(57)【要約】【課題】受光素子及び増幅演算回路を一体的に内蔵した受光素子基板（ＰＤＩＣ）を用いて集積化した光デバイスにおいて、半導体レーザ及び増幅演算回路からの発熱を効率よく放熱できるようにし、また、半導体レーザ及び受光素子の位置関係を容易に高精度に維持することができるようにする。【解決手段】サブマウント１と受光素子基板１８とを、同一の半導体ウエハ３０上において作製し、切断分離させ、サブマウント１、光路変換ミラー３及び受光素子基板１８を配線基板２４上に搭載して、光デバイスを製造する。【選択図】図２
2008041158.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、この半導体レーザを搭載するサブマウントと、前記半導体レーザから発せられた光束を反射して光路を変換する光路変換ミラーと、前記半導体レーザから発せられ前記光路変換ミラーを経た出射光に対して逆方向に入射する入射光を受光する受光素子が表面部に形成された受光素子基板と、前記受光素子基板からの出力信号が供給される回路パターンが形成され前記サブマウント、前記光路変換ミラー及び前記受光素子基板を搭載する配線基板とを備えた光デバイスであって、
前記サブマウントと前記受光素子基板とは、同一の半導体ウエハ上において作製され、切断分離されて、前記配線基板上に搭載されたものである
ことを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
前記サブマウントと前記受光素子基板とは、前記同一の半導体ウェハ上において、共に矩形で、一辺の長さを共通として作製され、かつ、一対をなして隣接配置されて作製されたものである
ことを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項３】
半導体レーザと、この半導体レーザを搭載するサブマウントと、前記半導体レーザから発せられた光束を反射して光路を変換する光路変換ミラーと、前記半導体レーザから発せられ前記光路変換ミラーを経た出射光に対して逆方向に入射する入射光を受光する受光素子が表面部に形成された受光素子基板と、前記受光素子基板からの出力信号が供給される回路パターンが形成され前記サブマウント、前記光路変換ミラー及び前記受光素子基板を搭載する配線基板とを備えた光デバイスであって、
前記サブマウントと前記受光素子基板とは、同一の研磨装置による同一工程によって同時研磨されて作製され、前記配線基板上に搭載されたものである
ことを特徴とする光デバイス。
【請求項４】
半導体レーザと、この半導体レーザを搭載するサブマウントと、前記半導体レーザから発せられた光束を反射して光路を変換する光路変換ミラーと、前記半導体レーザから発せられ前記光路変換ミラーを経た出射光に対して逆方向に入射する入射光を受光する受光素子が表面部に形成された受光素子基板と、前記受光素子基板からの出力信号が供給される回路パターンが形成され前記サブマウント、前記光路変換ミラー及び前記受光素子基板を搭載する配線基板とを備えた光デバイスの製造方法であって、
前記サブマウントと前記受光素子基板とを、同一の半導体ウエハ上において作製し、切断分離させ、前記配線基板上に搭載する
ことを特徴とする光デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記サブマウントと前記受光素子基板とは、前記同一の半導体ウェハ上において、共に矩形で、一辺の長さを共通とし、かつ、一対をなして隣接配置して作製する
ことを特徴とする請求項４記載の光デバイスの製造方法。
【請求項６】
半導体レーザと、この半導体レーザを搭載するサブマウントと、前記半導体レーザから発せられた光束を反射して光路を変換する光路変換ミラーと、前記半導体レーザから発せられ前記光路変換ミラーを経た出射光に対して逆方向に入射する入射光を受光する受光素子が表面部に形成された受光素子基板と、前記受光素子基板からの出力信号が供給される回路パターンが形成され前記サブマウント、前記光路変換ミラー及び前記受光素子基板を搭載する配線基板とを備えた光デバイスの製造方法であって、
前記サブマウントと前記受光素子基板とを、同一の研磨装置による同一工程によって同時研磨して作製し、前記配線基板上に搭載する
ことを特徴とする光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク等の情報記録媒体に対する記録及び再生を行う光ピックアップ装置に用いる光デバイス及びこのような光デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、情報記録媒体として種々の光ディスクが提案されている。このような光ディスクとして、「ＣＤ」（Compact Disc）規格の光ディスクの約７倍の記録容量を有する「ＤＶＤ」（Digital Versatile Disc）規格の光ディスクは、近年急速に普及している。この「ＤＶＤ」にビデオ信号を記録したもの（「ＤＶＤ−Video」）は、大量複製が可能であり、映画等のコンテンツの配布やレンタルに使用する媒体として、「ＶＨＳ」（商標名）等のビデオテープ媒体に取って替わろうとしている。
【０００３】
さらに、いわゆる「ＤＶＤ−ＲＡＭ」、「ＤＶＤ−Ｒ」、「ＤＶＤ−ＲＷ」、「ＤＶＤ＋Ｒ」、「ＤＶＤ＋ＲＷ」など、ユーザが情報信号を記録することが可能な光ディスクの規格も、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）用の記録媒体やビデオレコーダ用の記録媒体として、急速に普及しつつある。
【０００４】
一方、「ＣＤ」に関しても、いわゆる「ＣＤ−Ｒ」など、ユーザが情報信号を記録することが可能な光ディスクの規格が広く普及している。また、高精細な映像信号に対応した「ＢＤ」（Blu-ray Disc）では、提案の当初より、ユーザが情報信号を記録することが可能な光ディスクの規格として提案されている。
【０００５】
このように、光ディスク装置においては、「ＤＶＤ」規格である６５０ｎｍ波長帯の光束を用いる光ディスクや、「ＣＤ」規格である７８０ｎｍ波長帯の光束を用いる光ディスクや、さらに他の波長帯の光束を用いる光ディスクのいずれについても、ユーザが情報信号を記録することが可能な機能が要求されるようになっている。
【０００６】
