(57)【要約】【課題】全面オーバーコート層を備えた液晶装置において、シール材の液晶注入口の近傍に表示不良が発生することを解消する。【解決手段】液晶注入口８を備え表示領域Ｖを取り囲むシール材４によって互いに貼り合わされた一対の基板５ａ，６ａと、液晶注入口８を通して一対の基板間に注入された液晶と、液晶注入口８を封止した封止剤１０と、一対の基板５ａ，６ａの少なくとも一方に設けられた全面オーバーコート層３３とを有する液晶装置である。オーバーコート層３３はシール材４の外側まで延在し、封止剤１０及びオーバーコート層３３はアクリル系樹脂を含む材料によって形成されている。液晶注入口８に対してその幅方向Ｄｗの全域で、且つ、その液晶流入方向Ｄｒの全域にわたって補助膜５１ａが設けられる。封止剤１０とオーバーコート層３３との間に補助膜５１ａを介在させることにより、反応生成物の生成を抑制する。【選択図】図２
2008083206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶注入口を備え表示領域を取り囲むシール材によって互いに貼り合わされた一対の基板と、
前記液晶注入口を通して前記一対の基板間に注入された液晶と、
前記液晶注入口を封止した封止剤と、
前記一対の基板の少なくとも一方に設けられたオーバーコート層とを有し、
前記オーバーコート層は前記シール材の外側まで延在して形成され、
前記封止剤及び前記オーバーコート層はアクリル系樹脂を含む材料によって形成されており、
前記液晶注入口の開口された幅方向の全域であって、且つ、前記液晶注入口内の液晶流入方向の少なくとも一部において補助膜を設けた
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶装置において、前記補助膜は、該補助膜の一部が前記一対の基板の少なくとも一方の基板と前記シール材との間に配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の液晶装置において、前記補助膜は前記封止剤と前記オーバーコート層との間に介在すると共に前記オーバーコート層を前記封止剤から隔絶することを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項３記載の液晶装置において、前記補助膜は、光量を減衰して光を通過させる性質を有する材料又はアクリル系樹脂に光を照射したときに発生するイオン性物質を吸着する性質を有する材料によって形成されることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項２記載の液晶装置において、前記補助膜は前記封止剤から離れた位置で前記オーバーコート層の上に設けられることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項５記載の液晶装置において、前記補助膜は、アクリル系樹脂に光を照射したときに発生するイオン性物質を吸着する性質を有する材料によって形成されることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６記載の液晶装置において、前記補助膜は前記液晶注入口のうち表示領域へ向けて拡開する部分の幅方向にわたって設けられることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の液晶装置において、
前記一対の基板の一方には複数色の着色膜が同一層内に設けられ、前記オーバーコート層は該着色膜を覆う平坦化膜であることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記オーバーコート層の上に設けられた配向膜をさらに有し、前記補助膜は配向膜と同じ材料によって形成されることを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項９記載の液晶装置において、前記配向膜と前記補助膜との間には間隙が設けられることを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
液晶注入口を備え表示領域を取り囲むシール材によって互いに貼り合わされた一対の基板と、
前記液晶注入口を通して前記一対の基板間に注入された液晶と、
前記液晶注入口を封止した封止剤と、
前記一対の基板の少なくとも一方に設けられたオーバーコート層とを有し、
前記オーバーコート層は前記シール材の外側まで延在し、
前記封止剤及び前記オーバーコート層は光硬化性樹脂によって形成され、
前記液晶注入口に対してその幅方向の全域で、その液晶流入方向の少なくとも一部で、その高さ方向の一部にわたって補助膜を設けた
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項１２】
液晶注入口を備え表示領域を取り囲むシール材によって互いに貼り合わされた第１基板及び第２基板と、
前記液晶注入口を通して前記第１基板と前記第２基板との間に注入された液晶と、
前記液晶注入口を封止した封止剤と、
前記第１基板上に設けられたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の電極端子に接続された画素電極と、
絶縁膜を挟んで前記画素電極に対向して設けられた共通電極と、を有し、
前記絶縁膜は前記シール材の外側まで延在し、
前記封止剤及び前記絶縁膜はアクリル系樹脂を含む材料又は光硬化性樹脂によって形成され、
前記液晶注入口に対してその幅方向の全域で、その液晶流入方向の少なくとも一部で、その高さ方向の一部にわたって補助膜を設けた
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれか1つに記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シール材に設けた液晶注入口を通して液晶パネルの内部に液晶を注入する構成の液晶装置及びそれを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant：携帯情報端末機）等といった電子機器に液晶装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の情報を表示するための表示部として液晶装置が用いられている。この液晶装置においては、一般に、ガラス等によって形成された基板上の領域であってシール材によって囲まれる領域内に表示領域が形成され、この表示領域内に画像が表示される。
【０００３】
この液晶装置として、従来、シール材によって囲まれる領域内に該シール材を越えることなくオーバーコート層を設けた構成の液晶装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このようにシール材によって囲まれた領域内に該シール材を越えることなく設けられたオーバーコート層を本明細書では選択オーバーコート層と呼ぶことにする。
【０００４】
この選択オーバーコート層を用いる場合には、シール材の内周近傍におけるセルギャップが画像を表示する平面領域である表示領域内のセルギャップに対して変動するため、シール材によって囲まれる領域内で表示領域を広くとることができず、表示に寄与しない周辺領域である額縁領域が広くなるという問題がある。
【０００５】
また、未だ公知ではなが、例えば図１０に示すように、ガラス等から成る基板１０１上にシール材１０２を越えてオーバーコート層１０３を設ける技術がある。このようにシール材を越えて設けられるオーバーコート層を本明細書では全面オーバーコート層と呼ぶことにする。この技術によれば、シール材１０２の内周近傍のセルギャップＧを表示領域Ｖ内のセルギャップＧと等しくできるので、表示領域Ｖを広くできるか、あるいは表示領域Ｖの周囲の額縁領域を狭くできる。
【０００６】
