(57)【要約】【課題】半導体モジュールの冷却効果を向上させる。【解決手段】絶縁板１０の下面に、金属箔１１を接合し、絶縁板１０の上面に、金属箔１２を接合し、金属箔１２上に、半導体素子１４，１５を接合する。金属箔１１、絶縁板１０、金属箔１２並びに半導体素子１４，１５を金属箔１１の下面より上側において、樹脂ケース２０で取り囲こみ、樹脂ケース２０の内面と、金属箔１１の外周端面、絶縁板１０、金属箔１２及び半導体素子１４，１５のそれぞれの外面の一部との間にエポキシ樹脂３０を充填した。そして、金属箔１１の下面並びに樹脂ケース２０から露出されたエポキシ樹脂３０により、冷却体４０と密着可能な平坦面を形成する。これにより、パワー半導体素子を搭載した半導体モジュールの軽量化、小型化、低コスト化を図ると共に、充分な冷却効果を有し且つより高パワーな半導体素子を搭載できる半導体モジュールが実現する。【選択図】図１
2008288414.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁板と、
前記絶縁板の第１の主面に接合された第１の金属箔と、
前記絶縁板の第２の主面に接合された少なくとも一つの第２の金属箔と、
前記第２の金属箔上に接合された少なくとも一つの半導体素子と、
前記第１の金属箔、前記絶縁板、前記第２の金属箔並びに前記半導体素子を、前記第１の金属箔の下面より上側において取り囲む樹脂ケースと、
前記樹脂ケースの内面と、前記第１の金属箔の外周端面、前記絶縁板、前記第２の金属箔及び前記半導体素子のそれぞれの外面の一部との間に充填された樹脂と、
を備え、前記第１の金属箔の下面並びに前記樹脂ケースから露出された前記樹脂により、外部接合体と密着可能な平坦面が形成されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記樹脂ケースに一体的に成形された締付部内に前記樹脂が充填され、前記締付部並びに前記締付部内に充填された前記樹脂内を貫通する孔部が前記半導体モジュールの側部に設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記樹脂の主たる成分がエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記樹脂ケースの内面に少なくとも一つの突起部が形成されている請求項１または２記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記第１の金属箔の主面が凸状に歪曲していることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
【請求項６】
絶縁板と、前記絶縁板の第１の主面に接合された第１の金属箔と、前記絶縁板の第２の主面に接合された、少なくとも一つの第２の金属箔と、を具備した基板を準備する工程と、
前記第２の金属箔上に、少なくとも一つの半導体素子を実装する工程と、
前記第１の金属箔、前記絶縁板、前記第２の金属箔並びに前記半導体素子を、前記第１の金属箔の下面より上側において取り囲む樹脂ケースを、前記基板上に載置する工程と、
前記樹脂ケースの内面と前記第１の金属箔の外周端面、前記絶縁板、前記第２の金属箔及び前記半導体素子のそれぞれの外面の一部との間に、ペースト状の樹脂を流入する工程と、
流入させた前記樹脂を熱硬化させる工程と、
を有し、前記第１の金属箔の下面並びに前記樹脂ケースから露出した前記樹脂により、外部接合体と密着可能な平坦面を形成することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記樹脂ケースを前記基板上に載置する場合には、
少なくとも一つのリードフレームが配設された、前記樹脂ケースの蓋部を、前記基板に載置し、前記リードフレームと、前記第２の金属箔とを接触させる工程と、
前記リードフレームと前記第２の金属箔とを電気的に接続する工程と、
前記蓋部が載置された前記基板上に、前記樹脂ケースの外枠部を載置する工程と、
を有することを特徴とする請求項６記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記樹脂を熱硬化させた後に、前記第１の金属箔の主面が凸状に歪曲していることを特徴とする請求項６記載の半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法に関し、特にパワー半導体素子を搭載した半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インバータ装置、無停電電源装置、工作機械、産業用ロボットなどでは、その本体装置とは独立して半導体モジュールが使用されている。
