(57)【要約】【課題】  浮上面と近接場光素子を有する近接場光利用ヘッドの製造方法において、簡単かつ大量生産に適した製造方法を提供する。【解決手段】  近接場光ヘッド１５となるべき基板の下面に、ＡＢＳ１５ｂとなるべき四角錐台４０２と、近接場光素子１６となるべき四角錐４０１と、四角錐４０１上に形成された金属膜３０３、３０４を形成し、導通配線１８を介して金属膜３０３、３０４を抵抗計４０５に電気的に接続する。近接場光素子１６の頂面３０１ｅが所定の大きさとなり、かつその頂面３０１ｅとＡＢＳ１５ｂが同一平面をなすように、基板の下面と対向するように配置した平坦な研磨材４０４を用いて、四角錐台４０２と、四角錐４０１と、金属膜３０３、３０４とを研磨する。この際、研磨されることで金属膜３０３、３０４の電気抵抗が変化し、抵抗計４０５により、研磨工程の終了点を検知する。【選択図】    図４
2008041116.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体表面と対向する浮上面を有する浮上用凸部と、
前記媒体表面と対向する頂面と複数の側面とを有する錐台と、前記側面の少なくとも１つに載る金属膜からなる近接場光素子と、
を有する近接場光利用ヘッドの製造方法であって、
基板の一方面上に、加工後に前記近接場光素子となる錐体状もしくは錐台状の第１の凸部と、同じく加工後に前記浮上用凸部となる第２の凸部と、を形成する工程と、
前記金属膜を、前記第１の凸部の少なくとも１つの側面に形成する工程と、
前記基板の一方面に犠牲配線を配設する工程と、
前記犠牲配線と電気的に接続された導通配線を前記基板の一方面に配設する工程と、
前記導通配線を電気抵抗検出手段に電気的に接続する工程と、
平坦な研磨材を前記基板の一方面と対向するように配置する工程と、
前記電気抵抗検出手段により導通抵抗値を測定しながら、前記近接場光素子の前記頂面が所定の大きさとなり、かつ前記頂面と前記浮上面が同一平面をなすように前記研磨材を用いて、前記第１の凸部と前記第２の凸部と前記犠牲配線を研磨する工程と、
を有することを特徴とする近接場光利用ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記金属膜を形成する工程は、
前記第１の凸部の一方の側面に、前記一方の側面と垂直な方向から犠牲層を堆積させる工程と、
少なくとも前記一方の側面と対向する他方の側面に前記金属膜を堆積させる工程と、
前記一方の側面に堆積させた前記犠牲層を重なった前記金属膜とともに剥離することにより、前記他方の側面に前記金属膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の近接場光利用ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記研磨する工程は、前記第１の凸部の頂部近傍に形成された前記金属膜をも研磨し、研磨した前記金属膜の端面と前記頂面部が同一平面をなすことを特徴とする請求項１または２に記載の近接場光利用ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記犠牲配線を配設する工程において、前記犠牲配線の少なくとも一部は前記第１の凸部上に形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の近接場光利用ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記金属膜を形成する工程は、前記犠牲配線を配設する工程を兼ねた工程であって、前記第１の凸部の頂部近傍で、前記第１の凸部の対向する２つの側面に載る前記金属膜同士が連接するように前記金属膜を形成することを特徴とする請求項４に記載の近接場光利用ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記犠牲配線を配設する工程において、前記犠牲配線の少なくとも一部は前記第２の凸部上に形成されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の近接場光利用ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記基板の一方面かつ前記第１の凸部の近傍に第３の凸部を形成する工程を有し、
前記犠牲配線を配設する工程において、前記犠牲配線の少なくとも一部は前記第３の凸部上に形成されることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の近接場光利用ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、近接場光素子を搭載した近接場光利用ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
