(57)【要約】【課題】機械的強度が高く、反射性が良好な光輝性膜を提供する。また、制御性の良い光輝性膜の製造方法を提供する。【解決手段】光輝性膜２２においてアイランド状に形成された光反射性を有する金属層３，６，８，…と光透過性を有する電気絶縁層４，７，８，…とを積層する。また、該光輝性膜２２をスパッタリング法によって製造する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイランド状に形成された光反射性を有する金属層と光透過性を有する電気絶縁層とが積層されたことを特徴とする光輝性膜。
【請求項２】
前記金属層がＩｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｐｂ，Ｍｇのうち、少なくとも一以上の元素から構成されていることを特徴とする請求項１記載の光輝性膜。
【請求項３】
前記電気絶縁層がＳｉまたは、Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｚｎのうち少なくとも一以上の酸化物、窒化物もしくは酸窒化物で構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光輝性膜。
【請求項４】
前記金属層の厚さが２００Å以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光輝性膜。
【請求項５】
前記電気絶縁層の厚さが１０Å以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光輝性膜。
【請求項６】
前記金属層および前記電気絶縁層が交互に複数積層されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光輝性膜。
【請求項７】
光反射性を有する金属材料からなる第１ターゲットと、光透過性を有する電気絶縁材料からなる第２ターゲットとを、筒型の基材ホルダにおける周方向の異なる位置であって前記基材ホルダの表面から離間させて配置し、
前記基材ホルダの表面に基材を固定し、前記基材ホルダを中心軸の周りに回転させつつ、前記基材ホルダと前記第１ターゲットとの間に設けられた第１シャッターと、前記基材ホルダと前記第２ターゲットとの間に設けられた第２シャッターとを開閉させて、スパッタリングを行うことにより、
前記基材上に、前記金属材料からなるアイランド状の金属層と、前記電気絶縁材料からなる電気絶縁層とを、交互に積層形成することを特徴とする光輝性膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光輝性膜および光輝性膜の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
モバイル機器のマイクロ波透過筐体や、自動車部品レーダー透過エンブレムなどには、メタリックな色調を有し、かつ電気的には絶縁体として機能する（ミリ波やマイクロ波を透過させる）薄膜材料である光輝性膜が利用されている。この光輝性膜は、例えばＩｎ，Ｓｎ等の低融点材料を、例えば蒸着法により樹脂やフィルム等の基材にアイランド状に成膜することで、上述の機能を発現させるものである（例えば、特許文献１および２参照）。このとき、Ｉｎ，Ｓｎ等の金属層の厚さが、通常２００Å以上になると連続膜になり、不導体特性が消失する。
【特許文献１】特開２００４−２６３２１６号公報
【特許文献２】特開２００３−２５２１３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の光輝性膜は、金属層の厚さを２００Å以下の非常に薄い膜にする必要があるため、基材上に形成された金属膜の機械的強度が低く、スクラッチ痕等が容易に発生し、審美的外観・意匠性が損なわれるという問題があった。また、金属層の厚さが薄く不連続であるため、光学的にも十分な反射が得られないという問題があった。
【０００４】
