(57)【要約】 【課題】  特に厚み１ｍｍ以下の低背インダクタにおいて、従来品と同等のインダクタンスと製造コストを実現し、かつ、従来品よりも直流電気抵抗を低減し、より大電流に対応するインダクタとその製造方法を提供するものである。【解決手段】  比透磁率の異なる軟磁性材料からなる低透磁率層１と高透磁率層２をコイル３の周囲の所定の位置に配置することにより、低背インダクタとして好適な、磁気飽和を回避できるコイル構成の面実装インダクタと、その構成を従来構成と同等のコストで実現できる製造方法。【選択図】  図１
2008288370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも３層以上の軟磁性体層からなり、導電体を巻回したコイルの中心軸にほぼ垂直に、かつ、前記コイルを挟みこむように、前記軟磁性体層が配置された面実装インダクタであって、３以上４０未満の比透磁率を有する第１の軟磁性体層が、５０以上の比透磁率を有する第２の軟磁性体層の間に配置されたことを特徴とする面実装インダクタ。 
【請求項２】
前記コイルの内部空間に、比透磁率５０以上を有する軟磁性体を配置したことを特徴とする請求項１に記載の面実装インダクタ。
【請求項３】
前記第２の軟磁性体層のうち少なくとも１層が、扁平形状を有する軟磁性体粉末と結合材の混合物層からなり、かつ、面内に磁化容易方向を有することを特徴とする請求項１または２に記載の面実装インダクタ。 
【請求項４】
前記第２の軟磁性体層のうち少なくとも１層が、軟磁性フェライトからなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の面実装インダクタ。 
【請求項５】
前記第２の軟磁性体層のうち少なくとも１層が、前記コイル内側空間に連続するコイルの中心軸を含む断面がＴ字形状を有するフェライト焼結体であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の面実装インダクタ。
【請求項６】
前記第２の軟磁性体層のうち少なくとも１層が、前記コイル内側空間に連続するコイルの中心軸を含む断面がＴ字形状を有する軟磁性金属粉末の圧粉磁芯であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の面実装インダクタ。
【請求項７】
前記混合物層のうち少なくとも１層が、可撓性を有するシート状であることを特徴とする請求項３乃至６のいずれかに記載の面実装インダクタ。 
【請求項８】
前記混合物層のうち少なくとも１層が、可撓性を有するシート状混合物の硬化によりなることを特徴とする請求項３乃至６のいずれかに記載の面実装インダクタ。 
【請求項９】
前記扁平形状を有する軟磁性体粉末の少なくとも一部が、長軸方向の長さをａ、短軸方向の長さをｂとするとき、ａ／ｂの値が３以上となる針状の軟磁性体粉末であることを特徴とする請求項３乃至６のいずれかに記載の面実装インダクタ。
【請求項１０】
前記軟磁性体粉末の少なくとも一部が、扁平形状を有するＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金であって、前記軟磁性体粉末と結合材からなる混合物層の面内方向の比透磁率が５０以上であることを特徴とする請求項３乃至６のいずれかに記載の面実装インダクタ。 
【請求項１１】
前記軟磁性体粉末の少なくとも一部が、印加磁場１００Ｏｅにおける磁束密度として７０００Ｇ以上を有するＦｅ−Ｓｉ合金であることを特徴とする請求項３乃至６のいずれかに記載の面実装インダクタ。 
【請求項１２】
前記軟磁性体粉末の少なくとも一部が、印加磁場１００Ｏｅにおける磁束密度として７０００Ｇ以上を有するＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金であることを特徴とする請求項３乃至６のいずれかに記載の面実装インダクタ。
【請求項１３】
前記軟磁性体粉末の少なくとも一部が、印加磁場１００Ｏｅにおける磁束密度として７０００Ｇ以上を有する金属ガラスであることを特徴とする請求項３乃至６いずれかに記載の面実装インダクタ。
【請求項１４】
前記混合物層の少なくとも１層が、可撓性を有するシート状であり、少なくとも１個の導電体コイルを含む構造物に前記混合物層を積層した後、切断分離により、１個の導電体コイルを含むインダクタを得ることを特徴とする請求項３乃至１３のいずれかに記載の面実装インダクタの製造方法。 
【請求項１５】
