(57)【要約】【課題】転写元となる第１基体および転写先となる第２基体の選択の自由度が大きくかつ転写時に各部材に加わるダメージが小さい、電子部品の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明にかかる電子部品の製造方法は、被転写体１３０を有する第１基体１００を形成する工程と、第２基体２００を形成する工程と、被転写体１３０を第１基体１００から第２基体２００に転写する転写工程と、を有し、第１基体１００を形成する工程は、基板１１０の上方に犠牲層１２０を形成する工程と、犠牲層１２０の上方に被転写体１３０を形成する工程と、を含み、転写工程は、第２基体２００と被転写体１３０とを接合する接合工程と、犠牲層１２０を等方性ドライエッチングにより除去し、基板１１０を剥離する剥離工程と、を含む。【選択図】図９
2008288374.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被転写体を有する第１基体を形成する工程と、
第２基体を形成する工程と、
前記被転写体を前記第１基体から前記第２基体に転写する転写工程と、
を有し、
前記第１基体を形成する工程は、
基板の上方に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上方に前記被転写体を形成する工程と、
を含み、
前記転写工程は、
前記第２基体と前記被転写体とを接合する接合工程と、
前記犠牲層を等方性ドライエッチングにより除去し、前記基板を剥離する剥離工程と、
を含む、電子部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記接合工程は、導電性接着剤を用いて行われる、電子部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１基体を形成する工程は、さらに前記犠牲層をパターニングする工程を含む、電子部品の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかにおいて、
前記第１基体を形成する工程は、さらに前記基板をエッチングする工程を含む、電子部品の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかにおいて、
前記第２基体を形成する工程は、前記第２基体を貫通する貫通孔を形成する工程を含む、電子部品の製造方法。
【請求項６】
基板の上方に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上方に被転写体を形成する工程と、
前記犠牲層を等方性ドライエッチングにより除去し、前記基板を剥離する剥離工程と、
を有する、電子部品の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかにおいて、
前記犠牲層は、シリコンの同素体からなる、電子部品の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかにおいて、
前記等方性ドライエッチングは、エッチングガスとして、ＸｅＦ２、ＣｌＦ３、ＢｒＦ３、ＩＦ３、およびＩＦ５の少なくとも１種を用いる、電子部品の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかにおいて、
前記電子部品は、圧電振動子であって、
前記被転写体を形成する工程は、
前記犠牲層の上方に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上方に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の上方に第２電極を形成する工程と、
少なくとも前記第２電極、前記誘電体層、および前記第１電極をパターニングする工程と、
前記誘電体層を結晶化させる結晶化工程と、
を有する、電子部品の製造方法。
【請求項１０】
基体と、
前記基体の上方に形成された導電層と、
前記導電層の上方に形成された被転写体と、
を有し、
前記被転写体の下面の面積は、前記被転写体の上面の面積よりも小さい、電子部品。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記導電層の上面の面積は、前記被転写体の下面の面積より大きい、電子部品。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１において、
さらに、前記導電層と前記被転写体の間に形成された導電性接着剤層を有する、電子部品。
【請求項１３】
請求項１０ないし請求項１２のいずれかにおいて、
前記電子部品は、圧電振動子であり、
前記被転写体は、
第１電極と、
前記第１電極の下方に形成された誘電体層と、
前記誘電体層の下方であって、前記導電層の上方に形成された第２電極と、
を有する、電子部品。
【請求項１４】
