(57)【要約】【課題】ウエハレベルＣＳＰ化された半導体装置において、所定の入光面以外の面から光が入射することを抑制し、搭載された集積回路やデバイスなどが赤外〜紫外域の電磁波によって誤作動を生じないパッケージを実現するための構造を有する、半導体装置及び製造方法、並びにこの半導体装置を用いた電子部品を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置１０は、一方の面に電極３を備える半導体からなる基板２、前記基板の一方の面に配された絶縁部４、前記基板の他方の面に配された第一保護部６、を少なくとも備えた構造体１１を有する。また、半導体装置１０は、前記構造体の側面部の一部又は全部を被覆する第二保護部７を有することにより構成され、前記第一保護部及び前記第二保護部は何れも、遮光性を有することを特徴とする。【選択図】図１
2008117895.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に電極を備える半導体からなる基板、前記基板の一方の面に配された絶縁部、及び、前記基板の他方の面に配された第一保護部、を少なくとも備えた構造体、並びに、前記構造体の側面部の一部又は全部を被覆する第二保護部、から構成され、前記第一保護部と前記第二保護部は何れも、遮光性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第二保護部は、前記絶縁部の少なくとも一部を被覆することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第二保護部は、少なくともその一部が前記絶縁部に覆われていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記構造体の側面は、前記一方の面側より前記他方の面側の方が外方にせり出していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第一保護部及び／又は前記第二保護部をなす部材は、金属材料であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の半導体装置を用いたことを特徴とする電子部品。
【請求項７】
一方の面に電極を備える半導体からなる基板、前記基板の一方の面に配された絶縁部、及び、前記基板の他方の面に配された第一保護部、を少なくとも備えた構造体、並びに、前記構造体の側面部の一部又は全部を被覆する第二保護部、から構成され、前記第一保護部と前記第二保護部は何れも、遮光性を有する半導体装置を製造する方法であって、前記基板の一方の面上に絶縁部を形成する工程α１と、前記基板のスクライブライン部に一方の面から他方の面に向かう溝を形成する工程α２と、前記溝内に前記第二保護部をなす部材を充填する工程α３と、前記基板の他方の面を研磨し、前記溝内に充填した前記第二保護部をなす部材を露呈させる工程α４と、前記基板の他方の面に前記第一保護部を形成する工程α５と、前記スクライブライン部より切断し、前記基板を個片化する工程α６と、を少なくとも順に備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
一方の面に電極を備える半導体からなる基板、前記基板の一方の面に配された絶縁部、及び、前記基板の他方の面に配された第一保護部、を少なくとも備えた構造体、並びに、前記構造体の側面部の一部又は全部を被覆する第二保護部、から構成され、前記第一保護部と前記第二保護部は何れも、遮光性を有する半導体装置を製造する方法であって、前記基板の一方の面上に絶縁部を形成する工程β１と、前記基板の他方の面を研磨する工程β２と、前記基板の他方の面に前記第一保護部を形成する工程β３と、前記基板のスクライブライン部に、前記第一保護部が露呈する溝を一方の面から形成する工程β４と、前記溝内に前記第二保護部をなす部材を充填する工程β５と、前記スクライブライン部より切断し、前記基板を個片化する工程β６と、を少なくとも順に備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、並びに電子部品に係り、詳しくは半導体ＩＣチップの側面及び裏面を確実に遮光することができる半導体装置及びその製造方法、並びにこの半導体装置を具備する電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品で用いられる半導体パッケージ構造として、たとえば半導体チップを樹脂により封止したパッケージ（いわゆる、「Dual Inline Package 、以下「ＤＩＰ」と略記する場合がある」や「Quad Flat Package 、以下「ＱＦＰ」と略記する場合がある」）では、樹脂パッケージ周辺の側面に金属リード電極を配置する周辺端子配置型が主流であった。
【０００３】
これに対し、近年広く普及している半導体パッケージ構造として、たとえばボールグリットアレイ（Ball Grid Array、以下「ＢＧＡ」と略記する場合がある）がある。これは、パッケージの平坦な表面に半田バンプと呼ばれる電極を二次元的に配置した構造を有しているため、ＤＩＰやＱＦＰに比べて高密度な実装が可能となる。このため、ＢＧＡはコンピュータのＣＰＵやメモリなどのパッケージとして使われている。従来のＢＧＡタイプの半導体パッケージは、パッケージサイズがチップサイズよりも大きいが、なかでもパッケージをほとんどチップサイズに近い大きさにまで小型化したパッケージはＣＳＰ（チップスケールパッケージ）と呼ばれ、電子機器の小型軽量化に大きく貢献している。
【０００４】
これらＢＧＡタイプの半導体パッケージは、回路を形成したウエハ基板を切断し、その半導体チップをインターポーザと呼ばれる基板に搭載してパッケージを完成させるもので、パターニングされたインターポーザが必要である上に、個々に半導体チップを個別にインターポーザに実装する工程が必要である。このため、専用の材料や製造装置を用いなければならず、コストが高くなるという欠点があった。
【０００５】
これに対し、一般的に「ウエハレベルＣＳＰ」と呼ばれる製法においては、このウエハ基板上に、絶縁樹脂層、再配線層、封止樹脂層、はんだバンプ等を形成し、最終工程においてウエハを所定のチップ寸法に切断することでパッケージ構造を具備した半導体チップを得ることができる。したがって、パッケージ構造をウエハ基板上に一括形成するため、従来のようにインターポーザを必要とせず、またウエハ状態で加工するので専用の装置を必要としない。このため製造効率が高く、コスト面の不利は低減している。しかも、ウエハ全面にパッケージ加工を施した後にダイシングして個片化することから、個片化したチップそのものの大きさが、パッケージの施された半導体チップとなり、実装基板に対して最小投影面積を有する半導体チップを得ることが可能となる。また、配線距離が従来のパッケージよりも短く、配線の寄生容量も小さい。これら優れた特徴は、現在急速に進んでいる実装の高密度化や、情報処理速度の高速化が実現できるという点において非常に優位である。ウエハレベルＣＳＰの技術については、たとえば、非特許文献１〜３などに詳細が記載されている。
