(57)【要約】【課題】無機成分としてＩＴＯとガラスとを含む抵抗ペーストを焼成して得られた厚膜抵抗体の比抵抗調整方法を提供する。【解決手段】抵抗ペーストに含まれるガラス中のＳｉＯ２量を変えることによって、焼成後のガラス中へのＩｎ溶解量を変え、それによって、厚膜抵抗体の比抵抗を調整する。ガラス中へのＩｎ溶解量は、３０．３原子％以下の範囲内で変えるようにされ、好ましくは１７．２原子％以下の範囲内で変えるようにされる。抵抗ペーストに含まれるガラス中のＳｉＯ２量は、好ましくは、９．９重量％以下の範囲内で変えられる。また、焼成後の厚膜抵抗体において、好ましくは、ガラスの体積比は３０〜７０体積％とされる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機成分としてＩＴＯとガラスとを含む抵抗ペーストを焼成して得られた厚膜抵抗体の比抵抗調整方法であって、
焼成後の前記ガラス中へのＩｎ溶解量を３０．３原子％以下の範囲内で変えることによって、厚膜抵抗体の比抵抗を調整する工程を備える、厚膜抵抗体の比抵抗調整方法。
【請求項２】
前記厚膜抵抗体の比抵抗を調整する工程において、焼成後の前記ガラス中へのＩｎ溶解量を１７．２原子％以下の範囲内で変えることが行なわれる、請求項１に記載の厚膜抵抗体の比抵抗調整方法。
【請求項３】
焼成後の前記ガラス中へのＩｎ溶解量を変えるため、前記ガラス中のＳｉＯ２量を変える工程を備える、請求項１または２に記載の厚膜抵抗体の比抵抗調整方法。
【請求項４】
前記ガラス中のＳｉＯ２量を変える工程において、前記ガラス中のＳｉＯ２量を９．９重量％以下の範囲内で変えることが行なわれる、請求項３に記載の厚膜抵抗体の比抵抗調整方法。
【請求項５】
焼成後の前記厚膜抵抗体において、前記ガラスの体積比は３０〜７０体積％である、請求項１ないし４のいずれかに記載の厚膜抵抗体の比抵抗調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、厚膜抵抗体の比抵抗調整方法に関するもので、特に、無機成分としてＩＴＯとガラスとを含む抵抗ペーストを焼成して得られた厚膜抵抗体の比抵抗調整方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この発明にとって興味ある厚膜抵抗ペーストとして、特開平３−７４００５号公報（特許文献１）には、無機成分が重量％表示で実質的にガラス粉末  ２０〜７０とＩＴＯ  ０〜１００、Ｉｎ２Ｏ３  ０〜９９．９９、ＳｂをドープしたＳｎＯ２＋ＳｎＯ２  ０〜２０からなる導電物質粉末  ３０〜８０からなり、当該ガラス粉末は重量％表示でＳｉＯ２  １２〜６０、Ａｌ２Ｏ３  ０〜３０、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ  ８〜６０、ＭｇＯ  ０〜４０、ＣａＯ  ０〜４０、ＳｒＯ  ０〜６０、ＢａＯ  ０〜６０、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ＋Ｃｓ２Ｏ  ０〜１０、ＰｂＯ  ０〜１０、ＺｎＯ  ０〜４０、ＺｒＯ２＋ＴｉＯ２  ０〜１０、Ｂ２Ｏ３  ４〜４０、ＭｎＯ＋Ｆｅ２Ｏ３＋ＣｕＯ＋ＮｉＯ＋ＭｏＯ２＋ＷＯ２＋Ｂｉ２Ｏ３＋ＣｅＯ２＋ＣｏＯ＋Ｃｒ２Ｏ３＋Ｖ２Ｏ５＋Ｓｂ２Ｏ３＋Ｉｎ２Ｏ３＋Ｓｎ２  ０．１〜２０からなる抵抗ペーストが記載されている。
【０００３】
次に、特開平３−８０５９１号公報（特許文献２）には、無機成分が重量％表示でガラス粉末  ２０〜７０とＩＴＯ  ０〜１００、Ｉｎ２Ｏ３  ０〜９９．９９、ＳｂをドープしたＳｎＯ２＋ＳｎＯ２  ０〜２０からなる導電物質粉末  ３０〜８０からなり、当該ガラス粉末は重量％表示で実質的にＳｉＯ２  １５〜６０、Ａｌ２Ｏ３  ０〜３０、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ  １０〜６０、ＭｇＯ  ０〜４０、ＣａＯ  ０〜４０、ＳｒＯ  ０〜６０、ＢａＯ  ０〜６０、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ＋Ｃｓ２Ｏ  ０〜１０、ＰｂＯ  ０〜１０、ＺｎＯ  ０〜４０、ＺｒＯ２＋ＴｉＯ２  ０〜１０、Ｂ２Ｏ３  ５〜４０からなる抵抗ペーストが記載されている。
