(57)【要約】【課題】基板上にリンス液が残留することを確実に防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する  【解決手段】基板Ｗの表面には、種々の形状のホールＨが存在する。リンス処理時に基板Ｗ上に純水が供給されると、純水の一部はホールＨ内に浸入する。ホールＨ内に浸入した純水は、基板Ｗを高速で回転させても振り切ることが困難である。そこで、リンス処理後において、基板Ｗ上にＨＦＥを液盛してＨＦＥ層Ｌ２を形成する。この場合、純水とＨＦＥとの比重の差により、ＨＦＥがホールＨ内に浸入し、一方、純水がホールＨ内からＨＦＥ層Ｌ２上へと浮上する。それにより、純水がホールＨ内に残留することが確実に防止される。【選択図】図６
2008091364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一面にリンス液を供給するリンス液供給工程と、
前記リンス液供給工程後に基板の前記一面にハイドロフルオロエーテルを液盛する液盛工程と、
基板の前記一面に液盛されたハイドロフルオロエーテルを排除する排除工程とを備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記リンス液供給工程は、基板の前記一面にリンス液を液盛する工程を含み、
前記液盛工程は、基板の前記一面を外気に曝すことなく、基板の前記一面に液盛されたリンス液をハイドロフルオロエーテルで置換する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記液盛工程は、
基板を略水平に保持しつつ基板に垂直な軸の周りで回転させる工程と、
回転される基板の中央部に向けてハイドロフルオロエーテルを吐出する工程とを含むことを特徴とする請求項２記載の基板処置方法。
【請求項４】
前記液盛工程は、
基板を略水平に保持する工程と、
基板の直径以上の幅のスリット状の吐出口を有するノズルを基板の前記一面に略平行に移動させつつ前記吐出口から基板上にハイドロフルオロエーテルを吐出する工程とを含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理方法。
【請求項５】
基板の前記一面に液盛されたハイドロフルオロエーテルに超音波振動を付与する超音波振動付与工程をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記排除工程は、
基板の前記一面に液盛されたハイドロフルオロエーテルを基板を回転させることにより振り切る工程を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記排除工程は、
基板の前記一面に液盛されたハイドロフルオロエーテルを基板を傾斜させることにより流下させる工程を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記排除工程は、
基板上に不活性ガスを供給する工程を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項９】
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板の一面にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
前記基板保持手段により保持された基板の前記一面にハイドロフルオロエーテルを液盛する液盛手段と、
前記液盛手段により基板の前記一面に液盛されたハイドロフルオロエーテルを排除する排除手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
基板処理装置においては、薬液により基板に所定の処理が施された後、純水等のリンス液を用いて基板のリンス処理が行われる。その後、基板が高速で回転されることにより、基板上に残留するリンス液が遠心力によって基板の外方へ振り切られ、基板が乾燥される（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−１０８３４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板を回転させてリンス液を振り切る場合、基板上のリンス液に働く遠心力の方向は、基板の内方から外方へ向かう方向に限られる。基板の表面に露出したリンス液は、遠心力により基板の外方へ水平に移動して基板上から取り除かれる。
【０００５】
しかしながら、基板上には、絶縁膜、金属膜、半導体膜等の各種膜により回路パターンが形成されているため、基板上には溝または孔等の種々の凹凸が存在する。したがって、基板上に供給されたリンス液の一部は、その凹凸の凹部（以下、ホールと呼ぶ）内に浸入する。
【０００６】
基板上のホール内に浸入したリンス液は、基板の外方へ水平に移動することができない。そのため、ホール内のリンス液は遠心力によって振り切られることなく基板上に残留する。
【０００７】
基板上にリンス液が残留していると、そのリンス液と大気中の酸素と基板表面または基板上の金属物質等とが反応し、基板上に反応生成物が生成されることがある。特に、リンス液として純水を用い、また、基板としてシリコン基板を用いた場合には、反応生成物としてウォーターマーク（水跡）が生成されやすい。
【０００８】
なお、リンス処理後に基板上の純水をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）で置換することにより、ウォーターマークの生成を抑制する方法があるが、この場合にも、基板上のホール内に浸入した純水を取り除くことができないため、ウォーターマークの生成を確実に防止することができない。
【０００９】
本発明の目的は、基板上にリンス液が残留することを確実に防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）第１の発明に係る基板処理方法は、基板の一面にリンス液を供給するリンス液供給工程と、リンス液供給工程後に基板の一面にハイドロフルオロエーテルを液盛する液盛工程と、基板の一面に液盛されたハイドロフルオロエーテルを排除する排除工程とを備えるものである。
【００１１】
この基板処理方法においては、基板の一面にリンス液が供給された後、その基板の一面にハイドロフルオロエーテルが液盛される。その後、液盛されたハイドロフルオロエーテルが排除される。
【００１２】
ハイドロフルオロエーテルは純水等の一般的なリンス液よりも揮発性が高く、リンス液よりも比重が大きく、また、リンス液よりも表面張力が小さい。さらに、ハイドロフルオロエーテルは、リンス液に溶解しない。
