(57)【要約】【課題】屈曲性に優れた配線基板、電子部品及び配線基板の導体部と電子部品とを接合する接合部を有する実装部品を提供する。【解決手段】配線基板の導体部が銅箔であって、線源から放出した陽電子を銅箔に入射させ、銅箔中の陽電子寿命を測定する陽電子消滅法によって測定される銅箔の陽電子の寿命が、JIS合金番号C1020銅板（質別O材、銅成分99.96％以上）の120ps（ピコ秒）に対し、120〜150psの範囲内の陽電子寿命を有する銅箔である実装部品。ここで、配線基板は、銅箔表面にポリイミド前駆体樹脂溶液を塗工し、乾燥及び硬化を行う工程、又はポリイミド樹脂フィルムを銅箔表面に熱圧着する工程を経て得られ、これら工程において、300〜400℃の温度範囲で3〜40分間保持することで、前記銅箔の陽電子の寿命とされる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板、電子部品及び配線基板の導体部と電子部品とを接合する接合部を有する実装部品において、配線基板の導体部が銅箔であって、線源から放出した陽電子を銅箔に入射させ、銅箔中の陽電子寿命を測定する陽電子消滅法によって測定される銅箔の陽電子の寿命が、JIS合金番号C1020銅板（質別O材、銅成分99.96％以上）の120ピコ秒に対し、120〜150ピコ秒の範囲内の陽電子寿命を有する銅箔であることを特徴とする実装部品。
【請求項２】
配線基板の導体部が、電解銅箔であることを特徴とする請求項１記載の実装部品。
【請求項３】
電子部品が半導体素子であって、配線基板が銅箔とポリイミド樹脂層から構成される銅張積層板を回路加工して得られるものであることを特徴とする請求項１又は２記載の実装部品。
【請求項４】
配線基板、電子部品及び配線基板の導体部と電子部品とを接合する接合部を有する実装部品の製造方法において、
配線基板が銅箔とポリイミド樹脂層から構成される銅張積層板を回路加工して得られるものであること、
銅張積層板が、銅箔表面にポリイミド前駆体樹脂溶液を塗工し、続く熱処理工程で乾燥及び硬化を行うことで得られるものであること、
銅箔に電解銅箔を用い、前記熱処理工程において、300〜400℃の温度範囲で3〜40分間保持することで、陽電子消滅法によって測定される銅箔の陽電子の寿命が、JIS合金番号C1020銅板（質別O材、銅成分99.96％以上）の120ピコ秒に対し、120〜150ピコ秒の範囲内の陽電子寿命を有する銅箔とすることを特徴とする実装部品の製造方法。
【請求項５】
配線基板、電子部品及び配線基板の導体部と電子部品とを接合する接合部を有する実装部品の製造方法において、
配線基板が銅箔とポリイミド樹脂層から構成される銅張積層板を回路加工して得られるものであること、
銅張積層板が、銅箔表面にポリイミド樹脂のフィルムを重ね合わせ、加圧下で熱圧着を行うことで得られるものであること、
銅箔に電解銅箔を用い、前記熱圧着において、300〜400℃の温度範囲で3〜40分間保持することで、陽電子消滅法によって測定される銅箔の陽電子の寿命が、JIS合金番号C1020銅板（質別O材、銅成分99.96％以上）の120ピコ秒に対し、120〜150ピコ秒の範囲内の陽電子寿命を有する銅箔とすることを特徴とする実装部品の製造方法。
【請求項６】
配線基板、電子部品及び配線基板の導体部と電子部品とを接合する接合部を有する実装部品の評価方法において、配線基板の導体部が銅箔であって、線源から放出した陽電子を銅箔に入射させ、銅箔中の陽電子寿命を測定する陽電子消滅法によって測定される銅箔の陽電子の寿命が、JIS合金番号C1020銅板（質別O材、銅成分99.96％以上）の120ピコ秒に対し、120〜150ピコ秒の範囲内の陽電子寿命を有する銅箔であることを確認することを特徴とする実装部品の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、電子部品及び配線基板の導体部と電子部品とを接合する接合部を有する実装部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板に半導体等の電子部品を実装した実装部品は広く知られている。