(57)【要約】【課題】再生信号のジッタ特性を適切に向上することのできる光磁気記録媒体を提供すること。【解決手段】本発明の光磁気記録媒体は、記録機能を担うための記録層２１と、再生機能を担うための再生層１２と、記録層２１および再生層１２の間に介在し、相対的に小さな保磁力を有して記録層２１に接する低保磁力部２３ｂおよび相対的に大きな保磁力を有する高保磁力部２３ａよりなる積層構造を有して記録層２１および再生層１２の交換結合状態を変化させるための中間層２３と、からなる積層構造を備える。【選択図】図７
2008117528.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録機能を担うための記録層と、
再生機能を担うための再生層と、
前記記録層および前記再生層の間に介在し、相対的に小さな保磁力を有して前記記録層に接する低保磁力部および相対的に大きな保磁力を有する高保磁力部よりなる積層構造を有して前記記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層と、からなる積層構造を備える、光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録層、再生層、および中間層を含む多層磁性部を有し、再生に際して再生層における磁区拡大ないし磁壁移動を伴う光磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光磁気記録媒体が注目を集めている。光磁気記録媒体は、磁性材料における種々の磁気特性を利用して構成され、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う書換え可能な記録媒体である。光磁気記録媒体は、垂直磁化膜からなる記録層を有し、当該記録層において、磁化方向の変化として所定の信号が記録されている。この記録信号は、再生信号読み取り用の所定の光学系で読み取られる。
【０００３】
光磁気記録媒体の技術の分野では、再生信号読取り用の光学系における分解能の限界を超えて高密度に記録された信号を実用的に再生するための、種々の再生方式が開発されている。例えば、ＤＷＤＤ(domain wall displacement detection)、および、ＭＡＭＭＯＳ(magnetic amplifying magneto-optical system）である。そのような光磁気記録媒体は、例えば下記の特許文献１〜３に記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１４９５９２号公報
【特許文献２】特開２００１−２２９５８５公報
【特許文献３】国際公開第９８／０２８７８号パンフレット
【０００５】
ＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体においては、記録層と、再生層と、これらの間の中間層とによる積層構造を有する磁性材料部が、所定の基板の上に設けられている。これら３層は、各々、一般に、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。記録層は相対的に大きな磁壁抗磁力を呈し、再生層は相対的に小さな磁壁抗磁力を呈し、中間層は他の２層より低いキュリー温度を有し、これら３層は、中間層のキュリー温度より低温の所定条件下において隣接２層間に交換相互作用が働くように積層されている。
【０００６】
記録層には、媒体の走査方向に沿って所定の信号が記録されている。具体的には、記録層には、媒体走査方向に連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区が形成されており、従って、走査方向に沿って記録信号に応じた間隔で起立する複数の磁壁が形成されている。再生層および中間層は、媒体温度が中間層のキュリー温度より低い温度条件の下では中間層を介して記録層と再生層とが交換結合し、且つ、媒体温度が中間層のキュリー温度を越える所定の温度条件の下では再生層内で磁壁移動現象が起こるように、構成されている。媒体温度が中間層のキュリー温度より低い所定の温度条件の下では、中間層を介して記録層と交換結合している再生層には、記録層と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成されている。媒体温度が中間層のキュリー温度より高い温度条件の下では、中間層の自発磁化が消失し、当該中間層を介する記録層および再生層の交換結合は切断される。その結果、磁壁抗磁力の小さな再生層において磁壁が移動可能となる。当該磁壁は、再生層内に温度勾配が存在する場合に、より高温な領域へと移動する。
【０００７】
上述のような積層構造を有する磁性材料部よりなる情報トラックが形成されているＤＷＤＤ方式光磁気ディスクの再生動作においては、当該ディスクを回転させつつ情報トラックに再生用のレーザビームを照射することによって、当該情報トラックを走査する。このとき、磁性材料部よりなる情報トラックの内部には、ビーム照射領域において当該走査方向に温度勾配が生ずる。ビーム照射領域における、中間層のキュリー温度の等温線を、再生層の磁壁が当該走査に伴って低温領域から高温領域へと通過する瞬間に、当該磁壁は再生層内をより高温側へと移動する。再生層内をこのように磁壁が移動すると、当該磁壁移動領域の磁化は反転する。この磁化反転を、再生層表面にて反射した光の偏光面の変化として所定の光学系で検出することにより、磁壁移動が検知される。情報トラックに沿って再生用レーザビームを照射して磁壁移動を順次検知することにより、当該媒体の記録信号が読み取られることとなる。
【０００８】
ＤＷＤＤ方式に基づく再生においては、再生用レーザビームのスポット全体ではなく、ビームスポット内の等温線（中間層のキュリー温度の等温線）により、情報トラックを構成する再生層ないし記録層の記録パターンが弁別される。したがって、ＤＷＤＤ方式においては、再生信号読取り用の光学系における分解能の限界を超えて記録層に高密度に記録された信号であっても、即ち最小記録マーク長がスポット径よりも小さな記録パターンであっても、再生することが可能なのである。例えば、再生用レーザビームとして赤レーザ（ビームスポット径：約１μｍ）を採用する場合であっても、長さ０．１μｍ以下の記録マークは原理的には再生され得る。
【０００９】
以上のように、ＤＷＤＤ方式光磁気記録媒体では、再生ビームスポット内の温度分布に対応する中間層の磁気特性の変化に伴う記録層および再生層の交換結合状態の切換わりを利用して、高再生分解能化が図られている。
【００１０】
同様に、ＭＡＭＭＯＳ方式光磁気記録媒体も、記録層と、再生層と、これらの間において他の２層より低いキュリー温度を有する中間層と、による積層構造を有する磁性材料部を備え、再生ビームスポット内の温度分布に対応する中間層の磁気特性の変化に伴う記録層および再生層の交換結合状態の切換わりを利用して、高再生分解能化が図られている。
【００１１】
ＤＷＤＤ方式やＭＡＭＭＯＳ方式の光磁気記録媒体などのような、再生に際して再生層における磁壁移動ないし磁区拡大を伴う光磁気記録媒体では、記録層と再生層の交換結合状態の切換り即ち結合状態および分断状態の間の切換りが急峻であるほど、再生信号においてジッタが低減する即ちジッタ特性が向上する傾向にあることが知られている。ジッタが小さいほど、より短い記録マークについて良好な記録再生特性を実現することができる。短マークの記録再生特性の向上は、光磁気記録媒体において高記録密度化を図るうえで好適である。
【００１２】
従来の技術においては、記録層と再生層の交換結合状態の切換りを急峻にすべく、例えば、記録層と中間層の間に極めて薄い非磁性材料層を設けることによって、記録層と中間層の間および再生層と中間層の間の磁気的な結合力を低下させる手法が取られる場合がある。
【００１３】
しかしながら、このような手法によると、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対し、特に再生層のマーク保磁力ないし再生層へのマーク転写力が、相対的に過度に脆弱となってしまう傾向にある。そのため、このような従来の手法は実用的でない場合が多い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、このような状況の下で考え出されたものであって、再生信号のジッタ特性を適切に向上することのできる光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の側面によると光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、相対的に保磁力の小さな低保磁力部および相対的に保磁力の大きな高保磁力部よりなる積層構造を有して記録機能を担うための記録層と、再生機能を担うための再生層と、記録層の低保磁力部および再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層と、からなる積層構造を備える。
【００１６】
このような構成の光磁気記録媒体においては、再生信号のジッタ特性を適切に向上することができる。本発明の第１の側面における記録層は、高保磁力部および低保磁力部よりなる積層構造を有し、低保磁力部の側で中間層と面接触する。高保磁力部および低保磁力部は、記録層として協働して機能するための磁気特性を示す磁性材料を含んで構成されている。一般的に、磁性膜の保磁力が大きいほど磁性膜間に作用する交換結合力は大きく、本発明の第１の側面においては、低保磁力部は高保磁力部よりも小さな保磁力を有する。したがって、低保磁力部と中間層の間に作用する交換結合力は、仮に高保磁力部と中間層が直接に面接触している場合に高保磁力部と中間層の間に作用する交換結合力よりも、小さい。
【００１７】
また、一般的に、磁性膜の保磁力は温度依存性を示すので、磁性膜間の交換結合力も温度依存性を示し、例えばＤＷＤＤ方式やＭＡＭＭＯＳ方式の光磁気記録媒体においては、低温側から中間層のキュリー温度にかけて媒体温度が高温になるほど当該中間層とともに記録層の保磁力が低下することによって記録層と中間層の間に作用する交換結合力が低下するように構成される。本発明の第１の側面においては、記録層における中間層との界面に低保磁力部が存在することに起因して、仮に高保磁力部と中間層が直接に面接触している場合よりも、記録層と中間層との間に働く交換結合力は、中間層のキュリー温度近傍にて急峻に低下する。記録層の低保磁力部の存在に起因する、記録層と中間層の間の交換結合力の低下の度合いは、当該記録層と中間層の保磁力が小さくなるほど、従って、媒体温度が中間層のキュリー温度に近いほど、相対的に大きくなり、その結果、記録層と中間層の間に働く交換結合力は、中間層のキュリー温度近傍にて急峻に低下するのである。記録層と中間層の間に働く交換結合力が急峻に低下するほど、記録層の磁区と再生層の磁区との結合が遮断されて開始する再生層の磁壁移動については、開始位置の揺らぎが抑制される。その結果、光磁気記録媒体の再生信号のジッタは低減する。
【００１８】
加えて、本発明の第１の側面においては、記録層における中間層との界面の保磁力を部分的に低下せしめることによって、中間層のキュリー温度近傍における記録層と中間層の間の交換結合力の低下を適切に急峻にすることができるので、中間層の保磁力を適切に維持することができる。したがって、中間層と再生層の間において良好な交換結合力を達成し、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対し、再生層のマーク保磁力ないし再生層へのマーク転写力を適切に確保することが可能となる。
【００１９】
以上のように、本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体においては、中間層のキュリー温度の直前までは、記録層と再生層との間において外乱に耐え得る充分な結合を維持しつつ、中間層のキュリー温度では当該結合を急峻に切断することができ、その結果、再生信号のジッタ特性を適切に向上することができるのである。したがって、第１の側面の光磁気記録媒体によると、短い記録マークについて良好な記録再生特性を実現することができる。このような光磁気記録媒体は、高記録密度化を図るうえで好適である。
【００２０】
本発明の１の側面において、好ましくは、低保磁力部の厚さは、高保磁力部の厚さの１／３０〜１／３である。このような範囲において、ジッタ特性の向上は顕著である傾向にある。
