(57)【要約】【課題】発振周波数の変動がなく、取り扱いが簡便で、かつ、生産性にも優れた小型及び低背の温度補償型水晶発振器を得ることができる温度補償型水晶発振器の製造方法を提供する。【解決手段】前記書込端子または、読込端子を用いた後に、前記積層集合基板と前記ウエハを基板領域並びにＩＣ素子の外周に沿って切断し、各基板領域を分離することによって、前記書込端子または、読込端子と前記水晶振動素子との配線導体を断線することによって複数個の温度補償型水晶発振器を得る。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣接する第１、第２の基板領域を有する母基板と、
前記第１の基板領域に配される素子と、
前記母基板の外表面に配される信号端子と、
前記第１の基板領域と前記第２の基板領域の境界を跨ぎ、且つ前記素子と前記信号端子とを接続する信号配線と、を含んでなる電子部品素基板を用意する工程Ａと、
前記素子と前記信号端子との間で、前記信号配線を介して電気信号の送信または受信の少なくとも一方を行う工程Ｂと、
前記第１、第２の基板領域の境界に沿って電子部品素基板を個片に分割するとともに、前記信号配線を分断する工程Ｃと、を含む電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記母基板には封止空間が設けられているとともに、前記素子が前記封止空間に配置される水晶振動素子からなり、前記工程Ｂおいて、前記電気信号の受信として前記水晶振動素子の周波数測定を行うことを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記母基板が、積層集合基板及び該積層集合基板との間に封止空間を形成するように配置されるウエハを含んで構成され、前記封止空間には水晶振動素子が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記ウエハは前記第１の基板領域に対応する回路領域を有し、前記素子が前記回路領域に設けられた記憶素子からなり、前記工程Ｂにおいて、前記電気信号の送信として前記水晶振動素子の温度補償データの前記記憶素子への書き込みを行うことを特徴とする請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記水晶振動素子が、前記ウエハに搭載されていることを特徴とする請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記封止空間は、前記母基板に設けた凹部の開口を金属製の蓋体で封止することにより形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記母基板に第２の凹部が設けられており、該第２の凹部に前記水晶振動素子と接続されるＩＣ素子が配置されていることを特徴とする請求項６に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記母基板には水晶振動素子が搭載されるとともに、前記母基板に設けた凹部に前記水晶振動素子と接続されるＩＣ素子が配置され、前記素子が、前記ＩＣ素子内に設けた記憶素子からなり、前記工程Ｂにおいて、前記電気信号の送信として前記水晶振動素子の温度補償データの前記記憶素子への書き込みを行うことを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度補償型水晶発振器等の電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電子部品の効率的な製造方法として、いわゆる多数個取りの手法が用いられている。具体的には、複数の基板領域を有する母基板を用意し、各基板領域に水晶振動素子やＩＣなどの素子を配置した上、基板領域の境界に沿って母基板を個片に分割することにより、個々の電子部品を得るものである。
【０００３】
