(57)【要約】【課題】ボンディングパッドの接着性の向上を図った発光ダイオードアレイおよびその製造方法を提供する。【解決手段】複数の発光ダイオードと、これら発光ダイオードに電気を供給するための第１の電極用及び第２の電極用のボンディングパッドとを備えた発光ダイオードアレイにおいて、前記ボンディングパッドが、下部金属層４１と、前記下部金属層４１を覆う絶縁膜に形成されたコンタクト孔４０を介して前記下部金属層４１に接触している上部金属層４２とから構成されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光ダイオードと、これら発光ダイオードに電気を供給するための第１の電極用及び第２の電極用のボンディングパッドとを備えた発光ダイオードアレイにおいて、
前記ボンディングパッドが、下部金属層と、前記下部金属層を覆う絶縁膜に形成されたコンタクト孔を介して前記下部金属層に接触している上部金属層とから構成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
【請求項２】
基板上に形成された導電層上に一列に配置された複数の発光部と、各発光部の上面の少なくとも一部に形成された第１の電極と、前記発光部に近接して前記導電層上に形成された第２の電極とを有し、
前記各第１の電極は引き出し配線によってスイッチ用共通配線と個別に接続され、前記第２の電極はブロック毎に分割された共通電極であり、
前記スイッチ用共通配線を介して前記第１の電極に接続するボンディングパッドと前記第２の電極に接続するボンディングパッドが一列に配置された発光ダイオードアレイにおいて、
前記ボンディングパッドが、下部金属層と、前記下部金属層を覆う絶縁膜に形成されたコンタクト孔を介して前記下部金属層に接触している上部金属層とから構成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
【請求項３】
前記下部金属層が、前記スイッチ用共通配線の金属層と同一の断面構造であることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオードアレイ。
【請求項４】
前記絶縁膜は、ＳＯＧ膜を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光ダイオードアレイ。
【請求項５】
半導体基板上に一列に並ぶ複数の発光部とボンディング部との間に、スイッチ用共通配線を形成する工程と、
前記ボンディング部上にボンディングパッド用の下部電極層を形成する工程と、
前記発光部、前記ボンディング部、前記下部電極層および前記スイッチ用共通配線を絶縁膜で覆う工程と、
前記下部金属層上の前記絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程と、
前記絶縁膜の上にボンディングパッド用の上部金属層を、前記コンタクト孔を介して前記下部金属層に接触させて形成する工程とを有することを特徴とする発光ダイオードアレイの製造方法。
【請求項６】
前記スイッチ用共通配線を形成する工程と、前記下部電極層を形成する工程とを同時に行うことを特徴とする請求項５に記載の発光ダイオードアレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードアレイ及び発光ダイオードアレイの製造方法に関し、特に、電子写真方式のプリンタ光源に好適な発光ダイオードアレイ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式のプリンタでは、画像信号に応じた光により感光ドラム上に静電潜像を形成し、この静電潜像に対応したトナー像を紙に転写して複写する。静電潜像を形成するための光源としては、レーザ方式と発光ダイオードアレイ方式が広く用いられている。特に発光ダイオードアレイ方式の光源は、レーザ方式のように光路長を長くとる必要がないため、小型プリンタの製造や大きなサイズの印刷に適している。
【０００３】
