(57)【要約】【課題】所定の異なる処理が互いに他方の雰囲気の影響を受けることが十分に防止された基板処理装置を提供することである。【解決手段】基板処理装置は、鉛直方向に延びる隔壁２００で仕切られた２つの処理空間Ａ，Ｂを有する。各処理空間Ａ，Ｂは複数の階層を含む。処理空間Ａには露光前の処理を行う複数の処理ユニットが配置される。処理空間Ｂには露光後の処理を行う複数の処理ユニットが配置される。処理空間Ａには搬送ユニット１１が配置され、処理空間Ｂには搬送ユニット２１が配置される。受け渡し室ＳＨが処理空間Ａと処理空間Ｂとにわたって配置されている。受け渡し室ＳＨ内には処理空間Ａの搬送ユニット１１との間および処理空間Ｂの搬送ユニット２１との間で基板の受け渡しを行う受け渡しユニット３１が設けられる。【選択図】図４
2008103762.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに隣接する第１の処理空間および第２の処理空間を備え、
前記第１の処理空間内から前記第２の処理空間内に渡って延びるように受け渡し室が設けられ、
前記第１の処理空間と前記第２の処理空間との間に前記受け渡し室の領域を除いて隔壁が設けられ、前記第１の処理空間と前記第２の処理空間との雰囲気が前記隔壁および前記受け渡し室により遮断され、
前記受け渡し室内には、前記第１の処理空間と前記第２の処理空間との間で基板を搬送する受け渡し手段が設けられ、
前記第１の処理空間には、１または複数の第１の処理部、および前記第１の処理部と前記受け渡し手段との間で基板を搬送する第１の搬送手段が設けられ、
前記第２の処理空間には、１または複数の第２の処理部、および前記第２の処理部と前記受け渡し手段との間で基板を搬送する第２の搬送手段が設けられ、
前記第１の処理部は、筐体を有し、前記筐体の内部で基板に所定の処理を行い、
前記第１の処理部において前記第２の処理空間と反対側の前記筐体の面には、前記第１の搬送手段と基板の受け渡しを行うための基板出入口が設けられ、
前記第２の処理部は、筐体を有し、前記筐体の内部で基板に所定の処理を行い、
前記第２の処理部において前記第１の処理空間と反対側の前記筐体の面には、前記第２の搬送手段と基板の受け渡しを行うための基板出入口が設けられたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１および第２の処理空間は、それぞれ上下方向に配置された複数の階層を備え、
前記第１の処理部は、前記複数の階層に複数設けられ、
前記第２の処理部は、前記複数の階層に複数設けられ、
前記第１の処理空間の下側の階層に配置される前記第１の処理部は、所定の処理液を用いて基板の処理を行う処理部であり、前記第１の処理空間の上側の階層に配置される前記第１の処理部は、基板に対して温度処理を行う処理部であり、
前記第２の処理空間の下側の階層に配置される前記第２の処理部は、所定の処理液を用いて基板の処理を行う処理部であり、前記第２の処理空間の上側の階層に配置される前記第２の処理部は、基板に対して温度処理を行う処理部であることを特徴とする請求項１のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３】
互いに隣接する第１の処理空間および第２の処理空間を備え、
前記第１の処理空間内から前記第２の処理空間内に渡って延びるように受け渡し室が設けられ、
前記第１の処理空間と前記第２の処理空間との間に前記受け渡し室の領域を除いて隔壁が設けられ、前記第１の処理空間と前記第２の処理空間との雰囲気が前記隔壁および前記受け渡し室により遮断され、
前記受け渡し室内には、前記第１の処理空間と前記第２の処理空間との間で基板を搬送する受け渡し手段が設けられ、
前記第１の処理空間には、１または複数の第１の処理部、および前記第１の処理部と前記受け渡し手段との間で基板を搬送する第１の搬送手段が設けられ、
前記第２の処理空間には、１または複数の第２の処理部、および前記第２の処理部と前記受け渡し手段との間で基板を搬送する第２の搬送手段が設けられ、
前記第１の処理部は、筐体を有し、前記筐体の内部で基板に第１の洗浄液を用いた第１の洗浄処理を行い、
前記第１の処理部において前記第２の処理空間と反対側の前記筐体の面には、前記第１の搬送手段と基板の受け渡しを行うための基板出入口が設けられ、
前記第２の処理部は、筐体を有し、前記筐体の内部で基板に第２の洗浄液を用いた第２の洗浄処理を行い、
前記第２の処理部において前記第１の処理空間と反対側の前記筐体の面には、前記第２の搬送手段と基板の受け渡しを行うための基板出入口が設けられたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
前記第１の処理空間および前記第２の処理空間は水平方向に並設され、前記受け渡し室は、前記第１の処理空間内から前記第２の処理空間内に渡って延びるように水平方向に配置されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記受け渡し室は、前記第１の処理空間および前記第２の処理空間の外部に面するように配設されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に所定の処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。例えば、半導体デバイスの製造プロセスでは、生産効率を高めるために一連の処理の各々をユニット化し、複数の処理ユニットを統合した基板処理装置が用いられている。
【０００３】
