(57)【要約】【課題】半導体パッケージ内の複数の半導体素子の結線数を増やし、なおかつ電気特性と熱伝導性を向上させ、さらに基板を連結部で折り曲げることによる、金ワイヤの接合部への応力を緩和するものである。【解決手段】積層した第1の半導体素子１２および第２の半導体素子１３と、立体配線基板の各配線基板９を折り曲げることによって垂直に連結した複数の配線基板９とを金ワイヤ６で直接結線する。所定の配線基板９に金属板またはセラミック板からなる板材１７を張り合わせて高い電気特性と高い放熱性を得る。さらに、金ワイヤ６同士が近接せず電気的相互干渉の影響を低下させる。また、金ワイヤ６の接合部１５へ絶縁性樹脂１４を塗布し、折り曲げによる応力を緩和する。【選択図】図１１
2008078164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線基板を相互に折り曲げ自在に連結してなり、内部に底面と側面を有する容器形状に組み立てた立体配線基板と、前記底面をなす配線基板の主面に配置した半導体素子と、前記半導体素子のパッドと前記底面および前記側面をなす配線基板のボンディングパッドとを結線するワイヤと、前記底面と前記側面に囲まれた内部空間に充填して硬化させた封止樹脂とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記底面と前記側面との相互間に形成する内角が垂直または鈍角をなすことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記パッドと前記ワイヤの接合部、および前記ボンディングパッドと前記ワイヤの接合部を被覆して硬化した絶縁性樹脂を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
複数の配線基板の表面を被覆するとともに前記表面に接着した柔軟シートを備え、前記柔軟シートが配線基板の相互間を柔軟に折り曲げ可能に連結する連結部材をなすことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記柔軟シートがフレキシブル配線基板であり、前記フレキシブル配線基板と前記配線基板が内部配線において相互に接続していることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
隣接し合う前記配線基板の双方の前記ボンディングパッドを結線するワイヤを備え、隣接し合う前記配線基板が相互に前記ワイヤで電気的に接続していることを特徴とする請求項１または５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記立体配線基板の側面をなす少なくとも１枚の前記配線基板の裏面に金属板またはセラミック板からなる板材を貼り合わせたことを特徴とする請求項１または５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記配線基板が裏面に前記板材と電気的に接続するボンディングパッドを有することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
容器形状に組み立て可能な立体配線基板が複数の配線基板を相互に折り曲げ自在に連結してなり、前記容器形状の底面をなす前記配線基板の主面に半導体素子を実装する工程と、前記容器形状の底面および側面をなす配線基板のボンディングパッドと前記半導体素子のパッドとをワイヤで結線する工程と、隣接する前記配線基板を連結部で相互に折り曲げて前記立体配線基板を前記容器形状に組み立てる工程と、前記容器形状をなす前記立体配線基板の底面と側面に囲まれた内部空間に封止樹脂を充填して硬化させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