発光ダイオードアレイには、各発光ダイオードを個別に駆動させるＩＣを備える方式（スタティック駆動方式）と、複数個の発光ダイオード毎にブロック化し、スイッチ用のマトリクス配線を用いて時間分割駆動させ、駆動ＩＣやボンディング本数を削減する方法（ダイナミック駆動方式、またはマトリクス駆動方式と呼ばれる）が知られている。
【０００４】
図５に、従来のダイナミック駆動４分割方式の発光ダイオードアレイを示す。図５は発光ダイオードアレイのチップ幅方向の断面図である。この発光ダイオードアレイでは、基板１０上に形成された導電層１１と、この導電層１１上にチップ長手方向に一列に配置された発光部１と、各発光部１の上面に形成された第１の電極２（カソード電極）と、発光部１に近接して導電層１１上に形成された第２の電極（アノード電極）３とを有する。第１の電極２はそれぞれ引き出し配線５ｃによって４本のスイッチ用共通配線４（チップ長手方向の横配線）と個別に接続されており、また第２の電極３はブロック毎に分割された共通電極である。そして、共通配線用引き出し配線（チップ幅方向の縦配線）５ｋ、スイッチ用共通配線（横配線）４及びカソード用引き出し配線（縦配線）５ｃを介して、第１の電極２に接続されるボンディングパッド６ｃと、第２の電極３用の引き出し配線（縦配線、図示せず）を介して第２の電極３に接続されるボンディングパッド（図示せず）とが一列に設けられる。各ボンディングパッドは、第１絶縁膜１７、第２絶縁膜１８、第３絶縁膜１９、第４絶縁膜２０から成る多層絶縁膜上に形成される。ここで、第３絶縁膜１９はＳＯＧ（Spin On Glass）膜から成る。この発光ダイオードアレイでは、縦配線である第１の電極２用の引き出し配線５ｃ、５ｋ及び第２の電極３用の引き出し配線を形成する際に、同時にボンディングパッドの金属層５０の部分を形成している。
【特許文献１】特開２００５−６４１０４号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記従来の断面構造の発光ダイオードアレイでは、後工程のボンディング時に問題が生じる。ボンディングパッドの金属層５０の下地は、プラズマＳｉＯやＳｉＯ２、ＳＯＧなどの絶縁膜であるが、特にＳＯＧ膜（第３絶縁膜１９）の接着性が弱く、ワイヤボンディング時にキャピラリが当たるダメージによってＳＯＧ膜の部分からクラックが入り、引っ張るときにＡｕワイヤと一緒にボンディングパッドが剥離してしまうことがある。
【０００６】
本発明は、ボンディングパッドの接着性の向上を図った発光ダイオードアレイおよび発光ダイオードアレイの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。
本発明の第１の態様は、複数の発光ダイオードと、これら発光ダイオードに電気を供給するための第１の電極用及び第２の電極用のボンディングパッドとを備えた発光ダイオードアレイにおいて、前記ボンディングパッドが、下部金属層と、前記下部金属層を覆う絶縁膜に形成されたコンタクト孔を介して前記下部金属層に接触している上部金属層とから構成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイである。
【０００８】
第２の態様は、基板上に形成された導電層上に一列に配置された複数の発光部と、各発光部の上面の少なくとも一部に形成された第１の電極と、前記発光部に近接して前記導電層上に形成された第２の電極とを有し、前記各第１の電極は引き出し配線によってスイッチ用共通配線と個別に接続され、前記第２の電極はブロック毎に分割された共通電極であり、前記スイッチ用共通配線を介して前記第１の電極に接続するボンディングパッドと前記第２の電極に接続するボンディングパッドが一列に配置された発光ダイオードアレイにおいて、前記ボンディングパッドが、下部金属層と、前記下部金属層を覆う絶縁膜に形成されたコンタクト孔を介して前記下部金属層に接触している上部金属層とから構成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイである。
【０００９】
第３の態様は、第２の態様において、前記下部金属層が、前記スイッチ用共通配線の金属層と同一の断面構造であることを特徴とする発光ダイオードアレイである。
【００１０】
第４の態様は、第１〜第３のいずれかの態様において、前記絶縁膜は、ＳＯＧ膜を含むことを特徴とする発光ダイオードアレイである。
