(57)【要約】【課題】半導体ウエハの紫外線照射装置において、半導体ウエハ表面の状態による紫外線の反射率または吸収率の変化によらずに、本来紫外線照射プロセスに必要とされる紫外線光量を照射する。【解決手段】半導体ウエハ５の表面近傍を、照射ヘッド部１が一方から他方へ随時移動する際、表面の状態を照射ヘッド部１の反射率または吸収率測定機能により随時フィードバックを掛け、紫外線の照射光量を変更することにより、半導体ウエハ５の表面状態に応じた紫外線光量を照射する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハをスキャンしながら紫外線を照射する半導体製造装置において、
前記照射する紫外線と近傍の波長で前記半導体ウエハの反射率の測定と前記紫外線の光量の制御とを繰り返し行いながら前記紫外線の照射を行う照射手段を備えることを特徴とする紫外線照射装置。
【請求項２】
請求項１に記載の紫外線照射装置において、
前記照射する紫外線と近傍の波長は、１０乃至４５０ｎｍの範囲内の波長であることを特徴とする紫外線照射装置。
【請求項３】
請求項１に記載の紫外線照射装置において、
前記半導体ウエハの反射率測定用の発光素子の隣に受光素子を配置することを特徴とする紫外線照射装置。
【請求項４】
請求項３に記載の紫外線照射装置において、
前記半導体ウエハの反射率測定用の発光素子の両側に２つの受光素子を配置することを特徴とする紫外線照射装置。
【請求項５】
請求項１に記載の紫外線照射装置において、
前記半導体ウエハの反射率測定用の発光素子とプロセス用の発光素子とが、前記半導体ウエハに対する移動方向において同じ位置に配置されることを特徴とする紫外線照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の紫外線照射装置において、
前記半導体ウエハの反射率測定用の発光素子の紫外線照射タイミングが、隣り合う前記反射率測定用の発光素子と時間的に分割されて反射率の測定を行うことを特徴とする紫外線照射装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の紫外線照射装置において、
前記半導体ウエハへ照射する紫外線の総量を、該半導体ウエハの移動位置と照射光量とに分割することにより、該照射光量の変化を自在に変更することが可能であることを特徴とする紫外線照射装置。
【請求項８】
半導体ウエハをスキャンしながら紫外線を照射する半導体製造方法において、
前記照射する紫外線と近傍の波長で前記半導体ウエハの反射率の測定と前記紫外線の光量の制御とを繰り返し行いながら前記紫外線の照射を行う照射工程を備えることを特徴とする紫外線照射方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハへの紫外線照射に関して、特にウエハ表面またはウエハ上に形成されるチップ表面の状態により紫外線照射光量を制御する半導体ウエハの紫外線照射装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまで発明された半導体ウエハの紫外線照射装置では、例えば、ＤＲＡＭに代表される汎用メモリや一般のシステムＬＳＩなどは、半導体ウエハの面内または１つのチップ内にトランジスタなどの素子が一様に構成されている。
【０００３】
そのため、これらの構成素子の特性の同一にするためには紫外線照射工程における紫外線の光量も半導体ウエハ面において均一にする必要があった。
【０００４】
そこで、これを実現するために従来の技術では、紫外線ランプを複数本設置して紫外線の光量の均一化を図ったり、紫外線の照射中に半導体ウエハを回転させたりして均一化を図っていた。
【０００５】
ところが、近年、混載ＬＳＩに代表される半導体ウエハでは、回路構成や素子構成がチップ内で異なる場合があるため、紫外線照射工程において必要とされる紫外線光量も半導体ウエハ内またはチップ内で変更する必要が生じつつある。
【０００６】
この場合、これまでの技術では、照射面内での紫外線光量の均一化が求められていたため、半導体ウエハ内またはチップ内で個別に紫外線の光量を変更する機構をそのものが存在しなかったり、または光量を変更できる機構を持つ場合でも、半導体ウエハの図面情報から予め決められた紫外線の照射光量へ変更するため、実際のウエハ表面の凹凸状況などによる紫外線の反射率または吸収率の変化による紫外線照射プロセスに本来必要とされる紫外線光量が紫外線にプロセスが必要な層へ到達しない、または光量が不足するという問題点があった。
