(57)【要約】【課題】接続電極をできるだけ狭幅で形成し、かつ、接続電極の厚みを増すことなく、該接続電極の断線を防止し得る画素電極を実現する。【解決手段】本発明の画素電極８は、２つのサブピクセル８ａ・８ｂからなり、各サブピクセル８ａ・８ｂよりも狭幅の接続部８ｃにより、それぞれのサブピクセル同士が電気的に接続されている。上記接続部８ｃ上に、該接続部８ｃに対して電気的に接続される補強用導電膜１３が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのサブピクセルからなり、各サブピクセルよりも狭幅の接続電極により、それぞれのサブピクセル同士が電気的に接続された画素電極であって、
少なくとも上記接続電極に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜が形成されていることを特徴とする画素電極。
【請求項２】
上記導電膜は、上記接続電極と異なる導電膜材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画素電極。
【請求項３】
上記サブピクセルが透過電極からなると共に、上記接続電極の形成材料が、上記サブピクセルの形成材料と同じであるとき、
上記導電膜は、ＡｌまたはＴｉ,Ｍｏ，Ｎｂ,Ｃｒ,Ｗ，Ｔａなどの高融点金属、またそれらの合金からなる金属膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の画素電極。
【請求項４】
液晶パネルを構成し、絶縁膜上に形成された画素電極がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス基板において、
上記画素電極は、少なくとも２つのサブピクセルからなり、各サブピクセルよりも狭幅の接続電極により、それぞれのサブピクセル同士が電気的に接続され、
少なくとも上記接続電極に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
上記サブピクセルが透過電極からなると共に、上記接続電極の形成材料が、上記サブピクセルの形成材料と同じであるとき、
上記導電膜は、ＡｌまたはＴｉ,Ｍｏ，Ｎｂ,Ｃｒ,Ｗ，Ｔａなどの高融点金属、またそれらの合金からなる金属膜であることを特徴とする請求項４に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項６】
液晶パネルを構成し、絶縁膜上に形成された画素電極がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
絶縁性基板上に、液晶パネルの表示に必要な電極及び配線を形成する工程と、
上記絶縁性基板上に形成された電極及び配線を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
上記絶縁膜上に、少なくとも２つのサブピクセルからなり、各サブピクセルよりも狭幅の接続電極により、それぞれのサブピクセル同士が電気的に接続された画素電極を形成する工程と、
少なくとも上記接続電極に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜を形成する工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項７】
液晶パネルを構成し、絶縁膜上に形成された画素電極がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
絶縁性基板上に、液晶パネルの表示に必要な電極及び配線を形成する工程と、
上記絶縁性基板上に形成された電極及び配線を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
上記絶縁膜上に、少なくとも２つのサブピクセルからなり、各サブピクセルよりも狭幅の接続電極により、それぞれのサブピクセル同士が電気的に接続された画素電極を形成する工程とを含み、
上記画素電極を形成する工程の前に、
少なくとも上記画素電極を構成する接続電極が形成される絶縁膜上の位置に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜を形成する工程を行うことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項８】
液晶パネルの各画素電極が少なくとも２つ以上のサブピクセルからなり、各サブピクセルが該サブピクセルよりも狭幅の接続電極によってそれぞれ電気的に接続されていると共に、電圧印加時に液晶分子が各サブピクセルの電極面に垂直な方向の配向中心軸を基準にして軸対象に倒れる垂直配向式の液晶表示装置において、
少なくとも上記接続電極に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
上記導電膜は、上記接続電極と異なる導電膜材料で形成されていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
