(57)【要約】  【課題】本発明の目的は、上記問題点を解決し、従来の上下限値チェック方法よりも簡単に異常を検出できる異常検出方法、及び装置の状態変化に合わせて柔軟に対応しやすい上下限値チェック機能を備えた群管理装置３０２やこの群管理装置３０２に複数接続される基板処理装置１００を含む基板処理システム３００を提供することにある。  【解決手段】基板処理装置を構成する複数の部品を動作させることにより、基板に処理を施す基板処理装置１００において、前記各部品から受信するデータを取得し、前記データを監視することにより基板処理装置１００の異常を検出する方法であって、前記各部品のうち一つの部品に対して複数の項目のうち一つの項目を選択し、当該項目に関するデータを検出する条件を規定する検出条件２や当該検出条件２を満たす時間範囲を規定する判定条件３を設定し、前記項目に関するデータが検出条件２を満たしたら、前記判定条件を満たしているかどうかを判定することを特徴とする。【選択図】  図１０
2008091518.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レシピを実行することにより基板処理装置を構成する複数の部品を動作させることにより、基板に処理を施す基板処理装置において、前記各部品から受信するデータを取得し、前記データを監視することにより基板処理装置の異常を検出する方法であって、
前記各部品のうち一つの部品に対して複数の項目のうち一つの項目を選択し、当該項目に関するデータを検出する条件を規定する検出条件や当該検出条件を満たす時間範囲を規定する判定条件を設定し、
前記項目に関するデータが検出条件を満たしたら、前記レシピが開始してから前記検出条件を満たすまでの時間を算出し、
前記算出した時間が前記時間範囲に入っているかどうかを判断することを特徴とする基板処理装置の異常検出方法。
【請求項２】
レシピを実行することにより基板処理装置を構成する複数の部品を動作させることにより、基板に処理を施す基板処理装置において、前記各部品から受信するデータを取得し、前記データを監視することにより基板処理装置の異常を検出する方法であって、
前記各部品のうち一つの部品に対して複数の項目のうち一つの項目を選択して、当該項目に関するデータを検出する条件を規定する検出条件を設定し、当該検出条件とは別に前記項目に関するデータを規定する判定条件を設定し、前記検出条件を満たした時間を基準に遅れた時間を示す遅れ時間を設定し、
前記項目に関するデータが検出条件を満たしたら、前記レシピが開始してから前記検出条件を満たすまでの時間を算出し、この時間から設定した遅れ時間を加えた時間が前記判定条件を満たしているか判断することを特徴とする基板処理装置の異常検出方法。
【請求項３】
複数のイベントを時系列に発生させながら基板処理装置を構成する複数の部品を動作させることにより、基板に処理を施す基板処理装置において、前記イベントが発生する際に前記各部品から受信するデータを取得し、前記データを監視することにより基板処理装置の異常を検出する方法であって、
前記各イベントのうちどのイベントが発生した基準となる時刻を規定する検出条件と、
前記イベントを実行する際に動作する複数の部品のうち任意の部品に対して複数の項目のうち一つの項目を選択して、当該選択された項目に関するデータが所定の範囲内に入っているか規定する判定条件と、
前記検出条件で規定した時刻を基準にした時間を示すディレー時間とを設定し、
前記検出条件で規定したイベントの発生を検出した時刻を基準時間とし、この基準時間に設定したディレー時間を加えた時間を計算し、
前記計算した時間における前記判定条件で選択された項目に関するデータが前記所定の範囲内に入っているかを判断することを特徴とする基板処理装置の異常検出方法。
【請求項４】
複数のイベントを時系列に発生させながら基板処理装置を構成する複数の部品を動作させることにより、基板に処理を施す基板処理装置において、前記イベントが発生する際に前記各部品から受信するデータを取得し、前記データを監視することにより基板処理装置の異常を検出する方法であって、
前記各イベントのうちどのイベントが発生した基準となる時刻を規定する検出条件と、
前記検出条件で設定されたイベントとは異なるイベントが発生する時刻が所定の時間範囲内に入っているか規定する判定条件とを設定し、
前記検出条件で設定されたイベントが発生してから、前記判定条件で設定されたイベントが発生する時間が所定の範囲内に入っているかを判断することを特徴とする基板処理装置の異常検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ等の基板を処理するための基板処理装置や少なくとも一台の基板処理装置に接続される群管理装置やこれらで構成される基板処理システムに関し、特に、前記基板処理装置を構成する部品を監視する機能において、当該部品より収集されるデータの異常を検出するための異常検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、ロギング機能を有する基板処理装置の一つである半導体製造装置を例に説明する。半導体製造装置では、基板としてのウェハを処理したときの生産データ、例えば、成膜時の基板温度、ガス流量、処理室内圧力等を一定のあるいは可変の時間間隔でロギングし、部品の過去の状態をグラフィカルに表示するトレースロギング機能を有している。グラフィカルに表示する機能のほかに、各値の上下限値を設定し、規定の範囲から外れた場合にアラームを発報する機能もある。
【０００３】
以下に装置の異常を検出する機能として、従来からある上下限値チェック機能を以下に説明する。図５に、加熱手段としての加熱装置に用いられるヒータの昇温時の温度変化の様子を示す。
【０００４】
また、図５のように温度が変化している加熱装置に対して、例えば、図６のような上下限値が設定されている。
【０００５】
このような設定では、上下限値設定”１”(丸１)では、昇温開始後00：00：00〜00：03：50の間、温度が５７５℃〜６１０℃の範囲内に入っていることを確認し、もし範囲内から外れた場合はアラームを発報する。次に、上下限値設定”２”(丸２)で、昇温開始後00：03：50〜00：06：45間、温度が５７５℃〜８１０℃に上昇する直線（下限）と６１０℃〜８５０℃に上昇する直線（上限）の範囲内に入っていることを確認する。上下限値設定“３”（丸３）も同様に、昇温開始後00：06：45〜00：08：00の間、温度が８１０℃〜８４０℃に上昇する直線（下限）と８５０℃〜８７５℃に上昇する直線（上限）の範囲内に入っていることを確認する。また、昇温開始後00：08：00以降は、温度が８４０℃〜８７５℃の範囲内に入っていることを確認する。このようにして処理時間の経過とともに上下限値を設定しておき、その設定範囲内に値が入っているか確認する方法が、従来から行われてきた上下限チェック方法である。
