(57)【要約】【課題】画素間のリーク電流を抑え、製品の信頼度を向上させた電気泳動表示装置、及び電子機器を提供すること【解決手段】第１の電極２１と、第１の電極２１と対向する第２の電極２２と、第１の電極２１と第２の電極２２とで挟持され帯電した電気泳動粒子を有する電気泳動素子２３とを備えた画素を平面的に配列してなる電気泳動表示装置において、隣り合う第１の電極２１の間の領域に絶縁層３１が形成されていることを特徴とする電気泳動表示装置とした。【選択図】図３
2008249792.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とで挟持され帯電した電気泳動粒子を有する電気泳動素子とを備えた画素を平面的に配列してなる電気泳動表示装置において、
隣り合う前記第１の電極の間の領域に絶縁層が形成されていることを特徴とする電気泳動表示装置。
【請求項２】
第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とで挟持され帯電した電気泳動粒子を有する電気泳動素子とを備えた画素を平面的に配列してなる電気泳動表示装置において、
前記第１の電極の表面には、前記第１の電極の上面に開口部を有する絶縁層が形成されていることを特徴とする電気泳動表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気泳動表示装置において、
前記絶縁層は、前記第１の電極の上面の周縁部を覆って形成されていることを特徴とする電気泳動表示装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の電気泳動表示装置において、
前記絶縁層は、前記第１の電極の側端面に当接して形成されていることを特徴とする電気泳動表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載の電気泳動表示装置において、
前記絶縁層は、前記第１の電極から離間した位置に形成されていることを特徴とする電気泳動表示装置。
【請求項６】
請求項１又は請求項５に記載の電気泳動表示装置において、
前記絶縁層が、前記第１の電極の上面より前記電気泳動素子側に突出していることを特徴とする電気泳動表示装置。
【請求項７】
請求項１又は請求項２に記載の電気泳動表示装置において、
前記絶縁層は、前記隣り合う第１の電極の上面同士にわたって形成されていることを特徴とする電気泳動表示装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７の何れか１項に記載の電気泳動表示装置において、
前記電気泳動素子は前記電気泳動粒子を封入したカプセル状であり、接着剤層を介して前記第１の電極上に配置されていることを特徴とする電気泳動表示装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８の何れか１項に記載の電気泳動表示装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気泳動表示装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気泳動表示装置で画像を表示させるためには、スイッチング素子を介して、メモリ回路に一旦画像信号を記憶させる。メモリ回路で記憶した画像信号は第１の電極に直接入力され、第１の電極に電位を与えると、第２の電極との間で電位差が発生する。これによって電気泳動素子を駆動させて、画像を表示させることができる。（特許文献１）
【０００３】
メモリ回路としては、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などが用いられている。
【特許文献１】特開２００３−８４３１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電気泳動表示装置に画像を表示させるためには、電気泳動素子を挟持する電極の間に十分な電位差を与えなくてはならないため、メモリ回路の電源電圧は１０Ｖ以上が必要である。このとき、隣り合う画素で異なった色を表示していると、隣り合う画素の第１の電極には異なった電位が入力されている。