前記混合物層の少なくとも１層が、可撓性を有するシート状であり、少なくとも１個の導電体コイルを含む構造物に前記混合物層を積層し、硬化させた後、切断分離により、１個の導電体コイルを含むインダクタを得ることを特徴とする請求項３乃至１３のいずれかに記載の面実装インダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型電子機器の電源供給回路に使用される小型インダクタの構成とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やノートパソコン、小型ゲーム機等の携帯型電子機器において、機能の増加に加えて電源持続時間の維持・改善が求められる結果、電源回路素子の一つであるインダクタに対して小型化、大電流対応、低損失化の要求が近年益々高まっている。インダクタの小型化と低損失化には、コイルのコアにおいて磁気飽和の起こりにくい構成とすること、コイル巻線の直流電気抵抗を小さくすること、コアロスの小さなコア材を用いること、がきわめて重要である。
【０００３】
このような目的を達成するため、携帯型電子機器の電源回路に用いられるインダクタとしては、巻芯の両側に鍔を有する軟磁性フェライトのドラムに巻線を施し、このドラムの周囲に、軟磁性フェライトのリングを配置した構成が用いられてきた。しかしながら、この構成においては、小型・低背化するほど、インダクタンスの調整のために、フェライトのドラムコアとフェライトのリングの間に設けるギャップ幅を高精度に管理する必要があり、部材点数が多いことと相まって、低コスト化が困難であるという欠点がある。
【０００４】
また、巻芯の両側に鍔を有する軟磁性フェライトのドラムに巻線を施し、このドラムの周囲に、軟磁性体と樹脂の混合物を配置した構成も用いられている。しかしながら、この構成においては、磁気飽和回避と抗折強度保持の両観点から、鍔部のフェライトは片側で少なくとも０．２ｍｍの厚みが必要であり、また、１Ａ以上の直流バイアス電流を許容するためには、直径０．１ｍｍ以上を有する銅線を用いて１５０ｍΩ以下の直流電気抵抗とする必要があるため、およそ１ｍｍよりも薄いインダクタでは、１Ａ以上の大電流対応を実現することは困難となっている（特許文献１）。
【０００５】
また近年、インダクタの低背化要求に対応するため、巻芯の片側のみに鍔を有する軟磁性フェライトコアに巻線を施し、該巻線部の周囲を軟磁性体と樹脂の混合物で被覆した構成も提案されている。しかしながら、この構成においては、鍔がない側に配置する軟磁性体の比透磁率が低いため、十分に大きなインダクタンスを有するインダクタを実現できず、また、漏洩磁束が大きくなるという欠点がある（特許文献２）。
【０００６】
また、小型化と大電流化の相反する要求に対応する手段として、巻線として平角線を用いることにより、巻線部における体積の無駄を省く提案もなされているが、平角線を用いると、部材費の増加・製造工程の複雑化が伴う欠点がある（特許文献３）。
【０００７】
さらに、低背化実現のため、平板状のフェライト焼結体、もしくは平板状の軟磁性粉末混合樹脂でコイルパターンを挟み込む構成も提案されているが、巻線を比透磁率の高い巻線部に巻回した構成ではないため、およそ２．２μＨ以上のインダクタンスを得て、かつ、１Ａ以上の大電流に対応することができない欠点がある（特許文献４）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−２１００５５号公報
【特許文献２】特開２００５−１５０４７０号公報
【特許文献３】特開２００６−１６５４２９号公報
【特許文献４】特開２００４−１４８３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来、およそ１ｍｍ以下の厚みを有する携帯型電子機器用インダクタにおいて１Ａ以上の大電流対応を実現し、かつ、従来品と同等程度の製造コストを実現することは困難であった。本発明は、特に厚み１ｍｍ以下の低背インダクタにおいて、従来品と同等のインダクタンスと製造コストを実現し、かつ、従来品よりも直流電気抵抗を低減し、より大電流に対応するインダクタとその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記課題を達成するために、比透磁率の異なる軟磁性材料を導電体コイルの周囲に配置することにより、低背インダクタとして好適な、磁気飽和を回避できるコイル構成の面実装インダクタと、そのコイル構成を従来構成と同等のコストで実現できる製造方法提案するものである。
【００１１】
本発明は、少なくとも３層以上の軟磁性体層からなり、導電体を巻回したコイルの中心軸にほぼ垂直に、かつ、前記コイルを挟みこむように、前記軟磁性体層が配置された面実装インダクタであって、３以上４０未満の比透磁率を有する第１の軟磁性体層が、５０以上の比透磁率を有する第２の軟磁性体層の間に配置されたことを特徴とする面実装インダクタである。