この半導体モジュールの構造は、所定の厚みを有した金属ベース板を基体とし、金属ベース板上にパワー半導体素子を搭載したパッケージ型のものが主流である（例えば、特許文献１参照）。例えば、図７は金属ベース板を基体とする半導体モジュールの模式図である。
【０００３】
この半導体モジュール１００は、数ミリ厚の金属ベース板１０１を基体とし、金属ベース板１０１上には、半田層１０２を介して金属箔１０３が接合されている。そして、金属箔１０３上には、絶縁板１０４が接合され、絶縁板１０４上には、金属箔１０５，１０６が接合されている。さらに、金属箔１０５，１０６上に、半田層１０７，１０８を介して、半導体素子１０９，１１０が接合されている。ここで、半導体素子１０９，１１０は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）素子、ＦＷＤ（Free Wheeling Diode）素子等が該当する。さらに、半導体素子１０９，１１０上には、半田層１１１，１１２を介して、ヒートスプレッダ１１３，１１４が接合されている。そして、金属ベース板１０１の上端縁からは、半導体素子１０９，１１０等を取り囲むように、成形された樹脂ケース１１５が固着されている。
【０００４】
また、図示はしないが、半導体素子１０９，１１０の周囲には、金属ワイヤ、リードフレーム等が配設され、例えば、半導体素子１０９，１１０の電極と絶縁板１０４上に形成された回路パターン、もしくは、半導体素子１０９，１１０の電極間同士が電気的に接合されている。
【０００５】
さらに、樹脂ケース１１５内部には、金属ワイヤ等の接触防止や、半導体素子１０９，１１０等を水分、湿気、塵から保護するために、シリコーン系材料で構成されたゲル１１６が封止されている。
【０００６】
そして、半導体モジュール１００の下方に冷却体１３０を位置させ、樹脂ケース１１５並びに金属ベース板１０１に設けられた孔部１１７にボルト等を通し、ボルト等の締め付けにより金属ベース板１０１を冷却体１３０に密着させる。
【０００７】
なお、ボルト等の締め付けにより、孔部１１７近傍の樹脂ケース１１５が破損する場合があることから、これを防止するために、樹脂ケース１１５の孔部１１７内には、補強用の金属リング１１８が設けられている。
【０００８】
しかし、このような半導体モジュール１００は、厚い金属ベース板１０１を基体としていることから、半導体モジュールの軽量化または小型化が図れない。
そこで、最近では、金属ベース板１０１を基体としない、小型サイズの半導体モジュールが開示されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００９】
図８は金属ベース板を使用しない半導体モジュールの模式図である。
この半導体モジュール２００は、絶縁板１０４と、絶縁板１０４の下面に形成された金属箔１０３と、絶縁板１０４の上面に形成された金属箔１０５，１０６を基体としている。そして、金属箔１０５，１０６上に、半田層１０７，１０８を介して、半導体素子１０９，１１０が接合されている。そして、この型の半導体モジュール２００では、絶縁板１０４の上端縁から、半導体素子１０９，１１０等を取り囲むように、成形された樹脂ケース１１５が固着されている。また、樹脂ケース１１５内には、同様に、シリコーン系材料で構成されたゲル１１６が封止されている。
【００１０】
このような半導体モジュール２００によれば、肉厚の厚い金属ベース板を基体としないので、半導体モジュールの軽量化、小型化、さらには、低コスト化を図ることができる。
また、この型の半導体モジュール２００においては、金属ベース板が存在しないため、樹脂ケース１１５の側部に取り付け用の金属製フック１１９を別途設けている。そして、金属製フック１１９にボルト等を貫入し、ボルト等の締め付けによって半導体モジュール２００を冷却体１３０に固定させる。
【特許文献１】特開２００３−２８９１３０号公報
