(57)【要約】      （修正有）【課題】積層パッケージの製作時絶縁膜形成費用を節減し、かつ、絶縁膜の絶縁特性を確保し、さらに、絶縁膜の均一度及び低い荒さを確保し、そして、絶縁膜自体の欠陥による素子不良発生を防止する構造を提供する。【解決手段】多数の半導体チップで構成されたウェハ１１０の各チップに溝を形成するステップと、前記溝を埋め込むようにウェハ１１０上に液状のポリマーを形成するステップと、前記ポリマーをパタニングして溝の側壁にポリマーからなる絶縁膜１４０ａを形成するステップと、前記側壁に絶縁膜１４０ａが形成された溝を埋め込むように金属膜１７０を形成するステップと、前記溝内に埋め込まれている金属膜１７０が露出されるようにウェハ１１０の後面をバックグラインディングするステップと、を含む。【選択図】図１Ｆ
2008091857.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップを貫通するように形成された垂直ホールと、前記垂直ホールの表面に形成された絶縁膜及び前記垂直ホール内埋め込まれた金属膜を含む貫通シリコンビアにおいて、
前記絶縁膜は機械的柔軟性を有するポリマーで成されたことを特徴とする貫通シリコンビア。
【請求項２】
チップを貫通するように形成された垂直ホールの表面に形成された絶縁膜、及び前記垂直ホール内に埋め込まれた金属膜を含む、貫通シリコンビアが形成された貫通シリコンビア形成体において、
前記絶縁膜は機械的柔軟性を有するポリマーで成されたことを特徴とする貫通シリコンビア形成体。
【請求項３】
多数の半導体チップで構成されたウェハの各チップに溝を形成するステップと、
前記溝を埋め込むようにウェハ上に液状のポリマーを形成するステップと、
前記ポリマーをパタニングし溝の側壁にポリマーからなる絶縁膜を形成するステップと、
前記側壁に絶縁膜が形成された溝を埋め込むように金属膜を形成するステップと、及び
前記溝内に埋め込まれた金属膜が露出されるようにウェハの後面をバックグラインディングするステップと、
を含むことを特徴とする貫通シリコンビアの形成方法。
【請求項４】
前記溝を形成するステップは、前記ウェハ上に各チップの貫通シリコンビア形成領域を露出させる感光膜パターンを形成するステップと、前記感光膜パターンをエッチングマスクとして利用し露出された部分をエッチングするステップと、及び前記感光膜パターンを除去するステップと、で構成されることを特徴とする請求項３に記載の貫通シリコンビアの形成方法。
【請求項５】
前記ポリマーのパタニングはフォトリソグラフィ工程で遂行することを特徴とする請求項３に記載の貫通シリコンビアの形成方法。
【請求項６】
前記ポリマーのパタニングはそれ自体を露光及び現像する方式で遂行することを特徴とする請求項３に記載の貫通シリコンビアの形成方法。
【請求項７】
前記ポリマーのパタニングはレーザーを利用して特定部分を除去する方式で遂行することを特徴とする請求項３に記載の貫通シリコンビアの形成方法。
【請求項８】
前記金属膜を形成するステップは、前記絶縁膜を含む溝及びウェハ上にシード金属膜を蒸着するステップと、前記ウェハ上のシード金属膜上に前記溝及びそれに隣接したシード金属膜部分を露出させる感光膜パターンを形成するステップと、前記露出されたシード金属膜部分上に電解メッキ工程で金属膜をメッキするステップと、及び前記感光膜パターンを除去するステップと、で構成されることを特徴とする請求項３に記載の貫通シリコンビアの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は積層パッケージに関するもので、より詳しくは、積層されるシリコンチップ間の連結のための貫通ビア、貫通ビア形成体、及び貫通ビア形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
集積回路に対するパッケージング技術は小型化に対しての要求及び実装信頼性を満足させるため持続的に発展されてきた。最近になっては電気・電子製品の小型化とともに高性能化が要求されるにつれ積層に対する様々な技術が開発されている。
【０００３】
半導体産業でいう「積層」とは、少なくとも２個以上のチップまたはパッケージを垂直に積み上げることをいう。このような積層技術によると、メモリ素子の場合は半導体集積工程で具現可能なメモリ容量より２倍以上のメモリ容量を有する製品を具現できる。また、積層パッケージはメモリ容量増大はもちろん、実装密度及び実装面積使用の効率性の側面で利点を有する。このため、積層パッケージに関する研究及び開発が加速化されているのが事実である。
