(57)【要約】      （修正有）【課題】加工後のウエーハを次工程へ搬送する際、ウエーハを変形させることなく搬送することによってウエーハの強度を維持することができる搬送方法および搬送手段を配設した加工装置を提供する。【解決手段】加工が終了し着脱位置に戻ってきたウエーハ１の表面に液体供給ノズルから液体を供給し、次いで、ウエーハ１の上面に、回収手段の吸着パッド７８の吸着面７８ａを押し当て、ウエーハ１と吸着パッド７８との間に薄い液膜８を形成する。次に、吸着パッド７８に設けた熱電冷却素子８０に電荷をかけて吸着面７８ａを冷却し、液膜８を凍結させて吸着パッド７８にウエーハ１を結合させる。この後、回収アーム７９を旋回させてウエーハ１を搬送先のスピンナ式洗浄装置に搬送し、熱電冷却素子８０に冷却したときとは逆の電荷をかけ、吸着面７８ａを加熱して凍結液膜を溶融し、ウエーハ１を吸着パッド７８から離して洗浄装置内に移載する。【選択図】図６
2008117844.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハを加工後に、該ウエーハを所定の搬送先に搬送する方法であって、
加工後のウエーハの表面に液体を供給する液体供給工程と、
液体が供給された前記ウエーハの表面に、熱電冷却素子が設けられた搬送用吸着パッドの吸着面を押し当てて、該吸着パッドとウエーハとの間に前記液体による液膜を介在させた状態とする吸着パッドセット工程と、
前記熱電冷却素子に電荷をかけて前記吸着パッドの前記吸着面を冷却し、前記液膜を凍結させることによって吸着パッドに前記ウエーハを結合させるウエーハ結合工程と、
前記吸着パッドを所定位置に移動させてウエーハを搬送するウエーハ搬送工程と、
前記熱電冷却素子に、前記冷却時とは逆の電荷をかけて凍結液膜を溶融させ、ウエーハを所定の搬送先に移載するウエーハ移載工程と
を備えることを特徴とするウエーハの搬送方法。
【請求項２】
前記加工が、ウエーハの少なくとも片面を研削する研削加工、または研磨する研磨加工であることを特徴とする請求項１に記載のウエーハの搬送方法。
【請求項３】
ウエーハを保持する保持手段と、
該保持手段に保持されたウエーハに所定の加工を施す加工手段と、
該加工手段により加工が施されたウエーハを、前記保持手段から所定の搬送先に搬送する搬送手段を備えた加工装置であって、
前記搬送手段は、
前記保持手段に保持されたウエーハの表面に液体を供給する液体供給手段と、
前記保持手段に保持されたウエーハの表面に押し当てられる吸着面を有する吸着パッドと、
該吸着パッドに設けられ、電荷の印加によって前記吸着面を前記液体が凍結可能な温度に冷却し、かつ、凍結した該液体が溶融可能な温度に加熱する熱電冷却素子と、
該吸着パッドを前記保持手段から前記搬送先に移動させる移動手段と
を備えることを特徴とするウエーハの加工装置。
【請求項４】
前記加工手段は、前記ウエーハの少なくとも片面を研削する研削加工手段、または研磨する研磨加工手段であることを特徴とする請求項３に記載のウエーハの加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研削あるいは研磨されたウエーハを、搬送先へ移動させる搬送方法とその方法を採用した加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエーハは、近年の各種電子機器の小型化・薄型化に伴い、薄化が求められている。そのため、半導体ウエーハの厚さは１００μｍ以下と比較的薄く、チップ化した後の強度の維持が問題になっている。そこで、研削処理を行った後に加工面をポリッシュやエッチングすることで、研削処理による機械的ダメージを除去する技術が用いられている。また、口径の大きな薄いウエーハを安全に次工程に搬送するために、ウエーハと同径の吸着パッドを使用した搬送手段により搬送する技術も知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−０２１９５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載されているように、ウエーハの加工装置に具備されるウエーハの搬送手段としては、材質がセラミックなどからなる多孔質ポーラスの真空吸着パッドが用いられている。ウエーハは吸着パッドの吸着面に空いている多数の孔に吸引されて吸着されるが、その孔（一般に０．１〜０．２ｍｍ程度の孔径）に引き込まれて局部的に弾性変形する場合がある。そうなると、ウエーハに局部的な応力が加えられウエーハの強度が劣化するおそれがあり、この問題はウエーハが薄ければ薄いほど顕著であった。
