(57)【要約】【課題】インク供給口を形成する工程を改善することによって、製品の生産性を向上させ、かつ、インク供給口を通したインクの供給を円滑にしたインクジェットプリントヘッドの製造方法を提供すること。【解決手段】前面にインクを加熱するためのヒーターが形成された基板を用意する段階と、基板の前面にインク流路を限定する流路形成層を形成する段階と、流路形成層上にノズルを持つノズル層を形成する段階と、流路形成層とノズル層の上部に第１保護層を覆う段階と、基板の背面に基板のエッチングのためのマスク物質を塗布する段階と、基板の側面を保護するための第２保護層を塗布する段階と、湿式エッチングで基板にインク供給口を形成する段階とを含む構成とし、ここで、マスク物質はタンタル、第２保護層はパリレンとすれば良い。【選択図】図３J
2008162267.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）前面にインクを加熱するためのヒーターが形成された基板を用意する段階と、
（ｂ）前記基板の前面にインク流路を限定する流路形成層を形成する段階と、
（ｃ）前記流路形成層上にノズルを持つノズル層を形成する段階と、
（ｄ）前記流路形成層とノズル層の上部に第１保護層を覆う段階と、
（ｅ）前記基板の背面に前記基板のエッチングのためのマスク物質を塗布する段階と、
（ｆ）前記基板の側面を保護するための第２保護層を塗布する段階と、
（ｇ）湿式エッチングで前記基板にインク供給口を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、インクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記マスク物質は、タンタル（Tａ）からなることを特徴とする、請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第２保護層は、パリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）からなることを特徴とする、請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第２保護層は、化学気相蒸着方式（ＣＶＤ）で前記基板の側面に塗布されることを特徴とする、請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第１保護層は、フェノキシ樹脂（ｐｈｅｎｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）からなることを特徴とする、請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記（ｇ）段階は、
前記マスク物質をパターニングして前記インク供給口を形成するためのエッチングマスクを形成する段階と、
前記エッチングマスクを通して露出された前記基板の背面を湿式エッチング方式でエッチングする段階と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記第２保護層は、前記基板の側面と前記マスク物質を覆うように塗布され、
前記（ｇ）段階は、
前記マスク物質と前記第２保護層をパターニングして前記インク供給口を形成するためのエッチングマスクを形成する段階と、
前記エッチングマスクを通して露出された前記基板の背面を湿式エッチング方式でエッチングする段階と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記（ｃ）段階は、
前記基板の前面にトレンチを形成する段階と、
前記トレンチと流路形成層の形成されている前記基板上に、前記流路形成層を覆う犠牲層を形成する段階と、
化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程によって前記流路形成層と犠牲層の上面を平坦化する段階と、
前記流路形成層と犠牲層の上にノズル層を形成する段階と、
を含んでなることを特徴とする、請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項９】
湿式エッチングによって前記インク供給口を形成した後、前記犠牲層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１０】
（ａ）インクを加熱するためのヒーター及び前記ヒーターに電流に供給するための電極が前面に形成された基板を用意する段階と、
（ｂ）フォトリソグラフィ工程によって前記基板の前面にインク流路を限定する流路形成層を形成する段階と、
（ｃ）前記基板の前面と流路形成層を覆うように犠牲層を形成した後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程によって前記犠牲層の上面を平坦化する段階と、
（ｄ）フォトリソグラフィ工程によって前記犠牲層と流路形成層上にノズル層を形成する段階と、
（ｅ）前記犠牲層とノズル層の上部に第１保護層を覆う段階と、
（ｆ）前記基板の背面に基板のエッチングのためのマスク物質を塗布する段階と、
（ｇ）少なくとも前記基板の側面及び前記マスク物質を覆うように第２保護層を塗布する段階と、
