(57)【要約】【課題】品質を損なうことなく半導体デバイスを基板に搭載でき、且つ、製造効率の良好な表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】表示装置１０の製造方法は、半導体デバイス２１を位置決め治具４０の所定位置に剥離性粘着材３２によって仮固定するステップと、半導体デバイス２１を仮固定した位置決め治具４０と半導体デバイス搭載用基板５０とを、半導体デバイス２１が半導体デバイス搭載用基板５０の所定位置に対向するように位置合わせするステップと、位置合わせした位置決め治具４０及び半導体デバイス搭載用基板５０のいずれか一方を他方によって押圧することにより、半導体デバイス２１を半導体デバイス搭載用基板５０の所定位置に接着するステップと、半導体デバイス搭載用基板５０の所定位置に接着した半導体デバイス２１を、位置決め治具４０から取り外すステップと、を備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを半導体デバイス搭載用基板の所定位置に搭載する表示装置の製造方法であって、
上記半導体デバイスを位置決め治具の所定位置に剥離性粘着材によって仮固定するステップと、
上記半導体デバイスを仮固定した位置決め治具と上記半導体デバイス搭載用基板とを、該半導体デバイスが該半導体デバイス搭載用基板の所定位置に対向するように位置合わせするステップと、
上記位置合わせした上記位置決め治具及び上記半導体デバイス搭載用基板のいずれか一方を他方によって押圧することにより、上記半導体デバイスを該半導体デバイス搭載用基板の上記所定位置に接着するステップと、
上記半導体デバイス搭載用基板の所定位置に接着した上記半導体デバイスを、上記位置決め治具から取り外すステップと、
を備えた表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
上記半導体デバイスを該半導体デバイス搭載用基板の上記所定位置に接着するステップの前に、該半導体デバイス及び該半導体デバイス搭載用基板の接着予定面に、それぞれシャワー処理によるウェット洗浄を施すステップをさらに備えた表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
上記剥離性粘着材は、熱剥離性である表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
上記剥離性粘着材は、光剥離性である表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載された表示装置の製造方法において、
上記位置決め治具が透明基板で構成されている表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置等の電子機器の小型化、高機能化に伴って、電子機器を構成する半導体素子の多ピン化および各種半導体デバイスの小型化が進み、それらを搭載する基板の配線数と密度は飛躍的に増加している。このため、半導体デバイスを基板上に精度良く位置合わせして搭載することが必須となっている。
【０００３】
半導体デバイスを基板上に位置合わせして搭載する技術として、例えば、特許文献１には、チップの表面パターンとこれに対応して位置合わせ用治具に付設されたマーカとを位置合わせし、チップを治具の所定の位置に仮固定用粘着材により仮固定を行い、これを繰り返して複数のチップを治具上の各々の所定の位置に仮固定し、基板上のマーカと治具に付設されたマーカとを位置合わせし、治具に仮固定されたチップを溶融半田又は接着剤を介して基板上に治具共に押し付け、基板上の所定の位置にチップを接着し、所定の温度で治具を取外し、チップ形状の光デバイスを基板上に一括して転写搭載することが開示されている。そして、これによれば、複数のチップ形状の光デバイスのパターンを所定の位置関係に極めて精密に整列させつつ基板上に搭載する光モジュールの製造技術を提供することができる、と記載されている。
【０００４】
また、特許文献２には、半導体回路部材を位置決め部を有する位置決め用基板に載せ、半導体回路部材を位置決め用基板の表面を移動させて位置決め部に位置決めし、１以上の半導体回路部材を位置決め用基板に一時固定する工程と、一時固定した半導体回路部材を一括して接合基板に接合する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が開示されている。そして、これによれば、接合基板上に例えば非単結晶Ｓｉ半導体と単結晶Ｓｉ半導体とを混在させると共に、ＣＯＧ技術によるディスプレイパネル製造よりも高い生産性を有し、接合工程を±１μｍ以内の高精度で行い、接合した単結晶Ｓｉ基板から細い多数の配線に接続でき、高精度で高機能のディスプレイ半導体を効率的にかつ省スペースで製造し得る半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することができる、と記載されている。
【特許文献１】特開平11-145487号公報
