(57)【要約】      （修正有）【課題】簡単な構造でかつ低電圧でより大きな変位量を得ることができるマイクロカンチレバーを提供する。【解決手段】マイクロカンチレバー１は、板状の圧電体３の両面に上部電極４ａ及び下部電極４ｂとなる電極膜を形成しかつ前記圧電体３の下部電極４ｂ側に板状の弾性体５を密着させた駆動部材を、支持体２に片持ち梁状に支持させた構造を有する。またさらに、前記弾性体５には、支持体２に固定された根元部分の近傍に、薄肉部６が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面上のほぼ全面に上部電極が形成され他方の面上のほぼ全面に下部電極が形成された略長方形の板状の圧電体と、前記圧電体の前記下部電極形成面に機械的に一体になるように密着させた板状の弾性体と、前記圧電体と前記弾性体を密着させて形成された駆動部材の長さ方向の一端近傍を片持ち梁状に支持する支持体と、を有するマイクロカンチレバーにおいて、
前記駆動部材の前記支持体に支持された根元部分の近傍に、前記駆動部材の他の部分の厚みよりも薄い薄肉部を有する
ことを特徴とするマイクロカンチレバー。
【請求項２】
前記薄肉部は、前記弾性体の厚みが薄くなっている部分であることを特徴とする請求項１に記載のマイクロカンチレバー。
【請求項３】
前記薄肉部は、前記上部電極の一部がスリット状または切り欠き状になっている部分であることを特徴とする請求項１に記載のマイクロカンチレバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロスイッチ、マイクロアクチュエータ等のＭＥＭＳ素子（微小電気機械結合素子）の駆動部分であるマイクロカンチレバーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高周波帯域で使用される多くの電子機器例えば携帯電話や無線機器等は、小型化、軽量化、高性能化されている。これに伴い、例えば既存の電子機器で信号を制御するために使用されるＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）やＰＩＮダイオードのような半導体スイッチの代わりとしてＭＥＭＳ技術を利用したマイクロスイッチなどが提案されている。このようなＭＥＭＳ素子は、電気回路にその電気回路単独では実現が困難な特徴を付加することができる。例えば電気回路のスイッチ素子として機械式のリレー、ＦＥＴ、ＰＩＮダイオードが使われているところをＭＥＭＳスイッチに置き換えることで、材料に依存していた特性の改善例えば１０ＧＨｚ以上の高周波領域におけるアイソレーションやインサーションロスの低減や使用周波数領域の広域化が期待できる。また、ＭＥＭＳ素子は半導体装置の製造プロセスとの整合性が良いので、薄膜キャパシタや薄膜インダクタなどと一体化させた複合デバイスも実現可能である。
【０００３】
近年、携帯電話や無線機器等は小型化、高機能化に伴いバッテリー駆動時間の問題が大きくなってきている。そのため低消費電力及び低電圧駆動の要求が高まってきている。ＭＥＭＳ技術では、静電、電磁、熱など、いくつかの駆動方式がある。この中で、熱駆動や電磁駆動では電流を流すことによる消費電力の増大がある。また、静電駆動では電流を流さないので電力消費は小さいが、一般に２０〜５０Ｖという高い電圧を必要とする。そこで、低消費電力と低電圧駆動の両立が可能な方式として圧電体が着目されており、これを用いたＭＥＭＳスイッチが例えば特開２００５−３３２８０２号公報等で提案されている。  
【０００４】
このような圧電体を用いたＭＥＭＳ素子として、駆動部にマイクロカンチレバーを有するものがある。このマイクロカンチレバーは、両面に電極が形成された板状の圧電体と、金属あるいは金属酸化物等のような板状の弾性体とを貼り合せた構造を有しており、基板等の支持体に片持ち梁状に支持されている。このような構造では、電極に電圧を印加することによって圧電体が変位してマイクロカンチレバーが屈曲し、電極への通電を止めると弾性体の弾性により元に戻る。これを利用することにより、マイクロカンチレバーの先端に電気接点を設けてマイクロスイッチを形成したり、マイクロカンチレバーを振動または揺動運動の駆動部とするマイクロアクチュエータを形成することができる。  
