(57)【要約】【課題】簡素な製造工程で製造可能であり、かつ、高精細化が容易であり、かつ、画素電極層と配線との導通をとるコンタクト部における両者の短絡に起因する暗点欠損を防止することができる発光装置および電子機器を提供する。【解決手段】発光装置１は、複数の発光素子２０が配列された基板１０と、基板１０上に形成され、複数の発光素子２０の駆動電流をそれぞれ流す複数の配線３３を含み、画素領域Ｇ以外の非画素領域Ｎに複数の配線３３をそれぞれ底とする複数の凹部３４を有する配線層３０と、配線層３０上に発光素子２０毎に設けられ、各々が画素電極２１を含み、それぞれ凹部３４で配線６０に接触している複数の画素電極層４１と、複数の発光素子２０の対向電極２３を含む対向電極層４３とを備える。対向電極層４３は、画素領域Ｇの全面に重なっており、複数の凹部３４のいずれにも重なっていない。【選択図】図１
2008091174.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層と前記発光層を間に挟む画素電極および対向電極とを有する複数の発光素子が配列された基板と、
前記基板上に形成され、前記複数の発光素子の駆動電流をそれぞれ流す複数の配線を含み、前記複数の発光素子が占める複数の第１領域と前記複数の発光素子間の第２領域とを含む一つながりの画素領域以外の非画素領域に前記複数の配線をそれぞれ底とする複数の凹部を有する配線層と、
前記配線層上に形成され、前記発光素子毎に設けられ、各々が前記画素電極を含み、それぞれ前記凹部で前記配線に接触している複数の画素電極層と、
前記発光層上に形成され、前記複数の発光素子の対向電極を含む対向電極層とを備え、
前記対向電極層は、前記画素領域の全面に重なっており、前記複数の凹部のいずれにも重なっていない、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記複数の凹部は、前記対向電極層の端に沿って並んでいる、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
必要とする光量に応じた電流を前記複数の配線へそれぞれ供給する複数の定電流回路を備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記複数の定電流回路は、前記配線層に含まれている、
ことを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記複数の配線に電気的に接続されている複数の実装端子を備え、
前記複数の定電流回路は、それぞれ、前記複数の実装端子に電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項６】
前記複数の発光素子は２つの列に分けられ、
前記２つの列うち一方の列の前記発光素子に対応する前記凹部は、当該列を他方の列との間に挟む位置に形成されている、
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）に代表される発光素子を備えた発光装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１６は、従来の発光装置５００の構成を平面的に示す図であり、図１７は、図１６に示す発光装置５００のＡ−Ａ’線矢視断面図である。ただし、これらの図においては、一部の部材の図示を省略してある。これらの図に示すように、発光装置５００は、基板５１０と、基板５１０上に配列された複数の発光素子５２０と、複数の発光素子５２０をそれぞれ駆動する複数の駆動回路５３０とを有する。発光素子５２０は、ＯＬＥＤであり、発光層２２と発光層を間に挟む画素電極５２２および対向電極５２３を有する。
【０００３】
基板５１０上には配線層５５０が形成されている。配線層５５０は、基板５１０上に形成された配線５５１と、配線５５１および基板５１０上に形成された第１絶縁層５５２とを含む。配線５５２は、駆動回路５３０に電気的に接続されている。第１絶縁層５５２には、複数の配線５５１をそれぞれ底とする複数の凹部５５３が形成されている。
【０００４】
第１絶縁層５５２上には、発光素子５２０毎に画素電極層４１が形成されている。各画素電極層４１は、画素電極５２２を含み、凹部５５３の底（配線５５１）に接触している。すなわち、凹部５５３は、画素電極層４１と配線５５１との導通をとるコンタクト部である。画素電極層４１および第１絶縁層５５２上には、第２絶縁層４２が形成されている。画素電極層４１は、その一部（画素電極５２２）を除いて、第２絶縁層４２に覆われている。画素電極層４１および第２絶縁層４２上には、全ての画素電極層４１を覆って発光層２２が形成されている。発光層２２上には、発光層２２を覆って対向電極層４３が形成されている。対向電極層４３は、全ての対向電極５２３を含む。
【０００５】
発光装置５００では、発光素子５２０が占める領域以外の領域において、画素電極層４１と対向電極層４３との間に第２絶縁層４２が挟まれているが、第２絶縁層４２の厚みは、第１絶縁層５５２の端面の外側付近（凹部５５３の壁付近）の領域５８０において比較的に薄くなる。つまり、領域５８０において、第２絶縁層４２の段差被覆性が比較的に悪くなり、耐圧性能が比較的に低くなる。領域５８０において、耐圧性能を上回る電圧が印加されると、絶縁破壊が生じ、画素電極層４１と対向電極層４３とが短絡する。その結果、短絡した電極層の一部を電極として含む発光素子５２０に電流が供給されず、この発光素子５２０が暗点欠損となる。
【０００６】
