(57)【要約】【課題】無機配向膜を有する液晶装置において、導通端子部における電気的導通を容易かつ確実に得ることが可能な液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０の外部導通端子１０２及び無機配向膜１６が形成された面と、対向基板２０とを対向させてシール材５２を介して貼り合せ、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を充填した後に、ＴＦＴアレイ基板１０の無機配向膜１６が形成された面上にエッチングを施すことにより、一度のエッチングでシール材５２が配置された領域内の無機配向膜は残し、かつ外部導通端子１０２上の無機配向膜を除去する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板との間に液晶を挟持してなり、前記第１の基板は前記第２の基板側から見て前記第２の基板よりも張り出した張出し部を有する液晶装置の製造方法であって、
前記第１の基板の前記張出し部に導通端子部を形成する導通端子部形成工程と、
前記第１の基板上に無機配向膜を形成する配向膜形成工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とをシール材を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記張出し部に形成された前記無機配向膜をエッチングにより除去する配向膜除去工程と、を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
複数の前記第１の基板に分断可能なマザー基板を形成するマザー基板形成工程と、
前記配向膜除去工程後に前記マザー基板を分断する分断工程とを具備することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
複数の前記第１の基板に分断可能なマザー基板を形成するマザー基板形成工程と、
前記配向膜除去工程よりも前に前記マザー基板を分断する分断工程とを具備することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記配向膜除去工程は、ドライエッチングを用いて実施されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法に関し、特に無機配向膜を有する液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置等の液晶装置における液晶分子を配向規制するための配向膜として、無機配向膜が知られている。無機配向膜は、基板表面に対し所定の角度をもってＳｉＯ２等のシリコン酸化物を蒸着することにより形成されるものである。
【０００３】
液晶装置の基板表面には、液晶装置と外部との電気的導通を目的とした導通端子部等が形成されているが、基板上に無機配向膜を形成した場合、ＳｉＯ２等のシリコン酸化物は電気絶縁性を有するため、導通端子部における導通不良が生じ易い。
【０００４】
このような導通不良を避けるため、無機配向膜の蒸着時において、導通端子部上に無機配向膜が蒸着されないようにする技術が、特開２００５−１７３３９号公報に開示されている。特開２００５−１７３３９号公報に開示の技術においては、導通端子部の近傍に壁部を設け、無機配向膜の蒸着時において導通端子部が蒸着源に対して該壁部の影となるように配置することにより、導通端子部上に無機配向膜が形成されることを防止している。
【特許文献１】特開２００５−１７３３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特開２００５−１７３３９号公報に開示の方法では、蒸着源に対し導通端子部を覆う壁部を形成する必要があり、液晶装置の製造工程数の増加を招いてしまう。
【０００６】
また外部導通端子上の無機配向膜を除去する方法として、無機配向膜を形成した後に、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程及びレジスト剥離工程を施す方法が考えられる。しかしながら、この方法においては、液晶を配向すべき領域内における無機配向膜上に一度レジストマスクを形成し、該レジストマスクを剥離しなければならない。したがって液晶装置の製造工程数が増加するとともに、無機配向膜の表面がレジストマスクの形成及び剥離により侵されてしまい、無機配向膜において所定の配向性能が得られないと言う問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、無機配向膜を有する液晶装置において、導通端子部における電気的導通を容易かつ確実に得ることが可能な液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液晶装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板との間に液晶を挟持してなり、前記第１の基板は前記第２の基板側から見て前記第２の基板よりも張り出した張出し部を有する液晶装置の製造方法であって、前記第１の基板の前記張出し部に導通端子部を形成する導通端子部形成工程と、前記第１の基板上に無機配向膜を形成する配向膜形成工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とをシール材を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記張出し部に形成された前記無機配向膜をエッチングにより除去する配向膜除去工程と、を具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明のこのような構成によれば、従来のように無機配向膜の蒸着時において導通端子部を覆うような壁部を形成する工程が不要となり、より少ない工程で容易に導通端子部における電気的導通を確保することができる。
【００１０】