そして、光ディスク装置のキーパーツである光ピックアップ装置においては、記録可能であることを前提として、情報の記録に対応した高出力の半導体レーザが用いられ、さらに、記録再生の高速化を実現するため、半導体レーザのさらなる高出力化や、受光素子からの出力信号を処理する回路の広帯域化が求められている。
【０００７】
一方、光ディスク装置の用途の多様化に伴って、可搬性の高い装置が求められ、光ピックアップや、この光学ピックアップ装置を構成するキーパーツの小型軽量化が求められている。このような小型軽量化の要求に応えつつ、信頼性を確保するという観点から、光ピックアップ装置を構成するキーパーツとして、増幅演算回路を内蔵した受光素子基板である「ＰＤＩＣ」と半導体レーザとを一体化し、さらに、この「ＰＤＩＣ」にいくつかの光路変換素子や、光路分岐素子や、レンズ機能を備えたホログラム素子や、ミラー等を一体的として集積化した光デバイスが提案されている。
【０００８】
例えば、本件出願人は、図９に示すように、情報信号の記録に対応し、かつ、半導体レーザと受光素子とを一体化し集積化した光デバイスを提案している。
【０００９】
この光デバイスは、金属のリードフレームと樹脂筐体からなるパッケージ１０１に、「ＰＤＩＣ」１０２が搭載されており、さらに、この「ＰＤＩＣ」１０２の上面に、半導体サブマウント１０３を介して半導体レーザ１０４が搭載されて構成されている。また、「ＰＤＩＣ」１０２の上面には、光路変換ミラー１０５が載置されている。この光路変換ミラー１０５は、「ＰＤＩＣ」１０２の上面に対して４５°傾斜した反射面を半導体レーザ１０４の方向に向けて設置されている。
【００１０】
この光デバイスにおいて、半導体レーザ１０４から発せられた光束は、光路変換ミラー１０５の反射面により反射されて、「ＰＤＩＣ」１０２の上面に対して垂直な方向に向かい、図示しない対物レンズを含む光ピックアップ光学系により、光ディスクの情報記録面に集光して照射される。そして、光ディスクの情報記録面からの反射光１０６は、この光デバイスに対し、半導体レーザ１０４から発せられ光路変換ミラー１０５を経た出射光に対して逆方向に入射し、この光デバイスの上部に搭載されたホログラム素子１０７によって分岐され、レンズ作用を受け、「ＰＤＩＣ」１０２上面に形成された複数の受光素子１１０（Ａ０＋，Ｂ０＋，Ａ０−，Ｂ０−・・・）によって受光される。
【００１１】
「ＰＤＩＣ」１０２においては、受光素子１１０と同一の半導体基板上に、図示しない増幅器及び演算回路が形成されている。これら増幅器及び演算回路は、各受光素子から出力される光検出出力を増幅して演算し、再生信号や各種エラー信号を生成する。この再生信号を用いることにより光ディスクからの信号再生が可能となり、各種エラー信号を用いることにより各種のサーボ動作が可能となる。
【００１２】
この光デバイスは、再生専用の光ピックアップにも適用可能であり、また、半導体レーザ１０４を十分に高出力のものとして光出力を変調動作させることにより、記録動作も実行することができ、さらに、半導体レーザをさらに高出力化し「ＰＤＩＣ」１０２を広帯域化することにより、高倍速にも対応可能である。
【００１３】
この光デバイスにおいては、図１０の（ａ）（正面図）及び（ｂ）（縦断面図）並びに図１１に示すように、金属板の打抜き材からなるリードフレーム１０８は、樹脂筐体１０９に一体化されて補強されており、このリードフレーム１０８の上面の金属露出部分に、「ＰＤＩＣ」１０２がダイマウントされている。「ＰＤＩＣ」１０２の上面部には、複数の受光素子１１０や増幅器及び演算回路が半導体プロセスにより形成されている。これら受光素子１１０、増幅器及び演算回路は、「ＰＤＩＣ」１０２の表面部から数μｍの深さの領域に形成されている。
【００１４】
また、この光デバイスにおいては、「ＰＤＩＣ」１０２の表面部が光学的及び機械的な基準面となっており、この基準面に半導体プロセスで形成されたアライメントマーク等を基準として、「ＰＤＩＣ」１０２の表面部上に半導体サブマウント１０３及び光路変換ミラー１０５が設置される。そして、半導体サブマウント１０３上には、半導体レーザ１０４が設置される。これら半導体サブマウント１０３、半導体レーザ１０４及び光路変換ミラー１０５は、数μｍ以内の位置精度で設置されている。
【００１５】
ここで、光ディスクからの反射光１０６のホログラム素子１０７による回折光１０６ａ，１０６ｂを用いてフォーカスエラー信号を検出する場合には、これら回折光と受光素子１１０の受光面との交点である受光点１１０ａ，１１０ｂが、半導体レーザ１０４の発光点１０４ａが光路変換ミラー１０５によって反射写像された共役点１０４ｂと、ホログラム素子１０７に対して光学的に略等距離にあるのが好ましい。これら受光点１１０ａ，１１０ｂと共役点１０４ｂとの位置関係の精度は、フォーカスエラー信号の精度に影響する。
【００１６】
この光デバイスにおいては、発光点１０４ａの共役点１０４ｂは、受光素子１１０の受光面（「ＰＤＩＣ」１０２の表面部）から、略１００μｍ程度の深さｄだけ潜った位置にある。そして、半導体レーザ１０４の発光点１０４ａの高さ、すなわち、受光素子１１０の受光面までの距離は、半導体サブマウント１０３の厚さｈで決まり、略２００μｍ乃至３００μｍ程度に設定される。これらの距離は、光学設計によって定まる値であり、光デバイスの組立上の都合によって任意に変更することはできず、また、高い精度が要求される。
【００１７】
なお、図１１において、発光点１０４ａは、半導体レーザ１０４における活性層にあたるいわゆる「ジャンクション部」（ストライプ部）であり、発光時の発熱部分である。また、増幅演算回路１１１は、やはり動作時の発熱部分である。半導体レーザ１０４からの熱は、半導体サブマウント１０３、「ＰＤＩＣ」１０２、リードフレーム１０８及び樹脂筐体１０９を経て、直接に、あるいは、図示しないヒートシンク等を介して、外部空間に放熱される。増幅演算回路１１１からの熱等、「ＰＤＩＣ」１０２からの熱も、リードフレーム１０８及び樹脂筐体１０９を経て、外部空間に放熱される。
【００１８】
この光デバイスは、図１２に示すように、リードフレーム１０８上に「ＰＤＩＣ」１０２を取付け、この「ＰＤＩＣ」１０２上に半導体サブマウント１０３及び光路変換ミラー１０５を設置し、さらに、半導体サブマウント１０３上に半導体レーザ１０４が設置されることによって、図１３に示すように、組立てられる。
【００１９】
