(57)【要約】【課題】放熱が必要なダイアタッチ部に選択的に熱伝導率のよい材料を用い、また、その材料の板厚を選択的に厚くし、また、ワイヤボンディングを行うためのリード部のめっき厚を選択的に厚くする半導体装置用パッケージを提供すること。【解決手段】ダイアタッチ部１０３を構成する板状部材１４はチップ載置部１４ｂの周辺に貫通穴１４ａを有し、かつ、リード部１０２を構成する複数のリード１１ａ、１１ｂ、１１ｅを固定している絶縁体１３は貫通穴１４ａに対応する位置に突起部１３ａを有し、貫通穴１４ａに突起部１３ａが挿入され、突起部１３ａの先端が潰されることにより、ダイアタッチ部１０３とリード部１０２とが絶縁体１３を介して固定され、一体化されていることを特徴とする。【選択図】図２
2008124097.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ載置領域を有する板状部材で構成されるダイアタッチ部と、
複数のリードと絶縁体とで構成され、前記複数のリード間の相互配置が保持されるように、かつ該複数のリードの各々においてワイヤボンディング領域が露出するように該複数のリードが前記絶縁体により固定されてなるリード部とを備え、
前記板状部材は前記チップ載置領域の周辺に貫通穴を有し、かつ、前記絶縁体は該貫通穴に対応する位置に突起部を有し、前記貫通穴に前記突起部が挿入され、該突起部の先端が潰されることにより、前記ダイアタッチ部と前記リード部とが前記絶縁体を介して固定され、一体化されていることを特徴とする半導体装置用パッケージ。
【請求項２】
前記貫通穴は、その大きさが前記リード部側からその反対側に向かって漸次大きくなっていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項３】
前記貫通穴はその内壁に段差を有し、前記リード部側よりもその反対側の方が穴の大きさが大きくなっていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項４】
前記ダイアタッチ部の板状部材と前記リード部の複数のリードとは、異なる種類の材料で構成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項５】
前記ダイアタッチ部の板状部材と前記リード部の複数のリードとは、異なる板厚を有する板状部材で構成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項６】
前記板状部材のチップ載置領域及び前記複数のリードのワイヤボンディング領域にはめっきが施されており、該めっきの厚さは前記チップ載置領域とワイヤボンディング領域とで異なっていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項７】
前記絶縁体は熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項８】
複数のリードを一組として、その１組以上がタイバーによって固定されたリードフレームと、チップ載置領域を有する板状部材で構成され、該板状部材は前記チップ載置領域の周辺に貫通穴を有するダイアタッチ部とを準備し、
前記複数のリード間の相互配置が保持されるように、かつ前記複数のリードの各々においてワイヤボンディング領域が露出するように、前記複数のリードを絶縁体で固定し、かつ該絶縁体において前記貫通穴に対応する位置に突起部を設けてリード部を形成し、
該リード部の突起部を前記ダイアタッチ部の貫通穴に挿入し、
前記貫通穴に挿入した突起部の先端を潰すことにより、前記ダイアタッチ部と前記リード部とを前記絶縁体を介して固定し、一体化することを特徴とする半導体装置用パッケージの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用パッケージ及びその作製方法に関し、より詳しくは、レーザダイオードを始めとする光半導体装置、及びその他のトランジスタやダイオードなどの半導体装置に用いられる半導体装置用パッケージ及びその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光半導体装置は、ＣＤ（Compact Disc）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＢＤ（Blue Ray Disc）などからのデータの読取りやこれらのデイスクへのデータの書込みを行うための用途が広がっている。
