(57)【要約】【課題】周波数調整層の厚みを削減し、高いＱ値を実現し、挿入損失を少なくしつつ、高インピーダンスの圧電共振器と低インピーダンスの圧電共振器とを同一基板に形成した圧電フィルタを実現する。【解決手段】基板に形成されたキャビティと、キャビティを覆うように基板の上に形成される下部電極と、下部電極の上に形成される圧電体層と、圧電体層の上に形成される上部電極とで構成される圧電共振器を、同一基板に複数の備えた圧電フィルタにおいて、複数の圧電共振器の少なくとも１つのキャビティを、複数のセルから構成する。【選択図】図１
2008035493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板に複数の圧電共振器を備えた圧電フィルタであって、
前記複数の圧電共振器は、それぞれ
前記基板に形成されたキャビティと、
前記キャビティを覆うように前記基板の上に形成される下部電極と、
前記下部電極の上に形成される圧電体層と、
前記圧電体層の上に形成される上部電極とで構成され、
前記複数の圧電共振器の少なくとも１つは、複数のセルからなるキャビティを有していることを特徴とする、圧電フィルタ。
【請求項２】
前記複数のセルは、前記基板の表面の開口部の形状及び寸法が全て同一であることを特徴とする、請求項１に記載の圧電フィルタ。
【請求項３】
前記複数のセルのそれぞれは、他の圧電共振器のキャビティと前記基板の表面の開口部の形状及び寸法が全て同一であることを特徴とする、請求項２に記載の圧電フィルタ。
【請求項４】
前記複数のセルからなるキャビティを有する圧電共振器は、他の圧電共振器よりも低インピーダンスであることを特徴とする、請求項１に記載の圧電フィルタ。
【請求項５】
それぞれの前記キャビティは、前記基板を貫通していることを特徴とする、請求項１に記載の圧電フィルタ。
【請求項６】
前記複数のセルからなるキャビティは、前記基板の裏面ではｎ個のセルに分割され、前記下部電極側ではｎ個未満のセルに分割される形状で、形成されることを特徴とする、請求項５に記載の圧電フィルタ。
【請求項７】
請求項１に記載の圧電フィルタを、送信フィルタ及び受信フィルタの少なくとも一方に用いた、アンテナ共用器。
【請求項８】
アンテナと、
送信装置と、
受信装置と、
前記アンテナと前記送信装置及び前記受信装置との間に設けられる、請求項７に記載のアンテナ共用器とを備える、通信機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話や無線ＬＡＮ等の移動体通信の無線回路に用いられる、圧電共振器を用いた圧電フィルタ、アンテナ共用器及び通信機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯機器等の電子機器に内蔵される部品は、より小型化及び軽量化されることが要求されている。例えば、携帯機器に使われているフィルタやアンテナ共用器には、小型であり、かつ周波数特性が精密に調整され、挿入損失が小さいことが要求される。これらの要求を満たすフィルタの１つとして、圧電共振器を用いた圧電フィルタが知られている。
【０００３】
図１０に、従来の圧電共振器を用いた圧電フィルタ５００の構造例を示す。図１０（ａ）は圧電フィルタ５００の上面図を、図１０（ｂ）は圧電フィルタ５００のＥ−Ｅ断面図を、図１０（ｃ）は圧電フィルタ５００の下面図を、それぞれ示している。
【０００４】
