(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエハを研削するため、貫通孔を有するサポートプレートを使用してサポートプレート裏面をチャックに真空吸着してした場合、ウエハ研削時或いはウエハ剥離の際にウエハの表面にディンプルが生じることがあり、当該ディンプルの発生を抑えるように構成したサポートプレートを提供すること。【解決手段】ウエハを接着部材で接着して面サポートするサポートプレート１のウエハ接着範囲Ｗに、未貫通部１０−３を有する孔１０を構成するようにする。【選択図】図１
2008041780.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを接着部材で接着して面サポートするサポートプレートであって、
未貫通部を有する孔が形成されている、
ことを特徴とするサポートプレート。
【請求項２】
前記孔は、前記サポートプレートの前記ウエハを接着する範囲内に形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載のサポートプレート。
【請求項３】
前記未貫通部は、
サポートプレートの厚み方向における厚みが５０μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項２に記載のサポートプレート。
【請求項４】
前記未貫通部は、ガラス物質であることを特徴とする請求項１〜３の内のいずれか１つに記載のサポートプレート。
【請求項５】
前記未貫通部がサポートプレートと一体であり、ガラス物質で形成されていることを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか１つに記載のサポートプレート。
【請求項６】
請求項１〜５の内の何れか一つに記載のサポートプレートに接着部材を介して接着されたウエハを剥離する方法であって、
前記未貫通部を貫通させて前記孔を貫通孔とした後に、所定の剥離液を前記貫通孔を通じて前記接着部材に接触させて前記ウエハを前記サポートプレートから剥離する、
ことを特徴とするウエハを剥離する方法。
【請求項７】
前記サポートプレートは請求項３に記載のサポートプレートであって、
前記未貫通部をエッチングにより貫通させて前記孔を貫通孔とする、
ことを特徴とする請求項６に記載のウエハを剥離する方法。
【請求項８】
前記エッチングは、フッ酸によるウェットエッチングである、
ことを特徴とする請求項６に記載のウエハを剥離する方法。
【請求項９】
請求項１〜５の内の何れか一つに記載のサポートプレートにウエハを接着部材を介して接着させた後に、前記ウエハを研削／研磨する、
ことを特徴とするウエハを薄くする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハを面サポートするサポートプレートの構造と、そのサポートプレートの使用方法、特にそのサポートプレートからウエハを剥離する方法とそのウエハを薄くする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯機器の薄型化、小型化、又は軽量化の開発が進むにつれ、機器に組み込まれる半導体チップの更なる薄板化が求められてきている。この半導体チップに利用されるウエハは現状は厚みが１２５μｍ〜１５０μｍであるが、２５μｍ〜５０μｍの薄板化の開発も進められている。
【０００３】
このように薄板化されるウエハは、ウエハの厚みを薄くする研削／研磨工程やウエハの裏面処理を行う工程などを経て製造され、最終的に複数の半導体チップに分割される。ウエハが薄板化されるにつれ、それ自体で形状を維持することができず、例えば折れ曲がるなどによりハンドリングが困難になる。
【０００４】
そのため、通常は、そのウエハを硬い支持板（以下、サポートプレートと呼ぶこととする）に貼り付け、このサポートプレートごと各工程で上記ウエハをハンドリングするようにしている。
【０００５】
ウエハを薄板化する場合に使用されるサポートプレートとして、例えば貫通孔を有するものや孔自体を有しないものがある。
この内、サポートプレートとウエハの貼り合わせを接着剤などの接着部材を間に薄く延ばして行う場合、貫通孔を有するサポートプレートを使用する方法が最適である。この貫通孔は、ウエハが貼り合わされる面のウエハの貼り合わせ範囲内でその一端が開口し、もう一端はその貫通孔を通じてサポートプレートの反対側の面で開口している。
