(57)【要約】【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法であり、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、現像欠陥が低減され、焦点位置の変動による線幅の変動が小さい感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、極性基を有する特定の塩基性化合物、極性基を有さない特定の塩基性化合物、及び、特定の界面活性剤を含有することを特徴とする感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ１）一般式（Ｉ−ａ）で表される塩基性化合物、
（Ｂ２）一般式（Ｉ−ｂ）で表される塩基性化合物、及び、
（Ｃ）一般式（ＩＩ）で表される界面活性剤を含有することを特徴とする感光性組成物。
【化１】
2008083385.tif 000074
一般式（Ｉ−ａ）において、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはヘテロアリール基を表し、かつ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3のうちの１つ以上が極性基を含む。
【化２】
2008083385.tif 000075
一般式（Ｉ−ｂ）において、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、またはアリール基を表し、かつ、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6のいずれも極性基を含有しない。
【化３】
2008083385.tif 000076
一般式（ＩＩ）において、
Ｒ10は、水素原子またはアルキル基を表す。
Ｒｆは、フルオロアルキル基又はフルオロアルキルカルボニル基を表す。
ｍは、１〜５０の整数を表す。
【請求項２】
更に、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有することを特徴とする請求項１に記載の感光性組成物。
【請求項３】
更に、アルカリ現像液に可溶な樹脂及び酸の作用により該アルカリ現像液に可溶な樹脂と架橋する酸架橋剤を含有することを特徴とする請求項１に記載の感光性組成物。
【請求項４】
（Ｂ）前記一般式（Ｉ−ａ）で表される塩基性化合物が、更に一般式（Ｉ−ａ１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のレジスト組成物。
【化４】
2008083385.tif 000077
Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはヘテロアリール基を表す。Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、またはアリール基を表し、かつ、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15のうちの１つ以上が極性基を含む。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のレジスト組成物により、レジスト膜を形成し、露光、現像する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ等の半導体製造装置、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用される感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものである。更に詳しくは、遠紫外線、Ｘ線、電子線などの短波長の光エネルギー線を用いる半導体素子の微細加工に好適な感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
化学増幅レジスト組成物は、遠紫外光等の活性光線又は放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によって、活性光線又は放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させるパターン形成材料である。
ＫｒＦエキシマレーザーを露光光源とする場合には、主として２４８ｎｍ領域での吸収の小さい、ポリ（ヒドロキシスチレン）を基本骨格とする樹脂を主成分に使用するため、高感度、高解像度で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノンジアジド／ノボラック樹脂系に比べて良好な系となっている。
一方、更なる短波長の光源、例えばＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を露光光源として使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的に１９３ｎｍ領域に大きな吸収を示すため、上記化学増幅系でも十分ではなかった。
このため、脂環炭化水素構造を有する樹脂を含有するＡｒＦエキシマレーザー用レジストが開発されてきている。
更に、上記脂環炭化水素構造を有する樹脂に界面活性剤を含有させることで性能が向上することが見出されている。例えば、特許文献１（特開平１０−３０７３８５号公報）などに記載されているように、ポジ型フォトレジスト組成物にフッ素系界面活性剤を添加することにより放射状むら（ストリエーション）を防止することが行われている。
また、化学増幅型レジスト組成物の主要構成成分である塩基性化合物についても種々の化合物が見出されており、特許文献２（特開平５−１２７３６９号公報）、特許文献３（特開平６−２６６１１１号公報）等には、アニリン類，イミダゾール類，ピリジン類，アンモニアを塩基性化合物として含有する感光性組成物が開示されている。
しかしながら、レジストとしての総合性能の観点から、使用される樹脂、光酸発生剤、塩基性化合物、界面活性剤、溶剤等の適切な組み合わせを見い出すことが極めて困難であるのが実情であり、更には、解像性能と現像欠陥性能の両立が強く求められていた。
ここで、現像欠陥とは、例えば、ＫＬＡテンコール社の表面欠陥観察装置（ＫＬＡ−２３６０等）により、現像後のレジストパターンを真上から観察した際に検知される不具合全般のことであり、この不具合とは、例えば現像後のスカム、泡、ゴミ、レジストパターン間のブリッジ、色むら、析出物等である。現像欠陥は、微細な半導体素子の形成等に悪影響を与えるおそれがある。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−３０７３８５号公報
【特許文献２】特開平５−１２７３６９号公報
【特許文献３】特開平６−２６６１１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、数十から数百ｎｍ程度の微細パターンの形成においても、現像欠陥が低減され、フォーカスマージンが広い（すなわち、焦点位置の変動による線幅の変動が小さい）感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、種々検討した結果、塩基性化合物として、一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物と一般式（Ｉ−ｂ）で表される化合物を組み合わせて用い、かつ界面活性剤として一般式（ＩＩ）で表される化合物を用いることで、レジストの膜減りが抑制され、結果としてフォーカスマージンの拡大、さらには現像欠陥が抑制されることを見いだした。
【０００６】
本発明は、下記の構成であり、これにより本発明の上記目的が達成される。
【０００７】
（１）（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ１）一般式（Ｉ−ａ）で表される塩基性化合物、
（Ｂ２）一般式（Ｉ−ｂ）で表される塩基性化合物、及び、
（Ｃ）一般式（ＩＩ）で表される界面活性剤を含有することを特徴とする感光性組成物。
【０００８】
【化１】
2008083385.tif 000002
【０００９】
一般式（Ｉ−ａ）において、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはヘテロアリール基を表し、かつ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3のうちの１つ以上が極性基を含む。
【００１０】
【化２】
2008083385.tif 000003
【００１１】
一般式（Ｉ−ｂ）において、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、またはアリール基を表し、かつ、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6のいずれも極性基を含有しない。
【００１２】
【化３】
2008083385.tif 000004
【００１３】
一般式（ＩＩ）において、
Ｒ10は、水素原子またはアルキル基を表す。
Ｒｆは、フルオロアルキル基又はフルオロアルキルカルボニル基を表す。
ｍは、１〜５０の整数を表す。
【００１４】
（２）更に、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂（Ｃ）を含有することを特徴とする上記（１）に記載の感光性組成物。
（３）更に、アルカリ現像液に可溶な樹脂（Ｄ）及び酸の作用により該アルカリ現像液に可溶な樹脂（Ｃ）と架橋する酸架橋剤を含有することを特徴とする上記（１）に記載の感光性組成物。
【００１５】
（４）（Ｂ）前記一般式（Ｉ−ａ）で表される塩基性化合物が、更に一般式（Ｉ−ａ１）で表される化合物であることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載の感光性組成物。
【００１６】
【化４】
2008083385.tif 000005
【００１７】
Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはヘテロアリール基を表す。Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、またはアリール基を表し、かつ、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15のうちの１つ以上が極性基を含む。
【００１８】
以下、更に、本発明の好ましい実施の態様を挙げる。
【００１９】
（５）  樹脂（Ｃ）が、ヒドロキシスチレン構造単位を有することを特徴とする上記（２）に記載のポジ型感光性組成物。
【００２０】
（６）  樹脂（Ｃ）が、単環又は多環の環状炭化水素構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする上記（２）に記載のポジ型感光性組成物。
【００２１】
（７）  樹脂（Ｃ）が、アルコール性水酸基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂であることを特徴とする上記（２）に記載のポジ型感光性組成物。
【００２２】
（８）  樹脂（Ｃ）のアルコール性水酸基を有する繰り返し単位が、モノヒドロキシアダマンタン構造、ジヒドロキシアダマンタン構造又はトリヒドロキシアダマンタン構造であることを特徴とする上記（７）に記載の感光性組成物。
【００２３】
（９）  樹脂（Ｃ）が、ラクトン構造を有する繰り返し単位を有する樹脂であることを特徴とする上記（２）に記載の感光性組成物。
【００２４】
（１０）  樹脂（Ｃ）が、少なくとも１種類のメタクリル酸エステル系繰り返し単位と、少なくとも１種類のアクリル酸エステル系繰り返し単位とを有する樹脂であることを特徴とする上記（２）に記載の感光性組成物。
【００２５】
（１１）  樹脂（Ｃ）が、主鎖又は側鎖にフッ素原子を有することを特徴とする上記（２）に記載のポジ型感光性組成物。
【００２６】
（１２）  樹脂（Ｃ）が、ヘキサフロロ−２−プロパノール構造を有することを特徴とする上記（１１）に記載のポジ型感光性組成物。
【００２７】
（１３）  更に、（Ｆ）酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量３０００以下の溶解阻止化合物を含有することを特徴とする上記（２）及び（５）〜（１２）のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
【００２８】
（１４）  更に、（Ｇ）フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤の内の少なくとも１種類を含有することを特徴とする上記（１）〜（３）及び（５）〜（１３）のいずれかに記載の感光性組成物。
【００２９】
（１５）  樹脂（Ｃ）が、２−アルキル−２−アダマンチル（メタ）アクリレートによる繰り返し単位及びジアルキル（１−アダマンチル）メチル（メタ）アクリレートによる繰り返し単位から選ばれる少なくとも１種類の繰り返し単位、ラクトン構造を有する少なくとも１種類の繰り返し単位及び水酸基を有する少なくとも１種類の繰り返し単位を有することを特徴とする上記（６）に記載のポジ型感光性組成物。
【００３０】
（１６）  樹脂（Ｃ）が、更に、カルボキシ基を有する繰り返し単位を有することを特徴とする上記（１５）に記載のポジ型感光性組成物。
【００３１】
（１７）  樹脂（Ｃ）が、２−アルキル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート又はジアルキル（１−アダマンチル）メチル（メタ）アクリレートによる少なくとも１種類の繰り返し単位及びヒドロキシスチレン構造を有する少なくとも１種類の繰り返し単位を有することを特徴とする上記（２）に記載のポジ型感光性組成物。
【００３２】
（１８） 上記（１）〜（１７）のいずれかに記載の感光性組成物により、感光性膜を
形成し、該感光性膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の感光性組成物は、数十から数百ｎｍ程度の微細パターンの形成においても、現像欠陥が低減され、フォーカスマージンが広いので、良好な微細パターンを生産性よく作
製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
本明細書に於ける基（原子団）の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
【００３５】
本発明のポジ型感光性組成物、より好ましくは、ポジ型レジスト組成物は、一般的に、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有し、必要に応じて更に酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量３０００以下の溶解阻止化合物を含有する。
【００３６】
本発明のネガ型感光性組成物、より好ましくは、ネガ型レジスト組成物は、一般的に、アルカリ現像液に可溶な樹脂及び酸の作用により該アルカリ現像液に可溶な樹脂と架橋する酸架橋剤を含有する。
【００３７】
〔１〕活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ａ成分）
本発明の感光性組成物は活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する。そのような光酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
【００３８】
たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、ｏ−ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。
【００３９】
また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号等に記載の化合物を用いることができる。
【００４０】
さらに米国特許第３,７７９,７７８号、欧州特許第１２６,７１２号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。
【００４１】
併用してもよい活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内で好ましい化合物として、下記一般式（ＺＩ）、（ＺＩＩ）、（ＺＩＩＩ）で表される化合物を挙げることができる。
【００４２】
【化５】
2008083385.tif 000006
【００４３】
上記一般式（ＺＩ）において、Ｒ201、Ｒ202及びＲ203は、各々独立に有機基を表す。
Ｘ-は、非求核性アニオンを表し、好ましくはスルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、ビス（アルキルスルホニル）アミドアニオン、トリス（アルキルスルホニル）メチドアニオン、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−などが挙げられ、好ましくは炭素原子を含有する有機アニオンである。
好ましい有機アニオンとしては下式ＡＮ１〜ＡＮ４に示す有機アニオンが挙げられる。
【００４４】
【化６】
2008083385.tif 000007
【００４５】
Ｒｃ１は有機基を表す。
Ｒｄ１は水素原子、アルキル基を表す。
Ｒｃ１における有機基として炭素数１−３０のものが上げられ好ましくは置換していてもよいアルキル基、アリール基、またはこれらの複数が、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ２−、−Ｓ−、−ＳＯ３−、−ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ１）−などの連結基で連結された基を挙げることができる。
Ｒｄ１は水素原子、アルキル基を表し、結合しているアルキル基、アリール基と環構造を形成してもよい。
Ｒｃ１の有機基としてより好ましくは１位がフッ素原子またはフロロアルキル基で置換されたアルキル基、フッ素原子またはフロロアルキル基で置換されたフェニル基である。フッ素原子またはフロロアルキル基を有することにより、光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上する。Ｒｃ１において炭素原子を５個以上有する時、少なくとも１つの炭素原子は水素原子で置換されていることが好ましく、水素原子の数がフッ素原子より多いことがより好ましい。炭素数５以上のパーフロロアルキル基を有さないことにより生態への毒性が軽減する。