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３３２８０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで圧電体の変位の大きさは印加する電圧に比例する。よってマイクロカンチレバーの変位を大きくするには印加する電圧を大きくする必要がある。しかし、ＭＥＭＳ素子には低電圧駆動の要求があるため、マイクロカンチレバーは電圧が同じであれば従来よりも大きな変位が得られ、同じ変位であれば従来よりも低い電圧で得られるようにする必要がある。  
【０００７】
圧電体を用いたマイクロカンチレバーの低電圧駆動を実現するためには、圧電体及び弾性体の厚みをできるだけ薄くする方法がある。しかしながら、薄膜化は膜の厚みを均一にするための制御が難しくなり、圧電特性等の特性の低下を抑えるという点で限界があった。また、変位量を稼ぐために、特開２００５−３３２８０２号公報にあるような、マイクロカンチレバーを複数連結して変位量を増幅させる方法が考えられているが、このような構成では成膜や加工の工程が増大しかつ複雑化するため、コストがかさむという問題がある。
【０００８】
本発明は、簡単な構造であって、低電圧でより大きな変位量を得ることができるマイクロカンチレバーを得ることができる手段を提案するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
発明者らは、マイクロカンチレバーを構成する板状の圧電体が、厚み方向に垂直な長さ方向の変位を起こし、この長さ方向の変位を弾性体の存在によって厚み方向の屈曲に変えることができるが、屈曲と同時にこの弾性体が屈曲に対する反力を持つようになるので、この屈曲に対する反力を低減するような構造にすることによりマイクロカンチレバーの変位量を大きくすることができることを見出した。そこで本発明では、一方の面上のほぼ全面に上部電極が形成され他方の面上のほぼ全面に下部電極が形成された板状の圧電体と、前記圧電体の前記下部電極形成面に機械的に一体になるように密着させた板状の弾性体と、前記圧電体と前記弾性体を密着させて形成された駆動部材の長さ方向の一端近傍を片持ち梁状に支持する支持体と、を有するマイクロカンチレバーにおいて、前記駆動部材の前記支持体に支持された根元部分の近傍に、前記駆動部材の他の部分の厚みよりも薄い薄肉部を有することを特徴とするマイクロカンチレバーを提案する。
【００１０】
本発明によれば、支持体に支持された根元部分に薄肉部を設けることにより、この部分の屈曲に対する反力を低下させることができる。また、屈曲に対する反力を低下させることにより、根元部分の変位がマイクロカンチレバーのその他の部分の変位より大きくなるので、梃子の原理により薄肉部の変位が増幅され、マイクロカンチレバーの自由端の変位が大きくなる。
【００１１】
また、薄肉部を形成する手法としては、弾性体の厚みを薄くする方法がある。すなわち前記薄肉部が前記弾性体の厚みが薄くなっている部分であるマイクロカンチレバーを提案する。弾性体は圧電体に近い部分は圧電体の長さ方向の変位を屈曲に変える作用を有するが、圧電体から遠い部分は屈曲に対する反力が発生するので、根元部分の弾性体を薄くすることにより、この部分における屈曲に対する反力を低下させ、マイクロカンチレバーの屈曲変位を大きくすることができる。
【００１２】
また、圧電体に形成された電極も弾性を有しており、弾性体として働く。よってもうひとつの手法として前記薄肉部が前記上部電極の一部をスリット状または切り欠き状とした部分であるマイクロカンチレバーを提案する。根元部分の上部電極の一部をスリット状または切り欠き状にして金属膜を除去することによってこの部分における屈曲に対する反力を低下させ、マイクロカンチレバーの屈曲変位を大きくすることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、簡単な構造でありかつ低電圧でより大きな屈曲変位量を得ることができるマイクロカンチレバーを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明のマイクロカンチレバーに係る第一の実施形態について、図面に基づいて説明する。図１は本発明のマイクロカンチレバーの第一の実施形態を示す模式断面図である。本発明のマイクロカンチレバー１は、略長方形の板状の圧電体３の両面全面に上部電極４ａ及び下部電極４ｂとなる電極膜を形成しかつ前記圧電体３の下部電極４ｂ側に板状の弾性体５を機械的に一体になるように密着させた駆動部材を、支持体２に片持ち梁状に支持させた構造を有する。またさらに、前記弾性体５には、支持体２に支持された根元部分の近傍に薄肉部６が形成されている。このマイクロカンチレバー１は、上部電極４ａ及び下部電極４ｂを通じて電圧を印加して圧電体３を変位させることにより駆動される。
