(57)【要約】【課題】高記録密度に対応可能であって信頼性が良好である磁気ヘッドとその製造方法を提供する。【解決手段】下地層上に主磁極が形成されてなる構造を有する垂直磁気ヘッドの製造方法であって、前記下地層上に、テーパー状の開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、前記開口部から露出する前記下地層に溝部を形成する工程と、前記溝部と、前記開口部の少なくとも一部を埋設するように前記主磁極を形成する工程と、前記マスクパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする垂直磁気ヘッドの製造方法。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層上に主磁極が形成されてなる構造を有する垂直磁気ヘッドの製造方法であって、
前記下地層上に、テーパー状の開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、
前記開口部から露出する前記下地層に溝部を形成する工程と、
前記溝部と、前記開口部の少なくとも一部を埋設するように前記主磁極を形成する工程と、
前記マスクパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする垂直磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記下地層は、組成が異なる複数の層が積層されてなることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記下地層は、前記溝部が形成される第２の層と、前記溝部の形成においてエッチングのストッパ層となる第１の層を含むことを特徴とする請求項１または２記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第１の層はＲｕ，前記第２の層はＴａよりなることを特徴とする請求項３記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第１の層は導電材料より、前記第２の層は絶縁材料よりなることを特徴とする請求項３記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
下地層上に主磁極が形成されてなる構造を有する垂直磁気ヘッドであって、
前記主磁極がテーパー状に形成されるとともに、該主磁極のテーパーの先端が前記下地層に形成された溝部に支持された構造となっていることを特徴とする垂直磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は垂直磁気ヘッドと垂直磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の磁気記録再生装置では、薄膜磁気ヘッドによりデータの記録再生が行われる。記録方式としては、これまで、ディスク媒体の記録膜をディスク面内方向に磁化させることにより記録を行う長手磁気記録方式が一般的であった。しかし、近年の飛躍的な記録密度の増加により、長手磁気記録方式に換わって、高密度化が容易である垂直磁気記録方式が普及し始めている。垂直磁気記録方式では、ディスクを垂直方向に磁化させることにより記録が行われるため、ディスク媒体の隣接するビットの磁化は対向せず、互いのビットが強め合う方向に作用する。したがって、隣接ビットの磁化が対向する長手磁気記録に比べて、垂直磁気記録方式は原理的に高密度化に好適となっている。
【０００３】
ところで、ＨＤＤ等の磁気記録再生装置では、磁気ヘッドは、一般的にスウィング式のアームに取り付けられ、ボイスコイルモータ等のロータリーアクチュエータにより位置決めされる。このため、磁気ヘッドはディスク媒体上を円弧状に移動することになり、ディスク媒体の進行（回転）方向に対して、ヘッドの磁極が傾く場合がある。この角度はスキュー角またはヨー角と呼ばれるが、スキュー角が付与されると、記録が行われているトラックの左右に隣接したトラックに対して、不要なヘッド磁界が印加され、これによって隣接トラックに元々書き込まれていた情報が不当に消去されてしまう、いわゆる、サイドイレーズ（書き滲み）が発生する場合がある。この問題は、垂直磁気記録方式で特に顕著に発生するもので、実用化のために対策が必要である。
【０００４】
このようなサイドイレーズの発生を抑制するため、媒体対向面（スライダ浮上面）から平面視した場合の主磁極の形状を、スライダ流入端側から流出端側に向かって幅が広くなるようなテーパー形状にすることが行われている（例えば特許文献１、特許文献２参照）。この場合、垂直磁気記録方式において記録密度を増大させようとすると、垂直磁気記録用ヘッドの書き込み用主磁極の先端部を微細化する必要がある。