【０００６】
このため、サポートプレートとウエハの貼り合わせ後に再びこれらを分離（剥離）する際、その貫通孔を通じて剥離液を接着部材に接触させることができる。こうして、ウエハのエッジよりも内側の範囲にある接着部材の接着能力を直接低下させることができる（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−１９１５５０ 号公報（段落「００２１」、段落「００２６」、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一連の薄板化工程におけるウエハの位置固定方式、例えばウエハを研削／研磨する装置などにおけるウエハの位置固定方式に、サポートプレートの裏面（ウエハを貼り合わせた面の反対面）をチャックと呼ばれる真空引き用の装置上に引きつけて吸着固定する方式がある。
【０００８】
しかし、そのような方式で位置固定する装置に上述の貫通孔を有するサポートプレートを使用した場合、研削時にウエハにディンプルが生じることがあり、問題であった。
図９は、ディンプルが生じている薄板化されたウエハの斜視図である。図９に示されるように薄板化されたウエハ９の表面９−１に無数のディンプル９０が発生する。
【０００９】
このディンプル９０の発生原因としては次のことが考えられる。
先ず第一に、サポートプレート裏面をチャックに真空吸着させてウエハを位置固定することにより、ウエハとサポートプレートとの間の接着部材がそのサポートプレートの貫通孔を通じて貫通孔の開口部に引き込まれる。その結果、剥離の際にその反動でウエハの表面（図９の９−１）側にディンプル（図９の９０）が生ずるということである。  
【００１０】
第二に、研削／研磨装置が、例えば不図示の貫通孔つきサポートプレートが表面（図９の９−１）に貼り付けられている状態でその露出面（ウエハ裏面、図９の９−２）上に研削ホイールを押し付ける構成をとる場合である。
【００１１】
この場合、ウエハ裏面（図９の９−２）にかかる研削ホイールの押圧力により、上面（図９の９−１）に貼り合わされたサポートプレートの貫通孔の開口部に上記接着部材が入り込む（沈み込む）。その結果、これもまた剥離の際にその反動でウエハの表面（図９の９−１）側にディンプル（図９の９０）が生ずるということである。  
【００１２】
そこで本発明は、上記問題を鑑みてなされた発明であり、サポートプレート、ウエハを剥離する方法、及びウエハを薄くする方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は上記課題を解決するために以下のように構成する。
本発明のサポートプレートの態様の一つは、ウエハを接着部材で接着して面サポートするものであり、そのサポートプレートに未貫通部を有する孔が形成されている。この孔の上記未貫通部は、上記サポートプレートと一体に構成されているものや、又は上記サポートプレートとは別体である部材が上記孔に埋め込まれるなどして構成されているものなど、形態は様々である。その未貫通部により、サポートプレートの上記孔が未貫通状態に保たれている。
【００１４】
なお、上記未貫通部を有する孔が形成されている範囲は、上記サポートプレートの上記ウエハを接着する範囲内とする。例えば、その孔の一端の開口部の形成範囲を上記サポートプレートの上記ウエハを接着する範囲内とする。或いは、上記未貫通部を貫通させて孔を貫通孔にした場合にその貫通により得られた開口部が上記サポートプレートの上記ウエハの接着範囲の内側にあるようにする。
【００１５】
また、上記未貫通部は、サポートプレートの厚み方向における厚みが５０μｍ以下（ただし、０より大きい）であることが好ましい。また更に、その厚みは２０μｍ以下（ただし、０より大きい）であるとより好ましい。なお、未貫通部がある以上、その厚みは０よりも大きい。この未貫通部の材質は、例えばガラス、シリコン、セラミック、またはインバース等である。
【００１６】
また、上記未貫通部がサポートプレートと一体であり、ガラス物質で形成されている構成のサポートプレートでもよい。
本発明のウエハを剥離する方法の態様の一つは、そのウエハが上述の何れかの態様のサポートプレートに接着部材を介して接着されていることを前提に、上記未貫通部を貫通させて上記孔を貫通孔とした後、所定の剥離液を上記貫通孔を通じて上記接着部材に接触させて上記ウエハを上記サポートプレートから剥離する、ようにする。
