(57)【要約】【課題】有機ＥＬパネルを、有機ＥＬ素子の水分等に起因する劣化を最小限に抑えることができるものとする。  【解決手段】素子形成基板１上に形成された、一対の電極２および４の間に発光機能層を含む有機材料層３を狭持してなる有機ＥＬ素子１２を、有機ＥＬ素子１２を囲むように素子形成基板１の周縁に設けられた接着剤層８を介して素子形成基板１と封止基板１’を貼り合せてなる有機ＥＬパネルにおいて、接着剤層８に隣接して低融点金属層６および６’からなる気密封止部を設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子形成基板上に形成された有機ＥＬ素子を、該有機ＥＬ素子を囲むように前記素子形成基板の周縁に設けられた接着剤層を介して前記素子形成基板と封止基板を貼り合せてなる有機ＥＬパネルにおいて、
前記接着剤層に隣接して低融点金属層からなる気密封止部が設けられていることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記低融点金属層と前記封止基板との間及び前記低融点金属層と前記素子形成基板との間の少なくとも一方に光吸収層が設けられていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬパネル。
【請求項３】
前記有機ＥＬ素子が樹脂層で覆われ、該樹脂層は前記封止基板と接していることを特徴とする請求項１または２記載の有機ＥＬパネル。
【請求項４】
前記有機ＥＬ素子は一対の電極間に発光機能層を含む有機材料層を狭持してなることを特徴とする請求項１、２または３記載の有機ＥＬパネル。
【請求項５】
素子形成基板上に有機ＥＬ素子を形成し、該有機ＥＬ素子を囲むように前記素子形成基板の周縁に接着剤層を設け、該接着剤層を介して前記素子形成基板と封止基板を貼り合せる有機ＥＬパネルの製造方法において、
前記接着剤層に隣接して低融点金属層を設けて前記有機ＥＬ素子を封止することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
前記低融点金属層と前記封止基板との間及び前記低融点金属層と前記素子形成基板との間の少なくとも一方に光吸収層を設け、該光吸収層が設けられた側からレーザ光を前記低融点金属層に照射することを特徴とする請求項５記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項７】
前記レーザ光の波長が３００ｎｍ〜６００ｎｍであることを特徴とする請求項６記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子を基板間に封止した有機ＥＬパネルおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機、コンピュータ、電子手帳、携帯ゲーム機等といった様々な電子機器や家電機器に利用される表示パネルは、通常、表示部分を保護するため、表示部分を封止することにより製造されている。とりわけ、現在の有機ＥＬ素子は、水分、酸素等の影響を受けると、電極との間で剥離を起こしてしまったり、素子自体が変質してしまったりしてその発光寿命が短くなってしまうという問題がある。
【０００３】
そこで、表示パネルを水分、酸素等（これらを含む外気）から遮断し、封止するための技術が様々提案されている。例えば特許文献１には、素子形成基板上の有機ＥＬ素子を一酸化珪素の保護膜で覆い、封止基板との間を全面樹脂封止する技術が記載されている。また、特許文献２には、素子形成基板と封止基板との間に有機ＥＬ素子を覆うように樹脂層を介在させ、その周辺を接着剤封止する技術が記載されている。
【０００４】
上記特許文献１および２に記載されている封止方法は、樹脂が有機ＥＬ素子全体を覆いつつ素子形成基板と封止基板とを接合する構造を持ち、封止基板はガラス等の薄い平板で良く、凹部の付いた金属容器やエッチング加工されたガラスを用いる必要がないため、有機ＥＬパネルを薄型で、軽量かつ安価に製造することができる点で優れている。
