(57)【要約】【課題】小径ビア対応の配線基板を実現するとともに、ビアの接続信頼性の高い配線基板を得ることを目的とする。【解決手段】絶縁層１１にビアホールが形成されこれらのビアホール内に層間接続するための導電性ペースト１２が充填された第１のビア１３を有するコア基板１４と、このコア基板１４の少なくとも一方の面に形成され層間接続するための第２のビア１５が形成されたビルドアップ層１６と、を有する配線基板であって、前記ビルドアップ層１６がフィルム状の樹脂絶縁材料で構成され、かつその厚さは層間絶縁性が確保される最小の厚さ以上であることを特徴とする配線基板である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層にビアホールが形成されこれらのビアホール内に層間接続するための導電性ペーストが充填された第１のビアを有するコア基板と、このコア基板の少なくとも一方の面に形成され層間接続するための第２のビアが形成されたビルドアップ層と、を有する配線基板であって、前記ビルドアップ層がフィルム状の樹脂絶縁材料で構成され、かつその厚さは層間絶縁性が確保される最小の厚さ以上であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
導電性ペーストが充填された第１のビアの直上にビルドアップ層の第２のビアが形成された構造を含む請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
第２のビア直径は第１のビア直径以下であり、かつビルドアップ層の厚さは第２のビア直径以下であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
樹脂絶縁材料は、エポキシ樹脂からなる請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
絶縁層にビアホールが形成されこれらのビアホール内に層間接続するための導電性ペーストが充填された第１のビアを有するコア基板の少なくとも一方の面に、フィルム状の樹脂絶縁材料で構成され、かつその厚さは層間絶縁性が確保される最小の厚さ以上のビルドアップ層を有する配線基板の製造方法であって、前記ビルドアップ層には第２のビアを形成する工程を少なくとも備え、前記第２のビアを形成するための方法としてレーザ加工法を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
第２のビア直径は、第１のビア直径以下であり、かつビルドアップ層の厚さ以上で形成する請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
ビアを形成するためのレーザ加工法において、ビアホール１穴の加工に対しレーザのパルスを２パルス以上照射して加工することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パソコン、移動体通信用電話機、ビデオカメラ等の各種電子機器に広く用いられる多層配線基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、モバイル商品としてパソコン、デジタルカメラ、携帯電話などが普及し、特にその小型、薄型、軽量、高精細、多機能化等の要望が強く、それに対応するため多層プリント配線板の最外層における絶縁層の薄型化、およびビアの小径化が求められている。
【０００３】
以下に従来の多層プリント配線板およびその製造方法について説明する。図６は、従来の配線基板の製造工程を示す断面図である。まず、図６（ａ）に示すように、プリプレグに貫通穴を加工し、その貫通穴内に導電性を有するペーストを充填し、ペーストビア８を形成した絶縁基板３とし、その両側に銅箔をラミネートした銅張積層板をスクリーン印刷法や写真法などの手段を用いて内層用の導電パターン２を形成し、多層プリント配線板のコア基板となる内層材１を得る。
【０００４】
次に、図６（ｂ）に示すように、絶縁基板３上に形成された内層用の導電パターン２を有する内層材１に、絶縁樹脂を塗布した後熱硬化することによりビルドアップ層となる絶縁樹脂層４を形成し、レーザ加工による非貫通穴を施した後、金属めっきにより内外層の導電パターン２と６を電気的に接続するビアホール５を得る。この後表面の金属にスクリーン印刷法や写真法などの手段を用いて、外層用の導電パターン６を形成し、図６（ｃ）に示すようなビルドアップ多層プリント配線板７を得ている。
【０００５】
なお、この発明の出願に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、２が知られている。
【特許文献１】特開平１１−２９８１４７号公報
【特許文献２】特開２００１−９４２５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図６のような多層プリント配線板においては、絶縁樹脂層のビアをレーザ加工により内層材１のペーストビア８の直上に形成するときに、ペーストビア８がレーザ加工に伴う発熱により、ビア接続信頼性が損なわれる懸念があった。
