(57)【要約】【課題】放射源、放射反射器及び汚染物質バリアを備える改良されたアセンブリを提供する。特に、例えばＥＵＶリソグラフィで使用される放射を提供するために改良された特性を提供できるようなアセンブリを提供する。【解決手段】放射反射器及び汚染物質バリアを含むアセンブリが開示される。汚染物質バリアは、放射源からの放射を受け、その放射を放射反射器に向かって反射するように構成され、放射反射器は、汚染物質バリアから受けた放射を、元に戻して汚染物質バリアに向かって反射するように構成される。【選択図】図４
2008288590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射反射器と、
汚染物質バリアと、
を備え、
前記汚染物質バリアが、放射源からの放射を受けて、その放射を前記放射反射器に向かって反射するように構成され、
前記放射反射器が、塩基汚染物質バリアから受けた前記放射を、元へ戻して前記汚染物質バリアに向かって反射するように構成される、
アセンブリ。
【請求項２】
前記放射反射器が垂直入射放射集光器である、
請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記汚染物質バリアが、前記放射反射器の反射表面と前記放射源との間の見通し線を全て、光学的に遮断するように構成された、
請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記放射源から出た放射が、前記汚染物質バリアを２回通過し、前記汚染物質バリアによって少なくとも１回反射するように構成される、
請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記汚染物質バリアが複数の放射反射要素を備え、前記放射反射要素がそれぞれ、前記アセンブリの光軸と実質的に一致する頂点を有する個々の仮想円錐面に沿って延在する、
請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記汚染物質バリアが、前記放射源から放出された発散放射の発散を変化させるように構成され、
前記放射反射器が、その発散放射を反射して、収束放射を提供するように構成される、
請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記放射反射器が、前記放射を光軸上の焦点に集束するように構成され、
前記焦点が前記放射源と前記放射反射器の間に配置される、
請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記放射反射器が、
１つの実質的に円錐体の放射集光表面区画を有する集光器であるか、
２つの放射集光表面を有するシュワルツシルト集光器である、
請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記集光器の焦点から隔置された前記放射源を備え、前記集光器が前記焦点から現れたままの前記放射を受けるように、前記汚染物質バリアが、前記放射源から受けた放射を前記集光器に向かって反射するように構成される、
請求項８に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記集光器の第一焦点に配置された前記放射源を備え、前記集光器が前記集光器の第二焦点から現れたままのその放射を受けるように、前記汚染物質バリアが上流の反射を提供して、前記放射源から受けた放射を前記集光器に向かって反射するように構成され、前記汚染物質バリアが、下流の反射を提供して、前記集光器から受けた放射を前記第二焦点に向かって反射するように構成される、
請求項８に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
前記汚染物質バリアが、仮想円錐面に沿って延在する反射表面を備え、これらの仮想円錐面の頂点が、前記第一焦点と第二焦点の中央に、又はその付近に配置される、
請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
前記汚染物質バリアが複数の放射反射要素を備え、前記放射反射要素がそれぞれ、前記放射を反射する反射表面を備える、
請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
前記汚染物質バリアが、中間間隔だけ相互から隔置されたアレイ状の放射反射要素を備え、前記中間間隔が、前記アセンブリの光軸から半径方向外側を見て、隣接する放射反射要素のその後の対ごとに増加する、
請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
前記汚染物質バリアが放射透過路を規定し、各放射透過路が、前記放射反射器の放射反射表面に対して４５°より大きい角度を含む仮想透過方向に沿って延在する、
請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
前記放射を放出するように構成された前記放射源を備える、
請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１６】
放射を放出するように構成された放射源と、前記放射源を反射するように構成された垂直入射集光器と、作動中に前記放射を反射するように構成された汚染物質バリアと、
を備えるアセンブリ。
【請求項１７】
放射反射器と、
汚染物質バリアと、
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、を備え、
前記汚染物質バリアが、放射源からの放射を受けて、その放射を前記放射反射器に向かって反射するように構成され、
