(57)【要約】【課題】光学素子を保持する二つの素子キャリアを当接し接着剤固定する際の当接面のずれを排除し円滑に接着固定し得る小型化された光レーザモジュール等を提供すること。【解決手段】上面にレーザ発振用の一方と他方の光学素子５１，５３を装備した一方と他方の素子キャリア１２，１４を相互に当接し固着して前記一方と他方の光学素子５１，５３を光学的に連結し、これによって半導体レーザ５０を形成し、予め装備された光ファイバー５７に対して光学系５８を介して外部出力する構成の半導体レーザモジュールであって、前記各素子キャリア１２，１４相互の当接面１２ａ，１４ａにおける両側端面に、当該各素子キャリア１２，１４の当接時に当該当接面積を拡大した状態に設定すると共に切除可能に構成されたつば部１２Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４Ｂを、前記各素子キャリア１２，１４に一体的に設けたこと。【選択図】図１
2008124333.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面にレーザ発振用の一方の光学素子を装備した一方の素子キャリアと同じく上面にレーザ発振用の他方の光学素子を装備した他方の素子キャリアを設けると共に、この各素子キャリア相互間を相互に当接し固着して前記一方と他方の光学素子を光学的に連結し、これによって形成されたレーザ光を発振する半導体レーザを備え、予め装備された光ファイバーに対して光学系を介して前記レーザ光を送り込むように構成された半導体レーザモジュールにおいて、
前記各素子キャリア相互の当接面における両側端面に、当該各素子キャリアの当接時に当該当接面積を拡大した状態に設定すると共に切除可能に構成されたつば部を、前記各素子キャリアに一体的に設けたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項２】
前記請求項１に記載の半導体レーザモジュールにおいて、
前記各素子キャリアには、当該各素子キャリアを一体的に冷却する冷却手段が併設されていることを特徴とした半導体レーザモジュール。
【請求項３】
前記請求項１又は２に記載の半導体レーザモジュールにおいて、
前記つば部を、前記各素子キャリアの測端面を掴むように厚板状で且つコ字状に形成したことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項４】
前記請求項３に記載の半導体レーザモジュールにおいて、
前記コ字状に形成されたつば部は、外部に対する当接面が前記素子キャリアの外部に対する当接面と同一面を構成したことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項５】
前記請求項３又は４に記載の半導体レーザモジュールにおいて、
前記つば部は、前記素子キャリアとの連結側の厚さがその外周側の厚さよりも一様に薄く形成されていることを特徴とした半導体レーザモジュール。
【請求項６】
前記請求項３又は４に記載の半導体レーザモジュールにおいて、
前記つば部を、コ字状に形成されたつば部に代えて当接面が平坦面を成し且つ断面がＬ字状で全体的には角柱状に形成されたつば部としたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項７】
上面にレーザ発振用の一方と他方の光学素子をそれぞれ装備した一方と他方の素子キャリアを設けると共に、当該各素子キャリアを相互に突き合わせて当接し固着して前記一方と他方の光学素子を光学的に連結し、これによって形成される半導体レーザであって、
前記各素子キャリアの当接面の少なくとも両側端面に、前記各素子キャリアの当接時に当該当接面積を拡大した状態に設定すると共に切除可能に構成されたつば部を前記各素子キャリアに一体的に設けたことを特徴とする光レーザモジュール用半導体レーザ。
【請求項８】
上面にレーザ発振用の一方の光学素子である光増幅器を保持する一方の素子キャリアと同じく上面にレーザ発振用の他方の光学素子である光導波路を保持する他方の素子キャリアとを設ける素子キャリア準備工程と、前記各光学素子の光軸を一致させて当該各光学素子を光学的に連結し半導体レーザを構成するために前記各素子キャリアを当接し相互に接着剤にて固着する半導体レーザ組立工程とを備えた半導体レーザモジュール組立方法において、
