(57)【要約】【課題】ワイヤーグリッド偏光子の大型化、製造時間の短縮、及びワイヤーグリッドパターンの加工精度の向上をいずれも可能なワイヤーグリッド偏光子製造システム及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明によるワイヤーグリッド偏光子製造システムはスタンピングユニットと硬化ユニットとを含む。スタンピングユニットは、所定のパターンの形成されたスタンプを備え、そのスタンプを基板上に形成されたフォトレジストの上に圧着させ、そのスタンプのパターンをそのフォトレジストに転写する。硬化ユニットはそのフォトレジストを硬化させる。本発明によるこのシステムでは特に、スタンピングユニットと硬化ユニットとが異なるチャンバーを含み、インラインに設けられている。【選択図】図1
2008046580.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に金属薄膜層を形成する蒸着ユニット、
前記金属薄膜層の上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレジストをべークするコーティングユニット、
パターンの形成されたスタンプを含み、前記スタンプを前記フォトレジストの上に圧着して前記スタンプのパターンを前記フォトレジストに転写するスタンピングユニット、及び、
前記スタンピングユニットのチャンバーとは別のチャンバー内で前記フォトレジストを硬化させる硬化ユニット、
を備えているワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項２】
前記金属薄膜層に対してエッチングを行うエッチングユニットと、
前記フォトレジストを除去する灰化ユニットと、
をさらに備えている、請求項１に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項３】
前記基板を搬入する搬入ユニット、
前記基板を洗浄する洗浄ユニット、
前記基板を搬出する搬出ユニット、及び、
前記基板を搬送する搬送ユニット、
をさらに備えている、請求項２に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項４】
前記搬入ユニット、前記洗浄ユニット、前記蒸着ユニット、前記コーティングユニット、前記スタンピングユニット、前記硬化ユニット、前記エッチングユニット、前記灰化ユニット、及び前記搬出ユニットが順番にインラインに設けられ、前記搬送ユニットが、各ユニットの間に設けられている、請求項３に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項５】
前記スタンピングユニットが、
スタンピングチャンバー、
前記スタンピングチャンバー内に配置され、前記基板を支持する第１の基板支持部、及び、
前記スタンプに圧力を加えて前記スタンプを前記基板の上に圧着する加圧部、
をさらに含む、請求項１に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項６】
前記スタンプが、
ベースプレート、
前記ベースプレートの一面の上に交互に配置された、互いに極性の異なる第１の磁石と第２の磁石、及び、
前記ベースプレートの一面の上に取り付けられている複数の単位スタンプ、
を含む、請求項５に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項７】
前記単位スタンプが、
単位スタンプ基板と、
前記単位スタンプ基板の一面の上に一方向に形成された微細パターンと、
を含む、請求項６に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項８】
前記単位スタンプが、前記単位スタンプ基板の他面の上に形成された金属導電層、をさらに含む、請求項７に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項９】
前記単位スタンプ基板がシリコンウェーハ製または水晶ウェーハ製である、請求項７に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項１０】
前記加圧部が、
加圧チャンバーと、
前記加圧チャンバー内に気体を注入して気圧を加える気圧印加部と、
を備えている、請求項５に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項１１】
前記加圧部が、前記加圧チャンバー内に加えられる気圧を均一に維持する気圧補正部、をさらに備えている、請求項１０に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項１２】
前記気圧印加部が、
前記加圧チャンバーの外部に設けられ、前記加圧チャンバーに気体を供給する気体供給源と、
前記加圧チャンバーの壁に形成された気体注入ホールと、
を備えている、請求項１１に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項１３】
前記気圧補正部が、前記加圧チャンバーの内部に設けられた複数のバネ部材を含む、請求項１１に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項１４】
予備スタンプを保管するスタンプ保管チャンバー、をさらに備えている、請求項５に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項１５】
前記硬化ユニットが、
硬化チャンバー、
前記硬化チャンバー内に配置され、前記基板を支持する第２の基板支持部、及び、
前記フォトレジストを硬化させる硬化ソース部、
を備えている、請求項１に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項１６】
前記フォトレジストがＵＶ硬化性または熱硬化性を持つ、請求項１５に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項１７】
前記硬化ソース部がＵＶ光源またはヒーターを備えている、請求項１６に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項１８】
前記フォトレジストが、ＵＶ硬化性のフォトレジストと熱硬化性のフォトレジストとの混合により構成されたハイブリッドフォトレジストを含む、請求項１５に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項１９】
前記スタンピングユニットが、前記ＵＶ硬化性のフォトレジストを硬化させるＵＶ光源をさらに備え、
前記硬化ソース部が、前記熱硬化性のフォトレジストを硬化させるヒーターを備えている、
請求項１８に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項２０】
前記スタンピングユニットが、前記ＵＶ光源から照射されるＵＶ光の一部を遮断するＵＶ遮光部、をさらに備えている、請求項１９に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項２１】
前記ＵＶ遮光部が金属膜を含む、請求項２０に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項２２】