Ｒｃ１の最も好ましい様態としては、下記一般式で表される基である。
【００４６】
【化７】
2008083385.tif 000008
【００４７】
Ｒｃ６は炭素数４以下、より好ましくは２〜４、更に好ましくは２〜３のパーフロロアルキレン基、３〜５個のフッ素原子及び／または１〜３個のフロロアルキル基で置換されたフェニレン基。
Ａｘは連結基（好ましくは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ２−、−Ｓ−、−ＳＯ３−、−ＳＯ
２Ｎ（Ｒｄ１）−）。Ｒｄ１は水素原子、アルキル基を表し、Ｒｃ７と結合して環構造を形成してもよい。
Ｒｃ７：水素原子、フッソ原子、置換していてもよい直鎖、分岐、単環または多環環状アルキル基、置換していてもよいアリール基。置換していてもよいアルキル基、アリール基は置換基としてフッソ原子を含有しないことが好ましい。
Ｒｃ３、Ｒｃ４、Ｒｃ５は有機基を表す。
Ｒｃ３、Ｒｃ４、Ｒｃ５の有機基として好ましくはＲｃ１における好ましい有機基と同じものを挙げることができる。
Ｒｃ３とＲｃ４が結合して環を形成していてもよい。
Ｒｃ３とＲｃ４が結合して形成される基としてはアルキレン基、アリーレン基が挙げられる。好ましくは炭素数２−４のパーフロロアルキレン基である。Ｒｃ３とＲｃ４が結合して環を形成することにより光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上し、好ましい。
【００４８】
Ｒ201、Ｒ202及びＲ203としての有機基の炭素数は、一般的に１〜３０、好ましくは１〜２０である。
また、Ｒ201〜Ｒ203のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。
Ｒ201〜Ｒ203の内の２つが結合して形成する基としては、アルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基）を挙げることができる。
Ｒ201、Ｒ202及びＲ203としての有機基の具体例としては、後述する化合物（ＺＩ−１）、（ＺＩ−２）、（ＺＩ−３）における対応する基を挙げることができる。
【００４９】
尚、一般式（Ｚ１)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式（ＺＩ)で表される化合物のＲ201〜Ｒ203の少なくともひとつが、一般式（ＺＩ)で表されるもうひとつの化合物のＲ201〜Ｒ203の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。
【００５０】
更に好ましい（Ｚ１）成分として、以下に説明する化合物（ＺＩ−１）、（ＺＩ−２）、及び（ＺＩ−３）を挙げることができる。
【００５１】
化合物（ＺＩ−１）は、上記一般式（ＺＩ）のＲ201〜Ｒ203の少なくとも１つがアリール基である、アリールスルホニム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
アリールスルホニウム化合物は、Ｒ201〜Ｒ203の全てがアリール基でもよいし、Ｒ201〜Ｒ203の一部がアリール基で、残りがアルキル基でもよい。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。
アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基などのアリール基、インドール残基、ピロール残基、などのヘテロアリール基が好ましく、更に好ましくはフェニル基、インドール残基である。アリールスルホニム化合物が２つ以上のアリール基を有する場合に、２つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基は、炭素数１〜１５の直鎖、分岐又は環状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
Ｒ201〜Ｒ203のアリール基、アルキル基は、アルキル基（例えば炭素数１〜１５）、アリール基（例えば炭素数６−から１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基として
は炭素数１〜１２の直鎖、分岐又は環状アルキル基、炭素数１〜１２の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、最も好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基である。置換基は、３つのＲ201〜Ｒ203のうちのいずれか１つに置換していてもよいし、３つ全てに置換していてもよい。また、Ｒ201〜Ｒ203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のｐ−位に置換していることが好ましい。
【００５２】
次に、化合物（ＺＩ−２）について説明する。
化合物（ＺＩ−２）は、式（ＺＩ）におけるＲ201〜Ｒ203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
Ｒ201〜Ｒ203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０である。
Ｒ201〜Ｒ203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、２−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖、分岐、環状２−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、最も好ましくは直鎖、分岐２−オキソアルキル基である。
【００５３】
Ｒ201〜Ｒ203としてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基）、炭素数３〜１０の環状アルキル基（シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基）を挙げることができる。
Ｒ201〜Ｒ203としての２−オキソアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の２位に＞Ｃ＝Oを有する基を挙げることができる。
Ｒ201〜Ｒ203としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数１〜５のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基）を挙げることができる。
Ｒ201〜Ｒ203は、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば炭素数１〜５）、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。
Ｒ201〜Ｒ203のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ201〜Ｒ203の内の２つが結合して形成する基としては、アルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基）を挙げることができる。
【００５４】
化合物（ＺＩ−３）とは、以下の一般式（ＺＩ−３）で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。
【００５５】
【化８】
2008083385.tif 000009
【００５６】
Ｒ1c〜Ｒ5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。
Ｒ6c及びＲ7cは、水素原子又はアルキル基を表す。
Ｒx及びＲyは、各々独立に、アルキル基、２−オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基、又はビニル基を表す。
Ｒ1c〜Ｒ5c中のいずれか２つ以上、及びＲxとＲyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。
【００５７】
Ｒ1c〜Ｒ5cとしてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数１〜２０個のアルキル基、好ましくは炭素数１〜１２個の直鎖及び分岐アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基）、炭素数３〜８個の環状アルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基）を挙げることができる。
Ｒ1c〜Ｒ5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数１〜１０のアルコキシ基、好ましくは、炭素数１〜５の直鎖及び分岐アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基）、炭素数３〜８の環状アルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基）を挙げることができる。
好ましくはＲ1c〜Ｒ5cのうちいずれかが直鎖、分岐、環状アルキル基、又は直鎖、分岐、環状アルコキシ基であり、更に好ましくはＲ1cからＲ5cの炭素数の和が２〜１５である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。
【００５８】
Ｒx及びＲyとしてのアルキル基は、Ｒ1c〜Ｒ5cとしてのアルキル基と同様のものを挙げることができる。
２−オキソアルキル基は、Ｒ1c〜Ｒ5cとしてのアルキル基の２位に＞Ｃ=Ｏを有する基を挙げることができる。
アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、Ｒ1c〜Ｒ5cとしてのアルコキシ基と同様のものを挙げることができる。
Ｒx及びＲyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。
【００５９】
Ｒx、Ｒyは、好ましくは炭素数４個以上のアルキル基であり、より好ましくは６個以上、更に好ましくは８個以上のアルキル基である。
【００６０】
一般式（ＺＩＩ）、（ＺＩＩＩ）中、Ｒ204〜Ｒ207は、各々独立に、置換基を有しててもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｒ204〜Ｒ207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。
Ｒ204〜Ｒ207としてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、炭素数３〜１０の環状アルキル基（シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基）を挙げることができる。
Ｒ204〜Ｒ207が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば炭素数１〜１５）、アリール基（例えば炭素数６〜１５）、アルコキシ基（例えば炭素数１〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。
Ｘ-は、非求核性アニオンを表し、一般式（Ｉ）に於けるＸ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
【００６１】
併用してもよい活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内で好ましい化合物として、更に、下記一般式（ＺＩＶ）、（ＺＶ）、（ＺＶＩ）で表される化合物を挙げることができる。
【００６２】
【化９】
2008083385.tif 000010
【００６３】
一般式（ＺＩＶ）〜（ＺＶＩ）中、Ａｒ3及びＡｒ4は、各々独立に、置換若しくは未置換のアリール基を表す。
Ｒ206は、置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若しくは未置換のアリール基を表す。
Ｒ207及びＲ208置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若しくは未置換のアリール基、電子吸引性基を表す。Ｒ207として好ましくは置換若しくは未置換のアリール基である。
Ｒ208として好ましくは電子吸引性基であり、より好ましくはシアノ基、フロロアルキル基である。
Ａは、置換若しくは未置換のアルキレン基、置換若しくは未置換のアルケニレン基又は置換若しくは未置換のアリーレン基を表す。
【００６４】
活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内でより好ましくは、一般式（ＺＩ）〜（ＺＩＩＩ）で表される化合物であり、更に好ましくは（ＺＩ）で表される化合物であり、最も好ましくは（ＺＩ−１）〜（ＺＩ−３）で表される化合物である。
更に、活性光線又は放射線の照射により、下記一般式ＡＣ１〜ＡＣ３で表される酸を発生する化合物が好ましい。
【００６５】
【化１０】
2008083385.tif 000011
【００６６】
すなわち、最も好ましい（Ａ）成分の様態としては一般式（ＺＩ）の構造においてＸ−がＡＮ１、ＡＮ３、ＡＮ４から選ばれるアニオンである化合物である。
【００６７】
活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の中で、特に好ましいものの例を以下に挙げる。
【００６８】
【化１１】
2008083385.tif 000012
【００６９】
【化１２】
2008083385.tif 000013
【００７０】
【化１３】
2008083385.tif 000014
【００７１】
酸発生剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。２種以上を組み合わせて使用する際には、水素原子を除く全原子数が２以上異なる２種の有機酸を発生する化合物を組み合わせることが好ましい。
酸発生剤の組成物中の含量は、感光性組成物の全固形分を基準として、０．１〜２０質量％が好ましく、より好ましくは０．５〜１０質量％、更に好ましくは１〜７質量％である。
【００７２】
〔２〕（Ｂ）塩基性化合物
本発明の感光性組成物は、一般式（Ｉ−ａ）で表される塩基性化合物（Ｂ１）および一般式（Ｉ−ｂ）で表される塩基性化合物（Ｂ２）を含有する。
【００７３】
【化１４】
2008083385.tif 000015
【００７４】
一般式（Ｉ−ａ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはヘテロアリール基を表し、かつ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3のうちの１つ以上が極性基を含む。
【００７５】
一般式（Ｉ−ａ）に於ける、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3のアルキル基は、炭素数１〜２０の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基、ｉ−プロピル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｔ−ドデシル基等を挙げることができる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3のシクロアルキル基は、炭素数３〜２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3のアルキル基、シクロアルキル基の中では、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基及び炭素数４〜８のシクロアルキル基が好ましい。
【００７６】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3のアリール基は、炭素数６〜１５のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トルイル基、ベンジル基、メチルベンジル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3のヘテロアリール基は、上記のようなアリール基中に硫黄原子、酸素原子、窒素原子等のヘテロ原子を１個以上含む基であり、例えば、ピリジル基、イミダゾリル基、モルホリニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基等が挙げられる。
【００７７】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は、置換されていてもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3のうちの少なくとも１つ以上が極性基を含む。
【００７８】
ここで極性基とはヘテロ原子及びハロゲン原子を少なくとも１原子以上有する基のことであり、ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子などが挙げられる。このような極性基としては、好ましくは、ヒドロキシル基、エステル基、エーテル基、カルボニル基、シアノ基、アセタール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アミノ基、ヘキサフルオロイソプロパノール基等が挙げられ、より好ましくはエーテル基、シアノ基、ヒドロキシル基が挙げられる。これらの置換基は、一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物に、少なくとも１個以上含まれる。一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物は、極性基を１〜９個有することが好ましく、さらに好ましくは、１〜６個である。
【００７９】
一般式（Ｉ−ａ）で表される塩基性化合物として、好ましくは、極性基を有する脂肪族アミン化合物、アニリン化合物が挙げられる。この中でも好ましくは一般式（Ｉ−ａ１）で表されるアニリン化合物が挙げられる。ここで、Ｒ11、Ｒ12は一般式（Ｉ―ａ）におけるＲ1、Ｒ2と同義である。Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６
の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基、置換もしくは非置換のアリール基を表し、例えば、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、−プロピル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基が挙げられる。