図１８は、一般的なＯＬＥＤの、電流−光量特性と電圧−電流特性を示す図である。ＯＬＥＤは使用に伴って劣化するものであり、図において、特性線Ｔ１およびＴ２は劣化前の特性を示し、特性線Ｔ３およびＴ４は劣化後の特性を示している。必要な光量Ｐ１を得るために、ＯＬＥＤの劣化前には、電流Ｉ１および電圧Ｖ１が必要となるが、ＯＬＥＤの劣化後には、電流Ｉ１より大きな電流Ｉ２および電圧Ｖ１より大きな電圧Ｖ２が必要となる。このような電圧補正を行う回路を備えた発光装置では、ＯＬＥＤの劣化後に、領域５８０において、耐圧性能を上回る電圧が印加される可能性が高くなる。つまり、現実には、コンタクト部における短絡に起因する暗点欠損を防止するために、ＯＬＥＤの劣化後のことまで考慮する必要であり、容易ではない。
【０００７】
特許文献１には、ストライプ状やスリット状の対向電極層を有する発光装置が開示されている。この発光装置では、コンタクト部において、画素電極層と対向電極層とが対峙しないから、コンタクト部において短絡が発生しない。よって、コンタクト部における短絡に起因する暗点欠損を防止することができる。
【特許文献１】特開２００６−１１４４９８号公報（図５ａ，図５ｂ，図５ｃ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
複数の発光素子を有する発光装置には、高精細化の要求がある。したがって、発光素子を狭ピッチで配列可能であることは、重要な特徴となる。狭ピッチ化を実現するには、コンタクト部の平面サイズを十分に小さくする必要がある。一般的には、１００μｍ平方以下である。一方、発光素子には対向電極が必須であるから、特許文献１に記載の発光装置で狭ピッチ化を図るには、対向電極層を形成しない領域を十分に狭くする必要がある。
【０００９】
しかし、特許文献１に記載の発光装置では、対向電極層を形成しない領域を十分に狭くすることが困難である。対向電極層の形成には、ストライプ状やスリット状のパターニングマスクを用いる必要があり、その加工精度やパターニングマスクと基板との位置合わせの精度が不十分であり、製造誤差を見込んで上記の領域を広く確保せねばならないからである。そもそも、複雑な形状のパターニングマスクを高い精度で製造せねばならないから製造工程が複雑になるという欠点もある。
【００１０】
本発明は、上述した背景に基づいてなされたものであり、簡素な製造工程で製造可能であり、かつ、高精細化が容易であり、かつ、画素電極層と配線との導通をとるコンタクト部における両者の短絡に起因する暗点欠損を防止することができる発光装置および電子機器を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る発光装置は、発光層と前記発光層を間に挟む画素電極および対向電極とを有する複数の発光素子が配列された基板と、前記基板上に形成され、前記複数の発光素子の駆動電流をそれぞれ流す複数の配線を含み、前記複数の発光素子が占める複数の第１領域と前記複数の発光素子間の第２領域とを含む一つながりの画素領域以外の非画素領域に前記複数の配線をそれぞれ底とする複数の凹部を有する配線層と、前記配線層上に形成され、前記発光素子毎に設けられ、各々が前記画素電極を含み、それぞれ前記凹部で前記配線に接触している複数の画素電極層と、前記発光層上に形成され、前記複数の発光素子の対向電極を含む対向電極層とを備え、前記対向電極層は、前記画素領域の全面に重なっており、前記複数の凹部のいずれにも重なっていない、ことを特徴とする。
この発光装置によれば、対向電極層に重ならないようにすべきコンタクト部（凹部）が、一つながりの画素領域以外の非画素領域に配置されているから、対向電極層の形成に用いるパターニングマスクの形状は矩形等の単純な形状でよく、かつ、対向電極層の形成精度を一般的な精度としたままで高精細化を達成することができる。つまり、この発光装置には、簡素な製造工程で製造可能であるとともに高精細化が容易であるという利点がある。
また、この発光装置では、コンタクト部において、画素電極層と対向電極層とが対峙しないから、コンタクト部において短絡が発生しない。よって、この発光装置によれば、コンタクト部における短絡に起因する暗点欠損を防止することができる。
また、この発光装置によれば、発光素子間の第２領域にコンタクト部（凹部）が配置されないから、発光層を塗布法または蒸着法により形成する場合に、発光層の膜厚をより均一とすることができる。塗布法としては、スピンコート法、スリットコート法およびインクジェット法を例示することができる。
【００１２】
上記の発光装置において、非画素領域における複数のコンタクト部の配置を任意とすると、画素電極とコンタクト部との間の導電路の長さが発光素子間でばらつく。これは、発光素子間での導電路の抵抗値のばらつき、ひいては光量のばらつきを招く。そこで、前記複数の凹部は、前記対向電極層の端に沿って並んでいる、ようにしてもよい。こうすることにより、導電路の長さが発光素子間で略同一となる可能性が高くなる。
【００１３】
しかし、この態様では、複数の発光素子が直線状に並んでいる場合には、ある程度のサイズを必要とする多くのコンタクト部を直線状に並べる必要があり、コンタクト部の配置が発光装置の大型化を招く虞がある。また、発光素子間で、導電路の長さが略同一であっても、導電路の抵抗値が略同一になるとは限らない。その上、上記の発光装置のように導電路が長いと、発光素子間での導電路の抵抗値のばらつきが大きくなり易い。
