(57)【要約】【課題】漏れ電流を低減することが可能なショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】ＳｉＣ基板１と、ＳｉＣ基板１上に形成されたエピタキシャル層２と、エピタキシャル層２に接合されたショットキー電極４と、ＳｉＣ基板１のうちエピタキシャル層２が形成された面とは反対側の面に接合されたオーミック電極６と、を備えるショットキーバリアダイオードＡであって、エピタキシャル層２は、ＳｉＣ基板１の（０００−１）Ｃ面１ａに形成されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ基板と、
上記ＳｉＣ基板上に形成された半導体層と、
上記半導体層に接合されたショットキー電極と、
上記ＳｉＣ基板のうち上記半導体層が形成された面とは反対側の面に接合されたオーミック電極と、
を備えるショットキーバリアダイオードであって、
上記半導体層は、上記ＳｉＣ基板の（０００−１）Ｃ面に形成されていることを特徴とする、ショットキーバリアダイオード。
【請求項２】
上記ショットキー電極は、Ｍｏからなる、請求項１に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項３】
上記半導体層と上記ショットキー電極とのショットキーバリアハイトが１．３〜１．７ｅＶである、請求項１または２に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項４】
ＳｉＣ基板の（０００−１）Ｃ面に半導体層を形成する工程と、
上記ＳｉＣ基板の（０００１）Ｓｉ面に、オーミック電極を形成する工程と、
上記オーミック電極を形成する工程の後に、上記半導体層に、ショットキー電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする、ショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項５】
上記ショットキー電極を形成した後に、２００〜１，０００℃で熱処理を施す、請求項４に記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６は、従来のショットキーバリアダイオードの一例を示している（たとえば、特許文献１参照）。同図に示されたショットキーバリアダイオードＸには、ＳｉＣ基板９１が土台として用いられている。ＳｉＣ基板９１は、（０００１）Ｓｉ面９１ｂと、（０００−１）Ｃ面９１ａとを有している。（０００１）Ｓｉ面９１ｂには、エピタキシャル層９２が形成されている。エピタキシャル層９２には、ガードリング９２ａが形成されている。エピタキシャル層９２上には、絶縁層９３、ショットキー電極９４および金属層９５が積層されている。絶縁層９３には、ショットキー電極９４とエピタキシャル層９２とを接触させるためのコンタクトホール９３ａが形成されている。ショットキー電極９４とエピタキシャル層９２との接触状態は、ショットキーコンタクトとされている。（０００−１）Ｃ面９１ａには、オーミック電極９６が形成されている。オーミック電極９６とＳｉＣ基板９１との接触状態は、オーミックコンタクトとされている。ショットキーバリアダイオードＸは、電気回路において比較的高速なスイッチングに用いられる電子部品である。
【０００３】
しかしながら、ショットキーバリアダイオードＸを逆方向電圧による漏れ電流が小さいものとするには、ショットキー電極９４とエピタキシャル層９２とのショットキーバリアハイトを適切な大きさとする必要がある。エピタキシャル層９２が（０００１）Ｓｉ面９１ｂに形成された構成においては、ショットキーバリアハイトがせいぜい１．０ｅＶ程度であった。このため、ショットキーバリアダイオードＸにおいては、逆方向電圧による漏れ電流を十分に小さくできないという問題があった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２２１５１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、逆方向電圧による漏れ電流を低減することが可能なショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の側面によって提供されるショットキーバリアダイオードは、ＳｉＣ基板と、上記ＳｉＣ基板上に形成された半導体層と、上記半導体層に接合されたショットキー電極と、上記ＳｉＣ基板のうち上記半導体層が形成された面とは反対側の面に接合されたオーミック電極と、を備えるショットキーバリアダイオードであって、上記半導体層は、上記ＳｉＣ基板の（０００−１）Ｃ面に形成されていることを特徴としている。
【０００７】
このような構成によれば、上記ショットキー電極と上記エピタキシャル層との間のショットキーバリアハイトを漏れ電流を抑制するのに十分な値とすることが可能である。したがって、上記ショットキーバリアダイオードの漏れ電流を低減することができる。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ショットキー電極は、Ｍｏからなる。このような構成によれば、上記ショットキー電極と上記エピタキシャル層との接触状態を適切なオーミックコンタクトとすることができる。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体層と上記ショットキー電極とのショットキーバリアハイトが１．３〜１．７ｅＶである。このような構成によれば、たとえば、本発明とは異なりエピタキシャル層がＳｉＣ基板の（０００１）Ｓｉ面に形成された構成と比べて、その漏れ電流を１／１０程度に低減することができる。
