(57)【要約】  【課題】クリーニングガスを用いることなく、汚染物質を低減させる部材のクリーニング方法を提供する。  【解決手段】部材のクリーニング方法は、部材７２の表面にポリシリコン膜７６を成膜する工程と、成膜後の部材７２を熱処理することで部材７２からポリシリコン膜７６へ不純物を拡散させる工程と、熱処理後の部材７２表面のポリシリコン膜７６をエッチングする工程とを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
部材の表面に膜を成膜する工程と、
成膜後の前記部材を熱処理することで前記部材から前記膜へ不純物を拡散させる工程と、
熱処理後の前記部材表面の前記膜をエッチングする工程と、
を有することを特徴とする部材のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハやガラス基板等の基板を処理する熱処理装置等に用いられる部材のクリーニング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板を処理する熱処理装置等の反応炉内で用いられる部材には炭化珪素（ＳｉＣ）などの高い耐熱性を有する部材が用いられている。この部材の表面や内部には、例えばシリコン（Ｓｉ）からなる基板と比較して金属元素等の汚染物質（不純物）が多く付着（含有）しており、この汚染物質による基板の汚染が問題となっている。そこで、熱処理装置内に塩化水素（ＨＣｌ）等のクリーニングガスをキャリアガスとともに供給することで汚染物質を除去する方法が知られている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記の技術においては、汚染物質を除去する際に塩化水素（ＨＣｌ）等のクリーニングガスを多量に使用するとの問題があった。
【０００４】
本発明の目的は、上記従来の問題を解消し、不純物を低減させる部材のクリーニング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の特徴とするところは、部材の表面に膜を成膜する工程と、成膜後の前記部材を熱処理することで前記部材から前記膜へ不純物を拡散させる工程と、熱処理後の前記部材表面の前記膜をエッチングする工程とを有する部材のクリーニング方法にある。
【０００６】
好適には、前記部材は炭化珪素、酸化アルミニウム及び窒化珪素からなる群から選択される少なくとも一つから構成される。
【０００７】
好適には、前記部材は珪素を含浸した炭化珪素及び前記珪素を含浸した炭化珪素に炭化珪素をコーティングした炭化珪素の少なくとも一方から構成される。
【０００８】
好適には、前記膜はポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜及びシリコン酸化膜からなる群から選択される少なくとも一つの膜からなる。
【０００９】
好適には、前記膜はポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜及びシリコン酸化膜からなる群から選択される少なくとも二つの膜が積層された積層膜からなる。
【００１０】
好適には、前記エッチングはウエットエッチング及びドライエッチングの少なくとも一方である。
【００１１】
好適には、前記ドライエッチングには三フッ化塩素ガス、三フッ化窒素ガス及びフッ素ガスからなる群から選択される少なくとも一つのガスが用いられる。
【００１２】
好適には、前記部材は炭化珪素からなり、該部材の表面にポリシリコン膜を成膜する工程と、成膜後の前記部材を熱処理することで前記ポリシリコン膜へ不純物を拡散させる工程と、熱処理後の前記部材の表面の前記ポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去する工程とを有する。
【００１３】
好適には、前記部材は炭化珪素からなり、該部材の表面にアモルファスシリコン膜を成膜する工程と、成膜後の前記部材を熱処理することで前記部材から前記アモルファスシリコン膜へ不純物を拡散させる工程と、熱処理後の前記部材表面の前記アモルファスシリコン膜をウエットエッチングにより除去する工程とを有する。
【００１４】
好適には、前記部材は炭化珪素からなり、該部材の表面にシリコン酸化膜を成膜する工程と、成膜後の前記部材を熱処理することで前記部材から前記シリコン酸化膜へ不純物を拡散させる工程と、熱処理後の前記部材表面の前記シリコン酸化膜をウエットエッチングにより除去する工程とを有する。
【００１５】
