(57)【要約】【課題】装置の大型化を抑制しつつ、フィルム走行方向に沿って連続成膜が可能なステッピングロール方式の成膜装置を提供する。【解決手段】本発明に係る成膜装置（巻取式プラズマＣＶＤ装置）２０は、成膜部２１と、成膜部２１にフィルムＦを供給する巻出しローラ２２と、成膜部２１で成膜したフィルムを巻き取る巻取りローラ２３とを備えたステッピングロール方式の成膜装置であって、成膜部２１は、フィルム走行方向に関して直列的に配置された複数の成膜室２４Ａ，２４Ｂからなり、各成膜室の間には、当該成膜室で成膜されるフィルム長の自然数倍に相当する長さのフィルムを待機させる予備室２５が設けられている。これにより、成膜室２４Ａ，２４Ｂの設置間隔が任意に設定できるようになり、装置の大型化抑制と設計自由度の向上を図れるようになるとともに、製品の使用効率の向上を図ることが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜部と、前記成膜部にフィルムを供給する巻出しローラと、前記成膜部で成膜したフィルムを巻き取る巻取りローラとを備えたステッピングロール方式の成膜装置であって、
前記成膜部は、フィルム走行方向に関して直列的に配置された複数の成膜室からなり、
各成膜室の間には、当該成膜室で成膜されるフィルム長の自然数倍に相当する長さのフィルムを待機させる予備室が設けられている
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記予備室には、前記フィルムの走行をガイドするガイドローラと、前記フィルムを所定温度に加熱する加熱ローラが設置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記加熱ローラは、少なくとも、成膜室で成膜されるフィルム長に相当する長さのフィルム領域と接触する円周長を備えている
ことを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記成膜室は、前記フィルムを挟んで前記成膜室の内部を封止する密封手段を備えている
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記成膜部は、真空チャンバと、前記フィルムの成膜面側に配置された高周波電極と、前記フィルムの非成膜面側に配置された対向電極と、前記高周波電極と前記成膜面との間に原料ガス又はクリーニングガスを導入するガス導入手段と、前記高周波電極と前記成膜面との間を遮蔽可能な遮蔽部材とを有している
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステッピングロール方式でフィルム上に連続的に成膜を行うことが可能な成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、長尺のフィルムに成膜を行うのに、例えば下記特許文献１に記載されているようなステッピングロール方式の成膜装置が知られている。これは、図５に概略的に示すように、真空チャンバ１の内部にフィルム３の巻出しローラ２と巻取りローラ４が設置されており、これら巻出しローラ２と巻取りローラ４の間に成膜部５が設置されている。成膜部５は、フィルム３の走行方向に沿って配置された複数の成膜室８からなる。各々の成膜室８は、上壁部６と下壁部７とによって区画され、上壁部６と下壁部７の間の相対移動によって成膜室８が図示する密封状態と開放状態とがとられるようになっている。なお図示せずとも、成膜室８には、高周波電極、対向電極、ガス導入手段などが設けられている。
【０００３】
図５に示した従来の成膜装置においては、成膜部５においてフィルム３に対する成膜処理が行われる。各々の成膜室８においてフィルム３の成膜が終了すると、上壁部６が下壁部７と離間した位置に移動し成膜室８を開放する。そして、巻取りローラ４によってフィルム３を所定長だけ巻き取った後、上壁部６を下壁部７に密着させて成膜室８を密封し、成膜処理を行う。
【０００４】
