(57)【要約】【課題】ドレインコンタクトプラグ内に発生するシーム状部の露出を防止することにより、消去フェイルを防止するとともに、素子の製造歩留まりを向上させることができる半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。【解決手段】層間絶縁膜３３が形成された基板３０を準備するステップと、層間絶縁膜３３上にハードマスクパターン３５を形成するステップと、ハードマスクパターン３５を用いて層間絶縁膜３３をエッチングすることにより、コンタクトホールを形成するステップと、コンタクトホールが埋め込まれるように、ハードマスクパターン３５上にプラグ形成用物質（ポリシリコン膜３９）を成膜するステップと、コンタクトホール内に形成されたシーム状部Ｂ’が露出しないように、少なくとも層間絶縁膜３３上のハードマスクパターン３５及びプラグ形成用物質（ポリシリコン膜３９）を同時に研磨するステップとを含む。【選択図】図３Ｂ
2008091909.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間絶縁膜が形成された基板を準備するステップと、
前記層間絶縁膜上にハードマスクパターンを形成するステップと、
前記ハードマスクパターンを用いて、前記層間絶縁膜のエッチングを行うことにより、コンタクトホールを形成するステップと、
前記コンタクトホールが埋め込まれるように、前記ハードマスクパターン上にプラグ形成用物質を成膜するステップと、
前記コンタクトホール内の前記プラグ形成用物質内に形成されたシーム状部が露出しないように、少なくとも前記層間絶縁膜上の前記ハードマスクパターン及び前記プラグ形成用物質を同時に研磨するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項２】
少なくとも前記層間絶縁膜上の前記ハードマスクパターン及び前記プラグ形成用物質を同時に研磨するステップにおける研磨法が化学的機械的研磨法であり、
前記化学的機械的研磨法で用いられる研磨用スラリーの研磨選択比が、
層間絶縁膜：ハードマスクパターン：プラグ形成用物質＝１：０．５〜１：１〜５であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項３】
前記層間絶縁膜を、酸化物系の物質で形成することを特徴とする請求項２に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項４】
前記ハードマスクパターンを、窒化物系の物質で形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項５】
前記プラグ形成用物質が、ポリシリコンであることを特徴とする請求項４に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項６】
前記研磨用スラリーが、研磨剤としてコロイダルシリカ、酸化剤として過酸化水素、錯化剤としてアンモニアとエチルアミンとの混合物を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項７】
前記研磨用スラリーに含まれる腐食抑制剤が、脂肪酸アルカノールアミド、リン酸エステル、アミノトリメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、エトキシレートアミン、ウンデカン酸（４１％）とドデカン酸（３６％）とセバシン酸（１０％）とアミン（１０％）との混合物、オレイルヒドロキシエチルイミダゾリン、ステアリルイミダゾリン、オクチルフェノールエトキシレート、アミンエトキシレート、アルコールエトキシレート、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルポリエチルアミン、ビフェニルヒドロキシエチルイミダゾリン、ココイルヒドロキシエチルイミダゾリン、イソステアリルヒドロキシエチルイミダゾリン、ラウリルヒドロキシエチルイミダゾリン、オレイルイミダゾリン、ステアリンイミダゾリン及び脂肪酸イミダゾリンからなる一群から選択されたいずれか１つの物質であることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項８】
前記研磨用スラリーが、前記コロイダルシリカを１ｗｔ％〜１０ｗｔ％、前記過酸化水素を１ｗｔ％〜５ｗｔ％、前記アンモニアとエチルアミンとの混合物を０．１ｗｔ％〜１ｗｔ％、前記リン酸エステルを０．１ｗｔ％〜３ｗｔ％含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項９】
前記プラグ形成用物質の成膜の際、前記シーム状部の発生位置が、前記層間絶縁膜の上面から１０００Å以上の深さとなるように成膜条件を調節することを特徴とする請求項１〜８のいずれかの項に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項１０】
