(57)【要約】【課題】有機絶縁材料の剥離の発生を抑制しつつ、性能のばらつきの発生を抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供すること。【解決手段】薄膜磁気ヘッド１は、下部磁極層４２と、上部磁極層４４と、第１薄膜コイル４６とを備える。第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち隣り合う導線間には、有機絶縁材料であるレジスト膜５６が介在している。第１薄膜コイル４６は、最小幅部分４６ａと、最大幅部分４６ｂとを有する。最小幅部分４６ａは第２上部磁極部４４ｂよりもエアベアリング面Ｓ側に配置され、最小幅部分４６ａの上面は全てレジスト膜５６によって覆われている。最大幅部分４６ｂは第２上部磁極部４４ｂよりもエアベアリング面Ｓとは離れた側に配置され、最大幅部分４６ｂの上面にはレジスト膜５６によって覆われていないレジスト非被覆領域Ｄ１が形成されている。【選択図】図１
2008165923.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に端部が露出する下部磁極層と、前記媒体対向面の側の一端部において記録ギャップを形成するように前記下部磁極層の端部と対向し、前記媒体対向面とは離れた側の他端部において前記下部磁極層と接続された上部磁極層と、前記上部磁極層の前記他端部の周りに導線が巻回されて構成された薄膜コイルとを備え、前記下部磁極層と前記上部磁極層と前記薄膜コイルとが積層された薄膜磁気ヘッドであって、
前記薄膜コイルを構成する前記導線のうち隣り合う導線間には、電気絶縁性を有する有機物である有機絶縁材料が介在し、
前記薄膜コイルを構成する前記導線は、積層方向から見たときの導線幅が最も小さい最小幅部分と、積層方向から見たときの導線幅が最も大きい最大幅部分とを有し、
前記導線の前記最小幅部分は、前記上部磁極層の前記他端部よりも前記媒体対向面側に配置され、
前記導線の前記最大幅部分は、前記上部磁極層の前記他端部よりも前記媒体対向面とは離れた側に配置され、
前記導線の前記最小幅部分の積層方向における上面は、全て前記有機絶縁材料によって覆われており、
前記導線の前記最大幅部分の積層方向における上面には、前記有機絶縁材料によって覆われていない非被覆領域が形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記導線の前記最大幅部分の積層方向における厚さｔＣと前記導線のうち隣り合う導線間に介在している前記有機絶縁材料の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが
０＜ｔＣ／ｔＲ≦１．０
の範囲内の値となるように前記最大幅部分及び前記有機絶縁材料が構成されている請求項１に記載された薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記薄膜コイルを構成する前記導線は、前記媒体対向面に近づくにつれて積層方向から見たときの導線幅が小さくなる可変幅部分を更に有し、
前記導線の前記最大幅部分の積層方向における厚さｔＣと前記導線のうち隣り合う導線間に介在している前記有機絶縁材料の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが
０．８５＜ｔＣ／ｔＲ≦１．０
の範囲内の値となるように前記最大幅部分及び前記有機絶縁材料が構成され、
前記導線のうち積層方向から見たときの導線幅Ｗが
Ｘ≦（Ｗ−Ｗｍｉｎ）／（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）≦１．０
（ただし、Ｗｍｉｎは前記最小幅部分における積層方向から見たときの導線幅、
Ｗｍａｘは前記最大幅部分における積層方向から見たときの導線幅、
Ｘは０．４≦Ｘ≦０．７の範囲内の値である。）
を満たす部分の積層方向における上面には、前記非被覆領域が形成されている請求項１に記載された薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記薄膜コイルを構成する前記導線は、前記媒体対向面に近づくにつれて積層方向から見たときの導線幅が小さくなる可変幅部分を更に有し、
前記導線の前記最大幅部分の積層方向における厚さｔＣと前記導線のうち隣り合う導線間に介在している前記有機絶縁材料の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが
０．７≦ｔＣ／ｔＲ≦０．８５
の範囲内の値となるように前記最大幅部分及び前記有機絶縁材料が構成され、
前記導線のうち積層方向から見たときの導線幅Ｗが
Ｘ≦（Ｗ−Ｗｍｉｎ）／（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）≦１．０
（ただし、Ｗｍｉｎは前記最小幅部分における積層方向から見たときの導線幅、
Ｗｍａｘは前記最大幅部分における積層方向から見たときの導線幅、
Ｘは０．４≦Ｘ≦０．６の範囲内の値である。）
を満たす部分の積層方向における上面には、前記非被覆領域が形成されている請求項１に記載された薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記非被覆領域は、前記導線の積層方向における上面側の縁部を含んでおらず、
前記縁部には、前記有機絶縁材料が周り込むように形成されている請求項１〜４のいずれか一項に記載された薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、薄膜コイルを構成する導線の上面が全て有機絶縁材料によって覆われた薄膜磁気ヘッドが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、従来から、薄膜コイルを構成する導線のうち隣り合う導線間に有機絶縁材料が介在し、導線の積層方向における上面及び下面に無機絶縁材料が接触している薄膜磁気ヘッドが知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−２６８３２１号公報
【特許文献２】特開２００４−１３４０３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機絶縁材料には後の工程での熱負荷等によって応力が発生するが、この応力の大きさは有機絶縁材料の体積の大きさに比例する。そのため、上記特許文献１に記載された薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルを構成する導線のうち積層方向の上方から見たときの導線幅が相対的に広い部分の上面において特に有機絶縁材料の剥離が生じやすいものとなっていた。そこで、有機絶縁材料の剥離を防ぐため、上記特許文献２に記載された薄膜磁気ヘッドのように、薄膜コイルを構成する導線のうち隣り合う導線間にのみ有機絶縁材料を介在させるようにすることが考えられる。
【０００５】
ところで、薄膜磁気ヘッドの製造する際には、薄膜コイルを構成する導線のうち隣り合う導線間に介在させるように有機絶縁材料を形成する工程の後、その後形成されるＡｌ２Ｏ３等の無機絶縁材料との密着性を向上させる目的で、基板（ウエハ）表面全体をスライトミリング（僅かにミリング）してウエハ表面のクリーニング処理を行う工程が必要となる。このとき、薄膜コイルを構成する導線の積層方向における上面が露出していると、導線がスライトミリングされてしまい導線の断面積が小さくなるので、薄膜コイルの抵抗値が上昇すると共に薄膜コイルのインダクタンスが変動してしまう。
【０００６】
特に、上記特許文献２に記載された薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルを構成する導線の積層方向の上方における上面の全体が露出していたので、薄膜コイルを構成する導線のうち積層方向の上方から見たときの導線幅が相対的に小さい部分もスライトミリングされてしまっており、断面積の変化が非常に大きくなっていた。そのため、薄膜コイルの特性に対する影響が極めて大きく、製品毎に薄膜磁気ヘッドの性能にばらつきが発生してしまうという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、有機絶縁材料の剥離の発生を抑制しつつ、性能のばらつきの発生を抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に端部が露出する下部磁極層と、媒体対向面の側の一端部において記録ギャップを形成するように下部磁極層の端部と対向し、媒体対向面とは離れた側の他端部において下部磁極層と接続された上部磁極層と、上部磁極層の他端部の周りに導線が巻回されて構成された薄膜コイルとを備え、下部磁極層と上部磁極層と薄膜コイルとが積層された薄膜磁気ヘッドであって、薄膜コイルを構成する導線のうち隣り合う導線間には、電気絶縁性を有する有機物である有機絶縁材料が介在し、薄膜コイルを構成する導線は、積層方向の上方から見たときの導線幅が最も小さい最小幅部分と、積層方向の上方から見たときの導線幅が最も大きい最大幅部分とを有し、導線の最小幅部分は、上部磁極層の他端部よりも媒体対向面側に配置され、導線の最大幅部分は、上部磁極層の他端部よりも媒体対向面とは離れた側に配置され、導線の最小幅部分の積層方向における上面は、全て有機絶縁材料によって覆われており、導線の最大幅部分の積層方向における上面には、有機絶縁材料によって覆われていない非被覆領域が形成されている。
