(57)【要約】【課題】セラミック基板本体と配線基板との熱膨張率差に起因して、外部接続用電極と配線基板の導体パターンとの間に介在する接合部にクラックが発生するのを防止することができ、且つ、セラミック基板本体に生じる引っ張り応力に起因してセラミック基板本体にクラックが発生するのを防止することができる表面実装型セラミック基板を提供する。【解決手段】表面実装型セラミック基板２は、セラミック基板本体２０において外部接続用電極２５，２５が設けられた部位と放熱用導体部２６が設けられた部位との間に接合部４，４の応力緩和用のスリット２３，２３が形成され、セラミック基板本体２０において引っ張り応力が集中する部位を含む肉厚部２０ｂを形成することで、当該部位の厚み寸法を外部接続用電極２５，２５が設けられた部位の厚み寸法よりも大きくしてある。【選択図】図１
2008288536.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板本体の側面と裏面とに跨って、当該セラミック基板本体の主表面側に搭載される半導体チップと電気的に接続される外部接続用電極が設けられ、セラミック基板本体の裏面を配線基板に対向させて外部接続用電極と配線基板の導体パターンとを接合部により接合して用いる表面実装型セラミック基板であって、セラミック基板本体に半導体チップで発生した熱を配線基板へ放熱させるための放熱部が設けられ、セラミック基板本体において外部接続用電極が設けられた部位と放熱部が設けられた部位との間に接合部の応力緩和用のスリットが形成され、セラミック基板本体において引っ張り応力が集中する部位の厚み寸法を外部接続用電極が設けられた部位の厚み寸法よりも大きくしてあることを特徴とする表面実装型セラミック基板。
【請求項２】
前記放熱部は、前記セラミック基板本体よりも熱膨張率の大きい材料により形成され、且つ、前記セラミック基板本体に挿入されてなることを特徴とする請求項１記載の表面実装型セラミック基板。
【請求項３】
前記放熱部は、前記セラミック基板本体を貫通する形で設けられ、前記半導体チップの搭載部を兼ねていることを特徴とする請求項２記載の表面実装型セラミック基板。
【請求項４】
前記放熱部は、前記セラミック基板本体の裏面側の面に当該面および側縁が開放された溝が形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の表面実装型セラミック基板。
【請求項５】
前記搭載部上に前記搭載部と前記半導体チップとの熱膨張率差に起因して前記半導体チップに働く応力を緩和するサブマウント部材が接合されてなることを特徴とする請求項３記載の表面実装型セラミック基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤチップなどの半導体チップを搭載し、配線基板に表面実装して用いる表面実装型セラミック基板（セラミックパッケージ基板）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤチップを用いた発光装置は、小型化、軽量化、省電力化を図れるといった長所があり、表示用光源、ディスプレイ用光源などとして広く用いられている。また、ＬＥＤチップと、ＬＥＤチップから放射される光によって励起さされてＬＥＤチップの発光色とは異なる色の光を放射する波長変換材料（蛍光顔料、蛍光染料など）とを組み合わせることにより、白色を含め、ＬＥＤチップの発光色とは異なる色合いの光を出す発光装置が提供されており、小型電球（白熱電球、ハロゲン電球など）の代替の光源、携帯電話機の液晶パネル用光源（液晶パネル用バックライト）などとして利用されている。
【０００３】
また、近年、この種の発光装置の一種である白色ＬＥＤの高出力化に伴い、白色ＬＥＤを照明用途に展開する研究開発が盛んになってきているが、白色ＬＥＤを一般照明用途などのように比較的大きな光出力を必要とする用途に用いる場合、１個の白色ＬＥＤでは所望の光出力を得ることができないので、複数個の白色ＬＥＤを１枚の配線基板（例えば、金属ベース基板やガラス布・エポキシ樹脂銅張積層板などを用いて形成した回路基板）上に実装したＬＥＤユニットを構成するとともに、個々の白色ＬＥＤに供給する電力を増加させ、ＬＥＤユニット全体で所望の光出力を確保するようにしているのが一般的である。ここにおいて、白色ＬＥＤとしては、例えば、ＬＥＤチップと、セラミック基板本体の側面に、当該セラミック基板本体の主表面側に搭載されるＬＥＤチップと電気的に接続される外部接続用電極が設けられ、セラミック基板本体の裏面を配線基板に対向させて外部接続用電極と配線基板の導体パターンとを半田（例えば、鉛フリー半田など）からなる接合部により接合して用いる表面実装型セラミック基板（セラミックパッケージ基板）とを備えた表面実装型発光装置が用いられている。
【０００４】
ところで、上述のように複数個の白色ＬＥＤを１枚の配線基板上に実装したＬＥＤユニットでは、白色ＬＥＤの数の増加に伴って発熱量が多くなるので、配線基板に熱が蓄積されやすく、ＬＥＤユニット全体の温度が上昇しやすい傾向にある。
【０００５】
上述のようにＬＥＤユニットを一般照明用途などに利用した場合には、点灯開始後の温度上昇と消灯後の温度下降との繰り返しによりＬＥＤユニットの膨張収縮が繰り返されるが、表面実装型発光装置におけるセラミック基板本体と配線基板との熱膨張率差に起因して接合部にクラックが発生するという問題があった。
【０００６】
そこで、この種の問題を解決するために、半導体チップと配線基板との間の電気接続の信頼性を高めるために、半導体チップを搭載する基板に応力緩和用のスリットを設ける公知技術（例えば、特許文献１）を適用することが考えられる。
【特許文献１】特開２００４−２４７４６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、セラミック基板本体にスリットを形成した表面実装型セラミック基板自体にかかる応力について解析した結果、セラミック基板本体においてスリット近傍に引っ張り応力が集中する部位が存在するという知見を得た。ここにおいて、セラミック基板本体は、厚み寸法が例えば０．３ｍｍ程度であり、圧縮応力には強いが、引っ張り応力には弱いので、引っ張り応力が集中する部位でクラックが発生してしまうことがあった。
