(57)【要約】【課題】分離溝の形成位置を工夫し、集積された複数の半導体レーザの他の装置との電気的接続部分である接続面積を互いに変えることで、低コスト、小型でかつ放熱の良い２波長の半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】熱伝導率の平均値がκ１の半導体材料で構成された赤色半導体レーザ３の接続面積Ｓ１を、熱伝導率の平均値がκ１よりも大きい熱伝導率κ２の半導体材料で構成された赤外半導体レーザの接続面積Ｓ２より大きくすることで、半導体レーザ装置全体の放熱性を良くすることができる。【選択図】図１
2008153713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層で構成され、かつ赤色光を放射する第１の半導体レーザと、半導体層で構成され、かつ赤外光を放射する第２の半導体レーザとを有する半導体レーザ装置であって、
第１の半導体レーザの表面積は第２の半導体レーザの表面積より大きいことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
半導体層で構成され、かつ赤色光を放射する第１の半導体レーザと、半導体層で構成され、かつ赤外光を放射する第２の半導体レーザとを有する半導体レーザ装置であって、前記第１の半導体レーザと前記第２の半導体レーザとは同一基板上に形成され、かつ前記第１の半導体レーザと前記第２の半導体レーザとはそれぞれ前記基板とは反対側に第１の部位および第２の部位が形成され、前記第１の部位の表面積は前記第２の部位の表面積より大きいことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１の半導体レーザを構成する半導体層がＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料であり、前記第２の半導体レーザを構成する半導体層がＡｌＧａＡｓ系半導体材料であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１部位及び前記第２部位が、電極であることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第１部位及び前記第２部位が、半導体積層部の上面であることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置、特に２種類の半導体レーザを集積して２波長のレーザを出力する半導体レーザ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、コンパクトディスク（ＣＤ）用の光源として用いられる発振波長が７００ｎｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）の赤外半導体レーザと、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）用の光源として用いられる発振波長が６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）の赤色半導体レーザとを集積した２波長の半導体レーザ装置は、低コスト、小型化という観点から新しい光ピックアップの光源として注目されており、特許文献１や特許文献２などに開示されている。
【０００３】
以下、従来の２波長の半導体レーザ装置について図６を参照しながら説明する。
【０００４】
図６（ａ）は、従来の２波長の半導体レーザ装置を示す外観斜視図であり、図６（ｂ）は、その従来の２波長の半導体レーザ装置をヒートシンクに実装したときの外観斜視図である。
【０００５】
図６（ａ）に示すように、従来の２波長の半導体レーザ装置１０１は、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１０２上に、発振波長が６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる赤色半導体レーザ１０３と発振波長が７８０ｎｍ帯のＧａＡｓ系材料からなる赤外半導体レーザ１０４が分離溝１０５を介して集積されている。
【０００６】
赤色半導体レーザ１０３は、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１０２上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層１０６、活性層１０７、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層１０８、ｎ型のＧａＡｓからなる電流ブロック層１０９及びｐ型の電極１１０が順次積層されて形成されている。