【０００７】
次に上記問題点を解決するための従来例を２つ挙げる。
【０００８】
まず従来例の１つ目として、特許文献１に記載されている半導体装置について説明する。
【０００９】
この従来例は、有機ＥＬディスプレイガラス基板の表面処理工程適用した場合として、紫外線の光源と被照射面との間に供給する紫外線吸収媒体および紫外線透過媒体の量を制御することより被照射面の紫外線光量を制御する方法がある。
【００１０】
次に２つ目の従来例として、特許文献２に記載されている半導体装置について説明する。
【００１１】
この従来例は、主にＤＶＤやＣＤといった回転する被照射面に紫外線を照射する場合として、ディスクの回転半径に対して照射する紫外線の光量を制御する方法がある。
【００１２】
この方式は、光源として複数の紫外線発光ダイオードを用い、被照射面の半径方向に紫外線発光ダイオードを並べ、複数の凸レンズとシリンドリカルレンズにより一軸方向に集光し、被照射面に紫外線を照射している。その際、回転体の回転半径により面積当たりの照射光量が内周側では多く、また外周側では少なくなることを解決するために、複数の紫外線発光ダイオードのそれぞれに電力を供給する電力部と発光量を制御する制御部を備えて、半径方向の距離に対して、照射光量を個別に制御できる構成になっている。
【特許文献１】特開２００６−１８５９３８号公報
【特許文献２】特開２００７−２６５１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記特許文献１に開示された方式では、被照射面への紫外線照射量を予め設定した照射量に制御することは可能であるが、紫外線吸収媒体として酸素を用いているため、紫外線光源と被照射面との空間における気体の拡散により、空間の個別箇所の酸素濃度を制御することは難しく、基板に照射する紫外線光量を半導体ウエハの位置に応じて個別に制御することは困難である。また、特許文献２に開示された方式では、回転体の半径の位置情報および必要とされる紫外線光量から各紫外線発光ダイオードの光量を調整するため、実際の表面状態の凹凸に対する制御を行うのは困難である。
【００１４】
更に上記特許文献１及び２に開示された紫外線照射装置では、紫外線の照射直前に被照射面の表面状態を確認する機構が存在しないため、被照射面の表面状態の違いによる紫外線反射率の違いに対応することが困難である。また、予め被照射面の図面の位置情報から全ての位置に対する照射光量を設定する作業工程が必要だから、紫外線の照射光量を被照射面の図面位置情報により変更する場合においても、作業工程が増大する問題点がある。
【００１５】
そこで、本発明は、上記各問題点に鑑みて為されたもので、その課題の一例は、半導体ウエハの紫外線照射装置において、半導体ウエハの表面状態による紫外線の反射率または吸収率の違いによらずに、本来紫外線照射プロセスに必要とされる紫外線光量を照射することが可能な紫外線照射装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、半導体ウエハをスキャンしながら紫外線を照射する半導体製造装置において、前記照射する紫外線と近傍の波長で前記半導体ウエハの反射率の測定と前記紫外線の光量の制御とを繰り返し行いながら前記紫外線の照射を行う照射手段を備えることを特徴とする。
【００１７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の紫外線照射装置において、前記照射する紫外線と近傍の波長は、１０乃至４５０ｎｍの範囲内の波長であることを特徴とする。
【００１８】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の紫外線照射装置において、前記半導体ウエハの反射率測定用の発光素子の隣に受光素子を配置することを特徴とする。
【００１９】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の紫外線照射装置において、前記半導体ウエハの反射率測定用の発光素子の両側に２つの受光素子を配置することを特徴とする。
【００２０】
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の紫外線照射装置において、前記半導体ウエハの反射率測定用の発光素子とプロセス用の発光素子とが、前記半導体ウエハに対する移動方向において同じ位置に配置されることを特徴とする。