【０００５】
よって本発明は、加工を終えたウエーハを次工程へ搬送する際、ウエーハを変形させることなく搬送することによっての強度を維持することができる搬送方法および搬送手段を配設した加工装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のウエーハの搬送方法は、ウエーハを加工後にウエーハを所定の搬送先に搬送する方法であって、加工後のウエーハの表面に液体を供給する液体供給工程と、液体が供給されたウエーハの表面に、熱電冷却素子が設けられた搬送用吸着パッドの吸着面を押し当てて、吸着パッドとウエーハとの間に液体による液膜を介在させた状態とする吸着パッドセット工程と、熱電冷却素子に電荷をかけて吸着パッドの吸着面を冷却し、液膜を凍結させることによって吸着パッドにウエーハを結合させるウエーハ結合工程と、吸着パッドを所定位置に移動させてウエーハを搬送するウエーハ搬送工程と、熱電冷却素子に、冷却時とは逆の電荷をかけて凍結液膜を溶融させ、ウエーハを所定の搬送先に移載するウエーハ移載工程とを備えることを特徴としている。
【０００７】
本発明のウエーハの搬送方法によれば、搬送用吸着パッドに対しウエーハを凍結させた液膜によって結合するので、ウエーハには変形は起こらず、このため、加工されたままの状態のウエーハの強度を維持しながら所定の搬送先まで安全に搬送することができる。この作用は、極めて薄いウエーハ（例えば厚さが１００μｍ）を搬送する場合において特に有効である。吸着パッドは、従来のように真空吸着式ではないから多孔質体でなくてもよく、平滑な吸着面を有する例えば金属製で十分であり、このことによってコスト低減を図ることも可能である。
【０００８】
次に、本発明のウエーハの加工装置は、上記本発明の搬送方法を好適に実施することができる装置であり、ウエーハを吸着して保持する保持テーブルと、保持テーブルに保持されたウエーハに所定の加工を施す加工手段と、加工が終了したウエーハを保持テーブルから搬送先へ搬送する搬送手段とを備える加工装置である。そして、この搬送手段は保持テーブルに保持されたウエーハの表面に液体を供給する液体供給手段と、保持手段に保持されたウエーハの表面に押し当てられる吸着面を有する吸着パッドと、該吸着パッドに設けられ、電荷の印加によって前記吸着面を前記液体が凍結可能な温度に冷却し、かつ、凍結した該液体が溶融可能な温度に加熱する熱電冷却素子と、保持テーブルに保持されたウエーハの表面に押し当てられる吸着パッドと、吸着パッドを保持テーブルから搬送先に移動させる移動手段とを備えることを特徴としている。
【０００９】
本発明の加工とは、ウエーハの少なくとも片面を研削する研削加工、または研磨する研磨加工のことであり、加工手段とは、研削加工手段または研磨加工手段である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、搬送用吸着パッドにウエーハを吸着させた状態でウエーハを変形させるおそれがないため、加工されたままの状態で強度を維持しながらウエーハを搬送することができるといった効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
［１］半導体ウエーハ
