(57)【要約】 【課題】  複数の光源を用いる光学設計の自由度を損なわずに、複数の光源の出射パワーを制御するために必要な電流電圧変換回路の数を低減することができる光ピックアップ装置および光検出器を提供する。【解決手段】  ＢＤ用の第１フォトダイオード２５は、第１半導体レーザ１１から出射されたレーザ光Ｌ１から分離されたレーザ光Ｌ２を受けて、第１半導体レーザ１１のレーザパワーを検出し、出力電流ｉ２を出力する。ＤＶＤ／ＣＤ用の第２フォトダイオード２６は、第２半導体レーザ１２から出射されたレーザ光Ｌ３から分離されたレーザ光Ｌ４を受けて、第２半導体レーザ１２のレーザパワーを検出し、出力電流ｉ５を出力する。第１フォトダイオード２５の出力端子と第２フォトダイオード２６の出力端子とは接続されており、出力電流ｉ２および出力電流ｉ５は、同じ第１電流電圧変換回路３０の入力端子に入力される。【選択図】      図１
2008152849.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録媒体に対して情報の記録および再生のうち少なくともいずれか１つを行う光ピックアップ装置であって、
複数の光源と、
光源から出射される光を受光し、受光した光の強度に応じた電流信号を出力する出力端子を有する複数の光検出素子と、
電流信号を入力する入力端子を有し、その入力端子に入力される電流信号を電圧信号に変換して出力する電流電圧変換回路とを含み、
前記複数の光検出素子の各出力端子が互いに接続されるとともに、前記電流電圧変換回路の入力端子に接続されることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記複数の光源は、
情報記録媒体に対して情報の記録および再生を行うときに光を出射する第１の光源と、
情報記録媒体に対して情報の再生のみを行うときに光を出射する第２の光源とを含み、
前記複数の光検出素子は、
第１の光源から出射される光を受光する第１の光検出素子と、
第２の光源から出射される光を受光する第２の光検出素子とを含み、
第１の光検出素子の出力端子から前記電流電圧変換回路の入力端子までの配線経路長が、第２の光検出素子の出力端子から前記電流電圧変換回路の入力端子までの配線経路長未満となるように、第１の光検出素子および第２の光検出素子を配置することを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
予め定める周波数以上の高周波信号を遮断するための高周波遮断素子をさらに含み、
前記複数の光源は、
情報記録媒体に対して情報の記録および再生を行うときに光を出射する第１の光源と、
情報記録媒体に対して情報の再生のみを行うときに光を出射する第２の光源とを含み、
前記複数の光検出素子は、
第１の光源から出射される光を受光する第１の光検出素子と、
第２の光源から出射される光を受光する第２の光検出素子とを含み、
第２の光検出素子の出力端子は、前記高周波遮断素子を介して、第１の光検出素子の出力端子と前記電流電圧変換回路の入力端子とに接続されることを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記複数の光源をそれぞれ駆動する複数の駆動回路と、前記電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められ、この電流電圧変換回路の入力端子が形成される高密度集積回路部を含み、
高密度集積回路部に形成された入力端子に、前記複数の光検出素子の各出力端子が接続されることを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
光検出素子と電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められ、電流電圧変換回路で変換された電圧信号を出力する出力端子を有する光検出器と、この光検出器の出力端子に接続される抵抗素子とをさらに含み、
前記光検出器の出力端子が前記抵抗素子を介して前記高密度集積回路部に形成された入力端子に接続されることを特徴とする請求項４に記載の光ピックアップ装置。
【請求項６】
光を受光し、受光した光の強度に応じた電流信号を出力する光検出素子と、電流信号を電圧信号に変換して出力する電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められ、電流信号を入力するための入力端子を有する光検出器であって、
光検出素子が出力する電流信号、および入力端子から入力される電流信号を、電流電圧変換回路に入力することを特徴とする光検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体に対して情報の記録再生を行なうことができる光ピックアップ装置および光検出器に関し、より詳細には、波長の異なる複数の半導体レーザ素子を用いて、異なる種類の光ディスクに対して情報の記録あるいは再生を行う光ピックアップ装置に係り、特に、複数の半導体レーザ素子の出射パワーを単一の回路で制御することが可能な光ピックアップ装置、およびその光ピックアップ装置に用いられる光検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
大容量の情報の記録および再生が可能な装置として、従来から光ディスク装置が知られている。光ディスク装置において、情報の記録および再生を行なう光ピックアップ装置（以下単に「光ピックアップ」という）は、光源として半導体レーザ素子（以下単に「半導体レーザ」という）を備えている。
【０００３】
光ディスク装置は、半導体レーザから出射されたレーザ光を光ディスクに照射させることによって、情報の記録および再生を行なう。再生時には、光ピックアップは、所定のパワーのレーザ光を光ディスクに集光し、光ディスクに形成されたピットを検出することによって光ディスクに記録された情報を読み取る。記録時には、光ピックアップは、再生時よりも高いパワーで半導体レーザを発光させるとともに、記録する情報に応じて出射パワー（以下「レーザパワー」ともいう）を変調して光ディスクにピットを形成する。
【０００４】
高い品質で情報の記録および再生を行なうためには、記録時のレーザパワーおよび再生時のレーザパワーを制御することが必要である。一般的に半導体レーザの光出力は、温度の影響を受けやすい。よって、光ピックアップが光ディスクに照射するレーザ光の発光量を所定の値に保つ制御が行なわれている。
【０００５】
光ピックアップは、半導体レーザから出射されるレーザ光の一部を光検出素子たとえばフォトダイオードにて受光し、フォトダイオードの出力電流を電流電圧変換回路によって電圧信号に変換する。半導体レーザの出射パワーを電圧信号として検出し、半導体レーザ駆動回路にフィードバックすることによって、出射パワーを最適化する制御が行われる。
【０００６】
１つの光ピックアップで複数の規格の光ディスクに対して、情報の記録あるいは再生を行なうことが可能な光ピックアップが実現されている。たとえば、ＣＤ（Compact Disc）およびＤＶＤ（Digital Versatile Disc）の２種類の光ディスクに対応する光ピックアップでは、赤外波長の半導体レーザと、赤色波長の半導体レーザの２つの半導体レーザを搭載している。このような複数の半導体レーザを搭載した光ピックアップでは、それぞれの半導体レーザの出射パワーを検出し、各出射パワーを制御する必要がある。そのために、光ピックアップに搭載する光学素子、および付随する回路も増大し、光ピックアップの小型化および低コスト化の妨げとなることが懸念される。
【０００７】
このような問題を解決するための提案が従来からなされている。たとえば、特許文献１に記載された光学装置は、同一のパッケージに収められた複数の受光素子つまり光検出素子に、複数のレーザ光源からのレーザ光を導き、それぞれのレーザパワーを検出する。光検出素子ごとに検出された出射パワーを示す光電流を、光検出素子ごとの電流電圧変換回路によって電圧に変換し、変換された電圧が共通の光量制御手段に入力されて、それぞれの半導体レーザの出力を制御するものである。電流電圧変換回路は、光検出素子ごとに設けられ、それぞれのレーザ光に適した受光系回路でレーザパワーを検出し、レーザ光源の出力を制御している。
