(57)【要約】【課題】小型で信頼性に優れるセンサーチップと、このようなセンサーチップを簡便に製造するための製造方法を提供する。【解決手段】センサーチップを、アクティブ面の外側領域あるいは表裏導通ビアを介してアクティブ面と反対側の面に複数の端子を有するセンサー本体と、空隙部を設けてアクティブ面を封止するように封止用枠体を介してセンサー本体に接合された保護材とを備えるものとし、保護材は、その主面と周端面とがなす角度が９０°よりも大きく、かつ、主面の面積が前記センサー本体の面積以下であるようにする。【選択図】  図１
2008041696.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ面の外側領域に、あるいは表裏導通ビアを介して前記アクティブ面と反対側の面に、複数の端子を有するセンサー本体と、
空隙部を設けて前記アクティブ面を封止するように封止用枠体を介して前記センサー本体に接合された保護材とを備え、
該保護材の主面と周端面とがなす角度は９０°よりも大きく、前記保護材のアクティブ面側の主面の面積は、前記センサー本体の面積以下であることを特徴とするセンサーチップ。
【請求項２】
前記保護材は、赤外線カットフィルタ、反射防止膜、ローパスフィルタの少なくとも１種を有するものであることを特徴する請求項１に記載のセンサーチップ。
【請求項３】
前記空隙部の厚みが２〜１００μｍの範囲であることを特徴する請求項１または請求項２に記載のセンサーチップ。
【請求項４】
多面付けサイズの保護材に対して、後工程のダイシングにより得られる個々のセンサーチップで必要とする保護領域と不要である廃棄領域との境界線においてテーパ形状の溝部を形成する溝部形成工程と、
アクティブ面と、該アクティブ面の外側領域に位置する複数の端子とを有するセンサー本体を、多面付けで作製するセンサー本体作製工程と、
前記保護材の溝部形成面側の各保護領域と、多面付けの各センサー本体とを位置合せして対向させ、両者を、前記センサー本体のアクティブ面と端子形成領域との間の部位に位置する封止用枠体を介して接合し、空隙部を設けて前記アクティブ面を封止する封止工程と、
前記保護材の前記アクティブ面と対向する面の反対面に対して、前記溝部に対向する部位からテーパ形状の溝部を形成して前記溝部に達するまで切り欠くことにより保護材を切断し、前記廃棄領域を除去する除去工程と、
多面付けの前記センサー本体をダイシングして個々のセンサーチップを得るダイシング工程と、を有することを特徴とするセンサーチップの製造方法。
【請求項５】
多面付けサイズの保護材に対して、後工程のダイシングにより得られる個々のセンサーチップで必要とする保護領域と不要である廃棄領域との境界線においてテーパ形状の溝部を形成する溝部形成工程と、
アクティブ面と、該アクティブ面の外側領域の前記アクティブ面と反対側の面に表裏導通ビアを介して配設された複数の端子とを有するセンサー本体を、多面付けで作製するセンサー本体作製工程と、
前記保護材の溝部形成面側の各保護領域と、多面付けの各センサー本体とを位置合せして対向させ、両者を、前記センサー本体のアクティブ面の外側領域に位置する封止用枠体を介して接合し、空隙部を設けて前記アクティブ面を封止する封止工程と、
前記保護材の前記アクティブ面と対向する面の反対面に対して、前記溝部に対向する部位からテーパ形状の溝部を形成して前記溝部に達するまで切り欠くことにより保護材を切断し、前記廃棄領域を除去する除去工程と、
多面付けの前記センサー本体をダイシングして個々のセンサーチップを得るダイシング工程と、を有することを特徴とするセンサーチップの製造方法。
【請求項６】
前記テーパ形状の溝部はＶ字形状溝部または樋形状溝部であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載のセンサーチップの製造方法。
【請求項７】
前記溝部形成工程において、多面付けサイズの保護材を紫外線照射剥離性粘着層を介して保持用基板に貼合した後、保護材の貼合面と反対側の面にテーパ形状の前記溝部を形成し、次いで、前記紫外線照射剥離性粘着層に紫外線を照射して剥離作用を発現させ、前記保持用基板と前記紫外線照射剥離性粘着層とを前記保護材から剥離除去することを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれかに記載のセンサーチップの製造方法。
【請求項８】
前記紫外線照射剥離性粘着層は、紫外線照射によりガスを発生する粘着剤、または、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤からなる層であることを特徴とする請求項７に記載のセンサーチップの製造方法。
【請求項９】
前記紫外線照射剥離性粘着層は、基材の一方の面に紫外線照射によりガスを発生する粘着剤、または、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤が塗布され、他方の面に紫外線を照射しても粘着性が低下しない粘着剤を塗布した両面粘着層であることを特徴とする請求項７に記載のセンサーチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサーチップに係り、特にＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサー、加速度センサー等のセンサー本体のアクティブ面側に保護材を備えたセンサーチップと、このセンサーチップを簡便に製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサー、加速度センサー等のセンサーチップが種々の用途に用いられている。例えば、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサーは、一般に、微細な複数の受光部（画素）の配列上にカラーフィルタ層や集光レンズが配設されてアクティブ面とされ、このアクティブ面の外側の領域に、外部へ信号を送るための複数の端子が設けられた構造を有している。このようなイメージセンサーを備えたセンサーチップでは、イメージセンサーのアクティブ面を保護するために、透明な保護材が設けられている。この保護材は、アクティブ面との間に所望の間隙を存在させるために、アクティブ面の周囲を樹脂によりモールドしたり、絶縁性樹脂からなる突起枠を介在させて配設されていた。（特許文献１、２）