図１０において、第１の圧電共振器５０１及び第２の圧電共振器５０２は、同一の基板５０３上に形成されている。第１の圧電共振器５０１は、基板５０３に設けられた第１のキャビティ５０４ａ上に、絶縁層５０５を介して、下電極層５０６ａ、圧電体層５０７ａ、上電極層５０８ａ、及び周波数調整層５０９ａの順に配置されて形成される。同様に、第２の圧電共振器５０２は、基板５０３に設けられた第１のキャビティ５０４ａより大きい径の第２のキャビティ５０４ｂ上に、絶縁層５０５を介して、下電極層５０６ｂ、圧電体層５０７ｂ、上電極層５０８ｂ、及び周波数調整層５０９ｂの順に配置されて形成される。
【０００５】
第１の圧電共振器５０１及び第２の圧電共振器５０２は、それぞれ上電極層５０８と下電極層５０６との間に電界をかけることにより、圧電体層５０７が分極して歪むことで機械的な共振を生み、これを電気的に取り出すことによって共振器として機能する。第１の圧電共振器５０１及び第２の圧電共振器５０２の共振周波数は、主に周波数調整層５０９、上電極層５０８、圧電体層５０７、下電極層５０６、及び絶縁層５０５により構成される振動部の材質、膜厚、及びその質量負荷効果により決定される。第１の圧電共振器に対応する周波数調整層５０９ａの厚さと、第２の圧電共振器に対応する周波数調整層５０９ｂの厚さとを異ならせ、一方の周波数調整層５０９を薄くすることにより、同一の基板５０３上に異なる共振周波数を有した２つの圧電共振器を形成することが可能となる。
【０００６】
なお、このように周波数調整層５０９の厚みを異ならせるには、通常削り取りたい部分と残したい部分とに対応したマスクを設計して、レジスト塗布、設計したマスクを用いた露光、現像、エッチング、及びレジスト除去という工程を行う、フォトリソグラフィ技術を用いる（特許文献１を参照）。
【０００７】
図１１は、従来の圧電共振器を用いた圧電フィルタ回路９００の一例を示す図である。
図１１において、従来の圧電フィルタ回路９００は、直列圧電共振器９０４ａ〜ｃと、並列圧電共振器９０３ａ〜ｄと、並列インダクタ９０５ａ〜ｄと、直列インダクタ９０６ａ〜ｂとで構成される。直列圧電共振器９０４ａ〜ｃは、入力端子９０２ａと出力端子９０２ｂとの間に、直列インダクタ９０６ａ〜ｂを介して直列接続される。並列圧電共振器９０３ａ〜ｄの一方電極は、直列接続された直列インダクタ９０６ａ〜ｂ及び直列圧電共振器９０４ａ〜ｃの各々の接続点に、それぞれ接続されている。並列圧電共振器９０３ａ〜ｄの他方電極は、並列インダクタ９０５ａ〜ｄを介してそれぞれ接地されている。
【０００８】
図１２（ａ）は、従来の圧電共振器の単体特性を、図１２（ｂ）は、従来の圧電フィルタの通過特性を示す図である。並列圧電共振器９０３ａ〜ｄ及び直列圧電共振器９０４ａ〜ｃは、それぞれ、理論的にはインピーダンスが０となる共振点１００３及び１００５とインピーダンスが無限大になる反共振点１００４及び１００６とを有した特性である。図１０（ａ）の実線が並列圧電共振器９０３ａ〜ｄの単体特性を示し、破線が直列圧電共振器９０４ａ〜ｃの単体特性を示す。この共振点の共振周波数と反共振点の反共振周波数との差を示すΔｆは、通常圧電共振器を構成する圧電体の材料により概ね決定される。並列
圧電共振器９０３ａ〜ｄの反共振点１００４と直列圧電共振器９０４ａ〜ｃの共振点１００５とをほぼ一致させ、それぞれの圧電共振器を梯子型構成とし、寄生インダクタや外付け回路により接続される並列インダクタ９０５及び直列インダクタ９０６を配置することで、圧電フィルタ回路９００が構成される。
【０００９】
これにより、圧電フィルタ回路９００は、通過帯域１００８の低域側に並列圧電共振器９０３ａ〜ｄの共振点１００３に対応する周波数に低域側減衰極１００９を有し、通過帯域１００８の高域側に直列圧電共振器９０４ａ〜ｃの反共振点１００６に対応する周波数に高域側減衰極１０１０を有する特性を持つフィルタとして動作する（特許文献２を参照）。