【特許文献２】特開2006-032435号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に示した技術は、光デバイスチップを熱剥離テープで位置合わせ用基板に仮固定した後、デバイス搭載基板へ溶融半田を用いて貼り合わせ、その後、半田溶融点以下の温度をかけて位置合わせ用基板から光デバイスチップを取り外している。このため、貼り付ける際に仮固定した光デバイスチップに半田溶融点に近い温度がかかり、装置の品質に問題が生じる。また、これを防ごうとしても、処理工程上、貼り合わせの際に光デバイスチップを高温環境外に置いておくことは難しく、特に大型のＬＣＤ用ガラス基板等をデバイス搭載基板として用いるには非常に困難である。
【０００６】
また、上記特許文献１に示した技術は、溶融半田あるいは他の接着剤を介して光デバイスチップを位置合わせ用基板に搭載しているが、このような方法によると、光デバイスチップを位置合わせ用基板に搭載した後に、表示装置製造工程における６００℃前後の熱処理を含めたクリーンルーム内での成膜、パターニング、エッチング等の処理を施すと問題が生じる。すなわち、溶融半田あるいは他の接着剤がついたままの基板に上記各工程の処理を施すと、光デバイスチップの脱落や汚染が生じ、それによって装置の品質が劣化する可能性がある。
【０００７】
さらに、上記特許文献２に示した技術は、複数のチップを仮固定した後、パーティクル除去や有機物除去、あるいは表面の活性化のためにウェットエッチングを行っているが、仮固定を真空吸着で行うため、バキュームによりパーティクルを発生したり、ホースがあるため効率的にウェット処理ができない、という問題が生じる。また、有機溶剤や酸、アルカリ系の薬液処理を行うことにより、真空吸着の孔の目詰まりやデバイスチップの脱落が発生するという問題も生じる。
【０００８】
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、品質を損なうことなく半導体デバイスを基板に搭載でき、且つ、製造効率の良好な表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る表示装置の製造方法は、半導体デバイスを半導体デバイス搭載用基板の所定位置に搭載する表示装置の製造方法であって、半導体デバイスを位置決め治具の所定位置に剥離性粘着材によって仮固定するステップと、半導体デバイスを仮固定した位置決め治具と半導体デバイス搭載用基板とを、半導体デバイスが半導体デバイス搭載用基板の所定位置に対向するように位置合わせするステップと、位置合わせした位置決め治具及び半導体デバイス搭載用基板のいずれか一方を他方によって押圧することにより、半導体デバイスを半導体デバイス搭載用基板の所定位置に接着するステップと、半導体デバイス搭載用基板の所定位置に接着した半導体デバイスを、位置決め治具から取り外すステップと、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
このような構成によれば、半導体デバイスの転写を、粘着材を用いずにおこなうため、半田溶融温度のような高温処理を行う必要はない。従って、仮固定の粘着材剥離の可能性を抑制することができる。
【００１１】
また、はんだのような接着剤を用いずに半導体デバイスを転写しているため、表示装置製造工程における６００℃前後の熱処理を含めたクリーンルーム内での成膜、パターニング、エッチング等の処理を施しても、半導体デバイスの脱落や、はんだ等による汚染が生じず、装置の品質の劣化を抑制することができる。
【００１２】
さらに、仮固定を真空吸着で行うものと比べ、半導体デバイスの基板からの脱落、接着剤による汚染等が良好に抑制され、大型の基板等に対しても効率的に各処理が施せるため、表示装置の製造効率が良好となる。
【００１３】
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、半導体デバイスを半導体デバイス搭載用基板の所定位置に接着するステップの前に、半導体デバイス及び半導体デバイス搭載用基板の接着予定面に、それぞれシャワー処理によるウェット処理を施すステップをさらに備えてもよい。
【００１４】
このような構成によれば、半導体デバイス及び半導体デバイス搭載用基板の接着予定面に、それぞれシャワー処理によるウェット処理を施した後、半導体デバイスを半導体デバイス搭載用基板の所定位置に接着するため、ウェット処理の際に接着剤等が溶出して不純物の基板上への再固着を規制したり、真空吸着が外れて仮固定チップが剥がれるなどの装置の品質の劣化を抑制することができる。
【００１５】
さらに、本発明に係る表示装置の製造方法は、剥離性粘着材が、熱剥離性であってもよい。
【００１６】
このような構成によれば、剥離性粘着材が熱剥離性であるため、位置決め治具に仮固定された半導体デバイスを、剥離性粘着材を加熱することにより容易に位置決め治具から剥離させることができる。
【００１７】
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、剥離性粘着材が、光剥離性であってもよい。
【００１８】
このような構成によれば、剥離性粘着材が光剥離性であるため、位置決め治具に仮固定された半導体デバイスを、剥離性粘着材に剥離用の光を照射することにより容易に位置決め治具から剥離させることができる。
【００１９】
さらに、本発明に係る表示装置の製造方法は、位置決め治具が透明基板で構成されていてもよい。
【００２０】
