(57)【要約】      （修正有）【課題】新規エポキシ化合物とその製造方法を提供する。【解決手段】一般式2008013544.tif 000024（上式中、Ｒ１およびＲ２は水素原子、炭素数１から６までのアルキル基または炭素数１から４までのトリアルキルシリル基を表し、Ｒ３は同一であっても相異なっていてもよく、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基またはフルオロアルキル基を表し、そしてｎは０または正の整数を表す）でもって代表される化合物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の一般式（Ｉ）
【化１】
2008013544.tif 000016
（上式中、Ｙは以下の式
【化２】
2008013544.tif 000017
で表され、ここでＲ１およびＲ２は水素原子、炭素数１から６までのアルキル基または炭素数１から４までのトリアルキルシリル基を表し、Ｒ３は同一であっても相異なっていてもよく、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基またはフルオロアルキル基を表し、Ｒ４は水素原子、炭素数１から６までのアルキル基または炭素数１から４までのトリアルキルシリル基を表し、そしてｎは０または正の整数を表す）で表されるエポキシ化合物。
【請求項２】
Ｒ１およびＲ２が水素原子であるか、またはＲ１がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかであり、かつ、Ｒ２が水素原子であるか、またはＲ１が水素原子であり、かつ、Ｒ２がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかである、請求項１に記載のエポキシ化合物。
【請求項３】
Ｒ４が水素原子であるか、またはＲ４がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかである、請求項１に記載のエポキシ化合物。
【請求項４】
以下の一般式（ＩＩ）
【化３】
2008013544.tif 000018
（上式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびｎは前記規定に同一のものを表す）で表されるオレフィン化合物を、過酸化物と反応させることを特徴とする、請求項１または２に記載のエポキシ化合物の製造方法。
【請求項５】
一般式（ＩＩ）中、Ｒ１およびＲ２が水素原子であるか、またはＲ１がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかであり、かつ、Ｒ２が水素原子であるか、またはＲ１が水素原子であり、かつ、Ｒ２がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかである、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
以下の一般式（ＩＩＩ）
【化４】
2008013544.tif 000019
（上式中、Ｒ１およびＲ２は前記規定に同一のものを表す）で表されるエポキシ化合物を、以下の一般式（ＩＶ）
【化５】
2008013544.tif 000020
（上式中、Ｒ３およびｎは前記規定に同一のものを表す）で表されるケイ素化合物と反応させることを特徴とする、請求項１または２に記載のエポキシ化合物の製造方法。
【請求項７】
一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ１およびＲ２が水素原子であるか、またはＲ１がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかであり、かつ、Ｒ２が水素原子であるか、またはＲ１が水素原子であり、かつ、Ｒ２がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかである、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
以下の一般式（Ｖ）
【化６】
2008013544.tif 000021
（上式中、Ｒ３、Ｒ４およびｎは前記規定に同一のものを表す）で表されるオレフィン化合物を、過酸化物と反応させることを特徴とする、請求項１または３に記載のエポキシ化合物の製造方法。
【請求項９】
一般式（Ｖ）中、Ｒ４が水素原子であるか、またはＲ４がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかである、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
以下の一般式（ＶＩ）
【化７】
2008013544.tif 000022
（上式中、Ｒ４は前記規定に同一のものを表す）で表されるエポキシ化合物を、以下の一般式（ＩＶ）
【化８】
2008013544.tif 000023