図１７は従来の基板処理装置の一例を示す平面図である。図１７の基板処理装置は、２つの搬送領域ａ，ｂを備える。正面側には基板にフォトレジスト等の処理液の塗布処理を行う回転式塗布ユニット（スピンコータ）ＳＣおよび基板に現像処理を行う回転式現像ユニット（スピンデベロッパ）ＳＤが並設されている。また、搬送領域ａと搬送領域ｂとの間には、基板に密着強化処理を行う密着強化ユニットＡＨ、基板に加熱処理を行う加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび基板に冷却処理を行う冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ複数段に配置されている。
【０００４】
搬送領域ａには、基板を矢印Ｓの方向に搬送するとともに回転式塗布ユニットＳＣおよび回転式現像ユニットＳＤに対して基板の搬入および搬出を行う搬送ユニットＴＲ１が設けられている。また、搬送領域ｂには、基板を矢印Ｓの方向に搬送するとともに密着強化ユニットＡＨ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰに対して基板の搬入および搬出を行う搬送ユニットＴＲ２が設けられている。
【０００５】
この基板処理装置の一端部側には、基板を収納するとともに基板の搬入および搬出を行う搬入搬出装置（インデクサ）ＩＮＤが配置されている。搬入搬出装置ＩＮＤは、基板を収納する複数のカセット１０および基板の搬入および搬出を行う搬送ユニット６１を備える。搬送ユニット６１は、矢印Ｕの方向に移動し、カセット１０から基板を取り出して搬送領域ｂの搬送ユニットＴＲ２に渡し、一連の処理が施された基板を搬送領域ｂの搬送ユニットＴＲ２から受け取ってカセット１０に戻す。
【０００６】
この基板処理装置の他端部側には、外部の装置との間で基板の受け渡しを行う受け渡し装置（インタフェース）ＩＦが設けられている。ここでは、外部の装置として露光装置ＳＴが配置されている。受け渡し装置ＩＦは、搬送ユニット６２を備える。搬送ユニット６２は、矢印Ｕの方向に移動し、搬送領域ｂの搬送ユニットＴＲ２から受け取った基板を露光装置ＳＴに渡し、露光装置ＳＴから受け取った基板を搬送領域ｂの搬送ユニットＴＲ２に渡す。
【０００７】
ここで、図１７の基板処理装置における処理の一例を説明する。まず、カセット１０から取り出された基板に密着強化ユニットＡＨで密着強化処理を行う。密着強化処理では、次の工程で塗布されるフォトレジストと基板との間の密着性を強化するために、密着強化剤としてＨＭＤＳ（ヘキサメチレンジシラザン）が基板上に塗布される。
【０００８】
次に、密着強化処理が行われた基板に対して冷却ユニットＣＰで冷却処理を行った後、回転式塗布ユニットＳＣでフォトレジストを塗布し、加熱ユニットＨＰで加熱処理を行い、冷却ユニットＣＰで冷却処理を行った後、露光装置ＳＴに搬送する。
【０００９】
露光装置ＳＴで露光された基板にポストエクスポージャベークを行った後、回転式現像ユニットＳＤで現像処理を行い、加熱ユニットＨＰで加熱処理を行い、冷却ユニットＣＰで冷却処理を行った後、カセット１０に収納する。その後、その基板に対して他の装置においてエッチング処理が行われる。
【特許文献１】特開平６−３３８５５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
近年、半導体デバイスの高集積化を図るために、微細パターンの形成が可能な高感度の化学増幅型レジストが用いられるようになっている。この化学増幅型レジストは、ベース樹脂、酸発生剤および溶剤からなり、露光処理の際に、レーザ光を受けると、酸発生剤から酸が発生し、この酸がベース樹脂と反応してレジストパターンを形成する。
【００１１】
この化学増幅型レジストは、アルカリ成分に触れると、化学触媒反応が停止する。そのため、露光装置ＳＴによる露光後に、化学増幅型レジストが雰囲気中のアンモニア成分にさらされると、露光により生成された酸が中和され、露光パターンが消失したり、露光精度が損なわれる。
【００１２】
一方、密着強化ユニットＡＨによる密着強化処理では、上記のようにＨＭＤＳが密着強化剤として用いられる。このＨＭＤＳは水分と接触するとアンモニア（アルカリ成分）を発生する性質を有する。したがって、密着強化ユニットＡＨから外部に漏洩したＨＭＤＳが空気中の水分と接触すると、アンモニアが発生する。
【００１３】
このため、露光装置ＳＴによる露光後の基板が密着強化ユニットＡＨの近くを通過すると、アンモニア成分により露光パターンの消失または露光精度の低下が起こるという問題がある。
【００１４】
また、上記の従来の基板処理装置では、搬入搬出装置ＩＮＤの搬送ユニット６１および受け渡し装置ＩＦの搬送ユニット６２に加えて、各処理ユニットに対して基板の搬入および搬出を行うために搬送ユニットＴＲ１，ＴＲ２が設けられている。これにより、基板処理装置の設置面積（フットプリント）が大きくなるという問題がある。
【００１５】
さらに、上記の従来の基板処理装置では、搬送領域ａが基板処理装置の中央部に設けられているので、搬送ユニットＴＲ１の保守を行うためには、周囲の処理ユニットを取り外さなくてはならない。それにより、搬送ユニットＴＲ１の保守を簡単に行うことができないという問題がある。
【００１６】
本発明の目的は、所定の異なる処理が互いに他方の雰囲気の影響を受けることが十分に防止された基板処理装置を提供することである。
【００１７】
本発明の他の目的は、所定の異なる処理が互いに他方の雰囲気の影響を受けることが十分に防止され、かつ設置面積の低減化が可能な基板処理装置を提供することである。
【００１８】
本発明のさらに他の目的は、所定の異なる処理が互いに他方の雰囲気の影響を受けることが十分に防止され、かつ保守を容易に行うことが可能な基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
