(57)【要約】【課題】接触子の製造工程を簡略化することができる接触子の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の接触子１の製造方法は工程ａ〜ｄを備える。図７Ａに示すように工程ａにおいてはインプリント法により型本体１１および型壁１２を形成する。図７Ｂに示すように工程ｂにおいては型本体１１および型壁１２からなるレジスト型１０をスパッタしてシード膜７を形成する。型壁１２の高さが低い場合はロングスロースパッタを行なう。工程ｃにおいては図７Ｃに示すようにシード膜７にばね接触部３をめっき形成し、工程ｄにおいては図７Ｄに示すようにレジスト型１０を除去してシード膜７をリフトオフする。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線板の高さ方向に突出しており上面または側面を形成面として有する型本体と、前記型本体の形成面から前記型本体の高さ方向に起立する型壁とを有しており、前記型本体の形成面と前記型壁の側面とによって囲まれた領域を接触子に係るばね接触部の形成領域とするレジスト型を前記配線板の表面に形成する工程ａと、
前記レジスト型に対して前記レジスト型の高さ方向から金属をスパッタすることにより、前記型本体の形成面においてはその全面に付着しているが前記型壁の側面においては前記型本体の形成面から前記型壁の上面まで連続して付着していないシード膜を形成する工程ｂと、
前記シード膜を金属めっきすることにより、前記型本体の形成面にばね接触部を形成する工程ｃと、
前記ばね接触部の形成後に前記レジスト型を除去することにより、前記型壁の上面およびその側面に形成されたシード膜をリフトオフする工程ｄと
を備えていることを特徴とする接触子の製造方法。
【請求項２】
前記工程ａにおいては、前記配線板の表面にレジスト膜を形成した後に前記レジスト型に対応させてかたどったスタンパを前記レジスト膜に押しつけて前記レジスト膜を硬化させるインプリント方法により、前記レジスト型の型本体および型壁を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の接触子の製造方法。
【請求項３】
前記工程ａにおいては、ポジ型感光性樹脂を用いて前記配線板の表面にポジ型レジスト膜を形成した後に多階調マスクを用いて前記ポジ型レジスト膜の高さ方向に露光レベルを異ならせて前記ポジ型レジスト膜を露光・現像することにより、前記レジスト型の型本体および型壁を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の接触子の製造方法。
【請求項４】
前記型本体は、円錐状または前記ばね接触部の傾きに適合させて前記形成面の傾きを加工した略円錐状に形成されており、
前記型壁は、前記型本体の形成面に沿ってらせん状に形成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【請求項５】
前記型壁は、前記型壁の上面から下方に向かってその幅を小さくすることにより、前記レジスト型の高さ方向から見て前記型壁の側面が前記型壁の上面によって隠れる形状に形成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【請求項６】
前記工程ｂにおいては、前記レジスト型の高さ方向に対して指向性を有するスパッタを行なうことにより、前記シード膜を形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【請求項７】
前記指向性を有するスパッタは、ロングスロースパッタまたはコリメートスパッタである
ことを特徴とする請求項６に記載の接触子の製造方法。
【請求項８】
前記工程ｂにおいては、前記レジスト型の型本体の形成面全面に金属がスパッタされた後に前記レジスト型に付着した前記金属を等方性エッチングして前記レジスト型の型壁の側面に付着した前記金属を除去することにより、前記シード膜を形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【請求項９】
前記工程ｂにおいては、前記レジスト型の型本体の形成面全面に金属がスパッタされた後に前記レジスト型をアッシングして前記レジスト型の型壁の側面に付着した前記金属を除去することにより、前記シード膜を形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接触子の製造方法に係り、特に、プローブカードに用いるばね型プローブ（探針）として好適に利用できる接触子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、プローブカードにはプローブ（探針）と称される接触子が用いられている。この接触子には様々な種類の形状があるが、近年のプローブカードにおいては、省スペースやばね特性の観点から、らせん状の接触子が用いられることが多い。
【０００３】
従来の接触子１０１は、その一例として、図２５Ａ〜Gに示すように、工程ａ〜工程ｅを経て製造される。
【０００４】
工程ａにおいては、図２５Ａに示すように、感光性樹脂などのレジスト材を用いて配線板１０４の表面に形成したレジスト膜（図示せず）を多重露光・多重現像することにより、配線板１０４の表面に円錐状の型本体１１１を形成する。
【０００５】
工程ｂにおいては、図２５Ｂに示すように、型本体１１１に対して金属スパッタを行なうことにより、型本体１１１の形成面１１１ａにシード膜１０７を形成する。その際、配線板１０４の表面にもシード膜１０７を形成すれば、後の工程ｄにおいて接触子１０１の配線取付部１０２をも同時に形成することができる。
【０００６】
工程ｃにおいては、図２５Ｃに示すように、感光性樹脂などのレジスト材を用いてシード膜１０７の表面に形成したレジスト膜を多重露光・多重現像することにより、立体らせん状の型壁１１２をシード膜１０７の表面に沿って形成する。
【０００７】
工程ｄにおいては、図２５Ｄに示すように、らせん状の型壁１１２の間から露出するシード膜１０７を金属めっきすることにより、接触子１０１のばね接触部１０３を形成する。工程ｂにおいて配線板１０４の表面にもシード膜１０７が形成されていれば、この工程ｄにおいて、ばね接触部１０３の形成と同時に接触子１０１の配線取付部１０２も形成される。