上記サブピクセルが透過電極からなると共に、上記接続電極の形成材料が、上記サブピクセルの形成材料と同じであるとき、
上記導電膜は、ＡｌまたはＴｉ,Ｍｏ，Ｎｂ,Ｃｒ,Ｗ，Ｔａなどの高融点金属、またそれらの合金からなる金属膜であることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
上記導電膜は、サブピクセル上に反射電極として形成された金属膜であることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
上記導電膜は、サブピクセル下に反射電極として形成された金属膜であることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
請求項９〜１２の何れか１項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の画素電極構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置として、ＴＮ（Twisted Nematic)型の液晶表示装置が広く用いられている。このＴＮ型液晶表示装置の液晶層は、上下２枚の配向膜のラビング方向を変え、電圧無印加の状態において液晶分子がねじれた状態（ツイスト配向）にしている。ＴＮモードの液晶表示装置は、表示品位の視角依存性が大きい。
【０００３】
そこで、ＴＮモードの液晶表示装置では、負の誘電異方性を有する液晶材料と垂直配向膜とを用いた垂直配向（ＶＡ:Vertically Aligned）モード方式が提案されている。垂直配向モードは、電圧無印加状態において黒表示を行う。負の屈折率異方性を持つ位相差板などを用いて、電圧無印加状態の垂直配向した液晶層による複屈折をおおよそ補償することによって、きわめて広い視角方向で良好な黒表示を得ることができる。したがって、広い視角方向において高いコントラストを持つ表示が可能になる。
【０００４】
しかしながら、垂直配向モードでは、画素電極のサイズが大きくなれば、画素電極の中心部と周縁部とにおいて同じように配向制御を行うことが難しくなり、配向乱れが生じ、液晶表示装置における表示品位を低下させるという問題が生じている。
【０００５】
そこで、画素電極を、配向制御が適切に行えるサイズのサブピクセルに分割し、それぞれのサブピクセルを接続電極によって電気的に接続する技術が、例えば、特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００５−２５８１８３（２００５年９月２２日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、画素電極が複数のサブピクセルからなる液晶表示装置における、アクティブマトリクス基板は、図７及び図８に示すように、ガラス基板１０１０上に補助容量信号千１００２、ゲート絶縁膜１０１１、ドレイン電極１００５、保護膜１０１２、層間絶縁膜１００７が順次積層され、層間絶縁膜１００７上に画素電極１００８が形成されている。
【０００７】
上記画素電極１００８は、２つのサブピクセル１００８ａ，１００８ｂと、これらサブピクセル１００８ａ，１００８ｂ同士を接続電極１００８ｃによって電気的に接続されている。上記サブピクセル１００８ｂは、層間絶縁膜１００７に形成されたコンタクトホール１００９を介してＴＦＴ素子１００３のドレイン電極１００５と電気的に接続されている。
【０００８】
上記接続電極１００８ｃは、サブピクセル１００８ａ，１００８ｂに比べて狭幅に形成されている。これは、サブピクセル１００８ａ，１００８ｂの間に存在する接続電極１００８ｃ上では、該接続電極１００８ｃが大きければその部分で液晶の配向乱れが生じやすいためである。
【０００９】
従って、液晶の配向乱れを考慮した場合、上記接続電極１００８ｃは、サブピクセル１００８ａ，１００８ｂに比べてできるだけ狭幅に形成する必要がある。
【００１０】
しかしながら、図７に示すように、接続電極１００８ｃを狭幅にした場合、該接続電極１００８ｃが断線し易いという問題が生じる。このように、接続電極１００８ｃが断線した場合、サブピクセル１００８ａが電気的に作動しなくなり、表示欠陥となる。
【００１１】
そこで、接続電極１００８ｃの厚みを増すようにして断線を防止することが考えられるが、通常、接続電極１００８ｃはサブピクセル１００８ａ，１００８ｂと同一材料で一体的に形成される。このため、接続電極１００８ｃの厚みを増すということは、サブピクセル１００８ａ，１００８ｂの厚みも同時に増すことになる。この場合、画素電極１００８が透過電極であれば、厚みが増すことで、透過率が低下するという問題が生じる。
【００１２】
また、接続電極１００８ｃの形成材料を変更することで、断線防止を防止することが考えられるが、この場合もまた、接続電極１００８ｃはサブピクセル１００８ａ，１００８ｂと同一材料で一体的に形成されるため、サブピクセル１００８ａ，１００８ｂの形成材料も同時に変更されることになる。この場合、画素電極１００８が透過電極であれば、電極形成材料がＩＴＯ，ＩＺＯなどに限定されるので、電極形成材料を変更することで接続電極１００８ｃの断線を防止することは難しい。