前記コンタクトホールを形成するステップの前に、
チャンバを乾燥させるステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかの項に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項１１】
ソースコンタクトプラグを含む第１層間絶縁膜が形成された基板を準備するステップと、
前記第１層間絶縁膜上に、第２層間絶縁膜を形成するステップと、
前記第２層間絶縁膜上にハードマスクパターンを形成するステップと、
前記ハードマスクパターンを用いて、前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜のエッチングを行うことにより、前記基板を露出させたドレインコンタクトホールを形成するステップと、
前記ドレインコンタクトホールが埋め込まれるように、前記ハードマスクパターン上にプラグ形成用物質を成膜するステップと、
前記ドレインコンタクトホール内の前記プラグ形成用物質内に形成されたシーム状部が露出しないように、少なくとも前記第２層間絶縁膜上の前記ハードマスクパターン及び前記プラグ形成用物質を同時に研磨するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項１２】
少なくとも前記第２層間絶縁膜上の前記ハードマスクパターン及び前記プラグ形成用物質を同時に研磨するステップにおける研磨法が化学的機械的研磨法であり、
前記化学的機械的研磨法で用いられる研磨用スラリーの研磨選択比が、
第２層間絶縁膜：ハードマスクパターン：プラグ形成用物質＝１：０．５〜１：１〜５であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項１３】
前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜を、酸化物系の物質で形成することを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項１４】
前記ハードマスクパターンを、窒化物系の物質で形成することを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項１５】
前記プラグ形成用物質が、ポリシリコンである請求項１４に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項１６】
前記研磨用スラリーが、研磨剤としてコロイダルシリカ、酸化剤として過酸化水素、錯化剤としてアンモニアとエチルアミンとの混合物を含むことを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項１７】
前記研磨用スラリーに含まれる腐食抑制剤が、脂肪酸アルカノールアミド、リン酸エステル、アミノトリメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、エトキシレートアミン、ウンデカン酸（４１％）とドデカン酸（３６％）とセバシン酸（１０％）とアミン（１０％）との混合物、オレイルヒドロキシエチルイミダゾリン、ステアリルイミダゾリン、オクチルフェノールエトキシレート、アミンエトキシレート、アルコールエトキシレート、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルポリエチルアミン、ビフェニルヒドロキシエチルイミダゾリン、ココイルヒドロキシエチルイミダゾリン、イソステアリルヒドロキシエチルイミダゾリン、ラウリルヒドロキシエチルイミダゾリン、オレイルイミダゾリン、ステアリンイミダゾリン及び脂肪酸イミダゾリンから構成される一群から選択されたいずれか１つの物質であることを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項１８】
前記研磨用スラリーが、前記コロイダルシリカを１ｗｔ％〜１０ｗｔ％、前記過酸化水素を１ｗｔ％〜５ｗｔ％、前記アンモニアとエチルアミンとの混合物を０．１ｗｔ％〜１ｗｔ％、前記リン酸エステルを０．１ｗｔ％〜３ｗｔ％含むことを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項１９】
前記プラグ形成用物質の成膜の際は、前記シーム状部の発生位置が、前記第２層間絶縁膜の上面から、１０００Å以上の深さとなるように成膜条件を調節することを特徴とする請求項１１〜１８のいずれかの項に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項２０】
前記ドレインコンタクトホールを形成するステップの前に、
