(57)【要約】【課題】  貫通孔を形成したり該貫通孔にめっきを施したりしても誘電体層の特性に悪影響を与えないコンデンサおよびその製造方法を提供する。またこのコンデンサを内蔵したコンデンサ内蔵基板およびその製造方法を提供する【解決手段】  本発明のコンデンサは、誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面に形成された第１の容量電極と、前記誘電体層の他方の主面に形成された第２の容量電極とを備え、前記誘電体層は、一方の主面から他方の主面に至る貫通導体を有し、該貫通導体の内部に貫通孔が形成されていることを特徴とする。また、本発明のコンデンサ内蔵基板は、配線導体を有する基板本体と、前記コンデンサとを備え、前記貫通孔の内部に形成された接続導体によって前記貫通導体と前記配線導体とが電気的に接続されていることを特徴とする。【選択図】        図１
2008288225.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面に形成された第１の容量電極と、前記誘電体層の他方の主面に形成された第２の容量電極とを備え、
前記誘電体層は、一方の主面から他方の主面に至る貫通導体を有し、該貫通導体の内部に貫通孔が形成されていることを特徴とするコンデンサ。
【請求項２】
前記誘電体層と、前記第１および第２の容量電極と、前記貫通導体とは、同時に焼結されてなることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
配線導体を有する基板本体と、
請求項１あるいは請求項２に記載されたコンデンサとを備え、
前記貫通孔の内部に形成された接続導体によって前記貫通導体と前記配線導体とが電気的に接続されていることを特徴とするコンデンサ内蔵基板。
【請求項４】
前記接続導体は、湿式めっきによって形成されたものであることを特徴とする請求項３に記載のコンデンサ内蔵基板。
【請求項５】
誘電体粉末とバインダとを含んでなり貫通孔を有する誘電体グリーンシートと、金属粉末とバインダとを含んでなる導体グリーンシートと、を用意する工程と、
前記誘電体グリーンシートの両主面に、前記貫通孔の少なくとも一部を覆うように前記導体グリーンシートを重ねて圧着することにより積層体を形成する工程と、
前記積層体を焼成して、前記貫通孔の内部に前記導体グリーンシートの一部が充填されてなる貫通導体を有する焼成体を得る工程と、
前記貫通導体を貫通する貫通孔を形成する工程と、を有することを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項６】
配線導体を有する基板本体を準備する工程と、
請求項１あるいは請求項２に記載のコンデンサを前記基板本体上に載置する工程と、
前記貫通孔の内部に接続導体を形成し、該接続導体によって前記貫通導体と前記配線導体とを電気的に接続する工程と、を有することを特徴とするコンデンサ内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
誘電体粉末とバインダとを含んでなり貫通孔を有する誘電体グリーンシートと、金属粉末とバインダとを含んでなる導体グリーンシートと、を用意する工程と、
前記誘電体グリーンシートの両主面に、前記貫通孔の少なくとも一部を覆うように前記導体グリーンシートを重ねて圧着することにより積層体を形成する工程と、
前記積層体を焼成して、前記貫通孔の内部に前記導体グリーンシートの一部が充填されてなる貫通導体を有する焼成体を得る工程と、
配線導体を有する基板本体上に前記焼成体を載置する工程と、
少なくとも前記貫通導体を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の内部に接続導体を形成し、該接続導体によって前記貫通導体と前記配線導体とを電気的に接続する工程と、を有することを特徴とするコンデンサ内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
前記接続導体は湿式めっきによって形成されることを特徴とする請求項６あるいは請求項７に記載のコンデンサ内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサ、該コンデンサを内蔵するコンデンサ内蔵基板およびそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に用いられる電子部品としてコンデンサがあり、電子機器の小型化に伴ってコンデンサも小型化が要求されているが、近年ではさらなる小型化のために、コンデンサを実装基板内に埋設することが行われている。
【０００３】