そこで、上記の発光装置において、必要とする光量に応じた電流を前記複数の配線へそれぞれ供給する複数の定電流回路を備える、ようにするのが好ましい。この発光装置では、導電路の抵抗値が発光素子間でばらついても、このばらつきが発光素子の駆動電流に影響を与えることはない。よって、この発光装置によれば、発光素子間での導電路の抵抗値のばらつきに起因する光量のばらつきを十分に低減することができる。また、この発光装置では、コンタクト部を自由に配置することができるから、コンタクト部の配置が発光装置の大型化を招く虞がない。
【００１４】
この発光装置において、前記複数の定電流回路は、前記配線層に含まれている、ようにしてもよいし、前記複数の配線に電気的に接続されている複数の実装端子を備え、前記複数の定電流回路は、それぞれ、前記複数の実装端子に電気的に接続されている、ようにしてもよい。
【００１５】
また、上述した各発光装置において、前記複数の発光素子は２つの列に分けられ、前記２つの列うち一方の列の前記発光素子に対応する前記凹部は、当該列を他方の列との間に挟む位置に形成されている、ようにしてもよい。この発光装置によれば、画素領域において画素電極とコンタクト部との間の導電路を短くすることができる。なお、複数の発光素子は２つの列に分けられた発光装置としては、電子写真方式の画像形成装置において像担持体に光を照射して潜像を形成する露光装置を例示することができる。
【００１６】
本発明に係る電子機器は、上記の発光装置のいずれか１つを有する。したがって、上述した各種効果に起因した効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。なお、図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１８】
＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１の構成を平面的に示す図である。図２は、図１に示す発光装置１のＢ−Ｂ’線矢視断面図である。ただし、これらの図においては、一部の部材の図示を省略してある。発光装置１は、電子写真方式の画像形成装置において像担持体に光を照射して潜像を形成する露光装置として用いられる。
【００１９】
発光装置１は基板１０を備える。基板１０の端部には複数の接続端子（図示略）が形成されている。これらの接続端子には、外部の回路から、スタートパルスＳＰやクロック信号ＣＬＫ等の各種の信号や、高電位側のＶｅｌや低電位側のＶｓｓ等の電源電圧が供給される。基板１０上には、複数の発光素子（画素）２０が２列かつ千鳥状に配置されている。各発光素子２０は、具体的にはＯＬＥＤであり、基板１０側の画素電極２１と対向電極２３と両電極の間に挟まれた発光層２２を有する。
【００２０】
基板１０上の領域は、画素が配列されている画素領域Ｇと、画素領域Ｇ以外の非画素領域Ｎとに分けられる。画素領域Ｇは、一つながりの領域であり、非画素領域Ｎに囲まれており、複数の発光素子２０が占める複数の第１領域Ｇ１および複数の発光素子２０間の第２領域Ｇ２を含む。画素領域Ｇに含まれる領域は、複数の第１領域Ｇ１および第２領域Ｇ２のみである。なお、画素領域以外の非画素領域を確保可能ならば、複数の第１領域Ｇ１、第２領域Ｇ２および他の領域を含む領域を画素領域として捉えることも可能である。
【００２１】
基板１０上には、配線や回路を含む配線層３０が形成されている。配線層３０は、複数の層で構成されており、１または複数の金属層、１または複数の絶縁層および半導体層を含む。これらの層によって配線や回路が構成されている。つまり、回路は、基板１０上への成膜により形成されている。この形成では、例えば、ＬＴＰＳ（低温ポリシリコン）−ＴＦＴ（Thin Film Transistor）技術が用いられる。
【００２２】
配線層３０内の配線や回路としては、複数の画素をそれぞれ駆動する複数の駆動回路３１や、複数の駆動回路３１から１本ずつ延びている複数の配線３３、各画素の光量を指定するデータ信号を、当該画素を駆動する駆動回路３１へ供給するための複数のデータ線ＤＬ、複数の駆動回路３１から一部の駆動回路３１を選択るための選択信号を出力する走査回路３２、選択信号を各駆動回路３１へ供給するための複数の選択線ＳＬ、各駆動回路３１へ電源電位（Ｖ１，Ｖ２）を供給するための電源供給線Ｌ１，Ｌ２（図１および図２では図示略）を例示することができる。各駆動回路３１は、その選択時に供給されているデータ信号に応じた駆動電流を配線３３に流す。
【００２３】
配線層３０の上面側には、非画素領域Ｎに、複数の凹部３４が形成されている。複数の凹部３４は、それぞれ複数の画素に対応して設けられている。配線層３０の最上層は第１絶縁層３５であり、各凹部３４は、第１絶縁層３５の端部を壁とし、当該凹部３４に対応する配線３３の一部を底としている。凹部３４の形成は、例えば、非画素領域Ｎにおいて、最上層の絶縁層に、下層の配線３３の上面の一部を露出させるスルーホールを形成して行われる。
【００２４】
配線層３０（第１絶縁層３５）上には、複数の画素電極層４１が導電性材料で形成されている。複数の画素電極層４１は、それぞれ複数の画素に対応して設けられている。各画素電極層４１は、一つの第１領域Ｇ１、第２領域および非画素領域Ｎにわたって延在しており、第１領域Ｇ１においては画素電極２１となる部分を含み、非画素領域Ｎにおいては対応する凹部３４内で配線３３の上面（スルーホールから露出している部分）に接触している。つまり、各凹部３４は、当該凹部３４に対応する画素の画素電極２１と当該画素を駆動する駆動回路３１から延びている配線３３とを導通させるためのコンタクト部３４である。
【００２５】
