(57)【要約】      （修正有）【課題】基板裏面と他の部材との接触によって生じる接触転写ムラ、乾燥ムラをなくすことができるレジスト液塗布処理装置を提供する。【解決手段】テーブルコーターと減圧乾燥機とベーキング装置１６とを備えるレジスト液塗布処理装置である。ベーキング装置１６は、前記加熱領域の内側底面に設けられたホットプレート４４と、上下移動に構成され、前記減圧乾燥機ユニットで支持された部分と同じ位置で前記基板を脱着可能に支持する第１支持ピン４８と、前記ホットプレートに対し進退可能に構成され、前記基板を支持するリフトピン４３とを備え、加熱領域に搬入された基板を第１支持ピンで保持して加熱し、次いで前記第１支持ピンを下降させて基板をリフトピン４３に移動させホットプレート４４に近づけた状態で加熱を行った後、ホットプレート４４上に載置して加熱を行うことによりベーキング処理を行う。【選択図】図４
2008153369.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面にレジスト液を塗布するテーブルコーターユニットと、前記レジスト液が塗布された基板の非有効領域を支持しつつ前記基板を減圧乾燥する減圧乾燥機ユニットと、前記減圧乾燥された基板を加熱するベーキングユニットと、前記テーブルコーターユニット、減圧乾燥機ユニット、ベーキングユニットの相互間で基板を搬送する１又は複数の搬送ロボットと、前記ベーキングユニットの動作を制御する制御装置を備えるレジスト液塗布処理装置であって、
前記ベーキングユニットは、加熱処理される前記基板を収納する加熱領域内に、
前記加熱領域の内側底面に設けられたホットプレートと、
上下動可能に構成され、前記減圧乾燥機ユニットで支持された部分と同じ非有効領域で前記基板を脱着可能に支持する第１支持ピンと、
前記ホットプレートに対し進退可能に構成され、前記第１支持ピンで支持されるよりも低位置で前記基板を支持する第２支持ピンとを備え、
前記制御装置は、前記加熱領域に搬入された基板を前記第１支持ピンで保持させ、前記第１支持ピンを下降させて前記基板を前記第２支持ピンに載置させた後、前記第２支持ピンを下降させて前記基板を前記ホットプレート上に載置するように、前記ベーキングユニットを制御することを特徴とする、レジスト液塗布処理装置。
【請求項２】
前記第２支持ピンは、第１支持ピンよりも多数設けられており、前記基板の有効領域を支持することを特徴とする、請求項１に記載のレジスト液塗布処理装置。
【請求項３】
前記第２支持ピンは、前記ホットプレートの表面から１〜１０ｍｍの高さまで前記基板を下降させて、一定時間保持した後に、前記ホットプレート内に収納されることを特徴とする請求項１又は２に記載のレジスト液塗布処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面にレジスト液を塗布したあと、ホットプレート加熱方式でレジスト液のベーキングまでの一連の処理工程を行うためのレジスト液塗布処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＬＣＤや半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、レジスト液塗布後の露光前にプリベークが行なわれ、露光・現像後にポストベークが行なわれる。プリベークは、被処理基板（基板、半導体ウエハ等）上に塗布されたレジスト膜中に残留する溶媒を蒸発させ、レジスト膜と基板の密着性を強化するためのもので、レジスト材料が反応しない比較的低い温度で行なわれる。ポストベークは、現像液やリンス液を蒸発させ、レジスト膜パターンの硬化や基板との密着性をより強化するためのもので、レジスト耐熱性以下の温度で行なわれる。
【０００３】
従来より、ベーキングの一方式として、基板裏面とホットプレート表面との間に１ｍｍ以下のギャップ（プロキシミティギャップ）を設けて、ホットプレート表面からの放射熱により基板を加熱するプロキシミティ方式が知られている。プロキシミティ方式は、プロキシミティギャップを形成するために、ホットプレート表面にたとえばピン状のスペーサまたは固定ピンを設けている。
