(57)【要約】【課題】１００μｍ以上の高さを有する背の高い接触子を容易に製造することができる接触子の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の接触子１Ａは工程Ａ〜Ｅを経て製造される。工程Ａにおいて絶縁基板１１の表面上に背の高い突起２２Ａを形成し、工程Ｂにおいて突起２２Ａをフィルム２５を用いて覆い、突起２２Ａを支柱とする背の高いテント２６Ａを形成する。そして工程Ｃにおいて円錐らせん状の金属ばね膜２を形成し、工程ＤおよびＥにおいてフィルム２５および突起２２Ａを除去する。これにより、背の高い接触子１Ａを形成することができる。【選択図】図３
2008041430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の表面上において突起を形成する工程Ａと、
フィルムを用いて前記突起を覆うことにより前記絶縁基板の表面上に前記突起を支柱とするテントを形成する工程Ｂと、
前記テントの表面上に前記テントの頂部を中心とする円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の金属ばね膜を形成する工程Ｃと、
前記フィルムを除去する工程Ｄと、
前記突起を除去する工程Ｅと
を備えていることを特徴とする接触子の製造方法。
【請求項２】
前記工程Ａは、
前記絶縁基板の表面上に円形状もしくは多角形状の第１シード膜を形成する工程Ａ１と、
前記第１シード膜の表面を電気めっきすることにより前記突起を形成する工程Ａ２と
を有していることを特徴とする請求項１に記載の接触子の製造方法。
【請求項３】
前記突起は、Ｃｕめっきにより形成されている
ことを特徴とする請求項２に記載の接触子の製造方法。
【請求項４】
前記突起は、ポッティングした樹脂を硬化させることにより形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の接触子の製造方法。
【請求項５】
前記工程Ｂは、
前記突起が形成された前記絶縁基板の表面を前記フィルムにより覆う工程Ｂ１と、
減圧下において前記絶縁基板を覆っている前記フィルムに熱および圧力を加えることにより前記絶縁基板に前記フィルムを密着させる工程Ｂ２と、
前記フィルムに対して前記フィルムにおける前記突起の周辺部を除去するパターンニングを行うことにより前記絶縁基板の表面上に前記突起を支柱とするテントを形成する工程Ｂ３と、
前記フィルムのパターンニング前またはパターンニング後において前記絶縁基板の表面に密着させた前記フィルムの外気を大気圧にする工程Ｂ４と
を有していることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【請求項６】
前記工程Ｃは、
前記テントの表面上に第２シード膜を形成する工程Ｃ１と、
前記第２シード膜の表面上にレジスト膜を形成した後、前記レジスト膜に前記テントの頂部を中心とする円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝をパターンニングする工程Ｃ２と、
前記円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝から表面に露出している前記第２シード膜の表面を電気めっきすることにより前記第２シード膜の表面上に前記金属ばね膜を形成する工程Ｃ３と、
前記レジスト膜を除去する工程Ｃ４と、
前記レジスト膜の除去部分から表面に露出している前記第２シード膜を除去する工程Ｃ５と
を有していることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【請求項７】
絶縁基板の表面上および前記絶縁基板の表面に形成された接続端子の表面上に金属犠牲膜を形成した後、前記金属犠牲膜に円輪形状もしくは多角輪形状の溝をパターンニングすることにより、前記円輪形状もしくは多角輪形状の溝から前記接続端子を表面に露出させる工程Ｆと、
前記円輪形状もしくは多角輪形状の溝の内側に形成された円形状もしくは多角形状の前記金属犠牲膜の表面上に突起を形成する工程Ｇと、
フィルムを用いて前記突起を覆うことにより前記円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜の表面上に前記突起を支柱とするテントを形成する工程Ｈと、
前記テントの表面上において、前記テントの頂部を中心とし、かつ、前記円輪形状もしくは多角輪形状の溝を底面の周とする円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の金属ばね膜を形成する工程Ｉと、
前記フィルムを除去する工程Ｄと、
前記突起を除去する工程Ｅと、
前記突起の除去前または前記突起の除去後においてマルテンサイト変態温度が室温よりも高温であってマルテンサイト逆変態温度がバーンイン試験の試験温度よりも低温となっている形状記憶合金をスパッタすることにより前記金属ばね膜の表面上に形状記憶合金膜を形成する工程Ｊと、
前記形状記憶合金膜に対して形状記憶処理のための熱処理を行なう工程Ｋと、
前記金属犠牲膜を除去することにより前記金属犠牲膜の表面に形成された前記形状記憶合金膜をも併せて除去する工程Ｌと
を備えていることを特徴とする接触子の製造方法。
【請求項８】
前記形状記憶合金膜は、ＴｉＮｉ合金を用いて形成されている
ことを特徴とする請求項７に記載の接触子。
【請求項９】
前記ＴｉＮｉ合金におけるＴｉサイトの組成は５０．０〜５１．０ｍｏｌ％となっている
ことを特徴とする請求項８に記載の接触子。
【請求項１０】
前記工程Ｇは、
前記円輪形状もしくは多角輪形状の溝および前記金属犠牲膜の表面上に第１レジスト膜を形成した後、前記円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜の表面上に形成された前記第１レジスト膜に対して前記円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜よりも小さな底面を有する孔をパターンニングにより形成する工程Ｇ１と、
前記孔から表面に露出している前記金属犠牲膜の表面を電気めっきすることにより前記金属犠牲膜の表面上に前記突起を形成する工程Ｇ２と、
前記突起の形成後に前記第１レジスト膜を除去する工程Ｇ３と
を有していることを特徴とする請求項７に記載の接触子の製造方法。
【請求項１１】
前記突起は、Ｃｕめっきにより形成されているとともに、前記形状記憶合金膜の形成後に除去される
ことを特徴とする請求項１０に記載の接触子の製造方法。
【請求項１２】
前記突起は、ポッティングした樹脂を硬化させることにより形成されているとともに、前記形状記憶合金膜の形成前に除去される
ことを特徴とする請求項７に記載の接触子の製造方法。
【請求項１３】
前記工程Ｈは、
前記突起が形成された前記円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜の表面を前記フィルムにより覆う工程Ｈ１と、
減圧下において前記円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜を覆っている前記フィルムに熱および圧力を加えることにより前記円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜に前記フィルムを密着させる工程Ｈ２と、
前記フィルムに対して前記フィルムにおける前記突起の周辺部を除去するパターンニングを行うことにより前記円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜の表面上に前記突起を支柱とするテントを形成する工程Ｈ３と、
前記フィルムのパターンニング前またはパターンニング後において前記円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜の表面に密着させた前記フィルムの外気を大気圧にする工程Ｈ４と
を有していることを特徴とする請求項７から請求項１２のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【請求項１４】
前記工程Ｉは、
前記テントの表面上および前記接続端子の表面上にシード膜を形成する工程Ｉ１と、
前記シード膜の表面上に第２レジスト膜を形成した後、前記第２レジスト膜に対して前記テントの頂部を中心とし、かつ、前記円輪形状もしくは多角輪形状の溝を底面の周とする円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝をパターンニングする工程Ｉ２と、
前記円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝から表面に露出している前記シード膜を電気めっきすることにより前記円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝に金属ばね膜を形成する工程Ｉ３と、
前記金属ばね膜の形成後に前記第２レジスト膜を除去する工程Ｉ４と、
前記第２レジスト膜の除去部分から表面に露出している前記シード膜を除去する工程Ｉ５と
を有していることを特徴とする請求項７から請求項１３のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【請求項１５】
