(57)【要約】【課題】信頼性の低下を抑制しながら、歩留まりが低下するのを抑制することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は、半導体素子１と、半導体素子１を樹脂封止する封止部材２と、半導体素子１と電気的に接続され、封止部材２の端面２ａから同一方向（矢印Ｌ方向）に延びるように外部に導出される５本のリード端子３ａ〜３ｅとを備えている。また、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側には、リード端子３ａ〜３ｅの付け根部からリード端子３ａ〜３ｅの端部に向かう方向（矢印Ｌ方向）に、封止部材２の端面２ａからの距離が揃った樹脂部６がそれぞれ設けられている。【選択図】図１
2008091652.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子を樹脂封止する封止部材と、
前記半導体素子と電気的に接続され、前記封止部材の所定の端面から同一方向に延びるように外部に導出される複数のリード端子とを備え、
前記リード端子の前記封止部材との付け根部側には、前記リード端子の付け根部から前記リード端子の端部に向かう方向に、前記封止部材の前記端面からの距離が揃った樹脂部がそれぞれ設けられていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記樹脂部は、前記リード端子の前記封止部材との付け根部側に、前記封止部材の前記端面と接触するように設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂部は、前記リード端子の上面上および下面上を覆うようにそれぞれ設けられていることを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂部は、前記リード端子の上面上、下面上、および、側面上を覆うようにそれぞれ設けられていることを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記樹脂部は、前記リード端子の付け根部から前記リード端子の端部に向かう方向に、先細り形状となるように傾斜していることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記リード端子の前記封止部材との付け根部側であるとともに、前記リード端子の上面および下面には、段差部がそれぞれ設けられており、
前記樹脂部は、前記段差部の底面にそれぞれ設けられていることを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記リード端子の前記封止部材との付け根部側には、前記封止部材の前記端面と所定の距離を隔てた領域に、前記リード端子の幅と厚みとが小さくなったくびれ部が設けられており、
前記リード端子の前記くびれ部には、前記樹脂部が設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
隣り合う前記樹脂部は、樹脂によって、互いに連結されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記リード端子の上面上および下面上の前記樹脂部が設けられている領域には、複数のＶ字状溝部がそれぞれ設けられていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置に関し、特に、リードフレームを用いて組み立てられた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、リード端子の外表面に、はんだディップ法によって、はんだメッキ層が形成された半導体装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、アウターリード部（リード端子）の外表面に予備はんだ被膜（はんだメッキ層）がはんだディップ法によって被着（形成）された半導体装置において、アウターリード部の少なくとも接地面に、凹所が形成された半導体装置が記載されている。この半導体装置では、はんだディップ法によってアウターリード部の外表面に予備はんだ被膜を被着する場合でも、凹所によって、予備はんだ被膜が表面張力で盛り上がるのを抑制することが可能となるので、アウターリード部に平面状の予備はんだ被膜を形成することが可能となる。これにより、半導体装置の電気的特性試験時などにおいて、アウターリード部の平坦度不良などの不具合が発生するのを抑制することが可能となる。
【０００４】
また、従来、配線基板のスルーホールにリード端子を挿入した後、配線基板に、はんだ付け固定されるリード端子挿入型の半導体装置が知られている。この従来知られている半導体装置では、リードフレームの載置片上に半導体素子が固着された後、封止部材によって半導体素子が樹脂封止されている。また、封止部材の端面からは、複数のリード端子が外部に導出されており、リード端子の封止部材から外部に導出された部分（アウターリード部）の外表面には、濡れ性および耐食性を向上させるためのはんだメッキ層が、溶融はんだにリード端子を浸漬させる、はんだディップ法によって形成されている。なお、複数のリード端子の内の１つは、載置片と接続されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−３１６３９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来知られている半導体装置では、リード端子のアウターリード部を溶融はんだに浸漬した際に、載置片に接続されているリード端子の放熱性が他のリード端子に比べて良好なため、載置片に接続されているリード端子の温度が、他のリード端子に比べて低くなるという不都合がある。特に、リード端子の封止部材との付け根部側（付け根部分）は、溶融はんだの液面部分となるため、温度が低下し易く、リード端子の封止部材との付け根部側に、はんだの塊が生じ易くなるという不都合がある。このため、はんだの塊が大きくなった場合には、隣り合うリード端子同士が電気的に接続されて短絡してしまうという不都合があり、半導体装置の信頼性が低下するという問題点がある。
【０００７】
なお、はんだの塊が生じるのを回避するために、溶融はんだにアウターリード部を浸漬する時間を長くする、または、溶融はんだの温度を高くする方法が提案されている一方、上記方法では、溶融はんだにアウターリード部を浸漬した際に、封止部材内の半導体素子などが熱衝撃を受けるという不都合がある。このため、上記方法を適用した場合でも、半導体装置の信頼性が低下するという問題点がある。
【０００８】
また、従来知られている半導体装置では、アウターリード部を溶融はんだに浸漬する際に、封止部材まで溶融はんだに浸漬された場合には、封止部材内の半導体素子などが熱衝撃を受け、半導体装置の信頼性が低下するという不都合があるとともに、封止部材に熱が逃げることによってはんだの温度が低下し、リード端子の封止部材との付け根部側に、はんだの塊が生じ易くなるため、封止部材が溶融はんだに浸漬されないようにする必要がある。封止部材が溶融はんだに浸漬されないようにアウターリード部を溶融はんだに浸漬した場合には、リード端子の封止部材との付け根部側に、はんだメッキ層が形成されない部分が生じる一方、この部分の面積が大きくなった場合には、リード端子の腐食し易くなる面積が増加するという不都合があり、これによっても、半導体装置の信頼性が低下するという問題点がある。また、アウターリード部が溶融はんだに斜めに浸漬された場合、および、上記はんだメッキ層が形成されない部分の面積が大きくなった場合には、はんだメッキ層の外観不良となるため、歩留まりが低下するという問題点がある。
【０００９】
また、上記特許文献１に記載された半導体装置では、上記した従来知られている半導体装置と同様の問題点がある。すなわち、アウターリード部を溶融はんだに浸漬した際に、アウターリード部の付け根部側（付け根部分）に、はんだの塊が生じるという不都合があるので、はんだの塊が大きくなった場合には、隣り合うアウターリード部同士が電気的に接続されて短絡してしまうという不都合がある。これにより、半導体装置の信頼性が低下するという問題点がある。また、アウターリード部を溶融はんだに浸漬して、アウターリード部の表面に予備はんだ被膜（はんだメッキ層）を形成する際に、アウターリード部における予備はんだ被膜（はんだメッキ層）が形成されない部分の面積が大きくなった場合には、アウターリード部の腐食し易くなる面積が増加するという不都合があり、これによっても、半導体装置の信頼性が低下するという問題点がある。また、アウターリード部が溶融はんだに斜めに浸漬された場合、および、上記予備はんだ被膜（はんだメッキ層）が形成されない部分の面積が大きくなった場合には、予備はんだ被膜（はんだメッキ層）の外観不良となるため、歩留まりが低下するという問題点がある。
