(57)【要約】【課題】不所望の発熱を生じるＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを効率的に冷却し得る冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体の基礎基板（１）の主面に概略直交する複数の貫通孔（２）を形成する工程と、その貫通孔に概略平行な一対の２平面に沿って、またはさらにその一対の２平面に交差する他の一対の２平面に沿って基礎基板を切り出すことによって、貫通孔の少なくとも一つを含む切片からなるＩＩＩ族窒化物半導体基板（３）を得る工程とを含み、それによって、そのＩＩＩ族窒化物半導体基板に含まれる貫通孔が冷媒を通過させるためのマイクロチャネルとして利用され得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族窒化物半導体の基礎基板の主面に概略直交する複数の貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に概略平行な一対の２平面に沿って、またはさらにその一対の２平面に交差する他の一対の２平面に沿って前記基礎基板を切り出すことによって、前記貫通孔の少なくとも一つを含む切片からなるＩＩＩ族窒化物半導体基板を得る工程とを含み、
それによって、そのＩＩＩ族窒化物半導体基板に含まれる前記貫通孔が冷媒を通過させるためのマイクロチャネルとして利用され得ることを特徴とする冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記貫通孔を形成する工程は、
前記基礎基板の一主面上に前記貫通孔に対応する開口を有するマスク層を形成するサブ工程と、
前記マスク層の前記開口を介して前記基礎基板をドライエッチングで掘り込むことによって前記貫通孔を形成するサブ工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記貫通孔を形成する工程は、
下地基板の一主面上において前記貫通孔に対応する領域にＳｉＯ2マスク層を形成するサブ工程と、
前記ＳｉＯ2マスク層によって覆われていない領域からラテラル結晶成長を伴って前記貫通孔の長さ以上の厚さを有するＩＩＩ族窒化物半導体層を結晶成長させるサブ工程と、
前記ＳｉＯ2マスク層上でその周縁からの前記ラテラル結晶成長が合体した結晶欠陥領域をエッチングすることによって前記貫通孔を掘り込むサブ工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記結晶欠陥領域は、高密度の転位または結晶軸反転領域を含んでいることを特徴とする請求項３に記載の冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記結晶欠陥領域に前記貫通孔を掘るためのエッチングは、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、リン酸、および硫酸カリウムの少なくとも１種以上を含む液を用いたウェットエッチングであることを特徴とする請求項３または４に記載の冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記貫通孔の径が１μｍ以上で１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項７】
隣り合う前記貫通孔の間隔が２０μｍ以上で１０００μｍ以下であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項８】
前記ＩＩＩ族窒化物半導体基板がＧａＮからなることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の製造方法によって得られた冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板を用いて半導体デバイスを製造する方法であって、
前記マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板上において、ｎ型、ｉ型、およびｐ型から選択された複数のＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル結晶成長させて積層する工程と、
前記複数のＩＩＩ族窒化物半導体層の少なくともいずれかに電気を供給するための電極を形成してデバイス化する工程と、
を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体デバイスを冷却するために冷媒を通過させるマイクロチャネルを含む基板に関し、特に冷媒用マイクロチャネルを含むＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、ＩＩＩ族窒化物半導体を利用して作製されたＬＥＤ（発光ダイオード）やＬＤ（レーザダイオード）などの発光素子を含む種々の発光装置が実用化されている。
【０００３】
しかし、これらの発光装置においては、発光素子の温度変化によって発光特性が影響されやすく、冷却装置を利用して一定の温度に維持されることが望まれる場合がある。また、アレイ状に配列された多くの発光素子を含む高出力タイプの発光装置や大電流を通電するパワーデバイスでは、それらの発熱量が大きいので、冷却装置によって過熱を防止することが望まれる場合が多い。
