(57)【要約】【課題】光の伝送経路が２つ以上あり、それらの伝送経路のうちある伝送経路が他の伝送経路を横切る場合であっても、クロストークの増加を抑えることが可能な積層導波路およびその作製方法を提供すること。【解決手段】第１の導波層３６と、第２の導波層３７とは積層されている。積層導波路は、ＶＣＳＥＬアレイ３１ａとＰＤアレイ３２ａとの間で光を伝送させる第１の伝送経路と、ＶＣＳＥＬアレイ３１ｂとＰＤアレイ３２ｂとの間で光を伝送させる第２の伝送経路と、第１の伝送経路に含まれ、第１の導波層３６に形成された高分子導波路３３ａと、第２の伝送経路に含まれ、第２の導波層３７に形成された高分子導波路３４ｂと備える。第１の伝送経路と前記第２の伝送経路とは、該第１の伝送経路と第２の伝送経路が交差する交差領域３８を有し、交差領域３８における、第１の伝送経路が高分子導波路３３ａであり、第２の伝送経路が高分子導波路３４ｂである。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの高分子導波路を有する第１の導波層と、少なくとも１つの高分子導波路を有する第２の導波層とを積層させた積層導波路であって、
第１の発光素子と第１の受光素子との間で光を伝送させるための第１の伝送経路と、
第２の発光素子と第２の受光素子との間で光を伝送させるための第２の伝送経路と、
前記第１の伝送経路に含まれ、前記第１の導波層に形成された第１の高分子導波路と、
前記第２の伝送経路に含まれ、前記第２の導波層に形成された第２の高分子導波路とを備え、
前記第１の伝送経路と前記第２の伝送経路とは、それぞれが別個の導波層に形成された、前記第１の高分子導波路と前記第２の高分子導波路とが交差することにより、交差していることを特徴とする積層導波路。
【請求項２】
前記第２の導波層は、第３の高分子導波路をさらに有し、
前記第１の高分子導波路の一方端は、所定の斜面角度を有する斜面である第１のミラー構造であり、
前記第３の高分子導波路の一方端は、所定の斜面角度を有する斜面である第２のミラー構造であり、
前記第１のミラー構造である斜面の下側と、前記第２のミラー構造の斜面の下側とが合わさり、前記第１のミラー構造にて反射された、前記第１の高分子導波路を伝送する光が、前記第２のミラー構造に入射するように、前記第１の高分子導波路および前記第３の高分子導波路は配置されていることを特徴とする請求項１記載の積層導波路。
【請求項３】
前記第３の高分子導波路は、前記第１の伝送経路に含まれることを特徴とする請求項２記載の積層導波路。
【請求項４】
前記第１の導波層は基板上に配置されており、
前記第１の導波層上に前記第２の導波層が積層されており、
前記第１の高分子導波路の両端は、所定の斜面角度を有する斜面であるミラー構造であり、前記所定の斜面角度は、前記第１の高分子導波路の下面と前記斜面とのなす角度であって、材料が充填された側の角度であり、前記所定の斜面角度は鈍角であることを特徴とする請求項１記載の積層導波路。
【請求項５】
前記ミラー構造となる斜面の法線の単位ベクトルと、該ミラー構造を有する高分子導波路の導波方向の単位ベクトルとの内積が、ｓｉｎ（３０°）以上でｓｉｎ（４０°）以下であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の積層導波路。
【請求項６】
前記第１の導波層と前記第２の導波層との間に形成された、レンズを有する層をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の積層導波路。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の積層導波路の作製方法であって、
クラッド上の少なくとも一部に、流動性を有し、硬化することによりコアとなる材料を付与する付与工程と、
一方の面に凸部および凹部が形成された、可撓性を有する金型の、前記一方の面の少なくとも一部を、前記材料に接触させる接触工程と、
前記金型における前記一方の面と対向する面について、前記金型と前記材料が接触している領域に対向する位置から、所定の方向に向かって圧力を印加しながら前記コア形成に余分な前記材料を押し出し、前記クラッドと前記凹部との間の空間に前記材料を残しながら、前記金型を前記クラッドに貼り合わせる押し出し工程と、
前記空間に残った材料を硬化する硬化工程と、
前記金型を前記クラッドから剥離する剥離工程とを有し、
前記各工程を行うことにより、前記第１の導波層および第２の導波層が形成されることを特徴とする作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層導波路およびその作製方法に関し、より詳細には、導波路を交差させることなく任意の２点同士を接続可能な積層導波路およびその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の高度情報化から、大容量の情報を高速に伝送できる通信システムが望まれており、そのような通信システムとして光通信システムの開発がさかんに行われている。このようなシステムとして、波長分割多重（ＷＤＭ）システム等、様々な光通信システムが開発されているが、光通信システムにおいて、導波路は非常に重要な構成要素である。この導波路として最近では、その柔軟性や強靭性から、高分子導波路が注目されている。
【０００３】
一方、上述の高度情報化の発展に伴い、デジタルカメラ等の携帯機器においても、高精細な画像等の大容量の情報を高速にやり取りすることが望まれている。従来では、上記携帯機器における情報のやり取りは、銅配線を用いることが一般的であるが、銅配線を有する回路を用いると、信号劣化やノイズが発生しやすいという問題があった。
【０００４】
この問題を解決するために、非特許文献１では、光回路と電気回路との双方を有し、受発光素子も表面実装可能なフレキシブルな配線板が開示されている。この配線板では、光回路と電気回路とがそれぞれ異なる役割分担を行っている。すなわち、動画等の高速かつ大容量の情報のやり取りを光回路にて行い、低速な情報や電力のやり取りを電気回路にて行う。
【０００５】
図１は、非特許文献１に係る配線板における、光素子間での光信号のやりとりを説明するための図である。  
図１において、光回路と電気回路とを併せ持つフレキシブルな配線板１は、クラッド３に埋め込まれたコア２を備えている。このコア２の両端にはミラー４ａおよび４ｂが形成されている。クラッド３上には、基板５が形成されており、該基板５上には銅配線６が所定のパターンで形成されている。また、配線板１は、発光素子７と受光素子８とを備え、発光素子７および受光素子８は共に銅配線６に電気的に接続されている。このような構成において、発光素子７から出射された光は、ミラー４ａにて反射されてコア２を通過する。該コア２内を通過した光はミラー４ｂにて反射されて受光素子８へと入射する。非特許文献１記載の配線板では、上述のようにして、光信号のやり取りを行う。
