(57)【要約】【課題】ボトムエミッション型有機ＥＬ装置で、収容する乾燥材による発光表示部の損傷を無くし、長寿命で高輝度、高コントラストの優れた表示特性を持つ有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】封止基板１の内面に配置した乾燥材組立体４を乾燥材６の表面から突出する緩衝部材７を備えた構成とした。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板の主面に配置された下部電極と、この下部電極上に配置された多層構造の有機ＥＬ層と、この有機ＥＬ層の上層に配置された上部電極と、この上部電極と所定の間隔を隔てて対向配置された乾燥材組立体と、この乾燥材組立体を保持し前記素子基板と対向配置された封止基板と、この封止基板と前記素子基板とを接合するシール材とを備え、前記下部電極側から光を放出する構成の有機ＥＬ表示素子を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記乾燥材組立体は乾燥材表面から前記上部電極側に突出した緩衝部材を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記緩衝部材は略球状を呈し前記乾燥材表面に点在していることを特徴とする前記請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記緩衝部材はシート状で前記乾燥材表面が露呈する多数の開口を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記緩衝部材は略円柱状を呈しこの円柱の長手方向を前記乾燥材表面に略平行に点在配置していることを特徴とする前記請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記有機ＥＬ層は、電子輸送層、発光層、ホール輸送層及びホール注入層を備えた構成であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記封止基板は前記乾燥材組立体を収容する掘り込みを有することを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に係り、特にボトムエミッション型有機ＥＬ表示素子を備えた有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネル型の表示装置として液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電界放出型表示装置（ＦＥＤ）、有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）などが実用化ないしは実用化研究段階にある。中でも、有機ＥＬ表示装置は薄型・軽量の自発光型表示装置の典型としてこれからの表示装置として極めて有望な表示装置である。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置には、所謂ボトムエミッション型とトップエミッション型とが知られている。ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、ＴＦＴ基板を構成するガラス基板を好適とする素子基板の主面に、下部電極又は一方の電極としての透明電極（ＩＴＯ等）、電界の印加で発光する多層の有機膜（有機発光層とも言う）、上部電極または他方の電極としての反射性の金属電極を順次積層した発光機構で有機ＥＬ素子が構成される。
この有機ＥＬ素子をマトリクス状に多数配列し、それらの積層構造を覆って封止缶と称する封止基板或いは封止膜を設け、前記素子基板と封止基板との周縁部をシール材でシールし上記発光構造を外部の雰囲気から遮断している。
そして、例えば金属電極の上部電極を陽極とし、透明な電極の下部電極を陰極として両者の間に電界を印加することで有機多層膜にキャリア（電子と正孔）が注入され、該有機多層膜が発光する。この発光を素子基板側から外部に出射する構成となっている。
【０００４】
この種の有機ＥＬ表示装置は、図１０にその一例を示すように封止基板７１と素子基板７２とをシール材７３でシールする構成が採られている。ここで図１０は有機ＥＬ表示装置の一例の光出射方向に平行方向の模式断面図である。この図１０の構成で、前記封止基板８１の素子基板８２と対面する内面には掘り込み８１ａが設けられ、この掘り込み８１ａ内に乾燥材組立体８４が固定されている。この乾燥材組立体８４は例えばＣａＯ（酸化カルシュウム）やＳｒ（ストロンチウム）等からなる乾燥材８６と例えば粘着剤等の接合部材８７からなり、この接合部材８７で前記封止基板８１に固着して保持する構成となっている。
一方、素子基板８２の主面、すなわち前記封止基板８１と対面し図示しないＴＦＴ素子等を形成した面には、発光素子部８５が配置されている。この発光素子部８５は素子基板８２側から透明な下部電極８８、発光層を持つ有機多層膜８９及び反射性の金属膜からなる上部電極９０を順次積層した構成となっている。
【０００５】
このような構成において、乾燥材組立体８４は前記有機多層膜８９の吸水による性能低下を阻止するため組み込まれている。このため、前記乾燥材８６の表面は広い面積を呈することが望ましく、表面は凹凸が存在する。
又、乾燥材組立体８４の体積を増やして吸水性能を高くするため前記掘り込み８１ａが利用されるが、この部分の基板板厚さは他の部分より薄くなる傾向にある。
【０００６】
