(57)【要約】【課題】外側へ成長するようなマイグレーションの発生を抑制することで信頼性の高い発光素子を提供する。【解決手段】基板１１と、基板１１に積層された発光層１２２を含む半導体層１２と、ｎ電極１３と、ｐ電極１４とを有する発光素子において、ｐ電極１４は、検査プローブが当接するｐボンディング電極１４３と、Ｐボンディング電極１４３を介して検査プローブが当接する位置に積層された第１反射電極１４２ａと、第１反射電極１４２ａと同層に積層された第２反射電極１４２ｂとを備え、第１反射電極１４２ａは、ＡｇやＡｇ合金で形成された第２反射電極１４２ｂより相対的にマイグレーションが発生し難い金属であるＲｈなどで形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板に積層された発光層を含む半導体層と、ｎ電極と、ｐ電極とを有する発光素子において、
前記ｐ電極は、検査プローブが当接するボンディング電極と、前記ボンディング電極を介して前記検査プローブが当接する位置に積層された第１電極と、前記第１電極と同層に積層された第２電極とを備え、
前記第１電極は、前記第２電極より相対的にマイグレーションが発生し難い金属で形成されていることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記第１電極および第２電極は、前記発光層からの光を反射する反射電極であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１電極は、前記ボンディング電極の中央部に位置するように形成されたことを特徴とする請求項１または２記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１電極は、前記ボンディング電極の端部に位置するように形成されたことを特徴とする請求項１または２記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１電極と前記第２電極とは、その間が隙間なく形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかの項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第２電極に前記第１電極の一部が重なるように形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかの項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記反射電極の第１電極は、Ｒｈ，Ａｌ，Ｐｔのうちの一つ以上を含む金属、またはこれらを含む合金であることを特徴とする請求項２から６のいずれかの項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記反射電極の第２電極は、ＡｇまたはＡｇ合金であることを特徴とする請求項２から６のいずれかの項に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板と、前記基板に積層された発光層を含む半導体層と、ｎ電極と、ｐ電極とを有する発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光素子として特許文献１に記載されたものがある。この特許文献１に記載の窒化物半導体発光素子は、ｐ電極を有するｐ型窒化物半導体層と、ｎ電極を有するｎ型窒化物半導体層とを有し、ｐ電極は光を反射する光反射部と導電性部材が接続されるパッド部とからなり、光反射部は第一の層と第一の層より反射率の高いＡｇなどで形成された第二の層とで構成され、そして光反射部はｐ型コンタクト層が露出するように開口部を有している。
【特許文献１】特開２００５−４５０３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、反射電極として、反射率の高い材料としてＡｇなどを採用すると、マイグレーションが発生するおそれがある。マイグレーションは、発光素子の側面を伝わるように延びてｐ層、発光層およびｎ層へと成長する。そうなると短絡や電流のリークが発生する。またｎ電極との短絡を起こすこともある。
【０００４】
特に、製品検査における特性測定においては、発光素子に電圧を印加するために、先端が鋭利な検査プローブがｐ電極のボンディング電極に当接して押圧するので、その押圧力が加わるボンディング電極より下層のその位置で、層構造の均一性が失われマイグレーションが発生しやすい状態になる可能性がある。
【０００５】
そうなるとマイグレーションの成長が徐々に広がり、上述したように短絡や電流のリークが発生して、使用状態において突然、輝度が低下したり、発光しなくなったりするおそれがある。従って、発光素子は、発光不良の一因となるマイグレーションの成長を抑制することで、更なる信頼性の向上が望まれている。
