(57)【要約】【課題】デュアル基板ステージ型ダブル露光リソグラフィシステムにおけるスループットを高めるシステムならびに方法を提供する。【解決手段】第１露光期間中、第１のレチクルにより第１の基板セットをパターニングし第１のレチクルを第２のレチクルと交換する。第２露光期間中、第２のレチクルにより第１の基板セットをパターニングし第１の基板セットを第２の基板セットと交換し、第２露光期間中、第２の基板セットを第２のレチクルによりパターニングし第２のレチクルを第１のレチクルと交換する。第３露光期間中、第２の基板セットを第１のレチクルによりパターニングし、第２の基板セットを第３の基板セットと交換し、第３露光期間中、第３の基板セットを第１のレチクルによりパターニングし、第１のレチクルを第２のレチクルと交換する。第４露光期間中、第３の基板セットを第２のレチクルによりパターニングする。【選択図】図２
2008091944.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デュアル基板ステージ型ダブル露光リソグラフィシステムにおける方法において、
露光システム内のレチクルステージに第１のレチクルをロードし、
第１のペアの基板をロードし処理し露光し、該第１のペアの基板をデュアル基板ステージを介して露光システム内および露光システム外へ搬送し、
第１のレチクルを第２のレチクルと交換し、
前記第１のペアの基板を処理して露光し、該第１のペアの基板をデュアル基板ステージを介して露光システム内および露光システム外へ搬送し、
前記第１のペアの基板を第２のペアの基板と交換し、
該第２のペアの基板を処理して露光し、該第２のペアの基板をデュアル基板ステージを介して露光システム内および露光システム外へ搬送し、
第２のレチクルを第１のレチクルと交換し、
前記第２のペアの基板を処理して露光し、該第２のペアの基板をデュアル基板ステージを介して露光システム内および露光システム外へ搬送し、
前記第２のペアの基板を第３のペアの基板と交換し、
該第３のペアの基板を処理して露光し、該第３のペアの基板をデュアル基板ステージを介して露光システム内および露光システム外へ搬送し、
第１のレチクルを第２のレチクルと交換し、
前記第３のペアの基板を処理して露光し、該第３のペアの基板をデュアル基板ステージを介して露光システム内および露光システム外へ搬送することを特徴とする、
デュアル基板ステージ型ダブル露光リソグラフィシステムにおける方法。
【請求項２】
デュアルウェハステージ型ダブル露光システムにおいて、
基板を処理システム内および処理システム外へ搬送する第１の手段と、
デュアルウェハステージの各々における個々の基板を露光システム内および露光システム外へ搬送する第２の手段と、
レチクルを露光システム内および露光システム外へ搬送する第３の手段と、
前記の第１と第２と第３の搬送手段を制御する手段とが設けられており、該制御手段は制御信号を出力し、該制御信号により制御されて、
前記第３の搬送手段により第１のレチクルが露光システムへ搬送され、
前記第１および第２の搬送手段により、第１および第２のウェハが搬送され処理され前記第１のレチクルを用いて露光され、
前記第３の搬送手段により該第１のレチクルが第２のレチクルと交換され、
前記第２の搬送手段により第１および第２のウェハが搬送され処理され露光され、
前記第１の搬送手段により第１および第２のウェハが第３および第４のウェハと交換され、
前記第２の搬送手段により該第３および第４のウェハが搬送され処理され露光され、
第２のレチクルが第１のレチクルと交換され、
前記第２の搬送手段により該第３および第４のウェハが搬送され処理され露光され、
前記第１の搬送手段により第３および第４のウェハが第５および第６のウェハと交換され、
前記第２の搬送手段により第５および第６のウェハが搬送され処理され露光され、
第１のレチクルが第２のレチクルと交換され、
前記第２の搬送手段により第５および第６のウェハが搬送され処理され露光されることを特徴とする、
デュアルウェハステージ型ダブル露光システム。
【請求項３】
デュアル基板ステージ型ダブル露光システムにおいて、
第１の露光期間中、第１のレチクルにより第１の基板セットをパターニングし、
該第１のレチクルを第２のレチクルと交換し、
第２の露光期間中、該第２のレチクルにより第１の基板セットをパターニングし、
該第１の基板セットを第２の基板セットと交換し、
前記第２の露光期間中、該第２の基板セットを第２のレチクルによりパターニングし、