【０００４】
特許文献１においては、基板の縁近傍の塗布液が有効に塗布されていない部分、すなわち、非有効領域に前記プロキシミティギャップ形成用の固定ピンを配置した例が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１４６６２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１では、基板の非有効領域にしか固定ピンが配置できないので、重力によって基板がたわみ、この状態で基板が加熱されることによって熱変形が生じるという問題がある。また、このような固定ピンを用いず、基板をホットプレート上に直接載置する方法もあるが、基板表裏の急激な温度差による熱延び量の違いが生じ基板全体が反り、ホットプレートと基板との密着不良が生じるという問題があった。また、ホットプレートと基板との密着不良は、基板裏面とホットプレート表面との間に隙間を生じさせ、基板全体を昇温、均熱させるのには時間がかかるという問題の原因となる。
【０００６】
また、テーブルコーターによってレジスト液が塗布された基板は、レジスト液の塗工時、塗工後の搬送時、減圧乾燥工程、ベーキング工程において、それぞれ基板裏面と搬送ロボットのアームやベーキング工程時のピンなどの他の部材との接触によって生じる温度差を原因とする接触転写ムラ、乾燥ムラが生じる場合がある。
【０００７】
したがって、本発明が解決しようとする技術的課題は、基板裏面と他の部材との接触によって生じる接触転写ムラ、乾燥ムラをなくすことができ基板に熱変形を生じさせずに高速で昇温、均熱することができるレジスト液塗布処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記技術的課題を解決するために、以下の構成のレジスト液塗布処理装置を提供する。
【０００９】
本発明のレジスト液塗布処理装置は、基板表面にレジスト液を塗布するテーブルコーターユニットと、前記レジスト液が塗布された基板の非有効領域を支持しつつ前記基板を減圧乾燥する減圧乾燥機ユニットと、前記減圧乾燥された基板を加熱するベーキングユニットと、前記テーブルコーターユニット、減圧乾燥機ユニット、ベーキングユニットの相互間で基板を搬送する１又は複数の搬送ロボットと、前記ベーキングユニットの動作を制御する制御装置を備えるレジスト液塗布処理装置であって、
前記ベーキングユニットは、加熱処理される前記基板を収納する加熱領域内に、
前記加熱領域の内側底面に設けられたホットプレートと、
上下動可能に構成され、前記減圧乾燥機ユニットで支持された部分と同じ非有効領域で前記基板を脱着可能に支持する第１支持ピンと、
前記ホットプレートに対し進退可能に構成され、前記第１支持ピンで支持されるよりも低位置で前記基板を支持する第２支持ピンとを備え、
前記制御装置は、前記加熱領域に搬入された基板を前記第１支持ピンで保持させ、前記第１支持ピンを下降させて前記基板を前記第２支持ピンに載置させた後、前記第２支持ピンを下降させて前記基板を前記ホットプレート上に載置するように、前記ベーキングユニットを制御することを特徴とする。
【００１０】
上記構成において、前記第２支持ピンは、第１支持ピンよりも多数設けられており、前記基板の塗布液が有効に塗布された領域すなわち、有効領域を支持することが好ましい。ここで有効に塗布された領域とは、塗布液の塗膜の縁側部分において、塗膜が所定の厚みで形成されていない部分を除いた領域である。また、前記ホットプレートの表面から１〜１０ｍｍの高さまで前記基板を下降させて、一定時間保持した後に、前記ホットプレート内に収納されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のレジスト液塗布処理装置によれば、ベーキングユニットは、第１支持ピンと第２支持ピンとを備え、減圧乾燥機ユニットによって、基板の塗布液が有効に塗布されていない非有効領域、さらに第１支持ピンは減圧乾燥機ユニットによって基板が支持されるのと同じ領域を支持するので、当該ピンによって与えられるムラは発生しにくく、当該ユニットによって生じるムラは基板の有効領域に影響を与えることがない。