(57)【要約】【課題】負荷の制御を行う車載用電装ユニットに搭載されるリレーモジュールのコネクタ用リードの表面に形成される第１メッキ膜の厚さと、基板接続用リードの表面に形成される第２メッキ膜の厚さとを異ならせることのできる技術を提供する。【解決手段】ポケット形状の電界遮蔽用治具１２の内側にリードフレーム１０の一部であるコネクタ用リード４を包むように入れて、また外側にリードフレーム１０の他部である基板接続用リード５をはみ出して電界遮蔽用治具１２内にリードフレーム１０を配置した状態で電解メッキを行う。【選択図】図１１
2008041566.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを含む１または複数の半導体チップと、
前記半導体チップを封止する封止体と、
前記トランジスタと電気的に接続された複数の第１アウターリードと、
前記トランジスタと電気的に接続された複数の第２アウターリードとを有する半導体装置であって、
前記第１アウターリードは、前記封止体の第１側面から突出し、
前記第２アウターリードは、前記封止体の第１側面と対向する第２側面から突出し、
前記第１および第２アウターリードにはそれぞれ第１および第２メッキ膜が形成され、
前記第１メッキ膜の厚さが、前記第２メッキ膜の厚さより薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体装置はコネクタユニットおよび制御基板と接続可能であり、
前記第１アウターリードは、前記コネクタユニットに設けられた複数の接続用開口部に接続することで電気的に接続可能であり、
前記第２アウターリードは、前記制御基板上に設けられた複数の接続端子に導電性半田を介して接続することで電気的に接続可能であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置、前記制御基板および前記コネクタユニットは車載用電装ユニットを構成し、
車載用電装ユニットは自動車内の負荷と電気的に接続可能であり、
前記半導体装置は前記コネクタユニットを介して前記負荷を制御可能であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２アウターリードは折り曲げ部を有し、
前記第２アウターリードの先端部は前記封止体の底面より下に位置することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記トランジスタは、パワーＭＩＳＦＥＴであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップには、ＩＰＳが形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１メッキ膜および前記第２メッキ膜には、Ｐｂが含まれていないことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１メッキ膜および前記第２メッキ膜は、Ｓｎ−Ｂｉ合金からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
トランジスタを含む１または複数の半導体チップと、 
前記半導体チップを封止する封止体と、
前記トランジスタと電気的に接続され、前記封止体の第１側面から突出した複数の第１アウターリードと、
前記トランジスタと電気的に接続され、前記第１側面と対向する第２側面から突出した複数の第２アウターリードとを有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）リードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記リードフレーム上に前記半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップを封止する工程と、
（ｄ）前記リードフレームを電解メッキ槽内で電解メッキを行う工程と、
を含み、
前記工程（ｄ）において、前記第１アウターリードとなる前記リードフレーム中の第１部分を非導電性の治具内に配置し、前記アウターリードとなる前記リードフレーム中の第２部分を前記治具から露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ｄ）の後、前記第１部分に形成される第１メッキ膜の厚さは、前記第２部分に形成される第２メッキ膜の厚さより薄くなることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記治具はプラスチックからなることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記治具はポケット形状を有していることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記治具の側面には側面開口部が設けられていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記工程（ｄ）において、前記第１部分は前記側面開口部から露出しないことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記治具の底面には底面開口部が設けられていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記工程（ｄ）において、
前記治具が、ラックに複数個取り付けられており、
前記治具の下部を貫通して前記治具を前記ラックに取り付ける支持体と、前記リードフレームとが接触することによって、前記リードフレームを電極とすることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記工程（ｄ）において、
前記リードフレームを前記治具に接触させないことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記治具は、傾斜させて前記ラックに取り付けられていることを特徴とする請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、負荷の制御を行う車載用電装ユニットに搭載される半導体装置の製造に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、自動車において、機械的な接点によって動作する機械式リレーに代えて、電気的な接点によって動作する半導体リレー（半導体スイッチング素子）に過電流や加熱などによる異常に対して自己保護機能を付加したＩＰＳ（Intelligent Power Switch）などが用いられている。
