(57)【要約】【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能であり、かつ製膜後、高湿条件で保存した場合の誘電率変化を抑制することのできる、組成物、膜の製造方法、膜、半導体デバイスを提供する。【解決手段】ｍ個のＲＳｉ(Ｏ0.5)3ユニット（ｍは８〜１６の整数を表し、Ｒはそれぞれ独立して非加水分解性基を表す）を有し、各ユニットが、各ユニットにおける酸素原子を共有して他のユニットに連結しカゴ構造を形成している化合物（Ｉ）または該化合物（Ｉ）の反応物、および酸化防止剤を含むことを特徴とする組成物、組成物を基板上に塗布した後、硬膜することを特徴とする膜製造方法、該製造方法を用いて製造された膜、該膜を含む半導体デバイス。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ個のＲＳｉ(Ｏ0.5)3ユニット（ｍは８〜１６の整数を表し、Ｒはそれぞれ独立して非加水分解性基を表す）を有し、各ユニットが、各ユニットにおける酸素原子を共有して他のユニットに連結しカゴ構造を形成している化合物（Ｉ）または該化合物（Ｉ）の反応物と、酸化防止剤とを含有することを特徴とする膜形成用組成物。
【請求項２】
前記ＲＳｉ(Ｏ0.5)3ユニットにおいて、Ｒのうち、少なくとも２つはビニル基またはエチニル基を含む基であることを特徴とする請求項１に記載の膜形成用組成物。
【請求項３】
組成物に含まれる固形分のうち、化合物（Ｉ）同士が反応した重合物が６０質量％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の膜形成用組成物。
【請求項４】
前記化合物（Ｉ）の反応物の分子がＳｉ原子を１６個以上含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の膜形成用組成物。
【請求項５】
前記酸化防止剤がフェノール系酸化防止剤を少なくとも１種類含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の膜形成用組成物。
【請求項６】
前記酸化防止剤がヒンダードアミン系酸化防止剤を少なくとも１種類含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の膜形成用組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の膜形成用組成物を基板上に塗布した後、硬膜することを特徴とする膜製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の製造方法を用いて製造された膜。
【請求項９】
請求項８に記載の膜を含む半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、組成物に関し、さらに詳しくは、膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能な、しかも、誘電率特性などに優れた絶縁膜形成や、低屈折率光学膜形成に有用な組成物、膜の製造方法、膜、半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、気相成長（ＣＶＤ）法などの真空プロセスで形成されたシリカ（ＳｉＯ2）膜が多用されている。そして、近年、より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれるテトラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布型の絶縁膜も使用されるようになっている。また、半導体素子などの高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼ばれるポリオルガノシロキサンを主成分とする低誘電率の層間絶縁膜が開発されている。
【０００３】
しかし、無機材料の膜の中で最も低い誘電率を示すＣＶＤ−ＳｉＯ2膜でも、比誘電率は約４程度である。また、低誘電率ＣＶＤ膜として最近検討されているＳｉＯＦ膜の比誘電率は約３．３〜３．５であるが、この膜は吸湿性が高く、使用しているうちに誘電率が上昇するという問題がある。
【０００４】
かかる状況下、絶縁性、耐熱性、耐久性に優れた絶縁膜材料として、オルガノポリシロキサンに高沸点溶剤や熱分解性化合物を添加して空孔を形成し、誘電率を下げる方法が知られている。しかしながら、上記のような多孔質膜では、多孔化することにより誘電率特性が下がっても、機械強度が低下すること、吸湿による誘電率増加がおこることなどが問題になっていた。また、互いに連結した空孔が形成されるため、配線に用いられた銅が、絶縁膜中に拡散することなどが問題となっていた。
一方、カゴ状構造を有するシロキサン化合物を絶縁膜の製造に用いる試みは公知であるが（特許文献１参照）、この方法では、塗布液作製時または絶縁膜作製時にカゴ構造を十分に維持できないため、密度を低下させる効果が小さく、誘電率は十分に低下しなかった。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１５４７７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って本発明の目的は、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能であり、かつ製膜後、高湿条件で保存した場合の誘電率変化を抑制することのできる、組成物、膜の製造方法、膜、半導体デバイスの提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
さらに従来技術においては、絶縁膜の製膜後、高湿条件下で保存した場合、誘電率が変化（上昇）し、加熱乾燥させても戻らない傾向にあった。そこで本発明者は鋭意検討した結果、酸化防止剤を添加することで、誘電率が加熱乾燥で元に戻り、膜質が変化しないことを発見した。絶縁膜において酸化防止剤を適用する例は特開2000-109679号公報にて公知であるが、シリコーン系膜に関する適用例はこれまで例が無い。また本発明の好適な形態において、カゴ構造に官能基として不飽和炭化水素基を導入してラジカル架橋反応を用い高分子量化や硬膜を行うよう設計し、それにより従来のゾルゲル反応系で問題となっていたカゴ構造の分解を無くすことができた。
【０００８】
本発明は、以下のとおりである。
＜１＞
ｍ個のＲＳｉ(Ｏ0.5)3ユニット（ｍは８〜１６の整数を表し、Ｒはそれぞれ独立して非加水分解性基を表す）を有し、各ユニットが、各ユニットにおける酸素原子を共有して他のユニットに連結しカゴ構造を形成している化合物（Ｉ）または該化合物（Ｉ）の反応物、および酸化防止剤を含むことを特徴とする膜形成用組成物。
＜２＞
前記ＲＳｉ(Ｏ0.5)3ユニットにおいて、Ｒのうち、少なくとも２つはビニル基またはエチニル基を含む基であることを特徴とする＜１＞に記載の膜形成用組成物。
＜３＞
組成物に含まれる固形分のうち、化合物（Ｉ）同士が反応した重合物が６０質量％以上であることを特徴とする＜１＞または＜２＞に記載の膜形成用組成物。
＜４＞
前記化合物（Ｉ）の反応物の分子がＳｉ原子を１６個以上含有することを特徴とする＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の膜形成用組成物。
＜５＞
前記酸化防止剤がフェノール系酸化防止剤を少なくとも１種類含むことを特徴とする＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の膜形成用組成物。
＜６＞
前記酸化防止剤がヒンダードアミン系酸化防止剤を少なくとも１種類含むことを特徴とする＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の膜形成用組成物。
＜７＞
＜１＞〜＜６＞のいずれかに記載の膜形成用組成物を基板上に塗布した後、硬膜することを特徴とする膜製造方法。
＜８＞
＜７＞に記載の製造方法を用いて製造された膜。
＜９＞
＜８＞に記載の膜を含む半導体デバイス。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能であり、かつ製膜後、高湿条件で保存した場合の誘電率変化を抑制することのできる、組成物、膜の製造方法、膜、半導体デバイスが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明の組成物は、ｍ個のＲＳｉ(Ｏ0.5)3ユニット（ｍは８〜１６の整数を表し、Ｒはそれぞれ独立して非加水分解性基を表す）を有し、各ユニットが、各ユニットにおける酸素原子を共有して他のユニットに連結しカゴ構造を形成している化合物（Ｉ）または化合物（Ｉ）の反応物を含む。
誘電率低下効果の点から、ｍは８、１０、１２、１４、１６が好ましく、入手性の観点から、８、１０、１２が、より好ましい。
【００１１】
ここでカゴ構造とは、共有結合した原子で形成された複数の環によって容積が定まり、容積内に位置する点は環を通過せずには容積から離れることができないような分子を指す。
【００１２】
化合物（Ｉ）で表されるカゴ構造の例としては、下記のものが挙げられる。下記における自由結合手はＲが結合する位置を表す。