前記素子キャリア準備工程の前工程として、前記各素子キャリアの当接面の少なくとも両側端面に前記各素子キャリアの当接時に当該当接面積を拡大した状態に設定するつば部を前記各素子キャリアに一体的に形成するつば部形成工程を設け、
前記半導体レーザ組立工程の後工程として、前記固着され一体化された素子キャリアから前記つば部を切除するつば部切除工程を設けたことを特徴とする半導体レーザモジュール組立方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザモジュール等に係り、特に光増幅器と光導波路とにより共振器構造を形成して成る半導体レーザモジュール、半導体レーザ、およびその組立方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信システムの高速・大容量化に伴い、光半導体レーザモジュール、光受光モジュール等の光通信モジュールは、ますます小型化されてきている。それに伴い、半導体レーザや光フィルタ、光学レンズ等の光素子も小型化が進んでいる。
【０００３】
かかる状況下にあって、光素子を実装する際には、光素子から光を放出または透過させながら最適位置に光軸を調芯する方法（以下「アクティブ調芯」と呼ぶ）が一般に広く用いられている。アクティブ調芯をする場合、キャリアと呼ばれるセラミック板上に光素子を固定し、キャリアをＸ，Ｙ，Ｚの三軸位置およびθＸ，θＹ，θＺの３角度が最適になるように移動させながら光軸を調芯していくという手法が採られている。
【０００４】
光素子として、光増幅器と光導波路間で外部共振器構造を形成する外部共振器レーザモジュールの場合、結合損失を抑え所望の光出力を得えると共に反射を抑えて安定したレーザ発振を得るために、高精度なアクティブ調芯が必要となる。更に、通常のモジュールでは光学素子類を気密パッケージに封入して使うため、前述したような外部共振器レーザでは、高精度にアクティブ調芯した状態で光学系を固定しておく必要がある。
【０００５】
そこで、固定時の軸ずれおよび角度ずれによる結合損失増加を抑えるため、ＹＡＧレーザによる固定よりも高精度に固定できる接着剤固定を行うことが多い。ここで、上述した説明では光増幅器と光導波路との組合せを用いたが、この組合せに限るものではなく、レーザ素子と導波路素子との結合間をアクティブ調芯するような場合にも適用できる。
【０００６】
図８に、上記外部共振器構造の半導体レーザモジュール１００の従来例を示す。この従来例では、光増幅器５１と光導波路５３とで共振器構造を形成し、これによって半導体レーザ５０が構成されている。そして、この場合には、高精度にアクティブ調芯した状態で光学系を固定する必要がある。このため、固定時の光軸ずれが少ない接着剤固定を行うことが多い。つまり、この図８に示す半導体レーザモジュール１００では、光増幅器５１および光導波路５３を個別に保持する素子キャリア５２，５４相互間を最適な位置に調芯し、かつ突き当てた状態で当該素子キャリア５２，５４相互間を接着剤により固定するように構成されている。図９はこの突き当てた状態で接着剤により固定された状態を示す。符号５５は、素子キャリア５２，５４相互間の当接部を示す。
【０００７】
又、上記図８に示すように、素子キャリア５２，５４は冷却機能を備えたペルチェクーラ５６上に装備されており、前述した光増幅器５１と光導波路５３の温度を例えば１／１００〔℃〕のレベルで温度制御が成されるようになっている。又、光増幅器５１から出力されるレーザ光は、光学系５８を介して外部の光ファイバー５７に向けて出力されるようになっている。ここで、光学系５８は、前記光増幅器５１を保持する素子キャリア５２上に固定装備された第１のマイクロレンズ５８Ａと、前記光ファイバー５７を連結する接栓部５９の内部に装備された第２のマイクロレンズ５８Ｂとを有する構成となっている。
【０００８】
更にこの図８において、符号６０はケース本体を示す。このケース本体６０の上面に密封用の蓋が装備されている。符号６０ａは、ケース本体６０の前記接栓部５９に対応して設けられた貫通穴で、第１乃至第２のマイクロレンズ５８Ａ，５８Ｂ相互間のレーザ通路用の空間を構成する。
ここで、第１のマイクロレンズ５８Ａは、光増幅器５１１から放出されるレーザ光をコリメートするものである。このコリメート光は、第２のマイクロレンズ５８Ｂにて集光され、光ファイバ５７へ入射される。ペルチェクーラ５６はモジュール全体を温度制御するものであり、これにより安定したレーザ発振が確保されている。
