(57)【要約】【課題】表示部以外への光漏れを抑制し、表示画像の画質の低下を抑制するＥＬ表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】アレイ基板と、アレイ基板と対向して配置された封止基板と、マトリクス状に配置された複数の表示画素からなる表示部と、を有するＥＬ表示装置であって、前記アレイ基板は、平坦化層と、各表示画素の周囲に配置されたリブ層と、前記複数の表示画素のそれぞれにおいて前記平坦化層上に配置された第１電極と、複数の前記第１電極に対向して配置された第２電極と、前記第１電極および前記第２電極との間に配置された発光層と、前記平坦化層と前記リブ層とを接触させないように配置された無機バリア層と、を有するＥＬ表示装置。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板と、アレイ基板と対向して配置された封止基板と、マトリクス状に配置された複数の表示画素からなる表示部と、を有するＥＬ表示装置であって、
前記アレイ基板は、樹脂材料により形成された平坦化層と、
樹脂材料により形成されているとともに各表示画素の周囲に配置されたリブ層と、
前記複数の表示画素のそれぞれにおいて前記平坦化層上に配置された第１電極と、
複数の前記第１電極に対向して配置された第２電極と、
前記第１電極および前記第２電極との間に配置された発光層と、
前記平坦化層と前記リブ層との間に配置された無機バリア層と、を有するＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記無機バリア層は、前記第１電極の下層であって、前記リブ層と前記平坦化層との間に配置されている請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記無機バリア層は、前記第１電極の上層であって、前記リブ層と前記平坦化層との間に配置されている請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記リブ層は、その厚さが前記表示画素よりも厚い請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記リブ層は複数の島状に分離されているとともに、隣に配置されるもの同士が接触しないように配置されている請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項６】
アレイ基板と、アレイ基板と対向して配置された封止基板と、マトリクス状に配置された複数の表示画素からなる表示部と、を有するＥＬ表示装置であって、
前記アレイ基板は、樹脂材料により形成された平坦化層と、
樹脂材料により形成されているとともに各表示画素の周囲に配置されたリブ層と、
前記複数の表示画素のそれぞれにおいて前記平坦化膜上に配置された第１電極と、
複数の前記第１電極に対向して配置された第２電極と、
前記第１電極および前記第２電極との間に配置された発光層と、を有し、
前記リブ層は、複数の島状に分離されているとともに、隣に配置されるもの同士が接触しないように配置されているＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬ表示装置に関し、特にアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置等のディスプレイに比べて、高速応答及び広視野角化が可能な自己発光型のディスプレイとしてエレクトロルミネセンス（ＥＬ：electroluminescence）表示装置の開発が盛んに行われている。ＥＬ表示装置は、ＥＬ表示パネルとＥＬ表示パネルを駆動する駆動回路とから構成される。
【０００３】
ＥＬ表示パネルは、ガラス等の支持基板上に、表示画素をマトリクス状に配置して構成される表示部と、表示部を囲む外周部とを有するアレイ基板と、アレイ基板と対向して配置された封止基板とを備えている。
【０００４】
アクティブマトリクス型のＥＬ表示パネルの場合、アレイ基板は、例えばスイッチング素子、平坦化層、第１電極（陽極）、表示画素周辺の樹脂領域（リブ層）を有している。平坦化層は、第１電極とスイッチング素子とを導通させるためのコンタクトホールを有している。リブ層上には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の有機層、更に有機層上に第２電極（陰極）が配置されている。
【０００５】