前記放射反射器が、塩基汚染物質バリアから受けた前記放射を、元へ戻して前記汚染物質バリアに向かって反射するように構成される、
リソグラフィ投影装置。
【請求項１８】
放射を放出するように構成された放射源と、
前記放射を反射するように構成された垂直入射集光器と、
作動中に前記放射を反射するように構成された汚染物質バリアと、
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
を備えるリソグラフィ投影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は放射源、反射器、及び汚染物質バリアを備えるアセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  米国特許出願公開ＵＳ２００６／０２６１２９０Ａ１号は、リソグラフィ装置内に放射の投影ビームを提供するように構成された放射システムを開示している。実施形態では、放射システムは、ＥＵＶ（極端紫外線）を提供するように構成されたＥＵＶ源と、ＥＵＶ源から来る汚染物質を捕捉するように構成された複数の箔を含む汚染物質バリアとを含む。実施形態では、箔は、汚染物質バリアを通過するＥＵＶ放射を箔の少なくとも１つが少なくとも１回反射するように、光学的に閉じた構成で構成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
[0004]  放射源、放射反射器及び汚染物質バリアを備える改良されたアセンブリを提供することが望ましい。特に、例えばＥＵＶリソグラフィで使用される放射を提供するために改良された特性を提供できるようなアセンブリを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
[0005]  本発明の態様によれば、
放射反射器と、
汚染物質バリアと、を備え、
汚染物質バリアが、放射源からの放射を受けて、その放射を放射反射器に向かって反射するように構成され、
放射反射器が、汚染物質バリアから受けた放射を、元へ戻して汚染物質バリアに向かって反射するように構成される、
アセンブリが提供される。
【０００６】
[0006]  態様によれば、放射を放出するように構成された放射源と、放射を反射するように構成された垂直入射集光器と、動作中に放射を反射するように構成された汚染物質バリアとを備えるアセンブリが提供される。
【０００７】
[0007]  態様によると、本発明の実施形態によるアセンブリを備えたリソグラフィ投影装置が提供される。
【０００８】
[0008]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
[0021]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射を提供するように構成された放射源ＳＯと、
−  放射集光器１及び汚染物質バリア３を備えたアセンブリと、
−  放射ビームＰＢ（例えばＵＶ放射及び特にＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第一位置決め装置ＰＭに接続された支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＰＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＬとを含む。
【００１０】
[0022]  照明システムは、放射の誘導、成形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１１】
[0023]  支持構造体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造体は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造体は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１２】
[0024]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１３】
[0025]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（Alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（Attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１４】
[0026]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００１５】
[0027]  ここに示している本装置は反射タイプである（例えば反射マスクを使用する）。あるいは、装置は透過タイプでもよい（例えば透過マスクを使用する）。
【００１６】
[0028]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００１７】
[0029]  図１を参照すると、汚染物質バリア３は、放射源ＳＯから出る汚染物質を捕捉するように構成することができる。例えば、汚染物質バリア３は、放射源ＳＯと装置の顆粒部品との間に汚染物質バリアを提供するように構成することができる。また、例えば放射源ＳＯからの放射を受ける集光器１によって放射ビームを提供することができる。イルミネータＩＬは、集光器１を介して放射源ＳＯからの放射を受けることができる。集光器１及び汚染物質バリア３のアセンブリの有利な実施形態について、図４から図１１に関して以下で説明する。
【００１８】