【００１０】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、信頼性の低下を抑制しながら、歩留まりが低下するのを抑制することが可能な半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面における半導体装置は、半導体素子と、半導体素子を樹脂封止する封止部材と、半導体素子と電気的に接続され、封止部材の所定の端面から同一方向に延びるように外部に導出される複数のリード端子とを備え、リード端子の封止部材との付け根部側には、リード端子の付け根部からリード端子の端部に向かう方向に、封止部材の端面からの距離が揃った樹脂部がそれぞれ設けられている。
【００１２】
この一の局面による半導体装置は、上記のように、リード端子の封止部材との付け根部側に、樹脂部を設けることによって、リード端子の封止部材との付け根部側に設けた樹脂部には、はんだメッキ層が形成されない（はんだが付着しない）ので、溶融はんだに、リード端子の封止部材から外部に導出された部分（アウターリード部）を浸漬させた場合でも、樹脂部によって、リード端子の封止部材との付け根部側に、はんだの塊が生じるのを抑制することができる。これにより、リード端子の封止部材との付け根部側に、はんだの塊が生じるのを抑制するために、溶融はんだへの浸漬時間を長くしたり、溶融はんだの温度を高くしたりする必要がないので、溶融はんだへの浸漬時間を長くすることに起因して、または、溶融はんだの温度を高くすることに起因して、封止部材内の半導体素子などが熱衝撃を受けるのを抑制することができる。その結果、半導体装置の信頼性が低下するのを抑制することができる。また、はんだの塊が大きくなることに起因して、隣り合うリード端子同士が電気的に接続されて短絡してしまうのを抑制することができるので、これによっても、半導体装置の信頼性が低下するのを抑制することができる。また、リード端子の封止部材との付け根部側に、リード端子の付け根部からリード端子の端部に向かう方向に、封止部材の端面からの距離が揃った樹脂部をそれぞれ設けることによって、溶融はんだに、リード端子の封止部材から外部に導出された部分を浸漬させる際に、樹脂部まで浸漬させることにより、樹脂部には、はんだメッキ層が形成されないので、リード端子毎に、均一な面積に、はんだメッキ層を形成することができる。その結果、はんだメッキ層の外観不良が生じるのを抑制することができるので、歩留まりが低下するのを抑制することができる。
【００１３】
また、本発明の一の局面では、リード端子の封止部材との付け根部側に、リード端子の付け根部からリード端子の端部に向かう方向に、封止部材の端面からの距離が揃った樹脂部をそれぞれ設けることによって、溶融はんだに樹脂部まで浸漬させることにより、リード端子の露出されている表面のほぼ全面に、はんだメッキ層を形成することができるので、はんだメッキ層が形成されない部分の面積が大きくなることに起因して、はんだメッキ層の外観不良が生じるのを抑制することができるとともに、リード端子が腐食し易くなる面積が増加するのを抑制することができる。これにより、歩留まりが低下するのを抑制することができるとともに、半導体装置の信頼性が低下するのを抑制することができる。また、リード端子の封止部材との付け根部側に樹脂部を設けることによって、樹脂部の位置を目印として、リード端子を溶融はんだに浸漬させることができるので、誤って、封止部材が溶融はんだに浸漬してしまうのを抑制することができる。これにより、封止部材が溶融はんだに浸漬されることに起因して、封止部材内の半導体素子などが熱衝撃を受け、半導体装置の信頼性が低下するという不都合が生じるのを抑制することができるとともに、封止部材に熱が逃げることによってはんだの温度が低下し、リード端子の封止部材との付け根部分に、はんだの塊が生じるのを抑制することができる。
【００１４】
上記一の局面による半導体装置において、好ましくは、樹脂部は、リード端子の封止部材との付け根部側に、封止部材の端面と接触するように設けられている。このように構成すれば、樹脂部を封止部材に固定することができるので、樹脂部がリード端子から剥がれるのを抑制することができる。
【００１５】
上記樹脂部が封止部材の端面と接触する構成において、樹脂部を、リード端子の上面上および下面上を覆うようにそれぞれ設けることができる。
【００１６】
上記樹脂部が封止部材の端面と接触する構成において、好ましくは、樹脂部は、リード端子の上面上、下面上、および、側面上を覆うようにそれぞれ設けられている。このように構成すれば、半導体素子を樹脂封止する際に生じた樹脂バリを除去するレジンカット工程において、樹脂バリの除去と同時に樹脂部も除去されるのを抑制することができる。すなわち、リード端子の側面上をも覆うように樹脂部を設けることによって、リード端子の上面上の樹脂部と下面上の樹脂部とを、側面上の樹脂部によって連結することができるので、樹脂部をより強固にリード端子に固着することができる。このため、レジンカット工程における樹脂バリの除去時に、リード端子の上面上および下面上に設けた樹脂部が、樹脂バリの除去と同時に除去されるのを抑制することができるので、樹脂部を、リード端子の封止部材との付け根部側に容易に設けることができる。
【００１７】
上記一の局面による半導体装置において、好ましくは、樹脂部は、リード端子の付け根部からリード端子の端部に向かう方向に、先細り形状となるように傾斜している。このように構成すれば、リード端子の表面と樹脂部との境界部分に形成される段差を小さくすることができるので、溶融はんだに、リード端子を浸漬させた際に、その段差に起因して、リード端子の表面と樹脂部との境界部分に、はんだの塊が生じるのを抑制することができる。すなわち、段差が大きい場合には、樹脂部の体積も大きくなるため、溶融はんだに浸漬させた際に、リード端子の熱が樹脂部に逃げやすくなる。このため、段差が大きい場合には、リード端子の温度低下に起因して、リード端子の表面と樹脂部との境界部分に、はんだの塊が生じ易くなる一方、段差を小さくすることによって、リード端子の温度低下に起因して、リード端子の表面と樹脂部との境界部分に、はんだの塊が生じるのを抑制することができる。
【００１８】
上記樹脂部が封止部材の端面と接触する構成において、好ましくは、リード端子の封止部材との付け根部側であるとともに、リード端子の上面および下面には、段差部がそれぞれ設けられており、樹脂部は、段差部の底面にそれぞれ設けられている。このように構成すれば、半導体素子を樹脂封止する際に生じる樹脂バリの広がりを、段差部によって止めることができるとともに、その樹脂バリによって、リード端子の封止部材との付け根部側であるとともに、リード端子の上面上および下面上に、樹脂部を容易に設けることができる。なお、段差部の位置を揃えることにより、それぞれの樹脂部において、封止部材の端面からの距離を揃えることができる。
【００１９】
上記一の局面による半導体装置において、好ましくは、リード端子の封止部材との付け根部側には、封止部材の端面と所定の距離を隔てた領域に、リード端子の幅と厚みとが小さくなったくびれ部が設けられており、リード端子のくびれ部には、樹脂部が設けられている。このように構成すれば、半導体素子を樹脂封止する際に生じる樹脂バリがくびれ部に流れ込むことによって、くびれ部に、樹脂部を容易に設けることができるとともに、くびれ部に設けられた樹脂部は、くびれ部の外周を覆うように設けられるので、レジンカット工程における樹脂バリの除去時に、樹脂バリと同時に樹脂部が除去されるのを抑制することができる。これにより、リード端子の封止部材との付け根部側に、樹脂部を容易に設けることができる。
【００２０】
上記一の局面による半導体装置において、好ましくは、隣り合う樹脂部は、樹脂によって、互いに連結されている。このように構成すれば、樹脂バリが生じるリード端子間に、隣り合う樹脂部を連結するための樹脂が形成されているので、半導体素子を樹脂封止する際にリード端子間に樹脂バリが生じるのを抑制することができる。これにより、樹脂バリを除去するレジンカット工程を省略しながら、リード端子の封止部材との付け根部側に樹脂部を設けることができる。
