(57)【要約】【課題】基板へのドライフィルムレジストを貼り付けする際において、基板とドライフィルムレジストとの間に気泡が混入することを可及的に防止し、気泡が混入した際には速やかに気泡を解消することが可能なドライフィルムレジスト貼付装置を提供する。【解決手段】ケース１０と、ケース１０内のガスをパージするパージ手段と、ケース１０内にドライフィルムレジスト５０を供給するドライフィルムレジスト供給手段７０と、ケース１０内に設けられ、基板４０を載置するステージ３０と、基板４０上に供給されたドライフィルムレジスト５０を加熱・押圧するローラ２０と、を有し、ステージ３０またはローラ２０が、ドライフィルムレジスト５０の供給方向と同方向の直線上で移動可能であることを特徴とするドライフィルムレジスト貼付装置である。【選択図】図６
2008288255.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンが形成された基板にドライフィルムレジストを貼り付けるドライフィルムレジスト貼付装置であって、
ケースと、
該ケース内のガスをパージするパージ手段と、
前記ケース内にドライフィルムレジストを供給するドライフィルムレジスト供給手段と、
前記ケース内に設けられ、基板を載置するステージと、前記基板上に供給されたドライフィルムレジストを加熱および押圧するローラと、を有し、
前記ステージまたは前記ローラが、前記ドライフィルムレジストの供給方向と同方向の直線上で移動可能であることを特徴とするドライフィルムレジスト貼付装置。
【請求項２】
配線パターンが形成された基板にドライフィルムレジストを貼り付けるドライフィルムレジスト貼付装置であって、
内部空間を外気と遮断可能に形成されたケースと、
該ケース内のガスをパージするためのパージ手段と、
前記ケース内のガスをパージした後の前記ケース内を真空引きするバキューム手段と、
前記ケース内に設けられ、基板を載置すると共に加熱するステージと、ドライフィルムレジストを保持し、前記ステージに対して接離動可能に設けられたホルダと、を有することを特徴とするドライフィルムレジスト貼付装置。
【請求項３】
前記パージ手段から供給されるガスには、前記ドライフィルムレジストに対する透過性が空気よりも高いガスが用いられていることを特徴とする請求項１または２記載のドライフィルムレジスト貼付装置。
【請求項４】
前記基板と前記ドライフィルムレジストの貼り付け部分に、前記ドライフィルムレジストに対する透過性が空気より高いガスを吹き付けるガス供給手段をさらに有していることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載のドライフィルムレジスト貼付装置。
【請求項５】
前記パージ手段と、前記ガス供給手段からそれぞれ供給されるガスは、少なくとも前記ガス供給手段から供給されるガスが不活性ガスであることを特徴とする請求項４記載のドライフィルムレジスト貼付装置。
【請求項６】
前記ガス供給手段から供給されるガスは、前記ローラの表面温度以上の温度に加熱されていることを特徴とする請求項４または５記載のドライフィルムレジスト貼付装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板等の製造に用いられるドライフィルムレジスト貼付装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板にフィルム状感光性樹脂であるドライフィルムレジストを貼り付けする際には、ローラを用いて、ドライフィルムレジストを基板に押し付けながら貼り付けるローラ法と、真空チャンバー内で基板にドライフィルムレジストを重ね合わせることによりドライフィルムレジストを基板に貼り付けする真空ラミネート法がある。
【非特許文献１】株式会社イプロス、”ラミネーター”、［online］、［平成１９年５月１０日検索］、インターネット＜URL：http://www.ipros.jp/ranking/kw/ad6d61ba8760e91e41ab102bee70c54a/＞
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ローラ法においては、ローラをドライフィルムレジストへ押圧する力を強くすることの他、ドライフィルムレジストの粘着性を高めるためにドライフィルムレジストの加熱温度を高くすることにより、基板とドライフィルムレジストの密着性の向上を図っている。
しかしながら、ドライフィルムレジストへのローラの押圧力を強めすぎてしまうと、基板が割れてしまうなどの破損が生じるといった課題や、基板にドライフィルムレジストを貼り付けした際にドライフィルムレジストの表面を被覆するベースフィルムが損傷したり剥離してしまうといった課題がある。
