(57)【要約】【課題】シンチレータパネルにおいて、反射性の基板上にハロゲンを含む蛍光体層（ＣｓＩなど）を成膜すると、高温高湿度環境下での使用で水分が浸入することでハロゲン元素が基板方向に拡散し、ハロゲンと反射性の基板（主にＡｌ）が反応して腐食が発生する。【解決手段】放射線透過性の基板２６と、基板２６に接し基板２６に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層２７と、基板２６が蛍光体層２７に接する面の反対側の面に接する反射金属層２５と、を有し、基板２６が蛍光体層２７の発光中心波長の光を透過し、反射金属層２５が蛍光体層２７の発光中心波長の光を反射可能にする放射線用シンチレータパネル。【選択図】図４
2008249335.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線透過性の基板と、
前記基板に接し前記基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層と、
前記基板が前記蛍光体層に接する面の反対側の面に接する反射金属層と、を有し、
前記基板が前記蛍光体層の発光中心波長の光を透過し、前記反射金属層が前記蛍光体層の発光中心波長の光を反射可能にすることを特徴とする放射線用シンチレータパネル。
【請求項２】
放射線透過性の基板と、
前記基板に接し前記基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層と、
前記基板が前記蛍光体層に接する面の反対側の面に接する反射金属層と、
前記基板が前記蛍光体層に接する面の反対側の面に接する光学フィルタ層と、を有し、
前記基板が前記蛍光体層の発光中心波長の光を透過し、前記光学フィルタ層と反射金属層の組み合わせにより、前記蛍光体層の発光中心波長の光を反射することを特徴とする放射線用シンチレータパネル。
【請求項３】
放射線透過性の基板と、
前記基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層と、
前記基板と前記蛍光体層との間に形成した光学フィルタ層と、
前記基板に接し前記光学フィルタ層の反対側の面に接する反射金属層と、を有し、
前記基板が前記蛍光体層の発光中心波長の光を透過し、
前記光学フィルタ層が前記蛍光体層の発光中心波長の光を透過し、前記反射金属層が前記蛍光体層の発光中心波長の光を反射することを特徴とする放射線用シンチレータパネル。
【請求項４】
前記反射金属層が、原子番号２０未満の金属、または実効原子番号２０未満の合金から構成された厚さ５０ｎｍ以上の金属層であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の放射線用シンチレータパネル。
【請求項５】
前記光学フィルタ層の屈折率をｎ、前記蛍光体層の発光中心波長をλとすると、前記光学フィルタ層の膜厚が、λ／２ｎの整数倍であることを特徴とする請求項２に記載の放射線用シンチレータパネル。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の放射線用シンチレータパネルを、光電変換手段に貼り合わせて筐体内に収容した放射線検出手段を有することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線を受けて蛍光を発する放射線用シンチレータパネル、及びシンチレータパネルを有する放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、Ｘ線画像のような放射線画像撮影装置は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−Ｘ線フィルムによる放射線画像撮影装置は、長い歴史の中で高感度化と高画質化が図られた結果、世界中の医療現場で用いられている。
【０００３】