【００２１】
上記一の局面による半導体装置において、好ましくは、リード端子の上面上および下面上であるとともに、樹脂部が設けられている領域には、複数のＶ字状溝部がそれぞれ設けられている。このように構成すれば、複数のＶ字状溝部により、樹脂部とリード端子との密着強度を向上させることができるので、レジンカット工程において、樹脂バリの除去と同時に樹脂部が除去されるのを抑制することができる。また、密着強度を向上させることによって、樹脂部の厚みを小さくすることができるので、樹脂部の厚みが大きいことに起因して、リード端子の表面と樹脂部との境界部分に、はんだの塊が生じるのを容易に抑制することができる。すなわち、樹脂部の厚みが大きい場合には、樹脂部の体積も大きくなるため、溶融はんだに浸漬させた際に、リード端子の熱が樹脂部に逃げやすくなる。このため、樹脂部の厚みが大きい場合には、リード端子の温度低下に起因して、リード端子の表面と樹脂部との境界部分に、はんだの塊が生じ易くなる一方、樹脂部の厚みを小さくすることによって、リード端子の温度低下に起因して、リード端子の表面と樹脂部との境界部分に、はんだの塊が生じるのを容易に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の第１〜第６実施形態では、半導体装置の一例として、ＳＩＰパッケージ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｉｎｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置に本発明を適用した場合について説明する。
【００２３】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による半導体装置の全体斜視図であり、図２は、図１に示した本発明の第１実施形態による半導体装置の平面図である。図３は、図２の１００−１００線に沿った断面図である。まず、図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態による半導体装置の構造について説明する。
【００２４】
第１実施形態による半導体装置は、図１および図２に示すように、半導体素子１（図２参照）と、半導体素子１を封止する封止部材２と、リード端子３とを備えている。また、封止部材２は、樹脂によって構成されているとともに、長方形の平板状に形成されている。この封止部材２は、半導体素子１を封止することにより、ゴミや水分などから半導体素子１を保護する機能を有している。
【００２５】
また、リード端子３は、５本のリード端子３ａ〜３ｅから構成されており、封止部材２の長手方向の端面２ａから同一方向（矢印Ｌ方向）に延びるように、外部に導出されている。このリード端子３は、銅などの金属材料から構成されており、配線基板などとの外部接続用に設けられている。また、リード端子３ａ〜３ｅの内のリード端子３ｃには、半導体素子１がダイボンド（固着）される載置片４が接続されている。この載置片４は、リード端子３と同一材料で構成されている。また、ダイボンドされた半導体素子１は、半導体素子１の裏面側の電極（図示せず）と載置片４とが電気的に接続されるとともに、半導体素子１の表面側の複数の電極部（図示せず）と、リード端子３ａ、３ｂ、３ｄ、および、３ｅのそれぞれとが、ボンディングワイヤ５によって、電気的に接続されている。なお、ボンディングワイヤ５は、リード端子３ａ、３ｂ、３ｄ、および、３ｅのそれぞれのインナーリード部３１ａ、３１ｂ、３１ｄ、および、３１ｅに接続されている。また、載置片４、リード端子３ａ〜３ｅの各インナーリード部３１ａ〜３１ｅ、および、ボンディングワイヤ５は、半導体素子１とともに、封止部材２によって樹脂封止されている。
【００２６】
ここで、第１実施形態では、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側には、リード端子３ａ〜３ｅの付け根部からリード端子３ａ〜３ｅの端部に向かう方向（矢印Ｌ方向）に、封止部材２の端面２ａからの距離が揃った樹脂部６がそれぞれ設けられている。この樹脂部６は、図１に示すように、リード端子３ａ〜３ｅの上面上および下面上をそれぞれ覆うように設けられており、封止部材２の端面２ａと接触するように、封止部材２と一体的に形成されている。なお、樹脂部６の厚みは、出来るだけ薄く構成されている。
【００２７】
また、第１実施形態では、図３に示すように、樹脂部６が設けられている領域のリード端子３（３ａ〜３ｅ）の上面および下面には、断面がＶ字形状を有するＶ字状溝部３ｆがそれぞれ複数設けられている。このＶ字状溝部３ｆは、樹脂部６を形成する際に、樹脂がＶ字状溝部３ｆに流れ込むことにより、樹脂部６とリード端子３との密着強度を向上させる機能を有している。
【００２８】
また、図２に示すように、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２から外部に導出された部分であるアウターリード部３２ａ〜３２ｅの表面（図２の斜線部分）には、はんだメッキ層がはんだディップ法により形成されている。このはんだメッキ層は、リード端子３の濡れ性および耐食性などを向上させるために設けられている。また、はんだメッキ層は、リード端子３ａ〜３ｅのアウターリード部３２ａ〜３２ｅにおける、樹脂部６から矢印Ｌ方向側のほぼ全表面に形成されている。
【００２９】
図４〜図１０は、図１に示した本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図である。次に、図１、図２、および、図４〜図１０を参照して、本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。
【００３０】
まず、リードフレーム打ち抜き金型を用いて、板状になった銅材などの素材をパンチング（打ち抜き加工）することにより、リードフレームを形成する。この際、図４および図５に示すように、リード端子３ａ〜３ｅの上面および下面であるとともに、各インナーリード部３１ａ〜３１ｅ側の所定の領域に、複数のＶ字状溝部３ｆをパンチングにより同時に形成する。これにより、製造工程が増加することなく、リードフレームのリード端子３ａ〜３ｅにＶ字状溝部３ｆが形成される。
【００３１】
なお、リードフレームは、図４に示すように、半導体素子１をダイボンドするための載置片４がリード端子３ｃと接続・支持されるように形成する。また、リードフレームは、５本のリード端子３ａ〜３ｅが、同一方向に延びるとともに、その端部が横枠７で接続・支持されたフレーム状に形成する。また、リード端子３間には、樹脂封止の際に樹脂の流れを止める機能を有するタイバー８を形成し、このタイバー８により、リード端子３間を接続する。
【００３２】
次に、図６に示すように、リードフレームの載置片４上に、半導体素子１をダイボンドする。次に、図７に示すように、載置片４上にダイボンドされた半導体素子１の表面側の電極部（図示せず）とリード端子３ａ、３ｂ、３ｄ、および、３ｅとを、ボンディングワイヤ５により、それぞれ電気的に接続し、回路を形成する。この際、ボンディングワイヤ５の接続は、リード端子３ａ、３ｂ、３ｄ、および、３ｅのインナーリード部３１ａ、３１ｂ、３１ｄ、および、３１ｅにそれぞれ行う。
【００３３】
次に、図８に示すように、トランスファーモールド法などを用いて、リードフレームを樹脂封止する。具体的には、図２に示したように、金型により、半導体素子１、載置片４、ボンディングワイヤ５、および、各リード端子３ａ〜３ｅのインナーリード部３１ａ〜３１ｅを樹脂封止するとともに、封止部材２を長方形の平板状に形成する。なお、樹脂封止の際に、隣り合うリード端子３間にタイバー８の位置まで樹脂バリ２ｂが形成される。
【００３４】
ここで、第１実施形態では、樹脂封止する際に、各リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に、金型により、樹脂部６を形成する。この樹脂部６は、封止部材２の端面２ａと接触するとともに、封止部材２の端面２ａから矢印Ｌ方向への距離が揃うように、樹脂封止の工程と同一工程で、封止部材２と一体的に形成する。これにより、製造工程が増加することなく、各リード端子３ａ〜３ｅの付け根部側に樹脂部６が形成される。また、樹脂部６は、図１に示したように、各リード端子３ａ〜３ｅの上面上および下面上を覆うように形成する。
【００３５】
続いて、隣り合うリード端子３間に形成された樹脂バリ２ｂをレジンカット工程により除去する。その後、図９に示すように、リードフレームの横枠７とタイバー８とを切断し、半導体装置をフレームから切り離す。