チャンバを乾燥させるステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１１〜１８のいずれかの項に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造技術に関し、特に、７０ｎｍ級以下のドレインコンタクトプラグを含むＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子のドレインコンタクトプラグの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気的にプログラミング及び消去が可能で、一定の周期でデータを再作成するリフレッシュ機能を必要としないフラッシュメモリ素子の需要が増えつつある。また、データを多く格納できる大容量のメモリ素子を開発するために、メモリ素子の高集積化技術に関する研究が活発に行われている。ここで、プログラミングとは、データをメモリセルに書き込む動作を意味し、消去とは、メモリセルに書き込まれたデータを消去する動作を意味する。
【０００３】
メモリ素子の高集積化を図るために、複数のメモリセルを直列に接続（すなわち、隣接するセルが互いにドレイン又はソースを共有する構造）して、１つのストリングを構成するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子が開発された。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子は、ＮＯＲ型フラッシュメモリ素子とは異なり、順次情報を読み出すメモリ素子である。このようなＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子のプログラミング及び消去は、Ｆ−Ｎトンネリング法を用いて、フローティングゲートへの電子の注入(implanting)又はフローティングゲートからの電子の放出(emitting)を行うことにより、メモリセルのしきい値電圧Ｖｔを制御することによって実行される。
【０００４】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子では、金属配線を介して外部から印加される駆動電圧（バイアス電圧）が、下部の半導体層、例えば、接合領域のソース領域及びドレイン領域に伝達される。そのために、金属配線とソース領域及びドレイン領域とを電気的に接続するためのコンタクトプラグが必要である。
【０００５】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子で必要なコンタクトプラグとしては、大きく分けて、ソースコンタクトプラグとドレインコンタクトプラグとがある。ソースコンタクトプラグは、アクティブ領域に形成されたソース領域と上部の金属配線（ソースライン）とを接続し、ドレインコンタクトプラグは、ドレイン領域と上部の金属配線（ビットライン）とを接続する。
【０００６】
現在、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子では、高集積化及び微細パターン化を実現するため、７０ｎｍ級のコンタクトプラグの場合は、ＳＡ−ＳＴＩ(Self Aligned Shallow Trench Isolation)プロセスによりゲート電極を形成している。
【０００７】
ＳＡ−ＳＴＩプロセスを適用してゲート構造を形成する場合には、ゲート間の層間絶縁膜内に形成されたコンタクトホール内を埋め込むように、ドレインコンタクトプラグ形成用のポリシリコン膜を成膜する処理が行われる。その際、ポリシリコン膜内にボタン穴状又はシーム状の欠陥が発生する現象がある。以下、図面を参照して、このようなボタン穴状部又はシーム状部の発生原因を説明する。図１Ａ〜図１Ｄは、従来のドレインコンタクトプラグの形成方法を説明するための断面図である。
【０００８】
図１Ａは、基板上にパターニングされた層間絶縁膜及びハードマスクパターンを形成した段階における素子の構造を示す断面図である。ソースコンタクトプラグが形成された基板１０上に、図１Ａに示すように、層間絶縁膜を厚く成膜し、その上に窒化物系の物質からなるハードマスクパターン１５を形成する。その後、基板１０が露出するように、ハードマスクパターン１５をマスクとして層間絶縁膜をエッチングすることにより、パターニングされた層間絶縁膜１３を形成する。この処理により、ドレインコンタクトホール１７が形成される。
【０００９】
上記のプロセスの場合、ドレインコンタクトホール１７を形成するためのエッチングの際、エッチングされる層間絶縁膜が厚く、エッチング深さが非常に深い。そのため、パターニングされた層間絶縁膜１３では、ドレインコンタクトホール１７の内壁の一部が、層間絶縁膜１３側に湾曲する現象（ボーイング、部位「Ａ」を参照）が発生する。このため、湾曲が発生した部位Ａにおけるドレインコンタクトホール１７の臨界寸法ＣＤが、「ＣＤ１」で示されるように大きくなる。
【００１０】
