(57)【要約】【課題】  液体が基板の基板ステージ側の面と基板ステージとの間に侵入することを低減し、良好な露光精度を実現できる露光装置およびその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供する。【解決手段】基板４０を保持して移動可能な基板ステージ４１を有し、投影光学系と基板４０との間に供給される液体ＬＷを介して基板４０を露光する露光装置において、基板４０の周辺に加圧することによりガスを噴出するガス噴出機構を備える。ガスＧを、配管４０２、圧力均一室４０３を経て環状の流路４０４から、基板４０底面と基板チャック（基板ステージ）４１ｂとの隙間を含め、基板４０周囲と補助板４３内周との間の隙間ｇ１の方向へ噴出する。ガスＧの圧力で隙間ｇ１から基板４０裏面の隙間に液体ＬＷが進入するのを低減する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して移動可能な基板ステージを有し、投影光学系と前記基板との間に供給される液体を介して前記基板を露光する露光装置において、
前記基板の周辺に加圧することによりガスを噴出するガス噴出機構を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記ガス噴出機構が、前記基板の前記基板ステージ側の面と対向する対向部を有し、前記基板の前記基板ステージ側の面と前記対向部との隙間においてガス流路を形成することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記ガス噴出機構が、前記ガスの加圧源と前記対向部との間において、前記基板の周辺部に多孔質体から成る環状部分を備えることを特徴とする請求項１または２記載の露光装置。
【請求項４】
前記基板の前記基板ステージ側の面において、前記基板の周辺部に前記ガスおよび前記液体の１つ以上を回収する回収機構を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項５】
前記回収機構の一部が多孔質体から形成され、前記基板の前記基板ステージ側の面において、前記基板の中心に向かって延伸する多孔質体の延伸部を備えることを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記延伸部が、前記基板の前記基板ステージ側の面に向かって延伸する凸部を有し、前記凸部は前記基板の前記基板ステージ側の面と共にガス流路を形成することを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記基板と、前記基板と同一高さに前記基板ステージに設けられる補助板との隙間から侵入した前記液体を溜めることが可能な空間を、前記補助板の前記基板ステージ側に形成することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項８】
前記空間が、請求項４記載の回収機構を備えること特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記回収機構が、前記空間において多孔質体から形成される部分を有することを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記回収機構が、前記基板の非露光時において前記液体を回収することを特徴とする請求項８または９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記回収機構が、前記空間において前記基板の面に対して垂直方向に分離して配置されることを特徴とする請求項８または９に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記基板の前記基板ステージ側に配置された前記回収機構が、前記基板の非露光時において前記液体を回収することを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記対向部が、前記基板の前記基板ステージ側の面に向かって延伸する凸部を有し、前記凸部は前記基板の前記基板ステージ側の面と共にガス流路を形成することを特徴とする請求項２から４、７、８のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１４】
前記凸部の前記基板の前記基板ステージ側の面に対向する面を撥液処理したことを特徴とする請求項６または１３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１５】
前記空間の前記凸部につながる面を親液処理したことを特徴とする請求項６、１３または１４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１６】
前記凸部につながる面は、前記基板の露光面の垂線に対し、傾斜を有することを特徴とする請求項１３から１５のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１７】
請求項７記載の補助板と前記基板との間に交換可能な取替え部品を有し、
前記取替え部品は、前記補助板と前記基板と同じ高さに保持され、
前記取替え部品は、前記基板の側面に対向する前記取替え部品の側面が前記基板の側面に平行な第１の面と平行でない第２の面に形成され、
前記第１の面の幅は前記基板の厚み以下であり、前記第２の面は撥液処理されていることを特徴とする請求項１３から１６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１８】
前記取替え部品の前記基板と同じ高さを形成する面は親液処理されていることを特徴とする請求項１７記載の露光装置。
【請求項１９】
前記取替え部品と前記補助板の間に隙間を有することを特徴とする請求項１７から１８のいずれかに記載の露光装置。
【請求項２０】
請求項１から１９のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及びその露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レチクル（マスク）に描画された回路パターンを投影光学系によって基板等に露光する投影露光装置は従来から使用されている。
近年では、解像度及び保守性の高い露光装置がますます要求されており、高解像度の要請に応えるための一手段として液浸露光が注目されている。
液浸露光は、投影光学系の基板側の媒質を液体にすることによって投影光学系の開口数（ＮＡ）の増加を更に進めるものである。
投影光学系のＮＡは媒質の屈折率をｎとすると、ＮＡ＝ｎ・ｓｉｎθであるので、空気の屈折率よりも高い屈折率（ｎ＞１）の媒質を満たすことでＮＡをｎまで大きくすることができる。
この結果、プロセス定数ｋ１と光源の波長λによって表される露光装置の解像度Ｒ（Ｒ＝ｋ１（λ／ＮＡ））を小さくしようとするものである。
【０００３】
液浸露光では、投影光学系の最終レンズと基板の表面との間に局所的に液体を充填するローカルフィル方式が提案されている。
ローカルフィル方式の露光装置では、液体供給装置が供給ノズルを介して投影光学系の最終レンズと基板の表面との間に液体を供給し、液体回収機構が回収ノズルを介して供給された液体を回収する。
上記ローカルフィル方式では、基板の中央付近を露光するときは液体の流出及び欠損は生じずに良好に露光ができるが、基板の周辺部を露光する際には、液体の一部は基板の外側に流出する。
