(57)【要約】【課題】現状の熱式浮上量調整スライダによる熱突出先端部の曲率半径は、最小でも約２０ｍｍである。２０ｍｍという曲率半径でも、ある程度の振動抑制効果はあるが、より大きな抑制効果を得るためには、１０ｍｍ以下まで曲率半径を低減する必要である。【解決手段】スライダ基板１aの素子形成面に、薄膜プロセスにより記録素子２、磁気抵抗効果素子３４を備えた再生素子３、２個のヒータ４，４０が形成される。ヒータ４，４０はスライダ基板１ａと再生素子３の間に形成される。ヒータ４は浮上量調整用ヒータであり、磁気抵抗効果素子３４を直接加熱して劣化させないように、磁気抵抗効果素子３４から離れるように浮上面９から後退した位置に設けられる。ヒータ４０は曲面突起形成用ヒータであり、浮上量調整用ヒータ４よりも小型で、浮上量調整用ヒータ４と浮上面９の間に設けられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ほぼ直方体形状を成し、浮上面と素子形成面とを有するスライダ基板と、
該スライダ基板の素子形成面に形成された薄膜磁気ヘッドと、
前記スライダ基板の素子形成面であって、前記薄膜磁気ヘッドの近傍で、かつ、前記浮上面から後退した位置に形成された第１ヒータと、
該第１ヒータと前記浮上面との間に形成された、第１ヒータよりも小型の第２ヒータと、
を有することを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項２】
前記第２ヒータは、前記第１ヒータよりも面積が小さいことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項３】
前記第２ヒータの面積は、前記第１ヒータの面積の１／２以下であることを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項４】
前記第１及び第２ヒータは、前記スライダ基板と前記薄膜磁気ヘッドの間に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項５】
前記薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子を備えた再生素子と、記録素子とを有し、前記第１ヒータは、前記スライダ基板と前記再生素子の間で、かつ、前記浮上面から後退した位置に配置されていることを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項６】
前記第２ヒータの発熱による前記浮上面の突出部の曲率半径が約１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項７】
前記第１及び第２ヒータは、蛇行する薄膜抵抗体で構成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項８】
前記第１ヒータのグランド配線と前記第２ヒータのグランド配線は、互いに接続されて１つのグランド配線に集約されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項９】
前記第１ヒータのグランド配線と前記第２ヒータのグランド配線は、互いに接続されて１つのグランド配線に集約され、該集約されたグランド配線が前記基板に接続されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項１０】
磁気ヘッドスライダと、該磁気ヘッドスライダを保持するジンバルと、該ジンバルを支持し、前記磁気ヘッドスライダに荷重を与えるロードビームとを有するヘッドジンバルアセンブリにおいて、前記磁気ヘッドスライダが、
ほぼ直方体形状を成し、浮上面と素子形成面とを有するスライダ基板と、
該スライダ基板の素子形成面に形成された薄膜磁気ヘッドと、
前記スライダ基板の素子形成面であって、前記薄膜磁気ヘッドの近傍で、かつ、前記浮上面から後退した位置に形成された第１ヒータと、
該第１ヒータと前記浮上面との間に形成された、第１ヒータよりも小型の第２ヒータとを備えることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１１】
前記薄膜磁気ヘッドのリード線と前記第１及び第２ヒータのリード線にそれぞれ接続された配線が、前記ジンバルと前記ロードビームの上に積層されていることを特徴とする請求項１０記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１２】
