(57)【要約】【課題】検査用端子の高さを高くしてプローブとの間の接触性が良好となるようにした液晶表示パネルの製造方法及び液晶表示パネルを提供すること。【解決手段】本発明の液晶表示パネルは、第１の検査用端子形成位置に順次形成された第１の導電性材料からなる膜６２ａ、第１の絶縁膜６３、半導体材料からなる膜３４ｂ、第２の導電性膜３２ａ、第２の絶縁膜３９、第１のコンタクトホール６６を介して第１の導電性膜６２ａと電気的に接続された第１の検査用端子６７と、第１の絶縁膜６３上の第２の検査用端子形成位置に順次形成された半導体材料からなる膜３４ｃ、第２の導電性材料からなる膜６４ａ、第２の絶縁膜３９、第２のコンタクトホール６８を介して第２の導電性材料からなる膜６４ａと電気的に接続された第２の検査用端子６９と、を備えることを特徴とする。【選択図】図３
2008116529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の（１）〜（７）の工程からなることを特徴とするアクティブマトリクス型の液晶
表示パネルの製造方法。
（１）基板表面の検査用端子形成位置に所定のパターンの第１の導電性材料からなる膜を
形成する工程、
（２）前記所定のパターンの第１の導電性材料からなる膜及び露出している基板の表面を
第１の絶縁膜で被覆する工程、
（３）前記第１の絶縁膜の表面に、平面視で前記所定のパターンの第１の導電性材料から
なる膜及びその周囲を覆うように半導体材料からなる膜を形成する工程、
（４）前記半導体膜の表面及びその周囲を覆うように第２の導電性材料からなる膜を形成
する工程、
（５）前記第２の導電性材料からなる膜の表面及びその周囲を覆うように第２の絶縁膜を
形成する工程、
（６）前記検査用端子形成位置の前記第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、第２の導電
性材料からなる膜及び第２の絶縁膜を貫通するようにコンタクトホールを形成する工程、
（７）前記コンタクトホールの周囲の第２の絶縁膜の表面、前記コンタクトホールの周縁
部及び前記第１の導電性材料からなる膜の表面を第３の導電性材料からなる膜で被覆して
検査用端子を形成する工程。
【請求項２】
前記所定のパターンの第１の導電性材料からなる膜、第１の絶縁膜、半導体材料からな
る膜、第２の導電性材料からなる膜、第２の絶縁膜及び第３の導電性材料からなる膜を、
それぞれ前記液晶表示パネルの走査線、ゲート絶縁膜、スイッチング素子を構成する半導
体材料からなる膜、信号線、保護絶縁膜及び画素電極の形成時に同時に形成することを特
徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記半導体材料からなる膜は、アモルファスシリコン層とその表面に形成されたｎ＋ア
モルファスシリコン層からなることを特徴とする請求項１又は２に記載のアクティブマト
リクス型の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項４】
以下の（１）〜（６）の工程からなることを特徴とするアクティブマトリクス型の液晶
表示パネルの製造方法。
（１）基板表面に第１の絶縁膜を被覆する工程、
（２）前記第１の絶縁膜の表面の検査用端子形成位置に所定のパターンの半導体材料から
なる膜を形成する工程、
（３）前記半導体材料からなる膜の表面及びその周囲を覆うように導電性材料からなる膜
を形成する工程、
（４）前記導電性材料の表面及びその周囲を覆うように第２の絶縁膜で被覆する工程、
（５）前記検査用端子形成位置の前記第２の絶縁膜を貫通するようにコンタクトホールを
形成する工程、
（６）前記コンタクトホールの周囲の第２の絶縁膜の表面、前記コンタクトホールの周縁
部及び前記導電性材料の表面を別の導電性材料からなる膜で被覆して検査用端子を形成す
る工程。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、導電性材料からなる膜、第２の絶縁膜及び
別の導電性材料の膜を、それぞれ前記液晶表示パネルのゲート絶縁膜、スイッチング素子
を構成する半導体材料からなる膜、信号線、保護絶縁膜及び画素電極の形成時に同時に形
成することを特徴とする請求項４に記載のアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの製
造方法。
【請求項６】
前記半導体材料からなる膜は、アモルファスシリコン層とその表面に形成されたｎ＋ア
モルファスシリコン層からなることを特徴とする請求項４又は５に記載のアクティブマト
リクス型の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項７】
以下の（１）〜（７）の工程からなることを特徴とする検査用端子を備えたアクティブ
マトリクス型の液晶表示パネルの製造方法。
（１）基板表面の第１の検査用端子形成位置に所定のパターンの第１の導電性材料からな
る膜を形成する工程、
（２）前記第１の導電性材料からなる膜及び露出している基板の表面を第１の絶縁膜で被
覆する工程、
（３）前記第１の絶縁膜の表面に、平面視で前記第１の導電性材料からなる膜及びその周
囲を覆うように半導体材料からなる膜を形成するとともに、第２の検査用端子形成位置に
所定のパターンの半導体材料からなる膜を形成する工程、
（４）前記半導体材料からなる膜の表面及びその周囲を覆うように第２の導電性材料から
なる膜を形成する工程、
（５）前記第２の導電性材料からなる膜の表面及びその周囲を覆うように第２の絶縁膜で
被覆する工程、
（６）前記第１の検査用端子形成位置の前記第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、第２
の導電性材料からなる膜及び第２の絶縁膜を貫通するようにコンタクトホールを形成する
とともに、前記第２の検査用端子形成位置の前記第２の絶縁膜を貫通するようにコンタク
トホールを形成する工程、
（７）前記第１及び第２のコンタクトホールの周囲の第２の絶縁膜の表面、前記第１及び
第２のコンタクトホールの周縁部、前記第１及び第２の導電性材料からなる膜の表面を第
３の導電性材料からなる膜で被覆して第１及び第２の検査用端子を形成する工程。
【請求項８】
前記第１の導電性材料からなる膜、第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、第２の導電
性材料からなる膜、第２の絶縁膜及び第３の導電性材料からなる膜を、それぞれ前記液晶
表示パネルの走査線、ゲート絶縁膜、スイッチング素子を構成する半導体材料からなる膜
、信号線、保護絶縁膜及び画素電極の形成時に同時に形成することを特徴とする請求項７