【０００６】
そこで本発明は、外側へ成長するようなマイグレーションの発生を抑制することで信頼性の高い発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の発光素子は、基板と、前記基板に積層された発光層を含む半導体層と、ｎ電極と、ｐ電極とを有する発光素子において、前記ｐ電極は、検査プローブが当接するボンディング電極と、前記ボンディング電極を介して前記検査プローブが当接する位置に積層された第１電極と、前記第１電極と同層に積層された第２電極とを備え、前記第１電極は、前記第２電極より相対的にマイグレーションが発生し難い金属で形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の発光素子は、ボンディング電極を介して検査プローブが当接する位置に第１電極が積層され、第１電極と同層に第２電極が積層され、第１電極は、第２電極より相対的にマイグレーションが発生し難い金属で形成されているので、プローブ痕の下方に第２電極が位置しているよりは第１電極が位置している方が、マイグレーションが発生し難い。従って、プローブ針による押圧によりマイグレーションが成長して、短絡や電流のリークが発生してしまうことを防止することができる。よって、外側へ成長するようなマイグレーションの発生を抑制することで高い信頼性を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本願の第１の発明は、基板と、基板に積層された発光層を含む半導体層と、ｎ電極と、ｐ電極とを有する発光素子において、ｐ電極は、検査プローブが当接するボンディング電極と、ボンディング電極を介して検査プローブが当接する位置に積層された第１電極と、第１電極と同層に積層された第２電極とを備え、第１電極は、第２電極より相対的にマイグレーションが発生し難い金属で形成されていることを特徴としたものである。
【００１０】
検査プローブがボンディング電極に当接して凹んでプローブ痕となっても、その下方には第２電極より相対的にマイグレーションが発生し難い金属で形成された第１電極が位置している。従って、プローブ痕の下方に第２電極が位置しているよりは第１電極が位置している方が、マイグレーションが発生し難いので、プローブ痕直下でのマイグレーションの発生に起因する短絡や電流のリークを防止することができる。
【００１１】
本願の第２の発明は、第１電極および第２電極は、発光層からの光を反射する反射電極であることを特徴としたものである。
【００１２】
発光層からの光を反射する反射電極を、第１電極および第２電極と区分して形成することで、発光層からの光を反射する面を確保しつつ、外側へ成長するようなマイグレーションの発生を抑制することが可能である。
【００１３】
本願の第３の発明は、第１電極は、ボンディング電極の中央部に位置するように形成されたことを特徴としたものである。
【００１４】
第１電極をボンディング電極の中央部に位置させると、特性測定においては検査プローブをボンディング電極の中央部に当接させて検査することになる。従って、検査プローブから印加された電圧により、発光素子の中央部から周囲部へ向かって電流が拡散しながら流れることで、発光面全体で発光させることができるので、発光素子が有する発光機能を十分発揮させた状態で輝度の測定を行うことができる。よって発光素子の輝度を正確に測定することができる。
【００１５】
本願の第４の発明は、第１電極は、ボンディング電極の端部に位置するように形成されたことを特徴としたものである。
【００１６】
第１電極をボンディング電極の端部に位置させると、特性測定においては検査プローブをボンディング電極の端部に当接させて検査することになる。従って、検査プローブをそのボンディング電極の端部に向かって、発光素子の発光面を横切らないように斜め上方から進行させて当接させれば、発光素子の輝度を測定する際に、発光素子からの光を検査プローブが遮蔽してしまう度合いを低いものとすることができる。よって発光素子の輝度の測定に対する影響を最小限にすることができる。
【００１７】
本願の第５の発明は、第１電極と第２電極とは、その間が隙間なく形成されていることを特徴としたものである。
【００１８】
第１電極と第２電極とを反射電極として設けたときには、第１電極と第２電極とに隙間があると、発光層からの光がその隙間を通過して漏れてしまう。従って、第１電極と第２電極とを、その間を隙間なく形成することで、発光層からの光を無駄なく反射して反射効率の低下を抑止することができる。
【００１９】
本願の第６の発明は、第２電極に第１電極の一部が重なるように形成されていることを特徴としたものである。
【００２０】
第１電極の一部を第２電極に重ねて形成すると、第１電極の重なった部分が第２電極のマイグレーションの成長を抑止することができる。
【００２１】
本願の第７の発明は、反射電極の第１電極は、Ｒｈ，Ａｌ，Ｐｔのうちの一つ以上を含む金属、またはこれらを含む合金であることを特徴としたものである。
【００２２】
反射電極の第１電極をＲｈ，Ａｌ，Ｐｔのうちの一つ以上を含む金属、またはこれらを含む合金とすることで、使用状態においてもマイグレーションが発生しない電極とすることができる。
【００２３】
本願の第８の発明は、反射電極の第２電極は、ＡｇまたはＡｇ合金であることを特徴としたものである。
【００２４】
反射電極の第２電極を、ＡｇまたはＡｇ合金とすることで、マイグレーションは発生しやすいが、反射率が例えば、Ｒｈ，Ａｌ，Ｐｔなどの金属や、またはこれらを含む合金と比較して高いので、高輝度な発光素子とすることができる。
【００２５】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係る発光素子を図１および図２に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態１に係る発光素子を示す断面図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る発光素子を示す平面図である。
【００２６】
図１および図２に示すように発光素子１０は、基板１１と、半導体層１２と、ｎ電極１３と、ｐ電極１４とを備えている。基板１１は、窒化系ガリウム半導体であるｎ型ＧａＮで形成されている。
【００２７】
半導体層１２は、ｎ層１２１と、発光層１２２、ｐ層１２３とを備えている。ｎ層１２１は、基板１１にＧａＮやＡｌＧａＮ等を積層して形成されるｎ型半導体層である。ｎ層１２１と基板１１の間にＧａＮやＩｎＧａＮ等で形成したバッファ層を設けることも可能である。発光層１２２は、ｎ層１２１にＩｎＧａＮ等を積層して形成されている。また、ｐ層１２３は、発光層１２２にＡｌＧａＮを積層して形成されるｐ型半導体層である。
【００２８】
ｎ電極１３は、ｎ層１２１に、発光層１２２とｐ層１２３とを積層した後に、ドライエッチングにより発光層１２２とｐ層１２３とｎ層１２１の一部とを除去して、ｎ電極１３を形成する領域を露出させ、この露出したｎ層１２１上に形成されている。ｎ電極１３は、二層構造を有しており、ｎ層１２１と良好に接続するためのｎコンタクト電極１３１と、ボンディングのためにｎボンディング電極１３２とを備えている。ｎコンタクト電極１３１は、コンタクト電極材料としてＴｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｒのいずれか一つ、またはこれらの金属を１種類以上含む合金、導電性膜で形成することができる。ｎボンディング電極１３２は、ボンディングするのに好適なＡｕで形成されている。
【００２９】
ｐ電極１４は、三層構造を有しており、ｐ層１２３側から、ｐコンタクト電極１４１と、反射電極１４２と、ｐボンディング電極１４３とを備えている。
【００３０】
ｐコンタクト電極１４１は、ｐ層１２３上に積層され、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｎｉ、またはこれらの中から少なくとも１種類を含む合金、または導電性膜から形成するのが、半導体層１２とのコンタクト性から望ましい。本実施の形態１では、高透過率を維持することができるため、ｐコンタクト電極１４１をＰｔで形成し、厚みを１０Åとしている。
【００３１】
反射電極１４２は、ｐコンタクト電極１４１上に積層された第１反射電極（第１電極）１４２ａと、第１反射電極１４２ａと同層に積層された第２反射電極（第２電極）１４２ｂとを備えている。反射電極１４２は、発光層１２２からの光を反射する層であり、平面視して略Ｌ字状に形成されている。
【００３２】
第１反射電極１４２ａは、発光素子１０の製品検査における特性測定において検査プローブがｐボンディング電極１４３に当接する位置に略矩形状に形成され、反射電極１４２の端部に位置している。これは特性検査において発光素子１０の輝度を測定する際に、検査プローブが影になって発光素子１０からの光を正確に測定できないことを避けるためである。例えば第１反射電極１４２ａを、反射電極１４２の中央部に設けると、発光面に対して横切るように斜め上方から進行する検査プローブが、発光素子１０から出射した光を遮ることになる。従って、第１反射電極１４２ａを反射電極１４２の一方の端部に寄せて形成することで、寄せた側の方から検査プローブを第１反射電極１４２ａの上方に位置するｐボンディング電極１４３に当接することで、発光素子１０からの光を検査プローブが遮蔽してしまう度合いを低いものとすることができる。従って、発光素子１０の輝度の測定に対する影響を最小限にすることができる。