【０００４】
積層パッケージの一つの例として、貫通シリコンビア(Through silicon via)を利用した構造が提案された。貫通シリコンビアを利用した積層パッケージはチップ内に貫通シリコンビアを形成して前記貫通シリコンビアにより垂直にチップ間の物理的及び電気的な連結が行われるようにした構造であり、その製作過程は次の通りである。
【０００５】
ウェハレベルで各チップの所定の部位に垂直のホールを形成する。前記垂直ホールの表面に絶縁膜を形成する。前記絶縁膜上にシード金属膜を形成した状態で、前記垂直ホール内に電解メッキ工程を通して電解物質、つまり、金属を埋め込んで貫通シリコンビアを形成する。次いで、ウェハの後面をバックグラインディングして前記貫通シリコンビアを露出させる。
【０００６】
ウェハをソーイングして個別チップに分離させた後、基板上に少なくとも二つ以上のチップを貫通シリコンビアを利用して垂直に積み上げる。その後、積層されたチップを含んだ基板上面をモールディングし、基板下面にソルダボール（solder ball）を付着して積層パッケージ製作を完成する。
【０００７】
このような貫通シリコンビアを利用した積層パッケージにおいて、垂直ホールを埋め込む際、電解物質の拡散を防止するために前記垂直ホールの表面に絶縁膜を形成することになる。
【０００８】
ここで、前記絶縁膜としては高温の乾式酸化及び湿式酸化の工程による酸化膜または窒化膜を使用するのが一般的であるが、このような高温の乾式酸化及び湿式酸化工程による酸化膜または窒化膜はその形成工程に多くの費用が必要であり、かつ、絶縁特性を確保するためには適切な厚さが必要であるが、垂直ホールの大きさを考慮すると、満足できるくらいの絶縁特性を得るための厚さ確保に困難があり、さらに、垂直ホール内に膜を形成しなくてはならず、均一度及び低い荒さ（Low roughness）の確保が難しい。
【０００９】
付け加えて、前記高温の乾式酸化及び湿式酸化工程による酸化膜または窒化膜は垂直ホール内の電解物質とシリコン間の機械的特性差異を補完するのは難しい。具体的に、半導体チップは動作する間熱が発生するが、シリコンと金属物質の熱膨脹係数差異はこの過程で接合信頼性を大きく壊す要因として作用することになる。よって、熱膨張係数差異に起因する疲労を絶縁膜が解消しなければ、動作温度変化で各材料の変位変化量が変わるので、疲労が発生し、このような疲労によりパッケージの破壊が起こり、前記酸化膜または窒化膜は物質間熱膨張係数差異に起因する疲労を適切に解消させられないので、結果的に、パッケージの破壊を避けられない。
【００１０】
また、前記高温の乾式酸化及び湿式酸化工程による酸化膜または窒化膜は、その自体の欠陥発生時、欠陥から始まる亀裂が簡単にシリコン内部に伝播されチップの不良を惹き起こす可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は貫通シリコンビアを利用した積層パッケージの製作時絶縁膜形成費用を減らすことができる貫通シリコンビア、貫通シリコンビア形成体、及び貫通シリコンビアの形成方法を提供する。
【００１２】
また、本発明は貫通シリコンビアを利用した積層パッケージの製作時絶縁膜の絶縁特性を確保できる貫通シリコンビア、貫通シリコンビア形成体、及び貫通シリコンビアの形成方法を提供する。
【００１３】
さらに、本発明は貫通シリコンビアを利用した積層パッケージの製作時絶縁膜の均一度及び低い荒さを確保できる貫通シリコンビア、貫通シリコンビア形成体、及び貫通シリコンビアの形成方法を提供する。
【００１４】
そして、本発明は貫通シリコンビアを利用した積層パッケージの製作時絶縁膜の良好な機械的特性を確保できる貫通シリコンビア、貫通シリコンビア形成体、及び貫通シリコンビアの形成方法を提供する。
【００１５】
付け加えて、本発明は貫通シリコンビアを利用した積層パッケージの製作時絶縁膜自体の欠陥による素子不良発生を防止できる貫通シリコンビア、貫通シリコンビア形成体、及び貫通シリコンビアの形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