そこで、本発明は、機械的強度が高く、反射性が良好な光輝性膜を提供するものである。さらには、制御性の良い光輝性膜の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するために、本発明に係る光輝性膜は、アイランド状に形成された光反射性を有する金属層と光透過性を有する電気絶縁層とが積層されたことを特徴とする。
このように構成することで、電気絶縁層により金属層を保護することができる。また、電気絶縁層に光を透過させ、金属層によって反射させるとともに、電気絶縁層の表面によっても光を反射させ、反射性を向上させることができる。したがって、機械的強度が高く、反射性が良好な光輝性膜を得ることができる。
【０００６】
また、本発明は、前記金属層がＩｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｐｂ，Ｍｇのうち、少なくとも一以上の元素から構成されていることを特徴とする。
このように構成することで、基材上に反射性の良いメタリックな色調の金属層を得ることができるとともに、これらの低融点の金属元素を用いることで金属層をアイランド状に形成することが容易になる。したがって、反射性が良好で金属層が不導体特性を備えた光輝性膜を得ることができる。
【０００７】
また、本発明は、前記電気絶縁層がＳｉまたは、Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｚｎのうち少なくとも一以上の酸化物、窒化物もしくは酸窒化物で構成されていることを特徴とする。
このように構成することで、金属層の保護に必要な硬度を有し、光透過性を備えた電気絶縁層を形成することができる。したがって、光輝性膜の反射性および機械的強度を向上させることができる。
【０００８】
また、本発明は、前記金属層の厚さが２００Å以下であることを特徴とする。
このように構成することで、金属層の成膜時に金属層が連続膜となることを防止することができる。したがって、不導体特性を備えた光輝性膜を得ることができる。
また、本発明は、前記電気絶縁層の厚さが１０Å以上であることを特徴とする。
このように構成することで、電気絶縁層により金属層間の絶縁性を確保することができる。また、電気絶縁層の硬度を上昇させて金属層を効果的に保護することができる。したがって、光輝性膜の不導体特性を維持し、かつ機械的強度を向上させることができる。
【０００９】
また、本発明は、前記金属層および前記電気絶縁層が交互に複数積層されていることを特徴とする。
このように構成することで積層した状態の複数の金属層および電気絶縁層により光を反射させることができる。また、金属層と電気絶縁層とを交互に複数積層させることで電気絶縁性を確保しつつ、光輝性膜の膜厚を厚くして硬度を上げることができる。したがって、機械的強度が高く、反射性が良好な光輝性膜を得ることができる。
【００１０】
また、本方法発明は、光反射性を有する金属材料からなる第１ターゲットと、光透過性を有する電気絶縁材料からなる第２ターゲットとを、筒型の基材ホルダにおける周方向の異なる位置であって前記基材ホルダの表面から離間させて配置し、前記基材ホルダの表面に基材を固定し、前記基材ホルダを中心軸の周りに回転させつつ、前記基材ホルダと前記第１ターゲットとの間に設けられた第１シャッターと、前記基材ホルダと前記第２ターゲットとの間に設けられた第２シャッターとを開閉させて、スパッタリングを行うことにより、前記基材上に、前記金属材料からなるアイランド状の金属層と、前記電気絶縁材料からなる電気絶縁層とを、交互に積層形成することを特徴とする。
このように製造することで、スパッタリングのパワーとシャッターの開閉時間によって膜厚を制御することができる。したがって、例えば蒸着法等の従来の方法と比較して、膜厚の制御性を良くすることができる。また、金属層および電気絶縁層が交互に複数積層された光輝性膜を、容易に製造することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、電気絶縁層により金属層を保護することができる。また、電気絶縁層に光を透過させ、金属層によって反射させるとともに、電気絶縁層の表面によっても光を反射させ、反射性を向上させることができる。したがって、機械的強度が高く、反射性が良好な光輝性膜を得ることができる。
