(57)【要約】【課題】  スパッタリング法により酸化亜鉛薄膜を成膜する際、真空処置室内の状態の変化に左右されず、容易に結晶子サイズを制御することのできる酸化亜鉛薄膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。【解決手段】  酸素及び不活性ガスからなるスパッタリングガスを用いたスパッタリング法により、基板上に酸化亜鉛薄膜を成膜する酸化亜鉛薄膜の成膜方法であって、酸素原子の発光強度と不活性ガスの発光強度の発光強度比、及び成膜時の圧力を制御することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の成膜方法である。【選択図】  図１
2008121034.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素及び不活性ガスからなるスパッタリングガスを用いたスパッタリング法により、基板上に酸化亜鉛薄膜を成膜する酸化亜鉛薄膜の成膜方法であって、
酸素原子の発光強度と不活性ガスの発光強度の発光強度比、及び成膜時の圧力を制御することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の成膜方法。
【請求項２】
前記発光強度比を、酸素及び不活性ガスのうち少なくとも一方の導入量を調整することで制御することを特徴とする請求項１記載の酸化亜鉛薄膜の成膜方法。
【請求項３】
前記発光強度比、及び前記成膜時の圧力を一定の値に制御することを特徴とする請求項１又は２記載の酸化亜鉛薄膜の成膜方法。
【請求項４】
前記不活性ガスがアルゴンであることを特徴とする請求項１乃至３いずれか記載の酸化亜鉛薄膜の成膜方法。
【請求項５】
スパッタリングガスとして酸素及び不活性ガスからなるガスを用いたスパッタリング法により、真空処置室内で酸化亜鉛薄膜を成膜するための成膜装置であって、
酸素原子の発光強度と不活性ガスの発光強度を測定するための発光強度測定手段と、
該発光強度測定手段により測定された発光強度から酸素原子の発光強度と不活性ガスの発光強度の発光強度比を演算し、該発光強度比を制御するための発光強度比制御手段と、
前記真空処置室内の圧力を制御するための圧力制御手段とを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
前記発光強度比制御手段が、前記真空処置室への酸素及び不活性ガスの導入量のうち少なくとも一方を調整することで、前記発光強度比を制御することを特徴とする請求項５記載の成膜装置。
【請求項７】
前記発光強度比制御手段が前記発光強度比を一定の値に制御し、前記圧力制御手段が前記圧力を一定の値に制御することを特徴とする請求項５又は６記載の成膜装置。
【請求項８】
前記不活性ガスがアルゴンであることを特徴とする請求項５乃至７いずれか記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はスパッタリング法を用いた酸化亜鉛薄膜の成膜方法及び成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
酸化亜鉛等の酸化物が優れた半導体（活性層）の性質を示すことは古くから知られており、近年薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略すこともある）、発光デバイス、透明導電膜等の電子デバイス応用を目指し、これらの化合物を用いた半導体薄膜層の研究開発が活発化している。
例えば、酸化亜鉛薄膜を半導体薄膜層として用いたＴＦＴは、従来液晶ディスプレイに主に用いられているアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を半導体薄膜層として用いたアモルファスシリコンＴＦＴに比較して電子移動度が大きく、優れたＴＦＴ特性を有し、また、室温付近の低温でも多結晶薄膜が得られるため高い移動度が期待できる等の利点もあり、積極的な開発が進められている。
【０００３】
加えて、酸化亜鉛薄膜は優れたワイドバンドギャップ材料でもあり、可視光に対する高い透過性を有するため、ＧａやＡｌドーピングにより導電率を制御し、透明導電膜へ応用することも研究されている。