【０００８】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、セラミック基板本体と配線基板との熱膨張率差に起因して、外部接続用電極と配線基板の導体パターンとの間に介在する接合部にクラックが発生するのを防止することができ、且つ、セラミック基板本体に生じる引っ張り応力に起因してセラミック基板本体にクラックが発生するのを防止することができる表面実装型セラミック基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１の発明は、セラミック基板本体の側面と裏面とに跨って、当該セラミック基板本体の主表面側に搭載される半導体チップと電気的に接続される外部接続用電極が設けられ、セラミック基板本体の裏面を配線基板に対向させて外部接続用電極と配線基板の導体パターンとを接合部により接合して用いる表面実装型セラミック基板であって、セラミック基板本体に半導体チップで発生した熱を配線基板へ放熱させるための放熱部が設けられ、セラミック基板本体において外部接続用電極が設けられた部位と放熱部が設けられた部位との間に接合部の応力緩和用のスリットが形成され、セラミック基板本体において引っ張り応力が集中する部位の厚み寸法を外部接続用電極が設けられた部位の厚み寸法よりも大きくしてあることを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、セラミック基板本体において外部接続用電極が設けられた部位と放熱部が設けられた部位との間に接合部の応力緩和用のスリットが形成されているので、セラミック基板本体と配線基板との熱膨張率差に起因して接合部に発生する応力が緩和されるから、接合部にクラックが発生するのを防止でき、しかも、セラミック基板本体において引っ張り応力が集中する部位の厚み寸法を外部接続用電極が設けられた部位の厚み寸法よりも大きくしてあるので、セラミック基板本体に引っ張り応力に起因したクラックが発生するのを防止することができるとともに、セラミック基板本体のハンドリングが容易になる。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記放熱部は、前記セラミック基板本体よりも熱膨張率の大きい材料により形成され、且つ、前記セラミック基板本体に挿入されてなることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、前記セラミック基板本体と前記配線基板との熱膨張率差に起因して前記接合部に発生する応力をより緩和することができ、前記接合部にクラックが発生するのをより確実に防止することができる。
【００１３】
請求項３の発明は、請求項２の発明において、前記放熱部は、前記セラミック基板本体を貫通する形で設けられ、前記半導体チップの搭載部を兼ねていることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、前記半導体チップで発生する熱をより効率的に放熱させることが可能となる。
【００１５】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、前記放熱部は、前記セラミック基板本体の裏面側の面に当該面および側縁が開放された溝が形成されてなることを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、前記放熱部と前記配線基板とを接合する接合部にボイドが発生するのを防止することができ、放熱性を向上させることができるとともに前記半導体チップと前記配線基板との間の熱抵抗のばらつきを低減できる。
【００１７】
請求項５の発明は、請求項３の発明において、前記搭載部上に前記搭載部と前記半導体チップとの熱膨張率差に起因して前記半導体チップに働く応力を緩和するサブマウント部材が接合されてなることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、前記搭載部と前記半導体チップとの熱膨張率差に起因して前記半導体チップに働く応力を緩和することができる。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１の発明では、セラミック基板本体と配線基板との熱膨張率差に起因して、外部接続用電極と配線基板の導体パターンとの間に介在する接合部にクラックが発生するのを防止することができ、且つ、セラミック基板本体に生じる引っ張り応力に起因してセラミック基板本体にクラックが発生するのを防止することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（実施形態１）
本実施形態では、表面実装型セラミック基板を備えた表面実装型発光装置について図１に基づいて説明する。
【００２１】
本実施形態における表面実装型発光装置は、可視光（本実施形態では、青色光）を放射するＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１が搭載された表面実装型セラミック基板（セラミックパッケージ基板）２と、表面実装型セラミック基板２におけるＬＥＤチップ１の搭載面側でＬＥＤチップ１およびＬＥＤチップ１に電気的に接続されたボンディングワイヤ１４を封止した半球状の封止部（図示せず）とを備えている。本実施形態では、上記封止部が、透明な封止材（例えば、シリコーン樹脂など）およびＬＥＤチップ１から放射された光によって励起されてＬＥＤチップ１の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体により形成されている。なお、本実施形態では、ＬＥＤチップ１が半導体チップを構成している。
【００２２】
上記封止部は、上記蛍光体として、ＬＥＤチップ１から放射された青色光によって励起されてブロードな黄色系の光を放射する粒子状の黄色蛍光体（例えば、ＹＡＧ系の蛍光体など）を含有している。したがって、本実施形態における表面実装型発光装置は、ＬＥＤチップ１から放射された青色光と黄色蛍光体から放射された光とが上記封止部の光出射面から出射されることとなり、白色光を得ることができる。なお、本実施形態では、上記封止部に黄色蛍光体を含有させてあるが、封止部に含有させる蛍光体は黄色蛍光体に限らず、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを混合しても白色光を得ることができる。
【００２３】
ここにおいて、上記封止部は、必ずしも蛍光体を含有していなくてもよく、封止部を透明な封止材のみにより形成し、ＬＥＤチップ１から放射される光によって励起されてＬＥＤチップ１の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および透光性材料により形成されたドーム状の色変換部材を封止部の外側に配置するようにしてもよい。ここで、色変換部材を封止部の光出射面との間に空気層が形成される形で表面実装型セラミック基板２に固着すれば、色変換部材の寸法精度や位置決め精度に起因した歩留まりの低下を抑制できるとともに、色変換部材に外力が作用したときに色変換部材に発生した応力が封止部を通してＬＥＤチップ１に伝達されるのを抑制でき、しかも、ＬＥＤチップ１から放射され封止部を通して色変換部材に入射し色変換部材中の蛍光体の粒子により散乱された光のうち封止部側へ散乱されて封止部を透過する光の光量を低減できて表面実装型発光装置全体としての外部への光取り出し効率を向上でき、しかも、色変換部材の蛍光体で発生した熱がＬＥＤチップ１へ伝熱されるのを抑制することができるという利点がある。