【００１３】
それにより、リンス液の供給時にリンス液の一部が基板の一面に存在するホール（凹部）内に浸入しても、ハイドロフルオロエーテルの液盛時に、そのリンス液がホール内からハイドロフルオロエーテル上に浮上する。
【００１４】
ハイドロフルオロエーテル上に浮上したリンス液は、ハイドロフルオロエーテルとともに排除され、基板Ｗ上から取り除かれる。これにより、リンス液が基板上に残留することが確実に防止され、ウォーターマーク等の反応生成物の生成が防止される。
【００１５】
（２）リンス液供給工程は、基板の一面にリンス液を液盛する工程を含み、液盛工程は、基板の一面を外気に曝すことなく、基板の一面に液盛されたリンス液をハイドロフルオロエーテルで置換する工程を含んでもよい。
【００１６】
この場合、基板の一面においてリンス液の界面が形成されない。すなわち、基板の一面、リンス液および外気の３要素が同時に接触することがない。そのため、その３要素による反応が防止され、反応生成物の生成が防止される。
【００１７】
（３）液盛工程は、基板を略水平に保持しつつ基板に垂直な軸の周りで回転させる工程と、回転される基板の中央部に向けてハイドロフルオロエーテルを吐出する工程とを含んでもよい。
【００１８】
この場合、ハイドロフルオロエーテルが、リンス液の液層内に沈下しつつ、基板の中心部から周縁部に向けてリンス液を押し出すように広がる。それにより、基板の一面を外気に曝すことなく基板の一面に液盛されたリンス液をハイドロフルオロエーテルで置換することができる。また、効率良くハイドロフルオロエーテルを基板の一面に液盛することができるので、ハイドロフルオロエーテルの消費量を抑制することができる
（４）液盛工程は、基板を略水平に保持する工程と、基板の直径以上の幅のスリット状の吐出口を有するノズルを基板の一面に略平行に移動させつつ吐出口から基板上にハイドロフルオロエーテルを吐出する工程とを含んでもよい。
【００１９】
この場合、基板の一面の一端側から他端側へとハイドロフルオロエーテルが液盛されるとともに、基板の一面の他端側からリンス液が押し出される。それにより、基板の一面を外気に曝すことなく基板の一面に液盛されたリンス液をハイドロフルオロエーテルで置換することができる。
【００２０】
（５）基板処理方法は、基板の一面に液盛されたハイドロフルオロエーテルに超音波振動を付与する超音波振動付与工程をさらに備えてもよい。
【００２１】
この場合、リンス液がホール内に保持されてハイドロフルオロエーテル上に浮上しにくい場合でも、超音波振動が付与されることによりリンス液がホールから引き出され、ハイドロフルオロエーテル上に浮上する。それにより、確実にリンス液を排除することができる。
【００２２】
（６）排除工程は、基板の一面に液盛されたハイドロフルオロエーテルを基板を回転させることにより振り切る工程を含んでもよい。
【００２３】
この場合、基板の回転に伴う遠心力により、ハイドロフルオロエーテルが基板の外方に振り切られ、排除される。
【００２４】
（７）排除工程は、基板の一面に液盛されたハイドロフルオロエーテルを基板を傾斜させることにより流下させる工程を含んでもよい。
【００２５】
この場合、基板の回転によりハイドロフルオロエーテルを振り切る場合と異なり、基板を回転させるための基板回転機構、および基板の外方に飛散する液体を受け止めるためのガードを設けなくてもよい。そのため、装置の小型化および軽量化を図ることができる。
【００２６】
また、ハイドロフルオロエーテルを表面張力により一体的に排除することができる。そのため、基板上における微小液滴の残留を防止することができ、反応生成物の生成をより確実に防止することができる。
【００２７】
また、基板を回転させる場合と比べて、静電気の発生および遠心力による基板への負荷が抑制される。それにより、基板および基板上の回路パターンの損傷等が防止される。
【００２８】
また、基板を回転させる場合と比べて、基板を強固に保持する必要がないので、強固に基板を保持することによる基板の変形等が防止される。
【００２９】
（８）排除工程は、基板上に不活性ガスを供給する工程を含んでもよい。
【００３０】
この場合、基板を回転または傾斜させる際に基板上に不活性ガスを供給することにより、基板上が不活性ガス雰囲気となった状態でハイドロフルオロエーテルを排除することができる。そのため、反応生成物の生成を十分に抑制しつつ基板を十分に乾燥させることができる。
【００３１】
また、基板を回転または傾斜させて一旦ハイドロフルオロエーテルを排除した後に基板上に不活性ガスを供給することにより、より確実にハイドロフルオロエーテルを排除することができる。
【００３２】
（９）第２の発明に係る基板処理装置は、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板の一面にリンス液を供給するリンス液供給手段と、基板保持手段により保持された基板の一面にハイドロフルオロエーテルを液盛する液盛手段と、液盛手段により基板の一面に液盛されたハイドロフルオロエーテルを排除する排除手段とを備えるものである。
【００３３】
この基板処理装置においては、基板保持手段により保持された基板の一面に、リンス液供給手段によりリンス液が供給される。続いて、その基板の一面に液盛手段によりハイドロフルオロエーテルが液盛される。その後、基板の一面に液盛されたハイドロフルオロエーテルが排除手段により排除される。
【００３４】
この場合、リンス液の供給時にリンス液の一部が基板の一面のホール内に浸入しても、ハイドロフルオロエーテルが液盛される際に、そのリンス液がホール内からハイドロフルオロエーテル上に浮上する。
【００３５】
ハイドロフルオロエーテル上に浮上したリンス液は、ハイドロフルオロエーテルとともに排除され、基板Ｗ上から取り除かれる。これにより、リンス液が基板上に残留することが確実に防止され、ウォーターマーク等の反応生成物の生成が防止される。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、リンス液が基板上に残留することを確実に防止することができ、ウォーターマーク等の反応生成物の生成を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理方法および基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。
【００３８】
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
