(57)【要約】【課題】  電子部品を破壊することなく内部クラックを簡便に検出することができ、製造歩留まりを向上させることができる電子部品の製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明の電子部品の製造方法は、誘電体層と電極層とが積層されてなる略直方体の積層体に端子電極が形成されて得られる被検査体７のクラックを検査するクラック検査工程を有し、クラック検査工程は、被検査体７に電圧を印加しながら被検査体７の上面の所定位置における積層方向の変位量を測定する工程と、基準電子部品を準備して、当該基準電子部品に被検査体７と同一条件で電圧を印加しながら基準電子部品の被検査体７の測定位置に対応する位置における積層方向の変位量を測定する工程と、被検査体７の変位量と基準電子部品の変位量とを比べることによりクラックの有無を判断しスクリーニングする工程とを有することを特徴とする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と電極層とが積層されてなる略直方体の積層体と、当該積層体の外部に形成された端子電極とを有する電子部品の製造方法であって、
前記積層体に端子電極が形成されて得られる被検査体のクラックを検査するクラック検査工程を有し、
前記クラック検査工程は、前記被検査体に電圧を印加しながら前記被検査体の積層方向に交わる一面の所定位置における前記積層方向の変位量を測定する工程と、基準電子部品を準備して、当該基準電子部品に前記被検査体と同一条件で電圧を印加しながら前記基準電子部品の前記被検査体の測定位置に対応する位置における積層方向の変位量を測定する工程と、前記被検査体の前記変位量と前記基準電子部品の前記変位量とを比べることによりクラックの有無を判断しスクリーニングする工程とを有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記基準電子部品として、クラックが存在する電子部品及び／又はクラックが存在しない電子部品を用いることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記変位量の測定には、レーザ変位計を用いることを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記被検査体及び前記基準電子部品の前記変位量を測定する位置は、それぞれ複数箇所を設定することを特徴とする請求項１〜３記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記誘電体層は、電歪効果を有する誘電体材料からなることを特徴とする請求項１〜４記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記クラック検査工程の前に前記被検査体に電圧を印加して耐電圧を検査する耐電圧検査工程を有することを特徴とする請求項１〜５記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記クラック検査工程における前記被検査体に印加する電圧は、前記耐電圧検査工程における印加電圧より低いことを特徴とする請求項６記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電子部品の製造方法として、絶縁層と導体層とを積層し焼成一体化したペレットを有する積層型電子部品の、ペレットの内部構造の良否を超音波顕微鏡で検査する超音波検査工程を含む積層型電子部品の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平５−３６５６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１に記載された超音波検査工程は、積層型電子部品に超音波を照射して、反射した音波の強度や時間などを検出することにより、積層型電子部品を破壊することなく、内部に発生したクラックを発見するものである。
【０００４】
しかしながら、このように超音波顕微鏡を用いて内部クラックの検査を行う場合、クラックの面に対して略垂直に超音波が当たって反射した音波をもとにクラックを検出するので、サンプルに対して複数方向から超音波を当てて測定することとなり測定時間が必然的に長くなる。また、クラックの面方向や面の凹凸状態によっては、反射した音波を検出できない場合もある。
【０００５】
そこで本発明では、電子部品を破壊することなく内部クラックを簡便に検出することができ、製造歩留まりを向上させることができる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討をした結果、誘電体層と電極層とが積層されてなる積層体を有する電子部品は、内部にクラックが存在する場合、電圧を印加したときの積層体の積層方向の変位量が、積層体の場所により大きく異なることを見出し、本発明に至った。