前記第１ヒータのグランド線と前記第２ヒータのグランド線が互いに接続されて１つのグランド線に集約され、該集約されたグランド線が前記配線に接続されていることを特徴とする請求項１０記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１３】
前記第１ヒータのグランド線と前記第２ヒータのグランド線が互いに接続されて１つのグランド線に集約され、該集約されたグランド線が前記基板に接続されていることを特徴とする請求項１０記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１４】
磁気ディスクと、該磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、前記磁気ディスクに対して磁気記録及び再生を行う磁気ヘッドスライダと、該磁気ヘッドスライダを保持するサスペンションと、該サスペンションを支持して前記磁気ディスクの半径方向に移動させるアクチュエータとを有する磁気ディスク装置において、
前記磁気ヘッドスライダが、
ほぼ直方体形状を成し、浮上面と素子形成面とを有するスライダ基板と、
該スライダ基板の素子形成面に形成された薄膜磁気ヘッドと、
前記スライダ基板の素子形成面であって、前記薄膜磁気ヘッドの近傍で、かつ、前記浮上面から後退した位置に形成された第１ヒータと、
該第１ヒータと前記浮上面との間に形成された、第１ヒータよりも小型の第２ヒータとを備えることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１５】
前記第１ヒータへの印加電力を制御することにより、前記磁気ヘッドスライダの浮上量を調整し、前記第２ヒータへの印加電力は一定に維持することを特徴とする請求項１４記載の磁気ディスク装置。
【請求項１６】
前記第２ヒータの発熱による前記浮上面の突出部の曲率半径が約１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１５記載の磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置の高記録密度化を実現するための磁気ヘッドスライダ、磁気ヘッドスライダを支持したヘッドジンバルアセンブリ、およびヘッドジンバルアセンブリを搭載した磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置は、回転する磁気ディスクと、記録再生素子を搭載する磁気ヘッドスライダと、磁気ヘッドスライダを保持するサスペンションと、サスペンションを回転駆動し、磁気ヘッドスライダを磁気ディスクの半径方向に移動して位置決めするアクチュエータとを有する。サスペンションに保持される磁気ヘッドスライダが、磁気ディスク上を相対的に走行して、磁気ディスク上に記録された磁気情報を読み書きする。前記磁気ヘッドスライダは空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスクとは直接には固体接触しないように設計されている。磁気ディスク装置の高記録密度化と、それによる装置の大容量化あるいは小型化を実現するためには、磁気ヘッドスライダと磁気ディスクの距離、すなわちスライダ浮上量を縮め、線記録密度を上げることが有効である。
【０００３】
しかし、スライダ浮上量が数ｎｍの領域では、ディスク面の表面粗さや潤滑膜の厚さの揺らぎのため、磁気ヘッドスライダの後側の軸受面とディスク面との間に潤滑剤がメニスカスを形成しやすくなる。これは、潤滑剤がスライダ軸受面にも付着し、潤滑膜の厚さの揺らぎによる潤滑膜粗さが数ｎｍに達する場合があるからである。いったん潤滑剤によりスライダ軸受面とディスク面が架橋されると、吸着力が増大して磁気ヘッドスライダがディスク面に接触し、それによって生じる大きな摩擦力のために、磁気ヘッドスライダに不安定な跳躍振動が発生するようになる。
【０００４】
従来この吸着力の影響を低減するために、後側軸受面のヘッドを含む後端中央部の幅を小さくし、接触しやすい軸受面積を小さくする方法が提案されていたが、吸着力の影響を低減する効果は不十分である。
【０００５】
メニスカス力によりスライダ軸受面とディスク面の距離が１ｎｍ以下になると、固体面間のファンデルワールス力も生じるようになる。高記録密度化のために磁気ディスク媒体面の粗さを小さくすると、ひとたび潤滑剤のメニスカスによりスライダ軸受面とディスク面が吸着接触して、スライダ軸受面とディスク面間の隙間が小さくなると、たとえ接触面積を小さくしてもファンデルワールス力により著しい吸引力が生じることになる。
