(57)【要約】【課題】製造過程における膜剥離の防止された太陽電池パネル製造システム、及び太陽電池パネル製造方法を提供することにある。【解決手段】光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板平均温度、透明電極層用レーザーエッチング装置の直前の基板洗浄器の洗浄水温度、及び裏面電極層用レーザーエッチング装置の直前の基板洗浄器の洗浄水温度、の温度差が±１０℃以下になるようにする。【選択図】図２
2008140885.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板と、前記基板の主面上に形成され、セル分割ラインによって複数の短冊状の発電セルに分割された太陽電池膜と、を有する太陽電池パネルを製造する太陽電池パネル製造システムであって、
前記基板の主面上に透明導電層を製膜する透明導電層製膜装置と、
前記透明導電層を、前記発電セルに対応させてレーザーエッチングする透明導電層用レーザーエッチング装置と、
前記透明導電層のレーザーエッチングされた基板上に光電変換層を製膜する光電変換層製膜装置と、
前記光電変換層を、前記発電セルに対応させてレーザーエッチングする光電変換層用レーザーエッチング装置と、
前記光電変換層のレーザーエッチングされた基板上に裏面電極膜を製膜する裏面電極膜製膜装置と、
前記裏面電極膜を、前記発電セルに対応させてレーザーエッチングする裏面電極用レーザーエッチング装置と、
洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数の基板洗浄器を有する基板洗浄部と、
を具備し、
前記基板洗浄部は、
前記透明導電層製膜装置と前記透明導電層用レーザーエッチング装置との間に配置された第１基板洗浄器と、
前記裏面電極膜製膜装置と前記裏面電極用レーザーエッチング装置との間に配置された第２基板洗浄器と、
を有し、
前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板平均温度と、前記第１基板洗浄器の洗浄水温度と、前記第２基板洗浄器の洗浄水温度の温度差を±１０℃以下になるようにした
太陽電池パネル製造システム。
【請求項２】
請求項１に記載された太陽電池パネル製造システムであって、
前記光電変換層を製膜後に、前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入されるまでの間に前記基板を冷却する冷却部と、
前記第１基板洗浄器の洗浄水温度を測定する第１基板洗浄器用温度センサと、
前記第２基板洗浄器の洗浄水温度を測定する第２基板洗浄器用温度センサと、
を具備し、
前記冷却部の後において、前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板平均温度と、前記透明導電層用レーザーエッチング装置の前工程に配置された基板洗浄器の洗浄水温度と、前記裏面電極用レーザーエッチング装置の前工程に配置された基板洗浄器の洗浄水温度の温度差を±１０℃以下になるように、前記冷却部の前記基板温度を管理する
太陽電池パネル製造システム。
【請求項３】
請求項２に記載された太陽電池パネル製造システムであって、
更に、
制御装置
を具備し、
前記制御装置は、前記第１基板洗浄器用温度センサ及び前記第２基板洗浄器用温度センサの測定結果に基いて、前記第１基板洗浄器及び前記第２基板洗浄器の洗浄水温度が、前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板平均温度と±１０℃以内になるように、前記冷却部の動作を制御する
太陽電池パネル製造システム。
【請求項４】
請求項１に記載された太陽電池パネル製造システムであって、
更に、
前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板温度を測定する光電変換層エッチング用温度センサと、
制御装置と、
を具備し、
前記基板洗浄部は、
前記第１基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第１温度コントローラと、
前記第２基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第２温度コントローラと、
を有し、
前記制御装置は、前記温度センサの測定結果に基いて、前記第１基板洗浄器及び前記第２基板洗浄器の洗浄水温度が、前記温度センサの測定結果の平均温度と±１０℃以内になるように、前記第１温度コントローラと前記第２温度コントローラの動作を制御する、
太陽電池パネル製造システム。
【請求項５】
請求項１に記載された太陽電池パネル製造システムであって、
前記基板洗浄部は、更に、
前記光電変換層製膜装置と前記光電変換層用レーザーエッチング装置との間に配置された第３基板洗浄器を有し、
前記第３基板洗浄器の洗浄水温度と、前記第１基板洗浄器の洗浄水温度と、前記第２基板洗浄器の洗浄水温度の温度差を±５℃以下になるようにした
太陽電池パネル製造システム。
【請求項６】
請求項５に記載された太陽電池パネル製造システムであって、
前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板温度を測定する温度センサと、
制御装置と、
を具備し、
前記基板洗浄部は、
前記第１基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第１温度コントローラと、
前記第２基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第２温度コントローラと、
前記第３基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第２温度コントローラと、
を有し、
前記制御装置は、前記温度センサの測定結果に基づいて、前記第１基板洗浄器と前記第２基板洗浄器及び前記第３基板洗浄器の洗浄水温度が、前記温度センサの測定結果の平均温度と±１０℃以内になるように、前記第１温度コントローラと前記第２温度コントローラと前記第３温度コントローラの動作を制御する
太陽電池パネル製造システム。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載された太陽電池パネル製造システムであって、
前記太陽電池パネルは前記太陽電池膜が前記透光性基板の主面上に形成され、前記主面上の基板端付近の周辺における少なくとも一部は、ラミネート処理工程の前までにおいて前記太陽電池膜の除去された除去領域となっており、
前記複数の基板洗浄器の各々は、搬送ローラーを有しており、
前記搬送ローラーは、基板を、前記セル分割ラインの形成される方向と略平行となる方向を搬送方向として搬送し、
前記搬送ローラーは、前記基板を搬送するに際して前記基板を挟むように、前記基板の主面側と前記主面の反対面側の双方に配置され、主面側では前記除去領域または前記除去予定の領域で接触し、前記太陽電池膜の設けられた領域では接触しない
太陽電池パネル製造システム。
【請求項８】
請求項７に記載された太陽電池パネル製造システムであって、
前記各基板洗浄器は、すくなくとも、
高圧水によって洗浄を行う高圧シャワー部と、
純水によって洗浄を行う直水リンス部と、
水きりを行うエアーナイフ部と、
を有し、
前記高圧シャワー部は、高圧シャワー用ノズルを有し、
前記高圧シャワー用ノズルは、高圧水が、搬送上流側に傾いた角度で基板に吹き付けられるように設けられており、
前記高圧シャワー用ノズルは、高圧水の噴射方向と、搬送方向に垂直な面とが成す角度が、１０°以上３０°以下となるように設けられている
太陽電池パネル製造システム。
【請求項９】
請求項８に記載された太陽電池パネル製造システムであって、
前記制御装置は、前記高圧シャワー用ノズルを基板搬送方向と略直交する方向へ揺動させる
太陽電池パネル製造システム。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれかに記載された太陽電池パネル製造システムであって、
前記各基板洗浄器は、更に、
前記高圧シャワー部の前に、ロールブラシによって洗浄を行うロールブラシ部と、前記ロールブラシ部の上流側に設けられ、前記基板を洗浄水のミスト雰囲気に曝すための助走部と、
を有し、
前記助走部は、前記基板の搬送方向長さの１／２以上で２枚分以下のスペースを有している
太陽電池パネル製造システム。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載された太陽電池パネルの製造システムであって、
更に、
自然乾燥区間
を具備し、
前記自然乾燥区間は、前記各基板洗浄器から搬出された前記基板が、次の下流側の処理装置に搬入されるまでの間に、前記基板を自然乾燥させるための区間である
太陽電池パネル製造システム。
【請求項１２】
基板と、前記基板の主面上に形成され、セル分割ラインによって複数の短冊状の発電セルに分割された太陽電池膜と、を有する太陽電池パネルを製造する太陽電池パネル製造方法であって、
前記基板の主面上に透明導電層を製膜する透明導電層製膜ステップと、
前記透明導電層を、前記発電セルに対応させてレーザーエッチングする透明導電層エッチングステップと、
前記透明導電層上に光電変換層を製膜する光電変換層製膜ステップと、
前記光電変換層を、前記発電セルに対応させてレーザーエッチングする光電変換層エッチングステップと、
前記光電変換層上に裏面電極膜を製膜する裏面電極膜製膜ステップと、
前記裏面電極膜を、前記発電セルに対応させて裏面電極膜エッチングステップと、
各ステップ間で洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数回の洗浄ステップと、
を具備し、
前記複数回の洗浄ステップは、
前記透明導電層エッチングステップの直前に実施され、前記光電変換層エッチングステップの直前の基板平均温度に対して±１０℃以内の洗浄水温度で前記基板を洗浄する第１洗浄ステップと、
前記裏面電極膜エッチングステップの直前に実施され、前記光電変換層エッチングステップの直前の基板平均温度に対して±１０℃以内の洗浄水温度で前記基板を洗浄する第２洗浄ステップと、
を有する
太陽電池パネル製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載された太陽電池パネル製造方法であって、
更に、
前記光電変換層製膜ステップと前記光電変換層エッチングステップとの間に実施され、前記基板を冷却する冷却ステップと、
前記第１基板洗浄器の洗浄水温度を測定するステップと、
前記第２基板洗浄器の洗浄水温度を測定するステップと、
を具備し、
前記冷却ステップにおいて基板を冷却するにあたり、前記光電変換層エッチングステップの直前の基板平均温度と、前記第１洗浄ステップにおける洗浄水温度と、前記第２洗浄ステップにおける洗浄水温度との温度差が±１０℃以下になるように、冷却する
太陽電池パネル製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載された太陽電池パネル製造方法であって、
前記冷却ステップにおいて、前記第１基板洗浄器及び前記第２基板洗浄器の洗浄水温度が、前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板平均温度に対して±１０℃以内になるように、冷却動作を制御する
太陽電池パネル製造方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載された太陽電池パネル製造方法であって、
更に、
前記光電変換層エッチングステップの直前の基板温度を測定する基板温度測定ステップと、
前記複数回の洗浄ステップにおいて吹き付けられる洗浄水の温度を管理する温度管理ステップと、
を具備し、
前記温度管理ステップにおいて洗浄水の温度を管理するにあたり、前記第１洗浄ステップ及び前記第２洗浄ステップにおける洗浄水温度が前記基板温度測定ステップにおける測定結果の平均温度と±１０℃以内になるように管理する
太陽電池パネル製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載された太陽電池パネル製造方法であって、
前記複数回の洗浄ステップは、更に、
前記光電変換層用エッチングステップの直前実施される第３洗浄ステップを有し、
前記第１洗浄ステップ、前記第２洗浄ステップ、及び前記第３洗浄ステップにおける洗浄水温度の温度差を、±５℃以下になるようにする
太陽電池パネル製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載された太陽電池パネル製造方法であって、
更に、
前記光電変換層用エッチングステップの直前の基板温度を測定する基板温度測定ステップと、
前記複数回の洗浄ステップにおいて吹き付けられる洗浄水の温度を管理する温度管理ステップと、
を具備し、
前記温度管理ステップにおいて洗浄水の温度を管理するにあたり、前記第１洗浄ステップ、前記第２洗浄ステップ、及び前記第３洗浄ステップにおける洗浄水温度が、前記基板温度測定ステップにける測定結果の平均温度と±１０℃以内になるように、管理する
太陽電池パネル製造方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７のいずれかに記載された太陽電池パネル製造方法であって、
前記太陽電池パネルは前記太陽電池膜が前記透光性基板の主面上に形成され、前記主面上の基板端付近の周辺における少なくとも一部は、ラミネート処理工程の前までにおいて前記太陽電池膜の除去された除去領域となっており、
前記複数回の洗浄ステップの各々において、基板を、前記セル分割ラインの形成される方向と略平行となる方向を搬送方向として、搬送ローラーにより搬送しながら洗浄し、
