(57)【要約】【課題】バンプと接続端子との接続面積を減少させることなくそれらの接続強度を向上させることができるセラミック製実装基板の製造方法およびセラミック製実装基板を提供すること。【解決手段】本発明のセラミック製実装基板１Ａは、セラミックシート２０、配線２１および接続端子２Ａからなる。接続端子２ＡをＵ状に形成するため、焼成前のセラミックシート２０に接続端子２Ａの底面部３を埋め込んだ後、そのセラミックシート２０を焼成する。焼成後、底面部３の幅方向の両側から側壁部４Ａが起立するようにその側壁部４Ａをめっき形成する。底面部３の埋め込みにより、従来の工程と同様に接続端子２Ａの底面部３を埋め込むことができる。また、接続端子２ＡがＵ状のため、バンプ３１と接続端子２Ａとの接合面積が拡大し、接合強度が向上する。【選択図】図２
2008124200.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦断面略Ｕ状に形成される接続端子の底面となる底面部を焼成前のセラミックシートの表面に埋め込んだ後に前記セラミックシートを焼成する工程ａと、
焼成後の前記セラミックシートの表面上にシード膜を形成する工程ｂと、
前記シード膜の表面にレジスト膜を形成してから前記レジスト膜をパターンニングすることにより、前記底面部の上方に位置する前記シード膜の表面であって略Ｕ状の前記接続端子の側壁となる側壁部が形成される面を外部に露出させるとともに、前記側壁部が形成される面以外の面を被覆する工程ｃと、
パターンニングされた前記レジスト膜の形成後に外部に露出している前記シード膜の表面をめっきすることにより、前記シード膜の表面に側壁部を形成する工程ｄと、
前記側壁部の形成後に前記レジスト膜を除去するとともに、前記レジスト膜の除去により外部に露出した前記シード膜を除去する工程ｅと
を備えていることを特徴とするセラミック製実装基板の製造方法。
【請求項２】
前記工程ｃにおいては、前記レジスト膜のパターンニング後に前記レジスト膜を加熱収縮させることにより、前記レジスト膜の高さ方向に向かって前記レジスト膜の幅が小さくなるようなテーパを前記レジスト膜の側面に形成し、
前記工程ｄにおいては、前記レジスト膜のテーパに沿って前記側壁部をめっき形成することにより、上底が下底よりも長い等脚台形状もしくはそれに似た形状の縦断面を有する側壁部を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載のセラミック製実装基板の製造方法。
【請求項３】
前記工程ｄにおいては、前記レジスト膜の上面を覆うまで前記シード膜の表面をめっきすることにより、上方に傘部を有する前記側壁部を形成する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック製実装基板の製造方法。
【請求項４】
縦断面略Ｕ状に形成される接続端子の底面となる底面部を焼成前のセラミックシートの表面に埋め込んだ後に前記セラミックシートを焼成する工程ａと、
焼成後の前記セラミックシートの表面上にシード膜を形成する工程ｂと、
前記シード膜の表面に側壁部となる側壁層を形成する工程ｇと、
前記側壁層の表面にレジスト膜を形成してから前記レジスト膜をパターンニングすることにより、前記側壁層の表面であって前記側壁部の上面となる表面を前記レジスト膜により被覆する工程ｈと、
パターンニングされた前記レジスト膜の形成後に外部に露出した前記側壁層をエッチングすることにより、前記側壁部を形成する工程ｉと、
前記側壁部の形成後に前記レジスト膜を除去するとともに、前記側壁部の形成後に外部に露出した前記シード膜を除去する工程ｊと
を備えていることを特徴とするセラミック製実装基板の製造方法。
【請求項５】
前記工程ｇにおいては、前記シード膜の表面に第１の金属層および第２の金属層を順にめっき形成することにより前記側壁部が形成されており、
前記工程ｉにおいては、前記第２の金属層をエッチングするが前記第１の金属層をエッチングしない第２の金属層用エッチング液を用いて前記側壁層の表面層である第２の金属層のみを等方性エッチングした後に、前記第１の金属層をエッチングするが前記第２の金属層および前記シード膜をエッチングしない第１の金属層用エッチング液を用いて前記第１の金属層のみを等方性エッチングすることにより、前記側壁部の上方に傘部を形成する
ことを特徴とする請求項４に記載のセラミック製実装基板の製造方法。
【請求項６】
前記底面部は、前記セラミックシートの内部に埋め込まれる配線と同一の材料となるＡｇ、Ａｕ、ＣｕまたはＡｇ−Ｐｄを用いて形成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のセラミック製実装基板の製造方法。
【請求項７】
前記工程ｂにおいては、前記シード膜の形成前に、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐその他のＮｉを主成分とする置換用金属を前記底面部の表面にめっきすることにより前記底面部の表面層となる置換用金属層を前記底面部の表面に形成し、
前記工程ｅまたは工程ｊの後の工程においては、前記底面部の表面を無電解Ａｕめっきすることにより、前記底面部の表面のＮｉをＡｕに置換して前記底面部の表面に接合膜を形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のセラミック製実装基板の製造方法。
【請求項８】
前記工程ｄまたは工程ｇにおいては、前記シード膜の表面にＣｕまたはＣｕを主成分とする合金その他の下地となる金属をめっきして側壁部本体、前記側壁層または前記第１の金属層を形成した後、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐその他のＮｉを主成分とする置換用金属を前記側壁部本体の表面もしくは前記側壁層の表面にめっきすることによって、または前記第１の金属層の表面に前記第２の金属層となるようにめっきすることによって、前記側壁部が形成されており、
前記工程ｅまたは工程ｊの後の工程においては、前記側壁部の表面または前記第２の金属層の表面を無電解Ａｕめっきすることにより、前記側壁部の表面のＮｉまたは前記第２の金属層の表面のＮｉをＡｕに置換し、前記側壁部の表面に接合膜を形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のセラミック製実装基板の製造方法。
【請求項９】
前記シード膜は、ＴｉもしくはＣｒを下層とし、Ｃｕを上層とする積層構造になっている
ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のセラミック製実装基板の製造方法。
【請求項１０】
前記接続端子は、前記側壁部を前記底面部から筒状に起立させることにより、有底四角穴または有底丸穴を有するように形成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のセラミック製実装基板の製造方法。
【請求項１１】
配線が埋め込まれるセラミックシートと、
前記セラミックシートの表面に埋め込まれる接続端子の底面部と、
少なくとも前記底面部の幅方向の両側から起立している前記接続端子の側壁部と、
前記底面部の表面層および前記側壁部の表面層として前記底面部の表面および前記側壁部の表面に形成されている置換用金属層と、
前記底面部の表面のＮｉおよび前記側壁部の表面のＮｉをＡｕに置換することにより前記底面部の表面および前記側壁部の表面に形成されている接合膜と
を備えていることを特徴とするセラミック製実装基板。
【請求項１２】
前記側壁部は、その高さ方向に向かってその幅が大きくなるようなテーパまたはその上方においてその幅方向に広がる傘部を有している
ことを特徴とする請求項１１に記載のセラミック製実装基板。
【請求項１３】
前記接続端子は、前記側壁部を前記底面部から筒状に起立させることにより、有底四角穴または有底丸穴を有するように形成されている
ことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載のセラミック製実装基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック製実装基板の製造方法およびセラミック製実装基板に係り、特に、表面に接続端子が形成されているＬＴＣＣ（低温焼成セラミックス）実装基板およびその製造方法に好適に利用できるセラミック製実装基板の製造方法およびセラミック製実装基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＩＣなどの半導体素子や抵抗やコンデンサなどのチップ部品などを搭載するための実装基板として、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramic：高温焼成セラミック。例えばアルミナ基板のことをいう。）や９００℃程度の低温焼成が可能なＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramic：低温焼成セラミック）を用いたセラミック製実装基板が多く用いられている。ＬＴＣＣをセラミックシートとして用いる場合、従来のセラミック製実装基板１０１は、図１１または図１２に示すように、ガラス材料にアルミナ骨材を混合させて得たセラミックシート（グリーンシートともいう。）２０を積層枚数分だけ形成した後、焼成前の各セラミックシート２０の表面にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄなどの導電性に優れた配線２１および接続端子１０２Ａ、１０２Ｂを印刷法により埋め込み、各セラミックシート２０を積層して焼成することにより形成されている。
【０００３】
ここで、半導体素子３０に形成される複数の半田バンプ３１をセラミック製実装基板１０１の接続端子１０２Ａ、１０２Ｂにフリップチップ接続させるため、接続端子１０２Ａ、１０２Ｂは図１１に示すような平面状または図１２に示すような二股以上のフォーク状に形成されている（特許文献１を参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１２８６０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のセラミック製実装基板１０１に搭載される半導体素子３０については、半導体素子３０における半田バンプ３１の未形成面３０ａとセラミックシート２０の表面２０ａとを樹脂接着剤を用いて強固に接着することができないので、半導体素子３０とセラミック製実装基板１０１との接合部分はバンプ３１と接続端子１０２Ａ、１０２Ｂとの半田による接合部分のみとなる。そのため、図１１に示すように、接続端子１０２Ａが平面状に形成されている場合、半導体素子３０に外的負荷が加わったときにセラミック製実装基板１０１から半導体素子３０が容易に剥離してしまうという問題があった。
【０００６】
また、図１２に示すように、接続端子１０２Ｂを二股以上のフォーク状に形成した場合、半導体素子３０の接合強度は向上するものの、バンプ３１と接続端子１０２Ｂとの電気的接続部分が実質的に接続端子１０２Ｂの内側面のみになってしまう。そのため、図１１に示すような平面状の接続端子１０２Ａと比較して接続面積が狭くなってしまい、バンプ３１と接続端子１０２Ｂとの電気抵抗が高くなってしまうという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、バンプと接続端子との接続面積を減少させることなくそれらの接続強度を向上させることができるセラミック製実装基板の製造方法およびセラミック製実装基板を提供することをその目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前述した目的を達成するため、本発明のセラミック製実装基板の製造方法は、その第１の態様として、縦断面略Ｕ状に形成される接続端子の底面となる底面部を焼成前のセラミックシートの表面に埋め込んだ後にセラミックシートを焼成する工程ａと、焼成後のセラミックシートの表面上にシード膜を形成する工程ｂと、シード膜の表面にレジスト膜を形成してからレジスト膜をパターンニングすることにより、底面部の上方に位置するシード膜の表面であって略Ｕ状の接続端子の側壁となる側壁部が形成される面を外部に露出させるとともに、側壁部が形成される面以外の面を被覆する工程ｃと、パターンニングされたレジスト膜の形成後に外部に露出しているシード膜の表面をめっきすることにより、シード膜の表面に側壁部を形成する工程ｄと、側壁部の形成後にレジスト膜を除去するとともに、レジスト膜の除去により外部に露出したシード膜を除去する工程ｅとを備えていることを特徴としている。ここで、接続端子における縦断面略Ｕ状とは、側壁部と底面部とのなす角が９０°となるほぼ正確なＵ状のほか、側壁部がテーパを有している場合にそれらのなす角が９０°以外の角度になる閉じたＵ状または開いたＵ状を含む。
【０００９】
本発明の第１の態様のセラミック製実装基板の製造方法によれば、バンプと接続させる接続端子の縦断面形状が略Ｕ状に形成されるので、バンプと接続端子との接合において接続端子の側壁部だけでなくその底面部をも利用することができる。これにより、バンプと接続端子との接合面積および電気的接続面積を拡大させることができる。また、この接続端子の底面部はセラミックシートを焼成する前に埋め込んでいるので、配線をセラミックシートに埋め込む工程と同様に底面部を埋め込むことができる。そのため、焼成後のセラミックシートの表面に接続端子の底面部を形成するよりも容易にその底面部を形成することができる。
【００１０】
本発明の第２の態様のセラミック製実装基板の製造方法は、第１の態様のセラミック製実装基板の製造方法において、工程ｃにおいては、レジスト膜のパターンニング後にレジスト膜を加熱収縮させることにより、レジスト膜の高さ方向に向かってレジスト膜の幅が小さくなるようなテーパをレジスト膜の側面に形成し、工程ｄにおいては、レジスト膜のテーパに沿って側壁部をめっき形成することにより、上底が下底よりも長い等脚台形状もしくはそれに似た形状の縦断面を有する側壁部を形成することを特徴としている。ここで、等脚台形状に似た形状とは、等脚台形の脚の傾きが同程度であり、本来直線となる四辺が湾曲しているか否かを問わない４つの角を有する図形を等脚台形に似た形状とする。
【００１１】
本発明の第２の態様のセラミック製実装基板の製造方法によれば、側壁部の縦断面が前述した等脚台形状もしくはそれに似た形状に形成されることにより、その高さ方向に向かってその幅を拡大させるようなテーパを側壁部の側面に形成することができる。そのため、半導体素子に外的負荷が加えられたとしても、略Ｕ状の接続端子の内部にある半田が接続端子から抜け難くなるので、バンプと接続端子との接合強度を向上させることができる。
【００１２】
本発明の第３の態様のセラミック製実装基板の製造方法は、第１または第２の態様のセラミック製実装基板の製造方法において、工程ｄにおいてはレジスト膜の上面を覆うまでシード膜の表面をめっきすることにより上方に傘部を有する側壁部を形成することを特徴としている。
【００１３】
本発明の第３の態様のセラミック製実装基板の製造方法によれば、側壁部の傘部により略Ｕ状の接続端子の内部にある半田を接続端子から抜け難くすることができるので、バンプと接続端子との接合強度を向上させることができる。
【００１４】
