(57)【要約】      （修正有）【課題】コンデンサマイクロホンにおいて、マイクロホンカプセルの後部側空洞とカプセル支持部内の支持パイプ側空洞とを音響的に確実に絶縁する。【解決手段】支持パイプＰの先端に装着されたカプセル支持部１０Ｂと、ネジ嵌合手段を介してカプセル支持部１０Ｂに連結されるマイクロホンカプセルとを含み、カプセル支持部１０Ｂ内にはＦＥＴ１３を有する回路基板１２０と、マイクロホンカプセルのコンタクトピンと接触する接触端子１４０とが設けられ、ＦＥＴ１３が回路基板１２０の反マイクロホンカプセル側の裏面に実装され、回路基板１２０の上面のほぼ中央部にビアホールを介してＦＥＴ１３の所定端子と電気的に接続される電極パターンが形成されており、接触端子１４０が所定の保持手段１６０により電極パターン上に保持されているコンデンサマイクロホンにおいて、回路基板１２０に穿設されているビアホールを所定の閉塞手段により塞ぐ。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持パイプの先端に装着されたカプセル支持部と、ネジ嵌合手段を介して上記カプセル支持部に連結されるマイクロホンカプセルとを含み、上記マイクロホンカプセルの後端から信号出力用のコンタクトピンが上記カプセル支持部側に向けて引き出されており、上記カプセル支持部内にはインピーダンス変換器としてのＦＥＴを有する回路基板と、上記コンタクトピンと接触する接触端子とが設けられており、上記ＦＥＴが上記回路基板の反マイクロホンカプセル側の裏面に実装され、上記回路基板のマイクロホンカプセル側の上面のほぼ中央部にはビアホールを介して上記ＦＥＴの所定端子と電気的に接続される電極パターンが形成されており、上記接触端子が所定の保持手段により上記電極パターン上に保持されていて、上記ネジ嵌合手段を介して上記マイクロホンカプセルと上記カプセル支持部とを連結するに伴って、上記コンタクトピンと上記接触端子とが電気的に接触するコンデンサマイクロホンにおいて、
上記回路基板に穿設されている上記ビアホールが所定の閉塞手段により塞がれていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項２】
上記ビアホールが上記電極パターンの外側に設けられており、上記保持手段が中央部で上記接触端子を保持し裾部が所定の固定手段にて上記回路基板の周縁部に固定されるキャップ部材からなり、上記閉塞手段が上記電極パターンの部分を除いて上記回路基板の上面側のほぼ全面にわたって配置され、上記回路基板の周縁部と上記キャップ部材の裾部との間にまで入り込むリング状のガスケットからなることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項３】
上記ガスケットにポリテトラフルオロエチレン樹脂フィルムが用いられることを特徴とする請求項２に記載のコンデンサマイクロホン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロホンカプセルと、支持パイプの先端に装着されていて上記マイクロホンカプセルを支持するカプセル支持部とを含むグースネック型のコンデンサマイクロホンに関し、さらに詳しくいえば、マイクロホンカプセルの後部側空洞とカプセル支持部内の支持パイプ側空洞とを音響的に絶縁する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
小型のマイクロホンはほとんどがコンデンサマイクロホンであるが、例えば会議場などでよく見かけるグースネック型のコンデンサマイクロホンについて言えば、マイクロホン特性をその場に応じて変更可能とするためマイクロホンカプセルを交換できるようにしたものがある。その一例を図５により説明する。
【０００３】
これによると、このコンデンサマイクロホンは、支持パイプＰの先端に取り付けられたカプセル支持部１０と、カプセル支持部１０に対してネジ嵌合により着脱自在に連結されるマイクロホンカプセル２０とを備えている。通常、支持パイプＰは図示しないスダンドを介して机の上に立てられ、その一部分にフレキシブルシャフトが含まれている。なお、支持パイプＰの全部がフレキシブルシャフトである場合もある。
