(57)【要約】【課題】基板の表面へのパーティクルの付着を防止して、結晶欠陥の発生を防ぐことができると共に、稼働率を高くすることができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】成長室１０１内のガスを排気する排気系１０５は、第一の排気ライン１１１、第二の排気ライン１２１、排気ポンプ１０８、副生成物除去フィルタ１０７、第一のバルブ１０６および第二のバルブ１２２を有している。副生成物除去フィルタ１０７は、第一の排気ライン１１１に、排気ポンプ１０８よりも上流側に位置するように設けられて、成長室１０１外に向かって流れるガスから副生成物を除去する。基板１５０の搬送を行う際には、第一のバルブ１０６を閉鎖し、かつ、第二のバルブ１２２を開放した状態で、排気ポンプ１０８を稼働させて、成長室１０１内のガスを第二の排気ライン１２１を介して排気する。【選択図】図１
2008103388.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開閉可能な蓋を有して、半導体を製造するための基板を収容する成長室と、
上記成長室にガスを供給する供給系と、
上記成長室内のガスを排気する排気系と
を備え、
上記排気系は、
上記成長室と連通する第一の排気ラインと、
上記成長室と連通し、上記第一の排気ラインとは別の第二の排気ラインと、
上記第一，第二の排気ラインを介して上記成長室内のガスを吸い込む排気ポンプと、
上記第一の排気ラインに、上記排気ポンプよりも上流側に位置するように設けられて、上記成長室外に向かって流れるガスから副生成物を除去する副生成物除去フィルタと、
上記第一の排気ラインに、上記副生成物除去フィルタよりも上流側に位置するように設けられて、上記第一の排気ラインを開閉する第一のバルブと、
上記第二の排気ラインに設けられて、上記第二の排気ラインを開閉する第二のバルブと
を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体製造装置において、
上記第二の排気ラインの上流側の端部は、上記第一の排気ラインにおける上記成長室と上記第一のバルブとの間の部分に接続されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体製造装置において、
上記蓋の開閉を検知して、上記蓋の開閉を示す信号を出力する蓋開閉センサと、
上記蓋開閉センサが出力した上記信号を受けて、上記信号に基づいて上記第一のバルブの開閉を制御するバルブ開閉制御部と
を備え、
上記バルブ開閉制御部は、上記蓋が開いている時に上記第一のバルブを閉じることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体製造装置において、
上記排気ポンプは１つであることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体製造装置において、
上記蓋の開閉を検知して、上記蓋の開閉を示す信号を出力する蓋開閉センサと、
上記蓋開閉センサが出力した信号を受けて、上記信号に基づいて上記第二のバルブの開閉を制御するバルブ開閉制御部と
を備え、
上記バルブ開閉制御部は、上記蓋が開いている時に上記第二のバルブを開けると共に、上記蓋が閉まっている時に上記第二のバルブを閉めることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体製造装置において、
上記第二の排気ラインは、上記第二のバルブの下流側に設けられて上記第二の排気ラインの排気流量を調整する流量調整バルブを有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項７】
請求項２に記載の半導体製造装置において、
上記第二の排気ラインの下流側の端部は、上記第一の排気ラインにおける副生成物除去フィルタと排気ポンプとの間の部分に接続されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体製造装置において、
上記第二の排気ラインからの排気量は５０００ｃｃｍ以上に設定されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体製造装置において、
上記第一，第二の排気ラインを上記第一，第二の排気ラインの外部から加熱する加熱部を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体製造装置において、
