光装置の１回の露光で可能な領域を複数の領域に分割し、前記複数の領域をつなぎ合わせて露光するつなぎ露光に用いられる原版であって、前記露光装置の解像限界以上の線幅を有する第１の主パターンと、つなぎ露光において重ねて露光されるつなぎ露光領域に対応して、前記第１の主パターンから０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔だけ離れて配された、前記露光装置の解像限界以下の線幅を有する第１の補助パターンとを備える。【選択図】図１
2008275788.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版のパターンを縮小倍率１／Ｍ倍で基板に投影する露光装置の１回の露光で可能な領域を複数の領域に分割し、前記複数の領域をつなぎ合わせて露光するつなぎ露光に用いられる原版であって、
前記露光装置の解像限界以上の線幅を有する第１の主パターンと、
つなぎ露光において重ねて露光されるつなぎ露光領域に対応して、前記第１の主パターンから０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔だけ離れて配された、前記露光装置の解像限界以下の線幅を有する第１の補助パターンと、
を備えたことを特徴とする原版。
【請求項２】
前記第１の補助パターンは、前記第１の主パターンから０.０７×Ｍ［μｍ］以上０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔だけ離れて配される
ことを特徴とする請求項１に記載の原版。
【請求項３】
前記第１の補助パターンの線幅は、０.０８×Ｍ［μｍ］以上０.１８×Ｍ［μｍ］以下である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の原版。
【請求項４】
前記つなぎ露光領域に対応して、前記第１の主パターンから０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔だけ離れた位置であって前記第１の主パターンに対して前記第１の補助パターンと反対側の位置に配された、前記露光装置の解像限界以下の線幅を有する第２の補助パターンをさらに備えた
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の原版。
【請求項５】
前記第１の補助パターンに対して前記第１の主パターンと反対側の位置に配された、前記露光装置の解像限界以上の線幅を有する第２の主パターンと、
前記つなぎ露光領域に対応して、前記第２の主パターンから０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔だけ離れた位置であって前記第１の主パターンと前記第２の主パターンとの間の位置に配された、前記露光装置の解像限界以下の線幅を有する第３の補助パターンと、
をさらに備え、
前記第１の主パターンと前記第２の主パターンとの間隔は、０.５×Ｍ［μｍ］以上である
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の原版。
【請求項６】
原版のパターンを縮小倍率１／Ｍ倍で基板に投影する露光装置の１回の露光で可能な領域を複数の領域に分割し、前記複数の領域をつなぎ合わせて露光するつなぎ露光に用いられる原版のデータを生成する原版データ生成方法であって、
前記露光装置の解像限界以上の線幅を有する主パターンが前記原版のパターン面に配されたパターンデータを取得する取得ステップと、
つなぎ露光において重ねて露光されるつなぎ露光領域に対応して、前記主パターンから０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔だけ離れた位置に、前記露光装置の解像限界以下の線幅を有する補助パターンを追加したパターンデータを生成する生成ステップと、
を備えたことを特徴とする原版データ生成方法。
【請求項７】
原版のパターンを縮小倍率１／Ｍ倍で基板に投影する露光装置の１回の露光で可能な領域を複数の領域に分割し、前記複数の領域をつなぎ合わせて露光するつなぎ露光に用いられる原版のデータを生成する原版データ生成プログラムであって、コンピュータを、
前記露光装置の解像限界以上の線幅を有する主パターンが前記原版のパターン面に配されたパターンデータを取得する取得手段、
つなぎ露光において重ねて露光されるつなぎ露光領域に対応して、前記主パターンから０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔だけ離れた位置に、前記露光装置の解像限界以下の線幅を有する補助パターンを追加したパターンデータを生成する生成手段、
として機能させることを特徴とする原版データ生成プログラム。
【請求項８】
請求項１から５のいずれか１項に記載の原版を用いて基板を露光して、前記基板に潜像パターンを形成する露光工程と、
前記潜像パターンを現像する現像工程と、