好適には、前記部材は炭化珪素からなり、該部材の表面にポリシリコン膜及びアモルファスシリコン膜並びにシリコン酸化膜を積層した積層膜を成膜する工程と、成膜後の前記部材を熱処理することで前記部材から前記積層膜へ不純物を拡散させる工程と、熱処理後の前記部材の表面の前記積層膜を除去する工程とを有する。
【００１６】
本発明の第２の特徴とするところは、部材の表面に膜を成膜する工程と、成膜後の前記部材を熱処理することで前記部材から前記膜へ不純物を拡散させる工程と、熱処理後の前記部材表面の前記膜をエッチングする工程とを有する部材のクリーニング方法によりクリーニングされてなる部材にある。
【００１７】
本発明の第３の特徴とするところは、部材の表面に膜を成膜する工程と、成膜後の前記部材を熱処理することで前記部材から前記膜へ不純物を拡散させる工程と、熱処理後の前記部材表面の前記膜をエッチングする工程とを有する部材のクリーニング方法によりクリーニングされてなる部材を有する熱処理装置にある。
【００１８】
好適には、前記部材は、前記熱処理装置に用いられる反応管、基板支持具及びガスノズルからなる群から選択される少なくとも一つである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、部材から膜へ不純物を拡散させ、該膜をエッチングする工程を有するので、クリーニングガスを用いることなく部材の不純物を減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１に、本発明の実施の形態に係る熱処理装置１０の一例を示す。この熱処理装置１０は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筺体１２を有する。この筺体１２の正面側には、ポッドステージ１４が接続されており、このポッドステージ１４にポッド１６が搬送される。ポッド１６には、例えば２５枚の被処理基板としてのウエハが収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ１４にセットされる。
【００２１】
筺体１２内の正面側であって、ポッドステージ１４に対向する位置には、ポッド搬送装置１８が配置されている。また、このポッド搬送装置１８の近傍には、ポッド棚２０、ポッドオープナ２２及び基板枚数検知器２４が配置されている。ポッド棚２０はポッドオープナ２２の上方に配置され、基板枚数検知器２４はポッドオープナ２２に隣接して配置される。ポッド搬送装置１８は、ポッドステージ１４とポッド棚２０とポッドオープナ２２との間でポッド１６を搬送する。ポッドオープナ２２は、ポッド１６の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド１６内の基板の枚数が基板枚数検知器２４により検知される。
【００２２】
さらに、筺体１２内には、基板移載機２６、ノッチアライナ２８及び基板支持具（ボート）３０が配置されている。基板移載機２６は、例えば５枚の基板を取り出すことができるアーム（ツイーザ）３２を有し、このアーム３２を動かすことにより、ポッドオープナ２２の位置に置かれたポッド、ノッチアライナ２８及び基板支持具３０間で基板を搬送する。ノッチアライナ２８は、基板に形成されたノッチまたはオリフラを検出して基板のノッチまたはオリフラを一定の位置に揃えるものである。
【００２３】
さらに、筺体１２内の背面側上部には反応炉４０が配置されている。この反応炉４０内に、複数枚の基板を装填した基板支持具３０が搬入され熱処理が行われる。
【００２４】
図２に反応炉４０の一例を示す。この反応炉４０は、炭化珪素（ＳｉＣ）製の反応管４２を有する。この反応管４２は、上端部が閉塞され下端部が開放された円筒形状をしており、開放された下端部はフランジ状に形成されている。この反応管４２の下方には反応管４２を支持するよう石英製のアダプタ４４が配置される。このアダプタ４４は上端部と下端部が開放された円筒形状をしており、開放された上端部と下端部はフランジ状に形成されている。アダプタ４４の上端部フランジの上面に反応管４２の下端部フランジの下面が当接している。この反応管４２とアダプタ４４により反応容器４３が形成されている。また、反応容器４３のうち、アダプタ４４を除いた反応管４２の周囲には、ヒータ４６が配置されている。
【００２５】
