(57)【要約】【課題】  電子線露光用データの作成方法、電子線露光方法、半導体装置の製造方法及び電子線露光装置に関し、フィールド接続に伴うプロセスマージンを向上して製造歩留りを向上させる。【解決手段】  設計データを電子線露光器のフィールド毎に分割する際に、描画されるパターン１，２のサイズと、パターン１と他のパターン２との間に形成されるスペース３のサイズとに基づいて、フィールドの境界４をパターン１，２上に配置するか、スペース３上に配置するかを定めた判定テーブルを作成し、判定テーブルに基づき、フィールドの境界４の位置を決定する。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
設計データを電子線露光器のフィールド毎に分割する方法であって、描画されるパターンのサイズと、前記パターンと他のパターンとの間に形成されるスペースのサイズとに基づいて、前記フィールドの境界を前記パターン上に配置するか、前記スペース上に配置するかを定めた判定テーブルを作成する工程と、前記判定テーブルに基づき、前記フィールドの前記境界の位置を決定する工程とを有することを特徴とする電子線露光用データ作成方法。
【請求項２】
上記パターン上に上記境界が配置される場合に、前記境界によって分割されて生成された第一の分割パターンと第二の分割パターンの幅に関する付加的条件を定める工程と、前記付加的条件に基づいて、前記境界の位置を移動させることを特徴とする請求項１記載の電子線露光用データ作成方法。
【請求項３】
描画されるパターンのサイズと、前記パターンと他のパターンとの間に形成されるスペースのサイズとに基づいて、フィールドの境界を前記パターン上に配置するか、前記スペース上に配置するかを定めた判定テーブルを作成する工程と、前記判定テーブルに基づき、前記フィールドの境界の位置を決定する工程と、決定された前記境界の位置で前記フィールドを分割して前記電子線露光を行う工程とを有することを特徴とする電子線露光方法。
【請求項４】
描画されるパターンのサイズと、前記パターンと他のパターンとの間に形成されるスペースのサイズとに基づいて、フィールドの境界を前記パターン上に配置するか、前記スペース上に配置するかを定めた判定テーブルを作成する工程と、前記判定テーブルに基づき、前記フィールドの境界の位置を決定する工程と、前記境界の位置で前記フィールドを分割して前記電子線露光を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
描画されるパターンのサイズと、前記パターンと他のパターンとの間に形成されるスペースのサイズとに基づいて、フィールドの境界を前記パターン上に配置するか、前記スペース上に配置するかを定めた判定テーブルを備えるとともに、前記判定テーブルに基づき前記フィールドの境界の位置を決定する機能を備えたことを特徴とする電子線描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子線露光用データ作成方法、電子線露光方法、半導体装置の製造方法及び電子線描画装置に関するものであり、特に、プロセスマージンを向上するとともに製造歩留りを向上させるためのフィールド接続の手法に特徴のある電子線露光用データ作成方法、電子線露光方法、半導体装置の製造方法及び電子線露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子線描画においては、偏向器によって電子を偏向し、ウェーハ上の任意の位置に精度良く描画する。但し、この偏向器で電子を偏向できる範囲は限られており、偏向器の種類によっても異なるが、数十μｍ□から大きなもので数ｍｍ□程度であるので、２０ｍｍ□前後もあるＬＳＩチップ全体を描画するためには、この偏向範囲（フィールド）をつなぎ合わせて描画していくことになる。
【０００３】
つまり、偏向範囲外の領域を描画したい場合は、ウェーハステージ移動によりウェーハの位置を移動させて、露光装置の偏向器がカバーできる範囲に描画したい場所をもってきて描画を行う。
【０００４】
