(57)【要約】【課題】シェルを高耐圧化することが可能な振動センサを実現する。【解決手段】振動子が用いられた振動センサにおいて、溝が形成されるシリコン基板と、このシリコン基板の溝の中空上に形成される振動子と、前記シリコン基板上に形成され２つのエッチング液導入孔を有し前記シリコン基板との間に第１の空間を有するシェルと、このシェル上及び前記２つのエッチング液導入孔の下にそれぞれ位置する前記シリコン基板の領域に形成されるシリコン膜とを備え、前記２つのエッチング液導入孔がそれぞれ前記振動子の短手方向の両側であって任意の位置、若しくは、前記振動子の短手方向の同一側であって任意の位置に形成され、前記２つのエッチング液導入孔の近傍の前記シリコン基板と前記シェルとの間に前記２つのエッチング液導入孔と前記第１の空間とをつなぐ隙間をそれぞれ有する。【選択図】                    図１
2008117995.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動子が用いられた振動センサにおいて、
溝が形成されるシリコン基板と、
このシリコン基板の溝の中空上に形成される振動子と、
前記シリコン基板上に形成され２つのエッチング液導入孔を有し前記シリコン基板との間に第１の空間を有するシェルと、
このシェル上及び前記２つのエッチング液導入孔の下にそれぞれ位置する前記シリコン基板の領域に形成されるシリコン膜とを備え、
前記２つのエッチング液導入孔がそれぞれ前記振動子の短手方向の両側であって任意の位置、若しくは、前記振動子の短手方向の同一側であって任意の位置に形成され、前記２つのエッチング液導入孔の近傍の前記シリコン基板と前記シェルとの間に前記２つのエッチング液導入孔と前記第１の空間とをつなぐ隙間をそれぞれ有する
ことを特徴とする振動センサ。
【請求項２】
振動子が用いられた振動センサの製造方法であって、
前記シリコン基板上にボロンを拡散してボロン拡散領域を形成し、このボロン拡散領域内に先に拡散した濃度よりも高濃度にボロンを拡散して振動子を形成する第１の工程と、
前記ボロン拡散領域を除去し前記シリコン基板及び前記振動子の間に第１の空間を形成する第２の工程と、
前記シリコン基板上に第１のガラス膜を形成し、前記シリコン基板上でこの第１のガラス膜が形成されていない領域及びこの第１のガラス膜上に第２のガラス膜を形成する第３の工程と、
前記振動子の短手方向の両側の任意の位置、若しくは、前記振動子の短手方向の同一側の任意の位置に２つのエッチング液導入孔を有するシェルを前記シリコン基板及び前記第２のガラス膜上に形成する第４の工程と、
前記第１のガラス膜及び第２のガラス膜を除去し前記シリコン基板及び前記シェルの間に第２の空間を形成し、前記シェル上及び前記２つのエッチング液導入孔の下にそれぞれ位置する前記シリコン基板の領域にシリコン膜を形成する第５の工程と
から成ることを特徴とする振動センサの製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程が、
前記シリコン基板上の一部をマスクし、
前記シリコン基板上でマスクされていない領域に酸化膜を形成し、
この酸化膜上にポリシリコン膜を形成し、
前記シリコン基板上の前記酸化膜及びポリシリコン膜が形成されていない領域にボロンを拡散してボロン拡散領域を形成することを特徴とする
請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
前記第２の工程が、
前記シリコン基板に電圧を印加すると共に前記ボロン拡散領域及び前記振動子のボロンの濃度の差を利用してアルカリ溶液によるエッチングにより前記ボロン拡散領域を除去することを特徴とする
請求項２記載の製造方法。
【請求項５】