【００１１】
第５の態様は、半導体基板上に一列に並ぶ複数の発光部とボンディング部との間に、スイッチ用共通配線を形成する工程と、前記ボンディング部上にボンディングパッド用の下部電極層を形成する工程と、前記発光部、前記ボンディング部、前記下部電極層および前記スイッチ用共通配線を絶縁膜で覆う工程と、前記下部金属層上の前記絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程と、前記絶縁膜の上にボンディングパッド用の上部金属層を、前記コンタクト孔を介して前記下部金属層に接触させて形成する工程とを有することを特徴とする発光ダイオードアレイの製造方法である。
【００１２】
第６の態様は、第５の態様において、前記スイッチ用共通配線を形成する工程と、前記下部電極層を形成する工程とを同時に行うことを特徴とする発光ダイオードアレイの製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の発光ダイオードアレイでは、ボンディングパッドが下部金属層と上部金属層との二段構造であって、ボンディングパッドが厚くなっているため、ワイヤボンディング時のダメージ（衝撃）が緩和され、ボンディングパッドの下地の損傷を防止し、ボンディングパッドの剥離を低減できる。
また、下部金属層を覆うボンディングパッド部分の絶縁膜がコンタクト孔によって除去された構造となっているので、上記絶縁膜の接着性ないし強度が弱い場合にも、ワイヤボンディング時のボンディングパッドの剥離を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明に係る発光ダイオードアレイの実施形態を図面を用いて説明する。図１は本発明の一実施形態における１２００ｄｐｉの４分割ダイナミック駆動方式の発光ダイオードアレイの１セルを示す上面図である。また、図２は図１に示す発光ダイオードアレイの一部を拡大した上面図であり、図３は図２のＡ−Ａ'断面図である。
【００１５】
この実施形態では、図１に示すように、４ドットの発光部１を１ブロックとし、１セル内に１６ブロック、全部で６４ドットの発光部１を有する。また、カソード用ボンディングパッド６ｃの数とアノード用ボンディングパッド６ａの数との比は、１：４に設定されている。
【００１６】
本実施形態の発光ダイオードアレイは、基板１０上に形成された導電層１１上に、セル長手方向に一列に配置された複数の発光部１と、各発光部１上面の一部に形成された第１の電極（カソード電極）２と、発光部１に近接して導電層１１上に形成された第２の電極（アノード電極）３と、第１の電極２及び第２の電極３にそれぞれ接続され、セル長手方向に一列に配置されたカソード用ボンディングパッド６ｃ及びアノード用ボンディングパッド６ａとを有する。
【００１７】
発光部１と、アノード用ボンディングパッド６ａが形成されるアノード用ボンディング部８ａと、カソード用ボンディングパッド６ｃが形成されるカソード用ボンディング部８ｃとは、基板１０上に均一に形成されたエピタキシャル層をメサエッチング溝により個々独立のエピタキシャル層部に分離形成したものである。発光部１とボンディング部８ａ，８ｃとの間に形成された第１メサエッチング溝部３１には、４本のスイッチ用共通配線４が形成されている。
【００１８】
各第１の電極２は、カソード用引き出し配線５ｃによってスイッチ用共通配線４と個別に接続され、さらにスイッチ用共通配線４は共通配線用引き出し配線５ｋによりカソード用ボンディングパッド６ｃに接続されている。また、第２の電極３はブロック毎に分割された共通電極であり、各第２の電極３は、アノード用引き出し配線５ａによりアノード用ボンディングパッド６ａに接続されている。
【００１９】
また、引き出し配線５ｃ，５ａ，５ｋは、絶縁膜をエッチングすることによって設けられたカソード用コンタクト孔７ｃ，アノード用コンタクト孔７ａ，共通電極用コンタクト孔７ｋにより、それぞれ第１の電極２、第２の電極３及びスイッチ用共通配線４に接続している。
【００２０】
（ｉ）基板
