(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップからの発熱を、外部に効率よく放熱することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１は、絶縁性樹脂からなる絶縁性基板５を備えている。絶縁性基板５の一方面５Ａには、熱伝導性を有する金属材料からなるアイランド６が形成されている。アイランド６には、半導体チップ３の裏面が接合される。一方、絶縁性基板５の他方面５Ｂには、アイランド６と同じ金属材料からなるサーマルパッド９が形成されている。また、絶縁性基板５には、アイランド６とサーマルパッド９との間において、それらを熱伝導可能に接続するためのサーマルビア１１が貫通して形成されている。そして、絶縁性基板５の他方面５Ｂには、放熱用開口部２１を有するソルダレジスト１８が形成されており、サーマルパッド９は、放熱用開口部２１から露出している。【選択図】図１
2008091714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製の基板と、
前記基板の一方面上に形成されるアイランドと、
前記アイランド上にダイボンディングされる半導体チップと、
前記基板の前記一方面上に形成され、前記半導体チップと電気的に接続される内部端子と、
前記基板の前記一方面と反対側の他方面上に形成され、前記内部端子と対向配置される外部端子と、
前記基板の前記一方面と前記他方面との間を貫通して形成され、前記内部端子と前記外部端子とを導通可能に接続する端子間接続ビアと、
前記基板の前記他方面上に形成され、前記アイランドと対向配置されるサーマルパッドと、
前記基板の前記一方面と前記他方面との間を貫通して形成され、前記アイランドと前記サーマルパッドとを熱伝導可能に接続する熱伝導部と、
前記基板の前記他方面上に形成され、前記サーマルパッドの外周との間に隙間が形成されるように開口する放熱用開口部と、前記外部端子を露出させるように開口する端子用開口部とを有するソルダレジストとを備えることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
樹脂製の基板と、
前記基板の一方面上に形成されるアイランドと、
前記アイランド上にダイボンディングされる半導体チップと、
前記基板の前記一方面上に形成され、前記半導体チップと電気的に接続される内部端子と、
前記基板の前記一方面と反対側の他方面上に形成され、前記内部端子と対向配置される外部端子と、
前記基板の前記一方面と前記他方面との間を貫通して形成され、前記内部端子と前記外部端子とを導通可能に接続する端子間接続ビアと、
前記基板の前記他方面上に形成され、前記アイランドと対向配置されるサーマルパッドと、
前記基板の前記一方面と前記他方面との間を貫通して形成され、前記アイランドと前記サーマルパッドとを熱伝導可能に接続する熱伝導部と、
前記基板の前記他方面上に形成され、前記サーマルパッドの中央部を露出させるように開口する放熱用開口部と、前記外部端子を露出させるように開口する端子用開口部とを有し、前記放熱用開口部の周縁部分が、前記サーマルパッドの周縁部上に配置されるソルダレジストとを備えることを特徴とする、半導体装置。
【請求項３】
前記熱伝導部は、前記基板を貫通して形成される熱伝導用開口部と、
前記熱伝導用開口部の側面を被覆する熱伝導層と、
前記熱伝導用開口部に充填される熱伝導材とを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記熱伝導材は、銅を含有する材料を用いて形成されていることを特徴とする、請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記熱伝導部は、複数設けられていることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記サーマルパッドの、前記基板が配置される側とは反対側の面上に設けられ、前記半導体装置が前記実装基板に実装されたときに、前記実装基板上のグランド電極に接続されるサーマル端子をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置、詳しくは、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型半導体装置、ＬＧＡ（Land Grid Array）型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置を配線基板上に高密度に実装するために、配線基板上への表面実装を可能とした表面実装型パッケージが多用されている。この表面実装型パッケージの代表的なものとして、たとえば、ＢＧＡが知られている。