隣接する前記配線基板を前記連結部で折り曲げることにより、前記ワイヤで接続した前記半導体素子の前記パッドと前記配線基板の前記ボンディングパッドとを、その相互間に形成する内角が垂直または鈍角をなす位置関係に配置する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記パッドと前記ワイヤの接合部、および前記ボンディングパッドと前記ワイヤの接合部を絶縁性樹脂で被覆して硬化させる工程を含み、前記配線基板を前記連結部で折り曲げるときに前記接合部に発生する応力を緩和することを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置とその製造方法に関し、複数の半導体素子をワイヤボンディングで接続して３次元的に実装する半導体パッケージ技術に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の半導体素子を三次元的に実装する半導体パッケージ（以下においては３次元半導体パッケージと呼称する）の製造方法としては、例えば図１２から図１５に示すものがある。図１２（ａ）は従来の３次元半導体パッケージの製造に用いる基板の平面図、１２（ｂ）は同基板の側面図である。図１３（ａ）は半導体素子を搭載した従来の基板の平面図、図１３（ｂ）は同基板の側面図である。図１４（ａ）は従来の３次元半導体パッケージの組み立て工程を示す側面図、図１４（ｂ）は同３次元半導体パッケージの封止樹脂注入工程を示す側面図である。図１５（ａ）は従来の３次元半導体パッケージの側面図、図１５（ｂ）は同３次元半導体パッケージの斜視図である。
【０００３】
図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、３次元半導体パッケージの製造に用いる基板は、ボンディングパッド１を形成した複数の成形用基板２を所定形状に配列してなり、各成形用基板２の相互間は屈曲できる程度の柔軟性を有する部材によって連結している。ボンディングパッド１と成形用基板２はその相互間が容易に剥離するように材料を設定している。成形用基板２の１つには封止樹脂注入孔３を設けている。
【０００４】
図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、所定の成形用基板２の上にそれぞれ半導体素子４を配置し、半導体素子４のパッド５と成形用基板２のボンディングパッド１とを金ワイヤ６で接続する。
【０００５】
この接続には、半導体素子４のパッド５と当該半導体素子４を配置した成形用基板２のボンディングパッド１とを接続するものと、半導体素子４のパッド５と当該半導体素子４を配置した成形用基板２に隣接する成形用基板２のボンディングパッド１とを接続するものがある。
【０００６】
図１４（ａ）に示すように、隣接する配線基板２を接続部で屈曲させて、全体として立方体になるように組み立てる。図１４（ｂ）に示すように、立法体に組み立てた複数の成形用基板２で囲んだ内部空間に封止樹脂注入孔３から封止樹脂８を注入し、複数の成形用基板２で囲まれた内部空間に封止樹脂８を充填して熱硬化させる。
【０００７】
図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示すように、封止樹脂８が硬化した後に、全ての成形用基板２を除去することで、半導体素子４と金ワイヤ６とボンディングパッド１だけを封止した半導体パッケージが完成する。
【０００８】
前述したように、ボンディングパッド１と成形用基板２は容易に剥離できるように予め選定した材料からなるので、成形用基板２を除去する際には、ボンディングパッド１と金ワイヤ６が破断することなくボンディングパッド１が成形用基板２から容易に剥離し、ボンディングパッド１は封止樹脂８の内部に残って３次元半導体パッケージの外部端子として機能する。この様な従来の３次元半導体パッケージは、例えば、特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００１−３０８１１９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記の３次元半導体パッケージの構造では、複数の半導体素子の各パッドに対して金ワイヤで結線したボンディングパッドのみが外部端子として機能するために、信号電極の必要数の増加に対して対応できないという問題があった。
【００１０】
また、封止樹脂が複数の半導体素子を内包するが、各半導体素子の発熱に対して、その放熱経路は主に封止樹脂層を介した空気への熱伝導だけであり、熱伝導性が低いという問題があった。