【０００６】
【非特許文献１】“世界初「表面実装光電フレキシブル配線板」を開発”、［ｏｎｌｉｎｅ］、２００５年９月２６日、インターネット＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｍｅｗ．ｃｏ．ｊｐ／ｐｒｅｓｓ／０５０９／０５０９−１４．ｈｔｍ＞  （松下電工）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
さて、非特許文献１に記載された配線板において、図２（ａ）に示すように、発光素子７ａと受光素子８ａとの間で光信号のやり取りをし、同時に発光素子７ｂと受光素子８ｂとの間で光信号のやり取りを行う場合、発光素子７ａと受光素子８ａとをコア２ａを介して接続し、発光素子７ｂと受光素子８ｂとをコア２ｂを介して接続することになる（図２（ｂ））。このように構成すると、コア２ａと２ｂとは交差部２１にて交差することになる。すなわち、発光素子７ａから受光素子８ａへの光の伝送経路であるコア２ａは、発光素子７ｂから受光素子８ｂへの光の伝送経路であるコア２ｂを横切るために、交差部２１にて上記２つのコアは交差することになる。この交差によって、コア２ａの交差部２１における領域は、コア２ｂの一部の領域（コア２ｂの交差部２１における領域）となる。
【０００８】
しかしながら、このようにコア２ａとコア２ｂとを交差させると、一方のコアを通過する光は、交差部２１において他方のコアも通過することになるので、クロストークが増加してしまう。すなわち、非特許文献１では、同一の配線板内で光の伝送経路が２つ以上あり、それらの経路のうち交差する経路が少なくとも１つある場合は、上記交差の影響によりクロストークが増大してしまう。
【０００９】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、光の伝送経路が２つ以上あり、それらの伝送経路のうちある伝送経路が他の伝送経路を横切る場合であっても、クロストークの増加を抑えることが可能な積層導波路およびその作製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１記載の発明は、少なくとも１つの高分子導波路を有する第１の導波層と、少なくとも１つの高分子導波路を有する第２の導波層とを積層させた積層導波路であって、第１の発光素子と第１の受光素子との間で光を伝送させるための第１の伝送経路と、第２の発光素子と第２の受光素子との間で光を伝送させるための第２の伝送経路と、前記第１の伝送経路に含まれ、前記第１の導波層に形成された第１の高分子導波路と、前記第２の伝送経路に含まれ、前記第２の導波層に形成された第２の高分子導波路とを備え、前記第１の伝送経路と前記第２の伝送経路とは、それぞれが別個の導波層に形成された、前記第１の高分子導波路と前記第２の高分子導波路とが交差することにより、交差していることを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記第２の導波層は、第３の高分子導波路をさらに有し、前記第１の高分子導波路の一方端は、所定の斜面角度を有する斜面である第１のミラー構造であり、前記第３の高分子導波路の一方端は、所定の斜面角度を有する斜面である第２のミラー構造であり、前記第１のミラー構造である斜面の下側と、前記第２のミラー構造の斜面の下側とが合わさり、前記第１のミラー構造にて反射された、前記第１の高分子導波路を伝送する光が、前記第２のミラー構造に入射するように、前記第１の高分子導波路および前記第３の高分子導波路は配置されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明において、前記第３の高分子導波路は、前記第１の伝送経路に含まれることを特徴とする。
【００１３】
請求項４記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記第１の導波層は基板上に配置されており、前記第１の導波層上に前記第２の導波層が積層されており、前記第１の高分子導波路の両端は、所定の斜面角度を有する斜面であるミラー構造であり、前記所定の斜面角度は、前記第１の高分子導波路の下面と前記斜面とのなす角度であって、材料が充填された側の角度であり、前記所定の斜面角度は鈍角であることを特徴とする。
【００１４】
請求項５記載の発明は、請求項２乃至４のいずれかに記載の発明において、前記ミラー構造となる斜面の法線の単位ベクトルと、該ミラー構造を有する高分子導波路の導波方向の単位ベクトルとの内積が、ｓｉｎ（３０°）以上でｓｉｎ（４０°）以下であることを特徴とする。
【００１５】
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の発明において、前記第１の導波層と前記第２の導波層との間に形成された、レンズを有する層をさらに備えることを特徴とする。
【００１６】
請求項７記載の発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の積層導波路の作製方法であって、クラッド上の少なくとも一部に、流動性を有し、硬化することによりコアとなる材料を付与する付与工程と、一方の面に凸部および凹部が形成された、可撓性を有する金型の、前記一方の面の少なくとも一部を、前記材料に接触させる接触工程と、前記金型における前記一方の面と対向する面について、前記金型と前記材料が接触している領域に対向する位置から、所定の方向に向かって圧力を印加しながら前記コア形成に余分な前記材料を押し出し、前記クラッドと前記凹部との間の空間に前記材料を残しながら、前記金型を前記クラッドに貼り合わせる押し出し工程と、前記空間に残った材料を硬化する硬化工程と、前記金型を前記クラッドから剥離する剥離工程とを有し、前記各工程を行うことにより、前記第１の導波層および第２の導波層が形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、第１の伝送経路と第２の伝送経路とが交差する領域において、第１の伝送経路に含まれる高分子導波路と、第２の伝送経路に含まれる高分子導波路とをそれぞれ別個の導波層に設けるようにしたので、上記交差領域における、クロストークを抑えることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。  
