(57)【要約】【課題】少ない工程で高精度に位置合わせマークを形成する導波路の製造方法、高精度な導波路の位置決め方法を提供する。【解決手段】スポットサイズを変換する第１コアと、第１コアに接合するとともに第１コアの先端と側面を被覆する第１コアより屈折率が遙かに低い材料よりなる第２コアと、第２コアに接合するとともに第２コアの側面を被覆する第２コアより屈折率がわずかに低い材料よりなるクラッドと、を有する導波路の製造方法において、基板の上に第１コア膜を成膜する工程と、第１コア膜を所望の形状にパターニングして第１コアを形成する工程と、を有し、第１コア膜を所望の形状にパターニングして第１コアを形成する工程で導波路に光を入射する面に第１の位置合わせマークを形成することを特徴とする導波路の製造方法。【選択図】図１
2008298822.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した光のスポットサイズを変換する第１コアと、
前記第１コアに接合するとともに前記第１コアの先端と側面を被覆する第２コアと、
前記第２コアに接合するとともに前記第２コアの側面を被覆するクラッドと、
を有する導波路の製造方法において、
前記第２コアおよび前記クラッドの屈折率より高い屈折率の材料からなる第１コア膜を形成した後、前記第１コア膜を所望の形状にパターニングして前記第１コアと第１の位置合わせマークを形成することを特徴とする導波路の製造方法。
【請求項２】
前記第１の位置合わせマークは、前記第１コアの光路と直交する方向に該光路を挟んで等間隔に配置された２つの部分からなり、それぞれの部分に少なくとも１つのスリットを形成することを特徴とする請求項１に記載の導波路の製造方法。
【請求項３】
前記スリットは前記２つの部分に等間隔で複数形成することを特徴とする請求項２に記載の導波路の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の導波路の製造方法により製造された導波路と、
前記導波路と接合し光を入射する光部品と、が光結合するように位置あわせをする導波路の位置決め方法において、
前記光部品の第１の位置合わせマークと対向する面に、前記第１の位置合わせマークに設けられた前記スリットの間隔より所定量広いか、または狭い間隔のスリットを有する第２の位置合わせマークを設けたことを特徴とする導波路の位置決め方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導波路の製造方法、導波路の位置決め方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録方式では、記録密度が高くなると磁気ビットが外部温度等の影響を顕著に受けるようになる。このため高い保磁力を有する記録媒体が必要になるが、そのような記録媒体を使用すると記録時に必要な磁界も大きくなる。記録ヘッドによって発生する磁界は飽和磁束密度によって上限が決まるが、その値は材料限界に近づいており飛躍的な増大は望めない。そこで、記録時に局所的に加熱して磁気軟化を生じさせ、保磁力が小さくなった状態で記録し、その後に加熱を止めて自然冷却することにより、記録した磁気ビットの安定性を保証する方式が提案されている。この方式は熱アシスト磁気記録方式と呼ばれている。
【０００３】
熱アシスト磁気記録方式では、記録媒体の加熱を瞬間的に行うことが望ましい。また、加熱する機構と記録媒体とが接触することは許されない。このため、加熱は光の吸収を利用して行われるのが一般的であり、加熱に光を用いる方式は光アシスト式と呼ばれている。
【０００４】
光アシスト式で超高密度記録を行う場合、必要なスポット径は２０ｎｍ程度になるが、通常の光学系では回折限界があるため、光をそこまで集光することはできない。
【０００５】
そのため、入射光波長以下のサイズの光学的開口から発生する近接場光を利用する近接場光ヘッドが利用されている。
【０００６】