【０００３】
例えば、自動車のヘッドランプ、ワイパーを駆動するモータなどの各種の負荷を動作させるために機械式リレーを用いた場合、その負荷を制御する車載用電装ユニットにはコンデンサが搭載されているため、負荷を動作させた瞬間に大電流が流れ、機械式リレーに損傷を与えるか、あるいは機械式リレーを大電流から保護するためのヒューズが破壊することがある。一方、ＩＰＳを用いた場合、過電流などに対する自己保護機能によって半導体リレーを強制的にオフ制御されるので、半導体リレーは保護されることとなる。このように機械式リレーに代えて、有利な特性を有するＩＰＳが用いられているのである。
【０００４】
ここで、ＩＰＳは、例えば半導体リレーとしてパワー系の電界効果型トランジスタ（例えば、ＭＩＳＦＥＴ：Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）を用いた場合、電源電圧を供給した状態で、駆動回路（ドライバ）からオン／オフ信号が与えられることよって、パワーＭＩＳＦＥＴのオン／オフ制御、すなわちスイッチングのオン／オフを行うものである。
【０００５】
例えば、ＩＰＳを使用した車載用電装ユニットとして、制御基板（実装基板）を備え、コネクタユニットを介して、負荷の制御を行うものがある。コネクタユニットは、例えば自動車のヘッドランプ、ワイパーを駆動するモータなどの負荷と制御基板側との接続を行うものである。このため、ＩＰＳは、負荷に対して供給される電力のオン／オフ制御を行うことができるのである。
【０００６】
このような車載用電装ユニットでは、複数の負荷のそれぞれに対応した複数のＩＰＳおよび大電流が流れるパワー系の配線パターンが制御基板上に配置されている。そこで、配線パターンの配線抵抗や、配線パターン自体の発熱を抑えるために、配線パターンの幅を広くする必要がある。このため、制御基板が大型化するという問題点がある。また、この車載用電装ユニットでは、制御基板上に、ＩＰＳを負荷の数に応じて複数実装するため、複数のＩＰＳに対応したそれぞれの複数の半導体リレーの配置スペースと複数の半導体リレーの端子に接続される引き回し配線の配置スペースも必要であり大型化するという問題がある。
【０００７】
そこで、特開２００２−２９３２０１号公報（特許文献１）および特開２００２−３５９３４９号公報（特許文献２）には、コンパクトな車載用電装ユニットを構成するために、複数の負荷のそれぞれに対応した複数のＩＰＳが１つにパッケージングされたリレーモジュール（半導体装置）が開示されている。このリレーモジュールは、内部に複数のＩＰＳがダイパッド部に搭載されて直方体形状に樹脂封止された封止体と、この封止体の一方の側面から延伸される複数のコネクタ用リードと、樹脂モールド部の他方の側面から延伸される複数の基板接続用リードとを備えてなるものである。なお、このような１つのリレーモジュールに対する複数のコネクタ用リードおよび複数の基板接続用リードは、１単位として、多連長尺の帯状体であるリードフレームから加工形成されるものである。
【０００８】
ところで、リレーモジュールなどの樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレームは、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）およびニッケル・鉄合金などの金属板材が用いられ、さらにその表面にニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）および金（Ａｕ）などのメッキが施される。
【０００９】
特開平２−２３２３９３号公報（特許文献３）には、例えばリードフレームなどの金属条にメッキを行うメッキ方法が開示されている。具体的には、金属条の両面のいずれか一方のメッキ厚を変えるために、液組成を同一にしたメッキ槽内に被メッキ金属条を導入し、厚メッキ側の電流密度を大きく、薄メッキ側の電流密度を小さくし、厚メッキと薄メッキ側の電流を遮断してメッキを行うものである。
【特許文献１】特開２００２−２９３２０１号公報
【特許文献２】特開２００２−３５９３４９号公報
【特許文献３】特開平２−２３２３９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明者は、例えば自動車のヘッドランプ、ワイパーを駆動するモータなどの各種の負荷の制御を行う車載用電装ユニットに搭載される半導体装置として、半導体リレーが形成された複数の半導体チップを有するリレーモジュールを検討している。
【００１１】
図１３は、制御基板１０１を備えた車載用電装ユニット１００とコネクタユニット２００とを接続した状態を示す。また、図１４は、図１３のコネクタユニット２００とリレーモジュール３００との接続を分かり易くするために、コネクタユニット２００とリレーモジュール３００とを分離して示している。なお、図１３では、カバー１０２を透過した状態で示して車載用電装ユニット１００の内部が見える状態を示している。また、図１４では、コネクタユニット２００が有する接続用開口部２０１にリレーモジュール３００のコネクタ用リード３０１を嵌め込まれる状態を示している。
【００１２】
車載用電装ユニット１００は、コネクタユニット２００を介して負荷の制御を行うものである。この車載用電装ユニット１００は、略矩形のケース本体１０３に、制御基板１０１とリレーモジュール３００とが収納され、ケース本体１０３にカバー１０２が被せられて大略構成されている。
【００１３】
この車載用電装ユニット１００におけるケース本体１０３は、放熱性の高い絶縁性材料で形成されることが好ましいが、制御基板１０１との絶縁が確保できれば金属製であってもよい。また、カバー１０２は、例えばアルミニウムなどの熱伝導性及び放熱性の高い金属材料で形成されている。そして、このカバー１０２は、リレーモジュール３００の樹脂モールドからなる封止体３０３と密着するように、ケース本体１０３に被せられており、リレーモジュール３００で発生した熱を放熱させるようになっている。なお、ケース本体１０３とカバー１０２とを組み付けた状態で、コネクタユニット２００が接続されるような形状になっている。
【００１４】
制御基板１０１には、制御用マイコンをはじめ周知の電子部品１０４、１０５などが実装されている。また、制御基板１０１には、これら電子部品１０４、１０５などに接続されて回路を構成する配線パターン（図示しない）が形成されている。さらに、制御基板１０１には、この制御基板１０１への電力供給や信号の出し入れを行う複数の基板側端子１０６が設けられている。
【００１５】