前記搬送ローラーは、前記基板を挟むように、前記基板の主面側と前記主面の反対面側の双方に配置されており、
前記各洗浄ステップにおいて基板を搬送するに際し、前記搬送ローラーが、前記除去領域又は前記主面の反対面で接触し、前記太陽電池膜の設けられた領域では接触しないように搬送する
太陽電池パネル製造方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載された太陽電池パネル製造方法であって、
前記各洗浄ステップは、すくなくとも、
高圧水によって洗浄を行う高圧シャワーステップと、
純水によって洗浄を行う直水リンスステップと、
水きりを行うエアーナイフステップと、
を有し、
前記高圧シャワーステップにおいて高圧水を吹き付けるにあたり、高圧水の噴射方向を、搬送方向に垂直な面とが為す角度が１０°以上３０°以下になるように、搬送上流側に傾けて吹き付ける
太陽電池パネル製造方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載された太陽電池パネル製造方法であって、
前記高圧シャワーステップにおいて、高圧水を、基板搬送方向と略直交する方向へ揺動させながら吹き付ける
太陽電池パネル製造方法。
【請求項２１】
請求項１８乃至２０のいずれかに記載された太陽電池パネル製造方法であって、
前記各洗浄ステップは、更に、
前記高圧シャワーステップの前に実施され、ロールブラシによって洗浄を行うロールブラシステップと、
前記ロールブラシステップの前に実施され、前記基板を洗浄水のミスト雰囲気に曝す助走ステップと、
を有している
太陽電池パネル製造方法。
【請求項２２】
請求項１２乃至２１のいずれかに記載された太陽電池パネルの製造方法であって、
更に、
前記各洗浄ステップにおいて洗浄された基板を自然乾燥させる自然乾燥ステップ
を具備する
太陽電池パネル製造方法。
【請求項２３】
基板と、前記基板の主面上に形成され、セル分割ラインによって複数の短冊状の発電セルに分割された太陽電池膜と、前記基板の主面上の少なくとも一部に設けられ、前記太陽電池膜の除去された除去領域とを有する太陽電池パネルを製造する太陽電池パネル製造システム中で、被処理基板を洗浄する基板洗浄器であって、
高圧水によって洗浄を行う高圧シャワー部と、
純水によって洗浄を行う直水リンス部と、
水きりを行うエアーナイフ部と、
を具備し、
前記高圧シャワー部は、高圧シャワー用ノズルを有し、
前記高圧シャワー用ノズルは、高圧水が、搬送上流側に傾いた角度で基板に吹き付けられるように設けられており、
前記高圧シャワー用ノズルは、高圧水の噴射方向と、搬送方向に垂直な面とが成す角度が、１０°以上３０°以下となるように設けられている
基板洗浄器。
【請求項２４】
請求項２３に記載された基板洗浄器であって、
前記高圧シャワー用ノズルは、揺動する
基板洗浄器。
【請求項２５】
請求項２３又は２４に記載された基板洗浄器であって、
更に、
前記高圧シャワー部の前に、ロールブラシによって洗浄を行うロールブラシ部と、
前記ロールブラシ部の上流側に設けられ、前記基板を洗浄水のミスト雰囲気に曝すための助走部と、
を具備し、
前記助走部は、前記基板の搬送方向長さの１／２以上で２枚分以下のスペースを有している
基板洗浄器。
【請求項２６】
請求項２３乃至２５のいずれかに記載された基板洗浄器であって、
更に、
次の下流側の処理装置に搬入されるまでの間に、前記基板を自然乾燥させるための区間である自然乾燥区間
を具備する
基板洗浄器。
【請求項２７】
基板の主面上に透明導電層を製膜する透明導電層製膜装置と、前記透明導電層を、レーザーエッチングする透明導電層用レーザーエッチング装置と、前記透明導電層上に光電変換層を製膜する光電変換層成膜装置と、前記光電変換層をレーザーエッチングする光電変換層用レーザーエッチング装置と、前記光電変換層上に裏面電極膜を製膜する裏面電極膜成膜装置と、前記裏面電極膜をレーザーエッチングする裏面電極用レーザーエッチング装置とを有する太陽電池パネル製造システム中で、被処理基板を洗浄する基板洗浄システムであって、
前記透明導電層成膜装置と前記透明導電層用レーザーエッチング装置との間に配置された第１基板洗浄器と、
前記裏面電極膜成膜装置と前記裏面電極用レーザーエッチング装置との間に配置された第２基板洗浄器と、
前記第１基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第１温度コントローラと、
前記第２基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第２温度コントローラと、
前記光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板温度を測定する温度センサと、
制御装置と、
を具備し、
前記制御装置は、前記温度センサの測定結果に基いて、前記第１温度コントローラと前記第２温度コントローラの動作を制御する
基板洗浄システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池パネルの製造システム及び太陽電池パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池パネルを製造する太陽電池パネル製造システムが知られている。その太陽電池パネル製造システムによって、透光性基板上に太陽電池膜が積層され、複数の発電セルにパターニングを行い、電気的に直列接続となるように集積化され、更にバックシートや端子箱を取り付けてパネル化されて太陽電池パネルが製造される。このような太陽電池パネル製造システムとしては、例えば、特許文献１に記載されたものを挙げることができる。特許文献１には、各工程機器を直列につなげた太陽電池パネル製造システムが開示されている。
【０００３】
太陽電池パネル製造システムに対する要求の一つとして、基板上に積層された太陽電池膜が、製造過程において剥離しないこと、がある。
【０００４】
膜剥離防止には、洗浄工程も重要である。太陽電池パネルは、多くの工程を経て製造される。各処理工程において、異物が被処理基板に付着していると、その部分が短絡欠陥となったり、後工程の製膜の下地に入り込んで剥離の原因となったりする事がある。従って、被処理基板の表面の異物を除去するために、製造途中で洗浄装置による被処理基板の洗浄が行われる。
【０００５】
洗浄装置や洗浄方法に関する技術としては、特許文献２に記載のものが挙げられる。その特許文献２には、被処理基板を洗浄水に浸漬させるとともに、洗浄水に超音波振動を付与することが記載されている。
【０００６】
また、特許文献３には、搬送洗浄中に、導電ブラシ機構によって、複数のセルのうちの正極側と負極側のセル又はそれらに近いセル及び周縁領域と摺擦して電気的に導通させることが記載されている。
【０００７】
また、特許文献４には、基板上に透明導電膜を堆積して、この透明導電膜をレーザースクライブによって溶断した後に、洗浄を行う事が記載されている。
【０００８】
しかしながら、上述した洗浄方法を用いた場合、洗浄工程そのものにおいて、太陽電池膜が剥離してしまうことがあった。
【０００９】
また、太陽電池膜は、複数層の膜が積層されて形成される。この時、各層を積層する度にエッチングが行われる。ここで、エッチングされる位置が計画した位置からずれていたりすると、その部分では、上層に積層される膜が剥離してしまうことがあった。
【００１０】
位置ずれを防止するために、特許文献５には、スクライブ位置のずれ発生から、透明電極をスクライブする工程における基板温度と、半導体層をスクライブする工程における基板温度と、裏面電極をスクライブする工程における基板温度と、を設定値±１０℃以内の範囲に調整することが記載されている。
【００１１】
また、特許文献６には、レーザースクライビング加工時の温度を所望の温度にするための技術が記載されている。特許文献６には、レーザースクライビング加工時に、基板支持台に熱気空間形成器によって熱気空間を形成し、その熱気空間形成器中の気体に熱を供給して、基体の温度を規定される温度に加熱することが記載されている。
【００１２】
【特許文献１】特開２００５−２３５９１６号  公報
【特許文献２】特開２００１−４４４６６号  公報
【特許文献３】特開２００１−４４４６７号  公報
【特許文献４】特開平９−８３３７号  公報
【特許文献５】特開２０００−３５３８１６号  公報
【特許文献６】特開２００５−２０３５７４号  公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、製造工程中の膜剥離が防止された太陽電池パネル製造システム、及び太陽電池パネル製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
その課題を解決するための手段が、下記のように表現される。その表現中に現れる技術的事項には、括弧（）つきで、番号、記号等が添記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複数の形態又は複数の実施例のうちの少なくとも１つの実施の形態又は複数の実施例を構成する技術的事項、特に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現されている技術的事項に付せられている参照番号、参照記号等に一致している。このような参照番号、参照記号は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の技術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このような対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈されることを意味しない。
【００１５】
本発明にかかる太陽電池パネル製造システム（１）は、透光性基板（２）と、この基板（２）の主面上に形成され、セル分割ライン（３）によって複数の短冊状の発電セル（７）に分割され電気的に直列接続となるように集積化された太陽電池膜（４）と、を有する太陽電池パネル（５）を製造する太陽電池パネル製造システムである。基板（２）の主面上に透明導電層（４１）を製膜する透明導電層製膜装置（６）と、透明導電層（４１）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする透明導電層用レーザーエッチング装置（８）と、透明導電層（４１）上に光電変換層（４２）を製膜する光電変換層製膜装置（９）と、光電変換層（４２）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする光電変換層用レーザーエッチング装置（１０）と、光電変換層（４２）上に裏面電極膜（４３）を製膜する裏面電極膜製膜装置（１１）と、裏面電極膜（４３）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする裏面電極用レーザーエッチング装置（１２）と、洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数の基板洗浄器（２０１）を有する基板洗浄部（２０）と、を具備する。基板洗浄部（２０）は、透明導電層製膜装置（６）と透明導電層用レーザーエッチング装置（８）との間に配置された第１基板洗浄器（２１）と、裏面電極膜製膜装置（１１）と裏面電極用レーザーエッチング装置（１２）との間に配置された第２基板洗浄器（２２）と、を有している。光電変換層をレーザーエッチングする直前の基板温度を参考にして、第１基板洗浄器（２１）の洗浄水温度と、第２基板洗浄器（２２）の洗浄水温度を略一定になるように管理する。
【００１６】
このような構成に依れば、光電変換層をレーザーエッチングする直前の基板温度を参考にして、第１基板洗浄器（２１）と第２基板洗浄器（２２）の洗浄水温度を管理する。光電変換層製膜装置から搬出される基板温度は外部基板搬送ラインのローラに損傷を与えないように約１００℃以下へ冷却されていて、時間とともに自然放冷などにより室温へと近づいてゆくが、基板に十分な冷却時間をかけない限り、基板搬送を経由してこの後に光電変換層をレーザーエッチングする直前の基板温度は、略３０℃〜略５０℃であり室温より高い状況にある。
製造中の基板は、第１基板洗浄器（２１）によって洗浄された際に、温度調整の成されたその洗浄水温度に近い温度になる。洗浄水温度に近い温度とされた基板は、第１基板洗浄器（２１）から搬出され、透明導電層のレーザーエッチングが施される。即ち、透明導電層をレーザーエッチングする際の基板温度を、光電変換層をレーザーエッチングする直前に実測した基板温度に対して、温度差が少なくなるように洗浄水温度で管理しておくことで、レーザーエッチングする際の基板温度の温度差を少なくすることができる。同様に、第２基板洗浄器（２１）を通過した際にも基板温度が管理されるので、裏面電極膜レーザーエッチング時の基板温度も、光電変換層レーザーエッチング時と基板温度差を少なくできる。これにより、光電変換層のレーザーエッチング時と、透明導電層のレーザーエッチング時と、裏面電極膜のレーザーエッチング時における基板温度の相互温度差を少なくすることができる。
【００１７】
透明電極層のレーザーエッチング時と、光電変換層のレーザーエッチング時と、裏面電極膜のレーザーエッチング時と、における基板温度に温度差が大きくある場合、各レーザーエッチング時における基板上に積層された太陽電池膜の間には、基板温度差による熱膨張で生じる相対位置の差により、実際にレーザーエッチングを行う位置が計画した位置とは異なる位置になってしまうことがある。このようなレーザーエッチング時の位置ずれは、膜剥離の原因となることがある。上述した構成によれば、各レーザーエッチング時の基板温度の相互温度差を少なくすることができるので、レーザーエッチング時の位置ずれを防止することができる。よって、膜剥離を防止することができる。