【特許文献１】特開平３−１５５６７１号公報
【特許文献２】特開平６−２０４４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来のセンサーチップでは、ダイシングにより個々のセンサー本体を得る工程においてアクティブ面に研削紛等の付着を生じ易く、また、個々のセンサー本体毎に保護材を接合して製造されるため、製造効率が悪く、歩留まりが低いという問題があった。
また、センサーチップの製造段階、使用段階で保護材に外力が作用したときに、欠けが生じて微細片が発生すると、センサーチップの製造に支障を来たしたり、センサーチップを内蔵する電子機器の信頼性が低下するという問題もあった。
さらに、従来のセンサーチップは、保護材がセンサー本体よりも大きく、このため、センサーチップ自体の小型化、さらに、センサーチップを内蔵する電子機器の小型化に支障を来たしていた。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、小型で信頼性に優れるセンサーチップと、このようなセンサーチップを簡便に製造するための製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
このような目的を達成するために、本発明のセンサーチップは、アクティブ面の外側領域に、あるいは表裏導通ビアを介して前記アクティブ面と反対側の面に、複数の端子を有するセンサー本体と、空隙部を設けて前記アクティブ面を封止するように封止用枠体を介して前記センサー本体に接合された保護材とを備え、該保護材の主面と周端面とがなす角度は９０°よりも大きく、前記保護材のアクティブ面側の主面の面積は、前記センサー本体の面積以下であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記保護材は、赤外線カットフィルタ、反射防止膜、ローパスフィルタの少なくとも１種を有するものであるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記空隙部の厚みが２〜１００μｍの範囲であるような構成とした。
【０００５】
本発明のセンサーチップの製造方法は、多面付けサイズの保護材に対して、後工程のダイシングにより得られる個々のセンサーチップで必要とする保護領域と不要である廃棄領域との境界線においてテーパ形状の溝部を形成する溝部形成工程と、アクティブ面と、該アクティブ面の外側領域に位置する複数の端子とを有するセンサー本体を、多面付けで作製するセンサー本体作製工程と、前記保護材の溝部形成面側の各保護領域と、多面付けの各センサー本体とを位置合せして対向させ、両者を、前記センサー本体のアクティブ面と端子形成領域との間の部位に位置する封止用枠体を介して接合し、空隙部を設けて前記アクティブ面を封止する封止工程と、前記保護材の前記アクティブ面と対向する面の反対面に対して、前記溝部に対向する部位からテーパ形状の溝部を形成して前記溝部に達するまで切り欠くことにより保護材を切断し、前記廃棄領域を除去する除去工程と、多面付けの前記センサー本体をダイシングして個々のセンサーチップを得るダイシング工程と、を有するような構成とした。
【０００６】
また、本発明のセンサーチップの製造方法は、多面付けサイズの保護材に対して、後工程のダイシングにより得られる個々のセンサーチップで必要とする保護領域と不要である廃棄領域との境界線においてテーパ形状の溝部を形成する溝部形成工程と、アクティブ面と、該アクティブ面の外側領域の前記アクティブ面と反対側の面に表裏導通ビアを介して配設された複数の端子とを有するセンサー本体を、多面付けで作製するセンサー本体作製工程と、前記保護材の溝部形成面側の各保護領域と、多面付けの各センサー本体とを位置合せして対向させ、両者を、前記センサー本体のアクティブ面の外側領域に位置する封止用枠体を介して接合し、空隙部を設けて前記アクティブ面を封止する封止工程と、前記保護材の前記アクティブ面と対向する面の反対面に対して、前記溝部に対向する部位からテーパ形状の溝部を形成して前記溝部に達するまで切り欠くことにより保護材を切断し、前記廃棄領域を除去する除去工程と、多面付けの前記センサー本体をダイシングして個々のセンサーチップを得るダイシング工程と、を有するような構成とした。
【０００７】