なお、図１０では、基板１０１上にカラーフィルタ１０７、オーバーコート層１０３、帯状電極１０８、フォトスペーサ１０９、及び配向膜１１０ａを有し、対向する基板１１１上に光反射膜１１２、帯状電極１１３、及び配向膜１１０ｂを有する、単純マトリクス型で反射型の液晶装置を例示したが、その他の形式、例えばスイッチング素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置や、液晶パネルを透過する光の透過率を制御して表示を行う光透過型の液晶装置や、光反射型と光透過型の両方の機能を有する半透過反射型の液晶装置等といった各液晶装置に関しても、同様に、全面オーバーコート層を適用することができる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３０９１４９号公報（第６頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、図１１（ａ）は一般的な液晶装置を示しており、この液晶装置において、液晶１０５はシール材１０２の適所に設けた液晶注入口１０６を通して注入され、その液晶注入口１０６は液晶の注入後に封止剤１０４によって封止される。図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）は、図１１（ａ）におけるＺ１１−Ｚ１１線に従った断面図を示している。図１１（ｂ）は、オーバーコート層の形成領域がシール材１０２によって囲まれる領域内に限られる選択オーバーコート層の場合を示しており、図１１（ｃ）は、オーバーコート層１０３がシール材１０２を越えて形成される全面オーバーコート層の場合を示している。
【０００９】
図１１（ｂ）に示す選択オーバーコート層の場合、オーバーコート層はシール材１０２の外側領域には形成されないので、シール材１０２の液晶注入口１０６を封止する封止剤１０４は基板１１４ａ及び１１４ｂの表面に接触している。一方、図１１（ｃ）に示す全面オーバーコート層の場合、オーバーコート層１０３はシール材１０２を越えて形成されるので、封止剤１０４はオーバーコート層１０３と接触している。
【００１０】
封止剤として光硬化性を有するアクリル系樹脂を用いる場合、その封止剤を硬化させる際にはその封止剤に光、例えば紫外線を照射する。このとき、図１１（ｂ）の選択オーバーコート層の場合は問題が無いが、図１１（ｃ）の全面オーバーコート層の場合には、光照射を受けた封止剤１０４の内部に発生したイオン性物質がオーバーコート層１０３の内部に流入したり、オーバーコート層１０３自体が光に反応してその内部にイオン物質が生成されたりすることがある。
【００１１】
オーバーコート層１０３の内部にイオン性物質が存在し、そのイオン性物質が表示領域内に入り込むと、その部分で表示不良、例えば表示ムラが発生するおそれがある。従って、全面オーバーコート層を用いた従来の液晶装置においては、液晶注入口１０６の近傍領域において表示不良が発生するおそれがあった。
【００１２】
本発明は、上記の問題を解消するために成されたものであって、全面オーバーコート層を備えた液晶装置及び電子機器において、シール材の液晶注入口の近傍に表示不良が発生することを解消することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る第１の液晶装置は、液晶注入口を備え表示領域を取り囲むシール材によって互いに貼り合わされた一対の基板と、前記液晶注入口を通して前記一対の基板間に注入された液晶と、前記液晶注入口を封止した封止剤と、前記一対の基板の少なくとも一方に設けられたオーバーコート層とを有し、前記オーバーコート層は前記シール材の外側まで延在して形成され、前記封止剤及び前記オーバーコート層はアクリル系樹脂を含む材料によって形成されており、前記液晶注入口の開口された幅方向の全域であって、且つ、前記液晶注入口内の液晶流入方向の少なくとも一部において補助膜を設けたことを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る液晶装置は、シール材の外側まで延在するオーバーコート層、いわゆる全面オーバーコート層を用いる液晶装置である。全面オーバーコート層を用いる液晶装置では、その全面オーバーコート層が図１１（ｃ）に符号１０３で示したように液晶注入口１０６において封止剤１０４と直接に接触することがあり、そのため、液晶注入口１０６の近傍で表示ムラが発生することがある。
【００１５】
その理由としていくつかのことが考えられるが、大きな要因として次のことが考えられる。オーバーコート層及び封止剤の硬化の反応は紫外線を用いたラジカル反応が一般的であり、両者の反応メカニズムは近似している。このため、封止剤とオーバーコート層が互いに反応して不純物が析出し、この析出物の影響により表示ムラが発生することが考えられる。また、反応成分が液晶に溶解することにより、液晶に配向膜が吸着し、これにより配向不良が発生して表示ムラが発生することも考えられる。
【００１６】
以上のような現象が想定できるところ、本発明のように、シール材の液晶注入口に対してその幅方向の全域であって、その液晶流入方向の少なくとも一部において補助膜を設けることにすれば、その補助膜の存在により、封止剤とオーバーコート層とが互いに直接に接触しないようにでき、これによりオーバーコート層と封止剤との反応を回避でき、反応生成物によって表示ムラが発生することを防止できる。また、仮にオーバーコート層と封止剤との間で反応が起こって反応生成物が発生したとしても、補助膜によってその反応生成物をトラップ（捕獲）することにより、その反応生成物が表示に影響を与えることを阻止でき、これにより表示ムラが発生することを防止できる。
【００１７】
上記構成の本発明に係る液晶装置において、前記補助膜は、該補助膜の一部が前記一対の基板の少なくとも一方の基板と前記シール材との間に配置される状態に構成できる。
【００１８】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記補助膜は前記封止剤と前記オーバーコート層との間に介在すると共に前記オーバーコート層を前記封止剤から隔絶することが望ましい。この場合、補助膜は、オーバーコート層と封止剤とが接触しようとしている面の全面に介在する構成であっても良いし、オーバーコート層と封止剤とが接触しようとしている面の一部に介在する構成であっても良い。この発明態様によれば、オーバーコート層と封止剤とが直接に反応することを補助膜の存在によって回避することにより、反応生成物の発生を抑制でき、これにより液晶注入口の近傍における表示ムラの発生を防止できる。
【００１９】
次に、封止剤とオーバーコート層との間に補助膜を介在させることにした本発明に係る液晶装置において、前記補助膜は、光量を減衰して光を通過させる性質を有する材料又はアクリル系樹脂に光を照射したときに発生するイオン性物質を吸着する性質を有する材料によって形成されることが望ましい。光量を減衰して光を通過させる性質を有する材料は、光を減衰させることができる任意の材料によって実現できる。また、アクリル系樹脂に光を照射したときに発生するイオン性物質を吸着する性質を有する材料は、例えば、一般に配向膜の材料として用いられるポリイミドや、一般に絶縁膜として用いられるＳｉＮ、ＳｉＯ２等によって実現できる。
【００２０】
補助膜は、封止剤とオーバーコート層との間に介在するだけで両者が光を受けたときに両者が互いに反応し合うことを防止するものであるが、光量を減衰して光を通過させる性質を有する材料によってその補助膜を形成すれば、オーバーコート層それ自体における反応生成物の発生を抑制できるので、表示ムラを誘起するおそれのある物質それ自体の量を減らすことができる。
【００２１】
また、アクリル系樹脂に光を照射したときに発生するイオン性物質を吸着する性質を有する材料によって補助膜を形成すれば、封止剤及びオーバーコート層とが光を受けたときに、仮にそれらの間に反応生成物が発生したとしても、その反応生成物を補助膜によってトラップできるので、表示ムラを誘起するおそれのある物質が表示領域へ流入することを防止できる。
【００２２】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記補助膜は前記封止剤から離れた位置で前記オーバーコート層の上に設けられることが望ましい。この構成は、封止剤とオーバーコート層との間に補助膜を介在させるのではなく、封止剤から離れた位置に補助膜を配置させる構成を規定している。補助膜を封止剤とオーバーコート層との間に介在させない場合には、封止剤及びオーバーコート層に光が当たったときに両者の間に反応生成物が発生することがあるかもしれない。しかしながら、この場合でも、反応生成物は補助膜に吸着されてトラップされ、表示領域へ流入することを阻止され、これにより液晶注入口の近傍における表示ムラの発生を防止できる。
【００２３】
