(57)【要約】【課題】半導体装置の歩留りを向上させる。【解決手段】半導体装置を構成する樹脂封止体１の内部には、半導体チップ３が樹脂封止体１の上下面に対して斜めに配置された状態で封止されている。この半導体チップ３を搭載するダイパッド２ａを支持する吊りリード２ｃにおいて、半導体チップ３が搭載された面とは反対側の第５面Ｓ５には、小さな凹部５が形成されている。この凹部５は、ダイパッド２ａを斜めにするときの起点となる部分である。この凹部５の２つの側面５ｂ，５ｃのうち、ダイパッド２ａに近い側の側面５ｃは、樹脂封止体１の外周に近い側の側面５ｂよりも傾斜した状態で形成されている。【選択図】図４
2008117875.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ搭載部と、
前記チップ搭載部を支持する支持リードと、
前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、
前記チップ搭載部に搭載された半導体チップと、
前記チップ搭載部、前記半導体チップ、前記支持リードの一部および前記複数のリードの各々の一部を覆う樹脂封止体とを備え、
前記樹脂封止体は、厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１面および第２面を有しており、
前記チップ搭載部は、厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第３面および第４面を有しており、
前記支持リードは、厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第５面および第６面を有しており、
前記半導体チップは、前記チップ搭載部の前記第４面に搭載されており、
前記半導体チップおよび前記チップ搭載部は、前記樹脂封止体の第１面および第２面に対して斜めに配置されており、
前記チップ搭載部の第４面に対して反対側に位置する前記支持リードの第５面には、前記支持リードの厚さ方向に窪む凹部が形成されており、
前記凹部において、前記支持リードの第５面に交差する２つの側面のうち、前記チップ搭載部側に位置する側面は、前記凹部の他方の側面よりも傾斜した状態で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記半導体チップにはセンサが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、前記複数のリードおよび前記支持リードの一部は、前記樹脂封止体の前記第１面から露出されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
（ａ）リードフレームを用意する工程と、
（ｂ）前記リードフレームのチップ搭載部に半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの回路を前記リードフレームの複数のリードの各々に電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記半導体チップを、厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１面および第２面を有する樹脂封止体によって封止する工程と、
（ｅ）前記複数のリードにおいて前記樹脂封止体から露出する部分にメッキ処理を施す工程とを有し、
前記（ａ）工程のリードフレームは、
厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第３面および第４面を有する前記チップ搭載部と、
前記チップ搭載部を支持する部分であって、厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第５面および第６面を有する支持リードと、
前記チップ搭載部の周囲に配置された前記複数のリードとを一体的に持ち、
前記チップ搭載部の第４面に対して反対側に位置する前記支持リードの第５面には、前記支持リードの厚さ方向に窪む凹部が形成されており、
前記凹部において、前記支持リードの第５面に交差する２つの側面のうち、前記チップ搭載部側に位置する側面は、前記凹部の他方の側面よりも傾斜した状態で形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）リードフレームを用意する工程と、
