(57)【要約】【課題】信頼性が高く、かつ、容易に製造することができるとともに、内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子３と、半導体素子３に設けられた電極と接続される電極を有するリード４と、半導体素子３の電極とリード４の電極とを電気的に接続する金属膜６とを備える。【選択図】図３
2008078561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子に設けられた電極と接続される電極を有するリードと、
前記半導体素子の電極と前記リードの電極とを電気的に接続する金属膜と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属膜は、めっきにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属膜は、蒸着により形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記金属膜は、スパッタにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記金属膜は、塗布されることにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体素子に設けられた電極と、前記半導体素子の電極と接続される電極を有するリードとの間に樹脂を充填する工程と、
前記樹脂を間に挟んで前記半導体素子の電極と前記リードの電極とを電気的に接続する金属膜を設ける工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体素子に設けられた電極と、前記半導体素子の電極と接続される電極を有するリードとの間に樹脂を充填する工程と、
前記半導体素子上及び前記リード上に充填された前記樹脂を取り除いて、前記半導体素子の電極及び前記リードの電極をそれぞれ露出させる工程と、
前記樹脂を間に挟んで前記半導体素子の電極と前記リードの電極とを電気的に接続する金属膜を設ける工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に半導体素子の電極とリードの電極との間の抵抗を低減する電流経路部材が設けられた半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の一例として、電流のスイッチングや増幅に使用されるＦＥＴを含むトランジスタパッケージを挙げることができる。このトランジスタパッケージにおいて、半導体素子上の電極とリードの電極とは、金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の導電性を有する金属から形成された複数本のワイヤによって電気的に接続されている。
【０００３】
近年の半導体市場では、高速に動作し高い処理能力を有しつつ、動作中の消費電力は低い半導体装置が求められている。このような相反する２つの課題を克服するために、半導体装置の回路の微細化が進められるとともに、供給された電力を半導体装置全体で効率よく利用するために、内部抵抗（ＯＮ抵抗）の低抵抗化が進められている。
【０００４】
この内部抵抗の例としては、半導体素子とリードとを接続する電流経路部材の抵抗成分と、この電流経路部材と各電極間の接続抵抗成分を挙げることができる。この電流経路部材として通常金属ワイヤが用いられるが、この金属ワイヤの抵抗が半導体装置全体の内部抵抗値に対して無視できない程に大きくなっている。従って、金属ワイヤを用いても金属ワイヤに関係する抵抗を低くすることができれば半導体素子の電極とリードの電極との接続抵抗成分も低くすることが可能である。
【０００５】
そのために、例えば、金属ワイヤの太線化や多線化が考えられるが、隣接する金属ワイヤ同士の短絡や取り付け本数と取り付け空間の制限のため、技術的に困難な点が生ずる。一方で、金属ワイヤ自身の抵抗値を低くする方法として、金属ワイヤを形成する金属材料を金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）よりも低抵抗の材料に変更することが考えられる。但し、この方法では使用できる金属の種類が限定的であること、接合部分の信頼性があまり高くないことから採用は難しい。
【０００６】
このような問題を解決するための１つの方法として、以下の特許文献１には、半導体装置全体の低抵抗化を図るため、導電性を有する平板状の金属材料を用いて半導体素子の電極とリードの電極とを電気的に接続する半導体装置が提示されている。すなわち、この方法により半導体素子の電極とリードの電極との間の電流の流路断面積が拡大されるので、電極とリードとの間における抵抗を下げることができるとされる。この発明においては、平板状の金属材料に塑性変形を起こしやすいアルミニウム（Ａｌ）を採用し、超音波接合を用いて半導体素子の電極とリードの電極とを金属接合している。
【特許文献１】特開２００２−３１４０１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に開示された発明においては、アルミニウム（Ａｌ）の平板を超音波接合させるために大きな加重を印加する必要がある。そのため、半導体素子自体がこの加重に耐える必要があることから一定の大きさ以下の半導体素子や大きな加重を掛けることのできない半導体素子に対しては採用することができない。また、平板がアルミニウム（Ａｌ）であり、大幅な低抵抗化を図ることは困難である。
【０００８】
