(57)【要約】  【課題】ダミー基板の処理時間の短縮を実現することができる基板処理装置を提供する。  【解決手段】基板に対して所定の処理を施す複数の処理モジュール２，３と、基板を収納したカセットＣＳ１，ＣＳ２を導入するロードポートＬＰ，ＬＰ２と、ロードポートＬＰ，ＬＰ２に載置されたカセットＣＳ１，ＣＳ２の基板を前記処理モジュール２，３に搬送するローダハンドラＬＨと、各種レシピを保存する記憶部１８と、基板毎に所定のレシピの指定及び指定されたレシピの開始指示をする手段とを有する操作画面を備えた操作部１２と、操作画面で指示されたレシピを実行する制御部１７と、を有する基板処理装置であって、操作部１７は、処理モジュール２，３毎に、ダミー基板の使用枚数や前記ダミー基板用レシピを実行するまでの時間に応じて、前記ダミー基板毎に所定のダミー用レシピを実行するか否かを判定する。【選択図】図３
2008288282.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して所定の処理を施す複数の処理モジュールと、
前記基板を収納した基板収容容器を導入する少なくとも１つの導入ポートと、
前記導入ポートに載置された前記基板収容容器内の基板を前記処理モジュールに搬送する搬送装置と、
各種レシピを保存する格納手段と、
前記基板毎に所定のレシピの指定及び指定されたレシピの開始指示をする手段とを有する操作画面を備えた操作部と、
前記操作画面で指示されたレシピを実行する制御部と、
を有する基板処理装置であって、
前記操作部は、前記処理モジュール毎に、ダミー基板の使用枚数や前記ダミー基板用レシピを実行するまでの時間に応じて、前記ダミー基板毎に所定のダミー用レシピを実行するか否かを判定することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハやガラス基板等を処理するための基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板処理装置において、装置の立ち上げ時や生産基板（処理基板）の処理間隔が空いた場合、プロセスチャンバ内の雰囲気が不安定（例えばチャンバ内温度の低下、不純物のプロセスチャンバへの付着など）になるため、ダミー基板を用いた処理が行われている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の技術においては、１枚のダミー基板に１つのダミー基板用レシピしか指定できないため、ダミー基板の処理時間（又は処理枚数）が増加することがあった。
【０００４】
本発明は、上記の問題を解消し、ダミー基板の処理時間の短縮を実現することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の特徴とするところは、基板に対して所定の処理を施す複数の処理モジュールと、前記基板を収納した基板収容容器を導入する少なくとも１つの導入ポートと、前記導入ポートに載置された前記基板収容容器内の基板を前記処理モジュールに搬送する搬送装置と、各種レシピを保存する格納手段と、前記基板毎に所定のレシピの指定及び指定されたレシピの開始指示をする手段とを有する操作画面を備えた操作部と、前記操作画面で指示されたレシピを実行する制御部と、を有する基板処理装置であって、前記操作部は、前記処理モジュール毎に、ダミー基板の使用枚数や前記ダミー基板用レシピを実行するまでの時間に応じて、前記ダミー基板毎に所定のダミー用レシピを実行するか否かを判定する基板処理装置にある。
【０００６】
好適には、前記操作部は、次に処理する製品基板を実行するまでの時間が所定時間に達した場合、ダミー基板用レシピを実行する。
【０００７】
好適には、前記ダミー基板用レシピは、ダミー基板毎に処理条件を変更できる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ダミー基板毎に所定ダミー用レシピを実行することができ、ダミー基板の処理時間の短縮を実現することができるため、処理モジュール内の雰囲気を安定させるのにかかる時間を少なくし、ひいてはスループットの向上が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら、本発明の基板処理装置における実施の形態について説明する。
