(57)【要約】【課題】薬液の使用量が変動しても混合廃液の排出配管において固化を生じさせない半導体製造工程における廃液処理方法を提供すること。【解決手段】半導体製造工程における廃液処理方法は、半導体製造工程において使用される複数の薬液の廃液を混合する工程と、前記混合する工程で生じる混合廃液の中の複数の薬液の混合比率を求める工程(S201)と、求められた前記混合比率が所定の条件を満足するかどうか、或いは満足しなくなることが予測されるかどうかを判定する工程(S202)と、前記判定する工程において、前記混合比率が前記条件を満足しない、或いは満足しなくなることが予測される場合には、前記条件を満足するように希釈液によって前記混合廃液を希釈する工程(S203)とを含む。【選択図】      図２
2008078503.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造工程において使用される複数の薬液の廃液を混合する工程と、
前記混合する工程で生じる混合廃液の中の複数の薬液の混合比率を求める工程と、
求められた前記混合比率が所定の条件を満足するかどうか、或いは満足しなくなることが予測されるかどうかを判定する工程と、
前記判定する工程において、前記混合比率が前記条件を満足しない、或いは満足しなくなることが予測される場合には、前記条件を満足するように希釈液によって前記混合廃液を希釈する工程と
を含むことを特徴とする半導体製造工程おける廃液処理方法。
【請求項２】
前記希釈液は、前記薬液あるいは前記薬液に含まれる溶媒である
ことを特徴とする請求項１に記載の廃液処理方法。
【請求項３】
半導体の製造において使用される複数の薬液の廃液を混合する手段と、
前記混合する手段で生じる混合廃液の中の複数の薬液の混合比率を求める手段と、
求められた前記混合比率が所定の条件を満足するかどうか、或いは満足しなくなることが予測されるかどうかを判定する手段と、
前記判定する手段において、前記混合比率が前記条件を満足しない、或いは満足しなくなることが予測される場合には、前記条件を満足するように希釈液によって前記混合廃液を希釈する手段と
を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
前記混合される前記薬液の廃液の量を各薬液毎に計測する手段を更に具備し、
前記計測する手段における計測結果を用いて前記混合比率を求める
ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記計測する手段は、流量センサー、或いは重量センサー、或いはその両方である
ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程に用いられる基板処理装置において使用される種々の薬液の廃液処理方法、および該基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化に伴い、半導体装置の製造方法に種々の薬液が使用されるようになってきた。例えばリソグラフィー工程においては、レジスト薬液のほかに反射防止膜用の薬液、これらのリンス用のシンナー、また、最近では液浸露光においてレジスト上に形成される保護膜用の薬液などである。
【０００３】
これらの薬液が係る処理として、レジスト塗布・現像装置といわれる基板処理装置内において、塗布、加熱、冷却、現像などの処理が連続で行われる。これらの処理において使用された薬液の余剰分の薬液や、装置内に薬液を通液する際に使用された薬液はそのまま廃液として、装置内の廃液タンクや工場の廃液ラインへ排出される。
【０００４】
これら廃液は、装置内もしくは、廃液タンクや廃液ライン内で混合され、廃棄される場合が多い。廃液が混合すると、それらの混合比率が特定の比率（固化混合比率）を超えた場合に薬液中のポリマー成分などが固化する場合がある。従って、従来はこの固化混合比率を鑑みて、処理薬液の使用量を定めていた。
【０００５】
