(57)【要約】【課題】  マスクとして樹脂膜を用いたバンプ形成方法において、樹脂膜の除去を容易化することにより、高精度にバンプを形成できるようにする。【解決手段】  本発明のバンプ形成方法は、電極部１１が設けられた基板１０の表面に対して樹脂膜１２を形成する工程と、前記樹脂膜１２に対して、前記電極部１１が露出するように開口部１２ａを形成する工程と、融点の異なる複数の金属を含むバンプ形成材料１３を、前記開口部１２ａに充填する工程と、前記複数の金属の融点のうち最も低い融点以上であって、前記複数の金属の融点のうち最も高い融点未満に加熱する工程と、前記最も低い融点未満に冷却する工程と、前記樹脂膜１２を除去した後、前記基板１０を接合対象物に搭載することなく、前記最も高い融点以上に加熱する工程と、を含む。【選択図】  図１
2008109145.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極部が設けられた基板の表面に対して樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜に対して、前記電極部が露出するように開口部を形成する工程と、
融点の異なる複数の金属を含むバンプ形成材料を、前記開口部に充填する工程と、
前記複数の金属の融点のうち最も低い融点以上であって、前記複数の金属の融点のうち最も高い融点未満に加熱するバンプ形成用第１加熱工程と、
前記最も低い融点未満に冷却する工程と、
前記樹脂膜を除去した後、前記基板を接合対象物に搭載することなく、前記最も高い融点以上に加熱するバンプ形成用第２加熱工程と、を含むことを特徴とする、バンプ形成方法。
【請求項２】
電極部が設けられた基板の表面に対して樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜に対して、前記電極部が露出するように開口部を形成する工程と、
１種類以上の金属を含むバンプ形成材料を、前記開口部に充填する工程と、
前記金属の一部のみが融解する温度以上であって、前記金属の全てが融解する温度未満に加熱するバンプ形成用第１加熱工程と、
前記金属の全てが凝固する温度未満に冷却する工程と、
前記樹脂膜を除去した後、前記基板を接合対象物に搭載することなく、前記金属の全てが融解する温度以上に加熱するバンプ形成用第２加熱工程と、を含むことを特徴とする、バンプ形成方法。
【請求項３】
前記樹脂膜は感光性樹脂である、請求項１または２に記載のバンプ形成方法。
【請求項４】
前記バンプ形成材料に含まれる前記金属は粉末状であり、前記バンプ形成材料は、前記粉末状の金属と、樹脂および溶剤を含むビヒクル成分とを混ぜ合わせてペースト状としたハンダペーストである、請求項１から３のいずれか１つに記載のバンプ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプの形成方法に関する。より具体的には、プリント配線板、ウエハ、セラミック基板などに設けられた電極上に、マスクとして樹脂膜を使用してバンプを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、高密度化の要求が年々増しており、かかる要求を満たす方式としてベアチップ実装方式が注目されている。ベアチップ実装方式においては、チップと基板配線との電気的接続をワイヤボンディングを介して達成する従来のフェイスアップ実装に代わり、金属バンプを介して達成するフェイスダウン実装が広く採用される傾向にある。
【０００３】
金属バンプを介してフェイスダウン実装する、いわゆる金属バンプ法によると、電子部品間に低抵抗な接続を形成することが期待できる。しかしながら、金属バンプ法においては、多くの技術的事項が要求されている。例えば、電子部品の電極が微細なピッチで設けられている場合に、当該電極上に微細なピッチで正確に金属バンプを形成することが要求される。特に半導体素子の電極に対して金属バンプを形成する際には、この要求が強い。また、電子部品間の安定した接続信頼性を得るために金属バンプの高さを一定に精度よく確保すること、及び製造コストを低減することなども要求されている。
