(57)【要約】【課題】書き込みトランジスタの画素間での駆動能力のばらつきの影響を受けることなく、画素ごとに移動度補正を確実に行うことを可能にする。【解決手段】移動度補正を行うに当たり、画素非２０の書き込みトランジスタが導通状態にあり、かつ水平セレクタ６１の各スイッチ素子６３−１〜６３−ｎがオフしているときに映像信号／基準電位供給部７０から基準電位Ｖｏに代えて映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを供給する一方、書き込みトランジスタが導通状態にあり、かつ映像信号／基準電位供給部７０が信号電圧Ｖｓｉｇを供給しているときに水平セレクタ６１の各スイッチ素子６３−１〜６３−ｎをオンさせて信号電圧Ｖｓｉｇを書き込むようにする。【選択図】図１
2008152095.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学素子と、前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、画素列ごとに配線された信号線と前記駆動トランジスタのゲートとの間に接続され、前記信号線を通して供給される映像信号をサンプリングして書き込む書き込みトランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部を備え、
前記書き込みトランジスタによる書き込み期間に、前記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流を当該駆動トランジスタのゲート入力側に負帰還することによって前記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流の移動度に対する依存性を打ち消す移動度補正機能を有する表示装置であって、
基準電位と映像信号とを選択的に供給する信号供給手段と、
前記信号供給手段と前記画素アレイ部の各信号線との間に接続されたスイッチ素子からなり、当該スイッチ素子がオン状態になることによって前記信号供給手段から供給される映像信号または基準電圧を選択して前記画素アレイ部の各信号線に対して画素行単位で供給するスイッチ群とを備え、
前記信号供給手段は、前記書き込みトランジスタが導通状態にあり、かつ前記スイッチ群の各スイッチ素子がオフしているときに基準電位に代えて映像信号を供給し、
前記スイッチ群の各スイッチ素子は、前記書き込みトランジスタが導通状態にあり、かつ前記信号供給手段が映像信号を供給しているときにオン状態になる
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
電気光学素子と、前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、画素列ごとに配線された信号線と前記駆動トランジスタのゲートとの間に接続され、前記信号線を通して供給される映像信号をサンプリングして書き込む書き込みトランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、
基準電位と映像信号とを選択的に供給する信号供給手段と、
前記信号供給手段と前記画素アレイ部の各信号線との間に接続されたスイッチ素子からなり、当該スイッチ素子がオン状態になることによって前記信号供給手段から供給される映像信号または基準電圧を選択して前記画素アレイ部の各信号線に対して画素行単位で供給するスイッチ群とを備え、
前記書き込みトランジスタによる書き込み期間に、前記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流を当該駆動トランジスタのゲート入力側に負帰還することによって前記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流の移動度に対する依存性を打ち消す移動度補正を行う表示装置の駆動方法であって、
前記書き込みトランジスタが導通状態にあり、かつ前記スイッチ群の各スイッチ素子がオフしているときに前記信号供給手段から基準電位に代えて映像信号を供給し、
前記書き込みトランジスタが導通状態にあり、かつ前記信号供給手段が映像信号を供給しているときに前記スイッチ群の各スイッチ素子をオンさせる
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項３】
電気光学素子と、前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、画素列ごとに配線された信号線と前記駆動トランジスタのゲートとの間に接続され、前記信号線を通して供給される映像信号をサンプリングして書き込む書き込みトランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部を備え、
前記書き込みトランジスタによる書き込み期間に、前記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流を当該駆動トランジスタのゲート入力側に負帰還することによって前記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流の移動度に対する依存性を打ち消す移動度補正機能を有する表示装置であって、
基準電位と映像信号とを選択的に供給する信号供給手段と、
前記信号供給手段と前記画素アレイ部の各信号線との間に接続されたスイッチ素子からなり、当該スイッチ素子がオン状態になることによって前記信号供給手段から供給される映像信号または基準電圧を選択して前記画素アレイ部の各信号線に対して画素行単位で供給するスイッチ群とを備え、
前記信号供給手段は、前記書き込みトランジスタが導通状態にあり、かつ前記スイッチ群の各スイッチ素子がオフしているときに基準電位に代えて映像信号を供給し、
前記スイッチ群の各スイッチ素子は、前記書き込みトランジスタが導通状態にあり、かつ前記信号供給手段が映像信号を供給しているときにオン状態になる
ことを特徴とする表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器に関し、特に電気光学素子を含む画素が行列状（マトリクス状）に配置されてなる平面型（フラットパネル型）の表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画表示を行う表示装置の分野では、発光素子を含む画素（画素回路）が行列状に配置されてなる平面型の表示装置、例えば、画素の発光素子として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子、例えば有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(electro luminescence)素子を用いた有機ＥＬ表示装置が開発され、商品化が進められている。
【０００３】
