(57)【要約】【課題】Ａｌの陽極酸化により形成される微細孔を用いた記録媒体であって、良好な状態で該微細孔に磁性材料が充填されてなる記録媒体と、該記録媒体を製造する記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】第１の層上の、Ａｌを含む第２の層を陽極酸化して微細孔を形成する第１の工程と、前記微細孔の底部に、前記第１の層に含まれる金属の酸化物を形成する第２の工程と、前記金属の酸化物をドライエッチングにより除去する第３の工程と、前記第１の層を通電経路とする電解メッキにより前記微細孔に磁性材料を形成する第４の工程と、を有することを特徴とする記録媒体の製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層上の、Ａｌを含む第２の層を陽極酸化して微細孔を形成する第１の工程と、
前記微細孔の底部に、前記第１の層に含まれる金属の酸化物を形成する第２の工程と、
前記金属の酸化物をドライエッチングにより除去する第３の工程と、
前記第１の層を通電経路とする電解メッキにより前記微細孔に磁性材料を形成する第４の工程と、を有することを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程では、陽極酸化により前記金属の酸化物が形成されることを特徴とする請求項１記載の記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程と前記第２の工程は連続的に行われることを特徴とする請求項２記載の記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記金属は、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆよりなる群より選択されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の記録媒体の製造方法。
【請求項５】
第１の層と、
前記第１の層上の、Ａｌの陽極酸化により形成された微細孔を含む第２の層と、
前記微細孔に形成された磁性材料と、を有する記録媒体であって、
前記微細孔の底部に開口部が形成されるとともに、該開口部が前記第１の層により閉じられた構造となっていることを特徴とする記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ａｌの陽極酸化により形成される微細孔を用いた記録媒体、および当該記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルミニウムの陽極酸化により形成される微細孔（アルマイトポアまたはナノホールと呼ぶ場合もある）は、ハニカム型の六方最密格子状に自己組織化的に発生するため、リソグラフィ的手法で１ドットずつドット形成する方法に較べて安価に製造できるメリットがある。
【０００３】
上記の微細孔を含む微細パターンは、光学素子、量子効果デバイス、ガスセンサー、電解放出型ディスプレー、分子センサー、など多方面への応用が期待されている。また、微細孔の中に金属を充填することで、センサーや磁気記録媒体を製造することが可能となる。
【０００４】
例えば、陽極酸化により形成される微細孔の中に磁性材料を充填することで、垂直磁気記録媒体を形成することができる。当該微細孔は、膜面に垂直方向に細長く（高アスペクト比で）成長するため、微細孔の中の磁性材料は形状異方性効果により垂直方向に磁化する。このため、上記の記録媒体は垂直記録用媒体として用いることができる。
【０００５】
図１は、Ａｌの陽極酸化により形成される微細孔を模式的に示した図である。図１を参照するに、例えばＡｌ層１を陽極酸化した場合、アルミナ被膜２が形成されるとともに、アルミナ被膜２に囲まれるように自己組織化的に微細孔３が形成される。微細孔３は、垂直方向に長く、いわゆる高アスペクト比で形成されることが特徴である。
【０００６】
このため、微細孔３をスパッタ法などのドライプロセスで充填することは困難であり、したがって、微細孔３に磁性材料を充填する方法としては、ＡＣメッキ法が用いられることが一般的であった。しかし、ＡＣメッキ法では、局所的な成膜レートのばらつき抑制や、合金めっき時の組成制御が困難であった。このような問題を解決するためには、ＤＣメッキ法を用いることが考えられるが、微細孔３の底部はアルミナ被膜（絶縁材料）で絶縁されており、ＤＣメッキに必要な通電経路を確保することが困難となっていた。