[0030]  放射源ＳＯは様々な方法で構成することができる。例えば、放射源ＳＯは、放電生成のプラズマ源（ＤＰＰ源）、レーザ生成のプラズマ源（ＬＰＰ源）、例えば既知の錫又はＸｅ源、又は異なる放射源でよい。
【００１９】
[0031]  放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射は、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備える集光器１及び／又は例えばビームデリバリシステムの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じて集光器１、汚染物質バリア３及び／又はビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２０】
[0032]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、s-outer及びs-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２１】
[0033]  放射ビームＰＢは、支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＰＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＬを通過する。第二位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＰＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一位置決め装置ＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造体ＭＴの移動は、第一位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造体ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２２】
[0034]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２３】
[0035]  １．ステップモードにおいては、支持構造体ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２４】
[0036]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造体ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。支持構造体ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００２５】
[0037]  ３．別のモードでは、支持構造体ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００２６】
[0038]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００２７】
[0039]  図２は、放射反射器５０１の実施形態を断面図で示す。反射器は、２つの自然楕円焦点Ｆ１、Ｆ２を有する楕円構成の放射集光器である。特に、垂直入射集光器は、楕円体の区間の幾何形状を有する１つの放射集光表面５０１ｓを有する集光器を備える。つまり、放射体の放射集光表面５０１ｓの区間は、仮想楕円体に沿って延在する（その一部が図２の点線Ｅとして図示されている）。
【００２８】
[0040]  集光器５０１が楕円体である（つまり楕円体に沿って延在する反射表面５０１ｓを備える）場合、これは１つの焦点Ｆ１からの放射を別の焦点Ｆ２に集束させる。焦点は、楕円体の長軸上で楕円の中心から距離ｆ＝（ａ２−ｂ２）１／２に配置され、ここでａ２及びｂ２は、それぞれ長軸と短軸の長さである。図１に示す実施形態がＬＰＰ放射源ＳＯを備える場合、集光器１は、図２に示すように単一の楕円体ミラーであることが望ましく、放射源ＳＯが一方の焦点（Ｆ１）に位置し、中間焦点ＩＦがミラーの他方の焦点（Ｆ２）に確立される。第一焦点Ｆ１に配置された放射源から出て反射表面５０１Ｓに向かう放射、及びその表面によって反射し、第二焦点Ｆ２に向かう反射放射が、図２の線ｒで図示されている。例えば、実施形態によれば、上述した中間焦点ＩＦを、所望に応じて、集光器１とリソグラフィ装置の照明システムＩＬ（図１参照）の間に配置するか、照明システムＩＬ内に配置することができる。
【００２９】
[0041]  図３は、放射反射器６０１の別の実施形態を断面図で概略的に示している。この場合、反射器は２つの垂直入射集光器部分６０１ａ、６０１ｂを備え、各部分６０１ａ、６０１ば、実質的に楕円体の放射集光表面区間を有することが望ましい（しかし、必ずしもそうではない）。特に、図３の実施形態は、シュワルツシルト集光器の設計を備え、２つのミラー６０１ａ、６０１ｂで構成することが望ましい。放射源ＳＯを第一焦点Ｆ１に配置することができる。例えば、第一集光器ミラー部分６０１ａは、第一焦点Ｆ１から出た放射を第二集光器ミラー部分６０１ｂに向かって、特に第二焦点Ｆ２に向かって集束するように構成された（例えば楕円体又は放物線形状の）凹面反射面６０１ａｓを有することができる。第二ミラー部分６０１ｂは、第一ミラー部分６０１ａによって誘導された放射を第二焦点Ｆ２に向かって、さらに焦点ＩＦ（例えば中間焦点）に向かって集束するように構成することができる。第一ミラー部分６０１ａはアパーチャ６０２を備え、これを介して（第二ミラー６０１ｂで反射した）放射をさらなる焦点ＩＦに向かって透過させることができる。例えば、図３の実施形態は、ＤＰＰ放射源との組合せで有利に使用することができる。
