(57)【要約】【課題】発光装置における塗り分けの精度不足に起因する各種の問題の発生を回避する。【解決手段】基板１０と、基板１０上に形成され、行方向に延在し、基板１０上の領域を区切って複数の行Ｒに分離する第１障壁２０と、複数の行Ｒ内に複数ずつ配置され、基板１０上に形成された陽極１１と陰極との間に正孔注入層１３および発光層１４を挟んだ構成を有する画素とを備える発光装置１を提供する。第１障壁２０は、基板１０上の領域への蒸着により形成されて陰極となる陰極層１５が第１障壁２０を乗り越えて延在することを妨げる形状または高さを有する。【選択図】図１
2008078011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、行方向に延在し、前記基板上の領域を区切って複数の行に分離する第１障壁と、
前記複数の行内に複数ずつ配置され、前記基板上に形成された第１電極と第２電極との間に１または複数の塗布層を挟んだ構成を有する画素とを備え、
前記第１障壁は、前記領域に物理気相成長法より形成されて前記第２電極となる導電層が前記第１障壁を乗り越えて延在することを妨げる形状または高さを有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記複数の行の各々内に配置され、当該行内の前記導電層と接触するコンタクトと、
前記基板上に形成され、前記行方向とは異なる方向に延在し、前記複数の行の各々において当該行を区切って前記コンタクトを含んで前記画素を含まない領域と他の領域とに分離する第２障壁を塗布障壁として備え、
前記塗布障壁は、前記導電層が当該第２障壁を乗り越えて延在することを妨げず、かつ前記１または複数の塗布層のいずれにも乗り越えられない高さを有する、
ことを特徴とする１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記基板上に形成され、前記行方向とは異なる方向に延在し、前記複数の行の各々を前記画素毎に区切って複数の個別塗布領域に分割する第３障壁を塗布障壁として備え、
前記画素は、前記第１電極と前記第２電極との間に複数の塗布層を挟んだ構成を有し、
前記塗布障壁は、前記複数の塗布層の最下層の前記画素毎の形成と前記複数の塗布層の最上層の前記行毎の形成とを可能とする高さを有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記基板上に形成され、全ての前記画素の各々を囲む第４障壁を塗布障壁として備え、
前記画素は、前記第１電極と前記第２電極との間に複数の塗布層を挟んだ構成を有し、
前記塗布障壁は、前記複数の塗布層の最下層の前記画素毎の形成と前記複数の塗布層の最上層の前記行毎の形成とを可能とする高さを有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記行方向に直交する面における前記第１障壁の断面形状は略逆台形である、
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１障壁の高さは前記塗布障壁の高さよりも高い、
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１障壁は複数の層から構成されている、
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１障壁を構成する複数の層のうち１つの層はエッチングレートの速い材料で形成され、当該層の上の層はエッチングレートの遅い材料で形成されている、
ことを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記塗布障壁は前記１つの層と同じ材料で形成されている、
ことを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の発光装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的な作用に応じて光学的な特性が変化する発光装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、複数の領域の各々を囲む障壁を形成し、各領域内に材料を塗布して正孔注入層および発光層を形成し、その上に全ての発光層を覆う電極層を形成することにより、複数の画素（例えば有機ＥＬ素子）を有する装置を形成する方法が記載されている。この方法では、正孔注入層および発光層の材料の塗布にインクジェット方式が採用されており、領域毎の塗り分けが可能となっている。
