(57)【要約】【課題】各受光部の入射光の回折効果による入射光広がりによる感度低下を抑制する。【解決手段】少なくとも受光部８の一部上を含む電極３上に入射光の位相を反転させる遮光膜６を形成することにより、各受光部８の入射光の回折効果による入射光広がりが抑制され、受光部８の入射光量が増加するとともに受光部８以外へのノイズ成分が低減されるために、感度増大およびスミア増加を効果的に低減することができる。【選択図】図１
2008041847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光部と前記受光部と１対１で対応する電荷読み出し部より成る固体撮像装置であって、
半導体基板表面に形成されて入射光を電荷に変換する受光部と成るフォトダイオードと、
前記半導体基板表面に前記フォトダイオードと前記半導体基板をはさんで形成される電荷読み出し部と成るＣＣＤと、
前記フォトダイオードおよび前記ＣＣＤを含む前記半導体基板表面全面に形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記フォトダイオードを部分的に覆って形成される反射防止膜と、
前記反射防止膜の形成領域外の前記絶縁膜上に形成される電極と、
前記反射防止膜を露出して少なくとも一部が前記フォトダイオード上部に形成されて前記入射光の位相を反転させる第１の遮光膜と
を有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
複数の受光部と前記受光部と１対１で対応する電荷読み出し部より成る固体撮像装置であって、
半導体基板表面に形成されて入射光を電荷に変換する受光部と成るフォトダイオードと、
前記半導体基板表面に前記フォトダイオードと前記半導体基板をはさんで形成される電荷読み出し部と成るＣＣＤと、
前記フォトダイオードおよび前記ＣＣＤを含む前記半導体基板表面全面に形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記フォトダイオードを部分的に覆って形成される反射防止膜と、
前記反射防止膜の形成領域外の前記絶縁膜上に形成される電極と、
前記反射防止膜を露出して前記電極上に形成されて少なくとも一部が前記フォトダイオード上部に形成されて前記入射光の位相を反転させる第１の遮光膜と、
前記第１の遮光膜と直交して形成される第２の遮光膜と
を有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１の遮光膜は透過率が５％〜４０％であるであることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１の遮光膜は受光部上では透過率が５％〜４０％であり、前記電極上では透過率が１％以下であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１の遮光膜はポリシリコンの単一の材料からなることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１の遮光膜は位相反転する材料と透過率を制御する材料の２層からなることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１の遮光膜の膜厚は、前記入射光受光部へ赤色の波長に対して位相を１８０度反転させる膜厚とすることを特徴とする請求項１または請求項２記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は受光部で取り込んだ入力光をＣＣＤを通して取り出す固体撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、固体撮像装置としては信号電荷の読み出しにＣＣＤ（電荷結合素子）を使用したものが主流となっている。この固体撮像装置は、図７の従来の固体撮像装置における入力光変換機構を示す図に示すように、入力した光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換蓄積部である受光部８を２次元配置し、蓄積された信号電荷を垂直ＣＣＤ部９及び水平ＣＣＤ部２１を通して取り出すものである。
【０００３】
図６は従来の固体撮像装置を示す断面図および断面に対応した特性を示す図であり、図６（ａ）は従来の固体撮像装置を示す断面図、図６（ｂ），図６（ｃ）は断面位置に対応した特性を示す図である。
【０００４】
