(57)【要約】【課題】本発明は、偏光板で発生する静電気を減少させる。【解決手段】本発明の偏光板及びこれを備えた液晶表示装置は、偏光板本体と、偏光板本体の一側に形成されるフィルムと、偏光板本体とフィルムとの間に形成される粘着剤と、を含み、粘着剤は水溶性導電性高分子を含む。これにより、液晶表示装置の製造工程において、フィルムが偏光板から除去される際に電荷分離によって発生する静電気によって生じる静電気ムラ及び液晶表示装置の損傷を防止できる。【選択図】図７Ａ
2008116947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏光板本体と、
前記偏光板本体の一側に形成されたフィルムと、
前記偏光板本体と前記フィルムとの間に形成された粘着剤と、
を含み、
前記粘着剤は水溶性導電性高分子を含むことを特徴とする偏光板。
【請求項２】
前記水溶性導電性高分子は、自己ドープ型水溶性ポリアニリングラフト共重合体を含むことを特徴とする請求項１に記載の偏光板。
【請求項３】
前記自己ドープ型水溶性ポリアニリングラフト共重合体は、下記の化学式（Ｉ）で示されることを特徴とする請求項２に記載の偏光板。
【化１】
2008116947.tif 000009
【請求項４】
前記水溶性導電性高分子は、自己ドープ型水溶性ポリピロールグラフト共重合体を含むことを特徴とする請求項１に記載の偏光板。
【請求項５】
前記自己ドープ型水溶性ポリピロールグラフト共重合体は、下記の化学式（ＩＩ）で示されることを特徴とする請求項４に記載の偏光板。
【化２】
2008116947.tif 000010
【請求項６】
前記水溶性導電性高分子は、前記粘着剤の総含量に対して５乃至５０重量％含有されることを特徴とする請求項１に記載の偏光板。
【請求項７】
互いに対向する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に介在された液晶層と、
前記第１基板及び前記第２基板のうちの少なくとも一つの上に備えられる偏光板と、
前記第１基板及び前記第２基板のうちの少なくとも一つと前記偏光板とを接着する粘着剤と、
を含み、
前記粘着剤は水溶性導電性高分子を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記水溶性導電性高分子は、自己ドープ型水溶性ポリアニリングラフト共重合体を含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記自己ドープ型水溶性ポリアニリングラフト共重合体は、下記の化学式（Ｉ）で示されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【化３】
2008116947.tif 000011
【請求項１０】
前記水溶性導電性高分子は、自己ドープ型水溶性ポリピロールグラフト共重合体を含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記自己ドープ型水溶性ポリピロールグラフト共重合体は、下記の化学式（ＩＩ）で示されることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【化４】
2008116947.tif 000012
【請求項１２】
前記水溶性導電性高分子は、前記粘着剤の総含量に対して５乃至５０重量％含有されることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１基板上に形成され互いに絶縁されて交差するゲート線及びデータ線と、
前記ゲート線及び前記データ線と接続される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと接続される画素電極と、
を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記液晶層の液晶分子が傾く方向を決定する傾斜方向結決定部材を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は偏光板及びこれを備えた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ＬＣＤ）は、現在最も広く使用されるフラットパネル表示装置のうちの一つである。液晶表示装置は、画素電極及び共通電極といった電界生成電極が形成される二枚の表示板と、その間に入る液晶層とを含み、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を形成して液晶層の液晶分子の配向を決定して、入射光・出射光の偏光を制御することによって画像を表示する。
【０００３】
液晶表示装置は、画素電極と共通電極との間に形成される電界によって液晶分子の配向が決定される。その配向の変化により光の透過率が変わり、このような透過率の変化によって液晶表示装置に画像が表示される。画素電極と共通電極との間に形成される電界は、画素電極の電圧によって調節され、画素電極の電圧はスイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により制御される。ここで、薄膜トランジスタは、ゲート線に伝送される走査信号によって、データ線に伝送される画像信号を画素電極に伝達または遮断する。
【０００４】
一方、表示板の外側には入射光または出射光の偏光を制御するための偏光板が備えられる。
【０００５】