その結果、液体は基板の裏面に回り込み、更には、基板と基板ステージとの間に侵入するので、基板ステージが良好に基板を保持できなくなる。
【０００４】
図１３は、一般的なローカルフィル方式、即ち液体供給回収ノズルを用いて基板４０の周辺部を露光する様子を説明する概略説明図である。
図１３に示すように、基板チャック４１ｂは、基板４０との接触断面積を小さくするために、基板チャック４１ｂの上面に形成された複数のピン４１ａにより基板４０の裏面を支持する。
さらに、基板チャック４１ｂは、基板４０を真空吸着することで、強固に基板４０を固定して支持できるが、取り外し可能な方式で天板４１ｃに固定されている。
一方、補助板４３は天板４１ｃの上に基板４０を囲む形で基板４０の表面と略同一高さになるように配置されている。
さらに、補助板４３の上面４３ａを撥水性とすることで、基板４０の周辺部を露光するとき、補助板４３の上面４３ａでの水残りを低減することができる。
【０００５】
また、基板４０と天板４３との隙間ｇ１は０．１ｍｍから２ｍｍ程度になるように調整される。
液体供給ノズル１１３及び液体回収ノズル１１４を用いて、基板４０の中央付近を露光するときは液体ＬＷの流出及び欠損は生じないので、良好に露光することができる。
しかしながら、図１３に示すように、基板４０の周辺部を露光するときは、液体ＬＷの一部は基板４０の外側に流出する。
このため、液体ＬＷは基板４０の裏面に回り込み、その結果、基板４０と基板チャック４１ｂとの間に液体ＬＷが侵入する可能性がある。
すると、基板チャック４１ｂは基板４０を良好に保持できなくなり露光精度が劣化するので、特に、基板４０と基板チャック４１ｂとの間に液体ＬＷが侵入するのを低減することが重要となる。
【０００６】
上記液体ＬＷが基板の裏面と基板ステージとの間に侵入するのを低減する方法としては、基板の裏面の周辺部に動径方向外向きに真空源を用いてガス流を生成する方式が提案されている（特許文献１参照）。
一方、基板の側面、基板の裏面、及び基板ステージの少なくともいずれかを撥水性処理するという方式が提案されている（特許文献２〜４参照）。
【特許文献１】特開２００４−２８９１２７号公報
【特許文献２】国際公開第ＷＯ２００４／１１２１０８号パンフレット
【特許文献３】国際公開第ＷＯ２００５／０５７６３６号パンフレット
【特許文献４】国際公開第ＷＯ２００５／０５９９７７号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１の真空源を用いてガス流を生成する場合には、駆動力となる差圧は高々一気圧であった。
そのため、必要十分量のガス流を生成するためには真空源（例えば、真空ポンプ）と基板ステージを繋ぐ配管での圧力損失を極力小さくする必要がある。
しかし、そのためは、配管の断面積及び配管数の少なくともいずれかを増大することが要求される。
しかしながら、このことは基板ステージの移動時に影響を与え、基板ステージの位置決め精度を劣化させる可能性がある。
さらには、ガス流速を増大させるために真空度を高くすると、液体が気化する恐れが生じる。
液体の気化は、周囲の例えば基板から熱を奪い熱収縮による変形を引き起こして、露光精度を劣化させる恐れがある。
一方、基板の側面、基板の裏面、及び基板ステージの少なくともいずれかを撥水性処理する方式においては、工程数の増加を生じ、時間的、コスト的な負荷をユーザに課すこととなる。
【０００８】
そこで、本発明は、液体が基板の基板ステージ側の面と基板ステージとの間に侵入することを低減し、良好な露光精度を実現できる露光装置およびその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明の一側面としての露光装置は、基板を保持して移動可能な基板ステージを有し、投影光学系と前記基板との間に供給される液体を介して前記基板を露光する露光装置において、前記基板の周辺に加圧することによりガスを噴出するガス噴出機構を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の露光装置によれば、液体が基板の基板ステージ側の面と基板ステージとの間に侵入することを低減し、良好な露光精度を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を、その実施例に基づいて、図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１２】
（実施例１における露光装置の概要）
図１は、実施例１の露光装置の構成を示す概略説明図である。
露光装置１は、投影光学系３０と基板４０との間に供給される液体（液浸液）ＬＷを介して基板４０を露光する装置である。
より詳しくは、投影光学系３０の最も基板４０側にある最終レンズ３０ａと基板４０との間に供給される液体（液浸液）ＬＷを介してレチクル２０に形成された回路パターンを基板４０に露光する液浸型の投影露光装置である。
以下、露光装置１を液浸露光装置１と呼ぶ。
一方、レチクル２０に形成された回路パターンを基板４０に露光する場合、例えばステップ・アンド・スキャン方式、又はステップ・アンド・リピート方式が一般に知られている。
以下、実施例１では、ステップ・アンド・スキャン方式の液浸露光装置を例に説明する。
【００１３】
液浸露光装置１は、図１に示すように、照明装置１０と、レチクル２０を載置するレチクルステージ２１と、投影光学系３０と、基板４０を保持して移動可能な基板ステージ４１とを有する。
また、液浸露光装置１は、補助板４３と、測距装置５０と、液体制御装置１００とを有する。
補助板４３は、基板４０の周囲に配置され基板４０の表面と略同一高さに基板ステージ４１に設けられる。
【００１４】
照明装置１０は、転写用の回路パターンが形成されたレチクル２０を照明し、光源部１１と、照明光学系１２とを有する。
光源部１１は、実施例１では、光源として、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを使用する。
ただし光源部１１は、ＡｒＦエキシマレーザーに限定されず、例えば、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ２レーザーを使用してもよく、光源の個数も限定されるものではない。
【００１５】
照明光学系１２は、レチクル２０を照明する光学系である。
レチクル２０は、不図示のレチクル搬送系により液浸露光装置１の外部から搬送され、レチクルステージ２１に支持されて駆動される。
レチクル２０は、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターンが形成されている。レチクル２０から発せられた回折光は、投影光学系３０を通り、基板４０上に投影される。
【００１６】
レチクル２０と基板４０とは、光学的に共役の関係に配置される。液浸露光装置１は、ステップ・アンド・スキャン方式である。
このため、レチクル２０と基板４０を縮小倍率比の速度比で走査することにより、レチクル２０のパターンを基板４０上に転写する。
レチクルステージ２１は、レチクルステージ２１を固定するための定盤２２に取り付けられている。レチクルステージ２１は、レチクルチャックを介してレチクル２０を支持し、不図示の移動機構及び後述する制御部によって移動制御される。
不図示の移動機構は、リニアモーター等で構成され、Ｘ軸方向にレチクルステージ２１を駆動することでレチクル２０を移動可能である。
【００１７】
投影光学系３０は、レチクル２０に形成されたパターンを経た回折光を基板４０上に結像する機能を有する。