このような構成によれば、位置決め治具が透明基板で構成されているため、剥離性粘着材が光剥離性である場合に、位置決め治具側から剥離用の光を照射しても透明基板を通過して剥離性粘着材に到達させることができる。従って、半導体デバイスを位置決め治具から剥離させる際の剥離用の光を装置の構成の影響を受けることなく照射することができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、本発明によれば、品質を損なうことなく半導体デバイスを基板に搭載でき、且つ、製造効率の良好な表示装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を、図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２３】
また、本実施形態では、表示装置として液晶表示装置を、半導体デバイスとして単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタを、半導体デバイス搭載用基板としてガラス基板を、それぞれ例に挙げて説明する。
【００２４】
（液晶表示装置の構成）
図１に、本発明の実施形態に係る製造方法により製造された液晶表示装置１０の断面図を示す。
【００２５】
液晶表示装置１０は、液晶表示パネル１１と、液晶表示パネル１１の裏面に配置されたバックライト１２とを備えている。
【００２６】
液晶表示パネル１１は、ガラス基板を有するＴＦＴ基板１３と、赤色絵素、緑色絵素及び青色絵素で構成されたカラーフィルタが形成され、ガラス基板を有するＣＦ基板１４と、を有している。ＴＦＴ基板１３とＣＦ基板１４との間には不図示の液晶層及びスペーサが形成されている。
【００２７】
ＴＦＴ基板１３は、ガラス基板上であって、その液晶層側（内側）に、画素領域がマトリクス状に形成され、画素領域に対応して、画素電極、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１及び多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ等が形成されている。ＴＦＴ基板１３は、さらに、基板端部にドライバＩＣ２０が設けられている。
【００２８】
ＣＦ基板１４は、ガラス基板上であって、その液晶層側（内側）に、いずれも不図示の赤色絵素、緑色絵素及び青色絵素と、これらの間に配置された遮光層および対向電極等の表示素子が形成されている。
【００２９】
また、ＴＦＴ基板１３及びＣＦ基板１４は、それぞれその外側表面に偏光板１８及び保護フィルム１９が形成されている。
【００３０】
バックライト１２は、液晶表示パネル１１のＴＦＴ基板１３側に配置されている。バックライト１２は、光源と、光源から出射された光を受けてその中を伝播させながら液晶表示パネル１１に向けて出射する導光板と、導光板の裏面から出射された光を導光板に向けて反射する反射板（いずれも不図示）とを有している。
【００３１】
（液晶表示装置の製造方法）
（単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ形成工程）
まず、単結晶Ｓｉウエハを準備し、ＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon)酸化素子分離処理によって素子分離を行う。
【００３２】
次に、ゲート酸化膜の熱酸化、ゲート電極の形成及びパターニング、ソース・ドレイン領域への不純物の注入、不純物活性化、層間絶縁膜の形成、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing:化学的機械研磨）による層間絶縁膜の平坦化、素子表面側からの水素イオン注入のプロセス等を経て、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１を形成する。
【００３３】
このようにして形成された単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１は、図２に示すように、単結晶Ｓｉ層２２と単結晶Ｓｉ層２２に不純物が注入されて形成された不純物層２３とで構成された単結晶Ｓｉ基板２４、単結晶Ｓｉ基板２４上にそれぞれこの順で形成されたゲート酸化膜２５、ゲート電極２６及び層間絶縁膜２７、ドレインメタル２８と層間絶縁膜２９、及び、ＬＯＣＯＳ領域７０で構成されており、ＣＭＯＳ構造などで必要な回路を構成している。その後、Ｓｉトランジスタの表面を保護してから所定の大きさにダイシング等でカットしておく。
【００３４】
（剥離テープ接着工程）
次に、剥離テープ３０を準備する。剥離テープ３０は、図３に示すように、テープ基材３１の一方の面に剥離性粘着材３２が、他方の面に通常の粘着材（非剥離性接着材）３４が設けられたいわゆる両面粘着テープからなり、その両表面には、未使用の剥離性粘着材３２及び通常の接着材３４を保護するためのセパレータ３３が着脱自在に貼り付けられている。
【００３５】
テープ基材３１は、例えば、ＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合体）と合成ゴムとの混合組成物で形成されている。
【００３６】
剥離性粘着材３２は、加熱により粘着力が弱まる熱剥離性粘着材、例えば、所定温度で膨張する熱膨張性微小球を含有する樹脂製粘着材、所定温度で軟化する熱可塑性粘着材、又は、所定温度で再溶融する熱硬化性粘着材等で構成されている。さらに、光の照射により粘着力が弱まる光剥離性粘着材を用いても良い。