【００１３】
【化１】
2008078557.tif 000002
【００１４】
【化２】
2008078557.tif 000003
【００１５】
【化３】
2008078557.tif 000004
【００１６】
化合物（Ｉ）中、Ｒはそれぞれ独立して非加水分解性基を表す。
ここで、非加水分解性基とは、室温で、１当量の中性水と１時間接触させた場合に、９５％以上残存する基であるが、この条件で９９％以上残存していることが好ましい。
Ｒの非加水分解性基の例としては、アルキル基（メチル、ｔ−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等）、アリール基（フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル等）、ビニル基、エチニル基、アリル基、シリルオキシ基（トリメチルシリルオキシ、トリエチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）等があげられる。
【００１７】
Ｒで表される基のうち、少なくとも２つが、ビニル基またはエチニル基を含む基であることが好ましいが、少なくとも２つがビニル基であることが好ましい。Ｒで表される基がビニル基またはエチニル基を含む場合には、ビニル基またはエチニル基は、直接もしくは２価の連結基を介して、Ｒが結合するケイ素原子に結合することが好ましい。２価の連結基としては、−［Ｃ（Ｒ１１）（Ｒ１２）］ｋ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ１３）−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ１4）（Ｒ１5）−、およびこれらを任意に組み合わせてできる２価の連結基が挙げられる。（Ｒ１１〜Ｒ１５はそれぞれ独立して水素原子、メチル基、またはエチル基を表し、ｋは１〜６の整数を表す。）、なかでも、−［Ｃ（Ｒ１１）（Ｒ１２）］ｋ−、−Ｏ−、−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ１4）（Ｒ１5）−またはこれらを任意に組み合わせてできる２価の連結基が好ましい。
化合物（Ｉ）において、ビニル基またはエチニル基はＲが結合するケイ素原子に直接結合することが好ましい。
化合物（Ｉ）におけるＲのうち、少なくとも２つのビニル基が、Ｒが結合するケイ素原子に直接結合することがさらに好ましく、化合物（Ｉ）におけるＲの少なくとも半数が全てビニル基であることが、より好ましく、Ｒが全てビニル基であることが特に好ましい。
【００１８】
化合物（Ｉ）の具体例としては、例えば、下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００１９】
【化４】
2008078557.tif 000005
【００２０】
【化５】
2008078557.tif 000006
【００２１】
【化６】
2008078557.tif 000007
【００２２】
【化７】
2008078557.tif 000008
【００２３】
化合物（Ｉ）は、市販のものを使用してもよいし、公知の方法（J. Am. Chem. Soc., (1989), 111, 1741. 等）で合成してもよい。
【００２４】
本発明の化合物（Ｉ）におけるＲが一般式（ＩＩ）で表される基である場合も好ましく、この場合、一般（ＩＩＩ）で表される化合物と一般式（ＩＶ）で表される化合物を反応させることで合成できる。
一般式（ＩＩＩ）でされる化合物は、たとえば、Angew.Chem.Int.Ed.Engl.1997,36, No.7, 743-745等に記載の方法に従って合成できる。
【００２５】
（Ｒ1）3−Ｓｉ−Ｏ−    （ＩＩ）
〔ＭＯ-Ｓｉ(Ｏ0.5)3〕m   （ＩＩＩ）
（Ｒ1）3−Ｓｉ−Ｃｌ    （ＩＶ）
【００２６】
一般式（ＩＩ）中、Ｒ1はそれぞれ独立に非加水分解性基を表すが、Ｒ1で表される非加水分解性基の具体例としては、アルキル基、アリール基、ビニル基、エチニル基等があげられる。一般式（ＩＩＩ）および（ＩＶ）において、ｍおよびＲ1は、化合物（Ｉ）および一般式（ＩＩ）におけるものと同意である。Ｍは金属原子（例えばＮａ、Ｋ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｎ）またはオニウムカチオン（例えばテトラメチルアンモニウム）を表す。なお、Ｍが多価の金属原子である場合は、複数の−Ｏ−Ｓｉ(Ｏ0.5)3が多価の金属原子Ｍに結合した形態を意味する。
【００２７】
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物と、一般式（ＩＶ）で表される化合物との反応は、例えば、溶媒中に、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物と、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物中に含まれるＳｉ−ＯＭ基数の１〜１００倍モルの一般式（ＩＶ）で表される化合物を添加し、撹拌しながら、通常０〜１８０℃、１０分〜２０時間行う。
溶媒としては、トルエン、ヘキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などの有機溶剤が好ましい。
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物と一般式（ＩＶ）で表される化合物を反応させる際には、トリエチルアミン、ピリジン等の塩基を添加してもよい。
【００２８】
本発明の組成物における化合物（Ｉ）の反応物は、Ｓｉ原子１６個以上を含むことが好ましい。
化合物（Ｉ）の反応物としては、化合物（Ｉ）同士の重合物、化合物（Ｉ）とその他のモノマーとの共重合物等が挙げられる。
本発明の組成物には、複数の異なった化合物（Ｉ）またはその重合物が含まれていてもよい。その場合、複数の異なった化合物（Ｉ）からなる共重合体であってもよいし、化合物（Ｉ）のホモポリマーの混合物であってもよい。本発明の組成物が、複数の異なった化合物（Ｉ）からなる共重合体を含む場合、ｍ＝８、１０、および１２から選ばれる２種以上の化合物（Ｉ）の混合物の共重合体であることが好ましい。
【００２９】
本発明の組成物は、化合物（Ｉ）とその他のモノマーとの共重合物を含有してもよい。その場合に用いられるその他のモノマーとしては、重合性炭素−炭素不飽和結合またはＳｉＨ基を複数有する化合物が好ましい。好ましい化合物の例としては、ビニルシラン類、ビニルシロキサン類、フェニルアセチレン類、[（ＨＳｉＯ０．５）３]８等が挙げられる。
本発明の組成物は、化合物（Ｉ）またはその反応物が有機溶剤に溶解した溶液であってもよいし化合物（Ｉ）またはその反応物を含む固形物であってもよい。  
【００３０】
本発明の組成物が化合物（Ｉ）同士の重合物を含む場合、本発明の組成物を製造するための方法としては、化合物（Ｉ）をハイドロシリレーション反応または炭素-炭素不飽和結合同士の重合反応を用いて製造されることが好ましい。
化合物（Ｉ）を溶媒に溶解させ、重合開始剤を添加してビニル基またはエチニル基を反応させることが特に好ましい。
重合反応としてはどのような重合反応でもよいが、例えばラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、開環重合、重縮合、重付加、付加縮合、遷移金属触媒重合等が挙げられる。
【００３１】
化合物（Ｉ）の重合反応は非金属の重合開始剤の存在下で行うことが好ましい。例えば、加熱によって炭素ラジカルや酸素ラジカル等の遊離ラジカルを発生して活性を示す重合開始剤の存在下で重合することが出来る。
重合開始剤としては有機過酸化物または有機アゾ系化合物が好ましく用いられる。  有機過酸化物としては、日本油脂株式会社より市販されているパーヘキサＨ等のケトンパーオキサイド類、パーヘキサＴＭＨ等のパーオキシケタール類、パーブチルＨ−６９等のハイドロパーオキサイド類、パークミルＤ、パーブチルＣ、パーブチルＤ等のジアルキルパーオキサイド類、ナイパーＢＷ等のジアシルパーオキサイド類、パーブチルＺ、パーブチルＬ等のパーオキシエステル類、パーロイルＴＣＰ等のパーオキシジカーボネート、アルケマ吉富社より市販されているルペロックス１１等が好ましく用いられる。
有機アゾ系化合物としては和光純薬工業株式会社で市販されているＶ−３０、Ｖ−４０、Ｖ−５９、Ｖ−６０、Ｖ−６５、Ｖ−７０等のアゾニトリル化合物類、ＶＡ−０８０、ＶＡ−０８５、ＶＡ−０８６、ＶＦ−０９６、ＶＡｍ−１１０、ＶＡｍ−１１１等のアゾアミド化合物類、ＶＡ−０４４、ＶＡ−０６１等の環状アゾアミジン化合物類、Ｖ−５０、ＶＡ−０５７等のアゾアミジン化合物類等が好ましく用いられる。
【００３２】
重合開始剤としては、有機過酸化物が好ましい。
本発明の重合開始剤は１種のみ、または２種以上を混合して用いてもよい。
本発明の重合開始剤の使用量はモノマー１モルに対して、好ましくは０．００１〜２モル、より好ましくは０．０５〜１モル、特に好ましくは０．０１〜０．５モルである。
本発明の重合開始剤の添加方法としては一括添加、分割添加、連続添加等が挙げられるが、少ない重合開始剤添加量で高分子量化できるので、分割添加および連続添加が好ましい。