【０００７】
すなわち、本発明の電子部品の製造方法は、誘電体層と電極層とが積層されてなる略直方体の積層体と、当該積層体の外部に形成された端子電極とを有する電子部品の製造方法であって、積層体に端子電極が形成されて得られる被検査体のクラックを検査するクラック検査工程を有し、クラック検査工程は、被検査体に電圧を印加しながら被検査体の積層方向に交わる一面の所定位置における積層方向の変位量を測定する工程と、基準電子部品を準備して、当該基準電子部品に被検査体と同一条件で電圧を印加しながら基準電子部品の被検査体の測定位置に対応する位置における積層方向の変位量を測定する工程と、被検査体の変位量と基準電子部品の変位量とを比べることによりクラックの有無を判断しスクリーニングする工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
この電子部品の製造方法によれば、クラック検査工程は、被検査体に電圧を印加しながら被検査体の積層方向に交わる一面の所定位置における積層方向の変位量を測定し、基準電子部品を準備して、当該基準電子部品に被検査体と同一条件で電圧を印加しながら基準電子部品の被検査体の測定位置に対応する所定位置における積層方向の変位量を測定し、この基準電子部品の変位量と、被検査体の変位量とを比べてクラックの有無を判断しスクリーニングしている。このため、被検査体を破壊することなくクラックが存在する被検査体を簡便に検出し取り除くことができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【０００９】
また、本発明の電子部品の製造方法は、基準電子部品としてクラックが存在する電子部品及び／又はクラックが存在しない電子部品を用いることが好ましい。この電子部品の製造方法によれば、より確実にクラックの有無を判断することができる。
【００１０】
また、本発明の電子部品の製造方法は、変位量の測定には、レーザ変位計を用いることが好ましい。この電子部品の製造方法によれば、より正確に変位量を測定できるので、さらに確実にクラックの有無を判断することができる。
【００１１】
また、本発明の電子部品の製造方法は、被検査体及び基準電子部品の変位量を測定する位置をそれぞれ複数箇所設定することが好ましい。この電子部品の製造方法によれば、比較する測定位置が多くなるので、さらに確実にクラックの有無を判断することができる。
【００１２】
また、本発明の電子部品の製造方法は、誘電体層が、電歪効果を有する誘電体材料からなることが好ましい。この電子部品の製造方法によれば、積層方向の変位量が大きくなり、さらに確実にクラックの有無を判断することができる。
【００１３】
また、本発明の電子部品の製造方法は、クラック検査工程の前に被検査体に電圧を印加して耐電圧を検査する耐電圧検査工程を有することが好ましい。この電子部品の製造方法によれば、耐電圧検査の基準に満たない被検査体を確実に取り除くことができる。さらに、耐電圧検査により新たに発生した被検査体の電歪クラックをクラック検査工程において検出することができるので、さらに歩留まりが向上する。また、クラック検査工程での被検査体に印加する電圧は、耐電圧検査工程での印加電圧よりも低いことが好ましい。これによりクラック検査工程で電圧を印加することによる被検査体の故障を確実に防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、電子部品を破壊することなく内部クラックを簡便に検出することができ、製造歩留まりを向上させることができる電子部品の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照しながら本発明の電子部品の製造方法の好適な実施形態として、積層セラミックスコンデンサの製造方法について説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１６】
図１は、本実施形態に係る製造方法が適用される積層セラミックスコンデンサの断面図である。この積層セラミックスコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された略直方体の積層体４と、この積層体４の積層方向に交わる方向の両端面に形成された各端子電極５，６とを備える。
【００１７】