【０００８】
最後の工程ｅにおいては、図２５Ｅ〜Ｇの順に示すように、型壁１１２の除去、型壁１１２の除去後に露出したシード膜１０７の除去および型本体１１１の除去を順に行なう。以上の工程を経て、立体らせん状の接触子１０１が形成されていた（特許文献１を参照）。
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−０５６３４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、型本体１１１および型壁１１２からなるレジスト型１１０の形成工程が別工程になっているため、接触子１０１の製造工程が多くなってしまうという問題があった。接触子１０１の製造工程が多くなれば、その分だけ接触子１０１の製造コストが増加する。
【００１１】
また、レジスト型１１０の型本体１１１および型壁１１２は厚く形成したレジスト膜を多重露光・多重現像することにより形成されていたので、型本体１１１および型壁１１２の形成工程が複雑であるという問題があった。型本体１１１および型壁１１２の形成工程が複雑化すれば、接触子１０１の製造工程の増加と同様、その分だけ接触子１０１の製造コストが増加する。
【００１２】
さらに、型本体１１１および型壁１１２の形成工程において行なわれるレジスト膜の多重露光については焦点深度の調整が困難であるため、型本体１１１および型壁１１２を微細加工することが困難であった。型本体１１１および型壁１１２を微細加工することができずに接触子１０１のばね接触部１０３の寸法が曖昧になれば、所望するばね特性を得ることができなかったり、接触子１０１の耐荷重変形特性を悪化させてしまったりすることにもなる。
【００１３】
そして、図２５Ｃに示すように、型本体１１１と型壁１１２との間にシード膜１０７が介在しているため、型本体１１１と型壁１１２とを一度に除去することができず、図２５Ｅ〜Ｇの順に示すように、型壁１１２の除去、シード膜１０７の除去および型本体１１１の除去を別個に行なわなければならなかった。このことも接触子１０１の製造工程を多くする原因となっていた。
【００１４】
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、接触子の製造工程を簡略化することができる接触子の製造方法を提供することを本発明の目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前述した目的を達成するため、本発明の接触子の製造方法は、その第１の態様として、配線板の高さ方向に突出しており上面または側面を形成面として有する型本体と型本体の形成面から型本体の高さ方向に起立する型壁とを有しており型本体の形成面と型壁の側面とによって囲まれた領域を接触子に係るばね接触部の形成領域とするレジスト型を配線板の表面に形成する工程ａと、レジスト型に対してレジスト型の高さ方向から金属をスパッタすることにより、型本体の形成面においてはその全面に付着しているが型壁の側面においては型本体の形成面から型壁の上面まで連続して付着していないシード膜を形成する工程ｂと、シード膜を金属めっきすることにより、型本体の形成面にばね接触部を形成する工程ｃと、ばね接触部の形成後にレジスト型を除去することにより、型壁の上面およびその側面に形成されたシード膜をリフトオフする工程ｄとを備えていることを特徴としている。
【００１６】
本発明の第１の態様の接触子の製造方法によれば、工程ｂにおいて型本体の形成面から型壁の上面まで連続して付着していないシード膜を形成しているので、従来のように型本体の形成工程と型壁の形成工程との間にシード膜の形成工程を行なう必要がない。そのため、同一工程ａにおいてレジスト型の型本体および型壁を同時に形成することができるので、レジスト型の形成工程を少なくすることができる。また、レジスト型の型本体および型壁が一体形成されていることから、レジスト型の除去時にシード膜を合わせてリフトオフすることができる。そのため、型本体の除去、シード膜の除去および型壁の除去からなる３つの除去工程を１つの工程にまとめて行なうことができる。
【００１７】
本発明の第２の態様の接触子の製造方法は、第１の態様の接触子の製造方法において、工程ａにおいては配線板の表面にレジスト膜を形成した後にレジスト型に対応させてかたどったスタンパをレジスト膜に押しつけてレジスト膜を硬化させるインプリント方法によりレジスト型の型本体および型壁を形成することを特徴としている。
【００１８】
本発明の第２の態様の接触子の製造方法によれば、レジスト型の型本体および型壁を同時に瞬時に形成することができる。また、精密加工されたスタンパを用いることにより、微細加工されたレジスト型を容易に何度も短時間で形成することができる。さらに、スタンパを用いることにより、型壁のアスペクト比（高さ／幅）を大きくすることが容易となり、レジスト型の大きさが小さくなっても型本体の形成面から型壁の上面までの距離（型壁の高さ）を大きくすることが容易となるので、工程ｂにおいて前述した条件のシード膜を容易に形成することができる。
【００１９】
本発明の第３の態様の接触子の製造方法は、第１の態様の接触子の製造方法において、工程ａにおいてはポジ型感光性樹脂を用いて配線板の表面にポジ型レジスト膜を形成した後に多階調マスクを用いてポジ型レジスト膜の高さ方向に露光レベルを異ならせてポジ型レジスト膜を露光・現像することによりレジスト型の型本体および型壁を形成することを特徴としている。
【００２０】
本発明の第３の態様の接触子の製造方法によれば、一回の露光により露光箇所ごとに露光レベルを変えることができるので、レジスト型の型本体および型壁を同時に形成することができる。また、精密加工された多階調マスクを用いることにより、微細加工されたレジスト型を容易に何度も形成することができる。さらに、多階調マスクの濃度を調整することにより、型壁のアスペクト比（高さ／幅）を大きくすることが容易となり、レジスト型の大きさが小さくなっても型本体の形成面から型壁の上面までの距離（型壁の高さ）を大きくすることが容易となるので、工程ｂにおいて前述した条件のシード膜を容易に形成することができる。