また、かかる電子部品の中には、製造工程において、電子部品に搭載される素子に対し、外部からの電気信号の送信または受信の少なくとも一方を行う作業を要するものがある。例えば、温度補償型水晶発振器は、母基板の外表面に水晶振動素子と電気的に接続する信号端子を設け、信号端子にプローブ針等を当てることにより水晶振動素子の温度特性を読み取る作業、或いは、母基板の外表面にＩＣなどの素子と電気的に接続する信号端子を設け、信号端子にプローブ針等を当てることにより、ＩＣに内蔵された記憶素子にデータを書き込む作業などが必要である。このような電気信号の送信または受信の少なくとも一方を行う電子部品を、多数個取りの手法により製造する方法として、基板領域間に捨代領域を設けるとともに、捨代領域に素子と電気的に接続される信号端子を設けるようにしたものが提案されている。（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６-６０７１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上述の信号端子の形成領域として捨代領域を設ける場合、捨代領域を形成する分、母基板から取得できる電子部品の個数が少なってしまい、電子部品のさらなる生産性向上を図ることが困難となっていた。
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑み考え出されたものであり、その目的は、製造工程において、外部と電気信号の送信または受信の少なくとも一方を行う電子部品を生産性高く製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電子部品の製造方法は、隣接する第１、第２の基板領域を有する母基板と、前記第１の基板領域に配される素子と、前記母基板の外表面に配される信号端子と、前記第１の基板領域と前記第２の基板領域の境界を跨ぎ、且つ前記素子と前記信号端子とを接続する信号配線と、を含んでなる電子部品素基板を用意する工程Ａと、前記素子と前記信号端子との間で、前記信号配線を介して電気信号の送信または受信の少なくとも一方を行う工程Ｂと、前記第１、第２の基板領域の境界に沿って電子部品素基板を個片に分割するとともに、前記信号配線を分断する工程Ｃと、を含むことを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記母基板には封止空間が設けられているとともに、前記素子が前記封止空間に配置される水晶振動素子からなり、前記工程Ｂおいて、前記電気信号の受信として前記水晶振動素子の周波数測定を行うことを特徴とする。
【０００８】
さらに、本発明の電子部品の製造方法は、前記母基板が、積層集合基板及び該積層集合基板との間に封止空間を形成するように配置されるウエハを含んで構成され、前記封止空間には水晶振動素子が配置されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記ウエハは前記第１の基板領域に対応する回路領域を有し、前記素子が前記回路領域に設けられた記憶素子からなり、前記工程Ｂにおいて、前記電気信号の送信として前記水晶振動素子の温度補償データを前記記憶素子に書き込みを行うことを特徴とする。
【００１０】
さらに、本発明の電子部品の製造方法は、前記水晶振動素子が、前記ウエハに搭載されていることを特徴とする。
【００１１】
また本発明の電子部品の製造方法は、前記封止空間は、前記母基板に設けた凹部の開口を金属製の蓋体で封止することにより形成されていることを特徴とする。
【００１２】
また本発明の電子部品の製造方法は、前記母基板に第２の凹部が設けられており、該第２の凹部に前記水晶振動素子と接続されるＩＣ素子が配置されていることを特徴とする。
【００１３】
また本発明の電子部品の製造方法は、前記母基板には水晶振動素子が搭載されるとともに、前記母基板に設けた凹部に前記水晶振動素子と接続されるＩＣ素子が配置され、前記素子が、前記ＩＣ素子内に設けた記憶素子からなり、前記工程Ｂにおいて、前記電気信号の送信として前記水晶振動素子の温度補償データの前記記憶素子への書き込みを行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の電子部品の製造方法によれば、得られる電子部品の構成を簡素に維持しつつ、電子部品を製造するに当たって、信号端子を配置させておく捨代領域を母基板に別途必要としないので、同じ大きさの電子部品素基板から製造できる電子部品の個数を多くし、電子部品の生産性を向上させることができる。
【００１５】