本発明の他の態様として、前記テーパ形状の溝部はＶ字形状溝部または樋形状溝部であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記溝部形成工程において、多面付けサイズの保護材を紫外線照射剥離性粘着層を介して保持用基板に貼合した後、保護材の貼合面と反対側の面にテーパ形状の前記溝部を形成し、次いで、前記紫外線照射剥離性粘着層に紫外線を照射して剥離作用を発現させ、前記保持用基板と前記紫外線照射剥離性粘着層とを前記保護材から剥離除去するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記紫外線照射剥離性粘着層は、紫外線照射によりガスを発生する粘着剤、または、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤からなる層であるような構成、あるいは、基材の一方の面に紫外線照射によりガスを発生する粘着剤、または、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤が塗布され、他方の面に紫外線を照射しても粘着性が低下しない粘着剤を塗布した両面粘着層であるような構成とした。
【発明の効果】
【０００８】
このような本発明のセンサーチップは、センサー本体のアクティブ面が保護材により汚染、損傷から保護され、また、保護材の周端面が主面となす角度が９０°よりも大きく、所謂、面取りがなされた形状であり、バリのような先鋭形状（チッピング）が存在しないため、外力が保護材の端部に加わっても欠けによる微細片を生じ難く、センサーチップや、これを内蔵する電子機器への微細片による悪影響を防止することができると同時に、保護材の面積がセンサー本体の面積以下であるため、センサーチップの大きさがセンサー本体と同じサイズとなり、従来に比べてセンサーチップの大幅な小型化が可能となる。
【０００９】
また、本発明のセンサーチップの製造方法では、多面付けでセンサー本体を作製し、多面付けで保護領域と廃棄領域の境界線において予めテーパ形状の溝部が形成された保護材を固着する一括アッセンブリーであり、封止用枠体を介して保護材をセンサー本体に多面付けで接合した後に、上記の溝部に達するように保護材の他方の面からテーパ形状の溝部を形成して保護材の廃棄領域を除去するので、アクティブ面を封止する保護領域の周端面は上記溝部のテーパ形状がそのまま残って、チッピングのない面取りされた形状となり、後工程において、保護材の端部に外力が加わっても、製造に悪影響を与えるような微細片を生じ難いものであり、また、保護材の廃棄領域の除去において、センサー本体に損傷を与えないように保護材を研削切断（寸止めカット）するような工程が不要となり、したがって、保護材とセンサー本体の端子あるいは配線との間隙を狭く設定したセンサーチップの加工が容易となり、さらに、ダイシング時の研削粉等がアクティブ面へ付着することが防止され、これにより小型薄型のセンサーチップを高効率で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［センサーチップ］
図１は本発明のセンサーチップの一実施形態を示す概略断面図である。図１において、本発明のセンサーチップ１は、アクティブ面２Ａの外側領域に配線３ａを介して配設された複数の端子３を有するセンサー本体２と、このセンサー本体２に封止用枠体５を介して接合された保護材４とを備えている。この保護材４は、所望の空隙部６を介してセンサー本体２のアクティブ面２Ａと対向し、封止用枠体５とともにアクティブ面２Ａを封止して保護するものである。
【００１１】
本発明では、図２に示されるように、保護材４の主面（アクティブ面２Ａに対向する面、およびその反対側の面）と周端面４′とがなす角度θ１，θ２が９０°よりも大きく、好ましくは９５°〜１３５°である。これにより、保護材４は周端面４′が面取りされた形状であり、バリのような先鋭形状（チッピング）が存在せず、外力が保護材端部に加わっても欠けによる微細片を生じ難い。また、保護材４のアクティブ面２Ａ側の主面の面積は、センサー本体２の面積以下である。これにより、センサーチップ１は、大幅な小型化が可能となる。
尚、保護材４の主面と周端面４′とがなす角度θ１，θ２は同じ角度であってもよく、また、異なる角度であってもよい。また、周端面４′の形状は特に制限はなく、例えば、図２（Ａ）のような２つの平面からなるもの、図２（Ｂ）のような２つの凹面からなるもの等であってよく、また、異なる面形状の組み合わせであってもよい。
【００１２】
図３は封止用枠体５を説明するための図であり、図１に示されるセンサーチップから保護材４を取り去った状態の平面図である。図３に斜線を付して示した封止用枠体５は、枠形状が回廊形状であるが、この回廊形状は、アクティブ面２Ａに対応して、正方形、長方形のいずれであってもよい。また、必要な場合には、封止用枠体５の枠形状が平行四辺形、ひし形、円形、楕円形等であってもよい。尚、図３では、端子３、配線３ａを省略している。
【００１３】
また、図４は、本発明のセンサーチップの他の実施形態を示す概略断面図である。図４において、本発明のセンサーチップ１１は、アクティブ面１２Ａの外側領域まで引き出された複数の配線１３ａと、表裏導通ビア１７を介して各配線１３ａに接続された複数の端子１３を裏面（アクティブ面１２Ａと反対側の面）に有するセンサー本体１２と、このセンサー本体１２に封止用枠体１５を介して接合された保護材１４とを備えている。この保護材１４は、所望の空隙部１６を介してセンサー本体１２のアクティブ面１２Ａと対向し、封止用枠体１５とともにアクティブ面１２Ａを封止して保護するものである。尚、このセンサーチップ１１における封止用枠体１５の形状は、上述のセンサーチップ１における封止用枠体５と同様である。
【００１４】