【００２１】
請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５の何れか一項に記載の紫外線照射装置において、前記半導体ウエハの反射率測定用の発光素子の紫外線照射タイミングが、隣り合う前記反射率測定用の発光素子と時間的に分割されて反射率の測定を行うことを特徴とする。
【００２２】
請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６の何れか一項に記載の紫外線照射装置において、前記半導体ウエハへ照射する紫外線の総量を、該半導体ウエハの移動位置と照射光量とに分割することにより、該照射光量の変化を自在に変更することが可能であることを特徴とする。
【００２３】
請求項８に記載の発明は、半導体ウエハをスキャンしながら紫外線を照射する半導体製造方法において、前記照射する紫外線と近傍の波長で前記半導体ウエハの反射率の測定と前記紫外線の光量の制御とを繰り返し行いながら前記紫外線の照射を行う照射工程を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、紫外線照射直前にプロセス用紫外線光源と同じ光軸に設置した測定用の紫外線照射光源により半導体ウエハ表面の状態を測定できるため、半導体ウエハの回路パターンや表面状態に応じた紫外線の光量の調節が可能である効果を奏する。
【００２５】
また、本発明によれば、予め被照射面の図面の位置情報から照射量を設定する工程が不要であるため、照射光量の変更による作業工数の増加が防げる効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】
図１は、本発明に係る第１実施形態の半導体ウエハの紫外線照射装置の各要素の制御系の関係を表した概略図である。
【００２８】
図１を参照すると、本発明に係る第１実施形態の半導体ウエハの紫外線照射装置は、紫外線を照射する照射ヘッド部１と、照射ヘッド部１の紫外線の光源に電力を供給する電力部２と、電力部２を制御する制御部３と、制御部３へ基本データを与える入力部４と、被紫外線照射対象である半導体ウエハ５と、半導体ウエハ５を支持する機能と照射する紫外線光量の校正する為の反射面を有する支持部６と、支持部６を照射ヘッド部１の下方をスキャンする様に搬送する搬送部７とから構成される。
【００２９】
照射ヘッド部１は、半導体ウエハ５の表面の反射率または吸収率を測定する為の機能を有しており、前記反射率または吸収率の測定結果は制御部３へ送信される。
【００３０】
制御部３は、受信した前記反射率または吸収率の測定結果と入力部４から与えられた基本データとから紫外線の照射量を算出する機能を有している。
【００３１】
半導体ウエハ５は、支持部６により支持されている。
【００３２】
照射ヘッド部１の詳細について、図２乃至４を用いて説明する。
【００３３】
図２は、照射ヘッド部１を上面から見た図である。
【００３４】
図２を参照すると、照射ヘッド部１は、半導体ウエハ５の搬送方向の対面側前列に反射率測定部１１と、後列にプロセス照射部１２とから構成される。
【００３５】
前列の反射率測定部１１は、反射率測定に用いられる紫外線を発光する１つの測定発光部１６と、その両側に半導体ウエハ５の表面からの反射光を受光する受光部１７とを有している。
【００３６】
測定発光部１６は、半導体ウエハ５に対して垂直に微小紫外線を照射する。照射された紫外線は、半導体ウエハ５で吸収されずに一部が反射され受光部１７で受光される。測定発光部１６は、高速に駆動可能な紫外線発光機器であれば使用可能であるが、一般的には紫外線発光ダイオードを用いる。
【００３７】
受光部１７は、反射光をより的確に受信するために、測定発光部１６の両側に２つ配置されている。また、受光部１７は、光量データを制御部３へ送信する機能を有している。
【００３８】
また、受光部１７は、紫外線発光ダイオードが照射する紫外線波長が受光でき、かつ高速応答が可能な機器であれば使用可能であるが、一般的には発光した紫外線と同波長付近に分光特性があるフォトダイオードを用いる。照射する紫外線と近傍の波長は、１０乃至４５０ｎｍの範囲内の波長である。
【００３９】
さらに、隣り合う測定発光部１６及び受光部１７での測定が区別できる様に、測定群１３、１４、１５というグループに分け、それぞれ時間的に分割して測定する。
【００４０】