【非特許文献１】小松、早乙女、井川、“小容量ＩＧＢＴモジュール”富士時報Ｖｏｌ．７８、Ｎｏ．４、２００５、Ｐ．２６０〜２６３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、図８に示す半導体モジュール２００の構造では、樹脂ケース１１５内の封止材料として、シリコーン系材料で構成された軟質のゲル１１６が使用されている。
このようなゲル１１６で封止された半導体モジュール２００をボルトにより、冷却体１３０に強く締付けると、半導体モジュール２００内の絶縁板１０４に過剰な応力が発生し、絶縁板１０４が破損する場合がある。即ち、ゲル１１６が軟質であるために、絶縁板１０４の変形（歪曲）を抑制することができず、このような絶縁板１０４の破損をもたらす。
【００１２】
これを回避するには、絶縁板１０４が破損しない程度に、半導体モジュール２００を冷却体１３０に締付けざるを得ない。従って、半導体モジュール２００の構造では、金属箔１０３を冷却体１３０に強く密着させることができず、充分な冷却効果が得られないという問題があった。
【００１３】
さらに、半導体モジュール２００では、半導体素子１０９，１１０を作動させる毎に発熱し、その熱によっても絶縁板１０４が変形する。従って、長時間に渡って、半導体モジュール２００を使用すると、絶縁板１０４の変形の繰り返しにより、半導体素子１０９，１１０直下の半田層１０７，１０８が剥離するという問題があった。
【００１４】
また、半導体モジュール２００では、絶縁板１０４の機械的強度を確保するために、その肉厚を厚くしている（例えば、約０．６ｍｍｔ以上）。
しかし、このような肉厚の厚い絶縁板１０４を用いた半導体モジュール２００においては、半導体素子１０９，１１０下面から冷却体１３０までの熱伝導率に限界が生じ、より高パワーな半導体素子を半導体モジュール２００内に組み込むことができないという問題があった。
【００１５】
また、半導体モジュール２００の構造では、樹脂ケース１１５に取り付け用の金属製フック１１９を別途取り付けなければならないという製造上の手間もあった。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、パワー半導体素子を搭載した半導体モジュールの軽量化、小型化、低コスト化を図ると共に、充分な冷却効果を有し且つより高パワーな半導体素子を搭載できる半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明では上記課題を解決するために、絶縁板と、前記絶縁板の第１の主面に接合された第１の金属箔と、前記絶縁板の第２の主面に接合された少なくとも一つの第２の金属箔と、前記第２の金属箔上に接合された少なくとも一つの半導体素子と、前記第１の金属箔、前記絶縁板、前記第２の金属箔並びに前記半導体素子を、前記第１の金属箔の下面より上側において取り囲む樹脂ケースと、前記樹脂ケースの内面と、前記第１の金属箔の外周端面、前記絶縁板、前記第２の金属箔及び前記半導体素子のそれぞれの外面の一部との間に充填された樹脂と、を備え、前記第１の金属箔の下面並びに前記樹脂ケースから露出された前記樹脂により、外部接合体と密着可能な平坦面が形成されていることを特徴とする半導体モジュールが提供される。
【００１７】
また、本発明では、絶縁板と、前記絶縁板の第１の主面に接合された第１の金属箔と、前記絶縁板の第２の主面に接合された、少なくとも一つの第２の金属箔と、を具備した基板を準備する工程と、前記第２の金属箔上に、少なくとも一つの半導体素子を実装する工程と、前記第１の金属箔、前記絶縁板、前記第２の金属箔並びに前記半導体素子を、前記第１の金属箔の下面より上側において取り囲む樹脂ケースを、前記基板上に載置する工程と、前記樹脂ケースの内面と前記第１の金属箔の外周端面、前記絶縁板、前記第２の金属箔及び前記半導体素子のそれぞれの外面の一部との間に、ペースト状の樹脂を流入する工程と、流入させた前記樹脂を熱硬化させる工程と、を有し、前記第１の金属箔の下面並びに前記樹脂ケースから露出した前記樹脂により、外部接合体と密着可能な平坦面を形成することを特徴とする半導体モジュールの製造方法が提供される。
【００１８】
