(57)【要約】      （修正有）【課題】モニターバーンイン試験方法およびモニターバーンイン試験装置に関し、素子のメモリアクセス速度を低下させることなく、かつ外部リフレッシュ回路を不要とした簡単な装置でモニターバーンイン試験を行うことを目的とする。【解決手段】読み出し時に、多数のリフレッシュ必要な素子を複数の素子群に分け、１つの素子群を選択するステップと、ステップで選択された１つの素子群のうちの、１つあるいは１行あるいは１列の素子について、リフレッシュ停止、読み出し、リフレッシュ再開を順次繰り返すステップとを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バーンインカード上に装着されたリフレッシュ必要な試験対象の多数の素子について、（１）書き込んで読み出して比較する試験、（２）長時間の読み出し試験あるいはリフレッシュ試験、（３）読み出して比較あるいは書き込んで読み出して比較する試験を連続して行うモニターバーンイン試験方法において、
前記読み出し時に、
前記多数のリフレッシュ必要な素子を複数の素子群に分け、１つの素子群を選択するステップと、
前記ステップで選択された１つの素子群のうちの、１つあるいは１行あるいは１列の素子について、リフレッシュ停止、読み出し、リフレッシュ再開を順次繰り返すステップと
を有することを特徴とするモニターバーンイン試験方法。
【請求項２】
リフレッシュ停止、読み出し、リフレッシュ再開時の読み出したときに併せて比較して試験を行う、あるいは読み出した後に別途、比較して試験を行うことを特徴とする請求項１記載のモニターバーンイン試験方法。
【請求項３】
前記書込みは、一括してデータを全ての素子に順次書き込むことを特徴とする請求項１あるいは請求項２記載のモニターバーンイン試験方法。
【請求項４】
前記ステップで選択された１つの素子群以外の他の素子群の素子は、全てリフレッシュ開始あるいはリフレッシュ再開にすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のモニターバーンイン試験方法。
【請求項５】
バーンインカード上に装着されたリフレッシュ必要な試験対象の多数の素子について、（１）書き込んで読み出して比較する試験、（２）長時間の読み出し試験あるいはリフレッシュ試験、（３）読み出して比較あるいは書き込んで読み出して比較する試験を連続して行うモニターバーンイン試験装置において、
前記読み出し時に、
前記多数のリフレッシュ必要な素子を複数の素子群に分け、１つの素子群を選択する選択手段と、
前記選択手段で選択された１つの素子群のうちの、１つあるいは１行あるいは１列の素子について、リフレッシュ停止、読み出し、リフレッシュ再開を順次繰り返す手段と
を備えたことを特徴とするモニターバーンイン試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子のメモリアクセス速度を低下させることなく、かつ外部リフレッシュ回路を不要とした簡単な装置でモニターバーンイン試験を行うモニターバーンイン試験方法およびモニターバーンイン試験装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、フラッシュメモリやＳ−ＲＡＭなどのリフレッシュが不要なメモリをバーンインカード上に多数装着してこれら多数のメモリに、（１）順次データを書込んで読み出して比較する書込み／読み出し試験、（２）長時間の読み出し試験、および（３）読み出して比較する読み出し試験を連続的に行ういわゆるモニターバーンイン試験がある。
【０００３】
しかし、リフレッシュが必要なＳＤＲＡＭなどのメモリでは、バーンインカード上に装着した試験対象の多数のメモリ（ＤＲＡＭ）へデータを書き込み、順次読み出して比較していたのでは、一巡するのに時間がかかってデータが喪失してしまい、試験ができない。書込み時はデータを同時に全部の素子に書き込むことで問題がないが、読み出し時には多数の素子を順番に読み出したのでは長時間がかかってデータが喪失してしまう。