【０００６】
このメニスカス吸着力とファンデルワールス力をスライダ軸受の浮上力より十分小さくするためには、磁気ヘッドスライダの後側軸受面のヘッド近傍を、曲率半径の小さい凸曲面に形成し、軸受平面から数ナノメートル突出させ、その頂点近傍に記録再生素子を形成するのが効果的である。凸曲面の頂点近傍に記録再生素子を設置し、ヘッドとディスク面のすきまを１０ｎｍ以下のすきまで維持する浮上ヘッドスライダにおいては、たとえ凸曲面頂点部とディスク面との間にメニスカスが形成されても、その頂点近傍の合成された曲率半径を特定な値より小さくすれば、メニスカス吸着力とファンデルワールス力を空気軸受の浮上力より小さくすることができ、したがって摩擦力も小さくすることができ、接触跳躍振動を抑圧することができる。また、凸曲面がディスク面に接触した場合にも、凸曲面の最大接触応力を従来の粗さ接触による接触応力より小さくすることができ、しかもスライダ凸曲面とディスク面の間に潤滑剤をメニスカス形成によって保持する機能もあるので、磁気ヘッドスライダ面とディスク面の摩耗耐久性を著しく向上させることができる。メニスカス力やファンデルワールス力による磁気ヘッドスライダのディスク面への接触をなくし、またこれらの力による跳躍振動を抑圧するには、図９に示すように、凸曲面の曲率半径をR＝１００ｍｍ程度以下とするのが良く、R＝１０ｍｍ程度にすれば跳躍振動の大きな抑制効果が期待できる。
【０００７】
また、ナノメートルオーダーの微小な曲面突起を形成する方法としては、熱突出を利用する方法がある。例えば特許文献１に記載されているような、薄膜抵抗体から成る加熱装置（ヒータ）を記録素子と再生素子の近傍に設け、スライダの一部を必要に応じて加熱して熱膨張、突出させ、記録素子及び再生素子と磁気記録媒体との距離を調整する熱式浮上量調整スライダを利用する方法である。この浮上量調整のための熱突出を利用すれば、容易に数ｎｍの微小な曲面突起を形成することができる。つまり、現状の熱式浮上量調整スライダでも、浮上量調整時には、ヒータにより記録再生素子近傍を熱突出させているため、凸曲面が形成されていることになる。
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−１３５５０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、現状の熱式浮上量調整スライダによる熱突出先端部の曲率半径は、最小でも約２０ｍｍである。２０ｍｍという曲率半径でも、ある程度の振動抑制効果はあるが、より大きな抑制効果を得るためには、１０ｍｍ以下まで曲率半径を低減する必要である。
また、熱式浮上量調整の主目的は、ヘッド個体毎に、または使用環境に応じて浮上量を調整することであるため、ヘッド固体毎や使用環境によってヒータへの印加電力が異なり、発熱による突出量も異なることになる。解析結果などから、ヒータに印加する電力の違いにより突出高さが異なると熱突出の曲率半径も異なり、電力が大きく突出量が大きいほど曲率半径は小さくなることがわかったが、現状の浮上量調整用のヒータによる熱突出を利用するだけでは、曲面突起の曲率半径を２０ｍｍ以下にすることは難しく、また、ヘッドごとに曲面突起の曲率半径にばらつきがあるという問題がある。
【００１０】
本発明の目的は、磁気ヘッドスライダの熱突出による曲面突起の曲率半径を小さくすることである。また、磁気ディスク装置において、磁気ヘッドスライダの浮上量を低下させた場合の跳躍振動の発生を抑えることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために本発明においては、磁気ヘッドスライダに、熱式浮上量調整スライダ本来の目的である浮上量調整用ヒータと、浮上量調整用のヒータよりも浮上面に近い位置に浮上量調整用ヒータよりも小型の曲面突起形成用のヒータを配置することで、２段階の熱突出形状を形成することを特徴とするものである。