この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力であり、また自発光素子であることから、液晶セルを含む画素ごとに当該液晶セルにて光源（バックライト）からの光強度を制御することによって画表示を行う液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高い、バックライトが不要、素子の応答速度が速い等の特長を持っている。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。そのため、近年、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（一般には、ＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)）によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００５】
ところで、一般的に、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性（電流−電圧特性）は、時間が経過すると劣化（いわゆる、経時劣化）することが知られている。有機ＥＬ素子を電流駆動するトランジスタ（以下、「駆動トランジスタ」と記述する）としてＮチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、駆動トランジスタのソース側に有機ＥＬ素子が接続されることになるために、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化すると、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが変化し、その結果、有機ＥＬ素子の発光輝度も変化する。
【０００６】
このことについてより具体的に説明する。駆動トランジスタのソース電位は、当該駆動トランジスタと有機ＥＬ素子との動作点で決まる。有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が劣化すると、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子との動作点が変動してしまうために、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加したとしても駆動トランジスタのソース電位が変化する。これにより、駆動トランジスタのソース−ゲート間電圧Ｖｇｓが変化するために、当該駆動トランジスタに流れる電流値が変化する。その結果、有機ＥＬ素子に流れる電流値も変化するために、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化することになる。
【０００７】
また、ポリシリコンＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化に加えて、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによって閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが画素ごとに異なったりする（個々のトランジスタ特性にバラツキがある）。駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが異なると、駆動トランジスタに流れる電流値にばらつきが生じるために、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度が画素間で変化し、画面の一様性（ユニフォーミティ）が損なわれる。
【０００８】
そこで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つようにするために、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能および駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μの変動に対する補正機能を画素回路の各々に持たせる構成を採っている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−１３３５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述した閾値電圧Ｖｔｈや移動度μの変動に対する補正（以下、「閾値補正」、「移動度補正」と記述する）、特に移動度補正は、書き込みトランジスタがオン（導通）状態にあるときに実行されることになるが、当該移動度補正の開始タイミングを書き込みトランジスタがオンするタイミングで決めるとした場合、画素間での書き込みトランジスタの駆動能力のばらつきによって移動度補正を確実に行えない画素が生じ、それが画素間での輝度ばらつきとなって現れるという懸念がある。
【００１１】
このことについてより具体的に説明する。書き込みトランジスタは画素内の限られたスペース内に形成されることから、トランジスタサイズは小さくならざるを得なく、したがって書き込みトランジスタの駆動能力は小さい。今後、表示装置の高精細化・多画素化に伴い、画素サイズの微細化が進むと、それに連れて画素内のトランジスタのサイズは益々小さくなる傾向にある。
【００１２】
書き込みトランジスタの駆動能力が小さいと、画素間での駆動能力のばらつきにより、書き込みトランジスタによって信号電圧が書き込まれ、当該信号電圧が印加されたときに駆動トランジスタのゲート電位の立ち上がり速度がばらつき、それに伴って駆動トランジスタのソース電位の上昇速度も画素間でばらつくために、画素間で有機ＥＬ素子の発光輝度がばらつく。その結果、書き込みトランジスタの画素間での駆動能力のばらつきが画素間での輝度ばらつきとなる。
【００１３】
そこで、本発明は、書き込みトランジスタの画素間での駆動能力のばらつきの影響を受けることなく、画素ごとに移動度補正を確実に行うことが可能な表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明では、電気光学素子と、前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、画素列ごとに配線された信号線と前記駆動トランジスタのゲートとの間に接続され、前記信号線を通して供給される映像信号をサンプリングして書き込む書き込みトランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、基準電位と映像信号とを選択的に供給する信号供給手段と、前記信号供給手段と前記画素アレイ部の各信号線との間に接続されたスイッチ素子からなり、当該スイッチ素子がオン状態になることによって前記信号供給手段から供給される映像信号または基準電圧を選択して前記画素アレイ部の各信号線に対して画素行単位で供給するスイッチ群とを備えた表示装置において、前記書き込みトランジスタによる書き込み期間に、前記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流を当該駆動トランジスタのゲート入力側に負帰還することによって前記駆動トランジスタのドレイン−ソース間電流の移動度に対する依存性を打ち消す移動度補正を行うに当たり、前記書き込みトランジスタが導通状態にあり、かつ前記スイッチ群の各スイッチ素子がオフしているときに前記信号供給手段から基準電位に代えて映像信号を供給し、前記書き込みトランジスタが導通状態にあり、かつ前記信号供給手段が映像信号を供給しているときに前記スイッチ群の各スイッチ素子をオンさせるようにする。