【００２１】
本発明の第４の態様の接触子の製造方法は、第１から第３のいずれか１の態様の接触子の製造方法において、型本体は円錐状またはばね接触部の傾きに適合させて形成面の傾きを加工した略円錐状に形成されており、型壁は型本体の形成面に沿ってらせん状に形成されていることを特徴としている。
【００２２】
本発明の第４の態様の接触子の製造方法によれば、接触子のばね接触部が立体らせん状に形成されるので、ばね接触部を形成する素線の長さが長くなり、ばね接触部の耐荷重変形特性を向上させることができる。
【００２３】
本発明の第５の態様の接触子の製造方法は、第１から第４のいずれか１の態様の接触子の製造方法において、型壁は、型壁の上面から下方に向かってその幅を小さくすることにより、レジスト型の高さ方向から見て型壁の側面が型壁の上面によって隠れる形状に形成されていることを特徴としている。
【００２４】
本発明の第５の態様の接触子の製造方法によれば、型壁の側面にスパッタされる金属が型本体の形成面から型壁の上面まで連続して付着しづらくなり、工程ｂにおいて前述した条件のシード膜を容易に形成することができる。
【００２５】
本発明の第６の態様の接触子の製造方法は、第１から第５のいずれか１の態様の接触子の製造方法において、工程ｂにおいてはレジスト型の高さ方向に対して指向性を有するスパッタを行なうことによりシード膜を形成することを特徴としている。
【００２６】
本発明の第６の態様の接触子の製造方法によれば、型壁の側面にスパッタされる金属が型本体の形成面から型壁の上面まで連続して付着しづらくなり、工程ｂにおいて前述した条件のシード膜を容易に形成することができる。
【００２７】
本発明の第７の態様の接触子の製造方法は、第６の態様の接触子の製造方法において、指向性を有するスパッタは、ロングスロースパッタまたはコリメートスパッタであることを特徴としている。
【００２８】
本発明の第７の態様の接触子の製造方法によれば、高い指向性を有するスパッタを行なうことができる。
【００２９】
本発明の第８の態様の接触子の製造方法は、第１から第７のいずれか１の態様の接触子の製造方法において、工程ｂにおいてはレジスト型の型本体の形成面全面に金属がスパッタされた後にレジスト型に付着した金属を等方性エッチングしてレジスト型の型壁の側面に付着した金属を除去することによりシード膜を形成することを特徴としている。
【００３０】
本発明の第８の態様の接触子の製造方法によれば、型本体の高さ方向からスパッタした場合、型本体の形成面または型壁の上面と比較して型壁の側面には金属がスパッタされにくく、型壁の側面に付着した金属の膜の厚さは型本体の形成面または型壁の上面に付着した金属の膜の厚さよりも薄くなりやすいことから、等方性エッチングに際して型本体の形成面の全面に付着した金属は除去されずに型壁の側面に付着した金属のみが除去されるので、指向性の低いスパッタであっても工程ｂにおいて前述した条件のシード膜を容易に形成することができる。
【００３１】
本発明の第９の態様の接触子の製造方法は、第１から第８のいずれか１の態様の接触子の製造方法において、工程ｂにおいてはレジスト型の型本体の形成面全面に金属がスパッタされた後にレジスト型をアッシングしてレジスト型の型壁の側面に付着した金属を除去することによりシード膜を形成することを特徴としている。
【００３２】
本発明の第９の態様の接触子の製造方法によれば、型本体の高さ方向からスパッタした場合、型本体の形成面または型壁の上面と比較して型壁の側面には金属がスパッタされにくく、型壁の側面の全面に金属の膜が付着しにくいことから、アッシングに際して型本体の形成面の全面に付着した金属は除去されずに型壁の側面に付着した金属のみが除去されるので、指向性の低いスパッタであっても工程ｂにおいて前述した条件のシード膜を容易に形成することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の接触子の製造方法によれば、レジスト型の形成、シード膜の形成ならびにレジスト型およびシード膜の除去が容易になるので、接触子の製造工程を簡略化することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図を用いて、本発明の接触子の製造方法をその一実施形態により説明する。
【００３５】
本実施形態の接触子１は、図１および図２に示すように、配線取付部２およびばね接触部３を備えている。配線取付部２は、ビア、表面電極または導線などの配線板４に形成された配線パターン５に接続しており、平面視して略矩形状に形成されている。この配線取付部２は、ばね接触部３を配線パターン５に取付けるための固定部材であるため、その役割を果たす形状であれば矩形状でなくてもよい。
【００３６】
ばね接触部３は、配線板４の高さ方向に対してばね特性を発揮する形状に形成されている。例えば、このばね接触部３の形状としては、図１および図２に示すような立体らせん形状、図３および図４に示すような板ばね形状または図５および図６に示すような皿ばね形状を選択することができる。本実施形態のばね接触部３の形状としては、図１および図２に示すように、立体らせん状が選択されている。立体らせん状のばね接触部３の直径は３０μｍ〜３００μｍ程度であり、その高さは直径の３０％〜１００％程度である。また、ばね接触部３の素線６の厚さは、約５μｍ程度である。
【００３７】
図７Ａ〜Ｄは、本実施形態の接触子１の製造方法を順に示す縦断面図である。本実施形態の接触子１は、図７Ａ〜Ｄの順に示すように、工程ａ〜工程ｄの順に４つの工程を経て製造される。
【００３８】
工程ａにおいては、図７Ａに示すように、型本体１１および型壁１２からなるレジスト型１０を配線板４の表面に形成する。レジスト型１０の型本体１１は、配線板４の高さ方向に突出して形成されている。本実施形態のばね接触部３の形状は立体らせん形状であるため、この型本体１１は円錐状に形成されている。この型本体１１の直径は３０μｍ〜３００μｍ程度であり、その高さは直径の３０％〜１００％程度である。