【０００５】
そのため、隣り合う第１の電極の間では大きな電位差が発生するので、電気泳動素子を基板に固定している接着剤などを介して、隣り合う第１の電極の間でリーク電流が流れる。１画素あたりのリーク電流が小さくても、電気泳動表示装置の表示部全体としては大きくなり、消費電力の増大につながる。
【０００６】
また、リーク電流の発生によって第１の電極が化学反応を起こす可能性が高く、電気泳動表示装置としての信頼性が損なわれる可能性が高い。そこで、例えば金、白金などの化学的に安定で腐食に強い材質を第１の電極に用いると信頼性を向上させることが可能であるが、製造コストが増大する。
【０００７】
本発明は、画素間のリーク電流を抑え、製品の信頼度を向上させた電気泳動表示装置、及び電子機器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下の構成を特徴とする電気泳動表示装置、及び電子機器である。
【０００９】
第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とで挟持され帯電した電気泳動粒子を有する電気泳動素子とを備えた画素を平面的に配列してなる電気泳動表示装置において、隣り合う前記第１の電極の間の領域に絶縁層が形成されていることを特徴とする電気泳動表示装置である。この構造を有することにより、前記第１の電極の間に形成した前記絶縁層がリーク電流を遮断するので、前記画素間のリーク電流の発生を抑え、製品の信頼度を向上させた電気泳動表示装置とすることができる。
【００１０】
第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とで挟持され帯電した電気泳動粒子を有する電気泳動素子とを備えた画素を平面的に配列してなる電気泳動表示装置において、前記第１の電極の表面には、前記第１の電極の上面に開口部を有する絶縁層が形成されていることを特徴とする電気泳動表示装置である。この構造を有することにより、前記第１の電極の間に形成した前記絶縁層がリーク電流を遮断するので、画素間のリーク電流の発生を抑え、製品の信頼度を向上させた電気泳動表示装置とすることができる。
【００１１】
前記絶縁層は、前記第１の電極の上面の周縁部を覆って形成されていることが好ましい。この構造により、前記第１の電極上の前記開口部を通じてリーク電流が生じるが、前記開口部どうしが遠くなるので、リーク電流が流れにくくなる電気泳動表示装置とすることができる。
【００１２】
前記絶縁層は、前記第１の電極の側端面に当接して形成されていることが好ましい。この構造により、前記絶縁層が前記第１の電極の側端面からのリーク電流を遮断するので、リーク電流を抑えることができる電気泳動表示装置とすることができる。
【００１３】
前記絶縁層は、前記第１の電極から離間した位置に形成されていてもよい。この構造により、前記絶縁層が前記第１の電極間のリーク電流を遮断するので、リーク電流を抑えることができる電気泳動表示装置とすることができる。
【００１４】
前記絶縁層が、前記第１の電極の上面より前記電気泳動素子側に突出していることが好ましい。この構造により、前記絶縁層はより広い領域にわたってリーク電流の経路を遮断し、リーク電流をより抑えることができる電気泳動表示装置とすることができる。
【００１５】
前記絶縁層は、前記隣り合う第１の電極の上面同士にわたって形成されていることが好ましい。この構造を備えることで、前記第１の電極の上面と側端面とが前記絶縁層に覆われるので、リーク経路が長くなってリーク電流が流れにくい電気泳動表示装置とすることができる。
【００１６】
前記電気泳動素子は前記電気泳動粒子を封入したカプセル状であり、接着剤層を介して前記第１の電極上に配置されていることが好ましい。この構造により、前記電気泳動素子内において、前記電気泳動粒子の分布を均一にできるので、前記両電極の間の電位差に基づいた均一な画像表示を行うことができる電気泳動表示装置とすることができる。
【００１７】