【０００４】
フェイスダウン実装を行うための金属バンプを形成する方法としては、従来、メッキ法や蒸着法等が採用されてきたが、これらによると、多大な設備投資が必要であり、バンプ高さや金属組成の制御が難しいなどの問題も有していた。そこで最近では、低コストに金属バンプを形成でき、且つ、金属組成の自由度が高い、メタルマスク印刷法や樹脂マスク充填法が採用されている。
【０００５】
メタルマスク印刷法により金属バンプを形成する一連の工程を図２の（ａ）〜（ｅ）に示す。メタルマスク印刷法においては、まず、（ａ）基板２０上の電極部２１に対応した位置に予め開口部２２ａが設けられたメタルマスク２２を用意する。（ｂ）当該メタルマスク２２の開口部２２ａと基板２０上の電極部２１とを位置合わせして、メタルマスク２２を基板２０に載置する。（ｃ）印刷法により、所定のハンダ粉末を含んだハンダペースト２３をメタルマスク２２の開口部２２ａに供給する。（ｄ）メタルマスク２２を基板２０の表面から取り外した後、（ｅ）加熱処理を行うことによってハンダペースト２３中のハンダ粉末を溶融し、これにより基板２０の電極部２１の上に略球形の金属バンプ２４が形成される。例えば、下記特許文献１には、このようなメタルマスク印刷法による金属バンプ形成方法が開示されている。
【特許文献１】特開平７−３０２９７２号公報
【０００６】
樹脂マスク充填法により金属バンプを形成する一連の工程を図３の（ａ）〜（ｅ）に示す。樹脂マスク充填法においては、まず、（ａ）電極部３１が設けられた基板３０上に樹脂膜３２を形成する。（ｂ）エッチング処理により、樹脂膜３２に対して基板３０の電極部３１を露出させる開口部３２ａを設ける。（ｃ）当該樹脂マスク３２の開口部３２ａに所定のハンダ粉末を含むハンダペースト３３を充填する。（ｄ）加熱処理を行うことによってハンダペース３３中のハンダ粉末を溶融し、これにより基板３０の電極部３１の上に略球形の金属バンプ３４が形成される。（ｅ）最後に樹脂マスク３２を基板３０表面から除去する。
【０００７】
これらのうち、メタルマスク印刷法は、より微細なピッチでバンプを形成する際に、バンプの高さを制御することが困難となるという問題を有する。具体的には、メタルマスク２２の開口部２２ａを微細なピッチで形成すると、開口部２２ａにハンダペーストを供給した後にメタルマスク２２を取り外す際（図２（ｄ）の工程）、ハンダペースト２３が開口部２２ａに引っ掛かり、ハンダペースト２３の一部がメタルマスク２２と共に取り除かれてしまうのである。その結果、形成される金属バンプ２４の高さのバラつきが顕著となり、良好な電子部品実装を行うことが困難となってしまう。
【０００８】
これに対して、樹脂マスク充填法では、ハンダペースト３３を加熱溶融させた後に、図３（ｅ）に示すように、印刷マスクとしての樹脂膜３２を取り除くため、微細なピッチで設けられた電極３１に対しても、必要量のハンダペーストにより確実に金属バンプ３５を形成することができる。このように、樹脂マスク充填法は、メタルマスク印刷法よりも、近年の電子部品実装の高密度化に伴う金属バンプの微細ピッチ化の要求に適切に応える得るものであることが理解できよう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の樹脂マスク充填法は、樹脂膜の除去に問題を有していた。具体的には、図３（ｄ）に示す工程において、ハンダペースト３３中のハンダ粉末を溶融する際、通常、ハンダ粉末を構成する金属の融点よりも３０〜５０℃高温で加熱されるのであるが、この加熱によって、樹脂膜の硬化反応が促進され、図３（ｅ）の工程で樹脂膜を除去する際、基板表面に樹脂膜の一部が残存してしまう場合があるのである。基板表面に樹脂膜が残存すると、良好な電子部品実装が阻害されてしまう。
【００１０】
