(57)【要約】【課題】  従来の半導体装置では、半導体素子が駆動することでの熱により、樹脂パッケージ内にガスが発生し、その膨張したガスにより樹脂パッケージにクラック等が発生し、樹脂パッケージが破壊されるという問題があった。【解決手段】  本発明の半導体装置では、樹脂パッケージ２２内に発生するガスが通過することの出来ない、例えば、銅材料から成るアイランド２７に孔２８を設けている。そして、特に、樹脂パッケージ２２の中央領域に発生するガスはその排出経路は長いが、アイランド２７の孔２８を介してその排出経路の短縮を実現する。そのことで、本発明の半導体装置では、樹脂パッケージ２２内で発生したガスを確実にその外部へと排出できるので、ガスによる樹脂パッケージ２２のクラック等を防止することができる。【選択図】    図１
2008153709.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイランドと、前記アイランドを囲んで配置される複数のリードと、前記アイランドの４コーナーから延在され、裏面からエッチングされた吊りリードと、を有する搭載部が複数個集合されて設けられ、前記アイランドには導電ペーストを用いて半導体素子が設けられたリードフレームを用意し、
前記集合された複数の搭載部を一体の樹脂で被覆し、前記吊りリードのエッチングされた部分を被覆するとともに、前記アイランドの裏面と前記複数のリードの裏面を露出し、
上面、裏面および４つの側面から成る６面体の樹脂パッケージとして、前記リードが前記パッケージの前記側面に露出するように前記搭載部毎に分割し、
前記搭載部毎に分割された前記パッケージを実装基板に実装する半導体装置の製造方法であり、
前記導電ペーストが設けられた所のアイランドの表から裏面に渡り貫通する孔が設けられる事を特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記リードフレームの厚さは、１００〜２５０μｍである請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記導電ペーストは、Ａｇペーストである請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記分割は、ダイシングブレードにより行われる請求項２または請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装リードを樹脂封止体裏面に有する小型パッケージの半導体装置において、特に、半導体素子の熱により樹脂封止体内に発生するガスを排出し、樹脂封止体の破損を防止する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、年々大容量化されており、これに伴って各種信号線となるリード端子数も増加の傾向にある。そして、この傾向に伴ってリード端子が４方向より導出されるＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置およびＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が使用されるようになってきている。その一方で、半導体装置では、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。そのため、実装面積の低減を求められる半導体装置では、樹脂封止体裏面からリードを露出させ、その実装面積をチップサイズと同等あるいはわずかに大きくするＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型のパッケージが利用されている。
【０００３】
従来の半導体装置では、半導体素子を固着したアイランドの裏面を実装面となる樹脂パッケージの裏面から露出させていた。そして、そのアイランドの露出面を実装領域として用いることで、実装面積を増大させ、実装強度の向上を実現していた（例えば、特許文献１。）。
【０００４】
以下に、図７を参照として、従来の半導体装置の構造に関し簡単に説明する。図７（Ａ）は従来の半導体装置を表面側から見た斜視図であり、図７（Ｂ）は従来の半導体装置の実装面を説明するための平面図である。
【０００５】
図７（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、従来の半導体装置１は、主に、樹脂パッケージ２、アウタリード３、吊りリード４、アイランド５、半導体素子７（図８参照）及び金属細線８（図８参照）から構成されている。そして、例えば、樹脂パッケージ２の表面には鏡面６が樹脂モールド時に形成され、実装時の位置認識マークとして用いられる。また、樹脂パッケージの裏面である実装面からは、アウタリード３、吊りリード４及びアイランド５が露出し、それらは樹脂パッケージ２の実装面でほぼ同一面を形成している。