また、レジストマスクを使用することなく、導通端子部上に形成された無機配向膜をエッチングにより除去することができる。このため、レジストマスクを用いる場合に比して、より工程数を少なくし、かつ導通端子部上に形成された無機配向膜を確実に除去することが可能であり、導通端子部における電気的導通を容易かつ確実に確保することができる。
【００１１】
また、本発明は、複数の前記第１の基板に分断可能なマザー基板を形成するマザー基板形成工程と、前記配向膜除去工程後に前記マザー基板を分断する分断工程とを具備することが好ましい。
【００１２】
このような構成によれば、一度の工程で複数の液晶装置を製造することが可能となる。
【００１３】
また、本発明は、複数の前記第１の基板に分断可能なマザー基板を形成するマザー基板形成工程と、前記配向膜除去工程よりも前に前記マザー基板を分断する分断工程とを具備することが好ましい。
【００１４】
このような構成によれば、マザー基板と複数の第２の基板が一体に形成された第２のマザー基板とを、貼り合せた後に分断することで液晶装置が製造される。したがって、マザー基板と第２のマザー基板との貼り合せ工程は一度行えばよく、液晶装置の製造工程を短縮することが可能となる。
【００１５】
また、本発明は、前記配向膜除去工程は、ドライエッチングを用いて実施されることが好ましい。
【００１６】
このような構成によれば、ウェットエッチングを用いた場合のようにシール材を介して薬液が基板間に染み込むことがない。またドライエッチングは、ウェットエッチングを用いる場合よりも高い異方性を有しており、シール材への影響がほとんどないため、より確実に導通端子部上の無機配向膜のみを除去することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について図１から図７を参照して説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１８】
本実施形態に係る液晶装置の構成について、図１、図２及び図３を参照して説明する。本実施形態では、液晶装置の一例として駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを例にとる。
【００１９】
図１はＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。図３は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００２０】
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００は、対向して配設された一対の基板であるＴＦＴアレイ基板１０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）との間に、液晶５０が挟持されてなる。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、ガラス、石英等からなる透光性を有する略矩形状の平板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられた枠状のシール材５２により相互に接着されて張り合わせられている。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を所定値とするためのグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が分散して配設されている。液晶５０は、シール材５２とＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とに囲まれた領域に充填されている。
【００２１】
本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０は、平面的に見て対向基板２０よりも大きい形状を有して形成されている。ここで、平面的に見る視点とは、液晶装置１００を、ＴＦＴアレイ基板１０の法線と平行であり、かつ対向基板２０の側から見た視点であり、図１と同様の視点のことを指す。図１及び図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを、シール材５２を介して位置決めして貼り合せた状態において、ＴＦＴアレイ基板１０は、平面的に見て一辺に沿う領域が対向基板２０よりも外側に張り出した張出し部１１０を有している。
【００２２】
ＴＦＴアレイ基板１０のシール材５２が配置されたシール領域の外側に位置し、かつ張出し部１１０が形成された一辺に沿う領域内には、データ線駆動回路１０１及び外部導通端子１０２（導通端子部）が設けられている。
【００２３】
外部導通端子１０２は、ＴＦＴアレイ基板１０の張出し部１１０の液晶５０側の表面上に露出して形成されている。外部導通端子１０２は、パターニングされた導電性を有する膜により形成されており、液晶装置１００と外部装置とを電気的に接続する目的を有している。外部導通端子１０２の最表面部は、例えばＡｌ（アルミニウム）もしくはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる導電性の膜により構成されている。
【００２４】
なお、外部導通端子１０２は、本実施例に限らず、他に例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）等を含む金属単体、合金及び金属シリサイドや、ポリシリコン等からなる導電層、またこれらを積層したものによって構成されてもよい。
【００２５】
例えば、図示しないが、外部導通端子１０２上に、フレキシブルプリント基板を異方性導電接フィルム等を介して接続することによって、該フレキシブルプリント基板を介して、液晶装置１００と液晶装置１００を制御する制御回路等の外部装置との電気的接続が行われる。
【００２６】