【００３３】
重合反応で使用する溶媒は、化合物（Ｉ）が必要な濃度で溶解可能であり、かつ得られる重合体から形成する膜の特性に悪影響を与えないものであればどのようなものを使用してもよい。例えば水やメタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸ヘキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、メチルベンゾエート等のエステル系溶剤、ジブチルエーテル、アニソール、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、トルエン、キシレン、メシチレン、１,２,４,５−テトラメチルベンゼン、ペンタメチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、１,４−ジイソプロピルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、１,４−ジ−ｔ−ブチルベンゼン、１,３,５−トリエチルベンゼン、１,３,５−トリ−ｔ−ブチルベンゼン、４−ｔ−ブチル−オルトキシレン、１−メチルナフタレン、１，３，５−トリイソプロピルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、Ｎ−メチルピロリジノン、ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤、四塩化炭素、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼン等のハロゲン系溶剤、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤などが利用できる。これらの中でより好ましい溶剤はエステル系溶剤であり、中でも、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸ヘキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、メチルベンゾエートであり、特に好ましくは、酢酸エチル、酢酸ブチルである。
これらは単独でも２種以上を混合して用いてもよい。
同じ溶媒を用いた場合、重合時の化合物（Ｉ）の濃度が低い程、質量平均分子量および数平均分子量が大きく、有機溶剤に可溶な組成物を容易に合成することができる。その意味で、反応液中の化合物（Ｉ）の濃度は、好ましくは３０質量％以下であり、より好ましくは１０質量％以下であり、より好ましくは５質量％以下である。
反応時の生産性の観点では、重合時の化合物（Ｉ）の濃度が高い程有利である。その意味では、重合時の化合物（Ｉ）の濃度は、好ましくは０．１質量％以上であり、より好ましくは１質量％以上である。
【００３４】
本発明における重合反応の最適な条件は、重合開始剤、モノマー、溶媒の種類、濃度等によって異なるが、好ましくは内温０℃〜２００℃、より好ましくは４０℃〜１７０℃、特に好ましくは７０℃〜１５０℃で、好ましくは１〜５０時間、より好ましくは２〜２０時間、特に好ましくは３〜１０時間の範囲である。
また、酸素による重合開始剤の不活性化を抑制するために不活性ガス雰囲気下（例えば窒素、アルゴン等）で反応させることが好ましい。反応時の酸素濃度は好ましくは１００ｐｐｍ以下、より好ましくは５０ｐｐｍ以下、特に好ましくは２０ｐｐｍ以下である。
重合して得られるポリマーの質量平均分子量（Ｍｗ）の好ましい範囲は０．５万〜１００万である。より好ましくは２万〜８０万、特に好ましくは８万〜６０万である。
【００３５】
本発明の組成物に含まれる固形分のうち、化合物（Ｉ）および化合物（Ｉ）同士が反応した重合物の合計が６０質量％以上であることが好ましいが、８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることが、さらに好ましく、９５質量％以上であることが最も好ましい。化合物（Ｉ）同士が反応した重合物が６０質量％以上であることが好ましいが、８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることが、さらに好ましく、９５質量％以上であることが最も好ましい。
固形分中のこれらの含量が大きいほど、密度、屈折率および誘電率の低い膜を形成することができる。
ここで言う固形分とは組成分に含まれる全成分から、揮発性の成分を除いた成分である。揮発性成分には、低分子量化合物に分解した後、揮発する成分も含まれる。揮発性の成分の例としては、水、有機溶剤、熱分解性ポリマー、熱離脱性置換基等が挙げられる。
本発明の固形分に含まれる、化合物（Ｉ）同士が反応した重合物以外の成分としては、不揮発性の化合物（Ｉ）、化合物（Ｉ）の共重合物中に含まれる化合物（Ｉ）の反応物以外の成分、不揮発性の添加物などが挙げられる。
残存した化合物（Ｉ）については、固形分のＧＰＣチャート、ＨＰＬＣチャート、ＮＭＲスペクトル、ＵＶスペクトル、ＩＲスペクトル等から定量できる。共重合物中の成分については、仕込み比で判断できる場合もあるが、固形分を必要に応じて精製した後、ＮＭＲスペクトル、ＵＶスペクトル、ＩＲスペクトル、元素組成等の測定を行うことによっても定量できる。
不揮発性添加物については、添加した量を固形分中の存在量として用いる方法、固形物のＧＰＣチャート、ＨＰＬＣチャートから定量する方法が可能であるが、固形分を必要に応じて精製した後、ＮＭＲスペクトル、ＵＶスペクトル、ＩＲスペクトル、元素組成等の測定を行うことによっても定量できる。
固形分から、これらを除いたものが、化合物（Ｉ）同士が反応した重合物である。
【００３６】
本発明の組成物は、さらに酸化防止剤を含有することを特徴とする。酸化防止剤を添加することにより、フォトリソ、CMP等各工程に起因する膜の酸化による誘電率上昇等、特性劣化を抑制することができる。
ここで酸化防止剤は、たとえば大成社「新版プラスチックス配合剤  基礎と応用」、大成社「酸化防止剤ハンドブック」、工業調査会「プラスチック添加剤ノート」等に記載されたものがあげられる。
本発明で使用できる酸化防止剤の質量平均分子量は100〜50000が好ましく、より好ましくは150〜30000、特に好ましくは200〜20000である。
酸化防止剤としてはフェノール系酸化防止剤、ヒンダードアミン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、およびリン系酸化防止剤が好ましく、フェノール系酸化防止剤、ヒンダードアミン系酸化防止剤がとくに好ましい。
【００３７】
フェノール系酸化防止剤は、下記構造を分子内に少なくとも一つ有するものが挙げられる。
【００３８】
【化８】
2008078557.tif 000009
【００３９】
上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ独立して、水素、メチル基、ｔ-ブチル基または連結基であり、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３のうち少なくとも１つはｔ-ブチル基であり、かつ残りの２つのうち水素は１つ以下である。Ｒ１〜Ｒ３が連結基（好ましくは２〜４価）となって複数の当該構造を連結していてもよい。
Ｒ4は水素原子または置換基を表し、置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子）、アルキル基（炭素数１〜２０のアルキル基で、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、２−ブチル、ヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、シクロヘキシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル）、アリール基（炭素数２〜２０のアリール基で、たとえば、フェニル、１−ナフチル）、ヘテロ環基（炭素数１〜２０のヘテロ環基で、例えば、４−ピペリジニル、２−フリル、２−ピラニル）、アルコキシ基（炭素数１〜２０のアルコキシ基で、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、２−ブトキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ドデシルオキシ、シクロヘキシルオキシ）、アリールオキシ基（炭素数６〜２０のアリールオキシ基で、例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ）、アシルオキシ基（炭素数２〜２０のアシルオキシ基で、例えば、アセトキシ、ブトキシ、ベンゾイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（炭素数２〜２０のアルコキシカルボニルオキシ基で、たとえば、メトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ）、アミノ基（炭素数０〜２０のアミノ基で、例えば、アミノ、メチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ、エチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ、ブチルアミノ、２−エチルヘキシルアミノ、テトラデシルアミノ、シクロヘキシルアミノ）、アリールアミノ基（炭素数６〜２０のアリールアミノ基で、例えば、アニリノ、１−ナフチルアミノ）、アシルアミノ基（炭素数２〜２０のアシルアミノ基で、例えば、アセチルアミノ、ブタノイルアミノ、ベンゾイルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（炭素数２〜２０のアルコキシカルボニルアミノ基で、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、シクロヘキシルオキシカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（炭素数１〜２０のアミノカルボニルアミノ基で、例えば、ウレイド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ）、アルキルチオ基（炭素数１〜２０のアルキルチオ基で、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ブチルチオ、オクチルチオ、２−エチルヘキシルチオ、ドデシルチオ、シクロヘキシルチオ）、アリールチオ基（炭素数６〜２０のアリールチオ基で、例えば、フェニルチオ、１−ナフチルチオ）、及びアルコキシカルボニル基（炭素数２〜２０のアルコキシカルボニル基で、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ブトキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル）が挙げられる。好ましい置換基は、アルキル基およびアルコキシ基であり、アルキル基がさらに好ましい。該置換基が連結基（好ましくは２〜４価）となって複数の当該構造を連結していてもよい。Ｒ4は炭素数１〜３０を有する基であるのが好ましく、その中に、アルキレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−またはイソシアヌレート構造を有していてもよい。ｎは０〜３の整数、好ましくは１を表す。
【００４０】
フェノール系酸化防止剤の具体例としては、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、４，４´−ブチリデンビス−（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェノール）、２，２´−メチレンビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２´−メチレンビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、１，１，３−トリス（２−メチル−４ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、ｎ−オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、テトラキス〔メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタン、トリエチレングリコールビス〔３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート〕、トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４・ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、ジラウリルチオジプロピオネート、ジステアリルチオジプロピオネート、ジミリスチルチオジプロピオネート、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェノール）ブタン等が挙げられる。
【００４１】
ヒンダードアミン系酸化防止剤は、下記構造を分子内に少なくとも一つ有するものが挙げられる。
【００４２】
【化９】
2008078557.tif 000010
【００４３】
式中、Ｒ１１は、水素原子または置換基を表し、好ましくは水素またはメチル基である。Ｒ１２は水素原子または置換基を表し、置換基としては、前記Ｒ4で表される置換基として挙げたものが挙げられる。好ましい置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アミノ基、及びアシルアミノ基であり、アシルオキシ基及びアミノ基がさらに好ましい。前記置換基が２価以上の連結基となって複数の当該ヒンダードアミン構造を連結していてもよく、前記連結基としては、アルキレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−、イソシアヌレート構造、またはこれらを組み合わせてなる基が好ましい。Ｒ12は好ましくは窒素原子を含んでいてもよい、炭素数１〜３０の基である。またヒンダードアミン系酸化防止剤は当該構造を繰り返し単位中に含むポリマーであってもよい。
【００４４】
ヒンダードアミン系酸化防止剤の具体例としては、ビス−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジニル）セバケート、ビス−（Ｎ−メチル−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジニル）セバケート、ビス−（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジニル）−２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル４−ヒドロキシ−ベンジル）−２−ｎ−ブチルマロネート、テトラキス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジニル）−１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート、テトラキス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジニル）−１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート等が挙げられる。
【００４５】
また、下記一般式で表される構造を有するイオウ酸化防止剤を使用してもよい。
【００４６】
【化１０】
2008078557.tif 000011
【００４７】
式中、Ｒ21は、水素原子または置換基を表し、Ｒ22は、水素原子または置換基を表し、該置換基が連結基となって複数の当該構造を連結していてもよい。置換基としては、前記Ｒ4で表される置換基として挙げたもののうち、炭素原子で結合する基を挙げることができ、アルキル基が好ましい。置換基としては、その中に、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−を有していてもよく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−を有しているアルキル基が好ましい。
【００４８】
イオウ系酸化防止剤としては、例えば、ジトリデシルチオジプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）等が挙げられる。
【００４９】
また、下記一般式で表される構造を有するリン系酸化防止剤を使用することもできる。
【００５０】
【化１１】
2008078557.tif 000012
【００５１】
式中、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３はそれぞれ独立して、置換基を表し、置換基としては、前記Ｒ4で表される置換基として挙げたもののうち、炭素原子で結合する基を挙げることができる。置換基は、好ましくはアルキル基及びアリール基である。該アルキル基にはエーテル結合が含まれていてもよい。Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３は連結基となって複数の当該構造を連結していてもよい。さらにＲ３１、とＲ３２、あるいはＲ３１とＲ３３、またはＲ３２とＲ３３は互いに結合して環を形成してもよい。
【００５２】
リン系酸化防止剤としては、例えば、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールホスファイト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４−ビフェニレン−ジ−ホスホナイト等が好適に用いられる。
【００５３】
本発明の酸化防止剤は１種のみ、または２種以上を混合して用いてよい。
本発明の酸化防止剤の使用量は、組成物に含まれる化合物（Ｉ）または該化合物（Ｉ）の反応物１００質量部に対して、好ましくは０．００１〜５０質量部、より好ましくは０．００５〜１０質量部、特に好ましくは０．０１〜５質量部である。
