(57)【要約】      （修正有）【課題】簡単な構成で所望の熱ショック耐性及び機械的ショック耐性が得られると共に、厚さ（高さ）を低減することができる、半導体装置の外部回路接続部の構造とその形成方法を提供する。【解決手段】半導体チップの主面に絶縁膜５１（第１絶縁膜）を介して配線膜２０を形成し、配線膜２０を覆うように前記主面上にソルダーレジスト膜１０（第２絶縁膜）を形成する。配線膜２０と重なる位置において、ソルダーレジスト膜１０上に導電性パッド３０を形成する。導電性パッド３０は、ソルダーレジスト膜１０上に配置されたパッド本体３０ｂと、パッド本体３０に一端が接続され且つ他端がソルダーレジスト膜１０を貫通して配線膜２０に接触せしめられた複数の貫通部３０ａとを有する。パッド本体３０ｂは、貫通部３０ａよりも熱伝導性が低く、複数の貫通部３０ａを介して配線膜２０に電気的・機械的に接続される。【選択図】図１
2008091632.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの主面に第１絶縁膜を介して形成された配線膜と、
前記配線膜を覆うように前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、
前記配線膜と重なる位置において前記第２絶縁膜上に形成された導電性パッドとを備え、
前記導電性パッドは、前記第２絶縁膜上に配置されたパッド本体と、当該パッド本体に一端が接続され且つ他端が前記第２絶縁膜を貫通して前記配線膜に接触せしめられた複数の貫通部とを有していると共に、前記パッド本体は複数の前記貫通部を介して前記配線膜に電気的・機械的に接続されており、
前記第２絶縁膜は、前記導電性パッドの前記貫通部よりも熱伝導性が低く、
複数の前記貫通部の間には、前記第２絶縁膜を形成する材料が充填されていることを特徴とする半導体装置の外部回路接続部の構造。
【請求項２】
前記第２絶縁膜の厚さが、前記配線膜と重なる位置において１０μｍ以上である請求項１に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造。
【請求項３】
前記パッド本体が、複数の前記貫通部よりも外側まで延在している請求項１または２に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造。
【請求項４】
複数の前記貫通部の断面形状が円形状または円環形状であって、同心状に配置されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造。
【請求項５】
複数の前記貫通部の断面形状が多角形状または多角環形状であって、同心状に配置されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造。
【請求項６】
複数の前記貫通部が、同心状ではなく、前記配線膜上に相互に離隔して配置されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造。
【請求項７】
前記第２絶縁膜の前記導電性パッドと重なり合う部分の厚さが、それ以外の部分の厚さよりも大きく設定されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造。
【請求項８】
前記導電性パッドに外部電極が固着されており、前記外部電極の側面が補強用樹脂で囲まれている請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造。
【請求項９】
前記パッド本体が第１部分と第２部分に分割されており、前記第１部分には複数の前記貫通部の一つが接続されており、前記第２部分には複数の前記貫通部の他の一つが接続されている請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造。
【請求項１０】
さらに、前記第１部分及び前記第２部分にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の接続用導電性パッドを有している請求項９に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造。
【請求項１１】
前記第２絶縁膜が、ペースト状の絶縁性材料を硬化させてなるものである請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造。
【請求項１２】
前記導電性パッドが、ペースト状の導電性材料を硬化させてなるものである請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載された外部電極接合部の構造を有する半導体装置。
【請求項１４】
半導体チップの主面に第１絶縁膜を介して配線膜を形成する工程と、
前記配線膜と重なる位置において複数の透孔を有する第２絶縁膜を、前記配線膜を覆うように前記第１絶縁膜上に形成する工程と、
前記第２絶縁膜上に導電材料を載せると共に、当該導電材料を前記第２絶縁膜の複数の前記透孔に充填し、もって導電性パッドを形成する工程とを備え、
前記第２絶縁膜上に載せられた前記導電材料は、前記導電性パッドの本体部を形成し、
複数の前記透孔に充填された前記導電材料は、前記導電性パッドの複数の貫通部を形成していて、前記パッド本体はそれら貫通部を介して前記配線膜に電気的・機械的に接続されており、
前記第２絶縁膜は、前記導電性パッドの前記貫通部よりも熱伝導性が低いことを特徴とする半導体装置の外部回路接続部の構造の形成方法。
【請求項１５】
前記第２絶縁膜を形成する工程が、ペースト状絶縁性材料を膜状に形成してそれを硬化させる工程である請求項１４に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造の形成方法。
【請求項１６】
前記導電材料としてペースト状導電材料が使用される請求項１４または１５に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造の形成方法。
【請求項１７】
前記導電性パッドに外部電極を固着する工程と、前記外部電極の側面を囲む補強用樹脂を形成する工程とを含む請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造の形成方法。
【請求項１８】
前記第２絶縁膜の前記導電性パッドと重なり合う部分の厚さが、それ以外の部分の厚さよりも大きくなるように、前記第２絶縁膜がパターン化される請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の半導体装置の外部回路接続部の構造の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置とその製造方法に関し、さらに言えば、簡単な構成で所望の熱ショック耐性及び機械的ショック耐性が得られると共に、厚さ（高さ）を低減することができる、半導体装置の外部回路接続部（外部回路が接続される箇所）の構造とその形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、チップサイズパッケージ（Chip Size Package,ＣＳＰ）に実装された半導体装置では、半導体チップの内部に形成された集積回路と外部回路との電気的接続、例えばプリント配線基板（Printed Wiring Board,ＰＷＢ）上への実装をするために、アレイ状に配置された多数の「外部回路接続部」を一主面に有している。外部回路接続部は、通常、半導体チップの入出力側（外部回路との接続側）の主面を覆う第１絶縁膜上に形成された配線膜と、その配線膜を覆う第２絶縁膜と、その第２絶縁膜上に形成された導電性パッドとを含む。前記配線膜は、半導体チップ内部の集積回路（電子回路）に電気的に接続されている。前記導電性パッドは、前記配線膜に電気的に接続されている。
【０００３】
前記導電性パッドには、外部回路との接続（表面実装）を容易化するために、はんだ、Ａｕ等からなる導電性バンプ（以下、単にバンプともいう）やハンダボールが固着されることが多い。前記導電性パッドへのバンプの固着は、加熱されたバンプやハンダボールをパッドに押し付けて固着する、加熱により溶融状態とされたバンプ材の小片を前記導電性パッド上に載せた後、自然冷却により硬化させてバンプないしボールとする、等の方法で行われるため、前記導電性パッドへのバンプやボールの固着の際に前記導電性パッドは急激に加熱されることになる。換言すれば、前記導電性パッドには熱ショックが印加されるのである。
【０００４】
前記導電性パッドにバンプやボールが固着されない場合は、前記導電性パッド自体が外部電極（ランド）として使用されるが、その場合は、例えばハンダを用いてＰＷＢ上に実装する際に溶融状態にあるハンダから熱が印加される。したがって、この場合も前記導電性パッド（ランド）には熱ショックが印加される。
【０００５】
前記導電性パッドに印加されるこのような熱ショックは、当然のことながら、前記導電性パッドに電気的に接続された半導体チップ内部の集積回路にも悪影響を与え、半導体チップの性能低下、信頼性低下などの問題が生じる。これらの問題は、昨今のように前記導電性パッド自体やバンプやボールが非常に微細化されると共に、それらの配置ピッチも微細化されている状況では、いっそう深刻である。そこで、外部回路接続部の熱ショック耐性を改善することが望まれる。
【０００６】
従来の外部回路接続部の構成としては、種々のものが知られている。最もシンプルなタイプは、（ａ）半導体チップの表面（活性領域がある側の主面）上に層間絶縁膜を介して形成された配線膜と、前記層間絶縁膜から露出した状態で前記配線膜上に形成されたパッドとから構成される。この構成では、熱が直接的に配線膜や半導体チップの表面に印加されるので好ましくない。これを改良したものとして、（ｂ）（ａ）の構成にポリイミド等の合成樹脂製のカバーを追加したものがある。合成樹脂製カバーは、パッドの頂部だけを露出させ、それ以外の部分（配線膜を含む）の全面を覆っている。この構成によれば、合成樹脂製カバーによって熱が直接的に配線膜や半導体チップの表面に印加されるのを防止することができるから、それだけ熱ショック耐性が向上する。
