(57)【要約】【課題】半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、簡単な構成で表側電極板を交換可能とし、より一層のコストダウンを可能にすることである。【解決手段】シャワーヘッド３０は、ガス導入穴３８を有する裏側電極板３２に、貫通穴４０を有する緩衝材３４を介し、ガス吹き出し穴４２を有する表側電極板３６を、３箇所の中央取付位置と、６箇所の外周取付位置において、取付ネジ８０で交換可能に取り付けて構成される。これにより対応関係にあるガス導入穴３８と貫通穴４０とガス吹き出し穴４２とが接続されガス供給貫通穴を形成する。外周取付位置において、裏側電極板３２と取付ネジ８０との間に、応力吸収部材であるワッシャ８２，８４が設けられる。ワッシャ８２，８４の応力吸収作用により、裏側電極板３２と表側電極板３６との間の熱膨張の差による外周部におけるずれを吸収する。表側電極板３６を裏返しにして裏側電極板３２に取り付けることもできる。【選択図】図３
2008103589.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平行平板型半導体処理装置に用いられ、処理対象物と平行に配置され、プロセス処理のためのガスをシャワー状に流して供給するシャワーヘッドであって、
処理対象物に向かい合い、複数のガス吹き出し穴を有する表側電極板と、
複数のガス導入穴を有する裏側電極板と、
表側電極板と裏側電極板との間に挿入され、複数の貫通穴を有する緩衝材と、
表側電極板の中央部の中央取付位置及び外周部の複数の外周取付位置において、緩衝材を介して裏側電極板に表側電極板を交換可能に取り付ける複数の取付部材と、
外周部の複数の外周取付位置において、裏側電極板と取付部材との間に設けられる応力吸収部材と、
を有し、
取付部材によって緩衝材を介して裏側電極板に表側電極板を取り付けたときに、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成することを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
外周取付位置は、表側電極板の平面配置における中心点と、中央取付位置とを結ぶ直線上に配置されることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
表側電極板には、複数の中央取付位置が設けられることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
取付部材は導電性材料で構成され、
応力吸収部材は絶縁材料で構成され、
中央取付位置において、裏側電極板と取付部材との間には応力吸収部材が配置されずに、裏側電極板と取付部材との間が電気的に導通されて結合されることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
応力吸収部材は、外周取付位置においてのみ配置されることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
表側電極板の中央取付位置および外周取付位置にはそれぞれ取付穴部が設けられ、
各取付穴部は、底を有する穴であり、処理対象物に向かい合う面には開口を有さないことを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
複数のガス供給貫通穴は、平面配置における中心点の周りに１８０度の角度で回転対称に配置され、または、平面配置における中心点を通る中心軸に対し軸対称で配置され、表側電極板を裏返して緩衝材を介して裏側電極板に取り付けたときに、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成することを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
複数のガス供給貫通穴は、平面配置における中心点の周りに９０度の角度で回転対称に配置され、または、平面配置における中心点を通る中心軸に対し軸対称で配置され、表側電極板を裏返し、中心点の周りに９０度の整数倍の角度で回し、緩衝材を介して裏側電極板に取り付けたときに、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成することを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
表側電極板の中央取付位置および外周取付位置にはそれぞれ取付穴部が設けられ、
各取付穴部は、表側電極板を貫通する貫通取付穴であり、
取付部材は、高純度半導体材料で構成される取付部材であり、表側電極板に取り付けられたときに、その先端が表側電極板の表面と同じ面位置となることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
表側電極板は、所定の範囲の抵抗率を有する半導体シリコン材料で構成されることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
裏側電極板は、半導体処理装置に対し、交換可能に取り付けられることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項１２】
平行平板型半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられ、処理対象物に向かい合い、複数のガス吹き出し穴を有する表側電極板であって、
平面配置における中央部の中央取付位置に設けられる中央取付穴部と、
平面配置の外周部の複数の外周取付位置にそれぞれ設けられる複数の外周取付穴部と、
を有し、
各外周取付位置は、平面配置における中心点と、中央取付位置とを結ぶ直線上に配置され、
複数の貫通穴を有する緩衝材を介して、複数のガス導入穴を有する裏側電極板に、複数の取付部材を用いて交換可能に取り付けられ、
取付部材によって緩衝材を介して裏側電極板に取り付けられたときに、ガス吹き出し穴が、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴とに接続されてガス供給貫通穴を形成することを特徴とする半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられる表側電極板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体処理装置用シャワーヘッド及び半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられる表側電極板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスのプロセス処理装置として、平行平板型のプロセス処理装置が用いられる。例えば、平行平板型の膜形成装置あるいは平行平板型のドライエッチング装置が広く用いられる。この型式の半導体処理装置は、膜形成あるいはエッチングの処理対象物である半導体デバイスと、これと平行に向かい合って配置される電極板との間に高周波電力を供給し、半導体デバイスと電極板との間の平行板空間に供給されるプロセス処理用のガスをプラズマ化し、その物理化学的エネルギで、半導体デバイス上に膜を形成し、あるいは半導体デバイスをエッチングする。
【０００３】
平行平板空間にプロセス処理用のガスを供給する方法はいくつかあるが、電極板に多数の貫通穴を設け、その貫通穴からプロセス処理用のガスを半導体デバイスに向けてシャワー状に供給するものは、シャワーヘッドと呼ばれる。平行平板型のドライエッチング装置では、エッチング用のガスの種類によっては半導体デバイスをエッチングすると共に電極板をエッチングしてしまう。また、平行平板型の膜形成装置では、半導体デバイス上に膜を形成すると共に電極板上にも膜を堆積してしまう。また、膜の堆積を定期的に除去しても、これとは別に、プラズマ化したガスの物理化学的エネルギによって電極板がエッチングされてしまう。したがって、電極板は、定期的に取り外して洗浄等を行う必要があるほか、一定の使用の後は新しい電極板と交換を要する消耗品である。シャワーヘッドは、多数の穴加工を要するので、高価であり、特に、装置が大型化すると共にシャワーヘッドも大型化し、洗浄の際の取り扱いに注意を要し、交換の際は、高価な消耗品となる。
【０００４】
シャワーヘッドにおいて、膜が堆積するところ、あるいはエッチングされるところは、プラズマ化したガスに接触する部分であるので、例えば、半導体デバイスに向かい合う部分だけ交換できればよい。そこで、分割型のシャワーヘッドが考えられる。その場合、シャワーヘッドは、高周波電力の供給等で温度上昇するので、分割化した各要素の熱膨張が異なると変形等が生じることを考慮しなければならない。
【０００５】
例えば特許文献１，２には、半導体基板処理に用いられるプラズマ反応チャンバ内のシャワーヘッド電極として、エラストマ結合アセンブリの構成を開示している。ここでは、リング形状で一端に半径方向に延びるフランジを有する支持部材と、単結晶シリコン等の導電性材料の電極との間を導電性エラストマ接合で結合することで、電極と支持部材との間の移動を可能にして、熱的不一致による応力により良く適合することができる、と述べられている。エラストマ接合は、ポリマー材料と、電気または熱伝導性の粒子のフィラーとを含み、ポリマー材料として、ポリイミド、ポリケトン、ポリエチルケトン、シリコン樹脂等が挙げられている。なお、エラストマ結合アセンブリは、定期的に交換を要する消耗部品であって、プラズマ反応チャンバ内に着脱自在に取り付けられるものとして扱われている。