【００１０】
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一例であるインライン型の半導体製造装置の概略的な構成図である。図１の構成では、ウエハ搬送用ロボットやプロセスチャンバが複数台、及びキャリア受渡し用のロードロック室が２式接続された並列冗長の構成となっている。また、この半導体製造装置は基板（ウエハ）を搬送するキャリアを用いている。
【００１１】
図１において、インライン型の半導体製造装置１は２チャンネルで構成されており、基本的には次のような機能をもつ複数のモジュール（第１の処理モジュール２及び第２の処理モジュール３）によって構成されている。第１の処理モジュール２は、プロセスチャンバＰＭ１及びバキュームロックチャンバＶＬ１を有し、第２の処理モジュール３は、プロセスチャンバＰＭ２及びバキュームロックチャンバＶＬ２を有する。つまり、半導体製造装置１は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２との間には、それぞれ、ゲートバルブＰＧＶ１，ＰＧＶ２が設けられ、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２には、それぞれ、真空ロボットハンドラＴＨ１，ＴＨ２との上段にバッファスロットＬＳを備え下段にクーリングステージＣＳを備える多段型のスロットとが設けられている。さらに、大気ローダＬＭには、アライナＡＵとローダハンドラＬＨが内蔵されている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２と大気ローダＬＭとの間にはローダドアＬＤ１，ＬＤ２が設けられている。
【００１２】
各モジュールの機能をさらに詳しく説明する。プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの化学処理反応によってウエハに所定の処理を施し、そのウエハに付加価値を与える機能を有している。さらに、ガスの導入や排気処理、炉内の温度制御、及びプラズマ放電処理などそれぞれの成膜方式に合わせた機能も有している。
【００１３】
バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、真空／大気圧のチャンバ内圧力を制御することができ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２へウエハを搬入搬出するためのロボットを装備している。さらに、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、ウエハを保持することができる多段型のスロットを内部に備えている。例えば、２段型のスロットの場合は、上段でウエハを保持するためのバッファスロットＬＳと下段でウエハをクーリングするためのクーリングステージＣＳとを備えている。
【００１４】
大気ローダＬＭは、各ロードロックチャンバ（つまり、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２）へウエハを搬入搬出することができるロボットを装備している。また、搬送時のウエハずれを補正してウエハのノッチ（ウエハの方向を決める切れ込み）を一定方向に合わせるためのアライナＡＵの機構を内蔵している。さらに、大気ローダＬＭは、ロードポートＬＰ１，ＬＰ２との間でウエハ搬入搬出を行うローダハンドラＬＨを備えている。
【００１５】
導入ポートとしてのロードポートＬＰ１，ＬＰ２は、半導体製造装置１の外部との間でウエハを収納した（複数枚保持できる）キャリアとしてのカセットＣＳ１，ＣＳ２を受け渡しする（導入する）ことができる機能を備えている。さらに、キャリアＩＤをリード／ライトすることもできる。
【００１６】
図１に示すような半導体製造装置１の構成において、プロセスチャンバＰＭ１の一式とバキュームロックチャンバＶＬ１の一式を対にし、プロセスチャンバＰＭ２の一式とバキュームロックチャンバＶＬ２の一式を別の対にして、複数ラインを大気ローダＬＭに接続する。図１の半導体製造装置１の構成では２ラインとなっているが、さらに多くのラインで構成してもよい。