【００３３】
第１反射電極１４２ａは、Ｒｈ，Ａｌ，Ｐｔのうちの一つ以上を含む金属、またはこれらを含む合金で形成するのが、マイグレーションが発生し難い金属であるので望ましい。本実施の形態１では、マイグレーションが発生しない金属であるＲｈを採用している。
【００３４】
第２反射電極１４２ｂは、第１反射電極１４２ａを除く領域に形成され、マイグレーションが発生するが高い反射率を有しているので、ＡｇまたはＡｇ合金を採用することができる。
【００３５】
ｐボンディング電極１４３は、反射電極１４２を覆うように、かつｐコンタクト電極１４１の周囲側面を囲うように、層厚を１．４μｍに形成されている。こうすることで、Ａｇによるマイグレーション成長の抑止が可能である。ｐボンディング電極１４３は、最表面をＡｕ、またはＡｌとし、それ以下をＲｈ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｐｄ，Ｃｒ、またはこれらの中から少なくとも１種類を含む合金、または導電性膜とするのが、ｐコンタクト電極１４１および反射電極１４２との密着性の点から望ましい。また、ｐボンディング電極１４３は、単層または多層膜とすることができる。本実施の形態１では、ｐボンディング電極１４３を多層としており、１層目をｐコンタクト電極１４１と同じ材料としている。こうすることで密着性を上げることができるので、ＡｇやＡｇ合金から形成された第２反射電極１４２ｂのマイグレーションの成長の抑止に効果的である。
【００３６】
そしてｐボンディング電極１４３の最外層は、ボンディング性の観点からＡｕとするのが望ましい。
【００３７】
以上のように構成される本発明の実施の形態１に係る発光素子の製造方法を、図３に基づいて説明する。図３（Ａ）〜同図（Ｆ）は、本発明の実施の形態１に係る発光素子の製造方法の各工程を示す図である。なお図３（Ａ）〜同図（Ｆ）においては、ウェハとしての基板に半導体層を成膜していくものであるが、便宜上、発光素子１個分のみを図示している。
【００３８】
図３（Ａ）に示すようにウェハ状態の基板１１に、ｎ層１２１、発光層１２２およびｐ層１２３を積層して半導体層１２を形成する。
【００３９】
図３（Ｂ）に示すように、ｎ電極１３を形成する領域をｎ層１２１に至るまでエッチングする。そして、半導体層１２上にｐコンタクト電極１４１を形成する領域を除いて、マスクとしてレジスト層を形成し、ｐコンタクト電極１４１を積層する。そしてレジスト層をアセトンなどの有機溶剤で除去することで、ｐコンタクト電極１４１が形成される。
【００４０】
図３（Ｃ）に示すように、第１反射電極１４２ａを形成する領域を除いて、マスクとしてレジスト層を形成し、第１反射電極１４２ａを形成する。そしてレジスト層をアセトンなどの有機溶剤で除去する。
【００４１】
図３（Ｄ）に示すように、第２反射電極１４２ｂを形成する領域を除いて、マスクとしてレジスト層を形成し、第２反射電極１４２ｂを形成する。そしてレジスト層をアセトンなどの有機溶剤で除去する。
【００４２】
図３（Ｅ）に示すように、ｐコンタクト電極１４１と、第１反射電極１４２ａおよび第２反射電極１４２ｂとを覆うようにｐボンディング電極１４３を形成する。
【００４３】
図３（Ｆ）に示すように、ｎ層１２１に至るまでエッチングした領域にｎ電極１３を形成する。そしてストリートに沿ってダイシングして個片とすることで、図１に示す発光素子１０が得られる。
【００４４】
次に、本発明の実施の形態１に係る発光素子の使用状態を図１および図２に基づいて説明する。製品検査における特性測定においては、検査プローブの一方をｎ電極のｎボンディング電極１３２に、他方をｐ電極１４のｐボンディング電極１４３に当接して電圧を印加する。そして順方向電圧Ｖｆなどを測定して、製品仕様を満足しているか否かの良否判定を行う。
【００４５】
ｎ電極１３とｐ電極１４とに電圧が印加されると、発光層１２２からの光は、一方は基板１１へ向かい、他方は反射電極１４２へ向かう。反射電極１４２の第２反射電極１４２ｂは、高い反射率を有するＡｇまたはＡｇ合金で形成されているので、第２反射電極１４２ｂで反射した光は、基板１１の方向へ向かう光となる。また反射電極１４２の第１反射電極１４２ａに到達した光は、第２反射電極１４２ｂよりも反射率は劣るが光を反射する機能を有しているので、やはり第１反射電極１４２ａで反射して基板１１へ向かう光とすることができる。
【００４６】