【０００６】
装置のレシピ処理時間は装置の状態によって変化することがある。例えば、RecipeSTART〜HeatUpSTARTの間に、ウェハを移載する動作が入っていると、移載枚数により移載にかかる時間が変化するし、規定圧力まで処理室の一種であるチャンバを真空引きする動作が入っていると、チャンバ内に付着している付着物により真空引きする時間が装置の状態によって変わることがある。そのような場合、図７に示すように従来技術では時間軸もLimit軸も固定的に設定しているため、このような処理時間がずれた場合に対応できない。
【０００７】
一方、ある値Ａに対して値Ａとは異なる値Ｂは、どのような値であるかを確認する場合がある。例えば、図８のようにヒータの設定値（値Ａ）が目標値に達してから、１分以内に、モニタ温度（値Ｂ）が目標値の範囲内に入っているかを確認する場合などである。従来技術では、このように値を元にして、他の値を確認することができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来技術の問題点として、１．各値に予め時間的にも値的にも固定的な上下限値で設定しておかなければならず、加熱装置の処理時間がずれたりした場合に、そういう変化に対応して柔軟な対応ができない。２．値Ａと値Ｂの関連をチェックしたいということができない。という二点があった。
【０００９】
本発明の目的は、上記問題点を解決し、従来の上下限値チェック方法よりも簡単に異常を検出できる異常検出方法、及び装置の状態変化に合わせて柔軟に対応しやすい上下限値チェック機能を備えた基板処理装置や群管理装置やこの群管理装置に複数接続される基板処理装置を含む基板処理システムを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の手段は、レシピを実行することにより基板処理装置を構成する複数の部品を動作させることにより、基板に処理を施す基板処理装置において、前記各部品から受信するデータを取得し、前記データを監視することにより基板処理装置の異常を検出する方法であって、前記各部品のうち一つの部品に対して複数の項目のうち一つの項目を選択し、当該項目に関するデータを検出する条件を規定する検出条件や当該検出条件を満たす時間範囲を規定する判定条件を設定し、前記項目に関するデータが検出条件を満たしたら、前記レシピが開始してから前記検出条件を満たすまでの時間を算出し、前記算出した時間が前記時間範囲に入っているかどうかを判断することを特徴とする。
【００１２】
本発明の第２の手段は、レシピを実行することにより基板処理装置を構成する複数の部品を動作させることにより、基板に処理を施す基板処理装置において、前記各部品から受信するデータを取得し、前記データを監視することにより基板処理装置の異常を検出する方法であって、前記各部品のうち一つの部品に対して複数の項目のうち一つの項目を選択して、当該項目に関するデータを検出する条件を規定する検出条件を設定し、当該検出条件とは別に項目を選択して、この項目に関するデータを規定する判定条件を設定し、前記検出条件を満たした時間を基準に遅れた時間を示す遅れ時間を設定し、前記項目に関するデータが検出条件を満たしたら、前記レシピが開始してから前記検出条件を満たすまでの時間を算出し、この時間から設定した遅れ時間を加えた時間が前記判定条件を満たしているか判断することを特徴とする。
【００１３】
本発明の第３の手段は、複数のイベントを時系列に発生させながら基板処理装置を構成する複数の部品を動作させることにより、基板に処理を施す基板処理装置において、前記イベントが発生する際に前記各部品から受信するデータを取得し、前記データを監視することにより基板処理装置の異常を検出する方法であって、前記各イベントのうちどのイベントが発生した基準となる時刻を規定する検出条件と、前記イベントを実行する際に動作する複数の部品のうち任意の部品に対して複数の項目のうち一つの項目を選択して、当該選択された項目に関するデータが所定の範囲内に入っているか規定する判定条件と、前記検出条件で規定した時刻を基準にした時間を示すディレー時間とを設定し、前記検出条件で規定したイベントの発生を検出した時刻を基準時間とし、この基準時間に設定したディレー時間を加えた時間を計算し、前記計算した時間における前記判定条件で選択された項目に関するデータが前記所定の範囲内に入っているかを判断することを特徴とする。
【００１４】
本発明の第４の手段は、複数をイベントが時系列に発生させながら基板処理装置を構成する複数の部品を動作させることにより、基板に処理を施す基板処理装置において、前記イベントが発生する際に前記各部品から受信するデータを取得し、前記データを監視することにより基板処理装置の異常を検出する方法であって、前記各イベントのうちどのイベントが発生した基準となる時刻を規定する検出条件と、前記検出条件で設定されたイベントとは異なるイベントが発生する時刻が所定の時間範囲内に入っているか規定する判定条件とを設定し、前記検出条件で設定されたイベントが発生してから、前記判定条件で設定されたイベントが発生する時間が所定の範囲内に入っているかを判断することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、上記第１の手段から第４の手段を備える基板処理装置や群管理装置やこの群管理装置に接続される複数の基板処理装置を含む基板処理システムも含む。
【００１６】
本発明において、イベントとは、レシピを制御するパラメータ（温度、ガス流量、圧力）や実際に検出されるこれら温度等のデータのようなアナログデータではなく、例えば、バルブの開閉状態（バルブ開（ON）,バルブ閉（OFF））、レシピが実行されたかどうかなどのデータ、レシピのステップがあるステップから次のステップへ進んだことを示すデータなどのディジタルデータを示す。部品とは、例えば、制御部（搬送制御部、温度制御部等）や各センサや各アクチュエータなどの基板処理装置を構成する全てのものを示す。項目とは、ある部品に対して設定される又は測定される項目のことをいい、例えば、熱電対については、モニタ値（実測値）が該当し、MFC（Mass  Flow  Controller）では設定値やモニタ値（実測値）やバルブ電圧などが該当する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、従来の上下限値チェックの方法では検知できなかった異常状態を検知できるとともに、従来できなかった複数の値の相関の異常を検知することができる。