また、このような弊害を避けるために平板状の金属材料と半導体素子の電極及びリードの電極とを電気的に接続する部分にはんだまたは導電性ペーストを使用する方法もある。但し、一般にはんだや導電性ペーストは、温度差が激しく、かつ急激に温度が変化する、いわゆる温度サイクル試験において接合部界面にクラックや脆化が発生することから、温度変化に対する耐久性が低い。
【０００９】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、信頼性が高く、かつ、容易に製造することができるとともに、内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、半導体装置において、半導体素子と、半導体素子に設けられた電極と接続される電極を有するリードと、半導体素子の電極とリードの電極とを電気的に接続する金属膜とを備える。
【００１１】
本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、半導体装置の製造方法において、半導体素子に設けられた電極と、半導体素子の電極と接続される電極を有するリードとの間に樹脂を充填する工程と、樹脂を間に挟んで半導体素子の電極とリードの電極とを電気的に接続する金属膜を設ける工程とを備える。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば信頼性が高く、かつ、容易に製造することができるとともに、内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
（第１の実施の形態）
まず、第１の実施の形態に係る半導体装置の構成を説明する。本発明の実施の形態に係る半導体装置１は、第１のリード２に載置された半導体素子３と、半導体素子３に設けられた電極と接続される電極を有する第２のリード４と、半導体素子３と第２のリード４との間に充填される樹脂５と、半導体素子３の電極と第２のリード４の電極とを電気的に接続する金属膜６と、第１のリード２と、半導体素子３と、第２のリード４と、樹脂５と、金属膜６とを覆う外囲器７とを備える。
【００１５】
図１は半導体装置１の全体を示す斜視図である。半導体装置１は、そのほぼ外部全体を封止樹脂（以下、「外囲器７」と表わす。）で覆われている。本発明の実施の形態では、半導体装置１は第１のリード２と第２のリード４を各４本ずつ、計８本有している。
【００１６】
図２は、図１に示す半導体装置１をＸ−Ｘ線において切断して見た半導体装置１の平面図である。また、図３は、図２に示す半導体装置１をＹ−Ｙ線において切断して見た半導体装置１の切断断面図である。第１のリード２と第２のリード４の一端部が、対向するように外囲器７の両側から外側に露出されている。図３に示すように、第１のリード２上にはダイボンド材Ｄを介して半導体素子３が電気的に接続されている。
【００１７】
半導体素子３のダイボンド材Ｄを介して第１のリード２と接続されている一方の面３ａにはドレイン電極が設けられており、この面と対向する他方の面３ｂ（以下、「表面３ｂ」という。）には、ゲート電極及びソース電極が設けられている。第２のリード４において外囲器７の内部に含まれる端部の表面４ａには、リード電極が設けられている。
【００１８】
半導体素子３の表面３ｂと第２のリード４の表面４ａは、同一平面となるようにされている。すなわち、第２のリード４の曲げ加工を行う際に、第１のリード２上に載置される半導体素子３の表面３ｂの高さと第２のリード４の表面４ａの高さが同一となるよう、その高さが調節されている。
【００１９】
また、第１のリード２、半導体素子３と第２のリード４の間に充填される樹脂５（以下、単に「樹脂５」という。）もその高さが表面３ｂ及び表面４ａの高さと同一となるように充填される。このように樹脂５が充填されることで、図３に示すように、半導体素子３の表面３ｂと第２のリード４の表面４ａは充填された樹脂５の表面と同一平面を構成することになる。
【００２０】
半導体素子３の表面３ｂに設けられたゲート電極及びソース電極と、第２のリード４の表面４ａに設けられたリード電極とをつなぐように導電性ペースト８が塗布されている。また、この導電性ペースト８の上には金属膜６が導電性ペースト８を覆うように設けられている。そして、これらが外囲器７に覆われることで半導体装置１となる。
【００２１】
次に、図４ないし図８を用いて、本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置１の製造方法を説明する。
【００２２】
まず、図４に示すように、第１のリード２の上にダイボンド材Ｄを介して半導体素子３を接続する。第２のリード４は、配置したときにその表面４ａの高さが半導体素子３の表面３ｂの高さと同一となるように曲げ加工を行い、第１のリード２と第２のリード４とが対向する位置に配置する。
【００２３】
次に、図５に示すように、金型Ｍに図４で示したリードと半導体素子とを入れて、樹脂５を充填する。金型Ｍは、底面に樹脂５を注入する孔を有する器状部材Ｍ１と、器状部材Ｍ１に被せる蓋状部材Ｍ２とから構成されている。蓋状部材Ｍ２は、蓋状部材Ｍ２の器状部材Ｍ１の内部空間に対する面が半導体素子３の表面３ｂと第２のリード４の表面４ａと密着する状態で器状部材Ｍ１に被せられる。この器状部材Ｍ１に蓋状部材Ｍ２が被せられた状態で、図５の矢印に示すように器状部材Ｍ１の底面の孔から樹脂５が注入される。注入された樹脂５は、器状部材Ｍ１の内部に充填される。なお、この樹脂５は、半導体素子３の特性を阻害するものでなければその種類は問わない。
【００２４】