アレイ基板の第１電極（陽極）は、各表示画素を独立に駆動するために表示画素毎に独立されており、従って、上記樹脂性のリブ層と樹脂性平坦化層とは第１電極の切れ目でつながっている。リブ層は、表示画素を取り囲ように配置され、表示部全体わたって格子状に配置されている。
【０００６】
また、ＥＬ表示装置の表示画素は、水分によって劣化しやすいため、対向基板に乾燥剤を設置する構成が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−２２５１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記のように乾燥剤を有する構成であっても、有機層や第２電極を形成する工程において、ゴミ等の異物混入や汚れが発生した場合に、第２電極に異物や汚れによってピンホールが生じる場合があった。この場合、ピンホールから侵入した水分によって表示画素が劣化し、ダークスポットが発生することにより製造歩留まりの低下につながる場合があった。
【０００８】
水分は樹脂層中での拡散速度が速いため、樹脂によって形成されたリブ層上の第２電極に発生したピンホールからのダークスポットは、表示画素上の第２電極に発生したピンホールからのダークスポットと比較して１０倍程度成長が速い。そうすると、リブ層上のダークスポットから浸入した水分は、格子状に形成されたリブ中、更にはリブと接触している平坦化層中を拡散し、高速でパネル面を拡散していってしまう。
【０００９】
したがって、リブ層上の第２電極にピンホールが生じると、特に、表示画素が劣化してダークスポットが発生し製造歩留まりの低下につながる場合があった。
【００１０】
本発明は上記の問題点に鑑みて成されたものであって、ダークスポットの発生を抑制し、表示品位の良好なＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１態様によるＥＬ表示装置は、アレイ基板と、アレイ基板と対向して配置された封止基板と、マトリクス状に配置された複数の表示画素からなる表示部と、を有するＥＬ表示装置であって、前記アレイ基板は、樹脂材料により形成された平坦化層と、樹脂材料により形成されているとともに各表示画素の周囲に配置されたリブ層と、前記複数の表示画素のそれぞれにおいて前記平坦化層上に配置された第１電極と、複数の前記第１電極に対向して配置された第２電極と、前記第１電極および前記第２電極との間に配置された発光層と、前記平坦化層と前記リブ層との間に配置された無機バリア層と、を有する。
【００１２】
本発明の第２態様によるＥＬ表示装置は、アレイ基板と、アレイ基板と対向して配置された封止基板と、マトリクス状に配置された複数の表示画素からなる表示部と、を有するＥＬ表示装置であって、前記アレイ基板は、樹脂材料により形成された平坦化層と、樹脂材料により形成されているとともに各表示画素の周囲に配置されたリブ層と、前記複数の表示画素のそれぞれにおいて前記平坦化膜上に配置された第１電極と、複数の前記第１電極に対向して配置された第２電極と、前記第１電極および前記第２電極との間に配置された発光層と、を有し、前記リブ層は、複数の島状に分離されているとともに、隣に配置されるもの同士が接触しないように配置されている。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、ダークスポットの発生を抑制し、表示品位の良好なＥＬ表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明の第１実施形態に係るＥＬ表示装置について図面を参照して説明する。本実施形態に係るＥＬ表示装置は、上面発光方式のＥＬ表示装置であって、図１に示すように、アレイ基板１００と、アレイ基板１００と対向して配置された封止基板２００とを有している。ＥＬ表示装置は、略矩形状の表示部ＤＹＰを有している。表示部ＤＹＰは、その周囲を外周部ＰＡに囲まれている。
【００１５】
アレイ基板１００は、支持基板としてガラス等の絶縁性基板ＧＬを有している。アレイ基板１００は、ＥＬ表示装置の表示部ＤＹＰにおいて、支持基板上に略矩形状の発光部ＥＭを有している。発光部ＥＭは、マトリクス状に配置された複数の表示画素ＰＸを有している。
【００１６】
図１に示すように、発光部ＥＭには、表示画素ＰＸの配列する行に沿って配置された走査線Ｙ（Ｙ１、Ｙ２、・・・）と、表示画素ＰＸの配列する列に沿って配置された信号線Ｘ（Ｘ１、Ｘ２、・・・）とが配置されている。
【００１７】