【００３９】
（１）  第１の実施の形態
（１−１）基板処理装置の構成
図１は本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。
【００４０】
処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂおよび基板処理部５ａ，５ｂが配置されている。
【００４１】
図１の流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ基板処理部５ａ，５ｂへの処理液（薬液、リンス液および後述するＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）を含む）の供給ならびに基板処理部５ａ，５ｂからの処理液の廃棄（廃液）等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。
【００４２】
基板処理部５ａ，５ｂでは、薬液による基板の処理（以下、薬液処理と呼ぶ）、および基板のリンス処理が行われる。さらに、本実施の形態では、基板のリンス処理後に、ＨＦＥを用いた処理を行う。詳細は後述する。
【００４３】
処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび基板処理部５ｃ，５ｄが配置されている。流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび基板処理部５ｃ，５ｄの各々は、上記流体ボックス部２ａ，２ｂおよび基板処理部５ａ，５ｂと同様の構成を有し、基板処理部５ｃ，５ｄは基板処理部５ａ，５ｂと同様の処理を行う。
【００４４】
以下、基板処理部５ａ〜５ｄを処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。
【００４５】
処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されており、インデクサロボットＩＲはインデクサＩＤの内部に設けられている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。
【００４６】
インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
【００４７】
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。
【００４８】
本実施の形態においては、基板処理部５ａ〜５ｄのいずれかにおいて基板Ｗに処理が行われた後に、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗが基板処理部５ａ〜５ｄから搬出され、インデクサロボットＩＲを介してキャリア１に搬入される。
【００４９】
制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。
【００５０】
（１−２）  基板処理部の構成
図２は本実施の形態に係る基板処理装置１００の基板処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図である。
【００５１】
図２の基板処理部５ａ〜５ｄは、薬液処理により基板Ｗの表面に付着した有機物等の不純物を除去し、その後、基板Ｗのリンス処理および乾燥処理を行う。
【００５２】
図２に示すように、基板処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１は、スピンベース２１ａ、およびスピンベース２１ａ上で基板Ｗを保持する複数の保持ピン２１ｂを含む。スピンチャック２１は、チャック回転駆動機構３６によって回転される回転軸２５の上端に固定されている。
【００５３】
スピンチャック２１の外方には、モータ６０が設けられている。モータ６０には、回動軸６１が接続されている。また、回動軸６１には、アーム６２が水平方向に延びるように連結され、アーム６２の先端に薬液処理用ノズル５０が設けられている。
【００５４】
モータ６０により回動軸６１が回転するとともにアーム６２が回動し、薬液処理用ノズル５０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【００５５】
モータ６０、回動軸６１およびアーム６２の内部を通るように薬液処理用供給管６３が設けられている。薬液処理用供給管６３は、図１の基板処理装置１００の外部または流体ボックス部２ａ〜２ｄ内に設けられる薬液供給源Ｒ１に接続されている。薬液処理用供給管６３には、バルブＶ１が介挿されている。
【００５６】
バルブＶ１が開かれることにより、薬液供給源Ｒ１から薬液処理用供給管６３を通して薬液処理用ノズル５０に薬液が供給される。それにより、基板Ｗの表面へ薬液を供給することができる。
【００５７】
薬液としては、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニア等の薬液、またはそれらの混合溶液等が用いられる。
【００５８】
また、スピンチャック２１の外方には、モータ７１が設けられている。モータ７１には、回動軸７２が接続され、回動軸７２には、アーム７３が連結されている。また、アーム７３の先端にリンス処理用ノズル７０が設けられている。
【００５９】
モータ７１により回動軸７２が回転するとともにアーム７３が回動し、リンス処理用ノズル７０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【００６０】
モータ７１、回動軸７２およびアーム７３の内部を通るようにリンス処理用供給管７４が設けられている。リンス処理用供給管７４はリンス液配管７４ａとＨＦＥ配管７４ｂとに分岐し、図１の基板処理装置１００の外部または流体ボックス部２ａ〜２ｄ内に設けられるリンス液供給源Ｒ２およびＨＦＥ供給源Ｒ３にそれぞれ接続されている。リンス液配管７４ａおよびＨＦＥ配管７４ｂには、それぞれバルブＶ２およびバルブＶ３が介挿されている。
【００６１】
バルブＶ２が開かれることにより、リンス液供給源Ｒ２からリンス液配管７４ａおよびリンス処理用供給管７４を通してリンス処理用ノズル７０にリンス液が供給され、バルブＶ３が開かれることにより、ＨＦＥ供給源Ｒ３からＨＦＥ配管７４ｂおよびリンス処理用供給管７４を通してリンス処理用ノズル７０にＨＦＥが供給される。それにより、基板Ｗの表面へリンス液またはＨＦＥを選択的に供給することができる。本実施の形態では、リンス液として純水が用いられる。ＨＦＥの詳細については後述する。
