(57)【要約】【課題】フォトレジスト層のパターンニングを精度良く行うことができ、特性の良い圧電振動子の製造方法を提供するためのものである。【解決手段】水晶基板に形成したフォトレジスト層へのパターニングを表面側と裏面側をそれぞれ別の工程で行い、更に一方の面のフォトレジスト層を現像する前に、他方の面に形成されたフォトレジスト層を現像液に耐性のある保護膜で覆う。【選択図】図１
2008109648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電材料からなり溝部を有する圧電振動子の製造方法において、
圧電材料からなる圧電基板の一方の面に下地層と表面層からなる第１の金属膜を形成する工程と、
前記第１の金属膜の表面層上にフォトレジストを塗布して第１のフォトレジスト層を形成する工程と、
前記第１のフォトレジスト層を露光、現像し前記圧電振動子の外形形状にパターニングして第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをエッチングマスクとして前記第１の金属膜の表面層をエッチングにより除去する工程と、
前記第１のレジストパターンを露光、現像し前記圧電振動子の溝部の外形形状にパターニングして第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記圧電基板の他方の面に下地層と表面層からなる第２の金属膜を形成する工程と、
前記第２の金属膜の表面層上にフォトレジストを塗布して第２のフォトレジスト層を形成する工程と、
前記第２のフォトレジスト層を露光、現像し前記圧電振動子の外形形状にパターニングして第３のレジストパターンを形成する工程と、
前記第３のレジストパターンをエッチングマスクとして前記第２の金属膜の表面層をエッチングにより除去する工程と、
前記第３のレジストパターンを露光、現像し前記圧電振動子の溝部の外形形状にパターニングして第４のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターンおよび前記第４のレジストパターンと、前記第１の金属膜の表面層および前記第２の金属膜の表面層をエッチングマスクとして、前記第１の金属膜および前記第２の金属膜の下地層をエッチングにより除去し、前記圧電振動子の外形形状に対応する位置以外の前記圧電基板の表面を露出させる工程と、
前工程までに露出した前記圧電基板をエッチングにより除去する工程と、
前記第２のレジストパターンおよび前記第４のレジストパターンをエッチングマスクとして前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜をエッチングにより除去し、前記圧電振動子の溝部に対応する位置の前記圧電基板を露出させる工程と、
前記圧電基板の溝部に対応した前記圧電基板をエッチングにより一定量除去して溝部を形成する工程とを有し、
前記第２のレジストパターンを形成する工程の後であって、前記第３のレジストパターンを形成する工程における現像の前に、少なくとも前記第２のレジストパターンを覆うように前記現像に用いる現像液に耐性のある保護膜を形成する工程と、
前記第４のレジストパターンを形成する工程の直後に前記保護膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項２】
圧電材料からなり溝部を有する圧電振動子の製造方法において、
圧電材料からなる圧電基板の両方の面に下地層と表面層からなる金属膜を形成する工程と、
前記圧電基板の一方の面の前記金属膜の表面層上にフォトレジストを塗布して第１のフォトレジスト層を形成する工程と、
前記圧電基板の他方の面の前記金属膜の表面層上にフォトレジストを塗布して第２のフォトレジスト層を形成する工程と、
前記第１のフォトレジスト層を露光、現像し前記圧電振動子の外形形状にパターニングして第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをエッチングマスクとして、前記第１のレジストパターンが形成された面の前記金属膜の表面層をエッチングにより除去する工程と、
前記第１のレジストパターンを露光、現像し前記圧電振動子の溝部の外形形状にパターニングして第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のフォトレジスト層を露光、現像し前記圧電振動子の外形形状にパターニングして第３のレジストパターンを形成する工程と、