このセンサーチップ１１においても、保護材１４の主面（アクティブ面１２Ａに対向する面、およびその反対側の面）と周端面１４′とがなす角度θ１，θ２が９０°よりも大きく、好ましくは９５°〜１３５°である。これにより、保護材１４は周端面１４′が面取りされた形状であり、バリのような先鋭形状（チッピング）が存在せず、外力が保護材端部に加わっても欠けによる微細片を生じ難い。また、保護材１４のアクティブ面１２Ａ側の主面の面積は、センサー本体１２の面積以下（図示例は略同面積）である。これにより、センサーチップ１１は、大幅な小型化が可能となる。
尚、センサーチップ１１では、表裏導通ビア１７の位置を封止用枠体１５の下部に設定してもよく、このような構造とすることにより、センサーチップ１１を更に小型化することが可能である。
【００１５】
本発明のセンサーチップ１，１１を構成するセンサー本体２，１２は、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサーや、加速度センサー、圧力センサー、ジャイロセンサー等の各種ＭＥＭＳ（Micro Electromechanical System）センサー等であってよい。また、センサー本体２，１２のアクティブ面２Ａ，１２Ａは、例えば、光電変換を行う受光素子が複数の画素をなすように配列された領域等、センサーの所望の検知機能を発現する領域を意味する。
また、センサー本体２，１２が備える複数の端子３，１３は、外部に信号を送るための端子である。センサーチップ１１では、これらの端子１３は表裏導通ビア１７を介してセンサー本体１２の裏面に接続されている。端子３，１３および配線３ａ，１３ａの材質は、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル等の導電材料とすることができ、複数種の導電材料の積層構造であってもよい。また、表裏導通ビア１７の材質は、銅、銀、金、スズ等の導電材料、あるいは、これらの導電材料を含有する導電ペーストとすることができる。
【００１６】
本発明のセンサーチップ１，１１を構成する保護材４，１４は、センサー本体２，１２のアクティブ面２Ａ，１２Ａとの間に空隙部６，１６を形成するように、封止用枠体５，１５によってセンサー本体２，１２に接合されている。この保護材４，１４は、例えば、ガラス、ポリイミド、ポリカーボネート、石英、アートン、三酢酸セルロース、シクロオレフィンポリマー、ポリエステル等の材質を使用することができる。また、赤外線吸収機能を有する材質を用いて赤外線カットフィルタを兼ねるもの、さらに、反射防止膜、ローパスフィルタの少なくとも１種を有するもの等であってもよい。この保護材４，１４の大きさ（センサー本体２，１２と対向する主面の大きさ）は、センサー本体２，１２の面積以下である。図１に示される例では、センサー本体２の端子３の形成領域よりも保護材４が内側に存在し、端子３が露出した状態となっている。
このような保護材４，１４の厚みは、材質、光透過性等を考慮して、例えば、０．２〜０．５ｍｍの範囲で設定することができる。
【００１７】
本発明のセンサーチップ１，１１を構成する封止用枠体５，１５は、センサー本体２，１２のアクティブ面２Ａ，１２Ａの外側の領域に配設されたものである。但し、センサーチップ１のように、アクティブ面側に端子が形成されたセンサーチップでは、アクティブ面２Ａの外側領域であるとともに、端子３よりも内側の領域に封止用枠体５が配設される。この封止用枠体５の材質は、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アリル系樹脂等の絶縁樹脂とすることができる。また、これらの絶縁樹脂にガラスビーズ等の絶縁性を有するビーズを含有してもよい。このような封止用枠体５，１５の高さは、空隙部６，１６の設定（例えば、２〜１００μｍの範囲内での設定）に対応して適宜設定することができる。また、封止用枠体５，１５の幅は、例えば、５０〜５００μｍの範囲で適宜設定することができる。
【００１８】
上述のような本発明のセンサーチップは、保護材によりアクティブ面が汚染、損傷から保護される。また、保護材の周端面が主面となす角度が９０°よりも大きく、所謂、面取りがなされた形状であるので、外力が保護材端部に加わっても欠けによる微細片を生じ難く、センサーチップや、これを内蔵する電子機器への微細片による悪影響を防止することができる。さらに、保護材の面積がセンサー本体の面積以下であるため、センサーチップの大きさがセンサー本体と同じサイズとなり、従来に比べてセンサーチップの大幅な小型化が可能となる。
本発明のセンサーチップ１，１１は、端子３，１３、あるいは、表裏導通ビア１７の裏面（アクティブ面１２Ａが存在しない面）側を用いて他の基板等に接続、実装することができる。例えば、図１に示されるセンサーチップ１では、図５に示されるような形態で、開口部２２と配線２３を備えた基板２１にバンプ２４を介して実装することができる。尚、図示例では、センサーチップ１を実装した後、基板２１の開口部２２内に絶縁材料２５を流し込んで封止したものとなっているが、この際、封止用枠体５によって、アクティブ面２Ａ（空隙部６内）への絶縁材料２５の流れ込みが防止される。
上述のセンサーチップは例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００１９】
［センサーチップの製造方法］
次に、本発明のセンサーチップの製造方法について説明する。
図６および図７は、本発明のセンサーチップの製造方法の一実施形態を、上述の図１に示すセンサーチップ１を例として示す工程図である。
本発明では、溝部形成工程において、後工程のダイシングにより得られる個々のセンサーチップ１で必要とする保護領域４Ａと不要である廃棄領域４Ｂとの境界線において、テーパ形状の溝部４ａを形成する（図６（Ｂ））。保護領域４Ａは、個々のセンサーチップ１において保護材４として存在する領域である。