（第１の実施形態）  
図３（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る、導波層が２層構造の積層導波路を説明するための図であって、図３（ａ）は、本実施形態に係る積層導波路の上面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）の積層導波路の基板の上面図であり、図３（ｃ）は、図３（ａ）の積層導波路の第１層目である第１の導波層の上面図であり、図３（ｄ）は、図３（ａ）の積層導波路の第２層目である第２の導波層の上面図である。
【００１９】
図３（ａ）において、光素子である面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）アレイ３１ａは、高分子導波路３４ａに光学的に接続されている。図３（ｂ）および図３（ｄ）から分かるように、ＶＣＳＥＬアレイ３１ａと高分子導波路３４ａとは異なる層に形成されている。高分子導波路３４ａの両端には、該両端を斜面とすることによりミラー構造が形成されている。ＶＣＳＥＬアレイ３１ａから発光された光が高分子導波路３４ａの一方端に形成された上記ミラー構造に入射するようにＶＣＳＥＬアレイ３１ａと高分子導波路３４ａとを配置することにより、ＶＣＳＥＬアレイ３１ａと高分子導波路３４ａとは光学的に接続されることになり、ＶＣＳＥＬアレイ３１ａから発光された光は、上記ミラー構造にて反射されて高分子導波路３４ａ中を伝送される。
【００２０】
なお、本実施形態では、後述する高分子導波路３３ａ、３３ｂ、高分子導波路３４ｂ〜３４ｄについても、高分子導波路３４ａと同様に、その両端を斜面とすることにより該両端にミラー構造が形成されている。
【００２１】
さて、図３（ｃ）および図３（ｄ）から分かるように、高分子導波路３４ａと高分子導波路３３ａとは異なる層に形成されている。該高分子導波路３４ａの他方端に形成された斜面（ミラー構造）と高分子導波路３３ａの一方端に形成された斜面（ミラー構造）とを対向するように配置し、かつ該高分子導波路３４ａの他方端に形成された斜面から出射された光が、高分子導波路３３ａの一方端に形成された斜面に入射するように高分子導波路３４ａと高分子導波路３３ａとを配置する。このようにして、高分子導波路３４ａの他方端は、高分子導波路３３ａの一方端に光学的に接続されることになり、高分子導波路３４ａ中を伝送される光は、高分子導波路３４ａの他方端に形成されたミラー構造にて反射されて、高分子導波路３３ａの一方端に入射し、該高分子導波路３３ａ中を伝送される。
【００２２】
高分子導波路３３ａの他方端は、高分子導波路３４ａと高分子導波路３３ａとの光学的接続と同様にして、高分子導波路３４ｄの一方端に光学的に接続されている。さらに、高分子導波路３４ｄの他方端は、ＶＣＳＥＬアレイ３１ａと高分子導波路３４ａとの光学的接続と同様にして、光素子であるフォトダイオード（ＰＤ）アレイ３２ａに光学的に接続されている。
【００２３】
本実施形態では、ＶＣＳＥＬアレイ３１ａとＰＤアレイ３２ａとの間で光信号のやりとりを行うための光の伝送経路、すなわち、ＶＣＳＥＬアレイ３１ａとＰＤアレイ３２ａとの間で光を伝送させるための光の第１の伝送経路は、高分子導波路３４ａ、高分子導波路３３ａ、および高分子導波路３４ｄとなる。そしてこの伝送経路において、第１の方向（図３中では、縦方向）と、第１の方向とは異なる方向である第２の方向（図３中では、横方向）とにおいては、光の伝送する層が異なる。すなわち、第１の方向に伝送する光は、第２の導波層３７に形成された導波路を導波することになり、第２の方向に伝送する光は、第１の導波層３６に形成された導波路を導波することになる。
【００２４】
一方、ＶＣＳＥＬアレイ３１ｂは、ＶＣＳＥＬアレイ３１ａと高分子導波路３４ａとの光学的接続と同様にして、高分子導波路３４ｃの一方端に光学的に接続されている。高分子導波路３４ｃの他方端は、高分子導波路３４ａと高分子導波路３３ａとの光学的接続と同様にして、高分子導波路３３ｂの一方端に光学的に接続されており、高分子導波路３３ｂの他方端は、高分子導波路３４ｂの一方端に光学的に接続されている。高分子導波路３４ｂの他方端は、ＶＣＳＥＬアレイ３１ａと高分子導波路３４ａとの光学的接続と同様にして、ＰＤアレイ３２ｂに光学的に接続されている。
【００２５】
本実施形態では、ＶＣＳＥＬアレイ３１ｂとＰＤアレイ３２ｂとの間で光信号のやりとりを行うための光の伝送経路、すなわち、ＶＣＳＥＬアレイ３１ｂとＰＤアレイ３２ｂとの間で光を伝送させるための光の第２の伝送経路は、高分子導波路３４ｃ、高分子導波路３３ｂ、および高分子導波路３４ｂとなる。そしてこの伝送経路において、上記第１の方向と、上記第２の方向とにおいては、光の伝送する層が異なる。すなわち、第１の方向に伝送する光は、第２の導波層３７に形成された導波路を導波することになり、第２の方向に伝送する光は、第１の導波層３６に形成された導波路を導波することになる。
【００２６】
なお、図３（ｂ）から分かるように、ＶＣＳＥＬアレイ３１ａ、３１ｂおよびＰＤアレイ３２ａ、３２ｂはそれぞれ基板３５の、第１の導波層３６が形成される面と対向する面に形成されている。
【００２７】
さて、図３（ａ）から分かるように、本実施形態では、第１の伝送経路と第２の伝送経路とは、図中に円で囲まれた領域である領域３８において交差している。すなわち、２つの伝送経路において、一方の伝送経路を伝送する光は、他方の伝送経路を横切ることになる。本実施形態では、第１の伝送経路における領域３８に対応する部分は高分子導波路３３ａであり、第２の伝送経路における領域３８に対応する部分は高分子導波路３４ｂであり、図３（ｃ）および図３（ｄ）に示される通り、高分子導波路３３ａと高分子導波路３４ｂとは、異なる導波層に形成されている。よって、領域３８において、すなわち２つの伝送経路が交差する領域において、２つの伝送経路は、他方の伝送経路の一部を通過することが無い。
【００２８】
すなわち、２つの伝送経路のうち一方の伝送経路を伝送する光は、これら２つの伝送経路が交差する領域において他方の伝送経路とは異なる層にて伝送されるので、従来では問題となった伝送経路の交差によるクロストークを生じる事は無い。
【００２９】
このように、２つの伝送経路が交差することによるクロストークを回避するために、少なくとも、高分子導波路が形成された層を２つ用意し、該層を積層させて、２つの伝送経路の交差領域において、第１の伝送経路を伝送する光と、第２の伝送経路を伝送する光とを異なる層にて伝送させることが重要である。