【０００４】
ここで、酸化亜鉛薄膜の成膜方法としては、パルスレーザー蒸着（ＰＬＤ）法や化学気相成長（ＣＶＤ）法、スパッタリング法等の各種方法が挙げられる。中でもスパッタリング法は、酸化亜鉛薄膜を大面積に成膜することができ、大型ディスプレイ等への応用にも適した方法であるため、広く利用されている。
スパッタリング法とは、真空処置室中にスパッタリングガスを導入しながら基板とターゲット（酸化亜鉛）間に高電圧を印加し、イオン化したスパッタリングガスをターゲットに衝突させて、はじき飛ばされたターゲット物質を基板に成膜させる方法である（例えば、下記特許文献１参照）。
この時、スパッタリング法に用いるスパッタリングガスとしては、酸素（Ｏ２）とアルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスの混合ガスを挙げることができる。
【０００５】
一方、スパッタリング法により成膜された酸化亜鉛薄膜は微小な結晶単位である結晶子が集まった多結晶薄膜となる。当該結晶子のサイズはＸ線回折等の評価手法を用いることで測定することができる。
ここで、結晶子サイズは、酸化亜鉛薄膜の抵抗や透過性等の膜性能に影響を与える。例えば、酸化亜鉛薄膜をＴＦＴへ応用する場合、酸化亜鉛薄膜の電気的特性は結晶子サイズに大きく依存する。そのため、結晶子サイズを制御することが重要となる。
【０００６】
従来は、スパッタリングガスの導入量や成膜圧力等の条件を制御することで結晶子サイズを制御していた。
しかしながら、スパッタリング法により酸化亜鉛薄膜を成膜する場合、成膜装置の真空処置室内部の残留ガスの量やターゲットの使用状態等、真空処置室内の状態が変化することにより、成膜される酸化亜鉛薄膜の結晶子サイズも変化するといった問題が生じる。
そのため、結晶子サイズを制御するためには、真空処置室内の状態が変化するごとに、導入量等の条件も新たに設定する必要があった。
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−３０１７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、スパッタリング法により酸化亜鉛薄膜を成膜する際、真空処置室内の状態の変化に左右されず、容易に結晶子サイズを制御することのできる酸化亜鉛薄膜の成膜方法及び成膜装置を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係る発明は、酸素及び不活性ガスからなるスパッタリングガスを用いたスパッタリング法により、基板上に酸化亜鉛薄膜を成膜する酸化亜鉛薄膜の成膜方法であって、酸素原子の発光強度と不活性ガスの発光強度の発光強度比、及び成膜時の圧力を制御することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の成膜方法に関する。
【００１０】
請求項２に係る発明は、前記発光強度比を、酸素及び不活性ガスのうち少なくとも一方の導入量を調整することで制御することを特徴とする請求項１記載の酸化亜鉛薄膜の成膜方法に関する。
【００１１】
請求項３に係る発明は、前記発光強度比、及び前記成膜時の圧力を一定の値に制御することを特徴とする請求項１又は２記載の酸化亜鉛薄膜の成膜方法に関する。
【００１２】
請求項４に係る発明は、前記不活性ガスがアルゴンであることを特徴とする請求項１乃至３いずれか記載の酸化亜鉛薄膜の成膜方法に関する。
【００１３】
請求項５に係る発明は、スパッタリングガスとして酸素及び不活性ガスからなるガスを用いたスパッタリング法により、真空処置室内で酸化亜鉛薄膜を成膜するための成膜装置であって、酸素原子の発光強度と不活性ガスの発光強度を測定するための発光強度測定手段と、該発光強度測定手段により測定された発光強度から酸素原子の発光強度と不活性ガスの発光強度の発光強度比を演算し、該発光強度比を制御するための発光強度比制御手段と、前記真空処置室内の圧力を制御するための圧力制御手段とを有することを特徴とする成膜装置に関する。
【００１４】
請求項６に係る発明は、前記発光強度比制御手段が、前記真空処置室への酸素及び不活性ガスの導入量のうち少なくとも一方を調整することで、前記発光強度比を制御することを特徴とする請求項５記載の成膜装置に関する。
