(57)【要約】【課題】ロウバーを研磨加工した後にロウバーに施すスメア除去処理を的確に行うことにより、磁気ヘッドスライダーの特性のばらつきを防止し、製品の歩留まりを向上させる。【解決手段】磁気ヘッドが形成されたロウバー３０に磁気ヘッドのハイト方向の寸法出しをする研磨加工を施した後、ロウバー３０にスメア除去処理を施すスメア除去装置として、前記ロウバー３０にイオンビームを照射してエッチングするイオンビームの発生源５０と、ロウバー３０を支持するステージ４０と、ステージ４０に支持されたロウバー３０に磁界を印加する磁界印加機構６０と、前記ロウバー３０に形成された実素子のＭＲ素子にセンス電流を供給するとともに、前記磁界印加機構に通電して、ロウバーに磁界を印加した場合と印加しない場合での前記ＭＲ素子の抵抗値の変化量を検知し、前記センス電流と前記抵抗値の変化量から得られる前記ＭＲ素子のヘッド出力を検知するヘッド出力検知部８０とを備えていることを特徴とする。【選択図】図２
2008234706.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッドが形成されたロウバーに磁気ヘッドのハイト方向の寸法出しをする研磨加工を施した後、ロウバーにスメア除去処理を施し、次いで、ロウバーの表面に保護膜を成膜する磁気ヘッドスライダーの加工方法において、
前記スメア除去処理の際に、前記ロウバーに形成された実素子のＭＲ素子にセンス電流を供給しながら、ロウバーに磁界を印加した場合と印加しない場合での前記ＭＲ素子の抵抗値の変化量を検知し、前記センス電流と前記抵抗値の変化量から得られる前記ＭＲ素子のヘッド出力をモニターして前記スメア除去処理を制御することを特徴とする磁気ヘッドスライダーの加工方法。
【請求項２】
磁気ヘッドが形成されたロウバーに磁気ヘッドのハイト方向の寸法出しをする研磨加工を施した後、ロウバーにスメア除去処理を施し、次いで、ロウバーの表面に保護膜を成膜する処理を施す磁気ヘッドスライダーの加工装置において、
前記スメア除去処理をスメア除去装置として、
前記ロウバーにイオンビームを照射してエッチングするイオンビームの発生源と
ロウバーを支持するステージと、
ステージに支持されたロウバーに磁界を印加する磁界印加機構と、
前記ロウバーに形成された実素子のＭＲ素子にセンス電流を供給するとともに、前記磁界印加機構に通電して、ロウバーに磁界を印加した場合と印加しない場合での前記ＭＲ素子の抵抗値の変化量を検知し、前記センス電流と前記抵抗値の変化量から得られる前記ＭＲ素子のヘッド出力を検知するヘッド出力検知部と
を備えていることを特徴とする磁気ヘッドスライダーの加工装置。
【請求項３】
前記ロウバーがステージに固定して支持される一方、前記イオンビームの発生源を前記ステージに対して旋回移動させ、前記ロウバーを均一にスメア除去するイオンビームの移動機構が設けられていることを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドスライダーの加工装置。
【請求項４】
前記イオンビームの発生源が固定支持されイオンビームの照射方向が固定される一方、前記ロウバーを支持して周回転し、前記ロウバーを均一にスメア除去する回転ステージが設けられていることを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドスライダーの加工装置。
【請求項５】
前記磁界印加機構が装置に固定され、前記回転ステージが前記磁界印加機構に対して回転して前記ロウバーに周期的に磁界が作用することを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッドスライダーの加工装置。
【請求項６】
前記磁界印加機構が前記回転ステージに固定して設置され、前記ヘッド出力検知部により磁界の印加を制御することを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッドスライダーの加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ヘッドスライダーの加工方法および加工装置ならびに磁気ヘッドスライダーに関し、より詳細には、磁気ヘッドが形成されたウエハからバー状に切断されたロウバーを研磨加工した後、スメア除去工程を備える磁気ヘッドスライダーの加工方法および加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置に搭載される磁気ヘッドスライダーは、アルチック（AlTiC）からなるウエハ上に多数個の磁気ヘッドを整列させて形成した後、図９に示すような、加工工程を経て個片の磁気ヘッドスライダーとして提供される。
