(57)【要約】【課題】被処理物を、設置部に吸着して処理した後、設置部から確実に剥離する。【解決手段】設置部２１に設けた吸着孔２４に吸引源６５を接続し、被処理物Ｗを設置部に吸着して処理する。処理後、設置部２１の相対的に中央側の第１領域２９Ａの吸着孔２４Ａを剥離用流体供給源６６に接続切替し、中央側の吸着孔２４Ａに剥離用流体の供給を開始する。その後、設置部２１の相対的に周辺側の第２領域２９Ｂの吸着孔２４Ｂを剥離用流体供給源６６に接続切替し、周辺側の吸着孔２４Ｂに剥離用流体の供給を開始する。【選択図】図３
2008041761.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を、設置部に吸着して処理した後、前記設置部から剥離する方法であって、
前記設置部に分散して複数配置された吸着孔のうち相対的に中央側の吸着孔に剥離用流体の供給を開始し、
その後、相対的に周辺側の吸着孔に剥離用流体の供給を開始することを特徴とする被処理物の処理後剥離方法。
【請求項２】
前記中央側の吸着孔への剥離用流体の供給を、前記周辺側の吸着孔への剥離用流体の供給開始後も継続することを特徴とする請求項１に記載の剥離方法。
【請求項３】
前記中央側の吸着孔への剥離用流体の供給圧力を供給期間中ほぼ一定に保持することを特徴とする請求項１又は２に記載の剥離方法。
【請求項４】
前記中央側の吸着孔への剥離用流体の供給圧力を、供給開始時は相対的に大きくし、その後、相対的に小さくすることを特徴とする請求項１又は２に記載の剥離方法。
【請求項５】
被処理物を、設置部に吸着して処理した後、前記設置部から剥離する方法であって、
前記設置部に分散して複数配置された吸着孔のうち相対的に中央側の吸着孔に剥離用流体を供給することにより、前記中央側の吸着孔の内圧が相対的に周辺側の吸着孔の内圧より大きくなるようにし、
その後、前記周辺側の吸着孔に剥離用流体を供給することにより、前記周辺側の吸着孔の内圧を上昇させることを特徴とする剥離方法。
【請求項６】
被処理物を剥離可能に設置する装置であって、
被処理物が設置されるべき面を有し、前記面における相対的に中央側の第１領域と相対的に周辺側の第２領域とにそれぞれ吸着孔が開口形成された設置部と、
前記第１領域の吸着孔を、前記被処理物の処理時は吸引源に接続し、処理終了後は剥離用流体の供給源に接続切替する第１接続切替手段と、
前記第２領域の吸着孔を、前記処理時は吸引源に接続し、処理終了後は前記第１接続手段による接続切替の後に前記剥離用流体供給源に接続切替する第２接続切替手段と、
を備えたことを特徴とする被処理物の設置装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ガラス基板やウェハ等の被処理物を、設置部に吸着して処理した後、設置部から剥離する方法、及び被処理物の設置装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板やウェハ等の被処理物を表面処理する際は、例えば設置台に被処理物を設置する。設置台には吸着孔を設けておく。この吸着孔を吸引することにより被処理物を設置台に吸着し、この状態で表面処理を行なう。表面処理の終了後、吸着孔の吸引を停止し、被処理物を昇降ピンにて持ち上げて取り出す。このとき、被処理物をいきなり持ち上げようとすると、残留吸着により被処理物が破損するおそれがある。そこで、特許文献１〜４には、吸着孔に流体を供給する等して、被処理物を設置台から剥離したうえで、被処理物を取り出すことが記載されている。
【特許文献１】特開２０００−１８３１３０
【特許文献２】特開２０００−２９４６２２
【特許文献３】特開２００２−３１３８９６
【特許文献４】特開２００５−０１９５９１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
