(57)【要約】【課題】有機物層にピンホールが生じるのを抑制可能とする。【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の主面の一部を被覆した第１電極と、前記主面を被覆すると共に前記主面に垂直な方向から見て輪郭が波打っている貫通孔ＴＨが前記第１電極に対応した位置に設けられた隔壁絶縁層ＰＩと、前記第１電極と向き合った第２電極と、前記第１及び第２電極間に介在すると共に発光層を含んだ活性層とを具備したことを特徴とする。【選択図】      図３
2008234929.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の一方の主面の一部を被覆した第１電極と、
前記主面を被覆すると共に前記主面に垂直な方向から見て輪郭が波打っている貫通孔が前記第１電極に対応した位置に設けられた隔壁絶縁層と、
前記第１電極と向き合った第２電極と、
前記第１及び第２電極間に介在すると共に発光層を含んだ活性層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記絶縁基板と前記第１電極との間に介在した光散乱層をさらに具備したことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記光散乱層は光反射層を含んでいることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載されているように、有機ＥＬ表示装置の製造プロセスでは、有機ＥＬ素子の活性層が含んでいる有機物層をインクジェット法などの溶液塗布法により形成することがある。この方法では、例えば、貫通孔が設けられた隔壁絶縁層を形成し、この貫通孔を液溜めとして利用する。すなわち、高分子有機材料を含有した溶液で先の貫通孔を満たし、この塗膜を乾燥させることにより発光層又はバッファ層などの有機物層を得る。
【０００３】
この方法によると、発光色が互いに異なる発光層を所定の位置に配置することが容易である。しかしながら、この方法では、有機物層にピンホールを生じ易い。
【特許文献１】特開２００４−４７２１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、有機物層にピンホールが生じるのを抑制可能とすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の主面の一部を被覆した第１電極と、前記主面を被覆すると共に前記主面に垂直な方向から見て輪郭が波打っている貫通孔が前記第１電極に対応した位置に設けられた隔壁絶縁層と、前記第１電極と向き合った第２電極と、前記第１及び第２電極間に介在すると共に発光層を含んだ活性層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によると、有機物層にピンホールが生じるのを抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００８】
図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルを概略的に示す断面図である。
【０００９】
図１に示す表示装置は、アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型有機ＥＬ表示装置である。この表示装置は、表示パネルＤＰと映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。
【００１０】
表示パネルＤＰは、図１及び図２に示すように、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとを含んでいる。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとは、向き合っており、中空体を形成している。具体的には、封止基板ＣＳの中央部は、アレイ基板ＡＳから離間している。封止基板ＣＳの周縁部は、図２に示す枠形のシール層ＳＳを介して、アレイ基板ＡＳの一方の主面に貼り付けられている。
【００１１】
アレイ基板ＡＳは、図１及び図２に示す絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。絶縁基板ＳＵＢは、例えばガラス基板である。
【００１２】
基板ＳＵＢ上には、図２に示すアンダーコート層ＵＣが形成されている。アンダーコート層ＵＣは、例えば、基板ＳＵＢ上に、シリコン窒化物層とシリコン酸化物層とをこの順に積層してなる。
【００１３】
アンダーコート層ＵＣ上には、半導体パターンが形成されている。半導体パターンは、例えば不純物を含有したポリシリコンからなる。この半導体パターンの一部は、薄膜トランジスタの半導体層ＳＣとして利用している。各半導体層ＳＣには、ソース及びドレインとして利用する不純物拡散領域が形成されている。また、この半導体パターンの他の一部は、後述するキャパシタＣの下部電極として利用している。下部電極は、後述する画素ＰＸに対応して配列している。
【００１４】
半導体パターンは、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）を用いて形成することができる。
