(57)【要約】【課題】発熱温度が相互に異なる２つの半導体チップ間の熱伝導を抑制して半導体装置の信頼性向上を図る。【解決手段】基板の上面３ａ，５ａに電気回路を形成した複数の半導体チップ３，５と、これら複数の半導体チップ３，５を表面７ａに搭載する略板状のステージ部７と、半導体チップ３，５と電気的に接続されて電気信号を入出力する複数の外部接続端子１１とを備え、外部接続端子１１の一端１１ａとステージ部７の裏面７ｂの一部とが外方に露出するように、半導体チップ３，５、ステージ部７及び外部接続端子１１が樹脂モールド１３によって封止され、複数の半導体チップ３，５のうち一の半導体チップ３は、他の半導体チップ５よりも高い発熱温度を生じる前記電気回路を有し、ステージ部７の表面７ａに対する一の半導体チップ３の高さが、他の半導体チップ５の高さ位置よりも低くなるように形成された半導体装置１を提供する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面に電気回路を形成した複数の半導体チップと、これら複数の半導体チップを表面に搭載する略板状のステージ部と、前記半導体チップと電気的に接続されて電気信号を入出力する複数の外部接続端子と、を備え、
該外部接続端子の一端と前記ステージ部の裏面の少なくとも一部とが外方に露出するように、前記半導体チップ、前記ステージ部及び前記外部接続端子が樹脂モールドによって封止され、
前記複数の半導体チップのうち一の半導体チップは、他の半導体チップよりも高い発熱温度を生じる前記電気回路を有し、
前記ステージ部の表面に対する前記一の半導体チップの高さが、前記他の半導体チップの高さ位置よりも低くなるように形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記他の半導体チップは前記一の半導体チップよりも保証温度が低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記一の半導体チップを構成する前記基板が、前記他の半導体チップを構成する前記基板の厚さ寸法よりも薄く形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ステージ部の表面と前記他の半導体チップとの間に、略板状のスペーサが設けられていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ステージ部にその表面から窪む凹部が形成され、
前記一の半導体チップが前記凹部の底面に配されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記一の半導体チップと前記他の半導体チップとの隙間に位置する前記ステージ部に、その表面及び裏面の少なくとも一方から窪むスリットが形成され、
該スリットが、前記一の半導体チップと前記他の半導体チップの配列の直交方向に延びていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記スリットが前記ステージ部の表面から裏面まで貫通していることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記スリットが、前記一の半導体チップと前記他の半導体チップとの隙間の中央位置よりも前記他の半導体チップに近づけた位置に形成されていることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、例えば特許文献１のように、略板状のステージ部の表面に半導体チップを搭載して樹脂モールド部で封止した構成のものがある。この構成の半導体装置においては、半導体チップから発生する熱を効率よく放熱することを目的として、ステージ部の裏面を樹脂モールド部の外方に露出させると共に半田で回路基板に接合させている。
ところで、このような構成の半導体装置には、発熱温度が相互に異なる２つの半導体チップが設けられることもあり、従来では、これら２つの半導体チップを同一のステージ部の表面に搭載している。
【特許文献１】特開２０００−１５０７２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、これら２つの半導体チップの発熱温度が相互に異なると、発熱温度の高い一の半導体チップにおいて発生した熱がステージ部や樹脂モールド部を介して発熱温度の低い他の半導体チップに伝わることで、ケース温度が上昇して他の半導体チップの温度が正常に動作する温度である保証温度を超えてしまい、半導体装置に動作不良が生じることがある。この保証温度は、半導体チップごとにケース温度、ジャンクション温度、周囲温度等によって定められている。