次に、補助膜を封止剤から離れた位置でオーバーコート層の上に設けることにした本発明に係る液晶装置において、前記補助膜は、アクリル系樹脂に光を照射したときに発生するイオン性物質を吸着する性質を有する材料、例えばポリイミド、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等によって形成されることが望ましい。この構成により、封止剤とオーバーコート層との間で発生した反応生成物であるイオン性物質を補助膜に吸着させてトラップすることにより、そのイオン性物質が表示領域内へ流入することを阻止でき、液晶注入口の近傍で表示ムラが発生することを防止できる。
【００２４】
次に、補助膜を封止剤から離れた位置でオーバーコート層の上に設けることにした本発明に係る液晶装置において、前記補助膜は前記液晶注入口のうち表示領域へ向けて拡開する部分の幅方向にわたって設けられることが望ましい。この構成により、表示領域へ流入しようとするイオン性物質を確実に補助膜によってトラップできる。
【００２５】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記一対の基板の一方には複数色の着色膜が同一層内に設けられ、前記オーバーコート層は該着色膜を覆う平坦化膜であることが望ましい。この構成は、着色膜を用いてカラー表示を行う液晶装置に対して本発明を適用することを規定している。
【００２６】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記オーバーコート層の上に設けられた配向膜をさらに有し、前記補助膜は配向膜と同じ材料によって形成されることが望ましい。通常の液晶装置では配向膜はポリイミドによって形成されることが多い。このポリイミドは、光に対する反応機構が封止剤及びオーバーコート層と異なる材料である。このポリイミドを封止剤とオーバーコート層との間に介在させれば、封止剤とオーバーコート層とに光を照射したときの反応生成物の発生を確実に防止できる。また、ポリイミドは、アクリル系樹脂に光を照射したときに発生するイオン性物質を吸着する性質を有する材料である。よって、このポリイミドを補助膜として用いれば、封止剤とオーバーコート層とに光を照射したときにイオン性物質が発生した場合でも、そのイオン性物質を吸着によってトラップして表示に影響を与えることを阻止できる。
【００２７】
次に、補助膜を配向膜と同じ材料によって形成することにした液晶装置においては、配向膜と補助膜との間に間隙、すなわち配向膜及び補助膜の構成材料が無い部分が設けられることが望ましい。仮に、配向膜と補助膜とがつながっていると、イオン性物質等といった反応生成物がクロマト現象（すなわち、１つの物質内を異物質が移動する現象）により表示領域へ流れ込むおそれがある。これに対し、配向膜と補助膜との間に間隙を設けておけば、反応生成物の表示領域内への流入を確実に防止できる。
【００２８】
次に、本発明に係る第２の液晶装置は、液晶注入口を備え表示領域を取り囲むシール材によって互いに貼り合わされた一対の基板と、前記液晶注入口を通して前記一対の基板間に注入された液晶と、前記液晶注入口を封止した封止剤と、前記一対の基板の少なくとも一方に設けられたオーバーコート層とを有し、前記オーバーコート層は前記シール材の外側まで延在し、前記封止剤及び前記オーバーコート層は光硬化性樹脂によって形成され、前記液晶注入口に対してその幅方向の全域で、その液晶流入方向の少なくとも一部で、その高さ方向の一部にわたって補助膜を設けたことを特徴とする。
【００２９】
この液晶装置は、上記第１の液晶装置とは別の観点で本発明を規定するものである。第１の液晶装置では、封止剤及びオーバーコート層をアクリル系樹脂によって形成したが、第２の液晶装置では、封止剤及びオーバーコート層が光硬化性樹脂によって形成されている。この場合にも、オーバーコート層が全面オーバーコート層として形成されることにより液晶注入口の所で封止剤とオーバーコート層とが接触していると、封止剤を硬化させるためにその封止剤に光を照射したとき、封止剤とオーバーコート層との間で反応生成物、例えばイオン性物質が生成されることがある。
【００３０】
何等の措置も講じなければ、生成した反応生成物はオーバーコート層を伝って表示領域内へ進入し表示ムラが発生するおそれがある。これに対し、本発明に係る第２の液晶装置によれば、液晶注入口に対してその幅方向の全域で、その液晶流入方向の少なくとも一部で、その高さ方向の一部にわたって補助膜を設けたので、その補助膜の働きにより、反応生成物が表示領域内へ進入することを阻止できる。
【００３１】
次に、本発明に係る第３の液晶装置は、液晶注入口を備え表示領域を取り囲むシール材によって互いに貼り合わされた第１基板及び第２基板と、前記液晶注入口を通して前記第１基板と前記第２基板との間に注入された液晶と、前記液晶注入口を封止した封止剤と、前記第１基板上に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の電極端子に接続された画素電極と、絶縁膜を挟んで前記画素電極に対向して設けられた共通電極とを有し、前記絶縁膜は前記シール材の外側まで延在し、前記封止剤及び前記絶縁膜はアクリル系樹脂を含む材料又は光硬化性樹脂によって形成され、前記液晶注入口に対してその幅方向の全域で、その液晶流入方向の少なくとも一部で、その高さ方向の一部にわたって補助膜を設けたことを特徴とする。
【００３２】
この液晶装置は、上記第１の液晶装置及び上記第２の液晶装置とは別の観点で本発明を規定するものである。本発明に係る液晶装置は、一方の基板である第１基板上に絶縁膜を介して画素電極と共通電極とが平面的に重ねて配置され、他方の基板である第２基板上には電極が形成されない構成の液晶装置に対して本発明を適用することを規定している。この種の液晶装置は、現在、横電界型液晶装置として知られている。
【００３３】
ＴＮ（Twisted Nematic）型液晶装置に代表される縦電界型液晶装置では、互いに対向する一対の電極の双方に電極を設け、それらの基板間で縦方向に配列した液晶分子の配向を縦電界によって制御することによって画像を表示する構成となっている。これに対し、横電界型の液晶装置では、１つの基板上で異なる平面位置に設けられた一対の電極間に横電界（すなわち、基板に平行な電界）を形成し、この横電界によって液晶分子の配向を制御することによって画像を表示する構成となっている。
【００３４】
縦電界型の液晶装置においては、表示面を見る角度が変わることに応じて液晶分子を見る角度が異なることになり、その角度が液晶分子の傾斜角度に対応した所定の角度を越えれると、表示を視認できなくなる。つまり、縦電界型の液晶装置は視角が狭いという性質を有している。これに対し、横電界型の液晶装置では、液晶分子は基板に対して平行な面内で配向が変化するので、観察者が表示面を見る角度が変わった場合でも液晶分子を見る角度は変わることがなく、視角が変化することに起因して視認ができなくなることはない。このため、縦電界型の液晶装置では広い視角を確保できる。
【００３５】
横電界型の液晶装置としては、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モードの液晶装置及びＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶装置が知られている。ＩＰＳモードは、基板に平行な方向での画素電極と共通電極との間隔が比較的広くて長い横電界を形成するモードである。ＦＦＳモードは、基板に平行な方向での画素電極と共通電極との間隔が比較的短くて斜め方向の成分を持った横電界（いわゆる、横斜め電界）、換言すれば放物線電界を形成するモードである。
【００３６】
ＩＰＳモードの場合は、画素電極と共通電極との間に横電界を形成することができるが、画素電極の直上領域に電界を形成し難いため、表示の開口率が低いという問題がある。これに対し、ＦＦＳモードの場合は、画素電極の直上領域にも電界を形成することが可能となり、それ故、開口率が高くて明るい表示を行うことができる。
【００３７】
横電界型の液晶装置においては、画素電極と共通電極との間に層間絶縁膜が設けられ、この層間絶縁層がオーバーコート層として機能する。そして、この層間絶縁層を全面オーバーコート層として形成すれば、シール材の内周近傍におけるセルギャップを表示領域内におけるセルギャップと等しく維持でき、表示領域を広く、額縁領域を狭くすることができる。しかしながら、層間絶縁膜を全面オーバーコート層とすると、液晶注入口の近傍領域において封止剤と層間絶縁膜が接触し、封止剤に光を照射して硬化させる際に反応生成物（例えば、イオン性物質）が発生し、この反応生成物が表示領域へ侵入して表示不良が発生するおそれがある。