第２支持ピンに基板が移動されるときには、第１支持ピンによって保持されている間にレジスト液の乾燥がある程度進行しているので、第２支持ピンと接触してもムラを生じさせにくくなる。また、第２支持ピンが進退可能に構成されており、第２支持ピンを収納することで簡単な構成でホットプレートと直接接触させた状態で加熱するのでレジスト液の乾燥を高速に行うことができ、加熱中の基板に重力による変形も生じさせることがない。
【００１２】
また、第２支持ピンを多数設けることにより、隣り合う支持ピンの間隔を小さくすることができ、有効領域を保持することにより、重力による基板の反りを少なくすることができる。よって、第２支持ピンに支持されている加熱途中で、反りの影響を少なくしてベーキング処理を行うことができる。また、第２支持ピンを収納時に、前記ホットプレートから１〜１０ミリメートルの高さまで基板を一旦下降させて一定時間保持することにより、基板に急激な昇温による熱衝撃を与えずにホットプレート上に載置することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態に係るレジスト液塗布処理装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
図１に、本発明の実施形態にかかるレジスト液塗布処理装置の構成例を示す。このレジスト液塗布処理装置１は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ用の基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、減圧乾燥、ベーキング等の各処理を行うものである。
【００１５】
このレジスト液塗布処理装置１は、図７に示すように、ホストコンピュータ６１からの制御指示を受けて、下記の各ユニットを動作させるシーケンスコントローラ６２が設けられている。ホストコンピュータ６１は設定入力部６０からの設定情報に基づいて、シーケンスコントローラ６２を動作させる。
【００１６】
テーブルコーター１３へは、入側ステージ１１からの基板が搬入され、レジスト液の塗布工程が行われる。入側ステージ１１は、レジスト液塗布処理装置１のカセット搬入出ポートであり、基板を載置可能な入側ステージ１１と、このステージ１１上の基板１００（図５Ａ参照）の出し入れを行う搬送ロボット１２とを備えたユニットとして構成されている。
【００１７】
また、レジスト液塗布処理装置１のテーブルコーター１３の下流側には、減圧乾燥機１４が設けられる。減圧乾燥機１４は、テーブルコーター１３によってレジスト液が塗布された基板１００を減圧状態で乾燥させる装置である。レジスト液が塗布された基板は、搬送ロボット１２から減圧乾燥機１４に搬入される。
【００１８】
減圧乾燥機は、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、支持ピン５８によって基板の非有効領域を支持して、基板１００を基台５５から浮かした状態で支持する。基板を支持ピン５８で支持することにより、基板１００を下側から支持する搬送ロボット１２の基板支持アームと減圧乾燥機１４との基板の受け渡しを容易にすることができる。また、基板が直接支持ピン５８と接触する面積を小さくし、ムラの発生を少なくすることができる。
【００１９】
また、減圧乾燥機１４の基台５５の中央部には、支持ピン５８よりも細径のサポートピン５９が着脱自在に設けられている。サポートピン５９は、支持ピン５８による基板端部のみの支持では、基板に撓みができ、レジスト液の膜厚が約２０μｍをこえた場合に、その撓みによりレジスト液が流動するという現象を防止する。したがって、レジスト液をごく薄く塗布する場合には、サポートピン５９を設ける必要はなく、支持ピン５８のみで基板を保持してもよい。
【００２０】