本発明の第４の態様のセラミック製実装基板の製造方法は、縦断面略Ｕ状に形成される接続端子の底面となる底面部を焼成前のセラミックシートの表面に埋め込んだ後にセラミックシートを焼成する工程ａと、焼成後のセラミックシートの表面上にシード膜を形成する工程ｂと、シード膜の表面に側壁部となる側壁層を形成する工程ｇと、側壁層の表面にレジスト膜を形成してからレジスト膜をパターンニングすることにより、側壁層の表面であって側壁部の上面となる表面をレジスト膜により被覆する工程ｈと、パターンニングされたレジスト膜の形成後に外部に露出した側壁層をエッチングすることにより、側壁部を形成する工程ｉと、側壁部の形成後にレジスト膜を除去するとともに、側壁部の形成後に外部に露出したシード膜を除去する工程ｊとを備えていることを特徴としている。
【００１５】
本発明の第４の態様のセラミック製実装基板の製造方法によれば、接続端子の縦断面が略Ｕ状に形成されるので、バンプと接続端子との接合において接続端子の側壁部だけでなくその底面部をも利用することができる。そのため、バンプと接続端子との接合面積および電気的接続面積を拡大させることができる。また、底面部はセラミックシートを焼成する前に埋め込んでいるので、焼成後のセラミックシートの表面に底面部を形成するよりも容易にその底面部を形成することができる。
【００１６】
本発明の第５の態様のセラミック製実装基板の製造方法は、第４の態様のセラミック製実装基板の製造方法において、工程ｇにおいては、シード膜の表面に第１の金属層および第２の金属層を順にめっき形成することにより側壁部が形成されており、工程ｉにおいては、第２の金属層をエッチングするが第１の金属層をエッチングしない第２の金属層用エッチング液を用いて側壁層の表面層である第２の金属層のみを等方性エッチングした後に、第１の金属層をエッチングするが第２の金属層およびシード膜をエッチングしない第１の金属層用エッチング液を用いて第１の金属層のみを等方性エッチングすることにより、側壁部の上方に傘部を形成することを特徴としている。
【００１７】
本発明の第５の態様のセラミック製実装基板の製造方法によれば、縦断面略Ｕ状の接続端子の側壁部の上方に傘部が形成されるので、その側壁部の傘部により略Ｕ状の接続端子の内部にある半田を接続端子から抜け難くすることができる。これにより、バンプと接続端子との接合強度を向上させることができる。
【００１８】
本発明の第６の態様のセラミック製実装基板の製造方法は、第１から第５のいずれか１の態様のセラミック製実装基板の製造方法において、底面部は、セラミックシートの内部に埋め込まれる配線と同一の材料となるＡｇ、Ａｕ、ＣｕまたはＡｇ−Ｐｄを用いて形成されていることを特徴としている。
【００１９】
本発明の第６の態様のセラミック製実装基板の製造方法によれば、底面部および配線の材料を同一にすることにより、セラミックシートの表面に底面部を埋め込む工程とその内側に配線を埋め込む工程とを分け隔てなく同一の工程内において行なうことができる。これにより、セラミック製実装基板に係る製造工程の短縮化および簡略化を図ることができる。
【００２０】
本発明の第７の態様のセラミック製実装基板の製造方法は、第１から第６のいずれか１の態様のセラミック製実装基板の製造方法において、工程ｂにおいては、シード膜の形成前に、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐその他のＮｉを主成分とする置換用金属を底面部の表面にめっきすることにより底面部の表面層となる置換用金属層を底面部の表面に形成し、工程ｅまたは工程ｊの後の工程においては、底面部の表面を無電解Ａｕめっきすることにより、底面部の表面のＮｉをＡｕに置換して底面部の表面に接合膜を形成することを特徴としている。
【００２１】
本発明の第７の態様のセラミック製実装基板の製造方法によれば、Ａｕめっき形成された接合膜は半田の主成分となるＳｎと密着性が良いので、接続端子の底面部と半田との接合力を大きくすることができる。
【００２２】
本発明の第８の態様のセラミック製実装基板の製造方法は、第１から第７のいずれか１の態様のセラミック製実装基板の製造方法において、工程ｄまたは工程ｇにおいては、シード膜の表面にＣｕまたはＣｕを主成分とする合金その他の下地となる金属をめっきして側壁部本体、側壁層または第１の金属層を形成した後、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐその他のＮｉを主成分とする置換用金属を側壁部本体の表面もしくは側壁層の表面にめっきすることによって、または第１の金属層の表面に第２の金属層となるようにめっきすることによって、側壁部が形成されており、工程ｅまたは工程ｊの後の工程においては、側壁部の表面または第２の金属層の表面を無電解Ａｕめっきすることにより、側壁部の表面のＮｉまたは第２の金属層の表面のＮｉをＡｕに置換し、側壁部の表面に接合膜を形成することを特徴としている。
【００２３】
本発明の第８の態様のセラミック製実装基板の製造方法によれば、Ａｕめっき形成された接合膜は半田の主成分となるＳｎと密着性が良いので、接続端子の側壁部と半田との接合力を大きくすることができる。
【００２４】
本発明の第９の態様のセラミック製実装基板の製造方法は、第１から第８のいずれか１の態様のセラミック製実装基板の製造方法において、シード膜は、ＴｉもしくはＣｒを下層とし、Ｃｕを上層とする積層構造になっていることを特徴としている。
【００２５】
本発明の第９の態様のセラミック製実装基板の製造方法によれば、シード膜の下層となるＴｉもしくはＣｒは底面部に用いられるＡｇ、Ａｕ、ＣｕまたはＡｇ−Ｐｄと密着性が良く、また、その上層となるＣｕはめっきの下地材として好適な材料であるため、接続端子の底面部と側壁部との密着性を高めることができる。
【００２６】
本発明の第１０の態様のセラミック製実装基板の製造方法は、第１から第９のいずれか１の態様のセラミック製実装基板の製造方法において、接続端子は、側壁部を底面部から筒状に起立させることにより、有底四角穴または有底丸穴を有するように形成されていることを特徴としている。
【００２７】
本発明の第１０の態様のセラミック製実装基板の製造方法によれば、接合されるバンプの側面が接続端子の側壁部に囲繞されるので、バンプと接続端子との接合面積および電気的接続面積を拡大させることができる。これにより、バンプと接続端子との接合強度を向上させることができるとともに、バンプと接続端子との電気抵抗を低くすることができる。
【００２８】
また、前述した目的を達成するため、本発明のセラミック製実装基板は、その第１の態様として、配線が埋め込まれるセラミックシートと、セラミックシートの表面に埋め込まれる接続端子の底面部と、少なくとも底面部の幅方向の両側から起立している接続端子の側壁部と、底面部の表面層および側壁部の表面層として底面部の表面および側壁部の表面に形成されている置換用金属層と、底面部の表面のＮｉおよび側壁部の表面のＮｉをＡｕに置換することにより底面部の表面および側壁部の表面に形成されている接合膜とを備えていることを特徴としている。
【００２９】
本発明の第１の態様のセラミック製実装基板によれば、接続端子の縦断面が略Ｕ状になるので、バンプと接続端子との接合面積および電気的接続面積を拡大させることができる。これにより、バンプと接続端子との接合強度を向上させることができるとともに、バンプと接続端子との電気抵抗を低くすることができる。
【００３０】
本発明の第２の態様のセラミック製実装基板は、第１の態様のセラミック製実装基板において、側壁部は、その高さ方向に向かってその幅が大きくなるようなテーパまたはその上方においてその幅方向に広がる傘部を有していることを特徴としている。
【００３１】
本発明の第２の態様のセラミック製実装基板によれば、縦断面略Ｕ状の接続端子の入り口が狭くなるため、接続端子に接合されたバンプが抜け難くなるので、半導体素子に外的負荷が加えられたとしてもバンプが接続端子から剥離してしまうことを防止することができる。
【００３２】
本発明の第３の態様のセラミック製実装基板は、第１または第２の態様のセラミック製実装基板において、接続端子は、側壁部を底面部から筒状に起立させることにより、有底四角穴または有底丸穴を有するように形成されていることを特徴としている。
【００３３】