検査プローブをｐ電極１４のｐボンディング電極１４３に当接すると、検査プローブの先端は鋭利であり、かつｐボンディング電極１４３が展性の高いＡｕで形成されているので、検査プローブの押圧力でｐボンディング電極１４３にプローブ痕と呼ばれる凹みができる場合がある。検査プローブの押圧力が、ｐボンディング電極１４３を介して反射電極１４２に加わることで、層構造に変化が生じる。反射電極１４２として、マイグレーションが発生しやすい金属材料で形成されていれば、検査プローブが当接する位置でマイグレーションが発生しやすい状態となってしまう。しかし、本実施の形態１に係る発光素子１０は、検査プローブが当接してできるプローブ痕に近い第１反射電極１４２ａを、マイグレーションが発生しないＲｈなどで形成することで、プローブ針による押圧力を受けても、第１反射電極１４２ａでマイグレーションが生じることはない。また、Ａｇで形成された第２反射電極１４２ｂに検査プローブの押圧力が加わらないので、マイグレーションが発生しやすい状態となることを防止することができる。
【００４７】
本実施の形態では、第１反射電極１４２ａをマイグレーションが発生しないＲｈとしたが、この第１反射電極１４２ａを第２反射電極１４２ｂよりも相対的にマイグレーションが発生し難い金属とすれば、第１反射電極１４２ａと第２反射電極１４２ｂとを同じマイグレーションが発生しやすい金属とするよりも抑止効果がある。このように検査プローブが当接する位置にある反射電極１４２として第１反射電極１４２ａを第２反射電極１４２ｂよりも相対的にマイグレーションが発生し難い金属とすることで、層構造の均一性が失われてマイグレーションが発生することによる短絡や電流のリークを防止することができる。
【００４８】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係る発光素子を図４および図５に基づいて説明する。図４は、本発明の実施の形態２に係る発光素子を示す断面図である。図５は、本発明の実施の形態２に係る発光素子を示す平面図である。
【００４９】
図４および図５に示すように発光素子２０は、基板２１の一面側にｎ電極２２が設けられ、他面側に半導体層２３とｐ電極２４とが設けられている。基板２１は、窒化ガリウム系半導体であるｎ型ＧａＮで形成されている。ｎ電極２２は、実施の形態１のｎ電極１３と同様にｎコンタクト電極２２１とｎボンディング電極２２２とすることができる。また半導体層２３も実施の形態１の半導体層１２と同様にｎ層２３１，発光層２３２およびｐ層２３３とすることができ、順次積層することで形成することができる。
【００５０】
ｐ電極２４は、実施の形態１と同様に三層構造を有しており、ｐ層２３３側から、ｐコンタクト電極２４１と、反射電極２４２と、ｐボンディング電極２４３とを備えている。
【００５１】
反射電極２４２は、ｐコンタクト電極２４１上に積層された第１反射電極（第１電極）２４２ａと、第１反射電極２４２ａと同層に積層された第２反射電極（第２電極）２４２ｂとを備えている。第１反射電極２４２ａは、ｐボンディング電極２４３の中央部に位置しており、第２反射電極２４２ｂは第１反射電極２４２ａを囲うように形成されている。  
【００５２】
ｐコンタクト電極２４１と、第１反射電極（第１電極）２４２ａと、第２反射電極（第２電極）２４２ｂと、ｐボンディング電極２４３との材質は、実施の形態１と同様のものが使用できる。
【００５３】
本実施の形態２に係る発光素子２０の場合では、製品検査における特性測定において検査プローブは、第１反射電極２４２ａがｐボンディング電極２４３の中央部に位置しているので、ｐボンディング電極２４３の中央部に当接させることになる。第１反射電極２４２ａをｐボンディング電極２４３の中央部に位置させると、特性測定においては検査プローブをｐボンディング電極２４３の中央部に当接させて検査することになる。従って、検査プローブから印加された電圧により、発光素子２０の中央部から周囲部へ向かって電流が拡散しながら流れることで、発光面全体で発光させることができるので、発光素子２０が有する発光機能を十分発揮させた状態で輝度の測定を行うことができる。よって発光素子２０の輝度を正確に測定することができる。
【００５４】
このように本実施の形態２では、基板２１の一面側にｎ電極２２を設け、他面側に半導体層２３およびｐ電極２４を設けた発光素子２０としても、実施の形態１と同様に、第１反射電極２４２ａが、第２反射電極２４２ｂより相対的にマイグレーションが発生し難い金属で形成されていることで、検査プローブによるプローブ痕がｐボンディング電極２４３にできたとしても、第１反射電極２４２ａからマイグレーションが発生し難いので、マイグレーションが発生してプローブ痕から成長してしまうことが防止できる。
【００５５】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３に係る発光素子を図６および図７に基づいて説明する。図６は、本発明の実施の形態３に係る発光素子を示す断面図である。図７は、本発明の実施の形態３に係る発光素子を示す平面図である。なお図６および図７においては、図１および図２と同じ構成のものは同符号を付して説明を省略する。
【００５６】