特に、一辺が１ｍを超える大型基板になると、基板温度差による各レーザーエッチング時の位置ずれが深刻になる。すなわち、基板の一辺の長さ：Ｌ（ｍ）、熱膨張長さ：△Ｌ（ｍ）、相対温度差：△Ｔ（℃）、基板の線膨張係数：α（＝８．５×１０−６、（／℃））とすると、
Ｌ＝α×△Ｔ×Ｌ
となる。
ここで、Ｌ＝０．５ｍ（一辺：１ｍの基板の場合のセンタ中央を基準にする）、△Ｌ≦４０μｍ（エッチング溝幅や溝位置設定を１００μｍ程度とした場合の約半分以内の精度を最低確保する）と仮に設定すると
Ｔ≦（△Ｌ／α／Ｌ）＝９．４（℃）
となる。
したがって、設計基準温度に対して±１０℃以内とすることが必要になる。
また、大型基板においてレーザーエッチング溝位置のずれを３０μｍ内に少なくすることが望ましく、この時には、この温度差（△Ｔ）を更に小さく、±７℃以内にすることが好適である。更にはレーザーエッチング溝位置のずれを２０μｍ内に少なくすると更に望ましく±５℃以内にすることが更に好適である。
【００１８】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、光電変換層を製膜の後に光電変換層用レーザーエッチング装置（１０）に投入されるまでの間に、製造中の基板を冷却する冷却部（３３）、を具備する。
光電変換層を製膜の後に製造中の基板を自然放冷で室温近くまで冷却させるには非常に時間を必要とし、専用の冷却装置とタクトタイムの延長を伴い、量産に支障を発生する。このため、冷却部（３３）は製造中の基板温度を約１００℃の温度から室温より高い２５℃から４０℃程度へと短時間で簡易に冷却できるものであり、例えば空冷ファンによる強制冷却が例示ざれる。
製造中の基板は、搬送中は時間経過とともに基板温度が室温へと徐々に近づくので、冷却部（３３）での基板冷却の目標温度は室温以上で室温に近い方が、レーザーエッチングする直前の温度が安定する。しかし室温に近づけるには大掛かりな冷却装置と冷却時間が必要になり望ましくない。このため略３０℃から略４０℃が冷却後の目標として好適になる。
基板洗浄部（２０）は、透明導電層製膜装置（６）と透明導電層用レーザーエッチング装置（８）との間に配置された第１基板洗浄器（２１）と、裏面電極膜製膜装置（１１）と裏面電極用レーザーエッチング装置（１２）との間に配置された第２基板洗浄器（２２）と、第１基板洗浄器（２１）の洗浄水温度と、第２基板洗浄器（２２）の洗浄水温度を管理しているため、洗浄された基板温度も略洗浄水温度となる。即ち、光電変換層をレーザーエッチングする直前に実測した基板温度に対して、温度差が少なくなるように洗浄水温度で管理しておくことで、各レーザーエッチングする際の基板温度の温度差を少なくすることができる。
上述した構成によれば、光電変換層用レーザーエッチング装置（１０）に投入される製造中の基板温度を、量産処理の期間において略一定温度に保つことができ、各レーザーエッチング時の基板温度の相互温度差を更に少なくすることができるので、レーザーエッチング時の位置ずれを更に防止することができる。よって、膜剥離を防止することができる。
また、光電変換層用レーザーエッチング装置（１０）に投入される直前の基板温度を計測して、冷却装置（３３）は制御装置（１４）を用いて、基板温度をより一定値になるように制御すると製造中の基板温度を更に一定温度に保つことができるので好適である。
上述した構成によれば、各レーザーエッチング時の基板温度の相互温度差を少なくすることができるので、レーザーエッチング時の位置ずれを防止することができ、膜剥離を防止することができる。
【００１９】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、基板洗浄部（２０）は、透明導電層製膜装置（６）と透明導電層用レーザーエッチング装置（８）との間に配置された第１基板洗浄器（２１）と、裏面電極膜製膜装置（１１）と裏面電極用レーザーエッチング装置（１２）との間に配置された第２基板洗浄器（２２）と、光電変換層製膜装置（９）と光電変換層用レーザーエッチング装置（１０）の間に配置された第３基板洗浄器（３６）を、具備する。第１基板洗浄器（２１）、第２基板洗浄器（２２）、及び第３基板洗浄器（３６）の洗浄水温度が、温度差が少なくなるように、管理することが好ましい。
光電変換層製膜装置（９）から搬出された製造基板は、光電変換層と裏面電極層との間の電気的コンタクト特性を維持させるために、洗浄工程を行わない場合がある。しかしながら、第３基板洗浄器（３６）を設置した際に太陽電池発電特性に支障がない場合には、光電変換層用レーザーエッチング装置（１０）において基板に付着していた異物によるエッチング不良の発生を抑制し、基板洗浄部の洗浄水による基板の温度の管理が可能になるので、好ましい。
上述した構成によれば、各レーザーエッチング時の基板温度の相互温度差をより少なくすることができるので、レーザーエッチング時の位置ずれを防止することができ、膜剥離を更に防止することができる。
【００２０】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、光電変換層用レーザーエッチング装置（１０）に投入される直前の基板温度を測定する温度センサ（１３）と、制御装置（１４）と、を具備する。制御装置（１４）は、第１基板洗浄器（２１）及び第２基板洗浄器（２２）の洗浄水温度が、温度センサ（１３）の測定結果の温度と温度差が小さくなるように、第１温度コントローラ（２３）と第２温度コントローラ（２４）の動作を制御することが好ましい。
基板洗浄部（２０）は、透明導電層製膜装置（６）と透明導電層用レーザーエッチング装置（８）との間に配置された第１基板洗浄器（２１）と、裏面電極膜製膜装置（１１）と裏面電極用レーザーエッチング装置（１２）との間に配置された第２基板洗浄器（２２）と、第１基板洗浄器（２１）の洗浄水温度を管理する第１温度コントローラ（２３）と、第２基板洗浄器（２２）の洗浄水温度を管理する第２温度コントローラ（２４）と、を有している。制御装置（１４）は、温度センサ（１３）の測定結果に基いて、第１温度コントローラ（２３）と第２温度コントローラ（２４）の動作を制御する。
上述した構成によれば、各レーザーエッチング時の基板温度の相互温度差をより厳密に少なくすることができるので、レーザーエッチング時の位置ずれを防止することができ、膜剥離を更に防止することができる。
【００２１】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、光電変換層用レーザーエッチング装置（１０）に投入される直前の基板温度を測定する温度センサ（１３）と、制御装置（１４）と、さらに光電変換層製膜装置（９）と光電変換層用レーザーエッチング装置（１０）の間に配置された第３基板洗浄器（３６）を具備する。
第３基板洗浄器（３６）の洗浄水温度を管理する第３温度コントローラ（３７）を有している。制御装置（１４）は、温度センサ（１３）の測定結果に基いて、第１温度コントローラ（２３）と第２温度コントローラ（２４）と第３温度コントローラ（３７）との動作を制御することが好ましい。
上述した構成によれば、各レーザーエッチング時の基板温度の相互温度差をより厳密に少なくすることができるので、レーザーエッチング時の位置ずれを防止することができ、膜剥離を更に防止することができる。
【００２２】
一方、太陽電池パネル製造システム（１）において、太陽電池パネル（５）の主面上の基板周辺部の少なくとも一部は、ラミネート処理工程前までに、太陽電池膜（４）の除去された除去領域（１５）となっている。複数の基板洗浄器（２０１）の各々は、搬送ローラー（２５）を有している。搬送ローラー（２５）は、基板（２）を、セル分割ライン（３）の形成される方向と略平行方向を搬送方向として搬送する。搬送ローラー（２５）は基板（２）を搬送するに際して、前記主面の反対面で接触するが、基板洗浄器（２０１）内部では基板と搬送ローラーが滑り易く、また洗浄処理中に基板が搬送ローラーから浮くことを抑制するために、基板（２）を挟むように基板（２）の主面側と主面の反対面側の双方に搬送ローラー（２５）が設置されることが好ましい。このとき、基板の主面側の搬送ローラー（２５）は、太陽電池膜（４）の除去された除去領域（１５）または除去予定の領域で接触することとし、ラミネート工程処理後も太陽電池膜（４）の設けられる領域では接触しないことが好ましい。
【００２３】
このような構成に依れば、搬送ローラー（２５）が、太陽電池膜（４）と接触しないので、膜剥離が防止される。また、搬送方向をセル分割ライン（３）の形成方向と略平行にすることで、搬送ローラー（２５）と洗浄処理中の基板の相対位置がずれてローラーが基板端付近の太陽電池膜（４）に接触したとしても、各セル分割ライン（３）の凹凸形状は基板搬送方向と略直角方向に存在するので、セル分割ライン（３）部分に膜を捲り上げて、直列接続が短絡するなどの不良化する不都合は抑制される。
【００２４】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、その各基板洗浄器（２０１）は、高圧水によって洗浄を行う高圧シャワー部（２７）と、純水によって洗浄を行う直水リンス部（２８）と、水きりを行うエアーナイフ部（２９）と、を有している。高圧シャワー部（２７）、直水リンス部（２８）、エアーナイフ部（２９）は、搬送の上流側からこの順で配置されている。
また、基板洗浄器（２０１）には、ロールブラシによって洗浄を行うロールブラシ部（２６）がある場合がある。ロールブラシ部（２６）は高圧シャワー部（２７）の搬送の上流側に配置される。ロールブラシは、太陽電池膜（４）の構成膜への物理的損傷を与えない工程位置に配置された基板洗浄器（２０１）に設置することができる。
【００２５】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、高圧シャワー部（２７）は、高圧シャワー用ノズル（３０）を有している。高圧シャワー用ノズル（３０）は、高圧水が搬送上流側に傾いた角度で基板（２）に吹き付けて、付着した異物を洗い流しやすいように設けられていることが好ましい。
【００２６】
このように、搬送上流側に傾けた角度で高圧水を吹き付けることによって、洗浄水の基板表面の流速を増加させて、基板上に付着した異物をより効果的に洗い流し、基板面上から排出すことができる。
【００２７】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、高圧シャワー用ノズル（３０）は、高圧水の噴射方向と、搬送方向に垂直な面とが成す角度が、１０°以上３０°以下となるように設けられていることが好ましい。
この角度が小さいと基板表面の流速を有効に増加させることができずに、付着異物へのせん断力が低下して、異物の除去効果が低下する。逆にこの角度が大きいと高圧シャワー用ノズルから噴射した洗浄水が重力に引かれて洗浄水が付着異物に衝突する力が低下して、、異物の除去効果が低下する。
【００２８】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、制御装置（１４）は、高圧シャワー用ノズル（３０）を基板搬送方向に略直交方向へ揺動させることが好ましい。
【００２９】
このように、高圧シャワー用ノズル（３０）を揺動させることによって、基板全体に満遍なく洗浄水を吹き付け、より均一に付着異物を除去することができる。
【００３０】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、各基板洗浄器（２０１）は、更に、ロールブラシ部（２６）の上流側に設けられ、基板（２）を洗浄水のミスト雰囲気に曝すための助走部（３１）を有することが好ましい。
【００３１】
このように、助走部（３１）を設けておくことにより、ロールブラシ部（２６）よりキャリオーバされた洗浄水のミストに基板が接触するので、基板洗浄器（２０１）が配置される工程において、基板の主面に形成済の太陽電池膜（４）を構成する膜は水膜に覆われた状態となる。ロールブラシ部（２６）では、水膜に覆われた状態でロールブラシによる洗浄が行われる。太陽電池構成膜を覆う水膜により、ロールブラシが太陽電池構成膜に与える物理的なダメージが低減される。
【００３２】
上記の太陽電池パネルの製造システム（１）において、助走部（３１）は、基板１／２枚から２枚分のスペースを有していることが好ましい。
基板洗浄器の設置面積を大幅に増加することなく、太陽電池の構成膜が水膜に覆われた状態になるには、ミストと接触しているのに適した時間が必要であるためである。
【００３３】
上記の太陽電池パネルの製造システム（１）は、更に、自然乾燥区間（３２）、を具備することが好ましい。自然乾燥区間（３２）は、各基板洗浄器（２０１）から搬出された基板（２）が、次の下流側の装置に搬入されるまでの間に、基板を自然乾燥させるための区間である。
【００３４】
特に、セル分割ラインの溝は、基板洗浄器（２０１）のエアーナイフ部（２９）で水切りを行ったあとでも、毛細管現象で水が表面張力で吸引されて水分が溜まり水分が十分に除去されにくい状況にある。この水分が溜まったまま製膜処理などの処理を行うと、処理時に水分は膜中成分に取り込まれて膜質を低下させたり、水分が急激に蒸発して、その蒸発の衝撃により膜剥離が起こることがある。上述のように、自然乾燥区間を設けておけば、次工程の処理までにセル分割ラインの溝に溜まった水分が蒸発するので、膜質の低下や急激な蒸発による膜剥離を防止することができる。
セル分割ラインの溝は狭いため、溝部分に溜まった水分量は少なく、水の蒸発速度（約０．２ｋｇ／ｍ２・ｈｒ）から換算すると、数分間で蒸発することが推察される。自然乾燥に必要とする時間は、各機器のタクトタイムと同程度の時間とすることで、製造時管を延長させることなく、効率的に溝部分に溜まった水分を乾燥させることができる。
【００３５】