【０００８】
特許文献２に記載された光ピックアップ装置では、１つの光出力制御用光検出器つまり光検出素子に、複数の光源からの光を導き、同一の光検出素子で、複数の光源の出射パワーを検出する。これによって、光検出器およびそれに付随する回路の削減を実現している。
【０００９】
特許文献３に記載された光ピックアップおよび光ディスク装置では、１つの光検出器つまり光検出素子に、複数の光源からの光ビームを導くと共に、光検出素子に入射する光ビームの入射光量を、遮光板を移動させて調整する。これによって、光源に応じて光検出素子のモニタ感度を切換える切換回路を用いることなく、光検出の感度を最適化することを実現している。
【００１０】
特許文献４に記載された情報処理装置では、複数の光源からの光を反射する複数のビームスプリッタを対物レンズに対して波長の短い順に配置し、ビームスプリッタの偏光に対する透過率を異ならせている。これによって、光ピックアップの光効率の確保と、同一の光源パワー検出器つまり光検出素子で複数の光源の出射パワーを検出することとを実現している。
【００１１】
【特許文献１】特開２００２−１０９７７１号公報
【特許文献２】特開２００２−３１９１７５号公報
【特許文献３】特開２００３−２１７１６０号公報
【特許文献４】特開２００４−１３３９８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
近年では、光ディスクの規格は、さらに多様化しており、複数の規格の光ディスクに対して、情報の記録あるいは再生を行なう光ピックアップの光学系は、益々複雑化している。たとえば、７８０ｎｍ付近の赤外波長の半導体レーザ、６５０ｎｍ付近の赤色波長の半導体レーザ、および４０５ｎｍ付近の青紫色波長の半導体レーザの３つの半導体レーザを搭載し、ＣＤおよびＤＶＤに加え、ＢＤ（Blu-ray Disc）にも対応することが望まれている。さらに、同じ青紫色波長の半導体レーザを用いる光ディスクであっても、ＢＤとは異なる開口率（ＮＡ：Numerical Aperture）の対物レンズを用いるＨＤ−ＤＶＤ（High    Definition DVD）に対応することも要望が高まっている。
【００１３】
このような複数の規格の光ディスクに対応した光ピックアップでは、それぞれの光ディスクに対して、高品質な情報の記録あるいは再生を実現する必要がある。このため、それぞれの半導体レーザおよび対物レンズの光路で、最適な光学設計を行うことが求められる。ところが、半導体レーザの出射パワーを検出するための光学系には、おのずと制約が生じる。複数の半導体レーザの出射光を１つの光検出素子に導き、出射パワーを検出しようとすると、光学設計の自由度を損ない、複数の光ディスクに対応した最適な光学設計が難しくなる。光学設計の自由度を損なわないためには、複数の半導体レーザのパワー検出には、複数の光検出素子を用いる必要がある。
【００１４】
近年、複数の半導体レーザを駆動するための半導体レーザ駆動ＬＳＩ（Large Scale   Integration）が、各社から提案されている。半導体レーザは、情報の再生時には、レーザノイズ低減のために数１００ＭＨｚの高周波で変調される、いわゆる高周波重畳が行われる。情報の記録時には、ライトストラテジと呼ばれる数１０ＭＨｚの高速な変調と、高精度なパワー制御とが求められる。このため、半導体レーザ駆動ＬＳＩをピックアップに搭載することは必須である。
【００１５】
複数の半導体レーザの出射パワーを複数の光検出素子によって検出する場合には、半導体レーザ駆動ＬＳＩに加え、付随する電流電圧変換回路をその数に応じて搭載することが必要である。電流電圧変換回路をその数に応じて搭載することは、光ピックアップの小型化を妨げることになる。さらに、多くの回路部品を光ピックアップに搭載することは、回路配線の複雑化を招き、配線の浮遊容量によって、レーザパワー検出の高速性が損なわれることになる。
【００１６】
特許文献１に記載された従来の技術は、光検出素子ごとに電流電圧変換回路を設ける必要があるという問題がある。特許文献２〜特許文献４に記載された従来の技術は、いずれも光検出素子を１つにしたものであるが、複数の半導体レーザの出射光を１つの光検出素子に導くことによって、光学系に制約が生じ、光学設計の自由度が損なわれてしまうという問題がある。
【００１７】
本発明の目的は、複数の光源を用いる光学設計の自由度を損なわずに、複数の光源の出射パワーを制御するために必要な電流電圧変換回路の数を低減することができる光ピックアップ装置および光検出器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、情報記録媒体に対して情報の記録および再生のうち少なくともいずれか１つを行う光ピックアップ装置であって、
複数の光源と、
光源から出射される光を受光し、受光した光の強度に応じた電流信号を出力する出力端子を有する複数の光検出素子と、
電流信号を入力する入力端子を有し、その入力端子に入力される電流信号を電圧信号に変換して出力する電流電圧変換回路とを含み、
前記複数の光検出素子の各出力端子が互いに接続されるとともに、前記電流電圧変換回路の入力端子に接続されることを特徴とする光ピックアップ装置である。
【００１９】
本発明に従えば、情報記録媒体に対して情報の記録および再生のうち少なくともいずれか１つを行うにあたって、複数の光源が含まれ、出力端子を有する複数の光検出素子によって、光源から出射される光が受光され、受光された光の強度に応じた電流信号が出力される。入力端子を有する電流電圧変換回路によって、その入力端子に入力される電流信号が電圧信号に変換されて出力され、前記複数の光検出素子の各出力端子が互いに接続されるとともに、前記電流電圧変換回路の入力端子に接続されるので、複数の光源ごとに光検出素子を用いることができ、光学設計の自由度を損なわずに、複数の光源の出射パワーを制御するために必要な電流電圧変換回路の数を１つに低減することができる。
【００２０】
また本発明は、前記複数の光源は、
情報記録媒体に対して情報の記録および再生を行うときに光を出射する第１の光源と、
情報記録媒体に対して情報の再生のみを行うときに光を出射する第２の光源とを含み、
前記複数の光検出素子は、
第１の光源から出射される光を受光する第１の光検出素子と、
第２の光源から出射される光を受光する第２の光検出素子とを含み、
第１の光検出素子の出力端子から前記電流電圧変換回路の入力端子までの配線経路長が、第２の光検出素子の出力端子から前記電流電圧変換回路の入力端子までの配線経路長未満となるように、第１の光検出素子および第２の光検出素子を配置することを特徴とする。
【００２１】
本発明に従えば、前記複数の光源によって、情報記録媒体に対して情報の記録および再生を行うときに光を出射する第１の光源と、情報記録媒体に対して情報の再生のみを行うときに光を出射する第２の光源とが含まれ、前記複数の光検出素子によって、第１の光源から出射される光を受光する第１の光検出素子と、第２の光源から出射される光を受光する第２の光検出素子とが含まれる。そして、第１の光検出素子の出力端子から前記電流電圧変換回路の入力端子までの配線経路長が、第２の光検出素子の出力端子から前記電流電圧変換回路の入力端子までの配線経路長未満となるように、第１の光検出素子および第２の光検出素子が配置されるので、記録再生を高速に動作させる側で検出した電流信号の波形のなまりを少なくすることができる。
【００２２】
また本発明は、予め定める周波数以上の高周波信号を遮断するための高周波遮断素子をさらに含み、
前記複数の光源は、
情報記録媒体に対して情報の記録および再生を行うときに光を出射する第１の光源と、
情報記録媒体に対して情報の再生のみを行うときに光を出射する第２の光源とを含み、
前記複数の光検出素子は、
第１の光源から出射される光を受光する第１の光検出素子と、
第２の光源から出射される光を受光する第２の光検出素子とを含み、