被処理物と設置台との間に流体を単に供給するだけでは、残留吸着を十分に除去しきれず未剥離の部分が残る場合がある。特に、被処理物の中央部は、流体が外周方向へ逃げやすく、剥離しにくい。また、一旦剥離しても静電気などにより再度吸着し未剥離の部分が結果的に残る場合もある。剥離が不十分であると、昇降ピンで持ち上げる際、被処理物に無理な力が加わり破損するおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記問題点を解決するために、本発明は、被処理物を、設置部に吸着して処理した後、前記設置部から剥離する方法であって、
前記設置部に分散して複数配置された吸着孔のうち相対的に中央側の吸着孔に剥離用流体の供給を開始し、
その後、相対的に周辺側の吸着孔に剥離用流体の供給を開始することを特徴とする。
これによって、被処理物の中央側の部分の残留吸着を確実に除去でき、当該中央側の部分を設置部から確実に剥離することができる。そのうえで、周辺側の部分の残留吸着を除去して剥離することができる。これにより、被処理物を破損することなく設置部から安全かつスムーズに取り出すことができる。
【０００５】
前記中央側の吸着孔への剥離用流体の供給を、前記周辺側の吸着孔への剥離用流体の供給開始後も継続することが好ましい。
これによって、被処理物の中央側の部分が再吸着するのを防止することができる。
前記中央側の吸着孔への剥離用流体の供給を停止したうえで、前記周辺側の吸着孔への剥離用流体の供給開始することにしてもよい。
【０００６】
前記中央側の吸着孔への剥離用流体の供給圧力を、該中央側の吸着孔への供給期間中ほぼ一定に保持することにしてもよい。
同様に、前記周辺側の吸着孔への剥離用流体の供給圧力を、該周辺側の吸着孔への供給期間中ほぼ一定に保持することにしてもよい。
これにより、剥離用流体の圧力調節構成を簡易化できる。
【０００７】
前記中央側の吸着孔への剥離用流体の供給圧力を、供給開始時は相対的に大きくし、その後、相対的に小さくしてもよい。
これにより、剥離用流体の節約を図ることができる。供給圧力を小さくするタイミングは、好ましくは被処理物の中央側の部分の残留吸着が除去された後であり、残留吸着が除去された後であれば、前記周辺側の吸着孔への剥離用流体の供給開始の前であっても後であってもよい。供給圧力を小さくするときは、再吸着を阻止し得る圧力を下回らない程度にするのが好ましい。
【０００８】
また、本発明は、被処理物を、設置部に吸着して処理した後、前記設置部から剥離する方法であって、
前記設置部に分散して複数配置された吸着孔のうち相対的に中央側の吸着孔に剥離用流体を供給することにより、前記中央側の吸着孔の内圧が相対的に周辺側の吸着孔の内圧より大きくなるようにし、
その後、前記周辺側の吸着孔に剥離用流体を供給することにより、前記周辺側の吸着孔の内圧を上昇させることを特徴とする。
これによって、被処理物の中央側の部分の残留吸着を確実に除去でき、当該中央側の部分を設置部から確実に剥離することができる。そのうえで、周辺側の部分の残留吸着を除去して剥離することができ、これにより、被処理物を破損することなく設置部から安全かつスムーズに取り出すことができる。
ここで、前記周辺側の吸着孔の内圧を増大させる前は、周辺側の吸着孔の内圧が中央側の吸着孔の内圧より小さくなっていればよく、剥離用流体を中央側の吸着孔にだけ供給し、周辺側の吸着孔へは未供給の状態にしてもよく、剥離用流体を周辺側の吸着孔へも中央側より低圧にして供給することにしてもよい。
【０００９】
本発明は、被処理物を剥離可能に設置する装置であって、
被処理物が設置されるべき面を有し、前記面における相対的に中央側の第１領域と相対的に周辺側の第２領域とにそれぞれ吸着孔が開口形成された設置部と、
前記第１領域の吸着孔を、前記被処理物の処理時は吸引源に接続し、処理終了後は剥離用流体の供給源に接続切替する第１接続切替手段と、
