(57)【要約】【課題】電気光学装置の完成後の測定を可能として測定の結果の有効性を向上させる。【解決手段】第１モードにおいて入出力端子Ｔ２から供給される測定信号Ｆは、データ線１４（Ｇ）を介して駆動トランジスタＮＨ１のゲートに供給され、入出力端子Ｔ４から供給される測定信号Ｆは、データ線１４（Ｇ）に隣接するデータ線１４（Ｂ）を介して駆動トランジスタＮＨ１のソースに供給される。一方、駆動トランジスタＮＨ１のソース電圧が被測定信号として電位線１７（Ｇ）を介して出力される。【選択図】図９
2008165159.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学素子を各々が含む複数の画素が各データ線に接続された電気光学装置であって、
前記各電気光学素子の階調を指定する階調データに応じたデータ信号を生成して前記データ線に出力する信号生成部と、
閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子を選択する測定対象選択部と、
測定信号の出力によって前記電気光学素子を駆動するとともに前記測定信号による駆動時の当該電気光学素子の特性を示す被測定信号を取得する測定処理を、前記複数の電気光学素子のうち前記測定対象選択部が選択した電気光学素子に対して実行する測定部と
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記各電気光学素子について測定処理を実行したか否かを示す測定履歴データを記憶する記憶部を具備し、
前記測定部は、階調データの指定する階調が閾値を上回る電気光学素子が所定個を越える場合に、前記記憶部に記憶された測定履歴データに基づいて、未だ測定処理が実行されていない電気光学素子について測定処理を実行する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記測定部は、前記閾値を上回る第１階調が階調データによって指定された場合に、前記第１階調を上回る第２階調が階調データによって指定された場合と比較して、測定処理時の電気光学素子が低階調となるように、測定信号を生成する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記信号生成部は、前記測定対象選択部が選択する電気光学素子をデータ信号の供給によって駆動するときの階調が非選択時と比較して低階調となるように、データ信号を補正する
請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記閾値を可変に制御する閾値設定部
を具備する請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記複数の画素が出力する画像の明度を特定する明度特定部を具備し、
前記閾値設定部は、前記明度特定部が特定した明度に応じて前記閾値を制御する
請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
電気光学装置の環境照度を測定する照度測定部を具備し、
前記閾値設定部は、前記照度測定部が測定した環境照度に応じて前記閾値を制御する
請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記各データ線に対応して設けられた複数の入出力端子と、
駆動モードにおいて、前記信号生成部が生成したデータ信号を、前記入出力端子を介して前記データ線に供給し、測定モードにおいて、前記測定対象選択部が選択した画素に対応するデータ線及び当該データ線に隣接するデータ線に対応した前記入出力端子を介して、前記測定信号及び前記被測定信号の入出力を行う入出力部とを具備し、
前記画素は、前記駆動モードにおいて、前記データ線を介して供給されるデータ信号を取り込み、前記測定モードにおいて、前記データ線及び当該データ線に隣接するデータ線を介して前記測定信号を取り込むとともに前記被測定信号を出力する選択部とを含む
ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載した電気光学装置を備えた電子機器。
【請求項１０】
複数の電気光学素子を備えた電気光学装置の駆動方法であって、
前記各電気光学素子の階調を指定する階調データに応じたデータ信号の出力によって前記各電気光学素子を駆動する一方、
閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子を選択し、
測定信号の出力によって前記電気光学素子を駆動するとともに前記測定信号による駆動時の当該電気光学素子の特性を示す被測定信号を取得する測定処理を、前記複数の電気光学素子のうち前記選択した電気光学素子に対して実行する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１１】
前記各電気光学素子について測定処理を実行したか否かを示す測定履歴データを記憶部に記憶し、
階調データの指定する階調が閾値を上回る電気光学素子が所定個を越える場合に、前記記憶部に記憶された測定履歴データに基づいて、未だ測定処理が実行されていない電気光学素子について測定処理を実行する
ことを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項１２】
前記測定処理においては、前記閾値を上回る第１階調が階調データによって指定された場合に、前記第１階調を上回る第２階調が階調データによって指定された場合と比較して、測定処理時の電気光学素子が低階調となるように、測定信号を生成する
ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項１３】
前記測定対象選択部が選択する電気光学素子をデータ信号の供給によって駆動したときの階調が非選択時と比較して低階調となるように、データ信号を補正する
ことを特徴とする請求項１０乃至１２の何れか１項に記載の電気光学装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）素子などの電気光学素子を備えた電気光学装置、この種の電気光学装置を駆動する方法及び電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置は、複数の走査線と複数のデータ線との各交差に対応して基板上に配列された複数の画素を有し、各データ線に供給されるデータ信号に応じて画素の階調が制御される。画素には、各種の回路が考えられるが、電気光学素子としてのＯＬＥＤ素子とこれに駆動電流を供給するトランジスタを備えるものが知られている。このような画素においてトランジスタの特性（例えば、閾値電圧）やＯＬＥＤ素子の特性などのバラツキに起因して、各画素の輝度が不均一となる。
【０００３】
これを解消するため、特許文献１には、画素を構成するトランジスタの電気的特性を測定し、測定結果に応じた補正データとＯＬＥＤ素子の劣化を予測した劣化予測データを製品の出荷前に予め記憶しておき、補正データ及び劣化予測データを用いて補正する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１４５２５７号公報（段落番号００２４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された技術においては、製品の出荷前に補正データを記憶するため、エンドユーザに製品が渡った後に、トランジスタの電気的特性が変化してもこれを補正することができなかった。また、ＯＬＥＤ素子の劣化はあくまでも予測であるので、正確な補正は困難であった。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、電気光学装置の完成後の測定を可能として測定の結果の有効性を向上させることを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、電気光学素子を各々が含む複数の画素が各データ線に接続された電気光学装置であって、各電気光学素子の階調を指定する階調データに応じたデータ信号の出力によって前記各電気光学素子を駆動する信号生成部（例えば、実施形態のデータ線駆動回路２４）と、閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子を選択する測定対象選択部と、測定信号の出力によって前記電気光学素子を駆動するとともに前記測定信号による駆動時の当該電気光学素子の特性を示す被測定信号を取得する測定処理を、前記複数の電気光学素子のうち前記測定対象選択部が選択した電気光学素子に対して実行する測定部とを具備する。
【０００６】