【０００５】
図１には、浮上面側から見た主磁極の形状を模式的に示す。例えば、上記のテーパー形状の加工においては、絶縁層１１上に形成された下地層１２上に、テーパー形状（逆テーパー形状）となるように主磁極を形成する。
【特許文献１】特開２００２−１９６７１０号公報
【特許文献２】特開２００３−２０３３１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、高密度化に伴ってトラック幅は狭くなる傾向にあり、主磁極１３の下部（テーパー先端部）の幅は著しく狭くなっている。このために主磁極１３を加工する場合に自立させることが困難となり、主磁極が倒れたり、主磁極が下地層から剥離して磁気ヘッドの信頼性が低下してしまう懸念が生じていた。
【０００７】
上記のような主磁極下部の微細化を回避するために、主磁極の厚さを薄くする（ポール長を短くする）方法も考えられるが、この場合、トラック幅とポール長がともに減少するため、主磁極の面積が非常に小さくなり、十分な記録磁界強度を得ることが困難になってしまうため現実的な方法ではない。
【０００８】
そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な垂直磁気ヘッドと垂直磁気ヘッドの製造方法を提供することを統括的課題としている。
【０００９】
本発明の具体的な課題は、高記録密度に対応可能であって信頼性が良好である磁気ヘッドとその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の観点では、上記の課題を、下地層上に主磁極が形成されてなる構造を有する垂直磁気ヘッドの製造方法であって、前記下地層上に、テーパー状の開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、前記開口部から露出する前記下地層に溝部を形成する工程と、前記溝部と、前記開口部の少なくとも一部を埋設するように前記主磁極を形成する工程と、前記マスクパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする垂直磁気ヘッドの製造方法により、解決する。
【００１１】
本発明の第２の観点では、上記の課題を、下地層上に主磁極が形成されてなる構造を有する垂直磁気ヘッドであって、前記主磁極がテーパー状に形成されるとともに、該主磁極のテーパーの先端が前記下地層に形成された溝部に支持された構造となっていることを特徴とする垂直磁気ヘッドにより、解決する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、高記録密度に対応可能であって信頼性が良好である磁気ヘッドを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、本発明の実施の形態に関して図面に基づき、説明する。
【実施例１】
【００１４】
図２（Ａ）は、本実施例による垂直磁気ヘッド１００をスライダ浮上面（Air Bearing Surface：ABS、以下文中浮上面）側から平面視した場合の、主磁極近傍を示した平面図であり、図２（Ｂ）は、垂直磁気ヘッド１００の断面図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ−Ａ'断面に対応している。
【００１５】
図２（Ａ），（Ｂ）を参照するに、本実施例による垂直磁気ヘッド１００は、アルミナ・チタン・カーバイド（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）ウェハよりなる基板１０１上に、再生素子用下部シールド１０２、再生素子１０３ならびに再生素子用上部シールド１０４が順次積層された再生ヘッド部を有している。
【００１６】
さらに、上記の再生素子用上部シールド１０４上には、リターンヨーク１０５が形成され、リターンヨーク１０５上にはリターンヨーク１０５と主磁極１０９を接続する接続部１１３が形成されている。また、接続部１１３を囲むように、スパイラル状のコイル１０６が設置され、コイル１０６上には、絶縁層１０７を介して、下地層１０８、主磁極１０９が順に積層されている。
【００１７】
また、コイル１０６には、コイル１０６に電流を供給するための引き出し線１１１が接続されている。上記の主磁極１０９は、絶縁層１１０で覆われて保護されており、さらに絶縁層１１０と引き出し線１１１が絶縁層１１２で覆われた構造になっている。
【００１８】