リレーモジュール３００は、１または複数の半導体チップを直方体形状に樹脂封止した封止体３０３と、この封止体３０３の一方の側面から突出する複数のコネクタ用リード３０１と、封止体の他方の側面から突出する複数の基板接続用リード３０２とを備えてなる。コネクタ用リード３０１および基板接続用リード３０２の表面には、Ｓｎ−Ｂｉ（スズ−ビスマス）合金からなるメッキ膜が形成されており、例えばＣｕ（銅）からなる母材の腐食などを防止している。複数のコネクタ用リード３０１は、それぞれコネクタユニット２００の複数の接続用開口部２０１に嵌め込んで電気的に接続される。また、複数の基板接続用リード３０２は、曲げ加工が施されており、それぞれ制御基板１０１の複数の接続端子（図示しない）にそれぞれ半田付けされて電気的に接続される。
【００１６】
このリレーモジュール３００におけるコネクタ用リード３０１は、コネクタユニット２００を介して、例えばヘッドランプ、ワイパーを駆動するモータなどの各種の負荷Ｌにそれぞれ接続されるようになっている。そして、各コネクタ用リード３０１には、これらが対応して接続される半導体チップのそれぞれのスイッチング動作により負荷Ｌへ電力を供給するようになっている。
【００１７】
一方、基板接続用リード３０２は、制御基板１０１の接続端子および配線パターンを介して、制御用マイコンなどの電子部品から出力される制御信号や、半導体チップの電流検知信号などが伝達されるようになっている。
【００１８】
ところで、コネクタユニット２００の接続用開口部２０１へコネクタ用リード３０１を嵌め込む際に必要な力（挿入力）は、一般に規定値が定められている。例えば、挿入力の規定値を７０Ｎ以下とした場合、その規定値の範囲内であれば人間の手によって接続用開口部２０１へコネクタ用リード３０１を嵌め込むことができる。
【００１９】
また、コネクタ用リード３０１を嵌め込むための接続用開口部２０１の形状は略長方形状であり、その短辺の大きさは、標準規格として規格化されている。したがって、標準規格として０．６２ｍｍと規定した場合、コネクタユニット２００の接続用開口部２０１に嵌め込むことによって電気的な接続をとるコネクタ用リード３０１の厚さは、０．６２ｍｍであることが望ましい。このため、７０Ｎ以下の挿入力とするために、例えば、コネクタ用リード３０１の母材の厚さを０．６２ｍｍとし、コネクタ用リード３０１の表面のメッキ膜の厚さをできる限り薄くしている。
【００２０】
なお、コネクタ用リード３０１の表面にメッキ膜を形成しない場合、母材がＣｕであればコネクタ用リード３０１が腐食する問題が発生し、母材がＮｉ（ニッケル）であれば材質が柔らかいため振動によって抜けやすくなる問題が発生する。このため、コネクタ用リード３０１の表面には、メッキ膜が必要である。
【００２１】
一方、リレーモジュールの基板接続用リード３０２は、制御基板１０１の接続端子に、例えば半田リフロー実装によって半田付けされるため、半田の濡れ性および半田の接合強度などの耐熱ソルダビリティを確保する必要がある。具体的には、耐熱ソルダビリティを確保するため、基板接続用リード３０２のメッキ膜の厚さを４〜１５μｍ程度とする必要がある。
【００２２】
ここで、基板接続用リード３０２の母材は、コネクタ用リード３０１の母材と同一のリードフレームから形成されるものである。つまり、前述したようにコネクタ用リード３０１の母材の厚さを０．６２ｍｍとした場合、基板接続用リード３０２の母材の厚さも０．６２ｍｍとなる。
【００２３】
したがって、コネクタ用リード３０１の表面に形成されるメッキ膜の厚さと、基板接続用リード３０２の表面に形成されるメッキ膜の厚さとを変える必要があり、メッキ膜の厚さがそれぞれ異なるコネクタ用リード３０１および基板接続用リード３０２を有するリレーモジュール３００が必要となる。
【００２４】
本発明の目的は、特に、負荷の制御を行う車載用電装ユニットに搭載されるリレーモジュールのコネクタ用リードの表面に形成される第１メッキ膜の厚さと、基板接続用リードの表面に形成される第２メッキ膜の厚さとを変えることのできる技術を提供することにある。
【００２５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００２７】
本発明による半導体装置は、コネクタユニットが有する複数の穴部にそれぞれ嵌め込んで電気的に接続される複数のコネクタ用リードの表面には、第１メッキ膜が形成されており、制御基板が有する複数の接続端子にそれぞれ半田付けされて電気的に接続される複数の基板接続用リードの表面には、第２メッキ膜が形成されており、第１メッキ膜の厚さが、第２メッキ膜の厚さより薄いものである。
【００２８】
また、本発明による半導体装置の製造方法は、電解メッキ工程において、コネクタ用リードを治具によって電界を遮蔽することで、コネクタ用リードの第１メッキ膜の厚さと基板接続用リードの第２メッキ膜の厚さとを異ならせるものである。
【００２９】
さらに、本発明による半導体装置の製造方法は、コネクタユニットが有する複数の穴部にそれぞれ嵌め込んで電気的に接続される複数のコネクタ用リードの表面に、第１メッキ膜を形成すると同時に、制御基板が有する複数の接続端子にそれぞれ半田付けされて電気的に接続される複数の基板接続用リードの表面に、第２メッキ膜を形成する電解メッキ工程を含むものである。この電解メッキ工程では、コネクタ用リードをポケット形状の電界遮蔽用治具内に配置することで、第１メッキ膜の厚さを、第２メッキ膜の厚さより薄くするものである。
【発明の効果】
【００３０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００３１】
本発明によれば、コネクタ用リードの表面に形成される第１メッキ膜の厚さが、基板接続用リードの表面に形成される第２メッキ膜の厚さより薄いリレーモジュールを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００３３】
本発明の実施の形態では、例えばヘッドランプ、ワイパーを駆動するモータなどの各種の負荷の制御を行う車載用電装ユニット（図１３および図１４参照）に搭載される半導体装置として、半導体リレーが形成された複数の半導体チップを有するリレーモジュールについて説明する。
【００３４】
図１および図２に示すように、本実施の形態のリレーモジュール３０は、内部に複数の半導体チップ１Ｃ１〜１Ｃ６がダイパッド２Ａ、２Ｂに搭載されて直方体形状に樹脂封止された封止体３（図１では透視されている）を備えている。ここでは、封止体３からなるパッケージ構造は、ＤＩＬ−Ｐ（Dual In Line-Package）の変形が示されている。
【００３５】