本発明の第３の態様のセラミック製実装基板によれば、接合されるバンプの側面が接続端子の側壁部に囲繞されるので、バンプと接続端子との接合面積および電気的接続面積を拡大させることができる。これにより、バンプと接続端子との接合強度を向上させることができるとともに、バンプと接続端子との電気抵抗を低くすることができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明のセラミック製実装基板の製造方法によれば、縦断面略Ｕ状の接続端子の底面部を内層に埋め込まれる配線と同様に焼成前のセラミックシートの表面に埋め込んでいるので、セラミック製実装基板の製造工程や作業内容、作業時間をほとんど変更することなく接合強度および電気的接続に優れた接続端子を有するセラミック製実装基板を製造することができるという効果を奏する。
【００３５】
また、本発明のセラミック製実装基板によれば、バンプと接合させる接続端子の縦断面が略Ｕ状になっていることから、接合面積および電気的接続面積を拡大させることができるので、バンプと接続端子との接続面積を減少させることなくそれらの接続強度を向上させることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、図１から図７を用いて、本発明のセラミック製実装基板およびその製造方法をその第１から第３の実施形態により説明する。
【００３７】
はじめに、図１および図２を用いて、第１の実施形態のセラミック製実装基板１Ａを説明する。図１は、第１の実施形態のセラミック製実装基板１Ａに半導体素子３０が搭載された状態の平面図を示しており、図２は図１の２−２矢視断面図を示している。なお、図２に現される第１の実施形態のセラミック製実装基板１Ａに係る複数のセラミックシート２０については、接続端子２Ａが形成される表面層のセラミックシート２０Ａおよびその下層のセラミックシート２０Ｂのみを示している。
【００３８】
第１の実施形態のセラミック製実装基板１Ａは、図１および図２に示すように、セラミックシート２０、配線２１および接続端子２Ａを備えている。
【００３９】
第１の実施形態のセラミックシート２０は、ガラス粉末およびセラミック粉末を混合して得た原料粉末を有機系バインダおよび溶剤と混合することによりスラリー状にし、それをＰＥＴフィルム上に均一の厚さに塗布してから乾燥させ、その後に焼成したＬＴＣＣである。セラミック製実装基板１Ａにおいては、図２に示すように、セラミックシート２０の焼成前に、Ａｇ、Ａｕ、ＣｕまたはＡｇ−Ｐｄの良導電性金属をセラミックシート２０の表面に印刷することによってそのセラミックシート２０の表面に配線２１を埋め込み、その後にそのセラミックシート２０を他のセラミックシート２０とともに積層させることにより、セラミック製実装基板１Ａの内層に配線２１が埋め込まれる。
【００４０】
接続端子２Ａは、図１および図２に示すように、平板状の底面部３およびその幅方向の両側から起立している側壁部４Ａにより、縦断面略Ｕ状（第１の実施形態においては側壁部４Ａが少なくともその内側の側面にテーパ４Ａａを有しているため、両側壁部４Ａの内側が先端に向けてすぼんだ閉じたＵ状）に形成されている。この接続端子２Ａは、積層された複数のセラミックシート２０のうちの表面層にあたるセラミックシート２０Ａの表面にその底面部３の全部もしくは一部が埋め込まれることにより、セラミック製実装基板１Ａの表面に露出して複数配設されている。
【００４１】
また、第１の実施形態の接続端子２Ａの側壁部４Ａは、その高さ方向に向かってその幅が大きくなるようなテーパ４Ａａを有している。このテーパ４Ａａが側壁部４Ａの両側面に形成されることにより、側壁部４Ａの縦断面は、上底が下底よりも長い等脚台形に似た形状（第１の実施形態の側壁部４Ａにおいては等脚台形の上底および下底が凸に湾曲した形状）になっている。
【００４２】
さらに、接続端子２Ａの底面部３の表面および側壁部４Ａの表面には、底面部３の表面層および側壁部４Ａの表面層としてＮｉやＮｉ−Ｐなどの置換用金属層５が形成されている。そして、その底面部３の表面のＮｉおよび側壁部４Ａの表面のＮｉをＡｕに置換することにより、底面部３の表面および側壁部４Ａの表面にＡｕ接合膜６が形成されている。
【００４３】
次に、図３を用いて、第１の実施形態のセラミック製実装基板１Ａの製造方法を説明する。ここで、図３は、図１の２−２矢視方向から見た第１の実施形態のセラミック製実装基板１Ａの製造工程をＡ〜Ｉの順に示している。第１の実施形態のセラミック製実装基板１Ａは主として工程ａ〜工程ｅを経て製造される。
【００４４】
工程ａにおいては、図３Ａに示すように、縦断面略Ｕ状に形成される接続端子２Ａの底面となる底面部３を焼成前のセラミックシート２０の表面に印刷し、ＷＩＰ（Warm Isostatic Press：温水による等方圧プレス）による埋込を行なうことにより、焼成前のセラミックシート２０の表面に底面部３を埋め込む。この底面部３は、セラミックシート２０の内部に埋め込まれる配線２１と同一の材料となるＡｇ、Ａｕ、ＣｕまたはＡｇ−Ｐｄを用いて形成されていることが好ましい。また、この工程ａは焼成前のセラミックシート２０に配線２１を埋め込む工程と同一内容の工程になるため、配線２１の埋込工程とともに行なうことが好ましい。
【００４５】
工程ｂにおいては、図３Ｂに示すように、Ｎｉ−Ｐを置換用金属として底面部３の表面に電気めっきまたは無電解めっきすることにより、底面部３の表面層となる置換用金属層５を底面部３の表面に形成する。ここで、置換用金属は、Ｎｉ−Ｐのほか、Ａｕと置換することができるＮｉまたはＮｉを主成分とする金属であってもよい。また、この置換用金属層５はＡｕ接合膜６の形成に必要になるものであるが、この接合膜６は接続端子２Ａの形成に必ずしも必要なものではない。そのため、接合膜６を形成しない場合は置換用金属層５を底面部３の表面に形成しなくてもよい。
【００４６】
そして、図３Ｃに示すように、この置換用金属層５の形成後（置換用金属層５を形成しない場合はセラミックシート２０の焼成後）、底面部３を表面に有するセラミックシート２０の表面上にシード膜７を形成する。このシード膜７は、図示はしないが、ＴｉもしくはＣｒを下層とし、Ｃｕを上層とする積層構造になっており、スパッタにより形成されている。
【００４７】
工程ｃにおいては、図３Ｄに示すように、シード膜７の表面にレジスト膜８を形成する。そして、図３Ｅに示すように、レジスト膜８をパターンニングすることにより、底面部３の上方に位置するシード膜７の表面であって略Ｕ状の接続端子２Ａの側壁となる側壁部４Ａが形成される面７ａを外部に露出させるとともに、側壁部４Ａが形成される面７ａ以外の面を被覆する。側壁部４Ａにテーパ４Ａａを形成しない場合は工程ｄに移るが、第１の実施形態においては側壁部４Ａにテーパ４Ａａを形成するため、図３Ｆに示すように、レジスト膜８のパターンニング後にレジスト膜８を加熱収縮させることにより、レジスト膜８の高さ方向に向かってレジスト膜８の幅が小さくなるようなテーパ８ａをレジスト膜８の側面に形成する。
【００４８】
工程ｄにおいては、図３Ｇに示すように、パターンニングされたレジスト膜８の形成後に外部に露出しているシード膜７の表面７ａを電気めっきすることにより、シード膜７の表面７ａに側壁部４Ａを形成する。この側壁部４Ａの縦断面は、レジスト膜８のテーパ８ａに沿って側壁部４Ａをめっき形成することにより、上底が下底よりも長い等脚台形に似た形状になる。第１の実施形態の側壁部４Ａにおいては、図３Ｇに示すように、シード膜７の表面７ａにＣｕまたはＣｕを主成分とする合金その他の下地となる金属を電気めっきして側壁部本体９Ａを最初に形成する。その後、側壁部本体９Ａの表面に、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐその他のＮｉを主成分とする置換用金属を電気めっきまたは無電解めっきすることにより、置換用金属層５を形成している。
【００４９】