【０００７】
さらに、（ｃ）（ａ）の構成において配線膜を多層にした構成のものもある。この構成では、配線膜が多層になっているため、印加された熱が配線膜を介して放散しやすくなり、また、熱が半導体チップの表面に印加され難くなることから、それだけ熱ショック耐性が向上する。
【０００８】
さらに、（ｄ）配線膜の下に、クッションとして機能する絶縁膜をパッド及び配線膜に重ねて設けたものもある。この構成では、クッション絶縁膜によって熱が半導体チップの表面に印加され難くなることから、それだけ熱ショック耐性が向上する。
【０００９】
上述した（ａ）〜（ｄ）の構成は、いずれも、外部回路接続部を半導体チップの表面に形成したものであるが、外部回路接続部を半導体チップの裏面（活性領域がある側とは反対側の主面）に形成した構成（ｅ）も知られている。この構成は、カシオ計算機株式会社が提案しているものであり、図２０及び図２１に示すようなものである。なお、同様の構造の外部回路接続部で導体チップの表面に形成されたものは、例えば特許文献１（特開２００６−１４７８１０号公報）に開示されている。
【００１０】
図２０において、半導体チップ２１１をその周辺領域で貫通する貫通電極２１２を複数個有していて、表面電極２２０と貫通電極２１２とを利用して半導体チップ２１１の表面の集積回路２２１の入出力端子を半導体チップ２１１の裏面にまで導出している。貫通電極２１２の周囲は、絶縁膜（二酸化シリコン膜等）２１３ａで覆われていて、半導体チップ２１１を形成するシリコン基板から電気的に絶縁されている。半導体チップ２１１の裏面は、貫通電極２１２の部分を除いて、ほぼ全面が絶縁膜（二酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等）２１３ｂで覆われている。絶縁膜２１３ｂの表面には、薄いポリイミド膜２１３ｃが形成されている。ポリイミド膜２１３ｃの表面には、Ｃｕ等からなる配線膜２１５が形成されており、配線膜２１５の一面は対応する貫通電極２１２に電気的に接続されている。ポリイミド膜２１３ｃの表面には、配線膜２１５を覆うように合成樹脂製の厚い封止膜２１４が形成されており、封止膜２１４の内部には配線膜２１５と重なる位置にＣｕ製の柱状電極２１６が埋設されている。柱状電極２１６の周囲は、絶縁膜（二酸化シリコン膜等）２１７で覆われている。柱状電極２１６の一端は配線膜２１５に接触しているため、柱状電極２１６は半導体チップ２１１の表面の集積回路２２１に電気的に接続されていることになる。柱状電極２１６の露出端には、導電性のパッド２１８が形成されている。パッド２１８には導電性のバンプ２１９が固着されている。
【００１１】
図２０に示した構成（ｅ）では、半導体チップ２１１の裏面のほぼ全体がポリイミド膜２１３ｃで覆われていると共に、配線膜２１５と柱状電極２１６はポリイミド膜２１３ｃに重ねて配置されている。また、バンプ２１９は、封止膜２１４の厚さにほぼ等しい高さ（１００〜１５０μｍ）を持つ柱状電極２１６を介して配線膜２１５に接続されている。このため、バンプ２１９と半導体チップ２１１との距離が比較的大きいと共に、ポリイミド膜２１３ｃが、外部回路との接続時にバンプ２１９から印加される熱が半導体チップ２１１へ伝達するのを緩和するクッションとして機能するので、熱ショックに対する耐性が向上する。
【００１２】
また、図２０の構成（ｅ）では、ポリイミド膜２１３ｃが機械的な力を緩和するクッションとしても機能するため、外部回路との接続時にバンプ２１９に印加される機械的ショックに対する耐性も向上する。
【００１３】
図２１の構成（ｆ）は、ポリイミド膜２１３ｃが貫通電極２１２と柱状電極２１６の近傍領域のみに選択的に形成されている点を除き、図２０の構成（ｅ）と同じである。この場合も、図２０の構成（ｅ）と同様の効果が得られる。
【特許文献１】特開２００６−１４７８１０号公報  （要約、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上述した従来の外部回路接続部の構成（ｅ）（図２０参照）及び構成（ｆ）（図２１参照）は、熱ショックと機械的ショックに対する耐性を向上させることができるが、半導体チップの２１１の裏面に高さが１００〜１５０μｍもある柱状電極２１６を形成する必要があるため、半導体チップ２１１の裏面に厚い層構造が生じることが不可避である。このため、半導体装置のサイズがそれだけ大きく（厚く）なってしまう、という問題がある。
【００１５】
また、配線膜２１５と半導体チップ２１１の間にポリイミド膜２１３ｃを形成し、配線膜２１５とパッド２１８の間に柱状電極２１６を形成することが必要であるから、外部回路接続部の形成工程が煩雑であると共に、外部回路接続部の構成も複雑になってしまう、という問題がある。
【００１６】
本発明は、これらの点を考慮してなされたものであって、その目的とするところは、簡単な構成で所望の熱ショック耐性及び機械的ショック耐性が得られると共に、厚さ（高さ）を低減することができる、半導体装置の外部回路接続部の構造と、その形成方法を提供することにある。
【００１７】
本発明の他の目的は、簡単なプロセスで実現することができる、半導体装置の外部回路接続部の構造と、その形成方法を提供することにある。
【００１８】
ここに明記しない本発明の他の目的は、以下の説明及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
（１）  本発明の第１の観点では、半導体装置の外部回路接続部の構造が提供される。この半導体装置の外部回路接続部の構造は、
半導体チップの主面に第１絶縁膜を介して形成された配線膜と、
前記配線膜を覆うように前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、
前記配線膜と重なる位置において前記第２絶縁膜上に形成された導電性パッドとを備え、
前記導電性パッドは、前記第２絶縁膜上に配置されたパッド本体と、当該パッド本体に一端が接続され且つ他端が前記第２絶縁膜を貫通して前記配線膜に接触せしめられた複数の貫通部とを有していると共に、前記パッド本体は複数の前記貫通部を介して前記配線膜に電気的・機械的に接続されており、
前記第２絶縁膜は、前記導電性パッドの前記貫通部よりも熱伝導性が低く、
複数の前記貫通部の間には、前記第２絶縁膜を形成する材料が充填されていることを特徴とするものである。
【００２０】
（２）  本発明の第１の観点による半導体装置の外部電極接合部の構造は、上述したように、前記導電性パッドが、前記第２絶縁膜上に配置されたパッド本体と、当該パッド本体に一端が接続され且つ他端が前記第２絶縁膜を貫通して前記配線膜に接触せしめられた複数の貫通部とを有しており、前記パッド本体は、前記貫通部を介して前記配線膜に電気的・機械的に接続されている。また、前記第２絶縁膜は、前記導電性パッドの前記貫通部よりも熱伝導性が低く、複数の前記貫通部の間には、前記第２絶縁膜を形成する材料が充填されている。このため、前記パッド本体から前記配線膜への熱伝導路の断面について見ると、前記パッド本体が単一の貫通部を介して前記配線膜に電気的・機械的に接続されている場合に比べて、熱伝導性の低い前記第２絶縁膜の占める割合が増加している。換言すれば、熱伝導性の高い前記貫通部の占める割合が減少しているのである。これは、前記第２絶縁膜の前記パッド本体と重なり合う部分が、熱伝導の際のバリアとして機能することを意味する。
【００２１】
よって、バンプやボールが持っている熱の前記配線膜への伝達が抑制され、前記導電性パッドを介して前記半導体チップに印加される熱の影響が緩和される。つまり、前記パッド本体が単一の貫通部を介して前記配線膜に電気的・機械的に接続されている場合に比べて、前記外部電極接合部の熱ショック耐性が改善される。
【００２２】
また、前記第２絶縁膜の前記パッド本体と重なり合う部分は、機械的な力を緩和するクッションとしても機能するため、外部から印加される力も抑制される。その結果、前記パッド本体が単一の貫通部を介して前記配線膜に電気的・機械的に接続されている場合に比べて、機械的ショックに対する耐性も改善される。
【００２３】
よって、所望の熱ショック耐性及び機械的ショック耐性を得ながら、改善された熱ショック・機械的ショック耐性に応じて、当該外部回路接続部の厚さ（高さ）を低減することができる。
【００２４】
さらに、前記第２絶縁膜を間に介在させて前記パッド本体と前記配線膜を対向させると共に、複数の前記貫通部によって前記パッド本体と前記配線膜の電気的接続・機械的接続を実現しているので、構成は簡単である。
【００２５】
（３）  本発明の第１の観点による半導体装置の外部回路接続部の好ましい例では、前記第２絶縁膜の厚さは、前記配線膜と重なる位置において１０μｍ以上とされる。この例では、本発明の効果が確実に得られる。
【００２６】
本発明の第１の観点による半導体装置の外部回路接続部の他の好ましい例では、前記パッド本体が、複数の前記貫通部よりも外側まで延在する。
【００２７】
本発明の第１の観点による半導体装置の外部回路接続部の他の好ましい例では、複数の前記貫通部の断面形状が円形状または円環形状であって、同心状に配置される。
【００２８】
本発明の第１の観点による半導体装置の外部回路接続部のさらに他の好ましい例では、複数の前記貫通部の断面形状が多角形状または多角環形状であって、同心状に配置される。
【００２９】
本発明の第１の観点による半導体装置の外部回路接続部のさらに他の好ましい例では、複数の前記貫通部が、同心状ではなく、前記配線膜上に相互に離隔して配置される。
