(57)【要約】【課題】微細パターンの金属層が精度良く形成された素子基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】第１の支持基板１０上に剥離層２４を形成する工程と、剥離層上に所定のパターンの金属層３４を形成する工程と、無機基板の原料を含むゾルゲル溶液を第１の支持基板の上に塗布する工程と、熱処理を施すことにより、ゾルゲル溶液の溶媒を除去して無機基板１１４を形成する工程と、剥離層を分解することにより、金属層を前記第１の支持基板から剥離させて、無機基板に転写する工程と、を含む。【選択図】図１４
2008091686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に孔部を有する無機基板と、
前記孔部の内部に埋め込まれた金属層と、
を含み、
前記孔部の幅は、４０ｎｍ〜１μｍであり、深さは、２０ｎｍ〜３００ｎｍである、素子基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記金属層の上面には、凹部が形成されている、素子基板。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記無機基板は、光を透過する透過性基板である、素子基板。
【請求項４】
（ａ）第１の支持基板上に剥離層を形成する工程と、
（ｂ）前記剥離層上に所定のパターンの金属層を形成する工程と、
（ｃ）無機基板の原料を含むゾルゲル溶液を前記第１の支持基板の上に塗布する工程と、
（ｄ）熱処理を施すことにより、前記ゾルゲル溶液の溶媒を除去して無機基板を形成する工程と、
（ｅ）前記剥離層を分解することにより、前記金属層を前記第１の支持基板から剥離させて、前記無機基板に転写する工程と、
を含む、素子基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記工程（ｆ）の後に、
前記無機基板の前記金属層が転写された面を研磨する工程をさらに含む、素子基板の製造方法。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記工程（ｂ）では、
無電解めっき法を用いて前記金属層を形成する、素子基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記工程（ａ）では、
界面活性剤溶液に前記第１の支持基板を浸漬することによって、前記剥離層として界面活性剤層を形成し、
前記工程（ｂ）は、
触媒溶液に前記第１の支持基板を浸漬することによって、前記剥離層上に触媒層を形成する工程と、
無電解めっき液に第１の支持基板を浸漬することによって、前記触媒層上に金属層を析出させる工程と、
を有する、素子基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記工程（ａ）の前に、
（ｇ）前記所定パターンの樹脂成形体を前記第１の支持基板上に形成する工程をさらに含み、
前記工程（ａ）では、
前記樹脂成形体の上に前記剥離層を形成する、素子基板の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記工程（ｇ）は、
第１の支持基板に流動状態の樹脂材料を塗布する工程と、
所定パターンの凹パターンを有するナノスタンパを前記基板上に押し付けて、前記樹脂材料に前記所定パターンを転写する工程と、
前記樹脂材料を硬化させる工程と、
を含む、素子基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記工程（ｇ）と（ａ）との間に、
アッシングによって、硬化させた樹脂材料の上部および前記所定パターン以外の領域の樹脂材料を除去する、素子基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項８において、
前記樹脂成形体は、フォトレジストからなり、
前記工程（ｇ）では、干渉露光法を用いて前記樹脂成形体を形成する、素子基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項８ないし１１のいずれかにおいて、
前記工程（ｇ）と（ａ）との間に、