図１の符号１は、裏面全面が研削されて目的厚さ（例えば５０〜２００μｍ）に薄化加工される円盤状の半導体ウエーハ（以下ウエーハと略称）を示している。このウエーハ１はシリコンウエーハ等であって、研削前の厚さは例えば８００μｍ程度である。ウエーハ１の表面には、格子状の分割予定ライン３によって複数の矩形状の半導体チップ（デバイス）４が区画されており、これら半導体チップ４の表面には、ＩＣやＬＳＩ等の図示せぬ電子回路が形成されている。ウエーハ１の外周縁は、角をなくして損傷しにくいようにするために断面半円弧状に面取り加工が施されている。
【００１２】
複数の半導体チップ４は、ウエーハ１と同心の概ね円形状のデバイス形成領域５に形成されている。デバイス形成領域５はウエーハ１の大部分を占めており、このデバイス形成領域５の周囲のウエーハ外周部が、半導体チップ４が形成されない環状の外周余剰領域６とされている。また、ウエーハ１の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すＶ字状の切欠き（ノッチ）７が形成されている。このノッチ７は、外周余剰領域６内に形成されている。ウエーハ１は、最終的には分割予定ライン３に沿って切断、分割され、複数の半導体チップ４に個片化される。
【００１３】
ウエーハ１を裏面研削する際には、電子回路を保護するなどの目的で、図１に示すように電子回路が形成された側の表面に保護テープ２が貼着される。保護テープ２は、例えば厚さ７０〜２００μｍ程度のポリオレフィン等の柔らかい樹脂製基材シートの片面に５〜２０μｍ程度の粘着剤を塗布した構成のものが用いられ、その粘着剤を塗布した面とウエーハ１の表面とが相対するように貼り付けられる。
【００１４】
［２］研削加工装置
次に、図１に示したウエーハ１の裏面を研削加工する一実施形態の研削加工装置を説明する。
図２は、その研削加工装置１０の全体を示しており、該装置１０は、上面が水平な直方体状の基台１１を備えている。図２では、基台１１の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれＹ方向、Ｘ方向およびＺ方向で示している。基台１１のＹ方向一端部には、Ｘ方向に並ぶコラム１２が一対の状態で立設されている。基台１１上には、Ｙ方向のコラム１２側にウエーハ１を研削加工する加工エリア１１Ａが設けられ、コラム１２とは反対側には、加工エリア１１Ａに加工前のウエーハ１を供給し、かつ、加工後のウエーハ１を回収する着脱エリア１１Ｂが設けられている。
以下、研削加工エリア１１Ａと着脱エリア１１Ｂについて説明する。
【００１５】
（Ｉ）研削加工エリア
研削加工エリア１１Ａには、回転軸がＺ方向と平行で上面が水平とされた円盤状のターンテーブル１３が回転自在に設けられている。このターンテーブル１３は、図示せぬ回転駆動機構によって矢印Ｒ方向に回転させられる。ターンテーブル１３上の外周部には、回転軸がＺ方向と平行で上面が水平とされた複数（この場合は３つ）の円盤状のチャックテーブル２０が、周方向に等間隔をおいて回転自在に配置されている。
【００１６】
これらチャックテーブル２０は一般周知の真空チャック式であり、上面に載置されるウエーハ１を吸着、保持する。図３（ｂ）に示すように、チャックテーブル２０は、上面に多孔質のセラミックからなる円形の吸着エリア２１を有しており、この吸着エリア２１の上面２１ａにウエーハ１は吸着して保持されるようになっている。吸着エリア２１の周囲には環状の枠体２２が形成されており、この枠体２２の上面２２ａは、吸着エリア２１の上面２１ａと連続して同一平面をなしている。各チャックテーブル２０は、それぞれがターンテーブル１３内に設けられた図示せぬ回転駆動機構によって、一方向、または両方向に独自に回転すなわち自転するようになっており、ターンテーブル１３が回転すると公転の状態になる。
【００１７】
図２に示すように２つのチャックテーブル２０がコラム１２側でＸ方向に並んだ状態において、それらチャックテーブル２０の直上には、研削ユニット３０がそれぞれ配されている。各チャックテーブル２０は、ターンテーブル１３の回転によって、各研削ユニット３０の下方の研削位置と、着脱エリア１１Ｂに最も近付いた着脱位置との３位置にそれぞれ位置付けられるようになっている。研削位置は２箇所あり、これら研削位置ごとに研削ユニット３０が配備されている。この場合、ターンテーブル１３の回転によるチャックテーブル２０の矢印Ｒで示す移送方向上流側（図２で奥側）の研削位置が一次研削位置、下流側の研削位置が二次研削位置とされている。