【００３９】
また、型本体１１は、側面１１ｂまたは上面１１ｃを形成面１１ａとして有している。本実施形態の型本体１１は円錐状であるため上面１１ｃがなく、側面１１ｂのみが形成面１１ａとなる。型本体１１の形状が円錐状でなく、例えばその頂部が切断された切頭円錐などの上面１１ｃを有する形状である場合、型本体１１の側面１１ｂだけでなく、その上面１１ｃも形成面１１ａとして用いる。
【００４０】
型壁１２は、型本体１１の形成面１１ａから型本体１１の高さ方向に起立している。型本体１１の形成面１１ａと型壁１２の側面１２ａとによって囲まれた領域は、接触子１に係るばね接触部３が形成される領域となる。本実施形態のばね接触部３の形状は立体らせん状であるため、この型壁１２は型本体１１の形成面１１ａに沿ってらせん状に形成されている。ばね接触部３の素線６の厚さは５μｍ程度であるため、型壁１２の高さは少なくとも５μｍ以上になっている。型壁１２の高さを高くするほど、後の工程ｂにおいて所望のシード膜が形成しやすいので、工程ａにおいて型壁１２をできる限り高く形成しておく。
【００４１】
なお、本実施形態の接触子１においては、ばね接触部３および配線取付部２を同時に形成するため、型本体１１の形成面１１ａから起立する型壁１２だけでなく、配線板４の表面から起立する配線取付部形成型１３も同時に形成しておく。この配線取付部形成型１３は、配線板４の表面であって配線取付部２が形成される領域以外の領域（レジスト型１０の形成領域を除く。）から配線板４の高さ方向に起立している壁状の形成型である。後の工程においては、特に説明がない限り、型壁１２が形成されるときに配線取付部形成型１３も同時に形成されるものとする。
【００４２】
前述したレジスト型１０の形成方法としては、種々の方法が挙げられる。例えば、従来のように型本体１１と型壁１２とを別個に形成する場合、図８Ａに示すように、配線板４の表面にレジスト膜１４を形成した後、そのレジスト膜１４を多重露光・多重現像することにより、図８Ｂに示すような円錐状の型本体１１を形成する。そして、図８Ｃに示すように、型本体１１の表面および配線板４の表面（図１に示した配線取付部２の形成領域を除く。）にレジスト膜１４を再形成した後、そのレジスト膜１４を多重露光・多重現像することにより、図８Ｄに示すようならせん状の型壁１２を形成する。
【００４３】
だたし、図８に示すようなレジスト型１０の形成方法では型本体１１および型壁１２を同時に形成することができず、本実施形態の接触子１の製造方法のメリットが半減してしまう。そのため、下記に示すようなインプリント方法または多階調マスクを用いたパターンニングによるレジスト型１０の形成方法を行なうことが好ましい。いずれの方法も型本体１１および型壁１２を同時に形成することができ、かつ、レジスト型１０を精密かつ容易に形成しやすい。
【００４４】
第１の方法であるインプリント方法は、ナノインプリントなどと称されており、図９Ａ〜Ｃに示すように、３つの工程からなる。はじめに、図９Ａに示すように、配線板４の表面にレジスト膜１４を形成する。つぎに、レジスト膜１４に対して、レジスト型１０に対応させてかたどったスタンパ１５を図９Ａの矢印方向に空気圧を利用して図９Ｂに示すように押しつける。そして、図９Ｃに示すように、レジスト膜１４を硬化させ、スタンパ１５を図９Ｃの矢印方向に抜き取る。
【００４５】
このスタンパ１５の形成方法としては、図示はしないが、金属や透明ガラスをスタンパ１５の基材としてその基材の表面にレジストを形成し、電子銃を走査しながらそのレジストに電子線を照射して所望のスタンパの形状にパターンニングする。その後、レジストのパターンニングにあわせて基材を精密にエッチングすることにより精度の高いスタンパ１５を形成する。なお、このスタンパは使い捨てではなく、レジスト型の製造工程において何度も使用することができる。
【００４６】
インプリント方法には、主として、熱式インプリント法および紫外線照射式インプリント方法の２種類の方法がある。熱式インプリント法を行なう場合、はじめに、図９Ａに示すような硬化した熱可塑性樹脂製のレジスト膜１４に対して、そのレジスト膜１４の融点以上に熱せられた金属製スタンパ１５を図９Ｂに示すように押しつけ、そのレジスト膜１４をスタンパ１５の形状に変形させる。次に、レジスト膜１４がスタンパ１５の形状に変形したら、図９Ｃに示すように、そのスタンパ１５をレジスト膜１４の融点以下に冷却してそのレジスト膜１４を硬化させた後にスタンパ１５を抜き取る。以上により、レジスト型１０が形成される。なお、レジスト膜１４に熱硬化性樹脂を用いた場合、スタンパ１５を押しつける際に熱硬化温度以上に熱することによりレジスト型を形成する。
【００４７】
また、紫外線照射式インプリント方法を行なう場合、はじめに、図９Ａに示すような紫外線硬化型樹脂製のレジスト膜１４に対して、図９Ｂに示すように透明ガラス製のスタンパ１５を押しつける。次に、レジスト膜１４をスタンパ１５の形状に変形させた後、そのレジスト膜１４に紫外線を照射して図９Ｃに示すようにレジスト膜１４を硬化させる。以上により、レジスト型１０が形成される。どちらの種類のインプリント方法を用いても良いが、本実施形態のレジスト型１０の形成方法においては設備費用を低廉にするために熱式インプリント法を用いている。
【００４８】
なお、ばね接触部３の形状を板ばね形状にする場合、図１０に示すような板ばね形状に対応させてかたどったスタンパ１５をレジスト膜１４に押しつける。また、ばね接触部３の形状を皿ばね形状にする場合、図１１に示すような皿ばね形状に対応させてかたどったスタンパ１５をレジスト膜１４に押しつける。これらの作業により、図１２および図１３または図１４および図１５に示すように、板ばねまたは皿ばね状のばね接触部３を形成するためのレジスト型１０が形成される。
【００４９】