以上の構成においては、信号生成部による電気光学素子の駆動に使用される階調データに基づいて電気光学素子の特性を測定する測定処理が実行される。すなわち、電気光学装置の完成後（出荷後）における使用に際して電気光学素子の特性を随時に測定することが可能である。また、閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子について選択的に測定処理が実行されるから、例えば測定処理に際して電気光学素子の階調が変動する（例えば発光する）場合であっても、信号生成部による駆動時の電気光学素子の階調と測定処理時の電気光学素子の階調との相違を低減することが可能である。
【０００７】
本発明の好適な態様において、前記各電気光学素子について測定処理を実行したか否かを示す測定履歴データを記憶する記憶部（例えば測定履歴メモリ５８）を具備し、前記測定部は、階調データの指定する階調が閾値を上回る電気光学素子が所定個を越える場合に、前記記憶部に記憶された測定履歴データに基づいて、未だ測定処理が実行されていない電気光学素子について測定処理を実行する。以上の態様によれば、測定処理が未だ実行されていない電気光学素子について優先的に測定処理が実行されるから、１回の測定処理の対象となる電気光学素子の個数を制限して測定処理の所要時間を短縮しながら、多くの電気光学素子について効率的に測定処理を実行することが可能となる。
【０００８】
さらに好適な態様において、前記測定部は、前記閾値を上回る第１階調が階調データによって指定された場合に、前記第１階調を上回る第２階調が階調データによって指定された場合と比較して、測定処理時の電気光学素子が低階調となるように、測定信号を生成する。以上の態様によれば、測定処理の対象となる電気光学素子において、信号生成部による駆動時の電気光学素子の階調と測定処理時の電気光学素子の階調との相違が一層低減される。
【０００９】
さらに好適な態様において、前記信号生成部は、前記測定対象選択部が選択する電気光学素子をデータ信号の供給によって駆動するときの階調が非選択時と比較して低階調となるように、データ信号を補正する。例えば、信号生成部による駆動時の電気光学素子の発光量が、階調データに応じた発光量から測定処理における発光量を減少させた発光量となるように、測定処理の有無に応じてデータ信号が生成される。以上の態様によれば、測定処理の対象として選択された電気光学素子の階調と非選択の電気光学素子の階調とが均一化されるから、測定処理の影響がさらに低減されるという利点がある。なお、測定処理時の電気光学素子の階調の影響は信号生成部による駆動時の電気光学素子の階調が低いほど顕著となる。したがって、階調データによって指定された階調が低い場合に限って、信号生成部による駆動時の階調が低下するようにデータ信号を補正してもよい。
【００１０】
本発明の好適な態様に係る電気光学装置は、閾値を可変に制御する閾値設定部を具備する。本態様によれば、測定対象選択部の選択する電気光学素子の個数を、閾値設定部が設定する閾値に応じて調整することが可能である。したがって、電気光学装置の使用される状況に応じて閾値を制御することで、駆動時と測定処理時とにおける電気光学素子の階調の相違が観察者に知覚されにくい状態を維持しながら、測定処理の対象となる電気光学素子の個数を効率的に確保することができる。
さらに具体的な態様においては、前記複数の画素が出力する画像の明度を特定する明度特定部が設けられ、前記閾値設定部は、前記明度特定部が特定した明度に応じて前記閾値を制御する。例えば、閾値設定部は、明度特定部が特定した明度が高いほど閾値を低下させる（すなわち測定処理の対象となる電気光学素子の個数を増加させる）。別の態様においては、電気光学装置の環境照度を測定する照度測定部が設けられ、前記閾値設定部は、前記照度測定部が測定した環境照度に応じて前記閾値を制御する。例えば、閾値設定部は、照度測定部が測定した環境照度が高いほど閾値を低下させる（すなわち測定処理の対象となる電気光学素子の個数を増加させる）。
【００１１】
本発明の好適な態様に係る電気光学装置（以下「配線兼用型の電気光学装置」という場合がある）は、前記電気光学素子を各々が含む複数の画素が複数のデータ線の各々に接続された電気光学装置であって、前記複数のデータ線の各々に対応して設けられた複数の入出力端子と、駆動モードにおいて、前記信号生成部が生成したデータ信号を、前記入出力端子を介して前記データ線に供給し、測定モードにおいて、前記測定対象選択部が選択した画素に対応するデータ線及び当該データ線に隣接するデータ線に対応した前記入出力端子を介して、電気光学素子を含む当該画素の構成要素（例えば、実施形態の駆動トランジスタＮＨ１）の特性を測定するための前記測定信号及び前記被測定信号の入出力を行う入出力部（例えば、実施形態のトランジスタＴｒ）とを具備し、前記画素は、前記駆動モードにおいて、前記データ線を介して供給されるデータ信号を取り込み、前記測定モードにおいて、前記データ線及び当該データ線に隣接するデータ線を介して前記測定信号を取り込むとともに前記被測定信号を出力する選択部（例えば、実施形態のトランジスタＮ２〜Ｎ４、ＮＴ１、ＮＴ２）とを含む。
以上の態様に係る電気光学装置によれば、測定の対象となる画素に対応するデータ線の他、隣接する画素のデータ線を用いて測定信号と被測定信号とを伝送する。すなわち、隣接するデータ線を測定に兼用するので、測定用に特別の配線を設ける必要がなくなるか、あるいは、測定用の配線の数を減らすことができる。さらに、測定信号及び被測定信号を、駆動モードにおいてデータ信号を入力するための入出力端子を介して、入出力するので新たに入出力端子を設ける必要がない。
【００１２】
以上に例示した配線兼用型の電気光学装置において、前記複数のデータ線の各々と対になる複数の電位線と、基準電位が供給される基準電位線と、前記駆動モードにおいて、前記複数のデータ線と前記複数の入出力端子とを接続すると共に、前記基準電位線と前記複数の電位線とを接続し、前記測定モードにおいて、前記複数のデータ線及び前記複数の電位線と前記複数の入出力端子とを選択的に接続する信号切替部とを備え、前記入出力部は、前記信号切替部によって、前記測定モードにおいて測定の対象となる画素に対応するデータ線及び電位線、並びに当該データ線に隣接するデータ線及び当該電位線に隣接する電位線と接続された前記入出力端子を介して、前記測定信号及び前記被測定信号を入出力することが好ましい。この発明によれば、データ線と電位線の組とこれに隣接するデータ線と電位線の組みを用いて測定信号及び被測定信号を伝送することができるので、伝送する信号の数を増やすことができ、構成要素の特性を詳細に得ることが可能となる。
【００１３】
より具体的には、前記測定モードでは、Ｎ（Ｎは２以上の自然数）個の画素おきに前記構成要素の特性を測定し、測定の対象となる画素をずらして測定をＮ回繰り返し、前記入出力部は、測定の対象となる画素の変更に伴って前記測定信号及び前記被測定信号を入出力する前記入出力端子を変更することが好ましい。入出力端子の数は限られているので、測定信号及び被測定信号の数が多いと、測定用に入出力端子を増設することも考えられるが、この発明によれば、Ｎ回に分けて特性を測定するので、入出力端子を増設することなく構成要素の特性を測定することができる。なお、Ｎ回の測定のうち１回の測定で複数の画素の特性を測定してもよいことは勿論である。例えば、画素が複数の表示色に対応している場合、表示色ごとに測定を実行してもよい。この場合には、同一の表示色の画素については、同時に測定が実行される。したがって、１つの画素ごとに測定する場合と比較して測定時間を短縮することができる。
【００１４】
ここで、前記画素は、前記データ信号に応じた駆動電流を出力するトランジスタと、前記駆動電流に応じた輝度で発光する電気光学素子とを備え、測定の対象となる構成要素は前記トランジスタであり、前記測定信号は前記トランジスタのゲート電位を与え、前記被測定信号は前記トランジスタのソース電位及びドレイン電位の少なくとも一方であることが好ましい。この場合には、駆動トランジスタの電気的特性を測定することができる。
【００１５】
また、前記画素は、前記データ信号に応じた駆動電流を出力するトランジスタと、前記駆動電流に応じた輝度で発光する電気光学素子とを備え、測定の対象となる構成要素は前記電気光学素子であり、前記測定信号は前記電気光学素子に印加する電圧であり、前記被測定信号は前記電気光学素子に流れる電流であってもよい。この場合には電気光学素子の特性を測定することができる。
【００１６】
配線兼用型の電気光学装置において、前記測定モードで得られた前記被測定信号に基づいて前記画素間の輝度が均一に近づくように生成した補正データを記憶する記憶部と、前記記憶部から読み出した前記補正データを用いて前記画素の階調を示す階調データを補正して補正済階調データを生成する補正部とを備え、前記信号生成部は、前記補正済階調データに基づいて前記データ信号を生成することが好ましい。この発明によれば、測定結果に基づいて生成された補正データに基づいて階調データに補正を施すので、画素間の輝度のばらつきを低減することができる。