工程ｅにおいては、図３Ｈに示すように、側壁部４Ａの形成後にレジスト膜８をレジスト除去剤により除去する。そして、図３Ｉに示すように、レジスト膜８の除去により外部に露出したシード膜７をイオンミリングにより除去する。なお、このシード膜７の除去は、イオンミリングの代わりに、硫酸第二鉄を含有する硫酸系エッチング液、塩化第二鉄を含有する塩酸系エッチング液その他のＣｕエッチング液を用いた後に、水酸化カリウムもしくは水酸化ナトリウムを含有する過水系エッチング液その他のＴｉエッチング液もしくはＣｒエッチング液を用いて行なっても良い。
【００５０】
そして、第１の実施形態のセラミック製実装基板１Ａの製造方法においては、選択的な工程として、工程ｅの後の工程となる工程ｆを備えている。この工程ｆにおいては、図３Ｉに示すように、底面部３の表面および側壁部４Ａの表面を無電解Ａｕめっきすることにより、底面部３の表面のＮｉおよび側壁部４Ａの表面のＮｉをＡｕに置換して底面部３の表面および側壁部４Ａの表面に接合膜６を形成する。接合膜６を必要とする場合は工程ｆの終了によりセラミック製実装基板１Ａの製造工程が全て終了し、接合膜６を必要としない場合は工程ｅの終了によりセラミック製実装基板１Ａの製造工程が全て終了する。
【００５１】
次に、図１から図３を用いて、第１の実施形態のセラミック製実装基板１Ａおよびその製造方法の作用を説明する。
【００５２】
第１の実施形態のセラミック製実装基板１Ａは、図１および図２に示すように、セラミックシート２０の表面に底面部３が埋め込まれており、その底面部３の幅方向の両側から側壁部４Ａが起立している。そのため、接続端子２Ａの縦断面が略Ｕ状になるので、バンプ（第１の実施形態においては半田バンプ３１となっているため、接合により突起形状が略Ｕ状の接続端子２Ａの内部形状に合わせて変形している。）と接続端子２Ａとの接合面積および電気的接続面積を拡大させることができる。これにより、従来のセラミック製実装基板１０１と比較して、半田バンプ３１と接続端子２Ａとの接合強度を向上させることができるとともに、半田バンプ３１と接続端子２Ａとの電気抵抗を低くすることができる。
【００５３】
また、第１の実施形態の側壁部４Ａにおいては、その高さ方向に向かってその幅が大きくなるようなテーパ４Ａａが形成されているので、接続端子２Ａの縦断面についてはその内側の側面がすぼんだような閉じた略Ｕ状となり、その入り口が狭くなる。そのため、接続端子２Ａに接合された半田バンプ３１が抜け難くなるので、半導体素子３０に外的負荷が加えられたとしても接続端子２Ａから半田バンプ３１が剥離してしまうことを防止することができる。
【００５４】
さらに、接続端子２Ａの底面部３の表面および側壁部４Ａの表面にはそれらの表面層として置換用金属層５が形成されており、底面部３の表面のＮｉおよび側壁部４Ａの表面のＮｉをＡｕに置換することにより底面部３の表面および側壁部４Ａの表面に接合膜６が形成されている。そのため、接続端子２Ａと半田バンプ３１との密着性が向上するので、接合膜６が形成されていない場合と比較して半田バンプ３１と接続端子２Ａとの接合強度を向上させることができる。
【００５５】
このセラミック製実装基板１Ａを製造するため、第１の実施形態の工程ａにおいては、図３Ａに示すように、接続端子２Ａの底面部３を焼成前のセラミックシート２０の表面に埋め込んでからセラミックシート２０を焼成している。ここで、セラミックシート２０に埋め込まれる底面部３および配線２１は、名称や形状こそ異なるものの、印刷およびＷＩＰにより焼成前のセラミックシート２０に埋め込まれる金属という観点からは同じである。つまり、セラミックシート２０に配線２１を埋め込む工程と同様にして底面部３を埋め込むことができるので、焼成後のセラミックシート２０の表面に接続端子２Ａの底面部３をスパッタして形成するよりも容易にその底面部３を形成することができる。
【００５６】
また、工程ａにおいて、底面部３はセラミックシート２０の内部に埋め込まれる配線２１と同一の材料となるＡｇ、Ａｕ、ＣｕまたはＡｇ−Ｐｄを用いて形成されている。そのため、セラミックシート２０の表面に底面部３を埋め込む工程とその内側に配線２１を埋め込む工程とを分け隔てなく同一の工程内において行なうことができるので、セラミック製実装基板１Ａに係る製造工程の短縮化および簡略化を図ることができる。
【００５７】
さらに、第１の実施形態の工程ｂにおいては、図３Ｂおよび図３Ｃに示すように、シード膜７の形成前に置換用金属層５が底面部３の表面に電気めっき形成されている。また、シード膜７の除去工程の後の工程となる工程ｆにおいては、図２および図３Ｉに示すように、底面部３の表面を無電解Ａｕめっきして底面部３の表面に置換用金属層５を介して接合膜６が形成されている。Ａｕ接合膜６は半田の主成分となるＳｎと密着性が良いので、接続端子２Ａの底面部３と半田（半田バンプ３１）との接合力を大きくすることができる。
【００５８】
このシード膜７については、図３Ｇに示すように、工程ｄにおいて底面部３に側壁部４Ａを電気めっき形成するために重要な役割を果たす。このシード膜７は、図示はしないが、ＴｉもしくはＣｒを下層とし、Ｃｕを上層とする積層構造になっている。下層となるＴｉもしくはＣｒは底面部３に用いられるＡｇ、Ａｕ、ＣｕまたはＡｇ−Ｐｄと密着性が良い。また、その上層となるＣｕはめっきの下地材として好適な材料である。そのため、シード膜７を形成することにより、接続端子２Ａの底面部３と側壁部４Ａとの密着性を高めることができる。
【００５９】
そして、その側壁部４Ａの形成に必要なレジスト膜８の形成工程となる工程ｃにおいては、図３Ｆに示すように、レジスト膜８のパターンニング後にレジスト膜８を加熱収縮させている。レジスト膜８を加熱収縮すると、レジスト膜８の高さ方向に向かってレジスト膜８の幅が小さくなるようなテーパ８ａがレジスト膜８の側面に形成される。そのため、図３Ｇに示すように、工程ｄにおいてレジスト膜８のテーパ８ａに沿って側壁部４Ａをめっき形成することにより、側壁部４Ａの縦断面を上底が下底よりも長い等脚台形に似た形状に形成することができる。このような縦断面形状により、図２に示すように、その高さ方向に向かってその幅を拡大させるようなテーパ４Ａａが側壁部４Ａの両側面に形成されるので、半導体素子３０に外的負荷が加えられたとしても略Ｕ状の接続端子２Ａの内部にある変形した半田（第１の実施形態においては溶融変形した半田バンプ３１）が接続端子２Ａから抜け難くなり、半田（半田バンプ３１）と接続端子２Ａとの接合強度を向上させることができる。
【００６０】
また、工程ｄにおいては、図３Ｇに示すように、シード膜７の表面にＣｕまたはＣｕを主成分とする合金その他の下地となる金属を電気めっきして側壁部本体９Ａを形成した後、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐその他のＮｉを主成分とする置換用金属層５を側壁部本体９Ａの表面に電気めっきまたは無電解めっきすることによって側壁部４Ａが形成されている。そして、図３Ｉに示すように、シード膜７の除去工程（工程ｅ）の後に行なわれる工程ｆにおいては、側壁部４Ａの表面を無電解Ａｕめっきすることにより、側壁部４Ａの表面のＮｉをＡｕに置換し、側壁部４Ａの表面に接合膜６を形成している。底面部３に形成される接合膜６と同様、側壁部４Ａに形成されたＡｕ接合膜６は半田の主成分となるＳｎと密着性が良いので、接続端子２Ａの側壁部４Ａと半田との接合力を大きくすることができる。
【００６１】
次に、図４および図５を用いて、第２の実施形態のセラミック製実装基板１Ｂおよびその製造方法を説明する。ここで、図４は、図１の２−２矢視方向と同様の方向から見た第２の実施形態のセラミック製実装基板１Ｂの断面図を示している。また、図５は、図１の２−２矢視方向と同様の方向から見た第２の実施形態のセラミック製実装基板１Ｂの製造工程をＡ〜Ｈの順に示している。なお、図４に現される第２の実施形態のセラミック製実装基板１Ｂに係る複数のセラミックシート２０については、接続端子２Ｂが形成される表面層のセラミックシート２０Ａおよびその下層のセラミックシート２０Ｂのみを示している。