また、チャンバ状態によりイベント遷移タイミングが変化するような処理を行う場合でも、そのような外乱に左右されず適切な判断をすることができる。更に、従来の上下限チェック方法ではできなかった装置の動作タイミングの異常を検知することできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明を実施する最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理装置を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。図１は、本発明に適用される基板処理装置の斜視図として示されている。また、図２は図１に示す基板処理装置の側面透視図である。
【００１９】
図１および図２に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下ポッドという。）１１０が使用されている本発明の基板処理装置１００は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。
【００２０】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。
【００２１】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
【００２２】
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａおよびウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図１に模式的に示されているようにウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部との間に設置されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００２３】
移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。
【００２４】
図１に模式的に示されているように、耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の待機部１２６右端部との間にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。  ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
【００２５】
図１に模式的に示されているように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側およびボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給ファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５およびウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。
【００２６】
次に、本発明の基板処理装置１００の動作について説明する。図１および図２に示されているように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００２７】
載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、図示しないノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、移載室１２４の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ１１０をボート２１７に装填する。
【００２８】
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
【００２９】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。
【００３０】
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、図示しないノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００およびポッド１１０は筐体の外部へ払出される。
【００３１】
次に、本実施形態の基板処理装置１００を用いた基板処理システム３００の一例を図３及び４に基づいて説明する。
【００３２】
図３に示すように、基板処理システム３００は、群管理装置３０２、上述した少なくとも１台（本図においては２台）の基板処理装置１００、管理装置３０２と少なくとも１台（本図においては２台）の基板処理装置１００とを接続する例えばＬＡＮ（Local Area Network）などの通信回線３０４を有する。尚、群管理装置３０２は、入力手段３４２や表示画面３４４を備えている表示部３１０等を有する一般的なパソコンの形態としているが、特にパソコンと同じ形態に限られない。基板処理装置１００の前面には、表示画面３５２を備えた表示部３５０が設けられている。
【００３３】
図４は、本実施形態におけるコントローラのハードウェア構成を図示している。
図４に示すように、群管理装置３０２は、制御部３０６、記憶部３０８及び表示部３１０を有する。制御部３０６は、記憶部３０８及び表示部３１０との間におけるデータの入出力を行なう。また制御部３０６は、第１のデータ収集プログラムを有し、該データ収集プログラムに従って、通信回線３０４を介して基板処理装置１００に対するデータの入出力を行なうようになっている。記憶部３０８は、制御部３０６から出力されたデータを記憶（格納）し、また該記憶部３０８に記憶されているデータを制御部３０６に出力する。表示部３１０は、後述する表示画面３４４を有し、制御部３０６から出力されたデータを該表示画面３４４に表示する。この表示部３１０を操作することにより、基板処理装置１００において収集するデータの種類、データ収集の周期及びアラーム発生条件等の設定が行なわれる。
【００３４】
