(57)【要約】【課題】電磁波遮蔽性能、光透過性に優れた電磁波遮蔽フィルムを製造する製造方法を提供すること。【解決手段】支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液をインクジェット方式により塗布、乾燥し、得られた塗布層を露光、現像して金属部を形成し、物理現像及び／またはメッキ処理することにより、該金属部に導電性金属粒子を担持させた導電性金属部を形成することを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液をインクジェット方式により塗布、乾燥し、得られた塗布層を露光、現像して金属部を形成し、物理現像及び／またはメッキ処理することにより、該金属部に導電性金属粒子を担持させた導電性金属部を形成することを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項２】
前記金属塩微粒子を含有する塗布液の塗布量が０．１〜１ｇ／ｍ2であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項３】
前記金属塩微粒子がハロゲン化銀微粒子であることを特徴とする請求項１または２に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項４】
前記支持体はハレーション防止層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項５】
前記メッキ処理を行う場合、無電解メッキを行った後、電解メッキを行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項６】
前記メッキ処理を行う場合、弱い電流値で電解メッキを行った後、高い電流値で電解メッキを行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法により製造されたことを特徴とする電磁波遮蔽フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、電子レンジ、ＣＲＴ及びフラットパネルディスプレイなどの電子機器から発生する電磁波を遮断する電磁波遮蔽フィルムの製造方法、及びその製造方法により得られる電磁波遮蔽フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の使用増大のために電磁波障害（ＥＭＩ）を低減する必要性が高まっている。ＥＭＩは電子、電気機器の誤動作、障害の原因になる他、人体に対しても害を与えることが指摘されている。このため、電子機器では電磁波放出の強さを規格または規制内に抑えることが要求されている。
【０００３】
特にプラズマ表示パネル（ＰＤＰ）は、希ガスをプラズマ状態にして紫外線を放射させ、この光線で蛍光体を発光させる原理に基づくために原理的に電磁波を発生する。また、このとき近赤外線も放射され、リモコン等の操作素子の誤動作を引き起こすので電磁波遮蔽能と同時に近赤外線の遮蔽も求められている。
【０００４】
電磁波遮蔽能は簡便には表面抵抗値で表すことができ、ＰＤＰ用の透光性電磁波遮蔽フィルムでは１０Ω／□以下が要求され、ＰＤＰを用いた民生用プラズマテレビにおいては２Ω／□以下とする必要性が高く、より望ましくは０．１Ω／□以下という極めて高い導電性が要求されている。
【０００５】
上記の問題を解決するために、開口部を有する金属メッシュを利用した電磁波遮蔽フィルムの生産方法が提案されている。例えば、フォトリソグラフ法による金属メッシュ形成方法である（例えば、特許文献１参照。）。しかし、この方法の場合は、銅箔貼合に始まり、レジスト液の塗布乾燥、マスクによる露光、現像、エッチング、レジスト除去といった非常に多くの工程が必要となり、また枚葉の生産となるため生産性が非常に低いという欠点がある。
【０００６】
これを解決するために、ハロゲン化銀粒子から得られる現像銀が金属銀であることより、写真現像を応用した製造方法で金属銀のメッシュを作製することが考えられる。例えば、ハロゲン化銀粒子を含む層を有する感光材料をメッシュ状に露光して現像処理すれば、銀粒子がメッシュ状に集合した導電性金属銀部が形成される（例えば、特許文献２参照。）。しかし、この方法の場合は現像銀のみでは導電性が不足するため、後工程として物理現像及び／またはメッキ工程が必要となり、そこで形成される金属メッシュにより導電性が決まる。従って、現像銀の機能は物理現像及び／またはメッキで金属が成長するための核であり、非常に少量しか必要としないのに不必要に厚膜形成されていた。また、この方法のもう一つの欠点は、厚膜塗布のため乾燥ゾーンが長くなり、設備が非常に大型化し、エネルギー費用等が多額化するという点もあった。
【特許文献１】特開２００３−４６２９３号公報
【特許文献２】特開２００４−２２１５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、電磁波遮蔽性能、光透過性に優れた電磁波遮蔽フィルムを製造する製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の上記目的は、下記構成により達成される。
【０００９】
１．支持体上に金属塩微粒子を含有する塗布液をインクジェット方式により塗布、乾燥し、得られた塗布層を露光、現像して金属部を形成し、物理現像及び／またはメッキ処理することにより、該金属部に導電性金属粒子を担持させた導電性金属部を形成することを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１０】
２．前記金属塩微粒子を含有する塗布液の塗布量が０．１〜１ｇ／ｍ2であることを特徴とする前記１に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１１】
３．前記金属塩微粒子がハロゲン化銀微粒子であることを特徴とする前記１または２に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１２】
４．前記支持体はハレーション防止層を有することを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１３】
５．前記メッキ処理を行う場合、無電解メッキを行った後、電解メッキを行うことを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１４】
６．前記メッキ処理を行う場合、弱い電流値で電解メッキを行った後、高い電流値で電解メッキを行うことを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【００１５】
７．前記１〜６のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法により製造されたことを特徴とする電磁波遮蔽フィルム。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電磁波遮蔽フィルムの製造方法によって、高い電磁波遮蔽性を有し、しかも光透過性に優れた電磁波遮蔽フィルムを安価に提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の電磁波遮蔽フィルムの製造方法は、支持体上に金属塩微粒子を含む層をインクジェット方式で均一に塗布／乾燥し、露光／現像することでメッシュ状に金属部を形成した後、物理現像及び／またはメッキ処理することで金属部の導電性を高めることにより、電磁波遮蔽機能を有する層を形成することを特徴とする。インクジェット方式の塗布法を用いることによって、従来の塗布法に比し薄膜化ができ、これによって電磁波遮蔽性と光透過性を同時に満足する電磁波遮蔽フィルムを安価に提供することができた。
【００１８】
本発明において、電磁波遮蔽機能を発現するために金属塩微粒子を含有する層（ハロゲン化銀粒子、ハロゲン化銅等を含有する層）が支持体上に設けられる。金属塩微粒子を含有する層は金属塩微粒子の他、バインダー、活性剤等を含有することができる。
【００１９】
（金属塩微粒子／ハロゲン化銀微粒子）
本発明で用いられる金属塩微粒子としては、ハロゲン化銀、ハロゲン化銅等を使うことができるが、光に対する感度の面からはハロゲン化銀微粒子が最も好ましい。ハロゲン化銀微粒子としては、無機ハロゲン化銀粒子及びベヘン酸銀などの有機ハロゲン化銀粒子が挙げられるが、導電性金属銀を得やすい無機ハロゲン化銀を用いることが好ましい。
【００２０】
本発明で好ましく用いられるハロゲン化銀は、例えば、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩを主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられ、導電性のよい金属銀を得るためには感度の高い微粒子が好ましく、沃素を含むＡｇＢｒを主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられる。沃素を多く含むようにすると、感度も高く微粒子にすることができる。
【００２１】
ハロゲン化銀粒子が現像され金属銀粒子になると、粒子から粒子へと電気が流れていくには接触面積ができるだけ大きくなる必要がある。そのためには粒子サイズが小さい程よいが、小さい粒子は凝集して大きな塊状になりやすく、接触面積は逆に少なくなってしまうので最適な粒子径が存在する。
【００２２】
ハロゲン化銀の平均粒子サイズは、球相当径で１〜１０００ｎｍ（１μｍ）であることが好ましく、１〜１００ｎｍであることがより好ましく、１〜５０ｎｍであることが更に好ましい。なお、ハロゲン化銀粒子の球相当径とは、粒子形状が球形の同じ体積を有する粒子の直径である。ハロゲン化銀粒子の大きさは、ハロゲン化銀粒子の調製時の温度、ｐＡｇ、粒子径コントロール剤、例えば、１−フェニル−５メルカプトテトラゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、ベンズトリアゾール、テトラザインデン化合物類、核酸誘導体類、チオエーテル化合物類等を適宜組み合わせて使用することができる。