【００１７】
なお、サポートプレートの厚み方向における上記未貫通部の厚みが５０μｍ以下（ただし、０より大きい）である場合は、上記未貫通部をエッチング（好ましくは、フッ酸によるウェットエッチング）により貫通させて上記孔を貫通孔にする、ようにする。
【００１８】
本発明のウエハを薄くする方法の態様の一つは、上述の何れかの態様のサポートプレートにウエハを接着部材を介して接着させた後、上記ウエハを研削／研磨する、ようにする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のサポートプレートは、孔が未貫通状態に保たれている。このため、ウエハを貼り付けたサポートプレートを真空吸着固定しても、その吸引力は未貫通部を超えて接着部材までは及ばない。よって、真空吸着の引き込みによるディンプルの発生を防止できる。
【００２０】
また、ウエハを貼り付ける側のサポートプレート面が平面又は略平面になるように上記未貫通部が上記孔に構成されている場合（例えば、貫通孔の端部に未貫通部が構成されている場合）は、更に、研削ホイールの押圧力による接着部材の孔への沈み込みを抑止できる。よって、孔への沈み込みによるディンプルの発生も大幅に低減できる。
【００２１】
更に、上記未貫通部は後から貫通させれば、上記接着部材に剥離液を接触させるための貫通孔として使用できるようになる。
加えて、未貫通部を有する孔の位置に貼り付けられたウエハの表面はディンプルが生じないため、その位置のウエハからは扁平率の高い高精度の半導体チップが抽出できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
本発明に係るサポートプレートは、接着部材を介してウエハを面サポートする従来のサポートプレートを前提に、未貫通部を有する孔を更に形成して構成されたものである。
【００２３】
図１は、本発明のサポートプレートの構成例である。
同図（ａ）にそのサポートプレートの斜透視図を示し、同図（ｂ）にその平面図を示し、同図（ｃ）及び（ｄ）にサポートプレートの孔の構造を示している。
【００２４】
同図（ａ）に示すように、本例のサポートプレート１は、同図の上下方向に所定の厚みをもつ円盤形状をし、その厚み方向（下面１−２から上面１−１）に未貫通部を有する孔１０が形成されている。
【００２５】
同図（ｂ）は、同図（ａ）のサポートプレート１をその上方（実線矢印Ａ側）から作図した平面図であり、その平面図内に、接着部材によるウエハの貼り合わせ範囲（接着範囲ともいう）と孔の位置とを示している。
【００２６】
図１（ｂ）の一点鎖線がそのウエハの貼り合わせ範囲の境界を表わし、孔１０がその範囲内Ｗに形成されている。なお本構成ではその孔１０はサポートプレートの上面１―１で開口していないため、孔１０を破線表示にした。
【００２７】
本構成では、サポートプレートの上面１―１はその孔の位置で窪みを有しない平坦な構成をとる。
同図（ｃ）は、同図（ａ）に示される複数の孔１０のうちの例えば範囲Ｂに示される一つの孔１０の構造拡大図であり、同図（ｄ）は、その孔１０の頂点位置で縦に割ったときの側方断面図（同図（ｃ）のＣ−Ｃ´方向の断面図）である。
【００２８】
本例のサポートプレート１に形成されている孔１０は、例えばサポートプレートの下面１−２を基点とする厚み方向（この場合は同図の上方向）の構成物質を下面１−２から除去していくなどの方法により形成される。
【００２９】
この孔１０は、下側の端面１０−２が開口し、上側の端面１０−１はサポートプレートに構成物質が少し残された状態をとる。この残った構成物質が未貫通部１０−３となるため、本例の未貫通部１０−３はサポートプレート１の本体に一体に構成されている。
【００３０】
上述した孔の構造は、図１（ａ）に示される全ての孔１０のうちの一つまたはいくつかの孔だけがとるようにしても良い。しかし、ウエハが貼り合わされる範囲内Ｗのできる限り広い範囲に形成されていることがより好ましく、本例に示したようにウエハが貼り合わされる全範囲Ｗに形成されていることが望ましい。
【００３１】
なお、本例のサポートプレート１の説明で参照した図１には、サポートプレート１上の孔１０の数や配置を一列あたり１５個にして３列並べて示したが、これは孔を図から読み取りやすくするためであり、実際にはウエハの貼り合わせ範囲Ｗの全体に亘って規則的に又はランダムにより高い密集密度で多数形成されている。