【００２４】
なお、色変換部材の材料として用いる透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガラス、有機成分と無機成分とがｎｍレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用してもよい。
【００２５】
本実施形態における表面実装型発光装置は、例えば照明器具の光源として用いるものであり、所望の光出力が得られるように、配線基板３上に複数個の表面実装型発光装置を実装して当該複数個の表面実装型発光装置を直列接続したり並列接続したりすればよい。
【００２６】
配線基板３は、金属ベース基板（金属ベースプリント配線板）であり、Ａｌ板からなる金属板３１上の絶縁層３２上に表面実装型セラミック基板２の各外部接続用電極２５，２５それぞれが半田（例えば、Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ＝９６．５％：３．０％：０．５％の鉛フリー半田など）からなる接合部４，４を介して接合される導体パターン（通電用パターン）３３，３３が形成されている。なお、金属板３１は、Ａｌ板に限らず、例えば、Ｃｕ板により構成してもよい。また、接合部４，４の材料は、半田以外のろう材を採用してもよい。
【００２７】
表面実装型セラミック基板２は、矩形板状のセラミック基板本体（例えば、アルミナ基板などの電気絶縁性を有し且つ熱伝導率の高いセラミック基板）２０を用いて形成されており、主表面側（ＬＥＤチップ１の搭載面側）にＬＥＤチップ１の各電極とそれぞれ電気的に接続される２つの配線パターン（図示せず）が形成され、各配線パターンがセラミック基板本体２０の貫通孔配線（図示せず）などを介して外部接続用電極２５，２５と電気的に接続されている。
【００２８】
本実施形態では、ＬＥＤチップ１として厚み方向の両面に電極を有するＬＥＤチップを用いることを想定しており、ＬＥＤチップ１を表面実装型セラミック基板２に搭載する場合には、ＬＥＤチップ１における表面実装型セラミック基板２側の電極を一方の配線パターンに連続的に形成されたダイパッド部（図示せず）からなる搭載部に例えばＡｕＳｎ半田や導電性ペーストなどを用いて接合することで電気的に接続し、ＬＥＤチップ１における表面実装型セラミック基板２とは反対側の電極と他方の配線パターンとを金属細線（例えば、Ａｕ細線）からなるボンディングワイヤ１４を介して電気的に接続すればよい。
【００２９】
ここにおいて、各外部接続用電極２５，２５は、セラミック基板本体２０の側面に形成されたフィレット形成用の側面電極部２５ａ，２５ａと、セラミック基板本体２０の裏面に形成された裏面電極部２５ｂ，２５ｂとが連続して形成されている。要するに、本実施形態の表面実装型セラミック基板２は、セラミック基板本体２０の側面と裏面とに跨って、当該セラミック基板本体２０の主表面側に搭載されるＬＥＤチップ１と電気的に接続される外部接続用電極２５が設けられ、セラミック基板本体２０の裏面を配線基板３に対向させて外部接続用電極２５と配線基板３の導体パターン３２とを半田部４により接合して用いるものである。
【００３０】
また、表面実装型セラミック基板２は、セラミック基板本体２０の裏面の中央部に、ＬＥＤチップ１で発生した熱を放熱させるための放熱部として矩形状の放熱用導体部２６が形成されている。したがって、放熱用導体部２６を半田からなる接合部６を介して配線基板３の導体パターン３４と接合して配線基板３と熱結合させることにより、ＬＥＤチップ１で発生した熱を放熱用導体部２６および配線基板３を通して放熱することが可能となるので、ＬＥＤチップ１の温度上昇を抑制するとともに、ＬＥＤユニットの温度上昇を抑制することが可能となる。なお、放熱用導体部２６は、裏面側電極部２５ｂ，２５ｂと同じ材料（例えば、Ｃｕなど）により形成されている。また、放熱用導体部２６は、ＬＥＤチップ１よりも平面サイズを大きく設定してある。
【００３１】
ところで、表面実装型セラミック基板２のセラミック基板本体２０は、規定方向（本実施形態では、長手方向）の両側面に上述の外部接続用電極２５，２５が形成されており、セラミック基板本体２０において外部接続用電極２５が設けられた部位と放熱用導体部２６が設けられた部位との間に半田部４の応力緩和用のスリット２３が形成されている。ここにおいて、外部接続用電極２５，２５を結ぶ直線に交差し厚み方向に貫通するスリット２３，２３が形成されており、当該直線に沿った方向に弾性変形可能となっている。ここにおいて、表面実装型セラミック基板２は、上記規定方向の中間位置にＬＥＤチップ１が配置され、上記規定方向においてＬＥＤチップ１の両側にスリット２３，２３が形成されることで上記規定方向の両端部に細幅のアーム部２４，２４が形成されている。また、表面実装型セラミック基板２は、各スリット２３，２３が直線状であって互いに平行で且つセラミック基板本体２０の側面からの切り込み方向が同じとなっている（要するに、セラミック基板本体２０の各スリット２３，２３は、当該セラミック基板本体２０の短手方向の一側面において一端が開放されている）。また、セラミック基板本体２０は、短手方向に沿った中心線に対して線対称の構造となっている。なお、セラミック基板本体２０における上述の外部接続用電極２５，２５は、セラミック基板本体２０の短手方向の上記一側面側の端部においてアーム部２４，２４に形成されている。
【００３２】
ところで、上述の接合部４の半田として、例えば、Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ＝９６．５％：３．０％：０．５％の鉛フリー半田を用いた場合、この鉛フリー半田は半田付け時に２２１℃で硬化して、この２２１℃で硬化した時点の状態をストレスゼロの状態として保ち室温まで温度が降下しても応力緩和がほとんど起こらない。
【００３３】
しかしながら、表面実装型セラミック基板２におけるセラミック基板本体２０の熱膨張率に比べて、配線基板３に用いている金属板３１の方が高いので、室温では、表面実装型セラミック基板２全体に圧縮応力がかかっていることになる。
【００３４】