大容量化・小型化の進む情報記録再生装置のため、より高い記録密度が得られる磁気記録技術が求められている。記録密度が高くなると１ビット当たりの記録面積が小さくなるが、それにつれて、１ビットの情報が持つエネルギーが、室温の熱エネルギーに近くなり、記録した情報が熱揺らぎ等のために反転したり、消えてしまったりする等の熱減磁の問題が生じてしまう。
【０００３】
磁気記録技術において一般的に用いられてきた面内記録方式では、磁化の方向が記録媒体の面内方向に向くように磁気を記録する方式であるが、この方式では上述した熱減磁による記録情報の消失等が起こり易い。そこで、このような不具合を解消するために、記録媒体に対して垂直な方向に磁化信号を記録する垂直記録方式に移行しつつある。この方式は、記録媒体に対して、単磁極を近づける原理で磁気情報を記録する方式である。この方式によれば、記録磁界が記録膜に対してほぼ垂直な方向を向く。垂直な磁界で記録された情報は、記録膜面内においてＮ極とＳ極とがループを作り難いため、エネルギー的に安定を保ち易い。そのため、この垂直記録方式は、面内記録方式に対して熱減磁に強くなっている。
【０００４】
しかしながら、近年の情報記録再生装置は、さらなる高密度化が求められている。そのため、隣り合う磁区同士の影響や、熱揺らぎを最小限に抑えるために、保磁力の強いものが記録媒体として採用され始めている。そのため、上述した垂直記録方式であっても、記録媒体に情報を記録することが困難になっていた。
【０００５】
そこで、この不具合を解消するために、近接場光により磁区を局所的に加熱して一時的に保磁力を低下させ、その間に書き込みを行うハイブリッド磁気記録方式（近接場光アシスト磁気記録方式）が提供されている。このハイブリッド磁気記録方式は、微小領域と、近接場光ヘッドに形成された近接場光素子との相互作用により発生する近接場光を利用する方式である。近接場光を利用することで、従来の光では回折限界により実現不可能な直径数十ｎｍ以下の光スポットを作り出すことができ、さらにはほぼ同等サイズの熱スポットを作り出すことができる。
【０００６】
近接場光素子においては、微小かつ強力な近接場光のスポットを得ることが主たる課題である。その課題に対して、既にいくつかの形状が提案されている。特許文献１では、近接場光素子の先端に設けた光学的開口の輪郭形状を三角形として、入射光の偏光方向と三角形の一辺が直交する構造にすることで、その一辺に局在化した強い近接場光を発生させている（三角開口方式）。非特許文献１および特許文献２では、四角錐の４つの側面のうち対向する２面に金属膜を形成し、その２面が四角錐頂点付近で光の波長以下のギャップを有し、２面の金属膜はそれぞれギャップ部に曲率半径が数十ｎｍ以下の頂点を有しており、ギャップ部に局在化した強い近接場光を発生させている（ボウタイアンテナ方式）。
【特許文献１】特開２００１−１１８５４３号公報
【特許文献２】特開２００２−２２１４７８号公報
【非特許文献１】Technical Digest of 6th international conference on near field optics and related techniques, the placecountry-regionNetherlands, Aug. 27-31, 2000, p100
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した従来技術のうち、特許文献１の三角開口方式の近接場光素子については既に製造方法が開示されており、比較的容易に製造することが出来る。しかしながら、非特許文献１および特許文献２のボウタイアンテナ方式の近接場光素子については、金属膜頂点やギャップ部の形状に数ｎｍから数十ｎｍ程度の加工を必要とすることから、一般的には電子線描画装置や集束イオンビーム装置などの極めて高度な微細加工技術が必要であった。これに対して、簡単かつ大量生産に適した製造方法が求められている。
【０００８】
また、媒体から数ｎｍから数十ｎｍ程度のすきまで空気浮上するためのエアベアリングサーフェス（ＡＢＳ：空気浮上面）を有するヘッドに、近接場光素子を数ｎｍオーダの精度にて組み込むことも必要になるため、これを大量生産に適した製造方法にて解決することが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため本発明では、頂面と複数の側面とを有する錐台と金属膜からなる近接場光素子と、浮上面を有する浮上用凸部とを有する近接場光利用ヘッドを以下のように製造する。
