(57)【要約】【課題】半導体レーザ素子に発生する応力(ストレス)を低減することができ長寿命化を図れる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】この半導体レーザ装置によれば、半田層１１４は発光領域１５０の中心線Ｊ１から直交方向Ｘの両側に向かって所定の寸法Ｌ１だけ離れたところまでの第１の領域Ｒ１に存在しない。つまり、発光領域１５０が存在する第１の領域Ｒ１は半導体レーザ素子１００の半田層１１４とヒートシンク２００との非完全な接着領域となる。よって、動作時において半導体レーザ素子１００,半田層１１４,およびヒートシンク２００の熱膨張係数の相違によって、発光領域１５０に与えられる応力を低減することができる。【選択図】図１Ｃ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストライプ状の発光領域が形成される半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子に接着されるヒートシンクとを備え、
上記半導体レーザ素子は、
上記ヒートシンクに対向する導電性の電極と、
上記導電性の電極に積層されている半田層とを有し、
上記半田層は、
上記発光領域が上記ストライプ状に延びている延在方向と上記発光領域の厚さ方向とに直交する直交方向における上記発光領域の中心線から上記直交方向の両側に向かって所定の寸法だけ離れたところまでの第１の領域に存在しないと共に上記中心線から上記第１の領域よりも上記直交方向の両側に離れた第２の領域に存在しており、
さらに、上記半田層と上記ヒートシンクが有する金属層とが合金化されている接着部を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１の領域では、
上記半導体レーザ素子の上記導電性の電極と上記ヒートシンクが有する金属層との間には半田が存在していないと共に上記導電性の電極と上記金属層とが融着していないことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１の領域では、
上記半導体レーザ素子の上記導電性の電極と上記ヒートシンクとの間に空洞が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の半導体レーザ装置において、
上記導電性の電極は、
上記第２の領域において上記半田層との接合部が上記半田層と合金化していることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置において、
上記導電性の電極は、Ａｕを含む材料で作製された表層を含み、
上記半田層は、ＡｕＳｎまたはＳｎＰｂからなる半田材で作製され、
上記ヒートシンクが有する金属層はＡｕを含む材料で作製された表層を含んでいることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体レーザ装置において、
上記半田層はＡｕＳｎからなる半田材で電界メッキによって作製されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体レーザ装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体レーザ装置では、レーザ動作時に半導体レーザ素子の温度が上昇することによる発光効率の低下、および半導体レーザ素子の破損等を防止するためにヒートシンクを使用している。すなわち、半導体レーザ素子の下面に半田層を介してヒートシンクを接着することで、動作時に発生する熱をヒートシンクから効率的に放熱するようにしている。
【０００３】
しかし、半導体レーザ素子とヒートシンクとの熱膨張係数の違いによって応力が発生して、半導体レーザ素子に内部ストレスが発生する。すなわち、半導体レーザ素子を構成する半導体層に歪みが発生するという問題がある。
【０００４】
このような問題について、半導体レーザ素子の電極形状によって、半導体レーザ素子の内部ストレスを軽減することを図る従来技術の半導体レーザ装置が提案されている。
【０００５】
