(57)【要約】【課題】ヘッド素子の突き出し時に保護膜および記憶媒体の間で確実に接触を検出することができる記憶媒体駆動装置を提供する。【解決手段】スライダ本体３１の空気流出側端面には絶縁性の非磁性膜３２が積層される。非磁性膜３２には読み出し素子５１や書き込み素子５２が埋め込まれる。読み出しギャップや書き込みギャップには非磁性膜３２の表面で保護膜４７が被さる。ヒーター６６に電力が供給されると、ヒーター６６の熱で突き出し６７が形成される。突き出し６７の先端には平坦な被研磨面６８が形成される。例えばいわゆるゼロキャリブレーションといった場面で被研磨面６８は広い面積で記憶媒体１４に接触する。被研磨面６８は記憶媒体１４の表面に瞬間的に吸着する。この吸着に基づきヘッドスライダ２２に微小な振動が生成される。振動に基づきヘッドスライダおよび記憶媒体の間で確実に接触が検出される。【選択図】図６
2008117436.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶媒体と、媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、スライダ本体の媒体対向面に形成され、スライダ本体の空気流出側端まで延びるレールと、レールの頂上面に被さって、表面に未研磨面を維持する第１保護膜と、第１保護膜に連続し、レールの空気流出側で非磁性膜の表面に被さる第２保護膜と、レールの空気流出側で非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子と、ヘッド素子に関連づけられて非磁性膜に埋め込まれるヒーターと、ヒーターに関連づけられて、少なくとも部分的に第２保護膜に区画される窪みとを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶媒体駆動装置において、ヒーターの熱に基づき非磁性膜が突き出る際に、その非磁性膜の先端で第２保護膜には平坦な被研磨面が形成されることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【請求項３】
請求項２に記載の記憶媒体駆動装置において、前記平坦な研磨面が記憶媒体に接触する際に前記非磁性膜の突き出し量を特定し、当該突き出し量に基づき非接触時の非磁性膜の突き出し量を設定する制御回路を備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【請求項４】
ヘッドスライダ上でスライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子に関連して当該非磁性膜に埋め込まれるヒーターの働きで記憶媒体に向かってヘッド素子を突き出す工程と、ヘッド素子に被さる保護膜および記憶媒体の接触を検知する工程と、接触時の突き出し量からさらにヘッド素子の突き出し量を増大させる工程とを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の記憶媒体駆動装置の製造方法において、記憶媒体駆動装置の筐体内に前記記憶媒体を組み込む工程と、前記ヘッド素子の突き出しに先立って、記憶媒体駆動装置の筐体内に前記ヘッドスライダを組み込む工程とをさらに備え、前記接触の検知にあたってヘッド素子から出力される読み出し信号が利用されることを特徴とする記憶媒体駆動装置の製造方法。
【請求項６】
媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、スライダ本体の媒体対向面に形成され、スライダ本体の空気流出側端まで延びるレールと、レールの頂上面に被さって、表面に未研磨面を維持する第１保護膜と、第１保護膜に連続し、レールの空気流出側で非磁性膜の表面に被さる第２保護膜と、少なくとも部分的に第２保護膜に区画される窪みと、レールの空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、窪み内に少なくとも書き込みギャップを配置するヘッド素子と、ヘッド素子に関連づけられて非磁性膜に埋め込まれるヒーターとを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項７】
表面に研磨面を区画し、回転軸回りで回転する回転体と、ヘッドサスペンションを支持し、ヘッドサスペンションに搭載されるヘッドスライダを回転体の研磨面に向き合わせる支持機構と、ヒーターに電力を供給する電力供給回路と、ヘッドスライダの振動を検出する振動計とを備えることを特徴とするヘッドスライダ用研磨装置。
【請求項８】
請求項７に記載のヘッドスライダ用研磨装置において、前記振動計はレーザードップラー振動計、ピエゾセンサーおよびアコースティックエミッションセンサーのいずれかであることを特徴とするヘッドスライダ用研磨装置。
【請求項９】
請求項８に記載のヘッドスライダ用研磨装置において、前記研磨面の表面粗さＲａは０．３ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲で設定されることを特徴とするヘッドスライダ用研磨装置。
【請求項１０】
ヘッドスライダ上でスライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子に関連して当該非磁性膜に埋め込まれるヒーターの働きで移動中の研磨面に向かってヘッド素子を突き出す工程と、振動計の出力に基づきヘッド素子に被さる保護膜および研磨面の接触を検知する工程と、接触時の突き出し量からさらにヘッド素子の突き出し量を増大させ、研磨面で非磁性膜を研磨する工程とを備えることを特徴とするヘッドスライダの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記憶媒体駆動装置に組み込まれるヘッドスライダに関し、特に、ヘッド素子に関連づけられて非磁性膜に埋め込まれるヒーターを備えるヘッドスライダに関する。
【背景技術】
【０００２】
ヘッドスライダでは例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）製のスライダ本体にＡｌ２Ｏ３（アルミナ）製の非磁性膜が積層される。非磁性膜にヘッド素子およびヒーターは埋め込まれる。非磁性膜の表面には例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）製の保護膜が形成される。保護膜はヘッド素子の読み出しギャップや書き込みギャップに覆い被さる。
【０００３】
ヒーターはヘッド素子内の薄膜コイルパターンを加熱する。薄膜コイルパターンの熱膨張に基づきヘッド素子の読み出しギャップや書き込みギャップは磁気ディスクに接近することができる。こうしてヘッド素子の浮上量は薄膜コイルパターンの突き出し量に基づき設定されることができる。
【特許文献１】特開２００４−３３５０７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
突き出し量の設定にあたっていわゆるゼロキャリブレーションは実施される。ゼロキャリブレーションでは徐々に薄膜コイルパターンの突き出し量は増やされる。保護膜が磁気ディスクに接触する際に薄膜コイルパターンの突き出し量は特定される。この突き出し量に基づき読み出し時や書き込み時の突き出し量は決定される。ゼロキャリブレーションでは保護膜と磁気ディスクとの間で確実に接触が検出されなければならない。