図９において、ウエハ切断工程とは、磁気ヘッドが縦横に整列して形成されたウエハを切断位置に合わせて、ウエハの裏面側をわずかに残すように細幅に溝加工する工程である。裏面研削加工は、溝加工が施されたウエハの裏面を研削加工する工程であり、この裏面研削加工によってウエハは単体のロウバーに分離される。
【０００３】
バー接着工程は、ロウバーを研削するための治具にロウバーを接着する工程である。ウエハから切断されたロウバーは、媒体に対向する面を研磨面側として１枚ずつ治具に接着して支持される。
ラフラッピング工程は、ロウバーの研磨面（媒体に対向する面）を粗くラッピングする工程である。磁気ヘッドスライダーの加工工程では、媒体に対向する面に対して素子を位置出し（寸法出し）する。ラフラッピング工程は、ロウバーを研磨する初期工程として粗く加工するものである。
【０００４】
次のELGラッピング工程は、ロウバーに形成されているMR素子の電気抵抗値をモニターしながら、MR素子が所定の抵抗値となるようにラッピングする工程である。これによって磁気ヘッドのハイト方向の位置出しがなされる。通常、ELGラッピングはロウバーに形成されたモニター用のMR素子の抵抗値をモニターしながら行われる。
クラウンラッピング工程は、ロウバーについて磁気ヘッドのハイト方向を寸法出しする仕上げラッピング工程であり、ELG加工よりもさらに細かい砥粒を使用して研磨加工される。
【０００５】
このクラウンラッピング工程の後、DLC成膜工程によって磁気ヘッドの媒体に対向する面に磁気ヘッドを保護する保護膜としてDLC（ダイヤモンド・ライク・カーボン）膜が成膜されるが、ロウバーに研磨加工を施した際に、研磨面に研磨くずが付着して磁気ヘッドのリードギャップ部分が電気的に短絡するという問題や、研磨により研磨面が変質してMR素子の特性がばらつくという問題がある。このため、クラウンラッピング工程の後に、ロウバーの研磨面に付着した不純物を除去して磁気ヘッドの電気的な短絡を解消したり、変質層の加工歪みを除去してMR素子の特性のばらつきを防止したりする目的でスメア除去処理がなされている。
スメアを除去する方法としては、イオンビームエッチング等のドライエッチングを施す方法（たとえば、特許文献１参照）や、研磨面をウエットエッチングする方法（たとえば、特許文献２参照）がなされている。
【０００６】
なお、磁気ヘッドスライダーの加工工程では、DLC成膜工程の後、浮上面加工工程によりスライダーの浮上面に浮上用レールを加工し、ρ−H測定によって各々の磁気ヘッドの磁気特性を検査し、ロウバーを幅方向に切断して個片のスライダーとする。個片に形成されたスライダーは治具から剥がされて洗浄され、最終的に良品が選別される。
【特許文献１】特開平１１−１７５９２７号公報
【特許文献２】特開２００３−６０２６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述したように、クラウンラッピング工程によってロウバーは磁気ヘッドのハイト方向の寸法出しが既になされているから、過度にロウバーをエッチングしたりすると、磁気ヘッドとして必要な特性が得られなくなる。上述したDLC成膜工程の前工程として行われるスメア除去処理は、実際には、イオンビームエッチング等によって、ロウバーの磁極部を数オングストローム程度除去する操作である。
【０００８】
図１０は、スメア除去工程における、エッチング時間に対するヘッド出力の相関関係を説明的に示したグラフである。図のように、所定のヘッド出力が得られるエッチング時間の範囲はかなり狭いため、エッチング時間を適正に制御しないと磁気ヘッドスライダーとして所定の特性が得られないといった問題や、磁気ヘッドスライダーの特性がばらつくという問題が生じる。