を備えたことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原版、原版データ生成方法、原版データ生成プログラム、及びデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、露光装置において、第１の原版を用いて基板を露光した後に、第１の原版を用いて露光された領域の一部が重ねて露光されるように、第２の原版を用いて基板を露光するつなぎ露光が行われることがある。基板上において、第１の原版と第２の原版とで重ねて露光される領域（つなぎ露光領域）では、２回露光されるので、他の領域に比べて露光量が多くなる。このため、ラインパターンの潜像の線幅が、つなぎ露光領域とつなぎ露光領域以外の領域とで異なることがある。
【０００３】
ラインパターンの潜像の線幅がつなぎ露光領域とつなぎ露光領域以外の領域とで異なることを低減させることを目的として、つなぎ露光領域にダミーパターンを設ける技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平５-１４２７５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示された技術では、ラインパターンからダミーパターンがある程度離して配されると、ダミーパターンの効果が低減して、つなぎ露光領域とつなぎ露光領域以外の領域とでラインパターンの潜像の線幅が異なることを十分に抑制できない。
【０００５】
本発明の目的は、つなぎ露光領域とつなぎ露光領域以外の領域とでラインパターンの潜像の線幅が異なることを十分に抑制できる原版、原版データ生成方法、原版データ生成プログラム、及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１側面に係る原版は、原版のパターンを縮小倍率１／Ｍ倍で基板に投影する露光装置の１回の露光で可能な領域を複数の領域に分割し、前記複数の領域をつなぎ合わせて露光するつなぎ露光に用いられる原版であって、前記露光装置の解像限界以上の線幅を有する第１の主パターンと、つなぎ露光において重ねて露光されるつなぎ露光領域に対応して、前記第１の主パターンから０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔だけ離れて配された、前記露光装置の解像限界以下の線幅を有する第１の補助パターンとを備えたことを特徴とする。
【０００７】
本発明の第２側面に係る原版データ生成方法は、原版のパターンを縮小倍率１／Ｍ倍で基板に投影する露光装置の１回の露光で可能な領域を複数の領域に分割し、前記複数の領域をつなぎ合わせて露光するつなぎ露光に用いられる原版のデータを生成する原版データ生成方法であって、前記露光装置の解像限界以上の線幅を有する主パターンが前記原版のパターン面に配されたパターンデータを取得する取得ステップと、つなぎ露光において重ねて露光されるつなぎ露光領域に対応して、前記主パターンから０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔だけ離れた位置に、前記露光装置の解像限界以下の線幅を有する補助パターンを追加したパターンデータを生成する生成ステップとを備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の第３側面に係る原版データ生成プログラムは、原版のパターンを縮小倍率１／Ｍ倍で基板に投影する露光装置の１回の露光で可能な領域を複数の領域に分割し、前記複数の領域をつなぎ合わせて露光するつなぎ露光に用いられる原版のデータを生成する原版データ生成プログラムであって、コンピュータを、前記露光装置の解像限界以上の線幅を有する主パターンが前記原版のパターン面に配されたパターンデータを取得する取得手段、つなぎ露光において重ねて露光されるつなぎ露光領域に対応して、前記主パターンから０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔だけ離れた位置に、前記露光装置の解像限界以下の線幅を有する補助パターンを追加したパターンデータを生成する生成手段として機能させることを特徴とする。
【０００９】
本発明の第４側面に係るデバイスの製造方法は、本発明の第１側面に係る原版を用いて基板を露光して、前記基板に潜像パターンを形成する露光工程と、前記潜像パターンを現像する現像工程とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、つなぎ露光領域とつなぎ露光領域以外の領域とでラインパターンの潜像の線幅が異なることを十分に抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施形態に係る原版１について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態に係る原版１に設けられたパターンを示す図である。図２は、別の原版５０に設けられたパターンを示す図である。
【００１２】
原版１は、後述の露光装置５００（図５参照）において、照明光学系５０５により照明され投影光学系５０３を介して、つなぎ露光領域を含む領域における基板上の感光剤に潜像を形成するのに用いられる。原版１は、例えば、マスク、レチクルなどである。基板は、例えば、ウェハなどである。感光剤は、例えば、レジストである。