これらの酸化防止剤は、市販のものを用いることもできるし、一般的な合成法で合成することもできる。市販の酸化防止剤としては、（株）ＡＤＥＫＡ製のアデカスタブシリーズ、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製のイルガノックス(Irganox)シリーズ、住友化学（株）製のスミライザーシリーズ、川口化学工業（株）製のアンテージ(Antage)シリーズ、又は（株）エーピーアイコーポレーション製のヨシノックスシリーズを好ましく用いることができる。
【００５４】
本発明の組成物は有機溶媒に可溶であることが好ましい。ここで、有機溶媒に可溶であるとは、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルおよびγ−ブチロラクトンから選ばれる溶媒に、２５℃で、５質量％以上溶解することと定義するが１０質量％以上溶解することが好ましく、２０質量％以上溶解することが、より好ましい。
【００５５】
本発明の組成物中の固形分のＧＰＣポリスチレン換算質量平均分子量（Ｍｗ）は、０．５万〜１００万であることが好ましいが、２万〜８０万であることがより好ましく、４万〜６０万であることが、より好ましく、８万〜６０万であることが、よりいっそう好ましく、１２万〜６０万であることが最も好ましい。
なお、本発明におけるＧＰＣポリスチレン換算値は、Ｗａｔｅｒｓ２６９５およびＳｈｏｄｅｘ製ＧＰＣカラムＫＦ−８０５Ｌを使用し、カラム温度４０℃で、溶出溶媒としてテトラヒドロフランを毎分１ｍｌの流量で用い、試料濃度０．５質量％のテロラヒドロフラン溶液を５０μｌ注入し、ＲＩ検出装置（Ｗａｔｅｒｓ２４１４）の積分値を用いて単量体の検量線を作成し、固形分中の単量体を定量し、ＭｎおよびＭｗは標準ポリスチレンを用いて作製した検量線を用いて計算した値である。
本発明の組成物に含まれる固形分のＧＰＣチャートから化合物（Ｉ）単量体を除いた部分のＭｗが０．７万〜１００万であることが好ましいが、２．５万〜８０万が好ましく、５万〜〜６０万であることがさらに好ましく、１０万〜６０万であることがよりいっそう好ましく、１４万〜６０万あることが、最も好ましい。
【００５６】
本発明の組成物中の固形分のＧＰＣによるポリスチレン換算数平均分子量（Ｍｎ）は、０．１万〜３０万であることが好ましいが、０．３万〜２５万であることがより好ましく、１万〜２０万であることが、より好ましく、２万〜２０万であることが、よりいっそう好ましく、３万〜２０万であることが最も好ましい。
本発明の組成物に含まれる固形分のＧＰＣチャートから化合物（Ｉ）単量体を除いた部分のＭｎは０．３万〜３０万であることが好ましいが、０．６万〜２５万が好ましく、１．２万〜２０万であることがさらに好ましく、２．４万〜２０万であることがよりいっそう好ましく、３．６万〜２０万であることが、最も好ましい。
これらの平均分子量が大きいほど、密度、屈折率および誘電率の低い膜を形成することができるが、これらの平均分子量が大きいと有機溶剤に対する不溶物を生成しやすくなる。平均分子量が上記の範囲であれば、低密度、低屈折率および低誘電率と、有機溶剤に対する溶解性、ろ過性を両立できる。
本発明のポリマーは分子量３００万以上の成分を実質的に含まないことが好ましく、２００万以上の成分を実質的に含まないことがより好ましく、１００万以上の成分を含まないことが最も好ましい。
【００５７】
本発明の組成物が化合物（Ｉ）同士の重合物を含む場合、ＧＰＣチャートから計算した、本発明の組成物に含まれる固形分の分散度（Ｍｗ/Ｍｎ）は１〜１５が好ましく、１〜１０が、より好ましく、1〜５が最も好ましい。Ｍｗが同じであった場合、分散度が小さいほうが、密度、屈折率および誘電率の低い膜を形成することができる。
本発明の組成物に含まれる固形分中の未反応の化合物（Ｉ）は、４０質量％以下であるが、２０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることがさらに好ましく、２質量％以下であることが、最も好ましい。
本発明の組成物に含まれる固形分中では、化合物（Ｉ）のビニル基またはエチニル基のうち、１〜９０モル％が未反応で残存していることが好ましく、５〜７０モル％が未反応で残存していることが好ましく、１０〜５０モル％が未反応で残存していることが最も好ましい。
また、本発明の組成物中の、化合物（Ｉ）の重合物には、重合開始剤、添加剤または重合溶媒が０．１〜４０質量％結合していてもよいが、０．１〜２０質量％が好ましく、０．１〜１０質量％が、より好ましく、０．１〜５質量％が最も好ましい。
これらについては、組成物のＮＭＲスペクトル等から定量することができる。
本発明の組成物は、化合物（Ｉ）の重合物を含む粒子状のポリマーを含んでいることが好ましい。粒子状ポリマーの粒径は１〜２００ｎｍであることが好ましく、２〜１００ｎｍであることが、より好ましく、３〜５０あることがさらに好ましく、３〜１０ｎｍであることが最も好ましい。粒径については光散乱測定法等によって測定できる。
【００５８】
上述した物性を有する組成物を製造する方法としては、化合物（Ｉ）を重合させる際に、高希釈条件を用いる、連鎖移動剤を添加する、反応溶剤を最適化する、重合開始剤を連続添加する、化合物（Ｉ）を連続添加する、ラジカルトラップ剤を添加するなどの方法が挙げられる。
また、化合物（Ｉ）を重合させた後、不溶物をろ過する、カラムクロマトグラフィーを用いて精製する、再沈殿処理により精製する、などの方法を用いることも可能である。
ここで、再沈殿処理とは、必要に応じて反応溶媒を留去した反応液に、貧溶媒（本発明の組成物を実質的に溶解しない溶媒）を加える、もしくは必要に応じて反応溶媒を留去した反応液を、貧溶媒に滴下することにより、本発明の組成物を析出させ、これをろ取することである。
貧溶媒としては、アルコール類（メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール）炭化水素類（ヘキサン、ヘプタン）などが好ましい。貧溶媒として、本発明の組成物の等質量〜２００倍質量を用いることが好ましく、２倍質量〜５０倍質用いることが、より好ましい。
【００５９】
本発明の組成物を製造する際には、化合物（Ｉ）の重合反応を行った反応液をそのまま本発明の組成物として用いてもよいし、反応溶媒を留去し、濃縮して用いることが好ましい。また、再沈殿処理を行った後に用いることが好ましい。
濃縮する方法としては、ロータリーエバポレーター、蒸留装置または重合反応を行った反応装置などを用いて、反応液を加熱および／または減圧することによって行うことが好ましい。濃縮時の反応液の温度は、一般的には０℃〜１８０℃であり、１０℃〜１４０℃が好ましく、２０℃〜１００℃が、より好ましく、３０℃〜６０℃が最も好ましい。濃縮時の圧力は、一般的に、０．１３３Ｐａ〜１００ｋＰａであり、好ましくはは１．３３Ｐａ〜１３．３ｋＰａであり、より好ましくは、１．３３Ｐａ〜１．３３ｋＰａである。
反応液を濃縮する際は、反応液中の固形分含量が１０質量％以上になるようになるまで濃縮することが好ましく、３０％質量以上になるまで濃縮することがより好ましく、５０％質量以上になるまで濃縮することが最も好ましい。
【００６０】
本発明において、化合物（Ｉ）の重合体は、適当な溶剤に溶解させて、支持体上に塗布して使用することが好ましい。使用できる溶剤としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、メチルイソブチルケトン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、ジメチルイミダゾリジノン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、イソプロパノール、エチレンカーボネート、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等が好ましく、これらの溶剤を単独あるいは混合して使用する。
【００６１】
上記の中でも、好ましい溶剤としてはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレンカーボネート、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、メチルイソブチルケトン、キシレン、メシチレン、ジイソプロピルベンゼンを挙げることができる。
【００６２】
本発明の組成物を適当な溶剤に溶解させて得られる溶液も本発明の組成物の範囲に含まれる。本発明の溶液中の全固形分濃度は、好ましくは、１〜３０質量％であり、使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃度が１〜３０質量％であると、塗膜の膜厚が適当な範囲となり、塗布液の保存安定性もより優れるものである。
【００６３】
本発明の組成物には、重合開始剤が含まれていてもよいが、重合開始剤が含まれていないほうが組成物の保存安定性がよいので好ましい。
ただし、本発明の組成物を低温で硬膜する必要がある場合は、重合開始剤を含んでいることが好ましい。その場合の重合開始剤の例としては前述したものと同じものが挙げられる。また、この目的で、放射線により重合を引きおこす開始剤を使用することもができる。