【００１３】
本発明は、上記の各問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、接続電極をできるだけ狭幅で形成し、かつ、接続電極の厚みを増すことなく、該接続電極の断線を防止し得る画素電極及びアクティブマトリクス基板を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る画素電極は、上記課題を解決するために、少なくとも２つのサブピクセルからなり、各サブピクセルよりも狭幅の接続電極により、それぞれのサブピクセル同士が電気的に接続された画素電極であって、少なくとも上記接続電極に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜が形成されていることを特徴としている。
【００１５】
上記の構成によれば、少なくとも接続電極に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜が形成されていることで、少なくとも接続電極の厚みを増すことができる。これにより、接続電極の断線を抑制することが可能となる。
【００１６】
しかも、導電膜は、接続電極の電極材料とは異なり、断線し難い、耐環境性を有する膜種、膜厚を選択することが可能となるので、さらに、接続電極の断線の発生をさらに低減させることができる。
【００１７】
例えば、透過電極は、一般的にＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムすず酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）などで形成されているので、透過率の低下などを考慮しなかければならず、膜種、膜厚を自由に選択することができないが、接続電極は透過電極とは別の層として形成されるので、透過率低下などを考慮せずに、接続電極の膜種、膜厚を任意に選択することができる。
【００１８】
以上のことから、接続電極をできるだけ狭幅で形成し、かつ、接続電極の厚みを増すことなく、該接続電極の断線を防止し得る画素電極を実現することができる。
【００１９】
上記導電膜は、上記接続電極と異なる導電膜材料で形成されていることが好ましい。
【００２０】
さらに、上記サブピクセルが透過電極からなると共に、上記接続電極の形成材料が、上記サブピクセルの形成材料と同じであるとき、上記導電膜は、ＡｌまたはＴｉ,Ｍｏ，Ｎｂ,Ｃｒ,Ｗ，Ｔａなどの高融点金属、またそれらの合金からなる金属膜であることが好ましい。
【００２１】
本発明のアクティブマトリクス基板は、上記課題を解決するために、液晶パネルを構成し、絶縁膜上に形成された画素電極がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス基板において、上記画素電極は、少なくとも２つのサブピクセルからなり、各サブピクセルよりも狭幅の接続電極により、それぞれのサブピクセル同士が電気的に接続され、少なくとも上記接続電極に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜が形成されていることを特徴としている。
【００２２】
上記の構成によれば、少なくとも接続電極に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜が形成されていることで、少なくとも接続電極の厚みを増すことができる。これにより、接続電極の断線を抑制することが可能となる。
【００２３】
しかも、導電膜は、接続電極の電極材料とは異なり、断線し難い、耐環境性を有する膜種、膜厚を選択することが可能となるので、さらに、接続電極の断線の発生をさらに低減させることができる。
【００２４】
また、画素電極が形成される絶縁膜が有機絶縁膜である場合、この有機絶縁膜が画素電極形成時に膨潤あるいは収縮することによって、画素電極にストレスがかかり、特に、狭幅で形成されている接続電極にストレスがかかり断線し易い状態になるが、この接続電極に導電膜を形成することにより、接続電極にかかるストレスに対する耐性を持たせることが可能となる。
【００２５】
これにより、接続電極の断線の発生を低減させることで、画素電極を適切に駆動させることが可能となり、その結果、液晶パネルにおける表示品位を向上させることができるという効果を奏する。
【００２６】
以上のように、上記構成のアクティブマトリクス基板においては、接続電極にかかるストレスに対する耐性を持たせることができるので、該接続電極の断線の発生を低減させることができ、その結果、アクティブマトリクス基板の歩留まりの向上を図ることができる。
【００２７】
上記サブピクセルが透過電極からなると共に、上記接続電極の形成材料が、上記サブピクセルの形成材料と同じであるとき、上記導電膜は、配線材料として使用可能な金属膜であることが好ましい。
【００２８】