一方、図１の表面実装型セラミック基板２の基本例としてセラミック基板本体２０の厚みを０．３ｍｍ一定として、表面実装型セラミック基板２自体にかかる応力を解析した結果、図１（ａ）に示すように、セラミック基板本体２０における側面と一端側が開放されたスリット２３の他端側の内周面との間の幅が最も狭くなった最狭部の上記側面側の部位Ｂ１と、スリット２３の周縁部のうちスリット２３の幅方向において上記最狭部に対向する部位Ｂ２とに引っ張り応力が集中するという知見を得た。そこで、寒冷地の屋外での使用を想定して−４０℃の時の条件下で上記基本例の応力を解析した結果、セラミック基板本体２０の破損原因となる大きさの引っ張り応力が上記各部位Ｂ１，Ｂ２に発生するという知見を得た。
【００３５】
これに対して、本実施形態の表面実装型セラミック基板２では、セラミック基板本体２０において引っ張り応力が集中する部位（以下、応力集中部位と称す）Ｂ１，Ｂ２の厚み寸法を外部接続用電極２５，２５が設けられた部位の厚み寸法よりも大きくしてある。具体的には、本実施形態におけるセラミック基板本体２０は、平面視形状が円形状の中央部の厚み寸法を基準厚み寸法（本実施形態では、０．３ｍｍ）として、上記基準厚み寸法よりも厚み寸法の大きな肉厚部２０ｂ（本実施形態では、肉厚部２０ｂの厚み寸法を０．６ｍｍに設定してある）を上述の応力集中部位Ｂ１，Ｂ２を含むように設定した所定エリア（図１（ａ）において網掛けを施したエリア）に形成してある。なお、図１（ａ）に示した例では、上記中央部と、各アーム部２４，２４において応力集中部位Ｂ１付近を除いた部分とを上記基準厚み寸法とし、それ以外の部分（所定エリア）を肉厚部２０ｂの厚み寸法としてある。なお、ＬＥＤチップ１は、上記中央部においてセラミック基板本体２０に搭載される。
【００３６】
以上説明した本実施形態の表面実装型セラミック基板２では、セラミック基板本体２０において外部接続用電極２５，２５が設けられた部位と放熱用導体部２６が設けられた部位との間に接合部４，４の応力緩和用のスリット２３，２３が形成されているので、スリット２３，２３の幅方向にセラミック基板本体２０が弾性変形可能となっているので、消灯時と点灯時との温度変化で生じるセラミック基板本体２０と配線基板３との伸びの差がスリット２３，２３で緩和され、セラミック基板本体２０と配線基板３との熱膨張率差に起因して接合部４，４に発生する応力が緩和されるから、接合部４，４にクラックが発生するのを防止でき、しかも、セラミック基板本体２０において引っ張り応力が集中する部位の厚み寸法を外部接続用電極２５，２５が設けられた部位の厚み寸法よりも大きくしてあるので、セラミック基板本体２０に引っ張り応力に起因したクラックが発生するのを防止することができるとともに、セラミック基板本体２０のハンドリングが容易になる。
【００３７】
本実施形態の表面実装型セラミック基板２では、セラミック基板本体２０として、厚さ寸法が０．３ｍｍ、長手方向の寸法が８ｍｍ、短手方向の寸法が７ｍｍのアルミナ基板を用いており、アーム部２４の幅寸法（上記アルミナ基板の長手方向の側面からスリット２３までの距離）を１ｍｍとし、各スリット２３，２３は、幅寸法（上記アルミナ基板の長手方向における幅寸法）を０．１ｍｍ、長さ寸法（上記アルミナ基板の短手方向における切り込み深さ寸法）を５ｍｍとし、スリット２３，２３の終端部の平面視形状を円弧状の形状とし、曲率半径を０．１ｍｍとしてあるが、基板材料や数値は特に限定するものではない。
【００３８】
ここにおいて、上述の表面実装型発光装置を図１のように配線基板３に表面実装して用いる場合、セラミック基板本体２０の材料の熱膨張率をα１、配線基板３の大部分を占める金属板３１の材料の熱膨張率をα２とし、半田実装時の温度と室温まで冷却した時点の温度との温度差をΔＴ〔Ｋ〕、２つの外部接続用電極２５，２５間の距離をＬ〔ｍｍ〕、半田実装時の温度から室温への温度変化で生じるセラミック基板本体２０と配線基板３との伸びの差をΔＬ〔ｍｍ〕とすれば、ΔＬは、ΔＬ＝（｜α１−α２｜）×ΔＴ×Ｌで求められる。ここで、セラミック基板本体２１の材料がアルミナで、金属板３１の材料がアルミニウムの場合には、α１＝７．１×１０−６〔Ｋ−１〕、α２＝２３×１０−６〔Ｋ−１〕とし、半田実装時の温度を例えばＳｎ：Ａｇ：Ｃｕ＝９６．５％：３．０％：０．５％の鉛フリー半田が硬化する２１１℃、室温を２５℃とすれば、ΔＬ＝０．０２５〔ｍｍ〕となる。したがって、各スリット２３，２３の幅寸法が上述のように０．１ｍｍであれば、この伸びの差ΔＬをスリット２３，２３で緩和されるので、接合部４，４に生じる応力を低減することができ、接合部４，４にクラックが発生するのを防止することができる。
【００３９】
また、上述の表面実装型発光装置が寒冷地の屋外で使用されることを想定し、−４０℃まで冷却されたときの応力を解析したところ、セラミック基板本体２０の厚みが０．３ｍｍで一定の場合、上記応力集中部位Ｂ１，Ｂ２に、アルミナの破損する恐れのある３５０ＭＰａの引っ張り応力よりも大きな４４７ＭＰａの引っ張り応力が発生することが分かった。しかしながら、本実施形態における表面実装型発光装置では、セラミック基板本体２０に上述の肉厚部２０ｂを設けてあるので、上記応力集中部位Ｂ１，Ｂ２に発生する引っ張り応力を緩和することができるとともに、応力に対する耐性を高めることができ、セラミック基板本体２０の破損を防止することができる。また、アーム部２４，２４の厚みを肉厚部２０ｂと同じにすると、アーム部２４，２４での応力緩和効果が低下して接合部４，４に生じる応力が増大し、接合部４，４にクラックが発生する可能性があるが、本実施形態では、アーム部２４，２４の厚み寸法は上記中央部と同じ基準厚み寸法となっているので、アーム部２４，２４での応力緩和効果により接合部４，４への応力を低減でき、接合部４，４にクラックが発生するのを防止することができる。
【００４０】
（実施形態２）
本実施形態の表面実装型発光装置および表面実装型セラミック基板２の基本構成は実施形態１と略同じであって、図２に示すように、セラミック基板本体２０の中央部に厚み方向に貫通する開孔部２０ｃが形成されており、放熱用導体部２６がセラミック基板本体２０の開孔部２０ｃに挿入され、放熱用導体部２６がセラミック基板本体２０の厚み方向に貫通する形で形成されている点などが相違する。ここにおいて、放熱用導体部２６は、蝋付けなどによりセラミック基板本体２０に結合されている。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４１】
本実施形態では、セラミック基板本体２０が４枚のセラミックシートを用いた多層セラミック基板により構成され、開孔部２０ｃが矩形状に開口され、放熱用導体部２６が矩形板状の導体板により構成されている。ここにおいて、上記セラミックシートは、アルミナにより形成され、上記導体板は、アルミナ基板に比べて熱膨張率の大きなＣｕ板を用いて形成され、厚み方向の両面にＮｉ層とＡｕ層との積層膜がめっきなどにより形成されている。要するに、放熱部たる放熱用導体部２６は、セラミック基板本体２０よりも熱膨張率の大きな材料により形成されている。なお、本実施形態では、上記各セラミックシートの厚み寸法を０．２５ｍｍ、放熱用導体部２６の厚み寸法を０．５ｍｍに設定してあり、セラミック基板本体２０の裏面と放熱用導体部２６の裏面とが略面一となるようにしてあるが、これらの数値は特に限定するものではない。