誘電体層２は、電歪特性を有する例えば、ＢａＴｉＯ３系、Ｂａ(Ｔｉ,Ｚｒ)Ｏ３系、（Ｂａ,Ｃａ）ＴｉＯ３系などの誘電体材料からなり、内部電極層３に挟まれる誘電体層２の厚みは、例えば、１８.５μｍに薄層化されている。また、内部電極層３は、誘電体材料の種類により異なるが、Ｎｉ、Ｃｕなどの卑金属材料やＰｔ，Ａｇなどの貴金属材料からなり、誘電体層２を介して対向配置される。この対向配置される各内部電極層３は、各々別々の各端面に引き出され各端子電極５，６に電気的に接続される。各端子電極５，６は多層化されており、積層体４に接する部分では、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｄなどを用い、その外側にはＮｉ−Ｓｎなどのめっきが施される。
【００１８】
続いて、図２を参照して、本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法について説明する。図２は、本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法のフローを示す図である。
【００１９】
積層セラミックスコンデンサ１の製造においては、まず、誘電体層２を形成するためのセラミックスペースト、内部電極層３を形成するための内部電極ペーストをそれぞれ準備する。
【００２０】
セラミックスペーストは、誘電体層２を構成する誘電体材料の原料に有機ビヒクルなどを混合・混錬して得ることができる。誘電体材料の原料としては、例えば、誘電体材料が上述したような各種の複合酸化物系材料である場合は、当該複合酸化物に含まれる各金属原子の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などの組み合わせが挙げられる。
【００２１】
有機ビヒクルは、バインダー及び溶剤を含むものである。バインダーとしては、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂などが挙げられる。また、溶剤としては、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン、キシレン、エタノール、メチルエチルケトンなどの有機溶剤が挙げられる。
【００２２】
また、セラミックスペーストは、上記以外に各種分散剤、可塑剤、誘電体、ガラスフリット、絶縁体などが必要に応じて含有されていてもよい。
【００２３】
内部電極ペーストは、内部電極層３を構成するための導電材料と有機ビヒクルとを混合・混錬したものである。導電材料としては、上述したような金属材料を用い、球状やリン片状などの種々の形状のものを適用できる。また、内部電極ペースト中には、必要に応じて無機化合物を適量含有させることが好ましい。これにより、後述する焼成時において、セラミックスグリーンシート及び内部電極ペースト層の体積変化の差を小さくして、これに起因する応力の発生を低減することができる。その結果、この応力に基づくクラックや反りなどの不具合を抑制することが可能となる。
【００２４】
有機ビヒクルは、バインダー及び溶剤を含むものである。バインダーとしては、例えば、エチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリスチレン、またはこれらの共重合体などが挙げられる。溶剤としては、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン、アセトンなどが挙げられる。
【００２５】
内部電極ペースト中には、適宜、可塑剤を含有させてもよい。可塑剤としては、例えば、フタル酸ベンジルブチル（ＢＢＰ）などのフタル酸エステル、アジピン酸、リン酸エステル、グリコール類などが適用できる。
【００２６】
続いて、上述したセラミックスペースト及び内部電極ペーストを準備した後、まず、例えば、ＰＥＴなどからなるキャリアシート上にセラミックスペーストをドクターブレード法などの公知の方法でセラミックスグリーンシートを形成する（ステップＳ１：シート成形工程）。そして、セラミックスグリーンシート上に内部電極ペーストをスクリーン印刷法などの公知の方法で複数の内部電極パターンを形成する（ステップＳ３：内部電極形成工程）。
【００２７】
続いて、内部電極パターンが形成されたセラミックスグリーンシートを所定の大きさに揃えて所定の枚数で積層し、積層方向から加圧してグリーン積層体を得る（ステップＳ５：積層・プレス工程）。そして、グリーン積層体を切断機で所定の大きさのチップに切断しグリーンチップを得る（ステップＳ７：切断工程）。
【００２８】
続いて、グリーンチップから、各部に含まれるバインダーを除去した後（脱バインダー）、このグリーンチップを焼成する（ステップＳ９：焼成工程）。この焼成により、セラミックスグリーンシートから誘電体層２が、また、内部電極ペースト層から内部電極層３がそれぞれ形成された積層体４が得られる。脱バインダーは、グリーンチップを、空気中、又は、Ｎ２及びＨ２の混合ガスなどの還元雰囲気中で、２００〜６００℃程度に加熱することにより行うことができる。また、焼成は、脱バインダー後のグリーンチップを、例えば、還元雰囲気下で１１００〜１３００℃程度に加熱することにより行うことができる。そして、かかるグリーンチップの焼成後、得られた焼成物に、必要に応じて８００〜１１００℃、２〜１０時間保持するアニール処理を施す。