偏光板には、その内面及び外面に各々離型フィルム（ｒｅｌｅａｓｅ  ｆｉｌｍ）及び保護フィルム（ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）が取り付けられる。離型フィルムは、表示板に偏光板を取り付ける直前に除去され、保護フィルムは液晶表示装置の製造が完成した後に除去される。
【０００６】
しかし、偏光板の離型フィルムまたは保護フィルムが偏光板から除去される際に、電荷分離によって静電気が発生することによる剥離帯電が起こる可能性がある。このとき、発生した静電気が表示板に流入して、静電気ムラを発生させたり、液晶表示装置を損傷させる問題がある。
【特許文献１】特開２００６−２９３１８８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が目的とする技術的課題は、偏光板で発生する静電気を減少させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の特徴による偏光板は、偏光板本体、偏光板本体の一側に形成されたフィルム、そして偏光板本体とフィルムとの間に配置された粘着剤を含み、粘着剤は水溶性導電性高分子を含む。
【０００９】
水溶性導電性高分子は、自己ドープ型水溶性ポリアニリングラフト共重合体を含んでもよい。
【００１０】
自己ドープ型水溶性ポリアニリングラフト共重合体は、下記の化学式（Ｉ）で表示される。
【化１】
2008116947.tif 000003
【００１１】
水溶性導電性高分子は、自己ドープ型水溶性ポリピロールグラフト共重合体を含んでもよい。
【００１２】
自己ドープ型水溶性ポリピロールグラフト共重合体は、下記の化学式（ＩＩ）で表示される。
【化２】
2008116947.tif 000004
【００１３】
水溶性導電性高分子は、粘着剤の総含量に対して５乃至５０重量％含有されてもよい。
【００１４】
本発明の実施形態１による液晶表示装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板、第１基板と第２基板との間に介在された液晶層、第１基板及び第２基板のうちの少なくとも一つの一側の上に備えられる偏光板、そして第１基板及び第２基板のうちの少なくとも一つの一側と前記偏光板とを接着する粘着剤を含み、粘着剤は水溶性導電性高分子を含む。
【００１５】
水溶性導電性高分子は、自己ドープ型水溶性ポリアニリングラフト共重合体を含んでもよい。
【００１６】
自己ドープ型水溶性ポリアニリングラフト共重合体は、下記の化学式（Ｉ）で表示される。
【化３】
2008116947.tif 000005
【００１７】
水溶性導電性高分子は、自己ドープ型水溶性ポリピロールグラフト共重合体を含んでもよい。
【００１８】
自己ドープ型水溶性ポリピロールグラフト共重合体は、下記の化学式（ＩＩ）で表示される。
【化４】
2008116947.tif 000006
【００１９】
水溶性導電性高分子は、粘着剤の総含量に対して５乃至５０重量％含有されてもよい。
【００２０】
第１基板上には、互いに絶縁されて交差するゲート線及びデータ線、ゲート線及びデータ線と接続される薄膜トランジスタ、そして薄膜トランジスタと接続される画素電極を更に含んでもよい。
【００２１】
液晶層の液晶分子が傾く方向を決定する傾斜方向決定部材を更に含んでもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明により、静電気によって発生する静電気ムラ及び液晶表示装置の損傷を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２４】
図面において、多様な層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同一の参照番号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとするとき、これは他の部分の「直ぐ上」にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対にある部分が他の部分の「直上」にあるとするときには、中間に他の部分がないことを意味する。
【００２５】
本発明の実施形態１による偏光板を含む液晶表示装置について、図１乃至６を参照して詳細に説明する。
【００２６】
図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置の概略図であり、図２は本発明の一実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板のレイアウト図であり、図３は本発明の一実施形態による液晶表示装置用共通電極表示板のレイアウト図であり、図４は図２の薄膜トランジスタ表示板と図３の共通電極表示板とを含む液晶表示装置のレイアウト図であり、図５及び図６は各々図４の液晶表示装置をＶ-Ｖ線及びＶＩ-ＶＩ線に沿って切断した断面図である。
【００２７】
図１のように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と、共通電極表示板２００と、これら二つの表示板の間に介在される液晶層（図示せず）と、を含む。また、液晶表示装置は、画像を表示するための表示領域（Ｄ）と外部駆動回路に接続するためのパッド領域（Ｐ）を含む。
【００２８】