ところが、薬液の使用量が当初設定した使用量から変更された場合などに、上記混合比率を超えた廃液が排出される場合がある。このような場合、廃液の固化が生じ、ドレインや廃液ラインの詰まりが生じるなどの問題があった（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平７−５０２３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、薬液の使用量が変動しても混合廃液の排出配管において固化を生じさせない半導体製造工程における廃液処理方法及び基盤処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の第１の態様に係る半導体製造工程における廃液処理方法は、半導体製造工程において使用される複数の薬液の廃液を混合する工程と、前記混合する工程で生じる混合廃液の中の複数の薬液の混合比率を求める工程と、求められた前記混合比率が所定の条件を満足するかどうか、或いは満足しなくなることが予測されるかどうかを判定する工程と、前記判定する工程において、前記混合比率が前記条件を満足しない、或いは満足しなくなることが予測される場合には、前記条件を満足するように希釈液によって前記混合廃液を希釈する工程とを含む。
【０００８】
この発明の第２の態様に係る基板処理装置は、半導体の製造において使用される複数の薬液の廃液を混合する手段と、前記混合する手段で生じる混合廃液の中の複数の薬液の混合比率を求める手段と、求められた前記混合比率が所定の条件を満足するかどうか、或いは満足しなくなることが予測されるかどうかを判定する手段と、前記判定する手段において、前記混合比率が前記条件を満足しない、或いは満足しなくなることが予測される場合には、前記条件を満足するように希釈液によって前記混合廃液を希釈する手段とを具備する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、薬液の使用量が変動しても混合廃液の排出配管において固化を生じさせない半導体製造工程における廃液処理方法及び基盤処理装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１１】
(第１の実施形態)
本発明の第１の実施形態に係る半導体製造工程における廃液処理方法が実行される基板処理装置１００を図１に示す。
【００１２】
基板処理装置１００は図１に示されるように、第１の処理槽１０、第２の処理槽３０、第１の廃液溜め１１、第２の廃液溜め３１、第３の廃液溜め５１、流量センサー１３、１４、３３、３４、第１の制御装置１２、第２の制御装置３２、第３の制御装置５４、重量センサー２１、４１、５２、ポンプ１５、１６、１７、３５、３６、３７、５６、配管１８、１９、２０、２２、２３、３８、３９、４０、４２、４３、５３、バルブ２４、４４、及び廃液タンク６０から構成される。
【００１３】
薬液Ａは、ポンプ１５によって配管１８を通って第１の処理槽１０に送られて使用される。薬液Ｂは、ポンプ１６によって配管１９を通って第１の処理槽１０に送られて使用される。薬液Ｃは、ポンプ３５によって配管３８を通って第２の処理槽３０に送られて使用される。薬液Ｄは、ポンプ３６によって配管３９を通って第２の処理槽３０に送られて使用される。
【００１４】
配管１８を通る薬液Ａの量は流量センサー１３を介して、配管１９を通る薬液Ｂの量は流量センサー１４を介して、それぞれ第１の制御装置１２によってモニターされる。配管３８を通る薬液Ｃの量は流量センサー３３を介して、配管３９を通る薬液Ｄの量は流量センサー３４を介して、それぞれ第２の制御装置３２によってモニターされる。
【００１５】
第１の処理槽１０で使用された薬液Ａ及び薬液Ｂの廃液ａは配管２２を通って、第１の廃液溜め１１に溜められる。第２の処理槽３０で使用された薬液Ｃ及び薬液Ｄの廃液ｂは配管４２を通って、第２の廃液溜め３１に溜められる。
【００１６】
第１の廃液溜め１１には重量センサー２１が備えられており、その重量は第１の制御装置１２及び第３の制御装置５４によってモニターされる。第２の廃液溜め３１には重量センサー４１が備えられており、その重量は第２の制御装置３２及び第３の制御装置５４によってモニターされる。