該第２のレチクルを第１のレチクルと交換し、
第３の露光期間中、前記第２の基板セットを第１のレチクルによりパターニングし、
該第２の基板セットを第３の基板セットと交換し、
前記第３の露光期間中、該第３の基板セットを第１のレチクルによりパターニングし、
該第１のレチクルを第２のレチクルと交換し、
第４の露光期間中、前記第３の基板セットを該第２のレチクルによりパターニングする
方法を実施することを特徴とする、
デュアル基板ステージ型ダブル露光システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デュアル基板ステージ型ダブル露光リソグラフィシステムにおける方法、デュアルウェハステージ型ダブル露光システムならびにデュアル基板ステージ型ダブル露光システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィは基板表面にフィーチャ（特徴的構造）を生成するためのプロセスである。この種の基板にはフラットパネルディスプレイ、回路基板、様々な集積回路などの製造に使用される基板を含めることができる。この種の用途向けにしばしば使用される基板は半導体ウェハである。本明細書は例示の目的で半導体ウェハに関して記載されているけれども、当業者であればそれら当業者に周知の他の種類の基板にも適用されることは明らかである。リソグラフィ中、ステージ上に配置されたウェハは、リソグラフィ装置内に配置された露光用光学系によりウェハ表面上に投影されるイメージに晒される。露光用光学系はフォトリソグラフィの事例において用いられる一方、固有の用途に応じて様々なタイプの露光装置を使用することができる。たとえばｘ線、イオン、電子あるいはフォトンなどによるリソグラフィ各々によって、当業者に周知のように様々な露光装置が必要とされる可能性がある。ここではフォトリソグラフィ特有の例を挙げて説明するが、これは例示目的であるにすぎない。
【０００３】
投影されるイメージによって、たとえばウェハ表面上にデポジットされたフォトレジストなど層の特性に関して変更が行われる。この変更は露光中、ウェハに投影されるフィーチャに対応したものである。露光に続きパターニングされた層を生成するため、層をエッチングすることができる。このパターンは、露光中にウェハに投影されるフィーチャに相応する。ついでパターニングされた層は、導電層、半導体層、絶縁層などウェハ内に配置される構造層において露光された部分を除去したりさらに処理したりするために使用される。その後このプロセスは、ウェハ表面上またはウェハの種々の層に所望のフィーチャが形成されるまで繰り返される。
【０００４】
狭いイメージングスロットをもつ投影光学系に関連して、ステップ・アンド・スキャンテクノロジーが機能する。その際、一度にウェハ全体を露光するのではなく、ウェハ上で１回ごとに個々のフィールドがスキャンされる。これはスキャン中にイメージングスロットがフィールド全体にわたり動かされるよう、ウェハとレチクルを同時に移動させながら行われる。この場合、ウェハ表面全面にわたり露光すべきレチクルパターンを多数コピーできるようにするため、ウェハステージを各フィールド露光の間で非同期にステップ移動させる必要がある。このようにして、ウェハ上に投影されるイメージの品質が最大となる。
【０００５】
慣用のリソグラフィシステムおよびリソグラフィ方法によれば、半導体ウェハ上にイメージが形成される。また、このようなシステムはリソグラフィ室を有しており、これは半導体ウェハのイメージ形成プロセスを実行する装置を含むよう設計されている。リソグラフィ室は、使用される光の波長に応じて様々な真空度をもつよう設計することができる。リソグラフィ室内にレチクルが配置されている。光ビームは（システム外に配置された）照明源から光学系、レチクルー上のイメージアウトラインさらには第２の光学系を通過した後、半導体ウェハと相互作用をする。
【０００６】
レチクルは、プラットフォームまたはステージ（以下ではこれら両方のことを「ステージ」と称する）上に配置することができる。さらにステージは、リソグラフィシステムのパラメータに応じて位置決めすることができる。同様に、半導体ウェハをステージ上に配置することができる。レチクルまたは半導体ウェハを支持するステージは、半導体ウェハ上にどのようにイメージを形成すべきかに依存して、１つまたは複数の方向に動かすことができ、および／または１つまたは複数の自由度で動かすことができる。
【０００７】