減圧乾燥機１４には、搬送ロボット１５が設けられており、減圧乾燥処理を行った基板をベーキング装置１６へ搬送する。なお、減圧乾燥機１４内は、１０〜４００ｐａに減圧され、内部は、６０〜１２０℃程度に加熱される。
【００２１】
ベーキング装置１６は、減圧乾燥がなされた基板をベーキングし、レジスト液を固化させるための装置である。ベーキング装置１６は、図２に示すように、多段構成になっている。ベーキング装置１６の加熱領域１６１，１６２，１６３，１６４は高さ方向に積み重ねられ、それぞれ独立して基板をベーキング処理する。それぞれの加熱領域で独立してベーキング処理を行う。これにより、テーブルコーター１３，減圧乾燥機１４による処理のタクトタイムよりも長い処理時間が必要なベーキング処理を並行して行い、装置全体の処理速度を高めることができる。また、ベーキング装置１６は、駆動制御部１６０が設けられており、後述する構成の各加熱領域内の部材を駆動させるための構成が組み込まれている。
【００２２】
ベーキング装置１６に基板を搬入する搬送ロボット１５は、図２に示すように、次のような構成を有する。搬送ロボット１５は、鉛直方向に延在する垂直ガイドレール２０に沿って昇降移動可能な昇降搬送体２１と、この昇降搬送体２１上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体２２と、この旋回搬送体２２上で基板１００を支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アーム２３とを有している。昇降搬送体２１を矢印９３の方向に昇降駆動するための駆動部２６が垂直ガイドレール２０の基端側に設けられ、旋回搬送体２２を矢印９２の方向に旋回駆動するための駆動部２４が昇降搬送体２１に取り付けられ、搬送アーム２３を進退駆動するための駆動部２５が旋回搬送体２２に取り付けられている。各駆動部２６，２５，２４はたとえば電気モータ等で構成され、シーケンスコントローラ６２からの指示にしたがって制御される。
【００２３】
上記のように構成された搬送ロボット１５は、高速に昇降ないし旋回運動して多段に構成されたベーキング装置１６の中の任意の加熱領域に対し基板の搬送及び取り出し可能である。
【００２４】
また、ベーキング装置１６でベーキング処理が行われた基板は、搬送ロボット１５によってクールプレート１７に搬送される。クールプレート１７は、ベーキングされた基板を冷却するための装置である。また、クールプレート１７によって冷却された基板は、搬送ロボット１８により取り出され、出側ステージ１９によって装置の外部に搬出される。
【００２５】
図３に、このレジスト液塗布処理装置における処理の手順を示す。先ず、入側ステージ１１において基板の位置決めを行う（＃１）。入側ステージによる位置決めは、前工程から搬送されてきた基板と搬送ロボット１２との相対的な位置が毎回同じになるように、入側ステージに設けられたツメ（図示せず）で位置ずれを修正する動作である。
【００２６】
次に矢印８０に示すように、位置決めされた基板を搬送ロボット１２により取り出し（＃２）、矢印８１に示すように、テーブルコーター１３に搬入する（＃３）。テーブルコーター１３では、たとえば基板の短手方向に幅を有するノズルを長手方向に移動させることにより基板上面（被処理面）にレジスト液が塗布される（＃４）。
【００２７】
次に、矢印８２で示すように、レジスト液が塗布された基板を搬送ロボット１２により取り出し（＃５）、矢印８３に示すように、減圧乾燥機１４に収納する（＃６）。
【００２８】
減圧乾燥機１４では、図６に示すように、基板１００の非有効領域を支持ピン５８により支持し、減圧乾燥を行う（＃７）。上記のように、減圧乾燥機１４にサポートピン５９を取り付け、基板の撓みを少なくした状態で減圧乾燥を行うこともできる。ただし。サポートピン５９が基板の有効領域と接触することによりムラが発生する原因となるため、サポートピンは細径のものを用いることが好ましい。
【００２９】