投影光学系３０としては、複数のレンズ素子のみからなる屈折光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する反射屈折光学系等を使用することができる。
基板４０は、不図示の基板搬送系により液浸露光装置１の外部から搬送され、基板ステージ４１に支持されて駆動される。
【００１８】
基板４０は、実施例１では、例えばウエハであるが、ガラス基板や、その他の被露光体を広く含む。基板４０にはフォトレジストが塗布されている。
基板ステージ４１は、基板ステージ４１を固定するための定盤４２に取り付けられて、基板チャック（図４参照）４１ｂを介して基板４０を支持する。
基板ステージ４１は、基板４０の上下方向（鉛直方向）の位置や回転方向、傾きを調整する機能を有し、ステージ制御部によって制御される。
露光時は、ステージ制御部により投影光学系３０の焦点面に基板４０の表面が常に高精度に合致するように基板ステージ４１が制御される。
測距装置５０は、レチクルステージ２１の位置及び基板ステージ４１の二次元的な位置を、参照ミラー５１及び５２、レーザー干渉計５３及び５４を介してリアルタイムに計測する。
【００１９】
測距装置５０による測距結果は、後述する制御部１３０に伝達され、レチクルステージ２１及び基板ステージ４１は、位置決めや同期制御のために、制御部１３０の制御の下で一定の速度比率で駆動される。
補助板４３は、基板４０の表面と同一面を形成するための板であり、基板ステージ４１上に配置され、基板４０の周囲に基板の表面と略同一な高さで配置される。
液体制御部１００は、液体ＬＷを供給するための後述する供給管１１１により基板（被露光体）４０の表面と投影光学系３０の最終レンズ３０ａとの間に液体ＬＷを満たす。
さらに、液体ＬＷを回収するための後述する回収管１１２により液体ＬＷを回収する制御を行う。  
液体制御装置１００は、不図示の生成装置、温度制御装置及び脱気装置と、供給回収機構１１０と、制御部１３０とを有する。
【００２０】
生成装置は、不図示の原料水供給源から供給される原料水中に含まれる金属イオン、微粒子及び有機物等の不純物を低減し、液体ＬＷを生成する。生成装置により生成された液体ＬＷは、不図示の脱気装置に供給される。
温度制御装置は、液体ＬＷを所定の温度に制御する機能を有する。
液体ＬＷは、露光光の吸収が少ないものの中から選択され、さらに、出来るだけ高い屈折率を有することが好ましい。液体ＬＷは、具体的には、純水、機能水、フッ化液（例えば、フルオロカーボン）、有機系液体等が使用される。
【００２１】
また、液体ＬＷは、予め、脱気装置を用いて溶存ガスが十分に取り除かれたものが好ましい。また、液体ＬＷは、微量の添加物を加えた水を含む液体や炭化水素系の有機液体でもよい。
供給回収機構１１０は、供給管１１１及び回収管１１２、液体供給ノズル１１３及び液体回収ノズル１１４を介して、投影光学系３０の最終レンズ３０ａと基板４０との間に液体ＬＷを供給し、かつ回収する。
供給回収機構１１０は、液体ＬＷの供給と回収を兼用する構造を有し、制御部１３０によって制御される。また、供給回収機構１１０は、基板ステージ４１の移動の際にも液体ＬＷの供給及び回収を行う。
これにより、液体供給機構１１０は、溶存ガス、あるいは、不純物質の除去等が行えるので、液体ＬＷの状態を一定に維持することができる。
【００２２】
制御部１３０は、不図示のＣＰＵとメモリとを有し、液浸露光装置１の動作を制御する。
制御部１３０は、照明装置１０と、レチクルステージ２１の不図示の移動機構と、基板ステージ４１の不図示の移動機構と、供給回収機構１１０とに電気的に接続されている。
ＣＰＵは、ＭＰＵ等のいかなるプロセッサでも良く、各部の動作を制御する。メモリは、ＲＯＭやＲＡＭにより構成されており、液浸露光装置１を動作するファームウェアを格納する。
制御部１３０は、例えば、露光の際に、基板ステージ４１に応じて、供給する液体ＬＷの流れる方向を切り替えて、液体ＬＷの供給及び回収を行うように制御してもよい。
また、制御部１３０は、露光の際に、常に一定量の液体ＬＷを供給及び回収するように制御してもよい。
また、供給回収機構１１０は、供給管１１１及び液体供給ノズル１１３を介して液体ＬＷを供給し、回収管１１２及び液体回収ノズル１１４を介して液体ＬＷを回収する。
【００２３】
以下、図２を参照して、液体供給ノズル１１３及び液体回収ノズル１１４について説明する。
図２（ａ）は、液体供給ノズル１１３及び液体回収ノズル１１４の配置例を説明する配置説明図である。
液体供給ノズル１１３及び液体回収ノズル１１４は、投影光学系３０の最終投影光学素子（レンズ素子）を囲むように環状に配置されている。
即ち、液体供給ノズル１１３は、内側の環状の位置に配置されており、液体回収ノズル１１４は、外側の環状の位置に配置されている。
また、液体供給ノズル１１３及び液体回収ノズル１１４は、例えばスリットにより構成されているが、スリットのかわりにピンホールあるいは多孔質体を使用してもよく、若しくは複数のノズルの環状の配列を用いてもよい。
【００２４】
図２（ｂ）は、液体供給ノズル１１３及び液体回収ノズル１１４の構成例の側面視説明図である。
液体ＬＷは、供給管１１１からバッファ空間２０１を介して液体供給ノズル１１３から、投影光学系３０の最終レンズ３０ａと基板４０との間に供給される。
一方、液体ＬＷは、液体回収ノズル１１４から圧力均一室２０２を介して回収管１１２へ回収される。回収管１１２は、真空源、例えばドライ真空ポンプと接続されている。
【００２５】
図２（ｃ）は、液体供給ノズル１１３及び液体回収ノズル１１４の構成例の一部破断上面図である。
バッファ空間２０１、圧力均一室２０２、及び供給管１１１、回収管１１２の配置は、図示のようにバッファ空間２０１及び圧力均一室２０２の環状の構成を基本とする。
しかし、供給管１１１は直線状二箇所の位置にあり、回収管１１２は十字状四箇所の位置にある。  即ち供給管１１１及び回収管１１２は、バッファ空間２０１及び圧力均一室２０２の上に環状に数個配置されおり、本例では、それぞれ2個と4個である。
【００２６】
また、液体ＬＷの供給と回収が均一に行われるように、バッファ空間２０１は供給管１１１と液体供給ノズル１１３の間に設けてあり、圧力均一室２０２は回収管１１２と液体回収ノズル１１４との間に設けてある。
ただし、これまで、液体供給回収ノズルとして、環状に形成された液体供給ノズル１１３及び液体回収ノズル１１４について説明したが、上述の説明は本発明を制限するものではない。
例えば、液体供給ノズル１１３及び液体回収ノズル１１４は、最終レンズ３０ａ下の液体ＬＷの供給用空間を挟む形で対向させて配置してもよい。
【００２７】
以下、図３を参照して、液体ＬＷが基板４０と基板ステージ４１（以下、基板ステージ４１の代わりに基板チャック４１ｂと記す）との間に侵入するのを低減する実施例１のガス噴出機構の構成を説明する。
ここで、図３（ａ）は、液浸露光装置１における基板４０の周辺部のガス噴出機構の構成を示す拡大説明図である。
尚、図３（ａ）では、実施例１におけるガス噴出機構の構成部分を説明するのに必要な構成要素のみ図示してある。
【００２８】
実施例１におけるガス噴出機構は、基板４０の周辺に加圧することによりガスを噴出する機構である。
ガスＧを、例えばコンプレッサー等の加圧源４０１から例えば補助板４３側の配管４０２を通し補助板４３及び基板チャック４１ｂの間の圧力均一室４０３へ噴出する。
圧力均一室４０３へ噴出されたガスＧは、基板チャック４１ｂの周囲と補助板４３との間の流路４０４に導入される。
基板チャック４１ｂの周囲を例えば環状に囲う流路４０４に導かれたガスＧは、補助板４３側に形成した例えば環状の溝部分の隙間ｇ１を通って雰囲気中に放出されるとともに液体ＬＷの進入を低減する。
