(57)【要約】【課題】有機ＦＥＴの特性を向上させることを課題とする。【解決手段】少なくとも、有機半導体層とソース電極とドレイン電極とゲート電極を備え、ソース電極及びドレイン電極が有機半導体層とそれぞれ接してなる有機電界効果トランジスタにおいて、有機半導体層が分子量１０００以下の半導体性化合物とともに前記半導体性化合物よりも分子量が大きい少なくとも１つ以上の導電性化合物を含有することを特徴とする有機ＦＥＴにより上記課題を解決する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、有機半導体層とソース電極とドレイン電極とゲート電極を備え、ソース電極及びドレイン電極が有機半導体層とそれぞれ接してなる有機電界効果トランジスタにおいて、有機半導体層が分子量１０００以下の半導体性化合物とともに前記半導体性化合物よりも分子量が大きい少なくとも１つ以上の導電性化合物を含有することを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記半導体性化合物が４ｅＶ以上６ｅＶ以下のイオン化ポテンシャルを有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界効果トランジスタ。
【請求項３】
前記半導体性化合物が環数３〜１０のオリゴアセン化合物、環数３〜１０のオリゴチオフェン化合物、環数３〜１０のオリゴフェニレン化合物、フタロシアニン、フラーレン、又は前記化合物の前駆体もしくは誘導体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界効果トランジスタ。
【請求項４】
前記半導体性化合物が、アントラセン、ナフタセン、ペンタセン、クォーターチオフェン、セキシチオフェン、又はそれらの前駆体もしくは誘導体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の有機電界効果トランジスタ。
【請求項５】
前記導電性化合物が、分子量が５０００より大きい高分子化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の有機電界効果トランジスタ。
【請求項６】
前記導電性化合物が、導電率１０-9Ｓ・ｃｍ-1以上の化合物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の有機電界効果トランジスタ。
【請求項７】
前記有機半導体層が、更に導電率が１０-9Ｓ・ｃｍ-1未満の化合物を少なくとも１つ含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の有機電界効果トランジスタ。
【請求項８】
前記導電率１０-9Ｓ・ｃｍ-1未満の化合物が、分子量１００００以上の高分子化合物から選ばれることを特徴とする請求項７に記載の有機電界効果トランジスタ。
【請求項９】
前記導電率１０-9Ｓ・ｃｍ-1未満の化合物が、シラン化合物、又はチオール化合物から選ばれることを特徴とする請求項７に記載の有機電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１つに記載の有機電界効果トランジスタの製造方法であって、前記有機半導体層を１度の印刷プロセスによって形成することを特徴とする有機電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記有機半導体層を、前記半導体性化合物、前記導電性化合物及び／又は導電率１０-9Ｓ・ｃｍ-1未満の化合物を溶解させた溶液を塗布乾燥させて形成することを特徴とする請求項１０に記載の有機電界効果トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界効果トランジスタ及びその製造方法に関する。更に詳しくは、本発明は、半導体性化合物と導電性化合物とを含む有機半導体層を備えた有機電界効果トランジスタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体性の有機化合物を含む有機半導体層を利用した電界効果トランジスタ（有機ＦＥＴ）を使用するＩＣ技術が提案されている。前記技術の主な利点は、簡単な製造方法及び柔軟な基板を使用できることである。これらの利点を有する有機ＦＥＴは、スマート・カード、ＲＦタグ及びディスプレイのような用途に適する、コストの安いＩＣ技術に使用されることが期待される。
【０００３】
ここで、有機ＦＥＴを構成する有機半導体層を形成する方法として真空蒸着法のようなドライプロセスや、インクジェット法のような印刷プロセスが知られている。ここで、ドライプロセスは工程に真空ラインが必要となる。印刷プロセスは、簡便、低温処理かつ低コストプロセスである。
【０００４】
有機ＦＥＴの例が、特開２００３−２５８２６５号公報（特許文献１）及びＷＯ２００３／０１６５９９（特許文献２）に記載されている。この公報に記載された有機ＦＥＴの構造を図１（ａ）及び（ｂ）に示す。図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は平面図である。図１（ａ）及び（ｂ）には、基板１上に、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、ソース／ドレイン電極（４、５）及び有機半導体層６を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が記載されている。ソース／ドレイン電極とはソース電極及びドレイン電極を意味する。
【０００５】
上記有機ＦＥＴは、基板１上の一部にゲート電極２を設け、ゲート電極２及び基板１をゲート絶縁膜３により覆い、ゲート絶縁膜３上のゲート電極２に対応する領域を挟むようにソース／ドレイン電極（４、５）を設け、ソース／ドレイン電極（４、５）及びゲート絶縁膜３を有機半導体層６により覆うことで得られている。
【０００６】