また、通常の電子線描画装置では、偏向器も一つではなく、広範囲をカバーできる主偏向器と、小さい範囲で精度良く、高速に描画できる副偏向器とを組み合わせて使用している場合が多く、このような場合は、大きな偏向範囲をもつ主偏向器により、小さな副偏向器の偏向範囲をつなぎ合わせていく過程も加わることになるので、ここで、図７を参照して、電子線描画方法を説明する。
なお、ここでは、簡単のため、これら偏向領域同士の接続をすべてフィールド接続と呼ぶことにする。
【０００５】
図７参照  
図７は、電子線描画方法の説明図であり、左図に示すように広範囲をカバーできる主偏向器４２によって電子線４１をウェーハ４４上の大まかな位置、即ち、メインフィールド４６1 内の所定のサブフィールド４７1 まで偏向し、次いで、小さい範囲で精度良く、高速に描画できる副偏向器４３によって所定のサブフィールド４７1 内を電子線４１で描画する。
【０００６】
次いで、右図に示すように、所定のサブフィールド４７1 内の描画を終了した場合に、主偏向器４２により隣接するサブフィールド４７2 に電子線４１を偏向し、再び、副偏向器４３によってサブフィールド４７2 内を電子線４１で描画する。
【０００７】
この工程を順次繰り返してメインフィールド４６1 内の全てのサブフィールド４７内の描画が終了すると、今度は、ウェーハステージ４５を移動させて主偏向器４２の偏向領域が隣接するメインフィールド４６2 になるようにして、再び、副偏向器４３により描画を行うことになる。
【０００８】
このような装置構成で実際にＬＳＩパターンデータを描画する際には、あらかじめ装置の仕様で定まるフィールド毎にデータを分割し、その分割されたデータごとに描画を行っていくことになるので、この状況を図８を参照して説明する。
【０００９】
図８参照  
図８は、フィールド分割方法の説明図であり、上段図は、描画パターンの一例の説明図であり、ここでは、２つの矩形パターン５６，５７はスペース５８を介して対向するともに、一方の矩形パターン５７が２つのサブフィールド５１，５２によって分断されている場合を示している。
【００１０】
また、２つのサブフィールド５１，５２のフィールド境界５３から一定の範囲がフィールドマージン領域５４，５５として「のりしろ」のように設けられている。
即ち、偏向領域といっても、偏向器の偏向範囲にまだ余裕のある範囲で使用している場合が多く、ある程度偏向領域を広げることができるようにしてあり、これをフィールドマージンと呼んでおり、一般に数μｍ程度の幅である。
【００１１】
ここで、中段図に示すように、分割する場所を考慮せずにフィールド境界５３でフィールド分割を行ってしまうと、ショット数が増加したり、極微小なパターンが発生したりする問題が生じる。
即ち、サブフィールド５１において、矩形パターン５６と分割矩形パターン５７1 とを描画し、サブフィールド５２のおいて他方の分割矩形パターン５７2 を描画する必要が生ずる。
【００１２】
また、フィールド接続の接続精度は、偏向領域内での各ショットの接続精度よりも劣化するのが一般的であり、描画装置の性能そのものであるため、パターンピッチやパターン寸法が、この精度に対して十分に大きな場合は、どこでデータを分割しても大きな問題はないが、微細化が進むにしたがって、装置固有の接続精度がパターン寸法やピッチに占める割合が大きくなり、パターンが存在するところでデータを分割してしまうと、描画時にパターン寸法が変わるなどの問題も生じていた。
【００１３】
ここで、中段図に示すようにフィールド境界５３にパターンが存在した場合に、下段図に示すように、フィールドマージン領域５４，５５を利用して、できるだけパターンを分割しない方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１４】
この場合、データ分割の際に、フィールドマージン領域５４，５５内でパターンをできるだけ吸収するようにして、パターンが分割されないようにフィールド分割を行うようにしている。
即ち、パターンの存在を認識して、そのパターンはできる限り自分のフィールド領域に取り込むような処理を行うわけである。
この場合、移動させた境界５９が実質的なフィールド境界となる。
【特許文献１】特開平０１−２９７８２３号公報報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