【０００７】
そこで、酸又はアルカリ溶液を用いてアルミナ被膜の底をウェットエッチング法で貫通させて通電経路を確保し、ＤＣめっき法で磁性材料を充填する方法が提案されていた（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２５２９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、ウェットエッチングで微細孔の底部のアルミナ被膜をエッチングしようとすると、微細孔の側壁や開口部近傍のアルミナ被膜までエッチングされてしまうことになり、微細孔の開口径を小さく維持することが困難となってしまう問題が生じていた。また、ウェットエッチングではエッチングの制御性、例えば、エッチングの開口形状やサイドエッチの影響の制御性が悪くなってしまう問題を有していた。
【０００９】
また、上記の特許文献１（特開２００３−２５２９８号公報）記載の方法（構造）では、微細孔の底部に面するメッキの通電経路（電極）となる層（第３の層１２）に加えて、アルミナ被膜とメッキの通電経路との間にさらに導電層（第２の層１３）が形成されている。このため、メッキの成長が、微細孔の底面である第３の層１２から生じると同時に、微細孔の側壁の一部となる第２の層１３からも生じてしまう。したがって、充填される金属材料（例えば磁性材料）の底面近傍の結晶方位に乱れが生じ、欠陥が生じやすくなってしまう懸念があった。
【００１０】
そこで、本発明は、上記の問題を解決した、新規で有用な記録媒体および記録媒体の製造方法を提供することを統括的課題としている。
【００１１】
本発明の具体的な課題は、Ａｌの陽極酸化により形成される微細孔を用いた記録媒体であって、良好な状態で該微細孔に磁性材料が充填されてなる記録媒体と、該記録媒体を製造する記録媒体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の観点では、上記の課題を、第１の層上の、Ａｌを含む第２の層を陽極酸化して微細孔を形成する第１の工程と、前記微細孔の底部に、前記第１の層に含まれる金属の酸化物を形成する第２の工程と、前記金属の酸化物をドライエッチングにより除去する第３の工程と、前記第１の層を通電経路とする電解メッキにより前記微細孔に磁性材料を形成する第４の工程と、を有することを特徴とする記録媒体の製造方法により、解決する。
【００１３】
本発明によれば、Ａｌの陽極酸化により形成される微細孔を用いた記録媒体であって、良好な状態で該微細孔に磁性材料が充填されてなる記録媒体を製造することが可能となる。
【００１４】
また、本発明の第２の観点では、上記の課題を、第１の層と、前記第１の層上の、Ａｌの陽極酸化により形成された微細孔を含む第２の層と、前記微細孔に形成された磁性材料と、を有する記録媒体であって、前記微細孔の底部に開口部が形成されるとともに、該開口部が前記第１の層により閉じられた構造となっていることを特徴とする記録媒体により、解決する。
【００１５】
本発明によれば、Ａｌの陽極酸化により形成される微細孔を用いた記録媒体であって、良好な状態で該微細孔に磁性材料が充填されてなる記録媒体を提供することが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、Ａｌの陽極酸化により形成される微細孔を用いた記録媒体であって、良好な状態で該微細孔に磁性材料が充填されてなる記録媒体と、該記録媒体を製造する記録媒体の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明による記録媒体の製造方法では、Ａｌの陽極酸化により形成される微細孔（ナノホール）を用いた記録媒体を製造する。従来は、当該微細孔に磁性材料を充填するための電解メッキ（ＤＣメッキ）の通電経路を確保することが困難であった。また、ウェットエッチングにより微細孔の底部をエッチングして通電経路を確保する方法をとった場合には、エッチングの制御性が低下するとともに、微細孔の側壁や開口部がエッチングされてしまう問題を有していた。