（ｂ）前記リードフレームのチップ搭載部に半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの回路を前記リードフレームの複数のリードの各々に電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記半導体チップを、厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１面および第２面を有する樹脂封止体によって封止する工程と、
（ｅ）前記複数のリードにおいて前記樹脂封止体から露出する部分にメッキ処理を施す工程とを有し、
前記（ａ）工程のリードフレームは、
厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第３面および第４面を有する前記チップ搭載部と、
前記チップ搭載部を支持する部分であって、厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第５面および第６面を有する支持リードと、
前記チップ搭載部の周囲に配置された前記複数のリードとを一体的に持ち、
前記チップ搭載部の第４面に対して反対側に位置する前記支持リードの第５面には、前記支持リードの厚さ方向に窪む凹部が形成されており、
前記凹部において、前記支持リードの第５面に交差する２つの側面のうち、前記チップ搭載部側に位置する側面は、前記凹部の他方の側面よりも傾斜した状態で形成されており、
前記（ａ）工程は、
（ａ１）前記チップ搭載部、前記支持リード、前記複数のリードをパターン形成する工程と、
（ａ２）前記支持リードの第５面に前記凹部を形成する工程と、
（ａ３）前記チップ搭載部の先端部を、前記チップ搭載部の第３面に対して交差する方向に曲げる工程とを有し、
前記（ｃ）工程と、前記（ｄ）工程との間に、前記チップ搭載部が、前記樹脂封止体の第１面および第２面に対して斜めになるように、前記支持リードを折り曲げる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体チップを斜めの状態で樹脂封止体の内部に封止している構成を有する半導体装置技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば磁気センサや加速度センサのような物理量センサを構成する半導体装置の中には、三次元空間での方位や加速度を検知するために、センサ用の半導体チップを斜めの状態で樹脂封止体の内部に封止する構成の半導体装置がある。
【０００３】
このような半導体装置については、例えば特開２００６−１００３４８号公報（特許文献１参照）に記載があり、リードフレームのステージ部に半導体チップを搭載した後、そのリードフレームをモールド金型に設置する工程の際に、ステージ部を斜めに設定する構成が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−１００３４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、半導体チップを斜めにした状態で収容する構成の半導体装置について本発明者が検討したところ、以下の課題があることを見出した。
【０００５】
本発明者が検討した半導体装置においては、半導体チップが搭載されるタブを支持するタブ吊りリードの裏面にコイニング等により凹部を形成している。この凹部は、タブを斜めにする際に起点となる部分である。
【０００６】
ここで、この凹部を深くしすぎると、タブ吊りリードからコイニング用の成形金型を引き離すのが難しくなり生産能力が低下するので、あまり深くすることができない。しかし、凹部が浅いと、タブ吊りリードの裏面の凹部位置におけるモールド樹脂部分が薄くなり、そのモールド樹脂部分がデフラッシュ時に除去され、タブ吊りリードの一部が露出してしまう結果、その後のメッキ処理時にその露出されたタブ吊りリード部分に設計に反して金属メッキが付着する。これにより、メッキ付着不良（外観不良）が生じたり、その金属メッキ層を起因としてモールド樹脂にクラックが生じたりすることで半導体装置の歩留りが低下する問題がある。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、半導体装置の歩留りを向上させることのできる技術を提供することにある。
【０００８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１０】
すなわち、本発明は、樹脂封止体の内部に、樹脂封止体の実装面に対して斜めの状態で封止された半導体チップを備え、
前記半導体チップを搭載するチップ搭載部を支持する支持リードにおいて前記実装面側には凹部が形成されており、
前記凹部の２つの側面のうち、前記チップ搭載部側に位置する側面は、前記凹部の他方の側面よりも傾斜した状態で形成されているものである。