前記第１のガラス膜がＮＳＧ膜、若しくは、ＰＳＧ膜から構成されると共に前記第２のガラス膜がＰＳＧ膜から構成されることを特徴とする
請求項２記載の製造方法。
【請求項６】
前記第５の工程が、
前記エッチング液導入孔を介してフッ素水溶液によって前記第１のガラス膜及び前記第２のガラス膜をエッチングすることを特徴とする
請求項２記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動子が用いられた振動センサ及びその製造方法に関し、特にシェルの幅が小さく耐圧を向上することが可能な振動子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の振動センサ及びその製造方法に関連する先行技術文献としては次のようなものがある。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−０３７３０９号公報
【特許文献２】特開２００５−３４７６７６号公報
【０００４】
図１０はこのような従来の振動センサの一例を示す構成断面図である。図１０において、１はシリコン基板、２は振動子、３はポリシリコン膜で形成されるシェル、４はシリコン膜である。
【０００５】
シリコン基板１には溝が形成され、その溝の中空上に振動子２が形成される。また、シリコン基板１の溝及びその近傍との間に空間を形成するシェル３がシリコン基板１０上に形成される。
【０００６】
シェル３上及びシェル３の図１０中”ＩＰ１００”及び”ＩＰ１０１”に示すエッチング液導入スリットの下に位置するシリコン基板１の領域にシリコン膜４が形成される。
【０００７】
ここで、図１０に示す従来の振動センサの製造方法について図１１、図１２、図１３、図１４、図１５、図１６、図１７、図１８及び図１９を用いて説明する。図１１〜図１９は従来の振動センサの製造工程を説明する説明図である。図１１（ａ）、図１３（ａ）、図１４（ａ）、図１５（ａ）及び図１６（ａ）はそれぞれ製造工程で用いられるパターンの平面図、図１９（ａ）は振動センサの平面図、図１１（ｂ）、図１３（ｂ）、図１４（ｂ）、図１５（ｂ）、図１６（ｂ）及び図１９（ｂ）はそれぞれ振動センサの製造工程の断面図（図１１（ａ）、図１３（ａ）、図１４（ａ）、図１５（ａ）、図１６（ａ）及び図１９（ａ）のＡ−Ａ断面図）である。
【０００８】
図１１〜図１９において５及び６はマスクとなる酸化膜、７はポリシリコン膜、８はＮＳＧ（Ｎｏｎ  ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）によって構成されるガラス膜（以下、ＮＳＧ膜）及び９はＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）によって構成されるガラス膜（以下、ＰＳＧ膜）である。図１１〜図１９において１、２、３及び４は図１０と同一符号を付してある。
【０００９】
まず、図１１（ｂ）に示すように、シリコン基板１上のボロンが拡散される領域が図１１（ａ）中”ＰＴ１００”に示す長方形のパターンによってマスクされ、このマスクされた部分以外の領域に酸化膜５が形成される。
【００１０】
次に、図１２に示すようにシリコン基板１の上面の酸化膜５が形成されていない領域にボロンが拡散される。
【００１１】
例えば、酸化膜５が形成されたシリコン基板１はボロンガラス膜のようなボロン拡散源と共に１０００℃〜１２００℃程度の温度に調節された炉等の中で加熱され、ボロンがボロンガラス膜からシリコン基板１の酸化膜５が形成されていない領域に拡散される。
【００１２】
この時、シリコン基板１には図１２中”ＤＡ１００”に示すボロンの拡散領域が形成される。また、図１２中”ＤＡ１００”に示すボロンの拡散領域が形成された後に酸化膜５はエッチング加工により除去される。
【００１３】