この従来技術の半導体レーザ装置１は、図３の断面図に示すように、半導体レーザ素子２と半田層４とヒートシンク５を有する。半導体レーザ素子２は、半田層４を介してヒートシンク５にマウントされている。ヒートシンク５は、ヒートシンク部材８と、このヒートシンク部材８の厚さ方向の一方の表面上に形成された上面電極６と、厚さ方向の他方の表面上に形成された下面電極７とを有する。この上面電極６上に半田層４が積層されている。そして、この半田層４に、半導体レーザ素子２の下面電極３を構成する合金化層１９を対向させて半導体レーザ素子２が積層される。
【０００６】
この半導体レーザ素子２は、基板１１の厚さ方向の一方の表面上に活性層１３、キャップ層１５、オーミック電極層１６、非合金化層１７を順に積層している。一方、基板１１の厚さ方向の他方の表面上に、半導体レーザ素子２の上面電極１８が形成されている。そして、非合金化層１７には合金化層１９が部分的に積層されている。この合金化層１９と非合金化層１７とが下面電極３を構成している。
【０００７】
図３に示すように、半導体レーザ素子２の発光領域８がストライプ状に延在する方向(紙面に垂直な方向)と発光領域８の厚さ方向とに直交する直交方向における発光領域８の中心線Ｊ０から上記直交方向の両側に向かって所定の寸法だけ離れたところまでの領域２１では、合金化層１９が存在していないと共に非合金化電極層１７が存在している。すなわち、領域２１では、半導体レーザ素子２の下面電極３は半田層４と合金化しておらず、非合金化層１７が半田層４に対向している。一方、中心軸Ｊ０から領域２１よりも直交方向に離れた領域では、下面電極３は半田層４と合金化しており、合金化電極層１９が半田層４に接着されている。
【０００８】
半導体レーザ素子２を半田材を介してヒートシンク５に熱融着するとき、図３の合金化層１９ではヒートシンク５に積層された半田材との合金化が起こり、半田層４に強固に接着される。これに対し、非合金化層１７では、ヒートシンク５に積層された半田材と合金化が起こらず半田層４との強固な接着がなされない。
【０００９】
したがって、非合金化層１７では合金化層１９よりも内部ストレスが低減する。そして、発光領域８は、非合金化層１７が半田層４と接触する非合金化領域に形成されているので、発光領域８にかかる内部ストレスを低減することができ、半導体レーザ装置１の信頼性を向上させることができる。
【００１０】
ところで、従来の技術の半導体レーザ装置１では、半導体レーザ素子２の発光領域８の真下に非合金化層１７が形成されるので、非合金化層１７と、オーミック電極層(合金化層１９)や活性領域(発光領域８)との熱膨張係数の相違に起因して、発光領域８へストレスが発生し、信頼性向上の効果が十分に得られないという問題がある。
【特許文献１】特許第３４６１６３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、この発明の課題は、半導体レーザ素子に発生する応力(ストレス)を低減することができ長寿命化を図れる半導体レーザ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、この発明の半導体レーザ装置は、ストライプ状の発光領域が形成される半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子に接着されるヒートシンクとを備え、
上記半導体レーザ素子は、
上記ヒートシンクに対向する導電性の電極と、
上記導電性の電極に積層されている半田層とを有し、
上記半田層は、
上記発光領域が上記ストライプ状に延びている延在方向と上記発光領域の厚さ方向とに直交する直交方向における上記発光領域の中心線から上記直交方向の両側に向かって所定の寸法だけ離れたところまでの第１の領域に存在しないと共に上記中心線から上記第１の領域よりも上記直交方向の両側に離れた第２の領域に存在しており、
さらに、上記半田層と上記ヒートシンクが有する金属層とが合金化されている接着部を備えることを特徴としている。
【００１３】
この発明の半導体レーザ装置によれば、半田層は、上記発光領域の中心線から上記直交方向の両側に向かって所定の寸法だけ離れたところまでの第１の領域に存在しない。つまり、発光領域が存在する第１の領域は、半導体レーザ素子の半田層とヒートシンクとの非完全な接着領域となる。よって、動作時において半導体レーザ素子,半田層,およびヒートシンクの熱膨張係数の相違によって、発光領域に与えられる応力を低減することができる。したがって、この発明によれば、発光領域の歪みを抑制することができる。
【００１４】