に記載のアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記半導体材料からなる膜は、アモルファスシリコン層とその表面に形成されたｎ＋ア
モルファスシリコン層からなることを特徴とする請求項７又は８に記載のアクティブマト
リクス型の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
基板表面の検査用端子形成位置に形成された所定のパターンの第１の導電性材料からな
る膜と、
前記第１の導電性材料からなる膜の表面及びその周囲を被覆する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の表面に、平面視で前記所定のパターンの第１の導電性材料からなる
膜及びその周囲を覆うように形成された半導体材料からなる膜と、
前記半導体膜の表面及びその周囲を覆うように形成された第２の導電性材料からなる膜
と、
前記第２の導電性材料の表面及びその周囲を覆うように被覆された第２の絶縁膜と、
前記検査用端子形成位置の前記第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、第２の導電性材
料からなる膜及び第２の絶縁膜を貫通するように形成されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールの周囲の第２の絶縁膜の表面、前記コンタクトホールの周縁部及
び前記第１の導電性材料からなる膜の表面を被覆する第３の導電性材料からなる膜で形成
された検査用端子と、
を備えることを特徴とするアクティブマトリクス型の液晶表示パネル。
【請求項１１】
前記第１の導電性材料からなる膜、第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、第２の導電
性材料からなる膜、第２の絶縁膜及び第３の導電性材料からなる膜は、それぞれ前記液晶
表示パネルの走査線、ゲート絶縁膜、スイッチング素子を構成する半導体材料からなる膜
、信号線、保護絶縁膜及び画素電極と同一材料で形成されていることを特徴とする請求項
１０に記載のアクティブマトリクス型の液晶表示パネル。
【請求項１２】
前記半導体材料からなる膜は、アモルファスシリコン層とその表面に形成されたｎ＋ア
モルファスシリコン層からなることを特徴とする請求項１０又は１１に記載のアクティブ
マトリクス型の液晶表示パネル。
【請求項１３】
基板表面に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の表面の検査用端子形成位置に形成された所定のパターンの半導体材
料からなる膜と、
前記半導体材料からなる膜の表面及びその周囲を被覆する導電性材料からなる膜と、
前記導電性材料の表面及びその周囲を覆うように被覆する第２の絶縁膜と、
前記検査用端子形成位置の前記第２の絶縁膜を貫通するように形成されたコンタクトホ
ールと、
前記コンタクトホールの周囲の第２の絶縁膜の表面、前記コンタクトホールの周縁部及
び前記導電性材料の表面を被覆する別の導電性材料からなる膜形成された検査用端子と、
を備えることを特徴とするアクティブマトリクス型の液晶表示パネル。
【請求項１４】
前記第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、導電性材料からなる膜、第２の絶縁膜及び
別の導電性材料の膜は、それぞれ前記液晶表示パネルのゲート絶縁膜、スイッチング素子
を構成する半導体材料からなる膜、信号線、保護絶縁膜及び画素電極と同一材料で形成さ
れていることを特徴とするアクティブマトリクス型の液晶表示パネル。
【請求項１５】
前記半導体材料からなる膜は、アモルファスシリコン層とその表面に形成されたｎ＋ア
モルファスシリコン層からなることを特徴とする請求項１３又は１４に記載のアクティブ
マトリクス型の液晶表示パネル。
【請求項１６】
基板表面の第１の検査用端子形成位置に形成された所定のパターンの第１の導電性材料
からなる膜と、
前記第１の導電性材料からなる膜及び露出している基板の表面を被覆する第１の絶縁膜
と、
前記第１の絶縁膜の表面に、平面視で前記第１の導電性材料からなる膜及びその周囲を
覆うように形成された半導体材料からなる膜、及び、第２の検査用端子形成位置に形成さ
れた所定のパターンの半導体材料からなる膜と、
それぞれの前記半導体材料からなる膜の表面及びその周囲を覆うように形成された第２
の導電性材料からなる膜と、
それぞれの前記第２の導電性材料からなる膜の表面及びその周囲を覆うように被覆され
た第２の絶縁膜と、
前記第１の検査用端子形成位置の前記第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、第２の導
電性材料からなる膜及び第２の絶縁膜を貫通するように形成された第１のコンタクトホー
ルと、前記第２の検査用端子形成位置の前記第２の絶縁膜を貫通するように形成された第
２のコンタクトホールと、
前記第１及び第２のコンタクトホールの周囲の第２の絶縁膜の表面、前記第１及び第２
のコンタクトホールの周縁部、前記第１及び第２の導電性材料からなる膜の表面を被覆す
る第３の導電性材料からなる膜で形成された第１及び第２の検査用端子と、
を備えることを特徴とするアクティブマトリクス型の液晶表示パネル。
【請求項１７】
前記第１の導電性材料からなる膜、第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、第２の導電
性材料からなる膜、第２の絶縁膜及び第３の導電性材料からなる膜は、それぞれ前記液晶
表示パネルの走査線、ゲート絶縁膜、スイッチング素子を構成する半導体材料からなる膜
、信号線、保護絶縁膜及び画素電極と同一の材料で形成されていることを特徴とする請求
項１６に記載のアクティブマトリクス型の液晶表示パネル。
【請求項１８】
前記半導体材料からなる膜は、アモルファスシリコン層とその表面に形成されたｎ＋ア
モルファスシリコン層からなることを特徴とする請求項１６又は１７に記載のアクティブ
マトリクス型の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルの製造方法及び液晶表示パネルに関し、特に、検査用端子と
検査用プローブの接触性を良好にして正確に検査できるようにした液晶表示パネルの製造
方法及び液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても表示パネルとして液晶表示パ
ネルが広く使用されている。この液晶表示パネルの基本的構成を図４〜図７を用いて説明
する。なお、図４は、従来の液晶表示パネルの概略平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ線