【００６４】
本発明の組成物には不純物としての金属含量が充分に少ないことが好ましい。組成物の金属濃度はＩＣＰ−ＭＳ法にて高感度に測定可能であり、その場合の遷移金属以外の金属含有量は好ましくは３０ｐｐｍ以下、より好ましくは３ｐｐｍ以下、特に好ましくは３００ｐｐｂ以下である。また、遷移金属に関しては酸化を促進する触媒能が高く、プリベーク、熱硬化プロセスにおいて酸化反応によって本発明で得られた膜の誘電率を上げてしまうという観点から、含有量がより少ないほうがよく、好ましくは１０ｐｐｍ以下、より好ましくは１ｐｐｍ以下、特に好ましくは１００ｐｐｂ以下である。
組成物の金属濃度は本発明の組成物を用いて得た膜に対して全反射蛍光Ｘ線測定を行うことによっても評価できる。Ｘ線源としてＷ線を用いた場合、金属元素としてＫ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄが観測可能であり、それぞれ１００×１０１０ｃｍ−２以下が好ましく、より好ましくは５０×１０１０ｃｍ−２以下、特に好ましくは１０×１０１０ｃｍ−２以下である。また、ハロゲンであるＢｒも観測可能であり、残存量は１００００×１０１０ｃｍ−２以下が好ましく、より好ましくは１０００×１０１０ｃｍ−２以下、特に好ましくは４００×１０１０ｃｍ−２以下である。また、ハロゲンとしてＣｌも観測可能であるが、ＣＶＤ装置、エッチング装置等へダメージを与えるという観点から残存量は１００×１０１０ｃｍ−２以下が好ましく、より好ましくは５０×１０１０ｃｍ−２以下、特に好ましくは１０×１０１０ｃｍ−２以下である。
【００６５】
更に、本発明の組成物には、得られる絶縁膜の特性（耐熱性、誘電率、機械強度、塗布性、密着性等）を損なわない範囲で、ラジカル発生剤、コロイド状シリカ、界面活性剤、シランカップリング剤、密着剤などの添加剤を添加してもよい。
【００６６】
本発明にいかなるコロイド状シリカを使用してもよい。例えば、高純度の無水ケイ酸を親水性有機溶媒もしくは水に分散した分散液であり、通常、平均粒径５〜３０ｎｍ、好ましくは１０〜２０ｎｍ、固形分濃度が５〜４０質量％程度のものである。
【００６７】
本発明にいかなる界面活性剤を使用してもよいが、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤などが挙げられ、さらにシリコーン系界面活性剤、含フッ素系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、アクリル系界面活性剤が挙げられる。本発明で使用する界面活性剤は、一種類でもよいし、二種類以上でもよい。界面活性剤としては、シリコーン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、含フッ素系界面活性剤、アクリル系界面活性剤が好ましく、特にシリコーン系界面活性剤が好ましい。
【００６８】
本発明で使用する界面活性剤の添加量は、膜形成塗布液の全量に対して０．０１質量％以上１質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以上０．５質量％以下であることが更に好ましい。
【００６９】
本発明において、シリコン系界面活性剤とは、少なくとも１原子のSi原子を含む界面活性剤である。本発明に使用するシリコン系界面活性剤としては、いかなるシリコン系界面活性剤でもよく、アルキレンオキシド及びジメチルシロキサンを含む構造であることが好ましい。下記化学式を含む構造であることが更に好ましい。
【００７０】
【化１２】
2008078557.tif 000013
【００７１】
式中Ｒ1は水素原子または炭素原子数１〜５のアルキル基であり、ｘは１〜２０の整数
であり、ｍ、ｎはそれぞれ独立に２〜１００の整数である。複数のＲ1は同じでも異なっ
ていてもよい。
【００７２】
本発明に使用するシリコーン系界面活性剤としては、例えばＢＹＫ３０６、ＢＹＫ３０７（ビックケミー社製）、ＳＨ７ＰＡ、ＳＨ２１ＰＡ、ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ（東レ・ダウコーニング・シリコーン社製）、ＴｒｏｙｓｏｌＳ３６６（トロイケミカル社製）等を挙げることができる。
【００７３】
本発明に使用するノニオン系界面活性剤としては、いかなるノニオン系界面活性剤でもよい。例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアリールエーテル類、ポリオキシエチレンジアルキルエステル類、ソルビタン脂肪酸エステル類、脂肪酸変性ポリオキシエチレン類、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロック共重合体等を挙げることができる。
【００７４】
本発明に使用する含フッ素系界面活性剤としては、いかなる含フッ素系界面活性剤でもよい。例えば、パーフルオルオクチルポリエチレンオキシド、パーフルオルデシルポリエチレンオキシド、パーフルオルドデシルポリエチレンオキシド等が挙げられる。
【００７５】
本発明に使用するアクリル系界面活性剤としては、いかなるアクリル系界面活性剤でもよい。例えば、（メタ）アクリル酸系共重合体等が挙げられる。
【００７６】
本発明にいかなるシランカップリング剤を使用してもよいが、例えば、３−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノグリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルメチルジメトキシシラン、１−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。本発明で使用するシランカップリング剤は、一種類でもよいし、二種類以上でもよい。
【００７７】
本発明にはいかなる密着促進剤を使用してもよいが、例えば、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、トリメトキシビニルシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、アルミニウムモノエチルアセトアセテートジイソプロピレート、ビニルトリス(2-メトキシエトキシ)シラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-クロロプロピルメチルジメトキシシラン、3-クロロプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、トリメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフエニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジフエニルジメトキシシラン、フエニルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）ウレア、ジメチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾール、ビニルトリクロロシラン、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、チオ尿素化合物等を挙げることができる。官能性シランカップリング剤が密着促進剤として好ましい。密着促進剤の好ましい使用量は、全固形分１００質量部に対して１０質量部以下、特に０．０５〜５質量部であることが好ましい。
【００７８】
本発明の組成物には膜の機械強度の許す範囲内で、空孔形成因子を使用して、膜を多孔質化し、低誘電率化を図ることができる。
空孔形成剤となる添加剤の空孔形成因子としては特に限定はされないが、非金属化合物が好適に用いられ、膜形成用塗布液で使用される溶剤との溶解性、本発明重合体との相溶性を同時に満たすことが必要である。
【００７９】
空孔形成剤としてはポリマーも使用することができる。空孔形成剤として使用できるポリマーとしては、例えば、ポリビニル芳香族化合物（ポリスチレン、ポリビニルピリジン、ハロゲン化ポリビニル芳香族化合物など）、ポリアクリロニトリル、ポリアルキレンオキシド（ポリエチレンオキシドおよびポリプロピレンオキシドなど）、ポリエチレン、ポリ乳酸、ポリシロキサン、ポリカプロラクトン、ポリカプロラクタム、ポリウレタン、ポリメタクリレート（ポリメチルメタクリレートなど）またはポリメタクリル酸、ポリアクリレート（ポリメチルアクリレートなど）およびポリアクリル酸、ポリジエン（ポリブタジエンおよびポリイソプレンなど）、ポリビニルクロライド、ポリアセタール、およびアミンキャップドアルキレンオキシド、その他、ポリフェニレンオキシド、ポリ（ジメチルシロキサン）、ポリテトラヒドロフラン、ポリシクロヘキシルエチレン、ポリエチルオキサゾリン、ポリビニルピリジン、ポリカプロラクトン等であってもよい。
【００８０】
特にポリスチレンは、空孔形成剤として好適に使用できる。ポリスチレンはとしては、たとえば、アニオン性重合ポリスチレン、シンジオタクチックポリスチレン、未置換および置換ポリスチレン（たとえば、ポリ（α−メチルスチレン））が挙げられ、未置換ポリスチレンが好ましい。