【０００７】
一方、赤外半導体レーザ１０４においては、基板１０２上に、ｎ型のＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１１１、活性層１１２、ｐ型のＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１１３、ｎ型のＡｌＧａＡｓからなる電流ブロック層１１４及びｐ型の電極１１５が順次積層されて形成されている。
【０００８】
また、基板１０２の半導体レーザが形成されていない側の面には、ｎ型の電極１１６が形成されている。
【０００９】
以上のような２波長の半導体レーザ装置１０１は、赤色半導体レーザ１０３のチップ幅Ｗと赤外半導体レーザ１０４のチップ幅Ｗが同じになるように、分離溝１０５が設けられている。分離溝１０５により、同一基板上に結晶成長により形成した赤色半導体レーザ部分と赤外半導体レーザ部分とがエッチングにより電気的に分離している。
【００１０】
また、図６（ｂ）に示すように、赤色半導体レーザ１０３及び赤外半導体レーザ１０４のそれぞれに対応した放熱材であるヒートシンク１１７、１１８の上にジャンクションダウンで実装することでそれぞれの半導体レーザの独立駆動を可能としている。
【特許文献１】特開平０１−２７２１７７号公報
【特許文献２】特開平１１−１８６６５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、一般に半導体レーザは、温度上昇に伴って光出力が低下するという特性を有する。従って、半導体レーザの駆動時における半導体レーザ自身が発生する熱を十分に放熱させる必要があるため、熱伝導率の高いヒートシンクにジャンクションダウンで実装される。その際、ヒートシンクに接している半導体レーザの面積が大きいほど放熱が良くなることは明らかであるが、２波長の半導体レーザ装置の場合、２つの半導体レーザを単に接触して並べたのでは、２つの半導体レーザが電気的に接続されてしまうため、２つの半導体レーザの間には、分離溝を設ける必要がある。しかし、２つの半導体レーザを並べたものと同じ寸法の２波長の半導体レーザ装置を作製すると、その分離溝により放熱する面積が低減し、放熱の効率が低下してしまうという問題があった。
【００１２】
また、放熱を良くしようと各々の半導体レーザの面積を大きくしてしまうと、小型化が可能であるという２波長の半導体レーザ装置の特徴が失われてしまう。
【００１３】
特に、この分離溝を設けて放熱面積を小さくすることによる放熱効率の低下は、赤色半導体レーザのように半導体材料の熱伝導率が小さい場合などは深刻である。
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、分離溝の形成位置を工夫し、集積された複数の半導体レーザの他の装置との電気的接続部分である接続面積を互いに変えることで、低コスト、小型でかつ放熱の良い２波長の半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係る第１の半導体レーザ装置は、半導体層で構成され、かつ赤色光を放射する第１の半導体レーザと、半導体層で構成され、かつ赤外光を放射する第２の半導体レーザとを有する半導体レーザ装置であって、第１の半導体レーザの表面積は第２の半導体レーザの表面積より大きいことを特徴とするものである。
【００１６】
第１の半導体レーザ装置では、熱伝導率が小さい材料で構成されている方の半導体レーザの部位の接続面積を熱伝導率が大きい材料で構成されている方の半導体レーザの部位よりも大きくすることで、半導体レーザ装置全体の大きさを大きくすることなく、集積された２つの半導体レーザとも十分に放熱することができる。
【００１７】
本発明に係る第２の半導体レーザ装置は、半導体層で構成される第１の半導体レーザと第２の半導体レーザとを有する半導体レーザ装置であって、前記第１の半導体レーザが他の装置と接続される第１部位を有し、前記第２の半導体レーザが他の装置と接続される第２部位を有し、前記第１部位と他の装置とが接続する接続面積をＳ３、前記第２部位と他の装置とが接続する接続面積をＳ４、ある電流値に対する前記第１の半導体レーザの光出力値をＰ１、前記電流値に対する前記第２の半導体レーザの光出力値をＰ２とすると、Ｐ１≧Ｐ２、かつ、Ｓ３＞Ｓ４の関係が成立することを特徴とするものである。
【００１８】