【００１０】
なお、図１０に示した共振周波数の高い第１の圧電共振器５０１は、図１１における直列圧電共振器９０４ａ〜ｃに対応し、共振周波数の低い第２の圧電共振器５０２は、図１１における並列圧電共振器９０３ａ〜ｄに対応している。
【特許文献１】特開２００２−３５９５３４号公報
【特許文献２】特許第２８００９０５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記従来のフィルタ構造では、低インピーダンスの第２の圧電共振器５０２のキャビティ５０４ｂの開口面積が、高インピーダンスの第１の圧電共振器５０１のキャビティ５０４ａの開口面積より大きい。このため、基板５０３のエッチング工程において、開口面積が大きいキャビティ５０４ｂでの反応性ガスの循環がよくなり、キャビティ５０４ａよりもキャビティ５０４ｂの方が速くエッチングが進む。よって、第１の圧電共振器５０１の共振周波数を確保するまでエッチングを行うと、第２の圧電共振器５０２のキャビティ５０４ｂが基板５０３を貫通して絶縁層５０５までオーバーエッチングしてしまうことになる。この結果、第２の圧電共振器５０２の共振周波数が、所望する共振周波数よりも高くなる（図１３を参照）。
【００１２】
従って、第２の圧電共振器５０２において所望の共振周波数を確保するためには、オーバーエッチングの影響分だけ周波数調整層５０９ｂを厚く形成しておく必要がある（図１０（ｂ）を参照）。しかし、この周波数調整層５０９ｂの厚みの増大は、圧電共振器の性能を表すＱ値の劣化を引き起こし、ひいては圧電フィルタの挿入損失を劣化させる。
【００１３】
それ故に、本発明の目的は、周波数調整層の厚みを削減し、高いＱ値を実現し、挿入損失を少なくしつつ、高インピーダンスの圧電共振器と低インピーダンスの圧電共振器とを同一基板に形成した圧電フィルタ、及びこの圧電フィルタを用いたアンテナ共用器及び通信機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、同一基板に複数の圧電共振器を備えた圧電フィルタに向けられている。そして、上記目的を達成させるために、本発明の圧電フィルタは、複数の圧電共振器をそれぞれ、基板に形成されたキャビティと、キャビティを覆うように基板の上に形成される下部電極と、下部電極の上に形成される圧電体層と、圧電体層の上に形成される上部電極とで構成し、複数の圧電共振器の少なくとも１つが複数のセルからなるキャビティを有しているように形成する。
【００１５】
好ましくは、複数のセルは、基板の表面の開口部の形状及び寸法が全て同一である。特に、複数のセルのそれぞれは、他の圧電共振器のキャビティと基板の表面の開口部の形状及び寸法が全て同一であるとよい。また、複数のセルからなるキャビティを有する圧電共振器は、他の圧電共振器よりも低インピーダンスであることが望ましい。また、典型的には、それぞれのキャビティは、基板を貫通している。この場合、複数のセルからなるキャビティは、基板の裏面ではｎ個のセルに分割され、下部電極側ではｎ個未満のセルに分割される形状で形成されてもよい。
【００１６】
上述した圧電フィルタは、アンテナ共用器を構成する送信フィルタ及び受信フィルタの少なくとも一方に用いることができる。また、この圧電フィルタを用いたアンテナ共用器を、アンテナと送信装置及び受信装置との間に設けることで、通信機器を実現することができる。
【発明の効果】
【００１７】