図２（Ａ）に示すように、主磁極１０９は、サイドイレーズの発生を抑制するため、スライダ流入端側から流出端側に向かって幅が広くなるようなテーパー角度を有するテーパー形状にされている。この場合、記録密度を増大させようとすると、トラック幅を小さくする必要があり、主磁極の先端部を微細化する必要が生じてしまう。このため、従来の垂直磁気ヘッドでは、主磁極が倒れたり剥離して垂直磁気ヘッドの信頼性が低下してしまう問題が生じる場合があった。
【００１９】
そこで、上記の垂直磁気ヘッド１００では、主磁極１０９のテーパーの先端（細い側）が、下地層１０８に形成された溝部に支持された構造となっていることが特徴である。このため、テーパー形状を有する主磁極１０９の先端が微細化された場合であっても、主磁極１０９の先端は下地層１０８に形成された溝部によって支持されており、主磁極１０９の倒れや剥離が抑制される。すなわち、上記の垂直磁気ヘッドは、高記録密度に対応した微細なテーパー形状を有しながらも、信頼性が良好となる構造となっている。
【００２０】
上記の垂直磁気ヘッド１００では、例えばＲｕよりなる第１の下地層１０８Ａと、例えばＴａよりなる第２の下地層１０８Ｂが積層されて下地層１０８が形成されている。上記の構造においては、第２の下地層１０８Ｂに主磁極１０９を支持する溝部が形成されている。このように、下地層１０８を、組成が異なる２つの層を含むように構成すると、第１の下地層１０８Ａは、第２の下地層１０８Ｂに溝部１０８ｂを開口する場合のエッチングのストッパ層として機能するため、溝部の形成が容易となる。なお、上記の溝部の形成方法の詳細については後述する。また、下地層１０８を組成が異なる複数の層ではなく、実質的に単独の層により構成してもよい。また、下地層を構成する材料は、ＲｕやＴａに限定されず、非磁性材料であれば、他の材料を用いてもよい。
【実施例２】
【００２１】
次に、上記の垂直磁気ヘッド１００の製造方法について、図３Ａ〜図３Ｉに基づき、手順を追って説明する。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある（以下の図、実施例についても同様）。また、図３Ａ〜図３Ｉは、図２（Ｂ）に示した断面図に対応している。
【００２２】
まず、図３Ａに示す工程において、アルミナ・チタン・カーバイド（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）ウェハよりなる基板１０１上に、再生素子用下部シールド１０２、再生素子１０３ならびに再生素子用上部シールド１０４を順次形成し、再生ヘッド部を形成した。
【００２３】
上記の構成においては、再生素子用下部シールド１０２、および再生素子用上部シールド１０４は、Ｎｉ８０Ｆｅ２０よりなり、それぞれ厚さが１．５μｍとなるように形成される。また、また、再生素子１０３は、例えば、巨大磁気抵抗効果(Giant Magneto-Resistive：GMR)素子や、トンネル磁気抵抗効果(Tunneling Magneto-Resistive：TMR)素子であってもよい。本実施例では、ＴＭＲ素子を用い、トラック幅は８０ｎｍとなるように形成する。
【００２４】
次に、図３Ｂに示す工程において、レジストパターンを用いた電解メッキ法により、Ｎｉ８０Ｆｅ２０よりなるリターンヨーク１０５を厚さが１．５μｍとなるように形成した。また、その後にスパッタ法にてアルミナよりなる絶縁層を形成し、ＣＭＰ（化学機械研磨）法にて平坦化してリターンヨーク１０５を露出させた。
【００２５】
次に、図３Ｃに示す工程において、スパッタ法およびリフトオフ法を用いて、リターンヨーク１０５上に、開口部１０５ａを有する絶縁層１０５Ａを形成した。
【００２６】
次に、図３Ｄに示す工程において、絶縁層１０５Ａ上に電解メッキ法により、Ｃｕよりなるコイル１０６を形成する。コイル１０６は、ターン数４、厚さが１．５μｍとなるように形成した。
【００２７】
次に、図３Ｅに示す工程において、電解メッキ法により、リターンヨークと主磁極を接続する接続部１１３を形成した。接続部１１３は、Ｎｉ８０Ｆｅ２０よりなり、厚さが２．０μｍとなるように形成した。さらに、コイル１０６と接続部１１３上に、例えばアルミナよりなる絶縁層１０７を形成し、絶縁層１０７をＣＭＰ法より平坦化し、接続部１１３の一端を露出させた。このとき、コイル１０６の隙間をレジスト等の樹脂で埋めてもよい。
【００２８】
次に、図３Ｆに示す工程において、図２で先に説明した、Ｒｕよりなる第１の下地層１０８Ａ（厚さ５０ｎｍ）と、Ｔａよりなる第２の下地層１０８Ｂ（本図では図示せず、図３に示す、厚さ３０ｎｍ）をそれぞれスパッタリング法により積層して形成する。ここで、第１の下地層１０８Ａと第２の下地層１０８Ｂとよりなる下地層１０８（本図では図示せず、図３に示す）が形成される。さらに、第２の下地層１０８Ｂに溝部を形成し、当該溝部にテーパー形状の先端部が支持されるように、主磁極１０９を形成する。なお、上記の下地層１０８や主磁極１０９の形成方法の詳細は、図５Ａ以下で後述する。
