(57)【要約】【課題】  急速熱アニーリングのための方法を提供する。【解決手段】  急速熱アニーリングのための方法が開示される。基板がアニーリングチャンバーに挿入されるときには、以前の基板がアニールされたときに加熱されたチャンバーコンポーネントから放射される熱のために加熱が開始される。従って、基板が挿入される間に、基板の先縁は高い温度になるが、基板の後縁は室温であることがあり、基板にわたる温度勾配が生じる。基板がアニーリングチャンバーに完全に挿入されると、温度勾配が依然存在し得る。基板にわたる温度勾配を補償することにより、基板を均一にアニールすることができる。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内で複数のランプの下に位置された基板の温度変化を検出するステップと、
アニーリングで上記基板にわたり均一の温度が達成されるように、上記検出された温度変化の関数として各ランプから放出される熱の量を制御することにより、上記基板をアニーリングするステップと、
を備えたアニーリング方法。
【請求項２】
上記アニーリング中に上記基板を回転するステップを更に備え、
上記検出ステップは、上記基板が回転するときに上記基板にわたる複数の位置で温度を検出することを含み、
上記アニーリングステップは、各ランプから放出される熱の量の制御を、上記検出された温度の関数として上記基板の回転と同期させることを含み、上記放出される熱の量の制御は、１つ以上のランプへの電力の量を減少することと、次のうちの少なくとも１つ、即ち
１つ以上の他のランプへの電力の量を増加すること、及び
１つ以上の他のランプに印加される電力の量を維持すること、
の１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記温度変化は、上記基板の中心から等しい半径方向距離にある上記基板の複数の位置において検出される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記アニーリングステップは、上記基板の中心から等しい半径方向距離の複数の位置に異なる量の熱を印加することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記複数のランプの２つ以上が一緒に結合されて同時に制御される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記放出される熱の量の制御は、１つ以上のランプへの電力の量を減少することと、次のうちの少なくとも１つ、即ち
１つ以上の他のランプへの電力の量を増加すること、及び
１つ以上の他のランプに印加される電力の量を維持すること、
の１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
基板の少なくとも一部分がエッジリングに位置されるようにして、チャンバー内の複数のランプの下で少なくとも１つの非半径方向に非均一な温度を有する基板を検出するステップと、
不均衡な量の熱を適当な領域に印加して上記基板にわたり均一な温度を達成するようにランプから放出される熱の量を制御することにより上記基板をアニーリングするステップと、
を備えたアニーリング方法。
【請求項８】
上記アニーリング中に上記基板を回転するステップを更に備え、
上記検出ステップは、上記基板が回転するときに上記基板にわたる複数の位置で温度を検出することを含み、
上記アニーリングするステップは、各ランプから放出される熱の量の制御を、上記検出された温度の関数として上記基板の回転と同期させることを含み、上記放出される熱の量の制御は、１つ以上のランプへの電力の量を減少することと、次のうちの少なくとも１つ、即ち
１つ以上の他のランプへの電力の量を増加すること、及び
１つ以上の他のランプに印加される電力の量を維持すること、
の１つを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
上記基板の中心から等しい半径方向距離にある上記基板の複数の位置において温度変化を検出するステップを更に備え、該ステップは、更に、
アニーリング中に上記基板を回転することを含み、温度変化の上記検出は、この回転中に行なわれ、更に、
各ランプから放出される熱の量の制御を、上記検出された温度の関数として上記基板の回転と同期させることを含み、
上記アニーリングは、上記基板の中心から等しい半径方向距離の複数の位置に異なる量の熱を付与することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
上記複数のランプの２つ以上が一緒に結合されて同時に制御される、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
上記放出される熱の量の制御は、１つ以上のランプへの電力の量を減少することと、次のうちの少なくとも１つ、即ち
