(57)【要約】【課題】受光面側電極と裏面側電極を備えた太陽電池セルであって、受光面側電極および裏面側電極のＳｉ基板への密着強度が高く、受光面側電極とＳｉ基板とのオーミック接触性に優れ、かつ、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗が低くて、発電効率に優れた太陽電池セルを効率よく製造することを可能にする。【解決手段】受光面側電極形成用の導電性ペースト４と、裏面側電極形成用の導電性ペースト５の間に直流電圧を印加しながら、受光面側電極形成用の導電性ペースト４および裏面側電極形成用の導電性ペースト５を焼成して、受光面側電極および裏面側電極を形成する。  受光面側電極形成用の導電性ペースト４と、裏面側電極形成用の導電性ペースト５の間に印加する直流電圧を、０．１〜３Ｖの範囲とする。  受光面側電極形成用の導電性ペースト側が負極、裏面側電極形成用の導電性ペースト側が正極となるように直流電圧を印加しながら、焼成を行う。【選択図】図４
2008078239.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ基板と、前記Ｓｉ基板の互いに対向する一対の主面のうち、受光面として機能する一方主面に配設された受光面側電極と、他方主面に配設された裏面側電極とを備えた太陽電池セルの製造方法であって、
前記Ｓｉ基板の前記一方主面に、受光面側電極形成用の導電性ペーストを付与する工程と、
前記Ｓｉ基板の前記他方主面に、裏面側電極形成用の導電性ペーストを付与する工程と、
前記受光面側電極形成用の導電性ペーストと、前記裏面側電極形成用の導電性ペーストの間に直流電圧を印加しながら、前記受光面側電極形成用の導電性ペーストおよび前記裏面側電極形成用の導電性ペーストを焼成する工程と
を備えていることを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
【請求項２】
前記受光面側電極形成用の導電性ペーストと、前記裏面側電極形成用の導電性ペーストの間に印加する直流電圧を、０．１〜３Ｖの範囲とすることを特徴とする請求項１記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項３】
前記受光面側電極形成用の導電性ペースト側が負極、前記裏面側電極形成用の導電性ペースト側が正極となるように直流電圧を印加しながら、前記受光面側電極形成用の導電性ペーストおよび前記裏面側電極形成用の導電性ペーストを焼成することを特徴とする請求項１または２記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項４】
前記Ｓｉ基板として、前記一方主面に反射防止膜が形成されたＳｉ基板を用い、前記受光面側電極形成用の導電性ペーストを、前記反射防止膜上に付与することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の太陽電池セルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、Ｓｉ基板の互いに対向する一対の主面のうち、受光面として機能する一方主面に受光面側電極が配設され、他方主面に裏面側電極が配設された構造を有する太陽電池セルの製造方法に関し、詳しくは、受光面側電極および裏面側電極が、Ｓｉ基板に付与された導電性ペーストを焼き付ける工程を経て形成される太陽電池セルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＳｉ基板を用いた太陽電池セルの一つに、図６に示すような構造を有する太陽電池セルがある。この太陽電池セルにおいては、厚さ３００〜４００μmのｐ型Ｓｉ半導体基板５１が用いられており、このｐ型Ｓｉ半導体基板５１の受光面側には、０．３〜０．５μmのｎ型不純物層５２および光電変換効率を高めるための反射防止膜５３が形成されており、さらにこの反射防止膜５３を貫通して、ｐ型Ｓｉ半導体基板５１のｎ型不純物層５２に達するように、ｐ型Ｓｉ半導体用のグリッド電極（受光面側電極）５４が形成されている。
【０００３】
また、ｐ型Ｓｉ半導体基板５１の裏面側には、そのほぼ全面に裏面側電極５５が形成されている。
なお、この裏面側電極５５は、通常、アルミニウム粉末、ガラスフリットおよび有機質ビヒクルを配合した導電性Ａｌペーストを、ｐ型Ｓｉ半導体基板５１の裏面に塗布した後、Ａｌの融点（６６０℃）以上の温度で焼成することにより形成されている。
【０００４】