【００６２】
第２の実施形態のセラミック製実装基板１Ｂは、図４に示すように、セラミックシート２０、配線２１および接続端子２Ｂを備えている。第１の実施形態と第２の実施形態との相違点は接続端子２Ｂの側壁部４Ｂの形状であり、その他の底面部３ならびにセラミックシート２０および配線２１について相違点はない。そのため、接続端子２Ｂの側壁部４Ｂおよびその形成工程について重点的に説明する。
【００６３】
接続端子２Ｂの側壁部４Ｂは、図４に示すように、きのこの縦断面形状のようにその上方においてその幅方向に広がる傘部１０Ｂを有している。第２の実施形態の側壁部４Ｂにおいてはテーパを有しない側壁部本体９Ｂの上端に傘部１０Ｂが形成された縦断面形状になっている。ただし、図示はしないが、その高さ方向に向かってその幅を拡大させるようなテーパ（第１の実施形態を参照）が側壁部本体９Ｂの両側面に形成されていてもよい。
【００６４】
第２の実施形態のセラミック製実装基板１Ｂは、図５Ａ〜Ｈに示すように、主として工程ａから工程ｅを経て形成される。これら工程ａから工程ｅの一連の流れは第１の実施形態と同様であるが、工程ｃおよび工程ｄにおいて第１の実施形態との相違点がある。
【００６５】
工程ａにおいては、図５Ａに示すように、接続端子２Ｂの底面部３を焼成前のセラミックシート２０の表面に埋め込んだ後にセラミックシート２０を焼成する。工程ｂにおいては、図５Ｂに示すように、セラミックシート２０の焼成後に底面部３の表面に置換用金属層５を形成するとともに、図５Ｃに示すように、置換用金属層５の形成後にセラミックシート２０の表面にシード膜７を形成する。
【００６６】
工程ｃにおいては、図５Ｄに示すように、シード膜７の表面にレジスト膜８を形成してから、図５Ｅに示すように、レジスト膜８をパターンニングすることにより、底面部３の上方に位置するシード膜７の表面であって略Ｕ状の接続端子２Ｂの側壁となる側壁部４Ｂが形成される面７ａを外部に露出させるとともに、側壁部４Ｂが形成される面７ａ以外の面を被覆する。第２の実施形態においては側壁部４Ｂの少なくとも内側の側面にテーパを形成しないので、レジスト膜８を加熱収縮させない。ただし、前述したように、第１の実施形態と同様、レジスト膜８を加熱収縮させてレジスト膜８の側面にテーパを形成してもよい（図３Ｆ参照）。
【００６７】
工程ｄにおいては、図５Ｆに示すように、パターンニングされたレジスト膜８の形成後に外部に露出しているシード膜７の表面７ａを電気めっきすることにより、シード膜７の表面に側壁部４Ｂを形成する。その際の電気めっきについては、図５Ｆに示すように、側壁部４Ｂがレジスト膜８の上面を部分的に覆うまでシード膜７の表面をめっきする。これにより、上方に傘部１０Ｂを有する側壁部４Ｂが形成される。なお、工程ｃにおいてレジスト膜８の側面にテーパが形成されている場合は、工程ｄにおいてはテーパ（図３Ｇ参照）および傘部１０Ｂを有する側壁部４Ｂが形成される。
【００６８】
この側壁部４Ｂは、第１の実施形態と同様、シード膜７の表面にＣｕまたはＣｕを主成分とする合金その他の下地となる金属を電気めっきして側壁部本体９Ｂを形成した後、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐその他のＮｉを主成分とする置換用金属層５を側壁部本体９Ｂの表面に電気めっきまたは無電解めっきすることによって形成されている。ここで、側壁部４Ｂの傘部１０Ｂは、図示はしないが側壁部本体９Ｂに係る金属層と置換用金属層５との二層構造であっても良いし、図５Ｆに示すような置換用金属層５のみの単層構造であっても良い。
【００６９】
工程ｅにおいては、第１の実施形態と同様、図５Ｇに示すように、側壁部４Ｂの形成後にレジスト膜８を除去するとともに、図５Ｈに示すように、レジスト膜８の除去により外部に露出したシード膜７を除去する。その後、選択的な工程である工程ｆにおいては、図５Ｈに示すように、底面部３の置換用金属層５のＮｉおよび側壁部４Ｂの置換用金属層５のＮｉをＡｕに置換し、底面部３の表面および側壁部４Ｂの表面に接合膜６を形成する。
【００７０】
次に、図４および図５を用いて、第２の実施形態のセラミック製実装基板１Ｂおよびその製造方法の作用を説明する。なお、第２の実施形態に係る作用は第１の実施形態に係る作用との共通点もあるため、第１の実施形態に係る作用との相違点のみを説明する。
【００７１】
第２の実施形態のセラミック製実装基板１Ｂに係る側壁部４Ｂは、図４に示すように、その上方においてその幅方向に広がる傘部１０Ｂを有している。この傘部１０Ｂを有することにより、縦断面略Ｕ状を形成する両側の接続端子２Ｂの入り口が狭くなるため、接続端子２Ｂに接合された半田バンプ３１がその傘部１０Ｂに引っかかって抜け難くなる。そのため、半導体素子３０に外的負荷が加えられたとしても半田バンプ３１が接続端子２Ｂから剥離してしまうことを防止することができる。
【００７２】
また、第２の実施形態のセラミック製実装基板１Ｂの製造方法に係る工程ｄにおいては、図５Ｆに示すように、レジスト膜８の上面を覆うまでシード膜７の表面をめっきすることにより、側壁部４Ｂの上方に傘部１０Ｂを形成している。この側壁部４Ｂの傘部１０Ｂにより、図４に示すように、略Ｕ状の接続端子２Ｂの内部にある半田（第２の実施形態においては溶融変形した半田バンプ３１）を接続端子２Ｂから抜け難くすることができる。
【００７３】
次に、図６および図７を用いて、第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ｃおよびその製造方法を説明する。ここで、図６は、図１の２−２矢視方向と同様の方向から見た第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ｃの断面図を示している。また、図７は、図１の２−２矢視方向と同様の方向から見た第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ｃの製造工程をＡ〜Ｊの順に示している。なお、図６に現される第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ｃに係る複数のセラミックシート２０については、接続端子２Ｃが形成される表面層のセラミックシート２０Ａおよびその下層のセラミックシート２０Ｂのみを示している。
【００７４】
第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ｃは、図６に示すように、セラミックシート２０、配線２１および接続端子２Ｃを備えている。また、接続端子２Ｃの側壁部４Ｃには傘部１０Ｃが形成されている。これらセラミックシート２０、配線２１および接続端子２Ｃは第２の実施形態と同様である。すなわち、第２の実施形態と第３の実施形態との相違点は製造工程にあり、その製造工程の違いによって接続端子２Ｃの側壁部４Ｃの外観にわずかな違いが生じるが、その側壁部４Ｃの機能的形状には相違点はない。そのため、セラミック製実装基板１Ｃの製造方法について重点的に説明する。
【００７５】
第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ｃは、図７Ａ〜Ｊに示すように、主として工程ａおよび工程ｂならびに工程ｇから工程ｊを経て形成される。工程ａおよび工程ｂについては第２の実施形態と同様であるが、工程ｇから工程ｊについては第２の実施形態と異なる。
【００７６】
工程ａにおいては、図７Ａに示すように、接続端子２Ｃの底面部３を焼成前のセラミックシート２０の表面に埋め込んだ後にセラミックシート２０を焼成する。工程ｂにおいては、図７Ｂに示すように、セラミックシート２０の焼成後に底面部３の表面に置換用金属層５を形成する。置換用金属層５は、第２の実施形態と同様、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉまたはその他のＮｉを主成分として形成されている。そして、図７Ｃに示すように、置換用金属層５の形成後にセラミックシート２０の表面にシード膜７を形成する。このシード膜７も第２の実施形態と同様、ＴｉもしくはＣｒを下層とし、Ｃｕを上層とする積層構造になっている。