【特許文献１】特開２００２−２２２９１０号公報（第２−３頁、第３−９図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図８（Ａ）は従来の半導体装置を実装基板の導電パターン上に実装する図であり、図８（Ｂ）は従来の半導体装置の内部を説明するための図である。上述したように、従来のＱＦＮ型の半導体装置１では、実装面となる樹脂パッケージ２の裏面からアウタリード３を露出させ、そのアウタリード３の露出面と実装基板９の導電パターン１０とを半田１１を介して実装していた。そして、半導体素子７を駆動させ、電気回路の一部として利用していた。このとき、樹脂パッケージ２は空気中の水分を樹脂パッケージ２内に含んでおり、半導体素子７が駆動する際に発生する熱により膨張し、気化しガスとなる。ここで、例えば、樹脂パッケージ２の端部に発生するガスは樹脂パッケージ２から容易に排出される。
【０００７】
しかしながら、点線の丸印１２で示したように、樹脂パッケージ２の中央部に発生するガスは、樹脂パッケージ２の表面、側面または裏面から排出されるが、特に、樹脂パッケージ２の側面または裏面から排出される場合は、そのガスの排出経路が長い。そのため、従来の半導体装置１では、特に、ガスの排出経路が長い場合には、樹脂パッケージ２内で発生したガスの膨張により、樹脂パッケージ２にクラックを生じさせ、樹脂パッケージを破損させるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した各事情に鑑みて成されたものであり、本発明のリードフレームでは、
少なくとも１つのアイランドと、前記アイランドの周囲に配置された支持領域及
びタイバーと、前記タイバーから前記アイランド近傍へ延在された複数のリード
とを有し、前記アイランドは半導体素子を固着する一主表面とその反対面に他の
主表面とを有し、前記アイランドには前記一主表面と前記他の主表面とを貫通す
る孔が少なくとも１つ形成され、且つ少なくとも前記孔が形成された前記他の主
表面の近傍領域は前記リードの実装面とほぼ同一面を成すことを特徴とする。従
って、本発明のリードフレームでは、アイランドの一主面と他の主面とを貫通す
る孔を配置することで、通常、樹脂パッケージの中央領域に配置されるアイラン
ドで樹脂パッケージ内に発生するガスの移動を可能とする。そして、特に、その
ガスの排出経路が長い樹脂パッケージの中央領域において、その排出経路の短縮
化を実現できる。
【０００９】
また、本発明の半導体装置では、少なくとも導電性材料から成るアイランド及
び該アイランド近傍から外側へと延在する複数のリードと、前記アイランドの一
主表面上には半導体素子が固着され、該半導体素子と前記リードの一端とは導電
部材により電気的に接続され、少なくとも前記アイランド、前記リード及び前記
半導体素子とを封止する樹脂封止体とを有し、前記アイランドの他の主表面は前
記樹脂封止体から露出し、露出する前記アイランドにはその前記一主表面と前記
他の主表面とを貫通する孔が少なくとも１つ配置されることを特徴とする。従っ
て、本発明の半導体装置では、樹脂封止体内で発生するガスの中で、特に、樹脂
封止体の中央領域に発生するガスの排出経路を短縮し、樹脂封止体内で発生する
ガスにより、樹脂封止体にクラック等を発生させ、樹脂封止体の破損を防ぐこと
ができる。
【発明の効果】
【００１０】
上述したように、第１に、本発明の半導体装置では、半導体素子を固着するアイランドにアイランドを貫通する孔を少なくとの１箇所設け、半導体素子の熱により発生する樹脂パッケージ内のガスを排出する経路とする。つまり、本発明の半導体装置では、特に、その排出経路の長い樹脂パッケージの中央領域では、膨張したガスにより樹脂パッケージの破損を抑制し、発生したガスをアイランドの孔を通過させ、排出経路の短縮を実現している。
【００１１】
第２に、本発明の半導体装置では、樹脂パッケージ裏面から多数のリードを露出させ、且つ半導体素子を固着したアイランド裏面を区分し、少なくとも１箇所以上露出させている。そのことで、裏面実装型のパッケージのように、実装面積を確保し難い半導体装置では、アイランドの一部も実装面積として活用することができ、実装強度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、図１〜図６を参照として、本発明のリードフレーム及びそれを用いた半導体装置について詳細に説明する。
【００１３】