【００６２】
基板Ｗ上に薬液を供給する際には、薬液処理用ノズル５０は基板Ｗの中心部上方の処理位置に移動し、リンス液処理用ノズル７０は基板Ｗの外方の待機位置に退避する。基板Ｗ上に純水を供給する際には、薬液処理用ノズル５０は基板Ｗの外方の待機位置に退避し、リンス液処理用ノズル７０は基板Ｗの中心部上方の処理位置に移動する。
【００６３】
スピンチャック２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液を廃棄するための廃液空間３１が形成されている。さらに、廃液空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間３２が形成されている。
【００６４】
廃液空間３１には、廃液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための廃液管３４が接続され、回収液空間３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管３５が接続されている。
【００６５】
処理カップ２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード２４が設けられている。このガード２４は、回転軸２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード２４の上端部の内面には、断面く字状の廃液案内溝４１が環状に形成されている。
【００６６】
また、ガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。
【００６７】
このガード２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード２４を、回収液案内部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、廃液案内溝４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する廃液位置との間で上下動させる。ガード２４が回収位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部４２により回収液空間３２に導かれ、回収管３５を通して回収される。一方、ガード２４が廃液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が廃液案内溝４１により廃液空間３１に導かれ、廃液管３４を通して廃棄される。以上の構成により、処理液の廃棄および回収が行われる。
【００６８】
なお、スピンチャック２１への基板Ｗの搬入および搬出の際には、ガード昇降駆動機構は、ガード２４を廃液位置よりもさらに下方に退避させ、ガード２４の上端部２４ａがスピンチャック２１による基板Ｗの保持高さよりも低い位置となるように移動させる。
【００６９】
スピンチャック２１の上方には、中心部に開口を有する円板状の遮断板２２が設けられている。アーム２８の先端付近から鉛直下方向に支持軸２９が設けられ、その支持軸２９の下端に、遮断板２２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。
【００７０】
支持軸２９の内部には、遮断板２２の開口に連通した窒素ガス供給路３０が挿通されている。窒素ガス供給路３０には、窒素ガス（Ｎ２）が供給される。
【００７１】
アーム２８には、遮断板昇降駆動機構３７および遮断板回転駆動機構３８が接続されている。遮断板昇降駆動機構３７は、遮断板２２をスピンチャック２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。遮断板回転駆動機構３８は、遮断板２２を基板Ｗと同じ方向に回転させる。
【００７２】
（１−２−ａ）ＨＦＥの詳細
ここで、ＨＦＥについて説明する。ＨＦＥの例としては、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３（以下、第１ＨＦＥと呼ぶ）、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（以下、第２ＨＦＥと呼ぶ）およびＣ５Ｆ１３ＯＣＨ３（以下、第３ＨＦＥと呼ぶ）が挙げられる。
【００７３】
ＨＦＥは、純水よりも沸点が低く、純水よりも比重（密度）が大きく、純水よりも表面張力が小さい。また、ＨＦＥは、純水に溶解しない。これに対して、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）は、純水よりも比重が小さく、純水に対して任意に混和する。なお、第１ＨＦＥおよび第２ＨＦＥに関しては、ＩＰＡよりも沸点が低く、ＩＰＡよりも表面張力が小さい。
【００７４】
例えば、第１ＨＦＥの沸点、密度および表面張力は、それぞれ６１℃、１５２０ｋｇ／ｍ3 および１４ｍＮ／ｍである。これに対して、純水の沸点、密度および表面張力は、それぞれ１００℃、１０００ｋｇ／ｍ3 および７３ｍＮ／ｍである。また、ＩＰＡの沸点、密度および表面張力は、それぞれ８２．４℃、７８６ｋｇ／ｍ3 および２１ｍＮ／ｍである。また、第１ＨＦＥの純水への溶解度は１２ｐｐｍと非常に小さい。
【００７５】
また、ＨＦＥの代わりに、ＨＦＥを成分として含む混合液、例えば、第１ＨＦＥとトランス−１，２−ジクロロエチレンとを成分比が５０：５０となるように混合したもの、第１ＨＦＥとトランス−１，２−ジクロロエチレンとエタノールとを成分比が５２．７：４４．６：２．７となるように混合したもの、または第１ＨＦＥとＩＰＡとを成分比が９５：５となるように混合したもの等を用いてもよい。
【００７６】
これらの混合液も、上記の第１ＨＦＥ、第２ＨＦＥおよび第３ＨＦＥとほぼ同様の特性を有し、純水よりも比重（密度）が大きく、純水よりも表面張力が小さく、また、純水に溶解しない。また、これらの混合液は、ＩＰＡに比べて純水への溶解度が低い。
【００７７】
（１−３）基板処理装置の動作
以下、上記の構成を有する基板処理部５ａ〜５ｄの処理動作について説明する。
【００７８】
まず、基板Ｗの搬入時には、ガード２４が下降するとともに、基板搬送ロボットＣＲ（図１）により基板Ｗがスピンチャック２１上に載置される。スピンチャック２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック２１により保持される。
【００７９】
