(57)【要約】【課題】絶縁状態をモニターできるトリミングヒューズを有する半導体装置を提供する。【解決手段】第１の半導体領域１１と、第１の半導体領域１１内に形成され、第１の半導体領域１１と逆導電型で、且つ第１の半導体領域１１より不純物濃度が高い第２の半導体領域１２と、第２の半導体領域１２を含む第１の半導体領域１１上に形成された絶縁膜１３と、第２の半導体領域１２上に絶縁膜１３を介して形成された導電膜１４と、第２の半導体領域１２を外部回路に電気的に接続するためのコンタクト手段としてビア２０、配線２１、バッド２２と、を具備する。【選択図】図１
2008288280.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域内に形成され、前記第１の半導体領域と逆導電型で、且つ前記第１の半導体領域より不純物濃度が高い第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域を含む前記第１の半導体領域上に形成された絶縁膜と、
前記第２の半導体領域上に前記絶縁膜を介して形成された導電膜と、
前記第２の半導体領域を外部回路に電気的に接続するためのコンタクト手段と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板内に電気的に分離されて形成された第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域内に形成され、前記第１の半導体領域と同じ導電型で、且つ前記第１の半導体領域より不純物濃度が高い第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域を含む前記第１の半導体領域上に形成された絶縁膜と、
前記第２の半導体領域上に前記絶縁膜を介して形成された導電膜と、
前記第２の半導体領域を外部回路に電気的に接続するためのコンタクト手段と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第２の半導体領域が、前記第１の半導体領域に対して逆バイアスになるような電位に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記コンタクト手段が、前記第１の半導体領域内に前記第２の半導体領域と離間して形成された第３の半導体領域に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の半導体領域上の前記絶縁膜の膜厚が、前記第１の半導体領域上の前記絶縁膜の膜厚より厚いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トリミングヒューズを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置においては、回路定数を微調整するために電気素子を事後的に切り離し可能なトリミングヒューズが設けられているものがある。
【０００３】
トリミングヒューズは、半導体基板上に絶縁膜で覆われた導電膜を有している。絶縁膜を通して導電膜にレーザ光線を照射し、導電膜を昇華させて導電膜上の絶縁膜を飛散させることにより導電膜が溶断する。
【０００４】
然しながら、従来のトリミングヒューズは、導電膜の溶断に際し導電膜下の絶縁膜が損傷を受けると、切断された導電膜と半導体基板とが短絡する恐れがある。
【０００５】
これに対して、導電膜下の絶縁膜が損傷し、導電膜と半導体基板とが短絡しても、半導体基板電位の影響を受けないトリミングヒューズが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
特許文献１に開示されたトリミングヒューズは、メタル配線膜がｎ型不純物拡散層と短絡したか否かを検知することができないという問題がある。  
そのため、導電膜下の絶縁膜が損傷し、回路の動作には直接影響を与えないレベルのリーク電流が流れるレアショート状態が発生した場合に、これを放置しておくと通電に伴ってレアショート状態が進行し、突発的な特性不良にいたる恐れがある。  
その結果、半導体装置の信頼性が乏しくなるという問題がある。
【０００７】
また、複数のメタル配線膜を有するトリミングヒューズでは、複数のレアショート状態が発生すると、メタル配線膜同士が干渉して回路の動作に支障をきたす恐れがあるので、各ｎ型不純物拡散層をそれぞれｐ型不純物拡散層で囲う必要がある。  