【００１２】
また、本発明は、前記コイルの内部空間に、比透磁率５０以上を有する軟磁性体を配置したことを特徴とする面実装インダクタである。
【００１３】
また、本発明は、前記第２の軟磁性体層のうち少なくとも１層が、扁平形状を有する軟磁性体粉末と結合材の混合物層からなり、かつ、面内に磁化容易方向を有することを特徴とする面実装インダクタである。
【００１４】
また、本発明は、前記第２の軟磁性体層のうち少なくとも１層が、軟磁性フェライトからなることを特徴とする面実装インダクタである。
【００１５】
また、本発明は、前記第２の軟磁性体層のうち少なくとも１層が、前記コイル内側空間に連続するコイルの中心軸を含む断面がＴ字形状を有するフェライト焼結体であることを特徴とする面実装インダクタである。
【００１６】
また、本発明は、前記第２の軟磁性体層のうち少なくとも１層が、前記コイル内側空間に連続するコイルの中心軸を含む断面がＴ字形状を有する軟磁性金属粉末の圧粉磁芯であることを特徴とする面実装インダクタである。
【００１７】
また、本発明は、前記混合物層のうち少なくとも１層が、可撓性を有するシート状であることを特徴とする面実装インダクタである。
【００１８】
また、本発明は、前記混合物層のうち少なくとも１層が、可撓性を有するシート状混合物の硬化によりなることを特徴とする面実装インダクタである。
【００１９】
また、本発明は、前記扁平形状を有する軟磁性体粉末の少なくとも一部が、長軸方向の長さをａ、短軸方向の長さをｂとするとき、ａ／ｂの値が３以上となる針状の軟磁性体粉末であることを特徴とする面実装インダクタである。
【００２０】
また、本発明は、前記軟磁性体粉末の少なくとも一部が、扁平形状を有するＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金であって、前記軟磁性体粉末と結合材からなる混合物がなす層の面内方向の比透磁率が５０以上であることを特徴とする面実装インダクタである。
【００２１】
また、本発明は、前記軟磁性体粉末の少なくとも一部が、印加磁場１００Ｏｅにおける磁束密度として７０００Ｇ以上を有するＦｅ−Ｓｉ合金であることを特徴とする面実装インダクタである。
【００２２】
また、本発明は、前記軟磁性体粉末の少なくとも一部が、印加磁場１００Ｏｅにおける磁束密度として７０００Ｇ以上を有するＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金であることを特徴とする面実装インダクタである。
【００２３】
また、本発明は、前記軟磁性体粉末の少なくとも一部が、印加磁場１００Ｏｅにおける磁束密度として７０００Ｇ以上を有する金属ガラスであることを特徴とする面実装インダクタである。
【００２４】
また、本発明は、前記混合物層の少なくとも１層が、可撓性を有するシート状であり、少なくとも１個の導電体コイルを含む構造物に前記混合物層を積層した後、切断分離により、１個の導電体コイルを含むインダクタを得ることを特徴とする面実装インダクタの製造方法である。
【００２５】
また、本発明は、前記混合物層の少なくとも１層が、可撓性を有するシート状であり、少なくとも１個の導電体コイルを含む構造物に前記混合物層を積層し、硬化させた後、切断分離により、１個の導電体コイルを含むインダクタを得ることを特徴とする面実装インダクタの製造方法である。
【００２６】
詳述すれば、まず、より少ないコイルターン数で大きなインダクタンスを実現するためには、導電体コイル周囲に配置された軟磁性体が構成する磁路のうち、可能な限り大部分を、比透磁率５０以上を有する軟磁性体で構成することが望ましいが、磁路全体の比透磁率が高い場合には、磁気飽和が起こりやすくなるため、その一部を、比透磁率がより低い軟磁性体とすることが有効である。このように異材種を組み合わせたコイル構成を容易に実現するためには、高透磁率材料で導電体コイル、並びに低透磁率層（比透磁率３以上４０未満である軟磁性体からなる層を以降このように呼ぶ）をはさむように配置すればよい。
【００２７】
低透磁率層を形成するには、軟磁性体粉末と結合材との混合物を厚膜形成の手法で導電体コイルを覆うように塗布するか、もしくは軟磁性体粉末と結合材との混合物を可撓性のあるシート状に形成しておき、これを導電体コイルを覆うように圧着して配置すればよい。軟磁性体粉末と結合材との混合物における軟磁性体粉末の体積充填率は、容易に６０％程度とすることができるが、可撓性のあるシートを用いる場合、あらかじめシートの加圧成型を行うことにより、さらに軟磁性粉末の体積充填率が向上し、該低透磁率層の飽和磁束密度を増大することができる。