【００１５】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図１に示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が形成されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、画素ＰＸの行に沿ったＸ方向に延びており、画素ＰＸの列に沿ったＹ方向に交互に配列している。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、例えばＭｏＷからなる。なお、Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに垂直な方向である。
【００１６】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、キャパシタＣの上部電極がさらに配置されている。これら上部電極は、画素ＰＸに対応して配列しており、キャパシタＣの下部電極と向き合っている。上部電極は、例えばＭｏＷからなり、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と同一の工程で形成することができる。
【００１７】
走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、半導体層ＳＣと交差している。走査信号線ＳＬ１と半導体層ＳＣとの交差部は、図１に示すスイッチングトランジスタＳＷａを構成している。走査信号線ＳＬ２と半導体層ＳＣとの交差部は、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを構成している。また、先に説明した下部電極と上部電極とそれらの間に介在した絶縁膜ＧＩとは、キャパシタＣを構成している。上部電極は、キャパシタＣからＺ方向に垂直な方向に突き出た突出部を含んでおり、この突出部と半導体層ＳＣとは交差している。この交差部は、駆動トランジスタＤＲを構成している。なお、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００１８】
ゲート絶縁膜ＧＩ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに上部電極は、図２に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法により堆積させたシリコン酸化物からなる。
【００１９】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図１に示す映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとが形成されている。映像信号線ＤＬは、Ｙ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。電源線ＰＳＬは、例えば、Ｙ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。
【００２０】
層間絶縁膜ＩＩ上には、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥがさらに形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、画素ＰＸの各々において素子同士を接続している。
【００２１】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。
【００２２】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、図２に示すパッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳには、スイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されたドレイン電極ＤＥに対応した位置に貫通孔が形成されている。パッシベーション膜は、例えばシリコン窒化物からなる。
【００２３】
パッシベーション膜ＰＳは、表面に凹凸構造が設けられたレリーフ層ＲＬで被覆されている。レリーフ層ＲＬは、連続膜であってもよく、複数の部分にパターニングされていてもよい。ここでは、一例として、レリーフ層ＲＬは連続膜であるとする。
【００２４】
レリーフ層ＲＬは、樹脂と粒子とを含有した分散液を用いて形成することができる。或いは、レリーフ層ＲＬは、凹凸構造が設けられた版を利用して形成してもよい。レリーフ層ＲＬは、典型的には絶縁体からなる。レリーフ層ＲＬは、省略してもよい。
【００２５】
レリーフ層ＲＬは、反射層ＲＥＦで被覆されている。反射層ＲＥＦは、例えば、アルミニウム及び銀などの金属又は合金からなる。
【００２６】
反射層ＲＥＦの表面は、レリーフ層ＲＬに設けられたのと同様の凹凸構造を含んでおり、光散乱面としての役割を果たす。すなわち、反射層ＲＥＦは、光散乱層としての役割を果たす。反射層ＲＥＦは、回折格子を構成していてもよい。
【００２７】
反射層ＲＥＦは、連続膜であってもよく、複数の部分にパターニングされていてもよい。ここでは、一例として、反射層ＲＥＦは、光散乱性の連続膜であるとする。また、ここでは、一例として、反射層ＲＥＦの表面には、略半球形の凸部が設けられていることとする。なお、これら凸部の平均径は、例えば０．２μｍ乃至１．０μｍの範囲内にあり、典型的には０．５μｍ乃至０．８μｍの範囲内にある。また、これら凸部の密度は、例えば５，０００，０００個／ｍｍ2乃至１，０００，０００個／ｍｍ2の範囲内にあり、典型的には２，０００，０００個／ｍｍ2乃至１，２５０，０００個／ｍｍ2の範囲内にある。
【００２８】