第１の発明に係る基板処理装置は、互いに隣接する第１の処理空間および第２の処理空間を備え、第１の処理空間内から第２の処理空間内に渡って延びるように受け渡し室が設けられ、第１の処理空間と第２の処理空間との間に受け渡し室の領域を除いて隔壁が設けられ、第１の処理空間と第２の処理空間との雰囲気が隔壁および受け渡し室により遮断され、受け渡し室内には、第１の処理空間と第２の処理空間との間で基板を搬送する受け渡し手段が設けられ、第１の処理空間には、１または複数の第１の処理部、および第１の処理部と受け渡し手段との間で基板を搬送する第１の搬送手段が設けられ、第２の処理空間には、１または複数の第２の処理部、および第２の処理部と受け渡し手段との間で基板を搬送する第２の搬送手段が設けられ、第１の処理部は、筐体を有し、筐体の内部で基板に所定の処理を行い、第１の処理部において第２の処理空間と反対側の筐体の面には、第１の搬送手段と基板の受け渡しを行うための基板出入口が設けられ、第２の処理部は、筐体を有し、筐体の内部で基板に所定の処理を行い、第２の処理部において第１の処理空間と反対側の筐体の面には、第２の搬送手段と基板の受け渡しを行うための基板出入口が設けられたものである。
【００２０】
この基板処理装置において、第１の処理空間では、第１の処理部により筐体の内部で基板に所定の処理が行われる。また、基板収納部、第１の処理部および受け渡し手段の間で第１の搬送手段により基板が搬送される。さらに、基板収納部に基板が収容される。
【００２１】
第２の処理空間では、第２の処理部により筐体の内部で基板に所定の処理が行われる。また、受け渡し手段、第２の処理部および中間受け渡し部の間で第２の搬送手段により基板が搬送される。
【００２２】
本発明に係る基板処理装置においては、第１の処理空間および第２の処理空間の雰囲気が互いに遮断され、第１の処理空間内から第２の処理空間内に渡って延びるように受け渡し室内に受け渡し手段が設けられているので、第１の処理部の雰囲気と第２の処理部の雰囲気とが互いに影響を及ぼすことなく、第１の処理空間と第２の処理空間との間で基板を搬送することができる。
【００２３】
したがって、異なる処理が互いに他方の雰囲気の影響を受けることを十分に防止しつつ、異なる処理間で基板の受け渡しを行うことができる。その結果、一連の基板処理を高い品質を保ちつつ効率的に行うことが可能となる。
【００２４】
また、第１の処理部の基板出入口と第２の処理部の基板出入口とが互いに反対側の面に設けられているので、第１および第２の処理部に対して基板を搬入および搬出する際に、他方の処理空間の雰囲気が処理部内に侵入することを十分に防止することが可能となる。
【００２５】
第１および第２の処理空間は、それぞれ上下方向に配置された複数の階層を備え、第１の処理部は、複数の階層に複数設けられ、第２の処理部は、複数の階層に複数設けられ、第１の処理空間の下側の階層に配置される第１の処理部は、所定の処理液を用いて基板の処理を行う処理部であり、第１の処理空間の上側の階層に配置される第１の処理部は、基板に対して温度処理を行う処理部であり、第２の処理空間の下側の階層に配置される第２の処理部は、所定の処理液を用いて基板の処理を行う処理部であり、第２の処理空間の上側の階層に配置される第２の処理部は、基板に対して温度処理を行う処理部であってもよい。
【００２６】
この場合、第１および第２の処理空間の下側の階層の処理部で所定の処理液を用いて基板の処理を行い、第１および第２の処理空間の上側の階層の処理部で基板に対して温度処理を行う。このように、複数の処理部が処理機能別に階層的に配置されているので、設置面積を低減できる。
【００２７】
また、処理液を用いて基板の処理を行う処理部が下側の階層に配置されているので、液漏れ等が生じた場合に他の処理部への影響が少なく、また処理の状態を目視で確認することができる。
【００２８】
第２の発明に係る基板処理装置は、互いに隣接する第１の処理空間および第２の処理空間を備え、第１の処理空間内から第２の処理空間内に渡って延びるように受け渡し室が設けられ、第１の処理空間と第２の処理空間との間に受け渡し室の領域を除いて隔壁が設けられ、第１の処理空間と第２の処理空間との雰囲気が隔壁および受け渡し室により遮断され、受け渡し室内には、第１の処理空間と第２の処理空間との間で基板を搬送する受け渡し手段が設けられ、第１の処理空間には、１または複数の第１の処理部、および第１の処理部と受け渡し手段との間で基板を搬送する第１の搬送手段が設けられ、第２の処理空間には、１または複数の第２の処理部、および第２の処理部と受け渡し手段との間で基板を搬送する第２の搬送手段が設けられ、第１の処理部は、筐体を有し、筐体の内部で基板に第１の洗浄液を用いた第１の洗浄処理を行い、第１の処理部において第２の処理空間と反対側の筐体の面には、第１の搬送手段と基板の受け渡しを行うための基板出入口が設けられ、第２の処理部は、筐体を有し、筐体の内部で基板に第２の洗浄液を用いた第２の洗浄処理を行い、第２の処理部において第１の処理空間と反対側の筐体の面には、第２の搬送手段と基板の受け渡しを行うための基板出入口が設けられたものである。
【００２９】
この基板処理装置において、第１の処理空間では、第１の処理部により筐体の内部で基板に第１の洗浄液を用いた第１の洗浄処理が行われる。また、基板収納部、第１の処理部および受け渡し手段の間で第１の搬送手段により基板が搬送される。さらに、基板収納部に基板が収容される。
【００３０】
第２の処理空間では、第２の処理部により筐体の内部で基板に第２の洗浄液を用いた第２の洗浄処理が行われる。また、受け渡し手段、第２の処理部および中間受け渡し部の間で第２の搬送手段により基板が搬送される。
【００３１】
本発明に係る基板処理装置においては、第１の処理空間および第２の処理空間の雰囲気が互いに遮断され、第１の処理空間内から第２の処理空間内に渡って延びるように受け渡し室内に受け渡し手段が設けられているので、第１の処理部の雰囲気と第２の処理部の雰囲気とが互いに影響を及ぼすことなく、第１の処理空間と第２の処理空間との間で基板を搬送することができる。
【００３２】