【００１７】
第１の廃液溜め１１の廃液ａ、第２の廃液溜め３１の廃液ｂは、それぞれ配管２３、４３を通って第３の廃液溜め５１で混合されて廃液ｃとなる。配管２３及び４３の流れはそれぞれバルブ２４及び４４を介して第１の制御装置１２及び第２の制御装置３２によって制御される。バルブ２４と第１の制御装置１２との間、及びバルブ４４と第２の制御装置３２との間は、図示しない制御線で接続されている。第３の廃液溜め５１には重量センサー５２が備えられており、その重量は第３の制御装置５４によってモニターされる。
【００１８】
第１の制御装置１２はポンプ１７を制御して、配管２０を通って第１の廃液溜め１１の廃液ａを希釈する薬液Ｂの量を制御する。第２の制御装置３２はポンプ３７を制御して、配管４０を通って第２の廃液溜め３１の廃液ｂを希釈する薬液Ｄの量を制御する。第３の制御装置５４はポンプ５６を制御して、配管５７を通って第３の廃液溜め５１の廃液ｃを希釈する薬液Ｂの量を制御する。
【００１９】
第３の廃液溜め５１の廃液ｃは、配管５３を通って廃液タンク６０に排出される。配管５３の流れはバルブ５５を介して第３の制御装置５４によって制御される。バルブ５５と第３の制御装置５４との間は、図示しない制御線で接続されている。
【００２０】
本実施形態の廃液処理方法が実行される基板処理工程の例としては、例えば、リソグラフィー工程における、被処理基板上への反射防止膜の形成、及びこの反射防止膜上へのレジスト膜の形成がある。或いは、液浸露光方法を用いたリソグラフィー工程におけるレジスト膜の形成、及びこのレジスト膜上への液浸保護膜の形成などが挙げられる。
【００２１】
本実施形態においては後者の場合を例にとり、薬液Ａがレジスト薬液、薬液Ｂがエッジカットおよびバックリンス用のシンナー、さらに、薬液Ｃがアルカリ可溶タイプの液浸保護膜薬液、薬液Ｄがエッジカットおよびバックリンス用のシンナーであるとする。
【００２２】
ここで、エッジカットとは、薬液を基板に塗布した後に基板を回転させて薬液を広げると、基板の外周部において薬液による膜が厚く形成されてしまうことがあるので、これを平坦化することである。また、バックリンスとは、基板の裏側に付着した薬液を流し落とすことである。
【００２３】
なお、薬液Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは全て異なる薬液でもよいし、一部の薬液同士、例えば薬液Ｂと薬液Ｄが同じ薬液であってもかまわない。
【００２４】
液浸保護膜に使用されるアルカリ可溶タイプの液浸保護膜薬液（薬液Ｃ）においては、レジスト上に塗布する場合に、レジストを溶解しない特性が要求されるため、レジスト薬液（薬液Ａ）と混合させたときにレジストが析出する場合がある。このように、廃液中の固形分が析出したり、廃液の流動性が損なわれ、廃液の排出される配管内などで廃液のつまりを引き起こすような状況を廃液の固化という。
【００２５】
このような状況を考慮して、あらかじめ複数の廃液の混合による固形分が析出(以下、固化と称する)する廃液同士の混合比率、即ち固化混合比率を求めておく。具体的には、薬液Ａと薬液Ｂの混合廃液ａの場合は、この値以上に薬液Ａの割合が増加すると固化してしまう固化混合比率であるＸ（＝薬液Ａ／薬液Ｂ）を求め、薬液Ｃと薬液Ｄの混合廃液ｂの場合は、この値以上に薬液Ｃの割合が増加すると固化してしまう固化混合比率であるＹ（＝薬液Ｃ／薬液Ｄ）を求めておく。
【００２６】
さらに、混合廃液a及びbがそれぞれ固化しない条件を満たしている状態で、混合廃液a及びbが混合した廃液ｃにおいて、この値以上に廃液ｂの割合が増加すると固化してしまう固化混合比率であるＺ（＝廃液a／廃液b）を求めておく。
【００２７】
本実施形態の廃液処理方法を、図２、図３、図４のフローチャートを用いて説明する。
【００２８】