【００２０】
保護材４は上述のような材質のものを使用することができる。また、保護領域４Ａと廃棄領域４Ｂとの境界線での保護材４へのテーパ形状の溝部４ａの形成は、ダイヤモンドカッター、ダイサー、ルーター、レーザダイサー等により行うことができる。この溝部４ａの断面形状はＶ字形状、樋形状等であってよく、溝部４ａの幅（主面における開口幅）は、例えば、３０〜１０００μｍ程度とすることができる。また、溝部４ａの深さは、溝部４ａを形成した後の保護材４の取り扱い性、保護材４の強度等を考慮して設定でき、例えば、保護材４の厚みの３０〜７０％の範囲で設定することができる。
一方、センサー本体作製工程にて、多面付けでセンサー本体２を作製する（図６（Ｂ）参照）。センサー本体２は、従来公知の手法、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electromechanical System）手法、フォトダイオードの製造方法（半導体プロセス）等を用いて作製することができる。作製したセンサー本体２は、表面にアクティブ面２Ａを有し、このアクティブ面２Ａの外側の領域に、配線３ａを介して複数の端子３を有するものである。
【００２１】
次に、封止工程において、多面付けの保護材４の各面付け毎に、溝部４ａの形成面側において封止用枠体５を配設し（図６（Ｃ））、この多面付け保護材４と多面付けセンサー本体２との位置合せを行う。その後、空隙部６を形成するように両者を封止用枠体５を介して接合して、各面付けのセンサー本体２のアクティブ面２Ａを封止する（図６（Ｄ））。
多面付けの保護材４への封止用枠体５の配設は、上述のような封止用枠体５用の材料を使用して、ノズル塗布、スクリーン印刷、ディスペンサー射出等の公知の手段により行なうことができる。封止用枠体５の配設位置は、センサー本体２のアクティブ面２Ａの外側の領域であり、かつ、端子３よりも内側の領域となるように設定する。尚、封止用枠体５の配設は、多面付けセンサー本体２側に行なってもよい。
【００２２】
封止用枠体５を介した多面付け保護材４と多面付けセンサー本体２との接合は、例えば、空隙部６を窒素置換する真空ラミネート方法により行なうことができる。また、接合後に封止用枠体５に対して紫外線照射、加熱等の所望の硬化処理を施すことができる。この接合では、封止用枠体５の高さは、空隙部６が２〜１００μｍの範囲で所望の大きさとなるように圧着強度を適宜設定することが好ましい。
次に、除去工程にて、保護材４のアクティブ面と対向する面の反対面に対して、上記のテーパ形状の溝部４ａに対向する部位からテーパ形状の溝部４ｂを形成する（図７（Ａ））。このテーパ形状の溝部４ｂの形成により、上記のテーパ形状の溝部４ａに達するまで保護材４が切り欠かれ切断され、保護材４の廃棄領域４Ｂが除去される（図７（Ｂ））。したがって、センサー本体に損傷を与えないように、ダイヤモンドカッターが接触する寸前で研削を停止（寸止めカット）して保護材４の廃棄領域４Ｂを除去するような工程が不要となる。このため、上述のように保護材４とセンサー本体２の端子３あるいは配線３ａとの間隙が狭くなるように上記の空隙部６を設定しても、工程管理が極めて容易となる。尚、テーパ形状の溝部４ｂの断面形状は、溝部４ａの断面形状と同じであってもよく、また、異なるものであてもよい。
【００２３】
また、上述のように、テーパ形状の溝部４ａと溝部４ｂとの形成で保護材を切断して廃棄領域４Ｂを除去するので、アクティブ面２Ａを封止する保護領域４Ａの周端面４′は、溝部４ａ，４ｂのテーパ形状がそのまま残って、チッピングのない面取りされた形状となる。このため、後工程で保護材４の端部に外力が加わっても、製造に悪影響を与えるような微細片が生じ難いものとなる。
次に、ダイシング工程において、多面付けのセンサー本体をダイシングエリアにてダイシングして、個々のセンサーチップ１を得ることができる（図７（Ｃ））。
【００２４】
図８は、上記の溝部形成工程において、保護材４単独で溝部４ａを形成することが強度的に困難である等、保護材４にバックアップが必要な場合の本発明のセンサーチップの製造方法の実施形態を示す工程図である。
この場合、溝部形成工程にて、多面付けサイズの保護材４を、紫外線照射剥離性粘着層９を介して保持用基板８と貼合し、この状態で、保護領域４Ａと廃棄領域４Ｂとの境界線にテーパ形状の溝部４ａを形成する（図８（Ａ））。
保持用基板８としては、後工程にて紫外線照射剥離性粘着層９に紫外線を照射するために、紫外線透過性を有するものを使用し、例えば、ガラス板、透明な樹脂基板等を用いることができる。
紫外線照射剥離性粘着層９は、紫外線照射によりガスを発生する粘着剤、または、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤を塗布して形成した層であってよい。
【００２５】
また、紫外線照射剥離性粘着層８は、基材の一方の面に紫外線照射によりガスを発生する粘着剤、または、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤が塗布され、他方の面に通常の粘着剤（紫外線を照射しても粘着性が低下しない粘着剤）を塗布した両面粘着層（両面粘着テープ）であってもよい。この場合、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤が塗布された面を保護材４に貼着する。
上述の紫外線照射によりガスを発生する粘着剤としては、例えば、積水化学工業（株）製  セルファ等を挙げることができる。また、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤としては、例えば、トーヨーアドテック（株）製  ＵＤＴ−１０２５ＭＣ等を挙げることができる。