（ｈ）湿式エッチング方式で前記基板の背面をエッチングしてインク供給口を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、インクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記マスク物質は、タンタル（Ｔａ）からなることを特徴とする、請求項１０に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記第２保護層は、パリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）からなることを特徴とする、請求項１０に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記第１保護層は、フェノキシ樹脂（ｐｈｅｎｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）からなることを特徴とする、請求項１０に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記（ｈ）段階は、
前記マスク物質と前記第２保護層をパターニングして前記インク供給口を形成するためのエッチングマスクを形成する段階と、
前記エッチングマスクを通して前記基板の背面を前記犠牲層が露出されるまでエッチングする段階と、
を含むことを特徴とする、請求項１０に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記犠牲層は、前記湿式エッチングに用いられるエッチャント（ｅｔｃｈａｎｔ）に高い抵抗性を持つ物質からなることを特徴とする、請求項１４に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１６】
（ａ）基板の前面に流路形成層及びノズル層を形成する段階と、
（ｂ）前記流路形成層及びノズル層を覆うように第１保護層を形成する段階と、
（ｃ）前記基板のエッチングに用いられるマスク物質を前記基板の背面に塗布する段階と、
（ｄ）前記基板の側面を保護する第２保護層を形成する段階と、
（ｅ）湿式エッチングによってインク供給口を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、インクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記（ｅ）段階は、エッチングの前に前記マスク物質及び第２保護層をパターニングする段階を含むことを特徴とする、請求項１６に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１８】
（ａ）フォトリソグラフィによって基板の表面に流路形成層及びノズル層を形成する段階と、
（ｂ）前記流路形成層及びノズル層を覆うように第１保護層を形成する段階と、
（ｃ）前記基板のエッチングに用いられるマスク物質を前記基板の背面に塗布する段階と、
（ｄ）少なくとも前記基板の側面及びマスク物質を覆うように第２保護層を塗布する段階と、
（ｅ）前記基板の背面を湿式エッチングしてインク供給口を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、インクジェットプリントヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェットプリントヘッドの製造方法に係り、特に、インク供給口を形成する工程を改善したインクジェットプリントヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェットプリントヘッドは、印刷用インクの微小な液滴（ｄｒｏｐｌｅｔ）を記録用紙上の所望の位置に吐出させて画像を形成する装置である。かかるインクジェットプリントヘッドは、インク液滴の吐出メカニズムによって、熱駆動方式と圧電駆動方式とに大別される。なかでも、熱駆動方式のプリントヘッドは、熱源を用いてインクにバブル（ｂｕｂｂｌｅ）を発生させ、該バブルの膨張力によってインク液滴を吐出させる。
【０００３】
一般の熱駆動方式のプリントヘッドは、インクの供給のために形成されたインク供給口（ｉｎｋ  ｆｅｅｄ  ｈｏｌｅ）と、表面にインクの加熱のためのヒーターが設けられた基板と、基板上に流路及びインクチャンバーを形成する流路形成層と、流路形成層上に形成され、インクチャンバーに対応するノズルを持つノズル層と、を備える。
【０００４】
このようなプリントヘッドを製造する方法としては、基板とノズル層を個別に製造した後、これらを整列させて高分子薄膜で付着する接合方式と、流路形成層とノズル層を基板上に直接形成するモノリシック（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ）方式が広く用いられている。なかでもモノリシック方式は、接合方式に比べて、厳しい条件を満足しなければならない接着剤の他、ノズル層を基板と整列する作業及びこれを行うための装備が省かれるため、製造コストの節減及び生産性の向上が図られる。
【０００５】