【０００４】
マイクロホンカプセル２０は例えばアルミニュウム材からなる円筒状の筐体２１を備え、図示しないが、筐体２１内には支持リングに張設された振動板と、絶縁座に支持された例えばエレクトレットボードからなる固定極とが電気絶縁性のスペーサを介して対向的に配置されている。
【０００５】
筐体２１の背面側は裏蓋２２により閉じられており、上記固定極に接続されているコンタクトピン２３が裏蓋２２から突出している。また、筐体２１の背面側には、カプセル支持部１０と連結するための内面に雌ネジ２４１を有する連結ネジ２４が筐体２１と電気的に導通するように固定されている。
【０００６】
カプセル支持部１０は例えば真鍮材よりなる円筒状の筐体１１を備え、この筐体１１内には回路基板１２が筐体の内部を塞ぐように配置されている。回路基板１２上にはインピーダンス変換器としてのＦＥＴ（電界効果トランジスタ）１３が実装されている。回路基板１２の下面側には支持パイプＰ内を挿通して引き出されたマイクケーブル１７の一端がハンダ付けされる。
【０００７】
ＦＥＴ１３のゲート端子には、上記コンタクトピン２３に弾性的に接触するようにほぼＶ字状に折り曲げられた板バネからなる接触端子１４の片側がハンダ付けされている。回路基板１２は固定リング１５によって筐体１１内に固定されている。
【０００８】
すなわち、固定リング１５は外周面に雄ネジ１５１を有し、これに対して筐体１１内には回路基板１２を受ける段差部１１１と、上記雄ネジ１５１と螺合する雌ネジ１１２とが設けられ、固定リング１５を上記雌ネジ１１２にねじ込むことにより、回路基板１２が段差部１１１に対して押し付けられるようにして固定される。
【０００９】
なお、固定リング１５の上記雌ネジ１１２に対するねじ込み量は下半分程度で、上半分の雄ネジ１５１がマイクロホンカプセル２０を連結するために残される。回路基板１２を固定した後、インピーダンス変換器１３と固定リング１５との間のくぼみに例えばシリコン樹脂などの充填材１６が充填される。
【００１０】
マイクロホンカプセル２０とカプセル支持部１０は、上記連結ネジ２４の雌ネジ２４１を上記固定リング１５の雄ネジ１５１にねじ込むことにより機械的に連結され、これに伴って上記コンタクトピン２３に上記接触端子１４に弾性的に接触して電気的にも接続される。また、マイクロホンカプセル２０の筐体２１とカプセル支持部１０の筐体１１も上記固定リング１５を介して電気的に導通する。
【００１１】
上記の連結構造によれば、カプセル支持部１０に対してマイクロホンカプセル２０を回すだけでマイクロホンカプセル２０を簡単に着脱することができるが、ＦＥＴ１３と固定リング１５との間のくぼみに例えばシリコン樹脂などの充填材１６を充填するようにしているため、次のような音響的な問題点，組立作業性上の問題点およびメンテナンス上での問題点があった。
【００１２】
すなわち、ＦＥＴ１３と固定リング１５との間にくぼみが存在するとマイクロホンカプセル２０の後部空気室が大きくなり、これが音響的に共振を発生させる要因となってマイクロホンカプセル２０の周波数特性や指向性に悪影響をおよぼすことになる。
【００１３】
これを防止するため、上記従来例ではＦＥＴ１３と固定リング１５との間のくぼみをシリコン樹脂などの充填材１６によって埋めるようにしているが、その充填量の管理が難しいため、製品ごとにマイクロホンカプセル２０に対する後部空気室の容積にバラツキが生じ、これがマイクロホンカプセル２０の周波数特性や指向性に微妙な影響を与える。
【００１４】
また、充填材１６を充填したのち乾燥工程を置かなければならないため、その分、余計に時間がかかり生産性が悪い。さらには、メンテナンス時に例えば回路基板１２を取り外すときなどにおいて充填材１６が破損することがあり、そうした場合には充填材１６を全部取り除いて充填作業をやり直さなければならなくなる。
【００１５】
充填材による問題点とは別の問題点として、上記従来例においてはＦＥＴ１３のゲート端子に対して接触端子１４をハンダ付けするようにしているため、組立作業が煩雑となり生産性が落ちる。
【００１６】