【００１８】
一方本発明では、Ａｌの陽極酸化により形成される微細孔の底部に、Ａｌと異なる金属の酸化物を形成し、当該金属の酸化物をドライエッチングにより選択的に除去することが特徴である。
【００１９】
たとえば、上記の製造方法を実施する場合、まず、Ａｌと異なる金属を含む第１の層の上の、Ａｌを含む第２の層を陽極酸化する。ここで、前記第２の層に微細孔が形成される。さらに、前記微細孔の底部に、前記第１の層の金属の酸化物を形成し、当該金属の酸化物をドライエッチングにより選択的に除去する。この結果、前記第２の層が前記微細孔の底部から露出することになり、当該微細孔を電解メッキにより充填することが可能となる。
【００２０】
図１は、本発明による記録媒体の製造方法の概略を示す図である。図１を参照するに、本発明による記録媒体の製造方法は、第１の層３０上の、Ａｌ４１を含む第２の層４０を陽極酸化して微細孔４３を形成する第１の工程と、微細孔４３の底部に、第１の層３０に含まれる金属の酸化物を形成する第２の工程と、前記金属の酸化物をドライエッチングにより除去する（開口部４５が形成される）第３の工程と、第１の層３０を通電経路とする電解メッキにより微細孔４３に磁性材料を形成する第４の工程と、を有することを特徴としている。また、図中、４２はアルミナ被膜、３１は所定の金属層を示している。
【００２１】
上記の製造方法によれば、微細孔４３の底部のエッチングをドライエッチングにより行うため、微細孔４３の側壁や微細孔４３の開口部などのエッチング量を抑制することができる。すなわち、前記金属の酸化物（微細孔４３の底部）と、アルミナ被膜４２のエッチングの選択比を大きくすることが可能となる。このため、微細孔４３（アルミナ被膜４２）へのダメージの影響を抑制し、良好な形状に微細孔４３を維持して微細孔の底部を選択的にエッチングすることが可能になる。
【００２２】
上記のエッチングにより第１の層３０が露出するため、第１の層３０を通電経路にした電解メッキ法（ＤＣメッキ法）により、微細孔４３に磁性材料を形成（充填）することが可能になる。例えば、ＤＣメッキ法は、ＡＣメッキ法に比べて局所的な成膜レートのばらつきを小さくすることが可能であり、また、合金めっき時の組成制御が容易となる特徴を有している。
【００２３】
また、微細孔４３の底部に、第１の層３０の金属の酸化物を形成する方法としては、陽極酸化法を用いることができる。例えば、当該金属の酸化物を形成する場合には、Ａｌ４１の陽極酸化が実質的に完了した後も、同様の陽極酸化の処理を継続すればよい。例えば、形成される微細孔４３の底部が、第２の層４０と第１の層３０の境界近傍に達した後も、さらに陽極酸化の処理を続けると、第１の層３０（金属層３１）に含まれる金属のイオンが第１の層４０（アルミナ被膜４２）の側への移動を開始する。当該イオンは、陽極酸化液によって陽極酸化されて、当該金属の酸化物（例えば柱状の金属酸化物）が形成される（A.Mozalev et al. Electrochimica Acta 48(2003) 3155-3170参照）。
【００２４】
上記の金属酸化物を形成する金属としては（第１の層３０に含まれる金属としては）、第１の層３０から第２の層４０側へのイオンの移動が生じやすい金属、例えばバルブ金属を用いることが好ましい。具体的には、第１の層３０に含まれる金属は、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆよりなる群より選択されることが好ましい。また、第１の層３０は、単一の金属の層よりなる場合に限定されず、例えば合金層や、または金属に所定の添加物を添加した層、もしくは、金属化合物よりなる層を用いても良い。
【００２５】
また、上記の金属酸化物をドライエッチング（プラズマエッチング）により除去する場合に用いるエッチングガスは、例えばフロロカーボン系のガス（ＣｘＦｙで示されるガス）を用いることが好ましいが、これらのガスに限定されるものではない。また、エッチング方法（プラズマエッチングの形式）は、例えばＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）を用いることが可能であるが、これに限定されず、例えば高密度プラズマ（ＩＣＰ、ＥＣＲなど）を用いてもよい。