（上式中、Ｒ３およびｎは前記規定に同一のものを表す）で表されるケイ素化合物と反応させることを特徴とする、請求項１または３に記載のエポキシ化合物の製造方法。
【請求項１１】
一般式（ＶＩ）中、Ｒ４が水素原子であるか、またはＲ４がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかである、請求項１０に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気・電子・光学部品の封止材料、成形材料、注型材料、積層材料、複合材料、接着剤、粉体塗料等の原料用途に有用である新規エポキシ化合物とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エポキシ化合物は、種々の硬化剤で硬化させることにより機械的性質、耐湿性、電気的性質等に優れた硬化物を与えるので、電気・電子・光学部品の封止材料、成形材料、注型材料、積層材料、複合材料、接着剤、粉体塗料等の幅広い分野に利用されている。また、エポキシ化合物には、技術の進歩に伴って、耐熱性等に対する高い性能が求められてきた。
【０００３】
これまでにも、耐熱性を向上させる目的で、イミド構造を有するＮ−（２，３−エポキシプロピル）パーヒドロ−４，５−エポキシフタルイミドが提案されている（R. Antoni et al., Makromol. Chem., 194, 411 (1993)参照）が、この方法は、中間体の製造工程でエピクロルヒドリンを使用するために、最終製品にハロゲン残渣が混入することを避けることができず、ハロゲン残渣を極限まで少なくすることが望まれる電子材料用途の製品の製造方法としては好ましくない。
【０００４】
一方、エポキシ基含有有機基を有するオルガノポリシロキサンとして、分子鎖末端または分子鎖側鎖に３−グリシドキシプロピル基または２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基を有するオルガノポリシロキサンまたは環状シロキサンが提案されている（特開平３−２５５１３０号公報参照）。
【非特許文献１】R. Antoni et al., Makromol. Chem., 194, 411 (1993)
【特許文献１】特開平３−２５５１３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、電気・電子・光学部品の封止材料、成形材料、注型材料、積層材料、複合材料、接着剤、粉体塗料等の原料用途に有用である新規エポキシ化合物を提供する必要性が未だ存在する。
本発明者らは、前記の必要性を満たすために鋭意検討を行った結果、以下の一般式
【０００６】
【化１】
2008013544.tif 000002
【０００７】
（上式中、Ｒ１およびＲ２は水素原子、炭素数１から６までのアルキル基または炭素数１から４までのトリアルキルシリル基を表し、Ｒ３は同一であっても相異なっていてもよく、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基またはフルオロアルキル基を表し、そしてｎは０または正の整数を表す）、および以下の一般式
【０００８】
【化２】
2008013544.tif 000003
【０００９】
（上式中、Ｒ３は前記規定に同一のものを表し、Ｒ４は水素原子、炭素数１から６までのアルキル基または炭素数１から４までのトリアルキルシリル基を表し、そしてｎは０または正の整数を表す）で表される新規エポキシ化合物を見出すに至った。
具体的には、本願発明は、以下の［１］〜［１１］に記載する通りのものである。
［１］以下の一般式（Ｉ）
【００１０】
【化３】
2008013544.tif 000004
【００１１】
（上式中、Ｙは以下の式
【００１２】
【化４】
2008013544.tif 000005
【００１３】
で表され、ここでＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびｎは前記規定に同一のものを表す）で表されるエポキシ化合物。
【００１４】
［２］Ｒ１およびＲ２が水素原子であるか、またはＲ１がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかであり、かつ、Ｒ２が水素原子であるか、またはＲ１が水素原子であり、かつ、Ｒ２がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかである、前記［１］に記載のエポキシ化合物。
【００１５】
［３］Ｒ４が水素原子であるか、またはＲ４がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかである、前記［１］に記載のエポキシ化合物。
【００１６】
［４］以下の一般式（ＩＩ）
【００１７】
【化５】
2008013544.tif 000006
【００１８】
（上式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびｎは前記規定に同一のものを表す）で表されるオレフィン化合物を、過酸化物と反応させることを特徴とする、前記［１］または［２］に記載のエポキシ化合物の製造方法。
