(57)【要約】【課題】配線抵抗を十分に低減可能とし、薄膜電子源を平坦表面とした画像表示装置を得る。【解決手段】ガラス基板を好適とする背面基板ＳＵＢ１の主面に、画像信号配線に沿ってＩＴＯをスパッタリングして下層電極膜ｄＡを形成する。この下層電極膜ｄＡは電子源の形成領域側に突出した延長部ｄＡ'を有している。下層電極膜ｄＡの上にＡｇペーストを塗布し焼成して上層電極膜ｄＢとし、画像信号配線ｄを下層電極膜ｄＡと上層電極膜ｄＢの二層構造とした。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板の平坦な主面に複数の走査信号配線と複数の画像信号配線、および前記走査信号配線と前記画像信号配線の各交差部近傍にマトリクス配列された多数の電子源を有する背面パネルと、
第２絶縁基板の平坦な主面に前記電子源のそれぞれに対応した蛍光体と前記電子源から放射される電子束を加速して前記蛍光体に射突させる陽極を有する前面パネルと、
前記背面パネルと前記前面パネルの周縁に介在して当該背面パネル及び前面パネルと共に真空容器を形成する封止枠と、
前記背面パネルと前記前面パネルの間に植立されて、両パネルの間隔を所定値に保持するスペーサと、
を備えた表示パネルで構成された画像表示装置であって、
前記画像信号配線は、前記電子源の形成部の一部にその一部が突出した延長部を有する導電性薄膜からなる下層配線膜と、前記下層配線膜の延長部を除いて当該下層配線膜の上に銀ペーストの印刷で形成された上層配線膜との二層膜から構成され、
前記電子源が、前記下層配線膜に接続して前記第１絶縁基板の表面に直接形成された薄膜電極からなる下部電極を有し、
前記画像信号配線を構成する二層膜の前記上層配線膜は銀の印刷膜、前記下層配線膜は、耐酸化性の導電性スパッタ膜であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記画像信号配線の前記下層配線膜はＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯの何れか１又は２以上の混合薄膜であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
第１絶縁基板の平坦な主面に複数の走査信号配線と複数の画像信号配線、および前記走査信号配線と前記画像信号配線の各交差部近傍にマトリクス配列された多数の電子源を有する背面パネルと、
第２絶縁基板の平坦な主面に前記電子源のそれぞれに対応した蛍光体と前記電子源から放射される電子束を加速して前記蛍光体に射突させる陽極を有する前面パネルと、
前記背面パネルと前記前面パネルの周縁に介在して当該背面パネル及び前面パネルと共に真空容器を形成する封止枠と、
前記背面パネルと前記前面パネルの間に植立されて、両パネルの間隔を所定値に保持するスペーサと、
を備えた表示パネルで構成された画像表示装置であって、
前記走査信号配線は、前記画像信号配線と絶縁された銀ペーストの印刷膜からなる下層配線膜と、耐酸化性の導電性スパッタ膜からなる中間配線膜と、アルミニウム又はアルミニウム合金のスパッタ膜からなる上層配線膜との三層膜で構成されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記走査信号配線の前記中間配線膜は、クロムであることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
第１絶縁基板の平坦な主面に複数の走査信号配線と複数の画像信号配線、および前記走査信号配線と前記画像信号配線の各交差部近傍にマトリクス配列された多数の電子源を有する背面パネルと、
第２絶縁基板の平坦な主面に前記電子源のそれぞれに対応した蛍光体と前記電子源から放射される電子束を加速して前記蛍光体に射突させる陽極を有する前面パネルと、
前記背面パネルと前記前面パネルの周縁に介在して当該背面パネル及び前面パネルと共に真空容器を形成する封止枠と、
前記背面パネルと前記前面パネルの間に植立されて、両パネルの間隔を所定値に保持するスペーサと、
を備えた表示パネルで構成された画像表示装置であって、
前記画像信号配線は、前記電子源の形成部の一部にその一部が突出した延長部を有する導電性薄膜からなる下層配線膜と、前記下層配線膜の延長部を除いて当該下層配線膜の上に銀ペーストの印刷で形成された上層配線膜との二層膜から構成され、