【０００６】
ここで、従来のウエハレベルＣＳＰの製造方法を、図２１及び図２２を参照しながら簡単に説明する。
図２１及び図２２は、従来のウエハレベルＣＳＰの製造工程の一例を示す概略断面図である。
まず、一方の面に電極端子１０３を備える半導体ウエハ１０１を準備し、前記電極端子１０３が露呈するように開口部１０４ａを有すると共に、半導体ウエハ１０１を所定の寸法にダイシング（切断）するための領域としてのスクライブライン部Ｌを除き、第一絶縁部１０４Ａを形成する［図２１（ａ）参照］。次に、第一絶縁部１０４Ａの一部を覆うように、前記開口部１０４ａを通して前記電極端子１０３と電気的に接続され、かつ、外部基板との接続を可能とするバンプ１０８が搭載される導電部１０５を形成する［図２１（ｂ）参照］。次いで、第一絶縁部１０４Ａ及び導電部１０５を覆い、バンプ１０８を前記導電部１０５に直接接触させるための開口部１０４ｂを有する第二絶縁部１０４Ｂを形成する［図２１（ｃ）参照］。また、第二絶縁部１０４Ｂの開口部１０４ｂを通して導電部１０５と接続するように、外部端子としてのバンプ１０８を搭載する［図２２（ａ）参照］。そして、半導体ウエハ１０１の他方の面を薄膜化し、該他方の面に第三絶縁部１０６を形成する［図２２（ｂ）参照］。その後、スクライブライン部Ｌよりこの半導体ウエハ１０１をダイシングすることにより個片化し、半導体チップ１１０を得ることができ完成となる［図２２（ｃ）参照］。
なお、このプロセスの順序は入れ替わることもあるし、一部スキップあるいは新たなプロセスを追加することもある。
【０００７】
このようにウエハレベルＣＳＰは、高密度な実装を実現できる安価な半導体パッケージであるが、ウエハ単位でパッケージ加工し、最終のダイシング工程でパッケージを個片化する技術であるため、その側面ではシリコン等の半導体基板が露出している構造となる。この露出した半導体基板側面に光、特に赤外線が入射すると、その光は半導体基板を透過して容易に、ＩＣ回路まで到達してしまう。すると、ＩＣ回路内で光が吸収されてキャリアが励起されるため、たとえばＭＰＵのように高速で動作するＩＣでは正常に動作しなくなる危険性が生じる。このため、そのようなＩＣは、ウエハレベルＣＳＰ化するのが困難であった。
【０００８】
また、目的は異なるが、チップの破損や露出面からの水分の浸透等による信頼性の低下を防止するため、基板の背面や、表面及び側面をそれぞれ保護膜で覆った半導体装置及びその製造方法（特許文献１参照）や、ウエハを個片に分割する際に、ダイシングラインが樹脂にて覆われていても、ウエハを確実に個片に分割し、個々のチップの側面が樹脂で封止された半導体装置及びその製造方法が提案されている（特許文献２参照）。
【０００９】
特許文献１に記載の手段は、基板の側面や背面から光が入射することについて何ら考慮しておらず、単にチップの破損や露出面からの水分の浸透等による信頼性の低下を防止するための保護膜を設けただけでは、光が入射することを抑制することが出来ず、基板に光が入射することでＩＣが光の影響を受けて正常に動作しなくなる危険性を解消することが出来ないといった問題がある。しかも、基板表面に形成された柱状電極を除くその表面と側面とが同じ保護膜で連続的に覆われているため、個片化の際に応力が表面を覆っている保護膜に加わり剥離が生じてしまう虞があった。
また、特許文献２に記載の手段では、基板の側面と背面が露出しているため、光が入射することを抑制することが出来ず、やはりＩＣが光の影響を受けて正常に動作しなくなる危険性をはらむといった問題があった。
【特許文献１】特開２００１−３２６２９９号公報
【特許文献２】特開２００４−７０１６号公報
【非特許文献１】日経マイクロデバイス誌、２０００年３月号、ｐ．１２１
【非特許文献２】日経マイクロデバイス誌、２０００年４月号、ｐ．１１４
【非特許文献３】日経マイクロデバイス誌、２００２年２月号、ｐ．４２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ウエハレベルＣＳＰ化された半導体装置において、所定の入光面以外の面から光が入射することを抑制し、搭載された集積回路やデバイスなどが赤外〜紫外域の電磁波によって誤作動を生じないパッケージを実現するための構造を有する、半導体装置及び製造方法、並びにこの半導体装置を用いた電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の請求項１に係る半導体装置は、一方の面に電極を備える半導体からなる基板、前記基板の一方の面に配された絶縁部、及び、前記基板の他方の面に配された第一保護部、を少なくとも備えた構造体、並びに、前記構造体の側面部の一部又は全部を被覆する第二保護部、から構成され、前記第一保護部と前記第二保護部は何れも、遮光性を有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の請求項２に係る半導体装置は、請求項１において、前記第二保護部は、前記絶縁部の少なくとも一部を被覆することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の請求項３に係る半導体装置は、請求項１において、前記第二保護部は、少なくともその一部が前記絶縁部に覆われていることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の請求項４に係る半導体装置は、請求項１乃至３の何れか一項において、前記構造体の側面は、前記一方の面側より前記他方の面側の方が外方にせり出していることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の請求項５に係る半導体装置は、請求項１乃至４の何れか一項において、前記第一保護部及び／又は前記第二保護部をなす部材は、金属材料であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の請求項６に係る電子部品は、請求項１乃至５の何れか一項に記載の半導体装置を用いたことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の請求項７に係る半導体装置の製造方法は、一方の面に電極を備える半導体からなる基板、前記基板の一方