【０００７】
特に、生産性を高めるためにビアホール１穴あたりのレーザ加工時間を短時間で行うためには、レーザ１パルスあたりのエネルギーをできるだけ大きい値になるよう設定し、少ないパルス数でのレーザ加工を行う必要があるが、このようなレーザ加工を行うとレーザが照射された瞬時に加工点においてレーザ加工に伴う高熱が発生し、ビア接続信頼性が損なわれる危険性が高まるのである。
【０００８】
本発明は、上記課題を鑑みて成されたものであり、内層材１のペーストビア８がレーザ加工時の発熱により、ビア接続信頼性が損なわれる危険性を回避するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、絶縁層にビアホールが形成されこれらのビアホール内に層間接続するための導電性ペーストが充填された第１のビアを有するコア基板と、このコア基板の少なくとも一方の面に形成され層間接続するための第２のビアが形成されたビルドアップ層と、を有する配線基板であって、前記ビルドアップ層がフィルム状の樹脂絶縁材料で構成され、かつその厚さは層間絶縁性が確保される最小の厚さ以上であることを特徴とする配線基板である。これにより、ビルドアップ層が薄くかつガラスクロス等の芯材を含まない構成で、絶縁樹脂のみをフィルム状に形成してあるので、ビルドアップ層へのレーザ加工時に要する加工エネルギーを減少させてもビア加工が可能となるため、内層のコア基板のペーストビアに及ぼすレーザの熱影響も減少し、ビア接続の高信頼性化が実現できる。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように本発明は、ビルドアップ層がレーザ加工されやすい材料で薄く形成されているため、ビア形成のために加工するレーザのエネルギーを小さくすることができ、それによって内層のコア基板のペーストビアに及ぼすレーザの熱影響を減少でき、かつビルドアップ層には小径ビアを形成することができるので、結果として高密度かつ信頼性の高いビア接続を有する配線板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態について、本発明の特に請求項１〜４の発明について、図面を参照しながら説明する。
【００１２】
図１，図２は、本発明の実施の形態１における配線基板の断面図である。図１，図２に示すように、本実施の形態の配線基板は、絶縁層１１にビアホールが形成され、これらのビアホール内に層間接続するための導電性ペースト１２が充填された第１のビア１３を有するコア基板１４と、このコア基板１４の少なくとも一方の面に形成され、層間接続するための第２のビア１５が形成されたビルドアップ層１６とを有する構成となっている。さらに、ビルドアップ層１６は例えばフィルム状のエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁材料で構成され、かつその厚さはビルドアップ層１６の層間絶縁性が確保される最小の導体間距離２０μｍ以上が確保されている。図１，図２では、コア基板１４の両面にビルドアップ層１６を形成しているが、片面のみに形成していても良い。
【００１３】
本実施の形態では、レーザ加工性の良いガラスクロス等の芯材を含まない構成で、絶縁樹脂のみをフィルム状にしたビルドアップ層１６で構成しているので、ビルドアップ層１６へのレーザ加工時に要する加工エネルギーを減少させてもビア加工が可能となる。特に、導電性ペースト１２が充填された第１のビア１３の直上に第２のビア１５を形成する場合、内層の第１のビア１３内の導電性ペースト１２に及ぼすレーザの影響も減少し、ビア接続の高信頼性化を実現することができる。
【００１４】
また、本実施の形態において、図３に示すように、第２のビア１５の直径が小さくかつビルドアップ層１６の厚さが薄い方が好ましく、第２のビア１５の直径は、第１のビア１３の直径と概同寸もしくはそれ以下の数値、具体的には２００μｍ以下、好ましくは８０μｍ以下、かつビルドアップ層１６の厚さは、第２のビア１５の直径と概同寸もしくはそれ以下の数値、具体的には２００μｍ以下、好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下が適切である。これによりビルドアップ層１６へのレーザ２０加工時に要する加工エネルギーを減少させても第２のビア１５の形成を実施することができる。さらには、図３（ｂ）に示すように、レーザ１パルスあたりのエネルギーを減少させ、１穴の加工に対して２パルス以上の複数パルスを用いてレーザ加工することにより、ビルドアップ層１６へのレーザ２０加工時に要する加工エネルギーをさらに減少させて第２のビア１５の形成を実施することができる。よって、内層の第１のビア１３内の導電性ペースト１２を、直上にかかるレーザの熱影響を受けることなく保持することができる。
【００１５】
なお、本実施の形態において、第２のビア１５の形状は、図１のようなコンフォーマルビアであっても、図２のようなフィルドビアであっても良い。