【００３２】
この孔１０は、後に詳しく説明するが、ウエハの研削／研磨処理や裏面形成処理などの各種加工処理後にサポートプレート１と不図示のウエハ間の上記の接着部材を溶解するために使用する溶解液（剥離液）の通路として利用される。
【００３３】
本例で示すサポートプレート１は、６インチ、８インチ及び１２インチのウエハの全てに適用できるように１２インチよりも１ｍｍ程度大きめの径で設計している。なお、上記サポートプレートは、ウエハサイズと同径もしくは若干大きめ（１ｍｍ程度）のサイズであればよい。またその厚みを５００〜１０００μｍ程度に、孔１０の径を４００〜５００μｍ程度に設計している。
【００３４】
その材料としては、未貫通部１０−３の後の貫通加工が容易であることからガラス板を用いている。更に、その未貫通部１０−３の厚さ（孔の頂点Ｐ１からサポートプレートの上面１−１までの厚さ）は、上記未貫通部１０−３の材質がガラス物質なので、５０μｍ以下にしている。この厚さは、材質が本例のようにガラス物質の場合には、上記設計のように５０μｍ以下とすることが好ましく、更に２０μｍ以下とするとより好ましい。言うまでもないが、未貫通部１０−３の厚さは０より大きい。
【００３５】
なお、以上の設計情報は一例である。このため、例えば材質は、その他に、鉄-ニッケル合金（ニッケル３６％の合金：インバー）や、セラミック板、シリコンなどを利用しても良い。この場合も、未貫通部１０−３の厚さは上記設計のように５０μｍ以下とすることが好ましく、更に２０μｍ以下とするとより好ましい。言うまでもないが、未貫通部１０−３の厚さは０より大きい。
【００３６】
また、その他の設計情報であれば、加工対象のウエハの大きさや、装置で使用する各種薬品や、未貫通部の貫通加工の方法などに応じて適宜設計して良い。
続いて、上記孔１０のその他の構造及びその他の構成例を示す。
【００３７】
図２は、図１に示した孔１０の構造の変形例である。
サポートプレートには図１に示すように複数の孔が形成されている。図２では、その孔の構造のみを図１（ｃ）及び（ｄ）と同じ要領で図２（ａ）及び（ｂ）に示した。
【００３８】
本変形例に示す孔１１は、例えばサポートプレートの上面１―１及び下面１−２を基点とするそれぞれの厚み方向にある構成物質（この場合は、上面１―１から下方向にある構成物質及び下面１−２から上方向にある構成物質）を各基点の面から除去していくなどの方法により形成される。
【００３９】
本変形例の孔１１は、上側の端面１１−１及び下側の端面１１−２が開口し、サポートプレート１の厚み方向の中間位置の構成物質がサポートプレート１の本体に残された状態をとる。この残った構成物質がその孔１１の未貫通部１１−３となるため、本例の未貫通部１１−３は、図１の構成と同様にサポートプレートの本体に一体に構成されている。
【００４０】
この未貫通部１１−３の厚さ（上面１―１側から形成された穴の頂点Ｐ２と下面１―２側から形成された穴の頂点Ｐ３との間の厚さ）は、上記未貫通部１１−３の材質がガラス物質（この他、シリコン、セラミック、インバーなど）である場合は５０μｍ以下とすることが好ましい。また更に、その厚みは２０μｍ以下であるとより好ましい。
【００４１】
繰り返しになるが、未貫通部１１−３の厚さは０より大きい。
このように、本変形例に示す孔１１は図１の例と異なりサポートプレートの上面１―１で開口している。念のため書き添えるが、その上面における孔１１の状態は図１（ｂ）の孔１０を実線表示に替えることで示される。
【００４２】
図３は、図１に示した孔１０のその他の構成例である。
本図も、図２と同様の要領で示されている。
本例に示す孔１２は、貫通孔１２に部材１２―３を埋め込んだ構成をとる。例えばサポートプレートの上面１―１又は下面１−２を基点とする厚み方向にある構成物質を一つの基点面から一方向に除去していく又は両方の基点面から除去していくなどの方法により、サポートプレートの上面１―１から下面１−２までを貫通させた貫通孔１２が形成される。
【００４３】
そして、その貫通孔１２の内部に部材１２―３が埋め込まれるなどして、その貫通孔１２に未貫通部１２−３を構成している。この部材１２−３は孔の上方と下方を隔てるようにして後から埋め込まれるため、サポートプレート本体とは一体ではない。
【００４４】