【００１７】
ここで、前記補正データは、前記トランジスタの閾値電圧に対応する第１の係数と前記トランジスタの電流増幅率に対応する第２の係数を示すものであり、前記補正部は、前記第１の係数に基づいて前記階調データに加算処理を行うと共に前記第２の係数に基づいて前記階調データに乗算処理を行って前記補正済階調データを生成することが好ましい。この発明によれば、加算と乗算によって補正を実行する。なお、加算処理は、正の値を加算する場合だけでなく、負の値を加算する場合を含むことは勿論である。この意味において、加算処理は減算処理としても実質的に機能する。
【００１８】
また、配線兼用型の電気光学装置は、前記駆動モードと前記測定モードを指定し、前記駆動モードを垂直走査期間の一部の期間に割り当て、前記測定モードを前記垂直走査期間のうち残りの期間に割り当てる制御部を備えることが好ましい。この発明によれば、画像を表示している期間中に画素の構成要素の状態を測定して補正を行うので、正確な輝度で画像を表示することが可能となる。電源投入した直後と、一定時間が経過した後では、画素の温度が相違するが、この発明によれば、短期的な温度変化に追随して補正を行うことができ、さらに、長期的な経時変化に追随した補正を行うこともできる。
【００１９】
次に、本発明に係る電子機器は、上述した電気光学装置を備えるものであって、例えば、発光装置や液晶装置などの表示装置、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラなどが該当する。このほかにも例えば光書込み型の画像形成装置（例えばプリンタ）におけるラインヘッドとしても使用され得る。
【００２０】
次に、本発明に係る電気光学装置の駆動方法は、複数の電気光学素子を備えた電気光学装置の駆動方法であって、前記各電気光学素子の階調を指定する階調データに応じたデータ信号の出力によって前記各電気光学素子を駆動する一方、閾値を上回る階調が階調データによって指定された電気光学素子を選択し、測定信号の出力によって前記電気光学素子を駆動するとともに前記測定信号による駆動時の当該電気光学素子の特性を示す被測定信号を取得する測定処理を、前記複数の電気光学素子のうち前記選択した電気光学素子に対して実行する。以上の方法によっても、本発明に係る電気光学装置と同様の作用及び効果が奏される。
【００２１】
また、前記電気光学素子を各々が含む複数の画素が各データ線に接続され、前記各データ線に対応して設けられた複数の入出力端子を具備する電気光学装置（配線兼用型の電気光学装置）を駆動する方法においては、駆動モードにおいて、データ信号を、前記入出力端子を介して前記データ線に供給し、測定モードにおいて、選択した画素に対応するデータ線及び当該データ線に隣接するデータ線に対応した前記入出力端子を介して、前記測定信号及び前記被測定信号を入出力し、前記駆動モードにおいて、前記データ線を介して供給されるデータ信号を前記画素に取り込み、前記測定モードにおいて、前記データ線及び当該データ線に隣接するデータ線を介して前記測定信号を前記画素に取り込むとともに前記被測定信号を出力することを特徴とする。
【００２２】
配線兼用型の電気光学装置の駆動方法において、前記電気光学装置は、前記複数のデータ線の各々と対になる複数の電位線と、基準電位が供給される基準電位線とを備え、前記駆動モードにおいて、前記複数のデータ線と前記複数の入出力端子とを接続すると共に、前記基準電位線と前記複数の電位線とを接続し、前記測定モードにおいて、前記複数のデータ線及び前記複数の電位線と前記複数の入出力端子とを選択的に接続し、測定の対象となる画素に対応するデータ線及び電位線、並びに当該データ線に隣接するデータ線及び当該電位線に隣接する電位線と接続された前記入出力端子を介して、前記測定信号及び前記被測定信号を入出力することが好ましい。この発明によれば、データ線と電位線の組とこれに隣接するデータ線と電位線の組みを用いて測定信号及び被測定信号を伝送することができるので、伝送する信号の数を増やすことができ、構成要素の特性を詳細に得ることが可能となる。
【００２３】
ここで、前記測定モードで得られた前記被測定信号に基づいて前記画素間の輝度が均一に近づくように生成した補正データを記憶し、記憶した前記補正データを用いて前記画素の階調を示す階調データを補正して補正済階調データを生成し、前記補正済階調データに基づいて前記データ信号を生成することが好ましい。この発明によれば、構成要素の特性を測定し、その測定結果に基づいて補正を行うので、画素間の輝度の相違を低減することができる。
【００２４】
上述した発明において電気光学素子は、電気的エネルギーによって光学特性が変化する素子であり、例えば、有機発光ダイオードや無機発光ダイオードなどの発光素子の他、液晶素子が含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置１の構成を示すブロック図である。電気光学装置１は、画像を表示する駆動モードと画素回路Ｐの構成要素たる駆動トランジスタＮＨ１及びＯＬＥＤ素子１１（図２参照）の電気的特性を測定する測定モードとで動作する。図１に示されるように、電気光学装置１は、電気光学パネル１０、走査線駆動回路２２、データ線駆動回路２４、電圧生成回路２７、制御回路２９、補正回路３０、メモリ４０、及び測定制御回路５０を備える。
【００２６】
電気光学パネル１０の画素領域Ａには、Ｘ方向（行方向）に延在するｍ（ｍは自然数）本の走査線１２が形成される。なお、図１では省略されているが、走査線１２と平行に５本の制御線が形成されている。また、画素領域Ａには、Ｘ方向と直交するＹ方向（列方向）に延在するｎ本のデータ線１４とデータ線１４と対になる電位線１７とが形成される（ｎは自然数）。そして、走査線１２とデータ線１４との各交差に対応して画素回路Ｐが配置される。したがって、これらの画素回路Ｐは、画素領域Ａ内においてＸ方向及びＹ方向にわたってマトリクス状に配列する。各画素回路Ｐは電流駆動型の自発光素子たるＯＬＥＤ素子１１を含む。なお、図に示す「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」は、各画素回路Ｐの表示色を表している。この場合、ＯＬＥＤ素子１１の発光色が「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」に対応していてもよいし、ＯＬＥＤ素子１１の発光色が白色で色フィルタによって表示色を得てもよい。
【００２７】
また、電気光学パネル１０の端部には、ｎ本のデータ線１４に各々対応するｎ個の入出力端子Ｔ１〜Ｔｎが設けられている。さらに、複数の入出力端子Ｔ１〜Ｔｎと複数のデータ線１４及び複数の電位線１７との間には切替回路２５が形成されている。切替回路２５は、Ｒ基準電位ＲＥＦ−Ｒ、Ｇ基準電位ＲＥＦ−Ｇ、及びＢ基準電位ＲＥＦ−Ｂを供給する基準電位線Ｌｒ、Ｌｂ、Ｌｇを有する。切替回路２５は、駆動モードにおいて、複数のデータ線１４と複数の入出力端子Ｔ１〜Ｔｎとを接続すると共に基準電位線Ｌｒ、Ｌｂ、Ｌｇと複数の電位線１７とを接続し、測定モードにおいて、複数のデータ線１４及び複数の電位線１７と複数の入出力端子Ｔ１〜Ｔｎとを選択的に接続する。
【００２８】
走査線駆動回路２２及びデータ線駆動回路２４はＩＣチップであり、電気光学パネル１０の外部（例えば電気光学パネル１０に実装された配線基板上）に実装されている。なお、ＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって走査線駆動回路２２及びデータ線駆動回路２４の少なくとも一方を電気光学パネル１０に実装してもよい。走査線駆動回路２２は、駆動モードにおいて、ｍ本の走査線１２の各々を順次に選択する。より具体的には、走査線駆動回路２２は、水平走査期間ごとに順番にアクティブレベル（Ｈレベル）となる走査信号ＥＷ−１、ＥＷ−２、…、ＥＷ−ｍを各走査線１２に対して出力する。走査信号ＥＷ−ｉ（ｉは１≦ｉ≦ｍを満たす整数）がアクティブレベルになると第ｉ行が選択されたことを意味する。また、走査線駆動回路２２は、測定モードにおいて、制御回路２９によって指定された１本の走査線１２を選択してアクティブレベルの走査信号ＥＷ−ｉを供給する。
【００２９】
一方、データ線駆動回路２４は、駆動モードにおいて、走査線駆動回路２２が選択した走査線１２に接続された各画素回路Ｐに対してデータ信号Ｄを供給する。データ信号Ｄｊ（ｊは１≦ｊ≦ｎを満たす整数）は第ｊ列目の画素回路Ｐの輝度（階調）を指定する電圧信号である。また、データ線駆動回路２４は、測定モードにおいて画素回路Ｐへ測定信号Ｆを供給すると共に、画素回路Ｐから測定結果を示す被測定信号Ｍを取得する。なお、走査線駆動回路２２やデータ線駆動回路２４は、ＩＣチップで構成するだけでなく、一部あるいはすべてをガラス基板内に形成することも可能である。