【０００６】
また、特許文献３には、半導体処理反応室用シャワーヘッド電極構造として、バッキングプレートとシャワーヘッド電極との間に、コンプライアントな材料を含んだ静電クランプ構成部品が配置され、これによってこれらの間の熱伝達を改善する構造が開示されている。そして、シャワーヘッド電極の外側に設けられ、その周辺部を係合する機械的なクランプ装置によってシャワーヘッド電極がバッキングプレートから取り外し可能とされている。ここで静電クランプ構成部品は、コンプライアントな誘電材料の間にメタルホイルが挟まれた構造で、バッキングプレートに接着層で接着され、メタルホイルには電極導管を介して静電クランプ用のＤＣ電源が接続される。コンプライアントな誘電材料としては、例えばカプトン、シリコン樹脂、ポリイミド等が用いられ、圧縮を受けることで電極プレートの表面凹凸に適合し、バッキングプレートと電極プレートとの間の熱伝達を改善する、と述べられている。
【０００７】
また、特許文献４には、プラズマ処理装置用の上部電極であるシャワーヘッドについて、多数のガス吐出孔が設けられた内側部材と、この内側部材の周囲を取り囲むように環状に構成された外側部材とを具備し、プラズマ処理を行うことによって消耗した時点で、内側部材のみを交換できる構成が開示されている。ここで、内側部材はシリコン単結晶からなり、略円板状の外周縁部に段差部が形成されており、外側部材は、内側部材の周囲を取り囲むように内側部材よりも外径が大きく設定されて環状に構成され、内側部材の段差部と係合して内側部材と一体的に係止し、この外側部材の外径部分を係止部材により係止することで、真空チャンバ内に固定されている。ここで、外側部材は、内側部材と同じシリコン単結晶以外に、ポリシリコン等の他のシリコンで構成することができる、と述べられている。
【０００８】
【特許文献１】特許第３４０８２４５号明細書
【特許文献２】特許第３４５０８２８号明細書
【特許文献３】特表２００４−５３８６３３号公報
【特許文献４】特開２００３−３３２３１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記のように、平行平板型半導体処理装置におけるシャワーヘッドについて、従来技術は、それぞれ分割型の構成を開示している。特許文献１，２のシャワーヘッドは、導電性のエラストマ接合によって電極と支持部材とが結合されている。したがって、高周波電力の供給について配慮がされ、また、エラストマによって電極と支持部材との間の移動が可能となり、電極と支持部材との間の熱的不一致についても考慮されている。しかし、消耗時等において、エラストマ接合された全体を交換することになり、交換部品のコストが高価なものとなる。
【００１０】
特許文献３に開示される構成によれば、エッチング装置として使用中は、ＤＣ電源を用いて静電クランプによりバッキングプレートとシャワーヘッド電極とを面密着させて、その間の界面における熱伝達を改善できる。そして、シャワーヘッド電極を交換したいときには、シャワーヘッド電極の外側に設けられ、その周辺部を係合する機械的なクランプ装置を外し、シャワーヘッド電極をバッキングプレートから取り外すことができる。しかし、この構成によれば、シャワーヘッドとして、ＤＣ電源からの電極導管、静電クランプ構成部品等を要し、またエッチング装置としてもＤＣ電源を備える必要があり、例えば、より一層のコストダウンを検討する際に、限界がある。
【００１１】
特許文献４のシャワーヘッドは、シリコン単結晶からなる内側部材を外側部材に係止しており、係止を外すことで内側部材のみを交換することができる。この構成は簡明であるが、内側部材も外側部材もシリコンで構成されており、温度上昇の際の熱膨張の差による変形を考慮しなくてもよいが、シャワーヘッドの材料の選択に制約がある。
【００１２】
本発明の目的は、簡単な構成で、より一層のコストダウンを可能にする半導体処理装置用シャワーヘッド及び半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられる表側電極板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドは、平行平板型半導体処理装置に用いられ、処理対象物と平行に配置され、プロセス処理のためのガスをシャワー状に流して供給するシャワーヘッドであって、処理対象物に向かい合い、複数のガス吹き出し穴を有する表側電極板と、複数のガス導入穴を有する裏側電極板と、表側電極板と裏側電極板との間に挿入され、複数の貫通穴を有する緩衝材と、表側電極板の中央部の中央取付位置及び外周部の複数の外周取付位置において、緩衝材を介して裏側電極板に表側電極板を交換可能に取り付ける複数の取付部材と、外周部の複数の外周取付位置において、裏側電極板と取付部材との間に設けられる応力吸収部材と、を有し、取付部材によって緩衝材を介して裏側電極板に表側電極板を取り付けたときに、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、外周取付位置は、表側電極板の平面配置における中心点と、中央取付位置とを結ぶ直線上に配置されることが好ましい。
【００１５】
また、本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、表側電極板には、複数の中央取付位置が設けられることが好ましい。
【００１６】
また、本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、取付部材は導電性材料で構成され、応力吸収部材は絶縁材料で構成され、中央取付位置において、裏側電極板と取付部材との間には応力吸収部材が配置されずに、裏側電極板と取付部材との間が電気的に導通されて結合されることが好ましい。
【００１７】
また、本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、応力吸収部材は、外周取付位置においてのみ配置されることが好ましい。
【００１８】
また、本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、表側電極板の中央取付位置および外周取付位置にはそれぞれ取付穴部が設けられ、各取付穴部は、底を有する穴であり、処理対象物に向かい合う面には開口を有さないことが好ましい。
【００１９】
また、本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、複数のガス供給貫通穴は、平面配置における中心点の周りに１８０度の角度で回転対称に配置され、または、平面配置における中心点を通る中心軸に対し軸対称で配置され、表側電極板を裏返して緩衝材を介して裏側電極板に取り付けたときに、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成することが好ましい。
【００２０】
また、本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、複数のガス供給貫通穴は、平面配置における中心点の周りに９０度の角度で回転対称に配置され、または、平面配置における中心点を通る中心軸に対し軸対称で配置され、表側電極板を裏返し、中心点の周りに９０度の整数倍の角度で回し、緩衝材を介して裏側電極板に取り付けたときに、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成することが好ましい。
【００２１】
また、本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、表側電極板の中央取付位置および外周取付位置にはそれぞれ取付穴部が設けられ、各取付穴部は、表側電極板を貫通する貫通取付穴であり、取付部材は、高純度半導体材料で構成される取付部材であり、表側電極板に取り付けられたときに、その先端が表側電極板の表面と同じ面位置となることが好ましい。
【００２２】
また、表側電極板は、所定の範囲の抵抗率を有する半導体シリコン材料で構成されることが好ましい。
【００２３】
また、本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、裏側電極板は、半導体処理装置に対し、交換可能に取り付けられることが好ましい。
【００２４】
また、本発明に係る半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられる表側電極板は、平行平板型半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられ、処理対象物に向かい合い、複数のガス吹き出し穴を有する表側電極板であって、平面配置における中央部の中央取付位置に設けられる中央取付穴部と、平面配置の外周部の複数の外周取付位置にそれぞれ設けられる複数の外周取付穴部と、を有し、各外周取付位置は、平面配置における中心点と、中央取付位置とを結ぶ直線上に配置され、複数の貫通穴を有する緩衝材を介して、複数のガス導入穴を有する裏側電極板に、複数の取付部材を用いて交換可能に取り付けられ、取付部材によって緩衝材を介して裏側電極板に取り付けられたときに、ガス吹き出し穴が、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴とに接続されてガス供給貫通穴を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