【００１０】
まず、基板の一方面上に、加工後に近接場光素子となる錐体状もしくは錐台状の第１の凸部と、同じく加工後に浮上用凸部となる第２の凸部を形成する。
【００１１】
次に、金属膜を、第１の凸部の少なくとも１つの側面に形成する。
【００１２】
次に、基板の一方面に犠牲配線を配設し、犠牲配線と電気的に接続された導通配線を基板の一方面に配設し、導通配線を電気抵抗検出手段に電気的に接続する。
【００１３】
次に、平坦な研磨材を前記基板の一方面と対向するように配置し、電気抵抗検出手段により導通抵抗値を測定しながら、近接場光素子の頂面が所定の大きさとなり、かつ頂面と浮上面が同一平面をなすように研磨材を用いて、第１の凸部と第２の凸部と犠牲配線を研磨する。
【００１４】
また本発明では、金属膜を以下のように形成することができる。
【００１５】
第１の凸部の一方の側面に、一方の側面と垂直な方向から犠牲層を堆積させ、少なくとも一方の側面と対向する他方の側面に金属膜を堆積させ、一方の側面に堆積させた犠牲層を重なった金属膜とともに剥離することにより、他方の側面に金属膜を形成することができる。
【００１６】
さらに本発明では、第１の凸部と第２の凸部と犠牲配線に加えて、第１の凸部の頂部近傍に形成された金属膜をも研磨することで、研磨した金属膜の端面と頂面部が同一平面をなすことができる。
【００１７】
さらに本発明では、犠牲配線は、第１の凸部上、第２の凸部上、および第１の凸部の近傍に設けられた第３の凸部上に形成することができる。
【００１８】
さらに本発明では、第１の凸部の対向する２つの側面に載る金属膜を犠牲配線とすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、研磨工程の終了点を電気抵抗検出手段により検知することができるため、近接場光素子を構成する錐台の頂面の大きさを数十ｎｍ以下とすることができる。これにより、近接場光素子から発生する近接場光スポットのサイズを数十ｎｍ以下にすることができる。これにより、本近接場光利用ヘッドを搭載した情報記録再生装置の記録密度を向上させることができる。
【００２０】
また、本発明によれば、近接場光素子を構成する錐台の頂面と浮上面を同一平面上に形成することができるため、情報記録再生装置の動作時には頂面と記録媒体との距離を、浮上面と記録媒体との距離とほぼ同一とすることができる。よって、頂面と記録媒体との距離は数十ｎｍ以下となり、近接場光素子から発生する近接場光のエネルギーを効率よく記録媒体に伝えることができる。これにより情報記録再生装置の記録密度やＳＮ比を向上させることができる。
【００２１】
また、本発明によれば、上記の性能を有する近接場光素子および近接場光利用ヘッドを比較的低レベルな加工技術を用いて製造することができるため、従来手法に比べて低コストに製造することができる。
【００２２】
また、本発明によれば、近接場光素子を構成する錐台の側面に金属膜を形成することができる。この金属膜によって近接場光をさらに局在化させることができたり、金属膜を磁極とすることでハイブリッド磁気記録に対応させたりすることが出来る。
【００２３】
また、複数の金属膜の頂面近傍におけるすきまを数十ｎｍ以下とすることができ、近接場光をさらに局在化させることができたり、磁極による漏れ磁界を局在化させたりすることができる。これにより、情報記録再生装置の記録密度を向上させることができる。
【００２４】
また、本発明によれば、犠牲配線を前記金属膜に含ませることで、精度良く研磨工程の終了点を検出することができる。
【００２５】
また、本発明によれば、犠牲配線を加工後に浮上用凸部となる凸部上や、近接場光素子の近傍に設けた凸部上に配設することで、精度良く研磨工程の終了点を検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、この発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１における近接場光素子、該近接場光素子を搭載した近接場光ヘッド、該近接場光ヘッドを搭載した情報記録再生装置について、図１から図３を参照して説明する。
【００２７】
本実施形態における情報記録再生装置１は、図１に示すように、近接場光ヘッド２と、記録媒体（以下、ディスクと称す。）Ｄの表面に平行に移動可能とされ、ディスクＤ表面に平行で且つ互いに直交する２軸回りに回動自在な状態で近接場光ヘッド２を先端側で支持するサスペンション３と、光導波路４の基端側から該光導波路４に対して光束Ｌを入射させる光信号コントローラ（光源）５と、サスペンション３の基端側を支持すると共に、該サスペンション３をディスクＤの表面に平行な方向にスキャン移動させるアクチュエータ６と、ディスクＤを一定方向に回転させるスピンドルモータ（回転駆動部）７と、記録再生のための信号の処理をおこなうと共に、光信号コントローラ５、アクチュエータ６およびスピンドルモータ７の作動を制御する制御部８と、これら各構成品を内部に収容するハウジング９とを備えている。なお、近接場光ヘッド２とサスペンション３とで、ヘッドジンバルアセンブリ１２を構成している。