【０００４】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、一の半導体チップにおいて発生した熱を効率よく逃がすことができると共に、発熱温度が相互に異なる２つの半導体チップ間の熱伝導を抑制して信頼性の向上を図ることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達するために、この発明は以下の手段を提供している。
本発明の半導体装置は、基板の上面に電気回路を形成した複数の半導体チップと、これら複数の半導体チップを表面に搭載する略板状のステージ部と、前記半導体チップと電気的に接続されて電気信号を入出力する複数の外部接続端子と、を備え、該外部接続端子の一端と前記ステージ部の裏面の少なくとも一部とが外方に露出するように、前記半導体チップ、前記ステージ部及び前記外部接続端子が樹脂モールドによって封止され、前記複数の半導体チップのうち一の半導体チップは、他の半導体チップよりも高い発熱温度を生じる前記電気回路を有し、前記ステージ部の表面に対する前記一の半導体チップの高さが、前記他の半導体チップの高さ位置よりも低くなるように形成されたことを特徴とする。
そして、前記半導体装置においては、記他の半導体チップの保証温度を前記一の半導体チップよりも低くしてもよい。
【０００６】
これらの発明に係る半導体装置を回路基板に実装する際には、外方に露出する一のステージ部の裏面を半田付け等で回路基板に設けられた放熱用のパッドに接合しておく。ここで、一の半導体チップの上面は他の半導体チップの上面よりもステージ部の表面の近くに位置するため、一の半導体チップの電気回路からステージ部及び半田を介して回路基板の放熱用パッドに至るまでの放熱経路を短くすることができる。したがって、一の半導体チップにおいて発生した熱を効率よく回路基板に逃がすことが可能となる。
【０００７】
また、この半導体装置においては、２つの半導体チップ間の隙間を広げることなく、２つの半導体チップの上面間の距離を拡大することができるため、また、一の半導体チップの上面から他の半導体チップの上面に向かう方向が、一の半導体チップの上面から回路基板に向かう前記放熱経路の方向と逆向きになるため、一の半導体チップの上面において発生した熱が他の半導体チップの上面に伝わることを抑制することができる。すなわち、他の半導体チップがその保証温度を超えることを抑制できる。
【０００８】
また、前記半導体装置においては、前記一の半導体チップを構成する前記基板を前記他の半導体チップを構成する前記基板の厚さ寸法よりも薄く形成するとしてもよい。
さらに、前記半導体装置においては、前記ステージ部の表面と前記他の半導体チップとの間に、略板状のスペーサを設けるとしてもよい。
また、前記半導体装置においては、前記ステージ部にその表面から窪む凹部を形成し、該凹部の底面に前記一の半導体チップを配するとしてもよい。
【０００９】
これらの場合には、一の半導体チップの上面の高さ位置を確実に他の半導体チップの上面よりも低く設定することができる。なお、これらを組み合わせることで、一の半導体チップと他の半導体チップとの高さ位置の差をより大きくすることが可能となる。
なお、ステージ部に一の半導体チップを配する凹部を形成した場合には、一の半導体チップの配置領域におけるステージ部の厚みを小さくできるため、一の半導体チップから回路基板に向かう放熱回路に関してステージ部の熱抵抗を小さくすることが可能となる。したがって、一の半導体チップにおいて発生した熱をさらに効率よく回路基板に逃がすことができる。
【００１０】
また、前記半導体装置においては、前記一の半導体チップと前記他の半導体チップとの隙間に位置する前記ステージ部に、その表面及び裏面の少なくとも一方から窪むスリットを形成し、該スリットが、前記一の半導体チップと前記他の半導体チップの配列の直交方向に延びているとしてもよい。
さらに、前記半導体装置においては、前記スリットが前記ステージ部の表面から裏面まで貫通するとしてもよい。
【００１１】
これら場合には、ステージ部がスリットによって一の半導体チップを配置した一の配置領域と他の半導体チップを配置した他の配置領域とに区画されることになる。また、ステージ部のうちスリットの形成部分においては、一の半導体チップから他の半導体チップに向かう方向に直交するステージ部の断面積が、ステージ部の他の部分における断面積よりも小さくなる、すなわち、スリットの形成部分におけるステージ部の熱抵抗が他の部分に比べて大きくなる。