パターン部分の占有面積が比較的小さいゲート層などのような場合は、上述の方法でも問題は少ないが、ＬＳＩの配線層などパターン密度が５０％を超えるような層の場合は、パターンの存在領域よりも、パターンのないところが狭いようなパターンが多数みられる場合がある。
【００１６】
近年、特にＬＳＩの配線層などで多用されているダマシン法などは特にこの傾向が顕著になっているが、比較的大きなパターン間に挟まれた解像限界付近のスペースがあるような場合、従来のルールでフィールド分割すると、パターン部を避けて該当するスペース部でフィールド分割されるため、実際の描画の際に、フィールド接続精度によってスペース部が設計値より小さく描画されることがあり、結果としてプロセスマージンが減少したり、最悪はショートしてしまう虞があるので、その事情を図９を参照して説明する。
なお、比較的大きなパターンの場合、フィールド接続精度以外にも、後方散乱の影響により、スペースが所定幅に形成されず、ショートなどの欠陥がでやすくなる。
【００１７】
図９参照  
図９は、従来のフィールド分割方法の問題点の説明図であり、上段図は、２つの比較的大きな矩形パターン６６，６７が解像限界付近のスペース６８を介して対向するともに、一方の矩形パターン６７が２つのサブフィールド６１，６２によって分断されている場合を示している。
【００１８】
この場合、スペース６８の部分が設計の最小スペースや大パターンに挟まれたプロセスマージンのない小スペースの近傍にフィールド境界にきた場合にも、中段図に示すように、フィールド境界６３をスペース６８に移動して境界６９として分割してしまう。
【００１９】
そのために、下段図に示すように、フィールド接続精度によって、スペース部７０が狭くなってしまい、プロセスマージンを削ったりして、最悪の場合にはショートしてしまうという問題がある。
逆に、それを回避しようとして、そのままフィールドを発生させてしまうと、図８の中段図に示すように、パターンが最小パターン以下で分割されてしまうという問題がある。
【００２０】
したがって、本発明は、フィールド接続に伴うプロセスマージンを向上して製造歩留りを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記の課題を解決するために、本発明は、設計データを電子線露光用データに変換する際の偏向器のフィールド毎にデータを分割する方法であって、フィールド境界４を決定するにあたり、フィールド境界４とそれに最近接するパターン１，２、或いは、フィールド境界４が分割するパターン１，２とそれと隣接するスペース３に対して、パターンサイズとスペースサイズからならなる判定テーブルを作成し、このテーブルの判定基準を満たしている場合のみ該当箇所でフィールド分割を行い、判定基準を満たしていない場合は、フィールド境界４をフィールドマージン内でずらし、判定基準を満たすところでフィールド分割することを特徴とする。
【００２２】
このような構成を採用することによって、パターン１，２の有無で行ってきたフィールド分割の判定を、フィールド境界４の可変範囲内でよりプロセスマージンのとれるところでフィールドを分割することが可能になり、フィールド接続に伴うプロセスマージンを向上して製造歩留りを向上することが可能になる。
【００２３】
この場合、判定テーブルの作成においては、描画で使用するレジストの種類及び偏向器の性能毎にテーブルを作成し、実際に用いるレジストの種類及び偏向器に対応したテーブルを選択してフィールド分割すれば良い。
【００２４】
また、フィールド位置を変更する際に、判定テーブルとは別の位置移動に関する付加的条件を予め定めておき、予め定めたルールにより、フィールド位置を移動させることが望ましく、それによって、判定テーブルだけでは回避できないプロセスマージンの低下やショートの発生を防止することができる。
【００２５】
この場合のフィールド分割方法としては、偏向器が副偏向器であり、且つ、分割するフィールドがサブフィールドのフィールド分割方法が典型的なものであるが、メインフィールド内を偏向する主偏向器に対するフィールド分割方法にも適用できるものである。
【００２６】