ＢＧＡが採用されるＢＧＡ型半導体装置では、基板上に半導体チップが搭載される。基板は、たとえば、ガラスエポキシ樹脂からなる絶縁性基板である。絶縁性基板の一方面には、半導体チップが接合されるアイランドと、ボンディングワイヤによって半導体チップの表面上のパッドと電気的に接続される内部端子とが配置されている。
【０００３】
一方、絶縁性基板の他方面には、実装基板（プリント配線板）上のランド（電極）と電気的に接続するためのボール状の外部端子が整列して配置されている。
絶縁性基板には、さらに、その一方面と他方面との間を貫通するスルーホールが形成されている。スルーホールは、金属材料で埋め尽くされており、このスルーホール内の金属を介して、絶縁性基板の一方面上の内部端子と他方面上の外部端子とが電気的に接続されている。そして、絶縁性基板の一方面上の各部品は、樹脂パッケージで封止されることによって、外部の雰囲気（たとえば、水分など）の影響に対して保護されている。
【特許文献１】特開２００１−１８１５６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年では、半導体チップの多機能化に伴い、半導体チップの発熱による温度上昇が問題となっている。たとえば、半導体チップで発生する熱が半導体装置（樹脂パッケージ）内にこもることによって、部品の劣化、誤動作などの不具合が生じるという問題がある。また、これらの問題は、半導体チップがますます集積化される将来においては、いっそう顕在化すると考えられる。
【０００５】
そこで、この発明の目的は、半導体チップからの発熱を、外部に効率よく放熱することができる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するための請求項１記載の発明は、樹脂製の基板と、前記基板の一方面上に形成されるアイランドと、前記アイランド上にダイボンディングされる半導体チップと、前記基板の前記一方面上に形成され、前記半導体チップと電気的に接続される内部端子と、前記基板の前記一方面と反対側の他方面上に形成され、前記内部端子と対向配置される外部端子と、前記基板の前記一方面と前記他方面との間を貫通して形成され、前記内部端子と前記外部端子とを導通可能に接続する端子間接続ビアと、前記基板の前記他方面上に形成され、前記アイランドと対向配置されるサーマルパッドと、前記基板の前記一方面と前記他方面との間を貫通して形成され、前記アイランドと前記サーマルパッドとを熱伝導可能に接続する熱伝導部と、前記基板の前記他方面上に形成され、前記サーマルパッドの外周との間に隙間が形成されるように開口する放熱用開口部と、前記外部端子を露出させるように開口する端子用開口部とを有するソルダレジストとを備えることを特徴としている。
【０００７】
この構成によれば、半導体チップは、基板の一方面上の内部端子と電気的に接続されている。また、内部端子は、端子間接続ビアによって他方面上の外部端子と導通可能に接続されている。そのため、外部端子が実装基板上のランドと電気的に接続されることにより、ランドと半導体チップとが電気的に接続され、ランドから供給される電力によって半導体チップが作動される。
【０００８】
また、半導体チップは、アイランド上にダイボンディングされている。アイランドは、熱伝導部およびサーマルパッドと熱伝導可能に接続されている。そして、サーマルパッドは、ソルダレジストの放熱用開口部から露出している。そのため、半導体チップで発生した熱は、アイランドおよび熱伝導部を介してサーマルパッドに伝えられ、サーマルパッドの露出面から外部に放散される。つまり、半導体チップが作動する際に発生した熱を、半導体装置内にこもらせることなく、効率よく外部に放散することができる。
【０００９】
また、請求項２記載の発明は、樹脂製の基板と、前記基板の一方面上に形成されるアイランドと、前記アイランド上にダイボンディングされる半導体チップと、前記基板の前記一方面上に形成され、前記半導体チップと電気的に接続される内部端子と、前記基板の前記一方面と反対側の他方面上に形成され、前記内部端子と対向配置される外部端子と、前記基板の前記一方面と前記他方面との間を貫通して形成され、前記内部端子と前記外部端子とを導通可能に接続する端子間接続ビアと、前記基板の前記他方面上に形成され、前記アイランドと対向配置されるサーマルパッドと、前記基板の前記一方面と前記他方面との間を貫通して形成され、前記アイランドと前記サーマルパッドとを熱伝導可能に接続する熱伝導部と、前記基板の前記他方面上に形成され、前記サーマルパッドの中央部を露出させるように開口する放熱用開口部と、前記外部端子を露出させるように開口する端子用開口部とを有し、前記放熱用開口部の周縁部分が、前記サーマルパッドの周縁部上に配置されるソルダレジストとを備えることを特徴としている。