この種の有機ＥＬ表示装置に関し、特許文献１では乾燥剤の特性、乾燥剤の取り付け等に関する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１５４２２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述した有機ＥＬ表示装置では、その製造工程中に基板外面に例えば偏向板を貼り付ける工程等では外部から基板を加圧する作業が行われ、加圧時基板が変形して乾燥材と発光素子部とが接触し、発光素子部を損傷して表示特性を劣化させる問題があった。
この問題は大型装置では顕著となる恐れがある。
【０００８】
本発明の目的は、上述した問題を解決し、長寿命で高輝度、高コントラストの優れた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明は有機ＥＬ層上に配置される上部電極に対面して配置される前記乾燥材組立体が乾燥材表面から前記上部電極側に突出した緩衝部材を有する構成としたものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は乾燥材組立体の上部電極に対面する表面に緩衝部材を有する構成としたことにより、前記乾燥材組立体により前記上部電極を損傷する恐れがなく、乾燥材組立体の体積を増やして吸水性能を長期に亘り良好に保持でき、長寿命で高輝度、高コントラストの優れた表示特性を持つ有機ＥＬ表示装置を確保できる。又、乾燥材組立体を収容する掘り込みを配置することが容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１乃至図５は、本発明の有機ＥＬ表示装置の一実施例の概略構造を説明する模式図で、図１は光出射方向に平行方向の断面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図、図３は図２のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図、図４は図１の発光素子側の断面図、図５は有機ＥＬ層の拡大断面図である。
図１乃至図５において、参照符号１は例えばガラス材からなる封止基板、２は素子基板、３はシール材で、このシール材３で前記封止基板１と素子基板２とを接合している。４は乾燥材組立体、５は発光素子部、６は乾燥材、７は緩衝部材、８は接合部材である。
前記素子基板２は、主面に窒化シリコンＳｉＮ２１、酸化シリコンＳｉＯ２  膜２２を成膜した透明なガラスを好適とする基板であり、前記したＴＦＴ基板となるものである。この酸化シリコンＳｉＯ２  膜の上のスイッチング素子領域に半導体膜のパターニングでファーストゲート２３が形成されている。ファーストゲート２３を覆ってゲート絶縁膜２４が形成され、ゲート絶縁膜２４の上にセカンドゲート２５がパターニングされ、さらにその上を覆って絶縁性の平坦化膜２６が成膜されている。
配線２７はスイッチング素子のドレイン電極となるスイッチング素子間の配線（スイッチ間配線、信号配線、ドレイン配線）、又、配線２８はソース電極でかつスイッチング素子間の配線兼シールド部材（スイッチ間配線兼シールド部材）を示し、平坦化膜２６とゲート絶縁膜２４を貫通するコンタクトホールを通してファーストゲート２３に接続されている。スイッチ間配線２７とスイッチ間配線兼シールド部材２８を覆って絶縁膜２９が成膜されている。この絶縁膜２９に設けたコンタクトホールを通してスイッチ間配線兼シールド部材２８に接続する平板状の下部電極５２が発光エリアに延びている。ここでは、下部電極５２はカソード電極である。３０はＴＦＴ基板である。
【００１３】
乾燥材組立体４は前述したような材料からなる乾燥材６と、球状、網状、棒状、シート状等の形状を呈するポリマー、テフロン（テフロンは登録商標）繊維、ゼオライト等からなる緩衝部材７及び粘着材等からなる接合部材８を備えた構成で、前記緩衝部材７の小球７１を乾燥材６の一方の表面から突出して配置し、他方に接合部材８を備え、この接合部材８で封止基板１と固定された構成である。点在する複数の小球７１を除く間隙部７２は乾燥材６が露呈された構成となっている。
この実施例１の構成は、例えば乾燥材６表面に緩衝部材７の小球７１を吹き付け、溶剤を除去して形成する。小球７１の寸法は例えば５０〜２００μｍ程度であれば緩衝効果を発現出来る。
【００１４】
発光素子部５は、素子基板２の主面に前記乾燥材組立体４と対向配置されている。この発光素子部５は、前記素子基板２の前記絶縁膜２９上に下部電極５２を配置し、前記絶縁膜２９に設けたコンタクトホールを通してこの下部電極５２とスイッチ間配線兼シールド部材２８とを接続している。ここでは、前述したように下部電極５２はカソード電極である。
【００１５】
この下部電極５２上に有機ＥＬ層５１、反射特性を持つ上部電極５３及び突堤状のバンク５４が配置され、バンク５４で囲まれた部位が発光エリアを形成している。このバンク５４は例えば酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の無機絶縁材料で構成されおり、発光エリアに開口部（バンク開口）を有する形状とされている。したがって、バンク５４はその開口部に凹みを有した形状となっている。有機ＥＬ層５１はＸ方向及びＹ方向にマトリクス状に配置されている。
【００１６】
前記有機ＥＬ層５１はその一例の詳細を図５に示す。図５に示す有機ＥＬ層５１は、下部電極５２に接して電子輸送層５１ａが配置され、その上に順次発光層５１ｂ、ホール輸送層５１ｃ、ホール注入層５１ｄがそれぞれ積層され、最上層には上部電極５３が形成されている。