【０００９】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、導線の最大幅部分の積層方向における上面に、有機絶縁材料によって覆われておらず、例えば無機絶縁材料によって覆われている非被覆領域が形成されている。そのため、非被覆領域が形成されている部分では熱負荷等によって有機絶縁材料の剥離が生じないので、導線の積層方向における上面全体が有機絶縁材料によって覆われた場合と比較して、有機絶縁材料の剥離が抑制されることとなる。また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、導線の最小幅部分の積層方向における上面が、全て有機絶縁材料によって覆われている。そのため、ウエハ表面のクリーニング処理の際に導線の最小幅部分がスライトミリングされることがなく、薄膜コイルの特性に対する影響が極めて小さいものとなっている。その結果、有機絶縁材料の剥離の発生を抑制しつつ、薄膜磁気ヘッドの性能のばらつきの発生を抑制することが可能となる。なお、薄膜コイルを構成する導線の積層方向の上方から見たとき（薄膜コイルを構成する導線の積層面上から見たとき）の導線幅は、導線の中央を通る仮想線の接線に垂直な方向における一方の縁から他方の縁までの距離に相当している。
【００１０】
また、導線の最大幅部分の積層方向における厚さｔＣと導線のうち隣り合う導線間に介在している有機絶縁材料の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが
０＜ｔＣ／ｔＲ≦１．０
の範囲内の値となるように最大幅部分及び有機絶縁材料が構成されていると好ましい。ｔＣ／ｔＲが１．０よりも大きくなると、無機絶縁材料によって狭隘な導線間が埋められることとなるので、導線、有機絶縁材料及び無機絶縁材料の界面近傍においてクラックが発生する傾向がある。
【００１１】
また、薄膜コイルを構成する導線は、媒体対向面に近づくにつれて積層方向の上方から見たときの導線幅が小さくなる可変幅部分を更に有し、導線の最大幅部分の積層方向における厚さｔＣと導線のうち隣り合う導線間に介在している有機絶縁材料の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが
０．８５＜ｔＣ／ｔＲ≦１．０
の範囲内の値となるように最大幅部分及び有機絶縁材料が構成され、導線のうち積層方向の上方から見たときの導線幅Ｗが
Ｘ≦（Ｗ−Ｗｍｉｎ）／（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）≦１．０
（ただし、Ｗｍｉｎは最小幅部分における積層方向の上方から見たときの導線幅、
Ｗｍａｘは最大幅部分における積層方向の上方から見たときの導線幅、
Ｘは０．４≦Ｘ≦０．７の範囲内の値である。）
を満たす部分の積層方向における上面には、非被覆領域が形成されていると好ましい（例えば、後述の実施例２を参照）。
【００１２】
また、薄膜コイルを構成する導線は、媒体対向面に近づくにつれて積層方向の上方から見たときの導線幅が小さくなる可変幅部分を更に有し、導線の最大幅部分の積層方向における厚さｔＣと導線のうち隣り合う導線間に介在している有機絶縁材料の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが
０．７≦ｔＣ／ｔＲ≦０．８５
の範囲内の値となるように最大幅部分及び有機絶縁材料が構成され、導線のうち積層方向の上方から見たときの導線幅Ｗが
Ｘ≦（Ｗ−Ｗｍｉｎ）／（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）≦１．０
（ただし、Ｗｍｉｎは最小幅部分における積層方向の上方から見たときの導線幅、
Ｗｍａｘは最大幅部分における積層方向の上方から見たときの導線幅、
Ｘは０．４≦Ｘ≦０．６の範囲内の値である。）
を満たす部分の積層方向における上面には、非被覆領域が形成されていると好ましい（例えば、後述の実施例１を参照）。
【００１３】
Ｘの下限を下回るような場合には、導線のうち積層方向の上方から見たときの導線幅が相対的に小さい部分の上面にも非被覆領域が形成されることとなるので、ウエハ表面のクリーニング処理によって薄膜コイルの特性に与える影響が大きくなる傾向にある。一方、Ｘの上限を上回るような場合には、導線の上面の多くの部分が有機絶縁材料で覆われることとなるので（例えば、図４参照）、熱負荷等によって有機絶縁材料の剥離が発生しやすくなる傾向にある。なお、（Ｗ−Ｗｍｉｎ）／（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）によって求められる値は、導線幅Ｗｍａｘと導線幅Ｗｍｉｎとの差の大きさを１と仮定したときの、導線幅Ｗの割合を示すものである。
【００１４】
また、非被覆領域は、導線の積層方向における上面側の縁部を含んでおらず、縁部には、有機絶縁材料が周り込むように形成されていると好ましい。このようにすると、無機絶縁材料を形成する際の導線の積層方向における上面の被覆率を向上させ、導線、有機絶縁材料及び無機絶縁材料の界面近傍におけるクラックの発生を低減することが可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、有機絶縁材料の剥離の発生を抑制しつつ、性能のばらつきの発生を抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、説明中、「上」なる語を使用することがあるが、これは図１〜図６及び図８の上方向（積層方向の上方向）に対応したものである。
【００１７】
（薄膜磁気ヘッドの構成）
図１及び図２を参照して、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド１の構成について説明する。図１は、媒体対向面（エアベアリング面（ＡＢＳ：Air BearingSurface）ともいう）に対して垂直であって且つトラック幅方向から見た本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの概略断面図である。図２は、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドが備える薄膜コイルを主に示す上面透視図である。
【００１８】
薄膜磁気ヘッド１は、基台１０の上部に備えられており、図示しない磁気ヘッドスライダの一部をなすものである。薄膜磁気ヘッド１は、基台１０上に、後述するＭＲ（磁気抵抗効果：Magneto Resistive）素子２４を有する読取ヘッド部２０と、絶縁層３０と、書込用の誘導型の電磁変換素子としての記録ヘッド部４０とが順次積層された複合型薄膜磁気ヘッドとなっている。薄膜磁気ヘッド１では、図１における左側の端面が、図示しないハードディスクの記録面に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面Ｓ）となっている。基台１０は、アルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）からなるウエハ上に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の電気絶縁性を有する非磁性無機絶縁材料からなる下地層が厚さ０．３μｍ〜５．０μｍ程度となるように形成されて構成されている。
【００１９】
読取ヘッド部２０は、基台１０上に、下部電極を兼ねる下部磁気シールド層２２と、ＭＲ素子２４と、上部電極を兼ねる上部磁気シールド層２６とが、この順で積層されている。また、ＭＲ素子２４のトラック幅方向の両側には、絶縁層２８を介して、硬磁性材料からなる一対のバイアス印加層（図示せず）が形成されている。
【００２０】
下部磁気シールド層２２及び上部磁気シールド層２６は、ＮｉＦｅ（パーマロイ）等の軟磁性材料からなり、不要な外部磁界をＭＲ素子２４が感知するのを防止する。ＭＲ素子２４は、フリー層を含む多層構造であり（図示せず）、エアベアリング面Ｓに露出するようにエアベアリング面Ｓ側に配置されている。
【００２１】
ＭＲ素子２４は、磁気抵抗効果を利用して、ハードディスクから入力される磁界の変化を検出し、ハードディスクに記録されている磁気情報を読出す。なお、ＭＲ素子２４の代わりに、磁気抵抗変化率の高い巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ（Anisotropy Magneto Resistive）素子、トンネル接合で生じる磁気抵抗効果を利用したＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistive）素子、ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）−ＧＭＲ素子等を利用してもよい。
【００２２】
絶縁層２８は、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の非磁性無機絶縁材料からなり、ＭＲ素子２４に含まれるフリー層等に流れる電流がバイアス印加層にリークするのを防止する。
【００２３】
絶縁層３０は、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の非磁性無機絶縁材料からなり、読取ヘッド部２０と記録ヘッド部４０とによって挟まれるように配置されている。絶縁層３０の厚みとしては、例えば、０．１μｍ〜２．０μｍ程度とすることができる。