【０００４】
そのような半導体デバイスを冷却し得る冷却装置の一例が、特許文献１の特開平１１−７４６１４号公報において開示されている。この特許文献１に開示されているような冷却装置は、ガスまたは液体の冷却媒体を通過させるマイクロチャネルを含んでいる。そして、半導体デバイスの基板がその冷却装置に接触させられ、その基板から冷却装置への熱伝導によって熱が消散させられる。
【０００５】
しかし、このような冷却装置では、半導体基板からその冷却装置への接触熱伝導における熱的インピーダンスによって、冷却効率が低下させられる。そこで、このような冷却効率の低下を改善するために、特許文献２の特開２００３−２４３５９０号公報は、半導体基板に冷媒が直接に接する冷却装置を開示している。
【特許文献１】特開平１１−７４６１４号公報
【特許文献２】特開２００３−２４３５９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図４は、特許文献２において開示されたマイクロチャネル含有半導体基板を模式的な断面図で示している。このマイクロチャネル含有半導体基板は、半導体ダイ１１を含んでおり、その上面には複数の平行な溝１２が形成されている。そして、それらの溝１２はシリコンプレート（またはガラス板）１３の蓋によって封止されている。
【０００７】
特許文献２においては、半導体ダイ１１とシリコンプレート１３との結合方法が具体的に開示されていないようであるが、接着剤などを用いて結合されるものと考えられる。
【０００８】
ところで、マイクロチャネルに注入される冷媒には、一般に所定の圧力が加えられる。その場合、半導体ダイ１１とシリコンプレート１３との間の接着剤の接合力が不十分であれば、それらが互いに分離して、冷媒が外部に漏れることになる。
【０００９】
係る先行技術における状況に鑑み、本発明は、不所望の発熱を生じるＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを効率的に冷却することができかつ機械的に安定な冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体の基礎基板の主面に概略直交する複数の貫通孔を形成する工程と、その貫通孔に概略平行な一対の２平面に沿って、またはさらにその一対の２平面に交差する他の一対の２平面に沿って基礎基板を切り出すことによって、貫通孔の少なくとも一つを含む切片からなるＩＩＩ族窒化物半導体基板を得る工程とを含み、それによって、そのＩＩＩ族窒化物半導体基板に含まれる貫通孔が冷媒を通過させるためのマイクロチャネルとして利用され得ることを特徴としている。このような本発明によって、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを効率的に冷却することができかつ機械的に安定な冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板を提供することができる。
【００１１】
なお、貫通孔を形成する工程は、基礎基板の一主面上に貫通孔に対応する開口を有するマスク層を形成するサブ工程と、そのマスク層の開口を介して基礎基板をドライエッチングで掘り込むことによって貫通孔を形成するサブ工程とを含み得る。これらのサブ工程によって、基礎基板に貫通孔を簡便かつ低コストで形成することができる。
【００１２】
また、貫通孔を形成する工程は、下地基板の一主面上において貫通孔に対応する領域にＳｉＯ2マスク層を形成するサブ工程と、そのＳｉＯ2マスク層によって覆われていない領域からラテラル結晶成長を伴って貫通孔の長さ以上の厚さを有するＩＩＩ族窒化物半導体層を結晶成長させるサブ工程と、ＳｉＯ2マスク層上でその周縁からのラテラル結晶成長が合体した結晶欠陥領域をエッチングすることによって貫通孔を掘り込むサブ工程とを含んでいてもよい。これらのサブ工程によっても、基礎基板に貫通孔を簡便かつ低コストで形成することができる。
【００１３】
なお、結晶欠陥領域は、高密度の転位または結晶軸反転領域を含んでいる。すなわち、その結晶欠陥領域が、高密度の転位または結晶軸反転領域を含んでいることに起因して、容易にエッチングされ得るのである。また、結晶欠陥領域に貫通孔を掘るためのエッチングは、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、リン酸、および硫酸カリウムの少なくとも１種以上を含む液を用いたウェットエッチングであり得る。これらのエッチング液を用いることによって、結晶欠陥領域が迅速かつ確実にエッチングされ得る。また、ウェットエッチングでは、結晶に何らダメージを与えることなく貫通孔を形成することができる。
【００１４】
貫通孔の径は１μｍ以上で１００μｍ以下であることが好ましく、隣り合う貫通孔の間隔は２０μｍ以上で１０００μｍ以下であることが好ましい。これらの寸法条件を満たすことによって、基板内における冷却媒体の流通性を確保でき、その基板上に形成されるデバイスに対して適切な冷却効率を実現することができる。また、ＩＩＩ族窒化物半導体基板は、ＧａＮからなることが好ましい。すなわち、ＩＩＩ族窒化物半導体基板がＧａＮからなっていれば、その基板とその上に形成されるＧａＮ系デバイスとの間の格子歪を小さくすることができる。