【００１９】
［５］一般式（ＩＩ）中、Ｒ１およびＲ２が水素原子であるか、またはＲ１がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかであり、かつ、Ｒ２が水素原子であるか、またはＲ１が水素原子であり、かつ、Ｒ２がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかである、前記［４］に記載の製造方法。
【００２０】
［６］以下の一般式（ＩＩＩ）
【００２１】
【化６】
2008013544.tif 000007
【００２２】
（上式中、Ｒ１およびＲ２は前記規定に同一のものを表す）で表されるエポキシ化合物を、以下の一般式（ＩＶ）
【００２３】
【化７】
2008013544.tif 000008
【００２４】
（上式中、Ｒ３およびｎは前記規定に同一のものを表す）で表されるケイ素化合物と反応させることを特徴とする、前記［１］または［２］に記載のエポキシ化合物の製造方法。
【００２５】
［７］一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ１およびＲ２が水素原子であるか、またはＲ１がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかであり、かつ、Ｒ２が水素原子であるか、またはＲ１が水素原子であり、かつ、Ｒ２がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかである、前記［６］に記載の製造方法。
【００２６】
［８］以下の一般式（Ｖ）
【００２７】
【化８】
2008013544.tif 000009
【００２８】
（上式中、Ｒ３、Ｒ４およびｎは前記規定に同一のものを表す）で表されるオレフィン化合物を、過酸化物と反応させることを特徴とする、前記［１］または［３］に記載のエポキシ化合物の製造方法。
【００２９】
［９］一般式（Ｖ）中、Ｒ４が水素原子であるか、またはＲ４がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかである、前記［８］に記載の製造方法。
【００３０】
［１０］以下の一般式（ＶＩ）
【００３１】
【化９】
2008013544.tif 000010
【００３２】
（上式中、Ｒ４は前記規定に同一のものを表す）で表されるエポキシ化合物を、以下の一般式（ＩＶ）
【００３３】
【化１０】
2008013544.tif 000011
【００３４】
（上式中、Ｒ３およびｎは前記規定に同一のものを表す）で表されるケイ素化合物と反応させることを特徴とする、前記［１］または［３］に記載のエポキシ化合物の製造方法。
【００３５】
［１１］一般式（ＶＩ）中、Ｒ４が水素原子であるか、またはＲ４がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基のいずれかである、前記［１０］に記載の製造方法。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の新規エポキシ化合物は、電気・電子・光学部品の封止材料、成形材料、注型材料、積層材料、複合材料、接着剤、粉体塗料等の幅広い分野に有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明の好ましい形態について説明するが、本発明はこれらの態様のみに限定されるものではなく、本発明の精神と実施の範囲内において様々な変形が可能であることを理解されたい。
【００３８】
本発明において、前述のＲ１としては、具体的には、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基等が例示されるが、これらに限定されるものではない。Ｒ１は、より好ましくは、水素原子、メチル基、トリメチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基である。
【００３９】
Ｒ２としては、具体的には、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基等が例示されるが、これらに限定されるものではない。Ｒ２は、より好ましくは、水素原子、メチル基、トリメチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基である。
Ｒ３としては、具体的には、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のフルオロアルキル基等が例示されるが、これらに限定されるものではない。Ｒ３は、より好ましくは、水素原子、メチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基である。
【００４０】
ｎは、好ましくは１〜５００の整数である。