【発明の効果】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１２】
すなわち、前記支持リードに形成された前記凹部の２つの側面のうち、前記チップ搭載部側に位置する側面が、前記凹部の他方の側面よりも傾斜した状態で形成されていることにより、半導体装置の歩留りを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は可能な限り省略するようにしている。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１４】
図１は本実施の形態の半導体装置の上面の全体平面図、図２は図１の半導体装置の下面の全体平面図、図３は図１のＹ１−Ｙ１線の断面図、図４は図３の半導体装置の要部拡大断面図、図５は図４の領域Ａの拡大断面図、図６は図１の半導体装置の下面の要部拡大平面図である。なお、図１では図面を見易くするため、半導体装置の内部を透かして見せている。
【００１５】
本実施の形態の半導体装置は、例えばＱＦＮ（Quad Flat Non leaded Package）構成とされている。この半導体装置のパッケージを構成する樹脂封止体１は、例えばエポキシ系樹脂により平面四角形の薄板状に形成されており、厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１面Ｓ１（実装面）および第２面Ｓ２を有している。なお、樹脂封止体１の第１面Ｓ１は半導体装置の下面（実装面）に相当し、樹脂封止体１の第２面Ｓ２は半導体装置の上面に相当する。
【００１６】
この樹脂封止体１の内部には、２個のダイパッド（チップ搭載部）２ａと、傾斜調整リード２ｂの一部と、吊りリード（支持リード）２ｃの一部と、複数のリード２ｄの一部と、２個の半導体チップ３と、複数のボンディングワイヤ（以下、単にワイヤという）４とが封止されている。
【００１７】
各ダイパッド２ａは、厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第３面Ｓ３および第４面Ｓ４を有している。また、各ダイパッド２ａは、樹脂封止体１の第１面Ｓ１および第２面Ｓ２に対して傾斜した状態で形成されている。すなわち、各ダイパッド２ａは、樹脂封止体１の中央から外周に向かって次第に低くなるように傾斜した状態で形成されている。
【００１８】
各ダイパッド２ａの互いに向かい合う側の一辺には、上記傾斜調整リード２ｂが一体形成されている。この傾斜調整リード２ｂは、ダイパッド２ａの傾斜設定に寄与する部分であり、ダイパッド２ａの第３面Ｓ３および第４面Ｓ４に対して交差する方向（第３面Ｓ３側）に折れ曲がっている。この傾斜調整リード２ｂの長さや折り曲げ角度によって、ダイパッド２ａおよび半導体チップ３の傾斜角度が決められる。傾斜調整リード２ｂの先端側の一部は、樹脂封止体１の第１面Ｓ１から露出されている。
【００１９】
また、各ダイパッド２ａにおいて他の一辺には、２本の吊りリード２ｃが一体的に接続されている。この吊りリード２ｃは、厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第５面Ｓ５および第６面Ｓ６を有している。また、吊りリード２ｃの端部は、樹脂封止体１の第１面Ｓ１およびこれに交差する側面から露出されている。この吊りリード２ｃが樹脂封止体１の第１面Ｓ１から露出する部分には、例えば銀（Ａｇ）メッキからなるメッキ層が形成されている。
【００２０】
この吊りリード２ｃの第５面Ｓ５において、ダイパッド２ａよりも封止樹脂体１の外周に近い位置には、図４および図５に示すように、吊りリード２ｃの厚さ方向に窪む小さな凹部５が、吊りリード２ｃの延在方向を横切るように形成されている。
【００２１】
この凹部５は、図５に示すように、底面５ａと、底面５ａおよび吊りリード２ｃの第５面Ｓ５に交差する２つの側面５ｂ，５ｃとを有している。この凹部５（特に、凹部５において樹脂封止体１の外周側の側面５ｂと底面５ａとで形成される角）は、ダイパッド２ａを傾斜させるために吊りリード２ｃを曲げるときの起点となる部分である。
【００２２】
本実施の形態においては、この凹部５の２つの側面５ｂ，５ｃのうち、ダイパッド２ａ側に位置する側面５ｃが、凹部５の封止樹脂体１の外周側の側面５ｂよりも傾斜した状態で形成されている。すなわち、凹部５の側面５ｂは、吊りリード２ｃの第５面Ｓ５に対して直角（設計上）に交差している。これにより、図５の領域Ｂに示すように、吊りリード２ｃの露出部分と被覆部分とを明確にすることができる。これに対して、凹部５のダイパッド２ａ側に位置する側面５ｃは、順テーパとなるように吊りリード２ｃの第５面Ｓ５に対して傾斜した状態で交差している。これにより、図５の領域Ｃに示すように、凹部５の側面５ｃ下の樹脂封止体１部分の厚さを充分に確保することができる。なお、この順テーパは、凹部５の底面５ａからその底面５ａに直交する方向に離れていくにしたがって凹部５の面積が大きくなるように側面５ｃが傾斜している状態をいう。