【００１２】
また、本方法発明によれば、スパッタリングのパワーとシャッターの開閉時間によって膜厚を制御することができる。したがって、例えば蒸着法等の従来の方法と比較して、膜厚の制御性を良くすることができる。さらに、金属層および電気絶縁層が交互に複数積層された光輝性膜を、容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は本発明の実施の形態の第１の金属層３の断面図である。図１に示すように、光輝性膜１０は、例えば、ポリカーボネート、ＡＢＳ、ＰＥＴ等の透明で耐候性を有するプラスチック製の基材１の表面に形成されている。なお基材１の表面に、例えばアクリル樹脂等により平坦化処理が施されていてもよい。
基材１の表面には、光反射性を有する金属部２が間隔を開けてアイランド状に複数形成されている。ここで、金属部２は、メタリックな色調を備え、反射性が良好で、融点の低い金属材料により形成されていることが望ましい。したがって、金属部２は、例えばＩｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｐｂ，Ｍｇのうち、少なくとも一以上の元素から構成されていることが望ましい。このアイランド状の金属部２は、基材１表面の全面に渡って均一に形成され、基材１上に第１の金属層３を形成している。
【００１４】
図２は基材１上に第１の金属層３としてＳｎを異なる厚さＴ１で形成したときの膜厚（Å）と第１の金属層３の抵抗値（シート抵抗Ω／□）の関係を示すグラフである。
図２に示すように、Ｓｎの膜厚Ｔ１が２００Å以下のときは、電気抵抗値は測定範囲外（１０５Ω／□以上）である。しかし、Ｓｎの膜厚Ｔ１が２００Åを超えると、電気抵抗値は急激に低下し、第１の金属層３の不導体特性を維持することが不可能である。
また、Ｓｎの膜厚Ｔ１が２００Å以下のときに、第１の金属層３は、図１に示すように間隔を開けてアイランド状に形成された金属部２によって構成されている。
したがって、図１に示す金属層３の厚さＴ１は２００Å以下とすることが望ましい。また、金属層の厚さＴ１の下限は、例えば金属層の反射性および機械的強度等を考慮して適宜決定するものとする。
【００１５】
図３は図１の金属層３に電気絶縁層４を積層させた光輝性膜２０の断面図である。
図３に示すように、基材１上に形成された第１の金属層３を構成する金属部２を覆うように、光透過性を有する第１の電気絶縁層４が積層されている。ここで、電気絶縁層４は、電気絶縁性と光透過性を備え、金属層３を保護することができる硬度を備えた材料によって形成されている。したがって、電気絶縁層４は、例えばＳｉまたはＳｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｚｎのうち少なくとも一以上の酸化物、窒化物もしくは酸窒化物で構成されていることが望ましい。また、電気絶縁層４は、アイランド状の金属部２同士の隙間に入り込むと同時に、各金属部２の図示上部を覆うようにして形成されている。また、金属部２の図示上部を覆う電気絶縁層４の厚さＴ２は、後述する理由から１０Å以上とすることが望ましい。
【００１６】
図４は、基材１上に電気絶縁層４、金属層６および電気絶縁層７を順に積層させた光輝性膜２１の断面図である。
図４に示すように、基材１上には図３と同様の電気絶縁層４を最初に形成してもよい。電気絶縁層４上には、図１の金属部２と同様の金属部５が形成されている。さらに、この金属部５の上側には、図３の電気絶縁層４と同様の電気絶縁層７が積層形成されている。
【００１７】
図５は、図３の電気絶縁層４上に金属層６，８，…と電気絶縁層７，９，…とを交互に複数積層させた光輝性膜２２の断面図である。