図１Ａ乃至図１Ｆは、モノリシック方式を適用した従来のプリントヘッドの製造方法を示す工程図である。まず、図１Ａに示すように、インクの加熱のためのヒーター１ａと、このヒーター１ａに電流を供給するための電極１ｂとが形成された基板１上に、フォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程を用いて流路形成層２を形成する。以降、図１Ｂに示すように、流路形成層２で囲まれた空間にフォトレジストを埋め込んで犠牲層３を形成する。その後、図１Ｃに示すように、流路形成層２と犠牲層３上に、ノズル４ａを持つノズル層４を形成する。ノズル層４は、流路形成層２と略同様にフォトリソグラフィ工程によって形成される。続いて、図１Ｄに示すように、インク供給口を形成するためのエッチングマスク５を形成した後、図１Ｅに示すように、エッチングマスク５によって露出された基板１の背面から基板１が貫通されるようにエッチングし、インク供給口１ｃを形成する。このような基板１のエッチングは、プラズマを用いる乾式エッチングによってなされる。最後に、エッチングマスク５を除去し、ソルベントを使って犠牲層３を除去すると、図１Ｆに示すようなインクジェットプリントヘッドが完成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のような従来の方法は、インク供給口１ｃを形成する際に、ウエハを乾式エッチング装備に入れ、ウエハ単位に工程を行わねばならず、製品の生産性が低下するという問題があった。そこで、乾式エッチング装備の数を増やして生産性を向上させる方法が使用されてきたが、この方法は、乾式エッチング装備が高価であるがために限界を持つ。
【０００７】
なお、乾式エッチング工程によってインク供給口１ｃを形成すると、インク供給口１ｃの幅が狭く形成され、インク供給能力が低下するという限界につながる。
【０００８】
本発明は上記の問題点を解決するためのもので、その目的は、インク供給口を形成する工程を改善することによって、製品の生産性を向上させ、かつ、インク供給口からのインクの供給を円滑にすることが可能な、新規かつ改良されたインクジェットプリントヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明に係るインクジェットプリントヘッドの製造方法は、（ａ）前面にインクを加熱するためのヒーターが形成された基板を用意する段階と、（ｂ）前記基板の前面にインク流路を限定する流路形成層を形成する段階と、（ｃ）前記流路形成層上にノズルを持つノズル層を形成する段階と、（ｄ）前記流路形成層とノズル層の上部に第１保護層を覆う段階と、（ｅ）前記基板の背面に前記基板のエッチングのためのマスク物質を塗布する段階と、（ｆ）前記基板の側面を保護するための第２保護層を塗布する段階と、（ｇ）湿式エッチングで前記基板にインク供給口を形成する段階と、を含む構成とした。
【００１０】
前記マスク物質は、タンタル（Tａ）からなり、前記第２保護層は、パリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）からなることができる。
【００１１】
前記第２保護層は、化学気相蒸着方式（ＣＶＤ）で前記基板の側面に塗布されることができる。
【００１２】
前記第１保護層は、フェノキシ樹脂（ｐｈｅｎｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）からなることができる。
【００１３】
前記（ｇ）段階は、前記マスク物質をパターニングして前記インク供給口を形成するためのエッチングマスクを形成する段階と、前記エッチングマスクを通して露出された前記基板の背面を湿式エッチング方式でエッチングする段階と、を含むことができる。
【００１４】
前記第２保護層は、前記基板の側面と前記マスク物質を覆うように塗布され、前記（ｇ）段階は、前記マスク物質と前記第２保護層をパターニングして前記インク供給口を形成するためのエッチングマスクを形成する段階と、前記エッチングマスクを通して露出された前記基板の背面を湿式エッチング方式でエッチングする段階と、を含むことができる。
【００１５】
前記（ｃ）段階は、前記基板の前面にトレンチを形成する段階と、前記トレンチと流路形成層の形成されている前記基板上に、前記流路形成層を覆う犠牲層を形成する段階と、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程によって前記流路形成層と犠牲層の上面を平坦化する段階と、前記流路形成層と犠牲層の上にノズル層を形成する段階と、を含んでなることができ、前記インクジェットプリントヘッドの製造方法は、湿式エッチングによって前記インク供給口を形成した後、前記犠牲層を除去する段階をさらに含むことができる。
【００１６】
また、本発明に係るインクジェットプリントヘッドの製造方法は、（ａ）インクを加熱するためのヒーター及び前記ヒーターに電流に供給するための電極が前面に形成された基板を用意する段階と、（ｂ）フォトリソグラフィ工程によって前記基板の前面にインク流路を限定する流路形成層を形成する段階と、（ｃ）前記基板の前面と流路形成層を覆うように犠牲層を形成した後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程によって前記犠牲層の上面を平坦化する段階と、（ｄ）フォトリソグラフィ工程によって前記犠牲層と流路形成層上にノズル層を形成する段階と、（ｅ）前記犠牲層とノズル層の上部に第１保護層を覆う段階と、（ｆ）前記基板の背面に基板のエッチングのためのマスク物質を塗布する段階と、（ｇ）少なくとも前記基板の側面及び前記マスク物質を覆うように第２保護層を塗布する段階と、（ｈ）湿式エッチング方式で前記基板の背面をエッチングしてインク供給口を形成する段階と、を含む構成とした。