また、ドライフィルムレジストの加熱温度を高くすると、ドライフィルムレジストの感光性が劣化してしまうため、高精細な配線パターンを形成することができなくなってしまうといった課題がある。
【０００４】
一方、真空ラミネート法においては、ドライフィルムレジストは負圧により吸着された状態で基板に載置することにより貼着され、基板に積極的に押圧する方式ではないため、基板表面の凹凸に対するドライフィルムレジストの追従性が悪く、基板とドライフィルムレジストの間に気泡が混入してしまうといった課題がある。ドライフィルムレジストを基板に貼り付けた後、大気中に放置することにより気泡が解消することもあるが、必ずしもすべての気泡が解消されるわけではない。
基板とドライフィルムレジストの間の微小な気泡の残留に気がつかないまま露光現像を行い、基板に配線パターンを形成すると、配線パターンが短絡するといった問題が生じる。したがって、気泡をなくすためにドライフィルムレジストを貼り付けた基板を、大気中で十分な時間放置して気泡を解消するという操作を行っているが、このために生産効率が悪くなってしまうといった課題もある。
【０００５】
そこで本願発明は、基板へのドライフィルムレジストを貼り付けする際において、基板とドライフィルムレジストとの間に気泡が混入することを可及的に防止すると共に、基板とドライフィルムレジストとの間に気泡が生じてしまった際にも、容易に気泡を解消させることが可能な基板へのドライフィルムレジスト貼付装置の提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、配線パターンが形成された基板にドライフィルムレジストを貼り付けるドライフィルムレジスト貼付装置であって、ケースと、該ケース内のガスをパージするパージ手段と、前記ケース内にドライフィルムレジストを供給するドライフィルムレジスト供給手段と、前記ケース内に設けられ、基板を載置するステージと、前記基板上に供給されたドライフィルムレジストを加熱および押圧するローラと、を有し、前記ステージまたは前記ローラが、前記ドライフィルムレジストの供給方向と同方向の直線上で移動可能であることを特徴とするドライフィルムレジスト貼付装置である。これにより、必要以上に強い押圧力でドライフィルムレジストを基板に押圧する必要がなくなり、ドライフィルムレジストの破損を防ぐことができる。また、ドライフィルム貼り付け後の基板の放置時間を短縮することができる。
【０００７】
また、他の発明は、配線パターンが形成された基板にドライフィルムレジストを貼り付けるドライフィルムレジスト貼付装置であって、内部空間を外気と遮断可能に形成されたケースと、該ケース内のガスをパージするためのパージ手段と、前記ケース内のガスをパージした後の前記ケース内を真空引きするバキューム手段と、前記ケース内に設けられ、基板を載置すると共に加熱するステージと、ドライフィルムレジストを保持し、前記ステージに対して接離動可能に設けられたホルダと、を有することを特徴とするドライフィルムレジスト貼付装置である。これにより、ドライフィルム貼り付け後の基板の放置時間を短縮することができる。
【０００８】
また、前記パージ手段から供給されるガスには、前記ドライフィルムレジストに対する透過性が空気よりも高いガスが用いられていることを特徴とする。これにより、万が一基板とドライフィルムレジストとの間に気泡が混入してしまった場合であっても、気泡内のガスが迅速にドライフィルムレジストを透過し、大気中に放出されることになる。これにより短時間で気泡が解消し、生産効率が向上する。
【０００９】
また、前記基板と前記ドライフィルムレジストの貼り付け部分に、前記ドライフィルムレジストに対する透過性が空気より高いガスを吹き付けるガス供給手段をさらに有していることを特徴とする。これにより、基板とドライフィルムレジストとの間に気泡が混入してしまった場合であっても、気泡内のガスが迅速にドライフィルムレジストを透過し、大気中にガスが放出されることになるため、短時間で気泡が解消し、生産効率が向上する。
【００１０】
また、前記パージ手段と、前記ガス供給手段からそれぞれ供給されるガスは、少なくとも前記ガス供給手段から供給されるガスが不活性ガスであることを特徴とする。これにより、気泡内のガスが基板を劣化させることがないため好都合である。
【００１１】