外周部ＰＡにおいて、アレイ基板１００は外部駆動回路からの信号に基づいて各表示画素を駆動する走査線駆動回路、および信号線駆動回路等を有する駆動回路部１０１を有している。また外周部ＰＡには、コントローラ等の外部回路を接続する接続部ＣＮを有している。
【００１８】
走査線駆動回路は走査線Ｙに接続され、表示画素ＰＸを行毎に順次駆動する。信号線駆動回路は信号線Ｘに接続され、走査線Ｙによって駆動された表示画素ＰＸに画像信号を送信する。
【００１９】
さらに、アレイ基板１００の発光部ＥＭには、走査線Ｙと略平行に延びる電源ラインＰが配置されている。表示画素ＰＸは、走査線Ｙにそのゲート電極において接続された第1スイッチ１０と、ゲート電極が第1スイッチ１０のドレイン電極に接続されている第２スイッチ２０と、を有している。
【００２０】
第２スイッチ２０のソース電極は、電源ラインＰに接続され、第２スイッチ２０のドレイン電極は、発光素子４０に接続されている。第２スイッチ２０のゲート電極およびソース電極間はキャパシタ３０によって結合されている。
【００２１】
表示画素ＰＸは、自発光素子である発光素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）のいずれかを有する表示画素ＰＸＲ、ＰＸＧ、ＰＸＢを有している。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００２２】
図２に示すように、本実施形態に係るＥＬ表示装置では、アレイ基板１００はガラス基板等の絶縁性基板ＧＬを有している。絶縁性基板ＧＬ上には、スイッチング素子１０、２０等のＴＦＴ回路１０２が配置されている。このＴＦＴ回路１０２の上層には平坦化層１０４が配置されている。本実施形態に係るＥＬ表示装置の場合、平坦化層１０４は樹脂によって形成されているとともに、ＴＦＴ回路１０２を露出させるコンタクトホールＣＨを有している。
【００２３】
平坦化層１０４の上層には、反射層ＲＬが配置されている。反射層ＲＬの上層には第１電極Ｅ１が配置されている。第１電極は、表示画素ＰＸ毎に独立して配置されている。
【００２４】
第１電極Ｅ１の上層には、表示画素ＰＸの周囲において、リブ層ＬＩＢが配置されている。本実施形態に係るＥＬ表示装置では、リブ層ＬＩＢは、図２に示すように、その厚さが表示画素ＰＸよりも厚い層であって、図３に示すように発光部ＥＭにわたって格子状に配置されている。すなわち、本実施形態に係るＥＬ表示装置では、リブ層ＬＩＢは一体となっている。
【００２５】
本実施形態に係るＥＬ表示装置では、リブ層ＬＩＢと、平坦化層１０４との間に無機バリア層１０６が配置されている。無機バリア層１０６は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）によって形成されている。
【００２６】
リブ層ＬＩＢの上層には、例えば、赤色、緑色、青色それぞれの光を発光する有機層ＥＬ（ＥＬＲ、ＥＬＧ、ＥＬＢ）が配置されている。有機層ＥＬは、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を有している。有機層ＥＬの上層には第２電極Ｅ２が配置されている。第２電極Ｅ２は、全ての第１電極Ｅ１と対向するように配置されている。
【００２７】
有機層ＥＬは、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に印加される電位によって発光する。有機層ＥＬから出射された光は、反射層ＲＬで封止基板２００側に反射される。
【００２８】
封止基板２００は、アレイ基板１００の発光部ＥＭと対向するように配置されている。アレイ基板１００と封止基板２００とは、外周部ＰＡにおいて、表示部ＤＹＰを囲むように配置されたシール材３００によって一体となっている。
【００２９】
本実施形態に係るＥＬ表示装置では、シール材３００として樹脂材料からなる樹脂シールを用いている。本実施形態に係るＥＬ表示装置では、表示部ＤＹＰに乾燥剤（図示せず）が配置されている。
【００３０】
次に、本実施形態に係るＥＬ表示装置の製造方法について以下に説明する。まず、アレイ基板１００を形成する。すなわち、支持基板上に複数の表示画素ＰＸのそれぞれに配置されるＴＦＴ回路１０２を形成する。
【００３１】
最初に、ＴＦＴ回路１０２上に、樹脂性平坦化層１０４を成膜し、この樹脂性平坦化層１０４の所定の位置にコンタクトホールＣＨをパターンニングにより形成した。樹脂性平坦化層１０４上には、反射層ＲＬを成膜およびパターンニングし、反射層ＲＬ上に、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）で無機バリア層１０６を形成した。