本発明の電気泳動表示装置を備えた電子機器である。この構造により、リーク電流を抑えた前記電気泳動表示装置を用いるので、製品の信頼度を向上させた電子機器とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［第１の実施形態］
以下に、図面を用いて本発明における電気泳動表示装置１について説明する。図１は本発明の実施形態に係る電気泳動表示装置１の構成図である。電気泳動表示装置１は表示部３と走査線駆動回路６と、データ線駆動回路７と、共通電源変調回路８とコントローラ１０とを備えている。
【００１９】
表示部３には、Ｙ軸方向に沿ってＭ個、Ｘ軸方向に沿ってＮ個のマトリクス状に画素２が形成されている。  走査線駆動回路６は、表示部３をＸ軸方向に沿って延在する複数の走査線４（Ｙ１、Ｙ２、…、Ｙｍ）を介して画素２に接続されている。データ線駆動回路７は、表示部３をＹ軸方向に沿って延在する複数のデータ線５（Ｘ１、Ｘ２、…、Ｘｎ）を介して画素２に接続されている。共通電源変調回路８は、共通電極電源配線１５を介して画素２に接続されている。走査線駆動回路６、データ線駆動回路７、及び共通電源変調回路８はコントローラ１０により制御される。電源線１３、１４、及び共通電極電源配線１５は、すべての画素２において共通配線として用いられる。
【００２０】
図２は、画素２の回路構成を示す図である。
画素２は、駆動用ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、画素スイッチング素子）２４と、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ、メモリ回路）２５と、画素電極（第１の電極）２１と、共通電極（第２の電極）２２と、電気泳動素子２３とで構成される。
【００２１】
駆動用ＴＦＴ２４はＮ−ＭＯＳ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）で構成されている。駆動用ＴＦＴ２４のゲート部には走査線４、ソース側にはデータ線５、及びドレイン側にはＳＲＡＭ２５がそれぞれ接続されている。駆動用ＴＦＴ２４は、走査線駆動回路６から走査線４を介して選択信号が入力される期間中、データ線５とＳＲＡＭ２５とを接続させることによって、データ線駆動回路７からデータ線５を介して入力される画像信号をＳＲＡＭ２５に入力させるために用いられる。
【００２２】
ＳＲＡＭ２５は２つのＰ−ＭＯＳ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）２５ｐ１、２５ｐ２、及び２つのＮ−ＭＯＳ２５ｎ１、２５ｎ２によって構成されている。Ｐ−ＭＯＳ２５ｐ１、２５ｐ２のソース側には第１の電源線１３が接続され、Ｎ−ＭＯＳ２５ｎ１、２５ｎ２のソース側には第２の電源線１４が接続されている。
【００２３】
ＳＲＡＭ２５のＰ−ＭＯＳ２５ｐ１のドレイン側及びＮ−ＭＯＳｎ１のドレイン側は、駆動用ＴＦＴ２４、Ｐ−ＭＯＳ２５ｐ２のゲート部、及びＮ−ＭＯＳ２５ｎ２のゲート部に接続されている。
【００２４】
ＳＲＡＭ２５のＰ−ＭＯＳ２５ｐ２のドレイン側及びＮ−ＭＯＳｎ２のドレイン側は、Ｐ−ＭＯＳ２５ｐ１のゲート部、及びＮ−ＭＯＳ２５ｎ１のゲート部に接続されている。
【００２５】
ＳＲＡＭ２５は、駆動用ＴＦＴ２４から送られた画像信号を保持するとともに、画素電極２１に画像信号を入力するために用いられる。
【００２６】
電気泳動素子２３は、画素電極２１と共通電極２２との電位差によって、画像を表示させるものである。共通電極２２は、共通電極電源配線１５と接続されている。
【００２７】
図３は電気泳動表示装置１の表示部３の部分断面図である。表示部３は画素電極２１を備えた素子基板２８、及び共通電極２２を備えた対向基板２９で、電気泳動素子２３を挟持する構成となっている。電気泳動素子２３は、複数のマイクロカプセル４０により構成されている。電気泳動素子２３は、接着剤を用いて両基板２８、２９の間で固定されているので、電気泳動素子２３と両基板２８、２９との間に接着剤層３０が形成されている。画素電極２１間には、絶縁層３１が形成されている。
【００２８】
