(57)【要約】【課題】封止済基板１０などの半導体装置集合体を切断して半導体装置を製造する際に、その切断対象となる半導体装置集合体に対して押圧力を発生させて安定して半導体装置集合体を切断できる半導体装置の製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体１０を、保持用治具１９により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断用治具４８により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、保持用治具１９と切断用治具４８と切断対象の半導体装置集合体１０とを内包する密閉室５８と、この密閉室２８内に高圧気体を供給する気体供給手段３７と、密閉室５８内を大気圧よりも大きい圧力に制御する制御手段とを備え、密閉室５８内を高圧にして、半導体装置集合体１０を保持用治具１９に押圧する力を増加させた。【選択図】図１
2008103648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、前記保持用治具と切断用治具と切断対象の半導体装置集合体とを内包する密閉室と、この密閉室内に高圧気体を供給する気体供給手段と、密閉室内を大気圧よりも大きい圧力に制御する制御手段とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
制御装置は、半導体装置集合体の切断対象部分の面積に対応させて、切断対象部分の面積が小さいほど密閉室内の圧力を高めることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、保持用治具における半導体装置集合体を吸着させる吸着部における半導体装置集合体を受ける部分を弾性材で形成し、前記保持用治具と切断用治具と切断対象の半導体装置集合体とを内包する密閉室と、密閉室内に高圧気体を供給する気体供給手段と、切断用治具に対する切断対象となる半導体装置集合体の基板の、基板厚み方向に沿った位置を検知する基板位置検知センサと、密閉室内を大気圧よりも大きい圧力に制御する制御手段とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項４】
制御装置は、基板位置検知センサで検知した半導体装置集合体の基板の位置が略一定になるように密閉室内の圧力を調整することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】
複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断装置に設けた切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、前記切断装置に、切断用治具と一体的に移動する揺動軸心を中心に、半導体装置集合体に対して接近離間する方向に揺動自在に配設された揺動アームとこの揺動アームの先端部に回転自在に取り付けられた弾性回転体と弾性回転体を半導体装置集合体の他方の面側から押圧する付勢手段とを有する押さえ部材を設け、この押さえ部材の弾性回転体により半導体装置集合体を保持用治具に押圧しながら切断するように構成したことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項６】
半導体装置集合体の一方の面に半田ボールが所定方向に並べられた状態で形成され、隣り合う半田ボール間の隙間よりも、弾性回転体の幅が細く形成され、前記弾性回転体が半導体装置集合体の基板における半田ボールの間を通るように配設されたことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造装置。
【請求項７】
複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により保持した状態で、切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、半導体装置集合体の半導体装置に、磁性を有した金属板を内包させ、前記保持用治具に電磁石部を形成し、前記電磁石部に通電することで、前記保持用治具に半導体装置集合体を磁力により引き付けながら切断するように構成したことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項８】
複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、切断工程の際に半導体装置集合体を一方の面側から保持する保持用治具と、切断工程の際に半導体装置集合体の他方の面に垂直方向に水流を与えて半導体装置集合体を保持用治具に対して押圧する水流供給手段と、前記切断処理により生じた半導体装置集合体の隙間部を水流の供給部分が通過する際に、前記隙間部への水流の供給を停止させる制御手段とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項９】
複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、切断工程において、前記保持用治具と切断用治具と切断対象の半導体装置集合体とを密閉室内に配設し、前記密閉室内を大気圧よりも大きい圧力に制御して、前記密閉室内の圧力と前記負圧との差圧により大気圧の場合よりも大きい押圧力で半導体装置集合体を保持用治具に対して押圧しながら切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体装置集合体の切断対象部分の面積に対応させて、切断対象部分の面積が小さいほど密閉空間内の圧力を高めることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、切断工程において、前記保持用治具と切断用治具と切断対象の半導体装置集合体とを密閉室内に配設し、切断用治具に対する切断対象となる半導体装置集合体の基板の、基板厚み方向に沿った位置を検知すると同時に、前記半導体装置集合体の基板の位置が略一定になるように、前記密閉室内を大気圧よりも大きい圧力で制御して、前記密閉室内の圧力と前記負圧との差圧により大気圧の場合よりも大きい押圧力で半導体装置集合体を保持用治具に対して押圧しながら切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断装置に設けた切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記切断装置に揺動自在に配設した揺動アームに弾性回転体が回転自在に取り付けられた押さえ部材により、半導体装置集合体を他方の面側から保持用治具に押圧しながら切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により保持した状態で、切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、半導体装置集合体の半導体装置に、磁性を有した金属板を内包させ、前記保持用治具に設けた電磁石部に通電することで、半導体装置集合体の半導体装置に内包された金属板を磁力により引き付けながら半導体装置集合体を切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、切断工程において、半導体装置集合体を保持用治具により一方の面側から保持し、半導体装置集合体の他方の面に垂直方向に水流を与えて半導体装置集合体を保持用治具に対して押圧しながら切断する一方で、前記切断処理により生じた半導体装置集合体の隙間部を水流の供給部が通過する際には、前記隙間部への水流の供給を停止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体の切断工程で使用される半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板やリードフレーム等の基板に装着された複数の半導体チップ（以下、チップという。）を同一ブロック内にマトリクス状に配置して一括樹脂封止して半導体装置集合体である封止済基板を形成し、この後、前記封止済基板を複数に切断することによって、チップを含む個片からなる半導体装置（いわゆるパッケージ）を形成することが、従来から行われている。