【００３０】
[0042]  図４から図１１は、放射反射器１及び汚染物質バリア３を備えるアセンブリ１、３の様々な有利な実施形態に関し、放射源ＳＯを含むことができる。例えば、アセンブリ１、３は、（図１に示すように）上述したリソグラフィ装置の一部にできると有利である。アセンブリは、特に（しかし必ずしもそうではないが）ＥＵＶリソグラフィに使用される放射の提供に改良された特性を与えることができる。特に、汚染物質バリア３は、放射源ＳＯから放出された放射（例えばＥＵＶ放射）を受け、その放射を放射反射器１に向かって反射するように構成することができる。実施形態によれば、放射反射器１は、汚染物質バリア３から受けた放射を、元へ戻して汚染物質バリア３に向かって反射するように構成することが望ましい。
【００３１】
[0043]  アセンブリの放射反射器は、様々な方法で構成することができる。実施形態によれば、放射反射器は垂直入射放射集光器１である。
【００３２】
[0044]  例えば、図４は、１つの実質的に楕円体の放射集光表面区間を有する集光器１である垂直入射放射反射器を備えるアセンブリの実施形態を示す。
【００３３】
[0045]  実施形態によれば、（例えば図４に示した汚染物質バリア３と類似した）適切な汚染物質バリアと組み合わせた２つの放射集光表面を有する垂直入射シュワルツシルト集光器（例えば図３参照）を備えるアセンブリを提供することができる。
【００３４】
[0046]  これらのケースのそれぞれで、垂直入射放射集光器１は、汚染物質バリア３から受けた放射を、元へ戻して汚染物質バリア３に向かって反射するように構成することが望ましい。
【００３５】
[0047]  実施形態によれば、汚染物質バリア３は、集光器１の反射表面と放射源ＳＯとの間の見通し線を全て、光学的に遮断するように構成される。例えば、汚染物質バリアは、放射源ＳＯと集光器１の間に光学的に閉じた構成を提供することができる。
【００３６】
[0048]  放射源ＳＯから出た放射が、汚染物質バリア３を２回通過し、汚染物質バリア３で少なくとも１回反射するような構成であることが望ましい。図４から図６は、放射が（放射源から集光器表面に向かう方向で汚染物質バリアを通過した場合に）汚染物質バリア３で１回だけ反射する実施形態に関する。
【００３７】
[0049]  図７から図９は、両方向で汚染物質バリアを通過する場合に、放射が汚染物質バリア３で反射する二重反射の実施形態に関する。
【００３８】
[0050]  図４、図５及び図７から図９で分かるように、汚染物質バリアは複数の放射反射要素４（箔とも呼ばれる）を備えてよい。汚染物質バリア３の放射反射要素４（又は箔）の例が、図１０Ａ、図１０Ｂにさらに詳細に図示されている。これらの要素４は、当業者に認識されるように、様々な方法で構成し、成形することができ、様々な材料を備える。例えば、各要素４は、光学的反射層を設けるか、それで構成して、入射放射を反射し、入射する残骸粒子を遮断又は捕捉することができる。例えば、放射源が錫の放射源（以下参照）である場合は、反射材料として錫を使用することができる。より一般的には、反射要素４は、汚染物質材料を吸収するために、それらの材料に適合する材料特性を有することが望ましい。実施形態では、モリブデンの箔４又は異なる材料の箔など、標準タイプの箔４を使用することができる。
【００３９】
[0051]  例えば、放射反射要素４は、汚染物質バリアを提供するように構成することができ、放射源から来る汚染物質材料を捕捉する複数の箔４を含むことができる。以上から分かるように、箔４は、汚染物質バリアを少なくとも１回通過した放射を箔４が反射するように、光学的な閉じた構成で構成することができる。閉じた構成によって、直線を進む高速の残骸を箔４で捕捉することができる。
【００４０】
[0052]  実施形態では、特にランダムな速度成分を有する原子残骸をさらに熱化するために、バッファガスを汚染物質バリア内に、又はその付近に注入することができ、これは汚染物質バリアによるこの残骸の抑制を改良する。
【００４１】
[0053]  実施形態によれば、汚染物質バリア３は複数の放射反射要素４を備え、各放射反射要素４は、放射を反射する少なくとも１つの反射表面４ａ、４ｂを備える（図１０参照）。例えば、汚染物質バリア３は、斜め入射反射によって入射放射を反射するように構成することが望ましい。
【００４２】
[0054]  放射は、箔の反射を介して汚染物質バリア３を通過できるようにされる。（この実施形態のように）各放射反射要素４は、共通光軸ＯＸに対して回転対称の幾何形状を有することが望ましく、集光器１が（例えば１つ又は複数の楕円体ミラーを有する垂直入射集光器の場合に）光軸（ＯＸ）に対して回転対称の幾何形状を有している場合は、特にそうである。
【００４３】
[0055]  例えば、図１０Ａ、図１０Ｂを参照すると、各反射要素４は、円錐台形のリング形要素４を有することができる。特に、放射反射要素４は実質的に、個々の仮想円錐面に沿って延在している。実施形態では、各要素４は、放射反射外面４ａを有する（つまり、外面４ａは、放射源ＳＯによって放出された放射を、特に斜め入射反射を介して反射するように構成される）。また、要素４の外面４ａは、頂点Ｔを有する第一仮想円錐面ＶＰ１に沿って延在することが望ましい。実施形態（以下の図７参照）では、反射要素４の内面４ｂは、望ましくは斜め入射反射を介して放射を反射するような構成である。また、要素４の内面４ｂは、望ましくは第一仮想円錐面ＶＰ１の頂点Ｔと一致する頂点を有する第二仮想円錐面ＶＰ２に沿って延在することが望ましい（図１０Ｂ参照）。
【００４４】