【００１５】
上記構成の表示装置および当該表示装置を用いた電子機器において、書き込みトランジスタが導通状態にあり、かつ信号供給手段が映像信号を供給しているときにスイッチ群の各スイッチ素子をオンさせることで、これらスイッチ素子がオンした時点で書き込みトランジスタによる映像信号の書き込みが開始される。すなわち、移動度補正期間でもある書き込み期間の開始タイミングは、書き込みトランジスタがオンするタイミングではなく、スイッチ群の各スイッチ素子がオンするタイミングとなる。これにより、映像信号の書き込み動作において、駆動トランジスタのゲート電位の立ち上がり速度は、書き込みトランジスタの駆動能力ではなく、スイッチ群の各スイッチ素子の駆動能力で決まる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、映像信号の書き込み動作において、駆動トランジスタのゲート電位の立ち上がり速度が、書き込みトランジスタの駆動能力ではなく、スイッチ群の各スイッチ素子の駆動能力で決まるために、書き込みトランジスタの画素間での駆動能力のばらつきの影響を受けることなく、画素ごとに移動度補正を確実に行うことができ、よって良好な画質の画像表示を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子を画素の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明する。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、画素（ＰＸＬＣ）２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されてなる画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置され、各画素２０を駆動する駆動部、即ち書き込み走査回路４０、電源供給走査回路５０および水平駆動回路６０と、信号供給手段である映像信号／基準電位供給部７０とを有する構成となっている。
【００２０】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素配列に対して、画素行ごとに走査線３１−１〜３１−ｍと電源供給線３２−１〜３２−ｍとが配線され、画素列ごとに信号線３３−１〜３３−ｎが配線されている。
【００２１】
画素アレイ部３０は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成され、平面型（フラット型）のパネル構造となっている。画素アレイ部３０の各画素２０は、アモルファスシリコンＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)または低温ポリシリコンＴＦＴを用いて形成することができる。低温ポリシリコンＴＦＴを用いる場合には、走査回路４０、電源供給走査回路５０および水平駆動回路６０についても、画素アレイ部３０を形成するパネル（基板）上に実装することができる。
【００２２】
書き込み走査回路４０は、シフトレジスタ等によって構成され、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の書き込みに際して、走査線３１−１〜３１−ｍに順次走査信号ＷＳＬ１〜ＷＳＬｍを供給して画素２０を行単位で線順次走査する。
【００２３】
電源供給走査回路５０は、シフトレジスタ等によって構成され、書き込み走査回路４０による線順次走査に同期して、第１電位Ｖｃｃ＿Ｈと当該第１電位Ｖｃｃ＿Ｈよりも低い第２電位Ｖｃｃ＿Ｌとで切り替わる電源線電位ＤＳＬ１〜ＤＳＬｍを電源供給線３２−１〜３２−ｍに対して供給する。ここで、第２電位Ｖｃｃ＿Ｌは、映像信号／基準電位供給部７０から供給される基準電位Ｖｏよりも十分に低い電位である。
【００２４】
映像信号／基準電位供給部７０は、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと基準電位Ｖｏのいずれか一方を、信号供給線７１−１〜７１−ｎの各々を介して信号線３３−１〜３３−ｎの各々に選択的に供給する。
【００２５】
水平駆動回路６０は、信号供給線７１−１〜７１−ｎの各々と信号線３３−１〜３３−ｎの各々との間に接続されたスイッチ群（スイッチ素子６３−１〜６３−ｎ）からなる水平セレクタ６１と、水平セレクタ６１の各スイッチ素子６３−１〜６３−ｎを一斉にオン／オフ駆動するセレクタ駆動部６２とからなり、画素アレイ部３０の各画素２０に対して行単位で一斉に信号電圧Ｖｓｉｇを書き込む線順次書き込みの駆動形態を採っている。
【００２６】
水平セレクタ６１の各スイッチ素子６３−１〜６３−ｎは、例えばトランジスタによって構成され、映像信号／基準電位供給部７０から基準電位Ｖｏが供給されているときに所定のタイミングで一斉にオン（導通）状態になることによって当該基準電位Ｖｏを信号線３３−１〜３３−ｎに書き込むとともに、映像信号／基準電位供給部７０から信号電圧Ｖｓｉｇが供給されているときに所定のタイミングで一斉にオン状態になることによって当該信号電圧Ｖｓｉｇを信号線３３−１〜３３−ｎに書き込む。
【００２７】
（画素回路）
図２は、画素（画素回路）２０の具体的な構成例を示す回路図である。図２に示すように、画素２０は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子２１を発光素子として有し、当該有機ＥＬ素子２１に加えて、駆動トランジスタ２２、書き込みトランジスタ２３および保持容量２４を有する構成となっている。
【００２８】
ここで、駆動トランジスタ２２および書き込みトランジスタ２３としてＮチャネル型のＴＦＴが用いられている。ただし、ここでの駆動トランジスタ２２および書き込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００２９】
有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源供給線３４にカソード電極が接続されている。駆動トランジスタ２２は、ソースが有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、ドレインが電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）に接続されている。書き込みトランジスタ２３は、ゲートが走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に接続され、ソースが信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）に接続され、ドレインが駆動トランジスタ２２のゲートに接続されている。保持容量２４は、一端が駆動トランジスタ２２のゲートに接続され、他端が駆動トランジスタ２２のソース（有機ＥＬ素子２１のアノード電極）に接続されている。