【０００３】
この封止済基板を切断する際には、封止済基板を保持用治具に固定する必要があり、従来は、封止済基板と保持用治具とを接着テープを介して固定する方法や、保持用治具に設けた吸着口により封止済基板を真空吸着する方法が使用されている。
【０００４】
近年、生産性向上、低コスト化を実現するため、半導体装置を小型化することでの取れ数増加の要請があり、また、携帯電話や携帯音楽プレーヤー、携帯情報端末等に使用する半導体装置は軽薄短小の要請があり、このように半導体装置は小型化、薄型化の傾向が一層強まっている。
【特許文献１】特開２００３−３４０７８７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、半導体装置の小型化に伴い、半導体装置の外形を形成する製造工程、具体的には封止済基板の切断時において、個々の半導体装置の保持力の低下を招いており、従来の真空吸着による固定方法では、４ｍｍ角（□４ｍｍ）以下の大きさの半導体装置の場合では保持が困難となってきている。より詳しく説明すると、封止済基板の切断にはダイアモンドを含有した樹脂もしくは金属の通称ダイシングブレードと呼ばれる円形の刃物（切断用治具）を２００００〜４００００回転／分で回転させて切断している。このときに発生する切断負荷以上の力で、封止済基板および個片化される半導体装置が、保持用治具に固定されなければならない。
【０００６】
従来の上記切断工程における封止済基板の固定方法としては、粘着テープを使用した方法がある。粘着テープの固定力は高いため、小型の半導体装置に対応する封止済基板の切断には十分な固定力を有するが、切断時に接着テープも切断する必要があるため、一度の切断作業毎に接着テープが使い捨てとなり、コスト的に無駄な費用が発生する。また、切断工程の前に、粘着テープに貼り付ける工程、および切断後に粘着テープから各半導体装置を外すために、粘着テープに密着している半導体装置を針にて突き上げて分類する装置や工程が必要となり、生産性が低下するとともに、余分なコストが発生してコスト高となる。
【０００７】
この接着テープを使用しない方法として、保持用治具に真空吸引で半導体装置を直接吸着する方法も提案されている。この真空吸着による封止済基板の固定では、真空と大気圧との差圧を利用しているため、半導体装置が小型化するにつれて大気圧を受ける面積が低下し、その結果、半導体装置の保持力が低下していく。現在、４ｍｍ角のサイズの半導体装置を切断するときに必要な真空圧はおよそ−７０ｋＭＰａが限界である。これ以上真空度が低下した状態で封止済基板を切断すると、真空吸着による保持力が不足して、切断位置のずれによる、半導体装置の外形寸法精度の低下を生じてしまう。そして、最悪の場合には、切断負荷により半導体装置が飛ばされることがあり、この場合、切断装置のブレードの破損を生じることがある。またパッケージの薄型化に伴い、基板そのものの反りも増えているため、その反った基板を保持する押圧力も不足してきている。
【０００８】
また、図１５に示すように、特許文献１において、真空ポンプ１０５に接続した吸着部１０４により封止済基板１００を吸着しながら、昇降自在の押さえ部材１０１にて封止済基板１００を押さえて保持する方法も提案されている。しかし、本方法は、移動可能な押さえ部材１０１を、切断ブレード１０２を避けるように配置しながら封止済基板１００を押さえ込む方法であるため、封止済基板１００を切断する部位に封止済基板１００を押さえ込む部位が干渉する毎に一度押圧を解除し、押さえる部位を移動して再度押し直す必要があり、その動作のための時間のロスが発生して、生産能率の低下を招いていた。
【０００９】
また、切断部位を、押さえ部材１０１の平面状に形成されている部分（押さえ板部１０１ａと称す）で押さえるため、特に半田ボール等を封止済基板１００に実装した場合、半田ボールの高さばらつきの影響があり（半田ボールの基板１００ａからの高さは通常±０．０３ｍｍ程度のばらつきがある）、平面状の押さえ板部１０１ａでは封止済基板１００全体を均一に押圧力を与えることはできない。このことで、半田ボールが搭載された封止済基板１００においてはその効果が発揮できない場合が多発する。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、封止済基板などの半導体装置集合体を切断して半導体装置を製造するに際し、その切断対象となる半導体装置集合体に対して良好に押圧力を与えて安定した状態で半導体装置集合体を切断できる半導体装置の製造装置および製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の技術的課題を解決するために、本発明の請求項１記載の発明は、複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、前記保持用治具と切断用治具と切断対象の半導体装置集合体とを内包する密閉室と、この密閉室内に高圧気体を供給する気体供給手段と、密閉室内を大気圧よりも大きい圧力に制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。また、この場合に、制御装置により、半導体装置集合体の切断対象部分の面積に対応させて、切断対象部分の面積が小さいほど密閉室内の圧力を高めるものである。
【００１２】
また、本発明の請求項９記載の発明は、複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、切断工程において、前記保持用治具と切断用治具と切断対象の半導体装置集合体とを密閉室内に配設し、前記密閉室内を大気圧よりも大きい圧力に制御して、前記密閉室内の圧力と前記負圧との差圧により大気圧の場合よりも大きい押圧力で半導体装置集合体を保持用治具に対して押圧しながら切断することを特徴とする。また、この場合に、半導体装置集合体の切断対象部分の面積に対応させて、切断対象部分の面積が小さいほど密閉空間内の圧力を高めると好適である。
【００１３】
上記請求項１記載の半導体装置の製造装置、並びに請求項９記載の半導体装置の製造方法によれば、大気圧中において、保持用治具における半導体装置集合体を吸着させる箇所に負圧を作用させて、半導体装置集合体を保持用治具に吸着させた場合よりも、大きい押圧力で半導体装置集合体を保持用治具に対して押圧しながら切断することができ、安定した状態で半導体装置置集合体を切断できる。また、切断対象部分の面積が小さいほど密閉空間内の圧力を高めることで、切断対象部分が小さい面積の半導体装置集合体に対しても大きな力で良好に押圧できて、安定して切断することができる。
【００１４】
また、本発明の請求項３記載の発明は、複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、保持用治具における半導体装置集合体を吸着させる吸着部における半導体装置集合体を受ける部分を弾性材で形成し、前記保持用治具と切断用治具と切断対象の半導体装置集合体とを内包する密閉室と、密閉室内に高圧気体を供給する気体供給手段と、切断用治具に対する切断対象となる半導体装置集合体の基板の、基板厚み方向に沿った位置を検知する基板位置検知センサと、密閉室内を大気圧よりも大きい圧力に制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。また、この場合に、制御装置により、基板位置検知センサで検知した半導体装置集合体の基板の位置が略一定になるように密閉室内の圧力を調整することが好ましい。
【００１５】
また、本発明の請求項１１記載の発明は、複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、切断工程において、前記保持用治具と切断用治具と切断対象の半導体装置集合体とを密閉室内に配設し、切断用治具に対する切断対象となる半導体装置集合体の基板の、基板厚み方向に沿った位置を検知すると同時に、前記半導体装置集合体の基板の位置が略一定になるように、前記密閉室内を大気圧よりも大きい圧力で制御して、前記密閉室内の圧力と前記負圧との差圧により大気圧の場合よりも大きい押圧力で半導体装置集合体を保持用治具に対して押圧しながら切断することを特徴とする。