【００３０】
図４は、図３（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。  
図４において、基板３５の、ＶＣＳＥＬアレイ３１ａ、３１ｂおよびＰＤアレイ３２ａ、３２ｂが形成された面と対向する面上に、ポリマー層４１を介して第１の導波層３６が形成されており、第１の導波層３６上にはポリマー層４２を介して第２の導波層３７が形成されている。図４から分かるように、第１の伝送経路と第２の伝送経路との交差領域、すなわち、高分子導波路３３ａと高分子導波路３４ｂとの交差領域においては、第１の導波層３６に第１の伝送経路に含まれる高分子導波路３３ａが含まれており、第２の導波層３７に第２の伝送経路に含まれる高分子導波路３４ｂが含まれる。よって、第１の伝送経路と第２の伝送経路とが交差しても、第１の伝送経路を伝送する光は、第１の導波層３６に含まれる高分子導波路３３ａ中を図中矢印方向に進み、第２の伝送経路を伝送する光は、第１の導波層とは別個の第２の導波層３７に含まれる高分子導波路３４ｂ中を紙面手前から奥に向う方向に進む。このように、上記交差領域において２つの伝送経路を進む光は、別個の導波路を進むので、他方の導波路を進む光によるクロストークを抑えることができる。
【００３１】
本実施形態では、従来で問題となっていたクロストークを抑えることが重要であり、そのために、高分子導波路の２層構造を用いている。そして、少なくとも２つ以上光の伝送経路（所定の光素子間を結ぶ光の経路）があり、それらの伝送経路において伝送経路が交差する場合、該交差する伝送経路をそれぞれ別個の層に形成することが本質である。すなわち、上記交差する領域では、２つの導波路の積層構造となり、該積層構造の下層の導波路が一方の伝送経路に含まれ、上層の導波路が他方の伝送経路に含まれる。すなわち、本実施形態では、少なくとも上記交差する領域において、第１の伝送経路と第２の伝送経路とが別個の導波層に形成されていれば良いのである。
【００３２】
従って、本実施形態では、図５のように、第１の伝送経路と第２の伝送経路との交差領域近傍のみで、一方の伝送経路を他の導波層に変えるようにしても良い。図５において、基板５１上に第３の方向（図５中の、横方向）に長手方向を有する高分子導波路５５が形成された第１の導波層５２が形成されている。第１の導波層５２上には、ポリマー層５３を介して、第１の方向に長手方向を有する高分子導波路５６ａ、５６ｂおよび第３の方向とは別の方向である第４の方向（図５中の、縦方向）に長手方向を有する高分子導波路５７が形成された第２の導波層５４が形成されている。図５において、第３の伝送経路は、高分子導波路５６ａ、高分子導波路５５、高分子導波路５６ｂを含み、第４の伝送経路は、高分子導波路５７を含む。
【００３３】
図５から分かるように、２つの伝送経路の交差領域における各伝送経路に含まれる導波路（すなわち、高分子導波路５５および高分子導波路５７）はそれぞれ別個の導波層に形成されている。
【００３４】
本実施形態では、図５の構成（第２の導波層において、２つの方向（第３の方向および第４の方向）に光が伝送する構成）のように、各導波層に形成される導波路の方向を統一しなくても、少なくとも交差領域において、該交差する伝送経路に含まれる導波路をそれぞれ別個の導波層に形成すれば、上述のクロストークを抑える効果を得ることができる。
【００３５】
なお、本実施形態において、高分子導波路の端面に形成されたミラー構造が、ある導波層を伝送する光を他の導波層へと移す役割を担う。例えば図５においては、高分子導波路５６ａを伝送する光は、該導波路の端面に形成されたミラー構造（斜面）５９ａにて反射され、別の導波層へと入射される。該入射された光は、高分子導波路５５の一方端に形成されたミラー構造５８ａにて反射されて、高分子導波路５５中を伝送する。このようにして、第２の導波層５４中を伝送する光は、第１の導波層５２へと移される。
【００３６】
このように本実施形態では、高分子導波路５６ａのミラー構造５９ａである斜面の下側（端面において材料がある側）と、高分子導波路５５のミラー構造５８ａである斜面の下側とを合わせるように配置して、ミラー構造５９ａにて反射された光がミラー構造５８ａへと入射するようにする。すなわち、ミラー構造５９ａの斜面角度α１を鋭角にし、かつミラー構造５８ａの斜面角度α２を鈍角にする。このように配置することで、第２の導波層に含まれる高分子導波路５６ａ中を伝送する光を、第１の導波層５２に含まれる高分子導波路５５中へと、伝送する導波路を変更すること、すなわち、伝送する導波層を変更することができる。  
なお、本明細書において、「斜面角度」とは、図５中に示すように、導波路の下面と斜面とのなす角度を指し、図５中では、角度α１、α２である。すなわち、斜面角度とは、導波路の下面（高分子導波路５６ａ、５６ｂに対しては高分子導波路５５側の面、また高分子導波路５５に対しては基板５１側の面）と、斜面とのなす角度の、材料が充填されている側の角度である。
【００３７】
また、本実施形態では、図３（ａ）から分かるように、第１の導波層３６では高分子導波路３３ａ、３３ｂの向きを第２の方向（図中、横方向）に統一し、第２の導波層３７では高分子導波路３４ａ〜３４ｄの向きを第１の方向（図中、縦方向）に統一すれば、すなわち、第１の伝送経路および第２の伝送経路について各層に対して形成される導波路の方向を統一すれば、導波路の数がいずれであっても、４回のミラー結合（ＶＣＳＥＬアレイから第２の導波層の高分子導波路へのミラー結合、第２の導波層の高分子導波路から第１の高分子導波層へのミラー結合、第１の導波層の高分子導波路から第２の導波層の高分子導波路へのミラー結合、第２の導波層の高分子導波路からＰＤアレイへのミラー結合）を作れば良い。すなわち、ＶＣＳＥＬアレイからＰＤアレイへと光を送信する場合に、該光によるミラーの反射を６回行えば良く、こうすることで、配線内の導波路本数に依存することなく、損失を設計することができる。さらに、第１の伝送経路と第２の伝送経路とにおいて、ミラー結合数（ミラーの反射数）が同一になるように導波路を設計することにより、さらに損失の設計を容易に行うことができる。
【００３８】
次に、本実施形態に係る積層導波路の作製方法を説明する。  
本実施形態では、可撓性を有する金型（以下、ソフトスタンパとも呼ぶ）を用い押し出しラミネートを行うことによって、クラッド上にコアを形成して各導波層を作製する。本実施形態では、主に以下の手順により各導波層が作製される。  
図６（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る導波層の作製方法を説明する図である。  