ここで、ガスＧとしては例えば窒素ガス等を用いればよく、その他、任意のガスを用いてよい。
【００２９】
図３（ｂ）は、図３（ａ）のＺ−Ｚ断面の上面図である。尚、図３（ｂ）も、実施例１におけるガス噴出機構の構成部分を説明するのに必要な構成要素のみ図示してある。
加圧源４０１からの上記配管４０２は、基板チャック４１ｂの周囲の例えば環状の圧力均一室４０３の十字状の四箇所の位置に機械的に接続されている。
さらに、基板チャック４１ｂの周囲と補助板４３との間の例えば環状の流路４０４に連通する。
より詳しくは、圧力均一室４０３は、基板４０の周辺部を例えば環状に囲うように配置されており、基板チャック４１ｂの周囲を例えば環状に囲う流路４０４に連通されている。
このため、圧力均一室４０３は、複数の配管４０２により、図３（ｂ）においては十字状の４箇所から導入されたガスＧを基板４０の周辺部の例えば環状の流路４０４に均一に供給することができる。
尚、図３（ａ）において、圧力均一室４０３の高さｈ１は上記配管４０２の高さよりも高く、圧力均一室４０３の幅ｇ２は、流路４０４の幅ｇ３の数１０〜１００倍程度に構成されている。
【００３０】
即ち、ガスＧは、基板チャック４１ｂ周囲の環状の流路４０４を通り、基板４０と基板チャック４１ｂとの間の空間をある程度の正圧にする。
このため、環状の流路４０４から基板４０の基板ステージ４１側の面である裏面と補助板４３との隙間ｇ１で形成される流路から雰囲気に開放される。
このとき、基板４０の裏面と補助板４３との間の隙間ｇ１を通るガスＧｈの圧力が、基板４０と基板チャック４１ｂとの間に液体ＬＷが進入するのを低減する。
即ち、実施例１におけるガス噴出機構は、基板４０の周辺をガスＧで加圧することによりガスＧを外界に噴出して液体ＬＷの進入を低減する。
ガス噴出機構は、加圧源４０１、圧力均一室４０３、流路４０４、及び隙間ｇ１から構成されている。
【００３１】
一方、ガス噴出機構は、基板４０の裏面と対向する対向部である基板チャック４１ｂの表面及び補助板４３を有し、基板４０の裏面と前記対向部との間の隙間においてガス流路（ガス圧空間）を形成する。
即ち、基板４０と基板チャック４１ｂ及び補助板４３との間の空間であるガス流路（ガス圧空間）も正圧となることでガス噴出機構の一部としての構成を兼ねる。
一方、ガス流は、加圧源４０１により発生しているので、加圧値を上げることで、ガスＧｈの流速を数１０ｍ／ｓまで容易に上げることが可能である。
尚、ガス流を真空源により発生させる場合は、差圧が高々一気圧であるので、管路等の圧力損失によりガスＧｈの流速を数１０ｍ／ｓまで上げることは困難である。
【００３２】
次に、図４を参照して、実施例１の第二の効果を説明する。図４は、基板ステージ４１の移動機構を示す概略構成図である。
天板４１ｃは、微動ステージ４１ｄにより磁気的に浮上した状態で保持され、数ｎｍの精度でステージ制御部により位置制御される。
一方、微動ステージ４１ｄは、粗動ステージ４１ｅ上に配置される。粗動ステージ４１ｅは、定盤４２の上をエアー浮上しており、数μｍの精度でステージ制御部に位置制御される。
このとき、ガス流を生成する配管４０２が補助板４３あるいは天板４１ｃに固定されると、配管の剛性が微動ステージ４１ｄに力学的な力をおよぼし、微動ステージ４１ｄの位置決め制御に影響を与える恐れがある。
したがって、配管４０２は、剛性の低い素材例えばウレタン等の樹脂素材を用いることが好ましく、さらには、断面積が小さく細いことが好ましい。
【００３３】
実施例１においては、上記課題を解決するために必要なガス流量を保持して配管４０２を細くすることが可能である。
配管４０２における圧力損失は断面積に反比例することが一般に知られているが、配管４０２の断面積に応じて加圧源４０１の圧力値を上げることで、必要なガス流量を容易に保持することができる。
一方、ガス流を真空源により発生させる場合は、差圧が高々一気圧であるため、配管での圧力損失を考慮すると配管４０２を細くすることは困難である。
以上、説明したように基板４０の周辺部に加圧源４０１を含む所謂ガス噴出機構を設けることで、基板４０の周辺部の露光時において、基板４０と基板チャック４１ｂとの間に液体ＬＷが進入するのを低減できる。
また、加圧源４０１を用いるため、ガスの流れを生成する配管を細くすることが可能となり、基板ステージ４１の位置決め精度の劣化を抑止することが可能となる。
【００３４】
実施例１においては、上記ガス噴出機構を備えるため、基板４０の裏面と基板チャック４１ｂ及び補助板４３との隙間の前記ガス流路の圧力を増加させることができる。
その結果、配管の断面積及び配管数のいずれかを増大せずに、液体が基板４０の裏面と基板ステージ（基板チャック）４１との間に侵入するのを低減することができる。
しかも基板ステージ（基板チャック）４１の位置決め精度の性能劣化を低減することができる。
また、加圧によるガス噴出により、液体が気化する恐れもなく、したがって例えば基板４０から熱を奪うことの熱収縮による変形を引き起すこともなくなる。
さらに、基板の側面、基板の裏面、及び基板ステージの少なくともいずれかを撥水性処理する必要がなくユーザに対して負担を課すことなく、露光精度の信頼性を向上させることができる。
【実施例２】
【００３５】
次に、実施例２の露光装置を説明する。
図５は、実施例２の露光装置の要部構成を説明する説明図である。
ここで、図５（ａ）は、実施例２の露光装置の基板周辺部のガス噴出機構の拡大説明図である。
以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図５（ａ）に示すように、本実施例のガス噴出機構は、ガスの加圧源４０１と前記対向部である基板チャック４１ｂの表面及び補助板４３との間において、基板４０の周辺部に多孔質体６０１から成る環状部分を備える。
多孔質体６０１としては、例えばＳｉＣセラミックスなどを用いればよい。
【００３６】
一方、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＺ−Ｚ断面の上面図である。多孔質体６０１は、圧力均一室４０３の内部に配置されており、圧力損失が大きいので、ガスＧを基板４０の周辺部で均一に流路４０４に供給するのを助ける。
したがって、多孔質体６０１を設けることで、圧力均一室４０３の大きさ、すなわち幅ｇ２及び高さｈ１を小さくすることができ、ガス噴出機構を小型化することができる。
さらには、圧力均一室４０３に接続される配管４０２の数を減少させることが可能となる。
例えば、図５（ｂ）に示すように、配管４０２を一本あるいは二本とすることができるので、実施例１で説明したように、基板ステージ４１の位置決め精度の劣化を抑止することが可能となる。
【００３７】
以上、説明したように、実施例２においては、基板４０の周辺部の圧力均一室４０３に多孔質体６０１を備えたガス噴出機構を設けた。
このため、ガス噴出機構の大きさを小型化でき、かつガスＧを輸送する配管４０２の数を少なくすることが可能となる。
また、圧力均一室４０３に多孔質体６０１を備えたガス噴出機構を設けた。
このため、配管４０２数を減少することが可能となる以外にも、基板４０の周辺部のガスＧの圧力を均一にでき、基板ステージ４１の位置決め精度の劣化を抑止することが可能となる。
【実施例３】
【００３８】
次に、実施例３の露光装置を説明する。
図６を参照して、実施例３の露光装置のガス噴出機構について説明する。ここで、図６（ａ）は、実施例３の露光装置の基板４０の周辺部の露光時の様子を上面から見た概略説明図である。