減圧乾燥が終了した基板は、矢印８４に示すように搬送ロボット１５により取り出された後（＃８）、矢印８５で示すように、ベーキング装置１６に収納される（＃９）。ベーキング装置１６は、後述するように３段階の加熱を行う（＃１０）。ベーキング装置１６でのタクトタイムは、ベーキング装置１６よりも上流側に位置する各装置のタクトタイムよりも長いため、ベーキング装置１６の１枚の基板の収納後、矢印８６，８７に示すように、ベーキング装置１６の任意の段の加熱領域内から他の基板の取り出しが行われる（＃１１）。
【００３０】
図４にベーキング装置１６の基本構成を示す。ベーキング装置１６は、上述のように多段構成になっており、図４に示す構成のものが多段に積み重ねられるようになっている。これらの各段の構成は、上述したように駆動制御部１６０によって個別に動作可能になっている。
【００３１】
この実施形態によるベーキング装置１６は、筐体４０の中に多段に構成された４段の加熱領域１６１〜１６４を有する。個々の加熱領域（図４では、代表して２段目の加熱領域の構成について示す。）は、同様の構成を有し、図示するように、ホットプレート４４を一定の高さ位置でほぼ水平に固定配置し、ホットプレート４４は熱伝導率の高い金属たとえばアルミニウムからなり、たとえば発熱抵抗体からなるヒータ（図示せず）が内蔵されている。
【００３２】
ホットプレート４４には上下に貫通する貫通孔４９が離散的な配置パターンで複数箇所に形成されており、各貫通孔４９には基板１００の搬入出時に基板１００を昇降可能に支持するための第２支持ピンとしてリフトピン４３が上下方向に移動可能に設けられている。これらのリフトピン４３は、水平ベース部材４２を介して昇降機構４１に結合されている。昇降機構４１の昇降駆動により、リフトピン４３を退避用の最下位位置とプロキシミティ加熱用の最上位位置との間で矢印９６に示すように昇降移動させるようになっている。
【００３３】
また、加熱領域の筐体内壁には、第１支持ピン４８が設けられた第１ベース４７が設けられている。第１支持ピン４８は、減圧乾燥機１４の支持ピン５８により支持されるのと同じ位置で基板１００の非有効領域１０２を支持可能に構成されている（図５Ａ参照）。また、第１ベース４７は、第１支持ピン４８を矢印９５に示すように駆動させ、基板１００の非有効領域１０２の外側へ収納可能に構成される。
【００３４】
また、第１ベース４７は、昇降機構４６により矢印９４に示すように、上下移動可能に構成されており、第１支持ピン４８を、リフトピン４３への基板の受け渡しを行う最下位置と、搬送ロボット１５からの基板の受け渡しを行う最上位置との間を移動可能になっている。
【００３５】
図５Ａ，図５Ｂに第１支持ピン４８とリフトピン４３との位置関係を示す。第１支持ピン４８は、上記のように基板１００の非有効領域１０２において、減圧乾燥機１４の支持ピン５８によって支持されている部分の同じ非有効領域を支持する。これにより、有効領域１０１にムラを発生させることがなく、当該基板１００を液晶ディスプレイに用いた場合に、色ムラなどの原因を防止することができる。
【００３６】
一方、リフトピン４３は、第１支持ピン４８よりも内側に位置し、基板１００の有効領域１０１を支持する。後述するようにリフトピン４３は、ベーキング装置１６による第２加熱（プロキシミティ加熱）用に用いられるものであり、第１加熱を終了した状態で基板を支持し、レジスト液の揮発成分の大部分が揮発してレジスト液がある程度固化している状態であるため、有効領域１０１で支持してもムラの発生をおこすことは少ない。また、第１支持ピン４８よりも高い密度で設けられているため、基板の撓みを防止し、撓んだ状態でのレジスト液の固化を防止することができる。
【００３７】
図８Ａ〜図８Ｃ及び図９を参照してベーキング装置１６で行われるベーキング処理について説明する。図８Ａ〜図８Ｃは、ベーキング処理における各工程でのベーキング装置１６内の部材の位置を示す図である。図９は、ベーキング装置及びクールプレートでの基板の温度変化を示すグラフである。なお、図９において点線で示しているのは従来のプロキシミティ加熱を行った場合の温度変化である。
【００３８】
