(57)【要約】【課題】  誘電体試料に対する探針の接触力が常に一定になるようにし、測定後の演算処理を行うことなく誘電率の空間分布の測定や温度依存性の測定を正確に行う。【解決手段】  試料ステージに載せた誘電体試料の表面に接触させる探針と、探針の周囲に設けられた固定電位の電極と、探針が誘電体試料の表面に接触して生じるキャパシタンスが並列になるように探針および電極に接続されるＬＣ発振回路と、ＬＣ発振回路の発振周波数を測定する周波数弁別器とを備え、ＬＣ発振回路の発振周波数から誘電体試料の探針直下の微小領域の誘電率を測定する誘電率測定装置において、探針は、ＬＣ発振回路と電気的に接続された中空円筒導体の円筒内に中心導体を挿入し、中心導体が中空円筒導体の円筒内を可動する構成であり、中空円筒導体の円筒中心軸が鉛直方向になるように中空円筒導体を保持し、中心導体の先端を誘電体試料に接触させる探針ホルダを備える。【選択図】        図１
2008046090.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体試料を載せる試料ステージと、
前記試料ステージに載せた誘電体試料の表面に接触させる探針と、
前記探針の周囲に設けられた固定電位を有する電極と、
発振器に接続されるキャパシタおよびインダクタを有し、前記探針が前記誘電体試料の表面に接触したときに生じる前記誘電体試料の前記探針直下の微小領域のキャパシタンスが該キャパシタと並列になるように、前記探針および前記電極に接続されるＬＣ発振回路と、
前記ＬＣ発振回路に接続され、前記ＬＣ発振回路が出力する信号の周波数（発振周波数）を測定する周波数弁別器と
を備え、前記誘電体試料の表面に前記探針を接触させ、前記周波数弁別器で測定された前記ＬＣ発振回路の発振周波数から前記誘電体試料の前記探針直下の微小領域の誘電率を測定する誘電率測定装置において、
前記探針は、前記ＬＣ発振回路と電気的に接続された中空円筒導体の円筒内に中心導体を挿入し、中心導体が中空円筒導体の円筒内を可動する構成であり、
前記中空円筒導体の円筒中心軸が鉛直方向になるように前記中空円筒導体を保持し、前記中心導体の先端を前記誘電体試料に接触させる探針ホルダを備えた
ことを特徴とする誘電率測定装置。
【請求項２】
誘電体試料を載せる試料ステージと、
前記試料ステージに載せた誘電体試料の表面に接触させる探針と、
前記探針の周囲に設けられた固定電位を有する電極と、
発振器に接続されるキャパシタおよびインダクタを有し、前記探針が前記誘電体試料の表面に接触したときに生じる前記誘電体試料の前記探針直下の微小領域のキャパシタンスが該キャパシタと並列になるように、前記探針および前記電極に接続されるＬＣ発振回路と、
前記ＬＣ発振回路に接続され、前記ＬＣ発振回路が出力する信号の周波数（発振周波数）を測定する周波数弁別器と、
前記試料ステージと前記電極に接続され、前記試料ステージに所定の周波数の交流電界を印加する交流信号発生器と、
前記周波数弁別器と前記交流信号発生器に接続されたロックインアンプと
を備え、前記誘電体試料の表面に前記探針を接触させ、前記周波数弁別器で測定された前記ＬＣ発振回路の発振周波数の信号を前記ロックインアンプに入力し、前記交流信号発生器が印加する交流電界の周波数の整数倍の周波数で同期検波して前記誘電体試料の前記探針直下の微小領域の非線形誘電率を測定する誘電率測定装置において、
前記探針は、前記ＬＣ発振回路と電気的に接続された中空円筒導体の円筒内に中心導体を挿入し、中心導体が中空円筒導体の円筒内を可動する構成であり、
前記中空円筒導体の円筒中心軸が鉛直方向になるように前記中空円筒導体を保持し、前記中心導体の先端を前記誘電体試料に接触させる探針ホルダを備えた
ことを特徴とする誘電率測定装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の誘電率測定装置において、