基板１０は、発光部１と電気的に絶縁できる構造であって発光ダイオード用に使用し得るものであれば特に限定されない。基板１０はｎ型基板でもｐ型基板でもよく、半絶縁性ＧａＡｓ基板等の半絶縁性基板または絶縁性基板であってもよい。基板１０と導電層１１との間にアンドープＧａＡｓ層等の高抵抗層を設けて絶縁することもできる。また、導電層１１に対して逆の極性を有する半導体層を設けて絶縁することもできる。
【００２１】
（ii）発光部
基板１０の導電層１１上に積層する化合物半導体の種類や結晶層の厚さは特に限定されず、所望の発光波長、発光出力及び駆動電圧に応じて適宜選択することができる。化合物半導体としては、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ等を用いることができる。発光部１は、第１導電型のクラッド層、活性層及び第２導電型のクラッド層からなるダブルへテロ構造を有するのが好ましく、導電層１１上に形成したエピタキシャル層をメサエッチング溝により分割してなるのが好ましい。  
【００２２】
図示の実施形態では、発光ダイオードアレイの発光部１は、ｎ型ＧａＡｓ基板１０上にｐ型ＧａＡｓ導電層１１を介して順次形成されたｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストッパ層１２、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１３、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層１４、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１５及びｎ型ＧａＡｓキャップ層１６からなる。ｎ型ＧａＡｓキャップ層１６は、Ｔ字型の領域が残るようにエッチングされ、そのＴ字型のｎ型ＧａＡｓキャップ層１６上に、同形のＴ字型の第１の電極２が形成される。ｎ型ＧａＡｓキャップ層１６のエッチングされた領域（Ｔ字型以外の領域）は、発光面（光取り出し部）９となる。なお、第１の電極２の形状は、Ｔ字型に限定されず、凸型でもよい。
【００２３】
上記発光部１のうち発光に直接関与する領域は、発光波長に対応するエネルギーバンドギャップを有するｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層１４を、それよりもエネルギーバンドギャップの大きいｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１３（第１導電型のクラッド層）及びｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１５（第２導電型のクラッド層）で挟んだ、いわゆるダブルヘテロ構造を有する。
【００２４】
（iii）電極、配線及びボンディングパッド
第１の電極２及び第２の電極３は、一方がカソード電極で他方がアノード電極であればよく、例えば第１の電極２はカソード電極でもアノード電極でもよい。各電極２，３は、ボンディング特性及び下層とのオーミック接続特性が要求されるので、複数の金属層により形成されるのが好ましい。例えば、アノード電極にＡｕＺｎ／Ｎｉ／ＡｕやＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ等の積層電極を使用し、カソード電極にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ等の積層電極を使用することができる。
【００２５】
スイッチ用共通配線４及び引き出し配線５ａ、５ｃ、５ｋは、ボンディング特性及び上層・下層との密着性が良好であることが要求されるため、複数の金属層により形成されるのが好ましい。最上層・最下層には絶縁膜との接着性の良いＴｉ、Ｍｏ、ＴｉＷ等の金属層を有するのが好ましい。例えば、Ｔｉ／Ａｕ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｕ／Ｍｏ、ＴｉＷ／Ａｕ／ＴｉＷ等からなる積層構造を使用することができる。
【００２６】