【特許文献１】特開２０００−３２３２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
インクジェット方式による塗り分けでは、各領域にインクジェット用ヘッドのインク吐出ノズルを正確に搬送し、さらに材料の吐出量および吐出タイミング等を細かく正確に制御する必要がある。つまり、高い精度が要求される。しかし、要求される解像度が高いほど（画素間ピッチが狭いほど）、十分に高い精度の塗り分けを行うことは困難となり、精度不足に起因する各種の問題が生じ易くなる。例えば、吐出量のバラツキに起因して発光ムラが生じたり、搬送や吐出タイミングの精度不足に起因して薄発光や非発光の有機ＥＬ素子が形成されたりする可能性が高くなる。
【０００４】
そこで、本発明は、塗り分けの精度不足に起因する各種の問題の発生を回避することができる発光装置および電子機器を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る発光装置は、基板と、前記基板上に形成され、行方向に延在し、前記基板上の領域を区切って複数の行に分離する第１障壁と、前記複数の行内に複数ずつ配置され、前記基板上に形成された第１電極と第２電極との間に１または複数の塗布層を挟んだ構成を有する画素とを備え、前記第１障壁は、前記領域への蒸着により形成されて前記第２電極となる導電層が前記第１障壁を乗り越えて延在することを妨げる形状または高さを有する、ことを特徴とする。
この発光装置によれば、行に対してインクジェット装置やディスペンサ装置を用いた塗布を行うことにより、その内部の全ての画素の少なくとも１つの塗布層を一括して形成することができる。したがって、その工程では、インクジェット装置やディスペンサ装置の制御に求められる精度（塗り分けの精度）を低く抑えることができる。よって、製造工程を簡素とすることができる。また、各画素において、塗布量の差による膜厚のバラツキが小さくなるため、画素毎の輝度や寿命のバラツキを小さくすることができる。
また、この発光装置によれば、画素のデューティ駆動が可能となる。これは、高い解像度（狭い画素間ピッチ）を実現する上で有利である。
また、この発光装置によれば、第１障壁が、蒸着により形成されて第２電極となる導電層が第１障壁を乗り越えて延在することを妨げる形状または高さを有するから、１回の蒸着によって複数の第２電極を一括して精度よく形成することができる。
【０００６】
上記の発光装置において、前記複数の行の各々内に配置され、当該行内の前記導電層と接触するコンタクトと、前記基板上に形成され、前記行方向とは異なる方向に延在し、前記複数の行の各々において当該行を区切って前記コンタクトを含んで前記画素を含まない領域と他の領域とに分離する第２障壁を塗布障壁として備え、前記塗布障壁は、前記導電層が当該第２障壁を乗り越えて延在することを妨げず、かつ前記１または複数の塗布層のいずれにも乗り越えられない高さを有する、ようにしてもよい。この態様では、第２障壁が、画素を構成する全ての塗布層のいずれにも乗り越えられない高さを有するから、コンタクトと導電層とが直接的に接触する。したがって、両者間の導電性能が向上する。また、第２障壁は、導電層が第２障壁を乗り越えて延在することを妨げない。したがって、第２電極とコンタクトとを接続する配線と第２電極とを一括して形成することができる。
【０００７】
また、上記の発光装置において、前記基板上に形成され、前記行方向とは異なる方向に延在し、前記複数の行の各々を前記画素毎に区切って複数の個別塗布領域に分割する第３障壁を塗布障壁として備え、前記画素は、前記第１電極と前記第２電極との間に複数の塗布層を挟んだ構成を有し、前記塗布障壁は、前記複数の塗布層の最下層の前記画素毎の形成と前記複数の塗布層の最上層の前記行毎の形成とを可能とする高さを有する、ようにしてもよい。この態様では、第３障壁が存在するため、インクジェット装置を用いて塗布層の最下層を画素毎に形成することができる。塗布層の最下層は、通常、塗布層の最上層に比較して電気抵抗値が低い。したがって、塗布層の最下層を画素毎に形成可能ということは、隣接画素間でのリークの発生を防止することにつながる。なお、塗布層の最上層は、行毎に一括して形成されるから、前述の効果が維持される。