【０００４】
次に、特開２００２−３４３６０２号公報（特許文献３）には、非導電性ガラス粉末（Ａ）と導電性粉末（Ｂ）と有機ビヒクル（Ｃ）とを含有し、（Ａ）成分が、酸化物換算で、２〜７２重量％のＰｂＯ、５〜３０重量％のＢ２Ｏ３および３〜３５重量％のＳｉＯ２を含有し、（Ｂ）成分が、酸化インジウム−酸化錫粉末からなり、さらに、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とが、前者が９５〜６５重量％に対して後者が５〜３５重量％の割合で配合されている抵抗ペーストが記載されている。
【０００５】
次に、特開２００４−１７２２５０号公報（特許文献４）には、非導電性がラス粉末（Ａ）と導電性粉末（Ｂ）と有機ビヒクル（Ｃ）とを含有し、（Ａ）成分が酸化物換算で２〜７２重量％のＰｂＯ、５〜３０重量％のＢ２Ｏ３および３〜３５重量％のＳｉＯ２を含有し、（Ｂ）成分が、酸化インジウム−酸化錫粉末およびルテニウム化合物粉末からなり、さらに、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とが、前者が８０〜９５重量％に対して後者が５〜２０重量％の割合で配合されている抵抗ペーストが記載されている。
【０００６】
以上のような特許文献１〜４の各々に記載される抵抗ペーストは、厚膜抵抗体を形成するために用いられ、厚膜抵抗体を形成するため、抵抗ペーストは塗布され、焼成される。厚膜抵抗体の比抵抗は、一般に、抵抗ペーストに含まれる導電性粉末と非導電性粉末との配合率を変えることによって調整される。また、比抵抗の調整をより容易にし、かつ調整された比抵抗のばらつきを小さくするため、適当な無機添加物を添加したり、導電性粉末として既に比抵抗の高いものを用いたりすることが、上記特許文献１〜４に記載されている。
【０００７】
しかしながら、上記のような方法によらず、かつより簡易な方法によって、抵抗ペーストを焼成して得られた厚膜抵抗体の比抵抗を調整できる方法が提案されれば、当該技術分野にとって有益であることは言うまでもない。
【０００８】
また、上記特許文献１および２に記載の抵抗ペーストについて言えば、ＳｉＯ２を比較的多く含むため、ガラス軟化点が高くなり、そのため、厚膜抵抗体を得るための焼成において高温が必要となる。その結果、抵抗ペーストの用途が制限されてしまう。たとえば、積層型セラミックコンデンサの外部電極の少なくとも一部を厚膜抵抗体によって形成し、それによって、抵抗素子をコンデンサ素子に直列に接続したＣＲ複合部品を提供しようとする場合、外部電極の少なくとも一部を構成する厚膜抵抗体を形成するための焼成工程において、それほど高い温度を付与することができない。なぜなら、積層型セラミックコンデンサの内部電極材料として、銀または銅のような融点の比較的低い金属が用いられることが多く、厚膜抵抗体を得るための焼成工程では、このような金属の融点以上の温度を付与することができないからである。
【特許文献１】特開平３−７４００５号公報
【特許文献２】特開平３−８０５９１号公報
【特許文献３】特開２００２−３４３６０２号公報
【特許文献４】特開２００４−１７２２５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、この発明の目的は、抵抗ペーストを焼成して得られた厚膜抵抗体の比抵抗を容易に調整できる方法を提供しようとすることである。
【００１０】
