(57)【要約】      （修正有）【課題】異物による目詰まり確実に防止することができ、歩留まり及び信頼性を向上した液体噴射ヘッドの製造方法及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置を提供する。【解決手段】振動板５０に貫通部５１を形成し、貫通部５１に相対向する領域に凹部を形成する工程と、流路形成基板上に貫通部５１を封止する隔離層１９０を形成して連通部１３側に突出した突出部１９１を形成する工程と、リザーバ形成基板１３０を流路形成基板に接合する工程と、流路形成基板をウェットエッチングすることにより圧力発生室及び連通部１３を形成すると共に突出部１９１を露出させる工程と、流路形成基板の内面及び隔離層１９０の連通部１３側の面上に保護膜１６を形成する工程と、隔離層１９０上の保護膜１６を除去する工程と、隔離層１９０を除去することによりリザーバ部３１と連通部１３とを連通させてリザーバ１００を形成する工程とを具備する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室と、複数の圧力発生室に連通して該圧力発生室の共通の液体室となるリザーバの一部を構成する連通部とが設けられる流路形成基板の一方面側に振動板と、該振動板上に下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子とを形成すると共に、前記振動板の前記連通部に相対向する領域に開口する貫通部を形成し、且つ前記流路形成基板の前記貫通部に相対向する領域の少なくとも前記貫通部の周縁部近傍に凹部を形成する工程と、
前記流路形成基板の前記一方面側に前記貫通部を封止する隔離層を前記凹部の内面に亘って形成して前記連通部が形成される領域側に突出した突出部を形成する工程と、
前記連通部と連通して前記リザーバの一部を構成するリザーバ部が形成されたリザーバ形成基板を前記流路形成基板の前記一方面側に接合する工程と、
前記流路形成基板を他方面側から前記振動板及び前記隔離層が露出するまでウェットエッチングすることにより前記圧力発生室及び前記連通部を形成すると共に、前記隔離層を露出して前記連通部側に突出する前記突出部を露出させる工程と、
前記流路形成基板の前記圧力発生室、前記連通部の内面及び前記隔離層の前記連通部側の面上に、前記突出部上に亘って耐液体性を有する材料からなる保護膜を形成する工程と、
前記隔離層上の前記保護膜を剥離して除去する工程と、
前記隔離層を除去することにより前記リザーバ部と前記連通部とを連通させて前記リザーバを形成する工程とを具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記保護膜を形成する工程では、当該保護膜を前記突出部を有する隔離層上に形成することにより、前記保護膜に前記貫通部の周縁部近傍に前記振動板上から前記連通部側に屈曲した第１の屈曲部と、該第１の屈曲部よりも前記貫通部の中心側で屈曲した第２の屈曲部とを形成すると共に、前記隔離層上の前記保護膜を剥離して除去する工程では、当該保護膜の前記第１の屈曲部又は前記第２の屈曲部で破断することを特徴とする請求項１記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記隔離層を形成する工程では、前記流路形成基板の前記一方面側に前記圧電素子から引き出されるリード電極を形成すると共に、前記リード電極と同一の層からなるが当該リード電極とは不連続の配線層からなる当該隔離層を形成する工程とを具備することを特徴とする請求項１又は２記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記凹部を形成する工程では、断面がＶ字状の当該凹部を前記流路形成基板の前記貫通部の周縁部近傍の周方向に亘って形成することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記凹部を形成する工程では、前記流路形成基板の前記貫通部に相対向する領域の全面に亘って第１の凹部と、該第１の凹部の底面角部に対応する領域に第１の凹部よりも深い第２の凹部とからなる当該凹部を形成することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記凹部を形成する工程では、当該凹部を前記流路形成基板の前記貫通部に相対向する領域に亘って形成することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記凹部を形成する工程では、前記流路形成基板の前記貫通部に相対向する領域を含み、且つ当該貫通部よりも大きな開口となるように形成することを特徴とする請求項６記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記凹部を形成する工程では、前記凹部の側面と前記振動板の前記流路形成基板側の表面との角度が鈍角となるように当該凹部を形成することを特徴とする請求項６又は７記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記振動板を形成する工程では、前記貫通部側の端面をその断面が円形状となるように形成し、且つ前記流路形成基板の前記連通部に相対向する領域の一方面が、前記振動板の前記貫通部の深さ方向の間となるように形成することを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記流路形成基板がシリコン単結晶基板からなると共に、前記振動板を形成する工程では、前記流路形成基板の前記貫通部が設けられる領域に窒化シリコン膜を形成し、前記流路形成基板を熱酸化することにより酸化シリコンからなる前記振動板を形成することを特徴とする請求項９記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記凹部を形成する工程では、前記圧電素子を形成する前に、前記貫通部を有する前記振動板をマスクとして、前記流路形成基板をウェットエッチングすることにより当該凹部を形成することを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記凹部を形成する工程では、前記流路形成基板をドライエッチングすることにより行うことを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記ドライエッチングが、イオンミリング又は反応性イオンエッチングであることを特徴とする請求項１２記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記保護膜の材料として、酸化物又は窒化物を用いたことを特徴とする請求項１〜１３の何れかに記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記保護膜の材料として、酸化タンタルを用いたことを特徴とする請求項１４記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記保護膜を剥離する工程では、前記保護膜上に内部応力が圧縮応力である剥離層を形成した後、該剥離層を剥離することで当該剥離層と共に前記隔離層上の前記保護膜を剥離することを特徴とする請求項１〜１５の何れかに記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記剥離層の前記保護膜との密着力が、前記保護膜と前記隔離層との密着力より大きいことを特徴とする請求項１６記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記剥離層の材料として、チタンタングステンを用いたことを特徴とする請求項１６又は１７記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記保護膜を形成する工程の前に、前記連通部内に露出した前記隔離層の厚さ方向の一部を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項１〜１８の何れかに記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記隔離層が、密着層と該密着層上に形成される金属層とからなり、前記保護膜を形成する工程の前に、前記隔離層の表面をライトエッチングして前記密着層を少なくとも除去することを特徴とする請求項１９記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２１】
請求項１〜２０の何れかに記載の製造方法によって製造された液体噴射ヘッド。
【請求項２２】
前記振動板上に形成された前記保護膜の前記貫通部側の破断面が、前記連通部側を向いていることを特徴とする請求項２１記載の液体噴射ヘッド。
【請求項２３】
請求項２１又は２２記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノズル開口から液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置に関し、特に液体としてインクを吐出するインクジェット式記録ヘッドの製造方法及びインクジェット式記録ヘッド並びにインクジェット式記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドであるインクジェット式記録ヘッドとしては、例えば、ノズル開口に連通すると共に隔壁により区画された圧力発生室と、延設された隔壁により区画された圧力発生室に連通するインク供給路及びインク供給路に連通する連通路と、連通路に連通すると共に複数の圧力発生室に連通する連通部とが形成された流路形成基板と、この流路形成基板の一方面側に形成される圧電素子と、流路形成基板の圧電素子側の面に接合され連通部と共にリザーバの一部を構成するリザーバ部を有するリザーバ形成基板とを具備するものがある。
【０００３】
また、インクジェット式記録ヘッドの製造方法としては、流路形成基板の一方面にボロンドープ層（本発明の隔離層）を形成後、この流路形成基板の一方面側にリザーバ部を有するリザーバ形成基板を接合し、その後、流路形成基板を他方面側から異方性エッチングすることにより圧力発生室及び連通部を形成した後、ボロンドープ層を貫通してリザーバ部と連通部とを連通させてリザーバを形成するものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような製造方法によりインクジェット式記録ヘッドを形成することにより、流路形成基板に圧力発生室及び連通部を形成する際に、隔離層によりエッチング液が連通部及びリザーバ部を介してリザーバ形成基板側に流れ出て、リザーバ形成基板がエッチングされるのを防止している。
【０００４】
さらに、流路形成基板の圧力発生室等の内面に酸化タンタルからなる耐液体性を有する保護膜を設けたインクジェット式記録ヘッドが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２１９２４３号公報（第３〜５図、第６〜８頁）
【特許文献２】特開２００４−２６２２２５号公報（第２図、第１２〜１３頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、隔離層上に形成された保護膜は、圧力発生室側から面方向に延設されて設けられることになるため、保護膜を連通部とリザーバ部とを連通する振動板の貫通部の境界で破断させるのが困難で、保護膜の一部が貫通部内に庇状に突出した残渣が発生したり、破断不良により保護膜にクラック等が発生してしまうという問題がある。
【０００７】
そして、このような保護膜の残渣は、液体が流れることによって剥がれ落ちやすく、剥がれ落ちた保護膜の残渣によってノズル開口の目詰まり等が発生してしまうため、歩留まり及び信頼性が低下してしまうという問題がある。
【０００８】