請求項１０ないし請求項１３のいずれかに記載の電子部品を有する、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品とその製造方法および当該電子部品を有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品のうち、製造工程において高温に加熱する必要のある部材を有するものがある。このような電子部品としては、例えば、セラミック系誘電体を有する圧電アクチュエータ素子、強誘電体メモリ素子および焦電センサ素子などが該当する。
【０００３】
このような電子部品の製造においては、高温に加熱する際に、加熱が必要な部材以外の部材への熱の影響を抑える工夫が行われることがある。例えば特開平１０−１２５９２９号公報には、あらかじめ耐熱性に優れた基板上に分離層を介して被剥離物を形成し、被剥離物に対して加熱処理を行った後に分離層に光を照射して基板から被剥離物を離脱させて、被剥離物を耐熱性に劣る別の基板に転写する方法が提案されている。
【０００４】
上記文献には、耐熱性に優れた基板を介して分離層に光を照射して、該基板から被剥離物を離脱させる方法が記載されている。従って、この方法では透光性の高い基板を用いなくてはならない場合があり、基板の材質が限られることがあった。また、分離層以外の部材に照射光によるダメージなどが及ばないように、反射層や遮光層をさらに設けなくてはならない場合もあった。
【特許文献１】特開平１０−１２５９２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、転写元となる第１基体、および転写先となる第２基体の選択の自由度が大きく、かつ転写時に各部材に加わるダメージが小さい電子部品の製造方法、および当該製造方法によって製造される電子部品、並びに当該電子部品を有する電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる電子部品の製造方法は、
被転写体を有する第１基体を形成する工程と、
第２基体を形成する工程と、
前記被転写体を前記第１基体から前記第２基体に転写する転写工程と、
を有し、
前記第１基体を形成する工程は、
基板の上方に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上方に前記被転写体を形成する工程と、
を含み、
前記転写工程は、
前記第２基体と前記被転写体とを接合する接合工程と、
前記犠牲層を等方性ドライエッチングにより除去し、前記基板を剥離する剥離工程と、
を含む。
【０００７】
このようにすれば、転写元となる第１基体、および転写先となる第２基体の選択の自由度が大きく、かつ転写時に各部材に加わるダメージを小さくすることができる。
【０００８】
本発明において、特定のＡ部材（以下、「Ａ部材」という。）の上方に設けられた特定のＢ部材（以下、「Ｂ部材」という。）というとき、Ａ部材の上に直接Ｂ部材が設けられた場合と、Ａ部材の上に他の部材を介してＢ部材が設けられた場合とを含む意味である。
【０００９】
本発明にかかる電子部品の製造方法において、
前記接合工程は、導電性接着剤を用いて行われることができる。
【００１０】
本発明にかかる電子部品の製造方法において、
前記第１基体を形成する工程は、さらに前記犠牲層をパターニングする工程を含むことができる。
【００１１】
本発明にかかる電子部品の製造方法において、
前記第１基体を形成する工程は、さらに前記基板をエッチングする工程を含むことができる。
【００１２】
本発明にかかる電子部品の製造方法において、
前記第２基体を形成する工程は、前記第２基体を貫通する貫通孔を形成する工程を含むことができる。
【００１３】
本発明にかかる電子部品の製造方法は、
基板の上方に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上方に被転写体を形成する工程と、
前記犠牲層を等方性ドライエッチングにより除去し、前記基板を剥離する剥離工程と、
を有する。
【００１４】
このようにすれば、基板の選択の自由度が大きく、かつ転写時に各部材に加わるダメージを小さくすることができる。
【００１５】
本発明にかかる電子部品の製造方法において、
前記犠牲層は、シリコンの同素体からなることができる。
【００１６】
本発明にかかる電子部品の製造方法において、
前記等方性ドライエッチングは、エッチングガスとして、ＸｅＦ２、ＣｌＦ３、ＢｒＦ３、ＩＦ３、およびＩＦ５の少なくとも１種を用いることができる。
【００１７】
本発明にかかる電子部品の製造方法において、
前記電子部品は、圧電振動子であって、
前記被転写体を形成する工程は、
前記犠牲層の上方に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上方に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の上方に第２電極を形成する工程と、
少なくとも前記第２電極、前記誘電体層、および前記第１電極をパターニングする工程と、
前記誘電体層を結晶化させる結晶化工程と、
を有することができる。
【００１８】
本発明にかかる電子部品は、
基体と、