本発明にかかる太陽電池パネル製造方法は、透光性基板（２）と、基板（２）の主面上に形成され、セル分割ライン（３）によって複数の短冊状の発電セル（７）に分割された太陽電池膜（４）と、を有する太陽電池パネル（５）を製造する太陽電池パネル製造方法である。その太陽電池パネル製造方法は、基板（２）の主面上に透明導電層（４１）を製膜する透明導電層製膜ステップ（ステップＳ２０）と、透明導電層（４１）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする透明導電層エッチングステップ（ステップＳ４０）と、透明導電層（４１）上に光電変換層（４２）を製膜する光電変換層製膜ステップ（ステップＳ５０）と、光電変換層（４２）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする光電変換層エッチングステップ（ステップＳ７０）と、光電変換層（４２）上に裏面電極膜（４３）を製膜する裏面電極膜製膜ステップ（ステップＳ８０）と、裏面電極膜（４３）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする裏面電極膜エッチングステップ（ステップＳ１００）と、各ステップ間で洗浄水を吹き付けて基板（２）を洗浄する複数回の洗浄ステップ（ステップＳ１０、３０、９０、１３０）と、を具備する。
光電変換層製膜後に洗浄ステップ（ステップＳ５５）を設けても良い。光電変換層エッチングステップ（Ｓ７０）の直前の基板温度を測定する基板温度測定ステップ（ステップＳ６０）と、基板洗浄ステップ（Ｓ１０、３０、（５５）、９０、１３０）において吹き付けられる洗浄水の温度を管理する温度管理ステップ（ステップＳ６１）と、を具備する場合があっても良い。複数回の洗浄ステップ（Ｓ１０、３０、（５５）、９０、１３０）は、透明導電層製膜ステップ（Ｓ２０）と透明導電層エッチングステップ（Ｓ４０）との間の基板を洗浄する第１洗浄ステップ（ステップＳ３０）と、裏面電極膜製膜ステップ（Ｓ８０）と裏面電極膜エッチングステップ（Ｓ１００）との間の基板を洗浄する第２洗浄ステップ（Ｓ９０）と、を有している。温度管理ステップ（Ｓ６１）において、基板温度測定ステップ（Ｓ６０）において測定された基板温度に基いて、第１洗浄ステップ（Ｓ２０）と第２洗浄ステップ（Ｓ９０）とにおいて吹き付けられる洗浄水の温度が管理される。光電変換層製膜ステップ（Ｓ５０）と光電変換層エッチングステップ（Ｓ７０）との間の基板を洗浄する第３洗浄ステップ（Ｓ５５）があっても良い。この時は、上記に加えて、第３洗浄ステップ（Ｓ５５）の吹き付けられる洗浄水の温度も追加して管理されることが好ましい。
【００３６】
上記の太陽電池パネル製造方法では、温度管理ステップ（Ｓ６１）において、第１洗浄ステップ（Ｓ３０）及び第２洗浄ステップ（Ｓ９０）において吹き付けられる洗浄水の温度が、基板温度測定ステップ（Ｓ６０）において測定された温度と温度差が小さくなるように、管理することが好ましい。
【００３７】
一方、太陽電池パネル製造方法において、太陽電池パネル（５）の主面上の基板端周辺部分の少なくとも一部は、ラミネート処理工程の前において太陽電池膜（４）の除去された除去領域（１５）となっている。複数回の洗浄ステップ（Ｓ１０、３０、（５５）、９０、１３０）の各々において、基板をセル分割ライン（３）の形成される方向と略平行方向を搬送方向として、搬送ローラー（２５）により搬送しながら洗浄する。各洗浄ステップ（Ｓ１０、３０、（５５）、９０、１３０）において基板（２）を搬送するに際し、搬送ローラー（２５）が、除去領域（１５）又は除去予定領域とその主面の反対面で接触し、太陽電池膜（４）の設けられた領域では接触しないように搬送することが好ましい。
【００３８】
上記の太陽電池パネル製造方法では、搬送ローラー（２５）は、基板（２）を挟むように、基板（２）の主面側とその主面の反対面側の双方に配置されていることが好ましい。
【００３９】
上記の太陽電池パネル製造方法において、各洗浄ステップ（Ｓ１０、３０、（５５）、９０、１３０）は、高圧水によって洗浄を行う高圧シャワーステップ（ステップＳ３）と、純水によって洗浄を行う直水リンスステップ（ステップＳ４）と、水きりを行うエアーナイフステップ（ステップＳ５）と、を有している。高圧シャワーステップ（Ｓ３）、直水リンスステップ（Ｓ４）、エアーナイフステップ（Ｓ５）は、この順で実行される。洗浄ステップの中には、ロールブラシによって洗浄を行うロールブラシステップ（ステップＳ２）を高圧シャワーステップ（Ｓ３）の前に実行する場合がある。
【００４０】
上記の太陽電池パネル製造方法では、高圧シャワーステップ（Ｓ３）において、高圧水を、搬送上流側に傾いた角度で基板に吹き付けることが好ましい。
【００４１】
上記の太陽電池パネル製造方法では、高圧シャワーステップ（Ｓ３）において、高圧水の噴射方向と、搬送方向に垂直な面とが成す角度が、１０°以上３０°以下となるように、高圧水を吹き付けることが好ましい。
【００４２】
上記の太陽電池パネル製造方法では、高圧シャワーステップ（Ｓ３）において、高圧水を基板搬送方向に略直交方向に揺動させながら吹き付けることが好ましい。
【００４３】
上記の太陽電池パネル製造方法において、各洗浄ステップ（Ｓ１０、３０、（５５）、９０、１３０）は、更に、ロールブラシステップ（Ｓ２）の前に実施され、基板を洗浄水のミスト雰囲気に曝す助走ステップ（ステップＳ１）、を有することが好ましい。
【００４４】
上記の太陽電池パネルの製造方法は、更に、各洗浄ステップ（Ｓ１０、３０、（５５）、９０、１３０）において洗浄された基板を、自然乾燥させる自然乾燥ステップ（ステップＳ６）、を具備することが好ましい。
【００４５】
本発明にかかる太陽電池パネルの製造方法は、透光性基板（２）と、基板（２）の主面上に形成され、セル分割ライン（３）によって複数の短冊状の発電セル（７）に分割された太陽電池膜（４）と、を有する太陽電池パネル（５）を製造する太陽電池パネル製造方法である。基板（２）の主面上に透明導電層（４１）を製膜する透明導電層製膜ステップ（ステップＳ２０）と、透明導電層（４１）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする透明導電層エッチングステップ（ステップＳ４０）と、透明導電層（４１）上に光電変換層（４２）を製膜する光電変換層製膜ステップ（ステップＳ５０）と、光電変換層（４２）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする光電変換層エッチングステップ（ステップＳ７０）と、光電変換層（４２）上に裏面電極膜（４３）を製膜する裏面電極膜製膜ステップ（ステップＳ８０）と、裏面電極膜（４３）を、発電セル（７）に対応させて裏面電極膜エッチングステップ（ステップＳ１００）と、各ステップ間で洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数回の洗浄ステップ（ステップＳ１０、３０、９０、１３０）と、を具備する。複数回の洗浄ステップ（ステップＳ１０、３０、９０、１３０）は、透明導電層製膜ステップ（ステップＳ２０）と透明導電層エッチングステップ（ステップＳ４０）との間の基板を洗浄する第１洗浄ステップ（ステップＳ３０）と、裏面電極膜製膜ステップ（Ｓ８０）と裏面電極膜エッチングステップ（Ｓ１００）との間の基板を洗浄する第２洗浄ステップ（Ｓ９０）と、を有している。光電変換層エッチングステップ（ステップＳ７０）前における基板温度を参考に、第１洗浄ステップの洗浄水温度と、第２洗浄ステップの洗浄水温度を管理する。光電変換層エッチングステップ（ステップＳ７０）前における基板平均温度と、第１洗浄ステップの洗浄水温度と、第２洗浄ステップの洗浄水温度は±１０℃以内が好ましい。
【００４６】
上記の太陽電池パネルの製造方法は、透光性基板（２）と、基板（２）の主面上に形成され、セル分割ライン（３）によって複数の短冊状の発電セル（７）に分割された太陽電池膜（４）と、を有する太陽電池パネル（５）を製造する太陽電池パネル製造方法である。基板（２）の主面上に透明導電層（４１）を製膜する透明導電層製膜ステップ（ステップＳ２０）と、透明導電層（４１）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする透明導電層エッチングステップ（ステップＳ４０）と、透明導電層（４１）上に光電変換層（４２）を製膜する光電変換層製膜ステップ（ステップＳ５０）と、光電変換層（４２）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする光電変換層エッチングステップ（ステップＳ７０）と、光電変換層（４２）上に裏面電極膜（４３）を製膜する裏面電極膜製膜ステップ（ステップＳ８０）と、裏面電極膜（４３）を、発電セル（７）に対応させて裏面電極膜エッチングステップ（ステップＳ１００）と、各ステップ間で洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数回の洗浄ステップ（ステップＳ１０、３０、９０、１３０）と、光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される前の基板を冷却する冷却ステップと、を具備する。複数回の洗浄ステップ（ステップＳ１０、３０、９０、１３０）は、透明導電層製膜ステップ（ステップＳ２０）と透明導電層エッチングステップ（ステップＳ４０）との間の基板を洗浄する第１洗浄ステップ（ステップＳ３０）と、裏面電極膜製膜ステップ（Ｓ８０）と裏面電極膜エッチングステップ（Ｓ１００）との間の基板を洗浄する第２洗浄ステップ（Ｓ９０）と、を有している。その冷却ステップ後の基板温度を参考に、第１洗浄ステップの洗浄水温度と、第２洗浄ステップの洗浄水温度を管理する。
【００４７】
上記の太陽電池パネル製造方法は、冷却ステップにおいて、第１洗浄ステップ（Ｓ３０）及び第２洗浄ステップ（Ｓ９０）における洗浄水温度が、光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板平均温度に対して±１０℃以内になるように、冷却動作を制御することが好ましい。
【００４８】
上記の太陽電池パネルの製造方法は、透光性基板（２）と、基板（２）の主面上に形成され、セル分割ライン（３）によって複数の短冊状の発電セル（７）に分割された太陽電池膜（４）と、を有する太陽電池パネル（５）を製造する太陽電池パネル製造方法である。基板（２）の主面上に透明導電層（４１）を製膜する透明導電層製膜ステップ（ステップＳ２０）と、透明導電層（４１）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする透明導電層エッチングステップ（ステップＳ４０）と、透明導電層（４１）上に光電変換層（４２）を製膜する光電変換層製膜ステップ（ステップＳ５０）と、光電変換層（４２）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする光電変換層エッチングステップ（ステップＳ７０）と、光電変換層（４２）上に裏面電極膜（４３）を製膜する裏面電極膜製膜ステップ（ステップＳ８０）と、裏面電極膜（４３）を、発電セル（７）に対応させて裏面電極膜エッチングステップ（ステップＳ１００）と、各ステップ間で洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数回の洗浄ステップ（ステップＳ１０、３０、５５、９０、１３０）と、を具備する。複数回の洗浄ステップ（ステップＳ１０、３０、５５、９０、１３０）は、透明導電層製膜ステップ（ステップＳ２０）と透明導電層エッチングステップ（ステップＳ４０）との間の基板を洗浄する第１洗浄ステップ（ステップＳ３０）と、裏面電極膜製膜ステップ（Ｓ８０）と裏面電極膜エッチングステップ（Ｓ１００）との間の基板を洗浄する第２洗浄ステップ（Ｓ９０）と、光電変換層製膜ステップ（Ｓ５０）と光電変換層エッチングステップ（Ｓ７０）との間の基板を洗浄する第３洗浄ステップ（Ｓ５５）と、を有している。第１洗浄ステップの洗浄水温度と、第２洗浄ステップの洗浄水温度と第３洗浄ステップの洗浄水温度を管理する。
【００４９】
上記の太陽電池パネルの製造方法は、透光性基板（２）と、基板（２）の主面上に形成され、セル分割ライン（３）によって複数の短冊状の発電セル（７）に分割された太陽電池膜（４）と、を有する太陽電池パネル（５）を製造する太陽電池パネル製造方法である。基板（２）の主面上に透明導電層（４１）を製膜する透明導電層製膜ステップ（ステップＳ２０）と、透明導電層（４１）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする透明導電層エッチングステップ（ステップＳ４０）と、透明導電層（４１）上に光電変換層（４２）を製膜する光電変換層製膜ステップ（ステップＳ５０）と、光電変換層（４２）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする光電変換層エッチングステップ（ステップＳ７０）と、光電変換層（４２）上に裏面電極膜（４３）を製膜する裏面電極膜製膜ステップ（ステップＳ８０）と、裏面電極膜（４３）を、発電セル（７）に対応させて裏面電極膜エッチングステップ（ステップＳ１００）と、各ステップ間で洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数回の洗浄ステップ（ステップＳ１０、３０、９０、１３０）と、光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板温度を計測する温度測定ステップ（ステップＳ６０）と、を具備する。複数回の洗浄ステップ（ステップＳ１０、３０、９０、１３０）は、透明導電層製膜ステップ（ステップＳ２０）と透明導電層エッチングステップ（ステップＳ４０）との間の基板を洗浄する第１洗浄ステップ（ステップＳ３０）と、裏面電極膜製膜ステップ（Ｓ８０）と裏面電極膜エッチングステップ（Ｓ１００）との間の基板を洗浄する第２洗浄ステップ（Ｓ９０）と、第１洗浄ステップにおける洗浄水温度を測定する第１温度測定ステップと、第２洗浄ステップにおける洗浄水温度を測定する第２温度測定ステップと、を有している。その温度測定ステップの基板温度にもとづいて、第１温度測定ステップ及び第２温度測定ステップにおいて測定された洗浄水温度の制御が行われる。
