(57)【要約】【課題】多段偏向における電子ビームの描画を高精度で高スループット化する。【解決手段】電子ビームを複数段の偏向器で偏向して試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画装置であって、描画するパターンの領域を主偏向で偏向可能なサブフィールドに位置決めし、サブフィールド単位で副偏向によりパターンを描画する電子ビーム描画装置において、第１のフレーム描画領域と、幅Ｃだけ移動させた領第２のフレーム描画領域からなるストライプごとに描画を行うものであって、第１のサブフィールド描画領域と、第２のサブフィールド描画領域を交互に描画するものであって、サブフィールドの一辺の幅がＨである場合に、０＜Ｃ＜Ｈであることを特徴とする電子ビーム描画装置を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】図４
2008117871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームを複数段の偏向器で偏向して試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画装置であって、描画するパターンの領域を主偏向で偏向可能なフレームに分割し、主偏向により電子ビームを前記フレーム内の任意のサブフィールド位置に位置決めし、サブフィールド単位で副偏向によりパターンを描画する電子ビーム描画装置において、
前記フレームである第１のフレーム描画領域と、前記第１のフレーム描画領域より幅Ｃだけ前記フレームの次に描画するフレームの方向に移動させた領域からなる第２のフレーム描画領域からなるストライプごとに描画を行うものであって、
前記第１のフレーム描画領域における第１のサブフィールド描画領域と、前記第２のフレーム描画領域における第２のサブフィールド描画領域とを交互に描画するものであって、
前記サブフィールドの一辺の幅がＨである場合に、
０＜Ｃ＜Ｈ
であることを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記電子ビーム描画装置の主偏向の偏向可能な長さＬは、Ｃ＋Ｈよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記第２のサブフィールド描画領域の中心は、前記第１のフレーム描画領域の境界上に存在していることを特徴とする請求項１または２に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項４】
電子ビームを複数段の偏向器で偏向して試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画装置であって、描画するパターンの領域を主偏向で偏向可能なフレームに分割し、主偏向により電子ビームを前記フレーム内の任意のサブフィールド位置に位置決めし、サブフィールド単位で副偏向によりパターンを描画する電子ビーム描画装置における電子ビーム描画方法において、
前記フレームからなる第１のフレーム描画領域と、前記サブフィールドの一辺の幅がＨである場合に、０＜Ｃ＜Ｈとなる幅Ｃだけ前記第１のフレーム描画領域より、前記フレームの次に描画するフレームの方向に移動させた領域からなる第２のフレーム描画領域とを形成する工程と、
前記第１のフレーム描画領域における第１のサブフィールド描画領域における描画と、前記第２のフレーム描画領域における第２のサブフィールド描画領域における描画とを交互に行うことにより、前記第１のフレーム描画領域と前記第２のフレーム描画領域から構成されるストライプの描画を行う工程と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム描画方法。
【請求項５】
前記電子ビーム描画装置の主偏向の偏向可能な長さＬは、Ｃ＋Ｈよりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の電子ビーム描画方法。
【請求項６】