上述した構成の従来の成膜装置においては、フィルム３の巻取り長を調整することによって、フィルム３に対する薄膜の単層成膜のほか、複数の成膜室５によって薄膜を順次積層成膜する場合にも用いることができる。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−６９５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ステッピングロール方式の成膜装置においては、フィルム使用効率を向上させる観点から、フィルムの走行方向に沿ってフィルムを連続的に成膜できる構成であることが好ましい。
【０００７】
しかしながら、上述した従来の成膜装置においては、巻出しローラ２と巻取りローラ４の間に直線的に延在するフィルム３の延在方向に沿って複数の成膜室８が配置される構成であるため、フィルムの走行方向に沿ってフィルムを連続的に成膜するためには、隣接する成膜室８，８の間に、成膜室で成膜されるフィルム長に相当する長さの間隔を設ける必要がある。この場合、装置が大型化するだけでなく、装置の設計自由度が大きく制限されるという不具合が生じる。
【０００８】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、装置の大型化を抑制し、フィルム走行方向に沿って連続成膜が可能なステッピングロール方式の成膜装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以上の課題を解決するに当たり、本発明の成膜装置は、成膜部と、前記成膜部にフィルムを供給する巻出しローラと、前記成膜部で成膜したフィルムを巻き取る巻取りローラとを備えたステッピングロール方式の成膜装置であって、前記成膜部は、フィルム走行方向に関して直列的に配置された複数の成膜室からなり、各成膜室の間には、当該成膜室で成膜されるフィルム長の自然数倍に相当する長さのフィルムを待機させる予備室が設けられていることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る成膜装置においては、隣接する成膜室の間に、当該成膜室で成膜されるフィルム長（以下「単位成膜長さ」という。）の自然数倍に相当する長さのフィルムを待機させる予備室が設けられているので、成膜室の設置間隔が任意に設定できるようになり、装置の大型化抑制と設計自由度の向上を図れるようになる。
【００１１】
予備室は、フィルムの走行をガイドするガイドローラとフィルムを所定温度に加熱する加熱ローラを含む構成とすることができる。特に、加熱ローラが、単位成膜長さに相当する長さのフィルム領域と接触するロール径を備える構成とすることにより、予備室内において成膜前の予備加熱処理を効率よく行うことが可能となる。
【００１２】
また、本発明の成膜装置においては、個々の成膜室は、フィルムを挟んで成膜室の内部を封止する密封手段を備えている。これにより、成膜室内に導入された原料ガス又はクリーニングガスの成膜室外部への漏出を抑制することができる。なお、密封手段としては、成膜室を構成する真空チャンバのフィルム導入口およびフィルム排出口に各々設置された密封機構で構成することができる。
【００１３】
ここで、成膜室を構成する成膜部は、真空チャンバと、フィルムの成膜面側に配置された高周波電極と、フィルムの非成膜面側に配置された対向電極と、高周波電極と成膜面との間に原料ガス又はクリーニングガスを導入するためのガス導入手段と、高周波電極と成膜面との間を遮蔽可能な遮蔽部材とを有する構造とすることができる。遮蔽部材は、成膜室内のセルフクリーニング時において高周波電極とフィルム成膜面との間を遮蔽し、クリーニングガスのプラズマからフィルムを保護する機能を果たす。
【００１４】
なお、成膜室は上述したプラズマＣＶＤ室に限らず、熱ＣＶＤ室やスパッタ室、真空蒸着室などの他の成膜処理室で構成されていても構わない。
【発明の効果】
【００１５】
以上述べたように、本発明の成膜装置によれば、装置の大型化を抑制しつつ、ステッピングロール方式によってフィルムの連続成膜を実現することができるとともに、製品の使用効率の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１７】