【０００５】
しかし、特許文献１に記載されている封止方法では、素子形成基板と封止基板との間に介在する樹脂が水分を透過させる性質を持ち、かつ外部の空気に接しているため、外部の水分は樹脂を透過して一酸化珪素の保護膜（無機膜）に達する。一酸化珪素に限らず有機ＥＬ素子上に形成される無機膜はピンホールなどの構造欠陥を持ちやすいため、水分は保護膜を越えて有機ＥＬ素子に達し、その特性を劣化させるという問題がある。加えて、有機ＥＬ素子上に無機膜を形成し、さらにこれを樹脂層で覆う構造では、応力による素子の破壊や無機膜の亀裂を起こしやすいため、無機膜の厚さはおのずと制限され、完全に気密な封止を行うことは事実上不可能である。
【０００６】
一方、特許文献２に記載されている封止方法では、樹脂層の周辺に接着剤による追加の封止部が存在するため、樹脂層は直接外気に接していないものの、接着剤もまた水分を透過させる性質を持つため、外気の水分は接着剤と樹脂層を逐次透過し有機ＥＬ素子に到達しその特性を劣化させるという問題がある。
【０００７】
すなわち、上記特許文献１および２に記載されている封止方法は、有機ＥＬ素子の劣化が始まるまでの時間を長引かせ、結果的に有機ＥＬ素子の寿命を延長する効果は有するものの、外気中の水分の透過と有機ＥＬ素子への到達という問題を本質的に防ぐものではない。また、接着剤層や樹脂層の水分透過速度は一般に温度の上昇に伴って増加するため、特に高温環境で使われる有機ＥＬパネルの信頼性においてこのような封止技術は充分であるとはいえない。
【０００８】
一方、特許文献３には、中央部が窪んだ封止基板と素子形成基板の周縁部が低融点金属層を介して接合される封止構造が記載されている。低融点金属層は上記特許文献１および２に記載されている樹脂層や接着剤層のように水蒸気を透過させないため、外部からの透過水分による有機ＥＬ素子の劣化を防ぐことができる点で優れている。
【特許文献１】特許３３５４４４４号公報
【特許文献２】特開２００５−１９０７０３号公報
【特許文献３】特開２００４−２６５８３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上記特許文献３に記載されている封止方法においても、いくつかの問題がある。第１に封止基板がその中央部に窪みを持つため、封止基板そのものの厚さが大きくなり、有機ＥＬパネルの厚みが平板の封止基板を用いる場合に比べて大きくなる。これは薄膜を利点とする表示パネルにおいては重要な問題である。
【００１０】
第２に有機ＥＬ素子が有機ＥＬパネルの中空部に露出した構造を持つため、低融点金属層による封止部になんらかの微小な欠陥が発生し、少量の水蒸気あるいは酸素が流入した場合、有機ＥＬ素子の特性は即時的・壊滅的に劣化する。第３に窪みを形成した封止ガラス基板は平板のガラスに比べて高価であるため、実用化し難いという問題がある。
【００１１】
上述のように、有機ＥＬパネルにおいては、その封止効果、構造上の問題、経済性のいずれをも満足する有機ＥＬパネル、およびそのような有機ＥＬパネルの製造方法は確立していないのが実状である。
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、有機ＥＬ素子の水分等に起因する劣化を最小限に抑えることができ、有機ＥＬ素子の寿命を飛躍的に延長することが可能な有機ＥＬパネル、および、その製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の有機ＥＬパネルは、素子形成基板上に形成された有機ＥＬ素子を、該有機ＥＬ素子を囲むように前記素子形成基板の周縁に設けられた接着剤層を介して前記素子形成基板と封止基板を貼り合せてなる有機ＥＬパネルにおいて、前記接着剤層に隣接して低融点金属層からなる気密封止部が設けられていることを特徴とするものである。
【００１４】
前記低融点金属層と前記封止基板との間及び前記低融点金属層と前記素子形成基板との間の少なくとも一方に光吸収層が設けられていることが好ましい。  