前記探針は、前記中空円筒導体の代わりに中空円筒絶縁体を用いる構成であることを特徴とする誘電率測定装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の誘電率測定装置において、
前記試料ステージは、前記誘電体試料の温度を制御する温度制御機構を含む構成であることを特徴とする誘電率測定装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の誘電率測定装置において、
前記探針ホルダおよび前記試料ステージの少なくとも一方に取り付け、前記試料ステージと前記探針との間の高さを調整する高さ調整機構を備えたことを特徴とする誘電率測定装置。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載の誘電率測定装置において、
前記探針ホルダおよび前記試料ステージの少なくとも一方に取り付け、前記探針と前記誘電体試料の水平方向の相対位置を制御する位置調整機構を備えたことを特徴とする誘電率測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体試料の誘電率または非線形誘電率を測定する誘電率測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電体試料の誘電率を測定する誘電率測定装置として、走査型非線形誘電率顕微鏡（Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy: ＳＮＤＭ）が開発されている（非特許文献１）。本顕微鏡の動作原理は、誘電体試料に探針を接触させたときに、探針直下の誘電体試料の誘電率に応じてキャパシタンスが変化することから、探針に接続されたＬＣ発振回路の発振周波数を計測して誘電率を測定する仕組みである。
【０００３】
ただし、誘電体試料に探針を接触させたときに誘電体試料の誘電率に応じて生じるキャパシタンスは、探針を誘電体試料に押し付ける力（接触力）にも依存する。したがって、誘電率を定量的に測定するためには、探針の接触力を一定に保つことが要求される。しかし、例えば誘電率の場所依存性を測定する場合に、誘電体試料の厚さのムラや、試料ステージが完全に水平でないなどの理由により、一般に測定場所を変えたときに接触力が変化する。同様に、誘電率の温度依存性を測定する場合に、誘電体試料および試料ステージの温度も変化するため、誘電体試料や試料ステージの熱膨張・熱収縮により、一般に接触力が変化する。
【０００４】
このように微妙に変化する接触力を一定に保つ手段として、カンチレバーと呼ばれる探針が走査型顕微鏡に広く使われている。カンチレバーは、梁状誘電体の先端に探針がついた形状をしている。梁状部は撓る構造であり、撓り具合と接触力が対応しているため、撓り具合をモニタして一定にすることにより、接触力を一定に保つことが可能である。撓り具合をモニタする方法は、梁状部の背面に光をあて、その反射光をモニタすることにより可能である。
【０００５】
また、非特許文献２には、誘電体試料に交流電界を印加してＬＣ発振回路の時間変化する発振周波数を計測し、ロックインアンプで交流電界の周波数の整数倍の周波数で同期検波することにより、探針直下の誘電体試料の非線形誘電率を測定する方法が紹介されている。
【非特許文献１】Yasuo Cho et al.,"Quantitative Measurement of Linear and Nonlinear Dielectric Characteristics Using Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy", Jpn.J.Appl.Phys. Vol.39 (2000) pp.3086-3089
