(57)【要約】【課題】コンデンサとコイルとを含む積層電子部品において、設定できる共振周波数の範囲を広げること。【解決手段】コイルとコンデンサとを含む積層電子部品１。第１のセラミック層２と、複数の前記第１のセラミック層２の層間に配置された第２のセラミック層３とは、積層体を構成する。第１の内部電極６は、前記各第１のセラミック層２に形成され、それぞれが電気的に接続されてコイルを構成する。第２の内部電極８は、前記各第２のセラミック層３に形成され、それぞれが電気的に接続されてコンデンサ電極を構成する電極であって、前記積層体の積層方向から見たときに前記第１の内部電極６と略重なる形状を有する。前記コンデンサ電極と前記コイルとの間に静電容量が形成されている。【選択図】図２
2008092454.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１のセラミック層と、該複数の第１のセラミック層の層間に配置された複数の第２のセラミック層とにより構成された積層体と、
前記各第１のセラミック層に形成され、それぞれが電気的に接続されてコイルを構成する第１の電極と、
前記各第２のセラミック層に形成され、それぞれが電気的に接続されてコンデンサ電極を構成する電極であって、前記積層体の積層方向から見たときに前記第１の電極と略重なる形状を有する第２の電極とを備え、
前記コンデンサ電極と前記コイルとの間に静電容量が形成されていること、
を特徴とする積層電子部品。
【請求項２】
前記各第１の電極は、積層方向から見たときに、それぞれが重なって一つの環を形成していること、
を特徴とする請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項３】
前記各第２の電極は、積層方向から見たときに、それぞれが重なって前記環に重なる環を形成していること、
を特徴とする請求項２に記載の積層電子部品。
【請求項４】
前記積層体の表面に形成される外部電極、
を更に備え、
前記コンデンサ電極の一端は前記外部電極に接続され、
前記コンデンサ電極の他端は前記コイルと絶縁されていること、
を特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の積層電子部品。
【請求項５】
前記コイル及び前記コンデンサ電極は、ノイズフィルタを構成すること、
を特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の積層電子部品。
【請求項６】
コイルとコンデンサとを含む積層電子部品の製造方法において、
セラミックグリーンシート上にコイルを構成する第１の電極を形成する工程と、
セラミックグリーンシート上にコンデンサ電極を構成する第２の電極を形成する工程と、
前記各セラミックグリーンシートに、前記各第１の電極同士を接続するビア導体と、前記各第２の電極同士を接続するビア導体とを形成する工程と、
前記第１の電極が形成されたセラミックグリーンシートの層間に前記第２の電極が形成されたセラミックグリーンシートが挟まれるように積層する工程であって、積層方向から見たときに前記第１の電極と前記第２の電極とが略重なりつつ、該第１の電極と該第２の電極との間で静電容量が形成されるように、セラミックグリーンシートを積層する工程と、
を備えることを特徴とする積層電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層電子部品及びその製造方法、より特定的には、コイル及びコンデンサを内蔵する積層電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、セラミック積層体に直列又は並列に接続されたコンデンサとコイルとを内蔵する積層電子部品が種々提供されている。この種の積層電子部品としては、特許文献１に示す共振回路部品が提案されている。
【０００３】
