(57)【要約】【課題】  スタック型でありながら必要なサイズにまで微細化してもリーク電流が許容できる半導体装置を提供する。【解決手段】  基板１００に設けられた不純物層１１７上のＳｉＯ2層１１９上に設けられた下部電極１１１、下部電極１１１上に設けられた強誘電体層１０９、強誘電体層１０９上に設けられた上部電極１０７によってキャパシタ部１０２を形成する。さらに、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に絶縁するＳｉＯ2層１１８と、不純物層１１７と下部電極１１１とを電気的に接続するためのＷプラグ１１３を形成するコンタクトホール１０３ａと、下部電極１１１と配線１０５とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０３ｂとを備える。コンタクトホール１０３ａとコンタクトホール１０３ｂとは、キャパシタ部１０２の平面視において、互いに偏った位置に開口される【選択図】  図１
2008153697.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁部材上に設けられた第１電極、当該第１電極上に設けられた蓄電部材、当該蓄
電部材上に設けられた第２電極を有するスタック型キャパシタ部と、
前記第２電極と配線部材とを電気的に絶縁する第２絶縁部材と、
前記第１絶縁部材上に開口され、前記第１絶縁部材下の導電層と前記第１電極とを電気
的に接続するための導電部材が埋め込まれる第1コンタクトホールと、
前記第２絶縁部材上に開口され、第２電極と前記配線部材とを電気的に接続するための
第２コンタクトホールと、を備え、
前記第１コンタクトホールと前記第２コンタクトホールとは、前記スタック型キャパシ
タ部の平面視において、互いに偏った位置に開口されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２コンタクトホールは、底面が、前記スタック型キャパシタ部の平面視において
前記第１コンタクトホールの上面と重なることなく開口されることを特徴とする請求項１
記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２コンタクトホールは、前記スタック型キャパシタ部の平面視において、前記第
１コンタクトホールと境界を接して開口されることを特徴とする請求項１または２に記載
の半導体装置。
【請求項４】
前記スタック型キャパシタ部が平面視において略長方形を有し、前記第１コンタクトホ
ールは、前記略長方形を短辺に沿って２分割した一方の領域に形成され、前記第２コンタ
クトホールが、前記第１コンタクトホールが形成されている領域の他方の領域に形成され
ることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記蓄電部材は、強誘電体でなることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記
載の半導体装置。
【請求項６】
前記請求項１から５項のいずれか１項に記載された半導体装置を備えた強誘電体メモリ
。
【請求項７】
第１絶縁部材に第１コンタクトホールを形成する工程と、
前記第１コンタクトホールを導電部材で埋めて導電プラグを形成する工程と、
前記導電プラグの上に当該導電プラグを介して前記第１絶縁部材下の局所導電層と電気
的に接続する第１電極層を形成する工程と、
前記第１電極層の上面に蓄電部材を設ける工程と、
前記蓄電部材層の上面に第２電極層を設ける工程と、
前記第１電極層、前記蓄電部材、前記第２電極層を一度のフォトリソグラフィ工程によ
って加工し、スタック型キャパシタ部を形成する工程と、
前記スタック型キャパシタ部上に第２絶縁部材を形成する工程と、
前記第２絶縁部材上であって、かつ前記スタック型キャパシタ部の平面視における前記
第１コンタクトホールと偏位する位置に第２コンタクトホールを開口する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び強誘電体メモリ、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
強誘電体を使ったメモリ（強誘電体メモリ）は、消費電力の低い点で絶縁材料等を用い
るメモリよりも有利であることが知られている。強誘電体メモリセルには、さらなる微細
化、高集積化が望まれている。しかし、強誘電体メモリのセルは、一般的に微細化にする
にしたがってリーク電流が増加する。このため、強誘電体メモリの開発では、微細化を優
先すると強誘電体メモリの低消費電力という長所を損なうおそれがある。したがって、セ