【００１７】
また、図１に示す半導体製造装置１には、制御用コントローラ（図示せず）が接続されており、その制御用コントローラは搬送制御やプロセス制御などを実行する手段を有している。図２は、図１に示す半導体制御装置１を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。
【００１８】
図２において、制御用コントローラ１１は、操作部１２と統括制御コントローラ１３とＰＭＣ（１）１４及びＰＭＣ（２）１５がＬＡＮ回線１６で接続されている。また、統括制御コントローラ１３にはＶＬロボットコントローラ１３ａ、大気ロボットコントローラ１３ｂ、ＭＦＣ１３ｃなどが接続されている。さらに、ＰＭＣ（１）１４には、ＭＦＣ１４ａ、ＡＰＣ１４ｂ、温度調節器１４ｃ、バルブＩ／Ｏ１４ｄなどが接続されている。なお、ＭＦＣ１４ａはガスの流量を制御するためのマスフローコントローラであり、ＡＰＣ１４ｂはプロセスチャンバＰＭ内の圧力を制御するためのオートプレッシャコントローラである。また、温度調節器１４ｃはプロセスチャンバ内の温度の制御を行うものであり、バルブＩ／Ｏ１４ｄはガスや排気用のバルブのＯＮ／ＯＦＦを制御するための入出力ポートである。また、ＰＭＣ（２）１５も同様な構成となっている。
【００１９】
操作部１２は、システム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、及びパラメータ編集などの画面を表示する表示部と、前記表示部に備えられた画面（操作画面）を介して所定の入力手段により入力された指示データや各種レシピ（生産基板用レシピ、ダミー基板用レシピ等）を格納する記憶部とを有している。また、統括制御コントローラ１３は、システム全体の運用制御、ＶＬロボットコントローラ１３ａの制御、大気ロボットコントローラ１３ｂの制御、ＭＦＣ１３ｃやバルブやポンプなどを制御するＶＬ排気系制御を行う。
【００２０】
次に、図２に示す制御用コントローラ１１の一般的な運用例について説明する。操作部１２からの運用開始指示を受けた統括制御コントローラ１３は、ウエハ搬送指示を大気ロボットコントローラ１３ｂに指示する。該当するウエハがキャリアからバキュームロックチャンバＶＬのバッファスロットＬＳへ搬送されてから、バキュームロックチャンバＶＬの排気制御（つまり、ポンプやバルブの制御）を実施する。そして、バキュームロックチャンバＶＬの排気制御（つまり、ポンプやバルブの制御）を実施する。そして、バキュームロックチャンバＶＬが所定の負圧力に達したところでウエハを該当するＰＭＣ（つまり、ＰＭＣ（１）１４またはＰＭＣ（２）１５）に対して、ウエハに付加価値を与えるため生産基板用レシピの実行指示を行う。
【００２１】
次に、操作部１２が表示する画面の一例を図３に基づいて説明する。
操作部１２には、ダミー基板処理設定画面２０が表示され、ユーザがこのダミー処理設定画面２０を介してダミー基板処理に関するパラメータを設定できるようになっている。ダミー基板処理設定画面２０は、ダミー基板用レシピ設定部２２、処理開始条件設定部２４及びダミー基板使用枚数設定部２６を有する。
【００２２】
ダミー基板レシピ設定部２２には、ダミー基板に対して実行するダミー基板用レシピが設定される。より具体的には、ダミー基板レシピ設定部２２には、ダミー基板毎に所定のダミー基板用レシピが指定されるようになっている。例えば、図３に示すように、１枚目のダミー基板に対しては記憶部に記憶されている複数のダミー基板用レシピのうち「Ｄｕｍｍｙ＿Ｒｅｃｉｐｅ１」が設定され、例えばＮ枚目のダミー基板に対しては記憶部１８に記憶されている複数のダミー基板用レシピのうち「Ｄｕｍｍｙ＿ＲｅｃｉｐｅＮ」が設定されている。このように、ダミー基板レシピは、ダミー基板毎に異なるように設定することができる。
なお、全てのダミー基板に対して同一のダミー基板用レシピを設定するようにしてもよい。また、プロセスチャンバＰＭ１とプロセスチャンバＰＭ２とで異なるダミー基板レシピの設定を行えるようにしてもよい。
【００２３】