前記共振回路部品は、セラミック積層体と、該セラミック積層体の内部に形成されたコンデンサ及びコイルと、セラミック積層体の両端部に形成された外部電極とを備えている。コンデンサは、一の積層面に形成された第１及び第２のコンデンサ電極からなる。コイルは、複数のコイル導体がビアホールを介して接続されてなり、コイル軸はセラミック積層体の積層方向と平行に配置されている。コンデンサとコイルとは積層方向に積み重ねられ、かつ、第１及び第２のコンデンサ電極は積層方向に透視してコイルの内径と重なる部分の少なくとも一部が欠除されている。
【０００４】
特許文献１に記載の共振回路部品によれば、コイルの内径と重なる部分のコンデンサ電極が欠除されているので、コンデンサ電極がコイルの磁束を妨げることがなくなる。その結果、コンデンサの存在によるコイルのＬ値の低下を防止できる。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の共振回路部品では、コンデンサの容量値の調整幅が狭いので、共振周波数の設定可能な範囲が狭いという問題が存在する。より詳細には、前記共振回路部品では、コンデンサ電極は、コイルの磁束を妨げないように、積層方向においてコイルの上方又は下方に１層ずつ配置される。このように、コンデンサ電極が１層だけしか形成されない場合には、該コンデンサ電極の面積を変化させてコンデンサの容量値を調整するため、該コンデンサの容量値の調整幅が狭くなってしまう。その結果、共振回路部品の共振周波数の設定可能な範囲が狭くなってしまう。
【０００６】
なお、特許文献２には、複数の絶縁層からなる積層構造を有するチップ状の積層体を備え、コンデンサのためのコンデンサ電極並びにインダクタのためのコイルパターンを、それぞれ、特定の絶縁層上に形成し、必要な電気的接続をビアホール接続部によって達成する共振回路部品が記載されている。しかしながら、設定できる共振周波数の範囲を広げることに関する記載はない。
【特許文献１】特開２００５−３２８４６８号公報
【特許文献２】特開平１１−２８４４７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明の目的は、コンデンサとコイルとを含む積層電子部品において、高いＬ値を得ると共に、設定できる共振周波数の範囲を広げることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、積層電子部品において、複数の第１のセラミック層と、該複数の第１のセラミック層の層間に配置された複数の第２のセラミック層とにより構成された積層体と、前記各第１のセラミック層に形成され、それぞれが電気的に接続されてコイルを構成する第１の電極と、前記各第２のセラミック層に形成され、それぞれが電気的に接続されてコンデンサ電極を構成する電極であって、前記積層体の積層方向から見たときに前記第１の電極と略重なる形状を有する第２の電極とを備え、前記コンデンサ電極と前記コイルとの間に静電容量が形成されていること、を特徴とする。
【０００９】
以上のように、本発明に係る積層電子部品によれば、積層方向から見たときに第１の電極と第２の電極とが略重なるので、コンデンサ電極の存在によりコイルの磁束が妨げられることが防止される。その結果、コンデンサ及びコイルを含む積層電子部品１において、高いＬ値を得ることができる。更に、本発明に係る積層電子部品によれば、第２の電極の数を変更することにより、コイルのＬ値を変化させることなく、コンデンサの容量値を変化させることができるので、共振周波数の設定可能な範囲を広げることが可能となる。
【００１０】
本発明において、前記各第１の電極は、積層方向から見たときに、それぞれが重なって一つの環を形成していることが好ましい。また、本発明において、前記各第２の電極は、積層方向から見たときに、それぞれが重なって前記環に重なる環を形成していることが好ましい。これにより、コイルの径を大きくとることができ、コイルのＬ値を大きくすることが可能となる。
【００１１】
本発明において、前記積層体の表面に形成される外部電極、を更に備え、前記コンデンサ電極の一端は前記外部電極に接続され、前記コンデンサ電極の他端は前記コイルと絶縁されていてもよい。また、前記コイル及び前記コンデンサ電極は、ノイズフィルタを構成していてもよい。
【００１２】
