(57)【要約】【課題】ホットエンボス用の微細パターン形状（凹部１１）を備えた型（型体）１３を加工する場合において、ホットエンボス（インプリント）時に、樹脂成形品（４７）を型１３から効率良く離型する。【解決手段】まず、シリコン基材１をＤｅｅｐ反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法にてドライエッチング（矢印２）することにより、エッチング処理面に微細パターン形状の開口部４を備え且つ逆テーパ形状の壁面を備えた凹部５を形成すると共に、そのエッチング処理面３側にシリコン基台６を熱処理による拡散接合にて貼付けしてエッチング処理面の開口部４を閉鎖し、次に、その反対面となる非エッチング処理面７側を研削ローラ８にて研削して除去することにより、当該面７側に微細パターン形状を有する開口部１０を出現させ、微細パターン形状の開口部１０を備え且つ順テーパ形状の壁面を備えた凹部１１を設けた型を加工する。【選択図】図１
2008162040.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被エッチング基材の表面にドライエッチング処理することにより、前記した被エッチング基材のエッチング処理面に所要の微細パターンを有する開口部を備え且つ逆テーパ形状の壁面を備えた凹部を形成する工程と、
前記したエッチング処理面側に基台を接合することにより、前記したエッチング処理面側の開口部を閉鎖する工程と、
前記した被エッチング基材の非エッチング処理面における不要な基材部分を除去することにより、前記した非エッチング処理面に前記した凹部に対応した所要の微細パターンを有する開口部を出現させる工程と、
前記したエッチング処理面における開口部の閉鎖工程と、前記した非エッチング処理面における開口部の出現工程とを順次に或いは逆次に行うことによって、前記した非エッチング処理面に所要の微細パターンの開口部を有し且つ順テーパ形状の壁面を有する凹部を備えた型体を形成する工程とを含むことを特徴とする型体の加工方法。
【請求項２】
被エッチング基材として、シリコン基材を用いることを特徴とする請求項１に記載の型体の加工方法。
【請求項３】
被エッチング基材として、シリコン基材に中間二酸化ケイ素層を挟んだＳＯＩ基材を用いると共に、前記した被エッチング基材のドライエッチング工程時における逆テーパ形状凹部のエッチング深さを前記した中間二酸化ケイ素層で停止することを特徴とする請求項１に記載の型体の加工方法。
【請求項４】
被エッチング基材のドライエッチング工程時における逆テーパ形状凹部のエッチング深さを中間二酸化ケイ素層で停止すると共に、前記した逆テーパ形状凹部の底面部側にノッチ部を形成することを特徴とする請求項３に記載の型体の加工方法。
【請求項５】
所要の微細パターンの開口部を有し且つドライエッチングによる逆テーパ形状壁面と閉鎖開口部とを有する凹部における逆テーパ形状壁面を順テーパ形状の壁面とし、前記した閉鎖開口部を底面とする凹部を備えたことを特徴とする型体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、シリコン基材をエッチングして微細パターン形状（微細パターン）を有する型体を形成する型体の加工方法とその型体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、シリコン基材（被エッチング基材）をエッチングして微細パターン形状（微細パターン）を有する型体を形成することが行われているが、この方法は次のようにして行われている。
【０００３】
例えば、図８（１）に示すように、まず、シリコン基材（Ｓｉ基材）１にレジスト膜を塗布して露光することにより、Ｓｉ基材１の表面に微細パターンを形成し、次に、微細パターンのレジスト膜を処理したＳｉ基材１の表面にドライエッチングすることにより、微細パターンを有する型体（例えば、ホットエンボス用の型１０４）を形成するようにしている。
従って、例えば、前述した微細パターンを有するホットエンボス用型（型体）１０４を、加熱して軟化した樹脂板（被成形品）に押圧した後、冷却して離型することにより、前記した微細パターンを転写して微細パターンを有する樹脂成形品（製品）を形成することができるように構成されている。なお、この方法は、ホットエンボス法と呼ばれている〔図６（１）、図６（２）、図６（３）を参照〕。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２４５９２５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、Ｓｉ基材１をドライエッチング法の一種であるＤｅｅｐ−ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）を用いてドライエッチングした場合、このＳｉ基材１にドライエッチングにて形成された凹部１０１の壁面１０２は、逆テーパ形状に形成され易いのが通例である。
また、微細パターンを有する開口部１０３の粗密状態によって（例えば、微細パターンを有する開口部１０３の幅方向Ａの大小によって）エッチング速度が異なるため、エッチングによる深さ（エッチング深さＢ）が効率良く均一に揃わないのが通例である（一般的に、マイクロローディング効果と呼ばれている）。
従って、前記した凹部１０１における逆テーパ形状（壁面１０２）と、異なるエッチング深さ（Ｂ）とによって、次のような課題が発生している。
【０００６】
即ち、ホットエンボス時に（インプリント時に）、このようなＳｉ基材１による型（型体）１０４を用いて樹脂板に押圧して成形した場合、前記した凹部１０１が逆テーパ形状に形成されるために、アンダーカット状態となって無理抜きとなるので、この型（型体）１０４を樹脂板から効率良く離型して樹脂成形品（製品）を得ることができない。
従って、型（型体）１０４を加工する場合、前記した型（型体）１０４にて形成される樹脂成形品（製品）を効率良く離型することができないと云う弊害がある。
また、型（型体）１０４を加工する場合、前記した型（型体）１０４に成形される凹部１０１の深さを効率良く均一に揃えることができないと云う弊害がある。
【０００７】
また、前述したマイクロローディング効果によって、微細パターンの粗い方がエッチング速度は速く、また、微細パターンの密な方がエッチング速度は遅いのが通例であるが、前記した凹部１０１のエッチング深さが均一に揃わないために、例えば、当該型（型体）１０４の凹部１０１を押圧・転写される樹脂成形品（凸部）の高さを効率良く均一に揃わせることができない。
また、例えば、前記した樹脂板から型（型体）を離型する場合、前記した型（型体）１０４に形成された凹部１０１の逆テーパ形状によって、或いは、当該凹部１０１の壁面１０２に形成されたスキャロップ（突起）１０５によって、樹脂成形品自体が引っ掛かるために、当該樹脂成形品の凸部が破断或いは伸長する場合がある。
即ち、前述した逆テーパ形状（１０２）やスキャロップ１０５による樹脂成形品の凸部の破断或いは伸長によって、この樹脂成形品における凸部の高さを効率良く均一に揃わせることができない。
また、例えば、逆テーパ形状の凹部１０１を有する型（型体）にて成形（押圧・離型）した場合、アンダーカット状態になって無理抜きとなるために、当該型１０４（凹部１０１）自体に欠損等の破壊が発生する場合があり、樹脂成形品（における凸部）の高さを効率良く均一に揃わせることができない。
従って、微細パターンを有する樹脂成形品（製品）を効率良く離型することができず、高信頼性・高品質性の製品（樹脂成形品）を効率良く得ることができないと云う弊害がある。