型本体１１および型壁１２を同時に形成することができ、かつ、レジスト型１０を精密かつ容易に形成する第２の方法は、多階調マスク２０によるパターンニング方法である。多階調マスク２０とは、図１６に示すように、透明の平板基材２１の表面に形成された遮光膜２２に光を透過するドット（もしくはスリット）２３ｄの大きさや密度または濃淡を変化させた露光パターン２３を形成したフォトマスクである。多階調マスク２０の種類としては、露光パターン２３の違いによりグレイトーンマスクやハーフトーンマスクなどの種々のマスクが挙げられる。本実施形態に用いる多階調マスク２０としては、露光レベルを精密に設定するため、ソーダガラスや石英ガラスなどの透明ガラスを平板基材２１とし、クロム薄膜を遮光膜２２としたグレイトーンマスクを用いている。
【００５０】
多階調マスク２０の露光パターン２３においては、ドット２３ｄの大きさや密度を変化させることにより、露光レベルを変化させている。例えば、露光機の解像度以下のドット２３ｄを形成した多階調マスクを用いることにより中間露光が得られることを利用して、ドット２３ｄの大きさを小さくすることにより露光レベルを小さくすることができる。また、ドット２３ｄの密度を小さくしても、露光レベルを小さくすることができる。
【００５１】
ここで、本実施形態のばね接触部３の形状は立体らせん状である。そのため、本実施形態の多階調マスク２０においては、図１６に示すように、遮光膜２２にらせん状の露光パターン２３が形成されており、そのらせん先端２３ｔかららせん根元２３ｒに向けて露光パターン２３のドット２３ｄの大きさおよび密度が連続的に大きくなっている。つまり、多階調マスク２０の露光パターン２３は、らせん先端２３ｔかららせん根元２３ｒに向けて露光レベルが大きく（露光しやすく）なるように形成されている。
【００５２】
多階調マスク２０によるパターンニングを行なう場合、工程ａにおいては、図示はしないが、ポジ型感光性樹脂を用いて配線板の表面にポジ型レジスト膜を形成する。つまり、ポジ型レジスト膜については照射箇所が現像により除去される。次に、図１７に示すように、図１６に示した多階調マスク２０を用いてポジ型レジスト膜１４の高さ方向に露光レベルを異ならせてポジ型レジスト膜１４を露光・現像する（図１７の矢印は照射光を示している。）。多階調マスク２０の露光パターン２３はらせん状であるため、ポジ型レジスト膜には立体らせん状のパターンニングが施される。
【００５３】
ここで、例えば、図１６に示すように、らせん方向Ｄ１にのみ露光パターン２３を異ならせた多階調マスク２０を用いた場合、形成されるレジスト型１０の型本体１１は、図１７に示すように、その側面１１ｂが傾斜した通常の円錐形状でなく、側面１１ｂがスロープ状に加工された略円錐形状になる。そして、図７Ｂ〜Ｄに示すような後の工程ｂ〜ｄを経ることにより、図１８に示すように、素線６が平板長尺状に形成されるとともにその幅方向に対して素線６が水平になっているばね接触部３が形成される。
【００５４】
また、図１６に示すように、らせん方向Ｄ１だけでなくその露光パターン２３の素線の幅方向Ｄ２にも露光パターン２３を異ならせた多階調マスク２０を用いた場合、形成されるレジスト型１０の型本体１１は、図７Ａに示すような側面１１ｂが傾いた通常の円錐形状になる。そして、図７Ｂ〜Ｄに示すような後の工程ｂ〜ｄを経ることにより、図１に示すような平板長尺状の素線６がその内側６ａから外側６ｂに傾斜したばね接触部３が形成される。本実施形態のレジスト型１０の型本体１１は、ばね接触部３を図１に示すような形状に形成するため、型本体１１が図１に示すような通常の円錐状に形成されている。もちろん、図１７に示すように、ばね接触部３の素線６の傾きに適合させて側面１１ｂをスロープ状にするなどの形成面１１ａの傾きを加工した略円錐状に形成されていてもよい。以上の工程ａにより、図７Ａに示すように、配線板４の表面にレジスト型１０が形成される。
【００５５】
次に、工程ｂにおいては、図７Ｂに示すように、レジスト型１０に対してレジスト型１０の高さ方向からＣｕなどの導電性の良い金属をスパッタすることにより、レジスト型１０の形成面１１ａおよび配線パターン５の表面にシード膜７を形成する。このシード膜７は、型本体１１の形成面１１ａ（側面１１ｂ）の全面に付着しているが、型壁１２の側面１２ａには型本体１１の形成面１１ａから型壁１２の上面１２ｂまで連続して付着しないように形成されている。レジスト型１０の高さ方向から金属をスパッタしているので、型壁１２のアスペクト比（高さ／幅）が大きい場合、型壁１２の側面１２ａにおいて型本体１１の形成面１１ａから型壁１２の上面１２ｂまで連続して付着する前にスパッタを終了すれば所望のシード膜７が形成される。しかし、型壁１２のアスペクト比が小さい場合、スパッタした金属が型本体１１の形成面１１ａから型壁１２の上面１２ｂまで連続して付着しやすいため、所望のシード膜７を形成することが困難になる。そのため、以下に示す４つの方法のいずれかを行なって所望のシード膜７を形成する。
【００５６】
第１の方法としては、工程ａにおいて、図７Ａおよび図１９Ａに示すようなレジスト型１０を形成した後に、図１９Ｂに示すように、レジスト型１０の型壁１２をエッチングして型壁１２の上面１２ｂから下方に向かってその幅を小さくするテーパ加工を型壁１２に行なう。これにより、レジスト型１０の高さ方向から見て型壁１２の側面１２ａが型壁１２の上面１２ｂによって隠れる形状に型壁１２が形成される。なお、第１の方法においては型壁１２の側面１２ａが型壁１２の上面１２ｂによって隠れる形状に形成されていればよいので、図２０に示すように、型壁１２の中間付近の幅が最も狭い形状に形成されていてもよい。その後、工程ｂにおいて、図７Ｂに示すように、レジスト型１０の高さ方向から金属をスパッタすれば、所望のシード膜（型本体１１の形成面１１ａから型壁１２の上面１２ｂまで連続して付着していないシード膜）７が形成される。
【００５７】
第２の方法としては、図７Ａに示すように、工程ａにおいてレジスト型１０を形成した後、図７Ｂに示すように、工程ｂにおいて、レジスト型１０の高さ方向からレジスト型１０の高さ方向（垂直成分）に対して指向性を有するスパッタを行なう。この指向性を有するスパッタとしては、例えば、図２１に示すようなロングスロースパッタ（遠距離スパッタ）または図２２に示すようなコリメートスパッタが挙げられる。
【００５８】