図６（ａ）に示すように、基板４０の周辺部を露光する場合、液浸領域の液体ＬＷの一部は、基板４０から補助板４３の上にはみ出しており、補助板４３の上に残留する恐れがある。
このことは、好ましくないので、補助板４３の表面を撥水処理することで、液体ＬＷの残留を低減する必要がある。
撥水処理としては、例えば撥水剤の塗布あるいはフッ素系樹脂等の撥水材料の使用がある。
しかしながら、上記撥水処理は露光光が照射されると撥水性が劣化する性質を持つために、補助板４３において露光光が照射される領域は、取替え部品７０２として撥水性の劣化時に交換可能となっている。
【００３９】
取替え部品７０２は、補助板４３の上面の部分であり、取替え部品７０２の上面の高さ位置は、基板チャック４１ｂに装着後の基板４０の上面高さ位置と略同一になる。
図６（ａ）に示すように、基板４０の周辺部の液浸領域の液体ＬＷは、基板４０と補助板４３の隙間ｇ１を跨る。
しかし、図５（ａ）に示される実施例３のガス噴出機構は、液体ＬＷが基板４０と基板チャック４１ｂとの間の隙間に侵入することを低減することができる。
このとき、噴出されたガスＧは、基板４０と補助板４３との間の隙間ｇ１から雰囲気に開放されるが、隙間ｇ１の上に液浸領域の液体ＬＷが存在する場合には噴出されるガスＧの一部は、液浸領域の液体ＬＷに侵入する恐れがある。
その場合、基板４０の周辺部の液浸領域の液体ＬＷを所望の状態に維持することができず、露光精度が劣化する恐れがある。
したがって、ガスＧが基板４０の周辺部の液浸領域の液体ＬＷに侵入するのを低減することが重要となる。
【００４０】
以下、図６（ｂ）を参照して、ガスＧが基板４０の周辺部の液浸領域の液体ＬＷに侵入するのを抑止するガス噴出機構の構成を説明する。
以下の説明において、上述した実施例２と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
補助板４３の表面下において、基板４０の周辺部にガスＧあるいは液体ＬＷ、若しくはガスＧ及び液体ＬＷを回収し得る回収機構を備える。
【００４１】
回収流路７０１は、回収機構の一部を構成しており補助板４３の表面下に配置され上記隙間ｇ１に連通している。
基板４０の裏面のガスＧｈを回収するために、回収流路７０１の高さｈ２は、基板４０と取替え部品７０２との隙間ｇ１より大きく設定されている。
また、回収流路７０１の他端、つまり隙間ｇ１に連通していない端は、大気開放でもよいが、具体的には、不図示の減圧源に連通されている。
従って、回収機構は回収流路７０１及び不図示の減圧環境、若しく回収流路７０１により構成される。
ガスＧｈは、隙間ｇ１に位置する液体ＬＷが基板４０と基板チャック４１ｂとの間の隙間に侵入することを低減した後、回収流路７０１に回収される。
このため、ガスＧは、基板４０の周辺部の隙間ｇ１からその液浸領域の液体ＬＷに侵入することなく、液体ＬＷの隙間ｇ１内への侵入を低減して基板４０の良好な露光処理を行わせることができる。
【実施例４】
【００４２】
次に、実施例４の露光装置を説明する。
図７を参照して、実施例４の露光装置のガス噴出機構について説明する。
ここで、図７（ａ）は、実施例４の露光装置の基板４０の周辺部において多孔質体８０１の環状部分を含めて構成される回収機構を説明する概略説明図である。
図７（ａ）に示すように、回収流路７０１は、一方が圧力均一空間８０２を介して上記隙間ｇ１の補助板４３側に備えた断面形状がＬ字状の多孔質体８０１に繋がっており、他方が回収タンクを含む）減圧源８０３に連通されている。
減圧源８０３は、回収タンク内部を大気圧に対して負圧化することで、ガスＧｈを多孔質体８０１及び回収流路７０１を介して減圧源８０３に回収する。
【００４３】
図７（ｂ）は、図７（ａ）のＺ−Ｚ断面の上面図である。
多孔質体８０１は、環状部分として基板４０の周辺部に配置されているが、圧力損失が大きいので多孔質体８０１の表面８０１ａから略同一の減圧効果が得られる。
第二の効果としては、圧力損失が大きいことにより、圧力均一室８０２と減圧源８０３を繋ぐ回収流路８０１の数を減らすことができる。
このことは、実施例１において説明したように、基板ステージ４１の位置決め精度の劣化を抑止する効果がある。
以上、説明したように基板４０の周辺部に回収機構を設けることで、ガスＧが液浸領域の液体ＬＷに侵入するのを効果的に抑止することができる。
また、回収機構を、多孔質体８０１を用いて構成することで、基板４０の周辺部において略同一の減圧効果すなわち回収効果を得ることができる。
さらには、図７（ｂ）に示すように真空源８０３と接続する回収流路の数を少なくすることが可能となり、基板ステージ４１の位置決め精度の劣化を抑止することが可能となる。
【実施例５】
【００４４】
次に、実施例５の露光装置を説明する。
図８を参照して、実施例５の露光装置のガス噴出機構について説明する。
ここで、図８は、実施例５の露光装置の基板４０の周辺部のガス噴出機構及び回収機構の要部の構成を説明する概略説明図である。
以下の説明において、上述した実施例３と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本例の補助板４３には、圧力均一室９００ａを構成するとともに、圧力均一室９００ａの底面から不図示の回収タンクを含む減圧源に連通する回収流路９００ｂが構成されている。
【００４５】
また、圧力均一室９００ａの上部側には、圧力均一室９００ａの上部面積よりも大きい多孔質体９０１が環状部材として設置されている。多孔質体９０１は、基板４０の下部まで延伸している。
さらに基板４０の裏面の中心に向かって延伸する多孔質体の延伸部である凸部９０２を持つ。
このとき、基板４０と凸部９０２との隙間ｈ３を小さくすることで、ガスＧｈの流速を上げることができる。また、このとき、ガスＧｖの流速は変わらず保持される。
したがって、液体ＬＷが基板４０と基板チャック４１ｂとの隙間に侵入するのを低減する効果が増大すると共に、基板４０の裏面に及ぼす圧力の影響を抑止できる。
また、実施例の第二の効果は、隙間ｈ３を小さくすることで、同じガスＧｈの流速を得るのに必要なガスＧの流量を少なくすることができることである。
このとき、隙間ｈ３としては、２００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下である。
更に、凸部９０２を撥液処理することで、基板４０と基板チャック４１ｂとの隙間への液体ＬＷの侵入を抑制するのに必要なガスＧｈの流速を遅くすることができる。
撥液処理する材料としてはフッ素系樹脂、特に、ＰＴＦＥやＰＦＡ、パーフルオロアルキル基含有シランを用いることで、液体ＬＷが純水である場合に、撥液（撥水）処理したその表面の接触角を９０度以上にすることができる。
【００４６】
また、実施例５の第三の効果は、基板４０の裏面に回り込んだ液体ＬＷは、多孔質体９０１で形成された凸部９０２に回収され、さらに液体ＬＷは基板４０と基板チャック４１ｂとの隙間に侵入し難くなる。
また、実施例５の第四の効果として、多孔質体９０１は、取替え部品７０２の下部まで延伸しており、取替え部品７０２を吸引することで、補助板４３に強固に固定できる。
また、基板４０の周辺部の露光時において、液体ＬＷは取替え部品７０２と補助板４３との間にも侵入する恐れがあるが、多孔質体９０１が取替え部品７０２の下まで延伸することで、仮に液体ＬＷが進入しても回収できる。
【００４７】
以上、実施例５の説明において、基板４０の露光の際に不図示の回収タンクの内部は減圧されおり、回収機能は動作している。