スループットを高める目的で、デュアルウェハシステムが開発された。典型的にはこれらデュアルステージは２つのウェハの動きを保持し、独立してコントロールすることができる。１つのチャック上に整列させられたウェハを露光する一方、同時に２番目のチャックを使用して、先に露光したウェハをアンロードして次の未露光ウェハをロードし整列させることができるようにすることで、スループットが高められる。デュアルウェハステージを用いなければ、これらのオペレーションを順次行わなければならないことになる。
【０００８】
また、解像度、焦点深度およびプロセス寛容度を高める目的で、位相レチクルの使用が導入された。位相レチクルの場合には望ましい結果を達成する目的で、位相レチクルの露光だけでなく、第２のトリミングレチクルを付加的に整列させて露光しなければならないことが多い。したがって各フィールドを２回、通常はそれぞれ異なる照明条件のもとで最初に位相レチクルとともに、ついでもう一度トリミングレチクルとともに露光しなければならない。このようなダブルの露光シーケンスを実行する最も一般的な手法は、最初に位相レチクルをロードしてウェハ全面を露光し、ついでトリミングレチクルをロードしてウェハを再露光することである。その後、ウェハをウェハステージから除去し、次のウェハをロードする。一般に露光の順序は重要ではないので、今度はトリミングレチクルを最初に露光し、ついで位相レチクルをロードして露光する。これは”ＡＡＢＢＡＡＢＢ”シーケンスであって、処理されるウェハごとに１回、レチクルの交換が必要とされる。
【０００９】
レチクル交換回数は、システムによって多数のウェハを順番に並べ、ついでレチクルを切り換えることによって低減できるけれども、各ウェハを２度扱わなければならず、ダブル露光の間の遅延時間が増大してプロセスの問題を引き起こしかねない。
【００１０】
いくつかの事例において、製造されるデバイスは１つのレチクルの上に位相パターンとトリミングパターンの双方を並置して取り付けることができる程度に小さいが、これは一般に実際的ではない。２つのレチクルを担持し露光できるレチクルステージの使用も可能であるが、パフォーマンス低下ならびにこのような設計の使用にかかる可能性のある付加的なコストを避けるため、一般には用いられない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
したがって本発明の課題は、デュアル基板ステージ型ダブル露光リソグラフィシステムにおけるスループットを高めるシステムならびに方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によればこの課題は、露光システム内のレチクルステージに第１のレチクルをロードし、第１のペアの基板をロードし処理し露光し、該第１のペアの基板をデュアル基板ステージを介して露光システム内および露光システム外へ搬送し、第１のレチクルを第２のレチクルと交換し、前記第１のペアの基板を処理して露光し、該第１のペアの基板をデュアル基板ステージを介して露光システム内および露光システム外へ搬送し、前記第１のペアの基板を第２のペアの基板と交換し、該第２のペアの基板を処理して露光し、該第２のペアの基板をデュアル基板ステージを介して露光システム内および露光システム外へ搬送し、第２のレチクルを第１のレチクルと交換し、前記第２のペアの基板を処理して露光し、該第２のペアの基板をデュアル基板ステージを介して露光システム内および露光システム外へ搬送し、前記第２のペアの基板を第３のペアの基板と交換し、該第３のペアの基板を処理して露光し、該第３のペアの基板をデュアル基板ステージを介して露光システム内および露光システム外へ搬送し、第１のレチクルを第２のレチクルと交換し、前記第３のペアの基板を処理して露光し、該第３のペアの基板をデュアル基板ステージを介して露光システム内および露光システム外へ搬送することにより解決される。さらに上述の課題は、請求項２記載のデュアルウェハステージ型ダブル露光システムならびに請求項３記載のデュアル基板ステージ型ダブル露光システムにより解決される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の実施形態によれば、デュアル基板ステージを備えたリソグラフィシステムにおけるダブル露光レチクルに関するいっそう高速で効率的なシステムおよび方法が提供される。本発明による方法に以下のステップを含めることができる。すなわち第１の露光期間中、第１のレチクルにより第１の基板セットをパターニングする。第１のレチクルを第２のレチクルと交換する。第２の露光期間中、第２のレチクルにより第１の基板セットをパターニングする。第１の基板セットを第２の基板セットと交換する。第２の露光期間中、第２のレチクルにより第２の基板セットをパターニングする。第２のレチクルを第１のレチクルと交換する。第３の露光期間中、第１のレチクルにより第２の基板セットをパターニングする。第２の基板セットを第３の基板セットと交換する。第３の露光期間中、第１のレチクルにより第３の基板セットをパターニングする。第１のレチクルを第２のレチクルと交換する。第４の露光期間中、第２のレチクルにより第３の基板セットをパターニングする。