次いで、保持用基板８側から紫外線を照射して（図８（Ｂ））、紫外線照射剥離性粘着層９に剥離作用を発現させ、保持用基板８と紫外線照射剥離性粘着層９とを保護材４から剥離除去する。尚、保護材４が紫外線透過性を有する場合には、保護材４側から紫外線を照射してもよく、この場合、保持用基板８は紫外線透過性を具備しないものであってもよい。
【００２６】
その後、上述の封止工程と同様にして、空隙部６を形成するようにセンサー本体２と保護材４を封止用枠体５を介して接合して、各面付けのセンサー本体２のアクティブ面２Ａを封止する（図８（Ｃ））。以降の除去工程、ダイシング工程は、上述の実施形態と同様である。
尚、上述の保護材４からの保持用基板８と紫外線照射剥離性粘着層９の剥離除去は、封止工程完了後に行なってもよい。
図９は、本発明のセンサーチップの製造方法の他の実施形態を、上述の図４に示すセンサーチップ１１を例として示す工程図である。
上述の実施形態と同様に、溝部形成工程にて、保護領域１４Ａと廃棄領域１４Ｂとの境界線にテーパ形状の溝部１４ａを形成する（図９（Ａ））。
【００２７】
次に、センサー本体作製工程にて、多面付けでセンサー本体１２を作製する。センサー本体１２は、従来公知の手法、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electromechanical System）手法、フォトダイオードの製造方法（半導体プロセス）等を用いて作製することができる。作製したセンサー本体１２は、アクティブ面１２Ａの外側領域まで引き出された複数の配線１３ａと、表裏導通ビア１７を介して各配線１３ａに接続された複数の端子１３を裏面（アクティブ面１２Ａと反対側の面）に有するものである。
【００２８】
尚、端子１３と配線１３ａとを接続する表裏導通ビア１７は、各センサー本体１２に微細貫通孔を形成し、この微細貫通孔に導電材料を配設して形成することができる。微細貫通孔は、例えば、マスクパターンを形成し、露出している基材（例えば、シリコンウエハ）に対して、プラズマを利用したドライエッチング法であるＩＣＰ−ＲＩＥ（Inductively Coupled Plasma − Reactive Ion Etching：誘導結合プラズマ−反応性イオンエッチング）法により形成することができる。また、サンドブラスト法、ウエットエッチング法、フェムト秒レーザ法により微細貫通孔を形成することもできる。この微細貫通孔の開口径は、例えば、３０〜８０μｍの範囲で設定することができる。また、微細貫通孔内への導電材料の配設は、例えば、プラズマＣＶＤ法等により下地導電薄膜を微細貫通孔内に形成し、その後、電解フィルドめっきにより金属を析出させることにより行うことができる。また、導電性ペーストを微細貫通孔内に充填して表裏導通ビア１７とすることもできる。
【００２９】
次に、上述の実施形態と同様に、封止工程において、多面付けの保護材１４の各面付け毎に、溝部１４ａの形成面側において封止用枠体１５を配設し、この多面付け保護材１４と多面付けセンサー本体１２との位置合せを行い、その後、空隙部１６を形成するように両者を封止用枠体１５を介して接合して、各面付けのセンサー本体１２のアクティブ面１２Ａを封止する（図９（Ｂ））。尚、封止用枠体１５の配設は、多面付けセンサー本体１２側に行なってもよい。
その後、上述の実施形態と同様に、除去工程にて、保護材１４のアクティブ面と対向する面の反対面に対して、上記のテーパ形状の溝部１４ａに対向する部位からテーパ形状の溝部を形成して保護材４を切断し、保護材１４の廃棄領域４Ｂを除去する。次に、ダイシング工程において、多面付けのセンサー本体をダイシングエリアにてダイシングして、個々のセンサーチップ１１（図４参照）を得ることができる。
【００３０】
上述のような本発明のセンサーチップの製造方法は、多面付けでセンサー本体２，１２を作製し、多面付けで保護領域４Ａ，１４Ｂと廃棄領域４Ｂ，１４Ｂの境界線において予めテーパ形状の溝部４ａ，１４ａが形成された保護材４，１４を固着する一括アッセンブリーである。このため、封止用枠体５，１５を介して保護材４，１４をセンサー本体２，１２に多面付けで接合した後に、上記の溝部４ａ，１４ａに達するように保護材４，１４の他方の面からテーパ形状の溝部を形成して保護材４，１４を切断することにより、保護材４，１４の廃棄領域４Ｂ，１４Ｂを除去することができる。したがって、保護材の廃棄領域の除去において、センサー本体に損傷を与えないように保護材を研削切断（寸止めカット）するような工程が不要となり、保護材４，１４とセンサー本体２，１２の端子３あるいは配線３ａ，１３ａとの間隙が狭くなるような空隙部６，１６の設定が可能となる。また、アクティブ面２Ａ，１２Ａを封止する保護領域４Ａ，１４Ａの周端面は上記溝部のテーパ形状がそのまま残って、チッピングのない面取りされた形状となり、後工程において、保護材の端部に外力が加わっても、製造に悪影響を与えるような微細片を生じ難いものとなる。さらに、ダイシング時の研削粉等がアクティブ面２Ａ，１２Ａへ付着することが保護材４，１４によって防止される。これにより、小型薄型のセンサーチップ１，１１を高効率で製造することができる。
尚、上述のセンサーチップ、センサーチップの製造方法は例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【実施例】
【００３１】
次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