素子基板２８は、例えばガラスやプラスティックなどの材料を矩形に成型した基板である。素子基板２８上に画素電極２１が形成され、画素電極２１はそれぞれの画素２ごとに矩形に形成されている。図示は省略しているが、各画素電極２１の間の領域や画素電極２１の下層側（素子基板２８側）には、図１１で示した走査線４、データ線５、電源線１３、１４、共通電極電源配線１５、駆動用ＴＦＴ２４、ＳＲＡＭ２５等が形成されている。
【００２９】
対向基板２９は、画像を表示する側となるため、例えば、ガラス等の透光性を持つ材質を矩形状に形成させたものである。対向基板２９上に形成された共通電極２２には、透光性と導電性とを備えた材質が用いられ、例えばＭｇＡｇ（マグネシウム銀）、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）等が挙げられる。
【００３０】
絶縁層３１は、ＣＶＤ法、蒸着法、スピンコート法などで絶縁層３１の薄膜を形成した後、エッチング法などの開口処理により画素電極２１上の領域を開口して形成される。
【００３１】
絶縁層３１としては、アクリル、ポリカーボネート、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）などの樹脂膜、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３などの無機膜が用いられる。
【００３２】
絶縁層３１は、画素電極２１間の領域、及び画素電極２１の周縁部を覆って形成されている。絶縁層３１の上面は、画素電極２１の上面から電気泳動素子２３側に突出して形成されているが、画素電極２１の上面より突出していなくてもよい。
【００３３】
図４は、絶縁層３１及び画素電極２１のみを示した表示部３の平面図である。絶縁層３１は、画素電極２１間の領域に沿って、平面視格子状に形成されている。絶縁層３１は、画素電極２１の上面部を枠状に縁取るように一部が画素電極２１上に形成されている。
【００３４】
図５は、マイクロカプセル４０の構成図である。マイクロカプセル４０は、例えば５０μｍ程度の粒径を有すると共にポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル等のアクリル樹脂、ユリア樹脂、アラビアゴム等の透光性を持つ高分子樹脂によって形成されている。このマイクロカプセル４０は、共通電極２２と上述の画素電極２１との間に挟持されており、一つの画素内に複数のマイクロカプセル４０が縦横に配列された構成になっている。マイクロカプセル４０の周囲を埋めるように、当該マイクロカプセル４０を固定するバインダ（図示は省略）が設けられている。
【００３５】
マイクロカプセル４０の内部には、分散媒４１と、電気泳動粒子として複数の白色粒子４２、複数の黒色粒子４３の帯電粒子が封入されている。
【００３６】
分散媒４１としては、例えば水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブ等のアルコール系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等の各種エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ぺンタン、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素、シクロへキサン、メチルシクロへキサン等の脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキシルベンゼン、ヘブチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼン等の長鎖アルキル基を有するベンゼン類等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、カルボン酸塩又はその他の種々の油類等の単独又はこれらの混合物に界面活性剤等を配合したものからなり、白色粒子４２と黒色粒子４３とをマイクロカプセル４０内に分散させる液体である。
【００３７】
白色粒子４２は、例えば、二酸化チタン、亜鉛華、三酸化アンチモン等の白色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば負に帯電されている。