【００３６】
最後に、半導体装置のリード端子３ａ〜３ｅの表面に、はんだディップ法により、はんだメッキ層を形成する。具体的には、各リード端子３ａ〜３ｅをフラックスに浸漬させた後、図１０に示すように、樹脂部６の位置まで、各リード端子３ａ〜３ｅを溶融はんだ２０に浸漬させる。なお、溶融はんだ２０に鉛フリーはんだを用いた場合には、溶融はんだ２０の温度は約２６０℃とし、リード端子３ａ〜３ｅの浸漬時間は５秒以内とする。これにより、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２から外部に導出された部分であるアウターリード部３２ａ〜３２ｅの、樹脂部６から矢印Ｌ方向側のほぼ全表面に、はんだメッキ層が形成される。このようにして、図１に示した本発明の第１実施形態による半導体装置が形成される。
【００３７】
第１実施形態では、上記のように、各リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に、樹脂部６を設けることによって、樹脂部６には、はんだメッキ層が形成されない（はんだが付着しない）ので、溶融はんだ２０にリード端子３ａ〜３ｅを浸漬させた場合でも、樹脂部６により、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に、はんだの塊が生じるのを抑制することができる。これにより、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に、はんだの塊が生じるのを抑制するために、溶融はんだ２０への浸漬時間を長くしたり、溶融はんだ２０の温度を高くしたりする必要がないので、溶融はんだ２０への浸漬時間を長くすることに起因して、または、溶融はんだ２０の温度を高くすることに起因して、封止部材２内の半導体素子１などが熱衝撃を受けるのを抑制することができる。その結果、半導体装置の信頼性が低下するのを抑制することができる。
【００３８】
また、第１実施形態では、はんだの塊が大きくなることに起因して、隣り合うリード端子同士が電気的に接続されて短絡してしまうのを抑制することができるので、これによっても、半導体装置の信頼性が低下するのを抑制することができる。
【００３９】
また、第１実施形態では、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に、矢印Ｌ方向に、封止部材２の端面２ａからの距離が揃った樹脂部６をそれぞれ設けることによって、溶融はんだ２０に、リード端子３ａ〜３ｅを浸漬させる際に、樹脂部６まで浸漬させることにより、樹脂部６には、はんだメッキ層が形成されないので、各リード端子３ａ〜３ｅ毎に、均一な面積に、はんだメッキ層を形成することができる。その結果、はんだメッキ層の外観不良が生じるのを抑制することができるので、歩留まりが低下するのを抑制することができる。
【００４０】
また、第１実施形態では、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に、矢印Ｌ方向に、封止部材２の端面２ａからの距離が揃った樹脂部６をそれぞれ設けることによって、溶融はんだ２０に樹脂部６まで浸漬させることにより、アウターリード部３２ａ〜３２ｅの表面のほぼ全面に、はんだメッキ層を形成することができるので、はんだメッキ層が形成されない部分の面積が大きくなることに起因して、はんだメッキ層の外観不良が生じるのを抑制することができるとともに、リード端子３ａ〜３ｅが腐食し易くなる面積が増加するのを抑制することができる。これにより、歩留まりが低下するのを抑制することができるとともに、半導体装置の信頼性が低下するのを抑制することができる。
【００４１】
また、第１実施形態では、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に樹脂部６を設けることによって、樹脂部６の位置を目印として、リード端子３ａ〜３ｅを溶融はんだ２０に浸漬させることができるので、誤って、封止部材２が溶融はんだ２０に浸漬してしまうのを抑制することができる。これにより、封止部材２が溶融はんだ２０に浸漬されることに起因して、封止部材２内の半導体素子１などが熱衝撃を受け、半導体装置の信頼性が低下するという不都合が生じるのを抑制することができるとともに、封止部材２に熱が逃げることによってはんだの温度が低下し、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部分に、はんだの塊が生じるのを抑制することができる。
【００４２】
また、第１実施形態では、リード端子３ａ〜３ｅの上面上および下面上であるとともに、樹脂部６が設けられている領域に、複数のＶ字状溝部３ｆをそれぞれ設けることによって、複数のＶ字状溝部３ｆにより、樹脂部６とリード端子３ａ〜３ｅとの密着強度を向上させることができるので、レジンカット工程において、樹脂バリ２ｂの除去と同時に樹脂部６が除去されるのを抑制することができる。また、密着強度を向上させることによって、樹脂部６の厚みを小さくすることができるので、樹脂部６の厚みが大きいことに起因して、リード端子３ａ〜３ｅの表面と樹脂部６との境界部分に、はんだの塊が生じるのを容易に抑制することができる。すなわち、樹脂部６の厚みが大きい場合には、樹脂部６の体積も大きくなるため、溶融はんだ２０に浸漬させた際に、リード端子３ａ〜３ｅの熱が樹脂部６に逃げやすくなる。このため、樹脂部６の厚みが大きい場合には、リード端子３ａ〜３ｅの温度低下に起因して、リード端子３ａ〜３ｅの表面と樹脂部６との境界部分に、はんだの塊が生じ易くなる一方、樹脂部６の厚みを小さくすることによって、リード端子３ａ〜３ｅの温度低下に起因して、リード端子３ａ〜３ｅの表面と樹脂部６との境界部分に、はんだの塊が生じるのを容易に抑制することができる。
【００４３】
（第２実施形態）
図１１は、本発明の第２実施形態による半導体装置の全体斜視図であり、図１２は、図１１に示した本発明の第２実施形態による半導体装置の平面図である。図１３は、図１２の２００−２００線に沿った断面図である。まず、図１１〜図１３を参照して、本発明の第２実施形態による半導体装置の構造について説明する。なお、樹脂部１０６以外の構造については、上記第１実施形態と同様であるためその説明を省略する。
【００４４】
この第２実施形態による半導体装置は、上記第１実施形態と異なり、図１１に示すように、樹脂部１０６が、リード端子３ａ〜３ｅの上面上、下面上、および、側面上を覆うように設けられている。また、樹脂部１０６は、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に設けられており、リード端子３ａ〜３ｅの付け根部からリード端子３ａ〜３ｅの端部に向かう方向（矢印Ｌ方向）に、封止部材２の端面２ａからの距離が揃うように構成されている。また、樹脂部１０６は、封止部材２の端面２ａと接触するように、封止部材２と一体的に形成されている。また、樹脂部１０６の厚みは、出来るだけ薄く構成されている。
【００４５】
なお、第２実施形態では、図１３に示すように、樹脂部１０６が設けられている領域のリード端子３ａ〜３ｅの上面および下面には、上記第１実施形態と同様に、断面がＶ字形状を有するＶ字状溝部３ｆがそれぞれ複数設けられている。また、図１２に示すように、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２から外部に導出された部分であるアウターリード部３２ａ〜３２ｅの表面（図１２の斜線部分）には、上記第１実施形態と同様に、はんだメッキ層がはんだディップ法により形成されている。
【００４６】
図１４および図１５は、図１１に示した本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図である。次に、図１１、図１２、図１４、および、図１５を参照して、本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。
【００４７】
第２実施形態による半導体装置の製造方法では、上記第１実施形態と同様の方法を用いて、パンチングにより、リードフレームを形成した後、載置片４上に半導体素子１をダイボンドする。その後、上記第１実施形態と同様の方法により、リード端子３ａ、３ｂ、３ｄ、および、３ｅと半導体素子１とを、ボンディングワイヤ５により、電気的に接続する。
【００４８】