【００４２】
本実施形態では、ＬＥＤチップ１としてチップサイズが１ｍｍ□のものを想定しており、放熱用導体部２６を構成する導体板として平面サイズが５ｍｍ□、厚みが０．５ｍｍのものを用いている。なお、導体板としては、ＬＥＤチップ１で発生した熱がＬＥＤチップ１のチップサイズよりも広い範囲に伝熱されるようにＬＥＤチップ１のチップサイズに比べて平面サイズが十分に大きなものを用いることが望ましく、厚み寸法として、平面サイズの１辺の長さ寸法（ここでは、５ｍｍ）の０．１倍程度（ここでは、０．５ｍｍ）のものを用いることが望ましい。
【００４３】
なお、本実施形態では、セラミック基板本体２０の開孔部２０ｃの開口形状および放熱用導体部２６の平面形状を矩形状としてあるが、矩形状限らず、例えば円形状でもよい。
【００４４】
本実施形態では、実施形態１と同様、ＬＥＤチップ１として厚み方向の両面に電極を有するＬＥＤチップを用いることを想定しており、ＬＥＤチップ１を表面実装型セラミック基板２に搭載する場合には、ＬＥＤチップ１における放熱用導体部２６側の電極と放熱用導体部２６とを例えばＡｕＳｎ半田や導電性ペーストなどにより接合することで電気的に接続し、ＬＥＤチップ１における放熱用導体部２６側とは反対側の電極とセラミック基板本体２０に設けられ外部接続用電極２５に電気的に接続されている配線パターン２２とをボンディングワイヤ１４を介して電気的に接続すればよい。要するに、本実施形態の表面実装型セラミック基板２では、放熱用導体部２６がＬＥＤチップ１の搭載部および一方の外部接続用電極を兼ねている。
【００４５】
また、本実施形態における表面実装型発光装置を実装する配線基板３では、放熱用導体部２６が接合される導体パターン３４と外部接続用電極２５が接合される導体パターン３３とがＬＥＤチップ１への通電用の導体パターンを構成することになる。
【００４６】
また、本実施形態の表面実装型セラミック基板２では、スリット２３およびアーム部２４がそれぞれ１つであり、アーム部２４が片持ち梁状となっているので、実施形態１に比べて、セラミック基板本体２０の側面の外部接続用電極２５と配線基板３の導体パターン３３とを接合する接合部４にかかる応力を低減することができ、接合部４にクラックが発生するのをより確実に防止することができる。また、本実施形態の表面実装型セラミック基板２では、実施形態１に比べて、平面サイズを小さくすることができ、材料コストの低減による低コスト化を図れるという利点がある。ここにおいて、アーム部２４に設けられた外部接続用電極２５は、アーム部２４の延長方向に離間して形成された２つの側面電極部２５ａ，２５ａが１つの裏面電極部２５ｂで連結されている。
【００４７】
しかして、本実施形態の表面実装型セラミック基板２では、実施形態１のものに比べて、ＬＥＤチップ１の搭載面から裏面までの熱抵抗を小さくすることができ、放熱性が向上するので、ＬＥＤチップ１のジャンクション温度の温度上昇を抑制でき、表面実装型発光装置の光出力の高出力化を図れる。また、本実施形態における表面実装型発光装置を配線基板３に表面実装して用いる場合、ＬＥＤチップ１のジャンクションから配線基板３の裏面までの熱抵抗を考えると、絶縁層３２が最も熱抵抗の大きな部分となるが、ＬＥＤチップ１のジャンクション付近で発生した熱が放熱用導体部２６によりＬＥＤチップ１のチップサイズよりも広い範囲に伝熱されるので、絶縁層３２の厚み方向の両面の温度差を小さくすることができ、配線基板３の裏面までの熱抵抗を小さくすることができるから、放熱性が向上する。
【００４８】
また、本実施形態の表面実装型セラミック基板２では、放熱用導体部２６の熱膨張率がセラミック基板本体２０の熱膨張率と配線基板３の金属板３１の熱膨張率との間にあり、放熱用導体部２６がセラミック基板本体２０に接合されているので、ＬＥＤチップ１の点灯・消灯に伴うセラミック基板本体２０の熱膨張量・収縮量が、放熱用導体部２６の熱膨張量・収縮量に近づくこととなり、外部接続用電極２５と配線基板３の導体パターン３３との接合部４にかかる応力をさらに低減することができ、接合部４のクラックや、セラミック基板本体２０において引っ張り応力がかかる部位の破壊を防止する効果が高くなるという利点がある。
【００４９】
（実施形態３）
本実施形態の表面実装型発光装置および表面実装型セラミック基板２の基本構成は実施形態２と略同じであって、図３に示すように、放熱用導体部２６が断面凸形状の形状に形成されており、セラミック基板本体２０内においてセラミック基板本体２０の裏面側に配置されるベース部２６ａの平面サイズが、セラミック基板本体２０内においてセラミック基板本体２０の主表面側に配置される突台部２６ｂの平面サイズに比べて大きくなっている点が相違する。ここにおいて、放熱用導体部２６は、セラミック基板本体２０の中央部に設けられる突台部２６ｂの平面サイズを実施形態１における放熱用導体部２６の平面サイズと同じに設定してあり、ベース部２６ａの平面サイズをセラミック基板本体２０のアーム部２４およびスリット２３を除いた領域の大部分を占めるサイズに設定してある。なお、実施形態２と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００５０】
ところで、実施形態２のように放熱用導体部２６が半導体チップ１を搭載する搭載部を兼ねている場合、セラミック基板本体２０の中央部において放熱用導体部２６と配線パターン２２とが接触しないようにする必要があり、セラミック基板本体２０の主表面側での放熱用導体部２６の平面サイズの大面積化が制限されるが、本実施形態では、セラミック基板本体２０内においてセラミック基板本体２０の裏面側に配置されるベース部２６ａの平面サイズが、セラミック基板本体２０内においてセラミック基板本体２０の主表面側に配置される突台部２６ｂの平面サイズに比べて大きくなっているので、放熱用導体部２６の突台部２６ｂの平面サイズを小さくしつつ、放熱性を向上させることができる。なお、本実施形態では、セラミック基板本体２０を構成する最下層（１層目）のセラミックシートにベース部２６ａを挿入可能な開孔部２０ｃ１を形成し、１層目のセラミックシート直上の２層目のセラミックシートに突台部２６ａに対応した開孔部２０ｃ２を形成してある。
【００５１】
（実施形態４）