【００１８】
各研削ユニット３０は、コラム１２に昇降自在に取り付けられたスライダ４０に固定されている。スライダ４０は、Ｚ方向に延びるガイドレール４１に摺動自在に装着されており、サーボモータ４２によって駆動されるボールねじ式の送り機構４３によってＺ方向に移動可能とされている。各研削ユニット３０は、送り機構４３によってＺ方向に昇降し、下降してチャックテーブル２０に接近する送り動作により、チャックテーブル２０に保持されたウエーハ１の露出面を研削する。
【００１９】
研削ユニット３０は、図３に示すように、軸方向がＺ方向に延びる円筒状のスピンドルハウジング３１と、このスピンドルハウジング３１内に同軸的、かつ回転自在に支持されたスピンドルシャフト３２と、スピンドルハウジング３１の上端部に固定されてスピンドルシャフト３２を回転駆動するモータ３３と、スピンドルシャフト３２の下端に同軸的に固定された円盤状のフランジ３４とを具備している。そしてフランジ３４には、カップホイール３５がねじ止め等の取付手段によって着脱自在に取り付けられる。
【００２０】
カップホイール３５は、円盤状のフレーム３６の下端面に、該下端面の外周部全周にわたって複数の砥石３７が環状に配列されて固着されたものである。一次研削位置の上方に配された一次研削用の研削ユニット３０のフランジ３４には、砥石３７が例えば♯３２０〜♯４００の砥粒を含むカップホイール３５が取り付けられる。また、二次研削位置の上方に配された二次研削用の研削ユニット３０のフランジ３４には、砥石３７が例えば♯２０００〜♯８０００以上の砥粒を含むカップホイール３５が取り付けられる。フランジ３４およびカップホイール３５には、研削面の冷却や潤滑あるいは研削屑の排出のための研削水を供給する研削水供給機構（図示省略）が設けられ、該機構には給水ラインが接続されている。カップホイール３５の研削外径、すなわち複数の砥石３７の外周縁の直径は、少なくともウエーハ１の半径と同等以上で、一般的にはウエーハの直径に等しい大きさに設定されている。
【００２１】
図３の符号５０は、基準側ハイトゲージ５１とウエーハ側ハイトゲージ５２との組み合わせで構成される厚さ測定ゲージである。基準側ハイトゲージ５１は、揺動する基準プローブ５１ａの先端が、ウエーハ１で覆われないチャックテーブル２０の枠体２２の上面２２ａに接触し、該上面２２ａの高さ位置を検出するものである。ウエーハ側ハイトゲージ５２は、揺動する変動プローブ５２ａの先端がチャックテーブル２０に保持されたウエーハ１の上面すなわち被研削面に接触することで、ウエーハ１の上面の高さ位置を検出するものである。厚さ測定ゲージ５０によれば、ウエーハ側ハイトゲージ５２の測定値から基準側ハイトゲージ５１の測定値を引いた値に基づいてウエーハ１の厚さが測定される。
【００２２】
ウエーハ１は、最初に一次研削位置で研削ユニット３０により一次研削された後、ターンテーブル１３が図２に示すＲ方向に回転することにより二次研削位置に移送され、ここで研削ユニット３０により二次研削される。
【００２３】
（II）着脱エリア
図２に示すように、着脱エリア１１Ｂの中央には、上下移動する２節リンク式のピックアップロボット７０が設置されている。そしてこのピックアップロボット７０の周囲には、上から見て反時計回りに、供給カセット７１、位置合わせ台７２、供給手段７３、回収手段７６、スピンナ式洗浄装置８１、回収カセット８２が、それぞれ配置されている。供給手段７３は、多孔質材料で形成され、水平な下面にウエーハ１を真空作用で吸着する吸着パッド７４と、この吸着パッド７４が先端に固定された水平旋回式の供給アーム７５とにより構成されている。カセット７１，８２は、複数のウエーハ１を水平な姿勢で、かつ上下方向に一定間隔をおいて積層状態で収容するもので、基台１１上の所定位置にセットされる。