上記構成により、シャワーヘッドは、複数のガス吹き出し穴を有する表側電極板と、複数の貫通穴を有する緩衝材と、複数のガス導入穴を有する裏側電極板とが、この順序で重ねられ、これらの対応する穴が接続されて複数のガス供給貫通穴を形成するように、複数の取付部材で取り付けられる。このように、取付部材を取り外すだけで、簡単に表側電極板を分離でき、洗浄等を容易に行うことが可能となり、また、必要な時期に容易に交換することができるので、簡単な構成で、より一層のコストダウンが可能となる。
【００２６】
そして、取り付けに際し、外周部の複数の外周取付位置において、裏側電極板と取付部材との間に応力吸収部材が設けられる。これにより、表側電極板と、裏側電極板との間における熱膨張の相違を吸収することができる。すなわち、表側電極板が裏側電極板に取付部材で取り付けられて、熱膨張の相違により、表側電極板と裏側電極板との間にずれが生じ得る場合でも、応力吸収部材の作用により、裏側電極板が取付部材に対し、すなわち表側電極板に対し、動くことができ、これにより、熱膨張の相違を吸収できる。なお、表側電極板と、裏側電極板との間に緩衝材を用いることで、熱膨張の相違によって生じる表側電極板と裏側電極板との間のずれによるガス漏れ等を抑制することができる。
【００２７】
また、各外周取付位置は、表側電極板の平面配置における中心点と、中央取付位置とを結ぶ直線上に配置されるので、表側電極板と、裏側電極板との間における熱膨張の相違を効果的に吸収することができる。つまり、シャワーヘッドにおいて、温度上昇による熱膨張は、平面配置における中心点から径方向に伸縮するように生じるので、中心点を通る直線上に中央取付位置と外周取付位置とを離して配置することで、熱膨張における伸縮を同じ方向で受け止めることができ、他の配置にくらべ、不規則な変形やひずみ等の発生を抑制できる。
【００２８】
また、表側電極板には、複数の中央取付位置が設けられるので、１つの中央取付位置に比べ、安定した取付を行うことができる。
【００２９】
また、取付部材が導電性材料で構成され、応力吸収部材が絶縁材料で構成されるときは、中央取付位置において、裏側電極板と取付部材との間には応力吸収部材が配置されずに、裏側電極板と取付部材との間が電気的に導通されて結合される。このとき、応力吸収部材を外周取付位置に配置できる。なお、取付部材も応力吸収部材も導電性材料のときは、応力吸収部材をすべての取付位置に配置しても、表側電極板と裏側電極板との間の電気的導通を取ることに問題が生じない。このようにして、表側電極板と裏側電極板との間の電気的導通が取れるので、表側電極板へ高周波電力を確実に供給することができる。
【００３０】
また、表側電極板に設けられる取付穴部は、底を有する穴であり、処理対象物に向かい合う面には開口を有さないので、プロセス処理に影響を与えることがなく、異常放電等による処理対象物への汚染を防止できる。
【００３１】
また、複数のガス供給貫通穴は、平面配置における中心点の周りに１８０度の角度で回転対称に配置され、または、平面配置における中心点を通る中心軸に対し軸対称で配置される。これにより、表側電極板の処理対象物に向かい合う面がプロセス処理を受けて、交換等が必要になった場合でも、その表側電極板を裏返して、まだプロセス処理を受けていない裏側面を処理対象物に向かいあうように裏側電極板に取り付けて使用することが容易にできる。このように、１枚の表側電極板の寿命を２倍に延ばすことができるので、簡単な構成で、より一層のコストダウンが可能となる。
【００３２】
また、複数のガス供給貫通穴は、平面配置における中心点の周りに９０度の角度で回転対称に配置される。これにより、表側電極板の処理対象物に向かい合う面がプロセス処理を受けて交換等が必要になった場合でも、その表側電極板を裏返して、適当に９０度の整数倍の角度で回して取り付けることで、まだプロセス処理を受けていない裏側面を処理対象物に向かいあうように裏側電極板に取り付けて使用することが容易にできる。このように、簡単な取付けで、１枚の表側電極板の寿命を２倍に延ばすことができる。
【００３３】
また、表側電極板に設けられる取付穴部は、表側電極板を貫通する貫通取付穴であるときは、取付部材が高純度半導体材料で構成される。そして、表側電極板に取り付けられたときに、取付部材の先端が表側電極板の表面と同じ面位置となるように設定される。これにより、プロセス処理に影響を与えることがなく、異常放電等による処理対象物への汚染を防止できる。
【００３４】
また、表側電極板は、所定の範囲の抵抗率を有する半導体シリコン材料で構成されるので、表側電極板によってエッチング対象物が汚染されることを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に図面を用いて、本発明に係る実施の形態につき、詳細に説明する。以下では、平行平板型半導体処理装置として、シリコンウェファをエッチングするドライエッチング装置を説明するが、エッチング以外のプロセス処理を行う平行平板型半導体処理装置であってもよい。例えば、シャワーヘッドを用いて、半導体基板等の上に、膜を形成する膜形成装置あるいは膜堆積装置であってもよい。また、ドライエッチング装置として、１２インチシリコンウェファについてエッチングを行う装置を説明するが、それ以外の大きさのシリコンウェファについてエッチングを行う装置であってもよく、また、シリコン以外の半導体ウェファについてプロセス処理を行う装置であってもよい。また、以下で説明する寸法、個数、材質等は、説明のための例示であって、目的に応じ、適宜変更して用いることができる。
【００３６】
図１は、シャワーヘッドを用いる平行平板型半導体ドライエッチング装置の構成を示す図である。以下では、平行平板型半導体ドライエッチング装置を単に、エッチング装置として説明する。図１に示されるエッチング装置１０は、真空チャンバ１２と、その内部に配置される試料保持台１４と、試料保持台１４に平行に配置されるシャワーヘッド３０を保持する電極保持部１６と、真空チャンバ１２の内部を所定の減圧条件にする減圧装置１８と、試料保持台１４とシャワーヘッド３０との間に高周波電力を供給する高周波電源２０と、シャワーヘッド３０を介してエッチング用のガスを試料保持台１４の方に向けて供給するガス系２２と、図示されていない制御部とを含んで構成される。図１には、エッチング装置１０の構成要素ではないが、エッチング対象物としてのシリコンウェファ８が試料保持台１４の上に保持された状態で図示されている。
【００３７】
真空チャンバ１２は、内部を外部から気密に保ち、減圧装置１８によって内部を減圧状態に維持でき、また、シリコンウェファ８の出し入れ、あるいはシャワーヘッド３０に関する交換作業等のメンテナンスのために、必要があれば真空を破って開くこともできる装置である。
【００３８】
試料保持台１４は、エッチング対象物のシリコンウェファ８を保持すると共に、エッチング対象物を、平行平板型に構成される下部電極とする機能を有する。試料保持は、真空チャック、静電チャック、機械的クランプ、あるいはこれらの組み合わせで行うことができる。試料保持台１４の少なくともエッチング対象物と接触する部分は、導電材料で構成され、高周波電源２０の一端側の端子に接続される。
【００３９】
電極保持部１６は、シャワーヘッド３０を保持する機能を有する。シャワーヘッド３０の保持方法の詳細については後述する。電極保持部１６は、シャワーヘッド３０と電気的に導通をとりながら、これを保持する構成をとることができる。例えば、導電材料で構成される取付部材でシャワーヘッドを接続して保持する等である。この場合には、電極保持部１６は、シャワーヘッド３０を、平行平板型に構成される上部電極とするための接続部としての機能も有することになり、高周波電源２０の他端側の端子に接続される。電極保持部１６とシャワーヘッド３０との間の接続及び保持の詳細については後述する。
【００４０】
減圧装置１８は、閉じられた状態の真空チャンバ１２を真空状態に引いて、エッチング用のガスが導入されたときに所定の減圧状態に維持する機能を有する真空装置である。所定の減圧状態としては、例えば、１．３３Ｐａから１３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒから１０００ｍＴｏｒｒ）とすることができる。減圧装置１８としては、真空ポンプ、油拡散ポンプ等、及びこれらの組み合わせを用いることができる。
【００４１】
高周波電源２０は、平行平板型に構成される下部電極と上部電極との間に高周波電力を供給し、平行平板の間の空間におけるエッチング用ガスをプラズマ化する機能を有する。周波数としては、例えば、１３．５６ＭＨｚ等が用いられる。もちろんこれ以外の周波数、例えば数１００ＭＨｚ等の高周波を用いるものとしてもよい。また、別途に磁場形成装置を設けて、プラズマをより効果的に生成する構成としてもよい。
【００４２】
ガス系２２は、上記のように、シャワーヘッド３０にエッチング用のガスを供給する機能を有する。エッチング用のガスは、エッチング対象物によって異なるが、例えば、ＣＦ4等のフルオロカーボンまたはＣＨＦ3等のフルオロハイドロカーボンと、搬送ガスとしてのＡｒまたはＮ2等の混合ガスが用いられる。
【００４３】