しかしながら、本構成においては、隙間ｈ３が非常に狭いので、ガスＧの流量が少なく基板４０の周辺部の露光の際に、ガスＧｈは基板４０と補助板７０２との隙間ｇ１から液浸領域の液体ＬＷに侵入し難くなる。
したがって、露光の際において、減圧源を動作させなくても良い。
しかしながら、基板４０と補助板７０２との隙間から侵入した液体ＬＷは、多孔質体９０１の上部に溜まる恐れがあるので、基板４０の露光終了後の非露光時には減圧源を動作させることが好ましい。
また、非露光時に回収機構を動作させることには次の効果がある。即ち液体ＬＷは、多孔質体９０１で回収される際に、気化することで周囲の部材から気化熱を奪う恐れがある。
すると、周囲の部材は熱収縮を引き起こし、露光精度の劣化を生じる可能性があるが、露光終了後に回収を行うことで、液体の気化による露光精度の劣化を低減できる。
【実施例６】
【００４８】
次に、実施例６の露光装置を説明する。
図９を参照して、実施例６の露光装置のガス噴出機構について説明する。
ここで、図９（ａ）は、実施例６の露光装置の基板４０の周辺部の一つのガス噴出機構の要部の構成を説明する概略説明図である。
以下の説明において、上述した実施例３と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図９（ａ）に示すように、液溜空間１００１は基板４０の周辺部の補助板４３に形成される。
【００４９】
基板４０の周辺部の露光において、ガスＧｈの流れにより基板４０と基板チャック４１ｂとの隙間に侵入するのを抑止された液体ＬＷは、液溜空間１００１に落下することで基板４０の端部から速やかに除去される。  
このとき、基板４０の裏面と補助板４３に形成された凸部１００２との隙間ｈ３は、２００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下である。
更に、凸部１００２を撥液処理することで、基板４０と基板チャック４１ｂとの隙間への液体ＬＷの侵入を抑制するのに必要なガスＧｈの流速を遅くすることができる。
基板４０の周辺を露光する際に、凸部１００２の側面１００２Ｓは露光光が照射されることで親液性になる。
また、基板４０の側面及び裏面に関しても、撥液処理が施されていない場合には親液性である。更に取替え部品７０２に関しても、基板４０の周辺を露光する際に液体ＬＷの残留を低減するために、撥液処理されている。
しかし、露光光が照射されることで撥液処理は徐々に劣化する。
そのため、基板４０の周辺を露光する際に基板４０と取替え部品７０２の隙間に液が毛管現象で溜まったままになる場合がある。
取替え部品７０２の側面を基板４０の側面に対向する面７０２Ｓ１と斜面７０２Ｓ２で構成し、面７０２Ｓ１の厚さｈｄを基板４０の厚さよりも薄くし、露光光が直接照射されない斜面７０２Ｓ２に関しても撥液処理する。
そうすることで、取替え部品７０２と基板４０の隙間に液体ＬＷが溜まりにくく、液体ＬＷは基板４０と凸部１００２の側面をつたって液溜空間１００１に落下させることができる。
また、露光光が照射されて、親液性になる凸部１００２の側面１００２Ｓを予め親液処理することで、取替え部品７０２と基板４０の隙間に液体ＬＷが溜まりにくくすることができる。
親液処理する材料としては、使用する液体が純水の場合、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、熱処理によって表面のみにＳｉＯ２を有するＳｉＣ、高安定性ガラスセラミック（例えばゼロデュア、Ｓｃｈｏｔｔ社製）などが好適である。  また、液体に水以外の液体を用いる場合は、液体に耐性を有し、且つ溶出物質が少ない材料で、前述の親液性を示す材料を広く用いることができる。
また、取替え部品７０２の側面を基板４０の側面に対向する面７０２Ｓ１と斜面７０２Ｓ２のエッジを無くし、曲面で構成しても同様の効果を得ることができる。
図９（ｂ）及び（ｃ）は、液溜空間１００１に多孔質体１００３から構成される回収機構を設けた構成を説明する概略説明図である。
多孔質体１００３は、一例として図９（ｂ）に示す場合、横向きに連通される回収流路１００４付近の横側の位置で液溜空間１００１を構成する位置に配置されている。
【００５０】
また、多孔質体１００３は、一例として図９（ｃ）に示す場合、下向きに連通される回収流路１００４付近の下側の位置で液溜空間１００１を構成する位置に配置されている。
図９（ｂ）及び（ｃ）に示すように、回収流路１００４の他方は、不図示の回収タンクを含む減圧源に接続されており、回収タンクの内部は大気圧に対して負圧化されている。
液溜空間１００１に溜まった液体ＬＷは、回収タンクへと回収することも可能である。また、実施例４で説明した理由により、実施例６でも液溜空間１００１に溜まった液体ＬＷの回収は、露光終了の際に行ってもよい。
【実施例７】
【００５１】
次に、実施例７の露光装置を説明する。
図１０を参照して、実施例７の露光装置のガス噴出機構について説明する。図１０は、実施例７の露光装置の基板４０の周辺部の一つのガス噴出機構及び回収機構の要部の構成を説明する概略説明図である。
図１０に示すように、本実施例の回収機構は、基板４０の面に対して垂直方向である上方及び下方に分離して配置される。
液溜空間１００１の側面、及び底面側において、空間的に独立した二つの多孔質体１１０１，１１０２を備える。
多孔質体１１０１は、液溜空間１００１の側面に連通する回収流路１１０３の上流側に備わり、多孔質体１１０２は、液溜空間１００１の底面に連通する回収流路１１０４付近に備わる。
【００５２】
回収流路１１０３及び回収流路１１０４は切り替え弁１１０５において、回収流路１１０６に接続されており、切り替え弁１１０５は回収流路１１０６を介して不図示の回収タンクを含む減圧源に通じる。
基板４０の周辺部の露光の際には、切り替え弁１１０５は、回収流路１１０６と回収流路１１０３を連通させており、供給されたガスＧｈは多孔質体１１０１から回収される。
このとき液体ＬＷは、多孔質体１１０１が液溜空間１００１の上部側の側面に配置されているので、回収されずに液溜空間１００１に溜まる。
露光終了の際に、切り替え弁１１０５は、回収流路１１０６と回収流路１１０４を連通して、液溜空間１００１に溜まった液体ＬＷを不図示の回収タンクへと輸送することができる。
したがって、露光終了の際にのみ、液体ＬＷは回収されるので液体ＬＷの気化熱の影響を抑止することができる。
尚、切り替え弁１１０５の切り替えを行う手段には任意の手段を用いてよく、例えば露光開始時、及び露光終了時を検出するセンサや制御系からの信号の入力部を備えるという態様がある。
【実施例８】
【００５３】
次に、実施例８の露光装置を説明する。
図１４を参照して、実施例８の露光装置のガス噴出機構について説明する。ここで、図１４は、実施例８の露光装置の基板４０の周辺部の一つのガス噴出機構の要部の構成を説明する概略説明図である。
以下の説明において、上述した実施例と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図１４に示すように、液溜空間１００１は基板４０の周辺部の補助板４３に形成される。
基板４０の周辺部の露光において、ガスＧｈの流れにより基板４０と基板チャック４１ｂとの隙間に侵入するのを抑止された液体ＬＷは、液溜空間１００１に落下することで基板４０の端部から速やかに除去される。
このとき、基板４０の裏面と補助板４３に形成された凸部１００２との隙間ｈ３は、２００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下である。
基板４０の裏面に対向し、露光光が直接照射されることのない凸部１００２の面１００２Ｔを撥液処理する。