さらに、本発明の電子部品の製造方法によれば、信号配線を電子部品素基板の個片化とともに切断できるので、素子と信号端子とを絶縁した状態の電子部品が作製され、かかる電子部品をマザーボードに接合するときに用いる導電性接着剤が信号端子に接触しても、マザーボードからの不要な電気ノイズ等が信号端子を伝って素子に加わることがなくなるため、素子の安定した動作が維持できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態では、電子部品として、温度補償型水晶発振器を例に説明する。
【００１７】
図１は本発明の製造方法により作製した温度補償型水晶発振器を示す分解斜視図であり、図２は図１の温度補償型水晶発振器の断面図である。
【００１８】
これらの図に示す温度補償型水晶発振器は、大略的に、積層基板１と、ＩＣ素子２と、水晶振動素子３とで構成されている。また、ＩＣ素子２及び積層基板１は平面視して略合同に形成されている。
【００１９】
積層基板１の表面や隣接する絶縁層間には所定の配線導体が形成され、また積層基板１の内部には配線導体同士を電気的に接続するためのビアホール導体等が埋設されている。
【００２０】
そして、積層基板１の下面には、電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子としての４つの外部端子５が設けられている。また、積層基板１の下面には、外部端子５以外にも、ダミー端子６が設けられている。
【００２１】
外部端子５及びダミー端子６を、半田付け等によって、マザーボードに接合することにより、温度補償型水晶発振器がマザーボードに電気的、機械的に接続されることとなる。積層基板１の下面にダミー端子６を設けてあることで、積層基板１の下面に単に外部端子５のみを設ける場合に比して、温度補償型水晶発振器とマザーボードとの接続強度を向上させることができる。
【００２２】
また、積層基板１には開口周縁部７が設けられており、積層基板１の上面と開口周縁部７の内壁とにより凹部１０が形成される。
【００２３】
なお、積層基板１を形成するには、例えばアルミナセラミックス等の原料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合し、次に従来周知のドクターブレード法等で所定形状に成形することによりセラミックグリーンシートを得、得られたセラミックグリーンシートの表面等に配線導体となる導体ペーストを所定パターンに塗布し、更にこのセラミックグリーンシートを複数枚積層してプレス成形し、そして最後に高温で焼成する。
【００２４】
積層基板１に設けられた凹部１０の底面上には水晶振動素子３が搭載されている。この積層基板１の凹部１０の底面上への水晶振動素子３の搭載は、初めに積層基板１の凹部１０の底面上に搭載パッド１６を設け、次に搭載パッド１６上に導電性接着剤を被着し、その後導電性接着剤に水晶振動素子３の水晶片の両主面に形成されている一対の振動電極を接合することで行う。積層基板１に配設された配線導体と水晶振動素子３とは電気的に接続されており、水晶振動素子３は、一対の振動電極を介して水晶片に変動電圧が印加されると、所定の周波数で厚みすべり振動を起こす。
【００２５】
また、開口周縁部７上面の内周側には、複数個の接続電極８ａが被着・形成されており、更に接続電極８ａ上には、導電性接合材８ｃが被着されている。
【００２６】
一方、開口周縁部７上面の外周側には、凹部１０を囲繞するように設けられた環状導体層９ａが被着・形成されており、更に環状導体層９ａ上には封止部材９ｃが被着されている。かかる導電性接合材８ｃと封止部材９ｃとを介して、開口周縁部７上に、後述のＩＣ素子２の下面外周域が対面配置されている。
【００２７】
ＩＣ素子２は単結晶シリコン等から成り、下面には回路領域が設けられ、この回路領域には、周囲の温度状態を検知する感温素子（サーミスタ）、温度補償データが格納される記憶素子２３、及び該記憶素子２３の温度補償データに基づいて水晶振動素子３の発振信号を補正しつつ発振出力するための発振部が設けられている。発振部で生成された発振出力は、温度補償型水晶発振器の外部に出力された後は、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。
【００２８】