【０００８】
また、上記の発光装置において、前記基板上に形成され、全ての前記画素の各々を囲む第４障壁を塗布障壁として備え、前記画素は、前記第１電極と前記第２電極との間に複数の塗布層を挟んだ構成を有し、前記塗布障壁は、前記複数の塗布層の最下層の前記画素毎の形成と前記複数の塗布層の最上層の前記行毎の形成とを可能とする高さを有する、ようにしてもよい。この態様では、画素の周縁から第４障壁までの距離が略均一になる。したがって、塗布層の最下層の膜厚を画素の全域にわたって略均一とすることができる。
【０００９】
上記の発光装置または各態様において、前記行方向に直交する面における前記第１障壁の断面形状は略逆台形であるようにしてもよいし、前記第１障壁の高さは前記塗布障壁の高さよりも高いようにしてもよい。
上記の発光装置または各態様において、前記第１障壁は複数の層から構成されている、ようにしてもよい。加えて、前記第１障壁を構成する複数の層のうち１つの層はエッチングレートの速い材料で形成され、当該層の上の層はエッチングレートの遅い材料で形成されている、ようにしてもよい。加えて、前記塗布障壁は前記１つの層と同じ材料で形成されている、ようにしてもよい。
また、本発明に係る電子機器は、上記の発光装置を有する。したがって、上述した各種効果に起因した効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。各実施の形態に係る発光装置は、電子写真方式の画像形成装置において感光体ドラムなどの像担持体に光を照射して潜像を形成する光ヘッドとして用いられるものであり、画素（光源）として有機ＥＬ素子を備えている。なお、図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１１】
＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１の平面図である。ただし、この図においては、有機ＥＬ素子を外気から保護するための保護層の図示を省略してある。発光装置１では、基板１０上の複数の行Ｒの各々に画素が複数ずつ配置されている。この図では、各画素の開口Ｐを示してある。全ての画素は全体として千鳥状に配列されている。行Ｒは、基板１０の長手方向（行方向）に延在する領域である。本実施の形態では、行Ｒの数を３としたが、２としてもよいし、４以上としてもよい。
【００１２】
図２は、図１に示す発光装置１のＡ１−Ａ１’線矢視断面図であり、図３は、図１に示す発光装置１のＢ１−Ｂ１’線矢視断面図である。基板１０は、透明な平板上に画素を駆動するための層（例えば配線層）が形成された構成を有する。基板１０上には、基板１０上の複数の行Ｒ内に陽極（第１電極）１１が複数ずつ配置されている。全ての陽極１１は全体として千鳥状に配列されている。
【００１３】
また、基板１０上には、コンタクト３０が形成されている。コンタクト３０は、複数の行Ｒ内に２つずつ、各行Ｒにあっては両端部に１つずつ配置されている。また、基板１０上には絶縁層１２が形成されている。絶縁層１２は、陽極１１およびコンタクト３０の上にあり、各陽極１１の上面の中央領域および各コンタクト３０の上面の中央領域が露出するように全ての陽極１１および全てのコンタクト３０を覆っている。陽極１１の上面の中央領域が画素の開口Ｐである。つまり、絶縁層１２は、各画素について、その形成領域（画素形成領域）を画定している。また、コンタクト３０の上面の中央領域が接触領域Ｔである。コンタクト３０は、接触領域Ｔに接触している導電部材を通じて、同一行Ｒ内の画素の電極に低電位を供給する。
【００１４】