本発明に係る積層電子部品は、以下に示す製造方法によって製造可能である。具体的には、コイルとコンデンサとを含む積層電子部品の製造方法において、セラミックグリーンシート上にコイルを構成する第１の電極を形成する工程と、セラミックグリーンシート上にコンデンサ電極を構成する第２の電極を形成する工程と、前記各セラミックグリーンシートに、前記各第１の電極同士を接続するビア導体と、前記各第２の電極同士を接続するビア導体とを形成する工程と、前記第１の電極が形成されたセラミックグリーンシートの層間に前記第２の電極が形成されたセラミックグリーンシートが挟まれるように積層する工程であって、積層方向から見たときに前記第１の電極と前記第２の電極とが略重なりつつ、該第１の電極と該第２の電極との間で静電容量が形成されるように、セラミックグリーンシートを積層する工程と、を備えることを特徴とする。これにより、本発明に係る積層電子部品を好適に作製することが可能である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、第２の電極が、電気的に接続されてコンデンサ電極を構成しかつ、積層体の積層方向から見たときに第１の電極と略重なる形状を有し、更に、コンデンサ電極とコイルとの間に静電容量が形成されているので、高いＬ値を得ると共に、コンデンサとコイルとを含む積層電子部品において、設定できる共振周波数の範囲を広げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明に係る積層電子部品及びその製造方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
（積層電子部品の構成）
図１は、積層電子部品１の断面構造図である。図２は、積層電子部品１の分解斜視図である。図３は、積層電子部品１の外観斜視図である。図４は、積層電子部品１の等価回路図である。
【００１６】
積層電子部品１は、コイルＬ及びコンデンサＣを内蔵する。図１において、コイルＬが形成されている領域をコイル領域２０と称し、コイル領域２０の積層方向の上下に配置されかつ、コイルＬが形成されていない領域を外層領域２３と称す。また、コイル領域２０の内、コンデンサＣが形成されている領域を容量領域２１と称し、コンデンサＣが形成されていない領域を非容量領域２２と称す。
【００１７】
積層電子部品１は、図２に示すように、第１のセラミック層２、第２のセラミック層３、第３のセラミック層４及び第４のセラミック層５を備える。第１のセラミック層２と第２のセラミック層３とは、容量領域２１において交互に積層される。第１のセラミック層２と第４のセラミック層５とは、コイル領域２０の上部に配置された非容量領域２２において交互に積層される。第３のセラミック層４は、積層方向の上下方向からコイル領域２０を挟むように積層される。第１のセラミック層２、第２のセラミック層３、第３のセラミック層４及び第４のセラミック層５により図１に示す積層体１０が構成される。そして、図１及び図３に示すように、積層体１０の側面には第１の外部電極１１及び第２の外部電極１２が形成される。
【００１８】
第１のセラミック層２、第２のセラミック層３、第３のセラミック層４及び第４のセラミック層５はＭａＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系の誘電体セラミック層であり、その誘電率は２０程度である。また、第１のセラミック層２、第２のセラミック層３、第３のセラミック層４及び第４のセラミック層５は、セラミックを含む樹脂（コンポジット）又は磁性体セラミックであってもよい。
【００１９】
第１のセラミック層２の主面には、第１の内部電極６が形成され、第１のビア導体７が該第１のセラミック層２を積層方向に貫通するように形成される。更に、容量領域２１に配置された第１のセラミック層２には、第２のビア導体９が該第１のセラミック層２を積層方向に貫通するように形成される。
【００２０】
第２のセラミック層３には、第２の内部電極８が形成され、第１のビア導体７及び第２のビア導体９が該第２のセラミック層３を積層方向に貫通するように形成される。第４のセラミック層５には、第１のビア導体７が、該第４のセラミック層５を積層方向に貫通するように形成される。
