(57)【要約】【課題】多面付けで製造された配線基板に実装された半導体素子を封止後、ダイシングで切り出して個片化した場合にその断面が平坦な硬化物を与える半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた高信頼性の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体封止用シリコーン組成物は、（Ａ）２３℃における粘度が０．１〜５００Ｐａ・ｓであり、１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を２個以上有し、前記アルケニル基含有量が２０〜３００ｍｍｏｌ／１００ｇであるポリオルガノシロキサン、（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を３個以上有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン、（Ｃ）白金系触媒、（Ｄ）接着性付与剤および（Ｅ）平均粒径１０μｍ以下のシリカ粉末を含有し、加熱硬化後のヤング率が２〜１００ＭＰａ、切断時伸びが１１０％以下である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）２３℃における粘度が０．１〜５００Ｐａ・ｓであり、１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を２個以上有し、前記アルケニル基含有量が２０〜３００ｍｍｏｌ／１００ｇであるポリオルガノシロキサン                            １００重量部、
（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を３個以上有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン                                （Ａ）成分のケイ素原子に結合したアルケニル基１個に対して、ケイ素原子に結合した水素基が１．０〜５．０個となる量、
（Ｃ）白金系触媒                                                        触媒量、（Ｄ）接着性付与剤                                          ０．３〜２０重量部、
および
（Ｅ）平均粒径１０μｍ以下のシリカ粉末                      １２０〜２５０重量部
を含有し、加熱硬化後のヤング率が２〜１００ＭＰａ、切断時伸びが１１０％以下であることを特徴とする半導体封止用シリコーン組成物。
【請求項２】
さらに、ＢＥＴ比表面積が５０ｍ２／ｇ以上のヒュームドシリカを含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体封止用シリコーン組成物。
【請求項３】
さらに、カーボンブラックを含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体封止用シリコーン組成物。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体封止用シリコーン組成物の硬化物により、配線基板に実装された半導体素子が封止されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記配線基板が、ガラスエポキシ樹脂基板から構成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の封止剤として好適な半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子は、外部環境から素子を保護するために気密に封止されており、この封止剤としては、エポキシ樹脂ベースの組成物が汎用されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、エポキシ樹脂ベースの封止剤では、近年の半導体素子の発熱量の増大などによってクラッキングが発生しやすく、信頼性の低下を招いていた。
【０００４】
そこで、優れた耐熱性を有する点から、シリコーン組成物が使用されている。特に、付加反応硬化型のシリコーン組成物は、加熱により短時間で硬化するため生産性がよく、半導体素子の封止剤として適している。
【０００５】
通常、半導体装置は、作業効率の点から、多面付けで製造されたものを所望の外形サイズにダイシングなどで切り出し、個片化して得られる。例えば、多面付けで製造された配線基板上に、それぞれ半導体素子（ＩＣチップ）を実装し、これらに付加反応硬化型のシリコーン組成物を塗布し加熱硬化させて封止した後、ダイシングによる個片化を行う。
【０００６】
個片化を行った場合に、従来の付加反応硬化型のシリコーン組成物では、その断面が平坦になり難く、ダイシング性が悪化し、得られる半導体装置の信頼性や歩留まりの低下を招いていた。