前記第２領域の吸着孔を、前記処理時は吸引源に接続し、処理終了後は前記剥離用流体供給源に接続切替する第２接続切替手段と、
を備えたことを特徴とする。前記第２接続切替手段による接続切替は、前記第１接続手段による接続切替の後に行なうのが望ましい。
これによって、被処理物の第１領域に対応する中央側の部分の残留吸着を確実に除去でき、当該中央側の部分を設置部から確実に剥離することができる。そのうえで、被処理物の第２領域に対応する周辺側の部分の残留吸着を除去して剥離することができる。これにより、被処理物を破損することなく設置部から安全かつスムーズに取り出すことができる。
【００１０】
前記剥離用流体供給源と前記第１領域の吸着孔との間に圧力制御弁等の第１圧力制御手段を設けることにしてもよい。この第１圧力制御手段により、第１領域の吸着孔への剥離用流体の供給圧力を、供給開始時は相対的に大きくし、その後、相対的に小さくしてもよい。
同様に、前記剥離用流体供給源と前記第２領域の吸着孔との間に圧力制御弁等の第２圧力制御手段を設けることにしてもよい。この第２圧力制御手段により、第２領域の吸着孔への剥離用流体の供給圧力を、供給開始時は相対的に大きくし、その後、相対的に小さくしてもよい。
前記第１圧力制御手段又は第２圧力制御手段によって、前記第１接続手段による接続切替時には第２領域の吸着孔の内圧が第１領域の吸着孔の内圧より小さくなるようにし、その後、前記第２圧力制御手段によって、第２領域の吸着孔の内圧を上昇させることにしてもよい。この場合、前記第２接続手段による接続切替は、必ずしも前記第１接続手段による接続切替の後にする必要はなく、第１接続手段による接続切替と相前後して実行することにしてもよい。
【００１１】
本発明は、例えば大気圧プラズマ処理等の表面処理分野における被処理物の支持・取出し機構に適用できる。大気圧プラズマ処理とは、大気圧近傍下で処理ガスをプラズマ化（活性化、ラジカル化等）し、このプラズマ化した処理ガスを被処理物の表面に接触させることにより、洗浄、表面改質（親水化、撥水化等）、成膜、エッチング、アッシング等の種々の表面処理を行なうものである。ここで、大気圧近傍とは、１．０１３×１０4〜５０．６６３×１０4Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａが好ましく、９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａがより好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、被処理物の中央側の部分の残留吸着を確実に除去でき、当該中央側の部分を設置部から確実に剥離することができ、そのうえで、周辺側の部分の残留吸着を除去して剥離することにより、被処理物を破損することなく設置部から安全かつスムーズに取り出すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を説明する。
図１及び図２は、本発明の一実施形態に係る表面処理装置Ｍを示したものである。表面処理装置Ｍの被処理物Ｗは、例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用の大型ガラス基板である。図１に示すように、ガラス基板Ｗは、平面視四角形をなしている。１つのガラス基板Ｗから複数のＦＰＤが得られるようになっている。
【００１４】
図２に示すように、表面処理装置Ｍは、大気圧プラズマ処理装置にて構成されている。表面処理装置Ｍは、図示しない架台に支持された処理ユニット１０と、この処理ユニット１０より下側に配置されたステージ２０（被処理物の設置装置）とを備えている。
【００１５】