この発明の他の目的は、上述のように比抵抗が調整される厚膜抵抗体を得るため、比較的低温での焼成が可能な抵抗ペーストを提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、無機成分としてＩＴＯとガラスとを含む抵抗ペーストを焼成して得られた厚膜抵抗体の比抵抗調整方法に向けられるものであって、焼成後のガラス中へのＩｎ溶解量を３０．３原子％以下の範囲内で変えることによって、厚膜抵抗体の比抵抗を調整する工程を備えることを特徴としている。
【００１２】
上述した厚膜抵抗体の比抵抗を調整する工程において、焼成後のガラス中へのＩｎ溶解量は、より限定的に、１７．２原子％以下の範囲内で変えられることが好ましい。
【００１３】
焼成後のガラス中へのＩｎ溶解量を変えるため、ガラス中のＳｉＯ２量を変えることが好ましい。この場合において、ガラス中のＳｉＯ２量は、９．９重量％以下の範囲内で変えられることが好ましい。
【００１４】
この発明に従って比抵抗が調整される焼成後の厚膜抵抗体において、ガラスの体積比は３０〜７０体積％であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、焼成後のガラス中へのＩｎ溶解量を変えることによって、厚膜抵抗体の比抵抗を容易に調整することができる。この場合、ガラス中へのＩｎ溶解量を３０．３原子％以下とすることにより、厚膜抵抗体が実質的に絶縁体となることを防止することができる。
【００１６】
上述した焼成後のガラス中へのＩｎ溶解量を１７．２原子％以下とすることにより、比抵抗のばらつきを小さくすることができる。
【００１７】
ガラス中へのＩｎ溶解量は、ガラス中のＳｉＯ２量と比較的良好な相関関係を有しているので、抵抗ペーストに含まれるガラスのＳｉＯ２量を変えることにより、ガラス中へのＩｎ溶解量を変え、それによって、厚膜抵抗体の比抵抗を容易かつ確実に調整することができる。
【００１８】
上述したガラス中のＳｉＯ２量に関して、９．９重量％以下の範囲内で変えるようにすれば、厚膜抵抗体を得るための抵抗ペーストの焼成を比較的低温で行なうことができるようになる。
【００１９】
焼成後の厚膜抵抗体において、ガラスの体積比が３０〜７０体積％となるようにされると、厚膜抵抗体の耐熱衝撃性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、この発明に係る比抵抗調整方法が適用される厚膜抵抗体を備える電子部品の一例としての抵抗部品を示す平面図である。
【００２１】
図１に示すように、抵抗部品１は、たとえばアルミナからなるセラミック基板２を備えている。セラミック基板２上には、所定の間隔を隔てて２個の電極３および４が形成される。電極３および４は、たとえばＡｇ−Ｐｔ合金から構成される。セラミック基板２上には、また、電極３および４間を跨ぐように、厚膜抵抗体５が所定の幅をもって形成される。
【００２２】
このような抵抗部品１において、電極３および４間には、厚膜抵抗体５によって与えられる所定の抵抗値を有する抵抗素子が実現される。
【００２３】
上述した厚膜抵抗体５は、無機成分としてＩＴＯとガラスとを含む抵抗ペーストを、セラミック基板２上にスクリーン印刷等により付与し、中性ないしは還元性雰囲気中で焼成することによって形成される。抵抗ペーストは、より詳細には、ＩＴＯ粉末とガラスフリットと有機バインダを含む有機ビヒクルとを混練して得られたものである。
【００２４】
ＩＴＯは、通常、Ｉｎ２Ｏ３に対し、ＳｎＯ２を１〜２０重量％程度固溶させて合成されたものである。ここで、ＳｎＯ２の比率が上記範囲を下回ると、ＩＴＯの導電性が低下し、他方、上記範囲を上回ると、ＳｎＯ２を固溶させるために必要な熱処理が高温・長時間となるため、粒成長が進み、粉末として用いるには長時間の粉砕加工を必要とする。なお、上述のように予め合成されたＩＴＯ粉末に代えて、Ｉｎ２Ｏ３粉末およびＳｎＯ２を個々に含むペーストを用いると、抵抗ペーストの焼成温度（通常、６００〜１２００℃）程度の焼成では、両者の固溶はほとんど進まず、十分な導電性を得ることができない。そのため、ＩＴＯとしては、予め高温で熱処理して十分に固溶したものが用いられる。
【００２５】