従来は、調査用のロウバーを用意して、エッチング時間を変えながら磁気ヘッドの特性がどのようになるかをあらかじめ調査しておき、実際のエッチング時間を制御している。しかしながら、同一の研磨加工装置を使用したとしても研磨の仕上がり状態は必ずしも一様ではないし、スラリー等の研磨条件がばらつくことによって研磨面の性状も個々にばらつくようになる。このため、エッチング時間を設定してスメア除去処理時間を制御したとしても、磁気ヘッドの特性にばらつきが生じることが避けられない。
【０００９】
本発明は、これらの課題を解決すべくなされたものであり、ロウバーを研磨加工した後に施されるスメア除去処理を的確に行うことを可能とし、これによってすぐれた特性を備えた磁気ヘッドスライダーをばらつきなく製造することができる磁気ヘッドスライダーの加工方法および加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、磁気ヘッドが形成されたロウバーに磁気ヘッドのハイト方向の寸法出しをする研磨加工を施した後、ロウバーにスメア除去処理を施し、次いで、ロウバーの表面に保護膜を成膜する磁気ヘッドスライダーの加工方法において、前記スメア除去処理の際に、前記ロウバーに形成された実素子のＭＲ素子にセンス電流を供給しながら、ロウバーに磁界を印加した場合と印加しない場合での前記ＭＲ素子の抵抗値の変化量を検知し、前記センス電流と前記抵抗値の変化量から得られる前記ＭＲ素子のヘッド出力をモニターして前記スメア除去処理を制御することを特徴とする。
【００１１】
また、磁気ヘッドが形成されたロウバーに磁気ヘッドのハイト方向の寸法出しをする研磨加工を施した後、ロウバーにスメア除去処理を施し、次いで、ロウバーの表面に保護膜を成膜する処理を施す磁気ヘッドスライダーの加工装置において、前記スメア除去処理をスメア除去装置として、前記ロウバーにイオンビームを照射してエッチングするイオンビームの発生源とロウバーを支持するステージと、ステージに支持されたロウバーに磁界を印加する磁界印加機構と、前記ロウバーに形成された実素子のＭＲ素子にセンス電流を供給するとともに、前記磁界印加機構に通電して、ロウバーに磁界を印加した場合と印加しない場合での前記ＭＲ素子の抵抗値の変化量を検知し、前記センス電流と前記抵抗値の変化量から得られる前記ＭＲ素子のヘッド出力を検知するヘッド出力検知部とを備えていることを特徴とする。
【００１２】
また、前記ロウバーがステージに固定して支持される一方、前記イオンビームの発生源を前記ステージに対して旋回移動させ、前記ロウバーを均一にスメア除去するイオンビームの移動機構が設けられていること、また、前記イオンビームの発生源が固定支持されイオンビームの照射方向が固定される一方、前記ロウバーを支持して周回転し、前記ロウバーを均一にスメア除去する回転ステージが設けられていることにより、均一にロウバーをスメア除去することができる。
また、前記磁界印加機構が装置に固定され、前記回転ステージが前記磁界印加機構に対して回転して前記ロウバーに周期的に磁界が作用すること、また、前記磁界印加機構が前記回転ステージに固定して設置され、前記ヘッド出力検知部により磁界の印加を制御することによって、MR素子のヘッド出力を的確に検知しながらロウバーのスメア除去処理を行うことができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る磁気ヘッドスライダーの加工方法および加工装置によれば、ロウバーに形成された実素子のMR素子についてヘッド出力を検知しながらスメア除去処理を制御することによって、磁気ヘッドの特性を劣化させたりすることなく、特性のばらつきを抑えて的確なスメア除去処理を施すことができる。また、これによってすぐれた特性の磁気ヘッドスライダーを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（加工装置の全体構成）
図１は、磁気ヘッドスライダーの製造工程において、ロウバーに研磨加工を施して磁気ヘッドのハイト方向を寸法出しした後、ロウバーのスメアを除去する処理を施し、DLC膜を成膜する加工に使用する加工装置の全体構成を示す。
本実施形態の加工装置は、ワーク（ロウバー）を搬出入させるロードロック室１０と、ワークを各チェンバー間で搬出入する操作室１２と、イオンビームエッチングによってスメア除去処理を行うスメア除去チェンバー１４と、スメア除去後のワークをクリーニングするためのエッチングチェンバー１６と、DLC膜を成膜する前工程で密着層を形成するためのスパッタチェンバー１８と、DLC膜を成膜する成膜チェンバー２０とを備える。