【００２９】
続いて、積層体４の両端部に導電性ペーストを塗布して焼付けし、さらにめっきを施すことにより端子電極５，６を形成する（ステップＳ１１：端子電極形成工程）。導電性ペーストは、Ｃｕを主成分とする金属粉末にガラスフリット及び有機ビヒクルを混合したものを用いることができる。金属粉末は、Ｎｉ、Ａｇ−ＰｄあるいはＡｇを主成分とするものであってもよい。めっきは、Ｎｉ，Ｓｎ,Ｎｉ−Ｓｎ合金，Ｓｎ−Ａｇ合金,Ｓｎ−Ｂｉ合金などの金属めっきを施すことができる。また、金属めっきは、例えば、ＮｉとＳｎとで２層以上形成した多層構造としても良い。以上により、図１に示されるような構成の複数の積層セラミックスコンデンサ１が得られる。
【００３０】
続いて、得られた積層セラミックスコンデンサ１（被検査体）について、電気特性の検査をする（ステップＳ１３：電気特性（耐電圧）検査工程）。電気特性の検査は、得られた被検査体が所定の電気特性を備えているかを検査するものである。電気特性の検査には、例えば、積層セラミックスコンデンサの規格（ＪＩＳ規格など）に基づく、耐電圧検査、絶縁抵抗検査、静電容量検査、静電正接検査などがある。ＪＩＳ規格に基づく耐電圧検査の場合は、ＪＩＳ  Ｃ  ５１０２で定められた方法・条件にて検査することができる。すなわち積層セラミックスコンデンサの定格電圧の２．５倍の電圧を１秒〜５秒間、各端子電極５，６にパルス的に印加し、絶縁破壊又は破損がないかを調べるものである。そして、耐電圧検査によりスクリーニングされた被検査体は他の検査工程に移ることになる。
【００３１】
続いて、電気特性検査工程でスクリーニングされた被検査体についてクラック検査を行う（ステップＳ１５：クラック検査工程）。以下、図３及び図４を参照してクラック検査工程について詳細に説明する。図３は、本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法のクラック検査工程における測定装置の概略を示す図である。図４は、図３に示す測定装置による被検査体の測定位置を示す図である。
【００３２】
クラック検査工程は、図３に示されるような測定装置を用いて以下の手順で行う。まず、被検査体７を所定の冶具（図示せず）に、被検査体７の積層方向に交わる測定面が上方を向くように固定し、各端子電極５，６に外部端子８，９を電気的に接続する。次に、外部端子８，９を介して、被検査体７に昇圧可能な電源１１から例えば、１００Ｖ／ｓｅｃの昇圧速度で昇圧しながら電圧を印加する。そして、昇圧の開始と同時に被検査体７の上方に配置されたレーザ変位計１２により、被検査体７の測定面における積層方向の変位量を測定する。ここで使用するレーザ変位計１２は市販のものを使用することができる。また、図４に示されるように変位量の測定は、被検査体７の測定面における、略中央部Ｐ１及び略角部Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５の５箇所を行う。ここで、略角部Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５の位置は、積層方向から見たときに内部電極層３の側端部に対応している。
【００３３】
次に、被検査体７と同一条件で製造された同一形状のクラックが存在する基準積層セラミックスコンデンサ（基準電子部品）を準備し、上述した被検査体７と同様の条件で変位量を測定する。なお、基準積層セラミックスコンデンサは、クラックが存在しないものを用いても良く、双方を用いても良い。
【００３４】
そして、変位計測定器１３により出力された、被検査体７の測定面の略中央部Ｐ１及び略角部Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５の変位量と、基準積層セラミックスコンデンサの測定面の略中央部Ｐ１及び略角部Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５の変位量とを比較して、クラックの有無を判断してスクリーニングする。電歪効果を有する誘電体材料を用いた積層セラミックスコンデンサは、端子電極に電圧を印加すると、印加電圧に応じて内部電極に挟まれた誘電体層が積層方向に沿って伸びることが知られている。したがって、各測定点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５における変位量も印加電圧に応じて積層方向に所定量伸びることとなるが、本発明者らが検討した結果、後述するように、内部にクラックが存在する積層セラミックスコンデンサは、クラックが存在しない積層セラミックスコンデンサに比べて積層方向への伸びが大きくなる特異的な部分が存在したり、変位量分布のバラツキが大きくなることを見出した。