【００１６】
上記請求項３記載の半導体装置の製造装置、並びに請求項１１記載の半導体装置の製造方法によれば、大気圧中において、保持用治具における半導体装置集合体を吸着させる箇所に負圧を作用させて、半導体装置集合体を保持用治具に吸着させた場合よりも、大きい押圧力で半導体装置集合体を保持用治具に対して押圧しながら切断することができ、安定した状態で半導体装置置集合体を切断できる。また、特に、切断用治具に対する切断対象となる半導体装置集合体の基板の、基板厚み方向に沿った位置を検知し、前記半導体装置集合体の基板の位置が略一定になるように、前記密閉室内を大気圧よりも大きい圧力で制御することで、切断対象部分を良好に吸着しながら、かつ、切断用治具での切断位置も一定に維持でき、極めて良好に切断することができる。また、半導体装置集合体やその基板の反りの影響を最小限に抑えることができ、切断精度を向上させることができる。
【００１７】
また、本発明の請求項５記載の発明は、複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断装置に設けた切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、前記切断装置に、切断用治具と一体的に移動する揺動軸心を中心に、半導体装置集合体に対して接近離間する方向に揺動自在に配設された揺動アームとこの揺動アームの先端部に回転自在に取り付けられた弾性回転体と弾性回転体を半導体装置集合体の他方の面側から押圧する付勢手段とを有する押さえ部材を設け、この押さえ部材の弾性回転体により半導体装置集合体を保持用治具に押圧しながら切断するように構成したことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の請求項１２記載の発明は、複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により一方の面側から負圧により吸着して保持した状態で、切断装置に設けた切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記切断装置に揺動自在に配設した揺動アームに弾性回転体が回転自在に取り付けられた押さえ部材により、半導体装置集合体を他方の面側から保持用治具に押圧しながら切断することを特徴とする。
【００１９】
上記請求項５記載の半導体装置の製造装置、並びに請求項１２記載の半導体装置の製造方法によれば、切断工程において、半導体装置集合体を保持用治具により一方の面側から負圧により吸着すると同時に、押さえ部材によって他方の面側から押圧力を与えながら半導体装置集合体を安定した状態で切断することができる。
【００２０】
また、本発明の請求項６記載の発明は、前記請求項５記載の半導体装置の製造装置において、半導体装置集合体の一方の面に半田ボールが所定方向に並べられた状態で形成され、隣り合う半田ボール間の隙間よりも、弾性回転体の幅が細く形成され、前記弾性回転体が半導体装置集合体の基板における半田ボールの間を通るように配設されたことを特徴とする。
【００２１】
この構成により、押さえ部材が半田ボールの凹凸の影響を受けることがなく基板の平面上を転がるため、上下振動のない安定した圧力変化の少ない押圧を与えることができる。
また、本発明の請求項７記載の発明は、複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により保持した状態で、切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、半導体装置集合体の半導体装置に、磁性を有した金属板を内包させ、前記保持用治具に電磁石部を形成し、前記電磁石部に通電することで、前記保持用治具に半導体装置集合体を磁力により引き付けながら切断するように構成したことを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の請求項１３記載の発明は、複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を、保持用治具により保持した状態で、切断用治具により切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、半導体装置集合体の半導体装置に、磁性を有した金属板を内包させ、前記保持用治具に設けた電磁石部に通電することで、半導体装置集合体の半導体装置に内包された金属板を磁力により引き付けながら半導体装置集合体を切断することを特徴とする。
【００２３】
上記請求項７記載の半導体装置の製造装置、並びに請求項１３記載の半導体装置の製造方法によれば、切断工程において、半導体装置集合体を保持用治具により負圧により吸着すると同時に、前記電磁石部に通電することで前記保持用治具に半導体装置集合体を磁力により引き付けることができ、これにより、半導体装置集合体を安定した状態で切断することができる。
【００２４】
また、本発明の請求項８記載の発明は、複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造装置であって、切断工程の際に半導体装置集合体を一方の面側から保持する保持用治具と、切断工程の際に半導体装置集合体の他方の面に垂直方向に水流を与えて半導体装置集合体を保持用治具に対して押圧する水流供給手段と、前記切断処理により生じた半導体装置集合体の隙間部を水流の供給部分が通過する際に、前記隙間部への水流の供給を停止させる制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００２５】
また、本発明の請求項１４記載の発明は、複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体を切断して個々の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、切断工程において、半導体装置集合体を保持用治具により一方の面側から保持し、半導体装置集合体の他方の面に垂直方向に水流を与えて半導体装置集合体を保持用治具に対して押圧しながら切断する一方で、前記切断処理により生じた半導体装置集合体の隙間部を水流の供給部が通過する際には、前記隙間部への水流の供給を停止することを特徴とする。
【００２６】
上記請求項８記載の半導体装置の製造装置、並びに請求項１４記載の半導体装置の製造方法によれば、切断工程において、半導体装置集合体を保持用治具により一方の面側から負圧により吸着すると同時に、水流により他方の面側から半導体装置集合体を押し付けることができ、これにより、半導体装置集合体を安定した状態で切断することができる。また、この場合に、切断処理により生じた半導体装置集合体の隙間部を水流の供給部が通過する際には、前記隙間部への水流の供給を停止するので、切断処理により生じた半導体装置集合体の隙間部に不要な水流が入り込んでこの隙間部分を押し広げたりする影響がなくなり、基板の切断精度をより向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００２７】
上記のように、本発明によれば、保持されている半導体装置集合体に対して押圧力を増加することができる。特に従来の真空空着では困難であった４ｍｍ角（□４ｍｍ）以下の小サイズで半田ボールを搭載した半導体装置集合体の切断時の、半導体装置集合体の固定力を増加させることができ、つまり切断時に発生する切断負荷に耐え、安定した封止済基板などの半導体装置集合体の切断を実現し、半導体装置の外見寸法精度の低下を低減することができる半導体装置の製造装置及び製造方法を提供するという、優れた実用的な効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態を、図１〜図１４に基づいて説明する。ここでは、複数の半導体装置が一括して製造された半導体装置集合体としての封止済基板を切断する際の、半導体装置集合体の固定手法に関する半導体装置の製造装置および製造方法について説明する。
【００２９】