なお、このような問題は、インクを吐出するインクジェット式記録ヘッドの製造方法だけでなく、勿論、インク以外の液体を吐出する他の液体噴射ヘッドの製造方法においても同様に存在する。
【０００９】
本発明はこのような事情に鑑み、異物による目詰まり等の吐出不良を確実に防止することができ、歩留まり及び信頼性を向上した液体噴射ヘッドの製造方法及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室と、複数の圧力発生室に連通して該圧力発生室の共通の液体室となるリザーバの一部を構成する連通部とが設けられる流路形成基板の一方面側に振動板と、該振動板上に下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子とを形成すると共に、前記振動板の前記連通部に相対向する領域に開口する貫通部を形成し、且つ前記流路形成基板の前記貫通部に相対向する領域の少なくとも前記貫通部の周縁部近傍に凹部を形成する工程と、前記流路形成基板の前記一方面側に前記貫通部を封止する隔離層を前記凹部の内面に亘って形成して前記連通部が形成される領域側に突出した突出部を形成する工程と、前記連通部と連通して前記リザーバの一部を構成するリザーバ部が形成されたリザーバ形成基板を前記流路形成基板の前記一方面側に接合する工程と、前記流路形成基板を他方面側から前記振動板及び前記隔離層が露出するまでウェットエッチングすることにより前記圧力発生室及び前記連通部を形成すると共に、前記隔離層を露出して前記連通部側に突出する前記突出部を露出させる工程と、前記流路形成基板の前記圧力発生室、前記連通部の内面及び前記隔離層の前記連通部側の面上に、前記突出部上に亘って耐液体性を有する材料からなる保護膜を形成する工程と、前記隔離層上の前記保護膜を剥離して除去する工程と、前記隔離層を除去することにより前記リザーバ部と前記連通部とを連通させて前記リザーバを形成する工程とを具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００１１】
かかる第１の態様では、リザーバ部と連通部とを連通させる際に、加工カス等の異物が発生することがないため、加工カス等の異物によるノズル詰まり等の吐出不良を防止することができる。特に突出部に沿って屈曲された領域を有する保護膜を剥離するため、保護膜を屈曲された領域で容易に且つ確実に破断することができ、クラックや貫通部側に庇状に突出する残渣が発生するのを防止して、残渣の剥がれによるノズル開口の目詰まりを防止することができる。
【００１２】
本発明の第２の態様は、前記保護膜を形成する工程では、当該保護膜を前記突出部を有する隔離層上に形成することにより、前記保護膜に前記貫通部の周縁部近傍に前記振動板上から前記連通部側に屈曲した第１の屈曲部と、該第１の屈曲部よりも前記貫通部の中心側で屈曲した第２の屈曲部とを形成すると共に、前記隔離層上の前記保護膜を剥離して除去する工程では、当該保護膜の前記第１の屈曲部又は前記第２の屈曲部で破断することを特徴とする第１の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００１３】
かかる第２の態様では、第１の屈曲部又は第２の屈曲部で保護膜を破断することができる。
【００１４】
本発明の第３の態様は、前記隔離層を形成する工程では、前記流路形成基板の前記一方面側に前記圧電素子から引き出されるリード電極を形成すると共に、前記リード電極と同一の層からなるが当該リード電極とは不連続の配線層からなる当該隔離層を形成する工程とを具備することを特徴とする第１又は２の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００１５】
かかる第３の態様では、リード電極と配線層からなる隔離層とを同時に形成することができるため、製造工程を簡略化してコストを低減することができる。
【００１６】
本発明の第４の態様は、前記凹部を形成する工程では、断面がＶ字状の当該凹部を前記流路形成基板の前記貫通部の周縁部近傍の周方向に亘って形成することを特徴とする第１〜３の何れかの態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００１７】
かかる第４の態様では、隔離層に連通部側に突出するＶ字状の突出部が形成されて、保護膜に屈曲した領域を形成することができ、保護膜を屈曲した領域で容易に且つ確実に破断することができる。
【００１８】
本発明の第５の態様は、前記凹部を形成する工程では、前記流路形成基板の前記貫通部に相対向する領域の全面に亘って第１の凹部と、該第１の凹部の底面角部に対応する領域に第１の凹部よりも深い第２の凹部とからなる当該凹部を形成することを特徴とする第１〜３の何れかの態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００１９】
かかる第５の態様では、貫通部と凹部とを同時に形成することができるため、製造工程を簡略化することができる。
【００２０】
本発明の第６の態様は、前記凹部を形成する工程では、当該凹部を前記流路形成基板の前記貫通部に相対向する領域に亘って形成することを特徴とする第１〜３の何れかの態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００２１】
かかる第６の態様では、隔離層に所望の形状の突出部が形成されて、保護膜に屈曲した領域を形成することができ、保護膜を屈曲した領域で容易に且つ確実に破断することができる。
【００２２】
本発明の第７の態様は、前記凹部を形成する工程では、前記流路形成基板の前記貫通部に相対向する領域を含み、且つ当該貫通部よりも大きな開口となるように形成することを特徴とする第６の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００２３】
かかる第７の態様では、保護膜の破断された領域に微小な突出部が残渣したとしても、液体流入時に液体が直接当接することがなく、ノズル開口の目詰まりを確実に防止できる。
【００２４】
本発明の第８の態様は、前記凹部を形成する工程では、前記凹部の側面と前記振動板の前記流路形成基板側の表面との角度が鈍角となるように当該凹部を形成することを特徴とする第６又は７の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００２５】
かかる第８の態様では、保護膜の屈曲角度を鋭角にすることができ、鋭角の屈曲した領域でさらに確実に保護膜を破断することができる。
【００２６】
本発明の第９の態様は、前記振動板を形成する工程では、前記貫通部側の端面をその断面が円形状となるように形成し、且つ前記流路形成基板の前記連通部に相対向する領域の一方面が、前記振動板の前記貫通部の深さ方向の間となるように形成することを特徴とする第１〜８の何れかの態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００２７】
かかる第９の態様では、隔離層の付き回りを向上することができ、エッチング液がリザーバ形成基板側に流出するのを確実に防止できる。
【００２８】
本発明の第１０の態様は、前記流路形成基板がシリコン単結晶基板からなると共に、前記振動板を形成する工程では、前記流路形成基板の前記貫通部が設けられる領域に窒化シリコン膜を形成し、前記流路形成基板を熱酸化することにより酸化シリコンからなる前記振動板を形成することを特徴とする第９の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００２９】
かかる第１０の態様では、振動板の貫通部側の端面を断面が円形状となるように容易に且つ確実に形成することができる。
【００３０】
本発明の第１１の態様は、前記凹部を形成する工程では、前記圧電素子を形成する前に、前記貫通部を有する前記振動板をマスクとして、前記流路形成基板をウェットエッチングすることにより当該凹部を形成することを特徴とする第１〜１０の何れかの態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００３１】
かかる第１１の態様では、圧電素子を形成する前に凹部を形成することで、凹部を高精度に形成することができる。
【００３２】
本発明の第１２の態様は、前記凹部を形成する工程では、前記流路形成基板をドライエッチングすることにより行うことを特徴とする第１〜１０の何れかの態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００３３】
かかる第１２の態様では、凹部を所望の形状で容易に形成することができる。
【００３４】
本発明の第１３の態様は、前記ドライエッチングが、イオンミリング又は反応性イオンエッチングであることを特徴とする第１２の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００３５】
かかる第１３の態様では、イオンミリング又は反応性イオンエッチングによって凹部を所望の形状で容易に形成することができる。
【００３６】
本発明の第１４の態様は、前記保護膜の材料として、酸化物又は窒化物を用いたことを特徴とする第１〜１３の何れかの態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００３７】
かかる第１４の態様では、圧力発生室、連通部等の内面が、供給された液体によって浸食されるのを確実に防止することができる。
【００３８】
本発明の第１５の態様は、前記保護膜の材料として、酸化タンタルを用いたことを特徴とする第１４の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００３９】
かかる第１５の態様では、圧力発生室、連通部等の内面が、供給された液体によって浸食されるのを確実に防止することができる。
【００４０】
本発明の第１６の態様は、前記保護膜を剥離する工程では、前記保護膜上に内部応力が圧縮応力である剥離層を形成した後、該剥離層を剥離することで当該剥離層と共に前記隔離層上の前記保護膜を剥離することを特徴とする第１〜１５の何れかの態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００４１】
かかる第１６の態様では、剥離層によって隔離層上の保護膜をさらに容易に且つ確実に除去することができる。
【００４２】
本発明の第１７の態様は、前記剥離層の前記保護膜との密着力が、前記保護膜と前記隔離層との密着力より大きいことを特徴とする第１６の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００４３】
かかる第１７の態様では、剥離層と保護膜とが良好に密着するため、隔離層上の保護膜を剥離層と共にさらに容易且つ確実に除去することができる。
【００４４】
本発明の第１８の態様は、前記剥離層の材料として、チタンタングステンを用いたことを特徴とする第１６又は１７の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００４５】
かかる第１８の態様では、剥離層を所定の材料で形成することで、隔離層上の保護膜を剥離層と共にさらに容易且つ確実に除去することができる。
【００４６】
本発明の第１９の態様は、前記保護膜を形成する工程の前に、前記連通部内に露出した前記隔離層の厚さ方向の一部を除去する工程をさらに有することを特徴とする第１〜１８の何れかの態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００４７】
かかる第１９の態様では、隔離層と保護膜との密着力が弱められるため、隔離層上の保護膜がさらに良好且つ確実に除去することができる。
【００４８】
本発明の第２０の態様は、前記隔離層が、密着層と該密着層上に形成される金属層とからなり、前記保護膜を形成する工程の前に、前記隔離層の表面をライトエッチングして前記密着層を少なくとも除去することを特徴とする第１９の態様の液体噴射ヘッドの製造方法にある。
【００４９】