また、鉛入りハンダを使用する場合には環境への配慮も必要となる。なお、鉛フリーハンダもあるが、鉛フリーハンダは鉛入りハンダよりも高い加熱温度を必要とするばかりでなくコストが高いため、採用することは容易ではない。
【００１７】
そこで、本出願人は、先に出願した特許文献１において上記各問題点が改善されたコンデンサマイクロホンを提案しており、その構成を図６，図７により説明する。なお、図５の従来例を第１従来例として、特許文献１に記載のコンデンサマイクロホンを第２従来例とする。
【００１８】
図６は第２従来例としての特許文献１に記載のコンデンサマイクロホンに含まれるマイクロホンカプセル２０とマイクロホン支持部１０Ａとを分離して示す断面図，図７はマイクロホン支持部１０Ａに設けられる接触端子１４０とブロック体１８０とを分離して示す側面図である。
【００１９】
なお、マイクロホンカプセル２０は上記従来例と同一構成であり、また、マイクロホン支持部１０Ａについても、上記第１従来例におけるマイクロホン支持部１０と同一もしくは同一と見なされてよい構成要素には同じ参照符号を付している。
【００２０】
この第２従来例においても、マイクロホン支持部１０Ａ内に回路基板１２０が収納されるが、この場合、ＦＥＴ１３は回路基板１２０の反マイクロホンカプセル２０側の裏面に実装され、これに対して、回路基板１２０のマイクロホンカプセル２０側の上面のほぼ中央部には、詳しくは図示されていないが、ＦＥＴ１３のゲート端子とビアホール（スルーホール）を介して電気的に接続される電極パターンが形成される。
【００２１】
回路基板１２０の上面には、マイクロホンカプセル２０のコンタクトピン２３の相手方としての接触端子１４０が配置されるが、この場合、接触端子１４０は、図７に示すように、上記電極パターンと接触する好ましくは接触突起１４１ａを有する底板１４１と、底板１４１の一端からほぼ直角に立ち上がる側板１４２と、側板１４２の上端から所定の角度で立ち上がる接点片１４３とを備えたほぼコ字状に形成され、その内部に弾性材からなるブロック体１８０を抱え込んだ状態で、保持部材としてのキャップ部材１６０を介して上記電極パターン上に配置される。
【００２２】
キャップ部材１６０は好ましくはゴム弾性体からなり、中央部分にブロック体１８０を抱え込んだ接触端子１４０が嵌合される開口部１６１を有する傘状に形成され、その裾部１６２が固定手段としての固定リング１５０に形成されている段部１５２を介して回路基板１２０の周縁部に圧着固定される。
【００２３】
固定リング１５０は上記第１従来例における固定リング１５に相当し、その外周面には雄ネジ１５１が形成されており、その下半分が筐体１１の雌ネジ１１２に螺合され、上半分に上記連結ネジ２４の雌ネジ２４１を螺合することにより、マイクロホンカプセル２０とマイクロホン支持部１０Ａとが連結され、それに伴ってコンタクトピン２３が接触端子１４０に接触する。なお、固定リング１５０に付されている参照符号１５３は、固定リング１５０を回す図示しない工具用の引っ掛け孔である。
【００２４】
上記第２従来例によれば、カプセル支持部側の後部空気室の容積が、キャップ部材により気密性高くできるだけ小さな一定値に抑えられるため音響的な共振が発生することがない。また、キャップ部材はブロック体にはめ込むだけでよいとともに、接触端子の取り付けにハンダを使用しないため、組立作業性が大幅に改善される。
【００２５】
また、メンテナンス時にも容易に分解・再組立を行うことができる。さらには、マイクロホンカプセルの筐体およびカプセル支持部の筐体を確実に回路基板のグランドパターンに接続することができる。
【００２６】
【特許文献１】特開２００５−１８４４１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
しかしながら、上記第２従来例においても、回路基板１２０の上面側であるマイクロホンカプセル２０の後部空間と、回路基板１２０の下面側の支持パイプＰと連通しているカプセル支持部１０Ａの内部空間との音響的な結合により、指向周波数応答が劣化することがある。
【００２８】