【００２４】
記録ヘッド部４０は、基台１０に近い順に、下部磁極層４２と、上部磁極層４４とを有しており、さらに第１及び第２薄膜コイル４６，４８とを有している。第１薄膜コイル４６と第２薄膜コイル４８との間、及び、第２薄膜コイル４８の上方であって且つ上部磁極層４４の上方には、それぞれＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の非磁性無機絶縁材料からなる絶縁層５０，５２が形成されている。
【００２５】
下部磁極層４２は、絶縁層３０の上面に形成されている。下部磁極層４２は、ＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料からなっている。
【００２６】
上部磁極層４４は、下部磁極層４２と同様、ＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料からなっており、第１上部磁極部４４ａ、第２上部磁極部４４ｂ及び第３上部磁極部４４ｃを有している。第１上部磁極部４４ａは、エアベアリング面Ｓ側において記録ギャップ層５４を挟んで下部磁極層４３と対向する位置に形成されている。第１上部磁極部４４ａ及び下部磁極層４３におけるエアベアリング面Ｓ側の端部は、エアベアリング面Ｓにそれぞれ露出しており、記録ギャップ層５４によって記録ギャップＧが形成されている。第２上部磁極部４４ｂは、エアベアリング面Ｓとは離れた側に位置するように形成されており、下部磁極層４３と接続されている。そのため、第２上部磁極部４４ｂと下部磁極層４２とは、互いに磁気的に結合している。第３上部磁極部４４ｃは、第１上部磁極部４４ａ及び第２上部磁極部４４ｂの上方に形成され、第１上部磁極部４４ａ及び第２上部磁極部４４ｂとそれぞれ接続されている。そのため、第３上部磁極部４４ｃと第１上部磁極部４４ａ及び第２上部磁極部４４ｂとは、互いに磁気的に結合している。従って、上部磁極層４４と下部磁極層４２とは、記録ギャップＧを挟む磁気回路を形成している。
【００２７】
第１及び第２薄膜コイル４６，４８は、図１及び図２に示されるように、上部磁極層４４におけるエアベアリング面Ｓとは離れた側の端部、すなわち第２上部磁極部４４ｂと第３上部磁極部４４ｃにおけるエアベアリング面Ｓとは離れた側の端部の周りに導線が巻回されたスパイラル状にそれぞれ構成されている。第１及び第２薄膜コイル４６，４８は、電磁誘導により記録ギャップＧ近傍に磁界を発生させ、ハードディスクの記録面に磁気情報を記憶させるものである。
【００２８】
第１薄膜コイル４６は、図２に示されるように、記録ギャップ層５４上に形成されている。第１薄膜コイル４６は、積層方向の上方から見たときの導線幅が最も小さい最小幅部分４６ａ、積層方向の上方から見たときの導線幅が最も大きい最大幅部分４６ｂ及びこれら以外の部分である可変幅部分４６ｃによって構成される導線と、第１薄膜コイル４６を他の部材と電気的に接続するための一対の引き出し導体４６ｄとからなっている。
【００２９】
最小幅部分４６ａは、第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち上部磁極層４４におけるエアベアリング面Ｓとは離れた側の端部（第２上部磁極部４４ｂ）よりもエアベアリング面Ｓ側に位置する部分であり、エアベアリング面Ｓ（トラック幅方向）に沿うように複数（第１薄膜コイル４６の巻数と同じ数）延在している。最小幅部分４６ａの一部は、下部磁極層４２と上部磁極層４４との間に配置されている。最小幅部分４６ａの積層方向の上方から見たときの導線幅Ｗｍｉｎ（図１及び図２参照）は、下部磁極層４２と上部磁極層４６とが接続されて形成される磁路長を短くして、高周波帯域における記録特性の向上を図るため、最大幅部分４６ｂよりも小さくなるよう設定され、例えば０．６μｍ〜２．０μｍ程度とすることができる。
【００３０】
最大幅部分４６ｂは、第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち上部磁極層４４におけるエアベアリング面Ｓとは離れた側の端部（第２上部磁極部４４ｂ）よりもエアベアリング面Ｓから離れた側に形成された部分であり、エアベアリング面Ｓ（トラック幅方向）に沿うように複数（第１薄膜コイル４６の巻数と同じ数）延在している。最大幅部分４６ｂの積層方向の上方から見たときの導線幅Ｗｍａｘ（図１及び図２参照）は、例えば２．０μｍ〜１０．０μｍ程度とすることができ、最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣ（図１参照）は、例えば１．０μｍ〜４．０μｍ程度とすることができる。なお、第１薄膜コイル４６が最小幅部分４６ａだけでなく最大幅部分４６ｂも含んでいるのは、第１薄膜コイル４６を構成する導線の断面積の大きさに反比例して第１薄膜コイル４６の抵抗値が変化するので、抵抗値を小さくして熱の発生を抑制し、第１薄膜コイル４６の自己膨張を抑制するためである。
【００３１】
可変幅部分４６ｃは、図２に示されるように、エアベアリング面Ｓに近づくにつれて積層方向の上方から見たときの導線幅が小さくなると共にエアベアリング面Ｓから離れるにつれて積層方向の上方から見たときの導線幅が大きくなっている。各引き出し導体４６ｄは、第１薄膜コイル４６を構成する導線の各端部にそれぞれ一体的に形成されている。
【００３２】
第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち隣り合う導線間には、図１及び図２に示されるように、有機絶縁材料であるレジスト膜５６が介在している。レジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲは、例えば０．８μｍ〜４．３μｍ程度とすることができる。第１薄膜コイル４６のうち最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣとレジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが
０＜ｔＣ／ｔＲ≦１．０
の範囲内の値となるように、最大幅部分４６ｂ及びレジスト膜５６が構成されていると好ましい。ｔＣ／ｔＲが１．０よりも大きくなると、Ａｌ２Ｏ３等の無機絶縁材料によって第１薄膜コイル４６の狭隘な導線間が埋められることとなるので、第１薄膜コイル４６、絶縁層５０及びレジスト膜５６の界面近傍においてクラックが発生する傾向がある。
【００３３】
第１薄膜コイル４６を構成する導線の上面の一部には、上述したようなＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の非磁性無機絶縁材料からなる絶縁層５０に覆われていてレジスト膜５６によって覆われていないレジスト非被覆領域Ｄ１が設定されている。引き出し導体４６ｄの両端部における上面の一部には、後述する接続層５８が存在していてレジスト膜５６によって覆われていないレジスト非被覆領域Ｄ２がそれぞれ設定されている。ただし、本実施形態において、図１及び図２に示されるように、第１薄膜コイル４６を構成する導線の縁部４７ａにおける上面にはレジスト非被覆領域Ｄ１が設定されておらず、引き出し導体４６ｄの縁部４７ｂにおける上面にはレジスト非被覆領域Ｄ２が設定されていない。すなわち、これらの縁部４７ａ，４７ｂには、レジスト膜５６が例えば第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち積層方向の上方から見たときの導線幅Ｗに対して２．０％〜３０％程度回り込むように形成されている。
【００３４】
第１薄膜コイル４６を構成する導線のうちレジスト非被覆領域Ｄ１が設定される部分としては、本実施形態では図２に示されるように、最大幅部分４６ｂから可変幅部分４６ｃのうち最大幅部分４６ｂ側の一部にかけての部分となっているが、最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣとレジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが
０．８５＜ｔＣ／ｔＲ≦１．０
の範囲内の値となるように最大幅部分４６ｂ及びレジスト膜５６が構成されている場合、第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち積層方向の上方から見たときの導線幅Ｗが
Ｘ≦（Ｗ−Ｗｍｉｎ）／（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）≦１．０
（ただし、Ｘは０．４≦Ｘ≦０．７の範囲内の値である。）
を満たす部分であると好ましく（例えば、後述の実施例２を参照）、最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣとレジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが
０．７≦ｔＣ／ｔＲ≦０．８５
の範囲内の値となるよう最大幅部分４６ｂ及びレジスト膜５６が構成されている場合、第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち積層方向の上方から見たときの導線幅Ｗが
Ｘ≦（Ｗ−Ｗｍｉｎ）／（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）≦１．０