図１は本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造装置および製造方法を簡略的に示す正面図、図２（ａ）および（ｂ）は同半導体装置の製造装置および製造方法を示す要部側面図および要部正面図、図３（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態に係る切断処理対象となる半導体装置集合体としての封止済基板の平面図、正面断面図、裏面から見た図、図４は封止済基板を切断して形成した半導体装置の断面図、図５は同半導体装置の製造方法における切断工程を概略的に示す斜視図、図６は、同半導体装置の製造方法における封止済基板、ステージおよび基板保持板を概略的に示す斜視図、図７（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ同半導体装置の製造方法における半導体装置集合体としての封止済基板を切断していく経過をそれぞれ示す平面図である。
【００３０】
まず、図３、図４を参照しながら、本発明の実施の形態に係る切断処理対象となる半導体装置集合体について説明する。
図３、図４に示すように、切断処理対象となる半導体装置集合体としての封止済基板１０は、複数の半導体チップ１１が接着剤１２にて装着され、金線１３等の導電性材料にて、半導体チップ１１の電気配線端子１５ａと基板１４の電気配線端子１５ｂとが接続されており、また基板１４は半導体チップ１１を搭載している一方の面を封止樹脂からなる封止部４９により封止された構成とされている。基板１４の封止部４９が形成されている面と反対側の他方の面には２次実装用の半田ボール１６が設けられている（半田ボール１６が設けられていないものもあるが、本発明においては何れにも対応可能である）。基板１４には、後述する切断装置２５による切断位置を示すダイシングライン１７が設けられている。各ダイシングライン１７によって囲まれた部分は、切断後における各半導体装置１８の個片化される領域である。図４は、半導体装置集合体１０が切断されて半導体装置１８として個片化された状態を示す。なお、図３、図４における４６はレジストである。
【００３１】
図５、図６における１９は、半導体装置１８を吸着して保持する保持用治具としての基板保持板であって、回動装置（図示せず）によりａ方向に回動自在に設けられた四辺形のステージ２９に固定されている。また、基板保持板１９には、各半導体装置１８を吸着して保持する吸着部２０が、各半導体装置１８に対応して設けられている。吸着部２０は、負圧（吸着力）が作用する凹状の吸着口２０ａと、この吸着力により吸着された各半導体装置１８を保持する凸状部２０ｂとを有する。凸状部２０ｂは、吸引による吸着性を向上させるため、ゴム等の弾性体を使用している。なお、吸着性が十分得られる場合は弾性体以外のものでもよく、金属、もしくはプラスチック等の硬度の高い材料を使用しても構わない。
【００３２】
図２に示すように、この基板保持板１９の吸着部２０における凹状の吸着口２０ａの空間には、吸引用経路２２を経由して真空ポンプ２３がつなげられている。吸着部２０同士の間には、溝状の間隙部２４が設けられ、基板１４の切断時に基板保持板１９と切断装置２５の切断用治具としてのブレード４８とが接触しないようになっている。前記吸着部２０間の間隙部２４の幅はブレード幅より大きく、通常は０．１ｍｍ以上大きい寸法としている。
【００３３】
図５、図２に示すように、封止済みの基板１４を切断する切断装置２５は、ｂ方向に回転自在の基板切断用のブレード４８と、このブレード４８を回転軸２６に固定するブレード固定板５１と、回転軸２６を介してこれらのブレード４８とブレード固定板５１とを回転するモータ等からなる回転駆動部３０（図２（ａ）参照）とを備えている。切断装置２５は、回転駆動部３０を駆動させて、ブレード４８を２００００ｒｐｍ〜４００００ｒｐｍの回転速度で回転させる。また、切断装置２５は、図示しないＹ軸駆動機構およびＺ軸駆動機構によって、基板保持板１９に吸着された封止済基板１０に対して、図５において矢印で示す、Ｙ軸方向並びにＺ軸方向に移動自在に配置されている。また、ステージ２９は、図示しないＸ軸駆動装置により、Ｘ軸方向に移動自在に配置されている。
【００３４】
ここで、半導体装置集合体としての封止済基板１０の切断動作を説明する。まず、ステージ２９に設置した基板保持板１９の吸着部２０上に封止済基板１０を載置し、吸着部２０、吸引用経路２２を通じて接続されている真空ポンプ２３にて封止済基板１０を基板保持板１９の吸着部２０に真空吸引して負圧により吸着させる。
【００３５】
次に、基板１４に設けられたダイシングライン１７に沿って、高速回転したブレード４８を封止済基板１０に接触させて切断する。切断する順番に特に制約はないが、ここでは、まず先に、封止済基板１０の長辺に対して分割する（封止済基板１０の短辺方向に沿ったダイシングライン１７（短辺のダイシングライン１７と称す）に沿って分割する例を挙げて説明する。
【００３６】
まず、基板保持板１９に設置された封止済基板１０は短辺のダイシングライン１７の上方で、かつ切断開始箇所の直前にブレード４８がくるようにステージ２９のＸ軸駆動機構および切断装置２５のＹ軸駆動機構を使用して各軸に沿って移動させる。次に、切断装置２５のＺ軸駆動機構を駆動し、ブレード４８を切断高さに下げる。次に、ステージ２９をブレード４８に向かって移動させ、封止済基板１０をブレード４８に接触させて封止済基板１０の切断行う。封止済基板１０の最初のダイシングライン１７の切断が完了すると、切断装置２５をＺ軸駆動機構により封止済基板１０の上方に退避させる。次に、２本目の切断するダイシングライン１７の上方に、ステージ２９と切断装置２５とを駆動させて移動させる。初回の切断と同様の動作をさせて、２本目の切断を実施する。以降の短辺のダイシングライン１７のすべてを切断するまで上記の動作を順次繰り返す。次に、ステージ２９の回動機構によりステージ２９を９０°回動させる。次に、短辺のダイシングライン１７の切断と同様に、長辺の最初のダイシングライン１７の上方にブレード４８がくるように切断装置２５をステージ２９のＸ軸駆動機構および切断装置２５のＹ軸駆動機構を使用して移動する。次に、切断装置２５のＺ軸駆動機構を駆動し、ブレード４８を切断高さに下げる。次に、ステージ２９をブレード４８に向かって移動させ、封止済基板１０をブレード４８に接触させて封止済基板１０の切断を行う。以降の切断はこのような動作を繰り返す。長辺のダイシングライン１７の最終切断が終わると、封止済基板１０は規定サイズに個片化されたことになり、つまり半導体装置１８の形成が完了する。以上が本発明の基本的な封止済基板１０を切断するときの動作である。
【００３７】
図７（ａ）〜（ｃ）は封止済基板１０を切断した場合の封止済基板１０の状態を時系列で表したもので、図７（ａ）は短辺の２ライン目のダイシングライン１７を切断した状態、図７（ｂ）は短辺のダイシングライン１７の５ライン目を切断した状態、図７（ｃ）は長辺の最終のダイシングライン１７の切断状態を示した図である。この図からもわかるように、切断時における切断対象の封止済基板１０の面積の差異は図７（ａ）と図７（ｃ）の最大基板面積と最小基板面積との差から１２：１にも及ぶことがわかる。なお、図７（ａ）〜（ｃ）における５５は、ブレード４８で切断した切断部を示す。
【００３８】
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を、図１、図２などを参照して説明する。
図２に示すように、この実施の形態では、封止済基板１０はその封止部４９を、基板保持板１９に設けた吸着部２０上に載置している。本図では半田ボール１６を有する封止済基板１０を搭載した例で説明しているため、封止部４９に載置した場合を示しているが、半田ボール１６がない場合は、特に載置面を封止部４９にする必要はなく、封止部４９と反対側の基板面を基板保持板１９に載置しても良い。
【００３９】
封止済基板１０は、吸着部２０に設けた吸着口２０ａ、および吸引用経路２２を通じて接続されている真空ポンプ２３の吸引力を利用して固定される。この状態で、ブレード４８を２００００ｒｐｍ〜４００００ｒｐｍの回転速度で回転（回転方向は基板１４の切断部５５を上方から下方へ押し下げるような方向の回転、通称ダウンカットと呼ばれている）させ、かつブレード４８の切断高さ（Ｚ軸方向に対する位置）を一定に保ち、ステージ２９をブレード４８が存在する方向へ進行させることで、封止済基板１０の切断を行う。この切断時に、ブレード４８から切断している半導体装置１８にはＺ軸方向の押し込み力とブレード回転方向への引き込み力とが発生し、特にブレード４８の回転方向への引き込む力（半導体装置１８を横方向へ引く力）に対向して半導体装置１８を動かさずに固定しておく。しかしながら、このように、真空による吸引を利用した引き込みだけでは基板１４の押圧力が不足する。