【０００５】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、ヘッド素子の突き出し時に保護膜および記憶媒体の間で確実に接触を検出することができる記憶媒体駆動装置を提供することを目的とする。本発明はそういった記憶媒体駆動装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明はそういった記憶媒体駆動装置の実現に大いに役立つヘッドスライダおよびその製造方法並びにヘッドスライダ用研磨装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明によれば、記憶媒体と、媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、スライダ本体の媒体対向面に形成され、スライダ本体の空気流出側端まで延びるレールと、レールの頂上面に被さる第１保護膜と、第１保護膜に連続し、レールの空気流出側で非磁性膜の表面に被さる第２保護膜と、レールの空気流出側で非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子と、ヘッド素子に関連づけられて非磁性膜に埋め込まれるヒーターとを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置が提供される。この記憶媒体駆動装置では、ヒーターの熱に基づき非磁性膜が突き出る際に、その非磁性膜の先端で第２保護膜には平坦な被研磨面が形成される。
【０００７】
例えばいわゆるゼロキャリブレーションといった場面で被研磨面は広い面積で記憶媒体に接触することができる。したがって、単位面積当たりの押し付け力は減少する。その結果、第２保護膜の摩耗は極力抑制されることができる。しかも、被研磨面は記憶媒体の表面に瞬間的に吸着する。こういった吸着に基づきヘッドスライダに微小な振動すなわち横揺れが生成される。こうした振動に基づきヘッドスライダおよび記憶媒体の間で確実に接触が検出されることができる。その一方で、突き出た第２保護膜の先端が尖っていると、第２保護膜および記憶媒体の表面の間で吸着が阻害される。ヘッドスライダでは微小な振動すなわち横揺れの生成は阻害される。したがって、たとえ突き出た第２保護膜が記憶媒体に接触しても、接触の検知は見逃されてしまう。
【０００８】
こういった記憶媒体駆動装置の実現にあたって特定の記憶媒体駆動装置の製造方法が提供される。この製造方法は、ヘッドスライダ上でスライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子に関連して当該非磁性膜に埋め込まれるヒーターの働きで記憶媒体に向かってヘッド素子を突き出す工程と、ヘッド素子に被さる保護膜および記憶媒体の接触を検知する工程と、接触時の突き出し量からさらにヘッド素子の突き出し量を増大させる工程とを備えればよい。
【０００９】
こういった製造方法では、被研磨面の形成に先立ってレールの頂上面および非磁性膜の表面には保護膜が形成される。保護膜の膜厚は、ヘッド素子の保護に要求される最低膜厚よりも大きく設定される。こういった厚い膜厚の保護膜に基づき被研磨面は形成される。したがって、ヒーターの熱に基づき保護膜が突き出ると、保護膜の先端は比較的に滑らかな湾曲面を描く。こうして記憶媒体との接触時に保護膜は確実に「吸着」を実現する。保護膜および記憶媒体の間で確実に接触は検知されることができる。保護膜の膜厚が小さいと、突き出た保護膜の先端は尖りやすい。保護膜の先端が尖ると、保護膜および記憶媒体の間で接触の検知が阻害される。その結果、被研磨面は過度に削り取られてしまう。記憶媒体と保護膜との総接触時間は例えば０．００４秒〜３０００秒の範囲で設定されればよい。記憶媒体の表面粗さＲａは例えば０．３ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲で設定されればよい。その他、突き出し量の増大にあたって、記憶媒体に予め書き込まれた磁気情報がヘッド素子で磁気的に読み出されてもよい。ヘッド素子の出力は記憶媒体およびヘッド素子の距離に対して任意の相関関係を有する。したがって、ヘッド素子の出力に基づき研磨時にヘッド素子および記憶媒体の距離は推定されることができる。こうして研磨量は正確に把握されることができる。
【００１０】
こういった記憶媒体駆動装置の製造方法では、記憶媒体駆動装置の筐体内に記憶媒体を組み込む工程と、ヘッド素子の突き出しに先立って、記憶媒体駆動装置の筐体内にヘッドスライダを組み込む工程とをさらに備えてもよい。こうして被研磨面の形成は記憶媒体駆動装置の組み立て後に実施されることができる。このとき、接触の検知にあたってヘッド素子から出力される読み出し信号が利用されればよい。読み出し信号の利用によれば、新たな信号線の付加なしに保護膜および記憶媒体の接触は検出されることができる。前述のように被研磨面の働きで記憶媒体との接触時に保護膜は確実に「吸着」を実現することから、読み出し信号には確実に接触の兆候が出現する。
【００１１】
こういった製造方法によれば特定の記憶媒体駆動装置は提供される。この記憶媒体駆動装置は、記憶媒体と、媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、スライダ本体の媒体対向面に形成され、スライダ本体の空気流出側端まで延びるレールと、レールの頂上面に被さって、表面に未研磨面を維持する第１保護膜と、第１保護膜に連続し、レールの空気流出側で非磁性膜の表面に被さる第２保護膜と、レールの空気流出側で非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子と、ヘッド素子に関連づけられて非磁性膜に埋め込まれるヒーターと、ヒーターに関連づけられて、少なくとも部分的に第２保護膜に区画される窪みとを備える。記憶媒体駆動装置は、平坦な研磨面が記憶媒体に接触する際に非磁性膜の突き出し量を特定し、当該突き出し量に基づき非接触時の非磁性膜の突き出し量を設定する制御回路をさらに備えてもよい。こうしてヘッド素子は確実に規定の浮上量で記憶媒体から浮上することができる。
【００１２】
こういった記憶媒体駆動装置の実現にあたって特定のヘッドスライダは利用されればよい。このヘッドスライダは、媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、スライダ本体の媒体対向面に形成され、スライダ本体の空気流出側端まで延びるレールと、レールの頂上面に被さって、表面に未研磨面を維持する第１保護膜と、第１保護膜に連続し、レールの空気流出側で非磁性膜の表面に被さる第２保護膜と、少なくとも部分的に第２保護膜に区画される窪みと、レールの空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、窪み内に少なくとも書き込みギャップを配置するヘッド素子と、ヘッド素子に関連づけられて非磁性膜に埋め込まれるヒーターとを備えればよい。こういったヘッドスライダでは、ヒーターの熱に基づき非磁性膜が突き出る際に、その非磁性膜の先端で第２保護膜には平坦な被研磨面が形成されればよい。窪みの深さは０．１ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲で設定されればよい。少なくとも第２保護膜は０．１ｎｍ〜３．０ｎｍの削り代を有すればよい。その他、第２保護膜は、削り代を構成する表面層と、表面層を受け止める１以上の基礎保護膜層とを備えてもよい。