近年では、フラットパネル型放射線ディテクタ（ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出手段も登場しており、放射線画像をデジタル情報として取得して自由に画像処理を行い、画像情報を直ちに電送することが可能となっている。
【０００４】
放射線画像検出手段は放射線を蛍光に変換する所謂「シンチレータパネル」を有している。シンチレータパネルは、被写体を通過した放射線を受けて、その放射線量に対応した強度で蛍光体層による蛍光を瞬時に発光するものであり、基板上に蛍光体層を形成した構成を有する。
【０００５】
図１１は、特許文献１のシンチレータパネルの断面構成図である。
【０００６】
特許文献１に記載のシンチレータパネルは、放射線透過性の基板と、該基板の一方の表面上に形成された金属反射膜と、該金属反射膜を覆うとともに基板の少なくとも側壁まで覆っている保護膜と、金属反射膜上の保護膜上に蒸着によって多数の針状結晶として形成されたアルカリハライド系の蛍光体層と、蛍光体層を覆う防湿膜とを備えたものである。
【特許文献１】特開２００３−２６２６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に示す放射線画像検出手段のシンチレータパネルでは、金属反射膜と蛍光体層とが基板に対して同じ側に配置されている。基板と金属反射膜とは保護膜により覆われているが、金属反射膜上にゴミ等の付着による突起状の欠陥が存在すると、その箇所がピンホールとなって、保護膜で覆われない部分が形成され、そこから腐食が発生する。
【０００８】
この腐食は以下のようなメカニズムによって発生する。例えばシンチレータパネルが６０℃、７０％湿度といった高温、高湿の環境におかれると、蛍光体層は通常ＣｓＩ等のアルカリハライド結晶からなっているので、水分の浸入により、ハロゲン原子（ここではＩ）が例えば、ＣｓＩ＋Ｉ2＝Ｃｓ+＋Ｉ3-となって、Ｉ3-イオンとなり、通常Ａｌで構成されている金属反射層と反応してＡｌを＋にイオン化しＩ3-と結合することでＡｌを反射層から溶け出させてしまうと考えられる。あるいはＩがイオン化して水分子と反応し、Ｈ2Ｏ＋Ｉ-→ＨＩ＋ＯＨ+と水酸化イオンを発生し、Ａｌ＋３ＯＨ-＝Ａｌ（ＯＨ）3となって溶解するという可能性も考えられる。
【０００９】
この腐食発生によって、Ａｌ反射層からの光反射が乱れ正確な画像診断の検出が妨げられ、診断性能が損なわれるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題は、下記の本発明により達成される。
【００１１】
１．  放射線透過性の基板と、前記基板に接し前記基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層と、前記基板が前記蛍光体層に接する面の反対側の面に接する反射金属層と、を有し、前記基板が前記蛍光体層の発光中心波長の光を透過し、前記反射金属層が前記蛍光体層の発光中心波長の光を反射可能にすることを特徴とする放射線用シンチレータパネル。
【００１２】
２．  放射線透過性の基板と、前記基板に接し前記基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層と、前記基板が前記蛍光体層に接する面の反対側の面に接する反射金属層と、前記基板が前記蛍光体層に接する面の反対側の面に接する光学フィルタ層と、を有し、前記基板が前記蛍光体層の発光中心波長の光を透過し、前記光学フィルタ層と反射金属層の組み合わせにより、前記蛍光体層の発光中心波長の光を反射することを特徴とする放射線用シンチレータパネル。
【００１３】
３．  放射線透過性の基板と、前記基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層と、前記基板と前記蛍光体層との間に形成した光学フィルタ層と、前記基板に接し前記光学フィルタ層の反対側の面に接する反射金属層と、を有し、前記基板が前記蛍光体層の発光中心波長の光を透過し、前記光学フィルタ層が前記蛍光体層の発光中心波長の光を透過し、前記反射金属層が前記蛍光体層の発光中心波長の光を反射することを特徴とする放射線用シンチレータパネル。