まず、第１の処理槽１０において、レジスト薬液（薬液Ａ）とシンナー（薬液Ｂ）による半導体基板の処理が順次行われる。使用されたレジスト薬液（薬液Ａ）及びシンナー（薬液Ｂ）はそれぞれ配管２２を経由して第１の廃液溜め１１で混合される。
【００２９】
第１の制御装置１２は、流量センサー１３及び１４によって計測したレジスト薬液（薬液Ａ）及びシンナー（薬液Ｂ）それぞれの使用量から、混合廃液である廃液ａの廃液混合比率Ｒ１＝薬液Ａの廃液量／薬液Ｂの廃液量を求める（図２のステップＳ２０１）。
【００３０】
第１の処理槽１０において、実際に半導体基板の処理によって消費される薬液Ａ及び薬液Ｂの量が僅かであると考えられる場合は、それぞれの薬液の使用量が廃液量に等しいと考えられるので、上記のようにして廃液混合比率Ｒ１を求めることが可能である。また、この仮定が成り立つ場合に、それぞれの薬液の使用量が、ポンプ１５及び１６を制御するソフトウェア（レシピ）等にポンプのストローク量等として予め設定されている場合は、それを用いて廃液混合比率Ｒ１を算出してもかまわない。
【００３１】
しかし、シンナーのように揮発する薬液を使用する場合などに、薬液の揮発などによって使用量が廃液量にほぼ等しいとはいえなくなり上記仮定が成り立たなくなってしまう場合がある。このときは、第１の制御装置１２は重量センサー２１の重量増加をモニターすることにより、レジスト薬液（薬液Ａ）の廃液量とシンナー（薬液Ｂ）の廃液量をそれぞれ計測して廃液混合比率Ｒ１を求めてもよい。レジスト薬液（薬液Ａ）とシンナー（薬液Ｂ）を使用する工程は一般に時間的に重複しないので、このようにして廃液混合比率Ｒ１を求めることも可能である。またこの場合、レジスト薬液（薬液Ａ）の使用量は流量センサー１３で、シンナー（薬液Ｂ）の廃液量は重量センサー２１で計測して、廃液混合比率Ｒ１を求めてもよい。
【００３２】
次に第１の制御装置１２は、ステップＳ２０１で求めた廃液混合比率Ｒ１が所定の条件を満足するかどうか、即ち、設定混合比率Ｘ’以下であるかどうかを判定する（ステップＳ２０２）。ここで、設定混合比率Ｘ’は固化混合比率Ｘそのものでもよいが、固化を回避するために安全側にマージンをとって固化混合比率Ｘよりマージン分小さな値に設定して第１の制御装置１２内に保持していてもよい。
【００３３】
なお、ステップＳ２０２の判定で用いる廃液混合比率Ｒ１が、ソフトウェア（レシピ）等に予め設定されている薬液使用量に基づいて求めたものである場合は、実際に廃液を混合する前に所定の条件が満足するかどうかを予測することになる。
【００３４】
ステップＳ２０２において、廃液混合比率Ｒ１が所定の条件を満足しない、即ち、Ｒ１＞Ｘ’と判定した場合は、第１の制御装置１２はポンプ１７を制御して、シンナー（薬液Ｂ）を第１の廃液溜め１１に供給して廃液ａを希釈して、廃液混合比率Ｒ１がＸ’以下になるようにする（ステップＳ２０３）。
【００３５】
ステップＳ２０３の終了後、或いはステップＳ２０２においてＲ１≦Ｘ’が満たされていると判断された場合は、廃液ａを第１の廃液溜め１１から排出する（ステップＳ２０４）。この排出は、配管２３上のバルブ２４を第１の制御装置１２が制御することによってなされる。
【００３６】
次に、第２の処理槽３０において、液浸保護膜薬液（薬液Ｃ）とシンナー（薬液Ｄ）による半導体基板の処理が順次行われる。使用された液浸保護膜薬液（薬液Ｃ）及びシンナー（薬液Ｄ）はそれぞれ配管４２を経由して第２の廃液溜め３１で混合される。
【００３７】
以下、第１の処理槽１０の場合と同様な処理が、図３のフローチャートに従ってなされる。ここで、廃液混合比率Ｒ２＝薬液Ｃの廃液量／薬液Ｄ廃液量であり、設定混合比率Ｙ’は固化混合比率Ｙそのものでもよいが、固化を回避するために安全側にマージンをとってＹよりマージン分小さな値に設定してよい。
【００３８】
図２及び図３のフローチャートに示された処理が終わると、第１の廃液溜め１１から排出された廃液aと、第２の廃液溜め３１から排出された廃液bとは、第３の廃液溜め５１において混合され廃液cとなる。
【００３９】