【非特許文献２】長康雄  他、”非線形誘電率分布測定用顕微鏡”、電子情報通信学会論文誌C-I Vol.J78-C-I, No.11, pp.593-598 (1995)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のカンチレバーを用いた場合、梁状部と誘電体試料が極めて近接するとともに、梁状部の面積が探針の誘電体試料への接触面積に比べて圧倒的に大きくなるため、梁状部と誘電体試料との間のキャパシタンスが大きくなり、探針直下のキャパシタンスの情報が隠れてしまう問題があった。よって、誘電率が空間的に変化している誘電体試料の誘電率を精密に測定するには、測定後の演算処理が不可欠であった。
【０００７】
本発明は、誘電体試料に対する探針の接触力が常に一定になるようにし、測定後の演算処理を行うことなく誘電率の空間分布の測定や温度依存性の測定を正確に行うことができる誘電率測定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の発明は、誘電体試料を載せる試料ステージと、試料ステージに載せた誘電体試料の表面に接触させる探針と、探針の周囲に設けられた固定電位を有する電極と、発振器に接続されるキャパシタおよびインダクタを有し、探針が誘電体試料の表面に接触したときに生じる誘電体試料の探針直下の微小領域のキャパシタンスが該キャパシタと並列になるように、探針および電極に接続されるＬＣ発振回路と、ＬＣ発振回路に接続され、ＬＣ発振回路が出力する信号の周波数（発振周波数）を測定する周波数弁別器とを備え、誘電体試料の表面に探針を接触させ、周波数弁別器で測定されたＬＣ発振回路の発振周波数から誘電体試料の探針直下の微小領域の誘電率を測定する誘電率測定装置において、探針は、ＬＣ発振回路と電気的に接続された中空円筒導体の円筒内に中心導体を挿入し、中心導体が中空円筒導体の円筒内を可動する構成であり、中空円筒導体の円筒中心軸が鉛直方向になるように中空円筒導体を保持し、中心導体の先端を誘電体試料に接触させる探針ホルダを備える。
【０００９】
第２の発明は、誘電体試料を載せる試料ステージと、試料ステージに載せた誘電体試料の表面に接触させる探針と、探針の周囲に設けられた固定電位を有する電極と、発振器に接続されるキャパシタおよびインダクタを有し、探針が誘電体試料の表面に接触したときに生じる誘電体試料の探針直下の微小領域のキャパシタンスが該キャパシタと並列になるように、探針および電極に接続されるＬＣ発振回路と、ＬＣ発振回路に接続され、ＬＣ発振回路が出力する信号の周波数（発振周波数）を測定する周波数弁別器と、試料ステージと電極に接続され、試料ステージに所定の周波数の交流電界を印加する交流信号発生器と、周波数弁別器と交流信号発生器に接続されたロックインアンプとを備え、誘電体試料の表面に探針を接触させ、周波数弁別器で測定されたＬＣ発振回路の発振周波数の信号をロックインアンプに入力し、交流信号発生器が印加する交流電界の周波数の整数倍の周波数で同期検波して誘電体試料の探針直下の微小領域の非線形誘電率を測定する誘電率測定装置において、探針は、ＬＣ発振回路と電気的に接続された中空円筒導体の円筒内に中心導体を挿入し、中心導体が中空円筒導体の円筒内を可動する構成であり、中空円筒導体の円筒中心軸が鉛直方向になるように中空円筒導体を保持し、中心導体の先端を誘電体試料に接触させる探針ホルダを備える。
【００１０】
ここで、探針は、中空円筒導体の代わりに中空円筒絶縁体を用いる構成としてもよい。