クラッド上にコア材を付与する工程  
本工程では、クラッドに対して、後に硬化されてコアとなる、所定の粘性を有するコア材を付与して、該コア材をクラッド上の少なくとも一部に存在させる。
【００３９】
図６（ａ）において、ガラス基板などの作業基板６１上にクラッドフィルム６２を貼り付ける。このクラッドフィルム６２の貼り付けは通常のラミネート法によって行えば良い。次いで、クラッドフィルム６２上に、コア材６３を付与して、クラッドフィルム６２上の全面にコア材６３を配置する。
【００４０】
なお、上記コア材は、液体状の材料であっても良いし、ゲル状の材料であっても良い。本発明で重要なことは、後述する押し出しラミネートの際に、クラッド上に存在するコア材が押し出されることである。よって、この押し出しが可能な程度の流動性を少なくとも有し、光や熱などによって硬化し、該硬化後に高分子導波路のコアとして機能する材料であればいずれの材料もコア材として用いることができる。
【００４１】
本実施形態では、コア材として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ポリイミド、シリコーン樹脂、アクリル樹脂・エポキシ樹脂を紫外線硬化性にした樹脂、ポリシラン、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリアミドなどを用いることができる。
【００４２】
ソフトスタンパを配置する工程  
図６（ｂ）において、一方の面に凸部６５および凹部６６を有するソフトスタンパ６４を、凸部６５および凹部６６がコア材６３に接触させるようにしてソフトスタンパ６４を配置する。すなわち、ソフトスタンパ６４を、コア材６３を介してクラッドフィルム６２と貼り合わせる。なお、凸部６５および凹部６６は、後述の押し出しラミネート工程においてソフトスタンパ６４をクラッドフィルム６２に張り合わせた際に形成されるコア材６８が、所望の導波路形状となるようにソフトスタンパ６４に形成されている。また、作製された導波路の端面にミラー構造を形成する場合は、凹部６６の端面を斜面とする。このように凹部６６の端面を斜面とすると、作製されたコアの端面も上記凹部６６の端面の斜面と同様の斜面となり、これがミラー構造となる。
【００４３】
押し出しラミネート工程  
図６（ｃ）において、ソフトスタンパ６４の一方端において、ローラ６７をソフトスタンパ６４の凹凸が形成されている面と対向する面に押し当てる。次いで、上記一方端から他方端に向かって（図中の矢印方向）、ソフトスタンパ６４に対して面ではなく線で圧力印加するように、所定の圧力をかけながら、ソフトスタンパ６４との相対速度が０となるように、ローラ６７を転がして、押し出しラミネートを行う。
【００４４】
このローラ６７の移動に伴って、ローラ６７の移動開始位置から順に、凸部６５がローラ４７の移動方向に向かってコア材６３を押し出してクラッドフィルム６２と接触することになる。一方、凹部６６については、ソフトスタンパ６４をクラッドフィルム６２に張り合わせた際に凹部６６にコア材６３が充填されている場合はその状態が維持され、充填されてない場合であっても、上記凸部による押し出しにより、各凹部６６にはコア材６３が充填される。このようにして、凹部に充填されたコア材６８が形成される。
【００４５】
このようにローラ６７を他方端まで転がして、凹部６６とクラッドフィルム６２との間の領域にコア材６８を残した状態でソフトスタンパ６４とクラッドフィルム６２とを貼り合わせて、ソフトスタンパ６４の凹凸を、コア材６３に転写する。そして、ローラ６７を他方端まで転がすと、各凸部６５にて押し出された余分なコア材は他方端から外へと押し出され、各凹部６６とクラッドフィルム６２との間の空間には、コア材６８が残ることになる。
【００４６】
本実施形態では、上述のように可撓性を有するソフトスタンパ６４を用いて押し出しラミネートを行うので、凸部６５の表面やクラッドフィルム６２の表面が粗くても、押し出されるコア材は、ローラ６７の移動方向に向かって、凸部６５およびクラッドフィルム６２の表面に沿ってローラ６７の移動による押し出し力により移動するので、残渣として残るコア材の量を低減することができる。すなわち、残渣が残ったとしても、用いる光の波長と同程度かそれ以下のスケールにまでその量を低減することができる。よって、ソフトスタンパおよびクラッドの面精度の要求値を低くすることが可能となり、作製コストや作製時間を低減することができる。
【００４７】
また、本発明の一実施形態では、押し出しラミネートの際に、ローラ６７をソフトスタンパ６３に対して面ではなく線で圧力印加を行っているので、比較的弱い圧力で転写を行うことが可能である。よって、後述のように、積層導波路を作製しても、転写時の圧力を抑えることができるので、下層の導波路をほとんど潰すことなく上層の導波路を形成することができる。
【００４８】
また、大面積の導波路を作製するために、大面積のソフトスタンパを用いたとしても、本実施形態は従来のように面ではなく線で圧力を印加するので、より簡単に均一な圧力を印加することができる。また、本実施形態では、上記線接触においてローラの移動により押し出しを行っているので、印加する圧力は厳密に均一でなくても良い。すなわち、ローラの移動により余分なコア材が凸部表面やクラッド表面に沿って押し出されていくので、その押し出しが可能な圧力さえ印加されていれば、ローラ全体に渡って圧力が均一でなくても良好に押し出しが行われるからである。よって、導波路の大面積化を容易に行うことができる。
【００４９】
さらに、複数のソフトスタンパを切り貼りして大型のソフトスタンパにして転写する（押し出しラミネートする）ことで、低コストで大型化を実現することができる。
【００５０】
なお、本明細書において、「可撓性を有する金型（ソフトスタンパ）」とは、当接した、ローラ等の押し出し手段の移動に伴ってたわむ樹脂を指す。本実施形態では、可撓性を有する金型（ソフトスタンパ）として、シクロオレフィン系ポリマ；、ポリメチルメタクリレートを初めとしたポリアクリレート、ポリカボーネート、ポリエーテル、ポリイミド、ポリアミド、エポキシ樹脂等の熱可塑性樹脂；、エポキシ樹脂を初めとした熱硬化性樹脂；、アクリル、エポキシ樹脂を紫外線硬化性にした樹脂；、シリコーン樹脂；、フッ素樹脂などを用いることができる。
【００５１】
