(57)【要約】【課題】面記録密度が高く、且つ、記録・読取精度が良い磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体を提供する。【解決手段】分割記録要素２０間の隙間部２６を非磁性体２８で充填してから第１のマスク層３４を除去するようにした。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面上に連続記録層を形成する連続記録層形成工程と、前記連続記録層上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層を所定のパターンで部分的に除去するマスク層加工工程と、前記連続記録層における前記マスク層から露出する部分を除去し、該連続記録層を前記所定のパターンで多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、前記分割記録要素間の隙間部に非磁性体を充填する非磁性体充填工程と、前記分割記録要素上に残存するマスク層を除去するマスク層除去工程と、を含み、且つ、前記連続記録層加工工程と、前記非磁性体充填工程と、前記マスク層除去工程と、をこの順で実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記マスク層除去工程は、前記分割記録要素上に残存するマスク層と共に前記隙間部上の余剰の非磁性体を除去して表面を平坦化することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も面記録密度の一層の向上が期待されている。
【０００３】
しかしながら、磁性粒子の微細化等、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきており、面記録密度の一層の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、連続記録層を多数の分割記録要素に分割し、分割記録要素の間の隙間部に非磁性体を充填してなるディスクリートタイプの磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
連続記録層の微細な分割を実現する加工技術としては、例えばＮＨ３（アンモニア）等の含窒素ガスが添加されたＣＯ（一酸化炭素）ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチング等のドライエッチングの手法（例えば、特許文献２参照）を利用しうる。具体的には、まず連続記録層の表面に所定のパターンのマスク層を形成し、連続記録層におけるマスク層から露出した部分を前述のＣＯガス等を反応ガスとするドライエッチングで除去して多数の分割記録要素に分割する。
【０００５】
分割記録要素上に残存するマスク層は、半導体製造の分野で一般的に用いられる、フッ素系のＳＦ６（６フッ化硫黄）、ＣＦ４（４フッ化炭素）、ＮＦ3（３フッ化窒素）、ＣＨＦ3（フルオロホルム）、塩素系のＣｌ2（塩素）、ＢＣｌ3（３塩化ホウ素）、ＣＨＣｌ3（クロロホルム）等の化学的に活性なガスを反応ガスとする反応性イオンエッチング等を用いて除去することができる。
【０００６】
尚、ヘッド浮上の安定化を図るためには、非磁性体及び分割記録要素の表面を加工して平坦化し、表面粗さを一定に制限することが好ましい。この平坦化加工についても半導体製造の分野で用いられるウェットプロセスによるＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等の加工技術を利用しうる。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−９７４１９号公報
【特許文献２】特開平１２―３２２７１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、ＳＦ６、ＣＦ４等の化学的活性が強い反応ガスを用いて分割記録要素上のマスク層を除去すると、分割記録要素の側面近傍等に酸化、腐食等の劣化が生じやすいという問題がある。
【０００９】
又、ＣＭＰ法等で分割記録要素及び非磁性体の表面を加工する際にも、分割記録要素の側面近傍がスラリー等による化学的、物理的な作用を受けて腐食等の劣化が生じやすいという問題がある。
【００１０】
尚、分割記録要素の劣化は加工後、経時的に生じることもある。
【００１１】