上記２段階ヒータの曲面突起形成用のヒータに常に同じ電力を印加しておけば、ヘッド固体毎や使用環境によらず、常に一定の曲面突起を形成することができる。また、曲面突起形成用のヒータは浮上量調整用ヒータと比べて小型にしておけば、熱突出の突出形状が浮上量調整用ヒータの突出形状よりも急峻になり、２段階突出の先端部では曲率半径を小さくできる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、磁気ヘッドスライダの熱突出による曲面突起の曲率半径を小さくすることができる。また、磁気ディスク装置において、磁気ヘッドスライダの浮上量を低下させても、跳躍振動の発生を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明に係る磁気ディスク装置の概略構成を図２に示す。磁気ディスク装置１００は、ランチボックス型のベース１０２を有し、ベース１０２にはスピンドルモータ１０４と、軸受けユニット１１０と、ＶＣＭ磁気回路１１６が取り付けられている。スピンドルモータ１０４には、磁気ディスク１０６が保持され、磁気ディスク１０６はスピンドルモータ１０４によって回転駆動される。軸受けユニット１１０には、ヘッドアーム１１２とＶＣＭコイル１１４が支持され、ＶＣＭコイル１１４はＶＣＭ磁気回路１１６の磁界中に置かれる。ＶＣＭコイル１１４とＶＣＭ磁気回路１１６とで、軸受けユニット１１０を回転させるアクチュエータを構成している。ヘッドアーム１１２にはロードビーム１１８が取り付けられ、ロードビーム１１８にはジンバル１２０が取り付けられ、ジンバル１２０には、磁気ヘッドスライダ１が保持されている。ロードビーム１１８にジンバル１２０が取り付けられたバネ部材がサスペンションであり、サスペンションに磁気ヘッドスライダ１が取り付けられた構成体がヘッドジンバルアセンブリである。ヘッドジンバルアセンブリは、軸受けユニット１１０と共に回転し、磁気ヘッドスライダ１を磁気ディスク１０６の半径方向に移動させる。
【００１４】
磁気ヘッドスライダ１は、ロードビーム１１８によって磁気ディスク面への押し付け荷重を与えられ、１０ｎｍ程度あるいは１０ｎｍ以下の浮上量で磁気ディスク上を浮上する。磁気ヘッドスライダ１はロードビーム１１８とともにアクチュエータによって磁気ディスク１０６の半径方向にシーク動作し、磁気ディスク面全体で記録再生を行う。磁気ヘッドスライダ１は、装置の停止時あるいは読み書き命令が一定時間無い時に、磁気ディスク１０６上からランプ機構１２２に待避する。なお、上記した磁気ディスク装置１００は、ロード・アンロード機構を備えた装置であるが、装置停止中は磁気ヘッドスライダ１が磁気ディスク１０６の特定の領域で待機する、コンタクト・スタート・ストップ方式の磁気ディスク装置であっても良いことは言うまでもない。
【００１５】
図２における磁気ヘッドスライダ（以下、スライダと略す）１を拡大して図３に示す。スライダ１は、アルミナとチタンカーバイドの焼結体（以下、アルチックと略す）に代表されるセラミック材料のスライダ基板１ａと、薄膜磁気ヘッド部分１ｂとから成る。薄膜磁気ヘッド部分１ｂは、スライダ基板１aの素子形成面（薄膜形成面）上に薄膜プロセスで形成された磁気記録素子２、磁気再生素子３、２個のヒータ４，４０（図４参照）および絶縁体の保護膜１６（図４参照）などから成る。磁気再生素子３と磁気記録素子２の積層体が薄膜磁気ヘッドである。
【００１６】
スライダ１は、例えばフェムトと呼ばれるスライダでは、長さ０．８５ｍｍ、幅０．７ｍｍ、厚さ０．２３ｍｍのほぼ直方体形状をしており、浮上面９、空気流入端面１２、空気流出端面１４、両側の側面、背面の計６面から構成される。浮上面９にはイオンミリングやエッチングなどのプロセスによって微細な段差（ステップ軸受け）が設けられており、磁気ディスクと対向して空気圧力を発生し、背面に負荷される荷重を支える空気軸受けの役目を果たしている。浮上面９には前記のように段差が設けられ、実質的に平行な３種類の面に分類される。最もディスクに近い浮上パッド５（５ａ、５ｂ、５ｃ）、浮上パッド５より約１００ｎｍ乃至２００ｎｍ深いステップ軸受け面である浅溝面７（７ａ，７ｂ，７ｃ）、浮上パッド５より約１μｍ深くなっている深溝面８の３種類である。ディスクが回転することで生じる空気流が、ステップ軸受けである浅溝面７ｂから浮上パッド５ｂ，５ｃへ進入する際に、先すぼまりの流路によって圧縮され、正の空気圧力が生じる。一方、浮上パッド５ｂ，５ｃ及び浅溝面７ｂから深溝面８へ空気流が進入する際には、流路の拡大によって負の空気圧力が生じる。なお、図３においては段差及び溝の深さを強調して示してある。
【００１７】