コンデンサを実装基板内に埋設することは、電子機器の小型化という利点のみならず、回路長が短縮されることによってインダクタンスが低減されるという利点もあり、高周波信号を使用する電子機器においては特にインダクタンスを低減することが重要であるため、この観点からもコンデンサの実装基板内への埋設が強く要求されている。
【０００４】
実装基板への埋設に適したコンデンサおよびコンデンサを埋設した実装基板の例としては、特許文献１に記載のコンデンサおよび実装基板がある。特許文献１に記載のコンデンサは、金属箔上にＭＯＤ法（有機金属分解法）やスパッタ法によって誘電体層を形成し、該誘電体層上にスパッタ法によって導電層を形成してなる（特許文献１の図１１）。そして、特許文献１の図１４に記載されたプリント配線板は、このコンデンサを基板に埋め込み、基板の回路とコンデンサの電極とが、コンデンサを厚み方向に貫くように形成された回路導体によって接続されている。回路導体は、「めっきマイクロバイア」であると記載されている。
【特許文献１】特開２００５−３９２８２（特に［００６３］〜［００７２］段落、図１１〜図１５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された発明には以下の問題点がある。
【０００６】
すなわち、第１に、特許文献１に記載されたコンデンサでは、誘電体層をＭＯＤ法やスパッタ法といった薄膜プロセスによって形成している。薄膜プロセスによって誘電体層を形成すると、成膜コストが比較的高いという問題があった。さらに、表面が平滑な金属箔上に薄膜プロセスで誘電体層を形成するので、金属箔と誘電体層との間で十分な密着強度を得にくく、コンデンサを基板に埋め込む際に受ける応力によって、金属箔と誘電体層の界面が剥離するおそれがある。
【０００７】
第２に、コンデンサの電極とプリント配線板上の回路との接続にいわゆるビアホールが用いられているが、ビアホールの形成が誘電体層の特性に悪影響を与えるという問題があった。これについて詳しく説明すると、ビアホールはレーザなどの方法で貫通孔を形成した後に、該貫通孔の内部にめっきなどによって導体を充填して形成されるが、貫通孔の形成時にレーザビームの熱によって誘電体層の特性に悪影響を与えることがあるとともに、めっきによる導体充填時にもめっき液が誘電体層に接触することによって誘電体層の特性に悪影響を与えてしまう。
【０００８】
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、電極と誘電体層との界面が十分な密着強度を有するとともに、貫通孔を形成したり該貫通孔にめっきを施したりしても誘電体層の特性に悪影響を与えないコンデンサおよびその製造方法を提供すること、および係るコンデンサを内蔵したコンデンサ内蔵基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記問題点を解決するために本発明に係るコンデンサは、誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面に形成された第１の容量電極と、前記誘電体層の他方の主面に形成された第２の容量電極とを備え、前記誘電体層は、一方の主面から他方の主面に至る貫通導体を有し、該貫通導体の内部に貫通孔が形成されていることを特徴とする。
【００１０】
このように本発明のコンデンサでは貫通孔が貫通導体の内部に形成されているので、貫通孔の形成時の熱や機械的衝撃が誘電体層に直接的に及ぶことがなく、誘電体層の特性に悪影響を及ぼすおそれがない。また、このコンデンサを基板に実装するときにも、基板の配線との接続に必要な接続導体は貫通孔の内部に形成すればよいので、例えば接続導体を湿式めっきで形成する場合であっても、めっき液が直接誘電体層に触れることがなく、誘電体層の特性に悪影響を及ぼすおそれがない。
【００１１】
さらに、本発明のコンデンサは前記誘電体層と、前記第１および第２の容量電極と、前記貫通導体とは、同時に焼結されてなることを特徴とする。
【００１２】
これにより、薄膜法によって製造されたコンデンサよりも安価であるとともに、誘電体層と導体（第１および第２の容量電極と貫通導体）とが同時に焼成されることにより、誘電体層と導体との界面の接合強度が高くなり、基板実装時あるいは実装後に応力を受けても、界面で剥離が発生する可能性を低減できる。
【００１３】
本発明に係るコンデンサ内蔵基板は、配線導体を有する基板本体と、請求項１あるいは請求項２に記載されたコンデンサとを備え、前記貫通孔の内部に形成された接続導体によって前記貫通導体と前記配線導体とが電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１４】