【００２８】
ハウジング９は、アルミニウム等の金属材料により、上面視四角形状に形成されていると共に、内側に各構成品を収容する凹部９ａが形成されている。また、このハウジング９には、凹部９ａの開口を塞ぐように図示しない蓋が着脱可能に固定されるようになっている。凹部９ａの略中心には、上記スピンドルモータ７が取り付けられており、該スピンドルモータ７に中心孔を嵌め込むことでディスクＤが着脱自在に固定される。凹部９ａの隅角部には、上記アクチュエータ６が取り付けられている。このアクチュエータ６には、軸受１０を介してキャリッジ１１が取り付けられており、該キャリッジ１１の先端にサスペンション３が取り付けられている。そして、キャリッジ１１及びヘッドジンバルアセンブリ１２は、アクチュエータ６の駆動によって共に上記のように移動可能とされている。
【００２９】
また、光信号コントローラ５は、アクチュエータ６に隣接するように凹部９ａ内に取り付けられている。そして、このアクチュエータ６に隣接して、上記制御部８が取り付けられている。
【００３０】
図２に本実施の形態におけるヘッドジンバルアセンブリ１２を示す。なお、図２（ａ）は近接場光ヘッド２の底面図、図２（ｂ）は近接場光ヘッド２、サスペンション３、及び光導波路４の断面図である。図２では、説明を分かりやすくするために、ヘッドジンバルアセンブリ１２の各部の縮尺を調整して図示しており、必ずしも実寸法と一致しない。以降の図も同様である。
【００３１】
ヘッドジンバルアセンブリ１２を構成する近接場光ヘッド２は、ディスクＤの表面に対向する対向面１５ａを有するスライダ１５と、該スライダ１５に固定され、近接場光を発生させる近接場光素子１６と、近接場光素子１６内に光束Ｌを導入させる光束導入手段とを備えている。
【００３２】
スライダ１５は、石英ガラス等の光透過性材料によって、直方体状に形成されており、その大きさは１ｍｍ角程度である。このスライダ１５は、対向面１５ａをディスクＤ側にした状態で、ジンバル部２５を介してサスペンション３の先端にぶら下がるように支持されている。このジンバル部２５は、ディスクＤ平面に平行な２軸回りにのみ変位するように動きが規制された部品である。
【００３３】
スライダ１５の対向面１５ａには、回転するディスクＤによって生じた空気流の粘性から、浮上するための圧力を発生させるＡＢＳ（空気浮上面：Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｕｒｆａｃｅ）１５ｂが形成された２本の凸部が形成されている。それぞれの凸部のディスクＤの移動方向の長さはほぼスライダ１５の一辺の長さと等しく、幅は１００〜５００μｍ程度、高さは１〜１０μｍ程度である。本実施形態では、ディスクＤの移動方向に平行に配置された２本の凸形状を有するステップフラット型のＡＢＳを例にしているが、この場合に限定されるものではなく、ステップテーパー型、トライパッド型等の他の方式でも構わない。
【００３４】
スライダ１５は、このＡＢＳ１５ｂによってディスクＤから浮上する力を受けていると共に、サスペンション３によってディスクＤ側に押さえ付けられる力を受けている。スライダ１５は、この両者の力のバランスによって、ディスクＤ表面から数十ｎｍ以下に離間した状態で浮上するようになっている。また、ジンバル部２５の機能により、ディスクＤ表面にうねりがあっても安定して浮上することができる。
【００３５】
また、スライダ１５の上面には、近接場光素子１６の真上に当たる位置にレンズ２６が形成されている。更に、スライダ１５の上面には、光ファイバ等の光導波路４が取り付けられている。この光導波路４は、先端が４５度にカットされたミラー面４ａとなっており、該ミラー面４ａがレンズ２６の真上に位置するように取り付け位置が調整されている。そして、光導波路４は、サスペンション３及びキャリッジ１１等を介して、光信号コントローラ５に接続されている。
【００３６】
これにより光導波路４は、光信号コントローラ５から入射された光束Ｌを先端側まで導き、ミラー面４ａで反射させて向きを変えた後、レンズ２６に出射することができるようになっている。また、出射された光束Ｌは、レンズ２６によって集束した後、スライダ１５を透過して近接場光素子１６に導入されるようになっている。即ち、光導波路４及びレンズ２６は、上述した光束導入手段を構成している。