次に、図１３（ｂ）に示すように図１３（ａ）中”ＰＴ１００”に示す長方形のパターンよりも一回り小さい図１３（ａ）中”ＰＴ１０１”に示す長方形のパターンによってシリコン基板１がマスクされ、このマスクされた部分以外の領域に酸化膜６及びポリシリコン膜７が形成される。
【００１４】
また、シリコン基板１上の酸化膜６及びポリシリコン膜７が形成されていない領域に図１２の工程で行った濃度よりも高濃度にボロンが拡散され、シリコン基板１上で図１３中”ＤＡ１００”に示すボロン拡散領域内に高濃度のボロンの拡散領域（振動子２）が形成される。
【００１５】
ちなみに、ボロンの拡散における工程は図１２に示した工程と同様であるため説明を省略する。また、振動子２が形成された後に、酸化膜６及びポリシリコン膜７はエッチング加工により除去される。
【００１６】
次に、図１４（ｂ）に示すように、図１４（ａ）中”ＰＴ１０２”に示す六角形の領域以外をマスクするパターンによってシリコン基板１がマスクされシリコン基板１がマスクされ、シリコン基板１上でマスクされていない領域にＮＳＧ膜８が形成される。すなわち、シリコン基板１上にＮＳＧ膜８が六角形に形成されることになる。
【００１７】
次に、図１５（ｂ）に示すように図１５（ａ）中”ＰＴ１０３”に示す図１４（ａ）中”ＰＴ１０２”に示すパターンの六角形の領域よりも大きい六角形の領域以外をマスクするパターンによってシリコン基板１がマスクされ、このマスクされた領域以外であってＮＳＧ膜８上及びＮＳＧ膜８が形成されていないシリコン基板１上の領域にＰＳＧ膜９が形成される。すなわち、シリコン基板１及びＮＳＧ膜８上にＰＳＧ膜９が六角形に形成されることになる。
【００１８】
次に、図１６（ｂ）に示すように図１６（ａ）中”ＰＴ１０５”及び”ＰＴ１０６”に示す長方形のパターンによって、ＰＳＧ膜９上の振動子２の短手方向の両側であって、振動子２の長手方向に平行になるようにマスクされ、このマスクされた領域以外の部分にシェル３が形成されると共に、マスクされた領域内には図１６中”ＩＰ１００”及び”ＩＰ１０１”に示すエッチング液導入スリットが形成される。
【００１９】
次に、図１７に示すようにＮＳＧ膜８及びＰＳＧ膜９がエッチング加工により除去される。例えば、図１７中”ＩＰ１００”及び”ＩＰ１０１”に示すエッチング液導入スリットからフッ素水溶液が流れ込みＮＳＧ膜８及びＰＳＧ膜９がエッチングされる。このエッチングにより、シリコン基板１とシェル３との間に空間ができる。
【００２０】
次に、図１８に示すように図１７中”ＤＡ１００”に示すボロン拡散領域がエッチング加工により除去される。例えば、図１８中”ＩＰ１００”及び”ＩＰ１０１”に示すエッチング液導入スリットから水酸化テトラメチルアンモニウムやヒドラジン等のアルカリ溶液でエッチングする。この時、シリコン基板１にはアルカリ溶液の電位に対して”＋”の電圧を印加しておく。
【００２１】
このエッチングは、図１８中”ＤＡ１００”に示すボロン拡散領域と振動子２のボロンの濃度の差を利用したものである。シリコン基板１は印加された電圧により、アルカリ溶液と接する面が陽極酸化されるので、アルカリ溶液から保護される。このエッチングにより、シリコン基板１と振動子２との間に空間ができる。
【００２２】
次に、図１９に示すようシェル３上及びシェル３の図１９中”ＩＰ１００”及び”ＩＰ１０１”に示すエッチング液導入スリットの下に位置するシリコン基板１の領域にシリコン膜４が形成される。
【００２３】
この結果、シリコン基板にボロンを拡散してボロン拡散領域を形成し、ボロン拡散領域内に先に拡散した濃度よりも高濃度にボロンを拡散して振動子を形成し、シリコン基板上にＮＳＧ膜及びＰＳＧ膜を形成し、ＮＳＧ膜、ＰＳＧ膜及びシリコン基板上にシェルを形成し、ＮＳＧ膜、ＰＳＧ膜及びボロン拡散領域をそれぞれエッチングすることにより、振動センサを製造することが可能になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