また、上述の電子線露光用データ作成方法によって作成した電子線露光用データを用いて露光を行うことによって、プロセスマージンの低下が少なく且つショートの発生がない電子線描画を行うことができる。
【００２７】
また、上述の電子線露光用データ作成方法によって電子線露光用データを作成する機能を備えることによって、プロセスマージンの低下が少なく且つショートの発生がない電子線描画が可能な電子線描画装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、フィールド分割の判定を、フィールド境界の可変範囲内でよりプロセスマージンのとれるところでフィールドを分割することが可能になり、フィールド接続に伴うプロセスマージンを向上して製造歩留りを向上することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明は、設計データを電子線露光用データに変換する際の偏向器のフィールド毎にデータを分割する場合に、フィールド境界を決定するにあたり、フィールド境界とそれに最近接するパターン、或いは、フィールド境界が分割するパターンとそれと隣接するスペースに対して、パターンサイズとスペースサイズからならなる判定テーブルを作成し、このテーブルの判定基準を満たしている場合のみ該当箇所でフィールド分割を行い、判定基準を満たしていない場合は、フィールド境界をフィールドマージン内でずらし、判定基準を満たすところでフィールド分割するものである。
【実施例１】
【００３０】
ここで、図２乃至図６を参照して、本発明の実施例１の電子線露光用データの作成方法を説明する。
図２及び図３参照  
図２は、本発明の実施例１の電子線露光用データの作成方法に用いる判定テーブルの説明図であり、この場合には、０．１３μｍ設計ルールに対する判定テーブルの一例であり、また、図３は、判定テーブルにおけるスペースサイズとパターンサイズの説明図であり、判定テーブルにおけるパターンサイズはフィールド境界に最も近い一方のパターンのサイズを意味する。
【００３１】
図２に示すように、スペースサイズｄが０．２μｍ未満の場合には、パターンサイズＬが０．２μｍ以上の場合に、パターンの内部においてフィールド分割を行う。
また、スペースサイズｄが０．２μｍ≦ｄ＜０．４μｍの場合には、パターンサイズＬが０．４μｍ未満の場合には、スペース内においてフィールド分割し、パターンサイズＬが０．４μｍ以上の場合には、パターン内においてフィールド分割する。
また、スペースサイズｄが０．４μｍ以上の場合には、全てスペースｄ内においてフィールド分割する。
なお、０．１３μｍ設計ルールにおいては、スペースサイズｄ及びパターンサイズＬがともに０．２μｍ未満のものが存在しないように設計しているため、図２において、スペースサイズｄ及びパターンサイズＬがともに０．２μｍ未満の場合はＮＧとなる。
【００３２】
また、判定テーブル以外のルールとして、分割サイズに関する２つの付加条件を設定するが、まず、付加条件１として、
Ｌ1 ，Ｌ2 ＞０．０５μｍ（＝５０ｎｍ）
を定め、少なくとも一方の分割サイズが０．０５μｍになる場合の分割を禁止する。
また、付加条件２として、｜Ｌ1 −Ｌ2 ｜がフィールドマージン内において最小になるように定め、分割した２つのパターンのサイズができるだけ大きなパターンになるように設定する。
【００３３】
図４参照  
図４は、本発明の実施例１の電子線露光用データの作成方法のフローチャートであり、まず、
Ａ．設計データに対して偏向器の偏向性能に基づいてフィールド境界を発生させ、
Ｂ．このフィールド境界が図３に示した判定テーブルの条件を満たしていない場合には、フィールド境界の位置を変更して判定テーブルの条件を満たすまでフィールド境界の位置の変更を行う。
【００３４】
Ｃ．フィールド境界が判定テーブルの条件を満たしている場合には、付加条件の判定に進み、
Ｄ．付加条件を満たすか否かの判定を行い、満たしていない場合には、フィールド境界の位置を変更して判定テーブルの条件及び付加条件を満たすまでフィールド境界の位置の変更を行う。
【００３５】
Ｅ．フィールド境界が付加条件を満たしている場合には、そのフィールド境界でのフィールド分割を行い、
Ｆ．全てのフィールドについてフィールド分割を決定することによって電子線露光用データが作成される。