前記第１の支持基板をアルカリ溶液に浸漬することによって、前記樹脂成形体の一部を除去する工程をさらに含む、素子基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に金属配線等を形成する際、たとえばサブトラクティブ法によって形成される。サブトラクティブ法では、基板の全面に金属層を形成し、金属層上にフォトレジストを塗布してパターニングし、そのフォトレジストをマスクとして金属層をエッチングする。このような方法では、フォトレジストを最終的に除去する点や金属層の一部を除去する点において、資源および材料の消費が問題となる場合があった。さらに、１μｍ以下の微細パターンの金属層については、精度良く形成することが困難であった。
【特許文献１】特開平１０−６５３１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、微細パターンの金属層が精度良く形成された素子基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明にかかる素子基板は、
上面に孔部を有する無機基板と、
前記孔部の内部に埋め込まれた金属層と、
を含み、
前記孔部の幅は、４０ｎｍ〜１μｍであり、深さは、２０ｎｍ〜３００ｎｍである。
【０００５】
本発明にかかる素子基板において、
前記金属層の上面には、凹部が形成されていることができる。
【０００６】
このように、凹部が形成されていることによって、スクラッチに強くなる。上面が平坦である場合に比べて、表面積が大きくなるので、放熱効果を向上させることができる。
【０００７】
本発明にかかる素子基板において、
前記無機基板は、光を透過する透過性基板であることができる。
【０００８】
本発明にかかる素子基板の製造方法は、
（ａ）第１の支持基板上に剥離層を形成する工程と、
（ｂ）前記剥離層上に所定のパターンの金属層を形成する工程と、
（ｃ）無機基板の原料を含むゾルゲル溶液を前記第１の支持基板の上に塗布する工程と、
（ｄ）熱処理を施すことにより、前記ゾルゲル溶液の溶媒を除去して無機基板を形成する工程と、
（ｅ）前記剥離層を分解することにより、前記金属層を前記第１の支持基板から剥離させて、前記無機基板に転写する工程と、
を含む。
【０００９】
本発明にかかる素子基板の製造方法において、
前記工程（ｆ）の後に、
前記無機基板の前記金属層が転写された面を研磨する工程をさらに含むことができる。
【００１０】
本発明にかかる素子基板の製造方法において、
前記工程（ｂ）では、
無電解めっき法を用いて前記金属層を形成することができる。
【００１１】
本発明にかかる素子基板の製造方法において、
前記工程（ａ）では、
界面活性剤溶液に前記第１の支持基板を浸漬することによって、前記剥離層として界面活性剤層を形成し、
前記工程（ｂ）は、
触媒溶液に前記第１の支持基板を浸漬することによって、前記剥離層上に触媒層を形成する工程と、
無電解めっき液に第１の支持基板を浸漬することによって、前記触媒層上に金属層を析出させる工程と、
を有することができる。
【００１２】
本発明にかかる素子基板の製造方法において、
前記工程（ａ）の前に、
（ｇ）前記所定パターンの樹脂成形体を前記第１の支持基板上に形成する工程をさらに含み、
前記工程（ａ）では、
前記樹脂成形体の上に前記剥離層を形成することができる。
【００１３】
本発明にかかる素子基板の製造方法において、
前記工程（ｇ）は、
第１の支持基板に流動状態の樹脂材料を塗布する工程と、
所定パターンの凹パターンを有するナノスタンパを前記基板上に押し付けて、前記樹脂材料に前記所定パターンを転写する工程と、
前記樹脂材料を硬化させる工程と、
を含むことができる。
【００１４】
本発明にかかる素子基板の製造方法において、
前記工程（ｇ）と（ａ）との間に、
アッシングによって、硬化させた樹脂材料の上部および前記所定パターン以外の領域の樹脂材料を除去することができる。
【００１５】
本発明にかかる素子基板の製造方法において、
前記樹脂成形体は、フォトレジストからなり、
前記工程（ｇ）では、干渉露光法を用いて前記樹脂成形体を形成することができる。
【００１６】
本発明にかかる素子基板の製造方法において、
前記工程（ｇ）と（ａ）との間に、
前記第１の支持基板をアルカリ溶液に浸漬することによって、前記樹脂成形体の一部を除去する工程をさらに含むことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】
１．素子基板およびその製造方法