しかし、図１０に示す従来例では、図１９中”ＩＰ１００”及び”ＩＰ１０１”に示すエッチング液導入スリットの下に位置するシリコン基板１の領域の近傍とシェル３との間に図１９中”ＳＬ１００”及び”ＳＬ１０１”に示すようなスリットがそれぞれ振動子２の長手方向に沿って存在するため、シェルの耐圧が低いという問題があった。
【００２５】
また、酸化膜５及び６、ポリシリコン膜７、ＮＳＧ膜８及びＰＳＧ膜９をそれぞれパターニングする際に用いられる図１６中”ＰＴ１００”、”ＰＴ１０１”、”ＰＴ１０２”及び”ＰＴ１０３”に示すパターンはそれぞれ一定の幅が必要であるため、図１９（ｂ）中”ＳＨ１００”に示すシェル３の幅が大きくなりシェルの耐圧の向上が図れないという問題があった。
従って本発明が解決しようとする課題は、シェルを高耐圧化することが可能な振動センサを実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記のような課題を達成するために、本発明のうち請求項１記載の発明は、
振動子が用いられた振動センサにおいて、
溝が形成されるシリコン基板と、このシリコン基板の溝の中空上に形成される振動子と、前記シリコン基板上に形成され２つのエッチング液導入孔を有し前記シリコン基板との間に第１の空間を有するシェルと、このシェル上及び前記２つのエッチング液導入孔の下にそれぞれ位置する前記シリコン基板の領域に形成されるシリコン膜とを備え、前記２つのエッチング液導入孔がそれぞれ前記振動子の短手方向の両側であって任意の位置、若しくは、前記振動子の短手方向の同一側であって任意の位置に形成され、前記２つのエッチング液導入孔の近傍の前記シリコン基板と前記シェルとの間に前記２つのエッチング液導入孔と前記第１の空間とをつなぐ隙間をそれぞれ有することにより、シェルを高耐圧化することが可能となる。
【００２７】
請求項２記載の発明は、
振動子が用いられた振動センサの製造方法であって、
前記シリコン基板上にボロンを拡散してボロン拡散領域を形成し、このボロン拡散領域内に先に拡散した濃度よりも高濃度にボロンを拡散して振動子を形成する第１の工程と、前記ボロン拡散領域を除去し前記シリコン基板及び前記振動子の間に第１の空間を形成する第２の工程と、前記シリコン基板上に第１のガラス膜を形成し、前記シリコン基板上でこの第１のガラス膜が形成されていない領域及びこの第１のガラス膜上に第２のガラス膜を形成する第３の工程と、前記振動子の短手方向の両側の任意の位置、若しくは、前記振動子の短手方向の同一側の任意の位置に２つのエッチング液導入孔を有するシェルを前記シリコン基板及び前記第２のガラス膜上に形成する第４の工程と、前記第１のガラス膜及び第２のガラス膜を除去し前記シリコン基板及び前記シェルの間に第２の空間を形成し、前記シェル上及び前記２つのエッチング液導入孔の下にそれぞれ位置する前記シリコン基板の領域にシリコン膜を形成する第５の工程とから成ることにより、シェルを高耐圧化することが可能となる。
【００２８】
請求項３記載の発明は、
請求項２記載の発明である振動センサの製造方法であって、
前記第１の工程が、前記シリコン基板上の一部をマスクし、前記シリコン基板上でマスクされていない領域に酸化膜を形成し、この酸化膜上にポリシリコン膜を形成し、前記シリコン基板上の前記酸化膜及びポリシリコン膜が形成されていない領域にボロンを拡散してボロン拡散領域を形成することにより、シェルを高耐圧化することが可能となる。
【００２９】
請求項４記載の発明は、
請求項２記載の発明である振動センサの製造方法であって、