かかる第２０の態様では、隔離層をライトエッチングすることにより、密着層と共に密着層が拡散した金属層の一部が除去されることで、隔離層と保護膜との密着力がより確実に弱められるため、隔離層上の保護膜がさらに良好且つ確実に除去することができる。
【００５０】
本発明の第２１の態様は、第１〜２０の何れかの態様の製造方法によって製造された液体噴射ヘッドにある。
【００５１】
かかる第２１の態様では、保護膜のクラックやノズル開口の目詰まり等を防止して、信頼性を向上した液体噴射ヘッドを実現できる。
【００５２】
本発明の第２２の態様は、前記振動板上に形成された前記保護膜の前記貫通部側の破断面が、前記連通部側を向いていることを特徴とする第２１の態様の液体噴射ヘッドにある。
【００５３】
かかる第２２の態様では、保護膜の破断面に微小に突出した残渣が発生したとしても、液体流入時に直接液体が当接することがなく、残渣の剥離を防止して、ノズル開口の目詰まりを防止することができる。
【００５４】
本発明の第２３の態様は、第２１又は２２の態様の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
【００５５】
かかる第２３の態様では、信頼性を向上した液体噴射装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５６】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００５７】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図、そのＡ−Ａ′断面図であり、図３は、図２の要部拡大断面図である。
【００５８】
図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では結晶面方位が（１１０）面のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化によって二酸化シリコンからなる厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。
【００５９】
流路形成基板１０には、他方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁１１によって区画された圧力発生室１２がその幅方向（短手方向）に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向一端部側には、インク供給路１４と連通路１５とが隔壁１１によって区画されている。また、連通路１５の一端には、各圧力発生室１２の共通のインク室（液体室）となるリザーバ１００の一部を構成する連通部１３が形成されている。すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路が設けられている。
【００６０】
インク供給路１４は、圧力発生室１２の長手方向一端部側に連通し且つ圧力発生室１２より小さい断面積を有する。例えば、本実施形態では、インク供給路１４は、リザーバ１００と各圧力発生室１２との間の圧力発生室１２側の流路を幅方向に絞ることで、圧力発生室１２の幅より小さい幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、このように、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路１４を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。さらに、各連通路１５は、インク供給路１４の圧力発生室１２とは反対側に連通し、インク供給路１４の幅方向（短手方向）より大きい断面積を有する。本実施形態では、連通路１５を圧力発生室１２と同じ断面積で形成した。
【００６１】
すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２と、圧力発生室１２の短手方向の断面積より小さい断面積を有するインク供給路１４と、このインク供給路１４に連通すると共にインク供給路１４の短手方向の断面積よりも大きい断面積を有する連通路１５とが複数の隔壁１１により区画されて設けられている。
【００６２】
ここで、流路形成基板１０の圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５の内壁表面には、耐インク性を有する材料、例えば、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の酸化タンタルからなる保護膜１６が、約５０ｎｍの厚さで設けられている。なお、ここで言う耐インク性とは、アルカリ性のインクに対する耐エッチング性のことである。
【００６３】
なお、このような保護膜１６の材料は、酸化タンタルに限定されず、使用するインクのｐＨ値によっては、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）等を用いてもよい。
【００６４】
また、本実施形態では、振動板を構成する弾性膜５０には、連通部１３と、詳しくは後述するリザーバ形成基板３０のリザーバ部３１とを連通する貫通部５１が設けられている。そして、図３に示すように、この弾性膜５０の流路形成基板１０側の表面上に設けられた保護膜１６は、弾性膜５０の貫通部５１の開口近傍で破断されて設けられており、保護膜１６の破断された破断面１６ａは、連通部１３側を向いて設けられている。このように保護膜１６の破断面１６ａが連通部１３側を向いているため、保護膜１６を破断した際に、破断面１６ａに保護膜１６が突出するように残留したとしても、リザーバ部３１からのインクの流れによって残留した保護膜１６が剥がれ落ちることがなく、ノズル開口２１の目詰まりを防止することができる。
【００６５】
なお、貫通部５１の内面と、弾性膜５０の流路形成基板１０側の表面との角度が、鋭角となるように、貫通部５１の内面は傾斜した傾斜面で形成されている。このように、貫通部５１の内面を傾斜した傾斜面とすることで、詳しくは後述する製造方法によって、隔離層上の保護膜１６を剥離層と共に良好に且つ確実に除去することができる。
【００６６】
また、図１及び図２に示すように、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。
【００６７】
一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、二酸化シリコンからなり厚さが例えば、約１．０μｍの弾性膜５０が形成されている。また、この弾性膜５０上には、厚さが約０．１〜０．５μｍの下電極膜６０と、圧電体膜の一例であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなり厚さが例えば、約１．１μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部３２０という。本実施形態では、下電極膜６０は圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室１２毎に圧電体能動部３２０が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエータ装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜５０、絶縁体膜５５及び下電極膜６０が振動板として作用するが、絶縁体膜５５を設けずに、弾性膜５０と下電極膜６０とを振動板としてもよい。
【００６８】
また、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、密着層９１及び金属層９２からなる配線層１９０で構成されるリード電極９０がそれぞれ接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。
【００６９】
また、詳しくは後述するが、連通部１３の開口周縁部に対応する領域の振動板、すなわち、弾性膜５０上にも、密着層９１及び金属層９２からなるがリード電極９０とは不連続の配線層１９０が存在している。
【００７０】
さらに、流路形成基板１０の圧電素子３００側の面には、リザーバ１００の少なくとも一部を構成するリザーバ部３１を有するリザーバ形成基板３０が接合されている。本実施形態では、流路形成基板１０とリザーバ形成基板３０とを接着剤３５を用いて接合した。リザーバ形成基板３０のリザーバ部３１は、弾性膜５０に設けられた貫通部５１を介して連通部１３と連通され、これらリザーバ部３１及び連通部１３によってリザーバ１００が形成されている。
【００７１】
また、リザーバ形成基板３０の圧電素子３００に対向する領域には、圧電素子保持部３２が設けられている。圧電素子３００は、この圧電素子保持部３２内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。なお、圧電素子保持部３２は、密封されていてもよいし密封されていなくてもよい。このようなリザーバ形成基板３０の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００７２】
また、リザーバ形成基板３０上には、並設された圧電素子３００を駆動するための駆動回路２００が固定されている。この駆動回路２００としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路２００とリード電極９０とは、ボンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線２１０を介して電気的に接続されている。
【００７３】
さらに、リザーバ形成基板３０のリザーバ部３１に対応する領域上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００７４】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路２００からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、圧電素子３００及び振動板をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインクが吐出する。
【００７５】
以下、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図４〜図１０を参照して説明する。なお、図４〜図１０は、インクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す圧力発生室の長手方向の断面図である。
【００７６】
まず、図４（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５３を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０として、厚さが約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
【００７７】
次に、図４（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５３）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成すると共に絶縁体膜５５を所定形状にパターニングする。具体的には、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５３）上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜５５を形成する。また、絶縁体膜５５をウェットエッチング又はドライエッチングすることにより、弾性膜５０の貫通部５１が形成される領域に、貫通部５１よりも大きな開口面積となる開口部５６を形成する。
【００７８】
次に、図４（ｃ）に示すように、弾性膜５０となる二酸化シリコン膜５３の連通部１３が形成される領域に、流路形成基板用ウェハ１１０の表面を露出する厚さ方向に貫通した貫通部５１を形成すると共に、流路形成基板用ウェハ１１０の貫通部５１に相対向する領域の全面に亘って１つの凹部５２を形成する。このような貫通部５１及び凹部５２の形成方法は、特に限定されず、イオンミリング又は反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドライエッチングやウェットエッチング等が挙げられる。具体的には、例えば、二酸化シリコン膜５３と流路形成基板用ウェハ１１０とをイオンミリングすることにより同時に貫通部５１と凹部５２とを形成するようにしてもよい。また、二酸化シリコン膜５３を反応性イオンエッチングすることにより貫通部５１を形成した後、流路形成基板用ウェハ１１０をガスを変更した反応性イオンエッチングすることにより、凹部５２を形成することができる。また、例えば、二酸化シリコン膜５３を反応性イオンエッチングすることにより貫通部５１を形成した後、この貫通部５１を有する二酸化シリコン膜５３をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０をウェットエッチングすることにより凹部５２を形成するようにしてもよい。勿論、二酸化シリコン膜５３をウェットエッチングすることにより、貫通部５１を形成してもよい。
【００７９】
本実施形態では、二酸化シリコン膜５３を反応性イオンエッチングすることにより貫通部５１を形成した後、流路形成基板用ウェハ１１０をガスを変更した反応性イオンエッチングすることにより凹部５２を形成した。このような方法で形成した凹部５２は、貫通部５１の内面に連続した側面を有し、且つ側面が流路形成基板用ウェハ１１０の表面に対して垂直に形成される。
【００８０】
なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０上に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５３と絶縁体膜５５とを形成した後、弾性膜５０に貫通部５１を形成すると共に流路形成基板用ウェハ１１０に凹部５２を形成するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、流路形成基板用ウェハ１１０に弾性膜５０を形成した後、絶縁体膜５５を形成する前に貫通部５１及び凹部５２を形成するようにしてもよい。また、弾性膜５０及び流路形成基板用ウェハ１１０の少なくとも一方をウェットエッチングすることにより貫通部５１又は凹部５２を形成する場合には、本実施形態のように流路形成基板用ウェハ１１０上に圧電素子３００を形成する前に、貫通部５１及び凹部５２を形成すればよいが、弾性膜５０及び流路形成基板用ウェハ１１０をドライエッチングすることにより貫通部５１及び凹部５２を形成する場合には、詳しくは後述する隔離層として配線層１９０を形成する前工程であれば、どのようなタイミングで貫通部５１及び凹部５２を形成してもよい。すなわち、貫通部５１及び凹部５２は、圧電素子３００を形成した後に形成するようにしてもよい。
【００８１】
次いで、図５（ａ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを弾性膜５０上に積層することにより下電極膜６０を形成した後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。次に、図５（ｂ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０とを流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成し、これら圧電体層７０及び上電極膜８０を、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。
【００８２】
なお、圧電素子３００を構成する圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。その組成は、圧電素子３００の特性、用途等を考慮して適宜選択すればよいが、例えば、ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）、ＰｂＺｒＯ３（ＰＺ）、Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３（ＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＮＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＩＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／２Ｔａ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＴ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＮ−ＰＴ）、ＢｉＳｃＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＳ−ＰＴ）、ＢｉＹｂＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＹ−ＰＴ）等が挙げられる。
【００８３】
また、圧電体層７０の形成方法は、特に限定されないが、例えば、本実施形態では、金属有機物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成した。なお、圧電体層７０の製造方法は、ゾル−ゲル法に限定されず、例えば、ＭＯＤ（Metal-Organic Decomposition）法やスパッタリング法等を用いてもよい。
【００８４】
次に、図５（ｃ）に示すように、リード電極９０を形成する。具体的には、まず流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って密着層９１を介して金属層９２を形成し、密着層９１と金属層９２とからなる配線層１９０を形成する。そして、この配線層１９０上に、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を形成し、このマスクパターンを介して金属層９２及び密着層９１を圧電素子３００毎にパターニングすることによりリード電極９０を形成する。またこのとき、貫通部５１及び凹部５２に対応する領域に、リード電極９０とは不連続の配線層１９０を残し、この配線層１９０によって貫通部５１が封止されるようにする。すなわち、本実施形態では、リザーバ部３１と連通部１３とを隔離する隔離層として、リード電極９０と同一層からなるが、リード電極９０とは不連続であって電気的に接続していない独立した配線層１９０を形成する。これにより、リード電極９０と同時に隔離層である配線層１９０を形成することができ、製造工程を簡略化してコストを低減することができる。なお、隔離層は、詳しくは後述する流路形成基板用ウェハ１１０をウェットエッチングする際に耐エッチング性を有する材料であれば、特にこれに限定されず、例えば、リード電極９０を形成した後、金属材料、樹脂材料等の隔離層を別途形成するようにしてもよい。
【００８５】
このように隔離層である配線層１９０を形成すると、貫通部５１及び凹部５２に対応する領域に設けられた配線層１９０は、弾性膜５０上に貫通部５１の内面及び流路形成基板用ウェハ１１０の凹部５２の内面に沿って形成される。すなわち、配線層１９０は凹部５２の内面に沿って連通部１３が形成される領域側に突出した突出部１９１が形成される。
【００８６】
ここで、金属層９２の主材料としては、比較的導電性の高い材料であれば特に限定されず、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）が挙げられ、本実施形態では金（Ａｕ）を用いている。また、密着層９１の材料としては、金属層９２の密着性を確保できる材料であればよく、具体的には、チタン（Ｔｉ）、チタンタングステン化合物（ＴｉＷ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）又はニッケルクロム化合物（ＮｉＣｒ）等が挙げられ、本実施形態ではチタンタングステン化合物（ＴｉＷ）を用いている。
【００８７】
次に、図６（ａ）に示すように、リザーバ形成基板用ウェハ１３０を、流路形成基板用ウェハ１１０上に接着剤３５によって接着する。ここで、このリザーバ形成基板用ウェハ１３０には、リザーバ部３１、圧電素子保持部３２等が予め形成されている。なお、リザーバ形成基板用ウェハ１３０は、例えば、４００μｍ程度の厚さを有するシリコンウェハであり、リザーバ形成基板用ウェハ１３０を接合することで流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。
【００８８】
次いで、図６（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで加工した。次いで、図６（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）からなるマスク膜５４を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図７（ａ）に示すように、このマスク膜５４を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチング（ウェットエッチング）して、流路形成基板用ウェハ１１０に液体流路、本実施形態では、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５等を形成する。具体的には、流路形成基板用ウェハ１１０を、例えば、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液等のエッチング液によって弾性膜５０及び密着層９１（金属層９２）が露出するまでエッチングすることより、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５を同時に形成する。なお、本実施形態では、連通部１３を、その振動板（弾性膜５０）側の開口縁部が、貫通部５１の開口縁部よりも外側に位置するように形成している。すなわち、連通部１３は、振動板側の開口が貫通部５１よりも大きく形成されている。
【００８９】
また、このように圧力発生室１２等の液体流路を形成する際、貫通部５１は、密着層９１及び金属層９２からなる配線層１９０によって封止されているため、貫通部５１を介してリザーバ形成基板用ウェハ１３０側にエッチング液が流れ込むことがない。これにより、リザーバ形成基板用ウェハ１３０の表面に設けられている接続配線（図示なし）にエッチング液が付着することがなく、断線等の不良の発生を防止することができる。また、リザーバ部３１内にエッチング液が浸入してリザーバ形成基板用ウェハ１３０がエッチングされる虞もない。
【００９０】
なお、このような圧力発生室１２等を形成する際、リザーバ形成基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０側とは反対側の表面を、耐アルカリ性を有する材料、例えば、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＰＴＡ（ポリパラフェニレンテレフタルア
ミド）等からなる封止フィルムでさらに封止するようにしてもよい。これにより、リザーバ形成基板用ウェハ１３０の表面に設けられた配線の断線等の不良をより確実に防止することができる。
【００９１】
このように流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２等の液体流路を形成すると、配線層１９０の連通部１３側に突出した突出部１９１が貫通部５１を介して連通部１３側に露出される。