【００３０】
かかる構成の画素２０において、書き込みトランジスタ２３は、書き込み走査回路４０から走査線３１を通してゲートに印加される走査信号ＷＳＬに応答して導通状態となることにより、信号線３３を通して水平駆動回路６０から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇまたは基準電位Ｖｏをサンプリングして画素２０内に書き込む。この書き込まれた信号電圧Ｖｓｉｇまたは基準電位Ｖｏは保持容量２４に保持される。
【００３１】
駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）の電位ＤＳＬが第１電位Ｖｃｃ＿Ｈにあるときに、電源供給線３２から電流の供給を受けて、保持容量２４に保持された信号電圧Ｖｓｉｇに応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給することによって当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動する。
【００３２】
（画素構造）
図３に、画素２０の断面構造の一例を示す。図３に示すように、画素２０は、駆動トランジスタ２２、書き込みトランジスタ２３等の画素回路が形成されたガラス基板２０１上に絶縁膜２０２およびウインド絶縁膜２０３が形成され、当該ウインド絶縁膜２０３の凹部２０３Ａに有機ＥＬ素子２１が設けられた構成となっている。
【００３３】
有機ＥＬ素子２１は、上記ウインド絶縁膜２０３の凹部２０３Ａの底部に形成された金属等からなるアノード電極２０４と、当該アノード電極２０４上に形成された有機層（電子輸送層、発光層、ホール輸送層/ホール注入層）２０５と、当該有機層２０５上に全画素共通に形成された透明導電膜等からなるカソード電極２０６とから構成されている。
【００３４】
この有機ＥＬ素子２１において、有機層２０８は、アノード電極２０４上にホール輸送層/ホール注入層２０５１、発光層２０５２、電子輸送層２０５３および電子注入層（図示せず）が順次堆積されることによって形成される。そして、図２の駆動トランジスタ２２による電流駆動の下に、駆動トランジスタ２２からアノード電極２０４を通して有機層２０５に電流が流れることで、当該有機層２０５内の発光層２０５２において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。
【００３５】
図３に示すように、画素回路が形成されたガラス基板２０１上に、絶縁膜２０２およびウインド絶縁膜２０３を介して有機ＥＬ素子２１が画素単位で形成された後は、パッシベーション膜２０７を介して封止基板２０８が接着剤２０９によって接合され、当該封止基板２０８によって有機ＥＬ素子２１が封止されることにより、有機ＥＬ表示パネルが形成される。
【００３６】
（閾値補正機能）
ここで、電源供給走査回路５０は、書き込みトランジスタ２３が導通した後で、水平駆動回路６０が信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）に基準電位Ｖｏを供給している間に、電源供給線３２の電位ＤＳＬを第１電位Ｖｃｃ＿Ｈと第２電位Ｖｃｃ＿Ｌとの間で切り替える。この電源供給線３２の電位ＤＳＬの切り替えにより、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧が保持容量２４に保持される。
【００３７】
保持容量２４に駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持するのは次の理由による。駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化により、各画素ごとに駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈや移動度μなどのトランジスタ特性の変動がある。このトランジスタ特性の変動により、駆動トランジスタ２２に同一のゲート電位を与えても、画素ごとにドレイン−ソース間電流（駆動電流）Ｉｄｓが変動し、発光輝度のばらつきとなって現れる。この閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきの影響をキャンセル（補正）するために、閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持容量２４に保持するのである。
【００３８】
駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの補正は次のようにして行われる。すなわち、保持容量２４にあらかじめ閾値電圧Ｖｔｈを保持しておくことで、信号電圧Ｖｓｉｇによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが保持容量２４に保持した閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧と相殺される、換言すれば、閾値電圧Ｖｔｈの補正が行われる。
【００３９】
これが閾値補正機能である。この閾値補正機能により、画素ごとに閾値電圧Ｖｔｈにばらつきや経時変化があったとしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子２１の発光輝度を一定に保つことができることになる。閾値補正の原理については後で詳細に説明する。
【００４０】
（移動度補正機能）
図２に示した画素２０は、上述した閾値補正機能に加えて、移動度補正機能を備えている。すなわち、水平駆動回路６０が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）に供給している期間で、かつ、書き込み走査回路４０から出力される走査信号ＷＳＬ（ＷＳＬ１〜ＷＳＬｍ）に応答して書き込みトランジスタ２３が導通する期間、即ち移動度補正期間において、保持容量２４に信号電圧Ｖｓｉｇを保持する際に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消す移動度補正が行われる。この移動度補正の具体的な原理および動作については後述する。
【００４１】
（ブートストラップ機能）
図２に示した画素２０はさらにブートストラップ機能も備えている。すなわち、水平駆動回路６０は、保持容量２４に信号電圧Ｖｓｉｇが保持された段階で走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に対する走査信号ＷＳＬ（ＷＳＬ１〜ＷＳＬｍ）の供給を解除し、書き込みトランジスタ２３を非導通状態にして駆動トランジスタ２２のゲートを信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）から電気的に切り離する。これにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの変動にゲート電位Ｖｇが連動するために、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを一定に維持することができる。