そこで本発明は、このような従来の問題点を解決または軽減することを課題とし、樹脂膜を用いた金属バンプの形成において、樹脂膜の除去ないし剥離を良好に行うことがで、その結果、良好な電子部品実装をが可能となるバンプ形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の側面により提供されるバンプ形成方法は、電極部が設けられた基板表面に対して樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜に対して、電極部が露出するように開口部を形成する工程と、融点の異なる複数の金属を含むバンプ形成材料を開口部に充填する工程と、複数の金属の融点のうち最も低い融点以上であって、複数の金属の融点のうち最も高い融点未満に加熱する工程と、最も低い融点未満に冷却する工程と、樹脂膜を除去した後、基板を接合対象物に搭載することなく最も高い融点以上に加熱する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明の第１の側面では、樹脂膜に形成された開口部に充填されるバンプ形成材料には融点の異なる複数の金属が含まれている。ここで融点とは、単体金属にあっては、通常の意味における融点をいい、合金にあっては、ある圧力下での液相線温度をいうものとする。融点では、単体金属および合金は完全に融解し得る。したがって、本発明の第１の側面では、開口部に充填されたバンプ形成材料を、複数の金属の融点のうち最も低い融点以上であって、複数の金属の融点のうち最も高い融点未満に加熱すると（以下、この加熱工程も「１次加熱」という）、バンプ形成材料に含まれる金属の一部が融解する。これを一旦冷却すると、バンプ形成材料全体が電極部に対して仮固定され、この状態で、マスクとして基板表面に形成されていた樹脂膜が除去可能となる。樹脂膜を除去した後、バンプ形成材料に含まれる複数の金属の全てが液体となる温度以上に加熱し（以下、この加熱工程も「２次加熱」という）、次いで冷却することによって、バンプが完成されることとなる。すなわち、第１の側面に係るバンプ形成方法では、２次加熱よりも低温で行う１次加熱によりバンプ形成材料を電極部に仮固定し、その後、２次加熱を経る前に樹脂膜を除去するので、従来と比較して樹脂膜除去工程を容易に行うことができ、その結果、基板表面に樹脂膜が残存しない状態で、形成されたバンプを介して良好に電子部品（接合対象物）を実装することが可能となるのである。
【００１３】
また、第１の側面に係るバンプ形成方法は、１次加熱により液相化する金属と、２次加熱によって初めて液相化する金属とを独立に選択できることから、樹脂膜除去を阻害することなく、最終的に形成されるバンプの組成を容易に制御できるという利点も有する。
【００１４】
本発明の第２の側面により提供されるバンプ形成方法は、電極部が設けられた基板表面に対して樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜に対して、電極部が露出するように開口部を形成する工程と、１種類以上の金属を含むバンプ形成材料を、開口部に充填する工程と、金属の一部のみが融解する温度以上であって、金属の全てが融解する温度未満に加熱する工程と、金属の全てが凝固する温度未満に冷却する工程と、樹脂膜を除去した後、基板を接合対象物に搭載することなく金属の全てが融解する温度以上に加熱する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
このような構成によっても、本発明の第１の側面に関して上述したのと同様の効果を奏することができる。具体的には、１次加熱によって、バンプ形成材料に含まれる金属の一部のみが融解し、これを冷却することによってバンプ形成材料が基板の電極部に対して仮固定される。そして、２次加熱によって、バンプ形成材料に含まれる金属の全てが融解し、これを冷却することによって電極部に本固定されたバンプが完成する。バンプ形成材料に含まれる金属成分は、融点の異なる２種以上の単体金属、融点と液相線温度が異なる２種以上の単体金属と合金、並びに、固相線温度および／または液相線温度が異なる２種以上の合金を用いることができる。２種以上の合金を用いる場合、ハンダ形成材料に含まれる中で最も低い固相線温度を示す金属の当該固相線温度以上であって、最も高い液相線温度を示す金属の当該液相線温度未満の温度で１次加熱し、最も高い液相線温度以上の温度で２次加熱する。
【００１６】