以降は、このように作成した電子線露光用データに基づいて電子線を偏向してウェーハ上への露光を行うことになる。
【００３６】
図５参照  
図５は、本発明の実施例１の電子線露光用データの作成方法の一例の説明図であり、ここでは、上段図に示すように、長さＬが２μｍの大パターン１６，１７が０．２μｍ未満のスペース１８、即ち、判定テーブルで設定した最小スペースを介して対向している場合を示している。
【００３７】
この場合のサブフィールド１１とサブフィールド１２とのフィールド境界１３はＬ1 ＝０．０２μｍになるように大パターン１７にかかっているものとする。
なお、符号１４，１５はそれぞれサブフィールド１１，１２のフィールドマージン領域である。
【００３８】
この場合、このままの状態では、スペースｄ＜０．２μｍ、パターンＬ＝２μｍであるが、付加条件１のＬ1 ，Ｌ2 ＞０．０５μｍの条件を満たさないので、フィールド境界１３を移動させる必要がある。
【００３９】
そこで、中段図に示すように、従来法と同様に、フィールド境界１３をスペース１８に移動させた場合には、判定テーブルにおける、
スペース（＜０．２μｍ）＆パターン（≧０．６μｍ）＝ｐ
の条件を満たさないため、このようなフィールド分割は禁止される。
【００４０】
したがって、下段図に示すように、判定テーブルにおける、
スペース（＜０．２μｍ）＆パターン（≧０．６μｍ）＝ｐ
の条件を満たすように、フィールド境界１３をフィールドマージン領域１５の範囲内において、大パターン１７を分割するように移動させる。
但し、この場合、付加条件２を満たすように、フィールドマージン領域１５の範囲内において、｜Ｌ1 −Ｌ2 ｜が最小になるように分割する。
【００４１】
図６参照  
図６は、本発明の効果の説明図であり、例えば、最小スペース部のプロセスに許されるマージンが１２ｎｍであったとし、上図に示すように、フィールドの接続精度が正規分布でばらつき、その分散がσ＝７ｎｍであり、また、下図に示すように、ショット接続精度が正規分布でばらつき、その分散がσ＝２ｎｍであったとする。
【００４２】
このとき、フィールド境界が最小スペース部に来た場合は、上図に示すようにマージン１２ｎｍは約１．７σであるので、１０％程度がプロセスマージンの範囲外となりショートを発生させることになる。
【００４３】
一方、フィールド境界が最小スペースをはずして設定された場合は、下図に示すようにマージン１２ｎｍは約６σとなり、プロセスマージンの範囲外の割合はほとんど０に近いいため、ほんとんどショートが発生することがない。
したがって、最小スペース部でのショートが歩留まりを決定しているとすると、フィールド境界が最小スペースをはずすようにフィールド分割することによって、約１０％の歩留まり改善が見込めることになる。
【００４４】
以上、本発明の実施例１を説明したが、本発明は実施例１に示した構成、条件、数値に限られるものではなく、各種の変更が必要であり、例えば、判定テーブル及び付加条件１，２は、０．１３μｍ設計ルールに基づくものであり、設計ルールがより微小化することによってショートが発生しないように適宜変更されるものである。
【００４５】
また、上記実施例１においては、説明を簡単にするためには両方のパターンサイズが同じものとしているが、スペース１８の両側に形成されるパターン１６，１７のサイズが異なる場合であって、いずれのパターン上にもフィールド境界を移動出来る場合は、判定テーブル及び付加条件にしたがって、どちらのパターン上のどの位置にフィールド境界を設定するかを判断する。
【００４６】
例えば、一方のパターンサイズが０．３μｍ、他方のパターンサイズが０．５μｍ、スペースサイズが０．３μｍの場合、０．３μｍのパターンサイズと０．３μｍのスペースサイズを判定テーブルで判断すると、スペース部分にフィールド境界を設定することになるが、０．５μｍのパターンサイズと０．３μｍのスペースサイズを判定テーブルで判断すると、パターン部分にフィールド境界を設定することができる。
この場合は、０．５μｍのパターン上にフィールド境界を設定することにより、パターン間のショートという問題を回避することができる。
【００４７】