そして、この太陽電池セルにおいては、裏面側電極５５が形成される際に、裏面側電極５５とｐ型Ｓｉ半導体基板５１の界面（Ａｌ／Ｓｉ界面）のｐ型Ｓｉ半導体基板５１側にＡｌ−Ｓｉ合金層５６が形成されて、生成キャリアの裏面側電極５５における再結合が抑制され、結果として、生成キャリアの収集効率が向上するＢＳＦ効果が得られる。
【０００５】
また、Ｓｉ基板を用いた太陽電池セルの製造方法としては、例えば、以下に説明するような太陽電池セルの製造方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
まず、図７(ａ)に示すように、一方主面である前面に、ｎ+層６２が形成され、その上に反射防止膜６３が形成された基板（Ｓｉ基板）６１の背面に、ＡｇペーストとＡｌペーストをスクリーン印刷して７００℃〜８００℃で焼成することにより、背面Ａｇ電極６４と背面Ａｌ電極６５を形成する（このとき同時に、ｐ+層６６が形成される）。
【０００７】
それから、図７(ｂ)に示すように、Ａｇペーストを反射防止膜６３上にスクリーン印刷して７００℃〜７５０℃で焼成し、前面Ａｇ電極（受光面側電極）６７を形成し、焼成の間に、Ａｇペーストを反射防止膜６３と反応させて反射防止膜６３を貫通させ、ｎ+層６２と接合させる。
その後、基板６１を、臭化水素酸を純水と混合した常温水溶液中に約２０秒間浸漬した後、純水（５ＭΩ以上）にて洗浄し、乾燥することにより、太陽電池セルを得る。
【０００８】
すなわち、この特許文献１の方法では、太陽電池セルの製造工程で、基板６１に受光面側電極である前面Ａｇ電極６７を形成するにあたって、基板上にＡｇペーストを塗布し、焼成して前面Ａｇ電極６７を形成した後、化学薬液への浸漬処理を行うことにより、前面Ａｇ電極と基板との接触抵抗を低減するようにしている。
【０００９】
また、特許文献１には、前面Ａｇ電極６７をはんだフラックスで処理する方法、さらには、はんだフラックスで処理した後、図８に示すように、前面Ａｇ電極６７をはんだ層６８により被覆し、背面Ａｇ電極６４をはんだ層６９により被覆する方法も提案されており、この場合も、電極と基板との接触抵抗を低減することができるとされている。
【００１０】
しかしながら、化学溶液への浸漬処理を行った場合、基板への電極の密着強度が低下するという問題点がある。
【００１１】
また、はんだで被覆する方法の場合、はんだ槽への浸漬時に熱衝撃によって基板に割れが発生するおそれがあり、歩留まりが低下するという問題点がある。
【特許文献１】特開平９−２１３９７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本願発明は、上記課題を解決するものであり、Ｓｉ基板の互いに対向する一対の主面のうち、受光面として機能する一方主面に受光面側電極が配設され、他方主面に裏面側電極が配設された構造を有する太陽電池セルの製造方法であって、受光面側電極および裏面側電極の基板への密着強度が高く、受光面側電極とＳｉ基板とのオーミック接触性に優れ、かつ、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗の低い太陽電池セルを効率よく製造することが可能な太陽電池セルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本願発明（請求項１）の太陽電池セルの製造方法は、
Ｓｉ基板と、前記Ｓｉ基板の互いに対向する一対の主面のうち、受光面として機能する一方主面に配設された受光面側電極と、他方主面に配設された裏面側電極とを備えた太陽電池セルの製造方法であって、
前記Ｓｉ基板の前記一方主面に、受光面側電極形成用の導電性ペーストを付与する工程と、
前記Ｓｉ基板の前記他方主面に、裏面側電極形成用の導電性ペーストを付与する工程と、
前記受光面側電極形成用の導電性ペーストと、前記裏面側電極形成用の導電性ペーストの間に直流電圧を印加しながら、前記受光面側電極形成用の導電性ペーストおよび前記裏面側電極形成用の導電性ペーストを焼成する工程と
を備えていることを特徴としている。
【００１４】
また、請求項２の太陽電池セルの製造方法は、請求項１の発明の構成において、前記受光面側電極形成用の導電性ペーストと、前記裏面側電極形成用の導電性ペーストの間に印加する直流電圧を、０．１〜３Ｖの範囲とすることを特徴としている。
【００１５】
また、請求項３の太陽電池セルの製造方法は、請求項１または２の発明の構成において、前記受光面側電極形成用の導電性ペースト側が負極、前記裏面側電極形成用の導電性ペースト側が正極となるように直流電圧を印加しながら、前記受光面側電極形成用の導電性ペーストおよび前記裏面側電極形成用の導電性ペーストを焼成することを特徴としている。