したがって、異なる処理が互いに他方の雰囲気の影響を受けることを十分に防止しつつ、異なる処理間で基板の受け渡しを行うことができる。その結果、一連の基板処理を高い品質を保ちつつ効率的に行うことが可能となる。
【００３３】
また、第１の処理部の基板出入口と第２の処理部の基板出入口とが互いに反対側の面に設けられているので、第１および第２の処理部に対して基板を搬入および搬出する際に、他方の処理空間の雰囲気が処理部内に侵入することを十分に防止することが可能となる。
【００３４】
さらに、第１の処理部は、第１の洗浄液を用いた第１の洗浄処理を行い、第２の処理部は、第２の洗浄液を用いた第２の洗浄処理を行う。
【００３５】
この場合、第１の洗浄液を用いた第１の洗浄処理と第２の洗浄液を用いた第２の洗浄処理とを互いに他方の雰囲気の影響を受けることなく効率的に行うことができる。
【００３６】
第１の処理空間および第２の処理空間は水平方向に並設され、受け渡し室は、第１の処理空間内から第２の処理空間内に渡って延びるように水平方向に配置されてもよい。
【００３７】
この場合、第１の処理空間と第２の処理空間とが水平方向に分離されているので、互いに他方の雰囲気の影響を受けることを十分に防止することが可能となる。
【００３８】
受け渡し室は、第１の処理空間および第２の処理空間の外部に面するように配設されてもよい。
【００３９】
この場合、受け渡し室が第１および第２の処理空間の外部に面しているので、受け渡し室の保守を容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
図１は本発明の第１の実施例における基板処理装置の斜視図、図２は図１の基板処理装置の矢印Ｐ方向の側面図、図３は図１の基板処理装置の矢印Ｑ方向の側面図である。また、図４は図２および図３におけるＸ−Ｘ線断面図、図５は図２および図３におけるＹ−Ｙ線断面図である。さらに、図６、図７、図８、図９および図１０は図４および図５におけるそれぞれＺ１−Ｚ１線断面図、Ｚ２−Ｚ２線断面図、Ｚ３−Ｚ３線断面図、Ｚ４−Ｚ４線断面図およびＺ５−Ｚ５線断面図である。
【００４１】
図１の基板処理装置は、鉛直方向に延びる隔壁（仕切り）２００で仕切られた２つの処理空間Ａ，Ｂを有する。これらの処理空間Ａ，Ｂは、下から上へ順に配置された第１の階層Ｓ１、第２の階層Ｓ２、第３の階層Ｓ３、第４の階層Ｓ４および第５の階層Ｓ５を含む。
【００４２】
処理空間Ａ，Ｂの第１の階層Ｓ１には、化学系ユニットＣＨ１，ＣＨ２がそれぞれ配置されている。化学系ユニットＣＨ１，ＣＨ２は、各種処理液（薬液）、廃液、ポンプおよび排気系を収納する。
【００４３】
処理空間Ａの第２の階層Ｓ２には、基板にフォトレジスト等の処理液の塗布処理を行う複数の回転式塗布ユニット（スピンコータ）ＳＣが隔壁２００に沿って配置されている。処理空間Ｂの第２の階層Ｓ２には、基板に現像処理を行う複数の回転式現像ユニット（スピンデベロッパ）ＳＤが隔壁２００に沿って配置されている。
【００４４】
処理空間Ａの第３の階層Ｓ３には、ＵＬＰＡ（Ｕｌｔｒａ  Ｌｏｗ  Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ  Ａｉｒ  ）フィルタ、化学吸着フィルタ等のフィルタ４１およびファン４２からなる複数の空気調整ユニットＦＦ１が隔壁２００に沿って配置されている（図４参照）。処理空間Ｂの第３の階層Ｓ３には、ＵＬＰＡフィルタ、化学吸着フィルタ等のフィルタ５１およびファン５２からなる複数の空気調整ユニットＦＦ２が隔壁２００に沿って配置されている（図４参照）。
【００４５】
処理空間Ａ，Ｂの第４の階層Ｓ４の正面側には、受け渡し室（シャトル）ＳＨが処理空間Ａと処理空間Ｂとにわたって配置されている。
【００４６】
処理空間Ａの第４の階層Ｓ４の残りの領域には、基板に冷却処理を行う複数の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰ、基板に加熱処理を行う複数の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび基板に密着強化処理を行う複数の密着強化ユニットＡＨが隔壁２００に沿って複数段に配置されている（図２参照）。
【００４７】
処理空間Ｂの第４の階層Ｓ４の残りの領域には、複数の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰ、複数の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰ、基板に露光後加熱処理（ポストエクスクロージャベーク）を行う複数のベークユニット（ベークプレート）ＰＥＢおよび周辺露光処理を行う周辺露光ユニット（エッジ露光ユニット）ＥＥＷが隔壁２００に沿って１段または複数段に配置されている（図３参照）。
【００４８】
化学系ユニットＣＨ１は、上部の回転式塗布ユニットＳＣに対して処理液の供給、廃液の排出および排気を行い、化学系ユニットＣＨ２は、上部の回転式現像ユニットＳＤに対して処理液の供給、廃液の排出および排気を行う。また、空気調整ユニットＦＦ１は、温度および湿度が調整された清浄な空気を下部の回転式塗布ユニットＳＣに供給して回転式塗布ユニットＳＣの雰囲気を調整し、空気調整ユニットＦＦ２は、温度および湿度が調整された清浄な空気を下部の回転式現像ユニットＳＤに供給して回転式現像ユニットＳＤの雰囲気を調整する。
【００４９】
処理空間Ａの回転式塗布ユニットＳＣ、冷却ユニットＣＰ，加熱ユニットＨＰおよび密着強化ユニットＡＨは、隔壁２００と反対側の面に基板の出し入れのための開口部１００を有する（図２参照）。各開口部１００には、シャッタ（図示せず）が開閉自在に設けられている。処理空間Ｂの回転式現像ユニットＳＤ、冷却ユニットＣＰ、加熱ユニットＨＰ、ベークユニットＰＥＢおよび周辺露光ユニットＥＥＷは、隔壁２００と反対側の面に基板の出し入れのための開口部１００を有する。各開口部１００には、シャッタ（図示せず）が開閉自在に設けられている。