ルのサイズは、リーク電流が許容できる範囲と、セルのサイズに対する要請とを合わせて
考慮する必要がある。
【０００３】
強誘電体メモリのセル構造には、スタック型と、プレーナ型がある。図５は、スタック
型のメモリセル構造を示す図であり、（ａ）は上面、（ｂ）は断面を示している。図５に
示したメモリセルは、下部電極１１、誘電体層９、上部電極７を有している。下部電極１
１の下にはプラグ１３が形成され、図示しないイオン注入層と下部電極１１との電気的な
コンタクトをとっている。また、上部電極７上にはＳｉＯ2等の絶縁膜１５があって、絶
縁膜１５上には配線層５が形成されている。プラグ１３は、コンタクトホール３ａにタン
グステン等の金属を埋め込んで形成される。また、配線層５と上部電極７とは、コンタク
トホール３ｂを介して電気的にコンタクトをとっている。
【０００４】
スタック型セルでは、コンタクトホール３ａの直上にコンタクトホール３ｂが形成され
る。このため、スタック型セルは上面が図中の辺ａと辺ｂとが等しい正方形である。
スタック型セルの図示した構成は、２つのコンタクトホールが離れた位置に形成される
プレーナ型よりも、セルの占有面積を小さくすることに有利である。このため、セルの微
細化の観点から、スタック型セルを製品に採用することが望ましい。ただし、スタック型
セルは、リーク電流がプレーナ型セルよりも大きい構造であり、望ましいサイズにまで微
細化すると消費電力が実用に適さない値になる。
【０００５】
このため、従来技術では、消費電力の点で有利なプレーナ型セルを縮小化することが検
討されている。このような従来技術として、例えば、特許文献１に記載された従来技術が
挙げられる。特許文献１には、プレーナ型セルのコンタクトホール位置を調整してセルの
占有面積を縮小し、集積度を高めるものが記載されている。また、特許文献２のように、
上部電極と下部電極との大きさが相違するように構成し、プレーナ型セルのリーク電流を
いっそう低減する技術も提案されている。
【特許文献１】特開平１０−２２９１６８号公報
【特許文献２】特開平１０−  ６５１１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記した従来技術は、いずれもプレーナ型セルを採用し、この改良を図
ったものである。このため、スタック型セルを採用した場合に得られるセルサイズと同等
のサイズにまでセルを微細化することが困難であった。本発明は、上記した点に鑑みてな
されたものであり、スタック型でありながら必要なサイズにまで微細化してもリーク電流
が許容できる半導体装置及び強誘電体メモリ、半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するため、本発明の半導体装置は、第１絶縁部材上に設けられた第１
電極、当該第１電極上に設けられた蓄電部材、当該蓄電部材上に設けられた第２電極を有
するスタック型キャパシタ部と、前記第２電極と配線部材とを電気的に絶縁する第２絶縁
部材と、前記第１絶縁部材上に開口され、前記第１絶縁部材下の導電層と前記第１電極と
を電気的に接続するための導電部材が埋め込まれる第1コンタクトホールと、前記第２絶
縁部材上に開口され、第２電極と前記配線部材とを電気的に接続するための第２コンタク
トホールと、を備え、前記第１コンタクトホールと前記第２コンタクトホールとは、前記
スタック型キャパシタ部の平面視において、互いに偏った位置に開口されることを特徴と
する。
【０００８】
このような発明によれば、絶縁部材上に第１電極を設け、第１電極上に蓄電部材を設け
、さらに第２電極を設けてスタック型のキャパシタ部を形成することができる。また、第
１電極下の絶縁部材に第１コンタクトホールを開口し、導電性を有する部材で埋めてプラ
グを形成し、プラグを介して第１電極と絶縁部材下の導電層とを電気的に接続することが
できる。また、第２電極上の絶縁部材に第２コンタクトホールを開口し、第２電極と配線
部材とを電気的に接続する。そして、第１コンタクトホールと第２コンタクトホールとを
、スタック型キャパシタ部の平面視において、互いに偏った位置に開口することができる
。
【０００９】
蓄電部材は、形成されたプラグによるダメージを受ける。また、配線とコンタクトする
ためのコンタクトホール形成時にダメージを受ける。しかし、本発明では、プラグ形成に
よるダメージを強く受ける箇所とコンタクトホール形成によるダメージを強く受ける箇所
とがずれる。このため、蓄電部材が受ける全体的なダメージが緩和され、蓄電部材中を流
れるリーク電流を低減することができる。このような本発明は、スタック型でありながら