【０００９】
次に、上述した図８の従来例とは別に、本発明にかかる技術内容に近い従来公知の光結合装置（特許文献１〜２）について説明する。
特許文献１に示す従来例は、半導体レーザと光ファイバーとを光導波路を用いて光結合させるもので、ファイバーを保持する部分をＬ字状保持部材（硬質部材）の立ち上がり部と一体に成形し、Ｌ字状保持部材の底部をその端部から中央部に向けて光導波路用の切除部を設ける。そして、この切除部に光導波路を配設し固着すると共にこの光導波路の端部側に半導体レーザを装着すると共に、光導波路上に前記半導体レーザの活性層と前記光ファイバーとを光結合するコアを設け、これを光導波路モジュールとした点に特徴を有する。
【００１０】
又、特許文献２に示す公知例は、光導波路を介して光ファイバー同志を結合する場合に一方と他方の各光ファイバーの端部に光導波路用のブロック（光導波路ブロック）を装着し、この光導波路ブロックを光導波路を介してＹＡＧレーザにより部分的に溶着して一体化するように構成し、これを光ファイバーの結合構造とした点に特徴を有する。
【特許文献１】特開２００３−５７４６７号
【特許文献２】特開平５−２１００２６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述した図８に示す従来例にあっては、素子キャリア５２と素子キャリア５４とを最適な位置に調芯し、かつ突き当てた状態で接着剤により固定するようになっている。このため、突き当てる力が弱いと、２つの素子キャリアの接着面同士が密着しないため最適調芯ができないばかりでなく、接着剤の厚さにバラつきが出るので固定後の光軸ズレが発生する場合が生じ、これがため突き当てる力を強くする必要性がある。
しかしながら、素子キャリアの突き当て面の面積が狭いと、突き当てる際に、突き当て面同士が僅かでも平行ではない場合には、突き当て面内の一点又は一辺を支点として曲がり方向の応力が発生してしまい、突き当てる力を強くするほど曲がり方向にずれてしまうので最適調芯ができない。
【００１２】
例えば、図１０に示すように、光素子である光増幅器５１と光導波路５３と同等の１〜２〔ｍｍ〕程度の小さな素子キャリア５２，５４を用いると、突き当て時に曲がり方向の応力の影響を受けて傾いてしまうので、結合損失が増加し所望の光出力が得られなかったり、端面での反射が増加して安定した発振状態が得られないという事態が発生する。記号αはこの場合の傾き角度を示す。又、接触面積の大きな素子キャリアを用いて曲がり方向の応力を緩和しようとすると、それに伴い素子キャリアのサイズが大きくなるため、それを封入するパッケージサイズも大きくなり、モジュールの小型化に適さないという問題が生じる。
【００１３】
又、上述した特許文献１に示す従来例では、半導体レーザを保持する光導波路の側面全体を更にＬ字状保持部材（硬質部材）で保持する構造となっていることから、光導波路の側面にＬ字状保持部材が大きく配設されることとなり、装置の耐久性は強化されているものの装置全体が大型化し、汎用性に欠けるという不都合がある。
更に、上述した特許文献２に示す従来例では、光導波路を介して光ファイバー同志を結合する場合、光導波路を介して比較的大きい当接面を備えた光導波路ブロックが一方と他方に配設され各光導波路ブロックと光導波路とがＹＡＧレーザにて部分的に溶着され一体化するように構成されていることから、装置全体が大型化し汎用性に欠けるばかりでなく、溶着部分の耐久性に難点があるという不都合がある。
【００１４】
〔発明の目的〕
本発明は、上述した従来例の有する不都合を改善し、特に、二つの素子キャリアを突き当てて接着剤固定する際の当接面のずれを有効に排除し、これによって二つの素子キャリアの当接面における曲がり方向の応力を緩和し且つ当該二つの素子キャリアを突き当てて円滑に接着固定し得る小型化された光レーザモジュール、およびその組立方法を提供することを、その目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明にかかる半導体レーザモジュールは、上面にレーザ発振用の一方の光学素子を装備した一方の素子キャリアと同じく上面にレーザ発振用の他方の光学素子を装備した他方の素子キャリアを設けると共に、この各素子キャリア相互間を相互に当接し固着して前記一方と他方の光学素子を光学的に連結し、これによって形成されたレーザ光を発振する半導体レーザを備え、予め装備された光ファイバーに対して光学系を介して前記レーザ光を送り込むように構成された半導体レーザモジュールであって、前述した各素子キャリア相互の当接面における両側端面に、当該各素子キャリアの当接時に当該当接面積を拡大した状態に設定すると共に切除可能に構成されたつば部を、前記各素子キャリアに一体的に設けたことを特徴とする（請求項１乃至５）。