【００１４】
基板を供給して処理する処理システムと、レチクルを供給して基板を露光する露光システムとの間において、デュアル基板ステージ上で基板を搬送することができる。
【００１５】
次に、図面を参照しながら種々の実施例に基づき本発明について詳しく説明する。各図は本発明を描いたものであり、以下の説明とともに本発明の基本原理の説明に役立つものであって、これにより当業者は本発明を実施し利用することができる。図中、同一の要素または機能的に類似した要素には同じ参照符号が付されている。なお、参照符号において一番左側の数字によって、その参照符号が最初に現れた図面を表すようにしている。
【実施例１】
【００１６】
概観
ここでは特有の構成や配置について論じるけれども、これは例示目的のためであることを理解されたい。本発明の着想や範囲を逸脱することなくその他の構成や配置も利用できることは、当業者にとって自明である。さらに当業者であれば適切なやり方で、他の種々の用途において本発明を採用することができる。
【００１７】
本発明の実施形態によれば、デュアル基板ステージ型ダブル露光リソグラフィシステムのためのスループットを著しく増大させることができる。これは同じ個数の基板を露光するために必要とされるレチクル交換回数を減少させることによって達成される。上述のように慣用のシステムは、基板のＡＡＢＢ露光が行えるようにしか設計されていなかった。あとで詳しく説明するシステムおよび方法の場合、ＡＡＡＡＢＢＢＢ露光を行うことができる。したがって１つの同じレチクルを用いて２倍の数の基板が露光され、これによってレチクル交換が低減されスループットが高まる。高められたこのスループットを、コントローラに格納された情報またはデータをベースとすることができる。コントローラは、露光システム内および露光システム外へのレチクル間の順序制御に相関して処理および露光システムによるデュアル基板ステージを順序制御するよう設計されている。
【００１８】
仕様に従ってレチクルとマスクを交換可能に使用することができ、これは限定を意味するものではない。
【００１９】
システム全般ならびにオペレーション方法
図１には本発明によるシステム１００が示されている。システム１００の１つの例をリソグラフィシステムとすることができる。照明システム１０２から発せられる光（たとえば光源、ビーム調整光学系、照明光学系等）が露光システム１０４（たとえばレチクル、レチクスステージ、投影光学系、基板ステージ等）により受け取られる。コントローラ１０８は、以下で詳しく述べるようにして露光システム１０４および処理システムオペレーション１０６をコントロールする。オプションとしてコントローラ１０２は、当業者に周知の種々の機能（たとえば較正など）を実行するため照明システムを制御することもできる。
【００２０】
図２には、本発明の実施形態によるシステム１００のセクション２０１が示されている。たとえばセクション２０１をデュアル基板ステージをもつダブル露光システムとすることができる。セクション２０１には処理システム１０６と露光システム１０４が含まれている。破線は、（以下で説明する基板環境）２０８と処理システム１０６と露光システム１０４と（以下で説明する）レチクル環境２１２の間で想定可能な仮想の境界線あるいは実際の境界線を表すために用いられる。
【００２１】
処理システム１０６にはステージ２０４が含まれており、これは複数の基板２００（たとえばウェハ、プリント回路基板、液晶ディスプレイ等）を支持するデュアル基板ステージの第１セクションである。処理システム１０６は、リソグラフィ分野で周知の基板２００のどのような処理（たとえば測定、アライメント等）でも実行することができる。基板２００は当業者に周知のように、ロボットハンドラ（図示せず）を介して処理ステム１０６へ搬送される。いくつかの実施形態によれば基板２００−１〜２００−ｎをロードロック（図示せず）を介して搬送することができ、これによって基板環境２０８が処理システム１０６の環境と結合される。たとえばＥＵＶリソグラフィの場合、処理システム１０６は真空環境を有することができるのに対し、基板環境は真空であってはならない。