積層基板１の開口周縁部７上の内周側に設けられた複数個の接続電極８ａと、ＩＣ素子２の回路領域に設けられた接続パッド８ｂとを半田等のロウ材よりなる導電性接合材８ｃを介して１対１に対応させ接合し、また、積層基板１の開口周縁部７上面の外周側に設けられた環状導体層９ａと、ＩＣ素子２の回路領域に設けられた環状配線パターン９ｂとを、半田等のロウ材よりなる封止部材９ｃを介して接合することにより、積層基板１に設けられた開口周縁部７へのＩＣ素子２の載置・固定を行う。接続電極８ａと、接続パッド８ｂとを接続させることにより、積層基板１に配設された配線導体とＩＣ素子２との間の電気的接続が確保される。また、環状導体層９ａと、ＩＣ素子２の回路領域に設けられた環状配線パターン９ｂとを、半田等のロウ材よりなる封止部材９ｃを介して接合することにより、水晶振動素子３が凹部１０内に気密封止されることとなる。
【００２９】
かくして、上述した温度補償型水晶発振器は、マザーボード等の外部配線基板上に半田付け等によって搭載され、その温度状態に応じてＩＣ素子２の温度補償回路で発振出力を補正しながら、水晶振動素子３の共振周波数に応じた所定の発振信号を出力することによって、温度補償型水晶発振器として機能する。
【００３０】
次に上述した、温度補償型水晶発振器を製造する方法を図３、４を用いて説明する。
【００３１】
（工程Ａ）
まず初めに、電子部品素基板２４を準備する。
【００３２】
図３（ａ）に示すように、電子部品素基板２４は、隣接する第１、第２の基板領域１３、１５を有する母基板と、第１の基板領域１３に配される素子（水晶振動素子３）と、母基板の外表面に配される信号端子６ａと、第１の基板領域１３と第２の基板領域１５の境界１４を跨ぎ、且つ水晶振動素子３と信号端子６ａとを接続する信号配線４と、を含んでなる。
【００３３】
本実施形態において、前記母基板は、積層集合基板１１及び該積層集合基板１１との間に封止空間を形成するように配置されるウエハ１２を含んで構成され、封止空間には水晶振動素子３が配置されている。
【００３４】
積層集合基板１１は、図４（ａ）に示すように、第１、第２の基板領域１３、１５に対応する第１、第２の個片化領域１３ａ、１５ａを有している。積層集合基板１１上面側には、各個片化領域毎に、凹部１０が形成されている。凹部１０底面には一対の搭載パッド１６が被着・形成され、凹部１０を形成する開口周縁部７上面の内周側には複数個の接続電極８ａが被着・形成されており、開口周縁部７上面の外周側には環状導体層９ａが被着・形成されている。また、個々の基板領域１３ａの下面には、信号端子６ａや外部端子５（図示せず）が被着・形成されている。また、第１の個片化領域１３ａと第２の個片化領域１５ａの境界１４を跨ぐように、信号配線４が配設されている。この信号配線４を介して搭載パッド１６と信号端子６ａとが接続されている。
【００３５】
このような積層集合基板１１を製作するには、初めにアルミナセラミックス等の原料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合し、次に従来周知のドクターブレード法等で所定形状に成形することによりセラミックグリーンシートを得、そして得られたセラミックグリーンシートの表面等に、搭載パッド１６、外部端子５、導体パターン等となる導体ペーストを所定パターンに印刷・塗布し、これを複数枚積層してプレス成形した後、最後に高温で焼成する。
【００３６】
作製された積層集合基板１１の各基板領域１３ａの凹部１０底面上には、水晶振動素子３が１個ずつ搭載されている。そして、積層集合基板１１上面の搭載パッド１６と水晶振動素子３の振動電極とは、導電性樹脂材などからなる導電性接着剤を介して電気的・機械的に接続されている。
【００３７】
積層集合基板１１を準備する一方、図４（ｂ）に示されるウエハ１２も準備する。ウエハ１２は、第１、第２の基板領域１３、１５に対応する第１、第２の回路領域１３ｂ、１５ｂを有している。回路領域１３ｂ、１５ｂの外周域には、複数個の接続パッド８ｂが形成されており、また、回路領域１３ｂ、１５ｂの周囲を囲繞するように、環状配線パターン９ｂが形成されている。
【００３８】
このようなウエハ１２を製作するには、単結晶シリコンのインゴットを所定厚みにスライスしてシリコンウエハを得、その後、シリコンウエハの一主面に従来周知の半導体製造技術により発振回路等の電子回路、接続パッド８ｂ、環状配線パターン８ｃ等よりなる回路領域１３ｂ、１５ｂと、回路領域１３ｂ、１５ｂの周囲を囲繞するように環状配線パターン９ｂを形成することで行われる。