【００１０】
この構成によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様の効果を達成することができる。
また、このような開口部を有するソルダレジストを基板上に形成する際には、まず、基板上の全面にソルダレジストが塗布される。次いで、ソルダレジスト上に、放熱用開口部および端子用開口部に対応する開口部を有するマスクフィルムが転写される。そして、このマスクフィルムをマスクとして、ソルダレジストがパターニング（エッチング）されることにより、放熱用開口部および端子用開口部を有するソルダレジストが形成される。
【００１１】
マスクパターンにおいて、放熱用開口部に対応する開口部の中心と、端子用開口部に対応する開口部の中心との間の距離は一定である。そのため、このようなマスクフィルムをマスクとしてパターニングされる、放熱用開口部の中心と、端子用開口部の中心との距離は一定である。
そのため、マスクフィルムをソルダレジストに転写する際、マスクフィルムが基板に対してずれて転写されても、サーマルパッドの、放熱用開口部から露出する部分の中心と、外部端子の、端子用開口部から露出する部分の中心との距離を一定にすることができる。その結果、サーマルパッドを基準に半導体装置を実装基板に実装するときに、サーマルパッドの、放熱用開口部から露出する部分の中心と、実装基板のランドとの位置関係を常に一定にすることができるので、外部端子をランドに確実に当接させることができる。
【００１２】
また、請求項３記載の発明は、請求項１または２に記載の半導体装置において、前記熱伝導部は、前記基板を貫通して形成される熱伝導用開口部と、前記熱伝導用開口部の側面を被覆する熱伝導層と、前記熱伝導用開口部に充填される熱伝導材とを含むことを特徴としている。
この構成によれば、熱伝導用開口部の側面が熱伝導層で被覆されている。そして、熱伝導用開口部には、熱電導材が充填されている。このように、熱伝導材が充填されていれば、熱伝導用開口部の内部を空間にする場合に比べて、放熱性を向上させることができる。
【００１３】
また、請求項４記載の発明は、請求項３記載の半導体装置において、前記熱伝導材は、銅を含有する材料を用いて形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、銅は熱伝導率が高いため、熱伝導材として銅を含有する材料を充填することによって、半導体チップからアイランドに伝わった熱を一層効率よくサーマルパッドに伝えることができる。その結果、放熱性を一層向上させることができる。
【００１４】
また、前記熱伝導部は、請求項５に記載のように複数設けられていてもよい。
また、請求項６記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置において、前記サーマルパッドの、前記基板が配置される側とは反対側の面上に設けられ、前記半導体装置が前記実装基板に実装されたときに、前記実装基板上のグランド電極に接続されるサーマル端子をさらに含むことを特徴としている。
【００１５】
この構成によれば、半導体装置が実装基板に実装されたときに、サーマル端子が実装基板上のグランド電極に接続される。サーマル端子を設けることによって、アイランド、熱伝導部、サーマルパッドおよびサーマル端子を介して、半導体チップとグランド電極とを電気的に接続することができる。その結果、半導体装置が実装基板に実装されたときに、半導体チップの裏面をグランド電位とすることができる。したがって、半導体チップとして、パワーＩＣが作り込まれた半導体チップなど、半導体チップの裏面をグランドとするものを用いることができる。そして、その場合に、半導体チップの良好な動作（たとえば、パワーＩＣの動作）を確保することができる。さらに、サーマル端子がグランド電極と接続されているので、サーマルパッドに伝えられた熱を、サーマル端子を介して実装基板に逃がすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を図解的に示す断面図である。また、図２は、図１に示す半導体装置の実装基板に対向する面の図解的な平面図である。
この半導体装置１は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）が採用された半導体装置であり、絶縁性樹脂（たとえば、ガラスエポキシ樹脂）からなる絶縁性基板５と、絶縁性基板５上に搭載される半導体チップ３と、絶縁性基板５および半導体チップ３の半導体チップ３に対向する面を封止する封止樹脂４とを備えている。
【００１７】
絶縁性基板５の一方面５Ａには、アイランド６と、内部端子７とが形成されている。
アイランド６は、導電性および熱伝導性を有する金属材料（たとえば、銅など）からなり、絶縁性基板５の一方面５Ａの中央部に、平面視で半導体チップ３とほぼ同じサイズを有する矩形薄板状に形成されている。