第３の制御装置５４は、重量センサー２１及び重量センサー４１の重量減少、或いは重量センサー５２の重量増加を計測することによって見積もった廃液a及び廃液ｂの量から、混合廃液である廃液ｃの廃液混合比率Ｒ３＝廃液aの量／廃液ｂの量を求める（図４のステップＳ４０１）。
【００４０】
第１の廃液溜め１１及び第２の廃液溜め３１からの廃液a及び廃液ｂの排出は、一般に同時には起こらないので、重量センサー５２の重量増加を計測することによって、廃液混合比率Ｒ３を求めることが可能である。また、図示しないが、配管２３及び４３に流量センサーを設けてそれを計測することよって、廃液混合比率Ｒ３を算出してもかまわない。
【００４１】
次に第３の制御装置５４は、ステップＳ４０１で求めた廃液混合比率Ｒ３が所定の条件を満足するかどうか、即ち、設定混合比率Ｚ’以上であるかどうかを判定する（ステップＳ４０２）。ここで、設定混合比率Ｚ’は固化混合比率Ｚそのものでもよいが、固化を回避するために安全側にマージンをとって固化混合比率Ｚよりマージン分大きな値に設定して第３の制御装置５４内に保持していてもよい。
【００４２】
ステップＳ４０２において、廃液混合比率Ｒ３が所定の条件を満足しない、即ち、Ｒ３＜Ｚ’と判定した場合は、第３の制御装置５４はポンプ５６を制御して、シンナー（薬液Ｂ）を第３の廃液溜め５１に供給して廃液ｃを希釈して、廃液混合比率Ｒ３がＺ’以上になるようにする（ステップＳ４０３）。
【００４３】
先に述べたように、廃液a中のレジスト薬液（薬液Ａ）は廃液ｂ中のアルカリ可溶タイプの液浸保護膜薬液（薬液Ｃ）に用いられている溶剤中で固化しやすい。一方、レジスト薬液（薬液Ａ）はシンナー（薬液Ｂ）には容易に溶解する。従って、このような場合に、液浸保護膜薬液（薬液Ｃ）が増えることにより廃液ｂが増大してＲ３が減少した場合には、廃液ｃ中にシンナー（薬液Ｂ）を排出すればよい。
【００４４】
ステップＳ４０３の終了後、或いはステップＳ４０２においてＲ３≧Ｚ’が満たされていると判断された場合は、廃液ｃを第３の廃液溜め５１から廃液タンク６０へ排出する（ステップＳ４０４）。この排出は、配管５３上のバルブ５５を第３の制御装置５４が制御することによってなされる。
【００４５】
本実施形態の廃液処理方法によって、廃液ａ、ｂ、ｃの廃液混合比率が実際の薬液の使用量の変化によって変動したとしても、混合廃液を排出する配管２３、４３、５３において固化が生じないように適切に希釈することが可能となり、廃液ラインの詰まりを回避することが可能となる。
【００４６】
(第２の実施形態)
本発明の第２の実施形態に係る半導体製造工程における廃液処理方法が実行される基板処理装置５００を図５に示す。
【００４７】
基板処理装置５００は図１に示されるように、薬液ビン５０１（薬液Ａ）、処理槽（コータカップ）５０６、薬液溜め５０２、エアー抜きバルブ５０７、第１の廃液溜め５３０、第２の廃液溜め５４０、流量センサー５１１、５１２、５１３、５１４、５１５、第１の制御装置５１０、第２の制御装置５２０、重量センサー５１６、５１７、薬液ポンプ５０３、５０８、５３３、５３４、配管５２１、５２２、５２３、５２４、５２７、５２８、５２９、５３１、５３２、５３５、５３６、薬液フィルター５０４、及びバルブ５０５から構成される。
【００４８】
薬液ビン５０１に貯えられた薬液Ａは、配管５２１を経由して一旦薬液溜め５０２に溜められた後、配管５２６上の薬液ポンプ５０３によって、薬液フィルター５０４及びバルブ５０５を経て、処理槽（コータカップ）５０６内のウェハに吐出されて使用される。ここで使用される薬液Ａの使用量は流量センサー５１４によってモニターされる。
【００４９】
エアー抜きバルブ５０７を開くと、余剰な薬液Ａが薬液溜め５０２から配管５２２を通って、第１の廃液溜め５３０へと直接排出される。ここで排出される薬液Ａの量は流量センサー５１１によってモニターされる。
【００５０】
また、薬液ポンプ５０３、薬液フィルター５０４等において生じた余剰な薬液Ａも、それぞれ配管５２３及び５２４を通って、第２の廃液溜め５４０へと直接排出される。ここで排出される薬液Ａの量は流量センサー５１２及び５１３によってモニターされる。
