(57)【要約】【課題】ＣＮＴカンチレバーを使用した走査型プローブ顕微鏡による試料表面の観察で問題となるＣＮＴの湾曲や滑りに起因するベース探針の破壊、変形および接合部の破壊の問題を解決し、試料表面の凹凸に確実にアプローチして高分解能で表面状態を測定することができるようにする。【解決手段】、ベース探針にＣＮＴ探針を接合して表面状態を測定する走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーにおいて、ベース探針の先端部を非先鋭形状にする。また、カンチレバーを測定状態に配置したときに接合部先端よりもベース探針の非先鋭先端部が試料表面に近い位置に設けられるようにする。このような構成により、ＣＮＴ探針の撓みや滑りによる試料表面との衝突時にベース探針先端部と接合部先端部の破壊や変形が防止でき、高い耐久性を持った走査型プローブ顕微鏡用ＣＮＴカンチレバーを提供できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
カンチレバーの梁上に形成されたベース探針にカーボンナノチューブ探針が接合されている走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバーにおいて、前記カンチレバーが測定状態に配置されたときに前記ベース探針の先端から試料表面までの距離に比べて、前記カーボンナノチューブ探針の接合部の先端から試料表面までの距離の方が長くなるように前記接合部が設けられていることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバー。
【請求項２】
カンチレバーの梁上に形成されたベース探針にカーボンナノチューブ探針が接合されている走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバーにおいて、前記ベース探針の先端部の形状が非先鋭形状であり、かつ、前記カンチレバーが測定状態に配置されたときに前記ベース探針の先端から試料表面までの距離よりも前記カーボンナノチューブ探針の接合部の先端から試料表面までの距離の方が長くなるように前記接合部が設けられていることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバー。
【請求項３】
請求項２において、前記ベース探針は、前記接合部の先端より前記非先鋭形状の先端部に向けてテーパー領域を有していることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバー。
【請求項４】
請求項２において、前記ベース探針の非先鋭形状を有する先端部が平面であることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバー。
【請求項５】
請求項２において、前記ベース探針の非先鋭形状を有する先端部が半球面であることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバー。
【請求項６】
請求項２において、前記ベース探針が四角錐、三角錐、または円錐形のいずれかの形状を有し、その先端部が切欠きによって非先鋭形状になっていることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバー。
【請求項７】
請求項１又は２において、前記ベース探針の材料がシリコン、窒化シリコン金属コートシリコン、もしくはタングステンからなることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバー。
【請求項８】
請求項１又は２において、前記ベース探針の稜線又は面上に沿わせて前記カーボンナノチューブ探針が接合されていることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバー。
【請求項９】
カンチレバーの梁上にベース探針を設け、前記ベース探針にカーボンナノチューブ探針を接合してなる走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバーの製造方法において、前記カンチレバーを測定状態に配置したときに前記ベース探針の先端から試料表面までの距離に比べて前記カーボンナノチューブ探針の接合部の先端から試料表面までの距離が長くなるように前記接合部を設置することを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバーの製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、有機金属ガスを電子線照射により分解して、電子線照射部分に金属を堆積させることによって前記接合部を形成することを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバーの製造方法。