【００３８】
黒色粒子４３は、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック等の黒色顔料からなる粒子（高分子あるいはコロイド）であり、例えば正に帯電されている。
【００３９】
このため、白色粒子４２及び黒色粒子４３は、分散媒４１中で画素電極２１と共通電極２２との間の電位差によって発生する電場中を移動することができる。
【００４０】
これらの顔料には、必要に応じ、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンド等の粒子からなる荷電制御剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤等を添加することができる。
【００４１】
白色粒子４２及び黒色粒子４３は溶媒中のイオンによって覆われており、これらの粒子の表面にはイオン層４４が形成されている。帯電している白色粒子４２及び黒色粒子４３とイオン層４４との間には、電気二重層が形成されている。一般的に、白色粒子４２や黒色粒子４３などの帯電粒子は、１０ｋＨｚ以上の周波数の電界を印加しても、電界にほとんど反応せず、ほとんど移動しないことが知られている。帯電粒子の周りのイオンは、帯電粒子に比べて粒子径がはるかに小さいので、電界の周波数が１０ｋＨｚ以上の電界を印加すると電界に応じて移動することが知られている。
【００４２】
図６はマイクロカプセル４０の動作を説明した図である。ここでは、イオン層４４が形成されない理想的な場合を例に挙げて説明する。画素電極２１と共通電極２２との間で相対的に共通電極２２の電圧が高くなるように電圧を印加すると、図６（ａ）に示すように、正に帯電された黒色粒子４３はクーロン力によってマイクロカプセル４０内で画素電極２１側に引き寄せられる。一方、負に帯電された白色粒子４２はクーロン力によってマイクロカプセル４０内で共通電極２２側に引き寄せられる。この結果、マイクロカプセル４０内の表示面側には白色粒子４２が集まることになり、表示面にはこの白色粒子４２の色（白色）が表示されることとなる。
【００４３】
逆に、画素電極２１と共通電極２２との間に相対的に画素電極２１の電位が高くなるように電圧を印加すると、図６（ｂ）に示すように、負に帯電された白色粒子４２がクーロン力によって画素電極２１側に引き寄せられる。逆に、正に帯電された黒色粒子４３はクーロン力によって共通電極２２側に引き寄せられる。この結果、マイクロカプセル４０の表示面側には黒色粒子４３が集まることになり、表示面にはこの黒色粒子４３の色（黒色）が表示されることとなる。
【００４４】
なお、白色粒子４２、黒色粒子４３に用いる顔料を、例えば赤色、緑色、青色等の顔料に代えることによって、赤色、緑色、青色等を表示する電気泳動表示装置１とすることができる。
【００４５】
［電気泳動表示装置の駆動方法］
次に、本実施形態に係る電気泳動表示装置１の駆動方法について、図面を用いて説明する。
【００４６】
図７は、本発明に係る電気泳動表示装置１のタイミングチャートを示す図である。本図では、電源オフ期間、画像信号入力期間、画像表示期間、及び電源オフ期間の順序で動作を行い、画像が表示される様子を示している。これらの動作を表１にまとめる。
【００４７】
【表１】
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【００４８】
まず、画像信号入力期間について説明する。図１の共通電源変調回路８は、第１の電源線１３におよそ５Ｖの電位を供給し、第２の電源線１４にローレベルであるおよそ０Ｖを供給することで、図２のＳＲＡＭ２５を駆動させる。
【００４９】
図１の走査線駆動回路６は、走査線Ｙ１に選択信号を供給する。この選択信号により、走査線Ｙ１に接続された画素２の駆動用ＴＦＴ２４が駆動され、走査線Ｙ１に接続された画素２のＳＲＡＭ２５は、データ線Ｘ１、Ｘ２、…、Ｘｎにそれぞれ接続される。
【００５０】
図１のデータ線駆動回路７は、データ線Ｘ１、Ｘ２、…、Ｘｎに画像信号を供給し、走査線Ｙ１に接続された画素２のＳＲＡＭ２５に画像信号を入力する。
【００５１】