ここで用いられる有機半導体層用の化合物としては、ｐ型トランジスタ特性を示す化合物としてペンタセン、テトラセン、チオフェン、フタロシアニン及びこれらの末端又は側鎖が置換された誘導体、並びにポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン及びこれらの末端もしくはその側鎖が置換された誘導体のポリマーの中から選択された化合物が挙げられる。また、ｎ型トランジスタ特性を示す化合物としては、ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、フッ素化フタロシアニン及びこれらの末端が置換された誘導体の中から選択された化合物が挙げられる。
【０００７】
一般的に、有機ＦＥＴの動作は次のように考えられている。
ゲート電極に電圧を印加した場合、ゲート電圧はゲート電極のフェルミ準位変化を通じて、ゲート絶縁膜の界面側の有機半導体層にバンドの曲がりを引き起こす。このバンドの曲がりは、ソース／ドレイン電極から多数のキャリヤである正電荷の注入を引き起こし、ゲート絶縁膜界面側の有機半導体層に高い表面電荷密度領域、すなわちキャリヤの蓄積層を形成させる。
【０００８】
一方、ゲート電極への逆バイアス印加によって、ゲート絶縁膜界面側の半導体層に電荷を排除した空乏層が形成される。
有機ＴＦＴは、こうしたゲート電圧によるチャネルのコンダクタンス制御によって、ソース電極とドレイン電極間を流れる電流値が変化することにより動作している。
【０００９】
また、有機半導体層内におけるキャリヤは、有機化合物からなるグレイン間では移動が抑制される。一方、ここのグレインは結晶性であり、有機化合物の分子が周期構造を形成している。そのため、グレイン内においては、キャリヤは、隣接する分子間をホッピングしながら速やかに伝導する。
現在、実際の有機ＦＥＴを作製／評価している公知例では、ＳｉＯ2のような無機酸化物をゲート絶縁膜として用い、そのゲート絶縁膜上にペンタセンのような有機半導体性化合物を蒸着することで有機半導体層を形成している場合が多い。
【００１０】
一般的に、ペンタセンに代表されるような有機半導体性化合物は溶解性が乏しく、真空蒸着法によって製膜されることが多い。一方、印刷法で製膜することのできる化合物として、ポリマー系としてポリ（３−ヘキシルチオフェン）Ｐ３ＨＴ、ポリフルオレン−ビチオフェン共重合体（Ｆ８Ｔ２）に代表されるフルオレンビチオフェンの共重合体、ポリ（フェニレンビニレン）等がある。ポリマー系化合物は、低分子系化合物と比べて一般的に溶解性に優れ、印刷法で製膜するのに適した化合物である。
【００１１】
低分子系化合物は溶解性を向上させるためにアルキル基のような置換基を導入した化合物や、前駆体型化合物がある。具体的には、置換基を導入した化合物として、１，２，３，４，６，１１−ヘキサプロピルナフタレン、６，１３−ビス（メチルチオ）ペンタセン等のアセン系誘導体、α，ω−ジヘキシルクォーターチオフェン等のチオフェン系誘導体があり、前駆体型化合物として、ｎ−スルホニルアセトアミドペンタセンのようなペンタセン前駆体がある。
【００１２】
これまで、有機ＦＥＴとしては高分子系及び低分子系の化合物の両方で研究が行われている。現在、低分子系化合物の方がＦＥＴ特性を示す指標の一つである電界効果移動度が、ペンタセンでμ＝４．０ｃｍ2／Ｖｓであると報告されている。一方、高分子系化合物では、Ｐ３ＨＴでμ＝０．２８ｃｍ2／Ｖｓであると報告されている（非特許文献１）。このように高分子系化合物は、低分子系化合物と比較して、一桁以上低い電界効果移動度しか得られていない。これは、低分子系化合物の有機半導体層は、キャリヤホッピングに有利な分子配列の秩序化がさせやすく、すなわち結晶性の高い層を形成できるためと考えられている。
【００１３】
また、低分子系化合物であるルブレンの単結晶は、μ＝８ｃｍ2／Ｖｓであると報告されている（非特許文献２）。このように、単結晶を用いて作製したＦＥＴにおいて最もよい結果が報告されている。これは、通常の蒸着膜で製膜した場合、膜が多結晶質となるためにグレイン界面でキャリヤがトラップされ電界効果移動度が抑制されるが、単結晶では界面が存在しないためと考えられる。そこで有機半導体性化合物が本来有する電界効果移動度を発現させるためには、１つの結晶のグレインサイズがＦＥＴのチャネルサイズよりも大きいことが必要である。
【００１４】
ここで、現在用いられている、Ｓｉに代表される無機半導体層を使用したＦＥＴのチャネル幅Ｗ及びチャネル長Ｌは両方とも１０μｍ程度である。通常、低分子系化合物からなる層のグレインサイズは、数百ｎｍφ程度である。これは用いられるＳｉウエハーのような基板の表面は親水性であるのに対して、化合物は一般的に疎水性である。そのため、基板と化合物との親和性が保てず、有機半導体層の核生成密度が大きくなるためである。また、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＣＳ）やヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）のようなシラン化合物で処理して基板表面を疎水化することによってグレインサイズを大きくする方法が考案されている（非特許文献３）。しかし、この方法でも、結晶グレインサイズは数μｍ程度である。
【００１５】
また、印刷法でペンタセンからなる有機半導体層を形成させる方法が報告されている（特許文献１）。この方法では、芳香族ハロゲン化炭化水素溶媒にペンタセンを強制溶解させ塗膜を得ている。しかし、この方法でもグレインサイズは１０μｍに到達することはない。
【００１６】
【特許文献１】特願２００３−２５８２６５号公報
【特許文献２】ＷＯ２００３／０１６５９９
【非特許文献１】Ａｄｖ．Ｆｕｎｃｔ．Ｍａｔｅｒ．，１５（１），７７−８２  （２００５）．
【非特許文献２】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，８３（１７）．３５０４−３５０６  （２００３）
【非特許文献３】Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，１５６，９９−１０３  （２００６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