さらに、リレーモジュール３０は、封止体３の一方の側面３ａ（第１側面）から突出する複数のコネクタ用リード（第１アウターリード）４と、封止体３の他方の側面３ｂ（第１側面と対向する第２面）から突出する複数の基板接続用リード（第２アウターリード）５とを備えてなる。半導体チップ１Ｃ１〜１Ｃ６には、トランジスタが含まれており、このトランジスタと複数のコネクタ用リード４および複数の基板接続用リード５が、電気的に接続されている。なお、図１においては、半導体チップ１Ｃ１〜１Ｃ６と電気的に接続されていないコネクタ用リード４も存在する。
【００３６】
コネクタ用リード４および基板接続用リード５は、封止体３の内側から外側に延びたリードであって、外側の部分がアウターリードとなる。リレーモジュール３０は、図１３に示したような、コネクタユニット２００と制御基板１０１と接続可能である。したがって、リレーモジュール３０の複数のコネクタ用リード４は、コネクタユニット２００に設けられた複数の接続用開口部２０１にそれぞれ接続する（嵌め込む）ことで電気的に接続可能であり、複数の基板接続用リード５は、制御基板１０１上に設けられた複数の接続端子に導電性半田を介して接続することで電気的に接続可能である。
【００３７】
ここで、基板接続用リード５は、図２に示すように、アウターリードに折り曲げ部５ａを有しており、基板接続用リード５の先端部５ｂは封止体３の底面３ｃより下に位置している。このためリレーモジュール３０を制御基板１０１に搭載した場合、封止体３と制御基板１０１との間に空隙ができ、熱などの影響を受けにくくして安定した制御動作を行うことができる。
【００３８】
また、本実施の形態におけるリレーモジュール３０では、図３の等価回路図に示すように、半導体チップ１Ｃ１〜１Ｃ６および負荷Ｌ１〜Ｌ５を配置した回路で構成されている。負荷Ｌ１〜Ｌ５は、例えばヘッドランプ、ワイパーを駆動するモータなどの各種の負荷である。なお、リレーモジュール３０が有する半導体チップ１Ｃ１〜１Ｃ６は、６個の場合について説明するが、これに限らず、１または複数個の半導体チップであっても良い。
【００３９】
このリレーモジュール３０におけるコネクタ用リード４では、大電流が流れるためリードの幅が広く設定されている（図１および図２参照）。コネクタ用リード４Ｃの一端は、コネクタユニットを介して負荷Ｌ１〜Ｌ５にそれぞれ電気的に接続されることとなり、他端は、これらが対応して接続される半導体チップ１Ｃ２〜１Ｃ６のそれぞれのスイッチング動作により各負荷へ電力を供給することになっている。
【００４０】
また、基板接続用リード５では、リレーモジュール３０を車載用電装ユニットの制御基板１０１にコンパクトに搭載するために、曲げ加工が施されている。複数の基板接続用リード５では、制御用マイコンなどの電子部品から出力されるＨ／Ｌ信号（制御信号）や、半導体チップ側の電流検知信号（ステイタス信号）などが伝達される。
【００４１】
半導体チップ１Ｃ１〜１Ｃ６は、裏面電極として形成されているドレイン電極が、ダイパッド２Ａ、２Ｂに電気的に接続している。また、半導体チップ１Ｃ１〜１Ｃ６の表面電極（ボンディングパッド）のうち、相対的に大きな表面電極は、例えば、ソースパッドとしてそれぞれに対応するスイッチング動作の対象となる負荷に接続されるコネクタ用リード４Ｃにワイヤボンディングされている。一方、相対的に小さな表面電極は、例えば、ゲートパッドとしてそれぞれに対応する基板接続用リード５にワイヤボンディングされている。各半導体チップにおける３つのゲートパッドは、それぞれパワーＭＩＳＦＥＴのゲート用の表面電極、サブＭＩＳ用の表面電極およびソースセンス用の表面電極である。なお、半導体チップ側のボンディングパッドとコネクタ用リード４、ボンディングパッドと基板接続用リード５とを互いに接続する導電体としてのボンディングワイヤは、アルミニウム（Ａｌ）線、金（Ａｕ）線、銅（Ｃｕ）やこれらのリボンを用いればよい。
【００４２】
このような構成のリレーモジュール３０では、半導体チップ１Ｃ１〜１Ｃ６の裏面電極であるドレイン電極をダイパッド２Ａ、２Ｂに電気的に接続しているため、半導体チップ１Ｃ１〜１Ｃ６の表面電極のそれぞれよりも相対的に電流容量を大きくし、ダイパッド２Ａ、２Ｂと接続されたコネクタ用リード４Ａ、４Ｂ（電源用リード）に大電流を流すことができる。
【００４３】
本実施の形態におけるコネクタ用リード４および基板接続用リード５は、図４に示すように、それぞれの表面に形成されるメッキ膜８ａ、８ｂの厚さが異なっており、メッキ膜８ａの厚さ（ｔ１）が、メッキ膜８ｂの厚さ（ｔ２）より薄くなっている。例えば、メッキ膜８ａの厚さ（ｔ１）が１μｍ程度であり、メッキ膜８ｂの厚さ（ｔ２）が６μｍ程度である。また、コネクタ用リード４および基板接続用リード５を形成するための母材７は共用のリードフレームから構成され、その厚さ（ｔ０）は同じである。例えば、母材７の厚さ（ｔ０）が０．６２ｍｍである。
【００４４】
ここで、母材７の厚さ（ｔ０）は、コネクタユニット２００の接続用開口部２０１（図１４参照）の大きさから設定されるものである。本実施の形態におけるリレーモジュール３０は、車載用電装ユニット１００（図１３参照）に搭載され、その車載用電装ユニット１００は、コネクタユニット２００を介して負荷の制御を行うものである。このコネクタユニット２００の接続用開口部２０１は形状が略長方形状であって、その短辺の大きさは標準規格として０．６２ｍｍと規定されている。すなわち、この接続用開口部２０１にコネクタ用リード４を嵌め込むことによって電気的に接続されるので、略長方形状の接続用開口部２０１の短辺の大きさと、コネクタ用リード４の厚さとが同じ程度であることが望ましい。このため、本実施の形態では、母材７の厚さ（ｔ０）を０．６２ｍｍとしている。
【００４５】
このように、コネクタ用リード４および基板接続用リード５の母材としての厚さ（ｔ０）が同じ厚さ（０．６２ｍｍ程度）である。コネクタ用リード４の表面のメッキ膜８ａの厚さ（ｔ１）が１μｍ程度であることから、コネクタ用リード４の厚さは、母材７の厚さ（ｔ０）の０．６２ｍｍ程度よりわずかに厚い程度である。したがって、コネクタユニット２００の接続用開口部２０１に、コネクタ用リード４を７０Ｎ以下の挿入力で嵌め込むことができる。
【００４６】
また、基板接続用リード５のメッキ膜８ｂの厚さ（ｔ２）が６μｍ程度であることから、半田の濡れ性および半田の接合強度などの耐熱ソルダビリティを確保することができる。したがって、制御基板１０１（図１３参照）が有する接続端子に、基板接続用リード５が例えば１７５℃程度で行われる半田リフロー実装によって半田付けされて電気的に接続される。
【００４７】