また、前記ガス供給手段から供給されるガスは、前記ローラの表面温度以上の温度に加熱されていることを特徴とする。これにより、ガス供給手段から供給されたガスにより基板が冷却されてしまうことがないため、ドライフィルムレジストの接着力を良好に維持した状態で基板に貼り付けることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明にかかるドライフィルムレジストの貼付装置によれば、ドライフィルムレジストを基板に貼り付ける際に、ドライフィルムレジストを傷めることなく、気泡の混入を可及的に防止することができる。これにより、高精細な配線パターンであっても正確に現像することができるため、配線基板の製造における歩留りを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明にかかるドライフィルムレジスト貼付装置について、図面に基づいて説明する。
【００１４】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態におけるドライフィルムレジスト貼付装置の概略構成を示す説明図である。
本実施形態におけるドライフィルムレジスト貼付装置１００は、所定のガスによりパージされたケース１０の内部空間において、ローラ２０を用いてステージ３０に載置した基板４０に、ドライフィルムレジスト５０の透過率が大気よりも高いガスをガス供給手段６０により吹き付けながらドライフィルムレジスト５０を基板４０の配線パターン形成面に押し付けることにより貼り付けるものである。
【００１５】
本実施形態においては、あらかじめケース１０内に含まれているガスをパージするために用いるパージ用ガスと、ローラ２０がドライフィルムレジスト５０を押圧する部分に供給されるガスとして、ドライフィルムレジスト５０の透過率が大気よりも高いガスが用いられる。このようなガスとしてはヘリウムが好適に用いられる。ヘリウムは原子量が小さく分子が小さいため、ドライフィルムレジスト５０の透過率は大気よりも高く、他のガスに比べて比較的安価に入手できると共に安全性に優れているためである。
【００１６】
ケース１０はローラ２０とステージ３０および基板４０を囲むことができる寸法に形成されていれば良い。コンパクトなケース１０に形成することで、パージ用ガスの注入量を削減することができ、低コストでの運転が可能である。また、ケース１０には、パージ用ガスを注入するためのパージ用ガス注入口１２と、パージ用ガスをケース１０内に注入することによりケース１０内の既存のガスをケース１０の外部に排出する排気口１４が設けられている。パージ用ガス注入口１２は、図示しないパージ用ガス供給タンクに接続されている。本実施形態においてはドライフィルムレジスト５０がケース１０に出入りするためにケース１０の側壁に形成された開口部を排気口１４として利用している。また、ローラ駆動部（例えば、ＸＹＺ方向に移動可能なローラ２０の回転軸のシャフト）が往復動可能に形成された長孔部分１６には、ケース１０の内部に充填されたパージ用ガスが無駄に流出しないように、ゴムシャッターなどのガス漏洩防止手段１６Ａが配設されていると好都合である。
【００１７】
ローラ２０は、ステージ３０上に載置された基板４０の上面に供給されたドライフィルムレジスト５０を基板４０に貼り付ける際に、ドライフィルムレジスト５０の上側からドライフィルムレジスト５０と基板４０を押圧するものである。ローラ２０は、図示しないローラ駆動部により、ドライフィルムレジスト５０が供給される方向と同一直線上を往復移動可能に設けられている。ローラ２０の内部には図示しないヒータが配設されている。ローラ２０のヒータはドライフィルムレジスト５０を加熱し、ドライフィルムレジスト５０の接着力を最大限にする温度となるように設定されている。
【００１８】
ステージ３０は、基板４０を位置決めした状態で載置するためのものであり、ケース１０内の底部に基板４０を支持する上面を水平として配設されている。ステージ３０には負圧吸着装置などに代表される基板保持手段が配設されて、位置決めされた状態で基板４０を固定保持する。また、ステージ３０の内部には図示しないヒータが配設され、保持している基板４０を加熱し、ドライフィルムレジスト５０の接着力を最大限にする温度となるようにヒータの温度が設定されている。
【００１９】
基板４０の上にドライフィルムレジスト５０を供給するドライフィルムレジスト供給手段７０は、ケース１０の外側に配設されている。本実施形態においては、ドライフィルムレジスト５０をロール状に格納した送り出しローラ７２と巻き取りローラ７４とガイドローラ７６とを有している。ガイドローラ７６は、送り出しローラ７２から送り出されたドライフィルムレジスト５０が基板４０の上面に対して平行状態にするためのものである。ドライフィルムレジスト５０の接着面を保護する接着面保護テープＴは保護テープ回収ローラ７８に巻きつけることにより回収される。