基板処理装置１００は、メイン制御システム３１２とサブ制御システム３１６を有する。主制御部（メイン制御システム）３１２には記憶手段としての記憶部３１４及び副制御部（サブ制御システム）３１６等が接続されている。副制御部３１６は、搬送制御部（搬送コントローラ）３１８、温度制御部（温度コントローラ）３２０及びガス制御部（ガスコントローラ）３２２を有する。搬送制御部３１８にはフォトセンサ３２６及びカセットセンサ３２８が接続され、温度制御部３２０には温度センサ３３０が接続され、ガス制御部３２２にはＰＬＣ（Programmable Logic Controller）ユニット３２４を介してバルブＩ／Ｏユニット３３２及びインタロックＩ／Ｏユニット３３４に接続されている。なお、ＰＬＣユニット３２４は、ガス制御部３２２を介さずに主制御部３１２に接続されていてもよい。尚、主制御部３１２の表示部３５０には図示されていない入力手段が接続されている。
【００３５】
副制御部３１６は、主制御部３１２より出力された各制御部（搬送制御部３１８、温度制御部３２０及びガス制御部３２２）に関する設定データにより各アクチュエータ（図示省略）を動作させ、また各センサ（フォトセンサ３２６、カセットセンサ３２８及び温度センサ３３０）より出力される検出データに基づいて再度各アクチュエータの動作を制御するようになっている。
【００３６】
搬送制御部３１８は、フォトセンサ３２６より出力される検出データ（位置検出データ）に基づいてアクチュエータ（図示省略）を作動させ搬送ロボットの動作を制御する。また、搬送制御部３１８は、カセットセンサ３２８より出力される検出データ（ポッド（カセット）の載置状態を検出するデータ）に基づいてアクチュエータ（図示省略）を作動させポッドの動作を制御する。温度制御部３２０は、温度センサ３３０より出力される検出データ（温度検出データ）に基づいてヒータ（図示省略）を制御し、また主制御部３１２の要求に応じて該検出データを主制御部３１２に出力するようになっている。ガス制御部３２２は、ＰＣＬユニット３２４を介して炉内に供給するガス流量を制御する。より具体的には、ガス制御部３２２は、後述するマスフローコントローラより出力される検出データ（ガス流量検出データ）に基づいて、流量調整バルブ（図示省略）を制御し、また主制御部３１２の要求に応じて該検出データを主制御部３１２に出力するようになっている。ＰＬＣユニット３２４は、バルブＩ／Ｏユニット３３２より出力されるバルブ開閉検出データやインタロックＩ／Ｏユニット３３４より出力されるインタロック信号などを用いて例えばシーケンスプログラム等によりバルブの開閉制御を行なう。ここで、インタロックとは装置の誤操作や誤作動に対する防御回路をいう。
【００３７】
なお、各センサ（フォトセンサ３２６、カセットセンサ３２８及び温度センサ３３０）及び各入出力装置（バルブＩ／Ｏユニット３３２及びインタロックＩ／Ｏユニット３３４）から副制御部３１６に出力される各検出データは、アナログ信号でもよいし、ディジタル信号（例えばＲＳ−２３２ＣやＤｅｖｉｃｅＮｅｔ等の通信リンクを用いた信号）でも
よい。また、図示しないＩ／Ｏ制御ユニットを介して各センサ（フォトセンサ３２６、カセットセンサ３２８及び温度センサ３３０）の入出力（Ｉ／Ｏ）を制御するようにしてもよい。このＩ／Ｏ制御ユニットは、主制御部３１２に直接接続してもよいし、副制御部３１６を介して主制御部３１２に接続するようにしてもよい。
【００３８】
記憶部３１４は、主制御部３１２から出力されたデータを収集（記憶）し、また該記憶部３１４に記憶されているデータを制御部３１２に出力する。また、この記憶部３１４にはユーザにより設定されたレシピや各装置を制御する制御パラメータ等のデータが格納されている。
【００３９】
主制御部３１２は、副制御部３１６より出力される各センサ（フォトセンサ３２６、カセットセンサ３２８及び温度センサ３３０など）の検出データを監視し、該検出データに基づいて各制御部（搬送制御部３１８、温度制御部３２０及びガス制御部３２２など）に関する設定データ等を副制御部３１６に出力する。また、主制御部３１２は、第２のデータ収集プログラムを有し、該第２のデータ収集プログラムに従って副制御部３１６より出力される各センサ（フォトセンサ３２６、カセットセンサ３２８及び温度センサ３３０など）の検出データを取得したときの時刻データに対応付けて（タイムスタンプを刻印して）記憶部３１４に収集（記憶）するようになっている。また、主制
御部３１２は、この収集データ（副制御部３１６より出力される各センサ（フォトセンサ３２６、カセットセンサ３２８及び温度センサ３３０など）の検出データ）を時刻データ（タイムスタンプ）と共に必要に応じて不揮発性記憶手段（図示省略）に格納する（トレースデータを収集する）ようになっている。さらに、主制御部３１２は、群管理装置３０２の制御部３０６からの要求に応じて、記憶部３１４に記憶された収集データ等を群管理装置３０２に出力するようになっている。したがって、群管理装置３０２の制御部３０６は、この収集データ等により基板処理装置１００の主制御部３１２の動作状態を監視及び制御するようになっている。
なお、主制御部３１２と副制御部３１６との通信にはＳＥＣＳ／ＨＳＭＳなどの半導体製造装置専用のプロトコルやＴＣＰ／ＩＰ及びＸＭＬ／ＳＯＡＰなどのプロトコルが用いられる。    
【００４０】
更に、主制御部３１２は、後述する異常検出プログラム１（異常検出プログラム１-１，１-２，１-３，１-４の総称）によって、基板処理装置１００の異常を検出することができる。これら異常検出プログラム１は装置のプロセスレシピＲＵＮ又は主制御部３１２の電源ＯＮより開始される。表示画面より検出条件や判定条件やディレー時間等の条件が入力される（規定される）。入力後、前記異常検出プログラムが実行されると、第２のデータ収集プログラムより検出されるデータのうち所定のチェック項目に関するデータが前記検出条件を満たすかどうかチェックされる。前記検出条件を満たしたら前記判定条件を満たすかどうかチェックされる。尚、本実施例では、異常検出プログラム１は主制御部３１２に組み込まれるようにしてあるが、群管理装置３０２に組み込んでも構わない。
【００４１】
図９は、本発明において実行されるレシピの一部を示したものである。ここで、図９を基に本発明の基板処理装置１００の動作について説明する。RecipeSTARTは、プロセスレシピの実行開始を示す。TransSTART、TransENDはそれぞれボート２１７が処理炉２０２内への搬入開始及び終了を示す。また、HeatUpSTART、HeatUpCOMPは所定の温度への処理炉２０２の加熱開始及び終了を示す。以後は、この温度に一定に保たれた状態でボート２１７に装填されたウェハ２００に処理が施され、処理が終了したら処理炉２０２の降温処理及びボート２１７の搬出処理が施され、その後、前記ボート２１７に装填されたウェハ２００は外部へ払いだされる。また、右側の時刻は、図５等に横軸の時間と適応している。これらRecipeSTART（実際には、レシピ実行を示すディジタルデータ）等もイベントとして扱われる。また、温度（ＣＨ１〜ＣＨ４）が所定の温度に設定されている。ここで、温度（ＣＨ１）は、縦方向に複数のゾーン（本実施例では４つ）に分割されたヒータのうち一番上のゾーンの温度を示す。以下、温度（ＣＨ２）、温度（ＣＨ３）、温度（ＣＨ４）の順に下側の温度を示す。尚、項目としては、これらに限らず追加変更等は容易に行える。これらのデータは前記第１および第２のデータ収集プログラムにより収集されるデータであり、後述する異常検出プログラム１によって検証されるデータである。