前記第３のレジストパターンをエッチングマスクとして、前記第２のレジストパターンが形成された面の前記金属膜の表面層をエッチングにより除去する工程と、
前記第３のレジストパターンを露光、現像し前記圧電振動子の溝部の外形形状にパターニングして第４のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターンおよび前記第４のレジストパターンと、前記圧電基板の両面に形成された前記金属膜の表面層をエッチングマスクとして、前記金属膜の下地層をエッチングにより除去し、前記圧電振動子の外形形状に対応する位置以外の前記圧電基板の表面を露出させる工程と、
前工程までに露出した前記圧電基板をエッチングにより除去する工程と、
前記第２のレジストパターンおよび前記第４のレジストパターンをエッチングマスクとして、前記圧電基板の両面に形成された前記金属膜をエッチングにより除去し、前記圧電振動子の溝部に対応する位置の前記圧電基板を露出させる工程と、
前記圧電基板の溝部に対応した前記圧電基板をエッチングにより一定量除去して溝部を形成する工程とを有し、
前記第２のレジストパターンを形成する工程の後であって、前記第３のレジストパターンを形成する工程における現像の前に、少なくとも前記第２のレジストパターンを覆うように前記現像に用いる現像液に耐性のある保護膜を形成する工程と、
前記第４のレジストパターンを形成する工程の直後に前記保護膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項３】
前記金属膜の表面層が金であり、下地層がクロムであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項４】
前記保護膜の材質が銀であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一つに記載の圧電振動子の製造方法。
【請求項５】
前記保護膜の除去を硝酸により行うことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載の圧電振動子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は例えば水晶等の振動片よりなる圧電振動子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器のタイムスタンダード等として使用される振動子に対しては、これが使用される電子機器の小型化に伴い、振動子のサイズが小型で、しかもＣＩ値の小なるものが要求されるようになってきており、例えば音叉型の水晶振動子の場合は、従来、図７（ａ）、（ｂ）に示すように構成されたものが知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
ここで、図７（ａ）は音叉型水晶振動子の上面図であって、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ―Ａ断面図である。音叉型水晶振動子１１は２本の脚１２を有し、それぞれの脚１２の表裏面には長溝よりなる溝部１３が形成されており、図７（ｂ）に示すように、音叉の脚１２の断面形状は略Ｈ型となっている。ここで、このような断面が略Ｈ型の音叉型水晶振動子は、振動子の大きさを従来より小型化しても、電気機械変換係数を高くすることができるため、ＣＩ値（クリスタルインピーダンス又は等価直列抵抗）を低く抑えることができるという特性を有する。
【０００４】
この略Ｈ型の音叉型水晶振動子のように溝が形成されたような水晶振動子の製造方法としては、例えば、特許文献１の製造方法が提案されている。特許文献１では逆メサ型ＡＴカット水晶振動片を実施形態としているが、ここではそれを音叉型水晶振動子に適用した場合の製造方法を説明する。
【０００５】