複数の画素電極層４１および配線層３０（第１絶縁層３５）上には、第２絶縁層４２が形成されている。各画素電極層４１は、その一部を除いて、第２絶縁層４２に覆われている。第２絶縁層４２に覆われていない部分が、発光素子２０の開口となる。画素電極層４１および第２絶縁層４２上には、複数の画素電極層４１を覆って発光層２２が形成されている。発光層２２は、有機ＥＬ（Electro Luminescent）材料で形成されており、発光層２２のうち発光素子２０の開口に重なる部分は、その部分に流れる電流に応じた光量で発光する。
【００２６】
発光層２２上には、矩形の対向電極層４３が導電性材料で形成されている。対向電極層４３の形成には、パターニングマスクを用いた蒸着法が用いられる。対向電極層４３は、画素領域Ｇおよび非画素領域Ｎにわたって延在しており、画素領域Ｇにおいては、発光層２２の全域に重なっており、複数の対向電極２３となる複数の部分を含み、非画素領域Ｎにおいては、コンタクト部３４のいずれにも重なっていない。全てのコンタクト部３４は、対向電極層４３の４つの端のうち一つの端に沿って（より具体的には端と略平行に）一列かつ直線状に並んでいる。上記一つの端に平行な方向における各コンタクト部３４の幅である占有幅は、数十μｍである。
【００２７】
対向電極層４３は、複数の第１領域Ｇ１の全域に重なるように形成されるべきである。一方、パターニングマスクを用いた蒸着法では、形成される層の端の位置精度が低くなる。よって、本実施の形態では、対向電極層４３の形成を、対向電極層４３が画素領域Ｇの周囲から１００μｍ以上先まで延在するように行っている。また、前述のように、対向電極層４３は、コンタクト部３４のいずれにも重ならない。よって、必然的に、いずれの画素についても、コンタクト部３４との距離が１００μｍより長くなっている。
【００２８】
図示を略すが、対向電極層４３および発光層２２上には、複数の発光素子２０を外気から保護する封止層が設けられている。この封止層は、画素電極層４１、発光層２２および対向電極層４３を覆っている。なお、発光装置１は、画素からの光が基板１０を透過して出射するボトムエミッション型であってもよいし、基板１０と逆側から出射するトップエミッション型であってもよい。ボトムエミッション型の場合には、発光装置１を構成する層のうち発光層２２よりも下の層において発光素子２０の開口に重なる部分を光透過性の高い材料で形成する必要がある。トップエミッション型の場合には、発光装置１を構成する層のうち発光層２２よりも上の層において発光素子２０の開口に重なる部分を光透過性の高い材料で形成する必要がある。
【００２９】
発光装置１によれば、対向電極層４３に重ならないようにすべきコンタクト部３４が、一つながりの画素領域Ｇ以外の非画素領域Ｎに配置されるから、対向電極層４３の形状を矩形としつつ、対向電極層４３がいずれのコンタクト部３４にも重ならないようにすることが可能である。よって、発光装置１によれば、単純な形状のパターニングマスクを用いて対向電極層４３を形成し、かつ、対向電極層４３の形成精度を一般的な精度としたままで画素の狭ピッチ化すなわち高精細化を達成することができる。つまり、この発光装置１には、簡素な製造工程で製造可能であるとともに高精細化が容易であるという利点がある。
【００３０】
また、発光装置１では、コンタクト部３４において、画素電極層４１と対向電極層４３とが対峙しないから、コンタクト部３４において短絡が発生しない。よって、この発光装置１によれば、コンタクト部３４における短絡に起因する暗点欠損を防止することができる。
【００３１】
ところで、従来の発光装置では、いずれの画素についても、コンタクト部との距離が１００μｍ以内となっている。このため、発光層の形成方法に応じた各種の問題が生じていた。従来の発光装置で生じていた各種の問題について、発光層の形成方法毎に、以下に説明する。
【００３２】
［Ａ．塗布法］
［Ａ−１．スピンコート法またはスリットコート法］
発光層をスピンコート法またはスリットコート法により形成する場合、従来の発光装置では、いずれの画素についてもコンタクト部との距離が近いから、各画素の近隣領域で発光層の直下の層（絶縁層）の段差（凹凸）が大きくなり、発光層の均一な成膜が困難となる。
また、発光層をスピンコート法またはスリットコート法により形成する場合、コンタクト部上の凹部に多くの有機ＥＬ材料溶液が溜まることになるが、従来の装置では、いずれの画素についてもコンタクト部との距離が近いから、各画素が、有機ＥＬ材料溶液の乾燥工程において、凹部に溜まった有機ＥＬ材料溶液の影響を大きく受けてしまう。具体的には、各画素において、発光層の膜厚は、有機ＥＬ材料溶液の乾燥が遅いコンタクト部側で厚く、コンタクト部の反対側で薄くなる。これは、各画素の発光層における光量や波長の不均一を招く。
【００３３】
［Ａ−２．インクジェット法］
発光層をインクジェット法により形成する場合、従来の発光装置では、いずれの画素についてもコンタクト部との距離が近いから、各画素の近隣領域で、発光層の直下の層の段差が大きくなり、各画素において、発光層の膜厚にばらつきが生じてしまう。
また、発光層をインクジェット法により形成する場合、コンタクト部上の絶縁層にリークが生じると、従来の装置では、いずれの画素についてもコンタクト部との距離が近いから、リーク電流による誤発光が生じる虞がある。
【００３４】
［Ｂ．蒸着法］
発光層を蒸着法により形成する場合、従来の発光装置では、いずれの画素についてもコンタクト部との距離が近いから、各画素の近隣領域で発光層の直下の層の段差が大きくなり、発光層の均一な成膜が困難となる。
また、発光層を蒸着法により形成する場合、コンタクト部上の絶縁層にリークが生じると、従来の装置では、いずれの画素についてもコンタクト部との距離が近いから、リーク電流による誤発光が生じる虞がある。