その結果、トリミングヒューズのサイズが大きくなるという問題がある。
【特許文献１】特開平６−２０４３４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、絶縁状態をモニターできるトリミングヒューズを有する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の半導体装置は、第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域内に形成され、前記第１の半導体領域と逆導電型で、且つ前記第１の半導体領域より不純物濃度が高い第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域を含む前記第１の半導体領域上に形成された絶縁膜と、前記第２の半導体領域上に前記絶縁膜を介して形成された導電膜と、前記第２の半導体領域を外部回路に電気的に接続するためのコンタクト手段と、を具備することを特徴としている。
【００１０】
本発明の別態様の半導体装置は、半導体基板内に電気的に分離されて形成された第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域内に形成され、前記第１の半導体領域と同じ導電型で、且つ前記第１の半導体領域より不純物濃度が高い第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域を含む前記第１の半導体領域上に形成された絶縁膜と、前記第２の半導体領域上に前記絶縁膜を介して形成された導電膜と、前記第２の半導体領域を外部回路に電気的に接続するためのコンタクト手段と、を具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、絶縁状態をモニターできるトリミングヒューズを有する半導体装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１３】
本発明の実施例１に係る半導体装置について図１および図２を用いて説明する。図１は半導体装置に用いられるトリミングヒューズを示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図２は絶縁状態をモニターする方法を示す回路図である。
【００１４】
図１に示すように、本実施例のトリミングヒューズ１０は、半導体基板（第１の半導体領域）１１、例えばｎ−型のシリコン基板と、半導体基板１１内に形成され、半導体基板１１と逆導電型で、且つ半導体基板１１より不純物濃度が高い、ｐ＋型の不純物拡散層（第２の半導体領域）１２と、不純物拡散層１２を含む半導体基板１１上に形成された絶縁膜１３、例えばシリコン酸化膜と、不順物拡散層１２上に絶縁膜１３ａを介して形成された導電膜１４、例えばポリシリコン膜とを具備している。
【００１５】
絶縁膜１３ａおよび絶縁膜１３ｂを有する絶縁膜１３上に導電膜１４を覆うように、層間絶縁膜１５、例えばシリコン酸化膜が形成されている。
【００１６】
導電膜１４は配線である。導電膜１４の一端は、層間絶縁膜１５内に形成されたビア１６を介して配線１８に接続され、配線１８は内部回路、例えば抵抗素子（図示せず）に接続されている。  
導電膜１４の他端は、層間絶縁膜１５内に形成されたビア１７を介して配線１９に接続され、配線１９は内部回路、例えば基準電位ＧＮＤ（図示せず）に接続されている。
【００１７】
更に、レーザ光線を照射して導電膜１４を切断した後に、導電膜１４と不純物拡散層１２との絶縁状態をモニターするためのコンタクト手段として、ビア２０と、配線２１と、パッド２２とを具備している。  
不純物拡散層１２は、層間絶縁膜１５内に形成されたビア２０を介して配線２１に接続され、配線２１は、層間絶縁膜１５上に形成されたパッド２２に引き出されている。
【００１８】
パッド２２は、通常はオープン状態にあるが、半導体テスト工程でヒューズの絶縁状態をモニターする時のみ、ｐ＋型の不純物拡散層１２とｎ−型の半導体基板１１とのｐｎ接合が逆バイアスされるように外部電源Ｖｅｘｔに接続される。
【００１９】
レーザ光線の照射により導電膜１４が溶断しやすいように、層間絶縁膜１５には溝２３が形成され、膜厚が薄くなっている。  