【００２２】
露光システム１０４にはステージ２０６が含まれており、これはデュアル基板ステージとレチクルステージ２１０から成る第２のセクションである。露光システム１０４を、１つまたは複数のレチクル２０２−１〜２０２−ｎを保持するレチクル環境２１２と結合することができる。レチクル２０２を当業者に周知のようにロボットハンドラ（図示せず）等を介して、レチクル環境から送り戻したり先へ進めることができる。いくつかの実施形態によればレチクル２０２を、レチクル環境２１２を露光システム１０４の環境と結合するロードロックを介して搬送することができる。たとえばＥＵＶリソグラフィにおいて、露光システム１０４は真空環境を有することができる。
【００２３】
他の実施形態によれば、当業者に周知のように複数のレチクル２０２をステージ２１０により同時に支持することができる。たとえば破線２５０により示されているように、第１および第２のレチクル２０２をステージ２１０と結合することができる。以下で詳しく述べるように、種々の露光期間中に照明源からの光をパターニングするために第１および第２のレチクル２０２が順次位置決めされるよう、ステージ２１０を動かすことができる。したがって、基板２００のパターニングのためにいくつのレチクル２０２を使用するかに左右されるレチクル環境２１２を不要とすることができる。
【００２４】
露光中、照明源１０２からの光源Ａをレチクル２０２を用いて、図示されているように反射によって、あるいは当業者に周知のように透過によってパターニングし、パターニングされたビームＢを形成することができる。パターニングされたビームＢは、基板２００にレチクル２０２のパターンを書き込むために用いられる。
【００２５】
図３には、本発明の実施形態による基板２００へレチクル２０２のパターンを書き込むプロセスが示されている。図中、第１の基板２００−１がウェハ１として示されており、第１のレチクル２０２−１はレチクル１として示されており、さらに第２の基板２００−２はウェハ２として、第２のレチクル２０２−２はレチクル２として、という具合に示されている。
【００２６】
プロセス３００は図面を左から右にわたって進むかたちで示されている。コントローラ１０８は、ステージ２１０へのレチクル２０２のローディング、ステージ２０４および２０６への基板２００のローディング、およびステージ２０４および２０６の移動を制御する。各露光期間中、１組の基板２００を露光するために１つのレチクル２０２が使用される。あとで詳しく説明するように、ブロック内に示されている種々のアクションを他のアクションよりも先行して、または部分的に同時に、あるいは完全に同時に行うことができる。
【００２７】
１つの実施形態によればステージ２０４および２０６は、基板２００が確実に結合された露光システム１０４と処理システム１０６との間で動かされる。
【００２８】
第１の露光期間（ＥＰ１）中、以下のステップを行うことができる。
【００２９】
ステップ３０２において、第１の基板２００−１がステージ２０６にロードされて処理される。ステップ３０４において第１のレチクル２０２−１がステージ２１０にロードされる。
【００３０】
ステップ３０６において、第２の基板２００−２がステージ２０６上に動かされて処理される。さらにこのステップ３０６においてステージ２０４が露光システム１０４へ搬送され、そこにおいて基板２００−１が第１のレチクル２０２−１からのパターンによって露光される。
【００３１】
ステップ３０８において、露光システム１０４と処理システム１０６との間でステージ２０４と２０６が交換される。したがって第２の基板２００−２が第１のレチクル２０２−１からのパターンにより露光される一方、第１の基板２００−１が再処理される。
【００３２】
第２の露光期間（ＥＰ２）中、以下のステップを行うことができる。
【００３３】
ステップ３１０において第１のレチクル２０２−１がステージ２１０から取り除かれ、第２のレチクル２０２−２がステージ２１０にロードされる。さらにこのステップ３１０において、ステージ２０６と２０４が露光システム１０４と処理システム１０６の間で交換される。さらにこのステップ３１０において基板２００−２が再処理される。
【００３４】