上記半導体の成長に有機金属気相成長法を用いることを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造の例えばウェハプロセス工程で使用される半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
気相成長による半導体製造における、ウェハプロセス工程で使用される半導体製造装置は、ウェハ上に所望の化合物半導体を結晶成長させる装置である。
【０００３】
図３に、従来の半導体製造装置の概略構成図を示す。
【０００４】
上記半導体製造装置は、開閉可能な蓋３０２を有する成長室３０１を備えて、この成長室３０１内に収容した基板（図示せず）上に気相成長法で半導体を成長させるものである。
【０００５】
上記成長室３０１は、気密を保つことができるグローブボックス３０３内に設置されている。このグローブボックス３０３にはグローブ（図示せず）が接続されている。上記成長室３０１内に基板を入れたり、成長室３０１内から基板を取り出したりする場合、上記グローブを用いて基板の搬送を行う。
【０００６】
上記成長室３０１には、材料ガスおよび不活性ガスを成長室３０１内に供給する供給系３０４と、成長室３０１内のガスを排気する排気系３０５とが接続されている。
【０００７】
上記排気系３０５は、第一のバルブ３０６と、第一のバルブ３０６の下流側に設けられた副生成物除去フィルタ３０７と、この副生成物除去フィルタ３０７の下流側に設けられた排気ポンプ３０８とを有している。
【０００８】
上記第一のバルブ３０６はバルブ開閉制御部３０９によって開閉される。より詳しくは、上記バルブ開閉制御部３０９は、蓋３０２の開閉を示す信号に基づいて第一のバルブ３０６の開閉を制御する。
【０００９】
また、図には示していないが、結晶成長における副生成物が排気系３０５に付着することを防止する目的で、半導体製造装置は排気系３０５を加温するヒータを備えている。
【００１０】
上記構成の半導体製造装置によれば、結晶成長の前準備として基板の搬送を行う際には、第一のバルブ３０６を閉めることにより、成長室３０１と排気系３０５との間においてガスが流れないようにすると共に、成長室３０１内およびグローブボックス３０３内の気圧を大気圧より若干高くする。これにより、上記成長室３０１内およびにグローブボックス３０３内の汚染を防いでいる。
【００１１】
しかしながら、上記基板の搬送時に、成長室３０１と排気系３０５との間においてガスが流れないようにするため、成長室３０１内のガスが滞留する。
【００１２】
その結果、上記排気系３０５の温まりにくい部分に付着した副生成物が、その付着した部分よりも低い位置にある、温められた部分の熱気により再蒸発して、その熱気の上昇気流と共に成長室３０１内に逆流してしまう。
【００１３】
したがって、上記基板の搬送時に再蒸発したガス成分が基板の表面に付着するので、そのガス成分がパーティクルとなることで結晶欠陥を引き起こすという問題がある。
【００１４】
また、特開平９−３３０８５９号公報（特許文献１）のように、基板の搬送時に、成長室内の排気を排気ポンプで行うものがあるが、副生成物などが排気ポンプに取り込まれてしまう。
【００１５】
したがって、上記排気ポンプのメンテナンスが頻繁に必要になるため、装置の稼働率が低下するという問題がある。
【特許文献１】特開平９−３３０８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
そこで、本発明の課題は、基板の表面へのパーティクルの付着を防止して、結晶欠陥の発生を防ぐことができると共に、稼働率を高くすることができる半導体製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するため、本発明の半導体製造装置は、
開閉可能な蓋を有して、半導体を製造するための基板を収容する成長室と、
上記成長室にガスを供給する供給系と、
上記成長室内のガスを排気する排気系と
を備え、
上記排気系は、
上記成長室と連通する第一の排気ラインと、
上記成長室と連通し、上記第一の排気ラインとは別の第二の排気ラインと、
上記第一，第二の排気ラインを介して上記成長室内のガスを吸い込む排気ポンプと、
上記第一の排気ラインに、上記排気ポンプよりも上流側に位置するように設けられて、上記成長室外に向かって流れるガスから副生成物を除去する副生成物除去フィルタと、
上記第一の排気ラインに、上記副生成物除去フィルタよりも上流側に位置するように設けられて、上記第一の排気ラインを開閉する第一のバルブと、