処理開始条件時間設定部２４には、生産基板処理未実行間隔が設定される。より具体的には、処理開始条件時間設定部２４には、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の空き時間（使用していない時間）、すなわち運用開始指示が送信されるまでの時間が設定される。例えば、図３に示すように、処理開始条件時間として１０分が設定されている。操作部１２は、運用開始（製品基板の処理を開始）するときに、運用開始指示を受けつける。この処理開始条件設定部２４の設定が０時間０分である場合、制御部１７は、ダミー基板用レシピを実行する。このようにして、処理開始条件時間設定部２４に時間を設定することによりダミー基板用レシピを実行するか否かを判定することが可能となっている。なお、プロセスチャンバＰＭ１でダミー基板用レシピを実行し、プロセスチャンバＰＭ２でダミー基板用レシピを実行しない設定を行えるようにしてもよい。
【００２４】
ダミー基板枚数設定部２６には、使用するダミー基板の枚数が設定される。
なお、このダミー基板枚数設定部２６において、プロセスチャンバＰＭ１とプロセスチャンバＰＭ２とで使用するダミー基板の枚数を変えた設定を行えるようにしてもよい。
【００２５】
次に、半導体製造装置１の運用方法を図４及び５に基づいて説明する。
図４に示すように、半導体製造装置１の装置立ち上げ時において、統括コントローラ１３、ＰＭＣ（１）１４及びＰＭＣ（２）１５は、操作部１２より該操作部１２のダミー基板処理設定画面２０を介して設定された設定データを含む装置パラメータをダウンロードする。
【００２６】
ＰＭＣ（１）１４及びＰＭＣ（２）１５は、操作部１２よりダウンロードした装置パラメータを各メモリ（図示しない）に保存する。ＰＭＣ（１）１４及びＰＭＣ（２）１５は、それぞれが管理するＰＭＣ内部管理データとして、ダミー基板用レシピが実行されたダミー基板の枚数（ダミー基板処理カウント）と、ダミー基板用レシピを実行するまでの時間（ダミー基板処理が必要となるまでの時間）等を管理する。ここでは、ＰＭＣ（１）１４及びＰＭＣ（２）１５は、ダミー処理カウントを０回とし、また、ダミー基板処理が必要となるまでの残時間を算出し、該残時間を操作部１２に対して例えば１秒周期でモニタ報告する。このとき、基板処理装置１はアイドル状態となる。
【００２７】
操作部１２は、運用開始（生産基板の処理を開始）する時に、ＰＭＣ（１）１４又はＰＭＣ（２）１５より報告されたダミー基板処理が必要となるまでの残時間が０時間０分の場合、統括制御コントローラ１３に対して運用開始指示により、ダミー基板処理を実行する必要の有無、ダミー基板処理枚数等の情報を送信する。例えば、図４に示すように、操作部１２は、運用開始指示により、ダミー基板処理を実行する必要有り、ダミー基板処理枚数２枚（図３の設定部２６に設定されている枚数）との情報を含むデータを統括コントローラ１３に対して送信する。但し、前記残時間が０時間０分でない場合、予めダミー基板処理枚数がある値に設定されていても前記ダミー基板処理枚数は０枚として統括コントローラ１３に送信される。このとき、半導体製造装置１はアイドル状態から運用開始状態に移行する。
【００２８】
統括制御コントローラ１３は、操作部１２より運用開始指示を受けると、該運用開始指示とともに送信されるデータに応じて、ダミー基板処理を行う。上記データによりダミー基板用レシピを実行する場合、ＶＬロボットコントローラ１３ａ及び大気ロボットコントローラ１３ｂを介してローダハンドラＬＨ及び真空ロボットハンドラＴＨ１を制御し、ロードポートＬＰ１又はロードポートＬＰ２よりプロセスチャンバＰＭ１に１枚目のダミー基板を搬送する。統括制御コントローラ１３は、プロセスチャンバＰＭ１への１枚目のダミー基板の搬送が完了すると、ＰＭＣ（１）１４に対してダミー基板処理を許可する指示（ダミー基板処理指示）を行なう。
【００２９】
ＰＭＣ（１）１４は、統括制御コントローラ１３よりダミー基板処理指示を受けると、ＰＭＣ内部管理データとしてのダミー処理カウントが０回であることをチェックし、ダミー基板処理設定画面２０を介して１枚目のダミー基板に対して設定されたダミー基板用レシピを実行する。続いて、ＰＭＣ（１）１４は、ＰＭＣ内部管理データを更新する。具体的には、ＰＭＣ（１）１４は、ダミー処理カウントを１回とする。ＰＭＣ（１）１４は、１枚目のダミー基板に設定されたダミー基板用レシピが終了すると、統括制御コントローラ１３に対してダミー基板処理終了報告を行なう。