先ず、図１〜図３を参照として、本発明のリードフレーム及び半導体装置の第１の実施に形態について説明する。図１（Ａ）は本発明の半導体装置の斜視図であり、図１（Ｂ）は本発明の半導体装置裏面の斜視図であり、図２（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の半導体装置に用いるリードフレームの平面図であり、図３（Ａ）は図１（Ｂ）に示した本発明の半導体装置のＸ−Ｘ線方向の断面図であり、図３（Ｂ）は図１（Ｂ）に示した本発明の半導体装置のＹ−Ｙ線方向の断面図でる。
【００１４】
先ず、図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、本実施の形態における半導体装置２１では、絶縁性樹脂からなる樹脂パッケージ２２の側面２４及び裏面２６からリード２３が露出している。本実施の形態では、樹脂パッケージ２２の側面２４から露出するリード２３の露出面２３１は、その側面２２とほぼ同一面を形成している。そして、少なくともリード２３の露出面２３１の一部は、その露出する樹脂パッケージ２２の側面の１側辺２５まで露出し、その側辺２５を介して樹脂パッケージ２２の裏面２６に露出するリード２３の露出面２３２と連続している。また、本実施の形態では、樹脂パッケージ２２の裏面２６に露出するリード２３の露出面２３２も、その裏面２６とほぼ同一面を形成している。
【００１５】
一方、本実施の形態では、図１（Ｂ）に示すように、樹脂パッケージ２２の裏面２６のリード２３が露出する外周領域の内側には、少なくともアイランド２７の一部が露出している。尚、本実施の形態では、アイランド２７は、ほぼ全面が樹脂パッケージ２２の裏面２６から露出している。そして、アイランド２７の露出面もリードの露出面２３２と同様に、樹脂パッケージ２２の裏面２６とほぼ同一面を形成している。また、図示の如く、本実施の形態では、樹脂パッケージ２２の裏面２６から露出するアイランド２７に、アイランド２７を貫通する孔２８がその中央領域に１箇所形成されている。詳細は後述するが、固着された半導体素子４１（図３参照）近傍領域に存在する樹脂パッケージ２２内に発生するガスは、この孔２８を介してアイランド２７の露出面から外部へと排出される。つまり、特に、樹脂パッケージ２２内の中央領域に発生するガスにとって、従来の構造では外部への排出経路が長かったが、本実施の形態では、アイランド２７に設けられた孔２８を介して、その排出経路を短縮することができる。
【００１６】
尚、樹脂パッケージ２２の側面２４に露出するリード２３の露出面２３１は本実施の形状に限定する必要は無い。例えば、ダイシングブレードの消耗を抑制するため、露出面２３１がＴ字型に露出しても良いし、樹脂パッケージ２２の側面２４から露出する露出面２３１が側辺２５から離間した位置でも良い。
【００１７】
次に、図２（Ａ）に示すように、本実施の形態に用いるリードフレーム３１は、例えば、厚さが約１００〜２５０μｍ程度の銅を主材料とするフレームから成る。しかし、Ｆｅ―Ｎｉを主材料としても良いし、他の金属材料でも良い。そして、リードフレーム３１上には一点鎖線で示した１個の半導体装置に対応するユニットを示す搭載部３２が複数個形成されている。尚、図２では、１つの搭載部３２を図示しているが、例えば、この搭載部３２が４つ集まることで１つの集合ブロックを形成し、この集合ブロック毎に一体の樹脂モールドされる。そして、リードフレーム３１上には、この集合ブロックが複数形成される。
【００１８】
具体的には、搭載部３２は、主に、アイランド２７とアイランド２７を支持する吊りリード３４と、アイランド２７の４側辺の近傍に位置し、この４側辺を囲み隣接する搭載部３２の共通のタイバー３５へと延在される複数のリード２３とから構成されている。そして、吊りリード３４はアイランド２７の４つのコーナー部から延在し、それぞれの方向のリード２３を支持するタイバー３５の交差する支持領域３６と連結する。支持領域３６はリードフレーム３１と一体となっており、この構造により、アイランド２７がリードフレーム３１に支持されている。
【００１９】
そして、本実施の形態では、リードフレーム３１の吊りリード３４でハッチング３７で示す領域は、リードフレーム３１の裏面からエッチングされ、例えば、０．０５〜０．１５μｍ程度、リードフレーム３１の裏面から窪んでいる。一方、ハッチング３３で示すアイランド２７はエッチングされず、リードフレーム３１の裏面とほぼ同一面に位置している。そして、このリードフレーム３１の形状により、図１（Ｂ）に示すように、吊りリード３４裏面には樹脂が充填され、樹脂パッケージ２２裏面からはリード２３及びアイランド２７が露出する構造となる。
【００２０】