このような分割記録要素の劣化のために磁気記録媒体の磁気特性が低下し、記録・読取精度が低下することがある。
【００１２】
即ち、磁気記録媒体は磁性材が酸化しやすい等の特有の問題を有するため、半導体製造等の分野では有効な加工技術であっても、これらの加工技術をそのまま用いて、分割記録要素の劣化等を確実に防止しつつ記録・読取精度が良いディスクリートタイプの磁気記録媒体を製造することは困難であった。
【００１３】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、面記録密度が高く、且つ、記録・読取精度が良い磁気記録媒体の製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、分割記録要素間の隙間部を非磁性体で充填してからマスク層を除去することにより、非磁性体で分割記録要素の側面近傍を反応ガス等から隔離し、分割記録要素の側面近傍の劣化を防止するようにしたものである。
【００１５】
即ち、次のような本発明により、上記課題の解決を図ったものである。
【００１６】
（１）基板表面上に連続記録層を形成する連続記録層形成工程と、前記連続記録層上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層を所定のパターンで部分的に除去するマスク層加工工程と、前記連続記録層における前記マスク層から露出する部分を除去し、該連続記録層を前記所定のパターンで多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、前記分割記録要素間の隙間部に非磁性体を充填する非磁性体充填工程と、前記分割記録要素上に残存するマスク層を除去するマスク層除去工程と、を含み、且つ、前記連続記録層加工工程と、前記非磁性体充填工程と、前記マスク層除去工程と、をこの順で実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１７】
（２）前記非磁性体充填工程は、バイアス印加を有するプラズマＣＶＤ法及びバイアススパッタリング法のいずれかを用いて前記分割記録要素間の隙間部に前記非磁性体を充填するように構成されたことを特徴とする前記（１）の磁気記録媒体の製造方法。
【００１８】
（３）前記非磁性体充填工程は、前記非磁性体として酸化物材料、窒化物材料、及び非磁性のアモルファス材料のいずれかを含む材料を用いるようにしたことを特徴とする前記（２）の磁気記録媒体の製造方法。
【００１９】
（４）前記非磁性体充填工程は、前記非磁性体として二酸化珪素を用いるようにしたことを特徴とする前記（３）の磁気記録媒体の製造方法。
【００２０】
（５）前記マスク層除去工程は、前記分割記録要素上に残存するマスク層と共に前記隙間部上の余剰の非磁性体を除去して表面を平坦化することを特徴とする前記（１）乃至（４）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【００２１】
（６）前記マスク層除去工程は、前記分割記録要素上に残存するマスク層と共に前記隙間部上の余剰の非磁性体を除去し、前記非磁性体と前記分割記録要素とが、前記磁気記録媒体の厚さ方向に微少量の段差を形成するように表面を加工することを特徴とする前記（５）の磁気記録媒体の製造方法。
【００２２】
（７）前記マスク層除去工程は、前記分割記録要素上に残存するマスク層と共に前記隙間部上の余剰の非磁性体を除去し、且つ、前記非磁性体と前記分割記録要素とが、−１５〜＋１０ｎｍの段差を形成するように表面を加工することを特徴とする前記（５）の磁気記録媒体の製造方法。
【００２３】
（８）前記マスク層除去工程は、ＣＭＰ法を用いた研磨工程であることを特徴とする前記（５）乃至（７）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【００２４】
（９）前記マスク層除去工程は、前記マスク層の表面に対し、入射角を−１０〜１５°及び６０〜９０°のいずれかの範囲に制限してイオンを衝突させるように構成されたプラズマを用いたドライエッチング工程であることを特徴とする前記（５）乃至（７）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【００２５】
（１０）前記プラズマを用いたドライエッチング工程は、イオンビームエッチング法を用いることを特徴とする前記（９）の磁気記録媒体の製造方法。