【００５０】
上記の太陽電池パネルの製造方法は、透光性基板（２）と、基板（２）の主面上に形成され、セル分割ライン（３）によって複数の短冊状の発電セル（７）に分割された太陽電池膜（４）と、を有する太陽電池パネル（５）を製造する太陽電池パネル製造方法である。基板（２）の主面上に透明導電層（４１）を製膜する透明導電層製膜ステップ（ステップＳ２０）と、透明導電層（４１）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする透明導電層エッチングステップ（ステップＳ４０）と、透明導電層（４１）上に光電変換層（４２）を製膜する光電変換層製膜ステップ（ステップＳ５０）と、光電変換層（４２）を、発電セル（７）に対応させてレーザーエッチングする光電変換層エッチングステップ（ステップＳ７０）と、光電変換層（４２）上に裏面電極膜（４３）を製膜する裏面電極膜製膜ステップ（ステップＳ８０）と、裏面電極膜（４３）を、発電セル（７）に対応させて裏面電極膜エッチングステップ（ステップＳ１００）と、各ステップ間で洗浄水を吹き付けて基板を洗浄する複数回の洗浄ステップ（ステップＳ１０、３０、５５、９０、１３０）と、光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される前の基板を冷却する冷却ステップと、光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板温度を計測する温度測定ステップ（ステップＳ６０）と、を具備する。複数回の洗浄ステップ（ステップＳ１０、３０、５５、９０、１３０）は、透明導電層製膜ステップ（ステップＳ２０）と透明導電層エッチングステップ（ステップＳ４０）との間の基板を洗浄する第１洗浄ステップ（ステップＳ３０）と、裏面電極膜製膜ステップ（Ｓ８０）と裏面電極膜エッチングステップ（Ｓ１００）との間の基板を洗浄する第２洗浄ステップ（Ｓ９０）と、第１洗浄ステップにおける洗浄水温度を測定する第１温度測定ステップと、第２洗浄ステップにおける洗浄水温度を測定する第２温度測定ステップと、光電変換層製膜ステップ（Ｓ５０）と光電変換層エッチングステップ（Ｓ７０）との間の基板を洗浄する第３洗浄ステップ（Ｓ５５）と、を有している。その温度計測ステップにもとづいて、第１温度測定ステップと第２温度測定ステップ及び第３温度測定ステップにおいて測定された洗浄水温度の制御が行われる。
【００５１】
本発明にかかる太陽電池パネル製造システム（１）は、透光性基板（２）と、基板（２）の主面上に形成され、セル分割ライン（３）によって複数の短冊状の発電セル（７）に分割された太陽電池膜（４）と、基板（２）の主面上の少なくとも一部に設けられ、太陽電池膜（４）の除去された除去領域（１５）と、を有する太陽電池パネル（５）を製造する太陽電池パネル製造システムである。その太陽電池パネル製造システム（１）は、製造過程中の基板に洗浄水を吹き付けて洗浄する基板洗浄器（２０１）を具備する。基板洗浄器（２０１）は、基板を搬送する搬送ローラー（２５）を有している。搬送ローラー（２５）は、基板を、セル分割ライン（３）の形成される方向と略平行方向を搬送方向として搬送する。搬送ローラー（２５）は基板を搬送するに際して、除去領域（１５）又は除去予定領域と、その主面の反対面で接触し、太陽電池膜（４）の設けられた領域では接触しない。
【００５２】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、基板洗浄器（２０１）は、搬送ローラー（２５）は、基板を挟むように、基板の主面側とその主面の反対面側の双方に配置されていることが好ましい。
【００５３】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、基板洗浄器（２０１）は、高圧水によって洗浄を行う高圧シャワー部（２７）と、純水によって洗浄を行う直水リンス部（２８）と、水きりを行うエアーナイフ部（２９）と、を有している。高圧シャワー部（２７）、直水リンス部（２８）、エアーナイフ部（２９）は、搬送の上流側からこの順で配置されていることが好ましい。ロールブラシによって洗浄を行うロールブラシ部（２６）が高圧シャワー部（２７）より搬送の上流側に設置される場合もある。
【００５４】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、高圧シャワー部（２７）は、高圧シャワー用ノズル（３０）を有している。高圧シャワー用ノズル（３０）は、高圧水が、搬送上流側に傾いた角度で基板に吹き付けられるように設けられていることが好ましい。
【００５５】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、高圧シャワー用ノズル（３０）は、高圧水の噴射方向と、搬送方向に垂直な面とが成す角度が、１０°以上３０°以下となるように設けられていることが好ましい。
【００５６】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、高圧シャワー用ノズル（３０）は、基板搬送方向に略直交方向へ揺動することが好ましい。
【００５７】
上記の太陽電池パネル製造システム（１）において、基板洗浄器（２０１）は、更に、ロールブラシ部（２６）の上流側に設けられ、基板を洗浄水のミスト雰囲気に曝すための助走部（３１）、を有することが好ましい。
【００５８】
上記の太陽電池パネルの製造システム（１）において、助走部（３１）は、基板１／２枚から２枚分のスペースを有していることが好ましい。
【００５９】
上記の太陽電池パネルの製造システム（１）は、更に、基板洗浄器（２０１）の各々から搬出された基板が、次の下流側の装置に搬入されるまでの間に、基板を自然乾燥させるための区間である自然乾燥区間（３２）、を具備することが好ましい。
【発明の効果】
【００６０】
本発明に依れば、製造過程における膜剥離の防止された太陽電池パネル製造システム、及び太陽電池パネル製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６１】
以下に、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
【００６２】
（第１の実施形態）
図１は、本実施の形態にかかる太陽電池パネル製造システムによって製造される太陽電池パネル５の主要部の構造を示す図である。太陽電池パネル５は、透光性基板２と、基板２上に形成された太陽電池膜４と、を有している。尚、太陽電池膜４上には、接着シート、バックシート、端子箱などが取り付けられて太陽電池パネル５となっているが、図１では、基板２と太陽電池膜４のみ、即ちモジュール部分のみが描かれている。
【００６３】
図１（ａ）に示されるように、太陽電池膜４は、基板２の中央部側に設けられている。基板２の周縁部は、太陽電池膜４の除去された除去領域１４になっている。この除去領域１４は、接着シートと健在な接着・シール面を確保するために設けられている。
【００６４】
太陽電池膜４は、セル分割ライン３によって、複数の発電セル７に区切られている。複数の発電セル７の各々は、短冊状である。複数の発電セル７は、長辺同士を隣合せて配列されており、電気的に直列に接続されている。
【００６５】
図１（ｂ）は、発電セル７の長手方向の断面（ＹＹ’断面）を示す断面図である。図１（ｂ）に示されるように、太陽電池膜４は、基板２側から、透明導電層４１、光電変換層４２、及び裏面電極層４３が、この順で積層した構造を有している。また、太陽電池膜４には、各発電セル７の短辺方向に平行な辺に沿って絶縁溝１６が設けられている。絶縁溝１６部分では、太陽電池膜４が除去されており、内側と外側の太陽電池膜４を絶縁している。
【００６６】
図１（ｃ）は、発電セル７の短辺方向の断面（ＸＸ’断面）を示す図である。発電セル７同士を分割するセル分割ライン３は、３本の溝から形成されている。即ち、透明導電膜４１を区切る溝３−１と、光電変換層４２を区切る溝３−２と、裏面電極膜４３を区切る溝３−３である。溝３−１は、光電変換層４２で埋めこまれている。溝３−２は、裏面電極膜４３で埋めこまれている。溝３−２に埋め込まれた裏面電極膜４３によって、隣接する発電セル７同士が電気的に直列に接続されるようになっている。また、複数の発電セル７のうち、両端に位置する発電セル７は、集電セルとなっている。図示されていないが、その集電セルには、外部取りだし用の配線が接続され、各発電セルで発電した電力が外部へ取り出される。
【００６７】
このような構造を有する太陽電池パネル５は、図２に示されるような太陽電池パネル製造システム１によって製造される。図２は、太陽電池パネル製造システム１の装置構成のレイアウトを示す図である。太陽電池パネル製造システム１には、処理の上流側から、基板搬入装置、基板洗浄器２０１、透明電極製膜装置６、第１基板洗浄器２１、透明電極用レーザーエッチング装置８、基板洗浄器２０１、光電変換層製膜装置９、光電変換層用レーザーエッチング装置１０、裏面電極製膜装置１１、第２基板洗浄器２２、裏面電極用レーザーエッチング装置１２、発電検査装置、基板バッファー装置、膜研磨装置、基板洗浄器２０１、レイアップ装置、ラミネータ装置、パネル化装置、端子箱取りつけ装置、発電検査装置、及び性能別仕分保管庫が、この順で配置されている。また、太陽電池パネル製造システム１には、各装置の動作を制御する制御装置１４が設けられている。
【００６８】
尚、光電変換層４２と裏面電極層４３の間の界面特性に洗浄による影響が少ない場合には、光電変換層製膜装置９と光電変換層用レーザーエッチング装置１０の間に第３基板洗浄器３６を設けても良い。
【００６９】
図３は、本実施形態にかかる太陽電池パネル製造方法のフローチャートである。太陽電池パネル５は、図３に示されるステップＳ１０〜１９０の工程によって製造される。図４は、太陽電池パネル５の製造過程での構造を示す図である。図２、３、４を参照しつつ、各工程における処理について説明する。
【００７０】
ステップＳ１０；洗浄、図４Ａ（１）
まず、基板２が基板搬入装置によって太陽電池パネル製造システム１内に搬入される。基板２としては、ソーダフロートガラス基板（１．４ｍ×１．１ｍ×板厚：４ｍｍ）を使用する。基板２は、破損防止にコーナー面取りやＲ面取り加工がされていることが好ましい。搬入された基板２は、基板洗浄器２０１によって洗浄される。
【００７１】
ステップＳ２０；透明導電層の製膜、図４Ａ（２）
透明電極製膜装置６によって、基板２の主面上に透明導電層４１が製膜される。透明導電層２として酸化錫膜（ＳｎＯ２）を主成分とする透明電極膜を約５００〜８００ｎｍ、熱ＣＶＤ装置（透明電極製膜装置６）にて約５００℃で製膜処理する。この際、透明電極膜の表面は適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明導電層４１として、透明電極膜に加えて、基板２と透明電極膜との間に、アルカリバリア膜（図示せず）を形成してもよい。アルカリバリア膜は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）を５０〜１５０ｎｍ、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜処理することで形成させることができる。
【００７２】
ステップＳ３０；洗浄
透明電極製膜装置６による処理が終了した被処理基板は、第１基板洗浄器２１によって洗浄される。
【００７３】
ステップＳ４０；レーザーエッチング、図４Ａ（３）
続いて、被処理基板をＸ−Ｙテーブルに設置する。図４Ａ（３）に示されるように、ＹＡＧレーザー（透明電極用レーザーエッチング装置８）の第１高調波（１０６４ｎｍ）を、図４（３）の矢印に示すように、透明電極膜の膜面側から入射させる。パルス発振：５〜２０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整する。透明電極膜を、発電セル７の直列接続方向に対して垂直な方向に、幅約６〜１０ｍｍの短冊状に区切るように、レーザーエッチングする。これにより、透明電極膜を分割する溝３−１が形成される。レーザーエッチング装置８による処理が終了した被処理基板は、基板洗浄器によって洗浄される。
【００７４】
ステップＳ５０；光電変換層の製膜、図４Ａ（４）
図４Ａ（４）に示されるように、プラズマＣＶＤ装置（光電変換層製膜装置９）により、減圧雰囲気：３０〜１５０Ｐａ、約２００℃にて光電変換層４２としてのアモルファスシリコン薄膜からなるｐ層膜／ｉ層膜／ｎ層膜を順次製膜する。光電変換層４２は、ＳｉＨ４ガスとＨ２ガスとを主原料に、透明導電層４１の上に製膜される。太陽光の入射する側からｐ層、ｉ層、ｎ層がこの順で積層される。光電変換層４２は本実施形態では、ｐ層：ＢドープしたアモルファスＳｉＣを主とし膜厚１０〜３０ｎｍ、ｉ層：アモルファスＳｉを主とし膜厚２５０〜３５０ｎｍ、ｎ層：ｐドープした微結晶Ｓｉを主とし膜厚３０〜５０ｎｍである。またｐ層膜とｉ層膜との間には、界面特性の向上のためにバッファー層を設けてもよい。
【００７５】
光電変換層製膜装置９からは、基板が約１００℃で搬出されるが、搬送中に自然放冷などで温度が低下し、基板温度は長時間放置すれば室温に近くなる。しかし、量産工程において生産時間を多大にかけないためにある程度まで基板が冷却された時点で、光電変換層用レーザーエッチング装置へ基板を搬送する。
【００７６】
ステップＳ７０；レーザーエッチング、図４Ａ（５）