また、試料ステージは、誘電体試料の温度を制御する温度制御機構を含む構成としてもよい。また、探針ホルダおよび試料ステージの少なくとも一方に取り付け、試料ステージと探針との間の高さを調整する高さ調整機構を備えてもよい。また、探針ホルダおよび試料ステージの少なくとも一方に取り付け、探針と誘電体試料の水平方向の相対位置を制御する位置調整機構を備えてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の誘電率測定装置は、探針を中空円筒導体（または中空円筒絶縁体）と中心導体で構成することにより、探針の自重によって誘電体試料への接触力を一定に保つことができるので、誘電体試料の誘電率または非線形誘電率の定量測定を容易に行うことができる。さらに、従来のカンチレバーのように探針の接触力を一定に保つためのモニタ機構が不要となるので、簡便かつ安価な誘電率測定装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の誘電率測定装置の第１の実施形態を示す。図１(a) において、探針１０１は、試料ステージ１０８に載せた誘電体試料１０９の表面に接触する構成であり、探針１０１の周囲には固定電位（ここでは接地電位）を有する電極１０２が設けられる。探針１０１が誘電体試料１０９の表面に接触したときに、探針１０１の直下の誘電体試料１０９の微小領域にキャパシタンスＣs が生じる。ＬＣ発振回路１０６は、発振器１０５に接続されるキャパシタ（キャパシタンスＣ0 ）１０３およびインダクタ（インダクタンスＬ）１０４を備え、探針１０１が誘電体試料１０９に接触したときに生じるキャパシタンスＣs がキャパシタ１０３と並列になるように、ＬＣ発振回路１０６と探針１０１および電極１０２が接続される。ＬＣ発振回路１０６には周波数弁別器１０７が接続され、ＬＣ発振回路１０６が出力する信号の周波数（発振周波数）が測定される。
【００１３】
図１(b) は、探針１０１が誘電体試料１０９に接触したときのＬＣ発振回路１０６の周辺の等価回路を示す。探針１０１が誘電体試料１０９に接触したときのＬＣ発振回路１０６の発振周波数ｆs は、次式のようになる（非特許文献１）。
ｆs ＝１／[２π(Ｌ(Ｃ0＋Ｃs))1/2]       (1) 
【００１４】
このような関係により、探針１０１の直下の誘電体試料１０９の微小領域のキャパシタンスＣs が変化すると発振周波数ｆs が変化するので、周波数弁別器１０７でこの発振周波数ｆs を計測することにより、キャパシタンスＣs に対応する誘電率を測定することができる。以上は従来技術の範疇の基本的な構成であるが、本発明の特徴は、誘電体試料１０９に対する探針１０１の接触力が常に一定になるようにした探針１０１の構造にあり、以下にその構成例を示す。
【００１５】
図２は、探針１０１の第１の構成例を示す。図２(a) において、探針１０１は、中空円筒導体２０１の円筒内に中心導体２０２を挿入した構造である。中空円筒導体２０１はＬＣ発振回路１０６と電気的に接続され、中空円筒導体２０１と中心導体２０２は物理的な接触により電気的に接続される。また、中空円筒導体２０１は図示しない探針ホルダにより円筒中心軸が鉛直方向になるように保持されており、中心導体２０２は中空円筒導体２０１の円筒内を可動するが、抜け落ちないように一端にストッパー２０３が取り付けられる。このストッパー２０３により中心導体２０２が停止する位置で、中心導体２０２の先端が中空円筒導体２０１の下端より突出するように構成される。すなわち、中心導体２０２はその突出している長さ分だけ可動する。
【００１６】
中心導体２０２の先端が何物にも触れていないときの探針１０１の様子を図２(b) に示す。中心導体２０２は、ストッパー２０３により中空円筒導体２０１に引っかかっており、抜け落ちることはない。ここで、探針１０１の中心導体２０２と誘電体試料１０９を近づけ、中心導体２０２と誘電体試料１０９が接触した状態からさらに両者を近づけた様子を図２(c) に示す。なお、中心導体２０２と誘電体試料１０９の関係は、中空円筒導体２０１を保持する探針ホルダを下方へ降ろしてもよいし、誘電体試料１０９を載せた試料ステージ（図１：１０８）を上方に持ち上げるようにしてもよい。このとき、中心導体２０２は下方から誘電体試料１０９によって押されて持ち上がるが、中心導体２０２の側面と中空円筒導体２０１の内壁面の接触により、電気的な接続は保たれている。
【００１７】