【００２０】
ドライフィルムレジスト供給手段７０は、ドライフィルムレジスト５０にテンションをかけた状態でケース１０の内部に供給している。ドライフィルムレジスト５０へのテンションの付与は、図示しない制御手段により送り出しローラ７２と巻き取りローラ７４のローラ回転を各々制御することで実現可能である。
【００２１】
ドライフィルムレジスト５０は、ローラ２０によってドライフィルムレジスト５０を基板４０の端縁部に押圧することにより基板４０の上面に貼り付けられる。このとき、基板４０とドライフィルムレジスト５０が接触する部分には、ガス供給手段６０によりヘリウムガスが吹き付けられる。本実施形態におけるガス供給手段６０は、内径１０ｍｍのノズルのノズル先端をローラ２０に対向させた状態で、基板４０の幅方向（ローラ２０の進行方向に対して直角の方向）にわたって１００ｍｍ間隔に配設し、毎分３リットル（各ノズルからの合計流量）のヘリウムガスを吹き付けている。ガス供給手段６０から吹きつけられるガスは、基板４０およびドライフィルムレジスト５０の加熱温度以上の温度に加熱されている。
【００２２】
ケース１０の内部は純粋なヘリウムガスによりパージされていることに加え、基板４０とドライフィルムレジスト５０の貼り付け境界部分に純粋なヘリウムガスを吹き付けているので、ゴミや埃はもちろんのこと、気泡の混入を防ぐことができる。もし、ドライフィルムレジスト５０と基板４０との間にガスが取りこまれ、基板４０とドライフィルムレジスト５０との間に気泡が生じたとしても、ドライフィルムレジスト５０が貼られた基板４０をケース１０から取り出せば、短時間で気泡内のガスが大気中に排出される。すなわち、基板４０に対してドライフィルムレジスト５０が密着した状態にすることができる。これは、気泡内に含まれているガスがドライフィルムレジスト５０に対する透過性が空気よりも高いためである。
【００２３】
ガス供給手段６０もまた、ローラ２０と同様に図示しない駆動部によりドライフィルムレジスト５０の供給方向に移動可能に設けられている。ガス供給手段６０は、ローラ２０の移動と同期していることが好ましい。すなわち、少なくとも基板４０の配線パターン形成面にドライフィルムレジスト５０を貼り付けしている際においては、ローラ２０とガス供給手段６０との離間距離は一定距離を維持している。
【００２４】
ローラ２０によりドライフィルムレジスト５０を基板４０に貼り付けた後、基板４０の外周縁からはみ出したドライフィルムレジスト５０は、ドライフィルム切り取り装置により切り取られる。ドライフィルムレジスト切り取り装置としてはレーザーカッター８０が好適に用いられる。レーザーカッター８０はケース１０の内部空間、ケース１０の外部のいずれに配設されていても良い。レーザーカッター８０は、少なくともＸ−Ｙ平面上で移動可能に設けられている。
【００２５】
ドライフィルムレジスト５０は、基板４０の最大幅寸法よりも幅広な幅寸法に形成されたものが用いられている。これにより、基板４０に貼り付けた後に、基板４０の外周縁からはみ出しているドライフィルムレジスト５０をレーザーカッター８０で切断しても、基板４０部分が抜き取られた状態になり、ドライフィルムレジスト５０は供給方向に連続させた状態にすることができる。これにより、ドライフィルムレジスト５０を切断する度に、送り出しローラと巻き取りローラ７４間にドライフィルムレジスト５０をセットする手間を省くことができるため好都合である。
【００２６】
次に、本実施形態に係るドライフィルムレジスト貼付装置１００を用いた基板４０へのドライフィルムレジスト５０の貼り付け方法について説明する。図２〜図８は本実施形態に係るドライフィルムレジスト貼付装置を用いて基板へドライフィルムレジストを貼り付けしている状態を示す説明図である。図９は、図８の基板を上方側から臨んだ説明平面図である。
【００２７】
まず、送り出しローラ７２をフリーにし、巻き取りローラ７４がドライフィルムレジスト５０を引き出し（図１）、ドライフィルムレジスト５０の先端部５０Ａを巻き取りローラ７４に接着等により係止（図２）し、送り出しローラ７２と巻き取りローラ７４を駆動することにより、ドライフィルムレジスト５０が巻き取りローラ７４に巻き取られる（図３）。図示しないドライフィルムレジストの引き出し長さ測定手段によりドライフィルムレジスト５０が所定長さ引き出されたことが確認されると、制御手段が送り出しローラ７２の回転をロックする。巻き取りローラ７４は、さらにドライフィルムレジスト５０を巻き取り、少なくともガイドローラ７６，７６間のドライフィルムレジスト５０のたるみを取り除く（図４）。このようにして、ドライフィルムレジスト５０の面を基板４０の上面と平行状態にすると共に、ドライフィルムレジスト５０にドライフィルムレジスト５０の供給方向にテンションを付与することでドライフィルムレジスト５０のしわが取り除かれるのである。