また、前述したように、樹脂成形品（製品）における凸部の高さを効率良く均一に揃わせることができないために、また、微細パターンを有する樹脂成形品（製品）を効率良く離型することができないために、製品の歩留まりが低下するので、製品の生産性を効率良く向上させることができないと云う弊害がある。
【０００８】
特に、高アスペクト比（例えば、アスペクト比１０以上）の凸部を有する樹脂成形品（凹部を有する型）として、例えば、高アスペクト比の微細構造体を成形（押圧・離型）する場合、前述したように、無理抜きとなるために、この微細構造体（例えば、高アスペクト比に形成された細長棒形状の凸部）の高さを効率良く均一に揃わせることができない場合が多い。
なお、図８（１）に示す図例では、アスペクト比は（Ｂ／Ａ）で示されている。
【０００９】
また、図８（２）に示すように、前述したＳｉ基材１に代えて、ＳＯＩウェハ２１、即ち、二つの単結晶シリコン層２２・２３にエッチングストップ層として、ＳｉＯ２層（二酸化ケイ素層）２４を中間層として挟みこんだ形式のＳＯＩ基材２１を用いることができる。
この場合、前述したＳｉ基材１による型１０４と同様に、逆テーパ形状の壁面を有する凹部１１１が形成されることになる（スキャロップを含む）。
なお、この場合、ドライエッチングをＳｉＯ２層２４で停止させることができるため、エッチング深さを均一に揃えることはできるものの、前述したマイクロローディング効果のために、シリコン層２２において、この凹部１１１の逆テーパ形状の壁面の底面部側における（壁面の）外周囲にノッチ部（えぐり）１１２と呼ばれるアンダーカット部が中間ＳｉＯ２層２４に沿って形成されることがある。
即ち、ホットエンボス時に（インプリント時に）、このようなＳＯＩ基材２１による型（型体）１１３を用いて成形した場合、前述したＳｉ基材１による型（型体）１０４と同様に、前記した凹部１１１における逆テーパ形状によって、また、更に、前記したノッチ部１１２が加わることによって、前述したようなアンダーカット状態となって無理抜きとなるので、微細パターンを有する樹脂成形品（製品）を効率良く離型することができない。
従って、前述したＳｉ基材１による型（型体）１０４と同様に、製品（樹脂成形品）を効率良く離型することができないと云う弊害がある。
また、前述したＳｉ基材１による型（型体）１０４と同様に、製品（樹脂成形品）を効率良く離型することができないので、高信頼性・高品質性の製品を効率良く得ることができないと云う弊害がある。
また、更に、前述したような高アスペクト比の凸部を有する樹脂成形品（製品）に言及すれば、前述したＳｉ基材１を加工した型（型体）１０４と同様に、前述したような高アスペクト比の微細構造体の凸部の高さを効率良く均一に揃わせることができない。
【００１０】
なお、前述したシリコン基材１或いはＳＯＩ基材２１において、実験的には、ドライエッチングして形成される凹部（１１１）の壁面を垂直形状に或いは順テーパ形状に加工することは可能であるが、この加工は非常に難しく、且つ、この順テーパ形状の凹部１１１を加工・形成した場合、この凹部壁面における順テ−パ形状となる角度が概ね垂直に近くなり、ホットエンボス用の型（転写型）としてのテーパ角度としては非常に小さいので、実用的ではない。
【００１１】
また、前述したホットエンボス用型（型体）１０４とは別に、従来から、微細パターンを有する分割型（型体）をキャビティブロックとして組み付けた樹脂成形用金型（射出成形、トランスファー成形、圧縮成形等を含む）が用いられている〔図７（１）、図７（２）を参照〕。
即ち、前記した樹脂成形用金型における金型キャビティ内に加熱溶融化された樹脂を注入充填することにより、金型キャビティの形状に対応し且つ微細パターンを有する樹脂成形品（例えば、導光板、回折格子等のプラスチック製の光学部品）を成形することが行われている。
しかしながら、前述したホットエンボス用型（型体）１０４と同様に、製品（樹脂成形品）を効率良く離型することができないと云う弊害があり、また、高信頼性・高品質性の製品を効率良く得ることができないと云う弊害があり、更に、製品の生産性を効率良く向上させることができないと云う弊害がある。
【００１２】
従って、本発明は、製品を効率良く離型することができる型体の加工方法及びその型体を提供することを目的とする。
また、本発明は、型体に形成される凹部の深さを効率良く揃えることができる型体の加工方法及びその型体を提供することを目的とする。
また、本発明は、高信頼性・高品質性の製品を効率良く得ることができる型体の加工方法及びその型体を提供することを目的とする。
また、本発明は、製品の生産性を効率良く向上させることができる型体の加工方法及びその型体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記した技術的課題を解決するための本発明に係る型体の加工方法は、被エッチング基材の表面にドライエッチング処理することにより、前記した被エッチング基材のエッチング処理面に所要の微細パターンを有する開口部を備え且つ逆テーパ形状の壁面を備えた凹部を形成する工程と、前記したエッチング処理面側に基台を接合することにより、前記したエッチング処理面側の開口部を閉鎖する工程と、前記した被エッチング基材の非エッチング処理面における不要な基材部分を除去することにより、前記した非エッチング処理面に前記した凹部に対応した所要の微細パターンを有する開口部を出現させる工程と、前記したエッチング処理面における開口部の閉鎖工程と、前記した非エッチング処理面における開口部の出現工程とを順次に或いは逆次に行うことによって、前記した非エッチング処理面に所要の微細パターンの開口部を有し且つ順テーパ形状の壁面を有する凹部を備えた型体を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１４】
また、前記した技術的課題を解決するための本発明に係る型体の加工方法は、前記した被エッチング基材として、シリコン基材を用いることを特徴とする。
【００１５】
また、前記した技術的課題を解決するための本発明に係る型体の加工方法は、前記した被エッチング基材として、シリコン基材に中間二酸化ケイ素層を挟んだＳＯＩ基材を用いると共に、前記した被エッチング基材のドライエッチング工程時における逆テーパ形状凹部のエッチング深さを前記した中間二酸化ケイ素層で停止することを特徴とする。
【００１６】
また、前記した技術的課題を解決するための本発明に係る型体の加工方法は、前記した被エッチング基材のドライエッチング工程時における逆テーパ形状凹部のエッチング深さを中間二酸化ケイ素層で停止すると共に、前記した逆テーパ形状凹部の底面部側にノッチ部を形成することを特徴とする。
【００１７】
また、前記した技術的課題を解決するための本発明に係る型体の加工方法は、前記した順テーパ形状の壁面を有する凹部を高アスペクト比（例えば、アスペクト比１０以上）に形成したことを特徴とする。
【００１８】
また、前記した技術的課題を解決するための本発明に係る型体は、所要の微細パターンの開口部を有し且つドライエッチングによる逆テーパ形状壁面と閉鎖開口部とを有する凹部における逆テーパ形状壁面を順テーパ形状の壁面とし、前記した閉鎖開口部を底面とする凹部を備えたことを特徴とする。
【００１９】
また、前記した技術的課題を解決するための本発明に係る型体は、前記した凹部を高アスペクト比（例えば、アスペクト比１０以上）に形成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、製品を効率良く離型することができる型体の加工方法及びその型体を提供することができると云う優れた効果を奏する。