（溝部形成工程）
保護材として、厚みが５００μｍであるガラス基板（６インチＪＥＩＤＡ規格シリコンウエハ寸法に準拠）を準備した。上記の保護材を５ｍｍ×７ｍｍで多面付けに区画し、各面付け内に４ｍｍ×６ｍｍの保護領域を設定し、これらの保護領域と、保護領域の周囲に存在する幅１ｍｍの格子形状の廃棄領域との境界線上に、ダイヤモンドカッターを用いて開口幅６００μｍ、深さ３００μｍでＶ字形状の溝部を形成した。
【００３２】
（センサー本体作製工程）
一方、厚み６２５μｍのシリコンウエハを準備し、５ｍｍ×７ｍｍで多面付けに区画した。次いで、このシリコンウエハの各面付け毎に、従来の手法により固体撮像素子（センサー本体）（アクティブ面寸法：３．８８ｍｍ×５．８８ｍｍ）を作製し、その後、シリコンウエハの裏面からバックグラインドを行って厚みを５００μｍとした。各センサー本体は、アクティブ面の周囲に２０個の端子を備えるものであった。
【００３３】
（封止工程）
保護材の溝部形成面側の各面付けの保護領域に、絶縁樹脂組成物（スリーボンド（株）製  ３１２１）をディスペンサーから射出して、封止用枠体（幅１００μｍ、高さ２０μｍ、回廊形状の寸法３．９５ｍｍ×５．９５ｍｍ（枠体中心線での寸法））を形成した。
次に、保護材の各面付けの封止用枠体が、多面付けの各センサー本体のアクティブ面の外側の領域であり、かつ、端子よりも内側の領域となる部位と一致するように位置合せを行い、その後、窒素置換真空ラミネートにより両者を封止用枠体を介して接合した。次いで、封止用枠体に２０００ｍＪ／ｃｍ2で紫外線を照射して硬化処理を施した。これにより、各面付けのセンサー本体のアクティブ面を、２０μｍの空隙を設けて封止した。
【００３４】
（除去工程）
次に、保護材のアクティブ面と対向する面の反対面に対して、上記のテーパ形状の溝部に対向する部位からダイヤモンドカッターを用いて開口幅６００μｍ、深さ３００μｍでＶ字形状の溝部を形成した。このように両面から形成された溝部によって保護材が切断され、保護材の廃棄領域が除去された。これにより、封止用枠体上に４ｍｍ×６ｍｍのガラス基板からなる保護材が配設された状態となった。また、この保護材の主面と周端面とがなす角度は１３５°であった。
【００３５】
（ダイシング工程）
次に、シリコンウエハをダイヤモンドカッターでダイシングして、本発明のセンサーチップを得た。
このセンサーチップは、外形寸法が４．８ｍｍ×６．８ｍｍであり、高さ約１．０２ｍｍであり、極めて薄く小型なものであった。
【００３６】
［実施例２］
（溝部形成工程）
保護材として、厚みが６００μｍであるガラス基板（６インチＪＥＩＤＡ規格シリコンウエハ寸法に準拠）を準備した。また、保持用基板として、厚みが０．５ｍｍであるガラス基板（６インチＪＥＩＤＡ規格シリコンウエハ寸法に準拠）を準備した。次いで、紫外線照射剥離性粘着層を備えた両面粘着テープ（積水化学工業（株）製  セルファ）を介して、上記の保護材と保持用基板とを貼合した。
【００３７】
上記の保護材を５ｍｍ×７ｍｍで多面付けに区画し、各面付け内に４ｍｍ×６ｍｍの保護領域を設定した。そして、保護材に対して、保護領域と、保護領域の周囲に存在する幅１ｍｍの格子形状の廃棄領域との境界線上に、ダイヤモンドカッターを用いて開口幅５２μｍ、深さ３００μｍでＶ字形状の溝部を形成した。
次に、保持用基板側から２０００ｍＪ／ｃｍ2で紫外線を照射し、その後、保持用基板と紫外線照射剥離性粘着層を保護材から剥離除去した。これにより、一方の面にＶ字形状の溝部が形成された多面付けの保護材を得た。
【００３８】
（センサー本体作製工程）
実施例１と同様にして、固体撮像素子（センサー本体）（アクティブ面寸法：３．８８ｍｍ×５．８８ｍｍ）を作製し、その後、シリコンウエハの裏面からバックグラインドを行って厚みを５００μｍとした。
【００３９】
（封止工程）
実施例１と同様に、多面付けのセンサー本体と保護材とを封止用枠体を介して接合した。その後、封止用枠体に２０００ｍＪ／ｃｍ2で紫外線を照射して硬化処理を施した。これにより、各面付けのセンサー本体のアクティブ面を、２０μｍの空隙を設けて封止した。
【００４０】
（除去工程）
実施例１と同様に、保護材のアクティブ面と対向する面の反対面に対して、ダイヤモンドカッターを用いて開口幅５２μｍ、深さ３００μｍでＶ字形状の溝部を形成した。このように両面から形成された溝部によって保護材が切断され、保護材の廃棄領域が除去された。これにより、封止用枠体上に４ｍｍ×６ｍｍのガラス基板からなる保護材が配設された状態となった。また、この保護材の主面と周端面とがなす角度は９５°であった。
【００４１】
（ダイシング工程）
次に、シリコンウエハをダイヤモンドカッターでダイシングして、本発明のセンサーチップを得た。
このセンサーチップは、外形寸法が４．８ｍｍ×６．８ｍｍであり、高さ約１．０２ｍｍであり、極めて薄く小型なものであった。
【００４２】
［実施例３］
（溝部形成工程）
実施例１と同様にして、保護材にＶ字形状の溝部を形成した。
【００４３】
（センサー本体作製工程）
実施例１と同様にして、シリコンウエハに多面付けでセンサー本体を作製して、ウエハレベルのセンサー本体を得た。各センサー本体は、アクティブ面の周囲に２０個の配線パッドを備えるものであった。