【００３５】
そのため、被検査体が、クラックの存在する基準積層セラミックコンデンサの変位量や変位量分布のバラツキと同様に、特異的な変位量や変位量分布のバラツキを示す場合には、被検査体はクラックが存在すると判断することができる。一方で、被検査体が、クラックの存在する基準積層セラミックコンデンサの変位量や変位量分布のバラツキと比べ、特異的な変位量や変位量分布のバラツキが見られない場合には、被検査体はクラックが存在しないと判断することができる。
【００３６】
なお、基準積層セラミックスコンデンサとして、クラックの存在しないものを用いる場合は、被検査体がクラックの存在しない基準積層セラミックスコンデンサと比べ、特異的な変位量や変位量分布のバラツキを示す場合には、被検査体はクラックが存在すると判断することができる。一方で、被検査体の変位量や変位量分布と、クラックの存在しない基準積層セラミックスコンデンサの変位量や変位量分布との差が見られない場合は、被検査体はクラックが存在しないと判断することができる。
【００３７】
なお、被検査体７に印加する電圧は、耐電圧検査工程Ｓ１３における印加電圧よりも低い電圧を印加することが好ましい。耐電圧検査工程Ｓ１３における印加電圧以上の電圧を印加すると、被検査体７が絶縁破壊される恐れがあるからである。また、少なくとも、被検査体７の定格電圧の１.０倍以上の電圧を印加することが好ましい。印加する電圧が高いほど、クラックが存在する場合に変位量の大きな特異的な側定点を検出することができ、クラックの存在を判断しやすいからである。
【００３８】
続いて、クラック検査によりスクリーニングされた被検査体について、その外観を検査（ステップＳ１７：外観検査工程）する。外観検査は、カメラや目視により被検査体の外観に欠けた部分などが存在しないかを確認するものである。外観検査によりスクリーニングされた良品被検査体が積層セラミックスコンデンサとして、出荷されることとなる。
【００３９】
以上のように、本実施形態の積層セラミックスコンデンサの製造方法によれば、クラック検査工程は、被検査体７に電圧を印加しながら被検査体７の積層方向に交わる一面の所定位置（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５）における積層方向の変位量を測定し、クラックが存在する基準積層セラミックスコンデンサを準備して、当該基準積層セラミックスコンデンサに被検査体と同一条件で電圧を印加しながら基準積層セラミックスコンデンサの被検査体の測定位置に対応する所定位置における積層方向の変位量を測定し、この基準積層セラミックスコンデンサの変位量と、被検査体の変位量とを比べてクラックの有無を判断しスクリーニングしている。このため、被検査体を破壊することなくクラックが存在する被検査体を簡便に検出し取り除くことができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【００４０】
また、本実施形態の積層セラミックスコンデンサの製造方法は、変位量の測定にレーザ変位計を用いており、より正確に簡便に変位量を測定できるので、より確実にクラックの有無を判断することができる。
【００４１】
また、本実施形態の積層セラミックスコンデンサの製造方法は、被検査体及び基準積層セラミックスコンデンサの変位量を測定する位置をそれぞれ５箇所設定しており、比較する測定位置が多くなるので、さらに確実にクラックの有無を判断することができる。
【００４２】
また、本実施形態の積層セラミックスコンデンサの製造方法は、誘電体層が、電歪効果を有する誘電体材料からなるので、積層方向の変位量が大きくなり、さらに確実にクラックの有無を判断することができる。
【００４３】
また、本実施形態の積層セラミックスコンデンサの製造方法は、クラック検査工程の前に被検査体に電圧を印加して耐電圧を検査する耐電圧検査工程を有するので、耐電圧検査の基準に満たない被検査体を確実に取り除くことができる。さらに、耐電圧検査により新たに発生した被検査体の電歪クラックをクラック検査工程において検出することができるので、さらに歩留まりが向上する。
【００４４】
なお、本実施形態においては、電子部品の一例として積層セラミックスコンデンサの製造方法を説明したが、電歪効果を有する誘電体材料を用いる電子部品であれば、特に限定されるものではなく、例えば、積層アクチュエータなどの製造方法としても適用できる。
【実施例】
【００４５】
続いて、本発明に係る電子部品の製造方法について、実施例を示して更に詳細に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４６】