【請求項１１】
カーボンナノチューブ探針を有するカンチレバーを備えた走査型プローブ顕微鏡において、請求項１に記載のカンチレバーを備えたことを特徴とする走査型プローブ顕微鏡。
【請求項１２】
カーボンナノチューブ探針を有するカンチレバーを備えた走査型プローブ顕微鏡において、請求項２に記載のカンチレバーを備えたことを特徴とする走査型プローブ顕微鏡。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボンナノチューブを探針とする走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーとその製造方法に関する。また、カーボンナノチューブ探針を備えた走査型プローブ顕微鏡に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体微細化に伴い高アスペクト比の微細構造が提案され、その作製技術が求められており、それに伴い計測技術もナノメートルの精度を持った測定法の開発が要求されている。現状の半導体の微細化は４５ｎｍノードに突入しており、それに伴いアスペクト比が増加し、ますます計測が難しい状況になっている。
【０００３】
現状の計測技術では、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用し、試料を劈開あるいは集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工して、その断面を観察する方法が採用されているが、計測に破壊を伴うため、非破壊での３次元計測が可能な技術が求められている。
【０００４】
その一つの解決法として、高アスペクト比の探針を搭載した走査型プローブ顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｐｒｏｂｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ：ＳＰＭ）による半導体の３次元計測が注目されている。
【０００５】
ＳＰＭを用いた表面状態の観測技術の一つである、探針を試料と接触もしくは非接触状態にして表面形状を測定する原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ：ＡＦＭ）において、忠実な形状計測と高い再現性を得るためには、カンチレバーに取り付けられた探針の高アスペクト化と高強度化が要求される。
【０００６】
さらに、ＡＦＭ以外の表面物性計測である、表面電位を検出するケルビンフォース顕微鏡（ＫＦＭ）、表面磁場を検出する磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、化学官能基の表面分布を検出する化学力顕微鏡（ＣＦＭ）等においては、探針のアスペクト比がその分解能に影響するため、表面物性計測における高分解能化に探針の高アスペクト化が要求される。
【０００７】
このような中で、近年、カーボンナノチューブ（以下、ＣＮＴと記載する）がＡＦＭの探針として用いられるようになった。ＣＮＴ先端の曲率半径はきわめて小さく、最小曲率半径は約１ｎｍであり、また、その長さは１〜１０μｍと細長いため、探針として高アスペクト化できるからである。さらにＣＮＴの優れた弾性から物理的な衝撃による座屈や曲げを生じても復元するため、探針として高強度化されるといった特徴を持つ。以上の点からＣＮＴはＡＦＭの探針としてＳｉカンチレバーより優れた特性を有している。
【０００８】