枠状のシール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの辺縁としての額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。すなわち、本実施形態の液晶装置１０では、画像表示領域１０ａの中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が非表示領域として規定されている。なお、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられるものであってもよい。
【００２７】
走査線駆動回路１０４は、張出し部１１０が形成された一辺に隣接する２辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われた領域内に設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の張出し部１１０が形成された一辺に対向する辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われた領域には、複数の配線１０５が設けられている。該配線１０５によって、二つの走査線駆動回路１０４は、互いに電気的に接続されている。
【００２８】
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一箇所は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらの上下導通材１０６に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６と上下導通端子を介して、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続が行われる。
【００２９】
ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面上であり、かつ画像表示領域１０ａ内の領域には、図示しないが走査線及びデータ線等の配線、及び走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた画素スイッチング用の素子であるＴＦＴが積層されて形成されている。図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面上には、ＴＦＴに対応して複数の画素電極９ａが形成されており、さらに画素電極９ａ上には無機配向膜１６が形成されている。
【００３０】
無機配向膜１６は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料によって構成され、本実施形態ではＳｉＯ２により構成されている。無機配向膜１６は、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面に対し所定の角度をもってＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料を蒸着する、いわゆる斜方蒸着法によって形成されるものである。
【００３１】
本実施形態では、無機配向膜１６は、図２に示すように枠状のシール材５２が配置されたシール領域内にのみ形成されている。言い換えれば、無機配向膜１６は、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側の表面上であって、かつ対向基板２０側に露出された領域には形成されていない。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０の張出し部１１０の液晶５０側表面上には、無機配向膜１６は形成されていない。
【００３２】
他方、対向基板２０の液晶５０側の表面上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に無機配向膜２２が形成されている。無機配向膜２２は、無機配向膜１６と同様に、例えばＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料によって構成され、本実施形態ではＳｉＯ２により構成されている。無機配向膜２２は、対向基板２０の液晶５０側の表面に対し所定の角度をもってＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料を蒸着する、いわゆる斜方蒸着法によって形成される。
【００３３】
液晶５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の無機配向膜１６及び２２の間で、所定の配向状態をとる。
【００３４】
次に、図３を参照して、上述した液晶装置１００の電気的な構成について説明する。図３に示すように、本実施形態における液晶装置１００の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されている。
【００３５】
ＴＦＴ３０のゲート３ａには、走査線１１ａが電気的に接続されている。走査線１１ａには、走査線駆動回路１０４により、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、所定のタイミングで順次供給される。走査線１１ａを介してゲート３ａに走査信号が供給されることにより、当該走査線１１ａに電気的に接続された複数のＴＦＴ３０はＯＮ状態となる。
【００３６】
ＴＦＴ３０のソースには、画像信号が供給されるデータ線６ａが電気的に接続されており、ＴＦＴ３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。データ線６ａには、データ線駆動回路１０１により、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、所定のタイミングで順次供給される。ここで、データ線６ａに供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、走査信号が供給されることによってＯＮ状態となったＴＦＴ３０に電気的に接続された画素電極９ａに書き込むべき所定レベルの電位を有する信号である。
【００３７】