図１（ａ）に示すように、不純物拡散層１２は導電膜１４よりも面積が大きい。導電膜１４は不純物拡散層１２に収まっている。
【００２０】
導電膜１４を溶断するには、層間絶縁膜１５の溝２３を通して、例えば波長１．０６μｍのパルス状のＹＡＧレーザ光線を、導電膜１４に照射する。
【００２１】
これにより、導電膜１４が昇華して溝２３の層間絶縁膜１５を飛散させるので、導電膜１４が溶断する。  
導電膜１４が溶断すると、導電膜１４の一端に接続された抵抗素子が回路から切り離されるので、回路の抵抗値がトリミングされる。
【００２２】
このとき、導電膜１４の下の絶縁膜１３ａが損傷を受けて、内部回路の動作には直接影響を与えないレベルのリーク電流が流れるレアショート状態になった場合には、不純物濃度の高い、すなわち抵抗の低い不純物拡散層１２を介して外部から絶縁膜１４と不純物拡散層１２との絶縁状態をモニターすることが可能である。
【００２３】
絶縁膜１３ａの耐性を向上させ、レアショート状態の発生を抑制するためには、絶縁膜１３ａの膜厚は、厚いほうが好ましい。  
内部回路と、内部回路に接続されたトリミングヒューズ１０をモノリシックに集積した半導体集積装置においては、耐性が要求される絶縁膜１３ａの膜厚を、例えばフィールド酸化膜として用いられる絶縁膜１３ｂより厚くすることが望ましい。
【００２４】
半導体基板１１の不純物濃度は、例えば１０１５〜１０１６ｃｍ−３であり、不純物拡散層１２の不純物濃度は、例えば１０１８〜１０２０ｃｍ−３である。
【００２５】
不純物拡散層１２上の厚い絶縁膜１３ａと、半導体基板１１上の薄い絶縁膜１３ｂとは、シリコンの熱酸化速度が不純物濃度によって異なることを利用し、半導体基板１１を熱酸化することにより、同時に形成することができる。
【００２６】
なお、トリミングヒューズ１０は、導電膜１４を２つ有しているが、両者同一の構造であるため、他方の説明は省略する。
【００２７】
本実施例のトリミングヒューズ１０を用いた半導体装置は、例えば一定の電圧を出力するボルテージレギュレータである。  
ボルテージレギュレータでは、出力電圧設定値の高精度化を図るために、製造工程において回路を形成した後に、出力電圧が規格を満たすようにトリミングヒューズ１０を溶断し、回路定数の微調整（トリミング）を行う。  
トリミングが完了したボルテージレギュレータは、溝２３の下方の導電膜１４が破断され、断線状態にある。
【００２８】
図２は導電膜１４と不純物拡散層１２との絶縁状態をモニターする方法を示す回路図である。  
図２に示すように、例えばトリミングヒューズ１０を有するボルテージレギュレータ３０が半導体基板１１にモノリシックに形成されている。
【００２９】
ボルテージレギュレータ３０は、エミッタが電圧入力端子３１に接続され、コレクタが電圧出力端子３２に接続されたｐｎｐ型バイポーラトランジスタＱ１と、一端が電圧出力端子３２に接続され、他端が基準電位ＧＮＤに接続され、出力電圧Ｖｏｕｔを分圧する分圧回路３３と、一方の入力端子が分圧回路３３の出力端に接続され、他方の入力端子が基準電圧源３４に接続され、出力端子がトランジスタＱ１のベースに接続された差動増幅器３５とを具備している。  
電圧入力端子３１には電源３６が接続され、電圧出力端子３２には負荷が接続されている。
【００３０】
分圧回路３３は抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の直列回路である。抵抗Ｒ２は抵抗の並列回路であり、分圧比を精密に調整するために一部の抵抗にトリミングヒューズ１０が直列接続されている。
【００３１】
トリミングヒューズ１０のパッド２２は、例えばボルテージレギュレータ３０に設けられた外部出力用の専用パッド（図示せず）を介して、外部のモニター回路３７に接続されている。
【００３２】
モニター回路３７は、例えば直列接続された抵抗Ｒ３と、電流計３８と、負の外部電源３９とを有し、導電膜１４と不純物拡散層１２との間のリーク電流を測定して、絶縁状態をモニターする。抵抗Ｒ３は電流制限用の抵抗である。
【００３３】
導電膜１４が溶断し、ビア１６側の導電膜１４が不純物拡散層１２と短絡した場合には、不純物拡散層１２の電位は抵抗Ｒ２側より低く、且つ不純物拡散層１２は半導体基板１１に対して逆バイアスされているので、抵抗Ｒ２側からリーク電流が半導体基板１１に流れることなく、モニター回路３７側へと流れる。
【００３４】