１つ以上の他のランプへの電力の量を増加すること、及び
１つ以上の他のランプに印加される電力の量を維持すること、
の１つを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
基板がチャンバーへ挿入されたときに基板にわたる温度勾配を生成するステップと、
アニーリングで上記基板にわたり均一の温度が達成されるように、上記チャンバー内で上記基板の上に位置された複数のランプの各々から放出される熱の量を上記温度勾配の関数として制御することにより、上記基板をアニーリングするステップと、
を備えたアニーリング方法。
【請求項１３】
上記アニーリング中に上記基板を回転するステップと、
上記基板が回転するときに上記基板にわたる複数の位置で温度を検出するステップと、
各ランプから放出される熱の量の制御を、上記検出された温度の関数として上記基板の回転と同期させるステップと、
を更に備え、上記放出される熱の量の制御は、１つ以上のランプへの電力の量を減少することと、次のうちの少なくとも１つ、即ち
１つ以上の他のランプへの電力の量を増加すること、及び
１つ以上の他のランプに印加される電力の量を維持すること、
の１つを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
上記アニーリングは、上記基板の中心から等しい半径方向距離の複数の位置に異なる量の熱を付与することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
上記複数のランプの２つ以上が一緒に結合されて同時に制御される、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明は、一般的に、半導体処理の分野に関し、より詳細には、半導体デバイス製造中の熱アニーリングに関する。
【０００２】
関連技術の説明
[0002]急速熱処理（ＲＴＰ）は、半導体製造中に基板をアニールするためのプロセスである。このプロセス中に、熱放射を使用して、制御された環境内で基板を室温より９００度以上高い温度へと急速に加熱する。この温度は、プロセスにもよるが、１秒未満から数分までの時間中、維持することができる。次いで、基板を更なる処理のために室温へ冷却する。熱放射源として高輝度タングステン又はハロゲンランプが使用される。加熱されたサセプタに基板を伝導性結合すると、付加的な熱が与えられる。
【０００３】
[0003]半導体製造プロセスでは、ＲＴＰが多数応用される。このような応用は、熱酸化（基板を酸素又は酸素と水素の配合中で加熱し、シリコン基板を酸化させて二酸化シリコンを生成する）、高温ソークアニール（窒素、アンモニア又は酸素のような異なるガス混合物を使用する）、低温ソークアニール（金属が堆積された基板をアニールする）、及びスパイクアニール（基板を非常に短い時間中高温に露出する必要のあるプロセスに使用される）を含む。
【０００４】
[0004]アニーリング中に、基板は、ランプアレイからの熱放射を使用して加熱される。基板は、２５０℃／秒までの上昇率で１０００℃を越える温度に加熱することができる。次いで、ヘリウムガスのような不活性ガスのブランケットを使用して低温反射プレートに高温基板を伝導性結合することで、基板を冷却する。この強制冷却は、高速冷却率を促進し、８０℃／秒の下降率を達成する。
【０００５】
[0005]アニーリングの目的は、基板にわたって実質的に均一の温度プロフィールを得ることである。高い上昇率及び下降率は、アニーリングプロセス中に均一性を制御するための改良された方法を必要とする。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]本発明は、一般に、急速熱アニーリングのための方法を提供する。リアルタイムの基板温度測定に基づいてチャンバー内の複数のアレイ及び／又はランプへの電力を制御することにより均一なアニーリングが行われる。一実施形態では、アニーリング方法は、チャンバー内で複数のランプの下に位置された基板の温度変化を検出し、更に、アニーリングで基板にわたり均一の温度が達成されるように、その検出された温度変化の関数として各ランプから放出される熱の量を制御することにより基板をアニーリングすることを含む。
【０００７】
[0007]別の実施形態では、アニーリング方法は、基板の少なくとも一部分がエッジリングに位置されるようにして、チャンバー内の複数のランプの下で少なくとも１つの非半径方向に非均一な温度を有する基板を検出し、更に、不均衡な量の熱を適当な領域に印加して基板にわたり均一な温度を達成するようにランプから放出される熱の量を制御することにより基板をアニーリングすることを含む。
【０００８】