【００１５】
ロードロック室１０、スメア除去チェンバー１４、エッチングチェンバー１６、スパッタチェンバー１８および成膜チェンバー２０の各チェンバーは、操作室１２を周方向に取り囲む平面配置に設けられ、操作室１２と各チェンバーとはそれぞれ開閉ゲート２２を介して連通する。
ロードロック室１０は、操作室１２と各チェンバーを常時、真空状態を維持するように設けられたもので、ワークを操作室１２との間で搬出入する操作は、ロードロック室１０と操作室１２とを共通の真空状態とした状態で行い、ロードロック室１０と装置外との間でワークを搬出入する際は、操作室１２を外部から遮蔽した状態でロードロック室１０を大気に開放して行う。
【００１６】
本加工装置を用いてワーク（ロウバー）を処理する方法について、各チェンバーの構成とともに説明する。
ロードロック室１０から操作室１２に搬入されたワーク（ロウバー）は操作室１２に設けられている給排装置によって、まずスメア除去チェンバー１４に搬入される。スメア除去チェンバー１４内の上部には、ワーク（ロウバー）を支持するステージ１４０が配置され、ステージ１４０の下方にステージ１４０に対向してイオンビームの発生源１４２が配置されている。
スメア除去処理は、ステージ１４０にロウバーを移載し、スメア除去チェンバー１４を操作室１２から隔離した状態で、イオンビームの発生源１４２からロウバーにイオンビームを照射することによって行う。
【００１７】
スメア除去後、スメア除去チェンバー１４からロウバーを操作室１２に搬出し、エッチングチェンバー１６に搬入する。エッチングチェンバー１６内の上部にはロウバーが移載されるステージ１６０が配置され、ステージ１６０に対向して電極１６２が配置されている。電極１６２とステージ１６０との間に高周波を印加し、本実施形態では酸素ガスをチェンバー内に導入し、プラズマエッチングによってロウバーをエッチングする。このエッチング工程は、スメア除去工程でロウバーの表面に異物（ごみなど）が付着することがあるため、この異物を除去する目的で行われる。
【００１８】
ロウバーをエッチングした後、エッチングチェンバー１６からロウバーを取り出し、スパッタチェンバー１８にロウバーを搬入する。スパッタチェンバー１８内の上部にはステージ１８０が配置され、これに対向する下部側にターゲット１８２が配置されている。このスパッタリング工程は、ロウバーに成膜するDLC膜の密着性を向上させるために、たとえばSiC等の密着用の下地層を成膜する工程である。
【００１９】
ロウバーの表面に密着層を形成した後、ロウバーを成膜チェンバー２０に搬入し、ロウバーの表面に保護膜としてDLC膜を成膜する。２００がロウバーを支持するステージ、２０２がターゲットである。ロウバーの表面にDLC膜を成膜した後は、操作室１２からロードロック室１０を経由してロウバーを大気中に搬出することができる。
【００２０】
（スメア除去装置：第１の実施の形態）
本発明に係る加工装置において特徴的な構成は、ロウバーにスメア除去処理を施すスメア除去装置の構成にある。本発明に係るスメア除去装置の構成としては、ワーク（ロウバー）を固定し、イオンビームの発生源をワークに対して旋回させるように移動することにより、ロウバーにイオンビームを均等に照射してスメアを除去する方法と、イオンビームの発生源は固定しておき、ワーク（ロウバー）を回転移動させてロウバーが均等にスメア除去されるようにする方法がある。
【００２１】
図２、３は、ワークを固定し、イオンビームの発生源５０をワークに対して旋回させてスメア除去処理を行う装置の例である。
図２のスメア除去装置は、研磨面をイオンビームの発生源５０に対向させてロウバー３０をステージ４０に支持し、コイル６２とヨーク６４を備えた磁界印加機構６０によってロウバー３０に磁界を作用させる構成とした例である。この例では、ステージ４０とロウバー３０とをＮ極とＳ極により厚さ方向に挟む配置にヨーク６４を設置し、ロウバー３０に磁界を印加したときのヘッド出力をヘッド出力検知部８０によって検知する構成とされている。
【００２２】
図３のスメア除去装置は、ステージ４０に支持されたロウバー３０の研磨面にヨーク６５のＮ極とＳ極とを対向させるように磁界印加機構６１を配置し、漏れ磁界を利用して磁気ヘッドに磁界を作用させる構成としたものである。