【００２１】
本発明の第２の側面によると他の光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、記録機能を担うための記録層と、再生機能を担うための再生層と、記録層および再生層の間に介在し、相対的に小さな保磁力を有して記録層に接する低保磁力部および相対的に大きな保磁力を有する高保磁力部よりなる積層構造を有して記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層と、からなる積層構造を備える。
【００２２】
このような構成の光磁気記録媒体においては、第１の側面に係る光磁気記録媒体と同様に、再生信号のジッタ特性を適切に向上することができる。本発明の第２の側面における中間層は、高保磁力部および低保磁力部の積層構造を有し、低保磁力部の側で記録層と面接触する。高保磁力部および低保磁力部は、中間層として協働して機能するための磁気特性を示す磁性材料を含んで構成されている。低保磁力部は高保磁力部よりも小さな保磁力を有するので、低保磁力部と記録層の間に作用する交換結合力は、仮に高保磁力部と記録層が直接に面接触している場合に高保磁力部と記録層の間に作用する交換結合力よりも、小さい。
【００２３】
また、本発明の第２の側面においては、中間層における記録層との界面に低保磁力部が存在することに起因して、仮に高保磁力部と記録層が直接に面接触している場合よりも、中間層と記録層との間に働く交換結合力は、中間層のキュリー温度近傍にて急峻に低下する。中間層の低保磁力部の存在に起因する、中間層と記録層の間の交換結合力の低下の度合いは、当該中間層と記録層の保磁力が小さくなるほど、従って、媒体温度が中間層のキュリー温度に近いほど、相対的に大きくなり、その結果、中間層と記録層の間に働く交換結合力は、中間層のキュリー温度近傍にて急峻に低下するのである。中間層と記録層の間に働く交換結合力が急峻に低下するほど、記録層の磁区と再生層の磁区との結合が遮断されて開始する再生層の磁壁移動においては、開始位置の揺らぎが抑制される。その結果、光磁気記録媒体の再生信号のジッタは低減する。
【００２４】
加えて、本発明の第２の側面においては、中間層における記録層との界面の保磁力を低下せしめることによって、中間層のキュリー温度近傍における中間層と記録層の間の交換結合力の低下を適切に急峻にすることができるので、中間層における再生層との界面においては高い保磁力を適切に維持することができる。したがって、中間層と再生層の間において良好な交換結合力を達成し、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対し、再生層のマーク保磁力ないし再生層へのマーク転写力を適切に確保することが可能となる。
【００２５】
以上のように、本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体においては、第１の側面に係る光磁気記録媒体と同様に、再生信号のジッタ特性を適切に向上することができ、従って、短い記録マークについて良好な記録再生特性を実現することができるのである。このような光磁気記録媒体は、高記録密度化を図るうえで好適である。
【００２６】
本発明の第１および第２の側面において、好ましくは、低保磁力部は、高保磁力部を構成するための材料に窒素または酸素が添加された組成を有する材料よりなる。このような構成によると、磁性を発現するための材料としては高保磁力部と低保磁力部にて同一の磁性材料を用いることができ、記録層を適切に構成することができる。また、本構成によると、高保磁力部に対する低保磁力部の保磁力の低下の程度を適切に調節することができる。
【００２７】
好ましくは、再生層は、中間層のキュリー温度に対して−７０〜＋７０℃の範囲に補償温度を有する。このように、中間層のキュリー温度の近傍に再生層が補償温度を有する場合、中間層のキュリー温度の近傍にて再生層は高い保磁力を有することとなる。したがって、本構成は、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対して、再生層のマーク保磁力ないし再生層へのマーク転写力を適切に確保するうえで好適である。
【００２８】
好ましくは、記録層、中間層、および再生層は、ＭＡＭＭＯＳ方式またはＤＷＤＤ方式を実現するための多層構造をなす。本発明は、ＭＡＭＭＯＳ方式またはＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体として実施する場合に特に実益が高い。
【００２９】
好ましくは、記録層に接する放熱部を更に備え、当該放熱部は、熱伝導率σ１を有する第１熱良伝導層と、熱伝導率σ２を有して記録層に接する第２熱良伝導層と、熱伝導率σ３を有して第１熱良伝導層および第２熱良伝導層の間に介在する熱分布調整層と、からなる積層構造を有する。熱伝導率σ１は熱伝導率σ２より大きく、且つ、熱伝導率σ３は熱伝導率σ２より小さい。このような構成は、多層磁性部を有する光磁気記録媒体において、磁性部からの放熱を適切に実現するうえで好適である。
【００３０】
好ましくは、再生層および中間層の間に、当該中間層よりもキュリー温度の大きな制御層を更に備える。このような構成によると、例えばＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体として本発明を実施する場合に、記録マーク後端に起因するゴースト信号を防止または充分に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
図１および図２は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ１を表す。光磁気記録媒体Ｘ１は、基板Ｓと、記録層１１と、再生層１２と、中間層１３と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６とを備え、再生方式としてＭＡＭＭＯＳ方式を採用し且つフロントイルミネーション方式である光磁気ディスクとして構成されたものである。図１は、光磁気記録媒体Ｘ１の部分断面を模式的に表すものであり、図２は、光磁気記録媒体Ｘ１において情報トラックとして利用されるランド部および／またはグルーブ部の積層構成を表す。
【００３２】
基板Ｓは、ランドおよびグルーブを含む所定の凹凸形状を有する。そのような基板Ｓは、ガラス基板、シリコン基板、または樹脂基板である。樹脂基板としては、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる基板を採用することができる。
【００３３】
記録層１１は、ランド部および／またはグルーブ部において記録機能を担う部位であり、高保磁力部１１ａおよび低保磁力部１１ｂよりなる積層構造を有する。高保磁力部１１ａは、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり且つ垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。他の磁性膜についても同様である。高保磁力部１１ａを構成するアモルファス合金に含まれる希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，またはＰｒなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。より具体的には、高保磁力部１１ａは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。
【００３４】
低保磁力部１１ｂは、高保磁力部１１ａを構成するアモルファス合金と所定の添加元素とからなる。したがって、低保磁力部１１ｂも、高保磁力部１１ａと同様に垂直磁化膜である。添加元素としては、例えば、ＮやＯを採用することができる。より具体的には、低保磁力部１１ｂは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣоＮやＴｂＦｅＣоＯを採用することができる。また、記録層１１の厚さは、例えば１５〜９０ｎｍである。
【００３５】
再生層１２は、ランド部および／またはグルーブ部において再生機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり且つ垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。また、再生層１２は、記録層１１よりも小さな磁壁抗磁力を有する。再生層１２は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。再生層１２の厚さは、例えば１０〜５０ｎｍである。
【００３６】
中間層１３は、記録層１１および再生層１２の間に作用する交換結合を選択的に中継および遮断する機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり且つ垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。また、中間層１３は、記録層１１および再生層１２よりも低いキュリー温度を有する。中間層１３は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。中間層１３の厚さは、例えば３〜３０ｎｍである。
【００３７】
以上のような記録層１１、再生層１２、および中間層１３の積層構成において、本実施形態では、所定の温度条件にて記録層１１から中間層１３を介して再生層１２へ転写されたマークが、より高温の条件にて、再生層１２の飽和磁化によって拡大するように構成されている。
【００３８】
放熱部１４は、レーザ照射時などに、記録層１１、再生層１２、および中間層１３にて発生する熱を適切に基板Ｓに伝導するための部位であり、本実施形態では、図３または図４に示す積層構成を有する。
【００３９】
図３に示す放熱部１４は、熱良伝導層１４ａと、熱分布調整層１４ｂとからなる積層構造を有する。熱良伝導層１４ａは、高熱伝導材料よりなる。当該高熱伝導材料としては、例えばＡｇＰｄＣｕＳｉ合金やＡｇＰｄＣｕ合金を採用することができる。熱分布調整層１４ｂは、熱良伝導層１４ａよりも熱伝導率が低く、例えばＳｉＮよりなる。ＳｉＮよりなる熱分布調整層１４ｂは、基板Ｓと記録層１１との間の誘電体層としても機能する。熱良伝導層１４ａの厚さは、例えば５〜８０ｎｍであり、熱分布調整層１４ｂの厚さは、例えば５〜８０ｎｍである。
【００４０】
図４に示す放熱部１４は、熱良伝導層１４ｃと、熱分布調整層１４ｄと、熱良伝導層１４ｅとからなる積層構造を有する。熱良伝導層１４ｃ，１４ｅは、高熱伝導材料よりなる。当該高熱伝導材料としては、例えばＡｇＰｄＣｕ合金やＡｇＰｄＣｕＳｉ合金を採用することができる。熱分布調整層１４ｄは、熱良伝導層１４ｃよりも熱伝導率が低く、例えばＳｉＮよりなる。ＳｉＮよりなる熱分布調整層１４ｄは、基板Ｓと記録層１１との間の誘電体層としても機能する。熱良伝導層１４ｃの熱伝導率をσ１とし、熱良伝導層１４ｅの熱伝導率をσ２とし、熱分布調整層１４ｄの熱伝導率をσ３とする場合、σ１＞σ２＞σ３の関係が成立するのが好ましい。熱良伝導層１４ｃの厚さは、例えば５〜８０ｎｍであり、熱分布調整層１４ｄの厚さは、例えば５〜４０ｎｍであり、熱良伝導層１４ｅの厚さは、例えば５〜８０ｎｍである。
【００４１】
光磁気記録媒体Ｘ１への記録においては、当該媒体に対して保護膜１６の側から、記録用レーザがパルス照射され、当該媒体は瞬間的に加熱される。記録用レーザは、中間層１３よりも高いキュリー温度を有する記録層１１をそのキュリー温度より高温に加熱すべく、中間層１３のキュリー温度より高温であり且つ記録層１１および再生層１２のキュリー温度より低温に中間層１３を加熱するための再生用レーザよりも、高パワー（高エネルギー）で照射される。放熱部１４が図４に示す構成を有する場合、相対的に高パワーの記録用レーザのパルス照射により瞬間的に生ずる熱は、記録層１１から熱良伝導層１４ｅに移動した後、当該熱良伝導層１４ｅに滞留する傾向にある。基板Ｓの方向への当該熱の移動は、熱分布調整層１４ｄにより抑制されるためである。記録用レーザのパルス照射により瞬間的に生じる熱が熱良伝導層１４ｅに滞留する傾向にあるため、効率よく記録層１１を高温とすることができる。したがって、光磁気記録媒体Ｘ１に対する記録用レーザについては、パワーを低減することが可能となる。