に沿った模式断面図であり、図６は図４の液晶表示パネルのアレイ基板のカラーフィルタ
基板を透視して表した１画素分の概略平面図であり、図７は図６のＢ−Ｂ線断面図である
。
【０００３】
この液晶表示パネル１０Ａはアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを備えている
。アレイ基板ＡＲのガラス等からなる透明基板１１は、表示領域１２に走査線及び信号線
がマトリクス状に形成されており、走査線と信号線で囲まれる部分に画素電極が形成され
、走査線と信号線の交差部近傍に画素電極と接続されたスイッチング素子としての薄膜ト
ランジスタＴＦＴが形成されている。これら各配線やＴＦＴ、画素電極の具体的な構成は
以下において別途詳細に説明するが、図５ではこれらを模式的に第１構造物１３として示
してある。
【０００４】
なお、透明基板１１の短辺部には液晶表示パネル１０Ａを駆動するためのドライバＩＣ
１４が載置されている。なお、このドライバＩＣは長辺部に載置される場合もあり、中型
ないし大型の液晶表示パネルの場合においてはドライバＩＣ１４を別途フレキシブル配線
基板等に搭載して透明基板１１に電気的に接続する場合もある。また、透明基板１１の隅
には複数（図４では４個）のトランスファ電極１５が設けられている。このトランスファ
電極１５はコモン配線１６を介して互いに直接接続ないしはドライバＩＣ１４内で互いに
接続されて同電位となるようになっている。また、走査線及び信号線はゲート配線１７な
いしソース配線１８に接続されて、これらのゲート配線１７及びソース配線１８によって
走査線及び信号線はドライバＩＣ１４と電気的に接続されている。
【０００５】
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、ガラス等のからなる透明基板２０上にカラーフィル
タ層とブラックマトリクスが形成されている。カラーフィルタ層は透明基板１１の画素電
極と対向するように配置されるとともに各画素に応じたフィルタ層が設けられ、ブラック
マトリクスは少なくとも透明基板１１の走査線や信号線に対応する位置に配置されている
。これらカラーフィルタ層等の具体的な構成は省略するが、図５ではこれらを模式的に第
２構造物２１として示してある。また、透明基板２０には更に酸化インジウム、酸化スズ
等で構成された透明電極からなる対向電極２２が少なくとも表示領域１２の全域に亘って
形成されている。
【０００６】
シール材２３は、透明基板１１の表示領域１２の周囲を液晶注入口（図示せず）を除い
て塗布されており、また、トランスファ電極１５上には図示しないコンタクト材が塗布さ
れて対向電極２２と電気的に接続されている。このシール材２３は例えばエポキシ樹脂等
の熱硬化性樹脂に絶縁性粒体のフィラを混入したものであり、コンタクト材はシール材と
同様の樹脂に粒状の導電体を混入したものである。そして、両基板間には液晶２４が封入
されている。
【０００７】
ここでアレイ基板ＡＲの具体的構成を図６及び図７を用いて説明する。アレイ基板ＡＲ
は、ガラス基板等の透明基板１１の表面にマトリクス状に形成された複数本の走査線３１
及び信号線３２と、これらの複数本の走査線３１間に設けられた走査線３１と平行な複数
本の補助容量線３３及び補助容量電極３３ａと、ソース電極Ｓ、ゲート電極Ｇ、ドレイン
電極Ｄ、及び半導体材料からなる膜３４ａとからなるＴＦＴと、走査線３１と信号線３２
とで囲まれた領域を覆う画素電極３５と、が設けられている。
【０００８】
そして、走査線３１、ゲート電極Ｇ、補助容量線３３及び露出している透明基板１１の
表面は第1層目の絶縁膜３７及び第１層目の絶縁膜３７よりも薄い第２層目の絶縁膜３８
によって被覆され、補助容量電極３３ａは第２層目の絶縁膜３８によってのみ被覆されて
いる。このような構成を採用すると、補助容量電極３３ａとドレイン電極Ｄとの間で補助
容量が形成されるが、この補助容量は薄い第２層目の絶縁膜３８のみが誘電体として機能
するため、補助容量が極めて大きくなる。この場合、第１層目の絶縁膜３７と第２層目の
絶縁膜３８は同じ組成のものであっても異なる組成のものであってもよい。
【０００９】
ゲート電極Ｇ上の第２層目の絶縁膜３８の表面には、例えばアモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ）層とその表面に形成されたオーミックコンタクト層となるｎ＋ａ−Ｓｉ層とから
なる半導体材料からなる膜３４ａ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極ＤからなるＴＦＴが形
成されているとともに、信号線３２も形成されており、更にこれらの表面全体が保護絶縁
膜（パッシベーション膜とも言う）３９によって被覆されている。この保護絶縁膜３９の
表面には層間膜（平坦化膜とも言う）４０が形成され、補助容量電極３３ａ上に位置する
保護絶縁膜３９及び平坦化膜４０にはコンタクトホール４１が形成され、このコンタクト
ホール４１を介して平坦化膜４０上に形成されたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（
Indium Zinc Oxide）等の透明電極からなる画素電極３５がドレイン電極Ｄと電気的に接
続されている。
【００１０】
このような構成の液晶表示パネル１０Ａにおいては、ドライバＩＣをアレイ基板ＡＲに
搭載する前にそれぞれの配線の配線状態、例えば断線及び短絡等の有無をチェックする中
間検査が行なわれている（例えば、下記特許文献１参照）。この従来例の中間検査工程を
図８を用いて説明する。なお、図８は下記特許文献１に記載された液晶表示パネルの検査
ラインの一部を拡大した平面図である。
【００１１】
この下記特許文献１に記載されている液晶表示パネル５０は、シール枠５１の一側面ま
で引出され、さらに例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のそれぞれの色ごとに異なる
長さＬ１〜Ｌ３（Ｌ１>Ｌ２>Ｌ３）引出されたソース配線５２と、同様にシール枠５１の
他側面からも異なる長さＬ４、Ｌ５（Ｌ４>Ｌ５）のゲート配線５３が引出されて、これ
らの引出し線にドライバＩＣを実装する実装用端子５２ａ、５３ａが設けられるともに、
その延長端が検査ライン５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂとなって、これらの検査ラインにプロー
ブを接触させることにより中間検査、すなわち画素の点灯検査を行なうようになっている
。
【００１２】
この点灯検査は、２個の第１、第２プローブ（図示省略）を使用し、一方の第１プロー
ブを各ゲート配線５３上のＤポジションに配置して、各ゲート配線５３をこのプローブで