反射層ＲＥＦは、表面が略平坦な平坦化層ＦＬで被覆されている。平坦化層ＦＬは、例えば、アクリル樹脂などの硬質樹脂からなる。平坦化層ＦＬは、反射層ＲＥＦの表面が凹凸構造を含んでいない場合には省略してもよい。
【００２９】
平坦化層ＦＬ上では、第１電極である画素電極ＰＥが配列している。画素電極ＰＥは、光透過性を有しており、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電材料からなる。
【００３０】
平坦化層ＦＬ上には、隔壁絶縁層ＰＩがさらに設置されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔ＴＨが設けられている。典型的には、隔壁絶縁層ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁部を被覆している。
【００３１】
隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、アクリル樹脂層などの有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。隔壁絶縁層ＰＩの材料としては、典型的にはポジ型のフォトレジストを使用するが、ネガ型のフォトレジストを使用してもよい。隔壁絶縁層ＰＩについては、後で詳しく説明する。
【００３２】
各画素電極ＰＥ上には、発光層を含んだ活性層ＡＣＴが形成されている。発光層は、ルミネッセンス性の有機材料からなる。活性層ＡＣＴは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、及び電子注入層の少なくとも１つをさらに含んでいてもよい。
【００３３】
活性層ＡＣＴが含んでいる各層は、典型的には、高分子有機材料などの有機物からなる。これら有機物層の少なくとも１つは、インクジェット法などの溶液塗布法により形成する。なお、電子注入層などの活性層ＡＣＴが含んでいる層の一部は無機物層であってもよい。
【００３４】
隔壁絶縁層ＰＩ及び活性層ＡＣＴは、光透過性の対向電極ＣＥで被覆されている。本態様では、対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で共用している共通電極である。また、本態様では、対向電極ＣＥは陰極である。対向電極ＣＥは、例えば、隔壁絶縁層ＰＩと平坦化層ＦＬと反射層ＲＥＦとレリーフ層ＲＦとパッシベーション膜ＰＳとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。
【００３５】
対向電極ＣＥは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。単層構造の対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウムと銀との合金などの合金又は金属からなる層である。多層構造の対向電極ＣＥは、例えば、先の合金又は金属からなる層とＩＴＯなどの透明導電材料からなる層との積層体である。
【００３６】
画素電極ＰＥと活性層ＡＣＴと対向電極ＣＥとは、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成している。これら有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、マトリクス状に配列している。
【００３７】
画素ＰＸの各々は、図１に示すように、駆動トランジスタＤＲと、スイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００３８】
駆動トランジスタＤＲとスイッチングトランジスタＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３９】
スイッチングトランジスタＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｂは、映像信号線ＤＬと駆動トランジスタＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｃは、駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。
【００４０】
キャパシタＣは、駆動トランジスタＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。この例では、定電位端子ＮＤ１’は、電源端子ＮＤ１に接続されている。
【００４１】
封止基板ＣＳは、図２に示すように、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを間に挟んで基板ＳＵＢと向き合っている。封止基板ＣＳは、例えばガラス基板である。
【００４２】
シール層ＳＳは、上記の通り、枠形状を有しており、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳの周縁部との間に介在している。シール層ＳＳは、全画素ＰＸによって構成された画素群を取り囲んでいる。シール層ＳＳの材料としては、例えば、フリットガラス及び接着剤を使用することができる。
【００４３】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、図１に示すように、アレイ基板ＡＳに搭載されている。映像信号線ドライバＸＤＲには、映像信号線ＤＬが接続されている。この例では、映像信号線ドライバＸＤＲには、電源線ＰＳＬがさらに接続されている。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号として出力すると共に、電源線ＰＳＬに電源電圧を供給する。走査信号線ドライバＹＤＲには、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２にそれぞれ第１及び第２走査信号を電圧信号として出力する。