上記第二の排気ラインに設けられて、上記第二の排気ラインを開閉する第二のバルブと
を有することを特徴としている。
【００１８】
上記構成の半導体製造装置によれば、上記成長室に対して基板を出し入れする場合、第一のバルブを閉じて、成長室と第一の排気ラインとの間でガスが流れないようにする。これと共に、上記第二のバブルを開け、排気ポンプを稼働させて、成長室内のガスを第二の排気ラインを介して排気する。これにより、上記成長室内への副生成物の逆流を防ぐことができる。
【００１９】
したがって、上記基板の表面へのパーティクルの付着を防止して、結晶欠陥の発生を防ぐことができる。
【００２０】
また、上記副生成物除去フィルタを排気ポンプの上流側に設けているので、排気ポンプへの副生成物の付着量を低減することができる。
【００２１】
したがって、上記排気ポンプのメンテナンス回数が減少して、半導体製造装置の稼働率を高くすることができる。
【００２２】
また、上記半導体を成長させている時には、第二のバルブを閉じて、成長室と第二の排気ラインとの間でガスが流れないようすると共に、第一のバブルを開けて、成長室内のガスを第一の排気ラインを介して排気するのが好ましい。
【００２３】
すなわち、上記基板への結晶成長時には第一の排気ラインのみを使用して成長室の排気を行い、かつ、基板の搬送時には第二の排気ラインのみを使用して成長室の排気を行うのが好ましい。
【００２４】
一実施形態の半導体製造装置では、
上記第二の排気ラインの上流側の端部は、上記第一の排気ラインにおける上記成長室と上記第一のバルブとの間の部分に接続されている。
【００２５】
上記実施形態の半導体製造装置によれば、上記第二の排気ラインの上流側の端部を、第一の排気ラインにおける成長室と第一のバルブとの間の部分に接続するので、第二の排気ラインを成長室に直接接続する場合に比べて、第二の排気ラインの設置が容易になる。
【００２６】
一実施形態の半導体製造装置では、
上記蓋の開閉を検知して、上記蓋の開閉を示す信号を出力する蓋開閉センサと、
上記蓋開閉センサが出力した上記信号を受けて、上記信号に基づいて上記第一のバルブの開閉を制御するバルブ開閉制御部と
を備え、
上記バルブ開閉制御部は、上記蓋が開いている時に上記第一のバルブを閉じる。
【００２７】
上記実施形態の半導体製造装置によれば、上記蓋が開いている時には、第一のバルブはバルブ開閉制御部によって閉じられるので、作業者は蓋が開いていることを確認して、第一のバルブを手動で閉じなくてもよい。
【００２８】
したがって、上記作業者にかかる負担を軽減することができる。
【００２９】
一実施形態の半導体製造装置では、
上記排気ポンプは１つである。
【００３０】
上記実施形態の半導体製造装置によれば、上記排気ポンプは１つであるので、排気ポンプの個数を最小限に抑え、半導体製造装置の価格の上昇を防ぐことができる。
【００３１】
一実施形態の半導体製造装置では、
上記蓋の開閉を検知して、上記蓋の開閉を示す信号を出力する蓋開閉センサと、
上記蓋開閉センサが出力した信号を受けて、上記信号に基づいて上記第二のバルブの開閉を制御するバルブ開閉制御部と
を備え、
上記バルブ開閉制御部は、上記蓋が開いている時に上記第二のバルブを開けると共に、上記蓋が閉まっている時に上記第二のバルブを閉める。
【００３２】
上記実施形態の半導体製造装置によれば、上記蓋が開いている時には、第二のバルブはバルブ開閉制御部によって開けられると共に、蓋が閉まっている時には、第二のバルブはバルブ開閉制御部によって閉められるので、第二の排気ラインの使用を限定でき、メンテナンスの回数を低減することができる。
【００３３】
また、上述のように、上記バルブ開閉制御部が第二のバルブを開閉することによって、作業者は蓋の開閉を確認して第二のバルブを手動で開閉しなくてもよいので、作業者にかかる負担を軽減することができる。
【００３４】
一実施形態の半導体製造装置では、
上記第二の排気ラインは、上記第二のバルブの下流側に設けられて上記第二の排気ラインの排気流量を調整する流量調整バルブを有する。
【００３５】
上記実施形態の半導体製造装置によれば、上記第二の排気ラインは、第二のバルブの下流側に設けられて第二の排気ラインの排気流量を調整する流量調整バルブを有するので、成長室内のガスを第二の排気ラインを介して排気する場合、成長室内の圧力の制御性を高めることができる。
【００３６】
一実施形態の半導体製造装置では、
上記第二の排気ラインの下流側の端部は、上記第一の排気ラインにおける副生成物除去フィルタと排気ポンプとの間の部分に接続されている。
【００３７】