【００１７】
また、本発明に係るインクジェットプリントヘッドの製造方法は、（ａ）基板の前面に流路形成層及びノズル層を形成する段階と、（ｂ）前記流路形成層及びノズル層を覆うように第１保護層を形成する段階と、（ｃ）前記基板のエッチングに用いられるマスク物質を前記基板の背面に塗布する段階と、（ｄ）前記基板の側面を保護する第２保護層を形成する段階と、（ｅ）湿式エッチングによってインク供給口を形成する段階と、を含む構成とした。
【００１８】
前記（ｅ）段階は、エッチングの前に前記マスク物質及び第２保護層をパターニングする段階を含むことができる。
【００１９】
また、本発明に係るインクジェットプリントヘッドの製造方法は、（ａ）フォトリソグラフィによって基板の表面に流路形成層及びノズル層を形成する段階と、（ｂ）前記流路形成層及びノズル層を覆うように第１保護層を形成する段階と、（ｃ）前記基板のエッチングに用いられるマスク物質を前記基板の背面に塗布する段階と、（ｄ）少なくとも前記基板の側面及びマスク物質を覆うように第２保護層を塗布する段階と、（ｅ）前記基板の背面を湿式エッチングしてインク供給口を形成する段階と、を含む構成とした。
また、本発明に係るインクジェットプリントヘッドの製造方法は、（ａ）基板の前面に流路形成層及びノズル層を形成する段階と、（ｂ）前記流路形成層及びノズル層を覆うように第１保護層を形成する段階と、（ｃ）前記基板の背面にマスク層を形成する段階と、（ｄ）前記マスク層を湿式エッチングして基板上にインク供給口を形成する段階と、を含む構成とした。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、大量生産に適合する湿式エッチング方式でインク供給口を形成するため、製品の生産性を向上させ、かつ、インク供給口を介したインクの供給をより円滑にすることが可能になる。
【００２１】
また、本発明によれば、インク供給口のエッチング時にアンダーカットを相対的に少なく発生させるマスク物質を採択し、また、基板の側面を保護するための保護層を別途に塗布したため、より高精度にインク供給口の寸法を制御することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２３】
図２は、本発明による方法で製造されたインクジェットプリントヘッドの構造を示す断面図である。
【００２４】
図２に示すように、本発明の一実施例による方法で製造されたインクジェットプリントヘッドは、基板１０と、基板１０上に積層された流路形成層２０と、流路形成層２０上に形成されたノズル層３０とを含んでなる。基板１０には、インクの供給のためのインク供給口１１が形成される。流路形成層２０は、インク供給口１１とノズル３１とをつなぐインク流路２０ａを定義し、このようなインク流路２０ａは、インクが埋め込まれるインクチャンバー２１と、インク供給口１１とインクチャンバー２１とをつなぐリストリクタ２２とで構成される。ノズル層３０には、インクチャンバー２１からインクが吐出されるノズル３１が形成される。一方、基板１０の前面にはインクチャンバー２１の下部に配置され、インクチャンバー２１内のインクを加熱するヒーター１２と、このヒーター１２に電流を供給する電極１３と、が備えられる。
【００２５】
図３は、図２の実施例によるインクジェットプリントヘッドを製造する方法を示す図である。
【００２６】
図３Ａに示すように、前面１０ａにヒーター１２と電極１３が形成された基板１０を用意する。基板１０はシリコンウエハとする。ヒーター１２は、基板１０上に、例えば、タンタル−窒化物またはタンタル−アルミニウム合金のような抵抗発熱物質をスパッタリングまたは化学気相蒸着法（ＣＶＤ）によって蒸着した後、これをパターニングすることによって形成されることができる。また、電極１３は、アルミニウムのように導電性に優れた金属物質をスパッタリングによって蒸着した後、これをパターニングすることによって形成されることができる。一方、ヒーター１２と電極１３上には、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなる保護物質（図示せず）が備えられることができる。
【００２７】
そして、図３Ｂに示すように、基板１０の前面にトレンチ１４を形成する。トレンチ１４は、インク供給口１１（図２参照）を形成する際に、基板１０の前面側でインク供給口１１が均一に形成されるようにする役割を果たす。このトレンチ１４は、プラズマを用いる乾式エッチングによって形成されることができる。また、ヒーター１２と電極１３の形成されている基板１０上に、フォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程によって流路形成層２０を形成する。図示してはいないが、このような工程は、より具体的に、基板１０にスピンコーティング方法によってネガティブフォトレジストを塗布する工程、インクチャンバーとリストリクタパターンの形成されたフォトマスクを用いてフォトレジスト層を露光する工程、及び、フォトレジスト層を現像して露光されなかった部分を除去することによって、図３Ｂに示すようにインク流路２０ａを限定する流路形成層２０を形成する工程を含む。
【００２８】