【００２９】
次に、３Ｇに示す工程において、例えばスパッタリング法にて、アルミナよりなる絶縁層１１０を形成し、主磁極１０９を被覆し保護する構造を形成する。さらに、レジストパターンを用いたイオンミリングによって、絶縁層１１０に、コイル１０６の一部を露出させる開口部１１０Ａを形成する。
【００３０】
次に、図３Ｈに示す工程において、コイル１０６に接続される引き出し線１１１を、例えば電解メッキ法にて形成する。
【００３１】
次に、図３Ｉに示す工程において、引き出し線１１１を覆うようにアルミナよりなる絶縁層１１２を形成し、コイルや主磁極などを保護する構造を形成し、スライダに加工することで垂直磁気ヘッドを形成することができる。
【００３２】
次に、上記の下地層１０８と主磁極１０９の形成方法の詳細について、図４Ａ〜図４Ｄに基づき、説明する。なお、図４Ａ〜図４Ｄは、図２（Ａ）の浮上面から平面視した状態に対応している。また、図４Ａ〜図４Ｄに示す工程は、先に説明した図３Ｆの工程に相当する。
【００３３】
まず、図４Ａに示す工程において、絶縁層１０７上に、スパッタリング法によって、Ｒｕよりなる第１の下地層１０８Ａを、厚さが５０ｎｍとなるように形成する。次に、第１の下地層１０８Ａ上に、スパッタリング法によってＴａよりなる第２の下地層１０８Ｂを厚さが３０ｎｍとなるように形成した。
【００３４】
次に、電子線リソグラフィまたはフォトリソグラフィ等により、開口部１２０Ａを有するレジストパターン１２０を形成した。その後、基板を加熱し、開口部１２０Ａの側壁にテーパー角度を付与した。
【００３５】
次に、図４Ｂに示す工程において、レジストパターン１２０をマスクとして、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）等により、第１の地膜１０８Ｂをエッチングし、溝部１０８ｂを形成し、第１の下地層１０８Ａを露出させた。ここでは反応性ガスとしてＣＨＦ3を用いた。また、第２の下地層１０８Ｂに溝部１０８Ｂを形成する場合には、反応性イオンエッチングに限定されず、例えばイオンミリング法を用いることも可能である。
【００３６】
また、上記の場合には、下地層１０８が、組成が異なる２つの層（第１の下地層１０８Ａ，第２の下地層１０８Ｂ）から構成されているため、第１の下地層１０８Ａは、第２の下地層１０８Ｂに溝部１０８ｂを開口する場合のエッチング（反応性イオンエッチングまたはイオンミリング）のストッパ層として機能することになる。このため、第１の下地層１０８Ａと第１の下地層１０８Ｂとは、エッチング速度の差が大きい（エッチングの選択比が大きくなる）ように選択されることが好ましい。
【００３７】
また、下地層１０８を組成が異なる複数の層ではなく、実質的に単独の層により構成してもよい。この場合、溝部をエッチング（反応性イオンエッチングまたはイオンミリング）する場合には、所望の深さの溝部が形成されるようにエッチング時間を制御すればよい。また、下地層を構成する材料は、ＲｕやＴａに限定されず、非磁性材料であれば、他の材料を用いてもよい。
【００３８】
次に、図４Ｃに示す工程において、溝部１０８ｂと、開口部１２０Ａの少なくとも一部を埋設するように、主磁極１０９を、下地層１０８を給電経路（電極）とする電解メッキ法にて形成した。この場合、第２の下地層１０８Ｂが絶縁性の材料（例えばＳｉＯ２，ＳｉＮ、ＳｉＣなど）により構成されていると、電解メッキ時の膜の成長が、実質的に導電性の材料より形成されている第１の下地層１０８Ａ側のみからとなり、メッキ膜の横方向からの成長が抑制され、電解メッキのカバレッジが良好となり好ましい。
【００３９】
次に、図４Ｄに示す工程において、レジストパターン１２０を、例えばアセトン等の有機溶剤による超音波洗浄等によって除去し、主磁極１０９を形成した。
【００４０】
また、主磁極の形成は電解メッキ法に限定されず、例えば、無電解めっき法、スパッタ法またはそれらの組み合わせを用いてもよい。
【００４１】
上記の製造方法によれば、トラック幅を小さくして高記録密度に対応した、テーパー形状を有する主磁極を構成する場合に、主磁極の倒れや剥離が抑制され、信頼性が良好な垂直磁気ヘッドを構成することが可能となる効果を奏する。
【実施例３】
【００４２】
次に、従来の垂直磁気ヘッドの形成方法と、上記の実施例２による垂直磁気ヘッドの製造方法において、実際に主磁極を形成して主磁極の倒れや剥離の発生の違いを調べた。例えば、従来は、いわゆるパターン鍍金法によって、レジストパターンと電解メッキ、およびイオンビームの組み合わせによってテーパー形状を有する主磁極を形成する方法が提案されていた（特開２００２―１９７６１０号公報参照、以下従来例１）。また、ハードマスクを介したイオンミリング法によって主磁極を形成する方法が提案されていた（特開２００３−２０３３１１号公報参照、以下従来例２）。そこで、以下に示す従来例１、従来例２による方法で垂直磁気ヘッドを製造した。