前記電子源が、前記下層配線膜に接続して前記第１絶縁基板の表面に直接形成された薄膜電極からなる下部電極を有し、
前記画像信号配線を構成する二層膜の前記上層配線膜は銀の印刷膜、前記下層配線膜は、耐酸化性の導電性スパッタ膜であり、
前記走査信号配線は、前記画像信号配線と絶縁された銀ペーストの印刷膜からなる下層配線膜と、耐酸化性の導電性スパッタ膜からなる中間配線膜と、アルミニウム又はアルミニウム合金のスパッタ膜からなる上層配線膜との三層膜で構成されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記画像信号配線の前記下層配線膜はＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯの何れか１又は２以上の混合薄膜であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記走査信号配線の前記中間配線膜は、クロムであることを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
請求項１、３、５の何れかにおいて、
前記電子源が、前記下層電極膜の上に一部が重畳して形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金を下部電極とし、該アルミニウム又はアルミニウム合金の表面に形成された陽極酸化膜を絶縁膜とし、該陽極酸化膜からなる絶縁膜の上層に形成された貴金属薄膜を上部電極とした薄膜型電子源であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記上部電極が前記走査信号配線に接続していることを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネル型画像表示装置に関し、特に、絶縁基板の主面に薄膜型電子源をマトリクス状に配列した背面パネルと、前記電子源から放出される電子束を加速する陽極と加速された電子束の励起で所定色に発光する蛍光体を備えた前面パネル等で構成した画像表示装置に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
マトリクス状に二次元配置した電子源を有する自発光平板型パネル表示装置（フラットパネルディスプレイ）の一つとして、微少で集積可能な冷陰極を利用する電界放出型パネルを用いたもの（ＦＥＤ:Field Emission Display） が知られている。このＦＥＤを構成する冷陰極には、スピント型、表面伝導型、カーボンナノチューブ型、金属‐絶縁体‐金属を積層したＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）型、金属‐絶縁体‐半導体を積層したＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）型、あるいは金属‐絶縁体‐半導体‐金属型等の薄膜型電子源などが知られている。
【０００３】
ＭＩＭ型電子源については、例えば特許文献１、特許文献２に開示されている。また、金属‐絶縁体‐半導体型電子源については非特許文献１で報告されたＭＯＳ型、金属‐絶縁体‐半導体‐金属型電子源に関しては、非特許文献２などで報告されたＨＥＥＤ型電子源、非特許文献３などで報告されたＥＬ型電子源、非特許文献４などで報告されたポーラスシリコン型電子源などが知られている。このような電子源を備えたパネルに駆動回路等を組み合わせて画像表示装置が構成される。
【０００４】
また、画像表示装置の電子源に凹形状を設けたものとして、特許文献３がある。しかし、特許文献３に開示された画像表示装置は集束電極を備えて、カソードからの電子束を集束する方式である。
【特許文献１】特開平７−６５７１０号公報
【特許文献２】特開平１０−１５３９７９号公報
【特許文献３】特開２００２−１６９１５号公報
【非特許文献１】J. Vac. Sci. Techonol. B11 (2) p.429-432 (1993)
【非特許文献２】high-efficiency-electro-emission device 、Jpn.J.Appl. Phys. 、vol36 、pL939
【非特許文献３】Electroluminescence 、応用物理  第６３巻、第６号、５９２頁