【００２３】
ハロゲン化銀粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状など）、八面体状、１４面体状など様々な形状であることができる。感度を高くするために、アスペクト比が２以上や４以上、更に８以上であって１６以下であるような平板粒子も好ましく使用することができる。粒子サイズの分布は広くても狭くてもよいが、高い導電性を得て開口率を大きくするには狭い分布が好ましい。写真業界で知られる単分散度で１００以下、更には３０以下が好ましい。粒子の形状は、電気が流れ易くするための観点からは生成した粒子間の接触面積が大きい程よいので、扁平でアスペクト比が大きい程よいが、アスペクト比を大きくすると濃度が出にくくなるので最適なアスペクト比が存在する。
【００２４】
本発明で用いられるハロゲン化銀は、更に他の元素を含有していてもよい。例えば、写真乳剤において、硬調な乳剤を得るために用いられる金属イオンをドープすることも有用である。特に、ロジウムイオン、ルテニウムイオンやイリジウムイオンなどの遷移金属イオンは、金属銀像の生成の際に露光部と未露光部の差が明確に生じやすくなるため好ましく用いられる。ロジウムイオン、イリジウムイオンに代表される遷移金属イオンは、各種の配位子を有する化合物であることもできる。そのような配位子としては、例えば、シアン化物イオンやハロゲンイオン、チオシアナートイオン、ニトロシルイオン、水、水酸化物イオンなどを挙げることができる。具体的な化合物の例としては、臭化ロジウム酸カリウムやイリジウム酸カリウムなどが挙げられる。
【００２５】
本発明において、ハロゲン化銀に含有されるロジウム化合物及び／またはイリジウム化合物の含有率は、ハロゲン化銀中の銀のモル数に対して１０-10〜１０-2モル／モルＡｇであることが好ましく、１０-9〜１０-3モル／モルＡｇであることが更に好ましい。その他、本発明ではＰｄイオン、ＰｔイオンＰｄ金属及び／またはＰｔ金属を含有するハロゲン化銀も好ましく用いることができる。ＰｄやＰｔはハロゲン化銀粒子内に均一に分布していてもよいが、ハロゲン化銀粒子の表層近傍に含有させることが好ましい。本発明において、ハロゲン化銀に含まれるＰｄイオン及び／またはＰｄ金属の含有率は、ハロゲン化銀中の銀のモル数に対して１０-6〜０．１モル／モルＡｇであることが好ましく、０．０１〜０．３モル／モルＡｇであることが更に好ましい。
【００２６】
（化学増感）
本発明では、更に感度を向上させるため、写真乳剤で行われる化学増感を施すこともできる。化学増感としては、例えば、金、パラジウム、白金増感などの貴金属増感、無機硫黄、または有機硫黄化合物による硫黄増感などのカルコゲン増感、塩化錫、ヒドラジン等還元増感等を利用することができる。
【００２７】
（分光増感）
化学増感されたハロゲン化銀粒子を分光増感することができる。好ましい分光増感色素としては、シアニン、カルボシアニン、ジカルボシアニン、複合シアニン、ヘミシアニン、スチリール色素、メロシアニン、複合メロシアニン、ホロポーラー色素等を挙げることができ、当業界で用いられている分光増感色素を単用、あるいは併用して使用することができる。
【００２８】
特に有用な色素はシアニン色素、メロシアニン色素、及び複合メロシアニン色素である。これらの色素類には、その塩基性異節環核としてシアニン色素類に通常利用される核のいずれをも通用できる。即ち、ピロリン核、オキサゾリン核、チアゾリン核、ピロール核、オキサゾール核、チアゾール核、セレナゾール核、イミダゾール核、テトラゾール核、ピリジン核及びこれらの核に脂環式炭化水素環が融合した核；及びこれらの核に芳香族炭化水素環が融合した核、即ちインドレニン核、ベンズインドレニン核、インドール核、ベンズオキサゾール核、ナフトオキサゾール核、ベンゾチアゾール核、ナフトチアゾール核、ベンゾセレナゾール核、ベンズイミダゾール核、キノリン核などである。これらの核は、炭素原子上で置換されてもよい。メロシアニン色素または複合メロシアニン色素には、ケトメチレン構造を有する核として、ピラゾリン−５−オン核、チオヒダントイン核、２−チオオキサゾリジン−２，４−ジオン核、チアゾリジン−２，４−ジオン核、ローダニン核、チオバルビツール酸核などの５から６員異節環核を適用することができる。特に好ましい増感色素は近赤外増感色素である。これらの色素は、特開２０００−３４７３４３号、同２００４−０３７７１１号、同２００５−１３４７１０号の各公報を参考にすることができる。特に好ましい具体例を下記に示す。
【００２９】
【化１】
2008091387.tif 000002
【００３０】
これらの増感色素は単独に用いてもよいが、それらの組み合わせを用いてもよい。増感色素の組み合わせは、特に強色増感の目的でしばしば用いられる。
【００３１】
これらの増感色素をハロゲン化銀乳剤中に含有せしめるには、それらを直接乳剤中に分散してもよいし、あるいは水、メタノール、プロパノール、メチルセロソルブ、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等の溶媒の単独もしくは混合溶媒に溶解して乳剤へ添加してもよい。また、特公昭４４−２３３８９号、同４４−２７５５５号、同５７−２２０８９号の各公報等に記載のように酸または塩基を共存させて水溶液としたり、米国特許第３，８２２，１３５号、同４，００６，０２５号の各明細書等に記載のようにドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等の界面活性剤を共存させて水溶液、あるいはコロイド分散物としたものを乳剤へ添加してもよい。また、フェノキシエタノール等の実質上水と非混和性の溶媒に溶解した後、水または親水性コロイド分散したものを乳剤に添加してもよい。特開昭５３−１０２７３３号、同５８−１０５１４１号の各公報に記載のように親水性コロイド中に直接分散させ、その分散物を乳剤に添加してもよい。
【００３２】
（硬調化）
ハロゲン化銀粒子を硬調化する方法として、塩化銀含有量を高くして粒径の分布を狭くする方法等があるが、製版用では更に硬調にするためにヒドラジン化合物やテトラゾリウム化合物を硬調化剤として使用することが知られている。ヒドラジン化合物は−ＮＨＮＨ−基を有する化合物であり、代表的なものを下記一般式で示す。
【００３３】
Ｔ−ＮＨＮＨＣＯ−Ｖ、Ｔ−ＮＨＮＨＣＯＣＯ−Ｖ
式中、Ｔは各々置換されてもよいアリール基、ヘテロ環基を表す。Ｔで表されるアリール基はベンゼン環やナフタレン環を含むもので、この環は置換基を有してもよく、好ましい置換基として直鎖、分岐のアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０のメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−ドデシル基等）、アルコキシ基（好ましくは炭素数２〜２１のメトキシ基、エトキシ基等）、脂肪族アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２１のアルキル基を持つ、アセチルアミノ基、ヘプチルアミノ基等）、芳香族アシルアミノ基等が挙げられ、これらの他に、例えば、上記の様な置換または未置換の芳香族環が−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、−ＳＯ2ＮＨ−、−ＮＨＣＯＮＨ−、−ＣＨ2ＣＨＮ−、等の連結基で結合しているものも含む。Ｖは水素原子、置換されてもよいアルキル基（メチル基、エチル基、ブチル、トリフロロメチル基等）、アリール基（フェニル基、ナフチル基等）、ヘテロ環基（ピリジル基、ピペリジル基、ピロリジル基、フラニル基、チオフェン基、ピロール基等）を表す。
【００３４】
ヒドラジン化合物は、米国特許第４，２６９，９２９号明細書の記載を参考にして合成することができる。ヒドラジン化合物はハロゲン化銀粒子層中、またはハロゲン化銀粒子層に隣接する親水性コロイド層中、更には他の親水性コロイド層中に含有せしめることができる。特に好ましいヒドラジンの化合物を下記に挙げる。
【００３５】
（Ｈ−１）：１−トリフロロメチルカルボニル−２−｛〔４−（３−ｎ−ブチルウレイド）フェニル〕｝ヒドラジン
（Ｈ−２）：１−トリフロロメチルカルボニル−２−｛４−〔２−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）ブチルアミド〕フェニル｝ヒドラジン
（Ｈ−３）：１−（２，２，６，６−テトラメチルピペリジル−４−アミノ−オキザリル）−２−｛４−〔２−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）ブチルアミド〕フェニル｝ヒドラジン
（Ｈ−４）：１−（２，２，６，６−テトラメチルピペリジル−４−アミノ−オキザリル）−２−｛４−〔２−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）ブチルアミド〕フェニルスルホンアミドフェニル｝ヒドラジン
（Ｈ−５）：１−（２，２，６，６−テトラメチルピペリジル−４−アミノ−オキザリル）−２−｛４−〔３−（４−クロロフェニル−４−フェニル−３−チア−ブタンアミド）ベンゼンスルホンアミド〕フェニル｝ヒドラジン
（Ｈ−６）：１−（２，２，６，６−テトラメチルピペリジル−４−アミノ−オキザリル）−２−〔４−（３−チア−６，９，１２，１５−テトラオキサトリコサンアミド）ベンゼンスルホンアミド〕フェニルヒドラジン