スライダ１は空気流入端１２側の浮上量が、空気流出端側１４の浮上量より大きくなるような姿勢で浮上するように設計されている。従って流出端近傍の浮上パッド（以下、素子設置面という）５ａがディスクに最も接近する。流出端近傍では、素子設置面５ａが周囲の浅溝面７ａ、深溝面８に対して突出しているので、スライダピッチ姿勢およびロール姿勢が一定限度を超えて傾かない限り、素子設置面５ａが最もディスクに近づくことになる。磁気記録素子２および磁気再生素子３は、素子設置面５ａの薄膜ヘッド部分１ｂに属する部分に形成されている。ロードビーム１１８から押し付けられる荷重と、浮上面９で生じる正負の空気圧力とがうまくバランスし、磁気記録素子２および磁気再生素子３からディスクまでの距離を１０ｎｍ程度の適切な値に保つよう、浮上面９の形状が設計されている。
また、浮上面９で最もディスク１０６と接触する可能性の高い素子設置面５ａには、ディスクとの短時間かつ軽微な接触が起こっても摩耗しないよう、また記録素子２および再生素子３の腐食を防ぐため、厚さ数ｎｍの炭素保護膜が形成されている。
なお、上記したスライダ１は、浮上面９が実質的に平行な３種類の面５、７、８から形成される２段ステップ軸受けのスライダであるが、４種類以上の平行な面から形成される３段以上のステップ軸受けのスライダであっても良い。
【００１８】
図３に示したスライダ１の、記録再生素子が形成された薄膜磁気ヘッド部分１ｂの断面拡大図（Ａ−Ａ線断面図）を図４に示す。薄膜磁気ヘッド部分１ｂは、アルチック基板１ａ上に、メッキ、スパッタリング、研磨などの薄膜プロセスを用いて形成された、下部磁気シールド３２、磁気抵抗効果素子３４、上部磁気シールド３６からなり、磁界の変化を検出する磁気抵抗型の再生素子３と、磁極２２、ライトコイル２４からなり、ライトコイル２４を流れる電流で磁極２２間に磁界を発生して磁気情報を記録するインダクティブ型の記録素子２と、再生素子３と記録素子２の近傍を加熱する薄膜抵抗体からなる２個のヒータ４，４０と、これらの素子全体を覆うアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の保護膜１６によって構成される。ヒータ４及びヒータ４０は、スライダ基板１ａと下部磁気シールド３２の間に形成されている。ヒータ４は浮上量調整用ヒータであり、磁気抵抗効果素子３４を直接加熱して劣化させないように、磁気抵抗効果素子３４から離れるように浮上面９から後退した位置に設けられる。ヒータ４０は曲面突起形成用ヒータであり、浮上量調整用ヒータ４よりも小型で、浮上量調整用ヒータ４と浮上面９の間に設けられる。
【００１９】
図１に、浮上量調整用ヒータ４及び曲面突起形成用ヒータ４０を、流出端側から見た図（図４のＢ−Ｂ断面図）を示す。浮上量調整用ヒータ４は、材質がニッケルクロム（ＮｉＣｒ）、厚さが約０．１２μｍ、幅が約２μｍの薄膜抵抗体の細線を、奥行き約２０μｍ、幅約２０μｍの領域に蛇行させたものであり、間隙はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）で埋めてある。抵抗値は約４５０Ωである。曲面突起形成用ヒータ４０は、浮上量調整用ヒータ４の面積の１／２以下の面積になるように、浮上量調整用ヒータ４と同じ材料で形成した薄膜抵抗体であり、材質がニッケルクロム（ＮｉＣｒ）、厚さが約０．１２μｍ、幅が約１μｍの細線を、奥行き約１０μｍ、幅約１０μｍの領域に蛇行させたものである。抵抗値は約１００Ωである。
【００２０】
図５を参照して上記ヒータ構造による熱突出を詳細に説明する。図５は、図１と同じように、ヒータを、流出端側から見た図である。上記ヒータ構造の特徴は、図５に示すように、浮上量調整用ヒータ４よりも浮上面９に近い位置に、薄膜形成面上の面積が浮上量調整用ヒータ４よりも小さい曲面突起形成用ヒータ４０を形成することである。図５に示すような２つのヒータを用いた２段階の加熱構造にし、浮上量調整用ヒータ４と浮上面９との距離Ｄ１よりも、曲面突起形成用ヒータ４０と浮上面９との距離Ｄ２を小さくし、さらに、曲面突起形成用ヒータ４０の薄膜形成面上の面積を浮上量調整用ヒータ４の薄膜形成面上の面積よりも小さくすることで、浮上量調整用ヒータ４による突出形状５０の頂点付近に浮上量調整用ヒータ４による突出形状５０よりも小さく急峻な曲面突起形成用ヒータ４０による曲面突起５２を形成する２段階の突出形状とすることが可能になる。Ｄ２とＤ１の関係は、Ｄ２＜１／３Ｄ１であることが望ましい。その結果、２段階の突出形状の頂点の曲率半径は、接触跳躍振動の抑制に求められる１０ｍｍ以下にすることが可能となる。また、熱式浮上量調整本来の目的である浮上量調整用のヒータ４による突出は、ヘッド固体毎や使用環境の変化によって、それらを補正するためのヒータへの印加電力が異なるために、突出量及び曲率半径がヘッド固体毎や使用環境によって異なるが、曲面突起形成用ヒータ４０にはヘッド固体毎や使用環境によらず、常に同じ電力を印加しておけば、曲面突起形成用ヒータ４０による突出５２の頂点の曲率半径は常に同じ値を保つことができる。