【００２１】
また、本発明によれば、型体に形成される凹部の深さを効率良く揃えることができる型体の加工方法及びその型体を提供することができると云う優れた効果を奏する。
【００２２】
また、本発明によれば、高信頼性・高品質性の製品を効率良く得ることができる型体の加工方法及びその型体を提供することができると云う優れた効果を奏する。
【００２３】
また、本発明によれば、製品の生産性を効率良く向上させることができる型体の加工方法及びその型体を提供することができると云う優れた効果を奏する。
【００２４】
また、本発明によれば、特に、高アスペクト比（例えば、アスペクト比１０以上）を有する微細パターンを形成する凸部を備えた製品において、当該製品を効率良く離型することができる型体の加工方法及びその型体を提供することができる等、前述した作用効果と同様の作用効果を得ることができる型体の加工方法及びその型体を提供することができると云う優れた効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明に係る型体の加工方法をホットエンボス用型（型体）の加工を例に挙げて説明する。
即ち、まず、シリコン基材（被エッチング基材）にＤｅｅｐ−ＲＩＥ法（反応性イオンエッチング：Reactive Ion Etching）にてドライエッチングする。
このとき、シリコン基材（Ｓｉ基材）のエッチング処理面には、所要の微細形状パターン（微細パターン）を有する開口部を備え且つ（断面形状が）逆テーパ形状の壁面（側壁面）を備えた凹部が形成される（ドライエッチング工程）。
なお、このとき、Ｄｅｅｐ−ＲＩＥ法によるマイクロローディング効果にて当該凹部のエッチング深さが異なることになる。
次に、エッチング処理面にシリコン基台（シリコンウェハ）を仮止め的に貼付けし、熱処理を行うことにより、本貼付け（拡散接合）を行い、Ｓｉ基材におけるエッチング処理面の開口部を閉鎖する（開口部の閉鎖工程）。
このとき、シリコン基台の貼付面側（接合面側）は、前述したドライエッチングによる逆テーパ形状凹部の閉鎖面となるものであると共に、後述する本発明に係る順テーパ形状壁面を備えた凹部の底面となるものである。
次に、Ｓｉ基材における非エッチング処理面（エッチング処理面とは反対側の面）を、例えば、研削ローラにて研削してＳｉ基材における「型（型体）として不要なＳｉ基材の部分」を除去することにより、当該凹部を出現（析出）させて非エッチング処理面側に所要の微細パターンを有する開口部を形成する（開口部の出現工程）。
このとき、前記した凹部におけるエッチング深さの最も浅い凹部を基準にして除去することができるため、前記した凹部のエッチング深さを所要の深さに効率良く均一に揃えることができる。
また、このとき、前記した逆テーパ形状の壁面を備えた凹部は、非エッチング処理面側（押圧面側）から見て、順テーパ形状の壁面を備えた凹部となるものである。
従って、本発明に係る型（型体）の加工において、前述した研削による非エッチング処理面側における開口部の出現工程にて、当該Ｓｉ基材の非エッチング処理面に「微細パターンを有する開口部を備え且つ順テーパ形状の壁面と均一の深さとを備えた凹部」を設けた型体を形成して加工することができる。
また、本発明に係る型（型体）の凹部における順テーパ形状壁面はドライエッチングによる凹部の逆テーパ形状壁面であり、ドライエッチングによる凹部の閉鎖開口部は、本発明に係る型（型体）の凹部における底面である。
なお、この微細パターンの順テーパ形状凹部を有する非エッチング処理面は、例えば、ホットエンボス用型（型体）の押圧面（ホットエンボス用の成形面）、或いは、樹脂成形用金型（射出成形、トランスファー成形、圧縮成形等を含む）のキャビティブロック（当該金型の分割型となる型体）に設けられた金型キャビティにおけるキャビティ底面となるものである。
【００２６】
従って、本発明に係るホットエンボス用型（型体）を用いて、例えば、加熱軟化した樹脂板（被成形品）にホットエンボスした場合、本発明に係る型の押圧面（成形面）を樹脂板に押圧した後、冷却して離型することにより、前記した凹部に対応する凸部を有する微細パターンを前記した樹脂板の被押圧面（被成形面）にホットエンボスして樹脂成形品（製品）を形成することができる。
このとき、軟化した樹脂が順テーパ形状凹部の内部に浸入することになるが、この凹部の断面壁面形状が順テーパ形状であるために、前記した樹脂板から型（型体）を離型する時、当該凹部から樹脂成形品の凸部となる固化樹脂を引っ掛けることなく効率良く離型することができる。
即ち、前述したように、本発明よれば、製品（樹脂成形品）を効率良く離型することができる型体の加工方法及びその型体を提供することができる。
また、前述したように、本発明によれば、型体に形成される凹部の深さを効率良く均一に揃えることができる型体の加工方法及びその型体を提供することができる。
また、本発明によれば、例えば、ホットエンボスする場合、ホットエンボス用型の凹部に対応する樹脂成形品（製品）の凸部を引っ掛けることなく効率良く離型することができるので、この樹脂成形品の凸部が破断或いは伸長することがなく、この樹脂成形品の凸部の高さを効率良く均一に揃わせることができる。
従って、この樹脂成形品の凸部の高さを効率良く均一に揃わせることができるので、高信頼性・高品質性の製品を効率良く得ることができる型体の加工方法及びその型体を提供することができる。
また、更に、前記した樹脂板から型（型体）を離型する時、当該凹部から樹脂成形品（製品）の凸部となる固化樹脂を引っ掛けることなく効率良く離型することができるため、製品の歩留まりを効率良く向上させることができるので、製品の生産性を効率良く向上させることができる型体の加工方法及びその型体を提供することができる。
また、更に、前述したように構成したので、例えば、高アスペクト比（例えば、アスペクト比１０以上）の微細パターンを有する開口部を備え且つ順テーパ形状の壁面と均一の深さとを備えた凹部を設けた型体を効率良く加工することができると共に、本発明にて加工されたホットエンボス用型にて高アスペクト比の製品を効率良く離型して形成することができる。
即ち、前述したように、微細パターンを有する開口部を備えた凹部に順テーパ形状の壁面と均一の深さとを備えることができるので、特に、高アスペクト比の凹部を設けた型体の場合、低アスペクト比以下（例えば、アスペクト比１０未満）の凹部を設けた型体に比べて、その作用効果が顕著であり、ホットエンボスされる樹脂成形品（製品）の凸部を当該凹部内で引っ掛けることなく効率良く離型することができるものである。
【００２７】
なお、前記したＳｉ基材に代えて、二つのシリコン層の間に二酸化ケイ素層（ＳｉＯ２層）を挟んで構成したＳＯＩ基材を用いて、前記したＳＯＩ基材にドライエッチングして前記した中間ＳｉＯ２層で停止させることにより、これら凹部のエッチング深さを所要の深さに効率良く均一に揃えることができる。
また、前記したＳＯＩ基材にドライエッチングする場合、前記したドライエッチングにて形成される凹部の底面部に（ＳｉＯ２層に沿って）ノッチ部を形成しても良い。
この場合、本発明に係る型にて押圧してホットエンボスした場合、前記したノッチ部に対応して樹脂成形品の凸部の基端側に補強樹脂部を形成することができる。
従って、前記した補強樹脂部にてホットエンボスされた製品（凸部）の強度を効率良く向上させることができる。
また、前記した各実施例（Ｓｉ基材、ＳＯＩ基材）において、前記した開口部の閉鎖工程と前記した開口部の出現工程とをこの順でなく逆次に行っても良い。
即ち、前記したドライエッチング工程の後、まず、前記した開口部の出現工程を行い、次に、前記した開口部の閉鎖工程を行っても良い。