前記基体の上方に形成された導電層と、
前記導電層の上方に形成された被転写体と、
を有し、
前記被転写体の下面の面積は、前記被転写体の上面の面積よりも小さい。
【００１９】
このような電子部品は、基体の選択の自由度が大きく、かつ製造時に被転写体に加わるダメージが小さいものである。
【００２０】
本発明にかかる電子部品において、
前記導電層の上面の面積は、前記被転写体の下面の面積より大きくすることができる。
【００２１】
本発明にかかる電子部品において、
さらに、前記導電層と前記被転写体の間に形成された導電性接着剤層を有することができる。
【００２２】
本発明にかかる電子部品において、
前記電子部品は、圧電振動子であり、
前記被転写体は、
第１電極と、
前記第１電極の下方に形成された誘電体層と、
前記誘電体層の下方であって、前記導電層の上方に形成された第２電極と、
を有することができる。
【００２３】
本発明にかかる電子機器は、上述の電子部品を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本発明の一例として説明するものである。
【００２５】
１．電子部品およびその製造方法
以下に、本実施形態にかかる電子部品およびその製造方法の一例について図面を参照しながら説明する。以下には、電子部品が圧電振動子３００である場合の例を説明するが、本実施形態にかかる電子部品は、圧電振動子３００に限定されない。本実施形態にかかる電子部品としては、圧電振動子３００の他に、例えば、アクチュエータ素子、強誘電体メモリ素子、焦電センサ素子、およびその他の半導体素子などを挙げることができる。
【００２６】
２．１．圧電振動子３００
図１は、本実施形態にかかる圧電振動子３００を模式的に示す平面図である。図２は、本実施形態にかかる圧電振動子３００を模式的に示す断面図である。図１のＡ−Ａ線に沿った断面が図２に相当する。
【００２７】
圧電振動子３００は、基体２１０と、導電層２２０と、被転写体１３０と、を有する。
【００２８】
基体２１０は、単層構造体であっても多層構造体であってもよい。単層構造体である場合には、基体２１０の材質としては、酸化物、窒化物、酸化窒化物、金属、半導体などが選択される。多層構造体である場合には、基体２１０は、酸化物、窒化物および酸化窒化物の少なくとも１種からなる層を有する。具体的には、基体２１０は、酸化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなどの層を有することができる。また、基体２１０の下には、さらにシリコン基板や石英基板などが設けられていても良い。基体２１０の厚みは、１μｍないし２０μｍとすることができる。
【００２９】
基体２１０には、振動部２１４と開口部２１２とが形成される（図１参照）。開口部２１２は、基体２１０を貫通している。開口部２１２の形状は、振動部２１４の形状と相補的である。すなわち、開口部２１２および振動部２１４は、図１に示すように、振動部２１４の形状が開口部２１２の形状によって決定される関係にある。図１に示した例では、振動部２１４は、略Ｃ字型の開口部２１２に囲まれており、基体２１０側から開口部２１２側へ半島状に突き出している。
【００３０】
振動部２１４は、基体２１０の一部からなる。振動部２１４は、片持ち梁状の形状を有する。振動部２１４は、少なくとも一部が機械的に振動する。片持ち梁の先端側は、自由に運動できる。振動部２１４の片持ち梁は、１本でも複数本でもよく、梁の途中で分岐した形状に形成されてもよい。振動部２１４は、例えば図示の例のように１本の梁状であってもよいし、音叉型や、Ｈ型となるように形成されてもよい。振動部２１４は、圧電振動子３００の動作部分であり、目的に応じて種々の方向に振動することができる。例えば、振動部２１４は、基体２１０の面内すなわち横方向の振動をすることも、基体２１０の面外すなわち縦方向に振動することもできる。振動部２１４の本数、振動方向および形状は、適宜設定されることができる。
【００３１】
導電層２２０は、基体２１０の上に形成される。導電層２２０の上には、被転写体１３０が形成される。導電層２２０は、少なくとも一部が振動部２１４の上に形成される。導電層２２０は、被転写体１３０に電気的に接続する配線としての機能を有する。導電層２２０は、金属、導電性酸化物等の材料で形成される。導電層２２０は、単層構造であっても多層構造であっても良い。基体２１０が導電性の場合、導電層２２０の下には、例えば、基体２１０との間に絶縁性の接着層などを設けることもできる。導電層２２０の上面の材質は、上方の被転写体１３０の下面との接合の形態によって選択されることがある。例えば、金属の熱融着によって両者が接合される場合は金などが好ましく、表面活性化接合によって接合される場合は白金なども選択できる。導電層２２０としては、例えば、クロム（Ｃｒ）層（５０ｎｍ）の上に金（Ａｕ）層（１００ｎｍ）を設けたものを用いることができる。
【００３２】