【００４０】
そこで、本発明の実施の形態１では、図１に示すように、内部が密閉空間とされる密閉室５３が設けられ、この密閉室５３内にステージ２９や切断装置など２５が配設されている。ステージ２９には吸着部２０を有する基板保持板１９が設けられている。密閉室５３には高圧エアーポンプ３７より高圧エアーをレギュレータ３８を介して高圧経路５４より流入させており、これにより、密閉室５３内の気圧を制御できるよう構成している。
【００４１】
従来は、単に真空ポンプのみを利用することで大気圧との差を利用して基板の押圧を得ていたが、一定の差圧以上を基板に対して与えることができなかった。そこで、本実施の形態１では、図１に示すように、切断装置２５およびステージ２９を密閉室５３内に入れ、その密閉室５３内に大気圧以上の高圧力を加えることで、封止済基板１０に対して従来以上の任意の押圧を発生させることができるよう構成した。
【００４２】
この圧力により反りの大きな封止済基板１０に高圧を与えて強制的に平坦にすることも可能である。このように、基板保持板１９と切断装置２５と切断対象の封止済基板１０とを内包する密閉室５３内に高圧気体を供給して、密閉室５３内を大気圧よりも大きい圧力に制御することにより、大気圧中において、基板保持板１９における封止済基板１０を吸着させる吸着部２０に負圧を作用させて吸着させた場合よりも大きい押圧力で封止済基板１０を基板保持板１９に対して押圧しながら切断することができる。
【００４３】
ただし、図７に示すように、封止済基板１０の切断はブレード４８により１ラインずつ切断されるため、図７（ａ）に示す初期切断時の切断対象の封止済基板１０の面積と、図７（ｃ）に示す最終切断対象の封止済基板１０の面積とには大きな差があり、本実施の形態では約１：１２の比で発生している。従って同一圧力の高圧エアーの条件で切断した場合、封止済基板１０の切断対象ブロックが大きいときと、切断時に必要な保持力は最小時に比べて１２倍の差発生していることになる。この差は、切断する封止済基板１０のサイズが小さくなるほど大きくなる。各部材が完全剛体であれば問題ないが、吸着部２０の凸状部２０ｂは弾性材料を使用し、封止済基板１０も反りを持っており、また昨今の薄化傾向でのため、基板１４の反りも増加傾向にある。したがって、切断対象の基板１４が大きな面積のときに高圧を与えると、封止済基板１０の剛性と、吸着部２０の凸状部２０ｂとの弾性変形により、封止済基板１０に不規則な反りが発生しやすくなる。この反りは切断精度に対して影響を与え、かつブレード４８に対する切断部５５の高さが変化することで加工負荷が変動する可能性がある。
【００４４】
そこで本発明の実施の形態では、封止済基板１０の切断対象面積が小さくなるに比例して密閉室５３内の圧力を上げるよう構成している。
つまり、各駆動軸の駆動制御を行う制御装置（図示なし）に連動して、レギュレータ制御装置６０にてレギュレータ３８の圧力制御を行う。具体的には、切断開始から最終までの切断対象となる基板の面積の変化に対応して、レギュレータ制御装置６０によりレギュレータ３８を制御して密閉室５３内の圧力を調整することで、封止済基板１０の切断に必要な押圧状態を一定に保つことができ、安定した状態で切断を実施することができる。
【００４５】
その際の、切断対象となる封止済基板１０の面積（切断対象面積と称す）と、密閉室５３内の圧力との関係を図８に示す。この図に示すように、切断対象面積が小さくなるに従い、レギュレータ制御装置６０により密閉室５３内の圧力をあげることで、切断対象の基板部分の押圧力が一定（すなわち、切断対象基板に発生する押圧力は、切断対象基板の面積と、密閉室５３内の圧力との積に等しい）になる。また、切断開始から切断工程の最後までの密閉室５３内の高圧エアーの変化量と変化タイミングとを決める方法としては、図８に示すような、封止済基板１０の切断面積の変化に対応した圧力制御だけでなく、切断対象の封止済基板１０の切断回数、または切断距離、または切断実行時間等の切断加工情報に基づいて、レギュレータ制御装置６０により演算にて求めても良く、または切断開始から時系列で高圧エアーの変化パターンをレギュレータ制御装置６０に登録し、そのパターン通りに制御してもよい。なお、切断時のステージ２９および切断装置２５の動作は上述した動作を行って、半導体装置１８を形成する。
【００４６】
これにより、反りの大きな封止済基板１０に高圧を与えて強制的に平坦にすることも可能となり、封止済基板１０の切断対象部分を平坦化しながら、極めて良好に切断することができる。
【００４７】
次に図９を参照しながら、本発明の実施の形態２について説明する。
図９に示すように、この実施の形態２でも、密閉室５３が設けられ、この密閉室５３内にステージ２９および切断装置２５が配設されている。密閉室５３には高圧水流ポンプ３１より高圧エアーをレギュレータ３８を介して高圧経路５４より流入させており、これにより、密閉室５３内の気圧を制御できるよう構成している。また、ダイシングブレード４８の先端には基板１４の高さ（詳しくは封止済基板１０の基板１４の基板厚み方向（ダイシングブレード４８の半径方向）に沿った位置であるが、この実施の形態では基板１４の高さと称す）を測定する基板位置検知センサとしての基板高さ検出センサ３９を設置している。この基板高さ検出センサ３９は非接触のレーザーセンサ、超音波センサ、接触式のタッチセンサなどのブレード４８を基準としたときの基板１４の高さの検出ができるものであれば良い。
【００４８】
従来技術では真空ポンプ２３を利用することで大気圧との差を利用して封止済基板１０の押圧力を得ていたが、この手法では、先の課題でも述べているように、一定の差圧以上の押圧力を得ることができない。そこで、本実施の形態でも、上記実施の形態１と同様に、切断装置２５、ステージ２９を密閉室５３内に入れ、その密閉室５３に大気圧以上の高圧力を加えることで、封止済基板１０に対して従来以上の任意の押圧力を発生させることができる。
【００４９】
また、図７に示すように、封止済基板１０の切断はブレード４８により１ラインずつ切断されるため、図７（ａ）に示すような初期切断時の切断対象の封止済基板１０の面積と、図７（ｃ）に示すような最終切断対象の封止済基板１０の面積とには大きな差がある。本実施の形態では約１：１２の比で発生している。従って同一圧力の高圧エアーの条件で切断した場合、切断時に必要な保持力は、切断対象面積が大きいときと最小時とは、１２倍の差で発生していることになる。この差は、切断する封止済基板１０のサイズが小さくなるほど大きくなる。各部材が完全剛体であれば問題ないが、固定する吸着部２０の凸状部２０ｂに弾性材料を使用し、封止済基板１０の基板１４も反りや昨今の薄化傾向であるため、高圧を与えると、封止済基板１０の剛性、吸着部２０の凸状部２０ｂの弾性変形により、封止済基板１０に不規則な反りが発生しやすくなる。この反りは切断精度に対して影響を与え、かつブレード４８に対する切断部分の高さが変化することで加工負荷が変動する可能性がある。
【００５０】
そこで本実施の形態では、切断部５５の位置（基板高さ）をダイシングブレード４８の回転中心（回転軸２６）からの距離を基準として測定し、その高さが一定の高さになるようにレギュレータ３８にて圧力変更をする。図９を参照しながら説明すると、同図に示すように、切断用のブレード４８が封止済基板１０の基板１４に接触する位置より前方の基板高さを基板高さ検出センサ３９にて測定する。このとき、基板高さ検出センサ３９により基板高さを測定する位置は、切断する部位より前であればよい。またこのときの距離測定方法に制約はなく、非接触方式の例えばレーザ式測定、近接センサ、または接触式の変移センサなどでも良い。
【００５１】
次に、この実施の形態の動作フローを説明する。