このため、一の半導体チップにおいて発生した熱が、ステージ部の一の配置領域から他の配置領域に伝わりにくくなり、結果として、他の半導体チップに伝わることを抑制することができる。
【００１２】
また、前記半導体装置においては、前記スリットが、前記一の半導体チップと前記他の半導体チップとの隙間の中央位置よりも前記他の半導体チップに近づけた位置に形成されるとしてもよい。
この場合には、一の配置領域におけるステージ部の容積が他の配置領域の容積よりも大きくなるため、一の半導体チップから回路基板に向かうステージ部の熱抵抗を小さくすることができる。したがって、ステージ部にスリットを形成したとしても、一の半導体チップにおいて発生した熱を効率よく回路基板に逃がすことができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ステージ部の熱抵抗を小さくして、一の半導体チップにおいて発生した熱を効率よく回路基板に逃がすことができる。また、発熱温度の高い半導体チップから最大許容接続温度の低い半導体チップへの熱伝導を抑制できるため、半導体装置の信頼性向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図１，２を参照し、本発明の第１実施形態に係る半導体装置について説明する。図１，２に示すように、この実施形態に係る半導体装置１は、例えば、スピーカを駆動するための電源やパルス電源（ＰＷ電源）等のように回路に電力を供給するものとして使用されるものであり、アナログチップとしての第１の半導体チップ（一の半導体チップ）３及びデジタルチップとしての第２の半導体チップ（他の半導体チップ）５を備えて構成されている。すなわち、この半導体装置１は、アナログ回路及びデジタル回路のいずれにも対応できるように構成されている。
【００１５】
また、この半導体装置１は、表面７ａに前述した２つの半導体チップ３，５を搭載するステージ部７と、このステージ部７の周囲に配されて各半導体チップ３，５と、ワイヤー（配線）１５に電気接続される複数のリード（外部接続端子）１１，１１，・・・と、これら半導体チップ３，５、ステージ部７及びリード１１を封止する樹脂モールド１３とを備えている。なお、この実施形態における半導体装置１は、リード１１の一部が樹脂モールド１３の側部１３ｂから突出するＱＦＰ（Quad Flat Package）として構成されている。
各リード１１は、ステージ部７，９に向けて延びる細幅帯状に形成されており、各リード１１のうち樹脂モールド１３に埋設された一端部１１ａは、ワイヤー１５によって各半導体チップ３，５に電気接続されている。また、各リード１１のうち樹脂モールド１３の外方に突出する他端部１１ｂは、樹脂モールド１３の下面１３ａに向けて折り曲げられており、半導体装置１を実装する回路基板３１に電気接続されるようになっている。
また、樹脂モールド１３は、例えばシリカやカーボン等のフィラーを添加した樹脂材料からなる。これにより、樹脂モールド１３を介して半導体チップ３，５において生じる熱を効率よく外方に放出することができる。
【００１６】
ステージ部７は、平面視略矩形の板状に形成され、その各辺が樹脂モールド１３の側部１３ｂに沿うように配されている。また、ステージ部７の裏面７ｂは、樹脂モールド１３の下面１３ａと略同一平面をなしている、すなわち、樹脂モールド１３の外方に露出している。
さらに、ステージ部７の周縁には、その裏面７ｂから厚さ方向に窪む溝部７ｃが形成されている。そして、この溝部７ｃには樹脂モールド１３が入り込んでいるため、ステージ部７，９が樹脂モールド１３から剥離してしまうことを防止できる。
【００１７】
２つの半導体チップ３，５は、ステージ部７の面方向に並べられると共に相互に離間して配置されており、ワイヤー１７によって相互に電気接続されている。また、第１の半導体チップ３（一の半導体チップ）は、第２の半導体チップ（他の半導体チップ）５よりも高い発熱温度を生じる電気回路を有している。すなわち、第１の半導体チップ３を構成する基板の上面３ａには、第２の半導体チップ５を構成する基板の上面５ａに形成される電気回路よりも高い発熱温度を生じるＰＷＭ（Pulse Width Modulation）回路等の電気回路が形成されている。
なお、第１の半導体チップ３に形成された電気回路は、第１の半導体チップ３の上面３ａのうち、２つの半導体チップ３，５の配列方向に関して第２の半導体チップ５から遠い側に寄せた領域に配置されている。具体的に、第１の半導体チップ３の電気回路の形成領域は、例えば、２つの半導体チップ３，５の配列方向に沿う第１の半導体チップ３の長さ寸法の略半分、かつ、配列方向に直交する第１の半導体チップ３の幅方向の全体にわたる領域とすればよい。