[0008]更に別の実施形態では、アニーリング方法は、基板がチャンバーへ挿入されたときに基板にわたる温度勾配を生成し、更に、アニーリングで基板にわたり均一の温度が達成されるように、チャンバー内で基板の上に位置された複数のランプの各々から放出される熱の量を温度勾配の関数として制御することにより、基板をアニーリングすることを含む。
【０００９】
[0009]本発明の前述した特徴を詳細に理解できるように、幾つかを添付図面に例示する実施形態に関して、簡単に概要を前述した本発明について、以下により詳細に説明する。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態のみを例示するもので、従って、本発明の範囲をそれに限定するものではなく、本発明は、その他の均等な効果を発揮できる種々の実施形態を包含し得ることに留意されたい。
【００１０】
[0014]理解を容易にするために、各図面に共通した同一の要素を指示するのに、できるだけ、同じ参照番号が使用されている。１つの実施形態の要素及び特徴は、更に詳述しなくても他の実施形態に有益に合体できることが意図される。
【詳細な説明】
【００１１】
[0015]以下に述べる本発明の実施形態は、カリフォルニア州サンタクララのアプライド・マテリアルズ社から入手できるＲＡＤＩＡＮＣＥＴＭチャンバー又はＶＡＮＴＡＧＥＴＭＲａｄｉａｎｃｅＰｌｕｓチャンバーにおいて実施することができる。ここに述べる方法は、他の製造者からのものを含む他の適当に適応されたチャンバーにおいて実施できることも意図される。
【００１２】
[0016]図１は、ランプ１１６のアレイが窓１３２の後方に配置された変形ＲＴＰチャンバー１００内に支持された基板１１２を示す。一実施形態において、窓１３２は、石英窓でよい。別の実施形態では、窓１３２は、透過性材料で作られてもよい。又、一実施形態では、ランプ１１６は、赤外線領域の放射を放出できる。別の実施形態では、ランプ１１６は、近赤外線領域の放射を放出できる。更に別の実施形態では、ランプ１１６は、タングステンハロゲンランプで構成されてもよい。基板１１２は、エッジリング１２０に載せられ、このエッジリング１２０と基板１１２との間にはギャップ１０４が設けられて、エッジリング１２０への基板１１２の配置及びエッジリング１２０からの基板１１２の除去を容易にしている。コントローラ１２８は、パイロメータ１２５、１２６及び１２７から測定値を受け取り、ランプ１１６へ制御信号を出力する。
【００１３】
[0017]基板１１２の下に配置された反射面１２２は、パージガス管路、リフトピン及びセンサ（図示せず）のための開口を有する。パージガスの開口の位置及び流れは、基板の温度プロフィールの制御を容易にするように構成できる。反射面１２２が回転しない場合には、基板非均一性の付加的な制御が与えられる。一実施形態では、反射面１２２を回転することができる。固定の反射面１２２は、局所的なガスジェット冷却及びランプの調整を容易にする。
【００１４】
[0018]或いは又、基板１１２は、ローター１２１を回転するアクチュエータ１２３により磁気的に回転されてもよい。アクチュエータ１２３は、ローター１２１に磁気的に結合される。一実施形態では、アクチュエータ１２３は、ローター１２１の高さを変更し及び／又はローター１２１の、その中心軸に対する角度方向を調整するように適応させることができる。ローター１２１の第１の高さは、スリットバルブ１３０を通して基板１１２を除去するために移送位置１１４に基板１１２を置く。次いで、新たな基板がアニーリングのためにローター１２１により位置される。カバー１０２は、ローター１２１をアニーリングプロセス中の不当な加熱から保護することができる。
【００１５】
[0019]別の実施形態では、ロボットブレードがチャンバー１００に入り、リフトピンを上昇させて基板１１２をロボットブレードから持ち上げることができる。次いで、ロボットブレードを引っ込め、スリットバルブ１３０を閉じることができる。基板１１２は、リフトピンにより伝導性加熱されてもよい。次いで、リフトピンは、基板１１２をエッジリング１２０に降下させることができる。
【００１６】
[0020]反射面１２２は、チャンバーの温度調整能力を改善するように変更することができる。反射面１２２は、１つ以上のパイロメータ１２５、１２６及び１２７のための開口をもつことができる。反射面１２２は、更に、ガス分配入口及び出口を含むことができる。反射面１２２の穴（図示せず）を通してガスを放出すると、スピード冷却を助けることができる。なぜなら、穴は、エネルギーを基板１１２へ反射して戻すことがないからである。反射面１２２における穴の設計を調整することで、熱伝達を容易にする別のメカニズムを与えることができる。又、図１に示された実施形態のような急速熱アニールシステムは、アニーリング用のレーザー、例えば、参考としてここに援用する米国特許公告第２００５／０１８６７６５Ａ１号に説明されたレーザーアニーリングシステムを備えてもよい。
【００１７】