この場合においても、前述した開口部の閉鎖工程と開口部の開口工程と順次に行う構成と同様の作用効果を得ることができる。
【００２８】
なお、前述した各実施例では、ホットエンボス用の型（型体）とその型体の加工方法を説明したが、例えば、樹脂成形用金型（射出成形、トランスファー成形、圧縮成形等を含む）の樹脂成形用キャビティを形成するキャビティブロック（型体）、或いは、光インプリント、キャスティング用の型（型体）等にも採用することができる。
【実施例１】
【００２９】
以下、実施例図に基づいて、本発明に係る実施例１を詳細に説明する。
図１（１）、図１（２）、図１（３）、図１（４）は、実施例１に係る型体の加工方法の各工程を説明する説明図である。
また、図１（１）はドライエッチング工程を示し、図１（２）はシリコン基台の貼付工程（開口部の閉鎖工程）を示し、図１（３）は非エッチング面側の除去工程（開口部の出現工程）を示し、図１（４）は型体の形成工程（本発明に係る型体）を示している。
【００３０】
（シリコン基材にドライエッチングする場合について）
即ち、図示はしていないが、まず、シリコン基材１（被エッチング基材）にレジスト膜を塗布して露光することにより、シリコン基材（以下、Ｓｉ基材で示す）のエッチング処理面（第１エッチング処理面）に所要の微細形状パターン（微細パターン）を有するレジスト膜を形成する。
次に、図１（１）に示すように、Ｓｉ基材１にドライエッチングの一種であるＤｅｅｐ−ＲＩＥ法（反応性イオンエッチング：Reactive Ion Etching）にてドライエッチング（矢印２で示す）する。
このとき、エッチング処理面３には、所要の微細形状パターン（微細パターン）を有する開口部４を備え且つ（断面形状が）逆テーパ形状の壁面（側壁面）を備えた凹部５が形成されることになる。
また、このとき、前述したマイクロローディング効果によって、微細パターンの粗い方がエッチング速度は速く、また、微細パターンの密な方がエッチング速度は遅いので、前記したＳｉ基材の凹部５のエッチング深さを効率良く均一に揃えることができず、当該凹部５の深さが異なって形成されることになる〔図１（１）にエッチング深さの一例を符号１７で示す〕。
なお、補足的に説明すると、この状態でホットエンボスした場合には、この凹部５の断面形状が逆テーパ形状であるため、前記した開口部４が底面部より狭く、当該凹部５の内部における樹脂（樹脂成形品に形成される凸部）がアンダーカット状態になって引っ掛かることになる。
【００３１】
次に、この開口部４を有するエッチング処理面３を備えたＳｉ基材１に酸・アルカリ洗浄を行って当該エッチング処理面３を表面活性化する。
【００３２】
また、次に、図１（２）に示すように、Ｓｉ基材１のエッチング処理面３にシリコン基台６（例えば、シリコンウェハ）を加熱処理で貼り付ける（接合する）シリコン基台６の貼付（接合）工程を行うことにより、エッチング処理面３の開口部４を閉鎖する。
このシリコン基台６の貼付工程は、例えば、Ｓｉ基材１のエッチング処理面３にシリコン基台６を１００度Ｃで数分、加熱処理することによって仮止的に貼り付け、更に、１０００度Ｃで数時間、加熱処理することにより、本貼り付けを行うことができる（拡散接合）。
【００３３】
次に、図１（３）に示すように、Ｓｉ基材１のエッチング処理面３とは反対の面となる非エッチング処理面７を研削ローラ８にて研削して「型（型体）としては不要なシリコン基材部分９」を〔図１（３）に示す二点鎖線の位置まで〕除去することにより、所要形状の微細パターンを有する開口部１０を出現させる（所要形状の微細パターンを析出させる）。
このとき、エッチング深さ（Ｂ）の最も浅い凹部５を基準として、即ち、エッチング深さの最も浅い凹部の開口部１１が出現するまで研削することになる。
従って、非エッチング処理面７側（押圧面１２）に所要形状の微細パターンを有する開口部１０を備え且つ順テーパ形状の壁面と均一な深さとを備えた凹部１１を形成することができる。
即ち、図１（４）に示すように、実施例１によれば、所要形状の微細パターンを有する開口部１０を備え且つ順テーパ形状の壁面と均一な深さとを備えた凹部１１が設けられた押圧面１２を備えたホットエンボス用の型（型体）１３を形成することができる（型体の形成工程）。
また、図１（４）に示すように、実施例１によれば、所要形状の微細パターンを有する凹部の深さはエッチング深さの最も浅い凹部（５・１１）の深さＢに均一に揃えられことになるものである。
また、本発明に係る型（型体）１３の凹部１１における順テーパ形状壁面はドライエッチングによる凹部５の逆テーパ形状壁面であり、ドライエッチングによる凹部５の閉鎖開口部４は、本発明に係る型（型体）１３の凹部１１における底面である。
【００３４】
なお、アスペクト比について、図１（４）で説明するが、アスペクト比＝〔（凹部１１の縦深さＢ）／（開口部１０の横幅Ａ）〕である。
【００３５】
次に、図６（１）、図６（２）、図６（３）を用いて、前述したホットエンボス用型（型体）４１（１３）を押圧する構成を説明する。
なお、前述したように、前記したホットエンボス用型４１（１３）には、所要形状の微細パターンを有する開口部５０（１０）と順テーパ形状の壁面と均一な深さＢとを備えた凹部４５（１１）が設けられて構成されると共に、Ａは開口部５０の幅を示している。
【００３６】
即ち、図６（１）に示すように、まず、基盤４２上に樹脂板４３（被成形品）を配設すると共に、前記した型（型体）４１を樹脂板４３の上方にその押圧面４４（１２・１５）側を下方向に向けて配置する。
次に、図６（２）に示すように、まず、前記した樹脂板４３を加熱して軟化させると共に、前記したホットエンボス用の型（型体）４１を下動して当該型（型体）４１の押圧面４４側を軟化樹脂板４２に押圧することにより、前記した樹脂板４２に型（型体）４１の凹部４５（１１）に対応した凸部４６を形成して冷却し、次に、前記ホットエンボス用型（型体）４１を上動して離型することにより、前記した微細パターンとなる凸部４６を有する樹脂成形品（製品）４７を形成する。
従って、図６（３）に示すように、前記した樹脂成形品４７に、前記した型４１に形成された微細パターンを有する凹部４５に対応した微細パターンを有する凸部４６を転写して形成することができると共に、この樹脂成形品４７の凸部４６は前記した凹部４５の均一な深さに対応して均一な高さにて転写形成されることになる（ホットエンボス）。
なお、前記した型４１において、４８はシリコン基材を示し、４９はシリコン基台を示している。
【００３７】
即ち、実施例１によれば、前記した型４１に設けた凹部４５を順テーパ形状に形成したため、前記した凹部４５に対応して形成された凸部４６が、前記した凹部４５に引っ掛かることを効率良く防止することができるので、樹脂成形品（製品）４７を効率良く離型することができる。
また、実施例１によれば、前述したように、前記した型４１に設けた凹部４５の深さを効率良く均一に揃えて形成することができる。
従って、実施例１によれば、前述したように、製品４７を効率良く離型することができる型（型体）４１の加工方法及び型（型体）４１を提供することができる。
また、実施例１によれば、型（型体）４１に形成される凹部４５の深さを効率良く揃えることができる型（型体）の加工方法及びその型（型体）４１を提供することができる。
また、実施例１によれば、型（型体）４１に形成される凹部４５の深さを効率良く均一に揃えることができるので、高信頼性・高品質性の製品を効率良く得ることができる型（型体）４１の加工方法及びその型（型体）４１を提供することができる。