本発明における基板としては、例えば、シリコンウエハやガラス繊維強化エポキシ樹脂製の回路基板などを用いることができる。基板上には、例えば銅、ニッケル、金などにより構成される電極部が所定の箇所に複数設けられている。
【００１７】
基板上に形成されるマスクとしての樹脂膜には、例えば、アクリル系、エポキシ系、イミド系のいずれか又はこれらを組み合わせた感光性樹脂を用い、エッチングには、フォトリソグラフィ（露光・現像法）を使用するのが好ましい。ただし、本発明の樹脂膜としては、非感光性の樹脂を用いることもでき、その場合、エッチングには、レーザなどを使用する。樹脂膜の形態としては、フィルム状であっても液状であってもよい。また、微細なピッチで設けられた電極部上に高いバンプを形成するという観点から、樹脂膜の膜厚は、３０〜１５０μmであることが好ましい。
【００１８】
樹脂膜の剥離には、水酸化ナトリウム水溶液などのような強アルカリの剥離液、モノエタノールアミン水溶液や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液などの有機アルカリ剥離液、及び、これらに所定の添加剤を加えたものを用いることができる。添加剤は、剥離される樹脂膜を細片に破壊して、剥離残りを防止する作用を示すものが好ましい。
【００１９】
金属バンプ形成用のバンプ形成材料は、好ましくは、粉末化した金属を、フラックスを混合してペースト状としたものである。フラックスとしては、ロジン樹脂、チクソ剤、活性剤、溶剤等を混練したものを用いることができる。
【００２０】
第１および第２の側面において、バンプ形成材料に含まれる合金としては、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｚｎ等から選択された１又は２以上の種類を組合せた組成を用いることができる。具体的には、例えば、Ｓｂ−Ｓｎ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ合金が挙げられる。更に具体的には、５％Ｓｎ−９５％Ｐｂ合金、４３％Ｓｎ−５７％Ｂｉ合金、４８％Ｓｎ−５２％Ｉｎ合金が挙げられる。また、第１の側面におけるバンプ形成材料に含まれる単体金属としては、例えば、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎなどが挙げられる。
【００２１】
ロジンは、主としてハンダペーストの粘着性を増進するためのものであり、重合ロジン、水素添加ロジン、エステル化ロジン等を用いることができる。
【００２２】
チクソ剤は、主としてハンダペーストに対して形態保持性を付与するものであり、硬化ひまし油、ステアリン酸アミド等を用いることができる。
【００２３】
活性剤は、加熱処理時においてハンダ粉末表面及び電極部表面に形成される酸化膜等を除去することにより、ハンダ粉末表面及び電極部表面を清浄化して電極部に対するハンダの濡れ性を向上させ、良好な金属バンプの形成に寄与するものである。活性剤としては、有機酸及び／又は有機アミンを用いることができる。例えば、セバシン酸、コハク酸、アジピン酸、グルタル酸、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン等から選択された１又は２以上の有機酸及び／又は有機アミンを使用することができる。
【００２４】
溶剤は、可溶成分を溶かし込み、フラックスビヒクルをペースト状とするためのものである。溶剤としては、ハンダの組成によって変化するハンダの融点に応じて、融点付近あるいはそのような温度以上の沸点を有する１又は２以上の溶剤を組み合わせて使用する。例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ｎ−ブチルフェニルエーテル、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどの高級アルコールやグリコールエーテル系の溶剤から１又は２以上を選択して使用することができる。
【００２５】