一方、導電膜１４が溶断し、ビア１７側の導電膜１４が不純物拡散層１２と短絡した場合には、不純物拡散層１２の電位は基準電位ＧＮＤになるので、基準電位ＧＮＤ側からリーク電流がモニター回路３７側へと流れる。
【００３５】
これにより、絶縁膜１３ａの損傷により、導電膜１４と半導体基板１１とがレアショート状態になった場合を感度よく検出することが可能である。
【００３６】
以上説明したように、本実施例のトリミングヒューズ１０は、不純物拡散層１２上に絶縁膜１３ａを介して形成された導電膜１４と、不純物拡散層１２を外部回路に電気的に接続するコンタクト手段と、を具備している。
【００３７】
その結果、トリミングにより絶縁膜１３ａが損傷して、導電膜１４と不純物拡散層１２とかレアショート状態になった場合に、絶縁膜１３ａ中を流れるリーク電流を検出することができる。  
従って、導電膜１４と半導体基板１１との絶縁状態をモニターできるトリミングヒューズ１０を有する半導体装置が得られる。  
これにより、レアショート状態を検出した場合、放置しておくことによる突発的な特性不良に至る恐れを有する半導体チップを予め除去することが容易になる。
【００３８】
その結果、複数のメタル配線膜を有するトリミングヒューズにおいて、複数のレアショート状態が発生し、メタル配線膜同士が干渉して回路の動作に支障をきたすのを防止するために、各ｎ型拡散層をそれぞれ取り囲むｐ型不純物拡散層を予め設けておく必要がないので、トリミングヒューズのサイズを小さくすることができる。従って、半導体チップのサイズを縮小することができる。
【００３９】
更に、不純物拡散層１２上の絶縁膜１３ａを半導体基板１１上の絶縁膜１３ｂより厚くすることができるので、レーザ照射時の破壊耐量が高まり、電膜１４と半導体基板１１との短絡を抑制することができる。
【００４０】
ここでは、半導体基板１１がｎ−型、不純物拡散層１２がｐ＋型である場合について説明したが、反対の導電型であっても構わない。  
半導体基板１１がｐ−型、不純物拡散層１２がｎ＋型の場合は、ｐｎ接合を逆バイアス状態にするためにトリミングヒューズ１０のパッド２２はモニター回路３７の正の外部電源３９に接続する。
【００４１】
導電膜１４が絶縁膜１３上に形成されている場合について説明したが、導電膜１４と絶縁膜１３との間に、更に別の絶縁膜が形成されていても構わない。
【００４２】
導電膜１４が配線である場合について説明したが、導電膜１４自体が抵抗素子であっても構わない。
【００４３】
導電膜１４がポリシリコン膜である場合について説明したが、導電膜１４が金属膜であっても構わない。  
図３は導電膜として金属膜を有するトリミングヒューズを示す図で、図３（ａ）はその平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ―Ｂ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
【００４４】
図３に示すように、トリミングヒューズ４０は、不純物拡散層１２上に絶縁膜１３ａを介して形成された金属膜４１、例えばアルミニウム膜を有している。  
これによれば、金属膜４１は内部回路の配線１８、１９の一部なので、ビア１６、１７が不要であり、ビア１６、１７の高さ分だけ層間絶縁膜１５を薄くすることができる利点かある。
【００４５】
絶縁膜１３ａが絶縁膜１３ｂより厚い場合について説明したが、目的の特性が得られればよく、絶縁膜１３ａと絶縁膜１３ｂの膜厚は等しくても構わない。
【００４６】
図４は膜厚が一様な絶縁膜を有するトリミングヒューズを示す断面図である。  
図４に示すように、トリミングヒューズ４５は、膜厚が一様な絶縁膜４６、例えばシリコン酸化膜を具備している。
【００４７】
これによれば、シリコン酸化膜４６は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成することができる利点がある。また、ＣＶＤ法によれば、絶縁膜４６をシリコン酸化膜以外の絶縁膜、例えばシリコン窒化膜とすることもできる利点がある。
【実施例２】
【００４８】
本発明の実施例２に係る半導体装置について、図５および図６を用いて説明する。図５は半導体装置に用いられるトリミングヒューズを示す図で、図５（ａ）はその平面図、図５（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図６は導電膜と基板との絶縁状態をモニターする方法を示す回路図である。