【００２８】
また、軟磁性体粉末と結合材との混合物に用いられる軟磁性体粉末は、フェライト粉末、軟磁性金属粉末のいずれでも良いが、外部磁場１００Ｏｅにおける飽和磁束密度として７０００Ｇ以上を有するＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金(センダスト)、Ｆｅ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金、並びにＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ａｌ−Ｃ系合金(金属ガラス)などの軟磁性金属粉末を用いることがより望ましい。外部磁場１００Ｏｅにおける飽和磁束密度として７０００Ｇ以上を有する軟磁性粉末を用いれば、軟磁性体粉末と結合材との混合物における軟磁性粉末の体積充填率を６０％としても、外部磁場１００Ｏｅにおける飽和磁束密度として４０００Ｇ以上を有する層を形成することができる。フェライト焼結体における飽和磁束密度が４０００Ｇ程度であるから、外部磁場１００Ｏｅにおける飽和磁束密度として７０００Ｇ以上を有する軟磁性粉末を用いれば、フェライトのみを用いた従来のインダクタと比較して、より大きな直流バイアス電流のもとも磁気飽和を回避することができる。
【００２９】
高透磁率層（比透磁率５０以上の軟磁性体からなる層を以降このように呼ぶ）も低透磁率層と同様の手法で形成できるが、軟磁性粉末の体積充填率を増大せしめるだけでは、５０以上の比透磁率を実現することは困難である。飽和磁束密度が大きく、かつ、比透磁率が高い層を得るには、扁平形状、もしくは針状形状を有する軟磁性粉末と結合材からなる、面内に磁化容易方向を有する層とすることが望ましい。軟磁性体と結合材の混合物からなる低透磁率層または高透磁率層を得る厚膜形成方法は、電磁ノイズ吸収体の形成方法として工業的に確立されており、比透磁率５０以上を有する高透磁率層を容易に形成することができる。
【００３０】
また、高透磁率層はフェライト焼結体の平板であってもよい。
【００３１】
前述した方法で低透磁率層と高透磁率層を形成し、これを導電体コイルを覆うように圧着することにより、複雑な工程を要することなく、導電体コイルと軟磁性体が一体化したインダクタを形成することができる。さらに、配列した多数の導電体コイルを前述した方法で軟磁性体で覆うように圧着し、次に切断分離する事により一度に多数のインダクタを得ることができ、生産効率の向上に寄与すところは大きい。
【発明の効果】
【００３２】
本発明による構成を有するインダクタにおいては、巻芯の両側に鍔を有するフェライト磁芯に導電体コイルを巻回した従来の構成と比較して、許容バイアス電流を減少させることなく、インダクタをより低背化することができる。
【００３３】
また、本発明による構成においては、巻線が完了した後に軟磁性層でコイル周囲を被覆するので、巻線の太さに対する制約が緩和され、同じインダクタの厚みでもより太い銅線を使用でき、直流抵抗を低減できる。
【００３４】
また、本発明によるインダクタの構成においては、巻芯の両側に鍔を有する磁芯を用いないため、磁芯の成形工程を簡略化でき、インダクタの低背化に伴う歩留まり悪化を回避することができる。
【００３５】
また、本発明によるインダクタの構成においては、導電体コイル、高透磁率層、低透磁率層、巻芯部の磁芯等が一体化された構成であるため、衝撃に強いという利点がある。
【００３６】
また、本発明による構成においては、低透磁率層、高透磁率層の両方に可撓性を付与した場合、巻芯部に可撓性の無い磁性体を用いても、インダクタ全体としては若干の屈曲が可能となる。本発明による構成のインダクタは、フィルム基板上に配置した場合、フィルム基板の屈曲に追従して変形するので、インダクタの破断や端子のはがれを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
軟磁性金属粉末と結合材からなる平板上の混合物、もしくはフェライトを用いた片側のみに鍔を有する磁芯上に、導電体コイルを配置する。導電体の周囲全体を被覆するように、軟磁性金属粉末と結合材からなる混合物を接着し、比透磁率３以上４０未満の低透磁率層を形成する。さらに、該混合物を被覆するように、扁平金属粉末と結合材からなる混合物、もしくは平板状のフェライト焼結体を配置して、面内方向の比透磁率が５０以上の高透磁率層を形成し、インダクタとなす。この際、高透磁率層同士が直接接触しないようにする。