接続して、以下の方法で行なわれる。先ず、他方の第２プローブ（図示省略）をＡポジシ
ョンに配置する。このポジションにプローブを配置すると、このプローブが全ての検査ラ
イン５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂに接触して、全ての画素が点灯される。このとき点灯しない
画素があれば、いずれかの信号線が断線していることを検知できる。
【００１３】
次に、第２プローブをＢポジションへ移動させると、このプローブは検査ライン５２Ｂ
、５２Ｇに接触し、青及び緑の画素が点灯される。このとき、赤の画素が点灯すると各検
査ライン５２Ｂ、５２Ｒに接続された信号線間、或いは各検査ライン５２Ｇ、５２Ｒに接
続された信号線が短絡していることになる。さらに、第２プローブをＢポジションからＣ
ポジションへ移動させると、このプローブは検査ライン５２Ｂのみに接触し、青の画素の
みが点灯し、緑の画素および赤の画素が点灯しない。このとき、緑あるいは赤の画素が点
灯すると、各検査ライン５２Ｂ、５２Ｇに接続された信号線間に短絡が生じていることが
確認できるわけである。
【特許文献１】特開平８−２０１８４３号公報（図１、段落［００３１］〜［００３８］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ところで、このような液晶表示パネルの検査ライン及び検査用端子の構成、及び検査用
端子に対するプローブの接触状態を図９〜図１１を用いて説明する。なお、図９は検査ラ
インの断面図であり、図１０は検査ラインの検査用端子部の断面図であり、図１０（ａ）
は低位配線の端子部の断面を示し、図１０（ｂ）は高位配線の端子部の断面を示す。また
、図１１は検査用端子にプローブを当接させた状態の模式断面図である。
【００１５】
検査ライン及び検査用端子は、液晶表示パネルのアレイ基板における走査線ないし信号
線の作製と同時に行われる。そのため、検査ライン及び検査用端子部には、図９及び図１
０に示したように、透明基板６１上に走査線やゲート電極の作製と同時に作製される低位
配線６２と、この低位配線６２及び透明基板６１の表面を被覆するゲート絶縁膜６３上に
信号線と同時に形成される高位配線６４とが存在し、しかも、この高位配線６４及びゲー
ト絶縁膜６３の表面は保護絶縁膜３９で被覆されている。なお、ここではゲート絶縁膜６
３として、従来例の液晶表示パネル１０の場合と同様に、第１層目の絶縁膜３７及び第１
層目の絶縁膜３７よりも薄い第２層目の絶縁膜３８とから形成されているものを示してい
る（以下、同じ）。
【００１６】
また、検査用端子部においては、図１０（ａ）に示したように、保護絶縁膜３９及びゲ
ート絶縁膜６３を同時に貫通するように設けられたコンタクトホール６６を介して画素電
極の形成と同時に第１の検査用端子６７が低位配線６２用の端子部６２ａと電気的に接続
するように形成され、また、図１０（ｂ）に示したように、保護絶縁膜３９を貫通するよ
うに設けられたコンタクトホール６８を介して同じく画素電極の形成と同時に第２の検査
用端子６９が高位配線６４用の端子部６４ａと電気的に接続するように形成されている。
このように、第１及び第２の検査用端子６７及び６９は、それぞれ低位配線６２及び高位
配線６４よりも高い位置に、かつ、低位配線６２及び高位配線６４よりも幅が太くなるよ
うに設けられ、プローブとの電気的接触が良好となるようになされている。
【００１７】
なお、プローブ７０としては、図１１に示したように、例えば可撓性のポリイミドフィ
ルム７１の表面にニッケル金属等からなる細幅の導電性部材７２を形成したものが使用さ
れ、このプローブ７０の導電性部材７２を上記の検査用端子６７ないし６９に当接するよ
うに配置して所定の点灯検査が行われる。
【００１８】
しかしながら、この検査ラインないし検査用端子６７、６９の近傍には、ゲート配線及
びソース配線だけでなく、ダミー配線やコモン配線などが存在しているため、検査用端子
６７、６９とプローブ７０の導電性部材７２との接触性が良好でない場合があった。すな
わち検査用端子６７、６９それぞれの間の距離は約１５０μｍないしそれ以上の距離が確
保され、各種配線部分に凹凸があっても検査用端子６７、６９とプローブ７０の導電性部
材７２との接触が確保されるようになされているが、特にコモン配線７３は太くなってい
るとともに、コモン配線７３と検査用端子６７、６９との間の高さの差が小さいため、図
１２に示すように、コモン配線７３に近接する検査用端子６７、６９部分でプローブ７０
がうねってプローブ７０の導電性部材７２が検査用端子６７、６９に接触しない状態とな
ることがあった。なお、図１２はコモン配線７３の近傍におけるプローブ７０と検査用端
子６７、６９の接触状態の一例を示す模式断面図である。
【００１９】
このような状態となると、正確に液晶表示パネルの点灯検査ができない状態となるので
、検査用端子６７、６９とプローブ７０の導電性部材７２との間の接触状態が良好となる
ようになすことが要望されている。
【００２０】
本発明は、このような従来技術の課題を解決するためになされたものであって、本発明
の目的は、検査用端子部の構成を見直して検査用端子の高さが従来例のものよりも高くな
るようにすることにより、検査用端子とプローブとの間の接触性が良好となるようにし、
正確に液晶表示パネルの点灯検査ができる検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の
液晶表示パネルの製造方法及び液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記目的を達成するため、本発明の検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶
表示パネルの製造方法は、以下の（１）〜（７）の工程からなることを特徴とする。
（１）基板表面の検査用端子形成位置に所定のパターンの第１の導電性材料からなる膜を
形成する工程、
（２）前記所定のパターンの第１の導電性材料からなる膜及び露出している基板の表面を
第１の絶縁膜で被覆する工程、
（３）前記第１の絶縁膜の表面に、平面視で前記所定のパターンの第１の導電性材料から
なる膜及びその周囲を覆うように半導体材料からなる膜を形成する工程、
（４）前記半導体膜の表面及びその周囲を覆うように第２の導電性材料からなる膜を形成
する工程、
（５）前記第２の導電性材料からなる膜の表面及びその周囲を覆うように第２の絶縁膜を
形成する工程、
（６）前記検査用端子形成位置の前記第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、第２の導電
性材料からなる膜及び第２の絶縁膜を貫通するようにコンタクトホールを形成する工程、