【０００３】
これらの用途に用いる光半導体装置は、高速化や高出力化が要望されているが、高速化や高出力化に伴い、発熱量が増加するため、放熱性を良くする必要がある。また、これらの用途に用いる光半導体装置は、民生用途が主となるため、低コスト化が要望されている。
【０００４】
これらの要望に応えるべく、図６の左側の図に示すようなリードフレームを用い、図６の右側の図に示すような樹脂で固められて作製された半導体装置用パッケージが開発されている。
【０００５】
そのリードフレームにおいては、図６の左側の図に示すように、３つのリード１ａ、１ｂ、１ｅによって構成されたリード部１と、光半導体チップの載置領域３を有するダイアタッチ部２とを一組として、それらの複数組がタイバー４によって固定され、一体的に形成されている。なお、ダイアタッチ部２はリード１ｅと一体的に形成されており、結果としてダイアタッチ部２はリード１ｅを介してタイバー４と一体的に形成されている。
【０００６】
このリードフレームを以下のように熱可塑性樹脂で固めて半導体装置用パッケージが作製される。すなわち、その半導体装置用パッケージにおいては、図６の右側の図に示すように、光半導体チップの載置領域３とリード１ａ、１ｂへのワイヤボンディング領域１ｃ、１ｄが露出するように、かつリード１ａ、１ｂとダイアタッチ部２との相互配置が保たれるように、熱可塑性樹脂５で固めて、半導体装置用パッケージが完成する。
【０００７】
なお、図６では、説明を分かりやすくするため、熱可塑性樹脂で固める前の状態と、固めた後の状態とを一つのリードフレームについて描いている。
【０００８】
その後、ダイアタッチ部２に光半導体チップを搭載し、光半導体チップとリード１ａ、１ｂとをワイヤで接続した後、さらにレンズなどを搭載し、次いで、必要な箇所を樹脂で被覆した後、タイバー４から、リード１ａ、１ｂ、１ｅを切り離して光半導体装置が完成する。なお、リード１ｅはダイアタッチ部２と一体となってタイバー４から切り離される。
【０００９】
この光半導体装置は、放熱のためダイアタッチ部２背面に別に作製した放熱板を接触させて応用装置にセットされる。
【００１０】
上記は、高速化、高出力化、及び低コスト化を図るための、樹脂モールドタイプの光半導体装置の構造と、装置へのセット方法の一例であるが、このような光半導体装置においては、さらに他の観点から、放熱性を良くするための改良が行われている（特許文献１、２参照）。
【特許文献１】特開平１１−１７２３１号公報
【特許文献２】特開２００６−１３３２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記樹脂モールドタイプの光半導体装置では、放熱性をよくしようとする場合、ダイアタッチ部２に熱伝導率のよい材料を用いればよいが、タイバー４で一体化されているリードフレームの構造上、リードフレームの他の部分、例えばリード部１やタイバー４にも同じようにその材料を用いざるを得ない。熱伝導率のよい材料は一般的にコストが高く、特に熱伝導率のよい材料を用いる必要がないリード部１やタイバー４にも用いるのは無駄である。
【００１２】
また、放熱性をよくしようとする場合、リードフレーム、特にダイアタッチ部２の板厚を厚くすればよいが、プレスで打ち抜けるリードフレームの板厚に制限がある。そこで、やむを得ず、板厚を薄くし、その代わり、完成した半導体装置のダイアタッチ部２等に放熱板を接触させて放熱性を高めているが、放熱板を作製するための手間やコストがかかる。
【００１３】
また、密着性が良く、強固なワイヤボンディングを行うためは、特にリード１ａ、１ｂのワイヤボンディング領域１ｃ、１ｄに厚くＡｕなどのめっきを施せばよいが、それほどめっき厚を必要としない面積が大きいダイアタッチ面にも同様に厚いめっきが施されてしまい、めっき材料の浪費となる。