まず、図８Ａに示すように、第１支持ピン４８は、第１ベース４７が最上位置に存在した状態で、搬送ロボット１５から搬入された基板１００を受け取る。このときの基板１００とホットプレート４４との間隔Ａは、およそ１００ｍｍ程度であることが好ましい。基板は、加熱領域に搬入された後、図９のＳ２に示すように徐々に昇温し続ける（第１加熱）。この段階において、レジスト液の揮発成分が揮発し、レジスト液は徐々に固化し始める。
【００３９】
次いで、Ｓ３に示す所定時間経過後（図９では５５秒経過後）、第１ベース４７が下降し、リフトピン４３へ基板が受け渡され、基板１００がリフトピンに支持された状態で第２加熱を行う。このときの状態を図８Ｂに示す。リフトピン４３は、基板１００をホットプレート４４との間隔Ｂがおよそ１〜１０ｍｍ、好ましくは２〜３ｍｍとなるように支持した状態で、加熱を行う。第２加熱では、先の第１加熱と比較して、開始時に温度が上昇するが、その後の温度は緩やかになる。したがって、急激な加熱による基板のたわみの発生を少なくすることができる。また、前述のように、リフトピン４３が基板の有効領域を支持しているため、重力による熱変形も最小限に止められる。第２加熱では、レジスト液の塗膜の乾燥が進行し、加熱領域（雰囲気）とリフトピンの温度差が異なった状態であっても、異なった乾燥膜の形成が抑えられ、ムラの発生を抑制することができる。また、第２加熱においては、レジスト液の塗膜の乾燥がほぼ完了するため、基板の撓みが大きい状態での加熱は好ましくなく、リフトピン４３で有効領域を支持することにより、これを有効に防止することができる。
【００４０】
次にＳ４に示す所定時間経過後（図９では８０秒経過後）、ホットプレートに設けた吸引機構（図示なし）によって基板をホットプレート４４表面へ吸引密着を開始すると同時に、図８Ｃに示すように、リフトピン４３をホットプレート４４内へ収納し、基板とホットプレートとが接触した状態で第３加熱を開始する。このとき、第１支持ピン４８は基板１００の外側へ退避する。また、吸引密着時においては、第２加熱にて基板はホットプレート４４に近い位置でたわみや熱変形を生じない状態で保持されているため、ホットプレートへ基板全面が同時に吸引されて同時に密着されるので密着不良を生じない。
【００４１】
第３加熱では、開始直後に基板１００の温度を約９０℃程度にまで昇温させ、完全に塗膜をほぼ完全に乾燥させる。また、平板上のホットプレートに接触した状態であるので、基板１００の撓みもなく、ほとんど平滑な状態で、急速な加熱均熱によって塗膜の乾燥を完了させることができる。また、ホットプレート４４に設けられている貫通孔４９の部分の温度がホットプレートの板面に比較して低温となっているが、塗膜の乾燥が十分に進んでいるので、ムラの発生をおこさせる原因にはなりにくい。
【００４２】
その後、Ｓ６のタイミングでリフトピン４３を上昇させたあと、基板１００を支持可能な位置まで第１支持ピン４８を戻したのち上昇させて、基板１００をホットプレート４４から持ち上げる。その後、搬送ロボット１５によって矢印８８に示すように基板１００をベーキング装置１６から取り出す（＃１１）。
【００４３】
ベーキング装置１６から搬出された基板１００は、搬送ロボット１５によって、矢印８９に示すように、クールプレート１７に送られる（＃１２）。クールプレート１７では、基板１００の温度は急激に低下（図９のＳ９参照）する（＃１３）。基板１００が十分に冷却された後（Ｓ１０）、矢印９０に示すようにクールプレートから搬送ロボット１８によって基板１００が取り出され（＃１４）、矢印９１に示すように、出側ステージ１９に搬送される（＃１５）。
【００４４】
出側ステージ１９では、基板の位置決めが行われる（＃１６）。出側ステージ１８による位置決めは、一連の動作で生じた基板の位置ずれが、後工程に影響を与えないように出側ステージに設けられたツメ（図示せず）で位置ずれを修正する動作である。
【００４５】