前記エッチングユニットが前記金属薄膜層に対してドライエッチングを行う、請求項２に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
【請求項２３】
基板を設けるステップ、
前記基板の上に金属薄膜層を形成するステップ、
前記金属薄膜層の上にフォトレジストを塗布するステップ、
前記フォトレジストが塗布された基板をべークするステップ、
パターンの形成されたスタンプを設けるステップ、
前記スタンプを前記基板のフォトレジストの上に圧着して前記スタンプのパターンを前記フォトレジストに転写するステップ、
前記フォトレジストに前記スタンプのパターンが転写された基板を別のチャンバーに移し、そのチャンバー内で前記フォトレジストを硬化させるステップ、
前記スタンプを前記基板から外すステップ、及び、
前記基板の金属薄膜層に対してエッチングを行うステップ、
を含む、ワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項２４】
前記金属薄膜層の上にフォトレジストを塗布するステップが、前記金属薄膜層の上にＵＶ硬化性のフォトレジストまたは熱硬化性のフォトレジストを塗布するステップを含む、請求項２３に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項２５】
前記フォトレジストを硬化させるステップが、前記ＵＶ硬化性のフォトレジストにＵＶ光を照射して硬化させるステップ、または、前記熱硬化性のフォトレジストに熱を照射して硬化させるステップ、を含む、請求項２４に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項２６】
前記スタンプを設けるステップでは複数のスタンプを設ける、請求項２３に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項２７】
基板を設けるステップ、
前記基板の上に金属薄膜層を形成するステップ、
前記金属薄膜層の上にフォトレジストを塗布するステップ、
前記フォトレジストが塗布された基板をべークするステップ、
パターンの形成されたスタンプを設けるステップ、
前記スタンプを前記基板のフォトレジストの上に圧着して前記スタンプのパターンを前記フォトレジストに転写するステップ、
前記フォトレジストに前記スタンプのパターンが転写された基板を別のチャンバーに移し、そのチャンバー内で前記フォトレジストを１次硬化させるステップ、
前記スタンプを前記基板から外すステップ、
前記フォトレジストを２次硬化させるステップ、及び、
前記基板の金属薄膜層に対してエッチングを行うステップ、
を含む、ワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項２８】
前記金属薄膜層の上にフォトレジストを塗布するステップが、
ＵＶ硬化性のフォトレジストと熱硬化性のフォトレジストとの混合により構成されるハイブリッドフォトレジストを前記金属薄膜層の上に塗布するステップ、
を含む、請求項２７に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項２９】
前記フォトレジストを１次硬化させるステップが、前記ハイブリッドフォトレジストにＵＶ光を照射して硬化させるステップを含む、請求項２８に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項３０】
前記スタンプを設けるステップでは、前記基板よりも小さいスタンプを設け、
前記フォトレジストを１次硬化させるステップでは、前記スタンプが圧着された前記基板の領域に前記ＵＶ光を照射する、
請求項２９に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項３１】
前記スタンプを前記基板のフォトレジストの上に圧着するステップ、前記フォトレジストを１次硬化させるステップ、及び前記スタンプを前記基板から外すステップを、前記スタンプのパターンが前記基板のフォトレジストの全体に転写されるまで繰り返す、請求項３０に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項３２】
前記フォトレジストを２次硬化させるステップが、前記ハイブリッドフォトレジストに熱を照射して硬化させるステップを含む、請求項２８に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項３３】
前記スタンプを設けるステップが、複数の単位スタンプを設けるステップを含む、請求項２３または請求項２７に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項３４】
前記スタンプを設けるステップが、
ベースプレートを設けるステップ、
前記ベースプレートの一面の上に、互いに極性の異なる第１の磁石と第２の磁石とを交互に配置するステップ、及び、
前記ベースプレートの一面の上に、前記複数の単位スタンプを取り付けるステップ、
をさらに含む、請求項３３に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項３５】
前記複数の単位スタンプを設けるステップが、
単位スタンプ基板を設けるステップ、
前記単位スタンプ基板の一面の上に微細パターンを形成するステップ、
前記微細パターンの形成された単位スタンプ基板の上に保護層を形成するステップ、
前記単位スタンプ基板を切断するステップ、及び、
前記保護層を除去するステップ、
を含む、請求項３３に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項３６】
前記保護層を形成するステップが、
前記微細パターンの形成された単位スタンプ基板の上に、フォトレジストまたは可溶性のポリマーから形成された有機物質層、を塗布するステップ、及び、
前記有機物質層をべークするステップ、
を含む、請求項３５に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項３７】
前記複数の単位スタンプを設けるステップが、前記単位スタンプ基板の他面の上に金属導電層を形成するステップをさらに含む、請求項３５に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はワイヤーグリッド偏光子に関し、特に、その製造システム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ワイヤーグリッド偏光子では一般に、金属材料のストライプ状のパターン（ワイヤーグリッドパターン）がガラス基板または偏光子形成用のフィルムの上に薄膜加工方法により形成され、そのパターンの線幅及び間隔が、可視光領域に属するＲ、Ｇ、Ｂのいずれの波長よりも小さい。ワイヤーグリッドパターンの線幅及び間隔が50nm〜200nm程度であり、可視光領域では最短の波長であるブルーの波長よりも小さい場合、そのワイヤーグリッドパターンに光が入射すると、光が横波であるため、そのワイヤーグリッドパターンのストライプの方向に対して平行な偏光成分のみがそのワイヤーグリッドパターンを通過する。こうして、ワイヤーグリッド偏光子はその偏光子としての機能を発揮する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ワイヤーグリッド偏光子は極めて薄いので、ワイヤーグリッド偏光子の液晶表示装置への適用は、液晶表示装置のスリム化、製造工程の単純化、及び製造コストの削減などを更に向上させるので望ましい。しかし、ワイヤーグリッド偏光子の形成には、一般に50nm〜200nm程度のナノスケールでの金属薄膜のパターニングが必要であるので、ワイヤーグリッド偏光子を液晶表示装置に適用可能な程度まで大型化させるのには難がある。更に、そのパターニングでは工程時間の短縮が困難であるので、液晶表示装置の製造コストを低く維持することが困難である。