【００３０】
電圧生成回路２７は、電気光学装置１で用いられる以下の電圧を生成する。まず、電源電圧ＶＥ−Ｒ、ＶＥ−Ｇ、及びＶＥ−Ｂは、Ｒ色、Ｇ色、及びＢ色の画素回路Ｐに各々供給される電圧であって、制御回路２９から供給される制御信号によって、出力するか否かが制御される。駆動モードにおいては常時出力されるが、測定モードでは後述するように測定の対象となる画素回路Ｐを色別に制御し、対応する電源電圧のみを出力する。次に、電圧生成回路２７は、Ｒ基準電位ＲＥＦ−Ｒ、Ｇ基準電位ＲＥＦ−Ｇ、及びＢ基準電位ＲＥＦ−Ｂを出力する。Ｒ基準電位ＲＥＦ−Ｒ、Ｇ基準電位ＲＥＦ−Ｇ、及びＢ基準電位ＲＥＦ−Ｂは、駆動トランジスタのソース電位を規定する電圧である。
【００３１】
制御回路２９は、走査線駆動回路２２、データ線駆動回路２４、切替回路２５、電圧生成回路２７、及び測定制御回路５０に制御信号を供給して、これらの回路を制御する。また制御回路２９は、駆動モードと測定モードの切り替えを実行する。本実施形態においては、垂直帰線期間の一部又は全部に測定モードが割り当てられる。このように駆動モードにおける画素回路Ｐの駆動に際して測定モードを実行することで、時々刻々と変化する駆動トランジスタやＯＬＥＤ素子の状態に追随して補正を行うことが可能となり、表示品質を向上することができる。
【００３２】
各画素回路Ｐの階調を指定する階調データｄは測定制御回路５０及び補正回路３０に供給される。
測定制御回路５０は、測定モードにおいて、画素回路Ｐの構成要素の特性を測定するための処理（以下「測定処理」という）を実行する。測定処理は、測定信号Ｆをデータ線駆動回路２４を出力する処理と、被測定信号Ｍをデータ線駆動回路２４から取得する処理とを含む。測定制御回路５０が取得した被測定信号Ｍは補正回路３０に出力される。補正回路３０は、被測定信号Ｍに基づいて補正データＤｈを生成し、生成した補正データＤｈをメモリ４０に記憶する。一方、駆動モードにおいて、補正回路３０は、補正データＤｈをメモリ４０から読み出し、補正データＤｈに基づいて階調データｄを補正して得た補正済階調データｄｈをデータ線駆動回路２４に供給する。例えば、補正データＤｈは、駆動トランジスタの閾値電圧に対応する第１のデータＨ１と、駆動トランジスタの電流増幅率に対応する第２のデータＨ２を有する。補正回路３０は、リニアドライバで構成されており、以下に示す式に従って線形の演算を実行して補正済階調データｄｈを生成する。
Ｄｈ＝（Ｈ１,Ｈ２）
ｄｈ＝Ｈ１＋Ｈ２*Ｄｈ
【００３３】
第１のデータＨ１と第２のデータＨ２は、駆動トランジスタの電流−電圧特性を測定することによって得られ、画素間の輝度が均一に近づくように設定される。なお、この例のメモリ４０は揮発性であるが、不揮発性であってもよい。また、駆動電流と発光輝度の測定を製品の出荷時や、電源投入直後に実行し、そこで得られた補正データとリアルタイムで測定して得た補正データを組み合わせて階調データｄを補正してもよい。なお、補正回路３０及び測定制御回路５０は、各々が別個のＩＣチップとして配置されてもよいしひとつのＩＣチップに搭載されてもよい。
【００３４】
次に、図２を参照して画素回路Ｐの構成を説明する。同図においては、第ｉ行目に属するＲ色に対応する画素回路Ｐのみが図示されているが、その他の画素回路Ｐも同様の構成である。本実施形態における画素回路Ｐは、データ信号Ｄの電圧値に応じてＯＬＥＤ素子１１の輝度（階調）が制御される電圧駆動型（いわゆる電圧プログラミング方式）の回路であるが、電流駆動型（いわゆる電流プログラミング方式）を採用してもよい。
【００３５】
図２に示されるように、画素回路Ｐは、ＯＬＥＤ素子１１、容量素子ＣＨ１、ｐチャネル型のトランジスタＰ１、ｎチャネル型のトランジスタＮ１〜Ｎ４、ＮＴ１及びＮＴ２、並びに駆動トランジスタＮＨ１を備える。ＯＬＥＤ素子１１に流れ込む駆動電流は、駆動トランジスタＮＨ１のゲート・ソース間電圧によって定まる。駆動トランジスタＮＨ１のゲートとソースとの間には容量素子ＣＨ１が設けられている。容量素子ＣＨ１は、駆動モードの書込期間において書き込まれた電圧を保持する手段である。また、第１制御線Ｌ１を介して制御信号ＸＥＰ−ｉが、第２制御線Ｌ２を介して制御信号ＥＴＢ−ｉが、第３制御線Ｌ３を介して制御信号ＥＴＧ−ｉが、第４制御線Ｌ４を介して制御信号ＥＴＲ−ｉが、第５制御線Ｌ５を介して制御信号ＥＮ−ｉが、走査線駆動回路２２から供給される。
【００３６】
トランジスタＰ１のソースには電源電圧ＶＥＬ−Ｒが供給され、そのゲートには制御信号ＸＥＰ−ｉが供給され、そのドレインが駆動トランジスタＮＨ１のドレインと接続される。制御信号ＸＥＰ−ｉがローレベル（アクティブ）になると、トランジスタＰ１がオン状態となり、電源電圧ＶＥＬ−Ｒが駆動トランジスタＮＨ１に供給される。
【００３７】
駆動トランジスタＮＨ１のゲートとデータ線１４との間にはトランジスタＮ２が設けられている。トランジスタＮ２のゲートには走査線１２を介して走査信号ＥＷ−ｉが供給される。走査信号ＥＷ−ｉがハイレベルになると、データ線１４を介して供給されるデータ信号Ｄｊが容量素子ＣＨ１の一方の端子に印加される。また、駆動トランジスタＮＨ１のソースと電位線１７との間には、トランジスタＮ３及びＮ４が設けられている。トランジスタＮ４のゲートには電源電圧ＶＥＬ−Ｒが供給される。電源電圧ＶＥＬ−Ｒは駆動モードにおいて常時ハイレベルであるから、トランジスタＮ４は駆動モードにおいて常時オン状態となる。一方、トランジスタＮ３のゲートには走査信号ＥＷ−ｉが供給される。したがって、ｉ行目の走査線１２が選択されると、トランジスタＮ３がオン状態となり、Ｒ基準電位ＲＥＦ−Ｒが容量素子ＣＨ１の他方の端子に供給される。その後、走査信号ＥＷ−ｉがローレベルに変化しても容量素子ＣＨ１の端子間には表示すべき階調に応じた電圧が保持される。
【００３８】
駆動トランジスタＮＨ１のソースとＯＬＥＤ素子１１の陽極との間にはトランジスタＮ１が設けられており、そのゲートには制御信号ＥＮ−ｉが供給される。制御信号ＥＮ−ｉは、駆動モードの発光期間にハイレベルとなり、当該期間に駆動電流がＯＬＥＤ素子１１に供給される。
【００３９】
また、駆動トランジスタＮＨ１のソースと当該画素回路Ｐに隣接する画素回路Ｐのデータ線１４との間にはトランジスタＮＴ１が設けられており、ＯＬＥＤ素子１１の陽極と当該画素回路Ｐに隣接する画素回路Ｐの電位線１７との間にはトランジスタＮＴ２が設けられている。トランジスタＮＴ１及びＮＴ２のゲートは第４制御線Ｌ４と接続される。なお、Ｇ色の画素回路Ｐにあってはそれらのゲートが第３制御線Ｌ３に接続され、Ｂ色の画素回路Ｐにあってはそれらのゲートが第２制御線Ｌ２に接続される。
【００４０】
図３は、駆動モードにおける画素回路Ｐの動作を説明するためのタイミングチャートである。また、図４は、書込期間における画素回路Ｐの状態を示し、図５は、発光期間における画素回路Ｐの状態を示す。図３に示すように、走査信号ＥＷ−１、ＥＷ−２、…は、１水平走査期間１Ｈごとに順次ハイレベルとなる。各走査信号ＥＷがハイレベルとなる期間が書込期間Ｔｗｒｔである。図４に示すように、書込期間Ｔｗｒｔにおいて、制御信号ＸＥＰ−１はハイレベルとなるからトランジスタＰ１はオフ状態、走査信号ＥＷ-１はハイレベルとなるからトランジスタＮ２及びＮ３はオン状態、制御信号ＥＮ−１はローレベルとなるからトランジスタＮ１はオフ状態、制御信号ＥＴＲ−１はローレベルとなるからトランジスタＮＴ１及びＮＴ２はオフ状態、となる。この結果、駆動トランジスタＮＨ１のゲートにデータ信号Ｄ１が供給される一方、駆動トランジスタＮＨ１のソースにＲ基準電位ＲＥＦ−Ｒが供給され、容量素子ＣＨ１によって電位差が保持される。
【００４１】
また、図５に示すように、発光期間Ｔｅｌにおいて、制御信号ＸＥＰ−１はローレベルとなるからトランジスタＰ１はオン状態、走査信号ＥＷ-１はローレベルとなるからトランジスタＮ２及びＮ３はオフ状態、制御信号ＥＮ−１はハイレベルとなるからトランジスタＮ１はオン状態、制御信号ＥＴＲ−１はローレベルとなるからトランジスタＮＴ１及びＮＴ２はオフ状態となる。この結果、駆動トランジスタＮＨ１のゲート及びソースはデータ線１４及び電位線１７から分離される。このとき、トランジスタＰ１を介して電源電圧ＶＥＬ−Ｒが駆動トランジスタＮＨ１のドレインに印加され、駆動電流ＩｅｌがトランジスタＮ１を介してＯＬＥＤ素子１１に流れ込む。駆動電流Ｉｅｌの大きさは駆動トランジスタＮＨ１のゲート・ソース間電圧に応じて定まり、データ信号Ｄ１は補正済階調データｄｈに基づいて生成したものであり、Ｒ基準電位ＲＥＦ−Ｒは固定である。したがって、駆動電流Ｉｅｌは表示すべき階調に応じたものとなる。これにより、ＯＬＥＤ素子１１を所望の輝度で発光させることが可能となる。