【００５１】
配管５２２、５２３、５２４等のように、処理槽を介さないで廃液処理へと直接つながる配管はドレインラインと呼ばれる。このような通常の処理と異なる経路で薬液を排出することは、基板処理装置５００内の配管に薬液を通液する場合等にも行われることがある。
【００５２】
ドレインラインの廃液の廃液量の計測方法としては、流量センサー５１１、５１２、５１３を用いる他に、各廃液を混合する前に、基板処理装置５００内もしくは装置外に設けられた重量センサーで計測してもよい。本実施形態の場合は、例えば重量センサー５１６、５１７を用いて計測してもよい。
【００５３】
薬液Ｂは、ポンプ５０８によって配管５２７を通って、処理槽（コータカップ）５０６内のウェハに吐出されて使用される。ここで使用される薬液Ｂの使用量は流量センサー５１５によってモニターされる。
【００５４】
処理槽（コータカップ）５０６で使用された薬液Ａ及びＢの廃液は、混合して配管５２８を通って第２の廃液溜め５４０へ排出される。既に使用済みの薬液Ｃ及びＤの廃液は混合廃液として配管５２９を通って、第１の廃液溜め５３０に排出される。第１の廃液溜め５３０の廃液は配管５３５を経て第２の廃液溜め５４０へ排出される。
【００５５】
配管５３１及び５３２は希釈液ラインであり、それぞれポンプ５３３及び５３４によって供給される薬液Ｂで第１の廃液溜め５３０及び第２の廃液溜め５４０の中の廃液を希釈する。
【００５６】
第１の制御装置５１０は、例えば、流量センサー５１１、５１２、５１３、５１４、及び５１５と、重量センサー５１７をモニターすることができ（モニターの為の信号線は省略）、ポンプ５０３及び５０８を制御する。第２の制御装置５２０は、例えば、流量センサー５１１、５１２、及び５１３と、重量センサー５１６及び５１７をモニターすることができ（モニターの為の信号線は省略）、ポンプ５３３及び５３４を制御する。
【００５７】
本実施形態の廃液処理方法が実行される基板処理工程は、例えば、液浸露光方法を用いたリソグラフィー工程におけるレジスト膜の形成、及びこのレジスト膜上への液浸保護膜の形成である。従って、第１の実施形態と同様に、薬液Ａがレジスト薬液、薬液Ｂがエッジカットおよびバックリンス用のシンナー、さらに、薬液Ｃがアルカリ可溶タイプの液浸保護膜薬液、薬液Ｄがエッジカットおよびバックリンス用のシンナーであるとする。
【００５８】
なお、薬液Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは全て異なる薬液でもよいし、一部の薬液同士、例えば薬液Ｂと薬液Ｄが同じ薬液であってもかまわない。
【００５９】
本実施形態においても、薬液Ａと薬液Ｂの混合廃液aの固化混合比率Ｘ（＝薬液Ａ／薬液Ｂ）、薬液Ｃと薬液Ｄの混合廃液bの固化混合比率Ｙ（＝薬液Ｃ／薬液Ｄ）、さらに、混合廃液a及びbがそれぞれ固化しない条件を満たしている状態で、混合廃液a及びbが混合した混合廃液の固化混合比率Ｚ（＝廃液a／廃液b）を予め求めておく。
【００６０】
本実施形態の廃液処理方法を、以下に説明する。
【００６１】
まず、処理槽（コータカップ）５０６において、レジスト薬液（薬液Ａ）とシンナー（薬液Ｂ）による半導体基板の処理が順次行われる。使用されたレジスト薬液（薬液Ａ）及びシンナー（薬液Ｂ）それぞれの廃液は処理槽５０６内で混合さえた後、配管５２８を経由して第２の廃液溜め５４０に排出される。
【００６２】
ここで、第１の制御装置５１０は、流量センサー５１４及び５１５をモニターすることによりコータカップ５０６におけるレジスト薬液（薬液Ａ）とシンナー（薬液Ｂ）の廃液混合比率が設定混合比率Ｘ’以下となるように、ポンプ５０３及び５０８が流すレジスト薬液及びシンナーの量を制御する。これにより、レジスト薬液（薬液Ａ）とシンナー（薬液Ｂ）の混合廃液が、配管５２８における固化を生じないで第２の廃液溜め５４０へと排出される。
【００６３】