[0056]  実施形態では、例えばアセンブリは、放射反射要素４を所望の位置で保持する支持構造体（明快さを期して図示せず）を備えることができる。支持構造体は、これらの要素の一体部品でよい、及び／又はスポーク、線、隔置リブ、又は放射反射要素４を相互に接続する他の比較的細い、又は薄い接続部材を備えることができる。このような接続部材は、要素４間で横方向に（つまり汚染物質バリア３を通る放射の透過方向に対して実質的に直角に）延在することが望ましい。また、例えば汚染物質バリア３は、適切な方法で放射反射器１に接続して、汚染物質バリア３を放射反射器１の反射表面の前で所望の位置に保持することができる。
【００４５】
[0057]  実施形態によれば、各放射反射要素４は、特に集光器が１つ又は複数の楕円体ミラー部分を備える場合に、アセンブリの光軸ＯＸと実質的に一致する上述の頂点Ｔを有する個々の仮想円錐面に沿って延在することができる。
【００４６】
[0058]  一例として、放射源ＳＯは、発散放射を放射するように構成することができる。図４、図７を参照。その場合、汚染物質バリア３は、放射の発散を変化させるように構成することができる。例えば、汚染物質バリア３は、放射源ＳＯが放出した発散放射をさらに発散させる（つまりその発散率を上げる）ように構成することができる。放射集光器１は、（望ましくは放射を中間焦点ＩＦに集束させるために）収束放射を提供するように、汚染物質バリア３から出るその発散放射を反射するよう構成することができる。
【００４７】
[0059]  実施形態（例えば図７参照）では、汚染物質バリア３は、放射源ＳＯによって放出された発散放射の発散を減少させる（つまり発散率を低下させる）ように構成することができ、集光器１は、汚染物質バリア３から出た（発散率が低下した）放射を、元へ戻して汚染物質バリア３に向かって反射するように構成することができる。
【００４８】
[0060]  図４及び図７の実施形態では、集光器１は汚染物質バリア３から受けた放射を光軸上の焦点Ｆ２に集束し、焦点Ｆ２は放射源と放射反射器の間に配置されている。シュワルツシルト集光器システム（図３参照）の用途の場合、集光器１は、汚染物質バリアから受けた放射を光軸上の焦点ＩＦに集束させるように構成することができ、焦点Ｆ２は、集光器から見て放射源位置に面していない区域に配置されている。
【００４９】
[0061]  単純にするために、図４は、円錐台形要素４のうち４つのみを断面で図示しているが、このような要素４をはるかに多く設けることが望ましい。図４の実施形態では、汚染物質バリア３が一連の同心円錐面を提供し、各円錐の頂点は、集光器１の焦点（Ｆ２）の１つにある。この実施形態の利点は、最大数の反射を使用し、したがって反射損が比較的少ないことである。特に、図４による実施形態では、集光器１の反射表面１ｓが、放射源ＳＯから透過した放射の部分を焦点Ｆ２へと１回反射する（つまり汚染物質バリア３へ戻す）。また、このような汚染物質バリア３は、放射源ＳＯと下流の集光器焦点Ｆ２の間の放射透過路に沿って見て、１回のみ放射を反射する。
【００５０】
[0062]  図４の実施形態では、集光器１が（自然）焦点Ｆ１から現れたままの放射を受けるように、放射源ＳＯが集光器１の第一（自然）焦点から隔置され、汚染物質バリア３が、放射源ＳＯから受けた放射を集光器１に向かって反射するように構成される。
【００５１】
[0063]  さらに、図４の実施形態では、各放射反射要素４は、アセンブリの光軸ＯＸと実質的に一致する上述の頂点Ｔを有する個々の仮想円錐面に沿って延在することが望ましく、頂点は、集光器１の第二（自然）焦点Ｆ２に配置されている。また、図４の実施形態では、汚染物質バリア３は（反射要素４間の）放射透過路５を規定し、各放射透過路５は、放射反射器の放射反射表面１ｓに対して４５°より大きい角度を含む仮想透過方向に沿って延在する。
【００５２】
[0064]  例えば、実施形態によれば、放射透過路５は、集光器１の放射反射表面１ｓ付近に（これに面して）配置された路端を有してよく、各路端と放射反射器１の表面１ｓとの間の距離は１０ｃｍ未満でよい。例えば、後者の距離は、約１ｃｍ未満でよい。実施形態によれば、汚染物質バリア３の各放射透過路５の長さは、放射透過方向に沿って測定して、個々の路と放射源との間の同じ方向で測定した距離の半分未満でよい。さらに、汚染物質バリア３の各放射透過路５の長さは、放射透過方向に沿って測定して、個々の路と放射源の間の同じ方向で測定した距離の約１／１０より大きくてよい。さらに、汚染物質バリア３の様々な透過路５（例えば円錐台形の形状を有することができる）は、実質的に同じ透過長さを有するか、異なる長さでよい。同様に、各路端と放射反射器１の間の距離は、全ての路５でほぼ同じ（例えば図４参照）であるか、路５ごとに異なってよい（図８及び図９参照）。また、放射透過路５は、様々な寸法及び位置でよい。
【００５３】
[0065]  図４を図２と比較すると、放射を焦点Ｆ２で集めるために、放射源ＳＯは（汚染物質バリア３がない場合にように）第一焦点Ｆ１（図２参照）ではなく、新しい点Ｆ３に配置しなければならない。放射源Ｆ３の位置は、要素４の外面４ｂで反射すると、放射が第一焦点Ｆ１から出たように見え、したがって第二焦点Ｆ２に適切に集束するように選択される。これは、Ｆ１とＦ２の間の距離をＦ１とＦ３の間の距離とほぼ等しくすることによって達成することができる。要素４はＦ２に向かって配向されているので、集光器１によって集束された放射を第二焦点Ｆ２へと集束せず、したがって放射は「通常の」汚染物質バリアであるかのように通路を通過する。また、集光器１に対する放射源ＳＯの位置は、図２の構成に対して変化しているが、集光器ミラー１の集束特性は、図４のこの実施形態でも影響を受けないでいることができる。
【００５４】