【００８０】
極性基を有する脂肪族アミン化合物の好ましい具体例を以下に示す。
エタノールアミン などの水酸基置換１級アミン、ジエタノールアミンなどの水酸基置換２級アミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−オクチルジエタノールアミンなどの水酸基置換３級アミン、トリス（メトキシエチル）アミン、トリス（メトキシエトキシエチル）アミンなどの鎖中にエーテル結合を含有するアミン、トリス（シアノエチル）アミンなどのシアノ基置換３級アミンが挙げられる。
【００８１】
一般式（Ｉ−ａ１）で表されるアニリン化合物の好ましい具体例を以下に示す。
Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシアルキルアニリン類（例えばＮ−フェニルジエタノールアミン 、Ｎ−（４−メチルフェニル）ジエタノールアミン 、Ｎ−フェニルジプロパノールアミン 、Ｎ−（４−メチルフェニル）ジプロパノールアミン などが挙げられる）、シアノアルキルアニリン類（例えば、Ｎ−シアノエチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ビスシアノエチルアニリン、Ｎ−メチル−Ｎ−シアノエチルアニリンなどが挙げられる）、アルコキシアルキルアニリン類（例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（メトキシエチルアニリン）、Ｎ，Ｎ−ビス（エトキシエチル）アニリン、Ｎ−フェニルモルホリンなどが挙げられる）、芳香環上に置換基を有するアニリン類（例えば、２，６−ジニトロアニリン、２−アミノビフェニル、ペンタフロロアニリン、２−ヒドロキシアニリン）などが挙げられる）などが挙げられる。この中でもより好ましくは、Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシアルキルアニリン類である。
【００８２】
次に、一般式（Ｉ−ｂ）で表される塩基性化合物（Ｂ２）について説明する。
【００８３】
【化１５】
2008083385.tif 000016
【００８４】
一般式（Ｉ−ｂ）において、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、またはアリール基を表し、かつ、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6のいずれも極性基を含有しない。
【００８５】
一般式（Ｉ−ｂ）に於ける、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6のアルキル基は、炭素数１〜２０の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基、ｉ−プロピル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｔ−ドデシル基等を挙げることができる。
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6のシクロアルキル基は、炭素数３〜２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6のアルキル基、シクロアルキル基の中では、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基及び炭素数４〜８のシクロアルキル基が好ましい。
【００８６】
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6のアリール基は、炭素数６〜１５のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トルイル基、ベンジル基、メチルベンジル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられる。アリール基は、置換されていてもよく、置換基として、好ましくは、炭素数１〜３のアルキル基が挙げられ、より好ましくはメチル基が挙げられる。
【００８７】
一般式（Ｉ―ｂ）で表される塩基性化合物として、好ましくは、極性基を有さない脂肪族アミン化合物、アニリン化合物が挙げられる。
脂肪族アミン化合物としては、１級、２級、３級の脂肪族アミン化合物が挙げられ、好ましくはＲ4、Ｒ5、Ｒ6の全てがアルキル基若しくはシクロアルキル基である３級脂肪族アミン化合物である。
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子またはアルキル基又はシクロアルキル基である場合、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6の炭素数の和が６以上であることが好ましく。より好ましくは１０以上、更に好ましくは１２以上である。炭素数を調整することにより良好なプロファイルが得られる。
【００８８】
脂肪族アミン化合物の好ましい具体例を以下に示す。
ヘキシルアミン、オクチルアミン、ドデシルアミン、シクロヘキシルアミン、アダマンチルアミンなどの１級脂肪族アミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジオクチルアミン、ジドデシルアミンなどの２級脂肪族アミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリオクチルアミン、トリドデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジオクチルメチルアミンなどの３級脂肪族アミンなどが挙げられる。
【００８９】
塩基性化合物（Ｂ１）及び塩基性化合物（Ｂ２）は、公知の方法で合成したものを使用してもよいし、例えば、和光純薬工業（株）、Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｌａｎｃａｓｔｅｒ社、Ｆｌｕｋａ社等から市販されているものを使用することができる。
【００９０】
本発明の塩基性化合物（Ｂ）の使用量は、塩基性化合物（Ｂ１）及び塩基性化合物（Ｂ２）の総量として、感光性組成物の全固形分を基準とし、通常、０．００１〜１０質量％、好ましくは０．０１〜５質量％、更に好ましくは０．０５〜１．０質量％である。０．００１〜１０質量％とすることにより、上記成分の添加の効果が十分得られ、且つ感度の低下や非露光部の現像性が悪化する傾向を十分防ぐことができる。
【００９１】
塩基性化合物（Ｂ１）及び（Ｂ２）の含有比〔（Ｂ１）：（Ｂ２）〕は、１：９９〜９９：１が好ましく、更に好ましくは５：９５〜９５：５、最も好ましくは２０：８０〜８０：２０である。
【００９２】
本発明によれば、極性基を導入した塩基性化合物（Ｂ１）と極性基を有さない塩基性化合物（Ｂ２）をブレンドして用いることで、膜中での塩基性化合物の残留性（沸点）、膜厚方向の存在量の分布および酸拡散抑制能（親水性）を調整することができ、結果として、パターン形成に必要なＰＡＧと樹脂中の酸解離性基との反応が均一化、パターンの膜ベリを抑制でき、これらの塩基性化合物をブレンドしたフォトレジストにおける良好な現像欠陥性能と広いフォーカスマージンを達成可能にするものと考えられる。なお、塩基性化合物に極性基を導入すると、沸点が上昇することで膜中からの塩基性化合物の揮発が抑制され、また、酸トラップ部位である窒素原子近傍に極性基が存在することで、酸拡散抑制能は向上する。
【００９３】
〔３〕（Ｈ）併用塩基性化合物
本発明の感光性組成物は、塩基性化合物（Ｂ）の外に、更に、他の塩基性化合物（以下、「併用塩基性化合物」という）を含有することができる。
【００９４】
併用塩基性化合物の好ましい構造として、下記式（Ａ）〜（Ｃ）で示される構造を挙げることができる。
【００９５】
【化１６】
2008083385.tif 000017
【００９６】
好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジンを挙げることができ、置換基を有していてもよい。更に好ましい化合物として、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、ピリジン構造を有する化合物、イミダゾール誘導体、ピロール誘導体、オキサゾール誘導体を挙げることができる。
【００９７】
ジアザビシクロ構造を有する化合物としては１、４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン、１、５−ジアザビシクロ［４，３，０］ノナ−５−エン、１、８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エンなどがあげられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはトリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、２−オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムヒドロキシド、ビス（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、２−オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシドなどがあげられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタン−１−カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等があげられる。ピリジン構造を有する化合物としては、ピリジン、２−フェニルピリジン等を挙げることができる。イミダゾール誘導体としては、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、フェニルベンズイミダゾール、５、６-ジメチルベンズイミダゾール等を挙げることができる。ピロール誘導体としては、ピロール、２Ｈ−ピロール、１−メチルピロール、２，４−ジメチルピロール、Ｎ−メチルピロールなどが挙げられる。
【００９８】
併用塩基性化合物は、単独であるいは２種以上で用いられる。
併用塩基性化合物の使用量は、塩基性化合物（Ｂ）の等モル以下とすることが好ましい。
併用塩基性化合物の使用量は、感光性組成物の固形分を基準として、通常０．００１〜１０質量％、好ましくは０．０１〜５質量％である。
【００９９】
〔４〕（Ｃ）一般式（ＩＩ）で表される界面活性剤
本発明の感光性組成物は、一般式（ＩＩ）で表される界面活性剤（「（Ｃ） 成分の界面活性剤」又は「界面活性剤（Ｃ）」ともいう）を含有する。
【０１００】
（Ｃ）成分の界面活性剤の市販品としては、例えば、ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、ＰＦ６５２０（以上、ＯＭＮＯＶＡ社製）、ＦＴＸ−２０４Ｄ、２０８Ｇ、２ １８Ｇ、２３０Ｇ、２０４Ｄ、２０８Ｄ、２１２Ｄ、２１８、２２２Ｄ、７２０Ｃ、７ ４０Ｃ（以上、（株）ネオス製）などが挙げられる。
【０１０１】
以下、（ Ｃ ） 成分の界面活性剤の好ましい具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。
【０１０２】
【化１７】
2008083385.tif 000018
【０１０３】
一般式（ＩＩ）において、
Ｒ10：水素原子またはアルキル基を表す。
Ｒｆは、フルオロアルキル基又はフルオロアルキルカルボニル基を表す。
ｍは１〜５０の整数を表す。
【０１０４】
一般式（ＩＩ）に於ける、Ｒｆのフルオロアルキル基としては、例えば、−ＣＦ3、− Ｃ2Ｆ5、−Ｃ4Ｆ9、−ＣＨ2ＣＦ3、−ＣＨ2Ｃ2Ｆ5、−ＣＨ2Ｃ3Ｆ7、−ＣＨ2Ｃ4Ｆ9、−ＣＨ2Ｃ6Ｆ13、−Ｃ2Ｈ4ＣＦ3、−Ｃ2Ｈ4Ｃ2Ｆ5、−Ｃ2Ｈ4Ｃ4Ｆ9、−Ｃ2Ｈ4Ｃ6Ｆ13、−
Ｃ2Ｈ4Ｃ8Ｆ17、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）ＣＦ3、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）2、−ＣＨ2ＣＦ （ＣＦ3）2、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＦ3）2、−ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）ＯＣＦ3 、−ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）ＯＣ3Ｆ7、− Ｃ2Ｈ4ＯＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）ＯＣＦ3、−Ｃ2Ｈ4ＯＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）ＯＣ3Ｆ7、−Ｃ（ＣＦ3）＝Ｃ（ＣＦ（ＣＦ3）2）2等を挙げることができる。
Ｒｆのフルオロアルキルカルボニル基としては、例えば、−ＣＯＣＦ3、−ＣＯＣ2Ｆ 5、−ＣＯＣ3Ｆ7、−ＣＯＣ4Ｆ9、−ＣＯＣ6Ｆ13、−ＣＯＣ8Ｆ17等を挙げることができる。
Ｒ10としてのアルキル基は、好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜５である。
【０１０５】
以下、上記一般式（ＩＩ）で表される界面活性剤の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１０６】
【化１８】
2008083385.tif 000019
【０１０７】
一般式（ＩＩ）で表される界面活性剤（Ｃ）の使用量は、感光性組成物全量（溶剤を除く）に対して、好ましくは０．０００１〜０．７質量％ 、より好ましくは０ ．００１〜０．５質量％で、特に好ましくは０．０１〜０．３質量％である。
【０１０８】
本発明に於いては、上記界面活性剤（Ｆ）とともに他の界面活性剤を併用することができる。
界面活性剤（Ｆ）と、他の界面活性剤との使用割合は、質量比（界面活性剤（Ｆ）／他の界面活性剤）で、６０／４０〜９９／１が好ましく、７０／３０〜９９／１がより好ましい。
【０１０９】
併用することができる他の界面活性剤として、例えば特開昭６２−３６６６３号公報、特開昭６１−２２６７４６号公報、特開昭６１−２２６７４５号公報、特開昭６２−１７０９５０号公報、特開昭６３−３４５４０号公報、特開平７−２３０１６５号公報、特開平８−６２８３４号公報、特開平９−５４４３２号公報、特開平９−５９８８号公報、特開２００２−２７７８６２号公報、米国特許第５４０５７２０号明細書、同５３６０６９２号明細書、同５５２９８８１号明細書、同５２９６３３０号明細書、同５４３６０９８号明細書、同５５７６１４３号明細書、同５２９４５１１号明細書、同５８２４４５１号明細書記載の界面活性剤を挙げることができる。これら市販の界面活性剤として、例えば、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、(新秋田化成(株)製)、フロラードＦＣ４３０、４３１、４４３０(住友スリーエム(株)製)、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｆ１１３、Ｆ１１０、Ｆ１７７、Ｆ１２０、Ｒ０８（大日本インキ化学工業（株）製）、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６（旭硝子（株）製）、トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）、ＧＦ−３００、ＧＦ−１５０（東亜合成化学（株）製）、サーフロンＳ−３９３（セイミケミカル（株）製）、エフトップＥＦ１２１、ＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、ＲＦ１２２Ｃ、ＥＦ１２５Ｍ、ＥＦ１３５Ｍ、ＥＦ３５１、３５２、ＥＦ８０１、ＥＦ８０２、ＥＦ６０１（（
株）ジェムコ製）等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）を挙げることができる。
【０１１０】
また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）もしくはオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を挙げることができる。フルオロ脂肪族化合物は、特開２００２−９０９９１号公報に記載された方法によって合成することが出来る。
フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート及び／又は（ポリ（オキシアルキレン））メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ（オキシアルキレン）基としては、ポリ（オキシエチレン）基、ポリ（オキシプロピレン）基、ポリ（オキシブチレン）基などが挙げられ、また、ポリ（オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体）やポリ（オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体）など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体は２元共重合体ばかりでなく、異なる２種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる２種以上の（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）などを同時に共重合した３元系以上の共重合体でもよい。
【０１１１】
例えば、市販の界面活性剤として、メガファックＦ１７８、Ｆ−４７０、Ｆ−４７３、Ｆ−４７５、Ｆ−４７６、Ｆ−４７２（大日本インキ化学工業（株）製）を挙げることができる。さらに、Ｃ6Ｆ13基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ6Ｆ13基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシエチレン））アクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ8Ｆ17基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ8Ｆ17基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシエチレン））アクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体などを挙げることができる。