上記本発明によれば、周波数調整層の厚みを削減し、高いＱ値を実現し、挿入損失を少なくしつつ、高インピーダンスの圧電共振器と低インピーダンスの圧電共振器とを同一基板に形成した圧電フィルタ、及びこの圧電フィルタを用いたアンテナ共用器及び通信機器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る圧電共振器を用いた圧電フィルタ１００の構造を示す図である。図１（ａ）は圧電フィルタ１００の上面図を、図１（ｂ）は圧電フィルタ１００のＡ−Ａ断面図を、図１（ｃ）は圧電フィルタ１００の下面図を、それぞれ示している。図２Ａ及びＢは、本発明の第１の実施形態に係る圧電共振器を用いた圧電フィルタ１００の製造方法を概略的に示した図である。
【００１９】
第１の実施形態の圧電フィルタ１００の構造を、製造手順と共に詳細に説明する。
まず、シリコン（Ｓｉ）からなる基板１０３を準備する（図２Ａ（ａ））。なお、基板１０３の材料は、シリコン以外にもガラスやサファイア等を用いてもよい。次に、この基板１０３上に、酸化珪素（ＳｉＯ2）や窒化珪素（Ｓｉ2Ｎ4）等からなる平坦な絶縁層１０５を形成し、さらにこの絶縁層１０５上にモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、又は白金（Ｐｔ）等からなる下電極層１０６を形成する（図２Ａ（ｂ））。
【００２０】
次に、一般的なフォトリソグラフィー手法を用いて、下電極層１０６を所定の形状にパターニングして、下電極層１０６ａ及び１０６ｂを形成する（図２Ａ（ｃ））。例えば、硝酸系のエッチャント（硝酸−硫酸−水）を用いたウエットエッチング手法や、ドライエッチング手法等により、不要部分のモリブデンを溶解除去することで下電極層１０６ａ及び１０６ｂを形成できる。
【００２１】
次に、絶縁層１０５、下電極層１０６ａ及び１０６ｂ上に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる圧電体層１０７、モリブデンからなる上電極層１０８、及び窒化アルミニウムからなる周波数調整層１０９を、順に形成する（図２Ａ（ｄ））。例えば、２ＧＨｚ帯向けの圧電共振器を形成する場合には、圧電体層１０７の厚みを約１１００ｎｍに、上電極層１０８の厚みを約３００ｎｍにすればよい。なお、圧電体層１０７の材料は、窒化アルミニウム以外にも、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、又はニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ3）等を用いてもよい。更には、周波数調整層１０９の材料は、窒化アルミニウム以外にも、酸化珪素や窒化珪素等を用いてもよい。
【００２２】
次に、下電極層１０６の場合と同様に、一般的なフォトリソグラフィー手法を用いて、周波数調整層１０９、上電極層１０８、及び圧電体層１０７を、所定の形状に順にパターニングし、最後に所望の膜厚になるように周波数調整層１０９をエッチングする（図２Ｂ（ｅ））。これにより、下電極層１０６ａ、圧電体層１０７ａ、上電極層１０８ａ、及び周波数調整層１０９ａからなる第１振動部と、下電極層１０６ｂ、圧電体層１０７ｂ、上電極層１０８ｂ、及び周波数調整層１０９ｂからなる第２振動部とが形成される。最後に、ドライエッチングを用いて、キャビティ１０４ａ及び１０４ｂを基板１０３の裏面に形成する（図２Ｂ（ｆ））。
【００２３】
以上の処理により、第１振動部とキャビティ１０４ａとからなる第１の圧電共振器１０１と、第２振動部とキャビティ１０４ｂとからなる第２の圧電共振器１０２とが形成される。
本発明では、この低インピーダンスの第２の圧電共振器１０２を構成する開口面積が大きいキャビティ１０４ｂの形状に、次のような工夫を施している。
【００２４】