【００４２】
一方、光磁気記録媒体Ｘ１の再生においては、当該媒体に対して保護膜１６の側から、記録用レーザよりも低パワー（低エネルギー）の再生用レーザが連続照射され、当該媒体は連続的に加熱される。連続的に加熱されるため、当該媒体は過度に高温になりやすい。放熱部１４が図４に示す構成を有する場合、相対的に低パワーの再生用レーザの連続照射により連続的に生ずる熱は、記録層１１に直接に接する熱良伝導層１４ｅへと移動した後、更に、熱良伝導層１４ｅから熱分布調整層１４ｄ、および熱良伝導層１４ｃを介して基板Ｓへと伝わりやすい。熱分布調整層１４ｄは、このような熱伝導を阻害しない程度の低熱伝導率を有する。再生用レーザの連続照射により連続的に生ずる熱は、このように、放熱部１４を介して基板Ｓへと効率よく伝わり、その結果、例えば再生層１２が過度に高温となることを適切に防止することができる。したがって、光磁気記録媒体Ｘ１に対する再生用レーザについては、パワーを高めることが可能となる。再生用レーザとして短波長の青色レーザ（波長：例えば４００〜４１０ｎｍ）を採用する場合、再生信号のＣＮＲを向上するうえで照射パワーを高めることは、好適であることが知られている。
【００４３】
誘電体層１５は、記録層１１、再生層１２、および中間層１３を保護するための部位であり、加えて、媒体の光磁気特性を向上させるための部位でもある。このような誘電体層１５は、例えば、ＳｉＮ，ＳｉＯ2，ＹＳｉＯ2，ＺｎＳｉＯ2，ＡｌＯ，またはＡｌＮよりなる。誘電体層１５の厚さは、例えば１０〜９０ｎｍである。
【００４４】
保護膜１６は、記録層１１、再生層１２、および中間層１３を外界から物理的に保護するためのものであり、記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する透明材料よりなる。そのような透明材料としては、例えばＵＶ硬化性の透明樹脂を採用することができる。保護膜１６の厚さは、例えば１０〜１００μｍである。
【００４５】
図５ａ〜図５ｃは、光磁気記録媒体Ｘ１の製造方法を表す。光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、まず、図５ａに示すように、所定のランド・グルーブ形状を有する基板Ｓに対し、放熱部１４を形成する。放熱部１４は、図３または図４に示す積層構成の各層に対応する所定の材料からなる単一の又は複数のターゲットを用いたスパッタリング法により、形成することができる。
【００４６】
次に、図５ｂに示すように、放熱部１４の上に記録層１１を形成する。具体的には、まず、高保磁力部１１ａに対応する所定の材料からなる単一の又は複数のターゲットを用いたスパッタリング法により、所定の材料を堆積成長させる。スパッタリングの途中、成長する材料膜の厚さが所定の厚さに至った時点で、低保磁力部１１ｂを構成するための上述の添加元素を、スパッタリングガスとしてスパッタリング装置のチャンバ内に導入して成膜を継続する。このような手法によると、添加元素の導入以前までの材料堆積成長により、高保磁力部１１ａが形成され、導入以後の材料堆積成長により、添加元素が取り込まれた低保磁力部１１ｂが形成される。このようにして、放熱部１４の上に記録層１１を積層形成することができる。
【００４７】
光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、次に、図５ｃに示すように、記録層１１の上に中間層１３、再生層１２、誘電体層１５、および保護膜１６を順次積層形成する。中間層１３、再生層１２、および誘電体層１５は、各々に対応する所定の材料からなる単一の又は複数のターゲットを用いたスパッタリング法により、形成することができる。保護膜１６は、スピンコーティング法により誘電体層１５の上にＵＶ硬化性透明樹脂を塗布した後、当該樹脂膜を紫外線照射することによって形成することができる。以上のようにして、光磁気記録媒体Ｘ１を製造することができる。
【００４８】
光磁気記録媒体Ｘ１における記録層１１は、高保磁力部１１ａおよび低保磁力部１１ｂよりなる積層構造を有し、低保磁力部１１ｂの側で中間層１３と面接触する。高保磁力部１１ａおよび低保磁力部１１ｂは、記録層１１として協働して機能するための磁気特性を示す磁性材料を含んで構成されており、低保磁力部１１ｂと中間層１３の間に作用する交換結合力は、仮に高保磁力部１１ａと中間層１３が直接に面接触している場合に高保磁力部１１ａと中間層１３の間に作用する交換結合力よりも、小さい。
【００４９】
また、光磁気記録媒体Ｘ１においては、記録層１１における中間層１３との界面に低保磁力部１１ｂが存在することに起因して、仮に高保磁力部１１ａと中間層１３が直接に面接触している場合よりも、記録層１１と中間層１３との間に働く交換結合力は、キュリー温度近傍にて急峻に低下する。記録層１１の低保磁力部１１ｂの存在に起因する、記録層１１と中間層１３の間の交換結合力の低下の度合いは、当該記録層１１と中間層１３の保磁力が小さくなるほど、従って、中間層１３のキュリー温度に近いほど、相対的に大きくなり、その結果、記録層１１と中間層１３の間に働く交換結合力は、キュリー温度近傍にて急峻に低下するのである。記録層１１と中間層１３の間に働く交換結合力が急峻に低下するほど、記録層１１の磁区と再生層１２の磁区との結合が遮断されて開始する再生層１２の磁壁移動においては、開始位置の揺らぎが抑制される。その結果、光磁気記録媒体Ｘ１の再生信号のジッタ特性は向上する。
【００５０】
加えて、光磁気記録媒体Ｘ１においては、記録層１１における中間層１３との界面の保磁力を低下せしめることによって、中間層１３のキュリー温度近傍における記録層１１と中間層１３の間の交換結合力の低下を適切に急峻にすることができるので、中間層１３の保磁力を適切に維持することができる。したがって、中間層１３と再生層１２の間において良好な交換結合力を達成し、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対し、再生層１２のマーク保磁力ないし再生層１２へのマーク転写力を適切に確保することが可能となる。
【００５１】
図６および図７は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ２を表す。光磁気記録媒体Ｘ２は、基板Ｓと、記録層２１と、再生層１２と、中間層２３と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６とを備え、再生方式としてＭＡＭＭＯＳ方式を採用し且つフロントイルミネーション方式である光磁気ディスクとして構成されたものである。図６は、光磁気記録媒体Ｘ２の部分断面を模式的に表すものであり、図７は、光磁気記録媒体Ｘ２において情報トラックとして利用されるランド部および／またはグルーブ部の積層構成を表す。
【００５２】
光磁気記録媒体Ｘ２は、記録層１１とは異なる記録層２１、および、中間層１３とは異なる中間層２３を有する点において光磁気記録媒体Ｘ１と相違する。光磁気記録媒体Ｘ２における基板Ｓ、再生層１２、放熱部１４、誘電体層１５、および保護膜１６の構造および構成材料については、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同様である。
【００５３】
記録層２１は、ランド部および／またはグルーブ部において記録機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。また、記録層２１は、再生層１２よりも大きな磁壁抗磁力を有する。記録層２１は、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。記録層２１の厚さは、例えば１５〜１００ｎｍである。
【００５４】
中間層２３は、記録層２１および再生層１２の間に作用する交換結合を選択的に中継および遮断する機能を担う部位であり、高保磁力部２３ａおよび低保磁力部２３ｂよりなる積層構造を有する。
【００５５】
高保磁力部２３ａは、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。具体的には、高保磁力部２３ａは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅ，ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。高保磁力部２３ａの厚さは、例えば１０〜１００ｎｍである。
【００５６】
低保磁力部２３ｂは、高保磁力部２３ａを構成するアモルファス合金と所定の添加元素とからなる。したがって、低保磁力部２３ｂも、高保磁力部２３ａと同様に垂直磁化膜である。添加元素としては、例えば、ＮやＯを採用することができる。より具体的には、低保磁力部２３ｂは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＮ，ＴｂＦｅＯ，ＧｄＦｅＮ，またはＧｄＦｅＯを採用することができる。低保磁力部２３ｂの厚さは、例えば０．５〜３０ｎｍである。
【００５７】
このような高保磁力部２３ａおよび低保磁力部２３ｂよりなる中間層２３は、本実施形態では、記録層２１および再生層１２よりも小さなキュリー温度を有する。また、中間層２３の厚さは、例えば３〜３０ｎｍである。
【００５８】
図８ａ〜図８ｃは、光磁気記録媒体Ｘ２の製造方法を表す。光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、まず、図８ａに示すように、所定のランド・グルーブ形状を有する基板Ｓに対し、放熱部１４および記録層２１を順次形成する。放熱部１４を構成する層および記録層２１は、各層に対応する所定の材料からなる単一の又は複数のターゲットを用いたスパッタリング法により、形成することができる。
【００５９】
次に、図８ｂに示すように、記録層２１の上に中間層２３を形成する。具体的には、まず、低保磁力部２３ｂに対応する所定の材料からなる単一の又は複数のターゲットを用いたスパッタリング法により、上述の添加元素をスパッタリングガスとしてスパッタリング装置のチャンバ内に導入しつつ、所定の材料を堆積成長させる。スパッタリングの途中、成長する材料膜の厚さが所定の厚さに至った時点で、添加元素ガスの導入を停止して成膜を継続する。このような手法によると、添加元素導入の停止以前までの材料堆積成長により、低保磁力部２３ｂが形成され、停止以後の材料堆積成長により、添加元素が取り込まれていない高保磁力部２３ａが形成される。このようにして、記録層２１の上に中間層２３を積層形成することができる。
【００６０】
光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、次に、図８ｃに示すように、中間層２３の上に、再生層１２、誘電体層１５、および保護膜１６を順次形成する。再生層１２、誘電体層１５、および保護膜１６の形成手法については、光磁気記録媒体Ｘ１の製造方法において上述したのと同様である。
【００６１】
光磁気記録媒体Ｘ２における中間層２３は、高保磁力部２３ａおよび低保磁力部２３ｂの積層構造を有し、低保磁力部２３ｂの側で記録層２１と面接触する。高保磁力部２３ａおよび低保磁力部２３ｂは、中間層２３として協働して機能するための磁気特性を示す磁性材料を含んで構成されている。低保磁力部２３ｂは高保磁力部２３ａよりも小さな保磁力を有するので、低保磁力部２３ｂと記録層２１の間に作用する交換結合力は、仮に高保磁力部２３ａと記録層２１が直接に面接触している場合に高保磁力部２３ａと記録層２１の間に作用する交換結合力よりも、小さい。
【００６２】
光磁気記録媒体Ｘ２においては、中間層２３の低保磁力部２３ｂの存在に起因する、中間層２３と記録層２１の間の交換結合力の低下の度合いは、当該中間層２３と記録層２１の保磁力が小さくなるほど、従って、中間層２３のキュリー温度に近いほど、相対的に大きくなり、その結果、中間層２３と記録層２１の間に働く交換結合力は、中間層２３のキュリー温度近傍にて急峻に低下するのである。中間層２３と記録層２１の間に働く交換結合力が急峻に低下するほど、記録層２１の磁区と再生層１２の磁区との結合が遮断されて開始する再生層１２の磁壁移動においては、開始位置の揺らぎが抑制される。その結果、光磁気記録媒体の再生信号のジッタ特性は向上する。
【００６３】