固体撮像装置は、光電変換によって信号電荷を得るための受光部（フォトダイオード）８を形成したシリコン基板１上に絶縁膜２を介して転送電極３が形成され、さらに、熱酸化膜とＣＶＤ法で形成された絶縁膜４、ならびに、受光部８上方に開口を有する遮光膜６、酸化膜からなる層間絶縁膜７および層内レンズ１２と、図示しないが層内レンズ上に表面保護膜、平坦化膜、カラーフィルタ、およびマイクロレンズが順に積層された構造を有している。受光部８はＣＣＤ部と交互に並ぶように２次元的に配置されており、一対の受光部８とＣＣＤ部が一画素を構成している。
【０００５】
層内レンズ１２で集光された入射可視光は、カラーフィルタにより、画素ごとに赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、および青色光（Ｂ）の３原色に分離される。分離された赤色光はＲ用受光部に入射され、緑色光はＧ用受光部に入射され、青色光はＢ用受光部に入射される。
【０００６】
このような固体撮像装置においては、シリコン酸化膜（ゲート酸化膜６）、ならびに表面保護膜や平坦化膜として用いられるシリコン酸化膜系材料とシリコン基板１の屈折率の差により、シリコン基板１表面において入射光が反射するために受光部８まで到達する光が損失し、感度の低下を招くため、受光部８の上方にシリコン窒化膜からなる反射防止膜５を設けることにより、多重干渉効果を利用して入射光の反射を低減し、感度の向上を図られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平４−１０９６７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、近年固体撮像装置の高画素化に伴い、受光部面積が小さくなり遮光膜開口がフォトダイオードへの入射光の波長以下になっており、回折効果により受光部以外に入射光が広がり感度低下、スミアの原因となる。図６（ｂ）は受光部の遮光膜上の入射光振幅分布，図６（ｃ）は受光部での入射光強度分布を示している。図６（ｃ）に示すように遮光部の開口幅が入射光の波長より小さくなるとフレネル回折によりＮ型の受光部以外の領域にも入射光が広がるため、受光部以外で発生した電子が垂直ＣＣＤ部に流れ込むためにスミアが発生する上、入射光が受光部以外に流出するために感度が低下するという問題がある。
【０００８】
さらに、文献１に示すようにＨＤ用固体撮像装置において高速転送のために転送ゲートに裏打ちされた第１の金属膜で読み出し方向の遮光を行い、第１の金属膜と直交して形成された第２金属膜が、第１金属間金属膜で形成されていない受光素子間のチャンネルストップ領域を覆う２重遮光構造が採用されている。しかしながらこのような２重遮光を用いると、第２金属膜で形成された遮光膜と受光部間距離がひろがり、ますます受光部外への入射光の回折による広がりにより感度、スミアがより低下するという問題がある。
【０００９】
本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであって、受光部に入射する全ての波長領域の可視光に対して入射光の回折効果による広がりによる感度低下、スミアを効果的に抑制し、出力画像の画質が良好で高感度な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の請求項１記載の固体撮像装置は、複数の受光部と前記受光部と１対１で対応する電荷読み出し部より成る固体撮像装置であって、半導体基板表面に形成されて入射光を電荷に変換する受光部と成るフォトダイオードと、前記半導体基板表面に前記フォトダイオードと前記半導体基板をはさんで形成される電荷読み出し部と成るＣＣＤと、前記フォトダイオードおよび前記ＣＣＤを含む前記半導体基板表面全面に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記フォトダイオードを部分的に覆って形成される反射防止膜と、前記反射防止膜の形成領域外の前記絶縁膜上に形成される電極と、前記反射防止膜を露出して少なくとも一部が前記フォトダイオード上部に形成されて前記入射光の位相を反転させる第１の遮光膜とを有することを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載の固体撮像装置は、複数の受光部と前記受光部と１対１で対応する電荷読み出し部より成る固体撮像装置であって、半導体基板表面に形成されて入射光を電荷に変換する受光部と成るフォトダイオードと、前記半導体基板表面に前記フォトダイオードと前記半導体基板をはさんで形成される電荷読み出し部と成るＣＣＤと、前記フォトダイオードおよび前記ＣＣＤを含む前記半導体基板表面全面