抵抗ペーストに含まれるＩＴＯ粉末の粒径としては、平均粒径で０．３〜１０μｍ程度であることが望ましい。ＩＴＯ粉末の粒径が上記範囲を下回ると、ペースト化が困難となり、他方、上記範囲を上回ると、厚膜抵抗体５中に配列するＩＴＯ粒子数が少なくなり、抵抗値のばらつきが大きくなるためである。
【００２６】
抵抗ペーストに含まれるガラスフリットの粒径は、平均粒径で０．３〜１０μｍ程度であることが望ましい。ガラスフリットの粒径が上記範囲を下回ると、ペースト化が困難となり、他方、上記範囲を上回ると、焼成後の厚膜抵抗体５の緻密化が不十分となるためである。なお、ガラスフリットとしては、環境に対する負荷を考慮したとき、鉛を含まないものであることが好ましい。
【００２７】
厚膜抵抗体５の比抵抗は、焼成後のガラス中へのＩｎ溶解量を変えることによって調整される。これは、厚膜抵抗体５の比抵抗は、ガラス中へのＩｎ溶解量と良好な相関関係を有していることが見出されたためである。このことについて、以下に詳述する。
【００２８】
無機成分としてＩＴＯとガラスとを含む抵抗ペーストは、そこに含まれるガラスの粘度（ｌｏｇη）が２〜４となる焼成温度域において厚膜抵抗体５の比抵抗が極小となる。また、このように比抵抗が極小となるとき、比抵抗のばらつきが最も小さくなるため、上記の温度域において最適焼成温度が存在する。一方、比抵抗の極小値は、図２に示すように、ガラスの種類を変えることにより大きく変化する。
【００２９】
図２には、ガラス軟化点が互いに異なる３種類のガラスＡ、ＢおよびＣについての焼成温度と比抵抗との関係が示されている。比抵抗はガラス軟化点に応じた焼成温度で極小となるが、極小値はガラスＡ、ＢおよびＣ間で大きく異なる。
【００３０】
そこで、ガラスの種類によって、比抵抗の極小値が変化する原因を調査した結果、比抵抗の極小値は、図３に示すように、ガラス中のＩｎ溶解量と相関があることを見出した。図３には、後述する実験例において見出された、ガラス中のＩｎ溶解量と比抵抗との関係が示されている。
【００３１】
なお、ガラス中に３０．３原子％を上回るような過度の溶解量をもってＩｎが溶解した場合、後述する実験例によって裏付けられるように、比抵抗が極端に上昇し、実用に供し得ないものとなることがわかっている。また、後述する実験例から、Ｉｎ溶解量が１７．２原子％を超えると、比抵抗のばらつきが大きくなることもわかっている。
【００３２】
したがって、ガラス中へのＩｎ溶解量を変えることによって、厚膜抵抗体５の比抵抗を調整するに当たっては、Ｉｎ溶解量を３０．３原子％以下の範囲内で変えるようにすることが必要であり、好ましくは、１７．２原子％以下の範囲内で変えるようにされる。
【００３３】
また、上記のＩｎ溶解量は、図４に示すように、ガラス中のＳｉＯ２量と比較的良好な相関を示し、ＳｉＯ２比率を変えることにより、Ｉｎ溶解量を変えることができ、結果として、比抵抗の調整が可能であることを見出した。図４には、後述する実験例において見出された、ガラス中のＳｉＯ２比率とＩｎ溶解量との関係が示されている。
【００３４】
また、同一組成系のガラスでは、ＳｉＯ２量の増大に伴い、図５に示すように、ガラス軟化点が高くなり、かつ最適焼成温度が高くなる傾向が見られた。図５には、後述する実験例において見出された、ガラス中のＳｉＯ２比率と最適焼成温度との関係が示されている。上述のことから、ＳｉＯ２量の制御により、低温焼成可能な抵抗ペーストを実現できることがわかる。より具体的には、後述する実験例によって裏付けられるように、ガラス中のＳｉＯ２量を９．９重量％以下とすることにより、８００℃未満の温度で焼成することが可能となる。
【００３５】
また、焼成後の厚膜抵抗体５において、ガラスの体積比が３０〜７０体積％となるように、抵抗ペーストの組成を選ぶことが好ましい。これによって、厚膜抵抗体５の耐熱衝撃性を高めることができ、熱衝撃試験による抵抗変化率の絶対値を１％未満とすることができる。
【００３６】