【０００４】
ワイヤーグリッド偏光子の製造にナノインプリントリソグラフィ（Nano Imprint Lithography；ＮＩＬ）が利用される場合、特にスタンピング工程が、偏光子のサイズを制限し、かつ偏光子の製造を律速する。ここで、スタンピング工程では、所定のパターンが形成されたスタンプを、基板の上に塗布されたフォトレジストの上に圧着させる。それにより、スタンプのパターンが基板上のフォトレジストに転写される。
【０００５】
従来のワイヤーグリッド偏光子の製造方法では、スタンピング工程（基板に対するスタンプの圧着と加圧）が前後の種々の工程、特に直後の硬化工程（パターニングされた基板上のフォトレジストを硬化させる工程）と同じチャンバー内で行われる。そのため、特にスタンピング工程とその次の硬化工程との間には、ある程度の待機時間が必要である。その結果、製造時間の更なる短縮が困難である。
【０００６】
従来のワイヤーグリッド偏光子の製造方法ではさらに、スタンプのサイズが、液晶表示装置の（特に大型の）パネルのサイズには対応していない。その結果、液晶表示装置の量産性の更なる向上が困難である。その困難を克服するための従来の手段としては例えば、スタンピング工程で、大型の基板に小型のスタンプを何度も繰り返して圧着させる方法が知られている。しかし、このような従来の方法では、スタンピング工程の迅速化が困難であると共に、スタンプの位置決め誤差の低減が困難であるので、ワイヤーグリッド偏光子の品質や信頼性を十分には高く維持できない。
【０００７】
本発明の目的は、ワイヤーグリッド偏光子の更なる大型化、製造時間の更なる短縮、及びワイヤーグリッドパターンの加工精度の更なる向上をいずれも可能なワイヤーグリッド偏光子製造システム、及びその製造方法の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によるワイヤーグリッド偏光子製造システムは、
基板の上に金属薄膜層を形成する蒸着ユニット、
その金属薄膜層の上にフォトレジストを塗布し、そのフォトレジストをべークするコーティングユニット、
所定のパターンが形成されたスタンプを含み、そのスタンプを上記のフォトレジストの上に圧着してスタンプのパターンをそのフォトレジストに転写するスタンピングユニット、及び、
スタンピングユニットのチャンバーとは別のチャンバー内で上記のフォトレジストを硬化させる硬化ユニット、を備えている。このワイヤーグリッド偏光子製造システムでは特に、スタンピングユニットと硬化ユニットとが順番にインラインに設けられている。ここで、搬送ユニットが両ユニットの間に設けられていても良い。
【０００９】
スタンピングユニットは好ましくは、
スタンピングチャンバー、
そのスタンピングチャンバー内に配置され、基板を支持する第１の基板支持部、及び、
上記のスタンプに圧力を加えてそのスタンプを基板の上に圧着する加圧部、をさらに含む。
【００１０】
スタンプは好ましくは、
ベースプレート、
そのベースプレートの一面の上に交互に配置された、互いに極性の異なる第１の磁石と第２の磁石、及び、
上記のベースプレートの一面の上に取り付けられている複数の単位スタンプ、を含む。単位スタンプは好ましくは、単位スタンプ基板と、その単位スタンプ基板の一面の上に一方向に形成された微細パターンと、を含む。単位スタンプが更に、単位スタンプ基板の他面の上に形成された金属導電層を含んでいても良い。単位スタンプ基板は好ましくは、シリコンウェーハ製または水晶ウェーハ製である。
【００１１】
加圧部は好ましくは、加圧チャンバーと、その加圧チャンバー内に気体を注入して気圧を加える気圧印加部と、を備えている。加圧部は更に好ましくは、加圧チャンバー内に加えられる気圧を均一に維持する気圧補正部、を備えている。気圧印加部は好ましくは、加圧チャンバーの外部に設けられ、加圧チャンバーに気体を供給する気体供給源、及び、加圧チャンバーの壁に形成された気体注入ホール、を備えている。気圧補正部は好ましくは、加圧チャンバーの内部に設けられた複数のバネ部材を含む。
【００１２】
硬化ユニットは好ましくは、
硬化チャンバー、
その硬化チャンバー内に配置され、上記の基板を支持する第２の基板支持部、及び、
基板上を覆い、スタンピングユニットによりパターニングされたフォトレジストを硬化させる硬化ソース部、を備えている。ここで、フォトレジストは好ましくは、ＵＶ硬化性または熱硬化性を持つ。それに合わせて、硬化ソース部は好ましくは、ＵＶ光源またはヒーターを備えている。フォトレジストは更に好ましくは、ＵＶ硬化性のフォトレジストと熱硬化性のフォトレジストとの混合により構成されるハイブリッドフォトレジストを含む。その場合、好ましくは、スタンピングユニットが、ハイブリッドフォトレジストに含まれるＵＶ硬化性のフォトレジストを硬化させるＵＶ光源をさらに備え、硬化ユニットの硬化ソース部が、前記ハイブリッドフォトレジストに含まれる熱硬化性のフォトレジストを硬化させるヒーターを備える。更に好ましくは、スタンピングユニットが、そのＵＶ光源から照射されるＵＶ光の一部を遮断するＵＶ遮光部をさらに備える。ＵＶ遮光部は好ましくは、金属膜を含む。
【００１３】
本発明の一つの観点によるワイヤーグリッド偏光子の製造方法は、
基板を設けるステップ、
その基板の上に金属薄膜層を形成するステップ、
その金属薄膜層の上にフォトレジストを塗布するステップ、
そのフォトレジストが塗布された基板をべークするステップ、
所定のパターンが形成されたスタンプを設けるステップ、
そのスタンプを上記の基板のフォトレジストの上に圧着してそのスタンプのパターンをフォトレジストに転写するステップ、
上記のフォトレジストに上記のスタンプのパターンが転写された基板を別のチャンバーに移し、そのチャンバー内でそのフォトレジストを硬化させるステップ、
上記のスタンプをその基板から外すステップ、及び、
その基板の金属薄膜層に対してエッチングを行うステップ、を含む。
【００１４】
本発明の他の観点によるワイヤーグリッド偏光子の製造方法は、
基板を設けるステップ、
その基板の上に金属薄膜層を形成するステップ、
その金属薄膜層の上にフォトレジストを塗布するステップ、
そのフォトレジストが塗布された基板をべークするステップ、
所定のパターンの形成されたスタンプを設けるステップ、
そのスタンプを上記の基板のフォトレジストの上に圧着してそのスタンプのパターンを上記のフォトレジストに転写するステップ、
上記のフォトレジストに上記のスタンプのパターンが転写された基板を別のチャンバーに移し、そのチャンバー内でそのフォトレジストを１次硬化させるステップ、
上記のスタンプを上記の基板から外すステップ、
上記のフォトレジストを２次硬化させるステップ、及び、