有機ＦＥＴのトランジスタ特性を向上させるためには、それを構成する有機半導体層のグレインサイズをチャネルサイズよりも大きくする必要がある。しかし、従来の蒸着法及び印刷法ではチャネルサイズより大きいグレインサイズをもつ層を形成することはできない。また、基板の表面エネルギーや層成長温度を制御することでグレインサイズを大きくする試みがなされている。しかし、１０μｍより大きいサイズのグレインを成長させるには至っていない。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明者らは、鋭意検討の結果、実効的にトランジスタ特性を左右するキャリヤトラップを減少させ有機半導体層の電気的性質を大きく向上させる方法を見出すことで本発明に至った。
すなわち、本発明は、有機半導体層が半導体性化合物とともに導電性化合物とを含有することで、ゲート絶縁膜に接する有機半導体層のキャリヤ移動特性を向上でき、その結果、改善されたトランジスタ特性を有する有機半導体層の提供を目的とする。
【００１９】
かくして本発明によれば、少なくとも、有機半導体層とソース電極とドレイン電極とゲート電極を備え、ソース電極及びドレイン電極が有機半導体層とそれぞれ接してなる有機電界効果トランジスタにおいて、有機半導体層が分子量１０００以下の半導体性化合物とともに前記半導体性化合物よりも分子量が大きい少なくとも１つ以上の導電性化合物を含有することを特徴とする有機電界効果トランジスタが提供される。
また、本発明によれば、上記有機電界効果トランジスタの製造方法であって、前記有機半導体層を１度の印刷プロセスによって形成することを特徴とする有機電界効果トランジスタの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、有機半導体層が、半導体性化合物と導電性化合物とを含むので、ゲート絶縁膜に接する有機半導体層のキャリヤ移動特性を向上でき、その結果、改善されたトランジスタ特性を有する有機半導体層を備えた有機ＦＥＴを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の有機ＦＥＴを構成する有機半導体層は、半導体性化合物と導電性化合物とを含み、優れた電界効果移動度を有している。これは次のような理由によると発明者等は考えている。即ち、有機半導体層中の導電性化合物は、半導体性化合物の結晶グレインの境界に充填される。境界に存在する導電性化合物は、グレイン間のキャリヤトラップの減少、キャリヤの移動効率の向上に寄与すると考えられる。その結果、電界効果移動度が向上する。
【００２２】
（有機ＦＥＴの構成）
本発明の有機ＦＥＴを図１（ａ）及び（ｂ）を用いて説明する。
図１（ａ）及び（ｂ）の有機ＦＥＴはボトムゲート及びボトムコンタクト型の構造である。図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、有機半導体層６が半導体性化合物と導電性化合物とを含むことが本発明の有機ＦＥＴの特徴である。図１中、１は基板、２はゲート電極、３はゲート絶縁膜、４及び５はソース／ドレイン電極を意味する。
【００２３】
なお、有機ＦＥＴの構造は、図１（ａ）及び（ｂ）の構造に限定されない。他の構造としては、例えば、
（１）基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体層及びソース／ドレイン電極をこの順で備えた構成（ボトムゲート及びトップコンタクト型の構造）
（２）基板上にソース／ドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極をこの順で備えた構成（トップゲート及びボトムコンタクト型の構造）
（３）基板上に、有機半導体層とソース／ドレイン電極をこの順で備え、ソース電極とドレイン電極間にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備えた構成（トップゲート及びトップコンタクト型の構造）
【００２４】
（半導体性化合物）
半導体性化合物とは、シリコンのように、電圧の印加により、抵抗値が変化する化合物を意味する。半導体性化合物としては、分子量１０００以下のπ電子共役系低分子化合物が使用される。分子量が１０００より大きい場合、化合物の構造自体が大きくなり、結果分子配列の秩序性の高い膜を得ることが困難となり、半導体特性が低下してしまうので好ましくない。より好ましい分子量は、５０〜１０００である。
なお、本明細書中の分子量は、重合体については、ゲル浸透クロマトグラフ分析により測定した数平均分子量を意味する。
【００２５】
また、半導体性化合物は、イオン化ポテンシャルが４ｅＶ以上６ｅＶ以下であることが好ましい。イオン化ポテンシャルが４ｅＶより小さいと酸化されやすく大気中での材料の安定性が乏しくなる場合がある。逆にイオン化ポテンシャルが６ｅＶより大きいとキャリヤ移動の効率が低下する場合がある。より好ましいイオン化ポテンシャルは、４．２〜５．８ｅＶである。イオン化ポテンシャルは、大気中光電子分光法で測定することができる。
【００２６】
半導体性化合物の具体的としては、３〜１０個のベンゼン環を縮合させた環数３〜１０のオリゴアセン、チオフェンを３〜１０個繰り返した環数３〜１０のオリゴチオフェン、ベンゼンを３〜１０個繰り返した環数３〜１０のオリゴフェニレン、ベンゼン及びビニレンを１〜１０個繰り返したオリゴフェニレンビニレン、ベンゼン及びチオフェンを１〜１０個繰り返したオリゴフェニレンチオフェンの化合物及びそれらの誘導体が挙げられる。
【００２７】
ここで、上記化合物としては、アントラセン（５．８ｅＶ）、ナフタセン（５．７ｅＶ）、ペンタセン（５．２ｅＶ）、クォーターチオフェン（５．８ｅＶ）、セキシチオフェン（５．４ｅＶ）、等が挙げられる（括弧内はイオン化ポテンシャル）。一方、誘導体としては、１，２，３，４，６，１１−ヘキサプロピルナフタセン（５．７ｅＶ）、６，１３−ビス（メチルチオ）ペンタセン（５．３ｅＶ）、α，ω−ジヘキシルクォーターチオフェン（５．８ｅＶ）、等が挙げられる。
また、フラーレン（Ｃ６０）等のフラーレン系化合物も好ましい。