Ｒ４としては、具体的には、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基等が例示されるが、これらに限定されるものではない。Ｒ４は、より好ましくは、水素原子、メチル基、トリメチルシリル基、ターシャリーブチルジメチルシリル基である。
【００４１】
本発明の一般式（Ｉ）で表される新規エポキシ化合物は、一般式（ＩＩ）または一般式（Ｖ）で表されるオレフィン化合物を過酸化物と反応させることによって製造することができる。
【００４２】
過酸化物としては、工業的に使用可能なものであれば例外なく用いることができ、例えば、過酸化水素、過蟻酸、過酢酸、３−クロロパーオキシベンゾイックアシッド、クメンペルオキシド、ジメチルジオキシランなどのアルキルペルオキシドを用いることができる。好ましい過酸化物は、過酸化水素、過酢酸、３−クロロパーオキシベンゾイックアシッドであり、さらに好ましくは過酸化水素、過酢酸である。
過酸化物として過酸化水素を用いる場合、用いる過酸化水素水の濃度に制限はなく、濃度に応じてオレフィン化合物への反応は生起するが、一般には１〜８０％、好ましくは２０〜６０％の範囲から選ばれる。
【００４３】
過酸化水素水溶液の使用量は、特に制限はなく、使用量に応じてオレフィン化合物への反応は生起するが、一般にはオレフィン化合物に対して０．８〜１０．０当量、好ましくは１．０〜３．０当量の範囲から選ばれる。
過酸化水素による酸化反応では、硫酸水素第４級アンモニウムおよび触媒量の６族金属化合物、例えば、モリブデンまたはタングステンの存在下で反応を行うことができる。
【００４４】
硫酸水素第４級アンモニウムとしては、例えば、硫酸水素テトラへキシルアンモニウム、硫酸水素テトラオクチルアンモニウム、硫酸水素メチルトリオクチルアンモニウム、硫酸水素テトラブチルアンモニウム、硫酸水素エチルトリオクチルアンモニウム、硫酸水素セチルピリジニウム等が挙げられるが、なかでも硫酸水素テトラへキシルアンモニウム、硫酸水素テトラオクチルアンモニウム、硫酸水素メチルトリオクチルアンモニウム等が好ましい。これらの硫酸水素第４級アンモニウムは、単独で使用しても、２種以上を混合使用してもよい。その使用量は、基質のオレフィン化合物に対して好ましくは０．０００１〜１０モル％、より好ましくは０．０１〜５モル％の範囲から選ばれる。
【００４５】
６族金属化合物としては、モリブデンの場合、水中でモリブデン酸アニオンを生成する化合物が挙げられ、例えば、モリブデン酸、三酸化モリブデン、三硫化モリブデン、六塩化モリブデン、リンモリブデン酸、モリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸カリウム二水和物、モリブデン酸ナトリウム二水和物等があるが、なかでもモリブデン酸、三酸化モリブデン、リンモリブデン酸が好ましい。タングステンの場合、水中でタングステン酸アニオンを生成する化合物が挙げられ、例えば、タングステン酸、三酸化タングステン、三硫化タングステン、六塩化タングステン、リンタングステン酸、タングステン酸アンモニウム、タングステン酸カリウム二水和物、タングステン酸ナトリウム二水和物等があるが、なかでもタングステン酸、三酸化タングステン、リンタングステン酸、タングステン酸ナトリウム二水和物等が好ましい。これらの６族金属化合物類は、単独で使用しても、２種以上を混合使用してもよい。その使用量は、基質のオレフィン化合物に対して好ましくは０．０００１〜２０モル％、より好ましくは０．０１〜１０モル％の範囲から選ばれる。
【００４６】
なお、リン酸、ポリリン酸、アミノメチルホスホン酸、リン酸ナトリウムのごとき添加剤を使用することによってこの種の触媒を改質してもよい。
過酸化水素による酸化反応による製造法においては、反応は、通常、３０〜１００℃の範囲で、好ましくは５０〜９０℃の範囲で行われる。
【００４７】
過酸化物として過酢酸を用いる場合、用いる過酢酸の酢酸溶液濃度に制限はなく、一般には１〜８０％、好ましくは９〜４０％の範囲から選ばれる。また、過酢酸の酢酸溶液の使用量に制限はなく、オレフィン化合物に対して、一般には０．８〜１０．０当量、好ましくは１．０〜２．０当量の範囲から選ばれる。
過酢酸の酢酸溶液による酸化反応は、無溶媒で行ってもよいが、溶媒を用いて行うこともできる。選ばれる溶媒としては溶解するものであればよいが、具体的にはヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、酢酸エチル、トルエン、キシレン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、テトラクロロエタンおよびそれらの任意の混合物を必要に応じて用いることができ、また反応は大気下で、もしくは窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことができる。
【００４８】