これにより、基板４０と基板チャック４１ｂとの隙間への液体ＬＷの侵入を抑制するのに必要なガスＧｈの供給量を安定して減らすことができる。
基板４０の周辺を露光する際に、凸部１００２の側面１００２Ｓは露光光が照射されることで親液化される。また、基板４０の側面及び裏面に関しても、撥液処理が施されていない場合には親液性である。
【００５４】
更に取替え部品７０２に関しても、基板４０の周辺を露光する際に液体ＬＷの残留を低減するために、撥液処理されているが、露光光が照射されることで撥液処理は徐々に劣化する。
そのため、基板４０の周辺を露光する際に基板４０と取替え部品７０２の隙間に液が毛管現象で溜まったままになる場合がある。
基板４０と取替え部品７０２の隙間に液を溜まり難くするためには、基板４０の側面に対向する取替え部品７０２の側面が、基板４０の側面に平行な第１の面７０２Ｓ１と平行でない第２の面である斜面７０２Ｓ２に形成される。
さらに、面７０２Ｓ１の厚さｈｄを基板４０の厚さ以下、好ましくは、基板４０の厚さの２分の１以下に設定する。
面７０２Ｓ１の厚さｈｄが０となるような形状であっても良い。また、露光光が直接照射されない斜面７０２Ｓ２を形成する角度Θ２を４５°以下、好ましくは３０°以下の鋭角にし、撥液処理する。
このように構成ことで、取替え部品７０２と基板４０の隙間に液体ＬＷが溜まりにくく、液体ＬＷは基板４０と凸部１００２の側面をつたって液溜空間１００１に落下させることができる。
また、露光光が照射されて、親液性になる凸部１００２の側面１００２Ｓを予め親液処理することで、取替え部品７０２と基板４０の隙間に液体ＬＷが溜まりにくくすることができる。
【００５５】
また、取替え部品７０２の側面を基板４０の側面に対向する面７０２Ｓ１と斜面７０２Ｓ２のエッジを無くし、曲面で構成しても同様の効果を得ることができる。
基板４０の製造誤差、配置誤差により、基板４０と取替え部品７０２の隙間が広くなる場合に、液体ＬＷの落下量が多くなり、最終レンズ３０ａと基板４０で液体（液浸液）ＬＷが不足し、空気が進入することがある。
更に、落下する液量が多い場合、回収流路１００４からの排気量を多く設定する必要があり、液体と空気を同時に吸い込む際の気化熱が大きくなることで、周囲の部材は熱収縮を引き起こし、露光精度の劣化を生じる可能性がある。
そのため、凸部１００２の側面１００２Ｓに角度Θ１の傾斜を設けることが好ましい。角度Θ１を３０°以上、好ましくは４５°以上、更に好ましくは６０°以上にすることで、落下する液量を減少させることができる。
多孔質体１００３は、図９（ｃ）同様に、下向きに連通される回収流路１００４付近の下側の位置で液溜空間１００１を構成する位置に配置されている。
回収流路１００４の他方は、不図示の回収タンクを含む減圧源に接続されており、回収タンクの内部は大気圧に対して負圧化されている。
液溜空間１００１に溜まった液体ＬＷは、回収タンクへと回収することも可能である。
また、先の実施例同様に本実施例でも液溜空間１００１に溜まった液体ＬＷの回収は、露光終了の際に行ってもよい。
【実施例９】
【００５６】
次に、実施例９の露光装置を説明する。
図１５を参照して、実施例９の露光装置のガス噴出機構について説明する。
ここで、図１５は、実施例９の露光装置の基板４０の周辺部の一つのガス噴出機構の要部の構成を説明する概略説明図である。
以下の説明において、上述した実施例と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図１５に示すように、液溜空間１００１は基板４０の周辺部の補助板４３に形成される。
基板４０の周辺部の露光において、ガスＧｈの流れにより基板４０と基板チャック４１ｂとの隙間に侵入するのを抑止された液体ＬＷは、液溜空間１００１に落下することで基板４０の端部から速やかに除去される。
このとき、基板４０の裏面と補助板４３に形成された凸部１００２との隙間ｈ３は、２００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下である。
基板４０の裏面に対向し、露光光が直接照射されることのない凸部１００２の面１００２Ｔを撥液処理する。
これにより、基板４０と基板チャック４１ｂとの隙間への液体ＬＷの侵入を抑制するのに必要なガスＧｈの供給量を安定して減らすことができる。
【００５７】
補助板４３とほぼ同じ高さであり、補助板４３と隙間ｇ１１を形成するように、取替え部品７０２は配置される。
隙間ｇ１１は、０．１〜２．０ｍｍ程度、好ましくは０．３〜１．０ｍｍ程度である。取替え部品７０２は不図示の部材により、補助板４３から支持されている。
また、液溜空間１００１と隙間ｇ１１、ｇ１はつながっており、隙間ｇ１１、ｇ１に流れ込む液体ＬＷを液溜空間１００１に溜めることができる。
露光光が照射されることで、撥液処理された部材は徐々に劣化し、親液性になる。また、劣化の際に撥液処理された部材からパーティクルが発生し、露光不良の原因となる。
そのため、予め、露光光が照射される領域を親液処理することで、接触角の変化を抑制し、パーティクルの発生を抑制することが可能になるので、取替え部品の交換頻度を減らすことができる。
親液処理する部分としては、凸部１００２につながる面である側面１００２Ｓ、補助板４３の側面４３Ｓ、取替え部品７０２の表面７０２Ｔである。
凸部につながる面である側面１００２Ｓは、基板４０の露光面の垂線に対し、傾斜を有する。
【００５８】
図１６に隙間ｇ１１をなくした変形例を示すが、図１６で、取替え部品７０２の表面が親液性である。
隙間ｇ１１がない場合に、補助板４３と取替え部品７０２の継ぎ目上を最終レンズ３０の下に液体ＬＷを満たした状態で基板４０が＋Ｘ方向に移動すると補助板４３上に残液が発生する。
原因は親液性である取替え部品７０２の表面７０２Ｔに界面が引っ張られるためである。
【００５９】
図１５に示すように隙間ｇ１１がある場合に、隙間ｇ１１上を最終レンズ３０の下に液体ＬＷを満たした状態で基板４０が＋Ｘ方向に移動すると補助板４３上の残液を抑制することができる。
基板４０の移動に伴って、取替え部品７０２に界面が引っ張られるものの、隙間ｇ１１から液体ＬＷが落下することで、伸び出した液体ＬＷを液溜空間１００１に導くことができるためである。
図１６の場合、補助板４３上に残液が発生しやすくなるものの、取替え部品７０２の表面７０２Ｔを予め親液処理された部材を使用することで、露光光が照射されることによる接触角の変化を抑制し、パーティクルの発生を抑制することができる。
また、本実施例では取替え部品７０２の表面７０２Ｔを親水処理した条件で説明した。
しかし、表面７０２Ｔを撥液処理し、露光光により、撥液性が劣化し、取替え部品７０２上で残液が発生する場合でも、隙間ｇ１１を設けることで、残液が補助板４３上や基板４０上に飛散するのを抑制することが可能である。
また、先の実施例同様に、基板４０と取替え部品７０２の隙間ｇ１、及び、取替え部品７０２と補助板４３の隙間ｇ１１に液を溜め難くする。
このため、取替え部品７０２の補助板４３側と基板４０側の両側に対向する面の厚さを基板４０の厚さ以下に設定し、且つ、露光光が直接照射されない取替え部品７０２の底面７０２Ｂを撥液処理する。
【００６０】
また、液体ＬＷの落下量が多すぎる場合、最終レンズ３０ａと基板４０で液体（液浸液）ＬＷが不足し、空気が進入することがある。
更に、回収流路１００４から排気するガス流量を多く設定する必要があり、液体と空気を同時に吸い込む際の気化熱が大きくなり、周囲の部材は熱収縮を引き起こし、露光精度の劣化を生じる可能性がある。