第２の光検出素子の出力端子は、前記高周波遮断素子を介して、第１の光検出素子の出力端子と前記電流電圧変換回路の入力端子とに接続されることを特徴とする。
【００２３】
本発明に従えば、予め定める周波数以上の高周波信号を遮断するための高周波遮断素子がさらに含まれ、前記複数の光源によって、情報記録媒体に対して情報の記録および再生を行うときに光を出射する第１の光源と、情報記録媒体に対して情報の再生のみを行うときに光を出射する第２の光源とが含まれ、前記複数の光検出素子は、第１の光源から出射される光を受光する第１の光検出素子と、第２の光源から出射される光を受光する第２の光検出素子とが含まれる。そして、第２の光検出素子の出力端子が、前記高周波遮断素子を介して、第１の光検出素子の出力端子と前記電流電圧変換回路の入力端子とに接続されるので、再生にしか用いられない光源側の光検出素子の寄生容量によって、高周波で動作する情報の記録側の光検出素子の周波数特性が悪化してしまうことを防ぐことができる。
【００２４】
また本発明は、前記複数の光源をそれぞれ駆動する複数の駆動回路と、前記電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められ、この電流電圧変換回路の入力端子が形成される高密度集積回路部を含み、
高密度集積回路部に形成された入力端子に、前記複数の光検出素子の各出力端子が接続されることを特徴とする。
【００２５】
本発明に従えば、前記複数の光源をそれぞれ駆動する複数の駆動回路と、前記電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められ、この電流電圧変換回路の入力端子が形成される高密度集積回路部が含まれ、高密度集積回路部に形成された入力端子に、前記複数の光検出素子の各出力端子が接続されるので、駆動回路と電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められた既存の低価格なＬＳＩを用いることができる。
【００２６】
また本発明は、光検出素子と電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められ、電流電圧変換回路で変換された電圧信号を出力する出力端子を有する光検出器と、この光検出器の出力端子に接続される抵抗素子とをさらに含み、
前記光検出器の出力端子が前記抵抗素子を介して前記高密度集積回路部に形成された入力端子に接続されることを特徴とする。
【００２７】
本発明に従えば、光検出素子と電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められ、電流電圧変換回路で変換された電圧信号を出力する出力端子を有する光検出器と、この光検出器の出力端子に接続される抵抗素子とがさらに含まれ、前記光検出器の出力端子が前記抵抗素子を介して前記高密度集積回路部に形成された入力端子に接続されるので、高周波での光検出を行うことができる。
【００２８】
また本発明は、光を受光し、受光した光の強度に応じた電流信号を出力する光検出素子と、電流信号を電圧信号に変換して出力する電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められ、電流信号を入力するための入力端子を有する光検出器であって、
光検出素子が出力する電流信号、および入力端子から入力される電流信号を、電流電圧変換回路に入力することを特徴とする光検出器である。
【００２９】
本発明に従えば、光を受光し、受光した光の強度に応じた電流信号を出力する光検出素子と、電流信号を電圧信号に変換して出力する電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められ、電流信号を入力するための入力端子を有し、光検出素子が出力する電流信号、および入力端子から入力される電流信号が、電流電圧変換回路に入力されるので、電流電圧変換回路と組み合わせずに光検出素子を単体で用いる場合に比べより高帯域な光検出が可能であり、単体で用いられる光検出素子の電流信号は入力端子から入力して電流電圧変換可能である。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、複数の光源ごとに光検出素子を用いることができ、光学設計の自由度を損なわずに、複数の光源の出射パワーを制御するために必要な電流電圧変換回路の数を１つに低減することができるので、複数の規格の光ディスクに対応し、光学設計の自由度を確保しつつ、かつ小型化および低コスト化を実現することができる。
【００３１】
また本発明によれば、記録再生を高速に動作させる側で検出した電流信号の波形のなまりを少なくすることができるので、出射パワーを精度高く制御することができ、高品質な情報の記録あるいは再生を可能とすることができる。
【００３２】
また本発明によれば、再生にしか用いられない光源側の光検出素子の寄生容量によって、高周波で動作する情報の記録側の光検出素子の周波数特性が悪化してしまうことを防ぐことができるので、広帯域でパワー検出を行うことができ、信頼性を向上することができる。
【００３３】
また本発明によれば、駆動回路と電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められた既存の低価格なＬＳＩを用いることができるので、コスト低減を図ることができる。
【００３４】
また本発明によれば、高周波での光検出を行うことができるので、高速動作を実現することができる。さらに、２つの光源のうち、１つの光源のパワー検出については、光検出素子と電流電圧変換回路とがモールドされた光検出器を用い、他の光源のパワー検出については、レーザパッケージの中に設けられた電流電圧変換回路を用いることによって、小型化および低コスト化することができる。
【００３５】
また本発明によれば、電流電圧変換回路と組み合わせずに光検出素子を単体で用いる場合に比べより高帯域な光検出が可能であり、単体で用いられる光検出素子の電流信号は入力端子から入力して電流電圧変換可能であるので、高速動作が要求される光源および高速でなくてもよい光源について、１つの電流電圧変換回路が適用可能であり、小型化を実現することができる。すなわち、複数の光源を用いる光学設計の自由度を損なわずに、複数の光源の出射パワーを制御するために必要な電流電圧変換回路の数を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
図１は、本発明の実施の一形態である光ピックアップ１の概略ブロック図である。光ピックアップ装置である光ピックアップ１は、情報の記録および再生を行うために情報記録媒体である光ディスク２に対して、レーザ光を照射する。光ピックアップ１は、情報の記録および再生のうちいずれか１つのみを行うよう構成されてもよい。光ディスク２は、たとえばＢＤ（Blu-ray Disc）、ＣＤ（Compact Disc）、およびＤＶＤ（Digital         Versatile Disc）のうちから１つを選択可能である。
【００３７】
本実施の形態では、３種類の規格の光ディスクに対応する３波長ピックアップについて説明するが、これに限定されるものではなく、２種類の規格の光ディスクに対応する２波長ピックアップでもよい。たとえば、ＢＤおよびＨＤ−ＤＶＤ（High Definition DVD）のように、同じ青紫色波長の２つの半導体レーザを用いる光ピックアップでもよい。ＢＤ、ＨＤ−ＤＶＤ、ＤＶＤ、およびＣＤなどの各規格の光ディスクには、再生専用のディスク、繰り返し記録可能なディスク、あるいは１度だけ記録が可能なディスクなどがあり、どのようなディスクであってもよし、ＭＤ（Mini Disc）などの光磁気ディスクであってもよい。
【００３８】