【００１１】
また、各成形用基板を連結部で折り曲げることにより、金ワイヤの接合部に応力が発生することも課題であった。
本発明は上記の従来の問題点を解決した半導体装置とその製造方法を提供するものであり、３次元半導体パッケージ内の結線数（回路数）を増加させることで信号電極の必要数の増加に対応し、電気特性を向上させるとともに、放熱性も向上させ、さらに金ワイヤの接合部に生じる応力を緩和することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明の半導体装置は、複数の配線基板を相互に折り曲げ自在に連結してなり、内部に底面と側面を有する容器形状に組み立てた立体配線基板と、前記底面をなす配線基板の主面に配置した半導体素子と、前記半導体素子のパッドと前記底面および前記側面をなす配線基板のボンディングパッドとを結線するワイヤと、前記底面と前記側面に囲まれた内部空間に充填して硬化させた封止樹脂とを備えることを特徴とする。
【００１３】
この構成により、１つの半導体素子を複数の配線基板に金ワイヤで直接結線することができる。このため、高密度な半導体素子の集積による信号電極の必要数や結線数の増加に、対応できるという効果を奏するものである。
【００１４】
また、前記底面と前記側面との相互間に形成する内角が垂直または鈍角をなすことを特徴とする。
この構成により、底面をなす配線基板のボンディングパッドと側面をなす配線基板のボンディングパッドとが立体的な位置関係に配置される。よって、半導体素子のパッドと底面をなす配線基板のボンディングパッドとを結線するワイヤおよび半導体素子のパッドと側面をなす配線基板のボンディングパッドとを結線するワイヤは、その相互間に十分な距離があり、信号の高速化により生じる電気的相互干渉の影響を低下させることができる。特に複数の半導体素子を積層する構造においては有効な構造である。
【００１５】
また、前記パッドと前記ワイヤの接合部、および前記ボンディングパッドと前記ワイヤの接合部を被覆して硬化した絶縁性樹脂を備えることを特徴とする。
この構成により、隣接し合う配線基板を連結部で相互に折り曲げるときに、接続部に発生する応力を緩和させることができる。
【００１６】
また、複数の配線基板の表面を被覆するとともに前記表面に接着した柔軟シートを備え、前記柔軟シートが配線基板の相互間を柔軟に折り曲げ可能に連結する連結部材をなすことを特徴とする。
【００１７】
この構成により、前記柔軟シートが連結部材をなすことで配線基板の相互間を柔軟に折り曲げ可能に連結する構成が容易に実現できる。この柔軟シートには配線がなくとも良く、隣接し合う配線基板間を相互にワイヤで接続することで配線基板間の電気的な接続が実現できる。このため、連結部材としてフレキシブル配線基板を使用する場合よりも低コストで複数の配線基板の連結が可能となる。
【００１８】
また、前記柔軟シートがフレキシブル配線基板であり、前記フレキシブル配線基板と前記配線基板が内部配線において相互に接続していることを特徴とする。
この構成により、半導体素子のパッドと各配線基板のボンディングパッドとを接続するワイヤの結線に加えて、フレキシブル配線基板により配線基板の相互間を電気的に接続することができる。よって、高密度な半導体素子の集積に起因して信号電極の必要数や結線数が増加しても、十分に対応できる。
【００１９】
また、隣接し合う前記配線基板の双方の前記ボンディングパッドを結線するワイヤを備え、隣接し合う前記配線基板が相互に前記ワイヤで電気的に接続していることを特徴とする。
【００２０】
この構成により、配線基板の相互間を電気的に接続する結線がフレキシブル配線基板以外の手段であるワイヤによっても実現することができ、配線基板の相互間における結線を増やすことができる。
【００２１】
また、前記立体配線基板の側面をなす少なくとも１枚の前記配線基板の裏面に金属板またはセラミック板からなる板材を貼り合わせたことを特徴とする。
この構成により、半導体素子の発熱に対して高い放熱性をもつことができる。
【００２２】
また、前記配線基板が裏面に前記板材と電気的に接続するボンディングパッドを有することを特徴とする。