【００１５】
請求項７に係る発明は、前記発光強度比制御手段が前記発光強度比を一定の値に制御し、前記圧力制御手段が前記圧力を一定の値に制御することを特徴とする請求項５又は６記載の成膜装置に関する。
【００１６】
請求項８に係る発明は、前記不活性ガスがアルゴンであることを特徴とする請求項５乃至７いずれか記載の成膜装置に関する。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１に係る発明によれば、酸素原子の発光強度と不活性ガスの発光強度の発光強度比、及び成膜時の圧力を制御することにより、真空処置室内の状態の変化に左右されず、酸化亜鉛薄膜の結晶子サイズを制御することができる。
【００１８】
請求項２に係る発明によれば、発光強度比を、酸素及び不活性ガスの導入量のうち少なくとも一方を変化させることで制御することにより、発光強度比の調整を速やかに行うことができる。
【００１９】
請求項３に係る発明によれば、発光強度比、及び成膜時の圧力を一定の値に制御することにより、酸化亜鉛薄膜全体の結晶子サイズを均一に維持することができる。それにより、膜質を一定とすることができる。
【００２０】
請求項４に係る発明によれば、不活性ガスがアルゴンであることにより、不活性ガスを容易に入手することができる。
【００２１】
請求項５に係る発明によれば、酸素原子の発光強度と不活性ガスの発光強度を測定するための発光強度測定手段と、該発光強度測定手段により測定された発光強度から酸素原子の発光強度と不活性ガスの発光強度の発光強度比を演算し、該発光強度比を制御するための発光強度比制御手段と、前記真空処置室内の圧力を制御するための圧力制御手段とを有することにより、真空処置室内の状態の変化に左右されず、酸化亜鉛薄膜の結晶子サイズを制御することができる。
【００２２】
請求項６に係る発明によれば、発光強度比制御手段が、真空処置室への酸素及び不活性ガスの導入量のうち少なくとも一方を調整することにより、発光強度比を速やかに制御することができる。
【００２３】
請求項７に係る発明によれば、発光強度比制御手段が発光強度比を一定の値に制御し、圧力制御手段が圧力を一定の値に制御することにより、酸化亜鉛全体の結晶子サイズを均一に維持し、膜質を一定とすることができる。
【００２４】
請求項８に係る発明によれば、不活性ガスがアルゴンであることにより、不活性ガスを容易に入手することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施例について説明する。但し、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００２６】
まず、本発明に係る酸化亜鉛薄膜の成膜方法について説明する。なお、明細書中における酸素ガスや不活性ガスの導入量とは真空処置室に導入する量を示し、流量とは実際の真空処置室内における流量を示す。真空処置室内の流量は、残留ガスの量等、真空処置室内部の状態に影響を受け、導入量とは必ずしも一致しないものである。
【００２７】
本発明に係る酸化亜鉛薄膜の成膜方法は、スパッタリング法により、基板上に酸化亜鉛薄膜を成膜する方法である。また、スパッタリングガスとしては、酸素と不活性ガスからなるガスが用いられる。
【００２８】
不活性ガスとしてはアルゴン（Ａｒ）が好ましい。アルゴンは世の中に多く存在し、安価であり、入手が容易であるため、酸化亜鉛薄膜を成膜する際に好ましいからである。
なお、本発明では、不活性ガスとして、アルゴンに代えて、クリプトン（Ｋｒ）、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）等の希ガスを用いてもよい。
【００２９】
さらに、本発明では成膜時に酸素原子の発光強度と不活性ガスの発行強度を測定し、酸素原子と不活性ガスの発光強度の発光強度比を制御しながら成膜する。また、同時に成膜時の圧力（成膜圧力）も制御しながら成膜する。
【００３０】