（Ｈ−７）：１−（１−メチレンカルボニルピリジニウム）−２−〔４−（３−チア−６，９，１２，１５−テトラオキサトリコサンアミド）ベンゼンスルホンアミド〕フェニルヒドラジンクロライド。
【００３６】
ヒドラジン化合物は、Ｔ基としてスルホンアミドフェニル基、Ｖ基としてトリフロロメチル基が置換されているものが特に好ましい。また、ヒドラジンに結合するオキザリル基には、置換されてもよいピペリジルアミノ基が特に好ましい。テトラゾリウム化合物の具体例を下記に示す。
【００３７】
（Ｔ−１）：２，３−ビス（ｐ−メチルフェニル）−５−フェニルテトラゾリウムクロリド
（Ｔ−２）：２，３−ビス（ｐ−エチルフェニル）−５−フェニルテトラゾリウムクロリド
（Ｔ−３）：２，３，５−トリス（ｐ−メチルフェニル）テトラゾリウムクロリド
（Ｔ−４）：２，３−ジフェニル−５−（ｐ−メトキシフェニル）テトラゾリウムクロリド
（Ｔ−５）：２，３−ビス（ｏ−メチルフェニル）−５−フェニルテトラゾリウムクロリド
（Ｔ−６）：２，３，５−トリス（ｐ−メトキシフェニル）テトラゾリウムクロリド
（Ｔ−７）：２，３−ビス（ｏ−メチルフェニル）−５−フェニルテトラゾリウムクロリド
（Ｔ−８）：２，３−ビス（ｍ−メチルフェニル）−５−フェニルテトラゾリウムクロリド
（Ｔ−９）：２，３，５−トリス（ｐ−エトキシメチルフェニル）テトラゾリウムクロリド。
【００３８】
これらは特公平５−５８１７５号公報の記載を参考に使用することができ、場合によってはヒドラジン化合物と併用することもできる。
【００３９】
硬調化剤としてヒドラジンを使用するときに、ヒドラジンの還元作用を強化するためにアミン化合物またはピリジン化合物が使用される。代表的なアミン化合物は、少なくとも一つの窒素原子を含む下記一般式で表すことができる。
【００４０】
Ｒ−Ｎ（Ｚ）−Ｑ、Ｒ−Ｎ（Ｚ）−Ｌ−Ｎ（Ｗ）−Ｑ
式中のＲ、Ｑ、Ｚ、Ｗは炭素数２〜３０の置換されてもよいアルキル基を表す。また、これらのアルキル基鎖は窒素、硫黄、酸素等のヘテロ原子で結合されてもよい。ＲとＺ、あるいはＱとＷは、互いに飽和及び不飽和の環を形成してもよい。Ｌは２価の連結基を表す。この連結基の中には、硫黄、酸素、窒素等のヘテロ原子が含まれてもよい。Ｌの連結基の中の炭素数は１から２００まで可能であり、硫黄原子は１から３０まで、窒素原子は１から２０まで、酸素原子は１から４０までであるが、特に限定されるものではない。これらのアミン化合物の具体例を下記に示す。
【００４１】
（Ａ−１）：ジエチルアミノエタノール
（Ａ−２）：ジメチルアミノ−１
（Ａ−３）：２−プロパンジオール
（Ａ−４）：５−アミノ−１−ペンタノール
（Ａ−５）：ジエチルアミン
（Ａ−６）：メチルアミン
（Ａ−７）：トリエチルアミン
（Ａ−８）：ジプロピルアミン
（Ａ−９）：３−ジメチルアミノ−１−プロパノール
（Ａ−１０）：１−ジメチルアミノ−２−プロパノール
（Ａ−１１）：ビス（ジメチルアミノテトラエトキシ）チオエーテル
（Ａ−１２）：ビス（ジエチルアミノペンタエトキシ）チオエーテル
（Ａ−１３）：ビス（ピペリジノテトラエトキシ）チオエーテル
（Ａ−１４）：ビス（ピペリジノエトキシエチル）チオエーテル
（Ａ−１５）：ビス（ニペコチンジエトキシ）チオエーテル
（Ａ−１６）：ビス（ジシアノエチルアミノジエトキシ）エーテル
（Ａ−１７）：ビス（ジエトキシエチルアミノテトラエトキシ）エーテル
（Ａ−１８）：５−ジブチルアミノエチルカルバモイルベンゾトリアゾール
（Ａ−１９）：５−モルホリノエチルカルバモイルベンゾトリアゾール
（Ａ−２０）：５−（２−メチルイミダゾール−２−エチレン）カルバモイルベンゾトリアゾール
（Ａ−２１）：５−ジメチルアミノエチルウレイレンベンゾトリアゾール
（Ａ−２２）：５−ジエチルアミノエチルウレイレンベンゾトリアゾール
（Ａ−２３）：１−ジエチルアミノ−２−（６−アミノプリン）エタン
（Ａ−２４）：１−ジメチルアミノエチル−５−メルカプトテトラゾール
（Ａ−２５）：１−ピペリジノエチル−５−メルカプトテトラゾール
（Ａ−２６）：１−ジメチルアミノ−５−メルカプトテトラゾール
（Ａ−２７）：２−メルカプト−５−ジメチルアミノエチルチオチアジアゾール
（Ａ−２８）：１−メルカプト−２−モルホリノエタン。
【００４２】
ヒドラジン化合物の還元作用を促進するアミン化合物としては、分子中にピペリジン環またはピロリジン環が少なくとも１個、チオエーテル結合が少なくとも１個、エーテル結合が少なくとも２個あることが特に好ましい。
【００４３】
ヒドラジンの還元作用を促進する化合物として、ピリジニウム化合物やホスホニウム化合物がアミン化合物の他に使用される。オニウム化合物は正電荷を帯びているため、負電荷に帯電しているハロゲン化銀粒子に吸着して、現像時の現像主薬からの電子注入を促進することにより硬調化を促進するものと考えられている。好ましいピリジニウム化合物は、特開平５−５３２３１号、同６−２４２５３４号の各公報のビスピリジニウム化合物を参照することができる。特に好ましいピリジニウム化合物は、ピリジニウムの１位または４位で連結してビスピリジニウム体を形成しているものである。塩においては、ハロゲンアニオンとして塩素イオンや臭素イオン等が好ましく、他に４フッ化ホウ素イオン、過塩素酸イオン等が挙げられるが、塩素イオンまたは４フッ化ホウ素イオンが好ましい。下記に好ましいビスピリジニウム化合物を示す。
【００４４】
（Ｂ−１）：１，１′−ジメチル−４，４′−ビピリジニウムジクロライド
（Ｂ−２）：１，１′−ジベンジル−４，４′−ビピリジニウムジクロライド
（Ｂ−３）：１，１′−ジヘプチル−４，４′−ビピリジニウムジクロライド
（Ｂ−４）：１，１′−ジ−ｎ−オクチル−４，４′−ビピリジニウムジクロライド
（Ｂ−５）：４，４′−ジメチル−１，１′−ビピリジニウムジクロライド
（Ｂ−６）：４，４′−ジベンジル−１，１′−ビピリジニウムジクロライド
（Ｂ−７）：４，４′−ジヘプチル−１，１′−ビピリジニウムジクロライド
（Ｂ−８）：４，４′−ジ−ｎ−オクチル−１，１′−ビピリジニウムジクロライド
（Ｂ−９）：ビス（４，４′−ジアセトアミド−１，１′−テトラメチレンピリジニウム）ジクロライド。
【００４５】
ヒドラジン化合物は高濃度部の硬調化に作用するが、脚部の硬調化が不十分であるため、これを改良する試みとして、現像時に生成する現像主薬の酸化体を利用する技術を使用してもよい。現像主薬の酸化体と反応するレドックス化合物を存在させて、この化合物から脚部を抑制する抑制剤を放出させることにより画像の鮮明性を高めるのである。現像主薬の酸化体の発生は現像の進行により発生するので、粒子の還元速度と関係がある。化学増感剤で還元速度の早い現像核を形成しておくと、この効果を高めることができるので、良い化学増感剤を使用するのが好ましい。レドックス化合物を使用すると、画像のエッジを鋭くするので粒子間隔を狭め銀の金属線の抵抗を下げることができる。
【００４６】
レドックス化合物は、レドックス基としてハイドロキノン類、カテコール類、ナフトハイドロキノン類、アミノフェノール類、ピラゾリドン類、ヒドラジン類、レダクトン類等を有する。好ましいレドックス化合物は、レドックス基として−ＮＨＮＨ−基を有する化合物であり、次の一般式で示すものが代表的である。
【００４７】
Ｔ−ＮＨＮＨＣＯ−Ｖ−（Ｔｉｍｅ）n−ＰＵＧ
Ｔ−ＮＨＮＨＣＯＣＯ−Ｖ−（Ｔｉｍｅ）n−ＰＵＧ
式中、Ｔ及びＶは前記ヒドラジン化合物と同義の基を表す。ＰＵＧは写真有用性基を表し、例えば、５−ニトロインダゾール、４−ニトロインダゾール、１−フェニルテトラゾール、１−（３−スルホフェニル）テトラゾール、５−ニトロベンズトリアゾール、４−ニトロベンゾトリアゾール、５−ニトロイミダゾール、４−ニトロイミダゾール等が挙げられる。これらの現像抑制化合物は、Ｔ−ＮＨＮＨ−ＣＯ−のＣＯ部位にＮやＳ等のヘテロ原子を介して直接または（Ｔｉｍｅ）で表される、アルキレン、フェニレン、アラルキレン、アリール基を介して更にＮやＳのヘテロ原子を介して接続することができる。
【００４８】
その他に、バラスト基がついたハイドロキノン化合物にトリアゾール、インダゾール、イミダゾール、チアゾール、チアジアオールなどの現像抑制基を導入したものも使用できる。例えば、２−（ドデシルエチレンオキサイド）チオプロピオン酸アミド−５−（５−ニトロインダゾール−２−イル）ハイドロキノン、２−（ステアリルアミド）−５−（１−フェニルテトラゾール−５−チオ）ハイドロキノン、２−（２，４−ジ−ｔ−アミルフェノプロピオン酸アミド）−５−（５−ニトロトリアゾール−２−イル）ハイドロキノン、２−ドデシルチオ−５−（２−メルカプトチオチアジアゾール−５−チオ）ハイドロキノン等が挙げられる。なお、ｎは１または０を表す。
【００４９】
レドックス化合物は、米国特許第４，２６９，９２９号明細書の記載を参考にして合成することができる。
【００５０】
特に好ましいレドックス化合物を下記に挙げる。
【００５１】
（Ｒ−１）：１−（４−ニトロインダゾール−２−イル−カルボニル）−２−｛〔４−（３−ｎ−ブチルウレイド）フェニル〕｝ヒドラジン
（Ｒ−２）：１−（５−ニトロインダゾール−２−イル−カルボニル）−２−｛４−〔２−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）ブチルアミド〕フェニル｝ヒドラジン
（Ｒ−３）：１−（４−ニトロトリアゾール−２−イル−カルボニル）−２−｛４−〔２−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）ブチルアミド〕フェニル｝ヒドラジン
（Ｒ−４）：１−（４−ニトロイミダゾール−２−イル−カルボニル）−２−｛４−〔２−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）ブチルアミド〕フェニルスルホンアミドフェニル｝ヒドラジン
（Ｒ−５）：１−（１−スルホフェニルテトラゾール−４−メチルオキサゾール）−２−〔３−（１−フェニル−１′−ｐ−クロロフェニルメタンチオグリシンアミドフェニル）スルホンアミドフェニル〕ヒドラジン