の面に配された絶縁部、及び、前記基板の他方の面に配された第一保護部、を少なくとも備えた構造体、並びに、前記構造体の側面部の一部又は全部を被覆する第二保護部、から構成され、前記第一保護部と前記第二保護部は何れも、遮光性を有する半導体装置を製造する方法であって、前記基板の一方の面上に絶縁部を形成する工程α１と、前記基板のスクライブライン部に一方の面から他方の面に向かう溝を形成する工程α２と、前記溝内に前記第二保護部をなす部材を充填する工程α３と、前記基板の他方の面を研磨し、前記溝内に充填した前記第二保護部をなす部材を露呈させる工程α４と、前記基板の他方の面に前記第一保護部を形成する工程α５と、前記スクライブライン部より切断し、前記基板を個片化する工程α６と、を少なくとも順に備えることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の請求項８に係る半導体装置の製造方法は、一方の面に電極を備える半導体からなる基板、前記基板の一方の面に配された絶縁部、及び、前記基板の他方の面に配された第一保護部、を少なくとも備えた構造体、並びに、前記構造体の側面部の一部又は全部を被覆する第二保護部、から構成され、前記第一保護部と前記第二保護部は何れも、遮光性を有する半導体装置を製造する方法であって、前記基板の一方の面上に絶縁部を形成する工程β１と、前記基板の他方の面を研磨する工程β２と、前記基板の他方の面に前記第一保護部を形成する工程β３と、前記基板のスクライブライン部に、前記第一保護部が露呈する溝を一方の面から形成する工程β４と、前記溝内に前記第二保護部をなす部材を充填する工程β５と、前記スクライブライン部より切断し、前記基板を個片化する工程β６と、を少なくとも順に備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る半導体装置は、一方の面に電極を備える半導体からなる基板、前記基板の一方の面に配された絶縁部、及び、前記基板の他方の面に配された第一保護部、を少なくとも備えた構造体、並びに、前記構造体の側面部の一部又は全部を被覆する第二保護部、がウエハレベルＣＳＰ化され、前記第一保護部と前記第二保護部は何れも、遮光性を有する構成となっている。この構成によれば、遮光性を有する第一保護部及び第二保護部によって、個片化された基板の側面や背面に当該基板自身が露出する箇所が無くなるものとなる。
したがって、所定の入光面以外の面から光が入射することを抑制し、搭載された集積回路やデバイスなどが赤外〜紫外域の電磁波によって誤作動を生じないパッケージを実現するための構造を有する、ウエハレベルＣＳＰ化された半導体装置とすることができる。
【００２０】
また、本発明の電子部品は、所定の入光面以外の面から光が入射することを抑制し、搭載された集積回路やデバイスなどが赤外〜紫外域の電磁波によって誤作動を生じないパッケージを実現するための構造を有する、ウエハレベルＣＳＰ化された半導体装置を用いることで、遮光を考える必要が無く、設計上の自由度の向上を図ることができる。
【００２１】
また、本発明の請求項７に係る半導体装置の製造方法（以下、「第一の製造方法」と呼ぶ。）では、基板の一方の面上に絶縁部を形成した後、基板のスクライブライン部に一方の面から他方の面に向かう溝の形成、該溝内に第二保護部をなす部材の充填、基板の他方の面の研磨による薄肉化、基板の他方の面に第一保護部を形成、前記スクライブライン部での切断による基板の個片化、を少なくとも順に備える構成となっている。この構成によれば、遮光性を有する第一保護部によって、前記基板の他方の面を覆い、また、遮光性を有する第二保護部をなす部材によって、一方の面に電極を備える半導体からなる基板、該基板の一方の面に配された絶縁部、及び前記第一保護部、を少なくとも備えた構造体の側面部の一部を覆うことができる。
したがって、所定の入光面以外の面から光が入射することを抑制し、搭載された集積回路やデバイスなどが赤外〜紫外域の電磁波によって誤作動を生じないパッケージを実現するための構造を有する、ウエハレベルＣＳＰ化された半導体装置を容易に製造することができる。
【００２２】
さらに、本発明の請求項８に係る半導体装置の製造方法（以下、「第二の製造方法」と呼ぶ。）では、基板の一方の面上に絶縁部を形成した後、基板の他方の面の研磨による薄肉化、基板の他方の面に第一保護部を形成、基板のスクライブライン部に一方の面から他方の面に向かう溝の形成、該溝内に第二保護部をなす部材の充填、前記スクライブライン部での切断による基板の個片化、を少なくとも順に備える構成となっている。この構成によれば、遮光性を有する第一保護部によって、前記基板の他方の面を覆い、また、遮光性を有する第二保護部をなす部材によって、一方の面に電極を備える半導体からなる基板、該基板の一方の面に配された絶縁部、及び前記第一保護部、を少なくとも備えた構造体の側面部の一部又は全部を覆うことができる。
したがって、所定の入光面以外の面から光が入射することを抑制し、搭載された集積回路やデバイスなどが赤外〜紫外域の電磁波によって誤作動を生じないパッケージを実現するための構造を有すると共に、切溝が無い状態で基板をより薄くまで加工することが可能となって、基板が破損する危険性も少なくハンドリングも容易になり、また、前記切溝の深さも浅くなるので、溝内への第二保護部をなす部材の充填が容易になり、さらに、第二保護部をなす部材を前記溝内に充填した後、すぐに基板の個片化を行なうので、基板の薄肉加工時に、基板と第二保護部に対して応力が加わること無く、剥離を起こす危険性を回避することができる、ウエハレベルＣＳＰ化された半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
本発明の半導体装置は、遮光性を有する物質でウエハレベルＣＰＳの側面を被覆した構造を有し、半導体ウエハのダイシング後に遮光性を有する物質の被覆加工を実施するのではなく、ダイシングが完了した時点で既にその側面が遮光性を有する物質で被覆された構造となっていることを特徴とする。そして、本発明の半導体装置は、基板の他方の面を覆う第一保護部と基板の側面を覆う第二保護部の配し方（製造方法）によって、大きく二つに分けることができる。
【００２４】
（第一半導体装置）
図１は、本発明の第一半導体装置の一例を示す図面であり、その構造を説明する断面図である。なお、後述する実施形態においては、本実施形態と同様の構成部分については同じ符合を用い、その説明は省略することとし、特に説明しない限り同じであるものとする。
図１に示すように、本発明の半導体装置１０（１０Ａ）は、半導体からなる基板２、該基板２の一面に配された絶縁部４、前記基板２の他方の面に配された第一保護部６（６Ａ）、を少なくとも備えた構造体１１を有する。さらに、第一半導体装置１は、前記構造体１１の側面部の一部を被覆する第二保護部７（７Ａ）を少なくとも備えることにより構成されている。