図６および図７に示すように、本発明の実施の形態３に係る発光素子３０は、ｐ電極３１に設けられた第１反射電極３１２ａの一部が第２反射電極３１２ｂに重なるように、第１反射電極３１２ａと第２反射電極３１２ｂとの間が隙間なく形成されていることを特徴としている。
【００５７】
このように、第１反射電極３１２ａと第２反射電極３１２ｂとの間を隙間なく形成することで第１反射電極３１２ａと第２反射電極３１２ｂとの間を、発光層１２２からの光が通過してしまい無駄な光となってしまうことが防止できる。つまり、発光層１２２からの光を効率よく、第１反射電極３１２ａあるいは第２反射電極３１２ｂで反射することで、反射効率の低下を抑止することができる。
【００５８】
また、第１反射電極３１２ａの一部が、第２反射電極３１２ｂに乗り上げるように重なっているので、第２反射電極３１２ｂの重なった部分の縁部でマイグレーションが成長しようとしても、第１反射電極３１２ａの重なった部分が、その成長を抑止するように作用する。従って、第１反射電極３１２ａにできる凹みに向かって成長しようとする第２反射電極３１２ｂのマイグレーションを抑制することができる。
【００５９】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４に係る発光素子を図８および図９に基づいて説明する。図８は、本発明の実施の形態４に係る発光素子を示す断面図である。図９は、本発明の実施の形態４に係る発光素子を示す平面図である。なお図８および図９においては、図４および図５と同じ構成のものは同符号を付して説明を省略する。
【００６０】
本発明の実施の形態４は、実施の形態３と同様に、第１反射電極の一部が第２反射電極に重なるように形成したｐ電極を、基板の一面側にｎ電極を設けた発光素子に適用したものである。
【００６１】
図８および図９に示すように、発光素子４０は、基板２１の一面側にｎ電極２２が設けられ、他面側に半導体層２３とｐ電極４１とが設けられている。そしてｐ電極４１には、第１反射電極４１２ａの一部である周縁部が第２反射電極４１２ｂに重なるように、第１反射電極４１２ａと第２反射電極４１２ｂとの間が隙間なく形成されている。
【００６２】
このように基板２１の一面側にｎ電極２２が設けられた発光素子４０であっても、第１反射電極４１２ａの一部である周縁部が第２反射電極４１２ｂに重なるように形成することで、実施の形態３と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明は、マイグレーションの発生を抑止することで高い信頼性を確保することができるので、基板と、この基板に積層された発光層を含む半導体層と、電極としてｎ電極および反射電極を含むｐ電極とを備えた発光素子に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の形態１に係る発光素子を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態１に係る発光素子を示す平面図
【図３】本発明の実施の形態１に係る発光素子の製造方法の各工程を示す図
【図４】本発明の実施の形態２に係る発光素子を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態２に係る発光素子を示す平面図
【図６】本発明の実施の形態３に係る発光素子を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態３に係る発光素子を示す平面図
【図８】本発明の実施の形態４に係る発光素子を示す断面図
【図９】本発明の実施の形態４に係る発光素子を示す平面図
【符号の説明】
【００６５】
１０  発光素子
１１  基板
１２  半導体層
１３  ｎ電極
１４  ｐ電極
２０  発光素子
２１  基板
２２  ｎ電極
２３  半導体層
２４  ｐ電極
３０  発光素子
３１  ｐ電極
４０  発光素子
４１  ｐ電極
１２１  ｎ層
１２２  発光層
１２３  ｐ層
１３１  ｎコンタクト電極
１３２  ｎボンディング電極
１４１  ｐコンタクト電極
１４２  反射電極
１４２ａ  第１反射電極
１４２ｂ  第２反射電極
１４３  ｐボンディング電極
２２１  ｎコンタクト電極
２２２  ｎボンディング電極
２３１  ｎ層
２３２  発光層
２３３  ｐ層
２４１  ｐコンタクト電極
２４２  反射電極
２４２ａ  第１反射電極
２４２ｂ  第２反射電極
２４３  ｐボンディング電極
３１２ａ  第１反射電極
３１２ｂ  第２反射電極
４１２ａ  第１反射電極
４１２ｂ  第２反射電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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