また、更に、実施例１によれば、前述したように、前記した樹脂板から型（型体）を離型する時、当該凹部から樹脂成形品（製品）の凸部となる固化樹脂を引っ掛けることなく効率良く離型することができるため、製品の歩留まりを効率良く向上させることができるので、製品の生産性を効率良く向上させることができる型（型体）４１の加工方法及びその型（型体）４１を提供することができる。
また、特に、型（型体）４１に設けた凹部４５を順テーパ形状に形成して樹脂成形品（製品）４７を効率良く離型することができるので、高アスペクト比（例えば、アスペクト比１０以上）の凸部４６を有する樹脂成形品４７を効率良くホットエンボスして形成することができる。
即ち、前述したように、実施例１によれば、微細パターンを有する開口部１０を備えた凹部４５に順テーパ形状の壁面と均一の深さとを備えることができるが、特に、高アスペクト比の凹部１１を設けた型（型体）１３の場合、低アスペクト比以下（例えば、アスペクト比１０未満）の凹部を設けた型（型体）に比べて、その作用効果が顕著である。
従って、特に、高アスペクト比の凹部１１を設けた型（型体）１３の場合、低アスペクト比以下の凹部を設けた型（型体）に比べて、ホットエンボスされる樹脂成形品（製品）の凸部（４６）を当該凹部１１内で引っ掛けることなく効率良く離型することができるものである。
【実施例２】
【００３８】
次に、本発明に係る実施例２を詳細に説明する。
図２（１）、図２（２）、図２（３）、図２（４）は、実施例２に係る型体の加工方法の各工程を説明する説明図である。
また、図２（１）はドライエッチング工程を示し、図２（２）はシリコン基台の貼付工程（開口部の閉鎖工程）を示し、図２（３）は非エッチング面側の除去工程（開口部の出現工程）を示し、図２（４）は型体の形成工程（本発明に係る型体）を示している。
【００３９】
（ＳＯＩ基材にドライエッチングする場合について）
即ち、実施例２は、被エッチング基材として、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基材２１を用いる構成であって、図２（１）に示すように、このＳＯＩ基材２１は、例えば、二層の単結晶シリコン層（Ｓｉ層）、即ち、第一シリコン層２２と第二シリコン層２３との間に二酸化ケイ素層（ＳｉＯ２層）２４を中間層（エッチングストップ層）として挟み込んだものである。
従って、実施例２において、この中間ＳｉＯ２層でドライエッチングを効率良く停止することができるように構成されている。
【００４０】
即ち、実施例２において、実施例１と同様に、図示はしていないが、まず、ＳＯＩ基材２１（被エッチング基材）にレジスト膜を塗布して露光することにより、ＳＯＩ基材２１のエッチング処理面２５に所要の微細形状パターン（微細パターン）を有するレジスト膜を形成する。
次に、図２（１）に示すように、ＳＯＩ基材２１のエッチング処理面２５（第一Ｓｉ層２２）にＤｅｅｐ−ＲＩＥ法にてドライエッチングする（矢印２６）。
このとき、このＳＯＩ基材２１における第一Ｓｉ層２２のエッチング処理面２５に、所要の微細形状パターン（微細パターン）を有する開口部２７を備え且つ逆テーパ形状の壁面と均一のエッチング深さ２８とを備えた凹部２９が形成されることになる。
なお、このエッチング深さ２８を効率良く均一に揃えることができるのは、本実施例２は、実施例１と異なり、マイクロローディング効果を効率良く防止することができるように構成されているからである。
即ち、前記した中間ＳｉＯ２層２４を有するＳＯＩ基材２１にドライエッチングするため、このドライエッチング作用を当該ＳｉＯ２層２４で効率良く停止させることができるので、前記したエッチングされる凹部２９の壁面を逆テーパ形状に効率良く形成し得て、前記した凹部２９のエッチング深さ２８を均一に効率良く揃えることができ、且つ、この凹部２９の底面はＳｉＯ２層２４の表面にて構成されることになる。
次に、この開口部２７を有するエッチング処理面２５を備えたＳＯＩ基材２１に酸・アルカリ洗浄を行って当該エッチング処理面２５を表面活性化する。
【００４１】
また、次に、図２（２）に示すように、実施例１と同様に、ＳＯＩ基材２１のエッチング処理面２５にシリコン基台３０（例えば、シリコンウェハ）を加熱処理で貼り付ける（接合する）シリコン基台３０の貼付（接合）工程を行うことにより、エッチング処理面２５の開口部２７を閉鎖する（拡散接合）。
【００４２】
次に、図２（３）に示すように、実施例１と同様に、ＳＯＩ基材２１のエッチング処理面２５とは反対の面となる非エッチング処理面３１側を、即ち、第二Ｓｉ層２３とＳｉＯ２層２４とを研削ローラ８にて研削して「型（型体）としては不要な基材部分」を除去することにより、非エッチング処理面３１側に所要形状の微細パターンを有する開口部３２を出現させる。
即ち、図２（４）に示すように、実施例２によれば、前記したドライエッチング工程時に、このドライエッチング作用を中間ＳｉＯ２層２４で停止させることができるため、逆テーパ形状凹部のエッチング深さ２８を効率良く均一に揃えることができるので、非エッチング処理面３１（研削面）に所要形状の微細パターンを有する開口部３２を備え且つ順テーパ形状の壁面と均一の深さとを備えた凹部３３を形成することができる。
従って、実施例２によれば、図２（４）に示すように、所要形状の微細パターンを有する開口部３２を備え且つ順テーパ形状の壁面と均一の深さとを備えた凹部３３が設けられた押圧面３４を備えたホットエンボス用の型（型体）３５を形成することができる（型体の形成工程）。
なお、図２（４）において、Ａは開口部３３の横幅であり、Ｂは凹部３３の縦深さＢ（２８）であり、アスペクト比＝（Ｂ／Ａ）である。
【００４３】
また、実施例２においては、実施例１と同様に、図６（１）、図６（２）、図６（３）に示すように、実施例２によるホットエンボス用型４１（３５）を樹脂板４３に押圧することができるように構成されている。
また、前記したホットエンボス用型４１には、微細パターンを有する開口部５０（３２）を備え且つ順テーパ形状の壁面と均一な深さＢとを備えた凹部４５（３３）が設けられて構成されている。
従って、実施例２によれば、実施例２における型４１に設けた凹部４５（３３）を順テーパ形状に形成したので、樹脂成形品（製品）４７を効率良く離型することができる。
また、実施例２によれば、前記した型４１に設けた凹部４５における深さを効率良く均一に揃えて形成することができる。
従って、実施例２によれば、製品４７を効率良く離型することができる型４１（型体）の加工方法及び型（型体）を提供することができる。
また、実施例２によれば、型（型体）４１に形成される凹部４５の深さを効率良く揃えることができる型（型体）の加工方法及びその型（型体）４１を提供することができる。
また、実施例２によれば、型（型体）４１に形成される凹部４５の深さを効率良く均一に揃えることができるので、高信頼性・高品質性の製品を効率良く得ることができる型（型体）４１の加工方法及びその型（型体）４１を提供することができる。
また、更に、実施例２によれば、前述したように、前記した樹脂板から型（型体）を離型する時、当該凹部から樹脂成形品（製品）の凸部となる固化樹脂を引っ掛けることなく効率良く離型することができるため、製品の歩留まりを効率良く向上させることができるので、製品の生産性を効率良く向上させることができる型（型体）４１の加工方法及びその型（型体）４１を提供することができる。
また、特に、型（型体）に設けた凹部を順テーパ形状に形成して樹脂成形品（製品）４７を効率良く離型することができるので、実施例１と同じように、高アスペクト比（例えば、アスペクト比１０以上）の凸部（４６）を有する樹脂成形品を効率良くホットエンボスして形成することができる。