図４に、スメア除去処理の対象であるロウバー３０の斜視図を示す。ロウバー３０は細幅のバー状に形成され、ロウバー３０の長手方向に、個片の磁気ヘッドスライダーとなる素子部３０ａが一列状に多数個連設されている。各々の素子部３０ａの側面には、リード用、ライト用の端子３０ｂが形成されている。図３で、Ａ面が研磨面であり、ステージ４０にはこの研磨面をイオンビームの発生源５０に対向させて配置される。
【００２３】
磁界印加機構６０、６１はロウバー３０で素子が形成されている部位（ロウバー３０の幅方向で一方の側面の近傍に素子が形成されている）に磁界が作用するように配置される。本実施形態では、コイルとヨークとを備えた磁界印加機構６０、６１を用いて素子（磁気ヘッド）に磁界を印加する構成としているが、磁界印加機構はこのような構成に限定されるものではない。たとえば、ステージ４０とロウバー３０とを挟む配置で、ステージ４０とロウバー３０とは離間した位置に一対のコイルを配置してロウバー３０に磁界を作用させることも可能である。
【００２４】
本実施形態のスメア除去装置では、ロウバー３０に形成された実素子である磁気ヘッドのMR素子にセンス電流を供給しながら磁界印加機構６０、６１によりロウバー３０に磁界を印加し、MR素子のヘッド出力をヘッド出力検知部８０によって検知しながらスメア除去処理を制御する。
このため、ステージ４０にロウバー３０をセットする際には、ロウバー３０に形成された実素子とヘッド出力検知部８０とを電気的に接続した状態でセットする。
【００２５】
図５に、ステージ４０にロウバー３０をセットする構成を拡大して示す。ロウバー３０は電気的絶縁体からなるセット治具４２の上面にセットし、セット治具４２に取り付けた中継基板４４を介してヘッド出力検知部８０と接続する。ロウバー３０と中継基板４４とはロウバー３０の側面に形成された端子３０ｂと中継基板４４に形成された接続パッド４４ａ、４４ｂとをワイヤボンディングによって接続する。接続パッド４４ａは実素子に形成されたセンス電流の供給端子に接続され、接続パッド４４ａはMR素子の出力端子に接続される。接続パッド４４ａ、４４ｂには、リード線を介してヘッド出力検知部８０に接続されたプローブ端子４６が押接され、ロウバー３０の実素子のセンス電流の供給端子とMR素子の出力端子がヘッド出力検知部８０と電気的に接続される。
【００２６】
本実施形態のスメア除去装置は、イオンビームエッチングによってスメア除去処理を施すから、スメア除去処理の際に、中継基板４４やプローブ端子４６、リード線、ボンディングワイヤがイオンビームによって損傷を受けないように、たとえばセラミックからなる保護板によってこれらの部位を遮蔽するのがよい。
なお、ロウバー３０と中継基板４４との電気的接続をワイヤボンディングによらず、ロウバー３０の端子にコンタクトプローブを当接させる方法によることも可能である。このように、ロウバー３０とヘッド出力検知部８０とを電気的に接続する方法が本実施形態の方法に限定されるものではない。
【００２７】
本実施形態のスメア除去処理では、ロウバー３０に形成された実素子にセンス電流を供給しながら、ロウバー３０に磁界を印加し、そのときのMR素子のヘッド出力を検知することによってスメア除去処理を制御することが特徴である。
ロウバー３０に形成された実素子の磁気特性は、ロウバー３０に形成されている実素子にセンス電流を供給した状態で磁界印加機構６０、６１によって磁界を印加したときと磁界を印加しないときとでMR素子の抵抗値の変化量を検出することによって検知される。すなわち、実素子にセンス電流（Is)を供給しながら、外部磁界を印加したときと磁界を印加しないときとのMR素子の抵抗値の変化量をΔRとすると、MR素子の出力（ヘッド出力）Vpは、Vp＝ΔR×Isとして得られる。
本実施形態では、ヘッド出力検知部８０によりこのMR素子のヘッド出力を検知しながら、スメア除去処理を施す。ヘッド出力検知部８０によりヘッド出力を監視しながら、ヘッド出力が減退しないようにエッチング時間等を制御してイオンビームエッチングを施せばよい。
【００２８】