【００４２】
（回路動作）
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の回路動作について、図４のタイミングチャートを基に、図５および図６の動作説明図を用いて説明する。なお、図５および図６の動作説明図では、図面の簡略化のために、書き込みトランジスタ２３をスイッチのシンボルで図示している。また、有機ＥＬ素子２１は寄生容量を持っていることから、当該寄生容量Ｃｅｌについても図示している。
【００４３】
図４のタイミングチャートでは、時間軸を共通にして、１Ｈ（Ｈは水平走査時間）における走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）の電位（走査信号）ＷＳＬの変化、電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）の電位ＤＳＬの変化、水平セレクタ７１をオン／オフ駆動するセレクト信号ＨＳＷの電位、信号供給線７１（７１−１〜７１−ｎ）の電位ＤＴＬＰ、信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）の電位ＤＴＬ、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの変化を表している。
【００４４】
＜発光期間＞
図４のタイミングチャートにおいて、時刻ｔ１以前は有機ＥＬ素子２１が発光状態にある（発光期間）。この発光期間では、電源供給線３２の電位が高電位Ｖｃｃ＿Ｈ（第１電位）にあり、図５（Ａ）に示すように、電源供給線３２から駆動トランジスタ２２を通して有機ＥＬ素子２１に駆動電流（ドレイン−ソース間電流）Ｉｄｓが供給されるため、有機ＥＬ素子２１が駆動電流Ｉｄｓに応じた輝度で発光する。
【００４５】
＜閾値補正準備期間＞
そして、時刻ｔ１になると線順次走査の新しいフィールドに入り、図５（Ｂ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳＬが高電位Ｖｃｃ＿Ｈから信号線３３の基準電位Ｖｏよりも十分に低い電位Ｖｃｃ＿Ｌ（第２電位）に遷移すると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓも低電位Ｖｃｃ＿Ｌに向けて下降を開始する。
【００４６】
次に、時刻ｔ２でセレクタ駆動部６２から“Ｈ”レベルのセレクト信号ＨＳＷが出力され、続いて時刻ｔ３で書き込み走査回路４０から“Ｈ”レベルの走査信号ＷＳＬが出力され、走査線３１の電位ＷＳＬが高電位側に遷移することで、図５（Ｃ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が導通（オン）状態になる。
【００４７】
このとき、映像信号／基準電位供給部７０からは基準電位Ｖｏが出力され、信号供給線７１の電位ＤＴＬＰが基準電位Ｖｏにあるとともに、水平セレクタ６１の各スイッチ素子６３−１〜６３−ｎがオン状態にあり、これらスイッチ素子６３−１〜６３−ｎを介して信号線３３に基準電位Ｖｏが供給されているために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが基準電位Ｖｏになる。また、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓは、基準電位Ｖｏよりも十分に低い電位Ｖｃｃ＿Ｌにある。
【００４８】
ここで、低電位Ｖｃｃ＿Ｌについては、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくなるように設定しておくこととする。このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇを基準電位Ｖｏ、ソース電位Ｖｓを低電位Ｖｃｃ＿Ｌにそれぞれ初期化することで、閾値電圧補正動作の準備が完了する。
【００４９】
＜閾値補正期間＞
次に、時刻ｔ４で、図５（Ｄ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳＬが低電位Ｖｃｃ＿Ｌから高電位Ｖｃｃ＿Ｈに切り替わると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇を開始する。やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈになり、当該閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧が保持容量２４に書き込まれる。
【００５０】
ここでは、便宜上、閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持容量２４に書き込む期間を閾値補正期間と呼んでいる。なお、この閾値補正期間において、電流が専ら保持容量２４側に流れ、有機ＥＬ素子２１側には流れないようにするために、有機ＥＬ素子２１がカットオフ状態となるように共通電源供給線３４の電位を設定しておくこととする。
【００５１】
次に、時刻ｔ５でセレクト信号ＨＳＷが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移するが、信号線３３の電位ＤＴＬは基準電位Ｖｏに保持された状態にある。このとき、図６（Ａ）に示すように、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに等しいために、当該駆動トランジスタ２２はカットオフ状態にある。したがって、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは流れない。
【００５２】
セレクト信号ＨＳＷが“Ｌ”レベルの状態、即ち水平セレクタ６１の各スイッチ素子６３−１〜６３−ｎがオフ（開）の状態において、時刻ｔ６で映像信号／基準電位供給部７０から基準電位Ｖｏに代えて映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが出力される。これにより、信号供給線７１の電位ＤＴＬＰが基準電位Ｖｏから信号電圧Ｖｓｉｇに遷移する。
【００５３】
＜書き込み期間／移動度補正期間＞
次に、時刻ｔ７でセレクト信号ＨＳＷが“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移すると、水平セレクタ６１の各スイッチ素子６３−１〜６３−ｎがオンするために、図６（Ｂ）に示すように、信号線３３の電位ＤＴＬが基準電位Ｖｏから映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに切り替わり、当該信号電圧Ｖｓｉｇが書き込みトランジスタ２３を介して駆動トランジスタ２２のゲートにサンプリング電位として印加される。
【００５４】