本実施の形態で示す負荷の制御を行う車載用電装ユニットに搭載されるリレーモジュール３０では、コネクタ用リード４の表面に形成されるメッキ膜８ａの厚さと、基板接続用リード５の表面に形成されるメッキ膜８ｂの厚さとが異なり、メッキ膜８ａの厚さが、メッキ膜８ｂの厚さより薄くなっている。具体的には、メッキ膜８ａの厚さを１μｍ程度とし、メッキ膜８ｂの厚さを６μｍ程度とすることによって、コネクタユニット２００の接続用開口部２０１にコネクタ用リード４を７０Ｎ以下の挿入力で嵌め込むことができ、また制御基板１０１の接続端子に基板接続用リード５を半田リフローによって接続することができる。
【００４８】
このように、コネクタ用リード４のメッキ膜８ａの厚さは、コネクタユニット２００の接続用開口部２０１にコネクタ用リード４を７０Ｎ以下の挿入力で嵌め込むことができる程度に薄くしなければならない。ここで、基板接続用リード５のメッキ膜８ｂの厚さを、コネクタ用リード４のメッキ膜８ａの厚さ（例えば１μｍ程度）に合わせた場合、制御基板１０１に基板接続用リード５を半田付けしたとしても、メッキ膜８ｂの厚さが１μｍ程度と薄すぎて半田付けできない場合がある。また、半田付けできた場合であっても、例えばヒートサイクル試験などの信頼性試験で不具合が生じる場合がある。さらに、制御基板１０１にリレーモジュール３０をコンパクトに搭載するために基板接続用リード５に対し、曲げ加工を行った場合、メッキ膜８ｂの厚さが１μｍ程度では、半田が剥がれるなどの不具合が生じてしまう場合がある。しかしながら、本実施の形態における基板接続用リード５では、耐熱ソルダビリティを確保できる厚さ（例えば６μｍ程度）のメッキ膜８ｂを形成しているので、このような不具合が発生することを防止することができる。
【００４９】
また、基板接続用リード５のメッキ膜８ｂの厚さは、耐熱ソルダビリティを確保できる程度に厚くしなければならない。ここで、コネクタ用リード４のメッキ膜８ａの厚さを、基板接続用リード５のメッキ膜８ｂの厚さ（例えば６μｍ）に合わせた場合、コネクタユニット２００の接続用開口部２０１にコネクタ用リード４に嵌め込むことができたとしても、規格値の挿入力（例えば７０Ｎ以下）で行えないという不具合が生じる場合がある。しかしながら、本実施の形態におけるコネクタ用リード４では、規格値の挿入力（例えば７０Ｎ以下）を確保できる厚さ（例えば１μｍ程度）のメッキ膜８ａを形成しているので、このような不具合が発生することを防止することができる。
【００５０】
また、本実施の形態におけるメッキ膜８ａおよびメッキ膜８ｂは、Ｐｂ（鉛）が含まれていないメッキ膜である。このため、リレーモジュール３０を廃棄処分した場合であっても、環境保全に貢献することができる。具体的には、メッキ膜８ａおよびメッキ膜８ｂには、Ｓｎ−Ｂｉ（スズビスマス）合金あるいはＮｉ（ニッケル）を用いている。
【００５１】
本実施の形態における半導体チップ１Ｃ１〜１Ｃ６（基板３１Ａ）の主面には、図５に示すように、半導体リレーとしてパワーＭＩＳＦＥＴが形成されている。なお、基板３１Ａは、例えば、ｎ型の導電型を有するｎ＋型単結晶シリコンからなる。
【００５２】
基板３１Ａの主面（素子形成面）の主面には、ｎ型の導電型を有する不純物（例えば、Ｐ（リン））がドープされたｎ−型単結晶シリコン層３１Ｂがエピタキシャル成長されている。このｎ−型単結晶シリコン層３１Ｂ上には、ゲート絶縁膜３２が形成されている。このゲート絶縁膜３２は、熱酸化によって形成された酸化シリコン膜である。
【００５３】
このゲート絶縁膜３２上には、例えばＰ（リン）がドープされた多結晶シリコン膜からなるゲート電極３３が形成されている。このゲート電極３３を覆うように、ｎ−型単結晶シリコン層３１Ｂ上に酸化シリコン膜３４が形成されている。
【００５４】
また、ｎ−型単結晶シリコン層３１Ｂの表面には、ゲート電極３３端下から隣接するゲート電極３３方向に向かって、パワーＭＩＳＦＥＴのチャネル層となるｐ−型半導体領域３５が形成されている。このｐ−型半導体領域３５は、不純物イオン（たとえばＢ（ホウ素））を所定の濃度でｎ−型単結晶シリコン層３１Ｂに導入した後、基板３１Ａに熱処理を施すことによってその不純物イオンを拡散させてなる。
【００５５】
また、ｎ−型単結晶シリコン層３１Ｂの表面には、ゲート電極３３端下から隣接するゲート電極３３方向に向かって、パワーＭＩＳＦＥＴのソース領域となるｎ＋型半導体領域３６が形成されている。このｎ＋型半導体領域３６は、不純物イオン（たとえばＡｓ（ヒ素））をｐ−型半導体領域３５に導入した後、基板３１Ａに熱処理を施すことによってその不純物イオンを拡散させてなる。
【００５６】
酸化シリコン膜３４上には、ＰＳＧ（Phospho Silicate Glass）膜およびＳＯＧ（Spin On Glass）膜からなる絶縁膜３７が形成されている。この絶縁膜３７には、パワーＭＩＳＦＥＴのソース領域となるｎ＋型半導体領域３６を貫通するようにコンタクト溝３８が形成されている。
【００５７】
このコンタクト溝３８の底部には、ｐ＋型半導体領域３９が形成されている。このｐ＋型半導体領域３９は、ソースパッド４０をコンタクト溝３８の底部にてｐ−型半導体領域３５とオーミック接触させるためのものである。
【００５８】
また、コンタクト溝３８の内部を埋め込むように、絶縁膜３７上には、薄いＴｉＷ膜およびＡｌ膜からなるソースパッド４０が形成されている。ＴｉＷ膜はバリア導体膜として、Ａｌ膜と基板３１Ａ（Ｓｉ）とが接触することにより不所望な反応層が形成されることを防止する役割を果たす。また、Ａｌ膜は、Ａｌを主成分とする膜を意味し、他の金属等を含有していてもよい。なお、図示しないが、同様にして、ゲート電極３３と電気的に接続されるゲートパッドが形成されている。
【００５９】
このソースパッド４０およびゲートパッドを覆うように、基板３１Ａの上部に保護膜として例えばポリイミド樹脂膜を塗布し、露光、現像することによって、ゲートパッドおよびソースパッド４０上には、開口部が形成される。これによりゲート（Ｇ）、ドレイン（Ｄ）、ソース（Ｓ）を有するパワーＭＩＳＦＥＴが略完成する。
【００６０】
このような大電流を扱える大電力用途のパワーＭＩＳＦＥＴを半導体リレーとして車載用電装ユニットに用いることにより、車載用電装ユニット１００を小型化することができ、さらに、自動車の電子化の促進を図ることができる。
【００６１】
また、このようなパワーＭＩＳＦＥＴを含むＩＰＳを用いた場合、過電流などに対する自己保護機能によってパワーＭＩＳＦＥＴを強制的にオフ制御するので、パワーＭＩＳＦＥＴを保護することができ、リレーモジュール３０の信頼性を向上することができる。さらに、ＩＰＳを用いた場合、パワーＭＩＳＦＥＴを保護するためのヒューズが不要となるので車載用電装ユニット１００に、そのためのヒューズを搭載する必要がなくなり、車載用電装ユニット１００を小型化することができる。