【００１４】
４．  前記１乃至３の何れか１項に記載の放射線用シンチレータパネルを、光電変換手段に貼り合わせて筐体内に収容した放射線検出手段を有することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のシンチレータパネルにより以下の効果が得られる。
【００１６】
１．  基板を介して蛍光体層（シンチレータ）と反射金属層とが分離されていて、蛍光体層と反射金属層とが完全に分離されて非接触であるから、厚い基板でハロゲンの拡散が抑制されるため、反射金属層が腐食するという問題が解消される。
【００１７】
２．  反射金属層と基板との間に蛍光体層の中心波長を優先的に透過する光学フィルタ層を設けることにより、蛍光体層以外からの光がカットされ、Ｓ／Ｎ比の高いシンチレータパネルが形成される。
【００１８】
３．  反射金属層は導電性であるから、蛍光体層を形成する蒸着装置の基板を保持するホルダに静電チャックを用いることにより、基板をホルダに静電吸着して固定できるから、蛍光体層の形成時の取り扱いが容易である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、本発明は該実施の形態に限定されるものではない。
【００２０】
図１は、本発明の実施の形態に係る放射線画像撮影装置１の概略図である。
【００２１】
放射線画像撮影装置１は、本体１０、放射線検出手段２０、画像処理手段３０、画像表示手段４０を備えている。本体１０は、その内部に、放射線検出手段２０や他各種機器を搭載するものであり、放射線室内の所定の位置に固定されている。
【００２２】
放射線画像撮影は、放射線源５０から照射され被写体６０、及び放射線検出手段２０の前面板２２を透過させた放射線を放射線検出手段２０で検出して行う。
【００２３】
図２は、図１の部分拡大断面図である。
【００２４】
放射線検出手段２０は、ハウジング２１の内部に、前面板２２、緩衝材２３、シンチレータパネル２００、光電変換手段２８を備えている。
【００２５】
シンチレータパネル２００は、放射線透過性の基板２６（以下、基板２６と称す）の面上に蛍光体層２７を備えるものであり、蛍光体層２７に放射線が照射されると、蛍光体層２７は入射した放射線のエネルギーを吸収して、波長が３００μｍから８００μｍの電磁波、即ち、可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波（光）を発光する。
シンチレータパネル２００は、反射金属層２５、基板２６、蛍光体層２７、及びこれらの部材を包囲して密封する耐湿性保護膜（以下、保護膜と称す）２４Ａ、２４Ｂから構成されている。
【００２６】
本体１０は、その内部に搭載した各種機器を保護できるように剛性の高い材料、例えば炭素繊維強化樹脂で作製される。
【００２７】
放射線検出手段２０の前面板２２は、放射線透過率が高い材料で作製される。なお、この前面板２２の厚さは、０．３〜０．５ｍｍで、放射線透過性を確保しつつ、強度を維持する。放射線透過率が高く、且つ剛性の高い材料としては、アルミニウム合金、炭素繊維強化樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、これらの樹脂とアルミニウム合金との複合材などがある。
【００２８】
前面板２２は、緩衝材２３を介してシンチレータパネル２００を押圧して、シンチレータパネル２００を光電変換手段２８に密接させる。
【００２９】
シンチレータパネル２００の内部に配置された反射金属層２５は、蛍光体層２７が発光する光を反射するものであればどんな金属を用いてもよい。
【００３０】