【０１１２】
また、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を併用することもできる。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を挙げることができる。
【０１１３】
〔５〕（Ｃ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂
本発明の感光性組成物に用いられる酸により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増
大する樹脂（「樹脂（Ｃ）」ともいう）は、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸で分解し得る基（以下、「酸分解性基」ともいう）を有する樹脂である。この内、酸で分解し得る基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。
【０１１４】
酸で分解し得る基として好ましい基は、−ＣＯＯＨ基、−ＯＨ基の水素原子を酸の作用により脱離する基で置換した基である。
酸の作用により脱離する基としては、例えば、−Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（Ｒ38）、−Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（ＯＲ39）、−Ｃ（Ｒ01）（Ｒ02）（ＯＲ39）等を挙げることができる。
式中、Ｒ36〜Ｒ39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基表す。Ｒ36とＲ37とは、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ01〜Ｒ02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
本発明においては、酸分解性基は、アセタール基又は３級エステル基である。
【０１１５】
これら酸で分解し得る基が側鎖として結合する場合の母体樹脂は、側鎖に−ＯＨもしくは−ＣＯＯＨ基を有するアルカリ可溶性樹脂である。例えば、後述するアルカリ可溶性樹脂を挙げることができる。
【０１１６】
これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度は、０．２６１Ｎテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）で測定（２３℃）して１７０Å／秒以上が好ましい。特に好ましくは３３０Å／秒以上である。
【０１１７】
このような観点から、特に好ましいアルカリ可溶性樹脂は、ｏ−，ｍ−，ｐ−ポリ（ヒドロキシスチレン）及びこれらの共重合体、水素化ポリ（ヒドロキシスチレン）、ハロゲンもしくはアルキル置換ポリ（ヒドロキシスチレン）、ポリ（ヒドロキシスチレン）の一部、Ｏ−アルキル化もしくはＯ−アシル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、水素化ノボラック樹脂等のヒドロキシスチレン構造単位を有するアルカリ可溶性樹脂である。
【０１１８】
本発明に於ける好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、１−アルコキシエトキシスチレン、（メタ）アクリル酸３級アルキルエステル等を挙げることができ、２−アルキル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート及びジアルキル（１−アダマンチル）メチル（メタ）アクリレートがより好ましい。
【０１１９】
本発明に用いられる樹脂（Ｃ）は、欧州特許２５４８５３号、特開平２−２５８５０号、同３−２２３８６０号、同４−２５１２５９号等に開示されているように、アルカリ可溶性樹脂に酸で分解し得る基の前駆体を反応させる、もしくは、酸で分解し得る基の結合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを種々のモノマーと共重合して得ることができる。
【０１２０】
本発明に使用される樹脂（Ｃ）の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
ｐ−ｔ−ブトキシスチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、
ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルオキシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、
ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、
４−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）−３−メチルスチレン／４−ヒドロキシ−３−メチルスチレン共重合体、
ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン（１０％水素添加物）共重合体、
ｍ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｍ−ヒドロキシスチレン共重合体、
ｏ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｏ−ヒドロキシスチレン共重合体、
ｐ−（クミルオキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、
クミルメタクリレート／メチルメタクリレート共重合体、
４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン／マレイン酸ジメチル共重合体、
ベンジルメタクリレート／テトラヒドロピラニルメタクリレート共重合体、
ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン共重合体、
ｐ−ｔ−ブトキシスチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン／フマロニトリル共重合体、
ｔ−ブトキシスチレン／ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、
スチレン／Ｎ−（４−ヒドロキシフェニル）マレイミド／Ｎ−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）マレイミド共重合体、
ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルメタクリレート共重合体、
スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルメタクリレート共重合体、
ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレート共重合体、
スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレート共重合体、
ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン／Ｎ−メチルマレイミド共重合体、
ｔ−ブチルメタクリレート／１−アダマンチルメチルメタクリレート共重合体、
ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレート／ｐ−アセトキシスチレン共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレート／ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルオキシ）スチレン共重合体、
ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレート／ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン共重合体、
【０１２１】
【化２５】
2008083385.tif 000020
【０１２２】
【化２６】
2008083385.tif 000021
【０１２３】
上記具体例において、ｔＢｕはｔ−ブチル基を表す。
【０１２４】
酸で分解し得る基の含有率は、樹脂中の酸で分解し得る基の数（Ｂ）と酸で脱離する基で保護されていないアルカリ可溶性基の数（Ｓ）をもって、Ｂ／（Ｂ＋Ｓ）で表される。含有率は、好ましくは０．０１〜０．７、より好ましくは０．０５〜０．５０、更に好ましくは０．０５〜０．４０である。
【０１２５】
本発明のポジ型感光性組成物にＡｒＦエキシマレーザー光を照射する場合には、樹脂（Ｃ）は、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂であることが好ましい。
【０１２６】
単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂（以下、「脂環炭化水素系酸分解性樹脂」ともいう）としては、下記一般式（ｐＩ）〜一般式（ｐＶ）で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位及び下記一般式（ＩＩ−ＡＢ）で表される繰り返し単位の群から選択される少なくとも１種類を有する樹脂であることが好ましい。
【０１２７】
【化２７】
2008083385.tif 000022
【０１２８】
一般式（ｐＩ）〜（ｐＶ）中、
Ｒ11は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基又はｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。
Ｒ12〜Ｒ16は、各々独立に、直鎖もしくは分岐のアルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ12〜Ｒ14の内の少なくとも１つ、もしくはＲ15及びＲ16のいずれかは、シクロアルキル基を表す。
Ｒ17〜Ｒ21は、各々独立に、水素原子、直鎖もしくは分岐のアルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ17〜Ｒ21の内の少なくとも１つは、シクロアルキル基を表す。また、Ｒ19及びＲ21のいずれかは、直鎖もしくは分岐のアルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ22〜Ｒ25は、各々独立に、水素原子、直鎖もしくは分岐のアルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ22〜Ｒ25の内の少なくとも１つは、シクロアルキル基を表す。また、Ｒ23とＲ24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
【０１２９】
【化２８】
2008083385.tif 000023
【０１３０】
一般式（ＩＩ−ＡＢ）中、
Ｒ11'及びＲ12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Ｚ'は、結合した２つの炭素原子（Ｃ−Ｃ）を含み、脂環式構造を形成するための原子
団を表す。
【０１３１】
一般式（ＩＩ−ＡＢ）は、下記一般式（ＩＩ−ＡＢ１）又は一般式（ＩＩ−ＡＢ２）であることが好ましい。
【０１３２】
【化２９】
2008083385.tif 000024
【０１３３】
一般式（ＩＩ−ＡＢ１）及び（ＩＩ−ＡＢ２）中、
Ｒ13'〜Ｒ16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ5、酸の作用により分解する基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ−Ａ'−Ｒ17'、アルキル基又は
シクロアルキル基を表す。Ｒl3'〜Ｒ16'の内の少なくとも２つが結合して環を形成してもよい。
Ｒ5は、アルキル基、シクロアルキル基又はラクトン構造を有する基を表す。
Ｘは、酸素原子、硫黄原子、−ＮＨ−、−ＮＨＳＯ2−又は−ＮＨＳＯ2ＮＨ−を表す。
Ａ'は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ17'は、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ5、−ＣＮ、水酸基、アルコキシ基、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ6、−ＣＯ−ＮＨ−ＳＯ2−Ｒ6又はラクトン構造を有する基を表す。
Ｒ6は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
ｎは、０又は１を表す。
【０１３４】
一般式（ｐＩ）〜（ｐＶ）に於ける、Ｒ12〜Ｒ25のアルキル基としては、炭素数１〜４
個の直鎖もしくは分岐のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基等を挙げることができる。
【０１３５】
Ｒ12〜Ｒ25に於ける、シクロアルキル基或いはＺと炭素原子が形成するシクロアルキル基は、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数５以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は６〜３０個が好ましく、特に炭素数７〜２５個が好ましい。
好ましいシクロアルキル基としては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、テトラシクロドデカニル基、トリシクロデカニル基を挙げることができる。
【０１３６】
これらのアルキル基、シクロアルキル基は、更なる置換基を有していてもよい。これらのアルキル基、シクロアルキル基の更なる置換基としては、アルキル基（炭素数１〜４）、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基（炭素数１〜４）、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基（炭素数２〜６）が挙げられる。上記のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基等が、更に有していてもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。
【０１３７】
上記樹脂における一般式（ｐＩ）〜（ｐＶ）で表される構造は、アルカリ可溶性基の保護に使用することができる。アルカリ可溶性基としては、この技術分野において公知の種々の基が挙げられる。
【０１３８】
具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、フェノール基、チオール基の水素原子が、一般式（ｐＩ）〜（ｐＶ）で表される構造で置換された構造等が挙げられ、好ましくは、カルボン酸基、スルホン酸基の水素原子が、一般式（ｐＩ）〜（ｐＶ）で表される構造で置換された構造である。
【０１３９】
一般式（ｐＩ）〜（ｐＶ）で表される構造で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ｐＡ）で表される繰り返し単位が好ましい。
【０１４０】
【化３０】
2008083385.tif 000025
【０１４１】
一般式（ｐＡ）に於いて、
Ｒは、水素原子、ハロゲン原子又は１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。複数のＲは、各々同じでも異なっていてもよい。
Ａは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル
基、アミド基、スルホンアミド基、ウレタン基及びウレア基よりなる群から選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせを表す。好ましくは、単結合である。
Ｒｐ1は、一般式（ｐＩ）〜（ｐＶ）のいずれかの基を表す。
【０１４２】
一般式（ｐＡ）で表される繰り返し単位は、最も好ましくは、２−アルキル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、ジアルキル（１−アダマンチル）メチル（メタ）アクリレートによる繰り返し単位である。
【０１４３】
以下、一般式（ｐＡ）で表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
【０１４４】
【化３１】
2008083385.tif 000026
【０１４５】
前記一般式（ＩＩ−ＡＢ）に於ける、Ｒ11'及びＲ12'のハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。
Ｒ11'及びＲ12'のアルキル基としては、炭素数１〜１０個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が挙げられる。
Ｚ'の脂環式構造を形成するための原子団は、置換基を有していてもよい脂環式炭化水
素構造を有する繰り返し単位を形成する原子団であり、中でも有橋式の脂環式炭化水素構造を有する繰り返し単位を形成する原子団が好ましい。
【０１４６】
形成される脂環式炭化水素の骨格としては、例えば、前記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶ）に於けるＲ12〜Ｒ25のシクロアルキル基と同様のものが挙げられる。
【０１４７】
脂環式炭化水素構造の骨格は、置換基を有していてもよい。そのような置換基としては、前記一般式（ＩＩ−ＡＢ１）又は（ＩＩ−ＡＢ２）中のＲ13'〜Ｒ16'を挙げることができる。
【０１４８】
本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂に於いては、酸の作用により分解する基は、前記一般式（ｐＩ）〜一般式（ｐＶ）で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位、一般式（ＩＩ−ＡＢ）で表される繰り返し単位、及び後記共重合成分の繰り返し単位の内の少なくとも１種類の繰り返し単位に有することができる。