まず、ステージ２９上の基板保持板１９に封止済基板１０を載置し、基板保持板１９の吸着部２０を、吸引用経路２２を通じて接続されている真空ポンプ２３にて真空吸引する。このとき、吸着部２０の凸状部２０ｂは、弾性体により構成されているため真空吸着時に、密閉室５３内の気圧と真空側の気圧との差異にて差圧が発生し、その圧力で吸着部２０の凸状部２０ｂが弾性体塑性変形を起こしながら封止済基板１０を吸着する。次に、封止済基板１０に設けられたダイシングライン１７に沿って、高速回転したブレード４８を接触させて切断する。このとき切断する順番に特に制約はないが、ここでは、まず先に、封止済基板１０の長辺に対して分割する、すなわち、基板１４の短辺方向に沿ったダイシングライン１７（短辺のダイシングライン１７と称す）に沿って分割する例を挙げて、切断動作を説明する。
【００５２】
まず、ステージ２９上の基板保持板１９に設置された封止済基板１０は短辺のダイシングライン１７の上方で、かつ切断開始箇所の手前で、かつ封止済基板１０を最初に切断するダイシングライン１７の上方にブレード４８がくるようにステージ２９のＸ軸駆動機構および切断装置２５のＹ軸駆動機構を使用して移動させる。次に、切断装置２５のＺ軸駆動機構を駆動し、ブレード４８を切断高さに下げる。このときブレード４８の先端に設けた基板高さ検出センサ３９にて封止済基板１０の基板１４の高さを測定し、測定結果を元に初期設定した封止済基板１０の基板１４の高さと比較し、密閉室５３内へ供給する高圧エアーに設けたレギュレータ３８を制御して封止済基板１０の基板１４の高さを一定にできるようにする。例えば基準位置より封止済基板１０の基板１４が低い位置にあるとき、密閉室５３内の圧力をレギュレータ３８にて供給高圧エアー圧力を低下させることで、初期圧力で塑性変形している弾性体により構成された吸着部２０の凸状部２０ｂの塑性変形量を少なくし、封止済基板１０を持ち上げて一定の基板高さにする。
【００５３】
次にステージ２９をブレード４８に向かって移動させ、封止済基板１０をブレード４８に接触させて切断を行う。このとき、ステージ２９の移動に伴い、ブレード４８に設けた基板高さ検出センサ３９は逐次基板高さを検出し、その検出結果により密閉室５３内の圧力をレギュレータ３８を介して高圧エアー圧力の上げ下げを行い、封止済基板１０の押圧力を調整する。封止済基板１０の切断が順次進むことで、切断される封止済基板１０の面積も順次小さくなり、このとき発生する封止済基板１０の吸着部２０における凸状部２０ｂの弾性変形量の変化による基板１４の高さの変化を一定に保つことができ、安定して封止済基板１０の切断を行うことができる。封止済基板１０の最初のダイシングライン１７の切断が完了すると、Ｚ軸駆動機構により切断装置２５を上方に退避させる。次に、２本目の切断するダイシングライン１７の上方にステージ２９と切断装置２５とを駆動させて移動する。このときも初回の切断と同様に基板高さの測定をしながら、２本目のダイシングライン１７の切断を実施する。以降の短辺のダイシングライン１７のすべてを切断するまで上記動作を順次繰り返す。次にステージ２９の回動機構によりステージを９０°回動させる。次に短辺の時と同様に、長辺の最初のダイシングライン１７の上方にブレード４８がくるように切断装置２５をステージ２９のＸ軸駆動機構および切断装置２５のＹ軸駆動機構を使用して移動する。
【００５４】
次に切断装置２５のＺ軸駆動機構を駆動して、ブレード４８を切断高さに下げる。そして、ステージ２９をブレード４８に向かって移動させ、短辺のダイシングライン１７の切断の時と同様に基板高さを基板高さ検出センサ３９にて測定し、その検出結果により密閉室５３内の圧力をレギュレータ３８を介して高圧エアー圧力の上げ下げを行うことにより基板１４の押圧量を調整して（このとき既に前記短辺切断にて封止済基板１０の半導体装置１８間に切断境界が発生しており、基板高さ検出センサ３９がその切断境界を検出してしまうが、このときは基板高さの範囲に一定の許容値を設け、一定の値以上の変化を除去、もしくはステージ２９および切断装置２５の座標から一定の範囲の高さ検出結果を除去することで影響を受けないようにする）封止済基板１０をブレード４８に接触させて封止済基板１０の切断行う。以降の切断は動作を繰り返す。長辺のダイシングライン１７の最終切断が終わると、封止済基板１０は規定サイズに個片化されたことになり、つまり半導体装置１８の形成が完了する。
【００５５】
これにより、高圧エアーによる封止済基板１０への押圧の増加による４ｍｍ角（□４ｍｍ）以下の小サイズの半導体装置１８の切断時の固定力の増加ができ、安定した切断を実施できると同時に封止済基板１０の反りが大きい場合、その反りを緩和し一定の基板高さに制御することで安定した半導体装置１８の切断を行うことができる。
【００５６】
次に図１０により、本発明の実施の形態３について説明する。
図１０（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を示す側面図、正面図、平面図である。
【００５７】
図１０に示すように、この実施の形態では、封止済基板１０はその樹脂封止面を、ステージ２９に設けた吸着部２０上に載置している。本図では半田ボール１６を有する封止済基板１０を搭載した例で説明しているため、樹脂封止面（封止部４９）を吸着部２０に載置した場合を示しているが、半田ボール１６がない場合は、特に載置面を樹脂封止面（封止部４９）にする必要はなく、封止部４９と反対の基板面をステージ２９に載置しても良い。
【００５８】
封止済基板１０は、吸着部２０に設けた吸着口２０ａ、および吸引用経路２２を通じて接続されている真空ポンプ２３の吸引力（大気圧）を利用して固定されている。この状態で、ブレード４８を２００００ｒｐｍ〜４００００ｒｐｍの回転速度で回転（回転方向は封止済基板１０の切断部５５を上方から下方へ押し下げるような方向の回転、通称ダウンカットと呼ばれている）させ、かつブレード４８の切断高さ（Ｚ軸）を一定に保ち、ステージ２９をブレード４８が存在する方向へ進行させることで、封止済基板１０の切断を行っている。この切断時に、ブレード４８から切断している封止済基板１０にはＺ軸方向の押し込み力とブレード回転方向への引き込み力とが発生し、特にブレード４８の回転方向への引き込む力（封止済基板１０を横方向へ引く力）に対向して封止済基板１０を動かさずに固定しておくためには、真空による吸引を利用した引き込みだけでは不足する。
【００５９】
そこで、本発明の実施の形態３では、図１０に示すように、切断装置２５におけるブレード４８の外側（図１０に示すように両側にあることが望ましい）に、ブレード４８の上下、左右の移動に連動し、かつ独立して一定の範囲で遥動軸を中心に上下に遥動自在の押さえ部材４３が配設されている。この押さえ部材４３は、一定の押さえ圧がばね４０等により発生され、かつ回転軸２６を持ち、その回転軸２６の外周に弾性回転体４２を設けている。そして、この弾性回転体４２の押圧力にて封止済基板１０に押圧力を加えながら封止済基板１０の切断を行うことができるよう構成されている。
【００６０】
これにより、従来の真空と大気圧の差圧にて発生する押圧に押さえ部材４３による押圧を加えることができ、従来の課題であった４ｍｍ角以下の封止済基板１０でも十分な押圧力を加えることができる。なお、本発明で使用する弾性回転体４２は、半田ボール１６の硬度より小さければよく、このような硬度とすることで弾性回転体４２が半田ボール１６と接触した場合でも、半田ボール１６に傷をつけることはない。また、回転軸２６の外周に設けた弾性回転体４２の外形は、半田ボール１６の高さを乗り越えて回転していく必要があるため、その外形寸法は封止済基板１０の基板面から半田ボール１６の頂上までの高さの４倍以上の直径が望ましく、弾性回転体４２の幅は半田ボール１６の封止済基板１０に対する投影されるときの最大外形直径と同等かそれ以上の幅であればよい。また弾性回転体４２に対して押圧力を発生する加圧源は、本実施の形態ではばね圧を利用しているが、加圧力を得ることができるのであれば磁力や空圧、水圧を利用してもよく特に特定するものではない。
【００６１】
動作を説明すると、まず、ステージ２９（基板保持板１９の吸着部２０）上に封止済基板１０を載置し、吸着部２０、吸引用経路２２を通じて接続されている真空ポンプ２３にて封止済基板１０を真空吸引する。
【００６２】
次に、封止済基板１０に設けられたダイシングライン１７に沿って、高速回転したブレード４８を封止済基板１０に接触させて切断する。切断する順番に特に制約はないが、ここでは、まず先に、封止済基板１０の長辺に対して分割する（封止済基板１０の短辺方向に沿ったダイシングライン１７（短辺のダイシングライン１７と称す）に沿って分割する）例を挙げて説明する。