（Ｒ−６）：１−（４−ニトロインダゾール−２−イル−カルボニル）−２−｛〔４−（オクチル−テトラエチレンオキサイド）−チオ−グリシンアミドフェニル−スルホンアミドフェニル〕｝ヒドラジン。
【００５２】
ヒドラジン化合物、アミン化合物、ピリジニウム化合物、テトラゾリウム化合物及びレドックス化合物は、ハロゲン化銀１モル当たり１×１０-6〜５×１０-2モル含有するのが好ましく、特に１×１０-4〜２×１０-2モルが好ましい。これらの化合物の添加量を調節して、硬調化度γを６以上にすることは容易である。γは更に乳剤の単分散性、ロジウムの使用量、化学増感等によって調節することができる。ここに、γは濃度０．１と３．０を与えるそれぞれの露光量の差に対する濃度差とする。
【００５３】
これらの化合物はハロゲン化粒子を含む層、または他の親水性コロイド層に添加して使用する。水溶性の場合には水溶液にして、水不溶性の場合にはアルコール類、エステル類、ケトン類等の水に混和しうる有機溶媒の溶液としてハロゲン化銀粒子溶液、または親水性コロイド溶液に添加すればよい。また、これらの有機溶媒に溶けないときには、ボールミル、サンドミル、ジェットミル等で０．０１〜１０μｍの大きさの微粒子にして添加することができる。微粒子分散の方法は、写真添加剤である染料の固体分散の技術を好ましく応用することができる。例えば、ボールミル、遊星回転ボールミル、振動ボールミル、ジェットミル等の分散機を使用して所望の粒子径にすることができる。分散時に界面活性剤を使用すると分散後の安定性を向上させることができる。
【００５４】
（バインダー）
本発明に係るハロゲン化銀粒子含有層において、ハロゲン化銀粒子を均一に分散させ、且つハロゲン化銀粒子を支持体上に担持し、ハロゲン化銀粒子含有層と支持体の接着性を確保する目的でバインダーを用いることができる。
【００５５】
本発明において用いることができるバインダーには特に制限がなく、非水溶性ポリマー及び水溶性ポリマーのいずれも用いることができるが、現像性向上の観点からは水溶性ポリマーを用いることが好ましい。本発明においては、バインダーとしてゼラチンを用いることが有利であるが、必要に応じてゼラチン誘導体、ゼラチンと他の高分子のグラフトポリマー、ゼラチン以外のタンパク質、糖誘導体、セルロース誘導体、単一あるいは共重合体のごとき合成親水性高分子物質等の親水性コロイドも用いることができる。ハロゲン化銀粒子含有層中のバインダー量には特に制限はなく、塗布性、皮膜物性、及び電磁波遮蔽性能等から最適な値を用いることができる。
【００５６】
現像銀のネットワークを形成し、現像後の皮膜の導電性を高めるという観点から、本発明においては、通常の撮影用ハロゲン化銀写真感光材料よりＡｇ／バインダー体積比を高く設定することが好ましく、粒子含有層中のバインダーの含有量はＡｇ／バインダー体積比で０．３〜１００であることが好ましく、０．５〜３０であることがより好ましく、１〜１５であることが更に好ましい。
【００５７】
（近赤外線遮断／近赤外線吸収染料）
本発明において、電磁波遮蔽機能を有する電磁波遮蔽フィルムのみではなく、近赤外線遮断の目的で近赤外線吸収染料を含む層も合わせて形成することで、複合フィルムとすることも可能である。この近赤外線吸収染料は、水分散性熱可塑性樹脂または燐酸エステルの微粒子と共にゼラチン水溶液中で分散することが好ましい。
【００５８】
近赤外線吸収染料の具体例としては、ポリメチン系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系、金属錯体系、アミニウム系、イモニウム系、ジイモニウム系、アンスラキノン系、ジチオール金属錯体系、ナフトキノン系、インドールフェノール系、アゾ系、トリアリルメタン系の化合物などが挙げられる。
【００５９】
水分散性熱可塑性樹脂は、特に水媒体中に安定して分散される樹脂を扱うのでラテックスと同義語として扱う。ラテックスとはゴムの樹などから採取される白色乳状の樹液を指していたが、乳化重合物の出現以来、合成高分子の水分散体も含めて、水性媒体の中に高分子物質が安定して分散してるものをラテックスと呼ぶようになったのでこの呼称が使用されている。
【００６０】
水分散性熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニリデン−アクリル酸共重合体、塩化ビニリデン−イタコン酸共重合体、ポリアクリル酸ナトリウム、ポリエチレンオキシド、アクリル酸アミド−アクリル酸エステル共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、場合によってはアクリル酸、メタアクリル酸、イタコン酸及びマレイン酸等のカルボン酸基を含むモノマーあるいは、ジメチルアクリルアミドプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸基等のスルホン酸基を持つモノマーを一つまたは複数組み合わせて少量使用したスチレン−ブタジエン系共重合体、スチレン−イソプレン系共重合体等が挙げられる。
【００６１】
燐酸エステル化合物としては、燐酸と脂肪族アルコールまたは芳香族アルコールまたはこれらの混合アルコールとエステル化したものや、ジアルキルまたはジアリール燐酸エステルを２つ以上縮合させた縮合エステルを挙げることができる。具体的には、トリオクチル燐酸エステル、トリドデシル燐酸エステル、トリフェニル燐酸エステル、トリクレジル燐酸エステル、トリｐ−メチルフェニル燐酸エステル等を挙げることができる。
【００６２】
（反射防止層）
本発明においては、電磁波遮蔽機能を有する電磁波遮蔽フィルムのみではなく、裏面側に反射防止層を設けて複合フィルムとすることも可能である。裏面側の最上層に低屈折率層を形成し、その間に高屈折率層の金属酸化物層を形成し、更に電磁波遮蔽フィルムと高屈折率層との間に更に中屈折率層（金属酸化物の含有量あるいは樹脂バインダーとの比率、金属の種類を変更して屈折率を調整した金属酸化物層）を設けることは、反射率の低減のために好ましい。
【００６３】
反射防止層各層の屈折率は低屈折率層は１．４６以下が好ましく、特に１．３〜１．４５であることが望ましく、高屈折率層は１．５５〜２．３０であることが好ましく、１．５７〜２．２０であることが更に好ましい。中屈折率層の屈折率は、基材フィルムの屈折率と高屈折率層の屈折率との中間の値となるように調整する。中屈折率層の屈折率は１．５５〜１．８０であることが好ましい。
【００６４】
各層の厚さは５ｎｍ〜０．５μｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜０．３μｍであることが更に好ましく、３０ｎｍ〜０．２μｍであることが最も好ましい。
【００６５】
高屈折層、中屈折層に用いる無機微粒子は、金属の酸化物から形成された粒子である。金属の酸化物または硫化物の例として、二酸化チタン（例えば、ルチル、ルチル／アナターゼの混晶、アナターゼ、アモルファス構造）、酸化錫、酸化インジウム、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム等が挙げられる。中でも、二酸化チタン、酸化錫及び酸化インジウムが特に好ましい。無機微粒子はこれらの金属の酸化物を主成分とし、更に他の元素を含むことができる。主成分とは、粒子を構成する成分の中で最も含有量（質量％）が多い成分を意味する。他の元素の例としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ａｓ、Ｃｒ、Ｈｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｐ及びＳが挙げられる。
【００６６】
低屈折率層は、珪素アルコキシドを用いてゾルゲル法によって作製することができる。あるいは、フッ素樹脂を用いて低屈折率層とすることができる。
【００６７】
特に、熱硬化性または電離放射線硬化型の含フッ素樹脂の硬化物と珪素の酸化物超微粒子から構成されることが好ましい。珪素の酸化物超微粒子は後述する多孔質粒子と該多孔質粒子表面に設けられた被覆層を有する複合粒子、あるいは内部に溶媒、気体、または多孔質物質で充填された空洞粒子であることが好ましい。
【００６８】
（支持体）
本発明においては、支持体として、例えば、セルロースエステル系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリカーボネート系フィルム、ポリアリレート系フィルム、ポリスルホン（ポリエーテルスルホンも含む）系フィルム、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、セロファン、セルロースジアセテートフィルム、セルロースアセテートブチレートフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルアルコールフィルム、シンジオタクティックポリスチレン系フィルム，ポリカーボネートフィルム、ノルボルネン樹脂系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリエーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルムまたはアクリルフィルム等を用いることができる。
【００６９】
中でも、セルローストリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスルホン（ポリエーテルスルホンを含む）、ポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましく用いられる。
【００７０】
本発明においては、透明性、等方性、接着性等の観点から、支持体としてはポリエチレンテレフタレートフィルム、またはセルロースエステルフィルムを用いることが特に好ましい。