第２の圧電共振器１０２のキャビティ１０４ｂを、複数のセルで構成する。図１の例では、円形を２分割した同一形状及び同一寸法の半月形状のセルを、２つ用いて構成している。このように、キャビティ１０４ｂを複数のセルで構成すると、１セル当たりの開口面積が小さくなる。よって、基板１０３のエッチング工程において、各セルでの反応性ガスの循環速度を抑えることができ、高インピーダンスの第１の圧電共振器１０１の共振周波数を確保するために、キャビティ１０４ｂ側の絶縁層１０５がオーバーエッチングされる量を無くす又は低減することができる。オーバーエッチングされる量が無くなるか少なくなるため、周波数調整層１０９ｂの厚みの薄くすることができる。従って、第２の圧電共振器１０２の性能を表すＱ値を高め、かつ第２の圧電共振器１０２を用いた圧電フィルタ１００の挿入損失を低減できる。図３は、この圧電フィルタ１００の基板１０３の厚み及び共振周波数の変化を示す図である。
【００２５】
なお、上述した半月形状のセルは一例であり、四角形、多角形、楕円等の様々な形状を用いることが可能である。但し、複数のセルは、基板の表面の開口部の形状及び寸法を全て同一とすることが望ましい。こうすれば、エッチング速度及び量が各セルで同じとなるので、複数の異なる共振周波数が発生してしまうことを防止できる。また、キャビティ形状が左右・上下対称の円ではなくなるので、不要な共振であるスプリアスを低減する効果も有する。
【００２６】
また、第２の圧電共振器１０２のキャビティ１０４ｂは、その壁が垂直になるように、基板１０３の裏面からドライエッチングされる場合を説明した。しかし、図４に示す圧電フィルタ１１０のように、圧電共振器１１２のキャビティ１１４ｂが、その壁が開口部から徐々に広がっていく逆テーパで形成されるように、基板１０３の裏面からドライエッチングしてもよい。この構造にすると、基板１０３の裏面側から見ると半月形状が２つあるが、絶縁層１０５側から見ると１つの円形状キャビティとなる。なお、図４（ａ）は圧電フィルタ１１０の上面図を、図４（ｂ）は圧電フィルタ１１０のＢ−Ｂ断面図を、図４（ｃ）は圧電フィルタ１１０の下面図を、それぞれ示している。
【００２７】
さらに、図５Ａに示す圧電フィルタ１２０のように、第２の圧電共振器１２２のキャビティ１２４ｂとして、第１の圧電共振器１０１のキャビティ１０４ａと同一寸法の円形セルを複数個配置することも考えられる。この構造により、オーバーエッチングの速度及び量が、全てのキャビティで同じになる。従って、周波数調整層を用いた周波数調整をしない状態で設計したインピーダンスによらず、つまり電極面積によらず同一の共振周波数の圧電共振器を実現できる。これにより、周波数調整層の調整が厳密に可能となり共振周波数精度の高い圧電共振器を実現できる。なお、図５Ａ（ａ）は圧電フィルタ１２０の上面図を、図５Ａ（ｂ）は圧電フィルタ１２０のＣ−Ｃ断面図を、図５Ａ（ｃ）は圧電フィルタ１２０の下面図を、それぞれ示している。図６は、この圧電フィルタ１２０の基板１０３の厚み及び共振周波数の変化を示す図である。なお、同一寸法であれば、円以外の形状のセルを用いても同様の効果を得られる（図５Ｂ〜図５Ｄ）。
【００２８】
（第２の実施形態）
図７は、本発明の第２の実施形態に係る圧電共振器を用いた圧電フィルタ２００の断面構造を示す図である。図７（ａ）は圧電フィルタ２００の上面図を、図７（ｂ）は圧電フィルタ２００のＤ−Ｄ断面図を、図７（ｃ）は圧電フィルタ２００の下面図を、それぞれ示している。図８Ａ及びＢは、本発明の第２の実施形態に係る圧電共振器を用いた圧電フィルタ２００の製造方法を概略的に示したものである。
