(57)【要約】【課題】  液晶表示素子において、互いに貼り合わされた２枚のガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くするとき、エッチング異常の発生を回避または低減する。【解決手段】  互いに貼り合わされた第１、第２のガラス基板１、２の厚さを薄くするためのエッチングを行なう前に、第１、第２のガラス基板１、２の外面に形成された第１、第２の導電膜１１、１２を発熱させた後に除冷すると、第１、第２のガラス基板１、２の外面の微小な傷や残留応力が除去または低減される。したがって、その後に、互いに貼り合わされた第１、第２のガラス基板１、２をエッチングしてその厚さを薄くするとき、エッチング異常の発生を回避または低減することができる。なお、互いに貼り合わされた第１、第２のガラス基板１、２の厚さを薄くするためのエッチングを行なった後に、熱処理して急冷した場合には、第１、第２のガラス基板１、２の外面側が強化ガラス化され、その強度を高めることができる。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含むことを特徴とするガラス基板を薄くする方法。
【請求項２】
ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、を含むことを特徴とするガラス基板を薄くする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発明において、
更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程を含むことを特徴とするガラス基板を薄くする方法。
【請求項４】
ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、を含むことを特徴とするガラス基板を薄くする方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の発明において、
前記熱処理する工程は、前記ガラス基板の歪点以上となる温度で熱処理することを特徴とするガラス基板を薄くする方法。
【請求項６】
請求項１〜４の何れか一項に記載の発明において、
前記熱処理する工程は、前記ガラス基板の歪点以上で転移点未満となる温度で熱処理することを特徴とするガラス基板を薄くする方法。
【請求項７】
請求項１〜４の何れか一項に記載の発明において、
前記熱処理する工程は、直接抵抗加熱方式または直接誘導加熱方式により行なうことを特徴とするガラス基板を薄くする方法。
【請求項８】
ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
【請求項９】
ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
【請求項１０】
ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、を含み、更に、前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０の何れか一項に記載の発明において、
前記２枚のガラス基板を貼り合わせる工程は、前記熱処理する工程の前に行い、
前記熱処理する工程は、前記別のガラス基板を冷却しながら行うことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
【請求項１２】
ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記２枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記２枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、を含み、更に、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記２枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はガラス基板を薄くする方法、液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の液晶表示素子の製造方法には、完成された液晶表示素子を複数個形成することが可能な面積を有する２枚のガラス基板を、その間の各液晶表示素子形成領域に対応する部分に設けられた複数の単素子シール材およびその間の外周部に設けられた外周シール材を介して貼り合わせ、この状態でエッチング槽内のエッチング液に浸漬して２枚のガラス基板をエッチングし、これにより２枚のガラス基板の厚さを薄くするようにした方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
なお、この液晶表示素子の２枚のガラス基板間に液晶を注入して、更に、偏光板を貼り付け、一方のガラス基板上の駆動回路搭載領域に駆動回路を搭載することにより、液晶表示装置が完成される。また、この液晶表示素子が備える２枚の基板のうち一方の基板における他方の基板に対向する面には、走査信号線、データ信号線、薄膜トランジスタ、画素電極、配向膜などが形成され、他方の基板における一方の基板に対向する面には、カラーフィルタ、共通電極、配向膜などが形成され、シール材によって２枚の基板が貼り合わされるとともに、これらの基板間に液晶が封止された構造を備えている。