【００９２】
次に、図７（ｂ）に示すように、貫通部５１内の配線層１９０の一部を連通部１３側からウェットエッチング（ライトエッチング）することにより除去する。すなわち、突出部１９１の連通部１３側に露出されている密着層９１と、この密着層９１が拡散している金属層９２の一部の領域とをエッチングにより除去する。詳しくは後述するが、これにより、後の工程で配線層１９０の突出部１９１上に形成される保護膜１６と配線層１９０との密着力が弱められ、配線層１９０上の保護膜１６が剥離し易くなる。
【００９３】
次に、流路形成基板用ウェハ１１０表面のマスク膜５４を除去し、図７（ｃ）に示すように、例えば、酸化物又は窒化物等の耐液体性（耐インク性）を有する材料、本実施形態では、五酸化タンタルからなる保護膜１６を、流路形成基板用ウェハ１１０の各液体流路の表面にＣＶＤ法等によって形成する。
【００９４】
このとき、図９（ａ）に示すように、連通部１３には、配線層１９０の突出部１９１が露出されているため、保護膜１６は、弾性膜５０の圧力発生室１２側の一方面から、露出された配線層１９０の突出部１９１上に亘って連続して設けられる。これにより、弾性膜５０上に形成された保護膜１６には、配線層１９０の突出部１９１に沿って貫通部５１の周縁部側で連通部１３側に屈曲した第１の屈曲部１９２と、貫通部５１の中心側に屈曲した第２の屈曲部１９３とが設けられる。
【００９５】
このように流路形成基板用ウェハ１１０の各液体流路の表面に保護膜１６を形成した際に、貫通部５１は配線層１９０によって封止されているため、貫通部５１を介してリザーバ形成基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０との接合面とは反対側の面等に保護膜１６が形成されることがない。したがって、接続配線等が形成されたリザーバ形成基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０との接合面とは反対側の表面に保護膜１６が形成されることなく、駆動回路２００などの接続不良等の発生を防止することができると共に、余分な保護膜１６を除去する工程が不要となって製造工程を簡略化して製造コストを低減することができる。
【００９６】
次に、図８に示すように、保護膜１６上に高応力材料からなる剥離層１７を、例えば、ＣＶＤ法によって形成する。この剥離層１７は、その内部応力が圧縮応力であることが好ましく、特に、８０ＭＰａ以上の圧縮応力であることが望ましい。また、剥離層１７は、保護膜１６との密着力が保護膜１６と配線層１９０との密着力よりも大きな材料を用いるのが好ましい。本実施形態では、剥離層１７の材料としてチタンタングステン化合物（ＴｉＷ）を用いている。
【００９７】
このように高応力材料からなると共に保護膜１６との密着力が高い剥離層１７を保護膜１６の流路形成基板用ウェハ１１０側の表面上に形成すると、剥離層１７の応力によって配線層１９０上に形成された保護膜１６が剥がれ始める。そして、図９（ａ）に示すように、この剥離層１７をウェットエッチングにより除去することで、配線層１９０上の保護膜１６を剥離層１７と共に完全に除去する。本実施形態では、配線層１９０に突出部１９１を設け、この突出部１９１上に亘って保護膜１６を形成することで、保護膜１６に貫通部５１の周縁部近傍で連通部１３側に屈曲する第１の屈曲部１９２と、第１の屈曲部１９２よりも貫通部５１の中心側に屈曲する第２の屈曲部１９３とを設けるようにしたため、配線層１９０上の保護膜１６を剥離層１７と共に除去する際に、保護膜１６の屈曲した領域、すなわち、本実施形態では、第１の屈曲部１９２で破断することができる。
【００９８】
すなわち、保護膜１６が平面状に設けられて屈曲されていない領域を破断しようとすると、保護膜１６にクラックが発生したり、庇状に突出した残渣が発生してしまう。そして、このように保護膜１６の庇状に突出した残渣は、特にインク流入時などに剥がれ易く、剥がれた残渣によってノズル開口２１の目詰まり等が発生してしまう。しかしながら、本発明のように、保護膜１６を屈曲された領域で破断することにより、庇状に突出した残渣やクラック等が発生するのを防止して、剥がれ落ちた残渣によるノズル開口２１の目詰まり等を防止することができ、歩留まりを向上すると共に信頼性を向上することができる。
【００９９】
また、このように保護膜１６を屈曲された領域で破断することにより、その破断面１６ａは、連通部１３側を向いて形成される。このため、庇状の微小な残渣が発生したとしても、この残渣は連通部１３側に向かって突出するため、突出方向がインクの流れる方向と同一方向となるため、インク流入時に剥がれ難く、ノズル開口２１の目詰まり等をさらに確実に防止することができる。
【０１００】
なお、本実施形態では、前述した工程で貫通部５１に設けられた配線層１９０の連通部１３側の一部、すなわち、密着層９１及び密着層９１が拡散した金属層９２が除去されているため、配線層１９０と保護膜１６との密着力が弱く、保護膜１６を配線層１９０からさらに容易に剥離することができる。
【０１０１】
また、本発明では、連通部１３は、その振動板（弾性膜５０）側の開口縁部が、貫通部５１の開口縁部よりも外側となるように形成されている。そして、貫通部５１の流路形成基板用ウェハ１１０側の開口縁部が、振動板（弾性膜５０）又は配線層１９０のみ、すなわち、酸化物又は金属の薄膜のみで構成されるようにしている。例えば、本実施形態では、連通部１３の開口縁部が実質的に弾性膜５０のみで構成されるようにしている。このため、連通部１３等の内面に形成されている保護膜１６は、剥離層１７と共に剥離されて除去される際、この連通部１３の開口縁部に沿って良好に分離され、配線層１９０上の保護膜１６のみが確実に剥離して除去される。したがって、いわゆる剥離残渣がほとんど生じることがなく、この剥離残渣によるノズル詰まり等の発生を確実に防止することができる。
【０１０２】
また、このように配線層１９０上の保護膜１６を良好に剥離させるためには、貫通部５１の内面（弾性膜５０の端面）と振動板の表面（弾性膜５０の表面）との角度が１０〜９０°程度の鋭角であることが好ましい（図９（ａ）参照）。さらに、貫通部５１は、その周縁部に沿って角部が存在しないような開口形状で形成されていることが好ましい。例えば、貫通部５１を略矩形の開口形状で形成する場合、その四隅を全てＲ形状とするのが好ましい。これにより、配線層１９０上の保護膜１６を剥離層１７と共にさらに良好且つ確実に剥離させることとができる。
【０１０３】
なお、本実施形態では、配線層１９０上の保護膜１６を剥離層１７と共に除去する際に、保護膜１６を第１の屈曲部１９２で破断する例を示したが、保護膜１６は、剥離層１７の除去条件などによって、第２の屈曲部１９３で破断される場合もある。このような例を図１０に示す。図１０に示すように、保護膜１６を剥離層１７と共に除去する際に、保護膜１６は、第２の屈曲部１９３で破断されている。このように第２の屈曲部１９３で破断されたとしても、弾性膜５０上に形成された保護膜１６の破断面１６ａは、連通部１３側を向いて破断される。
【０１０４】
このように配線層１９０上の保護膜１６を除去した後は、図９（ｂ）に示すように、配線層１９０を連通部１３側からウェットエッチングすることによって除去して貫通部５１を開口させる。このとき配線層１９０上には保護膜１６が形成されていないため、保護膜１６が配線層１９０のウェットエッチングを邪魔することはない。
【０１０５】
したがって、配線層１９０を容易且つ確実にウェットエッチングにより除去して貫通部５１を開口させることができる。すなわち、このような本発明の製造方法によれば、従来の機械的な加工とは異なり加工カス等の異物が発生することはない。したがって、圧力発生室１２、連通部１３等のインク流路内に加工カスが残留し、残留した加工カスによってノズル詰まり等の吐出不良が発生するのを確実に防止することができる。また、保護膜１６が配線層１９０側に庇状に突出して残渣するのを防止することができるため、配線層１９０のエッチングを良好に行って、確実に配線層１９０を除去することができる。
【０１０６】
その後は、流路形成基板用ウェハ１１０及びリザーバ形成基板用ウェハ１３０の不要部分、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０のリザーバ形成基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、リザーバ形成基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、これら流路形成基板用ウェハ１１０等を、図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって上述した構造のインクジェット式記録ヘッドが製造される。
【０１０７】
（実施形態２）
図１１及び図１２は、本発明の実施形態２に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。なお、上述した実施形態１と同様の部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【０１０８】
本実施形態の液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの製造方法は、まず、上述した実施形態１の図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す工程と同様に、流路形成基板用ウェハ１１０に弾性膜５０となる二酸化シリコン膜５３及び絶縁体膜５５を形成する。
【０１０９】
次に、図１１（ａ）に示すように、弾性膜５０となる二酸化シリコン膜５３の連通部１３が形成される領域に貫通部５１を形成すると共に、流路形成基板用ウェハ１１０の貫通部５１に相対向する領域の全面に亘って凹部５２Ａを形成する。
【０１１０】
凹部５２Ａは、貫通部５１に相対向する領域の全面に亘って１つ形成されて、貫通部５１の側面と連続した側面を有する。この凹部５２Ａの側面と振動板（弾性膜５０）の流路形成基板用ウェハ１１０側の側面とが接する領域は貫通部５１側に突出する尖頭部が形成されており、凹部５２Ａの側面は傾斜した傾斜面となっている。
【０１１１】
このような形状の凹部５２Ａは、二酸化シリコン膜５３を反応性イオンエッチングすることにより貫通部５１を形成した後、流路形成基板用ウェハ１１０をガスを変更した反応性イオンエッチングする際に、エッチング条件（例えば、出力等）を変更することにより形成することができる。
【０１１２】
次に、上述した実施形態１の図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す工程を行って、圧電素子３００を形成する。
【０１１３】
次に、図１１（ｂ）に示すように、リード電極９０（図示なし）と配線層１９０とを形成する。このとき、配線層１９０を凹部５２Ａの内面に沿って形成することで、突出部１９１Ａを形成する。
【０１１４】
次に、上述した実施形態１の図６（ａ）〜（ｃ）に示す工程を行って、流路形成基板用ウェハ１１０にリザーバ形成基板用ウェハ１３０を接合すると共に、流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚さとしてからマスク膜５４を形成し、図１１（ｃ）に示すように、マスク膜５４（図示なし）を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチング（ウェットエッチング）する。これにより、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路を形成する。このとき、配線層１９０によって貫通部５１は封止されているため、エッチング液がリザーバ形成基板用ウェハ１３０側（図示なし）に侵入してリザーバ形成基板用ウェハ１３０がエッチングされるのを防止することができる。
【０１１５】