この構成により、金属板またはセラミック板からなる板材が配線基板のグラウンドのボンディングパッドと接続した場合に、板材がグラウンドとなって半導体パッケージの電気特性の向上や、他の実装部品との電気的相互干渉を低減させる効果を奏する。
【００２３】
本発明の半導体装置の製造方法は、容器形状に組み立て可能な立体配線基板が複数の配線基板を相互に折り曲げ自在に連結してなり、前記容器形状の底面をなす前記配線基板の主面に半導体素子を実装する工程と、前記容器形状の底面および側面をなす配線基板のボンディングパッドと前記半導体素子のパッドとをワイヤで結線する工程と、隣接する前記配線基板を連結部で相互に折り曲げて前記立体配線基板を前記容器形状に組み立てる工程と、前記容器形状をなす前記立体配線基板の底面と側面に囲まれた内部空間に封止樹脂を充填して硬化させる工程とを含むことを特徴とする。
【００２４】
また、隣接する前記配線基板を前記連結部で折り曲げることにより、前記ワイヤで接続した前記半導体素子の前記パッドと前記配線基板の前記ボンディングパッドとを、その相互間に形成する内角が垂直または鈍角をなす位置関係に配置する工程を含むことを特徴とする。
【００２５】
また、前記パッドと前記ワイヤの接合部、および前記ボンディングパッドと前記ワイヤの接合部を絶縁性樹脂で被覆して硬化させる工程を含み、前記配線基板を前記連結部で折り曲げるときに前記接合部に発生する応力を緩和することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明では、１つの半導体素子と複数の配線基板とを金ワイヤで直接結線することができる。そのため、高密度な半導体素子の集積による信号電極の必要数や結線数の増加に対応できるという効果を奏する。複数の配線基板に金属板またはセラミック板を張り合わせて金属板またはセラミック板に囲まれた中に半導体素子を内包することで、半導体素子の発熱に対して高い放熱性の効果を奏する。さらに、金属板またはセラミック板を配線基板のグラウンドに結線することで半導体パッケージの電気特性の向上や、他の実装部品との電気的相互干渉を低減する効果も奏する。複数の半導体素子を垂直方向に積層したスタックパッケージとした場合には、上下の半導体素子に結線する金ワイヤ同士が近接しない構成となる。そのため、信号の高速化によって生じる電気的相互干渉の影響が低下するという効果も奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
（実施例１）
以下、本発明の実施例１における半導体パッケージについて図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施例１における３次元半導体パッケージの断面図を示す。図２（ａ）は同実施例１における立体配線基板の平面図、図２（ｂ）は同立体配線基板の側面図である。図３（ａ）は同実施例１における半導体素子を搭載した立体配線基板を示す平面図、図３（ｂ）同立体配線基板の側面図である。図４（ａ）は同実施例１における立体配線基板の折り曲げ工程の途中を示す側面図、図４（ｂ）は同立体配線基板の折り曲げ工程の完了を示す側面図である。図５は同実施例１における立体配線基板に封止樹脂をモールドした状態を示す断面図である。図６は同実施例１における立体配線基板にはんだボールを搭載した状態を示す断面図である。
【００２８】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、立体配線基板Ｓはベース層をなす複数の配線基板９を所定形状に配列し、表層をなすフレキシブル配線基板１０で複数の配線基板９を被覆しており、各配線基板９の相互間がフレキシブル配線基板１０を連結部材として連結されている。
【００２９】
立体配線基板Ｓは各配線基板９の相対向する辺間が連結部７をなし、連結部７において各配線基板９の間が柔軟に折り曲げ可能である。各配線基板９はフレキシブル配線基板１０と電気的に接続し、複数の配線基板９はフレキシブル配線基板１０を介して相互に電気的に接続している。
【００３０】
フレキシブル配線基板１０の絶縁材料は屈曲性の高いポリイミド、ガラスエポキシや不織布などを用いる。不織布はガラス繊維、合成繊維などにエポキシ樹脂などを浸透させて作ったものである。また配線材は銅などである。