【００２１】
第１の内部電極６は、コイルＬを構成し、Ａｇにより形成される。また、第１の内部電極６は、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ａｕなどの金属により形成されてもよい。第１の内部電極６は、環状の配線の一部を切り欠いた形状を有しており、各第１の内部電極６が第１のビア導体７により接続されることにより、螺旋形状を有するコイルＬが形成される。積層方向の最も上方に配置される第１の内部電極６は、積層体１０の外部へと延びる引き出し電極６ａを有する。また、積層方向の最も下方に配置される第１の内部電極６は、積層体１０の外部へと延びる引き出し電極６ｂを有する。このコイルＬは、積層方向から見たときに、第１の内部電極６が互いに重なり合うことで、一つの環を形成している。
【００２２】
第２の内部電極８は、コンデンサＣの一方の電極を構成し、Ａｇにより形成される。また、第２の内部電極８は、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ａｕなどの金属により形成されてもよい。第２の内部電極８は、第１の内部電極６と同様に環状の配線の一部を切り欠いた形状を有しており、各第２の内部電極８が第２のビア導体９により接続されることにより、螺旋形状を有するコンデンサＣのコンデンサ電極が形成される。積層方向の最も下方に配置される第２の内部電極８は、積層体１０の外部へと延びる引き出し電極８ａを有する。
【００２３】
第２の内部電極８により構成されるコンデンサ電極は、前記コイルＬの一部と対向することによりコンデンサＣを構成する。すなわち、コイルＬの一部と第２の内部電極８により構成されるコンデンサ電極とは、互いに絶縁されており、これらの間に静電容量が形成されている。コンデンサＣのコンデンサ電極は、積層方向から見たときに、第２の内部電極８が互いに重なり合うことで、一つの環を形成している。そして、コンデンサＣのコンデンサ電極が形成する環と、コイルＬが形成する環とは、重なって一つの環を構成する。なお、コンデンサＣのコンデンサ電極が形成する環と、コイルＬが形成する環との重なりの程度は、積層方向から見たときに、各内部電極の間に隙間ができない程度が好ましい。
【００２４】
第１のビア導体７及び第２のビア導体９は、Ａｇにより形成される。また、第１のビア導体７及び第２のビア導体９は、Ａｇに代えて、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ａｕなどの金属により形成されてもよい。第１のビア導体７は、隣接する第１の内部電極６同士を接続する。第２のビア導体９は、隣接する第２の内部電極８同士を接続する。
【００２５】
第１の外部電極１１及び第２の外部電極１２は、Ａｇ上にＮｉめっき及びＳｎめっきが施されて形成される。また、第１の外部電極１１及び第２の外部電極１２は、Ａｇに代えて、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ合金，Ａｕなどの金属により形成されてもよい。第１の外部電極１１は、図１及び図３に示すように、積層体１０の側面に形成され、引き出し電極６ａ及び引き出し電極８ａが電気的に接続される。第２の外部電極１２は、図１及び図３に示すように、第１の外部電極１１が形成された側面と対向する側面に形成され、引き出し電極６ｂが電気的に接続される。
【００２６】
以上のような積層電子部品１は、図４に示すように、コイルＬとコンデンサＣとが並列に接続された回路を構成し、ノイズフィルタとして用いられる。
【００２７】
（積層電子部品の製造方法）
次に、積層電子部品１の製造方法について説明する。まず、セラミックグリーンシートを準備する。次に、第１のセラミック層２、第２のセラミック層３及び第４のセラミック層５に用いるセラミックグリーンシートに対して、レーザやＮＣパンチにより、ビアホールを形成する。
【００２８】