加えて、光磁気記録媒体Ｘ２においては、中間層２３における記録層２１との界面の保磁力を低下せしめることによって、中間層２３のキュリー温度近傍における中間層２３と記録層２１の間の交換結合力の低下を適切に急峻にすることができるので、中間層２３における再生層１２との界面においては高い保磁力を適切に維持することができる。したがって、中間層２３と再生層２１の間において良好な交換結合力を達成し、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対し、再生層１２のマーク保磁力を適切に確保することが可能となる。
【００６４】
図９および図１０は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ３を表す。光磁気記録媒体Ｘ３は、基板Ｓと、記録層３１と、再生層３２と、中間層３３と、制御層３４と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６とを備え、再生方式としてＤＷＤＤ方式を採用し且つフロントイルミネーション方式である光磁気ディスクとして構成されたものである。図９は、光磁気記録媒体Ｘ３の部分断面を模式的に表すものであり、図１０は、光磁気記録媒体Ｘ３において情報トラックとして利用されるランド部および／またはグルーブ部の積層構成を表す。
【００６５】
光磁気記録媒体Ｘ３は、記録層１１、中間層１３、および再生層１２よりなる積層構造とは異なる記録層３１、中間層３３、制御層３４、および再生層３２よりなる積層構造を有する点において、光磁気記録媒体Ｘ１と相違する。光磁気記録媒体Ｘ３における基板Ｓ、放熱部１４、誘電体層１５、および保護膜１６の構造および構成材料については、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同様である。
【００６６】
記録層３１は、ランド部および／またはグルーブ部において記録機能を担う部位であり、高保磁力部３１ａおよび低保磁力部３１ｂよりなる積層構造を有する。高保磁力部３１ａは、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。高保磁力部３１ａを構成するアモルファス合金に含まれる希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，またはＰｒなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。より具体的には、高保磁力部３１ａは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。
【００６７】
低保磁力部３１ｂは、高保磁力部３１ａを構成するアモルファス合金と所定の添加元素とからなる。したがって、低保磁力部３１ｂも、高保磁力部３１ａと同様に垂直磁化膜である。添加元素としては、例えば、ＮやＯを採用することができる。より具体的には、低保磁力部３１ｂは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо−ＳｉやＴｂＦｅＣо−Ｏを採用することができる。
【００６８】
このような高保磁力部３１ａおよび低保磁力部３１ｂよりなる記録層３１は、本実施形態では、再生層３２よりも大きな磁壁抗磁力を有する。また、記録層３１の厚さは、例えば１５〜１００ｎｍである。
【００６９】
再生層３２は、ランド部および／またはグルーブ部において再生機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。また、再生層３２は、記録層３１よりも小さな磁壁抗磁力を有する。再生層３２は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。再生層３２の厚さは、例えば１０〜５０ｎｍである。
【００７０】
中間層３３は、記録層３１および再生層３２の間に作用する交換結合を選択的に中継および遮断する機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。また、中間層３３は、記録層３１および再生層３２よりも低いキュリー温度を有する。中間層３３は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。中間層３３の厚さは、例えば３〜９０ｎｍである。
【００７１】
制御層３４は、ＤＷＤＤ方式再生において発生し得ることが知られているゴースト信号を防止ないし抑制するためのものであり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。また、制御層３４は、中間層３３よりも低いキュリー温度を有する。制御層３４は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。制御層３４の厚さは、例えば１〜１５ｎｍである。
【００７２】
光磁気記録媒体Ｘ３の製造においては、まず、所定のランド・グルーブ形状を有する基板Ｓに対し、放熱部１４、記録層３１、および中間層３３を順次形成する。放熱部１４、記録層３１、および中間層３３の形成手法については、光磁気記録媒体Ｘ１の放熱部１４、記録層１１、および中間層１３の形成手法と同様である。
【００７３】
次に、中間層３３の上に制御層３４を形成する。具体的には、制御層３４に対応する所定の材料からなる単一の又は複数のターゲットを用いたスパッタリング法により、所定の材料を堆積成長させる。
【００７４】
次に、制御層３４の上に再生層３２、誘電体層１５、および保護膜１６を順次積層形成する。再生層３２、誘電体層１５、および保護膜１６の形成手法については、光磁気記録媒体Ｘ１の再生層１２、誘電体層１５、および保護膜１６の形成手法と同様である。
【００７５】
光磁気記録媒体Ｘ３における記録層３１は、高保磁力部３１ａおよび低保磁力部３１ｂの積層構造を有し、低保磁力部３１ｂの側で中間層３３と面接触する。そのため、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同様の理由に基づき、低保磁力部３１ｂと中間層１３の間に作用する交換結合力は小さく、記録層３１と中間層３３の間に働く交換結合力は、中間層３３のキュリー温度近傍にて急峻に低下する。したがって、光磁気記録媒体Ｘ３においては、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同様の理由に基づき、再生層３２の磁壁が移動を開始する位置の揺らぎが抑制されて、再生信号について良好なジッタ特性が得られる。
【００７６】
加えて、光磁気記録媒体Ｘ３においては、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同様の理由に基づき、中間層３３にて保磁力を適切に維持することができる。したがって、光磁気記録媒体Ｘ３においては、中間層３３と再生層３２の間において良好な交換結合力を達成し、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対し、再生層３２のマーク保磁力ないし再生層３２へのマーク転写力を適切に確保することが可能となる。
【００７７】
図１１および図１２は、本発明の第４の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ４を表す。光磁気記録媒体Ｘ４は、基板Ｓと、記録層４１と、再生層３２と、中間層４３と、制御層３４と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６とを備え、再生方式としてＤＷＤＤ方式を採用し且つフロントイルミネーション方式である光磁気ディスクとして構成されたものである。図１１は、光磁気記録媒体Ｘ４の部分断面を模式的に表すものであり、図１２は、光磁気記録媒体Ｘ４において情報トラックとして利用されるランド部および／またはグルーブ部の積層構成を表す。
【００７８】
光磁気記録媒体Ｘ４は、記録層３１とは異なる記録層４１、および、中間層３３とは異なる中間層４３を有する点において光磁気記録媒体Ｘ３と相違する。光磁気記録媒体Ｘ４における再生層３２および制御層３４の構造および構成材料については、光磁気記録媒体Ｘ３に関して上述したのと同様である。光磁気記録媒体Ｘ４における基板Ｓ、放熱部１４、誘電体層１５、および保護膜１６の構造および構成材料については、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同様である。
【００７９】
記録層４１は、ランド部および／またはグルーブ部において記録機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。また、記録層４１は、再生層３２よりも大きな磁壁抗磁力を有する。記録層４１は、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。記録層４１の厚さは、例えば１５〜１００ｎｍである。
【００８０】
中間層４３は、記録層４１および再生層３２の間に作用する交換結合を選択的に中継および遮断する機能を担う部位であり、高保磁力部４３ａおよび低保磁力部４３ｂよりなる積層構造を有する。
【００８１】
高保磁力部４３ａは、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。高保磁力部４３ａは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅ，ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。高保磁力部４３ａの厚さは、例えば３〜６０ｎｍである。
【００８２】
低保磁力部４３ｂは、高保磁力部４３ａを構成するアモルファス合金と所定の添加元素とからなる。したがって、低保磁力部４３ｂも、高保磁力部４３ａと同様に垂直磁化膜である。添加元素としては、例えば、ＮやＯを採用することができる。より具体的には、低保磁力部４３ｂは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅ−Ｎ，ＴｂＦｅ−Ｏ，ＧｄＦｅ−Ｎ，またはＧｄＦｅ−Ｏを採用することができる。低保磁力部４３ｂの厚さは、例えば０．５〜３０ｎｍである。
【００８３】
このような高保磁力部４３ａおよび低保磁力部４３ｂよりなる中間層４３は、記録層４１および再生層３２よりも小さなキュリー温度を有する。また、中間層４３の厚さは、例えば３〜９０ｎｍである。
【００８４】
光磁気記録媒体Ｘ４の製造においては、まず、所定のランド・グルーブ形状を有する基板Ｓに対し、放熱部１４、記録層４１、および中間層４３を順次形成する。放熱部１４の形成手法については、光磁気記録媒体Ｘ１の放熱部１４の形成手法と同様である。記録層４１および中間層４３の形成手法については、光磁気記録媒体Ｘ２の記録層２１および中間層２３の形成手法と同様である。
【００８５】
次に、中間層４３の上に、光磁気記録媒体Ｘ３と同様にして、制御層３４、再生層３２、誘電体層１５、および保護膜１６を順次積層形成する。
【００８６】
光磁気記録媒体Ｘ４における中間層４３は、高保磁力部４３ａおよび低保磁力部４３ｂの積層構造を有し、低保磁力部４３ｂの側で記録層４１と面接触する。そのため、光磁気記録媒体Ｘ２に関して上述したのと同様の理由に基づき、低保磁力部４３ｂと記録層４１の間に作用する交換結合力は小さく、中間層４３と記録層４１の間に働く交換結合力は、中間層４３のキュリー温度近傍にて急峻に低下する。したがって、光磁気記録媒体Ｘ４においては、光磁気記録媒体Ｘ２に関して上述したのと同様の理由に基づき、再生層３２の磁壁が移動を開始する位置の揺らぎが抑制されて、再生信号について良好なジッタ特性が得られる。
【００８７】
加えて、光磁気記録媒体Ｘ４においては、光磁気記録媒体Ｘ３に関して上述したのと同様の理由に基づき、中間層４３における再生層３２との界面にて保磁力を適切に維持することができる。したがって、光磁気記録媒体Ｘ４においては、中間層４３と再生層３２の間において良好な交換結合力を達成し、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対し、再生層３２のマーク保磁力ないし再生層３２へのマーク転写力を適切に確保することが可能となる。
【００８８】
〔実施例１〕