第２の制御装置５２０は、流量センサー５１１をモニターすることにより、エアー抜きバルブ５０７を経て第１の廃液溜め５３０へと排出される余剰なレジスト薬液（薬液Ａ）の量を計測する。その計測結果をもとに、第１の廃液溜め５３０におけるレジスト薬液（薬液Ａ）とシンナー（薬液Ｂ）の廃液混合比率が設定混合比率Ｘ’以下となるように、ポンプ５３３を制御して希釈液ライン５３１からシンナー（薬液Ｂ）を第１の廃液溜め５３０へと供給する。これにより、レジスト薬液（薬液Ａ）とシンナー（薬液Ｂ）の混合廃液が、配管５３５における固化を生じないで第２の廃液溜め５４０へと排出される。
【００６４】
以上で述べた設定混合比率Ｘ’は固化混合比率Ｘそのものでもよいが、固化を回避するために安全側にマージンをとって固化混合比率Ｘよりマージン分小さな値に設定して第１の制御装置５１０内及び第２の制御装置５２０内に保持していてもよい。
【００６５】
また、第２の制御装置５２０は、流量センサー５１２及び５１３をモニターすることにより、薬液ポンプ５０３、薬液フィルター５０４等において生じた余剰なレジスト薬液（薬液Ａ）の量を計測する。その計測結果をもとに、第２の廃液溜め５４０に配管５２３及び５２４を経て流入するレジスト薬液（薬液Ａ）とシンナー（薬液Ｂ）の廃液混合比率が設定混合比率Ｘ’以下となるように、ポンプ５３４を制御して希釈液ライン５３２からシンナー（薬液Ｂ）を第２の廃液溜め５４０へと供給する。
【００６６】
以上の処理により、第２の廃液溜め５４０におけるレジスト薬液（薬液Ａ）とシンナー（薬液Ｂ）の混合廃液aの廃液混合比率は設定混合比率Ｘ’以下となる。
【００６７】
レジスト薬液（薬液Ａ）とシンナー（薬液Ｂ）を用いた基板処理が終了した時点で、重量センサー５１７の重量増加をモニターすることにより、第２の制御装置５２０はレジスト薬液（薬液Ａ）とシンナー（薬液Ｂ）の混合廃液aの量を計測する。
【００６８】
その後、液浸保護膜薬液（薬液Ｃ）とシンナー（薬液Ｄ）を用いた基板処理（図示せず）の後に、それらの混合廃液ｂが配管５２９から第１の廃液溜め５３０へと排出される。混合廃液ｂの廃液混合比率は既に設定混合比率Ｙ’以下となるように適切に希釈されているとする。設定混合比率Ｙ’は固化混合比率Ｙそのものでもよいが、固化を回避するために安全側にマージンをとってＹよりマージン分小さな値に設定してよい。混合廃液ｂの量は、重量センサー５１６の重量増加をモニターすることによって第２の制御装置５２０に計測される。
【００６９】
第２の制御装置５２０は、計測した混合廃液ａ及びｂの量から、混合廃液である廃液ｃの廃液混合比率（＝廃液aの量／廃液ｂの量）を求める。この廃液混合比率が設定混合比率Ｚ’より小さい場合は、第２の制御装置５２０はポンプ５３３或いは５３４を制御して、シンナー（薬液Ｂ）を希釈液ライン５３１或いは５３２から供給する。これにより第２の廃液溜め５４０の廃液ｃを希釈して、廃液混合比率がＺ’以上になるようにする。
【００７０】
その結果、廃液ｃを第２の廃液溜め５４０から廃液タンクへ排出するときに、配管５３６において固化を防ぐことができる。
【００７１】
ここで、設定混合比率Ｚ’は固化混合比率Ｚそのものでもよいが、固化を回避するために安全側にマージンをとって固化混合比率Ｚよりマージン分大きな値に設定して第２の制御装置５２０内に保持していてもよい。
【００７２】
本実施形態の廃液処理方法によって、各廃液の廃液混合比率が実際の薬液の使用量の変化によって変動したとしても、混合廃液を排出する配管５２８、５３５、５３６において固化が生じないように適切に希釈することが可能となり、廃液ラインの詰まりを回避することが可能となる。
【００７３】
なお、混合廃液の廃液混合比率が所定の条件を満足しなくなることが予測される例としては、第１の実施形態で説明したようなソフトウェア（レシピ）に記載された薬液の設定使用量から判断する場合以外にも様々な状況があり得る。
【００７４】
例えば、現在のロットでは特定のレジスト薬液を使用しているが、次のロットではそれとは固化混合比率が異なるレジスト薬液を使用する場合等のように、現在処理しているロットでは廃液混合比率は所定の条件を満たしているが、次のロットを処理する時には所定の条件を満たさなくなることが予測される場合等である。