（７）前記コンタクトホールの周囲の第２の絶縁膜の表面、前記コンタクトホールの周縁
部及び前記第１の導電性材料からなる膜の表面を第３の導電性材料からなる膜で被覆して
検査用端子を形成する工程。
【００２２】
また、本発明は、上記検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの
製造方法において、前記所定のパターンの第１の導電性材料からなる膜、第１の絶縁膜、
半導体材料からなる膜、第２の導電性材料からなる膜、第２の絶縁膜及び第３の導電性材
料からなる膜を、それぞれ前記液晶表示パネルの走査線、ゲート絶縁膜、スイッチング素
子を構成する半導体材料からなる膜、信号線、保護絶縁膜及び画素電極の形成時に同時に
形成することを特徴とする。
【００２３】
また、本発明は、上記検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの
製造方法において、前記半導体材料からなる膜は、アモルファスシリコン層とその表面に
形成されたｎ＋アモルファスシリコン層からなることを特徴とする。
【００２４】
更に、本発明の検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの製造方
法は、以下の（１）〜（６）の工程からなることを特徴とする。
（１）基板表面に第１の絶縁膜を被覆する工程、
（２）前記第１の絶縁膜の表面の検査用端子形成位置に所定のパターンの半導体材料から
なる膜を形成する工程、
（３）前記半導体材料からなる膜の表面及びその周囲を覆うように導電性材料からなる膜
を形成する工程、
（４）前記導電性材料の表面及びその周囲を覆うように第２の絶縁膜で被覆する工程、
（５）前記検査用端子形成位置の前記第２の絶縁膜を貫通するようにコンタクトホールを
形成する工程、
（６）前記コンタクトホールの周囲の第２の絶縁膜の表面、前記コンタクトホールの周縁
部及び前記導電性材料の表面を別の導電性材料からなる膜で被覆して検査用端子を形成す
る工程。
【００２５】
また、本発明は、上記検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの
製造方法において、前記第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、導電性材料からなる膜、
第２の絶縁膜及び別の導電性材料の膜を、それぞれ前記液晶表示パネルのゲート絶縁膜、
スイッチング素子を構成する半導体材料からなる膜、信号線、保護絶縁膜及び画素電極の
形成時に同時に形成することを特徴とする。
【００２６】
また、本発明は、上記検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの
製造方法において、前記半導体材料からなる膜は、アモルファスシリコン層とその表面に
形成されたｎ＋アモルファスシリコン層からなることを特徴とする。
【００２７】
更に、本発明の検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの製造方
法は、以下の（１）〜（７）の工程からなることを特徴とする。
（１）基板表面の第１の検査用端子形成位置に所定のパターンの第１の導電性材料からな
る膜を形成する工程、
（２）前記第１の導電性材料からなる膜及び露出している基板の表面を第１の絶縁膜で被
覆する工程、
（３）前記第１の絶縁膜の表面に、平面視で前記第１の導電性材料からなる膜及びその周
囲を覆うように半導体材料からなる膜を形成するとともに、第２の検査用端子形成位置に
所定のパターンの半導体材料からなる膜を形成する工程、
（４）前記半導体材料からなる膜の表面及びその周囲を覆うように第２の導電性材料から
なる膜を形成する工程、
（５）前記第２の導電性材料からなる膜の表面及びその周囲を覆うように第２の絶縁膜で
被覆する工程、
（６）前記第１の検査用端子形成位置の前記第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、第２
の導電性材料からなる膜及び第２の絶縁膜を貫通するようにコンタクトホールを形成する
とともに、前記第２の検査用端子形成位置の前記第２の絶縁膜を貫通するようにコンタク
トホールを形成する工程、
（７）前記第１及び第２のコンタクトホールの周囲の第２の絶縁膜の表面、前記第１及び
第２のコンタクトホールの周縁部、前記第１及び第２の導電性材料からなる膜の表面を第
３の導電性材料からなる膜で被覆して第１及び第２の検査用端子を形成する工程。
【００２８】
また、本発明は、上記検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの
製造方法において、前記第１の導電性材料からなる膜、第１の絶縁膜、半導体材料からな
る膜、第２の導電性材料からなる膜、第２の絶縁膜及び第３の導電性材料からなる膜を、
それぞれ前記液晶表示パネルの走査線、ゲート絶縁膜、スイッチング素子を構成する半導
体材料からなる膜、信号線、保護絶縁膜及び画素電極の形成時に同時に形成することを特
徴とする。
【００２９】
また、本発明は、上記検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの
製造方法において、前記半導体材料からなる膜は、アモルファスシリコン層とその表面に
形成されたｎ＋アモルファスシリコン層からなることを特徴とする。
【００３０】
更に、本発明の検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルは、基板
表面の検査用端子形成位置に形成された所定のパターンの第１の導電性材料からなる膜と
、前記第１の導電性材料からなる膜の表面及びその周囲を被覆する第１の絶縁膜と、前記
第１の絶縁膜の表面に、平面視で前記所定のパターンの第１の導電性材料からなる膜及び
その周囲を覆うように形成された半導体材料からなる膜と、前記半導体膜の表面及びその
周囲を覆うように形成された第２の導電性材料からなる膜と、前記第２の導電性材料の表
面及びその周囲を覆うように被覆された第２の絶縁膜と、前記検査用端子形成位置の前記
第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、第２の導電性材料からなる膜及び第２の絶縁膜を
貫通するように形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールの周囲の第２の絶
縁膜の表面、前記コンタクトホールの周縁部及び前記第１の導電性材料からなる膜の表面
を被覆する第３の導電性材料からなる膜で形成された検査用端子と、を備えることを特徴
とする。
【００３１】
また、本発明は、上記検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルに
おいて、前記第１の導電性材料からなる膜、第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、第２
の導電性材料からなる膜、第２の絶縁膜及び第３の導電性材料からなる膜は、それぞれ前
記液晶表示パネルの走査線、ゲート絶縁膜、スイッチング素子を構成する半導体材料から
なる膜、信号線、保護絶縁膜及び画素電極と同一材料で形成されていることを特徴とする
。
【００３２】
また、本発明は、上記検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルに
おいて、前記半導体材料からなる膜は、アモルファスシリコン層とその表面に形成された
ｎ＋アモルファスシリコン層からなることを特徴とする。
【００３３】
更に、本発明の検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルは、基板
表面に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の表面の検査用端子形成位置に形成
された所定のパターンの半導体材料からなる膜と、前記半導体材料からなる膜の表面及び
その周囲を被覆する導電性材料からなる膜と、前記導電性材料の表面及びその周囲を覆う
ように被覆する第２の絶縁膜と、前記検査用端子形成位置の前記第２の絶縁膜を貫通する
ように形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールの周囲の第２の絶縁膜の表
面、前記コンタクトホールの周縁部及び前記導電性材料の表面を被覆する別の導電性材料
からなる膜形成された検査用端子と、を備えることを特徴とする。
【００３４】
また、本発明は、上記検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルに
おいて、前記第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、導電性材料からなる膜、第２の絶縁
膜及び別の導電性材料の膜は、それぞれ前記液晶表示パネルのゲート絶縁膜、スイッチン
グ素子を構成する半導体材料からなる膜、信号線、保護絶縁膜及び画素電極と同一材料で
形成されていることを特徴とする。
【００３５】
また、本発明は、上記検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルに
おいて、前記半導体材料からなる膜は、アモルファスシリコン層とその表面に形成された
ｎ＋アモルファスシリコン層からなることを特徴とする。
【００３６】
更に、本発明の検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルは、基板
表面の第１の検査用端子形成位置に形成された所定のパターンの第１の導電性材料からな
る膜と、前記第１の導電性材料からなる膜及び露出している基板の表面を被覆する第１の
絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の表面に、平面視で前記第１の導電性材料からなる膜及びそ
の周囲を覆うように形成された半導体材料からなる膜、及び、第２の検査用端子形成位置
に形成された所定のパターンの半導体材料からなる膜と、それぞれの前記半導体材料から
なる膜の表面及びその周囲を覆うように形成された第２の導電性材料からなる膜と、それ
ぞれの前記第２の導電性材料からなる膜の表面及びその周囲を覆うように被覆された第２
の絶縁膜と、前記第１の検査用端子形成位置の前記第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜
、第２の導電性材料からなる膜及び第２の絶縁膜を貫通するように形成された第１のコン
タクトホールと、前記第２の検査用端子形成位置の前記第２の絶縁膜を貫通するように形
成された第２のコンタクトホールと、前記第１及び第２のコンタクトホールの周囲の第２
の絶縁膜の表面、前記第１及び第２のコンタクトホールの周縁部、前記第１及び第２の導
電性材料からなる膜の表面を被覆する第３の導電性材料からなる膜で形成された第１及び
第２の検査用端子と、を備えることを特徴とする。
【００３７】
また、本発明は、上記検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルに
おいて、前記第１の導電性材料からなる膜、第１の絶縁膜、半導体材料からなる膜、第２
の導電性材料からなる膜、第２の絶縁膜及び第３の導電性材料からなる膜は、それぞれ前
記液晶表示パネルの走査線、ゲート絶縁膜、スイッチング素子を構成する半導体材料から
なる膜、信号線、保護絶縁膜及び画素電極と同一の材料で形成されていることを特徴とす
る。
【００３８】
また、本発明は、上記検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルに
おいて、前記半導体材料からなる膜は、アモルファスシリコン層とその表面に形成された
ｎ＋アモルファスシリコン層からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３９】
本発明は上記の構成を採用することにより以下に述べるような優れた効果を奏する。す
なわち、本発明の検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの製造方
法及び液晶表示パネルによれば、検査用端子が基板の表面に形成された低位配線用のもの
である場合、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との間に半導体材料からなる膜と第２の導電性
材料からなる膜が設けられているため、従来例の検査用端子と比すると半導体材料からな
る膜及び第２の導電性材料からなる膜の厚さに対応する分だけ検査用端子の高さを高くす
ることができる。
【００４０】
また、検査用端子が基板表面に設けられた第１の絶縁膜上に形成された高位配線用のも
のである場合、第１の絶縁膜と高位配線である導電性材料からなる膜との間に半導体材料
からなる膜が設けられているため、従来例の検査用端子と比すると半導体材料からなる膜
の厚さに対応する分だけ検査用端子の高さを高くすることができる。
【００４１】
したがって、本発明の検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの
製造方法及び液晶表示パネルによれば、検査用端子が基板の表面に形成された低位配線用
のものであっても高位配線用のものであっても、ともに検査用端子の高さを従来例のもの
と比すると高くすることができるため、これらの検査用端子と点灯検査等で使用されるプ