【００４３】
まず、従来例１による製造方法について説明する。図５Ａ〜図５Ｃは、従来例１による主磁極の形成方法を浮上面から平面視した状態で模式的に示したものである。なお、特に説明しない部分や製造方法は、実施例２による製造方法と同様とした。
【００４４】
まず、図５Ａに示す工程において、実施例２の場合と同様にして、絶縁層１０７上に、スパッタリング法によって、Ｒｕよりなる下地層２０８を、厚さが５０ｎｍとなるように形成した。次に、電子線リソグラフィまたはフォトリソグラフィ等により、開口部１２０Ａを有するレジストパターン１２０を形成した。その後、基板を加熱し、開口部１２０Ａの側壁にテーパー角度を付与した。
【００４５】
次に、図５Ｂに示す工程において、開口部１２０Ａを埋設するように、主磁極１０９を、下地層２０８を給電経路（電極）とする電解メッキ法にて形成した。
【００４６】
次に、図５Ｃに示す工程において、主磁極１０９にイオンビームを斜め方向から照射し、主磁極のトラック幅を所望値まで狭めて、主磁極を形成した。この場合、イオンビーム角度は、下地層１２０の法線から６０度傾けた角度とした。
【００４７】
次に、従来例２による製造方法について説明する。図６Ａ〜図６Ｃは、従来例２による主磁極の形成方法を浮上面から平面視した状態で模式的に示したものである。なお、特に説明しない部分や製造方法は、実施例２による製造方法と同様とした。
【００４８】
まず、アルミナよりなる下地層２０７上に、主磁極を構成するための主磁極層（材質：Ｆｅ７０Ｃｏ３０）２０９Ａ、ハードマスク層（材質：Ｔａ）２１０Ａを、スパッタリング法にて積層した。
【００４９】
次に、図６Ｂに示す工程において、ハードマスク層２１０Ａを反応性イオンエッチング法により加工し、ハードマスクパターン２１０を形成した。
【００５０】
次に、図６Ｃに示す工程において、ハードマスクパターン２１０をマスクとして、イオンビームを斜め方向から照射し、主磁極層２０９Ａをテーパー形状にエッチング加工し、主磁極２０９を形成した。
【００５１】
次に、上記の実施例２，従来例１、および従来例２によって形成された主磁極の倒れまたは剥離の発生の頻度を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、確認した。サンプル数は、それぞれの方法につき、５００素子とした。
【００５２】
図７は、上記の実施例２（図中実施例と表記）、従来例１、および従来例２の場合の主磁極倒れまたは剥離の発生頻度を調べた結果を示す図である。図７を参照するに、従来例１、従来例２ともに、主磁極倒れや剥離が発生しているのに対し、実施例（実施例２）では倒れまたは剥離の発生は認められなかった。すなわち、実施例２の垂直磁気ヘッドの製造方法においては、主磁極の倒れまたは剥離の発生が効果的に抑制されていることが確認された。
【００５３】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
（付記１）
下地層上に主磁極が形成されてなる構造を有する垂直磁気ヘッドの製造方法であって、
前記下地層上に、テーパー状の開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、
前記開口部から露出する前記下地層に溝部を形成する工程と、
前記溝部と、前記開口部の少なくとも一部を埋設するように前記主磁極を形成する工程と、
前記マスクパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする垂直磁気ヘッドの製造方法。
（付記２）
前記下地層は非磁性材料よりなることを特徴とする付記１記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
（付記３）
前記下地層は、組成が異なる複数の層が積層されてなることを特徴とする付記１または２記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
（付記４）
前記下地層は、前記溝部が形成される第２の層と、前記溝部の形成においてエッチングのストッパ層となる第１の層を含むことを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
（付記５）
前記第１の層はＲｕ，前記第２の層はＴａよりなることを特徴とする付記４記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
（付記６）