【００６３】
まず、吸着部２０に設置された封止済基板１０は短辺のダイシングライン１７の上方で、かつ切断開始箇所の直前にブレード４８がくるようにステージ２９のＸ軸駆動機構および切断装置２５のＹ軸駆動機構を使用して各軸に沿って移動させる。次に、切断装置２５のＺ軸駆動機構を駆動し、ブレード４８を切断高さに下げる。このとき、切断装置２５のＺ軸駆動機構によって切断のために下げる位置は、押さえ部材４３が封止済基板１０の端部を押圧できる位置とする。この位置は、封止済基板１０の基板１４に半田ボール１６が搭載されている、いないの違いの影響は受けない。なぜなら、この押さえ部材４３の基板１４との接触部位は弾性回転体４２であり、この弾性回転体４２は半田ボール１６に対して傷をつけない硬度であるためである。
【００６４】
次に、ステージ２９をブレード４８に向かって移動させる。このとき、押さえ部材４３は封止済基板１０の基板１４に沿って基板１４上を回転しながら押圧するので、切断対象である封止済基板１０の固定力を高めて、安定して封止済基板１０の切断を行うことができる。また、押さえ部材４３は独立しており、例えば、図１０に示すように、片方に半田ボール１６があり、もう片方には半田ボール１６のない状態が発生しても、互いに回転軸２６を中心として上下遥動するため、双方に対して独立した一定の押圧力を与えることができる。このように押さえ部材４３にて封止済基板１０を押さえながら切断し、最初のダイシングライン１７の切断が完了すると、切断装置２５はＺ軸駆動機構により封止済基板１０の上方に退避する。この場合に、押さえ部材４３は切断装置２５に固定されているため、切断装置２５と同時に封止済基板１０の上方へ退避する。
【００６５】
次に、２本目の切断するダイシングライン１７の上方にステージ２９と切断装置２５とを駆動させて移動させる。初回の切断と同様に、押さえ部材４３が封止済基板１０を押さえることができる位置に切断装置２５のＺ軸駆動機構により下降され、２本目の切断を実施する。以降の短辺のダイシングライン１７をすべて切断するまで上記動作を順次繰り返す。
【００６６】
次にステージ２９の回動機構によりステージ２９を９０°回動させる。次に短辺のダイシングライン１７の時と同様に、長辺の最初のダイシングライン１７の上方にブレード４８がくるように切断装置２５をステージ２９のＸ軸駆動機構および切断装置２５のＹ軸駆動機構を使用して移動する。次に、切断装置２５のＺ軸駆動機構を駆動して、押さえ部材４３が封止済基板１０を押さえることのできる位置までブレード４８を切断高さに下げる。次に、ステージ２９をブレード４８に向かって移動させ、封止済基板１０をブレード４８に接触させて封止済基板１０の切断行う。以降の切断は、同様の動作を繰り返す。長辺の最終切断が終わると、封止済基板１０は規定サイズに個片化されたことになり、つまり半導体装置１８の形成作業が完了する。
【００６７】
次に図１１により、本発明の実施の形態４について説明する。
図１１に示すように、この実施の形態４では、前記実施の形態３における押さえ部材４３の封止済基板１０を押さえる弾性回転体４２の形状を、半田ボール１６間の隙間よりも小さくしたことを特徴としており、切断時に半田ボール１６間を弾性回転体４２がころがるような位置へブレード４８に対して取り付けられている。
【００６８】
この構成によれば、押さえ部材４３は半田ボール１６等の凹凸の影響を受けることがないため、弾性回転体４２が半田ボール１６の有無により上下振動することもなく、封止済基板１０の基板１４の平面上を転がるために限りなく上下振動のない安定した圧力変化の少ない押圧を与えることができることができる。なお、この弾性回転体４２を使用した基本的動作は実施の形態３と同じであるため詳細な動作説明は省略する。
【００６９】
次に、図１２、図１３により、本発明の実施の形態５について説明する。
図１２に示すように、この実施の形態５では、封止済基板１０並びに半導体装置１８の中に磁性を有した金属板５８を内包している。
【００７０】
また、図１３に示すように、ステージ２９内に電磁石４５を内包しており、このステージ２９の電磁石４５により、外部から磁力によっても封止済基板１０を固定するよう構成されている。なお、図１３（ａ）は封止済基板１０内に磁性金属板を内蔵した状態を示しており、図１３（ｂ）は封止部４９の表面を一枚の金属板にて一括封止している封止済基板１０を吸着している図である。
【００７１】
ここで、通常の封止済基板１０の基板１４としては有機基板もしくはリードフレームが用いられており、有機基板はいうまでもなく、またリードフレームは通常非磁性体である銅を主とするものが多い。したがって外部から磁力にて固定しようとした場合に磁力にて固定することが困難な基板１４が多い。
【００７２】
そこで、本実施の形態では、封止済基板１０の中に磁性特性を有する、例えばＦｅを主成分とする薄板からなる金属板５８を内包させることを特徴としている。この内包する金属板５８の位置は外部より磁力にて固定できる位置が好ましく、例えば図１２（ａ）に示すように、封止面の最外部に露出しておいてもよく、または樹脂封止最外部から０．１ｍｍ程度内側でもよい。また図１２（ｂ）に示すように半導体チップ１１と基板１４との間に挟みこんでもよい。このとき磁性を有する金属板５８は、接着剤１２にて基板１４および半導体装置１８に接着されている。また、磁性を有する金属板５８は外部より磁力にて引き付けた場合、その引力として１Ｎ以上の引力が得ることができるなら特にその位置、および薄板の幅、大きな、厚さに制約は無い。また本発明としては、有機基板、リードフレームだけでなく、例えばシリコンウエーハ上に配線と突起状電極とを形成した基板１４内に磁性薄板を内包し、樹脂封止されたものにも有効である。
【００７３】
図１３に示すように、この実施の形態では、封止済基板１０はその樹脂封止面を、ステージ２９に設けた吸着部２０上に載置している。本図では半田ボール１６を有する封止済基板１０を搭載した例で説明しているため、樹脂封止面を吸着部２０に載置した場合を示しているが、半田ボール１６がない場合は、特に載置面を樹脂封止面にする必要はなく、基板面をステージ２９に載置しても良い。
【００７４】
また、本実施の形態では磁力にてステージ２９に封止済基板１０を固定するため、上記実施の形態のように、真空経路および真空ポンプを設けて、真空ポンプによる真空で吸引する必要は無いが、これに限るものではなく、真空経路および真空ポンプを設けて、組み合わせても良い。
【００７５】
この実施の形態の動作の説明をする。上記構成において、切断装置２５の回転駆動機構を駆動させて、ブレードを２００００ｒｐｍ〜４００００ｒｐｍの回転速度で回転（回転方向は封止済基板１０の基板１４の切断部５５を上方から下方へ押し下げるような方向の回転、通称ダウンカットと呼ばれている）させ、かつブレード４８の切断高さ（Ｚ軸方向）を一定に保ち、ステージ２９をブレード４８が存在する方向へ進行させることで、封止済基板１０の切断を行う。
【００７６】
この切断時に、ブレード４８から切断している半導体装置１８にはＺ軸方向の押し込み力とブレード回転方向への引き込み力とが発生し、特にブレード４８の回転方向への引き込む力（封止済基板１０を横方向へ引く力）に対向して封止済基板１０を動かさずに固定しておくため、従来の真空による引き込みだけでは半導体装置１８が小さくなるとその固定力は不足し、特に４ｍｍ角（□４ｍｍ）以下で困難であった。
【００７７】
しかし、本発明では切断対象の封止済基板１０に内包した金属板５８に対して電磁石４５の磁力を利用して固定する。これにより、仮に４ｍｍ角以下の小さな封止済基板１０の切断であっても、電磁石４５に流す電力量、もしくは電磁石４５のコイル（図示なし）数を増加することにより、封止済基板１０のサイズに合わせて磁力によるステージ２９に対する固定力を変化することが可能となる。なお、実際の切断工程は冒頭で説明した実施の形態１に順ずるため詳細の切断動作は省略する。本発明を使用して各封止済基板１０の半導体装置１８を個片分割した後は、電磁石４５の電流を切って磁性をなくすことで、ステージ２９より半導体装置１８をピックアップすることが可能となる。以上の構成により、半導体装置１８のサイズが小さくなるに伴って切断時の保持力が低下することも無くなり、安定した基板１４の切断を実施することができる。