【００１８】
さらに、第１の半導体チップ３を構成する基板は、第２の半導体チップ５を構成する基板の厚さ寸法よりも薄く形成されている。これにより、ステージ部７の表面７ａに対する第１の半導体チップ３の上面３ａの高さ位置が、第２の半導体チップ５の上面５ａの高さ位置よりも低くなる。なお、これら２つの半導体チップ３，５の厚さ寸法を相互に異ならせる方法としては、例えば、半導体チップ３，５の製造において、個々の半導体チップ３，５に個片化する前のウエハの下面にバックグラインド加工を施す際にその削り量を第１の半導体チップ３と第２の半導体チップ５とで相互に異ならせることが挙げられる。
【００１９】
具体的には、厚さ寸法が６２５μｍのウエハを用いて２つの半導体チップ３，５を製造する際に、例えば第１の半導体チップ３を形成するウエハの削り量を２５μｍとして第１の半導体チップ３の厚さ寸法を６００μｍとすればよい。また、例えば第２の半導体チップ５を形成するウエハの削り量を４２５μｍとして第２の半導体チップ５の厚さ寸法を２００μｍとすればよい。
また、２つの半導体チップ３，５の厚さ寸法を相互に異ならせる方法には、相互に異なる厚さ寸法のウエハを用いて各半導体チップ３，５を製造することも挙げられる。
【００２０】
以上のように構成された半導体装置１を製造する際には、はじめに、薄板状の銅材等からなる金属製薄板にプレス加工やエッチング加工を施して形成されるリードフレーム（不図示）を用意する。このリードフレームには、前述したステージ部７及びリード１１の他に、リード１１の他端部１１ｂ側に形成されて全てのリード１１を一体に連結する環状のフレーム枠（不図示）と、フレーム枠にステージ部７を連結する吊りリード１９とが形成されている。ここで、吊りリード１９は、矩形状に形成されたステージ部７の角部に連結されている。したがって、このリードフレームは、ステージ部７及びリード１１を一体に形成した構成をなしている。
なお、リード１１の折り曲げ加工はリードフレームの形成と同時に行われるとしても良いし、別途行われるとしても良い。
【００２１】
このリードフレームの形成後には、２つの半導体チップ３，５をステージ部７の表面７ａに搭載し、ワイヤー１５により半導体チップ３，５をリード１１の一端部１１ａに電気接続すると共にワイヤー１７により半導体チップ３，５同士を相互に電気接続する。
そして、これら半導体チップ３，５、ステージ部７、リード１１及びワイヤー１５，１７を封止する樹脂モールド１３を形成する。この際には、樹脂モールド１３の外形をなす不図示の金型のキャビティ内に、半導体チップ３，５、ステージ部７、リード１１及びワイヤー１５，１７を配置する。ここで、樹脂モールド１３から外方に露出させるステージ部７の裏面７ｂはキャビティの内面に配され、リード１１の他端部１１ｂ及びフレーム枠はキャビティの外側に配される。そして、この状態においてキャビティ内に溶融樹脂を流し込むことによって樹脂モールド１３が形成されることになる。
最後に、樹脂モールド１３を形成したリードフレームを金型から取り出し、樹脂モールド１３の外側に位置するフレーム枠及び吊りリード１９を切り落とすことで半導体装置１の製造が完了する。
【００２２】
また、この半導体装置１を回路基板３１に実装する場合には、例えば図２に示すように、複数の電極パッド３３及び放熱用パッド３５を形成した回路基板３１の表面３１ａに樹脂モールド１３の下面１３ａを対向させた状態で、半田３７を介してリード１１の他端部１１ｂを電極パッド３３に接合すればよい。また、半田３９を介してステージ部７の裏面７ｂを放熱用パッド３５に接合すればよい。
この実装状態においては、第１の半導体チップ３の上面３ａからステージ部７及び半田３９を介して回路基板３１の放熱用パッド３５に至るまでの放熱経路が形成されることになる。
【００２３】
そして、この実施形態に係る半導体装置１によれば、第１の半導体チップ３の上面３ａが、第２半導体チップ５の上面５ａよりもステージ部７の表面７ａの近くに位置するため、第１の半導体チップ３の電気回路からステージ部７及び半田３９を介して回路基板３１の放熱用パッド３５に至るまでの放熱経路を短くすることが可能となる。
また、２つの半導体チップ３，５を配したステージ部７の容積は、複数の半導体チップ３，５を個別のステージ部に配する場合の個々のステージ部の容積と比較して大きく設定することができ、結果として、第１の半導体チップ３から回路基板３１に向かう放熱経路に関してステージ部７の熱抵抗をより小さくすることができる。
以上のことから、第１の半導体チップ３において発生した熱を効率よく回路基板３１に逃がすことが可能となる。