まず、図２、図４、図５及び図６を参照して薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。
【００２９】
透明なガラスまたはプラスチックなどで形成された絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１及び複数の蓄積電極線１３１が形成される。
【００３０】
ゲート線１２１は、主に横方向に延び、お互いに離隔され、ゲート信号を伝達する。各ゲート線１２１は、上に突出した複数のゲート電極１２４と、他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１２９とを含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に取り付けられるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に実装されてもよく、基板１１０上に直接実装されてもよく、基板１１０に集積されてもよい。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積される場合、ゲート線１２１が延びてゲート駆動回路と接続されてもよい。
【００３１】
蓄積電極線１３１は、所定の電圧を印加される。各蓄積電極線１３１は、ゲート線１２１とほぼ平行に延びた幹線と、これから分かれた複数の第１、第２、第３及び第４蓄積電極１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄの集合及び複数の接続部１３３ｅとを含む。各々の蓄積電極線１３１は、隣接した二つのゲート線１２１の間に位置し、幹線は二つのゲート線１２１のうちの上側に近い。
【００３２】
第１及び第２蓄積電極１３３ａ、１３３ｂは、縦方向に延びて互いに対向する。第１蓄積電極１３３ａは、幹線に接続された固定端とその反対方向の自由端とを有し、自由端は突出部を含む。第３及び第４蓄積電極１３３ｃ、１３３ｄは、該第１蓄積電極１３３ａの中央から第２蓄積電極１３３ｂの下端及び上端まで斜めに延びる。接続部１３３ｅは、隣り合う蓄積電極１３３ａ〜１３３ｄの集合の間に接続される。しかし、蓄積電極線１３１の模様及び配置は、多様に変更できる。
【００３３】
ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタン（Ｔｉ）などで形成されてもよい。しかし、ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１は、物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。
【００３４】
ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１の側面は、基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であることが望ましい。
【００３５】
ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１上には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成される。
【００３６】
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化アモルファスシリコン（アモルファスシリコンは略してａ-Ｓｉという）または多結晶シリコンなどで構成された複数の線状半導体１５１が形成される。線状半導体１５１は、主に縦方向に延びて、ゲート電極１２４に向かって突出した複数の突出部１５４を含む。
【００３７】
線状半導体１５１上には複数の線状及び島型オーミックコンタクト部材１６１、１６５が形成される。オーミックコンタクト部材１６１、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされたｎ＋水素化アモルファスシリコンなどの物質で形成されてもよく、シリサイドで形成されてもよい。線状オーミックコンタクト部材１６１は複数の突出部１６３を有し、この突出部１６３と島型オーミックコンタクト部材１６５は対をなして半導体１５１の突出部１５４上に配置される。
【００３８】
線状半導体１５１及びオーミックコンタクト部材１６１、１６５の側面また基板１１０面に対し傾いており、その傾斜角は３０゜乃至８０゜程度である。
【００３９】
オーミックコンタクト部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数の絶縁された金属片１７８が形成される。
【００４０】
データ線１７１は、データ信号を伝達して、主に縦方向に延び、ゲート線１２１、蓄積電極線１３１の幹線及び接続部１３３ｅと交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びた複数のソース電極１７３と他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部１７９とを含む。データ電圧を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に取り付けられるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に実装されてもよく、基板１１０上に直接実装されてもよく、基板１１０に集積されてもよい。データ駆動回路が基板１１０上に集積される場合、データ線１７１が延びてデータ駆動回路と直接接続されてもよい。