ロングスロースパッタを行なう場合、図２１に示すように、ターゲット３０とレジスト型１０との距離Ｌを通常のスパッタよりも遠する。これにより、斜め成分のスパッタ粒子３１Ｂがレジスト型１０に付着する前にレジスト型１０から離間し、垂直成分のスパッタ粒子３１Ａがレジスト型１０に到着して型本体１１の形成面１１ａに付着する。また、コリメートスパッタを行なう場合、図２２に示すように、らせん状または格子状のスリットパターン３２ａを有するコリメータ（整合板）３２をターゲット３０とレジスト型１０との間に設置する。これにより、斜め成分のスパッタ粒子３１Ｂがコリメータ３２により除去され、垂直成分のスパッタ粒子３１Ａのみがコリメータ３２を透過する。これらの指向性を有するスパッタを行なうことにより、所望のシード膜７が形成される。
【００５９】
第３の方法としては、図７Ａに示すように、工程ａにおいてレジスト型１０を形成した後、図７Ｂおよび図２３Ａに示すように、工程ｂにおいてレジスト型１０の高さ方向からスパッタを行なう。このスパッタの指向性の有無は問わない。その後、図２３Ｂに示すように、レジスト型１０に付着した金属を等方性エッチングする。エッチングを行なった場合、通常であれば膜厚の薄い金属から先に除去される。型本体１１の形成面１１ａやレジスト型１０の型壁１２の上面１２ｂと比較してレジスト型１０の型壁１２の側面１２ａにはスパッタ粒子３１が付着しにくく、シード膜７の膜厚が厚くならなので、レジスト型１０の型壁１２の側面１２ａに付着したシード膜７が最も早く除去される。このエッチングを行なうことにより、所望のシード膜７を形成する。
【００６０】
第４の方法としては、図７Ａに示すように、工程ａにおいてレジスト型１０を形成した後、図７Ｂおよび図２４Ａに示すように、工程ｂにおいてレジスト型１０の高さ方向からスパッタを行なう。このスパッタの指向性の有無は問わない。そして、型本体１１の形成面１１ａ（側面１１ｂ）の全面に金属がスパッタされたらスパッタを終了する。スパッタ粒子はスパッタ方向に対する平行面よりも対向面に付着し易い。そのため、型本体１１の形成面１１ａ（側面１１ｂ）の全面に金属がスパッタされたときにスパッタを終了すると、型本体１１の形成面１１ａおよび型壁１２の上面１２ｂにシード膜７が面状に形成されるが、型壁１２の側面１２ａには面状のシード膜７が形成されず、粒子状に形成される。
【００６１】
スパッタの後、図２４Ｂに示すように、シード膜７から露出したレジスト型１０をアッシングする。アッシングとは、オゾンやプラズマによりレジスト型１０を灰化してそのレジストを剥離することである。このアッシングとしては光励起アッシングまたはプラズマアッシングが挙げられるが、どちらのアッシングを選択しても良い。レジスト型１０をアッシングすると、型壁１２の側面１２ａのレジストはシード膜７によって被覆されていないので剥離する。その際、型壁１２の側面１２ａに形成された粒子状のシード膜７も併せて剥離する。しかし、型本体１１の形成面１１ａおよび型壁１２の上面１２ｂのレジストは面状のシード膜７によって被覆されているので剥離しない。このアッシングを行なうことにより、所望のシード膜７を形成する。
【００６２】
工程ｃにおいては、図７Ｃに示すように、所望のシード膜７を形成した後にＮｉ−Ｐなどのばね金属を用いてそのシード膜７をめっきすることにより、型本体１１の形成面１１ａにばね接触部３を形成する。ばね接触部３の素線６の厚さは５μｍ程度に設定されているため、５μｍ程度金属めっきを行なう。本実施形態においては、シード膜７が配線パターン５の表面にも形成されているため、ばね接触部３の形成と同時に配線取付部２も金属めっきにより形成する。
【００６３】
工程ｄにおいては、図７Ｄに示すように、ばね接触部３の形成後にレジスト型１０を除去する。レジスト型１０が除去されると、配線取付部２を介して配線板４に固定されたばね接触部３はその形成位置に残存し、ばね接触部３や配線取付部２に連結しておらず、配線板４に固定されていない部分のシード膜７、具体的には、型壁１２の上面１２ｂおよびその側面１２ａに形成されたシード膜７はレジスト型１０の除去とともに同時にリフトオフされる。以上の工程を経て、本実施形態の接触子１が製造される。
【００６４】
次に、図を用いて、本実施形態の接触子１の製造方法の作用を説明する。
【００６５】
本実施形態の接触子１は、前述したように、図７Ａ〜Ｄに示すような工程ａから工程ｄの４つの工程を経て製造される。
【００６６】
工程ａにおいては、図７Ａに示すように、レジスト型１０の型本体１１および型壁１２を形成する。レジスト型１０の型本体１１は、図７Ａ、図１２および図１３または図１４および図１５に示すように、配線板４の高さ方向に突出しており、上面１１ｃまたは側面１１ｂを形成面１１ａとして有している。また、そのレジスト型１０の型壁１２は、型本体１１の形成面１１ａから型本体１１の高さ方向に起立している。そのため、ばね接触部３の形状は、図１および図２、図３および図４または図５および図６に示すように、立体らせん状、板ばね状または皿ばね状など種々のばね形状に形成することができる。
【００６７】
ここで、本実施形態の型本体１１は、図７Ａに示すような円錐状、または、図１７に示すような円錐状に形成された型本体１１の形成面１１ａの一部をスロープ状に加工したように、ばね接触部３の傾きに適合させて形成面１１ａの傾きを加工した略円錐状に形成されている。また、型壁１２は型本体１１の形成面１１ａに沿ってらせん状に形成されている。そのため、接触子１のばね接触部３が立体らせん状に形成されるので、ばね接触部３を形成する素線６の長さが長くなり、他形状のばね接触部３と比較してばね接触部３の耐荷重変形特性を向上させることができる。
【００６８】
ここで、この工程ａにおいては、これらの型本体１１および型壁１２を同一工程内において形成している。従来の接触子１の製造方法においては、型本体１１の形成後にシード膜７を形成してから型壁１２を形成していたので型本体１１と型壁１２とを同一工程内において形成することができなかった。
【００６９】