前記レジスト膜および前記第２レジスト膜は、スプレーコーティングにより形成されている
ことを特徴とする請求項６または請求項１４の接触子の製造方法。
【請求項１６】
前記フィルムは、感光性樹脂フィルムである
ことを特徴とする請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【請求項１７】
前記金属ばね膜は、Ｎｉ−Ｘ合金めっき（Ｘは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちのいずれか１元素である。）により形成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接触子の製造方法に係り、特に、球状やランド状に形成されたバンプ（突起電極）を有する半導体デバイスと電気的に接続を行うために好適に利用できる接触子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）やＬＳＩ（Large Scale Integration：素子の集積度が1000個〜10000個のＩＣ）などの半導体デバイスの製造工程においては、製造された半導体デバイスをプローブカードと称される検査用配線板に接続させることによってその半導体デバイスに対する電気信号の入出力検査を行ない、半導体デバイスの不良品をパッケージに組み込んでしまうという無駄を低減させている。
【０００３】
ここで、ＢＧＡ（Ball Grid Array：ボール状格子電極）方式の半導体デバイスやＬＧＡ（Land Grid Array：ランド状格子電極）方式の半導体デバイスを検査するプローブカードにおいては、電気信号を通電させる検査用配線がその絶縁基板に形成されているとともに、半導体デバイスに数十μｍの狭ピッチで多数形成された外径数十μｍの球状バンプ（突起電極）もしくは数十μｍ幅のランド状バンプと接触させるため、数十μｍの狭ピッチで形成された検査用配線の接続端子に中央を頂部とする外径数十μｍの円錐らせん状の接触子が接続されている。
【０００４】
従来の接触子の製造方法は、主として、接触子を形成する際の型となる円錐状の凸型条部を形成する工程と、その凸型条部の表面上にＮｉ−Ｐ合金などの金属ばね膜を形成し、その金属ばね膜を円錐らせん状にパターンニングする工程とを備えている（特許文献１を参照）。従来の凸型条部は種々の方法により製造されるが、製造する接触子の外径が数μｍ〜数百μｍの場合、その凸型条部は、有機系レジスト液を用いてレジスト膜を形成し、そのレジスト膜に対して円錐状のパターンニングを施すことによって形成されていた。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−５０５９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、有機系レジスト液を用いて形成されたレジスト膜の最大膜厚は数十μｍ程度であるため、有機系レジスト液を用いて円錐状に形成された従来の凸型条部（以下、「レジスト錐」という。）をレジスト膜の膜厚（数十μｍ）以上の高さに形成することができない。そのため、従来の接触子の製造方法において接触子を数十μｍ以上の高さに形成することができず、接触子のばね力を大きくすることができないという問題があった。
【０００７】
また、膜厚１００μｍ程度のレジスト膜を形成することができる粘度の高いＭＥＭＳ用レジスト液を用いてレジスト膜を形成し、レジスト錐を形成したとしても、ＭＥＭＳ用レジスト液の粘度が高いことから、レジスト膜の膜厚を均一に形成することが困難であるため、レジスト錐の形成効率が悪いという問題があった。
【０００８】
さらに、半導体デバイスに対する電気信号の入出力検査は、半導体デバイスの通常使用温度よりも高い温度（１２０℃程度）およびその通常使用電圧よりも高い電圧を供給するバーンイン試験である。そのため、仮に、従来の接触子を高く形成することができたとしても、バーンイン試験を繰り返すことにより、永久変形の原因となるすべり変形が接触子に生じやすくなるため、接触子の形状がバンプに対して適切な圧力を加えることができない方向にへたってしまうという問題が生じる。
【０００９】
ここで、接触子の材料に形状記憶合金を用いれば良好な形状回復特性および耐熱性を示すのではないかということが考えられる。しかしながら、形状記憶合金をめっきにより形成することはできない。
【００１０】
また、形状記憶合金をスパッタすることにより形状記憶合金膜を形成することはできるが、スパッタ後にエッチングで所望の形状を得ようとすれば、形状記憶合金のエッチング液に対して接触子の材料のエッチング選択性が低いため、形状記憶合金のエッチング時に下地（従来の接触子）もエッチング除去されてしまうという欠点があった。
【００１１】
さらに、レジストによるリフトオフを行なうとしても、形状記憶合金のスパッタおよびその熱処理は２００℃〜５００℃程度の高温環境下において行なう必要があるので、有機系レジスト材を用いてパターンニングを施したとしても、その有機系レジスト材がその高温環境下に耐えられず、所望の形状の接触子を得ることができないという問題があった。
【００１２】
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、１００μｍ以上の高さを有する背の高い接触子を容易に製造することができる接触子の製造方法を提供することをその目的としている。
【００１３】
また、本発明は、バーンイン試験を繰り返してもへたらない接触子を製造することができる接触子の製造方法を提供することを他の目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前述した１の目的を達成するため、本発明の接触子の製造方法は、その第１の態様として、絶縁基板の表面上において突起を形成する工程Ａと、フィルムを用いて突起を覆うことにより絶縁基板の表面上に突起を支柱とするテントを形成する工程Ｂと、テントの表面上にテントの頂部を中心とする円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の金属ばね膜を形成する工程Ｃと、フィルムを除去する工程Ｄと、突起を除去する工程Ｅと備えていることを特徴としている。
【００１５】
本発明の第１の態様の接触子の製造方法によれば、レジスト膜の膜厚よりも高い突起を形成することは容易であることから、その突起をフィルムで覆う（ラッピングする）ことにより、レジスト液を膜状に硬化させてからエッチングして形成されるレジスト錐よりも高いテント（レジスト体）を形成することができる。
【００１６】
本発明の第２の態様の接触子の製造方法は、第１の態様の接触子の製造方法において、工程Ａは、絶縁基板の表面上に円形状もしくは多角形状の第１シード膜を形成する工程Ａ１と、第１シード膜の表面を電気めっきすることにより突起を形成する工程Ａ２とを有していることを特徴としている。
【００１７】
本発明の第２の態様の接触子の製造方法によれば、めっき時間の増加により突起の高さが高くなるので、テントの高さを容易に高くすることができる。また、めっき時間を変化させることにより突起の高さが変化するので、テントの高さを容易に調整することができる。
【００１８】
本発明の第３の態様の接触子の製造方法は、第２の態様の接触子の製造方法において、突起は、Ｃｕめっきにより形成されていることを特徴としている。
【００１９】
本発明の第３の態様の接触子の製造方法によれば、Ｃｕエッチング液を用いることにより、金属ばね膜や他の部材に悪影響を及ぼさずに突起を取り除くことができる。
【００２０】
本発明の第４の態様の接触子の製造方法は、第１の態様の接触子の製造方法において、突起は、ポッティングした樹脂を硬化させることにより形成されていることを特徴としている。
【００２１】
本発明の第４の態様の接触子の製造方法によれば、高い粘度の樹脂を用いて突起を形成する工程は、同程度の粘度を有するレジスト液を膜状に形成する従来の工程よりも作業性に優れているので、背の高いレジスト体（テント）を容易に形成することができる。また、Ｃｕめっきによる突起の形成よりも作業工程が簡易であるため、容易に突起を形成することができる。
【００２２】
本発明の第５の態様の接触子の製造方法は、第１から第４のいずれか１の態様の接触子の製造方法において、工程Ｂは、突起が形成された絶縁基板の表面をフィルムにより覆う工程Ｂ１と、減圧下において絶縁基板を覆っているフィルムに熱および圧力を加えることにより絶縁基板にフィルムを密着させる工程Ｂ２と、フィルムに対してフィルムにおける突起の周辺部を除去するパターンニングを行うことにより絶縁基板の表面上に突起を支柱とするテントを形成する工程Ｂ３と、フィルムのパターンニング前またはパターンニング後において絶縁基板の表面に密着させたフィルムの外気を大気圧にする工程Ｂ４とを有していることを特徴としている。
【００２３】
本発明の第５の態様の接触子の製造方法によれば、減圧下においてフィルムを絶縁基板に密着させていることから、テントの内圧が外気よりも低くなっており、外気がテントに対してテントをしぼませる方向に圧力を加えるので、金属ばね膜を形成する際にテントがたるむことを防止することができる。
【００２４】