図８〜図１０は振動脚部の断面が略Ｈ型を成している音叉型水晶振動子の従来の製造方法を示す図である。図８において、まず、水晶基板１０１を用意する（図８（ａ））。次に水晶基板１０１の表裏両面にＣｒ膜１０２、Ａｕ膜１０３からなる金属膜を蒸着またはスパッタリングで形成する（図８（ｂ））。次に金属膜の表面にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層１０４を形成する（図８（ｃ））。次に、音叉型水晶振動子の外形をフォトマスクを用いて露光、現像し、音叉型水晶振動子の外形の内側にフォトレジスト層１０４が残るようにパターニングし、外側の金属膜を露出させる（図８（ｄ））。次に、露出させた金属膜をＡｕ膜１０３、Ｃｒ膜１０２の順番でエッチングにより除去する（図９（ａ））。続いて、残存するフォトレジスト層１０４に対して、溝部の形状をフォトマスクを用いて再度露光、現像し、溝部の金属膜を露出させる（図９（ｂ））。次に、水晶エッチング用のエッチング液で露出した水晶基板１０１をエッチングする。エッチングの結果、音叉型水晶振動子の外形形状が形成される（図９（ｃ））。続いて、残存しているフォトレジスト層１０４をマスクとして金属膜のエッチングを行い、溝部に露出している金属膜をＡｕ膜１０３、Ｃｒ膜１０２の順番で除去する（図９（ｄ））。次に水晶エッチング用のエッチング液によって、溝部に対応して露出した水晶基板１０１を所定の深さエッチングを行い、溝部１０５を形成する（図１０（ａ））。残存するフォトレジスト層１０４および金属膜を除去して略Ｈ型の音叉型水晶振動子の形状が完成する（図１０（ｂ））。この後、音叉型水晶振動子の表面に駆動電極が形成され略Ｈ型の音叉型水晶振動子が完成する。
【０００６】
上記の製造方法では、金属膜のエッチング液にフォトレジスト層が晒されると、フォトレジスト層の表面が変質し露光感度が低下し、通常の露光、現像では溶解しない表面変質層が生じる。このため、溝部の露光に際しては、露光時間を長くしたり、溝部の露光の前に、現像液等のアルカリ液で表面変質層を除去したり、また、溝部の露光の前、あるいは露光の後の現像の前に酸素プラズマを用いて表面変質層をドライエッチングして除去することが、特許文献１には提案されている。
また、特許文献２には前記表面変質層を生じさせずに同一のフォトレジスト層に複数回パターニングを行う略Ｈ型の水晶振動子の製造方法が提案されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２６１５５７号公報
【特許文献２】特開２００６−８６９２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１および特許文献２に示される従来の水晶振動子の製造方法は、水晶基板上に形成されたフォトレジスト層を、水晶基板の表面と裏面の両面を同時に露光し水晶振動子の外形形状や溝部のパターニングを行う製造方法である。フォトレジスト層のパターニングには一般に投影露光装置が使用されるが、これは投影露光装置に備えられた投影レンズを通しパターンをフォトレジスト層に転写している。上記従来の例のように、水晶基板の両面に形成されたフォトレジスト層に両面同時にパターンを転写する場合、投影露光装置の投影レンズは水晶基板の表側と裏側に対応した二つの投影レンズを使用することとなるが、投影レンズはそれぞれに個体差があり、水晶基板の表面と裏面を同時にパターニングすると表面用の投影レンズと裏面用の投影レンズの個体差により表裏面でフォトレジスト層に転写されるパターンにミクロン単位のずれが生じてしまうといった課題が発生する。
このようにパターンのずれがある状態で水晶振動子を製造すると水晶振動子を精度よく製造することができず、水晶振動子の完成品の電気特性が悪化する。
【０００９】
また、基板の両面にパターニングをする場合の露光工程としては、上記従来の技術のように基板の表裏面を同時に露光しパターニングする両面露光と、基板の一方の面を露光しパターニングした後、他方の面を露光しパターニングする、基板の表裏面に対し片面露光をそれぞれ行う二つの方法が広く利用されているが、上記従来の水晶振動子の製造方法を後者の片面露光を利用した場合、次のような課題が発生する。片面露光を表裏面それぞれ行う場合、一方の面に形成したフォトレジスト層に水晶振動子の外形および溝部のパターンを形成した後、他方の面に水晶振動子の外形および溝部のパターンを形成することになるが、他方の面のパターンの現像の際に一方の面に形成され既にパターニングされたフォトレジスト層は現像液に晒されることになる。フォトレジスト層は、露光されていない状態でも複数回現像液に晒すと現像液に侵食され若干ではあるが剥離してしまうことがあり、そのため完成品の水晶振動子の形状を精度良く製造することが困難であった。本発明はこのような課題を解決するためのものであり、フォトレジスト層のパターンニングを精度良く行うことができ、特性の良い圧電振動子の製造方法を提供するためのものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