【００１５】
以上のような製造方法によって得られた冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板を用いて半導体デバイスを製造することができ、その半導体デバイスの製造方法は、マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板上において、ｎ型、ｉ型、およびｐ型から選択された複数のＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル結晶成長させて積層する工程と、それら複数のＩＩＩ族窒化物半導体層の少なくともいずれかに電気を供給するための電極を形成してデバイス化する工程とを含み得る。こうして作製された半導体デバイスは、その動作時において大きな発熱を生じても適切に冷却され得て、良好な動作特性を維持し得る。
【発明の効果】
【００１６】
以上のような本発明による冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板は、温度変化や温度上昇による特性劣化の著しい発光デバイス、特に多数の発光素子がアレイ状に配列されていて多量に熱を発生する高出タイプの光デバイスや、大電流を通電して使用するパワーデバイスなどを形成するための基板として好ましく使用することができ、しかもその機械的安定性に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態による冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法を模式的な斜視図で図解している。なお、本願の各図において、長さ、幅、厚さなどの寸法関係は、図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表してはいない。
【００１８】
図１（Ａ）に示されているように、例えばＧａＮのようなＩＩＩ族窒化物半導体の基礎基板１が準備される。この基礎基板１の上面は、例えばｃ軸方向と略称される［０００１］方向に直交していてＣ面方位と略称される（０００１）面方位を有することが好ましい。ただし、基礎基板１の主面は、必ずしもＣ面に限られず、他の結晶学的方位面を有することも可能である。
【００１９】
後で詳述される方法によって、基礎基板１には、その厚さ方向に貫通する複数の微細な貫通孔２が形成される。このとき、冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板上に形成されるデバイスの種類と寸法に適するように、貫通孔２の径は、好ましくは例えば１μｍ以上で１００μｍ以下の範囲内に設定することができる。また、隣り合う貫通孔２の間隔は、好ましくは例えば２０μｍ以上で１０００μｍ以下の範囲内で設定することができる。
【００２０】
本発明において、目的とする冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板は、貫通孔２に概略平行な一対の２平面５に沿って、またはさらにその一対の２平面５に交差する他の一対の２平面に沿って基礎基板１を切断することによって、貫通孔２の少なくとも一つを含む切片３として得られる。
【００２１】
図１（Ｂ）は、このようにして切り出された冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板３を模式的な断面図で示している。この図からわかるように、切り出された冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板３は、その主面５に平行な複数の貫通孔２を含んでいる。これらの貫通孔２に冷媒を通すことによって、ＩＩＩ族窒化物半導体基板３が直接的に冷却され得ることになる。なお、言うまでもなく、ＩＩＩ族窒化物半導体基板３に含まれる貫通孔の数は適宜に選択することができる。
【００２２】
このような冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板３上には、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるＬＥＤやＬＤなどの発光素子を直接形成することができる。
【００２３】
例えば、ＯＭＶＰＥ（有機金属気相エピタキシ）装置内において、冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板３の主面上に、公知の方法によって、ＩＩＩ族窒化物半導体のｎ型層、発光層、およびｐ型層を順次積層することができる。この場合、ＧａＮ層を堆積するためのＴＭＧ（トリメチルガリウム）とＮＨ3に加えて、さらにＴＭＩ（トリメチルインジウム）やＴＭＡ（トリメチルアルミ）を利用することができる。ＴＭＩを添加して形成されるＧａＩｎＮ層は、ＧａＮ層に比べて小さなエネルギバンドギャップを有し得る。他方、ＴＭＡを添加して形成されるＧａＡｌＮ層は、ＧａＮ層に比べて大きなエネルギバンドギャップを有し得る。ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層は、不純物として例えばＳｉやＣを添加することによって形成され得る。他方、ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層は、不純物として例えばＭｇを添加することによって形成され得る。