（ただし、Ｘは０．４≦Ｘ≦０．６の範囲内の値である。）
を満たす部分であると好ましい（例えば、後述の実施例１を参照）。
【００３５】
ここで、（Ｗ−Ｗｍｉｎ）／（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）によって求められる値は、導線幅Ｗｍａｘと導線幅Ｗｍｉｎとの差の大きさを１と仮定したときの、導線幅Ｗの割合を示すものである。例えば、「レジスト非被覆領域Ｄ１が設定される部分として、導線幅Ｗが（Ｗ−Ｗｍｉｎ）／（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）＝１を満たす部分」とは、第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち導線幅ＷがＷｍａｘと等しい部分、すなわち最大幅部分４６ｂの上面にレジスト非被覆領域Ｄ１が設定されていることを意味している（例えば、図７参照）。また、例えば、「レジスト非被覆領域Ｄ１が設定される部分として、幅ＷがＡ≦（Ｗ−Ｗｍｉｎ）／（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）≦Ｂを満たす部分（ただし、０≦Ａ≦１、０≦Ｂ≦１であり、Ａ≦Ｂを満たす）」とは、第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち幅Ｗが（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）Ａ＋Ｗｍｉｎと等しい部分から（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）Ｂ＋Ｗｍｉｎと等しい部分までの範囲における導線の上面にレジスト非被覆領域Ｄ１が設定されていることを意味している（例えば、図８参照）。つまり、Ａは、非被覆領域Ｄ１が設定される導線幅Ｗの下限を定めており、Ｂは、非被覆領域Ｄ１が設定される導線幅Ｗの上限を定めている。従って、本実施形態において規定されている「レジスト非被覆領域Ｄ１が設定される部分として、導線幅ＷがＸ≦（Ｗ−Ｗｍｉｎ）／（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）≦１．０を満たす部分」とは、第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち導線幅Ｗが（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）Ｘ＋Ｗｍｉｎと等しい部分からＷｍａｘと等しい部分（最大幅部分４６）までの範囲における導線の上面にレジスト非被覆領域Ｄ１が設定されていることを意味している。そのため、Ｘは、導線幅Ｗの下限を規定し、レジスト非被覆領域Ｄ１の設定範囲を定めるものとなっている。そして、Ｘの下限を下回るような場合には、第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち導線幅Ｗが相対的に小さい部分の上面が実質的にレジスト膜５６によって覆われないこととなるので、ウエハ表面のクリーニング処理（詳しくは後述する）によって第１薄膜コイル４６の特性に与える影響が大きくなる傾向にある。一方、Ｘの上限を上回るような場合には、第１薄膜コイル４６を構成する導線の上面の大部分がレジスト膜５６によって覆われることとなる（例えば、図４参照）ので、熱負荷等によってレジスト膜５６の剥離が発生しやすくなる傾向にある。
【００３６】
第１薄膜コイル４６を構成する導線のうちレジスト非被覆領域Ｄ１，Ｄ２が形成されていない部分の上面は、全てレジスト膜５６によって覆われている。レジスト膜５６は、少なくとも最小幅部分４６ａの上面を全て覆っていればよく、第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち上部磁極層４４におけるエアベアリング面Ｓとは離れた側の端部（第２上部磁極部４４ｂ）よりもエアベアリング面Ｓ側における部分の上面を全て覆っていると好ましい。
【００３７】
第２薄膜コイル４８は、絶縁層５０上に形成されている。第２薄膜コイル４８を構成する導線は、第１薄膜コイル４６と同じく、積層方向の上方から見たときの導線幅が最も小さい最小幅部分４８ａ、積層方向の上方から見たときの導線幅が最も大きい最大幅部分４８ｂ及びこれら以外の部分である可変幅部分（図示せず）によって構成される導線と、第２薄膜コイル４８を他の部材と電気的に接続するための一対の引き出し導体４８ｄとからなっている。第２薄膜コイル４８の引き出し導体４８ｄは、接続層５８を介して第１薄膜コイル４６の引き出し導体４６ｄと接続されている。接続層５８は、下部磁極層４２及び上部磁極層４４と同様の材料からなっている。第２薄膜コイル４８を構成する導線のうち隣り合う導線間には、有機絶縁材料であるレジスト膜６０が介在している。第２薄膜コイル４８を構成する導線の積層方向における上面は、全てレジスト膜６０によって覆われている。
【００３８】
（記録ヘッド部の製造方法）
次に、図１〜図６を参照して、薄膜磁気ヘッド１を構成する記録ヘッド部４０の製造方法について説明する。図３は、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドを構成する記録ヘッド部を製造する一工程を示す図である。図４は、図３の後続の工程を示す図である。図５は、図４の後続の工程を示す図である。図６は、図５の後続の工程を示す図である。なお、各図では一つの素子のみを示しているが、実際には一枚のウエハから複数個の薄膜磁気ヘッド１が製造されることとなる。
【００３９】
まず、図３に示されるように、アルティックからなるウエハ上に絶縁材料からなる下地層を形成して、基台１０を形成する。続いて、基台１０上に読取ヘッド部２０、絶縁層３０及び下部磁極層４２を順次積層する。絶縁層３０は例えばスパッタリング法によって形成することができ、下部磁極層４２は例えばスパッタリング法やめっき法によって形成することができる。続いて、下部磁極層４２上に記録ギャップ層５４を積層する。記録ギャップ層５４は、Ａｌ２Ｏ３等の非磁性無機絶縁材料を用いて例えばスパッタリング法によって形成することができる。続いて、後の工程で第２上部磁極部４４ｂを形成すべき箇所を部分的にエッチングして開口６０を形成する。
【００４０】
続いて、図４を参照して、次の工程について説明する。まず、記録ギャップ層５４上に、開口６０の周りを巻回するスパイラル形状の第１薄膜コイル４６を形成する。第１薄膜コイル４６は、Ｃｕ等の導体を用いて例えばフレームめっき法により形成することができる。続いて、ウエハ表面全体にフォトレジスト等の樹脂を均一に塗布し、樹脂膜６２を形成する。そして、フォトマスクＭを介して樹脂膜６２のうちレジスト膜５６として残す部分に光Ｌを照射する。
【００４１】
続いて、図５を参照して、次の工程について説明する。まず、樹脂膜６２の現像を行い、樹脂膜６２のうち露光されなかった部分を除去する。そして、加熱処理（キュアリング）することにより樹脂膜６２のうち残存した部分を硬化させて、レジスト膜５６を形成する。続いて、上部磁極層４４のうち第１上部磁極部４４ａ及び第２上部磁極部４４ｂと接続層５８とを、例えばフレームめっき法によって形成する。このとき、エアベアリング面Ｓ側に第１上部磁極部４４ａを形成し、開口６０の上部に第２上部磁極部４４ｂを形成し、第１薄膜コイル４６の引き出し導体４６ｄの上方に接続層５８を形成する。続いて、図示しないエッチングマスクを用いてイオンビームエッチング又は反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を行い、第１上部磁極部４４ａの幅がエアベアリング面Ｓに向かうにつれて狭くなるトリム構造（図２参照）を得る。
【００４２】
続いて、図６を参照して、次の工程について説明する。まず、直後の工程で形成される絶縁膜とウエハとの密着性を向上させるため、ウエハ表面全体をスライトミリングして、ウエハ表面全体のクリーニング処理を行う。続いて、ウエハ表面全体にＡｌ２Ｏ３等の非磁性無機絶縁材料からなる絶縁膜（図示せず）を例えばスパッタリング法によって形成する。そして、この絶縁膜を例えば化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）によって第１上部磁極部４４ａ、第２上部磁極部４４ｂ及び接続層５８の表面が露出するまで研磨して、絶縁膜の平坦化処理をすることで、絶縁層５０を形成する。続いて、第１薄膜コイル４６と同様に、第２薄膜コイル４８を絶縁層５０上に形成する。
【００４３】
続いて、ウエハ表面全体にフォトレジスト等の樹脂を均一に塗布して、図示しない樹脂膜を形成し、その樹脂膜のうち第２薄膜コイル４８を覆う部分を露光する。そして、樹脂膜の現像及び加熱処理（キュアリング）を行うことにより、レジスト膜６０を形成する。続いて、上部磁極層４４のうち第３上部磁極部４４ｃを例えばフレームめっき法によって形成する。このとき、第１上部磁極部４４ａと第２上部磁極部４４ｂとを接続するように第３上部磁極部４４ｃを形成する。続いて、ウエハ表面全体を覆うように絶縁膜５２を積層する。絶縁膜５２は、Ａｌ２Ｏ３等の非磁性無機絶縁材料を用いて例えばスパッタリング法によって形成することができる。続いて、絶縁膜５２の表面をＣＭＰによって平坦化処理する。こうして、記録ヘッド部４０と共に図１に示される薄膜磁気ヘッド１が得られる。