画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが書き込まれた画素電極９ａと、対向基板に形成された対向電極２１との間の電位差、すなわち液晶５０に印加される電圧に応じて、液晶５０の分子集合の配向や秩序が変化する。これにより、液晶５０を透過する光が変調され、当該画素における階調表示が可能となる。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加される。
【００３８】
また各画素における画像信号の保持時間を長くするために、画素電極９ａには、蓄積容量７０の一方の電極が電気的に接続される。該蓄積容量７０の他方の電極は、走査線１１ａに並んで設けられ所定の電位とされた容量配線４００に電気的に接続されている。
【００３９】
上述した構成を有する液晶装置１００においては、液晶分子を配向規制するための配向膜を、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料にて構成される無機配向膜により形成している。無機材料によって構成される無機配向膜は、例えばポリイミド等の有機材料によって構成される配向膜に対して耐光性や耐熱性に優れるため、長期に亘って表示品位が低下することのない液晶装置を実現できる。
【００４０】
また、液晶装置１００と、例えば電子機器の制御装置等の外部との電気的接続を行う外部導通端子１０２上には、電気絶縁性を有する無機配向膜が形成されていない。このため、外部導通端子１０２における電気的導通を確実に得ることができる。
【００４１】
なお、上述したＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置１００の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４２】
以下に、上述した構成を有する本実施形態の液晶装置１００の製造方法を図４から図７を参照して説明する。
【００４３】
図４は、マザー基板の構成を説明する平面図である。図５及び図６は、図４におけるV−V断面について各工程を順を追って説明する断面図である。図７は、液晶装置の製造工程を説明するフローチャートである。
【００４４】
本実施形態に係る液晶装置１００は、まず複数の液晶装置１００が一体に形成された後にそれぞれ個片に分断されることで形成される。すなわち、液晶装置１００は、いわゆる大判基板から多面取りを行う方法により形成される。
【００４５】
以下に、液晶装置１００の製造方法の詳細について説明する。  
まず、図４に示すように、略円板形状を有するマザー基板３５の表面上に、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するための積層構造である複数のＴＦＴアレイ構造１０ｂを、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔でマトリクス状に配列して形成する積層構造形成工程（マザー基板形成工程）を実施する（ステップＳ０１）。
【００４６】
ここでＴＦＴアレイ構造１０ｂは、上述のＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０側表面上であって、画素電極９ａ以下の積層構造のことを指す。すなわち、ＴＦＴアレイ構造１０ｂは、走査線１１ａ、データ線６ａ、容量配線４００、蓄積容量７０、ＴＦＴ３０、画素電極９ａ等の素子及び配線を具備して構成されるものである。また、本実施形態においては、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１も、ＴＦＴアレイ構造１０ｂに含まれるものである。
【００４７】
ＴＦＴアレイ構造１０ｂを形成する詳細の工程については、公知の半導体製造工程と同様であるため、説明を省略する。
【００４８】
なお、本実施形態では、マザー基板３５は略円板形状のものとしているが、マザー基板３５の形状はこの形状に限られるものではない。例えば、矩形状の平板によりマザー基板３５が構成されるものであってもよい。
【００４９】
次に、図５（ａ）に示すように、複数の外部導通端子１０２を、ＴＦＴアレイ基板１０の張出し部１１０に対応する領域にそれぞれ形成する導通端子部形成工程を実施する（ステップＳ０２）。なお、該導通端子部形成工程は、上述した積層構造形成工程と同時に実施されるものであってもよい。例えば、外部導通端子１０２の最表面を、画素電極９ａと同一工程により形成されるＩＴＯ膜により構成することにより、製造工程の短縮を図ることが可能となる。
【００５０】
次に、図５（ｂ）に示すように、マザー基板３５の表面上に、斜方蒸着法によりＳｉＯ２からなる無機配向膜１６ａを蒸着し形成する無機配向膜形成工程を実施する（ステップＳ０３）。ここで、無機配向膜１６ａは、マザー基板３５のＴＦＴアレイ構造１０ｂが形成された表面上の全面に形成される。
【００５１】
次に、図６（ａ）に示すように、複数の対向基板２０を、シール材５２を介してＴＦＴアレイ構造１０ｂ上に貼り合せ、マザー基板３５と複数の対向基板２０との間に液晶５０を充填する基板貼り合わせ工程を実施する（ステップＳ０４）。ここで、対向基板２０には、あらかじめ別工程において、液晶５０側表面上に、対向電極２１及び無機配向膜２２を形成しておく。また、マザー基板３５と対向基板２０との間に液晶５０を充填する方法としては、液晶注入方式もしくは液晶滴下方式を採用するものである。
【００５２】
次に、図６（ｂ）に示すように、対向基板２０が貼り合わされた後のマザー基板３５の、対向基板２０側表面に対してエッチングを行うことにより、マザー基板３５の表面全面に形成された無機配向膜１６ａのうちの、シール材５２が配置されたシール領域よりも外側の領域における無機配向膜１６ａのみを除去する配向膜除去工程を実施する（ステップＳ０５）。
【００５３】
ここで、配向膜除去工程においては、ＳｉＯ２からなる配向膜１０ｂを除去し、ＡｌもしくはＩＴＯからなる外部導通端子１０２は残されるような選択比を有するエッチング方法が用いられる。本実施形態では、配向膜除去工程に使用されるエッチング方法はドライエッチング法であり、Ｃ４Ｆ８等のＣＦ系ガスを主としたエッチングガスが用いられることが好ましい。