【００１０】
本発明の第２の側面によって提供されるショットキーバリアダイオードの製造方法は、ＳｉＣ基板の（０００−１）Ｃ面に半導体層を形成する工程と、上記ＳｉＣ基板の（０００１）Ｓｉ面に、オーミック電極を形成する工程と、上記オーミック電極を形成する工程の後に、上記半導体層に、ショットキー電極を形成する工程と、を有することを特徴としている。
【００１１】
このような構成によれば、上記ショットキーバリアハイトを漏れ電流を抑制するのに十分な値とすることができる。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ショットキー電極を形成した後に、２００〜１，０００℃で熱処理を施す。このような構成によれば、ショットキーバリアハイトを１．３〜１．７ｅＶ程度の値とするのに好適である。
【００１３】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１５】
図１は、本発明に係るショットキーバリアダイオードの一例を示している。本実施形態のショットキーバリアダイオードＡは、ＳｉＣ基板１、エピタキシャル層２、絶縁層３、ショットキー電極４、金属層５、およびオーミック電極６を備えている。ショットキーバリアダイオードＡは、金属と半導体との接触部に生じるショットキーバリアを利用した整流器の一種である。ＰＮ接合を利用した整流器と比べて順方向の電圧降下が小さく、スイッチング速度が速いという性質を有する。
【００１６】
ＳｉＣ基板１は、たとえばその抵抗率が０．０１〜０．０５Ωｍとなる程度に不純物がドープされたｎ+型４Ｈ−ＳｉＣ基板であり、エピタキシャル層２を形成するための土台とされるものである。ＳｉＣ基板１は、（０００−１）Ｃ面１ａと（０００１）Ｓｉ面１ｂとを有している。
【００１７】
エピタキシャル層２は、たとえば不純物密度が１．０×１０15〜２．０×１０16ｃｍ-3程度の比較的高純度なｎ-型のＳｉＣからなる。エピタキシャル層２は、基板１の（０００−１）Ｃ面１ａに形成されている。エピタキシャル層２には、ガードリング２１が形成されている。ガードリング２１は、エピタキシャル層２の一部にＡｌ、Ｂなどをイオン注入することによって形成された環状部分であり、ショットキーバリアダイオードＡの耐電圧を高めるためのものである。
【００１８】
絶縁層３は、たとえばＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4からなる環状の部材である。絶縁層３は、エピタキシャル層２およびガードリング２１の一部ずつを覆っている。絶縁層３には、コンタクトホール３ａが形成されている。コンタクトホール３ａは、ガードリング２１の内周縁を露出させるサイズとされている。
【００１９】
ショットキー電極４は、たとえばＭｏからなり、エピタキシャル層２との間にショットキーバリアを形成するためのものである。ショットキー電極４は、エピタキシャル層２およびガードリング２１のうち絶縁層３のコンタクトホール３ａを通して露出した部分と接触している。本実施形態においては、ショットキー電極４とエピタキシャル層２との間におけるショットキーバリアハイトが、１．３〜１．７ｅＶとされている。
【００２０】
金属層５は、たとえばＡｌからなり、ショットキー電極４を覆っている。金属層５とショットキー電極４との間には、Ｔｉ、ＭｏＮなどからなる層を介在させてもよい。
【００２１】
オーミック電極６は、ＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面１ｂに形成されており、ショットキーバリアダイオードＡに電子を注入するための電極である。オーミック電極６は、ショットキーバリアダイオードＡをたとえば回路基板にハンダ付けするために用いられる。オーミック電極６は、ハンダ付けを良好に行うことが可能な構成として、たとえばＴｉ、Ｎｉ、Ａｇからなる層が積層された構造とされている。
【００２２】
次に、ショットキーバリアダイオードＡの製造方法の一例について、図２〜図５を参照しつつ以下に説明する。
【００２３】
まず、図２に示すように、ＳｉＣ基板１を用意する。ＳｉＣ基板１は、たとえば昇華法またはＨＴＣＶＤ法によって作製される。そして、ＳｉＣ基板１の（０００−１）Ｃ面１ａにエピタキシャル層２を形成する。エピタキシャル層２の形成においては、たとえば原料ガスとしてプロパンガス、シランガスを、キャリアガスとしてＨ2ガスを、ドーパントガスとしてＮ2ガスを、（０００−１）Ｃ面１ａに向けて供給することにより、ｎ-型のＳｉＣをエピタキシャル成長させる。
【００２４】
次いで、図３に示すように、ガードリング２１を形成する。ガードリング２１の形成は、たとえばエピタキシャル層２の一部に対してＡｌ、Ｂなどを注入深さ０．１〜１．０μｍでイオン注入することにより行う。ガードリング２１を形成した後には、絶縁層３を形成する。絶縁層３の形成は、たとえばＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4を用いたスパッタリングにより行う。