また、実施例２によれば、実施例１と同様に、本発明に係る型（型体）３５の凹部３３における順テーパ形状壁面は、ドライエッチングによる凹部２７の逆テーパ形状壁面であり、ドライエッチングによる凹部２９の閉鎖開口部２７は、本発明に係る型（型体）３５の凹部３３における底面である。
【実施例３】
【００４４】
次に、本発明に係る実施例３を詳細に説明する。
図３（１）、図３（２）、図３（３）、図３（４）は、実施例３に係る型体の加工方法の各工程を説明する説明図である。
また、図３（１）はドライエッチング工程を示し、図３（２）はシリコン基台の貼付工程（開口部の閉鎖工程）を示し、図３（３）は非エッチング面側の除去工程（開口部の出現工程）を示し、図３（４）は型体の形成工程（本発明に係る型体）を示している。
【００４５】
（ＳＯＩ基材にドライエッチングしてノッチを形成する場合について）
実施例３は、実施例２と同様に、被エッチング基材として、ＳＯＩ基材を用いる構成であるため、実施例２と同じ構成には同じ符号を付す。
また、実施例３は、ＳＯＩ基材２１のＳｉＯ２中間層２４にてドライエッチング２６を停止させて形成される凹部２９における底面部側における外周囲にノッチ部３６を形成する構成である。
【００４６】
即ち、実施例３においては、実施例１或いは実施例２と同様に、まず、ＳＯＩ基材２１（被エッチング基材）にレジスト膜を塗布して露光することにより、ＳＯＩ基材２１のエッチング処理面２５に所要の微細形状パターン（微細パターン）を有するレジスト膜を形成する。
次に、図３（１）に示すように、実施例１或いは実施例２と同様に、ＳＯＩ基材２１（第一Ｓｉ層２２）のエッチング処理面２５にＤｅｅｐ−ＲＩＥ法にてドライエッチングする。
このとき、実施例２と同様に、エッチング処理面２５に所要の微細形状パターン（微細パターン）を有する開口部２７を備え且つ逆テーパ形状の壁面と均一のエッチング深さ２８とを備えた凹部２９を形成することができる。
また、このとき、実施例２と同様に、前述したドライエッチング作用（２６）を中間ＳｉＯ２層２４で停止させることができるので、当該凹部２９のエッチング深さ２８を均一に揃えて形成することができる。
また、このとき、図３（１）に示すように、前記した逆テーパ形状凹部２９の底面部側における外周囲には、即ち、前記した逆テーパ形状凹部２９における壁面の底面部側の外周囲にあって、第一Ｓｉ層２２と中間ＳｉＯ２層２４との境目における第一Ｓｉ層２２側にはノッチ部３６が設けられて構成されている。
なお、このノッチ部３６は、実施例２に比べて、ドライエッチング２６を過剰に行って形成されるものであり、当該凹部２９からその外周囲方向に中間ＳｉＯ２層２４に沿ってドライエッチングにて浸食されて形成されるものである。
次に、実施例２と同様に、この開口部２９を有するエッチング処理面２５を備えたＳＯＩ基材２１に酸・アルカリ洗浄を行って当該エッチング処理面２５を表面活性化する。
【００４７】
また、次に、実施例３において、実施例２と同様に、図３（２）に示すように、ＳＯＩ基材２１のエッチング処理面２５にシリコン基台３０（例えば、シリコンウェハ）を加熱処理で貼り付ける（接合する）シリコン基台３０の貼付（接合）工程を行うことにより、エッチング処理面の開口部２９を閉鎖する（拡散接合）。
【００４８】
次に、図３（３）に示すように、実施例３において、実施例１と同様に、ＳＯＩ基材２１のエッチング処理面２５とは反対の面となる非エッチング処理面３１側（第二Ｓｉ層２３とＳｉＯ２層２４と）を研削ローラ８にて研削して「型（型体）としては不要なＳＯＩ基材部分」を除去することにより、所要形状の微細パターンを有する開口部３３を出現させる。
即ち、前記した型３８の押圧面３７となるＳＯＩ基材２１の非エッチング処理面３１側に所要形状の微細パターンを有する開口部３３を備え且つ順テーパ形状の壁面（側壁面）と均一の深さ２８とを備えた凹部３３を形成することができると共に、前記した押圧面３７における開口部３３の外周囲には、前記したノッチ部３６が前記した押圧面３７側に（前記したノッチ部３６に対応する）開口部を有して形成されることになる。
なお、このノッチ部３６は、ホットエンボスされた樹脂板における凸部の基端側に形成される凸部補強用の補強樹脂部５２に対応するものである。
従って、図３（４）に示すように、実施例３によれば、実施例２に示すＳＯＩ基材２１の場合と同様に、所要形状の微細パターンを有する開口部３２を備え且つ順テーパ形状の壁面と均一の深さと開口部３２の外周囲に設けたノッチ部３６とを備えた凹部３３が設けられた押圧面３７を有するホットエンボス用の型（型体）３８を形成することができる（ノッチ部を有する型体の形成工程）。
【００４９】
また、実施例３においては、実施例２に示すＳＯＩ基材の場合と同様に、図６（１）、図６（２）、図６（３）に示すように、実施例３によるホットエンボス用型（型体）４１（３８）を樹脂板４３に押圧することができるように構成されている。
従って、実施例３によれば、実施例３における型（型体）４１（３８）に設けた凹部４５（３３）を順テーパ形状に形成したので、樹脂成形品（製品）４７を効率良く離型することができる。
また、実施例３によれば、前記した型（型体）４１に設けた凹部４５における深さを効率良く均一に揃えて形成することができる。
従って、実施例３によれば、製品４７を効率良く離型することができる型（型体）４１の加工方法及び型を提供することができる。
また、実施例３によれば、型（型体）４１に形成される凹部４５の深さを効率良く揃えることができる型（型体）の加工方法及びその型（型体）４１を提供することができる。
また、実施例３によれば、型（型体）４１に形成される凹部４５の深さを効率良く均一に揃えることができるので、高信頼性・高品質性の製品を効率良く得ることができる型（型体）４１の加工方法及びその型（型体）４１を提供することができる。
また、更に、実施例３によれば、前述したように、前記した樹脂板から型（型体）を離型する時、当該凹部から樹脂成形品（製品）の凸部となる固化樹脂を引っ掛けることなく効率良く離型することができるため、製品の歩留まりを効率良く向上させることができるので、製品の生産性を効率良く向上させることができる型（型体）４１の加工方法及びその型（型体）４１を提供することができる。
なお、実施例３によれば、ホットエンボス用型４１を押圧して形成される樹脂成形品４７において、樹脂成形品４７の凸部４６の基端部側における外周囲に前記したノッチ部５１（３６）に対応した凸部補強用の補強樹脂部５２を形成することができるので、前記した樹脂成形品４７における凸部４６を（例えば、前述したような凸部の破断或いは伸長に対して）効率良く補強することができる。
また、実施例３によれば、前記した各実施例と同様に、本発明に係る型（型体）３８の凹部３３における順テーパ形状壁面はドライエッチングによる凹部２９の逆テーパ形状壁面であり、ドライエッチングによる凹部２９の閉鎖開口部は、本発明に係る型（型体）３８の凹部における底面である。
【００５０】
また、実施例３によれば、型（型体）４１（３８）に設けた凹部４５（３３）を順テーパ形状に形成して樹脂成形品（製品）４７を効率良く離型することができるので、前記した各実施例と同様に、高アスペクト比（例えば、アスペクト比１０以上）の凸部を４６有する樹脂成形品４７を効率良くホットエンボスして形成することができる。
また、高アスペクト比の凹部３３を設けた型（型体）の場合、低アスペクト比以下（例えば、アスペクト比１０未満）の凹部を設けた型（型体）に比べて、前記した補強樹脂部５２（ノッチ部３６）における凸部に対する補強の作用効果が顕著であり、特に、ホットエンボスされる樹脂成形品（製品）の凸部（４６）をその基端部側で破断することを前記した補強樹脂部５２で補強することによって効率良く防止することができるので、当該凸部を当該凹部３３から効率良く離型することができるものである。