【００２６】
（１１）前記マスク層除去工程の後に、表面保護層を形成する表面保護層形成工程が設けられたことを特徴とする前記（１）乃至（１０）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【００２７】
尚、本明細書において「ダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」という）」という用語は、炭素を主成分とし、アモルファス構造であって、ビッカース硬度測定で２００〜８０００（ｋｇｆ／ｍｍ２）程度の硬さを示す材料という意義で用いることとする。
【００２８】
又、本明細書においてプラズマを用いたドライエッチング工程におけるイオンの「入射角」とは磁気記録媒体の表面に対する入射角度であって、媒体表面と入射イオンビームの中心軸とが形成する角度という意義で用いることとする。例えば、イオンビームの中心軸が媒体表面と平行である場合、入射角は０°である。
【００２９】
又、本明細書において、非磁性体と分割記録要素とが形成する「段差」は、非磁性体が凸となる場合を正の値で、非磁性体が凹となる場合を負の値で、それぞれ表すこととする。例えば、−１５ｎｍの段差とは、非磁性体の表面が、分割記録要素の記録面表面よりも基板方向へ１５ｎｍ低く形成されている段差をいう。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、分割記録要素の劣化を確実に防止し、面記録密度が高く、且つ、記録・読取精度が良い磁気記録媒体を確実に製造することが可能となるという優れた効果がもたらされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００３２】
図１は、本実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図である。
【００３３】
磁気記録媒体１０は垂直記録型のディスクリートタイプの磁気ディスクで、基板１２上に下地層１４、軟磁性層１６、配向層１８、多数の微細な分割記録要素２０に分割された分割記録層２２、保護層２４、がこの順で形成されている。分割記録要素２２間の隙間部２６には非磁性体２８が充填されている。
【００３４】
基板１２の材質はガラス、下地層１４の材質はＣｒ（クロム）又はＣｒ合金、軟磁性層１６の材質はＦｅ（鉄）合金又はＣｏ（コバルト）合金、配向層１８の材質は、ＣｏＯ、ＭｇＯ、ＮｉＯ等とされている。
【００３５】
分割記録層２２を構成する各分割記録要素２０の材質はＣｏ（コバルト）及びＣｏＣｒＰｔ（コバルト−クロム−プラチナ）を含むＣｏ合金とされている。分割記録要素２０は、上面２０Ａが保護層２４で被覆され、側面２０Ｂが非磁性体２８で被覆されている。
【００３６】
保護層２４は、分割記録要素２０の上面２０Ａ上に形成された中間保護層２４Ａと該中間保護層２４Ａ上及び非磁性体２８上に形成された表面保護層２４Ｂと、から構成され、これら中間保護層２４Ａ及び表面保護層２４Ｂはいずれも材質が共通のＤＬＣとされて一体化されている。
【００３７】
非磁性体２８は、材質がＳｉＯ２（二酸化珪素）とされ、表面２８Ａが分割記録要素２０の表面２０Ａよりも厚さ方向に突出又は凹むように隙間部２６内に充填されている。
【００３８】
次に、磁気記録媒体１０の作用について説明する。
【００３９】
磁気記録媒体１０は、分割記録層２２が多数の微細な分割記録要素２０に分割された垂直記録型のディスクリートタイプであるので各記録要素２０間の記録ミス、読取ミスが発生しにくく、高い面記録密度を実現することができる。
【００４０】
又、非磁性体２８の表面２８Ａが分割記録要素２０の表面２０Ａよりも各層の厚さ方向に凹んでいる場合、それだけヘッド（図示省略）と磁気記録媒体１０との間の磁気が分割記録要素２０に選択的に指向することとなり、それだけ記録・読取精度が向上する。
【００４１】
一方、分割記録要素２０の表面２０Ａが非磁性体２８の表面２８Ａよりも各層の厚さ方向に凹んでいる場合、ヘッド（図示省略）と磁気記録媒体１０の表面とが接触してしまっても、ヘッドと分割記録要素２０の表面２０Ａとが接触することはないため、データの破損を防止する効果が得られる。
【００４２】
尚、中間保護層２４Ａ上及び非磁性体２８上に更に表面保護層２４Ｂを形成することにより、表面保護層２４Ｂの表面の段差の絶対値が分割記録要素２０及び非磁性体２８の段差の絶対値よりも小さく緩和されており、ヘッド（図示省略）浮上の安定化が図られている。