第２の半導体レーザ装置では、ある電流値に対して動作電流が大きい方の半導体レーザの部位の面積を動作電流の小さい方の半導体レーザの部位の接続面積よりも大きくすることで、集積された２つの半導体レーザとも十分に放熱させることができる。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように本発明によれば、熱伝導率がκ１の半導体材料で構成された第１の半導体レーザの接続面積Ｓ１を、熱伝導率がκ１よりも大きい熱伝導率κ２の半導体材料で構成された第２の半導体レーザの接続面積Ｓ２より大きくすることで、半導体レーザ装置全体の放熱性を良くすることができる。従って、一方の半導体レーザがもう一方の半導体レーザよりも早く劣化することを防ぐことができ、長寿命の半導体レーザ装置を実現することができる。
【００２０】
また、動作電流が大きくなる高出力の半導体レーザの接続面積Ｓ３を、低出力の半導体レーザの接続面積Ｓ４よりも大きくすることでも、半導体レーザ装置全体の放熱性を良くすることができる。従って、一方の半導体レーザがもう一方の半導体レーザよりも早く劣化することを防ぐことができ、長寿命の半導体レーザ装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の半導体レーザ装置における実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
（第１の実施形態）
以下、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図１を参照しながら説明する。なお、図１は、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置１の外観斜視図である。
【００２３】
図１に示すように、同じｎ型のＧａＡｓからなる基板２上に、発振波長が６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる赤色半導体レーザ（第１の半導体レーザ）３と発振波長が７８０ｎｍ帯のＧａＡｓ系材料からなる赤外半導体レーザ（第２の半導体レーザ）４とが形成されている。赤色半導体レーザ３と赤外半導体レーザ４とは分離溝５を介して形成されている。
【００２４】
赤色半導体レーザ３は、ｎ型のＧａＡｓからなる基板２上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層６、ＡｌＧａＩｎＰ及びＧａＩｎＰからなる多重量子井戸構造の活性層７及びｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層８が順次積層されて形成されている。また、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層８中にはストライプ状の電流経路が形成されるようにｎ型のＡｌＩｎＰからなる電流ブロック層９が設けられ、活性層７に注入される電流を狭窄する構造が形成されている。
【００２５】
一方、赤外半導体レーザ４は、基板２上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１０、ＡｌＧａＡｓ及びＧａＡｓからなる多重量子井戸構造の活性層１１、及びｐ型のＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１２が順次積層されて形成されている。また、ｐ型のＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１２中にはストライプ状の電流経路が形成されるようにｎ型のＡｌＧａＡｓからなる電流ブロック層１３が設けられ、活性層１１に注入される電流を狭窄する構造が形成されている。
【００２６】
また、基板１における赤色半導体レーザ３及び赤外半導体レーザ４が形成されていない側の面には、ＡｕＧｅ／Ｎｉからなるｎ型の電極１４が形成されている。さらに、赤色半導体レーザ３のクラッド層８の上には、ｐ型の電極１５が形成され、赤外半導体レーザ４のクラッド層１２の上には、ｐ型の電極１６が形成されている。ｐ型の電極１５、１６は、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕからなる。
【００２７】
また、赤色半導体レーザ３及び赤外半導体レーザ４の各半導体層におけるＡｌ組成及び膜厚を表１に示す。なお、赤色半導体レーザ３では（ＡｌXＧａ1-X）0.5Ｉｎ0.5ＰのＡｌ組成、赤外半導体レーザ４ではＡｌXＧａ1-XのＡｌ組成を示している。
【００２８】
【表１】
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【００２９】
次に、上述のように構成された半導体レーザ装置１をジャンクションダウンにより放熱材であるヒートシンクに実装した場合の放熱について説明する。このとき、第１部位となる赤色半導体レーザ３のｐ型の電極１５及び第２部位となる赤外半導体レーザ４のｐ型の電極１６のそれぞれがヒートシンク（放熱材）に接続される。