すなわち、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇは、セレクト信号ＨＳＷが“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移すると同時に、即ち水平セレクタ６１の各スイッチ素子６３−１〜６３−ｎがオンすると同時に信号電圧Ｖｓｉｇになる。このとき、有機ＥＬ素子２１は始めカットオフ状態（ハイインピーダンス状態）にあるために、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは有機ＥＬ素子２１の寄生容量Ｃｅｌに流れ込み、寄生容量Ｃｅｌの充電が開始される。
【００５５】
有機ＥＬ素子２１の寄生容量Ｃｅｌの充電により、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇を開始し、やがて駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ＋Ｖｔｈ−ΔＶとなる。すなわち、ソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは、保持容量２４に保持された電圧（Ｖｓｉｇ＋Ｖｔｈ）から差し引かれるように、換言すれば、保持容量２４の充電電荷を放電するように作用し、負帰還がかけられたことになる。したがって、ソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは負帰還の帰還量となる。
【００５６】
このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを当該駆動トランジスタ２２のゲート入力に、即ちゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還することにより、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消す、即ち移動度μの画素ごとのばらつきを補正する移動度補正が行われる。
【００５７】
より具体的には、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが高いほどドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなるために、負帰還の帰還量（補正量）ΔＶの絶対値も大きくなる。したがって、発光輝度レベルに応じた移動度補正が行われる。また、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなるために、画素ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。
【００５８】
＜発光期間＞
次に、時刻ｔ８で走査線電位ＷＳＬが低電位側に遷移することで、図６（Ｃ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が非導通（オフ）状態になる。これにより、駆動トランジスタ２２のゲートは信号線３３から切り離される。これと同時に、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、有機ＥＬ素子２１のアノード電位はドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じて上昇する。
【００５９】
有機ＥＬ素子２１のアノード電位の上昇は、即ち駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇に他ならない。駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇すると、保持容量２４のブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇも連動して上昇する。このとき、ゲート電位Ｖｇの上昇量はソース電位Ｖｓの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｉｎ＋Ｖｔｈ−ΔＶで一定に保持される。
【００６０】
（閾値補正の原理）
ここで、駆動トランジスタ２２の閾値補正の原理について説明する。駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。これにより、有機ＥＬ素子２１には駆動トランジスタ２２から、次式（１）で与えられる一定のドレイン−ソース間電流（駆動電流）Ｉｄｓが供給される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2   ……（１）
ここで、Ｗは駆動トランジスタ２２のチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘは単位面積当たりのゲート容量である。
【００６１】
図７に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ対ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの特性を示す。この特性図に示すように、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈのばらつきに対する補正を行わないと、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ１のとき、ゲート−ソース電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ１になるのに対して、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ２（Ｖｔｈ２＞Ｖｔｈ１）のとき、同じゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ２（Ｉｄｓ２＜Ｉｄｓ）になる。すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定であってもドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動する。
【００６２】
これに対して、上記構成の画素（画素回路）２０では、先述したように、発光時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓがＶｉｎ＋Ｖｔｈ−ΔＶであるために、これを式（１）に代入すると、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｉｎ−ΔＶ）2     ……（２）
で表される。
【００６３】
すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に供給されるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに依存しない。その結果、駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化により、各画素ごとに駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが変動しても、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動しないために、有機ＥＬ素子２１の発光輝度も変動しない。