前記第２のサブフィールド描画領域の中心は、前記第１のフレーム描画領域の境界上に存在していることを特徴とする請求項４または５に記載の電子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法、特に、多段の偏向器により電子ビームを偏向させる電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マスクやウエハ等の半導体基板上に塗布されたレジストに半導体集積回路パターンを形成するために、電子ビーム描画装置が用いられている。この電子ビーム描画装置では、電子ビームを電磁気的手段により偏向させることにより走査させて、半導体基板上の所定の領域に照射する。この際、広範囲の偏向を行うと、収差などに起因する誤差が増大し、描画するパターン形状に歪が生じる。よって、パターン位置精度或いは偏向境界におけるパターンの接続精度が、許容される誤差以下となるように、偏向可能な領域の大きさは精々数〔ｍｍ〕程度に制限されることが多い。
【０００３】
また、この種の装置においては、高精度かつ高スループットな描画を可能とするため、主副２段或いは主副副々からなる３段偏向など多段の偏向器により電子ビームを偏向する方式が広く利用されている。通常、半導体集積回路における描画される領域は、電子ビーム描画装置の変更可能な領域よりも大きいため、半導体集積回路パターン全体（チップ）を偏向可能な複数の領域に分割して、各領域を繋ぎ合わせながら順次描画していく方式が採用されている。
【０００４】
ところで、半導体集積回路は、より一層微細化されており、これに伴い更に高精度なパターン描画が要求されている。こうした高精度のパターン描画を実現するための方法の一つとして、多重描画方式が提案されている。この方式は、描画パターンを繰り返し重ねて描画することで、パターン位置精度の誤差と偏向境界でのパターン接続精度の誤差とを平均化させることにより、これらの精度を大幅に改善するものである。
【０００５】
特許文献１には、同一の図形データから作成した部分領域の配置位置が異なるｎ個のデータを用い、これらのデータを重ね合わせて描画することで、偏向境界におけるパターンの接続領域で誤差が生じない描画方法が開示されている。しかしながら、この方法では偏向境界のずれたｎ重分の描画データを予め準備しなければならないため、データ変換時間と描画データ量の増加という問題が不可避となる。即ち、ＣＡＤなどで作成された半導体回路のパターンのデータを描画装置に入力するためのデータ（描画データ）に変換するためには、莫大な計算時間が必要である。ｎ重分のデータを作成することで、このデータ変換に要する計算時間は単純にｎ倍に増加するため、描画データ量もｎ倍に増加する。
【０００６】
また、データ変換時間の短縮及び描画データ量の圧縮のために提案されている階層処理データ変換方式の場合には、データ変換時間及びデータ量は偏向境界をずらすことで、通常ｎ倍より大きく増加してしまう。階層処理データ変換方式のデータ変換において偏向境界をずらすためには、データ中に存在するアレイなどの階層構造を適宜分割する必要があり、このため偏向境界をずらした描画データの作成には更に計算時間が必要となる。
【０００７】
特許文献２では、このようなデータ変換時間と描画データ量の増加という問題を解決するため、予め準備された１つの描画データを用いて偏向境界をずらしながら多重描画することが可能な描画装置が開示されている。この描画装置では、描画データとして最下段の偏向幅（サブフィールドサイズ）より小さい適当なサイズのフィールドで分割されたもの（クラスタ）を予め準備することが必要となる。
【０００８】
このような描画データを用いることで、偏向境界の異なる複数の描画データを準備することなく、偏向境界をシフトした多重描画が可能となる。即ち、この装置においては何重の多重描画をしようとも、適当なクラスタサイズに分割された１つの描画データを準備すればよく、描画データに変換するために必要な計算時間も大幅に短縮され、また多重描画に必要なデータ量も大幅に減少させることが可能となるという利点を有している。
【０００９】
また、特許文献３では、描画データを描画フィールドに分割するにあたり、分割フィールドの一辺の長さを電子ビーム描画装置の最大フィールドの長さの整数分の１とし、描画目的に応じて分割されたデータを一単位として、或いは複数のデータを組み合わせて一単位として描画時におけるフィールドとする描画方法が開示されている。
【００１０】
この方法は、上記分割フィールドで分割された１つの描画データを用いながら、描画目的に応じて描画時のフィールドサイズを所定の大きさに設定して描画するための描画方法である。即ち、描画時間よりも描画精度を優先する場合には、小さなフィールドで偏向歪の影響を極力抑えて描画でき、逆に描画時間が描画精度よりも優先する場合には、上記分割されたフィールドを複数結合して、より大きなフィールドサイズで描画することが可能である。
【００１１】