【００４４】
ところで、従来の薄膜磁気ヘッド１００では、図９及び図１０に示されるように、上方に接続層５８が存在していてレジスト膜１５６によって覆われていないレジスト非被覆領域Ｄ２のみが第１薄膜コイル４６を構成する導線の上面に形成されており、上述したようなＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の非磁性無機絶縁材料からなる絶縁層５０に覆われていてレジスト膜１５６によって覆われていないレジスト非被覆領域Ｄ１が形成されていないものとなっていた。すなわち、従来の薄膜磁気ヘッド１００では、第１薄膜コイル４６を構成する導線のうちレジスト非被覆領域Ｄ２以外の部分の上面が全てレジスト膜１５６によって覆われたものとなっていた。レジスト膜１５６を形成した後の第２薄膜コイル４８を覆うレジスト膜６０の加熱処理（キュアリング）の際における熱負荷によってレジスト膜１５６には応力が発生するが、この応力の大きさはレジスト膜１５６の体積の大きさに比例する。そのため、従来の薄膜磁気ヘッド１００では、図１０に示されるように、特に第１薄膜コイル４６のうち積層方向の上方から見たときの導線幅が相対的に広い部分の上面においてレジスト膜１５６が剥離した剥離部分Ｒが生じていた。
【００４５】
そこで、第１薄膜コイルを構成する導線のうち隣り合う導体間にのみレジスト膜が介在し、第１薄膜コイルを構成する導線の上面がレジスト膜によって覆われていない薄膜磁気ヘッドが知られている。このような薄膜磁気ヘッドでは、レジスト膜が第１薄膜コイルを構成する導線の上面から剥離することがなくなっている。しかしながら、このような薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルを構成する導線の積層方向における上面の全体が露出していたので、薄膜コイルを構成する導線のうち積層方向の上方から見たときの導線幅が相対的に小さい部分についてもクリーニング処理によってスライトミリングされてしまい、薄膜コイルの断面積が大きく変化してしまっていた。そのため、薄膜コイルの特性に対する影響が極めて大きく、製品毎に薄膜磁気ヘッドの性能にばらつきが発生してしまうという問題があった。
【００４６】
しかしながら、本実施形態においては、第１薄膜コイル４６を構成する導線の上面にレジスト膜５６が形成されていないレジスト非被覆領域Ｄ１が形成されている。そのため、第１薄膜コイル４６を構成する導線の上面のうちレジスト非被覆領域Ｄ１が形成されている部分では熱負荷等によってレジスト膜５６の剥離が生じないようになっているので、第１薄膜コイル４６を構成する導線の上面にレジスト非被覆領域Ｄ１が形成されていない場合と比較して、レジスト膜５６の剥離が抑制されることとなる。また、本実施形態においては、少なくとも最小幅部分４６ａの上面が全てレジスト膜５６によって覆われている。そのため、ウエハ表面のクリーニング処理の際に最小幅部分４６ａの上面がスライトミリングされることがなくなるので、第１薄膜コイル４６の特性に対する影響が極めて小さいものとなっている。その結果、レジスト膜５６の剥離の発生を抑制しつつ、薄膜磁気ヘッド１の性能のばらつきの発生を抑制することが可能となる。
【００４７】
また、本実施形態においては、最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣとレジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが
０＜ｔＣ／ｔＲ≦１．０
の範囲内の値となるように最大幅部分４６ｂ及びレジスト膜５６が構成されている。そのため、レジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲが第１薄膜コイル４６のうち最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣよりも大きくなるので、第１薄膜コイル４６、レジスト膜５６及び絶縁層５０の界面近傍において、第１薄膜コイル４６の狭隘な導線間がＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の非磁性無機絶縁材料からなる絶縁層５０等によって埋められることで発生しがちなクラックが極めて発生しにくいものとなっている。
【００４８】
また、本実施形態においては、レジスト非被覆領域Ｄ１，Ｄ２が第１薄膜コイル４６を構成する導線の縁部を含んでおらず、第１薄膜コイル４６を構成する導線のうちレジスト非被覆領域Ｄ１，Ｄ２が形成されている部分の縁部にレジスト膜５６が回り込むように形成されている。そのため、絶縁層５０を形成する際の第１薄膜コイル４６を構成する導線の上面の被覆率を向上させ、第１薄膜コイル４６、絶縁層５０及びレジスト膜５６の界面近傍におけるクラックの発生を低減することが可能となる。
【００４９】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、本実施形態では薄膜コイルが２層積層されたものとなっていたが、薄膜コイルが１層のみ又は３層以上積層されたものであってもよい。薄膜コイルが２層以上積層されている場合、レジスト膜の剥離が発生する虞のある部分であれば、いずれの薄膜コイルに対しても本発明を適用することができる。
【００５０】
また、本実施形態では、レジスト非被覆領域Ｄ１，Ｄ２がレジスト膜５６によって覆われないものであったが、第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち少なくとも最小幅部分４６ａをレジスト膜５６によって覆い、他の部分の少なくとも一部にレジスト非被覆領域を形成することができる。
【実施例１】
【００５１】
以下、実施例１−１〜１−９及び比較例１−１〜１−２並びに図１１に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、図１１は、実施例１−１〜１−９及び比較例１−１〜１−２の各実施条件及びその評価結果を示す表である。
【００５２】
（実施例１−１）
Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣの基板上に下地層としてＡｌ２Ｏ３を積層して基台１０を形成した後、上述した薄膜磁気ヘッド１の製造方法に従って読取ヘッド部２０、絶縁層３０、記録ヘッド部４０、レジスト膜５６，６０及び絶縁層５０，５２を形成し、薄膜磁気ヘッド１を得た。実施例１−１の薄膜磁気ヘッド１では、最小幅部分４６ａの積層方向の上方から見たときの導線幅Ｗｍｉｎを１．９μｍに設定し、最大幅部分４６ｂの積層方向の上方から見たときの導線幅Ｗｍａｘを５．０μｍに設定した。また、実施例１−１の薄膜磁気ヘッド１では、最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣを２．０μｍに設定し、レジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲを２．５μｍに設定して、第１薄膜コイル４６のうち最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣとレジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが０．８となるようにした。さらに、実施例１−１の薄膜磁気ヘッド１では、第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち積層方向の上方から見たときの導線幅Ｗが
Ｘ≦（Ｗ−Ｗｍｉｎ）／（Ｗｍａｘ−Ｗｍｉｎ）≦１．０
（ただし、Ｘ＝０．１である。）
を満たす部分の積層方向における上面に、レジスト非被覆領域Ｄ１を形成した。このとき、レジスト非被覆領域Ｄ１における第１薄膜コイル４６を構成する導線の縁部を０．５μｍ程度（第１薄膜コイル４６を構成する導線のうち積層方向の上方から見たときの導線幅Ｗに対して１０％〜２２．６％程度）回り込むように、レジスト膜５６を形成した。
【００５３】
（実施例１−２〜１−９）
Ｘをそれぞれ０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９とした以外は、実施例１−１と同様にして実施例１−２〜１−９の薄膜磁気ヘッド１を得た。
【００５４】
（比較例１−１）
第１薄膜コイルを構成する導線間にのみレジスト膜を介在させ、第１薄膜コイルを構成する導線の上面全体をレジスト膜によって覆わないようにした以外（第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全面露出とした以外）は、実施例１−１と同様にして比較例１−１の薄膜磁気ヘッドを得た。
【００５５】
（比較例１−２）
第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全てレジスト膜によって覆うようにした以外（第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全面被覆とした以外）は、実施例１−１と同様にして比較例１−２の薄膜磁気ヘッドを得た。
【００５６】
（評価結果）