【００３９】
各基板領域に水晶振動素子３を搭載した積層集合基板１１とウエハ１２とを接合することにより、図３（ａ）に示す電子部品素基板２４が完成する。積層集合基板１１とウエハ１２との接合は、開口周縁部７の上面に被着・形成されている複数個の接続電極８ａと、ウエハ１２の回路領域１３ｂに配設されている接続パッド８ｂとを、導電性接合材８ｃを介して接続することにより行われる。これと同時に、開口周縁部７上面の外周側に凹部１０を囲繞するように被着・形成された環状導体層９ａと、ウエハ１２の下面で回路領域１３ｂの外周域に設けた環状配線パターン９ｂとを、封止部材９ｃを介して接続する。これによって凹部１０の領域が封止空間となり、水晶振動素子３が積層基板の凹部１０内に気密封止されることとなる。
【００４０】
水晶振動素子３が収容される凹部１０内には不活性ガスを充填させておくことが好ましく、これにより水晶振動素子３の電気的特性を安定させることができる。
【００４１】
導電性接合材８ｃや封止部材９ｃとして半田を用いる場合には、フラックス等の汚染物質を用いることなく酸化膜を良好に除去するために、従来周知の水素還元方式を採用することが好ましい。
【００４２】
また、封止部材９ｃをロウ材により形成しておけば、積層基板１とＩＣ素子２との接合強度が高くなることから、積層基板１及びＩＣ素子２間の熱応力に起因した封止部や接続部の破損等が有効に防止されるようになり、温度補償型水晶発振器の生産性、信頼性を向上させることができる。さらにこの場合、封止部材９ｃと導電性接合材８ｃとを同一のロウ材で形成するようにすれば、両者を同一の工程で形成した上、同一の工程でロウ付けすることができ、温度補償型水晶発振器の生産性をさらに高く維持することができる利点もある。
【００４３】
上述の如く、ウエハ１２の状態で積層集合基板１１に接合することによって、ＩＣ素子２を個別に積層集合基板１１の基板領域１３ａに実装する作業も一切不要となるため、ＩＣ素子２を個別に実装する場合に比べて生産効率が良い。
【００４４】
（工程Ｂ）
次に水晶振動素子３と信号端子６ａとの間で、前記信号配線４を介して、電気信号の受信を行う。本実施形態においては、電気信号の受信として、水晶振動素子３の周波数測定を行う。
【００４５】
温度特性読み取り装置のプローブ針を信号端子６ａに当て、水晶振動素子３に所定の電圧を印加して厚みすべり振動を起こし、それによって発生する発振信号を読み取ることにより測定が行われる。
【００４６】
（工程Ｃ）
次に第１、第２の基板領域１３、１５の境界１４に沿って電子部品素基板２４を個片に分割するとともに、信号配線４を分断する。
【００４７】
電子部品素基板２４の切断は、ダイサーを用いたダイシング等により行う。
【００４８】
信号端子６ａと水晶振動素子３との間を電気的に接続している信号配線４は、第１の基板領域１３と第２の基板領域１５の間の境界１４を跨ぐように配設されているので、電子部品素基板２４を境界１４毎に切断する際、同時に切断されることとなる。これにより、信号端子６ａと水晶振動素子３とは絶縁され、残った信号端子６ａはダミー端子６となる。
【００４９】
このように水晶振動素子３は、積層集合基板１１下面の信号端子６ａから絶縁されているので、外部端子５をマザーボードに接合するときに用いる導電性接着剤が信号端子６ａに接触しても、マザーボードからの不要な電気ノイズ等が信号端子６ａを伝って水晶振動素子３に加わることがなくなるため、水晶振動素子３の安定した動作が維持できる。
【００５０】
また、ダミー端子６を実装用の端子として用いれば、温度補償型水晶発振器のマザーボードへの接続面が大きくなるので、温度補償型水晶発振器とマザーボードとの接続強度が向上する。
【００５１】
以上の工程により、信号端子６ａを外部の影響のないダミー端子６にするとともに複数個の温度補償型水晶発振器を同時に多数個得ることができる。
【００５２】
以上、本発明の電子部品の製造方法によれば、得られる電子部品の構成を簡素に維持しつつ、電子部品を製造するに当たって、信号端子を配置させておく捨代領域を母基板に別途必要としないので、同じ大きさの電子部品素基板から製造できる電子部品の個数を多くし、生産性高く電子部品を製造出来る。
【００５３】