内部端子７は、アイランド６と同様の金属材料（たとえば、銅など）からなり、アイランド６を取り囲む周縁部に形成されている。
【００１８】
そして、アイランド６上に、たとえば、高融点はんだ（融点が２６０℃以上のはんだ）からなる接合剤（図示せず）を介して、熱伝導可能に半導体チップ３の裏面が接合（ダイボンディング）される。
半導体チップ３の基体をなす半導体基板（たとえば、シリコン基板）には、たとえば、パワーＩＣが作り込まれている。また、半導体チップ３の最表面は、表面保護膜で覆われており、複数のパッド（図示せず）が、表面保護膜から露出した状態に設けられている。この複数のパッドが、各内部端子７と、たとえば、金細線からなるボンディングワイヤ８を介して接続（ワイヤボンディング）されることにより、半導体チップ３は、その裏面がアイランド６と導通可能および熱伝導可能に接続され、内部回路（図示せず）がボンディングワイヤ８を介して内部端子７と導通可能に接続される。
【００１９】
一方、絶縁性基板５の他方面５Ｂには、サーマルパッド９と、外部端子１０とが形成されている。
サーマルパッド９は、アイランド６と同様の金属材料（たとえば、銅など）からなり、絶縁性基板５の他方面５Ｂの中央部（絶縁性基板５を挟んでアイランド６と対向する位置）に、アイランド６とほぼ同じ形状（平面形状および厚み）に形成されている。
【００２０】
外部端子１０は、たとえば、はんだなどの金属材料を用いてボール状に形成されており、絶縁性基板５を挟んで各内部端子７と対向する位置に１つずつ配置されている。また、外部端子１０は、図２に示すように、絶縁性基板５の他方面５Ｂの周縁部に沿って、サーマルパッド９を取り囲むように整列して並んでいる。さらに、外部端子１０は、後述するソルダレジスト１８から一部が突出した状態に設けられている。
【００２１】
そして、絶縁性基板５には、アイランド６とサーマルパッド９との間において、それらを熱伝導可能に接続するための熱伝導部としてのサーマルビア１１が１つ貫通して形成されている。
図３は、サーマルビア１１を具体的に示す拡大図である。
ここで図３を参照して、サーマルビア１１は、絶縁性基板５を貫通して形成される熱伝導用開口部１２と、熱電導層としてのめっき層１３と、熱伝導用開口部１２に充填される熱電導材１４とを備えている。
【００２２】
熱伝導用開口部１２は、その開口幅ｒに対する開口厚ｈの比であるアスペクト比が、たとえば、１．０〜１．５で形成されている。アスペクト比がこのような範囲であれば、アイランド６に伝えられた熱を効率よくサーマルパッド９に伝えることができ、放熱性を向上させることができる。
めっき層１３は、熱伝導性を有する金属材料（たとえば、銅など）を用いためっきにより形成される層である。
【００２３】
また、めっき層１３は、熱伝導用開口部１２の側面を被覆するめっき層１３ａと、絶縁性基板５の一方面５Ａにおける熱伝導用開口部１２の周辺部分に形成され、アイランド６の一部として構成されるめっき層１３ｂと、絶縁性基板５の他方面５Ｂにおける熱伝導用開口部１２の周辺部分に形成され、サーマルパッド９の一部として構成されるめっき層１３ｃとが一体的に形成される層である。
【００２４】
熱電導材１４は、熱伝導性を有する材料からなり、その材料としては、たとえば、熱伝導性を有する金属材料（たとえば、銅など）、金属めっきを施した樹脂、樹脂成分に金属粒子を分散させた材料などが挙げられる。熱伝導材１４の材料として、熱伝導性を有する金属材料（たとえば、銅）を用いることが好ましく、銅を用いることがより好ましい。銅は熱伝導率が高いため、熱電導材１４の材料として銅を用いることによって、半導体チップ３からアイランド６に伝わった熱を効率よくサーマルパッド９に伝えることができる。その結果、一層良好な放熱性を発揮することができる。
【００２５】
また、絶縁性基板５が、絶縁性基板５の一方面５Ａ上に形成されるアイランド６を含む導体層３３と、絶縁性基板５の他方面５Ｂ上に形成されるサーマルパッド９を含む導体層３４とからなる両面基板であるため、半導体チップ３で発生した熱をアイランド６からサーマルパッド９まで、距離ｌという短い距離で伝えることができるので、効率よく放熱することができる。
【００２６】
図１および図２を再び参照して、絶縁性基板５には、内部端子７と外部端子１０との間において、これらを導通可能に接続するための端子間接続ビア１５が貫通して形成されている。
端子間接続ビア１５は、たとえば、絶縁性基板５を貫通するビアホール１６を形成し、このビアホール１６内を導電材１７（たとえば、銅）で埋め尽くすことにより形成されている。これにより、内部端子７と外部端子１０とが電気的に接続される。
【００２７】
また、絶縁性基板５の他方面５Ｂにおいては、ソルダレジスト１８が形成されている。