【００７７】
工程ｇにおいては、図７Ｄに示すように、シード膜７の表面に側壁部４Ｃとなる側壁層１１を形成する。その際、第２の実施形態の工程ｃとは異なり、レジスト膜８をシード膜７の表面に形成しない（図５Ｄを参照）。ここで、この側壁層１１は、シード膜７の表面に第１の金属層１２を積層し、その第１の金属層１２の表面に第２の金属層１３をめっきすることによって形成されている。この第１の金属層１２は、ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金をシード膜７の表面に電気めっきして形成されるものであり、第２の実施形態の側壁部本体９Ｂと同様の材料を用いて形成されている。ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金の代替金属としては、めっきの下地として好適な金属を用いても良い。また、第２の金属層１３は、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐその他のＮｉを主成分とする置換用金属を第１の金属層１２の表面に電気めっきまたは無電解めっきして形成されるものであり、第２の実施形態の置換用金属層５と同様の材料を用いて形成されている。
【００７８】
工程ｈにおいては、図７Ｅに示すように、側壁層１１の表面にレジスト膜８を形成する。そして、図７Ｆに示すように、そのレジスト膜８をパターンニングすることにより、側壁層１１の表面であって側壁部４Ｃの上面（図１および図６を参照）となる表面１１ａをレジスト膜８により被覆する。
【００７９】
工程ｉにおいては、図７Ｇおよび図７Ｈに示すように、パターンニングされたレジスト膜８の形成後、外部に露出した側壁層１１をエッチングすることにより、側壁部４Ｃを形成する。側壁層１１のエッチングについては、第３の実施形態とは異なりその側壁層１１を形成する第２の金属層１３および第１の金属層１２の両層を同時にエッチングするエッチング液を用いて行なっても良い。しかし、第３の実施形態の工程ｉにおいては、第１の金属層１２または第２の金属層１３のいずれか一層をエッチングするエッチング液を用いてそれぞれの層を個別にエッチングすることにより、等方性エッチングの性質を利用して側壁部４Ｃの上方に図７Ｈに示すような傘部１０Ｃを形成している。
【００８０】
すなわち、第３の実施形態の工程ｉにおいては、はじめに、図７Ｇに示すように、第２の金属層１３をエッチングするが第１の金属層１２をエッチングしない第２の金属層用エッチング液を用いて側壁層１１の表面層である第２の金属層１３のみを等方性エッチングする。これにより、第２の金属層１３においては、エッチングされやすいレジスト膜８の下方部分の幅がレジスト膜８の幅よりも狭くなるようなエッチングがされるとともに、エッチングされにくい第１の金属層１２の上方部分の幅がレジスト膜８の下方部分と比較して広がるようなエッチングがされる。そのため、第２の金属層１３が傘部１０Ｃとなるようにエッチングされる。ここで、第２の金属層１３はＮｉ、Ｎｉ−Ｐその他のＮｉを主成分とする置換用金属であるため、この第２の金属層用エッチング液としては、硫酸および塩酸を含有する硫酸系エッチング液、塩化第二鉄を含有する塩酸系エッチング液などのＮｉエッチング液もしくはＮｉ−Ｐエッチング液またはＮｉを主成分とする置換用金属に対するエッチング液が用いられている。
【００８１】
また、第２の金属層１３のエッチング終了後においては、第１の金属層１２をエッチングするが第２の金属層１３およびシード膜７をエッチングしない第１の金属層用エッチング液を用いて、第１の金属層１２のみを等方性エッチングする。これにより、第１の金属層１２においては、エッチングされやすい第２の金属層１３の下方部分の幅が傘部１０Ｃとなる第２の金属層１３の幅よりも狭くなるようなエッチングがされるとともに、シード膜７の上方部分の幅が傘部１０Ｃとなる第２の金属層１３の下方部分と比較して広がるようなエッチングがされる。そのため、傘部１０Ｃとなる第２の金属層１３を支持する側壁部本体９Ｃとなるように第１の金属層１２がエッチングされる。ここで、第１の金属層１２はＣｕまたはＣｕを主成分とする合金であるため、この第１の金属層用エッチング液としては、硫酸第二鉄を含有する硫酸系エッチング液、塩化第二鉄を含有する塩酸系エッチング液、過硫酸アンモニウム系エッチング液、塩化第二銅系エッチング液その他のＣｕエッチング液が用いられている。
【００８２】
工程ｊにおいては、図７Ｉに示すように、側壁部４Ｃの形成後にレジスト膜８を除去する。そして、レジスト膜８の除去後、図７Ｊに示すように、側壁部４Ｃの形成後、すなわち第１の金属層１２のエッチング後、外部に露出したシード膜７を除去する。このレジスト膜８の除去およびシード膜７の除去は、第２の実施形態の工程ｅにおいて行なわれる手法と同様にして行なわれる。
【００８３】
そして、第２の実施形態と同様、第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ｃの製造方法においては、選択的な工程として工程ｊの後の工程となる工程ｋ（工程ｆと同工程）を備えている。この工程ｋにおいては、図７Ｊに示すような底面部３の表面および側壁部４Ｃの表面（すなわち第２の金属層１３の表面）を無電解Ａｕめっきすることにより、底面部３の表面のＮｉおよび側壁部４Ｃの表面のＮｉをＡｕに置換して底面部３の表面および側壁部４Ｃの表面に接合膜６を形成する。第２の実施形態と同様、接合膜６を必要とする場合は工程ｋの終了によりセラミック製実装基板１Ｃの製造工程が全て終了し、接合膜６を必要としない場合は工程ｊの終了によりセラミック製実装基板１Ｃの製造工程が全て終了する。
【００８４】
次に、図６および図７を用いて、第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ｃおよびその製造方法の作用を説明する。なお、第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ｃに係る作用は第２の実施形態のセラミック製実装基板１Ｂに係る作用と共通している。また、第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ｃの製造方法に係る作用は第２の実施形態のセラミック製実装基板１Ｂの製造方法に係る作用と共通する点もある。そのため、第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ｃおよびその製造方法に係る作用については、第２の実施形態のセラミック製実装基板１Ｂおよびその製造方法との相違点のみを詳細に説明する。
【００８５】
第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ｃは、図６に示すように、セラミックシート２０、配線２１および接続端子２Ｃを備えている。第２の実施形態と同様、接続端子２Ｃの縦断面が略Ｕ状に形成されているので、半田バンプ３１と接続端子２Ｃとの接合において接続端子２Ｃの側壁部４Ｃだけでなくその底面部３をも利用することができる。そのため、半田バンプ３１と接続端子２Ｃとの接合面積および電気的接続面積を拡大させることができる。
【００８６】
また、この底面部３は、図７Ａに示すように、工程ａにおいてセラミックシート２０を焼成する前に埋め込まれている。そのため、焼成後のセラミックシート２０の表面に底面部３を形成するよりも容易にその底面部３を形成することができる。
【００８７】