上記実施形態の半導体製造装置によれば、上記第二の排気ラインの下流側の端部を、第一の排気ラインにおける副生成物除去フィルタと排気ポンプとの間の部分に接続されているので、基板の搬送時に第一のバルブを閉じることにより、副生成物除去フィルタから成長室への副生成物の逆流を防ぐことができる。
【００３８】
一実施形態の半導体製造装置では、
上記第二の排気ラインからの排気量は５０００ｃｃｍ以上に設定されている。
【００３９】
上記実施形態の半導体製造装置によれば、上記第二の排気ラインからの排気量は５０００ｃｃｍ以上に設定しているので、成長室へ逆流してくるパーティクルを低減する効果を高めることができる。
【００４０】
一実施形態の半導体製造装置では、
上記第一，第二の排気ラインを上記第一，第二の排気ラインの外部から加熱する加熱部を備える。
【００４１】
上記実施形態の半導体製造装置によれば、上記第一，第二の排気ラインを第一，第二の排気ラインの外部から加熱部で加熱することにより、第一の排気ラインと第二の排気ラインとのうちの少なくとも一方に付着する副生成物が低減でき、メンテナンスの低減、安定稼動に貢献できる。
【００４２】
一実施形態の半導体製造装置では、
上記半導体の成長に有機金属気相成長法を用いる。
【００４３】
上記実施形態の半導体製造装置によれば、上記半導体の成長に有機金属気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ」と言う。）を用いるので、半導体の量産性を高めることができる。
【発明の効果】
【００４４】
本発明の半導体製造装置によれば、成長室に対して基板を出し入れする場合、第一のバルブを閉じて、成長室と第一の排気ラインとの間でガスが流れないようにすると共に、第二のバブルを開け、排気ポンプを稼働させて、成長室内のガスを第二の排気ラインを介して排気することによって、成長室内への副生成物の逆流を防ぐことができるので、基板の表面へのパーティクルの付着を防止して、結晶欠陥の発生を防ぐことができる。
【００４５】
また、上記副生成物除去フィルタを排気ポンプの上流側に設けていることによって、排気ポンプへの副生成物の付着量を低減することができるので、排気ポンプのメンテナンス回数が減少して、半導体製造装置の稼働率を高くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下、本発明の半導体製造装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００４７】
（第１実施形態）
図１に、本発明の第１実施形態の半導体製造装置の概略構成図を示す。
【００４８】
上記半導体製造装置は、開閉可能な蓋１０２を有して、半導体を製造するための基板１５０を収容する成長室１０１と、この成長室１０１に材料ガスや不活性ガスを供給する供給系１０４と、その成長室１０１内の材料ガスや不活性ガスを排気する排気系１０５とを備えている。
【００４９】
上記成長室１０１は、気密を保つことができるグローブボックス１０３内に設置されている。上記グローブボックス１０３の側壁には供給系１０４の配管が貫通し、グローブボックス１０３の底壁には排気系１０５の第一の排気ライン１１１が貫通している。また、上記グローブボックス１０３の側壁にはグローブ（図示せず）が接続されている。作業者が蓋１０２を開放して、成長室１０１内に基板を入れたり、成長室１０１内から基板を取り出したりする場合、上記グローブを用いて基板の搬送を行う。また、上記成長室１０１内では、半導体が有機金属気相成長法で基板１５０上に成長するようになっている。
【００５０】
上記グローブボックス１０３内は、外気からの汚染を防ぐ目的で、２〜４ｍｂａｒ程度高圧に保たれている。具体的には、上記成長室１０１内の気圧は、結晶成長中で約１００ｍｂａｒ、基板交換中で１０１５ｍｂａｒ〜１０１７ｍｂａｒ（大気圧＋（２ｍｂａｒ〜４ｍｂａｒ））に設定される。
【００５１】
上記排気系１０５は、第一の排気ライン１１１、第二の排気ライン１２１、排気ポンプ１０８、副生成物除去フィルタ１０７、第一のバルブ１０６、第二のバルブ１２２、第一の流量調整バルブ１１２および第二の流量調整バルブ１２３を有している。
【００５２】
上記第一の排気ライン１１１の上流側の端部は成長室１０２に接続されて、成長室１０１内のガスが第一の排気ライン１１１内に流入できるようになっている。一方、上記第一の排気ライン１１１の下流側の端部は排気ポンプ１０８に接続されて、排気ポンプ１０８が成長室１０１内のガスを第一の排気ライン１１１を介して吸い込めるようになっている。