これにより、コンデンサと配線導体とを電気的に接続する接続導体は貫通孔の内部に形成されていて誘電体層に直接触れていないため、例えば接続導体を湿式めっきで形成する場合であっても、めっき液が誘電体層に接触して誘電体層の特性に悪影響を及ぼすおそれがない。
【００１５】
本発明に係るコンデンサの製造方法は、誘電体粉末とバインダとを含んでなり貫通孔を有する誘電体グリーンシートと、金属粉末とバインダとを含んでなる導体グリーンシートと、を用意する工程と、前記誘電体グリーンシートの両主面に、前記貫通孔の少なくとも一部を覆うように前記導体グリーンシートを重ねて圧着することにより積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成して、前記貫通孔の内部に前記導体グリーンシートの一部が充填されてなる貫通導体を有する焼成体を得る工程と、前記貫通導体を貫通する貫通孔を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
これにより、貫通導体の内部に貫通孔が形成されるので、貫通孔形成時の熱や機械的衝撃が誘電体層に直接的に及ぶことがなく、誘電体層の特性に悪影響を及ぼすおそれがない。また、このコンデンサを基板に実装するときにも、基板の配線との接続に必要な接続導体は貫通孔の内部に形成すればよいので、例えば湿式めっきによって接続導体を形成する場合であっても、めっき液が直接誘電体層に触れることがなく、誘電体層の特性に悪影響を及ぼすおそれがない。
【００１７】
また、誘電体グリーンシートと導体グリーンシートとを積層して焼成する方法によって製造するので、薄膜プロセスによってコンデンサを製造するよりも安価に製造することができる上、誘電体層と導体層の界面の接合力が強くなり、界面の剥離を防止できる。
【００１８】
本発明に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法は、配線導体を有する基板本体を準備する工程と、請求項１あるいは請求項２に記載のコンデンサを前記基板本体上に載置する工程と、前記貫通孔の内部に接続導体を形成し、該接続導体によって前記貫通導体と前記配線導体とを電気的に接続する工程と、を有することを特徴とする。
【００１９】
貫通導体の内部に形成されている貫通孔に接続導体を形成するようにしているので、例えば接続導体を湿式めっきによって形成した場合でも、誘電体層にめっき液が直接触れることがなく、めっき液によって誘電体層の特性に悪影響を与えるおそれがない。
【００２０】
また、本発明に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法は、誘電体粉末とバインダとを含んでなり貫通孔を有する誘電体グリーンシートと、金属粉末とバインダとを含んでなる導体グリーンシートと、を用意する工程と、前記誘電体グリーンシートの両主面に、前記貫通孔の少なくとも一部を覆うように前記導体グリーンシートを重ねて圧着することにより積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成して、前記貫通孔の内部に前記導体グリーンシートの一部が充填されてなる貫通導体を有する焼成体を得る工程と、配線導体を有する基板本体上に前記焼成体を載置する工程と、少なくとも前記貫通導体を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内部に接続導体を形成し、該接続導体によって前記貫通導体と前記配線導体とを電気的に接続する工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】
これにより、貫通導体の内部に貫通孔が形成されるので、貫通孔形成時の熱や機械的衝撃が誘電体層に直接的に及ぶことがなく、誘電体層の特性に悪影響を及ぼすおそれがない。また、コンデンサの貫通導体と基板本体の配線導体とは貫通孔の内部に形成された接続導体によって電気的に接続されるので、例えば接続導体を湿式めっきによって形成する場合には、めっき液が直接誘電体層に触れることがなく、誘電体層の特性に悪影響を及ぼすおそれがない。
【００２２】