【００２４】
そして、冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板３の主面上に、例えばｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、発光層、ｐ型電子ブロック層、ｐ型ガイド層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層を順次エピタキシャル成長させることによって、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ積層構造を形成することができる。この積層構造の上面にＮｉ／Ａｕなどからなるｐ型用電極をスパッタまたは真空蒸着などのよって形成し、冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板３の裏面上にＴｉ／Ａｌなどからなるｎ型用電極を同様に形成することによって、冷媒用マイクロチャネルを含有するＩＩＩ族窒化物半導体発光デバイスを作製することができる。この場合、冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板３の良好な導電性を得るために、それはＳｉなどのｎ型不純物を含んでいることが好ましい。
【００２５】
このようなＩＩＩ族窒化物半導体発光デバイスは、そのＩＩＩ族窒化物半導体基板自体３が冷媒用マイクロチャネル２を含んでいるので効率よく冷却され得る。また、冷媒用マイクロチャネル２は単一のＩＩＩ族窒化物半導体基板結晶内に形成されているので、機械的にも非常に安定である。
【００２６】
ところで、図１（Ａ）に示された貫通孔２を含むＩＩＩ族窒化物半導体基礎基板１は以下に述べられるような種々の方法によって作製することができ、図２の模式的な断面図はその作製方法の一例を図解している。
【００２７】
図２（Ａ）において、例えば厚さ３００μｍのＧａＮからなるＩＩＩ族窒化物半導体基板１上にフォトレジスト層４がスピンコートによって塗布される。このフォトレジスト層４は、例えばピッチ４００μｍで直径５０μｍの孔を含むパターンを有するフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィ法によって露光されて現像され、それによって、７０μｍ径の複数の孔状開口部４ａが形成される。
【００２８】
図２（Ｂ）においては、例えば塩素ガスを用いたドライエッチング法によってＩＩＩ族窒化物半導体基板１を掘り進んで、貫通孔２が形成される。ＩＩＩ族窒化物半導体基板１は、その上面に残ったフォトレジスト層４がアセトンで除去された後に、洗浄されて乾燥される。こうして、図１（Ａ）に示されているようなＩＩＩ族窒化物半導体基礎基板１が得られる。
【００２９】
図２（Ｃ）において、ダイヤモンドブレードを装着したスライサを用いて、基礎基板１から冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板３が切り出される。すなわち、基礎基板１は一対の互いに平行な破線５ａで示されているように貫通孔２間の中央を通る２つの平面に沿って例えば４００μｍピッチで切断されるとともに、その一対の平面に交差するもう一対の平行な平面に沿って例えば８００μｍピッチで切断される。これによって、図１（Ｂ）に示されているような板状の冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板３が切り出される。切断された板状の基板の主面は、研磨によって鏡面に仕上げられる。こうすることによって、内部にマイクロチャネル２が形成されたＩＩＩ族窒化物半導体基板３を得ることができる。
【００３０】
図３の模式的な断面図は、図１（Ａ）に示された貫通孔２を含むＩＩＩ族窒化物半導体基礎基板１を作製するための他の方法を図解している。
【００３１】
図３（Ａ）において、例えば主面として（１１１）面を有するＧａＡｓ下地基板７上に、ＰＣＶＤ（プラズマ化学気相堆積）法によってＳｉＯ2膜８が例えば０．２μｍの厚さに堆積される。ＳｉＯ2膜８上には、フォトレジスト層（図示せず）がスピンコートによって塗布される。このフォトレジスト層は、例えば直径５０μｍの孔の複数がそれぞれ５００μｍと４００μｍの縦横のピッチで配置されたパターンを有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィによって加工される。その結果、直径５０μｍの円状のレジスト膜領域の複数が、格子状に配列されて残される。そして、例えばＣＨＦ3ガスを用いたドライエッチング法によって、レジスト膜で覆われている領域において、ＳｉＯ2膜８が結晶成長抑制膜として残される。こうして、図３（Ａ）に示されているようなＳｉＯ2膜パターン付き下地基板７が得られる。
【００３２】