[0021]通常、ランプ１１６及び反射面１２２は、基板に比較的均一な放射照度を発生するように設計される。この放射照度分布は、オフセット温度を慎重に変更することにより半径方向対称性と共に任意に調整することができる。熱を分散し且つ基板１２の冷却のための良好な対流を得るには、ランプ１１６を中心からずらして配置するのが望ましい。又、より高い温度が望まれる基板１１２上の半径方向位置では、それに対応するランプ１１６の位置を、より高い電力のランプ１１６で構成できる一方、他の位置を、より低い電力のランプ１１６で構成することができ、又は、ある位置では、ランプ１１６を除去してもよい。増加された温度勾配が要求される場合は、反射時により細いビームを発生する反射面１１２を使用して、ある制御ゾーンから別の制御ゾーンへの放射の広がりを減少することができる。更に、発光ダイオード（ＬＥＤ）をチャンバー内に配置して、付加的な温度制御を与えることもできる。或いは又、ランプ１１６をＬＥＤに置き換えてもよい。
【００１８】
[0022]又、チャンバーは、幾つかのランプ１１６又はランプ１１６の幾つかのゾーンを通して付加的な電力を放射するようにも構成できる。この付加的な電力を使用して、基板１１２の温度プロフィールを必要に応じて調整することができる。基板１１２がランプ１１６のヘッドに対して回転される場合には、これら構成される温度プロフィールは、主として、基板の半径に沿った非均一な温度プロフィールより成る。非均一性が望まれる半径方向位置では、対応するランプの電力を必要に応じて増加又は減少させることができる。ランプ１１６のパラメータの変更を使用して、異なる放射率の基板１１２によって生じる温度範囲縁作用の相違を補償することができる。
【００１９】
[0023]図２は、ランプ２０２のアレイを使用する蓋アッセンブリの底面２００の部分図である。多数の個々の電球が示されているが、ランプ２０２のアレイは、単一の電源又は個別の電源により付勢される２個程度の電球を含むものでよい。例えば、一実施形態におけるランプ２０２のアレイは、第１波長分布を放出する第１電球と、第２波長分布を放出する第２電球とを含む。従って、アニーリングプロセスは、ガス流、組成、圧力及び基板温度の調整に加えて、所与のアニーリングチャンバー内における種々のランプ２０２での種々の照射シーケンスを定義することにより、制御することができる。
【００２０】
[0024]ランプ２０２は、ランプのアレイにわたるゾーン又は領域に配列することができる。ゾーンは、基板の中心から半径方向へ延びてもよいし、又は基板の直径にわたる区分に配列されてもよい。例えば、ゾーンは、基板の周囲へより多くの熱を向けるか、或いは基板が回転するときに基板を露出させるための異なるスペクトルをもつ電球を設けるように選択されてもよい。電球の配置は、基板が回転されないときには、得られる基板特性に著しく影響を及ぼし得る。
【００２１】
[0025]ランプ２０２のアレイは、１つ、２つ又はそれ以上の異なる形式の個々の電球を選択してランプ２０２のアレイ内に配列することにより、特定のＵＶスペクトル分布要件を満足するように設計することができる。例えば、電球は、低圧力Ｈｇ、中圧力Ｈｇ及び高圧力Ｈｇから選択することができる。
【００２２】
[0026]ランプ２０２のアレイは、ＵＶ発光ダイオードのような高効率の電球を利用することができる。マイクロ波又はパルス電源により付勢されるＵＶ光源は、変換効率が５％であり、これに比して、１０Ｗ−１００Ｗのような低電力電球は、ランプ２０２のアレイにおいて、約２０％の変換効率を発揮することができる。マイクロ波電源では、全エネルギーの９５％が熱に変換されてエネルギーを浪費すると共に、余計な冷却要求を余儀なくされ、５％のエネルギーしかＵＶ放射に変換されない。低電力電球は、冷却要求が低いので、ランプ２０２のアレイを基板に接近配置し（例えば、１乃至６インチ）、反射ＵＶ光及びエネルギーロスを減少することができる。
【００２３】
[0027]更に、蓋アッセンブリの底面２００は、ランプ２０２のアレイ内にインターリーブされた複数のガス出口２０４を含むことができる。従って、チャンバー内のプロセス領域へ上から処理ガスを導入することができる。参考としてここに援用する米国特許公告第２００６／０２５１８２７Ａ１号から付加的な詳細情報を得ることができる。
【００２４】
[0028]図１を再び参照すれば、処理中に、ランプ１１６は、基板１１２を上述したように高い温度に加熱することができる。アニーリングは、基板１１２を加熱するだけでなく、チャンバー１００の処理エリアからランプ１１６を分離する石英窓１３２を含む種々のチャンバーコンポーネントも加熱する。チャンバー１００に入る基板１１２は、最初、室温のことがある。基板１１２がスロットバルブ１３０を通してチャンバー１００に入るときには、基板１１２が石英窓１３２に接近するために、基板１１２の先縁が加熱を開始できる。従って、基板１１２がチャンバー１００に入るときには、基板１１２の先縁が、プロセスチャンバー１００の外部にある基板１１２の後縁に比して、室温より高い温度になり得る。それ故、基板１１２がチャンバー１００に入るときには、基板１１２にわたり温度勾配が発生する。基板１１２がプロセスチャンバー１００内に完全に収容されるときまでに、基板１１２の先縁は、基板１１２の後縁に比して、チャンバー１００の加熱されたコンポーネントに、より長い時間、曝されるので、基板１１２は、基板１１２にわたって均一な温度にならないことがある。