本実施形態の表面実装型発光装置および表面実装型セラミック基板２の基本構成は実施形態３と略同じであって、図４に示すように、放熱用導体部２６の側面の一部が露出している点が相違する。なお、実施形態３と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００５２】
しかして、本実施形態では、配線基板３に表面実装して用いる場合に、放熱用導体部２６の側面に接合部５の一部として半田フィレット５ｂを形成することができるので、接合部５を目視にて確認することができて接合部５の接合不良による初期不良をなくすことができるとともに、接合信頼性が向上する。
【００５３】
（実施形態５）
本実施形態の表面実装型発光装置および表面実装型セラミック基板２の基本構成は実施形態１と略同じであって、図５に示すように、外部接続用電極２５，２５の形成位置が上記規定方向の両端部においてセラミック基板本体２０の短手方向にずれており、２つのスリット２３，２３の切り込み方向が互いに異なっている点などが相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００５４】
本実施形態におけるセラミック基板本体２０は、各スリット２３，２３が、セラミック基板本体２０の短手方向の両側面のうち外部接続用電極２５，２５に近い側の側面から切り込んだ形に形成されるとともに、ＬＥＤチップ１における放熱用導体部２６側とは反対の表面側に設けられた各電極それぞれがボンディングワイヤ１４を介して電気的に接続される配線パターン２２，２２が、スリット２３，２３を避ける形で形成されており、全体としてセラミック基板本体２０の中央部の真ん中を中心とした点対称の構造となっている。
【００５５】
しかして、本実施形態の表面実装型セラミック基板２でも、実施形態１と同様に、セラミック基板本体２０と配線基板３との熱膨張率差に起因して、外部接続用電極２５と配線基板３の導体パターン２２との間に介在する接合部４にクラックが発生するのを防止することができ、且つ、セラミック基板本体２０に生じる引っ張り応力に起因してセラミック基板本体２０にクラックが発生するのを防止することができる。
【００５６】
（実施形態６）
本実施形態の表面実装型発光装置および表面実装型セラミック基板２の基本構成は実施形態２と略同じであって、図６に示すように、セラミック基板本体２０の裏面に放熱用導体部２６を挿入する挿入穴２０ｄが形成されており、放熱用導体部２６がセラミック基板本体２０の裏面側から挿入穴２０ｄに挿入され、ＬＥＤチップ１の搭載部と放熱用導体部２６との間にセラミック基板本体２０を構成する４枚のセラミックシートのうちの１枚が介在するようになっており、配線パターン２２に電気的に接続された貫通孔配線２８が当該１枚のセラミックシートを貫通する形で形成され、放熱用導体部２６と電気的に接続されている点が相違する。なお、実施形態２と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００５７】
しかして、本実施形態の表面実装型セラミック基板２では、セラミック基板本体２０の材料であるアルミナが、放熱用導体部２６の材料であるＣｕの熱膨張率とＬＥＤチップ１の結晶成長用基板の材料であるＧａＮの熱膨張率との間の熱膨張率を有しており、放熱用導体部２６上に上記セラミックシートが存在しているので、ＬＥＤチップ１と放熱用導体部２６との熱膨張率差に起因してＬＥＤチップ１にかかる応力を低減することができ、表面実装型発光装置の信頼性を向上できる。
【００５８】
（実施形態７）
本実施形態の表面実装型発光装置および表面実装型セラミック基板２の基本構成は実施形態１と略同じであって、図７に示すように、セラミック基板本体２０の裏面に放熱用導体部２６を挿入する挿入穴２０ｄが形成されており、放熱用導体部２６がセラミック基板本体２０の裏面側から挿入穴２０ｄに挿入されている点などが相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００５９】
本実施形態では、セラミック基板本体２０が４枚のセラミックシートを用いた多層セラミック基板により構成され、放熱用導体部２６が矩形板状の導体板により構成されている。ここにおいて、上記セラミックシートは、アルミナにより形成され、上記導体板は、アルミナに比べて熱膨張率の大きなＣｕにより形成されている。要するに、放熱部たる放熱用導体部２６は、セラミック基板本体２０よりも熱膨張率の大きな材料により形成されている。なお、本実施形態では、上記各セラミックシートの厚み寸法を０．２ｍｍ、上記導体板の厚み寸法を０．４ｍｍに設定してあり、セラミック基板本体２０の裏面と放熱用導体部２６の裏面とが略面一となるようにしてあるが、これらの数値は特に限定するものではない。
【００６０】
本実施形態の表面実装型セラミック基板２では、放熱部である放熱用導体部２６が、セラミック基板本体２０よりも熱膨張率の大きい材料により形成され、且つ、セラミック基板本体２０に挿入されているので、セラミック基板本体２０と配線基板３との熱膨張率差に起因して接合部４，４に発生する応力をより緩和することができ、接合部４，４にクラックが発生するのをより確実に防止することができる。また、放熱用導体部２６がセラミック基板本体２０の裏面上に設けられている場合に比べて、ＬＥＤチップ１から放熱用導体部２６までの距離を短くすることができるので、ＬＥＤチップ１から放熱用導体部２６までの熱抵抗を小さくすることができ、表面実装型セラミック基板２の熱抵抗を小さくすることができるから、放熱性が向上する。
【００６１】
また、本実施形態の表面実装型セラミック基板２では、ＬＥＤチップ１と放熱用導体部２６との間にセラミック基板本体２０を構成する４枚のセラミックシートのうちの１枚が介在することとなる、つまり、ＬＥＤチップ１を搭載する搭載部が放熱用導体部２６と電気的に絶縁されることとなるので、複数のＬＥＤチップ１を搭載して直列に接続するように配線パターンを形成することも可能となる。
【００６２】
（実施形態８）
本実施形態の表面実装型発光装置および表面実装型セラミック基板２の基本構成は実施形態７と略同じであって、図８に示すように、放熱用導体部２６の側面とセラミック基板本体２０において放熱用導体部２６が挿入された挿入穴２０ｄの内側面との間に隙間２７が形成されている点が相違する。なお、実施形態７と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６３】
しかして、本実施形態の表面実装型セラミック基板２では、放熱用導体部２６が当該放熱用導体部２６の側面の法線方向に熱膨張した際にセラミック基板本体２０が破損するのをより確実に防止することができる。
【００６４】
（実施形態９）
本実施形態の表面実装型発光装置および表面実装型セラミック基板２の基本構成は実施形態８と略同じであって、図９に示すように、放熱用導体部２６がセラミック基板本体２０の裏面を含む平面よりも突出している点が相違する。なお、実施形態８と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６５】