図１３に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、および再生層は、各々、ＭＡＭＭＯＳ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【００８９】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を使用して行うＤＣスパッタリング法により、光磁気ディスク用基板（ガラス製、直径：１３０ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、ランド領域幅：０．３μｍ、グルーブ領域幅：０．３μｍ、グルーブ深さ：４７ｎｍ）の上にＡｇＰｄＣｕＳｉ合金を成膜することにより、厚さ５０ｎｍの熱良伝導層を形成した。具体的には、ＡｇＰｄＣｕ合金ターゲットとＳｉターゲットを用いたコスパッタリングを行い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。
【００９０】
次に、ＤＣスパッタリング法により、熱良伝導層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ５ｎｍの熱分布調整層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。このようにして、熱良伝導層および熱分布調整層からなる放熱部を形成した。
【００９１】
次に、放熱部の熱分布調整層上に記録層を形成した。具体的には、まず、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）を成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットをスパッタしつつ、ＴｂＦｅＣｏ膜の厚さが２８ｎｍに至った時点でスパッタリング装置のチャンバ内にスパッタリングガスとしてＡｒガスに加えてＮ2ガスを導入し、熱分布調整層上の材料膜の厚さが３０ｎｍとなるまで成膜した。このときのＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比は２：１とし、スパッタガス圧力は１．５Ｐａとし、放電電力は５００Ｗに維持した。このようにして、高保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16、厚さ２８ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16Ｎ、厚さ２ｎｍ）よりなる記録層を形成した。Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16Ｎは、Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16の組成の磁性材料にＮが分散している材料であることを意味する。後出の他の低保磁力部の組成についても、同様に表記する。
【００９２】
形成された高保磁力部の保磁力（３０℃）は１０ｋＯｅであり、低保磁力部の保磁力は、これよりも小さい。このような記録層のキュリー温度は３５０℃であった。
【００９３】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、次に、ＤＣスパッタリング法により、記録層上にＴｂＦｅアモルファス合金（Ｔｂ20Ｆｅ80）を成膜することによって、厚さ１０ｎｍの中間層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗとした。形成された中間層のキュリー温度は１５０℃であった。
【００９４】
次に、ＤＣスパッタリング法により、中間層上にＧｄＦｅアモルファス合金（Ｇｄ26Ｆｅ74）を成膜することによって、厚さ２０ｎｍの再生層を形成した。本スパッタリングにおいては、ＧｄＦｅ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗとした。形成された再生層のキュリー温度は３４０℃であった。
【００９５】
次に、ＤＣスパッタリング法により、再生層上にＳｉＮを成膜することにより、厚さ３５ｎｍの誘電体層を形成した。具体的条件については、本実施例における上述の熱分布調整層の形成に関して上述したのと同様である。
【００９６】
次に、誘電体層上に厚さ１５μｍの保護膜を形成した。具体的には、まず、スピンコート法により、ＵＶ硬化性の透明樹脂を誘電体層上に１５μｍの厚さに塗布した。次に、３０秒間の紫外線照射により、当該樹脂膜を硬化させた。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【００９７】
〔実施例２〕
図１３に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、記録層の形成以外は実施例１と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、および再生層は、各々、ＭＡＭＭＯＳ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【００９８】
本実施例の記録層の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）の上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）を、厚さ３０ｎｍとなるまで成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。
【００９９】
次に、チャンバ内の放電を停止した後、ＡｒガスおよびＮ2ガスを当該チャンバ内に３分間導入し、当該ＴｂＦｅＣｏ膜（厚さ３０ｎｍ）の露出面から深さ２ｎｍまでの領域を窒化した。このときのＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比は２：１とした。
【０１００】
このようにして、高保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16、厚さ２８ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16Ｎ、厚さ２ｎｍ）よりなる記録層を形成した。
【０１０１】
〔実施例３〕
図１４に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、記録層の形成以外は実施例１と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、および再生層は、各々、ＭＡＭＭＯＳ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１０２】
本実施例の記録層の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）を成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットをスパッタしつつ、ＴｂＦｅＣｏ膜の厚さが２８ｎｍに至った時点でスパッタリング装置のチャンバ内にスパッタリングガスとしてＡｒガスに加えてＯ2ガスを導入し、熱分布調整層上の材料膜の厚さが３０ｎｍとなるまで成膜した。このときのＡｒガスおよびＯ2ガスの流量比は３：１とし、スパッタガス圧力は１．５Ｐａとし、放電電力は５００Ｗに維持した。このようにして、高保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16、厚さ２８ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16Ｏ、厚さ２ｎｍ）よりなる記録層を形成した。
【０１０３】
〔実施例４〕
図１４に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、記録層の形成以外は実施例１と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、および再生層は、各々、ＭＡＭＭＯＳ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１０４】
本実施例の記録層の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）の上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）を、厚さ３０ｎｍとなるまで成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。
【０１０５】
次に、チャンバ内の放電を停止した後、ＡｒガスおよびＯ2ガスを当該チャンバ内に２分間導入し、当該ＴｂＦｅＣｏ膜（厚さ３０ｎｍ）の露出面から深さ２ｎｍまでの領域を酸化した。このときのＡｒガスおよびＯ2ガスの流量比は３：１とした。
【０１０６】
このようにして、高保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16、厚さ２８ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16Ｏ、厚さ２ｎｍ）よりなる記録層を形成した。
【０１０７】
〔実施例５〕
図１５に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、および再生層は、各々、ＭＡＭＭＯＳ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１０８】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、実施例１と同様にして、光磁気ディスク用基板の上に熱良伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ５０ｎｍ）および熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）を順次形成した。
【０１０９】
次に、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）を成膜することによって、厚さ３０ｎｍの記録層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。形成された記録層の保磁力（３０℃）は、１２ｋＯｅであり、キュリー温度は３４０℃であった。
【０１１０】
次に、記録層上に中間層を形成した。具体的には、まず、ＤＣスパッタリング法により、記録層上にＴｂＦｅＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用し、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。ＴｂＦｅ合金ターゲットをスパッタしつつ、ＴｂＦｅＮ膜の厚さが１ｎｍに至った時点でスパッタリング装置のチャンバ内へのＮ2ガスの導入を停止し、記録層上の材料膜の厚さが１０ｎｍとなるまで成膜した。このようにして、低保磁力部（Ｔｂ20Ｆｅ80Ｎ、厚さ１ｎｍ）および高保磁力部（Ｔｂ20Ｆｅ80、厚さ９ｎｍ）よりなる中間層を形成した。
【０１１１】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、次に、実施例１と同様にして、中間層上に、再生層（Ｇｄ26Ｆｅ74、厚さ２０ｎｍ）、誘電体層（ＳｉＮ、厚さ３５ｎｍ）、および保護膜（ポリエチレンテレフタレートを含む透明なＵＶ硬化性樹脂、厚さ１５μｍ）を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１１２】
〔実施例６〕
図１６に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、中間層の形成以外は実施例５と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、および再生層は、各々、ＭＡＭＭＯＳ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１１３】