以上、この発明に係る比抵抗調整方法が適用される厚膜抵抗体を備える電子部品として、図１に示すような抵抗部品１について説明したが、この発明は、たとえば、外部電極において厚膜抵抗体を備え、抵抗素子をコンデンサ素子に直列に接続したＣＲ複合部品を構成する積層型セラミックコンデンサなどにも適用することができる。
【００３７】
次に、この発明の範囲および好ましい範囲を求めるために実施した実験例について説明する。
【００３８】
（実験例１）
まず、抵抗ペーストに含まれるＩＴＯ粉末として、Ｉｎ２Ｏ３粉末とＳｎＯ２粉末との合計量に対してＳｎＯ２粉末が５重量％となるように、Ｉｎ２Ｏ３粉末にＳｎＯ２を混合し、大気中において１４００℃の温度で５時間の仮焼を行ない、ＳｎＯ２を十分に固溶させた後、平均粒径約１μｍになるまで粉砕処理を施したものを用意した。
【００３９】
他方、抵抗ペーストに含まれるガラスフリットとして、表１に示すように、組成および軟化点の互いに異なる複数種類のものを用意した。ここで、用意された各試料に係るガラスフリットの粒径は、平均粒径で１．０〜１．５μｍであった。
【００４０】
次に、上記のように用意されたＩＴＯ粉末およびガラスフリットに、２０重量％のアクリル樹脂を含む有機ビヒクルを加えて混合し、ロール分散処理によって、抵抗ペーストを作製した。この抵抗ペーストにおいて、（ＩＴＯ粉末）：（ガラスフリット）：（有機ビヒクル）の体積比率は１０：１０：８０とした。
【００４１】
次に、図１に示した抵抗部品１と同様、Ａｇ−Ｐｔ合金からなる２つの電極が、５ｍｍの間隔を隔てて予め形成されたアルミナ基板上に、２つの電極間を跨ぐように、スクリーン印刷により、幅３ｍｍをもって上記の抵抗ペーストからなる膜を形成した。次いで、この抵抗ペースト膜を、１５０℃の温度で１０分間乾燥した後、窒素雰囲気（酸素濃度：５ｐｐｍ未満）中で、ガラス軟化点（ｌｏｇη）が３．５となる温度、すなわち表１に示した最適焼成温度で１５分間保持して焼成を行ない、厚膜抵抗体を得た。なお、焼成後の厚膜抵抗体の厚みは５〜１０μｍとなるように上記に印刷条件を制御した。
【００４２】
このようにして得られた各試料に係る厚膜抵抗体について、電極間の抵抗値および膜厚を測定し、比抵抗を算出した。表１に示した比抵抗は、試料数５についての平均値である。また、表１に示すように、比抵抗のばらつきの指標となる３ＣＶを試料数５について求めた。
【００４３】
また、透過型電子顕微鏡観察およびＷＤＸによるポイント分析を行ない、各試料に係る厚膜抵抗体のガラス中へのＩｎ溶解量を測定した。表１に示したガラス中へのＩｎ溶解量は、試料数５についての平均値である。
【００４４】
【表１】
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【００４５】
表１に示したガラス中へのＩｎ溶解量と比抵抗との関係が前述の図３においてグラフ化されている。図３からよくわかるように、Ｉｎ溶解量の増大に伴い、比抵抗が指数関数的に増大することが確認できた。また、Ｉｎ溶解量が多く、比抵抗の高いものほど、比抵抗のばらつきが増大する傾向が認められた。この点で、表１の試料１〜１０および１５のように、Ｉｎ溶解量を１７．２原子％以下とすることが好ましく、これにより、比抵抗のばらつきを３ＣＶで２０．５％以下とすることができる。
【００４６】
また、ガラス中へのＩｎ溶解量が３０．３原子％を超える試料１４および１６では、抵抗測定器の上限（１ＧΩ）を超えたため、電極間の抵抗値を測定できなかった。これら試料１４および１６に係る厚膜抵抗体は、実質的に絶縁体となり、正確な意味での抵抗体としては実用に供し得ないものとなった。これは、ガラス中へのＩＴＯ溶解量が増大するに従い、ＩＴＯ粒子間のガラス層の厚みが増大することによるものと推測できる。すなわち、ガラス層の厚みが薄い場合、トンネル伝導効果あるいはホッピング伝導効果により、電子の移動が可能で、抵抗体として振る舞うが、あるガラス層の厚みをしきい値として電子の移動が不可能となり、絶縁体となるためであると推測できる。
【００４７】