上述のハンダペーストを充填するために樹脂膜に形成される開口部は、好ましくは、対応する電極部の面積の２５倍以下の開口面積で形成される。ハンダペーストの溶融の際に、電極上にハンダ成分が寄り集まらないという事態を回避して、球形状の良好なバンプを形成するためである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の好ましい実施の形態について、図１（ａ）〜（ｇ）を参照しつつ、具体的に説明する。
【００２７】
まず、図１（ａ）に示すように、バンプを形成する対象となる基板１０を用意する。基板１０の表面には、予め、複数の電極部１１が所定のピッチで設けられている。また、基板１０の表面には、電極部１１に導通した配線部（図示せず）が形成されている。
【００２８】
このような基板１０に対して、図１（ｂ）に示すように、各電極部１１を覆うようにフィルム状の感光性樹脂膜１２を載置して圧着する。樹脂膜１２は、液状樹脂をスピンコートにより基板１０の表面に塗布し、それを熱硬化することにより形成してもよい。
【００２９】
次いで、図１（ｃ）に示すように、樹脂膜１２の各電極部１１に対応する箇所に対して、所定のフォトマスク（図示せず）を介しての露光処理、及び、その後の現像処理を施すことにより、各電極部１１が露出するように開口部１２ａを形成する。
【００３０】
次いで、図１（ｄ）に示すように、開口部１２ａに金属ペースト１３を充填する。金属ペースト１３の充填に際しては、樹脂膜１２の上面に余分な金属ペーストが多量に残存しないようにすることが望ましく、そのためには、例えば、スキージを用いて樹脂膜１２の上面に塗着している余分な金属ペーストを掻き取る作業を行えばよい。この金属ペーストに含まれる金属は粉末状である。
【００３１】
本発明においては、金属ペースト１３に含まれる金属成分として、融点の異なる２種類以上の金属が採用される。ここでいう金属には、単体金属および合金が含まれる。そして、融点とは、単体金属にあっては、通常の意味における融点をいい、合金にあっては、ある圧力下での液相線温度をいうものとする。
【００３２】
次に、図１（ｅ）に示す１次加熱工程において、金属ペースト１３に含まれる複数の金属成分の融点のうち最も低い融点以上であって、最も高い融点未満である１次加熱温度に加熱し、その加熱状態を所定時間維持する。この１次加熱温度では、その温度以下の融点を有す金属成分が溶融する。また、合金以外のロジン樹脂等の成分の大半が金属ペースト１３から揮発消失する。すると、図１（ｅ）に示すように、溶解した金属成分や僅かに残存するロジン樹脂等の表面張力によって、開口部１２ａに残った金属ペースト材料は略球形に寄り集まる。その後、金属ペースト１３に含まれる複数の金属成分の融点のうち最も低い融点未満に一旦冷却すると、溶解していた一部の金属成分が、一体化した状態で固相に変化し、当該金属ペースト材料全体が電極部に対して仮固定される。すなわち、１次加熱によって溶解していないという熱履歴を有する金属成分を内包した未完成のバンプ１４が電極部１１上に形成されることとなる。
【００３３】
未完成バンプ１４を形成した後、図１（ｆ）に示すように、樹脂膜１２を基板１０の表面から除去ないし剥離する。剥離液は、用いた樹脂膜１２を除去するための適切な溶剤を選択する。このとき、樹脂膜１２は、全ての金属成分を完全に溶融するための２次加熱工程を経ていないため、穏やかな条件で容易に除去できる。
【００３４】
次に、図１（ｇ）に示す２次加熱工程において、金属ペースト１３に含まれる複数の金属成分の融点のうち最も高い融点以上である２次加熱温度に加熱し、その加熱状態を所定時間維持する。これにより、１次加熱工程で一度融解した金属成分も、１次加熱工程で融解していない金属成分も、全て融解する。これを冷却すると、全ての金属成分が融解した完全なバンプ１４’が基板１０の電極部１１上に形成されることとなる。
【００３５】
また、ハンダ形成材料に２種以上の合金を添加して、ハンダ形成材料に含まれる中で最も低い固相線温度を示す金属の当該固相線温度以上であって、最も高い液相線温度を示す金属の当該液相線温度未満の温度で１次加熱し、最も高い液相線温度以上の温度で２次加熱することによっても、図１（ａ）〜（ｇ）に示す一連の工程により、樹脂膜１２を容易に除去しつつ、良好な金属バンプ１４’を形成することもできる。
【実施例】