ＣＮＴとベースの探針との固定は、電子ビーム照射によって接合部を形成する方法が一般に用いられており、一例として特許文献１にはアモルファスカーボンをコーティング膜としてＣＮＴを固定する方法が記載されている。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−２２７４３５号公報（要約、段落番号００４６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、ＣＮＴカンチレバーでは、ＣＮＴを固定する接合部およびベースとなる探針が物理的な衝撃に弱いという問題がある。例えば表面状態の測定において、測定時に予想しなかった大きな突起物があると、衝突により探針に過大な力がかかることがある。また、フォースカーブ測定時に探針先端に過大な力がかかることがある。ＣＮＴを固定する接合部およびベース探針が物理的な衝撃に弱いと、ＣＮＴの湾曲および滑りに起因してベース探針の破壊や変形および接合部の破壊が生じる。この結果、ＣＮＴ探針がベースの探針から剥離して測定を継続できない状態になってしまう、あるいは、得られる測定画像が試料の本来の表面形状とは異なる形状の画像になってしまうことがある。これらはＣＮＴカンチレバーを使用するインラインＡＦＭ、研究開発用ＡＦＭでの生産性の低下につながる。
【００１１】
本発明の目的は、ＣＮＴカンチレバーを使用した走査型プローブ顕微鏡による試料表面の観察で問題となるＣＮＴの湾曲および滑りに起因する接合部の破壊、さらにはベース探針の破壊の問題を解決し、ＣＮＴ探針の特徴を損なうことなく耐久性を高めた走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、カンチレバーの梁上に形成されたベース探針にカーボンナノチューブ探針が接合されている走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバーにおいて、前記カンチレバーが測定状態に配置されたときに前記ベース探針の先端から試料表面までの距離に比べて、前記カーボンナノチューブ探針の接合部の先端から試料表面までの距離の方が長くなるように前記接合部が設けられていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、カンチレバーの梁上に形成されたベース探針にカーボンナノチューブ探針が接合されている走査型プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブカンチレバーにおいて、前記ベース探針の先端部の形状が非先鋭形状であり、かつ、前記カンチレバーが測定状態に配置されたときに前記ベース探針の先端から試料表面までの距離よりも前記カーボンナノチューブ探針の接合部の先端から試料表面までの距離の方が長くなるように前記接合部が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のＣＮＴカンチレバーは、凹凸のある試料との物理的な衝突による接合部の破壊が少ない。また、ベース探針の先端が非先鋭化されているものは、ベース探針の破壊や変形も少なく、高い耐久性を有する。これにより、ＣＮＴ探針の特徴を損なわずに再現性の良い長時間にわたる測定が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明に至る過程で、ＣＮＴカンチレバーのＣＮＴ接合部およびベース探針が物理的な衝撃に弱い原因は、ベース探針の先端が先鋭化（先端曲率半径３ｎｍ程度）されているうえに弾性が低いこと、およびベース探針の先端部にＣＮＴ探針を接合する接合部があることに起因していることを明らかにした。
【００１６】
ベース探針は通常、四角錘、三角錐、円錐などの形状をしているが、その先端が四角錘の頂点のように先鋭化されていると、試料表面との物理的な衝突によって、ベース探針が破壊されることがある。また、ベース探針の先端部にＣＮＴの接合部があると、ベース探針の破壊に伴いＣＮＴごと剥がれてしまうことがある。ベース探針は破壊しなくても、物理的な衝撃によってＣＮＴ探針接合部が破壊し、ベース探針の変形に伴いＣＮＴの取り付け角度が接合部先端より曲がってしまうことがある。ＣＮＴの取り付け角度の変化を判断するためには、高いアスペクト比を持つ標準試料を測定するか、ＳＥＭで探針を観察して探針先端のＣＮＴの角度を確認する方法をとらなければならず、余計な作業が加わる。
【００１７】
言い換えると、従来のＡＦＭ用カンチレバーをそのままＣＮＴ探針のベースとして利用することで、物理的な衝突に対する耐久性の弱さが出現する。
【００１８】
本発明では、走査型プローブ顕微鏡用ＣＮＴカンチレバーにおいて、カンチレバーを測定状態に配置したときに、接合部の先端から試料表面までの距離をベース探針の先端からＣＮＴ先端までの距離に比べて長くしている。これにより、カンチレバーに物理的な衝撃が加わった際に、接合部が試料表面に直接当たるのを防止し、ＣＮＴ接合部を破壊しにくくしている。