【００４９】
本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。  
本実施例が実施例１と異なる点は、第１の半導体領域と第２の半導体領域とを同じ導電型としたことにある。
【００５０】
即ち、図５に示すように、本実施例のトリミングヒューズ５０は、ｎ型シリコン基板（図示せず）上に形成されたｐ型シリコン層５１ａおよびｎ−型シリコン層５１ｂを有する半導体基板５１と、半導体基板５１に形成されたｐ型不純物拡散層５２により、半導体基板５１と電気的に絶縁されたウェル層（第1の半導体領域）５１ｃに形成され、ｎ−型シリコン層５１ｂより不純物濃度が高く、且つｎ−型シリコン層５１ｂと同じ導電型の、ｎ＋型不純物拡散層（第２の半導体領域）５３と、不純物拡散層５３と離間して形成されたｎ＋型の不純物拡散層（第３の半導体領域）５４と、を具備している。
【００５１】
更に、レーザ光線を照射して導電膜１４を切断した後に、導電膜１４と不純物拡散層５３との絶縁状態をモニターするためのコンタクト手段として、ビア５５と、配線５６とを具備している。  
不純物拡散層５４は、層間絶縁膜１５内に形成されたビア５５を介して配線５６に接続されている。配線５６は、ｎ−型シリコン層５１ｂとｐ型シリコン層５１ａおよびｐ型不純物拡散層５２とのｐｎ接合が逆バイアスされるように正の電源、例えば内部回路の電源Ｖｃｃに接続されている。
【００５２】
これにより、トリミング工程において、絶縁膜１３ａが損傷し、内部回路の動作には直接影響を与えないレベルではあるが電流がリークするレアショート状態になった場合に、不純物濃度の高い、すなわち抵抗の低い不純物拡散層５３、５４を介して電源Ｖｃｃに異常電流が流れるので、外部からモニターすることが可能である。
【００５３】
図６はポリシリコン膜１４と不純物拡散層５３との絶縁状態をモニターする方法を示す回路図である。  
図６に示すように、トリミングヒューズ５０の配線５６は、ボルテージレギュレータ３０の電源３６に接続されている。電流計３８により、ボルテージレギュレータに流れる通常電流に加えて、異常電流、即ち、導電膜１４と不純物拡散層５３との間のリーク電流を測定することにより、絶縁状態をモニターする。
【００５４】
導電膜１４が溶断し、ビア１６側の導電膜１４が不純物拡散層５３と短絡した場合には、不純物拡散層５３の電位は抵抗Ｒ２側より高く、且つ不純物拡散層５３は半導体基板５１に対して逆バイアスされているので、電源Ｖｃｃからリーク電流が抵抗Ｒ２側へと流れる。
【００５５】
一方、導電膜１４が溶断し、ビア１７側の導電膜１４が不純物拡散層５３と短絡した場合には、不純物拡散層５３の電位は基準電位ＧＮＤになるので、電源Ｖｃｃ側からリーク電流が基準電位ＧＮＤ側へと流れる。
【００５６】
これにより、絶縁膜１３ａの損傷により、導電膜１４と半導体基板５１とがレアショート状態になった場合を感度よく検出することが可能である。
【００５７】
以上説明したように、本実施例のトリミングヒューズ５０は、半導体基板５１から電気的に絶縁された領域５１ｃに形成され、導電型が同じで、且つ不純物濃度が高いｎ＋型不純物拡散層５３と、不純物拡散層５３を内部回路に電気的に接続するコンタクト手段と、を具備している。その結果、外部のモニター回路が不要になる利点がある。
【００５８】
ここでは、シリコン層５１ｂがｎ−型、不純物拡散層５３がｎ＋型である場合について説明したが、同じ導電型であればよく、シリコン層５１ｂがｐ−型、不純物拡散層５３がｐ＋型であっても構わない。  
但し、これに合せて関連するｐ型シリコン層５１ａ、ｐ型不純物拡散層５２などの導電型はｎ型に反転する必要がある。
【００５９】
不純物拡散層５３にコンタクトをとるために、不純物拡散層５４にビア５５を接続した場合について説明したが、不純物拡散層５３にビア５５を直接接続しても構わない。
【００６０】
図７は導電膜の下の不純物拡散層にビアを直接接続したトリミングヒューズを示す図で、図７（ａ）はその平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＤ―Ｄ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
【００６１】