【００４２】
次に、図６を参照して、測定制御回路５０の具体的な構成を説明する。同図に示すように、測定制御回路５０は、階調検出部５２、測定対象選択部５４、測定部５６及び測定履歴メモリ５８を含む。図６に図示された測定制御回路５０の各部は、ひとつのＩＣチップに搭載されてもよいし各々が別個のＩＣチップに搭載されてもよい。
【００４３】
階調検出部５２は、外部から順次に供給される階調データｄから画素回路Ｐごとの階調値ＧＲを検出する手段である。測定対象選択部５４は、階調検出部５２が検出した各画素回路Ｐの階調値ＧＲに基づいて、画素領域Ａに属する複数（ｍ×ｎ個）の画素回路Ｐのなかから測定処理の対象となる所定個の画素回路Ｐを選択する。本実施形態の測定対象選択部５４は、階調値ＧＲが閾値ＴＨを上回る画素回路Ｐを測定処理の対象として選択する。階調値ＧＲ（階調データｄの数値）が大きいほど電気光学素子１１の発光量は増加するから、測定対象選択部５４は、駆動モードにおける駆動時の発光量が所定の閾値を上回る電気光学素子１１を選択する手段としても把握される。
【００４４】
測定部５６は、画素領域Ａに属する複数の画素回路Ｐのうち測定対象選択部５４が選択した画素回路Ｐを対象として選択的に測定処理（測定信号Ｆの出力及び被測定信号Ｍの取得）を実行する手段である。測定部５６は、第１に、測定処理の対象となる各画素回路Ｐを制御回路２９に対して指定するとともに測定信号Ｆをデータ線駆動回路２４に出力することで、階調値ＧＲが閾値ＴＨを上回る画素回路Ｐを選択的に駆動し、第２に、測定信号Ｆを使用した駆動時における当該画素回路Ｐの構成要素の特性を示す被測定信号Ｍをデータ線駆動回路２４を介して取得して補正回路３０に出力する。換言すると、測定部５６は、測定対象選択部５４が選択していない画素回路Ｐに対する測定処理を禁止（停止）する手段である。
【００４５】
測定履歴メモリ５８には画素回路Ｐごとに測定履歴データＤLが格納される。ひとつの画素回路Ｐに対応した測定履歴データＤLは、当該画素回路Ｐについて過去に測定処理が実行されたか否かを示すデータ（例えば１ビットのフラグ）である。ＲＡＭ（Random Access Memory）やＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）など各種の記憶回路が測定履歴メモリ５８として好適に採用される。
【００４６】
１垂直帰線期間内にて測定処理が完了すると、測定部５６は、今回の測定処理の対象となった画素回路Ｐの測定履歴データＤLを、測定処理の実行が完了していることを示す数値“１”にセットする。なお、電気光学装置１の電源が投入された直後や総ての画素回路Ｐの測定履歴データＤLに数値“１”が設定された場合（すなわち総ての画素回路Ｐについて測定処理が完了した場合）には、総ての測定履歴データＤLが、測定処理の未完了を示す数値“０”に初期化される。また、何れかの画素回路Ｐについて最後に測定処理を実行してから所定の時間が経過した場合に総ての測定履歴データＤLが数値“０”に初期化される構成としてもよい。
【００４７】
ところで、測定処理の対象となる画素回路Ｐの個数が多過ぎると、１垂直帰線期間内に総ての画素回路Ｐについて測定処理が完了しない場合がある。また、多数の画素回路Ｐについて測定処理を実行するのに充分な時間を測定モードのために確保するとすれば、駆動モードにおいて実際に各画素回路Ｐの駆動に利用できる時間が制限されるという問題がある。そこで、本実施形態においては、測定処理の対象とされ得る画素回路Ｐが所定個に制限される。すなわち、測定部５６は、測定対象選択部５４の選択した画素回路Ｐの個数が所定値を上回る場合に、測定履歴メモリ５８に格納された測定履歴データＤLに基づいて、未だ測定処理が実行されていない画素回路Ｐについて優先的に測定処理を実行する。以上の構成によれば、ひとつの画素回路Ｐに対する測定処理の重複的な実行が回避されるから、１垂直帰線期間内に測定処理の対象とされる画素回路Ｐの個数を制限しながらも、複数の垂直帰線期間についてみれば多数の画素回路Ｐについて効率的に測定処理を実行することが可能となる。
【００４８】
次に、図７を参照して、切替回路２５の詳細とその周辺回路の構成を説明する。切替回路２５は、Ｒ色用のスイッチ群ＳＷＲ、Ｇ色用のスイッチ群ＳＷＧ、及びＢ色用のスイッチ群ＳＷＢを含む。各スイッチ群は５個のスイッチＳｒ１〜Ｓｒ５、Ｓｇ１〜Ｓｇ５、Ｓｂ１〜Ｓｂ５を各々含む。これらのスイッチは、制御端子に供給される制御信号がハイレベルのときオン状態となり、ローレベルのときオフ状態となる。また、切替回路２５は、Ｒ基準電位ＲＥＦ−Ｒが供給される基準電位線Ｌｒ、Ｇ基準電位ＲＥＦ−Ｇが供給される基準電位線Ｌｇ、及びＢ基準電位ＲＥＦ−Ｂが供給される基準電位線Ｌｂを含んでおり、基準電位線Ｌｒ、Ｌｇ、及びＬｂはスイッチＳｒ３、Ｓｇ３、及びＳｂ３と各々接続されている。
【００４９】
上述した駆動モードにおいては、制御信号ＶＧ−Ｒ、ＶＧ−Ｇ、及びＶＧ−Ｂ、並びにＶＲＥ−Ｒ、ＶＲＥ−Ｇ、及びＶＲＥ−Ｂがハイレベルとなり、他の制御信号はローレベルとなる。したがって、スイッチＳｒ１、Ｓｇ１、及びＳｂ１、並びにＳｒ３、Ｓｇ３、及びＳｂ３がオン状態となり、他のスイッチはオフ状態となる。すなわち、切替回路２５は、駆動モードにおいて、複数のデータ線１４と複数の入出力端子Ｔ１〜Ｔｎとを接続すると共に、基準電位線Ｌｒ、Ｌｇ、及びＬｂと複数の電位線１７とを各々接続する手段として機能する。
【００５０】
図８に測定モードにおける各種の制御信号の真理値表を示す。１垂直帰線期間内の測定モードは、駆動トランジスタＮＨ１の特性を測定する第１モードと、ＯＬＥＤ素子１１の特性を測定する第２モードとを含む。すなわち、１垂直帰線期間内に実行される測定処理は、測定対象選択部５４が選択した各画素回路Ｐにおける駆動トランジスタＮＨ１の特性の測定と、当該画素回路ＰにおけるＯＬＥＤ素子１１の特性の測定とを含む。
【００５１】
図９は、Ｇ色の画素回路Ｐが測定処理の対象として選択された場合の第１モードにおける動作を示す。図８の太枠で示すように制御信号ＸＥＰ−ｉはローレベル、制御信号ＥＴＧ−ｉはハイレベル、走査信号ＥＷ−ｉはハイレベルとなるから、図９に示すようにトランジスタＰ１、Ｎ２、Ｎ３はオン状態となり、トランジスタＮ１はオフ状態となる。さらに、電源電圧ＶＥＬ−Ｇはオン（ハイレベル）、ＶＥＬ−Ｒ及びＶＥＬ−Ｂはオフ（ローレベル）となるから、Ｇ色の画素回路ＰのトランジスタＮ４はオン状態となる一方、Ｒ色及びＢ色の画素回路ＰのトランジスタＮ４はオフ状態となる。くわえて、制御信号ＥＴＧ−ｉがハイレベルとなるので、Ｇ色の画素回路ＰのトランジスタＮＴ１及びＮＴ２がオン状態となる。一方、制御信号ＥＴＲ−ｉ及びＥＴＢ−ｉがローレベルとなるので、Ｒ色及びＢ色の画素回路ＰのトランジスタＮＴ１及びＮＴ２がオフ状態となる。
【００５２】
次に、切替回路２５に供給される制御信号ＶＧ-Ｇ、ＶＭ−Ｇ、及びＶＦＩＭ−Ｇはハイレベルとなり、他の制御信号はローレベルとなる。したがって、図９に示すようにスイッチ群ＳＷＧのスイッチＳｇ１及びＳｇ４がオン状態になると共に、スイッチ群ＳＷＢのスイッチＳｂ５がオン状態となる。
このとき、ゲート電圧ＶＧＩＮが、測定信号Ｆとして、入出力端子Ｔ２→スイッチＳｇ１→Ｇ色の画素回路に対応するデータ線１４（Ｇ）→トランジスタＮ２→駆動トランジスタＮＨ１のゲートの経路で印加される。また、ソース電圧ＶＳＩＮが、測定信号Ｆとして、入出力端子Ｔ４→スイッチＳｂ５→Ｂ色の画素回路に対応するデータ線１４（Ｂ）→トランジスタＮＴ１→駆動トランジスタＮＨ１のソースの経路で印加される。さらに、駆動トランジスタＮＨ１のソース電圧ＶＳが被測定信号Ｍとして、駆動トランジスタＮＨ１のソース→トランジスタＮ４→トランジスタＮ３→Ｇ色の画素回路に対応する電位線１７（Ｇ）→スイッチＳｇ４→入出力端子Ｔ３の経路で取り出される。
【００５３】
図１１（Ａ）に駆動トランジスタＮＨ１の特性測定の回路を簡略化して示す。この図に示すように入出力端子Ｔ２及びＴ４を介して測定信号Ｆ（ＶＧＩＮ、ＶＳＩＮ）が供給され、入出力端子Ｔ３を介して被測定信号Ｍ（ＶＳ）が出力される。また、入出力端子Ｔ４の経路には電流計が設けられており、電流が測定される。これによって、駆動トランジスタＮＨ１の電圧−電流特性が測定される。
【００５４】
駆動モードにおいては、図９に示す入出力端子Ｔ２からＧ色のデータ信号をデータ線１４（Ｇ）に向けて出力すると共に、電位線１７（Ｇ）に向けてＧ基準電位ＲＥＦ−Ｇを出力した。これに対して第１モードでは、Ｇ色の画素回路Ｐの駆動トランジスタＮＨ１の特性を測定するに際して、データ線１４（Ｇ）及び電位線１７（Ｇ）の他に、データ線１４（Ｇ）と隣接するデータ線１４（Ｂ）を用いて、測定信号Ｆ及び被測定信号Ｍが入出力される。以上のように測定用の配線と駆動用の配線を兼用することにより、配線数を削減することができる。