【００５４】
配向膜除去工程により、外部導通端子１０２上の無機配向膜は除去され、外部導通端子１０２の表面が露出する。これにより、図６（ｂ）に示すように、無機配向膜１６は、枠状のシール材５２が配置されたシール領域内にのみ残されるのであり、したがって複数の液晶装置１００となる構造１００ａが、ＴＦＴアレイ基板１０となる箇所を介して一体に接続された形態のものが形成される。
【００５５】
また、配向膜除去工程において、対向基板２０の液晶５０とは反対側の表面上も同時にエッチングされるが、無機配向膜１６ａの膜厚に対して対向基板の厚さは十分に大きく、また対向基板２０の液晶５０とは反対側の表面の平坦性が損なわれることはない。
【００５６】
なお、配向膜除去工程に使用されるエッチング方式は、ドライエッチングに限られるものではなく、外部導通端子１０２やシール材５２に対して薬液による影響が及ばないものであるならば、ウェットエッチング法が用いられるものであってもよい。配向膜除去工程にウェットエッチング法を用いる場合には、フッ酸系の薬液を用いることが考えられる。
【００５７】
次に、図６（ｃ）に示すように、マザー基板３５をスクライブ工程及びブレイク工程により分断することで、個々の液晶装置１００を切り出す分断工程を実施する（ステップＳ０６）。以上により、本実施形態の液晶装置１００が完成するのである。
【００５８】
以上に説明した液晶装置の製造方法によれば、対向基板２０が貼り合わされた状態のマザー基板３５の、対向基板２０側表面に対してエッチングを行うことにより、外部導通端子１０２上に形成された無機配向膜１６ａを除去している。言い換えれば、本実施形態によれば、シール材５２が配置されたシール領域内にのみ無機配向膜１６が残される。
【００５９】
したがって、本実施形態によれば、従来のように無機配向膜の蒸着時において外部導通端子を覆うような壁部を形成する工程が不要となり、より少ない工程で容易に外部導通端子における電気的導通を確保することができる。
【００６０】
また、従来では、蒸着源に対して壁部により外部導通端子を覆うことにより無機配向膜が蒸着されることを防止するものであるが、本実施形態では、エッチングにより外部導通端子上に形成された無機配向膜を除去するものである。したがって、外部導通端子上に形成された無機配向膜を確実に除去することが可能であり、外部導通端子における電気的導通を確実に確保することができる。
【００６１】
また、従来では、壁部と導通端子部と蒸着源との相対的位置により目的を達成しているため、例えば無機配向膜の蒸着角度に制約が生じてしまう。しかしながら本実施形態では、無機配向膜の形成時における蒸着角度は、任意の値とすることが可能であり、液晶の配向に関する設計の自由度を広くとることが可能である。
【００６２】
また従来、外部導通端子上の無機配向膜を除去する方法として、例えば無機配向膜を形成した後に、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程及びレジスト剥離工程を施す、すなわち無機配向膜をパターニングする方法が採用されていた。ところが、従来のこの方法においては、画像表示領域内における無機配向膜上に一度レジストマスクを形成し、該レジストマスクを剥離しなければならない。このため、従来では工程数が増えるとともに、画像表示領域内における無機配向膜の表面がレジストマスクの形成及び剥離により侵されてしまい、無機配向膜において所定の配向性能が得られないと言う問題が生じる。
【００６３】
しかしながら、本実施形態では、画像表示領域内における無機配向膜の表面上に対してレジストマスクの形成及び剥離を行う必要がない。したがって、本実施形態によれば、画像表示領域内における無機配向膜は、所定の配向性能を安定して発揮することが可能となり、表示品位の向上を図ることが可能となるのである。
【００６４】
また、従来のレジストマスクの形成、エッチング及びレジストマスクの剥離を行う場合に比して、本実施形態はエッチングのみで実施可能であり、従来に比して工程数の削減を図ることが可能となり、外部導通端子における電気的導通を容易かつ確実に確保することができるのである。
【００６５】
（第２の実施形態）
以下に、本発明の第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図８から図１０を参照して説明する。本実施形態の液晶装置の製造方法は、第１の実施形態に対して、工程の順序と、マザー基板に貼り合わされる対向基板の形態のみが異なる。よって、以下ではこの相違点のみを説明するものとし、また、第１の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜に省略するものとする。
【００６６】
図８及び図９は、第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法の工程を説明する断面図である。図１０は、第２の実施形態に係る液晶装置の製造工程を説明するフローチャートである。
【００６７】
本実施形態に係る液晶装置１００は、第１の実施形態と同様に、まず複数の液晶装置１００が一体に形成された後にそれぞれ個片に分断されることで形成される。すなわち、液晶装置１００は、いわゆる大判基板から多面取りを行う方法により形成される。
【００６８】
まず、図８（ａ）に示すように、略円板形状を有するマザー基板３５の表面上に、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するための積層構造である複数のＴＦＴアレイ構造１０ｂを、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔でマトリクス状に配列して形成する積層構造形成工程を実施する（ステップＳ２１）。
【００６９】
次に、図８（ａ）に示すように、複数の外部導通端子１０２を、ＴＦＴアレイ基板１０の張出し部１１０に対応する領域にそれぞれ形成する導通端子部形成工程を実施する（ステップＳ２２）。
【００７０】