図７に示すように、トリミングヒューズ６０は、導電膜１４の下のｎ＋型不純物拡散層６１が直接ビア５５を介して配線５６に接続されている。  
これにより、不純物拡散層５３と不純物拡散層５４との間のｎ−型シリコン層５１ｂの導通抵抗がなくなるので、リーク電流の検出感度が向上できるとともに、トリミングヒューズ６０のサイズをトリミングヒューズ５０より小さくできる利点がある。  
また、不純物拡散層６１をｎ＋型からｐ＋型にすることも可能である。
【００６２】
本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。  
（付記１）  第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域内に設けられ、前記第１の半導体領域と逆導電型であり、前記第１の半導体領域より不純物濃度が高い第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられた導電膜と、前記第１の絶縁膜および前記導電膜上に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に設けられ、前記導電膜の上方に設けられ、底部が削れて第２の絶縁膜内にある溝と、前記第２の半導体領域と前記第２の絶縁膜内に設けられた配線とを電気的に接続するコンタクトと、を具備する半導体装置。
【００６３】
（付記２）  付記１において、前記溝の下方の前記導電膜が破断している半導体装置。
【００６４】
（付記３）  付記１において、前記溝の下方の前記導電膜が断線している半導体装置。
【００６５】
（付記４）  付記１において、前記コンタクトが半導体装置のパッドに電気的に接続されている半導体装置。
【００６６】
（付記５）  付記４において、コンタクトが接続されているパッドからは、前記第２の半導体領域以外の半導体領域とは接続されていない半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置に用いられるトリミングヒューズを示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
【図２】本発明の実施例１に係るトリミングヒューズの導電膜と基板との絶縁状態をモニターする方法を示す回路図。
【図３】本発明の実施例１に係る別のトリミングヒューズ示す断面図で、図３（ａ）はその平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
【図４】本発明の実施例１に係る更に別のトリミングヒューズ示す断面図。
【図５】本発明の実施例２に係る半導体装置に用いられるトリミングヒューズを示す図で、図５（ａ）はその平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
【図６】本発明の実施例２に係るトリミングヒューズの導電膜と基板との絶縁状態をモニターする方法を示す回路図。
【図７】本発明の実施例２に係る別のトリミングヒューズを示す図で、図７（ａ）はその平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
【符号の説明】
【００６８】
１０、４０、４５、５０、６０  トリミングヒューズ
１１  半導体基板（第１の半導体領域）
１２  ｐ＋型不純物拡散層（第２の半導体領域）
１３  絶縁膜
１４  導電膜
１５  層間絶縁膜
１６、１７、２０、５５  ビア
１８、１９、２１、５６  配線
２２  パッド
２３  溝
３７  モニター回路
３８  電流計
３９  外部電源
４１  金属膜（導電膜）
４６  絶縁膜
５１  半導体基板
５１ａ  ｐ型シリコン層
５１ｂ  ｎ−型シリコン層
５１ｃ  ウェル層（第１の半導体領域）
５２  ｐ型不純物拡散層
５３、６１  ｎ＋型不純物拡散層（第２の半導体領域）
５４  ｎ＋型不純物拡散層（第３の半導体領域）
【図１】
2008288280.tif 000003
【図２】
2008288280.tif 000004
【図３】
2008288280.tif 000005
【図４】
2008288280.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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