【００３７】
続いて、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１の裏面と同サイズにカットした剥離テープ３０について、剥離性粘着材３２側のセパレータ３３を取り外し、複数の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１のそれぞれの裏面側に貼り付ける。
【００３８】
（単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ仮固定工程）
次に、位置決め治具４０を準備する。位置決め治具４０は、ガラス等で形成された透明基材で構成されている。位置決め治具４０には、最終的にＳｉチップを貼り付ける基板と鏡像関係になるように所定の位置を決め、メタル等でマーカーを作製しておく。
【００３９】
次いで、図４に示すように、複数の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１の裏面の剥離テープ３０の通常の粘着材３４側のセパレータ３３を取り外し、位置決め治具４０の所定位置に貼り付けて、仮固定する。
【００４０】
（多結晶ＳｉＴＦＴを有するガラス基板準備工程）
次に、図５に示す多結晶ＳｉＴＦＴを有するガラス基板５０（半導体デバイス搭載用基板）を、以下のように形成する。
【００４１】
まず、光透過性非晶質ガラス基板５１を準備する。
【００４２】
次に、光透過性非晶質ガラス基板５１上にプラズマ化学気相成長法によって下地絶縁膜５２、及び、非晶質Ｓｉ膜をそれぞれ形成する。非晶質Ｓｉ膜を固相成長あるいはレーザ結晶化等の手段で多結晶化し、多結晶Ｓｉ膜５３を形成した後、例えば画素領域のトランジスタ等を作製する。
【００４３】
次に、ガラス基板５０に、ゲート絶縁膜やゲート電極等を形成し、ソース・ドレイン部への不純物ドーピング等を行い、多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ６１をゲート電極まで形成し、図５に示す多結晶Ｓｉ素子５４を作製する。
【００４４】
（単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ接着工程）
次に、複数の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１及び多結晶ＳｉＴＦＴを有するガラス基板５０の、それぞれの接着予定面を清浄し、有機物除去及び親水性処理を施す。ウェット処理は、例えば、ＳＣ１液を用い、常温或いは高温(70〜80℃)のシャワー処理或いはディプ処理で行うのがよい。また、この前に、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１表面に設けたレジスト等の保護材やマスクを除去する。
【００４５】
次いで、図６に示すように、複数の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１を仮固定した位置決め治具４０と多結晶Ｓｉガラス基板５０とを、複数の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１のそれぞれが多結晶ＳｉＴＦＴを有するガラス基板５０の所定位置に対向するように位置合わせする。
【００４６】
次に、位置合わせした複数の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１及び多結晶ＳｉＴＦＴを有するガラス基板５０の表面同士を接触させ、複数の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１及び多結晶Ｓｉガラス基板５０のいずれか一方を他方によって押圧することにより、これらを接着する。このとき、複数の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１及びガラス基板５０の接着面で、自発的に接着が進行する。
【００４７】
（位置決め治具取り外し工程）
次に、所定温度での加熱工程又はＵＶ光等の光照射工程を経て剥離テープ３０の粘着性を弱めることにより、図７に示すように、位置決め治具４０を単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１から剥離させる。
【００４８】
（ＴＦＴ基板形成工程）
接合後、剥離処理を行い接合したＳｉチップの不要のＳｉ部分を除く。ＬＯＣＯＳ領域７０までＳｉチップの薄膜化を行う。
【００４９】
次いで、多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ６１及び複数の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１のそれぞれに、層間絶縁膜を成膜し、コンタクトホールを形成して、配線メタルを形成してＴＦＴ基板１３を形成する。
【００５０】
このようにして形成されたＴＦＴ基板１３は、図８に示すように、同一のガラス基板５０上に単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１と多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ６１とが混在された構成をしている。