図１Ｂは、ハードマスクパターンを除去した段階における素子の構造を示す断面図である。図１Ｂに示すように、エッチングによりハードマスクパターン１５を除去する。このハードマスクパターン１５を除去する際に、湾曲がさらに大きくなる。この段階におけるドレインコンタクトホール１７の臨界寸法は、「ＣＤ１」より大きく「ＣＤ２」で示されたような大きさとなる。この段階でハードマスクパターン１５を除去する理由は、現状では、ハードマスクパターン１５、パターニングされた層間絶縁膜１３、及び後に形成されるドレインコンタクトプラグ形成用のポリシリコン膜１９（図１Ｃ）を同時に研磨することができる、化学的機械的研磨用のスラリーがないからである。
【００１１】
図１Ｃは、ポリシリコン膜を形成した段階における素子の構造を示す断面図である。図１Ｃに示すように、ドレインコンタクトホール１７が埋め込まれるように、パターニングされた層間絶縁膜１３上に、ドレインコンタクトプラグ形成用のポリシリコン膜１９を成膜する。この際、ドレインコンタクトホール１７が完全に埋め込まれず、ボタン穴状部又はシーム状部（部位「Ｂ」）が発生する。これは、ポリシリコン膜１９のステップカバレッジ性に伴い、ドレインコンタクトホール１７の内面形状に沿って、各部がほぼ同じ厚さに成膜されるからである。このボタン穴状部又はシーム状部は、パターニングされた層間絶縁膜１３上面から一定の深さＤ１より深い領域に発生する。
【００１２】
図１Ｄは、化学的機械的研磨を行った段階における素子の構造を示す断面図である。図１Ｄに示すように、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を行い、ポリシリコン膜１９を研磨することによって、ドレインコンタクトプラグ１９Ａを形成する。このポリシリコン膜１９を研磨する際、パターニングされた層間絶縁膜１３の一部が共に除去され、ボタン穴状部又はシーム状部の上部（部位「Ｃ」）が外部に露出するという問題が発生する。これは、現在研磨に用いられているスラリーの研磨選択比が、ポリシリコン膜１９：ハードマスクパターン１５：パターニングされた層間絶縁膜１３＝１〜２：０．３〜０．４：１であり、ポリシリコン膜１９とパターニングされた層間絶縁膜１３との間の研磨速度比に大きな差がないからである。なお、符号１３Ａは、研磨後の層間絶縁膜を表している。
【００１３】
図２は、従来のドレインコンタクトプラグ形成方法により、ドレインコンタクトプラグ１９Ａ内にシーム状部Ｂが発生した例を示すＴＥＭ写真である。図２に示すように、ドレインコンタクトプラグ１９Ａ内に、上部が露出したシーム状部（部位「Ｂ」）が発生しており、後に行われるドレインコンタクトプラグ１９Ａ上への金属配線Ｍが、健全に形成されていないことが分かる。
【００１４】
このように、シーム状部Ｂの上部が露出すると、ドレインコンタクトプラグ１９Ａに信号を伝達するための金属配線Ｍを形成する際、様々な問題を引き起こし、素子の特性を低化させる。例えば、金属配線Ｍを形成する前に行う洗浄の際、洗浄液の乾燥不十分、ドレインコンタクトプラグ１９Ａの損傷、バリア金属膜の形成異常、及び不必要な酸化物の生成を引き起こし、素子の消去フェイルを増加させる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであって、その目的は、ドレインコンタクトプラグ内に発生するボタン穴状部又はシーム状部（以下、両者を合わせて「シーム状部」と記す）が研磨の際に露出することを防止することにより、消去フェイルを防止するとともに、素子の製造歩留まりを向上させることができる半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するための本発明に係る半導体素子のコンタクトプラグの形成方法は、層間絶縁膜が形成された基板を準備するステップと、前記層間絶縁膜上にハードマスクパターンを形成するステップと、前記ハードマスクパターンを用いて、前記層間絶縁膜のエッチングを行うことにより、コンタクトホールを形成するステップと、前記コンタクトホールが埋め込まれるように、前記ハードマスクパターン上にプラグ形成用物質を成膜するステップと、前記コンタクトホール内の前記プラグ形成用物質内に形成されたシーム状部が露出しないように、少なくとも前記層間絶縁膜上の前記ハードマスクパターン及び前記プラグ形成用物質を同時に研磨するステップとを含むことを特徴とする。
【００１７】