【００４１】
ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は、（他層との接続のための）広い一側端部と棒状である他側端部とを有しており、棒状端部はゲート電極上に配置され、ソース電極１７３で一部囲まれる。
【００４２】
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の突出部１５４に形成される。
【００４３】
絶縁された金属片１７８は、第１蓄積電極１３３ａの自由端付近のゲート線１２１上に位置する。
【００４４】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び絶縁された金属片１７８は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタンなどの高融点金属、またはこれらの合金で形成されるのが望ましい。しかしながら、高融点金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）とを含む多重膜構造を有してもよい。
【００４５】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び絶縁された金属片１７８も、その側面が基板１１０面に対して３０゜乃至８０゜程度の傾斜角に傾くのが望ましい。
【００４６】
オーミックコンタクト部材１６１、１６５は、その下の線状半導体１５１とその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５との間にだけ存在して、これらの間の接触抵抗を低くする。線状半導体１５１は、データ線１７１及びドレイン電極にカバーされない複数の露出された部分を有し、その露出部はソース電極１７３とドレイン電極１７５との間に位置する。線状半導体１５１は、大部分においてデータ線１７１よりも線幅が狭いが、ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１に近づくと線幅が大きくなり、データ線１７１の表面が平坦になるため、データ線１７１の断線を防ぐことができる。
【００４７】
データ線１７１、ドレイン電極１７５、絶縁された金属片１７８及び露出された半導体１５１部分の上には、保護膜１８０が形成される。保護膜１８０は、感光性を有する有機絶縁物などで形成され、表面が平坦であってもよい。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも露出された半導体１５４部分に損傷を与えないように、下部無機膜と上部有機膜との二重膜構造であってもよい。
【００４８】
保護膜１８０上には複数の画素電極１９１、複数の接続橋８３及び複数の接触補助部材８１、８２が形成される。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性に優れた金属で形成されてもよい。
【００４９】
画素電極１９１は、コンタクトホール１８５を通してドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電圧の印加を受ける他の表示板２００の共通電極２７０と共に電界を形成することによって、二つの電極１９１、２７０の間の液晶層３の液晶分子の方向を決定する。このように決定された液晶分子の方向によって、液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０とは、キャパシタ（以下、「液晶キャパシタ」という）を構成して、薄膜トランジスタがオフした後にも印加された電圧を維持する。
【００５０】
画素電極１９１は、蓄積電極１３３ａ〜１３３ｄをはじめとする蓄積電極線１３１とオーバーラップする。画素電極１９１及びこれと電気的に接続されたドレイン電極１７５が蓄積電極線１３１と重なって蓄積キャパシタを構成する。蓄積キャパシタは、液晶キャパシタと並列に接続され、液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。
【００５１】
各画素電極１９１は、ゲート線１２１またはデータ線１７１とほぼ平行な四つの周辺を有し、四つの角が面取りされる（ｃｈａｍｆｅｒｅｄ）ほぼ四角形である。画素電極１９１の面取り斜辺は、ゲート線１２１に対して約４５°の角度を成す。画素電極１９１には、中央切開部９１、下部切開部９２ａ及び上部切開部９２ｂが形成されており、画素電極１９１は、これら切開部９１〜９２ｂによって複数の領域に区分される。切開部９１〜９２ｂは、画素電極１９１を二等分する仮想の横中心線に対してほぼ反転対称をなす。
【００５２】
下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂは、該画素電極１９１の右側辺の上下コーナー（隅）から左側辺の中央に向かってに斜めに延びて、第３及び第４蓄積電極１３３ｃ、１３３ｄと各々オーバーラップする。下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂは、画素電極１９１の仮想の横方向中心線に対して下半部と上半部とに各々位置している。下部及び上部切開部９２ａ、９２ｂは、ゲート線１２１に対して約４５°の角度を成し、互いにほぼ垂直に延びる。
【００５３】