本発明の新規エポキシ化合物の前駆体となる一般式（ＩＩ）および一般式（Ｖ）で表されるオレフィン化合物は、対応する酸無水物とジアミンからのイミド化反応により得ることができる。この反応においては、溶媒としてキシレンのほか、トルエン、メタキシレン、オルトキシレン、パラキシレン、メシチレンおよびそれらの任意の混合物を必要に応じて用いることができ、また反応は大気下で、もしくは窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことができる。さらに、この反応は、重合禁止剤のような添加剤を加えて実施することもできる。
【００４９】
また、本発明の一般式（Ｉ）で表される新規エポキシ化合物は、一般式（ＩＩＩ）または一般式（ＶＩ）で表されるエポキシ化合物を一般式（ＩＶ）で表されるケイ素化合物と反応させることによって製造することができる。
このヒドロシリル化反応は、触媒の存在で行うことができるが、これに用いる触媒としては公知の付加反応触媒、例えば、塩化白金酸のような白金系触媒があり、かかる触媒の存在下に加熱することにより行うことができる。一般式（ＩＩＩ）または一般式（ＶＩ）で表されるエポキシ化合物と、一般式（ＩＶ）で表されるケイ素化合物とを反応させる際の両化合物の比率は、通常、エポキシ化合物のアリル基１個に対してケイ素化合物の−ＳｉＨ基が０．００１〜１．５個になる範囲内であるのがよく、好ましくは０．００５〜１個の範囲内である。
【００５０】
このヒドロシリル化反応においては、ベンゼン、トルエン、メチルイソブチルケトンのような不活性溶剤中で６０〜１４０℃に加熱することが好ましい。これらの溶剤の使用量は、通常、一般式（ＩＩＩ）または一般式（ＶＩ）のエポキシ化合物と一般式（ＩＶ）で表されるケイ素化合物の総重量に対して３０〜４００質量％であるのがよく、好ましくは５０〜３００質量％である。反応時間は通常１〜２４時間であり、好ましくは２〜１０時間である。反応終了後水洗を行い、加熱減圧下で溶剤を留去することにより、本発明の新規エポキシ化合物を得ることができる。
【００５１】
上記した方法により得られる生成物の精製には、一般的な方法のいずれをも用いることができる。例えば、吸着分離、具体的には活性炭、酸性白土、活性白土等の吸着剤を用いる不純物や着色物質の吸着除去、あるいはカラムクロマトグラフィー、薄層クロマトグラフィー、具体的にはシリカゲル、含水シリカゲル、アルミナ、活性炭、チタニア、ジルコニア、さらに具体的にはシリカゲル、含水シリカゲル、アルミナを充填剤としたカラムクロマトグラフィーである。また、蒸留、具体的には減圧蒸留、分子蒸留によって精製することもできる。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例を用いて本発明をさらに説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
参考例１
還流冷却器、温度計、ディーンスターク型水分セパレーター、攪拌装置、滴下ロートおよび油浴を備えた３００ｍｌ三ツ口フラスコに、ｃｉｓ−４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物１６．７５ｇとキシレン１４６．０ｇを仕込んだ。窒素雰囲気下で撹拌しながら７０℃に加熱して均一溶液とした後、下記式（ＶＩＩ）
【００５３】
【化１１】
2008013544.tif 000012
【００５４】
で表されるケイ素化合物４１．０５ｇを滴下ロートにより２０分間かけて全量滴下し、３０分間熟成させた後に、１６０℃まで油浴を加熱して、ディーンスターク型水分セパレーターを用いて捕集される水を取り除きながら、２４時間加熱還流させた後に、室温まで冷却した。
フラスコ内の内容物からロータリーエバポレーターを用いて溶媒を除去し、カラムクロマトグラフィーによって精製して、下記式（ＶＩＩＩ）
【００５５】
【化１２】
2008013544.tif 000013
【００５６】
で示されるオレフィン化合物５２．１４ｇを微黄色透明の液体として得た。
参考例２
還流冷却器、温度計、攪拌装置、滴下ロートおよび油浴を備えた１Ｌ四ツ口フラスコに、ｃｉｓ−４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物３０４．３ｇとトルエン２８０ｇを仕込んだ。これに窒素雰囲気でアリルアミン１１６．５ｇを滴下ロートにより９０分間かけて全量滴下し、３０分間熟成させた後に、ディーンスターク型水分セパレーターをセパラブルフラスコに装着し、１４０℃に保った油浴を用いて、捕集される水を取り除きながら、５時間加熱還流させた後に、室温まで冷却した。
フラスコ内の内容物からロータリーエバポレーターを用いて溶媒を除去し、Ｎ−アリル−４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボキシ粗生成物３４４．３ｇを得た。減圧蒸留により精製して、Ｎ-アリル−４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボキシイミド２７３．５ｇを無色透明の液体として得た。
【００５７】