シャワーヘッド３０は、試料保持台１４上のエッチング対象物であるシリコンウェファ８に向かい合って平行に配置され、平行平板型に構成される上部電極としての機能と、ガス系２２から供給されるエッチング用のガスを、エッチング対象物であるシリコンウェファ８に向けてシャワー状に流して供給する機能とを有する。
【００４４】
図１に、シャワーヘッド３０の部分Ａにおける拡大断面図が示されている。シャワーヘッド３０は、電極保持部１６の側から順に、裏側電極板３２、緩衝材３４、表側電極板３６が重ねられた構造である。そして、裏側電極板３２にはガス導入穴３８、緩衝材３４には貫通穴４０、表側電極板にはガス吹き出し穴４２がそれぞれ設けられ、重ねられた構造においては、対応する各穴は位置決めされ接続されてガス供給貫通穴３７となる。ガス供給貫通穴３７は、１つのシャワーヘッド全体で、例えば、約１０００個程度設けられる。
【００４５】
図２は、シャワーヘッド３０の斜視図である。この斜視図は、電極保持部側から見た様子を示している。ここでは、ガス供給貫通穴３７が、裏側電極板３２に設けられるガス導入口３８が見えるように示されている。図３は、図２の分解図である。ここでも、電極保持部側から見た様子がそれぞれ示されている。シャワーヘッド３０全体の大きさは、直径が約３００ｍｍから約３２０ｍｍ程度、厚みが約１５ｍｍから約２０ｍｍ程度である。このシャワーヘッド３０は、１２インチシリコンウェファ、すなわち、公称直径が約３０４．８ｍｍのシリコンウェファのエッチング用として用いることができる。
【００４６】
シャワーヘッド３０は、上記のように、裏側電極板３２、緩衝材３４、表側電極板３６の積層体であるが、後述のように、表側電極板３６は交換可能に取り付けられているので、メンテナンスや交換が容易である。例えば、表側電極板３６に対し、定期的に洗浄等のメンテナンスを施す場合に、シャワーヘッド３０全体を一体のまま洗浄するのではなく、表側電極板３６のみを取り外して洗浄できるので、取り扱いが比較的容易で、洗浄を効率的に、また効果的に行うことができる。また、表側電極板３６の表面がエッチングされたときに、新しい面を有する表側電極板３６と交換することができる。この場合、裏側電極板３２及び緩衝材３４は、再び繰り返し使用される。つまり、消耗品として交換する部品を、表側電極板３６のみとすることができる。なお、緩衝材３４を消耗品として、表側電極板３６と共に交換するものとしてもよい。
【００４７】
また、後述のように、裏側電極板３２も、電極保持部１６から取り外し可能に取り付けられるので、メンテナンスや交換が必要になったときでも、容易に半導体処理装置であるエッチング装置１０から取り外すことができる。
【００４８】
裏側電極板３２は、電極保持部に保持される部分の部材で、導電性及び一定の強度を有する材料で構成される。ここでは、外径が約３００ｍｍから約３２０ｍｍ程度、厚さが約８ｍｍから約１５ｍｍ程度のカーボン材料が用いられる。もちろんカーボン材料以外の材質で、電気伝導性及び熱伝導性の良いものを用いることもできる。また、裏側電極板３２は、交換部品となる表側電極板３６を取り付ける基盤としての機能も有している。
【００４９】
緩衝材３４は、裏側電極板３２と表側電極板３６との間に配置される弾性部材である。緩衝材３４は、裏側電極板３２に表側電極板３６を隙間なく結合することができるように、これらの電極板の向かい合う面の凹凸を吸収する機能を有する。また、エッチング工程において供給される高周波電力によって裏側電極板３２と表側電極板３６に発熱が生じるが、そのときに、両電極板の熱膨張の相違によって、裏側電極板３２と表側電極板３６との間に生じるずれを吸収でき、また、エッチングに用いるガスが漏れることを抑制する機能を有する。
【００５０】
かかる緩衝材３４の材質としては、半導体デバイスのエッチング工程に影響を与えず、弾性に富むものが好ましい。ここでは、プラスチックフィルムを所定の形状に成形したものを用いることができる。例えば、カプトン（デュポン社の商品名）のフィルムを用いることができる。それ以外にも、シリコン樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、ポリスチレンフィルム、プラスチックゴム等を用いることができる。緩衝材３４の外径は、裏側電極板３２よりやや小さく、約２９５ｍｍ程度から約３１５ｍｍ程度で、厚さは、約０．０５ｍｍから約０．２ｍｍ程度である。
【００５１】
表側電極板３６は、エッチング対象物であるシリコンウェファに向かい合う上部電極としての機能を有する板である。ここでは、エッチング工程において、シリコンウェファがエッチングされると同様に、表側電極板３６もエッチングされる。つまり、表側電極板３６は、半導体デバイスのエッチングプロセスに曝されるので、半導体デバイスの特性に影響する不純物を含まないことが望ましい。ここでは、エッチング対象物と同じ高純度半導体材料であるシリコンが用いられる。表側電極板３６は、平行平板型を構成する上部電極でもあるので、例えば、比抵抗を、約１０Ω・ｃｍ以下、約０．１Ω・ｃｍ以上の範囲とすることが好ましい。このために、ボロン（Ｂ）をドープしたｐ型シリコンを用いることができる。もちろん、目的に応じて、ｎ型シリコンを用いることができ、また比抵抗の範囲も上記と異なるものとすることができる。また、半導体シリコン以外の材料で、半導体デバイスの特性に影響する不純物を含まないものを用いることもできる。例えば、場合によって、グラファイト、炭化珪素等を用いることができる。表側電極板３６の外径は、緩衝材３４よりやや大きく、約３００ｍｍから約３２０ｍｍ程度、厚さは約５ｍｍから約１０ｍｍ程度とすることができる。
【００５２】
取付ネジ８０は、表側電極板３６を、緩衝材３４を挟んで裏側電極板３２に取り付けるために用いられる導電性の取付部材である。例えば金属性のネジを用いることができる。この取り付けは、シャワーヘッド３０の中央部の３箇所の中央取付位置と、外周部の６箇所の外周取付位置の合計９箇所の取付位置で行われる。図３では、代表的に、外周部の１箇所について、取付ネジ８０が裏側電極板３２に設けられた外周取付穴部５６に挿入される様子が示されている。外周取付位置の数が中央取付位置の数より多いのは、外周部において取付位置の間隔を適当に狭くして、ガス漏れ等を抑制するためである。したがって、６箇所以外の数としてもよい。
【００５３】
図３に示されるように、シャワーヘッド３０の平面配置における中心点と、中央部の３箇所の中央取付位置とを結んで外周側に延長すると、その延長線上に、外周部の６箇所の外周取付位置のうち、３箇所が配置される。図３の例では、中央取付位置が３箇所で、外周取付位置が６箇所であるので、外周取付位置の３箇所が上記の関係を満たすが、例えば、中央取付位置の数と外周取付位置の数が同じであれば、全部の外周取付位置が上記の関係を満たすように配置される。なお、中央取付位置を１つにして、平面配置の中心点を中央取付位置とすることもでき、この場合は、外周取付位置の数に関係なく、全部の外周取付位置が上記の関係を満たすように配置されることになる。
【００５４】
換言すれば、外周取付位置は、平面配置における中心点と、中央取付位置とを結ぶ直線上に配置されることが望ましいのであるが、その理由は以下の通りである。つまり、シャワーヘッド３０において、温度上昇による熱膨張は、中央部を固定することにより、平面配置における中心点から径方向に伸縮するように生じるので、中心点を通る直線上に中央取付位置と外周取付位置とを離して配置することで、熱膨張における伸縮を同じ方向で受け止めることができる。これによって、表側電極板と、裏側電極板との間における熱膨張の相違を効果的に吸収することができ、他の配置法にくらべ、表側電極板と裏側電極板とを結合した状態で温度上昇等を受けた場合の不規則な変形やひずみ等の発生を抑制できる。
【００５５】
ワッシャ８２，８４は、取付ネジ８０が挿入される際に、裏側電極板３２との間に配置され、相互の間ですべることができるとともに、弾性変形により応力を吸収することができる応力吸収部材である。ワッシャ８２，８４の材質は、半導体デバイスのエッチング工程に影響を与えないものが好ましい。また、裏側電極板３２の材料が上記のようにカーボンであるので、金属に比べ強度が十分でないので、ワッシャ８２，８４の材質も金属より弾性に富むものが好ましい。ここでは、プラスチックフィルムを環状に成形したものが選択され、例えば、緩衝材３４と同じ材料を用いることができる。図３では、カプトン（デュポン社の商品名）のフィルムが用いられている。
【００５６】
ワッシャ８２，８４は、取付ネジ８０の頭部と、裏側電極板３２に設けられる段付穴との間に配置され（後述の図４参照）、裏側電極板３２と取付ネジ８０とが相対的に動くことができる機能を有する。取付ネジ８０は、表側電極板３６にねじ込まれて固定されるので、ワッシャ８２，８４の応力吸収作用により、裏側電極板３２と表側電極板３６とは相対的に動くことができる。これにより、シャワーヘッド３０が発熱等により温度が上昇し、裏側電極板３２の熱膨張係数と表側電極板３６の熱膨張係数の相違等によって、裏側電極板３２の伸縮量と表側電極板３６の伸縮量とに差が生じても、２枚のワッシャ８２，８４により、この伸縮量の差を吸収することができる。ワッシャの枚数は２枚以上が効果的であるが、場合によっては１枚でもよい。
【００５７】