【００６４】
（移動度補正の原理）
次に、駆動トランジスタ２２の移動度補正の原理について説明する。図８に、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に大きい画素Ａと、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に小さい画素Ｂとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ２２をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Ａや画素Ｂのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。
【００６５】
画素Ａと画素Ｂで移動度μにばらつきがある状態で、例えば両画素Ａ，Ｂに同レベルの入力信号電圧Ｖｓｉｇを書き込んだ場合に、何ら移動度μの補正を行わないと、移動度μの大きい画素Ａに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１′と移動度μの小さい画素Ｂに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２′との間には大きな差が生じてしまう。このように、移動度μのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに画素間で大きな差が生じると、画面のユニフォーミティを損なうことになる。
【００６６】
ここで、先述した式（１）のトランジスタ特性式から明らかなように、移動度μが大きいとドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなる。したがって、負帰還における帰還量ΔＶは移動度μが大きくなるほど大きくなる。図８に示すように、移動度μの大きな画素Ａの帰還量ΔＶ１は、移動度の小さな画素Ｖの帰還量ΔＶ２に比べて大きい。そこで、移動度補正動作によって駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを入力信号電圧Ｖｓｉｇ側に負帰還させることで、移動度μが大きいほど負帰還が大きくかかることになるために、移動度μのばらつきを抑制することができる。
【００６７】
具体的には、移動度μの大きな画素Ａで帰還量ΔＶ１の補正をかけると、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ１′からＩｄｓ１まで大きく下降する。一方、移動度μの小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ２は小さいために、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ２′からＩｄｓ２までの下降となり、それ程大きく下降しない。結果的に、画素Ａのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１と画素Ｂのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２とはほぼ等しくなるために、移動度μのばらつきが補正される。
【００６８】
以上をまとめると、移動度μの異なる画素Ａと画素Ｂがあった場合、移動度μの大きい画素Ａの帰還量ΔＶ１は移動度μの小さい画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて小さくなる。つまり、移動度μが大きい画素ほど帰還量ΔＶが大きく、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの減少量が大きくなる。すなわち、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを入力信号電圧Ｖｓｉｇ側に負帰還させることで、移動度μの異なる画素のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの電流値が均一化され、その結果、移動度μのばらつきを補正することができる。
【００６９】
ここで、図２に示した画素（画素回路）２０において、閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電位（サンプリング電位）Ｖｓｉｇと駆動トランジスタ２２のドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係について図９を用いて説明する。
【００７０】
図９において、（Ａ）は閾値補正および移動度補正を共に行わない場合、（Ｂ）は移動度補正を行わず、閾値補正のみを行った場合、（Ｃ）は閾値補正および移動度補正を共に行った場合をそれぞれ示している。図９（Ａ）に示すように、閾値補正および移動度補正を共に行わない場合には、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因してドレイン・ソース間電流Ｉｄｓに画素Ａ，Ｂ間で大きな差が生じることになる。
【００７１】
これに対して、閾値補正のみを行った場合は、図９（Ｂ）に示すように、当該閾値補正によってドレイン・ソース間電流Ｉｄｓのばらつきをある程度低減できるものの、移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓの差は残る。そして、閾値補正および移動度補正を共に行うことで、図９（Ｃ）に示すように、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓの差をほぼ無くすことができるために、どの階調においても有機ＥＬ素子２１の輝度ばらつきは発生せず、良好な画質の表示画像を得ることができる。
【００７２】
特に、上記実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、図４のタイミングチャートから明らかなように、移動度補正を行うに当たり、書き込みトランジスタ２３が導通状態にあり、かつ水平セレクタ６１の各スイッチ素子６３−１〜６３−ｎがオフしているときに映像信号／基準電位供給部７０から基準電位Ｖｏに代えて映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを供給する一方、書き込みトランジスタ２３が導通状態にあり、かつ映像信号／基準電位供給部７０が信号電圧Ｖｓｉｇを供給しているときに水平セレクタ６１の各スイッチ素子６３−１〜６３−ｎをオンさせて信号電圧Ｖｓｉｇを書き込む駆動方法を採ることにより、次のような作用効果を得ることができる。
【００７３】