【００１６】
また、請求項４の太陽電池セルの製造方法は、請求項１〜３のいずれかの発明の構成において、前記Ｓｉ基板として、前記一方主面に反射防止膜が形成されたＳｉ基板を用い、前記受光面側電極形成用の導電性ペーストを、前記反射防止膜上に付与することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１７】
本願発明（請求項１）の太陽電池セルの製造方法は、Ｓｉ基板の一方主面（受光面）に付与された受光面側電極形成用の導電性ペーストと、Ｓｉ基板の他方主面（裏面）に付与された裏面側電極形成用の導電性ペーストの間に直流電圧を印加しながら、受光面側電極形成用の導電性ペーストおよび裏面側電極形成用の導電性ペーストを焼成するようにしているので、受光面側電極および裏面側電極の基板への密着強度が高く、受光面側電極とＳｉ基板とのオーミック接触性に優れ、かつ、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗の低い太陽電池セルを効率よく製造することが可能になる。
【００１８】
なお、導電性ペースト間に所定の直流電圧を印加しながら焼成した場合に、受光面側電極および裏面側電極のＳｉ基板への密着強度を確保しながら、受光面側電極の接触抵抗を低下させることが可能になるのは、Ｓｉ基板の表裏に配設された導電性ペースト間に通電しながら焼成することにより、Ｓｉ基板の表面の酸化を抑制することが可能になり、電極とＳｉ基板の間に、絶縁体であるＳｉＯ2層が形成されることを抑制することが可能になるためであると考えられる。
【００１９】
また、請求項２の太陽電池セルの製造方法のように、請求項１の発明の構成において、受光面側電極形成用の導電性ペーストと、裏面側電極形成用の導電性ペーストの間に印加する直流電圧を、０．１〜３Ｖの範囲とすることにより、受光面側電極および裏面側電極の基板への密着強度を確保しつつ、受光面側電極とＳｉ基板とのオーミック接触性を向上させ、かつ、電極とＳｉ基板との接触抵抗を低下させることが可能になる。
【００２０】
なお、受光面側電極形成用の導電性ペーストと、裏面側電極形成用の導電性ペーストの間に印加する直流電圧を、０．１〜３Ｖの範囲としたのは、直流電圧が０．１Ｖ未満になると、受光面側電極とＳｉ基板とのオーミック接触性を向上させ、かつ、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗を低下させるとともに、受光面側電極および裏面側電極のＳｉ基板への密着強度を確保する効果が不十分になり、また、直流電圧が３Ｖを超えると、ｎ+／ｐ接合が破壊され、発電効率が低下することによる。
【００２１】
なお、受光面側電極形成用の導電性ペーストと、裏面側電極形成用の導電性ペーストの間に印加する直流電圧は上述の範囲とすることが好ましいが、Ｓｉ基板への電極の密着性の確保、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗の低下の見地からは、０．５〜３Ｖの範囲とすることがより好ましい。
【００２２】
また、請求項３の太陽電池セルの製造方法のように、受光面側電極形成用の導電性ペースト側が負極、裏面側電極形成用の導電性ペースト側が正極となるように直流電圧を印加しながら、受光面側電極形成用の導電性ペーストおよび裏面側電極形成用の導電性ペーストを焼成するようにした場合、受光面側電極および裏面側電極の基板への密着強度を確保しつつ、受光面側電極とＳｉ基板とのオーミック接触性を向上させ、かつ、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗をさらに低下させることが可能になる。
【００２３】
なお、受光面側が負極、裏面側が正極となるように直流電圧を印加しながら焼成を行った場合に、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗をさらに低下させることが可能になるのは、直流電圧の印加される方向が、Ｓｉ基板のｎ+／ｐ接合に対して順方向となり、必要な直流電圧が電極界面に効率よく印加されることによるものと考えられる。
【００２４】
すなわち、太陽電池セル用のＳｉ基板は、受光面側に、例えばリンなどのｎ型不純物を拡散させることにより形成された、所定深さのｎ型不純物層を備えたｎ+／ｐ接合を有しており、受光面側が負極、裏面側が正極となるようにした場合、直流電圧印加方向が、Ｓｉ基板のｎ+／ｐ接合に対して順方向となり、電極界面に効率よく必要な直流電圧を印加することが可能になるものと考えられる。