【００３２】
無機バリア層１０６上には、例えば透明な陽極電極材料であるＩＴＯ等で第１電極Ｅ１を形成した後、有機層ＥＬ以外において短絡するのを防止するために絶縁性材料でリブ層ＬＩＢを形成する。このとき、リブ層ＬＩＢは、その厚さが表示画素ＰＸよりも厚くなるように形成する。本実施形態に係るＥＬ表示装置では、例えば厚さが３μｍのリブ層ＬＩＢを形成する。
【００３３】
リブ層ＬＩＢによって仕切られた間の第１電極Ｅ１上に、例えば正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等からなる有機層ＥＬを形成する。すなわち、アレイ基板１００を抵抗加熱方式の有機ＥＬ成膜装置にセットし、有機ＥＬ材料として、例えば、正孔輸送層となるα−ＮＰＤを２００ｎｍ、発光層兼、電子輸送層となるＡｌｑ３を５０ｎｍ、電子注入層兼、ＩＴＯダメージバッファ層となるＭｇＡｇを２ｎｍ順次成膜した。
【００３４】
さらに、有機層ＥＬ上には、プラズマコーティング法を用いてＩＴＯ成膜を施した。このとき、ＩＴＯは膜厚約１００ｎｍであった。
【００３５】
次に、封止基板２００を形成する。すなわち、表示部ＤＹＰ全体を覆うことのできる透明ガラス基板等の絶縁性基板（図示せず）を用意し、表示部ＤＹＰに対向する部分に凹部（図示せず）を形成し乾燥剤（図示せず）を配置して封止基板２００を形成する。
【００３６】
この絶縁性基板上に所定パターンのＵＶ樹脂型シールパターンを形成した後、位置合わせをしてアレイ基板１００と貼りあわせ、ＵＶ照射によってシール樹脂硬化を行う。これら一対の基板に割断、周辺回路実装を実施して有機ＥＬパネルを作成した。
【００３７】
ここで、例えば、図２に示すようにアレイ基板１００のリブ層ＬＩＢの上層に配置された第２電極にピンホールＰＨが生じている場合であっても、本実施形態に係るＥＬ表示装置ではリブ層ＬＩＢと平坦化層１０４との間には無機バリア層が配置されているため、リブ層ＬＩＢに吸収された水分が平坦化層１０４にまで広がることが無い。
【００３８】
したがって、本実施形態に係るＥＬ表示装置によれば、ダークスポットの発生を抑制し、表示品位の良好なＥＬ表示装置を提供することができる。
【００３９】
また、本実施形態に係るＥＬ表示装置では、リブ層ＬＩＢの厚さが表示画素ＰＸのよりも厚くなっていることから、製造過程において、マスクの摩擦によって表示画素を損傷させることを防止することができる。
【００４０】
次に、本発明の第２実施形態に係るＥＬ表示装置について、図面を参照して以下に説明する。なお、以下の説明において、上述した第１実施形態に係るＥＬ表示装置と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４１】
本実施形態に係るＥＬ表示装置は、上述の第１実施形態にかかるＥＬ表示装置と同様に上面発光型のＥＬ表示装置である。本実施形態に係るＥＬ表示装置は、リブ層ＬＩＢの構成以外は上述の第１実施形態に係るＥＬ表示装置と同様である。図５に示すように、本実施形態にかかるＥＬ表示装置では、表示画素ＰＸの周囲に配置されたリブ層ＬＩＢが複数の島状に分離されている。
【００４２】
すなわち、リブ層ＬＩＢは、少なくとも平坦化層１０４に設けられたコンタクトホールＣＨを覆うように配置されている。図４に示す場合では、コンタクトホールＣＨ上と、信号線Ｘが配置される領域上に島状のリブ層ＬＩＢを配置し、さらに、隣に配置されるリブ層ＬＩＢ同士が接触しないように配置されている。
【００４３】
したがって、本実施形態に係るＥＬ表示装置において、例えば、図４に示すようにアレイ基板１００のリブ層ＬＩＢの上層に配置された第２電極にピンホールＰＨが生じている場合であっても、本実施形態に係るＥＬ表示装置ではリブ層ＬＩＢと平坦化層１０４との間には無機バリア層が配置されているため、リブ層ＬＩＢに吸収された水分が平坦化層１０４にまで広がることが無い。
【００４４】
さらに、本実施形態に係るＥＬ表示装置では、リブ層ＬＩＢが複数の島状に分離されて配置されているため、例え１つのリブ層ＬＩＢに水分が侵入したとしても、隣に配置されたリブ層ＬＩＢにまで広がることが無い。
【００４５】
したがって、本実施形態に係るＥＬ表示装置によれば、第１実施形態に係るＥＬ表示装置より効果的に、ダークスポットの発生を抑制し、表示品位の良好なＥＬ表示装置を提供することができる。
【００４６】