【００２４】
さらに、この半導体装置１においては、２つの半導体チップ３，５間の隙間を広げることなく、２つの半導体チップ３，５の上面３ａ，５ａ間の距離を拡大することができるため、また、第１の半導体チップ３の上面３ａから第２の半導体チップ５の上面５ａに向かう方向が、第１の半導体チップ３の上面３ａから回路基板３１に向かう放熱経路の方向と逆向きになるため、第１の半導体チップ３の上面３ａにおいて発生した熱が第２の半導体チップ５の上面５ａに伝わることを抑制することができる。すなわち、第２の半導体チップ５がその保証温度を超えることを抑制でき、半導体装置１の信頼性向上を図ることができる。
【００２５】
次に、本発明による第２実施形態について図３，４を参照して説明する。なお、この第２実施形態の半導体装置のうち、第１実施形態の半導体装置１の構成要素と同一の部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００２６】
図３，４に示すように、この実施形態に係る半導体装置５１を構成するステージ部７には、２つの半導体チップ３，５の間の隙間に配されたスリットが形成され、このスリット５３は、ステージ部７の表面７ａから裏面７ｂまで貫通して形成されている。また、スリット５３は、２つの半導体チップ３，５の配列の直交方向に延びて形成されており、その長さ寸法は、この直交方向に沿う各半導体チップ３，５の幅寸法よりも長く形成されている。したがって、ステージ部７は、このスリット５３によって第１の半導体チップ３を配置した第１の配置領域と第２の半導体チップ５を配置した第２の配置領域とに区画されることになる。
さらに、このスリット５３は、第１の半導体チップ３と第２の半導体チップ５との隙間の中央位置ＣＬよりも第２の半導体チップ５に近づけた位置に形成されており、これによって、前述したステージ部７の第１の配置領域が第２の配置領域よりも大きくなる。なお、スリット５３は、例えばリードフレームを形成すると同時にプレス加工あるいやエッチング加工により形成してもよいし、リードフレームの形成後に実施されるとしても構わない。
【００２７】
この実施形態に係る半導体装置５１によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
また、ステージ部７のうちスリット５３の形成部分においては、第１の半導体チップ３から第２の半導体チップ５に向かう方向に直交する断面積が、ステージ部７の他の部分における断面積よりも小さくなる、すなわち、スリット５３の形成部分におけるステージ部７の熱抵抗が他の部分に比べて大きくなる。このため、第１の半導体チップ３において発生した熱が、ステージ部７の第１の配置領域から第２の配置領域に伝わりにくくなり、結果として、第２の半導体チップ５に伝わることを抑制することができる。
【００２８】
さらに、このスリット５３を中央位置ＣＬよりも第２の半導体チップ５に近づけた位置に形成することで、第１の配置領域のステージ部７の容積が第２の配置領域よりも大きくなるため、第１の半導体チップ３から回路基板３１に向かうステージ部７の熱抵抗を小さくすることができる。したがって、ステージ部７にスリット５３を形成したとしても、第１の半導体チップ３において発生した熱を効率よく回路基板３１に逃がすことができる。
【００２９】
なお、上述した第２実施形態において、２つの半導体チップ３，５の間の隙間に位置するステージ部７には、その厚さ方向に貫通するスリット５３が形成されるとしたが、これに限ることは無く、例えば図５，６に示すように、少なくともステージ部７の表面７ａや裏面７ｂから窪む溝状のスリット５５，５７が形成されていればよい。
また、これらスリット５３，５５，５７は、１つだけ形成されることに限らず、例えば複数に分割して形成されるとしても構わない。
【００３０】
さらに、上述した全ての実施形態においては、第１の半導体チップ３は、第２の半導体チップ５の厚さ寸法よりも薄く形成されるとしたが、少なくともステージ部７の表面７ａに対する第１の半導体チップ３の上面３ａの高さ位置が、第２の半導体チップ５の上面５ａの高さ位置よりも低くなっていればよく、例えば２つの半導体チップ３，５の厚み寸法を同等としても構わない。