ソルダレジスト１８は、サーマルパッド９の外周１９との間に隙間２０が形成されるように開口する放熱用開口部２１と、外部端子１０を露出させるように開口する端子用開口部２２とを有する。放熱用開口部２１からサーマルパッド９が露出しているため、サーマルパッド９に伝えられた熱は、外部に放散される。つまり、半導体チップ３が作動する際に発生した熱を半導体装置１内にこもらせることなく、効率よく外部に放散することができる。
【００２８】
そして、この半導体装置１は、絶縁性基板５の他方面５Ｂ側を実装基板２３に対向させて、外部端子１０を実装基板２３上のランド２４に接続することにより、実装基板２３に対する表面実装が達成される。すなわち、絶縁性基板５の一方面５Ａ上の内部端子７と他方面５Ｂ上の外部端子１０とが、端子間接続ビア１５によって電気的に接続されているので、外部端子１０を実装基板２３上のランド２４に接続することにより、ランド２４と内部端子７との電気的な接続を達成することができ、ひいてはランド２４と半導体チップ３との電気的な接続を達成することができ、ランド２４から供給される電力によって半導体チップ３が作動される。
【００２９】
半導体チップ３が作動することによって発生する熱は、アイランド６およびサーマルビア１１を介してサーマルパッド９に伝えられ、サーマルパッド９の露出面９Ａから外部に放散される。そのため、半導体チップ３からの熱を半導体装置１内にこもらせることなく、効率よく外部に放散しながら、半導体チップ３を動作させることができる。その結果、たとえば、部品の劣化や誤動作などの問題を低減することができる。
【００３０】
なお、実装基板２３上にグランド電極３０が設けられる場合、サーマルパッド９の露出面９Ａに、はんだなどの金属材料からなるサーマル端子３１を設けてもよい。
この場合、サーマル端子３１は、その下面の位置が、外部端子１０の下面の位置と同じ高さになるように形成する。これにより、半導体装置１が実装基板２３に実装されたときに、サーマル端子３１が、実装基板２３上のグランド電極３０に接続される。そのため、アイランド６、サーマルビア１１、サーマルパッド９およびサーマル端子３１を介して、半導体チップ３の裏面とグランド電極３０とを電気的に接続することができる。その結果、半導体チップ３の裏面をグランド電位とすることができる。
【００３１】
したがって、半導体チップ３として、たとえば、パワーＩＣが作り込まれた半導体チップなど、半導体チップの裏面をグランドとするものを用いることができ、その場合に、半導体チップ３の良好な動作（たとえば、パワーＩＣの動作）を確保することができる。さらに、サーマル端子３１がグランド電極３０と接続されているので、サーマルパッド９に伝えられた熱を、サーマル端子３１を介して実装基板２３に逃がすことができる。
【００３２】
図４Ａは、この発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を図解的に示す断面図であって、開口箇所のずれがないソルダレジスト２５（後述）が形成された場合を示す。また、図４Ｂは、この発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を図解的に示す断面図であって、開口箇所のずれを生じたソルダレジスト２５（後述）が形成された場合を示す。また、図５は、図４Ａに示す半導体装置の実装基板に対向する面の図解的な平面図である。なお、図４Ａ、図４Ｂおよび図５において、前述の図１および図２に示された各部に対応する部分には、図１および図２の場合と同一の参照符号を付して示し、構成が同一のものについては、その説明を省略する。
【００３３】
図４Ａにおいて、ソルダレジスト２５は、サーマルパッド９の中央部２８を露出させるように開口する放熱用開口部２７と、外部端子１０を露出させるように開口する端子用開口部２９とを有する。
放熱用開口部２７の周縁部分３５は、サーマルパッド９の周縁部２６上に配置されている。
【００３４】
サーマルパッド９が放熱用開口部２７から露出されているため、図１で示した半導体装置１と同様に、半導体チップ３で発生した熱を効率よく放散することができる。
また、このような開口部（放熱用開口部２７および端子用開口部２９）を有するソルダレジスト２５を絶縁性基板５の他方面５Ｂ上に形成する際には、まず、絶縁性基板５の他方面５Ｂ上の全面にソルダレジストが塗布される。次いで、ソルダレジスト上に、放熱用開口部２７および端子用開口部２９に対応する開口部を有するマスクフィルムが転写される。そして、このマスクフィルムをマスクとして、ソルダレジストがパターニング（エッチング）されることにより、放熱用開口部２７および端子用開口部２９を有するソルダレジスト２５が形成される。
【００３５】