【０１４９】
一般式（ＩＩ−ＡＢ１）又は一般式（ＩＩ−ＡＢ２）に於けるＲ13'〜Ｒ16'の各種置換基は、上記一般式（ＩＩ−ＡＢ）に於ける脂環式炭化水素構造を形成するための原子団乃至有橋脂環式炭化水素構造を形成するための原子団Ｚの置換基ともなり得る。
【０１５０】
以下、一般式（ＩＩ−ＡＢ１）又は一般式（ＩＩ−ＡＢ２）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明はこれらの具体例に限定されない。
【０１５１】
【化３２】
2008083385.tif 000027
【０１５２】
本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。ラクトン構造を有する基としては、ラクトン構造を有していればいずれの基でも用いることができるが、好ましくは５〜７員環ラクトン構造を有する基であり、５〜７員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。ラクトン構造を有する基としては、下記一般式（ＬＣ１−１）〜（ＬＣ１−１６）のいずれかで表されるラクトン構造を有する基がより好ましい。また、ラクトン構造を有する基が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としては、（ＬＣ１−１）、（ＬＣ１−４）、（ＬＣ１−５）、（ＬＣ１−６）、（ＬＣ１−１３）、（ＬＣ１−１４）であり、特定のラクトン構造を用いることでラインエ
ッジラフネス、現像欠陥が良好になる。
【０１５３】
【化３３】
2008083385.tif 000028
【０１５４】
ラクトン構造部分は、置換基（Ｒｂ2）を有していても有していなくてもよい。好まし
い置換基（Ｒｂ2）としては、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜７のシクロアルキ
ル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基等が挙げられる。ｎ2は、０〜４
の整数を表す。ｎ2が２以上の時、複数存在するＲｂ2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在するＲｂ2同士が結合して環を形成してもよい。
【０１５５】
一般式（ＬＣ１−１）〜（ＬＣ１−１６）のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、前記一般式（ＩＩ−ＡＢ１）又は（ＩＩ−ＡＢ２）中のＲ13'〜Ｒ16'の内の少なくとも１つが、一般式（ＬＣ１−１）〜（ＬＣ１−１６）で表されるラクトン構造を有する基であるもの（例えば、−ＣＯＯＲ5のＲ5が、一般式（ＬＣ１−１）〜（ＬＣ１−１６）で表されるラクトン構造を有する基を表す）、又は下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を挙げることができる。
【０１５６】
【化３４】
2008083385.tif 000029
【０１５７】
一般式（ＡＩ）中、
Ｒｂ0は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒｂ0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。
Ｒｂ0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げる
ことができる。
Ｒｂ0は、水素原子、メチル基が好ましい。
Ａｂは、単結合、アルキレン基、単環若しくは多環の脂環炭化水素構造を有する２価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた２価の基を表す。
Ａｂは、好ましくは、単結合、−Ａｂ1−ＣＯ2−で表される連結基である。Ａｂ1は、
直鎖、分岐アルキレン基、単環若しくは多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基である。
Ｖは、一般式（ＬＣ１−１）〜（ＬＣ１−１６）の内のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を表す。
【０１５８】
ラクトン構造を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、１種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。１種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度（ｅｅ）が９０以上のものが好ましく、より好ましくは９５以上である。
【０１５９】
ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【０１６０】
【化３５】
2008083385.tif 000030
【０１６１】
【化３６】
2008083385.tif 000031
【０１６２】
【化３７】
2008083385.tif 000032
【０１６３】
本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する基を有する繰り返し単位を有していることが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。極性基で置換された脂環炭化水素構造の脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。極性基としては、水酸基、シアノ基が好ましい。極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する基としては、下記一般式（ＶＩＩａ）〜（ＶＩＩｄ）で表される基が好ましい。
【０１６４】
【化３８】
2008083385.tif 000033
【０１６５】
一般式（ＶＩＩａ）〜（ＶＩＩｃ）中、
Ｒ2c〜Ｒ4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、Ｒ2c〜Ｒ
4cの内の少なくとも１つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくはＲ2c〜Ｒ4cの内の１つ又は２つが水酸基で、残りが水素原子である。一般式（ＶＩＩａ）に於いて、更に好ましくは、Ｒ2c〜Ｒ4cの内の２つが水酸基で、残りが水素原子である。
【０１６６】
一般式（ＶＩＩａ）〜（ＶＩＩｄ）で表される基を有する繰り返し単位としては、前記一般式（ＩＩ−ＡＢ１）又は（ＩＩ−ＡＢ２）中のＲ13'〜Ｒ16'の内の少なくとも１つが、一般式（ＶＩＩａ）〜（ＶＩＩｄ）で表される基を有するもの（例えば、−ＣＯＯＲ5
のＲ5が一般式（ＶＩＩａ）〜（ＶＩＩｄ）で表される基を表す）、又は下記一般式（Ａ
ＩＩａ）〜（ＡＩＩｄ）で表される繰り返し単位を挙げることができる。
【０１６７】
【化３９】
2008083385.tif 000034
【０１６８】
一般式（ＡＩＩａ）〜（ＡＩＩｄ）中、
Ｒ1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキメチル基を表す。
【０１６９】
一般式（ＡＩＩａ）〜（ＡＩＩｂ）で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明は、これらに限定されない。
【０１７０】
【化４０】
2008083385.tif 000035
【０１７１】
本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、下記一般式（ＶＩＩＩ）で表される繰り返し単位を有してもよい。
【０１７２】
【化４１】
2008083385.tif 000036
【０１７３】
一般式（ＶＩＩＩ）に於いて、
Ｚ2は、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ41）−を表す。Ｒ41は、水素原子、水酸基、アルキル基又
は−ＯＳＯ2−Ｒ42を表す。Ｒ42は、アルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す
。Ｒ41及びＲ42のアルキル基は、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）等で置換されていてもよい。
【０１７４】
一般式（ＶＩＩＩ）で表される繰り返し単位として、以下の具体例が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【０１７５】
【化４２】
2008083385.tif 000037
【０１７６】
本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有することが好ましく、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。これを含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。カルボキシル基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接カルボキシル基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にカルボキシル基が結合している繰り返し単位、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環または多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。
【０１７７】
本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、更に下記一般式（Ｆ１）で表される基を１〜３個有する繰り返し単位を有していてもよい。これによりラインエッジラフネス性能が向上する。
【０１７８】
【化４３】
2008083385.tif 000038
【０１７９】
一般式（Ｆ１）中、
Ｒ50〜Ｒ55は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、Ｒ50〜Ｒ55の内、少なくとも１つは、フッ素原子又は少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
Ｒｘａは、水素原子又は有機基（好ましくは、酸分解性保護基、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基）を表す。
【０１８０】
Ｒ50〜Ｒ55のアルキル基は、フッ素原子等のハロゲン原子、シアノ基等で置換されていてもよく、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基を挙げることができる。
Ｒ50〜Ｒ55は、すべてフッ素原子であることが好ましい。
【０１８１】
Ｒｘａが表わす有機基としては、酸分解性保護基、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルメチル基、アルコキシメチル基、１−アルコキシエチル基が好ましい。
【０１８２】
一般式（Ｆ１）を有する繰り返し単位として、好ましくは、下記一般式（Ｆ２）で表される繰り返し単位である。
【０１８３】
【化４４】
2008083385.tif 000039
【０１８４】
一般式（Ｆ２）中、
Ｒｘは、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒｘのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる
。
Ｆａは、単結合、直鎖または分岐のアルキレン基（好ましくは単結合）を表す。
Ｆｂは、単環または多環の環状炭化水素基を表す。
Ｆｃは、単結合、直鎖または分岐のアルキレン基（好ましくは単結合、メチレン基）を表す。
Ｆ1は、一般式（Ｆ１）で表される基を表す。
Ｐ1は、１〜３を表す。
【０１８５】
Ｆｂに於ける、環状炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基が好ましい。
【０１８６】
以下、一般式（Ｆ１）で表される基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
【０１８７】
【化４５】
2008083385.tif 000040
【０１８８】
本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、更に脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有してもよい。これにより液浸露光時に感光性膜から液浸液へ
の低分子成分の溶出が低減できる。このような繰り返し単位として、例えば１−アダマンチル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【０１８９】
本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を含有することができる。
【０１９０】
このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【０１９１】
これにより、脂環炭化水素系酸分解性樹脂に要求される性能、特に、
（１）塗布溶剤に対する溶解性、
（２）製膜性（ガラス転移点）、
（３）アルカリ現像性、
（４）膜べり（親疎水性、アルカリ可溶性基選択）、
（５）未露光部の基板への密着性、
（６）ドライエッチング耐性、
等の微調整が可能となる。
【０１９２】
このような単量体として、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合物等を挙げることができる。
その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。
【０１９３】
脂環炭化水素系酸分解性樹脂において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。
【０１９４】
本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂の好ましい態様としては、以下のものが挙げられる。
（１）  上記一般式（ｐＩ）〜(ｐＶ)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を含有するもの（側鎖型）。
好ましくは（ｐＩ）〜(ｐＶ)の構造を有する（メタ）アクリレート繰り返し単位を含有するもの。
（２）  一般式（ＩＩ−ＡＢ）で表される繰り返し単位を含有するもの（主鎖型）。
但し、（２）においては例えば、更に、以下のものが挙げられる。
（３）  一般式（ＩＩ−ＡＢ）で表される繰り返し単位、無水マレイン酸誘導体及び（メタ）アクリレート構造を有するもの（ハイブリッド型）。
【０１９５】
脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中１０〜６０モル％が好ましく、より好ましくは２０〜５０モル％、更に好ましくは２５〜４０モル％である。
【０１９６】
脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、一般式（ｐＩ）〜(ｐＶ)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中２０〜７０モル％が好ましく、より好ましくは２０〜５０モル％、更に好ましくは２５〜４０モル％である。
【０１９７】
脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、一般式（ＩＩ−ＡＢ）で表される繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中１０〜６０モル％が好ましく、より好ましくは１５〜５５モル％、更に好ましくは２０〜５０モル％である。
【０１９８】
また、上記更なる共重合成分の単量体に基づく繰り返し構造単位の樹脂中の含有量も、所望のレジストの性能に応じて適宜設定することができるが、一般的に、上記一般式（ｐＩ）〜(ｐＶ)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し構造単位と上記一般式（ＩＩ−ＡＢ）で表される繰り返し単位の合計した総モル数に対して９９モル％以下が好ましく、より好ましくは９０モル％以下、さらに好ましくは８０モル％以下である。
【０１９９】
本発明の組成物がＡｒＦ露光用であるとき、ＡｒＦ光への透明性の点から樹脂は芳香族基を有さないことが好ましい。
【０２００】
本発明に用いる脂環炭化水素系酸分解性樹脂として好ましくは、繰り返し単位のすべてが（メタ）アクリレート繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位
のすべてがメタクリレート、繰り返し単位のすべてがアクリレート、メタクリレート／アクリレート混合のいずれのものでも用いることができるが、アクリレート繰り返し単位が全繰り返し単位の５０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。より好ましくは、一般式（ｐＩ）〜(ｐＶ)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位２０〜５０モル％、ラクトン構造を含有する繰り返し単位２０〜５０モル％、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位５〜３０モル％含有する３元共重合ポリマー、または更にその他の繰り返し単位を０〜２０モル％含む４元共重合ポリマーである。
【０２０１】
特に好ましい樹脂としては、下記一般式（ＡＲＡ−１）〜（ＡＲＡ−５）で表される酸分解性基を有する繰り返し単位２０〜５０モル％、下記一般式（ＡＲＬ−１）〜（ＡＲＬ−６）で表されるラクトン基を有する繰り返し単位２０〜５０モル％、下記一般式（ＡＲＨ−１）〜（ＡＲＨ−３）で表される極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位５〜３０モル％含有する３元共重合ポリマー、または更にカルボキシル基、あるいは一般式（Ｆ１）で表される構造を有する繰り返し単位、脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を５〜２０モル％含む４元共重合ポリマーである。
【０２０２】
【化４６】
2008083385.tif 000041
【０２０３】
【化４７】
2008083385.tif 000042
【０２０４】
具体例中、
Ｒｘｙ1は、水素原子またはメチル基を表す。