【００２８】
次に配線パターンが形成された基板４０を配線パターン面が上向きになるようにステージ３０に載置する。ステージ３０は手動または自動で、図示しない吸着手段により基板４０を位置決めして吸着保持する。次に手動または自動でパージ用ガスの供給手段がケース１０内のガスをヘリウムガスによりパージする。
ケース１０の内部ガスがヘリウムガスによりパージされた後、手動または自動により制御手段が作動し、ドライフィルムレジスト供給手段７０が送り出しローラ７２と巻き取りローラ７４に、ドライフィルムレジスト５０に対してドライフィルムレジスト５０の供給方向にテンションを付与する。
ついで、制御手段はガス供給手段６０にドライフィルムレジスト５０と基板４０の貼り付け境界部分にヘリウムガスを吹き付けさせると同時に、ローラ駆動部にローラ２０を基板４０の配線パターン形成面にドライフィルムレジスト５０を押圧させるようそれぞれ動作させる（図５）。
【００２９】
ローラ２０がドライフィルムレジスト５０を基板４０の配線パターン形成面に押圧させた後、制御手段は、ローラ駆動部にローラ２０を、ガス供給手段６０の駆動部にガス供給手段６０を、それぞれドライフィルムレジスト５０の供給方向に同じ移動速度で移動させる（図６）。ローラ２０は基板４０へのドライフィルムレジスト５０押圧状態を維持したまま移動する。ドライフィルムレジスト５０を基板４０に押圧しながら貼り付けしている間は、ドライフィルムレジスト供給手段７０の送り出しローラ７２はフリーに、巻き付けローラ７４はロック状態となり、ドライフィルムレジスト５０にテンションをかけた状態を維持する。ガイドローラ７６は、ドライフィルムレジスト５０に沿ってスライドすることによりドライフィルムレジスト５０に加わるテンションを微調整している。
【００３０】
ローラ２０が基板４０の配線パターン形成面の一端縁側から他端縁側まで移動したら（図７）、制御手段がローラ駆動部にローラ２０を元の位置に退却させる。その後、レーザーカッター８０が基板４０の外周縁形状に沿ってレーザービームを照射して、ドライフィルムレジスト５０から基板４０の形状を切り抜きする（図８，図９）。この後、図示しないマニピュレータなどにより配線パターン形成面にドライフィルムレジスト５０が貼り付けられた基板４０をステージ３０から取り外し、ケース１０の外部の図示しない収容部に収容すると共に、新しい基板４０をステージに載置する。その後、再び手動または自動により制御手段が作動し、ドライフィルムレジスト供給手段７０の送り出しローラ７２をフリーにし、巻き付けローラ７４をドライフィルムレジスト５０の巻き付け方向に駆動させて、新しいドライフィルムレジスト５０を所定の長さ供給する。
この後、パージ用ガス注入口１２から純粋なヘリウムガスが注入され、ケース１０のガスをヘリウムガスによりパージする。以降の処理は先に説明したフローを繰り返すことになる。
【００３１】
本実施形態のように、ケース１０の内部が純粋なヘリウムガスによりパージされている上に、基板４０とドライフィルムレジスト５０との貼り付けの境界部分にはガス供給手段６０により、純粋なヘリウムガスが吹き付けられているため、基板４０とドライフィルムレジスト５０との間にはゴミやほこりの混入がないことはもちろん、ガスの巻き込みも防止することができる。もしガスが巻き込まれて気泡が生じても、大気中に放置することで、ヘリウムガスがドライフィルムレジスト５０を透過し、気泡は短時間でなくなる。これは、ドライフィルムレジスト５０の透過率が大気よりもヘリウムガスの方が高いためである。
【００３２】
したがって、ローラ２０が強い押圧力でドライフィルムレジスト５０を基板４０に押し付ける必要がないため、基板４０やドライフィルムレジスト５０の損傷のおそれがなく、製品の歩留まりを大幅に向上させることが可能になる。また、ローラ２０とステージ３０のヒータを極端に高温に加熱する必要がなくなるため、ドライフィルムレジスト５０の感光度の低下を防ぐことができ、高精細な配線パターンの露光現像が可能になる。
【００３３】
（第２実施形態）
図１０は第２実施形態におけるドライフィルムレジスト貼付装置の概略構成図である。
本実施形態は、いわゆる真空ラミネート法によるドライフィルムレジスト貼付装置１００である。先の実施形態と同様の構成要素については、特に説明がない限りにおいては、先の実施形態と同じ符号を付すことにより本実施形態における詳細な説明を省略している。