【００３０】
本発明の第１の観点による半導体装置の外部回路接続部のさらに他の好ましい例では、前記第２絶縁膜の前記導電性パッドと重なり合う部分の厚さが、それ以外の部分の厚さよりも大きく設定される。
【００３１】
本発明の第１の観点による半導体装置の外部回路接続部のさらに他の好ましい例では、前記導電性パッドに外部電極（ハンダボール等）が固着されており、前記外部電極の側面が補強用樹脂で囲まれる。
【００３２】
本発明の第１の観点による半導体装置の外部回路接続部のさらに他の好ましい例では、前記パッド本体が第１部分と第２部分に分割されており、前記第１部分には複数の前記貫通部の一つが接続されており、前記第２部分には複数の前記貫通部の他の一つが接続される。この場合、例えば、前記第１部分を信号または電源用とし、前記第２部分を接地用として使用することができる。好ましくは、前記第１部分及び前記第２部分にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の接続用導電性パッドが別に設けられる。
【００３３】
本発明の第１の観点による半導体装置の外部回路接続部のさらに他の好ましい例では、前記第２絶縁膜が、ペースト状の絶縁性材料を硬化させてなるものとされる。ペースト状の絶縁性材料としては、例えば、ソルダーレジスト、エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３４】
本発明の第１の観点による半導体装置の外部回路接続部のさらに他の好ましい例では、前記導電性パッドが、ペースト状の導電性材料を硬化させてなるものとされる。ペースト状の導電性材料としては、ハンダペースト、銅（Ｃｕ）ペースト、銀（Ａｇ）ペースト等が挙げられる。
【００３５】
（４）  本発明の第２の観点では、半導体装置の外部回路接続部の形成方法が提供される。この半導体装置の外部回路接続部の構造の形成方法は、
半導体チップの主面に第１絶縁膜を介して配線膜を形成する工程と、
前記配線膜と重なる位置において複数の透孔を有する第２絶縁膜を、前記配線膜を覆うように前記第１絶縁膜上に形成する工程と、
前記第２絶縁膜上に導電材料を載せると共に、当該導電材料を前記第２絶縁膜の複数の前記透孔に充填し、もって導電性パッドを形成する工程とを備え、
前記第２絶縁膜上に載せられた前記導電材料は、前記導電性パッドの本体部を形成し、
複数の前記透孔に充填された前記導電材料は、前記導電性パッドの複数の貫通部を形成していて、前記パッド本体はそれら貫通部を介して前記配線膜に電気的・機械的に接続されており、
前記第２絶縁膜は、前記導電性パッドの前記貫通部よりも熱伝導性が低いことを特徴とするものである。
【００３６】
（５）  本発明の第２の観点による半導体装置の外部回路接続部の構造の形成方法は、上述したように、半導体チップの主面に第１絶縁膜を介して配線膜を形成してから、前記配線膜と重なる位置において複数の透孔を有する第２絶縁膜を、前記配線膜を覆うように前記第１絶縁膜上に形成する。そして、前記第２絶縁膜上に導電材料を載せると共に、当該導電材料を前記第２絶縁膜の複数の前記透孔に充填し、もって導電性パッドを形成する。前記第２絶縁膜上に載せられた前記導電材料は、前記導電性パッドの本体部を形成する。また、複数の前記透孔に充填された前記導電材料は、前記導電性パッドの複数の貫通部を形成していて、前記パッド本体はそれら貫通部を介して前記配線膜に電気的・機械的に接続される。前記第２絶縁膜は、前記導電性パッドの前記貫通部よりも熱伝導性が低い。したがって、本発明の第１の観点による半導体装置の外部回路接続部の構造が形成される。
【００３７】
また、これらの工程を実施するだけであるから、簡単なプロセスで本発明の第１の観点による半導体装置の外部回路接続部の構造を形成することができる。
【００３８】
（６）  本発明の第２の観点による半導体装置の外部回路接続部の構造の形成方法の好ましい例では、前記第２絶縁膜を形成する工程が、ペースト状絶縁性材料を膜状に形成してそれを硬化させる工程とされる。ペースト状の絶縁性材料としては、例えば、ソルダーレジスト、エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３９】
本発明の第２の観点による半導体装置の外部回路接続部の構造の形成方法の他の好ましい例では、前記導電材料としてハンダペースト、銅（Ｃｕ）ペースト、銀（Ａｇ）ペースト等のペースト状導電材料が使用される。
【００４０】
本発明の第２の観点による半導体装置の外部回路接続部の形成方法のさらに他の好ましい例では、前記導電性パッドに外部電極（ハンダボール等）を固着する工程と、前記外部電極の側面を囲む補強用樹脂を形成する工程とを含む。
【００４１】
本発明の第２の観点による半導体装置の外部回路接続部の構造の形成方法のさらに他の好ましい例では、前記第２絶縁膜の前記導電性パッドと重なり合う部分の厚さが、それ以外の部分の厚さよりも大きくなるように、前記第２絶縁膜がパターン化される。
【００４２】
（７）  本発明において、「第１絶縁膜」及び「配線膜」の材質は任意である。
【００４３】
「第２絶縁膜」は、前記導電性パッドの前記貫通部よりも熱伝導性が低いものであれば任意のものを使用可能である。好ましくは、有機樹脂膜（例えばエポキシ樹脂等）とされるが、これに限定されるものではない。また、好ましくは、ペースト状の絶縁性材料を硬化させてなるものとされるが、ペースト状の絶縁性材料としては、例えばソルダーレジスト、フォトレジスト、エポキシ樹脂、ポリイミド等が使用可能である。その耐熱性は、半導体装置の実装工程に耐えればよいので、２５０〜２６０℃程度あれば足りる。フォトリソグラフィ法が使用可能なことを考慮すると、感光性を持つものが好ましい。
【００４４】
「導電性パッド」は、前記第２絶縁膜を貫通して前記配線膜に接触せしめられた複数の貫通部を形成することができ、それによって、前記導電性パッドを前記貫通部を介して前記配線膜に電気的に接続することが可能なものであればよい。
【００４５】
「ペースト状の導電材料」は、塗布によって前記第２絶縁膜の前記透孔に充填することができ、加熱、紫外線照射等によって硬化させることができる導電材料であれば、任意のものを使用可能である。
【発明の効果】
【００４６】
本発明の半導体装置の外部回路接続部の構造及びその形成方法によれば、（ａ）簡単な構成で所望の熱ショック耐性及び機械的ショック耐性が得られると共に、外部回路接続部の厚さを低減することができる、（ｂ）簡単なプロセスで実現することができる、という効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００４８】
（第１実施形態）
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の概略構成を示す平面図と、Ａ−Ａ線に沿った断面図である。
【００４９】
この半導体装置の外部回路接続部は、半導体チップ（図示せず）の一主面（例えば、その表面または裏面）に形成された絶縁膜（第１絶縁膜）５１と、絶縁膜５１上に所定パターンで形成された配線膜２０と、配線膜２０を覆うように絶縁膜５１上に形成された絶縁性のソルダーレジスト膜（第２絶縁膜）１０と、ソルダーレジスト膜１０上に形成された円形の平面形状を持つ導電性パッド３０とを備えている。
【００５０】
ソルダーレジスト膜１０は、配線膜２０と重なる箇所では、配線膜２０の厚みを反映して盛り上がっている。配線膜２０上におけるソルダーレジスト膜１０の厚さはＴであり、必要に応じて任意に設定される。
【００５１】
ここでは、Ｔ＝２０μｍとしているが、１０μｍ〜１５μｍとすることも可能である。厚さＴを１０μｍ未満（または１５μｍ未満）とすると、熱ショック・機械的ショックに対する耐性の向上という本発明の効果が十分に得られない恐れがある。しかし、ソルダーレジスト膜１０の改良等によって本発明の効果が十分に得られるならば、１０μｍ未満にしてもよいことは言うまでもない。他方、厚さＴの最大値には制限はなく、２０μｍより大きくしてもよい（例えばＴ＝３０μｍあるいは５０μｍとしてもよい）が、ＣＳＰに実装された半導体装置では厚さＴは小さい方が好ましいため、あまり大きくされることはない。
【００５２】
図２０及び図２１に示した従来の構成（ｅ）及び（ｆ）で使用される柱状電極２１６は、厚さ（高さ）が１００〜１５０μｍ程度の大きいものであるが、本実施形態では、それよりも大幅に減少した値（Ｔ＝２０μｍ）に設定することが可能であり、したがって外部回路接続部全体の厚さも格段に小さくすることができる。
【００５３】
ソルダーレジスト膜１０は、絶縁膜５１の全面（つまり半導体チップの当該主面の全面）を覆っていてもよいし、部分的に覆っていてもよい。
【００５４】
配線膜２０は、図２に明瞭に示すように、略円形の平面形状を持ち、その細線状の引出部を介して半導体チップ内部の集積回路に電気的に接続されている。配線膜２０の厚さは特に限定されず、例えば２〜３μｍとされる。配線膜２０は、例えばＣｕ、Ｎｉ等を用いて公知のメッキ法によって形成されることができる。
【００５５】
ソルダーレジスト膜１０は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線膜２０と重なる位置に、同心円状に形成された第１環状透孔１４及び第２環状透孔１５を有している。第１環状透孔１４の外側に、第２環状透孔１５が位置している。第１環状透孔１４及び第２環状透孔１５には、導電性パッド３０の円環状の貫通部３０ａがそれぞれ充填されている。それら二つの貫通部３０ａは、一方（上端）では、ソルダーレジスト膜１０上に露出していて外部回路との接続に使用されるパッド本体３０ｂに接続され、他方（下端）ではソルダーレジスト膜１０を貫通して配線膜２０に接触せしめられている。したがって、導電性パッド３０のパッド本体３０ｂは、二つの貫通部３０ａを介して配線膜２０に電気的に接続されている。このため、外部回路をパッド本体３０ｂに固着させれば、その外部回路は当該半導体チップの内部の集積回路に電気的に接続される。