Ｒｘａ1及びＲｘｂ1は、各々独立に、メチル基またはエチル基を表す。
【０２０５】
本発明に用いる脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、常法に従って（例えばラジカル重合）合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種および開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を１〜１０時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感光性組成物に用いら
れる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。
重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤（アゾ系開始剤、パーオキサイドなど）を用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル２，２‘−アゾビス（２−メチルプロピオネート）などが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は５〜５０質量％であり、好ましくは１０〜３０質量％である。反応温度は、通常１０℃〜１５０℃であり、好ましくは３０℃〜１２０℃、さらに好ましくは６０〜１００℃である。
【０２０６】
本発明の組成物を多層レジストの上層レジストに使用する場合に、樹脂（Ｃ）は、シリコン原子を有することが好ましい。
【０２０７】
シリコン原子を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大する樹脂としては、シリコン原子を主鎖及び側鎖の少なくとも一方に有する樹脂を用いることができる。樹脂の側鎖にシロキサン構造を有する樹脂として、例えば、シリコン原子を側鎖に有するオレフィン系単量体、無水マレイン酸及び酸分解性基を側鎖に有する(メタ)アクリル酸系単量体の共重合体を挙げることができる。
シリコン原子を有する樹脂としてはトリアルキルシリル構造、単環または多環の環状シロキサン構造を有する樹脂が好ましく、下記一般式（ＳＳ−１）〜（ＳＳ−４）で表される構造を有する繰り返しを有する樹脂がより好ましく、一般式（ＳＳ−１）〜（ＳＳ−４）で表される構造を有する（メタ）アクリル酸エステル系繰り返し単位、ビニル系繰り返し単位またはアリル系繰り返し単位がより好ましい。
【０２０８】
【化４８】
2008083385.tif 000043
【０２０９】
一般式（ＳＳ−１）〜（ＳＳ−４）中、
Ｒｓは、炭素数１〜５のアルキル基を表し、好ましくはメチル基、エチル基である。
【０２１０】
シリコン原子を有する樹脂は、異なる２種類以上のシリコン原子を有する繰り返し単位を有することが好ましく、より好ましくは（Ｓａ）シリコン原子を１〜４個有する繰り返し単位と（Ｓｂ）シリコン原子を５〜１０個有する繰り返し単位の両方を有する樹脂であり、更により好ましくは一般式（ＳＳ−１）〜（ＳＳ−３）で表される構造を有する少なくとも１種類の繰り返し単位と一般式（ＳＳ−４）で表される構造を有する繰り返し単位を有する樹脂である。
【０２１１】
本発明のポジ型感光性組成物にＦ2エキシマレーザー光を照射する場合に、樹脂（Ｃ）
は、ポリマー骨格の主鎖及び／又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する樹脂（以下、フッ素基含有樹脂ともいう）が好ましく、さらに好ましくは１位がフッ素原子またはフロロアルキル基で置換された水酸基または１位がフッ素原子またはフロロアルキル基で置換された水酸基を酸分解基で保護した基を含有する樹脂であり、最も好ましくはヘキサフロロ−２−プロパノール構造またはヘキサフロロ−２−プロパノールの水酸基を酸分解基で保護した構造を含有する樹脂である。フッ素原子を導入することで遠紫外光、特にＦ2（１５７ｎｍ）光
に対する透明性を向上させることができる。
【０２１２】
フッ素基含有樹脂として、例えば、下記一般式（ＦＡ）〜（ＦＧ）で示される繰り返し単位を少なくとも一つ有する樹脂を好ましく挙げることができる。
【０２１３】
【化４９】
2008083385.tif 000044
【０２１４】
前記一般式中、
Ｒ100〜Ｒ103はそれぞれ水素原子、フッ素原子、アルキル基またはアリール基を表す。
Ｒ104およびＲ106はそれぞれ水素原子、フッ素原子またはアルキル基であり、Ｒ104お
よびＲ106の少なくとも１方がフッ素原子またはフルオロアルキル基である。Ｒ104およびＲ106は好ましくは両方トリフルオロメチル基である。
Ｒ105は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル
基または酸の作用により分解する基である。
Ａ1は単結合、２価の連結基、例えば直鎖、分岐、環状アルキレン基、アルケニレン基
、アリーレン基、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、または−ＣＯＮ（Ｒ24）−、およびこれらのうちの複数を含有する連結基である。Ｒ24は水素原子またはアルキル基である。
Ｒ107,Ｒ108はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコ
キシカルボニル基または酸の作用により分解する基である。
Ｒ109は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、酸の作用により分解する基である
。
ｂは、０、１又は２である。
また、一般式（ＦＡ）及び（ＦＣ）におけるＲ100とＲ101は、フッ素で置換されていてよいアルキレン基（炭素数１〜５）を介して環を形成していてもよい。
【０２１５】
一般式（ＦＡ）〜（ＦＧ）で表される繰り返し単位は、一繰り返し単位あたりに少なくとも１つ、好ましくは３つ以上のフッ素原子を含む。
【０２１６】
上記一般式（ＦＡ）〜（ＦＧ）において、アルキル基としては、例えば炭素数１〜８個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基を好ましく挙げることができる。
【０２１７】
シクロアルキル基としては単環型でもよく、多環型でもよい。単環型としては、炭素数３〜８個の、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基を好ましく挙げることができる。多環型としては炭素数６〜２０個のものであって、例えばアダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を好ましく挙げることができる。但し、上記の単環又は多環のシクロアルキル基中の炭素原子が、酸素原子等のヘテロ原子に置換されていてもよい。
【０２１８】
フルオロアルキル基としては、例えば炭素数１〜１２個のものであって、具体的にはトリフルオロメチル基、パーフルロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロオクチルエチル基、パーフルオロドデシル基等を好ましくあげることができる。
【０２１９】
アリール基としては、例えば炭素数６〜１５個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、ナフチル基、アントリル基、９，１０−ジメトキシアントリル基等を好ましく挙げることができる。
【０２２０】
アルコキシ基としては、例えば炭素数１〜８個のアルコキシ基であって、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、アリルオキシ基、オクトキシ基等を好ましく挙げることができる。
【０２２１】
アシル基としては、例えば炭素数１〜１０個のアシル基であって、具体的には、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基、オクタノイル基、ベンゾイル基等を好ましく挙げることができる。
【０２２２】
アルコキシカルボニル基としては、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｔ−アミロキシカルボニル基、１−メチル−１−シクロヘキシルオキシカルボニル基等、好ましくは２級、より好ましくは３級のアルコキシカルボニル基が挙げられる。
【０２２３】
ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等を挙げることができる。
【０２２４】
アルキレン基としては、好ましくはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数１〜８個のものが挙げられる。
【０２２５】
アルケニレン基としては、好ましくはエテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等の炭素数２〜６個のものが挙げられる。
【０２２６】
シクロアルキレン基としては、好ましくはシクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等の炭素数５〜８個のものが挙げられる。
【０２２７】
アリーレン基としては、好ましくはフェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等の炭素数６〜１５個のものが挙げられる。
【０２２８】
またこれらの基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシ基等の活性水素を有するものや、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子）、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、チオエーテル基、アシル基（アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基等）、アシロキシ基（アセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等）、アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等）、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。
【０２２９】
ここで、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基は上記で示したものが挙げられるが、アルキル基は、更にフッ素原子、シクロアルキル基で置換されていてもよい。
【０２３０】
本発明のフッ素基含有樹脂に含まれる、酸の作用により分解しアルカリ可溶性を示す基としては、例えば−Ｏ−Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（Ｒ38）、−Ｏ−Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（ＯＲ39）、−Ｏ−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（Ｒ38）、−Ｏ−Ｃ（Ｒ01）（Ｒ02）ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（Ｒ38）、−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（Ｒ38）、−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（ＯＲ39）等が挙げられる。
【０２３１】
Ｒ36〜Ｒ39は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表し、Ｒ01、Ｒ02は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基（ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロヘキセニル基等）、アラルキル基（ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等）又はアリール基を表す。
【０２３２】
好ましい具体例としては、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基、１−アルキル−１−シクロヘキシル基、２−アルキル−２−アダマンチル基、２−アダマンチル−２−プロピル基、２−（４−メチルシクロヘキシル）−２−プロピル基等の３級アルキル基のエーテル基又はエステル基、１−アルコキシ−１−エトキシ基、テトラヒドロピラニル基等のアセタール基又はアセタールエステル基、ｔ−アルキルカーボネート基、ｔ−アルキルカルボニルメトキシ基等が好ましく挙げられる。
【０２３３】
以下に一般式（ＦＡ）〜（ＦＧ）で表される繰り返し構造単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０２３４】
【化５０】
2008083385.tif 000045
【０２３５】
【化５１】
2008083385.tif 000046
【０２３６】
【化５２】
2008083385.tif 000047
【０２３７】
【化５３】
2008083385.tif 000048
【０２３８】
一般式（ＦＡ）〜（ＦＧ）で示される繰り返し単位の含量の合計は、樹脂を構成する全繰り返し単位に対して、一般的に１０〜８０モル％、好ましくは３０〜７０モル％、更に好ましくは３５〜６５モル％の範囲で使用される。
【０２３９】
本発明のフッ素基含有樹脂は、上記のような繰り返し構造単位以外にも、更に本発明のレジストの性能を向上させる目的で、他の重合性モノマーを共重合させてもよい。
【０２４０】
使用することができる共重合モノマーとしては、以下に示すものが含まれる。例えば、上記以外のアクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類などから選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合物である。
【０２４１】
このようなフッ素基含有樹脂には、ドライエッチング耐性向上、アルカリ可溶性調節、基板密着性向上などの観点から、前記フッ素原子を有する繰り返し単位の他に共重合成分として他の繰り返し単位を含有することが好ましい。他の繰り返し単位として好ましいものとしては：
１）前記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶI）及び（II−ＡＢ）に示す脂環炭化水素構造を有す
る繰り返し単位。具体的には前記１〜２３の繰り返し単位および［II−１］〜［II−３２］の繰り返し単位。好ましくは上記具体例１〜２３のうちＲｘがＣＦ3のものである。
【０２４２】
２）前記一般式（Ｌｃ）及び（Ｖ−１）〜（Ｖ−５）に示すラクトン構造を有する繰り返し単位。具体的には先に例示した繰り返し単位、特に先に例示した一般式（Ｌｃ）、（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）で表される基を有する繰り返し単位。
【０２４３】
３）無水マレイン酸、ビニルエーテルまたはシアノ基を有するビニル化合物から由来される下記一般式（ＸＶ）（ＸＶI）（ＸＶII）、具体的には（Ｃ−１）〜（Ｃ−１５）に
挙げられる繰り返し単位が挙げられる。これら他の繰返し単位中にはフッ素原子を含んでいてもいなくてもよい。
【０２４４】
【化５４】
2008083385.tif 000049
【０２４５】
式中、Ｒ41は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。Ｒ41のアルキル基は、アリール基で置換されていてもよい。
Ｒ42は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキル基を表す。
Ａ5は単結合、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基もしくはア
リーレン基、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｒ22−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ23−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ24）−Ｒ25−を表す。
Ｒ22、Ｒ23、Ｒ25は同じでも異なっていてもよく、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有してもよい、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表す。
Ｒ24は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
ここで、各置換基の例は、前記一般式（ＦＡ）〜（ＦＧ）の置換基と同様のものがあげられる。
【０２４６】
また一般式（ＸＶ）〜（ＸＶII）で表される繰り返し構造単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０２４７】
【化５５】
2008083385.tif 000050
【０２４８】
一般式（ＸＶ）〜（ＸＶII）で表される繰り返し単位とその他繰り返し単位の総量は、樹脂を構成する全繰り返し単位に対して、一般的に０〜７０モル％、好ましくは１０〜６０モル％、更に好ましくは２０〜５０モル％の範囲で使用される。
【０２４９】
フッ素基含有樹脂は、酸分解性基をいかなる繰り返し単位に含んでいてもよい。
酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、１０〜７０モル％が好ましく、より好ましくは２０〜６０モル％、更に好ましくは３０〜６０モル％である。
【０２５０】
フッ素基含有樹脂は、脂環炭化水素系酸分解性樹脂とほぼ同様にラジカル重合によって合成することができる。
【０２５１】
本発明に係るの樹脂（Ｃ）の重量平均分子量は、ＧＰＣ法によりポリスチレン換算値として、好ましくは１，０００〜２００，０００である。重量平均分子量を１，０００以上とすることにより、耐熱性、ドライエッチング耐性を向上させることができ、また、重量平均分子量を２００，０００以下とすることにより、現像性を向上させることができ、且つ、粘度が極めて低くなるために製膜性を向上させることができる。
【０２５２】
本発明の感光性組成物において、本発明に係わる樹脂（Ｃ）の組成物全体中の配合量は、全固形分中４０〜９９．９質量％が好ましく、より好ましくは５０〜９９．９質量％である。