【０００４】
【特許文献１】特開平４−１１６６１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ガラス基板の表面には機械研磨などによる微小な傷や残留応力が存在することがある。このようなガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くすると、比較的大きなエッチピットが形成されるなどのエッチング異常が発生することがある。また、ガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くすると、当然のことながら、強度が低下する。
【０００６】
そこで、この発明は、ガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くするとき、エッチング異常の発生を回避または低減することができるガラス基板を薄くする方法、液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
また、この発明は、ガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができるガラス基板を薄くする方法、液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含むことを特徴とするものである。
【０００８】
請求項２に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【０００９】
請求項３に記載のガラス基板を薄くする方法は、請求項１または２に記載の発明において、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
【００１０】
請求項４に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１１】
請求項５に記載のガラス基板を薄くする方法は、請求項１〜４の何れか一項に記載の発明において、前記熱処理する工程は、前記ガラス基板の歪点以上となる温度で熱処理することを特徴とするものである。
【００１２】
請求項６に記載のガラス基板を薄くする方法は、請求項１〜４の何れか一項に記載の発明において、前記熱処理する工程は、前記ガラス基板の歪点以上で転移点未満となる温度で熱処理することを特徴とするものである。
【００１３】
請求項７に記載のガラス基板を薄くする方法は、請求項１〜４の何れか一項に記載の発明において、前記熱処理する工程は、直接抵抗加熱方式または直接誘導加熱方式により行なうことを特徴とするものである。
【００１４】
請求項８に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１５】
請求項９に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１６】
請求項１０に記載の液晶表示素子の製造方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、を含み、更に、前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１７】
請求項１１に記載の液晶表示素子の製造方法は、請求項８〜１０の何れか一項に記載の発明において、前記２枚のガラス基板を貼り合わせる工程は、前記熱処理する工程の前に行い、前記熱処理する工程は、前記別のガラス基板を冷却しながら行うことを特徴とするものである。
【００１８】
請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記２枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１９】
請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記２枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００２０】
請求項１４に記載の液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、を含み、更に、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記２枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１、８、１２の何れか一項に記載の発明によれば、ガラス基板の厚さを薄くするためのエッチング前に、ガラス基板の表面側を熱処理して除冷すると、ガラス基板の表面の微小な傷や残留応力が除去または低減され、したがってガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くするとき、エッチング異常の発生を回避または低減することができる。
請求項２、９、１３の何れか一項に記載の発明によれば、ガラス基板の厚さを薄くするためのエッチング後に、ガラス基板の表面側を熱処理して急冷すると、ガラス基板の外面側が強化ガラス化され、したがってガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができる。