次に、第１のセラミック層２及び第２のセラミック層３に用いるセラミックグリーンシートに対して、導電性ペーストを所定のパターンにスクリーン印刷により印刷すると共に、前記ビアホールに対して導電性ペーストを充填する。更に、第４のセラミック層５に用いるセラミックグリーンシートの前記ビアホールに対して、導電性ペーストを充填する。
【００２９】
次に、セラミックグリーンシートを下から上へと順に積層する。具体的には、第３のセラミック層４に用いるセラミックグリーンシートを３枚積層して外層領域２３を形成する。次に、第１のセラミック層２と第４のセラミック層５とに用いるセラミックグリーンシートを順に積層し、更に、第１のセラミック層２と第２のセラミック層３とに用いるセラミックグリーンシートを交互に積層してコイル領域２０及び容量領域２１を形成する。次に、第１のセラミック層２と第４のセラミック層５とに用いるセラミックグリーンシートを交互に積層してコイル領域２０（非容量領域２２）を形成する。最後に、第３のセラミック層４に用いるセラミックグリーンシートを３枚積層して外層領域２３を形成する。そして、これらセラミックグリーンシートを圧着する。この際、静水圧プレスなどにより、積層方向の上下方向から各セラミックグリーンシートを圧着することが好ましい。これにより、マザー積層体を得る。
【００３０】
次に、マザー積層体を所定のサイズにカットし、生のセラミックの積層体を得る。この生のセラミックの積層体を、大気、窒素、又は、水蒸気と窒素の混合気の雰囲気中において９００℃〜１３００℃で焼成する。これにより、焼成された積層体１０を得る。
【００３１】
次に、スクリーン印刷により、積層体１０の側面に導電性ペーストを印刷し、第１の外部電極１１及び第２の外部電極１２のパターンを形成する。その後、該パターンを、大気、窒素、又は、水蒸気と窒素の混合気の雰囲気中において７００℃〜９００℃で焼付ける。これにより、第１の外部電極１１及び第２の外部電極１２が形成される。更に、第１の外部電極１１及び第２の外部電極１２の表面にＮｉめっき及びＳｎめっきを施す。以上の工程を経て、積層電子部品１が完成する。
【００３２】
なお、積層電子部品１は、スクリーン印刷法以外に、印刷法或るいは転写法によっても作製可能である。該印刷法は、セラミックグリーンシートを印刷する工程と、印刷したセラミックグリーンシートに内部電極を印刷する工程とを繰り返してマザー積層体を得る方法である。また、転写法は、ベースフィルム上に形成した内部電極と、ベースフィルム上に形成したセラミックグリーンシートとを交互に転写する工程を繰り返してマザー積層体を得る方法である。
【００３３】
（効果）
以上のように、積層電子部品１によれば、積層方向から見たときに、コンデンサＣのコンデンサ電極が形成する環と、コイルＬが形成する環とが、重なって一つの環を構成しているので、コンデンサＣの存在によりコイルＬの磁束が妨げられることが防止される。その結果、コンデンサＣ及びコイルＬを含む積層電子部品１において、高いＬ値を得ることができる。
【００３４】
更に、積層電子部品１によれば、第２の内部電極８の数を変更することにより、コイルＬのＬ値を変化させることなく、コンデンサＣの容量値を変化させることができる。そのため、コンデンサＣとコイルＬとを含む積層電子部品１をノイズフィルタに用いた場合において、該ノイズフィルタの共振周波数の設定可能な範囲を広げることが可能となる。
【００３５】
更に、積層電子部品１によれば、コンデンサＣの位置及び引き出し電極８ａの位置を変化させることによっても、ノイズフィルタの共振周波数を変化させることが可能である。以下に、図５〜図９を用いて変形例を示しながら詳しく説明する。
【００３６】
（変形例）
図５は、積層電子部品１の第１の変形例に係る積層電子部品３０の断面構造図である。図６は、積層電子部品３０の等価回路図である。図７は、積層電子部品１の第２の変形例に係る積層電子部品４０の断面構造図である。図８は、積層電子部品４０の等価回路図である。図９は、積層電子部品１，３０，４０の挿入損失と周波数との関係を示したグラフである。縦軸は挿入損失（ｄＢ）を示し、横軸は周波数（ＧＨｚ）を示す。挿入損失が最も低くなっている周波数が共振周波数である。
【００３７】