カソード用ボンディングパッド６ｃ及びアノード用ボンディングパッド６ａは、下部金属層４１と上部金属層４２との二段構造となっており、ボンディング特性及び下層との密着性が良好であることが要求されるので、複数の金属層により形成されるのが好ましい。下部金属層４１はその下層の絶縁膜との接着性の良いＴｉ、Ｍｏ、ＴｉＷ等の金属層を有するのが好ましく、例えば、Ｔｉ／Ａｕ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｕ／Ｍｏ、ＴｉＷ／Ａｕ／ＴｉＷ等からなる積層構造を使用することができ、特に、ボンディングパットと絶縁膜との密着性が優れているＴｉ／Ａｕ／Ｔｉ構造が好適である。
【００２７】
電極、配線及びボンディングパッドの金属層は抵抗加熱蒸着法、電子線加熱蒸着法、スパッタ法等により形成することができ、酸化物層（絶縁膜）は公知の各種成膜方法により形成することができる。カソード及びアノード金属層には、オーミック性を付与するためさらに熱処理（合金化）を施すのが好ましい。
【００２８】
ボンディングパッド６ｃ及びボンディングパッド６ａの下部金属層４１は、第１絶縁膜１７上に形成された後、第２絶縁膜１８、ＳＯＧ膜の第３絶縁膜１９、及び第４絶縁膜２０から成る多層絶縁膜２５により覆われる。そして、この多層絶縁膜２５にエッチングによりコンタクト孔４０を形成した後、この多層絶縁膜２５上に上部金属層４２が設けられる。これにより、上部金属層４２がコンタクト孔４０を介して下部金属層４１に接触した二段構造のボンディングパッド金属層が形成される。
【００２９】
このようにボンディングパッド６ｃ、６ａの金属層を２段重ねとし厚膜化することにより、ボンディング時に第１絶縁膜１７等への衝撃が緩和される構造となる。さらに、ボンディングパッド６ｃ、６ａ下地の絶縁膜であるＳＯＧ膜（第３絶縁膜１９）をコンタクト孔４０で除去した構造としているので、ボンディングパッド６ｃ、６ａの接着性が向上する。
【００３０】
また、プロセスの簡素化のために、下部金属層４１は、スイッチ用共通配線４を形成する工程と同時に形成するのがよく、また、上部金属層４２は、引き出し配線５ｃ、５ｋ、５ａを形成する工程と同時に形成するのがよい。
【００３１】
（iv）メサエッチング溝
個々独立の発光部１及びボンディング部８（アノード用ボンディング部８ａとカソード用ボンディング部８ｃ）を形成するために、第１メサエッチング溝部３１と第２メサエッチング溝部３２からなるメサエッチング溝が設けられている。第１メサエッチング溝部３１は発光部１とボンディング部８を分離する目的でエッチングストッパ層１２まで達し、第２メサエッチング溝部３２は発光部１の各ブロックを電気的に分断する目的で導電層１１を除去している。
【００３２】
メサエッチング溝は、発光部１とともにボンディング部８をメサエッチング溝により個々独立に分割して形成するのが好ましい。個々独立のボンディング部８とすることにより、Ａｕ配線加工の際にメサエッチング溝の斜面にＡｕ配線を残してもボンディングパッド間で短絡することがない。また、ボンディング部８はメサエッチング溝の残し部分であるので、エッチング面積を増大させることがない。これによりローディング効果を避けることができ、同じくメサエッチング溝の残し部分である発光部１の寸法制御が容易となる（特開２００４−２７３７４６参照）。
【００３３】
上記実施形態では、４つの発光部１を１ブロックとし共通配線４を４本とした４×４構造であるが、２×２構造、３×３構造、８×８構造…などでも良い。また、上記実施形態では、ダイナミック駆動方式の発光ダイオードアレイについて説明したが、本発明はスタティック駆動方式の発光ダイオードアレイにも適用することができる。
【００３４】
次に、発光ダイオードアレイの製造方法の一実施形態を図４Ａ〜図４Ｆに示す工程（ａ）〜（ｇ）に従って説明する。
【００３５】