反応管４２とアダプタ４４により形成される反応容器４３の下部は、基板支持具３０を挿入するために開放され、この開放部分（炉口部）は炉口シールキャップ４８がＯリングを挟んでアダプタ４４の下端部フランジの下面に当接することにより密閉されるようにしてある。炉口シールキャップ４８は基板支持具３０を支持し、基板支持具３０と共に昇降可能に設けられている。炉口シールキャップ４８と基板支持具３０との間には、石英製の第１の断熱部材５２と、この第１の断熱部材５２の上部に配置された炭化珪素（ＳｉＣ）製の第２の断熱部材５０とが設けられている。基板支持具３０は、多数枚、例えば２５〜１００枚の基板５４を略水平状態で隙間をもって多段に支持し、反応管４２内に装填される。
【００２６】
１２００℃以上の高温での処理を可能とするため、反応管４２は炭化珪素（ＳｉＣ）製としてある。このＳｉＣ製の反応管４２を炉口部まで延ばし、この炉口部をＯリングを介して炉口シールキャップでシールする構造とすると、ＳｉＣ製の反応管を介して伝達された熱によりシール部まで高温となり、シール材料であるＯリングを溶かしてしまうおそれがある。Ｏリングを溶かさないようＳｉＣ製の反応管４２のシール部を冷却すると、ＳｉＣ製の反応管４２が温度差による熱膨張差により破損してしまう。そこで、反応容器４３のうちヒータ４６による加熱領域をＳｉＣ製の反応管４２で構成し、ヒータ４６による加熱領域から外れた部分を石英製のアダプタ４４で構成することで、ＳｉＣ製の反応管４２からの熱の伝達を和らげ、Ｏリングを溶かすことなく、また反応管４２を破損することなく炉口部をシールすることが可能となる。また、ＳｉＣ製の反応管４２と石英製のアダプタ４４とのシールは、双方の面精度を良くすれば、ＳｉＣ製の反応管４２はヒータ４６の加熱領域に配置されているため温度差が発生せず、等方的に熱膨張する。よって、ＳｉＣ製の反応管４２下端部のフランジ部分は平面を保つことができ、アダプタ４４との間に隙間ができないので、ＳｉＣ製の反応管４２を石英製のアダプタ４４に載せるだけでシール性を確保することができる。
【００２７】
アダプタ４４には、アダプタ４４と一体にガス供給口５６とガス排気口５９とが設けられている。ガス供給口５６にはガス導入管６０が、ガス排気口５９には排気管６２がそれぞれ接続されている。
【００２８】
アダプタ４４の内壁は反応管４２の内壁よりも内側にあり（突出しており）、アダプタ４４の側壁部（肉厚部）には、ガス供給口５６と連通し、垂直方向に向かうガス導入経路６４が設けられ、その上部にはノズル取付孔が上方に開口するように設けられている。このノズル取付孔は、反応管４２の内部におけるアダプタ４４の上端部フランジ側の上面に開口しており、ガス供給口５６およびガス導入経路６４と連通している。このノズル取付孔にはノズル６６が挿入され固定されている。すなわち、反応管４２内部におけるアダプタ４４の反応管４２の内壁よりも内側に突出した部分の上面にノズル６６が接続され、このアダプタ４４の上面によりノズル６６が支持されることとなる。この構成により、ノズル接続部は熱で変形しにくく、また破損しにくい。また、ノズル６６とアダプタ４４の組立て、解体が容易になるというメリットもある。ガス導入管６０からガス供給口５６に導入された処理ガスは、アダプタ４４の側壁部に設けられたガス導入経路６４、ノズル６６を介して反応管４２内に供給される。なお、ノズル６６は、反応管４２の内壁に沿って基板配列領域の上端よりも上方、すなわち基板支持具３０の上端よりも上方まで延びるように構成される。
【００２９】
このように、熱処理装置１０の反応炉４０内では、炭化珪素（ＳｉＣ）製の部材７２（例えば反応管４２、基板支持具３０、第２の断熱部材５０及びノズル６６等）が用いられている。
【００３０】
次に上述したように構成された熱処理装置１０の作用について説明する。
なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ７０により制御される。
【００３１】
まず、ポッドステージ１４に複数枚の基板５４を収容したポッド１６がセットされると、ポッド搬送装置１８によりポッド１６をポッドステージ１４からポッド棚２０へ搬送し、このポッド棚２０にストックする。次に、ポッド搬送装置１８により、このポッド棚２０にストックされたポッド１６をポッドオープナ２２に搬送してセットし、このポッドオープナ２２によりポッド１６の蓋を開き、基板枚数検知器２４によりポッド１６に収容されている基板５４の枚数を検知する。
【００３２】
次に、基板移載機２６により、ポッドオープナ２２の位置にあるポッド１６から基板５４を取り出し、ノッチアライナ２８に移載する。このノッチアライナ２８においては、基板５４を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚の基板５４のノッチを同じ位置に整列させる。次に、基板移載機２６により、ノッチアライナ２８から基板５４を取り出し、基板支持具３０に移載する。