前記第２の工程が、前記シリコン基板に電圧を印加すると共に前記ボロン拡散領域及び前記振動子のボロンの濃度の差を利用してアルカリ溶液によるエッチングにより前記ボロン拡散領域を除去することにより、シェルを高耐圧化することが可能となる。
【００３０】
請求項５記載の発明は、
請求項２記載の発明である振動センサの製造方法であって、
前記第１のガラス膜がＮＳＧ膜、若しくは、ＰＳＧ膜から構成されると共に前記第２のガラス膜がＰＳＧ膜から構成されることにより、シェルを高耐圧化することが可能となる。
【００３１】
請求項６記載の発明は、
請求項２記載の発明である振動センサの製造方法であって、
前記第５の工程が、前記エッチング液導入孔を介してフッ素水溶液によって前記第１のガラス膜及び前記第２のガラス膜をエッチングすることにより、シェルを高耐圧化することが可能となる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば次のような効果がある。
請求項１、２、３、４、５及び請求項６の発明によれば、シリコン基板上にボロンが拡散されてボロン拡散領域が形成され、ボロン拡散領域内に先に拡散した濃度よりも高濃度にボロンが拡散されて振動子が形成され、シェルの形成の前にボロン拡散領域がエッチングされシェルの幅が比較的小さく形成されることにより、シェルを高耐圧化することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図１は本発明に係る振動センサの一実施例を示す構成断面図である。図１において１０はシリコン基板、１１は振動子、１２はポリシリコン膜で形成されるシェル、１３はシリコン膜である。
【００３４】
シリコン基板１０には溝が形成され、その溝の中空上に振動子１１が形成される。言い換えれば、シリコン基板１０と振動子１１との間には第１の空間が形成される。
【００３５】
また、振動子１１、シリコン基板１０の溝及びその近傍との間に第２の空間を形成するシェル１２がシリコン基板１０上に形成される。
【００３６】
シェル１２上及びシェル１２の図１中”ＩＰ１１０”に示すエッチング液導入孔の下に位置するシリコン基板１０の領域にシリコン膜１３が形成される。
【００３７】
ここで、図１に示す本発明に係る振動センサの一実施例の製造方法について図２、図３、図４、図５、図６、図７、図８及び図９を用いて説明する。図２〜図９は本発明に係る振動センサの一実施例の製造工程を説明する説明図である。図２（ａ）、図４（ａ）、図５（ａ）及び図６（ａ）はそれぞれ製造工程で用いられるパターンの平面図、図９（ａ）は振動センサの平面図、図２（ｂ）、図４（ｂ）、図５（ｂ）、図６（ｂ）、図９（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）はそれぞれ振動センサの製造工程の断面図（図２（ａ）、図４（ａ）、図５（ａ）図６（ａ）及び図９（ａ）のＡ−Ａ断面図、図９（ａ）のＢ−Ｂ断面図及び図９（ａ）のＣ−Ｃ断面図）である。
【００３８】
図２〜図９において１４はマスクとなる酸化膜、１５はポリシリコン膜、１６はＮＳＧ（Ｎｏｎ  ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）によって構成されるガラス膜（以下、ＮＳＧ膜）、１７はＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）によって構成されるガラス膜（以下、ＰＳＧ膜）である。図２〜図９において１０、１１、１２及び１３は図１と同一符号を付してある。
【００３９】
まず、図２に示すように図２中”ＰＴ１１０”に示す長方形のパターンによってシリコン基板１０がマスクされ、このマスクされた部分以外の領域に酸化膜１４及びポリシリコン膜１５が形成される。
【００４０】