また、前記有機ＥＬ素子は樹脂層で覆われ、該樹脂層は前記封止基板と接していることがより好ましい。  
前記有機ＥＬ素子は一対の電極間に発光機能層を含む有機材料層を狭持してなるものが好ましい。
【００１５】
本発明の有機ＥＬパネルの製造方法は、素子形成基板上に有機ＥＬ素子を形成し、該有機ＥＬ素子を囲むように前記素子形成基板の周縁に接着剤層を設け、該接着剤層を介して前記素子形成基板と封止基板を貼り合せる有機ＥＬパネルの製造方法において、前記接着剤層に隣接して低融点金属層を設けて前記有機ＥＬ素子を封止することを特徴とするものである。
【００１６】
前記低融点金属層と前記封止基板との間及び前記低融点金属層と前記素子形成基板との間の少なくとも一方に光吸収層を設け、該光吸収層が設けられた側からレーザ光を前記低融点金属層に照射することが好ましい。この場合、前記レーザ光の波長は３００ｎｍ〜６００ｎｍとすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の有機ＥＬパネルは、素子形成基板上に形成された有機ＥＬ素子を、該有機ＥＬ素子を囲むように前記素子形成基板の周縁に設けられた接着剤層を介して前記素子形成基板と封止基板を貼り合せてなる有機ＥＬパネルにおいて、前記接着剤層に隣接して低融点金属層からなる気密封止部が設けられているので、有機ＥＬ素子の水分等に起因する劣化を最小限に抑えることができ、有機ＥＬ素子の寿命を飛躍的に延長することが可能である。
【００１８】
また、本発明の有機ＥＬパネルは、低融点金属層からなる気密封止部に隣接して接着剤層が設けられているので、低融点金属層による気密封止部に微小な欠陥が発生しても、接着剤層によってその影響は直接には有機ＥＬ素子には至らないので、有機ＥＬパネルの壊滅的な特性劣化を抑制することができる。
【００１９】
また、本発明の有機ＥＬパネルの製造方法は、素子形成基板上に有機ＥＬ素子を形成し、該有機ＥＬ素子を囲むように前記素子形成基板の周縁に接着剤層を設け、該接着剤層を介して前記素子形成基板と封止基板を貼り合せる有機ＥＬパネルの製造方法において、前記接着剤層に隣接して低融点金属層を設けて前記有機ＥＬ素子を封止するので、有機ＥＬ素子の水分等に起因する劣化を最小限に抑え、有機ＥＬ素子の寿命を飛躍的に延長することが可能な有機ＥＬパネルを、経済的かつ実用的に製造することができる。
【００２０】
とりわけ、前記低融点金属層と前記封止基板との間及び前記低融点金属層と前記素子形成基板との間の少なくとも一方に光吸収層を設け、該光吸収層が設けられた側からレーザ光を前記低融点金属層に照射すると、製造工程において樹脂基板の劣化を引き起こさず、有機ＥＬ素子の劣化などの悪影響を最小限に抑えて有機ＥＬパネルを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の有機ＥＬパネルの実施形態を詳細に説明する。図１は、本発明の一の実施形態による有機ＥＬパネルの概略模式断面図、図２は、図１に示す有機ＥＬパネルの部分拡大断面図である。
【００２２】
図１に示すように、本発明の有機ＥＬパネルは素子形成基板上１上に透明電極２、有機層３、上部電極４が順に成膜され、透明電極２、有機層３、上部電極４によって有機ＥＬ素子１２が形成され、有機ＥＬ素子１２は樹脂層７によって全体が覆われ、樹脂層７上には封止基板１’が設けられてなる。本実施の形態においては、素子形成基板上１および１’には厚さ０．７ｍｍのガラス製素子形成基板を、透明電極２には厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極を、有機層３には正孔輸送層、発光層、電子輸送層を順に堆積させたものを、上部電極４にはフッ化リチウムとアルミを順に堆積させたものを用いている。
【００２３】