本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、上記の課題を解決するために、液晶パネルを構成し、絶縁膜上に形成された画素電極がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス基板の製造方法であって、絶縁性基板上に、液晶パネルの表示に必要な電極及び配線を形成する工程と、上記絶縁性基板上に形成された電極及び配線を覆うように絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜上に、少なくとも２つのサブピクセルからなり、各サブピクセルよりも狭幅の接続電極により、それぞれのサブピクセル同士が電気的に接続された画素電極を形成する工程と、少なくとも上記接続電極に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜を形成する工程とを含むことを特徴としている。
【００２９】
上記の構成によれば、画素電極を構成する接続電極に対して導電膜が形成されているので、アクティブマトリクス基板の製造工程において、接続電極にストレスがかかっても、導電膜によりストレスに対する耐性を持たせることができる。これにより、アクティブマトリクス基板の歩留まりを向上させることができる。
【００３０】
本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、上記の課題を解決するために、液晶パネルを構成し、絶縁膜上に形成された画素電極がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス基板の製造方法であって、絶縁性基板上に、液晶パネルの表示に必要な電極及び配線を形成する工程と、上記絶縁性基板上に形成された電極及び配線を覆うように絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜上に、少なくとも２つのサブピクセルからなり、各サブピクセルよりも狭幅の接続電極により、それぞれのサブピクセル同士が電気的に接続された画素電極を形成する工程とを含み、上記画素電極を形成する工程の前に、少なくとも上記画素電極を構成する接続電極が形成される絶縁膜上の位置に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜を形成する工程を行うことを特徴としている。
【００３１】
上記の構成によれば、画素電極を形成する工程の前に、少なくとも上記画素電極を構成する接続電極が形成される絶縁膜上の位置に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜を形成する工程を行うことで、接続電極は絶縁膜上に導電膜を介して形成されることになる。
【００３２】
これによっても、画素電極を構成する接続電極に対して導電膜が形成されているので、アクティブマトリクス基板の製造工程において、接続電極にストレスがかかっても、導電膜によりストレスに対する耐性を持たせることができる。これにより、アクティブマトリクス基板の歩留まりを向上させることができる。
【００３３】
本発明の液晶表示装置は、上記課題を解決するために、液晶パネルの各画素電極が少なくとも２つ以上のサブピクセルからなり、各サブピクセルが該サブピクセルよりも狭幅の接続電極によってそれぞれ電気的に接続されていると共に、電圧印加時に液晶分子が各サブピクセルの電極面に垂直な方向の配向中心軸を基準にして軸対象に倒れる垂直配向式の液晶表示装置において、少なくとも上記接続電極に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜が形成されていることを特徴としている。
【００３４】
上記の構成によれば、少なくとも接続電極に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜が形成されていることで、少なくとも接続電極の厚みを増すことができる。これにより、接続電極の断線を抑制することが可能となる。
【００３５】
しかも、導電膜は、接続電極の電極材料とは異なり、断線し難い、耐環境性を有する膜種、膜厚を選択することが可能となるので、さらに、接続電極の断線の発生をさらに低減させることができる。
【００３６】
また、画素電極が形成される絶縁膜が有機絶縁膜である場合、この有機絶縁膜が画素電極形成時に膨潤あるいは収縮することによって、画素電極にストレスがかかり、特に、狭幅で形成されている接続電極にストレスがかかり断線し易い状態になるが、この接続電極に導電膜を形成することにより、接続電極にかかるストレスに対する耐性を持たせることが可能となる。
【００３７】
これにより、接続電極の断線の発生を低減させることで、画素電極を適切に駆動させることが可能となり、その結果、液晶パネルにおける表示品位を向上させることができるという効果を奏する。
【００３８】
以上のように、上記構成の液晶表示装置においては、接続電極にかかるストレスに対する耐性を持たせることができるので、該接続電極の断線の発生を低減させることができ、その結果、液晶表示装置の歩留まりの向上を図ることができる。
【００３９】
さらに、液晶表示装置を使用する環境によって、接続電極に対してストレスがかかるような場合であっても、導電膜により接続電極にかかるストレスに対する耐性を持たせることができるので、装置の故障を低減できるという効果を奏する。