中心導体２０２の質量をｍとすると、中心導体２０２に働く重力はｍｇ（ｇは重力加速度）となる。中心導体２０２の側面と中空円筒導体２０１の内壁面の接触による摩擦力がｍｇに比べて十分に小さければ、中心導体２０２が誘電体試料１０９を押す力（探針１０１と誘電体試料１０９との接触力）に対して摩擦力は無視できる。すなわち、探針１０１と誘電体試料１０９の接触力は常にｍｇとなり、一定になる。
【００１８】
よって、中空円筒導体２０１と中心導体２０２から構成された探針１０１を用いることにより、常に一定の接触力を実現することが可能となる。また、中空円筒導体２０１と中心導体２０２との相対位置が多少上下に移動したとしても、中空円筒導体２０１を保持する探針ホルダと誘電体試料１０９との距離は十分に離れており、誘電体試料１０９におけるキャパシタンスＣs を含む全体のキャパシタンス（Ｃ0＋Ｃs）はほとんど変化しない。
【００１９】
よって、探針１０１（中心導体２０２）の直下の誘電体試料１０９の誘電率がある値をもつときのキャパシタンスＣs は一意に決定されるので、(1) 式により発振周波数ｆs と誘電率が１対１に対応することになり、再現性のある誘電率の定量測定が可能となる。
【００２０】
すなわち、予め誘電率の値が既知であるリファレンス試料を用いて、発振周波数と誘電率の関係を求めておくことにより、周波数弁別器（図１：１０７）で計測される発振周波数ｆs から誘電体試料１０９の誘電率を求めることができる。さらに、従来のカンチレバーのように探針１０１の接触力を一定に保つためのモニタ機構が不要となるので、簡便かつ安価な誘電率測定装置を実現することができる。
【００２１】
図３は、探針１０１の第２の構成例を示す。図３(a) において、探針１０１は、中空円筒絶縁体３０１の円筒内に中心導体２０２を挿入した構造である。中空円筒絶縁体３０１の外壁面には導体物質（金属膜など）を付着させており、ＬＣ発振回路１０６と電気的に接続される一方、中心導体２０２との間に円筒形のキャパシタンスＣpipeが形成される。また、中空円筒絶縁体３０１は図示しない探針ホルダに保持されており、中心導体２０２は中空円筒絶縁体３０１の円筒内を可動するが、抜け落ちないように一端にストッパー２０３が取り付けられる。その他の形状は第１の構成例と同じである。
【００２２】
本構成の探針１０１を誘電体試料１０９に接触させたときのＬＣ発振回路１０６の周辺の等価回路を図３(b) 示す。中空円筒絶縁体３０１におけるキャパシタンスＣpipeは、誘電体試料１０９のキャパシタンスＣs と直列に接続されることになるので、探針１０１が誘電体試料１０９に接触したときのＬＣ発振回路１０６の発振周波数ｆs は、次式のようになる。
ｆs ＝１／[２π(Ｌ(Ｃ0＋ＣsＣpipe／(Ｃs＋Ｃpipe)))1/2]       (2) 
【００２３】
なお、中空円筒絶縁体３０１と中心導体２０２から構成された探針１０１を用いることにより、中心導体２０２が誘電体試料１０９の表面の高さの変化に合わせて位置を変化させるので、常に一定の接触力を実現できることは第１の構成例と同じである。また、中空円筒絶縁体３０１と中心導体２０２との相対位置が多少上下に移動したとしても、中空円筒絶縁体３０１におけるキャパシタンスＣpipeはほとんど変化せず、さらに中空円筒絶縁体３０１を保持する探針ホルダと誘電体試料１０９との距離は十分に離れており、誘電体試料１０９におけるキャパシタンスＣs を含む全体のキャパシタンス
Ｃ0＋ＣsＣpipe／(Ｃs＋Ｃpipe) 
もほとんど変化しない。
【００２４】
よって、探針１０１（中心導体２０２）の直下の誘電体試料１０９の誘電率がある値をもつときのキャパシタンスＣs は一意に決定されるので、(2) 式により発振周波数ｆs と誘電率が１対１に対応することになり、再現性のある誘電率の定量測定が可能となる。
【００２５】
（第２の実施形態）