【００４４】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、画素ＰＸを行毎に順次選択する。或る画素ＰＸを選択している選択期間では、その画素ＰＸに対して書込動作を行う。或る画素ＰＸを選択していない非選択期間では、その非選択中の画素ＰＸで表示動作を行う。
【００４５】
具体的には、或る行の画素ＰＸを選択する選択期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを開く（非導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。続いて、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＹＤＲから、映像信号線ＤＬに、映像信号を電流信号（書込電流）Ｉsigとして出力し、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖgsを、先の映像信号Ｉsigに対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力する。続いて、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。これにより、選択期間を終了する。
【００４６】
選択期間に続く非選択期間では、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。スイッチングトランジスタＳＷａは閉じたままとし、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃは開いたままとする。非選択期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖgsに対応した大きさの駆動電流Ｉdrvが流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流Ｉdrvの大きさに対応した輝度で発光する。
【００４７】
この有機ＥＬ表示装置では、隔壁絶縁層ＰＩの貫通孔ＴＨは、絶縁基板ＳＵＢの主面に垂直な方向から見た場合に輪郭が波打っている。
【００４８】
図３は、図２に示す表示パネルで使用可能な隔壁絶縁層の一例を概略的に示す平面図である。図４は、図３に示す隔壁絶縁層の一部を拡大して示す平面図である。
【００４９】
図３及び図４に示す隔壁絶縁層ＰＩは、絶縁基板ＳＵＢの主面に垂直な方向から見た場合に、貫通孔ＴＨの輪郭が不規則に波打っている。貫通孔ＴＨの輪郭の各辺において、波の山は、例えば２０個／ｍｍ乃至５０個／ｍｍの密度で、典型的には３０個／ｍｍ乃至４６個／ｍｍの密度で分布している。また、これら山の高さＨの平均は、例えば０．５μｍ乃至４μｍの範囲内にあり、典型的には１μｍ乃至３μｍの範囲内にある。
【００５０】
この構成を採用した場合、溶液塗布法で形成した有機物層と隔壁絶縁層ＰＩとの間に隙間を生じ難い。すなわち、この構成を採用した場合、溶液塗布法で形成した有機物層にピンホールが生じるのを抑制することができる。
【００５１】
この隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、遮光層が波打った輪郭を有しているフォトマスクを用いて形成することができる。或いは、この隔壁絶縁層ＰＩは、遮光層が波打った輪郭を有していないフォトマスクを用いて形成してもよい。例えば、反射層ＲＥＦによる光散乱を利用して、貫通孔ＴＨの輪郭を波打った形状とすることができる。すなわち、反射層ＲＥＦの表面に設ける凸部の径及び／又は密度などを適宜設定することにより、遮光層が波打った輪郭を有していないフォトマスクを用いた場合であっても、貫通孔ＴＨの輪郭を波打った形状とすることができる。
【００５２】
上述した有機ＥＬ表示装置には、様々な変形が可能である。例えば、有機ＥＬ表示装置は、上面発光型とする代わりに、下面発光型としてもよい。また、有機ＥＬ表示装置には、映像信号として電流信号を書き込む構成を採用する代わりに、映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用してもよい。さらに、有機ＥＬ表示装置には、アクティブマトリクス駆動方式を採用する代わりに、パッシブマトリクス駆動方式やセグメント駆動方式などの他の駆動方式を採用してもよい。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明の実施例について説明する。  
（実施例）
本例では、図１乃至図４を参照しながら説明した有機ＥＬ表示装置を以下の方法により製造した。
【００５４】
まず、図２のアレイ基板ＡＳからレリーフ層ＲＦと反射層ＲＥＦと隔壁絶縁層ＰＩと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを省略した構造を準備した。
【００５５】
次に、パッシベーション膜ＰＳ上に、樹脂とガラス粒子とを含有した分散液を塗布した。この塗膜を乾燥させることにより、レリーフ層ＲＦを得た。
【００５６】