「ＰＤＩＣ」１０２は、シリコン（Ｓｉ）単結晶を用いたウエハ２０２上に半導体プロセスによって作製され、切出し（ダイシング）工程を経て、リードフレーム１０８上に搭載（ダイマウント）される。また、半導体サブマウント１０３も、厚さｈのシリコン（Ｓｉ）単結晶を用いたサブマウントウエハ２０１上に半導体プロセスによって作製され、切出し（ダイシング）工程を経て、数百μｍ角のチップとされて、「ＰＤＩＣ」１０２上に搭載（ダイマウント）される。これら「ＰＤＩＣ」１０２及び半導体サブマウント１０３は、それぞれ別個のウエハ２０１，２０２から切出される。
【００２０】
また、特許文献１には、図１４の（ａ）（平面図）及び（ｂ）（縦断面図）に示すように、半導体レーザ１０４を半導体サブマウント１０３を介さず「ＰＤＩＣ」１０２に取付けて構成した光デバイスが記載されている。この光デバイスにおいては、「ＰＤＩＣ」１０２そのものを異方性エッチングすることによって段差構造を形成し、光路変換ミラー１０５の反射面に相当する反射面を形成している。
【００２１】
この光デバイスにおいては、半導体レーザ１０４からの熱は、「ＰＤＩＣ」１０２、リードフレーム１０８、樹脂筐体１０９を経て、外部空間に放熱される。この光デバイスにおいては、前述の構成に比較して、半導体サブマウント１０３がない分だけ、熱伝導経路における構成部品が一つ少なくなっている。しかし、この光デバイスにおいては、半導体レーザ１０４と「ＰＤＩＣ」１０２という発熱体同士が直接接して配置されており、相互に熱的な影響を与えやすい虞れがある。
【００２２】
特許文献２には、図１５に示すように、ホログラム素子１０７を用いることなく、光路変換ミラー１０５の底部に受光素子１１０を配置し、光ディスクからの反射光を光路変換ミラー１０５を透過させて受光するようにした光デバイスが記載されている。
【００２３】
この光デバイスでは、半導体レーザ１０４からの熱は、金属製のサブマウント１０３、「ＰＤＩＣ」１０２及び図示しない樹脂筐体１０９を経て、外部空間に放熱される。この熱伝導経路は、前述した光デバイスにおけるものと同様である。
【００２４】
そして、特許文献３には、図１６に示すように、半導体レーザ１０４からの熱を半導体サブマウント１０３を経て直接樹脂筐体１０９に伝導させる構造として、熱抵抗の増大を抑制した光デバイスが記載されている。
【００２５】
この光デバイスの構成は、基本的には図１２に示したものと同様であるが、この光デバイスは、受光機能を集積しないものであり、半導体レーザ１０４と受光素子との位置関係の制約がないことによって、熱伝導に関与する構成部品を減少させることができている。すなわち、この光デバイスにおいて、このまま受光素子を配置することはできない。
【００２６】
特許文献４には、図１７に示すように、リードフレーム１０８の下面部、すなわち、光ディスク側の反対側の面に、半導体サプマウント１０３を介して半導体レーザ１０４を配置した光デバイスが記載されている。この光デバイスにおいては、半導体レーザ１０４から出射された光は、リードフレーム１０８の下面部に設置された光路変換ミラー１０５により反射され、リードフレーム１０８に設けられた透孔を介して光ディスク側に出射される。この光デバイスにおいては、「ＰＤＩＣ」１０２は、リードフレーム１０８上面部に設置されており、この「ＰＤＩＣ」１０２の上面部に受光素子１１０が形成されている。
【００２７】
この光デバイスにおいても、半導体レーザ１０４からの熱は、半導体サブマウント１０３及びリードフレーム１０８を経て、直接樹脂筐体１０９に伝導される。また、「ＰＤＩＣ」１０２からの熱は、「ＰＤＩＣ」１０２の半導体基板を経由して、リードフレーム１０８に伝導される。
【００２８】
この光デバイスにおいて、半導体レーザ１０４及び受光素子１１０の位置関係は、高さ方向については、半導体サブマウント１０３の厚さ、リードフレーム１０８の厚さ、「ＰＤＩＣ」１０２の基板厚、光路変換ミラー１０５の前後位置等の複合によって定まり、誤差はこれらの誤差を累積したものとなる。
【００２９】
【特許文献１】特開２０００−１９６１７６公報
【特許文献２】特開平１０−２５５３１２号公報
【特許文献３】特開２００２−３２９９１８公報
【特許文献４】特開２００４−３９１２０公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３０】
前述したような光デバイスにおいては、半導体レーザの発光点と受光素子との位置関係を高精度に維持することが重要である。
【００３１】
また、前述した光デバイスにおいては、特に、記録動作に用いる高出力半導体レーザ及び高倍速に対応可能な増幅演算回路を内蔵した「ＰＤＩＣ」を備えた場合には、これら半導体レーザや「ＰＤＩＣ」等の発熱体の温度上昇が問題となる。具体的には、温度上昇が抑えられないと、半導体レーザにおいては、特性の劣化や出力上限値の低下が生じ、また、「ＰＤＩＣ」においては、出力信号のオフセット変動等の不具合が生ずる虞れがある。
【００３２】
したがって、これら光デバイスにおいては、光デバイスの内部及び光デバイスから外部ヘの熱伝導効率を改善する必要があり、発熱部分からの熱伝導の経路となる部品要素の削減や、伝導距離（厚さ）の低減、熱伝導の良好な材質ヘの変更などが求められる。
【００３３】
前述の図９乃至図１３に示した光デバイスにおいては、半導体レーザ１０４の発光点１０４ａと受光素子１１０との位置関係は、半導体サブマウント１０３が切出されるシリコンウエハ２０１の厚さｈに依存する。
【００３４】
図１８は、この光デバイスのシリコンウエハの厚さ誤差の影響を示す平面図及び側面図図である。
【００３５】
この光デバイスにおいては、図１８に示すように、半導体レーザ１０４は、発光点１０４ａを下端として、いわゆるジャンクションダウンで半導体サブマウント１０３上に搭載されるので、発光点１０４ａの「ＰＤＩＣ」１０２の表面からの高さは、シリコンウエハの厚さｈに等しいとみなすことができる。
【００３６】
シリコンウエハの厚さｈに誤差がない場合には、発光点１０４ａの「ＰＤＩＣ」１０２の表面からの高さは、所定の高さｈとなる。しかし、シリコンウエハの厚さが設計値ｈに対してΔｈの誤差を持ち、ｈ´になっている場合には、発光点１０４ａの「ＰＤＩＣ」１０２の表面からの高さがｈ´となり、この発光点１０４ａと受光素子１１０との位置関係に誤差が生ずる。
【００３７】