処理ユニット１０には、高圧電極１１が設けられている。電極１１は、水平な一方向（図１の左右方向、図２の紙面直交方向）に延びる長尺状をなしている。電極１１の下面にはセラミックの板や溶射膜等からなる固体誘電体層１３が設けられている。電極１１に電源１が接続されている。
【００１６】
図２に示すように、表面処理装置Ｍには、処理ガス源２が設けられている。処理ガス源２は、処理目的に応じた種類の処理ガスを処理ユニット１０に供給するようになっている。例えば、洗浄処理の場合、処理ガスとして窒素や酸素の単一ガス、またはこれらの混合ガス（空気を含み得る）などが用いられている。また撥水化処理では、処理ガスとしてＣＦ４等のフッ化炭素化合物や窒素が用いられている。
処理ユニット１０には、処理ガス源２に連なる処理ガス吹出し路１４が形成されている。処理ガス吹出し路１４は、処理ユニット１０の下面に達している。
【００１７】
処理ユニット１０は、スキャン機構３に接続されている。このスキャン機構３によって処理ユニット１０が電極１１の長手方向と直交する方向（図２の左右方向）にスキャンされるようになっている。
処理ユニット１０が位置固定される一方、ステージ２０が移動されるようになっていてもよい。
【００１８】
ステージ２０は、設置部としてのステージ本体２１と、継ぎ足し枠３０と、支持枠４０とを備えている。
ステージ本体２１は、平面視四角形の金属盤にて構成されている。ステージ本体２１は、接地線２５を介して電気的に接地されており、処理ユニット１０の高圧電極１１と対をなす接地電極を構成している。上記電源１から高圧電極１１への電圧供給により、高圧電極１１と接地電極としてのステージ本体２１との間に大気圧グロー放電が生成されるようになっている。
【００１９】
ステージ本体２１の上面に、処理すべきガラス基板Ｗが設置されるようになっている。ガラス基板Ｗは、接地電極２１の金属表面に配置されるべき固体誘電体層としての機能を果たす。
ステージ本体２１の面積は、ガラス基板Ｗより若干小さい。したがって、ガラス基板Ｗの外周部がステージ本体２１より突出されるようになっている。
【００２０】
ステージ本体２１には、複数のピン孔２２が上下に貫通するように形成されている。ピン孔２２の上端部の内周面は逆円錐状になっている。これらピン孔２２は、ガラス基板Ｗの製品（ＦＰＤ）となるべき部分どうしの間の製品として利用されない部分に対応するように配置されている。各ピン孔２２に昇降ピン５０が収容されている。昇降ピン５０は金属にて構成され、上端部が逆円錐状になっている。これによって、昇降ピン５０の上面の面積が比較的大きくなっている。昇降ピン５０は、昇降駆動部５１（図６）によってステージ本体２１から上へ突出する位置（図６）と、ステージ本体２１内に引っ込んだ位置（図２）との間で昇降されるようになっている。引っ込んだ位置において、昇降ピン５０の上面は、ステージ本体２１の上面と面一になっている。
【００２１】
更に、ステージ本体２１には多数の小孔状の吸着孔２４（２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ）が形成されている。これら吸着孔２４は、ステージ本体２１の全域にほぼ均等な間隔で分散して配置されている。吸着孔２４は給排機構６０に接続されている。
吸着孔２４及び給排機構６０については追って更に詳述する。
【００２２】
図１に示すように、ステージ本体２１の平面視外側には、４つの継ぎ足し枠３０が設けられている。これら継ぎ足し枠３０は、ステージ本体２１の４つの外縁にそれぞれ対応して配置されている。各継ぎ足し枠３０は、ステージ本体２１の対応する外縁と直交する方向に進退可能になっている。図１及び図２に示すように、前進位置の継ぎ足し枠３０は、ステージ本体２１の外縁に当接されている。継ぎ足し枠３０は、ステージ本体２１の対応する外縁に沿って平行に延びる枠本体３１と、この枠本体３１の上面に設けられた固体誘電体層３２とを有している。枠本体３１は、金属からなり、接地線３３を介して電気的に接地されている。固体誘電体層３２のステージ本体２１側の部分は薄肉になっている。この薄肉部の上にガラス基板Ｗの外周部が載せられるようになっている。固体誘電体層３２のステージ本体２１とは逆側の厚肉部分の厚さと誘電率との比は、ガラス基板Ｗの厚さと誘電率との比と略同じになるように設定されている。