次に、図１４に示すように、トランスファーモールド法などを用いて、リードフレームを樹脂封止する。具体的には、図１２に示したように、金型により、半導体素子１、載置片４、ボンディングワイヤ５、および、リード端子３ａ〜３ｅのインナーリード部３１ａ〜３１ｅを樹脂封止するとともに、封止部材２を長方形の平板状に形成する。なお、樹脂封止の際に、隣り合うリード端子３間にタイバー８の位置まで樹脂バリ２ｂが形成される。
【００４９】
ここで、第２実施形態では、樹脂封止する際に、各リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に、金型により、各リード端子３ａ〜３ｅの上面上、下面上、および、側面上を覆うように、樹脂部１０６を形成する。この樹脂部１０６は、封止部材２の端面２ａと接触するとともに、封止部材２の端面２ａから矢印Ｌ方向への距離が揃うように、樹脂封止の工程と同一工程で封止部材２と一体的に形成する。これにより、製造工程が増加することなく、各リード端子３ａ〜３ｅの付け根部側に樹脂部１０６が形成される。
【００５０】
続いて、隣り合うリード端子３間に形成された樹脂バリ２ｂをレジンカット工程により除去する。その後、図１５に示すように、リードフレームの横枠７とタイバー８とを切断し、半導体装置をフレームから切り離す。
【００５１】
最後に、上記第１実施形態と同様の方法を用いて、半導体装置のリード端子３ａ〜３ｅの表面に、はんだディップ法により、はんだメッキ層を形成する。このようにして、図１に示した本発明の第２実施形態による半導体装置が形成される。
【００５２】
第２実施形態では、上記のように、樹脂部１０６を、リード端子３ａ〜３ｅの上面上、下面上、および、側面上を覆うようにそれぞれ設けることによって、半導体素子１を樹脂封止する際に生じた樹脂バリ２ｂを除去するレジンカット工程において、樹脂バリ２ｂの除去と同時に樹脂部１０６も除去されるのを抑制することができる。すなわち、リード端子３ａ〜３ｅの側面上をも覆うように樹脂部１０６を設けることによって、リード端子３ａ〜３ｅの上面上の樹脂部１０６と下面上の樹脂部１０６とを、側面上の樹脂部１０６によって連結することができるので、樹脂部１０６をより強固にリード端子３ａ〜３ｅに固着することができる。このため、レジンカット工程における樹脂バリ２ｂの除去時に、リード端子３ａ〜３ｅの上面上および下面上に設けた樹脂部１０６が、樹脂バリ２ｂの除去と同時に除去されるのを抑制することができるので、樹脂部１０６を、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に容易に設けることができる。
【００５３】
なお、第２実施形態におけるその他の効果は、上記第１実施形態における効果と同様である。
【００５４】
（第３実施形態）
図１６は、本発明の第３実施形態による半導体装置の全体斜視図であり、図１７は、図１６に示した本発明の第３実施形態による半導体装置の平面図である。図１８は、図１７の３００−３００線に沿った断面図である。まず、図１６〜図１８を参照して、本発明の第３実施形態による半導体装置の構造について説明する。なお、樹脂部２０６以外の構造については、上記第１および第２実施形態と同様であるためその説明を省略する。
【００５５】
この第３実施形態による半導体装置は、上記第１および第２実施形態と異なり、図１６および図１８に示すように、樹脂部２０６が、リード端子３ａ〜３ｅの付け根部からリード端子３ａ〜３ｅの端部に向かう方向（矢印Ｌ方向）に、先細り形状となるように傾斜している。また、樹脂部２０６は、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に設けられており、矢印Ｌ方向に、封止部材２の端面２ａからの距離が揃うように構成されている。また、樹脂部２０６は、封止部材２の端面２ａと接触するように、封止部材２と一体的に形成されている。
【００５６】
なお、第３実施形態では、図１８に示すように、樹脂部２０６が設けられている領域のリード端子３ａ〜３ｅの上面および下面には、上記第１および第２実施形態と同様に、断面がＶ字形状を有するＶ字状溝部３ｆがそれぞれ複数設けられている。また、図１７に示すように、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２から外部に導出された部分であるアウターリード部３２ａ〜３２ｅの表面（図１７の斜線部分）には、上記第１および第２実施形態と同様に、はんだメッキ層がはんだディップ法により形成されている。
【００５７】
次に、本発明の第３実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。
【００５８】
第３実施形態による半導体装置の製造方法では、上記第１および第２実施形態と同様の方法を用いて、パンチングにより、リードフレームを形成した後、載置片４上に半導体素子１をダイボンドする。その後、上記第１および第２実施形態と同様の方法により、リード端子３ａ、３ｂ、３ｄ、および、３ｅと半導体素子１とを、ボンディングワイヤ５により、電気的に接続する。
【００５９】
次に、トランスファーモールド法などを用いて、リードフレームを樹脂封止する。具体的には、図１７に示したように、金型により、半導体素子１、載置片４、ボンディングワイヤ５、および、リード端子３ａ〜３ｅのインナーリード部３１ａ〜３１ｅを樹脂封止するとともに、封止部材２を長方形の平板状に形成する。なお、樹脂封止の際に、隣り合うリード端子３間にタイバー８の位置まで樹脂バリが形成される。
【００６０】
ここで、第３実施形態では、樹脂封止する際に、各リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に、矢印Ｌ方向に、先細り形状となるように傾斜した樹脂部２０６を形成する。この樹脂部２０６は、各リード端子３ａ〜３ｅの上面上、および、下面上を覆うように、金型によって形成する。また、樹脂部２０６は、封止部材２の端面２ａと接触し、かつ、封止部材２の端面２ａから矢印Ｌ方向への距離が揃うように、樹脂封止の工程と同一工程で封止部材２と一体的に形成する。これにより、製造工程が増加することなく、各リード端子３ａ〜３ｅの付け根部側に樹脂部２０６が形成される。
【００６１】
続いて、隣り合うリード端子３間に形成された樹脂バリをレジンカット工程により除去する。その後、半導体装置をフレームから切り離し、最後に、上記第１および第２実施形態と同様の方法を用いて、半導体装置のリード端子３ａ〜３ｅの表面に、はんだディップ法により、はんだメッキ層を形成する。このようにして、図１６に示した本発明の第３実施形態による半導体装置が形成される。
【００６２】
第３実施形態では、上記のように、樹脂部２０６を、リード端子３ａ〜３ｅの付け根部からリード端子３ａ〜３ｅの端部に向かう方向（矢印Ｌ方向）に、先細り形状となるように傾斜させることによって、リード端子３ａ〜３ｅの表面と樹脂部２０６との境界部分に形成される段差を小さくすることができるので、溶融はんだ２０（図１０参照）に、リード端子３ａ〜３ｅ（アウターリード部３２ａ〜３２ｅ）を浸漬させた際に、その段差に起因して、リード端子３ａ〜３ｅの表面と樹脂部２０６との境界部分に、はんだの塊が生じるのを抑制することができる。すなわち、段差が大きい場合には、樹脂部２０６の体積も大きくなるため、溶融はんだ２０（図１０参照）に浸漬させた際に、リード端子３ａ〜３ｅの熱が樹脂部２０６に逃げやすくなる。このため、段差が大きい場合には、リード端子３ａ〜３ｅの温度低下に起因して、リード端子３ａ〜３ｅの表面と樹脂部２０６との境界部分に、はんだの塊が生じ易くなる一方、段差を小さくすることによって、リード端子３ａ〜３ｅの温度低下に起因して、リード端子３ａ〜３ｅの表面と樹脂部２０６との境界部分に、はんだの塊が生じるのを抑制することができる。
【００６３】
なお、第３実施形態におけるその他の効果は、上記第１実施形態における効果と同様である。
【００６４】
（第４実施形態）
図１９は、本発明の第４実施形態による半導体装置の全体斜視図であり、図２０は、図１９に示した本発明の第４実施形態による半導体装置の平面図である。図２１は、図２０の４００−４００線に沿った断面図である。まず、図１９〜図２１を参照して、本発明の第４実施形態による半導体装置の構造について説明する。なお、リード端子１３０、および、樹脂部３０６以外の構造については、上記第１〜第３実施形態と同様であるためその説明を省略する。
【００６５】