【００４３】
又、各分割記録要素２０は、上面２０Ａが中間保護層２４Ａで被覆され、側面２０Ｂが非磁性体２８で被覆されているので、大気等から隔離されて変質しにくく磁気特性が安定しており、磁気記録媒体１０は信頼性が高い。
【００４４】
次に、磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。
【００４５】
図２は、磁性記録媒体１０の製造工程の概要を示すフローチャートである。
【００４６】
まず、図３に示されるような、製造工程における中間体３０を用意する。まず基板１２上に、下地層１４を３００〜２０００Åの厚さで、軟磁性層１６を５００〜３０００Åの厚さで、配向層１８を３０〜３００Åの厚さで、連続記録層３２を１００〜３００Åの厚さで（Ｓ１０１）、この順でスパッタリング法により形成し、更に中間保護層２４Ａを１０〜５０Åの厚さでＣＶＤ法により形成する（Ｓ１０２）。更に、中間保護層２４Ａ上に第１のマスク層３４を１００〜５００Åの厚さでスパッタリング法により形成し（Ｓ１０３）、更に第２のマスク層３６を３００〜３０００Åの厚さで、スピンコート又はディッピングにより形成し（Ｓ１０４）、ベーキングすることにより中間体３０が得られる。
【００４７】
尚、第１のマスク層３４の材質はＴｉＮ（窒化チタン）、第２のマスク層３６の材質はネガ型レジスト（ＮＥＢ２２Ａ  住友化学工業株式会社製）とされている。
【００４８】
この中間体３０の第２のマスク層３６に転写手段（図示省略）を用いて、分割記録層２２の分割パターンに相当する凹部をナノ・インプリント法により転写し（Ｓ１０５）、更に、酸素ガス又はオゾンガスを用いたプラズマにより、第２のマスク層３６の全面を均一にドライエッチング加工すると、図４に示されるように凹部底面の第２のマスク層３６が除去され（Ｓ１０６）、凹部底面に第１のマスク層３４が露出する。尚、第２のマスク層３６はドライエッチングにより凹部以外の領域も除去されるが、凹部底面との段差の分だけ残存する。
【００４９】
次に、図５に示されるように、ＣＦ４ガス又はＳＦ６ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、凹部底面の第１のマスク層３４を除去する（Ｓ１０７）。尚、この際、凹部底面の中間保護層２４Ａも除去され、連続記録層３２も微少量除去される。又、凹部以外の領域の第２のマスク層３６も大部分が除去されるが微小量が残存する。
【００５０】
次に、ＮＨ３ガスが添加されたＣＯガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより凹部底面の連続記録層３２を除去して多数の微細な分割記録要素２０に分割し、これにより、図６に示されるように、前記分割記録層２２が形成される（Ｓ１０８）。尚、この際、凹部底面の配向層１８も微少量除去される。又、凹部以外の領域の第２のマスク層３６は完全に除去されるが、凹部以外の領域の第１のマスク層３４は各分割記録要素２０上に若干量残存する。
【００５１】
次に、図７に示されるように、バイアススパッタリング法により、分割記録要素２０間の隙間部２６に非磁性体２８を充填する（Ｓ１０９）。ここで、非磁性体２８は、分割記録要素２０及び隙間部２６を完全に被覆するように形成する。
【００５２】
次に、ＣＭＰ法により、分割記録要素２０上に残存する第１のマスク層３４と共に隙間部２６上の余剰の非磁性体２８を除去し、図８に示されるように平坦化する（Ｓ１１０）。この際、材質がＤＬＣの中間保護層２４Ａがいわばマスクのような役割を果たし、中間保護層２４Ａよりも材質がＳｉＯ２の非磁性体２８が若干速く除去されるので、非磁性体２８が分割記録要素２０よりも厚さ方向に微少量凹むように形成される。
【００５３】
又、この際、分割記録要素２０は上面２０Ａが中間保護層２４Ａで被覆され、側面２０Ｂが非磁性体２８で被覆されているので、ＣＭＰ法に用いるスラリー等から完全に隔離され、酸化、腐食等の変質が生じることがない。
【００５４】
次に、ＣＶＤ法により、各分割記録要素２０上及び非磁性体２８上に表面保護層２４Ｂを形成する（Ｓ１１１）。表面保護層２４Ｂは表面が各分割記録要素２０及び非磁性体２８の段差よりも均されて形成される。
【００５５】
これにより、前記図１に示されるような磁気記録媒体１０が得られる。
【００５６】