【００１６】
このため、これによると、つば部の備えている本来的な当接面拡張機能により二つの素子キャリアを突き当てて接着剤固定する際の当接面の面積が従来例に比較して大幅に大きくなり、これがため、当該当接時に発生し易い当接面内のずれ等を有効に抑制することができ、これによって二つの素子キャリアの当接面における曲がり方向の応力の発生を有効に抑制されることから、当該二つの素子キャリアを突き当てて円滑に接着固定し得ることができ、更に、前述したつば部についてはこれを切除可能としたので、当該二つの素子キャリアのケース本体内への組み込みに際してはつば部を切除することにより、前述した従来例の場合と同様に小型化を維持することができるという利点がある。
【００１７】
ここで、前述した各素子キャリアには、当該各素子キャリアを一体的に冷却する冷却手段を併設してもよい（請求項２）。
これにより、安定したレーザ発振が確保することができる。
【００１８】
又、前述したつば部を、前記各素子キャリアの測端面を掴むように厚板状で且つコ字状に形成してもよい（請求項３）。又、このコ字状に形成されたつば部は、外部に対する当接面が前記素子キャリアの外部に対する当接面と同一面を構成するようにしてもよい（請求項４）。更に、このつば部は、前記素子キャリアとの連結側の厚さがその外周側の厚さよりも一様に薄く形成した構成としてもよい（請求項５）。
又、前述したコ字状に形成されたつば部に代えて、当該つば部の形状を当接面が平坦面を成し且つ断面がＬ字状で全体的には角柱状に形成されたつば部としたものであってもよい（請求項６）。
【００１９】
また、上記目的を達成するため、本発明にかかる光レーザモジュール用半導体レーザは、上面にレーザ発振用の一方と他方の光学素子をそれぞれ装備した一方と他方の素子キャリアを設けると共に、当該各素子キャリアを相互に突き合わせて当接し固着して前記一方と他方の光学素子を光学的に連結し、これによって形成される半導体レーザであって、前記各素子キャリアの当接面の少なくとも両側端面に、前記各素子キャリアの当接時に当該当接面積を拡大した状態に設定すると共に切除可能に構成されたつば部を前記各素子キャリアに一体的に設けたことを特徴とする（請求項７）。
【００２０】
このため、これによると、つば部の作用により二つの素子キャリアを突き当てて接着剤固定する際の当接面の面積が従来例に比較して大幅に大きく機能し、これがため、当該当接時に発生し易い当接面内のずれ等を有効に抑制することができ、当該二つの素子キャリアを突き当てて円滑に接着固定し得ることができ、耐久性良好な光レーザモジュール用半導体レーザが得られる。
【００２１】
更に、上記目的を達成するため、本発明にかかる半導体レーザモジュール組立方法は、上面にレーザ発振用の一方の光学素子である光増幅器を保持する一方の素子キャリアと同じく上面にレーザ発振用の他方の光学素子である光導波路を保持する他方の素子キャリアとを設ける素子キャリア準備工程と、前記各光学素子の光軸を一致させて当該各光学素子を光学的に連結し半導体レーザを構成するために前記各素子キャリアを当接し相互に接着剤にて固着する半導体レーザ組立工程とを備えている。
そして、前述した素子キャリア準備工程の前工程として、前記各素子キャリアの当接面の少なくとも両側端面に前記各素子キャリアの当接時に当該当接面積を拡大した状態に設定するつば部を前記各素子キャリアに一体的に形成するつば部形成工程を設け、更に、前述した半導体レーザ組立工程の後工程として、前記固着され一体化された素子キャリアから前記つば部を削除するつば部切除工程を設けたことを特徴とする（請求項８）。
【００２２】