【００３４】
本実施形態におけるケース１０は、図１０に示すようにパージ用ガス供給口１２と、排気口１４が設けられておりそれぞれに図示しない電磁弁が配設されていて、ケース１０の内部と外部を遮断可能にしている。また、排気口１４は図示しないバキューム装置または大気中に連通している。
ケース１０はステージ３０の下に配設される平板部１０Ａと、六面体のうちの一面を開口面に形成した本体部１０Ｂにより構成され、開口面にあらわれている本体部１０Ｂの端面には平板部１０Ａと気密にシールするためのシール部材１０Ｃが配設されている。平板部１０Ａにおいて、本実施形態においては本体部１０Ｂが当接する部分に嵌合溝１０Ｄを形成し、嵌合溝１０Ｄにシール部材１０Ｃを配設している。
【００３５】
ケース１０の外部には基板４０をストックする原基板収納トレイ４２と、ドライフィルムレジスト５０をストックするフィルム収納トレイ７９と、ドライフィルムレジスト５０が貼り付けられた基板４０を収容する基板収容トレイ４４が配設されている。
一方ケース１０の内部には、基板４０を載置するためのステージ３０と、ドライフィルムレジスト５０を保持し、ステージ３０とフィルム収納トレイ７９、原基板収容トレイ４２、基板収容トレイ４４間をそれぞれ移動可能なフィルムホルダ９０と、純粋なヘリウムガスを基板４０の上面に吹き付けするガス供給手段６０が配設されている。
【００３６】
所定の径寸法に形成された円盤状の基板４０は、基板４０の板厚方向に積層された状態で原基板収納トレイ４２に収容されている。原基板収容トレイ４２は、常に最上部に基板４０がセットされていることが好ましい。本実施形態においては、原基板収容トレイ４２の基板を収容する部分が複数設けられていて、原基板収容トレイ４２の内部で原基板を収容した部分が順送りに原基板収容トレイ４２の最上部に移動可能な構成が採用されている。
本実施形態におけるドライフィルムレジスト５０は、あらかじめ基板４０の平面形状と同一の平面形状に形成されていて、フィルム収納トレイ７９に積層させた状態でストックされている。
【００３７】
基板収容トレイ４４は、基板４０のドライフィルムレジスト５０貼り付け面が他のドライフィルムレジスト５０を貼り付けた基板４０と接触しない収容形態が採用されている。具体的な収容形態としては、平面配置であることが好ましいが、上下のドライフィルムレジスト５０を貼り付けた基板４０どうしが接触しない状態であれば、ドライフィルムレジスト５０を貼り付けた基板４０の上下方向に積層して収容する形態とすることもできる。基板収容トレイ４４は、常に最上部に基板４０を載置可能な状態になっていることが好ましい。本実施形態においては、基板収容トレイ４４には、ドライフィルムレジスト５０が貼り付けられた基板を載置する部分が複数設けられていて、基板収容トレイ４４の内部で基板を載置する部分が最上部方向に順送りに移動させることが可能な構成を有している。
【００３８】
フィルムホルダ９０は、ドライフィルムレジスト供給手段であるフィルム収納トレイ７９からドライフィルムレジスト５０を一枚ずつ取り出し、ドライフィルムレジスト５０を保持する。フィルムホルダ９０に保持されたドライフィルムレジスト５０は、オペレータまたは自動機により保護フィルムが取り除かれる。フィルムホルダ９０はドライフィルムレジスト５０の粘着面を露出した状態でケース１０内のステージ３０に載置された基板４０の配線パターン形成面に載置する。フィルムホルダ９０は、Ｘ―Ｙ−Ｚ座標においてＺ方向と他のいずれか一方または両方向を含む２方向または３方向に移動可能に設けられている。また、本実施形態におけるフィルムホルダ９０は、吸着によりドライフィルムレジスト５０を保持している。ドライフィルムレジスト５０の吸着面には天然ゴムや合成ゴム等の緩衝性の高い材料により形成された緩衝シート９２が配設されていることが好ましい。
【００３９】
次に、本実施形態に係るドライフィルムレジスト貼付装置１００の使用方法について説明する。図１１〜図１５は本実施形態に係るドライフィルムレジスト貼付装置により基板にドライフィルムレジストを貼り付けている状態を示す説明図である。
まず、原基板収納トレイ４２から片面に配線パターンが形成された基板４０を取り出し、ステージ３０に配線パターン形成面を上側にした状態で位置決めして載置する。ステージ３０に載置された基板４０はステージ３０に内蔵されているヒータにより所定温度に加熱される。ステージ３０への基板４０の載置は人によるハンドリングや、フィルムホルダ９０によるハンドリングのいずれの方法であってもよい。
【００４０】