絶縁層１２上には、複数の第１障壁２０が形成されている。各第１障壁２０は、行方向に延在し、全ての画素が配列される１つの領域（全画素配列領域）を行毎に区切って複数の行Ｒに分離している。つまり、行Ｒは、第１障壁２０間の領域である。第１障壁２０は、例えば、ネガ材料で形成されており、その断面形状（行方向に直交する面における断面形状）は略逆台形であり、その高さは例えば５μｍ〜６μｍである。ネガ材料は、例えばポリイミドである。
【００１５】
また、絶縁層１２上には、複数の第２障壁（塗布障壁）４０が形成されている。第２障壁４０は、複数の行Ｒ内に２つずつ、各行Ｒにあっては、２つのコンタクトの近傍に１つずつ配置されている。各行Ｒにおいて、各第２障壁４０は、行方向と異なる方向、具体的には行方向と直交する列方向に延在し、その行Ｒを区切り、コンタクト３０を含んで画素を含まない領域（端部）と他の領域とに分離している。つまり、各行Ｒは、第２障壁４０により、一方の端部と他方の端部と両端部の間の領域（行内画素配列領域）とに分離されている。第２障壁４０は、例えば、ポジ材料で形成されており、その平面形状は略四角形であり、その断面形状（行方向に直交する面における断面形状）は略台形であり、その高さは例えば２μｍ〜３μｍである。ポジ材料は、例えばアクリルである。
【００１６】
各画素形成領域では、陽極１１上に正孔注入層（塗布層）１３が、正孔注入層１３上に発光層（塗布層）１４が、塗布法により形成される。さらに、発光層１４上に陰極層（導電層）１５が、蒸着、スパッタリング、イオンプレーテイングなど物理気相成長法により形成されている。正孔注入層１３の厚さは例えば５０ｎｍであり、発光層１４の厚さは例えば１２０ｎｍである。正孔注入層１３および発光層１４は、同一の行Ｒの行内画素配列領域の全域にわたって形成されている。つまり、正孔注入層１３および発光層１４は全ての画素に共通している。なお、絶縁層１２の高さは、その上面が画素形成領域内の正孔注入層１３の上面よりも高くなり、発光層１４の上面よりも低くなるように定められている。このため、正孔注入層１３の絶縁層１２に接触する部分の厚さは著しく薄くなっており、その図示を省略してある。一般に、正孔注入層１３の材料は、キャリアを注入する役割から、発光層１４の材料よりも導電性が高いが、正孔注入層１３の絶縁層１２に接触する部分の厚さは著しく薄いため、開口Ｐ間における正孔注入層１３による抵抗が高くなっており、開口Ｐ間のクロストークやリーク電流を低減している。
【００１７】
陰極層１５は、同一の行Ｒの全域にわたって形成されている。つまり、陰極層１５は、全ての画素に共通しており、各画素形成領域において各画素の陰極となっている。また、陰極層１５は、同一行Ｒ内の全てのコンタクト３０を覆っており、その下面で各コンタクト３０の接触領域Ｔに接触している。図示を略すが、基板１０上には、全ての陰極層１５および全ての第１障壁２０を覆って保護層が形成されている。なお、基板１０、陽極１１、絶縁層１２、正孔注入層１３、発光層１４、陰極層１５およびコンタクト３０の形成材料や、保護層の形態は、公知の発光装置と同様である。
【００１８】
図４〜図７は、発光装置１の製造工程を説明するための図である。発光装置１の製造では、まず、図４に示すように、基板１０の上に陽極１１およびコンタクト３０を形成し、次に絶縁層１２を形成する。次に、図５に示すように絶縁層１２の上に第１障壁２０および第２障壁４０を形成する。こうして複数の行Ｒが画定されるとともに、各行Ｒ内に行内画素配列領域が画定される。なお、第１障壁２０および第２障壁４０の形成には、印刷法やリソグラフィ法等、任意の方法を選択可能である。例えばフォトリソグラフィ法を選択する場合には、第１障壁２０を例えば感光性を有するポリイミド等のネガ材料で形成し、第２障壁４０を例えば感光性を有するアクリル等のポジ材料で形成すると、製造工程が簡素となる。
【００１９】
次に、図６に示すように、正孔注入材料溶液をインクジェット装置またはディスペンサ装置で塗布し、乾燥させることで正孔注入層１３を形成する。この塗布は行Ｒ毎に行内画素配列領域に対して行われる。各行内画素配列領域に塗布された正孔注入材料溶液は、その行内画素配列領域の全域に広がり、他の領域には溢れ出さない。なぜなら、塗布直後の正孔注入材料溶液の高さが、絶縁層１２よりも高く、第１障壁２０よりも低く、第２障壁４０よりも低いからである。こうして、正孔注入層１３が行Ｒ毎に形成される。
【００２０】