保護膜２４Ａ、２４Ｂは、反射金属層２５、基板２６、蛍光体層２７を内包したのち接着されて袋状に形成される。
【００３１】
蛍光体層２７としては、Ｃｓ（セシウム）をベースとして結晶が形成されたものであり、例えばＣｓＩ（ヨウ化セシウム）の他に、ＣｓＢｒやＣｓＣｌなどがあげられる。また、Ｃｓをベースとする蛍光体層２７を構成する複数の原料を任意の混合比率で用いて結晶体を形成し、この結晶体をベースとしてもよい。またＣｓＩとしてはＴｌを０．０３ｍｏｌ％程度ドープしたＣｓＩ：Ｔｌが発光効率の点でよく用いられる。
【００３２】
図３は従来例の放射線検出手段２０の模式断面図である。
【００３３】
シンチレータパネル２００の層構成は、保護膜２４Ａ、基板２６、反射金属層２５、蛍光体層２７、保護膜２４Ｂの順である。
【００３４】
図３に示すシンチレータパネル２００では、反射金属層２５と蛍光体層２７とが基板２６に対して同じ側に配置されている。基板２６と反射金属層２５とは保護膜２４Ａ，２４Ｂにより覆われている。
【００３５】
図７は、図Ｃ−Ａ−Ｄに示す従来のシンチレータパネルに配置された基板２６の光反射率特性図である。
【００３６】
［第１の実施形態］
図４は本発明の第１の実施形態による放射線検出手段２０の模式断面図である。
【００３７】
シンチレータパネル２００の層構成は、保護膜２４Ａ、反射金属層２５、基板２６、蛍光体層２７、保護膜２４Ｂの順である。基板２６としては、ポリイミド基板、１２５μｍ厚さを用いる。反射金属層２５としては９０ｎｍのアルミニウムを基板２６のポリイミド基板に蒸着したものを用いる。そしてポリイミド基板の表面に蛍光体層２７として、ＣｓＩ：Ｔｌを下記の方法で蒸着する。
【００３８】
シンチレータパネル２００の基板２６上に蛍光体層２７を形成する蒸着装置７１についても説明する。
【００３９】
図１０は、蛍光体層２７を形成する蒸着装置の概略構成図である。
【００４０】
蒸着装置７１は箱状の真空容器７２を有し、真空容器７２の内部には真空蒸着用のＴａ製抵抗加熱ボート７３が配置されている。ボート７３は蒸着源の被重点部材であり、ボート７３内には抵抗加熱体（ヒータ）が接続されている。抵抗加熱体に電流が流れると、抵抗加熱体がジュール熱により発熱する。
【００４１】
真空容器７２の内部であってボート７３の直上には、基板２６を保持するホルダ７４が配置されている。ホルダ７４にはホルダ７４を回転させる回転機構７５が配置されている。回転機構７５は、ホルダ７４に接続された回転軸７６とその駆動源となるモータ７７から構成されている。モータ７７の駆動により回転軸７６が回転してホルダ７４をボート７３に対向させた状態で回転させる。このホルダ７４の基板保持機構に静電チャック機構（静電気力で基板を保持する）を用いると、基板の裏面全面が静電気力で固定されるため、蒸着中の基板の変形に対する問題が従来の基板端部のみを機械的に固定する方法に比べて少ない。光透過性のポリイミド基板を用いた場合、ポリイミド基板は導電性でないので、静電チャックを使うことは出来ない。ここで導電性の反射金属層を静電チャック側に設け、反射層と静電チャック機能の両方を持たせたことにこの発明の利点がある。
【００４２】
真空容器７２には真空ポンプ７８が接続されている。真空ポンプ７８は、真空容器７２の内部の排気と、真空容器７２の内部への不活性ガスの導入とを行う。
【００４３】
初めに、静電把持部材７９によりホルダ７４に静電チャック機構により、反射金属層２５を吸着することで、基板２６を取り付ける。次に、ボート７３に蛍光体原料ＣｓＩとＴｌＩを例えば、１：０．０３ｍｏｌ％の比率で充填する。次に、真空ポンプ７８を作動させて、真空容器７２の内部を一旦排気したのち、真空容器７２の内部に不活性ガス（ここではＡｒ）を導入しながら、真空容器７２の内部を所定の真空度（ここでは０．５Ｐａ）にする。
【００４４】
真空雰囲気の形成と同時に、ホルダ７４のヒータと回転機構７５のモータ７７とを駆動し、ホルダ７４に取り付けられた基板２６をボート７３に対向させた状態で加熱（例えば２００℃）しながら回転（例えば１０ｒｐｍ）させる。