光ピックアップ１は、たとえば３つの波長のレーザ光を照射する３波長ピックアップであり、第１半導体レーザ１１、第２半導体レーザ１２、第１ビームスプリッタ１３、第２ビームスプリッタ１４、第１コリメータレンズ１５、第２コリメータレンズ１６、ダイクロミラー１７、λ／４板１８、第１立ち上げミラー１９、第２立ち上げミラー２０、第１対物レンズ２１、第２対物レンズ２２、第１光検出器２３、第２光検出器２４、第１フォトダイオード２５、第２フォトダイオード２６、第１電流電圧変換回路（図では「Ｉ／Ｖ」と略す）３０、および半導体レーザ駆動回路（図では「ＬＤＤ」と略す）４０を含む。図１は、本発明の実施の形態を説明するための概略ブロック図であり、サーボ信号検出のための光学系など本発明の実施の形態と直接関係しない部分については省略している。
【００３９】
第１半導体レーザ１１は、４０５ｎｍ付近の青紫色波長のレーザ光を発し、ＢＤに対して記録再生を行うために用いられる半導体レーザ素子である。第２半導体レーザ１２は、７８０ｎｍ付近の赤外波長のレーザ光と、６５０ｎｍ付近の赤色波長のレーザ光を発する２波長レーザであり、ＣＤまたはＤＶＤに対して記録再生を行うために用いられる半導体レーザ素子である。第１半導体レーザ１１は、半導体レーザ駆動回路４０によって駆動され、レーザ光Ｌ１を第１ビームスプリッタ１３の方向に出射する。第２半導体レーザ１２は、半導体レーザ駆動回路４０によって駆動され、レーザ光Ｌ３を第２ビームスプリッタ１４の方向に出射する。第２半導体レーザ１２は、ＤＶＤに対して記録再生を行なうレーザ光と、ＣＤに対して記録再生を行なうレーザ光の発光点位置が僅かに異なるため、実際に出射される２つのレーザ光の光軸は異なるが、図１では、説明を簡単にするために同一の光軸として描いている。
【００４０】
第１ビームスプリッタ１３は、第１半導体レーザ１１から出射されたレーザ光Ｌ１の一部を分離し、第１フォトダイオード２５の方向に反射する。第１半導体レーザ１１から出射されたレーザ光Ｌ１の残りの部分は、直進して、第１コリメータレンズ１５の方向に進む。さらに、光ディスク２で反射されて戻ってきたレーザ光Ｌ１の反射光を第１光検出器２３の方向に反射する。第２ビームスプリッタ１４は、第２半導体レーザ１２から出射されたレーザ光Ｌ３の一部を分離し、第２フォトダイオード２６の方向に反射する。第２半導体レーザ１２から出射されたレーザ光Ｌ３の残りの部分は、直進して、第２コリメータレンズ１６の方向に進む。さらに、光ディスク２で反射されて戻ってきたレーザ光Ｌ３の反射光を第２光検出器２４の方向に反射する。
【００４１】
第１コリメータレンズ１５は、第１半導体レーザ１１から出射され、第１ビームスプリッタ１３を透過してきた光をほぼ平行な光にし、逆に光ディスク２から戻ってきた反射光を第１光検出器２３に集光する。第２コリメータレンズ１６は、第２半導体レーザ１２から出射され、第２ビームスプリッタ１４を透過してきた光をほぼ平行な光にし、逆に光ディスク２から戻ってきた反射光を第２光検出器２４に集光する。第１コリメータレンズ１５または第２コリメータレンズ１６を光軸方向に移動させることによって、光ディスク２上に形成されるビームスポットの収差を補償することができる。
【００４２】
ダイクロミラー１７は、波長選択特性を有するミラーで、ＢＤ系光路と、ＤＶＤ／ＣＤ系光路とを分離・合成する。具体的には、ＢＤ系光路の光つまり第１半導体レーザ１１から出射されたレーザ光Ｌ１およびその反射光を通過させ、ＤＶＤ／ＣＤ系光路の光つまり第２半導体レーザ１２から出射されたレーザ光Ｌ３およびその反射光を反射する。
【００４３】
λ／４板１８は、偏光光学系における往路と復路とでの光路分離のために、レーザ光を円偏光に変換する。λ／４板１８によってレーザ光を円偏光とすることで、光ディスクの複屈折の影響を低減することができる。λ／４板１８は、本実施の形態では、ダイクロミラー１７と第１立ち上げミラー１９との間に配置したが、ＢＤ系およびＤＶＤ／ＣＤ系のそれぞれに、すなわち、第２立ち上げミラー２０と第２対物レンズ２２との間、および第１立ち上げミラー１９と第１対物レンズ２１との間に配置してもよい。
【００４４】
第１立ち上げミラー１９は、ダイクロミラー１７と同様に、波長選択特性を有するミラーであり、ＢＤに用いられる第１半導体レーザ１１から出射されたレーザ光Ｌ１およびその反射光を透過するが、ＤＶＤ／ＣＤに用いられる第２半導体レーザ１２から出射されたレーザ光Ｌ３およびその反射光を反射する。第２立ち上げミラー２０は、レーザ光Ｌ１およびその反射光を反射する。
【００４５】
第１対物レンズ２１は、レーザ光Ｌ３を光ディスク２の表面に集光し、逆に光ディスク２からの反射光をほぼ平行な光にする。第２対物レンズ２２は、レーザ光Ｌ１を光ディスク２の表面に集光し、逆に光ディスク２からの反射光をほぼ平行な光にする。第１対物レンズ２１は、２焦点レンズであり、ＤＶＤおよびＣＤの双方に対応する。ＢＤに用いられる第２対物レンズ２２は、開口率（ＮＡ：Numerical Aperture）０．８５程度の対物レンズが用いられる。
【００４６】
第１光検出器２３は、光ディスク２で反射され、ＢＤ系光路を戻ってきた反射光を再生信号Ｓ１に光電変換する。第２光検出器２４は、光ディスク２で反射され、ＤＶＤ／ＣＤ系光路を戻ってきた反射光を再生信号Ｓ３に光電変換する。再生信号Ｓ１および再生信号Ｓ３は、光ピックアップ１の外部に出力される。
【００４７】
光検出素子である第１フォトダイオード２５は、第１半導体レーザ１１から出射されたレーザ光Ｌ１のうち、第１ビームスプリッタ１３によって分離され、反射されたレーザ光Ｌ２を受けて、第１半導体レーザ１１のレーザパワーつまり光強度を検出し、出力電流ｉ２を出力する。出力電流ｉ２は、第１電流電圧変換回路３０に入力される。光検出素子である第２フォトダイオード２６は、第２半導体レーザ１２から出射されたレーザ光Ｌ３のうち、第２ビームスプリッタ１４で分離され、反射されたレーザ光Ｌ４を受けて、第２半導体レーザ１２のレーザパワーを検出し、出力電流ｉ５を出力する。出力電流ｉ５は、第１電流電圧変換回路３０に入力される。第２フォトダイオード２６は、ＤＶＤ用のレーザパワーと、ＣＤ用のレーザパワーの双方を検出する構成である。第１フォトダイオード２５の出力端子と、第２フォトダイオード２６の出力端子とは、接続されて、同じ第１電流電圧変換回路３０の入力端子に接続される。
【００４８】
第１半導体レーザ１１が発光している場合には、第１フォトダイオード２５から、その検出電流ｉ２が第１電流電圧変換回路３０に入力され、第２半導体レーザ１２が発光している場合には、第２フォトダイオード２６から、その検出電流ｉ５が第１電流電圧変換回路３０に入力される。光ピックアップ１によって記録再生される光ディスク２は、ＢＤ、ＤＶＤ、およびＣＤのうちのどれか一つが選択され、第１半導体レーザ１１と第２半導体レーザ１２とが同時に発光することは、通常動作においてはない。
【００４９】
第１電流電圧変換回路３０は、電流信号、つまり第１フォトダイオード２５から入力される出力電流ｉ２または第２フォトダイオード２６から入力される出力電流ｉ５を、電圧信号Ｓ２に変換する回路である。電圧信号Ｓ２は、光ピックアップ１の外部に出力され、光ディスク装置が備える図示しない制御回路に入力される。この制御回路では、第１半導体レーザ１１から光ディスク２に照射されるレーザ光Ｌ１のパワー、または第２半導体レーザ１２から光ディスク２に照射されるレーザ光Ｌ３のパワーを所定のパワーに制御するために、半導体レーザ駆動回路４０に対してフィードバック制御を行なう。この制御は、ＡＰＣ（自動光出力制御）と一般に呼ばれる制御である。ＡＰＣの機能は、半導体レーザ駆動回路４０の内部に備えられていてもよい。これによって、光ピックアップ１の中でフィードバック制御ループを構成することが可能になる。
【００５０】
半導体レーザ駆動回路４０は、光ディスク装置が備える前記図示しない制御回路から、出射パワーつまりレーザパワーおよびライトストラテジと呼ばれるパワー変調方式を設定するための設定信号ＳＤ、記録すべき情報の信号であるデータ信号ＤＡＴＡ、およびクロック信号ＣＫを受ける。半導体レーザ駆動回路４０は、ＢＤに対して記録再生を行う場合に、これらの信号に基づいて、電流ｉ１を第１半導体レーザ１１に供給して、第１半導体レーザ１１を発光させる。つまり、半導体レーザ駆動回路４０は、光ディスク２に記録する情報に応じたパルス状の電流ｉ１を第１半導体レーザ１１に供給する。これによって、第１半導体レーザ１１の出射光は、記録光パルス波形に変調される。同様に、半導体レーザ駆動回路４０は、これらの信号に基づいて、ＤＶＤに対して記録再生を行う場合には、電流ｉ３を第２半導体レーザ１２に供給して、第２半導体レーザ１２を発光させる。ＣＤに対して記録再生を行う場合には、電流ｉ４を第２半導体レーザ１２に供給して、第２半導体レーザ１２を発光させる。