また、リード２３でハッチング３８で示す領域は、リードフレーム３１の表面からエッチングされ、例えば、０．０５〜０．１８μｍ程度、リードフレーム３１の表面から窪んでいる。そのため、本実施の形態では、半導体装置の製造方法の説明は省略するが、個々の樹脂パッケージ２２に分割する際に、ダイシングブレードとリードフレーム３１との接触面積、接触時間を低減することができ、ダイシングブレードの摩耗を抑制することができる。
【００２１】
一方、図２（Ｂ）に示すように、本実施の形態では、アイランド２７に孔２８を１箇所設ける場合に限定する必要はなく、アイランド２７の複数箇所に孔２８を配置することも可能である。例えば、図示の如く、アイランド２７に９箇所の孔２８をバランスを考慮して配置することで、上述の如く、アイランド２７の近傍領域の樹脂パッケージ２２に発生するガスをアイランド２７の孔２８を介して、外部に排出することができる。
【００２２】
次に、図３（Ａ）に示すように、図１（Ｂ）に示す半導体装置２１のＸ−Ｘ線方向の断面構造では、アイランド２７上には、例えば、Ａｇペースト等の導電ペースト４２を介して半導体素子４１が固着されている。そして、半導体素子４１の電極パッド部（図示せず）とリード２３とは金属細線４３を介して電気的に接続している。
【００２３】
上述の如く、本実施の形態では、リードフレーム３１は、例えば、厚さが約１００〜２５０μｍの銅を主材料とするフレームから成る。そのリードフレーム３１には、アイランド２７及びその周囲に配置されるリード２３から成る搭載部３２が複数形成されている。図示の如く、本実施の形態では、アイランド２７は裏面からエッチングされず、アイランド２７の裏面は、樹脂パッケージ２２の裏面２６からほぼ全ての領域を露出させている。そして、アイランド２７には、アイランド２７を貫通する孔２８がその中央部に１箇所形成されており、孔２８は樹脂パッケージ２２の裏面から露出している。この構造を有することで、以下に説明する効果を実現できる。
【００２４】
本実施の半導体装置２１は、実装基板（図示せず）の所望の導電パターン（図示せず）上に、例えば、半田を介して実装され、電気回路の一部としてその役割を担う。このとき、半導体装置２１の半導体素子４１が駆動するが、その際に半導体素子４１から熱を発生し、その熱により樹脂パッケージ２２自体も高温な状態となる。そして、樹脂パッケージ２２は外部の水分を吸収しており、その水分が半導体素子４１から発生する熱により膨張し、最終的には気化しガスとなる。例えば、樹脂パッケージ２２の端部領域に発生するガスは樹脂パッケージ２２を介して容易に排出される。しかし、半導体素子４１近傍の樹脂パッケージ２２の中央領域に発生するガスや導電ペースト４２のボイド内の水分が気化するガスは、樹脂パッケージ２２の側面２４まではその経路が長く、膨張したガスにより樹脂パッケージ２２にクラックを発生させ、樹脂パッケージ２２を破損してしまう。また、樹脂パッケージ２２の裏面２６へは、アイランド２７が存在することで、アイランド２７の外周辺から回り込む経路となり、この場合も上述の如く、膨張したガスにより樹脂パッケージ２２にクラックを発生させ、樹脂パッケージ２２を破損してしまう。
【００２５】
そこで、本実施の形態では、特に、ガスが排出される為には長い経路を必要とする樹脂パッケージ２２の中央領域において、アイランド２７にアイランド２７を貫通する孔２８を設け、ガスの排出経路の短縮を実現している。つまり、半導体素子４１近傍の樹脂パッケージ２２の中央領域に発生するガスを樹脂パッケージ２２の表面から、または孔２８を介して樹脂パッケージ２２の裏面２６から排出することを実現する。そのことで、本実施の形態の半導体装置では、上述した膨張したガスにより樹脂パッケージ２２にクラックを発生させ、樹脂パッケージ２２を破損してしまう問題を解決することができる。
【００２６】
また、図２（Ｂ）に示したように、アイランド２７には複数の孔２８を設けることも可能であり、半導体素子４１の熱により発生するガスをより短い排出経路で樹脂パッケージ２２の外部に排出することができる。
【００２７】
次に、図３（Ｂ）に示すように、図１（Ｂ）に示す半導体装置２１のＹ−Ｙ線方向の断面構造では、アイランド２７のコーナー部から樹脂パッケージ２２の４つのコーナー部へと吊りリード３４を配置し、アイランド２７をリードフレーム３１へと支持している。そして、上述したように、吊りリード３４は裏面側から、例えば、０．０５〜０．１８μｍ程度エッチングされている。そのことで、半導体装置２１のＹ−Ｙ線方向の断面では、アイランド２７と吊りリード３４とが一体となり、断面全体にリードフレーム３１が配置されている。図３（Ｂ）に示す断面構造では、アイランド２７が樹脂パッケージ２２の裏面２６から露出している。
【００２８】