このため、これによると、半導体レーザ組立工程では、つば部の作用により二つの素子キャリアを突き当てて接着剤固定する際の当接面の面積が従来例に比較して大幅に大きく機能し、これがため、当該当接時に発生し易い当接面内のずれ等を有効に抑制することができ、当該二つの素子キャリアを突き当てて円滑に接着固定し得ることができ、つば部削除工程により二つの素子キャリアからつば部を切除してモジュール内に組み込むことから、素子実装に必要な部分のみを残すことができ、素子キャリアの大きさを小さくすることで、光モジュール全体の小型化を行うことが可能となっている。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は以上のように構成され機能するので、これによると、つば部を上述したように装備したので、二つの素子キャリアを突き当てて接着剤固定する際の当接面の面積が従来例に比較して大幅に大きくなっており、これがため、当該当接面内のずれを有効に排除することができ、これによって二つの素子キャリアの当接面における曲がり方向の応力が有効に緩和され且つ当該二つの素子キャリアを突き当てて円滑に接着固定し得ることができ、更に、前述したつば部についてはこれを有効に切除可能としたので、かかる点においてつば部を装備する構成であるにもかかわらず前述した従来例の場合と同様に小型化を維持することができるという従来にない優れた効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の一実施形態を、図１乃至図７に基づいて説明する。ここで、前述した従来例と同一の構成部材については同一の符号を用いるものとする。
【００２５】
（全体構成）
図１に、光増幅器５１と光導波路５３の二つの光素子によって構成された半導体レーザ５０を備えた光レーザモジュール（半導体レーザモジュール）１０を示す。この場合、半導体レーザ５０は、光増幅器５１と光導波路５３の間で共振器構造をとり、レーザ発振を得る外部共振器レーザであるため、光増幅器５１と光導波路５３の間は高精度な実装が必要となる。光増幅器５１と素子キャリア１２の間は半田固定されている。また、光導波路５３と素子キャリア１４の間も同様に半田固定されている。
【００２６】
素子キャリア１２および素子キャリア１４は両側につば部１２Ａ，１２Ｂ；１４Ａ，１４Ｂが設けてあり、突き当てる部分の面積が広くなっている。また、つば部１２Ａ，１２Ｂ；１４Ａ，１４Ｂには全体的に切りかけとしての切除部１２Ａｂ，１２Ｂｂが形成されていて、接着組立後には切断して除去し易い形状となっている。
【００２７】
以下、これを更に詳述する。
図１に示すように、本実施形態における半導体レーザモジュール１０は、上面にレーザ発振用の一方の光学素子である光増幅器５１を装備した一方の素子キャリア１２と，同じく上面にレーザ発振用の他方の光学素子である光導波路５３を装備した他方の素子キャリア１４を有すると共に、この各素子キャリア１２，１４はその相互間が相互に当接されて接着剤にて固着され、前記各光学素子５１，５３が光学的に連結される。そして、これにより、当該素子キャリア１２，１４上に、レーザ光を発振する半導体レーザ５０が組み立てられ装備された状態となっている。この半導体レーザ５０の出力は、予め装備された光ファイバー５７に対し、光学系５８を介して出力されるようになっている。
【００２８】
又、前述した各素子キャリア１２，１４には、当該各素子キャリア１２，１４を一体的に冷却する冷却手段としてのペルチェクーラ５６が併設されている。これにより、モジュール全体を対象として有効に温度制御がなされ、安定したレーザ発振が確保されるようになっている。
【００２９】
前述した各素子キャリア１２，１４の相互の当接面５５における両側端面には、図２乃至図４に示すように、当該各素子キャリア１２，１４の当接時に当該当接面積を拡大した状態に設定すると共に切除可能に構成されたつば部１２Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４Ｂが、前述した各素子キャリア１２，１４に一体的に装着されている。前述した図１では、このつば部１２Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４Ｂが切除されたあとの残部（１２Ｂ）（１４Ａ）が図示されている。後述する図５についても同様である。
【００３０】
図２に、前述した各素子キャリア１２，１４を相互に当接し接着剤で接着した状態を示す。又、図３に接着剤で接着された状態の各素子キャリア１２，１４部分の平面図を示す。この図３では、つば部１２Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４Ｂ部分は横断面された状態が図示されている。更に、この図３の記号Ａから見た正面図を図４（１）に示し、図３のＢ−Ｂ線に沿った断面図（接着前の端面図）を図４（２）に示す。