【００５６】
ソルダーレジスト膜１０は、また、導電性パッド３０のパッド本体３０ｂと重なる箇所では、第１環状透孔１４（内側の貫通部３０ａ）の内側に円柱状の中央部１１を有し、第１環状透孔１４と第２環状透孔１５（内外二つの貫通部３０ａ）の間に円環状の第１環状部１２を有し、第２環状透孔１５（外側の貫通部３０ａ）の外側に第２環状部１３を有している。パッド本体３０ｂの直径は、外側の貫通部３０ａのそれよりも大きい。
【００５７】
このように、本第１実施形態では、導電性パッド３０は、ソルダーレジスト膜１０上に露出せしめられた略円板状のパッド本体３０ｂと、ソルダーレジスト膜１０の内部に埋設された二つの円環状の貫通部３０ａとから構成されている。そして、導電性パッド３０の二つの貫通部３０ａの間に、貫通部３０ａよりも熱伝導率が低いソルダーレジスト膜１０の中央部１１と第１環状部１２と第２環状部１３とが存在しているため、図２０及び図２１に示した従来の構成（ｅ）及び（ｆ）における柱状電極２１６よりも厚さ（高さ）が小さくても、パッド本体３０ｂに印加された熱の配線膜２０（ひいては半導体チップ内部の集積回路）への伝達は、十分に抑制される。この点で、従来の構成（ｅ）及び（ｆ）における柱状電極２１６を単に薄く（低く）して得たものとは、明らかに異なる。
【００５８】
次に、以上の構成を持つ本発明の第１実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の形成方法について、図２〜図５を参照しながら説明する。
【００５９】
まず、公知の方法（例えばフォトリソグラフィーとエッチング）により、図２に示すように、絶縁膜５１上に所定パターンを持つ配線膜２０を形成する。ここでは、導電性パッド３０パッド本体３０ｂと同様の略円形パターンとされる。
【００６０】
次に、図３に示すように、スクリーン印刷法により、絶縁膜５１上にペースト状のソルダーレジスト４３を所定厚さで選択的に印刷（塗布）し、これを加熱して硬化させることにより、第１環状透孔１４及び第２環状透孔１５を持つソルダーレジスト膜１０を形成する。
【００６１】
すなわち、まず、所望パターンが得られるように開口部４０ａ、４０ｂ及び４０ｃと遮断部４０ｄとが形成されたメタルマスク４０を用意し、図３に示すような状態で固定する。このメタルマスク４０は、複数の遮断部４０ｄによって、円柱形の開口部４０ａと円筒形の開口部４０ｂとそれらの外側の開口部４０ｃとが形成されており、遮断部４０ｄ同士は連結部４０ｅによって相互に連結されている。
【００６２】
ソルダーレジスト４３としては、ＰＷＢへの実装時に使用されている耐熱温度が約２５０〜２６０℃のソルダーレジスト（例えば、エポキシ樹脂系、ポリイミド系）を使用することができる。
【００６３】
次に、メタルマスク４０の上にスクリーン４１を配置し、スクリーン４１上にペースト状のソルダーレジスト４３を載せて、スキージ４２でスクリーン４１の全面に伸ばしていく。すると、ソルダーレジスト４３は、スクリーン４１の微細孔（図示せず）を通ってメタルマスク４０の内部に押し込まれていく。ソルダーレジスト４３は、遮断部４０ｄがある部分には入り込まないので、結局、図４に示すように、同心円状に配置された第１環状透孔１４と第２環状透孔１５を持つソルダーレジスト膜１０が絶縁膜５１上に形成される。第１環状透孔１４と第２環状透孔１５は、配線膜２０に同心状に重なり合っている。
【００６４】
その後、ソルダーレジスト膜１０上に、図５に示すようなメタルマスク４４を用意し、図５に示す状態で固定する。このメタルマスク４４は、遮断部４４ｂによって円形の開口部４４ａが配線膜２０と重なる位置に形成されている。開口部４４ａは、パッド本体３０ｂが形成されるべき位置に形成されている。
【００６５】
次に、メタルマスク４４の上にスクリーン４５を配置し、スクリーン４５上にハンダペースト（クリームハンダ）４７を載せて、スキージ４６でスクリーン４５の全面に伸ばしていく。すると、ハンダペースト４７は、スクリーン４５の微細孔（図示せず）を通ってメタルマスク４４の開口部４４ａに充填されていく。ハンダペースト４７は、遮断部４４ｄがある部分には入り込まないので、結局、図１に示すように、略円板形のパッド本体３０ｂがハンダペースト４７によって形成される。
【００６６】
ハンダペースト４７は、メタルマスク４４の開口部４４ａ内に押し込まれる際に、開口部４４ａ内に露出したソルダーレジスト膜１０の第１環状透孔１４と第２環状透孔１５にも充填される。その結果、図１に示すように、ハンダペースト４７によって、略円板形のパッド本体３０ｂが形成されると同時に円環状の二つの貫通部３０ａが形成される。その後、溶剤の揮発等により、ハンダペースト４７をそのままの状態で硬化させる。
【００６７】
以上の工程を経て、図１に示すような本第１実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部が形成される。
【００６８】
なお、ハンダペースト４７に代えて、銅（Ｃｕ）ペーストや銀（Ａｇ）ペースト、あるいはその他のペースト状導電性材料を使用して、導電性パッド３０を形成してもよい。また、ペースト状導電性材料を使用せず、マスクを用いたメッキ法でＣｕ、Ｎｉ等の金属を選択的に堆積させることによって導電性パッド３０を形成してもよい。
【００６９】
上述したように、本第１実施形態の半導体装置の外部回路接続部の構造では、導電性パッド３０が、ソルダーレジスト膜１０上に配置されたパッド本体３０ｂと、ソルダーレジスト膜１０を貫通して配線膜２０に接触せしめられた二つの円環状の貫通部３０ａとから構成されており、パッド本体３０ｂはそれら貫通部３０ａを介して配線膜２０に電気的に接続されている。また、導電性パッド３０の貫通部３０ａよりも熱伝導性が低いソルダーレジスト膜１０の中央部１１と第１環状部１２と第２環状部１３とが、パッド本体３０ｂと配線膜２０との間に配置されている。このため、ソルダーレジスト膜１０のパッド本体３０ｂと重なり合う中央部１１、第１環状部１２及び第２環状部１３（特にソルダーレジスト膜１０の貫通部３０ａより内側にある中央部１１と第１環状部１２）が、パッド本体３０ｂから配線膜２０（ひいては半導体チップ）へ熱が伝導する際のクッション（バリア）となるから、バンプやボールが持っている熱のパッド本体３０ｂから配線膜２０への伝達が効果的に抑制される。つまり、パッド本体３０ｂを介して配線膜２０に伝達される熱の影響が緩和される。その結果、配線膜２０（ひいては前記半導体チップ）の受ける熱量が減少するので、貫通部が一つしかない従来の一般的構造に比べて、導電性パッド３０とソルダーレジスト膜１０の中央部１１、第１環状部１２及び第２環状部１３とから構成される当該外部回路接続部の熱ショック耐性を改善することができる。
【００７０】
また、ソルダーレジスト膜１０のパッド本体３０ｂと重なり合う中央部１１、第１環状部１２及び第３環状部１３は、機械的な力を緩和するクッションとしても機能するため、外部から印加される力も効果的に抑制される。その結果、機械的ショックに対する耐性も改善することができる。
【００７１】
さらに、ソルダーレジスト膜１０の中央部１１、第１環状部１２及び第２環状部１３を間に介在させてパッド本体３０ｂと配線膜２０を対向させると共に、二つの円環状の貫通部３０ａによってパッド本体３０ｂと配線膜２０の電気的接続を実現しているので、上述した従来の外部電極接合部の構成（ｅ）及び（ｆ）（図２０及び図２１参照）で使用されていた柱状電極２１６が不要である。このため、外部回路接続部の厚さを大幅に低減することができると共に、構成も極めて簡単になる。つまり、上述した従来の外部電極接合部の構成（ｅ）及び（ｆ）よりも当該外部回路接続部（ひいては半導体装置）の厚さを格段に薄くすることができ、構成もより簡単にすることができるのである。
【００７２】
また、本第１実施形態の外部回路接続部は、第１環状透孔１４と第２環状透孔１５を持つソルダーレジスト膜１０を絶縁膜５１上に形成した後、ソルダーレジスト膜１０上に第１環状透孔１４及び第２環状透孔１５を充填するように導電性パッド３０を形成し、それによって第１環状透孔１４及び第２環状透孔１５を介してパッド本体３０ｂと配線膜２０とを電気的に相互接続するだけで形成することができる。したがって、スクリーン印刷等の簡単なプロセスで実現することができる。
【００７３】
なお、上述したように、本第１実施形態では、熱的ショック及び機械的ショックに対する耐性を改善しながら、外部回路接続部（ひいては半導体装置）の厚さの低減と構成の簡単化が可能となるが、本発明はこれには限定されない。例えば、外部回路接続部の厚さ（高さ）が低減され、構成も簡単化されるが、熱的ショック及び機械的ショックに対する耐性は従来と同等のような場合も、本発明に含まれる。また、逆に、熱的ショック及び機械的ショックに対する耐性は改善されるが、外部回路接続部の厚さ（高さ）は従来と同等のような場合も、本発明に含まれる。
【００７４】
本第１実施形態では、導電性パッド３０それ自体を外部電極として使用する、すなわち、導電性パッド３０はランドとなるので、当該半導体装置の外部電極の構成はランド・グリッド・アレイ（land Grid Array,ＬＧＡ）となる。しかし、導電性パッド３０上に、金属球の表面をＮｉ（ニッケル）やＡｕ（金）で覆ったハンダボール（図示せず）を固着すれば、ボール・グリッド・アレイ（Ball Grid Array,ＢＧＡ）となる。
【００７５】
なお、本第１実施形態では、第２絶縁膜としてソルダーレジスト膜１０を使用しているが、本発明はこれに限定されない。導電性パッド３０の貫通部３０ａよりも熱伝導性が低いものであれば、他の任意の絶縁膜も使用可能である。