樹脂層７は有機ＥＬ素子１２全体を覆うとともに、素子形成基板１と封止基板１’との間隙の中央部を満たしている。樹脂層７としては、光硬化型接着剤、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリオレフィン、高分子エラストマー等を用いることができ、本実施の形態においては、エポキシ樹脂を用いている。
【００２４】
素子形成基板１と封止基板１’とは、その周縁部において低融点金属層６及び６’によって気密封止されており、低融点金属層６及び６’はそれぞれ光吸収層５及び５’を介して素子形成基板１及び封止基板１’に接合されている。この気密封止部分は、低融点金属層６及び６’に隣接する接着剤層８によってその両側が覆われている。
【００２５】
接着剤層８としては、光硬化型接着剤、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリオレフィン等を用いることができ、本実施の形態においては、光硬化型接着剤を用いている。なお、樹脂層７と接着剤層８に用いられる材料は、異なる２種の樹脂であってもよいし、同一の樹脂であってもよい。
【００２６】
光吸収層５及び５’としては、素子形成基板１と低融点金属層６、封止基板１’ と低融点金属層６’への密着性がよく、後の工程で低融点金属層６及び６’を融解させるために照射されるレーザ光の波長において素子形成基板１及び封止基板１’よりも充分大きな吸収をもつ材質であればよく、例えばＣｕ、Ａｕ等が好ましくあげられる。また、光吸収層５及び５’として金あるいは銅を用いる場合には素子形成基板１及び封止基板１’との密着性を補強するために例えばクロムを下地材として用いてもよい。
【００２７】
素子形成基板１及び封止基板１’の材質の一例としてガラス、光吸収層５及び５’ の材質の一例として金および銅の吸収スペクトルを図５に示す。例えば、レーザ光として３００ｎｍ〜５００ｎｍの波長域のレーザを選択する場合には金が適しており、３００ｎｍ〜６００ｎｍの波長域のレーザを選択する場合には銅が好適である。また、基板にガラスを用いる場合にはガラスの吸収スペクトルを考慮すると、レーザ光の波長は３００ｎｍ以上が望ましい。光吸収層５及び５’の厚さはレーザ光を吸収するのに充分な厚さがあればよく、本実施の形態においては幅３００μｍで、厚さ２０ｎｍのクロムの下地層と２００ｎｍの金層を用いている。
【００２８】
なお、レーザ光の照射を封止基板１’側からのみ行う場合には、素子形成基板１側の光吸収層５の材質を選定する際には素子形成基板１と低融点金属層６への密着性のみを考慮すればよい。また、その場合には、光吸収層は素子形成基板１’と低融点金属層６’の間のみに、すなわち光吸収層５’のみを設ければよい。
【００２９】
低融点金属層６及び６’は低融点（２５０℃以下の融点のもの）の金属（合金を含む）からなる層で、インジウム、スズ等低融点金属の単体やそれらを含む合金などであって、融点が有機ＥＬパネルの動作温度以上で素子形成基板１や封止基板１’の融点よりも低いものであればよく、本実施の形態においてはインジウムとしている。
【００３０】
樹脂層７と接着剤層８は接していても良く、図示するように空隙１１があってもよい。ただし、この空隙１１は乾燥窒素等の不活性気体で満たされていることが望ましい。樹脂層７の厚さは周縁封止部を持たない構造の場合には、５〜３０μｍが一般的であり、本発明の構造においてもこのような範囲を適用できるが、この範囲に限定されるものではない。低融点金属層６の厚さと低融点金属層６’の厚さを足したものが概ね樹脂層７の厚さとなる。
【００３１】
低融点金属層６の厚さと低融点金属層６’の厚さは等しくすることもできるが、例えば上記レーザ光の照射を封止基板１’側からのみ行う場合には低融点金属層６’の厚さを低融点金属層６の厚さに比べてずっと小さくするとレーザ光によって加熱される光吸収層５’の近傍に低融点金属層６と低融点金属層６’との接合面を配置することができ、融着に必要なレーザ光強度を低減し、プロセスタイムを短縮し、また融着部周辺の温度上昇を抑えることができる。本実施の形態においては、光吸収層５及び５’と同じ幅で、低融点金属層６’を５μｍ厚、低融点金属層６を１５μｍ厚としている。このように低融点金属層６の厚さと低融点金属層６’の厚さが異なる場合であっても両者の合計が樹脂層７の所望の厚さになるようにする。