また、本発明によれば、半導体レーザ素子に形成した半田層をヒートシンクに接着しているので、半田層の形成されていないヒートシンクへ半導体レーザ素子をマウントして融着させることができる。したがって、半田層を形成したヒートシンクに半導体レーザを接着する場合のような半田層と半導体レーザとの位置合わせが不要となるので、半導体レーザ素子とヒートシンクの接着を容易に行うことができる。
【００１５】
また、一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第１の領域では、上記半導体レーザ素子の上記導電性の電極と上記ヒートシンクが有する金属層との間には半田が存在していないと共に上記導電性の電極と上記金属層とが融着していない。
【００１６】
この実施形態によれば、発光領域が存在する第１の領域では、半田が存在していなく、半導体レーザ素子とヒートシンクとが融着していないので、発光領域に加わる応力をより低減でき、発光領域の歪みをより抑制できる。
【００１７】
また、一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第１の領域では、上記半導体レーザ素子の上記導電性の電極と上記ヒートシンクとの間に空洞が形成されている。
【００１８】
この実施形態によれば、半導体レーザ素子とヒートシンクの間に空洞が形成されているから、半導体レーザ素子の発光領域に加えられる内部ストレスをさらに低減でき、半導体レーザ装置の寿命を更に向上できる。
【００１９】
また、一実施形態の半導体レーザ装置では、上記導電性の電極は、上記第２の領域において上記半田層との接合部が上記半田層と合金化している。
【００２０】
この実施形態によれば、半導体レーザ素子の導電性電極と半田層との接合部が合金化して完全に接着しているので、接合部の放熱効率が向上する。よって、高温時における動作電流の増大が抑制され、高温時の信頼性を向上できる。
【００２１】
また、一実施形態の半導体レーザ装置では、上記導電性の電極は、Ａｕを含む材料で作製された表層を含み、上記半田層は、ＡｕＳｎまたはＳｎＰｂからなる半田材で作製され、上記ヒートシンクが有する金属層はＡｕを含む材料で作製された表層を含んでいる。
【００２２】
この実施形態によれば、発光領域が存在する第１の領域の両側の第２の領域において、上記半田層は上記導電性の電極との合金領域をＡｕＳｎまたはＳｎＰｂからなる半田材とＡｕを含む材料とで容易に形成できる。また、上記半田層は上記ヒートシンクの金属層との合金領域(接着部)を上記半田材とＡｕを含む材料とで容易に形成できる。
【００２３】
また、一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半田層はＡｕＳｎからなる半田材で電界メッキによって作製されている。
【００２４】
この実施形態によれば、半田層のＡｕＳｎを電解メッキによって形成することにより、上記第２の領域において、導電性の電極に半田層を容易に形成することが可能となる。さらに、ＡｕＳｎからなる半田層の厚さを所望の厚さに容易に形成することが可能となる。
【００２５】
また、一実施形態の電子機器は、上記半導体レーザ装置を備えたので、高信頼性で長寿命の電子機器を実現できる。
【発明の効果】
【００２６】
この発明によれば、発光領域が存在する第１の領域は、半導体レーザ素子の半田層とヒートシンクとの非完全な接着領域となるので、動作時において半導体レーザ素子,半田層,およびヒートシンクの熱膨張係数の相違によって、発光領域に与えられる応力を低減できる。よって、発光領域の歪みを抑制でき、長寿命化を図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２８】
(第１の実施の形態)
図１Ａに、この発明の半導体レーザ装置の第１実施形態が有する半導体レーザ素子１００の断面を示す。この第１実施形態では、半導体レーザ素子１００はリッジ構造を有する。半導体レーザ素子１００は、ｎ−ＧａＡｓ基板１０１、ｎ−ＧａＩｎＰバッファ層１０２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、量子井戸活性層１０４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１０５、エッチングストップ層１０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０７、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０８、ｐ側コンタクト電極１０９、誘電体膜１１０、導電性の電極としてのメッキ金属層１１２、ｎ電極１１３を備える。