【００３０】
なお、プロセスチャンバＰＭ２に対しても上記同様の処理を行なう。すなわち、統括制御コントローラ１３は、プロセスチャンバＰＭ２に対してもダミー基板１枚目を搬送し、ＰＭＣ（２）１５は、１枚目のダミー基板に対して設定されたダミー基板用レシピを実行し、統括制御コントローラ１３に対してダミー基板処理終了報告を行なう。
【００３１】
図５に示すように、統括制御コントローラ１３は、ＰＭＣ（２）１５よりダミー基板終了報告を受けると、ＶＬロボットコントローラ１３ａを介して真空ロボットハンドラＴＨ１を制御し、プロセスチャンバＰＭ１からダミー基板１枚目を取り出し、２枚目のダミー基板をプロセスチャンバＰＭ１へ搬送する。統括制御コントローラ１３は、プロセスチャンバＰＭ１への２枚目のダミー基板の搬送が完了すると、ＰＭＣ（１）１４に対してダミー基板処理指示を行なう。
【００３２】
ＰＭＣ（１）１４は、統括制御コントローラ１３よりダミー基板処理指示を受けると、内部管理データのダミー処理カウントが１回であることをチェックし、ダミー基板処理設定画面２０を介して２枚目のダミー基板に対して設定されたダミー基板用レシピを実行する。ＰＭＣ（１）１４は、２枚目のダミー基板に対するダミー基板処理が正常に終了すると、操作部１２のダミー基板処理設定画面２０を介して設定されたダミー基板枚数とＰＭＣ（１）１４で処理したダミー基板の枚数とが一致したことを確認し、ダミー基板処理カウントを０回に戻し、統括制御コントローラ１３に対してダミー基板処理終了報告を行なう。また、ＰＭＣ（１）１４は、ダミー基板処理が必要となるまでの残時間に操作部１２のダミー基板処理設定画面２０を介して設定されたダミー基板処理開始条件時間を設定し、以後１分毎に該残時間のカウントダウンを行なう。
【００３３】
なお、プロセスチャンバＰＭ２に対しても上記同様の処理を行う。すなわち、統括制御コントローラ１３は、プロセスチャンバＰＭ２に対しても２枚目のダミー基板を搬送し、ＰＭＣ（２）１５は、２枚目のダミー基板に対して設定されたダミー基板用レシピを実行し、ダミー基板用レシピが正常に終了すると、統括制御コントローラ１３に対してダミー基板処理終了報告を行なう。
【００３４】
統括制御コントローラ１３は、ＰＭＣ（２）１５よりダミー基板処理終了報告を受けると、ＶＬロボットコントローラ１３ａを介して真空ロボットハンドラＴＨ１を制御し、プロセスチャンバＰＭ１からダミー基板２枚目を取り出し、生産基板をプロセスチャンバＰＭ１へ搬送する。統括制御コントローラ１３は、プロセスチャンバＰＭ１への生産基板の搬送が完了すると、ＰＭＣ（１）１４に対して生産基板処理指示を行なう。
【００３５】
ＰＭＣ（１）１４は、統括制御コントローラ１３より生産基板処理指示を受けると、生産基板に対して設定された生産基板用レシピを実行する。ＰＭＣ（１）１４は、生産基板処理が正常に終了すると、統括制御コントローラ１３に対して生産基板処理終了報告を行ない、ＰＭＣ内部管理データを更新する。具体的には、ＰＭＣ（１）１４は、操作部１２のダミー基板処理設定画面２０を介してダミー基板処理開始条件時間に予め設定されている時間を設定し、以後１分毎に該設定時間のカウントダウンを行なう。
【００３６】
なお、プロセスチャンバＰＭ２に対しても上記同様の処理を行なう。すなわち、統括制御コントローラ１３は、プロセスチャンバＰＭ２に対しても２枚目のダミー基板の取り出し及び生産基板の搬送を行い、ＰＭＣ（２）１５は、該生産基板に対して設定された生産基板用レシピを実行し、生産基板用レシピが正常に終了すると、統括制御コントローラ１３に対して生産基板処理終了報告を行なう。
【００３７】
統括制御コントローラ１３は、ＰＭＣ（１）１４及びＰＭＣ（２）１５より生産基板処理終了報告を受けると、操作部１２に対して運用終了報告を行なう。これにより、半導体製造装置１は再度アイドル状態に移行する。
【００３８】