上記の基板の金属薄膜層に対してエッチングを行うステップ、を含む。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による上記のワイヤーグリッド偏光子製造システムでは、特にスタンピングユニットと硬化ユニットとが異なるチャンバーを含むので、それらのユニットをインラインに設けることが容易である。このように、律速段階であるスタンピング工程と硬化工程とがインライン化されることで、ワイヤーグリッド偏光子の製造工程全体に要する時間が大幅に短縮可能である。
【００１６】
本発明による上記のワイヤーグリッド偏光子製造システムでは更に、スタンプを構成する複数の単位スタンプが好ましくは静電気力によりベースプレートに取り付けられているので、各単位スタンプの配置を高精度に維持したままスタンプを容易に大型化できる。それにより、ワイヤーグリッド偏光子の大型化が可能であり、しかも、その加工精度が改善される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付された図面に基づき、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
図1は、本発明によるワイヤーグリッド偏光子の製造システムの概略ブロック図であり、図2は、図1に示すワイヤーグリッド偏光子の製造システムによるワイヤーグリッド偏光子の製造工程を示すフローチャートである。
図1を参照すると、ワイヤーグリッド偏光子の製造システムは、搬入ユニット100、洗浄ユニット200、蒸着ユニット300、コーティングユニット400、スタンピングユニット500、硬化ユニット600、エッチングユニット700、灰化ユニット800、搬出ユニット900、及び搬送ユニット1000を備える。
【００１８】
ワイヤーグリッド偏光子の製造システムは、搬入ユニット100、洗浄ユニット200、蒸着ユニット300、コーティングユニット400、スタンピングユニット500、硬化ユニット600、エッチングユニット700、灰化ユニット800、及び搬出ユニット900の順に設けられ、インラインシステムとなる。このとき、搬送ユニット1000は各ユニットの間に設けられ、各ユニットにおいて単位工程が完了した基板を次のユニットに運ぶ。
【００１９】
インラインに構成される製造システムにおいて、全体の工程時間に最も大きく影響する要素は、単位工程間での工程時間の差である。すなわち、全体の工程時間の短縮には、各単位工程での工程時間を均一にし、ある単位工程を完了した後、次の単位工程を開始するまでの待機時間を最短化させることが重要である。しかし、従来のワイヤーグリッド偏光子製造システムの場合、スタンピング工程及び硬化工程を単一のユニット（特に単一のチャンバー）において行っていたため、他のユニットとの間での工程時間の差が甚だしくなり、製造工程全体の工程時間が延びるという問題点があった。
そこで、本発明によるワイヤーグリッド偏光子の製造システムは、従来の製造システムとは異なり、スタンピングユニット500と硬化ユニット600を互いに別々に設け、特に各ユニットのチャンバーを別々に分離する。その結果、スタンピング工程と硬化工程との間には、チャンバーの兼用には必要であった待機時間がもはや不要であるので、二つの単位工程における工程時間の和が短縮される。しかも、スタンピングユニット500と硬化ユニット600とのそれぞれにおける工程時間を他のユニットにおける工程時間とほとんど同一に調節することが可能になるので、他の単位工程に対する待機時間を最短化させることが可能になる。
【００２０】
図1及び図2に基づき、ワイヤーグリッド偏光子の製造システムの各ユニットの役割とワイヤーグリッド偏光子の製造工程の全体を説明する。先ず、搬入ユニット100は、ワイヤーグリッド偏光子の基板（図示せず）をワイヤーグリッド製造システムの内部に搬入する（S201）。搬入ユニット100により搬入された基板は、搬送ユニット1000により洗浄ユニット200に運ばれ、洗浄ユニット200は、運ばれてきた基板を洗浄する（S202）。洗浄済み基板は、搬送ユニット1000により蒸着ユニット300に運ばれ、蒸着ユニット300は、基板の上に金属薄膜層（図示せず）を形成する（S203）。このとき、金属薄膜層は、好ましくはアルミニウム（Al）などの高反射率の金属物質をスパッタリング方式により蒸着させたものである。尚、金属薄膜層の材料及び形成方式はそれらに限定されるものではなく、種々に変更可能である。
【００２１】
金属薄膜層の形成された基板は、搬送ユニット1000によりコーティングユニット400に運ばれ、コーティングユニット400は、運ばれてきた金属薄膜層の上に、ナノスケールの解像度に対応するフォトレジストをスピンコートまたはスリットコートにより塗布する（S204）。その後、フォトレジストを所定の温度下で、所定の時間をかけてソフトべーク処理する（S205）。
【００２２】
基板は、搬送ユニット1000によりスタンピングユニット500に運ばれる。スタンピングユニット500は、パターンの形成されたスタンプ（図示せず）を備え、そのスタンプを基板の上部に位置合わせした後、基板の上に塗布されたフォトレジストの上に圧着する（S206）。それにより、そのスタンプに形成されたパターンがフォトレジストの上に転写される。スタンプの圧着された基板は搬送ユニット1000により硬化ユニット600に運ばれ、硬化ユニット600はフォトレジストを硬化させる（S207）。フォトレジストが硬化された後、硬化ユニット600はスタンプを基板から外す（S208）。
【００２３】
スタンプの外された基板は搬送ユニット1000によりエッチングユニット700に運ばれ、エッチングユニット700は、スタンプによってパターンが形成されたフォトレジストをエッチングマスクとして用いて金属薄膜層をエッチングする（S209）。このとき、エッチング工程は好ましくは、高密度の反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマエッチング（PE）、誘導結合プラズマ（ICP）などを用いるドライエッチング方式により行われる。エッチング済み基板は搬送ユニット1000により灰化ユニット800に運ばれ、灰化ユニット800はエッチングマスクとフォトレジストを除去する。こうして、ワイヤーグリッド偏光子が完成する（S210）。完成したワイヤーグリッド偏光子は搬送ユニット1000により搬出ユニット900に運ばれ、搬出ユニット900は、完成したワイヤーグリッド偏光子をワイヤーグリッド偏光子製造システムの外部に搬出する（S211）。
【００２４】
図3A〜図3Fは、図1に示すワイヤーグリッド偏光子製造システムによる製造されるワイヤーグリッド偏光子の各製造工程中での断面図である。図3A〜図3Fを参照すると、先ず基板2100の上に金属薄膜層2200が形成される（図3A）。このとき、金属薄膜層2200は、上述のように、好ましくは、アルミニウム（Al）などの高反射率の金属物質を基板2100の上にスパッタリング方式により蒸着して形成される。次に、金属薄膜層2200の上にフォトレジスト2300をスピンコートまたはスリットコートにより塗布し、その後、塗布されたフォトレジストを所定の温度下で所定の時間をかけてソフトべークする（図3B）。
【００２５】