【０００４】
そのため、モニターバーンイン試験では、バーンインカード上に装着した多数の素子群について、（１）、（２）、（３）を連続して同じメモリ単体用の試験装置で試験することができず、特に、読み出し時に全部の素子を一巡するのに長時間が必要となってしまう場合などに、リフレッシュを行う専用の制御部を設けたリフレッシュ制御回路を持つ装置に接続し、長時間かかる読み出し試験（リフレッシュ試験）を行うようにしていた（特許文献１）。
【特許文献１】特開平１０−３２０９７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、従来は、バーンインカード上に装着した多数の素子（例えば１０列５行の合計５０個の１２８ＭＢ等の容量を持つＳＤＲＡＭからなる素子）のモニターバーンイン試験を行うために、メモリ単体用の試験装置で（１）の書き込んで読み出して比較する試験を行った後、専用の装置にバーンインカードを接続して（２）の長時間（例えば１２時間連続）の読み出し（あるいはリフレッシュ）試験を行った後、元のメモリ単体用の試験装置に接続して（３）の読み出して比較する試験（書き込んで読み出して比較する試験）を行っていたため、リフレッシュが必要な素子を多数装着したバーンインカードを用い同じメモリ単体用の試験装置で簡易にモニターバーンイン試験を行えないという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、これらの問題を解決するため、バーンインカード上に装着されたリフレッシュが必要な試験対象の多数の素子について、（１）書き込んで読み出して比較する試験、（２）長時間の読み出し試験あるいはリフレッシュ試験、（３）読み出して比較あるいは書き込んで読み出して比較する試験を連続して行うモニターバーンイン試験方法において、読み出し時に、多数のリフレッシュ必要な素子を複数の素子群に分け、１つの素子群を選択するステップと、ステップで選択された１つの素子群のうちの、１つあるいは１行あるいは１列の素子について、リフレッシュ停止、読み出し、リフレッシュ再開を順次繰り返すステップとを行うようにしている。
【０００７】
この際、リフレッシュ停止、読み出し、リフレッシュ再開時の読み出したときに併せて比較して試験を行う、あるいは読み出した後に別途、比較して試験を行うようにしている。
【０００８】
また、書込みは、一括してデータを全ての素子に順次書き込むようにしている。
また、選択された１つの素子群以外の他の素子群の素子は、全てリフレッシュ開始あるいはリフレッシュ再開にするようにしている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、バーンインカード上に装着された試験対象の多数のリフレッシュが必要な素子に対して、（１）書き込んで読み出して比較する試験、（２）長時間の読み出し（あるいはリフレッシュ）試験、（３）読み出して比較する試験を行う際に、多数の素子を素子群１，２・・ｎとグループに分け、１つの素子群を選択してリフレッシュ停止、読み出して比較、リフレッシュ再開を繰り返して読み出し比較する試験を行うことで、素子のメモリアクセス速度を低下させることなく、かつ外部リフレッシュ回路を不要とした簡単な装置で（１）、（２）、（３）の連続試験が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、バーンインカード上に装着された試験対象の多数のリフレッシュが必要な素子に対して、（１）書き込んで読み出して比較する試験、（２）長時間の読み出し（あるいはリフレッシュ）試験、（３）読み出して比較する試験を行う際に、多数の素子を素子群１，２・・ｎとグループに分け、１つの素子群を選択してリフレッシュ停止、読み出して比較、リフレッシュ再開を繰り返して読み出し比較する試験を行うことで、素子のメモリアクセス速度を低下させることなく、かつ外部リフレッシュ回路を不要とした簡単な装置で（１）、（２）、（３）の連続試験を実現した。