また、本明細書において、「押し出しラミネート」とは、ソフトスタンパが有する凹部にコア材を充填させ、それ以外のコア材を押し出すための工程であって、ソフトスタンパの一端から所定の方向に向かってローラ等の押し出し手段を移動させることによって、ソフトスタンパをクラッドに張り合わせながら、余分なコア材を押し出す工程を指す。すなわち、押し出しラミネートとは、ソフトスタンパをクラッドにくっ付けることが目的ではなく、高分子導波路のコアを形成するために、余分なコア材を除去することを目的として工程である。よって、押し出しラミネートの後は、ソフトスタンパはクラッドにくっ付くこともあるし、くっつかないこともあり、ソフトスタンパがクラッドにくっ付くか否かは本質ではない。
【００５２】
また、押し出しラミネート後において、クラッドと凸部との界面において、コア材が完全には押し出されず残渣としてコア材が残る場合があるが、本実施形態では、上述のようにローラ等の押し出し手段の移動によって余分なコア材が押し出されるので、残ってしまったコア材の量を、用いる光の波長程度またはそれ以下のスケールに抑えることができる。
【００５３】
硬化／ソフトスタンパ剥離工程  
図６（ｄ）において、紫外線を照射することによって、コア材６８を硬化して、コア６９を形成する。このとき、ソフトスタンパ６４または作業基板６１のうち、紫外線に対して透明な材料である方から紫外線をコア材６８に照射するようにすれば良い。上記硬化が終了したら、ソフトスタンパ６４をクラッドフィルム６２から剥離する。このようにして、クラッドフィルム６２上にコア６９を形成して、リッジ型の高分子導波路を作製する。
【００５４】
本実施形態では、ソフトスタンパによってコアを作製しているが、このソフトスタンパにミラー面などを作りこむことができるため、後のミラー形成工程を省くことができる。また、上述のようにソフトスタンパにミラー面を作りこむことができるので、後で切削するよりも高い位置精度でミラー加工を行うことができる。このようにソフトスタンパに予めミラー面が形成されるように凹凸を形成することにより、このミラー面を反映した形でコアが形成されるので、作製されたコアの端面にミラー構造を形成することができる。すなわち、コア端面を所望の形状（基板面内に対して垂直な面や、所定の角度をなす斜面）にすることができる。
【００５５】
さて、本実施形態に係る積層導波路の作製方法を以下で説明する。  
まず、図３（ｂ）に示した、一方面にＶＣＳＥＬアレイ３１ａ、３１ｂおよびＰＤアレイ３２ａ、３２ｂが形成された基板３５を用意する。次に、基板３５の他方面にポリマー層４１を形成する。
【００５６】
次いで、図６（ａ）〜（ｄ）にて説明した方法により、ポリマー層４１上に第１の導波層３６を形成する。このとき、第１の導波層３６に形成された高分子導波路３３ａおよび高分子導波路３３ｂの両端には、ミラー構造となる、斜面角度が鈍角である逆三角形状の斜面（オーバーハング）、すなわち、斜面の下側が第１の導波層３６の上面側にくるように斜面が形成されている。上述の第１の導波層３６を形成する際に用いられるソフトスタンパに、上記斜面の元になる斜面を形成し、該斜面を押し出しラミネートにより導波路に転写するので、上述のような逆三角形状の端面を高分子導波路３３ａ、３３ｂの端面に形成することができる。すなわち、従来の高分子導波路作製方法では、金型を用いた転写によって、基板上にオーバーハングのミラー構造を形成することはできないが、本実施形態では、上述のソフトスタンパを用いるのでオーバーハングのミラー構造を導波路の端面に形成することができる。
【００５７】
次いで、第１の導波層３６上にポリマー層４２を形成する。次いで、図６（ａ）〜（ｄ）にて説明した方法により、ポリマー層４２上に第２の導波層３７を形成する。このとき、第２の導波層３７に形成された高分子導波路３４ａ〜３４ｄの両端には、ミラー構造となる、斜面角度が鋭角である三角形状の斜面、すなわち、斜面の下側が第２の導波層３７の下面側にくるように斜面が形成されている。
【００５８】
上述の第１の導波層３６上に第２の導波層３７を形成する方法は、例えば以下の方法で行うことができる。  
図９（ａ）〜（ｄ）は、第１の導波層上に第２の導波層を形成する方法を説明するための図であり、図９（ａ）は、本実施形態に係る積層導波路の上面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）の積層導波路の第１の導波層の上面図であり、図９（ｃ）は、図９（ａ）の積層導波路の第２の導波層の上面図であり、図９（ｄ）は、第１の導波層および第２の導波層に形成されたアライメントマークの一致、不一致を説明するための図である。
【００５９】
図９（ｂ）において、符号９１ａ〜９１ｄはそれぞれ、アライメントマークであり、円形である。また、図９（ｃ）において、符号９２ａ〜９２ｄもそれぞれ、アライメントマークであり、アライメントマーク９１ａ〜９１ｄの半径よりも小さい半径の円形である。アライメントマーク９１ａ〜９１ｄとアライメントマーク９２ａ〜９２ｄとは同心円形である。
【００６０】
本実施形態では、アライメントマーク９１ａ〜９１ｄおよびアライメントマーク９２ａ〜９２ｄをそれぞれ、第１の導波層３６および第２の導波層３７の作製時に、それぞれ対応する導波層に形成する。そして、第１の導波層３６上に第２の導波層３７をアライメントする際に、それぞれのアライメントマークが同心円になるように調整しながら、第１の導波層３６上に第２の導波層３７を重ねて配置する。このとき、第１の導波層および第２の導波層は透明であるので、アクティブアライメントを行わなくても上記調整を行うことができる。
【００６１】
この様子を図９（ｄ）に示す。図９（ｄ）において、白抜きの円はアライメントマーク９１ａ〜９１ｄであり、黒抜きの円はアライメントマーク９２ａ〜９２ｄである。図９（ｄ）におけるＮＧと示した配置では無く、ＯＫと示した配置に各アライメントマークが配置されるように調整を行う。
【００６２】
このように、積層対象の各層において、２ヵ所以上にアライメントマークを配置し、該アライメントマークを用いて積層を行う。なお、基板３５上に第１の導波層３６を形成する際も、上述のようにアライメントマークを用いて行うことができることは言うまでも無い。また、アライメントマークの形状は、同心円形の他に十字形など各種の形状を用いることができる。  
このようにして、本実施形態に係る積層導波路が作製される。
【００６３】
（第２の実施形態）  
本発明の一実施形態では、伝送経路の交差領域において、それぞれの伝送経路を異なる導波層に形成しており、そのために少なくとも２つの導波層を積層させれば良く、他の層を積層させても良い。本実施形態は、上記他の層として、レンズ層を第１の導波層と第２の導波層との間に設けている。
【００６４】
図７は、本実施形態に係る積層導波路の断面図である。  