【００１４】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みて創作されたもので、放熱が必要なダイアタッチ部に選択的に熱伝導率のよい材料を用い、また、その材料の板厚を選択的に厚くし、また、ワイヤボンディングを行うためのリード部のめっき厚を選択的に厚くすることができる半導体装置用パッケージ及びその作製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述した従来技術の課題を解決するため、本発明は半導体装置用パッケージに係り、チップ載置領域を有する板状部材で構成されるダイアタッチ部と、複数のリードと絶縁体とで構成され、前記複数のリード間の相互配置が保持されるように、かつ該複数のリードの各々においてワイヤボンディング領域が露出するように該複数のリードが前記絶縁体により固定されてなるリード部とを備え、前記板状部材は前記チップ載置領域の周辺に貫通穴を有し、かつ、前記絶縁体は該貫通穴に対応する位置に突起部を有し、前記貫通穴に前記突起部が挿入され、該突起部の先端が潰されることにより、前記ダイアタッチ部と前記リード部とが前記絶縁体を介して固定され、一体化されていることを特徴とする。
【００１６】
上記半導体装置用パッケージによれば、ダイアタッチ部のリード部への固定、及び一体化は、ダイアタッチ部を構成する板状部材のチップ載置領域の周辺に形成された貫通穴に、複数のリードを固定する絶縁体に形成された突起部を挿入し、その突起部の先端を潰すことにより行われている。このため、チップ載置領域と複数のリードとの相互位置関係を考慮して、板状部材の貫通穴と絶縁体の突起部とを配置しておけば、貫通穴に突起部を挿入することにより、自己整合的に容易にダイアタッチ部とリード部との位置だしが可能である。
【００１７】
したがって、本発明の半導体装置用パッケージにおいては、ダイアタッチ部とリード部とをタイバーなどにより最初から一体的に作製する必要はなく別々に作製することが可能である。このため、放熱が必要なダイアタッチ部に選択的に熱伝導率のよい材料を用い、また、その材料の板厚を選択的に厚くし、また、ワイヤボンディングを行うためのリード部のめっき厚を選択的に厚くすることができる。
【００１８】
また、本発明は、半導体装置用パッケージの作製方法に係り、複数のリードを一組として、その１組以上がタイバーによって固定されたリードフレームと、チップ載置領域を有する板状部材で構成され、前記板状部材は前記チップ載置領域の周辺に貫通穴を有するダイアタッチ部とを準備し、前記複数のリード間の相互配置が保持されるように、かつ前記複数のリードの各々においてワイヤボンディング領域が露出するように、前記複数のリードを絶縁体で固定し、かつ該絶縁体において前記貫通穴に対応する位置に突起部を設けてリード部を形成し、該突起部を前記ダイアタッチ部の貫通穴に挿入し、前記突起部の先端を潰すことにより、前記ダイアタッチ部と前記リード部とを前記絶縁体を介して固定し、一体化することを特徴とする。
【００１９】
上記半導体装置用パッケージの作製方法によれば、複数のリードがタイバーによって固定されたリードフレームと、チップ載置領域の周辺に貫通穴を有する板状部材で構成されたダイアタッチ部とを別々に準備し、これらを組み立てて固定し一体化して、半導体装置用パッケージを作製している。この場合、チップ載置領域と、複数のリードとの相互の位置だしは、チップ載置領域周辺の貫通穴と、複数のリードを固定した絶縁体に形成された突起部とにより行うことができる。
【００２０】
このように、ダイアタッチ部とリード部とをタイバーなどにより最初から一体的に作製せず別々に作製しているので、放熱が必要なダイアタッチ部に選択的に熱伝導率のよい材料を用い、また、その材料の板厚を選択的に厚くし、また、ワイヤボンディングを行うためのリード部のめっき厚を選択的に厚くすることができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、本発明に係る半導体装置用パッケージによれば、ダイアタッチ部とリード部とはリード部を構成する絶縁体を介して固定され、一体化されている。言い換えれば、ダイアタッチ部とリード部とはタイバーによって最初から固定する必要はなく、ダイアタッチ部とリード部とを別々に作製することができる。
【００２２】
これにより、放熱が必要なダイアタッチ部に選択的に熱伝導率のよい材料を用い、また、その材料の板厚を選択的に厚くし、また、ワイヤボンディングを行うためのリード部のめっき厚を選択的に厚くすることができる。これにより、材料の浪費を抑制し、手間を省きつつ、性能向上を図ることが可能である。
【００２３】