【００２３】
ステージ本体２１の平面視外側には、支持枠４０が更に設けられている。支持枠４０は、ステージ本体２１の４つの外縁に対応して配置されているが、ステージ本体２１の少なくとも対辺をなす２つの外縁に対応するように設けられていればよい。
【００２４】
図２及び図６に示すように、支持枠４０は、昇降駆動部４１（図６）によってステージ本体２１より上の位置と、ステージ本体２１より下の位置との間で昇降可能になっている。支持枠４０の昇降時には、継ぎ足し枠３０をステージ本体２１から外側へ後退させておく。継ぎ足し枠３０の前進時には、支持枠４０をステージ本体２１より下に位置させておく。
【００２５】
本発明の最も特徴的な部分について説明する。
図１に示すように、ステージ本体２１には、中央領域２９Ａと、中間領域２９Ｂと、外周領域２９Ｃとが仮想的に設定されている。中央領域２９Ａは、ステージ本体２１の中央部に配置されている。中間領域２９Ｂは、中央領域２９Ａを囲む環状をなし、中央領域２９Ａと外周領域２９Ｃの間に配置されている。外周領域２９Ｃは、ステージ本体２１の外周を含み、中間領域２９Ｂを囲んでいる。
【００２６】
表面処理装置Ｍの吸着孔２４、給排機構６０等は、上記領域２９ごとに対応する構成になっている。これら構成要素の各々を、対応領域２９に応じて区別するときは、中央領域２９Ａに対応する構成要素については符号に「Ａ」を付し、中間領域２９Ｂに対応する構成要素については符号に「Ｂ」を付し、外周領域２９Ｃに対応する構成要素については符号に「Ｃ」を付すことにする。
【００２７】
図１に示すように、ステージ本体２１の各領域２９Ａ，２８Ｂ，２９Ｃに吸着孔２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃがそれぞれ配置されている。すなわち、中央領域２９Ａには吸着孔２４Ａが配置され、中間領域２９Ｂには吸着孔２４Ｂが配置され、外周領域２９Ｃには吸着孔２４Ｃが配置されている。
図２に示すように、これら吸着孔２４の上端部は、ステージ本体２１の上面（被処理物の設置面）に達して開口され、下端部は、給排機構６０に接続されている。
【００２８】
給排機構６０は、３つ（複数）の領域２９に対応する３系統（複数系統）の給排路６１を有している。中央領域２９Ａに対応する給排路６１Ａのステージ本体２１側の端部は、複数に分岐して、中央領域２９Ａの各吸着孔２４Ａの下端部にそれぞれ連なっている。中間領域２９Ｂに対応する給排路６１Ｂのステージ本体２１側の端部は、複数に分岐して、中間領域２９Ｂの各吸着孔２４Ｂの下端部にそれぞれ連なっている。外周領域２９Ｃに対応する給排路６１Ｃのステージ本体２１側の端部は、複数に分岐して、外周領域２９Ｃの各吸着孔２４Ｃの下端部にそれぞれ連なっている。
ステージ本体２１の領域２９ごとにチャンバを設け、各吸着孔２４を対応する領域２９のチャンバに連ねるとともに、各チャンバを対応する給排路６１Ａ〜６１Ｃに接続することにしてもよい。この場合のチャンバは、各給排路６１Ａ〜６１Ｃのステージ本体２１側の分岐路と回路的に等価である。
【００２９】
各給排路６１のステージ本体２１側とは反対側の端部には、それぞれ方向切替弁６２（接続切替手段）が設けられている。
【００３０】
給排機構６０には、吸引源としての真空ポンプ６５から延びる吸引路６３と、剥離用流体供給源としての加圧窒素ガス源６６から延びる剥離用流体路６４とが設けられている。吸引路６３は、複数に分岐して、それぞれ対応する方向切替弁６２に接続されている。同様に、剥離用流体路６４は、は、複数に分岐して、それぞれ対応する方向切替弁６２に接続されている。