【００２８】
上記半導体性化合物の中でも、アントラセン、ナフタセン、ペンタセン、クォーターチオフェン、セキシチオフェン、及びそれらの誘導体が特に好ましい。特に好ましい誘導体としては、アルキル基、カルボキシル基、シリル基が１つもしくは２つ以上置換された化合物、フッ素原子で置換された化合物が挙げられる。
【００２９】
（導電性化合物）
導電性化合物は、半導体性化合物のみからなる有機半導体層より、その添加によりキャリヤの移動効率を向上できる化合物であれば特に限定されない。導電化合物は、半導体性化合物より分子量が大きい。特に導電性化合物としては、導電率１０-9Ｓ・ｃｍ-1以上及び／又は分子量５０００以上のπ電子共役系高分子が好ましい。
【００３０】
導電率が１０-9Ｓ・ｃｍ-1未満の場合、導電性を期待することができないので好ましくない。より好ましい導電率は、１０-9〜１０-2Ｓ・ｃｍ-1である。なお、導電率は、膜状態での四端子法による測定値である。
分子量が５０００未満の場合、有機半導体層を層として形成することが困難となる場合があるため好ましくない。より好ましい分子量は、５０００〜５００００である。
【００３１】
ここで、「及び／又は」は、Ａ及び／又はＢの場合、Ａ、Ｂ、又はＡ及びＢを意味する。
導電性化合物の具体例としては、ポリチオフェン、ポリチェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリフェニレンビニレン、ポリフェニレンチオフェン、ポリフルオレン、ポリフルオレンビチオフェン及びそれらの誘導体、前駆体が挙げられる。
半導体性化合物と導電性化合物の使用割合は、重量比で、１：１０〜１０：１が好ましく、１：５〜５：１がより好ましい。
【００３２】
（導電率１０-9Ｓ・ｃｍ-1未満の化合物）
有機半導体層には、導電率１０-9Ｓ・ｃｍ-1未満の化合物を含んでいてもよい。この化合物を含むことで、製膜性を向上できる。半導体性化合物と導電率１０-9Ｓ・ｃｍ-1未満の化合物の使用割合は、重量比で、１：１０〜２００：１が好ましく、１：１０〜１００：１がより好ましい。
導電率１０-9Ｓ・ｃｍ-1未満の化合物は、分子量１００００以上の高分子、シラン化合物、又はチオール化合物がよい。
【００３３】
具体的には、高分子化合物として、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン等の炭化水素系高分子、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等のビニル系高分子が好ましい。
【００３４】
シラン化合物及びチオール化合物としては、ｎ−オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＣＳ）、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＴＭＳ）ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン（ＯＴＥＳ）、ｎ−デシルトリクロロシラン、ｎ−デシルトリメトキシシラン、ｎ−デシルトリエトキシシラン（、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノメチルトリメチルシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ヒドロキシメチルトリメチルシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェネチルトリクロロシラン、２−チエニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等のシラン化合物、またオクタデカンチオール、アミノプロピルチオール等のチオール化合物が好ましい。これら化合物は、単独でも、組み合わせて使用してもよい。前記化合物の導電率は、１０-12Ｓ・ｃｍ-1以下であり測定不能であった。
【００３５】
上記導電率１０-9Ｓ・ｃｍ-1未満の化合物の内、保護膜及び／又は絶縁膜として作用する高分子と、基板表面処理剤として作用するシラン化合物及び／又はチオール化合物との組み合わせから選択されるのがよい。
【００３６】
組み合わせとしては、ポリスチレン／ＯＴＥＳ、ポリスチレン／ｎ−デシルトリクロロシラン、ポリスチレン／Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ポリスチレン／アミノメチルトリメチルシラン、ポリスチレン／３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ポリスチレン／ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ポリスチレン／ヒドロキシメチルトリメチルシラン、ポリスチレン／フェニルトリエトキシシラン、ポリスチレン／フェネチルトリクロロシラン、ポリスチレン／２−チエニルトリメチルシラン、ポリスチレン／ＨＭＤＳ、ＰＭＭＡ／ＯＴＥＳ、ＰＭＭＡ／ｎ−デシルトリクロロシラン、ＰＭＭＡ／Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ＰＭＭＡ／アミノメチルトリメチルシラン、ＰＭＭＡ／３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ＰＭＭＡ／ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ＰＭＭＡ／ヒドロキシメチルトリメチルシラン、ＰＭＭＡ／フェニルトリエトキシシラン、ＰＭＭＡ／フェネチルトリクロロシラン、ＰＭＭＡ／２−チエニルトリメチルシラン、ＰＭＭＡ／ＨＭＤＳ、ＰＶＡ／ＯＴＥＳ、ＰＶＡ／ｎ−デシルトリクロロシラン、ＰＶＡ／Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ＰＶＡ／アミノメチルトリメチルシラン、ＰＶＡ／３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ＰＶＡ／ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ＰＶＡ／ヒドロキシメチルトリメチルシラン、ＰＶＡ／フェニルトリエトキシシラン、ＰＶＡ／フェネチルトリクロロシラン、ＰＶＡ／２−チエニルトリメチルシラン、ＰＶＡ／ＨＭＤＳが好ましい。ここで、シラン化合物は基板表面処理剤としての役割も果たすので、シリル基に結合している脱離する官能基は、トリクロロ基、トリメトキシ基、トリエトキシ基のいずれから構成されていることが好ましい。