請求項４、１０、１４の何れか一項に記載の発明によれば、ガラス基板の厚さを薄くするためのエッチング後に、次いでガラス基板の表面側に導電膜を形成して、ガラス基板の表面側を熱処理してガラス基板を急冷し、この導電膜をパターニングすると、ガラス基板の外面側が強化ガラス化され、したがってガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができるとともに、上記の各発明と比べて製造工程数を増加することなく、電極素子および能動素子を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１（Ａ）はこの発明の一実施形態としての製造方法により製造された液晶表示素子の一例の平面図を示し、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。この液晶表示素子では、第１、第２のガラス基板１、２がほぼ方形枠状の単素子シール材３を介して貼り合わされ、単素子シール材３の内側における両ガラス基板１、２間に液晶４が単素子シール材３に形成された液晶注入口５を介して封入され、液晶注入口５が封止材６で封止された構造となっている。
【００２３】
ここで、この液晶表示素子を備える液晶表示装置はアクティブマトリクス型であり、図示していないが、下側の第１のガラス基板１の上面側（内面側）には複数の画素電極（電極素子）および該画素電極に接続された複数の薄膜トランジスタ（能動素子）がマトリクス状に設けられ、上側の第２のガラス基板２の下面側（内面側）には共通電極（電極素子）が設けられている。この場合、第１のガラス基板１の一辺部は第２のガラス基板２から突出されている。第１、第２のガラス基板１、２の厚さは例えば約０．３ｍｍと比較的薄くなっている。なお、上述の駆動回路はこの突出された領域に搭載される。
【００２４】
次に、この液晶表示素子の製造方法の一例について、図２に示す製造工程図を参照して説明する。まず、図２のステップＳ１において、図３に示すように、完成された液晶表示素子を複数個（例えば、４×４＝１６個）形成することが可能な面積を有する第１、第２のガラス基板１、２を用意する。
【００２５】
この場合、図示していないが、下側の第１のガラス基板１の上面側（内面側）の各液晶表示素子形成領域には複数の画素電極および該画素電極に接続された複数の薄膜トランジスタがマトリクス状に設けられている。下側の第１のガラス基板１の下面側（内面側）の各液晶表示素子形成領域には共通電極が設けられている。第１、第２のガラス基板１、２の厚さは例えば約０．５ｍｍと比較的厚くなっている。
【００２６】
次に、図２のステップＳ２のシール材形成工程において、第１のガラス基板１の上面の各液晶表示素子形成領域に、スクリーン印刷法により、エポキシ系樹脂などからなるほぼ方形枠状の単素子シール材３を形成し、同時に、第１のガラス基板１の上面外周部に同じくエポキシ系樹脂などからなるほぼ方形枠状の外周シール材７を形成する。この場合、単素子シール材３の１箇所には液晶注入口５が形成され、外周シール材７の４箇所には空気逃げ口８が形成されている。
【００２７】
次に、図２のステップＳ３の貼り合わせ工程において、第１のガラス基板１上に形成された単素子シール材３および外周シール材７の上に第２のガラス基板２を重ね合わせ、次いで単素子シール材３および外周シール材７を加熱して硬化させることにより、第１、第２のガラス基板１、２を単素子シール材３および外周シール材７を介して貼り合わせる。このとき、外周シール材７の内側における両ガラス基板１、２間に存在する空気が熱膨張するが、この熱膨張した空気の一部が外周シール材７の空気逃げ口８を介して外部に放出され、外周シール材７の破壊が防止される。
【００２８】
次に、図２のステップＳ４の封止材形成工程において、外周シール材７の空気逃げ口８を紫外線硬化型のエポキシ変性アクリル系樹脂などからなる封止材９で封止する。ここで、図２のステップＳ４の封止材形成工程を終えた状態における図３に示すものを、以下、液晶表示素子形成用構成体１０という。次に、図２のステップＳ５の導電膜形成工程において、液晶表示素子形成用構成体１０の第１、第２のガラス基板１、２の外面に、蒸着法などにより、アルミニウム、銅などからなる第１、第２の導電膜１１、１２（図４参照）を形成する。
【００２９】
次に、図２のステップＳ６の熱処理工程において、図４に示すように、液晶表示素子形成用構成体１０の第１のガラス基板１の外面に形成された第１の導電膜１１を冷却装置１３のステージ１４の上面に当接させて配置する。冷却装置１３は、一例として、熱伝導性の良い銅などの金属からなるステージ１４の下面に圧縮空気を吹き付け、ステージ１４を介してその上面に配置されたものを冷却するようになっている。
【００３０】
次に、第２の導電膜１２の上面両端部に棒状の電極１５、１６を配置し、これらの電極１５、１６間に電流を流すことにより、すなわち直接抵抗加熱方式により、第２の導電膜１２を発熱させ、第２のガラス基板２の外面側を当該第２のガラス基板２の歪点以上で転移点未満の温度となるように加熱し、次いで除冷すると、第２のガラス基板２の外面の微小な傷や残留応力が除去または低減される。この場合、第１のガラス基板１の内面側に設けられた薄膜トランジスタ、単素子シール材３および外周シール材７が加熱により劣化または破壊するのを防止するため、第１のガラス基板１の外面側を第１の導電膜１１を介して冷却装置１３によって冷却する。
【００３１】