【００５０】
また、受け渡し室ＳＨは、処理空間Ａにおける隔壁２００と反対側の面および処理空間Ｂにおける隔壁２００と反対側の面にそれぞれ基板の出し入れのための開口部１００を有する。これらの開口部１００にも、シャッタ（図示せず）が開閉自在に設けられている。図４に示すように、受け渡し室ＳＨ内には、受け渡しユニット３１が矢印Ｈの方向に移動可能に設けられている。
【００５１】
処理空間Ａの隔壁２００と反対側の端部側には、基板を収納する基板収納部ＩＮＤが配置されている。基板収納部ＩＮＤは、基板を収納する複数のカセット１０を備える。基板収納部ＩＮＤの前には、搬送ユニット１１が配置されている。搬送ユニット１１は、上下方向および水平方向に移動可能かつ鉛直方向の軸の周りで回動可能に構成され、カセット１０、受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１および処理空間Ａ内の各処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。
【００５２】
処理空間Ｂの隔壁２００と反対側の端部側には、外部の装置との間で基板の受け渡しを行う中間受け渡し部（インタフェース）ＩＦが配置されている。本実施例では、外部の装置として、露光装置ＳＴが処理空間Ｂに隣接するように配置されている。中間受け渡し部ＩＦは、露光装置ＳＴとの間で、露光前の基板と露光後の基板とを受け渡すためのものであり、露光装置ＳＴとの間で基板の受け渡しを行う図示しない搬送ユニットを有する。また、中間受け渡し部ＩＦの前には、搬送ユニット２１が配置される。搬送ユニット２１は、上下方向および水平方向に移動可能かつ鉛直方向の軸の周りで回動可能に構成され、中間受け渡し部ＩＦ、受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１および処理空間Ｂ内の各処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。
【００５３】
処理空間Ａ，Ｂの第５の階層Ｓ５における基板収納部ＩＮＤの上部、受け渡し室ＳＨの上部および中間受け渡し部ＩＦの上部には、フィルタおよびファンからなる空気調整ユニットＦＦ３が配置されている。
【００５４】
本実施例では、処理空間Ａが第１の処理空間に相当し、処理空間Ｂが第２の処理空間に相当する。また、回転式塗布ユニットＳＣ、冷却ユニットＣＰ、加熱ユニットＨＰおよび密着強化ユニットＡＨが第１の処理部に相当し、回転式現像ユニットＳＤ、冷却ユニットＣＰ、加熱ユニットＨＰ、ベークユニットＰＥＢおよび周辺露光ユニットＥＥＷが第２の処理部に相当する。さらに、受け渡しユニット３１が受け渡し手段に相当し、搬送ユニット１１が第１の搬送手段に相当し、搬送ユニット２１が第２の搬送手段に相当する。
【００５５】
図１１は搬送ユニット１１と受け渡しユニット３１との基板の受け渡し方法を示す平面図であり、（ａ）は受け渡し前の状態を示し、（ｂ）は受け渡し後の状態を示す。
【００５６】
図１１に示すように、基板搬送ユニット１１は、基板Ｗを保持する保持アーム（基板保持部）１２を有する。一方、受け渡しユニット３１は、受け渡し台３２を有する。受け渡し台３２上には、複数の基板保持ピン３３が取り付けられている。
【００５７】
搬送ユニット１１から受け渡しユニット３１への基板の受け渡し時には、基板Ｗを保持する保持アーム１２が受け渡しユニット３１の受け渡し台３２上に前進し、基板Ｗを基板保持ピン３３間に載置して後退する。逆に、受け渡しユニット３１から搬送ユニット１１への基板の受け渡し時には、保持アーム１２が受け渡し台３２上の基板保持ピン３３間に保持された基板Ｗの下部に進入し、基板Ｗを保持して後退する。
【００５８】
なお、処理空間Ｂ内の搬送ユニット２１と受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１との間の基板の受け渡しも、上記と同様に行われる。
【００５９】
なお、本実施例では、搬送ユニット１１と受け渡しユニット３１との受け渡し、および搬送ユニット２１と受け渡しユニット３１との受け渡しを受け渡し室ＳＨ内にて行うようにしているが、例えば、搬送ユニット１１と受け渡しユニット３１の受け渡しにおいては、受け渡し室ＳＨを出た処理空間Ａ内で行うようにしてもよく、また、搬送ユニット２１と受け渡しユニット３１の受け渡しにおいては、受け渡し室ＳＨを出た処理空間Ｂ内で行うようにしてもよい。
【００６０】
次に、図１の基板処理装置の動作を説明する。図１２は図１の基板処理装置における処理の一例を示す図である。
【００６１】
まず、処理空間Ａの搬送ユニット１１が、カセット１０から基板を取り出し、密着強化ユニットＡＨに順次搬送する。これらの密着強化ユニットＡＨでは、密着強化剤としてＨＭＤＳ（ヘキサメチレンジシラザン）を用いて基板に密着強化処理が行われる。次に、搬送ユニット１１は、密着強化処理が行われた基板を冷却ユニットＣＰに順次搬送する。冷却ユニットＣＰでは、基板に冷却処理が行われる。その後、搬送ユニット１１は、冷却処理が行われた基板を回転式塗布ユニットＳＣに順次搬送する。回転式塗布ユニットＳＣでは、基板にフォトレジスト塗布処理が行われる。
【００６２】
次に、搬送ユニット１１は、フォトレジストが塗布された基板を加熱ユニットＨＰに順次搬送する。加熱ユニットＨＰでは、基板に加熱処理が行われる。さらに、搬送ユニット１１は、加熱処理が行われた基板を冷却ユニットＣＰに順次搬送する。冷却ユニットＣＰでは、基板に冷却処理が行われる。その後、搬送ユニット１１は、冷却処理が行われた基板を受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１に渡す。
【００６３】