【００５５】
図１０は、Ｇ色の画素回路Ｐが測定処理の対象として選択された場合の第２モードにおける動作を示す。図８の太枠で示すように制御信号ＥＮ−ｉはハイレベルとなるから、図９に示すようにトランジスタＮ１はオン状態となり、トランジスタＰ１、Ｎ２、Ｎ３はオフ状態となる。さらに、電源電圧ＶＥＬ−Ｇはオン（ハイレベル）、ＶＥＬ−Ｒ及びＶＥＬ−Ｂはオフ（ローレベル）となるから、Ｇ色の画素回路ＰのトランジスタＮ４はオン状態となる一方、Ｒ色及びＢ色の画素回路ＰのトランジスタＮ４はオフ状態となる。くわえて、制御信号ＥＴＧ−ｉがハイレベルとなるので、Ｇ色の画素回路ＰのトランジスタＮＴ１及びＮＴ２がオン状態となる。一方、制御信号ＥＴＲ−ｉ及びＥＴＢ−ｉがローレベルとなるので、Ｒ色及びＢ色の画素回路ＰのトランジスタＮＴ１及びＮＴ２がオフ状態となる。
【００５６】
次に、切替回路２５に供給される制御信号ＶＭＯＬ-Ｇ及びＶＦＩＭ−Ｇはハイレベルとなり、他の制御信号はローレベルとなる。したがって、図１０に示すようにスイッチ群ＳＷＢのスイッチＳｂ２及びＳｂ５がオン状態になる。
このとき、印加電圧ＶＦが、測定信号Ｆとして、入出力端子Ｔ４→スイッチＳｂ５→Ｂ色の画素回路に対応するデータ線１４（Ｂ）→トランジスタＮＴ１→トランジスタＮ１→ＯＬＥＤ素子１１の陽極の経路で印加される。また、ＯＬＥＤ素子１１の陽極の電圧ＶＭが、被測定信号Ｍとして、ＯＬＥＤ素子１１の陽極→トランジスタＮＴ２→Ｂ色の画素回路に対応する電位線１７（Ｂ）→スイッチＳｂ２→入出力端子Ｔ３の経路で取り出される。
【００５７】
図１１（Ｂ）にＯＬＥＤ素子１１の特性測定の回路を簡略化して示す。この図に示すように入出力端子Ｔ４を介して測定信号Ｆ（ＶＦ）が供給され、入出力端子Ｔ３を介して被測定信号Ｍ（ＶＭ）が出力される。また、入出力端子Ｔ４の経路には電流計が設けられており、電流が測定される。これによって、ＯＬＥＤ素子１１の電圧−電流特性が測定される。
【００５８】
第２モードは、Ｇ色の画素回路のＯＬＥＤ素子１１の特性を測定するに際して、データ線１４（Ｂ）及び電位線１７（Ｂ）を用いて測定信号Ｆ及び被測定信号Ｍを入出力したので、測定用の配線と駆動用の配線を兼用して、配線数を削減することができる。また、２個の入出力端子Ｔ３及びＴ４を用いて、測定信号Ｆ及び被測定信号Ｍを入出力した。この結果、駆動用とは別に測定用の入出力端子を設ける必要がなくなる。
【００５９】
以上のように本実施形態においては、相隣接する各画素回路Ｐのデータ線１４や電位線１７を用いることによって、入出力端子Ｔ１〜Ｔｎを増設することなく、測定信号（Ｆ）及び被測定信号（Ｍ）が伝送される。したがって、測定用の入出力端子に測定装置を接続して信号の送受信を実行する必要がなくなり、駆動モードで使用する入出力端子Ｔ１〜Ｔｎを用いて特性の測定を実行することができる。この構成によれば、電気光学装置１の完成後であっても駆動トランジスタＮＨ１やＯＬＥＤ素子１１の特性を測定し、その測定結果に基づいて輝度が均一になるように補正を行うことができる。
【００６０】
さらに、総ての画素回路Ｐのうち測定対象選択部５４の選択した画素回路Ｐについて選択的に測定処理が実行されるから、画素領域Ａの全部の画素回路Ｐについて一律に測定処理が実行される構成と比較して、測定処理に必要な時間が短縮されるという利点がある。測定処理の時間が短縮されるということは、駆動モードにおいてＯＬＥＤ素子１１の本来の駆動（階調データｄに応じた駆動）に利用できる時間が充分に確保できることを意味する。したがって、本実施形態によれば、ＯＬＥＤ素子１１を充分な発光量で発光させることができる。
【００６１】
ところで、測定モードの第２モードにおいて、ＯＬＥＤ素子１１は、図１０や図１１（Ｂ）に示すように測定処理時に電流が供給されることで発光する。したがって、例えば階調データｄに拘わらず総ての画素回路Ｐが測定処理の対象とされる構成においては、駆動モードで消灯していたＯＬＥＤ素子１１が垂直帰線期間における測定処理に際して発光するといった具合に、駆動モードと測定モードとでＯＬＥＤ素子１１の階調の相違が顕著となる。これに対し、本実施形態においては、階調値ＧＲが小さい画素回路Ｐ（すなわち発光量が少ない画素回路Ｐ）については測定処理が実行されず、階調値ＧＲが大きい画素回路Ｐ（すなわち発光量が多い画素回路Ｐ）について選択的に測定処理が実行される。すなわち、駆動モードにて所定値を上回る発光量で発光していたＯＬＥＤ素子１１が測定処理に際して追加的に発光するに過ぎないから、測定処理におけるＯＬＥＤ素子１１の発光が利用者に知覚されにくいという利点がある。
【００６２】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第１実施形態においては、測定対象選択部５４による選択の基準となる閾値ＴＨが固定値とされた構成を例示した。これに対して本実施形態においては閾値ＴＨが可変に制御される。
【００６３】
測定処理に伴なうＯＬＥＤ素子１１の発光が利用者に知覚され易いか否かは、電気光学装置１が使用される環境の照度（以下「環境照度」という）や電気光学装置１が表示する画像の明度（以下「画像明度」という）に依存する。すなわち、測定モードにおける発光は、環境照度や画像明度が低い場合（暗い場合）には利用者に明確に知覚されるが、環境照度や画像明度が高い場合（明るい場合）には目立ちにくいといった具合である。そこで、以下の各態様に例示するように、環境照度や画像明度を検知した結果に基づいて閾値ＴＨを可変に制御する構成が採用される。
【００６４】
＜Ｂ−１：第１の態様＞
図１２は、第１の態様に係る電気光学装置１の測定対象選択部５４の構成を示すブロック図である。同図に示すように、測定対象選択部５４は、明度特定部５４１と閾値設定部５４４Aと比較部５４６とを含む。
【００６５】
明度特定部５４１は、画像明度Ｌ1を特定する手段である。複数の画素回路Ｐの階調値ＧＲの平均値を画像明度Ｌ1として算定する回路が明度特定部５４１として好適に採用される。例えば、明度特定部５４１は、画素領域Ａに属する総ての画素回路Ｐの階調値ＧＲの平均値や画素領域Ａの特定の部分に属する画素回路Ｐの階調値ＧＲの平均値を画像明度Ｌ1として特定する。なお、明度特定部５４１は、ひとつの垂直走査期間（フレーム期間）について階調値ＧＲの平均値を算定してもよいし、複数の垂直走査期間にわたる階調値ＧＲの平均値を算定してもよい。また、例えば、基準値を上回る階調値ＧＲの個数を画像明度Ｌ1として特定する手段を明度特定部５４１として採用してもよい。
【００６６】
閾値設定部５４４Aは、明度特定部５４１が特定した画像明度Ｌ1に基づいて閾値ＴＨを設定する手段である。さらに詳述すると、閾値設定部５４４Aは、画像明度Ｌ1が低いほど閾値ＴＨが増加する（画像明度Ｌ1が高いほど閾値ＴＨが減少する）ように閾値ＴＨを設定する。閾値設定部５４４Aは、例えば、画像明度Ｌ1と閾値ＴＨとが対応づけられたテーブルから、明度特定部５４１が特定した画像明度Ｌ1に対応する閾値ＴＨを検索して出力する。なお、画像明度Ｌ1を引数とする所定の演算式に基づいて閾値ＴＨを算定する回路を閾値設定部５４４Aとして採用してもよい。
【００６７】
比較部５４６は、階調検出部５２から順次に供給される階調値ＧＲと閾値設定部５４４Aが設定した閾値ＴＨとを比較し、階調値ＧＲが閾値ＴＨを上回る画素回路Ｐを測定処理の対象として選択する。画像明度Ｌ1が低いほど閾値ＴＨは増加するから、測定処理の対象となる画素回路Ｐの個数は減少する。換言すると、画像明度Ｌ1が高いほど、測定処理の対象となる画素回路Ｐの個数は増加する。したがって、測定処理に伴なう発光が利用者に知覚されにくい状態を維持しながら、測定処理の対象となる画素回路Ｐの個数を効率的に確保することで各ＯＬＥＤ素子１１の階調のムラを有効に抑制できる。
【００６８】
＜Ｂ−２：第２の態様＞
図１３は、第２の態様に係る測定対象選択部５４の構成を示すブロック図である。同図に示すように、測定対象選択部５４は、照度測定部５４２と閾値設定部５４４Bと比較部５４６とを含む。
【００６９】
照度測定部５４２は、電気光学装置１の環境照度Ｌ2を測定する。電気光学装置１の周囲の照度や電気光学パネル１０の表示面の照度を環境照度Ｌ2として測定する照度センサが照度測定部５４２として好適に採用される。照度測定部５４２は、例えば、電気光学パネル１０の表示面の近傍や電気光学パネル１０の周辺部（枠状の筐体）に設置される。また、電気光学装置１が設置される室空間の壁面や電気光学装置１の表示画像を視認する観察者の近傍など、電気光学装置１から離間した位置に照度測定部５４２を設置してもよい。