【００７６】
また、本第１実施形態では、ソルダーレジスト膜１０をスクリーン印刷法で形成しているが、本発明はこれに限定されず、他の任意の方法によって形成してもよい。例えば、感光性のソルダーレジスト４３を用いて、公知のフォトリソグラフィ法及びエッチング法によってソルダーレジスト４３の膜をパターニングして、第１環状透孔１４と第２環状透孔１５を持つソルダーレジスト膜１０を形成してもよい。また、ソルダーレジスト膜１０に代えて、絶縁性フィルムをラミネートした後、それをレーザエッチング等によってエッチングして、ソルダーレジスト膜１０と同様にパターン化された第２絶縁膜を形成してもよい。
【００７７】
また、本第１実施形態では、導電性パッド３０もハンダペーストを用いたスクリーン印刷法で形成しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、マスクを用いた電解メッキ法により、金属膜を選択的に形成してもよい。
【００７８】
（第２実施形態）
図６（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の概略構成を示す平面図と断面図である。
【００７９】
本実施形態の外部回路接続部は、第１実施形態の外部回路接続部において、導電性パッド３０の上にハンダボール３３が固着されている点が異なるのみである。これ以外の点は、第１実施形態の外部回路接続部と同じ構成である。したがって、図１に示した第１実施形態の外部電極接合部と同じ符号を付してその説明を省略する。
【００８０】
本第２実施形態では、ハンダボール３３を外部電極として使用するので、当該半導体装置の外部電極はＢＧＡとなる。
【００８１】
（第３実施形態）
図７（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の概略構成を示す平面図と断面図である。
【００８２】
本第３実施形態の外部回路接続部では、ソルダーレジスト膜１０Ａの透孔１４Ａ及び１５Ａと、それら透孔１４Ａ及び１５Ａに充填された導電性パッド３０Ａの貫通部３０Ａａが異なるのみであり、その他の構成は上述した第１実施形態の外部回路接続部と同じである。
【００８３】
本第３実施形態の外部回路接続部は、半導体チップ（図示せず）の一主面（例えば、その表面または裏面）に形成された絶縁膜（第１絶縁膜）５１と、絶縁膜５１上に所定パターンで形成された配線膜２０と、配線膜２０を覆うように絶縁膜５１上に形成された絶縁性のソルダーレジスト膜（第２絶縁膜）１０Ａと、ソルダーレジスト膜１０Ａ上に形成された円形の平面形状を持つ導電性パッド３０Ａとを備えている。
【００８４】
ソルダーレジスト膜１０Ａは、配線膜２０と重なる箇所では、配線膜２０の厚みを反映して盛り上がっている。配線膜２０上におけるソルダーレジスト膜１０Ａの厚さはＴであり（図１を参照）、第１実施形態の場合と同様にして決定される。ソルダーレジスト膜１０Ａは、絶縁膜５１の全面（つまり半導体チップの当該主面の全面）を覆っていてもよいし、部分的に覆っていてもよい。
【００８５】
ソルダーレジスト膜１０Ａは、配線膜２０と重なる位置に、同心円状に形成された円形透孔１４Ａ及び環状透孔１５Ａを有している。円形透孔１４Ａの外側に、環状透孔１５Ａが位置している。円形透孔１４Ａ及び環状透孔１５Ａには、導電性パッド３０Ａの円環状の貫通部３０Ａａがそれぞれ充填されている。それら二つの貫通部３０Ａａは、一方ではパッド本体３０Ａｂに接続され、他方ではソルダーレジスト膜１０Ａを貫通して配線膜２０に接触せしめられている。したがって、導電性パッド３０Ａのパッド本体３０Ａｂは、二つの貫通部３０Ａａを介して配線膜２０に電気的に接続されている。
【００８６】
ソルダーレジスト膜１０Ａは、導電性パッド３０Ａと重なる箇所では、円形透孔１４Ａと環状透孔１５Ａ（内外二つの貫通部３０Ａａ）の間に円環状の第１環状部１２Ａを有し、環状透孔１５Ａ（外側の貫通部３０Ａａ）の外側に第２環状部１３Ａを有している。
【００８７】
このように、本第３実施形態では、導電性パッド３０Ａは、ソルダーレジスト膜１０Ａ上に露出せしめられた略円板状のパッド本体３０Ａｂと、ソルダーレジスト膜１０Ａの内部に埋設された二つの円環状の貫通部３０Ａａとから構成されている。そして、導電性パッド３０Ａの二つの貫通部３０Ａａの間と外側に、貫通部３０Ａａよりも熱伝導率が低いソルダーレジスト膜１０Ａの第１環状部１２Ａと第２環状部１３Ａとがそれぞれ存在しているため、図２０及び図２１に示した従来の構成（ｅ）及び（ｆ）における柱状電極２１６よりも厚さ（高さ）が小さくても、パッド本体３０Ａｂに印加された熱は配線膜２０（ひいては半導体チップ内部の集積回路）に伝達され難くなっている。
【００８８】
次に、以上の構成を持つ本第３実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の形成方法について、図８〜図１０を参照しながら説明する。
【００８９】
まず、第１実施形態と同様の方法により、図７に示すように、絶縁膜５１上に略円形のパターンを持つ配線膜２０を形成する。
【００９０】
次に、図８に示すように、スクリーン印刷法により、絶縁膜５１上にペースト状のソルダーレジスト４３を所定厚さで選択的に印刷（塗布）し、これを加熱して硬化させることにより、円形透孔１４Ａ及び環状透孔１５Ａを持つソルダーレジスト膜１０Ａを形成する。すなわち、まず、所望パターンが得られるように開口部４０Ａｂ及び４０Ａｃと遮断部４０Ａｄとが形成されたメタルマスク４０Ａを用意し、図８に示すような状態で固定する。このメタルマスク４０Ａは、複数の遮断部４０Ａｄによって、円筒形の開口部４０Ａｂとその外側の開口部４０Ａｃとが形成されており、遮断部４０Ａｄ同士は連結部４０Ａｅによって相互に連結されている。
【００９１】
次に、メタルマスク４０Ａの上にスクリーン４１を配置し、スクリーン４１上にペースト状のソルダーレジスト４３を載せて、スキージ４２でスクリーン４１の全面に伸ばしていく。すると、ソルダーレジスト４３は、スクリーン４１の微細孔（図示せず）を通ってメタルマスク４０Ａの内部に押し込まれていく。ソルダーレジスト４３は、遮断部４０Ａｄがある部分には入り込まないので、結局、図９に示すように、同心円状に配置された円形透孔１４Ａと環状透孔１５Ａを持つソルダーレジスト膜１０Ａが絶縁膜５１上に形成される。円形透孔１４Ａと環状透孔１５Ａは、配線膜２０に重なり合っている。
【００９２】
その後、ソルダーレジスト膜１０Ａ上に、図１０に示すようなメタルマスク４４Ａを用意し、図１０に示すような状態で固定する。このメタルマスク４４Ａは、遮断部４４Ａｂによって円形の開口部４４Ａａが形成されている。開口部４４Ａａは、パッド本体３０Ａｂが形成されるべき位置に形成されている。
【００９３】
次に、メタルマスク４４Ａの上にスクリーン４５を配置し、スクリーン４５上にハンダペースト（クリームハンダ）４７を載せて、スキージ４６でスクリーン４５の全面に伸ばしていく。すると、ハンダペースト４７は、スクリーン４５の微細孔（図示せず）を通ってメタルマスク４４Ａの開口部４４Ａａに充填されていく。ハンダペースト４７は、遮断部４４Ａｄがある部分には入り込まないので、結局、図７に示すように、略円板形のパッド本体３０Ａｂがハンダペースト４７によって形成される。
【００９４】
ハンダペースト４７は、メタルマスク４４Ａの開口部４４Ａａ内に押し込まれる際に、開口部４４Ａａ内に露出したソルダーレジスト膜１０Ａの円形透孔１４Ａと環状透孔１５Ａにも充填される。その結果、図７に示すように、ハンダペースト４７によって、略円板形のパッド本体３０Ａｂが形成されると同時に円環状の二つの貫通部３０Ａａが形成される。
【００９５】
以上の工程を経て、図７に示すような本第３施形態に係る半導体装置の外部回路接続部が形成される。
【００９６】
なお、ハンダペースト４７に代えて、ＣｕペーストやＡｇペースト、あるいはその他のペースト状導電性材料を使用して、導電性パッド３０Ａを形成してもよい。ペースト状導電性材料を使用せず、マスクを用いたメッキ法などでＣｕ、Ｎｉ等の金属を選択的に堆積させることによって導電性パッド３０Ａを形成してもよい。
【００９７】
上述したように、本第３実施形態の半導体装置の外部回路接続部の構造では、導電性パッド３０Ａが、ソルダーレジスト膜１０Ａ上に配置されたパッド本体３０Ａｂと、ソルダーレジスト膜１０Ａを貫通して配線膜２０に接触せしめられた二つの円環状の貫通部３０Ａａとから構成されており、パッド本体３０Ａｂはそれら貫通部３０Ａａを介して配線膜２０に電気的に接続されている。また、導電性パッド３０Ａの貫通部３０Ａａよりも熱伝導性が低いソルダーレジスト膜１０の第１環状部１２Ａと第２環状部１３Ａとが、パッド本体３０Ａｂと配線膜２０との間に配置されている。このため、ソルダーレジスト膜１０Ａのパッド本体３０Ａｂと重なり合う部分１２Ａ及び１３Ａ（特にソルダーレジスト膜１０Ａの貫通部３０Ａａより内側にある部分１２Ａ）が、パッド本体３０Ａｂから配線膜２０（ひいては半導体チップ）へ熱が伝導する際のクッション（バリア）となるから、バンプやボールが持っている熱のパッド本体３０Ａｂから配線膜２０への伝達が効果的に抑制される。つまり、パッド本体３０Ａｂを介して配線膜２０に伝達される熱の影響が緩和される。その結果、配線膜２０（ひいては前記半導体チップ）の受ける熱量が減少するので、貫通部が一つしかない従来の一般的構造に比べて、導電性パッド３０Ａとソルダーレジスト膜１０Ａの第１環状部１２Ａ及び第２環状部１３Ａとから構成される当該外部回路接続部の熱ショック耐性を改善することができる。
【００９８】
また、ソルダーレジスト膜１０Ａのパッド本体３０Ａｂと重なり合う第１環状部１２Ａ及び第２環状部１３Ａは、機械的な力を緩和するクッションとしても機能するため、外部から印加される力も効果的に抑制される。その結果、機械的ショックに対する耐性も改善することができる。