【００３７】
（有機半導体層の製造方法）
有機半導体層の製造方法は、特に限定されず、公知の方法いずれも使用できる。具体的には、インクジェット法、浸漬法、スクリーン印刷法等のウェットプロセスが挙げられる。これらウェットプロセスの内、インクジェット法やスクリーン印刷法等の印刷プロセスが好ましい。印刷プロセスは、有機半導体層を１度で形成できるため好ましい。
ウェットプロセスでは、半導体性化合物、導電性化合物、任意に導電率１０-9Ｓ・ｃｍ-1未満の化合物（高分子化合物、シラン化合物、チオール化合物）は、溶媒に溶解される。
【００３８】
溶媒としては、上記化合物の溶解性及び沸点が高いものが好ましい。具体的には、溶媒１００ｇあたり化合物を０．１ｍｇ以上溶解する溶媒が好ましく、５０℃以上の沸点を有する溶媒が好ましい。例えば、溶媒として、ベンゼン、トルエン、ｐ−キシレン等の芳香族炭化水素、クロロホルム、ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、１，２−ジクロロエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼン等の芳香族ハロゲン化炭化水素、アニソール、アニリン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ヘキサン、デカン、酢酸ベンジル、酢酸ブチルカルビトール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ブチルカルビトール、エタノール等が挙げられる。
【００３９】
また、半導体性化合物は、溶媒に対して０．０５〜０．５重量％の割合で混合することが好ましい。０．０５重量％より少ないと膜形成に供給される分子数が少なく、０．５重量％より多いと分子数が多すぎ、核生成の制御が困難となることがあるため好ましくない。より好ましい割合は０．０５〜０．４重量％である。
【００４０】
更に、有機半導体層中の半導体性化合物は、その前駆体に由来する化合物であってもよい。前駆体としては、６，１３−Ｎ−スルフィニルアセトアミドペンタセン、Ｎ−スルフィニル−ターシャル−ブチルカルバメート−ペンタセン、６，１３−テトラクロロフェニルペンタセンが挙げられる。これら前駆体は、光又は熱を加えることでペンタセンを生じる化合物である。
【００４１】
次に、導電性化合物は、溶媒に対して０．０１〜０．１重量％の割合で混合することが好ましい。０．０１重量％より少ないと半導体特性の向上に寄与できない場合があり、０．１重量％より多いと不要なキャリヤパスが有機半導体層に形成されることによりオフ電流が増加する場合があるため好ましくない。より好ましい割合は０．０５〜０．１重量％である。
【００４２】
更に、高分子化合物は、溶媒に対して０．０１〜０．１重量％の割合で混合することが好ましい。０．０１重量％より少ないと溶液粘度の制御及び膜延展性の向上に寄与できない場合があり、０．１重量％より多いと半導体性化合物及び導電性化合物とが層分離し、有機半導体層が不均一となる場合があるため好ましくない。より好ましい割合は０．０５〜０．１重量％である。
【００４３】
また更にシラン化合物及びチオール化合物は、溶媒に対して０．００５〜０．１重量％の割合で混合することが好ましい。０．００５重量％より少ないとこれら化合物の基板表面処理が不十分となる場合があり、０．１重量％より多いとこれら化合物が多すぎるために凝集し析出してしまう場合があるため好ましくない。より好ましい割合は０．００５〜０．０１重量％である。
上記各種化合物を溶解させた溶液は、所定の領域上に塗布され、次いで乾燥されることで有機半導体層が形成される。乾燥条件（時間、温度等）は、使用する化合物及び溶媒に応じて適宜設定できる。
【００４４】
（ゲート、ソース／ドレイン電極）
ゲート、ソース／ドレイン電極材料は、特に限定されず、当該分野で公知の材料をいずれも使用できる。具体的には、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の金属；チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属；高融点金属とのシリサイド、ポリサイド等；ｐ型又はｎ型ハイドープシリコン；ＩＴＯ、ＮＥＳＡ等の導電性金属酸化物；ＰＥＤＯＴのような導電性高分子が挙げられる。
【００４５】
これら電極の膜厚は、特に限定されるものではなく、通常トランジスタに使用される膜厚（例えば３０〜６０ｎｍ）に適宜調整できる。
これら電極の製造方法は、電極材料に応じて適宜選択できる。例えば、蒸着法、スパッタ法、印刷法等が挙げられる。
【００４６】
（ゲート絶縁膜）
ゲート絶縁膜は、特に限定されず、当該分野で公知の膜をいずれも使用できる。具体的には、シリコン酸化膜（熱酸化膜、低温酸化膜：ＬＴＯ膜等、高温酸化膜：ＨＴＯ膜）、シリコン窒化膜、ＳＯＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等の絶縁膜；ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、強誘電体又は反強誘電体膜；ＳｉＯＦ系膜、ＳｉＯＣ系膜もしくはＣＦ系膜又は塗布で形成するＨＳＱ（ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）系膜（無機系）、ＭＳＱ（ｍｅｔｈｙｌ  ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）系膜、ＰＡＥ（ｐｏｌｙａｒｙｌｅｎｅ  ｅｔｈｅｒ）系膜、ＢＣＢ系膜、ポーラス系膜もしくはＣＦ系膜又は多孔質膜等の低誘電体膜等が挙げられる。