被転写体１３０は、第２電極１３６と誘電体層１３４と第１電極１３２との積層構造を有する。被転写体１３０は、キャパシタ構造を有する圧電素子である。被転写体１３０は、図１および図２に示すように、下面の面積が上面の面積よりも小さい。例えば、被転写体１３０の断面形状は、上底が下底よりも長い台形形状（逆台形形状）である。例えば、第２電極１３６の下面の面積は、第１電極１３２の上面の面積よりも小さい。
【００３３】
第２電極１３６は、導電層２２０の上であって、誘電体層１３４の下に形成される。第２電極１３６は、例えば、白金などの金属材料やランタンとニッケルの複合酸化物（ＬａＮｉＯ３）などの導電性酸化物からなることができ、単層でも多層でもよい。第２電極１３６の厚さは、例えば１０ｎｍないし５μｍとすることができる。第２電極１３６の下面の材質は、下方の導電層２２０の上面との接合の形態によって選択されることがある。例えば、金属の熱融着によって接合される場合には金などが好ましく、表面活性化接合によって接合される場合には白金なども選択できる。第２電極１３６としては、例えば、金（Ａｕ）層（１００ｎｍ）の上にクロム（Ｃｒ）層（５０ｎｍ）を設けたものを用いることができる。
【００３４】
誘電体層１３４は、第２電極１３６の上に形成される。圧電振動子３００の誘電体層１３４は、圧電性を有する。誘電体層１３４の厚さは、例えば０．１μｍないし２０μｍとすることができる。誘電体層１３４の材質としては、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ３）、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などが挙げられる。誘電体層１３４は、第２電極１３６および第１電極１３２によって電圧が印加されるとその圧電性によって伸縮することができる。この伸縮により下方の振動部２１４を動作させることができる。また逆に誘電体層１３４は、伸縮されると第２電極１３６および第１電極１３２の間に電圧を発生することができ、この性質によって下方の振動部２１４等の動作を検知することもできる。誘電体層１３４の伸縮方向は、振動部２１４の振動方向に応じて選ぶことができる。
【００３５】
第１電極１３２は、誘電体層１３４の上に形成される。第１電極１３２は、単層でも多層でもよい。第１電極１３２の厚さは、例えば１０ｎｍないし５μｍとすることができる。第１電極１３２は、例えば、白金などの金属材料やランタンとニッケルの複合酸化物（ＬａＮｉＯ３）などの導電性酸化物からなることができる。第１電極１３２としては、例えば、白金（Ｐｔ）層（２００ｎｍ）の上にチタン（Ｔｉ）層（５０ｎｍ）を設けたものを用いることができる。
【００３６】
以上のような圧電振動子３００は、基体２１０の選択の自由度が大きく、かつ製造時に被転写体１３０に加わるダメージが小さいという特徴を有する。この理由については後述する。
【００３７】
さらに、圧電振動子３００は、第２電極１３６の下面の面積が第１電極１３２の上面の面積よりも小さいため、例えば、第２電極１３６の下面の面積が第１電極１３２の上面の面積以上である場合に比べ、被転写体１３０が導電層２２０に接する面積を小さくすることができる。そのため、圧電振動子３００を駆動したときに、例えば、誘電体層１３４のうち、各電極が対向する部分以外の部分に生じる歪みに対する機械的拘束力を減らすことができる。これにより歪みによるダメージが誘電体層１３４に生じにくいため、圧電振動子３００の信頼性を向上させることができる。
【００３８】
また、圧電振動子３００において、導電層２２０の上面の面積は、第２電極１３６の下面の面積よりも大きくすることができる。このようにすると、後述する接合工程において、位置あわせマージンを大きくとることができ、製造歩留まりが向上する。
【００３９】
２．２．圧電振動子３００の変形
上述した圧電振動子３００は、種々の変形が可能である。以下に変形例を記す。図３は、圧電振動子３００の変形例を模式的に示す断面図である。
【００４０】
圧電振動子３００は、さらに他の機能を付与する層を有してもよい。例えば、図３に示すように、第２電極１３６と、導電層２２０との間に導電性接着剤層１５０を有してもよい。これにより、上述した第２電極１３６および導電層２２０の材質によらずに両者を接合することができる。
【００４１】
３．１．圧電振動子３００の製造方法
以下に、圧電振動子３００の製造方法について図面を参照しながら説明する。図４ないし図１１は、図１および図２に示す圧電振動子３００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【００４２】
本実施形態の圧電振動子３００の製造方法は、第１基体１００を形成する工程と、第２基体２００を形成する工程と、転写工程と、を有する。
【００４３】
第１基体１００を形成する工程は、基板１１０の上に犠牲層１２０ａを形成する工程と、犠牲層１２０ａの上に被転写体１３０を形成する工程と、を含む。
【００４４】