【００３２】
図１には示されていないが有機ＥＬ素子を駆動するためには、透明電極２並びに上部電極４と個別に電気的に接続された引出し電極が周縁封止部分を横切って形成され、外部からの電力投入がなされるようになっていなければならない。この部分の構造を、図２を用いて説明する。素子形成基板１上にはその一部に少なくとも一対の引出し電極９が形成され、この引出し電極９は同じく素子形成基板１上に形成された透明電極２又は上部電極４と電気的に接続されている。引出し電極９の周縁封止部にあたる部分には電気絶縁性の絶縁膜１０が形成され、その上に形成される光吸収層５や低融点金属層６によって複数の引出し電極９間が短絡されないようになっている。本実施の形態においては、引出し電極８には５０ｎｍ厚のクロムを、絶縁膜１０には５０ｎｍ厚のＳｉＯ2を用いている。
【００３３】
ここで低融点金属層６や光吸収層５は素子形成基板１の周縁全体に亘って実質的に均一の厚みを持つため、引出し電極９が形成されていない部分に比べて、引出し電極９が形成されている部分は引出し電極９の厚さと絶縁膜１０の厚さとを加えた厚み分だけ高くなるが、引出し電極９の厚さはそれぞれ有機ＥＬ素子への電力供給に充分な厚みを持てばよく、絶縁膜１０の厚みも隣接する複数の引出し電極９の間にかかる電圧において絶縁性を保てる程度でよく、かつその電圧は典型的に高くても２０Ｖ程度であるため極薄いものでよいため、引出し電極９と絶縁膜１０の厚さの合計は１００ｎｍ程度に抑えることが可能である。一方、低融点金属層６の厚さは１〜２０μｍ、典型的には１０μｍ程度が好ましく、従って引出し電極９と絶縁膜１０の挿入による素子形成基板１から低融点金属層６の上面までの高さの増加は１％程度であるため、素子形成基板１側の低融点金属層６と封止基板１’側の低融点金属層６’とを融解接合させる際の障害にはならない。
【００３４】
続いて、本発明の有機ＥＬパネルの製造方法について図３を用いて説明する。まず透明な素子形成基板１上に透明電極２と図示されていない引出し電極及び絶縁膜を形成し、次いで素子形成基板１の周縁部に光吸収層５を、封止基板１’ の周縁部に光吸収層５’を金属マスクを用いて真空蒸着法により形成する（図３ａ）。
【００３５】
次に光吸収層５、５’の上に低融点金属層６、６’を光吸収層５および５’と同様に金属マスクを用いて真空蒸着法により形成する（図３ｂ）。
【００３６】
これら透明電極２、引出し電極、絶縁膜、光吸収層５、５’、低融点金属層６、６’などの成膜方法はそれらの材質に応じて真空蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法などから選択することができる。またこれらの層のパターニングには金属マスク等を近接させた状態で成膜することもできるが、成膜後にエッチングを施すことによって行うこともできる。
【００３７】
素子形成基板１上に有機ＥＬ素子１２を形成するため、透明電極２上に有機層３を形成する。有機層３は通常複数の層からなり、それらはスピンコーティング、真空蒸着、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷等の方法で形成される。有機層３の上には真空蒸着法により上部電極４が形成される（図３ｃ）。なお、上部電極４は図示しない引出し電極に電気的に接続されている。
【００３８】
続いて、有機ＥＬ素子１２全体を覆うとともに、素子形成基板１と封止基板１’との間隙の中央部を満たすように樹脂層７を設ける（図３ｄ）。樹脂は素子の中央部付近が最も高く、中心から離れるに従って徐々に低く盛られることが望ましい。この工程にはディスペンサを用いることができるが、その他の塗布方法を採ることもできる。この工程は乾燥窒素等の不活性気体雰囲気で行われることが望ましく、本実施の形態においては酸素濃度１０ｐｐｍ以下、露点−７０℃以下の乾燥窒素雰囲気としている。