続いて、基板がＸ−Ｙテーブルに設置される。図４Ａ（５）に示されるように、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザー（光電変換層用レーザーエッチング装置１０）の第２高調波（５３２ｎｍ）を、図４Ａ（５）の矢印に示すように、光電変換層４２の膜面側から入射させる。パルス発振：１０〜２０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明導電層４１のレーザーエッチングライン（溝３−１）の約１００μｍ〜１５０μｍの横側をレーザーエッチングする。これにより、光電変換層４２を分割する溝３−２が形成される。
【００７７】
ステップＳ８０；裏面電極層製膜、図４Ａ（６）
図４Ａ（６）に示されるように、裏面電極層４３として、Ａｇ膜／Ｔｉ膜をスパッタリング装置（裏面電極製膜装置１１）により減圧雰囲気、約１５０℃にて順次製膜する。裏面電極層４３は本実施形態では、Ａｇ膜：２００〜５００ｎｍ、これを保護するものとして防食効果の高いＴｉ膜：１０〜２０ｎｍをこの順に積層する。ｎ層と裏面電極層４３との接触抵抗低減と光反射向上を目的に、光電変換層４２と裏面電極層４３との間にＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ膜）を膜厚５０〜１００ｎｍ、スパッタリング装置により製膜して設けてもよい。
【００７８】
ステップＳ９０；洗浄
裏面電極製膜装置１１による処理が終了した被処理基板は、第２基板洗浄器２２によって洗浄される。
【００７９】
ステップＳ１００；レーザーエッチング、図４Ａ（７）、（８）
続いて、基板がＸ−Ｙテーブルに設置される。図４（７）に示されるように、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザー（裏面電極用レーザーエッチング装置１２）の第２高調波（５３２ｎｍ）を、図４Ａ（７）の矢印に示すように、基板２側から入射させることで、レーザー光が光電変換層４２で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層４３が爆裂して除去される。パルス発振：１〜１０ｋＨｚとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明導電層４１のレーザーエッチングライン（溝３−１）の約２５０μｍから４００μｍの横側を、レーザーエッチングする。これにより、裏面電極層４３を分割する溝３−３が形成される。
【００８０】
更に、図４Ａ（８）に示されるように、被処理基板の端部から５〜１５ｍｍの位置をレーザーエッチングして、絶縁溝１６を形成させる。この時、被処理基板の４辺のうち、対向する２辺に沿って絶縁溝１６が形成される。他の２辺に対しては、絶縁溝を設けない。具体的には、まず被処理基板をＸ−Ｙテーブルに設置する。そして、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザー（レーザーエッチング装置１２）の第２高調波（５３２ｎｍ）を、基板２側から入射させる。レーザーパワーを、パルス発振：１〜１０ｋＨｚとして加工速度に適切となるように調整する。これにより、レーザー光が透明導電層４１と光電変換層４２で吸収される。この時発生する高いガス蒸気圧により、裏面電極層４３が爆裂して除去される。
【００８１】
以上のようにして、基板２上に複数の短冊状の発電セル７が形成された太陽電池モジュールが形成される。
【００８２】
ステップＳ１１０；光電検査、図４Ｂ（１）
続いて、図４Ｂ（１）に示されるように、太陽電池モジュールの発電検査が行われる。太陽電池モジュールに、ソーラーシミュレータによって直達光が照射される。光の照射に応じて太陽電池モジュールが発電する。この時の発電特性（電流、電圧、出力など）が測定される。ここで、発電特性が規格内であった太陽電池モジュールは、次の工程へ搬送される。一方、規格外であった太陽電池モジュールは、次の工程へは送られず、不良品として処理される。又は、再生処理が施される。
【００８３】
ステップＳ１２０；膜研磨、図４Ｂ（２）
図４Ｂ（２）に示されるように、膜研磨装置によって、太陽電池パネルの外周部となる部分の太陽電池膜を除去する。これは、後工程でＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合体）等を介してバックシートを貼り付ける際に、健在な接着・シール面を確保するためである。被処理基板の端から５〜１５ｍｍで、絶縁溝１６よりも被処理基板端側における太陽電池膜４をブラストや砥石研磨などを用いて研磨除去する。
【００８４】
ステップＳ１３０；洗浄
膜研磨装置による処理が終了した被処理基板は、基板洗浄器に２０１よって洗浄される。これにより、研磨屑や砥粒が除去される。
【００８５】
ステップＳ１４０、１５０、１６０；レイアップ、ラミネート、パネル化、図４Ｂ（３）
図４Ｂ（３）に示されるように、レイアップ装置、ラミネート装置、及びパネル化装置によって、ＥＶＡシート、及びカバーシートが被処理基板上に載せられる。更に、ラミネータ装置によって、被処理基板上に載せられたカバーシートがＥＶＡシートを介して接着させられる。更に、パネル化される。
【００８６】
ステップＳ１７０；端子台の取りつけ、図４Ｂ（４）、（５）
図４Ｂ（４）に示されるように、端子台取りつけ装置によって、端子台が取りつけられる。更に、図４Ｂ（５）に示されるように、端子箱内に封止剤が注入される。これにより、太陽電池パネル５となる。
【００８７】
ステップＳ１８０；光電検査、図４Ｂ（６）
続いて、図４Ｂ（６）に示されるように、光電検査装置によって、太陽電池パネル５の発電特性が検査される。本ステップにおける検査は、太陽電池モジュールの発電検査（Ｓ１１０）の処理と同様である。即ち、ソーラーシミュレータにより発電の特性が検査される。
【００８８】
ステップＳ１９０；仕分け
発電検査（Ｓ１８０）の終了した太陽電池パネル５は、性能仕分け保管庫に搬送される。性能仕分け保管庫２６において仕分けされる。
【００８９】
以上のステップＳ１０〜１９０の処理により、太陽電池パネル５が製造される。ここで、上記の各ステップのうち、透明電極膜をエッチングする直前の洗浄工程（Ｓ３０）における洗浄水温度と、裏面電極膜をエッチングする直前の洗浄工程（Ｓ９０）における洗浄水温度は、光電変換層をエッチング工程（Ｓ７０）の直前における基板平均温度に対して、±１０℃以内となるように工夫されている。
【００９０】
また、通常、光電変換層がレーザーエッチングされる直前の基板温度は、光電変換層製膜時に約２００℃に熱が加わっているために室温より高く、光電変換装置９から搬出され、光電変換層がレーザーエッチングされる直前の基板温度は例えば３０℃から６０℃程度である。一方、基板洗浄器に用いられる洗浄水は、通常、高圧洗浄のために２ＭＰａ程度の一定の圧力まで昇圧するので、水温も上昇する。昇圧の圧力は洗浄性能を維持するために管理されているので、洗浄水温度は季節変動を受けることなく、３０℃以上の一定温度を維持することが容易にできる。また、光電変換層がレーザーエッチングされる直前の基板温度が３０℃よりもさらに高い場合においても、洗浄水温度を補助ヒータなどを用いて昇温させることは、容易である。基板温度は各基板洗浄器の洗浄水温度に近い温度になるため、各レーザーエッチング工程の各基板の温度差を少なくすることが簡単に可能となる。ここで、基板温度を全てのレーザーエッチング工程前において室温レベルに揃えることは、光電変換層がレーザーエッチングされる直前の基板温度（例えば３０℃から４０℃程度）を更に室温レベルにまで冷却する必要があり、この冷却のために、製造タクトに許容された冷却時間に対応できる冷却能力の高い基板冷却手段を設ける必要がある。従って、光電変換層がレーザーエッチングされる直前の基板温度が略３０℃〜略４０℃において、上記洗浄水温度を３０℃以上の一定温度を維持することは、非常に簡易な効率的な手段として有効である。
【００９１】
更に光電変換層製膜装置９とレーザーエッチング装置１０との間に第３基板洗浄器３６を設けた場合には、この第１基板洗浄器、第２基板洗浄器、及び第３基板洗浄器３６の洗浄水温度を±５℃以内にすることが好ましい。このようにすれば、各レーザーエッチング工程の各基板温度は全て洗浄水温度に近い温度になり、更に確実に各基板間の温度差を小さくすることが出来る。基板温度は各基板洗浄器の洗浄水温度に近い温度となるが、数℃以内の温度差が生じる場合もあり、各レーザーエッチング工程前の基板間の温度差を±１０℃以内にするためには洗浄水温度を±５℃以内にすることが好ましい。
【００９２】
続いて、位置ずれを防止することにより膜剥離を防止することのできる理由について、図５を参照して説明する。
【００９３】
図５は、（ａ）計画通りのエッチングが行われた場合、（ｂ）透明導電層エッチング時（Ｓ４０）で基板温度が計画よりも高かった場合、（ｃ）光電変換層エッチング時（Ｓ７０）において基板温度が計画よりも高かった場合、（ｄ）裏面電極層エッチング時（Ｓ１００）において基板温度が計画よりも高かった場合、の夫々について、太陽電池膜４部分の断面構造を示した図である。
【００９４】
図５（ａ）に示されるように、計画通りのエッチングが行われた場合、溝３−１、３−２、３−３は、互いに重ならないように設けられる。また、溝３−１と溝３−３との間に、溝３−２が設けられる。各溝の幅は、溝３−１が２０μｍ〜５０μｍ、溝３−２が１００μｍ〜１５０μｍ、溝３−３が５０μｍ〜１００μｍである。溝３−１から溝３−２までは、１００μｍ〜１５０μｍの距離が設けられている。溝３−１から溝３−３までは、２５０μｍ〜４００μｍの距離が設けられている。
【００９５】
一方、図５（ｂ）に示されるように、透明導電層エッチング時に基板温度が計画よりも高かった場合、基板２が熱膨張のために大きくなっているために、透明導電層４１を分割する溝３−１の位置が溝３−２側にずれてしまう。このように、溝３−１が溝３−２側にずれると、溝３−１と溝３−２が重なることがある。溝３−１と溝３−２との重なり部分では、裏面電極層４３が不十分な状態で埋め込まれてしまう。即ち、僅かな隙間に裏面電極層４３が部分的に隙間を生じながら埋め込まれた状態になる。このような隙間部分では、裏面電極層４３の接着力が不安定となり、剥離し易い。
【００９６】
一方、図５（ｃ）に示されるように、光電変換層４２エッチング時に基板温度が計画より高かった場合には、光電変換層４２を分割する溝３−２の位置が溝３−３側にずれる。このような場合、溝３−３では、光電変換層４２及び裏面電極層４３が除去されているので、裏面電極層４３の埋めこまれる部分は、溝３−２のうち、溝３−３に重ならない部分のみとなる。本来、図５（ａ）に示されるように、溝３−２では５０μｍ〜１００μｍの幅で裏面電極層４３が透明導電層４１に接続されていなければならないが、図５（ｃ）の場合には、溝３−２に埋め込まれた裏面電極層４３の幅が著しく小さくなる。また場合によっては裏面電極層４３と透明導電層４１の接続状態が不十分になる。このように、溝３−２を形成時にエッチングされずに残留した裏面電極層４３の幅が小さくなるので、この部分での接着力が低下し、剥離が起こり易くなる。また電気抵抗増加で太陽電池パネルの出力が低下し易くなる。
【００９７】
また、図５（ｄ）に示されるように、裏面電極層４３のエッチング時に基板温度が計画より高かった場合には、裏面電極層４３を分割する溝３−３の位置が、溝３−２の反対側にずれることになる。このような場合、各層の接着力が低下することはないが、発電を行うことのできる面積が減少するので、太陽電池としての出力が低下してしまう。
【００９８】
以上説明したように、本実施形態に依れば、透明導電層４１をレーザーエッチングするステップ（Ｓ４０）、光電変換層４２をレーザーエッチングするステップ（Ｓ７０）、及び裏面電極層４３をレーザーエッチングするステップ（Ｓ１００）において、各レーザーエッチング装置へ搬入する基板の温度差を小さくしてレーザーエッチングを行うことができるので、エッチングの位置ずれを防止することができる。エッチングの位置ずれを防止できるので、膜剥離を防止することができる。
【００９９】
（第２の実施形態）
第２の実施形態について説明する。図６は、本実施形態にかかる太陽電池パネル製造システム１のレイアウトを示す図である。本実施形態の太陽電池パネル製造システム１は、第１の実施形態に対して、更に、光電変換層製膜装置９と光電変換層用レーザーエッチング装置１０の間には基板冷却部３３が追加されて工夫されている。尚、冷却部３３以外の構成については、第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【０１００】
冷却部３３としては、例えばファンが挙げられる。
【０１０１】
図７は、本実施形態に係る太陽電池パネル製造方法のフローチャートを示している。第１の実施形態と比較して、冷却する工程（ステップＳ６５）が追加されている。
【０１０２】
冷却する工程（Ｓ６５）においては、冷却部３３が、光電変換層用レーザーエッチング装置１０に投入される直前の基板の平均温度を、基板洗浄器２１の洗浄水温度及び基板洗浄器２２の洗浄水温度に対して±１０℃以下となるように、管理する。
【０１０３】
光電変換層製膜時に約２００℃に熱が加わっているために室温より高く、光電変換装置９からは約１００℃で搬出され、光電変換層がレーザーエッチングされるまでの間に、空冷ファンなどを用いた強制冷却装置にて基板平均温度を３０℃から４０℃程度に冷却する。約２５℃の室内空気をファンにより強制冷却して、基板平均温度を３０℃から４０℃程度まで冷却するには数分間で十分で、量産処理のタクトタイムへの影響はない。
【０１０４】