【００２４】
回収手段７６は、図２および図４に示す液体供給ノズル７７と、図２および図６（ａ）に示す吸着パッド７８および回収アーム７９との組み合わせにより構成されている。液体供給ノズル７７からは、着脱位置に位置付けられたチャックテーブル２０上のウエーハ１の裏面に純水等の液体が供給されるようになっている。回収手段７６は、着脱位置にあるウエーハ１の上面に、水平な吸着パッド７８の下面である吸着面７８ａを押し当てる機構を有しており、回収アーム７９が水平に旋回することにより、ウエーハ１を、その着脱位置からスピンナ式洗浄装置８１まで搬送するものである。吸着パッド７８の吸着面７８ａは平坦かつ平滑に形成されている状態が好ましい。
【００２５】
回収手段７６の吸着パッド７８内には、図６に示すように、複数の熱電冷却素子８０が埋め込まれている。これら熱電冷却素子８０はペルチェ素子等からなるもので、吸着パッド７８の全体に一様に配置されている。熱電冷却素子８０に一の電荷がかけられると、吸着面７８ａが零下に冷却され、また、この電荷と逆の電荷がかけられると、吸着面７８ａは反対に＋温度に加熱されるように構成されている。
【００２６】
以上が本実施形態の研削加工装置１０の構成であり、次に、該装置１０の動作を説明する。
研削加工されるウエーハ１は、はじめにピックアップロボット７０によって供給カセット７１内から取り出され、位置合わせ台７２上に載置されて一定の位置に決められる。次いでウエーハ１は、供給アーム７３によって位置合わせ台７２から取り上げられ、着脱位置で待機しているチャックテーブル２０上に被研削面（半導体チップ４が形成されていない裏面）を上に向けて載置される。ウエーハ１はターンテーブル１３のＲ方向への回転によって一次研削位置と二次研削位置にこの順で移送され、これら研削位置で、研削ユニット３０により上記のようにして表面が研削される。ウエーハ１の研削にあたっては、いずれの研削位置においても、厚さ測定ゲージ５０によってウエーハ１の厚さを逐一測定しながら研削量が制御される。二次研削が終了したウエーハ１は、さらにターンテーブル１３がＲ方向に回転することにより着脱位置に戻される。
【００２７】
着脱位置に戻ったチャックテーブル１３上のウエーハ１は、回収手段７６により、次のようにしてスピンナ式洗浄装置８１に搬送される。まず、図４（ｂ）に示すように、液体吸着ノズル７７から、チャックテーブル２０上のウエーハ１の上面に液体Ｗが一様に供給される（液体供給工程）。
【００２８】
次に、図６（ａ）に示すように、回収アーム７９を旋回させて吸着パッド７８をウエーハ１の直上に位置付け、この状態から回収アーム７９ごと吸着パッド７８を下降させて、吸着パッド７８の吸着面７８ａをウエーハ１に押し当てる。この動作で、実際には吸着パッド７８の吸着面７８ａとウエーハ１との間に、ウエーハ１上に供給された液体によって薄い液膜８が介在する（吸着パッドセット工程）。
【００２９】
次に、熱電冷却素子８０に一の電荷をかけ、吸着パッド７８の吸着面７８ａを零下に冷却する。すると、吸着面７８ａの温度が液膜８に伝わって液膜が凍結し、これによってウエーハ１は吸着パッド７８に結合させられる（ウエーハ結合工程）。液膜８の凍結作用によって吸着パッド７８にウエーハ１が十分に結合する時間を経たら、その状態を維持して回収アーム７９をスピンナ式洗浄装置８１側に旋回させてウエーハ１を該洗浄装置８１内の所定箇所に移動させる（ウエーハ搬送工程）。続いて、熱電冷却素子８０に、液膜８を冷却させたときとは逆の電荷をかけ、吸着面７８ａを＋温度に加熱する。すると、吸着面７８ａの温度が凍結した液膜８に伝わって液膜が溶融し、吸着パッド７８との結合が解かれたウエーハ１が、所定の洗浄位置に移載される（ウエーハ移載工程）。
【００３０】
この後、スピンナ式洗浄装置８１内でウエーハは水洗、乾燥処理され、次いで、ピックアップロボット７０によって回収カセット８２内に移送、収容される。以上が本実施形態の研削加工装置１０の全体動作であり、この動作が繰り返し行われて多数のウエーハ１が連続的に研削加工される。