まず、図４に示すように、基板１１０の上に犠牲層１２０ａを形成する。基板１１０としては、例えば、表面にシリコンが露出していないものを用いることができる。基板１１０の材質としては、例えば、酸化物、窒化物、酸化窒化物、金属、半導体、またはこれらの２種以上を複合したものを選択することができる。より具体的には、基板１１０としては、ガラス基板、石英基板、サファイヤ基板、ジルコニウム基板、ステンレス板、砒化ガリウム基板などとすることができる。また、例えば、基板１１０の主たる材質がシリコンであり、表面にシリコン酸化膜が設けられているものを用いることもできる。
【００４５】
犠牲層１２０ａは、基板１１０との間に他の層を介して形成されてもよい。犠牲層１２０ａの厚みは、例えば１００ｎｍないし２０μｍとすることができる。犠牲層１２０ａの材質は、後述する等方性ドライエッチングの際のエッチングレートが被転写体１３０や第２基体２００のそれより大きくなるように選ばれる。例えば、犠牲層１２０ａの材質としては、シリコンの同素体、すなわち、アモルファスシリコン、多結晶シリコンおよび単結晶シリコンの少なくとも１種から選択することができる。犠牲層１２０ａを形成する方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの方法を用いることができる。
【００４６】
次に、犠牲層１２０ａの上に被転写体１３０を形成する工程を行う。被転写体１３０は、図６に示すようなキャパシタ構造部１３０である。
【００４７】
被転写体１３０を形成する工程は、第１電極１３２ａを形成する工程と、誘電体層１３４ａを形成する工程と、第２電極１３６ａを形成する工程と、パターニングする工程と、結晶化工程と、を有する。
【００４８】
犠牲層１２０ａの上に第１電極１３２ａを形成する工程は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、メッキ法、ゾル−ゲル法などにより行われることができる。第１電極１３２ａの上に誘電体層１３４ａを形成する工程は、ゾル−ゲル法、ＭＯＤ（Ｍｅｔａｌｌｏ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタ法、レーザーアブレーション法などによって行うことができる。誘電体層１３４ａの上に第２電極１３６ａを形成する工程は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、メッキ法、ゾル−ゲル法などによって行うことができる。こうして図５に示すような積層構造が形成される。
【００４９】
続いて、少なくとも第２電極１３６ａ、誘電体層１３４ａ、および第１電極１３２ａをパターニングする工程を行う。本工程のパターニングの方法は、一般的なフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて行うことができる。このパターニングは、複数回行われてもよい。本工程のパターニングによって、第２電極１３６、誘電体層１３４、および第１電極１３２が積層した被転写体１３０が形成される。被転写体１３０の上面の位置および形状は、後述する第２基体２００の導電層２２０に接合しうるように形成される。また、本工程のパターニングにより、被転写体１３０の上面の面積は、下面の面積より小さく形成される。例えば、被転写体１３０の断面形状は、上底が下底よりも短い台形形状となって形成される。例えば、第２電極１３６の上面の面積は、第１電極１３２の下面の面積よりも小さく形成される。こうして図６に示すように犠牲層１２０ａの上に被転写体１３０が形成される。
【００５０】
この工程において、犠牲層１２０ａをパターニングしてもよい。パターニング後の断面形状を図７に示す。犠牲層１２０ａのパターニングは、ドライエッチングおよびウエットエッチングのいずれで行ってもよいが、エッチャントとしては、異方性のものを用いることが好ましい。異方性のエッチングガスとしては、例えば、ＣＦ４、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＨＣｌ３から選ばれる少なくとも１種を含むものが好ましい。このエッチングは被転写体１３０をマスクとして行うことができる。このようにエッチングにより犠牲層１２０ａの一部を除去すると、犠牲層１２０の量を減らすことができ、後に行われる等方性ドライエッチングのエッチングガスの消費量を減らすことができる。以下は、この工程を経て形成された第１基体１００（図７参照）であって、犠牲層１２０ａがパターニングされ犠牲層１２０となっているものを用いて説明する。
【００５１】
誘電体層１３４を結晶化させる結晶化工程は、誘電体層１３４ａを形成する工程において行われてもよいし、誘電体層１３４ａがパターニングされて誘電体層１３４となった後に行われてもよい。誘電体層１３４ａは、上述した方法により形成されるが、いずれの方法にも誘電体を高温で焼結する工程（以下「高温焼結工程」という）が含まれている。この高温焼結工程は、非晶状態または不十分な結晶状態にある誘電体を、より十分に結晶化させる工程である。即ち、この高温焼結工程は、誘電体層１３４の結晶化工程である。結晶化工程は、例えば５００℃ないし１１００℃の温度で行われる。
【００５２】
以上のように第１基体１００が形成される。
【００５３】