【００６２】
次に、本実施の形態に係るリレーモジュール３０の製造方法において、コネクタ用リード４および基板接続用リード５のそれぞれの表面に厚さの異なるメッキ膜８ａおよびメッキ膜８ｂ（図４参照）を形成する電界メッキ技術について説明する。その他、リレーモジュール３０を形成するための工程は、周知技術を用いることができるのでそれら工程の説明は省略する。
【００６３】
まず、図６に示すように、複数のコネクタ用リード４および複数の基板接続用リード５が備え付けられたリードフレーム１０を準備する。次いで、このリードフレーム１０上に１または複数の半導体チップを搭載し、半導体チップを封止体３によって樹脂封止する。この封止体３から複数のコネクタ用リード４および複数の基板接続用リード５が突出することとなる。なお、封止体３を透視した状態のリードフレーム１０が図１に拡大されている。
【００６４】
リードフレーム１０は、半導体パッケージの内部配線として用いられる薄板の金属のことであり、制御基板１０１（図１３参照）などの外部の配線との橋渡しとなる部材、例えば、コネクタ用リード４、基板接続用リード５などを構成するものである。リードフレーム１０の厚さは、少なくともコネクタ用リード４および基板接続用リード５の母材７（図４参照）の厚さは必要である。よって、本実施の形態では、リードフレーム１０が母材７となるので、その厚さは母材７と同じ厚さの０．６２ｍｍ程度である。
【００６５】
このリードフレーム１０の形成方法は、精密金型を使った打ち抜き（スタンピング）方式や、薬品腐食によるエッチング方式がある。このリードフレーム１０は、材質がＣｕ（銅）あるいはＣｕ合金である。なお、コネクタ用リード４および基板接続用リード５に対する電界メッキ工程前に、リードフレーム１０の全体にＡｇ（銀）およびＡｕ（金）などのメッキ膜が施されていても良い。
【００６６】
続いて、図７に示すような手順で、複数のコネクタ用リード４および複数の基板接続用リード５を有するリードフレーム１０に対して、電解メッキを行う。本実施の形態では、Ｐｂ（鉛）を含まないメッキ膜であるＳｎ−Ｂｉ（スズビスマス）合金からなるメッキ膜をコネクタ用リード４および基板接続用リード５の表面に形成する。
【００６７】
図８には、電解メッキ中の様子が示されている。メッキ槽１３の内部には、Ｐｂ（鉛）が含まれていないメッキ液１４が入れられている。このメッキ液１４中には、それぞれ導電体からなる電極板１５およびラック１１が浸漬している。この電極板１５は、アノード電極と電気的に接続され、ラック１１は、フック式引っ掛け部を有しており、取り付け具１６に吊り下げられた状態でカソード電極と電気的に接続される。これらカソード電極およびアノード電極に電圧を印加し、メッキ液１４中に流れる金属イオンの調整、すなわちメッキ電流を調整することで、電解メッキによって形成されるメッキ膜の厚さを調整している。その他にメッキ膜の厚さは、メッキ時間によっても調整することができ、さらにラック１１の形状によっても変化する。
【００６８】
すなわち、被メッキ物へのメッキ膜の厚さを均一にするためにはメッキ槽１３内のメッキ電流（電界）分布を均等にする必要がある。このため被メッキ物のメッキ膜の厚さを均一にする場合、ラック１１自体の形状や、ラック１１に補助電極などで調整を行う必要がある。なお、以下に説明するが、本実施の形態では、メッキ電流分布の疎密により、被メッキ物であるリードフレーム１０のコネクタ用リード４の表面に形成されるメッキ膜の厚さと、基板接続用リード５の表面に形成されるメッキ膜の厚さとを異ならせるものである。
【００６９】
本実施の形態における電解メッキ技術では、被メッキ物であるリードフレーム１０の保持および通電のための電極としてラック１１が用いられる。このラック１１には、非導電性の電界遮蔽用治具１２が、ねじ状の支持体１７によって複数取り付けられている。この電界遮蔽用治具１２は、ポケット形状をしており、電界遮蔽用治具１２内にコネクタ用リード４となるリードフレーム１０中の一部分を配置し、また外側に基板接続用リード５となるリードフレーム１０中の他部分を電界遮蔽用治具１２から露出させた（はみ出るような）状態で、リードフレーム１０を配置（保持）している。後述するが、電界遮蔽用治具１２内でねじ状の支持体１７上にリードフレーム１０が接触し、またラック１１にねじ状の支持体１７が固定されることによって接触しているので、リードフレーム１０を通電することができる。なお、ラック１１の表面には、取り付け具１６および支持体１７と接触する部分を除いて、ポリ塩化ビニルなどの非導電性材料を用いてコーティングを施すことによって、電解メッキ中にラック１１の表面にメッキ膜が形成されることを防止している。
【００７０】
このように、電界遮蔽用治具１２の形状がポケット形状であるので、その内側にリードフレーム１０の一部が包むように入り、また外側にリードフレーム１０の他部が露出した（はみ出るような）状態となってリードフレーム１０が配置されている。この状態で電解メッキを行うことによって、隠れたリードフレーム１０の一部の表面に形成されるメッキ膜の厚さは、露出したリードフレーム１０の他部の表面に形成されるメッキ膜の厚さより薄いものとなる。
【００７１】
図９の（ａ）にはラック１１の正面、（ｂ）にはラック１１の側面が示されている。被メッキ物であるリードフレーム１０の保持および通電のための電極としてラック１１は導電体によって電極と補助電極との骨組み構造からなり、そのラック１１に電界遮蔽用治具１２がねじ状の支持体１７によって複数取り付けられている。この電界遮蔽用治具１２は、ラック１１の正面およびその反対面と沿うように取り付けられている。すなわち、ラック１１の正面およびその反対面と平行に電界遮蔽用治具１２が取り付けられている。また、ポケット形状の電界遮蔽用治具１２の底部が抜けているので、図８に示したメッキ槽１３のメッキ液１４にラック１１を浸漬および引き上げすることを容易に行うことができる。
【００７２】
ここで、電界遮蔽用治具１２は、傾斜させてラック１１に取り付けられても良い。この場合、メッキ液１４からラック１１を引き上げるときに、電界遮蔽用治具１２におけるメッキ液１４の切れが良くなり、メッキ液１４が電界遮蔽用治具１２に残存することを防止することができる。また、電界メッキ中に発生する水素などの気泡はメッキ膜形成の障害となるが、電界遮蔽用治具１２を傾けることによって、発生した気泡を抜け易くすることができる。
【００７３】