【００３８】
このような現象が考えられる横電界型液晶装置に関して、本発明に従って液晶注入口に対して補助膜を設ければ、全面オーバーコート層としての層間絶縁膜を伝って反応生成物が表示領域に進入することを阻止でき、表示不良が発生することを防止できる。
【００３９】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶装置を有することを特徴とする。本発明に係る液晶装置においては、液晶注入口の近傍に表示ムラ等といった表示不良が発生することを防止できるので、その液晶装置を用いた本発明に係る電子機器においても、液晶装置の液晶注入口に相当する局所領域に表示不良が発生することを防止できる。この種の電子機器としては、携帯電話機、携帯情報端末機、液晶テレビ等が考えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
（液晶装置の第１実施形態）
以下、液晶装置の一例として、透過型でカラー表示が可能なアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。また、本実施形態では、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のポリシリコンＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いた液晶装置に本発明を適用する。また、本実施形態における液晶装置では、動作モードとしてＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードを採用するものとする。なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、以下の説明で用いる図面では、特徴部分を分かり易く示すために、複数の構成要素の寸法を実際とは異なった比率で示す場合がある。
【００４１】
図１は本発明に係る液晶装置の断面構造を示している。図２は図１のＺ２−Ｚ２線に従った平面断面図を示している。図１は図２のＺ１−Ｚ１線に従った側面断面に相当する。図３は図１の矢印Ｚ３で示す１つのサブ画素近傍を拡大して示している。図４は図３のＺ４−Ｚ４線に従った平面構造を示している。図３は図４のＺ３−Ｚ３線に従った断面に相当する。図４では、最上層である配向膜の図示を省略している。これらの図において、マトリクス状に配列される画素の行方向を符号Ｘで示し、列方向を符号Ｙで示している。
【００４２】
図１において、液晶装置１は、液晶パネル２と照明装置３とを有する。この液晶装置１に関しては、矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。液晶パネル２は、長方形又は正方形で環状のシール材４（図２参照）によって互いに貼り合わされた一対の基板５及び６を有する。基板５はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板６はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。本実施形態では、観察側にカラーフィルタ基板６が配置され、観察側から見て背面に素子基板５が配置される。
【００４３】
シール材４は、素子基板５とカラーフィルタ基板６との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。セルギャップＧは液晶パネル２内に設けられた複数の柱状スペーサ７によってその高さが維持されている。柱状スペーサ７は、通常、感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。柱状スペーサ７を用いることに代えて、複数の球状の樹脂スペーサを液晶パネル２内に分散する方法を採用することもできる。
【００４４】
シール材４はその一部に液晶注入口８を有し、この液晶注入口８を介して素子基板５とカラーフィルタ基板６との間に電気光学物質である液晶が注入される。注入された液晶はセルギャップＧ内で液晶層９を形成する。液晶注入口８は液晶の注入が完了した後に封止剤１０によって封止される。本実施形態では、液晶注入口８を図２における液晶パネル２の一辺Ｅ０側に設けたが、液晶注入口８は液晶パネル２の他辺Ｅ１側又は他辺Ｅ２側に設けても良い。本実施形態では、液晶として、負の誘電率異方性を有するネマティック液晶（いわゆる、ネガ液晶）を用いることにする。このネマティック液晶に代えて、正の誘電率異方性を有するネマティック液晶（いわゆる、ポジ液晶）を用いることもできる。
【００４５】
封止剤１０は光硬化性樹脂、例えばアクリル系樹脂を用いて形成されている。この封止剤１０は、液晶注入作業の完了後に液晶注入口８へ適量が付着させられ、その付着後に光照射、例えば紫外線照射を受けて硬化する。この樹脂は紫外線等を受けたときにラジカル反応を起こして硬化する性質を有する樹脂である。
【００４６】
図１において、照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）１１と、平板形状の導光体１２とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１２は、例えば透光性を有する樹脂を材料として成形加工することによって形成され、ＬＥＤ１１に対向する側面が光入射面１２ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１２ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１２の背面には、必要に応じて、光反射膜１３が設けられる。また、導光体１２の光出射面１２ｂには、必要に応じて、光拡散膜１４が設けられる。
【００４７】
素子基板５は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第１の透光性の基板５ａを有する。この第１透光性基板５ａは、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成されている。第１透光性基板５ａの外側表面には偏光板１５ａが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１５ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板５ａの内側表面には、図３及びその平面図である図４に示すように、ゲート線１８及び共通線２６が互いに平行に行方向Ｘに延びて形成されている。そして、互いに隣り合うゲート線１８の間の基板５ａ上に略長方形状の共通電極３２が複数設けられている。これらの共通電極３２はその一部分が共通線２６の上に重なった状態に形成されており、これにより、各共通電極３２と共通線２６との電気的な導通がとられている。
【００４８】
ゲート線１８及び共通電極３２の上に、これらを被覆する面状の樹脂膜であるゲート絶縁膜１９が形成され、その上にソース線２０が列方向Ｙに延びて形成されている。図４において、ゲート線１８とソース線２０とによって囲まれる長方形状の領域内にサブ画素Ｐｘが設定される。共通電極３２はサブ画素Ｐｘ内に含まれている。本実施形態ではＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色によってカラー表示を行うものとしており、サブ画素Ｐｘは個々の色に対応した単位画素であり、それら３つの色に対応するサブ画素Ｐｘの集まりによって１つの画素が構成される。複数のサブ画素Ｐｘが図１の矢印Ａ方向から見てマトリクス状（行列状）に並ぶことによって表示領域Ｖが構成されている。図１では、サブ画素Ｐｘ内の構造を分かり易く示すためにサブ画素Ｐｘの液晶パネル２に対する寸法を実際の寸法よりも非常に大きく描いている。
【００４９】