このような半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法によれば、絶縁板の第１の主面に、第１の金属箔が接合され、絶縁板の第２の主面に、少なくとも一つの第２の金属箔が接合され、第２の金属箔上に、少なくとも一つの半導体素子が接合される。そして、第１の金属箔、絶縁板、第２の金属箔並びに前記半導体素子が第１の金属箔の下面より上側において、樹脂ケースに取り囲まれ、樹脂ケースの内面と、第１の金属箔の外周端面、絶縁板、第２の金属箔及び半導体素子のそれぞれの外面の一部との間に樹脂が充填される。そして、第１の金属箔の下面並びに樹脂ケースから露出された樹脂により、外部接合体と密着可能な平坦面が形成される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法において、絶縁板の第１の主面に、第１の金属箔を接合し、絶縁板の第２の主面に、少なくとも一つの第２の金属箔を接合し、第２の金属箔上に、少なくとも一つの半導体素子を接合させた。そして、第１の金属箔、絶縁板、第２の金属箔並びに前記半導体素子を第１の金属箔の下面より上側において、樹脂ケースで取り囲こみ、樹脂ケースの内面と、第１の金属箔の外周端面、絶縁板、第２の金属箔及び半導体素子のそれぞれの外面の一部との間に樹脂を充填した。そして、第１の金属箔の下面並びに樹脂ケースから露出された樹脂により、外部接合体と密着可能な平坦面を形成するようにした。
【００２０】
これにより、パワー半導体素子を搭載した半導体モジュールの軽量化、小型化、低コスト化を図ると共に、充分な冷却効果を有し且つより高パワーな半導体素子を搭載できる半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
最初に、半導体モジュールの構成を説明する。
図１は半導体モジュールの構成を説明する要部模式図である。ここで、図（Ａ）には、半導体モジュール１の要部上面模式図が示され、図（Ｂ）には、半導体モジュール１の要部断面模式図が示されている。また、図（Ｃ）には、半導体モジュール１の要部下面模式図が示されている。
【００２２】
また、図（Ｂ）では、図（Ａ）並びに図（Ｃ）のＡ−Ｂ位置の断面図が示されている。さらに、図（Ａ）並びに図（Ｂ）においては、半導体モジュール１の下面に、外部接合体である冷却体４０（冷却用フィン）が接合された状態が図示されている。但し、図（Ｃ）では、半導体モジュール１の下面を明示するために、冷却体４０は、図示されていない。
【００２３】
図示する半導体モジュール１は、矩形状の絶縁板１０と、絶縁板１０の下面にＤＣＢ（Direct Copper Bonding）法で形成された金属箔１１と、絶縁板１０の上面に同じくＤＣＢ法で形成された、少なくとも一つの金属箔１２（図１では、２個の金属箔１２）を素子搭載用の基板とし、金属箔１２上に、錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）系の鉛フリーの半田層１３を介して、少なくとも一つの半導体素子１４，１５が接合されている。ここで、絶縁板１０は、例えば、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）焼結体のセラミックで構成され、金属箔１１，１２は、銅（Ｃｕ）を主成分とする金属で構成されている。また、半導体素子１４，１５は、例えば、ＩＧＢＴ素子、ＦＷＤ素子、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field effect transistor）等のパワー半導体素子が該当する。
【００２４】
また、半導体素子１４，１５の上面に配設された表面電極（図示しない）には、銅を主成分とするヒートスプレッダ１６が同成分の半田層１７を介して、それぞれ接合されている。
【００２５】
なお、半導体モジュール１では、半導体素子１４，１５の下面から冷却体４０上面までの放熱経路を短くするために、絶縁板１０として、肉厚が約０．３５ｍｍｔ以下の絶縁板が用いられている。また、絶縁板１０の主面に接合された金属箔１１，１２の厚みは、図７，８に示す金属箔１０３，１０５，１０６より厚い構成とし、例えば、０．５〜０．６ｍｍとしている。
【００２６】
また、図１には、特に、図示されていないが、絶縁板１０上には、半導体素子１４，１５以外の複数の半導体素子（例えば、ＩＧＢＴ素子、ＦＷＤ素子、パワーＭＯＳＦＥＴ等）が搭載され、さらに、絶縁板１０上には、金属箔１２ほか、複数の電極端子等が配設されている。また、半導体素子１４，１５の周囲には、金属ワイヤ、リードフレーム等が配設され、例えば、半導体素子１４，１５の電極と各金属箔、もしくは、半導体素子１４，１５の電極間同士が金属ワイヤによって電気的に接合されている。