ローブの導電性部材との間の接触状態が良好となるので、正確に液晶表示パネルの点灯検
査ができる検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルを製造すること
ができるようになる。
【００４２】
また、本発明の検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの製造方
法及び液晶表示パネルによれば、所定のパターンの第１の導電性材料からなる膜、第１の
絶縁膜、半導体材料からなる膜、第２の導電性材料からなる膜、第２の絶縁膜及び第３の
導電性材料からなる膜を、それぞれ前記液晶表示パネルの走査線、ゲート絶縁膜、スイッ
チング素子を構成する半導体材料からなる膜、信号線、保護絶縁膜及び画素電極の形成時
に同時に形成することができるため、別途検査用端子形成のための工程を備えることなく
簡単に上記効果を奏する検査用端子を形成することができるようになる。
【００４３】
また、本発明の検査用端子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルの製造方
法及び液晶表示パネルによれば、アモルファスシリコン層の表面にｎ＋アモルファスシリ
コン層を形成することは半導体材料と金属との間でオーミックコンタクト層を形成するた
めに慣用的に用いられているから、検査用端子においてもアモルファスシリコン層の表面
にｎ＋アモルファスシリコン層を設けることにより特に工程を変更することなく更に検査
用端子の高さを従来例のものよりも高くすることができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面を参照しながら詳細に説明するが、以
下に述べる実施形態は本発明をここに記載したものに限定することを意図するものではな
く、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったも
のにも均しく適用し得るものである。
【００４５】
また、本実施例に係る液晶表示パネル１０の略平面図及びその断面図、カラーフィルタ
基板を透視して表した１画素分の略平面図及びその断面図は、それぞれ図４〜図７に示し
た従来例の液晶表示パネル１０Ａの場合と同様であるので、必要に応じて図４〜図７を援
用して説明することとし、また、本発明の液晶表示パネル１０において図４〜図７に示し
た従来例の液晶表示パネル１０Ａと同一構成部分には同一参照符号を付与して説明するこ
ととする。
【００４６】
なお、図１及び図２は、実施例に係る液晶表示パネル１０の画素部の１画素分及び端子
部の低位配線部及び高位配線部の製造工程を順に追って説明する断面図であり、いずれも
１画素分においては図６のＢ−Ｂ線において切断した断面の状態を示すものである。また
、図３は端子部の断面図であり、図３（ａ）は低位配線の端子部の断面図、図３（ｂ）は
高位配線の断面図である。
【００４７】
本実施例に係る液晶表示パネル１０は、先ず図１（ａ）に示すように、透明基板１１上
に所定厚のアルミニウム、モリブデン、クロムあるいはこれらの合金からなる単層ないし
複層の第１の導電物質層３６を成膜する。そして、図１（ｂ）に示すように、周知のフォ
トリソグラフィー法を用いてパターニングすることによりその一部をエッチングにより除
去し、横方向に伸びる複数本の走査線３１と、これら複数本の走査線３１の間の補助容量
線３３と、走査線３１から伸びるゲート電極Ｇと、補助容量線３３の一部を幅広とするこ
とにより補助容量電極３３ａを形成するとともに、液晶表示パネル１０の表示領域１２の
周囲に少なくともコモン配線１６及びゲート配線１７（図６参照）を形成し、端子部（例
えばドライバＩＣの下部）において所定のパターンの低位配線６２用の端子部６２ａを形
成する。
【００４８】
次に、前記工程によって走査線３１、補助容量線３３、ゲート配線１７、低位配線６２
が形成された透明基板１１上を覆うように所定厚さの第１層目の絶縁膜３７を成膜する。
この第１層目の絶縁膜３７としては窒化硅素などからなる透明な無機絶縁物が用いられる
。次いで、図１（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法によりこの第１層目の絶縁
膜３７の補助容量電極３３ａ上に位置する部分のみエッチングにより除去する。
【００４９】
次いで、上記工程が完了した後、図１（ｅ）に示すように、透明基板１１上を覆うよう
に第1層目の絶縁膜３７より薄肉な第２層目の絶縁膜３８を成膜する。この第２層目の絶
縁膜３８は第1層目の絶縁膜３７及び前述のエッチングにより第1層目の絶縁膜３７が除去
された補助容量電極３３ａ上に成膜されるので、走査線３１及びゲート電極Ｇは第1層目
の絶縁膜３７と第２層目の絶縁膜３８の両方によって被覆され、この２層膜でゲート絶縁
膜（第１の絶縁膜）が構成される。そして補助容量電極３３ａは第２層目の絶縁膜３８に
よってのみ被覆されているために補助容量が極めて大きくなる。なお、この第２層目の絶
縁膜３８の材料としては窒化硅素ないし酸化硅素から形成される。
【００５０】
次に、図１（ｆ）に示すように、この第２層目の絶縁膜３８上に例えばａ−Ｓｉ及びオ
ーミックコンタクト層となるｎ＋ａ−Ｓｉ層からなる半導体材料からなる膜３４を成膜す
る。そして、図１（ｇ）に示すように、フォトリソグラフィー法により半導体材料からな
る膜３４をエッチングすることにより、ゲート電極Ｇを覆う部分の上部にＴＦＴの一部と
なる半導体材料からなる膜３４ａを形成し、また、低位配線６２用の端子部６２ａ上の第
２層目の絶縁膜３８の表面に平面視で端子部６２ａ及びその周囲を覆うように所定のパタ
ーンの半導体材料からなる膜３４ｂを形成し、更に、高位配線用の端子部の形成位置に所
定のパターンの半導体材料からなる膜３４ｃを形成する。
【００５１】
次いで、基板表面全体に所定厚のアルミニウム、モリブデン、クロムあるいはこれらの
合金からなる単層ないし複層の第２の導電物質層を成膜した後、図２（ａ）に示すように
、フォトリソグラフィー法により走査線３１に直交する方向に延びる複数本の信号線３２
、この信号線３２から延設され半導体材料からなる膜３４ａに接続されるソース電極Ｓ、
補助容量電極３３ａ上を覆うとともに一端が半導体材料からなる膜３４ａに接続されるド
レイン電極Ｄ、液晶表示パネル１０の表示領域１２の周囲にソース配線１８（図４参照）
及び高位配線６４を形成するとともに、低位配線６２用の端子部６２ａの半導体材料から
なる膜３４ｂの表面及びその周囲を覆うように導電性膜３２ａを形成し、更に、高位配線
６４用の端子部形成位置に形成された半導体材料からなる膜３４ｃの表面及びその周囲を
覆うように高位配線用端子部６４ａを形成する。
【００５２】