【００７０】
閾値設定部５４４Bは、照度測定部５４２が測定した環境照度Ｌ2に基づいて閾値ＴＨを設定する手段である。例えば、閾値設定部５４４Bは、環境照度Ｌ2が低いほど閾値ＴＨが増加する（環境照度Ｌ2が高いほど閾値ＴＨが減少する）ように閾値ＴＨを設定する。閾値設定部５４４Bは、図１２の閾値設定部５４４Aと同様に、環境照度Ｌ2に対応する閾値ＴＨをテーブルから特定する手段であってもよいし、環境照度Ｌ2を引数とする所定の演算式に基づいて閾値ＴＨを算定する手段であってもよい。
【００７１】
比較部５４６は、各画素回路Ｐの階調値ＧＲと閾値設定部５４４Bが設定した閾値ＴＨとを比較し、階調値ＧＲが閾値ＴＨを上回る画素回路Ｐを測定処理の対象として選択する。環境照度Ｌ2が低いほど閾値ＴＨは増加するから、測定処理の対象となる画素回路Ｐの個数は減少する。換言すると、環境照度Ｌ2が高いほど、測定処理の対象となる画素回路Ｐの個数は増加する。したがって、第１の態様と同様に、測定処理に伴なう発光が利用者に知覚されにくい状態を維持しながら、測定処理の対象となる画素回路Ｐの個数を効率的に確保することが可能である。
【００７２】
＜Ｂ−３：第３の態様＞
図１４は、第１の態様と第２の態様とを組み合わせた第３の態様である。同図に示すように、測定対象選択部５４は、明度特定部５４１と照度測定部５４２と閾値設定部５４４Cと比較部５４６とを具備する。明度特定部５４１および照度測定部５４２の構成や機能は第１の態様や第２の態様と同様である。
【００７３】
閾値設定部５４４Cは、明度特定部５４１が特定した画像明度Ｌ1と照度測定部５４２が測定した環境照度Ｌ2とに基づいて閾値ＴＨを制御する。例えば、閾値設定部５４４Cは、画像明度Ｌ1または環境照度Ｌ2が低いほど閾値ＴＨを増加させる。比較部５４６は、第１の態様や第２の態様と同様に、階調値ＧＲが閾値ＴＨを上回る画素回路Ｐを測定処理の対象として選択する。
【００７４】
図１４の構成においても、測定処理の対象となる画素回路Ｐの個数は、画像明度Ｌ1や環境照度Ｌ2が低いほど減少する。したがって、測定処理に伴なう発光が利用者に知覚されにくい状態を維持しながら、測定処理の対象となる画素回路Ｐの個数を効率的に確保することが可能である。
【００７５】
＜Ｃ：変形例＞
以上の各形態に対しては種々の変形が加えられる。具体的な変形の態様を挙げれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせた構成も採用される。
【００７６】
（１）実施形態においては、階調データｄに応じて選択的に測定処理を実行することで駆動モードと測定モードとにおけるＯＬＥＤ素子１１の階調の相違を抑制する構成を例示した。一方、駆動トランジスタＮＨ１の特性を測定する第１モードにおいては、図９に示したようにトランジスタＮ１がオフ状態とされることで電流の供給が遮断されるから、ＯＬＥＤ素子１１は発光しない。したがって、駆動モードと測定モードとでＯＬＥＤ素子１１の階調の相違を抑制するという観点のみからすると、測定処理の対象を階調データｄに応じて制限する動作は第２モードのみ充分である。すなわち、第１モードにおいては総ての画素回路Ｐについて順次に測定処理を実行してもよい。例えば、第１モードにおいては、第１行、第２行、…、第ｍ行を順番に測定処理の対象とする一方、各行の測定処理においては、当該行に属する全ての画素回路Ｐを同時に測定するのではなく、Ｒ色の画素回路Ｐ、Ｇ色の画素回路Ｐ、Ｂ色の画素回路Ｐの順で測定を行うといった構成が採用される。換言すれば、各行の画素回路Ｐを３個ずつ選択して測定処理の対象としながら、測定の対象となる画素回路をずらして測定を３回繰り返す。なお、この例では、３回の測定であるが、より一般的には、Ｎ（Ｎは２以上の自然数）個の画素回路Ｐおきに測定し、測定の対象となる画素回路Ｐをずらして測定をＮ回繰り返してもよい。もっとも、測定モードに必要な時間を短縮するという観点からすれば、実施形態のように第１モード及び第２モードの双方において、階調データｄに応じて選択的に測定処理を実行する構成が好適である。
【００７７】
（２）以上の形態においては、各画素回路Ｐに共通の測定信号Ｆが供給される構成（すなわち測定処理の対象となる画素回路Ｐが第２モードにおいて階調データｄに拘わらず同じ階調となる構成）を例示したが、階調データｄに応じて測定信号Ｆを相違させる構成も採用される。例えば、階調データｄによって低階調が指定された場合ほど測定信号Ｆの電圧値が低くなるように測定部５６が測定信号Ｆを制御する構成が採用される。すなわち、階調データｄによって低階調が指定された場合ほど、測定モードにおいてＯＬＥＤ素子１１は低階調（暗い階調）に制御される。例えば、閾値ＴＨを上回る階調値ＧＲ１が階調データｄによって指定された場合に、階調値ＧＲ１を上回る（したがって閾値ＴＨを上回る）階調値ＧＲ２が指定された場合と比較して、測定処理時のＯＬＥＤ素子１１の階調が低階調となるように、測定信号Ｆが生成される。以上の構成によれば、駆動モードにおけるＯＬＥＤ素子１１の階調と測定モード（第２モード）におけるＯＬＥＤ素子１１の階調との相違をさらに低減することが可能である。
【００７８】
（３）測定モードにおける測定処理の有無に応じてデータ信号Ｄを補正する構成としてもよい。例えば、測定処理の対象として選択される画素回路ＰのＯＬＥＤ素子１１を駆動モードにて駆動するときの階調が、当該画素回路Ｐの非選択の場合にＯＬＥＤ素子１１を駆動モードにて駆動するときの階調と比較して低階調となるように、データ信号Ｄを調整する構成が採用される。例えば、測定処理の対象となるＯＬＥＤ素子１１の駆動モードにおける発光量が、階調データｄ（補正済階調データｄｈ）に対応した発光量から測定モードにおける発光量分を減算した発光量となるように、測定処理の有無に応じてデータ信号Ｄが調整される。データ信号Ｄの調整は、データ線駆動回路２４が実行してもよいし、補正回路３０が階調データｄを補正することで実現してもよい。
【００７９】
以上の構成によれば、駆動モードにおける発光量と測定モードにおける発光量との総和が階調データｄに応じた本来の発光量に調整される。したがって、測定モードにおけるＯＬＥＤ素子１１の発光を利用者に知覚されにくくすることが可能である。なお、駆動モードにてＯＬＥＤ素子１１が低階調（暗い階調）に駆動される場合には、測定モードにおけるＯＬＥＤ素子１１の発光が利用者に特に顕著に知覚される。したがって、階調データｄ（または補正済階調データｄｈ）の指定する階調が所定の閾値（可変または固定）と比較して小さい場合に限って駆動モードにおけるＯＬＥＤ素子１１の発光量を減少させる構成も採用される。
【００８０】
（４）データ信号Ｄの伝送と測定信号Ｆ及び被測定信号Ｍの伝送とにデータ線１４が兼用される構成は本発明において必須の要件ではない。すなわち、測定信号Ｆや被測定信号Ｍを各画素回路Ｐに伝送するための配線がデータ線１４とは別個に形成された構成も採用される。
【００８１】
（５）トランジスタＮＴ１及びＮＴ２のオン・オフを電源電圧ＶＥＬ−Ｒ、ＶＥＬ−Ｇ、ＶＥＬ−Ｂによって制御してもよい。例えば、図１５に示す画素回路Ｐを採用することができる。この場合、トランジスタＮＴ１及びＮＴ２のゲートには電源電圧ＶＥＬ−Ｒが供給されるので、電源電圧ＶＥＬ−Ｒを有効にするか否かによってトランジスタＮＴ１及びＮＴ２のオン・オフを制御することができる。
【００８２】
（６）実施形態の第１モードでは、駆動トランジスタＮＨ１のソース電圧ＶＳを被測定信号Ｍとして出力したが、これに加えてドレイン電圧を測定してもよい。例えば、図１６に示す画素回路Ｐを採用することができる。この場合には、電位線１７に沿って測定用配線１８が形成されおり、配線１８と駆動トランジスタＮＨ１のドレインとの間にＰチャネル型のトランジスタＰ２が設けられる。トランジスタＰ２のゲートには制御線Ｌ６を介して制御信号ＸＥＴＰ−１が供給される。制御信号ＸＥＴＰ−１をローレベルに設定することによって、駆動トランジスタＮＨ１のドレイン電圧を被測定信号Ｍとして、配線１８を介して取り出すことができる。図１７に、第１モードにおける画素回路Ｐを簡略化した模式図を示す。この例では、測定信号Ｆ及び被測定信号Ｍが４つになるので、４個の入出力端子を用いる。