【非特許文献４】応用物理  第６６巻、第５号、４３７頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
表示装置の画面サイズの大型化に伴い、走査信号配線長、画像信号配線長も長くなり、これらの配線抵抗の低減が必要となる。近年の画面の大型化は、公称対角サイズが２０インチを越え、５０インチ、６０インチ、あるいはそれ以上となる傾向にある。画面の大型化に伴い、走査信号配線の給電側から遊端までの距離が遠くなり、距離の増加に従い必然的に抵抗も増大する。
【０００６】
抵抗の増大に対する対策として、走査信号配線駆動回路（スキャンドライバ）を左右両辺に配置して両端駆動としたり、高精細表示に伴う画像信号配線の高速駆動のために、画像信号配線を上下に分割し、上下辺のそれぞれに画像信号配線駆動回路（データドライバ）を搭載することが考えられる。しかし、このような考えでは、ドライバの数がそれぞれ２倍になり、コスト高となる。また、特に画像信号配線を画面の中央部分で分割することで、当該分割部分での電位差に起因する不所望な放電を招くという新たな問題も生じる。
【０００７】
ＭＩＭ型電子源は容量駆動であるため、高精細表示のためには画像信号配線の抵抗の低減が必要である。電子源は下部電極の上に形成されるトンネル絶縁膜と、このトンネル絶縁膜の上に成膜される極薄の上部電極とで構成される。トンネル絶縁膜は下部電極の表面状態に倣った表面状態となり、上部電極はトンネル絶縁膜の表面状態に依存する。下部電極をアルミニウムの多数回スパッタで厚膜化することはプロセス負荷が大きく、また表面荒れが大きいためデータ線には使えない。
【０００８】
画像信号配線、走査信号配線の低抵抗化と薄膜電子源表面の平滑性を両立させるため、微細配線で低抵抗化が可能な構造および低抵抗な銀（Ａｇ）ペーストの印刷と焼成で形成した配線を用いることが考えられる。しかし、薄膜電子源の下部電極や走査信号配線に用いるアルミニウムあるいはアルミニウム合金（例えば、アルミニウム＋ネオジム:Ａｌ−Ｎｄ）と銀配線との間で酸化による接続不良が発生する恐れがある。特に、電子源の下部電極と画像信号配線の接続において接続不良が発生すると、電子源自体の機能不全を招く。この接続に白金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）を用いることも考えられるが、加工に難があり、生産性に問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、薄膜電子源の下部電極や走査信号配線に用いるアルミニウムあるいはアルミニウム合金と銀配線との間で酸化による接続不良の発生を無くし、薄膜電子源を構成できる平坦表面をもつと共に配線抵抗を十分に低減可能とした画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の画像表示装置は、第１絶縁基板の平坦な主面に複数の走査信号配線と複数の画像信号配線、および前記走査信号配線と前記画像信号配線の各交差部近傍にマトリクス配列された多数の電子源を有する背面パネルと、第２絶縁基板の平坦な主面に前記電子源のそれぞれに対応した蛍光体と前記電子源から放射される電子束を加速して前記蛍光体に射突させる陽極を有する前面パネルと、前記背面パネルと前記前面パネルの周縁に介在して当該背面パネル及び前面パネルと共に真空容器を形成する封止枠と、前記背面パネルと前記前面パネルの間に植立されて、両パネルの間隔を所定値に保持するスペーサとを備えた表示パネルで構成される。
【００１１】
そして、上記目的を達成するため、本発明では、前記画像信号配線を、前記電子源の形成部の一部にその一部が突出した延長部を有する導電性薄膜からなる下層配線膜と、前記下層配線膜の延長部を除いて当該下層配線膜の上に銀ペーストの印刷で形成された上層配線膜との二層膜から構成し、
前記電子源に前記下層配線膜に接続して前記第１絶縁基板の表面に直接形成された薄膜電極からなる下部電極を設け、
前記画像信号配線を構成する二層膜の前記上層配線膜は銀の印刷膜、前記下層配線膜は、耐酸化性の導電性スパッタ膜とした。
【００１２】
前記画像信号配線の前記下層配線膜にはＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯの何れか１又は２以上の混合薄膜を用いることができる。
【００１３】