本実施形態のように、ロウバー３０に形成された実素子について、そのヘッド出力を検知しながらスメア除去処理を施す方法であれば、前工程におけるロウバーの研磨状態の如何に関わらず、処理対象のロウバーごとに的確にスメア除去処理を施すことができる。その制御方法が実素子の磁気特性をモニターしながら制御する方法であるから、磁気ヘッドスライダーの特性を劣化させることなく、また特性のばらつきなく処理することができる。
前述したように、スメア除去処理は磁気ヘッドの磁極部分を僅かにエッチングする処理であるから、きわめて微妙な処理となっている。この点で、本実施形態のようにロウバーに形成された実素子についての磁気特性をモニターしながら処理する方法は、きわめて有効である。
【００２９】
（スメア除去装置：第２の実施の形態）
図６、７はスメア除去装置においてイオンビームの発生源５０を固定しイオンビームの照射方向を一定方向とする一方、スメア除去処理を施すロウバー３０を回転ステージ７０に支持して回転移動させることにより、ロウバー３０を均一にスメア除去するように構成した例である。
図６は、回転ステージ７０の上に取付治具４８を介してロウバー３０を支持した状態を示す。ロウバー３０に磁界を印加する磁界印加機構として回転ステージ７０を上下に挟む配置に一対のコイル７５ａ、７５ｂが配置されている。このコイル７５ａ、７５ｂは装置の基体に固定され、回転ステージ７０を支持する回転軸７２に取り付けられたスリップリング７４を介してヘッド出力検知部８０に電気的に接続される。ヘッド出力検知部８０はコイル７５ａ、７５ｂへの通電を制御してロウバー３０に印加させる磁界を制御する制御部を備える。
【００３０】
ロウバー３０を支持する取付治具４８も、前述したセット治具４２と同様に、ロウバー３０に形成された実素子にセンス電流を供給し、かつ実素子のMR素子のヘッド出力を検知するヘッド出力検知部８０と電気的に接続する構成を備えている。
図８は、取付治具４８にロウバー３０をセットした状態を拡大して示す。取付治具４８はセラミック基板等のイオンビームによって損傷されない素材によって形成され、取付治具４８の上面に、ロウバー３０に形成された端子３０ｂと電気的に接続される接続パッド４９ａ、４９ｂが形成され、接続パッド４９ａ、４９ｂは、取付治具４８を厚さ方向に貫通して設けられたビア４８ａ、４８ｂを介して取付治具４８の下面に形成されたパッドと電気的に接続される。
【００３１】
回転ステージ７０の取付治具４８がセットされるセット面には、取付治具４８をセットすることによって取付治具４８の下面に形成されたパッドが当接してパッドと電気的に接続される端子７１ａ、７１ｂが形成されている。
取付治具４８に形成された接続パッド４９ａは実素子のセンス電流の供給端子に接続され、接続パッド４９ｂは実素子のMR素子の出力端子に接続される。端子７１ａ、７１ｂは回転ステージ７０内に配置されたリード線を介してヘッド出力検知部８０に接続され、実素子とヘッド出力検知部８０とが電気的に接続される。
取付治具４８にロウバー３０をセットした状態で、ボンディングワイヤ等のイオンビームによって損傷を受ける部位については保護カバーによって遮蔽される。なお、ロウバー３０と取付治具４８との電気的接続は本実施形態の構成に限定されるものではない。
【００３２】
図６に示すスメア除去装置は、回転ステージ７０に取付治具４８を介してロウバー３０を支持し、回転ステージ７０を回転させながらイオンビームの発生源５０から回転ステージ７０に向けてイオンビームを照射することによってスメアを除去する。ヘッド出力検知部８０では、コイル７５ａ、７５ｂに通電して磁界を作用させながら、ロウバー３０に形成された実素子にセンス電流を供給し、ヘッド出力をモニターしながらスメア除去処理を行う。コイル７５ａ、７５ｂは装置の基体に固定されているから、回転ステージ７０が回転することによって、ロウバー３０には周期的に磁界が作用することになる。これによって、ロウバー３０に磁界が印加されたときと磁界が印加されないときのヘッド出力を検知することができ、ロウバー３０に形成された実素子の磁気特性を反映するヘッド出力をモニターしながらスメア除去処理を制御することが可能となる。
【００３３】
図７は、回転ステージ７０自体にコイル７６を埋設して、コイル７６に通電してロウバー３０に磁界を作用させ、回転ステージ７０にセットされたロウバー３０の磁気特性をモニターしながらロウバー３０のスメア除去処理を制御する装置例を示す。