次に、フィルムホルダ９０がフィルム収納トレイ７９からドライフィルムレジスト５０を吸着により保持し、オペレータまたは自動機により粘着面保護フィルムが取り除かれる。ドライフィルムレジスト５０は粘着面があらわになった状態で、フィルムホルダ９０によりハンドリングされる。フィルムホルダ９０が少なくとも平板部１０Ａの平面領域内に入った後、より好ましくは、基板４０の上方に位置させた後、オペレータまたは自動機により平板部１０Ａが本体部１０Ｂにセットされてケース１０が組み立てられる。
【００４１】
ケース１０が組み立てられた後、手動または自動により制御手段が起動し、パージ用ガス供給口１２からヘリウムガスをケース１０の内部空間に注入を開始して、ケース内のガスをヘリウムガスによりパージする（図１１）。パージ用ガスにヘリウムガスを用いる理由は先の実施形態と同じ理由である。排気口１４の電磁弁は排気口１４を大気中に連通させ、ケース１０内からパージされたガスをケース１０の外部に排出する。ケース１０に注入したパージ用ガスが所要量に達したら、ケース１０の内部ガスがヘリウムガスによりパージされたとして、制御手段が排気口１４およびパージ用ガス供給口１２の電磁弁を、排気口１４、パージ用ガス供給口１２の順に閉じる。パージ用ガスの注入量は、パージガス供給口１２に流量計を配設しておけば測定可能である。
【００４２】
次いで、制御手段がバキューム装置を作動させると共に、排気口１４の電磁弁を切り替え、排気口１４をバキューム装置に連通させる。バキューム装置としては真空ポンプが好適に用いられる。真空ポンプによりケース１０の内部に注入されているヘリウムガスを排出し、ケース１０の内部空間を真空引きする（図１２）。
本実施形態においては８．０×１０３Ｐａまで真空引きをおこなった。通常の真空ラミネート法に比べて真空度が低いのは、ケース１０内のガスが既にヘリウムガスによりパージされているからである。このようにケース１０内を非常に高い真空度にする必要がないため、真空引きしたケース１０内であってもフィルムホルダ９０の吸着力が維持される。ドライフィルムレジストを真空引きが完了した後、制御手段が排気口１４の電磁弁を閉じて、ケース１０の内部とケース１０の外部とを遮断する。
【００４３】
次に制御手段は、ガス供給手段６０にステージ３０上の基板４０に向けて純粋なヘリウムガスを吹き付けさせ、これと同時にフィルムホルダ９０を基板４０に接近させる（図１３）。ヘリウムガスの吹き付け量は、第１実施形態において説明した供給量と同量またはそれ以下である。このように純粋なヘリウムガスを吹き付けながら、基板４０の配線パターン形成面にドライフィルムレジスト５０を貼り付けしているため、ゴミやほこりが混入しないことはもちろん、ドライフィルムレジスト５０が基板４０に接触する際に空気等の気泡を巻き込みにくくすることができる。フィルムホルダ９０の吸着面には緩衝シート９２が配設されているので、基板４０にドライフィルムレジスト５０を押圧しながら貼り付けても、基板４０を割ってしまうことがないため好都合である。
【００４４】
基板４０にドライフィルムレジスト５０が貼り付けられた後、ステージ３０は基板４０の吸引を、フィルムホルダ９０はドライフィルムレジスト５０の吸引をそれぞれ停止する。この後、オペレータまたは自動機が排気口１４の電磁弁を開き、ケース１０内部の真空を破壊する。ケース１０内部の真空が破壊された後、平板部１０Ａから本体部１０Ｂが外され、フィルムホルダ９０がドライフィルムレジスト５０を貼り付けた基板４０を吸着保持し（図１４）、基板収容トレイ４４まで運搬した後、基板のセット部に基板４０を載置する（図１５）。
この後、フィルムホルダ９０は、原基板収容トレイ４２から新しい基板４０を取り出して、ステージ３０に位置決めして載置する。以下、同様の手順を繰り返す。
【００４５】
以上に、実施形態に基づいて本願発明に係るドライフィルムレジスト貼付装置１００について詳細に説明したが、本発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲において各種の改変がなされたとしても本発明の技術的範囲に属することはいうまでもない。
【００４６】
例えば、実施形態１および２においては、基板４０へドライフィルムレジスト５０を貼り付けする際においては、一回の貼り付け作業ごとにケース１０の内部をヘリウムガスでパージまたはパージおよび真空引きする形態を例示しているが、ドライフィルムレジスト５０および／または基板４０を複数枚収容することができ、ドライフィルムレジスト５０を貼り付けた基板４０を収容することが可能なレイアウトを採用すれば、基板４０へのドライフィルムレジスト５０の貼り付け作業ごとにケース１０内のガスをヘリウムガスによりパージまたはパージおよび真空引きする必要がないため、効率的な処理が可能になる。このような構成は、特に、ケース１０の内部空間の真空引きが必要な真空ラミネート法において有効である。