図６は、樹脂５を充填した後、金型Ｍを外した状態を示す図である。樹脂５が充填されて固化することで図６のような状態となる。図５で示すように、蓋状部材Ｍ２と半導体素子３の表面３ｂ及び第２のリード４の表面４ａとの間は密着していることから、蓋状部材Ｍ２と表面３ｂと表面４ａとの間に樹脂５は充填されない。そのため、図６に示すように、蓋状部材Ｍ２を外せば表面３ｂと表面４ａとの間に充填された樹脂５は、表面３ｂと表面４ａと同一平面を形成する。
【００２５】
同一平面となっている半導体素子３の表面３ｂ、第２のリード４の表面４ａ及び樹脂５の上に導電性ペースト８を塗布し、加熱硬化する（図７参照）。樹脂５が表面３ｂと表面４ａと同一平面となるように充填されていることから、導電性ペースト８が塗布されても半導体素子３と第２のリード４との間から落ちるということはなく、例えば、平面の板に塗布したのと同様に平らに塗布される。この導電性ペースト８は、半導体素子３の表面３ｂに設けられたゲート電極及びソース電極と、第２のリード４の表面４ａに設けられたリード電極とを電気的に接続する役割を果たす。導電性ペースト８の塗布の方法については、ディスペンス、スクリーン印刷転写等、どのような方法で塗布されても良い。また、導電性ペースト８の導電率、硬化条件は電解めっきが可能な範囲であれば任意に定めることができる。
【００２６】
さらに、図８に示すように、この導電性ペースト８を核としてその上から金属膜６を被せる。導電性ペースト８自体にも導通性はあるが、金属膜に比べれば抵抗が大きいことから、さらに金属膜６を形成して、半導体素子３の表面３ｂに設けられているゲート電極及びソース電極と、第２のリード４の表面４ａのリード電極とを電気的に接続する。金属膜６の形成は、具体的には、例えば、第２のリード４を介して導電性ペースト８及び半導体素子３の電極に通電して行う。形成される金属膜６の金属は、体積電気抵抗率が低く、かつ、めっき可能な金属であればその種類は問わない。例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を好適に用いることができる。
【００２７】
この金属膜６は、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング、蒸着、塗布のいずれの方法によって形成されても構わない。また、半導体素子３の電極上の一部、或いは全体に厚付けすることで、金属膜６の表面を流れる電流経路が増加し、表面抵抗が低下することにより接続抵抗全体を下げることができる。なお、金属膜６の厚さは、厚ければ厚いほど流れる電流が増加することになるが、具体的には、例えば、１μｍないし数μｍである。
【００２８】
その後、外囲器７で樹脂５を覆う。この外囲器７については、半導体素子の特性を阻害するものでなければその種類は問わない。また、外囲器７の形状は、金属膜６が形成された部分を保護するように覆っていれば、樹脂５の一部分が外囲器７の外部に露出されるようにモールドされても良い。このような製造工程を経ることで、図１に示すような半導体装置１を得ることができる。
【００２９】
図９は、本発明の第１の実施の形態における半導体装置１の変形例である。上述した第１の実施の形態における半導体装置１では、半導体素子３の電極と第２のリード４の電極とが、樹脂５の表面と同一面を構成していることを特徴としている。
【００３０】
一方、この変形例においては、第２のリード４は第１の実施の形態における第２のリード４のように曲げ加工されておらず平板な板状である。従って、半導体素子３の電極と第２のリード４の電極の第１のリード２の底面及び第２のリード４の底面からの高さは異なる。そのため、例えば図９に示すように、樹脂５の表面は、半導体素子３の電極が設けられている半導体素子３の表面３ｂに対して第２のリード４に向けて傾斜し、樹脂５の表面と半導体素子３の表面３ｂ、第２のリード４の表面４ａは連続した面を構成する。また、半導体素子３の電極と第２のリード４の電極とを接続する導電性ペースト８及び金属膜６も充填された樹脂５の形状に従って半導体素子３の電極から第２のリード４の電極に向かって傾斜する。
【００３１】
このように、高い信頼性と製造の容易さを確保した上で、半導体素子３の電極と第２のリード４の電極とが同一面を構成するように半導体素子３と第２のリードとの間に樹脂５が充填され、半導体素子３の電極及び第２のリード４の電極を電気的に接続する金属膜６を形成することで、内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【００３２】
なお、第１の実施の形態においては、樹脂５は、半導体素子３の表面３ｂと第２のリード４の表面４ａとの間において、表面３ｂと表面４ａと同一平面を構成するように充填されることを例に挙げて説明した。しかし、表面３ｂと表面４ａとの間をつなぐ金属膜６が半導体素子３と第２のリード４との間にできる間隙（図４参照）に落ちないようにされていれば、この樹脂５は必ずしも表面３ｂと表面４ａと同一平面を構成するように充填されなくても良い。
【００３３】
（第２の実施の形態）
次に本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、第２の実施の形態において、上述の第１の実施の形態において説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、同一の構成要素の説明は重複するので省略する。
【００３４】
第１の実施の形態においては、上述したように、樹脂５を充填する際にはリードと半導体素子とを金型Ｍに入れる。蓋状部材Ｍ２を半導体素子３及び第２のリード４の表面に密着させることで樹脂５が半導体素子３及び第２のリード４の表面に充填されることが防止されている。このようにすることで、半導体素子３の電極及び第２のリード４の電極は樹脂５の表面と同一平面を構成する。
【００３５】