【００３１】
各配線基板９はフレキシブル配線基板１０の表面にボンディングパッド１を形成しており、銅からなるボンディングパッド１の表面には金、ニッケルめっきなどを施している。
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、フレキシブル配線基板１０を介した配線基板９の主面１１の上に第１の半導体素子１２と第２の半導体素子１３を積層する。立体配線基板Ｓと第１の半導体素子１２と第２の半導体素子１３は、その接触面において絶縁性接着剤で接着する。
【００３２】
第１の半導体素子１２と第２の半導体素子１３はパッド５を上に向けた状態で搭載する。第１の半導体素子１２および第２の半導体素子１３のパッド５はアルミからなる。第２の半導体素子１３はその形状を第１の半導体素子１２よりも小さく設定することで、第１の半導体素子１２のパッド５を露出させてワイヤボンディングを可能にする。
【００３３】
第１の半導体素子１２のパッド５は第１の半導体素子１２を搭載した配線基板９のボンディングパッド１と金ワイヤ６で接続する。第２の半導体素子１３のパッド５は第２の半導体素子１３を搭載した配線基板９と連結部７を介して隣接する配線基板９のボンディングパッド１と金ワイヤ６で接続する。
【００３４】
このとき、第１の半導体素子１２および第２の半導体素子１３を搭載した配線基板９のボンディングパッド１と、この配線基板９と連結部７を介して隣接する配線基板９のボンディングパッド１とを金ワイヤ６で接続してもよい。これにより、隣接する配線基板９どうしの結線数を増加させる効果がある。
【００３５】
第２の半導体素子１３のパッド５と金ワイヤ６との接合部１４、および配線基板９のボンディングパッド１と金ワイヤ６との接合部１４に対して絶縁性樹脂１５を被覆して硬化させる。これは、配線基板９を次工程において連結部７で折り曲げるときに接合部１４に生じる応力を緩和するために行う。絶縁性樹脂１５の硬化は熱硬貨、あるいは紫外線などの光硬化により行う。
【００３６】
次に、図４（ａ）に示すように、第１の半導体素子１２と第２の半導体素子１３を搭載した配線基板９と周囲の隣接する配線基板９とを連結部７で折り曲げる。この際に、複数の配線基板９にわたって被覆したフレキシブル配線基板１０が連結部材をなすことで、立体配線基板Ｓは連結部７において各配線基板９を柔軟に折り曲げることができる。
【００３７】
図４（ｂ）に示すように、第１の半導体素子１２と第２の半導体素子１３を搭載した配線基板９と周囲の隣接する配線基板９とはその相互間に形成する内角が垂直または鈍角をなす位置関係に配置することで、複数の配線基板９に囲まれた内部空間を形成するとともに、配線基板９のボンディングパッド１の位置関係を所定状態に設定する。
【００３８】
この際に、第２の半導体素子１３のパッド５と金ワイヤ６との接合部１４、配線基板９上のボンディングパッド１と金ワイヤ６との接合部１４に対しては絶縁性樹脂１５を被覆して接合強度を向上しているので、配線基板９を連結部７で折り曲げても接合部１４への応力を緩和させる効果がある。
【００３９】
次に、図５に示すように、複数の配線基板９に囲まれた内部空間に封止樹脂８を充填して熱硬化させる。
最後に図６に示すように、第１の半導体素子１２と第２の半導体素子１３を搭載した配線基板９の裏面１６に外部端子をなすはんだボール１７を搭載してパッケージが完成する。
【００４０】
以上のように、本発明に係る実施例１の３次元半導体パッケージは、特徴的な構成として、複数の半導体素子、ここでは第１の半導体素子１２および第２の半導体素子１３を囲んで複数の配線基板９を立体的に配置している。このため、各半導体素子１２、１３は、それぞれ複数の配線基板９と直接に金ワイヤ６で結線することができる。
【００４１】
さらに、各配線基板９の相互間をフレキシブル配線基板１０で電気的に接続している。このため、各半導体素子１２、１３のパッド５と各配線基板９のボンディングパッド１とを接続する金ワイヤ６の結線（回路）に加えて、フレキシブル配線基板１０により配線基板９の相互間を接続することができ、さらに配線基板９およびフレキシブル配線基板１０の内部配線がボンディングパッド１と外部端子をなすはんだボール１７との間の結線（回路）をなすので、高密度な半導体素子の集積に起因して信号電極の必要数や結線数が増加しても、十分に対応できる作用効果を奏する。