【００２３】
また、各ダイパッド２ａの周囲には、複数のリード２ｄが形成されている。この複数のリード２ｄは、ワイヤ４を通じて上記半導体チップ３と電気的に接続されている。各リード２ｄの上面において、半導体チップ３側の先端部には、例えば銀（Ａｇ）からなるメッキ層２ｄ１が部分的に形成されている。このメッキ層２ｄ１が形成された部分に上記ワイヤ４の第２ボンディング部が接合されている。リード２ｄの下面および側面において、樹脂封止体１側の他端一部は、樹脂封止体１の第１面Ｓ１およびこれに交差する側面から露出されている。
【００２４】
上記のようなダイパッド２ａ、傾斜調整リード２ｂ、吊りリード２ｃおよびリード２ｄは、例えば銅（Ｃｕ）または４２アロイ等のような金属により形成されている。
【００２５】
上記半導体チップ３は、例えばシリコン（Ｓｉ）により形成された平面四角形状の半導体薄板からなり、その主面を上に向け、かつ、その裏面をダイパッド２ａに向けた状態でダイパッド２ａの第４面Ｓ４に接着され固定されている。ここでは、１つの半導体装置内に２つの半導体チップ３が収容されている場合が例示されている。各半導体チップ３は、その平面積がダイパッド２ａの平面積よりも大きく、半導体チップ３の外周がダイパッド２ａの外周からはみ出した状態でダイパッド２ａ上に搭載されている。
【００２６】
この半導体チップ３の主面には、例えば磁気センサや加速度センサ等のような物理量センサが形成されている。この半導体チップ３（およびダイパッド２ａ）は、三次元空間での方位や加速度を検知するために、樹脂封止体１の第１面Ｓ１および第２面Ｓ２に対して斜めの状態で樹脂封止体１の内部に封止されている。すなわち、２個の半導体チップ３は、樹脂封止体１の中央から外周に向かって次第に下がるように傾いた状態で樹脂封止体１の内部に封止されている。
【００２７】
また、半導体チップ３の主面外周近傍には、複数のボンディングパッド（以下、単にパッドという）が、その主面外周に沿って並んで配置されている。このパッドは、半導体チップ３の主面の上記物理量センサに電気的に接続されているとともに、上記ワイヤ４の第１ボンディング部が電気的に接続されている。
【００２８】
次に、本発明者が検討した半導体装置の課題を図７〜図１０により説明した後、図１〜図６で説明した半導体装置の効果を説明する。
【００２９】
図７は本発明者が検討した半導体装置の吊りリード２ｃの折り曲げ工程前の凹部５部分の拡大側面図を示している。本発明者が検討した技術においては、折り曲げ工程前の吊りリード２ｃの凹部５の樹脂封止体外周側の側面５ｂと、ダイパッド側の側面５ｄとが共に吊りリード２ｃの第５面Ｓ５に対して直交するように形成されている。この場合、凹部５をあまり深くしてしまうと、凹部５の形成後に、その凹部形成用の金型を吊りリード２ｃから上手く引き離すことができなかったり、無理して引き離したために吊りリード２ｃが変形してしまったりする問題が生じる。半導体装置の小型軽量化の要求に伴い吊りリード２ｃ（リードフレーム）が益々薄くなると、上記のような問題は顕著になる。このため、図７の凹部５の場合は、浅く形成せざるを得ない。
【００３０】
次に、図８は上記図７の吊りリード２ｃの折り曲げ工程後、半導体チップ３を封止した後の半導体装置の要部拡大断面図、図９は図８の領域Ｄの拡大断面図、図１０は図８の半導体装置の樹脂封止体１の第１面Ｓ１の要部拡大平面図を示している。
【００３１】
上記した図７の構成においては凹部５を浅くせざるを得ないが、その場合、図８および図９に示すように、凹部５下の樹脂封止体１部分が薄くなる。特に、図９の領域Ｅの箇所、すなわち、凹部５のダイパッド側の側面５ｄと吊りリード２ｃの第５面Ｓ５とが交差する角の下においては、樹脂封止体１部分の厚さを充分に確保することができない。このため、その薄い樹脂封止体１部分がデフラッシュ（水洗洗浄）時に剥離してしまう。その結果、リード２ｄおよび吊りリード２ｃの露出面にメッキ処理を施した際に、図１０に示すように、吊りリード２ｃの本来メッキ層が形成されるはずのない箇所Ｆにメッキ層が形成されたり、その設計に反するメッキ層の形成により樹脂封止体１にクラックＧが入ったりする問題が生じる。この結果、半導体装置の歩留りが低下する問題がある。
【００３２】