【００２５】
基板２は、一面に電極端子３を配している。この基板２は、シリコンウエハやガリウム砒素ウエハ等の半導体ウエハの一面に、各種半導体素子やＩＣ等を形成した後、チップ寸法に切断することで得ることができる。
【００２６】
絶縁部４は、基板２の一面を覆うように配され、電極端子３が露呈するように、その整合する位置に開口部を有する第一絶縁部１４と、該第一絶縁部１４及び、該第一絶縁部１４の一部を覆うように配された導電部５を被覆する第二絶縁部２４とからなる。
【００２７】
第一絶縁部１４を成す材料としては、絶縁性が高く、耐熱性、耐薬品性に優れ、機械的強度が強い樹脂が好ましい。具体的には、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ＡＢＳ（Acrylonitrile Butadiene Styrene） 樹脂などのポリマー、あるいは窒化シリコンなどのセラミックスが好ましい。また、厚さは、ポリマーの場合は１〜２０μｍ、セラミックスの場合は０．１〜５μｍとすると良い。
【００２８】
また、第一絶縁部１４は、個片化するために切断される領域には形成しない方が好ましい。そうすることで、後に切溝を形成する場合、半導体ウエハのみを切れば良く、第一絶縁部１４が半導体ウエハから剥離する心配がなくなる。これによって、第一絶縁部１４は、半導体ウエハに対する密着性が多少低い材料であっても適用できるようになるため、より安価な材料を採用することができる。
【００２９】
導電部５は、外部基板との接続領域に、前記第一絶縁部１４の一部を覆うように配された接続パッドであり、図示しないが、密着層と導電層とからなる。この導電部５は、バンプ（不図示）を介して外部基板（不図示）と接続される。また、導電部５は、第一絶縁部１４に有する開口部を通して電極端子３と電気的に接続する配線層である。
密着層は、導電層と第一絶縁部１４との密着性を確保し、かつ、導電層を容易に形成させるため設けられる。また、密着層は、電極端子３と導電層間のエレクトロマイグレーションを抑制する役割も担っている。密着層の材料としては、たとえばクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、チタンタングステン（Ｔｉ‐Ｗ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属が好ましく、これらの積層構造がより好ましい。積層構造とすることで、たとえば下層に第一絶縁部１４との密着性に優れた材料を使用し、上層に導電層との密着性に優れた材料を用いるといったことが可能になる。
【００３０】
一方、導電層は、密着層の上に配置され、電極端子３とバンプとを一部の密着層を介して電気的に接続している。この導電層の材料としては、導電性に優れ、耐熱性に優れた金属が好ましく、たとえば、銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）などが好ましい。あるいはこれらを主成分とした合金、またはこれらの積層構造でも構わない。その中でも、電気抵抗率が低く、比較的安価な銅がより好ましい。
また、バンプとの接続を容易にするために、導電層の少なくともバンプと接する面は、金であるのがより好ましい。この導電層の厚さは１〜２０μｍとすると良く、これにより充分な導電性が得られる。なお、導電層を金表面の積層構造とした場合、表面の金層の厚みは１μｍ以下が好ましい。
【００３１】
第二絶縁部２４は、第一絶縁部１４及び導電部５を覆うように設けるが、バンプを配置する導電部５上には形成しない。この第二絶縁部２４に適した部材は、第一絶縁部１４と同じで良いが、加えて難燃性に優れており、あるいは吸水性が低いとより好ましく、たとえば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ＡＢＳ樹脂等が挙げられる。また、第二絶縁部２４の厚さは、ポリマーの場合は１〜５０μｍ、セラミックスの場合は０．１〜５μｍとすると良い。
【００３２】
第一保護部６は、基板２の他方の面を覆う保護部材であり、遮光性を有する。特に、波長が９００〜１３００ｎｍの近赤外線に対する遮光性に優れることが望ましい。この部材としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ＡＢＳ樹脂等の樹脂が挙げられる。また、第一保護部６は、レーザーマーキングによる視認性が良好であればより好ましい。なお、第一保護部６は、半導体ウエハの他方の面の全面に一括して形成すれば良いため、感光性を付与する必要は無い。
【００３３】
第二保護部７は、基板２と絶縁部４と第一保護部６（６Ａ）を少なくとも備えた構造体１１の側面部の一部を覆う保護部材であり、遮光性を有する。この第二保護部７は、基板２表面のスクライブライン部に形成した、一方の面から他方の面に向かう切溝９内に遮光性を有する部材などを充填することにより形成される。この部材としては、第一保護部６と同様に、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ＡＢＳ樹脂等の樹脂が好ましい。
【００３４】
バンプ（不図示）は、外部基板と電気的に接続するための出力端子であり、導電部５に整合して搭載されている。このバンプの材料としては、たとえば金や半田が好ましい。半田は、鉛を含む組成であっても含まない組成であっても構わない。鉛を含まない組成としては、錫を主成分として、銀、銅、インジウム、亜鉛、ビスマスなどの元素を一つ、あるいは複数含む組成が好ましい。また、バンプは、ペースト印刷法、ボール搭載法、めっき法、半田ジェット法などで形成する。なお、バンプ形成プロセスはこの順ではなく、第二保護部７をなす部材を充填するための切溝９の加工後、あるいはこの切溝９に第二保護部７をなす部材を充填した後、あるいは半導体ウエハの薄肉化後、あるいは第一保護部６の形成後であっても良い。
【００３５】
次に、本発明における第一半導体装置１０Ａの製造方法の一例について説明する。
図２および図３は、本発明の第一半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す部分拡大断面図である。
まず、基板１を用意する。この基板１としては、その一面に電極端子（不図示）やパッシベーション（不図示）が形成された、たとえばシリコンウエハやガリウム砒素ウエハ等の半導体ウエハを指す。これら半導体ウエハは、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。
【００３６】