次に、図７に示すように、発光材料溶液をインクジェット装置またはディスペンサ装置で塗布し、乾燥させることで発光層１４を形成する。この塗布は行Ｒ毎に行内画素配列領域に対して行われる。各行内画素配列領域に塗布された発光材料溶液は、その行内画素配列領域の全域に広がり、他の領域には溢れ出さない。なぜなら、塗布直後の発光材料溶液の高さが、絶縁層１２上の正孔注入層１３よりも高く、第１障壁２０よりも低く、第２障壁４０よりも低いからである。こうして、発光層１４が行Ｒ毎に形成される。
【００２１】
次に、図７に示すように、全画素配列領域に対して導電材料の形成を行う。これにより、図１〜図３に示すように、複数の陰極層１５が形成される。ここで、導電材料形成には、蒸着、スパッタリング、イオンプレーテイングなど物理気相成長法が用いられる。従来の発光装置において全画素配列領域に対する膜形成を行えば、全画素配列領域を覆う１つの薄膜が形成されることになるが、本実施の形態における膜形成では、複数の行Ｒをそれぞれ覆う複数の陰極層１５が一括して形成される。次に、全ての陰極層１５および全ての第１障壁２０を覆うように保護層を形成する。こうして発光装置１が完成する。
【００２２】
ここで、全画素配列領域に対する蒸着によって複数の陰極層１５を形成可能な理由を説明する。まず、第１の理由について説明する。蒸着では、蒸着材料の粒子が蒸着源から被蒸着面へ略直進する。粒子の進行方向と基板１０とのなす角は約９０度である。一方、第１障壁２０の断面形状は略逆台形であり、根元の方が抉れた形状になっている。このため、蒸着源から第１障壁２０の側面へ進行する粒子は、第１障壁２０の上面に付着してしまい、第１障壁２０側面にはほとんど到達しない。したがって、全画素配列領域に対する蒸着によって形成される陰極層１５は、第１障壁２０の側面において途切れることになる。
【００２３】
次に、第２の理由について説明する。蒸着では、被蒸着面に付着する蒸着材料の粒子の密度は、粒子の進行方向と被蒸着面とのなす角が９０度に近いほど高くなり、０（または１８０）度に近いほど低くなる。一方、第１障壁２０の高さは発光層１４の高さに比較して著しく高い。このため、発光層１４の上面から第１障壁２０の上面への距離が長くなっており、第１障壁２０の側面は、発光層１４の上面から急峻に立ち上がっている。つまり、蒸着材料の粒子の進行方向と第１障壁２０の側面とのなす角は０（または１８０）度に近くなる。このため、第１障壁２０の側面に蒸着粒子が付着したとしても、その密度は極めて低くなる。したがって、全画素配列領域に対する蒸着によって形成される陰極層１５は、第１障壁２０の側面において途切れることになる。
ここでは、蒸着により説明したが、蒸着と同様に薄膜が異方的に形成される上記の物理気相成長法を用いると、同様の構造を形成することができる。
【００２４】
以上の説明から明らかなように、発光装置１によれば、行内画素配列領域に対してインクジェット装置やディスペンサ装置を用いた塗布を行うことにより、その内部の全ての画素の正孔注入層１３および発光層１４を一括して形成することができる。行内画素配列領域は個々の画素が形成される各領域よりも遥かに広いから、発光装置１によれば、インクジェット装置やディスペンサ装置の制御に求められる精度（塗り分けの精度）を低く抑えることができる。また、各画素において、塗布量の差による膜厚のバラツキが小さくなるため、画素毎の輝度や寿命のバラツキを小さくすることができる。
【００２５】
また、発光装置１では、陰極層１５が行毎に分離されているから、駆動電流を有機ＥＬ素子に供給するための配線（具体的には陽極１１に接触する配線）を、列方向に並ぶ３つの画素に共通して設け、１本の配線を用いて３つの画素をデューティ駆動する形態を採ることができる。つまり、発光装置１によれば、配線のために必要となる領域を減らすことができる。これは、高い解像度（狭い画素間ピッチ）を実現する上で有利な点である。
【００２６】
また、陰極層１５を行毎に分離させる方法としては、蒸着マスクを用いた蒸着によって陰極層を形成する方法が考えられる。しかし、この方法では、数百μｍの位置ズレや加工誤差が生じるため、行間の画素間ピッチを広くとらなければならない。これに対して、発光装置１では、行方向に延在して複数の行Ｒを画定する第１障壁２０が、全画素配列領域への蒸着により形成されて画素の陰極となる陰極層１５が第１障壁２０を乗り越えて延在することを妨げる形状および高さを有するから、１回の蒸着によって複数の陰極層１５を一括して精度よく形成することができる。