これに対して、図１〜図６を用いて説明した本実施の形態の半導体装置によれば、吊りリード２ｃの凹部５のダイパッド２ａ側の側面５ｃを傾斜させたことにより、凹部形成用の金型の離型を容易にすることができるので、凹部５を深く形成することができる。また、吊りリード２ｃの凹部５のダイパッド２ａ側の側面５ｃを傾斜させたことにより、吊りリード２ｃの折り曲げ工程後の側面５ｃと吊りリード２ｃの第５面Ｓ５とが交差する角からモールド金型の下金型の上面までの距離を図８および図９で示した場合よりも長くすることができる。これらにより、凹部５近傍の樹脂封止体１部分の厚さを充分に確保することができる。このため、凹部５近傍の樹脂封止体１部分がデフラッシュ（水洗洗浄）時に剥離してしまう不具合を低減または防止することができる。したがって、吊りリード２ｃの本来メッキ層が形成されるはずのない箇所Ｆにメッキ層が形成されたり、その設計に反するメッキ層の形成により樹脂封止体１にクラックＧが入ったりする問題を低減または防止することができるので、半導体装置の歩留りを向上させることができる。
【００３３】
また、凹部５の樹脂封止体１の外周側の側面５ｂを吊りリード２ｃの第５面Ｓ５に対して直角（相対的に鋭角）になるようにしたことにより、図５の領域Ｂに示すように、その側面５ｂ側での樹脂封止体１のフラッシュ（樹脂ばり）を低減または防止でき、吊りリード２ｃの露出箇所と被覆箇所との境界を明確にすることができるので、半導体装置の歩留りを向上させることができる。
【００３４】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法の一例を図１１のフロー図に沿って、図１２〜図１９を用い説明する。
【００３５】
まず、ウエハプロセス（前工程）が終了した半導体ウエハに対してダイシング処理を施すことにより、半導体ウエハを複数の半導体チップに分割する（図１１の工程１００）。半導体ウエハは、例えばシリコン（Ｓｉ）単結晶からなる平面略円形状の半導体薄板からなり、各半導体チップの主面には上記物理量センサが形成されている。
【００３６】
続いて、図１２および図１３に示すように、上記半導体チップ３をリードフレーム２のダイパッド（チップ搭載部、タブ）２ａ上に搭載する（図１１の工程１０１）。図１２はチップ搭載工程後のリードフレーム２の単位領域の平面図、図１３は図１２のＹ１−Ｙ１線の拡大断面図である。また、図１４は図１３の領域Ｈの拡大側面図である。
【００３７】
上記リードフレーム２は、例えば銅（Ｃｕ）または４２アロイ等からなる金属薄板からなり、厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する上面および下面を有している。
【００３８】
このリードフレーム２の上下面内には複数の単位領域が一列または行列状に配置されている。このリードフレーム２の各単位領域には、２つのダイパッド２ａと、各ダイパッド２ａの互いに向かい合う側の先端に一体形成された傾斜調整リード２ｂと、各ダイパッド２ａを支持する２本の吊りリード２ｃと、２つのダイパッド２ａの周囲に配置された複数のリード２ｄと、上記複数のリード２ｄおよび吊りリード２ｃを支持する枠体部２ｅとが一体的に形成されている。
【００３９】
各ダイパッド２ａの第３面Ｓ３はリードフレーム２の下面の一部であり、ダイパッド２ａの第４面Ｓ４はリードフレーム２の上面の一部である。各ダイパッド２ａは、その各々の一辺に一体的に接続された２本の吊りリード２ｃを通じて枠体部２ｅに一体的に接続されている。これにより、各ダイパッド２ａは、リードフレーム２に支持されている。
【００４０】
この段階のダイパッド２ａは、リードフレーム２の上下面に対して傾斜することなく平坦になっている。
【００４１】
上記吊りリード２ｃの第５面Ｓ５はリードフレーム２の下面の一部であり、吊りリード２ｃの第６面Ｓ６はリードフレーム２の上面の一部である。この吊りリード２ｃの第５面Ｓ５において、ダイパッド２ａよりも枠体部２ｅに近い位置には、吊りリード２ｃの厚さ方向に窪む上記小さな凹部５が吊りリード２ｃの延在方向を横切るように形成されている。
【００４２】
本実施の形態においては、図１４に示すように、この凹部５において、吊りリード２ｃの第５面Ｓ５に交差する２つの側面５ｂ，５ｃのうち、ダイパッド２ａ側に位置する側面５ｃは、凹部５の枠体部２ｅ側の側面５ｂよりも傾斜した状態で形成されている。すなわち、凹部５の枠体部２ｅ側の側面５ｂは、吊りリード２ｃの第５面Ｓ５に対して直角（設計上）に交差しているのに対して、凹部５のダイパッド２ａ側に位置する側面５ｃは、順テーパとなるように吊りリード２ｃの第５面Ｓ５に対して傾斜した状態で交差している。これにより、凹部５を形成するための金型を容易に離型することができる。このため、凹部５を深く形成することができる。