【００１９】
また、上記に加えて、ベース探針の先端部分を非先鋭形状にして、ＣＮＴ探針の撓みや滑りによる試料表面との衝突時にベース探針先端部と接合部先端の破壊や変形を抑制している。
【００２０】
ＣＮＴ探針はベース探針の稜線もしくは面上に沿うように接合されることが好ましく、これにより、ＣＮＴ探針を再現性良く同じ角度でベース探針に接合することが可能になる。
【００２１】
本発明のカンチレバーにおいて、ベース探針のＣＮＴ接合部先端から非先鋭化された先端部までの間は、テーパー領域となるようにすることが望ましい。このようにすることにより、試料表面との衝突時にテーパー領域の部分にＣＮＴ探針が撓むスペースを確保でき、ＣＮＴが折損しにくくなる。
【００２２】
ベース探針は、四角錐、三角錐、または円錐形の形をしたベース探針の先端部を切り欠き加工するか、他の方法で平らな面に加工するか、或いは、半球面にすることが望ましい。ベース探針の先端部を非先鋭化することにより、撓みや滑りによる試料表面との衝突時にベース探針先端部と接合部先端部の破壊や変形が防止できる。また、ベース探針の試料表面との衝突時に接合部先端からＣＮＴ探針が撓むスペースを確保できる。
【００２３】
ベース探針の材料には、シリコン、窒化シリコン、金属コートシリコン、もしくはタングステンを用いることが望ましい。
【００２４】
また、ＣＮＴカンチレバーにおいて、接合部は有機金属ガスを電子線照射により分解して、電子線照射部分に金属を堆積させることによって形成することが望ましい。
【００２５】
本発明の走査型プローブ顕微鏡は、ＣＮＴカンチレバーが高い耐久性をもつため、ＣＮＴ探針の特長を損なうことなく再現性の良い長時間の測定が可能である。
【００２６】
本発明により、表面状態の測定で、大きな凹凸のある試料との物理的な衝突によるベース探針の破壊や変形および接合部の破壊に起因する測定上の不具合を解消できた。例えば予想しなかった大きな凹凸をＣＮＴ探針でトレースした場合に、ＣＮＴが滑ったり撓んだりすることでベース先端が試料表面に衝突し、ベース探針先端部が破壊や変形を生じてＡＦＭの測定結果として本来の表面形状と異なる画像が得られることがある。本発明により、このような問題を解消し、確実に試料表面にアプローチし、表面物性を測定できるようになった。
【００２７】
本発明によれば、ＣＮＴ探針の高アスペクトな形状と優れた弾性を活かし、忠実な形状計測と高い耐久性をもった表面状態の測定を可能とする走査型プローブ顕微鏡が実現されることになる。これにより、研究用途のみならず半導体、ＨＤＤ等の製造過程に高精度な表面状態の測定（検査工程）を求められる製品検査を長時間可能にすることで不要な対策を必要とせず、プロセスの生産性の低下を防止できる。
【００２８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明するが、これに限定されるものではない。また、ベース探針の先端形状に関して、いくつかの例を示すが、これらに限定されるものでもない。
【００２９】
本発明のＣＮＴカンチレバーが使用されるＡＦＭの一例は、カンチレバーを装着し、試料とカンチレバー探針を接触させ、試料上を走査することにより表面状態を測定する装置であり、試料とカンチレバー探針との接触時の状態が一定になるようにカンチレバーもしくは試料を上下するフィードバック機構を有する。その結果、制御信号から試料の表面状態（例えば凹凸）が測定できる。他にも走査型プローブ顕微鏡としては、表面電位を検出するケルビンフォース顕微鏡（ＫＦＭ）、表面磁場を検出する磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、化学官能基の表面分布を検出する化学力顕微鏡（ＣＦＭ）等があり、本発明のカンチレバーをこれらに用いることで、ナノ領域の形状および表面物性情報を得ることができる。
【００３０】
以下に示す実施例において、同じ部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【実施例１】
【００３１】
図１は本発明の一実施例によるカンチレバーの斜視図である。ＣＮＴカンチレバー１は、梁部２と、ベース探針３とから構成されている。ベース探針３は梁部２の先端に錐状に設置される。本実施例ではベース探針が四角錐であるが、三角錐、または円錐でも同様の結果が得られる。
【００３２】