上記未貫通部１２−３を構成する部材としては、例えば、貫通孔１２の内壁に接着され乾燥により固まる接着剤や、これにサポートプレートの構成物質（例えばガラス物質など）を混合したものや、例えば内壁からの反発力や摩擦力などによりその貫通孔１２の内部で止まる嵌入部材（ガラス物質を使用しても良い）などを、適宜使用できる。
【００４５】
なお、この未貫通部１２−３の厚さは、この未貫通部１２−３の材質をガラス物質（この他には、シリコン、セラミック、インバーなど）とした場合は５０μｍ以下とすることが好ましい。また更に、その厚みは２０μｍ以下であるとより好ましい。言うまでもないが、未貫通部の厚さは０よりも大きい。
【００４６】
以上の各例では孔の開口部がサポートプレートの上面または下面に形成されるものについて説明した。以下でもこの例を元に説明することとする。ただし、例えばサポートプレートに厚みがあり、その側面に開口部を形成できるサポートプレートを使用する場合には、その側面の開口部とウエハの貼り合わせ範囲の開口部を繋ぐ孔の通路内（ウエハの貼り合わせ範囲の開口部の位置も含む）に上述した各種の未貫通部を構成するようにすれば良い。
（実施例１）
本実施例では、未貫通部を有する孔が形成されているサポートプレートの使用方法を示す。
【００４７】
図４は、本発明のサポートポートプレートを使用してウエハを薄板化する薄板化工程の全体フロー説明図である。同図には、その実施の順にアルファベット（ａ）から（ｉ）が付与されている。
【００４８】
本例では、一例として図１のサポートプレート１を使用する。そして、そのサポートプレート１は、その未貫通部の厚みが２０μｍのガラス物質で構成されているものとする。この未貫通部の材質は上記ガラス物質の他に、シリコン、セラミック、インバーなどでも同様に実施できる。なお、その未貫通部の厚みは、ディンプル発生を抑止する程度と後の貫通加工の容易さが関係している。
【００４９】
その未貫通部が例えばガラス物質（或いは、シリコン、セラミック、インバーなど）の場合、その厚みが５０μｍ以下であればディンプル発生の抑止効果がより良く得られると共に、未貫通部の後の貫通加工も不都合を生じない。また、その厚みを２０μｍ以下にすることにより更に後の貫通加工が容易になる。本例は、厚みを２０μｍとしたことにより両方の効果を良好に享受できる構成である。
【００５０】
先ず、ウエハ２の表面（回路が形成されている面）に接着液（接着部材）４を落とし、不図示のスピンナーで回転させるなどしてその接着液４をウエハ２の表面上に薄く広げる（図２ａ）。この接着液４としては、例えばノボラックタイプのフェノール樹脂系材料を使用する。
【００５１】
次に、ウエハ２の表面上の接着液４を予備乾燥させて流動性を低減させ、その接着液の層４にサポートプレート１を貼り付ける（図２ｂ）。サポートプレート１の貼り付け方法は、その孔１０がウエハ２の接着範囲に収まるように配置し、且つウエハ２に未貫通部１０（図１の１０−３）が対面するように配置して、貼り付けを行う。
【００５２】
つまり、サポートプレートの上面１−１及び下面１―２のうちの、窪みのない平坦な方の面１−１（図１（ｂ）の上面１−１）が、ウエハ２と貼り合わせられる。上記予備乾燥にはオーブンを用いて例えば８０℃で５分間加熱する。また接着層４の厚みはウエハ２の表面に形成した回路の高さに応じて決定する。
【００５３】
次に、サポートプレート１を反転し（つまりウエハ２の露出面が上向きになるようにし）、その露出面（本明細書では裏面と呼んでいる）を研削／研磨する（図２ｃ）。
この工程では、ウエハ２の露出面の上方から研削ホール１００を下ろし、その露出面を研削ホール１００で押し付けながら薄く削っていく。
【００５４】
図５は、模式的な研削／研磨装置の断面図である。
同図に示されているように、ウエハ２の露出面２−２が上向きになる向きで当該サポートプレート１が台１１０上に置かれ、その露出面２−２上に研削ホール１００が押し下げられている。本例ではこの台１１０に、一般的にチャックと呼ばれる吸着台が使用されている。この吸着台１１０は、真空引き用の孔（１１０−１〜１１０−４）が形成されておりサポートプレート１の下面１−２をその孔（１１０−１〜１１０−４）を通じて同図破線矢印の方向へ真空引きして台１１０の上面にそのサポートプレート１を吸着固定する。
【００５５】