ステップ３１２において、第１の基板２００−１が第２のレチクル２０２−２のパターンにより露光される。
【００３５】
ステップ３１４において、ステージ２０４と２０６が露光システム１０４と処理システム１０６の間で交換される。さらにこのステップ３１４において、第２の基板２００−２が第２のレチクル２０２−２からのパターンによって露光される。さらにステップ３１４において、第１の基板２００−１が処理システム１０６から取り除かれて第３の基板２００−３と置き換えられる。第３の基板２００−３はステージ２０４上へ運ばれて処理される。
【００３６】
ステップ３１６において、ステージ２０６と２０４が露光システム１０４と処理システム１０６の間で交換される。さらにこのステップ３１６において第２の基板２００−３を第２のレチクル２０２−２からのパターンによって露光することができる。さらにステップ３１６において、第２の基板２００−２が処理システム１０６から動かされて第４の基板２００−４と交換される。第４の基板２００−４はステージ２０６に搬送されて処理される。
【００３７】
ステップ３１８において、ステージ２０４と２０６が露光システム１０４と処理システム１０６との間で交換される。さらにこのステップ３１８において、第４の基板２００−４を第２のレチクル２０２−２からのパターンによって露光することができる。さらにこのステップ３１８において、第３の基板２００−３を再処理することができる。
【００３８】
第３の露光期間（ＥＰ３）において以下のステップを実行することができる。
【００３９】
ステップ３２０において、第１のレチクル２０２−１がステージ２１０上の第２のレチクル２０２−２と交換される。さらにこのステップ３２０において、ステージ２０６と２０４を露光システム１０４と処理システム１０６との間で交換することができる。さらにステップ３２０において、ステージ２０４上の第４の基板２００−４を再処理することができる。
【００４０】
ステップ３２２において、第３の基板２００−３を第１のレチクル２０２−１からのパターンによって露光することができる。
【００４１】
ステップ３２４において、ステージ２０４と２０６を露光システム１０４と処理システム１０６の間で交換することができる。さらにこのステップ３２４において、第４の基板２００−４が第１のレチクル２０２−１からのパターンにより露光される。さらにこのステップ３２４において、第３の基板２００−３が処理システム１０６から取り除かれ、第５の基板２００−５と置き換えられる。第５の基板２００−５がステージ２０４上に置かれて処理される。
【００４２】
ステップ３２６において、ステージ２０６と２０４を露光システム１０４と処理システム１０６の間で交換することができる。さらにこのステップ３２６中、第５の基板２００−５が第１のレチクル２０２−１からのパターンにより露光される。さらにステップ３２６中、第４の基板２００−４が処理システム１０６から取り除かれ、第６の基板２００−６と交換される。第６の基板２００−６がステージ２０６上に置かれて処理される。
【００４３】
ステップ３２８において、ステージ２０４と２０６が露光システム１０４と処理システム１０６の間で交換される。さらにこのステップ３２８において、第６の基板２００−６が第１のレチクル２０２−１からのパターンにより露光される。さらにこのステップ３２８において、第５の基板２００−５が再処理される。
【００４４】
第４の露光期間（ＥＰ４）中、以下のステップを行うことができる。
【００４５】
ステップ３３０において、第１のレチクル２０２−１が露光システム１０４の外に搬出され、第２のレチクル２０２−２が露光システム１０４の中に搬入されてステージ２１０の上におかれる。さらにこのステップ３３０において、ステージ２０６と２０４が露光システム１０４と処理システム１０６との間で交換される。さらにこのステップ３３０において、第６の基板２００−６が再処理される。
【００４６】
ステップ３３２において、第５の基板２００−５が第２のレチクル２０２−２からのパターンにより露出される。
【００４７】
ステップ３３４において、ステージ２０４と２０６が露光システム１０４と処理システム１０６の間で交換される。さらにこのステップ３３４において、第６の基板２００−６が第２のレチクル２０２−２からのパターンにより露光される。
【００４８】
上述の実施形態はダブル露光フェーズレチクルリソグラフィ向けの構成であるけれども、将来、基板表面の上にアライメントして順次露光すべき２つ以上のレチクルを必要とする新しいリソグラフィプロセスにも本発明を適用することができるのは自明である。２つよりも多くの露光が必要とされる事例ではスループットゲインは、ウェハステージが２つのウェハしか同時に保持できないということによって制限される可能性がある。