【００４７】
また、本実施形態においては、ドライフィルムレジスト５０の透過率が大気よりも高いガスとして不活性ガスである純粋なヘリウムガスを採用しているが、パージ用ガスや基板４０とドライフィルムレジスト５０の貼り付け境界部分に供給されるガスは、窒素ガスや酸素ガスなどヘリウム以外のガスであっても良いのはもちろんである。要は、ドライフィルムレジスト５０の透過率が大気よりも高く、基板４０の配線パターン形成面に悪影響を及ぼさないガスであれば純粋なガス、混合ガスを問わずいかなるガスであっても良い。
【００４８】
基板４０とドライフィルムレジスト５０との貼り付け境界部分にガスを供給するガス供給手段６０であるノズルの先端部分には、ノズル先端から供給しているガスの温度を計測する温度センサが配設されていれば好適である。この構成を採用することにより、第１実施形態であれば、ローラ２０およびステージ３０のヒータ温度とノズル先端から供給しているガスの温度を、第２実施形態であれば、ステージのヒータとノズル先端から供給しているガスの温度を、それぞれそろえた状態にすることができるため、最適な温度条件化で基板４０にドライフィルムレジスト５０を貼り付けすることができるため好都合である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】第１実施形態におけるドライフィルムレジスト貼付装置の概略構成を示す説明図である。
【図２】ドライフィルムレジストの先端部を巻き取りローラに接着した状態を示す説明図である。
【図３】巻き取りローラがドライフィルムレジストを巻き取っている状態を示す説明図である。
【図４】ドライフィルムレジストにテンションをかけている状態を示す説明図である。
【図５】ローラがドライフィルムレジストを基板に押圧を開始した状態を示す説明図である。
【図６】ヘリウムガスが供給された状態においてローラがドライフィルムレジストを基板に押圧しながら貼り付けている状態を示す説明図である。
【図７】ヘリウムガスが供給された状態においてローラがドライフィルムレジストを基板に押圧しながら貼り付けている状態を示す説明図である。
【図８】レーザーカッターが基板からドライフィルムレジストを切り取っている状態を示す説明図である。
【図９】図８の基板を上方側から臨んだ説明平面図である。
【図１０】第２実施形態におけるドライフィルムレジスト貼付装置の概略構成図である。
【図１１】ケース内のガスをパージしている状態を示す説明図である。
【図１２】ケース内を真空引きしている状態を示す説明図である。
【図１３】ヘリウムガスを供給しながら基板にドライフィルムレジストを貼り付ける状態を示す説明図である。
【図１４】ケース内の真空を破壊すると共にドライフィルムレジストが貼り付けられた基板を保持している状態を示す説明図である。
【図１５】ケースをあけ、ドライフィルムレジストを貼り付けた基板を基板収容トレイに収容する状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０  ケース
１２  パージ用ガス注入口
１４  排気口
２０  ローラ
３０  ステージ
４０  基板
４２  原基板収容トレイ
４４  基板収容トレイ
５０  ドライフィルムレジスト
６０  ガス供給手段
７０  ドライフィルムレジスト供給手段
７２  送り出しローラ
７４  巻き取りローラ
７６  ガイドローラ
７８  保護テープ回収ローラ
７９  フィルム収容トレイ
８０  レーザーカッター
９０  フィルムホルダ
９２  緩衝シート
１００  ドライフィルムレジスト貼付装置
【図１】
2008288255.tif 000003
【図２】
2008288255.tif 000004
【図３】
2008288255.tif 000005
【図４】
2008288255.tif 000006
【図５】
2008288255.tif 000007
【図６】
2008288255.tif 000008
【図７】
2008288255.tif 000009
【図８】
2008288255.tif 000010
【図１０】
2008288255.tif 000011
【図１１】
2008288255.tif 000012
【図１２】
2008288255.tif 000013
【図１３】
2008288255.tif 000014
【図１４】
2008288255.tif 000015
【図１５】
2008288255.tif 000016
【図９】
2008288255.tif 000017