尚、保護層２４の表面には必要に応じて、ディッピング法により、例えば材質がＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）の潤滑層を１０〜２０Åの厚さで塗布する。
【００５７】
このように、連続記録層３２と第１のマスク層３４との間に中間保護層２４Ａを形成したので、中間保護層２４Ａが連続記録層３２の上面を常に大気、反応ガス等から隔離し、上面２０Ａ近傍の変質を防止することができる。更に、連続記録層３２の分割した後も、中間保護層２４Ａが分割記録要素２０の上面２０Ａをスラリー等から隔離し、上面２０Ａ近傍の変質を確実に防止することができる。
【００５８】
又、分割記録要素２０間の隙間部２６に非磁性体２８を充填してから、第１のマスク層３４を除去するので、第１のマスク層３４を除去する際、非磁性体２８が分割記録要素２０の側面２０Ｂをスラリー等から隔離し、側面２０Ｂ近傍の変質も防止することができる。
【００５９】
又、加工効率が良いＣＭＰ法を用いて第１のマスク層３４を除去しているので上記製造工程は生産効率が良い。
【００６０】
更に、第１のマスク層３４を除去する工程が表面の平坦化工程を兼ねているので、この点でも上記製造工程は生産効率が良い。
【００６１】
又、分割記録要素２０の上面２０Ａ上に中間保護層２４Ａを形成することにより、ＣＭＰ法を利用して中間保護層２４Ａよりも非磁性体２８を若干速く除去し、分割記録要素２０よりも厚さ方向に微少量凹むように、非磁性体２８を効率よく加工することができる。
【００６２】
尚、本実施形態において、分割記録層２２（及び連続記録層３２）の材質はＣｏ及びＣｏＣｒＰｔを含むＣｏ合金とされているが、本発明はこれに限定されるものではなく、分割記録層２２（及び連続記録層３２）の材質は例えば、上記Ｃｏ合金の積層体、Ｆｅ（鉄）、Ｆｅ合金、Ｆｅ合金の積層体等の他の材質としてもよい。
【００６３】
又、本実施形態において、第１のマスク層３４の材質はＴｉＮとされているが、第１のマスク層３４の材質はＣＯガス等を反応ガスとする反応性イオンエッチングで除去されにくい材質であれば、第１のマスク層３４の材質は特に限定されず、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｓｉ（珪素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｐｂ（鉛）の他、これらを主成分として含む合金、化合物等を用いることができる。
【００６４】
又、本実施形態において、第１のマスク層３４をドライエッチングで所定のパターンに加工するために第１のマスク層３４上に、更にネガ型レジストの第２のマスク層３６が形成され、２段階のドライエッチングで第１のマスク層３４が所定のパターンに加工されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、第１のマスク層３４を所定のパターンで加工することができれば、第１のマスク層３４上に形成する他のマスク層の材質、積層数等は特に限定されず、例えば３段階以上のドライエッチングで第１のマスク層３４を所定のパターンに加工してもよい。
【００６５】
又、本実施形態において、第１のマスク層３４を加工するためにＣＦ４、ＳＦ６を反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、上記のような第１のマスク層３４の材質と反応し、エッチングを促進するような反応ガスであれば反応ガスの種類は特に限定されず、例えばＮＦ3、ＣＨＦ3等の他のフッ素系ガス、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＨＣｌ３等の塩素系ガス等を用いてもよい。マスク層除去工程についても同様である。
【００６６】
又、本実施形態において、バイアススパッタリング法を用いて分割記録要素２０間の隙間部２６に非磁性体２８を充填しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、バイアス印加を有するプラズマＣＶＤ法を用いて非磁性体を充填してもよい。
【００６７】
又、本実施形態において、第１のマスク層３４及び余剰の非磁性体２８を除去して平坦化するためにＣＭＰ法を用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばイオンビームエッチング、イオンミリング、反応性イオンエッチング等のプラズマを用いたドライエッチング工程で第１のマスク層３４及び余剰の非磁性体２８を除去して平坦化してもよい。