又、図４（３）には、つば部１２Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４Ｂ部分を切除した場合の一例を示す。図５は、この図４（３）の斜視図を示す。
【００３１】
前述した各つば部１２Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４Ｂは、前述した各素子キャリア１２，１４の測端面を掴むように形成された厚板状で全体的にはコ字状に形成され、それぞれ当接面が全体的に平坦面を成している。図４（２）に、当該各つば部１２Ａ，１２Ｂの当接面１２Ａａ，１２Ｂａを示す。そして、この各つば部１２Ａ，１２Ｂの当接面１２Ａａ，１２Ｂａは、前述した素子キャリア１２の当接面１２ａと同一面を形成している。これにより、素子キャリア１２の当接面１２ａが実質的に大きく拡張された状態となっている。
【００３２】
前述した各つば部１４Ａ，１４Ｂの当接面も、前記各つば部１２Ａ，１２Ｂの場合と同様に構成され前述した素子キャリア１４の当接面と同一面を形成している。そして、これにより、素子キャリア１４の当接面１４ａが前述した素子キャリア１２の当接面１２ａに対応して実質的に大きく拡張された状態となっている。
【００３３】
前述した各つば部１２Ａ，１２Ｂの前記当接面１２Ａａ，１２Ｂａの裏側で且つ前記素子キャリア１２に連接した領域に、前記素子キャリア１２に沿って一様に切りかけとしての切除部１２Ａｂ，１２Ｂｂが設けられている。即ち、この各つば部１２Ａ，１２Ｂには、上述した切除部１２Ａｂ，１２Ｂｂによって前記素子キャリア１２との連結側の厚さがその外周側の厚さよりも一様に薄く形成されている。これにより、前述した素子キャリア１２，１４の相互間の当接組立後に、当該各つば部１２Ａ，１２Ｂを切除し易い形状となっている。
【００３４】
前述した各つば部１４Ａ，１４Ｂについても、上記各つば部１２Ａ，１２Ｂと同様に切除部１４Ａｂ，１４Ｂｂを有して構成され、前述した素子キャリア１２，１４の当接組立後に、当該各つば部１４Ａ，１４Ｂを切除し易い形状となっている。
その他の構成およびその作用効果は、前述した従来例と同一となっている。
【００３５】
（組立方法）
次に、上記実施形態における素子キャリア１２，１４の当接組立方法（半導体レーザ５０の設定）について説明する。
【００３６】
まず、上面にレーザ発振用の一方の光学素子である光増幅器５１を保持する一方の素子キャリア５２と、同じく上面にレーザ発振用の他方の光学素子である光導波路５２を保持する他方の素子キャリア５４とを予め形成し準備する（素子キャリア準備工程）。次に、前述した各光学素子５１，５３の光軸を一致させて当該各光学素子を光学的に連結し半導体レーザ５０を構成するために、前記各素子キャリア１２，１４を、後述するつば部１２Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４Ｂと共に対応させて当接し相互に接着剤にて固着する（半導体レーザ組立工程）。
【００３７】
この半導体レーザ組立工程にあっては、具体的には、図示しない組立装置を使用しながら、素子キャリア１２と素子キャリア１４とをＸ，Ｙ，Ｚの三軸位置およびθＸ，θＹ，θＺの３角度が最適になるように移動させつつ光軸を調芯していき、各素子キャリア１２，１４の当接面１２ａ，１４ａを相互に突き当てて接着剤固定が実行される。この場合、後述するつば部１２Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４Ｂも、同時に各キャリア１２，１４の当接面１２ａ，１４ａと一体になって当接機能を実行する。
ここで、本実施形態では、前述した素子キャリア準備工程の前工程を設け、この前工程で、各素子キャリア１２，１４の当接面１２ａ，１４ａの両側端面（同一面上に）に前記各素子キャリアの当接時に当該当接面積を拡大した状態に設定するつば部１２Ａ，１２Ｂ；１４Ａ，１４Ｂが前記各素子キャリア１２，１４に一体的に形成されている（つば部形成工程）。
【００３８】
これにより、各キャリア１２，１４の当接面１２ａ，１４ａが拡張された状態となり、これがため、ずれ等の発生があってもその影響が有効に緩和され、安定した状態で当接され且つ接着される。