本発明の第６の態様の接触子の製造方法は、第１から第５のいずれか１の態様の接触子の製造方法において、工程Ｃは、テントの表面上に第２シード膜を形成する工程Ｃ１と、第２シード膜の表面上にレジスト膜を形成した後、レジスト膜にテントの頂部を中心とする円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝をパターンニングする工程Ｃ２と、円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝から表面に露出している第２シード膜の表面を電気めっきすることにより第２シード膜の表面上に金属ばね膜を形成する工程Ｃ３と、レジスト膜を除去する工程Ｃ４と、レジスト膜の除去部分から表面に露出している第２シード膜を除去する工程Ｃ５とを有していることを特徴としている。
【００２５】
本発明の第６の態様の接触子の製造方法によれば、円錐らせん状もしくは多角形らせん状の金属ばね膜が電気メッキにより形成されるので、その膜厚制御を容易に行うことができる。
【００２６】
また、前述した他の目的を解決するため、本発明の接触子の製造方法は、その第７の態様として、絶縁基板の表面上および絶縁基板の表面に形成された接続端子の表面上に金属犠牲膜を形成した後、金属犠牲膜に円輪形状もしくは多角輪形状の溝をパターンニングすることにより、円輪形状もしくは多角輪形状の溝から接続端子を表面に露出させる工程Ｆと、円輪形状もしくは多角輪形状の溝の内側に形成された円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜の表面上に突起を形成する工程Ｇと、フィルムを用いて突起を覆うことにより円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜の表面上に突起を支柱とするテントを形成する工程Ｈと、テントの表面上において、テントの頂部を中心とし、かつ、円輪形状もしくは多角輪形状の溝を底面の周とする円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の金属ばね膜を形成する工程Ｉと、フィルムを除去する工程Ｄと、突起を除去する工程Ｅと、突起の除去前または突起の除去後においてマルテンサイト変態温度が室温よりも高温であってマルテンサイト逆変態温度がバーンイン試験の試験温度よりも低温となっている形状記憶合金をスパッタすることにより金属ばね膜の表面上に形状記憶合金膜を形成する工程Ｊと、形状記憶合金膜に対して形状記憶処理のための熱処理を行なう工程Ｋと、金属犠牲膜を除去することにより金属犠牲膜の表面に形成された形状記憶合金膜をも併せて除去する工程Ｌとを備えていることを特徴としている。
【００２７】
本発明の第７の態様の接触子の製造方法によれば、レジスト膜の膜厚よりも高い突起を形成することは容易であることから、その突起をフィルムで覆う（ラッピングする）ことにより、レジスト液を膜状に硬化させてからエッチングして形成されるレジスト錐よりも高いテント（レジスト体）を形成することができる。
【００２８】
また、本発明の第７の態様の接触子の製造方法によれば、円錐らせん状または多角錐らせん状の金属ばね膜に積層された形状記憶合金膜が前述した変態温度において相変態することにより、その形状記憶合金膜が室温においてマルテンサイト相となり、またバーンイン試験温度下においてオーステナイト相となるので、室温において導入された接触子の変形を形状記憶合金の形状記憶効果により回復させることができるとともに、バーンイン試験温度環境下において導入された接触子の変形を形状記憶合金の超弾性により回復させることができる。
【００２９】
本発明の第８の態様の接触子の製造方法は、第７の態様の接触子の製造方法において、形状記憶合金膜は、ＴｉＮｉ合金を用いて形成されていることを特徴としている。
【００３０】
第８の態様の接触子の製造方法によれば、ＴｉＮｉ合金は他の形状記憶合金と比較して安定した形状記憶効果および超弾性を発揮することができる。
【００３１】
本発明の第９の態様の接触子の製造方法は、第８の態様の接触子の製造方法において、ＴｉＮｉ合金におけるＴｉサイトの組成は５０．０〜５１．０ｍｏｌ％となっていることを特徴としている。
【００３２】
第９の態様の接触子の製造方法によれば、Ｔｉサイトの組成が５０．０〜５１．０ｍｏｌ％の場合、そのマルテンサイト変態温度を８０℃程度にすることができるので、半導体デバイスの取付を行なう室温においては、形状記憶合金膜が良好な形状記憶効果を発揮することができる。また、そのマルテンサイト逆変態温度（オーステナイト変態温度）を１００℃程度にすることができるので、バーンイン試験の試験環境下（１２０℃程度）においては、形状記憶合金膜が良好な超弾性を発揮することができる。さらに、形状記憶合金は組成に対して敏感であるが、Ｔｉサイトの組成が５０．０〜５１．０ｍｏｌ％であればその変態温度は一定であるので、スパッタにより組成がずれたとしても同等の変態温度を有する形状記憶合金膜を形成することができる。
【００３３】
本発明の第１０の態様の接触子の製造方法は、第７の態様の接触子の製造方法において、工程Ｇは、円輪形状もしくは多角輪形状の溝および金属犠牲膜の表面上に第１レジスト膜を形成した後、円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜の表面上に形成された第１レジスト膜に対して円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜よりも小さな底面を有する孔をパターンニングにより形成する工程Ｇ１と、孔から表面に露出している金属犠牲膜の表面を電気めっきすることにより金属犠牲膜の表面上に突起を形成する工程Ｇ２と、突起の形成後に第１レジスト膜を除去する工程Ｇ３とを有していることを特徴としている。
【００３４】
本発明の第１０の態様の接触子の製造方法によれば、金属犠牲膜の表面上における突起の形状や形成位置を自在に選択することができる。また、めっき時間を変化させることにより突起の高さが変化するので、テントの高さを容易に調整することができる。
【００３５】
本発明の第１１の態様の接触子の製造方法は、第１０の態様の接触子の製造方法において、突起は、Ｃｕめっきにより形成されているとともに、形状記憶合金膜の形成後に除去されることを特徴としている。
【００３６】
本発明の第１１の態様の接触子の製造方法によれば、Ｃｕエッチング液を用いることにより、金属ばね膜や他の部材に悪影響を及ぼさずに突起を取り除くことができる。また、Ｃｕめっきにより形成された突起は耐熱性を有しており、形状記憶合金のスパッタおよびその熱処理後にその突起を除去することができるので、金属犠牲膜がＣｕにより形成されていれば、Ｃｕエッチング液を用いることにより、その突起を金属犠牲膜とともに除去することができる。
【００３７】
本発明の第１２の態様の接触子の製造方法は、第７の態様の接触子の製造方法において、突起は、ポッティングした樹脂を硬化させることにより形成されているとともに、形状記憶合金膜の形成前に除去されることを特徴としている。
【００３８】
本発明の第１２の態様の接触子の製造方法によれば、高い粘度の樹脂を用いて突起を形成する工程は、同程度の粘度を有するレジスト液を膜状に形成する従来の工程よりも作業性に優れているので、背の高いレジスト体（テント）を容易に形成することができる。また、Ｃｕめっきによる突起の形成よりも作業工程が簡易であるため、容易に突起を形成することができる。さらに、
本発明の第１３の態様の接触子の製造方法は、第７から第１２のいずれか１の態様の接触子の製造方法において、工程Ｈは、突起が形成された円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜の表面をフィルムにより覆う工程Ｈ１と、減圧下において円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜を覆っているフィルムに熱および圧力を加えることにより円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜にフィルムを密着させる工程Ｈ２と、フィルムに対してフィルムにおける突起の周辺部を除去するパターンニングを行うことにより円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜の表面上に突起を支柱とするテントを形成する工程Ｈ３と、フィルムのパターンニング前またはパターンニング後において円形状もしくは多角形状の金属犠牲膜の表面に密着させたフィルムの外気を大気圧にする工程Ｈ４とを有していることを特徴としている。
【００３９】
本発明の第１３の態様の接触子の製造方法によれば、減圧下においてフィルムを金属犠牲膜に密着させていることから、テントの内圧が外気よりも低くなっており、外気がテントに対してテントをしぼませる方向に圧力を加えるので、金属ばね膜を形成する際にテントがたるむことを防止することができる。
【００４０】