【００３１】
中央領域２９Ａ対応の方向切替弁６２Ａによって、吸着孔６４Ａ用の給排路６１Ａが、吸引路６３又は剥離用流体路６４を介して真空ポンプ６５と窒素ガス源６６の何れか一方に選択的に接続されるようになっている。
中間領域２９Ｂ対応の方向切替弁６２Ｂによって、吸着孔６４Ｂ用の給排路６１Ｂが、吸引路６３又は剥離用流体路６４を介して真空ポンプ６５と窒素ガス源６６の何れか一方に選択的に接続されるようになっている。
外周領域２９Ｃ対応の方向切替弁６２Ｃによって、吸着孔６４Ｃ用の給排路６１Ｃが、吸引路６３又は剥離用流体路６４を介して真空ポンプ６５と窒素ガス源６６の何れか一方に選択的に接続されるようになっている。
【００３２】
上記のように構成された表面処理装置Ｍを用いて被処理物のガラス基板Ｗを表面処理する方法を説明する。
設置工程
図６に示すように、処理ユニット１０をステージ２０の平面視外側に退避させ、かつ、継ぎ足し枠３０をステージ２０の平面視外側に後退させたうえで、支持枠４０と昇降ピン５０をステージ２０より上に突出させる。この支持枠４０及び昇降ピン５０上に、処理すべきガラス基板Ｗをフォーク状マニピュレータ等（図示せず）で載置する。支持枠４０によってガラス基板Ｗの外周部を支持し、昇降ピン５０によってガラス基板Ｗの中央部を支持することにより、ガラス基板Ｗが撓むのを防止することができる。
【００３３】
次に、支持枠４０及び昇降ピン５０を互いに同期させて下降させ、ガラス基板Ｗをステージ本体２１の上面に設置する。
続いて、図２に示すように、継ぎ足し枠３０を前進させてステージ本体２１の外側に継ぎ足し、ガラス基板Ｗの外周部を継ぎ足し枠３０にて支持する。
また、方向切替弁６２Ａ〜６２Ｃを真空ポンプ６５への接続位置にし、ステージ本体２１の全領域２９の吸着孔２４Ａ〜２４Ｃを真空吸引して負圧にする。これにより、ガラス基板Ｗがステージ本体２１に吸着される。
【００３４】
処理工程
そして、処理ユニット１０をスキャンさせながら、処理ガスを処理ユニット１０から下方へ吹き出すとともに、電源１から高圧電極１１に電圧を供給して高圧電極１１と接地電極としてのステージ２０との間に大気圧グロー放電を生成する。これにより、処理ガスがプラズマ化されるとともにガラス基板Ｗに接触し、ガラス基板Ｗをプラズマ表面処理することができる。プラズマは、ステージ本体２１上だけでなく継ぎ足し部材上でも形成することができるので、ガラス基板Ｗの外周部を含む全体を万遍なく処理することができる。
【００３５】
吸引停止工程
表面処理の終了後、真空ポンプ６５を停止する。或いは、吸引路６３に設けた開閉弁６８を閉じる。これによって、吸着孔２４の真空吸引を停止する。
【００３６】
中央剥離工程
続いて、図３に示すように、方向切替弁６２Ａ〜６２Ｃのうち、先ず中央領域２９Ａに対応する方向切替弁６２Ａのみを窒素ガス源６６との接続位置に切り替える。これによって、窒素ガス源６６からの加圧窒素（剥離用流体）が、ステージ２０の３つの領域２９のうち中央領域２９Ａの吸着孔２４にのみ導入され、ステージ２０の中央領域２９Ａとガラス基板Ｗとの間に入り込む。このとき、中央領域２９Ａより外側（中間領域２９Ｂ及び外周領域２９Ｃ）は、通常、残留吸着によってステージ２０とガラス基板Ｗが密着した状態を維持している。したがって、上記の加圧窒素は、中央領域２９Ａに閉じ込められた状態になる。よって、中央領域２９Ａの残留吸着を確実に解除でき、ガラス基板Ｗの中央部分をステージ２０から確実に剥離することができる。さらに、剥離した状態を維持することができる。
【００３７】
中間剥離工程
次いで、図４に示すように、中間領域２９Ｂに対応する方向切替弁６２Ｂを窒素ガス源６６との接続位置に切り替える。これによって、窒素ガス源６６からの加圧窒素が、中間領域２９Ｂの吸着孔２４にも導入され、ステージ２０の中間領域２９Ｂとガラス基板Ｗとの間に入り込む。これによって、中間領域２９Ｂの残留吸着を解除でき、ガラス基板Ｗの剥離部分を中央領域２９Ａから中間領域２９Ｂへ広げることができる。