図４は、本発明の誘電率測定装置の第２の実施形態を示す。図４において、本実施形態の誘電率測定装置は、図１に示す第１の実施形態の構成における試料ステージ１０８と電極１０２との間に交流信号発生器４０１を接続して誘電体試料１０９に交流電界を印加し、さらに周波数弁別器１０７と交流信号発生器４０１にロックインアンプ４０２を接続する構成である。周波数弁別器１０７はＬＣ発振回路１０６の時間変化する発振周波数を計測し、ロックインアンプ４０２は交流信号発生器４０１が印加する交流電界の周波数の整数倍の周波数で同期検波することにより、探針１０１（中心導体２０２）の直下の誘電体試料１０９の微小領域の非線形誘電率を測定する。
【００２６】
交流信号発生器４０１が誘電体試料１０９に印加する交流電界Ｅp は、定数Ｅ0 、周波数ωp 、時間ｔとすると次式のように表される。
Ｅp ＝Ｅ0 cos(ωpｔ）      (3) 
【００２７】
このとき、誘電体試料１０９の誘電率が時間とともに変化する微小量Δεは、次式の関係が成り立つ（非特許文献２）。
Δε＝(1/4)ε(4)Ｅ02＋ε(3)Ｅ0cos(ωpt)＋(1/4)ε(4)Ｅ02cos(2ωpt)＋…   (4) 
ここで、ε(3),ε(4),…は、電束密度Ｄを次式のように電界Ｅで展開したときの展開係数である。
Ｄ＝Ｐ＋ε(2)Ｅ＋(1/2)ε(3)Ｅ2＋(1/6)ε(4)Ｅ3＋(1/24)ε(5)Ｅ4＋…     (5) 
【００２８】
誘電率が時間変化するのに伴ってキャパシタンスも時間変化するが、第１の実施形態と同様に接触力が一定に保たれるので、誘電率の時間変化とキャパシタンスの時間変化が１対１に対応する。よって、 (4)式に示した誘電率の時間変化と発振周波数の時間変化が１対１に対応する。すなわち、周波数弁別器１０７で計測される発振周波数の時間変化は、直流成分，ωp 成分，２ωp 成分，…の重なり合ったものとなる。
【００２９】
ここで、ロックインアンプ４０２を用いて同期検波することにより、 (4)式の各項の係数を抽出することができる。たとえば、cos(ωpt) の係数を抽出することによりε(3)Ｅ0が求まり、cos(2ωpt)の係数を抽出することによりε(4)Ｅ02／4が求まる。よって、Ｅ0 が既知であれば、ε(3) ，ε(4) , …の定量測定が可能になる。
【００３０】
すなわち、予め非線形誘電率の値が既知であるリファレンス試料を用いて、発振周波数と非線形誘電率の関係を求めておくことにより、周波数弁別器１０７で計測される発振周波数ｆs から誘電体試料１０９の非線形誘電率を求めることができる。さらに、従来のカンチレバーのように探針１０１の接触力を一定に保つためのモニタ機構が不要となるので、簡便かつ安価な非線形誘電率測定装置を実現することができる。
【００３１】
（第３の実施形態）
図５は、本発明の誘電率測定装置の第３の実施形態を示す。本実施形態は、試料ステージ１０８に載せた誘電体試料１０９の温度制御に用いる温度制御機構の一例を示す。
【００３２】
図５において、試料ステージ本体５０１の下にペルチェ素子５０２および熱浴５０３を配置して試料ステージ１０８を形成する。試料ステージ１０８の温度を変化させたとき、一般に熱膨張・熱収縮により、探針１０１と試料ステージ１０８上に配置された誘電体試料１０９の表面との相対的な高さが変化する。しかし、第１の実施形態で説明したように、探針１０１を中空円筒導体２０１（または中空円筒絶縁体３０１）と中心導体２０２から構成することにより、中心導体２０２が誘電体試料１０９の表面の高さの変化に合わせて位置が変化して接触力を一定にできる。
【００３３】
よって、本実施形態の試料ステージ１０８を用いることにより、誘電体試料１０９の誘電率および非線形誘電率の温度依存性の定量測定が可能となる。特に、誘電体試料１０９として強誘電体を用いた場合に、常誘電−強誘電相転移が起きる相転移温度で誘電率が最大になるので、誘電率の温度依存性を測定することにより、相転移温度を求めることが可能となる。
【００３４】