なお、本発明において接続導体の形成方法は湿式めっき法に限定されるものではなく、例えば導電性ペーストを充填するなどの方法で形成してもよいが、湿式めっき法によって接続導体を形成したときに本発明はより実効あるものとなる。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように本発明によれば、コンデンサに誘電体層を貫通する貫通導体を設け、該貫通導体の内部に貫通孔を形成するようにしているので、貫通孔を形成する際の熱や機械的衝撃が誘電体層に直接的に及ぶことがなく、さらに基板本体との電気的接続に必要なビアホールを該貫通孔の内部に形成すればよいので、めっき液が誘電体層に直接触れることがない。よって、貫通孔の形成時や基板本体との電気的接続時に誘電体層の特性に悪影響を及ぼすことがない。また、誘電体グリーンシートと導体グリーンシートとを積層して同時に焼成する方法によって製造するので、薄膜プロセスによってコンデンサを製造するよりも安価に製造することができる上、誘電体層と導体層の界面の接合力が強くなり、界面の剥離を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下において添付図面を参照しつつ本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【実施例１】
【００２５】
図１（ａ）は本発明に係るコンデンサを示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線断面を示す断面図である。
【００２６】
本発明に係るコンデンサ１００は、誘電体層１０と、誘電体層１０の一方の主面に形成された第１の容量電極２１および第１の電極パッド３１と、誘電体層１０の他方の主面に形成された第２の容量電極２２および第２の電極パッド３２と、誘電体層１０を厚み方向に貫通している貫通導体１１とを備える。
【００２７】
第１の電極パッド３１は、第１の容量電極２１と電気的に絶縁されているとともに、貫通導体１１を介して第２の容量電極２２と電気的に接続している。貫通導体１１は第１の電極パッド３１および第２の容量電極２２と一体的に形成されている。
【００２８】
第２の電極パッド３２は、第２の容量電極２２と電気的に絶縁されているとともに、貫通導体１１を介して第１の容量電極２１と電気的に接続している。貫通導体１１は第２の電極パッド３２および第２の容量電極２２と一体的に形成されている。
【００２９】
貫通導体１１の略中央部分には、コンデンサ１００の両主面間を貫通するように貫通孔１２が形成されている。
【００３０】
図２は本発明に係るコンデンサ内蔵基板を示す断面図である。本発明に係るコンデンサ内蔵基板は、基板本体２００と、図１に示したコンデンサ１００とを備える。
【００３１】
コンデンサ１００は樹脂硬化物２１０によって基板本体２００の上面に接合されている。樹脂硬化物２１０はコンデンサ１００の上面側にも形成されており、コンデンサ１００は樹脂硬化物２１０の内部に埋め込まれた状態となっている。基板本体２００の上面および内部には配線導体２０１が形成されていて、コンデンサ１００の貫通孔１２の内部に形成された接続導体２０２によって貫通導体１１と配線導体２０１とが電気的に接続されている。
【００３２】
次に、図３および図４を参照しつつ本発明のコンデンサおよびコンデンサ内蔵基板の製造方法について説明する。
【００３３】
（１）グリーンシートを用意する工程
ＢａＴｉＯ3を主成分とする平均粒径０．２ｍｍの誘電体セラミック粉末と、ポリビニルブチラールを主成分とするバインダと、トルエンとエタノールを体積比１：１の割合で混合した溶媒とを混合、分散し、誘電体セラミックスラリーを作製した。誘電体セラミック粉末とバインダと溶媒の混合比率は体積比で１０：１０：８０とした。誘電体粉末の体積は、重量を測定して理論密度で除して算出した（以下、粉末の体積は同様に算出した）。次にドクターブレード法によって誘電体セラミックスラリーをシート状に成形し、厚さ２μｍの誘電体グリーンシートを得た。
【００３４】
そして図３（ａ）に示すようにレーザ加工によって誘電体グリーンシート４１に直径２００μｍの貫通孔４２を形成した。
【００３５】
また、平均粒径０．５μｍのＮｉ粉末と、ポリビニルブチラールを主成分とするバインダと、トルエンとエタノールを体積比１：１の割合で混合した溶媒とを混合、分散し、導体スラリーを作製した。Ｎｉ粉末とバインダと溶媒の混合比率は体積比で１０：１０：８０とした。次にドクターブレード法によって導体スラリーをシート状に成形し、厚さ９μｍの導体グリーンシートを得た。
【００３６】
さらにまた、平均粒径１．０μｍのＡｌ2Ｏ3粉末を用意し、ポリビニルブチラールを主成分とするバインダと、トルエンとエタノールを体積比１：１の割合で混合した溶媒とを混合、分散し、焼成補助用セラミックスラリーを作製した。Ａｌ2Ｏ3粉末とバインダと溶媒の混合比率は体積比で１０：１０：８０とした。次にドクターブレード法によって焼成補助用セラミックスラリーをシート状に成形し、厚さ１００μｍの焼成補助用グリーンシートを得た。
【００３７】
（２）積層工程