【００３８】
中間領域２９Ｂの吸着孔２４への窒素圧導入時（中間剥離工程の実行時）にも中央領域２９Ａの吸着孔２４への窒素圧導入を継続する。これによって、ガラス基板Ｗの中央部がステージ２０に再吸着されるのを防止することができる。
【００３９】
外周剥離工程
次いで、図５に示すように、外周領域２９Ｃに対応する方向切替弁６２Ｃを窒素ガス源６６との接続位置に切り替える。これによって、加圧窒素が、ステージ２０の外周領域２９Ｃの吸着孔２４にも導入され、ステージ２０の外周領域２９Ｃとガラス基板Ｗとの間に入り込む。これによって、外周領域２９Ｃの残留吸着を解除して剥離部分をガラス基板Ｗの全体に広げることができる。
【００４０】
外周領域２９Ｃの吸着孔２４への窒素圧導入時（外周剥離工程の実行時）にも、中央領域２９Ａの吸着孔２４Ａ及び中間領域２９Ｂの吸着孔２４Ｂへの窒素圧導入を継続する。これによって、ガラス基板Ｗの外周領域２９Ｃより内側の部分がステージ２０に再吸着されるのを防止することができる。
【００４１】
搬出工程
上記の吸引停止工程〜外周剥離工程と併行して、又は相前後して、処理ユニット１０をステージ２０の平面視外側に退避させておく。
また、継ぎ足し枠３０をステージ２０の平面視外側に後退させ、支持枠４０をステージ本体２１の高さまで上昇させ、ガラス基板Ｗの外周部に当接する。
そして、上記外周剥離工程の後、図６に示すように、支持枠４０及び昇降ピン５０を昇降駆動部４１，５１によって同期させて上昇させる。ガラス基板Ｗの全体がステージ２０から確実に剥離されているので、ガラス基板Ｗを破損することなく安全かつスムーズに持ち上げることができる。ガラス基板Ｗが上昇する際に窒素ガス源６６からの窒素供給を止める。
そして、フォーク状マニピュレータ等を用いてガラス基板Ｗを搬出する。
【００４２】
本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、剥離用流体は、窒素に限られず、空気や窒素以外の不活性ガス等を用いることにしてもよく、気体に限られず、水等の液体を用いてもよい。
【００４３】
ステージ２０の領域２９Ａ〜２９Ｃは、四角形に区画されているが、これに限定されるものではなく、四角形以外の多角形に区画しもよく、円形（楕円を含む）に区画してもよい。
領域２９は全体として多重環状であればよく、領域２９の数は、３つに限られず、２つでもよく、４つ以上でもよい。
これら領域２９の２つのうち相対的に中央側の領域２９が、特許請求の範囲の第１領域となり、相対的に周辺側の領域２９が第２領域となる。例えば中央領域２９Ａが第１領域であるとすると、中間領域２９Ｂ又は外周領域２９Ｃが第２領域となる。中間領域２９Ｂが第１領域であるとすると、外周領域２９Ｃが第２領域となる。
【００４４】
第１領域の剥離後、第１領域の吸着孔２４への剥離用流体の供給を停止したうえで、第２領域の吸着孔２４への剥離用流体の導入を行なうことにしてもよい。
【００４５】
被処理物Ｗの中央部を先ず剥離し、剥離部分を外側へ順次広げていくようにすればよく、領域２９ごとに段階的に剥離するのに限られず、吸着孔２４ごとに、より中央側に位置するものから剥離用流体の供給を順次開始していくことにより、剥離部分が中央側から周辺側へ連続的に広がっていくようにしてもよい。
【００４６】
給排機構６０の回路構成は、実施形態と基本構成が実質的に等価であればよい。
方向切替弁６２Ａ〜Ｂに大気開放ポートを設けておく等により、処理終了後、給排路６１を一旦大気開放し、その後、剥離用流体の導入を行なうことにしてもよい。
【００４７】