すなわち、例えば図７に示すように、ステージ部７の表面７ａと第２の半導体チップ５との間に、略板状のスペーサ６１が設けられるとしてもよい。なお、このスペーサ６１は、各種材料により形成することができるが、例えば第２の半導体チップ５をステージ部７に固定するための電気絶縁性の接着剤（例えばダイボンドフィルム）からなるとしても構わない。また、スペーサ６１は、熱伝導率の低い樹脂材料により形成することが好ましく、例えば樹脂モールド１３とは異なるフィラーを添加していない樹脂材料により形成することがより好ましい。この場合には、上記実施形態と同様の効果を奏することに加え、第１の半導体チップ３からステージ部７を介して第２の半導体チップ５に到達する伝熱経路において、第１の半導体チップ３において生じる熱が第２の半導体チップ５に伝わりにくくなるため、半導体装置の信頼性向上をさらに図ることができる。
【００３１】
また、第１の半導体チップ３の上面３ａの高さ位置が、第２の半導体チップ５の上面５ａの高さ位置よりも低くする手法としては、例えば図８に示すように、ステージ部７にその表面７ａから窪む凹部６３を形成すると共に、この凹部６３の底面に第１の半導体チップ３を形成することが挙げられる。なお、この凹部６３は、例えばリードフレームを形成すると同時にエッチング加工により形成してもよいし、リードフレームの形成後に別途エッチング加工を実施して形成されるとしても構わない。
この場合には、第１の半導体チップ３の配置領域におけるステージ部７の厚みを小さくできるため、第１の半導体チップ３から回路基板３１に向かう放熱経路に関してステージ部７の熱抵抗をさらに小さくすることが可能となる。したがって、第１の半導体チップ３において発生した熱をさらに効率よく回路基板３１に逃がすことができる。
【００３２】
さらに、上記実施形態においては、２つの半導体チップ３，５を備える構成の半導体装置１，５１について述べたが、これに限ることはなく、３つ以上の半導体チップを備える半導体装置についても同様に適用することができる。例えば３つの半導体チップを備える場合には、発熱温度の一番高い半導体チップの高さを他の２つの半導体チップの高さ位置よりも低くし、二番目に発熱温度の高い半導体チップの高さを残り１つの半導体チップの高さ位置よりも低くすればよい。
また、リード１１が樹脂モールド１３の外方に突出するＱＦＰとしての半導体装置１，５１について説明したが、これに限ることはなく、例えば、リード１１が樹脂モールド１３の側部１３ｂ及び下面１３ａの両方に露出するＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）や、パッケージ裏面にボール状電極を格子状に並べたＢＧＡ（Ball Grid Array）、ボール電極の代わりに平面電極パッドを格子状に並べたＬＧＡ（Land Grid Array）としての半導体装置にも適用することができる。
【００３３】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置を示す概略平面図である。
【図２】図１の半導体装置を回路基板に実装した状態を示す側断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る半導体装置を示す概略平面図である。
【図４】図３の半導体装置を回路基板に実装した状態を示す側断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る半導体装置を回路基板に実装した状態を示す側断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る半導体装置を回路基板に実装した状態を示す側断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る半導体装置を回路基板に実装した状態を示す側断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る半導体装置を回路基板に実装した状態を示す側断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１，５１…半導体装置、３…第１の半導体チップ（一の半導体チップ）、３ａ，５ａ…上面、５…第２の半導体チップ（他の半導体チップ）、７…ステージ部、７ａ…表面、７ｂ…裏面、１１…リード（外部接続端子）、１３…樹脂モールド、５３，５５，５７…スリット、６１…スペーサ、６３…凹部
【図１】
2008288493.tif 000003
【図２】
2008288493.tif 000004
【図３】
2008288493.tif 000005
【図４】
2008288493.tif 000006
【図５】
2008288493.tif 000007
【図６】
2008288493.tif 000008
【図７】
2008288493.tif 000009
【図８】
2008288493.tif 000010