【００４２】
本発明は、例えば、上記基板処理装置１００が図９に示されたようなレシピを実行するとともに異常検出プログラム１が実行されるので、前記基板処理装置１００を構成する複数の部品から受信するデータを取得し、前記データを監視し、予め設定された所定の条件を満たしたら前記データを異常検出するための読み込みを開始して、該読み込まれたデータが予め設定された条件を満たすか否か判定することにより前記基板処理装置１００の異常を検出することができる。
ここで、前記異常検出プログラム１を利用した異常検出方法についていくつか実施例を挙げて説明する。
【実施例１】
【００４３】
図１０は本発明の第１の実施形態に係る異常検出プログラム１-１を示すフローチャートである。ここでは、Ｔｉｍｅｓｔａｍｐ，データ項目１，データ項目２，・・・，データ項目ｎを列項目とした表形式のデータとして処理フローを説明する。
（ステップ１）では、処理フラグを初期化する。（ステップ２）では、最初のＴｉｍｅｓｔａｍｐのデータ（Ｔｉｍｅｓｔａｍｐ，データ項目１，データ項目２，・・・，データ項目ｎを列項目とした表形式のデータ）を１行読み込む。（ステップ３）では、上下限値チェックの検出条件種別を上記データ項目から判別する。検出条件２が指示値（SetPoint）１２と指定されている場合は、（ステップ４）に進む。安定条件（STB）１３が指定されている場合は（ステップ５）に進む。（ステップ４）では、（ステップ２）で読み込んだデータの中から検出条件２に指定されたチェック対象項目１１を探し、その値が指示値（SetPoint）１２で設定した値（SetPoint値）と比べて、以上（≧）、大きい（＞）、小さい（＜）、以下（≦）のどの状態になっているかをチェックし（尚、本フローでは実施例として、「検索条件項目≧SetPoint値」になっていることを確認する。）、検出条件２を満たしていたら（ステップ６）へ進む。（ステップ５）では、(ステップ２)で読み込んだデータの中から検出条件２に指定されたチェック対象項目１１を探し、その値が「Ｌｏｗ≧検出条件項目≧Ｕｐ」の検出条件２が継続して成立している時間を計測し、その計測時間がＴｉｍｅより長いと判定したら（ステップ６）へ進む。（ステップ６）では、検出フラグをＯＮにする。（ステップ７）では、検出フラグがＯＮであれば、判定期間フラグをＯＮにし、また、検出フラグＯＦＦであれば、判定期間フラグはそのままにして、（ステップ８）へ進む。（ステップ８）では、判定フラグがＯＦＦの場合、判定処理をせずに、ステップ２に戻り次のTimestampのデータを読み込み、後は上記の処理を実行する。判定期間フラグがＯＮであれば、ＬｏｗＬｉｍ≦Ｔｉｍｅｓｔａｍｐ≦Ｕｐｌｉｍになっているかをチェックし、成立していれば「判定ＯＫ」と判断し、不成立であれば「判定ＮＧ」と判断する。これらの一連の処理を上下限値チェックするデータの先頭行から最終行まで順次（ステップ２）でデータを読み込みながら繰り返し処理をする。
【００４４】
以上のフローチャートを用い、基板処理装置の異常検出を行う実施例を図１４〜図１７を用いて説明する。
【００４５】
あるヒータ温度（TEMP_VALUE_CH1）に対して図１４のように上下限チェック条件が主制御部３１２の表示画面３５２にて設定される。すると図１５に示すような上下限値チェックが行われる。尚、図１５は、主制御部３１２の表示画面３５２に表示するようにしても良い。ここで、TEMP_VALUE_CH1は、温度（ＣＨ１）として図９に示された複数のゾーンに分割されたヒータで一番上のゾーンの温度実測値（前記一番上のゾーンの温度を測定する熱電対の温度モニタ値）を示す。
【００４６】
図１４の設定画面３５４では、チェック対象項目１１として、“TEMP_VALUE_CH1”が選択されている。データを検出する条件である検出条件２として、７５０℃以上が設定されている。検出したデータが異常かどうか判定する条件である判定条件２として、下限値”00：05：00“、上限値として”00：07：00“が設定されている。尚、これらの時間は、昇温が始まってからの時刻（相対時刻）である。検出条件（ＤＥＴＥＣＴＩＯＮ  Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）２を設定する画面上で、Ｉｔｅｍはチェック対象項目（対象）１１、Ｓｅｔｐｏｉｎｔは指示値１２、ＳＴＢは安定条件１３を意味する。
【００４７】
図１４の条件設定でチェックを実行すると、“TEMP_VALUE_CH1”の値が、昇温開始から検出条件２である７５０℃以上になるポイント（時刻）を検出し、昇温開始からそのポイントまでの経過時間を算出する。その時間が判定時間３の下限値（”00：05：00“）と上限値（”00：07：00“）の範囲内に入っているかを判断する。範囲内に入っている場合はＯＫ判定となり、外れている場合（例えば、”00：04：00“で７５０℃に既に到達したり、逆に”00：07：00“経っても７５０℃に到達しなかったりした場合）はＮＧ判定となりアラームを発報する。尚、この説明では条件の設定を「７５０℃”以上“」として説明したが、この条件は「７５０℃”以下“」と設定することもできるし、「７５０℃”を超える”」や「７５０℃”未満”」という設定も選択できる。
【００４８】
あるヒータ温度（TEMP_VALUE_CH1）に対して図１６のように上下限チェック条件が主制御部３１２の表示画面３５２にて設定される。すると図１７に示すような上下限値チェックが行われる。尚、図１７は、主制御部３１２の表示画面３５２に表示するようにしても良い。
【００４９】
図１６の条件設定では、チェック対象項目１１として、“TEMP_VALUE_CH1”が選択されている。データを検出する条件である検出条件２として、８４０℃から８６０℃の範囲内に１分間連続して収まっているポイント（時刻）が設定されている。検出したデータが異常かどうか判定する条件である判定条件３として、下限値”00：08：30“、上限値として”00：09：30“が設定されている。尚、これらの時間は、昇温が始まってからの時刻（相対時刻）である。
【００５０】