【００４５】
この状態において、抵抗加熱体に電流を流し、蛍光体原料を所定温度で加熱して、蛍光体原料を真空蒸着させる。その結果、基板２６の表面に無数の柱状結晶体が順次成長してゆき、基板２６上に所望の蛍光体層２７が形成される。本実施例ではＣｓＩ：Ｔｌの６００μｍの結晶を例えば成膜する。
【００４６】
以上の方法で、基板２６の一方の表面（放射線入射側）に反射金属層２５を、基板２６の他方の表面（蛍光射出側）に蛍光体層２７を配置した。
【００４７】
次に、シンチレータパネルを湿度から守るための保護膜２４ａ、２４ｂをＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレートフィルム）とＣＰＰ（キャスティングポリプロピレン）の積層フィルム７０μｍとする。上下に設置した保護膜２４ａ、２４ｂを、インパルスシーラーを用いて周辺部を融着することで、封止しシンチレータパネルを完成する。
【００４８】
本実施例では、基板２６を介して蛍光体層２７と反射金属層２５とが分離されて非接触であるから、厚い基板２６（本例では１２５μｍのポリイミド）でハロゲンの拡散が抑制されるため、反射金属層２５が腐食するという問題が解消される。
【００４９】
また、ＣｓＩ：Ｔｌのシンチレータが放射線により発光する波長範囲は図１２のように５５０ｎｍを中心波長とし、大体３００〜８００ｎｍである。この発光は放射線の入射によりＴｌ原子が励起されるために起こるが指向性なく放射される。つまり図２において、光電変換手段２８と反対方向にも、光電変換手段側に放射された光と同じ量の光が放射される。
【００５０】
従来技術での金属反射層２５はこの光を光電変換手段２８側に反射することで、シンチレータパネルの輝度を増大させる効果を出している。
【００５１】
図８はＣｓＩ／Ａｌ／ポリイミド構造において、Ａｌポリイミド基板１２５μｍ上にＡｌ膜を９０ｎｍ堆積したときのＡｌ膜側から見たときの光の反射スペクトルのシミュレーション結果をしめしている。シミュレーションソフトはＴＦＣａｌｃを用いた。５５０ｎｍの波長の光の反射率は８８％なので、反射分０．８８Ｘ１＋進行分１＝１．８８が従来の技術のシンチレータパネルの輝度であると概算できる。
【００５２】
これに対し、腐食の問題を避けるため、Ａｌ膜を除きＣｓＩ／ポリイミド構造でシミュレーションをするとポリイミド基板の有する屈折率１．６と膜厚１２５ｎｍの関係から若干反射は起こるが、５％であり、反射分０．０５Ｘ１＋進行分１＝１．０５がＡｌ膜を除いた場合のシンチレータパネルの輝度であると概算できる。
【００５３】
これに対し、本発明では基板２６が蛍光体層２７の発光中心波長の光を透過し、反射金属層２５が蛍光体層２７の発光中心波長の光を反射するように、ＣｓＩ／ポリイミド／Ａｌ構造とする。このときの反射率のシミュレーション結果を図９に示す。反射率は７１％であり、反射分０．７１Ｘ１＋進行分１＝１．７１と、従来構造の場合の輝度１．８８とほとんど輝度が変わらないシンチレータパネルが実現できる。
【００５４】
また、静電チャックへのチャック力についても本発明はメリットがある。基板ホルダに４００Ｖ印加したとき、Ａｌ（９０ｎｍ）／ポリイミド（１２５μｍ）／基板ホルダの構造では、ロードセル法により、Ａｌ／ポリイミド基板を基板ホルダから横に剥がすのに要する力は２．９ｍＮ／ｃｍ2の摩擦力に対し、本発明のポリイミド／Ａｌ／基盤ホルダの配置とすればポリイミド／Ａｌ基板を基板ホルダから剥がすのに必要な力は７６．４ｍＮ／ｃｍ2の摩擦力であった。静電チャックで基板を固定するには２０〜３０ｍＮ／ｃｍ2あれば充分と考えられ、本発明により、静電チャックへの吸着性がよく、腐食によるＡｌ反射層の欠損による解像度の低下もなく、輝度の低下も少ないシンチレータパネルが得られる。
【００５５】
［第２の実施の形態］
図５は本発明の第２の実施形態による放射線検出手段２０の模式断面図である。
【００５６】