図７において、基板７０の一方面にＶＣＳＥＬアレイ７１およびＰＤアレイ７２が形成されており、基板７０の他方面には、高分子導波路７４が形成された第１の導波層７３が形成されている。この高分子導波路７４の両端には、斜面角度が鈍角であるミラー構造７５ａ、７５ｂが形成されている。第１の導波層７３上には、ポリマー層７６を介して、フレネルレンズ等のレンズ７８ａ〜７８ｄを有するレンズ層７７が形成されている。レンズ７７上には、ポリマー層７９を介して、高分子導波路８１ａ、高分子導波路８１ｂ、高分子導波路８２が形成された第２の導波層８０が形成されている。この高分子導波路８１ａ、８１ｂの両端にはそれぞれ、斜面角度が鋭角であるミラー構造８３ａ、８３ｂ、８４ａ、および８４ｂが形成されている。また、高分子導波路８２の長手方向は紙面垂直方向であり、その両端にもミラー構造が形成されており、このミラー構造を介して、ＶＣＳＥＬアレイやＰＤアレイ等の光素子に光学的に接続されている。  
本実施形態において、第１の伝送経路は、高分子導波路８１ａ、高分子導波路７４、高分子導波路８１ｂであり、第２の伝送経路は、高分子導波路８２である。
【００６５】
図７において、第１の伝送経路と第２の伝送経路との交差領域８５において、第１の伝送経路に含まれる導波路（高分子導波路７４）は第１の導波層７３にあり、一方第２の伝送経路に含まれる導波路（高分子導波路８２）は第２の導波層８０にある。よって、交差領域において、第１の伝送経路と第２の伝送経路とは交わらず、異なる導波層に存在することになる。
【００６６】
このような構成において、ＶＣＳＥＬアレイ７１から出射された光は、レンズ７８ａを介してミラー構造８３ａにて反射されて高分子導波路８１ａを伝送し、ミラー構造８３ｂにて反射される。該反射光は、レンズ７８ｂを介してミラー構造７５ａにて反射されて高分子導波路７４を伝送する。このようにして、伝送された光は、交差領域８５において、第２の導波層から第１の導波層に移されるので、第１の伝送経路を導波する光と、第２の伝送経路を導波する光とによる、交差領域８５でのクロストークの発生を回避することができる。高分子導波路７４を伝送する光は、ミラー構造７５ｂにて反射され、レンズ７８ｃを介してミラー構造８４ａにて反射されて高分子導波路８１ｂを伝送し、ミラー構造８４ｂにて反射され、レンズ７８ｄを介してＰＤアレイ７２に入射する。
【００６７】
本実施形態では、第１の導波層と第２の導波層との間にレンズ層を設け、各導波層に対する光の入射光および出射光がレンズを通過するようにしているので、結合損を低減することができる。
【００６８】
なお、本実施形態では、ミラー構造となる斜面と、該ミラー構造を有する導波路中を導波する光が上記ミラー構造で反射して進行する側にある、上記導波路の面とのなす角度（図８中では、角度β（傾斜角））を３０〜４０°に設定することが好ましい。すなわち、ミラー構造の斜面ではなく、その法線ベクトルを基準にすると、角度βの場合、ｃｏｓ（９０°−β）＝ｓｉｎ（β）となるので、ミラー構造９２となる斜面の法線ベクトル
【００６９】
【数１】
2008083205.tif 000003
【００７０】
と、該ミラー構造９２を有する高分子導波路９１の導波方向ベクトル
【００７１】
【数２】
2008083205.tif 000004
【００７２】
との内積が、ｓｉｎ（３０°）≦
【００７３】
【数３】
2008083205.tif 000005
【００７４】
≦ｓｉｎ（４０°）を満足すれば良い。ただし、上記法線ベクトルおよび上記導波方向ベクトルの双方とも単位ベクトルに規格化してあるものとする。
【００７５】
図８に示すように、ミラー構造９２を有する高分子導波路９１と、ミラー構造９４を有する高分子導波路９３との間にレンズ９５を設ける場合、ミラー構造９２、９４の角度βを３０〜４０°とすることにより、レンズ９５のマージンを広げることができる。
【００７６】
なお、角度βは、斜面の角度を規定するための便宜上の角度である。よって、図５において、高分子導波路５６ａにおいては、角度βは角度α１となり、高分子導波路５５においては、角度βは、（１８０°−角度α２）である。
【００７７】
さらに、角度βを３０〜４０°にすることによって、結合損失を抑えることができる。
図１０に示す構成にて光線追跡（光線数３６００本）を行って、結合効率を計算した。図１０において、符号１０１は、厚さＧのベースフィルムであり、該ベースフィルム１０１の対向する面にそれぞれ、幅Ｄの光導波路１０２、および幅Ｄの光導波路１０３が形成されている。光導波路１０２および１０３にはそれぞれ、ミラー構造１０４および１０５が形成されている。ベースフィルム１０１の屈折率ｎを１．５１４に固定した。
【００７８】
図１１は、図１０の構成で光導波路１０２および１０３のコアの屈折率を１．５６にした時の、結合損失の角度β依存性を示す図である。図１１から分かるように、厚さＧ／幅Ｄ(Ｇ／Ｄ)がいずれの場合であっても、範囲１１１、すなわち角度βが３０°〜４０°において、透過光量が大きくなる。特に、角度βが３７．５°で最大となる。また、厚さＧが薄いほど透過光量が大きくなることも分かる。図には示していないが、上記コアの屈折率を１．５３〜１．５７にした場合でも、同様に、角度βが３０°〜４０°のときに、透過光量が最大となる。
【００７９】
（第３の実施形態）  
図１２は、本実施形態に係る、フレキシブル光配線板の模式図である。  
図１２において、符号１２１ａは、ＶＣＳＥＬアレイ１２１ａ、１２１ｂと、光導波路１２８ａ、１２８ｂとを備えるボードである。符号１２１ｂは、ＰＤアレイ１２３ａ、１２３ｂと、光導波路１２９ａ、１２９ｂとを備えるボードである。符号１２１ｃは、ＰＤアレイ１２３ｃ、１２３ｄと、光導波路１２９ｃ、１２９ｄとを備えるボードである。
【００８０】
図１２において、フレキシブル光配線板１３０は、少なくとも、第１の導波層、および第１の導波層上に積層された第２の導波層を備えている。上層である第２の導波層には、Ｙ−分岐導波路１２４ａおよび１２４ｂ、ならびに光導波路１２５ａ〜１２５ｄが形成されている。また、第１の導波層には、光導波路１２６ａ〜１２６ｄが形成されている。Ｙ−分岐導波路１２４ａ、１２４ｂの分岐側の導波路の端面にはミラー構造が形成されており、光導波路１２６ａ〜１２６ｄの両端にもミラー構造が形成されている。よって、Ｙ−分岐導波路１２４ａ、１２４ｂを導波する光はそれぞれ、光導波路１２６ａ〜１２６ｄの対応する光導波路に結合する。また、光導波路１２５ａ〜１２５ｄの、光導波路１２６ａ〜１２６ｄと接続する側の端面にもミラー構造が形成されており、光導波路１２６ａ〜１２６ｄを導波する光をそれぞれ、光導波路１２５ａ〜１２５ｄの対応する光導波路に結合する。