この音響的な結合は、小さな孔やわずかな隙間であっても生ずる。上記第２従来例において、音響的な結合が生ずる小さな孔とは、回路基板１２０に穿設されているビアホールである。
【００２９】
また、キャップ部材１６０はゴム弾性体からなるが、キャップ部材１６０を固定リングで締め付けても、キャップ部材１６０の裾部１６２と回路基板１２０との接触部位に音響的な結合が生ずるわずかな隙間が生ずることがある。
【００３０】
この種のわずかな隙間は、例えばＲＴＶゴムなどのコーキング材により塞ぐことができるが、例えば回路基板１２０の取り外しを必要とするメンテナンス時には、コーキング材を削り取らなければならないため、コーキング材の使用は好ましくない。
【００３１】
また、支持パイプＰに挿通されているマイクケーブル１７を支持カプセル支持部１０Ａ内に引き込む際、マイクケーブル１７にストッパとしての結び玉を形成するようにしているが、この結び玉が支持パイプＰの開口部分を塞ぐ具合によっても上記音響的な結合が変化し、これが原因で指向周波数応答が劣化することもある。
【００３２】
これを防止するため、支持パイプＰの開口部分にスポンジなどの詰め物を押し込んで音響的な絶縁を図ることが一部で試みられ、これによれば若干の改善は見られたものの、その音響的な絶縁作用が一定でないことから、指向周波数応答の劣化を完全になくすまでには至っていないばかりでなく、それ以前の問題としてスポンジなどの詰め物を押し込むこと自体、組み立て作業性の点で好ましくない。
【００３３】
また、別の問題として、回路基板１２０の表面での漏洩電流による雑音発生の問題がある。回路基板１２０は、筐体１１の段差部１１１とキャップ部材１６０の裾部１６２との間に挟み込まれるが、その間の隙間部分に湿度が溜まりやすく、回路基板１２０の表面抵抗率が減少に伴って生ずる漏洩電流によって雑音が発生することがある。
【００３４】
この種の漏洩電流による雑音は、マイクロホンが結露するような高湿度下においてのみ発生し、通常の使用状態ではほとんど発生しないが、例えばマイクロホンが冷房された部屋に設置され、ドアが開かれるなどして外部から高湿度の外気が流れ込んで、マイクロホンに結露が生ずる場合に顕著となる。
【００３５】
したがって、本発明の課題は、支持パイプに取り付けられているカプセル支持部にマイクロホンカプセルを支持してなるコンデンサマイクロホンにおいて、マイクロホンカプセルの後部側空洞とカプセル支持部内の支持パイプ側空洞とを音響的に確実に絶縁することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３６】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、支持パイプの先端に装着されたカプセル支持部と、ネジ嵌合手段を介して上記カプセル支持部に連結されるマイクロホンカプセルとを含み、上記マイクロホンカプセルの後端から信号出力用のコンタクトピンが上記カプセル支持部側に向けて引き出されており、上記カプセル支持部内にはインピーダンス変換器としてのＦＥＴを有する回路基板と、上記コンタクトピンと接触する接触端子とが設けられており、上記ＦＥＴが上記回路基板の反マイクロホンカプセル側の裏面に実装され、上記回路基板のマイクロホンカプセル側の上面のほぼ中央部にはビアホールを介して上記ＦＥＴの所定端子と電気的に接続される電極パターンが形成されており、上記接触端子が所定の保持手段により上記電極パターン上に保持されていて、上記ネジ嵌合手段を介して上記マイクロホンカプセルと上記カプセル支持部とを連結するに伴って、上記コンタクトピンと上記接触端子とが電気的に接触するコンデンサマイクロホンにおいて、上記回路基板に穿設されている上記ビアホールが所定の閉塞手段により塞がれていることを特徴としている。
【００３７】
請求項２に記載の発明は、上記請求項１のコンデンサマイクロホンにおいて、上記ビアホールが上記電極パターンの外側に設けられており、上記保持手段が中央部で上記接触端子を保持し裾部が所定の固定手段にて上記回路基板の周縁部に固定されるキャップ部材からなり、上記閉塞手段が上記電極パターンの部分を除いて上記回路基板の上面側のほぼ全面にわたって配置され、上記回路基板の周縁部と上記キャップ部材の裾部との間にまで入り込むリング状のガスケットからなることを特徴としている。