【００１５】
圧電体３はＣＶＤ、スパッタリング等の薄膜形成方法またはゾルゲル法等によって形成され、成膜後にエッチング等で削るか、成膜時にマスキング等を行うことによって例えば矩形の板状に成形される。材料としてはチタン酸ジルコン酸鉛、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛、ニッケルニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ナトリウムビスマス。ニオブ酸カリウムナトリウム、タンタル酸ストロンチウムビスマス等が用いられる。圧電体３は通電して変位させるために分極方向をそろえる分極処理を行う。この分極処理は圧電体に対して１５０〜５００ｋＶ／ｃｍの電界強度を付与することによって行われる。
【００１６】
上部電極４ａ及び下部電極４ｂは、ＣＶＤ、スパッタリング等の薄膜形成方法によって圧電体３の裏表面にそれぞれ形成される。形成する順序は、圧電体３を用意して、その裏表面にそれぞれ形成する方法や、下部電極４ｂ→圧電体３→上部電極４ａの順に重ねて形成する方法などがある。材料としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔｉ等の金属単体または合金が用いられる。
【００１７】
弾性体５は、ＳｉやＳｉＯ２等の半導体材料、アルミナやジルコニア等のセラミックス、あるいはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ等の金属のような弾性を有する部材単体または複数種類の部材の積層体で構成されている。この弾性体５は前述の材質からなる板状部材を用意するか、または後述の支持体からエッチング等の方法で削り出して形成する。この弾性体５と、上部電極４ａ及び下部電極４ｂが形成された圧電体３とを密着するように一体的に形成させて駆動部材が形成される。この駆動部材を形成する方法としては、圧電体３の下部電極４ｂ側に弾性体５を貼り合せる方法と、弾性体５上にＣＶＤやスパッタリング等で下部電極４ｂを形成して次いで圧電体３及び上部電極４ａを順次形成する方法がある。
【００１８】
支持体２は、Ｓｉウェハ等の半導体基板や、アルミナやジルコニア等のセラミック基板で構成されており、前記駆動部材を片持ち梁状に支持するものである。支持体２は弾性体５と一体化されていても良い。また、マイクロカンチレバー１以外の電子部品や配線導体等が形成されていても良い。なお、以後の説明及び図面ではマイクロカンチレバー１以外の電子部品や配線導体等は省略している。
【００１９】
弾性体５に形成された薄肉部６は、支持体２が駆動部材を支持する根元部分近傍に形成されている。この薄肉部６は、支持体２に固定された根元部分から長さα、深さβで形成されている。このαは、駆動部材を構成する材料にもよるが、長さが例えば５００μｍであれば０．５〜３０μｍ位であり、βは弾性体５の厚みに対して１０〜８０％位である。駆動部材の厚みは、この薄肉部６の部分における厚みが、その他の部分の厚みよりもβの分だけ薄くなっている。  
【００２０】
次に本発明のマイクロカンチレバーの動作について説明する。図２は本発明のマイクロカンチレバーの第一の実施形態における動作を示す模式断面図である。また、図３は従来のマイクロカンチレバーにおける動作を示す模式断面図である。なお、以降の説明においては、圧電体３の分極方向は上部電極４ａから下部電極４ｂへ向かう方向であり、マイクロカンチレバーの動作時に印加される電圧の方向は下部電極４ｂから上部電極４ａへ向かう方向とする。
【００２１】
本発明のマイクロカンチレバーの動作原理は、詳細については不明であるが、以下の記載のように考えられる。上部電極４ａ及び下部電極４ｂを通じて直流電圧を印加すると、図２及び図３に示すように、圧電体３が長さ方向に伸びようとする。このとき、弾性体５及び５’は長さ方向に引張り応力を受ける。このとき弾性力による反力が働き、圧電体３を引き戻そうとする。これによってマイクロカンチレバー１及び１‘が変位して屈曲する。このとき弾性体５及び５’においては、中立面ＮＡを境にして圧電体３に近い側は引張り応力を受け、マイクロカンチレバー１及び１‘を変位させる働きをする。しかし中立面ＮＡより圧電体３から遠い側は圧縮応力を受ける。そのため圧縮応力の反力により、圧電体３の変位を押し戻そうとする力が発生する。