【００１３】
ここで、つなぎ露光は、原版１を用いて基板を露光した後に、原版１を用いて露光された領域の一部が重ねて露光されるように、他の原版５０を用いて基板を露光する処理である。すなわち、つなぎ露光では、原版のパターンを縮小倍率１／Ｍ倍で基板に投影する露光装置の１回の露光で可能な領域を複数の領域に分割し、その複数の領域をつなぎ合わせて露光する。つなぎ露光領域は、つなぎ露光において他の原版５０により重ねて露光される領域である。図１に示すつなぎ部分ＥＡ１は、基板上のつなぎ露光領域に対応した原版１上の領域である。すなわち、図２に示すように、原版１を用いて基板を露光した後、別の原版５０におけるつなぎ部分ＥＡ２が原版１におけるつなぎ部分ＥＡ１に重なるように、別の原版５０を用いて露光を行う。図２において破線で示したパターンは、原版１のパターンが別の原版５０においてどの位置に相当するかを示す。これにより、原版１におけるラインパターンと別の原版５０におけるラインパターンとにより、つなげられたラインパターンの潜像を形成できることがわかる。
【００１４】
なお、以下では、後述の露光装置５００において原版１のパターンを基板へ投影する際の縮小倍率を１／Ｍ倍とする。そして、ウェハ面での間隔を１／（縮小倍率）倍して（Ｍ倍して）マスクのパターン面での間隔に換算することにより、各パターンの線幅、間隔を表現することにする。また、感光剤がポジ型フォトレジストである場合を例に説明するが、感光剤がネガ型フォトレジストである場合も同様である。
【００１５】
原版１は、図１に示すように、第１の主パターン１１、第１の補助パターン１２、第２の補助パターン１３、第２の主パターン１４、第３の補助パターン１５、第３の主パターン１６、及び第４の補助パターン１７を備える。
【００１６】
第１の主パターン１１は、解像限界以上の線幅Ｌ１１を有するライン状のパターンである。
【００１７】
第１の補助パターン１２は、つなぎ露光領域のために（つなぎ部分ＥＡ１において）、第１の主パターン１１から０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔Ｌ１２だけ離れて配され、解像限界以下の線幅を有するライン状のパターン（ダミーパターン）である。この間隔Ｌ１２は、０.０７×Ｍ［μｍ］以上０．１９×Ｍ［μｍ］以下であることが好ましい。第１の補助パターンの線幅Ｌ２２は、０.０８×Ｍ［μｍ］以上０.１８×Ｍ［μｍ］以下である。線幅Ｌ２２が０.０８×Ｍ［μｍ］未満であると、２回露光されることにより露光エネルギーが過多になることを低減できないので、第１の主パターン１１の潜像の線幅がつなぎ露光領域とそれ以外の領域とでばらつく可能性がある。また、線幅Ｌ２２が０.１８×Ｍ［μｍ］を超えると、解像限界以下の線幅に制御するための制御性が低くなる可能性がある。
【００１８】
第２の補助パターン１３は、つなぎ露光領域のために（つなぎ部分ＥＡ１において）、第１の主パターン１１から０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔Ｌ１３だけ離れた位置であって第１の主パターン１１に対して第１の補助パターン１２と反対側の位置に配される。第２の補助パターン１３は、解像限界以下の線幅を有するライン状のパターンである。間隔Ｌ１３は、０.０７×Ｍ［μｍ］以上０．１９×Ｍ［μｍ］以下であることが好ましい。第２の補助パターンの線幅Ｌ３３は、０.０８×Ｍ［μｍ］以上０.１８×Ｍ［μｍ］以下である。線幅Ｌ３３が０.０８×Ｍ［μｍ］未満であると、２回露光されることにより露光エネルギーが過多になることを低減できないので、第１の主パターン１１の潜像の線幅がつなぎ露光領域とそれ以外の領域とでばらつく可能性がある。また、線幅Ｌ３３が０.１８×Ｍ［μｍ］を超えると、解像限界以下の線幅に制御するための制御性が低くなる可能性がある。
【００１９】
第２の主パターン１４は、第１の補助パターン１２に対して第１の主パターン１１と反対側の位置に配され、解像限界以上の線幅Ｌ４４を有するライン状のパターンである。
【００２０】
第３の補助パターン１５は、つなぎ露光領域のために（つなぎ部分ＥＡ１において）、第２の主パターン１４から０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔Ｌ４５だけ離れた位置であって第１の主パターン１１と第２の主パターン１４との間の位置に配される。第３の補助パターン１５は、解像限界以下の線幅を有するライン状のパターンである。間隔Ｌ４５は、０.０７×Ｍ［μｍ］以上０．１９×Ｍ［μｍ］以下であることが好ましい。第３の補助パターンの線幅Ｌ５５は、０.０８×Ｍ［μｍ］以上０.１８×Ｍ［μｍ］以下である。線幅Ｌ５５が０.０８×Ｍ［μｍ］未満であると、２回露光されることにより露光エネルギーが過多になることを低減できないので、第２の主パターン１４の潜像の線幅がつなぎ露光領域ＥＡ１とそれ以外の領域とでばらつく可能性がある。また、線幅Ｌ５５が０.１８×Ｍ［μｍ］を超えると、解像限界以下の線幅に制御するための制御性が低くなる可能性がある。