受け渡しユニット３１は、搬送ユニット１１から渡された基板を処理空間Ａの側から処理空間Ｂの側へ搬送する。処理空間Ｂの搬送ユニット２１は、受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１から基板を受け取り、その基板を中間受け渡し部ＩＦに搬送する。そして、中間受け渡し部ＩＦの図示しない搬送ユニットにより基板を露光装置ＳＴに搬送する。露光装置ＳＴでは、基板に露光処理が行われる。
【００６４】
露光処理の終了後、受け渡し装置ＩＦは、露光処理の終了した基板を露光装置ＳＴから受け取る。そして、搬送ユニット２１は、中間受け渡し部ＩＦ上から基板を受け取り、その基板を周辺露光ユニットＥＥＷに搬送する。周辺露光ユニットＥＥＷでは、基板に周辺露光が行われる。次に、搬送ユニット２１は、周辺露光が行われた基板をベークユニットＰＥＢに順次搬送する。ベークユニットＰＥＢでは、露光後ベーク処理が行われる。次に、搬送ユニット２１は、露光後ベーク処理が行われた基板を冷却ユニットＣＰに順次搬送する。冷却ユニットＣＰでは、基板に冷却処理が行われる。さらに、搬送ユニット２１は、冷却処理が行われた基板を回転式現像ユニットＳＤに順次搬送する。回転式現像ユニットＳＤでは、基板に現像処理が行われる。
【００６５】
その後、搬送ユニット２１は、現像処理が行われた基板を加熱ユニットＨＰに順次搬送する。加熱ユニットＨＰでは、基板に加熱処理が行われる。さらに、搬送ユニット２１は、加熱処理が行われた基板を冷却ユニットＣＰに順次搬送する。冷却ユニットＣＰでは、基板に冷却処理が行われる。その後、搬送ユニット２１は、冷却処理が行われた基板を受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１に渡す。
【００６６】
受け渡しユニット３１は、基板を処理空間Ｂの側から処理空間Ａの側へ搬送する。処理空間Ａの搬送ユニット１１は、受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１から基板を受け取り、その基板をカセット１０に収納する。
【００６７】
図１２において、ＡＨ、ＣＰ、ＳＣ等同一の処理を行う処理部が２つ示されているところでは、スループットを向上させるために同一の処理が並行してなされる。そして、搬送ユニット１１および２１は、その並行して処理がなされている処理部に対し、循環搬送の交互に基板の受け渡しを行うように搬送を行っていく。
【００６８】
このように、本実施例の基板処理装置では、露光前の基板処理が処理空間Ａで行われ、露光後の基板処理が処理空間Ｂで行われ、処理空間Ａの雰囲気と処理空間Ｂの雰囲気とが互いに遮断されているので、露光後の基板が露光前の処理で発生するアルカリ成分の影響を受けることがない。したがって、一連の基板処理を高い品質を保ちつつ効率的に行うことが可能となる。
【００６９】
また、処理空間Ａと処理空間Ｂとが隔壁２００により水平方向に分離されているので、これらの処理空間Ａ，Ｂが互いに他方から雰囲気の影響を受けることが十分に防止される。
【００７０】
さらに、処理空間Ａの各処理ユニットの開口部１００と処理空間Ｂの各処理ユニットの開口部１００とが互いに反対側の面に設けられているので、各処理ユニットに対して基板を搬入および搬出する際に処理ユニット内に他方の雰囲気が侵入することが十分に防止される。
【００７１】
また、複数の処理ユニットが機能別に階層的に配置されているので、フットプリント（設置面積）が低減される。
【００７２】
特に、回転式塗布ユニットＳＣおよび回転式現像ユニットＳＤの直上にそれぞれ空気調整ユニットＦＦ１，ＦＦ２が配置されているので、回転式塗布処理および回転式現像処理の雰囲気を効率的に良好に保つことができる。また、回転式塗布ユニットＳＣおよび回転式現像ユニットＳＤの直下にそれぞれ化学系ユニットＣＨ１，ＣＨ２が配置されているので、単純な配管構造で処理液の供給、廃液の排出および排気を効率的に行うことができる。
【００７３】
また、回転式塗布ユニットＳＣおよび回転式現像ユニットＳＤが中間層に配置されているので、回転式塗布処理および回転式現像処理の状態を目視により容易に確認することができる。
【００７４】
さらに、回転式塗布ユニットＳＣおよび回転式現像ユニットＳＤの上部に空気調整ユニットＦＦ１，ＦＦ２を介して冷却ユニットＣＰ、加熱ユニットＨＰ等の温度処理ユニットが配置されているので、下部の回転式塗布ユニットＳＣおよび回転式現像ユニットＳＤと上部の温度処理ユニットとが互いに他方からの熱および雰囲気の影響を受けにくい。
【００７５】
しかも、回転式塗布ユニットＳＣおよび回転式現像ユニットＳＤが下部の同一階層に平面的に配置されているので、液漏れ等が生じた場合に他の処理ユニットへの影響が少ない。
【００７６】
なお、上記実施例では、受け渡しユニット３１が受け渡し室ＳＨ内で水平方向に移動可能に構成されているが、受け渡し室ＳＨの長さが短い場合には、受け渡しユニット３１が受け渡し室ＳＨの中央部１２に固定されていてもよい。この場合には、搬送ユニット１１，２１の保持アーム１２が受け渡し室ＳＨ内に進入して受け渡しユニット３１上に基板を載置し、あるいは受け渡しユニット３１上に保持された基板を受け取る。
【００７７】
図１３は本発明の第２の実施例における基板処理装置の縦断面図であり、図１４は図１３におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【００７８】
図１３の基板処理装置は、鉛直方向に延びる隔壁２００で分離された２つの処理空間Ａ，Ｂを有する。処理空間Ａ，Ｂは、下から上へ順に配置された第１の階層Ｓ１、第２の階層Ｓ２、第３の階層Ｓ３、第４の階層Ｓ４および第５の階層Ｓ５を含む。
【００７９】
処理空間Ａ，Ｂの第１の階層Ｓ１には、それぞれ化学系ユニットＣＨ１，ＣＨ２が配置されている。処理空間Ａの第２の階層Ｓ２には、第１の洗浄液を用いて基板に洗浄処理を行う複数の回転式洗浄ユニット（スピンスクラバ）ＳＷ１が隔壁２００に沿って配置され、処理空間Ｂの第２の階層Ｓ２には、第２の洗浄液を用いて基板に洗浄処理を行う複数の回転式洗浄ユニット（スピンスクラバ）ＳＷ２が隔壁２００に沿って配置されている。第１の洗浄液はアンモニアおよび過酸化水素水であり、第２の洗浄液は塩酸および過酸化水素水である。