【特許文献１】特開２０００−１６９５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、このような課題に対処するためになされたもので、多面付けで製造された配線基板に実装された半導体素子を封止後、ダイシングで切り出して個片化した場合に、その断面が平坦な硬化物を与える半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた高信頼性の半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、（Ａ）ベースポリマーとしてアルケニル基含有量が２０〜３００ｍｍｏｌ／１００ｇのポリオルガノシロキサンを配合し、加熱硬化後のヤング率が２〜１００ＭＰａ、切断時伸びが１００％以下とすることで、多面付けで製造された配線基板に実装された半導体素子を組成物で充填し、加熱硬化させて封止した後、ダイシングで切り出して個片化した場合に、その断面が平坦な硬化物を与える半導体封止用シリコーン組成物およびそれを用いた半導体装置が得られることを見出し、本発明をなすに至った。
【０００９】
すなわち、本発明の半導体封止用シリコーン組成物は、
（Ａ）２３℃における粘度が０．１〜５００Ｐａ・ｓであり、１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を２個以上有し、前記アルケニル基含有量が２０〜３００ｍｍｏｌ／１００ｇであるポリオルガノシロキサン                            １００重量部、
（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を３個以上有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン                                （Ａ）成分のケイ素原子に結合したアルケニル基１個に対して、ケイ素原子に結合した水素基が１．０〜５．０個となる量、
（Ｃ）白金系触媒                                                        触媒量、（Ｄ）接着性付与剤                                          ０．３〜２０重量部、
および
（Ｅ）平均粒径１０μｍ以下のシリカ粉末                      １２０〜２５０重量部
を含有し、加熱硬化後のヤング率が２〜１００ＭＰａ、切断時伸びが１１０％以下であることを特徴する。
【００１０】
また、本発明の半導体装置は、半導体封止用シリコーン組成物の硬化物により、配線基板に実装された半導体素子が封止されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
上記構成により、多面付けで製造された配線基板に実装された半導体素子を封止後、ダイシングで切り出して個片化した場合に、その断面が平坦な硬化物を与える半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた高信頼性の半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の半導体封止用シリコーン組成物について詳細に説明する。
【００１３】
［（Ａ）成分］
（Ａ）成分はベースポリマーであり、本組成物で半導体素子を封止し多面付けで製造されたものを、所望の外形サイズにダイシングで切り出して個片化した場合にその断面が平坦な硬化物を与える、本発明の特徴を付与する成分である。
【００１４】
（Ａ）成分は、得られた組成物を十分に硬化させる上で、１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を２個以上有する。その分子構造は、直鎖状、環状、分岐鎖状のいずれでもよいが、硬化後のゴム物性の点から、直鎖状が好ましく、１種単独または２種以上を組み合わせてもよい。
【００１５】
ケイ素原子に結合したアルケニル基としては、例えばビニル基、アリル基、ブテニル基、ペテニル基、ヘキセニル基等が挙げられ、好ましくはビニル基である。このアルケニル基は、分子鎖末端のケイ素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合していても、両者に結合していてもよいが、得られる組成物の硬化速度、硬化後の物性、特に接合強度の点から、少なくとも分子鎖末端のケイ素原子、特に分子鎖両末端のケイ素原子に結合していることが好ましい。
【００１６】
ケイ素原子に結合したアルケニル基の含有量は、組成物を加熱硬化後に、良好なダイシング性を付与する上で、（Ａ）成分１００ｇ中のモル数が２０〜３００ｍｍｏｌ、好ましくは２０〜１００ｍｍｏｌである。なお、ケイ素原子に結合したアルケニル基の含有量は、（ケイ素原子に結合したアルケニル基の平均個数）／（理論平均分子構造の分子量）×１０００を算出することで求められる。
【００１７】
アルケニル基以外のケイ素原子に結合した有機基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基あるいはこれらの水素原子が部分的に塩素原子、フッ素原子などで置換されたハロゲン化炭化水素基等の炭素原子数１〜１２個、好ましくは炭素原子数１〜８個のものであり、合成の容易さから、好ましくはアルキル基、アリール基であり、より好ましくはメチル基、フェニル基である。
【００１８】
（Ａ）成分の２３℃における粘度は、０．１〜５００Ｐａ・ｓ、好ましくは０．２〜３００Ｐａ・ｓである。粘度が０．１Ｐａ・ｓ未満であると、硬化後、良好な物性が得られず、脆くなり易い。一方、５００Ｐａ・ｓを超えると、組成物の流動性が低下して作業性が悪化し易い。
【００１９】
［（Ｂ）成分］
（Ｂ）成分は架橋剤であり、１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を３個以上有している。この水素原子は、分子鎖末端のケイ素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合していても、両者に結合していてもよい。その分子構造は、直鎖状、分岐鎖状、環状あるいは三次元網目状構造のいずれでもよい。