に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記フォトダイオードを部分的に覆って形成される反射防止膜と、前記反射防止膜の形成領域外の前記絶縁膜上に形成される電極と、前記反射防止膜を露出して前記電極上に形成されて少なくとも一部が前記フォトダイオード上部に形成されて前記入射光の位相を反転させる第１の遮光膜と、前記第１の遮光膜と直交して形成される第２の遮光膜と有することを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載の固体撮像装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記第１の遮光膜は透過率が５％〜４０％であるであることを特徴とする。
【００１３】
請求項４記載の固体撮像装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記第１の遮光膜は受光部上では透過率が５％〜４０％であり、前記電極上では透過率が１％以下であることを特徴とする。
【００１４】
請求項５記載の固体撮像装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記第１の遮光膜はポリシリコンの単一の材料からなることを特徴とする。
【００１５】
請求項６記載の固体撮像装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記第１の遮光膜は位相反転する材料と透過率を制御する材料の２層からなることを特徴とする。
【００１６】
請求項７記載の固体撮像装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記第１の遮光膜の膜厚は、前記入射光受光部へ赤色の波長に対して位相反転作用を有する膜厚とすることを特徴とする。
【００１７】
以上により、受光部に入射する全ての波長領域の可視光に対して入射光の回折効果による広がりによる感度低下、スミアを効果的に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、少なくとも受光部の一部上を含む電極上に入射光の位相を反転させる遮光膜を形成することにより、各受光部の入射光の回折効果による入射光広がりが抑制され、受光部の入射光量が増加するとともに受光部以外へのノイズ成分が低減されるために、感度増大およびスミア増加を効果的に低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。
（実施の形態１）
図１は実施の形態１における固体撮像装置を示す断面図および断面に対応した特性を示す図であり、図１（ａ）は実施の形態１における固体撮像装置を示す断面図、図１（ｂ），図１（ｃ）は断面位置に対応した特性を示す図である。図１では受光部と垂直ＣＣＤ部の１対が示されているが、通常は、図７のように、受光部が複数個並んで２次元的に配列され、いくつかの受光部毎に対応するＣＣＤ部が挿入される構成となる。
【００２０】
図７において、固体撮像装置は受光部８を構成する光電変換を行う半導体基板の表面に形成されたフォトダイオードと垂直転送ＣＣＤ部９とからなる撮像領域と垂直転送ＣＣＤ部９から転送された信号電荷を出力部に転送する水平転送ＣＣＤ部２１からなっている。
【００２１】
図１において、１は半導体基板としてここではシリコン基板、２は該シリコン基板１上に形成されたゲート絶縁膜、３は金属ゲートより成る垂直転送電極、４は層間絶縁膜である。
【００２２】
さらに、６は透過率が５〜４０％でフォトダイオード上への入射光に対して位相が反転するハーフトーン遮光膜であり、少なくとも一部が受光部８上に形成される。ハーフトーン遮光膜厚６は、ｔ＝λ／ａ（Ｎｘ―Ｎｏ）（ただし、λは赤色フィルターを中心波長、Ｎｘはハーフトーン遮光膜の屈折率、Ｎｏはシリコン酸化膜の屈折率、ａは１．３≦ａ≦４の範囲の値である）の関係となるように調整する。
【００２３】
また、５は受光部８であるフォトダイオードの上層を成す層として形成された反射防止膜で、例えば、厚さ２０ｎｍから４０ｎｍのＬＰ−ＳｉＮからなり、固体撮像装置において全面的に形成されている。７はＢＰＳＧからなる層間絶縁膜、８はシリコン基板１の表面部に形成された受光部、９は各受光部８の垂直列に対応して形成された垂直ＣＣＤ部、１０は受光部と垂直ＣＣＤ部９との間に形成された読み出しゲート部、１１はチャンネルストップ、１２は層内レンズである。
【００２４】