中央切開部９１は、画素電極１９１の仮想の横方向中心線に沿って延び、右側辺方向に入口（ｉｎｌｅｔ）を有する。中央切開部９１の入口は、下部切開部９２ａと上部切開部９２ｂとに各々ほぼ平行な一対の斜辺を有する。従って、画素電極１９１の下半部は下部切開部９２ａによって二つの領域に区分され、上半部も上部切開部９２ｂによって二つの領域に区分される。このとき、領域の数及び切開部の数は、画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺の長さ比、液晶層３の種類や特性などの設計要素によって変えてもよい。
【００５４】
接続橋８３は、ゲート線１２１を横切って、ゲート線１２１を間に置いてお互いに反対側に位置するコンタクトホール１８３ａ、１８３ｂを通して、蓄積電極線１３１の露出された部分と第１蓄積電極１３３ａの自由端の露出された端部とに接続される。蓄積電極１３３ａ、１３３ｂをはじめとする蓄積電極線１３１は、接続橋８３及び絶縁された金属片１７８と共にゲート線１２１やデータ線１７１または薄膜トランジスタの欠陥のリペア（ｒｅｐａｉｒ）に用いられる。
【００５５】
接触補助部材８１、８２は、各々コンタクトホール１８１、１８２を通してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完してこれらを保護する。
【００５６】
次に、図３乃至図５を参照して、共通電極表示板２００について説明する。
【００５７】
透明なガラスまたはプラスチックなどで形成された絶縁基板２１０上に、遮光部材２２０が形成される。遮光部材２２０は、ブラックマトリックスともいい、画素電極１９１間の光漏れを防止する。遮光部材２２０は、画素電極１９１と対向して画素電極１９１とほぼ同じ形状の複数の開口部２２５を有する。しかし、遮光部材２２０は、ゲート線１２１及びデータ線１７１に対応する線状部と薄膜トランジスタに対応する線状部とを含んでもよい。
【００５８】
基板２１０上には、また、複数のカラーフィルタ２３０が形成される。カラーフィルタ２３０は、遮光部材２２０に囲まれた領域内に殆ど存在し、画素電極１９１列に沿って縦方向に長く延びてもよい。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色などの基本色のうちの一色を表示してもよい。
【００５９】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には、蓋膜２５０が形成される。蓋膜２５０は、有機絶縁物で形成でき、カラーフィルタ２３０が露出されることを防止し、平坦面を提供する。蓋膜２５０は省略されてもよい。
【００６０】
蓋膜２５０上には共通電極２７０が形成される。共通電極２７０は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電体などで形成され、共通電極２７０には複数の切開部７１、７２ａ、７２ｂの集合が形成される。
【００６１】
一つの切開部７１〜７２ｂの集合は、一つの画素電極１９１と対向して中央切開部７１、下部切開部７２ａ及び上部切開部７２ｂを含む。各々の切開部７１〜７２ｂは、画素電極１９１の隣接切開部９１〜９２ｂの間、または切開部９２ａ、９２ｂと画素電極１９１の面取り斜辺との間に配置される。また、各切開部７１〜７２ｂは、画素電極１９１の下部切開部９２ａまたは上部切開部９２ｂとほぼ平行に延びた少なくとも一つの斜線部を含む。切開部７１〜７２ｂは、画素電極１９１の仮想の横方向中心線に対してほぼ反転対称をなす。
【００６２】
下部及び上部切開部７２ａ、７２ｂは、各々斜線部、横部及び縦部を含む。斜線部は、該画素電極１９１の上側または下側辺から左側辺に延びる。横部及び縦部は、斜線部の各端から画素電極１９１の辺に沿って、画素電極１９１の辺とオーバーラップしながら延びて、斜線部と鈍角をなす。
【００６３】
中央切開部７１は、中央横部、一対の斜線部及び一対の縦断縦部を含む。中央横部は、該画素電極１９１の左側辺から画素電極１９１の（仮想の）横中心線に沿って右側に延びる。一対の斜線部は、中央横部の端部から画素電極１９１の右側辺に向かって中央横部と鈍角をなしながら、各々下部及び上部切開部７２ａ、７２ｂとほぼ平行に延びる。縦断縦部は、当該斜線部の端部から画素電極１９１の右側辺に沿って、右側辺とオーバーラップしながら延びて、斜線部と鈍角をなす。
【００６４】
切開部７１〜７２ｂの数も、設計要素によって変わり、遮光部材２２０が切開部７１〜７２ｂとオーバーラップして、切開部７１〜７２ｂ付近の光漏れを遮断できる。
【００６５】
共通電極２７０に共通電圧を印加し、画素電極１９１にデータ電圧を印加すると、表示板１００、２００の表面にほぼ垂直の電界が生成される。液晶分子は、電界に応じて、その長軸が電界の方向と垂直をなすように方向を変えようとする。
【００６６】
電界生成電極１９１、２７０の切開部７１〜７２ｂ、９１〜９２ｂと画素電極１９１の辺とは、電界を歪曲して各サブ領域における液晶分子の傾斜方向を決定する水平成分を形成する。電界の水平成分は、切開部７１〜７２ｂ、９１〜９２ｂの辺及び画素電極１９１の辺にほぼ垂直である。
【００６７】
図４を参照すると、一つの切開部の集合７１〜７２ｂ、９１〜９２ｂは、画素電極１９１を複数のサブ領域に分けて、各サブ領域は画素電極１９１の周辺と斜角をなす二つの周辺を有する。各サブ領域の周辺は、偏光子（偏光板）１２、２２の偏光軸と約４５゜をなし、これは光効率を最大にするためである。
【００６８】