本発明の第１４の態様の接触子の製造方法は、第７から第１３のいずれか１の態様の接触子の製造方法において、工程Ｉは、テントの表面上および接続端子の表面上にシード膜を形成する工程Ｉ１と、シード膜の表面上に第２レジスト膜を形成した後、第２レジスト膜に対してテントの頂部を中心とし、かつ、円輪形状もしくは多角輪形状の溝を底面の周とする円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝をパターンニングする工程Ｉ２と、円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝から表面に露出しているシード膜を電気めっきすることにより円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝に金属ばね膜を形成する工程Ｉ３と、金属ばね膜の形成後に第２レジスト膜を除去する工程Ｉ４と、第２レジスト膜の除去部分から表面に露出しているシード膜を除去する工程Ｉ５とを有していることを特徴としている。
【００４１】
本発明の第１４の態様の接触子の製造方法によれば、円錐らせん状もしくは多角形らせん状の金属ばね膜が電気メッキにより形成されるので、その膜厚制御を容易に行うことができる。
【００４２】
さらに、本発明の第１５の態様の接触子の製造方法は、第６および第１４のいずれか１の態様の接触子の製造方法において、レジスト膜および第２レジスト膜は、スプレーコーティングにより形成されていることを特徴としている。
【００４３】
本発明の第１５の態様の接触子の製造方法によれば、高い突起を形成することによって絶縁基板や金属犠牲膜と突起との高低差が大きくなったとしても、レジスト膜および第２レジスト膜の膜厚を均一にすることができる。
【００４４】
本発明の第１６の態様の接触子の製造方法は、第１から第１５のいずれか１の態様の接触子の製造方法において、フィルムは、感光性樹脂フィルムであることを特徴としている。
【００４５】
本発明の第１６の態様の接触子の製造方法によれば、従来から知られた感光性樹脂フィルムによるプリント配線板のパターンニング方法を応用して、テント形成のための精密なパターンニングを容易に行なうことができる。
【００４６】
本発明の第１７の態様の接触子の製造方法は、第１から第１６のいずれか１の態様の接触子の製造方法において、金属ばね膜は、Ｎｉ−Ｐ合金めっきにより形成されていることを特徴としている。
【００４７】
本発明の第１７の態様の接触子の製造方法によれば、金属ばね膜が大きな弾性力を発揮するので、接触子に接触するバンプに大きな圧力を加えることができる。また、第３または第１１の態様の接触子の製造方法のように突起をＣｕめっきにより形成した場合、Ｃｕエッチング液を用いることにより、金属ばね膜のエッチング・レートを突起のエッチング・レートよりも極めて小さくすることができるので、突起の除去の際に金属ばね膜がエッチングされて悪影響を及ぼすことを防止することができる。
【発明の効果】
【００４８】
本発明の接触子の製造方法によれば、円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の接触子を作るための型となるテント（略錐体状のレジスト体）を高く形成することができるので、バンプに適切な圧力を加えることができる背の高い接触子を容易に形成することができる。
【００４９】
また、本発明の接触子の製造方法によれば、その背の高い接触子が金属ばね膜の表面上に形状記憶合金膜を積層させることにより形成されており、その形状記憶合金膜が形状記憶効果および超弾性を示すことによって接触子の変形を回復させるので、バーンイン試験を繰り返してもへたらない接触子を製造することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
以下、図１および図１２を用いて、本発明の接触子の製造方法について、その第１から第４の実施形態を説明する。なお、第１から第４の実施形態において共通する工程は同一符号を用いて説明する。
【００５１】
はじめに、図１および図４を用いて、第１の実施形態の接触子１Ａの製造方法を説明する。図１は第１の実施形態の接触子１Ａを示す斜視図であり、図２は第１の実施形態の接触子１Ａを示す縦断面図である。
【００５２】
第１の実施形態の接触子１Ａは、図１に示すように、中央を頂部とした円錐らせん状に形成されており、プローブカード（検査用配線板）１０の絶縁基板１１に形成された接続端子１２に接続されている。また、第１の実施形態の接触子１Ａは、金属ばね膜２の形成補助膜として、絶縁基板１１と金属ばね膜２との間に第２シード膜４Ｂを積層させている。
【００５３】
図３Ａ〜図３Ｊは、第１の実施形態の接触子１Ａの製造方法を縦断面図により示している。第１の実施形態の接触子１Ａの製造方法は工程Ａ〜工程Ｅまでの５つの工程を主な工程として備えている。
【００５４】
工程Ａにおいては、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、絶縁基板１１の表面上に突起２２Ａを形成する。この突起２２Ａはどのような形状に形成されていても良く、その高さのみを制御して形成されていればよい。そのため、突起２２Ａは種々の方法により形成することができる。第１の実施形態の工程Ａにおいては、工程Ａ１および工程Ａ２の２つの工程を経て突起２２Ａが形成される。
【００５５】
工程Ａ１においては、図３Ａに示すように、絶縁基板１１の表面上に外径１００μｍ〜３００μｍ程度の円形状の第１シード膜４Ａを形成する。この第１シード膜４Ａは、膜厚１５ｎｍ程度のＣｒ層をスパッタにより形成し、そのＣｒ層の表面に膜厚１００ｎｍ程度のＣｕ層をスパッタにより積層させ、Ｃｕ層の表面上に円形状のレジストパターンニングを行なった後、Ｃｕ層およびＣｒ層をイオンミリングすることにより、形成されている。パターンニングは、レジストコートの形成、露光および現像よりなる。
【００５６】
工程Ａ２においては、図３Ｂに示すように、第１シード膜４Ａの表面を電気めっきすることにより突起２２Ａを形成する。第１の実施形態の突起２２Ａは、Ｃｕめっきにより形成されており、外径１００μｍ〜３００μｍ程度、高さ１００μｍ程度である。突起２２Ａの高さについては電気めっきを長時間行なうことにより５００μｍ程度まで高くすることができる。
【００５７】
工程Ｂにおいては、図３Ｃに示すように、フィルム２５を用いて突起２２Ａを覆うことにより絶縁基板１１の表面上に突起２２Ａを支柱とするテント２６Ａを形成する。第１の実施形態の工程Ｂについては、工程Ｂ１から工程Ｂ４の４つの工程からなる。
【００５８】
工程Ｂ１においては、突起２２Ａが形成された絶縁基板１１の表面をフィルム２５により覆う。このフィルム２５としては、膜厚２５μｍ〜５０μｍ程度の感光性樹脂フィルム（例えば、デュポン社製リストンＦＲＡ５１７シリーズ・ドライフィルム・フォトレジストなどのドライフィルム）が用いられている。
【００５９】
工程Ｂ２においては、減圧下において絶縁基板１１を覆っているフィルム２５に熱および圧力を加えることにより絶縁基板１１にフィルム２５を密着させる。具体的には、ゴム製のダイヤフラムにより仕切られた二室真空チャンバの一室にフィルム２５を重ね合わせた絶縁基板１１を入れる。その後、絶縁基板１１が入った真空チャンバの一室のみを真空ポンプにより減圧していくと、絶縁基板１１とフィルム２５との間の空気が抜けていくとともに、真空チャンバの他室の空気がダイヤフラムをその一室側に押しつけてフィルム２５と絶縁基板１１を密着させる。この密着状態においてフィルム２５および絶縁基板１１を加熱（１００〜２００℃）することにより、フィルム２５が絶縁基板１１に接着（ラミネート）される。
【００６０】
工程Ｂ３においては、図４に示すように、フィルム２５における突起２２Ａの周辺部（図４の斜線部）を露光した後、１ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液（Ｎａ２ＣＯ３）により現像することにより、フィルム２５に対してその突起２２Ａの周辺部を除去するパターンニングを行う。これにより、図３Ｃに示すように、絶縁基板１１の表面上に突起２２Ａを支柱とするテント２６Ａが形成される。このテント２６Ａの形状は、フィルム２５の組成や厚み、減圧する圧力（真空度）、突起２２Ａの直径および高さ、加熱温度、加熱保持時間などに応じて変化する。例えば、真空度が悪い（圧力が高い）場合、なだらかな円錐形状（底面の直径に対して高さが低い円錐形状）のテント２６Ａが形成され、真空度が良い（圧力が低い）場合、急勾配の円錐形状（底面の直径に対して高さが高い円錐形状）のテント２６Ａが形成される。
【００６１】
なお、第１の実施形態の工程Ｂにおいては、工程Ｂ４として、フィルム２５のパターンニング前において絶縁基板１１の表面に接着させたフィルム２５の外気を大気圧にしている。この工程Ｂ４は、絶縁基板１１に接着させた後であればいつ行なわれても良いので、他の実施形態においては、工程Ｂ４をフィルム２５のパターンニング後に行なっても良い。
【００６２】
工程Ｃにおいては、図３Ｈに示すように、テント２６Ａの表面上にテント２６Ａの頂部を中心とする円錐らせん状の金属ばね膜２を形成する。第１の実施形態の工程Ｃについては、図３Ｄ〜図３Ｈに示すように、工程Ｃ１から工程Ｃ５の５つの工程からなる。
【００６３】
工程Ｃ１においては、図３Ｄに示すように、工程Ｂにおけるテント２６Ａの形成後、電気伝導度に優れた金属をスパッタすることにより、工程Ｂの後において露出している各表面、すなわちテント２６Ａの表面、絶縁基板１１の表面および接続端子１２の表面に第２シード膜４Ｂを形成する。第１の実施形態の第２シード膜４Ｂは、膜厚１５ｎｍ程度のＴｉ層もしくはＣｒ層を第一層とし、その第一層の表面上に第二層となる膜厚０．１μｍ程度のＣｕ層を積層させることにより形成されている。
【００６４】