すなわち、半導体レーザ１０４を搭載する工程は、「ＰＤＩＣ」１０２の表面を垂直上方から観察した状態で行う。「ＰＤＩＣ」１０２の表面に平行な２次元方向については、画像認識によって高精度に位置を確認することが可能であり、各部品を高精度に位置調整して搭載することが可能である。半導体レーザ１０４及び半導体サブマウント１０３は、それらの外形等を基準として位置決めされて、「ＰＤＩＣ」１０２上に搭載される。そして、光路変換ミラー１０５は、外形を基準とせずに、この光路変換ミラー１０５による発光点１０４ａの反射像を観察して、発光点１０４ａの共役点１０４ｂの位置が正規の位置（図１８中の●で示す位置）に観察されるように調整されて、搭載される。
【００３８】
すると、発光点１０４ａの「ＰＤＩＣ」１０２の表面からの高さがｈ´となっている場合には、発光点１０４ａの共役点１０４ｂの位置は、正規の位置に対して「ＰＤＩＣ」１０２の表面からの深さがΔｄだけ異なる位置（図１８中の×で示す位置）となる。このΔｄは、シリコンウエハの厚さの設計値ｈに対する誤差Δｈに等しい。
【００３９】
この光デバイスを特に光ピックアップに用いる場合においては、光ディスクと対物レンズとの相対位置関係を示すフォーカスエラー信号を精度よく検出するため、発光点１０４ａの共役点１０４ｂの位置の光軸方向（すなわち高さ方向）の誤差は、例えば、前述の「ＣＤ」や「ＤＶＤ」に適用する場合、±５μｍ未満に抑える必要がある。
【００４０】
ところで、半導体サブマウント１０３が切出されるシリコンウエハの厚さｈは、数百μｍ、例えば、２００μｍ乃至３００μｍ程度である。そして、このシリコンウエハの厚さは、通常の研磨工程を経たものでは、±１０μｍ乃至±２０μｍ程度の絶対値精度を有し、面内バラツキとして、±３μｍ乃至±５μｍ程度の誤差を有している。
【００４１】
前述した光デバイスのように、シリコンウエハの厚さｈに精度が要求される場合には、絶対値として数百μｍ±３μｍ程度までの高精度化が可能である。従来、シリコンウエハの厚さｈを数百μｍ±３μｍ程度（例えば、３００μｍ±３μｍ）に管理することによって、光デバイスの製造が可能となっている。しかし、この程度の精度が工業的限界であり、このような精度を実現することは、管理工数の増加、歩留りの減少、ひいては、コスト上昇の原因となっている。また、これ以上の精度が必要となる場合においては、十分な精度を確保することができない。
【００４２】
また、この光デバイスにおいては、「ＰＤＩＣ」１０２は、上面に受光素子１１０が形成されるとともに、上面に半導体サブマウント１０３及び光路変換ミラー１０５が搭載されており、また、ダイシング工程を考慮した矩形の形状を確保する必要があるため、小型化が困難となっている。すなわち、「ＰＤＩＣ」１０２は、本来必要な受光素子１１０及び増幅演算回路１１１以外の領域を確保しなければならないため、小型化できず、高コスト化の原因となっていた。なお、このような光デバイスにおいて、「ＰＤＩＣ」１０２のコストが、総コストの６割程度を占めることもある。
【００４３】
図１４に示した光デバイスにおいては、半導体レーザ１０４の発光点と受光素子１１０との位置関係を高精度に維持することはできそうであるが、半導体レーザ１０４と「ＰＤＩＣ」１０２という発熱体同士が直接接して配置されているため、相互に熱的な影響を与えやすいという問題がある。
【００４４】
図１５に示した光デバイスにおいては、サブマウント１０３の材質が金属であることで、熱伝導効率が改善される可能性があるが、熱伝導経路としては、半導体レーザ１０４、サブマウント１０３、「ＰＤＩＣ」１０２及び樹脂筐体１０９を経て外部空間に放熱されるものであり、十分な熱伝導効率が得られない虞れがある。
【００４５】
また、この光デバイスにおいては、半導体レーザの発光点と受光素子との位置関係は、高さ方向については、サブマウント１０３の厚さ及び光路変換ミラー１０５の前後位置等の複合によって定まるので、μｍ単位の精度を必要とする光デバイスにおいては、十分な精度を確保することが困難となる虞れがある。
【００４６】
図１６に示した光デバイスにおいては、半導体レーザ１０４からの熱を半導体サブマウント１０３から直接樹脂筐体１０９に伝導させる構造としているが、受光機能を集積しないことを前提とした構成なので、この構成を受光素子等を一体化した集積デバイスに適用することはできない。
【００４７】
図１７に示した光デバイスにおいては、半導体レーザ１０４からの熱を半導体サブマウント１０３から直接樹脂筐体１０９に伝導させる構造としているが、半導体サブマウント１０３における熱伝導率が不十分であると、十分な放熱が行われない。また、「ＰＤＩＣ」１０２からの熱は、「ＰＤＩＣ」１０２の半導体基板を経由してリードフレーム１０８に伝導されるため、半導体基板における熱伝導率が不十分であると、十分な放熱が行われない。
【００４８】
さらに、この光デバイスにおいては、半導体レーザの発光点と受光素子との位置関係は、高さ方向については、半導体サブマウント１０３の厚さ、リードフレーム１０８の厚さ、「ＰＤＩＣ」１０２の基板の厚さ、光路変換ミラー１０５の前後位置等の複合によって定まり、誤差はこれらの誤差を累積したものとなるため、μｍ単位の精度を必要とする光デバイスにおいては、十分な精度を確保できないという問題がある。
【００４９】
そこで、本発明は、前述の実情に鑑みてなされたものであり、半導体レーザ及び受光素子基板を一体的に集積化した光デバイスにおいて、特に、記録動作に用いる高出力半導体レーザ及び高倍速に対応可能な増幅演算回路を内蔵した受光素子（ＰＤＩＣ）を備えた場合であっても、これら発熱源における発熱を効率よく放熱することができ、また、半導体レーザ及び受光素子の位置関係を容易に高精度に維持することができるようになされた光デバイス及び光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００５０】
本発明は、半導体レーザ及び受光素子基板を一体的に集積化した光デバイス及び光デバイスの製造方法において、特に、記録動作に用いる高出力半導体レーザ及び高倍速に対応可能な増幅演算回路を内蔵した受光素子（ＰＤＩＣ）を備えた場合であっても、これら発熱源における発熱を効率よく放熱することができ、また、半導体レーザ及び受光素子の位置関係を容易に高精度に維持することができるようになされた光デバイス及び光デバイスの製造方法を提供するものである。
【００５１】
すなわち、本発明に係る光デバイスは、以下の構成のいずれか一を有するものである。
【００５２】
〔構成１〕