積層電子部品３０では、図５に示すように、第２の内部電極８は、積層方向において、積層体１０の上半分の領域に配置される。更に、引き出し電極８ａは、積層体１０の略中央から第２の外部電極１２に接続される。これにより、積層電子部品３０は、図６に示すような回路構成をとるようになる。具体的には、第２の内部電極８により構成されるコンデンサ電極はコイルＬの中央部分と対向し、該コンデンサ電極は第２の外部電極１２と接続される。その結果、コンデンサＣには、コイルＬの略中央部における電位と第２の外部電極１２における電位との差に相当する電圧が印加される。
【００３８】
また、積層電子部品４０では、図７に示すように、第２の内部電極８は、積層方向において、積層体１０の下半分の領域に配置される。更に、引き出し電極８ａは、最も下方に配置された第２の内部電極８に設けられ、第２の外部電極１２に接続される。これにより、積層電子部品４０は、図８に示すような回路構成をとるようになる。具体的には、第２の内部電極８により構成されるコンデンサ電極はコイルＬの第２の外部電極１２側の部分と対向し、該コンデンサ電極は第２の外部電極１２と接続される。その結果、コンデンサＣには、コイルＬの第２の外部電極１２側の部分における電位と第２の外部電極１２における電位との差に相当する電圧が印加される。
【００３９】
図４，６，８の回路図を比較すると、コンデンサＣに印加される電圧Ｖ'は、積層電子部品４０、積層電子部品３０、積層電子部品１の順に大きくなる。コンデンサＣの容量ＣとコンデンサＣに印加される電圧Ｖ’とコンデンサＣに蓄積される電荷Ｑ'との間には、式（１）に示す関係が成立する。
【００４０】
Ｑ'＝ＣＶ'                      ・・・（１）
【００４１】
積層電子部品４０、積層電子部品３０、積層電子部品１の間でコンデンサＣの容量Ｃは一定であるので、積層電子部品４０、積層電子部品３０、積層電子部品１の順に電圧Ｖ'が大きくなっていくと、積層電子部品４０、積層電子部品３０、積層電子部品１の順にコンデンサＣに蓄積される電荷Ｑ'が大きくなっていく。更に、積層電子部品４０、積層電子部品３０、積層電子部品１に印加される電圧を電圧Ｖとした場合、この電圧Ｖと、コンデンサＣの容量Ｃと、コンデンサＣに蓄積される電荷Ｑ'との間には見かけ上、式（２）の関係が成立する。
【００４２】
Ｑ'＝ＣＶ                        ・・・（２）
【００４３】
前記電圧Ｖは、各積層電子部品４０，３０，１間で一定であるので、見かけ上、コンデンサＣの容量Ｃは、積層電子部品４０、積層電子部品３０、積層電子部品１の順に大きくなっていく。ここで、共振周波数ｆと、コンデンサＣの容量ＣとコイルＬのインダクタンスＬとの間には、式（３）に示す関係が成立する。
【００４４】
【数１】
2008092454.tif 000003
【００４５】
そのため、式（３）によれば、共振周波数ｆは、図９に示すように、積層電子部品１、積層電子部品３０、積層電子部品４０の順に大きくなっていく。すなわち、同様のコンデンサ電極が形成されたとしても、該コンデンサ電極の位置及び引き出し電極の位置を変化させることにより、積層電子部品の共振周波数を変化させることが可能となる。
【００４６】
（第２の実施形態）
本発明に係る積層電子部品において、コンデンサ電極は、複数含まれていてもよい。そこで、以下に、コンデンサ電極が複数含まれた積層電子部品について説明する。図１０は、積層電子部品５０の分解斜視図である。図１１は、積層電子部品５０の断面構造図である。図１２は、積層電子部品５０の等価回路図である。
【００４７】
積層電子部品５０は、コイルＬ、コンデンサＣ１及びコンデンサＣ２を内蔵する。具体的には、図１０及び図１１に示すように、積層方向の上方の層にコンデンサＣ１が設けられ、積層方向の下方の層にコンデンサＣ２が設けられる。具体的には、図１１に示すように、コンデンサＣ１のコンデンサ電極を構成する第２の内部電極８は、積層方向において、コイルＬの上端近傍の領域に配置される。コンデンサＣ１の引き出し電極８ａは、コンデンサＣ１のコンデンサ電極を構成する第２の内部電極８の内、最も下層に配置された第２の内部電極８に設けられ、第１の外部電極１１に接続される。また、コンデンサＣ２のコンデンサ電極を構成する第２の内部電極８は、積層方向において、コイルＬの下端近傍の領域に配置される。コンデンサＣ２の引き出し電極８ａは、コンデンサＣ２のコンデンサ電極を構成する第２の内部電極８の内、最も上層に配置された第２の内部電極８に設けられ、第２の外部電極１２に接続される。