取付ネジ８０を導電性のものとしたのは、裏側電極板３２と表側電極板３６との間を機械的に結合すると共に、電気的に導通を取り、高周波電源２０からの高周波電力を表側電極板３６に供給できるようにするためである。ワッシャ８２，８４が導電性材料であれば問題がないが、ワッシャ８２，８４が上記のようにプラスチックフィルムで、絶縁材料で構成される場合は、中央取付位置において、裏側電極板３２と取付部材８０との間には応力吸収部材であるワッシャ８２，８４が配置されずに、取付部材８０と裏側電極板３２との間が電気的に導通されて結合されるようにする。例えば、中央取付位置における３箇所には、応力吸収部材であるワッシャ８２，８４を配置しないものとすることができる。この場合、応力吸収部材であるワッシャ８２，８４は、外周取付位置の６箇所にのみ配置されることになる。
【００５８】
シャワーヘッド３０は、このように、裏側電極板３２に緩衝材３４を介して表側電極板３６を重ねて、取付け部材である取付ネジ８０を用いて交換可能に取り付けて形成される。重ねられる裏側電極板３２、緩衝材３４、表側電極板３６には、目的と機能の異なる４種類の穴が、重ねられたときに対応付けられて、それぞれ設けられる。４種類の穴の第１は、図１で述べた約１０００個のガス供給貫通穴３７である。第２は、取付ネジ８０に関連して述べたように、裏側電極板３２に緩衝材３４を介して表側電極板３６を取り付けるために中央部の３箇所の中央取付位置、外周部の６箇所の外周取付位置にそれぞれ設けられる取付穴部である。第３は、裏側電極板３２を電極保持部に取り付けるための保持穴部である。第４は、裏側電極板３２、緩衝材３４、表側電極板３６について、これらの対応する穴を位置決めするための位置決め穴部である。以下では、図３と共に、部分断面図である図４から図６を用いて、これらの穴について詳細に説明する。なお、これらの図においては、寸法の大小関係が誇張されて示されている。
【００５９】
図１、図２で示される第１のガス供給貫通穴３７は、エッチング用のガスをエッチング対象物であるシリコンウェファに向かって供給する機能を有し、シャワーヘッドの裏側から表側に貫通する穴である。ガス供給貫通穴３７は、図２で示されるように、表側電極板３６の板平面上にほぼ均一に、合計で約１０００個程度配置される。もちろん、それ以下の数、あるいはそれ以上の数を配置するものとしてもよい。例えば、エッチング工程の仕様によって、約２０００個程度配置するものとしてもよい。ガス供給貫通穴３７の配置は、表側電極板３６の円形の中心点から等間隔の複数の半径上に、それぞれ配置される。例えば、中心点には１つのガス供給貫通穴３７が配置され、次からは中心点から所定の半径のピッチごとに、それぞれ、適当な個数で配置し、各半径上においては、周方向に沿って、等間隔に配置されるものとすることができる。
【００６０】
ガス供給貫通穴３７を構成する各穴の様子は、図４から図６に示される。ガス供給貫通穴３７は、例えば図４で示されるように、裏側電極板３２に設けられるガス導入穴３８と、緩衝材３４に設けられる貫通穴４０と、表側電極板３６に設けられるガス吹き出し穴４２とを接続して形成される。ガス導入穴３８とガス吹き出し穴４２は、それぞれ円形断面の穴で、それぞれ約１０００個程度であるが、緩衝材３４に設けられる貫通穴４０は、図３に示されるように、円環状の溝の一部の形状を有している。したがって、貫通穴４０の数は、ガス導入穴３８、ガス吹き出し穴４２の数よりも少ない。すなわち、１つの貫通穴４０は、ガス導入穴３８とガス吹き出し穴４２を、複数個まとめて対応している場合がある。そして、貫通穴４０の大きさは、ガス導入穴３８の穴径、ガス吹き出し穴４２の穴径のいずれよりも十分大きく設定される。このことにより、緩衝材３４の機能である熱膨張によるずれに起因するガス漏れを抑制することを十分に確保することができる。具体的な寸法の例は、ガス導入穴３８の直径が約１ｍｍ程度、ガス吹き出し穴４２の直径が約０．５ｍｍから約０．８ｍｍ程度、貫通穴４０の径方向の溝幅が約３ｍｍ程度である。これらの寸法も、適宜変更できることは勿論である。
【００６１】
第２から第４の種類の穴は、いずれも、ガス供給貫通穴３７の配置の間に、それぞれ配置される。特に、ガス供給貫通穴３７の径方向に沿った配置の間に配置される。第２の表側電極板３６を取り付けるための取付穴部の説明に先立って、第３、第４の穴について説明する。
【００６２】
第３の種類の穴は、裏側電極板３２を電極保持部に取り付けるための保持穴部である。この保持穴部は、裏側電極板３２を電極保持部にしっかりと取り付ける機能と、高周波電源からの電力を板平面上でできるだけ均一に受け止める機能とを有する。したがって、かなり多くの保持穴部が設けられる。図３では、代表的に、１つの保持穴部９０にのみ符号を付して示したが、実際には、図３の裏側電極板３２において、符号を付していない穴は、すべてこの保持穴部である。これらの保持穴部は、上記のように、ガス供給貫通穴３７の径方向に沿った配置の間に配置される。例えば、図３で符号を付した保持穴部９０は、ガス供給貫通穴３７が配置される半径の、最外周側から３番目の半径と、４番目の半径との間に配置されている。
【００６３】
保持穴部９０の様子は、図５に示される。保持穴部９０は、基本的にメネジ穴である。このメネジ穴は、裏側電極板３２に直接形成するものとしてもよいが、裏側電極板３２の材質が比較的もろいカーボンであるので、カーボンより強度のある別材料で作られたネジリングを埋め込んだものを用いることが好ましい。ネジリングは、薄いチューブにらせんネジを形成したもので、外周がオネジ、内周がメネジの機能を有する。このようなネジリングは、ヘリサートネジと呼ばれることがある。保持穴部９０として用いられるヘリサートネジの材質としては、ステンレス鋼等を用いることができる。保持穴部９０を用いて裏側電極板３２を電極保持部に取り付けるには、図５に示すように、導電性のボルト９２、例えば金属製ボルトを用いることができる。これにより、裏側電極板３２が電極保持部に機械的に取り付けられると共に、電気的な導通が取られる。
【００６４】
第４の種類の穴は、裏側電極板３２、緩衝材３４、表側電極板３６について、これらの対応する穴を位置決めするための位置決め穴部である。位置決め穴部は、シャワーヘッドの外周にできるだけ近い位置に、中心点に対し対称に設けられることが望ましい。図３では、ガス供給貫通穴３７が配置される半径の、最も外側の半径と、その次に内側の半径との間に、２組の位置決め穴部９４，９５，９６，９７，９８，９９が設けられる様子が示されている。
【００６５】
図６に示されるように、１組の位置決め穴部は、裏側電極板３２に設けられる貫通位置決め穴部９４と、緩衝材３４に設けられる貫通位置決め穴部９５と、表側電極板３６に設けられる有底位置決め穴部９６とからなる。もう１組の位置決め穴部も同様に、貫通位置決め穴部９７、貫通位置決め穴部９８、有底位置決め穴部９９とからなる。これらの穴は、同じ穴径で形成され、平面配置の中心点から同じ配置関係で、裏側電極板３２、緩衝材３４、表側電極板３６にそれぞれ配置される。穴径は、例えば、直径が３．２ｍｍで、その公差幅が約１０μｍから約５０μｍのものとすることができる。２組の位置決め穴部を用いて、裏側電極板３２、緩衝材３４、表側電極板３６を位置決めするには、位置決め穴部の穴径よりやや小さめの精度のよい位置決めピンを挿入して行うことができる。
【００６６】
次に、第２の穴である取付穴部について説明する。上記のように、裏側電極板３２に緩衝材３４を介して表側電極板３６を取り付けるためには、中央部の３箇所の中央取付位置、外周部の６箇所の外周取付位置にそれぞれ設けられる取付穴部が用いられる。中央部の３箇所の中央取付穴部は、できるだけシャワーヘッドの中心点に近い箇所に、外周部の６箇所の外周取付穴部は、中央点からできるだけ遠い箇所に設けられることがよい。
【００６７】
例えば、図３の裏側電極板３２において、３箇所の中央取付穴部５０，５１，５２は、ガス供給貫通穴３７が設けられる半径で、中心点のすぐ外側の最内側の半径とその外側の２番目の半径との間に配置される。３箇所の中央取付穴部５０，５１，５２は、中央点から同じ半径上で、周方向に沿って等間隔で配置される。すなわち、角度で１２０度おきに配置される。これらの中央取付穴部５０，５１，５２は、段付の貫通穴である。同様に、緩衝材３４においても、これらに対応して、３箇所の中央取付穴部が設けられる。これらも貫通穴である。なお、図３においては、図が複雑となるため、緩衝材３４における３箇所の中央取付穴部の符号を省略した。また、同様に、表側電極板３６においても、これらに対応して、３箇所の中央取付穴部７０，７１，７２が設けられる。これらの穴は、緩衝材３４側に開口し、エッチング対象物に向かい合う面には開口しない有底穴である。
【００６８】
また、図３の裏側電極板３２において、６箇所の外周取付穴部５３，５４，５５，５６，５７，５８は、ガス供給貫通穴３７が設けられる半径で、最外周側から１番目の半径と２番目の半径との間に配置される。６箇所の外周取付穴部５３，５４，５５，５６，５７，５８は、中央点から同じ半径上で、周方向に沿って等間隔で配置される。すなわち、角度で６０度おきに配置される。これらの外周取付穴部５３，５４，５５，５６，５７，５８は、段付の貫通穴である。同様に、緩衝材３４においても、これらに対応して、６箇所の外周取付穴部６３，６４，６５，６６，６７，６８が設けられる。これらも貫通穴である。また、同様に、表側電極板３６においても、これらに対応して、６箇所の外周取付穴部７３，７４，７５，７６，７７，７８が設けられる。これらの穴は、緩衝材３４側に開口し、エッチング対象物に向かい合う面には開口しない有底穴である。