【００２５】
また、本願発明では、導電性ペースト間に所定の直流電圧を印加しながら焼成するようにしているので、請求項４の太陽電池セルの製造方法のように、反射防止膜が形成されたＳｉ基板の一方主面に導電性ペーストを付与して、反射防止膜を貫通するように受光面側電極を形成する場合にも、受光面側電極および裏面側電極のＳｉ基板への密着強度を低下させることなく、受光面側電極とＳｉ基板とのオーミック接触性に優れ、かつ、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗の低い太陽電池セルを効率よく製造することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に本願発明の実施例を示して、本願発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【実施例１】
【００２７】
この実施例１では、本願発明を単結晶シリコン太陽電池セルに適用した場合を例にとって説明する。
【００２８】
[太陽電池セルの製造]
(１)まず、Ｓｉ基板として、面方位（１００）を主面とするｐ型単結晶Ｓｉウェハを用意した。
【００２９】
(２)それから、ｐ型単結晶Ｓｉウェハの表面からｎ型不純物（例えばリン）を拡散させ、ｎ+／ｐ接合を形成した。
【００３０】
(３)次に、ｐ型単結晶Ｓｉウェハの側面および裏面の、ｎ型不純物が拡散して形成されたｎ型不純物層をエッチングして除去し、受光面にのみｎ型不純物層が形成された状態のＳｉウェハを得た。
【００３１】
(４)そして、このＳｉウエハの一方主面である受光面に、金属酸化物からなる反射防止膜を形成した。
【００３２】
(５)それから、反射防止膜が形成されたＳｉウエハをダイシングして１０mm□の小片に分割し、Ｓｉ基板のテストサンプルとした。
【００３３】
(６)次に、このＳｉ基板１の受光面側に、受光面側電極形成用の導電性ペースト４の焼成時に反射防止膜３を貫通して、ｎ型不純物層２に達するように、Ａｇ粉末を導電成分とする、受光面側電極形成用の導電性ペースト４を、図１に示すように、スクリーン印刷法により印刷した。なお、受光面側電極用の印刷パターンは、図２に示すように、１×８mm□の複数のＡｇペースト膜４ａが形成されるような印刷パターンとした。
【００３４】
(７)また、図１に示すように、Ｓｉ基板１の他方主面である裏面側に、Ａｌ粉末を導電成分とする、裏面側電極形成用の導電性ペースト５をスクリーン印刷法により印刷した。なお、裏面側電極形成用の印刷パターンは、図３に示すように、８mm□の単一のＡｌペースト膜５ａが形成されるような印刷パターンとした。
【００３５】
(８)それから、１５０℃で数分間加熱することにより、受光面側電極形成用の導電性ペースト４および裏面側電極形成用の導電性ペースト５を乾燥させた。
【００３６】
(９)次に、図４に示すように、受光面側電極形成用の導電性ペースト４および裏面側電極形成用の導電性ペースト５を乾燥させたＡｇペースト膜４ａ，Ａｌペースト膜５ａにＰｔ線６をそれぞれ接着（接続）した。
なお、Ｐｔ線６をＡｇペースト膜４ａに接着するにあたってはＡｇ粉末を導電成分とするＡｇペーストを用い、Ｐｔ線６をＡｌペースト膜５ａに接着するにあたってはＡｌ粉末を導電成分とするＡｌペーストを用いた。
そして、ＡｇペーストおよびＡｌペーストにＰｔ線６を浸漬し、加熱乾燥することにより、Ｐｔ線６をＡｇペースト膜４ａ、および、Ａｌペースト膜５ａに接着した。
【００３７】
(10)それから、Ｐｔ線６に直流電源１０を接続し、受光面側電極形成用の導電性ペースト４（Ａｇペースト膜４ａ）と、裏面側電極形成用の導電性ペースト５（Ａｌペースト膜５ａ）の間に一定の直流電圧を印加した状態で焼成を行い、導電性ペースト４，５を焼結させた。
その際、受光面側電極形成用の導電性ペースト４（Ａｇペースト膜４ａ）は、反射防止膜３を貫通して、Ｓｉ基板１の受光面側のｎ型不純物層２にまで達し、受光面側電極１４（図５）が形成されることになる。
【００３８】
そして、Ｐｔ線６を取り外すことにより、図５に示すように、Ｓｉ基板１の受光面側のｎ型不純物層２にまで達するように配設された受光面側電極１４と、Ｓｉ基板１の裏面側に配設された裏面側電極１５を備えた太陽電池セルを得た。
なお、直流電圧を印加しながら焼成を行うにあたっては、近赤外線ランプを用いた高速焼成炉を使用して焼成を行い、最高温度を約７５０℃で、各導電性ペースト４，５を焼結させた。
【００３９】
なお、比較のため、
(ａ) 直流電圧を印加せずに焼成したこと以外は上記実施例１の場合と同様の方法で製造した太陽電池セル（比較例１）、