配線基板としては、絶縁体としての樹脂層及び導体としての回路加工された金属層を有する配線基板が広く知られている。そして、絶縁体としての樹脂層としては、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂（複合材を含む）、ポリエステル樹脂等が知られている。一方、導体としての回路加工された金属層としては、銅箔（銅を主成分とする銅合金箔を含む）が一般的である。
【０００３】
フレキシブルプリント基板用積層板の耐折性を向上させるために、銅箔の品質改善が要請されているが、これまで、その品質向上を可能とする評価・解析技術の適用が充分ではなかった。近年、陽電子寿命を測定し、材料内部に存在する空孔型欠陥の評価方法が進展してきた。
【０００４】
【特許文献１】特開2003-270176号公報
【非特許文献１】第15回マイクロエレクトロニクスシンポジウム、2005年10月、ｐ349
【非特許文献２】新日鉄技報、第367号、1998年、p15
【非特許文献３】応用物理、第74巻、第9号、2005年、p1223
【非特許文献４】Isotope News、2003年12月、p2
【０００５】
非特許文献１では、陽電子消滅法を用いためっき銅中の格子欠陥を研究した報告がなされている。この報告では、めっき銅と鉛フリー半田との界面反応性を調べており、界面に格子欠陥があると陽電子の平均寿命が長くなるとしている。非特許文献２では、陽電子消滅法によるシリコン中のイオン注入欠陥を研究した報告がなされている。非特許文献３では、陽電子による先端半導体材料の評価方法を研究した報告がなされている。非特許文献４では、陽電子消滅による欠陥化学状態を分析した報告がなされている。具体的には、Si半導体、Fe-Cu合金についての分析にとどまる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、優れた耐屈曲性を有する実装部品を提供することを目的とする。他の目的は、優れた耐屈曲性を有する実装部品を製造する方法を提供することを目的とする。他の目的は、実装部品を評価する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、配線基板、電子部品及び配線基板の導体部と電子部品とを接合する接合部を有する実装部品において、配線基板の導体部が銅箔であって、線源から放出した陽電子を銅箔に入射させ、銅箔中の陽電子寿命を測定する陽電子消滅法によって測定される銅箔の陽電子の寿命が、JIS合金番号C1020銅板（質別O材、銅成分99.96％以上）の120ps(ピコ秒)に対し、120〜150psの範囲内の陽電子寿命を有する銅箔であることを特徴とする実装部品である。
【０００８】
上記実装部品は次のいずれか１以上を満足することは、より優れた実装部品を与える。
1）  配線基板の導体部が、電解銅箔であること。
2）  電子部品が半導体素子であって、配線基板が銅箔とポリイミド樹脂層から構成される銅張積層板を回路加工して得られるものであること。
【０００９】
また、本発明は、配線基板、電子部品及び配線基板の導体部と電子部品とを接合する接合部を有する実装部品の製造方法において、配線基板が銅箔とポリイミド樹脂層から構成される銅張積層板を回路加工して得られるものであり、銅張積層板が、銅箔表面にポリイミド前駆体樹脂溶液を塗工し、続く熱処理工程で乾燥及び硬化を行うことで得られるものであり、銅箔に電解銅箔を用い、前記熱処理工程において、300〜400℃の温度範囲で3〜40分間保持することで、陽電子消滅法によって測定される銅箔の陽電子の寿命が、JIS合金番号C1020銅板（質別O材、銅成分99.96％以上）の120psに対し、120〜150psの範囲内の陽電子寿命を有する銅箔とすることを特徴とする実装部品の製造方法である。また、上記銅張積層板が、銅箔表面にポリイミド樹脂のフィルムを重ね合わせ、加圧下で熱圧着を行うことで得られるものであり、銅箔に電解銅箔を用い、前記熱圧着において、300〜400℃の温度範囲で3〜40分間保持することで、上記陽電子寿命を有する銅箔とする実装部品の製造方法であることもよい。