図１〜図１５は、第２の素子基板３００（図１６参照）の製造方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっきを適用して素子基板を製造する。
【００１９】
（１）まず、第１の支持基板１０を用意する。第１の支持基板１０の表面には、凹凸がないことが好ましく、たとえば凹凸の高さが１０ｎｍ未満であることが望ましい。
【００２０】
ついで、第１の支持基板１０上に所定のパターンの樹脂成形体２２ｃを形成する。樹脂成形体２２ｃを形成する方法としては、公知の方法を用いることができるが、たとえば干渉露光法やナノインプリント技術を用いることができる。本実施の形態では、ナノインプリント技術を用いて樹脂成形体２２ｃを形成する場合について説明する。
【００２１】
まず、図１に示すように、流動状態の樹脂材料２２ａを第１の支持基板１０に塗布する。樹脂材料２２ａとしては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等を用いることができる。塗布方法としては、スピンコート法等の公知の方法を用いることができる。
【００２２】
次いで、ナノスタンパ１２を第１の支持基板１０方向（図２の矢印方向）に押圧することにより、樹脂材料に所定パターンを転写する。ここで所定パターンとは、一定間隔をおいて配置された複数の線の周期パターンであってもよい。樹脂材料２２ａが光硬化性樹脂の場合には、ナノスタンパ１２は、光透過性のものを用いてもよい。
【００２３】
次いで、樹脂成形体２２ｂを硬化させて、ナノスタンパ１２を樹脂成形体２２ｂから剥離する（図３参照）。このようにして、図４に示すように、所定パターンを有する樹脂成形体２２ｂを形成することができる。
【００２４】
樹脂成形体２２ｂを用いて、後述する工程（２）に進んでも良いが、図５に示すように所定パターンの隙間の樹脂成形体２２ｂの一部をエッチバック等により除去してもよい。樹脂成形体２２ｂがフォトレジストからなる場合には、アッシングにより一部を除去してもよい。ここでは、所定パターンの隙間の樹脂成形体２２ｂの一部とともに、所定パターンの領域の樹脂成形体２２ｂの上部も除去される。この除去工程を経ることによって、樹脂成形体２２ｃを形成することができる。
【００２５】
ナノインプリント技術を用いて樹脂成形体２２ｃを形成する方法は以上であるが、上述したように干渉露光法を用いても樹脂成形体２２ｃを形成することができる。干渉露光法を用いる場合には、樹脂材料２２ａとしてフォトレジストを適用し、予め反射防止膜を第１の支持基板１０上に設けておくことが好ましい。
【００２６】
（２）次に、第１の支持基板１０および樹脂成形体２２ｃの表面を洗浄する。第１の支持基板１０および樹脂成形体２２ｃの表面の洗浄は、ドライ洗浄でもよいし、ウエット洗浄でもよいが、ドライ洗浄がより好ましい。ドライ洗浄にすることによって、剥離等の樹脂成形体２２ｃに与えるダメージを防止することができる。
【００２７】
ドライ洗浄は、図６に示すように、真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）１８を用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間、真空紫外線２０を照射して行うことができる。第１の支持基板１０を洗浄することによって、第１の支持基板１０の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。また、第１の支持基板１０および樹脂成形体２２ｃの表面を撥水性から親水性に変化させることができる。また、第１の支持基板１０の液中表面電位が負電位であれば、第１の支持基板１０の洗浄により均一な負電位面を形成することができる。
【００２８】
ウエット洗浄は、例えば、第１の支持基板１０をオゾン水（オゾン濃度１０ｐｐｍ〜２０ｐｐｍ）に室温状態で５分〜３０分程度浸漬することで行うことができる。
【００２９】
（３）次に、界面活性剤またはシラン系カップリング剤を含む剥離層２４を樹脂成形体２２ｃ上に形成する。
【００３０】
まず、図７に示すように、界面活性剤またはシラン系カップリング剤を溶解した触媒吸着溶液１４に第１の支持基板１０を浸漬する。第１の支持基板１０の表面の液中表面電位が負電位の場合には、カチオン系界面活性剤を適用することが好ましい。カチオン系界面活性剤は、他の界面活性剤に比べて第１の支持基板１０に吸着しやすいからである。
【００３１】