【００５１】
単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１は、多結晶ＳｉＴＦＴを有するガラス基板５０の所定の位置に、層間絶縁膜２９を介して形成されたゲート電極２６、ゲート電極２６及び層間絶縁膜２７上に形成されたゲート酸化膜２５、ゲート酸化膜２５上の単結晶Ｓｉ層２２、不純物層２３、層間絶縁膜５５で構成されている。さらに、不純物層２３まで到達するようなコンタクトホール５７が形成されている。コンタクトホール５７には、ソース・ドレイン・ゲートメタル５８が設けられており、それぞれ配線コンタクト５９及びゲートコンタクト６０を構成している。
【００５２】
多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ６１は、ガラス基板５０の下地絶縁膜５２上に形成された多結晶Ｓｉ膜５３及び多結晶Ｓｉ膜５３に不純物を注入して形成された不純物層６２（レーザ結晶化等により多結晶化する。）、多結晶Ｓｉ膜５３及び不純物層６２上に形成されたゲート絶縁膜７１、ゲート絶縁膜７１上に形成されたゲート電極６３及び層間絶縁膜５６、ドレインメタルで構成されている。さらに、ゲート絶縁膜７１には、それらを貫通してソース・ドレイン６２まで到達するようなコンタクトホール６４がそれぞれ形成されている。コンタクトホール６４には、配線メタル５８が設けられており、それぞれ配線コンタクト５９を構成している。
【００５３】
（液晶表示パネル形成工程）
次に、ＴＦＴ基板１３を液晶層を介して別途作製したＣＦ基板１４と貼り合わせ、ドライバＩＣ２０やコントローラ等を設けることにより、液晶表示パネル１１を作製する。
【００５４】
次いで、液晶表示パネル１１にバックライト１２を設けて、液晶表示装置１０を作製する。
【００５５】
尚、表示装置として、本実施形態では、ＬＣＤ（liquid crystal display；液晶表示ディスプレイ）について示したが、ＰＤＰ（plasma display panel；プラズマディスプレイパネル）、ＰＡＬＣＤ（plasma addressed liquid crystal display；プラズマアドレス液晶ディスプレイ）、有機ＥＬ（organic electroluminescence ）、ＦＥＤ（field emission display；電界放出ディスプレイ）又はＳＥＤ（surface-conduction electron-emitter display；表面電界ディスプレイ）等の表示装置であってもよい。
【００５６】
（作用効果）
次に、作用効果について説明する。
【００５７】
本実施形態に係る液晶表示装置１０の製造方法は、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１を多結晶ＳｉＴＦＴ素子を有するガラス基板５０の所定位置に搭載する表示装置の製造方法であって、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１を位置決め治具４０の所定位置に剥離性粘着材３２によって仮固定するステップと、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１を仮固定した位置決め治具４０とガラス基板５０とを、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１がガラス基板５０の所定位置に対向するように位置合わせするステップと、位置合わせした位置決め治具４０及びガラス基板５０のいずれか一方を他方によって押圧することにより、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１をガラス基板５０の所定位置に接着するステップと、ガラス基板５０の所定位置に接着した単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１を、位置決め治具４０から取り外すステップと、を備えたことを特徴とする。
【００５８】
このような構成によれば、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１の転写を、はんだ等の接着剤を使わずに行うため、半田溶融温度のような高温処理を行う必要はない。従って、仮固定の粘着材剥離の可能性を抑制することができる。
【００５９】
また、はんだのような接着剤を用いずに半導体デバイスを転写しているため、表示装置製造工程における６００℃前後の熱処理を含めたクリーンルーム内での成膜、パターニング、エッチング等の処理を施しても、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１の脱落や、はんだ等の接着剤による汚染が生じず、装置の品質の劣化を抑制することができる。
【００６０】
さらに、仮固定を真空吸着で行うものと比べ、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１の基板からの脱落、接着剤による汚染等が良好に抑制され、大型の基板等に対しても効率的に各処理が施せるため、表示装置の製造効率が良好となる。
【００６１】