【００３１】
さて、本実施形態によれば、研削加工が終了したウエーハ１を、チャックテーブル２０からスピンナ式洗浄装置８１まで搬送する回収手段７６においては、吸着パッド７８へのウエーハ１の吸着を、従来のように真空チャック式ではなく、ウエーハ１と吸着パッド７８との間に介在させた液体を凍結させることによって行っている。すなわち、はじめにウエーハ１上に液体供給ノズル７７から純水等の液体を供給し、次いで吸着パッド７８の吸着面７８ａをウエーハ１の上面に押し当てて間に液膜８を形成し、次いで吸着パッド７８内の複数の熱電冷却素子８０によって吸着面７８ａを冷却して液膜８を凍結させることにより、ウエーハ１を吸着パッド７８に吸着、保持させている。なお、液体としては純水以外に炭酸エチレンなどの溶液を使用してもよく、それらの溶液を使用した場合の凍結温度は各溶液の特性に応じた温度となる。
【００３２】
このような吸着方法により、ウエーハ１が吸着パッド７８に吸着されても、従来のように吸着パッド７８に吸着される際に生じる応力でウエーハ１が変形するといったことがない。このため、ウエーハ１を、加工されたままの状態の強度を維持しながらスピンナ式洗浄装置８１まで安全に搬送することができる。
【００３３】
図５（ａ）は、従来の真空チャック式の吸着パッド８４が回収アーム７９に取り付けられた回収手段を示しており、吸着パッド８４の吸着面８４ａは多孔質体８６で形成されている。その吸着面８４ａにウエーハ１が真空作用で吸着されると、図５（ｂ）に示すようにウエーハ１は多孔質体８６の吸着面８４ａに空いている多数の孔に吸引されて局部的に弾性変形させられる。その結果、ウエーハ１に局部的な応力が加わり、ウエーハの強度が劣化するおそれがあったわけである。
【００３４】
本実施形態では、吸着パッド７８の吸着面７８ａにはウエーハ１を直接吸着させず、ウエーハ１と吸着面７８ａとの間で凍結させた液膜８によってウエーハ１を吸着面７８ａに結合させて保持するものであり、このため、従来のように多孔質体の孔に吸引されて変形するといったことは生じず、強度の維持が図られるのである。本実施形態の吸着パッド７８は、液膜８の凍結および溶融を速やかに進行させる上で、ステンレスやアルミニウムなどの熱伝導性に優れるものや、アルミナセラミックやシリコンカーバイトなどの剛性の高い焼結材料系のものが好適に用いられる。
【００３５】
上記実施形態は、本発明を研削加工装置に適用したものであるが、本発明は図７に示すような研磨加工装置にも適用可能である。なお、図７で図２と同一構成要素には同一の符合を付してあり、それらについては簡略的に説明する。
【００３６】
この研磨加工装置１４は、上記研削加工装置１０で研削加工されたウエーハ１の裏面を研磨して仕上げるものであり、コラム１２は１つ設けられ、このコラム１２に、研磨ユニット６０が昇降可能に装着されている。研磨ユニット６０は、図８に示すように、上記研削ユニット３０と同様のスピンドルハウジング３１、スピンドルシャフト３２、モータ３３およびフランジ３４とを具備しており、フランジ３４に、研磨工具６２が取り付けられる。研磨工具６２は、円環状のフレーム６３の下面に、シリカなどの酸化金属砥粒を含浸した研磨布６４が固着されてなるもので、フレーム６３がフランジ３４にねじ止め等の手段によって着脱自在に取り付けられるようになっている。
【００３７】
基台１１の加工エリア１１Ａには、テーブルベース１７がＹ方向に移動自在に設けられおり、このテーブルベース１７上に、回転式のチャックテーブル２０が取り付けられている。テーブルベース１７の移動方向両端部には蛇腹状のカバー１９Ａ，１９Ｂの一端がそれぞれ取り付けられており、これらカバー１９Ａ，１９Ｂの他端は、コラム１２の内面と、コラム１２に対向するピット１８の内壁面に、それぞれ取り付けられている。これら、カバー１９Ａ，１９Ｂは、テーブルベース１７の移動路を覆い、その移動路に研磨屑等が落下することを防ぐもので、テーブルベース１７の移動に伴って伸縮する。
【００３８】