パターンの形成されたスタンプ530を基板の上部に位置合わせし、フォトレジスト2300の上に圧着する（図3C）。その後、フォトレジスト2300を硬化させてスタンプ530を外すと、スタンプに形成されたパターンがフォトレジストに転写される。すなわち、フォトレジストにはスタンプのパターンとは反対のパターンが形成される（図3D）。続いて、パターンの形成されたフォトレジスト2300をエッチングマスクとして利用し、金属薄膜層2200をエッチングする（図3E）。その後、金属薄膜層2200の上部に残存するフォトレジスト2300を除去すると、基板2100の上には、ワイヤーグリッドパターンを有する金属薄膜層2200が形成される（図3F）。こうして、ワイヤーグリッド偏光子が完成する。
【００２６】
以下の実施形態においては、ワイヤーグリッド偏光子製造システムのスタンピングユニット500と硬化ユニット600を中心に説明する。図4は、本発明の一実施形態によるワイヤーグリッド偏光子製造システムのスタンピングユニット及び硬化ユニットの概略構成図であり、図5は、図4に示すワイヤーグリッド偏光子製造システムによるワイヤーグリッド偏光子の製造工程を示すフローチャートである。
図4を参照すると、スタンピングユニット500は、スタンピングチャンバー510、第１の基板支持部520、スタンプ530、及び加圧部540を備え、硬化ユニット600は、硬化チャンバー610、第２の基板支持部620、及び硬化ソース部630を備える。
【００２７】
スタンピングユニット500のスタンピングチャンバー510は、スタンピングユニット500の種々の構成要素が設けられる所定の空間を提供する。第１の基板支持部520はスタンピングチャンバー510内に配置され、スタンピングチャンバー510の内部に運ばれてきた基板2000を支持する。このとき、基板2000とは、洗浄ユニット、蒸着ユニット、及びコーティングユニットのそれぞれにおいて行われる単位工程により金属薄膜層及びフォトレジストが順番に積層されている基板のことである。スタンプ530の一面の上には、所定の線幅及び間隔を有するストライプパターン（図示せず）が形成されている。このパターンが基板の上に塗布されたフォトレジストの上に転写される。スタンプ530の構造及びその製造方法については後に、図12〜図15に基づいて更に詳細に説明する。加圧部540は、スタンピングチャンバー510の上部に配置され、スタンプ530に圧力を加えてスタンプ530を上下方向に動かして基板2000の上に圧着する。加圧部540の構造及び動作については後に、図16に基づいて更に詳細に説明する。
【００２８】
この実施形態の場合、第１の基板支持部520がスタンピングチャンバー510の下部に配置され、加圧部540がスタンピングチャンバー510の上部に配置されている。更に、加圧部540がスタンプ530を第１の基板支持部520の方向、すなわち、下方に移動させて基板2000の上に圧着する。尚、本発明の実施形態はそれに限定されるものではない。その他に、第１の基板支持部520と加圧部540との位置が逆であっても良い。すなわち、加圧部540をスタンピングチャンバー510の下部に配置し、第１の基板支持部520を上部に配置することもできる。この配置では、スタンピング工程の進行中に不純物が基板の上に落下することを防ぐことができ、基板が不純物により汚れることを極力抑えることが可能になる。
【００２９】
硬化ユニット600は、硬化チャンバー610、第２の基板支持部620、及び硬化ソース部630を備える。第２の基板支持部620は硬化チャンバー610内に配置され、スタンピングユニット500から運ばれてきた基板2000を支持する。硬化ソース部630は基板の上のフォトレジストを硬化させる。ここで、スタンピングユニット500の手前に設けられるコーティングユニット400（図1参照）において基板の上に塗布されるフォトレジストとしては好ましくは、アクリレート系のポリマーを含むＵＶ硬化性のフォトレジスト、または、エポキシ系のポリマーを含む熱硬化性のフォトレジストが使用される。硬化ソース部630は、コーティングユニット400で用いられるフォトレジストの種類に合わせて、フォトレジストの硬化にＵＶ光源またはヒーターを利用する。
【００３０】
図4及び図5に基づき、ワイヤーグリッド偏光子のスタンピング工程と硬化工程とを説明する。先ず、金属薄膜層とフォトレジストが順番に積層されている基板2000がスタンピングユニット500に運ばれて第１の基板支持部520の上に置かれる。そのとき、スタンプ530がその基板上に配置される（S510）。スタンプ530の位置合わせが終了すると、加圧部540がスタンプ530を基板2000の上に圧着する（S520）。スタンプ530の圧着された基板2000は搬送ユニット1000により硬化ユニット600に運ばれる（S530）。硬化ユニット600に運ばれてきた基板2000は、スタンプ530が圧着された状態で、第２の基板支持部620の上に置かれる。硬化ソース部630はＵＶ光または熱を基板上に照射し、基板の上に形成されているフォトレジストを硬化させる（S540）。フォトレジストの硬化が完了すると、スタンプ530が基板から外される（S550）。外されたスタンプ530はスタンピングユニット530に戻さ、基板2000はエッチングユニット700（図1参照）に運ばれる。
【００３１】
図6A及び図6Bは、本発明の他の実施形態によるワイヤーグリッド偏光子製造システムのスタンピングユニットと硬化ユニットの概略構成図及びブロック図であり、図7は、図6に示すワイヤーグリッド偏光子製造システムによるワイヤーグリッド偏光子の製造工程を示すフローチャートである。図6A〜図7に示す実施形態は、図4及び図5に示す実施形態とは、複数のスタンプを用いる点で異なる。尚、残りの構成はほとんど同様であるため、以下では、その異なる構成を中心に詳述する。
図6A及び図6Bを参照すると、スタンピングユニット500は、スタンピングチャンバー510、第１の基板支持部520、スタンプ530、加圧部540、及びスタンプ保管チャンバー550を備え、硬化ユニット600は、硬化チャンバー610、第２の基板支持部620、及び硬化ソース部630を備える。
【００３２】
スタンピングチャンバー510はスタンピングユニット500の種々の構成要素が設けられる所定の空間を提供する。第１の基板支持部520はスタンピングチャンバー510内に配置され、スタンピングチャンバー510の内部に運ばれてきた基板2000を支持する。スタンプ530の一面の上には、所定の線幅及び間隔を有するストライプパターン（図示せず）が形成されている。このパターンが、基板の上に塗布されたフォトレジストの上に転写される。この実施形態においては特に、スタンプ530が複数用いられる。加圧部540はスタンピングチャンバー510の上部に配置され、スタンプ530に圧力を加えてスタンプ530を上下方向に動かして基板2000の上に圧着する。
【００３３】
スタンプ保管チャンバー550は、スタンプチャンバー510内に配置されるスタンプとは別のスタンプ（予備スタンプ）を保管し、この予備スタンプをスタンプチャンバー510に提供する。例えば上記の実施形態では、スタンピング工程後の基板の上にスタンプが圧着された状態でその基板がスタンピングユニット500から硬化ユニット600に運ばれるため、硬化ユニット600の硬化工程の完了後、基板から外されたスタンプがスタンプチャンバー510に戻されるまで、スタンプチャンバー510内にはスタンプがない。その結果、次の基板のスタンピング工程の開始が遅れる。しかし、この実施形態では、スタンプ保管チャンバー550が複数の予備スタンプを備え、硬化ユニット600において硬化工程が行われる間に、スタンプ保管チャンバー550から予備スタンプがスタンプチャンバー510に搬送される。従って、次の基板のスタンピング工程が、硬化ユニット600からスタンプが戻るのを待つことなく開始されるので、スタンピング工程開始までの待機時間が短縮される。