【００３９】
樹脂層７のディスペンサ後に、低融点金属層６上に接着剤８を塗布する（図３ｅ）。この工程は、通常の封止用接着剤の塗布と同様の装置で行うことができる。なお、この接着剤８を塗布する工程は樹脂層７のディスペンサの前に行ってもよい。
【００４０】
硬化していない状態の樹脂層７と接着剤層８の上に封止基板１’を貼り合せる（図３ｆ）。この時、低融点金属層６及び６’はそれらの表面の大部分において互いに接触しているが、接合面には部分的に接着剤層８の接着剤が薄膜上あるいは液滴上に残ることがある。この残留接着剤は、素子形成基板１と封止基板１’を貼り合せる際に両基板間に掛ける圧力を適切に調節することによって、そのほとんどを低融点金属層６及び６’の接合面間から排出することができるが、少量の残留があっても、低融点金属層６及び６’による封止性能に大きな悪影響はない。
【００４１】
両基板間の周縁封止部に囲まれた部分には空隙１１が残ることがあるので、この工程も乾燥窒素等の不活性気体雰囲気で行われることが望ましい。この時、樹脂層７は少なくとも有機層３の実際に動作する部分とその部分の直上の上部電極４を覆っていることが望ましいが、透明電極２及び上部電極４は特にそれらの引出し電極への連結部や冗長部分において樹脂層７に覆われている必要はない。
【００４２】
樹脂層７が光硬化型接着剤である場合には、封止基板１’を通して樹脂層７及び接着剤層８に対して、それらの硬化に必要な波長の光を必要なエネルギーだけ照射することによって硬化させる（図３ｇ）。本実施の形態においては水銀ランプの光を照射している。この照射は樹脂層７及び接着剤層８に対して同時に行っても良く、順次行っても良い。
【００４３】
一般に、光硬化型接着剤は硬化することによって体積が減少する。接着剤層８に覆われた低融点金属層６及び６’は、接着剤層８の硬化以前に互いに表面で接触しており、接着剤層８の収縮によって封止基板１及び１’の間に引き寄せ合う力が発生することから、低融点金属層６及び６’の表面は、この収縮力によって互いに押し付けられることになる。
【００４４】
次に、封止基板１’を通して光吸収層５’に対してレーザ光を照射する。レーザ光の照射により光吸収層５’が加熱され、その熱によって低融点金属層６及び６’が融解され融着される（図３ｈ）。なお、樹脂層７及び接着剤層８の硬化と低融点金属層の融着は、融着を先に行ってもよく、また同時に行ってもよい。また、融着の為のレーザ光の照射は素子形成基板１の側から行ってもよく、両基板側から同時に行ってもよい。
【００４５】
周縁部の光吸収層５’を走査するように封止基板１’側からレーザ光を照射するには例えば図４に示すような照射装置を用いる。図４に示す照射装置は、有機ＥＬ素子、低融点金属層および光吸収層が介装された封止基板１、１’を載置する載置台２１と、この載置台２１の上方に設けられる、波長４００−４１０ｎｍのＧａＮ系ダイオードレーザ２４を出射するレーザヘッド２３と、光吸収層を照射するようにレーザヘッド２３を載置台２１と平行に移動させるＸ−Ｙ移動機構２５とからなる。Ｘ−Ｙ移動機構２５は、載置台２１上をレーザヘッド２３を保持してＸ軸方向、Ｙ軸方向に平行移動できるように構成されてなり、レーザヘッド２３から出射されるレーザを、封止基板１’側を通して周縁封止部をトレースするように照射する。本実施の形態においては、レーザヘッド２３の出力を１Ｗとし、直径４００μｍの平行ビームとして走査速度２ｍｍ／ｓで照射している。
【００４６】
上記のように、樹脂層７及び接着剤層８の硬化までの工程は、従来から市販されている封止装置によって行えることから、この工程を先に行い、樹脂層７及び接着剤層８が硬化し、形態的に安定した状態で低融点金属層の融着を行うほうが合理的である。なお、レーザ光照射による加熱を行わなくても上記接着剤層８の収縮力による圧接によって、ある程度の気密性を持つことから、工程の簡略化のため、レーザ融着の工程を省略することもできる。
【００４７】