【実施例１】
【００１１】
図１は、本発明のシステム構成図を示す。
図１において、バーンインカード２１は、試験対象の、ここでは、リフレッシュが必要なＳＤＲＡＭなどの素子（記憶素子）の多数を、ソケットにそれぞれ装着するものである。ここでは、例えば１０列５行の合計５０個の、モニターバーンイン試験（図４参照）の対象のＳＤＲＡＭを図示のように、ソケット１から５０にそれぞれ装着する。バーンインカード２１は、コントローラ３１にコネクタ（あるいはソケット）で接続する。
【００１２】
コントローラ３１は、モニターバーンイン試験を行う試験装置の例であって、ここでは、ＣＫＥ信号選択部３２、ＣＫＥ信号発生部３３、書込み／読出し試験制御部３４、バーンイン試験制御部３５、読出し試験制御部３６などから構成されるものである。
【００１３】
ＣＫＥ信号選択部３２は、バーンインカード２１に装着した素子群１から１０のうちから、試験を行う１つの素子群を選択する信号（ここでは、ＣＫＥ信号（クロック・イネーブル信号））を選択するものである。
【００１４】
ＣＫＥ信号発生部３３は、ＣＫＥ信号選択部３２で選択されたＣＫＥ信号を発生させ、該当素子群ｉに入力し、当該素子群ｉのアクセスを可能状態にするものである。
【００１５】
書込み／読出し試験制御部３４は、ＣＫＥ信号発生部３３でＣＫＥ信号を発生させて該当素子群ｉに入力して当該素子群ｉをアクセス可能な状態で、所定の試験データを書き込み、次に、読み出し、比較して試験（モニターバーンイン試験中の（１）Ｗ／Ｒ試験（工程））を行うものである（図２から図７参照）。
【００１６】
バーンイン試験制御部３５は、素子群のバーンイン試験を行うものである（図２から図７参照）。
【００１７】
読出し試験制御部３６は、素子群の読み出して比較する試験を行うものである（（図２から図７参照）。
【００１８】
図２は、本発明の具体例を示す。
図２において、バーンインカード２１は、図１のバーンインカード２１と同じで、ここでは、１０列５行の合計５０個の素子をソケット１から５０に装着したものである。
【００１９】
コントローラ３１は、図１のコントローラ３１であって、ここでは、図示外の公知のＬＳＩから出力される、バーンインカード２１に装着した素子をアクセスする時に必要な信号例を示す。
【００２０】
ＣＫＥ（クロック・イネーブル）信号４１は、ここでは、バーンインカード２１に装着された素子群ｉを選択する信号（ＣＫＥ信号）を表す。
【００２１】
ＣＥ（チップセレクト）信号４２は、ここでは、ＣＫＥ信号で選択された素子群ｉのうちから、更に、１つあるいは１行あるいは１列の素子を選択する信号（ＣＥ信号）を表す。
【００２２】
アドレス信号４３は、ＣＫＥ信号、ＣＥ信号で選択された１つあるいは１行あるいは１列の素子に供給するアドレス信号であって、選択された素子の読出しあるいは書込みのアドレスを指定するものである。
【００２３】
ＲＡＳ（ローアドレス・ストローブ）信号４４、ＣＡＳ（カラムアドレス・ストローブ）信号４５は、公知のＳＤＲＡＭに供給されたアドレス信号をＲＡＳあるいはＣＡＳとして取り込ませる信号である。
【００２４】
ＷＥ（ライト・イネーブル）信号４６は、公知のデータバス上のデータを素子に書き込んだり、読み出してデータバスに出力したりする信号である。
【００２５】
Ｉ／Ｏ（バス）信号４７は、公知のＩ／Ｏバス信号である。
図３は、本発明のモニターバーンイン試験の説明図を示す。図示のモニターバーンイン試験は、（１）Ｗ／Ｒ工程（試験）、（２）バーンイン工程（試験）、（３）Ｒ工程（試験）という一連の連続した試験を行うものである。