【００５１】
光ディスク２への情報の記録時における光ピックアップ１の動作は、再生時における動作とほぼ同様である。ＢＤに対して記録再生を行う場合、第１半導体レーザ１１から出射されたレーザ光Ｌ１は、第１ビームスプリッタ１３、第１コリメータレンズ１５、ダイクロミラー１７、λ／４板１８、第１立ち上げミラー１９、第２立ち上げミラー２０、および第２対物レンズ２２などの光学系を経て、光ディスク２に照射される。光ディスク２で反射されたレーザ光Ｌ１の反射光は、第２対物レンズ２２、第２立ち上げミラー２０、第１立ち上げミラー１９、λ／４板１８、ダイクロミラー１７、第１コリメータレンズ１５、および第１ビームスプリッタ１３を経て、第１光検出器２３に入射する。さらに、並行して、第１半導体レーザ１１から出射されたレーザ光Ｌ１の一部が第１ビームスプリッタ１３で分離反射され、第１フォトダイオード２５で検出される。
【００５２】
ＤＶＤ／ＣＤに対して記録再生を行う場合、第２半導体レーザ１２から出射されたレーザ光Ｌ３は、第２ビームスプリッタ１４、第２コリメータレンズ１６、ダイクロミラー１７、λ／４板１８、第１立ち上げミラー１９、および第１対物レンズ２１などの光学系を経て、光ディスク２に照射される。光ディスク２で反射されたレーザ光Ｌ３の反射光は、第１対物レンズ２１、第１立ち上げミラー１９、λ／４板１８、ダイクロミラー１７、第２コリメータレンズ１６、および第２ビームスプリッタ１４を経て、第２光検出器２４に入射する。さらに、並行して、第２半導体レーザ１２から出射されたレーザ光Ｌ３の一部が第２ビームスプリッタ１４で分離反射され、第２フォトダイオード２６で検出される。
【００５３】
図２は、図１に示した第１フォトダイオード２５、第２フォトダイオード２６、および第１電流電圧変換回路３０の回路構成の一例を示す。第１フォトダイオード２５および第２フォトダイオード２６の各カソード端子は、共に電圧電圧Ｖｃｃが印加されている。これによって、第１フォトダイオード２５および第２フォトダイオード２６には、逆バイアスがかけられる。一般に、フォトダイオードは、逆バイアスがかけられることによって高速性がよくなる。第１フォトダイオード２５および第２フォトダイオード２６の各アノード端子は、互いに接続され、第１電流電圧変換回路３０の入力端子に接続される。これによって、第１フォトダイオード２５の出力電流ｉ２と、第２フォトダイオード２６の出力電流ｉ５とが、第１電流電圧変換回路３０に入力される。
【００５４】
第１電流電圧変換回路３０は、第１オペアンプ３１、第１抵抗３２、およびコンデンサ３３によって構成される。第１抵抗３２の２つの端子のうち、１つの端子が第１オペアンプ３１の反転入力端子に、他の端子が第１オペアンプ３１の出力端子に接続される。第１オペアンプ３１の非反転入力端子には、基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。コンデンサ３３は、第１抵抗３２に並列接続される。コンデンサ３３は、高帯域の信号成分を減衰させ、回路動作を安定にさせる役目を担うが、第１オペアンプ３１の動作が安定である場合には、必ずしも必要ではない。
【００５５】
第１電流電圧変換回路３０の入力電流Ｉｉｎと出力電圧Ｖｏｕｔとの関係は、第１抵抗３２の値をＲ１とすると、次式となる。
Ｖｏｕｔ＝Ｖｒｅｆ−Ｉｉｎ×Ｒ１
【００５６】
上述したように、第１フォトダイオード２５と第２フォトダイオード２６とに、同時にパワー検出のためのレーザ光を入射することは無いので、第１電流電圧変換回路３０の入力電流Ｉｉｎは、第１フォトダイオード２５の出力電流ｉ２および第２フォトダイオード２６の出力電流ｉ５のうちのどちらかにほぼ等しい。
【００５７】
フォトダイオードには、光入射がない場合であっても、暗電流と呼ばれる電流が僅かに流れることが知られている。さらに、パワー検出のためのレーザ光以外の光、たとえばピックアップ外部からの光、および第１フォトダイオード２５に第２半導体レーザ１２の出射光の一部あるいはその逆に第２フォトダイオード２６に第１半導体レーザ１１の出射光の一部の光が入射する場合など、いわゆる迷光と呼ばれる光が入射することによって、僅かな電流が流れることがある。この場合、第１電流電圧変換回路３０の出力は、検出しようとするレーザパワーとの間に誤差を生じるので、第１電流電圧変換回路３０内に補正のためのオフセット調整機能を備えてもよい。オフセット調整機能を第１電流電圧変換回路３０内に設けると、回路規模が大きくなり、光ピックアップ１の小型化を阻害するので、光ピックアップ１から出力された後、光ディスク装置で補正されることが望ましい。
【００５８】
第１オペアンプ３１の非反転入力端子には、バイアス電流によって生じるオフセットを補正するために、抵抗を介して電圧Ｖｒｅｆに接続されるのが一般的であるが、ここでは説明を簡単にするために、この抵抗を省略している。
【００５９】
このように、第１半導体レーザ１１のレーザパワーと第２半導体レーザ１２のレーザパワーとを、それぞれ、異なる第１フォトダイオード２５と第２フォトダイオード２６とで別々に検出する構成であるので、第１半導体レーザ１１および第２半導体レーザ１２のレーザ光を一箇所に導く必要がない。したがって、光ピックアップ１の光学設計の自由度が増し、信頼性の高い光ピックアップ１を実現することができる。同時に、第１フォトダイオード２５の出力と第２フォトダイオード２６の出力とを互いに接続し、一つの第１電流電圧変換回路３０に入力する構成であるので、第１電流電圧変換回路３０の数が１つでよく、回路が小型化し、光ピックアップ１の信号線の数も少なくすることができる。したがって、光ピックアップの小型化および低コスト化を実現することができる。
【００６０】
すなわち、情報記録媒体であるたとえば光ディスク２に対して情報の記録および再生のうち少なくともいずれか１つを行うにあたって、複数の光源であるたとえば第１半導体レーザ１１および第２半導体レーザ１２が含まれ、出力端子を有する複数の光検出素子であるたとえば第１フォトダイオード２５および第２フォトダイオード２６によって、光源から出射される光が受光され、受光された光の強度つまりレーザパワーに応じた電流信号が出力される。入力端子を有する電流電圧変換回路であるたとえば第１電流電圧変換回路３０によって、その入力端子に入力される電流信号が電圧信号に変換されて出力され、前記複数の光検出素子の各出力端子が互いに接続されるとともに、前記電流電圧変換回路の入力端子に接続されるので、複数の光源ごとに光検出素子を用いることができ、光学設計の自由度を損なわずに、複数の光源の出射パワーを制御するために必要な電流電圧変換回路の数を１つに低減することができる。したがって、複数の規格の光ディスクに対応し、光学設計の自由度を確保しつつ、かつ小型化および低コスト化を実現することができる。
【００６１】
図３は、本発明の実施の第２の形態である光ピックアップ１０１の概略ブロック図である。光ピックアップ装置である光ピックアップ１０１は、図１に示した光ピックアップ１にコイル２７を追加し、第１半導体レーザ１１を第３半導体レーザ１１１に置き換えた構成である。図１に示した光ピックアップ１の構成要素と同じ構成要素には、同じ参照符号を付し、説明は重複を避けるために省略する。
【００６２】
光ピックアップ１０１は、ＣＤおよびＤＶＤに対しては記録再生を行うが、ＢＤに対しては再生のみを行う。第３半導体レーザ１１１は、光ピックアップ１０１がＢＤに対して再生のみを行うので、低出力の半導体レーザ素子が用いられる。コイル２７は、予め定める周波数たとえば１００ＭＨｚ以上の高周波信号を遮断するための高周波遮断素子であり、第１フォトダイオード２５の出力端子と第１電流電圧変換回路３０の入力端子との間に接続される。
【００６３】