次いで、基板１を覆い、前記電極端子が露呈する開口部を有する第一絶縁部１４を形成する（図２（ａ）参照）。この第一絶縁部１４は、個片化するために切断される領域には形成しない。第一絶縁部１４に使われる材料は、たとえばポリイミド系、エポキシ系、フェノール系、又はシリコン系、ＡＢＳといった樹脂からなり、たとえばフォトリソグラフィ技術を利用する基板２上に一様に形成した第一絶縁部をパターニングすることにより形成することができる。この第一絶縁部１４の塗布方法においては、たとえばスピンコート法、キャスティング法、ディスペンス法等により、基板２上に樹脂を塗布することが可能である。なお、第一絶縁部１４の厚さは、たとえば１〜２０μｍ程度である。
また、第一絶縁部１４のパターニングにおいて、フォトリソグラフィ技術のほかに、レーザ加工法、プラズマエッチング法、シート状の樹脂をラミネート法にて圧着させる方法、により形成することもできる。さらに、第一絶縁部１４は、樹脂をスクリーン印刷にて直接、成膜かつパターニングする方法も可能である。
【００３７】
次に、第一絶縁部１４の一部を覆うように、前記開口部を通して前記電極端子と電気的に接続され、かつ、外部基板との接続を可能とするバンプが搭載される導電部を形成する。この導電部は、密着層と導電層とからなり、密着層は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などにより形成し、導電層は、電解めっき法、あるいは無電解めっき法にて形成することができる。この導電部の厚さは、たとえば密着層が０．０１〜１μｍ程度、導電層が１〜３０μｍ程度である。
【００３８】
さらに、第一絶縁部１４及び導電部を覆い、バンプを前記導電部に直接接触させるための開口部を有する第二絶縁部２４を形成する（図２（ａ）参照）。この第二絶縁部２４に使われる材料は、第一絶縁部１４と同じで良いが、加えて難燃性に優れており、あるいは吸水性が低いとより好ましく、たとえば、ポリイミド系、エポキシ系、フェノール系、又はシリコン系、ＡＢＳといった樹脂からなり、たとえばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。この第二絶縁部２４の塗布方法においては、たとえばスピンコート法、キャスティング法、ディスペンス法等により、第一絶縁部１４及び導電部５上に樹脂を塗布することが可能である。
また、第二絶縁部２４のパターニングにおいて、フォトリソグラフィ技術のほかに、レーザ加工法、プラズマエッチング法、シート状の樹脂をラミネート法にて圧着させる方法、により形成することもできる。さらに、第二絶縁部２４は、樹脂をスクリーン印刷にて直接、成膜かつパターニングする方法も可能である。
【００３９】
次に、前記基板１表面のスクライブライン部（＝半導体ウエハを切断するための領域）Ｌを、たとえばダイサーでハーフカットし、一方の面から他方の面に向かう切溝９（９Ａ）を形成する（図２（ｂ）参照）。基板１は、後に研磨して所定の厚みまで薄肉化するが、溝９（９Ａ）の深さは、薄肉化した後の基板１の厚み＋２０μｍ以上にするのが望ましい。したがって、図２（ｂ）に示すように、切溝９（９Ａ）は、薄肉化した後のウエハ（基板１）裏面位置を越えて深く形成される。
【００４０】
また、この溝９（９Ａ）内には、後に第二保護部７（７Ａ）をなす部材などを充填するが、その埋め込み性を向上させるため、溝９の断面形状は、通常の矩形型溝９Ａ以外に、たとえば、図４に示すようなＶ字型溝９Ｂや、図５に示すようなステップ型溝９Ｃといった、基板１の一方の面側より他方の面側の方が外方にせり出している形状とするのがより好ましい。このように、基板１の一方の面側より他方の面側の方が外方にせり出している溝９とすることにより、第二保護部７（７Ａ）の充填がし易くなる。これらの溝９（９Ａ，９Ｂ，９Ｃ）の形成は、回転ブレードによる切溝加工、あるいはアルカリ水溶液を用いた異方性エッチング、あるいはボッシュ法やクライオ法によるドライエッチングが適当である。回転ブレードによる切溝加工を用いる場合、ブレードの厚さは１０〜２００μｍが好ましい。
【００４１】
次に、溝９内に遮光性を有する第二保護部７（７Ａ）をなす部材を充填する（図２（ｃ）参照）。この部材としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ＡＢＳ樹脂等の樹脂が好ましい。この充填部材（すなわち、第二保護部をなす部材）は、溝内だけではなく、少なくとも基板１の表面で第一絶縁部１４あるいは第二絶縁部２４が形成されていない領域も確実に被覆されている必要がある。このため、充填部材は、第一絶縁部１４あるいは第二絶縁部２４の少なくとも一部にまで達するように形成する。このうち、図６に示すように、充填部材７が第二絶縁部２４の上部まで覆っていると、充填部材が接合している面積が大きいため、密着性が高く剥離にしにくいという利点がある。一方で、図７に示すように、充填部材１７が第二絶縁部２４の表面を覆っていないと、個片化するときのダイシング位置が精度よく指定できるという利点がある。充填部材の形成方法としては、スクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンス法などが好ましく、部材内にボイドを発生させないためには、真空印刷法が有効である。
【００４２】
さらに、基板１の他方の面を研磨し、前記溝９内に充填した前記第二保護部７をなす部材が露呈する所定の厚さまで薄肉化する［図３（ａ）参照］。この基板１の他方の面研磨は、たとえば、機械研磨法、化学研磨法、化学機械的研磨法、アルカリエッチング法、ドライエッチング法、等により行なう。
【００４３】
そして、薄肉化した基板２（１）の他方の面に、第一保護部６（６Ａ）を形成する［図３（ｂ）参照］。この部材としては、絶縁部４と同じでも良いが、遮光性に優れ、あるいはレーザーマーキングによる視認性が良好であればより好ましい。第一保護部６の形成方法としては、スクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンス法、ラミネート法などが好ましく、部材内にボイドを発生させないためには、真空印刷法、あるいは真空ラミネート法が有効である。
【００４４】
その後、基板２表面のスクライブライン部Ｌより、溝９を形成したダイサーより幅の狭いブレードのダイサーを用いて第一保護部６（６Ａ）と第二保護部７（７Ａ）を切断し、ウエハを個片化する［図３（ｃ）参照］。この時、基板２の側面を被覆する第二保護部７Ａの厚さは５μｍ以上が好ましく、さらに２０μｍ以上がより望ましい。このため、ダイサーのブレードは、溝９の幅よりも、装置精度＋１０μｍ以上薄くするのが好ましく、装置精度＋４０μｍ以上薄くするのがより望ましい。