【００７１】
本発明の電磁波遮蔽フィルムをディスプレイの表示画面に用いる場合には、高い透明性が要求されるため、支持体自体の透明性も高いことが望ましい。この場合におけるプラスチックフィルムの全可視光域の平均透過率は好ましくは８５〜１００％であり、より好ましくは９０〜１００％である。また、本発明では色気調節剤として、前記プラスチックフィルムを本発明の目的を妨げない程度に着色したものを用いることもできる。
【００７２】
本発明に用いる支持体の厚さには特に制限はないが、透過率の維持及び取り扱い性の観点から５〜２００μｍであることが好ましく、３０〜１５０μｍであることが更に好ましい。
【００７３】
本発明に用いる支持体には、必要に応じてハロゲン化銀層等を塗布する前に下引き層などを各種の支持体上に塗布する場合もある。金属塩微粒子層を薄膜で形成するためには、支持体上に事前にハレーション防止層を形成しておくことが好ましい。このハレーション防止層により、少量の金属塩微粒子でもライトパイピング現象が防止できる。
【００７４】
（光透過率）
本発明において、可視光域の平均透過率とは４００〜７００ｎｍまでの可視光領域の透過率を少なくとも５ｎｍ毎に測定して求めた可視光域の各透過率を積算し、その平均値として求めたものと定義する。測定においては、測定アパチャーを前述のメッシュパターンより十分大きくとっておく必要があり、少なくともメッシュの格子面積より１００倍以上大きな面積で測定して求める。
【００７５】
本発明においては、可視光域による平均透過率が８５％以上である態様が好ましく、より好ましくは８８％以上であり、更に好ましくは９０％以上である。
【００７６】
（塗布）
ハロゲン化銀粒子層を塗布する方法としては、従来より種々の方法が知られている。例えば、ディップ塗布法、ブレード塗布法、エアーナイフ塗布法、ワイヤーバー塗布法、グラビア塗布法、リバースロール塗布法、エクストリュージョン型塗布法、スライドホッパー塗布法、スロット型カーテン塗布法、スライド型カーテン塗布法等が知られている。
【００７７】
これらの塗布方式は大きく２つに大別される。一つは必要な塗布液膜を形成する量だけ塗布液を吐出させて、被塗布物表面上に塗布液を塗設する前計量型塗布方式であり、代表的なものとして、エクストルージョン型塗布法、スライドホッパー型塗布法、カーテン塗布法などが挙げられる。もう一つは予め必要な塗膜形成量よりも余剰な塗布液を被塗布体へ供給し、その後何らかの手段により余剰塗布液を掻き落とす後計量型塗布方式であり、代表的なものとして、リバースロール塗布法、エアーナイフ塗布法、ワイヤーバー塗布法などが挙げられる。
【００７８】
従来の塗布液は塗布液のみにより目標性能を発現するため、ある程度の膜厚で塗布する必要があった。しかし、電磁波遮蔽フィルムに求められる機能は光透過率と電磁波遮蔽機能であり、電磁波遮蔽機能は電気抵抗値に依存する。金属塩微粒子を現像して形成される金属粒子では金属粒子の間に高分子バインダーが存在し、金属同士の接触が十分でないため、電気抵抗値としては非常に高い。
【００７９】
この電気抵抗低減のため物理現像及び／またはメッキ処理を行っている。還元されて形成された金属粒子の役割は、物理現像及び／またはメッキで金属成分が成長するための核であり、付量として非常に少量で構わない。金属塩微粒子の付量として必要なのは０．１〜１ｇ／ｍ2が好ましく、より好ましくは０．１〜０．５ｇ／ｍ2である。これ以上付量を増やしても製品品質上のメリットは発現することはなく、材料の無駄使いとなりコストアップ要因となる。この０．１〜０．５ｇ／ｍ2という固形分付量を塗布後の湿潤膜厚に換算すると、凡そ１．５〜４．５μｍに該当し、非常に塗布膜厚として薄い領域となる。更にコストメリットを出すためには１．５〜３μｍを狙う必要がある。
【００８０】
これに対し、こうした従来の塗布方式において１．５〜３μｍの薄膜化の困難さという問題点が存在する。特に前計量型塗布方式ではその塗布方式の特性や装置上の問題から、薄膜化が困難の場合が多い。また、後計量型塗布方式では塗布液のロスや、塗布液の変質、一次膜形成後の被塗布物への浸透といった様々な問題点が存在し、１．５〜３μｍで薄膜塗布できる塗布方式は未だ少ないのが現状である。
【００８１】
（インクジェット方式）
この様な低粘度の塗布液を薄膜塗布するための対応として、近年需要の増えている民生用の印刷機等に使用されているインクジェットプリンター技術を塗布液の薄膜形成に摘要することが知られている。例えば、甘利武司監修、「インクジェットプリンター技術と材料」、株式会社シーエムシー、１９９８年７月３１日発行、１８７〜２００頁には、インクジェットヘッドから圧電振動子による可撓板の変形により塗布液をノズル吐出口から液滴として吐出させることにより、非常に微小な液滴を被塗布物に並べることによりウェット塗膜を形成すること、及び一定の被覆率で塗布液が配置されたパターニングを形成することが記載されている。
【００８２】
上記文献に記載されているインクジェットプリンター技術の応用として、インクジェットヘッドを使用して薄膜塗布を行う技術が知られている。被塗布物の面の幅方向に直列にインクジェットヘッドを配設することにより、薄膜塗布を行うことができる。
【００８３】
図１はインクジェットヘッドを利用した塗布装置の一例を示す模式図である。図２（ａ）は塗布装置の被塗布体進入開口側から見た斜視図、図２（ｂ）は被塗布体出口側から見た斜視図である。
【００８４】
ここではインクジェットヘッド１を圧電振動素子（ＰＺＴなど）２によって駆動して、ノズル３から液滴４を吐出する形式で示すが、サーマル方式のインクジェットヘッドでも構わない。５は被塗布体供給部、６は被塗布体、７は被塗布体回収部である。
【００８５】
８はインクジェットヘッド１近傍の雰囲気を包囲する雰囲気制御ボックス、１０は塗布液供給装置である。塗布液供給装置１０内に貯蔵された塗布液９は制御バルブ１１、配管１２を通過して送液され、インクジェットヘッド１に供給される。
【００８６】
インクジェットヘッド１には、圧電振動素子２を駆動させるための制御部１３がコネクタ１６を介して接続されている。この制御部１３により、圧電振動素子２の動作強度や周波数、塗布液吐出時のノズル３の選択等を行う。塗布液供給装置１０の液槽はほぼ密閉されているが、一部外気と連通させるための気管１５が設置されている。この気管１５は、圧電振動素子２の動作により塗布液９がインクジェットヘッド１から供給される際に、塗布液供給装置１０が負圧にならないようにするためである。
【００８７】
更に、被塗布体６はバックアップローラ２１、搬送部２２、乾燥ゾーン１９を通りテンションローラ部２３にて、被塗布体のしわなどを取り除いて被塗布体回収部７に巻き取られる構造になっている。矢印は被塗布体の搬送方向を示す。
【００８８】
雰囲気制御ボックス８の被塗布体進入口には密閉ローラ２０が、被塗布体搬送方向上流側に密閉ローラ２０の中心とバックアップローラ２１の中心を通る直線と垂直方向との角度が１５°〜４５°となるように配置され、被塗布体の出口には溶媒（例えば、プロピレングリコールメチルエーテル等）を蒸気にする蒸気発生手段２４から送風された蒸気注入口２５が設けられている。
【００８９】
雰囲気制御ボックス８は溶媒循環パイプ２６を有し、本塗布装置は注入された蒸気溶媒が蒸気発生手段２４に再び戻るようにしてある。雰囲気制御ボックス８の被塗布体搬送部２２の長さは、塗布液が被塗布体６に着弾してから平滑化するまでの時間と搬送スピードにより求められる。気化した溶媒により雰囲気制御ボックス８が飽和状態に達すると、溶媒循環バルブ２７が作動して気化した溶媒は蒸気発生手段２４に再注入される。
【００９０】
このような循環系を有する本塗布装置であるので、雰囲気制御ボックス８が溶媒の飽和蒸気で満たされているときはインクジェットヘッドノズル面の乾燥を防止でき、且つ気化した溶媒を循環系の外に漏洩することがないので人に対して安全であり、オゾン破壊などが起こらず環境に対しても有利である。
【００９１】
密閉ローラ２０は、例えば、ＳＴＫＭ（機械構造用炭素鋼管）等のスチール剤やアルミ材を用いた肉厚８ｍｍの円筒状の金属パイプに、金属パイプ外周面に厚さ２ｍｍの導電性弾性体部材で被覆されている。導電性部材を設けることにより被塗布体が静電気を帯びた状態であっても徐電されるので、液滴４の弾道軌跡は静電気の影響を受けない。
【００９２】
図３はインクジェットヘッド１の斜視図である。
【００９３】
インクジェットヘッド１は単一のライン状のノズル３を配列したものでもよいが、図３（ａ）に示すように複数のノズル３からなるノズル列を複数列平行に配置し、各ノズル列のノズル３を半ピッチずらした配列にして、被塗布体６上に形成される液滴の密度を上げるようにしてもよい。また、図３（ｂ）に示すように、同タイプのインクジェットヘッド１を複数組、被塗布体６の幅手方向に交互に配列したものでもよい。複数組のインクジェットヘッド１は、コネクタ１６により接続されている。
【００９４】
図４は一部破断面を有するヘッドの一例を示す概略斜視図である。本図は剪断モード型（ピエゾ型）インクジェットヘッドの場合を示している。
【００９５】
ヘッド２０１は、上層圧電性基盤２０１ｂ１と下層圧電性基盤２０１ｂ２とを接合して形成された圧電性基盤２０１ｂと、天板２０１ｃと、ノズル板２０１ｄとを有している。
【００９６】
圧電性基盤２０１ｂには、研削加工を施すことによりノズル板２０１ｄ側が開口し、反対側が閉塞している互いに平行な所定の長さを有する複数のノズル２０１ｂ３と、ノズル２０１ｂ３の閉塞した側につながる平坦な面２０１ｂ４と、ノズル（インク圧力室）２０１ｂ３の両側に側壁２０１ｂ５とを有している。複数のノズルは、交互に塗布液圧力室用のノズルと空気圧力室用のノズルとして使用する場合もある。本図は塗布液圧力室用として使用した場合を示している。２０１ｃ２は圧電性基盤２０１ｂの上面を覆う第１天板を示し、２０１ｃ１は第１天板の上面を覆う第２天板を示す。
