(57)【要約】【課題】    加熱処理中に生ずる昇華物の析出が有効に防止される加熱処理装置を実現する。【解決手段】  基板３を加熱すると、基板３の表面に塗布されたレジスト液などから溶剤が気化しあるいは樹脂から昇華したものが天板１０の下面のフッ素樹脂被膜１１で凝集する。凝集物はフッ素樹脂被膜１１の表面に形成されるため微細な径となるが、更にフッ素樹脂被膜は滑りやすいので、傾斜に沿って移動し、天板１０の端部から下方に落下する。凝集液滴が落下する位置は基板３よりも外側にしているため、歩留り低下の原因にはならない。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジング内に被処理体を加熱処理するホットプレートを配置した加熱処理装置において、前記ハウジングの天井面または当該天井面から吊り下げられた天板の下面にはフッ素樹脂またはシリコン樹脂からなる撥水・撥油膜が形成されていることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の加熱処理装置において、前記フッ素樹脂被膜が形成された面はハウジング内の一端に向かって傾斜していることを特徴とする加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体や液晶パネルの製造工程等において使用される加熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶パネルの製造工程においては、ガラス基板やウェーハなどの被処理基板に対し洗浄、コーティング、露光、乾燥等の各種工程が行われている。これらの製造プロセスの中間工程において、プリベークやポストベークが必要となり、この場合、被処理基板を加熱処理装置内で加熱処理してから次段の工程に移行している。
【０００３】
加熱処理装置の構造は、ハウジング内にホットプレートを配置し、被処理基板をホットプレート上に載置し、ホットプレートにより基板を加熱処理するようにしている（特許文献１）。この既知の加熱処理装置では、ホットプレートの上方にパージ室を形成する蓋体が設けられ、この蓋体の裏面にはホットプレートと対向する反射板が形成されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−３２６５３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
加熱処理中には、基板表面に形成された塗布膜から溶剤が気化するだけでなく、前記塗布膜に含まれる樹脂等に起因する昇華成分が昇華し、ハウジングの天井面を含む内側表面に析出する。
【０００６】
ハウジングの天井面に昇華物が析出すると、析出した昇華物が成長し、加熱処理中に基板上に落下してしまうことがある。このように基板上に昇華物が落下するとピンホールなどの不良発生の原因となる。このため、数週間に１回程度、析出した昇華物を除去する清掃を行ない、昇華物が基板上に落下するリスクを低減する必要があり、人手が必要になるとともに清掃の間は装置を停止しなければならず生産効率も低下する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため本発明に係る加熱処理装置は、ハウジングの天井面または当該天井面から吊り下げられた天板の下面に、フッ素樹脂またはシリコン樹脂からなる撥水・撥油被膜を形成するようにした。
撥水・撥油被膜を形成することで、第１に付着する析出物の粒径が極めて小さくなり、第２に仮に天井面や天板から落下した場合でも、気流によって排気口に運ばれ、基板表面に落下する確率が大幅に低減する。
【０００８】
また、ハウジングの天井面または当該天井面から吊り下げられた天板をハウジングの一方（排気口がある側）に向けて傾斜させてもよい。このようにすることで、天井面または天板の下面に付着した析出物となる液体は傾斜に沿って移動し、基板から外れた箇所に落下する。
【０００９】
フッ素樹脂被膜としては、四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレンペルフルオロアルコキシビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体（ＦＥＰ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリビニルフロライド（ＰＶＦ）四フッ化エチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリビリニデンフロライド（ＰＶＤＦ）を用いることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、加熱処理中の被処理体上に析出物が落下する不具合が解消される。また、清掃する回数も低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は本発明による加熱処理装置の一例を示す断面図である。加熱処理装置は、ハウジング１を有し、当該ハウジング１内にホットプレート２を備えている。ホットプレート２は内部に加熱装置を有し、載置した基板（被処理体）３を加熱する。なお、基板３表面にはフォトレジスト組成物等の感光性組成物、ＳＯＧ材料等が塗布されている。
【００１２】
また、加熱処理装置はホットプレート２を貫通する昇降ピン４ａ〜４ｃを備え、加熱処理前の基板３が、シャッタ５を介してアームにより搬入され、上昇したピン４ａ〜４ｃに受け渡され、該ピン４ａ〜４ｃが下降することによりホットプレートに載置される。そして、ホットプレートにて該基板の加熱処理が行われる。
【００１３】
ハウジング１はホットプレート２をはさんで互いに対向する第１及び第２の側壁１ａ及び１ｂおよび天井面１ｃを有し、側壁１ａにはシャッタ５を設け、側壁１ｂには真空源に接続する排気口６を設けている。
【００１４】
ハウジング１の天井面１ｃからはその下面が基板３の表面に接近して対抗する天板１０が吊り下げられている。この天板１０は前記シャッタ５の側が高く排気口６の側が低くなるように全体が傾斜し、更に天板１０の下面には撥水・撥油被膜であるフッ素樹脂被膜１１が形成されている。フッ素樹脂被膜１１の代わりにシリコン樹脂被膜でもよい。
【００１５】
以上において、基板３を加熱すると、基板３の表面に塗布されたレジスト液などから溶剤が気化しあるいは樹脂から昇華したものが天板１０の下面のフッ素樹脂被膜１１で凝集する。凝集物はフッ素樹脂被膜１１の表面に形成されるため微細な径となるが、更にフッ素樹脂被膜は滑りやすいので、図２に示すように傾斜に沿って移動し、天板１０の端部から下方に落下する。凝集液滴が落下する位置は基板３よりも外側にしているため、歩留り低下の原因にはならない。
【００１６】
図３は別実施例を示す断面図であり、この実施例にあっては天板を設けておらず、その代わり、ハウジング１の天井面１ｃにフッ素樹脂被膜１１を形成している。
【００１７】
図３に示した実施例にあっては天井面１ｃは傾斜させていないが、前記実施例と同様に排気口６に向けて傾斜させてもよい。
【００１８】
本発明は上述した実施例だけに限定されず種々の変形や変更が可能である。例えば、排気口を側壁に設けているが、上側壁部または下側壁部に設けてもよい。特に天板を設けた場合には、天板と対向する上側壁部に排気口を設けることができる。
【００１９】
また撥水・撥油被膜を黒色としてもよい。このようにすることで撥水・撥油被膜の温度が上がるため、昇華物が冷却されて析出することを抑制する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明による加熱処理装置の一例を示す断面図
【図２】昇華物の動きについて説明した図
【図３】加熱処理装置の変形例を示す断面図
【符号の説明】
【００２１】
１…ハウジング、１ａ，１ｂ…ハウジングの側壁部、１ｃ…ハウジングの天井面、２…ホットプレート、３…基板、４ａ〜４ｃ…ピン、５…シャッタ、６…排気口、１１…撥水・撥油被膜、１０…天板。  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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