図５に示すように、第１の電気絶縁層４の図示上面には基材１上に形成された金属部２と同様の金属部５がアイランド状に間隔を開けて複数形成され、第１の電気絶縁層４上に第２の金属層６が積層形成されている。さらに第２の金属層６上には、第１の電気絶縁層４と同様に第２の電気絶縁層７が形成されている。同様に、第２の電気絶縁層７上には金属層８，…および電気絶縁層９，…が交互に繰り返し積層形成されている。これにより、例えば基材１上に各１０層ずつ、合計２０層の金属層３，６，８，…および電気絶縁層４，７，９，…からなる光輝性膜２２を形成している。なお、図５においては、図示都合上、第３の電気絶縁層９以降を省略して表している。
【００１８】
次に、この実施の形態の作用について説明する。
図６は構成の異なる数種類の光輝性膜１０，２０，２１の反射率および鉛筆硬度を示したグラフである。ここで反射率は、Ａｌの薄膜を基材上に十分に蒸着させた時の反射率を１００％とした（Ａｌ蒸着膜レファレンス）。
図６に示すように、図示左端の縦軸に反射率の目盛りを百分率で表示し、図示右端の縦軸を鉛筆硬度とし、スクラッチ痕等を防止するための好ましい硬度Ｆを基準として表示している。また、横軸には、基材上に形成した層の構成が異なる数種類の光輝性膜１０，２０，２１を表示している。
【００１９】
例えば、図６の横軸の左端に示す“Ｉｎ／ＰＣ”は、図１に示すように、ポリカーボネート（ＰＣ）の基材１の表面に、第１の金属層３がＩｎによって形成された光輝性膜１０を表している。また、図６の横軸の左から３番目に示す“Ｓｉ／Ｉｎ／ＰＣ”は、図３に示す光輝性膜２０において、ポリカーボネート（ＰＣ）の基材１表面に、第１の金属層３をＩｎによって形成し、第１の金属層３上に第１の電気絶縁層４をＳｉによって形成したものである。さらに、図６の横軸の右端に示す“ＳｉＯ２／Ｓｎ／ＳｉＯ２／ＰＣ”は、図４に示す光輝性膜２１において、ポリカーボネート（ＰＣ）の基材１表面に、第１の電気絶縁層４をＳｉＯ２によって形成し、第２の金属層６をＳｎによって積層形成し、さらに第２の電気絶縁層７をＳｉＯ２によって積層形成したものである。
すなわち、光輝性膜１０，２０，２１の上側の層の材質から下側の層の材質までを順番に、スラッシュ（／）で区切って表示し、最後に基材１の材質を表示している。
また、ここでは、金属層３，６の厚さを全て２００Åとし、電気絶縁層４，７の厚さも全て２００Åとして、各光輝性膜１０，２０，２１を形成した。
【００２０】
図６に示すように、これらの各構成の光輝性膜１０，２０，２１に波長５５０ｎｍの可視光を照射して反射率を測定するとともに、鉛筆硬度を測定し、得られた反射率を丸印（○）、鉛筆硬度を三角印（△）としてグラフ中にプロットした。
その結果、図１に示すように光輝性膜１０の構成を“Ｉｎ／ＰＣ”および“Ｓｎ／Ｐｃ”として、基材１上に第１の金属層３のみを形成した場合、各構成の光輝性膜１０の反射率はそれぞれ６０％であり、鉛筆硬度はＦよりも小であった。
【００２１】
これに対して、図３に示すように光輝性膜２０の構成をそれぞれ“Ｓｉ／Ｉｎ／ＰＣ”、“Ｓｉ／Ｓｎ／ＰＣ”、および“ＳｉＯ２／Ｓｎ／ＰＣ”として、基材１上の第１の金属層３の上に第１の電気絶縁層４を積層形成した構成とした場合、各構成の光輝性膜２０の反射率はそれぞれ６５％に上昇し、鉛筆硬度は好ましい硬度Ｆに上昇した。
その理由は、次のように考えられる。
【００２２】
図３に示すように、金属層３と電気絶縁層４とを積層し、高硬度の電気絶縁層４により金属層３を保護することで、図６に示すように光輝性膜２０の鉛筆硬度を向上させることができる。また、電気絶縁層４によって光を透過させて金属層３によって反射するとともに、電気絶縁層４の表面によっても光を反射することができる。さらに、金属部２表面と電気絶縁層４表面の間での反射増加効果により、図６に示すように光輝性膜２０の反射性をより向上させることができる。