【００５３】
上記第二の排気ライン１２１は、第一の排気ライン１１１上にあり成長室１０１に最も近い第一のバルブ１０６と成長室１０１との間にある配管部分から分岐している。つまり、上記第二の排気ライン１２１の上流側の端部は、第一の排気ライン１１１における成長室１０１と第一のバルブ１０６との間の部分に接続されている。一方、上記第二の排気ライン１２１は、第一の排気ライン１１１上にある副生成物除去フィルタ１０７と、副生成物除去フィルタ１０７よりも下流側にある排気ポンプ１０８との間にある配管部分で第一の排気ライン１１１と接続している。つまり、上記第二の排気ライン１２１の下流側の端部は、第一の排気ライン１１１における副生成物除去フィルタ１０７と排気ポンプ１０８との間の部分に接続されている。つまり、上記第二の排気ライン１２１の下流側の端部は、第一の排気ライン１１１の下流側の端部に接続されている。これにより、上記排気ポンプ１０８が成長室１０１内のガスを第二の排気ライン１２１を介して吸い込めるようになっている。
【００５４】
上記排気ポンプ１０８よりも下流側には除害装置（図示せず）を設けている。つまり、上記排気ポンプ１０８の排気は除害装置を通過して大気に放出される。上記排気ポンプ１０８には例えばドライポンプなどが使用される。
【００５５】
上記副生成物除去フィルタ１０７は第一の排気ライン１１１に設けられて、排気ポンプ１０８よりも上流側に位置している。そして、上記副生成物除去フィルタ１０７は、成長室１０１外を出て第一の排気ライン１１１を流れるガスから副生成物を除去する。
【００５６】
上記第一のバルブ１０６は第一の排気ライン１１１に設けられて第一の排気ライン１１１を開閉する。上記第一のバルブ１０６は、バルブ開閉制御部１０９からの制御信号１３２によって開閉する。そして、上記第一のバルブ１０６は副生成物除去フィルタ１０７よりも上流側に位置している。
【００５７】
上記第二のバルブ１２２は第二のバルブ１２２は第二の排気ライン１２１に設けられて第二の排気ライン１２１を開閉する。上記第一のバルブ１２２は、バルブ開閉制御部１０９からの制御信号１３２によって開閉する。そして、上記第二のバルブ１２２は排気ポンプ１０８の上流側に位置している。
【００５８】
なお、上記第一，第二のバルブ１０６，１２２としては、例えばエアーバルブなどがある。
【００５９】
上記第一の流量調整バルブ１１２は、第一の排気ライン１１１に設けられて第一の排気ライン１１１の排気流量を調整する。そして、上記第一の流量調整バルブ１１２は、副生成物除去フィルタ１０７の下流側、かつ、排気ポンプ１０８の上流側に位置している。
【００６０】
上記第二の流量調整バルブ１２３は、第二の排気ライン１２１に設けられて第二の排気ライン１２１の排気流量を調整する。そして、上記第二の流量調整バルブ１２３は、第二のバルブ１２２の下流側、かつ、排気ポンプ１０８の上流側に位置している。
【００６１】
なお、上記第一，第二の流量調整バルブ１１２，１２３としては、例えばニードルバルブや可変オリフィスなどがある。また、流量を調整できるバルブであれば、自動、手動を問わず、第一，第二の流量調整バルブ１１２，１２３として用いることができる。
【００６２】
また、上記半導体製造装置は、蓋１０２の開閉を検知して、蓋１０２の開閉を示す信号１３１を出力する蓋開閉センサ１１０と、この蓋開閉センサ１１０が出力した信号を受けて、信号に基づいて第一，第二のバルブ１０６，１２２の開閉を制御するバルブ開閉制御部１０９と、第一，第二の排気ライン１１１，１２１を第一，第二の排気ライン１１１，１２１の外部から加熱する加熱部１４１とを備えている。
【００６３】
上記バルブ開閉制御部１０９から第一，第二のバルブ１０６，１２２への制御信号１３２，１３３は、蓋開閉センサ１１０の信号１３１に応じて変化する。より詳しくは、上記蓋開閉センサ１１０の信号１３１が蓋１０２の開放を示す場合、制御信号１３２によって、第一のバルブ１０６が閉鎖し、かつ、第二のバルブ１２２が開放するようになっている。また、上記蓋開閉センサ１１０の信号１３１が蓋１０２の閉鎖を示す場合、制御信号１３２によって、第一のバルブ１０６が開放し、かつ、第二のバルブ１２２が閉鎖するようになっている。このように、上記第二のバルブ１２２は第一のバルブ１０６と正反対の開閉動作をする。上記開閉動作をする第二のバルブ１２２は、第一のバルブ１０６と逆特性のバルブである。
【００６４】