さらに、本発明の電子部品の製造方法によれば、信号配線４を電子部品素基板２４の個片化とともに切断できるので、水晶振動素子３と信号端子６ａとを絶縁した状態の電子部品が作製され、かかる電子部品をマザーボードに接合するときに用いる導電性接着剤が信号端子に接触しても、マザーボードからの不要な電気ノイズ等が信号端子を伝って水晶振動素子３に加わることがなくなるため、水晶振動素子３の安定した動作が維持できる。
【００５４】
次に図５を用いて第２の実施形態を説明する。なお、第１の実施形態と同様の構成要素には同じ符号を用いて重複する説明は省く。
【００５５】
この第２の実施形態は、工程Ｂにおける電気信号の送信として、ウエハの各回路領域に設けた素子（記憶素子２３）に水晶振動素子３の温度補償データの書き込みを行うものである。温度補償データの書き込みは以下のようにして行う。
【００５６】
まず図５に示すように、信号端子６ａと回路領域１３ｂに設けられた記憶素子２３とが信号配線４を介して電気的に接続されている電子部品素基板２４を用意する。記憶素子２３は、従来周知の半導体製造技術によりウエハの各回路領域に作り込まれたものであり、図では便宜上、仮想の形状として点線で示している。かかる電子部品素基板２４を用意した上で、信号端子６ａにプローブ針等を当てることにより、信号配線４を介して記憶素子２３に温度補償データの書き込みが行われる。
【００５７】
続いて工程Ｃにおいて、図５（ｂ）に示すごとく、第１、第２の基板領域１３、１５の境界１４に沿って電子部品素基板２４を個片に分割するとともに、信号配線４を分断することによって、個々の温度補償型水晶発振器が得られる。
【００５８】
本実施形態においても、電子部品を多数個取りの手法により製造するに当たって、温度補償データを書き込むための信号端子を配置させておく捨代領域を母基板に別途必要としないので、同じ大きさの母基板から取得できる電子部品の個数を増やすことができ、電子部品の生産性を向上させることができる。同時に、温度補償データを書き込んだ後不要となる信号端子６ａを記憶素子２３と絶縁状態にすることができ、電子部品の実装時などに信号端子６ａから記憶素子２３に不要な信号が入力されるのを防止することができる。
【００５９】
図６は第２の実施形態の変形例を説明するための電子部品素基板２４の断面図である。
【００６０】
上述した第２の実施形態においては、水晶振動素子３を積層集合基板１１側に搭載したが、図６に示すように水晶振動素子３をＩＣ素子２の回路領域１３ｂに搭載するようにしてもよい。かかる変形例は、第１の実施形態においても適用可能である。
【００６１】
図７は第１の実施形態及び第２の実施形態の変形例を説明するための電子部品素基板２４の断面図である。
【００６２】
図７に示す変形例では、水晶振動素子３と信号配線４を介して接続される信号端子６ａ、および記憶素子２３と信号配線４（同図には表れていない）を介して接続される信号端子６ｂの両方を設けている。すなわち、第１の実施形態と第２の実施形態とを組み合わせた構造を有している。図７に示される電子部品素基板２４を用いることにより、工程Ｂにおいて、水晶振動素子３の周波数測定と記憶素子２３への温度補償データの書き込みとの両方を行うことができる。
【００６３】
図８は、第１の実施形態の変形例を説明するための電子部品素基板２４の断面図である。
【００６４】
上述した実施形態においては、いずれも信号端子６ａを積層集合基板１１側に設けていたが、図８に示す電子部品素基板２４では、ウエハ側に信号端子６ａを設けている。信号端子６ａは、シリコン基板に設けた貫通導体１７及び信号配線４を介して水晶振動素子３に電気的に接続されており、この信号端子６ａを利用することにより、工程Ｂにおいて、水晶振動素子３の周波数測定を行うことができる。また、信号端子６ａを記憶素子２３に接続しておけば、記憶素子２３への温度補償データの書き込みを行うことができる。なお、信号端子６ａを開口周縁部７の直上領域内に形成しておけば、信号端子６ａにプローブ針を当てた際の応力が、信号端子６ａの直下領域に位置する導電性接合材８ｃなどに吸収・分散されやすくなり、ウエハ１２の破損を抑制することができる。したがって信号端子６ａは、開口周縁部７の直上領域内に設けておくことが好ましい。
【００６５】