図１は本発明の実施形態による成膜装置としての巻取式プラズマＣＶＤ装置２０の概略構成を示す側断面図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態の巻取式プラズマＣＶＤ装置２０は、成膜部２１と、成膜部２１にフィルムＦを供給する巻出しローラ２２と、成膜部２１で成膜したフィルムＦを巻き取る巻取りローラ２３とを備えたステッピングロール方式の成膜装置である。そして、成膜部２１は、フィルム走行方向に関して直列的に配置された第１成膜部２１Ａ及び第２成膜部２１Ｂからなり、これら第１成膜部２１Ａ及び第２成膜部２１Ｂの間には、後述するように、第１成膜部２１Ａで成膜したフィルムＦを所定長さにわたって待機させる予備室２５が設けられている。
【００１９】
第１成膜部２１Ａ及び第２成膜部２１Ｂはそれぞれ同一の構成を有している。個別に説明する場合を除き、以下の説明では成膜部２１と総称する。成膜部２１は、真空チャンバ３０を有し、この真空チャンバ３０の内部には成膜室２４（２４Ａ，２４Ｂ）が設けられている。なお、成膜室２４Ａは、第１成膜部２１Ａにおける反応室を示し、成膜室２４Ｂは、第２成膜部２１Ｂにおける反応室を示している。
【００２０】
巻出しローラ２２は、第１成膜部２１Ａの真空チャンバ３０と一体的に取り付けられた補助真空槽２６の内部に配置されている。また、巻取りローラ２３は、第２成膜部２１Ｂの真空チャンバ３０と一体的に取り付けられた補助真空槽２７の内部に配置されている。そして、予備室２５は、第１成膜部２１Ａの真空チャンバ３０と第２成膜部２１Ｂの真空チャンバ３０との間に、これら真空チャンバ３０，３０と一体的に取り付けられた予備真空槽２８の内部に形成されている。真空チャンバ３０，３０、補助真空槽２６，２７の内部および予備室２５は、各々独立した真空ポンプで所定の減圧雰囲気に真空排気されるが、共通の真空ポンプを用いてそれぞれ排気されるようにしてもよい。
【００２１】
フィルムＦは、所定幅に裁断された長尺の可撓性フィルムからなり、巻出しローラ２２から巻き出され、成膜部２１において一方の面（成膜面）にプラズマＣＶＤにより成膜処理が施された後、巻取りローラ２３によって巻き取られる。フィルムＦの構成材料としては、例えば樹脂フィルムが用いられ、この場合、特に、ポリイミド、ポリアミド、アラミドなど耐熱温度２００℃以上の樹脂フィルムが好適である。
【００２２】
巻出しローラ２２から第１成膜部２１Ａへ至るフィルムＦの走行経路には、フィルムＦの走行をガイドする補助ローラ３３、加熱ローラ３４及びシール機構３１Ａが設置されている。また、第１成膜部２１Ａから第２成膜部２１Ｂへ至るフィルムＦの走行経路には、シール機構３２Ａ、複数のガイドローラ３５、加熱ローラ３６及びシール機構３１Ｂが設置されている。そして、第２成膜部２１Ｂから巻取りローラ２３へ至るフィルムＦの走行経路には、シール機構３２Ｂ及び複数の補助ローラ３７が設置されている。なお、シール機構３１Ａ（３１Ｂ）及び３２Ａ（３２Ｂ）は、各々の真空チャンバ３０，３０のフィルム導入口およびフィルム排出口に設置された本発明に係る「密封手段」に対応する。
【００２３】
本実施形態の巻取式プラズマＣＶＤ装置２０において、フィルムＦは、巻出しローラ２２から巻き出された後、ステッピングロール方式で第１成膜部２１Ａおよび第２成膜部２１Ｂにおいて順に成膜される。フィルムＦの走行時、シール機構３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂはそれぞれ開放される。そして、フィルムＦの成膜時、フィルムＦの走行が停止された後、シール機構３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２ＢがそれぞれフィルムＦを挟んで閉止され、成膜室２４Ａ，２４Ｂをそれぞれ密封する。この状態で、フィルムＦの成膜処理が行われる。成膜終了後、シール機構３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂが開放し、フィルムＦの走行が再開されて、フィルムＦを巻取りローラ２３に巻き取る。
【００２４】
加熱ローラ３４，３６は、成膜前においてフィルムＦを所定温度に予備加熱する。一方の加熱ローラ３４は補助真空槽２６の内部に設置され、他方の加熱ローラ３６は予備真空槽２８の内部（予備室２５）に設置されている。後述するように、予備室２５は、第２成膜部２１Ｂの成膜室２４Ｂで成膜されるフィルム長（単位成膜長さ）の自然数倍に相当する長さのフィルムを待機させることができる構成となっている。そして、加熱ローラ３４，３６は、上記単位成膜長さに相当する長さのフィルム領域と接触する円周長あるいはロール径を備えている。