【００２７】
また、半導体モジュール１には、金属箔１１、絶縁板１０、金属箔１２、半導体素子１４，１５並びにヒートスプレッダ１６を、金属箔１１の下面１１ａより上側において取り囲むように、成形された樹脂ケース２０が備えられている。
【００２８】
ここで、樹脂ケース２０の材質は、例えば、ＰＰＳ（ポリ・フェニレン・サルファイド）である。そして、樹脂ケース２０の側部には、半導体モジュール１が冷却体４０に取り付け可能となるように、ボルト止め用の締付部２０ａが設けられている。この締付部２０ａは、樹脂ケース２０と一体的に成形され、樹脂ケース２０の側面から延出された構造を有する。
【００２９】
また、樹脂ケース２０内面と、金属箔１１の外周端面、絶縁板１０、金属箔１２、半導体素子１４，１５並びにヒートスプレッダ１６のそれぞれの外面の一部との間には、剛性の高いエポキシ樹脂３０が充填（封止）されている。但し、金属箔１１の下面はエポキシ樹脂３０から表出している。
【００３０】
このようなエポキシ樹脂３０は、樹脂ケース２０の上面中心部に設けられた樹脂流入口２０ｂから流入し、半導体素子１４，１５、絶縁板１０等を封止する（後述）。さらに、エポキシ樹脂３０は、締付部２０ａ内部まで回り込むように充填されている。また、締付部２０ａ並びに締付部２０ａ内に充填されたエポキシ樹脂３０には、ボルト等のネジ部を通せる程の孔部２１が貫通・形成されている。
【００３１】
そして、エポキシ樹脂３０は、金属箔１１の下面１１ａと同じ高さまで充填されている。また、エポキシ樹脂３０が樹脂ケース２０から露出する外面３０ａ並びに金属箔１１の下面１１ａにより、広い平坦面２２を形成している。即ち、エポキシ樹脂３０の外面３０ａ並びに金属箔１１の下面１１ａを合わせた平坦面２２が半導体モジュール１の底面となる。このような平坦面２２を設けることにより、半導体モジュール１は、底面において、冷却体４０と強固に密着可能になる。なお、上述したエポキシ樹脂３０には、無機フィラーが含有されているが、これについては特に、図示されていない。
【００３２】
また、半導体モジュール１においては、エポキシ樹脂３０の熱膨張係数を金属箔１１，１２の熱膨張係数に成るべく整合するように調整している。例えば、銅で構成された金属箔１１，１２の熱膨張係数は、約１６．５ｐｐｍ／Ｋであり、樹脂ケース２０内に充填したエポキシ樹脂３０の熱膨張係数は、約１５ｐｐｍ／Ｋである。これにより、例えば、半導体モジュール１の動作時において、金属箔１１，１２の伸縮が生じても、熱膨張係数を整合させていることから、局部的な応力が絶縁板１０ないしは半導体素子１４，１５に発生することがない。
【００３３】
また、従来の封止材料として用いられていたシリコーン系ゲルの熱伝導率は、約０．３Ｗ／ｍＫであるのに対し、この樹脂ケース２０内に充填させたエポキシ樹脂３０の熱伝導率は、約１Ｗ／ｍＫに調節している。従って、半導体モジュール１においては、半導体素子１４，１５から発せられる熱が冷却体４０側に放熱されると共に、エポキシ樹脂３０側にも放熱される。その結果、半導体素子１４，１５からの発熱が半導体モジュール１の上方並びに横方向に分散し、半導体モジュール１は、高い冷却効果を有する。
【００３４】
そして、半導体モジュール１と、冷却体４０との接合は、孔部２１にボルト等を通し、冷却体４０とのボルト締めによって行う。
なお、半導体モジュール１の底面と冷却体４０上面との間には、冷却効果をより促進させるために、サーマルコンパウンド（図示しない）等を塗布してもよい。
【００３５】
このような半導体モジュール１の構造によれば、絶縁板１０、金属箔１１，１２並びに半導体素子１４，１５の外面が剛性の高いエポキシ樹脂３０により、裏打ちされた構造をなしている。
【００３６】
具体的には、樹脂ケース２０の内面と、金属箔１１の外周端面、絶縁板１０、金属箔１２及び半導体素子１４，１５のそれぞれの外周面の一部との間に、剛性の高いエポキシ樹脂３０が充填されている。そして、エポキシ樹脂３０が樹脂ケース２０から露出した外面３０ａ並びに金属箔１１の下面１１ａにおいて、広い平坦面２２を形成している。さらに、当該平坦面２２が冷却体４０の上面と当接する。
【００３７】
また、樹脂ケース２０の側面からは、樹脂ケース２０と一体的に成形された締付部２０ａが延出され、締付部２０ａ内部においても、剛性の高いエポキシ樹脂３０が充填されている。