【００２７】
また、発光装置１では、第２障壁４０が、正孔注入層１３および発光層１４のいずれにも乗り越えられない高さを有するから、コンタクト３０と陰極層１５とが直接的に接触する。したがって、両者間の導電性能が向上する。また、第２障壁４０は、陰極層１５が第２障壁４０を乗り越えて延在することを妨げない。したがって、画素の陰極とコンタクト３０とを接続する配線と画素の陰極とを一括して形成することができる。
【００２８】
また、第２障壁４０の少なくとも表面はフッ素原子を含むようにし、正孔注入材料溶液などの塗布液に対し、撥液性を付与することが好ましい。第２障壁４０にフッ素原子を含ませる方法としては、ＣＦ４などのフルオロカーボンガスやフッ素ガスなどの材料ガスを解離させたプラズマを第１障壁が形成された基板に曝す表面処理方法や、第２障壁４０の形成材料にフッ素原子を含ませて形成する方法がある。第１障壁２０及び第２障壁４０をアクリルやポリイミドなどの有機樹脂で形成し、陽極１１や絶縁膜１２をそれぞれＩＴＯ、ＳｉＯ２などの無機材料で形成し、上記のプラズマに曝すことで、陽極１１や絶縁膜１２に比べて第１障壁２０及び第２障壁４０を正孔注入材料溶液や発光材料溶液に対して撥液性にすることができる。尚、フルオロカーボンガスやフッ素ガスなどの材料ガスを解離させたプラズマを曝す前に、酸素ガスを含む材料ガスを解離させたプラズマを曝してもよい。ここで、正孔注入材料溶液や発光材料溶液などの材料液を塗布する際に、第１及び第２障壁２０、４０により、画素形成領域から他の領域（例えば、コンタクト３０が形成された領域）に材料液が溢れ出すのを防止するとともに、複数の陰極層１５を形成する際には、第２障壁４０の上の導電層を介して画素形成領域とコンタクト３０とが電気的に接続される。この際に、第２障壁４０の少なくとも表面はフッ素原子を含むようにしてあれば、第２障壁４０の高さを低くすることができ、上記材料液が溢れ出すのを防止しつつ、導電層による画素形成領域とコンタクト３０との電気的導通を確実に行うことができる。
なお、本実施の形態では、第２障壁４０の平面形状を略四角形としたが、他の形状としてもよい。他の形状の例を図８に示す。この図の（Ａ）〜（Ｃ）では、行内画素配列領域を画定する辺が、第２障壁４０に最も近接している画素の開口Ｐに沿って曲がっている。つまり、この画素の開口Ｐの周縁から第２障壁４０までの距離が略均一になっている。このため、各画素における正孔注入層１３および発光層１４の膜厚のバラツキがより小さくなる。行Ｒの端部を画定する辺は、（Ａ）のように行内画素配列領域を画定する辺の逆側に曲がっていてもよいし、（Ｂ）のように直線であってもよいし、（Ｃ）のように行内画素配列領域を画定する辺と同じ側に曲がっていてもよい。
【００２９】
また、本実施の形態では、第１障壁２０が、全画素配列領域への蒸着により形成されて画素の陰極となる陰極層１５が第１障壁２０を乗り越えて延在することを妨げる形状および高さを有することとしたが、そのような形状のみ、またはそのような高さのみを有するようにしてもよい。例えば、第１障壁２０の断面形状が第２障壁４０と同様に台形であっても、その高さが、陰極層１５が第１障壁２０を乗り越えて延在することを妨げる高さであれば、その側面において陰極層１５を分離することができる。そのような高さとしては、第２障壁４０の高さよりも高い高さを挙げることができる。
【００３０】
また例えば、第１障壁２０の高さが、陰極層１５が第１障壁２０を乗り越えて延在することを妨げる高さより低くても、その形状が、陰極層１５が第１障壁２０を乗り越えて延在することを妨げる形状であれば、その側面において陰極層１５を分離することができる。言うまでもないが、後者の場合には、第１障壁２０の上面は、少なくとも、発光層１４上の陰極層１５の上面よりも上に位置していなければならないという条件がある。もちろん、この条件は、第１障壁２０の高さを第２障壁４０の高さよりも高くすることで満たされる。
【００３１】