図１６の設定画面３５５でチェックを実行すると、“TEMP_VALUE_CH1”の値が、８４０℃から８６０℃の範囲内に１分間連続して収まっているポイントを検出し、昇温開始からそのポイントまでの経過時間を算出する。その時間が判定条件の下限値（”00：08：30“）と上限値（”00：09：30“）の範囲内に入っているかを判断する。
【００５１】
この異常検出方法の利用パターンは、以下のようなケースが考えられる。本実施形態に係る基板処理装置は通常同じレシピを繰り返し実行するので、加熱装置に用いられるヒータは、図１５若しくは図１７のような同じ昇温カーブを描くはずである。従って、加熱装置が正常に動作していれば、昇温開始からある温度（本実施形態では８５０℃）に到達するまでにかかる時間は一定となる。
【００５２】
加熱装置の制御異常で必要以上に早く温度が上がってしまった場合や、加熱装置を長く使用していくうちにヒータ性能劣化などにより昇温速度が遅くなった場合など、温度変化の過渡期の性能に異常がある場合に、この異常検出方法で簡単に検出することができる。
【実施例２】
【００５３】
図１１は本発明の第二の実施形態に係る異常検出プログラム１-２を示すフローチャートである。ここでのデータも実施例１に用いたデータと同様である。また、（ステップ１）から（ステップ６）までも同じ処理を行うので説明を省略する。（ステップ７）では、検出フラグがＯＮであれば、ディレー時間４を計測するために、時間カウンタ２で検出フラグがＯＮしてからの時間を計測する。その計測した時間がＤｅｌａｙＴｉｍｅ（ディレー時間）４より以上になったら、判定期間フラグをＯＮする。また、検出フラグがＯＦＦの場合、また、時間カウンタ２で計測した時間がＤｅｌａｙＴｉｍｅ（ディレー時間）４より小さい場合は、判定期間フラグをＯＮにしない。（ステップ８）では、判定期間フラグがＯＦＦのときは、判定処理をせずに、（ステップ２）に戻り次のデータを読み込む。判定期間フラグがＯＮの場合、判定条件種別を判断する。判定条件３が指示値（SetPoint）１２と指定されている場合は、（ステップ９）に進む。安定条件（STB）１３が指定されている場合は（ステップ１０）に進む。（ステップ９）では、読み込んだデータの中から判定条件３に指定されたチェック対象項目１１を探し、その値が指示値（SetPoint）１２と比べて、以上（≧）、大きい（＞）、小さい（＜）、以下（≦）のどの状態になっているかをチェックし（尚、本フローでは実施例として、「検索条件項目≧SetPoint値」になっていることを確認する。）、判定条件３が成立していれば「判定ＯＫ」と判断し、不成立であれば「判定ＮＧ」と判断する。（ステップ１０）では、(ステップ２)で読み込んだデータの中から判定条件３に指定されたチェック対象項目１１を探し、その値が「Ｌｏｗ≧検出条件項目≧Ｕｐ」の判定条件３が継続して成立している時間を計測し、その計測時間がＴｉｍｅより長い場合は、「判定ＯＫ」と判断し、短い場合は、「判定ＮＧ」と判断する。これらの一連の処理を上下限値チェックするデータの先頭行から最終行まで順次（ステップ２）でデータを読み込みながら繰り返し処理をする。
【００５４】
以上のフローチャートを用い、基板処理装置の異常検出を行う実施例を図１８〜図２１を用いて説明する。
【００５５】
あるヒータ温度（TEMP_VALUE_CH1）に関して図１８のように上下限チェック条件が主制御部３１２の表示画面３５２にて設定される。すると図１９に示すような上下限値チェックが行われる。尚、図１９は、主制御部３１２の表示画面３５２に表示するようにしても良い。図１８では、図１４や図１７と異なり、検出条件２と判定条件３とディレー時間４を用いた設定画面３５６になっている。
【００５６】
この図１８の設定画面３５６では、検出条件２として、チェック対象項目１１に、“TEMP_SET_CH1”が選択され、この温度が７６０℃以上と設定されている。判定条件３として、チェック対象項目１１に、“TEMP_VALUE_CH1”が選択され、この温度が８４０℃以上と設定されている。更に、ディレー時間４として、例えば、+00：02：30が設定されている。このディレー時間４は、検出条件２を満たした時間からの時刻である。このヒータが正常な場合には、７６０℃に設定された時間から２分３０秒の間に少なくとも８４０℃以上になっているため、このように設定している。
【００５７】
図１８の条件設定でチェックを実行すると、“TEMP_SET_CH1”（図１９では点線で示す。）の値が、検出条件２である７６０℃以上になるポイント（時刻）を検出し、このポイントから設定画面で示されるディレー+00：02：30で示されるように２分３０秒経過後に、“TEMP_VALUE_CH1”の値が、判定条件３である８４０℃以上になっているか判断する。
【００５８】
あるヒータ温度（TEMP_VALUE_CH1）に関して図２０のように上下限チェック条件が主制御部３１２の表示画面３５２にて設定される。すると図２１に示すような上下限値チェックが行われる。尚、図２１は、主制御部３１２の表示画面３５２に表示するようにしても良い。
【００５９】
図２０の設定画面３５７において、検出条件２は、チェック対象項目１１として、“TEMP_VALUE_CH1”が選択され、この “TEMP_VALUE_CH1”の温度が７６０℃以上と設定されている。判定条件３は、チェック対象項目１１として、“TEMP_VALUE_CH2”が選択され、この温度が、８４０℃と８６０℃の間で１分３０秒間安定する時間と設定される。更に、ディレー時間４として”00：01：30“が設定される。
【００６０】
図２０の条件設定でチェックを実行すると、“TEMP_VALUE_CH1”の値が、検出条件２である７６０℃以上となるポイントを検出し、そのポイントから00：01：30時間を経過したポイントから“TEMP_VALUE_CH2”の値が、判定条件３である８４０℃〜８６０℃の範囲内に１分３０秒間連続して収まっているかを判断する。
【００６１】
このような異常検知方法の利用パターンは、以下のようなケースが考えられる。ヒータの温度設定値をランピングして上げていったときに、設定値を変更してもすぐにヒータ温度が追従することはなくある程度遅れを持って変化する。その遅れ具合を判断するために、温度設定値がある値になってから、ある時間経過後の温度モニタ値が想定している温度になっているかを判断するために、このような異常検出方法が用いられる。
【００６２】
また、別の例としては、加熱装置には複数のゾーン（本実施例は４ゾーン）制御ヒータが使用されており、ゾーン間の温度偏差も加熱装置性能としては重要である。このような場合、基準ゾーンの温度（例えば、ＣＨ１）がある温度になったときに、他のゾーンの温度もある範囲の温度になっていないといけないといった場合に、このような検出方法が用いられる。
【００６３】