半導体レーザとこの半導体レーザを搭載するサブマウントと半導体レーザから発せられた光束を反射して光路を変換する光路変換ミラーと半導体レーザから発せられ光路変換ミラーを経た出射光に対して逆方向に入射する入射光を受光する受光素子が表面部に形成された受光素子基板と受光素子基板からの出力信号が供給される回路パターンが形成された配線基板とを備えた光デバイスであって、サブマウント、光路変換ミラー及び受光素子基板が配線基板上に搭載され、サブマウントと受光素子基板とは、同一の半導体ウエハ上において作製され、切断分離されて、配線基板上に搭載されたものであることを特徴とするものである。
【００５３】
〔構成２〕
構成１を有する光デバイスにおいて、サブマウントと受光素子基板とは、同一の半導体ウェハ上において、共に矩形で、一辺の長さを共通として作製され、かつ、一対をなして隣接配置されて作製されたものであることを特徴とするものである。
【００５４】
〔構成３〕
半導体レーザとこの半導体レーザを搭載するサブマウントと半導体レーザから発せられた光束を反射して光路を変換する光路変換ミラーと半導体レーザから発せられ光路変換ミラーを経た出射光に対して逆方向に入射する入射光を受光する受光素子が表面部に形成された受光素子基板と受光素子基板からの出力信号が供給される回路パターンが形成された配線基板とを備えた光デバイスであって、サブマウント、光路変換ミラー及び受光素子基板が配線基板上に搭載され、サブマウントと受光素子基板とは、同一の研磨装置による同一工程によって同時研磨されて作製され、配線基板上に搭載されたものであることを特徴とするものである。
【００５５】
また、本発明に係る光デバイスの製造方法は、以下の構成のいずれか一を有するものである。
【００５６】
〔構成４〕
半導体レーザとこの半導体レーザを搭載するサブマウントと半導体レーザから発せられた光束を反射して光路を変換する光路変換ミラーと半導体レーザから発せられ光路変換ミラーを経た出射光に対して逆方向に入射する入射光を受光する受光素子が表面部に形成された受光素子基板と受光素子基板からの出力信号が供給される回路パターンが形成された配線基板とを備えた光デバイスの製造方法であって、サブマウントと受光素子基板とを、同一の半導体ウエハ上において作製し、切断分離させ、サブマウント、光路変換ミラー及び受光素子基板を配線基板上に搭載することを特徴とするものである。
【００５７】
〔構成５〕
構成４を有する光デバイスの製造方法において、サブマウントと受光素子基板とは、同一の半導体ウェハ上において、共に矩形で、一辺の長さを共通とし、かつ、一対をなして隣接配置して作製することを特徴とするものである。
【００５８】
〔構成６〕
半導体レーザとこの半導体レーザを搭載するサブマウントと半導体レーザから発せられた光束を反射して光路を変換する光路変換ミラーと半導体レーザから発せられ光路変換ミラーを経た出射光に対して逆方向に入射する入射光を受光する受光素子が表面部に形成された受光素子基板と受光素子基板からの出力信号が供給される回路パターンが形成された配線基板とを備えた光デバイスの製造方法であって、サブマウントと受光素子基板とを、同一の研磨装置による同一工程によって同時研磨して作製し、サブマウント、光路変換ミラー及び受光素子基板を配線基板上に搭載することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００５９】
本発明に係る光デバイス及び光デバイスの製造方法においては、構成１、または、構成４を有することにより、サブマウントと受光素子基板とは、同一の半導体ウエハ上において作製され、切断分離され、これらサブマウント、受光素子基板及び光路変換ミラーが配線基板上に搭載されるので、サブマウント及び受光素子基板が作製される半導体ウエハの厚さの誤差に関わらず、半導体レーザの発光点の光路変換ミラーに対する共役点の受光素子基板の表面に対する相対高さを高精度に維持することができる。
【００６０】
したがって、本発明は、各種の特性が理想的に維持され、かつ、製造歩留りが改善された光デバイスを提供することができ、また、半導体レーザや受光素子基板上の電気回路等からの発熱を良好に放熱することができる光デバイスを提供することができる。
【００６１】
また、本発明に係る光デバイス及び光デバイスの製造方法においては、構成２、または、構成５を有することにより、サブマウントと受光素子基板とは、同一の半導体ウエハ上において、共に矩形で、一辺の長さを共通とし、かつ、一対をなして隣接配置して作製されるので、通常のダイシング工程で容易に切断可能である。
【００６２】
そして、本発明に係る光デバイス及び光デバイスの製造方法においては、構成３、または、構成６を有することにより、サブマウントと受光素子基板とは、同一の研磨装置による同一工程によって同時研磨して作製され、これらサブマウント、受光素子基板及び光路変換ミラーが配線基板上に搭載されるので、サブマウント及び受光素子基板が作製される半導体ウエハの厚さの相対誤差を抑えることができ、半導体レーザの発光点の光路変換ミラーに対する共役点の受光素子基板の表面に対する相対高さを高精度に維持することができる。
【００６３】
したがって、本発明は、各種の特性が理想的に維持され、かつ、製造歩留りが改善された光デバイスを提供することができ、また、半導体レーザや受光素子基板上の電気回路等からの発熱を良好に放熱することができる光デバイスを提供することができる。
【００６４】
すなわち、本発明は、半導体レーザ及び受光素子基板を一体的に集積化した光デバイスであって、特に、記録動作に用いる高出力半導体レーザ及び高倍速に対応可能な増幅演算回路を内蔵した受光素子（ＰＤＩＣ）を備えた場合であっても、これら発熱源における発熱を効率よく放熱することができ、また、半導体レーザ及び受光素子の位置関係を容易に高精度に維持することができるようになされた光デバイス及び光デバイスの製造方法を提供することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６５】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照して説明する。
【００６６】
図１は、本発明に係る光デバイスを用いた光ピックアップの光学系の構成を示す斜視図である。
【００６７】
本発明に係る光デバイスは、図１に示すように、記録トラックに沿って情報信号が記録された情報記録媒体である光ディスクに対して収束光を照射し、この収束光の光ディスクからの反射光を検出して、情報信号を読み取る光ピックアップに適用することができる。
【００６８】