また、このように流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２等の液体流路を形成すると、配線層１９０の連通部１３側に突出した突出部１９１Ａが貫通部５１を介して連通部１３側に露出される。
【０１１６】
次に、図１１（ｄ）に示すように、貫通部５１内の配線層１９０の一部を連通部１３側からウェットエッチング（ライトエッチング）することにより除去する。すなわち、突出部１９１Ａの連通部１３側に露出されている密着層９１と、この密着層９１が拡散している金属層９２の一部の領域とをエッチングにより除去する。
【０１１７】
次に、流路形成基板用ウェハ１１０表面のマスク膜５４を除去し、図１２（ａ）に示すように、五酸化タンタルからなる保護膜１６を形成する。このとき、連通部１３には、配線層１９０の突出部１９１Ａが露出されているため、保護膜１６は、弾性膜５０の圧力発生室１２側の一方面から、露出された配線層１９０の突出部１９１Ａ上に亘って連続して設けられる。これにより、弾性膜５０上に形成された保護膜１６には、配線層１９０の突出部１９１Ａに沿って貫通部５１の周縁部側で連通部１３側に屈曲した第１の屈曲部１９２Ａと、貫通部５１の中心側に屈曲した第２の屈曲部１９３Ａとが設けられる。すなわち、保護膜１６が凹部５２Ａに沿って形成された突出部１９１Ａに沿って形成されているため、第１の屈曲部１９２Ａは弾性膜５０上の領域から流路形成基板用ウェハ１１０側に鋭角に屈曲して形成されると共に、第２の屈曲部１９３Ａも貫通部５１の中心側に鋭角に屈曲して形成される。
【０１１８】
次に、上述した実施形態１の図８と同様に、保護膜１６上に高応力材料からなる剥離層１７を、例えば、ＣＶＤ法によって形成し、図１２（ｂ）に示すように、剥離層１７をウェットエッチングにより除去することで、配線層１９０上の保護膜１６を剥離層１７と共に完全に除去する。このとき、保護膜１６には、貫通部５１の周縁部近傍で連通部１３側に屈曲する第１の屈曲部１９２Ａと、第１の屈曲部１９２Ａよりも貫通部５１の中心側に屈曲する第２の屈曲部１９３Ａとが設けられているため、配線層１９０上の保護膜１６を保護膜１６の屈曲した領域、本実施形態では、第１の屈曲部１９２Ａで破断することができる。また、第１の屈曲部１９２Ａは、弾性膜５０上の領域から流路形成基板用ウェハ１１０側に鋭角に屈曲して設けられているため、この第１の屈曲部１９２Ａで容易に破断することができる。
【０１１９】
これにより、保護膜１６が貫通部５１側に庇状に残渣するのを防止して、インク流入時などに残渣が剥離することによりノズル開口２１の目詰まり等を防止することができる。また、保護膜１６を屈曲された領域で破断することにより、その破断面１６ａは、連通部１３側を向いて形成される。このため、庇状の微小な残渣が発生したとしても、この残渣は連通部１３側に向かって突出するため、インク流入時に剥がれ難く、ノズル開口２１の目詰まり等をさらに確実に防止することができる。
【０１２０】
その後は、上述した実施形態１の図９（ｂ）と同様に、配線層１９０を連通部１３側からウェットエッチングすることによって除去して貫通部５１を開口させる。
【０１２１】
なお、本実施形態では、配線層１９０上の保護膜１６を剥離層１７と共に除去する際に、保護膜１６を第１の屈曲部１９２Ａで破断する例を示したが、上述した実施形態１と同様に、保護膜１６は、剥離層１７の除去条件などによって、第２の屈曲部１９３Ａで破断される場合もある。この場合にも、第２の屈曲部１９３Ａは鋭角で形成されているため、保護膜１６を第２の屈曲部１９３Ａで容易に破断することができる。
【０１２２】
（実施形態３）
図１３及び図１４は、本発明の実施形態３に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。なお、上述した実施形態１と同様の部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【０１２３】
本実施形態の液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの製造方法は、まず、上述した実施形態１の図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す工程と同様に、流路形成基板用ウェハ１１０に弾性膜５０となる二酸化シリコン膜５３及び絶縁体膜５５を形成する。
【０１２４】
次に、図１３（ａ）に示すように、弾性膜５０となる二酸化シリコン膜５３の連通部１３が形成される領域に貫通部５１を形成すると共に、流路形成基板用ウェハ１１０の貫通部５１に相対向する領域の全面に亘って凹部５２Ｂを形成する。凹部５２Ｂは、貫通部５１に相対向する領域の全面に亘って形成されて、貫通部５１の側面と連続した側面を有する第１の凹部１５０と、第１の凹部１５０の底面角部に第１の凹部１５０よりも深く形成された第２の凹部１５１とで構成されている。
【０１２５】
第１の凹部１５０は、その側面と、振動板（弾性膜５０）の流路形成基板用ウェハ１１０側の表面との角度が鈍角となるように、その側面は傾斜した傾斜面で形成されている。また、第２の凹部１５１は、その断面形状がＶ字状となるように形成されている。
【０１２６】
このような形状の凹部５２Ｂは、本実施形態では、弾性膜５０と流路形成基板用ウェハ１１０とをイオンミリングすることにより、貫通部５１と同時に形成することができる。すなわち、弾性膜５０をイオンミリングする際に、流路形成基板用ウェハ１１０の表面をオーバーエッチングするように除去することで、凹部５２Ｂを形成することができる。勿論、貫通部５１及び凹部５２Ｂの形成方法は、特にこれに限定されず、上述した実施形態１と同様に、その他のドライエッチングやウェットエッチングなどを組み合わせても形成することができる。
【０１２７】
次に、上述した実施形態１の図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す工程を行って、圧電素子３００を形成する。
【０１２８】
次に、図１３（ｂ）に示すように、リード電極９０（図示なし）と配線層１９０とを形成する。このとき、配線層１９０を凹部５２Ｂの内面に沿って形成することで、突出部１９１Ｂを形成する。
【０１２９】
次に、上述した実施形態１の図６（ａ）〜（ｃ）に示す工程を行って、流路形成基板用ウェハ１１０にリザーバ形成基板用ウェハ１３０を接合すると共に、流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚さとし、マスク膜５４を形成した後、図１３（ｃ）に示すように、マスク膜５４（図示なし）を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチング（ウェットエッチング）する。これにより、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路を形成する。このとき、配線層１９０によって貫通部５１は封止されているため、エッチング液がリザーバ形成基板用ウェハ１３０側（図示なし）に侵入してリザーバ形成基板用ウェハ１３０がエッチングされるのを防止することができる。
【０１３０】
また、このように流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２等の液体流路を形成すると、配線層１９０の連通部１３側に突出した突出部１９１Ｂが貫通部５１を介して連通部１３側に露出される。
【０１３１】
次に、図１３（ｄ）に示すように、貫通部５１内の配線層１９０の一部を連通部１３側からウェットエッチング（ライトエッチング）することにより除去する。すなわち、突出部１９１Ｂの連通部１３側に露出されている密着層９１と、この密着層９１が拡散している金属層９２の一部の領域とをエッチングにより除去する。
【０１３２】
次に、流路形成基板用ウェハ１１０表面のマスク膜５４を除去し、図１４（ａ）に示すように、五酸化タンタルからなる保護膜１６を形成する。このとき、連通部１３には、配線層１９０の突出部１９１Ｂが露出されているため、保護膜１６は、弾性膜５０の圧力発生室１２側の一方面から、露出された配線層１９０の突出部１９１Ｂ上に亘って連続して設けられる。これにより、弾性膜５０上に形成された保護膜１６には、配線層１９０の突出部１９１Ｂに沿って貫通部５１の周縁部側で連通部１３側に屈曲した第１の屈曲部１９２Ｂと、貫通部５１の中心側に屈曲した第２の屈曲部１９３Ｂとが設けられる。
【０１３３】
次に、上述した実施形態１の図８と同様に、保護膜１６上に高応力材料からなる剥離層１７を、例えば、ＣＶＤ法によって形成し、図１４（ｂ）に示すように、剥離層１７をウェットエッチングにより除去することで、配線層１９０上の保護膜１６を剥離層１７と共に完全に除去する。このとき、保護膜１６には、貫通部５１の周縁部近傍で連通部１３側に屈曲する第１の屈曲部１９２Ｂと、貫通部５１の中心側に屈曲する第２の屈曲部１９３Ｂとが設けられているため、配線層１９０上の保護膜１６を保護膜１６の屈曲した領域、本実施形態では、第１の屈曲部１９２Ｂで破断することができる。
【０１３４】
これにより、保護膜１６が貫通部５１側に庇状に残渣するのを防止して、インク流入時などに残渣が剥離することによりノズル開口２１の目詰まり等を防止することができる。また、保護膜１６を屈曲された領域で破断することにより、その破断面１６ａは、連通部１３側を向いて形成される。このため、庇状の微小な残渣が発生したとしても、この残渣は連通部１３側に向かって突出するため、インク流入時に剥がれ難く、ノズル開口２１の目詰まり等をさらに確実に防止することができる。
【０１３５】
その後は、上述した実施形態１の図９（ｂ）と同様に、配線層１９０を連通部１３側からウェットエッチングすることによって除去して貫通部５１を開口させる。
【０１３６】
なお、本実施形態では、配線層１９０上の保護膜１６を剥離層１７と共に除去する際に、保護膜１６を第１の屈曲部１９２Ｂで破断する例を示したが、上述した実施形態１と同様に、保護膜１６は、剥離層１７の除去条件などによって、第２の屈曲部１９３Ｂで破断される場合もある。この場合にも、同様の効果を奏するものである。
【０１３７】
（実施形態４）
図１５及び図１６は、本発明の実施形態４に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。なお、上述した実施形態１と同様の部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【０１３８】
本実施形態の液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの製造方法は、まず、上述した実施形態１の図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す工程と同様に、流路形成基板用ウェハ１１０に弾性膜５０となる二酸化シリコン膜５３及び絶縁体膜５５を形成する。
【０１３９】
次に、図１５（ａ）に示すように、弾性膜５０となる二酸化シリコン膜５３の連通部１３が形成される領域に貫通部５１を形成すると共に、流路形成基板用ウェハ１１０の貫通部５１に相対向する領域を含む領域に貫通部５１よりも開口の大きな凹部５２Ｃを形成する。すなわち、凹部５２Ｃの側面は、貫通部５１の内面と連続して形成されていない。また、この凹部５２Ｃの側面と振動板（弾性膜５０）の流路形成基板用ウェハ１１０側の表面との角度は鋭角となるように形成されており、凹部５２Ｃの側面は傾斜した傾斜面となっている。
【０１４０】
このような形状の凹部５２Ｃは、本実施形態では、弾性膜５０を反応性イオンエッチングすることにより貫通部５１を形成した後、貫通部５１を有する弾性膜５０をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０をウェットエッチングすることにより形成することができる。
【０１４１】
次に、上述した実施形態１の図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す工程を行って、圧電素子３００を形成する。