【００２１】
ここで、第１の主パターン１１と第２の主パターン１４との間隔Ｌ１４は、０.５×Ｍ［μｍ］以上である。
【００２２】
仮に、第１の主パターン１１と第２の主パターン１４との間に、解像限界以下の線幅を有するライン状のパターン（以下、ダミーパターンとする）を１つしか配さないとする。このとき、そのダミーパターンは、第１の主パターン１１及び第２の主パターン１４の少なくとも一方から０．１９×Ｍ［μｍ］を超えた間隔だけ離れることになる。これにより、第１の主パターン１１及び第２の主パターン１４の少なくとも一方により形成される潜像の線幅は、つなぎ露光領域と、つなぎ露光領域以外の領域とで異なることになる。
【００２３】
それに対して、本発明では、第１の主パターン１１と第２の主パターン１４との間に、第１の補助パターン１２と第３の補助パターン１５との２つが配されている。このとき、第１の補助パターン１２は、第１の主パターン１１から０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔Ｌ１２だけ離れた位置に配されている。第３の補助パターン１５は、第２の主パターン１４から０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔Ｌ４５だけ離れた位置に配されている。これにより、つなぎ露光領域ＥＡ１とつなぎ露光領域ＥＡ１以外の領域とで第１の主パターン１１及び第２の主パターン１４の潜像の線幅が異なることを十分に抑制できる。
【００２４】
第３の主パターン１６は、第２の主パターン１４に対して第１の主パターン１１と反対側の位置に配され、解像限界以上の線幅Ｌ６６を有するライン状のパターンである。
【００２５】
第４の補助パターン１７は、つなぎ露光領域のために（つなぎ部分ＥＡ１において）、第２の主パターン１４から０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔Ｌ４７だけ離れた位置であって第２の主パターン１４と第３の主パターン１６との間の位置に配される。かつ、第４の補助パターン１７は、つなぎ露光領域のために（つなぎ部分ＥＡ１において）、第３の主パターン１６から０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔Ｌ６７だけ離れた位置に配される。第４の補助パターン１７は、解像限界以下の線幅Ｌ７７を有するライン状のパターンである。間隔Ｌ４７は、０.０７×Ｍ［μｍ］以上０．１９×Ｍ［μｍ］以下であることが好ましい。間隔Ｌ６７は、０.０７×Ｍ［μｍ］以上０．１９×Ｍ［μｍ］以下であることが好ましい。第４の補助パターンの線幅Ｌ７７は、０.０８×Ｍ［μｍ］以上０.１８×Ｍ［μｍ］以下である。線幅Ｌ７７が０.０８×Ｍ［μｍ］未満であると、２回露光されることにより露光エネルギーが過多になることを低減できないので、第２の主パターン１４の潜像の線幅がつなぎ露光領域ＥＡ１とそれ以外の領域とでばらつく可能性がある。また、線幅Ｌ７７が０.１８×Ｍ［μｍ］を超えると、解像限界以下の線幅に制御するための制御性が低くなる可能性がある。
【００２６】
ここで、第２の主パターン１４と第３の主パターン１６との間隔Ｌ４６は、０.５×Ｍ［μｍ］未満である。
【００２７】
このとき、
Ｌ４６＝Ｌ４７＋Ｌ７７＋Ｌ６７・・・数式１
０.０７×Ｍ［μｍ］≦Ｌ４７≦０．１９×Ｍ［μｍ］・・・数式２
０.０８×Ｍ［μｍ］≦Ｌ７７≦０.１８×Ｍ［μｍ］・・・数式３
０.０７×Ｍ［μｍ］≦Ｌ６７≦０．１９×Ｍ［μｍ］・・・数式４
の数式１〜４を同時に満たすように、第２の主パターン１４と第３の主パターン１６との間に第４の補助パターン１７の１つを配することができる。これにより、つなぎ露光領域ＥＡ１とつなぎ露光領域ＥＡ１以外の領域とで第２の主パターン１４及び第３の主パターン１６の潜像の線幅が異なることを十分に抑制できる。
【００２８】
以上のように、間隔の異なるラインパターンが混在した場合にも線幅を設計線幅通りに保つことが可能となる。すなわち、間隔に応じて、つなぎ露光領域ＥＡ１とつなぎ露光領域ＥＡ１以外の領域とで、ラインパターンの潜像の線幅が均一になるようにすることができる。特に、ラインパターンにて光の入射を制御する撮像装置において入射光量のばらつきを低減することが可能となる。
【００２９】
次に、本発明の実施形態に係る原版データ生成方法を実行するためのコンピュータの構成を、図３を用いて説明する。図３は、原版データ生成方法を実行するためのコンピュータの構成図である。
【００３０】
コンピュータ１００は、バス配線１０、制御部２０、表示部３０、記憶手段４０、入力部６０及び取得手段７０を備える。
【００３１】
制御部２０、表示部３０、記憶手段４０、入力部６０及び取得手段７０は、バス配線１０を介して相互に接続されている。
【００３２】
取得手段７０は、記録媒体８０を接続可能に構成されている。取得手段７０は、例えば、媒体インターフェースである。取得手段７０は、例えば、解像限界以上の線幅を有する第１の主パターン１１が原版１のパターン面に配されたパターンデータ４１を取得する。