必要なサイズにまで微細化してもリーク電流が許容できる半導体装置を提供することがで
きる。
【００１０】
また、本発明の半導体装置は、前記第２コンタクトホールの底面が、前記スタック型キ
ャパシタ部の平面視において前記第１コンタクトホールの上面と重なることなく開口され
ることを特徴とする。
このような発明によれば、プラグ形成によるダメージを強く受ける箇所とコンタクトホ
ール形成によるダメージを強く受ける箇所とがずれる。このため、蓄電部材が受ける全体
的なダメージが緩和され、蓄電部材中を流れるリーク電流を低減することができる。
【００１１】
また、本発明の半導体装置は、前記第２コンタクトホールが、前記スタック型キャパシ
タ部の平面視において、前記第１コンタクトホールと境界を接して開口されることを特徴
とする。
このような発明によれば、プラグ形成によるダメージを強く受ける箇所とコンタクトホ
ール形成によるダメージを強く受ける箇所とをずらしながら、コンタクトホールを極力近
づけてセルの占有面積を最小化することができる。
【００１２】
また、本発明の半導体装置は、前記スタック型キャパシタ部が平面視において略長方形
を有し、前記第１コンタクトホールは、前記略長方形を短辺に沿って２分割した一方の領
域に形成され、前記第２コンタクトホールが、前記第１コンタクトホールが形成されてい
る領域の他方の領域に形成されることを特徴とする。
このような発明によれば、第１コンタクトホールと第２コンタクトホールとを蓄電部材
のダメージを効果的に回避可能な位置に形成することができる。そして、キャパシタ部が
占有する面積を抑えながら、リーク電流をも低減することができる。
【００１３】
また、本発明の半導体装置は、前記蓄電部材が、強誘電体でなることを特徴とする。
このような発明によれば、蓄電部材として強誘電体を使った半導体装置に本発明を適用
することができる。
また、本発明の強誘電体メモリは、前記請求項１から５項のいずれか１項に記載された
半導体装置を備えたことを特徴とする。
【００１４】
このような発明によれば、請求項１から５項のいずれか１項に記載された半導体装置を
適用した強誘電体メモリを提供することができる。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、第１絶縁部材に第１コンタクトホールを形成
する工程と、前記第１コンタクトホールを導電部材で埋めて導電プラグを形成する工程と
、前記導電プラグの上に当該導電プラグを介して前記第１絶縁部材下の局所導電層と電気
的に接続する第１電極層を形成する工程と、前記第１電極層の上面に蓄電部材を設ける工
程と、前記蓄電部材層の上面に第２電極層を設ける工程と、前記第１電極層、前記蓄電部
材、前記第２電極層を一度のフォトリソグラフィ工程によって加工し、スタック型キャパ
シタ部を形成する工程と、前記第２絶縁部材上であって、かつ前記スタック型キャパシタ
部の平面視における前記第１コンタクトホールと偏位する位置に第２コンタクトホールを
開口する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
このような発明によれば、絶縁部材上に第１電極を設け、第１電極上に蓄電部材を設け
、さらに第２電極を設けてキャパシタを形成することができる。また、第１電極下の絶縁
部材に第１コンタクトホールを開口し、導電性を有する部材で埋めてプラグを形成し、プ
ラグを介して第１電極と局所導電層とを電気的に接続することができる。また、第２電極
上の絶縁部材に第２コンタクトホールを開口し、第２電極と配線部材とを電気的に接続す
る。そして、第１コンタクトホールと第２コンタクトホールとを、スタック型キャパシタ
部の平面視において、互いに偏った位置に開口することができる。
【００１６】
蓄電部材は、形成されたプラグによるダメージを受ける。また、配線とコンタクトする
ためのコンタクトホール形成時にダメージを受ける。しかし、本発明では、プラグ形成に
よるダメージを強く受ける箇所とコンタクトホール形成によるダメージを強く受ける箇所
とがずれる。このため、蓄電部材が受ける全体的なダメージが緩和され、蓄電部材中を流
れるリーク電流を低減することができる。このような本発明は、スタック型でありながら
必要なサイズにまで微細化してもリーク電流が許容できる半導体装置の製造方法を提供す
ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図を参照して本発明に係る強誘電体メモリの実施の形態を説明する。図１は、本
発明の一実施形態の強誘電体メモリを説明するための図であって、図１（ａ）は強誘電体