しかし、本実施形態の接触子１の製造方法においては、後に詳細に説明するが、例えば工程ａにおいてレジスト型１０をインプリント方法や多階調マスク２０を用いて形成したり、工程ｂにおいて指向性を有するスパッタ法を行なったり、スパッタ後にエッチングやアッシングを行なうことにより、工程ｂにおいて型本体１１の形成面１１ａから型壁１２の上面１２ｂまで連続して付着していないシード膜７を形成している。そのため、従来のように型本体１１の形成工程と型壁１２の形成工程との間にシード膜７の形成工程を行なう必要がない。同一工程ａにおいてレジスト型１０の型本体１１および型壁１２を同時に形成すれば、型本体１１および型壁１２を別個に形成する際にそれぞれ別個に行なう必要があったレジスト膜１４の形成、露光、現像およびレジスト除去からなるレジストパターンニング工程のうちの１回分を少なくすることができるので、少なくともレジスト型１０の形成工程を従来よりも半分ほど少なくすることができる。
【００７０】
また、工程ｂにおいて型本体１１の形成面１１ａから型壁１２の上面１２ｂまで連続して付着していないシード膜７を形成するには、型壁１２の高さ、好ましくは型壁１２のアスペクト比（高さ／幅）を大きくすればよい。そのため、本実施形態の工程ａにおいては、その第１の手段として、図９Ａ〜Ｃに示すように、レジスト型１０の型本体１１および型壁１２をインプリント方法により形成している。
【００７１】
インプリント方法に用いるスタンパ１５は、従来のような配線板４の表面に形成したレジスト膜１４に露光・現像してパターンニングを行なうのと比較して精密に形成しやすい。スタンパが使い捨てではなく、レジスト型の製造工程において何度も使用することができるためである。つまり、精密加工されたスタンパ１５を１つ形成すれば、その後に何度もスタンパ１５を使用することができるので、微細加工されたレジスト型１０を容易に何度も形成することができる。このことから、精密加工されたスタンパ１５を用いることにより、型壁１２の高さおよびアスペクト比を大きくすることが容易となるので、工程ｂにおいて所望のシード膜７を容易に形成することができる。また、従来のレジスト型１１０のパターンニング（図２５Ａ〜Ｃを参照）には５時間程度の形成時間を要していたが、インプリント方法によるレジスト型１０の形成には２０分程度しか時間を要しないため、接触子１の製造時間の短縮化に大きく寄与することができる。
【００７２】
型壁１２のアスペクト比を大きくするための第２の手段としては、図１６に示すような多階調マスク２０を用いて、図１７に示すように露光レベルを異ならせてポジ型レジスト膜１４を露光・現像することにより、レジスト型１０を形成している。従来のレジスト型１０の形成工程においては、レジスト膜１４を多重露光・多重現像することにより型本体１１および型壁１２を形成していたので、焦点深度の調整が困難であり、型本体１１および型壁１２を精密に形成することが困難であった。しかし、図１７に示すように、多階調マスク２０を用いてレジスト膜１４を露光・現像すれば、露光レベルを精密に制御することが容易となるので、焦点深度の調整が容易になり、一回の露光・現像により微細加工されたレジスト型１０を容易に何度も形成することができる。レジスト型１０を精密加工することができれば、型壁１２の高さおよびアスペクト比を大きくすることが容易となるので、工程ｂにおいて所望のシード膜７を容易に形成することができる。
【００７３】
型壁１２のアスペクト比が小さい場合、スパッタした金属が型本体１１の形成面１１ａから型壁１２の上面１２ｂまで連続して付着しやすいため、所望のシード膜７を形成することが困難になる。そのため、型壁１２のアスペクト比を大きくすることが困難であったとしても、本実施形態においては、下記の４つの手段を行なうことにより、型壁１２の側面１２ａにおいて型本体１１の形成面１１ａから型壁１２の上面１２ｂまで連続して付着していないシード膜７を形成している。
【００７４】
その第１の手段としては、図１９Ｂまたは図２０に示すように、工程ａにおいて、型壁１２の上面１２ｂから下方に向かってその幅を小さくすることにより、レジスト型１０の高さ方向から見て型壁１２の側面１２ａが型壁１２の上面１２ｂによって隠れる形状に型壁１２を形成する手段である。スパッタはレジスト型１０の高さ方向から行なわれるため、型壁１２の上面１２ｂがその側面１２ａの軒となり、スパッタされる金属が型壁１２の側面１２ａに付着し難くなる。そのため、シード膜７が型壁１２の側面１２ａにおいて型本体１１の形成面１１ａから型壁１２の上面１２ｂまで連続して付着しづらくなるので、工程ｂにおいて所望のシード膜７を容易に形成することができる。
【００７５】
第２の手段としては、図２１または図２２に示すように、工程ｂにおいて、レジスト型１０の高さ方向に対して指向性を有するスパッタ、例えばロングスロースパッタまたはコリメートスパッタを行なう手段である。レジスト型１０の高さ方向に対して指向性を有するスパッタを行なうことにより、垂直成分のスパッタ粒子３１が増えれば、スパッタ方向の平行面となる型壁１２の側面１２ａには金属がスパッタされ難くなる。そのため、シード膜７が型本体１１の形成面１１ａから型壁１２の上面１２ｂまで連続して付着しづらくなるので、工程ｂにおいて所望のシード膜７を容易に形成することができる。特に、ロングスロースパッタまたはコリメートスパッタは、他のスパッタ法と比較して高い指向性を有しているので、所望のシード膜７を精密かつ容易に形成することができる。
【００７６】
第３の手段としては、図２３ＡおよびＢに示すように、工程ｂにおいてレジスト型１０の型本体１１の形成面１１ａ全面に金属がスパッタされた後にレジスト型１０に付着した金属を等方性エッチングする手段である。型本体１１の高さ方向からスパッタすると、スパッタの対向面となる型本体１１の形成面１１ａまたは型壁１２の上面１２ｂと比較して、型壁１２の側面１２ａには金属がスパッタされ難い。そのため、型壁１２の側面１２ａに付着した金属の膜の厚さは型本体１１の形成面１１ａまたは型壁１２の上面１２ｂに付着した金属の膜の厚さよりも薄くなりやすい。つまり、金属スパッタ後に等方性エッチングを行なえば、型本体１１の形成面１１ａの全面に付着した金属が除去される前に型壁１２の側面１２ａに付着した金属が除去される。そのため、型壁１２のアスペクト比が小さく、かつ、指向性の低いスパッタを行なった場合であっても、所望のシード膜７を容易に形成することができる。
【００７７】