この第４実施形態による半導体装置は、上記第１〜第３実施形態と異なり、図１９および図２１に示すように、リード端子１３０ａ〜１３０ｅの上面および下面であって、封止部材２との付け根部側となる領域に、段差部１３０ｆ（図２１参照）がそれぞれ設けられている。この段差部１３０ｆは、図１９および図２０に示すように、リード端子１３０ａ〜１３０ｅの付け根部からリード端子１３０ａ〜１３０ｅの端部に向かう方向（矢印Ｌ方向）に、封止部材２の端面２ａからの距離が揃うように構成されている。また、段差部１３０ｆの底面には、樹脂部３０６が段差部１３０ｆの底面を覆うように設けられている。また、樹脂部３０６は、段差部１３０ｆによって樹脂の流れがせき止められることにより、矢印Ｌ方向に封止部材２の端面２ａからの距離が揃うように形成されている。また、樹脂部３０６は、封止部材２の端面２ａと接触するように、封止部材２と一体的に形成されている。
【００６６】
なお、図２０に示すように、リード端子１３０ａ〜１３０ｅの封止部材２から外部に導出された部分であるアウターリード部１３２ａ〜１３２ｅの表面（図２０の斜線部分）には、上記第１〜第３実施形態と同様に、はんだメッキ層がはんだディップ法により形成されている。また、５本のリード端子１３０ａ〜１３０ｅの内のリード端子１３０ｃには、半導体素子１がダイボンド（固着）される載置片４が接続されている。
【００６７】
図２２〜図２４は、図１９に示した本発明の第４実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図である。次に、図１９、図２０、および、図２２〜図２４を参照して、本発明の第４実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。
【００６８】
第４実施形態による半導体装置の製造方法では、リードフレーム打ち抜き金型を用いて、板状になった銅材などの素材をパンチング（打ち抜き加工）することにより、リードフレームを形成する。この際、第４実施形態では、図２２および図２３に示すように、リード端子１３０ａ〜１３０ｅの上面および下面であるとともに、各インナーリード部１３１ａ〜１３１ｅ側の所定の領域に、段差部１３０ｆを形成する。なお、リードフレームを形成する際に、段差部１３０ｆも同時に形成することによって、製造工程の増加が抑制される。また、リードフレームを形成する際には、段差部１３０ｆの位置が図２２の矢印Ｌ方向に揃うように形成する。
【００６９】
次に、上記第１〜第３実施形態と同様の方法により、載置片４上に半導体素子１をダイボンドするとともに、半導体素子１とリード端子１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｄ、および、１３０ｅとを、ボンディングワイヤ５により、電気的に接続する。
【００７０】
次に、図２４に示すように、トランスファーモールド法などを用いて、リードフレームを樹脂封止する。具体的には、図２０に示したように、金型により、半導体素子１、載置片４、ボンディングワイヤ５、および、リード端子１３０ａ〜１３０ｅのインナーリード部１３１ａ〜１３１ｅを樹脂封止するとともに、封止部材２を長方形の平板状に形成する。この樹脂封止の際に、隣り合うリード端子１３０間にタイバー８の位置まで樹脂バリ２ｂが形成されるとともに、段差部１３０ｆの底面にも樹脂が流れ出る。段差部１３０ｆの底面に流れ出た樹脂は、段差部１３０ｆによってせき止められ、リード端子１３０ａ〜１３０ｅの封止部材２との付け根部側に、矢印Ｌ方向に封止部材２の端面２ａからの距離が揃った樹脂部３０６が形成される。
【００７１】
続いて、上記第１〜第３実施形態と同様の方法により、隣り合うリード端子１３０間に形成された樹脂バリ２ｂをレジンカット工程によって除去する。その後、半導体装置をフレームから切り離し、最後に、上記第１〜第３実施形態と同様の方法を用いて、半導体装置のリード端子１３０ａ〜１３０ｅの表面に、はんだディップ法により、はんだメッキ層を形成する。このようにして、図１９に示した本発明の第４実施形態による半導体装置が形成される。なお、この場合には、金型によって、樹脂部３０６の外表面を平面に形成してもよい。
【００７２】
第４実施形態では、上記のように、リード端子１３０ａ〜１３０ｅの上面および下面に、段差部１３０ｆをそれぞれ設けることによって、半導体素子１を樹脂封止する際に生じる樹脂バリ２ｂの広がりを、段差部１３０ｆによってせき止めることができるとともに、その樹脂バリ２ｂによって、リード端子１３０ａ〜１３０ｅの封止部材２との付け根部側であるとともに、リード端子１３０ａ〜１３０ｅの上面上および下面上に、樹脂部３０６を容易に設けることができる。
【００７３】
なお、第４実施形態におけるその他の効果は、上記第１実施形態における効果と同様である。
【００７４】
（第５実施形態）
図２５は、本発明の第５実施形態による半導体装置の全体斜視図であり、図２６は、図２５に示した本発明の第５実施形態による半導体装置の平面図である。図２７は、図２６の５００−５００線に沿った断面図であり、図２８は、図２７の５５０−５５０線に沿った断面図である。まず、図２５〜図２８を参照して、本発明の第５実施形態による半導体装置の構造について説明する。なお、リード端子２３０、および、樹脂部４０６以外の構造については、上記第１〜第４実施形態と同様であるためその説明を省略する。
【００７５】
この第５実施形態による半導体装置は、上記第１〜第４実施形態と異なり、図２５に示すように、樹脂部４０６が、封止部材２の端面２ａと所定の距離を隔てて設けられている。具体的には、図２６〜図２８に示すように、各リード端子２３０ａ〜２３０ｅの封止部材２との付け根部側となる領域であって、封止部材２の端面２ａと所定の距離を隔てた位置に、リード端子２３０ａ〜２３０ｅの幅と厚みとが小さくなった、くびれ部２３０ｆ（図２８参照）が形成されており、このくびれ部２３０ｆの底面を覆うように樹脂部４０６が設けられている。なお、くびれ部２３０ｆは、リード端子２３０ａ〜２３０ｅの付け根部からリード端子２３０ａ〜２３０ｅの端部に向かう方向（矢印Ｌ方向）に、封止部材２の端面２ａからの距離が揃うように構成されている。これにより、図２５および図２６に示すように、矢印Ｌ方向に封止部材２の端面２ａからの距離が揃った樹脂部４０６が設けられる。また、樹脂部４０６は、樹脂封止の際に生じる樹脂バリ２ｂがくびれ部２３０ｆに流れ込むことによって形成されている。
【００７６】
なお、図２６に示すように、リード端子２３０ａ〜２３０ｅの封止部材２から外部に導出された部分であるアウターリード部２３２ａ〜２３２ｅの表面（図２６の斜線部分）には、上記第１〜第４実施形態と同様に、はんだメッキ層がはんだディップ法により形成されている。また、５本のリード端子２３０ａ〜２３０ｅの内のリード端子２３０ｃには、半導体素子１がダイボンド（固着）される載置片４が接続されている。
【００７７】
図２９〜図３２は、図２５に示した本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図である。次に、図２５、図２６、および、図２９〜図３２を参照して、本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。
【００７８】
第５実施形態による半導体装置の製造方法では、まず、リードフレーム打ち抜き金型を用いて、板状になった銅材などの素材をパンチングすることにより、リードフレームを形成する。この際、図２９および図３０に示すように、各インナーリード部２３１ａ〜２３１ｅ側の所定の領域に、リード端子２３０ａ〜２３０ｅの幅と厚みとが小さくなった、くびれ部２３０ｆを形成する。なお、リードフレームを形成する際に、くびれ部２３０ｆも同時に形成することによって、製造工程の増加が抑制される。また、リードフレームを形成する際には、くびれ部２３０ｆの位置が図２９の矢印Ｌ方向に揃うように形成する。
【００７９】
次に、上記第１〜第４実施形態と同様の方法により、載置片４上に半導体素子１をダイボンドするとともに、半導体素子１とリード端子２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｄ、および、２３０ｅとを、ボンディングワイヤ５により、電気的に接続する。
【００８０】