本実施形態の表面実装型セラミック基板２を表面実装する配線基板３には放熱用導体部２６が挿入される窓孔３ａが形成されている。したがって、本実施形態における表面実装型発光装置を例えば照明器具の光源として用いる場合には、図９（ｂ）に示すように、金属製の器具本体７に対して放熱用導体部２６を、電気絶縁性および熱伝導性を有するゴムシート状の放熱シート８を介して熱結合することが可能となり、ＬＥＤチップ１で発生した熱を配線基板３を介さずに器具本体７へ放熱させることができるので、ＬＥＤチップ１で発生した熱をより効率よく放熱させることができる。また、放熱用導体部２６と配線基板３とを半田により接合する場合、接合部にボイドが発生して放熱性がばらついてしまうことがあるが、放熱用導体部２６をゴムシート状の放熱シート８に直接接触させればよいから、半田などにより接合する必要がなく、放熱性のばらつきを小さくできるとともに、信頼性が向上する。また、本実施形態の表面実装型セラミック基板２では、ＬＥＤチップ１で発生する熱を配線基板３を通して放熱させる必要がないので、配線基板３として、金属ベース基板に比べて安価なガラス布・エポキシ樹脂銅張積層板を用いることができ、ＬＥＤユニットの低コスト化を図れる。
【００６６】
なお、放熱シート８の代わりにシリカやアルミナなどのフィラーからなる充填材を含有し且つ加熱時に低粘度化する樹脂シート（例えば、溶融シリカを高充填したエポキシ樹脂シートのような有機グリーンシート）を用い、当該樹脂シートにより放熱用導体部２６と器具本体７とを接合するようにしてもよい。この場合、上記樹脂シートは電気絶縁性を有するとともに熱伝導率が高く加熱時の流動性が高く凹凸面への密着性が高いので、上記樹脂シートと放熱用導体部２６および器具本体７との間に空隙が発生するのを防止することができて、密着不足による熱抵抗の増大やばらつきの発生を防止することができ、ゴムシート状の放熱シート８を用いる場合に比べて、ＬＥＤチップ１から器具本体７までの熱抵抗を小さくすることができて放熱性が向上するとともに熱抵抗のばらつきが小さくなり、ＬＥＤチップ１のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図れる。
【００６７】
（実施形態１０）
本実施形態の表面実装型発光装置および表面実装型セラミック基板２の基本構成は実施形態７と略同じであって、図１０に示すように、放熱部である放熱用導体部２６がセラミック基板本体２０の裏面を含む平面よりも突出しており、放熱用導体部２６におけるセラミック基板本体２０の裏面側の面に当該面および側縁が開放された複数の溝２６ｂが形成されている点が相違する。なお、実施形態７と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６８】
ところで、表面実装型セラミック基板２の各外部接続用電極２５と配線基板３の導体パターン３３，３３とを接合する接合部４，４および放熱用導体部２６と導体パターン３４とを接合する接合部５の材料（接合材料）として、クリーム半田のように有機成分を含むペースト状のものを用いるが、放熱用導体部２６におけるセラミック基板本体２０の裏面側の面が平坦であると、リフロー時にクリーム半田から気化した有機成分が排出されにくく接合部５にボイドが発生することがある。
【００６９】
これに対して、本実施形態の表面実装型セラミック基板２では、放熱用導体部２６におけるセラミック基板本体２０の裏面側の面（要するに、放熱用導体部２６の裏面）に当該面および側縁が開放された複数の溝２６ｂが形成されているので、リフロー時にクリーム半田から気化した有機成分が溝２６ｂを通して排出されやすくなり、放熱用導体部２６と配線基板３とを接合する接合部５にボイドが発生するのを防止することができ、放熱性を向上させることができるとともに半導体チップ１と配線基板３との間の熱抵抗のばらつきを低減できる。また、本実施形態では、放熱用導体部２６の裏面の溝２６ｂが、裏面中央から側縁に近づくにつれて深さ寸法が徐々に大きくなる形状に形成されているので、ボイドの発生をより効果的に防止することができる。
【００７０】
（実施形態１１）
本実施形態の表面実装型発光装置および表面実装型セラミック基板２の基本構成は実施形態３と略同じであって、図１１に示すように、前記搭載部上に前記搭載部と前記半導体チップとの熱膨張率差に起因して前記半導体チップに働く応力を緩和するサブマウント部材９が接合されている点が相違する。要するに、本実施形態における表面実装型発光装置では、ＬＥＤチップ１は、当該ＬＥＤチップ１の搭載部を兼ねる放熱用導体部２６に、サブマウント部材９を介して搭載されている。なお、実施形態３と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００７１】
サブマウント部材９は、ＬＥＤチップ１のチップサイズよりも大きなサイズの矩形板状に形成されており、上記応力を緩和する機能だけでなく、ＬＥＤチップ１で発生した熱を放熱用導体部２６においてＬＥＤチップ１のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能を有している。本実施形態では、サブマウント部材９の材料として熱伝導率が比較的高く且つ絶縁性を有するＡｌＮを採用している。ここにおいて、サブマウント部材９における放熱用導体部２６側とは反対の表面には、ＬＥＤチップ１の表面側（図１０における上面側）の電極（図示せず）とセラミック基板本体２０の一方の配線パターン（図示せず）との中継用の導電パターン（図示せず）、ＬＥＤチップ１の裏面側（図１１における下面側）の電極（図示せず）とセラミック基板本体２０の他方の配線パターン（図示せず）との中継用の導電パターン（図示せず）が形成されている。
【００７２】
サブマウント部材９における各導電パターンは、例えば一般的な半導体製造プロセス（薄膜形成技術、リソグラフィ技術およびエッチング技術など）を利用して形成することができるので、表面の平坦度を良くすることができ、ＬＥＤチップ１の実装性が向上する。また、本実施形態では、ＬＥＤチップ１への給電路の一部となるサブマウント部材９の各導体パターンを、セラミック基板本体２０に形成する場合に比べて、ＬＥＤチップ１の実装部として必要な領域（セラミック基板本体２０の中央部）の平面サイズを小さくすることができ、セラミック基板本体２０の平面サイズの小型化を図れる。
【００７３】