上記研削ホール１００は、回転軸１００−１を中心軸にして回転しながらウエハの露出面２−２に同図の実線矢印に示す方向へ所定の押圧力を加えてその露出面２−２を一様に研削していく。こうして、ウエハ２の厚みを例えば１２５μｍ〜１５０μｍのオーダー、要求に応じては２５μｍ〜５０μｍのオーダーに薄くする。なお、研削時はウエハ２と研削ホール１００の間に摩擦熱が生じるため、ウエハの露出面２−２に水を供給するなどしてその熱を抑える。
【００５６】
本サポートプレート１に形成されている孔１０は、未貫通部１０−３を有してなる未貫通状態の孔である。このため、サポートプレートの下面１−２にかかる吸引力はその孔１０の未貫通部１０−３の下部までで、その上部つまり接着部材４やウエハ２までは及ばない。
【００５７】
また本例で使用したサポートプレート１の場合、その未貫通部１０−３がサポートプレートの上面１−１に構成され、サポートプレートの上面１−１は窪みのない平坦な面であるため、研削ホール１００より押圧力が加えられても上記接着部材４やウエハ２がその孔１０に沈み込むことはない。
【００５８】
さて、図４に戻り、引き続き研削／研磨に続く工程の説明をする。
次の工程では、研削／研磨処理により薄板化したウエハ２を裏面処理する（図２ｄ）。
この裏面処理としては、例えば、バックメタライズ加工（図２ｄ−１）や回路形成処理（図２ｄ−２）などがあり、これらの工程が不要であれば省くこともできる。
【００５９】
次に、サポートプレート１の孔１０を、その未貫通部１０−３を貫通して貫通孔にする（図４ｅ）。  
未貫通部１０−３を貫通させる方法（貫通加工の方法）は、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、又はサンドブラストなどの微細加工技術が利用できる。
【００６０】
本例では、特にその未貫通部１０−３がガラス物質で構成されているため、フッ酸によるウェットエッチングの方法でその未貫通部１０−３を貫通させている。
図４（ｅ）及び図６は、その未貫通部の貫通方法の説明図である。
【００６１】
図６は、図４（ｅ）の範囲Ｄに形成されている一つの孔１０の状態変化図（拡大図）である。
本構成では、孔１０の特に未貫通部１０−３の物質のみを除去すればよい。この除去方法としては、未貫通部１０−３をエッチング液（フッ酸）３に曝してウェットエッチング除去する方法がある。
【００６２】
例えばサポートプレート下面１−２の孔１０を上方に向けこの孔１０に、エッチング液であるフッ酸３を注入する（図６（ａ））。その未貫通部１０−３の物質はフッ酸３に曝されることにより、溶解され、最終的に接着部材４との境界までの物質が除去され、貫通孔が形成される（図６（ｂ））。ここで、接着部材４には、フッ酸に耐性のあるものであることが好ましい。これにより、エッチング液が基板２まで達することを防止でき、基板２が劣化することを防止することができる。
【００６３】
未貫通孔１０−３が除去されサポートプレートに貫通孔が形成された後、エッチング液３を除去する。こうして、ウエハ２付きのサポートプレート１の孔１０を貫通孔にする。エッチング液３の除去は、例えば、水等の洗浄液による洗浄により行わればよい。
【００６４】
上記では、孔１０に上方からエッチング液を注入し、未貫通部１０−３にエッチング液を接触させる構成を記載しているが、孔１０の開口部を下方に向け、例えばエッチング液を下方から噴射して未貫通部１０−３に接触させてもよい。
また、別の構成では、  本構成では、孔１０の特に未貫通部１０−３の物質のみを分解すればよいため、未貫通部１０−３の位置に開口部をもつパターンのマスク（不図示）を表面に構成し、その開口位置にある物質を予め決められた時間及び温度でエッチング液（フッ酸）３に曝してウェットエッチング除去する。
【００６５】
例えばサポートプレート下面１−２の孔１０の開口位置が開口しているマスク（不図示）を構成し、その他の表面は全てマスキングするなどして、エッチング液であるフッ酸３にそのサポートプレート１をつけ込む（図６（ａ））。その未貫通部１０−３の物質は予め決められた時間及び温度でフッ酸３に曝されることにより、その曝されている表面からその厚み方向の物質が分解され、最終的に接着部材４との境界までの物質が除去される（図６（ｂ））。
【００６６】
未貫通孔１０−３が除去されサポートプレートに貫通孔が形成された後、そのウエハ２付きのサポートプレート１をエッチング液３から取り出し、ウェットエッチングのために表面に付けたマスクを除去する。こうして、ウエハ２付きのサポートプレート１の孔１０を貫通孔にする。  このように未貫通部１０−３を貫通させることにより、未貫通状態に保たれていた孔１０が、サポートプレートの下面１−２からサポートプレートの上面１−１のウエハ２の貼り合わせ範囲内にかけて貫通し、後の工程で剥離液の通路として利用できるようになる。