メモリのセル１０１のうち、キャパシタ１０２の上面図、（ｂ）は断面図である。なお、
本明細書にあっては、図１（ａ）に示した上面図が、後述するスタック型のキャパシタ部
の平面視を示す。
【００１８】
本実施形態の半導体装置は、強誘電体メモリとして構成されている。強誘電体メモリは
、不純物が注入された不純物層１１７を局所導電層として基板に設け、不純物層１１７上
の第１絶縁部材であるＳｉＯ2層１１９上に形成される。そして、ＳｉＯ2層１１９上に設
けられる第１電極である下部電極１１１と、下部電極１１１上に設けられた蓄電部材であ
る強誘電体層１０９と、強誘電体層１０９に設けられた第２電極である上部電極１０７と
を備えている。
【００１９】
さらに、本実施形態の半導体装置は、上部電極１０７上に設けられる配線１０５を有し
ている。配線１０５は、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に絶縁する第２絶縁部材
であるＳｉＯ2層１１８とを備えている。ＳｉＯ2層１１９には、不純物層１１７と下部電
極１１１とを電気的に接続するための導電部材としてタングステンが埋め込まれ、Ｗプラ
グ１１３を形成するコンタクトホール１０３ａが開口されている。また、ＳｉＯ2層１１
８には、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０
３ｂが開口されている。
【００２０】
本実施形態では、下部電極１１１に例えばＩｒ/ＩｒＯｘ/Ｐｔ複合膜を用い、上部電極
１０７に例えばＰｔ/ＩｒＯｘ/Ｉｒ複合膜を用いるものとした。また、強誘電体層１０９
には、ＰＺＴ系やＰＺＴＮ系の材料を用いるものとした。また、配線１０５はアルミニウ
ムであり、不純物層１１７は、基板１００上にあるトランジスタ１２０のソースあるいは
ドレインである。さらに、下部電極１１１、強誘電体層１０９、上部電極１０７でなる構
成を本実施形態ではスタック型のキャパシタ部と記す。本実施形態では、キャパシタ部１
０２が、アルミナ膜等のバリア膜１１５で覆われている。
【００２１】
本実施形態において、コンタクトホール１０３ａが第１コンタクトホールであり、コン
タクトホール１０３ｂが第２コンタクトホールである。コンタクトホール１０３ａとコン
タクトホール１０３ｂとは、キャパシタ部１０２の平面視において、互いに偏った位置に
開口される。
本実施形態では、キャパシタ部１０２が平面視において略長方形を有し、コンタクトホ
ール１０３ａが略長方形を短辺に沿って２分割した一方の領域１０１ａに形成される。ま
た、コンタクトホール１０３ｂが、コンタクトホール１０３ａが形成されている領域の他
方の領域１０１ｂに形成されている。
【００２２】
本実施形態は、コンタクトホール１０３ａ、コンタクトホール１０３ｂを近づけること
によってセル１０１の占有面積を小さくする。そして、コンタクトホール１０３ａとコン
タクトホール１０３ｂとをスタック型のキャパシタ部の平面視において偏位させたことに
よって強誘電体層１０９の同じ箇所がコンタクトホールあるいはプラグ形成にかかる影響
を受けることをなくし、リーク電流の低減を図るものである。この目的に鑑みれば、本実
施形態でいう偏った位置とは、少なくとも、コンタクトホール１０３ｂの底面１０４ｂが
、キャパシタ部１０２の平面視においてコンタクトホール１０３ａの上面１０４ａと重な
ることなく開口される位置が特に望ましい。
【００２３】
また、本実施形態では、セル占有面積とリーク電流との条件から、上面図に示した辺ａ
が辺ｂの２倍程度にセル１０１を形成することが望ましい。しかし、本実施形態はこのよ
うな構成に限定されるものでなく、セル１０１の占有面積を最小化する場合にはコンタク
トホール１０３ｂを、強誘電体層１０９の面上においてコンタクトホール１０３ａと境界
を接して開口するようにしてもよい。
【００２４】
図２（ａ）〜（ｃ）及び図３（ａ）〜（ｃ）は、図１に示した半導体装置の製造方法を
説明するための工程図である。本実施形態の半導体装置は、以下に述べる方法で製造され
る。先ず、本実施形態では、不純物層１１７上のＳｉＯ2層１１９コンタクトホール１０
３ａを開口する。次に、コンタクトホール１０３ａに例えば、タングステンを埋め込み、
Ｗプラグ１１３を形成する。Ｗプラグ１１３の形成にあたっては、埋め込まれたタングス
テンの上面１１３ａをＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の手法によって充分
平坦化する（図２（ａ））。
【００２５】
次に、Ｗプラグ１１３が形成されたＳｉＯ2層１１９上にスパッタ等の手法によってＩ
ｒ/ＩｒＯｘ/Ｐｔ複合膜１１１ａを成膜する。Ｉｒ/ＩｒＯｘ/Ｐｔ複合膜１１１ａの成膜