【００２６】
次に、上記の記録媒体の製造方法と、当該製造方法により製造される記録媒体の構造について、図３Ａ〜図３Ｆに基づき、手順を追って説明する。
【実施例１】
【００２７】
まず、図３Ａに示す工程において、基板層１０上に、下地層２０、第１の層３０、および第２の層４０が、順に積層されてなる構造を形成する。基板層１０は、ガラスよりなるＨＤＤ媒体用の基板１１により構成されるが、基板１１に加えてさらに他の層が積層される構造であってもよい。
【００２８】
まず、下地層２０をスパッタ法により、例えば、Ｔａ（膜厚５ｎｍ）／ＣｏＺｒＮｂ（膜厚３０ｎｍ）の積層構造となるように形成する。上記のＴａ層は密着層（密着力を保持するための層）、ＣｏＺｒＮｂはＳＵＬ（Soft Under Layer）層である。
【００２９】
次に、下地層２０上に、第１の層３０を構成する金属層３１を形成する。この場合、金属層３１として、例えば、膜厚が３０ｎｍとなるようにＴａをスパッタ法により成膜する。また、第１の層３０は、単一の層よりなる構造に限定されず、複数の層が積層されてなる構造であってもよい。また、先に説明したように、金属層３０を構成する金属は、陽極酸化の工程において、第１の層３０から第２の層４０側へのイオンの移動が生じやすい金属（Ａｌ以外の金属であって、例えばＮｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆよりなる群より選択される金属）であることが好ましい。
【００３０】
次に、第１の層３０上に、第２の層４０を構成するＡｌ（層）４１を形成する。この場合、金属層（Ｔａ層）３１上に、膜厚が３００ｎｍとなるようにＡｌをスパッタ法により成膜する。このようにして、図３Ａに示す構造を形成する。
【００３１】
なお、次に示す図３Ｂ以下の図では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。また、図３Ｂ以下の図では、図３Ａに示した基板層１０と下地層２０の図示は省略し、第１の層３０と第２の層４０のみを図示している。
【００３２】
次に、図３Ｂに示す工程において、陽極酸化法でＡｌ層４１を陽極酸化し、アルミナ被膜４２に囲まれた微細孔（ナノホール）４３を形成する。この場合、微細孔４３の底部のアルミナ被膜４２が、金属層（Ｔａ層）３１に到達するように、すなわちＡｌ層４１について実質的に全体が陽極酸化されるようにする。
【００３３】
このとき、形成される微細孔４３のピッチＰは、Ｐ（ｎｍ）＝陽極酸化時の直流電圧（Ｖ）×２．５で算出される。本実施例では、陽極酸化時の直流電圧を２５Ｖとして陽極酸化を行うことで、６３ｎｍのピッチで微細孔４３を形成することができる。
【００３４】
次に、図３Ｃに示す工程において、微細孔４３の底部に、第１の層３０（金属層３１）に含まれる金属（Ｔａ）の酸化物である金属酸化物（Ｔａの酸化物；Ｔａ２Ｏ５）４４を形成する。上記の金属酸化物４４を形成するには、図３Ｂの工程の、第１の層４０（Ａｌ層４１）の陽極酸化の処理を、第１の層４０（Ａｌ層４１）全体の陽極酸化が実施的に完了した後も継続して実施すればよい。この場合、第２の層４０の陽極酸化と、金属酸化物４４の形成を連続的に行うことができる。
【００３５】
本工程においては、Ｔａイオンが第１の層３０から第２の層４０の側へ移動し、陽極酸化液により酸化されることで、柱状のＴａ２Ｏ５が形成される（A.Mozalev et al. Electrochimica Acta 48(2003) 3155-3170参照）。
【００３６】
次に、図３Ｄに示す工程において、フロロカーボン系のガス、例えばＣＦ４を用いたＲＩＥにより、金属酸化物（Ｔａ２Ｏ５）４４を除去し、微細孔４３の底部に開口部４５を形成する。上記のエッチング処理により、開口部４５から第１の層３０（金属層３１）が露出する構造が形成される。この場合、エッチングガスとしてＣＦ４を用いたＲＩＥではアルミナ皮膜４２のエッチング量は僅かであるため、微細孔４３の形状を良好に維持することが可能である。また、アルミナ皮膜４２は実質的に殆どダメージを受ける事がない。
【００３７】