【００４８】
以上のような構成を有する積層電子部品５０は、図１２に示す回路構成となる。具体的には、コンデンサＣ１には、第１の外部電極１１の電位と該第１の外部電極１１側のコイルＬの部分の電位との差の電圧が印加される。また、コンデンサＣ２には、第２の外部電極１２における電位と該第２の外部電極１２側のコイルＬの部分における電位との差の電圧が印加される。
【００４９】
以上のように、積層電子部品５０によれば、積層電子部品１と同様に、コンデンサＣ１，Ｃ２の存在によりコイルＬの磁束が妨げられることが防止されるので、高いＬ値を得ることができる。
【００５０】
更に、積層電子部品５０によれば、積層電子部品１と同様に、第２の内部電極８の数を変更することにより、コイルＬのＬ値を変化させることなく、コンデンサＣ１，Ｃ２の容量値を変化させることができるので、共振周波数の設定可能な範囲を広げることが可能となる。
【００５１】
なお、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、コンデンサＣ１及びコンデンサＣ２の位置及び引き出し電極８ａの位置を変化させることで、ノイズフィルタの共振周波数を変化させることができる。以下に、図１３〜１７を用いて変形例を示しながら詳しく説明する。
【００５２】
（変形例）
図１３は、積層電子部品５０の第１の変形例に係る積層電子部品６０の断面構造図である。図１４は、積層電子部品６０の等価回路図である。図１５は、積層電子部品５０の第２の変形例に係る積層電子部品７０の断面構造図である。図１６は、積層電子部品７０の等価回路図である。図１７は、積層電子部品５０，６０，７０の挿入損失と周波数との関係を示したグラフである。縦軸は挿入損失（ｄＢ）を示し、横軸は周波数（ＧＨｚ）を示す。挿入損失が最も低くなっている周波数が共振周波数である。
【００５３】
積層電子部品６０では、図１３に示すように、コンデンサＣ１を構成する第２の内部電極８は、積層方向において、積層体１０の下半分の領域に配置される。更に、コンデンサＣ１の引き出し電極８ａは、コイルＬの略中央部分に設けられ、第１の外部電極１１に接続される。コンデンサＣ２を構成する第２の内部電極８は、積層方向において、積層体１０の上半分の領域に配置される。更に、コンデンサＣ２の引き出し電極８ａは、積層方向の最も上方の第２の内部電極８に設けられ、第２の外部電極１２に接続される。これにより、積層電子部品６０は、図１４に示すような回路構成をとるようになる。具体的には、コンデンサＣ１には、第１の外部電極１１における電位とコイルＬの中央部分における電位との差の電圧が印加される。また、コンデンサＣ２には、第２の外部電極１２における電位と第１の外部電極１１側のコイルＬの部分における電位との差の電圧が印加される。
【００５４】
積層電子部品７０では、図１５に示すように、コンデンサＣ１を構成する第２の内部電極８は、積層方向において、積層体１０の下半分の領域に配置される。更に、コンデンサＣ１の引き出し電極８ａは、積層方向の最も下方の第２の内部電極８に設けられ、第１の外部電極１１に接続される。コンデンサＣ２を構成する第２の内部電極８は、積層方向において、積層体１０の上半分の領域に配置される。更に、コンデンサＣ２の引き出し電極８ａは、積層方向の最も上方の第２の内部電極８に設けられ、第２の外部電極１２に接続される。これにより、積層電子部品７０は、図１６に示すような回路構成をとるようになる。具体的には、コンデンサＣ１には、第１の外部電極１１における電位と第２の外部電極１２側のコイルＬの部分における電位との差の電圧が印加される。また、コンデンサＣ２には、第２の外部電極１２における電位と第１の外部電極１１側のコイルＬの部分における電位との差の電圧が印加される。
【００５５】