また、シリコン基板１０上の酸化膜１４及びポリシリコン膜１５が形成されていない領域にボロンが拡散され、図２中”ＤＡ１１０”に示すようなボロンの拡散領域が形成される。
【００４１】
そして、シリコン基板１０上の酸化膜１４及びポリシリコン膜１５が形成されていない領域に先に拡散した濃度よりも高濃度にボロンが拡散され、シリコン基板１０上で図２中”ＤＡ１１０”に示すボロン拡散領域内に高濃度のボロンの拡散領域（振動子１１）が形成される。
【００４２】
振動子１１が形成された後に、酸化膜１４及びポリシリコン膜１５はエッチング加工により除去される。
【００４３】
このため、図２中”ＰＴ１１０”に示す長方形のパターンを用いて酸化膜１４及びポリシリコン膜１５を形成しボロンを拡散して図２中”ＤＡ１１０”に示すボロン拡散領域及び振動子１１を形成することにより、１つのパターンでボロン拡散領域及び振動子を形成することが可能となる。
【００４４】
次に、図３に示すように図３中”ＤＡ１１０”に示すボロン拡散領域はエッチング加工により除去される。例えば、図３中”ＤＡ１１０”に示すボロン拡散領域は水酸化テトラメチルアンモニウムやヒドラジン等のアルカリ溶液によりエッチングされる。この時、シリコン基板１０にはアルカリ溶液の電位に対して”＋”の電圧を印加しておく。
【００４５】
このエッチングは、図３中”ＤＡ１１０”に示すボロン拡散領域と振動子１１のボロンの濃度の差を利用したものである。シリコン基板１０は印加された電圧により、アルカリ溶液と接する面が陽極酸化されるので、アルカリ溶液から保護される。このようなエッチングにより、シリコン基板１０と振動子１１との間に空間ができる。
【００４６】
このため、図３中”ＤＡ１１０”に示すボロン拡散領域がシェル１２の形成（図７の工程で後述する）の前にエッチングされることにより、これ以降のエッチング工程は粘性の低いフッ酸水溶液によるＮＳＧ膜１６及びＰＳＧ膜１７のエッチング（図８の工程で後述する）のみとなり、シェル１２の図１中”ＩＰ１１０”に示すエッチング液導入孔を小さく形成することができる。また、シェル１２の形成及びフッ酸水溶液によるＮＳＧ膜１６及びＰＳＧ膜１７のエッチングの説明については後述する。
【００４７】
次に、図４に示すように図４中”ＰＴ１１１”及び”ＰＴ１１４”に示す長方形のパターンによってそれぞれシリコン基板１０上の振動子１１の短手方向の両側であって長手方向の両端の近傍がマスクされ、このマスクされた部分以外の領域にＮＳＧ膜１６が形成される。
【００４８】
次に、図５に示すように図５（ａ）中”ＰＴ１１２”に示す六角形及び２つの長方形により構成される領域以外をマスクするパターンによってシリコン基板１０及びＮＳＧ膜１６がマスクされ、このマスクされた部分以外の領域にＰＳＧ膜１７が形成される。
【００４９】
すなわち、シリコン基板１０及びＮＳＧ膜１６上にＰＳＧ膜１７が六角形及び２つの長方形からなる形状に形成されることになる。また、図５中”ＡＤ１１０”に示すＮＳＧ膜１６の一部がエッチング加工により除去される。
【００５０】
次に、図６に示すように図６中”ＰＴ１１１”及び”ＰＴ１１４”に示す長方形のパターンよりも小さい図６中”ＰＴ１１３”及び”ＰＴ１１５”に示す長方形のパターンによって、それぞれＰＳＧ膜１７上の振動子１１の短手方向の両側であって長手方向の両端の近傍がマスクされる。
【００５１】
このマスクされた領域以外の部分にシェル１２が形成されると共に、マスクされた領域内に図６（ｂ）中”ＩＰ１１０”に示すエッチング液導入孔及びもう一方のエッチング液導入孔（図示せず）がそれぞれ形成される。
【００５２】
この時、図７の工程で後述するように、今後のエッチング作業は粘性の低いフッ酸水溶液によるＮＳＧ膜１６及びＰＳＧ膜１７のエッチングのみであるため、従来では振動子の長手方向に沿って長方形に形成されていたようなエッチング液導入スリットよりも図６（ｂ）中”ＩＰ１１０”に示すようにエッチング液導入孔は小さく形成されることになる。