工程Ｃ２においては、図３Ｅに示すように、第２シード膜４Ｂの表面上にレジスト膜２３を形成する。第１の実施形態のレジスト膜２３は、ノボラック系レジスト材を用いてスプレーコーティングにより形成されている。レジスト膜２３の形成後、そのレジスト膜２３に対し、円錐らせん状の溝２３ａをパターンニングする。この円錐らせん状の溝２３ａは、テント２６Ａの頂部（突起２２Ａの頂部）を中心としており、その円錐らせん状の溝２３ａの底面の周から接続端子１２の表面上に形成された第２シード膜４Ｂが表面に露出している。
【００６５】
工程Ｃ３においては、図３Ｆに示すように、円錐らせん状の溝２３ａから表面に露出している第２シード膜４Ｂの表面を電気めっきする。これにより、第２シード膜４Ｂの表面上に金属ばね膜２が形成される。第１の実施形態の金属ばね膜２は、ばね性に優れたＮｉ−Ｘ合金（Ｘ＝Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのいずれか１元素）のうちの１種であるＮｉ−Ｐ合金を電気めっきすることにより形成されており、その膜厚は１０〜３０μｍとなっている。
【００６６】
工程Ｃ４においては、図３Ｇに示すように、金属ばね膜２の形成後にレジスト膜２３を除去する。第１の実施形態のレジスト除去剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（分子式：Ｃ５Ｈ９ＮＯ、商品名：ＮＭＰ）が用いられる。
【００６７】
工程Ｃ５においては、図３Ｈに示すように、レジスト膜２３の除去後に表面に露出している第２シード膜４Ｂを除去する。第２シード膜４Ｂの除去はイオンミリングにより行なわれる。
【００６８】
工程Ｄにおいては、図３Ｉに示すように、第２シード膜４Ｂの除去後にその第２シード膜４Ｂの除去部分からフィルム除去剤を供給し、フィルム２５を除去する。第１の実施形態のフィルム除去剤としては、２．５ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ）が用いられている。
【００６９】
そして、最後の工程となる工程Ｅにおいては、図３Ｊに示すように、フィルム２５の除去後にエッチング液を供給し、突起２２Ａおよび第１シード膜４Ａを除去する。第１の実施形態のエッチング液としては、突起２２Ａおよび第１シード膜４ＡのＣｕ層（上層）に対して硫酸鉄(III)（別名：硫酸第二鉄、組成式：Ｆｅ２（ＳＯ４）３）水溶液に硫酸を加えて得た水溶液が用いられており、第１シード膜４ＡのＣｒ層（下層）に対してフェリシアン化カリウム（分子式：Ｋ３Ｆｅ（ＣＮ）６）水溶液が用いられている。
【００７０】
次に、図３を用いて、第１の実施形態の接触子１Ａの製造方法について、その作用を説明する。
【００７１】
この接触子１Ａは、工程Ａから工程Ｅを経て製造されている。ここで、工程Ａによれば、テント２６Ａの支柱となる突起２２Ａが形成されている。この突起２２Ａは、その高さのみを制御して形成されていればよく、レジスト膜のように均一の膜厚に形成する困難さがないので、その突起２２Ａの高さを高くしやすい。また、工程Ｂによれば、フィルム２５が突起２２Ａを覆っているので、円錐らせん状の接触子１Ａの形成に用いられる円錐型、すなわち円錐状のテント２６Ａを形成することができる。これにより、従来の接触子の製造方法に用いられるレジスト錐よりも高いテント（レジスト体）２６Ａを形成することができる。
【００７２】
ここで、第１の実施形態の工程Ａにおいては、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、工程Ａ１（図３Ａ）および工程Ａ２（図３Ｂ）を経て突起２２Ａが形成されている。そのため、第１シード膜４Ａに電気めっきする時間（めっき時間）の増加により突起２２Ａの高さを容易に高くすることができるので、その結果、その突起２２Ａを支柱とするテント２６Ａの高さを容易に高くすることができる。さらに、めっき時間を変化させることにより１μｍ程度の単位で突起２２Ａの高さを調整することができるので、テント２６Ａの高さを容易に調整することもできる。
【００７３】
この突起２２Ａは、Ｃｕめっきにより形成されている。そのため、Ｃｕ用エッチング液を用いることにより、突起２２Ａに対するエッチング・レートを他の部材に対するエッチング・レートよりも大きくすることができるので、絶縁基板１１やＮｉ−Ｐ合金を用いて形成された第１の実施形態の金属ばね膜２に悪影響を及ぼさずに突起２２Ａを取り除くことができる。
【００７４】
また、第１の実施形態の工程Ｂにおいては、図３Ｃに示すように、前述した工程Ｂ１から工程Ｂ４を経てテント２６Ａが形成されている。テント２６Ａの覆いとなるフィルム２５は減圧下において絶縁基板１１に接着されていることから、テント２６Ａの内圧が外圧（大気圧）よりも低くなっている。そのため、テント２６Ａの外気がテント２６Ａに対してテント２６Ａをしぼませる方向に圧力を加えるので、金属ばね膜２を形成する際にテント２６Ａがたるんでしまうことを防止することができる。
【００７５】
さらに、このフィルム２５は、感光性樹脂フィルムであることから、公知の感光性樹脂フィルムによるプリント配線板のパターンニング方法を応用して、テント２６Ａの形成のための精密なパターンニングを容易に行なうことができる。
【００７６】
そして、第１の実施形態の工程Ｃにおいては、図３Ｆに示すように、電気めっきにより金属ばね膜２が形成されている。これにより、金属ばね膜２の膜厚制御を容易に行うことができるので、金属ばね膜２の弾性力を制御して接触子１Ａを形成することができる。
【００７７】
第１の実施形態の金属ばね膜２は、Ｎｉ−Ｐ合金めっきにより形成されているので、金属ばね膜２が大きな弾性力を発揮しやすい。そのため、この金属ばね膜２は、接触子１Ａに接触するバンプに大きな圧力を加えることができる。さらに、第１の実施形態においては、突起２２ＡがＣｕめっきにより形成されているので、金属ばね膜２に対するエッチング・レートを突起２２Ａに対するエッチング・レートよりも極めて小さくすることができる。
【００７８】
また、第１の実施形態の工程Ｃ２においては、レジスト膜２３がスプレーコーティングにより形成されている。レジスト膜２３の形成面となる絶縁基板１１に突起２２Ａが形成されている場合、絶縁基板１１と突起２２Ａとの高低差が大きいので、レジスト膜２３の膜厚をスピンコーティングよって均一に形成することができず、テント２６Ａの表面上にレジスト膜２３を形成することができない。そのため、レジスト膜２３をスプレーコーティングによって形成することにより、絶縁基板１１と突起２２Ａとの高低差が大きくなったとしても、レジスト膜２３の膜厚を均一にすることができる。
【００７９】
すなわち、第１の実施形態の接触子１Ａによれば、円錐らせん状の接触子１Ａを作るための型となるテント（略錐体状のレジスト体）２６Ａを高く形成することができるので、バンプに適切な圧力を加えることができる背の高い接触子１Ａを形成することができる。
【００８０】
次に、図５を用いて、第２の実施形態の接触子１Ｂの製造方法を説明する。第２の実施形態の接触子１Ｂの製造方法は、図５Ａ〜図５Ｅに示すように、工程Ａ〜工程Ｅまでの５つの工程を主な工程として備えている。
【００８１】
工程Ａにおいては、図５Ａに示すように、絶縁基板１１の表面上に突起２２Ｂを形成する。この突起２２Ｂはどのような形状に形成されていても良く、その高さのみを制御して形成されていればよい。そのため、突起２２Ｂは種々の方法により形成することができる。第２の実施形態の工程Ａにおいて、この突起２２Ｂは、粘度の高い樹脂をポッティングした後、そのポッティングした樹脂を硬化させることにより形成されている。また、この突起２２Ｂの外径は１００μｍ〜３００μｍ程度、その高さは１００μｍ程度となっている。ポッティングする樹脂としては、ノボラック系レジスト材であって粘度が高いものが用いられている。
【００８２】
また、第２の実施形態において、テント２６Ｂを形成する工程Ｂ（図５Ｂ）、金属ばね膜２を形成する工程Ｃ（図５Ｃ）およびテント２６Ｂのフィルム２５を除去する工程Ｄ（図５Ｄ）は、前述した第１の実施形態の工程Ｂ（図３Ｂ）、工程Ｃ（図３Ｃ〜図３Ｈ）および工程Ｄ（図３Ｉ）と同様である。
【００８３】
そして、工程Ｅにおいては、図５Ｅに示すように、フィルム２５の除去後に絶縁基板１１から突起２２Ｂを除去する。第２の実施形態の突起２２Ｂの除去剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが用いられる。
【００８４】
次に、図５を用いて、第２の実施形態の接触子１Ｂの製造方法について、その作用を説明する。
【００８５】
第２の実施形態の突起２２Ｂは、工程Ａにおいて、ポッティングした樹脂を硬化させることにより形成されている。この突起２２Ｂについては、その高さのみを制御して形成されていればよく、レジスト膜のように均一の膜厚に形成する困難さがないので、粘度の高いレジスト液を絶縁基板１１の表面上に均一の厚さで膜状に形成するよりも簡易に形成することができる。つまり、第２の実施形態の工程Ａは、従来の工程のような粘度の高いレジスト液を膜状に形成する工程よりも作業性に優れており、背の高いテント２６Ｂを容易に形成することができる。また、第１の実施形態の工程ＡのようなＣｕめっきによる突起２２Ｂの形成工程よりも作業工程が簡易であり、その突起２２Ｂの形成に時間を要しないので、突起２２Ｂを容易に形成することができる。