（ａ）まず、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）によりｎ型ＧａＡｓ基板１０の上面に、ｐ型ＧａＡｓ導電層１１（キャリア濃度４×１０19ｃｍ-3、厚さ１μｍ）、ｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストッパ層１２（キャリア濃度３×１０18ｃｍ-3、厚さ５０ｎｍ）、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１３（キャリア濃度３×１０18ｃｍ-3、厚さ１μｍ）、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層１４（キャリア濃度３×１０17ｃｍ-3、厚さ８００ｎｍ）、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１５（キャリア濃度２×１０18ｃｍ-3、厚さ２．５μｍ）、及びｎ型ＧａＡｓキャップ層１６（キャリア濃度３×１０18ｃｍ-3、厚さ８００ｎｍ）を順次成長させる。次いで、結晶表面の上面全体を覆うように化学気相成長法（ＣＶＤ）法によりＳｉＯ2の絶縁膜２１を５００ｎｍ成長させる。
【００３６】
（ｂ）ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから成る第１の電極（カソード電極）２を、蒸着法とリフトオフ法により形成する。形成後、熱処理を施しＧａＡｓキャップ層１６とアロイ化する。このアロイ化した部分は後の水洗処理などで侵食されてしまうため、図示のようにさらに上面全体を覆うようにＣＶＤ法により絶縁膜２２を５０ｎｍ成長させ保護膜とする。
【００３７】
（ｃ）発光部１のうち第１の電極（カソード電極）２に接触する一部分と、ボンディング部８とを残して、ｎ型ＧａＡｓキャップ層１６、絶縁膜２１，２２を除去する。
【００３８】
（ｄ）次にｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストッパ層１２が露出する深さまで第１メサエッチング溝部３１を設け、ｐ型ＧａＡｓ導電層１１上のエピタキシャル層を、複数の発光部１に分割するとともに、発光部１と個々独立したボンディング部８を形成する。
【００３９】
（ｅ）さらにアイソレーションをとる目的で、ｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストッパ層１２の一部をフッ酸水溶液で除去した後、さらにｐ型ＧａＡｓ導電層１１を硫酸系エッチング液で除去して、第２メサエッチング溝部３２を形成する。本実施形態の場合は４分割駆動のダイナミックアレイであるので、４つの発光部１を１ブロックとし、第２メサエッチング溝部３２により、電気的に分離する。
【００４０】
（ｆ）次いで、発光部１に隣接した第１メサエッチング溝部３１の、第２の電極（アノード電極）３を形成する部分のｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストッパ層１２をフッ酸水溶液で除去した後、ｐ型ＧａＡｓ導電層１１上に、ＡｕＺｎ／Ｎｉ／Ａｕから成る第２の電極（アノード電極）３を、蒸着法とリフトオフ法により形成する。
【００４１】
（ｇ）そして、ＣＶＤ法により、発光ダイオードアレイの上面全体を覆うようにＳｉＯ2から成る第１絶縁膜１７を成長させる。
【００４２】
（ｈ）ボンディング部８側の第１メサエッチング溝部３１に、Ｍｏ（５０ｎｍ）／Ａｕ（１μｍ）／Ｍｏ（５０ｎｍ）の金属層から成るスイッチ用共通配線（アレイ長手方向の横配線）４を、蒸着法とリフトオフ法により形成する。本実施形態では４分割駆動なので４本のスイッチ用共通配線４を形成する。このとき同時にボンディング部８上にも、スイッチ用共通配線４と同一断面構造のＭｏ（５０ｎｍ）／Ａｕ（１μｍ）／Ｍｏ（５０ｎｍ）金属層を、ボンディングパッドの下部金属層４１として残す。ここに第一の特徴があり、プロセス工程数を増加させることなく、下部金属層４１を形成できる。
【００４３】
（ｉ）そして、ＣＶＤ法により、発光ダイオードアレイの上面全体を覆うようにＳｉＯ2から成る第２絶縁膜１８を成長させる。
【００４４】
（ｊ）さらに配線の加工を可能とする目的で、発光ダイオードアレイの上面全体を覆うように、第３絶縁膜１９としてＳＯＧを平面厚で１００ｎｍから１．０μｍ厚で塗布し、第２メサエッチング溝部３２を埋め、熱処理をして有機物を蒸発させてＳＯＧ膜を形成した後、その上にＣＶＤ法によりＳｉＯ2から成る第４絶縁膜２０を成長させる。通常、段差が３μｍ以下の場合ＳＯＧを塗布した後、エッチバックを行うのが平坦化の公知技術であるが、本実施形態のように段差が約５μｍと大きい場合、エッチバックを行わない。