【００５３】
次に、図７に示すようにＮＳＧ膜１６及びＰＳＧ膜１７がエッチング加工により除去される。例えば、図８中”ＩＰ１１０”に示すエッチング液導入孔からフッ素水溶液が流れ込みＮＳＧ膜１６及びＰＳＧ膜１７がエッチングされる。このエッチングにより、シリコン基板１０とシェル１２との間に空間ができる。
【００５４】
次に、図８に示すようにシェル１２上及び図８（ａ）中”ＩＰ１１０”に示すエッチング液導入孔の下に位置するシリコン基板１０上にシリコン膜１３が形成されると共に、図８中”ＳＬ１１０”に示すスリットがシリコン基板１０とシェル１２との間に形成される。
【００５５】
また、図９（ａ）、図９（ｂ）及び図９（ｄ）に示すように図９中”ＳＬ１１０”及び”ＳＬ１１１”に示すスリットが図９中”ＩＰ１１０”及び”ＩＰ１１１”に示すエッチング液導入孔の近傍のシリコン基板１０とシェル１２との間に形成される。
【００５６】
すなわち、図９中”ＳＬ１１０”及び”ＳＬ１１１”に示すスリットは図９中”ＩＰ１１０”及び”ＩＰ１１１”に示すエッチング液導入孔とシリコン基板１０とシェル１２との間に形成される空間とをつなぐことになる。
【００５７】
図９（ｂ）に示すように図９（ａ）中”ＩＰ１１０”及び”ＩＰ１１１”に示すようなエッチング液導入孔が近くに形成されていないシリコン基板１０とシェル１２との間にはスリットは形成されない。
【００５８】
また、図３に示したように図３中”ＤＡ１１０”に示すボロン拡散領域がシェル１２の形成の前にエッチングされることにより、図９中”ＳＬ１１０”及び”ＳＬ１１１”に示すスリットが図９中”ＩＰ１１０”及び”ＩＰ１１１”に示すエッチング液導入孔の近傍のみに形成されると共に、振動子の長手方向に沿って形成されていたような従来のスリットよりも小さく形成されることになる。
【００５９】
このため、図２中”ＰＴ１１０”に示す長方形のパターンを用いて酸化膜１４及びポリシリコン膜１５を形成しボロンを拡散して図２中”ＤＡ１１０”に示すボロン拡散領域及び振動子１１を形成することにより、１つのパターンでボロン拡散領域及び振動子を形成することが可能となる。
【００６０】
また、図２に示したようにシェル１２の形成の前に１つのパターンでボロン拡散領域及び振動子２が形成されることにより、エッチング工程は粘性の低いフッ酸水溶液によるＮＳＧ膜１６及びＰＳＧ膜１７のエッチングのみとなり、振動子の長手方向に沿って長方形に形成されていたような従来のエッチング液導入スリットを形成するためのパターンが不要となり、図９中”ＳＨ１１０”に示すシェルの幅が従来よりも比較的小さく形成されることになる。
【００６１】
このように、図９中”ＳＬ１１０”及び”ＳＬ１１１”に示すスリットが図９中”ＩＰ１１０”及び”ＩＰ１１１”に示すエッチング液導入孔の近傍に従来よりも比較的小さく形成され、図９中”ＳＨ１１０”に示すシェルの幅が従来よりも比較的小さく形成されることにより、シェル耐圧が向上することが可能となる。
【００６２】
この結果、シリコン基板上にボロンが拡散される領域以外の部分に酸化膜及びポリシリコン膜が形成され、酸化膜及びポリシリコン膜が形成されていないシリコン基板上にボロン拡散領域及び振動子が形成され、シェルの形成の前にボロン拡散領域がエッチングされ、スリットがエッチング液導入孔の近傍のみに比較的小さく形成され、シェルの幅が比較的小さく形成されることにより、シェルを高耐圧化することが可能となる。
【００６３】
なお、図１等に示す実施例では、シリコン基板１０上にＮＳＧ膜１６が形成されると例示されているが、特にこれに限定されるものではなく、シリコン基板上にはＰＳＧ膜からなるガラス膜が形成されるものであっても構わない。