本実施例の中間層の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、記録層上にＴｂＦｅＯ材料を成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＯ2ガスを使用し、ＡｒガスおよびＯ2ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。ＴｂＦｅ合金ターゲットをスパッタしつつ、当該ＴｂＦｅＯ膜の厚さが１ｎｍに至った時点でスパッタリング装置のチャンバ内へのＯ2ガスの導入を停止し、記録層上の材料膜の厚さが１０ｎｍとなるまで成膜した。このようにして、低保磁力部（Ｔｂ20Ｆｅ80Ｏ、厚さ１ｎｍ）および高保磁力部（Ｔｂ20Ｆｅ80、厚さ９ｎｍ）よりなる中間層を形成した。
【０１１４】
〔実施例７〜１５〕
記録層における高保磁力部の厚さおよび低保磁力部の厚さを、２８ｎｍおよび２ｎｍに代えて、３０ｎｍおよび０．５ｎｍ（実施例７）、３０ｎｍおよび１ｎｍ（実施例８）、３０ｎｍおよび２ｎｍ（実施例９）、３０ｎｍおよび５ｎｍ（実施例１０）、３０ｎｍおよび１５ｎｍ（実施例１１）、６０ｎｍおよび１ｎｍ（実施例１２）、６０ｎｍおよび２ｎｍ（実施例１３）、６０ｎｍおよび２０ｎｍ（実施例１４）、または、６０ｎｍおよび３０ｎｍ（実施例１５）とした以外は実施例１と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、実施例７〜１５の光磁気記録媒体を作製した。
【０１１５】
〔実施例１６〕
図１７に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、放熱部の形成以外は実施例１と同様にして、保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１１６】
本実施例の放熱部の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、ディスク用基板上にＡｇＰｄＣｕアモルファス合金（Ａｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1）を成膜することによって、厚さ１０ｎｍの第１熱良伝導層を形成した。本スパッタリングでは、ＡｇＰｄＣｕ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。
【０１１７】
次に、ＤＣスパッタリング法により、第１熱良伝導層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ５ｎｍの熱分布調整層を形成した。本スパッタリングでは、ＳｉＮターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。
【０１１８】
次に、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＡｇＰｄＣｕＳｉアモルファス合金（Ａｇ97Ｐｄ1Ｃｕ1Ｓｉ1）を成膜することによって、厚さ３０ｎｍの第２熱良伝導層を形成した。本スパッタリングでは、ＡｇＰｄＣｕ合金ターゲットとＳｉターゲットを用いてコスパッタリングを行い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を
８００Ｗとした。
【０１１９】
このようにして、第１熱良伝導層（Ａｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1、厚さ１０ｎｍ）、熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）、および第２熱良伝導層（Ａｇ97Ｐｄ1Ｃｕ1Ｓｉ1、厚さ３０ｎｍ）よりなる放熱部を形成した。この放熱部における第１熱良伝導層の熱伝導率σ１、第２熱良伝導層の熱伝導率σ２、および熱分布調整層の熱伝導率σ３は、下記式（１）の関係を有する。
【０１２０】
【数１】
2008117528.tif 000003
【０１２１】
〔比較例１〕
図１８に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、高保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16、厚さ２８ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16Ｎ、厚さ２ｎｍ）よりなる記録層に代えて、ＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）よりなる厚さ３０ｎｍの記録層を形成した以外は、実施例１と同様にして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１２２】
本実施例の記録層の形成においては、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）の上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）を成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。
【０１２３】
〔比較例２〕
記録層の厚さを、３０ｎｍに代えて６０ｎｍとした以外は、比較例１と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１２４】
〔実施例１７〕
図１９に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、制御層、および再生層は、各々、ＤＷＤＤ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１２５】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を使用して行うＤＣスパッタリング法により、光磁気ディスク用基板（直径：１２０ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、ランド領域幅：０．２８μｍ、グルーブ領域幅：０．２８μｍ、グルーブ深さ：４７ｎｍ）の上に、実施例１と同様にして、熱良伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ５０ｎｍ）および熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）を順次積層形成することによって、放熱部を形成した。
【０１２６】
次に、放熱部の熱分布調整層上に記録層を形成した。具体的には、まず、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16）を成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．０Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットをスパッタしつつ、ＴｂＦｅＣｏ膜の厚さが６０ｎｍに至った時点でスパッタリング装置のチャンバ内にスパッタリングガスとしてＡｒガスに加えてＮ2ガスを導入し、熱分布調整層上の材料膜の厚さが６３ｎｍとなるまで成膜した。このときのＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比は３：１とし、スパッタガス圧力は１．５Ｐａとし、放電電力は５００Ｗに維持した。このようにして、高保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16、厚さ６０ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16Ｎ、厚さ３ｎｍ）よりなる記録層を形成した。
【０１２７】
形成された高保磁力部の保磁力（３０℃）は１２ｋＯｅであり、低保磁力部の保磁力は、これより小さい。このような記録層のキュリー温度は３４０℃であった。
【０１２８】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、次に、ＤＣスパッタリング法により、記録層上にＴｂＦｅアモルファス合金（Ｔｂ20Ｆｅ80）を成膜することによって、厚さ１０ｎｍの中間層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗとした。形成された中間層のキュリー温度は１４０℃であった。
【０１２９】
次に、ＤＣスパッタリング法により、中間層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10）を成膜することによって、厚さ３ｎｍの制御層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、スパッタ電力を８００Ｗとした。形成された制御層のキュリー温度は１６０℃であった。
【０１３０】
次に、ＤＣスパッタリング法により、制御層上にＧｄＦｅアモルファス合金（Ｇｄ26Ｆｅ74）を成膜することによって、厚さ２０ｎｍの再生層を形成した。本スパッタリングにおいては、ＧｄＦｅ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗとした。形成された再生層のキュリー温度は３４０℃であった。
【０１３１】
次に、ＤＣスパッタリング法により、再生層上にＳｉＮを成膜することにより、厚さ３５ｎｍの誘電体層を形成した。具体的条件については、実施例１における上述の熱分布調整層の形成に関して上述したのと同様である。
【０１３２】
次に、誘電体層上に厚さ１５μｍの保護膜を形成した。具体的手法については、実施例１における上述の保護膜の形成に関して上述したのと同様である。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１３３】
〔実施例１８〕
図１９に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、記録層の形成以外は実施例１７と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、制御層、および再生層は、各々、ＤＷＤＤ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１３４】
本実施例の記録層の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、放熱部の熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）の上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16）を、厚さ６３ｎｍとなるまで成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．０Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。
【０１３５】
次に、チャンバ内の放電を停止した後、ＡｒガスおよびＮ2ガスを当該チャンバ内に４分間導入し、当該ＴｂＦｅＣｏ膜（厚さ６３ｎｍ）の露出面から深さ３ｎｍまでの領域を窒化した。このときのＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比は３：１とした。
【０１３６】
このようにして、高保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16、厚さ６０ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16Ｎ、厚さ３ｎｍ）よりなる記録層を形成した。
【０１３７】
〔実施例１９〕
図２０に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、記録層の形成以外は実施例１７と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、制御層、および再生層は、各々、ＤＷＤＤ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１３８】