また、本発明は、前記走査信号配線を、前記画像信号配線と絶縁された銀ペーストの印刷膜からなる下層配線膜と、耐酸化性の導電性スパッタ膜からなる中間配線膜と、アルミニウム又はアルミニウム合金のスパッタ膜からなる上層配線膜との三層膜で構成することができる。前記中間配線膜にはクロムを用いることができる。
【００１４】
本発明は、上記の構成および後述する実施例に示す構成に限るものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の構成とした画像信号配線を用いた電子源を具備させることにより、画像信号配線と薄膜電子源の下部電極との接続を確実にとることができ、画像信号配線の抵抗が大幅に低減し、片側給電でも高精細表示が可能となり、ドライバ数の低減で低コスト化が実現可能となる。また、誘電体で層間分離できるため、容量低減が可能となり、ドライバの負担を軽減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための最良の形態を実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
図１は、ＭＩＭ型電子源を用いた画像表示装置を構成する表示パネルの１画素の表示原理を説明する図である。この表示パネルは、背面パネルＰＮＬ1と前面パネルＰＮＬ２を図示しない封止枠で貼り合せ、内部空間を真空状態に保持される。背面パネルＰＮＬ1は、例えばガラス基板などの背面基板ＳＵＢ1の主面（内側表面）にアルミニウム（Ａｌ）膜を好適とする電子源の下部電極を構成する画像信号配線（所謂、データ線）ｄ、下部電極のアルミニウムを陽極酸化した陽極酸化膜からなる第１の絶縁膜ＩＮＳ1、チッ化シリコン膜（ＳｉＮ）を好適とする第２の絶縁膜ＩＮＳ２、給電電極（接続電極）ＥＬＣ、アルミニウムまたはアルミニウムーネオジム合金（Ａｌ―Ｎｄ）を好適とする走査信号配線ｓ、走査信号配線ｓに接続した画素の電子源を構成する上部電極ＡＥＤが形成されている。
【００１８】
電子源は、画像信号配線ｄを下部電極とし、下部電極ｄの上に位置する第１の絶縁膜ＩＮＳ1の一部を形成する薄膜部分ＩＮＳ３、前記薄膜部分ＩＮＳ３の上層に積層する上部電極ＡＥＤの部分とで構成される。上部電極ＡＥＤは、走査信号配線ｓと接続電極ＥＬＣの一部とを覆って形成されている。薄膜部分ＩＮＳ３は、所謂トンネル膜である。この構成で、所謂ダイオード電子源が形成される。
【００１９】
一方、前面パネルＰＮＬ２は、透明なガラス基板を好適とする前面基板ＳＵＢ２の主面に遮光膜（ブラックマトリクス）ＢＭで隣接画素と区画された蛍光体ＰＨ、アルミニウム蒸着膜を好適とする陽極ＡＤが形成されている。
【００２０】
背面パネルＰＮＬ1と前面パネルＰＮＬ２の間の間隔は３ｍｍないし５ｍｍ前後であり、この間隔を隔壁とも称するスペーサＳＰＣで維持している。背面基板ＳＵＢ1と前面基板ＳＵＢ２の板厚は、例えば２．８ｍｍ、スペーサＳＰＣの高さは例えば３ｍｍ程度である。図１では、分かり易くするために各構成層の厚みを強調して示してあるが、走査信号配線ｓの膜厚は例えば３μｍである。
【００２１】
この様な構成において、背面パネルＰＮＬ1の上部電極ＡＥＤと前面パネルＰＮＬ２の陽極ＡＤの間に加速電圧（２、３ｋＶ乃至１０ｋＶ程度、図１では約５ｋＶ）を印加すると、下部電極である画像信号配線ｄに供給される表示データの大きさに応じた電子ｅ-が出射し、加速電圧によって蛍光体ＰＨに射突し、これを励起して所定周波数の光Ｌを前面パネルＰＮＬ２の外部に出射する。なお、フルカラー表示の場合は、この単位画素はカラーの副画素（サブピクセル）であり、通常は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３つの副画素で１カラー画素を構成する。
【００２２】
図２は、図１で説明した薄膜電子源の電圧―電流特性の説明図である。ＭＩＭ電子源はトンネルダイオードである。閾値電圧は５Ｖ付近にあり、この閾値電圧を越えた領域でトンネル電流が生じ、このトンネル電流は印加電圧の増加と共に増大する特性を有する。
【００２３】