また、上記の目的を達成するための別の本発明に係る半導体素子のコンタクトプラグ形成方法は、ソースコンタクトプラグを含む第１層間絶縁膜が形成された基板を準備するステップと、前記第１層間絶縁膜上に、第２層間絶縁膜を形成するステップと、前記第２層間絶縁膜上にハードマスクパターンを形成するステップと、前記ハードマスクパターンを用いて、前記第１層間絶縁膜及び第２層間絶縁膜のエッチングを行うことにより、前記基板を露出させたドレインコンタクトホールを形成するステップと、前記ドレインコンタクトホールが埋め込まれるように、前記ハードマスクパターン上にプラグ形成用物質を成膜するステップと、前記ドレインコンタクトホール内に形成されたシーム状部が露出しないように、少なくとも前記第２層間絶縁膜上の前記ハードマスクパターン及び前記プラグ形成用物質を同時に研磨するステップとを含むことを特徴とする 提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る半導体素子のコンタクトプラグ形成方法によれば、ドレインコンタクトプラグを形成するためのポリシリコン膜の成膜後に実施される研磨の際、研磨選択比が層間絶縁膜：ハードマスクパターン：ポリシリコン膜＝１：０．５〜１：１〜５である所定の研磨選択比を有するスラリーを用いるので、層間絶縁膜、ハードマスクパターン及びポリシリコン膜を同時に研磨することができる。そのため、従来の技術では、ドレインコンタクトホール形成後に行われるハードマスクパターンを除去するためのエッチングを省略することができる。したがって、ハードマスクパターンのみを別に除去する際に生じるような、コンタクトホールの臨界寸法の増加がない。また、後に形成されるプラグ形成用物質の成膜の際、プラグ形成用物質内に形成されるシーム状部が大きくなることを防止することができる。さらに、処理工程数が減るので、製造コストを低減することができる。
【００１９】
また、ドレインコンタクトホールの形成後、ハードマスクパターンを除去することなく、少なくとも層間絶縁膜上のハードマスクパターン及びポリシリコン膜を同時に除去することによりドレインコンタクトプラグを形成するので、シーム状部の上部が外部に露出することを防止することができる。そのために、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子の消去フェイルが防止され、素子の製造歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付された図面を参照し、本発明の望ましい実施の形態に係る半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を詳細に説明する。なお、図面において、層及び領域の厚さは、分かりやすく説明するために誇張して示されている。また、層が他の層上又は基板上に形成されていると記載されている場合、それは、他の層上又は基板上に直接形成されるか、又はその間に第３の層が介在することを意味する。また、明細書全体にわたり、同じ符号で表示された箇所は、同じ構成要素を示している。
【００２１】
図３Ａ〜図３Ｃは、本発明の実施の形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子のドレインコンタクトプラグ形成方法を説明するための断面図である。ここでは、説明の便宜上、ソースコンタクトプラグを形成するまでの過程の図面は省略する。
【００２２】
図３Ａは、基板上に層間絶縁膜及びハードマスクパターンを形成した段階における素子の構造を示す断面図である。図３Ａに示すように、ソースコンタクトプラグ（図示せず）が形成された基板３０を準備する。ここで、図示しなかったソースコンタクトプラグを形成するまでの工程は次のとおりである。
【００２３】
まず、ワードラインとして機能するゲート電極及びソース領域及びドレイン領域が形成された基板３０の上に、窒化膜及び第１層間絶縁膜を成膜する。ここで、ゲート電極は、ＳＡ−ＳＴＩプロセス又はＡＳＡ−ＳＴＩプロセスにより形成することができる。その他、図示されていないが、トンネル酸化膜、フローティングゲート、誘電体膜、コントロールゲート及び導電層を含み、その両側壁には、スペーサを備えている。また、導電層上には、窒化物系のハードマスクをさらに形成することができる。
【００２４】
続いて、フォトリソグラフィ法により、第１層間絶縁膜上にソースコンタクトホール用マスクを形成した後、このマスクを用いて、第１層間絶縁膜をエッチングする。その後、ソースコンタクトホール用マスクを除去する。
【００２５】
続いて、洗浄を行い、パターニングされた第１層間絶縁膜を介して露出した窒化膜を除去することにより、基板３０内に形成されたソース領域を露出させたソースコンタクトホールを形成する。その後、ソースコンタクトホールが埋め込まれるように金属物質としてタングステン（Ｗ）を成膜する。ここで、金属物質は、タングステンに限定されるものではなく、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの導電性を有する物質を使用することができる。
【００２６】
続いて、化学的機械的研磨により、タングステン（Ｗ）膜を平坦化する。これらの処理により、ソースコンタクトホールに埋め込まれたソースコンタクトプラグが形成される。
【００２７】
図３Ａに戻り、ソースコンタクトプラグ（図示せず）を含む第１層間絶縁膜（図示せず）上に、第２層間絶縁膜を成膜する。このとき、第２層間絶縁膜は、第１層間絶縁膜と同じＨＤＰ酸化膜である。しかし、第２層間絶縁膜は、ＨＤＰ酸化膜に限定されるものではなく、その他の酸化物系の膜を使用することができる。第２層間絶縁膜は、２０００Å〜５０００Åの範囲の厚さに形成することが好ましい。