[0066]  汚染物質バリア３の反射要素４の長さ及び間隔は、放射源ＳＯから集光器１に向かう透過方向で見て、汚染物質バリア３が光学的に閉じているように選択することが望ましい。幾つかの実施形態では、汚染物質バリア３は、例えば入射放射路と反射放射路が重なっている場合、光軸ＯＸに近い位置で光学的に閉じた構成を提供しない。シュワルツシルト集光器（図３参照）を備えるアセンブリの実施形態も、光軸ＯＸに近い位置に光学的に閉じた構成を提供することができる。というのは、この場合は、光軸の周囲（付近）から放射を集める必要がなく、したがってそこでは残骸の緩和が必要ないからである。
【００５５】
[0067]  実施形態によれば、離散化誤り、つまりその後の要素４の方向が連続的ではなく段階的に変化するという事実のせいで広がるエタンデュを最小限に抑えるために、放射反射要素４は相互に対して密集して隔置される。広がりは、所与の放射路に位置合わせされた要素４が任意の他の放射路ではわずかに位置合わせ不良であることから生じることがある。同じ理由で、汚染物質バリア３を全体として放射源ＳＯから比較的離して配置することが望ましい。実施形態によれば、汚染物質バリアによって誘発された誤差は、要素４が誤差を元に戻すか打ち消すように、要素４が適切な凸面反射表面を有するように再成形することによって補償することができる。
【００５６】
[0068]  反射要素４の配置は、以下のステップを辿ることによって見出すことができる。
１）アセンブリの所望の集光角度、さらに（放射透過方向に沿って測定した）箔の長さ、及び汚染物質バリア３の内側と放射源ＳＯとの間の所望の汚染物質バリア距離を選択する。
２）点Ｆ２（図４参照）で始まる所与の集光角度の線を引いて、第一箔４を配置する。第一箔４はこの線上にあり、所与の汚染物質バリア距離で開始し、所与の箔長さを有する。
３）次に、点Ｆ３（図４参照）から以前の箔４の前部を通る線を引く。次の箔４の端点は、この線と、汚染物質バリアの距離と箔の長さとの合計の半径円との交点に見られる。
４）次に、所与の箔長さを有するように、上述した端点からＦ２に向かって、第２点まで線を引く。
５）ステップ３及び４を繰り返して、その後の箔位置を描く。
【００５７】
[0069]  その結果の箔位置の２次元シーケンスを共通の回転軸（特に上述した光軸ＯＸ）の周囲で回転することにより、３次元の回転対称の汚染物質バリア３を設計することができる。
【００５８】
[0070]  その結果となる現実的な実施形態の例が図５に図示され、特に密集して隔置された箔の位置、及びＸＹ面での方向を示す。図５では、箔４が配向されている先の共通頂点Ｔが、放射源と座標Ｘ＝−０．０１ｍとＹ＝０ｍの間に配置され、集光器の上述した焦点Ｆ１が座標Ｘ＝−０．０１ｍ、Ｙ＝０ｍと一致する。
【００５９】
[0071]  特に、図５の実施形態では、汚染物質バリア３は、所定の中間間隔だけ相互から隔置されているアレイ状の放射反射要素４を備え、中間間隔は、アセンブリの光軸から半径方向外側を見て、隣接する放射反射要素４のその後の対ごとに増加する。
【００６０】
[0072]  図５の実施例では、以下のパラメータに基づいて、１つの反射性汚染物質バリア（図４参照）に合わせて最適化された箔の位置が図示されている。つまり、放射源の位置Ｘ＝−０．０２ｍ及びＹ＝０ｍ、最大集光角度＝７０°、最小集光角度＝１０°、各箔の箔厚さ＝１００μｍ、開始箔長さ＝１８ｃｍ、及び集光器距離＝５０ｃｍである。
【００６１】
[0073]  表１は、箔厚さ＝１００μｍ、集光器距離＝５０ｃｍというパラメータを使用して、様々な汚染物質バリアの設計について予想される値を示す。角度は、度数で表されている。表１では、「角度最大」というパラメータは、個々の設計で箔４によって反射する放射の最大反射角である。「角度最小」というパラメータは、箔４によって反射される放射の反射の最小反射角である。「平均角度」というパラメータは、箔４によって反射される放射の反射の平均反射角である。「最大角度」というパラメータは、汚染物質バリアの最大集光角度である。「箔距離」というパラメータは、汚染物質バリアの箔と放射源との間の距離である。
【表１】
2008288590.tif 000003
【００６２】
[0074]  例えば、非制限的な実施形態によれば、最大箔長さは約５０ｃｍ、特に２０ｃｍでよい。汚染物質バリア３と放射源ＳＯとの間の上述された距離は、約０．１〜１ｍの範囲、例えば約０．１〜０．３ｍの範囲でよい。放射源ＳＯと箔４の頂点Ｔとの間の距離は、約０．１ｃｍ〜１０ｃｍの範囲、例えば約０．５〜５ｃｍの範囲でよい。最小反射角は、約３°未満、例えば２°又は１°未満でよい。また、最大反射角（最小反射角より大きい）は、１０°以内、例えば約６°以内でよい。最大反射角は、反射される個々のタイプの放射（例えばＥＵＶ放射）に対して斜め入射反射を可能にするために、最大角度以内であることが望ましい。例えば、箔の間隔は０．１〜５ｃｍ、例えば約１〜２０ｍｍの範囲でよいか、約１０ｍｍ未満でよい。さらに、当業者に認識されるように、アセンブリの設計及び用途に応じて、多くの他の寸法及び角度を適用することができる。例えば、図６は、上述した平均反射角が、（焦）点Ｆ１とＦ２の間の距離の増加とともに増加できる様子を示す。
【００６３】
[0075]  図７から図９は、汚染物質バリア３が（放射源ＳＯによって放出された）放射を２回反射するように構成された有利な実施形態に関する。
【００６４】
[0076]  特に、図７に示すように、放射源ＳＯを集光器１の一方の（自然）焦点Ｆ１（又はＦ２）に配置し、集光器１が集光器１の第二（自然）焦点Ｆ２（又は放射源がＦ２にある場合はＦ１）から現れたままの放射を受けるように、汚染物質バリア３を、放射源ＳＯから受けた放射を集光器１に向かって反射するために、上流反射を提供するように配置し、汚染物質バリア３を、集光器１から受けた放射を第二焦点Ｆ２（又は放射源がＦ２にある場合はＦ１）に向かって反射するために、（第二）下流反射を提供するように配置することができる。例えば、汚染物質バリア３は、仮想円錐面に沿って延在する反射表面４ａ、４ｂを含むことができ、これらの仮想円錐面の頂点Ｔは、図７に示すように、第一焦点Ｆ１と第二焦点Ｆ２の中央に、又はその付近に配置される。