次に、ガード２４が上述した回収位置または廃液位置まで上昇するとともに、薬液処理用ノズル５０が待機位置から基板Ｗの中心部上方の処理位置に移動する。その状態で、回転軸２５が回転し、この回転に伴いスピンチャック２１に保持されている基板Ｗが回転する。続いて、薬液処理用ノズル５０から基板Ｗ上に薬液が供給される。これにより、基板Ｗの薬液処理が行われる。
【００８０】
所定時間経過後、薬液処理用ノズル５０からの薬液の供給が停止され、薬液処理用ノズル５０が基板Ｗの外方の待機位置に移動する。
【００８１】
薬液処理後の基板処理部５ａ〜５ｄの動作については図３〜図６を参照しながら説明する。図３〜図５は、薬液処理後の基板処理部５ａ〜５ｄの動作について説明するための図である。
【００８２】
薬液処理終了後、まず、図３（ａ）に示すように、リンス処理用ノズル７０が基板Ｗの上方に移動し、リンス処理用ノズル７０から基板Ｗ上に純水が供給される。それにより、基板Ｗのリンス処理が行われ、基板Ｗ上に残留する薬液および薬液処理により生じた有機膜の残渣等が洗い流される。
【００８３】
所定時間経過後、回転軸２５（図２）の回転速度が例えば１０〜５０ｒｐｍにまで低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られる純水の量が減少し、表面張力によって基板Ｗ上に純水が液盛される。その結果、図３（ｂ）に示すように、基板Ｗ上に純水の液層（以下、純水層と呼ぶ）Ｌ１が形成される。その後、純水の供給が停止される。なお、回転軸２５の回転を停止させて基板Ｗ上に純水を液盛してもよい。
【００８４】
次に、回転軸２５が低回転速度（例えば１０〜５０ｒｐｍ）で回転するとともに、図３（ｃ）に示すように、リンス処理用ノズル７０から基板Ｗ上の純水層Ｌ１の中心部に向けてＨＦＥが供給される。
【００８５】
上記のように、ＨＦＥは純水への溶解度が低く、純水よりも比重が重い。また、ＨＦＥおよび純水層Ｌ１には基板Ｗの外方へ向かう遠心力が働く。そのため、図４（ｄ）に示すように、ＨＦＥが、純水層Ｌ１内に沈下しつつ、基板Ｗの中心部から周縁部に向けて広がる。それにより、純水層Ｌ１が基板Ｗの周縁部から外方に押し出される。
【００８６】
その結果、図４（ｅ）に示すように、基板Ｗの表面が大気に曝されることなく基板Ｗ上から純水層Ｌ１が取り除かれるとともにＨＦＥが液盛される。すなわち、基板Ｗ上の純水層Ｌ１がＨＦＥの液層（以下、ＨＦＥ層と呼ぶ）Ｌ２で置換される。
【００８７】
ＨＦＥの供給および回転軸２５の回転は所定の期間（例えば５秒〜１２０秒間）継続される。なお、ＨＦＥ層Ｌ２の形成後におけるＨＦＥの供給量は、ＨＦＥ層Ｌ２の形成時におけるＨＦＥの供給量よりも少なくてもよい。その後、ＨＦＥの供給が停止され、リンス処理用ノズル７０が基板Ｗの外方の待機位置に退避する。
【００８８】
次に、図５に示すように、遮断板２２が基板Ｗに近接する位置まで下降する。その状態で、ガス供給路３０を通して基板Ｗと遮断板２２との間に窒素ガスが供給されるとともに回転軸２５の回転速度が上昇する。また、遮断板２２が基板Ｗと同じ方向に回転する。
【００８９】
この場合、基板Ｗと遮断板２２との間が窒素ガス雰囲気とされた状態で、基板Ｗの回転に伴う遠心力によりＨＦＥ層Ｌ２が基板Ｗの外方へ振り切られる。そのため、反応生成物の生成を十分に抑制しつつ基板Ｗを乾燥させることができる。また、基板Ｗの中心部から外方へ向かう窒素ガスの気流が形成されるので、その気流によって基板Ｗ上のＨＦＥが確実に基板Ｗの外方へ押し出される。
【００９０】
その後、遮断板２２が基板Ｗから離間するとともに回転軸２５の回転が停止する。そして、ガード２４が下降するとともに図１の基板搬送ロボットＣＲが基板Ｗを洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出する。
【００９１】
なお、本実施の形態では、基板Ｗと遮断板２２との間に窒素ガスを供給しつつＨＦＥ層Ｌ２の振り切りを行っているが、基板Ｗ上のＨＦＥ層Ｌ２を一旦振り切った後に遮断板２２を基板Ｗに近接させ、基板Ｗと遮断板２２との間に窒素ガスを供給してもよい。
【００９２】
この場合、回転による振り切りで基板Ｗ上のＨＦＥ層Ｌ２が十分に取り除かれなかったとしても、その後に窒素ガスが供給されることにより、基板Ｗ上に残留するＨＦＥ層Ｌ２が確実に取り除かれる。
【００９３】
なお、ＨＦＥは純水と比べて揮発性が高く、常温においても比較的短時間で自然に蒸発するため、上記のような窒素ガスの供給は必ずしも必要ではない。
【００９４】
また、基板Ｗ上から取り除かれたＨＦＥおよび純水を回収し、図示しない回収タンクに貯留すると、回収タンク内でＨＦＥと純水とが相分離する。この場合、回収タンクから上澄みの純水を廃棄してＨＦＥのみを再利用することも可能である。
【００９５】
（１−４）ＨＦＥ層を形成することによる効果
ここで、基板Ｗのリンス処理後に基板Ｗ上にＨＦＥを液盛することによる効果について説明する。図６は、基板Ｗ上にＨＦＥを液盛することによる効果について説明するための模式図である。
【００９６】
図６（ａ）に示すように、実際の基板Ｗの表面には、種々の形状のホールＨが存在する。ホールＨは、例えば回路パターン間の溝またはスルーホール等である。リンス処理時に基板Ｗ上に純水が供給されると、純水の一部はホールＨ内に浸入する。ホールＨが基板Ｗの表面に対して略垂直な凹形状である場合、ホールＨ内に浸入した純水は、基板Ｗを高速で回転させても振り切ることが困難である。そのため、従来ではホールＨ内において純水が残留しやすく、ウォーターマークの生成の原因となっていた。
【００９７】
そこで、本実施の形態では、リンス処理後において、基板Ｗ上にＨＦＥを液盛してＨＦＥ層Ｌ２を形成する。この場合、図６（ｂ）および図６（ｃ）に示すように、純水とＨＦＥとの比重の差により、ＨＦＥがホールＨ内に浸入し、一方、純水がホールＨ内からＨＦＥ層Ｌ２上へと浮上する。それにより、純水がホールＨ内に残留することが確実に防止される。また、ＨＦＥは表面張力が小さいので、ホールＨ内に浸入しやすい。
【００９８】
なお、純水は表面張力が大きいので、ホールＨ内に保持されて容易にはＨＦＥ層Ｌ２上に浮上しない場合がある。そこで、本実施の形態では、ＨＦＥ層Ｌ２の形成後においてもＨＦＥの供給および回転軸２５の回転が所定の期間継続される。
【００９９】
この場合、ＨＦＥの流動および基板Ｗの回転による物理的な力によって純水がホールＨから引き出され、ＨＦＥ層Ｌ２上へ浮上する。なお、ＨＦＥ層Ｌ２の形成後にＨＦＥの供給および回転軸２５の回転を継続させる期間は、ホールＨの数および大きさ等に応じて適宜変更してもよい。
【０１００】