【００４７】
膜厚は、特に限定されるものではなく、通常トランジスタに使用される膜厚（例えば５０〜５００ｎｍ）に適宜調整できる。
ゲート絶縁膜の製造方法は、その種類に応じて適宜選択できる。例えば、蒸着法、スパッタ法、印刷法等が挙げられる。
【００４８】
(有機ＦＥＴの製造方法)
本発明の有機ＦＥＴの製造方法としては、例えば
（１）基板上に、ゲート電極を形成する工程と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上に有機半導体層を形成する工程と、ゲート電極上に対応する有機半導体層上を挟んでソース／ドレイン電極を形成する工程とを含む方法、
（２）基板上に、ゲート電極を形成する工程と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にソース／ドレイン電極を形成する工程と、ソース電極とドレイン電極間に有機半導体層を形成する工程とを含む方法、
（３）基板上に、ソース／ドレイン電極を形成する工程と、ソース電極とドレイン電極間に有機半導体層を形成する工程と、ソース電極とドレイン電極間に対応する有機半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを含む方法
（４）基板上に、有機半導体層を形成する工程と、有機半導体層上にソース／ドレイン電極を形成する工程と、ソース電極とドレイン電極間の有機半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを含む方法
が挙げられる。
【実施例】
【００４９】
以下、本発明を実施例及び比較例を用いて説明するが、本発明は、これら実施例等に限定されず、その技術的思想に基づいて種々の変更が可能である。
実施例１
図１（ａ）及び（ｂ）に示す有機ＦＥＴを以下のように作製した。
まず、シリコンからなる基板１上にクロムを蒸着し、ゲート電極２を形成した。
【００５０】
次に、プラズマＣＶＤ法によりチッ化シリコン膜によるゲート絶縁膜３を堆積した。次いで、クロム、金の順に蒸着を行い、通常のリソグラフィー技術によりソース／ドレイン電極（４、５）を形成した。
続いて、得られた基板を、１７２ｎｍ波長の真空紫外光を１０分間照射し、ゲート絶縁膜３表面を親水化処理した。
【００５１】
１，２，３，４，６，１１−ヘキサプロピルナフタセン（ＨＰナフタセン、分子量４８４、イオン化ポテンシャル５．７ｅＶ）〔１８１５５−９６〕（関東化学社製）を０．１重量％、ポリヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ、分子量８７００）〔１０４９３４−５０−１〕（アルドリッチ社製）を０．０５重量％含むトルエン溶液を８０℃に加熱した前記処理基板に、ディスペンサー(武蔵エンジニアリング社製)を用いて５００ｎｌ滴下し、有機半導体層６を形成した。
上記工程を経ることで有機ＦＥＴを作製した。
【００５２】
Ｐ３ＨＴ単膜の導電率は、四端子法でＬＣＲメーター（日置電機社製）を用いて評価した。Ｐ３ＨＴ単膜は、０．０１重量％トルエン溶液から８０℃加熱基板上に滴下して製膜した。Ｐ３ＨＴ単膜の導電率は、４．６ｘ１０-5Ｓ・ｃｍ-1であった。
【００５３】
また、結晶性はＲＩＮＴ２０００（リガク社製）を用いて有機半導体層３のＸ線回折（ＸＲＤ）測定から評価した。その結果、２θ＝６．９°（面間隔ｄ＝１．２８ｎｍ）、１３．８°（ｄ＝０．６４ｎｍ）にシャープな（００１）、（００２）回折が観測された。これによりＨＰナフタセンは高度に結晶化していることがわかった。それぞれの回折の半価幅は０．１０°及び０．１１°であった。また、２θ＝５．５°（ｄ＝１．６３ｎｍ）にブロードな回折が観測された。この回折はＰ３ＨＴの分子配列に起因するものであり、Ｐ３ＨＴも配列して、ＨＰナフタセンとともに層形成しているといえる。
【００５４】
また、上記で得られた有機ＦＥＴは、μ＝３．９×１０-2ｃｍ2／Ｖｓ、オン／オフ比＝５桁であり、良好な性能が得られた。ここで、オン／オフ比はトランジスタ特性を評価するＩｄ（ソース／ドレイン間電流）−Ｖｇ（ゲート印加電圧）測定における、Ｉｄの最大値及び最小値の比をとったものである。
なお、以下の実施例及び比較例において、ＨＰナフタセン及びＰ３ＨＴは実施例１と同様のものを使用する。
【００５５】
比較例１
実施例１と同様に作製、処理した基板上に、同じ条件でＨＰナフタセンの０．１重量％トルエン溶液を滴下し、有機半導体層を形成することで有機ＦＥＴを作製した。
ＸＲＤ測定では、２θ＝６．９（ｄ＝１．２８ｎｍ）、１３．８°（ｄ＝０．６４ｎｍ）にシャープな（００１）、（００２）回折が観測された。これによりＨＰナフタセンは高度に結晶化していることがわかった。また、回折の半価幅はそれぞれ０．１０°及び０．１０°であった。
また、上記で得られた有機ＦＥＴは、μ＝１．９×１０-2ｃｍ2／Ｖｓ、オン／オフ比＝４桁であった。実施例１のＰ３ＨＴを混合した層と比較すると、約１／２の移動度であった。
【００５６】
なお、ＸＲＤ回折のピーク半価幅の逆数はその回折に起因する周期構造のサイズを示している。この観点で実施例１と比較例１の両層のＨＰナフタセン結晶のサイズはほぼ同一であることがわかる。しかし、移動度の大きさが変化したのは、実施例１では、ＨＰナフタセンの結晶グレイン境界をＰ３ＨＴが埋めることでキャリヤトラップを軽減したためと発明者等は推測している。よって、Ｐ３ＨＴを配合することで、有機ＦＥＴの高特性化の実現が可能であることがわかる。
【００５７】
実施例２
実施例１と同様に作製、処理した基板を用いて、以下の有機ＦＥＴを作製した。
ＨＰナフタセンを０．１重量％、Ｐ３ＨＴを０．０５重量％、及びポリスチレン（アルドリッチ社製、分子量１０００００、導電率１０-12Ｓ・ｃｍ-1以下）を０．０７重量％含むトルエン溶液を、８０℃に加熱した前記処理基板に、ディスペンサーを用いて５００ｎｌ滴下し、有機半導体層を形成することで有機ＦＥＴを作製した。
【００５８】