この第２の実施形態は、上記第１の実施形態で説明した基板１０３を貫通させたキャビティ１０４ａ及び１０４ｂを、空洞キャビティ２０４ａ及び２０４ｂに代えた構造である。よって、低インピーダンスの圧電共振器２０２を構成する空洞キャビティ２０４ｂは、上記第１の実施形態で述べた通り複数のセルで構成される。
【００２９】
第２の実施形態にの圧電フィルタ２００の構造を、製造手順と共に詳細に説明する。
まず、シリコンからなる基板２０３を準備し、一般的なフォトリソグラフィー手法を用いてシリコンを溶解除去することにより、空洞キャビティ２０４ａ及び２０４ｂを形成する（図８Ａ（ａ））。次に、空洞キャビティ２０４ａ及び２０４ｂを埋めるために、リン珪酸ガラス（ＰＳＧ）や有機レジスト等の易溶性材料からなる犠牲層２１４ａ及び２１４ｂを基板２０３上に形成し、その後ＣＭＰ等により空洞キャビティ２０４ａ及び２０４ｂからはみ出た犠牲層２１４ａ及び２１４ｂの余分な部分を除去して平坦化する（図８Ａ（ｂ））。次に、この基板２０３上に、酸化珪素や窒化珪素等からなる平坦な絶縁層２０５を形成し、さらにこの絶縁層２０５上にモリブデン、アルミニウム、銀、タングステン、又は白金等からなる下電極層２０６を形成する（図８Ａ（ｃ））。
【００３０】
次に、一般的なフォトリソグラフィー手法を用いて、下電極層２０６を所定の形状にパターニングして、下電極層２０６ａ及び２０６ｂを形成する（図８Ａ（ｄ））。次に、絶縁層２０５、下電極層２０６ａ及び２０６ｂ上に、窒化アルミニウムからなる圧電体層２０７、モリブデンからなる上電極層２０８、及び窒化アルミニウムからなる周波数調整層２０９を、順に形成する（図８Ａ（ｅ））。次に、下電極層２０６の場合と同様に、一般的なフォトリソグラフィー手法を用いて、周波数調整層２０９、上電極層２０８、及び圧電体層２０７を、所定の形状に順にパターニングし、犠牲層２１４ａ及び２１４ｂを一部露出させ、さらに所望の膜厚になるように周波数調整層２０９をエッチングする（図８Ｂ（ｆ））。最後に、空洞キャビティ２０４ａ及び２０４ｂに形成した犠牲層２１４ａ及び２１４ｂをフッ酸や有機溶剤等の溶剤によりエッチング除去し、空洞キャビティ２０４ａ及び２０４ｂを再形成し、圧電共振器２０１及び２０２を形成する（図８Ｂ（ｇ））。
【００３１】
以上の処理により、下電極層２０６ａ、圧電体層２０７ａ、上電極層２０８ａ、及び周波数調整層２０９ａからなる第１振動部と、下電極層２０６ｂ、圧電体層２０７ｂ、上電極層２０８ｂ、及び周波数調整層２０９ｂからなる第２振動部とが形成される。
【００３２】
低インピーダンスの第２の圧電共振器２０２を構成する開口面積が大きい空洞キャビティ２０４ｂの形状を、複数のセル構成にしているので、犠牲層２１４ａ及び２１４ｂをエッチングする工程において、各セルでの反応性ガスの循環速度を抑えることができ、高インピーダンスの第１の圧電共振器２０１の共振周波数を確保するために、空洞キャビティ２０４ｂ側の絶縁層２０５がオーバーエッチングされる量を無くす又は低減することができる。オーバーエッチングされる量が無くなるか少なくなるため、周波数調整層２０９ｂの厚みの薄くすることができる。従って、第２の圧電共振器２０２の性能を表すＱ値を高め、かつ第２の圧電共振器２０２を用いた圧電フィルタ２００の挿入損失を低減できる。
【００３３】
（圧電フィルタを用いた通信機器の例）
図９は、上記第１又は第２の実施形態で説明した圧電フィルタ１００又は２００を用いた通信機器の構成例を示す図である。この通信機器は、ベースバンド部３０２と、パワーアンプ（ＰＡ）３０３と、アンテナ共用器３０４と、アンテナ３０５と、低雑音増幅器（ＬＮＡ）３０６とで構成される。
【００３４】