コイル７６はスリップリング７５を介してヘッド出力検知部８０に接続され、ロウバー３０は取付治具４８を介してヘッド出力検知部８０に接続される。取付治具４８の構成は図８に示した取付治具４８の構成と同様である。
【００３４】
本実施形態のスメア除去装置においても、図６に示したスメア除去装置と同様に、回転ステージ７０を回転させながらイオンビームを回転ステージ７０に向けて照射してスメア除去処理を施す。回転ステージ７０を回転させながらイオンビームを照射することによって、ロウバー３０を均一にスメア除去することができる。なお、イオンビームの発生源５０自体をその軸線の回りに回転させることによって、さらに均一にスメア除去処理を行うことができる。
【００３５】
本実施形態のスメア除去装置では、回転ステージ７０自体にコイル７６が設置されているから、回転ステージ７０とともにロウバー３０が回転移動する際に、コイル７６もロウバー３０とともに移動し、ロウバー３０には常時磁界を作用させることができる構成となっている。実際には、ヘッド出力検知部８０により取付治具４８に支持されたロウバー３０の実素子にセンス電流を供給し、コイル７６への通電をON-OFFして、ロウバー３０に磁界を印加させたときと磁界を印加させないときでのMR素子の抵抗値の変化量からヘッド出力を検知する。
【００３６】
本実施形態のスメア除去装置においても、第１の実施の形態の場合と同様に、ロウバー３０に形成されている実素子について磁気特性をモニターしながらスメア除去処理を行うから、実素子の特性を劣化させないように確実にモニターしながらスメア除去処理を施すことができる。
なお、ロウバー３０に形成されている実素子のヘッド出力を検知する方法としては、ロウバー３０に形成されている実素子のすべてについてヘッド出力を検知するようにすることもできるし、ロウバー３０に形成されている特定の実素子についてヘッド出力を検知しながら制御することもできる。
ヘッド出力検知部８０は、ヘッド出力を常時表示してマニュアルによってスメア除去処理を制御するようにすることもできるし、ヘッド出力値にしたがってスメア除去処理を自動的に停止させるといったように制御することも可能である。いずれの場合も、ロウバー３０に形成された実素子について磁気特性を監視しながらスメア除去処理を制御することによって、きわめて的確にスメア除去処理を行うことができ、磁気ヘッドスライダーの特性のばらつきを効果的に抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】スメア除去処理とDLC成膜工程に用いられる加工装置の全体構成を示す説明図である。
【図２】スメア除去装置の第１の実施の形態の概略構成を示す説明図である。
【図３】スメア除去装置の第１の実施の形態の他の構成例を示す説明図である。
【図４】ロウバーの構成を示す斜視図である。
【図５】取付治具にロウバーをセットした状態を拡大して示す断面図である。
【図６】スメア除去装置の第２の実施の形態の概略構成を示す説明図である。
【図７】スメア除去装置の第２の実施の形態の他の構成例を示す説明図である。
【図８】取付治具にロウバーをセットした状態を拡大して示す断面図である。
【図９】磁気ヘッドスライダーの加工工程を示すフロー図である。
【図１０】スメア除去処理におけるエッチング時間とMR素子のヘッド出力の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３８】
１０  ロードロック室
１２  操作室
１４  スメア除去チェンバー
１６  エッチングチェンバー
１８  スパッタチェンバー
２０  成膜チェンバー
３０  ロウバー
３０ａ  素子部
３０ｂ  端子
４０  ステージ
４２  セット治具
４４  中継基板
４８  取付治具
４９ａ、４９ｂ  接続パッド
５０  イオンビームの発生源
６０、６１  磁界印加機構
７０  回転ステージ
７５ａ、７５ｂ  コイル
７１  コイル
８０  ヘッド出力検知部
【図４】
2008234706.tif 000003
【図９】
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【図１０】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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