【００４０】
上記導電膜は、上記接続電極と異なる導電膜材料で形成されていることが好ましい。
【００４１】
さらに、上記サブピクセルが透過電極からなると共に、上記接続電極の形成材料が、上記サブピクセルの形成材料と同じであるとき、上記導電膜は、ＡｌまたはＴｉ,Ｍｏ，Ｎｂ,Ｃｒ,Ｗ，Ｔａなどの高融点金属、またそれらの合金からなる金属膜であることが好ましい。
【００４２】
上記導電膜は、サブピクセル上に反射電極として形成された金属膜であることが好ましい。
【００４３】
この場合、サブピクセル上に反射電極を形成する際に、該反射電極を接続電極にまで冗長させるようにすればよいので、導電膜を別途設ける必要がなくなり、その結果、既存の透過反射型液晶表示装置を製造するための工程で済む。
【００４４】
上記構成の液晶表示装置を、テレビジョン受像機、携帯端末などの各種の電子機器に備えるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００４５】
本発明に係る画素電極は、以上のように、少なくとも２つのサブピクセルからなり、各サブピクセルよりも狭幅の接続電極により、それぞれのサブピクセル同士が電気的に接続された画素電極であって、少なくとも上記接続電極に、該接続電極に対して電気的に接続される導電膜が形成されていることで、接続電極をできるだけ狭幅で形成し、かつ、接続電極の厚みを増すことなく、該接続電極の断線を防止することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
〔実施の形態１〕
本発明の一実施の形態について説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態では、本発明の画素電極及びアクティブマトリクス基板を透過型の液晶表示装置に適用した例について説明する。
【００４７】
図３は、本実施の形態に係る透過型の液晶表示装置の概略断面を示す図である。
【００４８】
上記液晶表示装置は、図３に示すように、１対の基板（アクティブマトリクス基板１００とカラーフィルタ基板２００）と、各基板の表面に設けられた偏光板Ａ，Ｂとを備えた構成となっている。上記偏光板ＡとＢは、偏光軸が直交した、いわゆるクロスニコルの関係に配置されている。
【００４９】
また、上記構成の液晶表示装置では、上記アクティブマトリクス基板１００とカラーフィルタ基板２００との間に液晶２６が封入されており、電気的に液晶２６の配向を変化させることによって、光源から偏光板Ｂに入射した偏光を約９０度回転させる状態と、偏光を回転させない状態と、その中間状態とを任意に変化させるようになっている。
【００５０】
上記液晶表示装置の表示方式は、ＶＡ（Vertical  Alignment）方式を採用した場合について説明する。なお、本発明は、垂直配向方式であれば、どのような方式においても十分な効果がある。また、液晶表示装置の駆動方式は、ＴＦＴ（Thin  Film  Transistor）によるアクティブマトリックス駆動を採用する。
【００５１】
上記カラーフィルタ基板２００は、透過基板１０上に、３原色（赤、緑、青）のカラーフィルタ２１およびブラックマトリクス（ＢＭ）２４などからなるカラーフィルタ層、対向電極２３、垂直配向膜２５、および配向制御用の突起２２が形成された構造となっている。
【００５２】
ここで、上記カラーフィルタ基板２００の製造方法について説明する。
【００５３】
まず、透過基板１０上に、スピンコートによりカーボンの微粒子を分散したネガ型のアクリル系感光性樹脂液を塗布した後、乾燥を行い、黒色感光性樹脂層を形成する。続いて、フォトマスクを介して黒色感光性樹脂層を露光した後、現像を行って、ブラックマトリクス（ＢＭ）２４を形成する。このとき第１着色層（例えば赤色層）、第２着色層（例えば緑色層）、および第３着色層（例えば青色層）が形成される領域に、それぞれ第１着色層用の開口部、第２着色層用の開口部、第３着色層用の開口部（それぞれの開口部は各画素電極に対応）が形成されるようにＢＭを形成する。
【００５４】
次に、スピンコートにより顔料を分散したネガ型のアクリル系感光性樹脂液を塗布した後、乾燥を行い、フォトマスクを用いて露光および現像を行い赤色層を形成する。
【００５５】
その後、第２色層用（例えば緑色層）、および第３色層用（例えば青色層）についても同様に形成し、カラーフィルタ２１が完成する。
【００５６】
さらに、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムすず酸化物）などの透過電極からなる対向電極２３をスパッタリングにより形成し、その後、スピンコートによりポジ型のフェノールノボラック系感光性樹脂液を塗布した後、乾燥を行い、フォトマスクを用いて露光および現像を行い垂直配向制御用の突起２２を形成する。
【００５７】
以上により、カラーフィルタ基板２００が形成される。
【００５８】