近接場光ヘッドの例として、ミラー基板、開口基板と、光ファイバーから成る近接場光ヘッドがある。ミラー基板はＳｉ基板上に異方性エッチングによって形成された斜面にＡｌを蒸着したミラー面を持つ。ミラー基板にはＶ溝がエッチングによって形成されており、そこに光ファイバーが固定接着されている。開口基板はＳｉＯ2から成り、上面に直径
０．２ｍｍのマイクロレンズが形成されている。開口基板の底面には空気浮上のためのスライダと、その間に略直方体の近接場光発生微小構造（以下プラズモンプローブ）が形成されている。光ファイバーからの出射光はミラー面で反射され、マイクロレンズで集光された後プラズモンプローブに照射され、プラズモンプローブは所定の径の近接場光を発生する（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
最近、より効率良くスポットサイズを変換することができるスポットサイズ変換型導波路を用いた光ヘッドが注目されている。一般に導波路を利用する際には光ファイバーなど他の光部品との位置あわせを行い、光路を接続する必要がある。そのため、従来の光配線システムなどに用いられてきた導波路では、導波路に位置合わせマークを設け、組み立て時に作業者がこのマークを見ながら作業を行っていた。例えば、コア膜に位置合わせマークを同時に形成し、しかる後に位置合わせマークの部分のみ不透明な材料膜で覆う方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−６９１３号公報
【特許文献２】特開２００１−２６４５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
光ヘッドに用いるスポットサイズ変換型導波路に位置合わせマークを設ける上での課題を説明する。
【０００９】
図７は従来のスポットサイズ変換型導波路を用いた光ヘッド３の構成例を説明するための斜視図である。以下、図７を用いてスポットサイズ変換型導波路の構造例を説明する。なお、図７において矢印Ｘ、Ｙ、Ｚは座標軸を表し、図７のＬは光軸である。
【００１０】
光ヘッド３はおもに光部品１４と、導波路３２を備えたスライダ１５から構成される。光部品１４には図示せぬ光源からの光を導光する光ファイバーやレンズが保持されており、導波路３２と接合すると第２コア３４の入射面に光源からの光が集光するように構成されている。Ｌは光部品１４から照射する光の光軸である。
【００１１】
導波路３２は、図７に示すように例えばシリコンからなる第１コア３３、例えばＳｉＯｘからなる第２コア３４、例えばＳｉＯ2からなるクラッド３５とから構成されている。第１コア３３の光が入射する側の先端部はテーパ状になっており、第２コア３４は第１コア３３に接合するとともに第１コア３３の先端と側面を被覆している。クラッド３５は第２コア３４に接合するとともに第２コア３４の側面を被覆している。
【００１２】
第２コア３４に入射した光は第２コア３４内を進行し、その後徐々に第１コア３３に結合してモードフィールド径が変換される。このように構成された導波路を用いると、入射光のスポット径が第１コア３３によって徐々に縮小し、出射側では入射側の１／１０程度に縮小することができる。
【００１３】
集光効率を高めるためには光軸Ｌと第１コア３３の先端部の中心が一致するように位置あわせを行って光部品１４とスライダ１５を接合する必要がある。しかしながら、第１コア３３は入射側からは第２コア３４に覆われて見えない。さらに、第２コア３４とクラッド３５は、例えばＳｉＯｘとＳｉＯ2のように屈折率差が小さい材料で形成されるので第２コア３４の境界部分も目視では観察できない。
【００１４】
特許文献２に開示されているように位置合わせマークの部分のみ不透明な材料膜で覆う方法では、コア膜に位置合わせマークを形成した後、位置合わせマークの部分のみ不透明な材料膜で覆うので工程が増えるという問題がある。