図１０の（ａ）には本実施の形態における電界遮蔽用治具１２の外観、（ｂ）には電界遮蔽用治具１２内にリードフレーム１０を配置した状態、（ｃ）には（ｂ）のＸ−Ｘ線における断面が示されている。電界遮蔽用治具１２は、深さＡが例えば８０ｍｍ程度、長さＢが例えば２４０ｍｍ程度、幅Ｃが例えば１０ｍｍ程度のポケット形状をしており、ポケットの口、すなわち電界遮蔽用治具１２上面の開口部となる上面開口部１２ａを有している。本実施の形態では、ポケット形状の電界遮蔽用治具１２底面には底面開口部１２ｂが設けられている。また、電界遮蔽用治具１２の下部には貫通穴１２ｃが形成されている。この貫通穴１２ｃをねじ状の支持体１７が貫通して、ラック１１に電界遮蔽用治具１２が取り付けられる。また、電界遮蔽用治具１２は、電解メッキ中に発生する電界を遮蔽するものであり、その材質は例えば塩化ビニルなどの非導電性のプラスチックからなる。
【００７４】
図１０（ｃ）に示すように、電界遮蔽用治具１２の底面が抜けて、電界遮蔽用治具１２の底面には底面開口部１２ｂが設けられている。ポケット形状の電界遮蔽用治具１２の底面が抜けているので、図８に示したメッキ槽１３のメッキ液１４にラック１１を浸漬および引き上げすることを容易に行うことができる。
【００７５】
このような構造の電界遮蔽用治具１２では、リードフレーム１０は、上面開口部１２ａから出し入れされ、また、支持体１７によって支えられて電界遮蔽用治具１２内に配置される。リードフレーム１０が電界遮蔽用治具１２内に配置されているときは、図１０（ｃ）に示すように、リードフレーム１０は、電界遮蔽用治具１２と接触していない。仮に、リードフレーム１０と電界遮蔽用治具１２とが接触した状態で電解メッキが行われた場合、接触した部分ではメッキ膜が形成されないなどの問題が生じてしまう。そこで、本実施の形態では、リードフレーム１０と電界遮蔽用治具１２とが接触する前に、メッキ膜が形成されない封止体３と電界遮蔽用治具１２とが接触しても良いように、電界遮蔽用治具１２に封止体３の大きさに合わせた凹部１２ｄが形成されている。
【００７６】
電界遮蔽用治具１２の形状がポケット形状であるので、図１０（ｂ）に示すように、電界遮蔽用治具１２内にコネクタ用リード（第１アウターリード）４となるリードフレーム１０中の一部分（第１部分）１０ａを配置し、また外側に基板接続用リード（第２アウターリード）５となるリードフレーム１０中の他部分（第２部分）１０ｂを電界遮蔽用治具１２から露出させた状態で、リードフレーム１０を配置（保持）している。図１０（ｂ）では、電界遮蔽用治具１２を破線とし、また透過した状態で示している。このため、電界遮蔽用治具１２の破線内のリードフレーム１０が一部分１０ａとなり、その破線外のリードフレーム１０が他部分１０ｂとなる。
【００７７】
この状態で電解メッキを行うことによって、隠れたリードフレーム１０の一部分１０ａの表面に形成されるメッキ膜の厚さは、露出したリードフレーム１０の他部分１０ｂの表面に形成されるメッキ膜の厚さより薄いものとなる。本実施の形態では、隠れたリードフレーム１０の一部分１０ａに複数のコネクタ用リード４が含まれており、露出したリードフレーム１０の他部分１０ｂに複数の基板接続用リード５が含まれている。
【００７８】
このようにコネクタ用リード４表面のメッキ膜８ａの厚さが基板接続用リード５表面のメッキ膜８ｂの厚さより薄くなるリレーモジュール３０（図４など参照）を形成するために、ポケット形状の電界遮蔽用治具１２が用いられる。
【００７９】
図１１に、電界メッキ工程中のメッキ電流分布（電界分布）を示す。図１１に示すように、メッキ液１４中に、カソードの一部として被メッキ物であるリードフレーム１０を浸漬し、電極により通電を行い、メッキ液１４から電気分解によりリードフレーム１０の表面にメッキ膜を形成する。メッキ液１４中では、電極板１５がアノード側となり、リードフレーム１０がカソード側となっている。なお、前述したように、リードフレーム１０は、支持体１７を介してラック１１と電気的に接続されている。
【００８０】
本実施の形態の電界メッキ技術では、ポケット形状の電界遮蔽用治具１２内でリードフレーム１０の一部が包むようにし、また電界遮蔽用治具１２からリードフレーム１０の他部が露出した状態で、リードフレーム１０がポケット形状の電界遮蔽用治具１２内に配置されて電解メッキを行うものである。すなわち、電界遮蔽用治具１２の近傍に、コネクタ用リード４を配置している。このため、図１１に示すように、電界遮蔽用治具１２によって遮蔽されていないリードフレーム１０の基板接続用リード５と電極板１５との間には、障害（抵抗）となる電界遮蔽用治具１２が無いために、電極板１５から基板接続用リード５へのメッキ電流が流れやすくなっているものと考えられる。また、遮蔽されているリードフレーム１０のコネクタ用リード４と電極板１５との間には、障害（抵抗）となる電界遮蔽用治具１２があり、電極板１５からコネクタ用リード４へは、ポケット形状の電界遮蔽用治具１２の底部を通り、回り込むために、メッキ電流が流れにくくなっているものと考えられる。すなわち、電界遮蔽用治具１２によって遮蔽されていないリードフレーム１０の基板接続用リード５へのメッキ電流が高くなる（電流分布が密）のに対し、遮蔽されているリードフレーム１０のコネクタ用リード４へのメッキ電流が低くなる（電流分布が疎）と考えられる。
【００８１】
したがって、コネクタ用リード４を電界遮蔽用治具１２によって電界を遮蔽することによって、図２に示したように、コネクタ用リード４の表面のメッキ膜８ａの厚さが基板接続用リード５の表面のメッキ膜８ｂの厚さより薄いリレーモジュール３０を形成することができる。
【００８２】
このように、コネクタ用リード４のメッキ膜８ａの厚さを基板接続用リード５のメッキ膜８ｂの厚さより薄く電解メッキを行うことは、電界遮蔽用治具１２を用いなくともできる。例えば、まず、薄いメッキ膜をコネクタ用リード４および基板接続用リード５に形成した後、基板接続用リード５の表面に非導電性のテープなどを貼り付けて基板接続用リード５の表面がメッキされないようにして、コネクタ用リード４の表面のメッキ膜を厚くすることが考えられる。しかしながら、このような方法では、リレーモジュール３０を形成するその度にテープを貼り付けるなどの手間がかかり、またメッキを２回行う必要が生じ、迂遠である。そこで、本実施の形態で示すように、電界遮蔽用治具１２によって電界を遮蔽する電解メッキを行うことで、容易にコネクタ用リード４のメッキ膜８ａの厚さが基板接続用リード５のメッキ膜８ｂの厚さより薄いリレーモジュール３０を同時に形成することができる。
【００８３】
この電解メッキ工程後、リードフレーム１０を所定の寸法で切断してコネクタ用リード４および基板接続用リード５を形成する工程、基板接続用リード５を折り曲げ成形するリード折り曲げ工程を経て、リレーモジュール３０が略完成する。
【００８４】