また、本実施の形態では、第１障壁２０を単層で構成することを前提としているが、複数の層で構成するようにしてもよい。２つの層で構成された第１障壁と１つの層で構成された第２障壁とを示す断面図を図９に示す。この図の（Ａ）が第１障壁であり、（Ｂ）が第２障壁である。第１障壁において、下層は窒化珪素などのエッチングレートの速い材料で形成されており、その上層はガラスなどのエッチングレートの遅い材料で形成されている。第２障壁は窒化珪素などのエッチングレートの速い材料で形成されている。このため、フォトリソグラフィ法でウェットエッチングを行って第１障壁および第２障壁を一括して形成する工程では、上層よりも下層の方が大きく削れて（Ａ）の形状となる。したがって、第１障壁の下層の上部において陰極層１５が分離されることになる。
【００３２】
図９において、第２障壁の形成材料と第１障壁の下層の形成材料とは同一であっても異なっていてもよいし、第２障壁をエッチングレートの速い材料で形成してもよい。なお、第１障壁を（Ａ）のような形状とする方法は上記の方法に限らない。例えば、第１障壁の下層および第２障壁をウェットエッチングにより形成し、第１障壁の上層をドライエッチングで形成する方法であってもよい。
【００３３】
＜第２の実施の形態＞
図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置２の平面図である。ただし、この図においては、有機ＥＬ素子を外気から保護するための保護層の図示を省略してある。図１１は、図１０に示す発光装置２のＡ２−Ａ２’線矢視断面図である。これらの図において、発光装置１と共通する部分には同一の符号が付してある。発光装置２が発光装置１と異なる点は、第２障壁４０に代えて第３障壁（塗布障壁）４１を有する点である。
【００３４】
第３障壁４１は、絶縁層１２上に形成されており、複数の行Ｒ内に複数ずつ配置されている。各行Ｒにおいて、各第３障壁４１は、行方向と異なる方向、具体的には行方向と直交する列方向に延在し、その行Ｒを画素毎に区切り、画素を１つだけ含む複数の領域（個別塗布領域）に分割している。第３障壁４１の断面形状、平面形状、層構成および形成材料は第２障壁４０と同様である。第３障壁４１の高さは、正孔注入層１３の画素毎の形成と発光層１４の行Ｒ毎の形成とを可能とする高さである。すなわち、第３障壁４１の高さは、その上面が、塗布直後の正孔注入材料溶液の上面よりも上になり、かつ、塗布直後の発光材料溶液の上面よりも下になる高さである。具体的には２〜３μｍである。
【００３５】
正孔注入層１３は発光層１４に比較して電気抵抗値が低いため、正孔注入層１３を複数の画素に共通して形成すると、隣接画素間でリークが発生する虞がある。しかし、発光装置２によれば、第３障壁４１が存在するため、インクジェット装置を用いて正孔注入層１３を画素毎に形成することができる。したがって、発光装置２によれば、隣接画素間でのリークの発生を防止することができる。
【００３６】
一方、発光層１４についてはインクジェット装置やディスペンサ装置を用いて行Ｒ毎に一括して形成することができる。したがって、発光装置２によれば、発光層１４の形成に関して、塗り分けの精度を低く抑えることができる。よって、製造工程が簡素となる。また、各画素において、発光層１４の塗布量の差による膜厚のバラツキが小さくなるため、画素毎の輝度や寿命のバラツキを小さくすることができる。
【００３７】
また、発光装置２によれば、発光装置１と同様に、画素のデューティ駆動が可能となる、１回の蒸着によって複数の陰極層１５を一括して精度よく形成することができる、画素の陰極とコンタクト３０とを接続する配線と画素の陰極とを一括して形成することができる、という効果が得られる。
【００３８】
また、本実施の形態に対しても、第１の実施の形態に対する変形と同様の変形が可能である。例えば、第３障壁４１の平面形状を図８（Ａ）に示す形状としてもよい。また例えば、第１障壁２０が、陰極層１５が第１障壁２０を乗り越えて延在することを妨げる形状のみ、またはそのような高さのみを有することとしてもよい。そのような高さとしては、第３障壁４１の高さよりも高い高さを挙げることができる。また例えば、図９に示すように、第１障壁２０を複数の層で構成するようにしてもよい。