【００３３】
このようにして、１バッチ分の基板５４を基板支持具３０に移載すると、例えば６００℃程度の温度に設定された反応炉４０（反応容器４３）内に複数枚の基板５４を装填した基板支持具３０を装入し、炉口シールキャップ４８により反応炉４０内を密閉する。次に、炉内温度を熱処理温度まで昇温させて、ガス導入管６０からガス導入口５６、アダプタ４４側壁部に設けられたガス導入経路６４、及びノズル６６を介して反応管４２内に処理ガスを導入する。処理ガスには、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、水素（Ｈ２）、酸素（Ｏ２）等が含まれる。基板５４を熱処理する際、基板５４は例えば１２００℃程度以上の温度に加熱される。
【００３４】
基板５４の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を６００℃程度の温度に降温した後、熱処理後の基板５４を支持した基板支持具３０を反応炉４０からアンロードし、基板支持具３０に支持された全ての基板５４が冷えるまで、基板支持具３０を所定位置で待機させる。次に、待機させた基板支持具３０の基板５４が所定温度まで冷却されると、基板移載機２６により、基板支持具３０から基板５４を取り出し、ポッドオープナ２２にセットされている空のポッド１６に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置１８により、基板５４が収容されたポッド１６をポッド棚２０、またはポッドステージ１４に搬送して一連の処理が完了する。
【００３５】
次に、上述した熱処理装置１０の反応炉４０内で用いられる部材７２のクリーニング方法を図３に基づいて説明する。
図３（ａ）に示すように、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）からなる部材７２には、例えば金属元素（例えばＦｅ）などの汚染物質（不純物）７４が付着（含有）している。
【００３６】
なお、部材７２は、酸化アルミニウム（アルミナ：Ａｌ２Ｏ３）、又は窒化珪素（ＳｉＮ）でもよい。また、部材７２は、シリコン（珪素：Ｓｉ）を含浸した炭化珪素（ＳｉＣ）でもよく、又は、このシリコンを含浸した炭化珪素（ＳｉＣ）に対してさらにＣＶＤ装置を用いて炭化珪素（ＳｉＣ）をコーティングした炭化珪素（ＳｉＣ）でもよい。
【００３７】
まず、図３（ｂ）に示すように、一般的に用いられるＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置（図示省略）を用いて、部材７２の表面にポリシリコン(Ｐｏｌｙ−Ｓｉ)膜７６を成膜する（成膜工程）。
【００３８】
続いて、図３（ｃ）に示すように、部材７２の表面にポリシリコン膜７６を成膜後、一般的に用いられる熱処理装置（図示省略）を用いて該部材７２を熱処理する。図３（ｄ）に示すように、表面にポリシリコン膜７６が成膜された部材７２を熱処理することで、汚染物質７４がポリシリコン膜７６へ拡散する。図３（ｅ）に示すように、部材７２から汚染物質７４が拡散することで、ポリシリコン膜７６に該汚染物質７４がゲッタリングされる（拡散工程）。
なお、この拡散工程において、上述した基板を熱処理するための熱処理装置１０を用いて部材７２を熱処理してもよい。
【００３９】
続いて、図３（ｆ）に示すように、一般的に用いられるエッチング装置（図示省略）を用いて、部材７２表面の汚染物質７４がゲッタリングされたポリシリコン膜７６を薬液に浸漬するウエットエッチングにより除去する（エッチング工程）。薬液は、例えばＨＦ（１０％）、ＨＮＯ３（４０％）及びＨ２Ｏ（５０％）を混合したものが用いられる。
【００４０】
なお、このエッチング工程において、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）ガス、三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス、フッ素（Ｆ２）ガス等を用いたドライエッチングによりエッチングを行なってもよい。このドライエッチングは、例えば部材７２を真空容器内にセットして、１００〜５００℃程度の温度に加熱し、真空容器内に三フッ化塩素ガス、三フッ化窒素ガス、フッ素ガス等を所定量供給し、所定の圧力で所定時間処理するものである。
【００４１】
次に、比較例における部材のクリーニング方法を図６に基づいて説明する。