実施例１−１〜１−９の薄膜磁気ヘッド１を所定面にて切断して観察したところ、レジスト膜５６の剥離は「なし」か「ほとんどなし」であった。また、実施例１−１〜１−９の薄膜磁気ヘッド１における薄膜コイルの抵抗値上昇率（第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全面被覆とした薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイルの抵抗値をＲ１、測定対象の薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイルの抵抗値をＲ２としたときに、（Ｒ１−Ｒ２）／Ｒ１として求められる値）を測定したところ、それぞれ７．５、６．０、４．５、３．５、２．５、２．０、１．５、０．８、０．３であった。すなわち、実施例１−１〜１−３の薄膜磁気ヘッド１では薄膜コイルの抵抗値上昇率が「やや高い」ものであり、実施例１−４〜１−９の薄膜磁気ヘッド１では薄膜コイルの抵抗値上昇率が「低い」ものであった。さらに、実施例１−１〜１−９の薄膜磁気ヘッド１を所定面にて切断して観察したところ、第１薄膜コイル４６、絶縁層５０及びレジスト膜５６の界面近傍において、クラックの発生は「なし」であった。以上より、実施例１−１〜１−９における薄膜磁気ヘッド１の品質の評価結果としては、「Ａ：極めて良好」又は「Ｂ：ほぼ良好」のどちらかであった。図１７に、評価結果がＡのときの、媒体対向面に対して垂直であって且つトラック幅方向から見た薄膜磁気ヘッドの光学顕微鏡写真を一例として示す。
【００５７】
一方、比較例１−１〜１−２の薄膜磁気ヘッドを所定面にて切断して観察したところ、比較例１−１においてレジスト膜の剥離は「なし」であり、比較例１−２においてレジスト膜の剥離は「あり」であった。図１８に、媒体対向面に対して垂直であって且つトラック幅方向から見た薄膜磁気ヘッドにおいて、レジスト膜が剥離している様子の光学顕微鏡写真を一例として示す。また、比較例１−１〜１−２の薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイルの抵抗値上昇率を測定したところ、それぞれ９．５、０．０であった。すなわち、比較例１−１の薄膜磁気ヘッドでは薄膜コイルの抵抗値上昇率が「高い」ものであり、比較例１−２の薄膜磁気ヘッドでは薄膜コイルの抵抗値上昇率が「なし」であった。さらに、比較例１−１〜１−２の薄膜磁気ヘッドを所定面にて切断して観察したところ、第１薄膜コイル、絶縁層及びレジスト膜の界面近傍において、クラックの発生は「なし」であった。以上より、比較例１−１〜１−２における薄膜磁気ヘッドの品質の評価結果としては、「Ｃ：問題あり」であった。
【００５８】
ここで、評価結果が「Ａ：極めて良好」とは、レジスト膜の剥離及びクラックの発生が共に「なし」であり、薄膜コイルの抵抗値上昇率が３．５％以下となる場合である。評価結果が「Ｂ：ほぼ良好」とは、レジスト膜の剥離が「なし」又は「ほとんどなし」、薄膜コイルの抵抗値上昇率が７．５％以下、且つ、クラックの発生が「なし」又は「多少あり」となる場合（ただし、評価結果がＡとなる場合を除く）である。評価結果が「Ｃ：問題あり」とは、レジスト膜の剥離が「あり」、薄膜コイルの抵抗値上昇率が７．５％よりも大きい、及びクラックの発生が「あり」のうちいずれか一つに該当する場合である。
【実施例２】
【００５９】
続いて、実施例２−１〜２−９及び比較例２−１〜２−２並びに図１２に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、図１２は、実施例２−１〜２−９及び比較例２−１〜２−２の各実施条件及びそれらの評価結果を示す表である。
【００６０】
（実施例２−１）
最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣを２．０μｍに設定し、レジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲを２．０μｍに設定して、第１薄膜コイル４６のうち最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣとレジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが１．０となるようにした以外は、実施例１−１と同様にして実施例２−１の薄膜磁気ヘッド１を得た。
【００６１】
（実施例２−２〜２−９）
Ｘをそれぞれ０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９とした以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−２〜２−９の薄膜磁気ヘッド１を得た。
【００６２】
（比較例２−１）
第１薄膜コイルを構成する導線間にのみレジスト膜を介在させ、第１薄膜コイルを構成する導線の上面全体をレジスト膜によって覆わないようにした以外（第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全面露出とした以外）は、実施例２−１と同様にして比較例２−１の薄膜磁気ヘッドを得た。
【００６３】
（比較例２−２）
第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全てレジスト膜によって覆うようにした以外（第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全面被覆とした以外）は、実施例２−１と同様にして比較例２−２の薄膜磁気ヘッドを得た。
【００６４】
（評価結果）
実施例２−１〜２−９の薄膜磁気ヘッド１を所定面にて切断して観察したところ、レジスト膜５６の剥離は「なし」か「ほとんどなし」であった。また、実施例２−１〜２−９の薄膜磁気ヘッド１における薄膜コイルの抵抗値上昇率を測定したところ、それぞれ７．５、６．０、４．５、３．５、２．５、２．０、１．５、０．８、０．３であった。すなわち、実施例２−１〜２−３の薄膜磁気ヘッド１では薄膜コイルの抵抗値上昇率が「やや高い」ものであり、実施例２−４〜２−９の薄膜磁気ヘッド１では薄膜コイルの抵抗値上昇率が「低い」ものであった。さらに、実施例２−１〜２−９の薄膜磁気ヘッド１を所定面にて切断して観察したところ、第１薄膜コイル４６、絶縁層５０及びレジスト膜５６の界面近傍において、クラックの発生は「なし」であった。以上より、実施例２−１〜２−９における薄膜磁気ヘッド１の品質の評価結果としては、「Ａ：極めて良好」又は「Ｂ：ほぼ良好」のどちらかであった。
【００６５】
一方、比較例２−１〜２−２の薄膜磁気ヘッドを所定面にて切断して観察したところ、比較例２−１においてレジスト膜の剥離は「なし」であり、比較例２−２においてレジスト膜の剥離は「あり」であった。また、比較例２−１〜２−２の薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイルの抵抗値上昇率を測定したところ、それぞれ９．５、０．０であった。すなわち、比較例２−１の薄膜磁気ヘッドでは薄膜コイルの抵抗値上昇率が「高い」ものであり、比較例２−２の薄膜磁気ヘッドでは薄膜コイルの抵抗値上昇率が「なし」であった。さらに、比較例２−１〜２−２の薄膜磁気ヘッドを所定面にて切断して観察したところ、第１薄膜コイル、絶縁層及びレジスト膜の界面近傍において、クラックの発生は「なし」であった。以上より、比較例２−１〜２−２における薄膜磁気ヘッドの品質の評価結果としては、「Ｃ：問題あり」であった。
【実施例３】
【００６６】
続いて、実施例３−１〜３−９及び比較例３−１〜３−２並びに図１３に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、図１３は、実施例３−１〜３−９及び比較例３−１〜３−２の各実施条件及びそれらの評価結果を示す表である。
【００６７】
（実施例３−１）
最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣを２．０μｍに設定し、レジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲを１．５μｍに設定して、第１薄膜コイル４６のうち最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣとレジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが４／３となるようにした以外は、実施例１−１と同様にして実施例３−１の薄膜磁気ヘッド１を得た。
【００６８】
（実施例３−２〜３−９）
Ｘをそれぞれ０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９とした以外は、実施例３−１と同様にして実施例３−２〜３−９の薄膜磁気ヘッド１を得た。
【００６９】
（比較例３−１）
第１薄膜コイルを構成する導線間にのみレジスト膜を介在させ、第１薄膜コイルを構成する導線の上面全体をレジスト膜によって覆わないようにした以外（第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全面露出とした以外）は、実施例３−１と同様にして比較例３−１の薄膜磁気ヘッドを得た。
【００７０】
（比較例３−２）
第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全てレジスト膜によって覆うようにした以外（第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全面被覆とした以外）は、実施例３−１と同様にして比較例３−２の薄膜磁気ヘッドを得た。