画像信号が入力されると、走査線駆動回路６は、走査線Ｙ１への選択信号の供給を停止し、走査線Ｙ１に接続された画素２の選択状態を解除する。この動作を走査線Ｙｍに接続された画素２に対して行われるまで続け、すべての画素２のＳＲＡＭ２５に画像信号を入力する。
【００５２】
次に、画像表示期間について説明する。
【００５３】
共通電源変調回路８は、第１の電源線１３におよそ１５Ｖのハイレベルの電位を供給することで、画像表示期間に移行する。
【００５４】
ＳＲＡＭ２５がハイレベルで駆動されるようになると、５ＶでＳＲＡＭ２５に入力した画像信号は、ハイレベルで保持される。
【００５５】
共通電極２２には、共通電源変調回路８から共通電極電源配線１５を介して、ハイレベルの期間とローレベルの期間とを一定周期で繰り返すパルス状の信号が入力される。
【００５６】
ＳＲＡＭ２５に入力された画像信号がローレベルである画素２では、ＳＲＡＭ２５から画素電極２１にハイレベルが入力される。
【００５７】
そして、パルス状の信号が入力されている共通電極２２の電位がローレベルのときに、両電極２１、２２の間に大きな電位差が発生し、白色粒子４２は画素電極２１に引き寄せられ、黒色粒子４３は共通電極２２に引き寄せられるので、この画素２には黒色が表示される。
【００５８】
一方、画像信号として５Ｖの電位がＳＲＡＭ２５に入力された画素２では、ＳＲＡＭ２５から画素電極２１にローレベルが入力される。
【００５９】
そして、パルス状の信号が入力されている共通電極２２の電位がハイレベルのときに、両電極２１、２２の間に大きな電位差が発生し、黒色粒子４３は画素電極２１に引き寄せられ、白色粒子４２は共通電極２２に引き寄せられるので、この画素２には白色が表示される。
【００６０】
画像表示期間により画像が表示されると、共通電源変調回路８は、電源線１３、１４、及び共通電極電源配線１５を電気的に切断し、電源オフ期間となる。
【００６１】
［リーク電流の抑制］
図８は、図１の表示部３の隣り合う画素２の模式図である。
【００６２】
図示左側の画素２Ａは、駆動用ＴＦＴ２４ａ、ＳＲＡＭ２５ａ、及び画素電極２１ａを備えている。図示右側の画素２Ｂは駆動用ＴＦＴ２４ｂ、ＳＲＡＭ２５ｂ、及び画素電極２１ｂを備えている。画素電極２１ａ、２１ｂの間には、絶縁層３１が形成されている。
【００６３】
ＳＲＡＭ２５ａはＰ−ＭＯＳ２５ａｐ１、２５ａｐ２、Ｎ−ＭＯＳ２５ａｎ１、２５ａｎ２により構成されており、ＳＲＡＭ２５ｂはＰ−ＭＯＳ２５ｂｐ１、２５ｂｐ２、Ｎ−ＭＯＳ２５ｂｎ１、２５ｂｎ２により構成されている。
【００６４】
隣り合う画素電極２１には異なる電位が入力されている。例えば、画素電極２１ａにはハイレベルが入力され、画素電極２１ｂにはローレベルが入力されている。そのため、画素２Ａでは黒色が表示され、画素２Ｂでは白色が表示されている。
【００６５】
このとき、画素電極２１ａ、２１ｂの間には大きな電位差による電場が発生しているので、接着剤層３０を介してリーク電流を流そうとする。
【００６６】
従来の電気泳動表示装置では、図３の画素電極２１間に絶縁層３１が形成されておらず、リーク経路を遮断することができなかったので、画素電極２１間のリーク電流が発生していた。これに対して本発明では、画素電極２１の間の絶縁層３１によりリーク経路を遮断するので、リーク電流を抑えられるようになった。
【００６７】
絶縁層３１が画素電極２１上面の周縁部に形成されていることで、絶縁層３１の開口部に露出する画素電極２１の表面の間隔が大きくなってリーク経路が長くなるので、リーク電流を抑えることができる。絶縁層３１が画素電極２１間に充填されていることで、画素電極２１の側端面からのリーク経路を遮断するので、リーク電流を抑えることができる。絶縁層３１の上面が、画素電極２１の上面から電気泳動素子２３側に突出していることで、絶縁層３１の上側を回り込むリーク電流を遮断できるので、よりリーク電流を抑えることができる。
【００６８】
［変形例］
図９は、本発明を適用した電気泳動表示装置１０１の構成図である。共通電源変調回路１０８は第１の制御線１１１及び第２の制御線１１２を介して画素１０２に接続されていることが、本発明の実施形態に係る回路構成と異なる点である。
【００６９】