次に、図４〜図６を参照として、本発明のリードフレーム及び半導体装置の第２の実施に形態について説明する。図４（Ａ）は本発明の半導体装置の斜視図であり、図４（Ｂ）は本発明の半導体装置裏面の斜視図であり、図５（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の半導体装置に用いるリードフレームの平面図であり、図６（Ａ）は図４（Ｂ）に示した本発明の半導体装置のＭ−Ｍ線方向の断面図であり、図６（Ｂ）は図４（Ｂ）に示した本発明の半導体装置のＮ−Ｎ線方向の断面図でる。
【００２９】
先ず、図４（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、本実施の形態における半導体装置５１では、絶縁性樹脂からなる樹脂パッケージ５２の側面５４及び裏面５６からリード５３が露出している。本実施の形態では、樹脂パッケージ５２の側面５４から露出するリード５３の露出面５３１は、その側面５４とほぼ同一面を形成している。そして、少なくともリード５３の露出面５３１の一部は、その露出する樹脂パッケージ５２の側面５４の１側辺５５まで露出し、その側辺５５を介して樹脂パッケージ５２の裏面５６に露出するリード５３の露出面５３２と連続している。また、本実施の形態では、樹脂パッケージ５２の裏面５６に露出するリード５３の露出面５３２も、その裏面５６とほぼ同一面を形成している。
【００３０】
一方、本実施の形態では、図４（Ｂ）に示すように、樹脂パッケージ５２の裏面のリード５３が露出する外周領域の内側には、少なくともアイランドの一部５７が露出している。尚、本実施の形態では、丸状のアイランドの一部５７が複数個、リード５３の露出する外周面の内側にほぼ均一の間隔で配置されている。そして、アイランド５７の露出面もリードの露出面５３２と同様に、樹脂パッケージ５２の裏面５６とほぼ同一面を形成している。また、樹脂パッケージ５２の側面５４に露出するリード５３の露出面５３１は本実施の形状に限定する必要は無い。例えば、ダイシングブレードの消耗を抑制するため、露出面５３１がＴ字型に露出しても良いし、樹脂パッケージ５２の側面５４から露出する露出面５３１が側辺５５から離間した位置でも良い。
【００３１】
次に、図５（Ａ）に示すように、本実施の形態に用いるリードフレーム６１は、例えば厚さが約１００〜２５０μｍ程度の銅を主材料とするフレームから成る。しかし、Ｆｅ―Ｎｉを主材料としても良いし、他の金属材料でも良い。そして、リードフレーム６１上には一点鎖線で示した１個の半導体装置に対応するユニットを示す搭載部６２が複数個形成されている。尚、図５では、１つの搭載部６２を図示しているが、例えば、この搭載部６２が４つ集まることで１つの集合ブロックを形成し、この集合ブロック毎に一体の樹脂モールドされる。そして、リードフレーム６１上には、この集合ブロックが複数形成される。
【００３２】
具体的には、搭載部６２は、主に、アイランド６３とアイランド６３を支持する吊りリード６４と、アイランド６３の４側辺の近傍に位置し、この４側辺を囲み隣接する搭載部６２の共通のタイバー６５へと延在される複数のリード６３とから構成されている。そして、吊りリード６４はアイランド６３の４つのコーナー部から延在し、それぞれの方向のリード６３を支持するタイバー６５の交差する支持領域６６と連結する。支持領域６６はリードフレーム６１と一体となっており、この構造により、アイランド６３がリードフレーム６１に支持されている。
【００３３】
そして、本実施の形態では、アイランド６３の中央領域に紙面と同じ色で示す領域は、アイランド６３を貫通する孔６９であり、半導体素子７１（図６参照）は孔６９の周囲のアイランド６３で固着される。また、リードフレーム６１のアイランドの一部５７及び吊りリード６４でハッチング６７で示す領域は、リードフレーム６１の裏面からエッチングされ、例えば、０．０５〜０．１５μｍ程度、リードフレーム６１の裏面から窪んでいる。一方、ハッチング７０で示すアイランド６３はエッチングされず、リードフレーム６１の裏面とほぼ同一面に位置している。そして、このリードフレーム６１の形状により、図４（Ｂ）に示すように、孔６９内部には、アイランドの一部５７間のエッチングした領域から樹脂が流入し、アイランド６３、吊りリード６４裏面には樹脂が充填される。その結果、樹脂パッケージ６２裏面からはリード６３及びアイランドの一部５７が露出する構造となる。
【００３４】
一方、リード６３でハッチング６８で示す領域は、リードフレーム６１の表面からエッチングされ、例えば、０．０５〜０．１８μｍ程度、リードフレーム６１の表面から窪んでいる。そのため、本実施の形態では、半導体装置の製造方法の説明は省略するが、個々の樹脂パッケージ６２に分割する際に、ダイシングブレードとリードフレーム６１との接触面積、接触時間を低減することができ、ダイシングブレードの摩耗を抑制することができる。