この光ピックアップにおいては、半導体サブマウント１上に設置された半導体レーザ２から出射された光束は、プリズム３ａの一端面である光路変換ミラー３において反射され、ホログラム素子１３を透過して、対物レンズ４に入射される。この光束（往路光）は、ホログラム素子１３においては何らの作用も受けずに透過する。
【００６９】
対物レンズ４に入射した光束は、この対物レンズ４によって収束光となり、光ディスク５の信号記録上に集光され、この信号記録面上に光スポット６を形成する。
【００７０】
そして、光ディスク５の信号記録面において反射された反射光（複路光）は、対物レンズ４に戻り、この対物レンズ４を経てホログラム素子１３に入射する。このホログラム素子１３は、光ディスク５からの反射光の通過領域を含む平面上に形成されている。なお、このホログラム素子１３は、透明基板１２上に、微細周期構造として作製されている。
【００７１】
ここで、光ディスク５上の記録トラック８の接線に平行な軸をタンジェンシャル軸９と呼び、このタンジェンシャル軸９に直交し光ディスク５の回転中心軸１０を通る軸をラジアル軸１１と呼ぶ。光ディスク５に対する往復の光束の光軸７は、これらタンジェンシャル軸９及びラジアル軸１１のいずれとも直交する。
【００７２】
ホログラム素子１３に入射した光ディスク５からの反射光は、このホログラム素子１３において、回折作用を受ける。ホログラム素子１３は、複数の分割線１４，１５，１６，１７によって複数の領域（８領域）に分割されている。光ディスク５からの反射光は、ホログラム素子１３の分割された領域のそれぞれにおいて、異なる、または、同一の回折作用を受ける。回折作用を受けた光ディスク５からの反射光は、１次回折光として、光軸７に対して所定の角度をなして０次光より分岐され、２組の回折光群（計４本の回折光）として出射される。これら２組の回折光群は、互いに空間的に離間する位置において、「ＰＤＩＣ」１８上に入射する。この「ＰＤＩＣ」１８は、増幅演算回路を内蔵した受光素子基板である。
【００７３】
「ＰＤＩＣ」１８上には、受光素子１９が形成されている。ホログラム素子１３を経た２組の回折光群は、いずれも受光素子１９に漏れなく入射して、光スポット２２，２３を形成する。すなわち、受光素子１９は、ホログラム素子１３を経た反射光を検出する。
【００７４】
受光素子１９は、２本の分割線２０，２１によって４つの受光領域に分割されている。この受光素子１９は、分割された受光領域ごとに、入射した光束の光量に応じた光電変換を行い、信号出力を行う。この受光素子１９は、４つの受光領域に分割されているので、４本の信号出力を行う。
【００７５】
なお、ホログラム素子１３における光ディスク５からの反射光の０次光は、回折作用を受けずに、光軸７上を進み、プリズム３ａの一端面であるミラー３に戻る。この０次光は、光路変換ミラー３を透過して、プリズム３ａ内に入射する。そして、プリズム３ａの底面側に設けられた図示しない受光素子によって受光される。この受光素子からの信号出力は、光ディスク５からの情報信号の読取り信号となる。
【００７６】
〔第１の実施の形態〕
以下、本発明に係る光デバイス及び光デバイスの製造方法の第１の実施の形態について説明する。
【００７７】
図２は、本発明に係る光デバイスの第１の実施の形態における構成を示す分解斜視図である。
【００７８】
図３は、本発明に係る光デバイスの構成を示す斜視図である。
【００７９】
この光デバイスは、図２に示すように、金属板の打抜き材からなる配線基板であるリードフレーム２４と樹脂筐体２５からなるパッケージ２６内に、半導体レーザ２を搭載する半導体サブマウント１及び増幅演算回路を内蔵した受光素子基板である「ＰＤＩＣ」１８がダイマウントされて搭載されて、図３に示すように、構成される。リードフレーム２４には、「ＰＤＩＣ」１８からの出力信号が供給される回路パターンが形成されており、半導体サブマウント１、光路変換ミラー３及び「ＰＤＩＣ」１８が搭載される。
【００８０】
なお、リードフレーム２４としては、絶縁体、または、絶縁加工を施した金属板の表面に複数の電極をパターニングした平面基板、あるいは、金属平板を打ち抜き加工によって電気的に分離された複数の部分に分割して構成したものを用いることができる。このリードフレーム２４は、樹脂筐体２５に一体化されることにより、補強されている。
【００８１】
図４は、本発明に係る光デバイスの第１の実施の形態における構成を示す平面図及び側面図である。
【００８２】
「ＰＤＩＣ」１８の上面側数μｍの領域には、図４に示すように、受光素子１９や増幅器、演算回路等が、半導体プロセスにより形成されている。この「ＰＤＩＣ」１８及び半導体サブマウント１は、リードフレーム２４の上面に、互いに並列的に独立して搭載される。半導体レーザ２は、半導体サブマウント１上に搭載される。この半導体レーザ２は、活性層側の面（ジャンクション面、または、ストライプ面ともいう。）の側が、半導体サブマウント１に当接されて搭載される。そのため、リードフレーム２４の上面に対する半導体レーザ２の発光点２ａの位置（高さ）は、半導体サブマウント１の厚さｈによって決定される。
【００８３】
また、リードフレーム２４の上面には、一端部が光路変換ミラー３となされたプリズム３ａが載置される。この光路変換ミラー３は、リードフレーム２４の上面に対して４５°傾斜した反射面であって、半導体レーザ２の方向に向けて設置される。
【００８４】
これら半導体レーザ２及び光路変換ミラー３は、互いの相対位置関係が、数μｍ以内の精度となされて設置される。なお、この光デバイスにおいては、「ＰＤＩＣ」１８の上面を、光学的及び機械的基準面として用いることができる。この場合には、「ＰＤＩＣ」１８の上面に、半導体プロセスにより、アライメントマーク等を形成しておくことが望ましい。このアライメントマークを基準として、半導体レーザ２及び光路変換ミラー３等を、数μｍ以内の精度で搭載することができる。
【００８５】
そして、この光デバイスの製造方法においては、半導体サブマウント１と「ＰＤＩＣ」１８とは、ともに半導体ウエハを用いて構成されており、図２に示すように、同一の、例えば、シリコン（Ｓｉ）単結晶からなる半導体ウエハ３０内において作製されたものである。すなわち、半導体サブマウント１と「ＰＤＩＣ」１８とは、同一の半導体ウエハ３０上において作製し、切断分離させて、リードフレーム２４の上面に搭載する。
【００８６】