図４において、ゲート線１８とソース線２０との交差部分の近傍に、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２１が設けられている。ＴＦＴ素子２１は、ボトムゲート構造及びシングルゲート構造のチャネルエッチ型のポリシリコンＴＦＴとして形成されている。このＴＦＴ素子２１は、図３において、ゲート線１８の一部分であるゲート電極１８ａと、ゲート絶縁膜１９と、ポリシリコンを用いて形成された半導体膜２２と、ソース電極２４と、そしてドレイン電極２５とを有する。ソース電極２４及びドレイン電極２５は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子２１の電極端子である。ソース電極２４は、図４右下に示すように、ソース線２０から分岐して形成されている。本実施形態のＴＦＴ素子２１はボトムゲート構造であるが、これをトップゲート構造とすることもできる。
【００５０】
図３において、ＴＦＴ素子２１及びソース線２０を被覆するための面状の樹脂膜であるパシベーション膜（保護膜）２９がゲート絶縁膜１９の上に設けられている。パシベーション膜２９は、例えば感光性樹脂によって形成されている。パシベーション膜２９の上に画素電極３４が設けられ、その上に配向膜３５ａが設けられている。図４では配向膜３５ａの図示を省略している。図３において、ＴＦＴ素子２１のドレイン電極２５の上部領域においてパシベーション膜２９の内部にスルーホール３６が形成され、このスルーホール３６を介して画素電極３４とドレイン電極２５とが導電接続されている。
【００５１】
共通電極３２及び画素電極３４は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム・スズ酸化物）等といった透光性の金属酸化物によって形成されている。パシベーション膜２９及びゲート絶縁膜１９は、それぞれ、共通電極３２と画素電極３４との間に設けられた層間絶縁膜として機能すると共に、他の要素を被覆するための樹脂膜であるオーバーコート層として機能する。パシベーション膜２９及びゲート絶縁膜１９は光硬化性樹脂、例えばアクリル系樹脂、ＳｉＮ（窒化シリコン）、又はＳｉＯ２（酸化シリコン）によって形成されている。配向膜３５ａは、例えばポリイミドによって形成されている。ポリイミドはアクリル系樹脂、ＳｉＮ及びＳｉＯ２に対して光硬化の反応機構が異なる物質である。
【００５２】
画素電極３４は、図４に示すように、サブ画素Ｐｘに対応して長方形状の平面形状に形成されており、その内部に複数のスリット３７を有している。スリット３７は画素電極３４を貫通する溝状の開口であり、当該スリット３７を通して画素電極３４の下層であるパシベーション膜２９を見ることができる。また、複数のスリット３７は、行方向Ｘに沿って上端が右側へ傾斜した状態で、列方向Ｙに沿って互いに間隔を空けて平行に設けられている。これらのスリット３７の間に帯状の画素電極３４ａが配置されている。
【００５３】
本実施形態ではスリット３７の両短辺が閉じた状態となっているが、スリット３７の両短辺の一方は開放状態とすることができる。この開放状態の場合には、複数の帯状電極３４ａのそれぞれは片持ち梁の状態となり、全体的には櫛歯形状となる。
【００５４】
ＦＦＳモードを実現するための横斜め電界（すなわち、放物線状電界）を形成できるようにするため、図３において、帯状画素電極３４ａと共通電極３２との間の基板面に沿った間隔Ｄ０が液晶層９の層厚Ｄ１よりも小さく、すなわち
Ｄ１＞Ｄ０
に設定されている。特に本実施形態では、共通電極３２が基板５ａ上のサブ画素領域Ｐｘ内に面状（いわゆる、ベタ状）に設けられており、それ故、Ｄ０＝０（ゼロ）となっている。共通電極３２にも画素電極３４と同様にスリットを形成して帯状部分を形成すれば、Ｄ０≠０とすることができる。こうして形成された帯状共通電極と帯状画素電極３４ａとの間隔を広くとることにより、
Ｄ１＜Ｄ０
に設定すれば、ＦＦＳモードに代えてＩＰＳモードを実現できる。
【００５５】
斜めスリット３７の配列構成は図４に示す構成に限られず、例えば、個々のスリット３７の傾斜方向を、サブ画素Ｐｘの長手方向（列方向Ｙ）の中心を境として列方向Ｙで対称に配置することもできる。つまり、サブ画素Ｐｘ内の右側半分では上端が右側へ傾斜する状態とし、左側半分では上端が左側へ傾斜する状態とすることができる。
【００５６】
図１において、それぞれがオーバーコート層であるゲート絶縁膜１９及びパシベーション膜２９は、シール材４によって囲まれる領域内だけに設けられるだけではなく、シール材４を越えた基板５ａ上の広い領域内に設けられた膜、すなわち全面オーバーコート層として形成されている。なお、パシベーション膜２９及びゲート絶縁膜１９は、図２の３つの辺Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２に関しては基板５ａの辺端まで設けられており、後述する駆動用ＩＣ４９が実装される側の辺に関しては辺端までは設けられていない。駆動用ＩＣ４９が実装される側の辺端部に関しては、パシベーション膜２９等はシール材４を越えるものの駆動用ＩＣ４９を実装するための領域には設けられていない。
【００５７】
図１において、素子基板５に対向するカラーフィルタ基板６は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板６ａを有する。この第２透光性基板６ａは、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成されている。第２透光性基板６ａの外側表面には偏光板１５ｂが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１５ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００５８】
第２透光性基板６ａの内側表面には、図３に示すように、カラーフィルタを構成する着色膜４０が形成され、その周囲に遮光膜４１が形成されている。個々の着色膜４０は矢印Ａ方向から見てサブ画素Ｐｘに対応する長方形又は正方形のドット状（すなわち、島状）に形成されている。また、着色膜４０は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。遮光膜４１はそれらの着色膜４０を囲む格子状に形成されている。
【００５９】
着色膜４０の個々はＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＲ，Ｇ，Ｂの着色膜４０が矢印Ａ方向から見て所定の配列、たとえばストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。ストライプ配列を採用するものとすれば、図３及び図４において列方向ＹにＲ，Ｇ，Ｂの同色が並び、行方向ＸにＲ，Ｇ，Ｂが１色ずつ順々に交互に並ぶ。なお、着色膜４０の光学的特性は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３色、あるいは、その他の４色以上とすることもできる。遮光膜４１は異なる色の着色膜４０を重ねたり、あるいは所定の材料（例えば、Ｃｒ（クロム））によって形成される。
【００６０】
本実施形態のように、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色から成る着色膜４０を用いてカラー表示を行う場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する３つの着色膜４０に対応する３つのサブ画素Ｐｘによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｐｘによって１つの画素が形成される。着色膜４０及び遮光膜４１の上にオーバーコート層４２が形成され、その上に配向膜３５ｂが形成されている。オーバーコート層４２は、カラーフィルタ基板６内で他の要素を被覆するために面状に設けられた樹脂層であるが、このオーバーコート層４２も素子基板５側のオーバーコート層（パシベーション膜２９及びゲート絶縁膜１９のそれぞれ）と同様に、図１に示すように、シール材４を越えて延在する全面オーバーコート層として形成されている。
【００６１】
着色膜４０は、例えば、感光性樹脂材料に顔料や染料を混合することによって形成されている。オーバーコート層４２は光硬化性樹脂、例えばアクリル系樹脂によって形成されている。配向膜３５ｂはポリイミドによって形成されている。オーバーコート層４２は、カラーフィルタの構成材料が液晶に混入することを防止する保護膜及びカラーフィルタの表面を平坦化する平坦化膜として機能する。
【００６２】