【００１３】
こういったヘッドスライダは特定の製造方法に基づき実現されればよい。この製造方法は、例えば、ヘッドスライダ上でスライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子に関連して当該非磁性膜に埋め込まれるヒーターの働きで移動中の研磨面に向かってヘッド素子を突き出す工程と、振動計の出力に基づきヘッド素子に被さる保護膜および研磨面の接触を検知する工程と、接触時の突き出し量からさらにヘッド素子の突き出し量を増大させ、研磨面で保護膜を研磨する工程とを備えればよい記憶媒体と保護膜との総接触時間は例えば０．００４秒〜３０００秒の範囲で設定されればよい。記憶媒体の表面粗さＲａは例えば０．３ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲で設定されればよい。
【００１４】
こういった製造方法の実現にあたって例えば特定のヘッドスライダ用研磨装置が提供されてもよい。ヘッドスライダ用研磨装置は、例えば、表面に研磨面を区画し、回転軸回りで回転する回転体と、ヘッドサスペンションを支持し、ヘッドサスペンションに搭載されるヘッドスライダを回転体の研磨面に向き合わせる支持機構と、ヒーターに電力を供給する電力供給回路と、ヘッドスライダの振動を検出する振動計とを備えればよい。振動計にはレーザードップラー振動計、ピエゾセンサーおよびアコースティックエミッション（ＡＥ）センサーのいずれかが利用されればよい。レーザードップラー振動計やピエゾセンサー、アコースティックエミッションセンサーは高い精度でヘッドスライダおよび研磨面の接触を検出することができる。例えば突き出た保護膜の先端が尖っていても、接触時の振動は十分にレーザードップラー振動計やピエゾセンサー、アコースティックエミッションセンサーで検出されることができる。その一方で、突き出た保護膜の先端が尖っていると、前述のように、研磨面に対して保護膜の吸着は阻害される。接触は検知されることができない。研磨面の表面粗さＲａは０．３ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲で設定されればよい。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように本発明によれば、ヘッド素子の突き出し時に保護膜および記憶媒体の間で確実に接触を検出することができる記憶媒体駆動装置は提供される。本発明によれば、そういった記憶媒体駆動装置の製造方法は提供される。本発明によれば、そういった記憶媒体駆動装置の実現に大いに役立つヘッドスライダおよびその製造方法並びにヘッドスライダ用研磨装置は提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１７】
図１は記憶媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）から構成される。ベース１３は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。ベース１３は例えばアルミニウムといった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００１８】
収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモータ１５の回転軸に装着される。スピンドルモータ１５は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転させることができる。
【００１９】
収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、垂直方向に延びる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には、支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきアルミニウムから成型されればよい。
【００２０】
個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１の先端には後述のフレキシャが張り合わせられる。フレキシャにはいわゆるジンバルばねが区画される。こうしたジンバルばねの働きで浮上ヘッドスライダ２２はヘッドサスペンション２１に対してその姿勢を変化させることができる。後述されるように、浮上ヘッドスライダ２２には磁気ヘッドすなわち電磁変換素子が搭載される。
【００２１】
磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２２は浮上し続けることができる。
【００２２】
こういった浮上ヘッドスライダ２２の浮上中にキャリッジ１６が支軸１８回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。
【００２３】
キャリッジブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２４といった動力源が接続される。このＶＣＭ２４の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。
【００２４】
図１から明らかなように、キャリッジブロック１７上には、フレキシブルプリント基板ユニット２５が配置される。フレキシブルプリント基板ユニット２５は、フレキシブルプリント基板２６に実装されるヘッドＩＣ（集積回路）２７を備える。ヘッドＩＣ２７は電磁変換素子の読み出しヘッド素子および書き込みヘッド素子に接続される。接続にあたってフレキシブルプリント基板２８が用いられる。フレキシブルプリント基板２８は個々のフレキシャから連続する。フレキシブルプリント基板２８はフレキシブルプリント基板ユニット２５に接続される。
【００２５】
磁気情報の読み出し時には、このヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の読み出しヘッド素子に向けてセンス電流が供給される。同様に、磁気情報の書き込み時には、ヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の書き込みヘッド素子に向けて書き込み電流が供給される。センス電流の電流値は特定の値に設定される。ヘッドＩＣ２７には、収容空間内に配置される小型の回路基板２９や、ベース１３の底板の裏側に取り付けられるプリント回路基板（図示されず）から電流が供給される。
【００２６】
図２は一具体例に係る浮上ヘッドスライダ２２を示す。この浮上ヘッドスライダ２２は、例えば平たい直方体に形成されるスライダ本体３１を備える。スライダ本体３１の空気流出端面には素子内蔵膜３２が積層される。この素子内蔵膜３２に前述の電磁変換素子３３が組み込まれる。電磁変換素子３３の詳細は後述される。
【００２７】