【実施例４】
【００５１】
次に、本発明に係る実施例４を詳細に説明する。
図４（１）、図４（２）、図４（３）、図４（４）は、実施例４に係る型体の加工方法の各工程を説明する説明図である。
また、図４（１）はドライエッチング工程を示し、図４（２）は非エッチング面側の除去工程（貫通孔の形成工程）を示し、図４（３）はシリコン基台の貼付工程（開口部の閉鎖工程）を示し、図４（４）は型体の形成工程（本発明に係る型体）を示している。
【００５２】
（シリコン基材に貫通孔を形成する場合について）
即ち、実施例４は、被エッチング基材として、実施例１と同様に、シリコン基材１（Ｓｉ基材）を用いる構成であるため、実施例１と同じ構成には同じ符号を付す。
また、実施例４は、実施例１〜３とは工程順序が異なり、まず、Ｓｉ基材１の非エッチング処理面７側を研削して開口部１０を出現させて貫通孔１４を形成し、次に、エッチング処理面３にシリコン基台６を貼り付ける構成である。
【００５３】
即ち、実施例４において、実施例１と同様に、図示はしていないが、まず、シリコン基材１（Ｓｉ基材）にレジスト膜を塗布して露光することにより、Ｓｉ基材１のエッチング処理面３に所要の微細形状パターン（微細パターン）を有するレジスト膜を形成する。
次に、図４（１）に示すように、Ｓｉ基材１にＤｅｅｐ−ＲＩＥ法にてドライエッチング（２）することにより、所要の微細形状パターン（微細パターン）を有する開口部４を備え且つ逆テーパ形状の壁面を備えた凹部５を形成する。
【００５４】
次に、図４（２）に示すように、実施例４において、実施例１と同様に、Ｓｉ基材１の非エッチング処理面７側を研削ローラ８にて研削して「型（型体）としては不要なシリコン基材部分９」を除去することにより、所要形状の微細パターンを有する開口部１０を出現させて貫通孔１４を形成する。
このとき、実施例１と同様に、エッチング深さの最も浅い凹部（５）を基準として、即ち、エッチング深さの最も浅い凹部（５）の開口部（１０）が出現するまで研削して除去することによって貫通孔１４を形成することになるが、この貫通孔１４の長さ（深さ）Ｂは効率良く均一に揃えることができる。
なお、次に、このＳｉ基材１のエッチング処理面３に対して酸・アルカリ洗浄を行って当該エッチング処理面３を表面活性化する。
【００５５】
次に、図４（３）に示すように、実施例４において、実施例１と同様に、Ｓｉ基材１のエッチング処理面３にシリコン基台６を加熱処理で貼り付けるシリコン基台６の貼付工程を行うことにより、エッチング処理面３の開口部４を閉鎖する。
従って、図４（４）に示すように、実施例４において、実施例１と同様に、所要形状の微細パターンを有する開口部１０を備え且つ順テーパ形状の壁面と均一の深さとを備えた凹部１１が設けられた押圧面１５を有するホットエンボス用の型（型体）１６を形成することができる（型体の形成工程）。
また、実施例４によれば、前記した各実施例と同様に、本発明に係る型（型体）１６の凹部１１における順テーパ形状壁面はドライエッチングによる凹部５の逆テーパ形状壁面であり、ドライエッチングによる凹部５の閉鎖開口部は、本発明に係る型（型体）１６の凹部１１における底面である。
従って、実施例４において、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができるものである。
【００５６】
また、実施例４では、シリコン基材１を例に挙げて説明したが、実施例４は、実施例２及び実施例３で用いたＳＯＩ基材２１にも適用することができるものであり、ＳＯＩ基材２１において、実施例４と同様の作用効果を得ることができる。
【００５７】
本発明は、前述した実施例のものに限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意且つ適宜に変更・選択して採用できるものである。
【００５８】
（除去工程について）
次に、図５（１）、図５（２）、図５（３）を用いて、前述した除去工程について説明する。
例えば、実施例２と同様に、図５（１）〔或いは、図２（２）〕に示すようにドライエッチングして微細パターンを有する開口部４を備え且つ逆テーパ形状の壁面を有する凹部５を形成したＳＯＩ基材２１のエッチング処理面２５にシリコン基台３０を貼り付け、次に、図５（２）〔或いは、図２（３）〕に示すように、非エッチング処理面３１側を研削ローラ８で粗加工して第二Ｓｉ層２３とＳｉＯ２層２４とを除去する。
このとき、前述したように、非エッチング処理面３１側の開口部３２を出現させても良いが、研削ローラ８で粗加工して非エッチング処理面３１側を薄層にて残し、この開口部３２を出現させなくても良い。
例えば、薄層として薄いＳｉＯ２層２４を残した場合、この薄いＳｉＯ２層２４を研磨ロータ３９でラッピングして（精密研磨して）仕上加工することにより、この薄いＳｉＯ２層２４を除去することができる。
この場合、微細パターンを有する開口部３２の当該パターンが破壊されることを効率良く防止し得て、微細パターンを有する開口部３２の微細パターンを効率良く出現させることができる。
なお、前述したラッピングに代えて、この薄層（例えば、薄いＳｉＯ２層２４）をドライ或いはウェットエッチングしても良い。
従って、この場合において、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができるものである。
【００５９】
（他の除去工程について）
次に、ドライエッチング他の除去工程について説明する。
例えば、実施例１と同様に、図１（２）に示すように、ドライエッチングして微細パターンを有する開口部を備え且つ逆テーパ形状の壁面を有する凹部を形成したＳｉ基材のエッチング処理面にシリコン基台を貼り付けて貼付シリコン基材を形成する。
次に、貼付シリコン基材のシリコン基台貼付面（第１ドライエッチング処理面）とは反対側となる第２ドライエッチング処理面（前述した非エッチング処理面と同じ面）にドライエッチングすることにより、「型（型体）としては不要なシリコン基材部分」を除去する。
従って、前記した非エッチング処理面となる第２ドライエッチング面に所要の微細パターンを有する開口部を備え且つ順テーパ形状の壁面を備えた凹部を形成することにより、微細パターンを有する開口部の微細パターンを効率良く出現させることができるので、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができるものである〔図１（４）を参照〕。
【００６０】
（ウェットエッチングによる他の除去工程について）
次に、ウェットエッチングによる他の除去工程について説明する。
例えば、実施例２（或いは実施例３）と同様に、図２（２）に示すように、〔或いは図３（２）に示すように、〕ドライエッチングして微細パターンを有する開口部を備え且つ逆テーパ形状の壁面を有する凹部を形成したＳＯＩ基材のエッチング処理面にシリコン基台を貼り付けて貼付ＳＯＩ基材を形成する。
次に、ＳｉＯ２層残存ＳＯＩ基材をウェットエッチング液の浴槽に浸漬してウェットエッチングすることにより、ＳｉＯ２層を除去し、微細パターンを有する開口部の微細パターンを効率良く出現させることができる。
従って、このウェットエッチングによる除去においても前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができるものである〔図２（４）或いは図３（４）を参照〕。
【００６１】