したがって、図３に示すように金属層３および電気絶縁層４が各一層ずつ積層された光輝性膜２０であっても、図１に示す従来の金属層３のみの場合の光輝性膜１０と比較して、反射性および機械的強度を向上させることができる。
【００２３】
さらに、図４に示すように、光輝性膜２１の構成をそれぞれ“Ｓｉ／Ｉｎ／Ｓｉ／ＰＣ”、“Ｓｉ／Ｓｎ／Ｓｉ／ＰＣ”、および“ＳｉＯ２／Ｓｎ／ＳｉＯ２／ＰＣ”とした場合、図６に示すように、各構成の光輝性膜２２の反射率はそれぞれ８５％に上昇した。また、“Ｓｉ／Ｉｎ／Ｓｉ／ＰＣ”および“Ｓｉ／Ｓｎ／Ｓｉ／ＰＣ”の各構成の鉛筆硬度はＦよりも大きく、より好ましい硬度に上昇した。また、“ＳｉＯ２／Ｓｎ／ＳｉＯ２／ＰＣ”の構成の鉛筆硬度は上述の構成よりもさらに大きく、さらに好ましい硬度であった。
その理由は、次のように考えられる。
【００２４】
図４に示すように、電気絶縁層４、金属層６、電気絶縁層７を交互に積層させたことで、硬度の高い電気絶縁層４，７によって金属層６を保護し、光輝性膜２１の厚さを増加させて、鉛筆硬度をより向上させることができる。また、電気絶縁層７によって光を透過させて金属層６によって反射するとともに、電気絶縁層７表面によっても光を反射することができる。さらに金属層６表面と電気絶縁層７表面の間での反射増加効果に加え、金属層６の金属部５の間を透過した光が電気絶縁層４によって反射され、または金属層６と電気絶縁層４の間での反射増幅効果により、図６に示すように光輝性膜２１の反射性をより向上させることができる。
よって、本実施の形態によれば、機械的強度が高く、反射性が良好な光輝性膜２０，２１を得ることができる。
【００２５】
次に、図５に示す光輝性膜２２において、金属層３，６，８，…をＳｎによって形成し、その厚さＴ１を２００Åとし、電気絶縁層４，７，９，…をＳｉによって形成し、その厚さＴ２を光輝性膜２２毎に変化させて、電気絶縁層４，７，９…の厚さＴ２が異なる複数の光輝性膜２２を形成した。なお金属層３，６，８，…および電気絶縁層４，７，９，…を各１０層ずつ、合計２０層形成した。
そして、これら電気絶縁層の厚さＴ２が異なる各光輝性膜２２に波長５５０ｎｍの可視光を照射して反射率を測定するとともに、鉛筆硬度およびシート抵抗を測定した。図７はその測定結果を表したグラフである。図７に示すように、電気絶縁層の厚さの異なる光輝性膜２２毎に、得られた反射率を丸印（○）、シート抵抗を四角印（□）によってグラフ中にプロットした。
なお反射率および鉛筆硬度については、Ｓｉの厚さ（膜厚）が５Åの場合に鉛筆硬度がＦよりも若干低くなるものの、その他の光輝性膜２２においてはいずれも良好な結果が得られた。また、Ｓｉの膜厚を１０Å以上とすることで硬度がＦ以上となることが確認できた。
【００２６】
図７に示すように電気絶縁層４，７，９，…であるＳｉの厚さ（膜厚）を５Åとした場合、光輝性膜２２の電気抵抗（シート抵抗）は２００Ω／□であった。これに対して、Ｓｉの厚さ（膜厚）を１０Åとした場合、光輝性膜２２の電気抵抗（シート抵抗）は測定範囲外（１０５Ω／□以上）であった。また、Ｓｉの厚さ（膜厚）を１００Åおよび２００Åとした場合にも、光輝性膜２２の電気抵抗（シート抵抗）はそれぞれ測定範囲外（１０５Ω／□以上）であった。また、電気絶縁層４，７，９，…をＳｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｚｎのうち少なくとも一以上の酸化物、窒化物もしくは酸窒化物で構成することで、同様の結果が得られた。
【００２７】
その理由として、図７に示すように、電気絶縁層４，７，９，…の厚さを１０Å以上とすることで、電気絶縁層４，７，９，…によって、金属層３，６，８，…同士の間に電気が導通することを防止できるからであると考えられる。したがって、電気絶縁層４，７，９，…の厚さを１０Å以上とすることにより、光輝性膜の不導体特性を維持することができる。また、電気絶縁層４，７，９，…の硬度を上昇させて金属層３，６，８…を効果的に保護し、光輝性膜２２の機械的強度を向上させることができる。