図６（ａ）に示すように、反応炉を所定の温度に加熱するとともにキャリアガスとしての窒素（Ｈ２）とクリーニングガスとしての塩化水素（ＨＣｌ）とを該反応炉内へ供給する。図６（ｂ）に示すように、塩化水素（ＨＣｌ）と部材１００に付着（含有）する汚染物質（不純物）としての金属元素（例えばＦｅ）１０２とが反応し、発生した水素（Ｈ２）及び塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）とが窒素（Ｈ２）とともに炉外に排出される。本比較例においては、図６（ｃ）に示すように、部材１００に付着（含有）する汚染物質１０２は減少するが、クリーニングガスやキャリアガス等が多量に使用されていた。
【００４２】
以上のように、本発明の部材のクリーニング方法によれば、比較例におけるクリーニング方法と比較し、クリーニングガスを用いることなく、部材７４の汚染物質（不純物）を低減させることができる。
【００４３】
次に本発明の第２の実施形態における部材７２のクリーニング方法を図４を用いて説明する。
図４（ａ）に示すように、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）からなる部材７２には、例えば金属元素（例えばＦｅ）などの汚染物質（不純物）７４が付着（含有）している。
【００４４】
まず、図４（ｂ）に示すように、一般的に用いられるＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置（図示省略）を用いて、部材７２の表面にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜７８を成膜する（成膜工程）。
【００４５】
続いて、図４（ｃ）に示すように、部材７２の表面にアモルファスシリコン膜７８を成膜後、一般的に用いられる熱処理装置（図示省略）を用いて該部材７２を熱処理する。図４（ｄ）に示すように、表面にアモルファスシリコン膜７８が成膜された部材７２を熱処理することで、汚染物質７４がアモルファスシリコン膜７８へ拡散する。図４（ｅ）に示すように、部材７２から汚染物質７４が拡散することで、アモルファスシリコン膜７８に該汚染物質７４がゲッタリングされる（拡散工程）。
【００４６】
続いて、図４（ｆ）に示すように、一般的に用いられるエッチング装置（図示省略）を用いて、部材７２表面の汚染物質７４がゲッタリングされたアモルファスシリコン膜７８をウエットエッチングにより除去する（エッチング工程）。
【００４７】
なお、炭化珪素（ＳｉＣ）製の部材７２の表面にシリコン酸化（二酸化珪素：ＳｉＯ２）膜を成膜し、成膜後の部材７２を熱処理することで該シリコン酸化膜へ不純物を拡散させ、熱処理後の部材７２の表面のシリコン酸化膜をウエットエッチングにより除去するようにしてもよい。
【００４８】
次に本発明の第３の実施形態における部材７２のクリーニング方法を図５に基づいて説明する。
図５（ａ）に示すように、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）からなる部材７２には、例えば金属元素（例えばＦｅ）などの汚染物質（不純物）７４が付着（含有）している。
【００４９】
まず、図５（ｂ）に示すように、一般的に用いられるＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置（図示省略）を用いて、部材７２の表面にポリシリコン膜７６、アモルファスシリコン膜７８、シリコン酸化膜８０を積層した積層膜８２を成膜する（成膜工程）。
【００５０】
続いて、図５（ｃ）に示すように、部材７２の表面に積層膜８２を成膜後、一般的に用いられる熱処理装置（図示省略）を用いて該部材７２を熱処理する。図５（ｄ）に示すように、表面に積層膜８２が成膜された部材７２を熱処理することで、汚染物質７４が積層膜８２へ拡散する。図５（ｅ）に示すように、部材７２から汚染物質７４が拡散することで、積層膜８２に該汚染物質７４がゲッタリングされる（拡散工程）。
【００５１】
続いて、図５（ｆ）に示すように、一般的に用いられるエッチング装置（図示省略）を用いて、部材７２表面の汚染物質７４がゲッタリングされた積層膜８２をウエットエッチングにより除去する（エッチング工程）。
【００５２】
なお、上記実施の形態の説明においては、一度に複数枚の基板を熱処理するバッチ式の熱処理装置を用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、枚葉式のものであってもよい。
【００５３】
本発明の熱処理装置は、基板の製造工程にも適用することができる。