また、前述した各実施例における被エッチング基材について、Ｓｉ基材を例にして説明したが、例えば、シリコン系としては、Poly−Ｓｉ、ａ−Ｓｉ、ＷＳｉｘ等、金属系としては、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ等、絶縁膜系としては、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳＩＯＧ等が挙げられる。
【００６２】
また、前述した各実施例において、各素材に対応する反応性イオンエッチングのエッチングガスとして、例えば、塩素ガス系、フッ素ガス系等がある。
即ち、塩素ガス系として、ＢＣｌ４、Ｃｌ２、ＣＣｌ４等、フッ素ガス系として、ＣＦ４、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６等が挙げられる。
【００６３】
また、前述した各実施例において、型体の離型性を効率良く向上させるために、型体の表面（凹部の壁面、成形面等）にフッ素系の膜を、又は、炭化フッ素系の膜等をコーティングしても良い。
また、前述した各実施例において、型体の離型性を効率良く向上させるために、型体の表面（凹部の壁面、成形面等）を水酸化カリウム（ＫＯＨ）等のウェットエッチングにより平滑化しても良い。この場合、型体における凹部の壁面に形成されるスキャロップを効率良く除去することができる。
【００６４】
また、前述した各実施例において、Ｓｉ基材に酸・アルカリ洗浄を行ってエッチング処理面を表面活性化する洗浄剤として、例えば、半導体製造プロセスで用いられる硫酸過酸化水素水、アンモニア過酸化水素水等を使用することができる。
また、洗浄剤として、アセトン、イソプロピルアルコール等を用いても良く、また、Ｓｉ基材のエッチング処理面にＵＶ照射等を行って表面活性化しても良い。
また、これらを単独、或いは併用して使用しても良い。
【００６５】
また、前述した各実施例において、前述した熱処理によるシリコン基台の貼付工程（接合工程）は、表面活性化による低温接合工程（プロセス）等を用いてもよい。
【００６６】
また、前記した各実施例において、シリコン基材製の或いはＳＯＩ基材製の型（型体）にニッケル電鋳を行って反転型（マスター）を形成し、この反転型にニッケル（Ｎｉ）電鋳（或いは、Ｎｉ−Ｗ電鋳、Ｎｉ−Ｆｅ電鋳等）して複製の型（型体）を製作しても良い。
【００６７】
（型体を有する樹脂成形用金型について）
次に、図７（１）、図７（２）を用いて、本発明に係る型体６１（分割型）を装設した樹脂成形用金型６２の一例について説明する。
即ち、図７（１）に示すように、樹脂成形用金型６２は、上型６３と下型６４とから構成されると共に、上型キャビティ６５と、上型樹脂通路６６（ゲート、ランナ他）と、基板を６７供給セットする下型基板供給部６８とが設けられて構成されている。
従って、樹脂通路６６を通して加熱溶融化した樹脂６９を樹脂成形用キャビティ６５内に注入充填することができるように構成されている。
また、前記した樹脂成形用キャビティ６５の底面（成形面）７０には本発明に係る型体６１（分割型）が組み付けられて構成されると共に、そのキャビティ底面７０に微細パターンを有する開口部７１（凹部７２）が形成されて構成され、この型体６１は、例えば、前述した微細パターンを有する凹部７２を備えたシリコン基材７３とシリコン基台７４とから構成されている。
従って、図７（２）に示すように、金型キャビティ６５内に加熱溶融化した樹脂６９を注入充填することにより、上型キャビティ６５の底面７０の微細パターンを反転して転写した微細パターンを有する樹脂成形品（製品）、例えば、導光板、回折格子等の光学部品、μ−ＴＡＳ（Total Analysis System ）等の分析チップ、医療・化学用デバイス等の微細なデバイス、微細な部品等を成形することができる。
【００６８】
（型体を用いる他の例について）
例えば、ＵＶ照射等を含む光硬化にて樹脂成形品（製品）を形成（光インプリント）、或いは、微細パターンを有する型体における微細パターン表面に液状樹脂を滴下後、固化させて樹脂成形品（製品）を形成（キャスティング）してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】図１（１）、図１（２）、図１（３）、図１（４）は、本発明に係る型体の加工方法における工程を説明する概略縦断面図である。
【図２】図２（１）、図２（２）、図２（３）、図２（４）は、本発明に係る他の型体の加工方法における工程を説明する概略縦断面図である。
【図３】図３（１）、図３（２）、図３（３）、図３（４）は、本発明に係る他の型体の加工方法における工程を説明する概略縦断面図である。
【図４】図４（１）、図４（２）、図４（３）、図４（４）は、本発明に係る他の型体の加工方法における工程を説明する概略縦断面図である。
【図５】図５（１）、図５（２）、図５（３）は、本発明に係る他の型体の加工方法における工程を説明する概略縦断面図である。
【図６】図６（１）、図６（２）、図６（３）は、本発明に係る型体（ホットエンボス用型）を用いた例を説明する概略縦断面図である。
【図７】図７（１）、図７（２）は、本発明に係る型体（樹脂成形用金型）を用いた例を説明する概略縦断面図である。
【図８】図８（１）、図８（２）は、従来の型体の加工方法を説明する概略縦断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１    シリコン基材
２    矢印（ドライエッチング）
３    エッチング処理面（第一エッチング処理面）
４    開口部（逆テーパ形状）
５    凹部（逆テーパ形状）
６    シリコン基台
７    非エッチング処理面
８    研削ローラ
９    不要な基材部分
１０    開口部（順テーパ形状）
１１    凹部（順テーパ形状）
１２    押圧面
１３    型（型体）
１４    貫通孔
１５    押圧面
１６    型（型体）
２１    ＳＯＩ基材
２２    第一シリコン層（第一Ｓｉ層）
２３    第二シリコン層（第二Ｓｉ層）
２４    二酸化ケイ素層（ＳｉＯ２層）
２５    エッチング処理面
２６    矢印（ドライエッチング）
２７    開口部（逆テーパ形状）
２８    エッチング深さ
２９    凹部（逆テーパ形状）
３０    シリコン基台
３１    非エッチング処理面
３２    開口部（順テーパ形状）
３３    凹部（順テーパ形状）
３４    押圧面
３５    型（型体）
３６    ノッチ部
３７    押圧面
３８    型（型体）
３９    研磨ロータ
４１    型（型体）
４２    基盤
４３    樹脂板（被成形品）
４４    押圧面（成形面）
４５    凹部
４６    凸部
４７    樹脂成形品（製品）
４８    シリコン基材
４９    シリコン基台
５０    開口部
５１    ノッチ部
５２    樹脂補強部
６１    型（型体）
６２    金型
６３    上型
６４    下型
６５    上型キャビティ
６６    樹脂通路
６７    基板
６８    基板供給部
６９    樹脂
７０    キャビティ底面
７１    開口部
７２    凹部
７３    シリコン基台
７４    シリコン基台
Ａ    凹部開口部の幅
Ｂ    深さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008162040.tif 000009
【図８】
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