次に、図５に示すように、液晶表示素子形成用構成体１０の第２のガラス基板２の外面に形成された第２の導電膜１２を冷却装置１３のステージ１４の上面に当接させて配置する。次に、第１の導電膜１１の上面両端部に棒状の電極１５、１６を配置し、これらの電極１５、１６間に電流を流すことにより、すなわち直接抵抗加熱方式により、第１の導電膜１１を発熱させ、第１のガラス基板１の外面側を当該第１のガラス基板１の歪点以上で転移点未満の温度となるように加熱し、次いで除冷すると、第１のガラス基板１の外面の微小な傷や残留応力が除去または低減される。この場合も、第１のガラス基板１の内面側に設けられた薄膜トランジスタ、単素子シール材３および外周シール材７が加熱により劣化または破壊するのを防止するため、第２のガラス基板２の外面側を第２の導電膜１２を介して冷却装置１３によって冷却する。
【００３２】
次に、図２のステップＳ７の導電膜除去工程において、第１、第２の導電膜１１、１２をエッチングして除去する。次に、図２のステップＳ８のエッチング工程において、液晶表示素子形成用構成体１０をエッチング槽（図示せず）内のエッチング液中に浸漬する。すると、液晶表示素子形成用構成体１０の第１、第２のガラス基板１、２がエッチングされ、その厚さが徐々に薄くなる。そして、液晶表示素子形成用構成体１０の第１、第２のガラス基板１、２の厚さが約０．３ｍｍとなったら、液晶表示素子形成用構成体１０をエッチング槽内のエッチング液中から取り出し、エッチングを終了する。
【００３３】
この場合、図２のステップＳ６の熱処理工程において、第１、第２のガラス基板１、２の外面側を熱処理して除冷することにより、第１、第２のガラス基板１、２の外面の微小な傷や残留応力が除去または低減されているので、第１、第２のガラス基板１、２をエッチングしてその厚さを薄くするとき、エッチング異常の発生を回避または低減することができる。
【００３４】
次に、図２のステップＳ９の切断工程において、液晶表示素子形成用構成体１０の第１、第２のガラス基板１、２を、ガラスカッターなどの切断手段によって封止材９を取り除くように切断した後に、封止材９が取り除かれた第１、第２のガラス基板１、２を切断して個片化する。次に、図２のステップＳ１０の液晶注入工程において、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、単素子シール材３の内側における両ガラス基板１、２間に液晶４を単素子シール材３の液晶注入口５を介して注入する。次に、図２のステップＳ１１の液晶注入口封止工程において、液晶注入口５を封止材６で封止すると、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す液晶表示素子が得られる。この液晶表示素子に偏光板（図示せず）を貼り付け、更に、上述の第１のガラス基板１におけるの第２のガラス基板２から突出した一辺部に駆動回路（図示せず）を搭載することにより、液晶表示装置が完成される。
【００３５】
なお、以上の説明では、液晶表示素子形成用構成体１０の状態で、すなわち、第１、第２のガラス基板１、２を単素子シール材３および外周シール材７を介して貼り合わせた状態で熱処理する場合について説明したが、これに限らず、単体の第１、第２のガラス基板１、２に対して熱処理するようにしてもよい。
【００３６】
すなわち、まず、一面側に画素電極および薄膜トランジスタが設けられた第１のガラス基板１の他面に第１の導電膜１１を形成し、第１の導電膜１１を発熱させて第１のガラス基板１の他面側を熱処理し、除冷し、第１の導電膜１１を除去する。また、一面側に共通電極が設けられた第２のガラス基板２の他面に第２の導電膜１２を形成し、第２の導電膜１２を発熱させて第２のガラス基板１２他面側を熱処理し、除冷し、第２の導電膜１２を除去する。この後、第１、第２のガラス基板１、２を単素子シール材３および外周シール材７を介して貼り合わせて液晶表示素子形成用構成体１０を形成し、次いで液晶表示素子形成用構成体１０の第１、第２のガラス基板１、２をエッチングしてその厚さを薄くする。
【００３７】
この場合、第１のガラス基板１については、単体の状態で熱処理するとき、薄膜トランジスタの加熱による劣化または破壊を考慮する必要があるため、冷却装置１３を用いる。一方、第２のガラス基板２については、単体の状態で熱処理しているので、薄膜トランジスタ、単素子シール材３および外周シール材７の加熱による劣化または破壊を考慮する必要がなく、冷却装置１３を用いる必要がない上、熱処理時の温度管理をおおまかとすることができる。
【００３８】
また、一面側に画素電極および薄膜トランジスタが設けられていない単なる第１のガラス基板１および一面側に共通電極が設けられていない単なる第２のガラス基板２の状態で熱処理するようにしてもよい。すなわち、まず、単なる第１、第２のガラス基板１、２の他面に第１、第２の導電膜１１、１２を形成し、第１、第２の導電膜１１、１２を発熱させて第１、第２のガラス基板１、２の他面側を熱処理し、除冷し、第１、第２の導電膜１１、１２を除去する。この後、第１のガラス基板１の一面側に画素電極および薄膜トランジスタを形成し、且つ、第２のガラス基板２の一面側に共通電極を形成し、次いで第１、第２のガラス基板１、２を単素子シール材３および外周シール材７を介して貼り合わせて液晶表示素子形成用構成体１０を形成し、次いで液晶表示素子形成用構成体１０の第１、第２のガラス基板１、２をエッチングしてその厚さを薄くする。
【００３９】