なお、他の測定発光部１６からの照射光および反射光の影響が及ばない距離に位置する測定群は、再び測定群１３、１４、１５と割り振り、繰り返し時間分割して発光時間の短縮を図る。
【００４１】
図３は、反射率測定部１１を半導体ウエハ５の進行方向側から見た図の一部である。
【００４２】
図３を参照すると、受光部１７は、測定発光部１６から半導体ウエハ５に対して垂直に照射された紫外線が半導体ウエハ５の表面または表面近傍の回路パターンなどで一部が反射された反射光を受光できる位置に配置する。
【００４３】
反射率測定部１１は、前記測定発光部１６と両側の２つの受光部１７の組み合わせが、半導体ウエハ５の直径以上に連続して配置されている構成となっている。但し、図２に示す通り、受光部１７は両側の測定発光部１６に対する受光部として兼ねることが可能な構成となっている。
【００４４】
次に、後列のプロセス照射部１２について説明する。
【００４５】
プロセス照射部１２は、紫外線プロセスを行うための紫外線を照射するプロセス発光部１８を複数個有しており、反射率測定部１１の測定結果から制御部３が算出した結果より電力部２により与えられる電力およびタイミングで半導体ウエハ５へ紫外線の照射を行う。
【００４６】
また、プロセス発光部１８は、反射率測定部１１の測定発光部１６との中心軸が一致していることを特徴としている。
【００４７】
次に、前列の反射率測定部１１の測定発光部１６とプロセス発光部１８との位置関係について、図４を用いて説明する。
【００４８】
図４を参照すると、プロセス発光部１８は、測定発光部１６との中心軸が半導体ウエハ５の搬送方向に対して一致する位置に配置される。後に説明する反射率測定シーケンスのために、便宜上１つの測定発光部１６と両端の受光部１７と測定発光部１６と同一中心軸に配置されているプロセス発光部１８とを一つのまとまりとして照射群１３とし、また隣りの照射群を１４とし、以後照射群１５と続け、照射群１３の測定発光部１６の反射光の影響が及ばない位置に配置された照射群は再度照射群１３として、以後照射群１４、照射群１５と続く。
【００４９】
本実施形態においては、照射群は照射群１３〜１５の３つとする。反射光の散乱の具合や照射ヘッド部の大きさなどにより照射群の連番の数は増減してもよい。なお、隣り合う照射群の受光部１７は両方の照射群に属するものとする。
【００５０】
次に、電力部２について説明する。
【００５１】
電力部２は、照射ヘッド部１の複数の測定発光部１６とプロセス発光部１８へ電力を供給できる様に同数の電力出力回路を有しており、電圧および供給する時間を可変して電力を調整する機能を有している。
【００５２】
次に、制御部３について説明する。
【００５３】
制御部３は、照射ヘッド部１の複数の受光部１７からの受光電圧をデジタルデータに変換する図面には記載されていないＡＤ変換器と、入力部４からの照射データなどの基本情報と前記ＡＤ変換器からの受光データとからプロセス発光部１８へ供給する電力を算出する同じく記載されていない演算器と、同じく記載されていないが搬送部７を駆動する駆動回路とから構成され、本実施形態のシステムの動作の制御を行っている。
【００５４】
次に、入力部４について説明する。
【００５５】
入力部４は、半導体ウエハに照射する紫外線の基本光量や半導体ウエハ５の基本反射率、受光部１７から光量を算出するために必要なパラメータ、半導体ウエハ５を搬送する搬送部７の移動速度の設定など、紫外線照射装置として必要な各種パラメータの設定を行う機能と、当該設定データを制御部へ送信する機能を有している。
【００５６】
次に、支持部６について説明する。
【００５７】
支持部６は、半導体ウエハ５を搭載する機能を有している。同時に図７の示すように、照射ヘッド部１の測定発光部１６及びプロセス照射部１８の校正時に使用する校正部を有している。
【００５８】
次に、搬送部７について説明する。
【００５９】
搬送部７は、制御部２からの指示により半導体ウエハ５を搭載した支持部６を、指定速度により照射ヘッド部１の下をスキャンする方向に搬送する機構を持つ。
【００６０】
本実施形態の半導体ウエハの紫外線照射装置おける紫外線照射動作を、上述の構成と図５の測定フローチャートと図６の照射時間タイミングチャートを用いて説明する。
【００６１】
まず、第１ステップとして、図５の紫外線照射装置の初期状態設定について説明する。
【００６２】