（第４の実施形態）
図６は、本発明の誘電率測定装置の第４の実施形態を示す。本実施形態は、誘電体試料１０９と探針１０１との間の高さ調整に用いる高さ調整機構、および誘電体試料１０９と探針１０１との間の相対的な位置制御に用いる位置制御機構の一例を示す。
【００３５】
図６(a) に示す構成では、探針１０１の中空円筒導体２０１または中空円筒絶縁体３０１を保持する探針ホルダ６０１は高さ調整機構６０２に取り付けられ、誘電体試料１０９との間の高さ調整が行われる。一方、誘電体試料１０９を載せる試料ステージ１０８は位置制御機構６０３に取り付けられ、試料ステージ１０８の位置を二次元平面内で移動させる。
【００３６】
図６(b) に示す構成では、探針１０１の中空円筒導体２０１または中空円筒絶縁体３０１を保持する探針ホルダ６０１は、位置制御機構６０３を介して高さ調整機構６０２に取り付けられ、誘電体試料１０９に対する探針１０１の二次元平面内の位置および高さ調整が行われる。
【００３７】
図６(c) に示す構成では、探針１０１の中空円筒導体２０１または中空円筒絶縁体３０１を保持する探針ホルダ６０１は所定の位置および高さに固定される。一方、誘電体試料１０９を載せる試料ステージ１０８は高さ調整機構６０２および位置制御機構６０３に取り付けられ、探針１０１に対する誘電体試料１０９の二次元平面内の位置および高さ調整が行われる。
【００３８】
なお、高さ調整機構６０２は市販のＸステージを縦にして用い、位置制御機構６０３は市販のＸ・Ｙステージを用いることができる。また、それぞれ粗動用に手動のものと、微動用に電動のものを組み合わせて構成してもよい。
【００３９】
このように、探針１０１と誘電体試料１０９を載せた試料ステージ１０８は、それぞれ高さ方向および水平方向に対してどちらが動いてもよい。探針１０１が接触する誘電体試料１０９の位置を変えると、一般に誘電体試料１０９の高さムラ、試料ステージ１０８の傾きなどにより、探針１０１と誘電体試料１０９の表面との相対的な高さが変化する。しかし、第１の実施形態で説明したように、探針１０１を中空円筒導体２０１（または中空円筒絶縁体３０１）と中心導体２０２から構成することにより、中心導体２０２が誘電体試料１０９の表面の高さの変化に合わせて位置が変化して接触力を一定にできる。
【００４０】
よって、本実施形態の位置制御機構６０３を用いることにより、誘電体試料１０９の誘電率および非線形誘電率の位置依存性の定量測定が可能となる。特に、誘電体試料１０９として強誘電体を用いた場合に、第３の実施形態の温度制御機構と組み合わせることにより、常誘電−強誘電相転移が起きる相転移温度の場所依存性を求めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の誘電率測定装置の第１の実施形態を示す図。
【図２】探針１０１の第１の構成例を示す図。
【図３】探針１０１の第２の構成例を示す図。
【図４】本発明の誘電率測定装置の第２の実施形態を示す図。
【図５】本発明の誘電率測定装置の第３の実施形態を示す図。
【図６】本発明の誘電率測定装置の第４の実施形態を示す図。
【符号の説明】
【００４２】
１０１  探針
１０２  電極
１０３  キャパシタ
１０４  インダクタ
１０５  発振器
１０６  ＬＣ発振回路
１０７  周波数弁別器
１０８  試料ステージ
１０９  誘電体試料
２０１  中空円筒導体
２０２  中心導体
２０３  ストッパー
３０１  中空円筒絶縁体
４０１  交流信号発生器
４０２  ロックインアンプ
５０１  試料ステージ本体
５０２  ペルチェ素子
５０３  熱浴
６０１  探針ホルダ
６０２  高さ調整機構
６０３  位置制御機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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