図１０は、画素１０２の回路構成図である。画素１０２は、ＳＲＡＭ２５と第１の電極２１との間にスイッチ回路１３５が設置されている。スイッチ回路１３５は、第１のトランスファゲート１３６、及び第２のトランスファゲート１３７を備えている。トランスファゲート１３６、１３７は、並列に接続されたＰ−ＭＯＳ及びＮ−ＭＯＳにより構成されている。
【００７０】
トランスファゲート１３６、１３７のゲート部は、ＳＲＡＭ２５が接続されている。第１のトランスファゲート１３６のソース側は第１の制御線１１１に接続されている。第２のトランスファゲート１３７のソース側は第２の制御線１１２に接続されている。トランスファゲート１３６、１３７のドレイン側は、画素電極２１に接続されている。
【００７１】
図９の電気泳動表示装置１０１では、ＳＲＡＭ１２５に入力された画像信号に基づいて、何れか１つのトランスファゲートが駆動される。駆動されたトランスファゲートと接続された制御線は、画素電極２１と接続されて、この制御線の電位が画素電極２１に入力される。これにより、画素１０２に画像が表示される。
【００７２】
図１０の回路構成を備えた電気泳動表示装置１０１においても、隣り合う画素１０２に異なる電位が入力されていると、電位差による電場が発生する。しかし、画素電極２１間に図３の絶縁層３１を備えることで、リーク電流を抑えることができる。
【００７３】
［第２の実施形態］
図１１は、本実施形態に係る電気泳動表示装置の部分断面図である。
【００７４】
本実施形態において、絶縁層３１は、画素電極２１間の領域を覆っている。画素電極２１間の領域の中央部において、絶縁層３１の上面は画素電極２１の上面から電気泳動素子２３側に突出している。十分にリーク電流を抑制できるならば、画素電極２１の上面より突出していなくてもよい。
【００７５】
図１２は、本実施形態において、絶縁層３１及び画素電極２１のみを示した表示部３の平面図である。絶縁層３１は、画素電極２１間の領域に沿って、平面視格子状に形成されている。
【００７６】
このような構造で絶縁層３１が形成されると、画素電極２１の側端面間のリーク電流の経路を遮断し、リーク電流を抑えることができる。絶縁層３１の上面が画素電極２１から電気泳動遮断２３側に突出していると、絶縁層３１の上側を回りこむリーク電流を遮断できるので、よりリーク電流を抑えることができる。さらに、絶縁層３１は、画素電極２１の上面に形成されていないので、画像表示に有効な画素電極２１の面積を向上させることができる。
【００７７】
［第３の実施形態］
図１３は、本実施形態に係る電気泳動表示装置の断面図である。
【００７８】
本実施形態において、絶縁層３１は、画素電極２１間の領域のほぼ中央付近で形成されており、画素電極２１とは離れている。絶縁層３１の上面は、画素電極２１の上面から電気泳動素子２３側に突出している。
【００７９】
図１４は、本実施形態において、絶縁層３１及び画素電極２１のみを示した表示部３の平面図である。絶縁層３１は、画素電極２１間の領域で、画素電極２１を囲って全体として平面視格子状に形成されている。
【００８０】
このように形成された絶縁層３１は、画素電極２１の表面ではなく、画素電極２１間の領域でリーク電流の経路を遮断するのでリーク電流を抑えることができる。画素電極２１と絶縁層３１との間の溝は、接着剤を塗布したときに接着剤の逃げとして機能する。そのため、接着剤層３１の表面が平坦化しやすい。また、絶縁層３１は、画素電極２１の上面に形成されていないので、画像表示に有効な画素電極２１の面積を向上させることができる。
【００８１】
［第４の実施形態］
図１５は、本実施形態に係る電気泳動表示装置の断面図である。
【００８２】
本実施形態において、絶縁層３１は、画素電極２１の側端面に接して形成されている。絶縁層３１の上面は、画素電極２１の上面から電気泳動素子２３側に突出している。
【００８３】
図１６は、本実施形態において、絶縁層３１及び画素電極２１のみを示した表示部３の平面図である。形成された絶縁層３１は、画素電極２１の周囲を囲んだ形状になっている。
【００８４】