ＳＯＩ（Silicon On Insulator）ウエハの一種であるＳＩＭＯＸ（Separation by Implanted Oxygen）ウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用する例について説明する。
【００５４】
まずイオン注入装置等により単結晶シリコンウエハ内へ酸素イオンをイオン注入する。その後、酸素イオンが注入されたウエハを上記実施の形態の熱処理装置を用いて、例えばＡｒ、Ｏ２雰囲気のもと、１３００℃〜１４００℃、例えば１３５０℃以上の高温でアニールする。これらの処理により、ウエハ内部にＳｉＯ２層が形成された（ＳｉＯ２層が埋め込まれた）ＳＩＭＯＸウエハが作製される。
【００５５】
また、ＳＩＭＯＸウエハの他、水素アニールウエハやＡｒアニールウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用することも可能である。この場合、ウエハを本発明の熱処理装置を用いて、水素雰囲気中もしくはＡｒ雰囲気中で１２００℃程度以上の高温でアニールすることとなる。これによりＩＣ（集積回路）が作られるウエハ表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。また、この他、エピタキシャルウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用することも可能である。
【００５６】
以上のような基板の製造工程の一工程として行う高温アニール処理を行う場合であっても、本発明の熱処理装置を適用することができる。
【００５７】
本発明の熱処理装置は、半導体装置（デバイス）の製造工程に適用することも可能である。
特に、比較的高い温度で行う熱処理工程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化（パイロジェニック酸化）、ＨＣｌ酸化等の熱酸化工程や、硼素（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等の不純物（ドーパント）を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。
【００５８】
このような半導体デバイスの製造工程の一工程としての熱処理工程を行う場合においても、本発明の熱処理装置を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、半導体ウエハやガラス基板等の基板を処理する熱処理装置等の反応炉内で用いられる部材の不純物を低減させる必要があるものに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る熱処理装置全体を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る熱処理装置に用いた反応炉を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る部材のクリーニング方法を示し、（ａ）〜（ｃ）は部材の表面に成膜する工程、（ｄ）〜（ｅ）は部材から膜へ不純物を拡散させる工程、（ｆ）は熱処理後の部材表面の膜をエッチングする工程を説明する模式図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る部材のクリーニング方法を示し、（ａ）〜（ｃ）は部材の表面に成膜する工程、（ｄ）〜（ｅ）は部材から膜へ不純物を拡散させる工程、（ｆ）は熱処理後の部材表面の膜をエッチングする工程を説明する模式図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る部材のクリーニング方法を示し、（ａ）〜（ｃ）は部材の表面に成膜する工程、（ｄ）〜（ｅ）は部材から膜へ不純物を拡散させる工程、（ｆ）は熱処理後の部材表面の膜をエッチングする工程を説明する模式図である。
【図６】比較例におけるクリーニング方法を示す模式図である。
【００６１】
１０  熱処理装置
３０  基板支持具
４２  反応管
５０  第２の断熱部材
６６  ノズル
７２  部材
７６  ポリシリコン膜
７８  アモルファスシリコン膜
８０  シリコン酸化膜
８２  積層膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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