但し、半導体装置１の製造工程において蓋状部材Ｍ２を半導体素子３及び第２のリード４の表面に密着させることができないこともあり、その場合には、半導体素子３及び第２のリード４の表面に樹脂５が充填されてしまうこともある。第２の実施の形態においては、このような状態における半導体装置１０の製造方法を示している。
【００３６】
図１０は、図示しない金型Ｍを用いて、半導体素子１３及び第２のリード１４に樹脂１５を充填し、金型Ｍを取り外した状態を示している。この状態では、半導体素子１３の電極と第２のリード１４の電極は樹脂１５に覆われているので、それぞれの電極を露出させる必要がある。そこで、半導体素子１３の表面３ｂにおいて電極が設けられている領域及び第２のリード１４の表面４ａにおいて電極が設けられている領域に、例えば、レーザを照射して電極を露出させる（図１１参照）。露出される半導体素子１３の電極を含む表面１３ｂ、第２のリード１４の電極を含む表面１４ａの大きさは、導通が図れる大きさであればレーザによる加工によって任意に設定することができる。
【００３７】
図１２に示すように、開口された半導体素子１３の電極及び第２のリード１４の電極を埋めて樹脂１５の表面も覆う範囲で導電性ペースト１８を塗布する。導電性ペースト１８の塗布にあたっては、印刷等、どのような方法で塗布されても良い。
【００３８】
さらに、図１３に示すように、この導電性ペースト１８を核としてその上から金属膜１６を形成して、半導体素子１３のゲート電極及びソース電極と、第２のリード１４のリード電極とを電気的に接続する。形成される金属膜１６の金属は、体積電気抵抗率が低く、かつ、めっき可能な金属であればその種類は問わない。例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を好適に用いることができる。この金属膜１６は、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング、蒸着、塗布のいずれの方法によって付けられても構わない。また、半導体素子１３の電極上の一部、或いは全体に厚付けすることで、金属膜１６の表面を流れる電流経路が増加し、表面抵抗が低下することにより接続抵抗全体を下げることができる。このような製造方法を採用することで、図１４に示すような半導体装置１０を得ることができる。
【００３９】
このようにすることで、たとえ半導体素子１３の電極及び第２のリード１４の電極を樹脂１５が覆ってしまっても各電極領域を開口させることができる。そして、高い信頼性と製造の容易さを確保した上で、半導体素子１３の電極及び第２のリード１４の電極を電気的に接続する金属膜１６を形成することで、内部抵抗の一層の低抵抗化を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【００４０】
なお、この発明は、上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置全体を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す切断断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第１の工程断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第２の工程断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第３の工程断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第４の工程断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第５の工程断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の変形例を示す切断断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第１の工程断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第２の工程断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第３の工程断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第４の工程断面図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す切断断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…半導体装置、２…第１のリード、３…半導体素子、４…第２のリード、５…樹脂、６…金属膜、７…外囲器、８…導電性ペースト。
【図１】
2008078561.tif 000003
【図２】
2008078561.tif 000004
【図３】
2008078561.tif 000005
【図４】
2008078561.tif 000006
【図５】
2008078561.tif 000007
【図６】
2008078561.tif 000008
【図７】
2008078561.tif 000009
【図８】
2008078561.tif 000010
【図９】
2008078561.tif 000011
【図１０】
2008078561.tif 000012
【図１１】
2008078561.tif 000013
【図１２】
2008078561.tif 000014
【図１３】
2008078561.tif 000015
【図１４】
2008078561.tif 000016