ベース探針の材料にはＳｉやＳｉＮもしくは金属コートされたＳｉがあるが、タングステン等の金属でもよく材料には限定されない。このベース探針３の稜線上もしくは面上にＣＮＴ探針４が接合される。
【００３３】
ＣＮＴには、ノンドープの単層および多層カーボンナノチューブやボロンや窒素をドープしたカーボンナノチューブ等が存在するが、金属原子を内包したナノチューブやナノチューブ先端に金属原子や金属微粒子を担持したナノチューブでもよく、本発明においては、このような様々なナノチューブを走査型プローブ顕微鏡の用途に応じて選択できる。
【００３４】
ＣＮＴ探針４をベース探針３の稜線上もしくは面上に接合する接合部５は、既に説明したように、電子線照射により金属化合物ガスを分解して生成物を堆積する方法によって形成される。堆積物としてはタングステンや金、もしくはプラチナ等を用いることができる。
【００３５】
ベース探針３は２つの特徴的な面を構成しており、そのうち一つは先端部の非先鋭先端面６である。この面の特徴は試料表面８の平均平面に対して概略平行を保つことである。もうひとつの面はテーパー領域７である。このテーパー領域７は接合部５の先端より非先鋭先端面６にかけて設けられており、試料表面８との衝突時に接合部５の先端部を保護することでＣＮＴ探針の剥離やベース探針３が接合部５の先端付近から破壊するのを防止することができる。
【００３６】
この非先鋭先端面６およびテーパー領域７の加工は集束イオンビームによって行うことができる。例えばＧａイオンをベース探針３の先端に照射することによって加工が可能である。
【００３７】
図２はベース探針の拡大図を示している。このベース探針においては、集束イオンビーム１２のボックス加工によりベース探針３の先端に平面を形成した後、電子線照射により金属化合物ガスを分解して生成物を堆積させ、ＣＮＴ探針３を接合することができる。
【００３８】
図３は、ＣＮＴカンチレバーが衝突した時の探針先端の拡大側面図である。この配置によるとＣＮＴ探針４、非先鋭先端面６、テーパー領域７、接合部先端９の順に試料表面８に近い位置に存在する。この配置でＣＮＴ探針５が撓みや滑りを生じると、試料表面８と接触が生じるのは非先鋭先端面６であり、平坦な試料表面との接触時には面同士の衝突となりベース探針３先端部の破壊や変形が防止できる。また、平坦でない試料表面と衝突した場合でも、ベース探針３の先端は鈍化されているため破壊や変形が生じることはない。さらには接合部５もテーパー領域７によって作られた保護スペースによって、試料表面８と接触しないために破壊されることがないうえに、接合部先端９からのＣＮＴ探針が撓むためのスペースが確保される。すなわち、ベース探針３の破壊や変形および接合部５の破壊を防ぐことでＣＮＴ探針４を試料表面の凹凸に確実にアプローチして測定することができる。
【００３９】
このＣＮＴカンチレバーは走査型プローブ顕微鏡における様々な測定方法に使用可能である。例えば、形状を測定するコンタクトモードやダイナミックモード、またはステップインモードを用いるＡＦＭに適用可能である。また、形状測定と同時に表面電位を検出するケルビンフォース顕微鏡（ＫＦＭ）、表面磁場を検出する磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、化学官能基の表面分布を検出する化学力顕微鏡（ＣＦＭ）等に用いることもでき、ナノ領域の形状および表面物性情報を得ることができる。また、研究用途のみならず半導体、ＨＤＤ等の製造過程に高精度な表面状態の測定（検査工程）を求められる製品の製造を可能とする。
【００４０】
図１０は市販のＳｉよりなるベース探針にＣＮＴを固定したＣＮＴカンチレバーの構成図であり、比較例として示したものである。この比較例では、ＣＮＴ探針４とベース探針３との固定は、電子ビーム照射によって金属をコーティングし接合部５を設けることで行われるが、ベース探針３の先端部および接合部５に試料表面８との接触により強い衝撃が加わるとＣＮＴ探針４の剥離や接合部先端９からのＣＮＴ探針４の取り付け角度に変化が生じる。
【実施例２】
【００４１】
図４は、他の実施例によるＣＮＴカンチレバーの斜視図である。
【００４２】
本実施形態ではベース探針３の先端部分に切欠部１０を形成した。切欠部１０の加工は、機械的せん断や集束イオンビームによって行うことができる。特に機械的せん断による加工法が好ましく、電子顕微鏡中でのマニピュレーションによって金属等のエッジ部にベース探針３の先端を引掻けることで先端部をせん断する方法等により加工できる。