なお、本発明では、第一保護部６（６Ａ）と第二保護部７（７Ａ）のみを切断するため、半導体ウエハのチッピングなどの不良は生じず、歩留まりを向上させることができる。
これにより、図１に示すような半導体装置１０Ａを得ることができ完成となる。
【００４５】
以上のように本発明の半導体装置は、遮光性を有する第二保護部をなす部材によって、一方の面に電極を備える半導体からなる基板と該基板の一方の面に配された絶縁部の側面部の一部を覆い、また、遮光性を有する第一保護部によって、前記基板の他方の面を覆うことができるので、基板の側面や背面といった所定の入光面以外の面より光が入射することを抑制し、ＩＣが赤外〜紫外域の電磁波によって誤作動を起こすこと無く動作できるものとなる。
さらに、本発明は、銅ポスト構造という限定をしないので、銅ポスト構造でなければ露出させるためのウエハ表面研磨は必要ない。
【００４６】
また、本発明では、図８に示すように、絶縁部４を形成する前に切溝９を形成し、溝９内に遮光性を有する第二保護部２７をなす部材を充填することで、第二保護部２７の少なくとも一部が絶縁部４に覆われたものとしても良い。
このような形態とすることにより、第二保護部２７を絶縁部４が上から保持するため、個片化するときに第二保護部２７が半導体ウエハから剥離する危険性をより低減することができる。
【００４７】
また、本発明では、第一保護部６及び／又は第二保護部７が金属、あるいは金属ペーストといった金属材料からなるものとしても良い。図９は、金属材料を第二保護部３７として用い、溝９内に充填した状態を示している。
このような形態とすることにより、金属はプラズマ周波数以下の光に対して高い反射率を有するため、第一保護部６や第二保護部７に適用することで、広い波長域で良好な遮光特性を得ることができる。
この金属ペーストを溝９内に充填する手法としては、スクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンス法などが好ましく、部材内にボイドを発生させないためには、真空印刷法が有効である。この部材としては、銅、銀、金、ニッケル、半田などが好ましい。また、金属を溝９内に充填する手法としては、電解めっき法や無電解めっき法、スパッタ法、蒸着法などが好ましい。また、半導体ウエハの薄肉化後にチップが個片化してしまわないよう、金属層は十分厚く形成する必要があることから、まず無電解めっき法、スパッタ法、蒸着法などでシード層を形成した後、電解めっき法で厚膜に形成するのがより好ましい。この部材としては、銅、銀、金、ニッケル、アルミニウム、クロムなどが好ましい。
【００４８】
また、本発明では、図１０に示すように、切溝９の表面を、金属材料からなる第二保護部３７で覆って０．１〜１０μｍの金属層を形成し、さらに樹脂材料からなる第二保護部４７を充填したものとしても良い。
このような形態とすることにより、金属層による高い遮光性を実現すると共に、その金属層は樹脂材料からなる第二保護部４７で覆われていることから、このウエハレベルＣＳＰを外部基板に実装する時、実装不良を低減することができる。すなわち、金属層が露出していると、実装時に半田が付着してしまう可能性があり、それによりアライメントがずれたり、隣接する部品や配線と電気的に接続されてしまうなどの不良が発生してしまう。
また、金属層は樹脂材料で保護されており、ハンドリング時に傷が付いてしまいＩＣへ光が漏れ込むという不良をも回避することができる。
さらに、この樹脂には遮光性を有する必要がないことから、安価な材料を選択できる上、樹脂を通して切溝９は視認できることから、半導体ウエハを個片化する際の位置合わせが容易になる。樹脂材料からなる第二保護部４７の部材としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ＡＢＳ樹脂等の樹脂が好ましい。
【００４９】
（第二半導体装置）
次に、第二半導体装置について説明する。
図１１は、本発明の第二半導体装置の一例を示す図面であり、その構造を説明する断面図である。
図１１に示すように、本発明の半導体装置１０（１０Ｂ）は、半導体からなる基板２、該基板２の一面に配された絶縁部４、前記基板２の他方の面に配された第一保護部６（６Ｂ）、を少なくとも備えた構造体１１を有する。さらに、第一半導体装置１は、前記構造体１１の側面部の一部又は全部を被覆する第二保護部７（７Ｂ）を少なくとも備えることにより構成されている。
【００５０】
この第二半導体装置１０Ｂと前記第一半導体装置１０Ａの違いについて説明すると、  第一半導体装置１０Ａが、切溝の形成、第二保護部の充填、半導体ウエハの薄肉化、第一保護部の形成、半導体ウエハの個片化のプロセスで製造されたのに対し、この第二半導体装置１０Ｂは、半導体ウエハの薄肉化、第一保護部の形成、切溝の形成、第二保護部の充填、半導体ウエハの個片化のプロセスで製造することができる。
【００５１】
次に、本発明における第二半導体装置１０Ｂの製造方法の一例について説明する。
図１２および図１３は、本発明の第二半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す部分拡大断面図である。
まず、基板１を用意する。この基板１としては、その一面に電極端子（不図示）やパッシベーション（不図示）が形成された、たとえばシリコンウエハやガリウム砒素ウエハ等の半導体ウエハを指す。これら半導体ウエハは、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。
【００５２】
次いで、基板１を覆い、前記電極端子が露呈する開口部を有する第一絶縁部１４を形成する［図１２（ａ）参照］。この第一絶縁部１４は、個片化するために切断される領域には形成しない。第一絶縁部１４に使われる材料は、たとえばポリイミド系、エポキシ系、フェノール系、又はシリコン系、ＡＢＳといった樹脂からなり、たとえばフォトリソグラフィ技術を利用する基板２上に一様に形成した第一絶縁部をパターニングすることにより形成することができる。この第一絶縁部１４の塗布方法においては、たとえばスピンコート法、キャスティング法、ディスペンス法等により、基板２上に樹脂を塗布することが可能である。なお、第一絶縁部１４の厚さは、たとえば１〜２０μｍ程度である。
また、第一絶縁部１４のパターニングにおいて、フォトリソグラフィ技術のほかに、レーザ加工法、プラズマエッチング法、シート状の樹脂をラミネート法にて圧着させる方法、により形成することもできる。さらに、第一絶縁部１４は、樹脂をスクリーン印刷にて直接、成膜かつパターニングする方法も可能である。
【００５３】