【００２８】
以上に述べたように、本実施の形態によれば、図３に示すように、金属層３と電気絶縁層４とを積層したことで、電気絶縁層４により金属層３を保護することができ、光輝性膜２０の機械的な強度を向上させることができる。また、電気絶縁層４による光反射および光反射増加効果により、光輝性膜２０の反射性を向上させることができる。したがって、金属層３および電気絶縁層４が各一層ずつ積層された光輝性膜２０であっても、図１に示す従来の金属層３のみの場合の光輝性膜１０と比較して、機械的強度が高く、反射性が良好な光輝性膜２０を得ることができる。
また、図５に示すように、金属層３，６，８，…および電気絶縁層４，７，９，…を交互に複数積層させることで、複数の金属層３，６，８，…による光反射、複数の電気絶縁層４，７，９，…による光反射および光反射増幅効果により、反射性が良好な光輝性膜２２を得ることができる。
【００２９】
（光輝性膜の製造装置）
次に、本実施の形態における光輝性膜の製造装置について説明する。
図８は本実施の形態の光輝性膜２０，２１，２２の製造装置を表す概念構成平面図である。
図８に示すように、スパッタ装置３０は筒形の真空槽３１を備えている。真空槽３１の内部の中心部には筒形の基材ホルダ３２が設置されている。基材ホルダ３２の回転軸は、ギア、モータ、制御装置、電源等により構成された回転制御装置（不図示）により自在に回転可能となっている。また、基材ホルダ３２の表面には、基材固定機構（不図示）を備えた基材固定部３３が複数設けられ、基材１を基材ホルダ３２の表面に等間隔で複数固定することが可能となっている。
【００３０】
また、真空槽３１の内壁にはターゲットホルダ３４，３５が間隔を開けて設けられ、真空槽３１外部のスパッタ成膜用ＤＣ電源および制御装置（不図示）に接続されている。また、真空槽３１には排気口３６が設けられ、排気口３６に連結された排気管３７の途中にはバルブ３８が開閉可能に設けられている。排気管３７は外部の排気ポンプ（不図示）等に連結されている。また、真空槽３１にはガス導入口３９が設けられている。ガス導入口３９にはガス供給管４０が接続されて途中にバルブ４１が開閉可能に設けられ、ガス供給管４０はさらに不活性ガス供給制御装置（不図示）に接続されている。
また、ターゲットホルダ３４，３５と基材ホルダ３２の間には開閉可能なシャッター４２、４３が設けられている。シャッター４２，４３は、ギア、モータ、コントローラ、電源等により構成された開閉制御装置（不図示）により、自在に開閉制御可能となっている。
【００３１】
（光輝性膜の製造方法）
次に、本実施の形態における光輝性膜の製造方法について説明する。
まず、スパッタ装置３０のターゲットホルダ３４、３５に、Ｓｎメタルターゲット４４およびＳｉターゲット４５を基材ホルダ３２から離間させた状態で固定する。次に、基材ホルダ３２表面の基材固定部３３に、例えば、ポリカーボネートの基材１を固定する。
次に、排気管３７に設けられたバルブ３８を開き、排気ポンプによって真空槽３１を、例えば１０−３Ｐａまで真空排気した後、バルブ３８を閉じる。次いで、ガス供給管４０のバルブ４１を開いて不活性ガス供給制御装置から、例えばＡｒガス等の不活性ガスを導入し、真空槽３１の内部が、例えば１０−１Ｐａになったところで、バルブ４１を閉じて、不活性ガスの供給を停止する。
【００３２】
次に、スパッタリング法により、基材１上に金属層３を形成する。具体的には、ターゲットホルダ３４のスパッタ成膜用ＤＣ電源よりＤＣパワーを印加し、Ｓｎメタルターゲット４４にスパッタ放電を発生させる。このとき、基材ホルダ３２の回転制御装置により、基材ホルダ３２を任意の速度、例えば１ｒｐｍで矢印Ｒ方向に回転させる。そして、スパッタ成膜用ＤＣ電源の制御装置および、シャッター４２の開閉制御装置により、ＤＣパワーおよびシャッター４２の開放時間を任意に制御しながら、基材１上にＳｎ原子からなる金属層３をアイランド状に形成する。