即ち、前述した従来例では、素子キャリア１２，１４の当接面１２ａ，１４ａ（突き当て面）の面積が狭いと、突き当てる際に、突き当て面同士が僅かでも平行ではない場合には、突き当て面内の一点又は一辺を支点として曲がり方向の応力が発生してしまい、突き当てる力を強くするほど曲がり方向にずれてしまうという不都合が生じていたが、この実施形態では、つば部１２Ａ，１２Ｂ；１４Ａ，１４Ｂが有効に機能して素子キャリア１２，１４の当接面１２ａ，１４ａが実質的に拡張された状態となり、これがため上記不都合を有効に改善することが可能となっている。
【００３９】
そして、前述した半導体レーザ組立工程の後工程として、前述したつば部形成工程で固着され一体化された素子キャリア１２，１４から前記つば部１２Ａ，１２Ｂ；１４Ａ，１４Ｂを切除する工程（つば部切除工程）が設けられている。図４（３）に、つば部１２Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４Ｂが切除された後の図を示す。又、図５はこの図４（３）の斜視図である。このつば部切除工程によってつば部１２Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４Ｂが取り除かれた素子キャリア１２，１４が、図１に示すうように前述したペルチェクーラ５６と共に前述したケース本体６０内に設置されるようになっている。
【００４０】
このように、本実施形態にあっては、二つの素子キャリア１２，１４を突き当てて接着剤固定する際の突き当て面内の一点または一辺を支点とする曲がり方向の応力を前述したつば部１２Ａ，１２Ｂ；１４Ａ，１４Ｂによる当接面拡張機能によって有効に緩和することができ、且つ二つの素子キャリア１２，１４の突き当て接着剤固定後は、当該つば部１２Ａ，１２Ｂ；１４Ａ，１４Ｂを切除するようにしたので、小型実装が可能な素子キャリアを実現することができる。
【００４１】
そして、この場合に成されるＸ，Ｙ，Ｚの三軸位置およびθＸ，θＹ，θＺの３角度が最適になるように移動させながら光軸を調芯してゆくが、このＺ方向に素子キャリアを突き当てて接着剤固定を行う際、二つの素子キャリア１２，１４相互の接触面積が上述したようにつば部１２Ａ，１２Ｂ；１４Ａ，１４Ｂによって実質的に広くなっていることにより、突き当て面内の一点または一辺を支点とする曲がり方向の応力を緩和すること、また、接着剤の厚さを均一にすることができるため最適に光軸調芯された位置での固定が可能となるため、結合損失の増加と端面の反射を抑えることができ、所望の光出力と安定したレーザ発振を得ることができる。
【００４２】
また、図４のように接着固定後につば部１２Ａ，１２Ｂ；１４Ａ，１４Ｂの切りかけ部分から切断するようにすると、ケース本体６０内への装備に際しては素子実装に必要な部分のみを残すことができ、その結果、素子キャリア１２，１４の大きさを小さくすることで、光モジュール全体の小型化が可能となる。
【００４３】
（他の実施形態）
図６乃至図７にこれを示す。ここで、前述した図１乃至図５にかかる実施形態と同一の構成部材については同一の符号を用いるものとする。
【００４４】
この図６乃至図７に示す他の実施形態は、つば部２２Ａ，２２Ｂ；２４Ａ，２４Ｂは、各当接面２２Ａａ，２２Ｂａ；２４Ａａ，２４Ｂａがそれぞれ平坦面を成し且つその断面がＬ字状を成し、そして全体的には角柱状に成す形状となっている。
又、断面Ｌ字状に形成されたこのつば部２２Ａ，２２Ｂ；２４Ａ，２４Ｂは、外部に対する当接面が前記素子キャリア１２，１４の外部に対する当接面１２ａ，１４ａと同一面を構成している。
【００４５】
同時に、このつば部２２Ａ，２２Ｂ；２４Ａ，２４Ｂは、前述した素子キャリア１２，１４との連結側の厚さがその外側に位置する厚さよりも一様に薄く形成されている。即ち、四角柱状の一部を切除して断面Ｌ字状とし、これによって素子キャリア１２，１４との連結側の厚さがその外周側の厚さよりも一様に薄く形成されたものと同等の構成となっている。このため、この各つば部２２Ａ，２２Ｂ；２４Ａ，２４Ｂは、前述した図１乃至図５にかかる実施形態における各つば部１２Ａ，１２Ｂ；１４Ａ，１４Ｂの場合と同様に、素子キャリア１２，１４側が切除し易い状態となっている。
【００４６】
図６に、この他の実施形態における各素子キャリア１２，１４を相互に当接し接着剤で接着した状態の平面図を示す。この図６の記号Ｅから見た正面図を図７（１）に示し、図６のＥ−Ｅ線に沿った断面図（接着前の端面図）を図７（２）に示す。