【００２０】
（Ｂ）成分としては、平均組成式：
Ｒ１ａＨｂＳｉＯ［４−（ａ＋ｂ）］／２
で示されるものが用いられる。
【００２１】
式中、Ｒ１は、脂肪族不飽和炭化水素基を除く、置換または非置換の１価炭化水素基である。Ｒ１としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基；およびこれらの基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子やシアノ基で置換されているもの、例えばクロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基、シアノエチル基等が挙げられ、なかでも、合成のし易さ、コストの点から、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基等の炭素原子数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
【００２２】
ａ、ｂはそれぞれ正数であり、０．５≦ａ≦２、０＜ｂ≦２、０．５＜ａ＋ｂ≦３を満足する数であり、好ましくは０．６≦ａ≦１．９、０．０１≦ｂ≦１．０、０．６≦ａ＋ｂ≦２．８を満足する数である。
【００２３】
（Ｂ）成分の２３℃における粘度は、０．０１〜０．５Ｐａ・ｓであることが好ましい。
【００２４】
（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分のケイ素原子に結合したアルケニル基１個に対して、ケイ素原子に結合した水素基の合計個数が１．０〜５．０個となる量、好ましくは１．５〜４．０となる量である。１．０個未満であると、得られた組成物が十分に硬化しにくい。一方、５．０個を越えると、硬化後のゴム物性が経時で変化し易くなる。
【００２５】
［（Ｃ）成分］
（Ｃ）成分の白金系触媒は、組成物の硬化を促進させる成分である。
【００２６】
（Ｃ）成分としては、ヒドロシリル化反応に用いられる触媒として周知の触媒を用いることができ、例えば白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と１価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類やビニルシロキサンとの錯体、白金ビスアセトアセテート等が挙げられる。
【００２７】
（Ｃ）成分の配合量は、硬化に必要な量であればよく、所望の硬化速度などに応じて適宜調整することができる。通常、（Ａ）成分１００重量部に対し白金元素に換算して０．１〜１０００ｐｐｍ、好ましくは１〜２００ｐｐｍの範囲である。
【００２８】
［（Ｄ）成分］
（Ｄ）成分は、組成物に接着性を付与する成分であり、公知のものを使用できる。
【００２９】
（Ｄ）成分は、オルガノシラン、またはケイ素原子数２〜５０個、好ましくは４〜２０個のオルガノシロキサンオリゴマー等の有機ケイ素化合物である。このような有機ケイ素化合物は、ケイ素原子に結合したアルコキシ基、ケイ素原子に結合したアルケニルオキシ基、Ｓｉ−Ｈ基、アルケニル基、アクリル基、メタクリル基、エポキシ基、メルカプト基、エステル基、無水カルボキシ基、アミノ基及びアミド基から選ばれる少なくとも１個の反応性官能基を有することが好ましい。これらは１種単独または２種以上を併用してもよい。
【００３０】
（Ｄ）成分としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性基含有アルコキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ（メトキシエトキシ）シラン等のアルケニル基含有アルコキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ基含有アルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリル基又はメタクリル基含有アルコキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト基含有アルコキシシランなどのアルコキシシランが挙げられる。また、オルガノシロキサンオリゴマーとしては、下記のような化合物が挙げられる。
【化１】
2008156460.tif 000002
【化２】
2008156460.tif 000003
【化３】
2008156460.tif 000004
【００３１】
（Ｄ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００重量部に対して０．３〜２０重量部、好ましくは０．３〜１０重量部である。配合量が０．３重量部未満では、十分な接着性が得られない。一方、２０重量部を越えると、コストの点で不経済である。
【００３２】
［（Ｅ）成分］
（Ｅ）成分のシリカ粉末は、本組成物で半導体素子を封止した後、ダイシングする場合に良好な切削性を付与する成分である。
【００３３】
（Ｅ）成分のシリカ粉末は、結晶シリカ、溶融シリカのいずれであってもよく、形状も球状、破砕状のいずれでもよく、１種単独又はこれらを混合して用いてもよい。
【００３４】
その平均粒径は、１０μｍ以下、好ましくは０．１〜５μｍである。平均粒径が１０μｍを超えると、塗膜の十分な均一性と接着耐久性を付与し難くなる。なお、平均粒径は、レーザー光回折法で測定した値である。
【００３５】