なお、この固体撮像装置では、図示はしないがその上にシリコン酸化膜系材料からなる表面保護膜、平坦化膜、カラーフィルタ、およびマイクロレンズが順に形成されている。  次に、図１（ｂ）はフォトダイオードの電場分布、図１（ｃ）はフォトダイオードへの入射光振幅分布を示し、横軸は、図１（ａ）の断面図の幅方向に対応する。
【００２５】
図１（ｂ）に示すようにポリシリコンのハーフトーン遮光膜６を通過した入射光は、遮光膜６が入射光の位相を反転させるため、遮光膜６のエッジ部で受光部８であるフォトダイオードへの入射光の位相が反転し、ポリシリコン開口部との入射光と干渉して、図１（ｃ）に示すように、反射防止膜５で覆われた光透過部とハーフトーン遮光膜６の境界の直下で光強度はほぼ０となる。その結果光強度分布の広がりが押さえられ、感度向上およびスミア低減効果が得られる。
【００２６】
なお、上記透過率の設定は、本発明の効果を得るには５％以上が望ましく、さらに透過率の上限は実用的なプロセスのばらつき等を考慮すると３０％程度が望ましいが、これ以上でも効果は得られる。さらに、本発明においてゲート電極材料として金属材料がもちいられているために転送電極下の透過率は１％以下となる。
【００２７】
また、カラーフィルタを通過した入射光は、カラーフィルタの性能により波長分散があるがカラーフィルタを通過した赤色近傍の波長を有する入射光に対して、ハーフトーン遮光膜６による位相の反転効果により遮光膜エッジで干渉して開口からの入射光広がりが抑制される。
【００２８】
また、ハーフトーン遮光膜６の材料は、主にポリシリコンの単一材料が用いられるがポリシリコンに限らず、所望の透過率が得られ、かつ透過した光の位相が遮光膜の開口部を通過した光の位相に対しほぼ反転できれば、如何なる材料でも適用可能である。
【００２９】
また、上記実施の形態ではハーフトーン遮光膜６を単一の膜で構成したが、図２の実施の形態１における２層遮光膜を設ける固体撮像装置を示す断面図に示すように、位相と透過率を両立するために例えばポリシリコンとＷ膜などの２層構造を用いて、位相反転をポリシリコン膜１５、透過率をＷ膜１６で制御してもよい。
【００３０】
また、本発明の実施の形態では、受光部への入射光の中でもっとも長波長で回折広がりが大きな赤色に関して説明したが、フィルター毎に入射光の波長に対して遮光膜の位相を１８０度位相反転させるようにハーフトーン遮光膜の膜厚を調整することにより各色毎での回折光広がりを抑制し、感度およびスミアを向上することもできる。
【００３１】
次に、本実施の形態における固体撮像装置の製造方法について、一例を説明する。
図３は実施の形態１における固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
先ず、ｐ型シリコン基板１にｎ型不純物をイオン注入することによってフォトダイオードである受光部８を形成し、熱酸化によって膜厚５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２を成長させる。
【００３２】
次に、ゲート絶縁膜２上にＣＶＤ法によりポリシリコン膜１３を成膜し、さらに、ＷＳｉ（シリサイド）膜１４を例えばスパッタにより積層して形成し、リソグラフィ工程によりＣＣＤ電極形成領域上にポジレジストを形成してＷＳｉ膜１４およびポリシリコン膜１３を選択エッチングすることにより転送電極３を形成する。
【００３３】
その後、熱酸化とＣＶＤ法により転送電極３をシリコン酸化膜で被覆し、層間絶縁膜４とする。
その後、例えば、ＬＰ−ＣＶＤ法により、受光部８を部分的に覆うようにＳｉＮからなる反射防止膜５を成膜し、全面にシリコン酸化膜２２をＣＶＤにより形成する。該シリコン酸化膜２２は後で形成される遮光膜の選択エッチングの際にバッファ層とするためのものである（図３（ａ））。
【００３４】
次に、例えばＣＶＤ法によりポリシリコン膜１５を全面的に堆積し（図３（ｂ））、さらにポリシリコン膜１５からなるハーフトーン遮光膜を選択的にエッチングすることにより各受光部８上に受光窓を形成する（図３（ｃ））。
【００３５】
赤色波長を７００ｎｍとするとポリシリコン膜１５の屈折率は４．３，層間絶縁膜４の膜厚は１．５ｎｍなので、そのときのポリシリコン膜１５の膜厚は１１０ｎｍまたは３３０ｎｍになる。また消衰係数は、０．１８なので透過率を４０％以下にするためにポリシリコン膜１５の膜厚は３３０ｎｍとなる。
【００３６】
その後、図示しないが、ＣＶＤ法により層間絶縁膜としてＢＰＳＧ膜を成膜後、８００℃の高温でリフローする。さらに、周知の技術を用いてシリコン窒化膜からなる層内レンズを形成後、保護用ＰＳＧ膜を全面的に形成し、その上に、平坦化膜、カラーフィルタ、マイクロレンズを形成し、固体撮像装置を得る。