また、本実施の形態では、温度データにのみ着目しているが、一般的な真空処理装置等では、チャンバの排気動作とヒータ昇温動作を同時に開始する。ヒータ温度が所定の温度になるまでにチャンバ内圧力が規定の圧力以下になっていかないといけないといった装置運用上の制限事項のチェックにも用いることができる。
このときの実施例を図２２に示す。
【実施例３】
【００６４】
図１２は本発明の第三の実施形態に係る異常検出プログラム１-３を示すフローチャートである。本実施例においてデータ及び（ステップ１）と（ステップ２）は、実施例１や実施例２と同じなので説明を省略する。（ステップ３）では、検出条件２であるＥｖｅｎｔが発生したかチェックする。Ｅｖｅｎｔが発生した場合は、検出フラグをＯＮにして（ステップ４）へ進む。Ｅｖｅｎｔが発生していない場合はそのまま（ステップ４）へ進む。（ステップ４）では、検出フラグがＯＮであれば、ディレー時間４を計測するために、時間カウンタ２で検出フラグがＯＮしてからの時間を計測する。その計測した時間がＤｅｌａｙＴｉｍｅ以上の場合、判定期間フラグをＯＮにして（ステップ５）へ進む。検出フラグがＯＦＦの場合、また、検出フラグがＯＮしてからの時間がＤｅｌａｙｔｉｍｅ（ディレー時間４）より小さい場合はそのまま（ステップ５）へ進む。（ステップ５）では、判定期間フラグがＯＮかＯＦＦか判定される。判定期間フラグがＯＮの場合は（ステップ６）へ進み、判定期間フラグがＯＦＦの場合は（ステップ２）へ進む。（ステップ６）では、（ステップ２）で読み込んだデータの中から判定条件３に指定されたチェック対象項目１１を探し、その値が「Ｌｏｗ≧検出条件項目≧Ｕｐ」の判定条件３を満たしているか判定する。判定条件３を満たしていたら「判定ＯＫ」と判断し、満たしていない場合は、「判定ＮＧ」と判断する。これらの一連の処理を上下限値チェックするデータの先頭行から最終行まで順次（ステップ２）でデータを読み込みながら繰り返し処理をする。
【００６５】
以上のフローチャートを用い、基板処理装置の異常検出を行う実施例を図２３、図２４を用いて説明する。
【００６６】
基板処理装置はレシピに従って、バルブやポンプ、サブ制御システム３１６であるサブコントローラ等の基板処理装置を構成する部品を動作させ基板（ウェハ）に処理を行う。この動作一つ一つをイベントと称する。例えば、後述する「スロー排気バルブをOPEN」という動作を一つのイベントと呼ぶ。「ポンプを起動する」というのも一つのイベントである。上記部品の動作は、このようなイベントの発生が時系列で並んでいると見ることができる。例えば、レシピでは、あるイベントが発生したとき、またはあるイベントが発生した後ｎ秒経過したときに、上記部品のある値（本実施の形態では、圧力）が規定値に設定される。
【００６７】
あるヒータ温度（TEMP_VALUE_CH1）に関して図２３のように上下限チェック条件が主制御部３１２の表示画面３５２にて設定される。図２３の設定画面３５８において、検出条件２としてイベント（Ｅｖｅｎｔ）である「HeatUp_START」項目が指定されており、ディレー時間４として、+00：04：15が設定されている。判定条件３として、「TEMP_VALUE_CH1」イベントが指定され、下限値として８４０、上限値として８６０が設定されている。図２３の条件設定でチェックを実行すると、例えば、図２４のようにHeatUp_STARTイベントが発生した後、ディレー時間（４分１５秒）後に判定条件である「TEMP_VALUE_CH1」の温度が８４０℃〜８６０℃の範囲内に収まっているかを判断する。尚、図２４は、主制御部３１２の表示画面３５２に表示するようにしても良い。
【００６８】
この方法であれば、HeatUp_STARTイベントの前に移載動作などがあり、この移載動作によりレシピ開始後の加熱装置の動作時間にズレが生じても、チェックはHeatUpイベント以降の動作には時間のズレが無いので、正しくチェックを行うことができる。
【００６９】
また、図２５において、検出条件２として「メイン排気バルブOPEN」イベントが指定されており、ディレー時間４として、+00：03：00が設定されている。判定条件３として、「ChamberPress」項目が指定され、下限値として０、上限値として１×１０２Paが設定されている。
【００７０】
図２５の設定画面３５９では、例えば、図２６のように真空排気装置の装置性能として、「メイン排気バルブをOPEN」した後、ディレー時間４である３分以内に「チャンバ内圧力」が１０２Pa以下になるという判断ができる。尚、図２６は、表示部３１２の表示画面に表示するようにしても良い。
【００７１】
つまり、検出条件２としてイベントを指定（今の場合「メイン排気バルブOPEN」イベントを指定）する。指定されたディレー時間後、検査項目（今の場合、Press）が１×１０２Pa以下になっているかを確認する。確認した結果、１×１０２Pa以下になっていればＯＫ判定とし、１×１０２Pa以下に達していなければＮＧ判定とする。
【００７２】
この異常検出方法を用いれば、例えばメイン排気バルブを開ける前のイベントが何らかの原因で時間が遅れたとしても、そのような外乱に左右されず正常かどうかの判断をすることができる。
【実施例４】
【００７３】
図１３は本発明の第４の実施形態に係る異常検出プログラム１-４を示すフローチャートである。ここでのデータも実施例１〜実施例３に用いたデータと同様である。（ステップ１）では、処理フラグを初期化する。ここで、実施例１から実施例３とは異なり、“イベントＡ検出フラグ“、”イベントＢ検出フラグ“、“判定期間フラグ“３つある。それぞれをＯＦＦと設定する。（ステップ２）では最初のＴｉｍｅｓｔａｍｐのデータを一行読み込む。（ステップ３）では、イベントＡが既に発生済みを示す“イベントＡ検出フラグ“がＯＮの場合、（ステップ４）へ進む。また、“イベントＡ検出フラグ“がＯＦＦの場合、イベントＡが発生しているかチェックし、発生していたらイベントＡ検出フラグをＯＮにするとともに、この行のＴｉｍｅｓｔａｍｐを記憶（これを”ＴｉｍｅｓｔａｍｐＡ“とする）し、（ステップ２）へ戻る。（ステップ４）では、イベントＢが既に発生済みを示す”イベントＢ検出フラグ“がＯＮの場合、次の（ステップ５）へ進む。また、“イベントＢ検出フラグ“がＯＦＦの場合、イベントＢが発生しているかチェックし、発生していたらイベントＢ検出フラグをＯＮにするとともに、この行のＴｉｍｅｓｔａｍｐを記憶（これを”ＴｉｍｅｓｔａｍｐＢ“とする）し、判定期間フラグをＯＮにして、次の（ステップ５）へ進む。（ステップ５）では、判定期間フラグがＯＦＦの時は、判定処理を行わずに、ステップ２に戻り次のデータを読み込む。また、判定期間フラグがＯＮの時は、イベントＢの発生Ｔｉｍｅｓｔａｍｐ−イベントＡの発生Ｔｉｍｅｓｔａｍｐを計算し、その計算結果がＬｏｗｅｒ≦計算結果≦Ｕｐｐｅｒの条件を満たしていたら「判定ＯＫ」と判断し、満たしていない場合は、「判定ＮＧ」と判断する。