【００４２】
さらに、第１の半導体素子１２を搭載した配線基板９のボンディングパッド１と第１の半導体素子１２のパッド５とを金ワイヤ６で結線し、第１の半導体素子１２に積層した第２の半導体素子１３を囲んで立体的に配置した配線基板９のボンディングパッド１と第２の半導体素子１３のパッド５とを金ワイヤ６で結線しているので、第１の半導体素子１２の金ワイヤ６と第２の半導体素子１３の金ワイヤ６間には構造的に十分な距離が形成される。よって、信号の高速化によって生じる電気的相互干渉の影響を低下させることができる。
（実施例２）
以下、本発明の実施例２における半導体パッケージについて図面を参照しながら説明する。図７は本発明の実施例２における３次元半導体パッケージの断面図を示す。図８（ａ）は同実施例２における立体配線基板の平面図、図８（ｂ）は同立体配線基板の側面図である。図９（ａ）は同実施例２における半導体素子を搭載した立体配線基板を示す平面図、図９（ｂ）は同立体配線基板の側面図である。図１０は同実施例２における立体配線基板に封止樹脂をモールドした状態を示す断面図である。図１１は同実施例２における立体配線基板にはんだボールを搭載した半導体パッケージの完成状態を示す断面図である。なお、実施例１の構成要素と同様の構成要素をなすものについては、同一符号を付しその説明を省略する。
【００４３】
図８に示すように、実施例２の立体配線基板Ｓが実施例１ものと異なる第１の相違点は、所定の配線基板９に金属板またはセラミック板からなる板材１８を貼り合わせていることにある。この板材１８に金属板を用いる場合には、表面をレジストコートした銅やアルミなどの熱伝導率の高い材料を用いる。
【００４４】
さらに、第２の相違点は、板材１８を設ける配線基板９が裏面１６にもボンディングパッド（図示省略）を有しており、配線基板９の裏面１６に板材１８を導電性接着材１９で貼り合わせており、板材１８と配線基板９の裏面１６のボンディングパッド（図示省略）とが電気的に接続している。
【００４５】
したがって、配線基板９の裏面１６のボンディングパッド（図示省略）をグラウンドに設定している場合には、板材１８はグラウンド面となり、半導体パッケージの電気特性の向上や、他の実装部品との電気的相互干渉を低減する効果を奏する。
【００４６】
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、配線基板９はフレキシブル配線基板１０の表面にボンディングパッド１を形成しており、フレキシブル配線基板１０を介した配線基板９の主面１１の上に第１の半導体素子１２と第２の半導体素子１３を積層する。立体配線基板Ｓと第１の半導体素子１２と第２の半導体素子１３は、その接触面において絶縁性接着剤で接着する。
【００４７】
第１の半導体素子１２のパッド５は第１の半導体素子１２を搭載した配線基板９のボンディングパッド１と金ワイヤ６で接続する。第２の半導体素子１３のパッド５は第２の半導体素子１３を搭載した配線基板９と連結部７を介して隣接する配線基板９のボンディングパッド１と金ワイヤ６で接続する。
【００４８】
第２の半導体素子１３のパッド５と金ワイヤ６との接合部１４、および配線基板９のボンディングパッド１と金ワイヤ６との接合部１４に対して絶縁性樹脂１５を被覆して硬化させる。絶縁性樹脂１５の硬化は熱硬化、あるいは紫外線などの光硬化により行う。
【００４９】
次に、図１０に示すように、第１の半導体素子１２と第２の半導体素子１３を搭載した配線基板９と周囲の隣接する配線基板９とを連結部７で垂直に折り曲げる。
この際に、第２の半導体素子１３のパッド５と金ワイヤ６との接合部１４、配線基板９上のボンディングパッド１と金ワイヤ６との接合部１４に対しては絶縁性樹脂１５を被覆して接合強度を向上しているので、配線基板９を連結部７で折り曲げても接合部１４への応力を緩和させる効果がある。
【００５０】