【００６４】
また、図１等に示す実施例では、図２中”ＰＴ１１０”に示す長方形のパターンによってシリコン基板１０がマスクされ、このマスクされた部分以外の領域に酸化膜１４及びポリシリコン膜１５が形成されると例示されているが、特にこれに限定されるものではなく、酸化膜及びポリシリコン膜をシリコン基板上に形成し、その後、ボロンが拡散される領域上の酸化膜及びポリシリコン膜の一部分をエッチング等によってそれぞれ除去するものであっても構わない。
【００６５】
また、図１等に示す実施例では、シェル１２はエッチング液導入孔がＰＳＧ膜１７上に形成されるように長方形のパターンによってマスクされると例示されているが、特にこれに限定されるものではなく、フッ酸水溶液によるＮＳＧ膜１６及びＰＳＧ膜１７のエッチングが可能であれば、エッチング液導入孔はどのような形状及び大きさであっても構わない。
【００６６】
また、図１等に示す実施例では、エッチング液導入孔がそれぞれ振動子１１の短手方向の両側であって長手方向の両端の近傍に形成されるようにシェル１２が形成されると例示されているが、特にこれに限定されるものではなく、エッチング液導入孔はそれぞれ振動子１１の短手方向の両側であって任意の位置、若しくは、振動子の短手方向に対向する位置、若しくは、振動子の短手方向の同一側であって任意の位置に形成されるものであっても構わない。
【００６７】
また、図１等に示す実施例では、図９中”ＩＰ１１０”及び”ＩＰ１１１”に示すエッチング液導入孔が形成されると例示されているが、特にこれに限定されるものではなく、１以上のエッチング液導入孔が形成されるものであっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明に係る振動センサの一実施例を示す構成断面図である。
【図２】本発明に係る振動センサの一実施例の製造工程を説明する説明図である。
【図３】本発明に係る振動センサの一実施例の製造工程を説明する説明図である。
【図４】本発明に係る振動センサの一実施例の製造工程を説明する説明図である。
【図５】本発明に係る振動センサの一実施例の製造工程を説明する説明図である。
【図６】本発明に係る振動センサの一実施例の製造工程を説明する説明図である。
【図７】本発明に係る振動センサの一実施例の製造工程を説明する説明図である。
【図８】本発明に係る振動センサの一実施例の製造工程を説明する説明図である。
【図９】本発明に係る振動センサの一実施例の製造工程を説明する説明図である。
【図１０】従来の振動センサの一例を示す構成断面図である。
【図１１】従来の振動センサの製造工程を説明する説明図である。
【図１２】従来の振動センサの製造工程を説明する説明図である。
【図１３】従来の振動センサの製造工程を説明する説明図である。
【図１４】従来の振動センサの製造工程を説明する説明図である。
【図１５】従来の振動センサの製造工程を説明する説明図である。
【図１６】従来の振動センサの製造工程を説明する説明図である。
【図１７】従来の振動センサの製造工程を説明する説明図である。
【図１８】従来の振動センサの製造工程を説明する説明図である。
【図１９】従来の振動センサの製造工程を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００６９】
１、１０  シリコン基板
２、１１  振動子
３、１２  シェル
４、１３  シリコン膜
５、６、１４  酸化膜
７、１５  ポリシリコン膜
８、１６  ＮＳＧ膜
９、１７  ＰＳＧ膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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