【００８６】
すなわち、第２の実施形態の接触子１Ｂによれば、円錐らせん状の接触子１Ｂを作るための型となるテント（略錐体状のレジスト体）２６Ｂを簡単に高く形成することができるので、バンプに適切な圧力を加えることができる背の高い接触子１Ｂを容易に形成することができる。
【００８７】
次に、図６および図７を用いて、第３の実施形態の接触子１Ｃの製造方法を説明する。ここで、図６は第３の実施形態の接触子１Ｃを示している。また、図７は、第３の実施形態の接触子１Ｃの製造方法について、図７Ａから図７Ｌの順に縦断面図を用いて示している。
【００８８】
第３の実施形態の接触子１Ｃは、図６に示すように、中央を頂部とした円錐らせん状に形成されており、プローブカード１０の絶縁基板１１に形成された接続端子１２上に接続されている（図１参照）。この接触子１Ｃは、金属ばね膜２および形状記憶合金膜３を積層させることにより形成されている。また、第３の実施形態の接触子１Ｃは、金属ばね膜２の形成補助膜として、絶縁基板１１もしくは接続端子１２と金属ばね膜２との間にシード膜４を積層させている。
【００８９】
この接触子１Ｃの製造方法は、工程Ｆ、工程Ｇ、工程Ｈ、工程Ｉ、工程Ｄ、工程Ｊ、工程Ｋ、工程Ｅおよび工程Ｌの順に、その９つの工程を主な工程として備えている。
【００９０】
工程Ｆにおいては、図７Ａに示すように、絶縁基板１１の表面上および絶縁基板１１の表面に形成された接続端子１２の表面上に金属犠牲膜２１を形成する。第３の実施形態の金属犠牲膜２１は、厚さ１５ｎｍのＣｒ層をスパッタにより形成し、そのＣｒ層の表面に厚さ１μｍのＣｕ層をスパッタにより積層させることにより形成されている。そして、金属犠牲膜２１に円輪形状の溝２１ａをパターンニングする。このパターンニングにより、円輪形状の溝２１ａから接続端子１２を表面に露出させている。
【００９１】
工程Ｇにおいては、図７Ｃに示すように、円輪形状の溝２１ａの内側に形成された円形状の金属犠牲膜２１Ａの表面上に突起２２Ｃを形成する。第３の実施形態の工程Ｇは、工程Ｇ１〜工程Ｇ３よりなる。
【００９２】
工程Ｇ１においては、円輪形状の溝２１ａおよび金属犠牲膜２１の表面上に第１レジスト膜２３Ａを形成する。この第１レジスト膜２３Ａとしては、ノボラック系レジスト材が用いられており、その膜厚は９０μｍ程度である。この第１レジスト膜２３Ａの形成後、円形状の金属犠牲膜２１Ａの表面上に形成された第１レジスト膜２３Ａに対して、その円形状の金属犠牲膜２１Ａよりも小さな底面を有する円柱孔２３ｂをパターンニングする。このパターンニングの現像液としては、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液が用いられている。
【００９３】
工程Ｇ２においては、図７Ｂに示すように、円柱孔２３ｂから表面に露出している金属犠牲膜２１Ａの表面を電気めっきすることにより、金属犠牲膜２１Ａの表面上に突起２２Ｃを形成する。第３の実施形態の突起２２Ｃは、Ｃｕめっきにより形成されており、その外径は１００μｍ程度、その高さは１００μｍとなっている。
【００９４】
工程Ｇ３においては、図７Ｃに示すように、突起２２Ｃの形成後に第１レジスト膜２３Ａを除去する。第３の実施形態のレジスト除去剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが用いられる。
【００９５】
工程Ｈにおいては、図７Ｄに示すように、フィルム２５を用いて突起２２Ｃを覆うことにより、円形状の金属犠牲膜２１Ａの表面上に突起２２Ｃを支柱とするテント２６Ｃを形成する。第３の実施形態の工程Ｈについては、工程Ｈ１から工程Ｈ３によりなる。
【００９６】
工程Ｈ１においては、フィルム２５を用いて、突起２２Ｃが形成された円形状の金属犠牲膜２１Ａの表面を覆う。第３の実施形態のフィルム２５としては、第１の実施形態のフィルム２５と同様の感光性樹脂フィルムが用いられている（工程Ｂ１参照）。
【００９７】
工程Ｈ２においては、減圧下において、円形状の金属犠牲膜２１Ａを覆っているフィルム２５に熱および圧力を加えることにより、円形状の金属犠牲膜２１Ａにフィルム２５を接着させる。第３の実施形態におけるフィルム２５と絶縁基板１１との接着方法（ラッピング方法）は、第１の実施形態の接着方法と同様である（工程Ｂ２参照）。
【００９８】
工程Ｈ３においては、フィルム２５における突起２２Ｃの周辺部（図４参照）を露光した後、１ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液により現像することにより、フィルム２５に対し、その突起２２Ｃの周辺部を除去するパターンニングを行う。これにより、図７Ｄに示すように、絶縁基板１１の表面上に突起２２Ｃを支柱とするテント２６Ｃが形成される。このテント２６Ｃの形状は、第１の実施形態と同様、フィルム２５の組成や厚み、減圧する圧力（真空度）、突起２２Ｃの直径および高さ、加熱温度、加熱保持時間などに応じて変化する。
【００９９】
なお、第１の実施形態の工程Ｂおよび工程Ｂ４と同様、第３の実施形態の工程Ｈにおいては、工程Ｈ４として、フィルム２５のパターンニング前において絶縁基板１１の表面に接着させたフィルム２５の外気を大気圧にしている。この工程Ｈ４は、絶縁基板１１に接着させた後であればいつ行なわれても良いので、他の実施形態においては、工程Ｈ４をフィルム２５のパターンニング後に行なっても良い。
【０１００】
工程Ｉにおいては、図７Ｉに示すように、テント２６Ｃの表面上において、テント２６Ｃの頂部を中心とし、かつ、円輪形状の溝２１ａを底面の周とする円錐らせん状の金属ばね膜２を形成する。第３の実施形態の工程Ｉについては、図７Ｅ〜図７Ｉに示すように、工程Ｉ１から工程Ｉ５の５つの工程からなる。
【０１０１】
工程Ｉ１においては、図７Ｅに示すように、工程Ｈにおけるテント２６Ｃの形成後、電気伝導度に優れた金属をスパッタすることにより、工程Ｈの後において露出している各表面、すなわちテント２６Ｃの表面、絶縁基板１１の表面および接続端子１２の表面にシード膜４を形成する。第３の実施形態のシード膜４は、第１の実施形態の第２シード膜４Ｂと同様、膜厚１５ｎｍ程度のＴｉ層もしくはＣｒ層を第一層とし、その第一層の表面上に第二層となる膜厚０．１μｍ程度のＣｕ層を積層させることにより形成されている。
【０１０２】
工程Ｉ２においては、図７Ｆに示すように、シード膜４の表面上に第２レジスト膜２３Ｂを形成する。第３の実施形態の第２レジスト膜２３Ｂは、ノボラック系レジスト材をスプレーコーティングすることにより形成されている。そして、その第２レジスト膜２３Ｂに対して円錐らせん状の溝２３ａをパターンニングする。この円錐らせん状の溝２３ａは、テント２６Ｃの頂部（突起２２Ｃの頂部）を中心とし、かつ、円輪形状の溝２１ａを底面の周としており、その底面の周（円輪形状の溝２１ａ）から接続端子１２の表面上に形成されたシード膜４が表面に露出している。
【０１０３】
工程Ｉ３においては、図７Ｇに示すように、円錐らせん状の溝２３ａから表面に露出しているシード膜４の表面を電気めっきする。これにより、シード膜４の表面上に金属ばね膜２が形成される。第３の実施形態の金属ばね膜２は、ばね性に優れたＮｉ−Ｘ合金（Ｘ＝Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのいずれか１元素）のうちの１種であるＮｉ−Ｐ合金を電気めっきすることにより形成されており、その膜厚は１０〜３０μｍとなっている。
【０１０４】
工程Ｉ４においては、図７Ｈに示すように、金属ばね膜２の形成後に第２レジスト膜２３Ｂを除去する。第３の実施形態のレジスト除去剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが用いられる。
【０１０５】
工程Ｉ５においては、図７Ｉに示すように、第２レジスト膜２３Ｂの除去後に表面に露出しているシード膜４を除去する。このシード膜４の除去はイオンミリングにより行なわれる。
【０１０６】
工程Ｄにおいては、図７Ｊに示すように、シード膜４の除去後にそのシード膜４の除去部分からフィルム除去剤を供給し、フィルム２５を除去する。第３の実施形態のフィルム除去剤としては、第１の実施形態のフィルム除去剤と同様、２．５ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液が用いられている。
【０１０７】
工程Ｊにおいては、図７Ｋに示すように、突起２２Ｃの除去前において、マルテンサイト変態温度（Ｍｓ点）が室温（例えば２５℃程度）よりも高温であってマルテンサイト逆変態温度（オーステナイト変態温度、Ａｆ点）がバーンイン試験の試験温度（例えば１２０℃程度）よりも低温に設定されている形状記憶合金をスパッタすることにより、表面に露出している金属ばね膜２、突起２２Ｃおよび金属犠牲膜２１の表面上に形状記憶合金膜３を形成する。スパッタ処理条件としては、加熱温度２３０℃、Ａｒガス圧０．４６Ｐａであり、成膜された形状記憶合金膜３の膜厚は６μｍである。
【０１０８】
ここで、第３の実施形態の形状記憶合金膜３においては、多種の形状記憶合金の中でも形状回復可能な双晶変形が最も安定して起こるＴｉＮｉ合金（ＴｉＮｉ二元合金のほか、ＴｉＮｉＺｒ、ＴｉＮｉＣｕなどのＴｉＮｉ基合金も含む。第３の実施形態においてはＴｉＮｉ二元合金）が用いられている。
【０１０９】