【００６７】
次に、ウエハ２の露出面側を粘着性を有するダイシングテープ６に貼りつける（図２ｆ）。
次に、上記貫通加工を施した孔（貫通孔）１０を通じてそのサポートプレートの上面１−１とウエハ２の表面の間の接着層４に剥離液７を満たす（図２ｇ）。
【００６８】
図７は上記接着層４にサポートプレート１の貫通孔１０を通じて剥離液７が浸入する様子を示した図である。同図のサポートプレート１の上面１−１が未貫通部が構成されていた面で、下面１−２がウエハ２を密着させている接着層４に当接する面である。
【００６９】
前工程で未貫通部を貫通加工したため、その貫通孔１０を通じて上記接着層４へ剥離液７が浸入できるようになる。この剥離液７はその接着部材４に接触することによりその接着力を低下させ、その接着層４の一部に接触、または接着層４の全体に満たされればより確実に、ウエハ２とサポートプレート１を分離する。
【００７０】
なお、上記剥離液７としては、例えばアルコール（特にエタノールやメタノールなどの分子量が小さいもの）、ケトン、またはアルコールとケトンとの混合溶液などを使用する。
【００７１】
次に、ウエハ２とサポートプレート１間の接着力が十分に低下したら、ダイシングテープ６に貼り付けられているウエハ２からサポートプレート１を剥がす（図２ｈ）。
そして、ダイシング装置によってウエハ２をチップサイズに分割する（図２ｉ）。分割された各半導体チップは、ダイシングテープ６に紫外線を照射してその粘着力を低下せしめることで、個々に取り出すことができる。
【００７２】
本例では、未貫通孔の貫通加工を裏面処理とダイシングテープへの貼り付け処理の間に行った。しかし、その貫通加工の順序は、研削／研磨処理の後からサポートプレートの剥離処理の前の間であれば、何れのタイミングで行っても良い。
【００７３】
図８は、薄板化したウエハ２のサポートプレート剥離後の表面状態を示した図である。同図に示されるように、当該ウエハ２の表面はディンプルのない滑らかな面になり、後の工程で扁平率の高い高精度の半導体チップをウエハの全面から抽出できるようになる。
【００７４】
以上に述べたように、本発明のサポートプレートは、孔が未貫通状態に保たれている。このため、ウエハを貼り付けたサポートプレートを真空吸着固定しても、その吸引力は未貫通部を超えて接着部材までは及ばない。よって、真空吸着の引き込みによるディンプルの発生を防止できる。
【００７５】
また、ウエハを貼り付ける側のサポートプレート面が平面又は略平面になるように上記未貫通部が上記孔に構成されている場合（例えば、貫通孔の端部に未貫通部が構成されている場合）は、更に、研削ホールの押圧力による接着部材の孔への沈み込みを抑止できる。よって、孔への沈み込みによるディンプルの発生も大幅に低減できる。
【００７６】
更に、上記未貫通部は後から貫通させれば、上記接着部材に剥離液を接触させるための貫通孔として使用できるようになる。
加えて、未貫通部を有する孔の位置に貼り付けられたウエハの表面はディンプルが生じないため、その位置のウエハからは扁平率の高い高精度の半導体チップが抽出できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明のサポートプレートの構成例である。
【図２】孔１０のその他の構造例である。
【図３】孔１０のその他の構成例である。
【図４】本発明のサポートポートプレートを使用してウエハを薄板化する薄板化工程の全体フロー説明図である。
【図５】模式的な研削／研磨装置の断面図である。
【図６】孔１０の状態変化図である。
【図７】貫通孔１０を通じて剥離液７が浸入する様子を示した図である。
【図８】ウエハの表面状態を示した図である。
【図９】従来のディンプルが生じている薄板化されたウエハの斜視図である。
【符号の説明】
【００７８】
１  サポートプレート
２  ウエハ  
３  エッチング液
４  接着部材
１０  孔
１０−３  未貫通部
Ｗ  ウエハの接着範囲
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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