また、設計ルールが同じ場合にも、描画で使用するレジストの種類によって、感光感度が異なり、また、電子線描画装置に備えられた偏向器によって偏向性能が異なるので、レジストの種類及び偏向器の性能毎にテーブルを作成し、実際に用いるレジストの種類及び偏向器に対応したテーブルを選択する必要がある。
【００４８】
また、上記の実施例においては、電子線露光用データの作成方法のみを説明しているが、電子線描画方法としては、実施例１で示した電子線露光用データの作成方法によって作成した電子線露光用データを副偏向器を用いて描画することになる。
【００４９】
また、電子線描画装置としては、実施例１で示した電子線露光用データの分割を実施するためのプログラムを電子線描画装置内に格納し、電子線描画装置内において、外部から入力した設計データから電子線露光用データを作成し、作成した電子線露光用データに基づいて電子線描画を実施すれば良い。
【００５０】
また、上記の実施例の説明においては、半導体装置の製造工程におけるウェーハ上に設けたレジストを露光する場合として説明しているが、半導体装置の製造工程に限られるものではなく、例えば、レチクルの製造工程にも適用されるものである。
【００５１】
ここで、再び図１を参照して、改めて、本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  設計データを電子線露光用データに変換する際の偏向器のフィールド毎にデータを分割する方法であって、フィールドの境界４を決定するにあたり、前記フィールドの境界４とそれに最近接するパターン１，２、或いは、前記フィールドの境界４が分割するパターン１，２とそれと隣接するスペース３に対して、パターンサイズとスペースサイズからならなる判定テーブルを作成し、このテーブルの判定基準を満たしている場合のみ該当箇所でフィールド分割を行い、判定基準を満たしていない場合は、フィールドの境界４をフィールドマージン内でずらし、判定基準を満たすところでフィールド分割することを特徴とする電子線露光用データ作成方法。
（付記２）  設計データを電子線露光器のフィールド毎に分割する方法であって、描画されるパターン１，２のサイズと、前記パターン１と他のパターン２との間に形成されるスペース３のサイズとに基づいて、前記フィールドの境界４を前記パターン１，２上に配置するか、前記スペース３上に配置するかを定めた判定テーブルを作成する工程と、前記判定テーブルに基づき、前記フィールドの境界４の位置を決定する工程とを有することを特徴とする電子線露光用データ作成方法。
（付記３）  上記判定テーブルは、上記スペース３のサイズが、第一の閾値以上の場合に、上記境界４を前記スペース３上に配置することを特徴とする付記２記載の電子線露光用データ作成方法。
（付記４）  上記判定テーブルは、上記スペース３のサイズが、上記第一の閾値より小さい第二の閾値以下の場合に、上記境界４をパターン１，２上に配置することを特徴とする付記３に記載の電子線露光用データ作成方法。
（付記５）  上記判定テーブルの作成においては、描画で使用するレジストの種類及び上記偏向器の性能毎にテーブルを作成し、実際に用いるレジストの種類及び偏向器に対応したテーブルを選択してフィールド分割することを特徴とする付記１記載の電子線露光用データ作成方法。
（付記６）  上記判定テーブルは、電子露光で使用するレジストの種類毎に作成することを特徴とする付記２乃至４のいずれか１に記載の電子線露光用データ作成方法。
（付記７）  上記判定テーブルは、電子露光で使用する偏向器毎に作成することを特徴とする付記２乃至５のいずれか１に記載の電子線露光用データ作成方法。
（付記８）  上記フィールド位置を変更する際に、上記判定テーブルとは別の位置移動に関する付加的条件を予め定めておき、前記予め定めたルールにより、前記フィールド位置を移動させることを特徴とする付記１または５に記載の電子線露光用データ作成方法。  （付記９）  上記パターン１，２上に上記境界４が配置される場合に、前記境界４によって分割されて生成された第一の分割パターンと第二の分割パターンの幅に関する付加的条件を定める工程と、前記付加的条件に基づいて、前記境界の位置を移動させることを特徴とする付記２乃至５のいずれか１に記載の電子線露光用データ作成方法。