【００２１】
２種類のヒータを制御するためには、通常は２系統４配線が必要であり、スライダ１の素子形成面の保護膜１６上に形成する端子数を、現状の６端子から８端子に増加する必要がある。端子数が多くなると、空気流出端面１４上への実装が困難になる。図６は浮上量調整ヒータ用グランド線４２と曲面突起形成ヒータ用グランド線４４を接続して１つのグランド線に集約し、７端子とした配線構造を流出端側から見た図である。記録素子２、再生素子３及びヒータ４，４０のリード線を外部に電気的に接続するために、空気流出端面１４上に記録素子用端子６０、再生素子用端子６２、浮上量調整ヒータ用端子６４、曲面突起形成ヒータ用端子６６およびヒータ用グランド端子６８が形成されている。このように、グランド線を共有化することで、２種類のヒータを制御する場合でも、１個の端子増加で済ますことができる。図７は、浮上量調整ヒータ用グランド線４２と曲面突起形成ヒータ用グランド線４４を１つのグランド線に集約するのは図６の場合と同じであるが、共有化したグランド線をグランドに接続されているスライダ１のアルチック基板１ｂに接続して、アルチック基板１ｂを介してグランドに接続することで、ヒータ４，４０のグランド用端子６８を省略するものであり、これによれば、現状と同じ６端子の配線構造が可能となる。
【００２２】
なお、上記実施例では、厚さ０．２３ｍｍのフェムトスライダを例に説明したが、スライダの厚みが０．１ｍｍにまで薄くなった場合でも、一辺８０μｍ程度の大きさの端子であれば、７端子をスライダの流出端面に形成することは可能である。
【００２３】
図８は、６端子を実装したスライダ１をジンバル１２０に保持したヘッドジンバルアセンブリの模式図である。ロードビーム１１８とジンバル１２０には、プリアンプに一端が接続された配線が積層されており、この配線の他端が、上記したスライダ１の空気流出端面１４に形成された各端子にはんだ付け等により接続されている。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施例におけるヒータ構造を示す断面図である。
【図２】本発明に関わる磁気ディスク装置の構成を示す上面図である。
【図３】本発明の実施例による磁気ヘッドスライダの斜視図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】本発明の実施例におけるヒータ構造による浮上面突出形状を示す図である。
【図６】本発明の実施例における７端子の配線構造を示す図である。
【図７】本発明の実施例における６端子の配線構造を示す図である。
【図８】本発明の実施例によるヘッドジンバルアセンブリの模式図である。
【図９】浮上面の凸曲面の曲率半径とメニスカス力の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００２５】
１…磁気ヘッドスライダ、１ａ…スライダ基板、１ｂ…薄膜磁気ヘッド部分、２…記録素子、３…再生素子、４…浮上量調整用ヒータ、５ａ…浮上パッド（素子設置面）、５ｂ，５ｃ…浮上パッド、７ａ，７ｂ，７ｃ…浅溝面、８…深溝面、９…浮上面、１２…空気流入端面、１４…空気流出端面、１６…保護膜、２２…磁極、２４…ライトコイル、３２…下部磁気シールド膜、３４…磁気抵抗効果素子、３６…上部磁気シールド膜、４０…曲面突起形成用ヒータ、４２…浮上量調整ヒータ用グランド配線、４４…曲面突起形成ヒータ用グランド配線、５０…浮上量調整用ヒータによる突出形状、５２…曲面突起形成用ヒータによる突出形状、６０…記録素子用端子、６２…再生素子用端子、６４…浮上量調整ヒータ用端子、６６…曲面突起形成ヒータ用端子、６８…ヒータ用グランド端子、１００…磁気ディスク装置、１０２…ベース、１０４…スピンドルモータ、１０６…磁気ディスク、１１０…軸受けユニット、１１２…ヘッドアーム、１１４…ＶＣＭコイル、１１６…ＶＣＭ磁気回路、１１８…ロードビーム、１２０…ジンバル、１２２…ランプ機構。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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