【００４９】
結論
以上、本発明による方法、回路ならびにコンポーネントの実施形態について説明してきた。他のところでも述べたようにこれらの実施形態は例示目的で説明してきたにすぎず、それらの構成に限定されるものではない。他の実施形態も可能であって、それらも本発明によって保護されるものである。そのような実施形態はここで述べた開示に基づくならば当業者にとって自明である。それゆえ本発明の範囲は上述の実施形態のいずれによっても限定されるものではなく、当然ながら特許請求の範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態によるリソグラフィシステムを示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態による図１におけるリソグラフィシステムの１つのセクションを示す図である。
【図３】本発明の実施形態によるウェハ処理ステップを示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０２  照明システム
１０４  露光システム
１０６  処理システム
１０８  コントローラ
２００，２００−１〜２００−ｎ  基板
２０２  レチクル
２０６  基板ステージ
２１０  レチクルステージ
【図１】
2008091944.tif 000003
【図２】
2008091944.tif 000004
【図３】
2008091944.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月10日(2007.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発生する照明システム、
基板を処理する処理システム、
複数ペアのレチクルを使用して、前記光をパターニングし、当該パターニングされた光に前記基板を露光させる露光システム、および
複数ペアの前記基板を前記露光システムに導入するシーケンスと複数ペアの前記レチクルを位置決めして前記基板のパターニングを実行するシーケンスとを制御して、
第１の露光期間中、第１ペアのレチクルのうちの第１レチクルが第１ペアの基板をパターニングし、
第２の露光期間中、前記第１ペアのレチクルうちの第２レチクルが前記第１ペアの基板および第２ペアの基板をパターニングし、
第３の露光期間中、前記第１ペアのレチクルのうちの前記第１レチクルが前記第２ペアの基板をパターニングするようにするコントローラ
を備え、
前記第１、前記第２、および前記第３の露光期間において、後に続くペアのレチクルを使用して後に続くペアの基板をパターニングする、ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記処理システムは、
前記基板のパラメータを測定する測定システム
を備える、ことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記処理システムは、
前記基板を前記露光システムに入る前にアライメントするアライメントシステム
を備える、ことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記処理システムは、
前記基板のパラメータを測定する測定システム、および
前記基板を前記露光システムに入る前にアライメントするアライメントシステム
を備える、ことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項５】
光を発生する照明システム、
基板を処理する処理システム、
レチクルを使用して、前記光をパターニングし、当該パターニングされた光に前記基板を露光させる露光システム、および
複数ペアの前記基板を前記露光システムに導入するシーケンスと複数ペアの前記レチクルを位置決めして前記基板のパターニングを実行するシーケンスとを制御するコントローラ
を備え、
前記レチクルのうちの第１の一つが前記基板のうちの第１および第２の一つを露光し、
前記レチクルのうちの第２の一つが前記第１および前記第２の基板ならびに前記基板のうちの第３および第４の一つを露光し、
前記第１のレチクルが前記第３および前記第４の基板ならびに前記基板のうちの第５および第６の一つを露光し、そして