有機半導体層のＸＲＤ測定から、２θ＝６．９（ｄ＝１．２８ｎｍ）、１３．８°（ｄ＝０．６４ｎｍ）にそれぞれ（００１）、（００２）回折が観測された。これによりＨＰナフタセンは高度に結晶化していることがわかった。それぞれの回折の半価幅は０．１０°、０．１１°であった。また、２θ＝５．５°（ｄ＝１．６３ｎｍ）にブロードな回折が観測された。この回折はＰ３ＨＴの分子配列に起因するものであり、Ｐ３ＨＴも配列して、ＨＰナフタセンとともに層形成しているといえる。
【００５９】
また、上記で得られた有機ＦＥＴは、μ＝５．８×１０-2ｃｍ2／Ｖｓ、オン／オフ比＝５桁であり、良好な性能が得られた。
なお、以下の実施例及び比較例において、ポリスチレンは実施例２と同様のものを使用する。
【００６０】
（実施例１及び２、比較例１の有機半導体層の表面粗さ）
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で観察される比較例２の有機半導体層の表面形態から、二乗平均粗さを計算した所、２．７ｎｍであった。この粗さは、同様に計算した実施例１と比較例１の二乗平均粗さが、それぞれ３．７ｎｍと３．４ｎｍと比べて小さくなっている。比較例２の移動度が向上したのは、ポリスチレンをブレンドしたことで、層としての均一性が向上したためであると推測される。
【００６１】
なお、二乗平均粗さは、以下のように計算した値である。
即ち、二乗平均粗さは、断面曲線に対する二乗平均粗さを、ＡＦＭ測定面に対して適用できるように三次元に拡張したものであり、基準面から指定面までの偏差の二乗を平均した値の平方根である。またここでの基準面は、ＡＦＭ測定結果の高さデータの平均値で表される平面のことである。
【００６２】
実施例３
実施例１と同様に作製、処理した基板上に、ＨＰナフタセンを０．１重量％、Ｐ３ＨＴを０．０５重量％、ポリスチレンを０．０７重量％、及びＯＴＥＳ（７３９９−００−０）（アルドリッチ社製、導電率１０-12Ｓ・ｃｍ-1以下）を０．０１重量％含むトルエン溶液を実施例１と同じ条件で滴下し、有機半導体層を形成することで有機ＦＥＴを作製した。
【００６３】
有機半導体層のＸＲＤ測定から、２θ＝６．９（面間隔ｄ＝１．２８ｎｍ）、１３．８°（ｄ＝０．６４ｎｍ）にそれぞれ（００１）、（００２）回折が観測された。これによりＨＰナフタセンは高度に結晶化していることがわかった。それぞれの回折の半価幅は０．０９°、０．１０°であった。また、２θ＝５．５°（面間隔ｄ＝１．６３ｎｍ）にブロードな回折が観測された。この回折はＰ３ＨＴの分子配列に起因するものであり、Ｐ３ＨＴも配列して、ＨＰナフタセンとともに層形成しているといえる。
また、上記で得られた有機ＦＥＴは、μ＝８．７×１０-2ｃｍ2／Ｖｓ、オン／オフ比＝５桁であり、良好な特性が得られた。
【００６４】
ＯＴＥＳによってゲート絶縁膜が表面処理されたことで、ＨＰナフタセンのＸＲＤの回折ピークの半価幅の大きさが実施例１〜２、比較例１よりも小さくなった。また、ＨＰナフタセン結晶の分子配列が実施例１〜２、比較例１より規則的になっていることで、移動度を向上させることができた。
なお、以下の実施例及び比較例において、ＯＴＥＳは実施例３と同様のものを使用する。
【００６５】
実施例４
実施例１と同様に作製、処理した基板を用いて、以下の有機ＦＥＴを作製した。
ペンタセン（１３５−４８−８）（アルドリッチ製、分子量２７８、イオン化ポテンシャル５．２ｅＶ）を０．２重量％、及びＰ３ＨＴを０．０１重量％含むジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）（６７−６８−５）（アルドリッチ製）溶液を、１５０℃に加熱した前記処理基板に、ディスペンサーを用いて５００ｎｌ滴下し、有機半導体層を形成することで有機ＦＥＴを作製した。
【００６６】
有機半導体層のＸＲＤ測定から、２θ＝６．１（面間隔ｄ＝１．４５ｎｍ）、１２．３°（ｄ＝０．７２ｎｍ）、１８．５°（０．４８ｎｍ）に（００１）、（００２）、（００３）回折が観測されペンタセンは高度に結晶化していた。それぞれの回折の半価幅は０．０８°、０．０９°、０．１１°であった。また、２θ＝５．５°（面間隔ｄ＝１．６３ｎｍ）にブロードな回折が観測された。この回折はＰ３ＨＴの分子配列に起因するものであり、Ｐ３ＨＴも配列して、ペンタセンとともに層形成しているといえる。
【００６７】
また、上記で得られた有機ＦＥＴは、μ＝２．３×１０-1ｃｍ2／Ｖｓ、オン／オフ比＝５桁であり、良好な性能が得られた。
なお、以下の実施例及び比較例において、ペンタセンは実施例４と同様のものを使用する。
【００６８】
比較例２
実施例４と同様に作製、処理した基板上に、実施例４と同じ条件でペンタセンの０．２重量％ＤＭＳＯ溶液を滴下し、有機半導体層を形成することで有機ＦＥＴを作製した。
【００６９】
有機半導体層のＸＲＤ測定では、２θ＝６．１（面間隔ｄ＝１．４５ｎｍ）、１２．３°（ｄ＝０．７２ｎｍ）、１８．５°（０．４８ｎｍ）に（００１）、（００２）、（００３）回折が観測された。これによりペンタセンは高度に結晶化していることがわかった。それぞれの回折の半価幅は０．０８°、０．０９°、０．１１°であった。
また、上記で得られた有機ＦＥＴは、μ＝１．２×１０-1ｃｍ2／Ｖｓ、オン／オフ比＝５桁であった。
【００７０】
ここで、ＸＲＤ回折のピーク半価幅の逆数は、その回折に起因する周期構造のサイズを示している。この観点で実施例４と比較例２の有機半導体層のペンタセン結晶のサイズはほぼ同一であることがわかる。しかし、実施例４が比較例２より移動度が大きいのは、ペンタセンの結晶グレイン境界をＰ３ＨＴが埋め合わせることでキャリヤトラップが軽減されたためであると発明者等は推測している。よって、Ｐ３ＨＴを配合することで、有機ＦＥＴの高特性化が実現可能であることがわかる。
【００７１】
実施例５
実施例４と同様に作製、処理した基板上に、実施例４と同じ条件でペンタセンを０．２重量％及びＰ３ＨＴを０．０１重量％、ポリスチレンを０．０７重量％含むＤＭＳＯ溶液を滴下し、有機半導体層を形成することで有機ＦＥＴを作製した。
【００７２】