【００８１】
また、光導波路１２８ａとＹ−分岐導波路１２４ａとが光学的に接続されており、光導波路１２８ｂとＹ−分岐導波路１２４ｂとが光学的に接続されている。同様に、光導波路１２５ａと光導波路１２９ａとが光学的に接続されており、光導波路１２５ｂと光導波路１２９ｂとが光学的に接続されており、光導波路１２５ｃと光導波路１２９ｃとが光学的に接続されており、光導波路１２５ｄと光導波路１２９ｄとが光学的に接続されている。
【００８２】
このような構成のフレキシブル光配線板１３０では、第１の伝送経路は、光導波路１２８ａ、Ｙ−分岐導波路１２４ａ、光導波路１２６ａ、光導波路１２５ａ、および光導波路１２９ａを含み、第２の伝送経路は、光導波路１２８ａ、Ｙ−分岐導波路１２４ａ、光導波路１２６ｂ、光導波路１２５ｃ、および光導波路１２９ｃを含み、第３の伝送経路は、光導波路１２８ｂ、Ｙ−分岐導波路１２４ｂ、光導波路１２６ｃ、光導波路１２５ｂ、および光導波路１２９ｂを含み、第４の伝送経路は、光導波路１２８ｂ、Ｙ−分岐導波路１２４ｂ、光導波路１２６ｄ、光導波路１２５ｄ、および光導波路１２９ｄを含む。
【００８３】
本実施形態では、第２の伝送経路が、第３および第４の伝送経路と交差する、すなわち、光導波路１２６ｂがＹ−分岐導波路１２４ｂと交差することになるが、光導波路１２６ｂとＹ−分岐導波路１２４ｂとは別個の導波層に形成されている。従って、上記交差によるクロストークを緩和することができる。同様に、第２の伝送経路に含まれる光導波路１２５ｃと、第４の伝送経路に含まれる光導波路１２６ｄとも交差しているが、それぞれ別個の導波層に形成されているので、上記クロストークを緩和できる。
【００８４】
このように、少なくとも２つ以上の光の伝送経路があり、複数箇所で伝送経路が交差する場合であっても、本実施形態では、少なくとも２層の導波層を積層させ、上記交差領域において光道路を別個の導波層に形成しているので、伝送経路の交差によるクロストークを防止、ないしは軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】従来の配線板における、光素子間での光信号のやりとりを説明するための図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、従来の配線板において、所定の２組の光素子間で光信号のやり取りを行う様子を示す図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係る、積層導波路を説明するための図である。
【図４】図３（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る、２つの伝送経路の交差領域において、２つの伝送経路がそれぞれ異なる導波層に形成されている様子を示す図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係る高分子導波路の導波層の作製方法を説明するための図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る積層導波路の断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る低角ミラーが形成された積層導波路の断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係る、積層導波路の作製方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る、ミラー構造を有する導波路を積層させた構造を示す図である。
【図１１】図１０の構成で光導波路のコアの屈折率を１．５６にした時の、結合損失の角度β依存性を示す図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る積層導波路を、フレキシブル光配線板に適用した形態を説明する図である。
【符号の説明】
【００８６】
３１ａ、３１ｂ    ＶＣＳＥＬアレイ
３２ａ、３２ｂ    ＰＤアレイ
３３ａ、３３ｂ、３４ａ〜３４ｄ    高分子導波路
３５    基板
３６    第１の導波層
３７    第２の導波層
３８    交差領域
４１、４２    ポリマー層
５１    基板
５２    第１の導波層
５３    ポリマー層
５４    第２の導波層
５５、５６ａ、５６ｂ、５７    高分子導波路
５８ａ、５８ｂ、５９ａ、５９ｂ    ミラー構造
６１    基板
６２    クラッドフィルム
６３、６８    コア材
６４    ソフトスタンパ
６５    凸部
６６    凹部
６７    ローラ
６９    コア
７０    基板
７１    ＶＣＳＥＬアレイ
７２    ＰＤアレイ
７３    第１の導波層
７４、８１ａ、８１ｂ、８２    高分子導波路
７５ａ、７５ｂ、８３ａ、８３ｂ、８４ａ、８４ｂ    ミラー構造
７６、７９    ポリマー層
７７    レンズ層
７８ａ〜７８ｄ    レンズ
８０    第２の導波層
８５    交差領域
９１、９３    高分子導波路
９２、９４    ミラー構造
９５    レンズ
１０１    ベースフィルム
１０２、１０３    光導波路
１０４、１０５    ミラー構造
１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ    ボード
１２２ａ、１２２ｂ    ＶＣＳＥＬアレイ
１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ、１２３ｄ    ＰＤアレイ
１２４ａ、１２４ｂ    Ｙ−分岐導波路
１２５ａ〜１２５ｄ、１２６ａ〜１２６ｄ、１２８ａ、１２８ｂ、１２９ａ〜１２９ｄ    光導波路
１３０    フレキシブル光配線板
【図１】
2008083205.tif 000006
【図２】
2008083205.tif 000007
【図３】
2008083205.tif 000008
【図４】
2008083205.tif 000009
【図５】
2008083205.tif 000010
【図６】
2008083205.tif 000011
【図７】
2008083205.tif 000012
【図８】
2008083205.tif 000013
【図９】
2008083205.tif 000014
【図１０】
2008083205.tif 000015
【図１１】
2008083205.tif 000016
【図１２】
2008083205.tif 000017