接着剤層の塗布位置を変えた別の実施の形態を図６に示す。図６に示す実施の形態は概ね図１〜３に示した実施の形態と同様であるが、接着剤層８の塗布位置を意図的に有機ＥＬ素子側にずらしたものである（図６(a)）。これにより、低融点金属層６、６’は間に接着剤層材料を殆ど挟みこむことなく、低融点金属層６、６’が直接接合され、より信頼性の高い気密封止を行うことができる（図６(b)）。
【００４８】
なお、図７に示すように接着剤層８は逆に低融点金属層６、６’の外側にずらすこともできる。いずれの場合においても、接着剤層８の塗布並びに硬化のプロセスには既存の製造設備を利用することができ、かつ接着剤層８の収縮によって低融点金属層６、６’の表面同士が圧接される効果も、先の実施の形態の場合と同様に期待できる。
【００４９】
樹脂層７を設けない態様を図８に示す。図８に示す実施の形態は概ね図１〜３に示した実施の形態と同様であるが、素子全体を覆う樹脂層７が存在せず、その空隙１１には乾燥窒素などの不活性ガスが封入されている。このような構造であっても、周縁部の接着剤層８と、低融点金属層６、６’を含む無機封止構造によって、機械強度と機密性が確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一の実施形態による有機ＥＬパネルの概略模式断面図
【図２】図１に示す有機ＥＬパネルの部分拡大断面図
【図３ａ】本発明の有機ＥＬパネルの製造過程の一過程を示す模式図
【図３ｂ】本発明の有機ＥＬパネルの製造過程の一過程を示す模式図
【図３ｃ】本発明の有機ＥＬパネルの製造過程の一過程を示す模式図
【図３ｄ】本発明の有機ＥＬパネルの製造過程の一過程を示す模式図
【図３ｅ】本発明の有機ＥＬパネルの製造過程の一過程を示す模式図
【図３ｆ】本発明の有機ＥＬパネルの製造過程の一過程を示す模式図
【図３ｇ】本発明の有機ＥＬパネルの製造過程の一過程を示す模式図
【図３ｈ】本発明の有機ＥＬパネルの製造過程の一過程を示す模式図
【図４】本発明の有機ＥＬパネルの製造に用いられる照射装置の概略斜視図
【図５】ガラス、ＡｕおよびＣｕの吸収スペクトルを示すグラフ
【図６】本発明の別の実施形態による有機ＥＬパネルの概略模式断面図
【図７】本発明のさらに別の実施形態による有機ＥＬパネルの概略模式断面図
【図８】本発明のさらに別の実施形態による有機ＥＬパネルの概略模式断面図
【符号の説明】
【００５１】
１        素子形成基板
１’      封止基板
２        透明電極
３        有機層
４        上部電極
５，５’  光吸収層
６，６’  低融点金属層
７        樹脂層
８        接着剤層
９        引出し電極
１０      絶縁膜
１１      空隙
１２      有機ＥＬ素子
２１      載置台
２３      レーザヘッド
２４      レーザ
２５      Ｘ−Ｙ移動機構
【図１】
2008249839.tif 000003
【図２】
2008249839.tif 000004
【図３ａ】
2008249839.tif 000005
【図３ｂ】
2008249839.tif 000006
【図３ｃ】
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【図３ｄ】
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【図３ｅ】
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【図３ｆ】
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【図３ｇ】
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【図３ｈ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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