【００２５】
次に、成膜部２１（２１Ａ，２１Ｂ）の構成について図２及び図３を参照して説明する。図２は図１に示した成膜部２１の拡大図であり、非成膜処理時の状態を示している。図３は、図２における［３］−［３］線方向断面図である。
【００２６】
成膜部２１は、フィルムＦの成膜面（上面）側に配置された高周波電極４０と、フィルムＦの成膜面の裏面側（非成膜面）に配置された対向電極４１とを備え、これら高周波電極４０と対向電極４１との間にフィルムＦ、及び後述するクリーニング用マスク（遮蔽部材４９）の搬送空間が形成されている。
【００２７】
高周波電極４０は、カソードブロック４２に取り付けられている。高周波電極４０には、プロセスガス（原料ガス、クリーニングガス）のガス導入ライン（ガス導入手段）４３が設けられている。プロセスガスは、フィルムＦと対向するように高周波電極４０に支持されたシャワープレート４４を介して、フィルムＦの成膜面とシャワープレート４４との間の空間領域（成膜室２４Ａ，２４Ｂ）に導入される。なお、参照符号４５は、高周波電源に接続されたマッチングボックスである。
【００２８】
対向電極４１は、接地電位に接続されたアノード電極として構成され、高周波電極４０と協働して成膜室２４Ａ（２４Ｂ）にプラズマを形成する。また、この対向電極４１には、ヒーターを内蔵した加熱源としての機能をも有しており、フィルムＦを所定温度に加熱する。対向電極４１は昇降機構４６によって所定距離昇降自在に構成されており、成膜時及びプラズマクリーニング時、図２に示す下降位置から所定距離だけ上昇移動してフィルムＦの裏面に接触する。
【００２９】
なお、対向電極４１の外周部には、絶縁性材料からなる環状の摺動部材４７が取り付けられており、対向電極４１は、この摺動部材４７を介して真空チャンバ３０の内壁面に沿って昇降移動する。
【００３０】
ここで、プロセスガスとして導入される原料ガスは、フィルムＦに成膜する材料の種類によって適宜設定される。本実施形態では、プラズマＣＶＤ法により、フィルムＦに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）や太陽電池用の各種機能層が形成される。例えば、フィルムＦにアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の薄膜を成膜する場合には、原料ガスとして、例えば、シラン（ＳｉＨ4）と水素（Ｈ2）の混合ガスが用いられる。また、Ｐ+アモルファスシリコン層やＮ+アモルファスシリコン層を形成する場合には、原料ガスとして、ホウ素（Ｂ）やリン（Ｐ）を含むガス（例えばＢ2Ｈ6、ＰＨ3）が用いられる。
【００３１】
クリーニングガスとしては、成膜室２４Ａ（２４Ｂ）の周囲に付着した原料ガスの分解生成物を分解除去できる種類のガスが適宜選択され、上記原料ガスの例では、ＮＦ3やＣＦ4等のフッ素系ガスが用いられる。
【００３２】
シャワープレート４４とフィルムＦの成膜面との間には、マスク部材４８が配置されている。マスク部材４８は、例えば、セラミックス等の絶縁性材料からなり、フィルムＦの成膜面の面内において成膜領域を画定する開口部を備えた枠状に形成されている。
【００３３】
一方、フィルムＦの成膜面とマスク部材４８との間には、クリーニング用マスクとしての遮蔽部材４９が配置されている。遮蔽部材４９は、マスク部材４８の開口部に臨むフィルムＦの成膜面を遮蔽可能な板状体で構成されている。
【００３４】
遮蔽部材４９は、成膜室２４Ａ（２４Ｂ）のクリーニング処理時以外は、真空チャンバ３０に隣接して設けられた収納室５０に収納されている。収納室５０の内部には、搬送機構５１が設けられている。搬送機構５１は、例えばシリンダ装置やボールネジユニットなどで構成され、図３に示すように遮蔽部材４９をフィルムＦの成膜面とマスク部材４８との間に位置させる遮蔽位置と、遮蔽部材４９を収納室５０の内部に収納する待機位置との間にわたって遮蔽部材４９を搬送する機能を有する。
【００３５】
遮蔽部材４９には、上記遮蔽位置において真空チャンバ３０の内壁面の一部に接触するシール部５２が設けられている。また、図３に示すように、真空チャンバ３０の側壁部の所定位置には、遮蔽位置に搬送された遮蔽部材４９をフィルムＦ側に押圧するためのプッシャ５３，５３がそれぞれ設置されている。