また、上記アクティブマトリクス基板１００は、透過基板１０上に、ＴＦＴ素子３、ソース信号線４などの配線類、ＴＦＴ素子３及び信号配線を覆う層間絶縁膜７、画素電極８、垂直配向膜２５が形成された構造となっている。
【００５９】
ここで、アクティブマトリクス基板１００について詳細に説明する。
【００６０】
図１は、本実施の形態にかかるアクティブマトリクス基板１００の平面図を示し、図２は、図１に示すＡ−Ａ’線矢視断面を示している。
【００６１】
上記画素電極８は、透過電極であり、図１に示すように、ゲート信号線１とソース信号線４とが直交する位置に設けられ、互いに電気的に接続された２つのサブピクセル８a・８ｂからなる。なお、本実施の形態では、画素電極８を構成するサブピクセルの数としては２個の場合について説明するが、これに限定されるものではない。
【００６２】
上記サブピクセル８ａとサブピクセル８ｂは、ＩＴＯからなり、互いに電気的に接続された構成となっている。なお、上記サブピクセル８ａとサブピクセル８ｂとを電気的に接続している接続電極としての接続部８ｃは、サブピクセル８ａ・８ｂと同じＩＴＯからなっている。従って、画素電極８を構成する、サブピクセル８ａ・８ｂ及び接続部８ｃは、ＩＴＯ材料を層間絶縁膜７上に塗布した後、パターニングすることで一体的に形成されるものとする。
【００６３】
上記サブピクセル８ｂは、図２に示すように、層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホール９を介してＴＦＴ素子３を構成するドレイン電極５に電気的に接続されている。これにより、サブピクセル８ａとサブピクセル８ｂとが同一のＴＦＴ素子３を介して電荷蓄積及び放電を行うことが可能となる。
【００６４】
上記接続部８ｃは、図２に示すように、透過基板１０上に形成された補助容量信号線２に対応する位置となるように形成されている。つまり、接続部８ｃは、表示に寄与しない位置に形成されている。
【００６５】
また、上記接続部８ｃは、サブピクセル８ａとサブピクセル８ｂの幅よりも狭幅に形成されている。つまり、接続部８ｃは、サブピクセル８ａとサブピクセル８ｂとが対向する辺に平行な方向の長さ（以下、幅と称する）Ｘが、各サブピクセルの幅Ｗよりも短くなるように形成されている。なお、上記接続部８ｃは、表示に寄与しない位置に形成されているものの、サブピクセル８ａとサブピクセル８ｂと同じ導電膜で形成されているので、液晶の配向制御に影響を与える恐れがある。このため、該接続部８ｃの幅Ｘは、各サブピクセルにおける配向制御に影響を与えないようにできるだけ細く形成されている。
【００６６】
上記接続部８ｃの幅Ｘは、できるだけ細いことが好ましいとされるが、細くしすぎると断線しやすくなる。
【００６７】
そこで、本実施の形態では、図１に示すように、接続部８ｃの上部に補強用導電膜（導電膜）１３を設けて断線対策を施している。上記補強用導電膜１３は、接続部８ｃ上で各サブピクセル方向に延設された形状をしている。この補強用導電膜１３は、長手方向の長さＹが、サブピクセル８ａとサブピクセル８ｂの間の距離以上であり、その両端がサブピクセルの透過率に影響を与えない程度に重なる位置までの長さになるように形成されている。
【００６８】
上記補強用導電膜１３は、図２に示すように、接続部８ｃと積層されているので、該接続部８ｃとの密着性がよい材料が好ましい。しかも、断線に対する応力が接続部８ｃよりも大きい材料が好ましい。このような導電材料としては、Ａｌなどの金属が好適である。
【００６９】
ここで、上記アクティブマトリクス基板１００の製造方法について説明する。
【００７０】
まず、透過基板１０上に、ゲート電極（図示せず）及びゲート信号線１、補助容量信号線２を形成する。例えば、スパッタリングによりＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ積層膜などの金属を成膜し、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成、塩素系ガスなどのエッチングガスを用いてドライエッチングし、レジストを剥離することにより、ゲート電極及びゲート信号線１、補助容量信号線２を同時に形成する。
【００７１】
次に、ゲート絶縁膜１１としての窒化シリコン膜、半導体層 、ソース電極及びドレイン電極５となるｎ＋-Ｓｉ層、ソース信号線４となる導電膜層を順次形成する。例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１１、アモルファスシリコン等からなる活性半導体層、リンなどをドープしたアモルファスシリコン等からなる低抵抗半導体層をＣＶＤにて成膜、その後、ソース信号線４、ドレイン電極５を形成するためにスパッタリングによりＡｌ／Ｔｉなどの金属を成膜し、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成、塩素系ガスなどのエッチングガスを用いてドライエッチングし、レジストを剥離する。これにより、ソース信号線４、ドレイン電極５が同時に形成される。
【００７２】
その後、ゲート絶縁膜１１及び保護膜１２を形成するために、感光性のアクリル樹脂/窒化シリコン膜を用い、ドレイン電極５と画素電極８（サブピクセル８ｂ）との電気的接続を得るためのコンタクトホール９を形成する。