また、ホールＨ内には純水に代わってＨＦＥが浸入するが、ＨＦＥは純水に比べて揮発性が高くかつ表面張力が小さいため、後の乾燥処理時に比較的容易に取り除くことができる。また、たとえホールＨ内にＨＦＥが残留したとしても、短時間でＨＦＥが自然に蒸発するため、ウォーターマーク等の反応生成物の原因とはなりにくい。
【０１０１】
また、ホールＨの数が少ないか、またはホールＨの深さが浅い等の理由により、比較的容易にホールＨ内の純水をＨＦＥ層Ｌ２上へ浮上させることができる場合には、ＨＦＥ層Ｌ２の形成後にＨＦＥの供給および回転軸２５の回転を停止し、ＨＦＥ層Ｌ２が表面張力によって基板Ｗ上で保持される状態を維持してもよい。この場合、ＨＦＥの消費を抑制することができる。
【０１０２】
なお、ＨＦＥの代わりにＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を用いて同様の処理を行った場合には、ＩＰＡは純水よりも比重が軽いためにホールＨ内の純水がＩＰＡ上に浮上しない。そのため、純水がホールＨ内に残留し、ウォーターマークの生成を阻止することはできない。また、ＩＰＡはＨＦＥに比べて純水に溶解しやすいため、基板Ｗ上の純水をＩＰＡの液層で完全に置換することが困難である。
【０１０３】
（１―５）第１の実施の形態の効果
第１の実施の形態においては、リンス処理後の基板Ｗ上にＨＦＥ層Ｌ２が形成された状態が一時的に維持される。この場合、基板ＷのホールＨ内に浸入した純水がＨＦＥ層Ｌ２上に浮上するので、その純水を基板Ｗ上から取り除くことが容易となる。それにより、純水が基板Ｗ上に残留することを確実に防止することができる。
【０１０４】
また、第１の実施の形態においては、基板Ｗ上に純水層Ｌ１が形成されるとともに、その純水層Ｌ１が保持されている状態で基板Ｗ上にＨＦＥが供給され、ＨＦＥ層Ｌ２が形成される。この場合、リンス処理後の基板Ｗの表面が大気に曝されることなくＨＦＥ層Ｌ２が形成されるので、この間に大気中の酸素と純水と基板Ｗの表面とが反応することが防止され、ウォーターマークの生成が防止される。
【０１０５】
また、第１の実施の形態においては、ＨＦＥ層Ｌ２の形成時に、基板Ｗ上に純水層Ｌ１が保持された状態で基板Ｗを低回転速度で回転させつつ基板Ｗの中心部に向けてＨＦＥが供給される。この場合、純水層Ｌ１を基板Ｗの外方へ押し出しつつ基板Ｗの中心部から周縁部に向けて効率良くＨＦＥ層Ｌ２を形成することができる。それにより、ＨＦＥの消費量を抑制することができる。
【０１０６】
また、第１の実施の形態においては、ＨＦＥの供給および回転軸２５の回転を維持した状態でＨＦＥ層Ｌ２が形成される。それにより、ＨＦＥの流動および基板Ｗの回転による物理的な力によって、ホールＨから純水を確実に引き出すことができる。
【０１０７】
（２）第２の実施の形態
以下、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。第２の実施の形態に係る基板処理装置は、図２に示した基板処理部５ａ〜５ｄの代わりに、以下に示す基板処理部５ｅ〜５ｈを備える。
【０１０８】
（２−１）基板処理部の構成
図７は、基板処理部５ｅ〜５ｈの構成を説明するための図である。以下、基板処理部５ｅ〜５ｈについて、基板処理部５ａ〜５ｄ（図２参照）と異なる点を説明する。
【０１０９】
図７に示すように、基板処理部５ｅ〜５ｈにおいては、ガード２４およびチャック回転駆動機構３６が設けられていない。
【０１１０】
また、この基板処理部５ｅ〜５ｈにおいては、処理カップ２３の代わりに処理カップ１２３が設けられている。処理カップ１２３の内側には基板Ｗの処理に用いられた処理液を廃棄または回収するための廃液回収空間１３１が形成されている。
【０１１１】
また、スピンチャック２１の外方には基板傾斜装置１１０が設けられている。基板傾斜装置１１０は、昇降駆動装置１１１を備える。昇降駆動装置１１１には、昇降軸１１２が接続されており、昇降軸１１２の上端には、モータ１１３が取り付けられている。モータ１１３から上方に延びるように回転軸１１４が設けられており、回転軸１１４には水平に延びる傾斜用アーム１１５が連結されている。傾斜用アーム１１５の先端部の上面には基板支持部１１６が設けられている。
【０１１２】
昇降駆動装置１１１により昇降軸１１２が上下動し、それに伴いモータ１１３、回転軸１１４および傾斜用アーム１１５が上下動する。また、モータ１１４により回転軸１１４が回転し、それに伴い傾斜用アーム１１５が回動する。
【０１１３】
ここで、図８を参照して基板傾斜装置１１０の詳細な動作について説明する。図８は、基板傾斜装置１１０の詳細な動作について説明するための図である。
【０１１４】
図８（ａ）に示すように、傾斜用アーム１１５は、略Ｌ字形を有し、基板支持部１１６が基板Ｗとスピンチャック２１との間に位置する基板傾斜位置Ｐ１と、基板支持部１１６がスピンチャック２１の外方に位置する待機位置Ｐ２との間で回動する。
【０１１５】
傾斜用アーム１１５が基板傾斜位置Ｐ１において上方に移動することにより、図８（ｂ）に示すように、基板Ｗの片側が持ち上げられ、基板Ｗが傾斜姿勢となる。
【０１１６】
なお、傾斜用アーム１１５が待機位置から基板傾斜位置へ移動する際、および傾斜用アーム１１５が基板傾斜位置において上昇する際には、各保持ピン２１ｂの位置は、傾斜用アーム１１５の移動を妨げずかつ傾斜姿勢の基板Ｗの下端部を支持することが可能なように調整される。
【０１１７】
（２−２）基板処理装置の動作
次に、図７に示した基板処理部５ｅ〜５ｈの処理動作について説明する。図９〜図１０は、基板処理部５ｅ〜５ｈの処理動作について説明するための図である。
【０１１８】
まず、上記第１の実施の形態と同様にスピンチャック２１上に基板Ｗが載置される。その後、図９（ａ）に示すように、薬液処理用ノズル５０から基板Ｗ上に薬液が供給される。継続して薬液が供給されることにより、基板Ｗ上の全域に薬液が液盛され、薬液の液層（以下、薬液層と呼ぶ）Ｌ３が形成される。
【０１１９】
その後、薬液処理用ノズル５０が基板Ｗの外方の待機位置に移動し、基板上に薬液層Ｌ３が保持された状態で所定時間維持される。それにより、基板Ｗ表面に薬液処理が施される。
【０１２０】
所定時間経過後、図９（ｂ）に示すように、基板傾斜装置１１０によって基板Ｗが傾斜姿勢とされる。それにより、基板Ｗ上の薬液層Ｌ３が傾斜に沿って流下し、基板Ｗ上から取り除かれる。
【０１２１】
続いて、基板Ｗが水平姿勢に戻され、リンス処理用ノズル７０が基板Ｗの上方に移動する。そして、図９（ｃ）に示すように、リンス処理用ノズル７０から基板Ｗに純水が供給される。これにより、基板Ｗに残留する薬液および薬液処理により生じた有機膜の残渣等が洗い流される。その後、純水の供給が停止され、図１０（ｄ）に示すように、基板Ｗ上に純水が液盛され、純水層Ｌ１が形成される。