スパッタリング法による酸化亜鉛薄膜の成膜において、酸化亜鉛薄膜の結晶子サイズは、スパッタリングガスの流量比及び成膜圧力により影響を受ける。ここで、本願発明者らは、酸素原子と不活性ガスの発光強度比が当該流量と比例し、加えて、当該発光強度比と成膜圧力を制御することにより、結晶子サイズを制御することが可能であることを見出した（下記試験例参照）。
スパッタリング法により酸化亜鉛薄膜を成膜する際、真空処置室内の残留ガスの量やターゲットの使用状態等の真空処置室内の状態の変化により、同一条件（例えば導入量や成膜圧力）で成膜を行っても酸化亜鉛薄膜の膜質は一定にならないが、発光強度比及び成膜圧力を制御することにより、真空処置室内の流量を制御することができ、結晶子サイズも制御することができる。
特に、成膜装置を長期間利用している場合等、真空処置室内部の状態が変化するが、そのような場合でも、発光強度比と成膜圧力を制御することで、真空処置室内の状態の変化に左右されず、結晶子サイズを制御することができる。
なお、結晶子サイズを均一に維持したい場合は、発光強度比及び成膜圧力を一定に維持して成膜すればよい。
また、発光強度比は容易に測定することができるため、酸化亜鉛薄膜の結晶子サイズの制御も容易に行うことができる。
【００３１】
発光強度比を制御する方法としては、酸素及び不活性ガスの導入量のうち少なくとも一方を調整する方法を挙げることができる。発光強度比は、酸素と不活性ガスの流量比に比例するため、酸素及び不活性ガスの導入量を変化させることにより、即座に処置室内の流量比を変化させることができ、発光強度比の調節を速やかに行うことができる。
具体的には、酸素の導入量を増やす（減らす）ことで、酸素の発光強度の比率を大きく（小さく）することができ、不活性ガスの流量を増やす（減らす）ことで、不活性ガスの発光強度の比率を大きく（小さく）することができる。
なお、発光強度比の制御の方法として、酸素や不活性ガスの導入量を調整する方法の代わりに、ターゲットに投入する高周波電力を調整する方法も挙げることができる。
【００３２】
また、酸素原子の発光強度を測定するための波長としては、７７７ｎｍの波長（酸素ラジカル（Ｏ＊）の波長）が好ましい。また、不活性ガスとしてアルゴンを用いる場合、アルゴンの発光強度を測定するための波長としては、４２５ｎｍの波長を用いることが好ましい。これらの波長は、酸素原子及びアルゴンにおいて、強い発光強度を示すため、夫々の発光強度を測定しやすく好ましい。但し、測定される酸素原子及びアルゴンの波長は、これらに限られるわけでなく、酸素原子やアルゴンが有する波長であれば、他の値でもよい。他の値の波長を測定したとしても、発光強度は同様の挙動を示すため、酸素原子とアルゴンの発光強度比は同様の傾向を示す。
【００３３】
一方、成膜圧力の制御は、ガス流量と真空排気速度の調整により制御することができる。
【００３４】
また、スパッタリング法としてはマグネトロンスパッタリング法が好ましい。マグネトロンスパッタリング法を用いることで、熱的安定性に優れた酸化物半導体薄膜層を大面積に成膜することができ、さらに、成膜速度も向上させることができるからである。
【００３５】
次いで、本発明の酸化亜鉛薄膜成膜装置の実施例について説明する。
図１は本発明に係る酸化亜鉛薄膜成膜装置１００の概略構成図を示している。
【００３６】
酸化亜鉛薄膜成膜装置１００は、スパッタリング法により酸化亜鉛薄膜を成膜するための装置であり、真空処置室１６内に、カソード１３ａ上に配置されたターゲット１３（本実施例では、例えば、酸化亜鉛焼結体等）、基板支持台１４を有している。また、スパッタリングガスとしては、酸素と不活性ガスの混合ガスが用いられる。
【００３７】
真空処置室１６は、真空引きされ、スパッタリングガスが導入される。
真空処置室１６の真空引きは、圧力調整バルブ１９の開度を調整することにより、ロータリーポンプ１７及びターボ分子ポンプ１８の排気速度を制御することで行われる。
スパッタリングガスの導入は、酸素を導入するための酸素導入部１１Ａ、不活性ガスを導入するための不活性ガス導入部１１Ｂにより行われる。また、酸素導入部１１Ａ及び不活性ガス導入部１１Ｂには、夫々マスフローコントローラー１１ａ，１１ｂが設けられており、酸素及び不活性ガスの導入量が調整される。
【００３８】