【００１６】
また、図１，図２において、コア基板１４を両面基板としているが、３層以上の多層基板で構成しても良く、コア基板１４の厚みは、特に限定されるものではない。
【００１７】
また、ビルドアップ層１６の外側にさらに別のビルドアップ層を形成して多層配線基板を形成しても良い。
【００１８】
以上のように本実施の形態によれば、ビルドアップ層を薄いフィルム状の絶縁樹脂材料を用いて形成するので、小さい加工エネルギーでビアホールを形成することができ、それによって内層のコア基板のペーストビアに及ぼすレーザの熱影響を減少でき、かつビルドアップ層には小径ビアを形成することができるので、結果として小径ビア対応の配線基板を実現するとともに、ビアの接続信頼性の高い配線基板を得ることが可能となる。
【００１９】
（実施の形態２)
以下本発明の実施の形態について、本発明の特に請求項５〜７の発明について図面を参照しながら説明する。
【００２０】
図４，図５は本発明の配線基板の製造方法を示す工程断面図である。
【００２１】
まず、絶縁層１１にビアホール１０を形成し（図４，図５（ａ））、ビアホール１０に導電性ペースト１２を充填し、第１のビア１３を形成する（図４，図５（ｂ））。次に、絶縁層１１の表面に配線パターン１７を形成して、コア基板１４を形成する（図４，図５（ｃ））。
【００２２】
その後、コア基板１４の少なくとも一方の面に、例えばフィルム状のエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁材料で構成されたビルドアップ層１６を形成する（図４，図５（ｄ））。ビルドアップ層１６の厚さは、層間絶縁性が確保される最小の導体間距離である２０μｍ以上必要であり、かつ第２のビア１５を所望の状態に形成可能な厚さである８０μｍ以下、好ましくは６０μｍ以下が必要である。本実施の形態では、コア基板１４の両面にビルドアップ層１６を形成しているが、片面のみに形成していても良い。
【００２３】
次に、ビルドアップ層１６に、炭酸ガスやＵＶなどのレーザによって層間接続をとるための第２のビア１５を形成する（図４，図５（ｅ））。本実施の形態において、レーザにて発生する熱を抑制するために、第２のビア１５一穴あたりの加工に対してレーザのパルスを２パルス以上照射させて加工する。これにより、第２のビア１５の直径を第１のビア１３と概同寸もしくはそれ以下、かつビルドアップ層１６の厚さと概同寸もしくはそれ以上の数値、具体的には２０μｍ以上８０μｍ以下のものを形成することが可能である。また、本実施の形態における加工点でのレーザエネルギーは、０．５Ｗ／パルスである。
【００２４】
その後、めっき等によりビルドアップ層１６の表面に金属層１８を形成し（図４，図５（ｆ））、配線パターン１９を形成する（図４，図５（ｇ））。
【００２５】
なお、本実施の形態では、第２のビア１５の形状を、図４のようにコンフォーマルビアで形成しても、図５のようにフィルドビアで形成しても良い。
【００２６】
以上のように本実施の形態によれば、ビルドアップ層を薄いフィルム状の絶縁樹脂材料を用いて形成するので、小さい加工エネルギーでビアホールを形成することができ、それによって内層のコア基板のペーストビアに及ぼすレーザの熱影響を減少でき、かつビルドアップ層には小径ビアを形成することができるので、結果として小径ビア対応の配線基板を実現するとともに、ビアの接続信頼性の高い配線基板の製造方法を得ることが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明にかかる多層プリント配線基板の層間接続構造は、高い層間接続信頼性を得ることができるため、微細な配線パターンや半導体実装等のより高い信頼性基準を満足する必要のある半導体パッケージや小型モジュール部品等の実装基板に関する用途に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施の形態１における配線基板を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態１における配線基板を示す断面図
【図３】本発明の実施の形態１における配線基板を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態２における配線基板の製造方法を示す工程断面図
【図５】本発明の実施の形態２における配線基板の製造方法を示す工程断面図
【図６】従来の配線基板の製造方法を示す工程断面図
【符号の説明】
【００２９】
１０  ビアホール
１１  絶縁層
１２  導電性ペースト
１３  第１のビア
１４  コア基板
１５  第２のビア
１６  ビルドアップ層
１７，１９  配線パターン
１８  金属層
２０  レーザ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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