続いて、図３Ｃに示すように、基板１０の前面１０ａと流路形成層２０を覆うように犠牲層４０を形成する。犠牲層４０は、ポジティブフォトレジストをスピンコーティング方法によって塗布することによって形成されることができる。この犠牲層４０は、以降、インク供給口を形成するために基板をエッチングする際にエッチャント（ｅｔｃｈａｎｔ）に露出されるので、エッチングに用いられるエッチャントに強い抵抗性を持つ物質にすることが好ましい。
【００２９】
次に、図３Ｄに示すように、化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ）工程を用いて流路形成層２０と犠牲層４０が同じ高さを持つように犠牲層４０と流路形成層２０の上面を平坦化する。これによれば、流路形成層２０の上部に形成されるノズル層を流路形成層に密着させ、プリントヘッドの耐久性を向上させることが可能になる他、インク流路の形状及び寸法を正確に制御し、プリントヘッドのインク吐出性能を向上させることが可能になる。
【００３０】
続いて、図３Ｅに示すように、平坦化した犠牲層４０と流路形成層２０上にノズル層３０を形成する。ノズル層３０は、流路形成層２０と略同様にフォトリソグラフィ工程によって形成される。すなわち、流路形成層２０上にフォトレジストを塗布した後、ノズルパターンの形成されたフォトマスクを介して露光させ、露光されなかった部分を現像すると、図３Ｅに示すように、ノズル３１の形成されたノズル層３０が完成する。
【００３１】
その後、図３Ｆに示すように、犠牲層４０とノズル層３０を覆うように第１保護層５０を形成する。第１保護層５０は、以降基板１０の背面１０ｂを湿式エッチングしてインク供給口を形成する際に、基板１０の前面に形成されている各層を保護する役割を担う。このような第１保護層５０は、樹脂で形成されることができるが、例えば、耐薬品性に富むフェノキシ樹脂（ｐｈｅｎｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）とすれば良い。
【００３２】
続いて、図３Ｇに示すように、基板１０の背面１０ｂに基板１０のエッチングのためのマスク物質６０を塗布する。マスク物質６０としては、タンタル（Ｔａ：Ｔａｎｔａｌｕｍ）が用いられることができる。従来はマスク物質として酸化シリコン（ＳｉＯ２）を主として使用してきたが、本実施例のようにタンタルを使用すると、エッチング時にマスク物質の内側へ基板が切り取られるアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）が減り、インク供給口をより高精度に形成できる。このインク供給口の形成については、図３Ｊに基づく説明においてより詳細に後述される。
【００３３】
このようにマスク物質を塗布した後、図３Ｈに示すように、マスク物質６０、基板１０の側面１０ｃ及び第１保護層５０を覆うように第２保護層７０を塗布する。第２保護層７０の塗布工程は、化学気相蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程によってなされると良い。第２保護層７０は、以降の湿式エッチングによってインク供給口を形成する際に基板１０の側面１０ｃを保護する役割を果たす。このような第２保護層７０の形成物質は、例えば、パリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）とすれば良い。ただし、これに限定されるわけはなく、インク供給口を湿式エッチングする際に用いられるエッチャントから基板１０を保護できるものであればいずれの化学物質も適用可能である。
【００３４】
一方、本実施例では、図３Ｇに示す加工物を全部覆う形態で第２保護層７０を形成したが、これに限定されず、基板１０の側面１０ｃのみを覆う形態にしても良い。
【００３５】
次に、図３Ｉに示すように、マスク物質６０と第２保護層７０の二重膜をパターニングしてインク供給口（図２参照）を形成するためのエッチングマスク８０を形成する。一方、第２保護層がマスク物質は覆わず、基板の側面のみを覆う場合には、マスク物質６０のみをパターニングしてエッチングマスクを形成する。
【００３６】
このようにしてエッチングマスク８０を形成した後、図３Iに示すような状態の加工物を、エッチャントに浸漬し、エッチングマスク８０によって露出された基板１０の背面１０ｂから基板１０を貫通して犠牲層４０が露出されるまで基板１０をエッチングする。これにより、図３Ｊに示すように、インク供給口１１が形成される。このとき、エッチングマスク８０によって露出された基板１０の背面を除く他の部分は、第１保護層５０及び第２保護層７０によって保護されているのでエッチャントによって影響を受けない。エッチャントには、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ（ＴＭＡＨ：Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ  Ａｍｍｏｎｉｕｍ  Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）が用いられることができる。
【００３７】
基板１０をエッチャントに浸漬してインク供給口１１を形成するとき、エッチャントがエッチングマスク８０の内側に染み込み、図３Ｊに示すようにアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）セクションＵが発生する。アンダーカットの過度発生は、寸法の予測可能性の低下を招くので、アンダーカットの発生は、可能な限り小さいと好ましい。