【００１５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、少ない工程で高精度に位置合わせマークを形成する導波路の製造方法、高精度な導波路の位置決め方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の課題は、以下の構成により解決される。
【００１７】
１．
入射した光のスポットサイズを変換する第１コアと、
前記第１コアに接合するとともに前記第１コアの先端と側面を被覆する第２コアと、
前記第２コアに接合するとともに前記第２コアの側面を被覆するクラッドと、
を有する導波路の製造方法において、
前記第２コアおよび前記クラッドの屈折率より高い屈折率の材料からなる第１コア膜を形成した後、前記第１コア膜を所望の形状にパターニングして前記第１コアと第１の位置合わせマークを形成することを特徴とする導波路の製造方法。
【００１８】
２．
前記第１の位置合わせマークは、前記第１コアの光路と直交する方向に該光路を挟んで等間隔に配置された２つの部分からなり、それぞれの部分に少なくとも１つのスリットを形成することを特徴とする１に記載の導波路の製造方法。
【００１９】
３．
前記スリットは前記２つの部分に等間隔で複数形成することを特徴とする２に記載の導波路の製造方法。
【００２０】
４．
３に記載の導波路の製造方法により製造された導波路と、
前記導波路と接合し光を入射する光部品と、が光結合するように位置あわせをする導波路の位置決め方法において、
前記光部品の第１の位置合わせマークと対向する面に、前記第１の位置合わせマークに設けられた前記スリットの間隔より所定量広いか、または狭い間隔のスリットを有する第２の位置合わせマークを設けたことを特徴とする導波路の位置決め方法。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第１コア膜を所望の形状にパターニングして前記第１コアを形成する工程で位置合わせマークを形成するので、少ない工程で高精度に位置合わせマークを形成する導波路の製造方法、高精度な導波路の位置決め方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明に係る導波路と、それを備えた光ヘッドを、図面を参照しつつ説明する。なお、各実施の形態の相互で同一の部分や相当する部分には同一の符号を付して重複説明を適宜省略する。
【００２３】
図１は本発明に係る第１実施形態の導波路の製造方法を説明する説明図である。図２は本発明の導波路の製造方法により作製した導波路３２を用いた光ヘッド３の構成例を説明するための斜視図である。図１、図２の矢印Ｘ、Ｙ、Ｚは座標軸である。図１（ａ）〜（ｆ）はＺ軸正方向から図２の導波路３２の一部を示す斜視図であり、図１（ａ’）〜（ｆ’）はＺ軸負方向から図２の導波路３２の一部を示す斜視図である。なお、図１では磁気再生部１８を図示せず、また基材３７のＸ軸方向の長さも図２より短縮している。
【００２４】
図１を用いて導波路３２を有するスライダ１５の作製方法を説明する。
【００２５】
本発明に係る導波路３２の製造方法の第１の実施形態として、工程Ｓ１〜Ｓ４を説明する。
Ｓ１・・・・・第１コア膜を成膜する工程。
Ｓ２・・・・・第１コアと第１の位置合わせマークを形成する工程。
Ｓ３・・・・・第２コアを形成する工程。
Ｓ４・・・・・クラッドを形成する工程。
【００２６】
以下、各工程について順に説明する。
【００２７】
スライダ１５の基材３７（材料：ＡｌＴｉＣ、シリコン等）に図１には図示せぬ磁気再生部１８を作製した後、平坦化する。次に、例えばＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いてＳｉＯ2層３６を３μｍ程度成膜する。
【００２８】
Ｓ１・・・・・  第１コア膜を成膜する工程。
【００２９】