【００３５】
図５（Ｂ）に示すように、本実施の形態では、アイランド６３の中央部に孔６９を１箇所設ける場合に限定する必要はなく、アイランド６３の複数箇所に孔６９を配置することも可能である。例えば、図示の如く、アイランド６３を４つの領域７０に分割し、その４つの領域上に半導体素子７１を固着する場合でも良い。更に、図５（Ｂ）で、紙面と同じ色で示す分割した領域を裏面側からエッチングし、その一部の領域に孔を設ける場合でも良い。その他、任意の設計変更は可能であり、このような構造を有することで、上述の如く、樹脂パッケージ５２の中央領域に発生するガスはアイランド６３の孔６９等により、その排出経路を短絡し、外部に排出されることが可能となる。
【００３６】
次に、図６（Ａ）に示すように、図４（Ｂ）に示す半導体装置５１のＭ−Ｍ線方向の断面構造では、アイランド６３上には、例えば、Ａｇペースト等の導電ペースト７２を介して半導体素子７１が固着されている。そして、半導体素子７１の電極パッド部（図示せず）とリード５３とは金属細線７３を介して電気的に接続している。
【００３７】
上述の如く、本実施の形態では、リードフレーム６１は、例えば、厚さが約１００〜２５０μｍの銅を主材料とするフレームから成る。そのリードフレーム６１には、アイランド６３及びその周囲に配置されるリード５３から成る搭載部６２が複数形成されている。図示の如く、本実施の形態では、アイランド６３はその中央領域に孔６９が設けられていることで、孔６９が配置される領域では、半導体素子７１裏面まで樹脂が充填されている。そのため、半導体素子７１裏面は、直接、樹脂パッケージ５２を構成する樹脂と当接している。そして、本実施の形態では、この構造を有することで、以下に説明する効果を実現できる。
【００３８】
本実施の半導体装置５１は、実装基板（図示せず）の所望の導電パターン（図示せず）上に、例えば、半田を介して実装され、電気回路の一部としてその役割を担う。このとき、半導体装置５１の半導体素子７１が駆動するが、その際に半導体素子７１から熱を発生し、その熱により樹脂パッケージ５２自体も高温な状態となる。そして、樹脂パッケージ５２は外部の水分を吸収しており、その水分が半導体素子７１から発生する熱により膨張し、気化しガスとなる。例えば、樹脂パッケージ５２の端部領域で気化したガスは樹脂パッケージ５２を介して容易に排出される。しかし、半導体素子７１近傍の樹脂パッケージ５２の中央領域に存在するガスは、樹脂パッケージ５２の側面５４まではその経路が長く、膨張したガスにより樹脂パッケージ５２にクラックを発生させ、樹脂パッケージ５２を破損してしまう。また、樹脂パッケージ５２の裏面５６へは、アイランド６３が存在することで、アイランド６３外周辺から回り込む経路となり、この場合も上述の如く、膨張したガスにより樹脂パッケージ５２にクラックを発生させ、樹脂パッケージ５２を破損してしまう。
【００３９】
そこで、本実施の形態では、特に、ガスが排出される為には長い経路を有する樹脂パッケージ５２の中央領域において、アイランド６３を貫通する孔６９を設け、ガスの排出経路の短縮を実現している。つまり、半導体素子７１近傍の樹脂パッケージ５２の中央領域に存在するガスを樹脂パッケージ５２の表面から、または孔６９を介して樹脂パッケージ５２の裏面５６から排出することを実現する。そのことで、本実施の形態の半導体装置では、上述した膨張したガスにより樹脂パッケージ５２にクラックを発生させ、樹脂パッケージ５２を破損してしまう問題を解決することができる。
【００４０】
そして、第２の実施の形態における第１の実装形態とは異なる構造は、アイランド６３に設けた孔６９を樹脂パッケージ５２内に配置していることである。つまり、第２の実施の形態の半導体装置５１では、樹脂パッケージ５２の外周面からはアイランド６３に設けられた孔６９は露出せず、外観上は孔６９の存在を確認することは出来ない。しかしながら、第２の実施の形態の半導体装置５１では、樹脂パッケージ５２の中央領域では、孔６９を介して樹脂パッケージ５２の表面側と裏面側との間のガスの移動が可能となっている。そのことで、第２の実施の形態においても、上述したように、第１の実施の形態と同様な効果を得ることができる。
【００４１】
更に、本実施の形態では、孔６９の周囲を囲むように存在するアイランド６３は裏面側から、例えば、０．０５〜０．１８μｍ程度エッチングされ、丸状のアイランドの一部５７が形成されている。そして、丸状のアイランドの一部５７はその裏面を樹脂パッケージ５２の裏面５６とほぼ同一面とし、露出されている。そのことで、本実施の形態の半導体装置５１を実装基板の導電パターン上に実装する際に、丸状のアイランドの一部５７も実装領域として活用することができ、実装強度の向上を実現できる。