なお、ＬＥＤチップ１とサブマウント部材９とは、例えば、ＳｎＰｂ、ＡｕＳｎ、ＳｎＡｇＣｕなどの半田や、銀ペーストなどを用いて接合すればよいが、ＡｕＳｎ、ＳｎＡｇＣｕなどの鉛フリー半田を用いて接合することが好ましい。また、サブマウント部材９は、導体パターンの周囲に、ＬＥＤチップ１から放射された光を反射する反射膜（例えば、Ｎｉ膜とＡｇ膜との積層膜）などを設けることが望ましい。また、サブマウント部材９の材料はＡｌＮに限らず、例えば、複合ＳｉＣ、Ｓｉなどを採用してもよい。
【００７４】
本実施形態では、ＬＥＤチップ１を搭載する搭載部を兼ねる放熱用導体部２６と半導体チップ１との熱膨張率差に起因して半導体チップ１に働く応力を緩和することができる。
【００７５】
（実施形態１２）
本実施形態の表面実装型発光装置および表面実装型セラミック基板２の基本構成は実施形態５と略同じであって、図１２に示すように、セラミック基板本体２０における側面と一端側が開放されたスリット２３の他端側の内周面との間の幅が最も狭くなった最狭部の上記側面側の部位においてアーム部２４の肉厚がアーム部２４の先端から離れるにつれて徐々に厚くなっている点などが相違する。なお、実施形態５と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００７６】
しかして、本実施形態では、アーム部２４における１箇所への引っ張り応力の集中が緩和されるので、セラミック基板本体２０の破壊をより確実に防止することができる。
【００７７】
ここにおいて、本実施形態の表面実装型セラミック基板２は、複数枚（本実施形態では、５枚）のセラミックシートを用いた多層セラミック構造のものなので、アーム部２４の上記側面側の部位においてアーム部２４の肉厚が段階的に変化しているが、射出成形などにより立体成形するようにすれば、アーム部２４の上記他側面側の部位においてアーム部２４の肉厚を連続的に変化させて当該部位の表面を滑らかな形状とすることもできる。
【００７８】
また、本実施形態では、実施形態１と同様に、スリット２３の上記他端側を円形状としてあるが、円の中心をスリット２３の長手方向に沿った中心線よりもセラミック基板本体中央部に近い側にずらしてあるので、スリット２３の上記他端側でアーム部２４の幅が他の部位に比べて狭くなるのを防止することができ、セラミック基板本体２０がより一層破損しにくくなる。
【００７９】
また、本実施形態では、透光性材料（例えば、シリコーン樹脂、ガラスなど）により形成されたドーム状の光学部材（レンズ）４０をセラミック基板本体２０との間にＬＥＤチップ１を囲む形で配設するとともに、当該光学部材４０の内側に封止樹脂（例えば、シリコーン樹脂、ガラスなど）からなる封止部を形成するようにし、光学部材４０の外側に光学部材４０の光出射面との間に空気層８０が形成される形で実施形態１にて説明した色変換部材７０を配設してある。ここにおいて、本実施形態では、セラミック基板本体２０の肉厚部２０ｂと中央部との間に２段の段差を形成してあり、中央部に近い側の段差を光学部材４０の位置決め用の段差として利用し、中央から遠い側の段差を色変換部材７０の位置決め用の段差として利用しているので、ＬＥＤチップ１の光軸と光学部材４０の光軸と色変換部材７０の光軸とを容易に合わせることが可能となる。
【００８０】
また、実施形態５では、セラミック基板本体２０の肉厚部２０ｂが当該セラミック基板２０の中央部を全周に亘って囲んでいるが、本実施形態では、肉厚部２０ｂに溝部２０ｅ，２０ｅを設けてあるので、上記封止部の形成時に封止樹脂の余剰分をセラミック基板本体２０上から外部へ排出させることができ、余分な封止樹脂がセラミック基板本体２０の表面に付着して色変換部材７０を接着固定できなくなったり、色変換部材７０がセラミック基板本体２０から浮いて隙間が形成され当該隙間からＬＥＤチップ１の光が漏れることにより色斑の発生、色度の規格ずれといった不具合を防止することができる。
【００８１】
また、本実施形態では、実施形態５と同様、セラミック基板本体２０に対して熱膨張率の大きな放熱用導体部２６がセラミック基板本体２０に挿入された構造となっているが、このような構造に限らず、本実施形態の表面実装型セラミック基板２の特徴点は、例えば実施形態１のように放熱用導体部２６がセラミック基板本体２０に挿入されていない構造においても適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】実施形態１を示し、（ａ）は配線基板に表面実装した状態の概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図である。
【図２】実施形態２を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面に対応し配線基板に表面実装した状態の概略断面図である。
【図３】実施形態３を示し、配線基板に表面実装した状態の概略断面図である。
【図４】実施形態４を示し、配線基板に表面実装した状態の概略断面図である。
【図５】実施形態５を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図である。
【図６】実施形態６を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面に対応し配線基板に表面実装した状態の概略断面図である。
【図７】実施形態７を示す概略断面図である。
【図８】実施形態８を示す概略断面図である。
【図９】実施形態９を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は配線基板に表面実装し器具本体に熱結合させた状態の概略断面図である。
【図１０】実施形態１０を示し、（ａ）は概略下面図、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）は配線基板に表面実装した状態の概略断面図である。
【図１１】実施形態１１を示す概略断面図である。
【図１２】実施形態１２を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図、（ｃ）は配線基板に表面実装した状態の概略断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１  ＬＥＤチップ（半導体チップ）
２  表面実装型セラミック基板
３  配線基板
４  接合部
５  接合部
９  サブマウント部材
２０  セラミック基板本体
２０ｂ  肉厚部
２３  スリット
２４  アーム部
２５  外部接続用電極
２６  放熱用導体部（放熱部）
２６ｂ  溝
３３  導体パターン
【図１】
2008288536.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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