【００６８】
又、本実施形態において、中間保護層２４Ａがいわばマスクのような役割を果たすことで、非磁性体２８を選択的に除去し、分割記録要素２０よりも厚さ方向に凹むように非磁性体２８を加工しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、第１のマスク層の除去速度よりも非磁性体の除去速度が若干速くなるように第１のマスク層、非磁性体、スラリーの材質を適宜選択し、第１のマスク層がマスクのような役割を果たすことで、非磁性体を選択的に除去し、分割記録要素よりも厚さ方向に凹むように非磁性体を加工してもよい。
【００６９】
一方、第１のマスク層の除去速度よりも非磁性体の除去速度が若干遅くなるように第１のマスク層、非磁性体、スラリーの材質を適宜選択し、分割記録要素よりも厚さ方向に突出するように非磁性体を加工することもできる。
【００７０】
又、充分に良好な磁気特性が得られる場合には、分割記録要素２０及び非磁性体２８の段差が生じないように平坦に加工してもよい。
【００７１】
又、本実施形態において、中間保護層２４Ａ上及び非磁性体２８上に更に表面保護層２４Ｂを形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、ヘッドが安定して浮上することができる程度に中間保護層２４Ａ及び非磁性体２８の段差が充分小さければ、表面保護層２４Ｂは省略してもよい。この場合も、分割記録要素２０は中間保護層２４Ａ及び非磁性体２８で大気等から隔離されるので分割記録要素２０の変質を防止することができる。
【００７２】
又、本実施形態において、連続記録層３２と第１のマスク層３４との間に中間保護膜２４Ａを形成し、且つ、連続記録層３２の分割後、分割記録要素２０間の隙間部２６内に非磁性体２８を充填してから第１のマスク層３４を除去しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、第１のマスク層３４を除去してから分割記録要素２０間の隙間部２６内に非磁性体２８を充填した場合も、連続記録層３２と第１のマスク層３４との間に中間保護膜２４Ａを形成すれば分割記録要素２０の上面２０Ａ（及び連続記録層３２の上面）は大気、反応ガス、スラリー等から隔離されるので分割記録要素２０の変質を防止する一定の効果が得られる。
【００７３】
一方、中間保護層２４Ａを省略し、連続記録層３２に第１のマスク層３４を直接形成する場合も、分割記録要素２０間の隙間部２６内に非磁性体２８を充填してから第１のマスク層３４を除去すれば分割記録要素２０の側面２０Ｂは大気、反応ガス、スラリー等から隔離されるので分割記録要素２０の変質を防止する一定の効果が得られる。
【００７４】
又、本実施形態において、磁気記録媒体１０は分割記録要素２０がトラックの径方向に微細な間隔で並設された垂直記録型のディスクリートタイプの磁気ディスクであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、分割記録要素がトラックの周方向（セクタの方向）に微細な間隔で並設された磁気ディスク、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で並設された磁気ディスク、分割記録要素が螺旋形状をなす磁気ディスクの製造についても本発明は当然適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の他のディスクリートタイプの磁気記録媒体の製造に対しても本発明は適用可能である。
【実施例】
【００７５】
上記実施形態により、磁気記録媒体１０を作製し、温度８０℃、湿度８０％の高温、高湿環境下に４８時間放置した。
【００７６】
図９は、高湿環境下に４８時間放置した後の磁気記録媒体１０の表面状態を拡大して示す光学顕微鏡写真である。作製直後、及び高湿環境下に４８時間放置した後のいずれにおいても磁気記録媒体１０の表面に、腐食等の異状は観察されなかった。
【００７７】
図１０は、作製直後の磁気記録媒体１０の表面状態を更に拡大して示す原子間力顕微鏡写真である。磁気記録媒体１０の表面粗さ、最大リセスを測定したところ、
表面粗さＲａ＝０．７１５ｎｍ
最大リセス  ＝２．８２ｎｍ
であった。
【００７８】
又、磁気記録媒体１０の電磁変換特性を測定したところ、図１１に示されるように波形が安定しており、電磁変換特性が良好であることが確認された。