【００３７】
近接場光素子１６のディスクＤの移動方向Ｍに直交するように並んだ互いに向い合う２つの側面には、スライダ１５の対向面１５ａ上に配設された導通配線１８がそれぞれ接続されている。導通配線１８の残る一端はスライダ１５の端まで伸びている。
【００３８】
図３に本実施の形態におけるOLE_LINK1近接場光素子１６の概略を示すOLE_LINK1。スライダ１５の対向面１５ａ上に四角錐台３０１が配置される。四角錐台３０１は石英ガラス等の光透過性材料からなる。四角錐台３０１は４つの側面３０１ａ、３０１ｂ、３０１ｃ、３０１ｄとディスクＤに向き合う頂面３０１ｅから構成される。上記４つの側面のうち、ディスクＤの移動方向Ｍに直交するように並んだ互いに向い合う２つの側面３０１ａ、３０１ｂ上には、それぞれ第１の金属膜３０３、第２の金属膜３０４が形成されている。第１の金属膜３０３と第２の金属膜３０４はＡｕやＡｇ等の金属材料を用いる。この第１の金属膜３０３、第２の金属膜３０４がボウタイアンテナを形成している。頂面３０１ｅは四角形であり、それぞれの辺の長さは数十ｎｍ以下である。よって、第１の金属膜３０３と第２の金属膜３０４は頂面３０１ｅ近傍において隙間を有しており、その大きさも数十ｎｍ以下となっている。
【００３９】
図４は、本実施の形態における近接場光素子と近接場光ヘッドの製造方法を示す断面図である。図２に示すように２つのＡＢＳ１５ｂを横切り、かつ第１の金属膜３０３、第２の金属膜３０４および頂面３０１ｅを横切り、かつ頂面３０１ｅに垂直な面を断面Ａとする。第１の金属膜３０３、第２の金属膜３０４が覆わない２つの側面３０１ｃ、３０１ｄおよび頂面３０１ｅを横切り、頂面３０１ｅに垂直な面を断面Ｂとする。図４中、紙面左側に断面Ａにおける断面図を、また図４中、紙面右側に断面Ｂにおける断面図を示す。
【００４０】
まず、ステップＳ４０１に示すように、製造過程完了後は四角錐台３０１になるべき四角錐４０１と、製造過程完了後はその頂面がＡＢＳ１５ｂとなるべき四角錐台４０２を、フォトリソグラフィーを用いて、スライダ１５の対向面１５ａ上に形成する。四角錐４０１は側面３０１ａ、３０１ｂ、３０１ｃ、３０１ｄをもつが、頂面３０１ｅはまだ持たない。また、フォトリソグラフィーによる加工の都合上、四角錐４０２も傾斜を持った側面を有するが、ＡＢＳ１５ｂの大きさに対して小さいため、近接場光ヘッドの動作には影響がない。四角錐４０１および四角錐４０２の高さは１〜１０μｍであるが、両者の高さがそろっている必要はここでは必要ない。
【００４１】
次に、ステップＳ４０２に示すように、側面３０１ｂ上に、側面３０１ｂに対して垂直な方向から、真空蒸着法など指向性の高い成膜方法を用いて、犠牲層４０３を形成する。このとき犠牲層４０３は、側面３０１ｂだけでなく、側面３０１ｂに隣接する側面３０１ｃ、３０１ｄ上にも形成される。成膜方法の指向性により陰になるから、側面３０１ｂと向かい合わせとなる側面３０１ａ上には、犠牲層４０３は形成されない。また、犠牲層４０３は、四角錐台４０２を構成する面のうち、側面３０１ｂと略平行な側面および隣接する側面および頂面に形成される。犠牲層４０３はＡｌ膜からなり、その膜厚は数十ｎｍから数百ｎｍである。
OLE_LINK2  OLE_LINK2次に、ステップＳ４０３に示すように、側面３０１ａ上に、側面３０１ａに対して垂直な方向から、真空蒸着法など指向性の高い金属膜形成方法を用いて、第１の金属膜３０３を形成する。このとき、第１の金属膜３０３は側面３０１ａだけでなく、犠牲層４０３の一部の上や、側面３０１ａと略平行な四角錐台４０２の側面上にも形成されている。
【００４２】
次に、ステップＳ４０４に示すように、犠牲層４０３を剥離する。このとき、犠牲層４０３に載る第１の金属膜３０３も剥離され、側面３０１ａと側面３０１ａと略平行な四角錐台４０２の側面に載る第１の金属膜３０３のみが残る（リフトオフプロセス）。犠牲層４０３の剥離には、リン酸を主成分とした水溶液を用いる。
【００４３】
次に、ステップＳ４０５に示すように、ステップＳ４０３からＳ４０４と同様な工程を繰り返すことで、側面３０１ｂに載る第２の金属膜３０４を形成する。ここで、側面３０１ａに載る第１の金属膜３０３と側面３０２ｂに載る第２の金属膜３０４は、四角錐４０１の頂点近傍で電気的に接続されている。また、側面３０１ｂと略平行な四角錐台４０２の側面上にも、第２の金属膜３０４が形成される。
【００４４】
次に、ステップＳ４０６に示すように、四角錐台４０２の側面に載る第１の金属膜３０３および第２の金属膜３０４を除去する。この工程にはフォトリソグラフィーを用いる。
【００４５】