【００３８】
また、このような半導体モジュール１の構造によれば、樹脂ケース２０の側部に設けられた孔部２１にボルト等を通し、半導体モジュール１全体を冷却体４０にボルト等により強く締め付けることができる。そして、このような強い締め付けにより、平坦面２２と、冷却体４０の上面とを強く密着させることができる。その結果、半導体モジュール１は、高い冷却効果を確保する。
【００３９】
また、半導体モジュール１は、広い平坦面２２を形成していることから、半導体モジュール１全体を冷却体４０にボルト等により強く締め付けても、その接触圧が平坦面２２において均等に分散される。これにより、半導体モジュール１全体を冷却体４０にボルト等により強固に締め付けても、絶縁板１０内に局部的な応力が発生することなく、絶縁板１０の変形が抑制され、絶縁板１０の破損が防止される。
【００４０】
また、半導体素子１４，１５の作動中に発生する熱により絶縁板１０が変形しようとしても、上述したように、絶縁板１０内に発生する応力がエポキシ樹脂３０に分散されるので、半導体素子１４，１５の作動中の絶縁板１０の変形が抑制され、絶縁板１０の破損が防止される。
【００４１】
さらに、絶縁板１０の変形が抑制されることから、半導体素子１４、１５直下の半田層１３の剥離等も防止することができる。
また、締付部２０ａ内には、剛性の高いエポキシ樹脂３０が充填され、その強度が補強されている。従って、孔部２１に直接的にボルト等を通し、強く締め付けても、締付部２０ａが破損することはない。これにより、孔部２１内に、図７に示すような補強用の金属リング１１８を設ける必要がない。
【００４２】
また、半導体モジュール１では、図７に示す半導体モジュール２００のように、厚い金属ベース板１０１を使用しない。その結果、半導体モジュールの軽量化、小型化並びに抵抗コスト化を図ることができる。
【００４３】
また、半導体モジュール１では、図８に示す半導体モジュール２００より、板厚が薄い絶縁板１０を用い、さらに肉厚の厚い金属箔１１，１２を用いている。従って、半導体モジュール１は、半導体モジュール２００より高い冷却効果を確保する。その結果、半導体モジュール１においては、半導体素子１４，１５がより安定して作動する。
【００４４】
また、半導体モジュール１は、冷却効果を向上させたことから、半導体モジュール２００より、より高パワーな半導体素子を搭載することが可能になる。
具体的には、インバータ部、コンバータ部及びブレーキ部で回路構成されるＰＩＭ（Power Integrated Module）構造、並びにインバータ回路を構成する６組のＩＧＢＴとＦＷＤの並列接続回路を１パッケージに格納した構造（６ｉｎ１構造）で比較すると、半導体モジュール２００の構造では、ＰＩＭ構造の場合、電流定格１２００Ｖ仕様で、１５Ａ品までの半導体素子が搭載可能であり、６ｉｎ１構造の場合、電流定格１２００Ｖ仕様で、３５Ａ品までの半導体素子が搭載可能であるのに対し、半導体モジュール１の構造においては、ＰＩＭ構造の場合、電流定格１２００Ｖ仕様で、３５Ａ品までの半導体素子が搭載可能であり、６ｉｎ１構造において、電流定格１２００Ｖ仕様で、５０Ａ品までの半導体素子が搭載可能になる。
【００４５】
さらに、半導体モジュール１では、剛性の高い孔部２１が樹脂ケース２０の側部に備えられているので、図８に示す半導体モジュール２００のように、保護用の金属製フック１１９を別途設ける必要がない。その結果、半導体モジュールの製造工程の短縮化、低コスト化を図ることができる。
【００４６】
次に、半導体モジュール１の製造方法について説明する。以下の図においては、図１と同一の部材には、同一の符号を付し、その詳細な説明については省略する。
図２は半導体モジュールの製造方法の一工程を説明する図である。
【００４７】
先ず、下図に示すように、絶縁板１０上に少なくとも一つの金属箔１２をＤＣＢ法により接合させた基板５０を準備する。そして、各金属箔１２上に、少なくとも一つの半導体素子１４，１５を半田層（不図示）を介して実装する。ここで、金属箔１２の材質は、例えば、銅を主成分とし、その厚さは、例えば、０．５〜０．６ｍｍである。そして、各半導体素子１４，１５の主電極上に、半田層（不図示）を介して、ヒートスプレッダ１６を接合する。さらに、各ヒートスプレッダ１６と各金属箔１２間を金属ワイヤ１８で電気的に接続する。