図４は、図３に示した光ピックアップ１０１の配置図である。この配置図は、光ピックアップ１０１が組立てられた状態で、第１フォトダイオード２５、第２フォトダイオード２６、および第１電流電圧変換回路３０などが配置された位置関係を説明するための図である。
【００６４】
第１対物レンズ２１および第２対物レンズ２２は、これらの対物レンズの位置を変位させるアクチュエータ５０に備えられる。第１電流電圧変換回路３０および半導体レーザ駆動回路４０は、図示しない回路基板に半田付けされて搭載される。この回路基板には、ＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）と呼ばれる配線基板が接続され、光ピックアップ１０１から信号が入出力される。回路基板自体にＦＰＣを用いてもよい。
【００６５】
半導体レーザ駆動回路４０は、光ディスク２への情報の記録時には、第２半導体レーザ１２に供給する電流を高速に変化させる必要がある。したがって、半導体レーザ駆動回路４０は、記録時の光波形になまりが生じないように、第２半導体レーザ１２の近傍に配置され、その間の配線は、極力短くなるように設計される。同様に、第２半導体レーザ１２のレーザパワーを検出する第２フォトダイオード２６にも高速性が要求される。したがって、第２フォトダイオード２６と、その出力電流を電圧に変換する第１電流電圧変換回路３０とは、近傍に配置され、その間の配線は、極力短くなるように設計される。
【００６６】
第１フォトダイオード２５は、第３半導体レーザ１１１の再生時の一定パワーを検出するだけなので、第１電流電圧変換回路３０の近傍に配置する必要はない。要するに、本発明の実施の第２の形態において、第１電流電圧変換回路３０は、第２フォトダイオード２６に対して、第１フォトダイオード２５よりも近い位置に配置される。
【００６７】
図５は、図３に示した第１フォトダイオード２５、第２フォトダイオード２６、コイル２７、および第１電流電圧変換回路３０の回路構成の一例を示す。図５に示した回路構成は、図２に示した回路構成に、コイル２７を追加した構成である。
【００６８】
第１フォトダイオード２５のアノード端子は、コイル２７が接続され、コイル２７を介して第２フォトダイオード２６のアノード端子と互いに接続され、第２フォトダイオード２６のアノード端子に接続されたコイル２７の端子は、第１電流電圧変換回路３０の第１オペアンプ３１の反転入力端子に接続される。すなわち、コイル２７は、第１フォトダイオード２５のアノード端子と、第１オペアンプ３１の反転入力端子と間に接続され、第２フォトダイオード２６のアノード端子とは、第１電流電圧変換回路３０の入力端子側で接続される。
【００６９】
第１フォトダイオード２５は、コイル２７によって、高周波的に第２フォトダイオード２６および第１電流電圧変換回路３０から切り離される。第２フォトダイオード２６の出力電流ｉ５は、記録時には高速、たとえば数１０ＭＨｚ程度の周波数で変化する。コイル２７は、第１フォトダイオード２５側に高周波電流が流れるのを防ぐために設けられる。コイル２７が遮断する周波数帯域は、たとえば記録動作などで発生する１００ＭＨｚ以上のノイズ成分を遮断するように設計される。コイル２７は、第１電流電圧変換回路３０および第２フォトダイオード２６の近くに配置する必要がある。第１フォトダイオード２５、および第１フォトダイオード２５から第１電流電圧変換回路３０までの配線には、寄生容量が存在する。コイル２７を設けていない場合には、この寄生容量は、第２フォトダイオード２６の出力電流ｉ５の高速性を阻害する。コイル２７を設けることによって、第２フォトダイオード２６の周波数特性の悪化を防ぐことができる。本発明の実施の第２の形態では、高周波遮断素子としてコイル２７を用いたが、フェライトビーズ、あるいはインピーダと呼ばれる高周波遮断素子などを用いてもよい。
【００７０】
このように、記録および再生の両方を行う第２半導体レーザ１２のパワー検出を行う第２フォトダイオード２６は、第１電流電圧変換回路３０の近くに配置され、再生のみを行う第３半導体レーザ１１１のパワー検出を行う第１フォトダイオード２５は、コイル２７を介して、第２フォトダイオード２６および第１電流電圧変換回路３０から高周波的に分離される構成である。したがって、簡単な回路で記録を行う第２半導体レーザ１２のパワー検出を、高速性を損なうことなく、広帯域で行うことが可能となり、信頼性の高い光ピックアップを実現することができる。
【００７１】
すなわち、前記複数の光源によって、情報記録媒体であるたとえば光ディスク２に対して情報の記録および再生を行うときに光を出射する第１の光源であるたとえば第２半導体レーザ１２と、情報記録媒体に対して情報の再生のみを行うときに光を出射する第２の光源であるたとえば第３半導体レーザ１１１とが含まれ、前記複数の光検出素子によって、第１の光源から出射される光を受光する第１の光検出素子であるたとえば第２フォトダイオード２６と、第２の光源から出射される光を受光する第２の光検出素子であるたとえば第１フォトダイオード２５とが含まれる。そして、第１の光検出素子の出力端子から前記電流電圧変換回路であるたとえば第１電流電圧変換回路３０の入力端子までの配線経路長が、第２の光検出素子の出力端子から前記電流電圧変換回路の入力端子までの配線経路長未満となるように、第１の光検出素子および第２の光検出素子が配置されるので、記録再生を高速に動作させる側で検出した電流信号の波形のなまりを少なくすることができる。したがって、出射パワーを精度高く制御することができ、高品質な情報の記録あるいは再生を可能とすることができる。
【００７２】
さらに、予め定める周波数以上の高周波信号を遮断するための高周波遮断素子であるたとえばコイル２７がさらに含まれ、前記複数の光源によって、情報記録媒体に対して情報の記録および再生を行うときに光を出射する第１の光源であるたとえば第２半導体レーザ１２と、情報記録媒体に対して情報の再生のみを行うときに光を出射する第２の光源であるたとえば第３半導体レーザ１１１とが含まれ、前記複数の光検出素子は、第１の光源から出射される光を受光する第１の光検出素子であるたとえば第２フォトダイオード２６と、第２の光源から出射される光を受光する第２の光検出素子であるたとえば第１フォトダイオード２５とが含まれる。そして、第２の光検出素子の出力端子が、前記高周波遮断素子を介して、第１の光検出素子の出力端子と前記電流電圧変換回路であるたとえば第１電流電圧変換回路３０の入力端子とに接続されるので、再生にしか用いられない光源側の光検出素子の寄生容量によって、高周波で動作する情報の記録側の光検出素子の周波数特性が悪化してしまうことを防ぐことができる。したがって、広帯域でパワー検出を行うことができ、信頼性を向上することができる。
【００７３】
図６は、本発明の実施の第３の形態である光ピックアップ２０１の概略ブロック図である。光ピックアップ装置である光ピックアップ２０１は、基本的には、図１に示した光ピックアップ１に示した第１電流電圧変換回路３０および半導体レーザ駆動回路４０を半導体レーザ駆動ＬＳＩ（Large Scale Integration）６０に置き換えたものであるが、実施の形態の多様性を示すために、ＤＶＤ／ＣＤに用いられる第２半導体レーザ１２、第２ビームスプリッタ１４、第２光検出器２４、および第２フォトダイオード２６を、モジュール化された第４半導体レーザ２８に置き換えたものである。図１に示した光ピックアップ１の構成要素と同じ構成要素には、同じ参照符号を付し、説明は重複を避けるために省略する。
【００７４】
第４半導体レーザ２８は、半導体レーザ素子２８３のパワーを検出する第３フォトダイオード２８１、再生信号あるいはサーボ信号を検出する第３光検出器２８２、２つの波長のレーザ光を発光する半導体レーザ素子２８３、およびレーザ光を分離するホログラム光学素子２８４がモジュール化されたホログラムレーザである。
【００７５】
半導体レーザ素子２８３から出射されたレーザ光は、ホログラム光学素子２８４を通過して光ディスク２に向かい、光ディクス２からの反射光は、ホログラム光学素子２８４で回折されて第３光検出器２８２に入射し、再生信号Ｓ３が出力される。半導体レーザ素子２８３のパワー検出は、図１に示した例とは異なり、半導体レーザ素子２８３の後方から出射されたレーザ光を検出する、いわゆるバックモニタと呼ばれる第３フォトダイオード２８１によって行われる。