【００２９】
また、この半導体レーザ素子１００は、図１Ａにおいて紙面に垂直な方向にストライプ状に延びている発光領域１５０を有する。また、この半導体レーザ素子１００は、メッキ金属層１１２に積層された半田層１１４を有する。
【００３０】
この半田層１１４は、発光領域１５０がストライプ状に延びている延在方向Ｚと発光領域１５０の厚さ方向Ｙとに直交する直交方向Ｘにおける発光領域１５０の中心線Ｊ１から直交方向Ｘの両側に向かって所定の寸法Ｌ１だけ離れたところまでの第１の領域Ｒ１に存在しないと共に中心線Ｊ１から第１の領域Ｒ１よりも直交方向Ｘの両側に離れた第２の領域Ｒ２に存在する。なお、この実施形態では、第１の領域Ｒ１を中心線Ｊ１から直交方向Ｘの両側に向かって所定の同じ寸法Ｌ１までの領域としたが、第１の領域Ｒ１は中心線Ｊ１から直交方向Ｘの一方側の寸法と他方側の寸法とが異なる寸法であってもよい。
【００３１】
次に、図１Ｂに、半導体レーザ素子１００をマウントするヒートシンク２００を示す。ヒートシンク２００はヒートシンク部材１１５を有し、半導体レーザ素子１００に対向するヒートシンク部材１１５の面１１５Ａには表面電極１１６が形成されている。この表面電極１１６は単層または多層であるが、表面電極１１６の最上層はＡｕを含む材料により形成されている。また、ヒートシンク部材１１５の面１１５Ｂには裏面電極１１７が形成されている。この裏面電極１１７は形成されていなくてもよい。
【００３２】
図１Ｃに示すように、この第１実施形態の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子１００とヒートシンク２００を半導体レーザ素子１００のメッキ金属層１１２上に形成された半田層１１４を介して接着している。この半導体レーザ装置は、中心線Ｊ１から第１の領域Ｒ１よりも直交方向Ｘの両側に離れた第２の領域Ｒ２において、ヒートシンク２００が有する金属層１１６と半田層１１４とが合金化されている接着部(図示せず)を備える。
【００３３】
ここで、この半田層１１４は、発光領域１５０の直交方向Ｘで、発光領域１５０の中心線Ｊ１から直交方向Ｘの両側に向かって所定の寸法Ｌ１だけ離れたところまでの第１の領域Ｒ１に存在していない。つまり、発光領域１５０が存在する第１の領域Ｒ１では、半導体レーザ素子１００の半田層１１４とヒートシンク２００とは融着していない。よって、動作時において半導体レーザ素子１００,半田層１１４,およびヒートシンク２００の熱膨張係数の相違によって、発光領域１５０に与えられる応力を低減することができる。したがって、この半導体レーザ装置によれば、発光領域１５０の歪みを抑制でき、長寿命化を図れる。
【００３４】
また、この第１実施形態によれば、半導体レーザ素子１００に形成した半田層１１４をヒートシンク２００に接着している。つまり、半田層の形成されていないヒートシンク２００へ半導体レーザ素子１００をマウントして融着させることができる。したがって、半田層を形成したヒートシンクに半導体レーザを接着する場合のような半田層と半導体レーザとの位置合わせが不要となるので、半導体レーザ素子１００とヒートシンク２００との接着を容易に行うことができる。
【００３５】
また、この第１実施形態によれば、第１の領域Ｒ１では、半導体レーザ素子１００のメッキ金属層１１２とヒートシンク２００との間に空洞Ｗ１,Ｗ２が形成されている。この空洞Ｗ１,Ｗ２は、第２クラッド層１０７,コンタクト層１０８,ｐ側コンタクト電極１０９によるリッジ構造のＸ方向の両側に形成されている。このように、半導体レーザ素子１００とヒートシンク２００の間に空洞Ｗ１,Ｗ２が形成されているから、半導体レーザ素子１００の発光領域１５０に加えられる内部ストレスをさらに低減でき、半導体レーザ装置の寿命を更に向上できる。
【００３６】
次に、この第１実施形態の半導体レーザ装置の製造プロセスについて説明する。
【００３７】
まず、ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上にエピタキシャル成長により、順次、ｎ−ＧａＩｎＰバッファ層１０２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、量子井戸活性層１０４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１０５、エッチングストップ層１０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０７、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０８を結晶成長させる。