【００４８】
なお、基板５０を構成する絶縁板１０の下面には、パターニングされた金属箔（厚さ：０．５〜０．６ｍｍ、材質：銅）がＤＣＢ法により接合されているが、この図では、その金属箔は、図示されていない。
【００４９】
また、上図には、樹脂ケース２０の上蓋を構成する蓋部２０ｃが示されている。この蓋部２０ｃには、予め、外部接続端子用のリードフレーム２３が少なくとも一つ、蓋部２０ｃの主面に対し、およそ垂直方向に貫通するように複数配設されている。
【００５０】
そして、蓋部２０ｃの基板５０に対する位置あわせを行なった後、矢印の方向に向かい、蓋部２０ｃを移動させ、蓋部２０ｃを基板５０の上方から基板５０上に載置する。
図３は半導体モジュールの製造方法の一工程を説明する図である。
【００５１】
下図に示すように、蓋部２０ｃを基板５０上に載置した結果、複数のリードフレーム２３と、基板５０上の複数の金属箔１２とが接触する。そして、接触した部分の半田付けを行い、それぞれのリードフレーム２３と、それぞれの金属箔１２とを電気的に接続する。また、リードフレーム２３と、それぞれの金属箔１２とを接合させたことにより、蓋部２０ｃが基板５０上に固定される。
【００５２】
次に、上図に示すように、樹脂ケース２０の大部分を構成する外枠部２０ｄを基板５０並びに蓋部２０ｃの上方に位置させる。この外枠部２０ｄには、上述したように、その側部において締付部２０ａが一体的に形成形加工されている。
【００５３】
そして、矢印の方向に向かい、外枠部２０ｄを基板５０の方向へ移動させ、基板５０並びに蓋部２０ｃの上方から外枠部２０ｄを嵌合させる。
図４は半導体モジュールの製造方法の一工程を説明する図である。
【００５４】
上図には、基板５０並びに蓋部２０ｃに、外枠部２０ｄが嵌合された状態が示されている。この状態では、絶縁板１０の下面に接合した、図示しない金属箔の下面から上側において、当該金属箔、絶縁板１０、金属箔１２、半導体素子１４，１５並びにヒートスプレッダ１６が樹脂ケース２０（蓋部２０ｃ、外枠部２０ｄ）によって、取り囲まれている。
【００５５】
そして、この嵌合体５１を下図に示すように、成形用の下冶具６０、上冶具６１内に挟持させ、蓋部２０ｃ中央部に設けられた樹脂流入口２０ｂから、熱硬化性タイプのエポキシ樹脂３１を流入する。この段階では、エポキシ樹脂３１はペースト状である。
【００５６】
ここで、エポキシ樹脂３１を樹脂流入口２０ｂから流入すると、樹脂ケース２０内面と、金属箔１１の外周端面、絶縁板１０、金属箔１２、半導体素子１４，１５並びにヒートスプレッダ１６のそれぞれの外面の一部との間にエポキシ樹脂３１が回りこむほか、締付部２０ａの内部にまで充填される。なお、嵌合体５１の下部が下冶具６０に当接する内面６０ａは、この図に示すように、嵌合体５１の幅より広い平坦面をなしている。
【００５７】
そして、ペースト状のエポキシ樹脂３１を樹脂ケース２０内に完全に流入させた後、嵌合体５１をエポキシ樹脂３１の硬化温度において所定の時間、加熱する。
このような加熱処理により、樹脂ケース２０内部に流入させたエポキシ樹脂３１が硬化して、図１に示す剛性の高いエポキシ樹脂３０が樹脂ケース２０の内面、半導体素子１４，１５、絶縁板１０、金属箔１１，１２並びにヒートスプレッダ１６のそれぞれの外面の一部との間に封止される。
【００５８】
また、下冶具６０が嵌合体５１と当接する内面は、平坦面であることから、金属箔１１の主面並びに樹脂ケース２０から露出したエポキシ樹脂３１により、平坦な広い底面が形成される。
【００５９】
なお、エポキシ樹脂３１の充填中においては、上冶具６１に設けられた円柱状の突起部６１ａを締付部２０ａに予め形成させた孔に挿入させ、突起部６１ａ先端と下冶具６０とを接触させる。これにより、突起部６１ａが位置した部分には、エポキシ樹脂３１が回り込まず、エポキシ樹脂３１が硬化した後には、図１に示すような孔部２１が形成する。
【００６０】
このような製造工程により、図１に示す半導体モジュール１が完成する。
ところで、金属箔１１においては、金属箔１１の底面において、下側に凸状になるような構造にしてもよい。
【００６１】
例えば、図４に示すように、上冶具６１が樹脂ケース２０の最上端と当接する当接面２０ｅにおいて、上冶具６１の当接面２０ｅに対する押圧力を調整しながら、エポキシ樹脂３１を樹脂ケース２０内に充填させる。即ち、上冶具６１の当接面２０ｅに対する押圧力を調整し、嵌合体５１全体を歪曲させながら、エポキシ樹脂３１を充填し、エポキシ樹脂３１を熱処理によって硬化させる。