【００２６】
（１）Ｗ／Ｒ工程（試験）は、書き込みした後、読み出して試験（比較）するものであって、図示の周囲温度に制御した容器（槽）の中で試験を行う。
【００２７】
（２）バーンイン工程（試験）は、ＦＬＡＳＨの場合には読み出し試験（比較しない）を行い、ＳＤＲＡＭの場合にはリフレッシュ試験（読出し試験でもよい）を行うものであって、図示の周囲温度に制御した容器の中で例えば図示の２４時間の長時間試験（高温・寿命試験）を行う。
【００２８】
（３）Ｒ工程（試験）は、読み出し試験（比較）するものであって、図示の周囲温度に制御した容器の中で試験を行う。
【００２９】
次に、図４のフローチャートの順番に従い、モニターバーンイン試験を行うときの図１の構成の動作を詳細に説明する。
【００３０】
図４は、本発明の動作説明フローチャートを示す。ここで、コントローラ３１、バーンインカード２１は、図１、図２のコントローラ３１、バーンインカード２１と同一である。
【００３１】
第１段階の、（１）Ｗ／Ｒ試験について、Ｓ１からＳ１８を用いて詳細に説明する。
図４において、Ｓ１は、素子全列へ書き込みコマンド発行する。これにより、コントローラ３１は、バーンインカード２１に装着された全素子群（全素子列）の素子を選択し、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４で試験データを当該選択した全素子群の素子に書き込む（全素子群の素子にアドレス信号を入力し、図示外のデータバス上のデータを順番に書き込む）。
【００３２】
Ｓ５は、素子全列へリフレッシュコマンド発行する。これにより、コントローラ３１は、バーンインカード２１に装着された全素子群の素子を選択し、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８で当該選択した全素子群の素子のリフレッシュ信号をＯＮにし、全素子群の素子が自身でリフレッシュを開始させる。
【００３３】
Ｓ９は、リフレッシュ解除コマンドを発行する。これにより、コントローラ３１が選択した１つの素子群、ここでは、素子群１にリフレッシュ解除コマンドを通知し（あるいは信号線で入力し）、Ｓ１０で素子群１の素子がリフレッシュ解除（リフレッシュを一時的に停止）する。
【００３４】
Ｓ１１は、読み出しコマンド発行する。これにより、コントローラ３１がＳ９でリフレッシュ解除した素子群１の全素子に読み出し信号を入力し、Ｓ１２で素子群１の全素子がデータをそれぞれ読み出して図示外のバス上にデータをそれぞれ出力する。
【００３５】
Ｓ１３，Ｓ１４で、素子群１の全素子から読み出されたデータをコントローラ３１で比較する。比較した結果、一致すれば（１）Ｗ／Ｒ試験に合格、一致しなければ不合格と判定する。
【００３６】
Ｓ１５は、リフレッシュコマンドを発行する。これにより、Ｓ９、Ｓ１０で素子群１の素子のリフレッシュを一時的に停止させた状態で、Ｓ１１からＳ１４で読み出して比較して一致したときに合格、一致しないときに不合格と判定し、全てのアドレスについて繰り返して終了したと判明したので、当該Ｓ１５でリフレッシュコマンドを発行し、Ｓ１６で素子群１の全素子のリフレッシュを再開させる。
【００３７】
Ｓ１７は、列の終わりか判別する。これは、バーンインカード２１に装着した素子群の全てを終了したか判別する。ＹＥＳの場合には、次の（２）バーンイン工程に進む。一方、ＮＯの場合には、Ｓ１８でつぎの列についても、同様に繰り返す（Ｓ９からＳ１７を繰り返す）。
【００３８】