また、第３の実施形態のＴｉＮｉ合金におけるＴｉサイトの組成（Ｔｉの組成にＴｉと置換する元素の組成を合計した組成。第３の実施形態においてはＴｉの組成）は５０．０〜５１．０ｍｏｌ％に設定されており、ＴｉリッチのＴｉＮｉ合金となっている。そのため、そのマルテンサイト変態温度は８０℃程度になっており、そのマルテンサイト逆変態温度、すなわちオーステナイト変態温度は１００℃程度になっている。
【０１１０】
工程Ｋにおいては、図７Ｋに示された形状記憶合金膜３に熱処理を行なう。この熱処理は形状記憶合金膜３に対する形状記憶処理であり、その条件は４２０℃、３０分の焼鈍である。
【０１１１】
工程Ｅにおいては、図７Ｌに示すように、形状記憶合金膜３の形成後にエッチング液を供給し、突起２２Ｃを除去する。第３の実施形態のエッチング液としては、突起２２ＣがＣｕめっきにより形成されていることから、硫酸鉄(III)水溶液に硫酸を加えて得た水溶液が用いられている。
【０１１２】
なお、第３の実施形態の突起２２ＣはＣｕめっきにより形成されており、その突起２２Ｃが耐熱性を有しているので、形状記憶合金膜３の形成後に除去される。そのため、突起が樹脂により形成されており、その突起が耐熱性を有していない場合、突起の除去後に形状記憶合金のスパッタおよびその熱処理を行なうことが好ましい（第４の実施形態の工程Ｅを参照）。
【０１１３】
そして、最後の工程となる工程Ｌにおいては、図７Ｌに示すように、形状記憶合金膜３の形成後にエッチング液を供給し、金属犠牲膜２１を除去（リフトオフ）する。これにより、金属犠牲膜２１の表面上に形成された形状記憶合金膜３をも併せて除去する。第３の実施形態のエッチング液としては、金属犠牲膜２１のＣｕ層（上層）に対して硫酸鉄(III)水溶液に硫酸を加えて得た水溶液が用いられており、そのＣｒ層（下層）に対してフェリシアン化カリウム水溶液が用いられている。
【０１１４】
なお、第３の実施形態の突起２２Ｃおよび金属犠牲膜２１のＣｕ層（上層）はＣｕを用いて形成されているため、第３の実施形態においては、その工程Ｅおよび工程Ｌを同時に行なうことができる。
【０１１５】
次に、図１および図６から図１１を用いて、第３の実施形態の接触子１Ｃの製造方法について、その作用を説明する。ここで、図８はマルテンサイト変態温度以下の温度における形状記憶合金膜３の応力−ひずみ線図を示し、図９は、マルテンサイト逆変態温度以上の温度における形状記憶合金膜３の応力−ひずみ線図を示している。また、図１０および図１１は、第３の実施形態の接触子１Ｃがボール状バンプ１５Ａまたはランド状バンプ１５Ｂに接触して下方に圧力が生じた状態を示している。
【０１１６】
第３の実施形態の接触子１Ｃは、前述した工程Ｆ、工程Ｇ、工程Ｈ、工程Ｉ、工程Ｄ、工程Ｊ、工程Ｋ、工程Ｅおよび工程Ｌの順に、その９つの工程を経て製造される。
【０１１７】
ここで、工程Ｊにおいては、円錐らせん状の金属ばね膜２の表面上に形状記憶合金膜３が積層されており、この形状記憶合金膜３のマルテンサイト逆変態温度は、バーンイン試験の試験温度（例えば１２０℃程度）よりも低温であって室温よりも高温に設定されている。
【０１１８】
図８に示すように、形状記憶合金は、マルテンサイト変態温度（ＭＳ点）以下の環境下においてマルテンサイト相であり、その環境下（例えば室温）おける変形に対し、マルテンサイト逆変態温度（Ａｆ点）以上の加熱により、形状記憶効果を発揮する。また、図９に示すように、形状記憶合金は、マルテンサイト逆変態温度以上の環境下においてオーステナイト相であり、その環境下（例えばバーンイン試験の試験温度）おける変形に対し、除荷のみによりその変形を回復させる超弾性を示す。いずれも形状記憶合金の双晶変形によるものであり、永久変形の原因となるすべり変形は生じない。
【０１１９】
したがって、第３の実施形態の接触子１Ｃにおいては、室温において検査対象の半導体デバイスをプローブカード１０に取付ける際、図１０および図１１に示すように、その半導体デバイスのバンプ１５Ａ、１５Ｂにより、プローブカード１０に取付けられた接触子１Ｃがそのらせん形状をその下方に収縮変形するともに、その外側に拡大させる方向に変形したとしても、バーンイン試験の試験環境下において、その変形を形状記憶効果により回復させることができる。また、バーンイン試験の試験環境下において、その接触子１Ｃが変形したとしても、変形応力の除去後にその変形を超弾性により回復させることができる。
【０１２０】
つまり、第３の実施形態の接触子１Ｃにおいては、永久変形の原因となるすべり変形が生じるのではなく、加熱もしくは除荷により形状回復可能な双晶変形が生じるので、従来の接触子のように、バーンイン試験の繰り返しにより接触子１Ｃがすべり変形を起こし、その形状を変化させてしまうことがない。
【０１２１】
特に、工程Ｈにより形成されるテント２６Ｃの高さが１００μｍ程度（最大５００μｍ程度まで形成可能である。）となっていることから、第３の実施形態の接触子１Ｃの高さは１００μｍ以上になり、従来の接触子の高さ（５０μｍ程度）よりも２倍以上も高くなっている。したがって、金属ばね膜２のみにより接触子１Ｃを形成した場合、バーンイン試験の繰り返しによりすべり変形が生じ、接触子１Ｃがへたりやすい。つまり、第３の実施形態の接触子１Ｃのおいては、形状回復可能な形状記憶合金膜３が金属ばね膜２の表面上に形成されている効果、すなわち形状記憶合金膜３が接触子１Ｃの変形を回復する効果が顕著に現われやすい。
【０１２２】
ここで、第３の実施形態の形状記憶合金膜３においては、ＴｉＮｉ合金が用いられているため、Ｃｕ系形状記憶合金やＦｅ系形状記憶合金などの他の形状記憶合金と比較して、安定した形状記憶効果および超弾性を発揮することができる。
【０１２３】
このＴｉＮｉ合金は、そのＴｉサイトの組成が５０．０〜５１．０ｍｏｌ％となっているので、そのマルテンサイト変態温度を８０℃程度にすることができ、半導体デバイスの取付を行なう室温においては良好な形状記憶効果を発揮することができる。また、そのマルテンサイト逆変態温度（オーステナイト変態温度）を１００℃程度にすることができるので、バーンイン試験の試験環境下（１２０℃程度）においては良好な超弾性を示すことができる。
【０１２４】
また、ＴｉＮｉ合金は、Ｎｉサイトの組成が５０．０〜５１．０ｍｏｌ％においてその変態温度が１００℃も変化するほどに組成に対して敏感な合金であることが知られているが、Ｔｉサイトの組成が５０．０〜５１．０ｍｏｌ％であれば、その変態温度は一定であることも知られている。すなわち、Ｔｉサイトの組成がスパッタによりわずかにずれたとしても、その組成が５０．０〜５１．０ｍｏｌ％の範囲内であれば、その変態温度は変化せずに同等の特性を有する形状記憶合金膜３を成膜することができる。
【０１２５】
さらに、第１の実施形態の工程Ａおよび工程Ｂと同様、第３の実施形態の工程Ｆから工程Ｈによれば、背の高いテント２６Ｃを容易に形成することができる。そのため、その背の高いテント２６Ｃを型として利用し、１００μｍ以上の背の高い接触子１Ｃを形成することができる。
【０１２６】
また、工程Ｇにおいては、第１の実施形態の工程Ａと同様、突起２２Ｃが電気めっきにより形成されているので、その突起２２Ｃを支柱とするテント２６Ｃの高さを容易に高くすることができる。
【０１２７】
また、工程Ｇ１においては、レジスト膜の任意の位置に任意の形状の孔（第３の実施形態においては円柱孔２３ｂ）を形成し、その孔２３ｂから露出している金属犠牲膜２１Ａの表面上に突起２２Ｃをめっき形成しているので、金属犠牲膜２１Ａの表面上における突起２２Ｃの形状や形成位置を自在に選択することができる。
【０１２８】
さらに、そのめっき時間を変化させることにより１μｍ程度の単位で突起２２Ｃの高さを調整することができるので、テント２６Ｃの高さを容易に調整することもできる。
【０１２９】
この突起２２ＣはＣｕめっきにより形成されていることから、突起２２Ｃに対するエッチング・レートを他の部材に対するエッチング・レートよりも大きくすることができる。これにより、絶縁基板１１、金属ばね膜２、形状記憶合金膜３、その他の部材に悪影響を及ぼさずに突起２２Ｃを取り除くことができる。
【０１３０】
また、第３の実施形態においては、突起２２Ｃが耐熱性を有しており、その突起２２Ｃおよび金属犠牲膜２１が同一の材料（Ｃｕ）を用いて形成されている。そのため、図７Ｌに示すように、形状記憶合金膜３の形成およびその熱処理後において、突起２２Ｃおよび金属犠牲膜２１の両方を同時に除去することができる。
【０１３１】
そのうえ、工程Ｈにおいては、図７Ｄに示すように、前述した工程Ｈ１から工程Ｈ４を経てテント２６Ｃが形成されている。テント２６Ｃの覆いとなるフィルム２５は減圧下において絶縁基板１１に接着されていることから、テント２６Ｃの内圧が外圧（大気圧）よりも低くなっている。そのため、テント２６Ｃの外気がテント２６Ｃに対してテント２６Ｃをしぼませる方向に圧力を加えるので、金属ばね膜２を形成する際にテント２６Ｃがたるんでしまうことを防止することができる。
【０１３２】
さらに、このフィルム２５は、感光性樹脂フィルムであることから、従来から知られた感光性樹脂フィルムによるプリント配線板のパターンニング方法を応用して、テント２６Ｃの形成のための精密なパターンニングを容易に行なうことができる。
【０１３３】
そして、工程Ｉにおいては、図７Ｇに示すように、電気めっきにより金属ばね膜２が形成されている。これにより、金属ばね膜２の膜厚制御を容易に行うことができるので、金属ばね膜２の弾性力を制御して接触子１Ｃを形成することができる。