スライダ本体３１は例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質の非磁性材料から形成されればよい。素子内蔵膜３２は例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）といった比較的に軟質の絶縁非磁性材料から形成されればよい。スライダ本体３１は媒体対向面すなわち浮上面３４で磁気ディスク１４に向き合う。浮上面３４には平坦なベース面３５すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１４が回転すると、スライダ本体３１の前端から後端に向かって浮上面３４には気流３６が作用する。
【００２８】
浮上面３４には、前述の気流３６の上流側すなわち空気流入側でベース面３５から立ち上がる１筋のフロントレール３７が形成される。フロントレール３７はベース面３５の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。同様に、浮上面３４には、気流の下流側すなわち空気流出側でベース面３５から立ち上がるリアレール３８が形成される。リアレール３８はスライダ幅方向の中央位置に配置される。
【００２９】
浮上面３４には、空気流出側でベース面３５から立ち上がる左右１対の補助リアレール３９、３９がさらに形成される。補助リアレール３９、３９はベース面３５の左右の縁に沿ってそれぞれ配置される。その結果、補助リアレール３９、３９同士はスライダ幅方向に間隔を空けて配置される。補助リアレール３９、３９同士の間にリアレール３８は配置される。
【００３０】
フロントレール３７、リアレール３８および補助リアレール３９、３９の頂上面にはいわゆる空気軸受け面（ＡＢＳ）４１、４２、４３が規定される。空気軸受け面４１、４２、４３の空気流入端は段差４４、４５、４６でレール３７、３８、３９の頂上面に接続される。磁気ディスク１４の回転に基づき生成される気流３６は浮上面３４に受け止められる。このとき、段差４４、４５、４６の働きで空気軸受け面４１、４２、４３には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３７の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２２の浮上姿勢は確立される。なお、浮上ヘッドスライダ２２の形態はこういった形態に限られるものではない。
【００３１】
空気軸受け面４１、４２、４３ではスライダ本体３１の表面に例えば第１保護膜（図示されず）が形成される。図３から明らかなように、リアレール３８の空気流出側ではヘッド素子内蔵膜３２の表面に第２保護膜４７が被さる。第２保護膜４７は例えば第１保護膜４８から連続すればよい。前述の電磁変換素子３３は空気軸受け面４２の空気流出側でヘッド素子内蔵膜３２の表面から読み出しギャップや書き込みギャップを露出させる。後述されるように、第２保護膜４７は電磁変換素子３３の読み出しギャップや書き込みギャップに覆い被さる。このとき、第２保護膜４７の表面には窪み４９が形成される。電磁変換素子３３は窪み４９内に少なくとも書き込みギャップを配置する。第１保護膜４８および第２保護膜４７には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）が用いられればよい。窪み４９は第１保護膜４７まで到達してもよい。第１および第２保護膜４８、４７は窪み４９以外では一様な膜厚で広がればよい。
【００３２】
図４は電磁変換素子３３の様子を詳細に示す。電磁変換素子３３は、例えば、ＣＰＰ構造読み取り素子５１と薄膜磁気ヘッド素子５２とを備える。ＣＰＰ構造読み取り素子５１は、周知の通り、磁気ディスク１４から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき２値情報を検出することができる。薄膜磁気ヘッド素子５２は、周知の通り、例えば導電コイルパターン（図示されず）で生起される磁界を利用して磁気ディスク１４に２値情報を書き込むことができる。ＣＰＰ構造読み取り素子５１および薄膜磁気ヘッド素子５２はＡｌ２Ｏ３膜５３とＡｌ２Ｏ３膜５４との間に挟み込まれる。Ａｌ２Ｏ３膜５３は前述のヘッド素子内蔵膜３２の上側半層すなわちオーバーコート膜を構成する。Ａｌ２Ｏ３膜５４はヘッド素子内蔵膜３２の下側半層すなわちアンダーコート膜を構成する。
【００３３】
ＣＰＰ構造読み取り素子５１は例えばスピンバルブ膜やトンネル接合膜といった磁気抵抗効果膜５５を備える。磁気抵抗効果膜５５は上側電極５６および下側電極５７に挟み込まれる。上側電極５６および下側電極５７は、スライダ本体３１の表面で露出する前端で磁気抵抗効果膜５５の上側境界面および下側境界面にそれぞれ接触する。上側電極５６および下側電極５７の働きで磁気抵抗効果膜５５にセンス電流は供給される。上側電極５６および下側電極５７は導電性を備えるだけでなく同時に軟磁性を備えてもよい。上側電極５６および下側電極５７が例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）といった導電性の軟磁性体で構成されると、上側電極５６および下側電極５７は同時にＣＰＰ構造読み取り素子５１の上部および下部シールド層として機能することができる。こうして上側電極５６および下側電極５７は読み出しギャップを規定する。
【００３４】
薄膜磁気ヘッド素子５２は、スライダ本体３１の表面で露出する前端で磁気ディスク１４に向き合う上部磁極層５８と、同様にスライダ本体３１の表面で露出する前端で磁気ディスク１４に向き合う下部磁極層５９とを備える。上部および下部磁極層５８、５９は例えばＦｅＮやＮｉＦｅから形成されればよい。上部および下部磁極層５８、５９は協働して薄膜磁気ヘッド素子５２の磁性コアを構成する。
【００３５】
上部および下部磁極層５８、５９の間には例えばＡｌ２Ｏ３製の非磁性ギャップ層６１が挟み込まれる。周知の通り、後述の薄膜コイルパターンで磁界が生起されると、非磁性ギャップ層６１の働きで、上部磁極層５８と下部磁極層５９とを行き交う磁束は磁気ディスク１４に向かって漏れ出る。漏れ出る磁束がギャップ磁界すなわち記録磁界を形成する。こうして上部磁極層５８および下部磁極層５９が書き込みギャップを規定する。
【００３６】
図５を併せて参照し、下部磁極層５９は、上側電極５６上で任意の基準平面６２に沿って広がる。この基準平面６２はＡｌ２Ｏ３製の非磁性層６３の表面で規定される。非磁性層６３は上側電極５６上に均一な厚みで積層形成されればよい。非磁性層６３は上側電極５６と下部磁極層５９との間で磁気的な結合を断ち切る。
【００３７】
非磁性ギャップ層６１は下部磁極層５９上で均一な膜厚で広がる。この非磁性ギャップ層６１上には薄膜コイルパターン６４が配置される。薄膜コイルパターン６４は１平面に沿って渦巻き状に広がる。薄膜コイルパターン６４は非磁性ギャップ層６１上で絶縁層６５に埋め込まれる。絶縁層６５の表面に前述の上部磁極層５８が形成される。上部磁極層５８は薄膜コイルパターン６４の中心位置で下部磁極層５９に磁気的に連結される。薄膜コイルパターン６４に電流が供給されると、上部磁極層５８および下部磁極層５９に磁束が流通する。
【００３８】