そのため、凸部１００２の側面１００２Ｓの角度Θ１、補助板４３の側面４３Ｓの角度Θ３を大きくすることで、落下する液量を減少させることができる。
そのため、角度Θ１、Θ３を３０°以上、好ましくは４５°以上、更に好ましくは６０°以上にすることで、落下する液量を減少させることができる。
多孔質体１００３は、先の実施例同様に、下向きに連通される回収流路１００４付近の下側の位置で液溜空間１００１を構成する位置に配置されている。
回収流路１００４の他方は、不図示の回収タンクを含む減圧源に接続されており、回収タンクの内部は大気圧に対して負圧化されている。
液溜空間１００１に溜まった液体ＬＷは、回収タンクへと回収することも可能である。
また、先の実施例同様に本実施例でも液溜空間１００１に溜まった液体ＬＷの回収は、露光終了の際に行ってもよい。
また、本実施例では隙間ｇ１、ｇ１１に対し、１個の液溜空間１００１に液を溜め、排液するように示しているが、隙間ｇ１、ｇ１１のそれぞれに対し、個別に液溜空間を設け、排液するように構成してもよい。
【００６１】
（デバイス製造方法の実施例）
次に、図１１及び図１２を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。  
図１１は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。
ステップＳ３（基板製造）ではシリコン等の材料を用いて基板を製造する。
ステップＳ４（基板プロセス）は前工程と呼ばれ、マスクと基板を用いて、上記液浸露光装置１によりリソグラフィ技術を利用して基板上に実際の回路を形成する。
ステップＳ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製された基板を用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。
ステップＳ６（検査）では、ステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップＳ７）される。
【００６２】
図１２は、ステップ４の基板プロセスの詳細なフローチャートである。
ステップＳ１１（酸化）では、基板の表面を酸化させる。
ステップＳ１２（ＣＶＤ）では、基板の表面に絶縁膜を形成する。
ステップＳ１３（電極形成）では、ウエハに電極を形成する。
ステップＳ１４（イオン打ち込み）では、基板にイオンを打ち込む。
ステップＳ１５（レジスト処理）では、基板に感光剤を塗布する。
ステップＳ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンを基板に露光する。
ステップＳ１７（現像）では、露光した基板を現像する。  
ステップＳ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削取る。
ステップＳ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによって基板上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例のデバイス製造方法においては、上記液浸露光装置１を用いるため、高精度に安定した露光処理が可能であり、生産するデバイスの品質の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施例１の露光装置の構成を示す概略説明図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の実施例１の液体供給ノズル及び液体回収ノズルの配置例を説明する配置説明図である。  図２（ｂ）は、実施例１の液体供給ノズル及び液体回収ノズルの構成例の側面視説明図である。  図２（ｃ）は、実施例１の液体供給ノズル及び液体回収ノズルの構成例の一部破断上面図である。
【図３】図３（ａ）は、実施例１の露光装置における基板の周辺部の構成を示す拡大説明図である。  図３（ｂ）は、図３（ａ）のＺ−Ｚ断面の上面図である。
【図４】本発明の実施例１の基板ステージの移動機構を示す概略構成図である。
【図５】図５（ａ）は、本発明の実施例２の基板周辺部のガス噴出機構の拡大説明図である。  図５（ｂ）は、図５（ａ）のＺ−Ｚ断面の上面図である。
【図６】図６（ａ）は、本発明の実施例３の基板周辺部の露光処理の様子を示す拡大説明図である。  図６（ｂ）は、実施例３の基板周辺部のガス噴出機構の拡大説明図である。
【図７】図７（ａ）は、本発明の実施例４の基板周辺部のガス噴出機構及び回収機構の拡大説明図である。  図７（ｂ）は、図７（ａ）のＺ−Ｚ断面の上面図である。
【図８】本発明の実施例５の基板周辺部のガス噴出機構及び回収機構の拡大説明図である。
【図９】図９（ａ）は、本発明の実施例６の第１例の基板周辺部のガス噴出機構の拡大説明図である。  図９（ｂ）は、本発明の実施例６の第２例の基板周辺部のガス噴出機構及び回収機構の拡大説明図である。  図９（ｃ）は、本発明の実施例６の第３例の基板周辺部のガス噴出機構及び回収機構の拡大説明図である。
【図１０】本発明の実施例７の基板周辺部のガス噴出機構及び回収機構の拡大説明図である。
【図１１】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図１２】図１１に示すフローチャートのステップ４の基板プロセスの詳細なフローチャートである。
【図１３】従来の技術を説明する説明図である。
【図１４】本発明の実施例８の基板周辺部のガス噴出機構及び回収機構の拡大説明図である。
【図１５】本発明の実施例９の基板周辺部のガス噴出機構及び回収機構の拡大説明図である。
【図１６】本発明の実施例９の変形例の基板周辺部のガス噴出機構及び回収機構の拡大説明図である。
【符号の説明】
【００６４】
１      露光装置  １０    照明装置  １１    光源部
１２    照明光学系    ２０    レチクル  ２１    レクチルステージ
２２，４２    定盤      ３０    投影光学系      ３０ａ  最終レンズ
４０    基板            ４１    基板ステージ    ４１ａ  ピン
４１ｂ  基板チャック  ４１ｃ  天板              ４１ｄ  微動ステージ
４１ｅ  粗動ステージ  ４３    補助板            ５０    測距装置
５１，５２    参照ミラー  ５３，５４    レーザー干渉計
１００  液体制御装置  １１０  供給回収機構  １１１  供給管１１２  回収管        １１３  液体供給ノズル  １１４  液体回収ノズル
１３０  制御部    ２０１  バッファ空間  ２０２，４０３    圧力均一室
４０１  加圧源        ４０２  配管            ４０４  流路
６０１，８０１，９０１，１００３，１１０１，１１０２    多孔質体
７０１，１００４，１１０３，１１０４，１１０６    回収流路
７０２  取替え部品    ８０１ａ    表面    ８０２，９００ａ    圧力均一室
８０３  減圧源    ９００ｂ  回収流路  ９０２，１００１    凸部
１００２    液留空間    １１０５    切り替え弁
ＬＷ    液体    
ｇ１、ｇ１１、ｈ３    隙間
ｇ２、ｇ３    幅
ｈ１、ｈ２    高さ
Ｇ，Ｇｈ，Ｇｖ    ガス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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