図３（Ｂ）において、ＯＭＶＰＥ装置内にＳｉＯ2膜パターン付き下地基板７が設置されて、例えばＴＭＧおよびＮＨ3ガスを流しながらＧａＮ層１が結晶成長させられる。このＧａＮ層１の上面は、好ましくはＣ面として成長させることができる。このとき、ＳｉＯ2膜８はＧａＮ層１の結晶成長抑制膜として作用するので、ＧａＡｓ下地基板７上においてＳｉＯ2膜８の存在しない領域からＧａＮ層１が結晶成長を開始し、ＳｉＯ2膜８上では矢印で示されているように横方向結晶成長する。このような横方向結晶成長は一般にラテラル結晶成長と呼ばれており、ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶成長技術分野において周知である（例えば、特開２００３−３３２２４４号公報参照）。
【００３３】
図３（Ｃ）において、ＳｉＯ2膜８上でその周縁からラテラル結晶成長が進行して合体した部分は、高密度の転位またはｃ軸方向が反転された結晶欠陥領域９となる。ラテラル結晶成長が合体した後のさらなる厚さ方向の結晶成長においては、その結晶欠陥領域９も厚さ方向に引き継がれて成長する。ＧａＮ層１を約５００μｍの厚さに成長させた後に、下地基板７とＳｉＯ2膜８を除去し、その後にＧａＮ層１の上下面を平坦化加工する。その平坦化処理後のＧａＮ層１は約４００μｍの厚さにし得る。
【００３４】
なお、下地基板７上のＧａＮ層１を約１０００μｍの厚さに結晶成長させて、下地基板７とＳｉＯ2膜８を除去するとともに、そのＧａＮ層１を厚さ４５０μｍの２枚ＧａＮ層にスライスしてもよい。
【００３５】
図３（Ｄ）において、平坦化されたＧａＮ層１の両主面のうちで下地基板７のあった側をフォトレジスト膜で保護処理した後に、水酸化カリウム液に浸すことによって結晶欠陥（結晶反転）領域９のみが選択的にエッチングされて孔２が形成され得る。そして、エッチング槽に定期的な揺動を加えながら孔２がＧａＮ層１を貫通するまでエッチングし、これによって図１（Ａ）に示されているような複数の貫通孔２を含むＧａＮ基礎基板１が得られる。
【００３６】
さらに、図３（Ｄ）において、図２（Ｃ）の場合と同様に、ダイヤモンドブレードを装着したスライサを用いて、ＧａＮ基礎基板１から冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板３が切り出される。すなわち、ＧａＮ基礎基板１は一対の互いに平行な破線５ａで示されているように貫通孔２間の中央を通る２つの平面に沿って例えば４００μｍピッチで切断されるとともに、その一対の平面に交差するもう一対の平行な平面に沿って例えば８００μｍピッチで切断される。これによって、図１（Ｂ）に示されているような板状の冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板３が切り出される。切断された板状の基板の主面は、研磨によって鏡面に仕上げられる。こうすることによって、内部にマイクロチャネル２が含まれたＩＩＩ族窒化物半導体基板３を得ることができる。
【００３７】
なお、図３の例ではＧａＡｓ下地基板７とＳｉＯ2膜８が除去されたが、冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板上に半導体デバイスを形成することにおいてそれらのＧａＡｓ下地基板７とＳｉＯ2膜８が障害とならない場合には除去されなくてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
以上のような本発明の製造方法によって得られる冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板は、温度変化や温度上昇による特性劣化の著しい発光デバイス、特に多数の発光素子がアレイ状に配列されていて多量に熱を発生する高出タイプの光デバイスや、大電流を通電して使用するパワーデバイスなどを形成するための基板として好ましく使用することができ、しかもその機械的安定性に優れている。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明による冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法を図解する模式的斜視図である。
【図２】図１（Ａ）に示された貫通孔２を含むＩＩＩ族窒化物半導体基礎基板１を作製するための方法を図解する模式的断面図である。
【図３】図１（Ａ）に示された貫通孔２を含むＩＩＩ族窒化物半導体基礎基板１を作製するための他の方法を図解する模式的断面図である。
【図４】特許文献２に開示された冷媒用マイクロチャネル含有半導体基板を図解する模式的断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  複数の貫通孔を含むＩＩＩ族窒化物半導体基礎基板、２  貫通孔、３  冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板、４  レジスト膜、４ａ  開口部、５、５ａ  切断平面、７  ＩＩＩ族窒化物半導体下地基板、８  酸化珪素膜、９  結晶欠陥領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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