続いて、例えばＣＶＤ法を用いて第１コア膜３３０を３００ｎｍ程度成膜する。第１コア膜３３０の材料には高屈折率の材料、例えばシリコン、ダイアモンド、III−Ｖ族半導体、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＡｓＰ、ＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＰ、II−VI族半導体、ＺｎＳｅを用いることができる。
【００３０】
図１（ａ）、（ａ’）は基材３７の上にＳｉＯ2層３６と第１コア膜３３０が成膜された状態を示している。
【００３１】
Ｓ２・・・・・第１コアと第１の位置合わせマークを形成する工程。
【００３２】
図１（ｂ）、（ｂ’）のように第１コア３３と第１の位置合わせマーク４０ａ、４０ｂを形成する。
第１コア膜３３０の上にレジストを塗布し、電子ビームリソグラフィー（あるいはステッパーを用いたリソグラフィー）により所望の形状となるようにレジストパターンを形成する。次に、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いて第１コア膜３３０を加工し、第１コア３３と第１の位置合わせマーク４０を同時に形成する。このとき、第１コア３３のコア形状が所望のテーパ形状となるようにレジストパターンを形成する。また、第１の位置合わせマーク４０ａと第１の位置合わせマーク４０ｂは、図１（ｂ’）のようにＺ軸正方向から見たとき、第１コア３３の中心からＹ軸方向に等間隔離れた位置に形成されるようにレジストパターンを形成する。
【００３３】
Ｓ３・・・・・第２コアを形成する工程。
【００３４】
図１（ｃ）、（ｃ’）のようにＣＶＤ法を用いて第２コア膜３４０を積層する。第２コア３４の材料には第１コア３３の材料より遙かに屈折率が低い、例えばＳｉＯ2、ＳｉＮなどを用いることができる。
【００３５】
その後レジストを塗布し、電子ビームリソグラフィー（あるいはステッパーを用いたリソグラフィー）により所望の形状となるようにレジストパターンを形成する。次に、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いて第２コア膜３４０を加工し、図１（ｄ）、（ｄ’）のように第１コア３３の先端と側面を覆うように第２コア３４を形成する。
【００３６】
Ｓ４・・・・・クラッドを形成する工程。
【００３７】
図１（ｅ）、（ｅ’）のようにＣＶＤ法を用いてクラッド３５を積層し、第２コア３４の側面を覆う。クラッド３５の材料には第２コア３４の材料よりわずかに屈折率が低い、例えばＳｉＯｘ、ＳｉＯＮなどを用いることができる。
【００３８】
以上で導波路３２を形成する工程は終了である。
【００３９】
その後、平坦化した後図示せぬ磁気記録部１７を作製する。次に、ダイシング、ミリング等の加工方法により、スライダ形状に切断加工しスライダ１５の作製を完了する。
【００４０】
次に図２を用いて導波路３２を備えた光ヘッド３の導波路の位置決め方法の例を説明する。
【００４１】
光ヘッド３はおもに光部品１４と、導波路３２を備えたスライダ１５から構成される。光部品１４のＶ溝１４ｂには図示せぬ光源からの光を導光する光ファイバーやレンズが保持されており、光源からの光は反射面１４ａで反射し光軸Ｌの方向に進む。光部品１４と導波路３２と接合すると第２コア３４の入射面に光源からの光が集光するように構成されている。
【００４２】
導波路３２は、図１に示すように第１コア３３、第２コア３４、クラッド３５とから構成されている。第１コア３３の光が入射する側の先端部はテーパ状になっており、第２コア３４は第１コア３３に接合するとともに第１コア３３の先端と側面を被覆している。クラッド３５は第２コア３４に接合するとともに第２コア３４の側面を被覆している。
【００４３】
第２コア３４に入射した光は第２コア３４内を進行し、その後徐々に第１コア３３に結合してモードフィールド径が変換される。このように構成された導波路を用いると、入射光のスポット径が第１コア３３によって徐々に縮小し、出射側では入射側の１／１０程度に縮小することができる。