【００８０】
処理空間Ａ，Ｂの第３の階層Ｓ３には、それぞれ空気調整ユニットＦＦ１，ＦＦ２が配置されている。処理空間Ａ，Ｂの第４の階層Ｓ４には、処理空間Ａと処理空間Ｂとにわたる受け渡し室ＳＨが配置されている。受け渡し室ＳＨには、第１の実施例と同様に、受け渡しユニット３１が水平方向に移動可能に設けられている。
【００８１】
処理空間Ａの隔壁２００と反対側の端部側には、第１の実施例と同様に基板収納部ＩＮＤが配置されている。基板収納部ＩＮＤは、複数のカセット１０を備える。
【００８２】
基板収納部ＩＮＤの前には、搬送ユニット１１が配置されている。搬送ユニット１１は、上下方向および水平方向に移動可能に設けられ、受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１および処理空間Ａの各処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。
【００８３】
処理空間Ｂの隔壁２００と反対側の端部側には、搬送ユニット２１を備える。搬送ユニット２１は、上下方向および水平方向に移動可能に設けられ、受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１および処理空間Ｂの各処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。
【００８４】
搬送空間Ａ，Ｂの第５の階層Ｓ５には、空気調整ユニットＦＦ３が配置されている。この基板処理装置においても、処理空間Ａの各処理ユニットの開口部１００と処理空間Ｂの各処理ユニットの開口部１００とが互いに反対側の面に設けられている。
【００８５】
図１５は図１３の基板処理装置における処理の一例を示す図である。
【００８６】
図１５（ａ）の処理では、まず、処理空間Ａの搬送ユニット１１がカセット１０から基板を取り出し、回転式洗浄ユニットＳＷ１に順次搬送する。回転式洗浄ユニットＳＷ１では、基板に第１の洗浄液を用いた洗浄処理が行われる。次に、搬送ユニット１１は、洗浄処理が行われた基板を受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１に渡す。
【００８７】
受け渡しユニット３１は、渡された基板を処理空間Ａの側から処理空間Ｂの側へ搬送する。処理空間Ｂの搬送ユニット２１は、受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１から基板を受け取り、その基板を回転式洗浄ユニットＳＷ２に順次搬送する。回転式洗浄ユニットＳＷ２では、基板に第２の洗浄液を用いた洗浄処理が行われる。その後、基板搬送ユニット２１は、洗浄処理が行われた基板を受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１に渡す。
【００８８】
搬送ユニット３１は、渡された基板を処理空間Ｂの側から処理空間Ａの側へ搬送する。処理空間Ａの搬送ユニット１１は、受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１から基板を受け取り、カセット１０に収納する。
【００８９】
図１５（ｂ）の処理では、まず、処理空間Ａの搬送ユニット１１がカセット１０から基板を取り出し、一方の回転式洗浄ユニットＳＷ１に搬送し、洗浄された基板を他方の回転式洗浄ユニットＳＷ１に搬送する。その後、搬送ユニット１１は、洗浄された基板を受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１に渡す。受け渡しユニット３１は、渡された基板を処理空間Ａの側から処理空間Ｂの側へ搬送する。
【００９０】
処理空間Ｂの搬送ユニット２１は、受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１から基板を受け取り、その基板を一方の回転式洗浄ユニットＳＷ２に搬送し、洗浄された基板を他方の回転式洗浄ユニットＳＷ２に搬送する。その後、搬送ユニット２１は、洗浄された基板を受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１に渡す。受け渡しユニット３１は、渡された基板を処理空間Ｂの側から処理空間Ａの側へ搬送する。処理空間Ａの搬送ユニット１１は、受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１から基板を受け取り、その基板をカセット１０に収納する。
【００９１】
本実施例の基板処理装置においては、第１の洗浄液を用いた洗浄処理が処理空間Ａで行われ、第２の洗浄液を用いた洗浄処理が処理空間Ｂで行われ、処理空間Ａの雰囲気と処理空間Ｂの雰囲気とが互いに遮断されているので、各洗浄処理が他方の洗浄処理の雰囲気の影響を受けない。
【００９２】
図１６は参考例における基板処理装置を示す図であり、（ａ）および（ｂ）はそれぞれ前方側および後方側における縦断面図であり、（ｃ）および（ｄ）はそれぞれ下部側および上部側における横断面図である。
【００９３】
図１６の基板処理装置は、水平方向に延びる隔壁２００で分離された２つの処理空間Ａ，Ｂを備える。すなわち、処理空間Ａ，Ｂは上下方向に積層されている。
【００９４】
処理空間Ａには、複数の回転式塗布ユニットＳＣ、積層された冷却ユニットＣＰ、加熱ユニットＨＰ、密着強化ユニットＡＨが水平方向に並設されている。処理空間Ｂには、複数の回転式現像ユニットＳＤ、積層された冷却ユニットＣＰ、加熱ユニットＨＰ、ベークユニットＰＥＢが水平方向に並設されている。また、処理空間Ａには基板収納部ＩＮＤ１が配置され、処理空間Ｂには基板収納部ＩＮＤ２が配置されている。処理空間Ａには、第１の実施例と同様に、搬送ユニット（図示せず）を備える。処理空間Ｂも、第１の実施例と同様に搬送ユニット（図示せず）を備える。