【００３４】
図6A〜図7に基づき、ワイヤーグリッド偏光子の製造工程を説明する。先ず、金属薄膜層とフォトレジストが順番に積層されている基板2000がスタンピングユニット500に運ばれて第１の基板支持部520の上に置かれると、スタンプ530が基板2000の上に配置される（S710）。スタンプ530の位置合わせが完了すると、加圧部540がスタンプ530を基板2000の上に圧着する（S720）。スタンプ530の圧着された基板2000は、搬送ユニット1000により硬化ユニット600に運ばれる（S730）。それと同時に、スタンプ保管チャンバー550に保管されていた予備スタンプがスタンプチャンバー510に運ばれ、スタンピングユニット500において次の基板のスタンピング工程の準備が行われる。
【００３５】
硬化ユニット600に運ばれてきた基板2000は、スタンプ530が圧着された状態で第２の基板支持部620の上に置かれ、硬化ソース部630がＵＶ光または熱を基板上に照射し、基板の上に形成されたフォトレジストを硬化させる（S540）。フォトレジストの硬化が完了すると、スタンプ530が外される（S550）。外されたスタンプ530はスタンプ保管チャンバー550に運ばれてスタンプ保管チャンバー550に保管される。一方、基板2000はエッチングユニット700（図1参照）に運ばれる。
【００３６】
図8は、本発明のさらに他の実施形態によるワイヤーグリッド偏光子製造システムのスタンピングユニット及び硬化ユニットの概略構成図であり、図9は、図8に示すワイヤーグリッド偏光子製造システムによるワイヤーグリッド偏光子の製造工程を示すフローチャートである。図8及び図9に示す実施形態は、上記の実施形態とは異なり、スタンピングユニットと硬化ユニットとのそれぞれにおいて硬化工程が行われる。従って、スタンプを外す時期が上記の実施形態とは異なる。尚、残りの構成は上記の実施形態とほとんど同様であるため、以下では、その異なる構成を中心に詳述する。
【００３７】
スタンピングユニット500は、スタンピングチャンバー510、第１の基板支持部520、スタンプ530、加圧部540、及びＵＶ光源560を備え、硬化ユニット600は、硬化チャンバー610、第２の基板支持部620、及びヒーター635を備える。ここで、コーティングユニット400（図1参照）において基板の上に塗布するフォトレジストとしては好ましくは、ＵＶ硬化性のフォトレジストと熱硬化性のフォトレジストとの混合により構成されるハイブリッドフォトレジストが使用される。更に好ましくは、ＵＶ硬化性のフォトレジストがアクリレート系のポリマーを含み、熱硬化性のフォトレジストがエポキシ系のポリマーを含む。スタンピングユニット500にはＵＶ光源560が設けられ、ハイブリッドフォトレジストに含まれるＵＶ硬化性のフォトレジストを硬化させる。このとき、ＵＶ光源560は好ましくは、スタンピングチャンバー510の上部にある加圧部540に設けられる。尚、ＵＶ光源560の取付個所はそれに限定されるものではなく、種々の個所に取付可能である。硬化ユニット600の硬化ソース部はヒーター635により構成され、ハイブリッドフォトレジストに含まれる熱硬化性のフォトレジストを硬化させる。
【００３８】
図8及び図9に基づき、ワイヤーグリッド偏光子の製造工程を説明する。先ず、金属薄膜層とフォトレジストが順番に積層されている基板2000がスタンピングユニット500に運ばれて第１の基板支持部520の上に置かれると、スタンプ530がその基板の上に配置される（S910）。このとき、基板2000の上に形成されたフォトレジストは、上述のように、ＵＶ硬化性のフォトレジストと熱硬化性のフォトレジストとの混合により構成されるハイブリッドフォトレジストである。スタンプ530の位置合わせが完了すると、加圧部540がスタンプ530を基板2000の上に圧着する（S920）。このとき、スタンプ530としては好ましくは、基板2000のサイズに見合うサイズのスタンプが用いられ、一回の圧着によりスタンプのパターンが基板の上に転写される。次に、ＵＶ光源560がＵＶ光を基板のハイブリッドフォトレジストの上に照射し、ハイブリッドフォトレジストの成分のうちＵＶ硬化性のフォトレジストを優先的に硬化させる（S930）。その後、スタンプ530が基板から外される（S940）。スタンプ530の外された基板2000は、搬送ユニット1000により硬化ユニット600に運ばれる（S950）。硬化ユニット600に運ばれてきた基板2000は第２の基板支持部620の上に置かれる。ヒーター635は熱を基板上に照射し、基板の上に形成されているハイブリッドフォトレジストのうち熱硬化性のフォトレジストを硬化させる（S960）。その後、基板2000はエッチングユニット700（図1参照）に運ばれる。
【００３９】
フォトレジストとして、ＵＶ硬化性のフォトレジストと熱硬化性のフォトレジストとの混合により構成されるハイブリッドフォトレジストを用いる場合、ハイブリッドフォトレジストが基板の上に塗布されている状態でスタンプが圧着され、その後、まず、ＵＶ光が照射される。それにより、ハイブリッドフォトレジストの成分のうちＵＶ硬化性のフォトレジストが硬化するので、ハイブリッドフォトレジストが一定の形状を維持する。この状態でスタンプがハイブリッドフォトレジストから外されても、硬化したＵＶ硬化性のフォトレジストがスタンプによって転写されたパターンを維持する。次に、その基板を硬化ユニットに運んで熱硬化工程を行うことにより、ハイブリッドフォトレジストの成分のうち熱硬化性のフォトレジストを硬化させる。こうして、ハイブリッドフォトレジストが完全に硬化する。このように、スタンピングユニットと硬化ユニットとのそれぞれにおいて硬化工程を行う、すなわち二重硬化方式を適用することにより、両ユニット間での工程時間の差を最大限に短縮可能である。
【００４０】
図10は、本発明のさらに他の実施形態によるワイヤーグリッド偏光子製造システムのスタンピングユニット及び硬化ユニットの概略構成図であり、図11は、図10に示すワイヤーグリッド偏光子製造システムによるワイヤーグリッド偏光子の製造工程を示すフローチャートである。図10及び図11に示す実施形態は、図8及び9に示す上記の実施形態とはスタンプが基板よりも小さい点で異なる。尚、残りの構成はほとんど同様であるため、以下では、その異なる構成を中心に詳述する。
【００４１】
スタンピングユニット500は、スタンピングチャンバー510、第１の基板支持部520、スタンプ530、加圧部540、ＵＶ光源560、及びＵＶ遮光部570を備え、硬化ユニット600は、硬化チャンバー610、第２の基板支持部620、及びヒーター635を備える。ここで、コーティングユニット400（図1参照）において基板の上に塗布するフォトレジストとしては好ましくは、ＵＶ硬化性のフォトレジストと熱硬化性のフォトレジストとの混合により構成されるハイブリッドフォトレジストが用いられる。スタンピングユニット500はＵＶ光源560を有し、ハイブリッドフォトレジストに含まれるＵＶ硬化性のフォトレジストを硬化させる。
【００４２】