【００６５】
[0077]  例えば、図７から分かるように、汚染物質バリア３の反射要素４は、放射が要素４によって２回、つまり集光器１によって反射される前に１回、反射された後に１回反射されるようにレイアウトすることができる。集光器１に対する放射源ＳＯの位置は、（図２と比較して）変化しないままでよく、これは幾つかの利点を提供することができる。さらに、この実施形態は、放射源からの放射の広がりからそれほど損害を受けない。
【００６６】
[0078]  図７を参照すると、箔４の円錐表面の頂点Ｔは、凹面ミラー又は集光器１の２つの焦点Ｆ１とＦ２の間にあってよい。例えば、この構成は、Ｆ１からＦ２まで３つの放射路を描き、その後に図７に示すようにその交差部を２等分する箔を描くことによって考案することができる。上述したように、焦点の一方、例えばＦ１から発生する放射は、他方の焦点Ｆ２から発生したように見えるように、汚染物質バリア３によって反射する。次に、集光器１は放射をＦ１に向かって反射し、その後にこれは汚染物質バリア３によってＦ２に向かって再び反射する。このように、汚染物質バリアがない状態でＦ２に集束するＦ１からの放射は、汚染物質バリアが所定の位置にあってもなおＦ２に集束する。放射源ＳＯが他方の焦点（Ｆ２）に位置する場合でも、同じことが言える。
【００６７】
[0079]  この実施形態では、箔４の長さ及び間隔は、両方の焦点Ｆ１及びＦ２から見て汚染物質バリア３が光学的に閉じているように選択されることが望ましい。図４の以前の実施形態と同様に、光学的に閉じた構成は通常、光軸に近い位置では可能ではない。というのは、入射放射路と反射放射路が重複するからであるが、前述したように集光器１をシュワルツシルト集光器で置換すると、これは該当する問題ではなくなる。
【００６８】
[0080]  図７の実施形態では、反射要素４は両（対向）側で反射性である。実施形態によれば、特に放射源ＳＯからの直通路で発生する残骸が箔４の他方側４ａをコーティングした場合、箔４の非露光側４ｂに反射率が高い斜め入射コーティングを使用できることが好ましい。
【００６９】
[0081]  図７の実施形態の箔の配置は、以下のステップ１〜７で分かる。これらのステップの詳細な説明については、図８を参照されたい。
１）集光角度、（開始）箔長さ及び汚染物質バリアの距離を選択する。
２）所望の集光角度で点Ｆ１及びＦ２を源とする２本の線を引き、選択した箔長さで第一箔４（１）を描いて、これらの２本の線の交点を２等分することによって、第一箔４（１）を配置する。
３）次に、点Ｆ２から以前の箔４（１）の端部まで線Ａ１を引く。線Ａ１と、指定された汚染物質バリアの距離を半径とする円との交点を求める。
４）Ｆ１及びＦ２を源とし、第一点aを通る２本の線を引く。第一点aを通り、Ｆ１及びＦ２からの２本の線を２等分する第二線Ａ２を引く。
５）Ｆ１と、以前の箔４（１）の前部との間に第三線Ａ３を引く。線Ａ３と線Ａ２の交点が第二点βになる。
６）次の箔４（２）は、第一点aと第二点βの間に延在している。
７）以前のステップ３から６を繰り返すことによって、その後の箔を描く。
【００７０】
[0082]  図９は、二重反射性の実施形態の箔４の最適配置の実施例の結果を示す。この実施例では、以下のパラメータを使用して、二重反射性汚染物質バリアの最適化した箔の位置を設けることができる。つまり、放射源の位置＝−０．０５ｍ、最大集光角度＝７０°、最小集光角度＝１０°、箔厚さ＝１００μｍ、開始箔長さ＝１８ｃｍ、及び集光器距離＝５０ｃｍである。
【００７１】
[0083]  図７から図９の実施形態で汚染物質バリア３の箔を設計する場合、以下の効果を考慮に入れることができる。
−Ｆ１とＦ２の間の距離を短縮すると、箔の数が増加し、反射角が小さくなることがある。
−箔長さを短縮すると、箔の数が（ほぼ直線的に）増加し、反射角はほぼ同じままになることがあり、したがって箔４は可能な限り長いことが望ましい。
−汚染物質バリア３を放射源ＳＯに近づけて配置すると、箔の数による損を減少させることができるが、他方で増加した反射角による損が増加することがある。
−最大集光角度を大きくすると、反射角及び箔による損が同様の値になることがある。
【００７２】
[0084]  表２は、図７から図９の実施形態に関する幾つかの汚染物質バリアの設計例について予想される値を示す。ここでは、以下のパラメータが使用されている。つまり、箔長さ＝１８ｃｍ、箔厚さ＝１００μｍ、及び集光器距離＝５０ｃｍである。
【表２】
2008288590.tif 000004
【００７３】
[0085]  図７から図９による実施形態の利点は、個々の二重反射構成がエタンデュを広げないことである。汚染物質バリア３による第一反射によって導入される見かけのシフトは、汚染物質バリア３によって提供される第二反射の同じ大きさであるが反対方向のシフトによって補償され、したがって放射は適切に集束する。特に、汚染物質バリア３は、箔４が、焦点（Ｆ１、Ｆ２）から出る放射を反射するために適切に位置合わせされ、さらに二重反射のせいで、集光器１から出た放射を、元に戻して同じ焦点（Ｆ１、Ｆ２）へと反射するために適切に位置合わせされるように設計される。
【００７４】