したがって、半導体サブマウント１の厚さと「ＰＤＩＣ」１８の厚さとは、ともに半導体ウエハ３０の厚さｈに等しく、共通の厚みを有している。なお、半導体サブマウント１と「ＰＤＩＣ」１８とは、半導体ウエハ３０において、近接した位置において作製することが望ましい。この場合には、半導体ウエハ３０における研磨による厚さの面内分布を考慮しても、半導体サブマウント１及び「ＰＤＩＣ」１８を同一の厚さと見なすことが可能である。
【００８７】
さらに、半導体サブマウント１と「ＰＤＩＣ」１８とは、同一の半導体ウエハ上において、共に上面が矩形で、上面の一辺の長さを共通とし、かつ、一対をなして隣接配置して作製することが望ましい。この場合には、半導体ウエハ３０における研磨による厚さの面内分布を考慮しても、半導体サブマウント１及び「ＰＤＩＣ」１８を完全に同一の厚さと見なすことが可能である。
【００８８】
半導体サブマウント１の上面の一辺と「ＰＤＩＣ」１８の上面の一辺とが互いに等しい場合には、半導体ウエハ３０において、これらを交互に配列させることができ、通常のダイシング工程で容易に切断して、半導体サブマウント１及び「ＰＤＩＣ」１８をを作製することが可能である。
【００８９】
この光デバイスにおいては、図４に示すように、半導体サブマウント１及び「ＰＤＩＣ」１８の厚さは、ともに、半導体ウエハの厚さｈが誤差Δｈを有する場合には、誤差Δｈを有し、厚さｈ´となる。この場合には、半導体レーザ２の発光点２ａが光路変換ミラー３によって反射写像された共役点２ｂは、光路変換ミラー３の位置が調整されることによって、出射光の光軸から外れない位置に調整されるが、この光軸方向（深さ方向）については、正規の位置に対してΔｄのずれを生じ、「ＰＤＩＣ」１８の表面からの深さがｄ´である位置となる。このときの共役点２ｂのずれ量Δｄは、半導体ウエハの厚さの誤差Δｈに等しい。ここで、「ＰＤＩＣ」１８の表面の位置も半導体ウエハの厚さの誤差Δｈだけ正規の位置からずれるので、「ＰＤＩＣ」１８の表面から半導体レーザ２の発光点２ａの共役点２ｂまでの実際の深さｄは、〔ｄ＋Δｄ＝ｄ＋（Δｈ−Δｈ）＝ｄ〕となり、半導体ウエハの厚さの誤差Δｈは相殺される。
【００９０】
例えば、半導体ウエハの厚さの誤差Δｈが最大の３μｍだったとしても、「ＰＤＩＣ」１８の表面と共役点２ｂとの相対高さ誤差Δｄは０となり、従来の光デバイスにおいて相対高さ誤差Δｄが６μｍとなることに比較して、大幅な改善がなされる。
【００９１】
すなわち、この光デバイスにおいては、発光点２ａの共役点２ｂは、受光素子１９の受光面（「ＰＤＩＣ」１８の表面部）から、所定の距離だけ潜った位置にある。この距離は、光学設計によって定まる値であり、光デバイスの組立上の都合によって任意に変更することはできず、また、高い精度が要求される。そして、この光デバイスにおいては、半導体レーザ２の発光点２ａの高さ、すなわち、受光素子１９の受光面までの距離は、半導体サブマウント１と「ＰＤＩＣ」１８との相対厚み誤差で決まり、これは、０とみなせるので、発光点２ａの共役点２ｂと受光素子１９の受光面との相対位置を高い精度で維持することができる。
【００９２】
図５は、本発明に係る光デバイスを用いた光ピックアップの要部の構成を示す側面図である。
【００９３】
図６は、本発明に係る光デバイスの要部の構成を示す側面図である。
【００９４】
このように構成された光デバイスを用いた光ピックアップにおいては、前述したように、半導体レーザ２から発せられた光束は、図５及び図６に示すように、光路変換ミラー３の反射面により反射されて、リードフレーム２４の上面に対して垂直な方向に向かい、図１に示すように、光ピックアップ光学系により、光ディスク５の情報記録面に集光して照射される。
【００９５】
そして、光ディスク５の情報記録面からの反射光は、この光デバイスに対し、半導体レーザ２から発せられ光路変換ミラー３を経た出射光に対して逆方向に入射し、図５に示すように、この光デバイスの上部に搭載されたホログラム素子１３によって分岐され、レンズ作用を受け、「ＰＤＩＣ」１８の上面部に形成された複数の受光素子１９によって受光される。
【００９６】
「ＰＤＩＣ」１８に形成された増幅器及び演算回路は、受光素子１９から出力される光検出出力を増幅して演算し、再生信号や各種エラー信号を生成する。この再生信号を用いることにより光ディスク５からの信号再生が可能となり、各種エラー信号を用いることにより各種のサーボ動作が可能となる。
【００９７】
この光デバイスは、再生専用の光ピックアップにも適用可能であり、また、半導体レーザ２を十分に高出力のものとして光出力を変調動作させることにより、記録動作も実行することができ、さらに、半導体レーザをさらに高出力化し「ＰＤＩＣ」１８を広帯域化することにより、高倍速にも対応可能である。
【００９８】
なお、光ディスク５からの反射光のホログラム素子１３による回折光２７ａ，２７ｂを用いてフォーカスエラー信号を検出する場合には、これら回折光２７ａ，２７ｂと受光素子１９の受光面との交点である受光点（光スポット）が、半導体レーザ２の発光点２ａの共役点２ｂと、ホログラム素子１３に対して光学的に略等距離にあるのが好ましい。これら受光点（光スポット）と共役点２ｂとの位置関係の精度は、フォーカスエラー信号の精度に影響する。
【００９９】
また、この光デバイスにおいて、半導体レーザ２の発光点２ａは、半導体レーザ２における活性層にあたるいわゆる「ジャンクション部」（ストライプ部）であり、発光時の発熱部分である。また、増幅演算回路は、やはり動作時の発熱部分となる。この光デバイスにおいては、半導体サブマウント１及び「ＰＤＩＣ」１８を、それぞれ独立させてリードフレーム２４の上面に搭載しているので、半導体レーザ２及び「ＰＤＩＣ」１８のそれぞれからリードフレーム２４に対する放熱が良好に行われる。すなわち、この光デバイスにおいては、主な発熱部分である半導体レーザ２を搭載した半導体サブマウント１及び増幅演算回路を有する「ＰＤＩＣ」１８が、それぞれ、リードフレーム２４に対して直接的に最短距離で接触されており、良好な熱伝導及び放熱が達成される。したがって、半導体レーザ２からの熱は、リードフレーム２４及び樹脂筐体２５を経て、直接に、あるいは、ヒートシンク等を介して、外部空間に放熱される。また、増幅演算回路からの熱等、「ＰＤＩＣ」１８からの熱も、リードフレーム２４及び樹脂筐体２５を経て、外部空間に放熱される。
【０１００】
さらに、この光デバイスにおいては、「ＰＤＩＣ」１８上には、従来の光デバイスと異なり、半導体サブマウント１及び光路変換ミラー３を搭載する必要がない。したがって、この「ＰＤＩＣ」１８は、受光素子１９及び増幅演算回路部の形成に必要な領域が確保される大きさであればよく、小型化を図ることができる。