この実施形態では特に、スタンプ530が基板2000よりも小さい。このため、スタンプ530に形成されているパターンを基板のハイブリッドフォトレジストに転写するためには、少なくとも２回以上スタンプ530を基板の上に圧着する工程を繰り返す必要がある。従って、スタンプ530を基板のハイブリッドフォトレジストの上に最初に圧着した状態でＵＶ光源560を用いてＵＶ硬化を行うときは、スタンプ530が覆われていない領域のハイブリッドフォトレジストにＵＶ光が照射されることを回避する必要がある。このために、ＵＶ遮光部570がＵＶ光源560の下部に設けられ、ＵＶ光源560から照射されるＵＶ光の一部を遮断する。ここで、ＵＶ遮光部570は好ましくは、クロムまたはアルミニウムなどの金属物質より構成される金属膜から形成される。
【００４３】
図10及び図11に基づき、ワイヤーグリッド偏光子の製造工程を説明する。先ず、金属薄膜層とフォトレジストが順番に積層されている基板2000がスタンピングユニット500に運ばれて第１の基板支持部520の上に置かれると、スタンプ530がその基板2000の上に配置される（S1110）。ここで、基板2000の上に形成されているフォトレジストは、上述のように、ＵＶ硬化性のフォトレジストと熱硬化性のフォトレジストとの混合により構成されるハイブリッドフォトレジストである。また、スタンプ530は、基板2000よりも小さく形成されている。
【００４４】
スタンプ530の位置合わせが完了すると、加圧部540がスタンプ530を基板2000の上に圧着する（S1120）。その状態で、ＵＶ光源560がＵＶ光を基板2000に照射する（S1130）。ここで、ＵＶ遮光部570により、ＵＶ光は基板の一部の領域、すなわち、スタンプが圧着されている領域にのみ照射されるので、その領域でのみ、ハイブリッドフォトレジストの成分のうちＵＶ硬化性のフォトレジストが優先的に硬化する。その後、スタンプ530が基板2000から外される（S1140）。基板2000の全体にパターンが転写されるまで、上記の工程が繰り返される（S1150）。
【００４５】
基板2000の全体にパターンが転写された後、スタンプ530の外された基板2000は搬送ユニット1000により硬化ユニット600に運ばれる（S1160）。硬化ユニット600に運ばれてきた基板2000は第２の基板支持部620の上に置かれる。ヒーター635はその基板2000の上に熱を照射し、基板2000の上に形成されているハイブリッドフォトレジストの成分のうち熱硬化性のフォトレジストを硬化させる（S1170）。その後、基板2000はエッチングユニット700（図1参照）に運ばれる。
【００４６】
図12は、本発明の実施形態によるスタンプの概略断面図であり、図13は、単位スタンプがベースプレートに取り付けられる原理を示す図であり、図14は、本発明の実施形態によるスタンプの変形例の概略断面図である。
図12〜図14を参照すると、スタンプ530は、ベースプレート531、磁石532、及び、複数の単位スタンプ535を備える。ベースプレート531の一面には、互いに極性の異なる第１の磁石（Ｎ極磁石）532aと第２の磁石（Ｓ極磁石）532bが交互に配置されている。複数の単位スタンプ535は、磁石532が配置されているベースプレート531の上に取り付けられている。各単位スタンプ535には微細パターン（図示せず）が形成されている。
【００４７】
図13に基づき、単位スタンプ535がベースプレート531に取り付けられる原理を説明する。ベースプレート531の同じ平面の上にはＮ極磁石532aとＳ極磁石532bが交互に配置されている。磁束はＮ極磁石532aからＳ極磁石532bに向かう。ベースプレート531の下に金属物質が存在する場合、ベースプレート531の回転、または各磁石532a、532bの周期的な極性反転（各磁石532a、532bが電磁石である場合）に伴い、ローレンツの法則により、特にＮ極磁石532aとＳ極磁石532bとの間の空間では金属物質が、磁束の方向に対して垂直な方向、すなわち、ベースプレート531の法線に沿って下から上に向かう方向（図13に示されている矢印Fの方向）に磁気付着力を受ける。このような原理により金属物質には磁気付着力が発生するので、金属物質がベースプレート531に付着する。
【００４８】
単位スタンプ535の基板としては好ましくは、シリコンウェーハまたは水晶ウェーハが使用される。シリコンウェーハそのものは導電体であるため、シリコンウェーハ製の単位スタンプ535は図12に示すように、別の金属導電層がコーティングされていなくてもベースプレート531に付着する。一方、水晶ウェーハそのものは絶縁材料であるため、水晶ウェーハ製の単位スタンプ535では、その取付面の上に別の金属導電層538が形成される（図14参照）。尚、単位スタンプ535がシリコンウェーハ製である場合でも、磁気付着力を一層強めるために金属導電層538が形成されても良い。
【００４９】
このように、磁石を用いた磁気付着力によって単位スタンプを取り付けて大型スタンプを製作する方式は、清浄室内や真空チャンバー内で利用可能である。特に真空中では、既存のエアー吸入方式による単位スタンプの取り付けが不可能であるのに対し、上記の磁気付着力による取り付けは可能である。しかも、磁気付着力はエアー吸入方式での付着力より強いので、上記の磁気付着力を用いた単位スタンプの取り付け方法には、スタンプの経時的な変形が小さいというメリットがある。
【００５０】
図15A〜図15Dは、単位スタンプの製造工程の断面図である。図15A〜図15Dを参照すると、先ず、円形のシリコンウェーハ製または水晶ウェーハ製の単位スタンプ基板536の一面の上に、微細パターン、すなわち、ワイヤーグリッドパターン537が一方向に形成される（図15A）。次に、ワイヤーグリッドパターン537の形成されている単位スタンプ基板536の全面にフォトレジストまたは可溶性ポリマーを塗布して有機物質層を形成し、その有機物質層をべークして保護層539を形成する（図15B）。その後、ワイヤーグリッドパターン537と保護層539が形成されている単位スタンプ基板536を長方形または正方形に切断する（図15C、特に矢印C参照）。このとき、切断はダイアモンドホイールまたはレーザーを用いて行われる。切断の完了後、保護層539を除去して単位スタンプ535を完成させる（図15D）。このように、保護層539を形成してから切断工程を行い、その後に保護層を除去することにより、切断工程に起因するワイヤーグリッドパターン537の汚染及び破損を防ぐことが可能である。
【００５１】
図16は、本発明の実施形態によるワイヤーグリッド偏光子製造システムのスタンピングユニットの概略構成図である。図16に基づき、スタンピングユニット500の加圧部540を更に詳述する。加圧部540は、加圧チャンバー541、気圧印加部、及び気圧補正部545を備えている。気圧印加部は加圧チャンバー541内に気体を注入して気圧を加える。気圧補正部545は加圧チャンバー541内に加えられる気圧を均一に維持する。気圧印加部は、加圧チャンバー541の外部に設けられて加圧チャンバーに気体を供給する気体供給源（図示せず）と、加圧チャンバー541の壁に形成されている気体注入ホール543と、を備えている。気圧補正部545は好ましくは複数のバネ部材により構成され、各バネ部材は加圧チャンバー541の内部に対称的に設けられている。
【００５２】