次いで、スパッタリング法により、レリーフ層ＲＦ上に、銀からなる厚さが２００ｎｍの反射層ＲＦを形成した。この反射層ＲＦを走査電子顕微鏡で観察したところ、その表面には、平均粒径が約０．５μｍの凸部が約２，０００，０００個／ｍｍ2の密度で分布していた。  
その後、反射層ＲＦ上に、アクリル樹脂からなる平坦化層ＦＬを形成した。  
次に、平坦化層ＦＬ上に、ＩＴＯからなる画素電極ＰＥを形成した。画素電極ＰＥは、スパッタリング法により平坦化層ＦＬ上にＩＴＯ層を形成し、これをパターニングすることにより得た。
【００５７】
次いで、平坦化層ＦＬ及び画素電極ＰＥ上に、アクリル樹脂からなる隔壁絶縁層ＰＩを形成した。隔壁絶縁層ＰＩは、ポジ型のフォトレジストを用いたフォトリソグラフィにより形成した。貫通孔ＴＨのＸ方向についての寸法は約７８μｍとし、Ｙ方向についての寸法は約３１４μｍとした。
【００５８】
この隔壁絶縁層ＰＩを走査電子顕微鏡で観察したところ、貫通孔ＴＨの輪郭は不規則に波打っていた。貫通孔ＴＨの輪郭の各辺において、波の山の密度は、約４６個／ｍｍであった。また、これら山の高さＨの平均は、約３μｍであった。
【００５９】
次に、隔壁絶縁層ＰＩの表面に撥液処理を施し、隔壁絶縁層ＰＩの各貫通孔ＴＨに第１溶液をインクジェット法によって供給した。ここでは、第１溶液は、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を純水に溶解させることにより調製した。続いて、塗膜を１３０℃で５分間加熱して、塗膜から有機溶剤を除去した。このようにして、画素電極ＰＥ上に正孔輸送層を形成した。
【００６０】
続いて、隔壁絶縁層ＰＩの各貫通孔ＴＨに、第２溶液をインクジェット法によって供給した。第２溶液は、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ：poly(phenylene vinylene)）をトルエンに溶解させることにより調製した。その後、塗膜を１２０℃で５分間加熱する仮焼成に供し、続いて、塗膜を２００℃で１０分間加熱する本焼成に供した。このようにして、正孔輸送層上に発光層を形成した。
【００６１】
その後、発光層上に、真空蒸着法により対向電極ＣＥを形成した。対向電極ＣＥの材料としては、バリウムと銀とを使用した。以上のようにして、アレイ基板ＡＳを完成した。
【００６２】
次に、不活性雰囲気中で、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとをシール層ＳＳを介して貼り合せることにより表示パネルＤＰを形成した。シール層ＳＳの材料としては、紫外線硬化樹脂を使用した。さらに、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲを実装することにより、有機ＥＬ表示装置を完成した。
【００６３】
以上の方法により５個の有機ＥＬ表示装置を製造し、これら有機ＥＬ表示装置の各々について、滅点の有無を調べた。その結果、全ての有機ＥＬ表示装置において、滅点は確認されなかった。
【００６４】
（比較例）
図５は、比較例に係る有機ＥＬ表示装置の隔壁絶縁層を概略的に示す平面図である。この隔壁絶縁層ＰＩにおいて、貫通孔ＴＨの輪郭は、各辺が波打っていない八角形である。
【００６５】
本例では、レリーフ層ＲＦを省略し、隔壁絶縁層ＰＩの貫通孔ＴＨを図５に示す形状としたこと以外は実施例で説明したのと同様の方法により、５個の有機ＥＬ表示装置を製造した。
【００６６】
これら有機ＥＬ表示装置の各々について、滅点の有無を調べた。その結果、５個の有機ＥＬ表示装置において、滅点が確認された。滅点として視認された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤでは、正孔輸送層及び／又は発光層にピンホールを生じていた。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルを概略的に示す断面図。
【図３】図２に示す表示パネルで使用可能な隔壁絶縁層の一例を概略的に示す平面図。
【図４】図３に示す隔壁絶縁層の一部を拡大して示す平面図。
【図５】比較例に係る有機ＥＬ表示装置の隔壁絶縁層を概略的に示す平面図。
【符号の説明】
【００６８】
ＡＣＴ…活性層、ＡＳ…アレイ基板、Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＣＳ…封止基板、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動トランジスタ、ＦＬ…平坦化層、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＲＥＦ…反射層、ＲＬ…レリーフ層、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＳ…シール層、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｂ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｃ…スイッチングトランジスタ、ＳＷＦ…側壁形成層、ＴＨ…貫通孔、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【図１】
2008234929.tif 000003
【図２】
2008234929.tif 000004
【図３】
2008234929.tif 000005
【図４】
2008234929.tif 000006
【図５】
2008234929.tif 000007