【００３８】
請求項３に記載の発明は、上記請求項２のコンデンサマイクロホンにおいて、上記ガスケットにポリテトラフルオロエチレン樹脂フィルムが用いられることを特徴としている。
【発明の効果】
【００３９】
請求項１に記載の発明によれば、カプセル支持部内に配置される回路基板に穿設されているビアホールが所定の閉塞手段により塞がれているため、マイクロホンカプセルの後部側空洞とカプセル支持部内の支持パイプ側空洞とが音響的に確実に絶縁されるため、良好な指向周波数応答が得られる。
【００４０】
ビアホールが電極パターンの外側に設けられており、保持手段が中央部で接触端子を保持し裾部が所定の固定手段にて回路基板の周縁部に固定されるキャップ部材からなる場合において、ビアホール閉塞手段として、電極パターンの部分を除いて回路基板の上面側のほぼ全面にわたって配置され、回路基板の周縁部とキャップ部材の裾部との間にまで入り込むリング状のガスケットを用いる請求項２に記載の発明によれば、上記ガスケットにより、ビアホールおよび回路基板の周縁部を含めて回路基板全体を封止することができる。
【００４１】
ガスケットにポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂フィルムを用いる請求項３に記載の発明によれば、ＰＴＦＥ樹脂は表面抵抗率，体積抵抗率がともに高く、圧縮により容易に変形して隙間に馴染むことから、回路基板の周縁部とキャップ部材の裾部との間の隙間に湿度が溜まってしまうことがほとんどなく、これにより漏洩電流による雑音発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
次に、図１ないし図４により本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４３】
図１は本発明のコンデンサマイクロホンに含まれるカプセル支持部１０Ｂとマイクロホンカプセル２０とを分離して示す一部に断面を含む分解図，図２はカプセル支持部１０Ｂの分解断面図，図３（ａ）〜（ｃ）はカプセル支持部１０Ｂ内に収納される回路基板１２０の平面図，側面図および底面図，図４（ａ）（ｂ）はガスケットを示す平面図および断面図である。
【００４４】
ここで説明する実施形態は、先の図６，図７で説明した上記第２従来例に本発明を適用したもので、したがって上記第２従来例と同一もしくは同一と見なされてよい構成要素には同じ参照符号を付している。また、この実施形態の説明において、マイクロホンカプセル２０側の構成は上記第１，第２従来例と同一であってよいため、その説明は省略し、もっぱらカプセル支持部１０Ｂの構成について説明する。
【００４５】
図１および図２に示すように、この実施形態においても、カプセル支持部１０Ｂはグースネック型の支持パイプＰの先端に装着される円筒状の筐体１１を備えている。筐体１１には真鍮やアルミニウムなどの金属材が用いられる。
【００４６】
筐体１１内には回路基板１２０が収納されるとともに、筐体１１には回路基板１２０を固定する固定リング１５０がねじ込まれる。そのため、筐体１１内には回路基板１２０の周縁部を受け止める段差部１１１と、固定リング１５０を螺合するための雌ネジ１１２とが形成されている。
【００４７】
図３（ｃ）にも示すように、本発明において、インピーダンス変換器としてのＦＥＴ１３は、回路基板１２０の裏面側（反マイクロホンカプセル側）に実装され、これに伴って、図３（ａ）に示すように、回路基板１２０の上面側（マイクロホンカプセル側）のほぼ中央部には、ビアホール（スルーホール）１２１を介してＦＥＴ１３のゲート端子と接続されるゲート電極パターン１２２が円形パターンとして形成されている。
【００４８】
また、図３（ａ），（ｃ）に示すように、回路基板１２０の周縁部の上下両面にＦＥＴ１３のゲート端子以外のグランド端子（ソースもしくはドレイン）と接続されるグラントパターン１２３ａ，１２３ｂが回路基板１２０の周縁部に沿って形成されている。上面側のグラントパターン１２３ａと下面側のグラントパターン１２３ｂはビアホール１２４を介して導通している。