還流冷却器、温度計、攪拌装置、滴下ロートおよび油浴を備えた５０ｍｌ三つ口フラスコに、Ｎ−アリル−４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボキシイミド１００．０ｇ、硫酸水素メチルトリオクチルアンモニウム２．４４ｇ、タングステン酸ナトリウム二水和物３．４５ｇ、アミノメチルホスホン酸０．５８ｇを仕込んだ。９０℃に保った油浴を用いて加熱し、滴下ロートを通じて３０％過酸化水素水８０ｍｌを１８０分間かけて滴下し、そのまま４時間熟成させた。氷浴で冷却し、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液３００ｍｌで余剰の過酸化水素を除去した後に、酢酸エチル２００ｍｌで２回抽出した。得られた酢酸エチル溶液を無水硫酸ナトリウム上で一晩乾燥させ、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒の酢酸エチルを除去した後、２５％含水シリカゲルを充填したカラムクロマトグラフィーにより精製して、４，５−エポキシ−Ｎ−アリルシクロヘキサン−１，２−ジカルボキシイミド７８．９ｇを得た。
【００５８】
実施例１
還流冷却器、温度計、攪拌装置、滴下ロートおよび油浴を備えた２００ｍｌ三ツ口フラスコに、参考例１で得られた式（ＶＩＩＩ）で表されるオレフィン化合物１７．５ｇと酢酸エチル１０ｍｌを仕込んだ。
６０℃に保った油浴を用いて加熱し、滴下ロートにより４０％過酢酸１２．０ｇを１時間かけて滴下し、そのまま１時間熟成させた。次いで、油浴の温度を７０℃とし、さらに１時間熟成させた。氷浴で冷却し、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液１５ｍｌで余剰の過酢酸を除去した後に、酢酸エチル２５ｍｌで３回抽出した。得られた酢酸エチル溶液を無水硫酸ナトリウム上で一晩乾燥させ、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒の酢酸エチルを除去しカラムクロマトグラフィーによって精製し、下記式（ＩＸ）
【００５９】
【化１３】
2008013544.tif 000014
【００６０】
で表されるエポキシ化合物１８．３ｇを得た。
日本電子（株）製核磁気共鳴装置ＡＬ−４００を用い、重クロロホルム溶媒中で、このエポキシ化合物の１Ｈ−ＮＭＲ，１３Ｃ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定して、上記の構造を確認することができた。この式（ＩＸ）で表されるエポキシ化合物の１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲスペクトルを、それぞれ、図１、図２および図３に示す。
【００６１】
実施例２
還流冷却器、ディーンスターク型水分セパレーター、温度計、攪拌装置、滴下ロートおよび油浴を備えた３００ｍｌ四ツ口フラスコに、参考例２で得られた４，５−エポキシ−Ｎ−アリルシクロヘキサン−１，２−ジカルボキシイミド２２．８ｇ、トルエン１８０ｇ、２質量％の塩化白金酸の２−エチルヘキサノール溶液０．０５ｇを仕込み、１４０℃に保った油浴を用いて１時間還流させながら共沸脱水を行い、水が留去しないことを確認後、下記式（Ｘ）
【００６２】
【化１４】
2008013544.tif 000015
【００６３】
で表されるケイ素化合物３６．３ｇを滴下ロートにより３０分間かけて全量滴下した。さらに、４時間加熱還流させた後に、室温まで冷却した。３回水洗して触媒を除去後、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒を除去し、カラムクロマトグラフィーによって精製し、式（ＩＸ）で表されるエポキシ化合物４０．２ｇを得た。
日本電子（株）製核磁気共鳴装置ＡＬ−４００を用い、重クロロホルム溶媒中で、このエポキシ化合物の１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定したところ、実施例１と同様のスペクトルが得られ、これによりこのエポキシ化合物の式（ＩＸ）の構造を確認することができた。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の新規エポキシ化合物は、電気・電子・光学部品の封止材料、成形材料、注型材料、積層材料、複合材料、接着剤、粉体塗料などの幅広い分野に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】実施例１で得られた式（ＩＸ）で表されるエポキシ化合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示すチャート。
【図２】実施例１で得られた式（ＩＸ）で表されるエポキシ化合物の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示すチャート。
【図３】実施例１で得られた式（ＩＸ）で表されるエポキシ化合物の２９Ｓｉ−ＮＭＲを示すチャート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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