ここで、コンタクトホールＣＨでは、第１電極Ｅ１とスイッチ回路ＳＷとが導通している。コンタクトホールＣＨ、及び第１電極Ｅ１に導通する配線上には、仮にリブ層ＬＩＢが形成されなくても、後の有機層ＥＬを形成する工程によってＥＬ材料が蒸着されるため、第１電極Ｅ１と有機層ＥＬ上に蒸着される第２電極Ｅ２と第１電極Ｅ１とが導通しない構成になっている。
【００４７】
しかし、本実施形態に係るＥＬ表示装置によれば、有機層ＥＬのピンホール等により第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２とが導通する可能性を低減させ、製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【００４８】
次に第３実施形態に係るＥＬ表示装置について、図面を参照して以下に説明する。本実施形態に係るＥＬ表示装置は、第１実施形態に係るＥＬ表示装置と同様に、上面発光型のＥＬ表示装置である。
【００４９】
図５に示すように、本実施形態に係るＥＬ表示装置は、無機バリア層１０６が第１電極Ｅ１上に配置されている以外は、上述の第１実施形態に係るＥＬ表示装置と同様の構成である。
【００５０】
すなわち、図５に示すように、アレイ基板１００の絶縁性基板ＧＬ上には、ＴＦＴ回路１０２が配置され、ＴＦＴ回路１０２上にはコンタクトホールＣＨを有する平坦化層１０４が配置されている。平坦化層１０４上には反射層ＲＬと第１電極Ｅ１とが配置され、コンタクトホールＣＨによって、第１電極Ｅ１とＴＦＴ回路１０２とが導通している。
【００５１】
本実施形態に係るＥＬ表示装置では、反射層ＲＬ上に第１電極Ｅ１が配置され、第１電極Ｅ１上に無機バリア層１０６が配置されている。無機バリア層１０６は、表示画素ＰＸの周囲に配置されている。
【００５２】
無機バリア層１０６上にはリブ層ＬＩＢが配置されている。本実施形態に係るＥＬ表示装置では、リブ層ＬＩＢは、第１実施形態に係るＥＬ表示装置と同様に、表示画素ＰＸの周囲において、表示部ＤＹＰにわたって格子状に配置されている。
【００５３】
リブ層ＬＩＢ上には有機層ＥＬが配置され、有機層ＥＬ上に第２電極Ｅ２が配置されている。
【００５４】
上記のように、無機バリア層１０６を表示画素ＰＸの周囲において第１電極Ｅ１上に配置した場合であっても、上述の第１実施形態に係るＥＬ表示装置と同様の効果を得ることができる。
【００５５】
次に、本発明の第４実施形態に係るＥＬ表示装置について図面を参照して以下に説明する。本実施形態に係るＥＬ表示装置は、リブ層ＬＩＢの構成以外は上述の第３実施形態に係るＥＬ表示装置と同様である。
【００５６】
すなわち、本実施形態に係るＥＬ表示装置では、図４に示すように、本実施形態にかかるＥＬ表示装置では、表示画素ＰＸの周囲に配置されたリブ層ＬＩＢが複数の島状に分離されている。
【００５７】
すなわち、リブ層ＬＩＢは、少なくとも平坦化層１０４に設けられたコンタクトホールＣＨを覆うように配置されている。図４に示す場合では、コンタクトホールＣＨ上と、信号線Ｘが配置される領域上に島状のリブ層ＬＩＢを配置し、さらに、隣に配置されるリブ層ＬＩＢ同士が接触しないように配置されている。
【００５８】
なお、本実施形態にかかるＥＬ表示装置の場合は、コンタクトホールＣＨ及び信号線Ｘ上には無機バリア層１０６が配置されているため、リブ層ＬＩＢは島状に分離されていればコンタクトホールＣＨ及び信号線Ｘ上を必ずしも覆う必要はない。
【００５９】
上記のように、無機バリア層１０６を第１電極Ｅ１上に配置するとともに、リブ層ＬＩＢを島状に分離した場合であっても、上述の第２実施形態に係るＥＬ表示装置と同様の効果を得ることができる。
【００６０】
上記の第１乃至第４実施形態に係るＥＬ表示装置および比較例に係るＥＬ表示装置についての評価をいった。比較例に係るＥＬ表示装置は、図７および図８に示すように、アレイ基板１００が無機バリア層１０６を有していないとともに、リブ層ＬＩＢが表示画素ＰＸの周囲において、図３に示すように表示部ＤＹＰにわたって格子状に配置されている。
【００６１】
以下に、その評価方法を説明する。なお、この評価においては、本発明の採用有無の結果を顕著に確認するために、通常必要な乾燥剤をパネル内部に設置する事なく実施した。
【００６２】
この評価では、４００×５００基板上に３．５インチパネル２４面分の低温ポリシリコンＴＦＴを形成し、上述した製造方法によって第１乃至第４実施形態に係るＥＬ表示装置および比較例に係るＥＬ表示装置のアレイ基板１００を形成した。
【００６３】
そして、第１乃至第４実施形態に係るＥＬ表示装置および比較例に係るＥＬ表示装置のアレイ基板１００を、それぞれ２４枚ずつ用いて、高温高湿層（８５℃×８５％ＲＨ）中に放置した。その後、所定時間経過毎に、表示確認を行ってダークスポットの発生状況を目視にて観察した。上記のように行った評価結果を図６に示す。