（付記１０）  描画されるパターン１，２のサイズと、前記パターン１と他のパターン２との間に形成されるスペース３のサイズとに基づいて、フィールドの境界４を前記パターン１，２上に配置するか、前記スペース３上に配置するかを定めた判定テーブルを作成する工程と、前記判定テーブルに基づき、前記フィールドの境界４の位置を決定する工程と、決定された境界４の位置で前記フィールド１，２を分割して電子線露光を行う工程とを有することを特徴とする電子線露光方法。
（付記１１）  描画されるパターン１，２のサイズと、前記パターン１と他のパターン２との間に形成されるスペース３のサイズとに基づいて、フィールドの境界４を前記パターン１，２上に配置するか、前記スペース３上に配置するかを定めた判定テーブルを作成する工程と、前記判定テーブルに基づき、前記フィールドの境界４の位置を決定する工程と、前記境界４の位置で前記フィールドを分割して電子線露光を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１２）  描画されるパターン１，２のサイズと、前記パターン１と他のパターン２との間に形成されるスペース３のサイズとに基づいて、フィールドの境界４を前記パターン１，２上に配置するか、前記スペース３上に配置するかを定めた判定テーブルを備えるとともに、前記判定テーブルに基づき前記フィールドの境界４の位置を決定する手段を備えたことを特徴とする電子線露光装置。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の活用例としては、副偏向器の偏向領域であるサブフィールドのフィールド接続に際するフィールド分割方法が典型的なものであるが、主偏向器の偏向領域であるメインフィールドのフィールド接続に際にも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１の電子線露光用データの作成方法に用いる判定テーブルの説明図である。
【図３】判定テーブルにおけるスペースサイズとパターンサイズの説明図である。
【図４】本発明の実施例１の電子線露光用データの作成方法のフローチャートである。
【図５】本発明の実施例１の電子線露光用データの作成方法の一例の説明図である。
【図６】本発明の効果の説明図である。
【図７】電子線描画方法の説明図である。
【図８】フィールド分割方法の説明図である。
【図９】従来のフィールド分割方法の問題点の説明図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  パターン
２  パターン
３  スペース
４  境界
１１  サブフィールド
１２  サブフィールド
１３  フィールド境界
１４  フィールドマージン領域
１５  フィールドマージン領域
１６  大パターン
１７  大パターン
１８  スペース
４１  電子線
４２  主偏向器
４３  副偏向器
４４  ウェーハ
４５  ウェーハステージ
４６  メインフィールド
４７  サブフィールド
５１  サブフィールド
５２  サブフィールド
５３  フィールド境界
５４  フィールドマージン領域
５５  フィールドマージン領域
５６  矩形パターン
５７  矩形パターン
５７1   分割矩形パターン
５７2   分割矩形パターン
５８  スペース
５９  境界
６１  サブフィールド
６２  サブフィールド
６３  フィールド境界
６４  フィールドマージン領域
６５  フィールドマージン領域
６６  矩形パターン
６７  矩形パターン
６８  スペース
６９  境界
７０  スペース部
【図１】
2008078556.tif 000003
【図２】
2008078556.tif 000004
【図３】
2008078556.tif 000005
【図４】
2008078556.tif 000006
【図５】
2008078556.tif 000007
【図６】
2008078556.tif 000008
【図７】
2008078556.tif 000009
【図８】
2008078556.tif 000010
【図９】
2008078556.tif 000011