しかしながら、引用文献２、引用文献３に開示されている発明では、最下段のフィールドサイズより小さな適当なサイズで分割した描画データを準備する必要があり、この分割によりデータ量が増加してしまう。これはフィールド分割により、フィールド境界近傍における描画パターンが分割され、描画パターンの数が増加するためである。
【００１２】
通常、半導体集積回路における配線パターンでは、分割サイズがパターンの最小線幅より十分大きい場合には、分割後の描画パターンの数は、分割幅に反比例する。よって、分割幅が１／ｎになると、データ量はｎ倍に増加する。また、分割対象となる元の図形が分割幅に比べて大きい場合には、分割後の描画パターン数は、分割幅の２乗に反比例する。即ち、分割幅が１／ｎとなると、データ量はｎ２倍に増加するのである。
【００１３】
更に、半導体集積回路は大規模化の方向にもあり、これに伴い描画データ量は増加する。また、メモリ回路を混在したロジック回路や、描画されたマスクを露光装置に用いた場合における光近接効果補正により、更にデータ量の増加させることとなる。
【００１４】
このようなデータ量の増加は、データ処理計算機の大規模化、また外部記憶装置の大規模化を招き、これにより、半導体製造の際の設備投資を増大させる。更に、データ処理時間、データ入出力やネットワークを利用した描画データ転送時間等も増大する。これらは半導体装置の生産性を低下させるため、最終的には半導体集積回路のコストを上昇させてしまう。
【００１５】
特許文献４では、このような問題点に鑑み、データ量を増加させることなく、高精度な多重描画を行う方法が開示されている。
【特許文献１】特開平５−２３４８６３号公報
【特許文献２】特開平１０−３２１８８号公報
【特許文献３】特開平３−２１９６１７号公報
【特許文献４】特開平１１−２７４０３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、多段の偏向器を用いた２次元パターンを描画するための電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法において、スループットの高い多重描画を行うことが可能な電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一態様に係る電子ビーム描画装置は、電子ビームを複数段の偏向器で偏向して試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画装置であって、描画するパターンの領域を主偏向で偏向可能なフレームに分割し、主偏向により電子ビームを前記フレーム内の任意のサブフィールド位置に位置決めし、サブフィールド単位で副偏向によりパターンを描画する電子ビーム描画装置において、前記フレームである第１のフレーム描画領域と、前記第１のフレーム描画領域より幅Ｃだけ前記フレームの次に描画するフレームの方向に移動させた領域からなる第２のフレーム描画領域からなるストライプごとに描画を行うものであって、前記第１のフレーム描画領域における第１のサブフィールド描画領域と、前記第２のフレーム描画領域における第２のサブフィールド描画領域とを交互に描画するものであって、前記サブフィールドの一辺の幅がＨである場合に、０＜Ｃ＜Ｈであることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の一態様に係る電子ビーム描画装置は、前記電子ビーム描画装置の主偏向の偏向可能な長さＬは、Ｃ＋Ｈよりも大きいことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の一態様に係る電子ビーム描画装置は前記第２のサブフィールド描画領域の中心は、前記第１のフレーム描画領域の境界上に存在していることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の一態様に係る電子ビーム描画方法は、電子ビームを複数段の偏向器で偏向して試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画装置であって、描画するパターンの領域を主偏向で偏向可能なフレームに分割し、主偏向により電子ビームを前記フレーム内の任意のサブフィールド位置に位置決めし、サブフィールド単位で副偏向によりパターンを描画する電子ビーム描画装置における電子ビーム描画方法において、前記フレームからなる第１のフレーム描画領域と、前記サブフィールドの一辺の幅がＨである場合に、０＜Ｃ＜Ｈとなる幅Ｃだけ前記第１のフレーム描画領域より、前記フレームの次に描画するフレームの方向に移動させた領域からなる第２のフレーム描画領域とを形成する工程と、前記第１のフレーム描画領域における第１のサブフィールド描画領域における描画と、前記第２のフレーム描画領域における第２のサブフィールド描画領域における描画とを交互に行うことにより、前記第１のフレーム描画領域と前記第２のフレーム描画領域から構成されるストライプの描画を行う工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の一態様に係る電子ビーム描画方法は、前記電子ビーム描画装置の主偏向の偏向可能な長さＬは、Ｃ＋Ｈよりも大きいことを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の一態様に係る電子ビーム描画方法は、前記第２のサブフィールド描画領域の中心は、前記第１のフレーム描画領域の境界上に存在していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、多段の偏向器を用いた２次元パターンを描画するための電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法において、スループットの高い多重描画を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明は、多重露光では極めて多大な時間を要すること、また、フレーム境界において電子ビームによる描画位置ずれが特に大きくなるという発明者の知見に基づくものである。
【００２５】
〔電子ビーム描画装置〕
本発明における一実施の形態を以下に記載する。
【００２６】
図１は、本発明の第１の実施の形態における電子ビーム描画装置の構成図である。この電子ビーム描画装置の試料室１内に、電子ビーム描画されるマスク等の試料２が設置されたステージ３が設けられている。ステージ３は、ステージ駆動回路４によりＸ方向（紙面における左右方向）、Ｙ方向（紙面における垂直方向）に駆動される。ステージ３の移動位置は、レーザ測長計等を用いた位置回路５により測定される。
【００２７】
試料室１の上方には、電子ビーム光学系１０が設置されている。この光学系１０は、電子銃６、各種レンズ７、８、９、１１、１２、ブランキング用偏向器１３、ビーム寸法可変用偏向器１４、ビーム走査用の主偏向器１５、ビーム走査用の副偏向器１６、及び２個のビーム成型用アパーチャ１７、１８等から構成されている。
【００２８】
通常の電子ビームによる描画は、図２に示すように、試料２上の描画すべきパターン５１を短冊状のフレーム領域５２に分割し、ステージ３をＸ方向に連続移動させながら各フレーム領域５２を描画する。このフレーム領域５２は、更に、サブフィールド領域５３に分割し、サブフィールド領域５３内の必要な部分のみを可変成型ビームである電子ビーム５４を偏向させ描画するものである。このため、主偏向器１５、副偏向器１６と２段の偏向器を用い、サブフィールド領域５３の位置決めは主偏向器１５で行い、サブフィールド領域５３の描画は、副偏向器１６で行う。
【００２９】
電子ビーム描画装置において描画を行う際には、主偏向器１５により所定のサブフィールド領域５３に位置決めし、副偏向器１６によりサブフィールド領域５３内におけるパターンの描画位置の位置決めを行うともに、ビーム寸法可変用偏向器１４及びビーム成型用アパーチャ１７、１８によりビーム形状を制御し、ステージ３を一方向に連続移動させながらサブフィールド領域５３における描画を行う。このようにして、１つのサブフィールド領域５３における描画が終了したら次のサブフィールド領域５３における描画を行う。ここで、フレーム領域５２は、主偏向器１５の偏向幅で決まる短冊状の描画領域であり、サブフィールド領域５３は副偏向器１６の偏向幅で決まる単位描画領域である。
【００３０】
さらに、複数のサブフィールド領域５３の集合であるフレーム領域５２の描画が終了した後は、必要に応じてステージ３を連続移動させる方向と直交する方向にステップ移動させ、次のフレーム領域５２の描画を行う。
【００３１】
一方、制御計算機２０には記憶媒体である磁気ディスク２１が接続されており、マスクの描画データが格納されている。磁気ディスク２１から読み出された描画データは、フレーム領域５２毎にパターンメモリ２２に一時的に格納される。パターンメモリ２２に格納されたフレーム領域５２毎のパターンデータ、即ち描画位置及び描画図形データ等で構成されるフレーム情報は、データ展開ユニット３０を介し、データ解析部であるパターンデータデコーダ２３及び描画データデコーダ２４に送られる。
【００３２】