前記第１の層は導電材料より、前記第２の層は絶縁材料よりなることを特徴とする付記４記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
（付記７）
前記主磁極は前記下地層を給電経路とする電解メッキにより形成されることを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
（付記８）
前記溝部は、反応性イオンエッチングにより形成されることを特徴とする付記１乃至７のいずれか１項記載の垂直磁気ヘッドの製造方法。
（付記９）
下地層上に主磁極が形成されてなる構造を有する垂直磁気ヘッドであって、
前記主磁極がテーパー状に形成されるとともに、該主磁極のテーパーの先端が前記下地層に形成された溝部に支持された構造となっていることを特徴とする垂直磁気ヘッド。
（付記１０）
前記下地層は、組成が異なる複数の層が積層されてなることを特徴とする付記９記載の垂直磁気ヘッド。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明によれば、高記録密度に対応可能であって信頼性が良好である磁気ヘッドを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】従来の主磁極の構造を示す図である。
【図２】（Ａ），（Ｂ）は、実施例１による垂直磁気ヘッドの構造を示す図である。
【図３Ａ】実施例２による磁気ヘッドの製造方法を示す図（その１）である。
【図３Ｂ】実施例２による磁気ヘッドの製造方法を示す図（その２）である。
【図３Ｃ】実施例２による磁気ヘッドの製造方法を示す図（その３）である。
【図３Ｄ】実施例２による磁気ヘッドの製造方法を示す図（その４）である。
【図３Ｅ】実施例２による磁気ヘッドの製造方法を示す図（その５）である。
【図３Ｆ】実施例２による磁気ヘッドの製造方法を示す図（その６）である。
【図３Ｇ】実施例２による磁気ヘッドの製造方法を示す図（その７）である。
【図３Ｈ】実施例２による磁気ヘッドの製造方法を示す図（その８）である。
【図３Ｉ】実施例２による磁気ヘッドの製造方法を示す図（その９）である。
【図４Ａ】実施例２による磁気ヘッドの製造方法を示す図（その１０）である。
【図４Ｂ】実施例２による磁気ヘッドの製造方法を示す図（その１１）である。
【図４Ｃ】実施例２による磁気ヘッドの製造方法を示す図（その１２）である。
【図４Ｄ】実施例２による磁気ヘッドの製造方法を示す図（その１３）である。
【図５Ａ】従来の垂直磁気ヘッドの製造方法を示す図（その１）である。
【図５Ｂ】従来の垂直磁気ヘッドの製造方法を示す図（その２）である。
【図５Ｃ】従来の垂直磁気ヘッドの製造方法を示す図（その３）である。
【図６Ａ】従来の垂直磁気ヘッドの製造方法を示す図（その４）である。
【図６Ｂ】従来の垂直磁気ヘッドの製造方法を示す図（その５）である。
【図６Ｃ】従来の垂直磁気ヘッドの製造方法を示す図（その６）である。
【図７】本発明の効果を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０１  基板
１０２  再生素子用下部シールド
１０３  再生素子
１０４  再生素子用上部シールド
１０５  リターンヨーク
１０６  コイル
１０７  絶縁層
１０８  下地層
１０８Ａ  第１の下地層
１０８Ｂ  第２の下地層
１０９  主磁極
１１０  絶縁層
１１１  引き出し線
１１２  絶縁層
【図１】
2008234791.tif 000003
【図２】
2008234791.tif 000004
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2008234791.tif 000006
【図３Ｃ】
2008234791.tif 000007
【図３Ｄ】
2008234791.tif 000008
【図３Ｅ】
2008234791.tif 000009
【図３Ｆ】
2008234791.tif 000010
【図３Ｇ】
2008234791.tif 000011
【図３Ｈ】
2008234791.tif 000012
【図３Ｉ】
2008234791.tif 000013
【図４Ａ】
2008234791.tif 000014
【図４Ｂ】
2008234791.tif 000015
【図４Ｃ】
2008234791.tif 000016
【図４Ｄ】
2008234791.tif 000017
【図５Ａ】
2008234791.tif 000018
【図５Ｂ】
2008234791.tif 000019
【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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