【００７５】
これらの基板処理の手順は予めレシピに記載されているので、その記載内容に基づいて、次のロットの処理に移る前に、排液の固化による基板処理の中断を回避するために、事前にシンナー等の薬液を用いて希釈してもよい。また、基板処理装置の使用前に溶解性の低い溶媒を用いて通液経路を洗浄する場合もあり、そのような場合にも基板処理の前に固化を予防するために他の薬液で希釈してよい。
【００７６】
廃液量を流量センサー或いは重量センサーでモニターしている場合も、現在処理しているロットでは廃液混合比率は所定の条件を満たしているが、流量センサー或いは重量センサーから読み取れる廃液量の増加速度から、次のロットを処理する時には所定の条件を満たさなくなることが予測されるときがある。その場合にも、排液の固化を回避するために薬液を用いて事前に希釈することが考えられる。
【００７７】
また、上記実施形態においては、例えば、レジスト薬液（薬液Ａ）とシンナー（薬液Ｂ）の混合廃液を希釈するのに、一方の薬液であるシンナー（薬液Ｂ）を用いていた。しかし、レジスト薬液（薬液Ａ）自体が独自の溶媒にレジスト材を溶解させたものである場合等には、その溶媒を用いてレジスト薬液（薬液Ａ）とシンナー（薬液Ｂ）の混合廃液を希釈してもよい。さらに、廃液を構成する薬液以外の溶解性の高い薬液、例えば、シクロヘキサノン、ガンマブチルラクトン等を用いて希釈して固化を防いでもよい。
【００７８】
また、２種類のレジスト薬液を用いる場合に、２種類のレジスト薬液、レジスト薬液Ｅ及びレジスト薬液Ｆがそれぞれ独自の溶媒e及びfを用いており、溶媒eが過剰になるとレジスト薬液Ｆのレジスト材が析出し、溶媒ｆが過剰になるとレジスト薬液Ｅのレジスト材が析出するような場合がある。このような２種類のレジスト薬液の混合廃液においては、レジスト薬液Ｅ、Ｆの使用量に偏りが生じた場合に、溶媒のバランスをとるためにｅ、fいずれか一方の溶媒を適宜補充して希釈し、混合廃液の固化を防いでもよい。
【００７９】
このように、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体製造工程における廃液処理方法が実行される基板処理装置を示す図。
【図２】第１の実施形態に係る半導体製造工程における廃液処理方法を示すフローチャート。
【図３】第１の実施形態に係る半導体製造工程における廃液処理方法を示す別のフローチャート。
【図４】第１の実施形態に係る半導体製造工程における廃液処理方法を示すまた別のフローチャート。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る半導体製造工程における廃液処理方法が実行される基板処理装置を示す図。
【符号の説明】
【００８１】
１０…第１の処理槽、３０…第２の処理槽、１２…第１の制御装置、
３２…第２の制御装置、５４…第３の制御装置、
１３、１４、３３、３４、５１１、５１２、５１３、５１４、５１５…流量センサー、
１５、１６、１７、３５、３６、３７、５６、５０３、５０８、５３３、５３４…ポンプ、
１８、１９、２０、２２、２３、３８、３９、４０、４２、４３、５３、５７、５２１、５２２、５２３、５２４、５２６、５２７、５２８、５２９、５３５、５３６…配管、
２１、４１、５２、５１６、５１７…重量センサー、２４、４４、５５、５０５…バルブ、
６０…廃液タンク、１００…基板処理装置、５００…基板処理装置、５０１…薬液ビン、
５０４…薬液フィルター、５０６…処理槽（コータカップ）、５０７…エアー抜きバルブ、
５１０…第１の制御装置、５２０…第２の制御装置、
５３１、５３２…希釈液ライン（配管）、
Ｓ２０１〜Ｓ２０４、Ｓ３０１〜Ｓ３０４、Ｓ４０１〜Ｓ４０４…ステップ。
【図１】
2008078503.tif 000003
【図２】
2008078503.tif 000004
【図３】
2008078503.tif 000005
【図４】
2008078503.tif 000006
【図５】
2008078503.tif 000007