【００１０】
更に本発明は、配線基板、電子部品及び配線基板の導体部と電子部品とを接合する接合部を有する実装部品の評価方法において、配線基板の導体部が銅箔であって、線源から放出した陽電子を銅箔に入射させ、銅箔中の陽電子寿命を測定する陽電子消滅法によって測定される銅箔の陽電子の寿命が、JIS合金番号C1020銅板（質別O材、銅成分99.96％以上）の120psに対し、120〜150psの範囲内の陽電子寿命を有する銅箔であることを確認することを特徴とする実装部品の評価方法である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の製造方法によれば、優れた耐熱性及び耐屈曲性を有する実装部品を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の実装部品は、配線基板、電子部品及び配線基板の導体部と電子部品とを接合する接合部を有する。ここで、配線基板の導体部が銅箔であって、線源から放出した陽電子を銅箔に入射させ、銅箔中の陽電子寿命を測定する陽電子消滅法によって測定される銅箔の陽電子の寿命（平均寿命をいう）が、JIS合金番号C1020銅板（質別O材、銅成分99.96％以上）の120ps(ピコ秒)に対し、120〜150psの範囲内の陽電子寿命を有する銅箔である。
【００１３】
配線基板としては、銅箔とポリイミド樹脂層から構成される銅張積層板を回路加工して得られるものが適する。銅張積層板としては、銅箔表面にポリイミド前駆体樹脂溶液を塗工し、続く熱処理工程で乾燥及び硬化（イミド化）を行うことで得られるものや、銅箔表面にポリイミド前駆体樹脂のフィルムを重ね合わせ、加圧下で熱圧着を行うことで得られるものが適する。銅張積層板は、ポリイミド樹脂層を有するが、ポリイミド樹脂層は１層であっても、２層以上であってもよい。銅張積層板に使用される銅箔としては、電解銅箔が適する。そして、熱処理工程又は熱圧着において、300〜400℃の温度範囲で3〜40分間保持することで、陽電子消滅法によって測定される銅箔の陽電子の寿命が、上記寿命を有する銅箔である必要がある。なお、銅張積層板を回路加工する方法としては、現像、エッチング等の公知の方法が採用できる。
【００１４】
電子部品を配線基板に実装した場合、次の２箇所が接合部となる。
1）電子部品と半田の接合部
2）半田と配線基板の接合部
【００１５】
高温又は屈曲動作が要求される環境下では、これら接合界面の変化に伴う劣化が生じる。半田と配線基板の接合部においては、配線基板の導体部、特に銅箔の空孔型欠陥を介した半田中の錫の拡散で生成した金属間化合物の層と銅層の２層を形成する。銅リッチの金属間化合物層には、原子の拡散速度の差異によって発生するカーケンダルボイドを誘起し、脆弱な金属間化合物の存在と相まって、クラックに発展する。カーケンダルボイドは、走査型電子顕微鏡（FE-SEM）にて観察可能であるが、観察不可能な空孔欠陥は、陽電子消滅法による陽電子寿命を測定することが有効である。陽電子の寿命は、陽電子の周りの電子密度に反比例する。空孔内では消滅の相手となる電子の密度は低いので、陽電子が空孔に捕獲されるとその寿命は長くなる。三次元的空孔集合体が大きくなるにつれて、陽電子寿命が延びる。このことを利用して、陽電子寿命から空孔集合体の大きさを見積る。空孔型欠陥の数密度が比較的低い場合（100ppm程度以下）、一部の陽電子は空孔型欠陥に捕獲される前にバルクで消滅する。このためバルクと欠陥での全体としての陽電子平均寿命は、空孔濃度に依存し、空孔濃度が高ければ陽電子寿命は長くなり、低ければ短くなる。導体部が従来のものより陽電子寿命が短いもの、すなわち空孔型欠陥が少ない材料であることにより、実装部品としての性能が向上することが見出された。すなわち、使用する配線基板の導体部となる銅箔の空孔欠陥が少ない材料であることがよいことが見出された。