以上のＳ１からＳ１８によって、バーンインカード２１に装着した素子群１から素子群ｎについて、最初にデータを素子群１から素子群ｎの全素子に書き込んだ（Ｓ１からＳ４）後、全素子群の素子のリフレッシュを開始させる（Ｓ５からＳ８）。次に、１つの素子群を選択してリフレッシュを停止させた状態で、当該素子群の素子からデータを並列に全アドレスについて読み出して比較して一致、不一致の試験を行い、全てのアドレスを終了したときに当該素子群の素子のリフレッシュを再開させる。そして、同様に、次の素子群について繰り返すことにより、全素子群の全素子にデータを書き込んだ後、リフレッシュを再開させ、読み出し試験する素子群のみリフレッシュを一時的に停止させ、その間に読み出して比較して一致、不一致の試験を行い、試験終了後にリフレッシュを再開させることにより、バーンインカード２１に装着した多数のリフレッシュ必要な素子について、アクセス速度を低下させることなく、（１）Ｗ／Ｒ試験を、簡易な回路構成で行うことが可能となる。
【００３９】
第２段階の、（２）バーンイン試験について、Ｓ１９からＳ２２を用いて詳細に説明する。
【００４０】
図４において、Ｓ１９は、素子全列へリフレッシュコマンドを発行する。これにより、コントローラ３１は、バーンインカード２１に装着された全素子群の素子を選択し、Ｓ２０、Ｓ２１、Ｓ２２で当該選択した全素子群の素子のリフレッシュ信号をＯＮにし、全素子群の素子が自身でリフレッシュを開始させる。
【００４１】
以上のＳ１９からＳ２２によって、バーンインカード２１に装着した素子群１から素子群ｎについて、素子群１から素子群ｎの全素子にリフレッシュ動作を開始させ、長時間のバーンイン試験（図３に示す、高温かつ長時間の試験）を行うことが可能となる。
【００４２】
第３段階の、（３）Ｒ工程（試験）について、Ｓ２３からＳ３６を用いて詳細に説明する。
【００４３】
図４において、Ｓ２３は、素子全列へリフレッシュコマンドを発行する。これにより、コントローラ３１は、バーンインカード２１に装着された全素子列の素子を選択し、Ｓ２４、Ｓ２５、Ｓ２６で当該選択した全素子群の素子のリフレッシュ信号をＯＮにし、全素子群の素子が自身でリフレッシュを開始させる。
【００４４】
Ｓ２７は、リフレッシュ解除コマンドを発行する。これにより、コントローラ３１は、バーンインカード２１に装着された素子群１から素子群ｎのうちの１つの素子群、例えば素子群１を選択し、リフレッシュ解除コマンドを発行し、Ｓ２８で当該選択した素子群１の全素子のリフレッシュ動作を解除（一時的に停止）させる。
【００４５】
Ｓ２９は、読出しコマンド発行する。これにより、コントローラ３１は、Ｓ２８でリフレッシュ動作を一時的に停止した素子群１の全素子に読出しコマンドを入力し、Ｓ３０で当該素子群１の全素子からそれぞれデータを図示外のデータバスに読み出す。
【００４６】
Ｓ３１、Ｓ３２は、Ｓ３０で素子群１の全素子から読み出し開始されたデータを、コントローラ３１が比較し、一致したときに合格、一致しないときに不合格と判定（試験）する。全素子から全てのアドレスのデータを読み出して比較し、一致，不一致の判定を終了したら、次のＳ３３に進む。
【００４７】
Ｓ３３は、リフレッシュコマンドを発行する。これにより、コントローラ３１は、Ｓ２７でリフレッシュ解除コマンドを発行し、Ｓ３４でリフレッシュを停止させていた。例えば素子群１の全素子について、リフレッシュコマンドを発行してリフレッシュを再開させる。
【００４８】
Ｓ３５は、列の終わりか判別する。これは、列の終わり、即ち素子群１から順次初め全ての素子群について、Ｓ２７からＳ３４のＲ試験を終了したか判別する。ＹＥＳの場合には、終了する。ＮＯの場合には、Ｓ３６でつぎの列（素子群）についても、同様にＳ２７からＳ３４を繰り返す。
【００４９】
以上のＳ２３からＳ３６によって、バーンインカード２１に装着した素子群について順番に選択してリフレッシュ解除コマンドを発行してリフレッシュ動作を一時的に停止させた状態で、読み出しコマンドを当該選択された１つの素子群の全素子に入力してデータを読み出して比較し、合格、不合格を判定することを繰り返して素子の全アドレスのデータについて試験を終了した後、リフレッシュコマンドを発行して当該素子群の全素子のリフレッシュを再開させることが可能となる。そして、次の、素子群について順次繰り返し、バーンインカード２１に装着した素子群毎にＲ試験時の読み出し速度を低下させることなく同じ速度でＲ試験することが可能となる。