【００３９】
＜第３の実施の形態＞
図１２は本発明の第３の実施の形態に係る発光装置３の平面図である。ただし、この図においては、有機ＥＬ素子を外気から保護するための保護層の図示を省略してある。この図において、発光装置１と共通する部分には同一の符号が付してある。発光装置３が発光装置１と異なる点は、第２障壁４０に代えて第４障壁（塗布障壁）４２を有する点である。
【００４０】
第４障壁４２は、筒状の障壁であり、絶縁層１２上に形成されており、複数の行Ｒ内に複数ずつ配置されている。各行Ｒにおいて、各第４障壁４２は、その行Ｒ内の全ての画素の各々を囲んでいる。画素の開口Ｐの周縁から第４障壁４２までの距離は略均一になっている。第４障壁４２の断面形状、層構成および形成材料は、第２障壁４０と同様である。第４障壁４２の高さは、第３障壁４１の高さと同様である。したがって、本実施の形態では、第４障壁４２に囲まれた領域が個別塗布領域となっている。
【００４１】
発光装置３によれば、発光装置２と同様の効果を得ることができる。さらに、発光装置３によれば、画素の開口Ｐの周縁から第４障壁４２までの距離が略均一になっているから、各画素において、正孔注入層１３の膜厚を開口Ｐの全域にわたって略均一とすることができる。なお、本実施の形態に対しても、第１の実施の形態に対する変形と同様の変形が可能である。例えば、第１障壁２０が、陰極層１５が第１障壁２０を乗り越えて延在することを妨げる形状のみ、またはそのような高さのみを有することとしてもよい。そのような高さとしては、第４障壁４２の高さよりも高い高さを挙げることができる。また例えば、図９（Ａ）に示すように、第１障壁２０を複数の層で構成するようにしてもよい。
【００４２】
＜他の変形＞
図１３に、本発明の電子機器であるパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ１０３０は、表示ユニットとしての表示部１０３１と本体部１０３２を備える。表示部１０３１は、上述の発光装置１〜３のいずれか１つを備えている。本体部１０３２には、電源スイッチ１０３３及びキーボード１０３４が設けられている。なお、本発明に係る発光装置の適用先の電子機器としては、他に、電子写真方式の画像形成装置が挙げられる。なお、陽極１１と陰極との間に発光層のみを有する有機ＥＬ素子を画素として用いてもよいし、陽極１１と陰極とを逆転させてもよいし、有機ＥＬ素子に代えて他の発光素子を画素として採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１の平面図である。
【図２】図１に示す発光装置１のＡ１−Ａ１’線矢視断面図である。
【図３】図１に示す発光装置１のＢ１−Ｂ１’線矢視断面図である。
【図４】発光装置１の製造工程を説明するための図である。
【図５】発光装置１の製造工程を説明するための図である。
【図６】発光装置１の製造工程を説明するための図である。
【図７】発光装置１の製造工程を説明するための図である。
【図８】発光装置１の第２障壁の平面形状の他の例を示す図である。
【図９】発光装置１の変形例における第１障壁の断面と第２障壁の断面を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る発光装置２の平面図である。
【図１１】図１０に示す発光装置２のＡ２−Ａ２’線矢視断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る発光装置３の平面図である。
【図１３】本発明の電子機器であるパーソナルコンピュータの構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１〜３…発光装置、１０…基板、１１…陽極（第１電極）、１２…絶縁層、１３…正孔注入層、１４…発光層、１５…陰極層（導電層）、２０…第１障壁、３０…コンタクト、４０…第２障壁、４１…第３障壁、４２…第４障壁、１０３０…パーソナルコンピュータ（電子機器）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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