【００６４】
図６に示すように、第１実施形態に係るＥＬ表示装置（図６に示すパネルＢ）については、比較例に係るＥＬ表示装置（図６に示すパネルＡ）と比較して、いずれかのパネルにダークスポットが生じるまでの時間が長かった。
【００６５】
また、第２実施形態に係るＥＬ表示装置にかかるＥＬ表示装置（図６に示すパネルＣ）については、第１実施形態に係るＥＬ表示装置よりもさらに、いずれかのパネルにダークスポットが生じるまでの時間が長かった。
【００６６】
第３実施形態に係るＥＬ表示装置（図６に示すパネルＤ）についても同様に、比較例に係るＥＬ表示装置と比較して、いずれかのダークスポットが生じるまでの時間が長くなっている。
【００６７】
また、第４実施形態に係るＥＬ表示装置にかかるＥＬ表示装置（図６に示すパネルＥ）については、第３実施形態に係るＥＬ表示装置よりもさらに、いずれかのパネルにダークスポットが生じるまでの時間が長かった。
【００６８】
すなわち、上記の評価によれば、第１電極Ｅ１の上層または下層のいずれに無機バリア層１０６を形成する場合であっても、リブ層ＬＩＢと平坦化層１０４との間に無機バリア層１０６を配置することによって、第２電極Ｅ２のピンホールＰＨからリブ層ＬＩＢ内に浸入した水分がリブ層ＬＩＢから更に平坦化層１０４に拡散することを防止することができた。
【００６９】
その結果、ダークスポットの発生を抑制し、表示品位の良好なＥＬ表示装置を提供することができることができた。
【００７０】
また、リブ層ＬＩＢを島状に分離するとともに、隣に配置されたリブ層ＬＩＢ同士が接触しないように配置することにより、第２電極Ｅ２にピンホールが生じた場合であってもリブ層ＬＩＢ内に浸入した水分が隣り合うリブ層ＬＩＢに浸入拡散することを防止できた。
【００７１】
すなわち、リブ層ＬＩＢと平坦化層１０４との間に無機バリア層１０６を配置し、さらにリブ層ＬＩＢを上記のように配置することによって、より効果的にダークスポットの発生を抑制することができた。
【００７２】
すなわち、上述の第１乃至第４実施形態に係るＥＬ表示装置によれば、ダークスポットの発生を抑制し、表示品位の良好なＥＬ表示装置を提供することができる。
【００７３】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。例えば、本発明は表示期間と非表示期間とを有する表示装置であれば、液晶表示装置以外でも適用することができる。
【００７４】
例えば、第１電極Ｅ１の上層と下層との両方に無機バリア層１０６を形成しても良い。その場合には、上述の第１乃至第４実施形態に係るＥＬ表示装置に対して更なる効果を得ることができる。
【００７５】
また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００７６】
例えば、上述の第１乃至第４実施形態に係るＥＬ表示装置は全て無機バリア層１０６を有しているが、無機バリア層１０６を有していない場合であっても、リブ層ＬＩＢが複数の島状に分離され、隣に配置されるリブ層ＬＩＢ同士が接触しないように配置されている場合には、ダークスポットの発生を抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＥＬ表示装置の概略的な構成の一例を示す図。
【図２】図１に示すＥＬ表示装置のアレイ基板の断面の一例を概略的に示す図。
【図３】図２に示すアレイ基板を封止基板側から見た構成の一例を概略的に示す図。
【図４】本発明の第２実施形態に係るＥＬ表示装置のアレイ基板を封止基板側から見た構成の一例を概略的に示す図。
【図５】本発明の第３実施形態に係るＥＬ表示装置のアレイ基板の断面の一例を概略的に示す図。
【図６】本発明の第１乃至第４実施形態に係るＥＬ表示装置についての一評価結果を示す図。
【図７】本発明の比較例に係るＥＬ表示装置のアレイ基板の断面の一例を概略的に示す図。
【図８】図７に示すアレイ基板を封止基板側から見た構成の一例を概略的に示す図。
【符号の説明】
【００７８】
ＤＹＰ…表示部、ＰＸ…表示画素、Ｅ１…第１電極、ＬＩＢ…リブ層、Ｅ２…第２電極、１００…アレイ基板、１０４…平坦化層、１０６…無機バリア層、２００…封止基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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