次に、図３１に示すように、トランスファーモールド法などを用いて、リードフレームを樹脂封止する。具体的には、図２６に示したように、金型により、半導体素子１、載置片４、ボンディングワイヤ５、および、各リード端子２３０ａ〜２３０ｅのインナーリード部２３１ａ〜２３１ｅを樹脂封止するとともに、封止部材２を長方形の平板状に形成する。この樹脂封止の際に、隣り合うリード端子２３０間にタイバー８の位置まで樹脂バリ２ｂが形成されるとともに、くびれ部２３０ｆにも樹脂が流れ込む。これにより、リード端子２３０ａ〜２３０ｅの封止部材２との付け根部側に、樹脂部４０６が形成される。なお、くびれ部２３０ｆの位置が図２９の矢印Ｌ方向に揃っているため、矢印Ｌ方向に封止部材２の端面２ａからの距離が揃った樹脂部４０６が形成される。
【００８１】
続いて、上記第１〜第４実施形態と同様に、隣り合うリード端子２３０間に形成された樹脂バリ２ｂをレジンカット工程によって除去する。この際、くびれ部２３０ｆに設けられた樹脂部４０６は、くびれ部２３０ｆの外周を覆うように設けられているため、レジンカット工程における樹脂バリ２ｂの除去時に、樹脂バリ２ｂと同時に樹脂部４０６が除去されるのが抑制される。
【００８２】
その後、図３２に示すように、半導体装置をフレームから切り離し、最後に、上記第１〜第４実施形態と同様の方法を用いて、半導体装置のリード端子２３０ａ〜２３０ｅの表面に、はんだディップ法により、はんだメッキ層を形成する。このようにして、図２５に示した本発明の第５実施形態による半導体装置が形成される。
【００８３】
第５実施形態では、上記のように、リード端子２３０ａ〜２３０ｅの封止部材２との付け根部側であるとともに、封止部材２の端面２ａと所定の距離を隔てた領域に、リード端子２３０ａ〜２３０ｅの幅と厚みとが小さくなった、くびれ部２３０ｆを設け、リード端子２３０ａ〜２３０ｅのくびれ部２３０ｆに、樹脂部４０６を設けることによって、半導体素子１を樹脂封止する際に生じる樹脂バリ２ｂをくびれ部２３０ｆに流し込むことにより、くびれ部２３０ｆに、樹脂部４０６を容易に設けることができる。
【００８４】
なお、第５実施形態におけるその他の効果は、上記第１および第２実施形態における効果と同様である。
【００８５】
（第６実施形態）
図３３は、本発明の第６実施形態による半導体装置の全体斜視図であり、図３４は、図３３に示した本発明の第６実施形態による半導体装置の平面図である。図３５は、図３４の６００−６００線に沿った断面図であり、図３６は、図３４の６５０−６５０線に沿った断面図である。まず、図３３〜図３６を参照して、本発明の第６実施形態による半導体装置の構造について説明する。なお、樹脂部５０６以外の構造については、上記第１および第２実施形態と同様であるためその説明を省略する。
【００８６】
この第６実施形態による半導体装置は、上記第１〜第５実施形態と異なり、図３３および図３６に示すように、リード端子３ａ〜３ｅの上面上および下面上に設けた樹脂部において、隣り合う樹脂部同士が樹脂によって互いに連結されている。この樹脂によって連結された樹脂部５０６は、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に設けられており、リード端子３ａ〜３ｅの付け根部からリード端子３ａ〜３ｅの端部に向かう方向（矢印Ｌ方向）に、封止部材２の端面２ａからの距離が揃うように構成されている。また、樹脂部５０６は、封止部材２の端面２ａと接触するように、封止部材２と一体的に形成されている。
【００８７】
また、第６実施形態では、図３３および図３６に示すように、リード端子３ａ〜３ｅ上の樹脂部の外表面と、リード端子３間の樹脂部の表面とが同一面となるように構成されている。なお、樹脂部５０６は、上記第１〜第４実施形態と同様に、封止部材２の端面２ａと接触するように、封止部材２と一体的に形成されている。
【００８８】
なお、第６実施形態では、図３５に示すように、樹脂部５０６が設けられている領域のリード端子３ａ〜３ｅの上面および下面には、上記第１〜第３実施形態と同様に、断面がＶ字形状を有するＶ字状溝部３ｆがそれぞれ複数設けられている。また、図３４に示すように、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２から外部に導出された部分であるアウターリード部３２ａ〜３２ｅの表面（図３４の斜線部分）には、上記第１〜第５実施形態と同様に、はんだメッキ層がはんだディップ法により形成されている。
【００８９】
図３７および図３８は、図３３に示した本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための図である。次に、図３３、図３４、図３７、および、図３８を参照して、本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。
【００９０】
第６実施形態による半導体装置の製造方法では、上記第１〜第３実施形態と同様の方法を用いて、パンチングにより、リードフレームを形成した後、載置片４上に半導体素子１をダイボンドする。その後、上記第１〜第５実施形態と同様の方法により、リード端子３ａ、３ｂ、３ｄ、および、３ｅと半導体素子１とを、ボンディングワイヤ５により、電気的に接続する。
【００９１】
次に、図３７に示すように、トランスファーモールド法などを用いて、リードフレームを樹脂封止する。具体的には、図３４に示したように、金型により、半導体素子１、載置片４、ボンディングワイヤ５、および、各リード端子３ａ〜３ｅのインナーリード部３１ａ〜３１ｅを樹脂封止するとともに、封止部材２を長方形の平板状に形成する。この際、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に、リード端子３間にも樹脂部が形成されるように、樹脂部５０６を金型により形成する。これにより、リード端子３ａ〜３ｅの上面上および下面上に設けた樹脂部において、隣り合う樹脂部同士が樹脂によって互いに連結された樹脂部５０６が形成される。
【００９２】
また、樹脂部５０６を形成する際には、樹脂部５０６が、封止部材２の端面２ａと接触するとともに、封止部材２の端面２ａから矢印Ｌ方向への距離が揃うように、樹脂封止の工程と同一工程で、封止部材２と一体的に形成する。これにより、製造工程が増加することなく、各リード端子３ａ〜３ｅの付け根部側に樹脂部５０６が形成される。なお、リード端子３ａ〜３ｅ上の樹脂部の外表面と、リード端子３間の樹脂部の外表面とが同一面となるように形成する。
【００９３】
続いて、図３８に示すように、リードフレームの横枠７とタイバー８とを切断し、半導体装置をフレームから切り離す。
【００９４】
最後に、上記第１〜第５実施形態と同様の方法を用いて、半導体装置のリード端子３ａ〜３ｅの表面に、はんだディップ法により、はんだメッキ層を形成する。このようにして、図３３に示した本発明の第６実施形態による半導体装置が形成される。
【００９５】
第６実施形態では、上記のように、隣り合う樹脂部５０６同士を、樹脂により、互いに連結することによって、樹脂バリが生じるリード端子３間に、隣り合う樹脂部５０６を連結するための樹脂部が形成されので、半導体素子１を樹脂封止する際に、リード端子３間に樹脂バリが生じるのを抑制することができる。これにより、樹脂バリを除去するレジンカット工程を省略しながら、リード端子３ａ〜３ｅの封止部材２との付け根部側に樹脂部５０６を設けることができる。
【００９６】
第６実施形態におけるその他の効果は、上記第１および第２実施形態における効果と同様である。
【００９７】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００９８】
たとえば、上記第１〜第６実施形態では、本発明をＳＩＰパッケージ型の半導体装置に適用した例を示したが、本発明はこれに限らず、ＳＩＰパッケージ型以外の半導体装置に適用してもよい。ＳＩＰパッケージ型以外の半導体装置としては、たとえば、ＤＩＰ（Ｄｕａｌ  Ｉｎｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が考えられる。
【００９９】
また、上記第１〜第６実施形態では、半導体装置に５本のリード端子を設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、リード端子が複数本設けられていれば、リード端子の数は５本以外でもよい。
【０１００】
また、上記第４および第５実施形態では、リード端子の表面（段差部およびくびれ部の底面）にＶ字状溝部を形成しない例を示したが、本発明はこれに限らず、段差部の底面、および、くびれ部の底面に、Ｖ字状溝部を形成する構成にしてもよい。
【０１０１】
また、上記第２実施形態では、リード端子の付け根部からリード端子の端部に向かう方向に、樹脂部を傾斜させない例を示したが、本発明はこれに限らず、図３９の変形例に示すように、段差部１０６ａを、リード端子の付け根部からリード端子の端部に向かう方向（矢印Ｌ方向）に、先細り形状となるように傾斜させてもよい。