カチオン系界面活性剤としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤や、アルキルアンモニウム系の界面活性剤（例えば、セチルトリメチルアンモニウムクロリド、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチルジメチルアンモニウムブロマイド等）などを用いることができる。触媒吸着溶液１４に含まれるシラン系カップリング剤としては、たとえばヘキサメチルジシラザンを用いることができる。浸漬時間は、例えば、１分〜１５分程度とすることができる。
【００３２】
次いで、触媒吸着溶液１４から第１の支持基板１０を取り出し、超純水で洗浄する。その後、第１の支持基板１０を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に１０分〜１時間程度放置して乾燥させる。以上の工程により、図８に示すように、剥離層２４を第１の支持基板１０に設けることができる。また、剥離層２４として、ダイヤモンドライクカーボンを用いてもよい。このとき、界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を適用した場合には、第１の支持基板１０の液中表面電位は吸着前よりも正電位側にシフトしている。
【００３３】
また、第１の支持基板１０を触媒吸着溶液１４に浸漬することによって、樹脂成形体２２ｃは、一部除去されて、たとえば図８に示すような形状になる。具体的には、樹脂成形体２２ｃは、触媒吸着溶液１４に接触する外側の部分が削られるように一部除去される。これは、触媒吸着溶液１４がアルカリ性溶液である場合、具体的にはｐＨ１１〜ｐＨ１２を示す場合に、樹脂成形体２２ｃの一部が溶解し、一部除去されることができる。このようにして、樹脂成形体２２ｃの大きさをかえることができる。従って、第１の支持基板１０の触媒吸着溶液１４への浸漬時間やｐＨを調整することによって、樹脂成形体２２ｃの大きさを制御することができる。
【００３４】
（４）次に、触媒層３１を第１の支持基板１０上に形成する。まず、図９に示すように、触媒溶液３０に第１の支持基板１０を浸漬する。触媒溶液３０は、無電解めっきの触媒として機能する触媒成分を含む。触媒成分としては、たとえばパラジウムを用いることができる。
【００３５】
たとえば、以下の手順により触媒溶液３０を作製することができる。
（４ａ）純度９９．９９％のパラジウムペレットを塩酸と過酸化水素水と水との混合溶液に溶解させ、パラジウム濃度が０．１〜０．５ｇ／ｌの塩化パラジウム溶液とする。
（４ｂ）上述した塩化パラジウム溶液をさらに水と過酸化水素水で希釈することによりパラジウム濃度を０．０１〜０．０５ｇ／ｌとする。
（４ｃ）水酸化ナトリウム水溶液等を用いて、塩化パラジウム溶液のｐＨを４．５〜６．８に調整する。
【００３６】
触媒溶液３０に浸漬した後、第１の支持基板１０を水洗してもよい。水洗は、純水によって行われることができる。この水洗によって、触媒の残渣が後述する無電解めっき液に混入するのを防止することができる。
【００３７】
以上の工程により、触媒層３１が形成される。触媒層３１は、図１０に示すように、第１の支持基板１０および樹脂成形体２２上の剥離層２４の上面に形成される。
【００３８】
（５）次に、基板上に金属層３３を形成する。金属層３３は、触媒層３１が形成されている領域に形成される。具体的には、図１１に示すように、金属を含む無電解めっき液３６に第１の支持基板１０を浸漬させることによって、金属層３３を析出させることができる。ここで無電解めっき液３６は、第１の支持基板１０上にめっき粒子として析出する際、めっき粒子の平均粒径が２０ｎｍ〜５０ｎｍになるように調整されることが好ましい。このような無電解めっき液３６は、ｐＨ、温度、調整時間等をかえることにより調整することができる。また無電解めっき液３６への第１の支持基板１０の浸漬時間が一定時間以上になると、めっき粒子の平均粒径が５０ｎｍより大きくなってしまうため、浸漬時間は、一定時間以内であることが好ましい。
【００３９】