次に、同様の手順によってＳｉターゲット４５をスパッタ放電させて、金属層３上に光透過性を有する電気絶縁層４を積層形成する。
【００３３】
次に本実施の形態における製造方法の作用について説明する。
基材１上にスパッタリング法により金属層３を形成する際に、ＤＣパワーおよびシャッター４２の開閉時間を任意に設定することができるので、従来の蒸着による成膜方法と比較して、光輝性膜２０，２１，２２製造時の金属層３，６，８…および電気絶縁層４，７，９，…の厚さの制御性を向上させることができる。
また、金属層３，６，８…および電気絶縁層４，７，９，…の厚さの制御性を向上させることで、これらをそれぞれ２００Å以下、１０Å以上の厚さに容易に制御することができる。また、基材ホルダを回転させつつスパッタリング法を行うことにより、基材１上に金属層３，６，８…および電気絶縁層４，７，９，…を交互に複数積層させた光輝性膜２０，２１，２２を、容易に製造することができる。
したがって、本実施の形態の製造方法によれば、従来の蒸着による成膜方法と比較して膜厚の制御性を改善することができる。また、機械的強度が高く、反射性が良好で、別途エッチング等の工程を設けることなく不導体特性を備えた光輝性膜２０，２１，２２を得ることができる。
【００３４】
尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、金属層および電気絶縁層数は任意であってよい。さらに、基材上に最初に形成されるのは金属層でなく電気絶縁層であってもよい。また、光輝性膜の最表面に金属層が形成される構成としてもよい。
また、上述の実施の形態においては、特定の材質の金属層、および電気絶縁層について説明したが、これらは上述の実施の形態で説明した材質に限られない。すなわち、金属層はＩｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｐｂ，Ｍｇのうち、少なくとも一以上の元素から構成されていればよく、電気絶縁層はＳｉまたは、Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｚｎのうち少なくとも一以上の酸化物、窒化物もしくは酸窒化物で構成されていればよい。
また、真空槽内部の圧力、不活性ガスの種類、不活性ガス導入後の真空槽内部の圧力、基材ホルダの回転速度等は適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施の形態における金属層の断面図。
【図２】本発明の実施の形態における金属層の厚さと抵抗値の関係を示すグラフ。
【図３】本発明の実施の形態における金属層に電気絶縁層を積層させた光輝性膜の断面図。
【図４】本発明の実施の形態における金属層と電気絶縁層とを交互に積層させた光輝性膜の断面図。
【図５】本発明の実施の形態における金属層と電気絶縁層とを交互に複数積層させた光輝性膜断面図。
【図６】本発明の実施の形態における光輝性膜の反射率および鉛筆硬度を示したグラフ。
【図７】本発明の実施の形態における電気絶縁層の厚さと光輝性膜の反射率、鉛筆硬度およびシート抵抗の関係を表したグラフ。
【図８】本発明の実施の形態における光輝性膜の製造装置を表す概念構成平面図。
【符号の説明】
【００３６】
１  基材、３  第１の金属層（金属層）、４  第１の電気絶縁層（電気絶縁層）、６  第２の金属層（金属層）、７  第２の電気絶縁層（電気絶縁層）、８  第３の金属層（金属層）、９  第３の電気絶縁層（電気絶縁層）、３２  基材ホルダ、４２  シャッター（第１シャッター）、４３  シャッター（第２シャッター）、４４  Ｓｎターゲット（第１ターゲット）、４５  Ｓｉターゲット（第２ターゲット）、Ｔ１  金属層の厚さ、Ｔ２  電気絶縁層の厚さ  
【図１】
2008221557.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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