【０１４２】
次に、図１５（ｂ）に示すように、リード電極９０（図示なし）と配線層１９０とを形成する。このとき、配線層１９０を凹部５２Ｃの内面に沿って形成することで、突出部１９１Ｃを形成する。
【０１４３】
次に、上述した実施形態１の図６（ａ）〜（ｃ）に示す工程を行って、流路形成基板用ウェハ１１０にリザーバ形成基板用ウェハ１３０を接合すると共に、流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚さとし、マスク膜５４を形成した後、図１５（ｃ）に示すように、マスク膜５４（図示なし）を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチング（ウェットエッチング）する。これにより、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路を形成する。このとき、配線層１９０によって貫通部５１は封止されているため、エッチング液がリザーバ形成基板用ウェハ１３０側（図示なし）に侵入してリザーバ形成基板用ウェハ１３０がエッチングされるのを防止することができる。
【０１４４】
また、このように流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２等の液体流路を形成すると、配線層１９０の連通部１３側に突出した突出部１９１Ｃが貫通部５１を介して連通部１３側に露出される。
【０１４５】
次に、図１５（ｄ）に示すように、貫通部５１内の配線層１９０の一部を連通部１３側からウェットエッチング（ライトエッチング）することにより除去する。すなわち、突出部１９１Ｃの連通部１３側に露出されている密着層９１と、この密着層９１が拡散している金属層９２の一部の領域とをエッチングにより除去する。
【０１４６】
次に、流路形成基板用ウェハ１１０表面のマスク膜５４を除去し、図１６（ａ）に示すように、五酸化タンタルからなる保護膜１６を形成する。このとき、連通部１３には、配線層１９０の突出部１９１Ｃが露出されているため、保護膜１６は、弾性膜５０の圧力発生室１２側の一方面から、露出された配線層１９０の突出部１９１Ｃ上に亘って連続して設けられる。これにより、弾性膜５０上に形成された保護膜１６には、配線層１９０の突出部１９１Ｃに沿って貫通部５１の周縁部側で連通部１３側に屈曲した第１の屈曲部１９２Ｃと、貫通部５１の中心側に屈曲した第２の屈曲部１９３Ｃとが設けられる。
【０１４７】
次に、上述した実施形態１の図８と同様に、保護膜１６上に高応力材料からなる剥離層１７を、例えば、ＣＶＤ法によって形成し、図１６（ｂ）に示すように、剥離層１７をウェットエッチングにより除去することで、配線層１９０上の保護膜１６を剥離層１７と共に完全に除去する。このとき、保護膜１６には、貫通部５１の周縁部近傍で連通部１３側に屈曲する第１の屈曲部１９２Ｃと、第１の屈曲部１９２Ｃよりも貫通部５１の中心側に屈曲する第２の屈曲部１９３Ｃとが設けられているため、配線層１９０上の保護膜１６を保護膜１６の屈曲した領域、本実施形態では、第１の屈曲部１９２Ｃで破断することができる。
【０１４８】
これにより、保護膜１６が貫通部５１側に庇状に残渣するのを防止して、インク流入時などに残渣が剥離することによりノズル開口２１の目詰まり等を防止することができる。また、保護膜１６を屈曲された領域で破断することにより、その破断面１６ａは、連通部１３側を向いて形成される。このため、庇状の微小な残渣が発生したとしても、この残渣は連通部１３側に向かって突出するため、インク流入時に剥がれ難く、ノズル開口２１の目詰まり等をさらに確実に防止することができる。
【０１４９】
その後は、上述した実施形態１の図９（ｂ）と同様に、配線層１９０を連通部１３側からウェットエッチングすることによって除去して貫通部５１を開口させる。
【０１５０】
なお、本実施形態では、配線層１９０上の保護膜１６を剥離層１７と共に除去する際に、保護膜１６を第１の屈曲部１９２Ｃで破断する例を示したが、上述した実施形態１と同様に、保護膜１６は、剥離層１７の除去条件などによって、第２の屈曲部１９３Ｃで破断される場合もある。この場合にも、同様の効果を奏するものである。
【０１５１】
（実施形態５）
図１７及び図１８は、本発明の実施形態５に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。なお、上述した実施形態１と同様の部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【０１５２】
本実施形態の液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの製造方法は、まず、上述した実施形態１の図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す工程と同様に、流路形成基板用ウェハ１１０に弾性膜５０となる二酸化シリコン膜５３及び絶縁体膜５５を形成する。
【０１５３】
次に、図１７（ａ）に示すように、弾性膜５０となる二酸化シリコン膜５３の連通部１３が形成される領域に貫通部５１を形成すると共に、流路形成基板用ウェハ１１０の貫通部５１の周縁部近傍に断面がＶ字状の凹部５２Ｄを形成する。本実施形態では、凹部５２Ｄを貫通部５１の内側に周方向に亘って形成するようにした。
【０１５４】
このような形状の凹部５２Ｄは、本実施形態では、弾性膜５０を反応性イオンエッチングすることにより貫通部５１を形成した後、流路形成基板用ウェハ１１０を所定のマスクを介してウェットエッチング又はドライエッチングすることにより形成することができる。
【０１５５】
次に、上述した実施形態１の図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す工程を行って、圧電素子３００を形成する。
【０１５６】
次に、図１７（ｂ）に示すように、リード電極９０（図示なし）と配線層１９０とを形成する。このとき、配線層１９０を弾性膜５０上及び流路形成基板用ウェハ１１０の貫通部５１により露出された表面に凹部５２Ｄの内面に沿って形成することで、突出部１９１Ｄを形成する。
【０１５７】
次に、上述した実施形態１の図６（ａ）〜（ｃ）に示す工程を行って、流路形成基板用ウェハ１１０にリザーバ形成基板用ウェハ１３０を接合すると共に、流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚さとし、マスク膜５４を形成した後、図１５（ｃ）に示すように、マスク膜５４（図示なし）を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチング（ウェットエッチング）する。これにより、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路を形成する。このとき、配線層１９０によって貫通部５１は封止されているため、エッチング液がリザーバ形成基板用ウェハ１３０側（図示なし）に侵入してリザーバ形成基板用ウェハ１３０がエッチングされるのを防止することができる。
【０１５８】
また、このように流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２等の液体流路を形成すると、配線層１９０の連通部１３側に突出した突出部１９１Ｄが貫通部５１を介して連通部１３側に露出される。
【０１５９】
次に、図１７（ｄ）に示すように、貫通部５１内の配線層１９０の一部を連通部１３側からウェットエッチング（ライトエッチング）することにより除去する。すなわち、突出部１９１Ｄの連通部１３側に露出されている密着層９１と、この密着層９１が拡散している金属層９２の一部の領域とをエッチングにより除去する。
【０１６０】
次に、流路形成基板用ウェハ１１０表面のマスク膜５４を除去し、図１８（ａ）に示すように、五酸化タンタルからなる保護膜１６を形成する。このとき、連通部１３には、配線層１９０の突出部１９１Ｄが露出されているため、保護膜１６は、弾性膜５０の圧力発生室１２側の一方面から、露出された配線層１９０の突出部１９１Ｄ上に亘って連続して設けられる。これにより、弾性膜５０上に形成された保護膜１６には、配線層１９０の突出部１９１Ｄに沿って貫通部５１の周縁部側で連通部１３側に屈曲した第１の屈曲部１９２Ｄと、貫通部５１の中心側に屈曲した第２の屈曲部１９３Ｄとが設けられる。
【０１６１】
次に、上述した実施形態１の図８と同様に、保護膜１６上に高応力材料からなる剥離層１７を、例えば、ＣＶＤ法によって形成し、図１８（ｂ）に示すように、剥離層１７をウェットエッチングにより除去することで、配線層１９０上の保護膜１６を剥離層１７と共に完全に除去する。このとき、保護膜１６には、貫通部５１の周縁部近傍で連通部１３側に屈曲する第１の屈曲部１９２Ｄと、貫通部５１の中心側に屈曲する第２の屈曲部１９３Ｃとが設けられているため、配線層１９０上の保護膜１６を保護膜１６の屈曲した領域、本実施形態では、第１の屈曲部１９２Ｄで破断することができる。
【０１６２】
これにより、保護膜１６が貫通部５１側に庇状に残渣するのを防止して、インク流入時などに残渣が剥離することによりノズル開口２１の目詰まり等を防止することができる。また、保護膜１６を屈曲された領域で破断することにより、その破断面１６ａは、連通部１３側を向いて形成される。このため、庇状の微小な残渣が発生したとしても、この残渣は連通部１３側に向かって突出するため、インク流入時に剥がれ難く、ノズル開口２１の目詰まり等をさらに確実に防止することができる。
【０１６３】
その後は、上述した実施形態１の図９（ｂ）と同様に、配線層１９０を連通部１３側からウェットエッチングすることによって除去して貫通部５１を開口させる。
【０１６４】
なお、本実施形態では、配線層１９０上の保護膜１６を剥離層１７と共に除去する際に、保護膜１６を第１の屈曲部１９２Ｄで破断する例を示したが、上述した実施形態１と同様に、保護膜１６は、剥離層１７の除去条件などによって、第２の屈曲部１９３Ｄで破断される場合もある。この場合にも、同様の効果を奏するものである。
【０１６５】
（実施形態６）
図１９〜図２１は、本発明の実施形態６に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。なお、上述した実施形態１と同様の部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【０１６６】
本実施形態の液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの製造方法は、まず、図１９（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の貫通部５１が形成される領域に、例えば、窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）からなる窒化シリコン膜５７を形成する。本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って窒化シリコンを形成後、所定形状にパターニングすることで窒化シリコン膜５７を形成した。なお窒化シリコン膜５７の形成方法は、特にこれに限定されず、例えば、流路形成基板用ウェハ１１０の表面に所望の領域に開口するマスクを設け、このマスクの開口部により露出された領域のみを熱窒化するようにしてもよい。
【０１６７】