【００２８】
その後、第２層間絶縁膜上にハードマスクパターン３５を形成する。このハードマスクパターン３５は、窒化物系の物質で形成する。例えば、シリコン窒化膜をプラズマ励起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法で成膜した後、エッチングを行うことによって形成する。シリコン窒化膜の好ましい成膜条件は次のとおりである。原料ガスはＳｉＨ４、ＮＨ３及びＮ２ガスの混合ガス、成膜温度は約５５０℃、雰囲気圧は５Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ（６７０Ｐａ〜１３００Ｐａ）の範囲であり、混合ガスに４３０ＷのＲＦパワーを印加する。また、ＳｉＨ４の流量は２０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍ、ＮＨ３の流量は１０ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍ、Ｎ２の流量は４０００ｓｃｃｍ〜５０００ｓｃｃｍの範囲とする。
【００２９】
また、シリコン窒化膜の好ましいエッチング条件は次のとおりである。すなわち、シリコン窒化膜のエッチング速度を考慮し、雰囲気圧力は３０ｍＴｏｒｒ〜５０ｍＴｏｒｒ（４Ｐａ〜６．７Ｐａ）、ＲＦパワーは５００Ｗ〜２０００Ｗ、バイアスパワーは１００Ｗ〜１０００Ｗ、成膜温度は４０℃〜６０℃の範囲である。また、エッチングガスとしては、ＣＨＦ３、Ｏ２及びＡｒガスの混合ガスを用い、それぞれの流量は、３０ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍ〜３０ｓｃｃｍ、５００ｓｃｃｍ〜８００ｓｃｃｍの範囲とすることが好ましい。
【００３０】
続いて、ハードマスクパターン３５を用いて、露出した第２層間絶縁膜及びパターニングされた第１層間絶縁膜（図示せず）をエッチングすることにより、基板３０のドレイン領域を露出させる。これらの処理により、パターニングされた第２層間絶縁膜３３及び第１層間絶縁膜を介して、深さが深いドレインコンタクトホール３７が形成される。このドレインコンタクトホール３７を形成する際、エッチング対象の膜、すなわち、第２層間絶縁膜及びパターニングされた第１層間絶縁膜が厚く、形成されるドレインコンタクトホール３７の深さが非常に深いため、パターニングされた第２層間絶縁膜３３内のドレインコンタクトホール３７の一部に、内壁面が湾曲する現象（部位「Ａ」）が発生する。この湾曲が発生した部位におけるドレインコンタクトホール３７の臨界寸法（ＣＤ）は「ＣＤ１」であり、図１Ａに示した臨界寸法「ＣＤ１」とほぼ同じである。
【００３１】
ここで、第２層間絶縁膜及びパターニングされた第１層間絶縁膜の好ましいエッチング条件は次のとおりである。ＨＤＰ酸化膜のエッチング速度を考慮して、雰囲気圧力は３０ｍＴｏｒｒ〜５０ｍＴｏｒｒ（４Ｐａ〜６．７Ｐａ）、ＲＦパワーは１０００〜２０００Ｗ、バイアスパワーは１５００Ｗ〜２０００Ｗ及び成膜温度は４０℃〜６０℃の範囲である。また、エッチングガスとしては、Ｃ４Ｆ６、Ｏ２、ＣＦ４及びＡｒガスの混合ガスを用い、これらの流量は、それぞれ３０ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍ〜３０ｓｃｃｍ、５００ｓｃｃｍ〜８００ｓｃｃｍの範囲とすることが好ましい。
【００３２】
上記ドレインコンタクトホール３７を形成するためのエッチングに先だって、チャンバ内の雰囲気を安定化させるため、チャンバを乾燥(seasoning)させる処理を追加してもよい。この処理の際には、２０枚程度のウェーハを同時に乾燥することが好ましい。
【００３３】
図３Ｂは、ポリシリコン膜を形成した段階における素子の構造を示す断面図である。図３Ｂに示すように、ドレインコンタクトホール３７が埋め込まれるように、ハードマスクパターン３５上にドレインコンタクトプラグ形成用のポリシリコン（プラグ形成用物質）膜３９を成膜する。このポリシリコン膜３９の成膜後、ドレインコンタクトホール３７は完全に埋め込まれず、シーム状部（部位「Ｂ’」）が発生する。これは、ポリシリコン膜３９のステップカバレッジ性に起因するものであり、ドレインコンタクトホール３７の内面形状に沿って、ポリシリコン膜３９が成膜されるからである。このシーム状部Ｂ’は、パターニングされた第２層間絶縁膜３３の上面から一定の深さＤ２より深い領域に発生する。なお、「Ｄ２」は、１０００Å以上であることが好ましい。
【００３４】
本発明の実施の形態に係るコンタクトプラグの形成方法の場合は、従来の技術の場合（図１Ｃの「Ｄ１」）に比べ、シーム状部がより深い位置（Ｄ２＞Ｄ１）形成され、その大きさも小さい。これは、ドレインコンタクトホール３７の臨界寸法が図３Ａに示した「ＣＤ１」で、図１Ａに示した「ＣＤ１」に相当する大きさであり、ポリシリコン膜を成膜する前のドレインコンタクトホールの内径が、図１Ｂに示した従来の技術の場合の「ＣＤ２」に比べて小さいからである。