さらに、ダイアタッチ部とリード部とを別々に作製できるため、これらのうち何れか一を共通部品とし、他の一の部品を顧客の種々の要望に合わせて変更することができ、これにより、立上げ期間の短縮や、コストダウンを図ることが可能である。
【００２４】
また、本発明に係る半導体装置用パッケージの作製方法によれば、ダイアタッチ部とリード部とをタイバーなどにより一体化せずに別々に作製しているので、リードフレームの放熱が必要なダイアタッチ部に選択的に熱伝導率のよい材料を用い、また、その材料の板厚を選択的に厚くし、また、ワイヤボンディングを行うためのリード部のめっき厚を選択的に厚くすることができる。これにより、材料の浪費を抑制し、手間を省きつつ、性能向上を図ることが可能である。
【００２５】
さらに、ダイアタッチ部とリード部とを別々に作製することにより、これらのうち何れか一を共通部品とし、他の一の部品を顧客の種々の要望に合わせて変更することができ、これにより、立上げ期間の短縮や、コストダウンを図ることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。
【００２７】
（半導体装置用パッケージの構成の説明）
図２（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置用パッケージ１０４の構成を示す図である。図２(ｃ)の左側の３つの図は三角法に基づき作成したもので、半導体装置用パッケージ１０４の表面の平面図と、上側側面図と、右側側面図とで構成される。また、右側の図は半導体装置用パッケージ１０４の裏面の平面図である。図示していないが、複数の半導体装置用パッケージ１０４がタイバー１２ａ、１２ｂにより一体化されている。
【００２８】
また、図１（ｂ）は、リード部の構成を示す図である。図１（ｂ）の３つの図は三角法に基づき作成したもので、リード部１０２の表面の平面図と、上側側面図と、右側側面図とで構成される。
【００２９】
また、図２（ａ）は、ダイアタッチ部１０３の板状部材１４を示す図である。図２（ａ）の３つの図は三角法に基づき作成したもので、板状部材の表面の平面図と、上側側面図と、右側側面図とで構成される。
【００３０】
図２（ｃ）に示す半導体装置用パッケージ１０４は、図２（ａ）に示すダイアタッチ部１０３と図１（ｂ）に示すリード部１０２とで構成されている。
【００３１】
ダイアタッチ部１０３は、図２（ａ）に示すように、半導体チップが載置されるチップ載置領域１４ｂを有する板状部材１４で構成され、その板状部材１４にはそのチップ載置領域１４ｂの周辺に４つの貫通穴１４ａが形成されている。板状部材１４として厚さ０．８ｍｍの銅（Ｃｕ）が用いられ、そのチップ載置領域１４ｂに厚さ０．０５μｍの金（Ａｕ）めっきが施されている。板状部材１４として、他に、必要により鉄（Ｆｅ）、鉄を含む合金などが用いられる。
【００３２】
また、リード部１０２は、図１（ｂ）に示すように、３本のリード１１ａ、１１ｂ，１１ｅと絶縁体１３とで構成され、リード１１ａ、１１ｂ，１１ｅは、それぞれワイヤボンディング領域１１ｃ、１１ｄ、１１ｆが絶縁体１３から露出するように、絶縁体１３により固定されている。これにより、リード１１ａ、１１ｂ，１１ｅ相互の配置が保たれる。絶縁体１３として熱可塑性樹脂が用いられる。また、リード１１ａ、１１ｂ、１１ｅの材料として厚さ０．２乃至０．４ｍｍの４２アロイが用いられ、そのワイヤボンディング領域１１ｃ、１１ｄ、１１ｆには厚さ０．２μｍの金めっきが施されている。リード１１ａ、１１ｂ，１１ｅの材料として、他に、必要により銅（Ｃｕ）などが用いられる。一組のリード１１の本数は、３本の他に、必要により２本、或いは４本以上のものが可能である。
【００３３】
このようなダイアタッチ部１０３とリード部１０２とは、以下のようにして固定され、一体化されて図２（ｃ）に示すような半導体装置用パッケージ１０４を構成している。すなわち、リード部１０２を固定した絶縁体１３は、図１（ｂ）の側面図に示すような突起部１３ａを有し、図２（ｃ）に示すようにその突起部１３ａがダイアタッチ部１０３の貫通穴１４ａに挿入され、突起部１３ａの先端が潰される。潰された突起部１３ｂは貫通穴１４ａの径より大きくなるため、貫通穴１４ａから突起部１３ｂが抜けなくなり、これにより、ダイアタッチ部１０３とリード部１０２とが絶縁体１３を介して固定され、一体化される。