一つの実施形態において、貫通シリコンビアは、チップを積層するための物理的及び電気的連結部材であり、チップを貫通するように形成された垂直ホールと、前記垂直ホールの表面に形成された絶縁膜及び前記絶縁膜を含んで前記垂直ホールを埋め込むように形成されたＣｕ、Ｎｉ、Ａｌなどの金属膜で構成され、前記絶縁膜は酸化膜及び窒化膜より機械的にソフトな可撓性を有するポリマーで構成される。
【００１７】
他の実施形態において、貫通シリコンビア形成方法は、多数の半導体チップで構成されたウェハの各チップに溝を形成するステップと、前記溝を埋め込むようにウェハ上に液状のポリマーを形成するステップと、前記ポリマーをパタニングして溝の側壁にポリマーからなる絶縁膜を形成するステップと、前記側壁に絶縁膜が形成された溝を埋め込むように金属膜を形成するステップと、及び前記溝内に埋め込まれた金属膜が露出されるようにウェハの後面をバックグラインディングするステップと、を含む。
【００１８】
前記溝を形成するステップは、前記ウェハ上に各チップの貫通シリコンビアの形成領域を露出させる感光膜パターンを形成するステップと、前記感光膜パターンをエッチングマスクとして利用し露出された部分をエッチングするステップと、及び前記感光膜パターンを除去するステップと、で構成される。
【００１９】
前記ポリマーのパタニングはフォトリソグラフィ工程で遂行するか、その自体を露光及び現像する方式で遂行するか、または、レーザーを利用して特定部分を除去する方式で遂行する。
【００２０】
前記金属膜を形成するステップは、前記絶縁膜を含む溝及びウェハ上にシード金属膜を蒸着するステップと、前記ウェハ上のシード金属膜上に前記溝及びそれに隣接したシード金属膜部分を露出させる感光膜パターンを形成するステップと、前記露出されたシード金属膜部分上に電解メッキ工程で金属膜をメッキするステップと、及び前記感光膜パターンを除去するステップと、で構成される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明はチップを垂直に積み上げるための貫通シリコンビアの形成時シリコンと電解物質の間に介在する絶縁膜をポリマーで形成することによって酸化膜または窒化膜を形成する従来より絶縁膜形成費用を節減でき、かつ、均一な厚さ及び低い荒さを有する絶縁膜を形成できるし、さらに、絶縁特性を確保でき、そして、良好な機械的特性が確保できてパッケージの疲労破壊を防止できるので、結果的に、貫通シリコンビアを利用した積層パッケージの信頼性を向上できるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明はシリコンと電解物質間の絶縁膜として機械的柔軟性を有するポリマーを使用する。即ち、本発明は液状のポリマーで垂直連結のために形成しておいた垂直ホールを詰めた後、これをフォトリソグラフィ工程を利用して適合な形態にパタニングし絶縁膜を形成する。
【００２３】
この場合、前記液状のポリマーはスピンコーティング等の方法で形成すればいいので、本発明は絶縁膜として酸化膜または窒化膜を形成する従来と比べて、前記絶縁膜形成費用が節減できる。また、本発明は液状のポリマーで垂直ホール全体を埋め込んだ後これをパタニングして絶縁膜を形成するので絶縁膜の均一な厚さ及び低い荒さが確保できるのはもちろん、満足できる絶縁特性が得られる適切な厚さが確保できる。
【００２４】
併せて、ポリマーは従来の絶縁膜として使用された酸化膜または窒化膜に比べ機械的にソフトな材料なので、本発明はポリマーが有する物性によりシリコンと金属間熱膨張係数差異に起因する疲労破壊を減らすことができる。繰り返して言うと、半導体チップが動作する間発生する熱によってシリコンと金属が熱膨張をし、これに起因して機械的なストレスが発するが、前記シリコンと金属との間に介在する絶縁膜が機械的柔軟性を有するソフトなポリマーであることに関連して、前記ポリマーが機械的なストレスを吸収及び分散させ、よって、本発明はパッケージの疲労による破壊を減らすことができるのである。
【００２５】
また、絶縁膜として使用する従来の酸化膜または窒化膜はその自体の欠陥から始まる亀裂がシリコン内部に伝播されチップの破壊を誘発させるが、本発明のポリマーはフレキシブルな特性のためその自体の欠陥が発生してもシリコン内部への亀裂伝播は大きくなく、よって、本発明は絶縁膜自体の欠陥に起因するチップの破壊を相当減少させることができる。
【００２６】