【００３０】
ここで、第１部位及び第２部位とは、半導体レーザ装置とヒートシンクあるいは半導体レーザが接続されるその他の装置（以下、「ヒートシンク等」という）とを接続するときにおける両半導体レーザのヒートシンク等と接続される部分のことをいう。第１の実施形態における部位は、前述のように、電極１５（第１部位）及び電極１６（第２部位）をいう。
【００３１】
また、部位とは、各半導体レーザから発生する熱を半導体レーザの外部に放熱する部分をいい、接続面積とは、その部位とヒートシンク等とが接続されて接触する実質的な接触面積のことをいう。赤色半導体レーザ３から発生する熱を放熱する電極１５の接続面積Ｓ１は、赤色半導体レーザ３における共振器長をＬ１、チップ幅をＷ１とするとＬ１とＷ１の積で表される。さらに、赤外半導体レーザ４から発生する熱を放熱する電極１６の接続面積Ｓ２は、赤外半導体レーザ４における共振器長をＬ２、チップ幅をＷ２とするとＬ２とＷ２の積で表される。
【００３２】
なお、赤色半導体レーザ３及び赤外半導体レーザ４の各々の接続面積の大きさは、赤色半導体レーザ３及び赤外半導体レーザ４の間の分離溝５の形成位置を変えることで決定される。
【００３３】
また、赤色半導体レーザ３の熱抵抗をＲth1、赤外半導体レーザ４の熱抵抗をＲth2とする。一般的に、薄膜材料の熱抵抗Ｒthは材料の熱伝導率をκ、膜厚をｄ、面積をＳとすると、Ｒth=（１／κ）×（ｄ／Ｓ）と定義され、特に半導体レーザの場合には、主な発熱源である活性層からヒートシンクまでの各層の熱抵抗の和で近似される。なお、赤色半導体レーザ３における熱抵抗Ｒth1、Ｓ１、膜厚の和ｄ１から求められる赤色半導体レーザ３の熱伝導率κ１は、赤外半導体レーザ３の各半導体層の熱伝導率の平均値であり、実質的な赤色半導体レーザ３の熱伝導率である。同様に、赤外半導体レーザ４における熱抵抗Ｒth2、Ｓ２、膜厚の和ｄ２から求められる赤外半導体レーザ４の熱伝導率κ２は、赤外半導体レーザ４の各半導体層の熱伝導率の平均値であり、実質的な赤外半導体レーザ４の熱伝導率である。
【００３４】
このときの各半導体レーザの接続面積Ｓ１、Ｓ２と熱抵抗Ｒth1、Ｒth2の関係を図２に示す。なお、横軸は赤色半導体レーザ３の接続面積Ｓ１と赤色及び赤外半導体レーザ３、４の接続面積の和（Ｓ１＋Ｓ２）との面積比である。
【００３５】
図２において、面積比が０．５、即ちＳ１＝Ｓ２の場合、赤色半導体レーザ３の熱抵抗Ｒth1の値はＡ点で示され、赤外半導体レーザ４の熱抵抗Ｒth2の値はＢ点で示される。この場合、Ｒth1＞Ｒth2となっているが、これは赤色半導体レーザ３を構成するＡｌＧａＩｎＰ系の材料の熱伝導率（例えば、ＧａＩｎＰの熱伝導率は０．０５３Ｗ／Ｋｃｍである）が、赤外半導体レーザ４を構成するＧａＡｓ系の材料の熱伝導率（例えば、ＧａＡｓの熱伝導率は０．４８Ｗ／Ｋｃｍ）よりも小さいためである。従って、Ｓ１＝Ｓ２となるように分離溝５を形成した場合、赤色半導体レーザ３の熱抵抗が大きくなるので、駆動時の発熱を十分に放熱できず光出力が低下してしまうことになる。
【００３６】
図２に示すように、赤色半導体レーザ３の熱抵抗Ｒth1を小さくするためには、面積比を大きく（Ｓ１＞Ｓ２）すればよい。この場合、逆に赤外半導体レーザ４の熱抵抗Ｒth2は大きくなってしまうが、赤外半導体レーザ４の熱抵抗は元々小さいので、赤外半導体レーザ４の熱抵抗Ｒth2があまり大きくならない範囲で熱抵抗Ｒth2を選べばよい。例えば図２におけるＣ点（Ｒth1＝Ｒth2）はそのような場合の一例である。Ｃ点における各半導体レーザの接続面積を選択することにより、赤色半導体レーザ３の熱抵抗を赤外半導体レーザ４の熱抵抗と同程度まで低減でき、十分な放熱特性を実現できる。
【００３７】
なお、図２に示すように、面積比は、０．５から０．８の範囲となるようにすれば、従来における半導体レーザ装置（面積比をＳ１＝Ｓ２とした場合）よりも優れた効果が現れていることが分かる。
【００３８】
次に、ｐ型の電極１５あるいは電極１６の厚さと熱抵抗の関係について、図３を用いて説明する。図３は、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ型の電極の厚さと熱抵抗の関係を示す図である。
【００３９】
図３に示すように、電極の厚さが約１μｍより厚い領域では、前述の熱抵抗の定義Ｒth=（１／κ）×（ｄ／Ｓ）により決まるように、電極の厚さｄに比例して熱抵抗が大きくなっていることがわかる。しかし、電極の主要材料であるＡｕの熱伝導率（３．２Ｗ／Ｋｃｍ） は、半導体層の材料に比べて１桁以上大きいので電極の厚さの増加による熱抵抗の増加は全体の熱抵抗に比して小さく無視できる。ところが図３に示すように、電極の厚さが約１μｍより薄くなってくると、放熱効果の大きい（熱伝導率の大きい）金属電極による放熱が十分行われなくなるので、熱抵抗としては逆に大きくなり無視できなくなってくる。従って、電極の厚さとしては約１μｍ以上が望ましい。