加圧チャンバー541の壁に形成されている気体注入ホール543を介して気体が加圧チャンバーの内部に注入されるとき、気圧が場所に応じて大きく変動すれば、スタンプに圧力が局部的に加わえられてスタンプ上の圧力分布が不均一になる場合がある。その他に、スタンプのベースプレートの加工上のバラツキが原因でスタンプ上に伝達される気圧のバランスが一時的に崩れる場合がある。しかし、特にスタンプの基板への圧着時に、スタンプ上での気圧が特定の方向に偏ることで、スタンプの各部間で圧縮量のバランスが崩れそうになっても、バネ部材により構成される気圧補正部545がそのバラツキを吸収するので、スタンプによる基板への加圧がスタンプ全体で均等に維持される。
【００５３】
気圧印加部は好ましくは、加圧チャンバー541に気体を一度に注入する。その他に、気体印加部が加圧チャンバー541に気体を、一定の時間ごとに分割して注入しても良い。特に気圧の上昇を複数の段階に分けて行っても良い。一方、スタンピングユニット500のスタンピングチャンバー510の側壁には、チャンバーを開閉するための開閉口515が設けられても良い。
【００５４】
以上、本発明によるワイヤーグリッド偏光子製造システム及びその製造方法の実施形態について説明した。しかし、これらの実施形態は好ましいものとして例示されたものに過ぎず、本発明の実施形態はこれらに限定されるものではない。実際、当業者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨を逸脱することなく、上記の実施形態を種々に変更可能であろう。従って、そのような変更の範囲も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施形態によるワイヤーグリッド偏光子製造システムの概略ブロック図である。
【図２】図1に示すワイヤーグリッド偏光子製造システムによるワイヤーグリッド偏光子の製造工程を示すフローチャートである。
【図３Ａ】図1に示すワイヤーグリッド偏光子製造システムについて、基板上に金属薄膜層を形成する工程でのワイヤーグリッド偏光子の断面図である。
【図３Ｂ】図1に示すワイヤーグリッド偏光子製造システムについて、基板上にフォトレジストを形成する工程でのワイヤーグリッド偏光子の断面図である。
【図３Ｃ】図1に示すワイヤーグリッド偏光子製造システムについて、フォトレジストにスタンプを圧着する工程でのワイヤーグリッド偏光子の断面図である。
【図３Ｄ】図1に示すワイヤーグリッド偏光子製造システムについて、フォトレジストにパターンが転写されたワイヤーグリッド偏光子の断面図である。
【図３Ｅ】図1に示すワイヤーグリッド偏光子製造システムについて、金属薄膜層がエッチングされたときのワイヤーグリッド偏光子の断面図である。
【図３Ｆ】図1に示すワイヤーグリッド偏光子製造システムについて、完成したワイヤーグリッド偏光子の断面図である。
【図４】本発明の一実施形態によるワイヤーグリッド偏光子製造システムのスタンピングユニット及び硬化ユニットの概略構成図である。
【図５】図4に示すワイヤーグリッド偏光子製造システムによるワイヤーグリッド偏光子の製造工程を示すフローチャートである。
【図６Ａ】本発明の他の実施形態によるワイヤーグリッド偏光子製造システムのスタンピングユニットと硬化ユニットの概略構成図である。
【図６Ｂ】図6Aに示すスタンピングユニットと硬化ユニットのブロック図である。
【図７】図6に示すワイヤーグリッド偏光子の製造システムによるワイヤーグリッド偏光子の製造工程を示すフローチャートである。
【図８】本発明のさらに他の実施形態によるワイヤーグリッド偏光子の製造システムのスタンピングユニット及び硬化ユニットの概略構成図である。
【図９】図8に示すワイヤーグリッド偏光子の製造システムによるワイヤーグリッド偏光子の製造工程を示すフローチャートである。
【図１０】本発明のさらに他の実施形態によるワイヤーグリッド偏光子の製造システムのスタンピングユニット及び硬化ユニットの概略構成図である。
【図１１】図10に示すワイヤーグリッド偏光子製造システムによるワイヤーグリッド偏光子の製造工程を示すフローチャートである。
【図１２】本発明の実施形態によるスタンプの概略断面図である。
【図１３】単位スタンプがベースプレートに取り付けられる原理を示す図である。
【図１４】本発明の実施形態によるスタンプの変形例の概略断面図である。
【図１５Ａ】本発明の実施形態による単位スタンプの製造工程について、ワイヤーグリッドパターンが形成されたときの単位スタンプの断面図である。
【図１５Ｂ】本発明の実施形態による単位スタンプの製造工程について、保護層が形成されたときの単位スタンプの断面図である。
【図１５Ｃ】本発明の実施形態による単位スタンプの製造工程について、基板から切断されるときの単位スタンプの断面図である。
【図１５Ｄ】本発明の実施形態による単位スタンプの製造工程について、完成した単位スタンプの断面図である。
【図１６】本発明の実施形態によるワイヤーグリッド偏光子製造システムのスタンピングユニットの概略構成図である。
【符号の説明】
【００５６】
100：搬入ユニット    
200：洗浄ユニット
300：蒸着ユニット
400：コーティングユニット
500：スタンピングユニット
510：スタンピングチャンバー
20：基板支持部
530：スタンプ
540：加圧部
550：スタンプ保管チャンバー
560：ＵＶ光源
570：ＵＶ遮光部
600：硬化ユニット
610：硬化チャンバー
620：基板支持部
630：硬化ソース部
700：エッチングユニット
800：灰化ユニット
900：搬出ユニット
1000：搬送ユニット
【図１】
2008046580.tif 000003
【図２】
2008046580.tif 000004
【図３Ａ】
2008046580.tif 000005
【図３Ｂ】
2008046580.tif 000006
【図３Ｃ】
2008046580.tif 000007
【図３Ｄ】
2008046580.tif 000008
【図３Ｅ】
2008046580.tif 000009
【図３Ｆ】
2008046580.tif 000010
【図４】
2008046580.tif 000011
【図５】
2008046580.tif 000012
【図６Ａ】
2008046580.tif 000013
【図６Ｂ】
2008046580.tif 000014
【図７】
2008046580.tif 000015
【図８】
2008046580.tif 000016
【図９】
2008046580.tif 000017
【図１０】
2008046580.tif 000018
【図１１】
2008046580.tif 000019
【図１２】
2008046580.tif 000020
【図１３】
2008046580.tif 000021
【図１４】
2008046580.tif 000022
【図１５Ａ】
2008046580.tif 000023
【図１５Ｂ】
2008046580.tif 000024
【図１５Ｃ】
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【図１５Ｄ】
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【図１６】
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