なお、ダミー基板処理中に異常が発生し運用が中止された場合、ＰＭＣ（１）１４又はＰＭＣ（２）１５はダミー基板処理カウントを０に戻すようになっている。したがって、次回、基板処理装置１が新たに運用を開始した場合、再度、ダミー基板１枚目に設定されたダミー基板用レシピから実行される。尚、ダミー処理時間開始条件時間を強制的に０時間０分にするようにしてもよい。
【００３９】
次に、実施例１及び２について説明する。
【００４０】
[実施例１]
上述した操作部１２におけるダミー基板処理設定画面２０のダミー基板用レシピ設定部２２において、１枚目のダミー基板に対して第１のダミー基板用レシピであるＤｕｍｍｙ＿Ｒｅｃｉｐｅ１を設定し、２枚目のダミー基板に対して第２のダミー基板用レシピであるＤｕｍｍｙ＿Ｒｅｃｉｐｅ２を設定する。第１のダミー基板用レシピにはプロセスチャンバＰＭ１内の温度を上げる処理が設定されており、第２のダミー基板用レシピには上昇しすぎたプロセスチャンバＰＭ１内の温度を調節する処理が設定されている。
【００４１】
まず、プロセスチャンバＰＭ１に１枚目のダミー基板を搬送し、ＰＭＣ（１）１４は、１枚目のダミー基板に対して第１のダミー基板用レシピ（Ｄｕｍｍｙ＿Ｒｅｃｉｐｅ１）を実行し、プロセスチャンバＰＭ１内の温度を上げる処理を行なう。これにより、生産間隔（生産基板用レシピの実行間隔）が空くことにより冷えたプロセスチャンバＰＭ１内の温度を上げることができる。
【００４２】
プロセスチャンバＰＭ１の温度を上げるためのプロセス条件は、生産基板用レシピの処理条件よりも反応室（プロセスチャンバＰＭ１）の温度が上がり易い条件が適している。以下例示すると、１．加熱源(ヒータやランプ)の出力を生産基板用レシピよりも高くする。２．加熱時間を生産基板用レシピよりも長くする。３．上記１と２の条件を組合せる。４．反応室（プロセスチャンバＰＭ１）全体に熱が行き渡り易くする目的で、反応室内の圧力を生産基板用レシピよりも高くして熱伝導を良くする。５．１〜３のいずれかと４を組合せる。などが挙げられる。上記第１のダミー基板用レシピとして、例えば、プロセスチャンバＰＭ１が、ランプ加熱を行う場合の一例を以下に挙げる。
ランプ照射時間  １７．５分
ランプ出力      ８０％（約２．５ＫＷ）
ヒータ設定温度  ９００℃（生産基板用レシピの温度条件が９００℃の場合）
ガス流量        ５００ｓｃｃｍ
ガス種          Ｎ２
圧力            １００Ｐａ
【００４３】
続いて、プロセスチャンバＰＭ１から１枚目のダミー基板を取り出し、プロセスチャンバＰＭ１内に２枚目のダミー基板を搬送する。ＰＭＣ（１）１４は、２枚目のダミー基板に対して第２のダミー基板用レシピ（Ｄｕｍｍｙ＿Ｒｅｃｉｐｅ２）実行し、プロセスチャンバＰＭ１内の上がりすぎた温度を調整する。
【００４４】
プロセスチャンバＰＭ１の温度を安定させるためのプロセス条件は、反応室（プロセスチャンバＰＭ１）内の温度を、生産基板用レシピのプロセス条件で処理を繰り返した際に落ち着く温度に調整するための条件であり、基本的には、生産基板用レシピと同じプロセス条件で行う。このダミー基板用レシピのプロセス条件は、生産基板用レシピと同じプロセス条件或いは類似のプロセス条件にする必要があるため、生産基板用レシピのプロセス条件に応じて作成されるものである。例えば、上記第２のダミー基板用レシピ（Ｄｕｍｍｙ＿Ｒｅｃｉｐｅ２）の一例として以下に挙げる。
ランプ照射時間  ４分程度
ランプ出力      ５０％程度
ヒータ設定温度  ９００℃（生産基板用レシピの温度条件が９００℃の場合）
ガス流量        数百〜１０００ｓｃｃｍ
ガス種          Ｎ２，Ｏ２，Ｈ２（特に限定なし）
圧力            ０．１〜３００Ｐａ程度（特に限定なし）
【００４５】
このように、複数枚それぞれのダミー基板に対して複数枚それぞれのダミー基板に適したダミー基板用レシピを指定することで、各ダミー基板に同一のダミー基板レシピのみ設定可能であるものと比較し、プロセスチャンバＰＭ１内をより短時間で最適な温度に調整することができ、処理時間の短縮を実現することができる。
【００４６】