また、本実施形態に係る液晶表示装置１０の製造方法は、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１を多結晶ＳｉＴＦＴ素子を有するガラス基板５０の所定位置に転写するステップの前に、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１及びガラス基板５０の接着予定面に、それぞれシャワー処理によるウェット処理を施すステップをさらに備えたことを特徴とする。
【００６２】
このような構成によれば、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１及び多結晶ＳｉＴＦＴ素子を有するガラス基板５０の接着予定面に、それぞれシャワー処理によるウェット洗浄を施した後、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１を多結晶ＳｉＴＦＴ素子を有するガラス基板５０の所定位置に接着するため、ウェット処理の際に接着剤等が溶出して不純物の基板上への再固着を規制して、装置の品質の劣化を抑制することができる。
【００６３】
さらに、本実施形態に係る液晶表示装置１０の製造方法は、剥離性粘着材３２を用いたことを特徴とする。
【００６４】
このような構成によれば、剥離性粘着材３２が熱剥離性であるため、位置決め治具４０に仮固定された単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１を、剥離性粘着材３２を加熱することにより容易に位置決め治具４０から剥離させることができる。
【００６５】
また、本実施形態に係る液晶表示装置１０の製造方法は、剥離性粘着材３２が、光剥離性であることを特徴とする。
【００６６】
このような構成によれば、剥離性粘着材３２が光剥離性であるため、位置決め治具４０に仮固定された単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１を、剥離性粘着材３２に剥離用の光を照射することにより容易に位置決め治具４０から剥離させることができる。
【００６７】
さらに、本実施形態に係る液晶表示装置１０の製造方法は、位置決め治具４０が透明基板で構成されていることを特徴とする。
【００６８】
このような構成によれば、位置決め治具４０が透明基板で構成されているため、剥離性粘着材３２が光剥離性である場合に、位置決め治具４０側から剥離用の光を照射しても透明基板を通過して剥離性粘着材３２に到達させることができる。従って、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１を位置決め治具４０から剥離させる際の剥離用の光を装置の構成の影響を受けることなく照射することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
以上説明したように、本発明は、表示装置の製造方法について有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施形態に係る製造方法により製造された液晶表示装置１０の断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１の断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る剥離テープ３０の断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る位置決め治具４０上に仮固定された単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ２１の断面図である。
【図５】本発明の実施例に係る多結晶Ｓｉガラス基板５０の断面図である。
【図６】本発明の実施例に係る位置合わせをした状態の多結晶Ｓｉガラス基板５０及び位置決め治具４０の断面図である。
【図７】本発明の実施例に係る位置決め治具４０を剥離させた多結晶ＳｉＴＦＴ素子を有するガラス基板５０の断面図である。
【図８】本発明の実施例に係るＴＦＴ基板１３の断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０      液晶表示装置
１１      液晶表示パネル
１３      ＴＦＴ基板
１４      ＣＦ基板
２１      単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ
２４      単結晶Ｓｉ基板
２７      層間絶縁膜
３０      剥離テープ
３１      テープ基材
３２      剥離性粘着材
３３      セパレータ
４０      位置決め治具
５０      多結晶ＳｉＴＦＴを有するガラス基板
５１      非晶質ガラス基板
６１      多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ
【図１】
2008091612.tif 000003
【図２】
2008091612.tif 000004
【図３】
2008091612.tif 000005
【図４】
2008091612.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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