圧電材料からなり溝部を有する圧電振動子の製造方法において、圧電材料からなる圧電基板の一方の面に下地層と表面層からなる第１の金属膜を形成する工程と、前記第１の金属膜の表面層上にフォトレジストを塗布して第１のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第１のフォトレジスト層を露光、現像し前記圧電振動子の外形形状にパターニングして第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンをエッチングマスクとして前記第１の金属膜の表面層をエッチングにより除去する工程と、前記第１のレジストパターンを露光、現像し前記圧電振動子の溝部の外形形状にパターニングして第２のレジストパターンを形成する工程と、前記圧電基板の他方の面に下地層と表面層からなる第２の金属膜を形成する工程と、前記第２の金属膜の表面層上にフォトレジストを塗布して第２のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第２のフォトレジスト層を露光、現像し前記圧電振動子の外形形状にパターニングして第３のレジストパターンを形成する工程と、前記第３のレジストパターンをエッチングマスクとして前記第２の金属膜の表面層をエッチングにより除去する工程と、前記第３のレジストパターンを露光、現像し前記圧電振動子の溝部の外形形状にパターニングして第４のレジストパターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターンおよび前記第４のレジストパターンと、前記第１の金属膜の表面層および前記第２の金属膜の表面層をエッチングマスクとして、前記第１の金属膜および前記第２の金属膜の下地層をエッチングにより除去し、前記圧電振動子の外形形状に対応する位置以外の前記圧電基板の表面を露出させる工程と、前工程までに露出した前記圧電基板をエッチングにより除去する工程と、前記第２のレジストパターンおよび前記第４のレジストパターンをエッチングマスクとして前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜をエッチングにより除去し、前記圧電振動子の溝部に対応する位置の前記圧電基板を露出させる工程と、前記圧電基板の溝部に対応した前記圧電基板をエッチングにより一定量除去して溝部を形成する工程とを有し、前記第２のレジストパターンを形成する工程の後であって、前記第３のレジストパターンを形成する工程における現像の前に、少なくとも前記第２のレジストパターンを覆うように前記現像に用いる現像液に耐性のある保護膜を形成する工程と、前記第４のレジストパターンを形成する工程の直後に前記保護膜を除去する工程と、を有する圧電振動子の製造方法とする。
【００１１】
圧電材料からなり溝部を有する圧電振動子の製造方法において、圧電材料からなる圧電基板の両方の面に下地層と表面層からなる金属膜を形成する工程と、前記圧電基板の一方の面の前記金属膜の表面層上にフォトレジストを塗布して第１のフォトレジスト層を形成する工程と、前記圧電基板の他方の面の前記金属膜の表面層上にフォトレジストを塗布して第２のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第１のフォトレジスト層を露光、現像し前記圧電振動子の外形形状にパターニングして第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンをエッチングマスクとして、前記第１のレジストパターンが形成された面の前記金属膜の表面層をエッチングにより除去する工程と、前記第１のレジストパターンを露光、現像し前記圧電振動子の溝部の外形形状にパターニングして第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第２のフォトレジスト層を露光、現像し前記