上記構成の半導体製造装置によれば、成長室１０１に対する基板１５０の搬送を行う際には、バルブ開閉制御部１０９が第一のバルブ１０６を閉鎖し、かつ、第二のバルブ１２２を開放する。そして、上記排気ポンプ１０８が稼働して、成長室１０１内のガスを第二の排気ライン１２１を介して排気する。これにより、上記成長室１０１内への副生成物の逆流を防ぐことができる。
【００６５】
したがって、上記基板１０５の表面へのパーティクルの付着を防止して、結晶欠陥の発生を防ぐことができる。
【００６６】
また、上記副生成物除去フィルタ１０７を排気ポンプ１０８の上流側に設けているので、排気ポンプ１０８への副生成物の付着量を低減することができる。
【００６７】
したがって、上記排気ポンプ１０８のメンテナンス回数が減少して、半導体製造装置の稼働率を高くすることができる。
【００６８】
また、上記第一の排気ライン１１１を用いた排気と第二の排気ライン１２１を用いた排気とを１つの排気ポンプ１０８で行っているので、排気ポンプ１０８の個数を最小限に抑えている。
【００６９】
上述したように、基板１５０の搬送時には第二の排気ライン１２１のみを使用して成長室１０１の排気を行っていたが、基板１５０への結晶成長時には第一の排気ライン１１１のみを使用して成長室１０１の排気を行っている。
【００７０】
（第２実施形態）
図２に、本発明の第２実施形態の半導体製造装置の概略構成図を示す。また、図２において、図１に示した第１実施形態の構成部と同一構成部は、図１における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【００７１】
本第２実施形態の半導体製造装置は、第一の排気ライン２１１を備えている点のみが上記第１実施形態と異なっている。
【００７２】
上記第一の排気ライン２１１は、メンテナンス用バルブ２６１が設けられていること以外は上記第１実施形態の第一の排気ライン１１１と同じある。このメンテナンス用バルブ２６１は、第一の排気ライン２１１において、第一の排気ライン２１１と第二の排気ライン１２１の上流側の端部との接続部と、成長室１０１との間の部分に設けられている。
【００７３】
上記構成の半導体製造装置は、メンテナンス用バルブ２６１を第一の排気ライン２１１の上流側の端部に設けているので、第一，第二の排気ライン２０５，１２１のメンテナンスの際に成長室１０１の大気汚染が防止でき、効率よくメンテナンスが可能になる。
【００７４】
上記第１，第２実施形態では、第一のバルブ１０６とは逆特性の第二のバルブ１２２を用いたが、第一のバルブ１０６とは同特性の第二のバルブを用いてもよい。この第二のバルブは、信号を逆転させる装置、例えばインバータなどと共に用いる。
【００７５】
上記第１，第２実施形態では、第二の排気ライン１２１に排気ポンプを設けていなかったが、第二の排気ライン１２１に排気ポンプを設けてよい。
【００７６】
上記第二の排気ライン１２１に排気ポンプを設ける場合、第二の排気ライン１２１の下流側の端部は第一の排気ライン１１１，２１１の下流側の端部に接続しなくてもよい。
【００７７】
上記第１，第２実施形態では、第二の排気ライン１２１の上流側の端部を第一の排気ライン１１１，２１１の上流側の端部に接続していたが、第二の排気ライン１２１の上流側の端部を成長室１０１に接続してもよい。
【００７８】
上記第二の排気ライン１２１の上流側の端部を成長室１０１に接続する場合、第二の排気ライン１２１に排気ポンプを設けて、第二の排気ライン１２１の下流側の端部は第一の排気ライン１１１，２１１の下流側の端部に接続しなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】図１は本発明の第１実施形態の半導体製造装置の概略構成図である。
【図２】図２は本発明の第２実施形態の半導体製造装置の概略構成図である。
【図３】図３は従来の半導体製造装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００８０】
１０１  成長室
１０２  蓋
１０４  供給系
１０５  排気系
１０６  第一のバルブ
１０７  副生成物除去フィルタ
１０８  排気ポンプ
１０９  バルブ開閉制御部
１１０  蓋開閉センサ
１１１，２１１  第一の排気ライン
１２１  第二の排気ライン
１２２  第二のバルブ
１２３  第二の流量調整バルブ
１５０  基板
【図１】
2008103388.tif 000003
【図２】
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【図３】
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