次に、図３Ｅに示す工程において、第１の層３０（金属層３１）を通電経路とする電解メッキ（ＤＣメッキ）により、微細孔４３に、例えばＣｏＰｔ５０よりなる磁性材料４６を形成（充填）する。例えば、磁性材料４６は、Ｃｏ，ＦｅおよびＮｉのうちのいずれかと、Ｐｔの合金材料を含むように構成すればよい。本工程においては、磁性材料４６の形成にＤＣメッキ法を用いているため、ＡＣメッキ法を用いた場合に比べて局所的な成膜レートのばらつきを小さくすることが可能であり、また、合金めっき時の組成制御が容易となる。
【００３８】
次に、図３Ｆに示す工程において、磁性材料４６を平坦化処理し、平坦化された磁性材料４６を覆うように保護層５０を形成する。保護層５０は、例えば厚さ５ｎｍとなるようにカーボン層５１をスパッタリング法により成膜することにより、形成する。また、カーボン層５１上には潤滑剤を塗布してもよい。
【００３９】
このようにして、磁気記録媒体１００を製造することができる。
【００４０】
また、上記の記録媒体１００では、磁性材料４６が充填される微細孔の底部の開口部が、第１の層３０（金属層３１）で閉じられた構造となっていることが特徴である。すなわち、アルミナ皮膜４２が、直接第１の層３０（金属層３１）に接するようして、開口部が塞がれる構造になっている。このため、磁性材料４６を、ＤＣメッキにより金属層３１から微細孔の上方に向かって安定的に成長させて形成することが可能となっている。
【００４１】
たとえば、特開２００３−２５２９８号公報に記載された発明では、微細孔の底部に面するメッキの通電経路（電極）となる層（第３の層１２）に加えて、アルミナ被膜とメッキの通電経路との間にさらに導電層（第２の層１３）が形成されている。このため、メッキの成長が、微細孔の底面である第３の層１２から生じると同時に、微細孔の側壁の一部となる第２の層１３からも生じてしまう。したがって、充填される磁性材料の底面近傍の結晶方位に乱れが生じ、欠陥が生じやすくなってしまう懸念があった。特に、微細孔の径が１００ｎｍ以下の場合には、磁性材料を均一に充填することが困難となることが考えられる。
【００４２】
一方で、本実施例による記録媒体１００では、微細孔の底部近傍の磁性材料の結晶の乱れが抑制されるため、微細孔の底部と上方とで磁性材料の特性の差が小さくなっている。すなわち、本実施例による記録媒体１００は、良好な状態で磁性材料が微細孔に埋設されてなる構造を有している。本実施例の場合には、例えば、微細孔の径Ｄ（図３Ｆに図示）が１００ｎｍ以下であっても安定的に磁性材料を成長させて形成することが可能であり、良好な状態で磁性材料が微細孔に埋設されてなる構造を構成することが可能である。
【００４３】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
（付記１）
第１の層上の、Ａｌを含む第２の層を陽極酸化して微細孔を形成する第１の工程と、
前記微細孔の底部に、前記第１の層に含まれる金属の酸化物を形成する第２の工程と、
前記金属の酸化物をドライエッチングにより除去する第３の工程と、
前記第１の層を通電経路とする電解メッキにより前記微細孔に磁性材料を形成する第４の工程と、を有することを特徴とする記録媒体の製造方法。
（付記２）
前記第２の工程では、陽極酸化により前記金属の酸化物が形成されることを特徴とする付記１記載の記録媒体の製造方法。
（付記３）
前記第１の工程と前記第２の工程は連続的に行われることを特徴とする付記２記載の記録媒体の製造方法。
（付記４）
前記金属は、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆよりなる群より選択されることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項記載の記録媒体の製造方法。
（付記５）
前記第２の工程では、前記金属のイオンが、前記第１の層から前記第２の層の側に移動することを特徴とする付記４記載の記録媒体の製造方法。
（付記６）
前記電解メッキは、ＤＣメッキであることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１項記載の記録媒体の製造方法。
（付記７）
前記ドライエッチングは、フロロカーボン系のガスを用いたエッチングであることを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項記載の記録媒体の製造方法。
（付記８）