次に、第一絶縁部１４の一部を覆うように、前記開口部を通して前記電極端子と電気的に接続され、かつ、外部基板との接続を可能とするバンプが搭載される導電部を形成する。この導電部は、密着層と導電層とからなり、密着層は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などにより形成し、導電層は、電解めっき法、あるいは無電解めっき法にて形成することができる。この導電部の厚さは、たとえば密着層が０．０１〜１μｍ程度、導電層が１〜３０μｍ程度である。
【００５４】
さらに、第一絶縁部１４及び導電部を覆い、バンプを前記導電部に直接接触させるための開口部を有する第二絶縁部２４を形成する［図１２（ａ）参照］。この第二絶縁部２４に使われる材料は、第一絶縁部１４と同じで良いが、加えて難燃性に優れており、あるいは吸水性が低いとより好ましく、たとえば、ポリイミド系、エポキシ系、フェノール系、又はシリコン系、ＡＢＳといった樹脂からなり、たとえばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。この第二絶縁部２４の塗布方法においては、たとえばスピンコート法、キャスティング法、ディスペンス法等により、第一絶縁部１４及び導電部５上に樹脂を塗布することが可能である。
また、第二絶縁部２４のパターニングにおいて、フォトリソグラフィ技術のほかに、レーザ加工法、プラズマエッチング法、シート状の樹脂をラミネート法にて圧着させる方法、により形成することもできる。さらに、第二絶縁部２４は、樹脂をスクリーン印刷にて直接、成膜かつパターニングする方法も可能である。
【００５５】
次に、基板１の他方の面を研磨し、所定の厚さまで薄肉化する［図１２（ｂ）参照］。この基板１の他方の面研磨は、たとえば、機械研磨法、化学研磨法、化学機械的研磨法、アルカリエッチング法、ドライエッチング法、等により行なう。
【００５６】
そして、薄肉化した基板１の他方の面に、第一保護部６（６Ｂ）を形成する（図１２（ｃ）参照）。この部材としては、絶縁部４と同じでも良いが、遮光性に優れ、あるいはレーザーマーキングによる視認性が良好であればより好ましい。第一保護部６の形成方法としては、スクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンス法、ラミネート法などが好ましく、部材内にボイドを発生させないためには、真空印刷法、あるいは真空ラミネート法が有効である。
なお、この後の切溝加工において基板１は完全に切断し、第一保護部６は完全に切断しないようにしなければならないため、第一保護部６の厚さは４０μｍ以上必要である。あるいは、第一保護部６の形成後、さらに補強用シートをラミネートしても良い。このような形態とすることにより、この後の切溝加工にて基板と第一保護部６は完全に切断し、かつ、補強用シートは完全に切断しなければ良く、第一保護部６の厚さは１０μｍ程度にまで薄くすることができる。また、補強用シートを用いることによって、基板のハンドリングを容易にすることが可能である。
【００５７】
次に、前記基板１表面のスクライブライン部（＝半導体ウエハを切断するための領域）Ｌを、たとえばダイサーでハーフカットし、一方の面から他方の面に向かう切溝９（９Ｂ）を形成する［図１３（ａ）参照］。溝９（９Ｂ）の深さは、補強用シートを用いない場合は基板２の厚み＋２０μｍ以上の深さに、補強用シートを用いる場合は基板２の厚み＋第一保護部６の厚み＋２０μｍ以上の深さにするのが望ましい。
【００５８】
また、この溝９（９Ｂ）内には、後に第二保護部７（７Ｂ）をなす部材などを充填するが、その埋め込み性を向上させるため、溝９の断面形状は、通常の矩形型溝９Ａ以外に、たとえば、図１４に示すようなＶ字型溝９Ｂや、図１５に示すようなステップ型溝９Ｃといった、基板１の一方の面側より他方の面側の方が外方にせり出している形状とするのがより好ましい。このように、基板１の一方の面側より他方の面側の方が外方にせり出している溝９とすることにより、第二保護部７（７Ｂ）の充填がし易くなる。これらの溝９（９Ａ，９Ｂ，９Ｃ）の形成は、回転ブレードによる切溝加工、あるいはアルカリ水溶液を用いた異方性エッチング、あるいはボッシュ法やクライオ法によるドライエッチングが適当である。回転ブレードによる切溝加工を用いる場合、ブレードの厚さは１０〜２００μｍが好ましい。
【００５９】
次に、溝９内に遮光性を有する第二保護部７（７Ｂ）をなす部材を充填する［図１３（ｂ）参照］。この部材としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ＡＢＳ樹脂等の樹脂が好ましい。この充填部材（すなわち、第二保護部をなす部材）は、溝内だけではなく、少なくとも基板１の表面で第一絶縁部１４あるいは第二絶縁部２４が形成されていない領域も確実に被覆されている必要がある。このため、充填部材は、第一絶縁部１４あるいは第二絶縁部２４の少なくとも一部にまで達するように形成する。その際、図１６に示すように、充填部材７が第二絶縁部２４の上部まで覆っていると、充填部材が接合している面積が大きいため、密着性が高く剥離にしにくいという利点がある。一方、図１７に示すように、充填部材１７が第二絶縁部２４の表面を覆っていないと、個片化するときのダイシング位置が精度よく指定できるという利点がある。充填部材の形成方法としては、スクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンス法などが好ましく、部材内にボイドを発生させないためには、真空印刷法が有効である。
【００６０】
その後、基板２表面のスクライブライン部Ｌより、溝９を形成したダイサーより幅の狭いブレードのダイサーを用いて第一保護部６（６Ｂ）と第二保護部７（７Ｂ）を切断し、ウエハを個片化する［図１３（ｃ）参照］。この時、基板２の側面を被覆する第二保護部７Ｂの厚さは５μｍ以上が好ましく、さらに２０μｍ以上がより望ましい。このため、ダイサーのブレードは、溝９の幅よりも、装置精度＋１０μｍ以上薄くするのが好ましく、装置精度＋４０μｍ以上薄くするのがより望ましい。
また、ダイサーで個片化する時は通常、基板にダイシングシートをラミネートしてから切断するが、補強用シートを用いている場合は、それ自身がダイシングシートとして機能させることができるため、ラミネートしなくても良い
なお、本発明では、第一保護部６（６Ｂ）と第二保護部７（７Ｂ）のみを切断するため、半導体ウエハのチッピングなどの不良は生じない。
これにより、図１１に示すような半導体装置１０Ｂを得ることができ完成となる。
【００６１】
以上のように本発明の半導体装置は、遮光性を有する第二保護部をなす部材によって、一方の面に電極を備える半導体からなる基板と該基板の一方の面に配された絶縁部の側面部の一部又は全部を覆い、また、遮光性を有する第一保護部によって、前記基板の他方の面を覆うことができるので、基板の側面や背面といった所定の入光面以外の面より光が入射することを抑制し、ＩＣが赤外〜紫外域の電磁波によって誤作動を起こすこと無く動作できるものとなる。