図１において、素子基板５側の配向膜３５ａ及びカラーフィルタ基板６側の配向膜３５ｂに施されるラビング方向は、本実施形態のように液晶層９を負の誘電率異方性を有するネマティック液晶を用いて形成した場合、図５に示すように、列方向Ｙに平行なアンチパラレル方向である。なお、正の誘電率異方性を有するネマティック液晶を用いて液晶層９を形成する場合には、ラビング方向は行方向Ｘに平行なアンチパラレル方向である。また、素子基板５側（観察背面側）の偏光板１５ａ及びカラーフィルタ基板６側（観察側）の偏光板１５ｂの各透過軸は互いに直角であり、観察側の偏光板１５ｂの透過軸は、配向膜３５ａ，３５ｂのラビング方向と平行であり、観察背面側の偏光板１５ａの透過軸はラビング方向と直交している。
【００６３】
次に、図１において、素子基板５を構成する第１透光性基板５ａはカラーフィルタ基板６の外側へ張り出す張出し部４５を有している。この張出し部４５の表面には、配線４６がフォトエッチング処理等によって形成されている。配線４６は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が行方向Ｘに沿って互いに間隔を空けて並べられている。また、張出し部４５の辺端には複数の外部接続用端子４７が行方向Ｘに沿って互いに間隔を空けて並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４７が設けられた張出し部４５の辺端に、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuit；可撓性配線回路）基板が接続される。
【００６４】
複数の配線４６は、シール材４に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成されている。これらの配線４６の一部は、素子基板５上のソース線２０に直接につながってデータ線として機能する。また、複数の配線４６の他の一部は、シール材４によって囲まれた領域内で素子基板５の側辺に沿って列方向Ｙに沿って延びて形成され、さらに折れ曲がって行方向Ｘへ延びるパターンとして形成されている。この折れ曲がったパターンの配線４６は、素子基板５上のゲート線１８に直接につながって走査線として機能する。
【００６５】
張出し部４５の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）４８を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって駆動用ＩＣ４９が実装されている。駆動用ＩＣ４９は、ソース線２０へデータ信号を伝送し、ゲート線１８へ走査信号を伝送する。駆動用ＩＣ４９は本実施形態では図２に示すように１つのＩＣチップで形成されている。必要に応じて複数のＩＣチップによって駆動用ＩＣ４９を構成しても良い。また、駆動用ＩＣ４９を基板５上に実装するのではなく、液晶パネル２とは別体の回路基板上に実装し、ＦＰＣ基板を介して液晶パネル２と駆動用ＩＣ４９とを接続しても良い。
【００６６】
以上のように構成された液晶装置１によれば、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。具体的には、図１においてＬＥＤ１１が点灯し、それからの光が導光体１２へ導入され、さらに光出射面１２ｂから面状の光として出射する。この面状の光が液晶層９へ供給される。こうして液晶層９へ光が供給される間、素子基板５上の画素電極３４と共通電極３２との間には、走査信号及びデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、液晶層９内の液晶分子の配向がサブ画素Ｐｘごとに制御される。以下、この制御について詳しく説明する。
【００６７】
図３において、帯状の画素電極３４ａと面状の共通電極３２とが層間絶縁膜（すなわち、パシベーション膜２９及びゲート絶縁膜１９）を挟んで積層されている。共通電極３２の形状は面状であるので、帯状画素電極３４ａと共通電極３２との間の基板面に沿った（すなわち、列方向Ｙに沿った）距離Ｄ０はゼロであり、液晶層の層厚Ｄ１に対する関係はＤ１＞Ｄ０である。この状態で両電極間に所定の電圧が印加されると、スリット３７の近傍で両電極間に横斜め電界Ｅが発生する。この横斜め電界Ｅは、液晶層９の厚さ方向（すなわち、Ｚ方向）と横方向（すなわち、列方向Ｙ）の両方向にわたって斜めに進む電界、換言すれば放物線状の電界である。この横斜め電界Ｅによって、液晶層９内の液晶分子の配向が基板水平面内で制御される。
【００６８】
この結果、液晶層９内に供給された光がサブ画素Ｐｘごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板６の偏光板１５ｂ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１５ｂの偏光特性によりサブ画素Ｐｘごとに通過を規制され、素子基板５の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが矢印Ａ方向から視認される。この場合、液晶分子の配向の制御は縦方向（基板に対して直角方向）の面内で行われるのではなく、横方向（基板に対して平行方向）の面内で行われるので、観察者が液晶パネル２の表示面を見る角度が斜めに傾いても、液晶分子を見る角度に変化はない。このため、本実施形態のＦＦＳモードは広い視角特性を得ることができる。
【００６９】
ところで、図１において、素子基板５を構成するゲート絶縁膜１９及びパシベーション膜２９の各オーバーコート層は、基板５ａ上でシール材４を越えて延在する全面オーバーコート層となっている。また、カラーフィルタ基板６を構成する着色膜４０及びオーバーコート層４２もシール材４を越えて延在する全面オーバーコート層となっている。
【００７０】
これらのように、基板５ａ及び基板６ａ上に形成されるオーバーコート層を選択オーバーコート層ではなく、全面オーバーコート層とすることにより、シール材４の内周近傍におけるセルギャップＧを表示領域Ｖ内におけるセルギャップＧと等しくすることができ、その結果、シール材４によって囲まれる領域内で表示領域Ｖを可能な限り大きく設定することができる。換言すれば、表示領域Ｖの周囲領域であって表示に寄与できない領域である額縁領域を狭くすることができる。
【００７１】
しかしながら、素子基板５内のオーバーコート層（ゲート絶縁膜１９及びパシベーション膜２９）及びカラーフィルタ基板６内のオーバーコート層４２を全面オーバーコート層とした場合に、何等の措置も講じなければ、図１１（ｃ）に示したように、シール材１０２を越えてその外側まで延在させられたオーバーコート層１０３と、液晶注入口１０６を封止する封止剤１０４とが直接に接触してしまい、液晶注入口１０６の近傍の表示領域で表示不良が発生するおそれがある。この表示不良の原因はいくつかあると考えられるが、大きな原因として次のものが考えられる。
【００７２】
すなわち、封止剤１０４（図１の封止剤１０）は光硬化性樹脂、例えばアクリル系樹脂によって形成され、オーバーコート層１０３（図１のオーバーコート層１９，２９及びオーバーコート層４２）も同じ材料によって形成されているので、両者の硬化の反応は共に光（例えば、紫外線）を用いたラジカル反応が一般的であり、両者の反応メカニズムは近いものである。このため、封止剤１０４を硬化させるために該封止剤１０４に光を照射したとき、封止剤１０４とオーバーコート層１０３とが互いに反応して反応生成物、例えばイオン性物質が発生し、その反応生成物がオーバーコート層１０３を伝って表示領域Ｖ（図１参照）内へ進入し、その結果、液晶注入口１０６（図１の液晶注入口８）の近傍の表示領域Ｖ内で表示不良、例えば表示ムラが発生するおそれがある。より具体的には、液晶に反応生成物が溶解し、配向膜が吸着することで配向不良を引き起こし、表示ムラが発生することが考えられる。
【００７３】
本実施形態では、そのような表示不良の発生を防止するために、以下の構成を採用している。図１及びその平面図である図２に示すように、素子基板５において液晶注入口８の所のオーバーコート層（パシベーション膜２９）の上に補助膜５１ａを設け、さらにカラーフィルタ基板６において液晶注入口８の所のオーバーコート層４２の上に補助膜５１ｂを設けている。素子基板５上の補助膜５１ａは素子基板５内の配向膜３５ａを形成する際に同じ工程及び同じ材料（本実施形態ではポリイミド）によって形成されている。カラーフィルタ基板６上の補助膜５１ｂはカラーフィルタ基板６内の配向膜３５ｂを形成する際に同じ工程及び同じ材料（本実施形態ではポリイミド）によって形成されている。
【００７４】