図１Ａ乃至図１Ｆは本発明の実施例による貫通シリコンビア形成方法を図示した工程別断面図である。
【００２７】
図１Ａを参照すると、貫通シリコンビア形成領域を有する多数の半導体チップで構成されたウェハ１１０上に感光膜を塗布する。前記感光膜を露光及び現像し各チップでの貫通シリコンビア形成領域を露出させる第１感光膜パターン１２０を形成する。前記第１感光膜パターン１２０をエッチングマスクとして利用し露出された貫通シリコンビア形成領域をエッチングして溝１３０を形成する。
【００２８】
図１Ｂを参照すると、Ｏ？プラズマアッシングのような公知の工程によりエッチングマスクとして使用した第１感光膜パターンを除去する。その後、溝１３０を含むウェハ１１０上に絶縁膜物質として液状のポリマー１４０を塗布する。前記液状のポリマー１４０はスピンコーティングのような工程進行が容易であるのはもちろん、酸化工程に比べ工程費用が少なく消耗される工程で塗布する。
【００２９】
図１Ｃを参照すると、溝１３０内に塗布された液状のポリマーをパタニングし前記溝１３０の側壁にポリマーからなる絶縁膜１４０ａを形成する。ここで、前記ポリマーパタニングは別途のフォトリソグラフィ工程を利用して遂行するか、または、前記ポリマーが感光性を有するのを利用してそれ自体を露光及び現像する方式で遂行する。かつ、前記ポリマーのパタニングはレーザーを利用し特定な部分を除去する方式でも遂行可能である。
【００３０】
図１Ｄを参照すると、溝１３０の側壁にポリマー材質の絶縁膜１４０ａが形成されたウェハ１１０上に電解メッキ工程のための薄膜のシード金属膜１５０を蒸着する。前記シード金属膜１５０上に金属膜が形成される領域を限定する第２感光膜パターン１６０を形成する。前記第２感光膜パターン１６０は溝１３０部分及びその周辺部分を露出させるように形成される。図１Ｅを参照すると、電解メッキ工程を通して第２感光膜１６０から露出されるシード金属膜部分上に前記溝１３０を埋め込むように金属膜１７０をメッキする。
【００３１】
図１Ｆを参照すると、メッキ防止膜として使用された第２感光膜パターンを公知の工程により除去し、次いで、前記第２感光膜パターンが除去され露出されたシード金属膜部分を除去する。
【００３２】
図１Ｇを参照すると、溝１３０内に埋め込まれた金属膜が露出されるようにウェハ１１０の後面をバックグラインディングし、これを通して、シリコンと金属との間に絶縁膜としてポリマーが介在された構造の貫通シリコンビア１８０を形成する。
【００３３】
以上、ここでは本発明を特定実施例に関連して図示し説明したが、本発明がそれに限定されるのではなく、以下の特許請求の範囲は本発明の精神と分野を脱しない限度内で本発明が多様に改造及び変形されることができることを当業界で通常の知識を有する者であれば容易に分かる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１Ａ】本発明の実施例による貫通シリコンビアの形成方法を図示した工程別断面図である。
【図１Ｂ】本発明の実施例による貫通シリコンビアの形成方法を図示した工程別断面図である。
【図１Ｃ】本発明の実施例による貫通シリコンビアの形成方法を図示した工程別断面図である。
【図１Ｄ】本発明の実施例による貫通シリコンビアの形成方法を図示した工程別断面図である。
【図１Ｅ】本発明の実施例による貫通シリコンビアの形成方法を図示した工程別断面図である。
【図１Ｆ】本発明の実施例による貫通シリコンビアの形成方法を図示した工程別断面図である。
【図１Ｇ】本発明の実施例による貫通シリコンビアの形成方法を図示した工程別断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１１０    ウェハ
１２０    第１感光膜パターン
１３０    溝
１４０    ポリマー
１４０ａ    絶縁膜
１５０    シード金属膜
１６０    第２感光膜パターン
１７０    金属膜
１８０    貫通シリコンビア
【図１Ａ】
2008091857.tif 000003
【図１Ｂ】
2008091857.tif 000004
【図１Ｃ】
2008091857.tif 000005
【図１Ｄ】
2008091857.tif 000006
【図１Ｅ】
2008091857.tif 000007
【図１Ｆ】
2008091857.tif 000008
【図１Ｇ】
2008091857.tif 000009