【００４２】
次に、図６（Ｂ）に示すように、図４（Ｂ）に示す半導体装置５１のＮ−Ｎ線方向の断面構造では、アイランド６３のコーナー部から樹脂パッケージ５２の４つのコーナー部へと吊りリード６４を配置し、アイランド６３をリードフレーム６１へと支持している。そして、上述したように、吊りリード６４は裏面側から、例えば、０．０５〜０．１８μｍ程度エッチングされている。そのことで、半導体装置５１のＮ−Ｎ線方向の断面では、アイランド６３と吊りリード６４とが一体となる。そして、図６（Ｂ）に示す断面構造においても、丸状のアイランドの一部５７が形成されており、丸状のアイランドの一部５７が樹脂パッケージ５２の裏面５６から露出している。そして、丸状のアイランドの一部５７も実装領域として活用し、実装強度の向上を実現している。
【００４３】
尚、本実施の形態では、ＱＦＮ型のパッケージについて説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、複数の搭載部を共通モールドしないＱＦＮ型のパッケージにおいても、また、ＱＦＰ型のパッケージにおいてもアイランドにガスの排出経路を短縮する孔を設けることで同様な効果を得ることができる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００４４】
上述したように、第１に、本発明の半導体装置では、半導体素子を固着するアイランドにアイランドを貫通する孔を少なくとの１箇所設け、半導体素子の熱により発生する樹脂パッケージ内のガスを排出する経路とする。つまり、本発明の半導体装置では、特に、その排出経路の長い樹脂パッケージの中央領域では、膨張したガスにより樹脂パッケージの破損を抑制し、発生したガスをアイランドの孔を通過させ、排出経路の短縮を実現している。
【００４５】
第２に、本発明の半導体装置では、樹脂パッケージ裏面から多数のリードを露出させ、且つ半導体素子を固着したアイランド裏面を区分し、少なくとも１箇所以上露出させている。そのことで、裏面実装型のパッケージのように、実装面積を確保し難い半導体装置では、アイランドの一部も実装面積として活用することができ、実装強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体装置の概観状況を説明するための（Ａ）斜視図、（Ｂ）斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の半導体装置に用いるリードフレームを説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の半導体装置の断面構造を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の半導体装置の概観状況を説明するための（Ａ）斜視図、（Ｂ）斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の半導体装置に用いるリードフレームを説明するための（Ａ）平面図、（Ｂ）平面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態の半導体装置の断面構造を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図である。
【図７】従来の半導体装置の外観状況を説明するための（Ａ）斜視図、（Ｂ）平面図である。
【図８】従来の半導体装置を説明するための（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【符号の説明】
【００４７】
２１            半導体装置
２２            樹脂パッケージ
２３            リード
２４            側面
２５            側辺
２６            裏面
２７            アイランド
２８            孔
３１            リードフレーム
３２            搭載部
３４            吊りリード
３５            タイバー
３６            支持領域
４１            半導体素子
４２            導電ペースト
４３            金属細線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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