【００７３】
画素電極８は、透過導電膜であるＩＴＯをスパッタリング法によって成膜し、これをパターニングすることで、２つのサブピクセル８ａ・８ｂ及び接続部８ｃが同時に得られることで形成される。
【００７４】
さらに、接続部８ｃ上に補強用導電膜１３を形成するために、金属膜をスパッタリング法により成膜し、画素電極８を構成する２つのサブピクセル８ａ・８ｂ間の接続部８ｃ上に残す形でパターニングを行う。
【００７５】
以上により、アクティブマトリクス基板１００を得る。
【００７６】
上記補強用導電膜１３は、接続部８ｃを構成する材料とは異なる材料で形成できるので、その膜種、膜厚を自由に選択することができる。また、膜種としては、金属を用いれば、接続部８ｃをより強固に補強できるので、断線の発生を低減させることができる。
【００７７】
また、上記補強用導電膜１３は、上記接続部８ｃと異なる導電膜材料で形成されていることが好ましく。
【００７８】
特に、上記のようにサブピクセル８ａ・８ｂが透過電極からなると共に、上記接続部８ｃの形成材料が、上記サブピクセル８ａ・８ｂの形成材料と同じであるとき、補強用導電膜１３として金属を用いる場合には、ＡｌまたはＴｉ,Ｍｏ，Ｎｂ,Ｃｒ,Ｗ，Ｔａなどの高融点金属、またそれらの合金からなる金属膜を用いるのが好ましい。
【００７９】
以上のように、本実施の形態にかかるアクティブマトリクス基板１００では、図２に示すように、層間絶縁膜７上に画素電極８が形成されている。この場合、層間絶縁膜７が有機絶縁膜であれば、製造工程中に、層間絶縁膜７が剥離剤などにより膨潤し、画素電極８の特に幅の狭い接続部８ｃが上に盛り上がり断線しやすくなるが、該接続部８ｃ上には補強用導電膜１３が形成されているので、逆に接続部８ｃを層間絶縁膜７側に押さえつけるようになる。これにより、製造工程中において、画素電極８の接続部８ｃの断線が抑制される。
【００８０】
つまり、画素電極８が形成される層間絶縁膜７が有機絶縁膜である場合、この有機絶縁膜が画素電極８の形成時に膨潤あるいは収縮することによって、画素電極８にストレスがかかり、特に、狭幅で形成されている接続電極である接続部８ｃにストレスがかかり断線し易い状態になるが、この接続部８ｃに補強用導電膜１３を形成することにより、接続部８ｃにかかるストレスに対する耐性を持たせることが可能となる。
【００８１】
なお、図２に示すアクティブマトリクス基板１００では、補強用導電膜１３を画素電極８の上面に積層した例を示しているが、逆に積層してもよい。つまり、補強用導電膜１３を画素電極８と層間絶縁膜７との間に設けてもよい。この場合も、図２に示すように、補強用導電膜１３を設けた場合と同様の効果を奏する。
【００８２】
本実施の形態では、透過型液晶表示装置について説明したが、透過反射型液晶表示装置においても本発明を十分に適用することができる。以下の実施の形態２では、透過反射型液晶表示装置に本発明を適用した例について説明する。
【００８３】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について説明すれば、以下の通りである。なお、前記実施の形態１と同一機能を有する部材については、同一符号を付記し、その説明は省略する。
【００８４】
本実施の形態にかかる透過反射型液晶表示装置は、基本的に、前記実施の形態１で説明した透過型液晶表示装置（図３）と同じ構造であり、アクティブマトリクス基板の画素電極構造が異なるだけである。従って、本実施の形態では、アクティブマトリクス基板についてのみ説明する。
【００８５】
図４は、本実施の形態にかかるアクティブマトリクス基板１０１の平面図を示し、図５は、図４に示すＢ−Ｂ’線矢視断面を示している。
【００８６】
アクティブマトリクス基板１０１における、図１に示すアクティブマトリクス基板１００との相違点は、図４に示すように、画素電極８を構成するサブピクセル８ｂ上に反射電極１４が形成されている点である。なお、図４では、反射電極１４がサブピクセル８ｂ上に形成された例を示しているが、２つのサブピクセルのうち、一方のサブピクセル上に形成されればよい。また、画素電極８が、３つ以上のサブピクセルで構成されている場合、アクティブマトリクス基板１０１における全体の透過率などを考慮して反射電極１４を設けるサブピクセル数を決めればよい。
【００８７】
また、上記反射電極１４は、図５に示すように、画素電極８のサブピクセル８ｂを覆うように形成された反射電極部１４ａと、画素電極８の接続部８ｃを覆うように形成された冗長部１４ｂとで構成されている。
【００８８】
上記冗長部１４ｂは、前記実施の形態１で説明した補強用導電膜１３と同じ大きさであることが好ましい。この場合、冗長部１４ｂは、補強用導電膜１３と同じ機能を有することになる。つまり、冗長部１４ｂは、接続部８ｃの断線を抑制する機能を有している。
【００８９】