次に、図１１に示すように、複数の配線基板９に囲まれた内部空間に封止樹脂８を充填して熱硬化させる。最後に、第１の半導体素子１２と第２の半導体素子１３を搭載した配線基板９の裏面１６に外部端子をなすはんだボール１７を搭載してパッケージが完成する。
【００５１】
この構成により、実施例１と同様に、各半導体素子１２、１３は、それぞれ複数の配線基板９と直接に金ワイヤ６で結線することができる。さらに、各半導体素子１２、１３のパッド５と各配線基板９のボンディングパッド１とを接続する金ワイヤ６の結線（回路）に加えて、配線基板９およびフレキシブル配線基板１０の内部配線がボンディングパッド１と外部端子をなすはんだボール１７との間の結線（回路）をなすので、高密度な半導体素子の集積に起因して信号電極の必要数や結線数が増加しても、十分に対応できる作用効果を奏する。
【００５２】
さらに、連結部７で折り曲げられた配線基板９には、金属板またはセラミック板からなる板材１８を張り合わせているので、この板材１８が放熱板として機能し、第１の半導体素子１２、第２の半導体素子１３の発熱時に半導体パッケージの側面から放熱できる。
【００５３】
また、上述したように、配線基板９の裏面１６のボンディングパッド（図示省略）をグラウンドに設定する場合には、板材１８がグラウンド面となって半導体パッケージの電気特性の向上や、他の実装部品との電気的相互干渉を低減する効果を奏する。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明の３次元半導体パッケージは、信号電極の必要数の増加に対応できる能力と、高い放熱性をもち、信号の高速化により発生する電気的相互干渉の影響を低下させる効果があるので、高密度な半導体素子を必要とする電子機器に搭載する３次元半導体パッケージとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施例１における３次元半導体パッケージの断面図
【図２】（ａ）は同実施例１における立体配線基板の平面図、（ｂ）は同立体配線基板の側面図
【図３】（ａ）は同実施例１における半導体素子を搭載した立体配線基板を示す平面図、（ｂ）は同立体配線基板の側面図
【図４】（ａ）は同実施例１における立体配線基板の折り曲げ工程の途中を示す側面図、（ｂ）は同立体配線基板の折り曲げ工程の完了を示す側面図
【図５】同実施例１における立体配線基板に封止樹脂をモールドした状態を示す断面図
【図６】同実施例１における立体配線基板にはんだボールを搭載した状態を示す断面図
【図７】本発明の実施例２における３次元半導体パッケージの断面図
【図８】（ａ）は同実施例２における立体配線基板の平面図、（ｂ）は同立体配線基板の側面図
【図９】（ａ）は同実施例２における半導体素子を搭載した立体配線基板を示す平面図、（ｂ）は同基板の側面図
【図１０】同実施例２における立体配線基板に封止樹脂をモールドした状態を示す断面図
【図１１】同実施例２における立体配線基板にはんだボールを搭載した半導体パッケージの完成状態を示す断面図
【図１２】（ａ）は従来の３次元半導体パッケージの製造に用いる基板の平面図、（ｂ）は同基板の側面図
【図１３】（ａ）は半導体素子を搭載した従来の基板の平面図、（ｂ）は同基板の側面図
【図１４】（ａ）は従来の３次元半導体パッケージの組み立て工程を示す側面図、（ｂ）は同３次元半導体パッケージの封止樹脂注入工程を示す側面図
【図１５】（ａ）は従来の３次元半導体パッケージの側面図、（ｂ）は同３次元半導体パッケージの斜視図
【符号の説明】
【００５６】
Ｓ    立体配線基板
１    ボンディングパッド
２    成形用基板
３    封止樹脂注入孔
４    半導体素子
５    パッド
６    金ワイヤ
７    連結部
８    封止樹脂
９    配線基板
１０    フレキシブル配線基板
１１    主面
１２    第１の半導体素子
１３    第２の半導体素子
１４    接合部
１５    絶縁性樹脂
１６    裏面
１７    はんだボール
１８    板材
１９    導電性接着材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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