図３は、フルカラーの画像表示装置を構成するパネルの全体構成例を説明する展開斜視図である。背面パネルＰＮＬ1には、第１の基板である背面基板ＳＵＢ1の主面に、一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設されて前記他方向に走査信号が順次印加される複数の走査信号配線ｓと、他方向に延在し走査信号配線ｓに交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線ｄと、走査信号配線sと画像信号配線dの各交差部に設けた前記の電子源ＥＬＳを有する。そして、前面パネルＰＮＬ２には、第２の基板である前面基板ＳＵＢ２の主面に遮光膜（ブラックマトリクス）ＢＭで互いに区画された３色（赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））の３つの副画素（サブピクセル）ＰＨと、陽極（アノード）ＡＤが形成されている。この構成例では、背面パネルＰＮＬ1の走査信号配線ｓの上に、当該走査信号配線ｓに沿ってスペーサＳＰＣを設置して両パネルを所定の間隔で図示しない封止枠により封止している。
【００２４】
図４は、図３で説明した背面パネルＰＮＬ1に有する電子源の概略平面図であり、ここでは図３の３つの副画素に対応する３個の電子源を示す。また、図４は、図４のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。また、図６は、図４のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。電子源の断面構造を示す図５と図６において、背面基板ＳＵＢ1の主面にアルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金（例えば、アルミニウムーネオジム（Ａｌ＋Ｎｄ）合金）からなる画像信号配線ｄが成膜される。この画像信号配線ｄを陽極酸化させて第１の絶縁膜ＩＮＳ１と第３の絶縁膜ＩＮＳ３を形成する。第１の絶縁膜ＩＮＳ１の上には窒化シリコン（ＳｉＮ）を好適とする第２の絶縁膜ＩＮＳ２を介してクロム（Ｃｒ）を好適とする接続電極ＥＬＣ、アルミニウムを好適とする走査線sが形成されている。
【００２５】
図４において、図の上下方向に敷設された画像信号配線ｄ１、ｄ２、ｄ３、・・に交差する如く、走査信号配線ｓ１、ｓ２、・・が形成されている。電子源ＥＬＳは、図５と図６に示したように、画像信号配線ｄ（ｄ１、ｄ２、ｄ３、・・）を下部電極とし、走査信号配線ｓ（ｓ１、ｓ２、・・）から接続電極ＥＬＣを通して接続される上部電極ＡＥＤとし、第１の絶縁膜ＩＮＳ１の薄膜部分である第３の絶縁膜ＩＮＳ３を上記下部電極と上部電極で挟んだ構造となっている。図５と図６には上部電極ＡＥＤは図示していない。
【００２６】
この電子源ＥＬＳは、第２の絶縁膜ＩＮＳ２がその薄膜部分である第３の絶縁膜ＩＮＳ３を露呈する開口の境界を電子が放出される電子源開口ＥＭＡとし、この電子源開口ＥＭＡよりも内側に上記第３の絶縁膜ＩＮＳ３が電子放出領域ＥＭＴとして形成されている。
【実施例１】
【００２７】
図７は、本発明による画像表示装置の実施例１の背面パネルの構成を説明する図である。図７（a）は１画素付近の平面図、図７（b）は図７（a）のＡ−Ａ’線に沿った断面図、図７（c）は図７（a）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。実施例１では画像信号配線を二層構造として低抵抗化を実現した。電子源の下部電極を背面基板ＳＵＢ１の主面に直接成膜したことで高品質のトンネル膜を形成した。
【００２８】
背面パネルは、ガラス基板を好適とする背面基板ＳＵＢ１の主面に、画像信号配線に沿って下層電極膜ｄＡを形成する。この下層電極膜ｄＡは、酸化による銀配線との接続不良を生じ難いＩＴＯをスパッタリングして形成する。なお、下層電極膜ｄＡにはＩＴＯ以外に、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＳｎＯ2の導電性薄膜を用いることができる。この下層電極膜ｄＡは、図７（c）に示されたように、電子源の形成領域側に突出した延長部ｄＡ'を有している。そして、下層電極膜ｄＡの上にＡｇペーストを塗布し焼成して上層電極膜ｄＢとし、画像信号配線ｄを下層電極膜ｄＡと上層電極膜ｄＢの二層構造としている。
【００２９】