次に第２基体２００を形成する工程について説明する。第２基体２００を形成する工程は、例えば、基体２１０に振動部２１４および開口部２１２（図１参照）を形成する工程と、基体２１０の上に導電層２２０を形成する工程と、を含む。
【００５４】
基体２１０に振動部２１４および開口部２１２を形成する方法としては、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて基体２１０をパターニングして行うことができる。
【００５５】
基体２１０の上に導電層２２０を形成する工程は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、メッキ法、ゾル−ゲル法などにより行われることができる。導電層２２０は、振動部２１４の上方に所定数の被転写体１３０が配置可能なように形成される。
【００５６】
このようにして、図８に示すような第２基体２００が形成される。
【００５７】
次に、転写工程について説明する。転写工程は、接合工程と、剥離工程と、を含む。
【００５８】
第２基体２００と被転写体１３０とを接合する接合工程は、図９に示すように、第２基体２００に被転写体１３０が接触するように、第１基体１００を重ねて接着する工程である。図９には、図７に示した第１基体１００の上下を反転して第２基体２００の上に重ねた断面図が描かれている。図９に示すように重ねることによって、被転写体１３０の第２電極１３４と、第２基体２００の導電層２２０とが接触した状態となる。接触したこれらの部材は、例えば、熱融着法、表面活性化接合法などによって接着され、機械的にも電気的にも接合される。このようにして図９に示すような積層体が形成される。
【００５９】
次に図１０に示すように、犠牲層１２０を等方性ドライエッチングにより除去し、基板１１０を剥離する剥離工程を行う。等方性ドライエッチングのエッチングガスは、基板１１０と基体２１０との隙間を通じて犠牲層１２０に接触される。圧電振動子３００の場合は、基体２１０に開口部２１２（図１参照）が形成されているため、犠牲層１２０にエッチングガスが到達しやすく、エッチングの効率がよい。そして図１０に示すようにエッチングが進むと、基板１１０の下の犠牲層１２０が除去され、図１１に示すように基板１１０が分離され、被転写体１３０は第２基体２００上に残る。剥離工程のエッチングガスには、等方的なエッチングが行われるものが選ばれる。また、剥離工程のエッチングガスには、他の層よりも犠牲層１２０に対してエッチング作用が大きいガスが選ばれる。剥離工程のエッチングガスとしては、ＸｅＦ２、ＣｌＦ３、ＢｒＦ３、ＩＦ３、およびＩＦ５の少なくとも１種が好ましい。剥離工程は、基板１１０から被転写体１３０が脱離できるまで行われるが、さらに犠牲層１２０が完全に除去されるまで行うこともできる。このようにすれば、基板１１０の表面を、犠牲層１２０ａが形成される前の、当初の状態に復帰させることができるため、そのまま基板１１０を再使用することができるようになる。
【００６０】
このようにして、図１および図２に示す圧電振動子３００が製造される。上述の製造方法によれば、基板１１０および基体２１０が光透過性を有する必要がない。そのため第１基体１００および第２基体２００の選択の自由度が大きい。また、転写工程において、等方性ドライエッチングを行うため、例えば光照射などを行う場合に比べ、各部材へのダメージを小さくすることができる。さらに、転写工程にはドライエッチングを用いるため、部材間の貼り付き（スティッキング）などが生じにくく、製造歩留まりを高めることができる。
【００６１】
３．２．圧電振動子３００の製造方法の変形
上述した圧電振動子３００の製造方法は、種々の変形が可能である。
【００６２】
上述の例では、等方性ドライエッチングに用いるエッチングガスを節約するために、犠牲層１２０ａをパターニングする工程が被転写体１３０が形成された後に行われる場合について説明した。このパターニング工程は、被転写体１３０を形成する前に行ってもよい。すなわち、まず、図１２に示すように、基板１１０の上にパターニングされた犠牲層１２０を形成し、その上に第１電極１３２ｂ、誘電体層１３４ｂおよび第２電極１３６ｂを積層する。そして、図１３に示すように、第１電極１３２ｂ、誘電体層１３４ｂおよび第２電極１３６ｂをパターニングして被転写体１３０を形成する工程を行ってもよい。また、犠牲層１３４の等方性ドライエッチングを行う前に、基板１１０を図１４に示すように変形させておくこともできる。すなわち、犠牲層１２０の端部付近の空間を広くするために、その付近の基板１１０の厚みを薄くすることができる。このようにすれば、図１４中の矢印で模式的に示したように、等方性ドライエッチングの際、エッチングガスをより一層効率良く流動させることができる。このような基板１１０の変形は、例えば、第１基体１００を形成する工程において、犠牲層１２０を形成した後に、さらに犠牲層１２０をマスクとした基板１１０のエッチングによって行うことができる。また、あらかじめ図１４に示す形状の基板１１０を用意して、基板１１０の凸部上（図１４では凸部下）に犠牲層１２０を形成してもよい。
【００６３】