【０１０１】
〔第２の実施の形態〕
図７は、本発明に係る光デバイスの第２の実施の形態における構成を示す分解斜視図である。
【０１０２】
本発明に係る光デバイスは、図７に示すように、半導体サブマウント１及び「ＰＤＩＣ」１８を別個の半導体ウエハ３０，３１から作製する場合においては、これら半導体サブマウント１及び「ＰＤＩＣ」１８を、あるいは、これら半導体サブマウント１が作製される半導体ウエハ３０及び「ＰＤＩＣ」１８が作製される半導体ウエハ３１を、同一の研磨装置による同一工程によって同時研磨して作製することが望ましい。
【０１０３】
この光デバイスにおいては、半導体サブマウント１は、第１の半導体ウエハ３０上に作製されて切出されて分離され、「ＰＤＩＣ」１８は、第２の半導体ウエハ３１上に作製されて切出されて分離される。ここで、第１の半導体ウエハ３０の厚さをｈとし、第２の半導体ウエハ３１の厚さをｊとする。
【０１０４】
そして、前述した実施の形態と同様に、これら半導体サブマウント１及び「ＰＤＩＣ」１８は、リードフレーム２４上に搭載される。半導体サブマウント１上には、半導体レーザ２が搭載される。また、リードフレーム２４上には、プリズム３ａが搭載される。
【０１０５】
図８は、本発明に係る光デバイスの第２の実施の形態における構成を示す平面図及び側面図である。
【０１０６】
前述のように、各半導体ウエハ３０，３１の厚さの設計値ｈ，ｊを同一のものとしても、それぞれの厚さ誤差により、あるいは、面内分布によっても、半導体サブマウント１及び「ＰＤＩＣ」１８の厚さは、それぞれが±３μｍ程度の厚さ誤差を有することとなる。
【０１０７】
この光デバイスにおいては、図８に示すように、半導体サブマウント１及び「ＰＤＩＣ」１８の厚さは、各半導体ウエハ３０，３１の厚さｈ，ｊが、それぞれ誤差Δｈ，Δｊを有する場合には、それぞれの厚さはｈ´，ｊ´となる。この場合には、半導体レーザ２の発光点２ａが光路変換ミラー３によって反射写像された共役点２ｂは、光路変換ミラー３の位置が調整されることによって、出射光の光軸から外れない位置に調整されるが、この光軸方向（深さ方向）については、正規の位置に対してΔｄのずれを生じ、「ＰＤＩＣ」１８の表面からの深さがｄ´である位置となる。
【０１０８】
このとき、各半導体ウエハ３０，３１の厚さの誤差方向が逆方向であると、発光点２ａの共役点２の位置は、設計値ｄに対し、〔Δｄ＝｜Δｈ｜＋｜Δｊ｜〕の合計誤差を持ってしまう。すると、例えば、半導体ウエハの厚さの誤差Δｈが最大の３μｍだったとすると、「ＰＤＩＣ」１８の表面と共役点２ｂとの相対高さ誤差Δｄの最大値Δｄmaxは、〔Δｄmax＝３＋３＝６（μｍ）＞５（μｍ）〕より、５μｍより大きくなり、光学的精度が維持されない。
【０１０９】
この光デバイスにおいては、半導体サブマウント１及び「ＰＤＩＣ」１８を、あるいは、これらが作製される各半導体ウエハ３０，３１を、同一の研磨装置による同一工程によって同時研磨して作製しているので、厚み誤差の方向が同一方向となる。したがって、各半導体ウエハ３０，３１の厚さの誤差Δｈ，Δｊは、同符号、かつ、略々等しい量となり、「ＰＤＩＣ」１８の表面から半導体レーザ２の発光点２ａの共役点２ｂまでの実際の深さｄは、〔ｄ＋Δｄ＝ｄ＋（Δｈ−Δｊ）≒ｄ＋（Δｈ−Δｈ）＝ｄ〕となり、各半導体ウエハ３０，３１の厚さの誤差Δｈ，Δｊは相殺される。
【０１１０】
例えば、第１の半導体ウエハ３０の厚さの誤差Δｈが最大の３μｍだったとしても、第２の半導体ウエハ３１の厚さの誤差Δｊも最大の３μｍとなっているので、「ＰＤＩＣ」１８の表面と共役点２ｂとの相対高さ誤差Δｄは０となり、従来の光デバイスにおいて相対高さ誤差Δｄが６μｍとなることに比較して、大幅な改善がなされる。
【０１１１】
すなわち、この光デバイスにおいても、半導体レーザ２の発光点２ａの高さ、すなわち、受光素子１９の受光面までの距離は、半導体サブマウント１と「ＰＤＩＣ」１８との相対厚み誤差で決まり、これは、０とみなせるので、発光点２ａの共役点２ｂと受光素子１９の受光面との相対位置を高い精度で維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明に係る光デバイスを用いた光ピックアップの光学系の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明に係る光デバイスの第１の実施の形態における構成を示す分解斜視図である。
【図３】本発明に係る光デバイスの第１の実施の形態における構成を示す斜視図である。
【図４】本発明に係る光デバイスの構成を示す平面図及び側面図である。
【図５】本発明に係る光デバイスを用いた光ピックアップの要部の構成を示す側面図である。
【図６】本発明に係る光デバイスの要部の構成を示す側面図である。
【図７】本発明に係る光デバイスの第２の実施の形態における構成を示す分解斜視図である。
【図８】本発明に係る光デバイスの第２の実施の形態における構成を示す平面図及び側面図である。
【図９】従来の光デバイスを用いた光学ピックアップ装置の要部の構成を示す斜視図である。
【図１０】従来の光デバイスの構成を示す縦断面図である。
【図１１】従来の光デバイスの要部の構成を示す縦断面図である。
【図１２】従来の光デバイスの製造方法を示す斜視図である。
【図１３】従来の光デバイスの構成を示す斜視図である。
【図１４】従来の光デバイスの構成の他の例を示す平面図（ａ）及び縦断面図（ｂ）である。
【図１５】従来の光デバイスの構成のさらに他の例を示す斜視図である。
【図１６】従来の光デバイスの構成のさらに他の例を示す縦断面図である。
【図１７】従来の光デバイスの構成のさらに他の例を示す縦断面図である。
【図１８】図９に示した従来の光デバイスにおいて、シリコンウエハの厚さ誤差の影響を示す平面図及び側面図図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１  半導体サブマウント
２  半導体レーザ
３  光路変換ミラー
１８  「ＰＤＩＣ」
１９  受光素子
２４  リードフレーム
３０  第１の半導体ウエハ
３１  第２の半導体ウエハ
【図１】
2008041158.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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