【００９５】
さらに、処理空間Ａと処理空間Ｂとにわたる受け渡し室ＳＨが上下方向に配置されている。また、受け渡し室ＳＨを挟んで処理空間Ａと反対側の位置に露光装置ＳＴとの間で基板の受け渡しを行う中間受け渡し部ＩＦが配置されている。受け渡し室ＳＨ内には、受け渡しユニット（図示せず）が上下方向に移動可能に設けられている。
【００９６】
処理空間Ａの回転式塗布ユニットＳＣは、基板収納部ＩＮＤ１側に基板の出し入れのための開口部１００を有する。また、回転式現像ユニットＳＤは、中間受け渡し部ＩＦの側に基板の出し入れのための開口部１００を有する。
【００９７】
受け渡し室ＳＨは、処理空間Ａの側、処理空間Ｂの側および中間受け渡し部ＩＦの側にそれぞれ基板の出し入れのための開口部１００を有する。
【００９８】
本参考例の基板処理装置によれば、基板収納部ＩＮＤ１，ＩＮＤ２を処理空間ＡおよびＢのそれぞれに備えているので、塗布処理を処理空間Ａの側で、また現像処理を処理空間Ｂの側で個別に行うことができる。
【００９９】
また、塗布処理から現像処理までを一連して行うに際しては、基板は次のような経路をたどる。まず、処理空間Ａの搬送ユニットにより基板収納部ＩＮＤ１から取り出された基板は、処理空間Ａで順次搬送が行われ、塗布処理がなされた後、受け渡し室ＳＨの受け渡しユニットに受け渡される。受け渡しユニットは、受け取った基板を中間受け渡し部ＩＦに搬送する。そして、中間受け渡し部ＩＦと外部の露光装置ＳＴとの間で基板の受け渡しが行われ、露光処理後の基板は受け渡し室ＳＨの受け渡しユニットまで戻される。再び基板を受け取った受け渡しユニットは、受け渡し室ＳＨを上昇し、処理空間Ｂの搬送ユニットに基板を受け渡す。処理空間Ｂの搬送ユニットにより、基板は処理空間Ｂ内を順次搬送され現像処理が行われて、受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニットに受け渡される。その後、受け渡しユニットは、下降し、処理空間Ａ内の搬送ユニットに基板を搬送する。そして、処理空間Ａ内の搬送ユニットが、基板を基板収納部ＩＮＤ１に収納する。
【０１００】
本参考例の基板処理装置では、塗布処理が処理空間Ａで行われ、現像処理が処理空間Ｂで行われ、処理空間Ａと処理空間Ｂとが互いに遮断されているので、各処理が互いに他方の処理の雰囲気の影響を受けることがない。また、処理空間Ａ，Ｂが上下方向に積層されているので、設置面積（フットプリント）が低減される。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の第１の実施例における基板処理装置の斜視図である。
【図２】図１における矢印Ｐ方向の側面図である。
【図３】図１における矢印Ｑ方向の側面図である。
【図４】図２および図３におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図５】図２および図３におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図６】図４および図５におけるＺ１−Ｚ１線断面図である。
【図７】図４および図５におけるＺ２−Ｚ２線断面図である。
【図８】図４および図５におけるＺ３−Ｚ３線断面図である。
【図９】図４および図５におけるＺ４−Ｚ４断面図である。
【図１０】図４および図５におけるＺ５−Ｚ５線断面図である。
【図１１】搬送ユニットの保持アームおよび受け渡しユニットの受け渡し台を示す平面図である。
【図１２】図１の基板処理装置における処理の一例を示す図である。
【図１３】本発明の第２の実施例における基板処理装置の縦断面図である。
【図１４】図１３におけるＷ−Ｗ線断面図である。
【図１５】図１３の基板処理装置における処理の例を示す図である。
【図１６】参考例における基板処理装置の前方側の縦断面図、後方側の縦断面図、下部側の横断面図および上部側の横断面図である。
【図１７】従来の基板処理装置の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１０２】
Ａ，Ｂ  処理空間
ＣＨ１，ＣＨ２  化学系ユニット
ＳＣ  回転式塗布ユニット
ＳＤ  回転式現像ユニット
ＦＦ１，ＦＦ２，ＦＦ３  空気調整ユニット
ＣＰ  冷却ユニット
ＨＰ  加熱ユニット
ＡＨ  密着強化ユニット
ＰＥＢ  ベークユニット
ＥＥＷ  周辺露光ユニット
ＳＨ  受け渡し室
ＩＮＤ，ＩＮＤ１，ＩＮＤ２  基板収納部
ＩＦ  中間受け渡し部
１１，２１  搬送ユニット
３１  受け渡しユニット
１０  カセット
１００  開口部
２００  隔壁
【図１】
2008103762.tif 000003
【図２】
2008103762.tif 000004
【図３】
2008103762.tif 000005
【図４】
2008103762.tif 000006
【図５】
2008103762.tif 000007
【図６】
2008103762.tif 000008
【図７】
2008103762.tif 000009
【図８】
2008103762.tif 000010
【図９】
2008103762.tif 000011
【図１０】
2008103762.tif 000012
【図１１】
2008103762.tif 000013
【図１２】
2008103762.tif 000014
【図１３】
2008103762.tif 000015
【図１４】
2008103762.tif 000016
【図１５】
2008103762.tif 000017
【図１６】
2008103762.tif 000018
【図１７】
2008103762.tif 000019