【００６９】
図４には、代表的に、中央取付穴部の１つと、外周取付穴部の２つについてその様子が図示されている。ここで代表的に示されるように、裏側電極板３２に設けられる中央取付穴部５０と、外周取付穴部５３，５６は、取付ネジ８０及びワッシャ８２，８４を収納することができる大きさの段付穴である。ここで、外周取付穴部５３，５６の段付穴には、取付ネジ８０及びワッシャ８２，８４が共に配置されるが、中央取付穴部５０には、取付ネジ８０のみが配置され、ワッシャ８２，８４は配置されない。図４では図示されていない他の中央取付穴部及び外周取付穴部についても、同様である。このようにすることで、上記のように、外周取付穴部においては、ワッシャ８２，８４の応力吸収作用によって、表側電極板３６と裏側電極板３２との間の熱膨張の差を効果的に吸収すると共に、中央取付穴部においては、導電性の取付ネジ８０の作用によって、表側電極板３６と裏側電極板３２との間の電気的導通を取ることができる。
【００７０】
また、ここで代表的に示されるように、緩衝材３４に設けられる中央取付穴部６０は、取付ネジ８０の軸径より大きめの貫通穴である。また、ここで代表的に示されるように、表側電極板３６に設けられる中央取付穴部７０と、外周取付穴部７３，７６は、取付ネジ８０のオネジ部と対応するメネジ部を有し、緩衝材３４側に開口し、エッチング対象物に向かい合う面には開口しない有底ネジ穴である。図４では図示されていない他の中央取付穴部及び外周取付穴部についても同様の内容である。なお、有底ネジ穴としては、保持穴部９０で説明したヘリサートネジを用いることもできる。
【００７１】
また、表側電極板３６の中央取付穴部７０，７１，７２及び外周取付穴部７３，７４，７５，７６，７７，７８を貫通ネジ穴として用いることもできる。この場合、取付ネジ８０が、エッチング雰囲気にさらされるので、取付ネジ８０の材質を、表側電極板３６と同じ材質とすることが好ましい。すなわち、取付部材である取付ネジ８０は、所定の比抵抗範囲を有する高純度半導体材料で構成されることが好ましい。なお、この場合には、表側電極板３６に取り付けられたときに、取付ネジ８０先端が表側電極板３６の表面と同じ面位置となるようにする。こうすることで、表側電極板３６のエッチング対象に向かい合う面を凹凸のない平坦面とすることができ、表面の凹凸によるプラズマの異常発生等を抑制することができる。
【００７２】
ガス供給貫通穴の配置を一定の対称関係とし、取付穴部の配置を工夫することで、表側電極板を裏返しに取り付けることができる。図７、図８、図９は、そのような例を示す図である。以下では、緩衝材を介することに関する説明を省略する。また、中央取付穴部の配置の工夫についても、外周取付穴部の配置の工夫と同様であるので、その説明も省略する。
【００７３】
図７は、ガス供給貫通穴が平面配置における中心軸に対し軸対称に配置される場合である。図７（ａ）は、表側電極板３６においてエッチング対象物側の面の外周取付穴部の配置状態を示し、（ｂ）は、裏側電極板３２において表側電極板３６が取り付けられる側の面の外周取付穴部の配置状態を示す図である。外周取付穴に付された符号は、図３で説明したものと同じである。ここで、図７（ａ）において、外周取付穴部７３と外周取付穴部７６とを結ぶ線は、シャワーヘッドの平面配置における中心点ＣＰを通る中心線ＣＬであるが、この中心線ＣＬについて、ガス供給貫通穴の配置が軸対称である。そのことを明らかにするために、中心線ＣＬの右半平面にＢの記号を示し、左半平面にＢの軸対称図形を示してある。
【００７４】
ここで、外周取付穴部の配置を、中心線ＣＬに対し、軸対称であるようにすると、表側電極板３６を裏返しにして裏側電極板３２に取り付けても、ガス供給貫通穴は、表側電極板３６を裏返さずに通常通りにして裏側電極板３２に取り付ける場合と同様に形成される。すなわち、対応関係にある裏側電極板３２のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板３６のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成する。図３で説明したように、６箇所の外周取付穴部は、角度で６０度おきに配置されるので、任意の中心線に対し、軸対称である。
【００７５】
この場合、外周取付穴部の取付関係は次のようになる。表側電極板３６を裏返さずに通常通りにして裏側電極板３２に取り付ける場合の取付け関係は、表側電極板３６の外周取付穴部７３が裏側電極板３２の外周取付穴部５３に対応し、表側電極板３６の外周取付穴部７４が裏側電極板３２の外周取付穴部５４に対応し、表側電極板３６の外周取付穴部７５が裏側電極板３２の外周取付穴部５５に対応し、表側電極板３６の外周取付穴部７６が裏側電極板３２の外周取付穴部５６に対応し、表側電極板の外周取付穴部７７が裏側電極板の外周取付穴部５７に対応し、表側電極板３６の外周取付穴部７８が裏側電極板３２の外周取付穴部５８に対応しているものとする。この対応関係は、図３で説明したものと同じである。この対応関係を簡単にして、（７３−５３，７４−５４，７５−５５，７６−５６，７７−５７，７８−５８）と示すことにする。この表示法を用いると、表側電極板３６を裏返して裏側電極板３２に取り付ける場合の取付け関係は、（７３−５３，７４−５８，７５−５７，７６−５６，７７−５５，７８−５４）となる。このことを示すため、図７（ａ）において、表側電極板３６を裏返しにしたときの外周取付穴部の符号を括弧付きで示してある。
【００７６】
同様のことは、ガス供給貫通穴が、平面配置における中心点ＣＰの周りに１８０度の角度で回転対称に配置される場合にも適用できる。この場合には、外周取付穴部を、中心点ＣＰの周りに１８０度の角度で回転対称に配置するものとすればよい。このようにして、表側電極板を裏返しにして裏側電極板に取り付けたとき、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成する。
【００７７】
これにより、表側電極板のエッチング対象物に向かい合う面がエッチングされてきて交換が必要になった場合でも、その表側電極板を裏返して、まだエッチングされていない裏側面をエッチング対象物に向かいあうように裏側電極板に取り付けて使用することが容易にできる。このようにして、１枚の表側電極板の寿命を２倍に延ばすことができる。
【００７８】
図８は、ガス供給貫通穴が平面配置における中心点ＣＰの周りに９０度の角度で回転対称に配置される場合である。図８（ａ）は、表側電極板３６においてエッチング対象物側の面の外周取付穴部の配置状態を示し、（ｂ）は、裏側電極板３２において表側電極板が取り付けられる側の面の外周取付穴部の配置状態を示す図である。表側電極板３６の外周取付穴に付された符号は、図３で説明したものと同じである。ここで、図８（ａ）において、中心点ＣＰについて、ガス供給貫通穴の配置が角度で９０度対称であることを明らかにするために、中心点ＣＰを通り外周取付穴部７３と外周取付穴部７６を結ぶ線と、中心点ＣＰを通りこれに直交する線とで区分される４半平面のそれぞれに、Ｇの記号を示してある。
【００７９】
ここで、表側電極板の外周取付穴部の配置と、裏側電極板の外周取付穴部の配置を、それぞれ、中心点ＣＰに対し、角度で９０度対称とすることで、表側電極板を裏返して裏側電極板に取り付け、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成するものとできる。しかし、この場合は、図３で説明したような、外周取付位置の数が６個とならない。
【００８０】
図８（ｂ）は、外周取付位置の数を６個のままとし、表側電極板３６を裏返して裏側電極板３２に取り付ける場合の裏側電極板３２の外周取付穴部１００，１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１０８，１０９，１１０，１１１の配置の様子を示す図である。ここで示されるように、中心点ＣＰに対し、角度で９０度対称とするために、裏側電極板３２における外周取付穴部の数は１２個となる。なお、表側電極板３６の外周取付穴部の数は６個のままである。
【００８１】
図９は、６個の外周取付位置における外周取付穴部の取付関係を説明する図である。ここでは、表側電極板３６として図８（ａ）に示される６個の外周取付穴部を有するものを、裏側電極板３２として図８（ａ）に示される６個の外周取付穴部を有するものを用いる場合について説明する。図９（ａ）は、表側電極板３６を裏返さずに通常通りにして裏側電極板３２に取り付ける場合の取付け関係を示し、図９（ｂ）は、表側電極板３６を裏返して中心点周りに時計回りに角度にして９０度回して裏側電極板３２に取り付ける場合の取付け関係を示す。
【００８２】
図９に示されるように、表側電極板３６を裏側電極板３２に取り付ける場合は、いずれの場合も、裏側電極板３２の１２個の外周取付穴部のうち６個を用いる。そして、使用されなかった裏側電極板３２の６個の外周取付穴部は、すべて表側電極板３６によって覆われ、開口を有する外周取付穴部が表側電極板に露出することがない。また、このように表側電極板３６を裏返して中心点周りに時計回りに回して裏側電極板３２に取り付ける場合に、対応関係にある裏側電極板３２のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板３６のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成されるのは、回す角度が９０度の整数倍であればよい。つまり、図７で説明した軸対称の場合に比べ、表側電極板３６を裏返して裏側電極板３２に取り付けるときの自由度が増えることになる。