【００３６】
次に、真空チャンバ３０の周囲には、成膜室２４Ａ（２４Ｂ）に導入されたプロセスガスを排気するための排気通路５５が設けられている。この排気通路５５は、成膜室２４Ａ（２４Ｂ）の周囲を囲むように環状に形成されており、真空チャンバ３０の上壁５６に複数放射状に形成された排気口５６ａを介して成膜室２４Ａ（２４Ｂ）に連通している。排気通路５０は、排気ポートを介して図示しない真空ポンプに接続されている。
【００３７】
また、真空チャンバ３０の底部には、対向電極４１の成膜室２４Ａ（２４Ｂ）側とは反対側の空間部に窒素や水素等のパージガスを導入するためのパージガス導入ライン５７が設けられており、成膜時及びプラズマクリーニング時において当該空間部をパージガスで充填して成膜室２４Ａ（２４Ｂ）よりも高い圧力に維持するように構成されている。これにより、対向電極４１の周縁（摺動部材４７）と真空チャンバ３０の内壁面の隙間を介しての当該空間部へのプロセスガスの流入が防止される。
【００３８】
次に、以上のように構成される本実施形態の巻取式プラズマＣＶＤ装置２０の動作について説明する。
【００３９】
図１を参照して、フィルムＦは、巻出しローラ２２と巻取りローラ２３との間に直列的に配置された２つの成膜部２１Ａ，２１Ｂにおいて成膜された後、巻取りローラ２３に巻き取られる。成膜部２１Ａ，２１ＢにおけるフィルムＦの成膜は、上述したようなステッピングロール方式で行われる。
【００４０】
第１成膜部２１Ａにおいて、フィルムＦは、第２成膜部２１Ｂにおける単位成膜長さに相当する間隔をあけて成膜される。第１成膜部２１Ａ及び第２成膜部２１Ｂにおいては、互いに同一の材料が成膜される。そして、第２成膜部２１Ｂにおいて、フィルムＦは、第１成膜部２１Ａによる成膜領域の間の領域が成膜される。単位成膜長さは、マスク部材４８のフィルム走行方向に沿って延在する開口長に相当するもので、成膜室２４Ａ（２４Ｂ）で成膜されるフィルム長を意味する。本実施形態において、第１成膜部２１ＡにおけるフィルムＦの単位成膜長さと第２成膜部２１ＢにおけるフィルムＦの単位成膜長さは互いに同一となるように構成されている。巻出しローラ２２及び巻取りローラ２３は、上記単位成膜長さの２倍に相当するフィルム長ずつ間欠的にフィルムＦの巻出し及び巻取りを行う。
【００４１】
図４に、フィルムＦの成膜面を示している。第１成膜部２１Ａにおける成膜領域Ａと、第２成膜部２１Ｂにおける成膜領域Ｂは互いに連接しており、フィルムＦの長手方向に沿って連続的に成膜されている。第１成膜部２１Ａと第２成膜部２１Ｂとの間に設置される予備室２５には、単位成膜長さの自然数倍に相当する長さのフィルムＦが収容されている。上述した条件において成膜処理が行われる本実施形態においては、単位成膜長さの（２ｍ＋１）倍に相当する長さのフィルムＦが予備室２５に収容されている。なお、ｍは自然数である。
【００４２】
予備室２５に収容されるフィルムＦの上流端は、第１成膜部２１Ａの下流側シール機構３２Ａによってシールされ、予備室２５に収容されるフィルムＦの下流端は、第２成膜部２１Ｂの上流側シール機構３１Ｂによってシールされる。シール機構３２Ａ，３１Ｂのシール位置は、それぞれ、第１成膜部２１Ａにおける成膜領域Ａの配列ピッチの中間位置とされている。成膜領域Ａの配列ピッチは、すなわち、第２成膜部２１Ｂにおける成膜領域Ｂを意味する。
【００４３】
また、第１，第２成膜部２１Ａ，２１ＢでフィルムＦが成膜されている間、フィルムＦは、補助真空槽２６及び予備真空槽２８において加熱ローラ３４，３６によってそれぞれ加熱処理される。加熱ローラ３４，３６はそれぞれ、単位成膜長さに相当する長さのフィルム領域と接触するロール径を備えている。加熱ローラ３６と成膜室２４Ｂの関係で説明すると、図１に示すように、マスク部材４５の上流側縁部４８ｅと、加熱ローラ３６に接触するフィルムＦの下流端部３６ｅとの間の距離が単位成膜長に相当する長さであるため、この単位成膜長の２倍に相当する搬送ピッチでフィルムＦが搬送された際、加熱ローラ３６にて加熱処理されたフィルム領域が成膜室２４Ｂに収容されることになる（図４参照）。なお、加熱ローラ３４と成膜室２４Ａの関係においても同様である。
【００４４】