更にまた、図２（ｂ）に示すように、これらの各種配線を覆うように、透明基板１１上
に表面の安定化のための無機絶縁材料からなる保護絶縁膜３９を成膜した後、図２（ｃ）
に示すように、アレイ基板ＡＲの表示領域１２の表面を平坦化するための有機絶縁材料か
らなる層間膜４０を成膜する。その後、図２（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー
法により、補助容量電極３３ａ上に位置する部分の層間膜４０及び保護絶縁膜３９を除去
してコンタクトホール４１を形成し、同じく低位配線６２用の端子部６２ａ上に位置する
第1層目の絶縁膜３７及び第２層目の絶縁膜３８とからなるゲート絶縁膜６３、半導体材
料からなる膜３４ｂ、導電性膜３２ａ及び保護絶縁膜３９を除去してコンタクトホール６
６を形成し、更に、高位配線６４用の端子部６４ａ上に位置する保護絶縁膜３９を除去し
てコンタクトホール６８を形成する。
【００５３】
次いで、表面全体にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）
からなる透明導電性膜を形成する。そうすると、この導電性膜は、コンタクトホール４１
においてドレイン電極Ｄと電気的に接続され、コンタクトホール６６において低位配線６
２用の端子部６２ａと電気的に接続され、更に、コンタクトホール６８において高位配線
６４用の端子部６４ａと電気的に接続される。
【００５４】
次いで、図２（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィー法により走査線３１及び信号
線３２によって囲まれた１画素領域ごとに透明導電性膜が残るようにエッチングすること
によって画素電極３５を形成するとともに、低位配線６２用の端子部６２ａのコンタクト
ホール６６の周囲の保護絶縁膜３９の表面、コンタクトホール６６の周縁部及び低位配線
６２用の端子部６２ａの表面に位置する透明導電性膜が残るようにエッチングすることに
より低位配線６２用の検査用端子６７を形成し、更に、コンタクトホール６８の周縁部及
び高位配線６４用の端子部６４ａの表面に位置する透明導電性膜が残るようにエッチング
することにより高位配線６４用の検査用端子６９を形成する。
【００５５】
以上の工程によりアレイ基板ＡＲが製造されるが、このようにして得られたアレイ基板
ＡＲの低位配線６２用の検査用端子６７及び高位配線６４用の検査用端子６９の拡大縦断
面図はそれぞれ図３（ａ）及び図３（ｂ）に示したとおりである。すなわち、低位配線６
２用の検査用端子６７は、ゲート絶縁膜６３、半導体材料からなる膜３４ｂ、導電性膜３
２ａ及び保護絶縁膜３９が順次積層され、この保護絶縁膜３９の表面に設けられているか
ら、図１０（ａ）に示した従来例の低位配線用の検査用端子６７の高さと比すると明らか
なように、半導体材料からなる膜３４ｂ及び導電性膜３２ａの分だけ高くなっていること
が分かる。同じく、高位配線６４用の検査用端子６９は、図１０（ａ）に示した従来例の
高位配線６４用の検査用端子６９の高さと比すると明らかなように、半導体材料からなる
膜３４ｃの分だけ高くなっていることが分かる。
【００５６】
したがって、本実施例による低位配線６２用の検査用端子６７の高さ及び高位配線６４
用の検査用端子６９の高さは、何れの従来例のものよりも高さが高くなっているから、こ
れらの低位配線６２用の検査用端子６７の高さ及び高位配線６４用の検査用端子６９の近
傍にコモン配線７３（図１２参照）のように太い配線があっても、検査用プローブ７０の
導電性部材７２をそれぞれの検査用端子６７ないし６９及びコモン配線７３に当接させて
も、従来例のようにプローブ７０がうねることがなくなってプローブ７０の導電性部材７
２と検査用端子６７、６９との間の接触状態が良好となり、正確に液晶表示パネル１０の
点灯検査ができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】実施例に係る液晶表示パネルの１画素分、端子部の低位配線部及び高位配線部の製造工程を順に追って説明する断面図である。
【図２】図１に引き続く実施例に係る液晶表示パネルの１画素分、端子部の低位配線部及び高位配線部の製造工程を順に追って説明する断面図である。
【図３】端子部の断面図であり、図３（ａ）は低位配線の端子部の断面図、図３（ｂ）は高位配線の断面図である。
【図４】従来の液晶表示パネルの概略平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図６】図４の液晶表示パネルのアレイ基板のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の概略平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】従来例の液晶表示パネルの検査ラインの一部を拡大した平面図である。
【図９】検査ラインの断面図である。
【図１０】検査ラインの検査用端子部の断面図であり、図１０（ａ）は低位配線の端子部の断面を示し、図１０（ｂ）は高位配線の端子部の断面を示す。
【図１１】検査用端子にプローブを当接させた状態の模式断面図である。
【図１２】コモン配線の近傍におけるプローブと検査用端子の接触状態の一例を示す模式断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０、１０Ａ    液晶表示パネル
１１    透明基板
１６    コモン配線
１７    ゲート配線
１８    ソース配線
３１    走査線
３２    信号線
３２ａ    導電性膜
３３    補助容量線
３３ａ    補助容量電極
３４、３４ａ〜３４ｃ    半導体材料からなる膜
３７    第１層目の絶縁膜
３８    第２層目の絶縁膜
３９    保護絶縁膜
４１、６６、６８    コンタクトホール
６２    低位配線
６２ａ    （低位配線用の）端子部
６３    ゲート絶縁膜
６４    高位配線
６４ａ    （高位配線用の）端子部
６７、６９    検査用端子
【図１】
2008116529.tif 000003
【図２】
2008116529.tif 000004
【図３】
2008116529.tif 000005
【図４】
2008116529.tif 000006
【図５】
2008116529.tif 000007
【図６】
2008116529.tif 000008
【図７】
2008116529.tif 000009
【図８】
2008116529.tif 000010
【図９】
2008116529.tif 000011
【図１０】
2008116529.tif 000012
【図１１】
2008116529.tif 000013
【図１２】
2008116529.tif 000014