そして、スパッタリングガスを真空処置室１６内に導入しつつ、ターゲット１３にマッチングボックス１２ａを介して電源１２により高電力を印加し、スパッタリングガスをイオン化する。そして、イオン化されたスパッタリングガスをターゲット１３に衝突させることにより、はじき飛ばされたターゲット物質（本実施例における酸化亜鉛）が、基板支持台１４上の基板１０に成膜される。なお、基板支持台１４には、基板１０を所望の温度にするためのヒーターが内蔵されていている。
【００３９】
また、スパッタリングガス中の不活性ガスとしては、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ)等の希ガスを挙げることができる。
【００４０】
酸化亜鉛薄膜成膜装置１００には、さらに圧力制御手段２１及び発光強度測定手段２２、発光強度比制御手段２３が設けられている。
【００４１】
圧力制御手段２１は真空処置室１６内の圧力（成膜圧力）を測定し、制御するためのものである。
圧力制御手段２１は、例えば、真空計２１ａ及び制御部２１ｂよりなる。そして、真空計２１ａにより真空処置室１６内の成膜圧力を測定する。制御部２１ｂは、真空計２１ａにより測定された成膜圧力に応じて処置室に設置された圧力調整バルブ１９の開度を制御する。これにより、ロータリーポンプ１７及びターボ分子ポンプ１８の排気速度を制御し、真空処置室内部の真空度を設定値に維持する。
【００４２】
発光強度測定手段２２は真空処置室１６内における不活性ガスの発光強度と、酸素分子の発光強度を測定するためのものである。
具体的には、真空処置室１６から光ファイバーケーブル２２ａにより発光プラズマを分光器２２ｂに導入する。そして、分光器２２ｂにより発光プラズマを波長分解し、酸素分子の発光強度と不活性ガスの発光強度を測定する。また、分光器２２ｂに各波長の発光強度をモニターするフォトディテクターを設けることもできる。
測定する不活性ガスの波長としては、不活性ガスとしてアルゴンを用いる場合４２５ｎｍの波長を測定し、酸素原子の波長としては７７７ｎｍの波長を測定することが好ましい。これらの波長は、強い発光強度を示すため、発光強度を測定しやすいからである。
【００４３】
発光強度比制御手段２３は、分光器２２ｂにより得られた酸素分子と不活性ガスの発光強度から発光強度比を演算し、所望の値に制御するためのものである。具体的には、発光強度比の変動に応じて、酸素又は不活性ガスの流量を調整する。より詳しく説明すると、酸素の導入量を増やす（減らす）ことで、酸素の発光強度の比率を大きく（小さく）することができ、不活性ガスの導入量を増やす（減らす）ことで、不活性ガスの発光強度の比率を大きく（小さく）することができる。また、酸素又は不活性ガスの導入量の調整は、マスフローコントローラー１１ａ，１１ｂにより行う。
なお、発光強度比の制御の方法としては、酸素や不活性ガスの導入量を調整する方法の他に、ターゲットに投入する高周波電力を調整する方法も挙げることができる。
【００４４】
上記したように、酸化亜鉛薄膜成膜装置１００は、圧力制御手段２１により真空処置室１６内の成膜圧力を制御し、発光強度測定手段２２、発光強度比制御手段２３により発光強度比を制御することができる。
酸化亜鉛薄膜の結晶子サイズは発光強度比及び成膜圧力により決定されるが、酸化亜鉛薄膜成膜装置１００は、その成膜圧力及び発光強度比を制御することができるため、真空処置室内の状態の変化に左右されず、結晶子サイズを制御することができる。
【００４５】
ここで、結晶子サイズを均一に維持したい場合は、発光強度比及び成膜圧力を一定に維持すればよい。これにより、全体の結晶子サイズが均一である酸化亜鉛薄膜を得ることができる。
【００４６】
（試験例）
以下、本発明に係る酸化亜鉛薄膜の成膜方法を評価するための試験例を示すことにより、本発明の効果をより明確なものとする。
【００４７】
本試験例では、ガラス基板上に高周波マグネトロンスパッタリング法（周波数：１３．５６ＭＨｚ）により、スパッタリングガスとしてアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ２）を用いて真性酸化亜鉛からなる薄膜（以下、単に酸化亜鉛薄膜と称す）を成膜した。そして、成膜圧力及び、アルゴンと酸素の混合ガスのＡｒ／Ｏ２ガス流量比を変化させた。