にあたっては、タングステンの酸化防止の目的で、予め、例えばＴｉＡｌＮ膜を形成して
おく。次に、Ｉｒ/ＩｒＯｘ/Ｐｔ複合膜１１１ａ上に例えばＰＺＴＮ系強誘電体材料をコ
ーティングし、強誘電体膜１０９ａを形成する。さらに、強誘電体膜１０９ａ上にＰｔ/
ＩｒＯｘ/Ｉｒ複合膜１０７ａをスパッタリング等によって形成する（図２（ｂ））。
【００２６】
そして、Ｐｔ/ＩｒＯｘ/Ｉｒ複合膜１０７ａ上にレジストを塗布し、フォトリソグラフ
ィによってセルの形状に合わせたレジストマスクを形成する。このレジストマスク上から
ドライエッチングすることにより、Ｉｒ/ＩｒＯｘ/Ｐｔ複合膜１１１ａ、強誘電体膜１０
９ａ、Ｐｔ/ＩｒＯｘ/Ｉｒ複合膜１０７ａが一度に加工されてキャパシタ部１０２が形成
される（図２（ｃ））。
【００２７】
さらに、本実施形態では、図３に示すように、キャパシタ部１０２をバリア膜１１５で
覆い（図３（ａ））、さらにＳｉＯ2層１１８を設けた後にコンタクトホール１０３ｂを
開口する（図３（ｂ））。コンタクトホール１０３ｂは、上述したように、強誘電体層１
０９上の範囲であって、かつ、強誘電体層１０９の面上においてコンタクトホール１０３
ａと重なることがない位置に開口される。
【００２８】
さらに、コンタクトホール１０３ｂ上にスパッタリングでアルミ膜を生成し、配線１０
５をパターにングしてセル１０１が完成する。
図４は、以上述べた本実施形態の効果について説明するための図であって、横軸にリー
ク電流の値を記し、縦軸に各値のリーク電流を持つ素子の割合をパーセンテージで表した
分布Ｚを記している。リーク電流は電極に電圧３Ｖを印加したときの値である。図４のデ
ータを得た強誘電体メモリは、図１に示したように、辺ａが辺ｂよりも長いセル形状の半
導体装置で得られたデータである。なお、本実施形態では、辺ａの長さを２μｍ、辺ｂの
長さを１μｍとした。
【００２９】
図４において、ｄ２が本実施形態の半導体装置で得られたデータであって、ｄ１はｄ２
と比較のために形成された辺ａの長さと辺ｂの辺ｂの長さが等しい半導体装置のデータで
ある。データｄ１が得られたメモリと、データｄ２が得られたメモリとは、同一のロット
で作成されている。
図４によれば、本実施形態のメモリの５０％でリーク電流が２μＡ／ｃｍ2（図中Ｉ2で
示す。）以下の範囲にあることが分かる。また、同一のロットで作成されたメモリの５０
％でリーク電流が約７μＡ／ｃｍ2（図中Ｉ1で示す。）以下の範囲にあることが分かる。
【００３０】
以上述べた本実施形態によれば、本実施形態は、スタック型でありながら従来のスタッ
ク型セルのメモリよりリーク電流を低減することができる半導体装置及び強誘電体メモリ
、半導体装置の製造方法を提供することができる。このような本実施形態によれば、リー
ク電流の許容範囲内でセルを微細化し、従来の半導体装置よりも微細であって消費電流の
少ない半導体装置及び強誘電体メモリ、半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置を説明するための図である。
【図２】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図３】図１に示した半導体装置の製造方法を説明するための他の工程図である。
【図４】本発明の一実施形態の効果について説明するための図である。
【図５】従来のスタック型セルのメモリを示した図である。
【符号の説明】
【００３２】
１００  基板、１０１  セル、１０２  キャパシタ部、
１０３ａ、１０３ｂ  コンタクトホール、１０４ａ  上面、１０４ｂ  底面、
１０５  配線、１０７  上部電極、１０９  強誘電体層、１１１  下部電極、
１１３  Ｗプラグ、１１５  バリア膜、１１７  不純物層、１１８、１１９  ＳｉＯ2層
１２０  トランジスタ。
【図１】
2008153697.tif 000003
【図２】
2008153697.tif 000004
【図３】
2008153697.tif 000005
【図４】
2008153697.tif 000006
【図５】
2008153697.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、第１コンタクトホールを有する第１絶縁層と、
前記第１コンタクトホールに形成されたプラグと、
前記プラグ上に形成された強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタ上に形成された第２絶縁層と、
前記強誘電体キャパシタ上であって、前記第２絶縁層に形成された第２コンタクトホールと、を含み、