ＸＲＤ測定では、２θ＝６．１（ｄ＝１．４５ｎｍ）、１２．３°（ｄ＝０．７２ｎｍ）、１８．５°（０．４８ｎｍ）に（００１）、（００２）、（００３）回折が観測された。これによりペンタセンは高度に結晶化していることがわかった。それぞれの回折の半価幅は０．０８°、０．０９°、０．１１°であった。また、２θ＝５．５°（ｄ＝１．６３ｎｍ）にブロードな回折が観測された。この回折はＰ３ＨＴの分子配列に起因するものであり、Ｐ３ＨＴも配列して、ペンタセンとともに層形成しているといえる。
上記で得られた有機ＦＥＴは、μ＝３．１×１０-1ｃｍ2／Ｖｓ、オン／オフ比＝５桁であり、良好な性能が得られた。
【００７３】
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で観察される比較例５の有機半導体層の表面形態から、二乗平均粗さを計算した所、３．１ｎｍであった。この粗さは、同様に計算した実施例４と比較例２の二乗平均粗さが、それぞれ４．１ｎｍと３．９ｎｍと比べて小さくなっている。実施例５の移動度が向上したのは、ポリスチレンをブレンドしたことで、膜としての均一性が向上したためであると推測される。
【００７４】
実施例６
実施例４と同様に作製、処理した基板上に、実施例４と同じ条件でペンタセンを０．２重量％、Ｐ３ＨＴを０．０１重量％、ポリスチレンを０．０７重量％、及びＯＴＥＳを０．０１重量％含むトルエン溶液を滴下し、有機半導体層を形成することで有機ＦＥＴを作製した。
【００７５】
有機半導体層のＸＲＤ測定から、２θ＝６．１（ｄ＝１．４５ｎｍ）、１２．３°（ｄ＝０．７２ｎｍ）、１８．５°（０．４８ｎｍ）に（００１）、（００２）、（００３）回折が観測された。これによりペンタセンは高度に結晶化していることがわかった。それぞれの回折の半価幅は０．０８°、０．０８°、０．０９°であった。また、２θ＝５．５°（ｄ＝１．６３ｎｍ）にブロードな回折が観測された。この回折はＰ３ＨＴの分子配列に起因するものであり、Ｐ３ＨＴも配列して、ペンタセンとともに層形成しているといえる。
【００７６】
また、上記で得られた有機ＦＥＴは、μ＝４．４×１０-1ｃｍ2／Ｖｓ、オン／オフ比＝５桁であり、良好な特性が得られた。
ＯＴＥＳによってゲート絶縁膜が表面処理されたことで、ペンタセンのＸＲＤの回折ピークの半価幅の大きさが実施例４〜５、比較例２よりも小さくなった。また、ペンタセン結晶の分子配列が実施例４〜５、比較例２より規則的になっていることで、移動度を向上させることができた。
【００７７】
実施例７
実施例４におけるＰ３ＨＴをポリフルオレン−ビチオフェン共重合体（Ｆ８Ｔ２、ダウケミカル社製）に変更した以外、実施例４と同様の条件で、有機ＦＥＴを作製した。
Ｆ８Ｔ２単膜の導電率は、四端子法でＬＣＲメーター（日置電機社製）を用いて評価した。Ｆ８Ｔ２単膜は、０．０１重量％ＤＭＳＯ溶液から１５０℃加熱基板上に滴下して調整した。Ｆ８Ｔ２単膜の導電率は、５．７ｘ１０-5Ｓ・ｃｍ-1であった。
【００７８】
ペンタセンを０．２重量％及びＦ８Ｔ２を０．０１重量％含むＤＭＳＯ溶液を１５０℃に加熱した前記処理基板に、ディスペンサーを用いて５００ｎｌ滴下し、有機半導体層６を作製した。
上記で得られた有機ＦＥＴは、μ＝２．１×１０-1ｃｍ2／Ｖｓ、オン／オフ比＝５桁であり、実施例４におけるＰ３ＨＴ混合と同様に、移動度向上の効果が確認された。
【００７９】
実施例８
実施例４のトルエン溶液に対して、０．０７重量％でＰＭＭＡ（９０１１−１４−７）（アルドリッチ社製）をブレンドすること以外、同様の条件で、有機ＦＥＴを作製した。ＰＭＭＡの分子量は９８００００で、導電率は１０-12Ｓ・ｃｍ-1以下であった。
上記で得られた有機ＦＥＴは、μ＝３．０×１０-1ｃｍ2／Ｖｓ、オン／オフ比＝５桁であり、比較例５におけるポリスチレン混合と同様に、移動度向上の効果が確認された。
【００８０】
実施例９
実施例４のトルエン溶液に対して、０．０７重量％でＰＶＡ（９８００２―４８−３）（アルドリッチ社製）をブレンドすること以外、同様の条件で、有機ＦＥＴを作製した。ＰＶＡの分子量は９００００で、導電率は１０-12Ｓ・ｃｍ-1以下であった。
上記で得られた有機ＦＥＴは、μ＝３．３×１０-1ｃｍ2／Ｖｓ、オン／オフ比＝５桁であり、比較例５におけるポリスチレン混合と同様に、移動度向上の効果が確認された。
【００８１】
実施例１０
実施例４のトルエン溶液に対して、０．０１重量％でＯＴＥＳをブレンドすること以外、同様の条件で、有機ＦＥＴを作製した。
上記で得られた有機ＦＥＴは、μ＝２．８×１０-1ｃｍ2／Ｖｓ、オン／オフ比＝５桁であり、比較例５におけるポリスチレン混合と同様に、移動度向上の効果が確認された。
【００８２】
実施例１１
実施例４のトルエン溶液に対して、０．０１重量％でＨＭＤＳ（９９９−９７−３）（アルドリッチ社製、導電率は１０-12Ｓ・ｃｍ-1以下）をブレンドすること以外、同様の条件で、有機ＦＥＴを作製した。
上記で得られた有機ＦＥＴは、μ＝２．９×１０-1ｃｍ2／Ｖｓ、オン／オフ比＝５桁であり、比較例５におけるポリスチレン混合と同様に、移動度向上の効果が確認された。
【００８３】
実施例１２
実施例４のトルエン溶液に対して、０．０１重量％でＰｈＴＥＳ（７８０−６９−８）（アルドリッチ社製、導電率は１０-12Ｓ・ｃｍ-1以下）ブレンドすること以外、同様の条件で、有機ＦＥＴを作製した。
上記で得られた有機ＦＥＴは、μ＝３．１×１０-1ｃｍ2／Ｖｓ、オン／オフ比＝５桁であり、比較例５におけるポリスチレン混合と同様に、移動度向上の効果が確認された。
【００８４】
実施例１３〜２０
実施例４と同様に作製、処理した基板上に、比較例６と同じ混合条件として有機ＦＥＴを作製した。結果を表１に示す。いずれにおいても混合によって、移動度向上の効果が確認された。なお、使用する化合物は上記実施例と比較例に使用したものと同じである。
【００８５】
【表１】
2008091766.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】有機ＦＥＴの概略構成図である。
【符号の説明】
【００８７】
１  基板
２  ゲート電極
３  ゲート絶縁膜
４、５  ソース／ドレイン電極
６  有機半導体層
【図１】
2008091766.tif 000004