このように形成された絶縁層３１は、画素電極２１の側端面からのリーク電流の経路を遮断するので、リーク電流を抑えることができる。さらに、絶縁層３１が画素電極２１の上面から電気泳動素子２３側に突出しているので、絶縁層３１の上側を回りこむリーク電流を遮断できるので、よりリーク電流を抑えることができる。また、絶縁層３１は、画素電極２１の上面に形成されていないので、画像表示に有効な画素電極２１の面積を向上させることができる。
【００８５】
絶縁層３１は、画素電極２１の上面の周縁部に形成されていてもよい。これにより、絶縁層３１の開口部に露出する画素電極２１の表面の間隔が大きくなってリークの経路が長くなり、よりリーク電流を遮断することができる。
【００８６】
［電子機器］
図１７は本発明に係る電気泳動表示装置１を備えた電子機器の一例である。上述した電気泳動表示装置１は、様々な電子機器に適用され、以下で上述の電気泳動表示装置１を備えた電子機器の例について説明する。まず、電気泳動表示装置１をフレキシブルな電子ペーパに適用した例について説明する。図１７はこの電子ペーパの構成を示す斜視図であり、電子ペーパ１０００は本発明の電気泳動表示装置１を表示部として備える。電子ペーパ１０００は、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有するシートからなる本体１００１の表面に本発明の電気泳動表示装置１を備えた構成となっている。
【００８７】
図１８は、電子ノート１１００の構成を示す斜視図であり、電子ノート１１００は、図１７で示した電子ペーパ１０００が複数枚束ねられ、カバー１１０１に挟まれているものである。カバー１１０１は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力する表示データ入力手段（図示は省略）を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパ１０００が束ねられた状態のまま、表示内容を変更したり更新したりできる。
【００８８】
また、上述した例に加えて、他の例として、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明に係る電気泳動表示装置１は、こうした電子機器の表示部としても適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】電気泳動表示装置１の構成図
【図２】画素２の回路構成を示す図
【図３】表示部３の部分断面図
【図４】画素電極２１及び絶縁層３１の平面図
【図５】マイクロカプセル４０の構成図
【図６】マイクロカプセル４０の動作を説明した図
【図７】タイミングチャートを示す図
【図８】隣り合う画素２の模式図
【図９】電気泳動表示装置１０１の構成図
【図１０】画素１０２の回路構成を示す図
【図１１】第２の実施形態に係る表示部３の部分断面図
【図１２】第２の実施形態に係る画素電極２１及び絶縁層３１の平面図
【図１３】第３の実施形態に係る表示部３の部分断面図
【図１４】第３の実施形態に係る画素電極２１及び絶縁層３１の平面図
【図１５】第４の実施形態に係る表示部３の部分断面図
【図１６】第４の実施形態に係る画素電極２１及び絶縁層３１の平面図
【図１７】本発明に係る電気泳動表示装置１を備えた電子機器の一例を示す図
【図１８】本発明に係る電気泳動表示装置１を備えた電子機器の一例を示す図
【符号の説明】
【００９０】
２…画素、３…表示部、４…走査線、５…データ線、１１…第１の制御線、１２…第２の制御線、１３…第１の電源線、１４…第１の電源線、１５…共通電極電源配線、１６…第１のトランスファゲート、１７…第２のトランスファゲート、２１…画素電極、２２…共通電極、２３…電気泳動素子、２４…駆動用ＴＦＴ、２５…ＳＲＡＭ、３０…接着剤層、３１…絶縁層、４０…マイクロカプセル、４１…分散媒、４２…白色粒子、４３…黒色粒子、１１１…第１の制御線、１１２…第２の制御線、１３５…スイッチ回路、１３６…第１のトランスファゲート、１３７…第２のトランスファゲート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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