【００７４】
以上のフローチャートを用い、基板処理装置の異常検出を行う実施例を図２７、図２８を用いて説明する。
【００７５】
あるイベントが指示されてからそのイベントが終了するまでを示した図２８と図２８に関する設定を行なう設定画面である図２７を用いる。尚、図２７は、主制御部３１２の表示画面に表示するようにしても良い。
【００７６】
図２７において、他の実施例において検出条件２に当たるあるイベント（イベントＡ）と他の実施例において判定条件３に当たるあるイベント（イベントＢ）が設定され、判定時間として、下限値１ｓｅｃ、上限値３ｓｅｃが設定されている。図２７の設定画面においてチェックを実行すると、図２８のようにイベントＡが発生した後、イベントＢが発生するまでの時刻が１〜３秒の範囲内に収まっているかチェックされる。
【００７７】
具体的に、図２８では、イベントＡ（例えば「バルブＡ ＯＰＥＮ指示」イベント）の発生時刻を求め、この時刻を00：00：00と算出する。次に、イベントＢ（例えば「バルブＡ ＯＰＥＮセンサ ＯＮ」イベント）の発生時刻を求め、これのイベントＡからの相対時間を求め、その時間が判定時間で設定した上下限値（１秒から３秒）範囲内に入っているかを確認する。上下限値の範囲内であればＯＫ判定となり、範囲外であればＮＧ判定となる。
【００７８】
この異常検知方法を用いれば、例えば、メイン排気バルブを開ける前のイベントが何らかの原因で時間が遅れたとしても、当該イベントの時間（例えば、ＯＰＥＮ指示をしたＯＰＥＮセンサがＯＮするまでの時間）は、そのような外乱に左右されずに正常かどうかの判断をすることができる。
【００７９】
本発明における異常検出方法は、基板処理装置の現在値を逐次チェックし、生産中（基板処理中）の異常を即座に見つけるということもできるし、また、基板処理装置の稼動状態をロギングデータとしてデータベースやファイルなどに一旦蓄積し、基板処理後（又は１日の生産の最後）に、蓄積しておいた生産履歴データを取り出してチェックするということもできる。要するに作業者の目的に応じて柔軟に対応できる。
【００８０】
また、本発明において異常が検出された後は、発生した異常の内容によって、予め装置に設定された処理（アラーム処理）が行われる。このアラーム処理は、アラーム名称毎にどのように処理するかを指定される。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す透視側面図である。  「図３」本発明の実施形態に係る基板処理システムの構成を示す模式図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板処理システムの詳細な構成を示すブロック図である。
【図５】ヒータ温度制御時に変化の様子を示す図である。  「図６」従来の上下限値の設定を示す図である。
【図７】従来の上下限値設定の問題点の一つを示す図である。  「図８」従来の上下限値設定の別の問題点を示す図である。
【図９】本発明の実施形態に係る基板処理装置で実施されるレシピの一例を示す図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る異常検出プログラムを説明する図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る異常検出プログラムを説明する図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係る異常検出プログラムを説明する図である。
【図１３】本発明の第４の実施形態に係る異常検出プログラムを説明する図である。
【図１４】本発明の第１の実施形態に係る異常検出を行う第１の設定画面を示す図である。
【図１５】第１の設定例による本発明の第１の実施形態に係る異常検出方法を説明する図である。
【図１６】本発明の第１の実施形態に係る異常検出を行う第２の設定画面を示す図である。
【図１７】第２の設定例による本発明の第１の実施形態に係る異常検出方法を説明する図である。
【図１８】本発明の第２の実施形態に係る異常検出を行う第１の設定画面を示す図である。
【図１９】第１の設定例による本発明の第２の実施形態に係る異常検出方法を説明する図である。
【図２０】本発明の第２の実施形態に係る異常検出を行う第２の設定画面を示す図である。
【図２１】第２の設定例による本発明の第２の実施形態に係る異常検出方法を説明する図である。
【図２２】本発明の第２の実施形態に係る異常検出方法を説明する他の実施例を示す図である。
【図２３】本発明の第３の実施形態に係る異常検出を行う第１の設定画面を示す図である。
【図２４】第１の設定例による本発明の第３の実施形態に係る異常検出方法を説明する図である。
【図２５】本発明の第３の実施形態に係る異常検出を行う第２の設定画面を示す図である。
【図２６】第２の設定例による本発明の第３の実施形態に係る異常検出方法を説明する図である。
【図２７】本発明の第４の実施形態に係る異常検出を行うための設定画面を示す図である。
【図２８】本発明の第４の実施形態に係る異常検出方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００８２】
１  異常検出プログラム
２  検出条件（ＤＥＴＥＣＴＩＯＮ  Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）
３  判定条件（ＣＨＥＣＫ  Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）
４  ディレー時間（Ｄｅｌａｙ  Ｔｉｍｅ）
１１  チェック対象項目（Ｉｔｅｍ）
１２  指示値（ＳｅｔＰｏｉｎｔ）
１３  安定条件（ＳＴＢ）
１００  基板処理装置
２００  ウェハ
２０２  処理炉
３００  基板処理システム
３０２  群管理装置
３０４  通信回線
３０６  制御部
３０８  記憶部
３１０  表示部
３１２  メイン制御システム
３１４  記憶部
３１６  サブ制御システム
３１８  搬送制御部
３２０  温度制御部
３２２  ガス制御部
３２４  ＰＬＣユニット
３４２  入力手段
３４４  表示画面
３５０  表示部
３５２  表示画面
３５４  設定画面
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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