【００７１】
（評価結果）
実施例３−１〜３−９の薄膜磁気ヘッド１を所定面にて切断して観察したところ、レジスト膜５６の剥離は「なし」か「ほとんどなし」であった。また、実施例３−１〜３−９の薄膜磁気ヘッド１における薄膜コイルの抵抗値上昇率を測定したところ、それぞれ７．５、６．０、４．５、３．５、２．５、２．０、１．５、０．８、０．３であった。すなわち、実施例３−１〜３−３の薄膜磁気ヘッド１では薄膜コイルの抵抗値上昇率が「やや高い」ものであり、実施例３−４〜３−９の薄膜磁気ヘッド１では薄膜コイルの抵抗値上昇率が「低い」ものであった。さらに、実施例３−１〜３−９の薄膜磁気ヘッド１を所定面にて切断して観察したところ、第１薄膜コイル４６、絶縁層５０及びレジスト膜５６の界面近傍において、クラックの発生は「多少あり」であった。図１９に、媒体対向面に対して垂直であって且つトラック幅方向から見た薄膜磁気ヘッドにおいて、クラックが発生している様子の光学顕微鏡写真を一例として示す。以上より、実施例３−１〜３−９における薄膜磁気ヘッド１の品質の評価結果としては、「Ｂ：ほぼ良好」であった。
【００７２】
一方、比較例３−１〜３−２の薄膜磁気ヘッドを所定面にて切断して観察したところ、比較例３−１においてレジスト膜の剥離は「なし」であり、比較例３−２においてレジスト膜の剥離は「あり」であった。また、比較例３−１〜３−２の薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイルの抵抗値上昇率を測定したところ、それぞれ９．５、０．０であった。すなわち、比較例３−１の薄膜磁気ヘッドでは薄膜コイルの抵抗値上昇率が「高い」ものであり、比較例３−２の薄膜磁気ヘッドでは薄膜コイルの抵抗値上昇率が「なし」であった。さらに、比較例３−１〜３−２の薄膜磁気ヘッドを所定面にて切断して観察したところ、第１薄膜コイル、絶縁層及びレジスト膜の界面近傍において、クラックの発生は「多少あり」であった。以上より、比較例３−１〜３−２における薄膜磁気ヘッドの品質の評価結果としては、「Ｃ：問題あり」であった。
【実施例４】
【００７３】
続いて、実施例４−１〜４−９及び比較例４−１〜４−２並びに図１４に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、図１４は、実施例４−１〜４−９及び比較例４−１〜４−２の各実施条件及びそれらの評価結果を示す表である。
【００７４】
（実施例４−１）
最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣを２．０μｍに設定し、レジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲを１．２μｍに設定して、第１薄膜コイル４６のうち最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣとレジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが５／３となるようにした以外は、実施例１−１と同様にして実施例４−１の薄膜磁気ヘッド１を得た。
【００７５】
（実施例４−２〜４−９）
Ｘをそれぞれ０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９とした以外は、実施例４−１と同様にして実施例４−２〜４−９の薄膜磁気ヘッド１を得た。
【００７６】
（比較例４−１）
第１薄膜コイルを構成する導線間にのみレジスト膜を介在させ、第１薄膜コイルを構成する導線の上面全体をレジスト膜によって覆わないようにした以外（第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全面露出とした以外）は、実施例４−１と同様にして比較例４−１の薄膜磁気ヘッドを得た。
【００７７】
（比較例４−２）
第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全てレジスト膜によって覆うようにした以外（第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全面被覆とした以外）は、実施例４−１と同様にして比較例４−２の薄膜磁気ヘッドを得た。
【００７８】
（評価結果）
実施例４−１〜４−９の薄膜磁気ヘッド１を所定面にて切断して観察したところ、レジスト膜５６の剥離は「なし」であった。また、実施例４−１〜４−９の薄膜磁気ヘッド１における薄膜コイルの抵抗値上昇率を測定したところ、それぞれ７．５、６．０、４．５、３．５、２．５、２．０、１．５、０．８、０．３であった。すなわち、実施例４−１〜４−３の薄膜磁気ヘッド１では薄膜コイルの抵抗値上昇率が「やや高い」ものであり、実施例４−４〜４−９の薄膜磁気ヘッド１では薄膜コイルの抵抗値上昇率が「低い」ものであった。さらに、実施例４−１〜４−９の薄膜磁気ヘッド１を所定面にて切断して観察したところ、第１薄膜コイル４６、絶縁層５０及びレジスト膜５６の界面近傍において、クラックの発生は「多少あり」であった。以上より、実施例４−１〜４−９における薄膜磁気ヘッド１の品質の評価結果としては、「Ｂ：ほぼ良好」であった。
【００７９】
一方、比較例４−１〜４−２の薄膜磁気ヘッドを所定面にて切断して観察したところ、比較例４−１においてレジスト膜の剥離は「なし」であり、比較例４−２においてレジスト膜の剥離は「あり」であった。また、比較例４−１〜４−２の薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイルの抵抗値上昇率を測定したところ、それぞれ９．５、０．０であった。すなわち、比較例４−１の薄膜磁気ヘッドでは薄膜コイルの抵抗値上昇率が「高い」ものであり、比較例４−２の薄膜磁気ヘッドでは薄膜コイルの抵抗値上昇率が「なし」であった。さらに、比較例４−１〜４−２の薄膜磁気ヘッドを所定面にて切断して観察したところ、第１薄膜コイル、絶縁層及びレジスト膜の界面近傍において、クラックの発生は「多少あり」であった。以上より、比較例４−１〜４−２における薄膜磁気ヘッドの品質の評価結果としては、「Ｃ：問題あり」であった。
【実施例５】
【００８０】
続いて、実施例５−１〜５−９及び比較例５−１〜５−２並びに図１５に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、図１５は、実施例５−１〜５−９及び比較例５−１〜５−２の各実施条件及びそれらの評価結果を示す表である。
【００８１】
（実施例５−１）
最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣを２．０μｍに設定し、レジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲを２．９μｍに設定して、第１薄膜コイル４６のうち最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣとレジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが０．７となるようにした以外は、実施例１−１と同様にして実施例５−１の薄膜磁気ヘッド１を得た。
【００８２】
（実施例５−２〜５−９）
Ｘをそれぞれ０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９とした以外は、実施例５−１と同様にして実施例５−２〜５−９の薄膜磁気ヘッド１を得た。
【００８３】
（比較例５−１）
第１薄膜コイルを構成する導線間にのみレジスト膜を介在させ、第１薄膜コイルを構成する導線の上面全体をレジスト膜によって覆わないようにした以外（第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全面露出とした以外）は、実施例５−１と同様にして比較例５−１の薄膜磁気ヘッドを得た。
【００８４】
（比較例５−２）
第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全てレジスト膜によって覆うようにした以外（第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全面被覆とした以外）は、実施例５−１と同様にして比較例５−２の薄膜磁気ヘッドを得た。
【００８５】
（評価結果）
実施例５−１〜５−９の薄膜磁気ヘッド１を所定面にて切断して観察したところ、レジスト膜５６の剥離は「なし」か「ほとんどなし」であった。また、実施例５−１〜５−９の薄膜磁気ヘッド１における薄膜コイルの抵抗値上昇率を測定したところ、それぞれ７．５、６．０、４．５、３．５、２．５、２．０、１．５、０．８、０．３であった。すなわち、実施例５−１〜５−３の薄膜磁気ヘッド１では薄膜コイルの抵抗値上昇率が「やや高い」ものであり、実施例５−４〜５−９の薄膜磁気ヘッド１では薄膜コイルの抵抗値上昇率が「低い」ものであった。さらに、実施例５−１〜５−９の薄膜磁気ヘッド１を所定面にて切断して観察したところ、第１薄膜コイル４６、絶縁層５０及びレジスト膜５６の界面近傍において、クラックの発生は「なし」であった。以上より、実施例５−１〜５−９における薄膜磁気ヘッド１の品質の評価結果としては、「Ａ：極めて良好」又は「Ｂ：ほぼ良好」のどちらかであった。
【００８６】