【００５０】
図５および図６は、本発明のＳＤＲＡＭのモニターバーンイン試験方法の説明図を示す。
【００５１】
図５の（１）は、Ｗ／Ｒ工程（試験）を示す。Ｗ／Ｒ試験は、書き込みおよび読み出し（比較する）を行うものである。
【００５２】
図５の（１）の（ａ）は、ＩＣ１から５０に対して、すべて書き込みを行う様子を模式的に示す。これは、図示のように、バーンインンカード２１上にソケットのＩＣ１からＩＣ１０の１０個を１行とし、同様に、２行、３行、４行、５行と、合計５行で５０個のＩＣを装着し、それぞれに試験対象のＳＤＲＡＭを装着して固定する。ここで、１列のＩＣ１，ＩＣ１１，ＩＣ２１，ＩＣ３１，ＩＣ４１を素子群１とし、同様に、２列、３列、４列、５列の全素子を素子群２、３、４，５と定義する。
【００５３】
データの書き込みは、素子群１から素子群５を全て選択（図２のＣＫＥ信号で選択）し、更に各素子群内の全素子を選択（図２のＣＥ信号で選択）し、図示外のデータバス上の試験データを、一斉に全素子に書き込む（書き込みは、アドレスバス上のアドレス信号を順次変えながら各素子の当該アドレスの位置にデータを順次書き込む（図４のＳ１からＳ４、図７の（ａ）参照）。
【００５４】
図５の（１）の（ｂ）は、ＩＣ１から５０に対して、すべてリフレッシュを行う様子を模式的に示す。これは、コントローラ３１が素子群１から素子群５を全て選択し、リフレッシュコマンドを発行し、各素子が自身でリフレッシュ動作を開始する様子を示す（図４のＳ５からＳ８、図７の（ｃ）参照）。
【００５５】
図５の（１）の（ｃ）は、素子群１（ＩＣ１，ＩＣ１１，ＩＣ２１，ＩＣ３１，ＩＣ４１）のみ、読み出し（比較を行う）を行い、他のＩＣはリフレッシュ動作を行う様子を模式的に示す。これは、コントローラ３１が素子群１のみを選択し、リフレッシュ解除コマンドを発行し、素子群１の全素子のリフレッシュを一時的に停止させた状態で、読み出しコマンドを発行し、素子群１の全素子から一斉に並列にデータを読み出し、比較を行う（図４のＳ９からＳ１５、図７の（ｂ）参照）。
【００５６】
図５の（１）の（ｄ）は、素子群２（ＩＣ２，ＩＣ１２，ＩＣ２２，ＩＣ３２，ＩＣ４２）のみ、読み出し（比較を行う）を行い、他のＩＣはリフレッシュ動作を行う様子を模式的に示す。これは、コントローラ３１が素子群２のみを選択し、リフレッシュ解除コマンドを発行し、素子群２の全素子のリフレッシュを一時的に停止させた状態で、読み出しコマンドを発行し、素子群２の全素子から一斉に並列にデータを読み出し、比較を行う（図４のＳ９からＳ１５、図７の（ｂ）参照）。
【００５７】
図５の（１）の（ｅ）は、同様に、素子群１０（ＩＣ１０，ＩＣ２０，ＩＣ３０，ＩＣ４０，ＩＣ５０）まで、読み出し（比較を行う）を行い、他のＩＣはリフレッシュ動作を行う様子を模式的に示す。これは、コントローラ３１が素子群１０まで順番に選択し、リフレッシュ解除コマンドを発行し、素子群１０まで各素子群の全素子のリフレッシュを一時的に停止させた状態で、読み出しコマンドを発行し、当該素子群の全素子から一斉に並列にデータを読み出し、比較を行う（図４のＳ９からＳ１５、図７の（ｂ）参照）。
【００５８】
以上の図５の（１）の（ａ）から（ｅ）によって、モニターバーンイン試験中の第１段階のＷ／Ｒ試験について、メモリアクセス速度を低下させることなく、ＳＤＲＡＭの試験を行うことが可能となる。そして、続けて同一の装置（コントローラ３１）で次の第２段階のバーンイン試験を連続して行うことが可能となる。
【００５９】