図１０は本発明の第１の実施形態の別の変形例を説明するための電子部品素基板２４の断面図である。上述した第１の実施形態においては、第１の基板領域１３の水晶振動素子３を、隣接する第２の基板領域１５に設けた信号端子６ａに接続していたが、図１０に示す電子部品素基板２４では、水晶振動素子３と同一の基板領域に形成された信号端子６ａと接続するようにしている。この場合、両者を接続するための信号配線４は、折り返し部４ａを有するように形成され、同一の基板領域１３に戻ってくるように配線の引き回しが行われる。この変形例は、第２の実施形態に対しても適用可能である。
【００６６】
図１１、１２は本発明の第１の実施形態のさらに別の変形例を示す図であり、図１１はこの変形例に係る製造方法により作製した電子部品（温度補償型水晶発振器）の断面図、図１２は当該変形例に係る製造方法を説明するための電子部品素基板２４の断面図である。上述した実施形態においては、凹部１０の開口部をＩＣ素子２で塞ぐことにより水晶振動素子３を凹部１０に気密封止するようにしたが、この変形例では、図１１に示すように金属製の蓋体２１により凹部１０の開口部を塞ぐようにしている。蓋体２１は、４２アロイやコバール、りん青銅等の金属材料を板状に加工することにより形成されている。蓋体２１の裏面には全体にわたって金・錫合金などからなるろう材層が被着されている。そして、このろう材層を介して蓋体２１を、例えば、金属製のシールリング２３に溶融接合することにより、蓋体２１が積層基板１へ取着されている。蓋体２１を積層基板１へ取着させることにより、凹部１０と蓋体２１とで囲まれる領域に水晶振動素子３が気密封止された状態となる。蓋体２１は、グランド端子と電気的に接続しておくことが好ましい。これにより、蓋体２１がグランド電位に保持され、外部からのノイズの影響が低減され、水晶振動子の電気的な特性を安定化させることができる。一方、ＩＣ素子２は積層基板１の裏面側に設けた第２の凹部２０に収容されるようにして、半田などの接合材により積層基板１に実装されている。
【００６７】
図１１に示す温度補償型水晶発振器の製造方法を図１２を用いて説明する。
【００６８】
（工程Ａ）
まず電子部品素基板２４を用意する（図１２（ａ）参照）。本実施形態における電子部品素基板２４は、隣接する第１、第２の個片化領域１３ａ、１５ａを有する積層集合基板１１と、各個片化領域に配される水晶振動素子３及びＩＣ素子２とを含んで構成されている。
【００６９】
積層集合基板１１の内部には、第１の個片化領域１３ａ及び第２の個片化領域１５ａを跨ぎ、且つ水晶振動素子３と信号端子６ａとを接続するようにして引き回された信号配線４が設けられている。なお、信号配線４の引き回しは、同図に示すように水晶振動子３を隣接する個片化領域にある信号端子６ａに接続するようにしてもよいし、折り返し部を設け、同一基板領域にある水晶振動素子３と信号端子６ａとを接続するようにしてもよい。
【００７０】
（工程Ｂ）
次に水晶振動素子３と信号端子６ａとの間で、信号配線４を介して水晶振動素子３の周波数測定を行う。この周波数測定は、温度特性読み取り装置のプローブピンを信号端子６ａに当て、水晶振動素子３に所定の電圧を印加して厚みすべり振動を起こし、それによって発生する発振信号を読み取ることにより行われる。測定した周波数が基準の範囲を外れている場合には、水晶振動素子３の振動電極にイオンビームを照射し、振動電極の表面を所定量削り取り、周波数が基準の範囲内に入るよう合わせ込む。
【００７１】
このようにして水晶振動素子３の周波数測定及び周波数調整を行った後、図１２（ｂ）に示すように各基板領域に蓋体２１を取着させる。蓋体２１の取着は、各基板領域に蓋体２１を載置させた後、蓋体２１の裏面に付着させたろう材層を加熱・溶融させることにより行われる。
【００７２】
（工程Ｃ）
最後に第１、第２の基板領域１３、１５の境界１４に沿ってダイサーなど用いて切断することにより、電子部品素基板２４を個片に分割する。このとき同時に信号配線４の境界１４を跨ぐ部分が切断され、水晶振動素子３と信号端子６ａとが絶縁された状態となる。これにより製品としての温度補償型水晶発振器が完成する。
【００７３】
図１１、図１２に示した変形例は、第２の実施形態に係る温度補償型水晶発振器の製造方法にも適用できる。すなわち、図１３に示すようにＩＣ素子２に作りこまれた記憶素子（図示せず）と信号端子６ａとを信号配線４を介して接続した電子部品素基板２４を用意し、工程Ｂにおいて、記憶素子に温度補償データを書き込むようにすればよい。