【００９７】
２０１ｅは塗布液供給部から送られてくる塗布液の塗布液供給管を示す。塗布液供給管２０１ｅより供給された塗布液は、ノズル吐出口２０１ｄ１より吐出するようになっている。２０１ｃ３は塗布液供給管２０１ｅから供給された塗布液の溜部を示し、各ノズル２０１ｂ３に連通した各塗布液供給口２０１ｃ４より各塗布液圧力室用のノズル２０１ｂ３に供給されるようになっている。各ノズル２０１ｂ３は第１天板２０１ｃ２とノズル板２０１ｄとにより覆われることで、複数の密閉されたチャネル（塗布液圧力室）が形成されるようになっている。
【００９８】
２０１ｄ１は各側壁の剪断変形に伴い、塗布液圧力室の圧力変化で塗布液を液滴の状態で吐出させるノズル吐出口を示す。ノズル吐出口の間隔は、０．０２〜０．３ｍｍが好ましい。２０１ｆは送液部から送られてくる溶液の溶液供給管を示す。溶液供給管２０１ｆより供給された溶液は、塗布液と同じ経路を経てノズル吐出口より吐出するようになっている。
【００９９】
（露光）
本発明においては、パターン露光を行うことによってメッシュ状の金属が形成される。
【０１００】
本発明では、後述する現像・補力処理により、導電性パターンを形成するために支持体上に設けられたハロゲン化銀粒子含有層の露光を行う。露光に用いられる光源としては、例えば、可視光線、紫外線などの光、電子線、Ｘ線などの放射線等が挙げられるが、紫外線または近赤外線を用いる態様が好ましい。更に露光には波長分布を有する光源を利用してもよく、波長分布の狭い光源を用いてもよい。
【０１０１】
可視光線は、必要に応じてスペクトル領域に発光を示す各種発光体が用いられる。例えば、赤色発光体、緑色発光体、青色発光体のいずれか１種または２種以上が混合されて用いられる。スペクトル領域は上記の赤色、緑色及び青色に限定されず、黄色、橙色、紫色あるいは赤外領域に発光する蛍光体も用いられる。また、紫外線ランプも好ましく、水銀ランプのｇ線、水銀ランプのｉ線等も利用される。
【０１０２】
また、本発明では露光は種々のレーザービームを用いて行うことができる。例えば、本発明における露光は、ガスレーザー、発光ダイオード、半導体レーザー、半導体レーザーまたは半導体レーザーを励起光源に用いた固体レーザーと非線形光学結晶を組み合わせた第二高調波発光光源（ＳＨＧ）等の単色高密度光を用いた走査露光方式を好ましく用いることができ、更にＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ2レーザー等も用いることができる。
【０１０３】
システムをコンパクトで迅速なものにするために、露光は半導体レーザー、半導体レーザーあるいは固体レーザーと非線形光学結晶を組み合わせた第二高調波発生光源（ＳＨＧ）を用いて行うことが好ましい。特にコンパクトで迅速、更に寿命が長く、安定性が高い装置を設計するためには、露光は半導体レーザーを用いて行うことが好ましい。
【０１０４】
レーザー光源としては、具体的には紫外半導体、青色半導体レーザー、緑色半導体レーザー、赤色半導体レーザー、近赤外レーザーなどが好ましく用いられる。
【０１０５】
ハロゲン化銀粒子含有層を画像状に露光する方法は、フォトマスクを利用した面露光で行ってもよいし、レーザービームによる走査露光で行ってもよい。この際、レンズを用いた集光式露光でも反射鏡を用いた反射式露光でもよく、面々接触露光、近接場露光、縮小投影露光、反射投影露光などの露光方式を用いることができる。レーザーの出力は、ハロゲン化銀を感光させるのに適した量であればよいので数十μＷ〜５Ｗ程度でよい。
【０１０６】
（現像処理）
本発明では、ハロゲン化銀粒子含有層を露光した後、現像処理が行われる。現像処理液としては、現像主薬としてハイドロキノン、ハイドロキノンスルホン酸ナトリウム、クロルハイドロキノン等のハイドロキノン類の他に、１−フェニル−３−ピラゾリドン、１−フェニル−４，４−ジメチル−３−ピラゾリドン、１−フェニル−４−メチル−４−ヒドロキシメチル−３−ピラゾリドン、１−フェニル−４−メチル−３−ピラゾリドン等のピラゾリドン類及びＮ−メチルパラアミノフェノール硫酸塩等の超加成性現像主薬と併用することができる。また、ハイドロキノンを使用しないでアスコルビン酸やイソアスコルビン酸などレダクトン類化合物を上記超加成性現像主薬と併用することが好ましい。
【０１０７】
また、現像処理液には保恒剤として亜硫酸ナトリウム塩や亜硫酸カリウム塩、緩衝剤として炭酸ナトリウム塩や炭酸カリウム塩、現像促進剤としてジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチルアミノプロパンジオールなどを適宜使用できる。
【０１０８】
本発明に係る現像処理で用いられる現像処理液は、画質を向上させる目的で画質向上剤を含有することができる。画質向上剤としては、例えば、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、５−メチルベンゾトリアゾールなどの含窒素へテロ環化合物を挙げることができる。
【０１０９】
本発明においては、露光後に行われる現像処理が定着前物理現像を含んでいる態様が好ましい。ここで言う定着前物理現像とは、後述の定着処理を行う前に露光により潜像を有したハロゲン化銀粒子の内部以外から銀イオンを供給し、現像銀を補強するプロセスのことを示す。現像処理液から銀イオンを供給するための具体的な方法としては、例えば、予め現像処理液中に硝酸銀などを溶解しておき銀イオンを溶かしておく方法、あるいは現像液中に、チオ硫酸ナトリウム、チオシアン酸アンモニウムなどのようなハロゲン化銀溶剤を溶解しておき、現像時に未露光部のハロゲン化銀を溶解させ、潜像を有するハロゲン化銀粒子の現像を補力する方法などが挙げられる。
【０１１０】
本発明においては、現像液中に予めハロゲン化銀溶剤を溶解しておく処方を用いた方が、未露光部でのカブリ発生によるフィルムの透過率低下を抑制できるため好ましい。
【０１１１】
本発明における現像処理においては、露光されたハロゲン化銀粒子の黒白現像終了後に、未露光部分のハロゲン化銀粒子を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を行う。
【０１１２】
本発明における定着処理は、ハロゲン化銀粒子を用いた写真フィルムや印画紙などで用いられる定着液処方を用いることができる。本発明に係る定着処理で使用する定着液は、定着剤としてチオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリウム、チオ硫酸アンモニウム等を使用することができる。定着時の硬膜剤として、硫酸アルミウム、硫酸クロミウム等を使用することができる。定着剤の保恒剤としては、現像処理液で述べた亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、アスコルビン酸、エリソルビン酸等を使用することができ、その他にクエン酸、蓚酸等を使用することができる。
【０１１３】
本発明に使用する水洗水には、防黴剤としてＮ−メチル−イソチアゾール−３−オン、Ｎ−メチル−イソチアゾール−５−クロロ−３−オン、Ｎ−メチル−イソチアゾール−４，５−ジクロロ−３−オン、２−ニトロ−２−ブロム−３−ヒドロキシプロパノール，２−メチル−４−クロロフェノール、過酸化水素等を使用することができる。
【０１１４】
（物理現像及び／またはメッキ処理）
本発明では、前記露光及び現像処理により形成された金属銀部に導電性を付与する目的で、前記金属銀部に導電性金属粒子を担持させるための物理現像及び／またはメッキ処理を行う。本発明では物理現像またはメッキ処理のみで導電性金属粒子を金属性部に担持させることが可能であるが、更に物理現像とメッキ処理を組み合わせて、導電性金属粒子を金属銀部に担持させることもできる。
【０１１５】
物理現像は、潜像を有するハロゲン化銀乳剤を含有する感光材料を銀イオンあるいは銀錯イオンと還元剤を含有する処理液に浸漬することでこれを施すことができる。
【０１１６】
本発明においては、物理現像の現像開始点が潜像核だけでなく、現像銀が物理現像開始点となった場合についても物理現像と定義し、これを好ましく用いることができる。
【０１１７】
本発明において、補力処理として用いられるメッキ処理には従来公知の種々のメッキ方法を用いることができ、例えば、電解メッキ及び無電解メッキを単独、あるいは組み合わせて実施することができる。中でも、電流分布ムラによるメッキムラが発生しない無電解メッキを好ましく用いることができる。無電解メッキに用いることができる金属としては、例えば、銅、ニッケル、コバルト、錫、銀、金、白金、その他各種合金を用いることができるが、メッキ処理が比較的容易であり、且つ高い導電性を得やすいという観点から、銅無電解メッキを用いることが特に好ましい。また、電解メッキを単独で行う場合、弱い電流値で電解メッキを行った後、高い電流値で電解メッキを行うことが好ましい。
【０１１８】
なお、補力処理は現像中、現像後定着前、定着処理後のいずれのタイミングにおいても実施可能であるが、フィルムの透明性を高く維持するという観点から、定着処理後に実施する態様が好ましい。
【０１１９】
（酸化処理）
本発明においては、現像処理あるいは補力処理後に酸化処理を行うことが好ましい。酸化処理により、不要な金属成分をイオン化して溶解除去することが可能となり、フィルムの透過率をより高めることが可能となる。
【０１２０】
（導電性金属部）
本発明では、導電性金属部は、前述した露光及び現像処理により形成された金属銀部を物理現像及び／またはメッキ処理することにより、前記金属銀部に導電性金属粒子を担持させることにより形成される。
【０１２１】