図６の（２）は、バーンイン工程（試験）を示す。バーンイン試験は、ここでは、リフレッシュを行うことで試験（図３の（２）バーンイン試験であって、高温かつ長時間（例えば２４時間連続）の試験）を行う。試験工程は、既述した図５の（１）の（ｂ）の、リフレッシュ動作のみを実行する。そして、続けて同一の装置（コントローラ３１）で次の第３段階のＲ試験を行うことが可能となる。
【００６０】
図６の（３）は、Ｒ工程（試験）を示す。Ｒ試験は、読み出し（比較する）を行うものである。試験工程は、図５の（１）の（ｃ）から（ｅ）を行う。
【００６１】
図７は、本発明のコマンド例を示す。
図７の（ａ）は、書き込みコマンド例を示す。書き込みコマンドは、公知のものであって、ここでは、図示のように、左側から第１番目のクロックの立ち上がりで、ＲＡＳを選択およびリフレッシュ動作を行う。第２番目のクロックの立ち上がりで、ＷＥが”０”のときに書き込み動作を行う（図示外のデータバス上のデータを、ＲＡＳ，ＣＡＳでアドレスバスから選択したアドレスで決まる素子の位置（アドレス）に書き込みを行う）。第３番目のクロックの立ち上がりで一連の処理を終了させる処理を行なう。
【００６２】
図７の（ｂ）は、読み出しコマンド例を示す。読み出しコマンドは、公知のものであって、ここでは、図示のように、左側から第１番目のクロックの立ち上がりで、ＲＡＳを選択およびリフレッシュ動作を行う。第２番目のクロックの立ち上がりで、ＷＥが”１”のときに読み出し動作を行う（ＲＡＳ，ＣＡＳでアドレスバスから選択したアドレスで決まる素子の位置（アドレス）からデータを読み出してデータバス上に出力する）。第３番目のクロックの立ち上がりで一連の処理を終了させる処理を行なう。
【００６３】
図７の（ｃ）は、リフレッシュコマンド例を示す。リフレッシュコマンドは、公知のものであって、ここでは、図示のように、リフレッシュコマンドを入力した後、ＣＫＥ信号が”０”のままであれば、永遠にメモリチップの中で自動的にリフレッシュを続ける。アドレス端子および入力端子などの論理値は、”０”あるいは”１”のいずれでもよい。また、ＣＬＫ信号も入れなくてもよい。
【００６４】
図７の（ｄ）は、リフレッシュ解除コマンド例を示す。リフレッシュ解除コマンドは、公知のものであって、ここでは、図示のように、ＣＬＫ（クロック信号）も入れた後、ＣＫＥ（クロック・イネーブル）信号を”１”にすると、リフレッシュ動作から抜けることができる。アドレス端子および入力端子などの論理値は、”０”あるいは”１”のいずれでもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、素子のメモリアクセス速度を低下させることなく、かつ外部リフレッシュ回路を不要とした簡単な装置で（１）、（２）、（３）のモニターバーンイン試験を連続して行うモニターバーンイン試験方法およびモニターバーンイン試験装置に関するものである。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明のシステム構成図である。
【図２】本発明の具体例である。
【図３】本発明のモニターバーンイン試験の説明図である。
【図４】本発明の動作説明フローチャートである。
【図５】本発明のＳＤＲＡＭのモニターバーンイン試験方法の説明図（その１）である。
【図６】本発明のＳＤＲＡＭのモニターバーンイン試験方法の説明図（その２）である。
【図７】本発明のコマンド例である。
【符号の説明】
【００６７】
２１：バーンインカード
３１：コントローラ
３２：ＣＫＥ信号選択部
３３：ＣＫＥ信号発生部
３４：書き込み／読出し試験制御部
３５：バーンイン試験制御部
３６：読出し試験制御部
（１）：Ｗ／Ｒ試験
（２）：バーンイン試験
（３）：Ｒ試験
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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