【００３７】
本発明の実施例では、ハーフトーン遮光膜の透過率を調整するために  位相を１８０度の３倍の膜厚としたが、ハーフトーン遮光膜を、ポリシリコン１００ｎｍ、Ｗ２０ｎｍの積層構造にして位相差を１８０度にすると層内レンズと受光部間距離が小さくなるので、さらに感度、スミアが改善する。
（実施の形態２）
次に、実施の形態２における固体撮像装置の製造方法について、一例を説明する。
【００３８】
図４は実施の形態２における固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
実施の形態１との相違点は、転送電極が、金属膜でなく入射光が転送電極に照射されないよう転送電極上にＷ膜などの遮光膜を形成することである。
【００３９】
先ず、ｐ型シリコン基板１にｎ型不純物をイオン注入することによってフォトダイオードである受光部８を形成し、熱酸化によって膜厚５０ｎｍのシリコン酸化膜からなる絶縁膜２を成長させる。
【００４０】
次に、ポリシリコン膜１３をＣＶＤにより形成し、リソグラフィ工程によりＣＣＤ電極形成領域上にポジレジストを形成してポリシリコン膜１３を選択エッチングすることにより転送電極を形成する。
【００４１】
その後、熱酸化とＣＶＤ法により転送電極をシリコン酸化膜で被覆し、層間絶縁膜４とする。
その後、受光部８を部分的に覆うように、例えばＬＰ−ＣＶＤ法によりＳｉＮからなる反射防止膜５を成膜し、全面にシリコン酸化膜２２をＣＶＤにより形成する。このシリコン酸化膜２２は後で形成されるからなる遮光膜の選択エッチングの際にバッファ層とするためのものである。
【００４２】
次に、例えばＣＶＤ法によりＷ膜１８を全面的に形成し、Ｗ膜１８を選択的にエッチングすることによりポリシリコン膜１３よりなる転送電極を遮光する遮光膜を形成する（図４（ａ））。
【００４３】
次に、プラズマＣＶＤ装置を用いて全面的に、位相を反転させるハーフトーン遮光膜となるポリシリコン膜１５を１１０ｎｍ厚成膜し（図４（ｂ））、次に、ポリシリコン膜１５を選択的にエッチングすることにより各受光部８上に受光窓を形成する（図４（ｃ））。
【００４４】
その後、図示しないが、ＣＶＤ法により層間絶縁膜としてＢＰＳＧ膜を成膜後、８００℃の高温でリフローする。さらに、周知の技術を用いてシリコン窒化膜からなる層内レンズを形成後、保護用ＰＳＧ膜を全面的に形成し、平坦化膜、カラーフィルタ、マイクロレンズを形成して固体撮像装置を得る。本発明により転送電極上に光が入射されないために転送電極として金属以外のポリシリコン材料を使用することができる。
【００４５】
以上のように、遮光膜としてＷ膜を用いても、光強度分布の広がりが押さえられ、感度向上およびスミア低減効果が得られる。
（実施の形態３）
次に、実施の形態３における固体撮像装置の製造方法について、一例を説明する。図５は実施の形態３における固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図であり、図５（ａ）は固体撮像装置の受光部と転送ゲートに対する遮光膜のレイアウト、図５（ｂ）は読みだし方向の断面図、（ｃ）は垂直分離方向の断面図である。
【００４６】
実施の形態１との相違点は、図５（ａ）に示すように第１の遮光膜１９と直交して形成された第２の遮光膜２０が、第１の遮光膜１９で遮光されていない受光部８間のチャンネルストップの領域を覆う２重遮光構造が採用されている点である。
【００４７】
実施の形態３に示す固体撮像装置の製造に際しては、先ず、ｐ型シリコン基板１にｎ型不純物をイオン注入することによってフォトダイオードである受光部８を形成し、熱酸化によって膜厚５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２を成長させる。
【００４８】
次に、ポリＳｉ膜をＣＶＤにより形成し、リソグラフィ工程によりＣＣＤ電極形成領域上にポジレジストを形成してポリシリコン膜を選択エッチングすることにより転送電極３を形成する。図５（ｃ）は垂直分離方向断面図を示すが、本発明の実施の形態では、第１の転送電極３横に第２の転送電極３３が垂直分離チャンネルストップ層２４上に同じマスク合わせ工程で形成されている。
【００４９】
次に、熱酸化とＣＶＤ法により転送電極３をシリコン酸化膜で被覆し、層間絶縁膜４とする。
次に、例えばＬＰ−ＣＶＤ法によりＳｉＮからなる反射防止膜５を成膜し、さらに、前面にシリコン酸化膜２２をＣＶＤにより形成する。シリコン酸化膜２２は後で形成される遮光膜の選択エッチングの際にバッファ層とするためのものである。