【００３８】
本発明においては、少なくとも２層配置する高透磁率層のいずれも、面内方向の比透磁率として５０以上を有する軟磁性体を用いることが望ましい。これは、これよりも低い比透磁率では、異なる比透磁率層を形成することによる、インダクタンスと重畳特性の同時向上の効果が得られなくなるからである。また、低透磁率層の比透磁率としては、３以上４０未満を有する混合物を用いることが望ましい。これは、これよりも低い比透磁率では、インダクタンス向上のために低比透磁率層の厚さを２０ミクロン程度と薄くしなければならず、かつ、低比透磁率層の厚さ変動によるインダクタンスのばらつきが顕著となるためである。
【実施例１】
【００３９】
次に、具体的な実施例を挙げ、本発明について更に詳しく説明する。第一の実施例は、高透磁率層として、軟磁性体粉末をＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金(センダスト）、結合剤をポリアミド系樹脂、低透磁率層として、軟磁性体粉末をＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ａｌ−Ｃ系合金(金属ガラス)の水アトマイズ球状粉、結合剤をポリアミドイミド系樹脂、軟磁性磁芯として、ＮｉＺｎフェライトを用いた例を説明する。参照図面は、図４（ｅ）である。
【００４０】
まず、高透磁率層２２を形成するため、軟磁性体粉末としてＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金(センダスト)を準備した。粉末形状を扁平化するために、アトライタを用いて、粗粉砕粉末に遠心および粉砕加工を施した。引き続き、扁平化工程で生じる歪みを除くために、窒素雰囲気中、６５０℃で２時間、焼鈍処理を行った。次に、キシレンを溶媒として、前記軟磁性体粉末と結合材であるポリアミドイミド系樹脂を所定の比で混合してスラリーを作製し、ドクターブレード法によりシートを成形し、６０℃で２ｈ乾燥して溶媒を除去した。
【００４１】
次に、低透磁率層１１を形成するため、軟磁性体粉末としてＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ａｌ−Ｃ系合金(金属ガラス)の水アトマイズ球状粉を準備した。キシレンを溶媒として、前記軟磁性粉末と結合材であるポリアミドイミド系樹脂を所定の比で混合してスラリーを作製し、ドクターブレード法によりシートを成形し、６０℃で２ｈ乾燥して溶媒を除去した。
【００４２】
次に、片側のみに鍔を有する軟磁性磁芯４を得るため、ＮｉＺｎフェライトの粉末にポリビニルアルコール９％水溶液を１０ｗｔ％混合し、この粉末を２０００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加圧成形ののち、脱バインダー処理の上、大気雰囲気中１２００℃で焼結した。片側のみに鍔を有する軟磁性磁芯４は１辺３ｍｍ、巻芯直径１．２ｍｍの形状であり、比透磁率５００を有する。
【００４３】
引き続き、得られた軟磁性磁芯４の巻芯に、直径０．１２ｍｍの被膜導線を８ターン巻回してコイル３とし、巻芯を有しない面上のメタライズ部位に巻線両端をはんだにより接合した。このコイルと巻芯部を被覆するように、３ｍｍ角に切断した金属ガラス球状粉を含む低透磁率層１１（比透磁率１２）を第１シートとして配置し、さらに、低透磁率層１１を被覆するように、３ｍｍ角に切断したセンダストの扁平粉を含む高透磁率層２２（比透磁率１００）を第２シートとして配置し、５００ｇ／ｃｍ2、１８０℃の条件で、巻線部と共に軟磁性磁芯４（フェライト磁芯）に圧着し、インダクタを作製した（図４（ａ）〜図４（ｅ））。比較例として、表１に示した構成のインダクタ比較品１〜３を作製した。表１は、本発明品と比較品のインダクタ構成とインダクタ特性を示したものである。
【００４４】
【表１】
2008288370.tif 000003
【００４５】
表１に示すように、比透磁率が１２の低透磁率層が、比透磁率１００の高透磁率層と片側のみに鍔を有するフェライトコアの間に配置された場合には、巻芯の両側に鍔を有するＮｉＺｎフェライトドラムコア６と比較して、より大きなバイアス電流のもとでも磁気飽和が生じず、大きなインダクタンスを保持している。すなわち、本発明による構成を持つインダクタの直流重畳特性が良好であることが分かる。
【実施例２】
【００４６】
第二の実施例は、高透磁率層として、フェライト平板、低透磁率層として、軟磁性体粉末をＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金の水アトマイズ球状粉、結合剤をエポキシ樹脂、軟磁性磁芯として、ＮｉＺｎフェライトを用いた例を説明する。参照図面は、図４（ｅ）である。