圧電振動子の外形形状にパターニングして第３のレジストパターンを形成する工程と、前記第３のレジストパターンをエッチングマスクとして、前記第２のレジストパターンが形成された面の前記金属膜の表面層をエッチングにより除去する工程と、前記第３のレジストパターンを露光、現像し前記圧電振動子の溝部の外形形状にパターニングして第４のレジストパターンを形成する工程と、前記第２のレジストパターンおよび前記第４のレジストパターンと、前記圧電基板の両面に形成された前記金属膜の表面層をエッチングマスクとして、前記金属膜の下地層をエッチングにより除去し、前記圧電振動子の外形形状に対応する位置以外の前記圧電基板の表面を露出させる工程と、前工程までに露出した前記圧電基板をエッチングにより除去する工程と、前記第２のレジストパターンおよび前記第４のレジストパターンをエッチングマスクとして、前記圧電基板の両面に形成された前記金属膜をエッチングにより除去し、前記圧電振動子の溝部に対応する位置の前記圧電基板を露出させる工程と、前記圧電基板の溝部に対応した前記圧電基板をエッチングにより一定量除去して溝部を形成する工程とを有し、前記第２のレジストパターンを形成する工程の後であって、前記第３のレジストパターンを形成する工程における現像の前に、少なくとも前記第２のレジストパターンを覆うように前記現像に用いる現像液に耐性のある保護膜を形成する工程と、前記第４のレジストパターンを形成する工程の直後に前記保護膜を除去する工程と、を有することを特徴とする圧電振動子の製造方法とする。
【００１２】
前記金属膜の表面層が金であり、下地層がクロムである圧電振動子の製造方法とする。
【００１３】
前記保護膜の材質が銀である圧電振動子の製造方法とする。
【００１４】
前記保護膜の除去を硝酸により行う圧電振動子の製造方法とする。
【発明の効果】
【００１５】
水晶基板に形成したフォトレジスト層へのパターニングを表面側と裏面側をそれぞれ別の工程で行うことにより、水晶振動子の外形形状や溝部の形状を精度良くパターニングすることが可能となり、溝部を有する圧電振動子の製造方法において、圧電振動子の外形形状と溝部の形状のパターニングを同一のフォトレジスト層で行い、さらに表面側と裏面側のパターニングをそれぞれ別の工程で行う場合は、一方の面のフォトレジスト層を現像する前に他方の面に形成されたフォトレジスト層を現像液に耐性のある保護膜で覆うことで、他方の面に形成されたフォトレジスト層が一方の面のフォトレジスト層を現像するための現像液により侵食されることがなく、圧電振動子を精度良く製造することができ、特性の良い圧電振動子を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に本発明を実施するための最良の形態を図面を用いて説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１〜図６は、本発明の圧電振動子の製造方法を示す図である。
本実施例の圧電振動子の製造方法は、図７に示す音叉型水晶振動子を製造する例として説明する。まず、図１（ａ）に示すように水晶基板１を板状に加工する。次に、水晶基板１の一方の面（以下、この面を表面側とし、他方の面を裏面側と呼ぶ。）の表面に蒸着またはスパッタリングによって下地層の金属膜としてＣｒ膜２を２５０Å程度成膜し、続いてその上に表面層の金属膜としてＡｕ膜３を１２００Å程度積層し成膜する（図１（ｂ））。Ｃｒ膜２はＡｕ膜３と水晶基板１との密着性を向上させる中間層として作用する。またＡｕ膜３は後ほど水晶基板１をエッチングする際に用いるフッ酸とフッ化アンモニウム溶液の混合液に対する耐蝕膜として作用する。次にＡｕ膜３の表面にフォトレジストを塗布し、かつ乾燥させてフォトレジスト層４を形成する（図１（ｃ））。フォトレジストとしては例えばポジ型フォトレジストである東京応化製のＯＦＰＲ（登録商標）を用いる。次に音叉型水晶振動子の外形を形成するためのフォトマスクを用いてフォトレジスト層４を露光する（図１（ｄ））。そして露光したフォトレジスト層４を現像し、音叉型水晶振動子の外形の内側にだけフォトレジスト層４が残るようにする（図２（ａ））。次にＡｕ膜３をエッチングし除去する（図２（ｂ））。Ａｕ膜３のエッチングには例えばヨウ素をヨウ化カリウム溶液に溶かしたエッチング液を用いる。続いて、残存しているフォトレジスト層４に対して、溝部の露光を行い（図２（ｃ））、現像し、溝部に対応する部分のフォトレジスト層４を除去する（図２（ｄ））。