【００２５】
次いで、図４に示すように、基板１の（０００１）Ｓｉ面１ｂに、オーミック電極６を形成する。オーミック電極６の形成は、たとえばスパッタリングまたは蒸着を用いて、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｇからなる層を積層させることにより行う。オーミック電極６を形成した後には、９００℃以上の雰囲気温度に１ｍｉｎ以上さらすことにより熱処理を施す。この熱処理により、オーミック電極６とＳｉＣ基板１との間の接触状態がオーミックコンタクトとなる。
【００２６】
オーミックコンタクトを得るための熱処理を施した後は、図５に示すように、絶縁層３にたとえばエッチングを用いて、コンタクトホール３ａを形成する。そして、スパッタリングまたは蒸着を用いてたとえばＭｏからなる層とＡｌからなる層を積層させる。これらのＭｏからなる層およびＡｌからなる層に対して、フォトリソグラフィの手法を利用したパターニングを施すことにより、ショットキー電極４および金属層５を形成する。
【００２７】
この後に、２００〜１，０００℃の雰囲気温度で熱処理を施す。発明者らの試験によれば、たとえば、４５０℃の雰囲気温度で２０ｍｉｎの熱処理を施せば、ショットキーバリアハイトを、１．５ｅＶ程度とすることができた。また、４５０℃の雰囲気温度で１００ｍｉｎの熱処理を施せば、ショットキーバリアハイトを１．４ｅＶ程度とすることができた。以上の工程を経ることにより、図１に示すショットキーバリアダイオードＡが得られる。なお、ショットキー電極４を形成した後の熱処理における雰囲気温度としては、２００〜１，０００℃が好ましい。雰囲気温度をこの範囲とすれば、ショットキーバリアハイトを１．３〜１．７ｅＶ程度に調整するのに適している。
【００２８】
次に、ショットキーバリアダイオードＡおよびその製造方法の作用について説明する。
【００２９】
本実施形態によれば、ショットキーバリアダイオードＡの逆電圧による漏れ電流を低減することが可能である。すなわち、ショットキーバリアダイオードＡのショットキーバリアハイトは、１．３〜１．７ｅＶとされている。ショットキーバリアハイトがこの程度の値であれば、ショットキーバリアダイオードＡの漏れ電流を、たとえばショットキーバリアハイトが１．０ｅＶ程度であるショットキーバリアダイオードの漏れ電流の１／１０程度とすることが可能である。
【００３０】
本発明とは異なり、図６に示された（０００１）Ｓｉ面９１ｂにエピタキシャル層９２を形成した構成においては、ショットキーバリアハイトは、せいぜい１．０〜１．１ｅＶ程度である。これに対し、本実施形態においては、エピタキシャル層２を基板１の（０００−１）Ｃ面１ａに形成することにより、エピタキシャル層２とショットキー電極４との間のショットキーバリアハイトを１．３〜１．７ｅＶ程度の比較的大きい値とすることが可能である。
【００３１】
ショットキー電極４をＭｏによって形成すれば、エピタキシャル層２との間の接触状態をショットキーコンタクトとするのに適している。
【００３２】
ショットキーバリアダイオードＡの製造工程においては、９００℃以上と比較的高い雰囲気で行われるオーミックコンタクト形成のための熱処理が施された後に、ショットキー電極４が形成される。このため、オーミックコンタクト形成のための熱処理によって、ショットキーバリアハイトが不当に低下させられるおそれがない。
【００３３】
本発明に係るショットキーバリアダイオードおよびその製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るショットキーバリアダイオードおよびその製造方法の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明に係るショットキーバリアダイオードの一例を示す要部断面図である。
【図２】本発明に係るショットキーバリアダイオードの製造方法の一例において、エピタキシャル層を形成する工程を示す要部断面図である。
【図３】本発明に係るショットキーバリアダイオードの製造方法の一例において、絶縁層を形成する工程を示す要部断面図である。
【図４】本発明に係るショットキーバリアダイオードの製造方法の一例において、オーミック電極を形成する工程を示す要部断面図である。
【図５】本発明に係るショットキーバリアダイオードの製造方法の一例において、ショットキー電極を形成する工程を示す要部断面図である。
【図６】従来のショットキーバリアダイオードの一例を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
Ａ      ショットキーバリアダイオード
１      ＳｉＣ基板
１ａ    （０００−１）Ｃ面
１ｂ    （０００１）Ｓｉ面
２      エピタキシャル層（半導体層）
３      絶縁層
４      ショットキー電極
５      金属層
６      オーミック電極
２１    ガードリング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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