【００７９】
［比較例］
上記実施形態に対し、中間保護層２４Ａを省略し、連続記録層３２に第１のマスク層３４を直接形成した。又、連続記録層３２を分割した後、分割記録要素２０間の隙間部２６内に非磁性体２８を充填しない状態で、ＳＦ６ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、分割記録要素２０上に残存する第１のマスク層３４を除去した。他の条件は総て上記実施例と同様として比較試料を作製し、上記実施例と同様に高湿環境下に４８時間放置した。
【００８０】
図１２は、高湿環境下に４８時間放置した後の比較試料の表面状態を拡大して示す光学顕微鏡写真である。作製直後は、比較試料の表面に、腐食等の異状は観察されなかったが、高湿環境下に４８時間放置した後は、比較試料における分割記録要素間の隙間部近傍に多数の腐食が観察された。
【００８１】
図１３は、作製直後の比較試料の表面状態を更に拡大して示す原子間力顕微鏡写真である。比較試料の表面粗さ、最大リセスを測定したところ、
表面粗さＲａ＝０．７２４ｎｍ
最大リセス  ＝２．８６ｎｍ
であった。
【００８２】
又、比較試料の電磁変換特性を測定したところ、図１４に示されるように波形の上端付近にノイズが発生しており、電磁変換特性が好ましくない状態であることが確認された。
【００８３】
即ち、実施例では分割記録要素の腐食が防止されており、更に電磁変換特性も比較例に対して良好であることが確認された。又、表面粗さ、最大リセスについては両者に差異がないことが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は、磁気記録媒体に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図２】同製造装置による磁気記録媒体の製造工程を示すフローチャート
【図３】同磁気記録媒体の中間体の構造を模式的に示す側断面図
【図４】第２のマスク層が分割された前記中間体の形状を模式的に示す側断面図
【図５】第１のマスク層及び中間保護層が分割された前記中間体の形状を模式的に示す側断面図
【図６】連続記録層が分割された前記中間体の形状を模式的に示す側断面図
【図７】非磁性体が充填された前記中間体の形状を模式的に示す側断面図
【図８】表面が平坦化された前記中間体の形状を模式的に示す側断面図
【図９】本発明の実施例に係る磁気記録媒体の表面状態を拡大して示す光学顕微鏡写真
【図１０】同磁気記録媒体の表面状態を更に拡大して示す原子間力顕微鏡写真
【図１１】同磁気記録媒体の電磁変換特性を示すグラフ
【図１２】比較試料の表面状態を拡大して示す光学顕微鏡写真
【図１３】同比較試料の表面状態を更に拡大して示す原子間力顕微鏡写真
【図１４】同比較試料の電磁変換特性を示すグラフ
【符号の説明】
【００８６】
１０…磁気記録媒体
１２…基板
１４…下地層
１６…軟磁性層
１８…配向層
２０…分割記録要素
２０Ａ…上面
２０Ｂ…側面
２２…分割記録層
２４…保護層
２４Ａ…中間保護層
２４Ｂ…表面保護層
２６…隙間部
２８…非磁性体
３０…中間体
３２…連続記録層
３４…第１のマスク層
３６…第２のマスク層
Ｓ１０１…連続記録層形成工程
Ｓ１０２…中間保護層形成工程
Ｓ１０３…第１のマスク層形成工程
Ｓ１０７…第１のマスク層加工工程
Ｓ１０８…連続記録層加工工程
Ｓ１０９…非磁性体充填工程
Ｓ１１０…平坦化工程（マスク層除去工程）
Ｓ１１１…表面保護層形成工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１１】
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【図１４】
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【図９】
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【図１０】
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【図１２】
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【図１３】
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