【００３５】
一方、発光装置１では、いずれの画素についても、コンタクト部３４との距離が１００μｍより長くなっている。つまり、発光装置１では、いずれの画素についても、コンタクト部３４との距離が十分に長い。よって、発光装置１によれば、上記の各種の問題を解決することができる。
【００３６】
発光装置１では、発光素子２０として、画素電極２１と対向電極２３との間に発光層２０のみを挟んだ構成のＯＬＥＤを例示したが、発光層２０の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層の少なくとも１層をも挟んだ構成のＯＬＥＤであってもよい。また、発光素子２０として無機ＥＬ素子を採用してもよい。また、データ信号は、電圧信号であってもよいし、電流信号であってもよい。前者の場合には、駆動回路３１として電圧指令型の駆動回路を、後者の場合には駆動回路３１として電流指令型の駆動回路を採用することになる。
【００３７】
図３は、電圧指令型の駆動回路の電気的構成例を示す回路図である。この例による駆動回路３１１は、発光素子２０に駆動電流を供給するための駆動トランジスタＴｒ１と、駆動トランジスタＴｒ１を制御する制御トランジスタＴｒ２とを有する。発光素子２０は、電源供給線Ｌ１およびＬ２の間に介挿されており、制御トランジスタＴｒ２は発光素子２０と電源供給線Ｌ１との間に介挿されている。駆動トランジスタＴｒ１のゲートとデータ線ＤＬとの間には制御トランジスタＴｒ２が介挿されている。制御トランジスタＴｒ２のゲートは選択線ＳＬに接続されている。
【００３８】
駆動回路３１１では、発光素子２０に、データ信号の電圧レベルに応じた駆動電流が流れる。ただし、発光素子２０の駆動電流は、駆動トランジスタＴｒ１と発光素子２０との間のコンタクト抵抗Ｒ１および引き回し抵抗Ｒ２の値に依存する。コンタクト抵抗Ｒ１はコンタクト部３４における抵抗であり、引き回し抵抗Ｒ２はコンタクト部３４と画素電極２１との間の導電路（画素電極層４１）の抵抗である。図１から明らかなように、コンタクト抵抗Ｒ１の値は、発光素子２０間で略同一となる。一方、引き回し抵抗Ｒ２の値のばらつきは、同一列の発光素子２０間では小さくなり、互いに異なる列の発光素子２０間では大きくなる。したがって、駆動回路３１１を駆動回路３１として採用した場合、光量のばらつきを避けるのは困難である。
【００３９】
発光素子２０の配置パターンが二列かつ千鳥状ではなく一列かつ直線状であれば、または、コンタクト部３４の配置パターンが二列かつ千鳥状であれば、コンタクト部３４との距離を発光素子２０間で略同一とすることが可能であるから、駆動回路３１１を駆動回路３１として採用した場合にも、光量のばらつきを低減することは可能である。しかし、前者の形態では、ある程度のサイズを必要とする多くのコンタクト部３４を一列かつ直線状に並べる必要があるから、コンタクト部の配置が発光装置の大型化を招く虞がある。そもそも、発光素子間で、導電路の長さが略同一であっても、導電路の抵抗値が略同一になるとは限らない。さらに、通常、画素電極層４１の形成の精度、すなわち引き回し抵抗Ｒ２を有する導電路の線幅のばらつきは、その全域で一様となるから、導電路が長いと発光素子２０間での抵抗Ｒ２の値のばらつきが大きくなり易い。これに対して、発光装置１では、いずれの発光素子２０についてもコンタクト部３４との距離が１００μｍより長い。以上より明らかなように、電圧指令型の駆動回路を駆動回路３１として採用する限り、引き回し抵抗Ｒ２のばらつきに起因する光量のばらつきを十分に低減するのは困難である。
【００４０】
図４は、電流指令型の駆動回路の電気的構成例を示す回路図である。この例による駆動回路３１２は、カレントミラー回路（定電流回路）であり、駆動トランジスタＴｒ１および制御トランジスタＴｒ２の他に、トランジスタＴｒ３を有する。トランジスタＴｒ３は、制御トランジスタＴｒ２と電源供給線Ｌ２との間に介挿されており、そのゲートは駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。駆動回路３１２では、発光素子２０に、データ信号と同一の駆動電流が流れる。
【００４１】
制御トランジスタＴｒ３と電源供給線Ｌ２との間の参照抵抗Ｒ３は、引き回し抵抗Ｒ２の変動を補償するための抵抗であり、その値は、引き回し抵抗Ｒ２の値と略同一である。参照抵抗Ｒ３の値と引き回し抵抗Ｒ２の値とを略同一とするために、駆動回路３１２では、引き回し抵抗Ｒ２を有する導電路と線幅および長さが略同一の導電路が、引き回し抵抗Ｒ２を有する導電路に隣接して設けられている。両導電路のばらつきを十分に揃えるために、参照抵抗Ｒ３を有する導電路は、画素電極層４１の一部であることが好ましい。この場合、１つの発光素子２０に２つの画素電極層４１が対応することになる。
【００４２】
駆動回路３１２によれば、引き回し抵抗Ｒ２が変動しても、所定の電流を流せば、その変動を補償した駆動電流を発光素子２０に流すことができる。よって、電流指令型の駆動回路を駆動回路３１として採用すれば、発光素子２０とコンタクト部３４との距離にばらつきのある発光装置１であっても、引き回し抵抗Ｒ２のばらつきに起因する光量のばらつきを十分に低減することができる。また、この発光装置では、コンタクト部を自由に配置することができるから、コンタクト部の配置が発光装置の大型化を招く虞がない。
【００４３】