【００４４】
導波路３２に光を入射する面には第１の位置合わせマーク４０ａ、４０ｂが形成されている。工程Ｓ２で、第１の位置合わせマーク４０ａ、４０ｂの対向する端面の中間に第１コア３３の中心が位置するようパターニングされているので、第１の位置合わせマーク４０ａ、４０ｂの対向する端面を基準に光部品１４の位置あわせを行う。第１の位置合わせマーク４０ａ、４０ｂは前述のようにクラッド３５より遙かに高屈折率の材料で形成されているので、光学顕微鏡による目視での位置あわせでも容易に導波路の位置決めをすることができる。
【００４５】
図３は第１実施形態の導波路の製造方法により作製した導波路３２を用いた光ヘッド３の構成例を説明するための断面図である。
【００４６】
光ヘッド３は、図３に示すように、光部品１４を保持するサスペンション４、図示せぬ光源から導光する光ファイバ１１、導波路３２を有するスライダ１５などから構成される。光ファイバ１１の先端には光源からの入射された近赤外光を集光する屈折率分布型レンズ１２、１３が設けられ、光部品１４のＶ溝１４ｂに保持されている。
【００４７】
スライダ１５には導波路３２から近赤外光を照射したディスク２の被記録部分に対して磁気情報の書き込みを行う磁気記録部１７と、ディスク２に記録されている磁気情報の読み取りを行う磁気再生部１８が設けられている。さらにスライダ１５のディスク２に対向する面にはディスク２の回転とともに浮上するように溝が設けられている。
【００４８】
屈折率分布型レンズ１２、１３で集光された近赤外光は光部品１４の反射面１４ａでＺ軸負方向に反射し、導波路３２に入射する。図２の矢印は図２には図示せぬ屈折率分布型レンズ１２、１３から射出した光が反射面１４ａで反射する光軸Ｌを示している。
【００４９】
前述のように、第１の位置合わせマーク４０ａ、４０ｂを用いて光軸Ｌが第１コア３３の中心と一致するように導波路の位置決めを行って光部品１４とスライダ１５を接合しているので高い集光効率が得られる。
【００５０】
図４は導波路の製造方法の他の実施形態により作製した導波路３２の斜視図である。
【００５１】
図４（ａ）は第２実施形態の導波路３２の例である。図４（ａ）に示すように本実施形態では第１の位置合わせマーク４１は４つの部分４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄからなる。
【００５２】
このような第１の位置合わせマーク４１は、工程Ｓ２の第１コアと第１の位置合わせマークを形成する工程で、第１コア３３の光路を挟んで等間隔に配置された２つの部分のそれぞれに少なくとも１つのスリットを設けたレジストパターンを形成することにより作製できる。図４（ａ）の例では第１の位置合わせマーク４１ａ、４１ｂの間と、第１の位置合わせマーク４１ｃ、４１ｄの間に所定の幅のスリットが形成されるようにレジストパターンを形成して作製した。
【００５３】
そのほかの工程Ｓ１、Ｓ３、Ｓ４は第１実施形態と同様であり説明を省略する。
【００５４】
このように第１の位置合わせマーク４１を作製すると、第１の位置合わせマーク４１の加工精度による位置合わせの誤差を軽減できる。すなわち、第１実施形態では第１の位置合わせマーク４０ａ、４０ｂの対向する２つの端面を用いて位置あわせを行うため、２つの端面を精度良く加工する必要があった。一方、第２実施形態では、第１の位置合わせマーク４１ｃ、４１ｂの対向する端面の他、第１の位置合わせマーク４１ｃ、４１ｄの対向する端面と第１の位置合わせマーク４１ａ、４１ｂの対向する端面を用いて位置あわせを行うことができるので平均化すればそれぞれの端面の加工誤差の影響を軽減することができる。
【００５５】
図４（ｂ）は第３実施形態の導波路３２の例である。図４（ｂ）に示すように本実施形態では第１の位置合わせマーク４２は１０の部分４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４２ｅ、４２ｆ、４２ｇ、４２ｈ、４２ｉ、４２ｊからなる。