【００４５】
（ｋ）第１の電極２、第２の電極３及び４本のスイッチ用共通配線４を覆う、第１絶縁膜１７、第２絶縁膜１８、第３絶縁膜１９及び第４絶縁膜２０から成る多層絶縁膜２５に、コンタクト孔７ｃ、７ａ、７ｋをエッチングにより設ける。ここで同時に、ボンディング部８の下部金属層４１上の多層絶縁膜２５にも、エッチングによりコンタクト孔４０を設ける。これにより、第３絶縁膜（ＳＯＧ膜）１９を含む多層絶縁膜２５がコンタクト孔４０で除去された構造となると共に、コンタクト孔４０をエッチングにより形成する工程を別途設ける必要がない。ここに第二の特徴がある。
【００４６】
（ｌ）ウェハ全面に、Ｍｏ（５０ｎｍ）／Ａｕ（５００ｎｍ）／Ｍｏ（５０ｎｍ）から成る金属層２７を、スパッタリングにより形成する。
【００４７】
（ｍ）次に、ＣＶＤ法によりＳｉＯ2から成る絶縁膜２８を成長させ、この絶縁膜２８をエッチングによって配線層の形状（引き出し配線とボンディングパッドの形状）にパターンニングし、上記工程（ｌ）で形成した金属層２７の不要部分を露出させ、次工程のイオンミリングのハードマスクとする。
【００４８】
（ｎ）イオンミリングによって、上記工程（ｍ）でパターンニングした絶縁膜２８と露出した金属層２７を無選択にエッチングし、引き出し配線５（５ｃ、５ｋ、５ａ）と、ボンディングパッド６（６ｃ、６ａ）の上部金属層４２を形成する。
【００４９】
（ｏ）ダイシングエリア２２と発光部１の発光面９（図２参照）上の多層絶縁膜２５を、ＣＨＦ3／Ｏ2などの公知の混合ガスを用いたドライエッチングにより除去する。
【００５０】
（ｐ）さらに水分等の浸入を防ぐ目的で、ファイナルパッシベーションであるＳｉＯ2から成る第５絶縁膜２６を堆積形成する。
【００５１】
（ｑ）最後に、ボンディング部８とダイシングエリア２２の、第５絶縁膜２６１を除去すると共に、ボンディング部８のＭｏ／Ａｕ／Ｍｏから成る上部金属層４２の最上層であるＭｏ層を除去してＡｕ層を露出させる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係る発光ダイオードアレイの一実施形態の１セルを示す上面図である。
【図２】図１の発光ダイオードアレイの一部を拡大した上面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ'断面図である。
【図４Ａ】発光ダイオードアレイの製造方法の一実施形態における工程（ａ）〜（ｃ）を示す図である。
【図４Ｂ】発光ダイオードアレイの製造方法の一実施形態における工程（ｄ）〜（ｆ）を示す断面図である。
【図４Ｃ】発光ダイオードアレイの製造方法の一実施形態における工程（ｇ）〜（ｉ）を示す断面図である。
【図４Ｄ】発光ダイオードアレイの製造方法の一実施形態における工程（ｊ）〜（ｌ）を示す断面図である。
【図４Ｅ】発光ダイオードアレイの製造方法の一実施形態における工程（ｍ）〜（o）を示す断面図である。
【図４Ｆ】発光ダイオードアレイの製造方法の一実施形態における工程（ｐ）、（ｑ）を示す断面図である。
【図５】従来の発光ダイオードアレイを示す断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１    発光部
２    第１の電極（カソード電極）
３    第２の電極（アノード電極）
４    スイッチ用共通配線
５、５ａ、５ｃ、５ｋ    引き出し配線
６、６ａ、６ｃ    ボンディングパッド
７、７ａ、７ｃ、７ｋ    コンタクト孔
８、８ａ、８ｃ  ボンディング部
９    発光面（光取り出し部）
１０    ｎ型ＧａＡｓ基板
１１    ｐ型ＧａＡｓ導電層
１７〜２０、２５、２６    絶縁膜
３１    第１メサエッチング溝部
３２    第２メサエッチング溝部
４０    コンタクト孔
４１    下部金属層
４２    上部金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図５】
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