本実施例によれば、ダミー基板を２枚用いて、上記第1のダミー基板用レシピと上記第２のダミー基板用レシピを実行した場合について記述されているが、枚数は２枚に限らない。また、ダミー基板用レシピとしてランプ加熱を行う場合を例示しているが、当然ランプ加熱に限らない。また、反応室の温度を上げるためのダミー基板用レシピは、基本的に常温（２０℃程度）から生産基板用レシピを繰り返した際に落ち着く温度（プロセス条件による温度）以上まで反応室の温度を上げる必要がある。従い、ダミー基板用レシピの温度条件（ヒータ設定温度）として生産基板用レシピの温度と同じ設定にしているが、生産基板用レシピの温度条件より高い温度設定でも構わず、更に、ランプ照射時間は生産基板用レシピの時間よりも短い時間設定でも構わない。その他、ガス流量や圧力の設定も種々変更されても良い。
【００４７】
[実施例２]
本実施例においては、プロセスチャンバＰＭ１には第１の加熱手段であるヒータと第２の加熱手段であるＬａｍｐヒータとが設けられており、プロセスチャンバＰＭ２には第１の加熱手段であるヒータのみが設けられている。
【００４８】
上述した操作部１２におけるダミー基板処理設定画面２０の処理開始時間設定部２４において、プロセスチャンバＰＭ１に対してダミー基板用レシピを実行する設定、すなわち０時間０分以外を設定し、プロセスチャンバＰＭ２に対してダミー基板用レシピを実行しない所定の設定をする。
【００４９】
生産基板を処理する際（プロセス処理時）には、プロセスチャンバＰＭ１内の温度は、プロセスチャンバＰＭ２内の温度と比較してより高い温度に設定される。したがって、生産間隔（生産基板用レシピの実行間隔）が空くと、プロセスチャンバＰＭ１内はプロセスチャンバＰＭ２と比較し、温度の低下率が大きくなる。
【００５０】
これにより、温度の低下率が大きいプロセスチャンバＰＭ１においては、該プロセスチャンバＰＭ１内の温度を調整する必要があるため、ダミー基板用レシピが実行される。一方、温度の低下率が小さい（温度が維持されている）プロセスチャンバＰＭ２にはおいてはダミー基板用レシピが実行されない。このように、プロセスチャンバ毎にダミー基板用レシピを実行させるか否かを設定することができる。ここで、ダミー基板用レシピの一例として、実施例１で詳述したようなプロセスチャンバＰＭ１の温度を上げるためのダミー基板用レシピとプロセスチャンバＰＭ１の温度を安定化させるためのダミー基板用レシピを組み合わせて実行してもよいし、又は、上述した２つのダミー基板用レシピのうち一つを選択して実行しても良い。また、図３の設定画面において、温度の低下率を設定する設定部を追加して、温度の低下率によりダミー基板用レシピを実行するか否かを設定することもできる。
【００５１】
なお、上述した実施例では、半導体製造装置だけでなくＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、半導体ウエハやガラス基板等を処理するための基板処理装置において、処理時間を短縮させる必要のあるものに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板処理装置を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板処理装置の操作部に表示されたダミー基板処理設定画面を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板処理装置の運用方法の一例を説明するラダー図である。
【図５】本発明の実施形態に係る基板処理装置の運用方法の一例を説明し、図４に続く部分を示すラダー図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  半導体製造装置
２  第１の処理モジュール
３  第２の処理モジュール
１１  制御用コントローラ
１２  操作部
１７  制御部
１８  記憶部
２０  ダミー基板処理設定画面
２２  ダミー基板用レシピ設定部
２４  処理開始時間設定部
２６  ダミー基板枚数設定部
ＬＨ  ローダハンドラ
ＣＳ１  カセット
ＣＳ２  カセット
【図１】
2008288282.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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