本実施例の記録層の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、放熱部の熱分布調整層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16）を成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．０Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットをスパッタしつつ、ＴｂＦｅＣｏ膜の厚さが６０ｎｍに至った時点でスパッタリング装置のチャンバ内にスパッタリングガスとしてＡｒガスに加えてＯ2ガスを導入し、熱分布調整層上の材料膜の厚さが６３ｎｍとなるまで成膜した。このときのＡｒガスおよびＯ2ガスの流量比は３：１とし、スパッタガス圧力は１．５Ｐａとし、放電電力は５００Ｗに維持した。このようにして、高保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16、厚さ６０ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16Ｏ、厚さ３ｎｍ）よりなる記録層を形成した。
【０１３９】
〔実施例２０〕
図２０に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、記録層の形成以外は実施例１７と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、制御層、および再生層は、各々、ＤＷＤＤ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１４０】
本実施例の記録層の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、放熱部の熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）の上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16）を、厚さ６３ｎｍとなるまで成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。
【０１４１】
次に、チャンバ内の放電を停止した後、ＡｒガスおよびＯ2ガスを当該チャンバ内に２分間導入し、当該ＴｂＦｅＣｏ膜（厚さ６３ｎｍ）の露出面から深さ３ｎｍまでの領域を酸化した。このときのＡｒガスおよびＯ2ガスの流量比は３：１とした。
【０１４２】
このようにして、高保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16、厚さ６０ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16Ｏ、厚さ３ｎｍ）よりなる記録層を形成した。
【０１４３】
〔実施例２１〕
図２１に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、制御層、および再生層は、各々、ＤＷＤＤ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１４４】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、実施例１と同様にして、光磁気ディスク用基板の上に熱良伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ５０ｎｍ）および熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）を順次形成した。
【０１４５】
次に、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16）を成膜することによって、厚さ６３ｎｍの記録層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．０Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。形成された記録層の保磁力（３０℃）は、１２ｋＯｅであり、キュリー温度は３４０℃であった。
【０１４６】
次に、実施例５と同様にして、低保磁力部（Ｔｂ20Ｆｅ80Ｎ、厚さ１ｎｍ）および高保磁力部（Ｔｂ20Ｆｅ80、厚さ９ｎｍ）よりなる中間層を記録層上に形成した。
【０１４７】
次に、実施例１７と同様にして、中間層上に、制御層（Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10、厚さ３ｎｍ）、再生層（Ｇｄ26Ｆｅ74、厚さ２０ｎｍ）、誘電体層（ＳｉＮ、厚さ３５ｎｍ）、および保護膜（ＵＶ硬化性透明樹脂、厚さ１５μｍ）を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１４８】
〔実施例２２〕
図２２に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、中間層の形成以外は実施例２１と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、制御層、および再生層は、各々、ＤＷＤＤ方式再生を実現するための磁気特性を有する。本実施例の中間層は、実施例６と同様にして形成した。
【０１４９】
〔実施例２３〜２６〕
記録層における高保磁力部の厚さおよび低保磁力部の厚さを、６０ｎｍおよび３ｎｍに代えて、６０ｎｍおよび１ｎｍ（実施例２３）、６０ｎｍおよび２ｎｍ（実施例２４）、６０ｎｍおよび２０ｎｍ（実施例２５）、または、６０ｎｍおよび３０ｎｍ（実施例２６）とした以外は実施例１７と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、実施例２３〜２６の光磁気記録媒体を作製した。
【０１５０】
〔実施例２７〕
図２３に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、放熱部の形成以外は実施例１７と同様にして、保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の放熱部は、実施例１６と同様にして形成した。
【０１５１】
〔比較例３〕
図２４に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、高保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16、厚さ６０ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16Ｎ、厚さ３ｎｍ）よりなる記録層に代えて、ＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ28Ｆｅ61Ｃｏ16）よりなる厚さ６３ｎｍの記録層を形成した以外は、実施例１７と同様にして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１５２】
本実施例の記録層の形成においては、ＤＣスパッタリング法により、放熱部の熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）の上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16）を成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．０Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。
【０１５３】
〔比較例４〕
記録層の厚さを、６３ｎｍに代えて６０ｎｍとした以外は、比較例３と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１５４】
〔評価〕
図２５は、実施例１および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。本ジッタ測定においては、まず、媒体における情報トラックに対して所定のランダムパターンを記録した。当該記録処理は、リード／ライトテスタを使用して磁界変調記録方式により行った。このテスタにおいて、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、記録用レーザ波長は４０５ｎｍであり、レーザ走査速度を３ｍ/ｓとし、印加磁界を１５０Ｏｅとした。次に、当該光磁気記録媒体を再生して、再生信号の出力レベルをスペクトルアナライザを使用して測定した。この再生処理においては、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、記録用レーザ波長は４０５ｎｍであり、レーザ走査速度を３ｍ/ｓとし、印加磁界を０Ｏｅとした。実施例１および比較例１の光磁気記録媒体について、このような記録再生処理を、ランダムパターンにおける最短記録マーク長ごとに行い、処理ごとに再生信号のジッタを測定した。ジッタ測定には、タイムインターバルアナライザ（岩通電機製）を使用した。図２５のグラフでは、横軸にて、ランダムパターンにおける最短記録マーク長を表し、縦軸にてジッタ（％）を表す。また、このグラフでは、実施例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を線Ｅ１で表し、比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を線Ｃ１で表す。
【０１５５】
図２５のグラフによると、実施例１の光磁気記録媒体は、比較例１の光磁気記録媒体よりも小さなジッタを示すことが判る。ジッタ低減の程度は、最短記録マーク長が小さくなるほど顕著となる傾向にある。また、実施例１の光磁気記録媒体では、最短記録マーク長が０．１μｍ以下であっても、実用に供し得るジッタ１２．５％以下を達成している。このようなジッタの低減は、実施例１の光磁気記録媒体では、再生処理において、記録層と中間層ないし再生層と間の交換結合力が急峻に変化しているためと考えられる。加えて、再生信号の波形については、実施例１の光磁気記録媒体では、比較例１の光磁気記録媒体よりも、矩形化していることを確認している。矩形の再生信号は、ジッタの低減をもたらすのに加え、ＭＡＭＭＯＳ方式やＤＷＤＤ方式などの再生において利用される微分検出に適している。
【０１５６】
図２６は、実施例２〜４および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフであり、図２７は、実施例５，６および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。ジッタ測定手法については、実施例１の光磁気記録媒体のジッタ測定手法と同様である。図２６および図２７のグラフでは、横軸にて、ランダムパターンにおける最短記録マーク長を表し、縦軸にてジッタ（％）を表す。また、これらのグラフでは、実施例２〜６の光磁気記録媒体のジッタ特性を線Ｅ２〜Ｅ６で表し、比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を線Ｃ１で表す。
【０１５７】
図２６および図２７のグラフによると、実施例２〜６の光磁気記録媒体の方が、比較例１の光磁気記録媒体よりも、ジッタは小さいことが判る。ジッタ低減の程度は、最短記録マーク長が小さくなるほど顕著となる傾向にある。実施例２〜６の光磁気記録媒体においても、実施例１の光磁気記録媒体と同様に、再生処理において、記録層と中間層ないし再生層と間の交換結合力が急峻に変化していると考えられる。
【０１５８】
図２８は、実施例１および比較例１の光磁気記録媒体における再生層の保磁力測定の結果を表すグラフである。図２８のグラフでは、横軸にて再生層の温度を表し、縦軸にて、当該再生層の正味の保磁力Ｈを表す。また、このグラフでは、実施例１における再生層の保磁力変化を線Ｅ１’で表し、比較例１における再生層の保磁力変化を線Ｃ１’で表す。
【０１５９】
図２８のグラフによると、実施例１の光磁気記録媒体では、中間層のキュリー温度１５０℃付近にて再生層の保磁力Ｈが発散していることが判る。すなわち、この再生層は、中間層のキュリー温度付近にて補償温度を有するのである。再生層および／または中間層の保磁力が大きいほど、当該再生層と中間層の間の交換結合力は大きい。したがって、実施例１の光磁気記録媒体では、中間層のキュリー温度付近にて再生層が補償温度を有するため、再生処理において再生層と中間層との間の交換結合力は、中間層のキュリー温度直前まで、比較例１の光磁気記録媒体よりも大きい。このような構成は、外乱耐性の観点から好ましい。
【０１６０】