【００３４】
以上のように、本発明の実施の形態の半導体装置用パッケージによれば、ダイアタッチ部１０３は、従来と異なり、最初からリード部１０２とともにタイバー１２ａ、１２ｂなどにより固定され、一体化されてはおらず、リード部１０２を構成する絶縁体１３に形成された突起部１３ａを、ダイアタッチ部１０３を構成する板状部材１４に形成された貫通穴１４ａに挿入し、その先端を潰すことにより、ダイアタッチ部１０３は絶縁体１３を介してリード部１０２に固定され、一体化されている。この場合、リード部１０２を構成する３本のリード１１ａ、１１ｂ、１１ｅとダイアタッチ部１０３に載置する半導体チップとの相互位置関係を考慮して、板状部材１４の貫通穴１４ａと絶縁体１３の突起部１３ａとを配置しておけば、貫通穴１４ａに突起部１３ａを挿入することにより、半導体チップとリード１１ａ、１１ｂ、１１ｅとの位置だしを自己整合的に容易に行うことができる。したがって、ダイアタッチ部１０３とリード部１０２とを別々に作製することができる。
【００３５】
このように、ダイアタッチ部１０３とリード部１０２とを別々に作製することが可能であるため、放熱が必要なダイアタッチ部１０３に選択的に熱伝導率のよい材料、例えば銅を用い、また、その材料の板厚を選択的に厚くし、また、ワイヤボンディングを行うリード１１ａ、１１ｂ、１１ｅのめっき厚を選択的に厚くすることができる。これにより、材料の浪費を抑制し、手間を省きつつ、性能向上を図ることが可能である。
【００３６】
さらに、ダイアタッチ部１０３とリード部１０２とを別々に作製できるため、これらのうち何れか一を共通部品とし、他の一の部品を顧客の種々の要望に合わせて変更することができ、これにより、立上げ期間の短縮や、コストダウンを図ることが可能である。
【００３７】
（半導体装置用パッケージの作製方法の説明）
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置用パッケージの作製方法について、図１乃至図２を参照して説明する。
【００３８】
最初に、３本のリード１１ａ、１１ｂ、１１ｅを一組として、その１組以上がタイバー１２ａ、１２ｂによって固定された、図１（ａ）に示すようなリードフレーム１０１と、図２（ａ）に示すように、チップ載置領域１４ｂの周辺に貫通穴１４ａを有する板状部材１４で構成されたダイアタッチ部１０３とを別々に準備する。
【００３９】
このように、リードフレーム１０１とダイアタッチ部１０３とを別々に準備しているため、リード１１ａ、１１ｂ、１１ｅ及びタイバー１２ａ、１２ｂと板状部材１４に関し、以下のように、互いに異なる材料を用い、互いにその材料の板厚を変え、また、互いにそのめっき厚を変えて作製することができる。この実施例では、３本のリード１１ａ、１１ｂ、１１ｅ及びタイバー１２ａ、１２ｂの材料として、厚さ０．２乃至０．４ｍｍの４２アロイが用いられ、また、それらには、ワイヤボンディング領域を含む全表面に厚さ０．２μｍの金めっきが施されている。一方、板状部材１４として、厚さ０．８ｍｍの銅が用いられ、また、板状部材１４にはチップ載置領域１４ｂを含む全面に０．０５μｍの金めっきが施されている。
【００４０】
次に、リードフレーム１０１を樹脂モールドキャビティに挟み込み、キャビティに熱可塑性樹脂を注入し、冷却して樹脂を固める。これにより、図１（ｂ）に示すように、一組を構成する３本のリード１１ａ、１１ｂ、１１ｅが相互の配置を保って固定され、かつその３本のリード１１ａ、１１ｂ、１１ｅの各々においてワイヤボンディング領域１１ｃ、１１ｄ、１１ｆが露出する。このとき、同時に、絶縁体１３の４箇所に突起部１３ａが形成される。これにより、リード部１０２が形成される。
【００４１】
次に、図２（ａ）に示すように、ダイアタッチ部１０３となる、貫通穴１４ａを有する板状部材１４を準備し、図２（ｂ）に示すように、リード部１０２の突起部１３ａをダイアタッチ部１０３の板状部材１４の貫通穴１４ａに挿入する。
【００４２】
これにより、３本のリード１１ａ、１１ｂ、１１ｅのワイヤボンディング領域１１ｃ、１１ｄ、１１ｆと板状部材１４のチップ載置領域１４ｂとの位置出しを、自己整合的に容易に、行うことができる。
【００４３】