【００４９】
上面側のグラントパターン１２３ａは固定リング１５０の下端と接触し、下面側のグラントパターン１２３ｂは筐体１１の段差部１１１と接触する。また、支持パイプＰ内を挿通して引き出されるマイクケーブル１７は、上記第２従来例と同じく、回路基板１２０の下面側の所定パターンにハンダ付けされる。
【００５０】
また、この例においては、図３（ａ），（ｃ）に示すように、回路基板１２０の左右両側の１８０゜対向する面には、筐体１１に対する位置決め用のＤカット面１２５，１２５が形成されている。
【００５１】
上記ゲート電極パターン１２２上に、上記第２従来例と同じく、マイクロホンカプセル２０側のコンタクトピン２３に対して接触する接触端子１４０がブロック体１８０を抱えた状態で載置される。
【００５２】
先の図７を参照して、接触端子１４０は底板１４１と、底板１４１の一端からマイクロホンカプセル２０側にほぼ直角に立ち上がる側板１４２と、側板１４２の上端から所定の角度で斜め上方に立ち上がる接点片１４３とを有するほぼコ字状に形成されており、その全体が板バネ材よりなる。
【００５３】
底板１４１は回路基板１２０のゲート電極パターン１２２上に配置されるコンタクト部であり、ゲート電極パターン１２２との信頼性の高い電気的接続を実現するうえで、底板１４１の下面側に電極パターン１２２と点状もしくは線状に接触する接触突起１４１ａを形成することが好ましい。接触突起１４１ａの形状は山形，半円状のボス，リブ状など任意に選択されてよい。
【００５４】
ブロック体１８０はシリコン樹脂などの適度な弾性を有する合成樹脂から形成され、その大きさおよび形状は接触端子１４０内に抱え込まれることから、側板１４２とほぼ同じ高さを有する円柱体であることが好ましい。このブロック体１８０は接触端子１４０の原形を保つためと、後述するキャップ部材１６０とともに接触端子１４０を上記ゲート電極パターン１２２上に位置決めする役割を担っている。
【００５５】
接触端子１４０をブロック体１８０とともに上記ゲート電極パターン１２２上に位置決めするため、電気絶縁性のキャップ部材１６０が用いられる。キャップ部材１６０は接触端子１４０の接点片１４３を上方に突出させた状態でブロック体１８０に嵌合される開口部１６１と、ブロック体１８０と回路基板１２０の周縁部との間に配置されるほぼ傘形状の裾部１６２とを備えている。
【００５６】
キャップ部材１６０は硬質樹脂，軟質樹脂のいずれでもよいが、好ましくは天然もしくは合成のゴム弾性体が用いられる。また、交換のためカプセル支持部１０Ａに対してマイクロホンカプセル２０を回す際に、それに伴う接触端子１４０の回転やねじれを防止するため、キャップ部材１６０の開口部１６１には接触端子１４０に対する回転防止手段が設けられていることが好ましい。
【００５７】
固定リング１５０は上記第２従来例の固定リング１５０と同じく、その外周面に筐体１１に形成されている雌ネジ１１２とマイクロホンカプセル２０側の雌ネジ２４１とに螺合する雄ネジ１５１を備えているが、この固定リング１５０の内面側にはキャップ部材１６０の裾部１６２を回路基板１２０に対して押し付ける段部１５２が形成されている。
【００５８】
固定リング１５０の上面に形成されている引っ掛け孔１５３に図示しない工具を係合して固定リング１５０の雄ネジ１５１の下半分を筐体１１の雌ネジ１１２にねじ込むことにより、キャップ部材１６０の裾部１６２が回路基板１２０に押し付けられるとともに、回路基板１２０の周縁部が固定リング１５０の下端と筐体１１の段差部１１１との間で固定される。
【００５９】
また、マイクロホンカプセル２０側の雌ネジ２４１を固定リング１５０の雄ネジ１５１の上半分にねじ込むことにより、カプセル支持部１０Ｂに対してマイクロホンカプセル２０が取り付けられる。
【００６０】
しかしながら、回路基板１２０には、ビアホール１２１，１２４が形成されているため、マイクロホンカプセル２０の後部側の空洞（空気室）Ａ１と、カプセル支持部１０Ｂ内の支持パイプＰ側の空洞（空気室）Ａ２とが音響的に結合し、これが原因で指向周波数応答が劣化することがある。また、回路基板１２０のＤカット面１２５の部分を介して上記空気室Ａ１，Ａ２が音響的に結合することもある。