【００１８】
次に、水晶基板１の裏面側の表面に図１（ｂ）の工程と同様に、Ｃｒ膜５とＡｕ膜６を成膜する（図３（ａ））。次にＡｕ膜６の表面にフォトレジストを塗布し、かつ乾燥させてフォトレジスト層７を形成する（図３（ｂ））。次に音叉型水晶振動子の外形を形成するためのフォトマスクを用いてフォトレジスト層７を露光する（図３（ｃ））。続いて、裏面側のフォトレジスト層７を現像しない状態で、表面側の表面にＡｇ膜８を２０００Å程度成膜し（図３（ｄ））、その後、フォトレジスト層７を現像し音叉型水晶振動子の外形の内側にだけフォトレジスト層７が残るようにする（図４（ａ））。図３（ｄ）の工程にて形成したＡｇ膜８は、裏面側のフォトレジスト層７を現像する工程（図４（ａ）、および後述の図４（ｄ））の際に、表面側に形成されたフォトレジスト層４が現像液に晒されるのを保護するための保護膜として作用するものであり、材質はＡｇに限らずフォトレジストの現像液に耐性のある材質であれば良い。また、Ａｇ膜８を形成する工程も、表面側に形成されたフォトレジスト層４が裏面側に形成されたフォトレジスト層７の現像が行われる前に形成すれば良く、本実施例では図２（ｄ）の工程の後から図４（ａ）の工程の前の間に行えば良い。
【００１９】
次にＡｕ膜６をエッチングし除去する（図４（ｂ））。Ａｕ膜６のエッチングには例えばヨウ素をヨウ化カリウム溶液に溶かしたエッチング液を用いる。次に、残存している裏面側のフォトレジスト層７に対して、溝部の露光を行い（図４（ｃ））、現像し、溝部に対応する部分のフォトレジスト層７を除去する（図４（ｄ））。続いて、Ａｇ膜８をエッチングし除去する（図５（ａ））。Ａｇ膜８のエッチングには例えばリン酸と硝酸の混合液を用いる。ここで、表面側に形成されたフォトレジスト層４が現像液に晒されるのを保護するための保護膜としてＡｇ以外の材質を使用した場合は、それを除去する別の手段で除去する。
次に表面側と裏面側のＣｒ膜２，５をエッチングし除去する（図５（ｂ））。エッチングには例えば硝酸セリウムアンモニウムを含有したエッチング液を用いる。
【００２０】
次に、露出した水晶基板１をフッ酸とフッ化アンモニウムの混合液を用いてエッチングし、音叉型水晶振動子の外形を形成する（図５（ｃ））。続いて、溝部に露出しているＡｕ膜３，６とＣｒ膜２，５をエッチングによって除去する（図５（ｄ））。その後、水晶用のエッチング液である、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液を用いて、溝部に対応して露出した水晶基板１のエッチングを行い、上下両面に所定深さの溝部（凹部）を加工する（図６（ａ））。最後にフォトレジスト層４，７とＡｕ膜３，６、およびＣｒ膜２，５を除去し断面が略Ｈ型の音叉型水晶振動子の外形を得る（図６（ｂ））。ここでは、フォトレジスト層４，７を溝部のエッチング工程（図６（ａ））の後に行う例を示したが、溝部のエッチング工程前にフォトレジスト層４，７を除去しても良い。以上の工程により、図７に示すような略Ｈ型の音叉型水晶振動子が出来上がることになる。また、このような音叉型水晶振動子に駆動電極を形成する工程としては、例えば特許文献２に示されるような従来の技術を用いれば良い。
【００２１】
以上のように、水晶基板に形成したフォトレジスト層へのパターニングを表面側と裏面側をそれぞれ別の工程で行うことにより、表面側と裏面側のパターニングを投影露光装置の露光レンズを同一のもので行うことができ、あるいはプロキシミティ露光装置により製造することができるので、水晶振動子の外形形状や溝部の形状を精度良くパターニングすることが可能となる。
また、本発明の実施例の略Ｈ型の音叉型水晶振動子ように、外形形状と溝部の形状のパターニングを同一のフォトレジスト層で行い、さらに表面側と裏面側のパターニングをそれぞれ別の工程で行う場合は、一方の面のフォトレジスト層を現像する前に、他方の面に形成されたフォトレジスト層を現像液に耐性のある保護膜で覆うことにより、他方の面に形成されたフォトレジスト層が一方の面のフォトレジスト層を現像するための現像液により侵食されることなく、水晶振動子を精度良く製造することが可能となる。
【実施例２】
【００２２】