【００１７】
この実施例１による有機ＥＬ表示装置は、小球７１を点在させて発光表示部５の損傷を防止すると共に、間隙部７２を広く配置したことで乾燥材６の性能を十分に発現出来る特徴を備えている。
【実施例２】
【００１８】
図６は本発明の有機ＥＬ表示装置の他の実施例の概略構造を説明するための図３に対応する模式図断面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。
【００１９】
図６において、接合部材８で封止基板に固定された乾燥材組立体４は乾燥材６の表面に多数のポリマービーズ７３を点在してバインダーで固定した構成である。ビーズ７３の大きさは例えば５０〜２００μｍ程度であれば緩衝効果を発現出来る。
【００２０】
この実施例２による有機ＥＬ表示装置は、乾燥材６の表面にビーズ７３の均等配置が容易であり、更に乾燥材６の性能を十分に発現出来る特徴を備えている。
【実施例３】
【００２１】
図７及び図８は本発明の有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の概略構造を説明するための模式図で、図７は図２に対応する平面図、図８は図７のＣ−Ｃ線に沿った断面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。
【００２２】
図７及び図８において、封止基板１の内面に掘り込み１ａを設け、この掘り込み１ａ内に後述する構造の乾燥材組立体４を配置固定した構成である。この乾燥材組立体４は、緩衝部材７を複数本の細棒７４としたもので、この細棒７４を乾燥材６の表面に固定配置したもので、この乾燥材組立体４を接合部材８で前記掘り込み１ａ内に配置固定したものである。細棒７４の寸法は前述した例えば５０〜２００μｍ程度の径で、長さは発光部の寸法等により適宜決定される。
【００２３】
この実施例３による有機ＥＬ表示装置は、細棒７４を点在させて発光表示部５の損傷を防止すると共に、間隙部７２を広く配置したことで乾燥材６の性能を十分に発現出来る特徴を備えている。
【実施例４】
【００２４】
図９（ａ）、（ｂ）は本発明の有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例の概略構造を説明するための模式図で、図９（ａ）は平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）の側面図で、前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。
【００２５】
図９（ａ）、（ｂ）において、乾燥材組立体４は緩衝部材７として網状体７５を用いた構成である。この網状体７５の厚さは前述した例えば５０〜２００μｍ程度であれば緩衝効果を発現出来る。この網状体７５を乾燥材６の表面に配置し、乾燥材６の裏面に配置した接合部材８で図示しない封止基板に固定配置したものである。
【００２６】
この実施例４による有機ＥＬ表示装置は、緩衝部材７として網状体７５を用いたことにより乾燥材組立体の形成が容易となり、更に網目間の開口により乾燥材６の性能を十分に発現出来る特徴を備えている。
【００２７】
ここで前述の実施例では乾燥材と緩衝部材とを層別して表示したが、緩衝部材が乾燥材より発光表示部側に突出した構成であれば、乾燥材の形状によっては緩衝部材と混在する構成でも良い事は勿論である。
【００２８】
又、前述ではアクティブタイプの例示としたが、パッシブタイプにも同様に適用できる事は勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置の一実施例の概略構造を説明する模式断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ線に沿った模式断面図である。
【図４】図１の発光素子側の模式断面図である。
【図５】図１の有機ＥＬ層の模式断面図である。
【図６】本発明の有機ＥＬ表示装置の他の実施例を説明する模式断面図である。
【図７】本発明の有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例を説明する模式平面図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ線に沿った模式断面図である。
【図９】本発明の有機ＥＬ表示装置の更に他の実施例を説明する図で、図９（ａ）は模式平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）の模式側面図である。
【図１０】従来の有機ＥＬ表示装置の模式断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１・・・封止基板、２・・・素子基板、３・・・シール材、４・・・乾燥材組立体、５・・・発光素子部、６・・・乾燥材、７・・・緩衝部材、８・・・接合部材、２３・・・ファーストゲート、２４・・・ゲート絶縁膜、２５・・・セカンドゲート、２６・・・平坦化膜、２７、２８・・・スイッチング素子間の配線、２９・・・絶縁膜、３０・・・絶縁基板（ＴＦＴ基板）、５１・・・有機ＥＬ層、５２・・・下部電極、５３・・・上部電極、５４・・・バンク、７１、７３、７４，７５・・・緩衝部材、７２・・・間隙部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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