【００２５】
[0029]更に、基板１１２がチャンバー１００に挿入されたときには、基板１１２がエッジリング１２０に載せられる。エッジリング１２０は、手前のアニーリングプロセスで加熱されているので、エッジリング１２０は、手前のアニーリングプロセスからある程度の熱を保有して、基板１１２より高い温度になっており、基板１１２を伝導性加熱することがある。エッジリング１２０に接触する基板１１２の部分は、エッジリング１２０に接触しない基板１１２の部分より高い温度に伝導性加熱され得る。それ故、基板１１２の縁から基板１１２の中心へと温度勾配が生じ得る。発生し得る別の問題として、基板１１２がエッジリング１２０と重畳するところでは大きな熱質量が加熱される。重畳の大きい（即ち、完全に中心に置かなかったことによる）エリアは、同じ半径で重畳が小さいエリアに対して、温度上昇中の加熱率が小さくなり得る。純粋な半径方向制御ゾーンにより温度の非均一性が軽減されることはない。リフトピンで基板１１２を受ける実施形態では、個々のランプ１１６の電力の不一致及び／又は基板１１２の非回転のために、基板１１２にわたって温度非均一性が生じることがある。
【００２６】
[0030]基板１１２がエッジリング１２０に配置されるときに、基板１１２は、エッジリング１２０の完全に中心に来ないことがある。エッジリング１２０と基板１１２の縁との間のギャップのために、基板１１２は、エッジリング１２０において若干中心をずれることがある。それに加えて又はそれとは別に、ロボットは、基板１１２を全く同じ位置に繰り返し配置できないことがある。従って、エッジリング１２０に載せられる基板１１２の部分は、基板１１２の中心から均一な半径方向距離にならないことがある。それ故、基板１１２の縁から基板１１２の中心へ温度勾配が生じるだけでなく、基板１１２の縁から基板１１２の中心への温度勾配が基板１１２の周りの各角度位置において変化することもある。
【００２７】
[0031]基板１１２にわたる温度勾配を補償するために、ランプを複数のゾーン（３０２ａ−ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ及び３０２ｐ−３０２ｔ）に分割することができ、各ゾーンは、１つ以上のランプを含む。図３は、ランプが除去された図２の蓋アッセンブリの底面を示す部分図である。各ゾーン（３０２ａ−ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ及び３０２ｐ−３０２ｔ）は、境界３０４、３０６により画成することができる。各ゾーン（３０２ａ−ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ及び３０２ｐ−３０２ｔ）内のランプは、より大きな制御を与えるように集合的に付勢されてもよいし、各ゾーン（３０２ａ−ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ及び３０２ｐ−３０２ｔ）内で個々に付勢されてもよい。ゾーン（３０２ａ−ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ及び３０２ｐ−３０２ｔ）及び／又は個々のランプに印加される電力は、パイロメータにより与えられるリアルタイムフィードバックに基づいて調整することができる。更に、アニーリング中に基板が回転するときには、種々のゾーン（３０２ａ−ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ及び３０２ｐ−３０２ｔ）及び／又は個々のランプに印加される電力は、任意の瞬間にゾーン（３０２ａ−ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ及び３０２ｐ−３０２ｔ）及び／又はランプの下に存在する基板の部分の温度を補償するように調整することができる。パイロメータからのリアルタイムフィードバックは、ゾーン（３０２ａ−ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ及び３０２ｐ−３０２ｔ）及び／又は個々のランプに与えられる電力を連続的に調整できるように、電力のリアルタイム制御を許す。この制御は、ゾーン（３０２ａ−ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ及び３０２ｐ−３０２ｔ）及び／又は個々のランプに、より低い電力又はより高い電力を与えるか、或いは電力を与えないようにすることを含んでもよい。温度勾配がもはや存在しなくなると、全てのゾーン（３０２ａ−ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ及び３０２ｐ−３０２ｔ）及び／又は全ての個々のランプに、同じレベルの電力を与えることができる。