【００４０】
以上より、熱伝導率が小さい赤色半導体レーザ３の接続面積Ｓ１を、赤外半導体レーザ４の接続面積Ｓ２よりも大きくするように分離溝５の形成位置を変えることにより、半導体レーザ装置１の大きさを大きくすることなく熱抵抗による弊害を改善し、熱伝導率の良い赤外半導体レーザ４と同程度の放熱特性を有する２波長の半導体レーザ装置を実現することができる。
【００４１】
また、第１の実施形態において部位となるｐ型の電極１５、１６の厚さを１μｍ以上とすることで熱抵抗の増加を防ぎ、低熱抵抗特性を維持することができるという利点がある。
【００４２】
（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、第２の実施形態に係る半導体レーザ装置１７の外観斜視図である。
【００４３】
第２の実施形態では、同じｎ型のＧａＡｓからなる基板１８上に、発振波長が６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる高出力の赤色半導体レーザ（第１の半導体レーザ）１９及び低出力の赤色半導体レーザ（第２の半導体レーザ）２０が分離溝２１を介して形成されている。
【００４４】
高出力の赤色半導体レーザ１９は、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１８上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２２、ＡｌＧａＩｎＰ及びＧａＩｎＰからなる多重量子井戸構造の活性層２３及びｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２４が順次積層されて形成されている。また、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２４中にはストライプ状の電流経路が形成されるようにｎ型のＡｌＩｎＰからなる電流ブロック層２５が設けられ、活性層２３に注入される電流を狭窄する構造が形成されている。
【００４５】
一方、低出力の赤色半導体レーザ２０は、基板１８上に、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２６、ＡｌＧａＩｎＰからなるバルク活性層２７及びｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２８が順次積層されて形成されている。また、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層２８中にはストライプ状の電流経路が形成されるようにｎ型のＡｌＩｎＰからなる電流ブロック層２９が設けられ、バルク活性層２７に注入される電流を狭窄する構造が形成されている。
【００４６】
また、基板１８における赤色半導体レーザ１９、２０が形成されていない側の面には、ＡｕＧｅ／Ｎｉからなるｎ型の電極３０が形成されている。さらに、高出力の赤色半導体レーザ１９のクラッド層２４の上には、第１部位であるｐ型の電極３１が形成され、低出力の赤色半導体レーザ２０のクラッド層２８の上には、第２部位であるｐ型の電極３２が形成されている。ｐ型の電極３１、３２は、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕからなる。
【００４７】
ここで、第１部位及び第２部位とは、半導体レーザ装置とヒートシンク等とを接続するときにおける両半導体レーザのヒートシンク等と接続される部分のことをいう。第２の実施形態における部位は、電極３１（第１部位）及び電極３２（第２部位）をいう。
【００４８】
また、第２の実施形態に係る高出力の赤色半導体レーザ１９から発生する熱を放熱する電極３１の接続面積Ｓ３は、赤色半導体レーザ１９における共振器長をＬ３、チップ幅をＷ３とするとＬ３とＷ３の積で表される。さらに、低出力の赤色半導体レーザ２０から発生する熱を放熱する電極３２の接続面積Ｓ４は、赤色半導体レーザ２０における共振器長をＬ４、チップ幅をＷ４とするとＬ４とＷ４の積で表される。
【００４９】
なお、高出力の赤色半導体レーザ１９及び低出力の赤色半導体レーザ２０の各々の接続面積の大きさは、赤色半導体レーザ１９及び赤色半導体レーザ２０の間の分離溝２１の形成位置を変えることで決定される。
【００５０】
次に、第２の実施形態に係る半導体レーザ装置１７の動作について図５を参照しながら説明する。図５は、高出力の赤色半導体レーザ１９及び低出力の赤色半導体レーザ２０の光出力−電流特性を示す図である。