上述した転写工程における接合工程の変形としては、導電性接着剤層１５０（図３参照）を形成して第２電極１３６と導電層２２０を接合する方法がある。
【００６４】
４．電子部品およびその製造方法の変形
以上のように圧電振動子３００を例として、本発明にかかる電子部品およびその製造方法について説明したが、本発明にかかる電子部品およびその製造方法は、変形が可能である。
【００６５】
第２基体２００の基体２１０の材質は、上述の圧電振動子３００においては、酸化物、窒化物、酸化窒化物、金属、半導体などから選択されるが、例えばさらに広範な物質を選択することができる。基体２１０としては、基体２１０の表面にシリコンが露出していないものを用いることができる。基体２１０の材質としては、例えば、酸化物、窒化物、酸化窒化物、金属、半導体、樹脂、またはこれらの２種以上を複合したものを選択することができる。より具体的には、基体２１０としては、ガラス基板、石英基板、サファイヤ基板、ジルコニウム基板、ステンレス板、砒化ガリウム基板、アクリル板、フレキシブルプリント基板などとすることができる。また、例えば、基体２１０の主たる材質がシリコンであり、表面にシリコン酸化膜が設けられているものを用いることもできる。
【００６６】
誘電体層１３０は、焦電性や強誘電性を有するものとしてもよい。このような変形により、焦電センサ、強誘電体メモリなどのキャパシタ構造を有する電子部品を提供することができる。
【００６７】
また、上述した圧電振動子３００の例では、基体２１０に開口部２１２が設けられる場合について説明した。本発明にかかる電子部品のうち、開口部２１２等を有さない電子部品を製造する場合において、図１５に示すように、基体２１０に貫通孔２１６を設けることができる。このようにすれば、犠牲層１３４の等方性ドライエッチングの際にエッチングガスが、貫通孔２１６を通じて犠牲層１３４付近に到達しやすくなるため、エッチング時間を短縮することができる。
【００６８】
また、電子部品の製造方法においては、例えば、第１基体１００を第２基体２００に転写しなくても良い。この変形例の場合には、第１基体１００を形成した後、基板１１０を支持材として用いて犠牲層１２０を除去し、基板１１０と被転写体１３０を分離させ、電子部品（この変形例の場合には被転写体１３０）を得ることができる。
【００６９】
以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【００７０】
例えば、上述した本発明の実施形態にかかる電子部品は、各種電子機器、デジタルカメラ、ハードディスクなどの情報機器や、アンチロックブレーキ、エアバッグシステムなどの車載機器に適用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明にかかる圧電振動子３００を模式的に示す平面図。
【図２】本発明にかかる圧電振動子３００を模式的に示す断面図。
【図３】本発明にかかる圧電振動子３００の変形例を模式的に示す断面図。
【図４】本発明の電子部品の製造工程を模式的に示す断面図。
【図５】本発明の電子部品の製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】本発明の電子部品の製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】本発明の電子部品の製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】本発明の電子部品の製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】本発明の電子部品の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１０】本発明の電子部品の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１１】本発明の電子部品の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１２】本発明の電子部品の製造工程の変形例を模式的に示す断面図。
【図１３】本発明の電子部品の製造工程の変形例を模式的に示す断面図。
【図１４】本発明の電子部品の製造工程の変形例を模式的に示す断面図。
【図１５】本発明の電子部品の製造工程の変形例を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００７２】
１００  第１基体、１１０  基板、１２０  犠牲層、１３０  被転写体、
１３２  第１電極、１３４  誘電体層、１３６  第２電極、１５０  導電性接着剤層、
２００  第２基体、２１０  基体、２１２  開口部、２１４  振動部、
２１６  貫通孔、２２０  導電層、３００  圧電振動子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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