初期状態設定には、搬送部７の移動速度設定と、紫外線の照射周期の各種時間設定と、半導体ウエハに照射する紫外線の基本光量と基準反射率の設定、反射率測定部１１での測定結果から前記紫外線基本光量を増減させる計算式、および計算式に用いるパラメータの設定を入力部４より行う。上記各設定値は、入力部４から制御部３へ送信される。
【００６３】
次に、第２ステップの紫外線照射装置の照射量校正について説明する。
【００６４】
照射量の校正は、搬送部７により図７に示す支持部６に設置された校正部８を照射ヘッド部１が通過する際に測定を行う。
【００６５】
校正部８では、測定発光部１６とプロセス発光部１８をそれぞれ発光させ、その時の受光部１７の光量データにより校正を行う。
【００６６】
次に、第３と第４ステップの反射率測定からプロセス照射まで動作に関して、図６を用いて説明する。
【００６７】
図６は、第３ステップの反射率測定と第４ステップのプロセス照射の動作時間およびタイミングを表したタイミングチャートである。
【００６８】
図６のように、本実施形態の紫外線照射動作は、照射時間２０を繰り返しながら半導体ウエハ５の全面に渡って実行することにより紫外線の照射を行っている。
【００６９】
照射時間２０は、反射率測定時間２１とプロセス照射時間２２からなり、反射率測定時間２１において第３ステップを実行し、プロセス照射時間２２において第４ステップを実行する。
【００７０】
次に、第３ステップの紫外線照射装置の反射率測定について説明する。
【００７１】
反射率の測定は、反射率測定時間２１において、まず図２の照射群１３の測定照射部１６からプロセスに影響しない程度の微弱紫外線を照射する。次にその時の反射率の結果を制御部３へ送信する。次にその直後に隣り合う照射群１４の測定照射部１６から微弱紫外線を照射し反射率の測定を行う。次に同じく隣り合う照射群１５に関して同様に反射率の測定を行う。
【００７２】
このように、図６の反射率測定時間２１内に隣り合う照射群の反射率の測定を時間分割することにより、反射光の重複を避けることができる。測定照射部１６からの光量が不足する場合には出力を増加し、次に説明するプロセス照射時の光量から差し引く事も可能である。
【００７３】
次に第４ステップのプロセス照射について説明する。
【００７４】
プロセス照射は、実際に半導体ウエハ５の必要な紫外線光量を照射するステップであり、プロセス照射時間２２で制御部３により電源部２を経由して各プロセス照射部１８から必要量の紫外線光量を発光する。
【００７５】
以後、第３ステップの反射率測定と第４ステップのプロセス照射を繰り返し、半導体ウエハ全面に渡って実行する。
【００７６】
次に、制御部３の紫外線照射時の動作について説明する。
【００７７】
制御部３は、主に搬送部７の制御機能と、反射率の測定結果から照射光量の算出機能と、紫外線プロセスに必要な光量を照射する照射機能と、を有する。
【００７８】
まず、搬送部７の制御機能の説明をする。
【００７９】
搬送部７の移動速度は、照射時間２０の間に移動する距離とプロセス照射部１８により照射されて紫外線の照射面積より決定される。つまり、プロセス照射時間２２が時間分割されている影響が無視できる程度の低速な移動速度が必要であり、かつ紫外線照射装置として運用できる移動速度とする必要がある。
【００８０】
次に照射光量の算出機能について説明する。
【００８１】
照射光量の算出機能は、入力部４から入力された被照射体である半導体ウエハ５の基本反射率とその時の照射量を基準として、測定された反射率から１次関数、または２次関数、または反射率に応じたゾーン制御など半導体ウエハの特性に応じてプロセス照射量を決定する。
【００８２】
次に照射機能について説明する。
【００８３】
制御部３は、反射率の測定結果から紫外線の照射光量を変更するが、照射を行うプロセス照射部１８の照射エリアは、半導体ウエハ５の進行方向に対して広がりがある。そのため、照射光量が変化させる場合、以下の制御を用いる。つまり、図８のように縦軸経過時間とし、横軸に照射位置をとり、経過時間１に対して位置が１づつ移動していくとし、またプロセス照射部の照射エリアの広がりが経過時間の３つ分に相当する位置に広がっているものとする。
【００８４】
今、照射光量が位置ｍ以前を照射量９で照射し、位置ｍ＋１からは７へ変更になった場合を考える。位置ｍ以前については、一つの位置において照射光量３を３回に分けて照射されることとなる。
【００８５】
なお、位置ｍ−３と位置ｍ−２に関しては、経過時間のｍ以前を省略しているため、総照射光量が合わないが、経過時間ｍ以前から照射されていたものとしている。位置ｍ＋１から算出照射量が７へ変更になった場合は、図８のように時間分割により照射光量を変化させ、照射光量の変更を高速に行っている。