【００４３】
図５は、機械的せん断により、ベース探針３の先端を切欠加工する際の工程を示した拡大図である。金属エッジ部１３によりベース探針３の先端を引掻くことで機械的にせん断し平面を形成したあと、電子線照射により金属化合物ガスを分解して生成物を堆積させＣＮＴ探針３を接合することができる。この方法を採用することによって電子顕微鏡内でベース探針３の先端部の加工とＣＮＴ探針の接合を同時に行うことができる。
【００４４】
図６は、図５に示した切欠加工工程を経て製造されたＣＮＴカンチレバーが、試料表面に衝突した時の探針先端の拡大側面図である。この配置によると、ＣＮＴ探針４、切欠部１０、接合部５の先端の順に試料表面８に近い位置に存在する。この配置でＣＮＴ探針５が撓みや滑りを生じると、試料表面１０と接触が生じるのは切欠部１０のエッジであるが、ベース探針先端が鈍化されているため破壊されることはほとんどなく、たとえ破壊されても接合部５の破壊は生じない。さらに、接合部５も切欠部１０により形成される保護スペースによって試料表面８と接触しないために破壊されることがないうえに、接合部先端９からのＣＮＴ探針が撓むためのスペースが確保できる。
【００４５】
すなわち、ベース探針３の破壊や変形および接合部５の破壊を防ぐことで、ＣＮＴ探針４を試料表面の凹凸に確実にアプローチして測定することができる。
【実施例３】
【００４６】
図７は、別の実施例によるＣＮＴカンチレバーの斜視図である。本実施形態のＣＮＴカンチレバーは、ベース探針３の先端が半球面１１になっている。接合部５はこの半球面１１の直上に配置されるよう形成される。
【００４７】
先端を半球面に加工する方法としては、半導体プロセスで用いられるようにイオン照射によるドライエッチングが望ましい。ベース探針の先端形状は曲率半径をもった半球状でなくてもよく、種々の球面形状に成形しうる。
【００４８】
図８は、半球面１１の先端部を持つベース探針３の加工方法とＣＮＴ探針の接合部を示した拡大図である。このベース探針３においては、先端方向からのイオンシャワー１４によるドライエッチングによりベース探針３の先端に半球面を形成し、電子線照射により金属化合物ガスを分解して生成物を堆積させＣＮＴ探針３を接合することができる。
【００４９】
図９は、本実施例のＣＮＴカンチレバーが試料表面８に衝突した時の探針部先端の拡大側面図である。この配置によるとＣＮＴ探針４、半球面１１、接合部５の先端の順に試料表面８に近い位置に存在する。この配置でＣＮＴ探針４が撓みや滑りを生じると、試料表面８に対して半球面１１で衝突するためベース探針３の破壊を効率よく防止することができる。
【００５０】
さらに、接合部５もベース探針３の先端が半球面であることによって形成される保護スペースによって試料表面８と接触しないために破壊されることがないうえに、ＣＮＴ探針が撓むためのスペースが確保できる。すなわち、ベース探針３の破壊や変形および接合部５の破壊を防ぐことで、ＣＮＴ探針４を試料表面の凹凸に確実にアプローチして測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】第一の実施例によるＣＮＴカンチレバーの斜視図。
【図２】第一の実施例におけるベース探針先端の拡大図。
【図３】第一の実施例によるカンチレーが試料表面に衝突したときの拡大図。
【図４】本発明の第二の実施例によるＣＮＴカンチレバーの斜視図。
【図５】第二の実施例におけるベース探針の先端部の加工工程を示す図。
【図６】第二の実施例によるＣＮＴカンチレバーが試料表面に衝突したときの拡大図。
【図７】第三の実施例によるＣＮＴカンチレバーの斜視図。
【図８】第三の実施例におけるベース探針先端の加工方法とＣＮＴ探針の接合位置を示した拡大図。
【図９】第三の実施例によるカンチレバーが試料表面に衝突したときの拡大図。
【図１０】従来のカンチレバーが試料表面に衝突したときの状態を示した図。
【符号の説明】
【００５２】
１…ＣＮＴカンチレバー、２…梁部、３…ベース探針、４…ＣＮＴ探針、５…接合部、６…非先鋭先端面、７…テーパー領域、８…試料表面、９…接合部先端、１０…切欠部、１１…半球面、１２…集束イオンビーム、１３…金属エッジ、１４…イオンシャワー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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