[0086]  実施形態によれば、例えば箔４を可能な限り放射源ＳＯから離して配置することによって、箔４の上述した（平均）反射角を最小にすることが望ましい。特に、これは本発明の実施形態の光透過率の結果であり、これは（ｉ）箔４の縁前部損、及び（ｉｉ）反射損によって割り出すことができる。反射損は、表１及び表２で与えられたような反射角で箔表面の反射率曲線を評価することによって推定することができる。図１１は、液体Ｓｎミラーに関する反射率の例を示す。図１１は、汚染物質バリア３に液体Ｓｎミラー表面（以下参照）を設けた場合の液体Ｓｎミラーの斜め入射反射率の計算値を示している。反射損は、箔の縁前部損よりはるかに重大になることがある。
【００７５】
[0087]  実施形態によれば、上述した汚染物質バリア３は、これによって捕捉又は吸収される特定の材料の融点より高い温度、特に錫（Ｓｎ）の場合は約２３０℃の温度で作動することができる。このように作動する結果、箔４上に錫流体の滑らかな放射反射表面４ａができ、放射（例えばＥＵＶ放射）の反射率を大幅に上げることができる。また、入ってくる残骸を液化した表面４ａで吸収することができ、これは表面の「自己回復」を提供することができる。例えば、汚染物質バリア３は、作動中に、放射源の固有のエネルギ吸収により加熱されるように構成することができる。このような加熱要素は、熱吸収コーティング又は活性要素、例えば電気加熱回路などでよい。
【００７６】
[0088]  以上から分かるように、本発明の１つ又は複数の実施形態は、特に垂直入射ＥＵＶ集光器と組み合わせて使用するために、汚染物質バリアの有利な設計を提供することができる。汚染物質バリア３は、様々なタイプの残骸を捕捉するように構成することができる。例えば、実際的なＥＵＶ源は、帯域外放射及び残骸を発生することがあり、後者は放射現に近い反射性集光器光学系の有効寿命を著しく制限してしまう。Ｓｎ系の放射源の場合、以下の３タイプの残骸を識別することができる。
−低速原子残骸：熱化原子、つまりマクスウェル分布によるランダムな方向及び速度を有する。
−高速原子残骸：光路に平行な高い弾道速度を有するイオン、中性子及びナノクラスタ。
−微粒子：マイクロメートルのサイズの弾道粒子及び小滴で、これも光路に平行に配向される。
【００７７】
[0089]  本発明の実施形態は、放射が通常は汚染物質バリアを２回、特に異なる方向で通過するように（例えば図４から図９参照）、垂直入射集光器、又はさらに一般的には垂直入射反射器を、反射性汚染物質バリアと組み合わせるものである。有利な実施形態では、汚染物質バリア３の反射要素４は、集光器１が放射を適切に集束できるようにレイアウトすることができる。
【００７８】
[0090]  さらに、本発明の実施形態は、垂直入射集光器の反射性汚染物質バリアを提供し、汚染物質バリア３を放射源と集光器の間に配置することができる。実施形態によれば、汚染物質バリアは通常、放射源ＳＯから見て光学的に閉じた構成で、１組の間隔が狭い小板（箔、又は同心リング）を備えることができる。放射源ＳＯから集光器（又は他のタイプの反射器）へと向かう全放射は、汚染物質バリア３の表面で少なくとも１回反射する。そのために、汚染物質バリア表面４ａは、高い反射率を維持しながら全残骸を捕捉する液体Ｓｎなどで覆うことができる。
【００７９】
[0091]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００８０】
[0092]  以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構成を基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力又はその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。
【００８１】
[0093]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００８２】
[0094]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、又はその組合せを指す。
【００８３】
[0095]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はその内部に記憶されたこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。
【００８４】
[0096]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】[0009]  本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0010]  先行技術の第一集光器の実施形態を概略的に示した図である。
【図３】[0011]  先行技術の第二集光器の実施形態を概略的に示した図である。
【図４】[0012]  本発明の第一実施形態によるアセンブリの一部を示した図である。
【図５】[0013]  本発明の第二実施形態によるアセンブリの一部を示した図である。
【図６】[0014]  本発明の実施例の焦点Ｆ１とＦ２の間の距離の関数として平均反射角を示したグラフである。
【図７】[0015]  本発明の第三実施形態によるアセンブリの一部を示した図である。
【図８】[0016]  本発明の第四実施形態によるアセンブリを提供するために箔を配置するステップのシーケンスを示した図である。
【図９】[0017]  本発明のさらなる実施形態によるアセンブリの一部を示した図である。
【図１０Ａ】[0018]  汚染物質バリアの一部の実施例を示した前面図である。
【図１０Ｂ】[0019]  図１０Ａの線Ｂ−Ｂ上の断面図である。
【図１１】[0020]  液体Ｓｎミラーの反射率と平均反射角を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【外国語明細書】
2008288590000001.pdf