【００３３】
記憶手段４０には、パターンデータ４１、原版のデータ群４３、及び原版のデータを生成するプログラムである原版データ生成プログラム４７が記憶されている。
【００３４】
パターンデータ４１は、集積回路などの設計においてレイアウト設計されたパターン（以下、レイアウトパターンと呼ぶ）のデータである。
【００３５】
原版のデータ群４３は、第１原版のデータ、第２原版のデータ、・・・、第Ｎ（Ｎは自然数）原版のデータを含む。第１原版〜第Ｎ原版のデータのそれぞれは、第１原版〜第Ｎ原版のそれぞれにＣｒ等のパターンが描画されるためのデータである。
【００３６】
原版データ生成プログラム４７は、例えば原版１のデータを生成するための機能を実現するプログラムである。
【００３７】
制御部２０は、例えば、ＣＰＵ，ＧＰＵ，ＤＳＰ又はマイコンなどであり、一時記憶のためのキャッシュメモリをさらに含む。また、制御部２０は、生成手段２１を含む。生成手段２１は、つなぎ露光領域のために（つなぎ部分ＥＡ１において）、第１の主パターン１１から０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔だけ離れた位置に、解像限界以下の線幅を有する第１の補助パターン１２を追加したパターンデータ４１を生成する。
【００３８】
表示部３０は、例えば、ＣＲＴディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示デバイスである。記憶手段４０は、例えば、メモリやハードディスクなどである。入力部６０は、例えば、キーボードやマウスなどである。取得手段７０は、例えば、フロッピー(登録商標)ディスクドライブ、ＣＤ−ＲＯＭドライブやＵＳＢインターフェースなどである。記録媒体８０は、フロッピー(登録商標)ディスク、ＣＤ−ＲＯＭやＵＳＢメモリなどである。
【００３９】
次に、原版データ生成プログラムを実行して原版のデータを生成する処理の流れを、図４を用いて説明する。図４は、原版データ生成プログラムを実行して原版のデータを生成する処理の流れを示すフローチャートである。なお、上述の第１の主パターン１１と第１の補助パターン１２とを中心に説明するが、他のパターンに関しても同様である。
【００４０】
ステップＳ１では、取得手段７０に、第１の主パターン１１が原版１のパターン面に配されたパターンデータが記録された記録媒体８０が接続される。取得手段７０は、解像限界以上の線幅を有する主パターンが原版のパターン面に配されたパターンデータを取得する。すなわち、制御部２０は、取得手段７０を介して記録媒体８０にアクセスし、パターンデータを記録媒体８０から読み出して記憶手段４０に記憶する。これにより、記憶手段４０は、第１の主パターン１１が原版１のパターン面に配されたパターンデータ４１を記憶する。
【００４１】
ステップＳ２では、制御部２０の生成手段２１が、記憶手段４０にアクセスして、ステップＳ１で記憶されたパターンデータを読み出して一時的に記憶する。生成手段２１は、つなぎ露光領域のために（つなぎ部分ＥＡ１において）、第１の主パターン１１から０．１９×Ｍ［μｍ］以下の間隔だけ離れた位置に、解像限界以下の線幅を有する第１の補助パターン１２を追加したパターンデータ４１を生成する。生成手段２１は、生成後のパターンデータ４１をキャッシュメモリに一時的に記憶するとともに記憶手段４０に記憶させる。
【００４２】
ステップＳ３では、制御部２０が、生成後のパターンデータ４１に基づいて、原版１のデータを生成する。制御部２０は、記憶手段４０にアクセスして、原版１のデータを原版のデータ群４３に追加的に記憶する。
【００４３】
以下、本発明に係る原版１が適用される例示的な露光装置５００を説明する。図５は、本発明に係る原版１が適用される例示的な露光装置５００を示す図である。
【００４４】
露光装置５００は、照明装置５０１、原版１を搭載した原版ステージ（例えば、レチクルステージ）５０２、投影光学系５０３、基板（例えば、ウェハ）を搭載した基板ステージ（例えば、ウェハステージ）５０４とを有する。露光装置５００は、原版１に形成されたパターンを基板に投影露光するものであり、ステップアンドリピート投影露光方式またはステップアンドスキャン投影露光方式であってもよい。
【００４５】
照明装置５０１はパターンが形成された原版１を照明し、光源部と照明光学系５０５とを有する。光源部は、例えば、光源として超高圧水銀灯（水銀ランプ）又はレーザを使用する。超高圧水銀灯は、波長３６５ｎｍのｉ線の輝線スペクトルを使用することができる。レーザは、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザを使用することができる。ただし、レーザの種類はエキシマレーザに限定されず、例えば、ＹＡＧレーザを使用してもよいし、そのレーザの個数も限定されない。光源にレーザが使用される場合、レーザ光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザ光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部に使用可能な光源はレーザに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００４６】