本発明においては、高い透光性と高い電磁波遮蔽性能を付与するために格子状の細線パターンを露光により描画し、次いで、現像処理等を行うことで導電性のメッシュパターンを形成する態様が好ましい。上記導電性金属部の線幅は２０μｍ以下、線間隔は５０μｍ以上であることが好ましい。また、導電性金属部はアース接続などの目的においては、線幅は２０μｍより広い部分を有していてもよい。また、画像を目立たせなくする観点からは、導電性金属部の線幅は１８μｍ未満であることが好ましく、１５μｍ未満であることがより好ましく、１４μｍ未満であることが更に好ましく、１０μｍ未満であることが更により好ましく、７μｍ未満であることが最も好ましい。
【０１２２】
本発明における導電性金属部は、可視光透過率の点から開口率は８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることが更に好ましく、９５％以上であることが最も好ましい。開口率とはメッシュをなす細線のない部分が全体に占める割合であり、例えば、線幅１０μｍ、ピッチ２００μｍの正方形の格子状メッシュの開口率は９５％である。
【実施例】
【０１２３】
以下に、本発明の実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０１２４】
実施例１
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
水媒体中のＡｇ１００ｇに対してゼラチン１００ｇを含む、球相当径平均０．０４４μｍの沃臭化銀粒子（Ｉ＝２．５モル％）を含有する乳剤を調製した。この際、Ａｇ／ゼラチン質量比は１０／１とし、ゼラチン種としては平均分子量４万のアルカリ処理低分子量ゼラチンを用いた。
【０１２５】
また、この乳剤中には臭化ロジウム酸カリウム及び塩化イリジウム酸カリウムを濃度が１０-7（モル／モル銀）になるように添加し、臭化銀粒子にＲｈイオンとＩｒイオンをドープした。この乳剤に塩化パラジウム酸ナトリウムを添加し、更に塩化金酸とチオ硫酸ナトリウムを用いて金硫黄増感を行った後、近赤外増感色素をハロゲン化銀１モル当たり１０-4モル添加し、近赤外増感（Ｓ−１を使用）をした後、硬調化剤としてヒドラジン（Ｈ−２）、促進剤のアミン化合物（Ａ−１０）を加えた。
【０１２６】
なお、ハロゲン化銀粒子径は仕込み時の温度（２５℃）により４４ｎｍとなるように作製した。
【０１２７】
《ハロゲン化銀粒子含有液の塗布》
支持体としてポリエチレンテレフタレートを使用し、ハロゲン化銀含有液を銀の付量が０．３ｇ／ｍ2となるようにインクジェットヘッドにより塗布した。
【０１２８】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／１９５μｍの現像銀を与えうる格子状の描画パターンを与えるイメージセッタ（ライン／スペース＝５μｍ／１９５μｍ）（ピッチ２００μｍ）を使用して近赤外半導体レーザー露光（８１０ｎｍ）し、下記の現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、更に定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１２９】
（現像液組成）
ハイドロキノン                                                      ３０ｇ
１−フェニル−３，３−ジメチルピラゾリドン                        １．５ｇ
臭化カリウム                                                      ３．０ｇ
亜硫酸ナトリウム                                                    ５０ｇ
水酸化カリウム                                                      ３０ｇ
硼酸                                                                １０ｇ
Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン                                    １５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨは１０．２０に調節した。
【０１３０】
（定着液組成）
チオ硫酸アンモニウム（７２．５％水溶液）                        ２４０ｍｌ
亜流酸ナトリウム                                                    １７ｇ
酢酸ナトリウム・３水塩                                            ６．５ｇ
硼酸                                                              ６．０ｇ
クエン酸ナトリウム・２水塩                                        ２．０ｇ
酢酸９０％水溶液                                              １３．６ｍｌ
硫酸５０％水溶液                                                  ４．７ｇ
硫酸アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3換算含量が８．１％の水溶液）          ２６．５ｇ
水を加えて１Ｌとし、ｐＨを５．０に調節した。
【０１３１】
《物理現像》
下記物理現像液を用いて、２５℃、３００秒間の物理現像を行い、次いで水洗処理を行った。
【０１３２】
（物理現像液）
純水                                                            ８００ｍｌ
クエン酸                                                              ５ｇ
ハイドロキノン                                                        ７ｇ
硝酸銀                                                                ３ｇ
水を加えて全量を１Ｌに調節した。
【０１３３】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、実施例１のサンプルを作製した。
【０１３４】
硫酸銅                                                              ８０ｇ
硫酸                                                              ２００ｇ
塩素イオン                                                      ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０１３５】
実施例２
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０１３６】
《ハロゲン化銀粒子含有液の塗布》
支持体としてポリエチレンテレフタレートを使用し、ハロゲン化銀含有液を銀の付量が０．８ｇ／ｍ2となるようにインクジェットヘッドにより塗布した。
【０１３７】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／１９５μｍの現像銀を与えうる格子状の描画パターンを与えるイメージセッタ（ライン／スペース＝５μｍ／１９５μｍ）（ピッチ２００μｍ）を使用して近赤外半導体レーザー露光（８  １０ｎｍ）し、実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、実施例１と同じ定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１３８】
《無電解メッキ》
下記Ｐｄ触媒液、無電解メッキ液を用い、３μｍの無電解銅メッキ膜を形成した。
【０１３９】
（Ｐｄ触媒液）
硫酸パラジウム                                                    ２０ｍｇ
水を加えて全量を１Ｌとする。
【０１４０】
（無電解銅メッキ液）
硫酸銅                                                        ０．０４モル
ホルムアルデヒド（３７％）                                    ０．０８モル
水酸化ナトリウム                                              ０．１０モル
トリエタノールアミン                                          ０．０５モル
ポリエチレングリコール                                        １００ｐｐｍ
水を加えて全量を１Ｌとする。
【０１４１】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、２μｍの銅メッキ膜を形成し、実施例２のサンプルを作製した。
【０１４２】
（電解銅メッキ液）
硫酸銅                                                              ８０ｇ
硫酸                                                              ２００ｇ