上記構成のアクティブマトリクス基板１０１は、前記実施の形態１のアクティブマトリクス基板１００とほぼ同じ製造方法によって製造される。製造方法において異なるのは、画素電極８を形成し、その上に、金属膜をスパッタリングした後のパターニングが異なる点である。前記実施の形態１では、補強用導電膜１３を残すためのパターニングであるのに対して、本実施の形態では、補強用導電膜１３よりも残す面積の大きい反射電極１４を残すためのパターニングである。反射電極１４としては、反射率を考慮した場合、Ａｌが好適であるが、これに限定されるものではない。
【００９０】
なお、反射電極１４としては、反射率の面からＡｌが好ましいが、ＡｌとＩＴＯとを直接接触させた場合、電蝕が生じる。従って、ＩＴＯ上に形成する反射電極１４としては、例えばＩＴＯと直接接触する側に電蝕の虞のないＭｏを配し、このＭｏにＡｌを積層したＡｌ／Ｍｏ構造の金属膜を使用するのが好ましい。つまり、反射効率が高く反射電極１４として使用する場合に有効なＡｌと、ＡｌとＩＴＯの直接接触をさけるために間にＭｏを挟んだ、積層構造の金属膜を使用するのが好ましい。
【００９１】
また、画素電極８として、ＩＴＯの代わりにＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）を使用してもよい。この場合、最上層にＩＺＯを配置することができる。つまり、反射電極を覆うようにＩＺＯを形成する。例えば、図６に、最上層にＩＺＯからなる画素電極８を形成したアクティブマトリクス基板１０２を示す。
【００９２】
図６に示すアクティブマトリクス基板１０２の場合、層間絶縁膜７を形成した後、まず、金属膜として、Ａｌを画素電極８を構成するサブピクセル間の接続部となる部分、及び反射電極となる部分に形成する。この場合、Ａｌを直接層間絶縁膜７に形成するのではなく、Ｍｏを介して形成してもよい。
【００９３】
このようにして形成したＡｌ上に、ＩＺＯ膜を成膜し、画素電極８のパターニングを行う。
【００９４】
上記の構成の透過反射型液晶表示装置においても、前記実施の形態１で示した透過型液晶表示装置と同様の効果を奏することができる。
【００９５】
以上の説明では、本発明を垂直配向方式の液晶表示装置に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、画素電極がくびれた構造、すなわち２つ以上のサブピクセルからなり、各サブピクセルよりも狭幅の接続部によりそれぞれのサブピクセルが接続された画素電極を採用する液晶表示装置あるいは表示装置一般にも本発明を適用することは可能であり、垂直配向方式の液晶表示装置に適用した場合と同様の効果を奏することができる。
【００９６】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
画素電極が複数のサブピクセルからなり、それぞれのサブピクセルが狭幅の接続電極で電気的に接続されている電極構造を有する基板、装置などであれば好適である。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の実施形態を示すものであり、透過型液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の平面図である。
【図２】図１のＡ・Ａ’線矢視断面図である。
【図３】図１に示すアクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置の概略断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態を示すものであり、透過反射型液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の平面図である。
【図５】図４のＢ・Ｂ’線矢視断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態を示すものであり、透過反射型液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の概略断面図である。
【図７】従来の透過型液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の平面図である。
【図８】図７のＣ・Ｃ’線矢視断面図である。
【符号の説明】
【００９９】
１  ゲート信号線
２  補助容量信号線
３  ＴＦＴ素子
４  ソース信号線
５  ドレイン電極
７  層間絶縁膜
８  画素電極
８ａ  サブピクセル
８ｂ  サブピクセル
８ｃ  接続部（接続電極）
９  コンタクトホール
１０  透過基板
１１  ゲート絶縁膜
１２  保護膜
１３  補強用導電膜（導電膜）
１４  反射電極
１４ａ  反射電極部
１４ｂ  冗長部（導電膜）
２１  カラーフィルタ
２２  突起
２３  対向電極
２４  ブラックマトリクス
２５  垂直配向膜
２６  液晶
１００  アクティブマトリクス基板
１０１  アクティブマトリクス基板
１０２  アクティブマトリクス基板
２００  カラーフィルタ基板
Ａ  偏光板
Ｂ  偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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