まず、上述した手順により被検査体となる複数の積層セラミックスコンデンサを得た。ここで、積層セラミックスコンデンサは、ＢａＴｉＯ３系の高誘電率セラミックスを誘電体材料として用いた容量が０.３３μＦ、定格電圧２５０Ｖ、層間厚み１８.５μｍのＣ３２２５形状（長さ３.２ｍｍ、幅２.５ｍｍ、高さ２.０ｍｍ）のものである。
【００４７】
続いて、複数の被検査体を定各電圧の２．５倍である６２５Ｖの電圧を１〜５秒間パルス的に印加して耐電圧検査を行ない、絶縁破壊された被検査体を除いた。そして、耐電圧検査を通過した被検査体について、上述したように図３に示される測定装置を用いて以下のような手順で変位量を測定した。まず、被検査体７を冶具により被検査体７の積層方向に交わる測定面が上側を向くように各端子電極を狭持して測定装置の支持台に固定し、冶具に電源１１から延びた外部端子８，９を電気的に接続した。そして、被検査体７に電源１１から１００Ｖ／ｓｅｃの昇圧速度で６２５Ｖまで電圧を印加して、被検査体７の上方に配置されたレーザ変位計（株式会社キーエンス社製  ＬＫ−Ｇ１０）１２により、被検査体７の測定面における積層方向の変位量を測定した。また測定は、図４に示される測定面の略中央部Ｐ１及び略角部Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５の５箇所について行った。また、各測定点では、それぞれ３回繰り返し測定し、それぞれの平均を求めた。
【００４８】
また、上述した被検査体７となる積層セラミックスコンデンサと同一条件で製造した同一形状のクラックが存在する基準積層セラミックスコンデンサを準備して、上述した被検査体７の測定と同一の条件で変位量を測定した。
【００４９】
図５及び図６に測定した結果を示す。図５は、クラックが存在する基準積層セラミックスコンデンサの電圧変化に対する変位量の変化を示す図である。図６は、クラックが存在しない被検査体としての積層セラミックスコンデンサの電圧変化に対する変位量の変化を示す図である。
【００５０】
図５に示されるように、クラックが存在する基準積層セラミックスコンデンサは、略中央部Ｐ１の変位量が、略角部Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５の変位量に比べて大きな値を示した。例えば、定各電圧の２倍程度の５００Ｖでは、略中央部Ｐ１の変位量が、略角部Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５の変位量の約１．７倍程度となり、特異的な変位量を示した。一方で、図６に示されるように、クラックが存在しない被検査体の各側定点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５における変位量には、所定の差が見られるものの特異的な変位量の側定点は無かった。
【００５１】
以上により、基準積層セラミックスコンデンサと被検査体とのそれぞれの側定点における複数箇所の変位量の違いからクラックの有無の判断ができることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本実施形態に係る製造方法が適用される積層セラミックスコンデンサの断面図である。
【図２】本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法のフローを示す図である。
【図３】本実施形態に係る製造方法のクラック検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【図４】図３に示す測定装置による被検査体の測定箇所を示す図である。
【図５】クラックが存在する基準積層セラミックスコンデンサの電圧変化に対する変位量の変化を示す図である。
【図６】クラックが存在しない被検査体としての積層セラミックスコンデンサの電圧変化に対する変位量の変化を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１…積層セラミックスコンデンサ、２…誘電体層、３…内部電極層、４…積層体、５，６…端子電極、７…被検査体、８，９…外部端子、１１…電源、１２…レーザ変位計、１３…変位計測定器、Ｌ１…レーザ光、Ｌ２…反射光
【図１】
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【図２】
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【図３】
2008124276.tif 000005
【図４】
2008124276.tif 000006
【図５】
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【図６】
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