金属は、たとえばニッケルであることができる。無電解めっき液３６としては、酸性で使用するタイプとアルカリ性で使用するタイプがあるが、無電解めっき液３６の一例としては酸性で使用するタイプのものを適用する。無電解めっき液３６は、上述した金属と、還元剤および錯化剤等を含む。具体的には、無電解めっき液３６としては、硫酸ニッケル６水和物または塩化ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることができる。例えば、硫酸ニッケル６水和物を含む無電解めっき液（温度７０〜８０℃）に第１の支持基板１０を１０秒〜１０分程度浸漬することによって、２０ｎｍ〜１００ｎｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。
【００４０】
こうして、図１２に示すように、第１の支持基板１０上の触媒層３１の上面に金属層３３を形成することができる。
【００４１】
無電解めっき液に浸漬した後、第１の支持基板１０を水洗してもよい。水洗は、純水によって行われてもよいし、水蒸気によって行われてもよいし、純水及び水蒸気の双方を用いて行われてもよい。また、水洗後、第１の支持基板１０に熱処理を施すことによって乾燥してもよい。これによって金属層３３の第１の支持基板１０に対する密着性を向上させることができる。以上の工程により、図１２に示すように、めっき基板１００を形成することができる。
【００４２】
ここで転写基板１００について説明する。転写基板１００の金属層３３は、樹脂成形体２２の上方および側面に形成されている。樹脂成形体２２は、金属層３３の芯として機能することができる。金属層３３は、樹脂成形体２２の隙間、即ち所定のパターン以外の領域にも形成されていてもよい。上述した転写基板１００の製造工程では、樹脂成形体２２の上方の金属層３３の膜厚を、所定のパターン以外の領域の金属層３３の膜厚より大きくすることができる。具体的には以下のように想定される。
【００４３】
転写基板１００の製造工程では、無電解めっき液３６に第１の支持基板１０を浸漬することによって、金属層３３を析出させている。金属層３３は、無電解めっき反応によって形成される。無電解めっき反応は、無電解めっき液中の還元剤と金属イオンとの還元反応であり、金属イオンが還元剤から電子を受け取ることによりめっき粒子が析出する反応である。この反応は、触媒層３１に含まれる触媒によって促進されるため、主に触媒層３１の近傍で進行する。無電解めっき液中では、複数の金属イオンが集合体となって存在しているため、複数の金属原子の集合体であるめっき粒子が還元反応によって析出する。なお、複数の金属イオンの集合体の大きさは、無電解めっき液のｐＨ、温度、時間等によって制御することができる。
【００４４】
本実施の形態では、無電解めっき液３６中のめっき粒子が樹脂成形体２２の間に入り込むことによって、樹脂成形体２２の隙間、即ち所定のパターン以外の領域にも金属層３３を析出させることができる。樹脂成形体２２の上方に存在する無電解めっき液３６は、樹脂成形体２２の間に入り込んだ無電解めっき液３６にくらべて、流動性に富んでいる。よって、樹脂成形体２２の上方付近における無電解めっき液３６は、金属イオンが析出に使用されたとしても、流動性に富んでいるため、金属イオンの濃度がほぼ一定の状態でいることができる。これに対し、樹脂成形体２２の間における無電解めっき液３６は、金属層３３として金属イオンが析出した後に一時的に金属イオンの濃度が低い状態になるため、金属層３３の析出速度が低くなる。したがって、本実施の形態にかかる転写基板１００の製造方法によれば、樹脂成形体２２の上方の金属層３３の膜厚を、所定のパターン以外の領域の金属層３３の膜厚より大きくすることができる。
【００４５】
（６）次に、転写基板１００の上面にゾルゲル溶液１１４ａを塗布する。塗布方法としては、たとえばスピンコート法を適用することができる。ゾルゲル溶液１１４ａとしては、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、トリメトキシシラン（ＴＭＳ）、チタンイソプロポキシド等を含む金属アルコキシドを用いることができる。
【００４６】
（７）次に、熱処理を施すことによりゾルゲル溶液１１４ａ中の溶媒を除去することにより、無機基板を得ることができる。ここでは、ＴＥＯＳを含むゾルゲル溶液１１４ａを加熱することによりガラス基板１１４（無機基板）を得る工程について具体的に説明する。熱処理は２段階に分けて行われる。まず、ゾルゲル溶液１１４ａを１５０℃に加熱する（図１３参照）。
【００４７】
（８）次に、４００℃以上に加熱することにより、剥離層２４を分解するとともに、ゾルゲル溶液の焼成を行いガラス基板１１４を得ることができる。このときにガラス基板１１４には、金属層３３と、触媒層３１と、剥離層２４と、樹脂成形体２２とが埋め込まれている。