次に、図８（ｂ）に示すように、マザー基板３５の表面上に、斜方蒸着法によりＳｉＯ２からなる無機配向膜１６ａを蒸着し形成する無機配向膜形成工程を実施する（ステップＳ２３）。ここで、無機配向膜１６ａは、マザー基板３５のＴＦＴアレイ構造１０ｂが形成された表面上の全面に形成される。なお、ステップ２１からステップＳ２３までの工程は、第１の実施形態と同様である。
【００７１】
次に、図９（ａ）に示すように、分断することで複数の対向基板２０となる対向側マザー基板３６を、シール材５２を介してＴＦＴアレイ構造１０ｂ上に貼り合せ、マザー基板３５と複数の対向基板２０との間に液晶５０を充填する基板貼り合わせ工程を実施する（ステップＳ２４）。ここで、対向側マザー基板３６には、あらかじめ別工程において、液晶５０側表面上に、対向電極２１及び無機配向膜２２を形成しておく。また、マザー基板３５と対向側マザー基板３６との間に液晶５０を充填する方法は、液晶滴下方式が使用される。
【００７２】
次に、図９（ｂ）に示すように、マザー基板３５と対向側マザー基板３６とが貼り合わされた状態で、スクライブ工程及びブレイク工程により分断することで、複数の個片１００ｂを切り出す分断工程を実施する（ステップＳ２５）。ここで、個片１００ｂは、液晶装置１００の張出し部１１０となる領域が、対向基板２０側に露出するように分断されて切り出されるものであればよく、最終的に形成される液晶装置１００と一対一に対応するように分断される必要はない。すなわち、最終的に液晶装置１００となる構造が、図９（ａ）の紙面に対して直交する方向に複数個連接された状態で切り出される形態であってもよい。
【００７３】
次に、図９（ｃ）に示すように、各個片１００ｂの対向基板２０側表面に対してエッチングを行うことにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面全面に形成された無機配向膜１６ａのうちの、シール材５２が配置されたシール領域よりも外側の領域における無機配向膜１６ａのみを除去する配向膜除去工程を実施する（ステップＳ２６）。なお、使用するエッチング方法は、第１の実施形態と同様である。
【００７４】
以上により、本実施形態の液晶装置１００が完成する。なお、個片１００ｂが、複数の液晶装置１００が連接された形態のものであれば、さらにスクライブ工程及びブレイク工程を施し、分断する事は言うまでもない。  
本実施形態のように、複数の対向基板２０を、一枚の対向側マザー基板３６として形成し、マザー基板３５に張り合わせることにより、複数の対向基板２０をそれぞれ位置決めして張り合わせる必要がなくなり、貼り合わせ工程に必要な工数を削減することが可能となる。本実施形態のその他の効果は第１の実施形態と同様であるため省略する。
【００７５】
なお、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【００７６】
例えば、本実施形態のようにＴＦＴアレイ基板上に走査線駆動回路及びデータ線駆動回路をＴＦＴ３０と同時に形成せず、走査線駆動回路及びデータ線駆動回路を具備したドライバＩＣを、後付でＴＦＴアレイ基板上に実装する実装端子を形成する場合にも、該実装端子部において本発明を適用することが可能である。
【００７７】
また、上述の実施形態では、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを液晶装置として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）を用いたアクティブマトリクス駆動方式や、パッシブマトリクス駆動方式を採用した液晶装置にも本発明を適用可能である。また、本発明は透過型の液晶装置に限られるものではなく、反射型や半透過半反射型の液晶装置にも本発明を適用可能である。
【００７８】
また、上述の実施形態における液晶装置は、平面的に見てＴＦＴアレイ基板が、対向基板よりも大きく形成されているものであるが、本発明はこれに限定されるものではないことは言うまでもない。外部導通端子が形成された領域が、対向して配置される基板よりも張り出して形成されていればよく、例えば、ＴＦＴアレイ基板が、対向基板と同一形状もしくは小さく形成されている場合においても本発明は適用可能である。
【００７９】
また、対向基板側に、外部導通端子が形成されている場合には、対向基板の外部導通端子が形成されている領域が、ＴＦＴアレイ基板よりも張り出して形成されていれば、本発明を適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】ＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【図３】液晶装置の複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】マザー基板の構成を説明する平面図である。
【図５】図４におけるV−V断面について各工程を順を追って説明する断面図である。
【図６】図４におけるV−V断面について各工程を順を追って説明する断面図である。
【図７】液晶装置の製造工程を説明するフローチャートである。
【図８】第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法の工程を説明する断面図である。
【図９】第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法の工程を説明する断面図である。
【図１０】第２の実施形態に係る液晶装置の製造工程を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００８１】
１０  ＴＦＴアレイ基板（第１の基板）、  １６  無機配向膜、  ２０  対向基板（第２の基板）、  ３５  マザー基板、  ５０  液晶、  １００  液晶装置、  １０２  外部接続端子（導通端子部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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