図５〜図８は、それぞれ、コンタクト部３４の配置パターンの例を模式的に示す図である。これらの図に示すように、コンタクト部３４は、等間隔で配置されてもよいし（図５参照）、非等間隔で配置されてもよいし（図６参照）、複数列かつ千鳥状に配置されてもよいし（図７参照）、複数列かつ直線状に配置されてもよい（図８参照）。
【００４４】
図９〜図１２は、それぞれ、駆動トランジスタＴｒ１周辺の構成例を示す回路図である。これらの図において、ＶＥＬは高電位側の電源電位であり、ＶｂａｃｋはＶＥＬ以上の電位である。これらの図に示すように、駆動トランジスタＴｒ１としては、Ｎチャネル型のトランジスタやＰチャネル型のトランジスタを採用可能である。駆動トランジスタＴｒ１としてＮチャネル型のトランジスタを採用した場合には、発光装置１の製造コストの削減を期待できる。また、これらの図に示すように、発光素子２０のオフ時に逆バイアスとすることも、かけない構成とすることもできる。逆バイアスをかける構成の場合、発光素子２０の劣化を抑制することができる。
【００４５】
＜第２の実施の形態＞
図１３は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置２の構成を平面的に示す図である。この図においては、一部の部材の図示を省略してある。発光装置２が発光装置１と異なる点は、駆動回路３１および走査回路３２の設けられ方である。発光装置１では基板１０上への成膜によって設けられるが、発光装置２では複数のドライバＩＣ（集積回路）４０の外付けによって設けられる。
【００４６】
基板１０上には、複数のドライバＩＣ４０を実装するための複数の実装端子４５が設けられている。ドライバＩＣ４０内の各駆動回路３１は、それぞれ、実装端子４５に電気的に接続されている。各ドライバＩＣ４０は、複数の画素に対応付けて実装されており、対応する各画素にとっては駆動回路３１および走査回路３２として機能する。複数のドライバＩＣ４０は、対向電極層４３の端に沿って画素の配列方向に並んでおり、その実装位置によって２グループに分けられる。両グループは、対向電極層４３を間に挟んで対向している。
【００４７】
対向電極層４３と各ドライバＩＣ４０との間には、複数のコンタクト部（凹部）５０が設けられている。コンタクト部５０は、発光装置１におけるコンタクト部３４に相当する。実装端子４５からは、配線３３に相当する配線６０が延びており、その一部がコンタクト部５０の底になっている。各コンタクト部５０は、画素電極層７０に覆われている。画素電極層７０が画素電極層４１と異なる点は、形状および寸法のみである。
【００４８】
画素は二列かつ千鳥状に配置されており、一方の列の画素に対応するコンタクト部５０は、当該列を他方の列との間に挟む位置に形成されている。つまり、図１３において、２列の発光素子２０のうち図中上方の列の発光素子２０に対応するコンタクト部５０は、対向電極層４３の図中上方に位置し、図中下方の列の発光素子２０に対応するコンタクト部５０は、対向電極層４３の図中下方に位置する。
【００４９】
発光装置２によれば、発光装置１と同様の効果を得ることができる。
また、発光装置２によれば、不良のドライバＩＣ４０のみを交換することが可能である。したがって、発光装置の歩留まりの向上を期待できる。
また、発光装置２によれば、一方の列の画素に対応するコンタクト部５０が当該列を他方の列との間に挟む位置に形成されているから、画素領域Ｇにおいて画素電極２１とコンタクト部５０との間の導電路を短くすることができる。前述のように、導電路が長いと発光素子２０間での抵抗Ｒ２（図３または図４参照）の値のばらつきが大きくなり易いから、導電路の短縮は光量のばらつきの低減につながる有利な効果である。
【００５０】
＜電子機器＞
図１４は、発光装置１または２を露光装置として用いた画像形成装置の一例を示す縦断面図である。この画像形成装置は、ベルト中間転写体方式を利用したタンデム型のフルカラー画像形成装置である。
【００５１】
この画像形成装置では、同様な構成の４個の露光装置９０Ｋ，９０Ｃ，９０Ｍ，９０Ｙが、同様な構成である４個の感光体ドラム（像担持体）１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙの露光位置にそれぞれ配置されている。露光装置９０Ｋ，９０Ｃ，９０Ｍ，９０Ｙは上述した発光装置１または２である。
【００５２】
この図に示すように、この画像形成装置には、駆動ローラ１２１と従動ローラ１２２が設けられており、これらのローラ１２１，１２２には無端の中間転写ベルト１２０が巻回されて、矢印に示すようにローラ１２１，１２２の周囲を回転させられる。図示しないが、中間転写ベルト１２０に張力を与えるテンションローラなどの張力付与手段を設けてもよい。
【００５３】
この中間転写ベルト１２０の周囲には、互いに所定間隔をおいて４個の外周面に感光層を有する感光体ドラム１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙが配置される。添え字Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙはそれぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエローの顕像を形成するために使用されることを意味している。他の部材についても同様である。感光体ドラム１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙは、中間転写ベルト１２０の駆動と同期して回転駆動される。
【００５４】