【００８６】
以上のような各部の動作により、本実施形態の紫外線照射装置は、半導体ウエハ５の表面近傍を、照射ヘッド部１が一方から他方へ移動しながら紫外線を照射し、半導体製造プロセスにおける紫外線照射工程を実現しており、表面の状態を照射ヘッド部１の反射率または吸収率測定機能の信号により随時フィードバックして紫外線の照射光量を随時変更することにより、半導体ウエハ５の表面の状態による紫外線の反射率または吸収率の違いによらずに、本来紫外線照射プロセスに必要とされる紫外線光量を的確に照射することができる効果がある。
【００８７】
上記第１実施形態において、照射ヘッド部１の受光部１７を測定発光部１６に対して１つとし、半導体ウエハ５に対して角度を設ける位置とすることができる。そのための構造を第２実施形態として図９、及び１０に示す。
【００８８】
第２実施形態では、図９に示す通り、測定反射部１６の照射位置は測定反射部１６と受光部１７との中間点の位置に照射する。その時のプロセス照射部の位置は、図１０に示す通り、測定反射部１６と受光部１７との中間点の半導体ウエハの移動方向の延長線上に設置する。
【００８９】
その結果、照射ヘッド部１の受光部１７の個数を減らすことができるが、その反面、測定照射部１６の照射角度がプロセス照射部１８と異なるため、反射率の測定結果の精度が低下するという問題点もある。
【００９０】
なお、本発明は、任意の表面状態の物体の光照射量の制御といった用途にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本実施形態の半導体ウエハの紫外線照射装置の基本構成図である。
【図２】本実施形態の半導体ウエハの紫外線照射装置の照射ヘッド部１を示す構成図である。
【図３】本実施形態の半導体ウエハの紫外線照射装置の照射ヘッド部１の反射率測定部１１の測定発光部１６と受光部１７との位置関係を半導体ウエハ５のスキャン方向から見た側面図である。
【図４】本実施形態の半導体ウエハの紫外線照射装置の照射ヘッド部１の測定発光部１６および受光部１７と、プロセス照射部１８との位置関係を表す上面図である。
【図５】本実施形態の半導体ウエハの紫外線照射装置の動作シーケンスを表すフローチャートである。
【図６】本実施形態の半導体ウエハの紫外線照射装置の照射シーケンスを表すタイミングチャートである。
【図７】本実施形態の半導体ウエハの紫外線照射装置の半導体ウエハ５と支持部６と校正部８を表す構成図である。
【図８】本実施形態の半導体ウエハの紫外線照射装置の制御部３の半導体ウエハ５の移動速度とプロセス照射光量、およびプロセス照射光量の変更時の動作を表した図である。
【図９】半導体ウエハの紫外線照射装置の第２の実施形態の照射ヘッド部１の反射率測定部１１の測定発光部１６と受光部１７との位置関係を半導体ウエハ５のスキャン方向から見た側面図である。
【図１０】半導体ウエハの紫外線照射装置の第２の実施形態の照射ヘッド部１の測定発光部１６および受光部１７と、プロセス照射部１８との位置関係を表す上面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１  照射ヘッド部（照射手段の一例）
２  電力部
３  制御部
４  入力部
５  半導体ウエハ
６  半導体ウエハ支持部
７  搬送部
８  校正部
１１  反射率測定部
１２  プロセス照射部
１３、１４、１５  測定群
１６  測定発光部（発光素子の一例）
１７  受光部（受光素子の一例）
１８  プロセス照射部
２０  反射率測定時間
２１  プロセス照射時間
２２  照射周期
【図１】
2008288371.tif 000003
【図２】
2008288371.tif 000004
【図３】
2008288371.tif 000005
【図４】
2008288371.tif 000006
【図５】
2008288371.tif 000007
【図６】
2008288371.tif 000008
【図７】
2008288371.tif 000009
【図８】
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【図９】
2008288371.tif 000011
【図１０】
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