次に、図３（ｂ）に示すような位置関係で、誘電体グリーンシート４１、導体グリーンシート４３、焼成補助用グリーンシート４４を積層、圧着し積層体を作製した。より詳しくは、誘電体グリーンシート４１の両主面にそれぞれ導体グリーンシート４３が接し、導体グリーンシート４３の外側を挟み込むように焼成補助用グリーンシート４４が配置されている。このとき、圧着することによって導体グリーンシート４３が貫通孔４２の内部に充填されて貫通導体１１が形成される。なお、圧着時に導体グリーンシート４３が貫通孔４２の内部に十分に充填されていなくても、後述する焼成時に導体グリーンシート４３の粘度が低下して導体グリーンシート４３が貫通孔４２の内部に充填される。
【００３８】
（３）焼成工程
得られた積層体を窒素雰囲気中２８０℃で５時間の熱処理をして脱脂を行った。さらに還元雰囲気中１１５０℃まで加熱して２時間キープし、その後、中性雰囲気で降温した。なお、焼成雰囲気はＮｉの酸化還元平衡酸素分圧を基準としており、これより酸素分圧が低い状態を還元雰囲気、平衡酸素分圧と等しい酸素分圧およびその近傍を中性雰囲気と称している。
【００３９】
焼成により、図３（ｃ）に示すように誘電体層１０、第１および第２の導体層５１，５２、貫通導体１１からなる焼結体５０を得た。誘電体層１０の厚みは１．２μｍ、第１および第２の導体層５１，５２の厚みの合計は１５μｍだった。
【００４０】
焼成中、焼成補助用グリーンシート４４は導体グリーンシート４３から自然剥離していた。これは、導体グリーンシート４３と焼成補助用グリーンシート４４の焼成中の収縮挙動が異なることにより、界面に応力が発生するからである。
【００４１】
（４）導体層のパターニング工程
第１の導体層５１上にレジストを塗布し、露光・現像を行って所定の形状にパターニングし、ウェットエッチングを行うことによって第１の導体層の一部を除去して溝５３を形成し、図３（ｄ）に示すように第１の導体層５３を第１の容量電極２１と第１の電極パッド３１とに分割した。同様に第２の導体層５４にもパターニングを施し、第２の容量電極２２と第２の電極パッド３２とに分割した。
【００４２】
（５）貫通孔形成工程
直径２００μｍの貫通導体１１と同心になるように、レーザ加工によって直径１００μｍの貫通孔１２を形成した（図３（ｅ））。レーザとしては金属の加工が容易なＴＨＧ−ＹＡＧを用いたが、これに限定されるものではない。貫通孔１２を形成することにより、本発明に係るコンデンサ１００が完成した。
【００４３】
ここで、第１および第２の容量電極２１，２２に端子を接触させ、１Ｖの電圧を印加して絶縁抵抗値を測定した。１０個の試料の絶縁抵抗を測定したところ、すべての試料で抵抗値が１ＧΩ以上の値を示し、十分な絶縁性を有していることが確認された。
【００４４】
（６）基板本体への搭載工程
次に、上面および内部に配線導体２０１を有するビルドアップエポキシ基板からなる基板本体２００を用意し、基板本体２００上に厚さ５０μｍの未硬化のエポキシフィルムを貼り付け、その上にコンデンサ１００を戴置する。さらにコンデンサ１００の上に未硬化のエポキシフィルムを貼り付けてから所定の温度で硬化させ樹脂硬化物２１０とした。これにより、基板本体２００上にコンデンサ１００を固定した。
【００４５】
（７）接続導体の形成工程
次に、コンデンサ１００に形成されている貫通孔１２と一致するようにＣＯ2レーザによって直径１００μｍの貫通孔２０３を、基板本体２００の配線導体２０１まで形成した（図４（ｂ））。貫通孔２０３の内壁に触媒を付与して無電解めっきによってＣｕを成膜し、さらに電解めっきを行って貫通孔２０３をＣｕで充填して接続導体２０２を形成した。これにより図４（ｃ）に示すように本発明に係るコンデンサ内蔵基板が完成した。
【００４６】
コンデンサ１００の第１の容量電極２１と電気的に接続している接続導体２０２と、第２の容量電極２２に接続している接続導体２０２とに端子を接触させ、１Ｖの電圧を印加して絶縁抵抗を測定したところ、１０個の試料のすべてで抵抗値が１ＧΩを上回り、十分な絶縁抵抗値を得られていることが確認された。
【比較例】
【００４７】
本発明と比較するため、以下の方法でコンデンサを作製した。
【００４８】
上記（１）と同じ方法で、誘電体グリーンシート、導体グリーンシート、焼成補助用グリーンシートを用意した。ただし、誘電体グリーンシートには貫通孔を形成しなかった。
【００４９】
次に誘電体グリーンシート４１、導体グリーンシート４３、焼成補助用グリーンシート４４を図５（ａ）に示すように積層、圧着し、上記（３）と同じ条件で焼成して焼結体を得た。
【００５０】
次に上記（４）と同じ方法で、図５（ｂ）に示すように第１および第２の導体層５１，５２のパターニングを行った後、ＴＨＧ−ＹＡＧレーザで貫通孔１２を形成した（図５（ｃ））。このとき、本比較例においては貫通導体を形成していないので、レーザが誘電体層１０を打ち抜いた。
【００５１】