塩素イオン                                                      ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０１４３】
実施例３
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０１４４】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
支持体としてポリエチレンテレフタレートを使用し、ハロゲン化銀含有液を銀の付量が０．８ｇ／ｍ2となるように、インクジェットヘッドにより塗布した。
【０１４５】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／１９５μｍの現像銀を与えうる格子状の描画パターンを与えるイメージセッタ（ライン／スペース＝５μｍ／１９５μｍ）（ピッチ２００μｍ）を使用して近赤外半導体レーザー露光（８１０ｎｍ）し、実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、実施例１と同じ定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１４６】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５℃、１Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、２μｍの銅メッキ膜を形成し、３Ａ／ｃｍ2の条件に変更を行い、更に３μｍの銅メッキ膜を形成し、トータル５μｍのメッキ膜として、実施例３のサンプルを作製した。
【０１４７】
（電解銅メッキ液）
硫酸銅                                                              ８０ｇ
硫酸                                                              ２００ｇ
塩素イオン                                                      ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０１４８】
比較例１
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０１４９】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
支持体としてポリエチレンテレフタレートを使用し、ハロゲン化銀含有液を銀の付量が５ｇ／ｍ2となるように、スライドホッパー型塗布装置で塗布した。
【０１５０】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／１９５μｍの現像銀を与えうる格子状の描画パターンを与えるイメージセッタ（ライン／スペース＝５μｍ／１９５μｍ）（ピッチ２００μｍ）を使用して近赤外半導体レーザー露光（８１０ｎｍ）し、実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、実施例１と同じ定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１５１】
《物理現像》
下記物理現像液を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、次いで水洗処理を行った。
【０１５２】
（物理現像液）
純水                                                            ８００ｍｌ
クエン酸                                                              ５ｇ
ハイドロキノン                                                        ７ｇ
硝酸銀                                                                ３ｇ
水を加えて全量を１Ｌに調節した。
【０１５３】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、５μｍの電解銅メッキ膜を形成し、比較例１のサンプルを作製した。
【０１５４】
硫酸銅                                                              ８０ｇ
硫酸                                                              ２００ｇ
塩素イオン                                                      ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０１５５】
比較例２
《ハロゲン化銀粒子含有液の調製》
実施例１と同じ、ハロゲン化銀乳剤を使用した。
【０１５６】
《ハロゲン化銀含有液の塗布》
支持体としてポリエチレンテレフタレートを使用し、ハロゲン化銀含有液を銀の付量が５ｇ／ｍ2となるように、スライドホッパー型塗布装置で塗布した。
【０１５７】
《露光／現像》
ハロゲン化銀含有液を塗布／乾燥させた塗布膜に、ライン／スペース＝５μｍ／１９５μｍの現像銀を与えうる格子状の描画パターンを与えるイメージセッタ（ライン／スペース＝５μｍ／１９５μｍ）（ピッチ２００μｍ）を使用して近赤外半導体レーザー露光（８１０ｎｍ）し、実施例１と同じ現像液を用いて２５℃で４５秒間現像し、実施例１と同じ定着液を用いて現像処理を行った後、純水でリンスした。
【０１５８】
《無電解メッキ》
下記Ｐｄ触媒液、無電解メッキ液を用い、無電解メッキを行い、３μｍの無電解銅メッキ膜を形成した。
【０１５９】
（Ｐｄ触媒液）
硫酸パラジウム                                                    ２０ｍｇ
水を加えて全量を１Ｌとする。
【０１６０】
（無電解銅メッキ液）
硫酸銅                                                        ０．０４モル
ホルムアルデヒド（３７％）                                    ０．０８モル
水酸化ナトリウム                                              ０．１０モル
トリエタノールアミン                                          ０．０５モル
ポリエチレングリコール                                        １００ｐｐｍ
水を加えて全量を１Ｌとする。
【０１６１】
《電解メッキ》
下記電解メッキ液を用い、２５℃、３Ａ／ｃｍ2の条件で電解メッキ処理を行い、２μｍの銅メッキ膜を形成し、比較例２のサンプルを作製した。
【０１６２】
（電解銅メッキ液）
硫酸銅                                                              ８０ｇ
硫酸                                                              ２００ｇ
塩素イオン                                                      ５０ｐｐｍ
水を加えて全量１Ｌに調節した。
【０１６３】
このようにして得られた、導電性の金属メッシュ部分を有する透明な電磁波遮蔽フィルム試料各々に対して、表面比抵抗率と透過率をそれぞれ抵抗率計（ロレスタＧＰ（ＭＣＰ−Ｔ６１０型）：（株）ダイヤインスツルメンツ社製）と分光光度計（日立分光光度計Ｕ−３２１０：（株）日立製作所製）を用いて測定した。なお、透過率は４００〜７００ｎｍまでの可視光領域の透過率を少なくとも５ｎｍ毎に測定して求めた可視光域の各透過率を積算し、その平均値として求めた。
【０１６４】
各々の評価項目について、下記のように評価した。
【０１６５】
○：非常に優れている
△：欠点はあるが、実用下限
×：使用不可。
【０１６６】
【表１】
2008091387.tif 000003
【０１６７】
表１より、本発明の製造方法により製造された電磁波遮蔽フィルムは、光透過性、電磁波遮蔽性のいずれにも優れ、また本発明の製造方法では従来の方法に比し、使用する塗布液の量も圧倒的に少なく、材料コストの面でも明らかに有利である。更に、装置コストの面、製造時の消費電力の面からも従来法に比し優れている。
【図面の簡単な説明】
【０１６８】
【図１】図１はインクジェットヘッドを利用した塗布装置の模式図である。
【図２】図２（ａ）は塗布装置の被塗布体進入開口側から見た斜視図、図２（ｂ）は被塗布体出口側から見た斜視図である。
【図３】インクジェットヘッドの斜視図である。
【図４】一部破断面を有するヘッドの一例を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【０１６９】
１  インクジェットヘッド
２  圧電振動素子
３  ノズル
６  被塗布体
７  被塗布体回収部
８  雰囲気制御ボックス
９  塗布液
１０  塗布液供給装置
１３  制御部
１９  乾燥ゾーン
２０  密閉ローラ
２１  バックアップローラ
２２  搬送部
２３  テンションローラ部
２４  蒸気発生手段
２５  蒸気吸入口
２６  溶媒循環パイプ
２０１  ヘッド
２０２  カバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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