【００８３】
このように、ガス供給貫通穴の配置を一定の対称関係とし、取付穴部の配置を工夫することで、表側電極板を裏返しに取り付けることができ、１枚の表側電極板の寿命を２倍に延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明に係る実施の形態のシャワーヘッドを用いる平行平板型半導体ドライエッチング装置の構成を示す図である。
【図２】本発明に係る実施の形態のシャワーヘッドの斜視図である。
【図３】図２の分解図である。
【図４】本発明に係る実施の形態において、ガス供給貫通穴と、取付穴部の様子を示す部分断面図である。
【図５】本発明に係る実施の形態において、保持穴部の様子を示す図である。
【図６】本発明に係る実施の形態において、位置決め穴部の様子を示す図である。
【図７】本発明に係る実施の形態において、ガス供給貫通穴が平面配置における中心軸に対し軸対称に配置される場合に、表側電極板を裏返して取り付けられる様子を説明する図である。
【図８】本発明に係る実施の形態において、ガス供給貫通穴が平面配置における中心点に対し角度で９０度対称に配置される場合に、表側電極板を裏返して中心点の回りにまわして取り付けられる様子を説明する図である。
【図９】図８の場合における６個の外周取付位置における外周取付穴部の取付関係を説明する図である。
【符号の説明】
【００８５】
８  シリコンウェファ、１０  エッチング装置、１２  真空チャンバ、１４  試料保持台、１６  電極保持部、１８  減圧装置、２０  高周波電源、２２  ガス系、３０  シャワーヘッド、３２  裏側電極板、３４  緩衝材、３６  表側電極板、３７  ガス供給貫通穴、３８  ガス導入穴、４０  貫通穴、４２  ガス吹き出し穴、５０，５１，５２，６０，７０，７１，７２  中央取付穴部、５３，５４，５５，５６，５７，５８，６３，６４，６５，６６，６７，６８，７３，７４，７５，７６，７７，７８，１００，１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１０８，１０９，１１０，１１１  外周取付穴部、８０  取付ネジ、８２，８４  ワッシャ、９０  保持穴部、９２  ボルト、９４，９５，９６，９７，９８，９９  位置決め穴部。
【図１】
2008103589.tif 000003
【図２】
2008103589.tif 000004
【図３】
2008103589.tif 000005
【図４】
2008103589.tif 000006
【図５】
2008103589.tif 000007
【図６】
2008103589.tif 000008
【図７】
2008103589.tif 000009
【図８】
2008103589.tif 000010
【図９】
2008103589.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月8日(2007.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平行平板型半導体処理装置に用いられ、処理対象物と平行に配置され、プロセス処理のためのガスをシャワー状に流して供給するシャワーヘッドであって、
処理対象物に向かい合い、複数のガス吹き出し穴を有する表側電極板と、
複数のガス導入穴を有する裏側電極板と、
表側電極板と裏側電極板との間に挿入され、複数の貫通穴を有する緩衝材と、
表側電極板の中央部の中央取付位置及び外周部の複数の外周取付位置において、緩衝材を介して裏側電極板に表側電極板を交換可能に取り付ける複数の取付部材と、
少なくとも外周部の複数の外周取付位置において、裏側電極板と取付部材との間に設けられる応力吸収部材と、
を有し、
取付部材によって緩衝材を介して裏側電極板に表側電極板を取り付けたときに、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成し、
中央取付位置は、表側電極板の平面配置における中心点の位置にのみ配置されることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項２】
平行平板型半導体処理装置に用いられ、処理対象物と平行に配置され、プロセス処理のためのガスをシャワー状に流して供給するシャワーヘッドであって、
処理対象物に向かい合い、複数のガス吹き出し穴を有する表側電極板と、
複数のガス導入穴を有する裏側電極板と、
表側電極板と裏側電極板との間に挿入され、複数の貫通穴を有する緩衝材と、
表側電極板の中央部の中央取付位置及び外周部の複数の外周取付位置において、緩衝材を介して裏側電極板に表側電極板を交換可能に取り付ける複数の取付部材と、
少なくとも外周部の複数の外周取付位置において、裏側電極板と取付部材との間に設けられる応力吸収部材と、
を有し、
取付部材によって緩衝材を介して裏側電極板に表側電極板を取り付けたときに、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成し、
中央取付位置は、表側電極板の平面配置における中心点よりも外側であってガス供給貫通穴が配置される最内周側近傍の位置に配置され、
外周取付位置は、表側電極板の平面配置における中心点と、中央取付位置とを結ぶ直線上に配置されることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
緩衝材は、表側電極板と裏側電極板との間に熱膨張により生じるずれを吸収しガス漏れを抑制する弾性材料で構成されることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
取付部材が導電性材料で構成され、応力吸収部材が絶縁材料で構成される場合に、
中央取付位置において、裏側電極板と取付部材との間には応力吸収部材が配置されずに、裏側電極板と取付部材との間が電気的に導通されて結合されることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
応力吸収部材は、弾性変形により応力を吸収する弾性材料で構成されることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
表側電極板の中央取付位置および外周取付位置にはそれぞれ取付穴部が設けられ、
各取付穴部は、底を有する穴であり、処理対象物に向かい合う面には開口を有さないことを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項７】
請求項１または請求項２に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
複数のガス供給貫通穴は、平面配置における中心点の周りに１８０度の角度で回転対称に配置され、または、平面配置における中心点を通る中心軸に対し軸対称で配置され、表側電極板を裏返して緩衝材を介して裏側電極板に取り付けたときに、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成することを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項８】
請求項１または請求項２に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
複数のガス供給貫通穴は、平面配置における中心点の周りに９０度の角度で回転対称に配置され、または、平面配置における中心点を通る中心軸に対し軸対称で配置され、表側電極板を裏返し、中心点の周りに９０度の整数倍の角度で回し、緩衝材を介して裏側電極板に取り付けたときに、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成することを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
表側電極板の中央取付位置および外周取付位置にはそれぞれ取付穴部が設けられ、
各取付穴部は、表側電極板を貫通する貫通取付穴であり、
取付部材は、高純度半導体材料で構成される取付部材であり、表側電極板に取り付けられたときに、その先端が表側電極板の表面と同じ面位置となることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項１０】
請求項１または請求項２に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
表側電極板は、所定の範囲の抵抗率を有する半導体シリコン材料で構成されることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項１１】
請求項１または請求項２に記載の半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、
裏側電極板は、半導体処理装置に対し、交換可能に取り付けられることを特徴とする半導体処理装置用シャワーヘッド。
【請求項１２】
平行平板型半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられ、処理対象物に向かい合い、複数のガス吹き出し穴を有する表側電極板であって、