データ展開ユニット３０は、パターンメモリ２２に格納されるデータから、制御計算機２０によって設定されたフレーム領域に含まれるものを選択し抽出する機能を有している。従って、データ展開ユニット３０から出力されるデータは、後述するフレーム領域のデータに基づく実際の描画で用いられるストライプのデータである。
【００３３】
パターンデータデコーダ２３の出力は、ブランキング回路２５及びビーム成型器ドライバ２６に接続されている。具体的には、パターンデータデコーダ２３では、上記データに基づいてブランキングデータが作成され、このデータがブランキング回路２５に送られる。更に、所望とするビーム寸法データも作成され、このビーム寸法データがビーム成型ドライバ２６に送られる。そして、ビーム成型ドライバ２６から電子光学系１０のビーム寸法可変用偏向器１４に所定の偏向信号が印加され、これにより電子ビームの寸法が制御される。
【００３４】
描画データデコーダ２４の出力は、主偏向器ドライバ２７及び副偏向器ドライバ２８に送られる。主偏向器ドライバ２７から電子光学系１０の主偏向部１５に所定の偏向信号が印加され、これにより電子ビームは所定の主偏向位置に偏向走査される。また、副偏向器ドライバ２８から副偏向器１６に所定の副偏向信号が印加され、これによりサブフィールド領域５３内部の描画が行われる。
【００３５】
〔電子ビーム描画方法〕
本実施の形態における電子ビーム描画装置の描画方法について説明する。
【００３６】
本実施の形態では、図３に示すストライプ５６を電子ビーム描画装置のデータ展開ユニット３０において形成する。
【００３７】
具体的には、描画すべきパターン５１を分割した帯状のフレーム領域について、各々のフレーム領域からなる第１のフレーム描画領域５４と、このフレーム領域と次に描画するフレーム領域とに跨る領域からなる第２のフレーム描画領域５５とを形成し、第１のフレーム描画領域５４と第２のフレーム描画領域５５からなるストライプ５６ごとに描画を行うものである。
【００３８】
本実施の形態では、第２のフレーム描画領域５５は、第１のフレーム描画領域５４を幅Ｃ移動させた領域であり、サブフィールドの一辺の幅をＨとした場合に、０＜Ｃ＜Ｈの関係を満足するものである。通常、フレーム幅は主偏向器１５で偏向可能な最大幅Ｈとほぼ等しいが、本実施の形態では、Ｃ＋Ｈ＜Ｌを満足するものである。
【００３９】
図４に基づきストライプ５６の構成を説明する。ストライプ５６は、フレーム領域により構成される実線で示した第１のフレーム描画領域５４と、これより幅Ｃだけずれた領域に形成した破線で示した第２のフレーム描画領域５５により形成されている。第１のフレーム描画領域５４には、実線で示した第１のサブフィールド描画領域５７が形成され、第２のフレーム描画領域５５には、破線で示した第２のサブフィールド描画領域５８が形成されている。尚、後述するように幅Ｃは、Ｈの約半分であることが望ましい。
【００４０】
次に、本実施の形態における電子ビーム描画装置の描画の手順について説明する。
【００４１】
最初に、試料室１内のステージ３上に試料２を設置する。この後、ステージ３の位置検出を位置回路５により行い、制御計算機２０からの信号に基づいてステージ駆動回路４によりステージ３を描画可能な位置まで移動させる。
【００４２】
この後、電子銃６より電子ビームが発せられる。電子ビームは、照明レンズ７により集光され、ブランキング用偏向器１３により、電子ビームを試料２に照射するか否かの操作が行われる。
【００４３】
この後、アパーチャ１７に入射した電子ビームは、アパーチャ１７における開口部を通過し、ビーム成型器ドライバ２６により制御されたビーム寸法可変用偏向器１４によって偏向され、ビーム成型用アパーチャ１８に設けられた開口部を通過することにより、最終的に所望のビーム形状であるスポットパターンとなる。このスポットパターンとは、試料２に照射される電子ビームの描画単位であり、複数のスポットパターンにより一つの描画パターンが形成される。
【００４４】
ビーム形状形成後のスポットパターンである電子ビームは、縮小レンズ１１によってビーム形状が縮小される。試料２に描画される電子ビームの試料２における照射位置は、主偏向器ドライバ２７により制御された主偏向器１５と副偏向器ドライバ２８により制御された副偏向器１６とにより制御される。主偏向器ドライバ１５は、試料２における所定の副偏向領域に電子ビームを位置決め、即ち、ストライプ５６における第１のフレーム描画領域５４及び第２のフレーム描画領域５５の位置決めをする。また、副偏向器ドライバ１６は、第１のサブフィールド描画領域５７及び第２のサブフィールド描画領域５８の内の図形描画位置の位置決めを行う。
【００４５】