各サブ領域上の液晶分子は、切開部７１〜７２ｂ、９１〜９２ｂの辺及び電極１９１などの周辺に対して垂直方向に傾くので、傾く方向を簡略にすると、四つの方向である。このように液晶分子が傾く方向を多様にすると、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【００６９】
切開部７１-７２ｂ、９１-９２ｂの形状、及び配置は多様に変更できる。少なくとも一つの切開部７１〜７２ｂ、９１〜９２ｂは、突起（図示せず）や陥没部（図示せず）に代替できる。突起は有機物または無機物で形成でき、電界生成電極１９１、２７０の上または下に配置される。
【００７０】
表示板１００、２００の内側面にはポリイミドなどで形成された配向膜１１、２１が塗布されており、これらは垂直配向膜（ｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉｃ）でもよい。
【００７１】
表示板１００、２００の外側側面には偏光板１２、２２が備えられるが、二つの偏光板１２、２２の偏光軸は直交してもよく、斜線切開部９２ａ、９２ｂ及び切開部７１〜７２ｂの斜線部と約４５゜の角度を構成してもよい。反射型液晶表示装置の場合には、二つの偏光板１２、２２のうちの一つが省略されてもよい。偏光板１２、２２については後述する。
【００７２】
本実施形態による液晶表示装置は、液晶層３の遅延を補償するための位相差膜（図示せず）を更に含んでもよい。液晶表示装置は、また、偏光板１２、２２、位相差膜、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（図示せず）を含んでもよい。
【００７３】
液晶層３は、負の誘電率異方性を有する複数の液晶分子３００を含み、液晶分子３００は電界がない状態でその長軸が二つの表示板１００、２００の表面に対してほぼ垂直をなすように配向される。従って、入射光は偏向軸が直交する偏光板１２、２２を通過できずに遮断される。
【００７４】
以下、偏光板１２、２２及びこれが取り付けられる液晶表示装置について、図７Ａ、図７Ｂ及び図８を参照して説明する。
【００７５】
図７Ａ及び図７Ｂは本発明の一実施形態による偏光板を概略的に示した断面図であり、図８は本発明の一実施形態による偏光板が具備された液晶表示装置を概略的に示した断面図である。
【００７６】
図８を参照すると、前述した薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００は、間隔材４０によって所定間隔に離隔され、その間に液晶層３が注入される。
【００７７】
表示板１００、２００の外側には下部偏光板１２及び上部偏光板２２が各々形成される。
【００７８】
下部偏光板１２及び上部偏光板２２については、図７Ａ、図７Ｂを参照して説明する。図７Ａは下部偏光板１２を概略的に示した断面図であり、図７Ｂは上部偏光板２２を概略的に示した断面図である。
【００７９】
下部偏光板１２及び上部偏光板２２は、各々偏光板本体１３、２３と、偏光板本体１３、２３の一側に形成される離型フィルム１８、２８と、偏光板本体１３、２３の他方に形成される保護フィルム１９、２９と、偏光板本体１３、２３と離型フィルム１８、２８との間に形成される粘着層１４、２４と、を含む。
【００８０】
偏光板本体１３、２３は、偏光媒質１６、２６及び偏光媒体１６、２６の上部及び下部に形成される支持層１７、２７を含み、偏光媒体１６、２６の表面にヨウ素などの二色性物質を塗布・配向して作られる（特許文献１）。
【００８１】
偏光媒体１６、２６は、一般にポリビニルアルコール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ、ＰＶＡ）を含んでもよく、支持層１７、２７はトリアセテートセルロース（ｔｒｉａｃｅｔａｔｅ  ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ、ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオン酸塩（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ  ａｃｅｔａｔｅ  ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）及び／またはＷＶ-ＴＡＣ（ｗｉｄｅ  ｖｉｅｗ-ＴＡＣ）であってもよい。
【００８２】
離型フィルム１８、２８は、粘着層１４、２４上に形成されており、偏光板１２、２２が表示板１００、２００上に取り付けられる際に偏光板１２、２２から除去される。したがって、図８に示した液晶表示装置に取り付けられた偏光板１２、２２は、離型フィルム１８、２８を含まない。
【００８３】
保護フィルム１９、２９は、偏光板本体１３、２３の外側に形成されて、液晶表示装置の製造工程において偏光板１２、２２を保護する。保護フィルム１９、２９は、液晶表示装置の製造が完成した後に除去される。したがって、図８に示した液晶表示装置に取り付けられた偏光板１２、２２は、保護フィルム１９、２９を含まない。
【００８４】
このように離型フィルム１８、２８及び保護フィルム１９、２９は、所定段階で偏光板１２、２２から除去される。しかし、離型フィルム１８、２８及び保護フィルム１９、２９が偏光板１２、２２から除去される際に起きる電荷分離のため、離型フィルム１８、２８と粘着剤１４、２４との間または保護フィルム１９、２９と偏光板本体１３、２３との間に静電気が生じる。
【００８５】