また、空孔形成剤としては熱可塑性のポリマーも使用することができる。熱可塑性空孔形成用ポリマーの例としては、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリフェニレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリエチレンオキシド、ポリ（ジメチルシロキサン）、ポリテトラヒドロフラン、ポリエチレン、ポリシクロヘキシルエチレン、ポリエチルオキサゾリン、ポリカプロラクトン、ポリ乳酸およびポリビニルピリジン等が挙げられる。
【００８１】
またこの空孔形成剤の沸点若しくは分解温度は、好ましくは１００〜５００℃、より好ましくは２００〜４５０℃、特に好ましくは２５０〜４００℃である。分子量としては、２００〜５００００であることが好ましく、より好ましくは３００〜１００００、特に好ましくは４００〜５０００である。  空孔形成剤の添加量は膜を形成する重合体に対して、質量％で好ましくは０．５〜７５％、より好ましくは０．５〜３０％、特に好ましくは１％〜２０％である。
また、空孔形成因子として、重合体の中に分解性基を含んでいてもよく、その分解温度は好ましくは１００〜５００℃、より好ましくは２００〜４５０℃、特に好ましくは２５０〜４００℃であるとよい。分解性基の含有率は膜を形成する重合体のモノマー量に対して、モル％で０．５〜７５％、より好ましくは０．５〜３０％、特に好ましくは１〜２０％である。
【００８２】
本発明の膜形成用組成物はフィルターろ過により、不溶物、ゲル状成分等を除いてから膜形成に用いることが好ましい。その際に用いるフィルターの孔径は０．００１〜０．２μｍが好ましく、孔径０．００５〜０．０５μｍがより好ましく、孔径孔径０．００５〜０．０３μｍが最も好ましい。フィルターの材質はＰＴＦＥ、ポリエチレン、ナイロンが好ましく、ポリエチレンおよびナイロンが、より好ましい。
本発明の膜形成用組成物を使用して得られる膜は、膜形成用組成物をスピンコーティング法、ローラーコーティング法、ディップコーティング法、スキャン法、スプレー法、バー塗布法等の任意の方法により、シリコンウエハ、ＳｉＯ2ウエハ、ＳｉＮウエハ、ガラス、プラスチックフィルムなどの基板に塗布した後、溶剤を必要に応じて加熱処理で除去することにより形成することができる。基板に塗布する方法としては、スピンコーティング法，スキャン法によるものが好ましい。特に好ましくは，スピンコーティング法によるものである。スピンコーティングについては、市販の装置を使用できる。例えば，クリーントラックシリーズ（東京エレクトロン製）、D-スピンシリーズ（大日本スクリーン製）、SSシリーズあるいはCSシリーズ（東京応化工業製）等が好ましく使用できる。スピンコート条件としては、いずれの回転速度でもよいが、膜の面内均一性の観点より、300ｍｍシリコン基板においては1300rpm程度の回転速度が好ましい。また組成物溶液の吐出方法においては、回転する基板上に組成物溶液を吐出する動的吐出、静止した基板上へ組成物溶液を吐出する静的吐出のいずれでもよいが、膜の面内均一性の観点より、動的吐出が好ましい。また、組成物の消費量を抑制する観点より、予備的に組成物の主溶剤のみを基板上に吐出して液膜を形成した後、その上から組成物を吐出するという方法を用いることもできる。スピンコート時間については特に制限はないが、スループットの観点から180秒以内が好ましい。また、基板の搬送の観点より、基板エッジ部の膜を残存させないための処理（エッジリンス、バックリンス）をすることも好ましい。熱処理の方法は、特に限定されないが、一般的に使用されているホットプレート加熱、ファーネス炉を使用した加熱方法、ＲＴＰ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等によるキセノンランプを使用した光照射加熱等を適用することができる。好ましくは、ホットプレート加熱、ファーネスを使用した加熱方法である。ホットプレートとしては市販の装置を好ましく使用でき、クリーントラックシリーズ（東京エレクトロン製）、D-スピンシリーズ（大日本スクリーン製）、SSシリーズあるいはCSシリーズ（東京応化工業製）等が好ましく使用できる。ファーネスとしては、αシリーズ（東京エレクトロン製）等が好ましく使用できる。
【００８３】
本発明の重合体は基板上に塗布した後に硬膜することが好ましい。硬膜とは、基板上の組成物を硬化し、膜に溶剤耐性を与えることを意味する。硬膜の方法としては、加熱処理（焼成）することが特に好ましい。例えば重合体中に残存するビニル基の後加熱時の重合反応が利用できる。この後加熱処理の条件は、好ましくは１００〜４５０℃、より好ましくは２００〜４２０℃、特に好ましくは３５０℃〜４００℃で、好ましくは１分〜２時間、より好ましくは１０分〜１．５時間、特に好ましくは３０分〜１時間の範囲である。後加熱処理は数回に分けて行ってもよい。また、この後加熱は酸素による熱酸化を防ぐために窒素雰囲気下で行うことが特に好ましい。
【００８４】
また、本発明では加熱処理ではなく高エネルギー線を照射することで重合体中に残存するビニル基またはエチニル基の重合反応を起こして硬膜してもよい。高エネルギー線とは、電子線、紫外線、Ｘ線などが挙げられるが、特にこれらの方法に限定されるものではない。
高エネルギー線として、電子線を使用した場合のエネルギーは０〜５０ｋｅＶが好ましく、より好ましくは０〜３０ｋｅＶ、特に好ましくは０〜２０ｋｅVである。電子線の総ドーズ量は好ましくは０〜５μＣ／ｃｍ 2 、より好ましくは０〜２μＣ／ｃｍ 2 、特に好ましくは０〜１μＣ／ｃｍ 2である。電子線を照射する際の基板温度は０〜４５０℃が好ましく、より好ましくは０〜４００℃、特に好ましくは０〜３５０℃である。圧力は好ましくは０〜１３３ｋＰａ、より好ましくは０〜６０ｋＰａ、特に好ましくは０〜２０ｋＰａである。本発明の重合物の酸化を防止するという観点から、基盤周囲の雰囲気はＡｒ、Ｈｅ、窒素などの不活性雰囲気を用いることが好ましい。また、電子線との相互作用で発生するプラズマ、電磁波、化学種との反応を目的に酸素、炭化水素、アンモニアなどのガスを添加してもよい。本発明における電子線照射は複数回行ってもよく、この場合は電子線照射条件を毎回同じにする必要はなく、毎回異なる条件で行ってもよい。
高エネルギー線として紫外線を用いてもよい。紫外線を用いる際の照射波長領域は１９０〜４００ｎｍが好ましく、その出力は基板直上において０．１〜２０００ｍＷｃｍ−２が好ましい。紫外線照射時の基板温度は２５０〜４５０℃が好ましく、より好ましくは２５０〜４００℃、特に好ましくは２５０〜３５０℃である。本発明の重合物の酸化を防止するという観点から、基盤周囲の雰囲気はＡｒ、Ｈｅ、窒素などの不活性雰囲気を用いることが好ましい。また、その際の圧力は０〜１３３ｋＰａが好ましい。
【００８５】
加熱処理と高エネルギー線処理照射を、同時に。または順次行うことにより硬膜してもよい。
絶縁膜を形成する際の膜厚は、乾燥膜厚として、１回塗りで厚さ０．０５〜１．５μｍ程度、２回塗りでは厚さ０．１〜３μｍ程度の塗膜を形成することができる。
カゴ構造が焼成時に分解しないために、組成物及び絶縁膜の製造中にＳｉ原子に求核攻撃する基（水酸基、シラノール基など）が実質的に存在しないことが好ましい。
【００８６】
より具体的には、本発明の組成物を、例えばスピンコート法により、基板（通常は金属配線を有する基板）上に塗布し、予備熱処理を行うことにより溶媒を乾燥させ、次いで３００℃以上４３０℃以下の温度で最終熱処理（アニール）を行うことにより低誘電率の絶縁膜を形成できる。
【００８７】
本発明の膜形成用組成物を使用して得られる膜は、半導体用層間絶縁膜として使用する際、その配線構造において、配線側面にはメタルマイグレーションを防ぐためのバリア層があってもよく、また、配線や層間絶縁膜の上面底面にはCMPでの剥離を防ぐキャップ層、層間密着層の他、エッチングストッパー層等があってもよく、更には層間絶縁膜の層を必要に応じて他種材料で複数層に分けてもよい。
【００８８】
本発明の絶縁膜は、他の含Ｓｉ絶縁膜または有機膜と積層構造を形成させて用いてもよい。炭化水素系の膜と積層して用いることが好ましい。
【００８９】
本発明の膜形成用組成物を使用して得られる膜は、銅配線あるいはその他の目的でエッチング加工をすることができる。エッチングとしてはウエットエッチング、ドライエッチングのいずれでもよいが、ドライエッチングが好ましい。ドライエッチングは、アンモニア系プラズマ、フルオロカーボン系プラズマのいずれもが適宜使用できる。これらプラズマにはArだけでなく、酸素、あるいは窒素、水素、ヘリウム等のガスを用いることができる。また、エッチング加工後に、加工に使用したフォトレジスト等を除く目的でアッシングすることもでき、さらにはアッシング時の残渣を除くため、洗浄することもできる。
【００９０】
本発明の膜形成用組成物を使用して得られる膜は、銅配線加工後に、銅めっき部を平坦化するためCMP（化学的機械的研磨）をすることができる。CMPスラリー（薬液）としては，市販のスラリー（例えば、フジミ製、ロデールニッタ製、JSＲ製、日立化成製等）を適宜使用できる。また、CMP装置としては市販の装置（アプライドマテリアル社製，荏原製作所製等）を適宜使用することができる。さらにCMP後のスラリー残渣除去のため、洗浄することができる。