【００４３】
凹部５の深さは、例えば１５μｍ〜３０μｍ程度、好ましくは、１５μｍ〜２５μｍ程度である。凹部５の深さが１５μｍ以下だと前記した樹脂封止体の一部が剥離する問題が生じ易い一方、２５μｍ以上だと吊りリード２ｃの強度が低下し変形や断線不良が生じるからである。
【００４４】
また、凹部５の側面５ｃの傾斜角度θ１は、例えば３０度〜４０度である。また、例えば凹部５の底面５ａの長さ（吊りリード２ｃの延在方向の寸法）Ｌ１は、側面３ｃの長さ（吊りリード２ｃの延在方向の寸法）Ｌ２と等しい。
【００４５】
続いて、図１５および図１６に示すように、上記半導体チップ３のパッドと、リードフレーム２のリード２ｄとをワイヤ４により電気的に接続する（図１１の工程１０２）。図１５はワイヤボンディング工程後のリードフレーム２の単位領域の平面図、図１６は図１５のＹ１−Ｙ１線の拡大断面図である。ワイヤ４は、例えば金（Ａｕ）により形成されている。ワイヤ４は、例えば正ボンド方式でボンディングされている。すなわち、ワイヤ４の一端（第１ボンディング）は、半導体チップ３のパッドで接合され、ワイヤ４の他端（第２ボンディング）は、リード２ｄの先端のメッキ層２ｄ１に接合されている。
【００４６】
その後、トランスファモールド工程に移行する。ここでは、まず、図１７および図１８に示すように、リードフレーム２をモールド金型の第１金型８ａと第２金型８ｂとで挟み込む。図１７はリードフレーム２をモールド金型に設置した後のリードフレーム２およびモールド金型の単位領域の断面図、図１８は図１７の領域Ｊの拡大断面図である。第１金型８ａは、平坦な上面を持つ金型であり、リードフレーム２の下面が接する。第２金型８ｂは、その厚さ方向に窪むキャビティ８ｂ１を持つ金型であり、そのキャビティ８ｂ１内にリードフレーム２の単位領域の２つの半導体チップ３およびダイパッド２ａ等が収容される。
【００４７】
このような第１金型８ａと第２金型８ｂとでリードフレーム２を挟み込むとリードフレーム２の傾斜調整リード２ｂが第１金型８ａによって図１７の上方に押し上げられることにより、吊りリード２ｃが上記凹部５を起点として図１７の上方に曲がり、ダイパッド２ａの傾斜調整リード２ｂ側が図１７の上方に上がる。これにより、ダイパッド２ａは第１金型８ａの上面（または枠体部２ｅの上下面）に対して傾斜した状態となる。
【００４８】
この時、本実施の形態においては、図１８に示すように、吊りリード２ｃの凹部５の側面５ｃを傾斜させたことにより、凹部５の側面５ｃと、吊りリード２ｃの第５面Ｓ５とが交差する角部から第１金型８ａの上面までの距離を大きく確保することができる。
【００４９】
続いて、キャビティ８ｂ１内に、例えばエポキシ系樹脂を流し込み、これを硬化させた後、モールド金型から取り出すことにより、図１９に示すように、各単位領域に樹脂封止体１を形成する。図１９はモールド工程後の単位領域の半導体装置の断面図である。樹脂封止体１は、厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１面Ｓ１および第２面Ｓ２を有している。半導体チップ３、ダイパッド２ａ、傾斜調整リード２ｂの一部、吊りリード２ｃの一部、複数のリード２ｄの一部およびワイヤ４は、樹脂封止体１によって覆われている（図１１の工程１０３）。
【００５０】
次いで、デフラッシュ（水洗洗浄）処理により樹脂封止体１から露出するメタル部分を洗浄した後、リードフレーム２（リード２ｄ）において樹脂封止体１から露出する表面に、例えば銀からなるメッキ層を形成する（図１１の工程１０４）。この際、本実施の形態においては、タブ吊りリード２ｃの第５面Ｓ５の凹部５近傍における樹脂封止体１の一部分の厚さを、デフラッシュ（水洗）時に剥離されない程度に確保することができるので、タブ吊りリード２ｃの一部が樹脂封止体１から露出してしまう問題を回避できる。このため、メッキ処理工程１０４時にタブ吊りリード２ｃの一部に設計に反してメッキが付着してしまうメッキ付着不良（外観不良）の問題を回避できる。また、そのメッキ層を起因として樹脂封止体１にクラックが入る問題を回避できる。したがって、半導体装置の歩留りを向上させることができる。
【００５１】
続いて、リードフレーム２の一部を切断し、リード２ｃを成形する（図１１の工程１０５）。これにより、リードフレーム２から個々の半導体装置を分離する。その後、選別工程（図１１の工程１０６）を経て良品を出荷する。
【００５２】
次に、上記図１２に示したリードフレーム２の製造方法の一例を図２０のフロー図に沿って説明する。
【００５３】