素子基板５側の補助膜５１ａは図２に示すように液晶注入口８に対してその幅方向Ｄｗの全域で、その液晶流入方向Ｄｒの全域で（補足図（ａ）参照）、その高さ方向Ｄｈ（図１参照）の一部にわたって設けられている。カラーフィルタ基板６側の補助膜５１ｂも液晶注入口８に対して同じ状態に形成されている。
【００７５】
補助膜５１ａ，５１ｂを液晶注入口８の幅方向Ｄｗの全域に設けたことにより、液晶注入口８を形成しているシール材４と補助膜５１ａ，５１ｂとの間には隙間がない状態となっている。補助膜５１ａ，５１ｂを図１において液晶注入口８の高さ方向Ｄｈの一部に設けたことにより、液晶注入口８を通して行われる液晶の注入処理を支障無く行えることが担保されている。
【００７６】
素子基板５側の補助膜５１ａを液晶注入口８の液晶流入方向Ｄｒの全域に設けたことにより、オーバーコート層（パシベーション膜２９）と封止剤１０との接触面のほぼ全面に補助膜５１ａが介在し、これにより、オーバーコート層２９と封止剤１０とが互いに直接に接触することが阻止されている。また、カラーフィルタ基板６側の補助膜５１ｂを液晶注入口８の液晶流入方向Ｄｒの全域に設けたことにより、オーバーコート層４２と封止剤１０とが互いに直接に接触することが阻止されている。
【００７７】
以上のように補助膜５１ａが封止剤１０とオーバーコート層２９との間に介在し、補助膜５１ｂが封止剤１０とオーバーコート層４２との間に介在することにより、封止剤１０とオーバーコート層２９，４２とが直接に接触することを、硬化の反応機構がそれらと異なる材料によって阻止したので、封止剤１０とオーバーコート層２９，４２との反応を回避することができる。
【００７８】
本実施形態では、補助膜５１ａ及び５１ｂを、それぞれ、配向膜３５ａ及び３５ｂと同じ材料であるポリイミドによって、それらの形成工程と同じ工程によって形成したので、補助膜を形成するためだけの専用の工程及び材料を必要とすることが無く、コストが高くなることを回避できる。
【００７９】
本実施形態では、補助膜５１ａ，５１ｂを配向膜の材料であるポリイミドによって形成した。このポリイミドは、アクリル系樹脂に光を照射したときに発生するイオン性物質を吸着する性質を有する材料である。このように、イオン性物質を吸着し易い材料によって補助膜５１ａ，５１ｂを形成すれば、表示領域内へのイオン性物質の進入をより確実に阻止できるので好都合である。なお、イオン性物質を吸着し易い材料としては、一般に絶縁膜として用いられるＳｉＮ、ＳｉＯ２等も考えられる。
【００８０】
さらに、補助膜５１ａ，５１ｂとしては、光量を減衰して光を通過させる性質を有する材料を用いることも好都合である。その理由は、封止剤１０を硬化させるために該封止剤１０に光が照射されたとき、補助膜５１ａ，５１ｂの働きにより、オーバーコート層２９，４２への光照射量を減少させることができ、反応生成物の発生量を減少させることができるからである。ポリイミド、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等は光量を減衰する機能をある程度達成できると考えられる。
【００８１】
図２に示すように、配向膜３５ａと補助膜５１ａとの間には間隙Ｋ、すなわち配向膜３５ａ及び補助膜５１ａの構成材料であるポリイミドが無い部分が設けられている。仮に、配向膜３５ａと補助膜５１ａとがつながっていると、イオン性物質等といった反応生成物がクロマト現象により表示領域内へ流れ込むおそれがある。これに対し、配向膜３５ａと補助膜５１ａとの間に間隙Ｋを設けておけば、反応生成物の表示領域内への流入を確実に防止できる。なお、図１から分かるように、カラーフィルタ基板６内において配向膜３５ｂと補助膜５１ｂとの間にも間隙Ｋが設けられている。
【００８２】
（液晶装置の第２実施形態）
図６は本発明に係る液晶装置の第２実施形態を示している。この第２実施形態が図１から図４を用いて説明した先の実施形態と異なる点は、封止剤１０を光照射によって硬化させる際に発生する反応生成物、例えばイオン性物質が表示に悪影響を及ぼすことを防止するための補助膜に改変を加えたことである。この第２実施形態に係る液晶装置の全体的な構成は図１及び図２に示した構成と同じであるので、その全体的な構成についての詳しい説明は省略する。
【００８３】
本実施形態に係る液晶装置１又は液晶パネル２において、図６（ｂ）に示す素子基板５側の補助膜１５１ａ及びカラーフィルタ基板６側の補助膜１５１ｂは、共に、図６（ａ）に示すように、液晶注入口８に対してその幅方向Ｄｗの全域で、その液晶流入方向Ｄｒの一部領域で、その高さ方向Ｄｈの一部にわたって設けられている。図１及び図２に示した先の実施形態では、補助膜５１ａ，５１ｂが液晶流入方向Ｄｒの全域にわたって設けられることにより、補助膜５１ａ，５１ｂがオーバーコート層２９，４２と封止剤１０との間に介在してそれらを隔絶していたが、本実施形態では補助膜１５１ａ，１５１ｂは封止剤１０から離れた位置でオーバーコート層２９，４２の上に設けられている。
【００８４】
本実施形態では、補助膜１５１ａ，１５１ｂは液晶注入口８が表示領域Ｖへ向けて拡開する部分の角部において全幅にわたって設けられている。しかしながら、補助膜１５１ａ，１５１ｂは、拡開部ではなく、液晶注入口８の中間部分に設けることもできる。
【００８５】
本実施形態のように、オーバーコート層２９，４２を全面オーバーコート層とした場合には、封止剤１０とそれらのオーバーコート層２９，４２が直接に接触することに起因して反応生成物（例えば、イオン性物質）が発生することより、液晶注入口８の近傍の表示領域に表示ムラ等といった表示不良が発生してしまうことがある。しかしながら、この場合、仮に反応生成物が発生したとしてもそれが表示領域Ｖまで進行しなければ、表示不良にならないことがある。
【００８６】
本実施形態では、封止剤１０を光照射によって硬化させる際に、その封止剤１０とオーバーコート層２９，４２との接触部近傍において反応生成物が発生しても、その反応生成物が補助膜１５１ａ，１５１ｂに吸着してトラップされ、表示領域Ｖ内へ進入することが阻止される。これにより、液晶注入口８の近傍で表示不良が発生することを防止できる。この意味から、補助膜１５１ａ，１５１ｂは反応生成物（例えば、イオン性物質）を吸着できる性質を有する材料によって形成されることが望ましく、配向膜３５ａ，３５ｂの材料であるポリイミドは実用上十分にその要求に応えることができる材料である。
【００８７】
なお、配向膜と同じ材料であるポリイミドとは別の材料であって、ポリイミドよりも反応生成物の吸着性の高い材料を用いて補助膜膜１５１ａ，１５１ｂを形成することもできる。この場合には、補助膜を形成するための工程が配向膜の形成工程に加えて増えるためにコストアップを招来するおそれがある。しなかしながら、そのようなコストアップを認めた上で反応生成物の吸着によるトラップ能力を高めることができる。
【００８８】
図１及び図２に示した先の実施形態のように、補助膜５１ａ，５１ｂを液晶注入口８の液晶流入方向Ｄｒに沿った全面に形成することにより、反応生成物の発生それ自体を防止することが、表示不良の発生を防止する上で非常に好ましい構成であることは間違いないが、液晶注入口８の全体を覆うように補助膜５１ａ，５１ｂを設けると、他の要因によって品質不良を起こす可能性がある。
【００８９】
例えば、図２において、配向膜３５ａ及び補助膜５１ａを形成する際の印刷ズレにより、補助膜５１ａがシール材４の下に完全に潜り込んでしまうと、シール材４の密着性が著しく損なわれ、液晶パネル２のパネル強度が低下するおそれがある。また、配向膜３５ａ及び補助膜５１ａの材料であるポリイミドの濡れ性の影響により、配向膜３５ａ及び補助膜５１ａの形成領域がそれらの印刷後に大きくなって、シール材４の外側部分にまで配向膜３５ａ及び補助膜５１ａが形成されてしまうと、外部環境（例えば、高温高湿）により、シール材４の外部に形成されたポリイミドが影響を受けて、クロマト現象により、液晶パネルの内部にまで影響が及ぶおそれがある。
【００９０】
補助膜１５１ａ，１５１ｂを液晶注入口８の一部分に設けることにした本実施形態によれば、上記のようなシール材の密着性の低下や、ポリイミドがシール材の外部へはみ出ることに起因する上記のような不都合を回避できる。
【００９１】
（液晶装置の第３実施形態）
図７は本発明に係る液晶装置の第３実施形態を示している。この第３実施形態に係る液晶装置の全体的な構成は図１及び図２に示した構成と同じであるので、それについての詳しい説明は省略する。
【００９２】