しかも、この第二半導体装置１０Ｂは、切溝が無い状態で半導体ウエハを薄肉化するので、半導体ウエハをより薄くまで加工することが可能となり、部品の薄型化に有利である。また、半導体ウエハの破損する危険性も少なく、半導体ウエハのハンドリングも容易である。また、第二保護部を成す部材を充填した後すぐに個片化するため、第一半導体装置１０Ａの製造プロセスのように、薄肉加工時に第二保護部を成す部材に応力が加わることは無い。このため、第二保護部と半導体ウエハとの剥離の危険性を回避することができる。さらに、半導体ウエハをより薄くできる分、切溝も浅くなるので、第二保護部を成す部材の充填が容易になる。
【００６２】
また、本発明では、図１８に示すように、絶縁部４を形成する前に切溝９を形成し、溝９内に遮光性を有する第二保護部２７をなす部材を充填することで、第二保護部２７の少なくとも一部が絶縁部４に覆われたものとしても良い。
このような形態とすることにより、第二保護部２７を絶縁部４が上から保持するため、個片化するときに第二保護部２７が半導体ウエハから剥離する危険性をより低減することができる。
【００６３】
また、本発明では、第一保護部６及び／又は第二保護部７が金属、あるいは金属ペーストといった金属材料からなるものとしても良い。図１９は、金属材料を第二保護部３７として用い、溝９内に充填した状態を示している。
このような形態とすることにより、金属はプラズマ周波数以下の光に対して高い反射率を有するため、第一保護部６や第二保護部７に適用することで、広い波長域で良好な遮光特性を得ることができる。
この金属ペーストを溝９内に充填する手法としては、スクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンス法などが好ましく、保護部内にボイドを発生させないためには、真空印刷法が有効である。この部材としては、銅、銀、金、ニッケル、半田などが好ましい。また、金属を溝９内に充填する手法としては、電解めっき法や無電解めっき法、スパッタ法、蒸着法などが好ましい。また、半導体ウエハの薄肉化後にチップが個片化してしまわないよう、金属層は十分厚く形成する必要があることから、まず無電解めっき法、スパッタ法、蒸着法などでシード層を形成した後、電解めっき法で厚膜に形成するのがより好ましい。この部材としては、銅、銀、金、ニッケル、アルミニウム、クロムなどが好ましい。
【００６４】
また、本発明では、図２０に示すように、切溝９の表面を、金属材料からなる第二保護部３７で覆って０．１〜１０μｍの金属層を形成し、さらに樹脂材料からなる第二保護部４７を充填したものとしても良い。
このような形態とすることにより、金属層による高い遮光性を実現すると共に、その金属層は樹脂材料からなる第二保護部４７で覆われていることから、このウエハレベルＣＳＰを外部基板に実装する時、実装不良を低減することができる。すなわち、金属層が露出していると、実装時に半田が付着してしまう可能性があり、それによりアライメントがずれたり、隣接する部品や配線と電気的に接続されてしまうなどの不良が発生してしまう。
また、金属層は樹脂材料で保護されており、ハンドリング時に傷が付いてしまいＩＣへ光が漏れ込むという不良をも回避することができる。
さらに、この樹脂には遮光性を有する必要がないことから、安価な材料を選択できる上、樹脂を通して切溝９は視認できることから、半導体ウエハを個片化する際の位置合わせが容易になる。樹脂材料からなる第二保護部４７の部材としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ＡＢＳ樹脂等の樹脂が好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明に係る第一半導体装置の構造の一例を示す図である。
【図２】第一半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す図である。
【図３】図２に続く工程を順に示す図である。
【図４】第一半導体装置の製造において基板に設ける溝の他の一例を示す図である。
【図５】第一半導体装置の製造において基板に設ける溝の他の一例を示す図である。
【図６】第一半導体装置の製造において基板に設ける溝に充填する第二保護部をなす部材の充填例を示す図である。
【図７】第一半導体装置の製造において基板に設ける溝に充填する第二保護部をなす部材の他の充填例を示す図である。
【図８】第一半導体装置の側面を被覆する第二保護部の他の一例を示す図である。
【図９】第一半導体装置の側面を被覆する第二保護部の他の一例を示す図である。
【図１０】第一半導体装置の側面を被覆する第二保護部の他の一例を示す図である。
【図１１】本発明に係る第二半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図１２】第二半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を順に示す図である。
【図１４】第二半導体装置の製造において基板に設ける溝の他の一例を示す図である。
【図１５】第二半導体装置の製造において基板に設ける溝の他の一例を示す図である。
【図１６】第二半導体装置の製造において基板に設ける溝に充填する第二保護部をなす部材の充填例を示す図である。
【図１７】第二半導体装置の製造において基板に設ける溝に充填する第二保護部をなす部材の他の充填例を示す図である。
【図１８】第二半導体装置の側面を被覆する第二保護部の他の一例を示す図である。
【図１９】第二半導体装置の側面を被覆する第二保護部の他の一例を示す図である。
【図２０】第二半導体装置の側面を被覆する第二保護部の他の一例を示す図である。
【図２１】従来の半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図２２】図２１に続く工程を順に示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  半導体ウエハ、２  基板、３  電極、４  絶縁部、１４  第一絶縁部、２４  第二絶縁部、５  導電部、６  第一保護部、７，１７，３７，４７  第二保護部、９  溝、１０（１０Ａ，１０Ｂ）  半導体装置、１１  構造体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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