【０１２２】
次に、図１０（ｅ）に示すように、リンス処理用ノズル７０から基板ＷにＨＦＥが供給される。この場合、継続的にＨＦＥが供給されることにより、徐々に純水層Ｌ１内にＨＦＥが沈下していき、純水層Ｌ１が基板Ｗの外方に溢れていく。それにより、基板Ｗ上の純水層Ｌ１がＨＦＥ層Ｌ２に置換される。
【０１２３】
上記第１の実施の形態で示したように、リンス処理後の基板Ｗ上にＨＦＥ層Ｌ２が形成されることにより、基板ＷのホールＨ（図６参照）内に浸入した純水がＨＦＥ層Ｌ２上に浮上する。
【０１２４】
所定時間経過後、図１０（ｇ）に示すように、再び基板傾斜装置１１０によって基板Ｗが傾斜姿勢とされる。それにより、基板Ｗ上のＨＦＥ層Ｌ２が傾斜に沿って流下し、基板Ｗ上から取り除かれる。また、ＨＦＥ層Ｌ２とともに、ホールＨ内から浮上した純水も基板Ｗ上から除去される。
【０１２５】
その後、遮断板２２が基板Ｗに近接する位置まで下降し、ガス供給路３０を通して基板Ｗと遮断板２２との間に窒素ガスが供給される。それにより、基板Ｗ上に残留するＨＦＥが十分に取り除かれ、基板Ｗが乾燥される。
【０１２６】
なお、ＨＦＥ層Ｌ２を流下させるために基板Ｗを傾斜させている期間中も、ガス供給路３０を通して窒素ガスを供給してもよい。その場合、基板Ｗの上方が窒素ガス雰囲気とされるので、基板Ｗ上における反応生成物の生成を抑制することができる。
【０１２７】
（２−３）第２の実施の形態の効果
第２の実施の形態においては、基板傾斜装置１１０によって基板Ｗを傾斜させることにより基板Ｗ上から処理液（薬液、純水およびＨＦＥを含む）を取り除いている。この場合、基板Ｗの回転により処理液を振り切る場合と異なり、基板Ｗを回転させるための基板回転機構、および基板Ｗの外方に飛散する処理液を受け止めるためのガードを設けなくてもよい。そのため、基板処理部５ｅ〜５ｈの小型化および軽量化を図ることができる。また、基板回転機構およびガードの設置スペースに他の処理機構を設けることも可能となる。
【０１２８】
また、第２の実施の形態においては、基板Ｗを傾斜させた際に、ＨＦＥ層Ｌ２が表面張力により一体的に基板Ｗから下方に流れる。そのため、基板Ｗ上における微小液滴の残留が防止される。したがって、基板Ｗ上での反応生成物の生成をより確実に防止することができる。
【０１２９】
また、第２の実施の形態においては、基板Ｗを高速で回転させることがないため、基板Ｗに遠心力による負荷が加わらない。また、基板Ｗの回転に伴う静電気の発生が防止される。これらにより、基板Ｗおよび基板Ｗ上の回路パターンの損傷等が防止される。
【０１３０】
また、第２の実施の形態においては、基板Ｗを回転させる場合と比べて基板Ｗを強固に保持する必要がない。そのため、スピンチャック２１の構成を簡単にすることができる。また、強固に基板Ｗを保持することによる基板Ｗの変形等も防止される。
【０１３１】
（３）他の実施の形態
（３−１）
上記第１および第２の実施の形態では、リンス処理用ノズル７０を用いて基板ＷにＨＦＥを供給しているが、リンス処理用ノズル７０の代わりに以下に示す超音波ノズルを用いて基板ＷにＨＦＥを供給してもよい。
【０１３２】
図１１は、超音波ノズルを備えた基板処理部５ａ〜５ｄ（５ｅ〜５ｈ）の構成を示す図である。図１１に示すように、アーム７３の先端部には、リンス処理用ノズル７０の代わりに超音波ノズル１８０が取り付けられている。なお、図１１においては図示を省略しているが、基板処理部５ａ〜５ｄ（５ｅ〜５ｈ）内のその他の構成は図２または図７に示した構成と同様である。
【０１３３】
超音波ノズル１８０には、リンス処理用供給管７４が接続されており、図２および図７の例と同様に、バルブＶ２，Ｖ３を開くことにより、基板Ｗの表面へ純水またはＨＦＥを選択的に供給することができる。
【０１３４】
また、超音波ノズル１８０内には、高周波振動子１８１が内蔵されている。高周波振動子１８１は、高周波発生装置１８２と電気的に接続されている。
【０１３５】
基板Ｗ上にＨＦＥを供給する際には、高周波発生装置１８２から高周波振動子１８１に高周波電流が供給される。それにより、高周波振動子１８１が超音波振動し、超音波ノズル１８０内を通るＨＦＥが超音波振動状態となる。
【０１３６】
この場合、超音波ノズル１８０から基板Ｗに超音波振動状態となったＨＦＥが供給される。それにより、純水が表面張力により基板上のホールＨ内に保持されていても、超音波振動によってホールＨから純水を確実に引き出すことができる。
【０１３７】
（３−２）
基板Ｗ上に形成されたＨＦＥ層Ｌ２に超音波振動を付与する超音波振動付与装置を設けてもよい。図１２は、超音波振動付与装置の一例を示す図である。
【０１３８】
図１２に示すように、超音波付与装置１９０は、棒状の高周波振動子１９１、その高周波振動子１９１を上下方向および水平方向に移動させる振動子移動機構１９２、および高周波振動子１９１に高周波電流を供給する高周波発生装置１９３を備える。
【０１３９】
基板Ｗ上にＨＦＥ層Ｌ２が形成された後、振動子移動機構１９２により高周波振動子１９１が基板Ｗ上のＨＦＥ層Ｌ２に接触する位置まで移動される。その状態で、高周波発生装置１９３から高周波振動子１９１に高周波電流が供給されることにより高周波振動子１９１が超音波振動し、その超音波振動が基板Ｗ上のＨＦＥ層Ｌ２に付与される。その超音波振動により基板Ｗ上のホールＨから純水を確実に引き出すことができる。
【０１４０】
（３−３）
ＨＦＥ層Ｌ２に超音波振動を付与する高周波振動子を基板Ｗの裏面（下面）側に設けてもよい。例えば、スピンベース２１ａ（図２および図７）の上面に高周波振動子を固定し、基板Ｗの下面とスピンベース２１ａの上面との間を液体で満たすことにより、高周波振動子の超音波振動を液体を解して基板Ｗに伝達させることができる。その超音波振動は基板Ｗ上のＨＦＥ層Ｌ２にも伝達される。その結果、基板Ｗ上のホールＨから純水を確実に引き離すことができる。
【０１４１】
（３−４）
上記第１および第２の実施の形態では、ストレートノズルタイプのリンス処理用ノズル７０を用いて基板Ｗ上にＨＦＥ層Ｌ２を形成したが、以下に示すようなスリットノズルタイプの処理ノズルを用いて基板Ｗ上にＨＦＥ層Ｌ２を形成してもよい。
【０１４２】
図１３（ａ）は、スリットノズルタイプの処理ノズルを示す外観斜視図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）に示す処理ノズルの概略断面図である。
【０１４３】