【００２２】
ここで、本発明のマイクロカンチレバー１では、薄肉部６においては、圧縮応力のかかる中立面ＮＡより圧電体３に遠い側の部分が薄くなっているので、圧電体３の変位を押し戻そうとする前記圧縮応力の反力がその他の部分及び従来のマイクロカンチレバー１‘より小さくなる。よって薄肉部６のある部分においては変位が大きくなる。薄肉部６はマイクロカンチレバー１の根元部分にあるので、梃子の原理により薄肉部６の変位を増幅することができる。これにより従来のマイクロカンチレバー１’よりも大きな屈曲変位を有するマイクロカンチレバー１を得ることができる。以上のことは電圧を逆向きに印加して逆方向に変位させたときも同様である。なお、中立面ＮＡはマイクロカンチレバー１を構成する圧電体３及び弾性体５の厚みやヤング率によって位置が決まるものである。よって例えば弾性体５全体の厚みを薄くした場合には中立面ＮＡの位置がそれに伴って変化し、その結果圧電体３に近い側の弾性体が薄くなってマイクロカンチレバー１を変位させる作用自体が小さくなってしまい、本発明の効果は得られなくなる。
【００２３】
なお、薄肉部６の形状は、図１に示すような断面矩形の他に、図４に示すようなテーパの付いた形状でも良い。また、図５に示すような断面略円形形状でもよい。また、図５に示すように、支持体２の一部をいわゆる座繰り形状に抉る形状でもよい。この抉った部分は、マイクロカンチレバー１が下向きに変位したときに、弾性体５の一部が支持体２に突き当たらないようにして、変位が妨げられないようにすることができる。また、薄肉部６の深さβは図２にあるように、中立面ＮＡを超えない程度の中立面ＮＡ近傍に達しているのが好ましい。
【００２４】
次に本発明のマイクロカンチレバーの製造方法について説明する。なお、ここでは一例として、ＣＶＤ等で層を形成してエッチング等で削り出しを行う薄膜プロセスによる製造方法で説明する。まず、図６（ａ）に示すように、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハ１００を用意する。ＳＯＩウェハ１００は、Ｓｉ基板１０１上にＳｉＯ２層１０２、その上にＳｉ層１０３が形成されている構造を有する。
【００２５】
続いて図６（ｂ）に示すように、ＳＯＩウェハ１００上にＣＶＤによってＳｉ酸化膜１０４を形成する。このＳｉ酸化膜１０４は後に弾性体の一部となる。続いて図６（ｃ）に示すように、Ｓｉ酸化膜１０４上にスパッタでＰｔ金属膜を形成して下部電極１１１を形成する。続いて図６（ｄ）に示すように、下部電極１１１上にゾルゲル法によってチタン酸ジルコン酸鉛の層を形成し圧電体層１１２を形成する。続いて図６（ｅ）に示すように、圧電体層１１２上にスパッタでＰｔ金属膜を形成して上部電極１１３を形成する。このようにして本発明のマイクロカンチレバーに必要な層を形成して図８（ａ）に示すようなウェハを形成する。なお、これらに加えてさらに上部電極１１３を保護する保護層や、マイクロカンチレバーの変位量をヤング率等によって調整する調整層等を必要に応じて形成しても良い。このような保護層または調整層に用いられる材料としては例えばＴａが挙げられる。保護層とする場合は、Ｔａのヤング率が影響しないように圧電体層１１２より十分に薄く形成し、調整層とする場合はＴａのヤング率が利用できる厚みに形成する。
【００２６】
続いて図７（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、エッチングによって上部電極１１３、圧電体層１１２及び下部電極１１１を除去して駆動部材を形成する。上部電極１１３及び下部電極１１１の除去にはＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：電子サイクロトロン共鳴エッチング）装置でＡｒガスを用いたドライエッチングを用いる。また、圧電体層１１２の除去にはエッチング液として硝酸＋１０％フッ化水素溶液を用いたウェットエッチングを用いる。残す部分は、表面にレジスト等を塗布してパターンを転写して保護する。
【００２７】