【００３６】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００３７】
〔実施例１〕 
＜ハンダペーストの調製＞
相対的に低い液相線温度を示す金属Ｉとしての６３％Ｓｎ−３７％Ｐｂのハンダ（液相線温度：１８３℃）、及び、相対的に高い液相線温度を示す金属IIとしての２％Ｓｎ−９８％Ｐｂのハンダ（液相線温度：３２０℃）を、平均粒径２０μｍに粉末化し、これらを重量比１：９で混合した。この混合ハンダをフラックスと混ぜてハンダペーストを調製した。フラックスは、ロジン樹脂としてのポリペール５０％、溶剤としのジエチレングリコールモノブチルエーテル２０％および２−メチル−２，４−ペンタンジオール２０％、活性剤としてのセバシン酸８％、チクソ剤としての硬化ひまし油２％（いずれも体積百分率）を予め混錬したものを用いた。
【００３８】
＜バンプの形成＞
電極部が３０万個（電極径：７０μｍ、ピッチ：１５０μｍ）設けられたウエハに、５０μｍ厚のフィルム状のアクリル系感光性樹脂膜（商品名：ＮＩＴ２５０、ニチゴー・モートン社製）を熱圧着（１００℃、圧力３．５ｋｇ／ｍｍ2）した。次いで、ガラスマスクを用いて、電極部に対応した箇所を露光し、その後、１．０％炭酸ナトリウム水溶液でエッチング現像することによって、電極部に対応する箇所に直径１３０μｍの開口部を形成した。次いで、上述のハンダペーストをフィルム上に塗布し、これをウレタンスキージを用いて印刷法により開口部に充填した。次いで、６３％Ｓｎ−３７％Ｐｂハンダの液相線温度よりも高温である２１３℃で１分間、１次加熱することによって、ハンダを概ね一体化させた。次いでこれを冷却し、未完全バンプとして電極部に仮固定した。そして、１０％モノエタノールアミン水溶液中に浸漬し、樹脂膜を取り除いた。その後、電極部に仮固定されているハンダに対してフラックス（商品名：Ｒ５００３、アルファメタルズ社製）を塗布し、２％Ｓｎ−９８％Ｐｂハンダの液相線温度よりも高温である３５０℃で２分間、２次加熱することによってハンダを完全に溶融一体化させた。これを冷却し、完全なバンプを電極部上に形成した。
【００３９】
＜結果＞
本実施例においては、１次加熱後の樹脂膜の剥離は良好に行うことができた。また、形成したバンプの高さは、８０μｍ±３μｍであり、高さのバラつきの少ない高精度なバンプを形成することができた。また、最終的に形成されたバンプの組成は、目的とする組成８％Ｓｎ−９２％Ｐｂに対して±０．２％の範囲内に制御できた。実施例１について、金属組成、金属の配合比、１次加熱温度、２次加熱温度、およびバンプの最終組成を、表１に掲げる。以下、実施例２〜４についても同様である。
【００４０】
〔実施例２〕
金属Iとしての３５％Ｓｎ−６５％Ｐｂのハンダ（液相線温度：２４６℃）、及び、金属IIとしての２％Ｓｎ−９８％Ｐｂのハンダ（液相線温度：３２０℃）を、重量比１：９で混合したものを用いて、実施例１と同様にハンダペーストを調製した。そして、このハンダペーストを用いて、実施例１と同様の方法により、バンプを形成した。ただし、１次加熱温度は２６５℃とした。その結果、１次加熱後の樹脂膜の剥離は良好に行うことができた。また、形成したバンプの高さは、８０μｍ±３μｍであり、高さのバラつきの少ない高精度なバンプを形成することができた。また、最終的に形成されたバンプの組成は、目的とする組成５％Ｓｎ−９５％Ｐｂに対して±０．２％の範囲内に制御できた。
【００４１】
〔実施例３〕
金属Iとしての１００％のＳｎ（融点：２３２℃）、及び、金属IIとしての１００％のＰｂのハンダ（融点：３２７℃）を、重量比１：９で混合したものを用いて、実施例１と同様に金属ペーストを調製した。そして、この金属ペーストを用いて、実施例１と同様の方法により、バンプを形成した。ただし、１次加熱温度は２６２℃とし、２次加熱温度３５７℃とした。その結果、１次加熱後の樹脂膜の剥離は良好に行うことができた。また、形成したバンプの高さは、８０μｍ±３μｍであり、高さのバラつきの少ない高精度なバンプを形成することができた。また、最終的に形成されたバンプの組成は、目的とする組成１０％Ｓｎ−９０％Ｐｂに対して±０．２％の範囲内に制御できた。