照明光学系５０５は原版１（例えば、マスク、レチクル）を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、絞り等を含む。
【００４７】
投影光学系５０３は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子及び少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）を使用することができる。投影光学系５０３は、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。
【００４８】
原版ステージ５０２および基板ステージ５０４は、たとえばリニアモータによって移動可能である。ステップアンドスキャン投影露光方式の場合には、それぞれのステージは同期して移動する。また、原版１のパターンを基板上に位置合わせするために基板ステージおよび原版ステージの少なくともいずれかに別途アクチュエータを備える。
【００４９】
このような露光装置は、半導体集積回路等の半導体デバイスや、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド等の微細なパターンが形成されたデバイスの製造に利用されうる。特に、一括にて露光することが可能な領域よりも面積が大きなデバイス、例えば撮像装置を形成する場合に特に有効である。
【００５０】
次に、本発明に係る原版１が適用される例示的な露光装置５００を利用したデバイスの製造プロセス（製造方法）を、図６を用いて説明する。図６は、デバイスの一例としての半導体デバイスの全体的な製造プロセスを示すフローチャートである。
【００５１】
ステップＳ９１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。
【００５２】
ステップＳ９２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスク（原版又はレチクルともいう）を作製する。
【００５３】
一方、ステップＳ９３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。
【００５４】
ステップＳ９４（ウエハプロセス）は前半工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上述の露光装置によりリソグラフィー技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。
【００５５】
次のステップＳ９５（組み立て）は後半工程と呼ばれ、ステップＳ９４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。
【００５６】
ステップＳ９６（検査）ではステップＳ９５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップＳ９７でこれを出荷する。
【００５７】
上記ステップＳ９４のウエハプロセスは以下のステップを有する。すなわち、ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップを有する。また、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップを有する。上記の露光装置を用いて、レジスト処理ステップ後のウエハを、マスクのパターンを介して露光し、レジストに潜像パターンを形成する露光ステップ（露光工程）を有する。この露光ステップでは、上述したつなぎ露光が行われる。露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ（現像工程）を有する。さらに、現像ステップで現像した潜像パターン以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップを有する。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施形態に係る原版に設けられたパターンを示す図。
【図２】別の原版に設けられたパターンを示す図。
【図３】原版データ作成方法を実行するためのコンピュータの構成図。
【図４】原版データ作成方法を実行して原版のデータを作成する処理の流れを示すフローチャート。
【図５】本発明に係る原版が適用される露光装置を示す図。
【図６】半導体デバイスの全体的な製造プロセスを示すフローチャート。
【符号の説明】
【００５９】
１  原版
１１  第１の主パターン
１２  第１の補助パターン
１３  第２の補助パターン
１４  第２の主パターン
１５  第３の補助パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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