次に、ステップＳ４０７に示すように、研磨材４０４をスライダ１５と平行に配置して、図４中、Ｘで示すように、基板の一方面と平行に研磨材４０４を移動させて、スライダ１５の表面を研磨し、頂部近傍に形成された金属膜を除去する。その際、第１の金属膜３０３と第２の金属膜３０４に、導通配線１８を介して抵抗計４０５を接続しておく。四角錐４０１の頂点近傍において第１の金属膜３０３と第２の金属膜３０４は電気的に接続されているが、四角錐４０１の頂点が研磨材４０４と接触するまで研磨をおこなうと、第１の金属膜３０３と第２の金属膜３０４は導通しなくなる。つまり、第1の金属膜３０３と第２の金属膜３０４は、研磨されることで電気抵抗が変化する犠牲配線を構成している。このとき、抵抗計４０５にて測定される抵抗値が急激に上昇するために、四角錐４０１の頂点と研磨材４０４とが接触した瞬間を判定することができる。
【００４６】
上記の瞬間からわずかに研磨を継続すると、ステップＳ４０８に示すように、四角錐４０１の頂点が削られて、頂面３０１ｅが形成される。また、四角錐台４０２の頂面も同様に削られてＡＢＳ１５ｂが形成される。このとき、頂面３０１ｅとＡＢＳ１５ｂは同一平面をなす。
【００４７】
この後、レンズ２６の形成や、光導波路４との接続等をおこなうと、近接場光ヘッド２が完成する。
【００４８】
本実施の形態によると、研磨の停止のタイミングを抵抗計４０５により知ることができるため、頂面３０１ｅの一辺の大きさを数十ｎｍ以下とすることができる。すなわち、第１の金属膜３０３と第２の金属膜３０４の頂面３０１ｅ近傍におけるすきまを数十ｎｍ以下とすることができ、第１の金属膜３０３と第２の金属膜３０４の間に発生する近接場光スポットのサイズを数十ｎｍ以下にすることができる。これにより、近接場光を利用した情報記録再生装置１の記録密度を向上させることができる。OLE_LINK3
また、本実施の形態によると、OLE_LINK3頂面３０１ｅとＡＢＳ１５ｂを同一平面上に形成することができるため、情報記録再生装置１の動作時には頂面３０１ｅとディスクＤとの距離を、ＡＢＳ１５ｂとディスクＤとの距離とほぼ同一とすることができる。よって、頂面３０１ａとディスクＤとの距離は数十ｎｍ以下となり、第１の金属膜３０３と第２の金属膜３０４との間に発生する近接場光のエネルギーを効率よくディスクＤに伝えることができる。これにより情報記録再生装置１の記録密度やＳＮ比を向上させることができる。
【００４９】
また、本実施の形態によると、数十ｎｍ以下オーダの近接場素子を比較的に低レベルな技術を用いて作製することができるため、従来手法に比べて低コストに作製することができる。
【００５０】
ところで、ステップＳ４０３における第１の金属膜３０３の成膜においては、真空蒸着法などの指向性の高い成膜法を用いているが、図５のステップＳ４０３ａに示すようにスパッタ法などの指向性の低い成膜法を用いて成膜するとも可能である。また、第２の金属膜３０４の成膜についても同様にスパッタ法などの指向性の低い成膜を用いることが可能である。これにより、作製時の歩留まりや生産性を向上させることが可能である。
【００５１】
また、ステップＳ４０６においては、四角錐台４０２の側面に載る第１の金属膜３０３および第２の金属膜３０４を除去しているが、これを行わずに、図６のステップＳ４０６ａに示すように、四角錐台４０２の頂面に犠牲配線６０１を形成することで、四角錐台４０２の側面に載る第１の金属膜３０３と第２の金属膜３０４の導通を取ることもできる。この後、ステップＳ４０７ａに示すように、四角錐台４０２の側面に載る第１の金属膜３０３と第２の金属膜３０４に抵抗計６０２を接続し、ステップＳ４０７と同様に抵抗計４０５を接続して研磨材４０４を用いてスライダ１５の表面を研磨する。研磨時には、犠牲配線６０１の膜厚が次第に薄くなるため、次第に電気抵抗が大きくなる。これを抵抗計６０２によりモニタすることができるため、研磨工程をより安定して実施することができる。
【００５２】
本実施の形態における近接場光ヘッド２には磁気素子を示していないが、光による記録再生はもちろん、また磁気素子と組み合わせることでハイブリッド磁気記録にも対応させることができる。
（実施の形態２）
次に、本発明における実施の形態２について、図７から図９を参照して説明する。なお、実施の形態２において実施の形態１と同一の構成については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【００５３】
図７に本実施の形態における近接場光ヘッド７００の底面図を示す。また、図８に本実施の形態における近接場光素子８００の概略図を示す。実施の形態１とほぼ同様な構成であるが、主にヨーク７０１、７０２およびコイル７０３が追加されている点が異なる。
【００５４】