【００９９】
さらに、ソルダーレジスト膜１０Ａの第１環状部１２Ａ及び第２環状部１３Ａを間に介在させてパッド本体３０Ａｂと配線膜２０を対向させると共に、二つの円環状の貫通部３０Ａａによってパッド本体３０Ａｂと配線膜２０の電気的接続を実現しているので、上述した従来の外部電極接合部の構成（ｅ）及び（ｆ）（図２０及び図２１参照）で使用されていた柱状電極２１６が不要である。このため、外部回路接続部の厚さを大幅に低減することができると共に、構成も極めて簡単になる。つまり、上述した従来の外部電極接合部の構成（ｅ）及び（ｆ）よりも当該外部回路接続部（ひいては半導体装置）の厚さを格段に薄くすることができ、構成もより簡単にすることができるのである。
【０１００】
また、本第３実施形態の外部回路接続部は、円形透孔１４Ａと環状透孔１５Ａを持つソルダーレジスト膜１０Ａを絶縁膜５１上に形成した後、ソルダーレジスト膜１０Ａ上に円形透孔１４Ａ及び環状透孔１５Ａを充填するように導電性パッド３０Ａを形成し、それによって円形透孔１４Ａ及び環状透孔１５Ａを介してパッド本体３０Ａｂと配線膜２０とを電気的に接続するだけで形成することができる。したがって、簡単なプロセスで実現することができる。
【０１０１】
本第３実施形態では、導電性パッド３０Ａそれ自体を外部電極として使用する、すなわち、導電性パッド３０Ａはランドとなるので、当該半導体装置の外部電極の構成はＬＧＡとなる。しかし、導電性パッド３０Ａ上にハンダボールを固着してＢＧＡとしてもよい。
【０１０２】
なお、本第３実施形態では、第２絶縁膜としてソルダーレジスト膜１０Ａを使用しているが、本発明はこれに限定されない。第１実施形態で述べたような他の絶縁膜も使用可能である。
【０１０３】
また、本第３実施形態では、ソルダーレジスト膜１０Ａをスクリーン印刷法で形成しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、感光性のソルダーレジスト４３を用いて、公知のフォトリソグラフィ法及びエッチング法によってソルダーレジスト４３の膜をパターニングして、円形透孔１４Ａと環状透孔１５Ａを持つソルダーレジスト膜１０Ａを形成してもよい。また、ソルダーレジスト膜１０Ａに代えて、絶縁性フィルムをラミネートした後、それをレーザエッチング等によってエッチングして、ソルダーレジスト膜１０Ａと同様にパターン化された第２絶縁膜を形成してもよい。
【０１０４】
また、本第３実施形態では、導電性パッド３０Ａもハンダペーストを用いたスクリーン印刷法で形成しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、マスクを用いた電解メッキ法により、金属膜を選択的に形成してもよい。
【０１０５】
（配線膜の構成例）
図１１は、配線膜２０の詳細構成の一例を示す。
【０１０６】
図１１に示すように、配線膜２０は二層構造となっており、絶縁膜５１上に形成された下地金属膜５２（厚さは例えば０．５〜１μｍ）と、その上に重ねて形成されるメッキ金属膜５３（所望厚さに設定される。例えば数μｍ）とから成っている。メッキ金属膜５３を形成する電解メッキ工程は、下地金属膜５２を種金属として実施される。Ｃｕメッキ、Ｎｉメッキ、ＴｉＷメッキ等が好ましい。
【０１０７】
まず、下地金属膜５２をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により選択的に形成する。その後、下地金属膜５２を種金属とした無電解メッキ法により、Ｃｕメッキ、Ｎｉメッキ、ＴｉＷメッキ等を実施する。こうしてメッキ金属膜５３が得られる。
【０１０８】
なお、配線膜２０は、必ずしも二層構造とする必要はなく、単層構造でもよいことは言うまでもない。逆に、三層構造あるいは四層以上の多層構造としてもよい。
【０１０９】
（半導体装置の構成例１）
図１２は、本発明の外部回路接続部を備えた半導体装置の詳細構成の一例を示す。この半導体装置は固体撮像装置であり、固体撮像素子チップを内蔵している。
【０１１０】
図１２の固体撮像装置１００は、透明なガラスカバー１６０を含むチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）中にチップ状の固体撮像素子１１０を封止してなるものである。この固体撮像装置１００は、撮像面１２５とガラスカバー１６０の間の隙間にキャビティを有していない。
【０１１１】
固体撮像素子１１０は、複数の受光素子（図示せず）と複数の受光領域１２３がその表面領域に形成されたシリコン基板１１１を備えている。これらの受光領域１２３と受光素子は、各画素ＰＸに対して一つづつ形成されている。シリコン基板１１１には、その全表面を覆うように透明な層間絶縁膜１１２が形成されている。層間絶縁膜１１２の表面は、固体撮像素子１１０の撮像面１２５であって、アレイ状に配置された複数のマイクロレンズ１２２、すなわちマイクロレンズ・アレイ１２２Ａが形成されている。これらのマイクロレンズ１２２は、撮像面１２５上において、各画素ＰＸに対して一つづつ形成されている。各受光領域１２３は、層間絶縁膜１１２を介して対応するマイクロレンズ１２２に重なり合うように配置されている。各マイクロレンズ１２２の近傍には、Ｒ、Ｇ、Ｂ三色用の（あるいはこれら三色に黒色を加えた四色用の）マイクロフィルタ（カラーフィルタ）１２４が形成されている。
【０１１２】
層間絶縁膜１１２の表面には、マイクロレンズ・アレイ１２２Ａの外側の領域（撮像面１２５の周辺領域）において、複数の表面電極１１５が形成されている。これらの表面電極１１５は、各受光素子により生成された電気信号を固体撮像装置１００の外部に引き出すためのもので、シリコン基板１１１の表面と層間絶縁膜１１２の内部に形成された引出用配線（図示せず）を介して、各受光素子（各受光領域１２３）と電気的に接続されている。
【０１１３】
図１２から明らかなように、撮像面１２５には、マイクロレンズ１２２と表面電極１１５に起因する凹凸が存在している。
【０１１４】
層間絶縁膜１１２は、実際には積層された複数の絶縁膜から構成されているが、層間絶縁膜１１２の内部構造は本発明にとって重要ではないため、図１２ではこれを単純化して描いている。
【０１１５】
層間絶縁膜１１２の表面には、透明な無機系のＳＯＧ材料膜５０が形成されており、層間絶縁膜１１２の全面を覆っている。ＳＯＧ材料膜１５０の厚さは、マイクロレンズ１２２と表面電極１１５のいずれの厚さよりも大きいから、マイクロレンズ・アレイ１２２Ａと表面電極１１５はＳＯＧ材料膜１５０の中に埋め込まれている。したがって、ＯＧ材料膜１５０の表面は平坦である。
【０１１６】
ＳＯＧ材料膜１５０の表面には、透明なガラスカバー１６０が形成されている。ガラスカバー１６０は、ここでは透明なボロシリケートガラス（Ｂ2Ｏ3／ＳｉＯ2）板から構成されており、そのガラス板をナノポーラスＳＯＧ材料膜１５０の表面に「陽極接合」によって接合することにより、チップ状の固体撮像素子１０と一体化されている。
【０１１７】
なお、固体撮像素子１１０とＳＯＧ材料膜１５０とガラスカバー１６０からなる積層体の側面全体は、ＣＳＰの一部を構成する絶縁性合成樹脂（図示せず）によって覆われている。
【０１１８】
層間絶縁膜１１２の内部には、各表面電極１１５の直下の位置に、当該層間絶縁膜１１２を貫通する透孔を有しており、それらの透孔にはそれぞれ導電性プラグ１１４が充填されている。また、シリコン基板１１１の内部にも、各表面電極１１５の直下の位置に、当該シリコン基板１１１を上下に貫通する透孔を有しており、それらの透孔にはそれぞれ導電性プラグ１１３が充填されている。各導電性プラグ１１３の全周は、対応する透孔の内壁に形成された絶縁膜１１６ａで覆われていて、各導電性プラグ１１３とシリコン基板１１１とは対応する絶縁膜１１６ａによって電気的に絶縁されている。各導電性プラグ１１４の上端及び下端は、その直上にある表面電極１１５とその直下にある導電性プラグ１１３にそれぞれ接触している。各導電性プラグ１１３の下端は、シリコン基板１１１の裏面から露出している。相互に接触せしめられた導電性プラグ１１４と１１３は、シリコン基板１１１の層間絶縁膜１１２の表面にある表面電極と、シリコン基板１１１の裏面にある配線膜１１８とを、シリコン基板１１１を貫通して電気的に相互接続する貫通電極を構成している。
【０１１９】
シリコン基板１１１の裏面には、絶縁膜１１６ｂが形成されていて、露出している導電性プラグ１１３の下端を除く領域を覆っている。絶縁膜１１６ｂの表面には、複数の配線膜２０が形成されている。各配線膜２０は、シリコン基板１１１の裏面に露出せしめられた対応する導電性プラグ１１３の下端に接触している。
【０１２０】
絶縁膜１１６ｂの表面には、配線膜２０を覆うようにソルダーレジスト膜１０が形成されている。ソルダーレジスト膜１０には、各配線膜２０と重なる位置に透孔が形成されていて、それら透孔の内部には貫通部３０Ａが形成されている。
【０１２１】
ソルダーレジスト膜１０の表面には、各貫通部３０Ａと重なる位置に、所定形状にパターン化されたランド３０が形成されている。そして、それらランド３０の上には、それぞれ、外部電極としてのハンダボール３３が形成されている。
【０１２２】
このように、各表面電極１１は、対応する導電性プラグ１４及び１３と、対応する配線膜１１及び導電性コンタクト１９とを介して、当該固体撮像装置１００の裏面（図１では下面）にある対応するランド３０及びハンダボール３３に電気的に接続されている。
【０１２３】
外部の光は、ガラスカバー１０を通して固体撮像装置１００に入り、さらにＳＯＧ膜１５０とマイクロレンズ１２２とマイクロフィルタ１２４を通過して、各画素ＰＸに設けられた受光素子（図示せず）の受光領域１２３に入射する。すると、入射光は各受光領域１２３において光電変換され、画素ＰＸ毎に入射光の強度に応じた電気信号が生成される。これらの電気信号は、画素ＰＸ毎に受光領域１２３に隣接して設けられた増幅素子（図示せず）によって増幅された後、図示しない引出用配線を介して表面電極１１５まで送られる。これらの電気信号は、さらに、各表面電極１１５に電気的に接続された導電性プラグ１１４、導電性プラグ１１３、配線膜１１８及び導電性コンタクト１１９を介して、対応する銅ペースト１２０及びハンダボール１２１まで導出される。
【０１２４】
なお、上述した固体撮像素子１１０は、撮像面１２５に形成されたマイクロレンズ・アレイ１２２Ａを含んでいるが、マイクロレンズ・アレイ１２２Ａは含んでいなくてもよい。また、上述した固体撮像素子１０は、マイクロフィルタ２４を含んでいるが、マイクロフィルタ２４は含んでいなくてもよい。
【０１２５】
本発明の外部回路接続部に使用されたハンダボール３３は、図１２に示すような状態で、ＰＷＢ６１上に形成された銅（Ｃｕ）パターンからなる外部回路６０に、ハンダ（図示せず）で電気的・機械的に接続される。
【０１２６】
（半導体装置の構成例２）
図１３は、本発明の外部回路接続部を備えた半導体装置の詳細構成の他の例を示す。
【０１２７】
図１３では、表面電極１１５の重なる位置において、シリコン基板１１１を貫通する透孔１１１ａが形成されているが、この透孔１１１ａが導電性プラグで充填されておらず、ソルダーレジスト膜１０で埋め込まれている点で、図１２の構成例とは異なる。それ以外の点は図１２と同じなので、図１２と同じ構成の部分については同じ符号を付してその説明を省略する。
【０１２８】
図１３に示すように、配線膜２０を構成する下地金属膜５２とメッキ金属膜５３は、透孔１１１ａの内壁に沿って延在させてもよい。下地金属膜５２は、透孔１１１ａの表面側の端部において表面電極１１５と接触している。なお、透孔１１１ａは、メッキ金属５３で埋め込むこともできる。
【０１２９】
（第４実施形態）
図１４（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の概略構成を示す平面図と断面図である。本実施形態の外部回路接続部は、上述した第３実施形態（図７を参照）の変形例に相当するものであり、配線膜と導電性パッドの双方が二つに部分に分割されていて、一方が信号または電源用とされ、他方が接地用とされている。
【０１３０】
導電性パッド３０Ｂの接地用パッド部３０Ｂ２（第２部分）は、図１４（ａ）に示すように、円形の一部を切り欠いた平面形状を有しており、導電性パッド３０Ｂの信号・電源用パッド部（第１部分）３０Ｂ１は、直線状の平面形状を有していて、一部が接地用パッド部３０Ｂ２の切り欠かれた部分に挿入されている。
【０１３１】
配線膜２０は、導電性パッド３０Ｂと同様に、信号・電源用配線部（第１部分）２０Ｂ１と接地用配線部（第２部分）２０Ｂ２に分割されている。接地用配線部２０Ｂ２は、接地用パッド部３０Ｂ２とほぼ同様の円形の一部を切り欠いた平面形状を有している。信号・電源用配線部２０Ｂ１は、信号・電源用パッド部３０Ｂ１とほぼ同様の直線状の平面形状を有していて、一部が接地用配線部２０Ｂ２の切り欠かれた部分に挿入されている。
【０１３２】
信号・電源用パッド部３０Ｂ１は、ソルダーレジスト膜１０Ｂの略円形透孔１４Ｂ中に埋設された貫通部３０Ｂ１ａと、ソルダーレジスト膜１０Ｂ上にある信号・電源用パッド部本体３０Ｂ１ｂとから構成されている。信号・電源用パッド部本体３０Ｂ１ｂは、貫通部３０Ｂ１ａを介して、配線膜２０Ｂの信号・電源用配線部２０Ｂ１に電気的・機械的に接続されている。信号・電源用パッド部本体３０Ｂ１ｂには、引出線３０Ｂ４の一端が接続されており、それによって信号・電源用パッド部本体３０Ｂ１ｂを導電性パッド３０Ｂの外側まで導出している。引出線３０Ｂ４は、ソルダーレジスト膜１０Ｂ上に位置する。
【０１３３】
接地用パッド部３０Ｂ２は、ソルダーレジスト膜１０Ｂの略環状透孔１５Ｂ中に埋設された貫通部３０Ｂ２ａと、ソルダーレジスト膜１０Ｂ上にある接地用パッド部本体３０Ｂ２ｂとから構成されている。接地用パッド部本体３０Ｂ２ｂは、貫通部３０Ｂ２ａを介して、配線膜２０Ｂの接地用配線部２０Ｂ２に電気的・機械的に接続されている。接地用パッド部本体３０Ｂ２ｂには、引出線３０Ｂ５の一端が接続されており、それによって接地用パッド部本体３０Ｂ２ｂを導電性パッド３０Ｂの外側まで導出している。引出線３０Ｂ５は、ソルダーレジスト膜１０Ｂ上に位置する。
【０１３４】
信号・電源用パッド部本体３０Ｂ１ｂに電気的に接続された引出線３０Ｂ４と、接地用パッド部本体３０Ｂ２ｂとの間には、両者間で電気的に短絡しないように、ギャップ３０Ｂ３が形成されている。
【０１３５】
本発明の第４実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部は、上述した構成であって、一つの導電性パッド３０Ｂを利用して、信号または電源用の配線と接地用の配線とを半導体チップ内部の集積回路から絶縁膜５１上に導出することができる。しかし、図１４の構成だけでは、導電性パッド３０Ｂの信号・電源用パッド部３０Ｂ１と接地用パッド部３０Ｂ２にそれぞれ外部回路を接続するのは容易ではない。そこで、図１５に示すように、導電性パッド３０Ｂから少し離れた位置において、ソルダーレジスト膜１０Ｂ上に信号・電源用導電性パッド部７１と接地用導電性パッド部７２が形成されている。これらのパッド７１及び７２は、いずれも、外部回路が接続しやすいように導電性パッド３０Ｂより少し大きく形成されている。
【０１３６】
信号・電源用導電性パッド部７１は、引出線３０Ｂ４を介して、導電性パッド３０Ｂの信号・電源用パッド部３０Ｂ１に電気的・機械的に接続されている。接地用導電性パッド部７２は、引出線３０Ｂ５を介して、導電性パッド３０Ｂの接地用パッド部３０Ｂ２に電気的・機械的に接続されている。信号・電源用導電性パッド部７１と接地用導電性パッド部７２は、導電性パッド３０Ｂのような貫通部を持っておらず、引出線３０Ｂ４と３０Ｂ５を介して、信号・電源用パッド部３０Ｂ１と接地用パッド部３０Ｂ２にそれぞれ接続されているだけである。
【０１３７】
図１６に第４実施形態の外部回路接続部の他の使用態様（実装状態）を示す。図１６において、ＰＷＢ６１は、一面に信号線用外部回路６２と接地線用外部回路６３とを有しており、反対側の面には、対応するメッキ・スルーホールを介して信号線用外部回路６２に電気的に接続されたランド６２ａと、対応するメッキ・スルーホールを介して接地線用外部回路６３に電気的に接続されたランド６３ａとを有している。導電性パッド３０Ｂの信号・電源用パッド部３０Ｂ１は、ランド６２ａに電気的・機械的に接続され、導電性パッド３０Ｂの接地用パッド部３０Ｂ２は、ランド６３ａに電気的・機械的に接続されている。
【０１３８】
信号線用外部回路６２は、図示しない信号線接続用ランドまで延在し、そこで対応する信号線に接続される。他方、両側の接地用外部回路６３は、図示しない別の接地線接続用ランドまで延在し、そこで相互接続されてから、接地線に接続される。こうすると、配線膜２０Ｂの信号・電源用配線部２０Ｂ１が信号線接続用ランドに到達し、配線膜２０Ｂの接地用配線部２０Ｂ２が接地線接続用ランドに到達するまで、信号線または電源線を常にその左右から接地線で挟んだ形で伝送することが可能となる。
【０１３９】
本第４実施形態の外部回路接続部は、図１６に示したような実装態様で使用すれば、高周波信号が使用される半導体装置に有効に適用できる、という効果が得られる。この外部電極接合部には、このような使用法も考えられる。
【０１４０】
（第５実施形態）
図１７（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の概略構成を示す平面図と断面図である。
【０１４１】
本実施形態の外部回路接続部は、第１実施形態（図１を参照）の変形例に相当し、ソルダーレジスト膜１０の配線膜２０と重なり合っている部分の高さが、第１実施形態より高くされている点のみが異なり、それ以外は第１実施形態と同じである。
【０１４２】
このようにすると、外部電極接合部のソルダーレジスト膜１０の厚さがより大きくなるため、熱的・機械的ショックを緩和する作用が強くなる。したがって、外部電極接合部の熱ショック耐性及び機械的ショック耐性をいっそう改善することができる。
【０１４３】
なお、第５実施形態に係る外部電極接合部は、図３のスクリーン印刷工程を２回行うことで実現できる。すなわち、１回目のスクリーン印刷工程では、第１実施形態と同様にしてソルダーレジスト膜１０を形成し、２回目のスクリーン印刷工程では、ソルダーレジスト膜１０の配線膜２０と重なり合っている部分のみにソルダーレジスト膜１０を重ねて形成すればよい。
【０１４４】
（第６実施形態）
図１８（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第６実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の概略構成を示す平面図と断面図である。
【０１４５】
本実施形態の外部回路接続部は、第２実施形態の外部回路接続部において、ハンダボール３３の周囲に補強用樹脂３５が円環状に固着されている点が異なるのみである。これ以外の点は、第２実施形態の外部回路接続部と同じ構成である。したがって、図６に示した第２実施形態の外部回路接続部と同じ符号を付してその説明を省略する。
【０１４６】
本第６実施形態では、ハンダボール３３の周囲に補強用樹脂３５が形成されているので、ハンダボール３３の外周縁にクラックが生じにくいという利点がある。
【０１４７】
補強用樹脂３５の形成は、補強用樹脂３５が形成される箇所のみに開口部が形成されたメタルマスクを使うことにより、スクリーン印刷によって容易に行うことができる。しかし、これには限定されない。例えば、感光性の合成樹脂を使用すれば、フォトリソグラフィ法によって形成することも可能である。