【０２５３】
〔６〕（Ｄ）アルカリ現像液に可溶な樹脂（以下、「（Ｄ）成分」あるいは「アルカリ可溶性樹脂」ともいう）
アルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度は、０．２６１Ｎテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）で測定（２３℃）して２０Å／秒以上が好ましい。特に好ましくは２００Å／秒以上である。
【０２５４】
本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、例えばノボラック樹脂、水素化ノボラツク樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂、ｏ−ポリヒドロキシスチレン、ｍ−ポリヒドロキシスチレン、ｐ−ポリヒドロキシスチレン、水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロゲンもしくはアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレン−Ｎ−置換マレイミド共重合体、ｏ／ｐ−及びｍ／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、ポリヒドロキシスチレンの水酸基に対する一部Ｏ−アルキル化物（例えば、５〜３０モル％のＯ−メチル化物、Ｏ−（１−メトキシ）エチル化物、Ｏ−（１−エトキシ）エチル化物、Ｏ−２−テトラヒドロピラニル化物、Ｏ−（ｔ−ブトキシカルボニル）メチル化物等）もしくはＯ−アシル化物（例えば、５〜３０モル％のｏ−アセチル化物、Ｏ−（ｔ−ブトキシ）カルボニル化物等）、スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、カルボキシル基含有メタクリル系樹脂及びその誘導体、ポリビニルアルコール誘導体を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【０２５５】
特に好ましいアルカリ可溶性樹脂はノボラック樹脂及びｏ−ポリヒドロキシスチレン、ｍ−ポリヒドロキシスチレン、ｐ−ポリヒドロキシスチレン及びこれらの共重合体、アルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレンの一部Ｏ−アルキル化、もしくはＯ−アシル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体である。
【０２５６】
該ノボラック樹脂は所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得られる。
【０２５７】
また、アルカリ溶解性樹脂の重量平均分子量は、２０００以上、好ましくは５０００〜２０００００、より好ましくは５０００〜１０００００である。
【０２５８】
ここで、重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される。
【０２５９】
本発明におけるこれらの（Ｄ）アルカリ可溶性樹脂は２種類以上組み合わせて使用してもよい。
【０２６０】
アルカリ可溶性樹脂の使用量は、感光性組成物の全組成物の固形分に対し、４０〜９７質量％、好ましくは６０〜９０質量％である。
【０２６１】
〔７〕（Ｅ）酸の作用により上記アルカリ可溶性樹脂と架橋する酸架橋剤（以下「（Ｅ）成分」或いは「架橋剤」ともいう）
本発明のネガ型感光性組成物には、架橋剤が使用される。
【０２６２】
架橋剤としては酸の作用によりアルカリ現像液に可溶な樹脂を架橋する化合物であればいずれも用いることができるが、以下の（１）〜（３）が好ましい。
（１）フェノール誘導体のヒドロキシメチル体、アルコキシメチル体、アシルオキシメチル体。
（２）Ｎ−ヒドロキシメチル基、Ｎ−アルコキシメチル基、Ｎ−アシルオキシメチル基を有する化合物。
（３）エポキシ基を有する化合物。
【０２６３】
アルコキシメチル基としては炭素数６個以下、アシルオキシメチル基としては炭素数６個以下が好ましい。
【０２６４】
これらの架橋剤の内、特に好ましいものを以下に挙げる。
【０２６５】
【化５６】
2008083385.tif 000051
【０２６６】
式中、
Ｌ1〜Ｌ8は、同じであっても異なっていてもよく、水素原子、ヒドロキシメチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基又は炭素数１〜６個のアルキル基を示す。
【０２６７】
架橋剤は、ネガ型感光性組成物の固形分中、通常３〜７０質量％、好ましくは５〜５０質量％の添加量で用いられる。
【０２６８】
〔８〕（Ｆ）酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量３０００以下の溶解阻止化合物（以下、「溶解阻止化合物」ともいう）
溶解阻止化合物としては、２２０ｎｍ以下の透過性を低下させないため、Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996) に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、
酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、上記脂環炭化水素系酸分解性樹脂のところで説明したものと同様のものが挙げられる。
【０２６９】
本発明の感光性組成物をＫｒＦエキシマレーザーで露光するか、或いは電子線で照射する場合には、フェノール化合物のフェノール性水酸基を酸分解基で置換した構造を含有す
るものが好ましい。フェノール化合物としてはフェノール骨格を１〜９個含有するものが好ましく、さらに好ましくは２〜６個含有するものである。
【０２７０】
本発明における溶解阻止化合物の分子量は、３０００以下であり、好ましくは３００〜３０００、更に好ましくは５００〜２５００である。
【０２７１】
溶解阻止化合物の添加量は、感光性組成物の固形分に対し、好ましくは３〜５０質量％であり、より好ましくは５〜４０質量％である。
【０２７２】
以下に溶解阻止化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【０２７３】
【化５７】
2008083385.tif 000052
【０２７４】
〔９〕溶剤
本発明の感光性組成物は、各成分を所定の溶剤に溶解して用いる。
使用し得る溶剤としては、例えば、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等の有機溶剤を挙げることができる。
【０２７５】
本発明において、溶剤としては、単独で用いても混合して用いても良いが、構造中に水酸基を有する溶剤、構造中にエステルまたはラクトン構造を有する溶剤および構造中にケトン構造を有する溶剤から選ばれる２種類以上を混合した混合溶剤を使用することが好ましい。これによりレジスト液保存時のパーティクル発生を軽減することができる。
水酸基を有する溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル等を挙げることができ、これらの内でプロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルが特に好ましい。
エステルまたはラクトン構造を有する溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、γ−ブチロラクトン、酢酸ブチル等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが最も好ましい。
ケトン構造を有する溶剤としては２−ヘプタノン、シクロヘキサノン等を挙げることができ、シクロヘキサノンが好ましい。
混合溶剤の好ましい組み合わせとしては水酸基を有する溶剤とエステル構造を有する溶剤の組み合わせ、またはケトン構造を有する溶剤とエステル構造を有する溶剤の組み合わせである。
【０２７６】
水酸基を有する溶剤とエステル構造を有する溶剤との混合比（質量）は、通常１／９９〜９９／１、好ましくは５／９５〜９５／５、更に好ましくは２０／８０〜８０／２０、特に好ましくは２０／８０〜６０／４０である。
ケトン構造を有する溶剤とエステル構造を有する溶剤との混合比（質量）は、通常１／９９〜９９／１、好ましくは５／９５〜９５／５、更に好ましくは２０／８０〜８０／２０、特に好ましくは２０／８０〜６０／４０である。
【０２７７】
＜その他の添加剤＞
本発明の感光性組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、上記成分以外の界面活性剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることができる。
本発明で使用できる現像液に対する溶解促進性化合物は、フェノール性ＯＨ基を２個以上、又はカルボキシ基を１個以上有する分子量１，０００以下の低分子化合物である。カルボキシ基を有する場合は脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。
これら溶解促進性化合物の好ましい添加量は、樹脂（Ｃ）に対して２〜５０質量％であり、さらに好ましくは５〜３０質量％である。添加量を、２〜５０質量％とすることによ
り、現像残渣が悪化し、現像時にパターンが変形することを防止することができる。
【０２７８】
このような分子量１０００以下のフェノール化合物は、例えば、特開平４−１２２９３８、特開平２−２８５３１、米国特許第４９１６２１０、欧州特許第２１９２９４等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。
カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０２７９】
本発明においては、上記フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を加えることもできる。具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタン脂肪族エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪族エステル類等のノニオン系界面活性剤を挙げることができる。
これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。
【０２８０】
〔１０〕パターン形成方法
本発明の感光性組成物は、各成分を所定の溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。
例えば、感光性組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコン被覆）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布する。
塗布後、所定のマスクを通して活性光線、放射線を照射し、ベークを行い現像する。このようにすると、良好なパターンを得ることができる。活性光線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、Ｘ線、電子線等を挙げることができるが、好ましくは２５０ｎｍ以下、より好ましくは２２０ｎｍ以下の波長の遠紫外光、具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ2エキシマレーザー
（１５７ｎｍ）、Ｘ線、電子ビーム等であり、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ2エキシマレ
ーザーが最も好ましい。尚、本発明に於いては、Ｘ線、電子線も活性光線に含めるものとする。
【０２８１】
現像工程では、アルカリ現像液を次のように用いる。アルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。
さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常０．１〜２０質量％である。
アルカリ現像液のｐＨは、通常１０．０〜１５．０である。
【実施例】
【０２８２】
以下、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０２８３】
＜樹脂（Ｃ）＞
樹脂（Ｃ）の構造及び分子量を以下に示す。
【０２８４】
【化６０】
2008083385.tif 000053
【０２８５】
【化６１】
2008083385.tif 000054
【０２８６】
【化６２】
2008083385.tif 000055
【０２８７】
【化６３】
2008083385.tif 000056
【０２８８】
【化６４】
2008083385.tif 000057
【０２８９】
＜フッ素基含有樹脂＞
以下、実施例で使用されるフッ素基含有樹脂（ＦＩＩ−１）〜（ＦＩＩ−１０）の構造を示す。
【０２９０】
また、下記表１にフッ素基含有樹脂（ＦＩＩ−１）〜（ＦＩＩ−１０）の重量平均分子量等を示す。
【０２９１】
【化６５】
2008083385.tif 000058
【０２９２】
【表１】
2008083385.tif 000059
【０２９３】
〔実施例ＡＲ−１〜３０及び比較例ａｒ１〜５〕
＜レジスト調製＞
下記表２に示す成分を溶剤に溶解させ固形分濃度６質量％の溶液を調製し、これを０．１μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターまたはポリエチレンフィルターでろ過してポジ型レジスト溶液を調製した。調製したポジ型レジスト溶液を下記の方法で評価し、結果を表２に示した。
【０２９４】
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ＡＲＣ２９Ａ（ 日産化学社製）を塗布し、２０５℃ で、６０秒間ベークを行い、７８ｎｍの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型レジスト溶液を塗布し、１２０ ℃ で、６０秒間ベークを行い、１６０ｎｍのレジスト膜を形成した。得られたウエハーをＡｒＦエキシマレーザースキャナー（ＡＳＭＬ社製ＰＡＳ５５００/１１００、ＮＡ０．７５ 、σo／σi=０．８５／０．５５）を用いて露光し、露光後直ちに１２０℃、６０秒間ホットプレート上で加熱（ＰＥＢ）した。さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃で６０秒間現像し、３０秒間純水にてリンスした後、乾燥し、レジストラインパターンを得た。
＜フォーカスマージン（μｍ）＞：
評価に用いたレジストパターンは、９０ｎｍのラインとスペース比が１：１の密集パターンである。日立製測長SEM（S-9260）により前記マスクサイズを再現する露光量（Eopt）を求め、更にそのEoptにおいて、フォーカス変動時に９０ｎｍ±１０％ の線幅に再現可能な焦点深度（ＤＯＦという）を測定し、その幅をＤＯＦ値（μｍ）とした。また、パターン膜厚がレジスト塗布時の膜厚（１６０ｎｍ）から５％以上減少した場合には膜ベリと判断し、パターン線幅が上記９０ｎｍ±１０％以内に収まっていても、目標のパターン線幅を再現していないと判断した。
＜現像欠陥＞：
上記と同様の方法を用いて、９０ｎｍのパターンをウェハ面内７８箇所に前記Eoptの露光量において露光した。この際の露光の面積は計２０５ｃｍ2である。この得られたパターン付きウエハをケーケルエー・テンコール（株）製ＫＬＡ−２３６０により現像欠陥数を測定し、得られた数値を露光面積で割った値を現像欠陥数（個数／ｃｍ2）と定義した。
現像欠陥数が１以上は実用的でないレベルで、１以下が改良を示す値である。１以下の改良レベルは、０．８以上１未満、０．６以上０．８未満、０．４以上０．６未満、０．２以上０．４未満の順に改良していることを示す。
【０２９５】
【表２】
2008083385.tif 000060
【０２９６】
各表に共通な略号を以下に纏めて示す。
アミン：
＜化合物（Ｂ１）＞
Ｐ Ｅ Ａ ： Ｎ − フェニルジエタノールアミン
Ｃ Ｅ Ａ ： Ｎ − シアノエチルアニリン
Ｔ Ｅ Ａ ： トリエタノールアミン
Ｔ Ｍ Ｅ Ａ ： トリス（ メトキシエトキシ） エチルアミン
Ｎ Ｃ Ｅ Ａ   ：Ｎ −(２−シアノエチル)−Ｎ−エチルアニリン
【０２９７】
＜化合物（Ｂ２）＞
Ｄ Ｂ Ａ ： Ｎ ， Ｎ − ジブチルアニリン
Ｄ Ｈ Ａ ： Ｎ ， Ｎ − ジヘキシルアニリン
Ｄ Ｉ Ａ ： ２ ， ６ − ジイソプロピルアニリン
Ｔ Ｂ Ａ ： トリブチルアミン
Ｔ Ｏ Ａ ： トリオクチルアミン
Ｄ Ｃ Ｍ Ａ ： ジシクロヘキシルメチルアミン
Ｔ Ｐ Ａ ： トリペンチルアミン
【０２９８】
＜界面活性剤＞
Ｗ−１：ＰＦ６３６（ＯＭＮＯＶＡ社製）
Ｗ−２：ＰＦ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ社製）
Ｗ−３：ＰＦ６５６（ＯＭＮＯＶＡ社製）
Ｗ−４：ＰＦ６５２０（ＯＭＮＯＶＡ社製）
Ｗ−５：メガファックＦ１７６（大日本インキ化学工業（株）製）
Ｗ−６：フロラ  ードＦＣ４３０（住友スリーエム（株）製）
【０２９９】
【化６６】
2008083385.tif 000061
【０３００】
＜溶剤＞
ＳＬ−１：  プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
ＳＬ−２：  ２−ヘプタノン
ＳＬ−３：  乳酸エチル
ＳＬ−４：  プロピレングリコールモノメチルエーテル
ＳＬ−５：  シクロヘキサノン
ＳＬ−６：  γ−ブチロラクトン
【０３０１】
表２の結果より、ＡｒＦ露光において本発明の感光性組成物では、現像欠陥が少なく、フォーカスマージンが広く、優れた性能を有していることがわかる。
【０３０２】
〔実施例ＳＩ−１〜７及び比較例ｓｉ−１〜５〕
（１）下層レジスト層の形成
６インチシリコンウエハにＦＨｉ−０２８ＤＤレジスト（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製ｉ線用レジスト）を東京エレクトロン社製スピンコーターＭａｒｋ８を用い塗布し、９０℃、９０秒間ベークし、膜厚０．５５μｍの均一膜を得た。これを更に２００℃、３分間加熱し、膜厚０．４０μｍの下層レジスト層を形成させた。
【０３０３】
（２）上層レジスト層の形成
下記表３に示す成分を溶剤に溶解させ、固形分濃度１１質量％の溶液を調製し、口径０．１μｍのメンブレンフィルターで精密ろ過して上層レジスト組成物を調製した。
下層レジスト層の上に上層レジスト組成物を同様に塗布し、１３０℃、９０秒間加熱して、膜厚０．２０μｍの上層レジスト層を形成させた。