表１に示したガラス中のＳｉＯ２量（ＳｉＯ２比率）とガラス中へのＩｎ溶解量との関係が前述の表４においてグラフ化されている。他の成分の影響もあるため、一概にＳｉＯ２比率のみでＩｎ溶解量との相関を示すことは難しいが、同一組成系内で比較すると、表４からよくわかるように、ＳｉＯ２比率の増大に伴い、Ｉｎ溶解量が増大する傾向が見られた。
【００４８】
表１に示したガラス中のＳｉＯ２量（ＳｉＯ２比率）と最適焼成温度（ガラス粘度ｌｏｇηが３．５となる温度）との関係が前述の表５においてグラフ化されている。表５からよくわかるように、最適焼成温度は、ガラス中のＳｉＯ２比率が低いほど低くなる傾向が見られた。一般に、焼成温度が高すぎる場合、基板の反りや配線および／または電極材料の拡散などにより、特性が低下するという問題を引き起こす。また、生産性、消費エネルギー等を考慮すると、焼成温度としては８００℃未満であることが望ましい。このような観点から、試料１〜４のように、ガラス中のＳｉＯ２量を９．９重量％以下とすることが望ましい。
【００４９】
（実験例２）
実験例２では、焼成後の厚膜抵抗体におけるガラスの体積比について、その最適範囲を求めた。
【００５０】
実験例１における試料３の場合と同様のガラスフリットを用い、（ＩＴＯ粉末）：（ガラスフリット）：（有機ビヒクル）の体積比率を４〜１６：１６〜４：８０とし、表２のガラス比率の欄に示されるように、焼成後に残存する成分については、ＩＴＯが２０〜８０体積％、ガラスが８０〜２０体積％の各範囲で変えたことを除いて、実験例１の場合と同様の工程を経て、各試料に係る厚膜抵抗体を得た。
【００５１】
そして、各試料に係る厚膜抵抗体について、実験例１の場合と同様の方法により、抵抗値および膜厚を測定して、比抵抗を算出し、これを初期比抵抗とした。また、アルミナ基板上に形成された厚膜抵抗体に対して、−５０℃の温度を３０分間保持し、次いで１５０℃の温度を３０分間保持する、熱衝撃試験を２００サイクル実施し、この熱衝撃試験後の比抵抗を求めた。そして、抵抗変化率を、抵抗変化率＝（試験後比抵抗−初期比抵抗）／初期比抵抗の式より求めた。これらの結果が表２に示されている。
【００５２】
【表２】
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【００５３】
表２に示すように、ガラス比率が２０〜２５体積％の試料２１および２２では、熱衝撃試験後に比抵抗の著しい増大が見られた。これは、ＩＴＯ粒子間の結合材であるガラスが不足したため、熱衝撃の際の基板との線膨張率の差でＩＴＯ粒子間に微細なクラックが生じたためであると考えられる。
【００５４】
一方、ガラス比率が３０〜７０体積％の試料２３〜３１では、熱衝撃試験前後での比抵抗にほとんど変化が見られなかった。
【００５５】
ガラス比率が７５〜８０体積％の試料３２および３３では、抵抗値が測定上限を超え、測定不可能であった。これは、絶縁体としてのガラス比率が増大し、ＩＴＯ粒子間のガラス層の厚みが増大しすぎたためであると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】この発明に係る比抵抗調整方法が適用される厚膜抵抗体を備える電子部品の一例としての抵抗部品１を示す平面図である。
【図２】３種類のガラスＡ、Ｂ、およびＣについての焼成温度と比抵抗との関係を示す図である。
【図３】厚膜抵抗体についてのＩｎ溶解量と比抵抗との関係を示す図である。
【図４】厚膜抵抗体についてのガラス中のＳｉＯ２比率とＩｎ溶解量との関係を示す図である。
【図５】厚膜抵抗体についてのガラス中のＳｉＯ２比率と最適焼成温度との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  抵抗部品
２  セラミック基板
３，４  電極
５  厚膜抵抗体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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