送信端子３０１に入力された信号は、ベースバンド部３０２を通り、パワーアンプ３０３で増幅され、アンテナ共用器３０４でフィルタリングされ、アンテナ３０５から電波送信される。アンテナ３０５から受信された信号は、アンテナ共用器３０４でフィルタリングされ、低雑音増幅器３０６で増幅され、ベースバンド部３０２を通って受信端子３０７に伝達される。このアンテナ共用器３０４に、第１から第２の実施形態で説明した圧電フィルタ１００又は２００を用いることにより、本発明の有用な効果を発揮できる通信機器を実現することができる。なお、圧電フィルタ１００又は２００は、アンテナ共用器を構成する送信フィルタ又は受信フィルタの少なくとも一方に用いることで、挿入損失が低減されたアンテナ共用器を実現できる。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明の圧電共振器を用いた圧電フィルタは、携帯電話や無線ＬＡＮ等の移動体通信の無線回路等に利用可能であり、特に、小型化、低損失化、かつ低コスト化を実現したい場合等に適している。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る圧電共振器を用いた圧電フィルタ１００の構造を示す図
【図２Ａ】圧電フィルタ１００の製造方法を概略的に示した図
【図２Ｂ】圧電フィルタ１００の製造方法を概略的に示した図
【図３】圧電フィルタ１００の基板１０３の厚み及び共振周波数の変化を示す図
【図４】本発明の第１の実施形態に係る圧電共振器を用いた他の圧電フィルタ１１０の構造を示す図
【図５Ａ】本発明の第１の実施形態に係る圧電共振器を用いた他の圧電フィルタ１２０の構造を示す図
【図５Ｂ】本発明の第１の実施形態に係る圧電共振器を用いた他の圧電フィルタ１３０の構造を示す図
【図５Ｃ】本発明の第１の実施形態に係る圧電共振器を用いた他の圧電フィルタ１４０の構造を示す図
【図５Ｄ】本発明の第１の実施形態に係る圧電共振器を用いた他の圧電フィルタ１５０の構造を示す図
【図６】圧電フィルタ１２０の基板１０３の厚み及び共振周波数の変化を示す図
【図７】本発明の第２の実施形態に係る圧電共振器を用いた圧電フィルタ２００の構造を示す図
【図８Ａ】圧電フィルタ２００の製造方法を概略的に示した図
【図８Ｂ】圧電フィルタ２００の製造方法を概略的に示した図
【図９】圧電フィルタ１００又は２００を用いた通信機器の構成例を示す図
【図１０】従来の圧電共振器を用いた圧電フィルタ５００の構造を示す図
【図１１】従来の圧電共振器を用いた圧電フィルタ回路９００の一例を示す図
【図１２】従来の圧電共振器の単体特性及び従来の圧電フィルタの通過特性を示す図
【図１３】圧電フィルタ５００の基板５０３の厚み及び共振周波数の変化を示す図
【符号の説明】
【００３７】
１００、１１０〜１５０、２００  圧電フィルタ
１０１、１０２、１１２、１２２、２０１、２０２  圧電共振器
１０３、２０３  基板
１０４ａ〜ｂ、１１４ｂ、１２４ｂ、２０４ａ〜ｂ  キャビティ
１０５、２０５  絶縁層
１０６ａ〜ｂ、２０６ａ〜ｂ  下電極層
１０７ａ〜ｂ、２０７ａ〜ｂ  圧電体層
１０８ａ〜ｂ、２０８ａ〜ｂ  上電極層
１０９ａ〜ｂ、２０９ａ〜ｂ  周波数調整層
２１４ａ〜ｂ  犠牲層
３０２  ベースバンド部
３０３  パワーアンプ
３０４  アンテナ共用器
３０５  アンテナ
３０６  ＬＮＡ
９００  圧電フィルタ回路
９０３ａ〜ｄ  並列圧電共振器
９０４ａ〜ｃ  直列圧電共振器
９０５ａ〜ｄ  並列インダクタ
９０６ａ〜ｂ  直列インダクタ
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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