【００７６】
半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０は、電流電圧変換回路および半導体レーザ駆動回路を含み、電流を電圧に変換するとともに、３種類の半導体レーザを選択的に駆動することができる。
【００７７】
図７は、図６に示した第１フォトダイオード２５、第３フォトダイオード２８１、および半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０などの回路構成の一例を示す。半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０は、インタフェース回路６１、デジタル／アナログ変換回路６２、駆動電流源６３、第１スイッチ回路６４、第３オペアンプ６５、および第２スイッチ回路６６を含む。インタフェース回路６１は、外部からの制御信号、たとえば図６に示した設定信号ＳＤ、データ信号ＤＡＴＡ、およびクロック信号ＣＫを受けて、デジタル／アナログ変換回路６２、第１スイッチ回路６４、および第２スイッチ回路６６を制御する。
【００７８】
半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０は、３種類の半導体レーザを選択的に駆動することができる半導体レーザ駆動回路を含む。この半導体レーザ駆動回路は、デジタル／アナログ変換回路６２、駆動電流源６３、および第１スイッチ回路６４によって構成される。デジタル／アナログ変換回路６２は、インタフェース回路６１からのデジタル信号をアナログ信号に変換し、駆動電流源６３に入力する。駆動電流源６３は、入力されたアナログ信号を増幅し、第１スイッチ回路６４を介して、第１駆動電流出力端子ｏｕｔ１〜第３駆動電流出力端子ｏｕｔ３のいずれかに出力する。第１スイッチ回路６４は、たとえば電界効果型トランジスタの半導体スイッチによって構成され、インタフェース回路６１からの信号によって、３つのスイッチのうちの１つのスイッチをオンとする。第１駆動電流出力端子ｏｕｔ１は、第３半導体レーザ１１１と接続され、第２駆動電流出力端子ｏｕｔ２および第３駆動電流出力端子ｏｕｔ３は、第４半導体レーザ２８の半導体レーザ素子２８３に接続される。半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０への制御信号Ｓ４によって、シリアルインターフェースを介して第１スイッチ回路６４が制御され、駆動される半導体レーザが選択される。制御信号Ｓ４は、たとえば図６に示した設定信号ＳＤ、データ信号ＤＡＴＡ、およびクロック信号ＣＫである。
【００７９】
さらに、半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０は、パワー検出用のフォトダイオードの出力電流を電圧信号に変換する電流電圧変換回路を含む。この電流電圧変換回路は、第３オペアンプ６５および第２スイッチ回路６６によって構成される。第２スイッチ回路６６に含まれる３つのスイッチは、それぞれ、半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０の外部にある第２抵抗７０〜第４抵抗７２に接続される。従って、第２スイッチ回路６６によって選択された抵抗は、第３オペアンプ６５の反転入力端子と第３オペアンプ６５の出力端子とに接続される。
【００８０】
第３オペアンプ６５の反転入力端子には、第１フォトダイオード２５および第３フォトダイオード２８１のカソード端子が接続される。ここでは、図１に示した例とは異なり、第３オペアンプ６５の反転入力端子に、フォトダイオードのカソード端子が接続される例を示している。第１フォトダイオード２５および第３フォトダイオード２８１のアノード端子は、ＧＮＤ（グランド）に接続され、第３オペアンプ６５の非反転入力端子は、基準電圧Ｖｒｅｆに接続される。このように、第１フォトダイオード２５および第３フォトダイオード２８１のアノード端子をＧＮＤに接続することで、第４半導体レーザ２８のように、半導体レーザ素子２８３のカソード端子と第３フォトダイオード２８１のアノード端子とが共通である場合にも、バックモニタである第３フォトダイオード２８１を用いることができる。
【００８１】
第２スイッチ回路６６は、たとえば電界効果型トランジスタの半導体スイッチによって構成され、インタフェース回路６１からの信号によって、第１スイッチ回路６４と連動して切り替えられる。すなわち、ＢＤ用のレーザパワー検出時には第２抵抗７０が接続され、ＤＶＤ用レーザパワー検出時には第３抵抗７１が接続され、ＣＤ用レーザパワー検出時には第４抵抗７２が接続される。それぞれの場合の入力電流Ｉｉｎと出力電圧Ｖｏｕｔとの関係は、第２抵抗７０〜第４抵抗７２の値を、それぞれＲ２〜Ｒ４とすると、次式となる。Ｒｎは、抵抗値Ｒ２〜Ｒ４のうちのいずれかである。
【００８２】
Ｖｏｕｔ＝Ｖｒｅｆ−Ｉｉｎ×Ｒｎ
このように、電流電圧変換のために用いられる第２抵抗７０〜第４抵抗７２を第２スイッチ回路６６によって切り替えるのは、各半導体レーザによる出射パワーと、レーザパワー検出用フォトダイオードの出力電流との関係が異なるためである。
【００８３】
図８は、図７に示した第１フォトダイオード２５に代えて第４光検出器８０を用いた回路構成の一例を示す。第４光検出器８０は、第４フォトダイオード８１と第４電流電圧変換回路８２とがモールドされて１つのパッケージに収められている。
【００８４】
第４電流電圧変換回路８２は、第４オペアンプ８２１および第５抵抗８２２を含む。第５抵抗８２２は、第４オペアンプ８２１の反転入力端子と第４オペアンプ８２１の出力端子との間に接続される。第４光検出器８０の出力Ｖｏは、抵抗素子８３を介して、半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０内の電流電圧変換回路を構成する第３オペアンプ６５の反転入力端子に入力される。第４フォトダイオード８１の出力電流は、第４電流電圧変換回路８２によって、電圧信号Ｖｏに変換された後、抵抗素子８３で電流に変換され、半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０内の電流電圧変換回路によって再度、電圧信号Ｖｏｕｔに変換される。第４光検出器８０の出力電圧Ｖｏと電圧信号Ｖｏｕｔとの関係は、次式となる。
Ｖｏｕｔ＝−Ｖｏ×Ｒｎ／Ｒ５
【００８５】
Ｒｎは、第２抵抗７０〜第４抵抗７２のうち第２スイッチ回路６６によって選択された抵抗の抵抗値、すなわち抵抗値Ｒ２〜Ｒ４のうち第２スイッチ回路６６によって選択された抵抗の抵抗値であり、Ｒ５は、抵抗素子８３の抵抗値である。第４電流電圧変換回路８２の第４オペアンプ８２１内の基準電圧Ｖｒｅｆおよび半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０内の第３オペアンプ６５の基準電圧Ｖｒｅｆは、同じ電圧が用いられる。
【００８６】
このように、半導体レーザ駆動回路と電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められた半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０を用い、半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０内の電流電圧変換回路の入力端子に、第１フォトダイオード２５および第３フォトダイオード２８１の出力が互いに接続されて入力される構成である。したがって、半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０の電流電圧変換回路に、感度切り換えのための第２スイッチ回路６６を搭載するなど、より高機能な回路を小型化することができるので、光ピックアップ２０１の更なる小型化および高性能化を実現することができる。