スライダ１５の対向面１５ａ上に配置された四角錐台３０１は、４つの側面３０１ａ、３０１ｂ、３０１ｃ、３０１ｄとディスクＤに向き合う頂面３０１ｅから構成される。上記４つの側面のうち、ディスクＤの移動方向Ｍに沿うように並んだ互いに向い合う２つの側面３０１ｃ、３０１ｄ上には、それぞれ第１の金属膜８０１、第２の金属膜８０２が形成されている。第１の金属膜８０１、第２の金属膜８０２には軟磁性材料を用いる。このとき、高い飽和磁束密度を持つ軟磁性材料を用いると高記録密度記録に適する。この第１の金属膜８０１、第２の金属膜８０２が漏れ磁界を発生する磁気ヘッドを構成している。頂面３０１ｅは四角形であり、それぞれの辺の長さは数百ｎｍから数十ｎｍ以下である。よって、第１の金属膜８０１と第２の金属膜８０２は頂面３０１ｅ近傍において隙間(磁気ギャップ)を有しており、その大きさも数百ｎｍから数十ｎｍ以下となっている。また、側面３０１ｃと側面３０１ｄとに隣接する側面３０１ａ上には第３の金属膜８０３が形成されている。第３の金属膜８０３はＡｕ、Ａｇ等の金属材料からなる。第３の金属膜８０３の頂面３０１ｅに接する辺には近接場光が局在化する。
【００５５】
第１の金属膜８０１と第２の金属膜８０２には、それぞれスライダの１５の対向面１５ａ上に設けられたヨーク７０１、７０２が接続されている。ヨーク７０１、７０２はスライダの１５の対向面１５ａ上にて接続されており、その接続部分はスライダ１５の対向面１５ａに垂直な方向に沿って折り曲げられた垂直回路部（図示略）となっている。上記の垂直回路部の周囲を螺旋状に巻回するように、スライダ１５の対向面１５ａ上にはコイル７０３が設けられている。この際、コイル７０３は、ショートしないように、隣り合う線材間、ヨーク７０１、７０２との間が絶縁状態とされている。ヨーク７０１、７０２は軟磁性材料である。これらは第１の金属膜８０１や第２の金属膜８０２ほど高い飽和磁束密度は必要ないため、パーマロイ等の材料を用いると良い。また、コイル７０３はＣｕ等の電気抵抗の小さい材料を用いる。また、このコイル７０３は、サスペンション３やキャリッジ１１を介して制御部８に電気的に接続されており、該制御部８から情報に応じて変調された電流が供給されるようになっている。即ち、ヨーク７０１、７０２及びコイル７０３は、全体として電磁石を構成している。よって、第１の金属膜８０１と第２の金属膜８０２の間に漏れ磁界が発生し、第３の金属膜８０３によって発生する近接場光とあわせてハイブリッド磁気記録を実現する。なお、ヘッド７００の移動方向Ｍの下流側の端面（流出端）には磁気抵抗素子７０４が設けられており、ディスクＤ上の磁気情報を読み取るようになっている。
【００５６】
図９は、本実施の形態における近接場光素子と近接場光ヘッドの製造方法を示す断面図である。ここでは本実施の形態の要点をわかりやすくするため、図７に示すように２つのＡＢＳ１５ｂを横切り、かつ第１の金属膜８０１、第２の金属膜８０２および頂面３０１ｅを横切り、かつ頂面３０１ｅに垂直な面を断面αとする。また、第３の金属膜８０３、金属膜で覆われない側面３０１ｂ、および頂面３０１ｅを横切り、かつ頂面３０１ｅに垂直な面を断面βとする。図９中、紙面左側に断面αにおける断面図を、また図９中、紙面右側に断面βにおける断面図を示す。
【００５７】
まず、ステップＳ９０１に示すように、製造過程完了後は四角錐台３０１になるべき四角錐４０１と、製造過程完了後はその頂面がＡＢＳ１５ｂとなるべき四角錐台４０２が、その表面に形成されたスライダ１５を用意することは、実施の形態１と同様である。
【００５８】
次に、ステップＳ９０２に示すように、第１の金属膜８０１、第２の金属膜８０２、第３の金属膜８０３を形成する。これは、実施の形態１と同様に、犠牲層の成膜、金属膜の成膜、リフトオフプロセスを繰り返し、最後に四角錐４０１上の金属膜のみを残すことで実現できる。
【００５９】
次に、ステップＳ９０３に示すように、研磨材４０４をスライダ１５と平行に配置して、図９中、Ｘで示すように、基板の一方面と平行に研磨材４０４を移動させて、スライダ１５の表面を研磨し、頂部近傍に形成された金属膜を除去する。その際、第１の金属膜８０１と第２の金属膜８０２に抵抗計４０５を接続しておく。この接続には、実施の形態１と同様に、スライダ１５の対向面１５ａ上に配設された導通配線（図示略）を介しておこなう。四角錐４０１の頂点近傍において第１の金属膜８０１と第２の金属膜８０２は電気的に接続されているが、実施の形態１と異なり、第1の金属膜８０１と第２の金属膜８０２は第３の金属膜８０３を介しても電気的に接続されているが、四角錐４０１の頂点が研磨材４０４と接触するまで研磨をおこなうと、第１の金属膜８０１と第２の金属膜８０２は接触しなくなる。このとき、抵抗計４０５にて測定される抵抗値が変化するために、四角錐４０１の頂点と研磨材４０４とが接触した瞬間を判定することができる。