【００３８】
図４Ａ及び図４Ｂは、図３Ｊにおけるアンダーカット領域Ｔを示す写真である。ただし、図４Ａ及び図４Ｂでは、図３の基板の上下方向が変わっている。
【００３９】
図４Ａは、比較例であって、酸化シリコンでエッチングマスクを形成した場合である。この場合、アンダーカットＵの長さは略３．４６μｍである。図４Ａにおいて参照符号‘Ｓ’、‘Ｍ’及び‘Ｈ’はそれぞれ、基板、エッチングマスク及びインク供給口を表す。
図４Ｂは、本発明の一実施例であって、タンタルでエッチングマスクを形成した場合である。この場合、アンダーカットＵの長さは略１．４６μｍである。このように、タンタルを用いてエッチングマスクを形成すると、アンダーカットＵの発生度合を減らすことができ、インク供給口の寸法をより高精度に制御可能になる。図４Ｂにおいて、参照符号‘１０'、‘８０'及び‘１１'はそれぞれ、基板、エッチングマスク及びインク供給口を表す。
【００４０】
最後に、図３Ｊに示す状態においてエッチングマスク８０、第１保護層５０、第２保護層７０及び犠牲層４０を除去すると、図２に示すようなインクジェットプリントヘッドが完成する。
【００４１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１Ａ】モノリシック方式を適用した従来のプリントヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図１Ｂ】モノリシック方式を適用した従来のプリントヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図１Ｃ】モノリシック方式を適用した従来のプリントヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図１Ｄ】モノリシック方式を適用した従来のプリントヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図１Ｅ】モノリシック方式を適用した従来のプリントヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図１Ｆ】モノリシック方式を適用した従来のプリントヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図２】本発明による方法で製造されたインクジェットプリントヘッドの構成を示す図である。
【図３Ａ】本発明の一実施例によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を示す図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施例によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を示す図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施例によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を示す図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施例によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を示す図である。
【図３Ｅ】本発明の一実施例によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を示す図である。
【図３Ｆ】本発明の一実施例によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を示す図である。
【図３Ｇ】本発明の一実施例によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を示す図である。
【図３Ｈ】本発明の一実施例によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を示す図である。
【図３Ｉ】本発明の一実施例によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を示す図である。
【図３Ｊ】本発明の一実施例によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を示す図である。
【図４Ａ】本発明の一実施例と比較例によって形成された各インク供給口のアンダーカット構造をそれぞれ示す写真である。
【図４Ｂ】本発明の一実施例と比較例によって形成された各インク供給口のアンダーカット構造をそれぞれ示す写真である。
【符号の説明】
【００４３】
１０    基板
１１    インク供給口
１２    ヒーター
１３    電極
１４    トレンチ
２０    流路形成層
３０    ノズル層
４０    犠牲層
５０    第１保護層
６０    マスク物質
７０    第２保護層
８０    エッチングマスク
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図３Ｊ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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