前記第２のレチクルが前記第５および前記第６の基板を露光する、ことを特徴とするシステム。
【請求項６】
デュアルウェハステージ型ダブル露光システムにおいて、
基板を処理システム内および処理システム外へ搬送する第１の手段、
デュアルウェハステージの各々における個々の基板を露光システム内および露光システム外へ搬送する第２の手段、
レチクルを露光システム内および露光システム外へ搬送する第３の手段、および
前記第１、前記第２、および前記第３の搬送手段を制御する手段であって、
前記第３の搬送手段による第１のレチクルの露光システムへの搬送、
前記第１および前記第２の搬送手段による前記第１のレチクルを用いた第１および第２のウェハの搬送、処理、および露光、
前記第３の搬送手段による前記第１のレチクルの第２のレチクルとの交換、
前記第２の搬送手段を用いた前記第１および前記第２のウェハの搬送、処理、および露光、
前記第１の搬送手段による前記第１および前記第２のウェハの第３および第４のウェハとの交換、
前記第２の搬送手段を用いた前記第３および前記第４のウェハの搬送、処理、および露光、
第２のレチクルの第１のレチクルとの交換、
前記第２の搬送手段を用いた前記第３および前記第４のウェハの搬送、処理、および露光、
前記第１の搬送手段を用いた前記第３および前記第４のウェハの第５および第６のウェハとの交換、
前記第２の搬送手段を用いた前記第５および前記第６のウェハの搬送、処理、および露光、
前記第１のレチクルの前記第２のレチクルとの交換、および
前記第２の搬送手段を用いた前記第５および前記第６のウェハの搬送、処理、および露光
を制御する制御信号を出力する制御手段
を備える、ことを特徴とするデュアルウェハステージ型ダブル露光システム。
【請求項７】
リソグラフィツールにおいて多重レチクルを用いて多重基板を露光する方法であって、
第１のレチクルにより第１および第２の基板を順に露光すること、
第２のレチクルにより前記第１および前記第２の基板ならびに第３および第４の基板を順に露光すること、
前記第１のレチクルにより前記第３および前記第４の基板ならびに第５および第６の基板を順に露光すること、および
前記第２のレチクルにより前記第５および前記第６の基板を順に露光すること
を含む、ことを特徴とする方法。
【請求項８】
露光間に前記基板のパラメータを測定することをさらに含む、請求項８記載の方法。
【請求項９】
露光間に前記基板を位置合わせすることをさらに含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
リソグラフィツールにおいて多重レチクルを用いて多重基板を露光する方法であって、
第１の露光期間中、第１のレチクルにより第１および第２の基板を順にパターニングすること、
第２の露光期間中、第２のレチクルにより前記第１および前記第２の基板ならびに第３および第４の基板を順にパターニングすること、
第３の露光期間中、前記第１のレチクルにより前記第３および前記第４の基板ならびに第５および第６の基板を順にパターニングすること、および
第４の露光期間中、前記第２のレチクルにより前記第５および前記第６の基板を順にパターニングすること
を含む、ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
露光ステップ間に前記基板のパラメータを測定することをさらに含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
露光ステップ間に前記基板を位置合わせすることをさらに含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
リソグラフィツールにおいて多重レチクルを用いて多重基板を露光する方法であって、
第１の露光期間中、第１のレチクルにより第１セットの基板を順にパターニングすること、
第２の露光期間中、第２のレチクルにより第２セットの基板を順にパターニングすること、
第３の露光期間中、前記第１のレチクルにより第３セットの基板を順にパターニングすること、および
第４の露光期間中、前記第２のレチクルにより第４セットの基板を順にパターニングすること
を含む、ことを特徴とする方法。
【請求項１４】
露光ステップ間に前記基板のパラメータを測定することをさらに含む、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
露光ステップ間に前記基板を位置合わせすることをさらに含む、請求項１３記載の方法。