各感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の周囲には、コロナ帯電器１１１（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）と、露光装置９０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）と、現像器１１４（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）が配置されている。コロナ帯電器１１１（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、対応する感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の外周面を一様に帯電させる。露光装置９０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、感光体ドラムの帯電させられた外周面に静電潜像を書き込む。各露光装置９０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、複数の発光素子の配列方向が感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の母線（主走査方向）に沿うように設置される。静電潜像の書き込みは、上記の複数の発光素子により光を感光体ドラムに照射することにより行う。現像器１１４（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、静電潜像に現像剤としてのトナーを付着させることにより感光体ドラムに顕像すなわち可視像を形成する。
【００５５】
このような４色の単色顕像形成ステーションにより形成された黒、シアン、マゼンタ、イエローの各顕像は、中間転写ベルト１２０上に順次一次転写されることにより、中間転写ベルト１２０上で重ね合わされて、この結果フルカラーの顕像が得られる。中間転写ベルト１２０の内側には、４つの一次転写コロトロン（転写器）１１２（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）が配置されている。一次転写コロトロン１１２（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の近傍にそれぞれ配置されており、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）から顕像を静電的に吸引することにより、感光体ドラムと一次転写コロトロンの間を通過する中間転写ベルト１２０に顕像を転写する。
【００５６】
最終的に画像を形成する対象としてのシート１０２は、ピックアップローラ１０３によって、給紙カセット１０１から１枚ずつ給送されて、駆動ローラ１２１に接した中間転写ベルト１２０と二次転写ローラ１２６の間のニップに送られる。中間転写ベルト１２０上のフルカラーの顕像は、二次転写ローラ１２６によってシート１０２の片面に一括して二次転写され、定着部である定着ローラ対１２７を通ることでシート１０２上に定着される。この後、シート１０２は、排紙ローラ対１２８によって、装置上部に形成された排紙カセット上へ排出される。
【００５７】
図１５は、発光装置１または２を露光装置として用いた他の画像形成装置の一例を示す縦断面図である。この画像形成装置は、ベルト中間転写体方式を利用したロータリ現像式のフルカラー画像形成装置である。
【００５８】
この図に示す画像形成装置において、感光体ドラム（像担持体）１６５の周囲には、コロナ帯電器１６８、ロータリ式の現像ユニット１６１、露光装置１６７、中間転写ベルト１６９が設けられている。
【００５９】
コロナ帯電器１６８は、感光体ドラム１６５の外周面を一様に帯電させる。露光装置１６７は、感光体ドラム１６５の帯電させられた外周面に静電潜像を書き込む。露光装置１６７は、上述した発光装置１または２であり、複数の発光素子の配列方向が感光体ドラム１６５の母線（主走査方向）に沿うように設置される。静電潜像の書き込みは、上記の複数の発光素子により光を感光体ドラムに照射することにより行う。
【００６０】
現像ユニット１６１は、４つの現像器１６３Ｙ，１６３Ｃ，１６３Ｍ，１６３Ｋが９０°の角間隔をおいて配置されたドラムであり、軸１６１ａを中心にして反時計回りに回転可能である。現像器１６３Ｙ，１６３Ｃ，１６３Ｍ，１６３Ｋは、それぞれイエロー、シアン、マゼンタ、黒のトナーを感光体ドラム１６５に供給して、静電潜像に現像剤としてのトナーを付着させることにより感光体ドラム１６５に顕像すなわち可視像を形成する。
【００６１】
無端の中間転写ベルト１６９は、駆動ローラ１７０ａ、従動ローラ１７０ｂ、一次転写ローラ１６６およびテンションローラに巻回されて、これらのローラの周囲を矢印に示す向きに回転させられる。一次転写ローラ１６６は、感光体ドラム１６５から顕像を静電的に吸引することにより、感光体ドラムと一次転写ローラ１６６の間を通過する中間転写ベルト１６９に顕像を転写する。
【００６２】
具体的には、感光体ドラム１６５の最初の１回転で、露光装置１６７によりイエロー（Ｙ）像のための静電潜像が書き込まれて現像器１６３Ｙにより同色の顕像が形成され、さらに中間転写ベルト１６９に転写される。また、次の１回転で、露光装置１６７によりシアン（Ｃ）像のための静電潜像が書き込まれて現像器１６３Ｃにより同色の顕像が形成され、イエローの顕像に重なり合うように中間転写ベルト１６９に転写される。そして、このようにして感光体ドラム９が４回転する間に、イエロー、シアン、マゼンタ、黒の顕像が中間転写ベルト１６９に順次重ね合わせられ、この結果フルカラーの顕像が転写ベルト１６９上に形成される。最終的に画像を形成する対象としてのシートの両面に画像を形成する場合には、中間転写ベルト１６９に表面と裏面の同色の顕像を転写し、次に中間転写ベルト１６９に表面と裏面の次の色の顕像を転写する形式で、フルカラーの顕像を中間転写ベルト１６９上で得る。