さらに、この側壁部４Ｃは、図６に示すように、その上方においてその幅方向に広がる傘部１０Ｃを有している。第２の実施形態の工程ｄにおいては、図５Ｆに示すように、めっきの高さをレジスト膜８の高さよりも高くすることにより側壁部４Ｂに傘部１０Ｂを形成している。しかし、第３の実施形態の工程ｉにおいては、図７Ｇおよび図７Ｈに示すように、第１の金属層１２および第２の金属層１３による側壁部４Ｃの積層構造および異なるエッチング液による等方性エッチングを利用して側壁部４Ｃに傘部１０Ｃを形成している。この傘部１０Ｃの形成により、図６に示すように、縦断面略Ｕ状の接続端子２Ｃの入り口が狭くなるため、接続端子２Ｃに接合された半田バンプ３１が抜け難くなる。そのため、半導体素子３０に外的負荷が加えられたとしても半田バンプ３１が接続端子２Ｃから剥離してしまうことを防止することができる。
【００８８】
ここで、これら底面部３においては、図７Ｂに示す工程ｂを経ることにより、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐその他のＮｉを主成分とする置換用金属層５が底面部３の表面層として形成される。また、側壁部４Ｃにおいては、図７Ｄに示す工程ｇを経ることにより、前述した置換用金属層５の役割を果たす第２の金属層１３が形成される。そして、図７Ｊに示す工程ｋにおいて、この置換用金属層５のＮｉおよび第２の金属層１３のＮｉがＡｕと置換することにより、底面部３の表面および側壁部４Ｃの表面にＡｕ接合膜６が形成される。このＡｕ接合膜６は、図６に示すように、第２の実施形態と同様、半田（第３の実施形態においては半田バンプ３１）の主成分となるＳｎと密着性が良いので、接続端子２Ｃの底面部３および側壁部４Ｃと半田との接合力を大きくすることができる。
【００８９】
すなわち、第１から第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ａ〜１Ｃによれば、半田バンプ３１と接合させる接続端子２Ａ〜２Ｃの縦断面が略Ｕ状になっていることから、接合面積および電気的接続面積を拡大させる。そのため、従来のセラミック製実装基板１０１と比較して、半田バンプ３１と接続端子２Ａ〜２Ｃとの接続面積を減少させることなくそれらの接続強度を向上させることができる。
【００９０】
また、第１から第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ａ〜１Ｃの製造方法によれば、縦断面略Ｕ状の接続端子２Ａ〜２Ｃの底面部３を内層に埋め込まれる配線２１と同様に焼成前のセラミックシート２０の表面に埋め込んでいるので、セラミック製実装基板１Ａ〜１Ｃの製造工程や作業内容、作業時間をほとんど変更することなく接合強度および電気的接続に優れた接続端子２Ａ〜２Ｃを有するセラミック製実装基板１Ａ〜１Ｃを製造することができる。
【００９１】
なお、本発明は、前述した実施形態などに限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。
【００９２】
例えば、第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ｃにおいては、側壁部４Ｃに傘部１０Ｃを形成するため、図７Ｄに示す工程ｇにおいて側壁層１１が二層構造になっている。ここで、他の実施形態において図６に示すような傘部１０Ｃを形成しない場合、図７Ｄに示すような側壁層１１を第１の金属層１２と同様の層のみによる単層構造にしても良い。その際、工程ｇにおいては、ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金からなる側壁層１１を形成した後、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐその他のＮｉを主成分とする置換用金属を置換用金属層５として側壁層１１の表面に無電解めっきすることによって側壁部が形成されていることが好ましい（この場合、置換用金属層５の膜厚は薄く形成されるため、傘部１０Ｃを形成するための第２の金属層１３とはなり得ない。）。
【００９３】
また、側壁層１１を単層構造にする場合、図７Ｈに示す工程ｉ（側壁層１１のエッチング工程）においては、接続端子の縦断面を開いた略Ｕ状ではなく、底面部３と側壁部４Ｃとのなす角が９０°となる正確なＵ状に近づけるため、側壁層１１を等方性エッチングするのではなく、異方性エッチングすることが好ましい。
【００９４】
また、第１から第３の実施形態に係る接続端子の縦断面は、図２、図４および図６に示すように、１つの底面部３の幅方向の両側から２つの側壁部４Ａ〜４Ｃがそれぞれ起立した１つの略Ｕ状になっている。しかし、他の実施形態においては、図８に示すように、１つの底面部３の幅方向の両側およびその内側の面から３個以上の側壁部４Ｄが並列して起立している２個以上の並列した略Ｕ状になっていてもよい。
【００９５】
さらに、本発明に係る接続端子については、その縦断面が略Ｕ状であればよい。そのため、図９または図１０に示すように、長方形または円形の底面部３の周縁に側壁部４Ｅ、４Ｆがめっき形成されて側壁部４Ｅ、４Ｆが底面部３から筒状に起立することにより、接続端子２Ｅ、２Ｆが有底四角穴１５または有底丸穴１６を有するように形成されていてもよい。この場合、図９の２−２矢視方向および図１０の２−２矢視方向は図２と同様になり、有底四角穴１５または有底丸穴１６を有する接続端子２Ｅ、２Ｆの縦断面の形状は、第１から第３の実施形態のセラミック製実装基板１Ａ〜１Ｃに係る接続端子２Ａ〜２Ｃの縦断面の形状と同様に略Ｕ状となる。また、有底四角穴１５または有底丸穴１６を有する接続端子２Ｅ、２Ｆを形成することにより、接合される半田バンプ３１の側面が接続端子２Ｅ、２Ｆの側壁部４Ｅ、４Ｆに囲繞されるので、半田バンプ３１と接続端子２Ｅ、２Ｆとの接合面積および電気的接続面積を拡大させることができる。これにより、半田バンプ３１と接続端子２Ｅ、２Ｆとの接合強度を向上させることができるとともに、半田バンプ３１と接続端子２Ｅ、２Ｆとの電気抵抗を低くすることができる。
【００９６】
そして、セラミックシート２０については、ＬＴＣＣのほかにもＨＴＣＣも当然に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】第１の実施形態のセラミック製実装基板に半導体素子が搭載された状態を示す平面図
【図２】図１の２−２矢視断面図
【図３】図１の２−２矢視方向から見た第１の実施形態のセラミック製実装基板の製造工程をＡ〜Ｉの順に示す縦断面図
【図４】第２の実施形態のセラミック製実装基板を示す縦断面図
【図５】第２の実施形態のセラミック製実装基板の製造工程をＡ〜Ｈの順に示す縦断面図
【図６】第３の実施形態のセラミック製実装基板を示す縦断面図
【図７】第３の実施形態のセラミック製実装基板の製造工程をＡ〜Ｊの順に示す縦断面図
【図８】他の実施形態のセラミック製実装基板であってその底面部の幅方向の両側およびその内側の面から３以上の側壁部が並列して起立しているものを示す縦断面図
【図９】他の実施形態のセラミック製実装基板であってその接続端子が有底四角穴を有するように形成されているものを示す平面図
【図１０】他の実施形態のセラミック製実装基板であってその接続端子が有底丸穴を有するように形成されているものを示す平面図
【図１１】従来のセラミック製実装基板であってその接続端子が平板状に形成されているものを示す縦断面図
【図１２】従来のセラミック製実装基板であってその接続端子が二股以上のフォーク状に形成されているものを示す縦断面図
【符号の説明】
【００９８】
１Ａ〜１Ｃ  セラミック製実装基板
２Ａ〜２Ｃ  接続端子
３  底面部
４Ａ〜４Ｃ  側壁部
５  置換用金属層
６  接合膜
２０  セラミックシート
２１  配線
３０  半導体素子
３１  バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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