又、図７（３）にはつば部１２Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４Ｂ部分を切除した場合の一例を示す。この図６（３）の斜視図は、この他の実施形態おいても、前述した図１乃至図５の実施形態の場合と同様に、図５の斜視図と全く同一となる。
【００４７】
この図６乃至図７における素子キャリア１２，１４と各つば部２２Ａ，２２Ｂ；２４Ａ，２４Ｂとの対応関係およびその動作機能は、前述した図３乃至図４場合と全く同一である。その他の構成およびその作用効果は、前述した図１乃至図５にかかる実施形態と同一となっている。
このため、この図６乃至図７に示す他の実施形態にあっても前述した実施形態図１乃至図５にかかる実施形態と同一の作用効果を有するほか、更に各つば部２２Ａ，２２Ｂ；２４Ａ，２４Ｂを角柱状に形成した生産性および取り扱いが良好なものとなり、かかる点で原価低減を図り得るという利点がある。
【００４８】
このように、上述した各実施形態にあっては、つば部１２Ａ，１２Ｂ；１４Ａ，１４Ｂ（２２Ａ，２２Ｂ；２４Ａ，２４Ｂ）を上述したように装備したので、二つの素子キャリア１２，１４を突き当てて接着剤固定する際の当接面１２ａ，１２ａの面積が従来例に比較して実質的に大きく拡張された状態となっており、これがため、当該当接面１２ａ，１２ａ内のずれを有効に抑制することができ、これによって二つの素子キャリア１２，１４の当接面１２ａ，１４ａにおける曲がり方向の応力が有効に緩和され且つ当該二つの素子キャリア１２，１４を突き当てて円滑に接着固定し得ることができる。
【００４９】
更に、前述したつば部１２Ａ，１２Ｂ；１４Ａ，１４Ｂについてはこれを容易に切除可能としたので、かかる点においてつば部１２Ａ，１２Ｂ；１４Ａ，１４Ｂを装備した構造のものを使用したにもかかわらず前述した従来例の場合と同様に小型化を維持することができるという従来にない優れた半導体レーザモジュール、半導体レーザ、およびその組立方法を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】図１内に開示されつば部と共に二つの素子キャリアの当接接合状態を示す概略斜視図である。
【図３】図３の一部断面した平面図である。
【図４】図３に開示した二つの素子キャリアとそのつば部の当接状態を示す説明図で、図４（１）は図３の二つの素子キャリアを符号Ａからみた場合の正面図、図４（２）は図３のＢ−Ｂ線に沿った断面図（接合前の端面図）、図４（３）は図３に開示した二つの素子キャリアの当接後につば部を切除した場合を状態を示す正面図である。
【図５】図４（３）に開示した正面図にかかる図で、つば部が切除した状態の当接された二つの素子キャリアを示す斜視図である。
【図６】図３に開示したつば部の他の例を示す平面図である。
【図７】図６に開示した二つの素子キャリアとそのつば部の当接状態を示す説明図で、図７（１）は図６の二つの素子キャリアを符号Ｅからみた場合の正面図、図７（２）は図６のＦ−Ｆ線に沿った断面図（接合前の端面図）、図７（３）は図６に開示した二つの素子キャリアの当接後につば部を切除した場合を状態を示す正面図である。
【図８】従来例を示す概略説明図である。
【図９】図８内に装備された二つの素子キャリア部分を示す概略斜視図である。
【図１０】図９に示す実施例の接合時における不都合の例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
１２，１４  素子キャリア
１２ａ，１４ａ  素子キャリアの平坦面
１２Ａ，１２Ｂ，１４Ａ，１４Ｂ  つば部
１２Ａａ，１２Ｂａ，１４Ａａ，１４Ｂａ  つば部の平坦面
１２Ａｂ，１２Ｂｂ，１４Ａｂ，１４Ｂｂ  切りかけ（切除部）
２２Ａ，２２Ｂ，２４Ａ，２４Ｂ  つば部
２２Ａａ，２２Ｂａ，２４Ａａ，２４Ｂａ  つば部の平坦面
５０  半導体レーザ
５１  光増幅器
５３  光導波路
５６  ペルチェクーラ（冷却手段）
５７  光ファイバ
５８  光学系
５８Ａ  光学レンズ
５８Ｂ  光学レンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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