【００６０】
上記の瞬間からわずかに研磨を継続すると、ステップＳ９０４に示すように、四角錐４０１の頂点が削られて、頂面３０１ｅが形成される。また、四角錐台４０２の頂面も同様に削られてＡＢＳ１５ｂが形成される。このとき、頂面３０１ｅとＡＢＳ１５ｂは同一平面をなす。
【００６１】
本実施の形態によると、近接場光素子８００の四角錐台３０１の４つの側面の内、いずれの側面が金属膜に覆われていても、実施の形態１と同様な効果を有する。
【００６２】
本実施の形態においては、ステップＳ９０３における抵抗計４０５にて測定される抵抗値の変化は、実施の形態１よりも小さい。そこで、実施の形態１と同様にＡＢＳ１５ｂ上に犠牲配線を設けて、四角錐４０１の頂点と研磨材４０４が接触した瞬間をより確実に判定することができる。
【００６３】
さらに、図１０に示すように、近接場光素子８００近傍に四角錐４０１とほぼ同じ高さの測定用四角錐台１００１を設け、その上に犠牲配線１００２を設けることで、さらに精度良く四角錐４０１の頂点と研磨材４０４が接触した瞬間を判定することができる。犠牲配線１００２は測定用四角錐台１００１上から、スライダ１５の対向面１５ａ上を配設され、スライダ１５の端部に至る。図１１のステップＳ９０３ａに示すように、犠牲配線１００２は抵抗計１００３に接続され、同様に研磨がおこなわれる。研磨時には、測定用四角錐台１００１上の犠牲配線１００２の膜厚が次第に薄くなるため、次第に電気抵抗が大きくなる。これを抵抗計１００３によりモニタすることができるため、研磨工程をより安定して実施することができる。図１０では上面視長方形の測定用四角錐台１００１を２つ設けたが、近接場光素子８００を囲うように上面視正方形の測定用四角錐台１００１を３つ設ける等、いくつかの構成を選択することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の形態１における近接場光を利用した情報記録再生装置の斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態１における近接場光ヘッドを示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１における近接場光素子の斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態１における近接場光素子と近接場光ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１における近接場光素子と近接場光ヘッドの他の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１における近接場光素子と近接場光ヘッドの他の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２における近接場光ヘッドを示す下面図である。
【図８】本発明の実施の形態２における近接場光素子の斜視図である。
【図９】本発明の実施の形態２における近接場光素子と近接場光ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２における近接場光ヘッドを示す下面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２における近接場光素子と近接場光ヘッドの他の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
Ｄ    ディスク
Ｌ    光束
１    情報記録再生装置
２    近接場光ヘッド
３    ビーム
５    光信号コントローラ（光源）
６    アクチュエータ
７    スピンドルモータ（回転駆動部）
８    制御部
１５    スライダ
１５ａ    対向面
１６    近接場光素子
１７    光束導入手段
３０１  四角錐台
３０１ａ、３０１ｂ、３０１ｃ、３０１ｄ  側面
３０１ｅ  頂面
３０３  第１の金属膜
３０４  第２の金属膜
４０３  犠牲層
４０４  研磨材
４０５  抵抗計
６０１  犠牲配線
７００  近接場光ヘッド
７０１、７０２  ヨーク
７０３  コイル
８００  近接場光素子
８０１  第１の金属膜
８０２  第２の金属膜
８０３  第３の金属膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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