【００２８】
[0032]図３に示すように、基板は、矢印「Ａ」で示された方向に蓋アッセンブリの下でチャンバーに入ることができる。基板がチャンバー内に位置されると、パイロメータ（図１を参照）は、種々の所定の位置で基板の温度を測定することができる。各ゾーン（３０２ａ−ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ及び３０２ｐ−３０２ｔ）に印加される電力は、次いで、種々の所定の位置の測定温度に基づいてセットすることができる。例えば、基板の先縁は基板の後縁に比して高い温度になり得るので、基板の後縁に対応するゾーン３０２ａには、基板の先縁に対応するゾーン３０２ｊに比して高い電力を与えることができる。他のゾーン（３０２ｂ−ｉ、３０２ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ及び３０２ｐ−３０２ｔ）も、温度測定に基づいて調整することができる。ゾーン（３０２ａ−ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ及び３０２ｐ−３０２ｔ）及び／又は個々のランプへの電力は、基板の回転と同期されてもよい。ゾーン（３０２ａ−ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ及び３０２ｐ−３０２ｔ）及び／又は個々のランプに印加される電力を制御できることで、基板の中心から同じ半径方向距離における変動を含む基板の温度変動が補償される。
【００２９】
[0033]図４は、本発明の一実施形態によるアニーリングプロセスを示すフローチャート４００である。ステップ４０２において、基板がチャンバーに挿入される。基板が挿入されるときに、基板の先縁の加熱を開始することができる。ステップ４０４において、基板がエッジリングに配置される。上述したように、基板は、エッジリングの完全に中心に配置されることもあるし、又は基板は、エッジリングの中心を若干ずれて配置されることもある。
【００３０】
[0034]ステップ４０６において、基板は回転を開始する。基板が回転すると、ステップ４０８において、ランプへの電力の上昇率を基板にわたる複数の位置に対するリアルタイム温度フィードバックに基づいて調整することができる。基板は、最初に、基板が熱から不透過になるまで低い電力でアニールされる。その後、アニーリング温度を所定の温度まで上昇することができる。アニーリングに続いて、温度を降下させ（ステップ４１０）、回転を停止することができる（ステップ４１２）。次いで、基板を取り出すことができる（ステップ４１４）。
【００３１】
[0035]ランプのゾーン及び／又は個々のランプを、基板にわたる温度測定のリアルタイムフィードバックに基づいて個々に制御することにより、基板の均一なアニーリングが可能となる。
【００３２】
[0036]以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明の基本的な範囲から逸脱せずに他の実施形態及び更に別の実施形態を案出することができ、従って、本発明の範囲は、特許請求の範囲によって決定されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態によるＲＴＰチャンバーの一部分の縦断面図である。
【図２】ランプのアレイを使用するＲＴＰチャンバーの蓋アッセンブリの底面を示す部分図である。
【図３】ランプのアレイが除去された図２の蓋アッセンブリの底面を示す部分図である。
【図４】本発明の一実施形態によるアニーリングプロセスを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００３４】
１００…ＲＴＰチャンバー、１０２…カバー、１０４…ギャップ、１１２…基板、１１４…移送位置、１１６…ランプ、１２０…エッジリング、１２１…ローター、１２２…反射面、１２３…アクチュエータ、１２５、１２６、１２７…パイロメータ、１２８…コントローラ、１３０…スリットバルブ、１３２…窓、２００…底面、２０２…ランプ、２０４…ガス出口、３０２ａ−ｋ、３０２ｍ、３０２ｎ、３０２ｐ−３０２ｔ…ゾーン、３０４、３０６…境界
【図１】
2008288598.tif 000003
【図２】
2008288598.tif 000004
【図３】
2008288598.tif 000005
【図４】
2008288598.tif 000006
【外国語明細書】
2008288598000001.pdf