まず、例えば銅（Ｃｕ）または４２アロイ等からなる平坦な金属薄板を用意し、これに対してレジストマスクを用いたエッチング処理を施すことにより、上記ダイパッド２ａ、傾斜調整リード２ｂ、吊りリード２ｃ、複数のリード２ｄおよび枠体部２ｅをパターニングする（図２０の工程２００）。この段階の傾斜調整リード２ｂは、ダイパッド２ａに対して傾斜しておらず平坦になっている。
【００５４】
続いて、複数のリード２ｄの先端部に、例えば銀（Ａｇ）等からなるメッキ層を選択的に形成する（図２０の工程２０１）。その後、吊りリード２ｃの第５面Ｓ５の一部に上記凹部５をコイニング法等により形成する（図２０の工程２０２）。その後、傾斜調整リード２ｂをダイパッド２ａの第３面Ｓ３に交差する方向に折り曲げる（図２０のタブ曲げ加工工程２０３）。その後、検査等して良品を出荷する。
【００５５】
コイニング加工工程２０２とタブ曲げ加工工程２０３とは１工程で行うこともできる。その場合、準備する金型類を減らすことができる。また、加工時間を短縮することができる。一方、上記のように、コイニング加工工程２０２とタブ曲げ加工工程２０３と別々に行う場合は、タブ曲げ加工用の金型を複数種類準備し組み合わせることにより、傾斜調整リードの曲げ量を個別に調整することができるので、取り付け（半導体チップ３の傾斜）角度が異なる複数仕様の物理量センサの製造に対応することができる。
【００５６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発
明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることは言うまでもない。
【００５７】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である磁気センサや加速度センサの製造方法に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく種々適用可能であり、例えば他のセンサにも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、半導体装置の製造業に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の上面の全体平面図である。
【図２】図１の半導体装置の下面の全体平面図である。
【図３】図１のＹ１−Ｙ１線の断面図である。
【図４】図３の半導体装置の要部拡大断面図である。
【図５】図４の領域Ａの拡大断面図である。
【図６】図１の半導体装置の下面の要部拡大平面図である。
【図７】本発明者が検討した半導体装置の吊りリードの折り曲げ工程前の凹部部分の拡大側面図である。
【図８】図７の吊りリードの折り曲げ工程後、半導体チップを封止した後の半導体装置の要部拡大断面図である。
【図９】図８の領域Ｄの拡大断面図である。
【図１０】図８の半導体装置の樹脂封止体の第１面の要部拡大平面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造フロー図である。
【図１２】チップ搭載工程後のリードフレームの単位領域の平面図である。
【図１３】図１２のＹ１−Ｙ１線の拡大断面図である。
【図１４】図１３の領域Ｈの拡大側面図である。
【図１５】ワイヤボンディング工程後のリードフレームの単位領域の平面図である。
【図１６】図１５のＹ１−Ｙ１線の拡大断面図である。
【図１７】リードフレームをモールド金型に設置した後のリードフレームおよびモールド金型の単位領域の断面図である。
【図１８】図１７の領域Ｊの拡大断面図である。
【図１９】モールド工程後の単位領域の半導体装置の断面図である。
【図２０】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程で用いるリードフレームの製造フロー図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  樹脂封止体
２  リードフレーム
２ａ  ダイパッド（チップ搭載部）
２ｂ  傾斜調整リード
２ｃ  吊りリード（支持リード）
２ｄ  リード
２ｄ１  メッキ層
２ｅ  枠体部
３  半導体チップ
４  ボンディングワイヤ
５  凹部
５ａ  底面
５ｂ  側面
５ｃ  側面
５ｄ  側面
８ａ  第１金型
８ｂ  第２金型
８ｂ１  キャビティ
Ｓ１  第１面
Ｓ２  第２面
Ｓ３  第３面
Ｓ４  第４面
Ｓ５  第５面
Ｓ６  第６面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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