ヘッド素子内蔵膜３２には電磁変換素子３３に関連づけられてヒーターが組み込まれる。このヒーターは、例えば非磁性膜６３に埋め込まれる電熱線６６で構成される。電熱線６６は例えば空気軸受け面４２に直交する仮想平面に沿って広がればよい。薄膜コイルパターン６４は比較的に大きな熱膨張係数を有することから、電熱線６６に電力が供給されると、電熱線６６の熱に基づき薄膜コイルパターン６４は膨張する。その結果、図６に示されるように、薄膜コイルパターン６４の前端は素子内蔵膜３２の表面で盛り上がる。いわゆる突き出し６７が形成される。こうしてＣＰＰ構造読み取り素子５１および薄膜磁気ヘッド素子５２は磁気ディスク１４に向かって変位する。いわゆる熱アクチュエータは構築される。例えば薄膜磁気ヘッド素子５２の突き出し量に応じて薄膜磁気ヘッド素子５２の浮上量は決定される。このとき、突き出し６７で磁気ディスク１４の表面に対して非接触時の最大突き出し量が設定されると、突き出し６７の先端では第２保護膜４７に平坦な被研磨面６８が形成される。突き出し６７の先端で第２保護膜４７の膜厚は薄膜磁気ヘッド素子５２やＣＰＰ構造読み取り素子５１の保護に要求される最低膜厚ｔに設定される。
【００３９】
図７に示されるように、ヘッドＩＣ２７にはプリアンプ回路７１、電流供給回路７２および電力供給回路７３が組み込まれる。プリアンプ回路７１はＣＰＰ構造読み取り素子５１に接続される。プリアンプ回路７１からＣＰＰ構造読み取り素子５１に向かってセンス電流は供給される。センス電流の電流値は一定値に維持される。
【００４０】
電流供給回路７２は薄膜磁気ヘッド素子５２に接続される。電流供給回路７２から薄膜磁気ヘッド素子５２に書き込み電流は供給される。供給された書き込み電流に基づき薄膜磁気ヘッド素子５２で磁界が生成される。
【００４１】
電熱線６６には電力供給回路７２が接続される。電力供給回路７２は電熱線６６に所定の電力を供給する。電力の供給に応じて電熱線６６は発熱する。電熱線６６の温度は電力量で決定される。すなわち、電力量に基づき突き出し６７の突き出し量は制御されることができる。
【００４２】
ヘッドＩＣ２７には制御回路（ハードディスクコントローラ）７４が接続される。制御回路７４はヘッドＩＣ２７に対してセンス電流や書き込み電流、電力の供給を指示する。同時に、制御回路７４はセンス電流の電圧を検知する。検知に先立ってプリアンプ回路７１はセンス電流の電圧を増幅する。
【００４３】
制御回路７４はプリアンプ回路７１の出力に基づき２値情報を判別する。同時に、制御回路７４はプリアンプ回路７１の出力に基づき電圧値の「揺れ」を検知する。例えば前述の突き出し６７が磁気ディスク１４に接触すると、浮上ヘッドスライダ２２は微小な振動に曝される。このとき、センス電流の電圧値には「揺れ」が生じる。こういった「揺れ」が制御回路７４で検出される。
【００４４】
この制御回路７４は所定のソフトウェアプログラムに従ってプリアンプ回路７１、電流供給回路７２および電力供給回路７３の動作を制御する。ソフトウェアプログラムは例えばメモリ７５に格納されればよい。こういったソフトウェアプログラムに基づき後述のゼロキャリブレーションや被研磨面６８の形成は実施される。実施にあたって必要なデータは同様にメモリ７５に格納されればよい。メモリ７５には他の記憶媒体からソフトウェアプログラムやデータが移行されればよい。制御回路７４やメモリ７５は例えば回路基板２９上に実装されればよい。
【００４５】
このハードディスク駆動装置１１では磁気情報の読み出しや書き込みに先立って薄膜磁気ヘッド素子５２の突き出し量が設定される。この突き出し量の設定にあたっていわゆるゼロキャリブレーションが実施される。ゼロキャリブレーションでは、突き出し６７が磁気ディスク１４に接触する際に突き出し６７の突き出し量が測定される。こうした接触時の突き出し量に基づき読み出し時や書き込み時の突き出し６７の突き出し量は設定される。こうして読み出し時や書き込み時に突き出し６７の突き出し量が設定されると、電磁変換素子すなわち薄膜磁気ヘッド素子５２は予め決められた浮上量Ｈで磁気ディスク１４の表面から浮上することができる。こういったゼロキャリブレーションは例えばハードディスク駆動装置１１の起動のたびに実施されればよい。
【００４６】
ゼロキャリブレーションの実施にあたって制御回路７４は所定のソフトウェアプログラムを実行する。ソフトウェアプログラムが実行されると、図８に示されるように、ステップＳ１で制御回路７４はハードディスク駆動装置１１の初期設定を実施する。この初期設定で制御回路７４はスピンドルモータ１５に駆動を命じる。磁気ディスク１４は所定の回転速度で回転する。同時に、制御回路７４はＶＣＭ２４に駆動を命じる。キャリッジ１６は支軸１８回りで揺動する。その結果、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の表面に向き合わせられる。浮上ヘッドスライダ２２は所定の浮上高さで磁気ディスク１４から浮上する。加えて、制御回路７４はヘッドＩＣ２７に電流を供給する。制御回路７４はプリアンプ回路７１の出力を監視する。すなわち、制御回路７４はセンス電流の電圧値を観察する。このとき、電力供給回路７３は電力の供給を保留する。
【００４７】
初期設定が完了すると、ステップＳ２で制御回路７４は電力供給回路７３に指令信号を供給する。制御回路７４は規定の増加量で突き出し６７の突き出し量を増加させる。指令信号の受信に応じて電力供給回路７３は増加後の突き出し量に見合った電力量の電力を電熱線６６に供給する。増加量は例えば０．１ｎｍに設定されればよい。電力量は例えば薄膜磁気ヘッド素子５２の熱膨張係数に基づき予め設定されればよい。
【００４８】
こうして突き出し６７の突き出し量が増加すると、ステップＳ３で制御回路７４は「接触」を判定する。判定にあたって制御回路７４はセンス電流の電圧値に出現する前述の「揺れ」の有無を観察する。「揺れ」が観察されなければ、制御回路７４の処理動作はステップＳ２に戻る。制御回路７４は再び規定の増加量で突き出し６７の突き出し量を増加させる。
【００４９】
こうしてステップＳ３で「揺れ」が観察されるまで、制御回路７４は規定の増加量で突き出し６７の突き出し量を増加させる。ステップＳ３で「揺れ」が観察されると、制御回路７４は突き出し６７および磁気ディスク１４の間で接触を判断する。制御回路７４の処理動作はステップＳ４に移行する。制御回路７４は突き出し６７の突き出し量を特定する。こうして接触時の突き出し量は特定される。特定された突き出し量は例えばメモリ７３に保存される。こうしてゼロキャリブレーションは完了する。
【００５０】
ここで、前述の浮上ヘッドスライダ２２では突き出し６７の先端に平坦な被研磨面６８が形成される。被研磨面６８は広い面積で磁気ディスク１４に接触することができる。したがって、単位面積当たりの押し付け力は減少する。その結果、突き出し６７の摩耗は極力抑制されることができる。しかも、被研磨面６８は磁気ディスク１４の表面に瞬間的に吸着する。こういった吸着に基づき浮上ヘッドスライダ２２に微小な振動すなわち横揺れが生成される。こうしてセンス電流の電圧値には確実に「揺れ」が生成されることができる。その一方で、突き出し６７の先端が尖っていると、突き出し６７および磁気ディスク１４の表面の間で吸着が阻害される。その結果、浮上ヘッドスライダ２２では微小な振動すなわち横揺れの生成は阻害される。したがって、たとえ突き出し６７が磁気ディスク１４に接触しても、センス電流の電圧値に「揺れ」は出現しない。接触時の突き出し量は正確に測定されることができない。
【００５１】