平面配置における中央部の中央取付位置に設けられる中央取付穴部と、
平面配置の外周部の複数の外周取付位置にそれぞれ設けられる複数の外周取付穴部と、
を有し、
複数の貫通穴を有する緩衝材を介して、複数のガス導入穴を有する裏側電極板に、複数の取付部材を用いて交換可能に取り付けられ、
取付部材によって緩衝材を介して裏側電極板に取り付けられたときに、ガス吹き出し穴が、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴とに接続されてガス供給貫通穴を形成し、
中央取付穴部は、平面配置における中心点の位置にのみ配置されることを特徴とする半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられる表側電極板。
【請求項１３】
平行平板型半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられ、処理対象物に向かい合い、複数のガス吹き出し穴を有する表側電極板であって、
平面配置における中央部の中央取付位置に設けられる中央取付穴部と、
平面配置の外周部の複数の外周取付位置にそれぞれ設けられる複数の外周取付穴部と、
を有し、
複数の貫通穴を有する緩衝材を介して、複数のガス導入穴を有する裏側電極板に、複数の取付部材を用いて交換可能に取り付けられ、
取付部材によって緩衝材を介して裏側電極板に取り付けられたときに、ガス吹き出し穴が、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴とに接続されてガス供給貫通穴を形成し、
中央取付穴部は、平面配置における中心点からの外側であってガス供給貫通穴が配置される最内周側近傍の位置に配置され、
外周取付穴部は、平面配置における中心点と、中央取付位置とを結ぶ直線上に配置されることを特徴とする半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられる表側電極板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドは、平行平板型半導体処理装置に用いられ、処理対象物と平行に配置され、プロセス処理のためのガスをシャワー状に流して供給するシャワーヘッドであって、処理対象物に向かい合い、複数のガス吹き出し穴を有する表側電極板と、複数のガス導入穴を有する裏側電極板と、表側電極板と裏側電極板との間に挿入され、複数の貫通穴を有する緩衝材と、表側電極板の中央部の中央取付位置及び外周部の複数の外周取付位置において、緩衝材を介して裏側電極板に表側電極板を交換可能に取り付ける複数の取付部材と、少なくとも外周部の複数の外周取付位置において、裏側電極板と取付部材との間に設けられる応力吸収部材と、を有し、取付部材によって緩衝材を介して裏側電極板に表側電極板を取り付けたときに、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成し、中央取付位置は、表側電極板の平面配置における中心点の位置にのみ配置されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドは、平行平板型半導体処理装置に用いられ、処理対象物と平行に配置され、プロセス処理のためのガスをシャワー状に流して供給するシャワーヘッドであって、処理対象物に向かい合い、複数のガス吹き出し穴を有する表側電極板と、複数のガス導入穴を有する裏側電極板と、表側電極板と裏側電極板との間に挿入され、複数の貫通穴を有する緩衝材と、表側電極板の中央部の中央取付位置及び外周部の複数の外周取付位置において、緩衝材を介して裏側電極板に表側電極板を交換可能に取り付ける複数の取付部材と、少なくとも外周部の複数の外周取付位置において、裏側電極板と取付部材との間に設けられる応力吸収部材と、を有し、取付部材によって緩衝材を介して裏側電極板に表側電極板を取り付けたときに、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴と、表側電極板のガス吹き出し穴とが接続されてガス供給貫通穴を形成し、中央取付位置は、表側電極板の平面配置における中心点よりも外側であってガス供給貫通穴が配置される最内周側近傍の位置に配置され、外周取付位置は、表側電極板の平面配置における中心点と、中央取付位置とを結ぶ直線上に配置されることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、緩衝材は、表側電極板と裏側電極板との間に熱膨張により生じるずれを吸収しガス漏れを抑制する弾性材料で構成されることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、取付部材が導電性材料で構成され、応力吸収部材が絶縁材料で構成される場合に、中央取付位置において、裏側電極板と取付部材との間には応力吸収部材が配置されずに、裏側電極板と取付部材との間が電気的に導通されて結合されることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明に係る半導体処理装置用シャワーヘッドにおいて、応力吸収部材は、弾性変形により応力を吸収する弾性材料で構成されることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明に係る半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられる表側電極板は、平行平板型半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられ、処理対象物に向かい合い、複数のガス吹き出し穴を有する表側電極板であって、平面配置における中央部の中央取付位置に設けられる中央取付穴部と、平面配置の外周部の複数の外周取付位置にそれぞれ設けられる複数の外周取付穴部と、を有し、複数の貫通穴を有する緩衝材を介して、複数のガス導入穴を有する裏側電極板に、複数の取付部材を用いて交換可能に取り付けられ、取付部材によって緩衝材を介して裏側電極板に取り付けられたときに、ガス吹き出し穴が、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴とに接続されてガス供給貫通穴を形成し、中央取付穴部は、平面配置における中心点の位置にのみ配置されることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられる表側電極板は、平行平板型半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられ、処理対象物に向かい合い、複数のガス吹き出し穴を有する表側電極板であって、平面配置における中央部の中央取付位置に設けられる中央取付穴部と、平面配置の外周部の複数の外周取付位置にそれぞれ設けられる複数の外周取付穴部と、を有し、複数の貫通穴を有する緩衝材を介して、複数のガス導入穴を有する裏側電極板に、複数の取付部材を用いて交換可能に取り付けられ、取付部材によって緩衝材を介して裏側電極板に取り付けられたときに、ガス吹き出し穴が、対応関係にある裏側電極板のガス導入穴と、緩衝材の貫通穴とに接続されてガス供給貫通穴を形成し、中央取付穴部は、平面配置における中心点からの外側であってガス供給貫通穴が配置される最内周側近傍の位置に配置され、外周取付穴部は、平面配置における中心点と、中央取付位置とを結ぶ直線上に配置されることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
そして、取り付けに際し、外周部の複数の外周取付位置において、裏側電極板と取付部材との間に応力吸収部材が設けられる。これにより、表側電極板と、裏側電極板との間における熱膨張の相違を吸収することができる。すなわち、表側電極板が裏側電極板に取付部材で取り付けられて、熱膨張の相違により、表側電極板と裏側電極板との間にずれが生じ得る場合でも、応力吸収部材の作用により、裏側電極板が取付部材に対し、すなわち表側電極板に対し、動くことができ、これにより、熱膨張の相違を吸収できる。また、表側電極板と、裏側電極板との間に、熱膨張により生じるずれを吸収しガス漏れを抑制する弾性材料で構成される緩衝材を用いることで、熱膨張の相違によって生じる表側電極板と裏側電極板との間のずれによるガス漏れ等を抑制することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、中央取付位置は、表側電極板の平面配置における中心点よりも外側であってガス供給貫通穴が配置される最内周側近傍の位置に配置され、各外周取付位置は、表側電極板の平面配置における中心点と、中央取付位置とを結ぶ直線上に配置されるので、表側電極板と、裏側電極板との間における熱膨張の相違を効果的に吸収することができる。つまり、シャワーヘッドにおいて、温度上昇による熱膨張は、平面配置における中心点から径方向に伸縮するように生じるので、中心点を通る直線上に中央取付位置と外周取付位置とを離して配置することで、熱膨張における伸縮を同じ方向で受け止めることができ、他の配置にくらべ、不規則な変形やひずみ等の発生を抑制できる。また、中央取付位置を表側電極板の平面配置における中心点の位置に配置されるものとしても同様である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】