試料２への電子ビームによる描画は、ステージ３を一方向に移動させ、試料２上において電子ビームを走査し、照射することにより、第１のサブフィールド描画領域５７及び第２のサブフィールド描画領域５８内のパターンの描画が行われる。
【００４６】
本実施の形態の電子ビーム描画方法は、第１のサブフィールド描画領域５７における描画を行った後、重複する第２のサブフィールド描画領域５８の描画を行う。この後、先に描画した第１のサブフィールド描画領域５７に隣接する別の第１のサブフィールド描画領域５７の描画を行った後、先に描画した第２のサブフィールド描画領域５８に隣接する別の第２のサブフィールド描画領域５８の描画を行うものである。
【００４７】
このように、第１のサブフィールド描画領域５７と第２のサブフィールド描画領域５８の描画を交互に行うことにより、第１のフレーム描画領域５４及び第２のフレーム描画領域５５内における描画、即ち、形成されたストライプ５６の多重描画を行うことができる。
【００４８】
形成されたストライプ５６の描画が終了した後は、次のストライプ５６を形成し、同様に電子ビームによる描画を行う。
【００４９】
次に、制御計算機２０による描画制御について説明する。制御計算機２０は、記憶媒体で磁気ディスク２１に記録されたマスクの描画データを読み出し、この読み出した描画データは、フレーム領域５２毎にパターンメモリ２２に一時的に格納される。
【００５０】
パターンメモリ２２に格納されたフレーム領域５２毎の描画データ、つまり、描画位置及び描画図形データ等で構成されるフレーム情報は、データ展開ユニット３０において描画すべきストライプ５６の描画データが形成され、データ解析部であるパターンデータデコーダ２３及び描画データデコーダ２４を介して、ブランキング回路２５、ビーム成型器ドライバ２６、主偏向器ドライバ２７、副偏向器ドライバ２８に送られる。
【００５１】
パターンデータデコーダ２３では、データ展開ユニット３０より送られる描画データに基づいてブランキングデータが作成され、このブランキングデータがブランキング回路２５に送られる。更に、この描画データに基づいて所望とするビーム形状データが作成され、このビーム形状データがビーム成型器ドライバ２６に送られる。
【００５２】
ビーム成型器ドライバ２６では、光学系１０のビーム寸法可変用偏向器１４に所定の偏向信号が印加され、これにより電子ビームの寸法が制御される。
【００５３】
描画データデコーダ２４では、描画データに基づいてサブフィールド位置決めデータが作成され、このサブフィールド位置決めデータが主偏向器ドライバ２７に送られる。この後、主偏向器ドライバ２７から主偏向器１５へ所定の偏向信号が印加され、これにより電子ビームは所定のサブフィールド位置に偏向走査される。
【００５４】
また、描画データデコーダ２４では、描画データに基づいて副偏向器１６の走査のコントロール信号を生成し、このコントロール信号が副偏向器ドライバ２８に送られる。そして、副偏向器ドライバ２８から副偏向器１６に所定の副偏向信号が印加され、これにより、サブフィールド領域５３内の描画が行われる。
【００５５】
次に、より詳細に本実施の形態における電子ビーム描画方法について説明する。
【００５６】
尚、第１のフレーム描画領域５４と第２のフレーム描画領域５５とは、サブフィールドの幅に対し１／２の幅で重複している。即ち、第２のフレーム描画領域５５の境界上に、第１のフレーム描画領域５４における第１のサブフィールド描画領域５７の中心が存在するように形成されている。
【００５７】
最初に、図５に示すように、形成されたストライプ５６に基づき、第１のフレーム描画領域５４の第１のサブフィールド描画領域５３１における描画すべき領域５４１に電子ビームを照射し描画を行う。具体的には、主偏向器１５により、電子ビームを偏向ＰＭ１１させた後、更に、副偏向器１６により、電子ビームを偏向ＰＳ１１させて、電子ビームの照射を行う。このようにして、第１のサブフィールド描画領域５３１において、第１のフレーム描画領域５４の境界であるフレーム境界に接する描画すべき領域５４１に電子ビームによる描画が行われる。
【００５８】
次に、図６に示すように、主偏向器による偏向を行い、第２のサブフィールド描画領域５３３において、描画すべき領域５４３に電子ビームを照射し描画を行う。具体的には、主偏向器１５により電子ビームを偏向ＰＭ２させた後、更に、副偏向器１６により電子ビームを偏向ＰＳ２１させて、電子ビームの照射を行う。このようにして、第２のサブフィールド描画領域５３３における描画すべき領域５４３において電子ビームによる描画が行われる。尚、この描画すべき領域５４３は、電子ビームの偏向による位置ずれ等が生じていない理想的な場合においては、第１のサブフィールド描画領域５３１において電子ビームを照射した描画すべき領域５４１と一致する。