本実施形態において、カラーフィルタ基板６側の補助膜２５１ｂは図６（ｂ）に示した実施形態における補助膜１５１ｂと同じ構成、ずなわち、液晶注入口８の液晶流入方向Ｄｒの一部分、特に液晶注入口８の拡開角部に設けられている。一方、素子基板５側の補助膜２５１ａは図１に示した補助膜５１ａと異なり、図６（ｂ）に示した補助膜１５１ａとも異なった構成となっている。
【００９３】
具体的には、補助膜２５１ａは、オーバーコート層２９の液晶注入口８に対応する部分の表面全面を覆った上で、さらに下方へ曲がってオーバーコート層１９，２９の辺端側面をも覆っている。これにより、封止剤１０とオーバーコート層１９，２９との接触は略完全に防止され、封止剤１０を光照射によって硬化させる際の反応生成物の生成をより大きく抑制できる。
【００９４】
（液晶装置に関するその他の実施形態）
以上、液晶装置に関して好ましい実施形態を挙げて説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記の各実施形態では、ＦＦＳモードの液晶装置に本発明を適用したが、本発明は同じ横電界型液晶装置に属するＩＰＳモードの液晶装置にも適用できる。ここで、ＩＰＳモードは、横斜め電界（すなわち、放物線状電界）ではなくて、斜め成分をほとんど含まない横電界を画素電極と共通電極との間に形成するタイプの動作モードである。この横電界は、液晶層の層厚方向の電界がほとんど無く、基板面に平行な電界だけによって形成される電界である。この横電界は、画素電極と共通電極との間の基板平面に沿った距離を液晶層の層厚よりも十分に大きくとることによって形成できる。
【００９５】
上記の実施形態は、横電界型液晶装置の１つであるＦＦＳモードの液晶装置に本発明を適用したものであるが、本発明はＴＮ型液晶装置に代表される縦電界型の液晶装置に対しても適用できる。さらに、本発明は、液晶注入口を備えたシール材によって一対の基板を貼り合わせる構成の任意の構成の液晶装置にも適用できる。
【００９６】
上記の実施形態では、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ素子を用いる液晶装置に本発明を適用したが、本発明は、スイッチング素子として２端子型のスイッチング素子、例えばＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）素子を用いる液晶装置にも適用できる。
【００９７】
（電子機器の第１実施形態）
以下、本発明に係る電子機器の実施形態を説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【００９８】
図８は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶装置２０１と、これを制御する制御回路２０２とを有する。制御回路２０２は、表示情報出力源２０５、表示情報処理回路２０６、電源回路２０７及びタイミングジェネレータ２０８によって構成される。そして、液晶装置２０１は液晶パネル２０３及び駆動回路２０４を有する。
【００９９】
表示情報出力源２０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ２０８により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路２０６に供給する。
【０１００】
次に、表示情報処理回路２０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２０４へ供給する。ここで、駆動回路２０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路２０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１０１】
液晶装置２０１は、例えば、図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装置１においては、全面オーバーコート層の採用により額縁領域を狭くすることができ、液晶注入口の所に設けた補助膜の働きにより液晶注入口の近傍で表示不良が発生することを防止できる。従って、この液晶装置１を用いた本実施形態の電子機器においては、液晶装置２０１の周辺に十分なスペースを確保でき、表示部において局所的な表示不良が発生することを防止できる。
【０１０２】
（電子機器の第２実施形態）
図９は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機２１０は、本体部２１１と、この本体部２１１に対して開閉可能に設けられた表示体部２１２とを有する。本体部２１１には操作ボタン２１５及び送話部２１６が設けられる。表示体部２１２には表示装置２１３及び受話部２１７が設けられる。電話通信に関する各種表示は、表示装置２１３の表示画面２１４に表示される。表示装置２１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部２１１又は表示体部２１２の内部に格納される。
【０１０３】
表示装置２１３は、例えば、図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装置１においては、全面オーバーコート層の採用により額縁領域を狭くすることができ、液晶注入口の所に設けた補助膜の働きにより液晶注入口の近傍で表示不良が発生することを防止できる。従って、この液晶装置１を用いた本実施形態の携帯電話機２１０においては、表示装置２１３の周辺に十分なスペースを確保でき、表示部において局所的な表示不良が発生することを防止できる。
【０１０４】
なお、本発明を適用可能な電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１のＺ２−Ｚ２線に従った平面断面図である。
【図３】図１の矢印Ｚ３で示す部分を拡大して示す図である。
【図４】図３のＺ４−Ｚ４線に従った平面図である。
【図５】光学要素の光軸関係を示す図である。
【図６】本発明に係る液晶装置の他の実施形態の要部を示す図であり、（ａ）は平面断面図、（ｂ）は側面断面図を示している。
【図７】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の要部を示す側面断面図である。
【図８】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図９】本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図である。
【図１０】本発明に関連する先行技術を含む液晶装置を示す側面断面図である。
【図１１】従来の液晶装置の一例を示す図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１．液晶装置、  ２．液晶パネル、  ３．照明装置、  ４．シール材、  ５．素子基板、
５ａ．第1透光性基板、  ６．カラーフィルタ基板、  ６ａ．第２透光性基板、
７．柱状スペーサ、  ８．液晶注入口、  ９．液晶層、  １０．封止剤、
１５ａ，１５ｂ．偏光板、  １８．ゲート線、  １８ａ．ゲート電極、
１９．ゲート絶縁膜、  ２０．ソース線、  ２１．ＴＦＴ素子、  ２２．半導体膜、
２４．ソース電極、  ２５．ドレイン電極、  ２６．共通線、
２９．パシベーション膜（オーバーコート層）、  ３２．共通電極、  ３４．画素電極、
３４ａ．帯状画素電極、  ３５ａ，３５ｂ．配向膜、  ３６．スルーホール、
３７．スリット、  ４０．着色膜、  ４１．遮光膜、  ４２．オーバーコート層、
４５．張出し部、  ４６．配線、  ４７．外部接続用端子、  ４８．ＡＣＦ、
４９．駆動用ＩＣ、
５１ａ，５１ｂ、１５１ａ，１５１ｂ，２５１ａ，２５１ｂ．補助膜、
２０１．液晶装置、  ２０３．液晶パネル、  ２０４．駆動回路、
２１０．携帯電話機（電子機器）、２１３．表示装置、  ２１４．表示画面、
Ｄ１．液晶層厚、  Ｄ０．電極間隔、  Ｄｈ．高さ方向、  Ｄｗ．幅方向、
Ｄｒ．液晶流入方向、  Ｅ．横斜め電界、  Ｇ．セルギャップ、  Ｋ．間隙、
Ｐｘ．サブ画素、  Ｖ．表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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