また、（Ｅ）成分は、その表面を周知の表面処理剤で処理したものを用いてもよい。この場合、予め表面処理剤で表面処理したものを用いても、組成物を製造する際に表面処理剤を同時に添加して処理してもよい。
【００３６】
（Ｅ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００重量部に対して１２０〜２５０重量部、好ましくは１２０〜２２０重量部である。配合量が１２０重量部未満であると、半導体素子を封止した後、ダイシングする際に良好な切削性が得られ難い。一方、２５０重量部を越えると、得られた組成物の流動性が低下して作業性が悪化し易い。
【００３７】
上記（Ａ）〜（Ｅ）成分を基本成分とし、これらに必要に応じて、その他の任意成分として、カーボンブラック等の着色剤、反応抑制剤、難燃性付与剤、可塑剤、塗膜の均一性を向上させる点からＢＥＴ比表面積が５０ｍ２／ｇ以上、好ましくは５０〜４００ｍ２／ｇのヒュームドシリカ等を本発明の目的を損なわない範囲で添加してもよい。配合量は、ベースポリマーの（Ａ）成分１００重量部に対して０〜２０重量部の範囲であることが好ましい。
【００３８】
本発明の半導体封止用シリコーン組成物の製造方法としては、例えば（Ａ）〜（Ｅ）成分及びその他任意成分をプラネタリーミキサー、ニーダー、品川ミキサー等の混合機で混合する方法等が挙げられる。得られる組成物は液状であることが好ましく、２３℃における粘度が１０〜４００Ｐａ・ｓ、好ましくは２０〜３００Ｐａ・ｓである。
【００３９】
本発明の半導体封止用シリコーン組成物の硬化方法は、迅速に硬化させる点から、該組成物を塗布後、１００〜２００℃で６０〜１２０分加熱する方法（例えば、１００℃×１２０分〜１５０℃×６０分）を用いる。
【００４０】
上記硬化条件で硬化させた後のヤング率は、２〜１００ＭＰａ、好ましくは５〜５０ＭＰａである。ヤング率が２ＭＰａ未満であると、硬化物が柔らかすぎて、組成物で半導体素子を封止した後、ダイシングした時にその断面が平坦になりにくい。一方、ヤング率が１００ＭＰａを超えると、硬化物が硬すぎで応力緩和性に欠けるため、半導体素子を実装した配線基板に割れが発生しやくなる。
【００４１】
硬化後の切断時伸びは、本組成物を半導体素子に充填して加熱硬化させ封止した後、ダイシングした場合にその断面を平坦にする上で、１１０％以下、好ましくは２０〜１００％である。
【００４２】
また、本組成物を５０ｍｍ角の厚さ０．３ｍｍのガラスエポキシ樹脂基板（ＦＲ４）上に厚さ０．７ｍｍで塗布し加熱硬化させた場合の反りが０〜６００μｍの範囲である。
【００４３】
次に、本発明の半導体装置について説明する。
【００４４】
半導体装置は、上述した半導体封止用シリコーン組成物の硬化物で配線基板に実装された半導体素子を封止したものである。半導体装置の製造方法としては、周知の方法を用いることができ、作業効率の点から、通常、多面付けで製造されたものを所望の外形サイズにダイシングで切り出して個片化する。例えば、多面付けで製造されたガラスエポキシ樹脂基板等から構成される配線基板に、半導体素子（ＩＣチップ）をそれぞれ実装し、半導体封止用シリコーン組成物を塗布し、１００〜２００℃で６０〜１２０分加熱硬化して封止した後、ダイシングで個片化する。半導体封止用シリコーン組成物の硬化物は、ダイシングで個片化した場合に、その断面が平坦であるため、高信頼性の半導体装置を提供できる。
【実施例】
【００４５】
本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。実施例及び比較例中、粘度は２３℃において測定した値であり、平均粒径はレーザー光回折法により測定した値である。また、実施例及び比較例で得られた半導体封止用シリコーン組成物は、以下のようにして特性を評価し、結果を表１に示した。表１に示した特性は、２３℃において測定した値である。
【００４６】
［切断時伸び］［ヤング率］
得られた半導体封止用シリコーン組成物を２ｍｍ厚の金型に充填し、１５０℃で１時間加熱硬化させ、厚さ２ｍｍのシリコーンゴムシートを用いて、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して、切断時伸びを測定し、あわせて１５〜２０％の範囲の応力をヤング率とした。
【００４７】
［反り］
得られた半導体封止用シリコーン組成物を５０ｍｍ角の厚さ０．３ｍｍのガラスエポキシ樹脂基板上に厚さ０．７ｍｍで塗布し、１５０℃で１時間加熱硬化させた場合の反りを光学側面計（ＤＥＫ社製）で測定した。
【００４８】
［ダイシング性］
得られた半導体封止用シリコーン組成物を５０ｍｍ角の厚さ０．３ｍｍのガラスエポキシ樹脂基板上に０．７ｍｍ厚で塗布し、１５０℃で１時間加熱硬化させ、テストピースを作製した。ダイシングブレード（ディスコ社製、ＮＢＣ−Ｚ）でテストピースのダイシングを行い、その断面を顕微鏡で観察した。断面が平坦の場合には○とし（図１（ａ）参照）、平坦でない場合には×とした（図１（ｂ）参照）。
【００４９】
［実施例１］