次にハードディスク駆動装置１１の製造過程で被研磨面６８の形成方法を詳述する。ここでは、浮上ヘッドスライダ２２の製造にあたって少なくともリアレール３８の空気軸受け面４２では所定の膜厚の第１保護膜４８が形成される。その結果、空気軸受け面４２の空気流出側でヘッド素子内蔵膜３２の表面には第１保護膜４８の膜厚の第２保護膜４７が形成される。第１保護膜４８および第２保護膜４７は同一の製造工程で同時に形成されればよい。第１および第２保護膜４８、４７の膜厚は前述の最低膜厚ｔおよび削り代の合計値に設定される。第１および第２保護膜４８、４７は一様な膜厚に形成される。削り代は例えば０．１ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲で任意に設定されればよい。
【００５２】
被研磨面６８の形成はハードディスク駆動装置１１の組立完了後に実施される。言い換えれば、浮上ヘッドスライダ２２はハードディスク駆動装置１１のハウジング１２内に組み込まれる。被研磨面６８の形成にあたって制御回路７４は所定のソフトウェアプログラムを実行する。ソフトウェアプログラムが実行されると、図９に示されるように、ステップＴ１で制御回路７４は変数Ｎに「０」を設定する。続くステップＴ２で制御回路７４は初期設定を実施する。この初期設定では前述の初期設定（図８のステップＳ１）と同一の処理動作が実施される。初期設定が完了すると、ステップＴ３で制御回路７４は突き出し６７の突き出し量を設定する。従前の突き出し量に規定の増加分が加えられる。増加分は例えば０．１ｎｍに設定されればよい。
【００５３】
続くステップＴ４で制御回路７４は設定された突き出し量に基づき突き出し６７の形成を指示する。電力供給回路７３に指令信号が供給される。指令信号の供給に応じて電力供給回路７３は設定された突き出し量に見合った電力量の電力を電熱線６６に供給する。電力供給回路７３は瞬間的に電力を出力する。その結果、突き出し６７は瞬時に後退する。
【００５４】
ステップＴ５で制御回路７４は突き出し６７および磁気ディスク１４の間で「接触」を判定する。前述と同様に、制御回路７４はセンス電流の電圧値に出現する「揺れ」の有無を観察する。「揺れ」が観察されなければ、制御回路７４の処理動作はステップＴ３に戻る。制御回路７４は再び突き出し６７の突き出し量を設定する。従前の突き出し量に規定の増加分が加えられる。こうして「接触」が観察されるまで突き出し６７の先端は突き出し量の増加分で磁気ディスク１４に接近していく。
【００５５】
ステップＴ５で「揺れ」が観察されると、制御回路７４は突き出し６７および磁気ディスク１４の間で接触を判断する。制御回路７４の処理動作はステップＴ６に移行する。ステップＴ６で制御回路７２は突き出し６７の突き出し量を設定する。従前の突き出し量すなわち接触時の突き出し量に規定の増加分が加えられる。増加分は例えば０．１ｎｍに設定されればよい。
【００５６】
続くステップＴ７で制御回路７４は設定された突き出し量に基づき突き出し６７の形成を指示する。電力供給回路７２に指令信号が供給される。指令信号の供給に応じて電力供給回路７２は設定された突き出し量に見合った電力量の電力を電熱線６６に供給する。電力供給回路７２は所定の期間にわたって電力の出力を維持する。突き出し６７の先端は磁気ディスク１４に接触することから、突き出し６７はヘッドサスペンション２１の押し付け力で磁気ディスク１４の表面に押し付けられる。その結果、突き出し６７の先端は研磨される。したがって、前述の所定の期間は、突き出し量に見合った研磨量の確立にあたって要求される最小時間に設定される。こういった研磨の実現にあたって磁気ディスク１４の表面粗さＲａは例えば０．３ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲で設定されればよい。このとき、突き出し６７の先端以外で浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４には接触しない。空気軸受け面４１、４２、４３上の第１保護膜４８には未研磨面が維持される。例えば浮上ヘッドスライダ２２の浮上面３４が定盤といった研磨面に押し付けられると、第１保護膜４８や第２保護膜４７の表面には研磨痕すなわち引っ掻き傷が形成される。
【００５７】
続くステップＴ８で制御回路７４は研磨量を判定する。研磨量の判定にあたって制御回路７４は突き出し量の増加の回数Ｎを計測する。増加の最大回数Ｙは予め設定された削り代の厚みに基づき設定される。例えば厚み３．０ｎｍの削り代が予め設定されれば、０．１ｎｍの増加分で最大回数Ｙ＝３０が設定される。研磨量は削り代の厚みに応じて決定される。
【００５８】
回数Ｎが最大回数Ｙに達していなければ、制御回路７４の処理動作はステップＴ６に戻る。ステップＴ６で制御回路７２は再び突き出し６７の突き出し量を設定する。従前の突き出し量すなわち接触時の突き出し量に規定の増加分が加えられる。こうして突き出し量の増加分に相当する研磨量で複数回にわたって研磨は実施される。ステップＴ８で増加の回数Ｎが最大回数Ｙに到達すると、制御回路７４は処理動作を終了する。研磨時の総接触時間は０．００４秒〜３０００秒の範囲で設定される。制御回路７４はスピンドルモータ１５に駆動の停止を命じる。制御回路７４はＶＣＭ２４にキャリッジ１６の待避を命じる。制御回路７４はプリアンプＩＣ２７に対して電流の供給を停止する。制御回路７４は電力供給回路７２に電力の供給の停止を命じる。こうして被研磨面６８の形成は完了する。電熱線６６の熱膨張が終了すると、第２保護膜４７には窪み４９が形成される。窪み４９の深さは研磨量に対応する。
【００５９】
以上のような被研磨面６８の形成方法によれば、被研磨面６８の形成に先立って空気軸受け面４１、４２、４３およびヘッド素子内蔵膜３２の表面には第１保護膜４８および第２保護膜４７が形成される。第１および第２保護膜４８、４７の膜厚は前述のように最低膜厚ｔよりも大きく設定される。こういった厚い膜厚の第２保護膜４７に基づき突き出し６７は形成される。したがって、突き出し６７の先端は比較的に滑らかな湾曲面を描く。こうして磁気ディスク１４との接触時に突き出し６７は確実に「吸着」を実現する。突き出し６７および磁気ディスク１４の間で確実に接触は検知されることができる。第２保護膜４７の膜厚が小さいと、突き出し６７の先端は尖りやすい。突き出し６７の先端が尖ると、前述のように突き出し６７および磁気ディスク１４の間で接触の検知が阻害される。その結果、被研磨面６８は過度に削り取られてしまう。
【００６０】
突き出し６７の研磨中、制御回路７４はセンス電流の観察を持続してもよい。ＣＰＰ構造読み取り素子５１の出力は磁気ディスク１４およびＣＰＰ構造読み取り素子５１の距離に対して任意の相関関係を有する。したがって、センス電流の電圧値に基づき研磨時にＣＰＰ構造読み取り素子５１および磁気ディスク１４の距離は推定されることができる。こうして突き出し６７の研磨量は正確に把握されることができる。ＣＰＰ構造読み取り素子５１には前述と同様にセンス電流が供給されればよい。磁気ディスク１４には予め任意のデータが書き込まれればよい。
【００６１】
以上のような被研磨面６８の形成にあたって研磨装置７７が利用されてもよい。この研磨装置７７は、例えば図１０に示されるように、回転軸７８回りで回転する回転体すなわち定盤７９を備える。定盤７９は例えば磁気ディスクで構成されればよい。定盤７９の表面には研磨面が確立される。研磨面の表面粗さＲａは例えば０．３ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲で設定されればよい。定盤７９はスピンドルモータ８１の働きで回転駆動されればよい。
【００６２】