【００３５】
図３Ｃは、化学的機械的研磨を行った段階における素子の構造を示す断面図である。図３Ｃに示すように、化学的機械的研磨を行い、少なくともポリシリコン膜３９及びハードマスクパターン３５を除去する。この処理によって、ドレインコンタクトプラグ３９Ａが形成される。なお、化学的機械的研磨の際、第２層間絶縁膜３３の上部が一部除去されるようにしてもよい。ただし、部位「Ｅ」として示したように、シーム状部Ｂ’の上部が露出しないように研磨する。その結果、従来の技術の場合のように、シーム状部Ｂ’の上部が露出することに起因する、後続の金属配線を形成する際に生じる問題を解決することができる。例えば、消去フェイルが防止され、素子の特性が改善される。
【００３６】
特に、前述の化学的機械的研磨の際には、シーム状部Ｂ’の上部が露出しないようにするため、所定の研磨選択比を有するスラリーを用いることが好ましい。スラリーの研磨選択比は、例えば、パターニングされた第２層間絶縁膜３３：ハードマスクパターン３５：ポリシリコン膜３９が、１：０．５〜１：１〜５であることが好ましい。このような条件を満たすスラリーの組成は、次のとおりである。例えば、スラリーは、研磨剤、酸化剤、錯化剤、腐食防止剤及び溶剤で構成する。そのうち、研磨剤にはコロイダルシリカを用い、その含有量は１ｗｔ％〜１０ｗｔ％の範囲とする。また、酸化剤には過酸化水素を用い、その含有量は１ｗｔ％〜５ｗｔ％、錯化剤には、アンモニアとエチルアミンとの混合物を用い、その含有量は０．１ｗｔ％〜１ｗｔ％の範囲とする。また、腐食抑制剤の含有量は、０．１ｗｔ％〜３ｗｔ％の範囲とする。
【００３７】
この腐食抑制剤としては、脂肪酸アルカノールアミド、リン酸エステル、アミノトリメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、エトキシレートアミン、ウンデカン酸（４１％）とドデカン酸（３６％）とセバシン酸（１０％）とアミン（１０％）との混合物、オレイルヒドロキシエチルイミダゾリン、ステアリルイミダゾリン、オクチルフェノールエトキシレート、アミンエトキシレート、アルコールエトキシレート、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルポリエチルアミン、ビフェニルヒドロキシエチルイミダゾリン、ココイルヒドロキシエチルイミダゾリン、イソステアリルヒドロキシエチルイミダゾリン、ラウリルヒドロキシエチルイミダゾリン、オレイルイミダゾリン、ステアリンイミダゾリン及び脂肪酸イミダゾリンからなる一群のうち選択されたいずれか１つの物質を用いる。
【００３８】
特に、上記の化学的機械的研磨は、研磨速度及び研磨均一性を考慮して、次の条件で行うことが好ましい。例えば、チャンバ内圧力、リテーナリング圧力、メインエアバッグコンディション圧力及びセンターエアバッグ圧力は、すべて１００ｈＰａ〜３００ｈＰａ、トップリング速度は３０ｒｐｍ〜１００ｒｐｍ、回転テーブル速度）は３０ｒｐｍ〜２００ｒｐｍ、スラリー流量は１００ｍｌ／ｍｉｎ〜３００ｍｌ／ｍｉｎの範囲にする。また、ドレッサー圧縮力は５０Ｎ〜１００Ｎ、ドレッサー時間は５秒〜６０秒、ドレッサー速度は１０ｒｐｍ〜１００ｒｐｍの範囲とする。
【００３９】
図４は、上記のようなスラリーの条件及び処理条件で、化学的機械的研磨を行った場合のＨＤＰ酸化膜、シリコン窒化膜及びポリシリコン膜の研磨速度の測定結果を示すグラフである。図４に示すように、本発明の実施の形態に係る方法において上記スラリーを用いた場合、ＨＤＰ酸化膜の研磨速度は約８００Å／ｍｉｎ、シリコン窒化膜の研磨速度は約７００Å／ｍｉｎ、ポリシリコン膜の研磨速度は、約１２００Å／ｍｉｎであった。結局、本発明の実施の形態に係る方法において、上記スラリーを用いた場合は、ＨＤＰ酸化膜：シリコン窒化膜：ポリシリコン膜の研磨速度比が、約１：約０．９：約１．５であり、ポリシリコン膜に対して、ＨＤＰ酸化膜及びシリコン窒化膜の研磨選択比が低いことが分かった。これは、本発明に係るコンタクトプラグの形成方法で目標とする所定の研磨選択比を有するスラリーの条件を満足する。すなわち、研磨選択比が、パターニングされた第２層間絶縁膜３３：ハードマスクパターン３５：ポリシリコン膜３９＝１：０．５〜１：１〜５の範囲内に含まれる。
【００４０】
したがって、パターニングされた第２層間絶縁膜３３、ハードマスクパターン３５及びポリシリコン膜３９を同時に研磨することができ、従来の技術の場合には必要であったハードマスクパターン３５を除去するための別のエッチング処理を省略することができる。このため、ハードマスクパターンを除去する際に、ボーイングが発生し、ドレインコンタクトホールの臨界寸法が増加するために、後に成膜されるポリシリコン膜内に、シーム状部が生成するという従来の技術における問題点を解消することができるとともに、工程数を減らすことができるので、製造コストを節減することができる。