下層電極膜ｄＡと上層電極膜ｄＢで構成した画像信号配線ｄを覆って低融点ガラスを塗布して走査信号配線との絶縁膜となる第１絶縁膜ＩＮＳ１を形成する。そして、走査信号配線部分にＡｇペーストを印刷し焼成して走査信号配線の下層配線膜ｓＡとし、この上にクロムＣｒをスパッタリングして酸化により銀との絶縁不良を生じ難い導電性スパッタ膜からなる中間配線膜ｓＢとする。さらに、この上にアルミニウム膜をスパッタ法で成膜して上層配線膜ｓＣとする。このアルミニウム膜は、図７（a）に示したように、ホトリソグラフィー法で電子源の形成領域の周りにギャップgを形成することで、走査信号配線の上層電極膜sＢと電子源の下部電極ｄＣに分離されている。なお、図７（c）に示されたようにアルミニウム膜は画像信号配線ｄの下層電極膜ｄＡの延長部ｄＡ'の上に積層して形成され、画像信号配線ｄの下層電極膜ｄと電子源の下部電極ｄＣとを電気的に接続している。
【００３０】
上層電極膜ｄＢの形成時における下層電極膜ｄＡの表面の酸化を抑え、下層電極膜ｄＡと上層電極膜ｄＢとの接合界面の電気的抵抗を低くするために、下層電極膜ｄＡは上述の如く、加工が容易なＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＳｎＯ2等の導電性薄膜材料で形成される。下層電極膜ｄＡの表面は、この上に上層電極膜ｄＢを形成する工程にて、雰囲気中に含まれる酸素に曝されても酸化され難い故、これと上層電極膜ｄＢとの接合界面の電気的抵抗も低く抑えられる。
【００３１】
電子源の下部電極ｄＣは、陽極酸化処理で電子源の周りに第２絶縁膜ＩＮＳ２（フィールド絶縁膜）と、電子源部分に第３絶縁膜ＩＮＳ３（トンネル絶縁膜）が成膜されている。そして、図示しないが、このような各成膜処理が施された背面基板ＳＵＢ１の全面に、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）の何れか、あるいはそれらの２以上をスパッタして電子源の上部電極ＡＥＤを構成するための金属膜を形成する。その後、隣接する走査信号配線の分離を行って背面パネルが完成する。
【００３２】
この背面パネルに全面パネルを封止枠を介して一体化し、内部を真空引きして表示パネルとする。この表示パネルに駆動回路、その他の部材を組み合わせて画像表示装置を得る。
【００３３】
実施例１の構成によれば、画像信号配線ｄがＡｇペーストの印刷による厚膜とアルミニウム膜の間に酸化により銀との絶縁不良を生じ難い導電性スパッタ膜からなる中間配線膜を介在させた三層構造としたことで、低抵抗化が実現される。また、電子源ＥＬＳが第１絶縁基板ＳＵＢ１の平坦な表面上に蒸着により直接形成されたアルミニウム膜を下部電極ｄＣとしているため、そのトンネル膜も平坦で、この上に成膜された上部電極も平坦で膜質が良好であるため、均一な電子放出の電子源ＥＬＳが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】ＭＩＭ型電子源を用いた画像表示装置を構成する表示パネルの１画素の表示原理を説明する図である。
【図２】図１で説明したダイオード電子源の電圧―電流特性の説明図である
【図３】フルカラーの画像表示装置を構成するパネルの全体構成例を説明する展開斜視図である。
【図４】図３で説明した背面パネルに有する電子源の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図６】図４のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図７】本発明による画像表示装置の実施例１の背面パネルの構成を説明する図である。
【符号の説明】
【００３５】
ＰＮＬ１・・・背面パネル、ＰＮＬ２・・・前面パネル、ＳＵＢ１・・・背面基板、ＳＵＢ２・・・前面基板、ｓ（ｓ１，ｓ２，・・・ｓｍ）・・・走査信号配線、ｄ（ｄ１，ｄ２，ｄ３，・・・）・・・画像信号配線、ＩＮＳ１・・・第１の絶縁膜、ＩＮＳ２・・・第２の絶縁膜、ＩＮＳ３・・・第３の絶縁膜（トンネル膜）、ＥＬＳ・・・電子源、ＥＬＣ・・・接続電極、ｄＡ・・・上層配線、ｄＢ・・・下層配線、ｓＡ・・・下層配線膜、ｓＢ・・・中間配線膜、ｓＣ・・・上層配線膜、ＡＥＤ・・・上部電極、ＡＤ・・・陽極、ＢＭ・・・ブラックマトリクス、ＰＨ（ＰＨ（Ｒ），ＰＨ（Ｇ），ＰＨ（Ｂ））・・・蛍光体、ＳＤＲ・・・走査信号線駆動回路、ＤＤＲ・・・画像信号線駆動回路、ＳＰＣ・・・スペーサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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