シンチレータパネル２００の層構成は、保護層２４Ａ、基板２６、反射金属層２５、光学フィルタ層２９、蛍光体層２７、保護膜２４Ｂの順である。
【００５７】
基板２６としてはポリイミド基板１２５μｍを用いる。反射金属層２５としては９０ｎｍのアルミニウムとする。そしてポリイミド基板の表面に蛍光体層２７として、ＣｓＩ：Ｔｌを６００μｍの厚さ蒸着する。
【００５８】
シンチレータパネルを湿度から守るための保護膜２４ａ、２４ｂはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレートフィルム）とＣＰＰ（キャスティングポリプロピレン）の積層フィルム７０μｍとする。上下に設置した保護膜２４ａ、２４ｂを、インパルスシーラーを用いて周辺部を融着することで、封止しシンチレータパネルを完成した。
【００５９】
光学フィルタ層２９としては、その膜の屈折率をｎ、蛍光体の中心発光波長をλ、とすると、膜厚をｈ＝ｍλ／２ｎ（ｍは整数倍）。と設定すると光学フィルタ層＋Ａｌ層の反射が、前記蛍光体層の発光中心波長の光を反射するようになる。これは、以下の原理による。
【００６０】
今、光が屈折率ｎ、厚さｈの板に垂直に入射したときの空気から板への入射光の振幅反射率をｒとし、波長λ、振幅ａ0の光が板に入射したとすると、繰り返し反射干渉が起こり、相隣れる光束の間の位相差δは、
δ＝４πｎｈ／λ・・・・（１）
干渉光の強度Ｉtは
Ｉt＝ａ02／（１＋４Ｒｓｉｎ2（δ／２）／（１−Ｒ2））・・・（２）
となる。（村田和美著、光学、サイエンス社、Ｓ５４年、ｐ．６４）、ここで境界面の強度反射率Ｒ＝ｒ2を用いた。上の（２）式はδが２ｍπ（ｍ＝１，２，３……）のときに極大となる。ここでδに（１）を代入すると、
ｈ＝ｍλ／２ｎ・・・（３）
となるように透明絶縁膜の膜厚を選べばよいことになる。
【００６１】
例えば光学フィルタ層として、ＳｉＯ2を用いるとすると、ＳｉＯ2ではｎ＝１．４６、λは５５０ｎｍであるのでλ／２ｎは１８８．５ｎｍであり、本発明であればＳｉＯ2の膜厚は、１８８．５ｎｍの倍数にすればよい。
【００６２】
このとき、光学フィルタ層２９と反射金属層２５の組み合わせにより、光学フィルタ層２９の表面は５５０ｎｍの光をもっともよく反射し、その他の波長の光は反射しにくい。これにより、蛍光体が発光した光のみが反射されやすく、他の不純物起因の発光や、迷光などは波長が異なるため、反射されにくい。これによってノイズの少ない、鮮鋭な画像を得ることが出来る。
【００６３】
また、本発明では基板２６を介して蛍光体層２７と反射金属層２５、光学フィルタ層２９とが分離されて非接触であるから、厚い基板２６でハロゲンの拡散が抑制されるため、反射金属層２５、光学フィルタ層２９が腐食するという問題も解消される。
【００６４】
［第３の実施の形態］
図６は本発明の第３の実施形態による放射線検出手段２０の模式断面図である。
【００６５】
シンチレータパネル２００の層構成は、保護層２４Ａ、反射金属層２５、基板２６、光学フィルタ層２９、蛍光体層２７、保護膜２４Ｂの順である。
【００６６】
即ち、基板２６の一方の表面（放射線入射側）に反射金属層２５を、基板２６の他方の表面（蛍光射出側）に光学フィルタ層２９と蛍光体層２７を配置した。
【００６７】
基板２６としてはポリイミド基板１２５μｍを用いる。反射金属層２５としては９０ｎｍのアルミニウムとする。そしてポリイミド基板の表面に後に記載の条件で光学フィルタ層２９を蒸着後、蛍光体層２７として、ＣｓＩ：Ｔｌを６００μｍの厚さ蒸着する。
【００６８】
シンチレータパネルを湿度から守るための保護膜２４ａ、２４ｂはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレートフィルム）とＣＰＰ（キャスティングポリプロピレン）の積層フィルム７０μｍとする。上下に設置した保護膜２４ａ、２４ｂを、インパルスシーラーを用いて周辺部を融着することで、封止しシンチレータパネルを完成した。