【００６１】
そこで、本発明では、ビアホール１２１，１２４を閉塞する手段を備えている。ビアホール１２１，１２４は、塗布樹脂や接着テープなどにより閉塞されてもよいが、この例では、閉塞手段として図４に示すようなガスケット１９０を用いている。
【００６２】
この例において、ガスケット１９０は、内径φ１がゲート電極パターン１２２の直径よりも若干大きく、外径φ２が回路基板１２０の周縁部に沿って形成されている上面側のグラントパターン１２３ａの内径とほぼ同一である円形リング状に形成されており、図２に示すように、キャップ部材１６０と回路基板１２０との間に配置され、その周縁部がキャップ部材１６０の裾部１６２とともに固定リング１５０により固定される。
【００６３】
これによれば、ビアホール１２１，１２４の孔と、キャップ部材１６０の裾部１６２と回路基板１２０との間の隙間がガスケット１９０により塞がれるため、マイクロホンカプセル２０の後部側の空洞Ａ１と、カプセル支持部１０Ｂ内の支持パイプＰ側の空洞Ａ２とを音響的に確実に絶縁することができる。
【００６４】
この場合、ガスケット１９０はポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂のフィルムからなることが好ましい。厚さは０．１ｍｍ程度であってよい。
【００６５】
ＰＴＦＥ樹脂フィルムは、表面抵抗率，体積抵抗率がともに高ことと、また、圧縮すると隙間に馴染むように変形するため、キャップ部材１６０の裾部１６２と回路基板１２０との間の隙間を確実に塞ぐことができ、その隙間に湿度が溜まってしまうことがないことから、回路基板１２０表面での漏洩電流による雑音を効果的に防止することができる。
【００６６】
なお、上記実施形態では、ガスケット１９０の外径φ２を上記グラントパターン１２３ａの内径とほぼ同一としているが、ガスケット１９０の外径φ２を上記グラントパターン１２３ａの外径、すなわち回路基板１２０の外径とほぼ同じとしてもよい。
【００６７】
いずれにしても、マイクロホンカプセル２０の筐体２１とカプセル支持部１０Ｂの筐体１１は固定リング１５０を介して電気的に接続され、グラントパターン１２３ａ，１２３ｂのうちの少なくとも一方のグラントパターンを介して回路基板１２０のグラントに接続されることになる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明のコンデンサマイクロホンに含まれるカプセル支持部とマイクロホンカプセルとを分離して示す一部に断面を含む分解図。
【図２】上記カプセル支持部を示す分解断面図。
【図３】（ａ）〜（ｃ）はカプセル支持部内に収納される回路基板の平面図，側面図および底面図。
【図４】本発明の実施形態で用いられるガスケットを示す（ａ）平面図，（ｂ）断面図。
【図５】第１従来例のコンデンサマイクロホンに含まれるカプセル支持部とマイクロホンカプセルとを分離して示す一部に断面を含む分解図。
【図６】第２従来例のコンデンサマイクロホンに含まれるカプセル支持部とマイクロホンカプセルとを分離して示す一部に断面を含む分解図。
【図７】上記第２従来例における接触端子とブロック体とを分離して示す側面図。
【符号の説明】
【００６９】
１０Ｂ  カプセル支持部
１１  筐体
１１１  段差部
１１２  雌ネジ
１２０  回路基板
１２１，１２４  ビアホール
１２２  ゲート電極パターン
１２３ａ，１２３ｂ  グランドパターン
１３  ＦＥＴ（インピーダンス変換器）
１４０  接触端子
１４１  底板
１４２  側板
１４３  接触片
１５０  固定リング
１６０  キャップ部材
１６１  開口部
１６２  裾部
１８０  ブロック体
１９０  ガスケット
２０  コンデンサマイクロホンカプセル
２１  筐体
２２  裏蓋
２３  コンタクトピン
２４  連結ネジ
２４１  雌ネジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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