【０１０２】
また、上記第４実施形態では、各リード端子に設けられた樹脂部において、隣り合う樹脂部同士が連結しないように構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、上記第６実施形態に示したように、隣り合うリード端子間に樹脂部を設けることによって、隣り合う樹脂部同士がリード端子間の樹脂部によって互いに連結するように構成してもよい。
【０１０３】
また、上記第６実施形態では、リード端子の付け根部からリード端子の端部に向かう方向に、樹脂部を傾斜させない例を示したが、本発明はこれに限らず、図４０の第１変形例に示すように、段差部５０６ａを、リード端子の付け根部からリード端子の端部に向かう方向（矢印Ｌ方向）に、先細り形状となるように傾斜させてもよい。
【０１０４】
また、上記第６実施形態では、リード端子上の樹脂部の外表面と、リード端子間の樹脂部の外表面とが同一面となるように形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、図４１および図４２の第２変形例に示すように、リード端子３間の樹脂部５０６２ｂの厚みをリード端子３の厚みと同じ厚みにすることによって、リード端子３上の樹脂部５０６１ｂの外表面と、リード端子３間の樹脂部５０６２ｂの外表面とが同一面とならないように構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体装置の全体斜視図である。
【図２】図１に示した本発明の第１実施形態による半導体装置の平面図である。
【図３】図２の１００−１００線に沿った断面図である。
【図４】図１に示した本発明の第１実施形態による半導体装置のリードフレームの平面図である。
【図５】図４の１５０−１５０線に沿った断面図である。
【図６】図１に示した本発明の第１実施形態による半導体装置のリードフレーム上に半導体素子を固着した状態の平面図である。
【図７】図１に示した本発明の第１実施形態による半導体装置のリードフレーム上に固着した半導体素子とリード端子とを接続した状態の平面図である。
【図８】図１に示した本発明の第１実施形態による半導体装置のリードフレームを樹脂封止した状態の平面図である。
【図９】図１に示した本発明の第１実施形態による半導体装置をフレームから切り離した状態の平面図である。
【図１０】図１に示した本発明の第１実施形態による半導体装置のリード端子に、はんだディップ法によりはんだメッキ層を形成する工程を説明するための図である。
【図１１】本発明の第２実施形態による半導体装置の全体斜視図である。
【図１２】図１１に示した本発明の第２実施形態による半導体装置の平面図である。
【図１３】図１２の２００−２００線に沿った断面図である。
【図１４】図１１に示した本発明の第２実施形態による半導体装置のリードフレームを樹脂封止した状態の平面図である。
【図１５】図１１に示した本発明の第２実施形態による半導体装置をフレームから切り離した状態の平面図である。
【図１６】本発明の第３実施形態による半導体装置の全体斜視図である。
【図１７】図１６に示した本発明の第３実施形態による半導体装置の平面図である。
【図１８】図１７の３００−３００線に沿った断面図である。
【図１９】本発明の第４実施形態による半導体装置の全体斜視図である。
【図２０】図１９に示した本発明の第４実施形態による半導体装置の平面図である。
【図２１】図２０の４００−４００線に沿った断面図である。
【図２２】図１９に示した本発明の第４実施形態による半導体装置のリードフレームの平面図である。
【図２３】図２２の４５０−４５０線に沿った断面図である。
【図２４】図１９に示した本発明の第４実施形態による半導体装置のリードフレームを樹脂封止した状態の平面図である。
【図２５】本発明の第５実施形態による半導体装置の全体斜視図である。
【図２６】図２５に示した本発明の第５実施形態による半導体装置の平面図である。
【図２７】図２６の５００−５００線に沿った断面図である。
【図２８】図２７の５５０−５５０線に沿った断面図である。
【図２９】図２５に示した本発明の第５実施形態による半導体装置のリードフレームの平面図である。
【図３０】図２９のＡ部の拡大図である。
【図３１】図２５に示した本発明の第５実施形態による半導体装置のリードフレームを樹脂封止した状態の平面図である。
【図３２】図２５に示した本発明の第５実施形態による半導体装置をフレームから切り離した状態の平面図である。
【図３３】本発明の第６実施形態による半導体装置の全体斜視図である。
【図３４】図３３に示した本発明の第６実施形態による半導体装置の平面図である。
【図３５】図３４の６００−６００線に沿った断面図である。
【図３６】図３４の６５０−６５０線に沿った断面図である。
【図３７】図３３に示した本発明の第６実施形態による半導体装置のリードフレームを樹脂封止した状態の平面図である。
【図３８】図３３に示した本発明の第６実施形態による半導体装置をフレームから切り離した状態の平面図である。
【図３９】本発明の第２実施形態の変形例による半導体装置の全体斜視図である。
【図４０】本発明の第６実施形態の第１変形例による半導体装置の全体斜視図である。
【図４１】本発明の第６実施形態の第２変形例による半導体装置の全体斜視図である。
【図４２】図４１の７００−７００線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１                                              半導体素子
２                                              封止部材
２ａ                                            端面
２ｂ                                            樹脂バリ
３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、
１３０、１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、
１３０ｄ、１３０ｅ、２３０、２３０ａ、
２３０ｂ、２３０ｃ、２３０ｄ、２３０ｅ、        リード端子
３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ、
１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ、１３１ｄ、
１３１ｅ、２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、
２３１ｄ、２３１ｅ、                            インナーリード部
３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ、
１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄ、
１３２ｅ、２３２ａ、２３２ｂ、２３２ｃ、
２３２ｄ、２３２ｅ                              アウターリード部
３ｆ                                            Ｖ字状溝部
４                                              載置片
５                                              ボンディングワイヤ
６、１０６、２０６、３０６、４０６、５０６      樹脂部
７                                              横枠
８                                              タイバー
１３０ｆ                                        段差部
２３０ｆ                                        くびれ部
【図１】
2008091652.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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