【００３８】
次に、ウエットエッチングによって、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０８およびｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０７をエッチングし、光導波路および電流通路となるリッジストライプを形成する。このリッジストライプのＸ方向の幅は予め定める長さに形成される。例えば、リッジストライプ幅は１.０μｍ乃至５.０μｍの範囲から選ばれる。このリッジストライプを形成するに際し、ドライエッチングとウエットエッチングを併用、またはドライエッチングのみとしてもよい。
【００３９】
次に、誘電体膜１１０(例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａl２Ｏ３など)をリッジストライプ上部を除く半導体レーザ上部に成膜すると共に、リッジストライプ上部にはｐ側コンタクト電極１０９を形成する。
【００４０】
次に、ウエハ全面にメッキ金属層１１２となるＡｕを全体が同一層厚になるように形成する。このとき、メッキ金属層１１２の層厚は一例として０.５μｍ〜５.０μｍになるように形成する。
【００４１】
その後、発光領域１５０の中心線Ｊ１からＸ方向に予め定める寸法Ｌ１までの第１領域Ｒ１を除くメッキ金属層１１２上に半田層１１４を形成する。この寸法Ｌ１は一例として２μｍ〜２０μｍの範囲から選ばれる。また、この第１実施形態では、半田層１１４を形成する半田材としては、ＡｕＳｎ、ＰｂＳｎ系の半田とした、この半田層１１４は、例えば、Ａｕ(８０％)−Ｓｎ(２０％)、または、Ｓｎ(９５％)−Ｐｂ(５％)などの成分比を有する厚さ０.３μｍ〜５.０μｍの半田層である。また、一例として、この半田層１１４は、厚膜形成や、パターン化が容易である電解メッキにより形成する。
【００４２】
その後、ｎ−ＧａＡｓ基板１０１を裏面側から研磨して薄くし、ｎ電極１１３を形成した後、チップに分割し、図１Ａに示す半導体レーザ素子１００を作製する。
【００４３】
そして、ヒートシンク２００の表面電極１１６上に半導体レーザ素子１００を圧接し、半田層１１４が溶融する温度まで昇温し、半田層１１４とヒートシンク２００上の表面電極１１６および半田層１１４と半導体レーザ素子１００のメッキ金属層１１２とを合金化する(図１Ｃ参照)。
【００４４】
これにより、発光領域１５０の中心線Ｊ１から直交方向Ｘの両側に向かって予め定める距離Ｌ１までの第１領域Ｒ１よりも直交方向Ｘの両側に離れた第２の領域Ｒ２において、メッキ金属層１１２と半田層１１４が合金化する。また、第２領域Ｒ２において、半田層１１４とヒートシンク２００上の表面電極１１６とを合金化する。この合金化によって、合金化による接着部(図示せず)の放熱効率が向上するので、高温時における動作電流の増大を抑制でき、高温時の信頼性を向上できる。
【００４５】
このように、この第１の実施形態による半導体レーザ装置によれば、従来のレーザ素子の発光領域にかかる内部ストレスを低減できるので、半導体レーザ装置の高温動作での平均寿命を、一例として、５０００時間から６０００時間に改善でき、長寿命化が可能となった。
【００４６】
(第２の実施の形態)
次に、図２に、この発明の半導体レーザ装置の第２実施形態を示す。この第２実施形態は、図１Ｃの半導体レーザ素子１００に替えて、半導体レーザ素子５００を備える点が、前述の第１実施形態と異なる。よって、この第２実施形態では、前述の第１実施形態と同一部分には同一の符号を付して、第１実施形態と異なる点を主に説明する。
【００４７】
前述の第１実施形態では、リッジストライプとなる領域だけに第２クラッド層１０７を残したが、この第２実施形態では、図２に示すように、リッジストライプをなす第２クラッド層１０７だけでなく、この第２クラッド層１０７からＸ方向の両側に所定の寸法(例えば５μｍ〜１００μｍ)だけ離隔した第２クラッド層ＴＳを有する。
【００４８】
つまり、この第２実施形態では、製造時に、リッジストライプをなす第２クラッド層１０７のＸ方向の端からＸ方向の両側に所定の寸法(例えば５μｍ〜１００μｍ)だけ離隔した箇所までの領域をエッチングして、第２クラッド層１０７だけでなくテラス層ＴＳを残した。