以上説明したように、本実施形態のレジスト液塗布処理装置によれば、減圧乾燥機とベーキング装置の第１支持ピンとの基板の支持位置が同じ非有効領域であるため、減圧乾燥機及びベーキング装置における支持によるムラの影響を少なくすることができる。また、ベーキング装置においては、所定の時間経過後に、塗膜の乾燥がある程度進んだ後にリフトピン４３によって基板を撓みの発生を少ない状態で、加熱することができる。したがって、リフトピンと基板とが接触することに起因するムラの発生を少なくすることができる。さらに、リフトピンを収納させることで、容易にホットプレートと接触させた状態で基板を加熱することができる。さらに、基板がホットプレートに近い位置でたわみや熱変形を生じない状態で保持されているので、ホットプレートの基板全面が同時に吸引されるため、基板のホットプレートへの密着不良も生じることなく、基板の撓みがない状態で高速な加熱均熱による基板のベーキング処理を行うことができる。
【００４６】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明にかかるレジスト液塗布処理装置は、例えば、液晶ディスプレイのガラス基板におけるレジスト液の塗布処理に好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施形態にかかるレジスト液塗布処理装置の構成例を示す図である。
【図２】図１のレジスト液塗布処理装置のベーキング装置及び搬送ロボットの構成を示す図である。
【図３】この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示すフロー図である。
【図４】図１のレジスト液塗布処理装置のベーキング装置の構成を示す拡大図である。
【図５Ａ】図１のレジスト液塗布処理装置のベーキング装置の第１支持ピンとリフトピンの配置構成を示す図である。
【図５Ｂ】図１のレジスト液塗布処理装置のベーキング装置の第１支持ピンとリフトピンの配置構成を示す図である。
【図６Ａ】図１のレジスト液塗布処理装置の減圧乾燥機の支持ピンとサポートピンの配置構成を示す図である。
【図６Ｂ】基板を支持した状態にある図６Ａの減圧乾燥機の側面図である。
【図７】レジスト液塗布処理装置を動作制御するための制御部の構成を示すブロック図である。
【図８Ａ】ベーキング装置で行われるベーキング処理の第１加熱の状態を示す図である。
【図８Ｂ】ベーキング装置で行われるベーキング処理の第２加熱の状態を示す図である。
【図８Ｃ】ベーキング装置で行われるベーキング処理の第３加熱の状態を示す図である。
【図９】ベーキング装置及びクールプレートでの基板の温度変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４９】
１  レジスト液塗布処理装置
１１  入側ステージ
１２  搬送ロボット
１３  テーブルコーター
１４  減圧乾燥機
１５  搬送ロボット
１６  ベーキング装置
１７  クールプレート
１８  搬送ロボット
１９  出側ステージ
４０  筐体
４１  昇降機構
４２  水平ベース部材
４３  リフトピン
４４  ホットプレート
４６  昇降機構
４７  第１ベース
４８  第１支持ピン
４９  貫通孔
５８  減圧乾燥機の支持ピン
１００  基板
１０１  有効領域
１０２  非有効領域
１６１、１６２，１６３，１６４  加熱領域
【図１】
2008153369.tif 000003
【図２】
2008153369.tif 000004
【図３】
2008153369.tif 000005
【図４】
2008153369.tif 000006
【図５Ａ】
2008153369.tif 000007
【図５Ｂ】
2008153369.tif 000008
【図６Ａ】
2008153369.tif 000009
【図６Ｂ】
2008153369.tif 000010
【図７】
2008153369.tif 000011
【図８Ａ】
2008153369.tif 000012
【図８Ｂ】
2008153369.tif 000013
【図８Ｃ】
2008153369.tif 000014
【図９】
2008153369.tif 000015