【００７４】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００７５】
上述した実施形態においては、水晶振動素子３の発振信号を読み取るための端子として外部端子５とは別個に信号端子６ａを設けるようにしたが、外部端子５を信号端子６ａとして兼用することも可能である。この場合、信号配線４は２系統に分かれて引き回される。具体的には、図１４に示すように外部端子５（信号端子６ａ）から水晶振動素子３に接続されるように引き回される信号配線４を設ける一方で、ＩＣ素子３に接続されるように引き回される別系統のＩＣ接続用配線４ａを設ける。このように外部端子５を信号端子６ａと兼用した場合には、ＩＣ素子２を実装する前に、水晶振動素子３の周波数測定が行われる。そして、第１、第２の基板領域１３、１５の境界に沿って切断することにより、水晶振動素子３と外部端子５（信号端子６ａ）とが絶縁され、別系統のＩＣ接続用配線４ａを介して外部端子５とＩＣ素子２とを接続可能な状態とすることができる。
【００７６】
また上述した実施形態においては、積層集合基板１１として各基板領域に凹部を有するものを用いたが、図９に示すごとく、積層集合基板１１が平坦であっても良い。この場合、導電性接合材８や封止部材９が空所１０'を形成するためのスペーサとして機能し、これらの厚みに相当する空間がＩＣ素子２と積層基板１との間に形成されることとなる。
【００７７】
また上述した第１、第２の実施形態においては、複数の回路領域を有するウエハ１２を積層集合基板１１に接合する例を示したが、ウエハ１２を個々のＩＣ素子２に分割してから、各ＩＣ素子２を各基板領域に搭載するようにしてもよい。
【００７８】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で上述の実施の形態およびその変形例同士を組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る製造方法により作製した温度補償型水晶発振器の分解斜視図である。
【図２】図１の温度補償型水晶発振器の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る電子部品の製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る電子部品の製造方法の一工程を示す図であり、（ａ）は積層集合基板の断面図、（ｂ）はウエハの断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る電子部品の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の実施形態の変形例を示す図である。
【図７】本発明の実施形態の変形例を示す図である。
【図８】本発明の実施形態の変形例を示す図である。
【図９】本発明の実施形態の変形例を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態の変形例を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態の変形例に係る製造方法により作製した温度補償型水晶発振器の断面図である。
【図１２】図１１に示す温度補償型水晶発振器の製造方法を説明するための図である。
【図１３】本発明の実施形態の変形例を示す図である。
【図１４】本発明の実施形態の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００８０】
１・・・積層基板
２・・・ＩＣ素子
３・・・水晶振動素子
４・・・信号配線
５・・・外部端子
６・・・ダミー端子
６ａ・・・信号端子
７・・・開口周縁部
８ｃ・・・導電性接合材
９ｃ・・・封止部材
１０・・・凹部
１１・・・積層集合基板
１２・・・ウエハ
１３ａ・・・基板領域
１３ｂ・・・回路領域
１４・・・境界
２３・・・記憶素子
２４・・・電子部品素基板
１６・・・搭載パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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