【００４８】
このようにして剥離層２４を分解することにより、図１４に示すように、金属層３３を第１の支持基板１０から剥離することができる。このとき、樹脂成形体２２についても金属層３３から剥離することができる。このようにして、所定のパターンの金属層３３をガラス基板１１４の上面に有する第１の素子基板２００を形成することができる。
【００４９】
ここで、第１の素子基板２００について説明する。第１の素子基板２００は、ガラス基板１１４と、金属層３３とを含む。金属層３３は、上述した触媒層３１を含有する。ガラス基板１１４は、複数の孔部２０２を有する。孔部２０２の平面形状は、線状、より具体的にはストライプ状であることができ、孔部２０２のサイズは、たとえば幅４０ｎｍ〜１．０μｍであり、深さ２０ｎｍ〜３００ｎｍであることができる。孔部２０２の内部には、金属層３３が埋め込まれている。金属層３３の上面には、さらに凹部２０４が形成されている。凹部２０４は、図１５に示すように、上述した孔部２０２の上部に形成されており、孔部２０２より幅および深さともに小さい。また金属層３３は、孔部２０２が形成されていない領域に形成されていてもよい。孔部２０２の非形成領域の金属層３３の膜厚は、孔部２０２の形成領域の金属層３３の膜厚より小さい。
【００５０】
（９）次に、第１の素子基板２００の上面を研磨することにより、金属層３３の一部を除去してもよい。ここで金属層３３の一部とは、金属層３３の上部であり、たとえば孔部２０２の外側に形成されている金属層３３である。研磨は、たとえばＣＭＰ（化学的機械的研磨）により行われることができる。このように、第１の素子基板２００の上面を研磨することにより、金属層３４が、隣り合う金属層３４と断線させることができる。
【００５１】
以上の工程により、第２の素子基板３００を形成することができる（図１６参照）。第２の素子基板３００は、ガラス基板１１４と、金属層３４とを含む。金属層３４は、隣り合う金属層３４と断線している点で、上述した金属層３３と異なる。即ち、金属層３４は、孔部２０２の内部のみに形成され、埋め込まれている状態になっているため、第２の素子基板３００が撓んだときに、隣り合う金属層３４同士が接触するのを防止することができる。
【００５２】
金属層３４は、所定のパターンを有する。所定のパターンは、たとえば１次元または２次元の周期的なパターンであることができる。第２の素子基板３００は、光透過性のガラス基板上に所定のパターンを有することにより、偏光板等の光学素子基板として機能することができる。たとえば、第２の素子基板３００は、一定の間隔と一定の幅の直線状の金属層が繰り返し設けられている１次元の周期的なパターン（ストライプ形状）であることができる。周期方向における幅が可視光の波長以下であり、かつガラス基板１１４が光を透過する透過性基板からなる場合には、第２の素子基板３００は、偏光板として機能することができる。
【００５３】
また上述した製造方法により形成された素子基板では、孔部２０２の幅ａが４０ｎｍ〜１μｍであり、深さｂが２０ｎｍ〜３００ｎｍであることができる。即ち、この孔部２０２に埋め込まれている金属層３４の幅が４０ｎｍ〜１μｍであり、深さｂが２０ｎｍ〜３００ｎｍであることができる。また金属層３４の上面には、さらに凹部２０４が形成されている。凹部２０４は、図１６に示すように、上述した孔部２０２の上部に形成されており、孔部２０２より幅および深さともに小さい。
【００５４】
２．電子デバイス
図１７は、本実施の形態にかかる素子基板の製造方法によって製造される第２の素子基板３００を適用した電子デバイスの一例を示す。ガラス基板１１４は絶縁性基板であるため、第２の素子基板３００は、配線基板として機能することができる。電子デバイス１０００は、配線基板としての第２の素子基板３００と、集積回路チップ９０と、他の基板９２とを含む。
【００５５】
第２の素子基板３００に形成された配線パターンは、電子部品同士を電気的に接続するためのものであってもよい。第２の素子基板３００は、上述した製造方法によって製造される。図１７に示す例では、第２の素子基板３００には、集積回路チップ９０が電気的に接続され、第２の素子基板３００の一方の端部は、他の基板９２（例えば表示パネル）に電気的に接続されている。電子デバイス１０００は、液晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置、ＥＬ（Electro luminescence）ディスプレイ装置などの表示装置であってもよい。