また、基板温度は、室温（約２５℃）に近づき冷却媒体との温度差が少なくなるので、約３０℃から自然放冷によって室温まで基板温度が変化するには相当な長い時間を要する。このため約３０℃まで冷却された基板温度は少なくともレーザーエッチング処理時間以上の比較的長い時間にわたり、温度変化が少なく安定している状況にある。
【０１０５】
一方、基板洗浄器に用いられる洗浄水は、通常、高圧洗浄のために２ＭＰａ程度の一定の管理した圧力まで昇圧するので、水温も上昇し、洗浄水温度は季節変動を受けることなく、約３０℃の一定温度を維持することができる。また、光電変換層がレーザーエッチングされる直前の基板平均温度が３０℃よりもさらに高く４０℃に近い場合は、洗浄水温度を補助ヒータなどを用いて昇温させる。このため、各レーザーエッチング工程の基板の温度差を安定して少なくすることが可能となる。
【０１０６】
以上説明したように、本実施形態によれば、透明導電層４１をレーザーエッチングするステップ（Ｓ４０）、光電変換層４２をレーザーエッチングするステップ（Ｓ７０）、及び裏面電極層４３をレーザーエッチングするステップ（Ｓ１００）において、各レーザーエッチング装置へ搬入する基板の温度差を更に小さくしてレーザーエッチングを行うことができるので、エッチングの位置ずれを防止することができる。エッチングの位置ずれを防止できるので、膜剥離を防止することができる。
【０１０７】
（第３の実施形態）
第３の実施形態について説明する。図８は、本実施形態に係る太陽電池パネル製造システム１のレイアウト図である。本実施形態の太陽電池パネル製造システム１は、第１の実施形態に対して、更に、光電変換層用レーザーエッチング装置１０のすぐ上流側に、温度センサ１３を設け、基板洗浄器の洗浄水温度について制御装置１４が設けられて工夫されている。また、第１基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第１温度コントローラ２３、第２基板洗浄器の洗浄水温度を管理する第２温度コントローラ２４が追加されている。尚、図８においては、第１温度コントローラ２３、第２温度コントローラ２４の図示は省略されている。
【０１０８】
温度センサ１３は、光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板温度を測定するものである。制御装置１４は、例えば、ＣＰＵやメモリ等を有するコンピュータであり、予めインストールされたプログラムによりその機能を実現するものである。尚、上述の点以外の構成については、第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【０１０９】
図９は、本実施の形態にかかる太陽電池パネル製造方法のフローチャートである。第１の実施形態に対して、温度測定を行う工程（ステップＳ６０）と、温度管理を行う工程（ステップＳ６１）とが追加されている。これ以外の工程は、第１の実施形態と同じである。
【０１１０】
ステップＳ６０、６１；温度測定、温度管理
図４Ａ（４）に示されるように、プラズマＣＶＤ装置（光電変換層製膜装置９）により、光電変換層４２の製膜に続いて、温度センサ１３によって、基板温度の測定が行われる。この基板温度の測定は、次のレーザーエッチング工程の直前に行われる。温度センサ１３は、基板温度を中央付近の代表点または基板内の複数点の測定結果を、制御装置１４に通知する。制御装置１４は、この測定結果に基づいて算出した基板平均温度に対して、第１基板洗浄器２１、第２基板洗浄器２２の洗浄水温度をコントロールして、温度センサ１３の値と第１基板洗浄器２１、第２基板洗浄器２２の洗浄水温度の温度差を小さくするようにする。具体的には、基板平均温度と各洗浄水温度の温度差が±１０℃以内になるように制御する。
【０１１１】
図１０は、太陽電池パネル製造システム１の主要部の構成をブロック的に示す図である。図１０に示されるように、第１基板洗浄器２１には、洗浄水温度を管理する第１温度コントローラ２３が接続されている。第２器板洗浄器２２にも、洗浄水温度を管理する第２温度コントローラ２４が接続されている。また、光電変換層用レーザーエッチング装置１０の上流側には、基板の温度を測定する温度センサ１３が設けられている。温度センサ１３によって、光電変換層用レーザーエッチング装置１０に搬入される直前の基板温度が測定される。計測は輻射熱をもとに計測する非接触式と、直接熱電対を発電特性に支障のない基板領域に押し当て接触させて計測することができる。測定された結果は、制御装置１４に通知される。
【０１１２】
制御装置１４は、温度センサ１３から通知された基板温度に基いて、第１温度コントローラ２３及び第２温度コントローラ２４に対して指示を与える。そして、第１基板洗浄器２１および第２基板洗浄器２２の洗浄水温度が、通知された基板温度、即ち光電変換層がレーザーエッチングされる直前の基板温度と温度差が小さくなるように制御する。
【０１１３】
このように、第１基板洗浄器２１及び第２基板洗浄器２２の洗浄水温度を、光電変換層をレーザーエッチングする直前の基板温度付近にさせることによって、３回のレーザーエッチング工程（ステップＳ４０、Ｓ７０、Ｓ１００）における基板温度をほぼ同じにすることができる。各レーザーエッチング工程での基板温度を略同じにすることにより、計画通りの位置をレーザーエッチングすることができる。位置ずれが防止されるので、太陽電池膜が剥離することも防止される。
【０１１４】
また、各レーザーエッチング装置（８、１０、１２）に被処理基板が搬入されてから、Ｘ−Ｙテーブル上にて基板の温度調節が行われる場合と比較すると、本実施形態では、被処理基板の温度調節が、基板洗浄器から搬出された段階でなされているので、温度調節のために要する時間が短縮されているので、好ましい。
【０１１５】
尚、光電変換層用レーザーエッチング装置１０と光電変換層製膜装置９との間に、第３基板洗浄器３６が設けられている場合には、光電変換層用レーザーエッチング装置１０に搬入される被処理基板温度が、第３基板洗浄器３６の洗浄水温度に近づき、各レーザーエッチングに搬入される各被処理基板温度の差は、更に少なくなるとともに安定化する。第３基板洗浄器３６に接続された第３温度コントローラ（図示は省略）を追加して、第３基板洗浄器３６の洗浄水温度も第１、第２基板洗浄器と同様に管理しても良い。また前記第３温度コントローラが無くても、少なくとも第１/第２/第３基板洗浄器の洗浄水温度が略同一であれば、各レーザーエッチング装置に搬入される被処理基板温度が略同一となり、相互温度差が少なくすることができる。
また、各洗浄水温度を各温度コントローラで加熱または冷却を行って、基板温度に対して更に適した温度となるように適宜設定することも可能である。例えば基板温度を室温付近に温度管理することも可能となる。この場合は、工程で連続処理される基板と基板ストッカーで一時保管され室温付近温度になっている基板の両方において、レーザーエッチング前の基板温度の差を少なく出来ること、レーザーエッチング工程中で基板が放冷による僅かではあるが温度変化が生じることを抑制可能なことの利点があり、更に高精度な加工が必要な場合に適する。
【０１１６】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実施形態と比較して、冷却部３３が追加されている。また、第３の実施形態に示したような、第１温度コントローラ２３、第２温度コントローラ２４は特に必要無い。更に、制御装置１４が処理する内容が異なっている。これら以外の点については、第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【０１１７】
図１１は、本実施形態に係る太陽電池パネル製造システム１の要部を示す構成図である。尚、第１の実施形態と同じ部分に関しては、図示を省略している。太陽電池パネル製造システム１には、光電変換層製膜装置９と、光電変換層用レーザーエッチング装置１０との間に、冷却部３３が配置されている。また、第１基板洗浄器２１の洗浄水温度を測定する温度センサ３４と、第２基板洗浄器２２の洗浄水温度を測定する温度センサ３５が設けられている。
【０１１８】
冷却部３３は、空冷ファンなどによる強制冷却が例示される。冷却部３３によって、光電変換層製膜装置９から搬出された被処理基板が所定の温度まで冷却され、光電変換層用レーザーエッチング装置９に搬入される。
【０１１９】
温度センサ３４は、第１基板洗浄器２１の洗浄水温度を測定すると、その測定結果を制御装置１４に通知する。温度センサ３５も、第２基板洗浄器２２の洗浄水温度を測定すると、その測定結果を制御装置１４に通知する。
【０１２０】
制御装置１４は、温度センサ３４、３５から通知された温度測定結果のデータに基づいて、被処理基板が所定の温度まで冷却されるように、冷却部３３の動作を制御する。例えば、動作の制御は空冷ファン回転速度や作動時間を制御することで行われ、制御装置１４は、冷却部３３によって、被処理基板の平均温度または基板中央付近の代表点温度が、温度センサ３４と温度センサ３５から通知された温度の平均値まで冷却されるように制御する。被処理基板が所定の温度まで冷却されたかどうかの判断は、例えば、光電変換層性膜装置９と光電変換層用レーザーエッチング装置１０との間に図示しない温度センサを設けておき、この温度センサによって被処理基板の温度を測定して、制御装置１４に測定結果をフィードバックさせる様にすることで行うことができる。
【０１２１】
上述した構成としても、第１の実施形態と同様、透明導電層用レーザーエッチング装置８、光電変換層用レーザーエッチング装置９、及び裏面電極用レーザーエッチング装置１２による処理時の基板温度を、略同じにして各基板の温度差を小さくすることができる。よって、エッチング位置の位置ずれを防止し、膜剥離を防止することができる。
【０１２２】
（第５の実施形態）
第５の実施形態について説明する。本実施形態の太陽電池パネル製造システム１は、基板洗浄器２０１の構成が工夫されている。尚、基板洗浄器２０１以外の構成については、第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【０１２３】
図２で示したように、本実施形態に係る太陽電池パネル製造システム１は、複数の基板洗浄器２０１を有している。その複数の基板洗浄器２０１は、基板搬入装置と透明電極製膜装置６との間、透明電極製膜装置６と透明導電層用レーザーエッチング装置８の間（第１基板洗浄器２１）、レーザーエッチング装置８と光電変換層製膜装置９の間、裏面電極製膜装置１１と裏面電極用レーザーエッチング装置１２の間（第２基板洗浄器２２）、及び膜研磨装置とレイアップ装置の間、に配置されている。光電変換層４２と裏面電極層４３の間の界面特性に洗浄による影響が少ない場合には、光電変換層製膜装置９と光電変換層用レーザーエッチング装置１０の間に第３基板洗浄器３６を設けても良い。
【０１２４】
以下に述べる基板洗浄器２０１に対しての工夫は、これらの複数の基板洗浄器２０１（第１基板洗浄器２１、第２基板洗浄器２２を含む）のうちの少なくとも一つに対して施されたものである。
【０１２５】
図１２は、基板洗浄器２０１の構成を示す概略構成図である。基板洗浄器２０１は、基板を搬送する搬送ローラー２５を有している。また、基板洗浄器２０１は、搬送方向上流側から、助走部３１、ロールブラシ部２６、高圧シャワー部２７、直水リンス部２８、エアーナイフ部２９、に区切られている。全ての基板洗浄器２０１が同一の洗浄処理の構成をするわけではなく、洗浄効果と太陽電池構成膜の形成状態に則して、洗浄処理工程の構成を適切化する。特にロールブラシ部２６は、第２基板洗浄器２２より後の工程においては太陽電池膜４の保護のために使用しない場合がある。
【０１２６】
図１３は、搬送ローラー２５によって被処理基板が搬送される様子を示す説明図である。搬送ローラー２５は、搬送される基板に対して上側と下側とに設けられ、基板と搬送ローラー２５がスリップしたり浮いたりしないように密着している。これにより、搬送ローラー２５は、被処理基板を挟むようにして搬送する。被処理基板の下側は主面の反対側になり、製膜処理を行わないため、搬送ローラー２５は、搬送ラインの幅方向に対して複数個が配置され、基板の重力によるソリが抑制されている。一方、上側は製膜処理を行う主面になり、上側の搬送ローラー２５は、被処理基板の幅方向両端部に対応する位置にのみ配置されている。
【０１２７】
再び、図１２を参照する。助走部３１には、搬送ローラー２５が設けられているのみである。但し、助走部３１の雰囲気は、周囲よりも湿度が高く、洗浄水のミストを多分に含んだミスト雰囲気となっている。助走部３１は、被処理基板１／２枚から２枚分以上の長さを有していることが好ましい。
【０１２８】
ロールブラシ部２６には、ロールブラシが設けられている。ロールブラシは、被処理基板に対して上下両側に設けられている。被処理基板に対してロールブラシが押し付けられ、被処理基板の表面を擦ることにより、被処理基板の表面が洗浄される。
【０１２９】
高圧シャワー部２７には、高圧水を噴射するためのノズルが設けられている。そのノズルから、高圧水（例えば、０．２ＭＰａ〜１．０ＭＰａ）が被処理基板に対して噴射される。高圧シャワー部２７では、このように、高圧で吹き付けられる水（高圧水）による洗浄が行われる。
【０１３０】
直水リンス部２８では、純水を噴射させるためのノズルが設けられている。このノズルから、純水（比抵抗値１０ＭΩ・ｃｍ以上）が被処理基板に対して噴射される。
【０１３１】
エアーナイフ部２９では、空気が被処理基板に対して吹き付けられる。これにより、被処理基板上の水が除去される。
【０１３２】
尚、第１の実施形態で説明した温度コントローラによる洗浄水温度の管理は、少なくとも直水リンス部２８側の洗浄水に対して実施される事が好ましく、直水リンス部２８及び高圧シャワー部２９の双方の洗浄水（高圧水、純水）に対して実施されることがより好ましい。
【０１３３】
続いて、基板洗浄器２０１によって被処理基板に対して施される処理動作について説明する。
【０１３４】