【００９１】
本発明の膜形成用組成物を使用して得られる膜は、多様の目的に使用することが出来る。例えばＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等の半導体装置、マルチチップモジュール多層配線板等の電子部品における絶縁皮膜として好適であり、半導体用層間絶縁膜、エッチングストッパー膜、表面保護膜、バッファーコート膜の他、ＬＳＩにおけるパッシベーション膜、α線遮断膜、フレキソ印刷版のカバーレイフィルム、オーバーコート膜、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等として使用することが出来る。また、光学装置用の表面保護膜、反射防止膜、位相差膜としても用いることができる。
【００９２】
この方法により、誘電率の低い絶縁膜、すなわち、比誘電率が２．７以下、好ましくは２．５以下の絶縁膜を得ることができる。
【実施例１】
【００９３】
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００９４】
〔合成例１〕
Ｈ２Ｃ＝ＣＨ−Ｓｉ(Ｏ0.5)3ユニット８個からなるカゴ状シルセスキオキサン、Ｈ２Ｃ＝ＣＨ−Ｓｉ(Ｏ0.5)3ユニット１０個からなるカゴ状シルセスキオキサンおよびＨ２Ｃ＝ＣＨ−Ｓｉ(Ｏ0.5)3ユニット１２個からなるカゴ状シルセスキオキサンの混合物（ハイブリッドプラスチックス社製、型番：OL1170）１ｇを酢酸エチル３６１ｇに加えた。窒素気流中で、重合開始剤としてアルケマ吉富社製ルパゾ−ル１１を９５μｌを加え、５時間加熱還流した。室温まで冷却した後、液質量２ｇまで減圧濃縮し、メタノール２０ｍｌを加え、１時間攪拌した後、固形物をろ取、乾燥し、固形分０.８３gを得た。固形分をＧＰＣで分析するとＭｗ＝１７．８万、Ｍｎ＝３．７万であった。固形物中の未反応の出発物質は１質量％以下であった。なお、ＧＰＣとしては、Ｗａｔｅｒｓ２６９５およびＳｈｏｄｅｘ製ＧＰＣカラムを使用し、ＲＩ検出装置（Ｗａｔｅｒｓ２４１４）の積分値を用いて単量体の検量線を作成し、固形分中の単量体を定量した。ＭｎおよびＭｗは標準ポリスチレンを用いて作製した検量線を用いて計算した。
重クロロホルムを測定溶媒として、固形分の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定したところ、ビニル基が重合してできたアルキル基由来のプロトンピークと、残存したビニル基由来のプロトンピークが４３：５７の積分比率で観察され、ビニル基同士が重合していることがわかった。
この組成物０．３ｇにシクロヘキサノン５ｍｌを加えて４０℃で３時間攪拌したところ、均一に溶解した。
さらに界面活性剤としてＢＹＫ３０６（ビックケミー社製）を5μｌ加え、組成物（mix−1）を得た。残存する単量体の質量および添加剤の質量より、組成物（mix−1）中の固形分のうち、単量体のビニル基同士が反応した重合物が６０質量％以上であることは明らかである。
【００９５】
〔合成例２〕
合成例１の出発物質（ハイブリッドプラスチックス社製、型番：OL1170）を精製して得られた、Ｈ２Ｃ＝ＣＨ−Ｓｉ(Ｏ0.5)3ユニット１２個からなるカゴ状シルセスキオキサン１．２ｇを酢酸エチル３ｇに加えた。窒素気流中で、重合開始剤としてアルケマ吉富社製ルパゾ−ル１１を４μｌを加え、５時間加熱還流した。室温まで冷却し、不溶物をろ過した後、液質量２ｇまで減圧濃縮し、メタノール２０ｍｌを加え、１時間攪拌した後、固形物をろ取、乾燥し、固形物０.３２gを得た。固形物をＧＰＣで分析するとＭｗ＝０．８万、Ｍｎ＝０．３万であった。固形物中には未反応の出発物質は１質量％以下であった。この組成物にシクロヘキサノン５ｍｌを加えて４０℃で３時間攪拌したところ、均一に溶解した。さらに界面活性剤としてＢＹＫ３０６（ビックケミー社製）を5μｌ加え、組成物（Ｔ１２−１）を得た。
残存する単量体の質量および添加剤の質量より、組成物中の固形分のうち、単量体のビニル基同士が反応した重合物が６０質量％以上であることは明らかである。
【００９６】
＜実施例１＞
合成例１で得られた組成物を0.99ｇ、テトラキス〔メチレン-3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕メタン（ADEKA社のアデカスタブAO-60）を0.01g、シクロヘキサノン１０ｇに完全に溶解させて塗布液を調製した。この溶液を０．１ミクロンのテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、この塗膜を窒素気流下ホットプレート上で２００℃６０秒間加熱した後、更に窒素置換した４００℃のオーブン中で６０分焼成した結果、膜厚０．５ミクロンのブツのない均一な膜が得られた。膜を温度45℃湿度90％の恒温恒湿槽に24時間保管し、その後大気中温度200℃、1分さらした。膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、製膜直後が２．４１であったのに対し、２．４２であり、酸化促進条件でも、比誘電率に変化がないことが確認された。また、FT-IＲスペクトルに酸化に由来するピークは確認されなかった。
【００９７】
＜実施例２＞
実施例１の合成例１で得られた組成物を合成例２で得られた組成物に代えた以外は、実施例１と同じ方法で、塗布液を調合し、製膜した結果、膜厚０．５ミクロンのブツのない均一な膜が得られた。膜を温度45℃湿度90％の恒温恒湿槽に24時間保管し、その後大気中温度200℃1分さらした。膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、製膜直後が２．４２であったのに対し、２．４３であり、酸化促進条件でも、比誘電率に変化がないことが確認された。また、FT-IＲスペクトルに酸化に由来するピークは確認されなかった。
【００９８】
＜実施例３＞
実施例１のアデカスタブAO-60をビス-（2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジニル）セバケート（ADEKA社のアデカスタブLA-77）に代えた以外は実施例１と同じ方法で、塗布液を調合し、製膜した結果、膜厚０．５ミクロンのブツのない均一な膜が得られた。膜を温度45℃湿度90％の恒温恒湿槽に24時間保管し、その後大気中温度200℃、1分さらした。膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、製膜直後が２．４１であったのに対し、２．４３であり、酸化促進条件でも、比誘電率に変化がないことが確認された。また、FT-IＲスペクトルに酸化に由来するピークは確認されなかった。
【００９９】
＜実施例４＞
実施例１のアデカスタブAO-60をテトラキス（1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジニル）-1,2,3,4-ブタンテトラカルボキシレート（ADEKA社のアデカスタブLA-52）に代えた以外は実施例１と同じ方法で、塗布液を調合し、製膜した結果、膜厚０．５ミクロンのブツのない均一な膜が得られた。膜を温度45℃湿度90％の恒温恒湿槽に24時間保管し、その後大気中温度200℃1分さらした。膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、製膜直後が２．４１であったのに対し、２．４１であり、酸化促進条件でも、比誘電率に変化がないことが確認された。また、FT-IＲスペクトルに酸化に由来するピークは確認されなかった。
【０１００】
＜実施例５＞
実施例１のアデカスタブAO-60をテトラキス（2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジニル）-1,2,3,4-ブタンテトラカルボキシレート（ADEKA社のアデカスタブLA-57）に代えた以外は実施例１と同じ方法で、塗布液を調合し、製膜した結果、膜厚０．５ミクロンのブツのない均一な膜が得られた。膜を温度45℃湿度90％の恒温恒湿槽に24時間保管し、その後大気中温度200℃1分さらした。膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、製膜直後が２．４１であったのに対し、２．４２であり、酸化促進条件でも、比誘電率に変化がないことが確認された。また、FT-IＲスペクトルに酸化に由来するピークは確認されなかった。
【０１０１】
＜比較例１＞
実施例１のアデカスタブAO-60を添加しないこと以外は実施例１と同じ方法で、塗布液を調合し、製膜した結果、膜厚０．５ミクロンのブツのない均一な膜が得られた。膜を温度45℃湿度90％の恒温恒湿槽に24時間保管し、その後大気中温度200℃1分さらした。膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバおよび横川ヒューレットパッカード製のＨＰ４２８５ＡＬＣＲメーターを用いて１ＭＨｚにおける容量値から算出したところ、製膜直後が２．４１であったのに対し、２．６２であり、酸化促進条件で、比誘電率が変化することが確認された。また、FT-IＲスペクトルに酸化に由来するピークが顕著に検出された。