続いて図７（ｂ）及び図８（ｃ）に示すように、駆動部材の周囲のＳｉ酸化膜１０４、Ｓｉ層１０３及びＳｉＯ２層１０２をドライエッチングによって除去して、片持ち梁状に駆動部材を支持する構造を形成する。ドライエッチングにはＤ−ＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置を用い、エッチングガスとしてＳｉ酸化膜１０４及びＳｉＯ２層１０２にはＣＨＦ３を用い、Ｓｉ層１０３にはＳＦ６、Ｃ３Ｆ８等を用いる。
【００２８】
続いて図７（ｃ）及び図８（ｄ）に示すように、ＳＯＩウェハ１００の裏面（駆動部材が形成されていない側）からＤ−ＲＩＥ装置を用いたドライエッチングによってＳｉ基板１０１及びＳｉＯ２層１０２を除去してマイクロカンチレバーを駆動させるための空間１０５を形成する。このようにして弾性体がＳｉ層１０３とＳｉ酸化膜１０４で形成されかつ支持体となるＳＯＩウェハ１００と一体化しているマイクロカンチレバーが得られる。
【００２９】
続いてマイクロカンチレバーの弾性体に薄肉部１０６を形成する。まず、図７（ｄ）に示すように、弾性体となるＳｉ層１０３の、支持体との固定端近傍部分以外の表面にレジスト１２１を塗布する。レジスト層１２１は、薄肉部１０６の深さを調節するために、その厚み及びエッチングの選択比等が調整される。続いてＤ−ＲＩＥ装置を用いたドライエッチングによってＳｉ層１０３の固定端近傍部分を除去し、薄肉部１０６が形成される。
【００３０】
続いて圧電体１１２に対して分極処理を施す。上部電極１１３及び下部電極１１１を通じて直流電圧を印加し、電界強度が１５０〜５００ｋＶ／ｃｍになるようにして１〜１０分処理を行う。印加する電圧は、圧電体１１２の厚みが例えば１μｍであれば、１５〜５０Ｖで良い。
【００３１】
次に本発明のマイクロカンチレバーの第一の実施形態における効果について説明する。まず、前述の製造方法によって、長さ５００μｍ、幅１５０μｍ、厚さ６．８μｍのマイクロカンチレバー１を形成する。長さは、支持体２との固定端から先端までの距離とする。マイクロカンチレバー１を構成する各層の寸法及び物性等は表１の通りとする。
【００３２】
【表１】
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【００３３】
ここで、薄肉部６の長さαを０．５μｍ、５．０μｍ、１０μｍ、及び３０μｍのものを用意し、それぞれについて、深さβを１．０μｍ、２．０μｍ、３．０μｍ、３．５μｍ、４．０μｍ及び４．５μｍの試料を作成する。各試料１０Ｖの直流電圧を印加してそのときの変位を測定し、薄肉部が形成されていない標準試料の変位を１００％としたときの、変位増加率を算出した。その結果を図９のグラフに示した。
【００３４】
これらの結果から、弾性体５に形成する薄肉部６の形状を制御することで、５〜３０％の変位量増加が得られることがわかった。
【００３５】
次に、本発明のマイクロカンチレバーに係る第ニの実施形態について説明する。図１０は本発明のマイクロカンチレバーの第ニの実施形態を示す模式平面図であり、図１１はその模式断面図である。このマイクロカンチレバー１１の特徴は、薄肉部１６が上部電極１４ａの一部を除去することによって形成されている点である。
【００３６】
圧電体１３の厚みに対して上部電極１４ａあるいは下部電極１４ｂの厚みが充分に薄い場合には、圧電体１３の変位に対する上部電極１４ａあるいは下部電極１４ｂの弾性の影響は無視できるものであったが、圧電体１３の厚みと上部電極１４ａあるいは下部電極１４ｂの厚みとが近づいてくると、その弾性体としての作用が無視できなくなってくる。そこで、図１１及び図１２にあるように、上部電極１４ａの一部を長さβ‘、幅α’のスリット状に除去した薄肉部１６を設けることによって、マイクロカンチレバー１１の変位を大きくできるようにしたものである。
【００３７】
薄肉部１６は図１１のような形状に限らず、図１２のマイクロカンチレバー１１‘に形成されている薄肉部１６’のように、２分割された形状でも良い。また、このような矩形形状のスリットではなく、その他の形状や不定形の切り欠き状でもよい。ただし上部電極１４ａまたは１４ａ‘は圧電体１３に電圧を印加する役割があるので、一部は除去せずに残しておく必要がある。
【００３８】