ここで、第１および第２の導体層５１，５２に端子を接触させて１Ｖの電圧を印加して抵抗値を測定したところ、１０個の試料中最低値が８５Ω、最高値が９６０Ω、平均値は３１０Ωであり、本発明と比較して著しく低い値となった。これは、レーザが誘電体層を打ち抜く際、誘電体層が急速に高温に晒されてクラックが発生して絶縁性が低下したり、レーザの熱によって誘電体が溶融して導体化することなどが原因である。
【実施例２】
【００５２】
次に本発明の第２の実施例について説明する。実施例１と共通する部分については適宜説明を省略する。
【００５３】
まず、実施例１の（１）〜（４）と同じ方法により、図６（ａ）に示す焼結体５０を得る。この焼結体５０は図３（ｄ）に示した焼結体５０と同じものである。次にこの焼結体５０を、実施例１の（６）と同じ方法によって、図６（ｂ）に示すように基板本体２００上に固定する。
【００５４】
次に直径２００μｍの貫通導体１１と同心になるように、ＴＨＧ−ＹＡＧレーザによって、基板本体２００の配線導体２０１にまで至る直径１００μｍの貫通孔２０３を形成する（図６（ｃ））。そして貫通孔２０３の内部に触媒を付与して無電解めっきを施し、さらに電解めっきを施して貫通孔２０３にＣｕを充填して接続導体２０２を形成し、図６（ｄ）に示すように本実施例のコンデンサ内蔵基板が完成した。
【００５５】
コンデンサの第１の容量電極２１と電気的に接続している接続導体２０２と、第２の容量電極２２に接続している接続導体２０２とに端子を接触させ、１Ｖの電圧を印加して絶縁抵抗を測定したところ、１０個の試料のすべてで抵抗値が１ＧΩを上回り、十分な絶縁抵抗値を得られていることが確認された。
【００５６】
上記実施例１，２は本発明を実施するための例に過ぎず、本発明がこれに限定されないのはいうまでもない。本発明の趣旨の範囲で適宜変更を加えることが可能であり、例えば以下の点について変更可能である。
【００５７】
（Ａ）材質
誘電体層の材質はＢａＴｉＯ3にかぎらず、ＳｒＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3などを用いてもよい。導体層の材質もＮｉに限らず、Ｃｕ，Ａｇなどを用いてもよい。基板本体も、エポキシ基板に限定されず、セラミック多層基板などであってもよい。
【００５８】
（Ｂ）焼成方法
上記実施例では、焼成補助用グリーンシートを用いて焼成を行ったが、あくまで焼成の便宜のために用いたものであって、本発明の必須の構成要件ではない。焼成補助用グリーンシートを用いずに、例えば本出願人らが特願２００５−１２２５９７の実施例に記載したように、Ａｌ2Ｏ3などからなるセッタに挟んでコンデンサを焼成することも好ましい。
【００５９】
（Ｃ）貫通導体の形成方法
上記実施例では、誘電体グリーンシートに形成した貫通孔の内部に、圧着および焼成によって導体グリーンシートの一部を充填させて貫通導体を形成したが、貫通孔の内部に印刷等の方法によって導電性ペーストを充填するようにしてもよい。そのようにすれば、貫通孔の内部に導体がより確実に充填されるので、誘電体層の厚みが比較的厚い場合には特に有効である。
【００６０】
（Ｄ）貫通孔の形成方法
実施例ではＴＨＧ−ＹＡＧレーザやＣＯ2レーザを用いたが、レーザ加工に限定されるものではなく、ドリルによる穿孔や、エッチングによってもよい。レーザ以外の方法で貫通孔を形成する場合であっても、誘電体層に直接的に貫通孔を形成すると誘電体層の特性に悪影響を与えるので、本発明の有効性に変わりはない。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明に係るコンデンサを示す平面図および断面図である。
【図２】本発明に係るコンデンサ内蔵基板を示す断面図である。
【図３】本発明に係るコンデンサおよびコンデンサ内蔵基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明に係るコンデンサ内蔵基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】比較例のコンデンサの製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施例のコンデンサ内蔵基板の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０    誘電体層
１１    貫通導体
１２    貫通孔
２１    第１の容量電極
２２    第２の容量電極
３１    第１の電極パッド
３２    第２の電極パッド
１００  コンデンサ
２００  基板本体
２０１  配線導体
２０２  接続導体
２１０  樹脂硬化物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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