本発明の一実施形態では、偏光板１２、２２が水溶性導電性高分子を含んだ粘着層１４、２４を含むことによって、製造工程においてこのような静電気を効果的に除去できる。
【００８６】
粘着層１４、２４は、表示板１００、２００と偏光板本体１３、２３とを接着する接着性物質及び水溶性導電性高分子を含む。接着性物質は、例えば、ポリアセテート酸ビニル系化合物、シアノアクリレート及びビスアクリレートなどの物質を含んでもよいが、接着性がある物質であれば特に限定されない。水溶性導電性高分子は、下記の化学式（Ｉ）に示される自己ドープ型水溶性ポリアニリングラフト共重合体:
【化５】
2008116947.tif 000007
または下記の化学式（ＩＩ）に示される自己ドープ型水溶性ポリピロールグラフト共重合体:
【化６】
2008116947.tif 000008
であってもよい。このような水溶性導電性高分子は、粘着剤の総含量に対して約５乃至５０重量％含有するのが望ましい。
【００８７】
前記構造を有するポリアニリングラフト共重合体またはポリピロールグラフト共重合体は、ポリスチレンスルホン酸主鎖にアニリン単量体またはピロール単量体をグラフト反応させることによりグラフト共重合されたポリアニリンまたはポリピロール重合体を含む。前記構造の共重合体は主鎖自体がドーパント（ｄｏｐａｎｔ）の役割を果たすために、共重合体は溶解度を高めるための別途のドーパントを必要としない。また、共重合体は水溶液だけでなく有機溶剤にも容易に溶解できるため、共重合体は接着性物質や溶剤と容易に混ざる。
【００８８】
従って、ポリアニリンまたはポリピロールが接着性物質及び溶剤に溶け易くなるように、別途のドーパントをポリアニリンまたはポリピロールに添加する場合に発生する、ポリアニリンまたはポリピロールとドーパントとの間の相分離が防止される。
【００８９】
このように接着性成分及び自己ドープ型水溶性ポリアニリングラフト共重合体または自己ドープ型水溶性ポリピロールグラフト共重合体を混合して粘着層１４、２４を形成することによって、別途の静電気防止層がなくても剥離帯電による静電気を効果的に除去できる。
【００９０】
以上で本発明の望ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されることなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の概略図である。
【図２】本発明の一実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図３】本発明の一実施形態による液晶表示装置用共通電極表示板の配置図である。
【図４】図２の薄膜トランジスタ表示板と図３の共通電極表示板を含む液晶表示装置の配置図である。
【図５】図４の液晶表示装置をＶ-Ｖ線に沿って示した断面図である。
【図６】図４の液晶表示装置をＶＩ-ＶＩ線に沿って示した断面図である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態による偏光板の断面構造を概略的に示した断面図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施形態による偏光板の断面構造を概略的に示した断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による偏光板を備えた液晶表示装置の断面構造を概略的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００９２】
３      液晶層
１１、２１      配向膜
１２、２２      偏光板
１３、２３      偏光板本体
１４、２４      粘着層
１６、２６      偏光媒質
１７、２７      支持層
１８、２８      離型フィルム
１９、２９      保護フィルム
８１、８２      接触補助部材
８３      蓄積電極線接続橋
９１、９２ａ、９２ｂ、７１、７２ａ、７２ｂ      切開部
１００、２００      表示板
１１０、２１０      絶縁基板
１２１      ゲート線
１２４      ゲート電極
１２９      ゲート線の端部
１３１      蓄積電極線
１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄ      蓄積電極
１４０      ゲート絶縁膜
１５１、１５４      半導体
１６１、１６３、１６５      オーミックコンタクト部材
１７１      データ線
１７３      ソース電極
１７５      ドレイン電極
１７９      データ線の端部
１８０      保護膜
１８３ａ、１８３ｂ、１８５      コンタクトホール
１９１      画素電極
２２０      遮光部材
２３０      カラーフィルタ
２５０      蓋膜
２７０      共通電極
【図１】
2008116947.tif 000013
【図２】
2008116947.tif 000014
【図３】
2008116947.tif 000015
【図４】
2008116947.tif 000016
【図５】
2008116947.tif 000017
【図６】
2008116947.tif 000018
【図７Ａ】
2008116947.tif 000019
【図７Ｂ】
2008116947.tif 000020
【図８】
2008116947.tif 000021