前記第３の工程では、前記金属の酸化物が除去されることで前記第１の層が露出することを特徴とする付記１乃至７のいずれか１項記載の記録媒体の製造方法。
（付記９）
前記磁性材料は、Ｃｏ，ＦｅおよびＮｉのうちのいずれかと、Ｐｔの合金材料を含むことを特徴とする付記１乃至８のいずれか１項記載の記録媒体の製造方法。
（付記１０）
第１の層と、
前記第１の層上の、Ａｌの陽極酸化により形成された微細孔を含む第２の層と、
前記微細孔に形成された磁性材料と、を有する記録媒体であって、
前記微細孔の底部に開口部が形成されるとともに、該開口部が前記第１の層により閉じられた構造となっていることを特徴とする記録媒体。
（付記１１）
前記第１の層は、導電性材料よりなることを特徴とする付記１０記載の記録媒体。
（付記１２）
前記第１の層は、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆよりなる群より選択される材料を含むことを特徴とする付記１０または１１記載の記録媒体。
（付記１３）
前記磁性材料は、Ｃｏ，ＦｅおよびＮｉのうちのいずれかと、Ｐｔの合金材料を含むことを特徴とする付記１０乃至１２のいずれか１項記載の記録媒体。
（付記１４）
前記微細孔の径が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする付記１０乃至１３のいずれか１項記載の記録媒体。
（付記１５）
第１の層上の、Ａｌを含む第２の層を陽極酸化して微細孔を形成する第１の工程と、
前記微細孔の底部に、前記第１の層に含まれる金属の酸化物を形成する第２の工程と、
前記金属の酸化物をドライエッチングにより除去する第３の工程と、を有することを特徴とする微細パターンの形成方法。
（付記１６）
前記第１の層を通電経路とする電解メッキにより前記微細孔を埋設する第４の工程をさらに有することを特徴とする付記１５記載の微細パターン形成方法。
（付記１７）
第１の層と、
前記第１の層上の、Ａｌの陽極酸化により形成された微細孔を含む第２の層とを有する微細パターンであって、
前記微細孔の底部に開口部が形成されるとともに、該開口部が前記第１の層により閉じられた構造となっていることを特徴とする微細パターン。
（付記１８）
前記微細孔には導電材料が埋設されていることを特徴とする付記１７記載の微細パターン。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明によれば、Ａｌの陽極酸化により形成される微細孔を用いた記録媒体であって、良好な状態で該微細孔に磁性材料が充填されてなる記録媒体と、該記録媒体を製造する記録媒体の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】従来の陽極酸化により形成される微細パターンを示す図である。
【図２】実施例１による記録媒体の製造方法の概略を示す図である。
【図３Ａ】実施例１による記録媒体の製造方法を説明する図（その１）である。
【図３Ｂ】実施例１による記録媒体の製造方法を説明する図（その２）である。
【図３Ｃ】実施例１による記録媒体の製造方法を説明する図（その３）である。
【図３Ｄ】実施例１による記録媒体の製造方法を説明する図（その４）である。
【図３Ｅ】実施例１による記録媒体の製造方法を説明する図（その５）である。
【図３Ｆ】実施例１による記録媒体の製造方法を説明する図（その６）である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  基板層
１１  基板
２０  下地層
３０  第１の層
３１  金属層
４０  第２の層
４１  Ａｌ層
４２  アルミナ被膜
４３  微細孔
４４  金属酸化物
４５  開口部
４６  磁性材料
５０  保護層
５１  カーボン層
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2008041138.tif 000006
【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
2008041138.tif 000009
【図３Ｆ】
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