【００５１】
バルク活性層を有する低出力の赤色半導体レーザ２０の電流の閾値は３０ｍＡであり、光出力が約９ｍＷ程度で熱飽和している。この低出力の赤色半導体レーザ２０は、光ディスクシステムの読み出し用に用いられ、通常５ｍＷの光出力で用いられる。図５に示すように、光出力が５ｍＷのときの動作電流は５０ｍＡである。
【００５２】
一方、多重量子井戸活性層を有する高出力の赤色半導体レーザ１９の電流の閾値は２０ｍＡであり、３０ｍＷ以上の高い光出力を得ることができる。この高出力の赤色半導体レーザ２０は、光ディスクシステムの書き込み用に用いられ、通常３５ｍＷの光出力で用いられる。図５に示すように、光出力が３５ｍＷのときの動作電流は５８ｍＡである。
【００５３】
以上のように、ある電流値に対する高出力の赤色半導体レーザ１９の光出力の値（光出力値）Ｐ１とその電流値に対する低出力の赤色半導体レーザ２０の光出力値Ｐ２を比べると、高出力半導体レーザ１９の方がその光出力値が大きい（Ｐ１＞Ｐ２）ことがわかる。また、高出力の赤色半導体レーザ１９の方が低出力の赤色半導体レーザ２０よりも動作電流は大きくなる。
【００５４】
従って、高出力の赤色半導体レーザ１９の方が低出力の赤色半導体レーザ２０よりも発熱が大きくなるので、高出力の赤色半導体レーザ１９の接続面積Ｓ３を低出力の半導体レーザ２０の接続面積Ｓ４よりも大きくする（Ｓ３＞Ｓ４）ような位置に分離溝２１を形成する。
【００５５】
このように、分離溝２１の形成位置を変えて２つの半導体レーザの接続面積の大きさを変えることにより、半導体レーザ装置１７の大きさを大きくすることなく、高出力の赤色半導体レーザ１９の方の熱抵抗を下げることができ、高出力の赤色半導体レーザ１９の放熱特性は、低出力の赤色半導体レーザ２０の放熱特性よりも良くすることが可能となる。
【００５６】
なお、第２の実施形態では、赤色半導体レーザにおける高出力用半導体レーザと低出力用半導体レーザについて説明したが、赤色半導体レーザに限らず、赤外半導体レーザ、青紫色半導体レーザ等のその他の半導体レーザにおける高出力用、低出力用の半導体レーザにも応用できる。
【００５７】
分離溝の形成位置を工夫し、集積された複数の半導体レーザの他の装置との電気的接続部分である接続面積を互いに変えることで、低コスト、小型でかつ放熱の良い２波長の半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【００５８】
また、第１の実施形態と同様に、部位となるｐ型の電極３１、３２の厚さを１μｍ以上とすることで熱抵抗の増加を防ぎ、低熱抵抗特性を維持することができるという利点がある。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
以上のように本発明によれば、半導体レーザ装置全体の放熱性を良くすることができる。従って、一方の半導体レーザがもう一方の半導体レーザよりも早く劣化することを防ぐことができ、長寿命の半導体レーザ装置を実現することができる有用な発明である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の外観斜視図
【図２】半導体レーザの放熱面の面積と熱抵抗との関係を示す特性図
【図３】ｐ型の電極の厚さと熱抵抗の関係を示す特性図
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置の外観斜視図
【図５】高出力の赤色半導体レーザ及び低出力の赤色半導体レーザの光出力−電流特性を示す図
【図６】（ａ）は、従来の２波長の半導体レーザ装置を示す外観斜視図、（ｂ）は、従来の２波長の半導体レーザ装置を実装したときの外観斜視図
【符号の説明】
【００６１】
１、１７、１０１  半導体レーザ装置
２、１８、１０２  基板
３、１９、２０、１０３  赤色半導体レーザ
４、１０４  赤外半導体レーザ
５、２１、１０５  分離溝
６、８、１０、１２、２２、２４、２６、２８、１０６、１０８、１１１、１１３  クラッド層
７、１１、２３、１０７、１１２  活性層
９、１３、２５、２９、１０９、１１４  電流ブロック層
１４、１５、１６、３０、３１、３２、１１０、１１５、１１６  電極
２７  バルク活性層
１１７、１１８  ヒートシンク
【図１】
2008153713.tif 000004
【図２】
2008153713.tif 000005
【図３】
2008153713.tif 000006
【図４】
2008153713.tif 000007
【図５】
2008153713.tif 000008
【図６】
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