【００５６】
このような第１の位置合わせマーク４２は、工程Ｓ２の第１コア膜３３０を所望の形状にパターニングして第１コア３３を形成する工程で、第１コア３３の光路を挟んで等間隔に配置された２つの部分のそれぞれに複数のスリットを設けたレジストパターンを形成することにより作製できる。図４（ｂ）の例では第１の位置合わせマーク４２ａ〜４２ｅの間と、第１の位置合わせマーク４２ｆ〜４２ｊの間に所定の幅のスリットが等間隔に形成されるようにレジストパターンを形成して作製した。
【００５７】
そのほかの工程Ｓ１、Ｓ３、Ｓ４は第１実施形態と同様であり説明を省略する。
【００５８】
前述のように、複数の第１の位置合わせマークの端面を用いて位置あわせを行うことによりそれぞれの端面の加工誤差の影響を軽減することができるが、さらに光部品１４に第２の位置合わせマークを設けることにより、高精度な導波路の位置決めを行うことができる。図５、図６を用いて本発明の導波路の位置決め方法を図５、図６を用いて説明する。
【００５９】
図５は本発明の導波路の位置決め方法に用いる第１の位置合わせマーク４２と第２の位置合わせマーク５０を説明するための斜視図、図６は第１の位置合わせマーク４２と第２の位置合わせマーク５０を用いて導波路の位置決めを行う方法を説明するための説明図である。図５の矢印Ｘ、Ｙ、Ｚは座標軸である。
【００６０】
図５に示す光ヘッド３に用いる光部品１４と、導波路３２を備えたスライダ１５を例として導波路の位置決めを行う方法を説明する。導波路３２は図４（ｂ）で説明した第３実施形態の第１の位置合わせマーク４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４２ｅ、４２ｆ、４２ｇ、４２ｈ、４２ｉ、４２ｊを備えている。一方、光部品１４は第１の位置合わせマーク４２と対向する面に第２の位置合わせマーク５０を備えている。第２の位置合わせマーク５０ｅ、５０ｆは光軸ＬからＹ軸方向に等距離に配置されている。さらに、Ｙ軸負方向には等間隔Ｐ２で第２の位置合わせマーク５０ｄ、５０ｃ、５０ｂ、５０ａが順に配置されている。また、Ｙ軸正方向には等間隔Ｐ２で第２の位置合わせマーク５０ｇ、５０ｈ、５０ｉ、５０ｊが順に配置されている。
【００６１】
図６は光部品１４とスライダ１５の対向する面を重ね合わせ、光部品１４を通してＺ軸正方向から第１の位置合わせマーク４２と第２の位置合わせマーク５０を見た図である。
【００６２】
図６（ａ）は、第１の位置合わせマーク４２と第２の位置合わせマーク５０がＹ軸方向は正規の位置にあり、Ｘ軸方向にずれている状態を図示している。第１の位置合わせマーク４２ｅ、４２ｆは図示せぬ第１コア３３の中心からＹ軸方向に等距離に配置され、第１コア３３を挟んで反対方向に等間隔Ｐ１で第１の位置合わせマーク４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄと第１の位置合わせマーク４２ｇ、４２ｈ、４２ｉ、４２ｊが配置されている。
【００６３】
本実施形態では間隔Ｐ２が間隔Ｐ１より小さい例で説明するが、Ｐ１＝Ｐ２でなければＰ１＜Ｐ２でも良い。以下、Ｐ１−Ｐ２＝ΔＰとして説明する。
【００６４】
図６（ｂ）は、第１の位置合わせマーク４２と第２の位置合わせマーク５０がＹ軸方向、Ｘ軸方向ともに正規の位置に調整された状態を図示している。第１の位置合わせマーク４２ｅ、４２ｆは第２の位置合わせマーク５０ｅ、５０ｆと重なって隠れている。第１の位置合わせマーク４２ｇ、４２ｄは第２の位置合わせマーク５０ｇ、５０ｄと間隔がΔＰずれているため第１の位置合わせマーク４２ｇ、４２ｄの一部が現れている。同様に、第１の位置合わせマーク４２ｈ、４２ｃは第２の位置合わせマーク５０ｈ、５０ｃと間隔が２ΔＰずれているため第１の位置合わせマーク４２ｇ、４２ｄの一部が現れている。このように、光部品１４の第２の位置合わせマーク５０ｅ、５０ｆと導波路３２の第１の位置合わせマーク４２ｅ、４２ｆが重なって隠れるように光部品１４とスライダ１５の相対位置を調整し導波路の位置決めを行う。