この研磨装置１４では、テーブルベース１７のＹ方向の移動により、チャックテーブル２０に保持されたウエーハは、着脱エリア１１Ｂに近接した着脱位置と研磨ユニット６０の下方の加工位置との間を往復移動させられ、加工位置で研磨ユニット６０により裏面が研磨される。そして、研磨加工が終了して着脱位置に位置付けられたウエーハは、上記実施形態と同様にして回収手段７６の吸着パッド７８に液膜の凍結により吸着、保持され、回収アーム７９が旋回することによりスピンナ式洗浄装置８１まで搬送され、ここで液膜が溶融されて該洗浄装置８１内に移載される。
【実施例】
【００３９】
次に、本発明の搬送方法の効果を実証するために、抗折強度を測定した実施例を示す。
まず、厚さ２００μｍまで研削加工して薄化処理したウエーハを、本発明の搬送方法で搬送した後、それらのウエーハから２０ｍｍ角に切り出したチップの抗折強度を、球抗折測定法によって測定した。一方、図５（ａ）で示したような従来の真空チャック式の吸着パッドにウエーハを吸着、保持して搬送したウエーハと、研削加工後に吸着パッド等に吸着、保持せず、そのままの状態のウエーハに対しても、同様にして抗折強度を測定した。なお、測定サンプル数は、それぞれ６１個とした。これらウエーハの抗折強度の最高値、最低値ならびに平均値を、図９に示す。
【００４０】
図９で明らかなように、本発明の搬送方法で搬送させたウエーハは、搬送させなかったウエーハと比較してもあまり抗折強度に大きな変化は見られず、高い強度が維持されていることが判る。一方、従来の搬送方法で搬送させたウエーハは抗折強度が格段に低下しており、最高値であるにもかかわらず本発明の搬送方法で搬送されたウエーハの最低値よりも低い値を示しており、本発明の場合は平均値で従来方法の７〜８倍の強度の差が生じている。したがって従来の搬送方法ではかなりの強度を失っていたが、本発明の搬送方法では加工されたままの状態のウエーハの強度を維持することができるということが実証された。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施形態で研削加工されるウエーハの（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る研削加工装置の斜視図である。
【図３】図２の研削加工装置が備える研削ユニットによりウエーハを研削している状態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。
【図４】一実施形態の研削加工装置の液体供給ノズルを示す（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。
【図５】（ａ）は従来の回収手段を示す側面図、（ｂ）は図５（ａ）の手段でウエーハを吸着している部分の拡大側面図である。
【図６】（ａ）は本発明の一実施形態の回収手段を示す側面図、（ｂ）は図６（ａ）の手段でウエーハを吸着している部分の拡大側面図である。
【図７】本発明の他の実施形態を示す研磨加工装置の斜視図である。
【図８】図７の研磨加工装置が備える研磨ユニットによりウエーハを研磨している状態を示す側面図である。
【図９】実施例で行った抗折強度試験の測定結果を示す線図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…半導体ウエーハ
８…液膜
７６…回収手段（搬送手段）
７７…液体供給ノズル
７８…吸着パッド
７８ａ…吸着面
７９…回収アーム
８０…熱電冷却素子
Ｗ…液体
【図１】
2008117844.tif 000003
【図２】
2008117844.tif 000004
【図３】
2008117844.tif 000005
【図４】
2008117844.tif 000006
【図５】
2008117844.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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