次いで、図２（ｃ）に示すように、超音波或いは熱を印加することにより突起部１３ａの先端を溶融して潰す。これにより、潰された突起部１３ｂが貫通穴１４ａの径より大きくなるため、貫通穴１４ａから突起部１３ｂが抜けなくなる。したがって、ダイアタッチ部１０３は絶縁体１３を介してリード部１０２に固定され、ダイアタッチ部１０３とリード部１０２とが一体化される。これにより、半導体装置用パッケージ１０４が完成する。
【００４４】
その後、その半導体装置用パッケージ１０４を用い、以下のようにして光半導体装置を製造することができる。
【００４５】
すなわち、ダイアタッチ部１０３のチップ載置領域１４ｂに共晶合金や半田溶着などにより光半導体チップを搭載する。続いて、Ａｕワイヤなどによりワイヤボンディングを行い、搭載された光半導体チップと３本のリード１１ａ、１１ｂ、１１ｅとを接続する。この場合、リード部１０２においてはワイヤボンディング領域１１ｃ、１１ｄ、１１ｆにＡｕワイヤなどを接続し、ダイアタッチ部１０３においては光半導体チップの電極などにＡｕワイヤなどを接続する。
【００４６】
次いで、チップ及びワイヤを保護するため熱可塑性樹脂で被覆し、固めて光半導体装置が完成する。その後、タイバー１２ａ、１２ｂを切除して光半導体装置をリードフレームから分離する。
【００４７】
以上のように、本発明の実施の形態の半導体装置用パッケージの作製方法によれば、ダイアタッチ部１０３とリード部１０２とを別々に作製し、かつ放熱が必要なダイアタッチ部１０３に選択的に熱伝導率のよい材料、例えば、銅を用い、また、その材料の板厚を選択的に厚くし、また、ワイヤボンディングを行うリード１１ａ、１１ｂ、１１ｅのめっき厚を選択的に厚くしている。これにより、材料の浪費を抑制し、かつ余計な手間を省きつつ、性能向上を図ることが可能である。
【００４８】
さらに、ダイアタッチ部１０３とリード部１０２とを別々に作製することにより、これらのうち何れか一を共通部品とし、他の一の部品を顧客の種々の要望に合わせて変更することができ、これにより、製品の立上げ期間の短縮や、製造のコストダウンを図ることが可能である。
【００４９】
（本発明の他の実施の形態）
以上、実施の形態によりこの発明を詳細に説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範囲に含まれる。
【００５０】
例えば、上記のダイアタッチ部１０３の板状部材１４においては貫通穴１４ａの径をリード部１０２側からその反対側に向かって一定としており、潰された突起部１３ｂが貫通穴１４ａの外に出ているが、図３（ａ）に示すように、貫通穴１４ｃは、その大きさがリード部１０２側からその反対側に向かって漸次大きくなっていてもよい。すなわち、貫通穴１４ｃは、リード部１０２側の端部で穴径が最小となっているテーパ形状を有していてもよい。この場合、半導体装置用パッケージを作成するには、図３（ａ）に示すように、リード部１０２の突起部１３ａをダイアタッチ部１０３の板状部材１４の貫通穴１４ｃに挿入した後、図３（ｂ）に示すように、突起部１３ａの先端を潰して貫通穴１４ｃ内に埋め込む。これにより、潰された突起部１３ｃが貫通穴１４ｃに完全に収まるとともに、潰された突起部１３ｃが貫通穴１４ｃの最小径より大きくなるため、貫通穴１４ｃから突起部１３ｃが抜けなくなり、ダイアタッチ部１０３とリード部１０２が絶縁体１３を介して固定され、一体化される。
【００５１】
このように、潰された突起部１３ｃが貫通穴１４ｃに完全に収まるようにすることで、ダイアタッチ部１０３の裏面が平坦になるため、ダイアタッチ部１０３の裏面に放熱板を取り付けるような場合などに有効になる。
【００５２】
また、図４（ａ）に示すように、ダイアタッチ部１０３の板状部材１４の貫通穴１４ｄはその内壁に段差を有し、リード部１０２側よりもその反対側の方が穴１４ｄの大きさが大きくなっていてもよい。この場合、半導体装置用パッケージを作成するには、図４（ａ）に示すように、リード部１０２の突起部１０３ａをダイアタッチ部１０３の板状部材１４の貫通穴１４ｄに挿入した後、図４（ｂ）に示すように、突起部１３ａの先端を潰して貫通穴１４ｄ内壁の段差上面に広げる。これにより、潰された突起部１３ｄが貫通穴１４ｄに完全に収まるとともに、潰された突起部１３ｄが貫通穴１４ｄの径より大きくなるため、貫通穴１４ｄから突起部１３ｄが抜けなくなり、ダイアタッチ部１０３とリード部１０２が絶縁体１３を介して固定され、一体化される。