図１３に示したように、搬送ローラー２５によって搬送される被処理基板は、主面側（太陽電池膜の形成された面）を上向きとし、且つ、セル分割ライン３が搬送方向と平行になる向きで搬送される。尚、レーザーエッチング装置の上流側に配置された基板洗浄器では、洗浄される被処理基板にセル分割ライン３は未だ形成されていない。この場合、セル分割ライン３の形成予定ラインを、搬送方向と平行にした状態で搬送する。
【０１３５】
図１４は、基板洗浄器２０１によって被処理基板に施される処理を示すフローチャートである。被処理基板は、搬送ローラー２５により搬送されつつ、図１４に示されるＳ１〜Ｓ５の処理を施される。
【０１３６】
ステップＳ１；助走
まず助走部３１において、被処理基板が洗浄水のミスト雰囲気に曝される。これにより、被処理基板の太陽電池膜４のうち製膜形成済の膜の表面は、薄い水膜に覆われた状態となる。
【０１３７】
ステップＳ２；ロールブラシ洗浄
続いて、ロールブラシ部２６において、ロールブラシによる洗浄が行われる。ここで、ロールブラシが太陽電池膜４のうち製膜形成済の膜に接触する。太陽電池膜４のうち製膜形成済の膜にロールブラシが接触することで、太陽電池膜４のうち製膜形成済の膜に対して衝撃が加わることになるが、助走部３１によって太陽電池膜４のうち製膜形成済の膜が水膜で覆われているので、その衝撃が太陽電池膜４を剥離させる可能性は低くなっている。
【０１３８】
ステップＳ３〜５；高圧シャワー
続いて、高圧シャワー部２７によって高圧水による洗浄が行われ（ステップＳ３）、直水リンス部２９によって純水による洗浄が行われ（ステップＳ４）、更にエアーナイフ部２９によって水きりが行われる（ステップＳ５）。
【０１３９】
続いて、本実施形態の作用効果について説明する。
【０１４０】
本実施形態では、セル分割ライン３を、搬送方向に平行としているので、洗浄時の残留異物の影響を最小限に押さえる事ができる。図１５は、洗浄時の異物の残留し易い位置を示す説明図である。エアーナイフ部２９における乾燥時に、被処理基板の搬送方向上流側端部では、異物が残留し易い。これは、被処理基板上に残留した洗浄水が、エアーナイフにより、搬送方向上流側へ運ばれていくからである。これにより、搬送方向上流側では、洗浄水で押し流された異物が溜まり易くなる。
【０１４１】
ここで、セル分割ライン３を、搬送方向と非平行にして搬送した場合には、一の発電セル７全体が異物の影響を受けてしまうことがある。即ち、一の発電セル７全体の出力が低下することがある。太陽電池モジュールでは、複数の発電セル７が直列に接続されているので、一の発電セル７全体の出力が低下すれば、太陽電池モジュール全体としても出力が低下してしまう。
【０１４２】
これに対して本実施形態では、例え洗浄時に異物が残留したとしても、異物による影響を受ける箇所は、各発電セル７の端部のみとなる。一の発電セル７全体が異物の影響を受けるわけではないので、太陽電池モジュール全体に対する異物の影響を少なくすることができる。
【０１４３】
また、図１３で示したように、上側の搬送ローラー２５が被処理基板と接触する位置は、太陽電池膜４が基板周辺の外周部分の膜を除去した、もしくは膜を除去予定の領域のみである。従って、基板周囲の膜除去後は搬送ローラー２５の衝撃により、膜剥離が発生する可能性は低い。また基板周囲の膜除去前においては、この除去予定領域の膜が剥離しても、後工程で研磨除去するので太陽電池パネルの発電特性への影響はない。また、万が一、上側の搬送ローラー２５が太陽電池膜４に接触したとしても、セル分割ライン３と搬送方向が略平行であるので、上側の搬送ローラー２５が太陽電池膜４へ与える力は、基板最端部にある発電セル７の長手方向になる。発電セル７は矩形状であるので、短辺方向の力が加わると剥離し易いが、長手方向の力に対しては膜剥離の耐性が比較的高い。また端辺方向にはセル分割部分が凹凸形状をしており、搬送ローラー２５により損傷を受けると、この部分の直列接続部分に短絡が生じて太陽電池パネルの発電特性が低下する。即ち、セル分割ライン３と搬送方向を略平行方向とすることで、万が一、搬送ローラー２５が接触したとしても、膜剥離が発生する可能性は極めて低い。
【０１４４】
（第６の実施形態）
第６の実施形態に係る太陽電池パネル製造システムについて説明する。本実施形態に係る太陽電池パネル製造システムは、第５の実施形態に対して、高圧シャワー部２７の構成が工夫されている。高圧シャワー部２７以外の構成、動作については、第５の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【０１４５】
図１６は、高圧シャワー部２７の構造を示す側面図である。高圧シャワー部２７には、高圧シャワー用ノズル３０が設けられている。高圧シャワー用ノズル３０は、高圧水を被処理基板に向けて噴射する。ここで、高圧シャワー用ノズル３０は、噴射方向が、搬送方向の上流側に傾くように設けられている。
【０１４６】
噴射方向を搬送方向上流側に傾けて高圧水を吹き付けることで、被処理基板表面を流れる水の流速が増大する。被処理基板上に付着した異物に洗浄水が衝突する際の剪断力効果が増し、異物が除去され易くなる。また、洗浄水の流速が速いので、剥離された異物は外部まで運ばれ易く、再び被処理基板に付着する可能性は低い。
【０１４７】
噴射方向と、搬送方向に直交する面とが成す角度（θ）は、１０°以上３０°以下であることが好ましい。θが１０°よりも小さいと、噴射された洗浄水の勢い（せん断力）が被処理基板に衝突した瞬間に減衰されて、基板表面の流速が十分に速くならないことがある。また、θが３０°よりも大きいと、洗浄水の鉛直下方向への勢いが不十分となるとともに、高圧シャワー用ノズルから噴射した洗浄水が重力に引かれて洗浄水が付着異物に衝突する力が低下して、異物の除去効果が低下する。
【０１４８】
また、高圧水を噴射する際には、高圧シャワー用ノズル３０を、搬送方向に略直交方向、すなわち搬送ラインの幅方向に揺動させる事が好ましい。高圧シャワー用ノズル３０が揺動することにより、被処理基板の幅方向を満遍なく洗浄することができる。
【０１４９】
上述した高圧シャワー部２７の工夫は、特に強い洗浄力を必要とする工程にて行われることが好ましい。このような工程とは、透明導電層のレーザーエッチング後の洗浄工程や、外周部の膜が除去された後の洗浄工程、が挙げられる。即ち、図２において、レーザーエッチング装置８と光電変換層製膜装置９との間に配置された基板洗浄器２０１、膜研磨装置とレイアップ装置との間に配置された基板洗浄器２０１について、上述した工夫が施されていることが好ましい。
【０１５０】
（第７の実施形態）
続いて、第７の実施形態について説明する。本実施形態に係る太陽電池パネル製造システム１は、第５の実施形態に対して、更に、自然乾燥区間３２が追加されている。自然乾燥区間３２以外の構成については、第５の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【０１５１】
図１７は、本実施の形態に係る太陽電池パネル製造システム１において、基板洗浄器２０１から次工程の装置までの構成を示すブロック図である。図１７に示されるように、基板洗浄器２０１と次工程の処理装置との間には、自然乾燥区間３２が設けられている。この自然乾燥区間３２は、複数設けられた基板洗浄器２０１（第１基板洗浄器２１、第２基板洗浄器２２も含む）のうちの少なくとも一つに設けられている。
【０１５２】
自然乾燥区間３２は、エアーナイフ部２９において除去しきれなかった水を、自然乾燥により除去するための区間である。被処理基板上に残存した水分が自然乾燥すればよいだけであるので、特別な装置は必要ない。基板洗浄器２０１から次工程までの間の搬送ラインを、この自然乾燥区間３２として用いてもよい。
【０１５３】
このような構成において、基板洗浄器２０１から搬出された被処理基板は、自然乾燥区間３２に搬入される。自然乾燥区間３２にて、エアーナイフ部２９にて除去されなかった水分が自然乾燥により除去される。
【０１５４】
エアーナイフ部２９によって水きりが行われるといえども、被処理基板上には水分が残留することがある。特に、レーザーエッチングにより形成された溝部分（約５０μｍ程度）では、表面張力により毛細管力が働き、溝の中で水分が凝集して残留し易い。被処理基板に水分が残留した状態で、製膜処理などの処理を行うと、水分が膜成分中に取り込まれて膜質を低下させたり、水分が急激に蒸発することがある。例えば、プラズマＣＶＤ装置等で光電変換層を製膜する場合には、ロードロック室において大気圧下から真空状態に減圧される。この時、残留した水分は急激に蒸発し易い。このような急激な蒸発が起こると、この蒸発をきっかけとして膜剥離が起こり易い。
【０１５５】
本実施形態に依れば、自然乾燥区間３２において、残留した水分が除去されるので、製膜処理などの最中に水分の蒸発による膜剥離や膜質低下などが起こることを防止することができる。
【０１５６】
なお、レーザーエッチングにより形成されたセル分割ラインの溝は狭いため、溝部分に溜まった水分量は少なく、水の蒸発速度（約０．２ｋｇ／ｍ２・ｈｒ）から換算すると、数分間で蒸発することが推察される。被処理基板が自然乾燥されている時間は、２分以上〜３分以内であることが好ましい。自然乾燥されている時間が２分より短いと、乾燥が不十分になることがある。一方、３分より長いと、各処理装置のタクトタイムより長くなってしまい、生産性を落とすことがある。
【０１５７】
以上、第１〜７の実施形態にかかる太陽電池パネル製造システムについて説明したが、これらの実施形態は矛盾の無い範囲内で組み合わせて使用することもできる。また、光電変換層として、単層アモルファスシリコン層を用いた場合について説明したが、必ずしも単層アモルファスシリコン層である必要は無い。例えば、本発明を、光電変換層が微結晶シリコン層である場合や、シリコンゲルマニウム層である場合や、微結晶シリコン層とアモルファスシリコン層とシリコンゲルマニウム層が複数層積層したタンデム型のものの場合がある。更にこれらのシリコン系の複数層を積層したタンデム型のものである場合、等についても適用できることは、当業者にとっては自明的である。
【図面の簡単な説明】
【０１５８】
【図１】太陽電池モジュールの平面図である。
【図２】第１の実施形態にかかる太陽電池パネル製造システムのレイアウト図である。
【図３】第１の実施形態にかかる太陽電池パネル製造方法のフローチャートである。
【図４Ａ】太陽電池パネル製造工程におけるパネル断面図である。
【図４Ｂ】太陽電池パネル製造工程におけるパネル模式図である。
【図５】基板温度差によるレーザーエッチング位置の相違を説明する断面図である。
【図６】第２の実施形態にかかる太陽電池パネル製造システムのレイアウト図である。
【図７】第２の実施形態にかかる太陽電池パネル製造方法のフローチャートである。
【図８】第３の実施形態にかかる太陽電池パネル製造システムのレイアウト図である。
【図９】第３の実施形態にかかる太陽電池パネル製造方法のフローチャートである。
【図１０】第３の実施形態に係る太陽電池パネル製造システムの主要部を示すブロック図である。
【図１１】第４の実施形態に係る太陽電池パネル製造システムの主要部を示すブロック図である。
【図１２】基板洗浄器の構成を概略的に示す側面図である。
【図１３】被処理基板の搬送方向を説明するための斜視図である。
【図１４】洗浄工程におけるフローチャートである。
【図１５】異物の残留し易い領域を説明するための斜視図である。
【図１６】高圧シャワー部の構成を概略的に示す側面図である。
【図１７】基板洗浄器から次の装置までの構成をブロック的に示す図である。
【符号の説明】
【０１５９】
１      太陽電池パネル製造システム
２      基板
３      セル分割ライン
４      太陽電池膜
５      太陽電池パネル
６      透明電極膜製膜装置
７      発電セル
８      透明電極用レーザーエッチング装置
９      光電変換層製膜装置
１０    光電変換層用レーザーエッチング装置
１１    裏面電極膜製膜装置
１２    裏面電極用レーザーエッチング装置
１３    温度センサ
１４    制御装置
１５    除去領域
１６    絶縁溝
２０    基板洗浄部
２１    第１基板洗浄器
２２    第２基板洗浄器
２３    第１温度コントローラ
２４    第２温度コントローラ
２５    搬送ローラー
２６    ロールブラシ部
２７    高圧シャワー部
２８    直水リンス部
２９    エアーナイフ部
３０    高圧シャワー用ノズル
３１    助走部
３２    自然乾燥区間
３３    冷却部
３４    温度センサ
３５    温度センサ
３６    第３基板洗浄器
３７    第３温度コントローラー
４１    透明導電層
４２    光電変換層
４３    裏面電極層
２０１  基板洗浄器
【図１】
2008140885.tif 000003
【図２】
2008140885.tif 000004
【図３】
2008140885.tif 000005
【図４Ａ】
2008140885.tif 000006
【図４Ｂ】
2008140885.tif 000007
【図５】
2008140885.tif 000008
【図６】
2008140885.tif 000009
【図７】
2008140885.tif 000010
【図８】
2008140885.tif 000011
【図９】
2008140885.tif 000012
【図１０】
2008140885.tif 000013
【図１１】
2008140885.tif 000014
【図１２】
2008140885.tif 000015
【図１３】
2008140885.tif 000016
【図１４】
2008140885.tif 000017
【図１５】
2008140885.tif 000018
【図１６】
2008140885.tif 000019
【図１７】
2008140885.tif 000020