（Ａ−１）粘度が２．７Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（Ｓｉ−Ｖｉ基含有量０．２２ｍｍｏｌ／ｇ）１００重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであり、ケイ素原子に結合した水素原子をＳｉ−Ｈ基含有量として８．８ｍｍｏｌ／ｇ含有し、［（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２］単位、［（ＣＨ３）ＨＳｉＯ２／２］単位、［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］単位から構成されたポリメチルハイドロジェンシロキサン６．８重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０２重量部（白金元素に換算して１０ｐｐｍ）、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．５重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン１．１重量部、（Ｅ）平均粒径５μｍの結晶シリカ粉末（龍森社製、クリスタライトＶＸ−Ｓ）１７５重量部、ＢＥＴ比表面積が１３０ｍ２／ｇのヒュームドシリカ（日本アエロジル社製、アエロジルＲ９７２）１．５重量部、一次粒径３８ｎｍのカーボンブラック（電気化学工業社製、デンカブラックＨＳ−１００）１．５重量部を万能混錬器で均一に混合して、半導体封止用シリコーン組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００５０】
［実施例２］
（Ａ−２）粘度が２．６Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量０．２７ｍｍｏｌ／ｇ）１００重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリメチルノハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量８．８ｍｍｏｌ／ｇ）７．６重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０２重量部（白金元素に換算して１０ｐｐｍ）、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．７重量部、（Ｄ−３）下記式：
【化４】
2008156460.tif 000005
で表されるオルガノシロキサンオリゴマー３．３重量部、（Ｅ）平均粒径５μｍの結晶シリカ粉末１７３重量部、ＢＥＴ比表面積が１３０ｍ２／ｇのヒュームドシリカ１．３重量部、一次粒径３８ｎｍのカーボンブラック２．２重量部を万能混錬器で均一に混合して、半導体封止用シリコーン組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００５１】
［実施例３］
（Ａ−１）粘度が２．７Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量０．２２ｍｍｏｌ／ｇ）１００重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリメチルノハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量８．８ｍｍｏｌ／ｇ）６．９重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０２重量部（白金元素に換算して１０ｐｐｍ）、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．７重量部、（Ｄ−３）オルガノシロキサンオリゴマー３．３重量部、（Ｅ）平均粒径５μｍの結晶シリカ粉末１６３重量部、ＢＥＴ比表面積が１３０ｍ２／ｇのヒュームドシリカ１．３重量部、一次粒径３８ｎｍのカーボンブラック２．２重量部を万能混錬器で均一に混合して、半導体封止用シリコーン組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００５２】
［比較例１］
（Ａ−３）粘度が０．４Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量０．１５ｍｍｏｌ／ｇ）１００重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリメチルハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量８．８ｍｍｏｌ／ｇ）３．４重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０２重量部（白金元素に換算して１０ｐｐｍ）、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．７重量部、（Ｄ−３）オルガノシロキサンオリゴマー３．３重量部、（Ｅ）平均粒径５μｍの結晶シリカ粉末１１０重量部、ＢＥＴ比表面積が１３０ｍ２／ｇのヒュームドシリカ２重量部、一次粒径３８ｎｍのカーボンブラック１．５重量部を万能混錬器で均一に混合して、半導体封止用シリコーン組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【表１】
2008156460.tif 000006
【００５３】
表１から明らかなように、ベースポリマーとしてアルケニル基含有量が２０〜３００ｍｍｏｌ／１００ｇのポリオルガノシロキサンを配合した各実施例は、加熱硬化後のヤング率が２〜１００ＭＰａ、切断時伸びが１１０％以下であり、良好なダイシング性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】ダイシング試験の結果を示すテストピースの略図。
【符号の説明】
【００５５】
１１…ガラスエポキシ樹脂基板、１２…半導体封止用シリコーン組成物の硬化物。
【図１】
2008156460.tif 000007