【００５６】
また、光学素子基板としての第２の素子基板３００は、液晶ディスプレイ装置、プロジェクター装置等の偏光板として機能してもよい。
【００５７】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００５８】
たとえば、上述した工程（３）では、触媒吸着溶液１４に第１の支持基板１０を浸漬することによって、樹脂成形体２２ｃの形状をかえて樹脂成形体２２を形成しているが、これにかえて、工程（３）の前に、即ち触媒吸着溶液１４に第１の支持基板１０を浸漬する前に、別途アルカリ性溶液に第１の支持基板１０を浸漬してもよい。これにより、予め所望の形状の樹脂成形体２２を形成したあとに、剥離層２４を形成することができるため、より精度良く微細パターンを形成することができる。
【００５９】
また、上述した工程（５）では、樹脂成形体２２の上方に金属層３３を形成しているが、これにかえて、樹脂成形体２２の非形成領域に金属層３３を形成してもよい。具体的には、樹脂成形体２２ｃを形成した後に、上述した方法により剥離層２４および触媒層３１を設け、樹脂成形体２２ｃを除去する。これにより、樹脂成形体２２ｃの非形成領域にのみ触媒層３１が形成されている状態になる。次いで無電解めっき液に第１の支持基板１０を浸漬する。以上の工程により金属層３３を触媒層３１の上面（樹脂成形体２２の非形成領域）に形成することができる。その後の工程については上述したとおりであるので説明を省略する。
【００６０】
また本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図２】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図３】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図４】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図５】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図６】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図７】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図８】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図９】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図１０】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図１１】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図１２】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図１３】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図１４】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図１５】本実施の形態にかかる素子基板の製造方法を示す図。
【図１６】本実施の形態にかかる素子基板を示す断面図。
【図１７】本実施の形態にかかる素子基板を適用した電子デバイスの一例を示す図。
【符号の説明】
【００６２】
１０  第１の支持基板、１２  ナノスタンパ、１４  触媒吸着溶液、１８  光源、２０  光、２２、２２ｂ、２２ｃ  樹脂成形体、２２ａ  樹脂材料、２４  剥離層、２６  剥離層、３０  触媒溶液、３１  触媒層、３３、３４  金属層、３６  無電解めっき液、９０  集積回路チップ、９２  他の基板、１００  転写基板、１１４ａ  ゾルゲル溶液、１１４  ガラス基板、２００  第１の素子基板、３００  第２の素子基板、１０００  電子デバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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