【００８７】
すなわち、前記複数の光源をそれぞれ駆動する複数の駆動回路と、前記電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められ、この電流電圧変換回路の入力端子が形成される高密度集積回路部であるたとえば半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０が含まれ、高密度集積回路部に形成された入力端子に、前記複数の光検出素子であるたとえば第１フォトダイオード２５および第３フォトダイオード２８１の各出力端子が接続されるので、駆動回路と電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められた既存の低価格なＬＳＩを用いることができる。したがって、コスト低減を図ることができる。
【００８８】
さらに、第４光検出器８０は、第４フォトダイオード８１と第４電流電圧変換回路８２とが、モールドされているので、高速な光検出ができる。そして、第４光検出器８０の第４フォトダイオード８１と、第４半導体レーザ２８に備えられた第３フォトダイオード２８１とを用いることによって、低コスト化を図ることができる。さらにまた、第４フォトダイオード８１と第４電流電圧変換回路８２とが同一のパッケージに収められた第４光検出器８０を備え、半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０内の電流電圧変換回路の入力端子に、第４光検出器８０の出力が抵抗素子８３を介して入力される構成である。したがって、フォトダイオード単体を用いる場合に比べ、より高帯域な光検出が可能となると同時に、使用する光検出器の選択肢が増え、光ピックアップ設計の自由度を更に増すことができる。
【００８９】
すなわち、光検出素子と電流電圧変換回路とが同一のパッケージに収められ、電流電圧変換回路で変換された電圧信号を出力する出力端子を有する光検出器であるたとえば第４光検出器８０と、この光検出器の出力端子に接続される抵抗素子であるたとえば抵抗素子８３とがさらに含まれ、前記光検出器の出力端子が前記抵抗素子を介して前記高密度集積回路部であるたとえば半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０に形成された入力端子に接続されるので、高周波での光検出を行うことができる。したがって、高速動作を実現することができる。さらに、２つの光源のうち、１つの光源のパワー検出については、光検出素子と電流電圧変換回路とがモールドされた光検出器を用い、他の光源のパワー検出については、レーザパッケージの中に設けられた電流電圧変換回路を用いることによって、小型化および低コスト化することができる。
【００９０】
図９は、本発明の実施の一形態である第５光検出器９０の概略の構成を示す。第５光検出器９０は、第５フォトダイオード９１および第５電流電圧変換回路９２を含み、これらは、パッケージ９９に収められている。第５電流電圧変換回路９２は、第５オペアンプ９２１と第６抵抗９２２とによって構成され、第６抵抗９２２は、第５オペアンプ９２１の反転入力端子と第５オペアンプ９２１の出力端子との間に接続される。
【００９１】
第５光検出器９０のパッケージ９９には、第５オペアンプ９２１の反転入力端子に接続されるｉｎ端子９３と、第５オペアンプ９２１の非反転入力端子に接続されるＶｒｅｆ端子９４と、第５オペアンプ９２１の出力端子に接続されるＯｕｔ端子９５と、電源電圧Ｖｃｃを供給するためのＶｃｃ端子９６と、ＧＮＤに接続するためのＧＮＤ端子９７とが設けられる。Ｖｃｃ端子９６に供給される電源電圧Ｖｃｃは、オペアンプの電源および第５フォトダイオード９１の逆バイアスにも用いられる。
【００９２】
第５オペアンプ９２１の非反転入力端子に接続されるＶｒｅｆ端子９４には、基準電圧Ｖｒｅｆが接続される。第５オペアンプ９２１の反転入力端子に接続されるｉｎ端子９３には、第５フォトダイオード９１のアノード端子が接続され、さらに、図示しない外部のフォトダイオードの出力端子が接続される。第６抵抗９２２は、外部調整することができるように、第５光検出器９０の外に接続する構成でもよい。あるいは、電流電圧変換後にさらにアンプ回路を備える構成でもよい。第５光検出器９０の出力は、差動出力の構成でもよい。
【００９３】
このように、第５光検出器９０は、パッケージ９９内部の第５フォトダイオード９１の出力と第５オペアンプ９２１の反転入力端子とが接続され、さらに外部のフォトダイオードからの入力電流を電流電圧変換するための入力端子であるｉｎ端子９３を備える構成である。したがって、図１に示した光ピックアップ１および図３に示した光ピックアップ１０１に、第５光検出器９０を適用すれば、複数のフォトダイオードに対して、電流電圧変換回路の数を１つに低減することができ、小型化および低コスト化した光ピックアップを簡単に実現することができる。
【００９４】
すなわち、光を受光し、受光した光の強度つまりレーザパワーに応じた電流信号を出力する光検出素子であるたとえば第５フォトダイオード９１と、電流信号を電圧信号に変換して出力する電流電圧変換回路であるたとえば第５電流電圧変換回路９２とが同一のパッケージに収められ、電流信号を入力するための入力端子であるたとえばｉｎ端子９３を有し、光検出素子が出力する電流信号、および入力端子から入力される電流信号が、電流電圧変換回路に入力されるので、電流電圧変換回路と組み合わせずに光検出素子を単体で用いる場合に比べより高帯域な光検出が可能であり、単体で用いられる光検出素子の電流信号は入力端子から入力して電流電圧変換可能である。したがって、高速動作が要求される光源および高速でなくてもよい光源について、１つの電流電圧変換回路が適用可能であり、小型化を実現することができる。すなわち、複数の光源を用いる光学設計の自由度を損なわずに、複数の光源の出射パワーを制御するために必要な電流電圧変換回路の数を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の実施の一形態である光ピックアップ１の概略ブロック図である。
【図２】図１に示した第１フォトダイオード２５、第２フォトダイオード２６、および第１電流電圧変換回路３０の回路構成の一例を示す。
【図３】本発明の実施の第２の形態である光ピックアップ１０１の概略ブロック図である。
【図４】図３に示した光ピックアップ１０１の配置図である。
【図５】図３に示した第１フォトダイオード２５、第２フォトダイオード２６、コイル２７、および第１電流電圧変換回路３０の回路構成の一例を示す。
【図６】本発明の実施の第３の形態である光ピックアップ２０１の概略ブロック図である。
【図７】図６に示した第１フォトダイオード２５、第３フォトダイオード２８１、および半導体レーザ駆動ＬＳＩ６０などの回路構成の一例を示す。
【図８】図７に示した第１フォトダイオード２５に代えて第４光検出器８０を用いた回路構成の一例を示す。
【図９】本発明の実施の一形態である第５光検出器９０の概略の構成を示す。
【符号の説明】
【００９６】
１，１０１，２０１  光ピックアップ
２  光ディスク
１１，１２，２８，１１１  半導体レーザ
１３，１４  ビームスプリッタ
１５，１６  コリメータレンズ
１７  ダイクロミラー
１８  λ／４板
１９，２０  立ち上げミラー
２１，２２  対物レンズ
２３，２４，８０，９０，２８２  光検出器
２５，２６，８１，９１，２８１  フォトダイオード
２７  コイル
３０，８２，９２  電流電圧変換回路
３１，６５，８２１，９２１  オペアンプ
３２，７０〜７２，８２２，９２２  抵抗
３３  コンデンサ
４０  半導体レーザ駆動回路
５０  アクチュエータ
６０  半導体レーザ駆動ＬＳＩ
８３  抵抗素子
９９  パッケージ
２８３  半導体レーザ素子
２８４  ホログラム光学素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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