定盤７９には支持機構８２が関連づけられる。この支持機構８２はアクチュエータアーム８３を備える。アクチュエータアーム８３の先端にはヘッドサスペンション２１が支持される。ヘッドサスペンション２１には予め浮上ヘッドスライダ２２やフレキシャが組み付けられる。支持機構８２は前述のキャリッジ１６と同様に構成されればよい。支持機構８２は定盤７９の研磨面に浮上ヘッドスライダ２２を向き合わせる。定盤７９が回転軸７８回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ２２は前述と同様に所定の浮上高さで定盤７９の研磨面から浮上し続けることができる。
【００６３】
ヘッドサスペンション２１には制御回路８４が接続される。この接続にあたって前述と同様にフレキシブルプリント基板２８が利用されればよい。ここでは、制御回路８４には、浮上ヘッドスライダ２２上のＣＰＰ構造読み取り素子５１にセンス電流を供給するプリアンプ回路７１や、電熱線６６に電力を供給する電力供給回路７３が組み込まれる。その他、薄膜磁気ヘッド素子５２に電流を供給する電流供給回路７２が組み込まれてもよい。プリアンプ回路７１、電力供給回路７３および電流供給回路７２は前述のヘッドＩＣ２７と同様に構成されればよい。
【００６４】
浮上ヘッドスライダ２２の背後にはレーザードップラー振動計８５が配置される。レーザードップラー振動計８５は例えばアクチュエータアーム８３に支持されればよい。レーザードップラー振動計８５は浮上ヘッドスライダ２２の振動を検出する。レーザードップラー振動計８５の出力は制御回路８４に供給される。
【００６５】
被研磨面６８の形成にあたって制御回路８４は前述の制御回路７４と同様な処理動作を実行する。ただし、突き出し６７および定盤７９の接触はレーザードップラー振動計８５の出力に基づき検知される。レーザードップラー振動計８５は読み出し信号上の「揺れ」よりも高い精度で浮上ヘッドスライダ２２および定盤７９の接触を検出することができる。例えば突き出し６７の先端が尖っていても、接触時の振動は十分にレーザードップラー振動計で検出されることができる。その一方で、突き出し６７の先端が尖っていると、前述のように、研磨面に対して突き出し６７の吸着は阻害される。接触は検知されることができない。その他、研磨装置７７ではレーザードップラー振動計８５に代えてピエゾセンサーやアコースティックエミッション（ＡＥ）センサーが利用されてもよい。これらピエゾセンサーおよびアコースティックエミッションセンサーはレーザードップラー振動計８５と同様に高い精度で突き出し６７および定盤７９の研磨面の間で接触を検出することができる。ピエゾセンサーやアコースティックエミッションセンサーは例えばヘッドサスペンション２１に近接してアクチュエータアーム８３上に固定されればよい。
【００６６】
なお、例えば図１１に示されるように、第１および第２保護膜４８、４７はいわゆる多層膜から構成されてもよい。ここでは、第１および第２保護膜４８、４７は、前述の削り代を構成する表面層４８ａ、４７ａを備える。表面層４８ａ、４７ａはそれぞれ基礎保護膜層４８ｂ、４７ｂの表面に受け止められる。基礎保護膜層４８ｂ、４７ｂはスライダ本体３１およびヘッド素子内蔵膜３２の表面に受け止められる。こうして第１および第２保護膜４８、４７は異なる材質の多層膜から構成されることができる。このとき、基礎保護膜層４８ｂ、４７ｂは例えばＤＬＣであればよい。表面層４８ａ、４７ａは、例えばＤＬＣよりも磁気ディスク１４に吸着しやすい素材から形成されればよい。表面層４８ａ、４７ａはスライダ本体３１およびヘッド素子内蔵膜３２で連続すればよい。同様に、基礎保護膜層４８ｂ、４７ｂはスライダ本体３１およびヘッド素子内蔵膜３２で連続すればよい。
【００６７】
（付記１）  記憶媒体と、媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、スライダ本体の媒体対向面に形成され、スライダ本体の空気流出側端まで延びるレールと、レールの頂上面に被さって、表面に未研磨面を維持する第１保護膜と、第１保護膜に連続し、レールの空気流出側で非磁性膜の表面に被さる第２保護膜と、レールの空気流出側で非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子と、ヘッド素子に関連づけられて非磁性膜に埋め込まれるヒーターと、ヒーターに関連づけられて、少なくとも部分的に第２保護膜に区画される窪みとを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００６８】
（付記２）  付記１に記載の記憶媒体駆動装置において、ヒーターの熱に基づき非磁性膜が突き出る際に、その非磁性膜の先端で第２保護膜には平坦な被研磨面が形成されることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００６９】
（付記３）  付記２に記載の記憶媒体駆動装置において、前記平坦な研磨面が記憶媒体に接触する際に前記非磁性膜の突き出し量を特定し、当該突き出し量に基づき非接触時の非磁性膜の突き出し量を設定する制御回路を備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００７０】
（付記４）  付記３に記載の記憶媒体駆動装置において、前記窪みの深さは０．１ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲で設定されることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００７１】
（付記５）  付記４に記載の記憶媒体駆動装置において、少なくとも前記第２保護膜は０．１ｎｍ〜３．０ｎｍの削り代を有することを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００７２】
（付記６）  付記５に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第２保護膜は、前記削り代を構成する表面層と、表面層を受け止める１以上の基礎保護膜層とを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００７３】
（付記７）  ヘッドスライダ上でスライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子に関連して当該非磁性膜に埋め込まれるヒーターの働きで記憶媒体に向かってヘッド素子を突き出す工程と、ヘッド素子に被さる保護膜および記憶媒体の接触を検知する工程と、接触時の突き出し量からさらにヘッド素子の突き出し量を増大させる工程とを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置の製造方法。
【００７４】
（付記８）  付記７に記載の記憶媒体駆動装置の製造方法において、記憶媒体駆動装置の筐体内に前記記憶媒体を組み込む工程と、前記ヘッド素子の突き出しに先立って、記憶媒体駆動装置の筐体内に前記ヘッドスライダを組み込む工程とをさらに備え、前記接触の検知にあたってヘッド素子から出力される読み出し信号が利用されることを特徴とする記憶媒体駆動装置の製造方法。
【００７５】
（付記９）  付記８に記載の記憶媒体駆動装置の製造方法において、前記記憶媒体と保護膜との総接触時間は０．００４秒〜３０００秒の範囲で設定されることを特徴とする記憶媒体駆動装置の製造方法。
【００７６】