また、図１２に示すように、電界遮蔽用治具１２の一部、例えば側面に側面開口部１２ｅを設けた電界遮蔽用治具１２を用いて電界メッキを行っても良い。この場合、側面開口部１２ｅによって電界が遮蔽されずに形成されたコネクタ用リード４のメッキ膜８ａと、電界遮蔽用治具１２によって電界が遮蔽されて形成されたコネクタ用リード４のメッキ膜８ａの厚さは異なり、遮蔽されたメッキ膜８ａの厚さが、遮蔽されなかったメッキ膜８ａの厚さより薄いものとなる。すなわち、遮蔽されなかったメッキ膜８ａの厚さは、基板接続用リード５のメッキ膜８ｂの厚さと同じとなる。したがって、リードフレーム１０中の一部分１０ａのうち、コネクタ用リード４の先端部および他端部を側面開口部１２ｅから露出させなければ、コネクタ用リード４の先端部およびその他端部のメッキ膜８ａを薄く、先端部と他端部の間の中央部のメッキ膜８ａを厚くすることもできる。
【００８５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８６】
例えば、前記実施の形態では、車載用電装ユニットに搭載するリレーモジュール（半導体装置）に適用した場合について説明したが、例えば、マイコンなどの半導体チップを封止する封止体から突出する複数の第１リードおよび複数の第２リードとを有する半導体装置にも適用することができる。
【００８７】
また、例えば、前記実施の形態では、電解メッキ中の電界を遮蔽する治具（電界遮蔽用治具）の形状をポケット形状とした場合について説明したが、この形状に限らず、例えば、２枚の遮蔽板を組み合わせた形状の治具であっても良い。
【００８８】
また、例えば、前記実施の形態では、ねじ状の支持体が支えるようにリードフレームと接触することによってカソード電極と電気的に接続して行う電解メッキについて説明したが、クリップ状の支持体によって挟むようにリードフレームと接触することによってカソード電極と電気的に接続して行っても良い。また、リードフレームに穴部を形成しておくことによって、釣り針状の支持体によってその穴部を引っ掛けるようにリードフレームと接触するようにしても良い。
【００８９】
また、例えば、前記実施の形態では、トランジスタとしてＭＩＳＦＥＴを適用した場合について説明したが、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などを適用しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、半導体装置を製造する製造業に幅広く利用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の斜視図である。
【図３】図１に示す半導体装置を搭載した車載用電装ユニットの等価回路図である。
【図４】図１に示す半導体装置のコネクタ用リードおよび基板接続用リードの断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置に搭載される半導体チップの要部断面図である。
【図６】本発明の実施の形態における製造工程中の半導体装置の平面図である。
【図７】本実施の形態における電解メッキ技術の工程フロー図である。
【図８】本実施の形態における電界メッキ技術の説明図である。
【図９】本実施の形態における電界メッキ技術に用いられるラックの説明図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
【図１０】本実施の形態における電界メッキ技術に用いられる電界遮蔽用治具の説明図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面の透視図、（ｃ）は側断面図である。
【図１１】本実施の形態における電界メッキ工程中のメッキ電流分布図である。
【図１２】本実施の形態における電界メッキ技術に用いられる電界遮蔽用治具の変形例の説明図である。
【図１３】本発明者が検討している半導体装置が搭載された車載用電装ユニットの斜視図である。
【図１４】本発明者が検討している半導体装置をコネクタユニットと接続するための説明図である。
【符号の説明】
【００９２】
１Ｃ１、１Ｃ２、１Ｃ３、１Ｃ４、１Ｃ５、１Ｃ６  半導体チップ
２Ａ、２Ｂ  ダイパッド
３      封止体
３ａ、３ｂ  側面
３ｃ    底面
４、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ  コネクタ用リード（第１アウターリード）
５      基板接続用リード（第２アウターリード）
５ａ    折り曲げ部
５ｂ    先端部
７      母材
８ａ、８ｂ  メッキ膜
１０    リードフレーム
１０ａ  一部分（第１部分）
１０ｂ  他部分（第２部分）
１１    ラック
１２    電界遮蔽用治具
１２ａ  上面開口部
１２ｂ  底面開口部
１２ｃ  貫通穴
１２ｄ  凹部
１２ｅ  側面開口部
１３    メッキ槽
１４    メッキ液
１５    電極板
１６    取り付け具
１７    支持体
３０    リレーモジュール
３１Ａ  基板
３１Ｂ  ｎ−型単結晶シリコン層
３２    ゲート絶縁膜
３３    ゲート電極
３４    酸化シリコン膜
３５    ｐ−型半導体領域
３６    ｎ＋型半導体領域
３７    絶縁膜
３８    コンタクト溝
３９    ｐ＋型半導体領域
４０    ソースパッド
１００  車載用電装ユニット
１０１  制御基板
１０２  カバー
１０３  ケース本体
１０４、１０５  電子部品
１０６  基板側端子
２００  コネクタユニット
２０１  接続用開口部
３００  リレーモジュール
３０１  コネクタ用リード
３０２  基板接続用リード
３０３  封止体
Ｌ、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５  負荷
【図１】
2008041566.tif 000003
【図２】
2008041566.tif 000004
【図３】
2008041566.tif 000005
【図４】
2008041566.tif 000006
【図５】
2008041566.tif 000007
【図６】
2008041566.tif 000008
【図７】
2008041566.tif 000009
【図８】
2008041566.tif 000010
【図９】
2008041566.tif 000011
【図１０】
2008041566.tif 000012
【図１１】
2008041566.tif 000013
【図１２】
2008041566.tif 000014
【図１３】
2008041566.tif 000015
【図１４】
2008041566.tif 000016