【００６５】
図６（ｃ）は、第２の位置合わせマーク５０が第１の位置合わせマーク４２に対してＹ軸負方向とＸ軸負方向にずれた位置にある場合を図示している。図６（ｄ）は、図６（ｃ）の状態から第２の位置合わせマーク５０と第１の位置合わせマーク４２がＸ軸方向に重なるように調整した状態を図示している。図６（ｄ）では、第２の位置合わせマーク５０ｅ、５０ｆの左側に第１の位置合わせマーク４２ｅ、４２ｆの一部が現れているので、第２の位置合わせマーク５０がＹ軸負方向にずれていることがわかる。また、第１の位置合わせマーク４２ｃが第２の位置合わせマーク５０ｃとほぼ重なっているのでＹ軸負方向に２ΔＰずれていることがわかる。
【００６６】
図６（ｅ）は、第２の位置合わせマーク５０が第１の位置合わせマーク４２に対してＹ軸正方向とＸ軸負方向にずれた位置にある場合を図示している。図６（ｆ）は、図６（ｅ）の状態から第２の位置合わせマーク５０と第１の位置合わせマーク４２がＸ軸方向に重なるように調整した状態を図示している。図６（ｆ）では、第２の位置合わせマーク５０ｅ、５０ｆの右側に第１の位置合わせマーク４２ｅ、４２ｆの一部が現れているので、第２の位置合わせマーク５０がＹ軸正方向にずれていることがわかる。また、第１の位置合わせマーク４２ｈが第２の位置合わせマーク５０ｈとほぼ重なっているのでＹ軸正方向に２ΔＰずれていることがわかる。
【００６７】
このように、第２の位置合わせマーク５０の間隔Ｐ２が第１の位置合わせマーク４２の間隔Ｐ１よりΔＰ狭いので、第１の位置合わせマーク４２と第２の位置合わせマーク５０の重なりを観察することにより、ずれている方向とずれ量の目安を知ることができる。このことにより、導波路の位置決めを精密に行うことができる。
【００６８】
以上このように、本発明によれば、第１コア膜を所望の形状にパターニングして前記第１コアを形成する工程で第１の位置合わせマークを形成するので、少ない工程で高精度に第１の位置合わせマークを形成する導波路の製造方法、高精度な導波路の位置決め方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明における第１実施形態の導波路３２の製造方法を説明する説明図である。
【図２】本発明の導波路の製造方法により作製した導波路３２を用いた光ヘッド３の構成例を説明するための斜視図である。
【図３】第１実施形態の導波路の製造方法により作製した導波路３２を用いた光ヘッド３の構成例を説明するための断面図である。
【図４】導波路の製造方法の他の実施形態により作製した導波路３２の斜視図である。
【図５】本発明の導波路の位置決め方法に用いる第１の位置合わせマークと第２の第１の位置合わせマークを説明するための斜視図である。
【図６】第１の位置合わせマークと第２の位置合わせマークを用いて導波路の位置決めを行う方法を説明するための説明図である。
【図７】従来のスポットサイズ変換型導波路を用いた光ヘッド３の構成例を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
【００７０】
２  ディスク
３  光ヘッド
４  サスペンション
１１  光ファイバー
１４  光部品
１５  スライダ
１７  磁気記録部
１８  磁気再生部
３２  導波路
３３  第１コア
３４  第２コア
３５  クラッド
３６  ＳｉＯ2層
３７  基材
４０、４１、４２  第１の位置合わせマーク
５０  第２の位置合わせマーク
３３０  第１コア膜
３４０  第２コア膜
【図１】
2008298822.tif 000003
【図２】
2008298822.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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