図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、処理ノズル１７０はＨＦＥ供給口１７１およびスリット状吐出口１７２を有する。スリット状吐出口１７２の幅Ｌは処理対象となる基板Ｗの直径と同じかまたはそれよりも大きく設定されている。処理ノズル１７０は、基板Ｗの上方を、スリット状吐出口１７２に垂直な方向（矢印Ａ参照）に移動する。
【０１４４】
次に、処理ノズル１７０によるＨＦＥ層Ｌ２の形成例について説明する。図１４は、処理ノズル１７０によるＨＦＥ層Ｌ２の形成例について説明するための図である。
【０１４５】
上記のように、基板Ｗのリンス処理が行われた後、基板Ｗ上に純水層Ｌ１が形成される（図３（ｂ）または図１０（ｄ）参照）。その後、基板Ｗの回転が停止されるとともに、図１４（ａ）〜図１４（ｃ）に示すように、処理ノズル１７０が、基板Ｗに向けてＨＦＥを吐出しつつ矢印Ａ方向に移動する。
【０１４６】
それにより、基板Ｗの一端側からＨＦＥが液盛されてＨＦＥ層Ｌ２が形成されるとともに、処理ノズル１７０によるＨＦＥの吐出圧によって純水層Ｌ１が基板Ｗの他端側から流出する。処理ノズル１７０が基板Ｗの上方を通過することにより、図１４（ｄ）に示すように、基板Ｗ上の純水層Ｌ１がＨＦＥ層Ｌ２で置換される。
【０１４７】
このように、スリットノズルタイプの処理ノズル１７０を用いた場合においても基板Ｗの表面を大気に曝すことなく基板Ｗ上の純水層Ｌ１をＨＦＥ層Ｌ２で置換することができる。
【０１４８】
特に、上記第２の実施の形態に係る基板処理部５ａ〜５ｄ（図７参照）においては、処理ノズル１７０を用いることにより効率良く迅速に基板Ｗ上の純水層Ｌ１をＨＦＥ層Ｌ２で置換することができる。
【０１４９】
（３−５）
上記第１および第２の実施の形態においては、基板Ｗを回転または傾斜させることにより基板Ｗ上のＨＦＥ層Ｌ２を取り除いているが、図１４に示した処理ノズル１７０を用いて基板Ｗ上のＨＦＥ層Ｌ２を取り除いてもよい。
【０１５０】
具体的には、図１５に示すように、処理ノズル１７０が基板Ｗに向けて窒素ガスを吐出しつつ矢印Ａ方向に移動することにより、基板Ｗ上のＨＦＥ層Ｌ２が処理ノズル１７０の進行方向の領域Ｂ１に押し進められ、その領域Ｂ１における基板Ｗの周縁部から外方へと流出していく。処理ノズル１７０が基板Ｗの上方を通過することにより、基板Ｗ上の全域にわたってＨＦＥ層Ｌ２が取り除かれる。
【０１５１】
なお、上記第２の実施の形態に示した基板処理部５ｅ〜５ｈ（図７参照）においては、基板Ｗを傾斜させた状態で、その基板Ｗの上端部から下端部にかけて処理ノズル移動１７０を移動させ、窒素ガスを吐出させてもよい。この場合、効率良く確実にＨＦＥ層Ｌ２を取り除くことができる。
【０１５２】
（３−６）
上記第２の実施の形態に示した基板処理部５ａ〜５ｄに、基板Ｗを回転させるための基板回転機構を追加して設けてもよい。この場合、基板Ｗ上に薬液層Ｌ３、純水層Ｌ１およびＨＦＥ層Ｌ２を形成する際に、これらの処理液が基板Ｗの外方に飛散しない程度の速度で基板Ｗを回転させることにより、遠心力によって薬液層Ｌ３、純水層Ｌ１およびＨＦＥ層Ｌ２が基板Ｗ上に効率よく均一に形成される。
【０１５３】
（３−７）
上記第１および第２の実施の形態においては、不活性ガスとして窒素ガスを用いているが、窒素ガスの代わりにアルゴンガス等の他の気体を用いてもよい。
【０１５４】
（４）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１５５】
上記実施の形態では、スリット状吐出口１７２がスリット状の吐出口の例であり、処理ノズル１７０がスリット状の吐出口を有するノズルの例である。また、スピンチャック２１が基板保持手段の例であり、リンス処理用ノズル７０がリンス液供給手段または液盛手段の例であり、処理ノズル１７０が液盛手段または排除手段の例であり、基板傾斜装置１１０またはチャック回転駆動機構３６が排除手段の例である。
【０１５６】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１５７】
本発明は、種々の基板の処理に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】第１の実施の形態における基板処理部の構成を説明するための図である。
【図３】基板処理部の動作について説明するための図である。
【図４】基板処理部の動作について説明するための図である。
【図５】基板処理部の動作について説明するための図である。
【図６】ＨＦＥを液盛することによる効果について説明するための模式図である。
【図７】第２の実施の形態における基板処理部の構成を説明するための図である。
【図８】基板傾斜装置の詳細な動作について説明するための図である。
【図９】第２の実施の形態における基板処理部の処理動作について説明するための図である。
【図１０】第２の実施の形態における基板処理部の処理動作について説明するための図である。
【図１１】超音波ノズルを備えた基板処理部の構成を示す図である。
【図１２】超音波振動付与装置の一例を示す図である。
【図１３】スリットノズルタイプの処理ノズルを示す図である。
【図１４】スリットノズルタイプの処理ノズルによるＨＦＥ層の形成例について説明するための図である。
【図１５】スリットノズルタイプの処理ノズルを用いたＨＦＥ層の除去例について説明するための図である。
【符号の説明】
【０１５９】
４  制御部
５ａ〜５ｈ  基板処理部
２１  スピンチャック
２２  遮断板
２３，１２３  処理カップ
２４  ガード
２５  回転軸
３６  チャック回転駆動機構
５０  薬液処理用ノズル
７０  リンス処理用ノズル
１００  基板処理装置
１１０  基板傾斜装置
１７０  処理ノズル
１８０  超音波ノズル
１９０  超音波付与装置
Ｌ１  純水層
Ｌ２  ＨＦＥ層
Ｗ  基板
【図１】
2008091364.tif 000003
【図２】
2008091364.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008091364.tif 000009
【図８】
2008091364.tif 000010
【図９】
2008091364.tif 000011
【図１０】
2008091364.tif 000012
【図１１】
2008091364.tif 000013
【図１２】
2008091364.tif 000014
【図１３】
2008091364.tif 000015
【図１４】
2008091364.tif 000016
【図１５】
2008091364.tif 000017