図７に示すように、中央領域２９Ａに対応する剥離用流体路６４Ａに圧力制御弁６７Ａを設けることにしてもよい。この圧力制御弁６７Ａによって、中央剥離工程の開始時には吸着孔２４Ａへの窒素導入圧を比較的大きくなるようにする。これによって、ステージ２０の中央領域２９Ａとガラス基板Ｗを確実に剥離することができる。中央剥離工程の開始からまもなく、圧力制御弁６７Ａによって吸着孔２４Ａへの窒素導入圧を低下させる。これによって、窒素使用量を節約することができる。この窒素導入圧の低下タイミングは、中間剥離工程の実行前でもよく、中間剥離工程の開始と同時でもよく、中間剥離工程の開始後でもよい。低下後の窒素導入圧は、ステージ２０の中央領域２９Ａとガラス基板Ｗが再吸着を来たさない程度に設定するとよい。
【００４８】
中間領域２９Ｂに対応する剥離用流体路６４Ｂにも、同様の圧力制御弁を設け、中間剥離工程の実行開始時の吸着孔２４Ｂへの窒素導入圧を相対的に大きくし、その後、窒素導入圧を相対的に小さくするようにしてもよい。
外周領域２９Ｃに対応する剥離用流体路６４Ｃにも、同様の圧力制御弁を設け、外周剥離工程の実行開始時の吸着孔２４Ｃへの窒素導入圧を相対的に大きくし、その後、窒素導入圧を相対的に小さくするようにしてもよい。
これら圧力制御弁は、剥離用流体路６４Ａ〜６４Ｃに代えて、給排路６１Ａ〜６１Ｃに設けてもよく、方向切替弁６２Ａ〜６２Ｃに一体に組み込んでもよい。
【００４９】
上記各領域対応の圧力制御弁を用い、相対的に中央側に位置する吸着孔２４には相対的に周辺側に位置する吸着孔２４より高圧の剥離用流体を導入することにより、中央側の剥離を行ない、その後、周辺側の吸着孔２４への剥離用流体の導入圧力を上昇させ、周辺側の剥離を行なうようにしてもよい。
【００５０】
被処理物は、ガラス基板Ｗに限られず、ウェハ等であってもよい。被処理物の形状は、四角形に限られず円形その他の形状をなしていてもよい。
表面処理手段は、プラズマ表面処理に限られず、熱ＣＶＤ等にも適用できる。
表面処理内容は、洗浄、表面改質（親水化、撥水化等）、成膜、エッチング、アッシング、その他の種々の表面処理に適用可能である。
さらに、本発明は、表面処理に限られず、切削、研磨、その他の加工等の処理にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、例えばフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る表面処理装置のステージを示す、図２のＩ−Ｉ線に沿う平面図である。
【図２】上記表面処理装置の概略構成を表面処理時の状態で示す、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う回路付きの解説断面図である。
【図３】上記ステージの中央領域の残留吸着を解除する段階を示す回路付きの解説断面図である。
【図４】上記ステージの中間領域の残留吸着を解除する段階を示す回路付きの解説断面図である。
【図５】上記ステージの外周領域の残留吸着を解除する段階を示す回路付きの解説断面図である。
【図６】被処理物のガラスをステージより上に位置させた状態の解説断面図である。
【図７】給排機構に圧力制御弁を設けた変形態様を示す回路付きの解説断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
Ｗ      ガラス基板（被処理物）
Ｍ      表面処理装置
２０    ステージ（設置装置）
２１    ステージ本体（設置部）
２４Ａ〜２４Ｃ    吸着孔
２９Ａ〜２９Ｃ    領域
６０    給排機構
６２Ａ〜６２Ｃ    方向切替弁
６５    真空ポンプ（吸引源）
６６    加圧窒素ガス源（剥離用流体供給源）
６７Ａ  圧力制御弁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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