すなわち、上記駆動方法を採ることにより、水平セレクタ６１の各スイッチ素子６３−１〜６３−ｎがオンした時点で書き込みトランジスタ２２による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの書き込みが開始される。すなわち、移動度補正期間でもある書き込み期間の開始タイミングは、書き込みトランジスタ２３がオンするタイミングではなく、スイッチ素子６３−１〜６３−ｎがオンするタイミングとなる。これにより、信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み動作において、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇの立ち上がり速度は、書き込みトランジスタ２３の駆動能力ではなく、スイッチ素子６３−１〜６３−ｎの駆動能力で決まる。
【００７４】
ここで、スイッチ素子６３−１〜６３−ｎをトランジスタで構成するとした場合、トランジスタを形成するに当たって、画素アレイ部３０の周辺部では画素２０に比べてスペースの制約が無いために、スイッチ素子６３−１〜６３−ｎを構成するトランジスタのサイズを画素２０内の書き込みトランジスタ２３に比べて大きくできる。トランジスタサイズを大きくできることで、スイッチ素子６３−１〜６３−ｎを構成するトランジスタの駆動能力を書き込みトランジスタ２３に比べて大きく設定できる。
【００７５】
トランジスタの駆動能力が大きいと、当該トランジスタによる駆動時の駆動能力のばらつきによる影響は、駆動能力が小さいトランジスタによる駆動時に比べて非常に小さい。したがって、書き込みトランジスタ２３に比べて駆動能力が大きいスイッチ素子６３−１〜６３−ｎがオンするタイミングで信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み期間（移動度補正期間）に移行することで、書き込みトランジスタ２３の駆動能力のばらつきの影響を受けることなく、画素ごとに移動度の補正動作を確実に行うことができる。
【００７６】
すなわち、スイッチ素子６３−１〜６３−ｎがオンすることによって信号電圧Ｖｓｉｇを書き込むことで、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇの立ち上がりに対して書き込みトランジスタ２３の駆動能力が影響を及ぼすことがないために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇの立ち上がり速度が画素間でばらつくことがない。したがって、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇も画素間でばらつくことがなく、画素間で有機ＥＬ素子２１の発光輝度が一定になるために、良好な画質の画像表示を実現できる。
【００７７】
なお、上記実施形態では、画素回路２０の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、特にデバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子（発光素子）を用いた表示装置全般に対して適用可能である。
【００７８】
［適用例］
以上説明した本発明に係る表示装置は、図１０〜図１４に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
【００７９】
なお、本発明に係る表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部３０に透明なガラス等の対向部に貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。
【００８０】
図１０は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。
【００８１】
図１１は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００８２】
図１２は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００８３】
図１３は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００８４】
図１４は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す斜視図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた除隊での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】画素（画素回路）の具体的な構成例を示す回路図である。
【図３】画素の断面構造の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図５】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明図（その１）である。
【図６】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明図（その２）である。
【図７】駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。
【図８】駆動トランジスタの移動度μのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。
【図９】閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係の説明に供する特性図である。
【図１０】本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図１１】本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１２】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１３】本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１４】本発明が適用される携帯電話機を示す斜視図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた除隊での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【符号の説明】
【００８６】
１０…有機ＥＬ表示装置、２０…画素（画素回路）、２１…有機ＥＬ素子、２２…駆動トランジスタ、２３…書き込みトランジスタ、２４…保持容量、３０…画素アレイ部、３１（３１−１〜３１−ｍ）…走査線、３２（３２−１〜３２−ｍ）…電源供給線、３３（３３−１〜３３−ｎ）…信号線、３４…共通電源供給線、４０…書き込み走査回路、５０…電源供給走査回路、６０…水平駆動回路、６１…水平セレクタ、６２…セレクタ駆動部、７０…映像信号／基準電位供給部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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