次に、図１９（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、流路形成基板用ウェハ１１０の表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５３を形成する。このとき、流路形成基板用ウェハ１１０の表面の一部は窒化シリコン膜５７により覆われているため、弾性膜５０は、窒化シリコン膜５７以外の領域に形成される。このようにして形成された弾性膜５０は、貫通部５１側の端面の断面が円形状に形成され、且つ流路形成基板用ウェハ１１０の表面が弾性膜５０の厚さ方向の間（貫通部５１の深さ方向の間）となるように形成される。すなわち、貫通部５１は、その内面が開口側の深さ方向の途中まで露出された状態で形成される。なお、このような弾性膜５０の形成方法は、一般的にＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）と呼ばれている。
【０１６８】
その後、図１９（ｃ）に示すように、窒化シリコン膜５７を除去することで貫通部５１を形成すると共に、流路形成基板用ウェハ１１０の貫通部５１の周縁部近傍に凹部５２Ｅを形成する。本実施形態では、凹部５２Ｅを貫通部５１の内側に周方向に亘って形成するようにした。
【０１６９】
次に、図示しないが、流路形成基板用ウェハ１１０の二酸化シリコン膜５３上に絶縁体膜５５を形成してパターニングすることにより、貫通部５１よりも大きな開口部５６を形成する。
【０１７０】
次に、上述した実施形態１の図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す工程を行って、圧電素子３００を形成する。
【０１７１】
次に、図２０（ａ）に示すように、リード電極９０（図示なし）と配線層１９０とを形成する。このとき、配線層１９０を弾性膜５０上及び流路形成基板用ウェハ１１０の貫通部５１により露出された表面に凹部５２Ｅの内面に沿って形成することで、突出部１９１Ｅを形成する。
【０１７２】
次に、上述した実施形態１の図６（ａ）〜（ｃ）に示す工程を行って、流路形成基板用ウェハ１１０にリザーバ形成基板用ウェハ１３０を接合すると共に、流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚さとし、マスク膜５４を形成した後、図２０（ｂ）に示すように、マスク膜５４（図示なし）を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチング（ウェットエッチング）する。これにより、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路を形成する。このとき、配線層１９０によって貫通部５１は封止されているため、エッチング液がリザーバ形成基板用ウェハ１３０側（図示なし）に侵入してリザーバ形成基板用ウェハ１３０がエッチングされるのを防止することができる。
【０１７３】
また、このように流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２等の液体流路を形成すると、配線層１９０の連通部１３側に突出した突出部１９１Ｅが貫通部５１を介して連通部１３側に露出される。
【０１７４】
次に、図２０（ｃ）に示すように、貫通部５１内の配線層１９０の一部を連通部１３側からウェットエッチング（ライトエッチング）することにより除去する。すなわち、突出部１９１Ｅを含む連通部１３側に露出されている密着層９１と、この密着層９１が拡散している金属層９２の一部の領域とをエッチングにより除去する。
【０１７５】
次に、流路形成基板用ウェハ１１０表面のマスク膜５４を除去し、図２１（ａ）に示すように、五酸化タンタルからなる保護膜１６を形成する。このとき、連通部１３には、配線層１９０の突出部１９１Ｅが露出されているため、保護膜１６は、弾性膜５０の圧力発生室１２側の一方面から、露出された配線層１９０の突出部１９１Ｅ上に亘って連続して設けられる。これにより、弾性膜５０上に形成された保護膜１６には、配線層１９０の突出部１９１Ｅに沿って貫通部５１の周縁部側で連通部１３側に屈曲した第１の屈曲部１９２Ｅと、貫通部５１の中心側で屈曲した第２の屈曲部１９３Ｅとが設けられる。
【０１７６】
また、本実施形態では、弾性膜５０の貫通部５１側の端面が、断面が円形状となるように設けられているため、保護膜１６の貫通部５１の開口縁部への付き回りを向上して、詳しくは後述する工程で保護膜１６を良好に破断することができる。
【０１７７】
次に、上述した実施形態１の図８と同様に、保護膜１６上に高応力材料からなる剥離層１７を、例えば、ＣＶＤ法によって形成し、図２１（ｂ）に示すように、剥離層１７をウェットエッチングにより除去することで、配線層１９０上の保護膜１６を剥離層１７と共に完全に除去する。このとき、保護膜１６には、貫通部５１の周縁部近傍で連通部１３側に屈曲する第１の屈曲部１９２Ｅと、第１の屈曲部１９２Ｅよりも貫通部５１の中心側で屈曲する第２の屈曲部１９３Ｅとが設けられているため、配線層１９０上の保護膜１６を保護膜１６の屈曲した領域、本実施形態では、第１の屈曲部１９２Ｅで破断することができる。
【０１７８】
これにより、保護膜１６が貫通部５１側に庇状に残渣するのを防止して、インク流入時などに残渣が剥離することによりノズル開口２１の目詰まり等を防止することができる。また、保護膜１６を屈曲された領域で破断することにより、その破断面１６ａは、連通部１３側を向いて形成される。このため、庇状の微小な残渣が発生したとしても、この残渣は連通部１３側に向かって突出するため、インク流入時に剥がれ難く、ノズル開口２１の目詰まり等をさらに確実に防止することができる。
【０１７９】
その後は、上述した実施形態１の図９（ｂ）と同様に、配線層１９０を連通部１３側からウェットエッチングすることによって除去して貫通部５１を開口させる。
【０１８０】
なお、本実施形態では、配線層１９０上の保護膜１６を剥離層１７と共に除去する際に、保護膜１６を第１の屈曲部１９２Ｅで破断する例を示したが、上述した実施形態１と同様に、保護膜１６は、剥離層１７の除去条件などによって、第２の屈曲部１９３Ｅで破断される場合もある。この場合にも、同様の効果を奏するものである。
【０１８１】
（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態１〜６を説明したが、本発明の基本的構成は、上述した各実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態１〜６では、密着層９１及び金属層９２で構成される配線層１９０を例示したが、配線層１９０の構成はこれに限定されず、例えば、配線層を金属層のみで構成させるようにしてもよい。また、上述した実施形態１〜６では、貫通部５１内に形成した配線層１９０上の保護膜１６を高応力材料の剥離層１７によって除去するようにしたが、配線層１９０上の保護膜１６の除去方法は、特に限定されず、配線層１９０上の保護膜１６を応力により破断させて剥離するものであれば本発明を適用することができる。
【０１８２】
さらに、上述した実施形態１〜６のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図２２は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。
【０１８３】
図２２に示すように、インクジェット式記録ヘッドを有する記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、インク供給手段を構成するカートリッジ２Ａ及び２Ｂが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。
【０１８４】
そして、駆動モータ６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４にはキャリッジ軸５に沿ってプラテン８が設けられており、図示しない給紙ローラなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン８に巻き掛けられて搬送されるようになっている。
【０１８５】
また、上述した実施形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１８６】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】実施形態１に係る記録ヘッドの要部拡大断面図である。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図７】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図８】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図９】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図である。
【図１０】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図である。
【図１１】実施形態２に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図である。
【図１２】実施形態２に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図である。
【図１３】実施形態３に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図である。
【図１４】実施形態３に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図である。
【図１５】実施形態４に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図である。
【図１６】実施形態４に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図である。
【図１７】実施形態５に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図である。
【図１８】実施形態５に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図である。
【図１９】実施形態６に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図である。
【図２０】実施形態６に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図である。
【図２１】実施形態６に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図である。
【図２２】一実施形態に係るインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【０１８７】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  １６  保護膜、  １６ａ  破断面、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  リザーバ形成基板、  ３１  リザーバ部、  ３２  圧電素子保持部、  ３５  接着剤、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  弾性膜、  ５１  貫通部、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  ９１  密着層、  ９２  金属層、  １００  リザーバ、  １１０  流路形成基板用ウェハ、  １３０  リザーバ形成基板用ウェハ、  １９０  配線層、  １９１、１９１Ａ〜１９１Ｅ  突出部、  １９２、１９２Ａ〜１９２Ｅ  第１の屈曲部、  １９３、１９３Ａ〜１９３Ｅ  第２の屈曲部、  ２００  駆動回路、  ２１０  駆動配線、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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