【００４７】
まず、塗布による低透磁率層１１を形成するため、磁性体粉末としてＦｅ―Ｓｉ―Ｃｒ系合金の水アトマイズ球状粉を準備し、結合材であるエポキシ樹脂を混合し、乾燥後の比透磁率が３未満になるように調整して塗布用のペーストを作製した。次に、片側のみに鍔を有する軟磁性磁芯４（フェライト磁芯）、ならびに、高透磁率層２２として用いるフェライト平板を得るため、ＮｉＺｎフェライトの粉末にポリビニルアルコール９％水溶液を１０ｗｔ％混合し、この粉末を２０００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加圧成形ののち、脱バインダー処理の上、大気雰囲気中１２００℃で焼結した。片側のみに鍔を有する磁芯は１辺３ｍｍ、巻芯直径１．２ｍｍ、鍔厚木  正孝０．２５ｍｍの形状であり、また、フェライト平板は一辺３ｍｍ、厚さ０．３ｍｍであり、各々比透磁率５００を有する。
【００４８】
この軟磁性磁芯４の巻芯に、直径０．１２ｍｍの被膜導線を７ターン巻回してコイル３とし、巻芯を有しない面上のメタライズ部位に巻線両端をはんだにより接合した。この磁芯を、ペースト塗布用の型枠内に設置し、このコイル３と巻芯部を被覆するように、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金を含むペーストを塗布した。巻芯部におけるペーストの塗布厚さを表２に示すごとく調整したのち、塗布したペーストの上に３ｍｍ角、厚さ０．３ｍｍのＮｉＺｎフェライト平板を配置し、１５０℃、３０ｍｉｎの条件でエポキシ樹脂を硬化させ、ＮｉＺｎフェライト平板を接着し、本発明品２と本発明品３を得た。得られた本発明品２と本発明品３のインダクタンス特性を低透磁率層の比透磁率を３未満とした比較品５及び比較品６のインダクタンス特性と共に表２に示す。
【００４９】
【表２】
2008288370.tif 000004
【００５０】
表２に示すように、低透磁率層をなす磁性ペーストの比透磁率が３未満の場合、巻線を施したフェライト磁芯とフェライト平板の間隔が±５μｍ変動した場合に、インダクタンスの絶対値が±１５％以上変動する。一般的に、製品のインダクタンスは仕様値から±２０％以内の値であることが要求される。一方、歩留まり向上の観点から、高透磁率層間の距離については±５μｍの変動は許容されることが望ましい。表２より、低透磁率層の比透磁率を３以上４０未満とすれば、高透磁率層間の距離が最大で±５μｍ変動しても、インダクタンスの変動幅を±２０％未満とすることができ、歩留まり向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明に係わる面実装インダクタの構造を模式的に示す図、図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は断面図。
【図２】本発明に係わる面実装インダクタの構造を模式的に示す図、図２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は断面図。
【図３】本発明に係わる面実装インダクタの構造を模式的に示す断面図。
【図４】本発明に係わる面実装インダクタの実施例と比較例についてその構造を模式的に示す断面図。図４（ａ）〜図４（ｄ）は比較例の断面図、図４（ｅ）は本発明に係わる実施例の断面図。
【図５】巻芯部の両側に鍔を持つ、従来のインダクタを示す断面図。
【図６】巻芯部の片側のみに鍔を持ち、単一種類の軟磁性樹脂でコイル部を被覆した、従来のインダクタを示す断面図。
【図７】本発明に係わる面実装インダクタの製造方法の概念図。
【符号の説明】
【００５２】
１    低透磁率層（第１の軟磁性体層）
２    高透磁率層（第２の軟磁性体層）
３    コイル
４    軟磁性磁芯
５    軟磁性樹脂
６    ＮｉＺｎフェライトドラムコア  
１１    （第１シートの）低透磁率層
１２    （第１シートの）高透磁率層
１３    （第１シートの）低透磁率層
２１    （第２シートの）低透磁率層
２２    （第２シートの）高透磁率層
【図１】
2008288370.tif 000005
【図２】
2008288370.tif 000006
【図３】
2008288370.tif 000007
【図４】
2008288370.tif 000008
【図５】
2008288370.tif 000009
【図６】
2008288370.tif 000010
【図７】
2008288370.tif 000011