（付記１０）  付記９に記載の記憶媒体駆動装置の製造方法において、前記記憶媒体の表面粗さＲａは０．３ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲で設定されることを特徴とする記憶媒体駆動装置の製造方法。
【００７７】
（付記１１）  付記１０に記載の記憶媒体駆動装置の製造方法において、前記突き出し量の増大にあたって、前記記憶媒体に予め書き込まれた磁気情報が前記ヘッド素子で磁気的に読み出されることを特徴とする記憶媒体駆動装置の製造方法。
【００７８】
（付記１２）  媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、スライダ本体の媒体対向面に形成され、スライダ本体の空気流出側端まで延びるレールと、レールの頂上面に被さって、表面に未研磨面を維持する第１保護膜と、第１保護膜に連続し、レールの空気流出側で非磁性膜の表面に被さる第２保護膜と、レールの空気流出側で非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子と、ヘッド素子に関連づけられて非磁性膜に埋め込まれるヒーターと、ヒーターに関連づけられて、少なくとも部分的に第２保護膜に区画される窪みとを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【００７９】
（付記１３）  付記１２に記載のヘッドスライダにおいて、ヒーターの熱に基づき非磁性膜が突き出る際に、その非磁性膜の先端で第２保護膜には平坦な被研磨面が形成されることを特徴とするヘッドスライダ。
【００８０】
（付記１４）  付記１３に記載のヘッドスライダにおいて、前記窪みの深さは０．１ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲で設定されることを特徴とするヘッドスライダ。
【００８１】
（付記１５）  付記１４に記載のヘッドスライダにおいて、少なくとも前記第２保護膜は０．１ｎｍ〜３．０ｎｍの削り代を有することを特徴とするヘッドスライダ。
【００８２】
（付記１６）  付記１５に記載のヘッドスライダにおいて、前記第２保護膜は、前記削り代を構成する表面層と、表面層を受け止める１以上の基礎保護膜層とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【００８３】
（付記１７）  表面に研磨面を区画し、回転軸回りで回転する回転体と、ヘッドサスペンションを支持し、ヘッドサスペンションに搭載されるヘッドスライダを回転体の研磨面に向き合わせる支持機構と、ヒーターに電力を供給する電力供給回路と、ヘッドスライダの振動を検出する振動計とを備えることを特徴とするヘッドスライダ用研磨装置。
【００８４】
（付記１８）  付記１７に記載のヘッドスライダ用研磨装置において、前記振動計はレーザードップラー振動計、ピエゾセンサーおよびアコースティックエミッションセンサーのいずれかであることを特徴とするヘッドスライダ用研磨装置。
【００８５】
（付記１９）  付記１８に記載のヘッドスライダ用研磨装置において、前記研磨面の表面粗さＲａは０．３ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲で設定されることを特徴とするヘッドスライダ用研磨装置。
【００８６】
（付記２０）  付記１９に記載のヘッドスライダ用研磨装置において、前記回転体は、表面に磁性層を有する磁気記憶媒体であることを特徴とするヘッドスライダ用研磨装置。
【００８７】
（付記２１）  付記２０に記載のヘッドスライダ用研磨装置において、前記ヘッドスライダに搭載されるヘッド素子に、記憶媒体に書き込まれた磁気情報の読み出しを指示する制御回路をさらに備えることを特徴とするヘッドスライダ用研磨装置。
【００８８】
（付記２２）  ヘッドスライダ上でスライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子に関連して当該非磁性膜に埋め込まれるヒーターの働きで移動中の研磨面に向かってヘッド素子を突き出す工程と、振動計の出力に基づきヘッド素子に被さる保護膜および研磨面の接触を検知する工程と、接触時の突き出し量からさらにヘッド素子の突き出し量を増大させ、研磨面で保護膜を研磨する工程とを備えることを特徴とするヘッドスライダの製造方法。
【００８９】
（付記２３）  付記２２に記載のヘッドスライダの製造方法において、前記保護膜の総研磨時間は０．００４秒〜３０００秒の範囲で設定されることを特徴とするヘッドスライダの製造方法。
【００９０】
（付記２４）  付記２３に記載のヘッドスライダの製造方法において、前記研磨面の表面粗さＲａは０．３ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲で設定されることを特徴とするヘッドスライダの製造方法。
【００９１】
（付記２５）  付記２４に記載のヘッドスライダの製造方法において、前記保護膜の研磨にあたって、前記研磨面に予め書き込まれた磁気情報が前記ヘッド素子で磁気的に読み出されることを特徴とするヘッドスライダの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】記憶媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】記憶媒体駆動装置に組み込まれる浮上ヘッドスライダの一具体例を示す拡大斜視図である。
【図３】図２の３−３線に沿った拡大断面図である。
【図４】浮上ヘッドスライダに搭載される電磁変換素子の構造を概略的に示す正面図である。
【図５】図４の５−５線に沿った断面図である。
【図６】浮上ヘッドスライダに形成される「突き出し」を概略的に示すヘッド素子内蔵膜の断面図である。
【図７】浮上ヘッドスライダに搭載される電磁変換素子および電熱線に関連してハードディスク駆動装置の制御系を概略的に示すブロック図である。
【図８】ゼロキャリブレーションの実施にあたって制御回路の処理動作を概略的に示すフローチャートである。
【図９】被研磨面の形成にあたって制御回路の処理動作を概略的に示すフローチャートである。
【図１０】ヘッドスライダ用研磨装置の構造を概略的に示す概念図である。
【図１１】図３に対応し、多層膜から構成される保護膜を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
１１  記憶媒体駆動装置（ハードディスク駆動装置）、１２  筐体（ハウジング）、１４  記憶媒体（磁気ディスク）、２１  ヘッドサスペンション、２２  ヘッドスライダ、３１  スライダ本体、３２  非磁性膜（ヘッド素子内蔵膜）、３３  ヘッド素子（電磁変換素子）、３４  媒体対向面（浮上面）、３８  レール（リアレール）、４７  第２保護膜、４８  第１保護膜、４９  窪み、６６  ヒーター（電熱線）、６８  被研磨面、７４  制御回路、７７  ヘッドスライダ用研磨装置、７８  回転軸、７９  回転体（定盤）、８２  支持機構、８４  電力供給回路として機能する制御回路、８５  振動計（レーザードップラー振動計）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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