この場合、単なる第１、第２のガラス基板１、２の状態で熱処理しているので、薄膜トランジスタ、単素子シール材３および外周シール材７の加熱による劣化または破壊を考慮する必要がなく、冷却装置１３を用いる必要がない上、熱処理時の温度管理をおおまかとすることができる。
【００４０】
また、単なる第１のガラス基板１の場合には、第１のガラス基板１の一面および他面に導電膜を形成し、これらの導電膜を発熱させて第１のガラス基板１の一面側および他面側を熱処理し、除冷し、他面側の導電膜を除去し、この一面側の導電膜を引き続きパターニングして薄膜トランジスタのゲート電極またはソース・ドレイン電極、並びに、ゲートラインまたはドレインラインを形成するようにしてもよい。この場合、一面側の導電膜も除去し、第１のガラス基板１の一面に新たに形成した電極形成用導電膜をパターニングして薄膜トランジスタのゲート電極またはソース・ドレイン電極、並びに、ゲートラインまたはドレインラインを形成するようにしてもよい。何れの場合も、第１のガラス基板１の両面を熱処理することができ、従って、両外面の微小な傷や残留応力が除去または低減される。更に、上述の実施形態と比べて製造工程数を増加することなく、電極素子および能動素子を形成することができる。
【００４１】
なお、上記説明では、互いに貼り合わされた第１、第２のガラス基板１、２の厚さを薄くするためのエッチングを行なう前に、第１、第２のガラス基板１、２の外面側を熱処理する場合について説明したが、これに限らず、互いに貼り合わされた第１、第２のガラス基板１、２の厚さを薄くするためのエッチングを行なった後に、第１、第２のガラス基板１、２の外面側を熱処理するようにしてもよい。
【００４２】
すなわち、まず、図３に示す液晶表示素子形成用構成体１０の第１、第２のガラス基板１、２をエッチングしてその厚さを薄くする。次に、第１、第２のガラス基板１、２の外面に第１、第２の導電膜を形成し、第１、第２の導電膜を発熱させて第１、第２のガラス基板１、２の外面側を熱処理し、次いで第１、第２の導電膜に圧縮空気を吹き付けて第１、第２のガラス基板１、２の外面側を急冷し、これにより第１、第２のガラス基板１、２の外面側を強化ガラス化し、この後第１、第２の導電膜を除去する。
【００４３】
このように、互いに貼り合わされた第１、第２のガラス基板１、２の厚さを薄くするためのエッチングを行なった後に、第１、第２のガラス基板１、２の外面側を熱処理して急冷して、第１、第２のガラス基板１、２の外面側を強化ガラス化しているので、第１、第２のガラス基板１、２をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができる。この場合、冷却装置１３は用いる方が好ましい。
【００４４】
ところで、導電膜の発熱は、直接抵抗加熱方式に限らず、直接誘導加熱方式であってもよい。すなわち、平面方形状の導電膜の平面形状に対応する平面角渦巻き形状のコイルを用い、または導電膜の一辺部に対応する短冊形状で平面角渦巻き形状のコイルを用いて一方向に走査し、あるいは導電膜の一部に対応する平面角渦巻き形状のコイルを用いてＸＹ方向に走査し、コイルに高周波電流を流したときに生じる磁界によりコイル下の導電膜に生じた誘導電流により、導電膜を発熱させるようにしてもよい。
【００４５】
この場合、導電膜を均一に加熱するようにしてもよく、また鋼の表面焼入れのように導電膜の表面側だけを瞬間的に加熱するようにしてもよい。導電膜を均一に加熱する場合には、冷却装置１３を用いた方が好ましいが、導電膜の表面側だけを瞬間的に加熱する場合には、瞬間的な加熱であるので、薄膜トランジスタ、単素子シール材３および外周シール材７が加熱により劣化または破壊しないならば、冷却装置１３は用いなくてもよい。
【００４６】
ここで、図２のステップＳ８のエッチング工程後に、第１、第２のガラス基板１、２の外面に別の第１、第２の導電膜を形成し、別の第１、第２の導電膜を発熱させることにより、第１、第２のガラス基板１、２の外面側を再度熱処理し、次いで急冷し、次いで別の第１、第２の導電膜を除去するようにしてもよい。このようにした場合には、第１、第２のガラス基板１、２の外面側を強化ガラス化することができるので、第１、第２のガラス基板１、２をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】（Ａ）はこの発明の一実施形態としての製造方法により製造された液晶表示素子の一例の平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。
【図２】図１に示す液晶表示素子の製造工程を示す図。
【図３】図２のステップＳ１〜Ｓ４を説明するために示す液晶表示素子形成用構成体の一部を切り欠いた平面図。
【図４】第２のガラス基板の外面側の熱処理を説明するために示す概略図。
【図５】第１のガラス基板の外面側の熱処理を説明するために示す概略図。
【符号の説明】
【００４８】
１  第１のガラス基板
２  第２のガラス基板
３  単素子シール材
４  液晶
５  液晶注入口
６  封止材
７  外周シール材
８  空気逃げ口
９  封止材
１０  液晶表示素子形成用構成体
１１  第１の導電膜
１２  第２の導電膜
１３  冷却装置
１４  ステージ
１５、１６  電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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