【００７８】
次に図１４により、本発明の実施の形態６について説明する。
本発明の実施の形態６では、図１４に示すように、ブレード４８の両側に、ブレード４８を回転させる回転駆動部３０とともに一体的に移動されるノズルユニット２７を設けるとともに、このノズルユニット２７に、高圧水流ポンプ３１から高圧水管３３を通って送られる高圧水を放出するノズル３２を複数設け、かつノズル３２から放出される水流３４が切断対象の基板１４に対して垂直にあたるような角度でノズル３２を配置している。そして、ノズル３２から放出される高圧の水流３４が、封止済基板１０や切断後の半導体装置１８に垂直にあたることで基板保持板１９やステージ２９に対して押圧力が発生するように構成している。
【００７９】
またさらに、水流制御装置３６が設けられており、この水流制御装置３６は、各ノズル３２から水流３４を個別に止めたり、出したりする例えば電磁弁のような機能が付加され、この水流制御装置３６により各ノズル３２からの水流３４の放出タイミングを制御可能に構成されている。さらに、封止済基板１０の切断を行ってノズル３２から基板１４に向けて水流３４を放出する際に、既に切断している切断部５５では水流３４の放出を停止し、切断部５５を通過した後に再び水流３４を放出し、その動作を繰り返して行うよう構成されている。
【００８０】
ここで、このノズル３２から放出する水流３４の停止タイミングは、切断対象の封止済基板１０のダイシングライン１７の配設位置情報から水流制御装置３６が演算により求める。この水流制御装置３６は各軸の駆動を制御する制御装置（図示なし）と連動しており、事前に封止済基板１０の切断寸法、切断順序を登録することで、各軸の動作と連動し、上記水流３４の放出、停止の制御を実施することができるよう構成されている。このように、この水流制御装置３６により、ノズル３２から放出される水流３４が既に切断された封止済基板１０の切断部５５に放出され、その水流３４で封止済基板１０の固定位置がずれて、切断精度が低下することを防ぐようになっている。
【００８１】
この動作を図１４にて説明すると、図１４（ｂ）に示す状態では、既に切断されている領域である切断部５５上に、水流３４を放出するノズル３２Ａ〜３２Ｄが位置していないため、ノズル３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｄの全てより水流３４を放出しているが、ステージ２９が進行し、図１４（ａ）に示す状態になると、ノズル３２Ｂ，３２Ｄは既に切断された切断部５５上に位置しているため水流３４の放出を停止している。このときノズル３２Ａ，３２Ｃは切断した切断部５５上にはないため、水流３４の放出は続けている。この後、切断が進行して、また、図１４（ｂ）に示す状態と同様の状態になると、またすべてのノズル３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｄが切断部５５上に位置しないため、全ノズル３２Ａ〜３２Ｄより水流３４を放出している。
【００８２】
これにより、従来の真空と大気圧の差圧にて発生する押圧に、ノズル３２から放出される水流３４の押圧を加えることができ、課題であった４ｍｍ角（□４ｍｍ）以下の封止済基板１０および半導体装置１８でも十分な押圧力を加えることができる。また、このときのノズル３２の数は切断対象となる半導体集合体としての封止済基板１０および半導体装置１８に対して、少なくとも一箇所以上の水流３４が当たればよく、また水流３４の排出水量、ノズル径について制約はなく、封止済基板１０および半導体装置１８が切断時にその切断負荷でズレ、もしくは飛び出しがない状態の押圧を得ればよい。
【００８３】
また、水流３４とその排出タイミングとを制御することにより、封止済基板１０は一定の水流を絶えず受けるためステージ２９に対する押圧が発生し、かつ切断部５５に不要な水流３４が入り込んで切断部５５を押し広げたりする影響がなくなり、封止済基板１０の切断精度をより向上させることが可能となる。なお、切断時のステージ２９および切断装置２５の動作は上記実施の形態１〜５に述べた動作に準じて行い、半導体装置１８を形成する。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は、半導体装置集合体を切断することで個々の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法内の、特に切断工程における切断精度の向上および生産コストの低下に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造装置および製造方法における切断工程を簡略的に示す正面図
【図２】（ａ）および（ｂ）は同実施の形態１に係る半導体装置の製造装置および製造方法を示す要部側面図および要部正面図
【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態に係る切断処理対象となる半導体装置集合体としての封止済基板の平面図、正面断面図、裏面から見た図
【図４】封止済基板を切断して形成した半導体装置の断面図
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法における切断工程を概略的に示す斜視図
【図６】同半導体装置の製造方法における封止済基板、ステージおよび基板保持板を概略的に示す斜視図
【図７】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ同半導体装置の製造方法における半導体装置集合体としての封止済基板を切断していく経過をそれぞれ示す平面図
【図８】同半導体装置の製造方法における、切断対象となる封止済基板の面積と、密閉室内の圧力との関係を示す図
【図９】（ａ）および（ｂ）は本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を示す側面図および正面図
【図１０】（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は本発明の実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を示す側面図、正面図および平面図
【図１１】本発明の実施の形態４に係る半導体装置の製造方法を示す側面図
【図１２】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の実施の形態５に係る半導体装置の断面図
【図１３】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の実施の形態５に係る封止済基板、ステージおよび基板保持板を概略的に示す断面図
【図１４】（ａ）は本発明の実施の形態６に係る半導体装置の製造方法における切断工程を示す側面図、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ、同切断工程を示す正面図
【図１５】従来の半導体装置の製造装置の断面図
【符号の説明】
【００８６】
１０      封止済基板（半導体装置集合体）
１４      基板
１６      半田ボール
１７      ダイシングライン
１８      半導体装置
１９      基板保持板（保持用治具）
２０      吸着部
２３      真空ポンプ
２５      切断装置
２６      回転軸
２９      ステージ
３０      回転駆動部
３１      高圧水流ポンプ
３２      ノズル
３４      水流
３６      水流制御装置
３７      高圧空気用ポンプ
３９      基板高さ検出センサ（基板位置検知センサ）
４３      押さえ部材
４５      電磁石
４８      ブレード
４９      封止部
５３      密閉室
５５      切断部
５８      金属板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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