【００４２】
〔実施例４〕
金属Iとしての１００％のＳｎ（融点：２３２℃）、及び、金属IIとしての１００％のＰｂのハンダ（融点：３２７℃）を、重量比１：１９で混合したものを用いて、実施例１と同様に金属ペーストを調製した。そして、この金属ペーストを用いて、実施例１と同様の方法により、バンプを形成した。ただし、１次加熱温度は２６２℃とし、２次加熱温度３５７℃とした。その結果、１次加熱後の樹脂膜の剥離は良好に行うことができた。また、形成したバンプの高さは、８０μｍ±３μｍであり、高さのバラつきの少ない高精度なバンプを形成することができた。また、最終的に形成されたバンプの組成は、目的とする組成５％Ｓｎ−９５％Ｐｂに対して±０．２％の範囲内に制御できた。
【００４３】
【表１】
2008109145.tif 000003
【００４４】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
（付記１）  電極部が設けられた基板表面に対して樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜に対して、前記電極部が露出するように開口部を形成する工程と、
融点の異なる複数の金属を含むバンプ形成材料を、前記開口部に充填する工程と、
前記複数の金属の融点のうち最も低い融点以上であって、前記複数の金属の融点のうち最も高い融点未満に加熱する工程と、
前記最も低い融点未満に冷却する工程と、
前記樹脂膜を除去した後、前記最も高い融点以上に加熱する工程と、を含むことを特徴とする、バンプ形成方法。
（付記２）  電極部が設けられた基板表面に対して樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜に対して、前記電極部が露出するように開口部を形成する工程と、
１種類以上の金属を含むバンプ形成材料を、前記開口部に充填する工程と、
前記金属の一部のみが融解する温度以上であって、前記金属の全てが融解する温度未満に加熱する工程と、
前記金属の全てが凝固する温度未満に冷却する工程と、
前記樹脂膜を除去した後、前記金属の全てが融解する温度以上に加熱する工程と、を含むことを特徴とする、バンプ形成方法。
（付記３）  前記樹脂膜は感光性樹脂である、付記１または３に記載のバンプ形成方法。
（付記４）  前記バンプ形成材料に含まれる前記金属は粉末状であり、前記バンプ形成材料は、前記粉末状の金属と、樹脂および溶剤を含むビヒクル成分とを混ぜ合わせてペースト状としたハンダペーストである、付記１から３のいずれか１つに記載のバンプ形成方法。
（付記５）  前記液相線温度以上に加熱することによって、又は、前記ハンダ形成材料に含まれる金属の全てが液体となるまで加熱することによって前記金属が一体化した後に、所望の組成の合金が形成されるように、前記バンプ形成材料に含まれる金属の組成は制御されている、付記１から４のいずれか１つに記載のバンプ形成方法。
【００４５】
本発明によると、マスクとして樹脂膜を用いたバンプ形成方法において、樹脂膜の硬化を抑制し、樹脂膜を基板表面から容易に除去ないし剥離することができる。その結果、形成されたバンプを介して良好な電子部品実装が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係るバンプ形成方法の一連の工程を表す断面図である。
【図２】従来のメタルマスク印刷法の一連の工程を表す断面図である。
【図３】従来の樹脂膜充填法の一連の工程を表す断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０，２０，３０        基板
１１，２１，３１        電極部
１２，３２              樹脂膜
２２                    メタルマスク
１２ａ，２２ａ，３２ａ  開口部
１３，２３，３３        ハンダペースト
１４’，２４，３４      バンプ
【図１】
2008109145.tif 000004
【図２】
2008109145.tif 000005
【図３】
2008109145.tif 000006