このようなマイクロカンチレバー１１または１１‘を製造する場合は、上部電極１４ａまたは１４ａ’となる金属膜を形成するときにマスキング等を行ってパターンを形成するか、またはエッチング時にパターンを形成する方法がある。これによって薄肉部１６または１６‘を形成することができる。
【００３９】
次に本発明のマイクロカンチレバーの第ニの実施形態における効果について説明する。前述の製造方法によって、長さ５００μｍ、幅１５０μｍ、厚さ６．８〜８．６μｍのマイクロカンチレバー１１を形成する。長さは支持体１２との固定端から先端までの距離とする。マイクロカンチレバー１１を構成する各層の寸法及び物性等は表２の通りとする。
【００４０】
【表２】
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【００４１】
ここで、薄肉部１６の長さα‘を０．５μｍに固定し、上部電極１４ａの厚み（下部電極１４ｂは０．２μｍ）を０．２μｍ、１．０μｍ及び２．０μｍにしたものを用意し、それぞれについて、幅β’を５μｍ、２５μｍ、４５μｍ、６５μｍ及び７５μｍの試料を作成する。各試料１０Ｖの直流電圧を印加してそのときの変位を測定し、薄肉部が形成されていない標準試料の変位を１００％としたときの、変位増加率を算出した。その結果を図１３のグラフに示した。
【００４２】
これらの結果から、上部電極１４ａの一部をスリット状または切り欠き状に除去して形成された薄肉部１６の形状を制御することで、最大５％の変位量増加が得られることがわかった。また、これによる変位増加の効果は上部電極１４ａの厚みが圧電体１３の厚みに近づくほど効果があることがわかった。
【００４３】
なお、本発明の第一の実施形態で示した解決手段と第二の実施形態で示した解決手段とを組み合わせても良い。この場合、両方手段の効果を発揮させることができるので、より低電圧でより大きな変位量を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明のマイクロカンチレバーは、マイクロスイッチの駆動部として利用できるので、例えばＷｉＭＡＸに向けたバンド切替型のチューナブルフィルタへ利用できる。また、携帯電話をはじめとする携帯通信機器用の高周波スイッチ等として利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明のマイクロカンチレバーの第一の実施形態を示す模式断面図である。
【図２】本発明のマイクロカンチレバーの第一の実施形態における動作を示す模式断面図である。
【図３】従来のマイクロカンチレバーにおける動作を示す模式断面図である。
【図４】本発明のマイクロカンチレバーの第一の実施形態の別例を示す模式断面図である。
【図５】本発明のマイクロカンチレバーの第一の実施形態の別例を示す模式断面図である。
【図６】本発明のマイクロカンチレバーの製造方法を示す模式断面図である。
【図７】本発明のマイクロカンチレバーの製造方法を示す模式断面図である。
【図８】本発明のマイクロカンチレバーの製造方法を示す模式平面図であって、（ａ）は図６（ｅ）、（ｂ）は図７（ａ）、（ｃ）は図７（ｂ）、（ｄ）は図７（ｃ）以降の図面に対応している。
【図９】薄肉部の長さα及び深さβと、マイクロカンチレバーの変位増加率の関係を示すグラフである。
【図１０】本発明のマイクロカンチレバーの第ニの実施形態を示す模式平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ線における模式断面図である。
【図１２】本発明のマイクロカンチレバーの第ニの実施形態の別例を示す模式平面図である。
【図１３】上部電極厚み及びスリットの長さβ‘と、マイクロカンチレバーの変位増加率の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４６】
１、１‘、１１、１１’  マイクロカンチレバー
２、１２  支持体
３、１３、１１２  圧電体
４ａ、１４ａ、１４ａ‘、１１３  上部電極  
４ｂ、１４ｂ、１１１  下部電極
５、５‘、１５  弾性体
６、１６、１６‘１０６  薄肉部
１００  ＳＯＩウェハ
１０１  Ｓｉ基板
１０２  ＳｉＯ２層
１０３  Ｓｉ層
１０４  Ｓｉ酸化膜
１０５  空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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