【００６３】
画像形成装置には、シートが通過させられるシート搬送路１７４が設けられている。シートは、給紙カセット１７８から、ピックアップローラ１７９によって１枚ずつ取り出され、搬送ローラによってシート搬送路１７４を進行させられ、駆動ローラ１７０ａに接した中間転写ベルト１６９と二次転写ローラ１７１の間のニップを通過する。二次転写ローラ１７１は、中間転写ベルト１６９からフルカラーの顕像を一括して静電的に吸引することにより、シートの片面に顕像を転写する。二次転写ローラ１７１は、図示しないクラッチにより中間転写ベルト１６９に接近および離間させられるようになっている。そして、シートにフルカラーの顕像を転写する時に二次転写ローラ１７１は中間転写ベルト１６９に当接させられ、中間転写ベルト１６９に顕像を重ねている間は二次転写ローラ１７１から離される。
【００６４】
上記のようにして画像が転写されたシートは定着器１７２に搬送され、定着器１７２の加熱ローラ１７２ａと加圧ローラ１７２ｂの間を通過させられることにより、シート上の顕像が定着する。定着処理後のシートは、排紙ローラ対１７６に引き込まれて矢印Ｆの向きに進行する。両面印刷の場合には、シートの大部分が排紙ローラ対１７６を通過した後、排紙ローラ対１７６が逆方向に回転させられ、矢印Ｇで示すように両面印刷用搬送路１７５に導入される。そして、二次転写ローラ１７１により顕像がシートの他面に転写され、再度定着器１７２で定着処理が行われた後、排紙ローラ対１７６でシートが排出される。
【００６５】
以上、画像形成装置を例示したが、発光装置１および２は、他の電子写真方式の画像形成装置にも応用可能である。例えば、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラムから直接シートに顕像を転写するタイプの画像形成装置や、モノクロの画像を形成する画像形成装置、像担持体として感光体ベルトを用いる画像形成装置にも応用可能である。
【００６６】
画像形成装置以外の、発光装置１または２を有する電子機器としては、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal  Digital  Assistant）などの表示装置を例示することができる。
なお、発光装置１および２では、発光素子２０としてＯＬＥＤを採用しているが、ＯＬＥＤ以外の発光素子を採用してもよい。そのような発光素子としては、無機ＥＬ素子を例示することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１の構成を平面的に示す図である。
【図２】図１に示す発光装置１のＢ−Ｂ’線矢視断面図である。
【図３】発光装置１の、電圧指令型の駆動回路の電気的構成例を示す回路図である。
【図４】発光装置１の、電流指令型の駆動回路の電気的構成例を示す回路図である。
【図５】発光装置１の、コンタクト部３４の配置パターンの例を模式的に示す図である。
【図６】コンタクト部３４の配置パターンの例を模式的に示す図である。
【図７】コンタクト部３４の配置パターンの例を模式的に示す図である。
【図８】コンタクト部３４の配置パターンの例を模式的に示す図である。
【図９】駆動トランジスタＴｒ１周辺の構成例を示す回路図である。
【図１０】駆動トランジスタＴｒ１周辺の構成例を示す回路図である。
【図１１】駆動トランジスタＴｒ１周辺の構成例を示す回路図である。
【図１２】駆動トランジスタＴｒ１周辺の構成例を示す回路図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係る発光装置２の構成を平面的に示す図である。
【図１４】発光装置１０を露光装置として用いた画像形成装置の一例を示す縦断面図である。
【図１５】発光装置１０を露光装置として用いた他の画像形成装置の一例を示す縦断面図である。
【図１６】従来の発光装置５００の構成を平面的に示す図である。
【図１７】図１６に示す発光装置５００のＡ−Ａ’線矢視断面図である。
【図１８】一般的なＯＬＥＤの、電流−光量特性と電圧−電流特性を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１，２…発光装置、１０…基板、２０…発光素子、２１…画素電極、２２…発光層、２３…対向電極、３０…配線層、３１，３１１…駆動回路、３１２…駆動回路（定電流回路）、３３，６０…配線、３４…コンタクト部（凹部）、３５…第１絶縁層、４０…ドライバＩＣ、４１，７０…画素電極層、４２…第２絶縁層、４３…対向電極層、４５…実装端子、５０…コンタクト部、Ｇ…画素領域、Ｇ１…第１領域、Ｇ２…第２領域、Ｎ…非画素領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2008091174.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2008091174.tif 000017
【図１６】
2008091174.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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