【０３０４】
表３に於ける樹脂（ＳＩ−１）〜（ＳＩ−５）は、下記のとおりである。
【０３０５】
【化６７】
2008083385.tif 000062
【０３０６】
【化６８】
2008083385.tif 000063
【０３０７】
（３）レジスト評価
こうして得られたウェハーに、ＡｒＦエキシマレーザースキャナー（ＡＳＭＬ社製  ＰＡＳ５５００/１１００、ＮＡ０．７５ 、σ o／ σ i=０．８５／０．５５）を用いて露光した。次いで、１２０℃、９０秒間加熱した後、テトラヒドロアンモニウムヒドロキシド現像液（２．３８質量％）で６０秒間現像し、蒸留水でリンスし、乾燥して上層パターンを形成させ、下記の通り評価を行った。
【０３０８】
＜フォーカスマージン（μｍ）＞：
評価に用いたレジストパターンは、９０ｎｍのラインとスペース比が１：１の密集パターンである。日立製測長SEM（S-9260）により前記マスクサイズを再現する露光量（Eopt）を求め、更にそのEoptにおいて、フォーカス変動時に９０ｎｍ±１０％ の線幅に再現可能な焦点深度（ＤＯＦという）を測定し、その幅をＤＯＦ値（μｍ）とした。また、パターン膜厚がレジスト塗布時の膜厚（１６０ｎｍ）から５％以上減少した場合には膜ベリと判断し、パターン線幅が上記９０ｎｍ±１０％以内に収まっていても、目標のパターン線幅を再現していないと判断した。
＜現像欠陥＞：
上記と同様の方法を用いて、９０ｎｍのパターンをウェハ面内７８箇所に前記Eoptの露光量において露光した。この際の露光の面積は計２０５ｃｍ2である。この得られたパターン付きウエハをケーケルエー・テンコール（株）製ＫＬＡ−２３６０により現像欠陥数を測定し、得られた数値を露光面積で割った値を現像欠陥数（個数／ｃｍ2）と定義した。
現像欠陥数が１以上は実用的でないレベルで、１以下が改良を示す値である。１以下の改良レベルは、０．８以上１未満、０．６以上０．８未満、０．４以上０．６未満、０．２以上０．４未満の順に改良していることを示す。
結果を表３に示した。
【０３０９】
【表３】
2008083385.tif 000064
【０３１０】
表３における結果から、本発明の感光性組成物では、２層レジストとして使用した場合
も、現像欠陥が少なく、フォーカスマージンが広く、優れた性能を有していることがわかる。
【０３１１】
〔実施例Ｆ２−１〜Ｆ２−１３及び比較例ｆ２−１〜ｆ２−５〕
＜レジスト調製及び評価＞
下記表４に示した成分を溶剤に溶解させ、固形分濃度５質量％の溶液を作成し、これを０．１μｍのポリエチレンフィルターでろ過し、レジスト液を調製した。スピンコーターにより各レジスト液をヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコンウエハーに塗布し、１２０℃で９０秒間、真空密着型ホットプレートで加熱乾燥して膜厚１２０ｎｍのレジスト膜を得た。得られたレジスト膜に対し、Ｆ2エキシマレーザーステッパー（１５７ｎｍ
）を用いてパターン露光し、露光後直ぐに１２０℃で９０秒間ホットプレートで加熱した。２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間現像し、純水でリンスし、ラインパターンを形成させ、下記の通り評価を行った。
【０３１２】
＜フォーカスマージン（μｍ）＞：
評価に用いたレジストパターンは、９０ｎｍのラインとスペース比が１：１の密集パターンである。日立製測長SEM（S-9260）により前記マスクサイズを再現する露光量（Eopt）を求め、更にそのEoptにおいて、フォーカス変動時に９０ｎｍ±１０％ の線幅に再現可能な焦点深度（ＤＯＦという）を測定し、その幅をＤＯＦ値（μｍ）とした。また、パターン膜厚がレジスト塗布時の膜厚（１６０ｎｍ）から５％以上減少した場合には膜ベリと判断し、パターン線幅が上記９０ｎｍ±１０％以内に収まっていても、目標のパターン線幅を再現していないと判断した。
＜現像欠陥＞：
上記と同様の方法を用いて、９０ｎｍのパターンをウェハ面内７８箇所に前記Eoptの露光量において露光した。この際の露光の面積は計２０５ｃｍ2である。この得られたパターン付きウエハをケーケルエー・テンコール（株）製ＫＬＡ−２３６０により現像欠陥数を測定し、得られた数値を露光面積で割った値を現像欠陥数（個数／ｃｍ2）と定義した。
現像欠陥数が１以上は実用的でないレベルで、１以下が改良を示す値である。１以下の改良レベルは、０．８以上１未満、０．６以上０．８未満、０．４以上０．６未満、０．２以上０．４未満の順に改良していることを示す。
評価結果を表４に示す。
【０３１３】
【表４】
2008083385.tif 000065
【０３１４】
表４の結果より、Ｆ2エキシマレーザー露光においても本発明の感光性組成物では、現像欠陥が少なく、フォーカスマージンが広く、優れた性能を有していることがわかる。
【０３１５】
〔実施例ＫｒＰ−１〜ＫｒＰ−１４及び比較例ｋｒｐ−１〜ｋｒｐ−５〕
＜レジスト調製＞
下記表６に示した成分を溶剤に溶解させ、これを０．１μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度１４質量％のポジ型レジスト溶液を調製した。調製したポジ型レジスト溶液につき下記の方法で評価を行い、結果を表６に示した。
【０３１６】
下記表５に、表６に於ける樹脂（Ｒ−２）〜（Ｒ−２７）のモル比、重量平均分子量を示す。樹脂（Ｒ−２）〜（Ｒ−２７）を構成する繰り返し単位は、先に例示したものである。
【０３１７】
【表５】
2008083385.tif 000066
【０３１８】
＜レジスト評価＞
調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、１２０℃で９０秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、０．４μｍのレジスト膜を形成させた。このレジスト膜に対し、ＫｒＦエキシマレーザースキャナー（ＡＳＭＬ製ＰＡＳ５５００/８５０Ｃ、波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．７５、Ｓｉｇｍａ＝０．８０）を用いラインアンドスペース用マスクを使用してパターン露光し、露光後すぐに１１０℃で９０秒間ホットプレート上て加熱した。更に２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液で２３℃下６０秒間現像し、３０秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインパターンを形成させた。
【０３１９】
＜フォーカスマージン（μｍ）＞：
評価に用いたレジストパターンは、２００ｎｍのラインとスペース比が１：１の密集パターンである。日立製測長SEM（S-9260）により前記マスクサイズを再現する露光量（Eopt）を求め、更にそのEoptにおいて、フォーカス変動時に９０ｎｍ±１０％ の線幅に再現可能な焦点深度（ＤＯＦという）を測定し、その幅をＤＯＦ値（μｍ）とした。また、パターン膜厚がレジスト塗布時の膜厚（１６０ｎｍ）から５％以上減少した場合には膜ベリと判断し、パターン線幅が上記９０ｎｍ±１０％以内に収まっていても、目標のパターン
線幅を再現していないと判断した。
＜現像欠陥＞：
上記と同様の方法を用いて、２００ｎｍのパターンをウェハ面内７８箇所に前記Eoptの露光量において露光した。この際の露光の面積は計２０５ｃｍ2である。この得られたパターン付きウエハをケーケルエー・テンコール（株）製ＫＬＡ−２３６０により現像欠陥数を測定し、得られた数値を露光面積で割った値を現像欠陥数（個数／ｃｍ2）と定義した。
現像欠陥数が１以上は実用的でないレベルで、１以下が改良を示す値である。１以下の改良レベルは、０．８以上１未満、０．６以上０．８未満、０．４以上０．６未満、０．２以上０．４未満の順に改良していることを示す。
評価結果を表６に示す。
【０３２０】
【表６】
2008083385.tif 000067
【０３２１】
表６における結果より、本発明の感光性組成物では、ＫｒＦエキシマレーザー露光におけるポジ型レジスト組成物としても、現像欠陥が少なく、フォーカスマージンが広く、優れた性能を有していることがわかる。
【０３２２】
〔実施例ＫｒＮ−１〜ＫｒＮ−１４及び比較例ｋｒｎ−１〜ｋｒｎ−５〕
＜レジスト調製＞
下記表７に示した成分を溶剤に溶解させ、これを０．１μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度１４質量％のネガ型レジスト溶液を調製した。調製したネガ型レジスト溶液につき実施例ＫｒＰ−１におけるのと同様の方法で評価を行い、結
果を表７に示した。
【０３２３】
以下に、表７におけるアルカリ可溶性樹脂の構造、分子量及び分子量分布を示す。
【０３２４】
【化６９】
2008083385.tif 000068
【０３２５】
以下に、表７における架橋剤の構造を示す。
【０３２６】
【化７０】
2008083385.tif 000069
【０３２７】
【表７】
2008083385.tif 000070
【０３２８】
表７の結果より、本発明の感光性組成物では、ＫｒＦエキシマレーザー露光に於けるネガ型レジスト組成物としても、現像欠陥が少なく、フォーカスマージンが広く、優れた性能を有していることがわかる。
【０３２９】
〔実施例ＥＢＰ−１〜ＥＢＰ−１４及び比較例ｅｂｐ−１〜ｅｂｐ−５〕
＜レジスト調製＞
上記表６に示した成分を溶剤に溶解させ、これを０．１μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度１２質量％のポジ型レジスト溶液を調製した。
調製したポジ型レジスト溶液につき下記の方法で評価を行い、結果を表８に示した。
【０３３０】
＜レジスト評価＞
調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、１２０℃で６０秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、０．３μｍのレジスト膜を形成させた。このレジスト膜を、ニコン社製電子線プロジェクションリソグラフィー装置（加速電圧１００ｋｅＶ）で照射し、照射後直ぐに１１０℃で９０秒間ホットプレート上て加熱した。更に濃度２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて２３℃で６０秒間現像し、３０秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインアンドスペースパターンを形成した。
【０３３１】
＜フォーカスマージン（μｍ）＞：
評価に用いたレジストパターンは、１００ｎｍのラインとスペース比が１：１の密集パターンである。日立製測長SEM（S-9260）により前記マスクサイズを再現する露光量（Eopt）を求め、更にそのEoptにおいて、フォーカス変動時に９０ｎｍ±１０％ の線幅に再現可能な焦点深度（ＤＯＦという）を測定し、その幅をＤＯＦ値（μｍ）とした。また、パターン膜厚がレジスト塗布時の膜厚（１６０ｎｍ）から５％以上減少した場合には膜ベリと判断し、パターン線幅が上記９０ｎｍ±１０％以内に収まっていても、目標のパターン線幅を再現していないと判断した。
＜現像欠陥＞：
上記と同様の方法を用いて、１００ｎｍのパターンをウェハ面内７８箇所に前記Eoptの露光量において露光した。この際の露光の面積は計２０５ｃｍ2である。この得られたパターン付きウエハをケーケルエー・テンコール（株）製ＫＬＡ−２３６０により現像欠陥数を測定し、得られた数値を露光面積で割った値を現像欠陥数（個数／ｃｍ2）と定義した。
現像欠陥数が１以上は実用的でないレベルで、１以下が改良を示す値である。１以下の改良レベルは、０．８以上１未満、０．６以上０．８未満、０．４以上０．６未満、０．２以上０．４未満の順に改良していることを示す。
【０３３２】
【表８】
2008083385.tif 000071
【０３３３】
表８の結果より、本発明の感光性組成物は、電子線照射においてポジ型レジスト組成物としても、現像欠陥が少なく、フォーカスマージンが広く、優れた性能を有していることがわかる。
【０３３４】
〔実施例ＥＢＮ−１〜ＥＢＮ−１４及び比較例ｅｂｎ−１〜ｅｂｎ−５〕
＜レジスト調製＞
上記表７に示した成分を溶剤に溶解させ、これを０．１μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度１２質量％のネガ型レジスト溶液を調製した。調製したネガ型レジスト溶液につき下記の方法で評価を行い、結果を表９に示した。
【０３３５】
＜レジスト評価＞
調製したネガ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、１２０℃で６０秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、０．３μｍのレジスト膜を形成させた。このレジスト膜を、ニコン社製電子線プロジェクションリソグラフィー装置（加速電圧１００ｋｅＶ）で照射し、照射後直ぐに１１０℃で９０秒間ホットプレート上て加熱した。更に濃度２．３８質量％のテトラメ
チルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて２３℃で６０秒間現像し、３０秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインアンドスペースパターンを形成した。
【０３３６】
＜フォーカスマージン（μｍ）＞：
評価に用いたレジストパターンは、１００ｎｍのラインとスペース比が１：１の密集パターンである。日立製測長SEM（S-9260）により前記マスクサイズを再現する露光量（Eopt）を求め、更にそのEoptにおいて、フォーカス変動時に９０ｎｍ±１０％ の線幅に再現可能な焦点深度（ＤＯＦという）を測定し、その幅をＤＯＦ値（μｍ）とした。また、パターン膜厚がレジスト塗布時の膜厚（１６０ｎｍ）から５％以上減少した場合には膜ベリと判断し、パターン線幅が上記９０ｎｍ±１０％以内に収まっていても、目標のパターン線幅を再現していないと判断した。
＜現像欠陥＞：
上記と同様の方法を用いて、１００ｎｍのパターンをウェハ面内７８箇所に前記Eoptの露光量において露光した。この際の露光の面積は計２０５ｃｍ2である。この得られたパターン付きウエハをケーケルエー・テンコール（株）製ＫＬＡ−２３６０により現像欠陥数を測定し、得られた数値を露光面積で割った値を現像欠陥数（個数／ｃｍ2）と定義した。
現像欠陥数が１以上は実用的でないレベルで、１以下が改良を示す値である。１以下の改良レベルは、０．８以上１未満、０．６以上０．８未満、０．４以上０．６未満、０．２以上０．４未満の順に改良していることを示す。
【０３３７】
【表９】
2008083385.tif 000072
【０３３８】
表９の結果より、本発明の感光性組成物は、電子線照射においてネガ型レジスト組成物としても、現像欠陥が少なく、フォーカスマージンが広く、優れた性能を有していることがわかる。
【０３３９】
〔実施例ＥＵＶＰ−１〜ＥＵＶＰ−１４及び比較例ｅｕｖｐ−１〜ｅｕｖｐ−５〕
前記表６に示した成分を溶剤に溶解させ、これを０．１μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度８質量％のポジ型レジスト溶液を調製し、下記の通り評価を行った。
【０３４０】
＜レジスト評価＞
調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、１２０℃で６０秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、０．１５μｍのレジスト膜を形成させた。得られたレジスト膜にＥＵＶ光（波長１３ｎｍ）を用いて、露光量を０〜１０．０ｍＪの範囲で０．５ｍＪづつ変えながら面露光を行い、さらに１１０℃で、９０秒間ベークした。その後２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて、各露光量での溶解速
度を測定し、感度曲線を得た。この感度曲線において、レジストの溶解速度が飽和するときの露光量を感度とし、また感度曲線の直線部の勾配から溶解コントラスト（γ値）を算出した。γ値が大きいほど溶解コントラストに優れている。
評価結果を下記表１０に示す。
【０３４１】
【表１０】
2008083385.tif 000073
【０３４２】
表１０の結果から、本発明の組成物は、ＥＵＶ光の照射による特性評価において、比較例の組成物に比べて、高感度で高コントラストであり、優れていることが分かる。
【０３４３】
（液浸露光）
＜レジスト調製＞
実施例Ａｒ−１〜Ａｒ−３０のレジスト成分を溶剤に溶解させ固形分濃度７質量％の溶液を調製し、これを０．１μｍのポリエチレンフィルターで濾過してポジ型レジスト溶液を調製した。調製したポジ型レジスト溶液を下記の方法で評価した。
【０３４４】
＜解像性評価＞
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ＡＲＣ２９Ａ（日産化学社製）を塗布し、２０５℃で、６０秒間ベークを行い、７８ｎｍの反射防止膜を形成した。その上に調製したレジスト組成物を塗布し、１１５℃で、６０秒間ベークを行い１３０ｎｍのレジスト膜を形成した。こうして得られたウエハーを液浸液としては純水を使用し、２光束干渉露光を行った（ウェット露光）。尚、２光束干渉露光（ウエット）では、図１に示すように、レーザー１、絞り２、シャッター３、３枚の反射ミラー４，５、６、集光レンズ７を使用し、プリズム８、液浸液（純水）９を介して反射防止膜及びレジスト膜を有するウエハー１０に露光を行った。レーザー１の波長は、１９３ｎｍを用い、６５ｎｍのラインアンドスペースパターンを形成するプリズム８を使用した。露光直後に１１５℃で、９０秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（２．３８質量％）で６０秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥して得たレジストパターンについて走査型電子顕微鏡（日立製Ｓ−９２６０）を用い、観察したところ６５ｎｍのラインアンドスペースパターンが解像した。
本発明の感光性組成物は、液浸液を介した露光方法においても良好な画像形成能を有することが明らかである。
【図面の簡単な説明】
【０３４５】
【図１】２光束干渉露光実験装置の概略図である。
【符号の説明】
【０３４６】
１  レーザー
２  絞り
３  シャッター
４、５、６  反射ミラー
７  集光レンズ
８  プリズム
９  液浸液
１０  反射防止膜及びレジスト膜を有するウエハー
１１  ウエハーステージ
【図１】
2008083385.tif 000078