【００６２】
このような方法で作製した基板５０の状態を図５に示す。
図５は凸状に歪曲させた基板の構造を説明する図である。この図では、金属箔１１，１２、絶縁板１０で構成される基板５０のみが示され、それ以外の部材、例えば、半導体素子１４，１５等は省略されている。
【００６３】
上述したように、嵌合体５１全体を強制的に歪曲させながら、エポキシ樹脂３１を注入・硬化させることにより、下側に凸状の金属箔１１が形成される。なお、反りの程度は、金属箔１１外端が金属箔１１の中心部と接する水平面から０〜１００μｍ、離れる程度である。
【００６４】
このような凸状の金属箔１１を備えた、半導体モジュール１を冷却体４０上に載置した直後においては、金属箔１１の中心部付近と冷却体４０とが接触するだけである。しかし、金属箔１１は、金属であるので弾性を有する。従って、半導体モジュール１の側部に配置した孔部２１にボルト等を通し、半導体モジュール１を当該側部から冷却体４０に締め付けることにより、金属箔１１と冷却体４０との接触面は、中心部から徐々に外側に拡がり、最終的に金属箔１１全面が冷却体４０に強固に密着する。
【００６５】
仮に、金属箔１１の下面が凹状に変形していたならば、ボルト等による締付けを行っても、金属箔１１中心部は冷却体４０と接触しないことになる。
このような凸状の金属箔１１を半導体モジュール１に搭載することにより、金属箔１１と冷却体４０とは、強固に密着し、半導体モジュール１の冷却効果がより促進する。
【００６６】
最後に、半導体モジュール１の構造の変形例について説明する。
図６は半導体モジュールの変形例を説明する要部断面模式図である。
この図に示す半導体モジュール２では、樹脂ケース２０とエポキシ樹脂３０とをアンカー効果により強力に密着させるために、樹脂ケース２０内面に少なくとも一つの突起部２０ｆが設けられている。この突起部２０ｆは、樹脂ケース２０と一体的に成形加工されている。
【００６７】
これにより、樹脂ケース２０とエポキシ樹脂３０との熱膨張係数に、ある程度の差が生じても、突起部２０ｆによるアンカー効果により、樹脂ケース２０とエポキシ樹脂３０とが確実に密着する。例えば、半導体素子１４，１５の作動により、樹脂ケース２０並びにエポキシ樹脂３０が加熱され、樹脂ケース２０並びにエポキシ樹脂３０の伸縮に差が生じても、当該アンカー効果により、樹脂ケース２０並びにエポキシ樹脂３０の界面にずれが生じることがない。また、樹脂ケース２０とエポキシ樹脂３０との界面において、剥離が発生することもない。
【００６８】
なお、上記の実施形態において、半導体モジュール１，２がヒートスプレッダ１６を備えた例を説明したが、これに限るものではない。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】半導体モジュールの構成を説明する要部模式図である。
【図２】半導体モジュールの製造方法の一工程を説明する図である（その１）。
【図３】半導体モジュールの製造方法の一工程を説明する図である（その２）。
【図４】半導体モジュールの製造方法の一工程を説明する図である（その３）。
【図５】凸状に歪曲させた基板の構造を説明する図である。
【図６】半導体モジュールの変形例を説明する要部断面模式図である。
【図７】金属ベース板を基体とする半導体モジュールの模式図である。
【図８】金属ベース板を使用しない半導体モジュールの模式図である。
【符号の説明】
【００７０】
１，２  半導体モジュール
１０  絶縁板
１１，１２  金属箔
１１ａ  下面
１３，１７  半田層
１４，１５  半導体素子
１６  ヒートスプレッダ
１８  金属ワイヤ
２０  樹脂ケース
２０ａ  締付部
２０ｂ  樹脂流入口
２０ｃ  蓋部
２０ｄ  外枠部
２０ｅ  当接面
２０ｆ  突起部
２１  孔部
２２  平坦面
２３  リードフレーム
３０，３１  エポキシ樹脂
３０ａ  外面
４０  冷却体
５０  基板
５１  嵌合体
６０  下冶具
６０ａ  内面
６１  上冶具
６１ａ  突起部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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