【００５９】
この後、図７に示すように、第２のサブフィールド描画領域５３３における描画すべき領域５４４に電子ビームを照射し描画を行う。具体的には、主偏向はそのままで、副偏向器１６により電子ビームを偏向ＰＳ２２させて、電子ビームの照射を行う。このようにして、第２のサブフィールド描画領域５３３における描画すべき領域５４４において電子ビームによる描画が行われる。
【００６０】
ここで、理想的な描画が行われているならば、描画すべき領域５４１と描画すべき領域５４３とは同じ位置となるはずである。しかしながら、現状においては、電子ビームの偏向においては収差や誤差が生じるため、これに起因して位置ずれが生じる。
【００６１】
具体的に説明すれば、図８に示す多重露光を行はない描画方法の場合では、理想的にはフレーム境界に接しているサブフィールド領域においても、理想的な描画位置に電子ビームが照射され描画されるはずである。しかしながら、前述した理由により、電子ビームの照射される位置、即ち、電子ビームを偏向することにより、描画の際の照射位置がずれてしまうと、フレーム境界において描画されない領域が形成される可能性がある。即ち、電子ビームによる描画により複数のフレーム領域に跨る電極パターンを形成しようとすると、図９（ａ）に示すように、断線した電極パターン６０２となってしまい、これにより形成される半導体集積回路は不良となってしまうのである。このような電子ビームの照射位置の位置ずれは、通常、電子ビームを偏向することにより生じるＸ方向の位置ずれと、電子ビームを偏向することにより生じるＹ方向の位置ずれと組み合わされたものである。
【００６２】
一方、本実施の形態においては、電子ビームの描画位置の位置誤差を縮小することができ、特に、フレーム境界部分におけるＹ軸方向の位置誤差を縮小することができる。よって、偏向による電子ビームのＸ軸方向の位置誤差が多少含まれていても、Ｙ軸方向の位置誤差は極めて小さくなることから、図９（ｂ）に示すように、電子ビームにより断線していない電極パターン６０３を描画することができるのである。
【００６３】
また、多重描画を行う場合であっても、形成されたストライプの描画ごとにステージを移動する方法であるため、多重描画を行う際のスループットを向上させることができる。
【００６４】
以上、実施の形態において本発明における電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、これ以外の形態をとることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本実施の形態における電子ビーム描画装置の構成図
【図２】本実施の形態における電子ビーム描画方法の概要図
【図３】本実施の形態におけるストライプの構成図
【図４】本実施の形態におけるストライプの詳細な構成図
【図５】本実施の形態における電子ビーム描画方法の描画の工程図（１）
【図６】本実施の形態における電子ビーム描画方法の描画の工程図（２）
【図７】本実施の形態における電子ビーム描画方法の描画の工程図（３）
【図８】一般的なフレーム領域とサブフィールド領域との関係図
【図９】描画により形成される描画パターン図
【符号の説明】
【００６６】
１・・・試料室、２・・・試料、３・・・ステージ、４・・・ステージ駆動回路、５・・・位置回路、６・・・電子銃、７、８、９、１１、１２・・・各種レンズ、１０・・・光学系、１３・・・ブランキング用偏向器、  １４・・・ビーム寸法可変用偏向器、１５・・・主偏向器、１６・・・副偏向器、１７、１８・・・ビーム成型用アパーチャ、２０・・・制御計算機、２１・・・磁気ディスク、２２・・・パターンメモリ、２３・・・パターンデータデコーダ、２４・・・描画データデコーダ、２５・・・ブランキング回路、２６・・・ビーム成型ドライバ、  ２７・・・主偏向ドライバ、２８・・・副偏向ドライバ、３０・・・データ展開ユニット、５１・・・描画すべきパターン、５４・・・第１のフレーム描画領域、５５・・・第２のフレーム描画領域、５６・・・ストライプ、５７・・・第１のサブフィールド領域、５８・・・第２のサブフィールド領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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