図２９は、実施例７〜１１および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ測定の結果を掲げる表であり、図３０は、実施例１２〜１５および比較例２の光磁気記録媒体のジッタ測定の結果を掲げる表である。本ジッタ測定においては、まず、媒体における情報トラックに対し、記録マークと同一の長さのスペースを介してマーク長７５ｎｍの記録マークを繰り返し記録した。当該記録処理は、リード／ライトテスタを使用して磁界変調記録方式により行った。このテスタにおいて、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、記録用レーザ波長は４０５ｎｍであり、レーザ走査速度を６ｍ/ｓとし、印加磁界を１５０Ｏｅとした。次に、当該光磁気記録媒体を再生して、再生信号の出力レベルをスペクトルアナライザを使用して測定した。この再生処理においては、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、記録用レーザ波長は４０５ｎｍであり、レーザ走査速度を６ｍ/ｓとし、印加磁界を０Ｏｅとした。実施例７〜１５および比較例１，２の光磁気記録媒体について、このような記録再生処理を行い、処理ごとに再生信号のジッタを測定した。図２９および図３０の表には、各光磁気記録媒体について、高保磁力部の厚さ、低保磁力部の厚さ、これらの比（高保磁力部の厚さ：低保磁力部の厚さ）、および測定に係るジッタを掲げる。
【０１６１】
図２９の表によると、記録層の高保磁力部の厚さが３０ｎｍである場合、ジッタ低減の観点からは、低保磁力部の厚さは２ｎｍ程度が最適であることが判る。また、図３０の表によると、記録層の高保磁力部の厚さが６０ｎｍである場合、ジッタ低減の観点からは、低保磁力部の厚さは２〜２０ｎｍ程度が最適であることが判る。実用に供するためにはジッタが１２．５％以下であるのが好ましいことを考慮すると、高保磁力部と低保磁力部の厚さ比は、３０：１〜３：１が好ましいことが理解できよう。すなわち、低保磁力部の厚さは、高保磁力部の厚さの１／３０〜１／３であるのが好ましいことが理解できよう。
【０１６２】
図３１は、実施例１および実施例１６について、放熱部の構造の相違に基づく、媒体のジッタ、ＣＮＲ、Ｐｗ、およびＰｒの変化を示す表である。ジッタ測定は、実施例１および実施例１６について、所定の同一条件で測定した。また、記録用レーザのパワーおよび再生用レーザのパワーの複数の組み合わせについて、組み合わせごとに記録再生処理を行い、各記録再生処理についてＣＮＲを測定する。最も高いＣＮＲを得たときの記録レーザパワーＰｗおよび再生レーザパワーＰｒを、図３１の表に掲げる。
【０１６３】
図３１の表によると、実施例１６の光磁気記録媒体では、実施例１の光磁気記録媒体よりも、ジッタが低減され、ＣＮＲが向上し、必要とされる記録レーザパワーＰｗが低減され、且つ、照射可能な再生レーザパワーＰｒが増大していることが判る。
【０１６４】
図３２は、実施例１７および比較例３の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフであり、図３３は、実施例２１，２２および比較例３の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。ジッタ測定手法については、実施例１の光磁気記録媒体の上述のジッタ測定手法と同様である。図３２および図３３のグラフでは、横軸にて、ランダムパターンにおける最短記録マーク長を表し、縦軸にてジッタ（％）を表す。また、これらのグラフでは、実施例１７，２１，２２の光磁気記録媒体のジッタ特性を線Ｅ１７，Ｅ２１，Ｅ２２で表し、比較例３の光磁気記録媒体のジッタ特性を線Ｃ３で表す。
【０１６５】
図３２および図３３のグラフによると、実施例１７，２１，２２の光磁気記録媒体の方が、比較例３の光磁気記録媒体よりも、ジッタは小さいことが判る。ジッタ低減の程度は、最短記録マーク長が小さくなるほど顕著となる傾向にある。実施例１７，２１，２２の光磁気記録媒体においても、実施例１の光磁気記録媒体と同様に、再生処理において、記録層と中間層ないし再生層と間の交換結合力が急峻に変化していると考えられる。
【０１６６】
図３４は、実施例１８〜２０および比較例３の光磁気記録媒体について、最短マーク長の相違に基づくジッタの変化を表す表である。本ジッタ測定においては、まず、媒体における情報トラックに対し、記録マークと同一の長さのスペースを介して所定のマーク長の記録マークを繰り返し記録した。当該記録処理は、リード／ライトテスタを使用して磁界変調記録方式により行った。このテスタにおいて、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、記録用レーザ波長は４０５ｎｍであり、レーザ走査速度を６ｍ/ｓとし、印加磁界を１５０Ｏｅとした。次に、当該光磁気記録媒体を再生して、再生信号の出力レベルをスペクトルアナライザを使用して測定した。この再生処理においては、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、記録用レーザ波長は４０５ｎｍであり、レーザ走査速度を６ｍ/ｓとし、印加磁界を０Ｏｅとした。実施例１８〜２０および比較例３の光磁気記録媒体について、記録マーク長が０．１５μｍの場合と０．０９μｍの場合とで、このような記録再生処理を行い、処理ごとに再生信号のジッタを測定した。
【０１６７】
図３４の表によると、実施例１８〜２０の光磁気記録媒体では、比較例３の光磁気記録媒体よりも、いずれの最短マーク長においてもジッタが低減されていることが判る。
【０１６８】
図３５は、実施例２３〜２６および比較例４の光磁気記録媒体のジッタ測定の結果を掲げる表である。ジッタ測定手法については、実施例７の光磁気記録媒体の上述のジッタ測定手法と同様である。図３５の表には、各光磁気記録媒体について、高保磁力部の厚さ、低保磁力部の厚さ、これらの比、および測定に係るジッタを掲げる。
【０１６９】
図３５の表によると、記録層の高保磁力部の厚さが６０ｎｍである場合には、低保磁力部の厚さは２〜２０ｎｍ程度が最適であることが判る。実用に供するためにはジッタが１２．５％以下であるのが好ましいことを考慮すると、高保磁力部と低保磁力部の厚さ比は、３０：１〜３：１が好ましいことが理解できよう。
【０１７０】
図３６は、実施例１７および実施例２７について、放熱部の構造の相違に基づく、媒体のジッタ、ＣＮＲ、Ｐｗ、およびＰｒの変化を示す表である。これらデータの取得手法は、実施例１,１６に関して図３１の表に掲げたデータの取得手法と同様である。
【０１７１】
図３６の表によると、実施例２７の光磁気記録媒体では、実施例１７の光磁気記録媒体よりも、ジッタが低減され、ＣＮＲが向上し、必要とされる記録レーザパワーＰｗが低減され、且つ、照射可能な再生レーザパワーＰｒが増大していることが判る。
【図面の簡単な説明】
【０１７２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面模式図である。
【図２】図２は、図１に示す光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図３】図３は、放熱部およびその近傍の拡大断面模式図である。
【図４】図４は、図３の放熱部とは異なる積層構成を有する放熱部およびその近傍の拡大断面模式図である。
【図５】図５ａ〜図５ｃは、図１に示す光磁気記録媒体の製造方法を表す。
【図６】図６は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面模式図である。
【図７】図７は、図６に示す光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図８】図８ａ〜図８ｃは、図６に示す光磁気記録媒体の製造方法を表す。
【図９】図９は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面模式図である。
【図１０】図１０は、図９に示す光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１１】図１１は、本発明の第４の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面模式図である。
【図１２】図１２は、図１１に示す光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１３】図１３は、実施例１および実施例２の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１４】図１４は、実施例３および実施例４の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１５】図１５は、実施例５の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１６】図１６は、実施例６の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１７】図１７は、実施例１６の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１８】図１８は、比較例１の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１９】図１９は、実施例１７および実施例１８の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図２０】図２０は、実施例１９および実施例２０の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図２１】図２１は、実施例２１の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図２２】図２２は、実施例２２の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図２３】図２３は、実施例２７の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図２４】図２４は、比較例３の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図２５】図２５は、実施例１および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。
【図２６】図２６は、実施例２〜４および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。
【図２７】図２７は、実施例５，６および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。
【図２８】図２８は、実施例１および比較例１の光磁気記録媒体における再生層の保磁力測定の結果を表すグラフである。
【図２９】図２９は、実施例７〜１１および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ測定の結果を掲げる表である。
【図３０】図３０は、実施例１２〜１５および比較例２の光磁気記録媒体のジッタ測定の結果を掲げる表である。
【図３１】図３１は、実施例１および実施例１６について、放熱部の構造の相違に基づく、媒体のジッタ、ＣＮＲ、Ｐｗ、およびＰｒの変化を示す表である。
【図３２】図３２は、実施例１７および比較例３の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。
【図３３】図３３は、実施例２１，２２および比較例３の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。
【図３４】図３４は、実施例１８〜２０および比較例３の光磁気記録媒体について、最短マーク長の相違に基づくジッタの変化を示す表である。
【図３５】図３５は、実施例２３〜２６および比較例４の光磁気記録媒体のジッタ測定の結果を掲げる表である。
【図３６】図３６は、実施例１７および実施例２７について、放熱部の構造の相違に基づく、媒体のジッタ、ＣＮＲ、Ｐｗ、およびＰｒの変化を示す表である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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