そして、最後の第４の手段としては、図２４ＡおよびＢに示すように、工程ｂにおいて、レジスト型１０の型本体１１の形成面１１ａ全面に金属がスパッタされた後、レジスト型１０をアッシングする手段である。型本体１１の高さ方向からスパッタした場合、型本体１１の形成面１１ａおよび型壁１２の上面１２ｂには面状のシード膜７が形成されやすいが、型壁１２の側面１２ａの全面には面状のシード膜７が形成され難く、粒子状のシード膜７が型壁１２の側面１２ａに無数に形成されることになる。
【００７８】
そのため、シード膜７の形成後にレジスト型１０をアッシングすると、面状のシード膜７が完全に形成されずに粒子状のシード膜７が無数に付着した型壁１２の側面１２ａのレジストがレジスト型１０の表面から粒子状のシード膜７とともに剥離していく。しかし、型本体１１の形成面１１ａのレジストや型壁１２の上面１２ｂのレジストなど面状のシード膜７によって被覆されたレジストはアッシングしても剥離しない。そのため、レジスト型１０のアッシングによりレジスト型１０の型壁１２の側面１２ａに付着したシード膜７のみが除去される。そのため、型壁１２のアスペクト比が小さく、かつ、指向性の低いスパッタを行なった場合であっても、工程ｂにおいて所望のシード膜７を容易に形成することができる。
【００７９】
前述した工程ａおよび工程ｂを経た後、工程ｃにおいては、図７Ｃに示すように、型本体１１の形成面１１ａにばね接触部３を形成する。そして、工程ｄにおいては、図７Ｄに示すように、工程Ｃの後にレジスト型１０を除去する。従来の接触子１の製造工程においては、レジスト型１０の型壁１２、シード膜７の除去およびレジスト型１０の型本体１１をそれぞれ別個に行なう必要があった。しかし、本実施形態のレジスト型１０の型本体１１および型壁１２は一体形成されているので、レジスト型１０の型壁１２およびレジスト型１０の型本体１１を同時に除去することができる。また、接触子１に不必要な型壁１２の上面１２ｂおよびその側面１２ａに形成されたシード膜７は、型本体１１の形成面１１ａに形成されたシード膜７と連続して形成されていないため、レジスト型１０の除去時にリフトオフされる。そのため、型本体１１の除去、シード膜７の除去および型壁１２の除去からなる３つの除去工程を１つの工程にまとめて行なうことができるので、接触子１の製造工程が簡素化される。
【００８０】
すなわち、本実施形態の接触子１の製造方法によれば、レジスト型１０の形成、シード膜７の形成ならびにレジスト型１０およびシード膜７の除去が容易になるので、接触子１の製造工程を簡略化することができるという効果を奏する。
【００８１】
なお、本発明は、前述した実施形態などに限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本実施形態の接触子を示す正面図
【図２】本実施形態の接触子を示す平面図
【図３】本実施形態の接触子のばね接触部を板ばね形状にした状態を示す正面図
【図４】本実施形態の接触子のばね接触部を板ばね形状にした状態を示す平面図
【図５】本実施形態の接触子のばね接触部を皿ばね形状にした状態を示す縦断面図
【図６】本実施形態の接触子のばね接触部を皿ばね形状にした状態を示す平面図
【図７】本実施形態の接触子の製造方法をＡ〜Ｄの順に示す縦断面図
【図８】本実施形態のレジスト型を従来方法により形成する手順をＡ〜Ｄの順に示す縦断面図
【図９】本実施形態のレジスト型をインプリント方法により形成する手順をＡ〜Ｃの順に示す縦断面図
【図１０】本実施形態のばね接触部を板ばね形状にした際にレジスト型をインプリント方法により形成する場合のスタンパを示す縦断面図
【図１１】本実施形態のばね接触部を皿ばね形状にした際にレジスト型をインプリント方法により形成する場合のスタンパを示す縦断面図
【図１２】図１０のスタンパにより形成されたレジスト型を示す縦断面図
【図１３】図１２の１３−１３矢視断面図
【図１４】図１１のスタンパにより形成されたレジスト型を示す縦断面図
【図１５】図１４の１５−１５矢視断面図
【図１６】本実施形態の多階調マスクを示す平面図
【図１７】多階調マスクを用いて本実施形態のレジスト型を照射した状態を示す縦断面図
【図１８】本実施形態の多階調マスクにおいてらせん方向のみ露光パターンを異ならせた場合に形成される接触子を示す正面図
【図１９】本実施形態の型壁について上から下に狭くなるテーパを形成する状態をＡ〜Ｂの順に示す縦断面図
【図２０】本実施形態の型壁をその中間付近の幅が最も狭い形状に形成した状態を示す縦断面図
【図２１】本実施形態のロングスロースパッタを示す縦断面図
【図２２】本実施形態のコリメートスパッタを示す縦断面図
【図２３】本実施形態のシード膜に対する等方性エッチングをＡ〜Ｂの順に示す縦断面図
【図２４】本実施形態のレジスト型に対するアッシングをＡ〜Ｂの順に示す縦断面図
【図２５】従来の接触子の製造方法の一例をＡ〜Ｇの順に示す縦断面図
【符号の説明】
【００８３】
１  接触子
２  配線取付部
３  ばね接触部
４  配線板
５  配線パターン
６  素線
７  シード膜
１０  レジスト型
１１  型本体
１１ａ  形成面
１１ｂ  側面
１１ｃ  上面
１２  型壁
１２ａ  側面
１２ｂ  上面
１４  レジスト膜、ポジ型レジスト膜
１５  スタンパ
２０  多階調マスク
２１  平板基材
２２  遮光膜
２３  露光パターン
２３ｄ  ドット
２３ｒ  らせん根元
２３ｔ  らせん先端
３０  ターゲット
３１Ａ  垂直成分のスパッタ粒子
３１Ｂ  斜め成分のスパッタ粒子
３２  コリメータ
Ｄ１  らせん方向
Ｄ２  露光パターンの素線の幅方向
【図１】
2008298519.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2008298519.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2008298519.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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