図１２，１４，１６の回路図を比較すると、コンデンサＣ１及びＣ２に印加される電圧は、積層電子部品５０、積層電子部品６０、積層電子部品７０の順に大きくなっていく。その結果、第１の実施形態と同様に、図１７に示すように、共振周波数は、積層電子部品７０、積層電子部品６０、積層電子部品５０の順に大きくなっていく。すなわち、同様のコンデンサ電極が形成されたとしても、該コンデンサ電極の位置及び引き出し電極の位置を変化させることにより、積層電子部品の共振周波数を変化させることが可能となる。
【００５６】
（その他の実施例）
なお、積層電子部品１，３０，４０，５０，６０，７０では、第１のセラミック層２と第２のセラミック層３とを１層ずつ交互に配置しているが、第１のセラミック層２と第２のセラミック層３との配置方法はこれに限らない。第２のセラミック層３は、第１のセラミック層２の層間に配置されていれば良く、複数枚の第１のセラミック層２が連続して配置されてもよいし、複数枚の第２のセラミック層３が連続して配置されてもよい。また、積層方向の最も上方又は下方に配置された第１のセラミック層２よりも上方又は下方に第２のセラミック層３が存在していてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】第１の実施形態に係る積層電子部品の断面構造図である。
【図２】図１に示す積層電子部品の分解斜視図である。
【図３】図１に示す積層電子部品の外観斜視図である。
【図４】図１に示す積層電子部品の等価回路図である。
【図５】第１の実施形態に係る積層電子部品の第１の変形例に係る積層電子部品の断面構造図である。
【図６】図５に示す積層電子部品の等価回路図である。
【図７】第１の実施形態に係る積層電子部品の第２の変形例に係る積層電子部品の断面構造図である。
【図８】図７に示す積層電子部品の等価回路図である。
【図９】積層電子部品の挿入損失と周波数との関係を示したグラフである。
【図１０】第２の実施形態に係る積層電子部品の分解斜視図である。
【図１１】図１０に示す積層電子部品の断面構造図である。
【図１２】図１０に示す積層電子部品の等価回路図である。
【図１３】第２の実施形態に係る積層電子部品の第１の変形例に係る積層電子部品の断面構造図である。
【図１４】図１３に示す積層電子部品の等価回路図である。
【図１５】第２の実施形態に係る積層電子部品の第２の変形例に係る積層電子部品の断面構造図である。
【図１６】図１５に示す積層電子部品の等価回路図である。
【図１７】積層電子部品の挿入損失と周波数との関係を示したグラフである。
【符号の説明】
【００５８】
Ｃ，Ｃ１，Ｃ２  コンデンサ
Ｌ  コイル
１,３０，４０，５０，６０，７０  積層電子部品
２  第１のセラミック層
３  第２のセラミック層
４  第３のセラミック層
５  第４のセラミック層
６  第１の内部電極
６ａ，６ｂ，８ａ  引き出し電極
７  第１のビア導体
８  第２の内部電極
９  第２のビア導体
１０  積層体
１１  第１の外部電極
１２  第２の外部電極
２０  コイル領域
２１  容量領域
２２  非容量領域
２３  外層領域
【図１】
2008092454.tif 000004
【図２】
2008092454.tif 000005
【図３】
2008092454.tif 000006
【図４】
2008092454.tif 000007
【図５】
2008092454.tif 000008
【図６】
2008092454.tif 000009
【図７】
2008092454.tif 000010
【図８】
2008092454.tif 000011
【図９】
2008092454.tif 000012
【図１０】
2008092454.tif 000013
【図１１】
2008092454.tif 000014
【図１２】
2008092454.tif 000015
【図１３】
2008092454.tif 000016
【図１４】
2008092454.tif 000017
【図１５】
2008092454.tif 000018
【図１６】
2008092454.tif 000019
【図１７】
2008092454.tif 000020