次いで、アクティブ面の反対側のシリコンウエハ面に、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜（厚み５μｍ）を成膜した。次に、この窒化珪素膜の全面にポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製  ＯＦＰＲ−８００）を塗布し、微細貫通孔形成用のフォトマスクを介して露光、現像することによりレジストパターンを形成した。次に、ＣＦ4をエッチングガスとして、レジストパターンから露出している窒化珪素膜をドライエッチングし、その後、レジストパターンを剥離し、窒化珪素からなるマスクパターンを各面付けに形成した。上記のマスクパターンは、各面付け毎に、直径が１００μｍである円形開口が、上記の配線パッドに対応するように２０個形成されたものであった。
【００４４】
次に、上記のマスクパターンから露出しているシリコンウエハを、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置により、エッチングガスにＳＦ6を用いてドライエッチングして、微細貫通孔を形成した。この微細貫通孔は、一方の開口径が８０μｍであり、奥部の開口径が４０μｍであるテーパー形状であり、奥部には配線パッドが露出したものであった。
次に、アセトンを用いてマスクパターンをコア材から除去した。その後、微細貫通孔内、およびアクティブ面の反対側のシリコンウエハ面に、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜を形成し、さらに、ＭＯＣＶＤ法により窒化チタン膜を形成して、絶縁膜を形成した。その後、シリコンウエハの一方の面（アクティブ面の反対側面）から、チタン−銅の順にスパッタリング法により下地導電薄膜を０．３μｍの厚みで形成した。次いで、この下地導電薄膜上にドライフィルムレジスト（旭化成（株）製ＡＰＲ）をラミネートした。次いで、表裏導通ビア形成用のフォトマスクを介し露光、現像してレジストパターン（厚み１５μｍ）を形成した。このレジストパターンをマスクとし、上記の下地導電薄膜を給電層として、電解銅めっきを行ない、微細貫通孔内部を充填した。次に、レジストパターンと下地導電薄膜を除去して、表裏導通ビアを形成した。
【００４５】
（封止工程）
各面付けのセンサー本体のアクティブ面の外側領域に、絶縁樹脂組成物（スリーボンド（株）製  ３１２１）をディスペンサーから射出して、封止用枠体（幅１００μｍ、高さ２０μｍ、回廊形状の寸法３．９５ｍｍ×５．９５ｍｍ（枠体中心線での寸法））を形成した。
次に、保護材の溝部形成面側の各面付けの保護領域が、多面付けの各センサー本体のアクティブ面の外側領域と一致するように位置合せを行い、窒素置換真空ラミネートにより両者を封止用枠体を介して接合した。その後、封止用枠体に２０００ｍＪ／ｃｍ2で紫外線を照射して硬化処理を施した。これにより、各面付けのセンサー本体のアクティブ面を、２０μｍの空隙を設けて封止した。
【００４６】
（除去工程）
実施例１と同様に、保護材のアクティブ面と対向する面の反対面に対して、ダイヤモンドカッターを用いて開口幅５２μｍ、深さ３００μｍでＶ字形状の溝部を形成した。このように両面から形成された溝部によって保護材が切断され、保護材の廃棄領域が除去された。これにより、封止用枠体上に４ｍｍ×６ｍｍのガラス基板からなる保護材が配設された状態となった。また、この保護材の主面と周端面とがなす角度は９５°であった。
【００４７】
（ダイシング工程）
次に、シリコンウエハをダイヤモンドカッターでダイシングして、本発明のセンサーチップを得た。
このセンサーチップは、外形寸法が４．８ｍｍ×６．８ｍｍであり、高さ約１．０２ｍｍであり、極めて薄く小型なものであった。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
小型で高信頼性のセンサーチップが要求される種々の分野において適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明のセンサーチップの一実施形態を示す概略断面図である。
【図２】本発明のセンサーチップを構成する保護材の周端面を説明するための拡大断面図である。
【図３】封止用枠体の形状を示す平面図である。
【図４】本発明のセンサーチップの他の実施形態を示す概略断面図である。
【図５】本発明のセンサーチップの他の実施形態を示す概略断面図である。
【図６】本発明のセンサーチップの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図７】本発明のセンサーチップの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図８】本発明のセンサーチップの製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
【図９】本発明のセンサーチップの製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
【符号の説明】
【００５０】
１，１１…センサーチップ
２，１２…センサー本体
２Ａ，１２Ａ…アクティブ面
３，１３…端子
４，１４…保護材
４′１４′…周端面
４ａ，４ｂ，１４ａ…テーパ形状の溝部
４Ａ，１４Ａ…保護領域
４Ｂ，１４Ｂ…廃棄領域
５，１５…封止用枠体
６，１６…間隙
８…保持用基板
９…紫外線照射剥離性粘着層
１７…表裏導通ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008041696.tif 000009
【図８】
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【図９】
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