マスクパターンにおいて、放熱用開口部２７に対応する開口部の中心と、端子用開口部２９に対応する開口部の中心との間の距離は一定である。そのため、このようなマスクフィルムをマスクとして、パターニングされる放熱用開口部２７の中心と、端子用開口部２９の中心との距離は一定である。
そのため、マスクフィルムをソルダレジストに転写する際、マスクフィルムが絶縁性基板５に対してずれて転写されて、ソルダレジスト２５が形成されても（図４Ｂ参照）、図４Ａにおけるサーマルパッド９の、放熱用開口部２７から露出する部分の中心ａと、外部端子１０の、端子用開口部２９から露出する部分の中心ｂとの距離ｃは、図４Ｂにおけるサーマルパッド９の、放熱用開口部２７から露出する部分の中心ｄと、外部端子１０の、端子用開口部２９から露出する部分の中心ｅとの距離ｆと同じ距離となる。
【００３６】
すなわち、サーマルパッド９の、放熱用開口部２７から露出する部分の中心と、外部端子１０の、端子用開口部２９から露出する部分の中心との距離を一定にすることができる。
その結果、サーマルパッド９を基準に半導体装置１を実装基板２３に実装するときに、サーマルパッド９の、放熱用開口部２７から露出する部分の中心と、実装基板２３のランド２４との位置関係を常に一定にすることができるので、外部端子１０をランド２４に確実に当接させることができる。
【００３７】
以上、この発明の一実施形態を説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、図６〜図９に示すように、サーマルビア１１を複数のビアホール導体３２とすることもできる。
また、上述の実施形態では、アイランド６が平面視で半導体チップ３とほぼ同じサイズを有しているとしたが、アイランド６の平面視におけるサイズを、半導体チップ３の平面視におけるサイズよりも大きくすることもできるし、逆に小さくすることもできる。
【００３８】
さらに、上述の実施形態では、ＢＧＡが採用された半導体装置を取り上げたが、この発明は、絶縁性基板５の他方面５Ｂに複数のランド（薄板状の外部端子）が整列した、いわゆるＬＧＡ（Land Grid Array）が採用された半導体装置に適用することもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の実装基板に対向する面の図解的な平面図である。
【図３】サーマルビアを具体的に示す拡大図である。
【図４Ａ】この発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を図解的に示す断面図であって、開口箇所のずれがないソルダレジストが形成された場合を示す。
【図４Ｂ】この発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を図解的に示す断面図であって、開口箇所のずれを生じたソルダレジストが形成された場合を示す。
【図５】図４Ａに示す半導体装置の実装基板に対向する面の図解的な平面図である。
【図６】図１に示す半導体装置の変形例に係る半導体装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図７】図６に示す半導体装置の実装基板に対向する面の図解的な平面図である。
【図８】図４Ａに示す半導体装置の変形例に係る半導体装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図９】図８に示す半導体装置の実装基板に対向する面の図解的な平面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１      半導体装置
３      半導体チップ
５      絶縁性基板
５Ａ    一方面
５Ｂ    他方面
６      アイランド
７      内部端子
９      サーマルパッド
１０    外部端子
１１    サーマルビア
１２    熱伝導用開口部
１３    めっき層
１４    熱伝導材
１５    端子間接続ビア
１８    ソルダレジスト
１９    外周
２０    隙間
２１    放熱用開口部
２２    端子用開口部
２３    実装基板
２５    ソルダレジスト
２６    周縁部
２７    放熱用開口部
２８    中央部
２９    端子用開口部
３０    グランド電極
３１    サーマル端子
３２    ビアホール導体
３５    周縁部分
【図１】
2008091714.tif 000003
【図２】
2008091714.tif 000004
【図３】
2008091714.tif 000005
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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