平面視において、前記第１コンタクトホールと前記第２コンタクトホールとは、対向しており、
前記第１コンタクトホールの一辺と前記第２コンタクトホールの一辺とは、重なっている、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、ＳｉＯ２である、半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれかにおいて、
前記プラグは、タングステンである、半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記第２コンタクトホール及び前記第２絶縁層上に形成された配線を有する、半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記配線は、アルミニウムである、半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記強誘電体キャパシタは、下部電極と、該下部電極上に形成された強誘電体層と、該強誘電体層上に形成された上部電極と、を有する、半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記下部電極は、Ｉｒを有し、
前記強誘電体層は、ＰＺＴ又はＰＺＴＮを有し、
前記上部電極は、Ｉｒを有する、半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記プラグと前記下部電極との間に形成されたＴｉＡｌＮを有する、半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記強誘電体キャパシタと前記第２絶縁層との間に形成されたバリア層を有する、半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の半導体装置は、基板と、前記基板上に形成され、第１コンタクトホールを有する第１絶縁層と、前記第１コンタクトホールに形成されたプラグと、前記プラグ上に形成された強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタ上に形成された第２絶縁層と、前記強誘電体キャパシタ上であって、前記第２絶縁層に形成された第２コンタクトホールと、を含み、平面視において、前記第１コンタクトホールと前記第２コンタクトホールとは、対向しており、前記第１コンタクトホールの一辺と前記第２コンタクトホールの一辺とは、重なっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の半導体装置は、前記半導体装置において、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、ＳｉＯ２である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の半導体装置は、前記半導体装置において、前記プラグは、タングステンである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の半導体装置は、前記半導体装置において、前記第２コンタクトホール及び前記第２絶縁層上に形成された配線を有する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の半導体装置は、前記半導体装置において、前記配線は、アルミニウムである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の半導体装置は、前記半導体装置において、前記強誘電体キャパシタは、下部電極と、該下部電極上に形成された強誘電体層と、該強誘電体層上に形成された上部電極と、を有する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の半導体装置は、前記半導体装置において、前記下部電極は、Ｉｒを有し、前記強誘電体層は、ＰＺＴ又はＰＺＴＮを有し、前記上部電極は、Ｉｒを有する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の半導体装置は、前記半導体装置において、前記プラグと前記下部電極との間に形成されたＴｉＡｌＮを有する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の半導体装置は、前記半導体装置において、前記強誘電体キャパシタと前記第２絶縁層との間に形成されたバリア層を有する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】