ここで、測定処理の対象となる行については、制御信号ＸＥＰ及びＸＥＴＰをローレベル、制御信号ＥＷをハイレベルにしてトランジスタＰ１、Ｐ２、及びＮ２〜Ｎ４をオン状態にするが、それ以外の非選択行については、トランジスタＰ２はＯＦＦ状態にすることは必要であるものの、他のトランジスタについても制御信号の論理レベルを反転させて、トランジスタＰ１、及びＮ２〜Ｎ４をオフ状態にしてもよい。この場合、非選択行のトランジスタＰ２にリーク電流が配線１８を介して流れると、測定の対象となる駆動トランジスタＮＨ１のドレイン電圧の測定精度が低くなる。この非選択行のトランジスタＰ２のゲートがハイレベル（オフ状態）でのリーク電流がドレイン−ソース間電圧が大きくなると増大する傾向が強ければ、ドレイン−ソース電圧を小さくすることによりリーク電流を減少させることが可能である。トランジスタＰ２のソース及びドレインは一方が画素内のトランジスタＰ１に接続され、他方が被測定線１８に接続されている。被測定線１８がハイレベルに近い電圧となる場合には、トランジスタＰ２のソース−ドレイン間電圧を小さくするために、トランジスタＰ２のドレインをハイレベルに設定してリーク電流を低減してもよい。この場合には、非選択行に供給する制御信号ＸＥＰをローレベルにしてトランジスタＰ１をオン状態にすればよい。もっとも、駆動トランジスタＮＨ１のゲート・ソース間電圧の測定精度を優先させる場合には、非選択行における駆動トランジスタＮＨ１のリーク電流を低減するために、制御信号ＸＥＰをハイレベルにすることが好ましい。非選択行における制御信号ＸＥＰの論理レベルは、測定精度の要求に応じて適宜定めればよい。また各トランジスタのリーク電流を減少させるには、各トランジスタをゲート共通の直列トランジスタで構成する方法、いわゆるデュアルゲートトランジスタで構成することも有効である。
要は、トランジスタＰ２に限らず、測定線、被測定線に接続される非選択行のトランジスタＰ２、ＮＴ１、ＮＴ２、Ｎ３、及びＮ４については、ゲートをオフ状態にするだけでなく、ソース−ドレイン間の電圧を小さくすることによってリーク電流を減少させ、結果的に測定精度を上げることができる。そのため、非選択行の他の制御信号を適時制御することが好ましい。つまり、どの測定値の精度をあげるかで非選択行の制御方法を変更してもよい。なお、トランジスタＮ２については一方が駆動トランジスタＮＨ１のゲートにのみ接続されている状態のため、ソース−ドレイン間の電圧に依存するリークは発生しない。
【００８３】
（７）実施形態では、駆動トランジスタＮＨ１とＯＬＥＤ素子１１の特性を個別に測定したが、これらを同時に測定してもよい。図１８に同時測定における画素回路Ｐを簡略化した模式図を示す。この場合、トランジスタＮ１をオン状態として駆動トランジスタＮＨ１からＯＬＥＤ素子１１に駆動電流を供給する。同時測定では測定時間を短縮することができる。なお、同時測定と個別測定を混在させてもよい。
【００８４】
（８）実施形態では切替回路２５に基準電位線Ｌｒ、Ｌｂ、Ｌｇを設けたが、これをデータ線駆動回路２４に設け、データ線１４と電位線１７に各々対応する入出力端子を設けてもよい。例えば、図１９に示すように入出力端子Ｔａ、Ｔｂからデータ信号ＤとＲ基準電位ＲＥＦ−Ｒを出力してもよい。データ線１４と電位線１７は隣接して形成されており、駆動トランジスタＮＨ１のゲート・ソース間電圧はデータ線１４の電位と電位線１７の電位の差分で定まるので、同相ノイズがこれらに重畳しても差分としてはノイズ成分を打ち消すことができる。したがって、ノイズに強い電気光学装置１を提供できる。
【００８５】
（９）垂直帰線期間以外の期間に測定処理を実行してもよい。例えば、駆動モードを垂直走査期間の一部の期間に割り当て、測定モードを垂直走査期間のうち残りの期間に割り当ててもよい。また、測定処理の頻度も任意である。例えば、ひとつ又は複数の垂直帰線期間ごとに測定処理を実行する構成のほか、電気光学装置１の電源が投入された直後や所定の時間ごとに測定処理を実行する構成も採用される。
【００８６】
（１０）各実施形態においては、ＯＬＥＤ素子１１を駆動するためのトランジスタを備えたアクティブマトリクス方式の電気光学装置を例示したが、画素回路Ｐがこれらのスイッチング素子を持たないパッシブマトリクス方式の電気光学装置にも本発明は適用される。
【００８７】
（１１）各実施形態においては電流駆動型の自発光素子たるＯＬＥＤ素子１１を利用した電気光学装置１を例示したが、これ以外の電流駆動型の電気光学素子や電圧駆動型の電気光学素子を利用した電気光学装置にも本発明は適用される。例えば、液晶表示装置、無機ＥＬ素子を利用した表示装置、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field  Emission Display）、表面導電型電子放出ディスプレイ（ＳＥＤ：Surface-conduction  Electron-emitter  Display）、弾道電子放出ディスプレイ（ＢＳＤ：Ballistic  electron  Surface  emitting  Display）、発光ダイオードを利用した表示装置、あるいは光書込み型のプリンタや電子複写機の書き込みヘッドといった各種の電気光学装置にも本発明は適用される。
【００８８】
＜Ｄ：応用例＞
次に、本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器について説明する。図２０は、以上の各形態に係る電気光学装置１を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての電気光学装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。この電気光学装置１はＯＬＥＤ素子１１を用いるので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００８９】
図２１に、以上の各形態に係る電気光学装置１を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。
【００９０】
図２２に、以上の各形態に係る電気光学装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１に表示される。
【００９１】
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図２０から図２２に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図２】画素回路の構成を示す回路図である。
【図３】駆動モードにおける電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図４】書込期間における画素回路の状態を示す説明図である。
【図５】発光期間における画素回路の状態を示す説明図である。
【図６】測定制御回路の構成を示すブロック図である。
【図７】切替回路とその周辺回路の構成を示す回路図である。
【図８】測定モードにおける各種の制御信号の真理値表である
【図９】第１モードにおいて測定の対象となる画素回路がＧ色である場合の動作を示す説明図である。
【図１０】第２モードにおいて測定の対象となる画素回路がＧ色である場合の動作を示す説明図である。
【図１１】測定モードにおける画素回路を簡略化して示す説明図である。
【図１２】第２実施形態の第１の態様に係る測定対象選択部を示すブロック図である。
【図１３】第２実施形態の第２の態様に係る測定対象選択部を示すブロック図である。
【図１４】第２実施形態の第３の態様に係る測定対象選択部を示すブロック図である。
【図１５】変形例に係る画素回路の例を示す回路図である。
【図１６】変形例に係る画素回路の例を示す回路図である。
【図１７】第１モードにおける変形例の画素回路を簡略化して示す説明図である。
【図１８】測定モードにおける変形例の画素回路を簡略化して示す説明図である。
【図１９】変形例に係る入出力端子を説明するためのブロック図である。
【図２０】本発明を適用したパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図２１】本発明を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【図２２】本発明を適用した携帯型情報端末の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９３】
１…電気光学装置、１１…ＯＬＥＤ素子、１４…データ線、１７…電位線、２４…データ線駆動回路、２５…切替回路、５０…測定制御回路、５２…階調検出部、５４…測定対象選択部、５６…測定部、５８…測定履歴メモリ、Ｐ…画素回路、Ｄ…データ信号、Ｆ…測定信号、Ｍ…被測定信号、Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂ…基準電位線、Ｔ１〜Ｔｎ…入出力端子、ＮＨ１…駆動トランジスタ、ｄ…階調データ、Ｄｈ…補正データ、ｄｈ…補正済階調データ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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