【００４９】
すなわち、この第２実施形態では、第２クラッド層１０７によるリッジストライプからＸ方向に所定の寸法(例えば５μｍ〜１００μｍ)だけ離れていると共に上記リッジストライプと同じ高さの第２クラッド層によるテラス層ＴＳを設けた。この第２実施形態によれば、半導体レーザ素子５００の作製プロセス中に第２クラッド層１０７によるリッジストライプだけが凸部になることを避け、作製プロセス中にリッジストライプが破損することを防ぐことが可能であり、半導体レーザ素子の製造の歩留を向上できる。
【００５０】
そして、この第２実施形態では、半導体レーザ素子５００のリッジストライプをなす第２クラッド層１０７の上面を除く領域に誘電体膜５１０が成膜されている。
【００５１】
この第２実施形態の製造プロセスでは、上記誘電体膜５１０を成膜した後、メッキ金属層５１２となるＡｕを形成する。このとき、メッキ金属層５１２の層厚は一例として０.５μｍ〜５.０μｍになるようにする。さらに、発光領域１５０の中心線Ｊ１からＸ方向の両側に所定の寸法Ｌ１までの第１の領域Ｒ１を除くメッキ金属層５１２上に半田層５１４を形成する。この寸法Ｌ１は、前述の第１実施形態と同様、例えば、２μｍ〜２０μｍの範囲内から選ばれる。
【００５２】
その後、ｎ−ＧａＡｓ基板１０１を裏面側から研磨して薄くし、ｎ電極１１３を形成した後、半導体レーザ素子５００となるチップに分割した後、ヒートシンク２００の表面電極１１６上に半導体レーザ素子５００を圧接し、半田層５１４の溶融する温度まで昇温する。これにより、半田層５１４とヒートシンク２００の表面電極１１６とを合金化すると共に、半田層５１４と半導体レーザ素子５００のメッキ金属層５１２とを合金化する。
【００５３】
この半導体レーザ素子５００とヒートシンク２００とを接着するとき、発光領域１５０の中心線Ｊ１からＸ方向の両側に予め定める寸法Ｌ１までの第１の領域Ｒ１の全領域において、メッキ金属層５１２とヒートシンク２００の表面電極１１６との間には半田が無く、空洞Ｗ３が形成されるようにする。この空洞Ｗ３が形成されることによって、発光領域１５０にかかる内部ストレスをさらに低減でき、さらに寿命を改善された半導体レーザ装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１Ａ】この発明の第１実施形態が有する半導体レーザ装置の半導体レーザ素子１００を示す断面図である。
【図１Ｂ】上記第１実施形態のヒートシンク１００を示す断面図である。
【図１Ｃ】上記第１実施形態の半導体レーザ装置を示す断面図である。
【図２】この発明の第２実施形態の半導体レーザ装置を示す断面図である。
【図３】従来の半導体レーザ装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１００、５００  半導体レーザ素子
１０１  ｎ−ＧａＡｓ基板
１０２  ｎ−ＧａＩｎＰバッファ層
１０３  ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１０４  量子井戸活性層
１０５  ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層
１０６  エッチングストップ層
１０７  ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層
１０８  ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
１０９  ｐ側コンタクト電極
１１０、５１０  誘電体膜
１１２、５１２  メッキ金属層
１１３  ｎ電極
１１４、５１４  半田層
１１５  ヒートシンク部材
１１６  表面電極
１１７  裏面電極
１５０  発光領域
２００  ヒートシンク
Ｒ１  第１の領域
Ｒ２  第２の領域
Ｊ１  中心軸
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３  空洞
ＴＳ  テラス層
【図１Ａ】
2008091768.tif 000003
【図１Ｂ】
2008091768.tif 000004
【図１Ｃ】
2008091768.tif 000005
【図２】
2008091768.tif 000006
【図３】
2008091768.tif 000007