【００５３】
この場合もダイアタッチ部１０３の裏面が平坦になるため、ダイアタッチ部１０３の裏面に放熱板を取り付けるような場合などに有効である。
【００５４】
また、上記実施形態では、ダイアタッチ部１０３の板状部材１４の形状として、図２(ａ)に示すような形状のものを用いているが、その代わりに、必要とされる半導体装置用パッケージ１０４の最終的な形状により、種々の形状のものを用いることができる。例えば、図５（ａ）、（ｂ）に示すようなものがある。
【００５５】
図５（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、この発明の実施の形態に係る半導体装置用パッケージに用いられるダイアタッチ部１０３の他の形状を有する板状部材１４ｘ、１４ｙを示す平面図である。図５（ａ）、（ｂ）の板状部材１４ｘ、１４ｙにおいて、貫通穴１４ａはチップ載置領域１４ｂの周囲に４箇所設けられている。
【００５６】
また、上記ダイアタッチ部１０３を構成する板状部材１４、１４ｘ、１４ｙでは、いずれも貫通穴１４ａはチップ載置領域１４ｂの周囲に４箇所設けられているが、これに限られない。ダイアタッチ部１０３とリード部１０２とがリード部１０２の絶縁体１３を介して固定され、一体化できれば、貫通穴１４ａは１以上あればよく、絶縁体１３の突起部もそれに応じて１以上あればよい。
【００５７】
また、ダイアタッチ部１０３を構成する板状部材１４、１４ｘ、１４ｙとして、上記実施形態では銅などの導電体を用いているが、それに限られない。熱伝導や放熱性のよい絶縁体その他を用いてもよい。
【００５８】
また、チップ載置領域１４ｂやワイヤボンディング領域１１ｃ、１１ｄ、１１ｆに金メッキを行っているが、これに限られない、銀（Ａｇ）めっき、パラジウム（Ｐｄ）めっきなどを行ってもよい。
【００５９】
また、上記実施形態では、半導体装置用パッケージ１０４を光半導体装置に用いているが、これに限らない。その半導体装置用パッケージ１０４を、低コスト化を必要とし、かつ高い放熱性を必要とするその他のトランジスタやダイオードなどの半導体装置に用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態である半導体装置用パッケージの作製方法を示す図（その１）である。（ａ）は平面図であり、（ｂ）は三角法に基づく平面図、上側側面図及び右側側面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｃ）は、本発明の実施の形態である半導体装置用パッケージの作製方法を示す図（その２）である。（ａ）は三角法に基づく平面図、上側側面図及び右側側面図であり、（ｂ）は側面図であり、（ｃ）は三角法に基づく表面の平面図、上側側面図及び右側側面図と、裏面の平面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態である、他の半導体装置用パッケージの作製方法を示す断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態である、さらに他の半導体装置用パッケージの作製方法を示す断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態である半導体装置用パッケージに用いられるダイアタッチ部の板状部材の他の構造について示す平面図である。
【図６】従来例の半導体装置用パッケージの作製方法を示す側面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１１…一組のリード、１１ａ、１１ｂ、１１ｅ…リード、１１ｃ、１１ｄ、１１ｆ…ワイヤボンディング領域、１２ａ、１２ｂ…タイバー、１３…絶縁体、１３ａ…突起部、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ…潰された突起部、１４、１４ｘ、１４ｙ…板状部材、１４ａ…貫通穴、１４ｂ…チップ載置領域、１０１…リードフレーム、１０２…リード部、１０３…ダイアタッチ部、１０４…半導体装置用パッケージ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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