具体的には、成膜圧力については、０．５Ｐａ，１．０Ｐａで行い、Ａｒ／Ｏ２流量比については、Ａｒ流量を１０ｓｃｃｍで固定し、Ｏ２流量を５〜３０ｓｃｃｍで変化させて行った。
また、その他の成膜条件としては、ターゲットとしてセラミック酸化亜鉛（５Ｎ）を用い、カソードと基板間の距離（図１中、１３ａと１０との間の距離）を８８ｎｍ、基板温度１５０℃、高周波電力のパワー密度２．３Ｗ／ｃｍ２とした。
【００４８】
図２は、夫々の成膜圧力において、Ａｒ／Ｏ２流量比を変化させたときの、酸化亜鉛薄膜の結晶子サイズを示した図であり、３１が０．５Ｐａ、３２が１．０Ｐａを示す。また、縦軸は結晶子サイズ（ｎｍ）、横軸は酸素流量（ｓｃｃｍ）を示す。
図２の３１、３２が示す如く、酸素流量比の増大に伴い、結晶子サイズは略直線的に減少していることが分かる。つまり、圧力が一定の場合、結晶子サイズは酸素流量に大きく依存することが分かる。
【００４９】
図３はＡｒ／Ｏ２流量比を変化させたときの発光強度測定の結果を示す図である。
なお、発光強度測定はカソードと基板間の略中央位置にて実施した。
図３中、４１がアルゴン（Ａｒ波長：４２５ｎｍ）に起因する発光強度を３倍に拡大したもの、４２が酸素原子（Ｏ＊波長：７７７ｎｍ）に起因する発光強度、４３が酸素分子イオン（Ｏ２＋波長：６０２ｎｍ）に起因する発光強度を３倍に拡大したものを示す。また、４４がアルゴンと酸素原子の発光強度比Ｒ（Ｏ＊／Ａｒ）を示す。また、縦軸が発光強度（ｃｐｓ）若しくは発光強度比を示し、横軸が酸素流量（ｓｃｃｍ）を示す。
【００５０】
図３に示す如く、酸素流量の増大に伴い、酸素原子の発光強度は非線形的に増大し、アルゴンの発光は非線形的に減少した。これに対し、Ｒ（Ｏ＊／Ａｒ）は酸素流量の増大に伴い、線形的に増大した。このように、Ｒ（Ｏ＊／Ａｒ）と酸素流量（換言すれば、Ａｒ／Ｏ２流量比）に比例関係があるため、Ｒ（Ｏ＊／Ａｒ）を制御することでＡｒ／Ｏ２流量比を制御することができる。つまり、Ｒ（Ｏ＊／Ａｒ）は、Ａｒ／Ｏ２流量比と比例関係にある結晶子サイズの制御手法として適切であるといえる。
【００５１】
また、図には記載していないが、本願発明者らは酸素とアルゴンの流量比を一定に保った状態で総流量を変化させても、結晶子サイズは変化しないことを確認している。ところが、総流量を変化させた場合は、酸素とアルゴンの個々の発光強度は総流量に依存して変化してしまう。これに対して、Ｒ（Ｏ＊／Ａｒ）は、総流量を変化させても一定となる。このことからも、結晶子サイズの制御手法として、酸素やアルゴンの個々の発光強度は適切でなく、Ｒ（Ｏ＊／Ａｒ）が適切であることがわかる。
【００５２】
図４は、結晶子サイズのＲ（Ｏ＊／Ａｒ）依存性を示した図であり、縦軸が結晶子サイズ（ｎｍ）、横軸が発光強度比Ｒ（Ｏ＊／Ａｒ）を示す。
図４に示す如く、結晶子サイズはＲ（Ｏ＊／Ａｒ）の増大とともに比例関係を有して変化している。これにより、成膜圧力が同一の場合、Ｒ（Ｏ＊／Ａｒ）を制御することで、結晶子サイズを制御できることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明に係る成膜方法及び成膜装置により得られた酸化亜鉛薄膜は、透明導電膜や、酸化亜鉛薄膜を半導体薄膜層に用いた半導体素子、例えば、薄膜トランジスタ、ガスセンサー等の各種センサー、表面デバイス、ダイオード、光電変換素子等に好適に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例に係る酸化亜鉛薄膜成膜装置の概略構成図を示す図である。
【図２】成膜圧力及びＡｒ／Ｏ２流量比を変化させたときの、酸化亜鉛薄膜の結晶子サイズを示す図である。
【図３】酸素流量を変化させたときの発光強度測定の結果を示す図である。
【図４】結晶子サイズのＲ（Ｏ＊／Ａｒ）依存性を示した図である。
【符号の説明】
【００５５】
１６          真空処置室
２１          圧力制御手段
２２          発光強度計測手段
２３          発光強度比制御手段
【図１】
2008121034.tif 000003
【図２】
2008121034.tif 000004
【図３】
2008121034.tif 000005
【図４】
2008121034.tif 000006