【００５０】
次に、例えばＣＶＤ法によりＷ膜１８を全面的に形成し、さらに、遮光膜であるＷ膜１８を選択的にエッチングすることにより第１の遮光膜１９を形成する。
次に、ＣＶＤ法によりＢＰＳＧ膜２３を成膜後、プラズマＣＶＤ装置を用いて全面的に、位相を反転させる遮光膜となるポリシリコン膜を１１０ｎｍ厚成膜し、次にタングステンで遮光されたストライプ型の第１の遮光膜１９に直交して、ポリシリコン膜を選択的にエッチングすることにより各受光部８上に第２の遮光膜２０を形成する。
【００５１】
この場合、第２の遮光膜２０の透過率を制御するためポリシリコン上に、タングステンを１０から２０ｎｍ積層で堆積するとよい。
その後、図示しないが、ＣＶＤ法によりＢＰＳＧ膜を成膜後、８００℃の高温でリフローする。
【００５２】
最後に、周知の技術を用いてシリコン窒化膜からなる層内レンズを形成後、保護用ＰＳＧ膜を全面的に形成し、平坦化膜、カラーフィルタ、マイクロレンズを形成し、固体撮像装置を得る。
【００５３】
本発明を用いることにより、遮光膜構造が２層に構成される場合、より受光部から離れた垂直分離チャンネルストップ上の第２の遮光膜からの入射光広がりが低減されるので感度向上、スミア低減が実現できる。さらに、本発明の実施の形態１で示したように読み出しゲート上に形成した第１の遮光膜も位相を１８０度反転させることにより読み出し方向の遮光膜からの入射光の広がりも低減できる。また、第１と第２の重なった領域では、第２の遮光膜を通過することで入射光強度が大部分低減されるため、上層の第２の遮光膜の位相反転効果により入射光広がりは低減される。
【００５４】
以上説明を行ったように、本実施の形態の固体撮像装置によれば、Ｒ用受光部に入射する赤色光に対して位相を１８０反転させる遮光膜を用いることにより開口部エッジでの回折効果による入射光広がりを小さくすることが可能となり、感度を２０％向上することが可能となる。また、同時に遮光膜エッジからの回折反射光によるスミア成分が低下する。その結果出力画像の画質が良好で高感度の固体撮像装置を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明に係る固体撮像装置は、受光部に入射する全ての波長領域の可視光に対して入射光の回折効果による広がりによる感度低下、スミアを効果的に抑制することができ、受光部で取り込んだ入力光をＣＣＤを通して取り出す固体撮像装置等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】実施の形態１における固体撮像装置を示す断面図および断面に対応した特性を示す図
【図２】実施の形態１における２層遮光膜を設ける固体撮像装置を示す断面図
【図３】実施の形態１における固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図
【図４】実施の形態２における固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図
【図５】実施の形態３における固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図
【図６】従来の固体撮像装置を示す断面図および断面に対応した特性を示す図
【図７】従来の固体撮像装置における入力光変換機構を示す図
【符号の説明】
【００５７】
１    シリコン基板
２    ゲート絶縁膜
３    転送電極
４    層間絶縁膜
５    反射防止膜
６    ハーフトーン遮光膜
７    層間絶縁膜
８    受光部
９    垂直ＣＣＤ部
１０    読み出しゲート部
１１    チャネルストップ
１２    層内レンズ
１３    ポリシリコン膜
１４    ＷＳｉ
１５    ポリシリコン膜
１６    Ｗ膜
１８    Ｗ膜
１９    第１の遮光膜
２０    第２の遮光膜
２１    水平ＣＣＤ部
２２    シリコン酸化膜
２３    ＢＰＳＧ膜
２４    垂直分離チャンネルストップ
３３    転送電極
【図１】
2008041847.tif 000003
【図２】
2008041847.tif 000004
【図３】
2008041847.tif 000005
【図４】
2008041847.tif 000006
【図５】
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【図６】
2008041847.tif 000008
【図７】
2008041847.tif 000009