【０１３４】
この金属ばね膜２は、Ｎｉ−Ｐ合金めっきにより形成されているので、その膜厚を厚くしやすく、大きな弾性力を発揮しやすい。そのため、この金属ばね膜２は、接触子１Ｃに接触するバンプ１５Ａ、１５Ｂに大きな圧力を加えることができる。
【０１３５】
また、工程Ｉ２においては、レジスト膜がスプレーコーティングにより形成されている。そのため、絶縁基板１１と突起２２Ｃとの高低差が大きくなったとしても、レジスト膜の膜厚を均一にすることができる。
【０１３６】
すなわち、第３の実施形態の接触子１Ｃによれば、円錐らせん状の接触子１Ｃを作るための型となるテント２６Ｃ（略錐体状のレジスト体）を高く形成することができるので、バンプ１５Ａ、１５Ｂに適切な圧力を加えることができる背の高い接触子１Ｃを形成することができる。
【０１３７】
また、第３の接触子１Ｃの製造方法によれば、その背の高い接触子１Ｃが金属ばね膜２の表面上に形状記憶合金膜３を積層させることにより形成されており、その形状記憶合金膜３が形状記憶効果および超弾性を示すことによって接触子１Ｃの変形を回復させるので、バーンイン試験を繰り返してもへたらない接触子１Ｃを製造することができるという効果を奏する。
【０１３８】
次に、図１２を用いて、第４の実施形態の接触子１Ｄの製造方法を説明する。ここで、図１２は、第４の実施形態の接触子１Ｄの製造方法について、図１２Ａから図１２Ｈの順に縦断面図を用いて示している。
【０１３９】
第４の実施形態の接触子１Ｄは、第３の実施形態の接触子１Ｃと同様、中央を頂部とした円錐らせん状に形成されており、プローブカード１０の絶縁基板１１に形成された接続端子１２上に接続されている（図１参照）。この接触子１Ｄは、図６に示すように、金属ばね膜２および形状記憶合金膜３を積層させることにより形成されている。また、第４の実施形態の接触子１Ｄは、金属ばね膜２の形成補助膜として、絶縁基板１１もしくは接続端子１２と金属ばね膜２との間にシード膜４を積層させている。
【０１４０】
この接触子１Ｄの製造方法は、工程Ｆ、工程Ｇ、工程Ｈ、工程Ｉ、工程Ｄ、工程Ｅ、工程Ｊ、工程Ｋおよび工程Ｌの順に、その９つの工程を主な工程として備えている。ここで、第４の実施形態において、突起２２Ｄを形成する工程Ｇ（図１２Ｂ）および突起２２Ｄを除去する工程Ｅ（図１２Ｆ）が第３の実施形態における工程Ｇ（図７Ｂ、図７Ｃ）および工程Ｅ（図７Ｌ）と異なっている。
【０１４１】
一方、金属犠牲膜２１を形成する工程Ｆ（図１２Ａ）、テント２６Ｄを形成する工程Ｈ（図１２Ｃ）、金属ばね膜２を形成する工程Ｉ（図１２Ｄ）、フィルム２５を除去する工程Ｄ（図１２Ｆ）、形状記憶合金膜３をスパッタにより形成する工程Ｊ（図１２Ｇ）、形状記憶合金膜３を熱処理する工程Ｋ（図１２Ｇ）および金属犠牲膜２１を除去する工程Ｌ（図１２Ｈ）は第３の実施形態におけるそれら各工程と同様である。
【０１４２】
したがって、第４の実施形態における工程Ｇ（図１２Ｂ）および工程Ｅ（図１２Ｆ）のみを詳細に説明する。
【０１４３】
工程Ｇにおいては、図１２Ｂに示すように、円輪形状の溝２１ａの内側に形成された円形状の金属犠牲膜２１Ａの表面上に突起２２Ｄを形成する。この突起２２Ｄはどのような形状に形成されていても良く、その高さのみを制御して形成されていればよい。第４の実施形態の突起２２Ｄは、粘度の高い樹脂を円形状の金属犠牲膜２１Ａの表面上にポッティングした後、そのポッティングした樹脂を硬化させることにより形成されており、この突起２２Ｄの外径は１００μｍ〜３００μｍ程度、その高さは１００μｍ程度となっている。ポッティングする樹脂としては、ノボラック系レジスト材であって粘度が高いものが用いられている。
【０１４４】
また、工程Ｅにおいては、図１２Ｆに示すように、フィルム２５の除去（工程Ｄ）後であって形状記憶合金膜３の形成（工程Ｊ）前においてエッチング液を供給し、突起２２Ｄを除去する。第４の実施形態の突起２２Ｄの除去剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが用いられる。
【０１４５】
次に、図１および図６から図１１を用いて、第４の実施形態の接触子１Ｄの製造方法について、その作用を説明する。
【０１４６】
第４の実施形態の突起２２Ｄは、工程Ｇにおいて、円形状の金属犠牲膜２１Ａの表面上に樹脂をポッティングし、そのポッティングした樹脂を硬化させることにより形成されている。この突起２２Ｄは高く形成されていればよいので、粘度の高いレジスト液を絶縁基板１１の表面上に均一の厚さで膜状に形成するよりも簡易に形成することができる。また、第３の実施形態の工程ＧのようなＣｕめっきによる突起２２Ｄの形成工程よりも作業工程が簡易であり、その突起２２Ｄの形成に時間を要しないので、突起２２Ｄを容易に形成することができる。
【０１４７】
また、その突起２２Ｄは樹脂を用いて形成されていることから、形状記憶合金膜３のスパッタ形成前に除去されている。もし、形状記憶合金膜３のスパッタ形成時に突起２２Ｄが残っていたとすると、形状記憶合金のスパッタ温度は２３０℃程度であることから、突起２２Ｄが揮発し、形状記憶合金膜３に不純物が溶解して、形状記憶合金膜３の形状回復効果が適切に発揮されないおそれがある。したがって、形状記憶合金膜３のスパッタ形成前に突起２２Ｄを除去することにより、最適な形状記憶合金膜３を形成することができる。
【０１４８】
すなわち、第４の実施形態の接触子１Ｄによれば、円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の接触子１Ｄを作るための型となるテント２６Ｄ（略錐体状のレジスト体）を高く形成することができるので、バンプに適切な圧力を加えることができる背の高い接触子１Ｄを容易に形成することができる。
【０１４９】
また、第４の実施形態の接触子１Ｄの製造方法によれば、その背の高い接触子１Ｄが金属ばね膜２の表面上に形状記憶合金膜３を積層させることにより形成されており、その形状記憶合金膜３が形状記憶効果および超弾性を示すことによって接触子１Ｄの変形を回復させるので、バーンイン試験を繰り返してもへたらない接触子１Ｄを製造することができるという効果を奏する。
【０１５０】
なお、本発明は、前述した実施形態などに限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。
【０１５１】
例えば、本発明の接触子は円錐らせん状に限られず、中央部が突出したらせん状であればよい。そのため、他の実施形態においては、図１３に示すように、その接触子１Ｅが多角錐らせん状に形成されていても良い。その際、多角形錐状のテントを形成するとともに、第３および第４の実施形態においては、金属犠牲膜に多角輪形状の溝をパターンニングする。そして、テントの表面上に多角錐らせん状の溝をレジスト膜にパターンニングして、多角錐らせん状の金属ばね膜を電気めっきにより形成することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１５２】
【図１】第１の実施形態の接触子を示す斜視図
【図２】第１の実施形態の接触子を示す縦断面図
【図３】第１の実施形態の接触子の製造方法をＡ〜Ｊの順に示す縦断面図
【図４】第１の実施形態の接触子の製造方法における工程Ｂのフィルム密着状態を上方から示す平面図
【図５】第２の実施形態の接触子の製造方法をＡ〜Ｅの順に示す縦断面図
【図６】第３の実施形態の接触子を示す縦断面図
【図７】第３の実施形態の接触子の製造方法をＡ〜Ｌの順に示す縦断面図
【図８】マルテンサイト変態温度以下の温度における形状記憶合金膜の応力−ひずみ線図
【図９】マルテンサイト逆変態温度以上の温度における形状記憶合金膜の応力−ひずみ線図
【図１０】第３の実施形態の接触子がボール状バンプに接触して下方に圧力が生じた状態を示す正面図
【図１１】第３の実施形態の接触子がランド状バンプに接触して下方に圧力が生じた状態を示す正面図
【図１２】第４の実施形態の接触子の製造方法をＡ〜Ｈの順に示す縦断面図
【図１３】他の実施形態の接触子を示す斜視図
【符号の説明】
【０１５３】
１  接触子
２  金属ばね膜
３  形状記憶合金膜
４  シード膜
１２  接続端子
２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄ  突起
２３ａ  円錐らせん状の溝
２５  フィルム
２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃ、２６Ｄ  テント
【図１】
2008041430.tif 000003
【図２】
2008041430.tif 000004
【図３】
2008041430.tif 000005
【図４】
2008041430.tif 000006
【図５】
2008041430.tif 000007
【図６】
2008041430.tif 000008
【図７】
2008041430.tif 000009
【図８】
2008041430.tif 000010
【図９】
2008041430.tif 000011
【図１０】
2008041430.tif 000012
【図１１】
2008041430.tif 000013
【図１２】
2008041430.tif 000014
【図１３】
2008041430.tif 000015