以上のように、本実施形態によれば、フィルムＦの成膜面に対して、フィルム走行方向に沿って連続した成膜処理を行うことが可能となる。特に、本実施形態によれば、第１成膜部２１Ａと第２成膜部２１Ｂの間に、単位成膜長さの奇数倍に相当する長さのフィルムＦを待機させる予備室２５が設けられているので、装置の大型化を抑制しつつ、ステッピングロール方式によるフィルムの連続成膜を実現することができる。これにより、製品の使用効率の向上を図ることが可能となる。
【００４５】
また、本実施形態によれば、予備室２５内に加熱ローラ３６を含む構成としたので、成膜前の予備加熱処理を容易に実施することが可能であるとともに、生産性の向上を図れるようになる。
【００４６】
フィルムＦの成膜時、成膜部２１は、シール機構３１Ａ（３１Ｂ）及び３２Ａ（３２Ｂ）を閉止し成膜室２４Ａ（２４Ｂ）を密閉した状態で、成膜室２４Ａ（２４Ｂ）内に原料ガスのプラズマを形成し、フィルムＦの成膜を行う。従って、原料ガスやプラズマ生成物が真空チャンバ３０の外部に漏出することが防止される。
【００４７】
また、成膜室２４Ａ（２４Ｂ）のクリーニング時においては、図２及び図３に示すように、遮蔽部材４９がフィルムＦの成膜面と高周波電極４０との間に配置される。その後、プッシャ５３によって遮蔽部材４９が真空チャンバ３０内壁面に密着された後、成膜室２４Ａ（２４Ｂ）のクリーニングガスを導入してプラズマクリーニングを行う。この間、シール機構３１Ａ（３１Ｂ）及び３２Ａ（３２Ｂ）を閉止させておくことで、腐食性の強いクリーニングガスのチャンバ外部への漏出を確実に防止することが可能となる。
【００４８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００４９】
例えば以上の実施形態では、成膜部２１としてプラズマＣＶＤ装置を適用した例について説明したが、これに限らず、例えば熱ＣＶＤ装置やスパッタ装置などにも本発明は適用可能である。
【００５０】
また、以上の実施形態では、第１成膜部２１Ａと第２成膜部２１Ｂによってフィルムの連続成膜を行う方法について説明したが、第１成膜部２１Ａにおける成膜領域と第２成膜部２１Ｂにおける成膜領域を共通にすることで、フィルムＦに積層膜を形成することが可能となる。
【００５１】
また、以上の実施形態では、第１成膜部２１Ａにおける単位成膜長さと第２成膜部２１Ｂにおける単位成膜長さを同一としたが、それぞれを異ならせることも可能である。この場合、フィルムの搬送ピッチを第１成膜部における単位成膜長さと第２成膜部における単位成膜長さの和とすればよい。
【００５２】
更に、以上の実施形態では、成膜部２１を２つの成膜室２４Ａ，２４Ｂで構成するようにしたが、これに限らず、３つ以上の成膜室で成膜部を構成することも構わない。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施形態による成膜装置としての巻取式プラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図２】図１に示した成膜部の拡大図である。
【図３】図２における［３］−［３］線方向断面図である。
【図４】フィルムの成膜面を示すフィルム展開図である。
【図５】従来のステッピングロール方式の成膜装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００５４】
２０  巻取式プラズマＣＶＤ装置（成膜装置）
２１  成膜部
２１Ａ  第１成膜部
２１Ｂ  第２成膜部
２２  巻出しローラ
２３  巻取りローラ
２４Ａ，２４Ｂ  成膜室
２５  予備室
３０  真空チャンバ
３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ  シール機構（密封手段）
３３，３５，３７  補助ローラ
３４，３６  加熱ローラ
４０  高周波電極
４１  対向電極
４４  シャワープレート
４８  マスク部材
４９  遮蔽部材
５０  収納室
５１  搬送機構
【図１】
2008156669.tif 000003
【図２】
2008156669.tif 000004
【図３】
2008156669.tif 000005
【図４】
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【図５】
2008156669.tif 000007