【００６９】
光学フィルタ層２９としては、この場合、蛍光体の中心発光波長の光を透過するように設定する。その膜の屈折率をｎ、蛍光体の中心発光波長をλ、とすると、膜厚をｈ＝（２ｍ-1）λ／４ｎ（ｍは整数倍）。と設定すればよい。
【００７０】
これは膜の屈折率をｎ、基板の屈折率をｎgとするときに、ｎ＝ｎg0.5であるときには、上式の条件を満たす場合、この波長に対してのみ透過率が最大になるという反射防止膜の膜厚設定の理論（例えば、（村田和美著、光学、サイエンス社、Ｓ５４年、ｐ．７１））による。
【００７１】
例えば、ＣｓＩの屈折率は１．８なので１．８0.5＝１．３４、ポリイミドの屈折率は例えば１．６なので、１．６0.5＝１．２６この間に光学フィルタ層はあるので、屈折率１．３４〜１．２６の物質が好ましいが、例えばｎ＝１．４６のＳｉＯ2を用いて、をｈ＝（２ｍ-1）λ／４ｎでｍ＝１、λ＝５５０ｎｍと設定すれば、５５０ｎｍの光のみを透過する傾向を光学フィルタ層１９に持たせることができる。この時、上式を計算して、膜厚はｈ＝９４ｎｍと設定すればよいことになる。
【００７２】
この場合も、光学フィルタ層２９は、５５０ｎｍのみを透過し、その他の波長の光は反射しにくい。これにより、蛍光体が発光した光のみが反射されやすく、他の不純物起因の発光や、迷光などは波長が異なるため、反射されにくくなる。これによってノイズの少ない、鮮鋭な画像を得ることが出来る。
【００７３】
また、本発明では、基板２６を介して反射金属層２５と、蛍光体層２７を支持する光学フィルタ層２９とが分離されて非接触であるから、厚い基板２６（例えば、板厚５０μｍ以上）でハロゲンの拡散が抑制されるため、反射金属層２５が腐食するという問題が解消される。
【００７４】
また、反射金属層２５が、原子番号２０未満の金属、または実効原子番号２０未満の合金から構成された厚さ５０ｎｍ以上の金属層であることが望ましい。これは金属が反射機能を有するためには、一般に連続膜であり、一定の膜厚以上が必要であり、その膜厚が５０ｎｍ以上と考えられるからである。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施の形態に係る放射線画像撮影装置の概略図。
【図２】図１の部分拡大断面図。
【図３】従来の放射線検出手段の模式断面図。
【図４】本発明の第１の実施の形態による放射線検出手段の模式断面図。
【図５】本発明の第２の実施の形態による放射線検出手段の模式断面図。
【図６】本発明の第３の実施の形態による放射線検出手段の模式断面図。
【図７】従来のシンチレータパネルに配置された基板の光反射率特性図。
【図８】シンチレータパネルに光透過性基板を用いた場合の光反射率特性図。
【図９】第１の実施の形態のシンチレータパネルに配置された光透過性基板の裏側に反射金属層を設けた場合の光反射率特性図。
【図１０】蛍光体層を形成する蒸着装置の概略構成図。
【図１１】特許文献１のシンチレータパネルの断面構成図。
【図１２】ＣｓＩ：Ｔｌの発光波長スペクトル図。
【符号の説明】
【００７６】
１  放射線画像撮影装置
１０  本体
２０  放射線検出手段
２１  ハウジング
２２  前面板
２３  緩衝材
２４Ａ、２４Ｂ  耐湿性保護膜（保護膜）
２５  反射金属層
２６  放射線透過性の基板（基板）
２７  蛍光体層
２８  光電変換手段
２９  光学フィルタ層
２００  シンチレータパネル
３０  画像処理手段
４０  画像表示手段
５０  放射線源
６０  被写体
７１  蒸着装置
７２  真空容器
７３  ボート
７４  ホルダ
７５  回転機構
７６  回転軸
７７  モータ
７８  真空ポンプ
７９  静電把持部材
ｎ  屈折率
λ  波長
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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