(ｂ) 直流電圧を印加せずに焼成したこと以外は上記実施例１の場合と同様の方法で製造し、かつ、前述の従来の技術の方法で、薬液処理（フッ化水素酸水溶液への浸漬処理）を行った太陽電池セル（比較例２）
を作製した。
【００４０】
このようにして作製した本願発明の実施例にかかる太陽電池セル、および、上記比較例１，２の太陽電池セルについて、以下の特性評価を行った。
【００４１】
[特性の評価]
(１)接触抵抗の測定
上述のようにして製造した実施例および比較例の太陽電池セルについて、受光面側の互いに隣り合う電極（受光面側電極）間の抵抗値を全て測定し、そのデータからＴＬＭ法（Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｌｅｎｇｔｈ  Ｍｅｔｈｏｄ）を用いて、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗値（Ｒｃ）を求めた。
【００４２】
(２)Ｓｉ基板への電極の密着強度
Ｓｉ基板に形成された受光面側電極および裏面側電極の表面を覆うように粘着テープを貼り付けた後、粘着テープを剥がし、受光面側電極および裏面側電極の剥離の有無を目視で確認し、剥離の認められたものを電極剥離の発生あり、剥離が認められなかったものを電極剥離の発生なしとして評価した。
【００４３】
上記(１)の接触抵抗の測定結果、および、(２)の電極剥離の発生の有無の評価結果を表１に示す。表１における試料番号１〜６は、本願発明の実施例にかかる太陽電池セル、試料番号７は上述の比較例１の太陽電池セル、試料番号８は上述の比較例２の太陽電池セルを示す。
【００４４】
【表１】
2008078239.tif 000003
【００４５】
表１より、本願発明の実施例にかかる試料番号１〜６の各太陽電池セルの場合、受光面側電極および裏面側電極の剥離は認められず、また、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗も低いことが確認された。この結果から、本願発明を適用することにより、受光面側電極および裏面側電極のＳｉ基板への密着強度を確保することが可能になるとともに、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗を低下させることが可能になることがわかる。
【００４６】
なお、受光面側が正極、裏面側が負極となるように直流電圧を印加した場合、すなわち、試料番号１，２，３の場合には、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗を低くする効果が、受光面側が負極、裏面側が正極となるように直流電圧を印加した場合、すなわち、試料番号４，５，６の場合に比べて小さくなっているが、これは、受光面側が正極、裏面側が負極となるように直流電圧を印加した場合、直流電圧印加方向が、Ｓｉ基板のｎ+／ｐ接合に対して逆方向となり、電極界面に効率よく必要な直流電圧が印加されにくくなることによるものと考えられる。ただし、試料番号１，２，３の場合にも、電極剥離は防止されており、また、接触抵抗も、薬液処理などを行っていない試料番号７の場合に比べて低くなっており、本願発明の基本的な効果を奏しているものということができる。
【００４７】
また、受光面側が負極、裏面側が正極となるように直流電圧を印加した場合、すなわち、試料番号４，５，６の場合、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗を低下させる効果が大きくなっていることがわかる。これは、受光面側が負極、裏面側が正極となるように直流電圧を印加した場合には、直流電圧印加方向が、Ｓｉ基板のｎ+／ｐ接合に対して順方向となり、電極界面に効率よく必要な直流電圧が印加されることによるものと考えられる。
【００４８】
なお、比較例１の、直流電圧を印加せずに焼成したこと以外は上記実施例１の場合と同様の方法で製造した試料番号７の太陽電池セルの場合、電極剥離の発生は認められていないが、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗が高く、本願発明の実施例にかかる太陽電池セルに比べて、特性が劣っていることは明白である。
【００４９】
また、比較例２の、直流電圧を印加せずに焼成したこと以外は上記実施例１の場合と同様の方法で製造し、かつ、薬液処理（フッ化水素酸水溶液への浸漬処理）を行った試料番号８の太陽電池セルの場合も、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗値は低くなっているものの、電極剥離が発生しており、総合的に見て、好ましい結果が得られないことが確認されている。