一方、比較例５−１〜５−２の薄膜磁気ヘッドを所定面にて切断して観察したところ、比較例５−１においてレジスト膜の剥離は「なし」であり、比較例５−２においてレジスト膜の剥離は「あり」であった。また、比較例５−１〜５−２の薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイルの抵抗値上昇率を測定したところ、それぞれ９．５、０．０であった。すなわち、比較例５−１の薄膜磁気ヘッドでは薄膜コイルの抵抗値上昇率が「高い」ものであり、比較例５−２の薄膜磁気ヘッドでは薄膜コイルの抵抗値上昇率が「なし」であった。さらに、比較例５−１〜５−２の薄膜磁気ヘッドを所定面にて切断して観察したところ、第１薄膜コイル、絶縁層及びレジスト膜の界面近傍において、クラックの発生は「なし」であった。以上より、比較例５−１〜５−２における薄膜磁気ヘッドの品質の評価結果としては、「Ｃ：問題あり」であった。
【実施例６】
【００８７】
続いて、実施例６−１〜６−９及び比較例６−１〜６−２並びに図１６に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、図１６は、実施例６−１〜６−９及び比較例６−１〜６−２の各実施条件及びそれらの評価結果を示す表である。
【００８８】
（実施例６−１）
最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣを２．０μｍに設定し、レジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲを２．３５μｍに設定して、第１薄膜コイル４６のうち最大幅部分４６ｂの積層方向における厚さｔＣとレジスト膜５６の積層方向における厚さｔＲとの比ｔＣ／ｔＲが０．８５となるようにした以外は、実施例１−１と同様にして実施例６−１の薄膜磁気ヘッド１を得た。
【００８９】
（実施例６−２〜６−９）
Ｘをそれぞれ０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９とした以外は、実施例６−１と同様にして実施例６−２〜６−９の薄膜磁気ヘッド１を得た。
【００９０】
（比較例６−１）
第１薄膜コイルを構成する導線間にのみレジスト膜を介在させ、第１薄膜コイルを構成する導線の上面全体をレジスト膜によって覆わないようにした以外（第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全面露出とした以外）は、実施例６−１と同様にして比較例６−１の薄膜磁気ヘッドを得た。
【００９１】
（比較例６−２）
第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全てレジスト膜によって覆うようにした以外（第１薄膜コイルを構成する導線の上面を全面被覆とした以外）は、実施例６−１と同様にして比較例６−２の薄膜磁気ヘッドを得た。
【００９２】
（評価結果）
実施例６−１〜６−９の薄膜磁気ヘッド１を所定面にて切断して観察したところ、レジスト膜５６の剥離は「なし」か「ほとんどなし」であった。また、実施例６−１〜６−９の薄膜磁気ヘッド１における薄膜コイルの抵抗値上昇率を測定したところ、それぞれ７．５、６．０、４．５、３．５、２．５、２．０、１．５、０．８、０．３であった。すなわち、実施例６−１〜６−３の薄膜磁気ヘッド１では薄膜コイルの抵抗値上昇率が「やや高い」ものであり、実施例６−４〜６−９の薄膜磁気ヘッド１では薄膜コイルの抵抗値上昇率が「低い」ものであった。さらに、実施例６−１〜６−９の薄膜磁気ヘッド１を所定面にて切断して観察したところ、第１薄膜コイル４６、絶縁層５０及びレジスト膜５６の界面近傍において、クラックの発生は「なし」であった。以上より、実施例６−１〜６−９における薄膜磁気ヘッド１の品質の評価結果としては、「Ａ：極めて良好」又は「Ｂ：ほぼ良好」のどちらかであった。
【００９３】
一方、比較例６−１〜６−２の薄膜磁気ヘッドを所定面にて切断して観察したところ、比較例６−１においてレジスト膜の剥離は「なし」であり、比較例６−２においてレジスト膜の剥離は「あり」であった。また、比較例６−１〜６−２の薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイルの抵抗値上昇率を測定したところ、それぞれ９．５、０．０であった。すなわち、比較例６−１の薄膜磁気ヘッドでは薄膜コイルの抵抗値上昇率が「高い」ものであり、比較例６−２の薄膜磁気ヘッドでは薄膜コイルの抵抗値上昇率が「なし」であった。さらに、比較例６−１〜６−２の薄膜磁気ヘッドを所定面にて切断して観察したところ、第１薄膜コイル、絶縁層及びレジスト膜の界面近傍において、クラックの発生は「なし」であった。以上より、比較例６−１〜６−２における薄膜磁気ヘッドの品質の評価結果としては、「Ｃ：問題あり」であった。
【００９４】
ここで、以上の実施例１〜６のそれぞれの評価結果をまとめたものを図２０に示す。図２０は、横軸にｔＣ／ｔＲをとり、縦軸にＸをとったときの、実施例１〜６のそれぞれの評価結果を示す図である。図２０に示されるように、ｔＣ／ｔＲが０．７≦ｔＣ／ｔＲ≦０．８５で且つＸが０．４≦Ｘ≦０．６のときに評価結果が「Ａ：極めて良好」となっており、また、ｔＣ／ｔＲが０．８５＜ｔＣ／ｔＲ≦１．０で且つＸが０．４≦Ｘ≦０．７のときに評価結果が「Ａ：極めて良好」となっていることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】媒体対向面に対して垂直であって且つトラック幅方向から見た本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの概略断面図である。
【図２】本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドが備える薄膜コイルを主に示す上面透視図である。
【図３】本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドを構成する記録ヘッド部を製造する一工程を示す図である。
【図４】図３の後続の工程を示す図である。
【図５】図４の後続の工程を示す図である。
【図６】図５の後続の工程を示す図である。
【図７】レジスト非被覆領域の設定の一例を示す薄膜コイルの上面透視図である。
【図８】レジスト非被覆領域の設定の別の例を示す薄膜コイルの上面透視図である。
【図９】従来の薄膜磁気ヘッドが備える薄膜コイルを主に示す上面透視図である。
【図１０】媒体対向面に対して垂直であって且つトラック幅方向から見た従来の薄膜磁気ヘッドの概略断面図である。
【図１１】実施例１−１〜１−９及び比較例１−１〜１−２の各実施条件及びそれらの評価結果を示す表である。
【図１２】実施例２−１〜２−９及び比較例２−１〜２−２の各実施条件及びそれらの評価結果を示す表である。
【図１３】実施例３−１〜３−９及び比較例３−１〜３−２の各実施条件及びそれらの評価結果を示す表である。
【図１４】実施例４−１〜４−９及び比較例４−１〜４−２の各実施条件及びそれらの評価結果を示す表である。
【図１５】実施例５−１〜５−９及び比較例５−１〜５−２の各実施条件及びそれらの評価結果を示す表である。
【図１６】実施例６−１〜６−９及び比較例６−１〜６−２の各実施条件及びそれらの評価結果を示す表である。
【図１７】評価結果がＡのときの、媒体対向面に対して垂直であって且つトラック幅方向から見た薄膜磁気ヘッドを一例として示す光学顕微鏡写真である。
【図１８】媒体対向面に対して垂直であって且つトラック幅方向から見た薄膜磁気ヘッドにおいて、レジスト膜の剥離の様子を一例として示す光学顕微鏡写真である。
【図１９】媒体対向面に対して垂直であって且つトラック幅方向から見た薄膜磁気ヘッドにおいて、クラックの発生の様子を一例として示す光学顕微鏡写真である。
【図２０】横軸にｔＣ／ｔＲをとり、縦軸にＸをとったときの、実施例１〜６のそれぞれの評価結果を示す図である。
【符号の説明】
【００９６】
１…薄膜磁気ヘッド、４０…記録ヘッド部、４２…下部磁極層、４４…上部磁極層、４６…第１薄膜コイル、４６ａ…最小幅部分、４６ｂ…最大幅部分、４６ｃ…可変幅部分、５６…レジスト膜、Ｇ…記録ギャップ、Ｓ…媒体対向面（エアベアリング面）。
【図１】
2008165923.tif 000003
【図２】
2008165923.tif 000004
【図３】
2008165923.tif 000005
【図４】
2008165923.tif 000006
【図５】
2008165923.tif 000007
【図６】
2008165923.tif 000008
【図７】
2008165923.tif 000009
【図８】
2008165923.tif 000010
【図９】
2008165923.tif 000011
【図１０】
2008165923.tif 000012
【図１１】
2008165923.tif 000013
【図１２】
2008165923.tif 000014
【図１３】
2008165923.tif 000015
【図１４】
2008165923.tif 000016
【図１５】
2008165923.tif 000017
【図１６】
2008165923.tif 000018
【図２０】
2008165923.tif 000019
【図１７】
2008165923.tif 000020
【図１８】
2008165923.tif 000021
【図１９】
2008165923.tif 000022