【００４１】
また、ドレインコンタクトホール３７の形成後、ハードマスクパターン３５を除去することなく、ポリシリコン膜３９を成膜した後、ハードマスクパターン３５、パターニングされた第２層間絶縁膜３３及びポリシリコン膜３９を同時に研磨してドレインコンタクトプラグ３９Ａを形成することによって、シーム状部Ｂ’の上部が外部に露出することを防止できる。したがって、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子の消去フェイルが防止され、素子の製造歩留まりを向上させることができる。
【００４２】
図５は、本発明の実施の形態に係るコンタクトプラグ形成方法によって形成されたドレインコンタクトプラグの断面を示すＴＥＭ写真である。図５に示すように、ドレインコンタクトプラグ３９Ａ内に発生したシーム状部Ｂ’が露出することなく、ドレインコンタクトプラグ３９Ａのほぼ中央部に位置しており、ドレインコンタクトプラグ３９Ａ上の金属配線Ｍが正常に形成されていることがわかる。
【００４３】
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１Ａ】従来のドレインコンタクトプラグ形成方法を説明するための図であり、基板上に層間絶縁膜及びハードマスクパターンを形成した段階における素子の構造を示す断面図である。
【図１Ｂ】従来のドレインコンタクトプラグ形成方法を説明するための図であり、ハードマスクパターンを除去した段階における素子の構造を示す断面図である。
【図１Ｃ】従来のドレインコンタクトプラグ形成方法を説明するための図であり、ポリシリコン膜を形成した段階における素子の構造を示す断面図である。
【図１Ｄ】従来のドレインコンタクトプラグ形成方法を説明するための図であり、化学的機械的研磨を行った段階における素子の構造を示す断面図である。
【図２】従来のドレインコンタクトプラグ形成方法により、ドレインコンタクトプラグ内にシーム状部が発生した例を示すＴＥＭ写真である。
【図３Ａ】本発明の実施の形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子のドレインコンタクトプラグ形成方法を説明するための図であり、基板上に層間絶縁膜及びハードマスクパターンを形成した段階における素子の構造を示す断面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施の形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子のドレインコンタクトプラグ形成方法を説明するための図であり、ポリシリコン膜を形成した段階における素子の構造を示す断面図である。
【図３Ｃ】本発明の実施の形態に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子のドレインコンタクトプラグ形成方法を説明するための図であり、化学的機械的研磨を行った段階における素子の構造を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るコンタクトプラグの形成方法におけるスラリーの条件及び処理条件により、化学的機械的研磨を実施した場合のＨＤＰ酸化膜、シリコン窒化膜及びポリシリコン膜の研磨速度の測定結果を示すグラフである。
【図５】本発明の実施の形態に係る方法によって形成されたドレインコンタクトプラグの断面を示すＴＥＭ写真である。
【符号の説明】
【００４５】
１０、３０        基板
１３              パターニングされた層間絶縁膜
１３Ａ            研磨後の層間絶縁膜
１５、３５        ハードマスクパターン
１７、３７        ドレインコンタクトホール
１９、３９        ポリシリコン膜
１９Ａ、３９Ａ    ドレインコンタクトプラグ
３３              パターニングされた第２層間絶縁膜
【図１Ａ】
2008091909.tif 000003
【図１Ｂ】
2008091909.tif 000004
【図１Ｃ】
2008091909.tif 000005
【図１Ｄ】
2008091909.tif 000006
【図３Ａ】
2008091909.tif 000007
【図３Ｂ】
2008091909.tif 000008
【図３Ｃ】
2008091909.tif 000009
【図４】
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【図２】
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【図５】
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