【００５０】
なお、上記実施例では、受光面側電極がＡｇ電極であり、裏面側電極がＡｌ電極である場合を例にとって説明したが、受光面側電極および裏面側電極を構成する金属の種類としては、上記実施例１のＡｇ、Ａｌに限らず、例えば、Ｃｕなどの、他の金属材料を用いることも可能であり、また、合金材料を用いることも可能である。
なお、上記実施例では直流電圧を印加する導線としてＰｔ線を使ったが、Ｐｔに限定されず、例えばＡｇ、Ｎｉおよびこれを主成分とする合金などからなる導線を用いることができる。
【００５１】
また、上記実施例では、Ｓｉ基板として、一方主面に反射防止膜が形成されたＳｉ基板を用い、反射防止膜を貫通するように受光面側電極が配設された構造を有する太陽電池セルを製造するようにしているが、特に反射防止膜を備えていないＳｉ基板に受光面側電極を直接に形成する場合にも、本願発明を適用することが可能であり、その場合にも、受光面側電極および裏面側電極の基板への密着強度が高く、受光面側電極とＳｉ基板とのオーミック接触性に優れ、かつ、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗の低い太陽電池セルを効率よく製造することができる。
【００５２】
また、本願発明は、さらにその他の点においても、上記実施例に限定されるものではなく、太陽電池セルを構成するＳｉ基板の構成や具体的な形状、受光面側電極や裏面側電極の具体的なパターン、受光面側電極および裏面側電極形成用の導電性ペーストに直流電圧を印加しながら焼成を行う際の具体的な条件や方法などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
上述のように、本願発明によれば、受光面側電極および裏面側電極のＳｉ基板への密着強度が高く、受光面側電極とＳｉ基板との接触抵抗の低い、発電効率に優れた太陽電池を効率よく製造することができる。
したがって、本願発明は、Ｓｉ基板の受光面側および裏面側に印刷された導電性ペーストを焼成することにより形成される受光面側電極と、裏面側電極とを備えた構造を有する太陽電池セルを製造する場合に広く適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本願発明の一実施例にかかる太陽電池セルの製造方法の一工程において、Ｓｉ基板の受光面に受光面側電極形成用の導電性ペーストを、Ｓｉ基板の裏面に裏面側電極形成用の導電性ペーストを印刷した状態を示す図である。
【図２】本願発明の一実施例にかかる太陽電池セルの製造方法の一工程において、Ｓｉ基板の受光面に印刷した、受光面側電極形成用の導電性ペーストの印刷パターンを示す平面図である。
【図３】本願発明の一実施例にかかる太陽電池セルの製造方法の一工程において、Ｓｉ基板の裏面に印刷した、裏面側電極形成用の導電性ペーストの印刷パターンを示す平面図である。
【図４】本願発明の一実施例にかかる太陽電池セルの製造方法の一工程において、受光面側および裏面側に配設した、導電性ペーストにＰｔ線を接着（接続）した状態を示す図である。
【図５】本願発明の一実施例にかかる太陽電池セルの製造方法により製造された太陽電池セルの構成を示す図である。
【図６】従来の太陽電池セルの構成を示す図である。
【図７】(ａ)，(ｂ)は従来の太陽電池セルの製造方法の一例を示す図である。
【図８】従来の太陽電池セルの製造方法の他の例を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１        Ｓｉ基板
２        ｎ型不純物層
３        反射防止膜
４        受光面側電極形成用の導電性ペースト
４ａ      Ａｇペースト膜
５        裏面側電極形成用の導電性ペースト
５ａ      Ａｌペースト膜
６        Ｐｔ線
１０      直流電源
１４      受光面側電極
１５      裏面側電極
【図１】
2008078239.tif 000004
【図２】
2008078239.tif 000005
【図３】
2008078239.tif 000006
【図４】
2008078239.tif 000007
【図５】
2008078239.tif 000008
【図６】
2008078239.tif 000009
【図７】
2008078239.tif 000010
【図８】
2008078239.tif 000011