次に、本発明の別の実施例を説明する。図１１〜図１３は、本発明の圧電振動子の製造方法を示す図である。本実施例の圧電振動子の製造方法は、図７に示す音叉型水晶振動子を製造する例として説明し、実施例１と同じ部材については実施例１と同様の符号を用い説明する。まず、板状に加工された水晶基板１に両面の表面に蒸着またはスパッタリングによって下地層の金属膜としてＣｒ膜２，５を２５０Å程度成膜し、続いてその上に表面層の金属膜としてＡｕ膜３，６を１２００Å程度積層し成膜する（図１１（ａ））。Ｃｒ膜２，５はＡｕ膜３，６と水晶基板１との密着性を向上させる中間層として作用する。またＡｕ膜３，６は後ほど水晶をエッチングする際に用いるフッ酸とフッ化アンモニウム溶液の混合液に対する耐蝕膜として作用する。次にＡｕ膜３，６の表面にフォトレジストを塗布し、かつ乾燥させてフォトレジスト層４，７を形成する（図１１（ｂ））。フォトレジストとしては例えばポジ型フォトレジストである東京応化製のＯＦＰＲ（登録商標）を用いる。次に音叉型水晶振動子の外形を形成するためのフォトマスクを用いてフォトレジスト層４を露光する（図１１（ｃ））。そして露光したフォトレジスト層４を現像し、音叉型水晶振動子の外形の内側にだけフォトレジスト層４が残るようにする（図１１（ｄ））。次にＡｕ膜３をエッチングし除去する（図１２（ａ））。Ａｕ膜３のエッチングには例えばヨウ素をヨウ化カリウム溶液に溶かしたエッチング液を用いる。続いて、残存しているフォトレジスト層４に対して、溝部の露光を行い（図１２（ｂ））、現像し、溝部に対応する部分のフォトレジスト層４を除去する（図１２（ｃ））。
【００２３】
次に音叉型水晶振動子の外形を形成するためのフォトマスクを用いてフォトレジスト層７を露光する（図１２（ｄ））。続いて、裏面側のフォトレジスト層７を現像しない状態で、表面側の表面にＡｇ膜８を２０００Å程度成膜する（図１３）。Ａｇ膜８は、表面側に形成されたフォトレジスト層４が現像液に晒されるのを保護するための保護膜として作用するものであり、材質はＡｇに限らずフォトレジストの現像液に耐性のある材質であれば良い。また、Ａｇ膜８を形成する工程も、表面側に形成されたフォトレジスト層４が裏面側に形成されたフォトレジスト層７の現像が行われる前に形成すれば良く、本実施例では図１２（ｃ）の工程の後から図１３の工程の前の間に行えば良い。その後の工程は、実施例１の図４以降の工程を行い水晶振動子が製造できる。
【００２４】
以上、本発明の実施例では略Ｈ型の音叉型水晶振動子で説明してきたが、圧電材料の材質も水晶に限定するものではなく、他の圧電材料を用いても本発明を適宜適用することができる。また、圧電振動子の形状についても、略Ｈ型の音叉型に限定するものではなく例えばＡＴ板水晶の逆メサ型振動子に適用できることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の圧電振動子の製造工程を示す図（実施例１）。
【図２】本発明の圧電振動子の製造工程を示す図（実施例１）。
【図３】本発明の圧電振動子の製造工程を示す図（実施例１）。
【図４】本発明の圧電振動子の製造工程を示す図（実施例１）。
【図５】本発明の圧電振動子の製造工程を示す図（実施例１）。
【図６】本発明の圧電振動子の製造工程を示す図（実施例１）。
【図７】本発明に関わる音叉型水晶振動子の図であり、（ａ）は上面図であって、（ｂ）はＡ―Ａ断面図。
【図８】音叉型水晶振動子の従来の製造方法を示す図。
【図９】音叉型水晶振動子の従来の製造方法を示す図。
【図１０】音叉型水晶振動子の従来の製造方法を示す図。
【図１１】本発明の圧電振動子の製造方法を示す図（実施例２）。
【図１２】本発明の圧電振動子の製造方法を示す図（実施例２）。
【図１３】本発明の圧電振動子の製造方法を示す図（実施例２）。
【符号の説明】
【００２６】
１  水晶基板
２  Ｃｒ膜
３  Ａｕ膜
４  フォトレジスト層
５  Ｃｒ膜
６  Ａｕ膜
７  フォトレジスト層
８  Ａｇ膜
１１  音叉型水晶振動子
１２  脚
１３  溝部
１０１  水晶基板
１０２  Ｃｒ膜
１０３  Ａｇ膜
１０４  フォトレジスト層
１０５  溝部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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