【０１４８】
補強用樹脂３５としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が使用可能である。
【０１４９】
（その他の実施形態）
上述した第１〜第６の実施形態は本発明を具体化した例を示すものであり、したがって本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を外れることなく種々の変形が可能であることは言うまでもない。
【０１５０】
例えば、上述した第１〜第６の実施形態では、導電性パッドのパッド本体の平面形状がいずれも円形とされており、導電性パッドの複数の貫通部の平面形状が円形または環状であると共に、それらが同心円状に配置されているが、本発明はこれに限定されない。他の任意の形状及び配置とすることが可能である。貫通部の変形例のいくつかを図１９に示す。
【０１５１】
図１９（ａ）は、第１実施形態（図１を参照）における二つの貫通部３０ａを矩形環状としており、図１９（ｂ）は、第３実施形態（図７を参照）における二つの貫通部３０Ａａをそれぞれ矩形状と矩形環状としている。
【０１５２】
図１９（ｃ）は、第１実施形態（図１を参照）における二つの貫通部３０ａを八角形環状としており、図１９（ｄ）は、第３実施形態（図７を参照）における二つの貫通部３０Ａａをそれぞれ八角形状と八角形環状としている。
【０１５３】
本発明では、このように貫通部を円形または円環状だけではなく、多角形または多角形環状とすることもできる。
【０１５４】
図１９（ｅ）は、各々の貫通部３０ａを断面円形の棒状とし、それを８本集合させたものである。図１９（ｆ）は、二つ貫通部３０Ｂ１ａと３０Ｂ２ａをそれぞれ半円形とし、両者を隙間をあけて対向配置して、全体形状がほぼ円形となるようにしたものである。
【０１５５】
本発明では、このように、複数の貫通部の少なくとも一つを環状とする必要はない。図１９（ｅ）と（ｆ）に示した例から明らかなように、貫通部の形状と配置は任意に変更することができる。
【０１５６】
また、上述した第１〜第６の実施形態では、配線膜の平面形状が略円形とされているが、これは導電性パッドのパッド本体の平面形状に整合させただけであり、配線膜の平面形状とは異なる形状としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１５７】
【図１】（ａ）は本発明の第１実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の概略構成を示す拡大平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の形成方法を示すもので、（ａ）はその拡大平面図、（ｂ）は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の形成方法を示す図２と同様の図で、図２の続きである。
【図４】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の形成方法を示す図２と同様の図で、図３の続きである。
【図５】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の形成方法を示す図２と同様の図で、図４の続きである。
【図６】（ａ）は本発明の第２実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の概略構成を示す拡大平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図７】（ａ）は本発明の第３実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の概略構成を示す拡大平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の形成方法を示すもので、（ａ）はその拡大平面図、（ｂ）は図７のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の形成方法を示す図８と同様の図で、図８の続きである。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の形成方法を示す図８と同様の図で、図９の続きである。
【図１１】本発明の第１〜第３実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部で使用される配線膜の詳細構成の一例を示す拡大断面図である。
【図１２】本発明に係る半導体装置の外部回路接続部の使用態様の一例を示す拡大断面図である。
【図１３】本発明に係る半導体装置の外部回路接続部の使用態様の他の例を示す断面図である。
【図１４】（ａ）は本発明の第４実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の概略構成を示す拡大平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図１５】（ａ）は本発明の第４実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の全体構成を示す拡大平面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図１６】本発明の第４実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の他の使用態様を示す概略斜視図である。
【図１７】本発明の第５実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図１８】（ａ）は本発明の第６実施形態に係る半導体装置の外部回路接続部の概略構成を示す拡大平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図１９】本発明の半導体装置の外部回路接続部の導電性パッドの貫通部の変形例を示す概略断面図である。
【図２０】従来の半導体装置の外部回路接続部の一例を示す要部概略断面図である。
【図２１】従来の半導体装置の外部回路接続部の他の例を示す要部概略断面図である。
【符号の説明】
【０１５８】
１０、１０Ａ  ソルダーレジスト膜
１１、１１Ｃ  中央部
１２、１２Ａ、１２Ｃ  第１環状部
１２Ｂ  第１略環状部
１３、１３Ａ、１３Ｃ  第２環状部
１３Ｂ  第２略環状部
１４Ａ、１４Ｃ  第１環状透孔
１４Ｂ  略円形透孔
１５Ａ、１５Ｃ  第２環状透孔
１５Ｂ  第２略環状透孔
２０、２０Ｂ  配線膜
２０Ｂ１  信号・電源用配線部
２０Ｂ２  接地用配線部
３０  導電性パッド
３０ａ  貫通部
３０ｂ  パッド本体
３０Ａ  導電性パッド
３０Ａａ  貫通部
３０Ａｂ  パッド本体
３０Ｂ  導電性パッド
３０Ｂ１  信号・電源用パッド部
３０Ｂ１ａ  貫通部
３０Ｂ１ｂ  信号電源用パッド部本体
３０Ｂ２  接地用パッド部
３０Ｂ２ａ  貫通部
３０Ｂ２ｂ  接地用パッド部本体
３０Ｂ３  ギャップ
３０Ｂ４  引出線
３０Ｂ５  引出線
３０Ｃ  導電性パッド
３０Ｃａ  貫通部
３０Ｃｂ  パッド本体
３３  ハンダボール
３５  補強樹脂
４０、４０Ａ  メタルマスク
４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０Ａｂ、４０Ａｃ  開口部
４０ｄ、４０Ａｄ  遮断部
４０ｅ、４０Ａｅ  連結部
４１  スクリーン
４２  スキージ
４３  ソルダーレジスト
４４、４４Ａ  メタルマスク
４４ａ、４４Ａａ  開口部
４４ｂ、４４Ａｂ  遮断部
４５  スクリーン
４６  スキージ
４７  ハンダペースト
５１  絶縁膜
５２  下地金属膜
５３  メッキ金属膜
６０  外部回路
６１  ＰＷＢ
６２  信号線・電源線用外部回路
６２ａ  ランド
６３  接地線用外部回路
６３ａ  ランド
７１  信号・電源用導電性パッド
７２  接地用導電性パッド
１００  固体撮像装置
１１０  固体撮像素子
１１１  シリコン基板
１１１ａ  シリコン基板の透孔
１１２  層間絶縁膜
１１２ａ  層間絶縁膜の透孔
１１３  導電性プラグ
１１４  導電性プラグ
１１５  表面電極
１１６ａ、１１６ｂ  絶縁膜
１２２  マイクロレンズ
１２２Ａ  マイクロレンズ・アレイ
１２３  受光領域
１２４  マイクロフィルタ
１２５  撮像面
１５０  ＳＯＧ材料膜
ＰＸ  画素
【図１】
2008091632.tif 000003
【図２】
2008091632.tif 000004
【図３】
2008091632.tif 000005
【図４】
2008091632.tif 000006
【図５】
2008091632.tif 000007
【図６】
2008091632.tif 000008
【図７】
2008091632.tif 000009
【図８】
2008091632.tif 000010
【図９】
2008091632.tif 000011
【図１０】
2008091632.tif 000012
【図１１】
2008091632.tif 000013
【図１２】
2008091632.tif 000014
【図１３】
2008091632.tif 000015
【図１４】
2008091632.tif 000016
【図１５】
2008091632.tif 000017
【図１６】
2008091632.tif 000018
【図１７】
2008091632.tif 000019
【図１８】
2008091632.tif 000020
【図１９】
2008091632.tif 000021
【図２０】
2008091632.tif 000022
【図２１】
2008091632.tif 000023