【００１６】
配線基板の導体層に適用されている銅箔は、陽電子消滅法によって測定される銅箔の陽電子の寿命が、JIS合金番号C1020銅板（質別O材、銅成分99.96％以上）の120psに対し、150psを超える陽電子寿命を有する銅箔であるが、本発明における実装部品では、配線基板の銅箔の陽電子寿命は120〜150psの範囲内、好ましくは130〜148psの範囲内、更に好ましくは140〜147psの範囲内の陽電子寿命を有することがよい。
【００１７】
このような陽電子寿命を有する銅箔は、市販の電解銅箔を適宜選択し、所定の熱処理工程を加えることで製造可能である。熱処理工程においては、300〜400℃の温度範囲で3〜40分間、好ましくは310〜390℃の温度範囲で5〜30分間、更に好ましくは、320〜380℃の温度範囲で7〜20分間保持する工程を備えることで、上記陽電子寿命を120〜150psの範囲内のものとすることができることを見出した。
【００１８】
熱処理工程は上記陽電子寿命を銅箔に与える条件である必要があるが、有利には銅張積層板を製造する工程中に、上記熱処理工程を設けることがよい。具体的には、銅張積層板が、銅箔表面にポリイミド前駆体樹脂溶液を塗工し、続く熱処理工程で乾燥及び硬化を行うことで得られるものである場合は、この熱処理工程において、300〜400℃の温度範囲で3〜40分間、好ましくは310〜390℃の温度範囲で5〜30分間、更に好ましくは、320〜380℃の温度範囲で7〜20分間保持する工程を備えることがよい。
【００１９】
また、銅張積層板が、銅箔表面にポリイミド樹脂のフィルムを重ね合わせ、加圧下で熱圧着を行うことで得られるものである場合は、この熱圧着工程において、300〜400℃の温度範囲で3〜40分間保持することと熱処理を同時に行うことがよい。
【００２０】
配線基板の絶縁層は、上記温度に耐え得るものであり、このような絶縁層はポリイミド樹脂が選択される。実装における熱寸法安定性の観点から、上記ポリイミド樹脂層は、熱線膨張係数が30ppm/K未満、有利には5ppm/K〜25ppm/Kの範囲にある低熱膨張性ポリイミド樹脂層を有することが好ましい。そして、この低熱膨張性ポリイミド樹脂層のいずれか一方又は両面の面にガラス転移温度が350℃以下、好ましくは250〜350℃の範囲にある熱可塑性ポリイミド樹脂層を設けることがよい。
【００２１】
ポリイミド樹脂層の層厚みは、15〜50μmの範囲にあることが好ましく、更に好ましくは20〜40μmの範囲にあることがよい。ポリイミド樹脂層を低熱膨張性ポリイミド樹脂層と熱可塑性ポリイミド樹脂層とで構成する場合、その合計厚みの1/2以上、有利には2/3〜9/10は低熱膨張性ポリイミド樹脂層で構成することがよい。また、耐熱性や寸法安定性の観点から、熱可塑性ポリイミド樹脂層の一層の厚みは、5μm以下、有利には1〜4μmの範囲にあることがよい。同じ厚さの熱可塑性ポリイミド樹脂層を低熱膨張性ポリイミド樹脂層の両側に設ける場合、熱可塑性ポリイミド樹脂層の合計厚みは前記値の2倍となる。
【００２２】
銅箔の好ましい厚さは、8〜35μmの範囲であり、特に好ましくは9〜18μmの範囲である。銅箔厚みが8μmに満たないと、銅張積層板の製造時のテンション調整が困難となり、空孔欠陥を増加させる要因ともなり得る。一方、35μmを越えると銅張積層板の屈曲性が劣る。
【００２３】
配線基板の導体部は、圧延銅箔又は電解銅箔のいずれでもよいが、電解銅箔が好ましい。この中でも特に、結晶粒径の平均値が2.0〜5.0μmの範囲内にあるものが好ましい。この結晶粒径の範囲のものは、陽電子寿命が140〜150psの範囲内にある銅箔の耐折性能を向上させる効果がある。なお、配線基板の導体部又は電子部品実装後の導体部（接合部を除く）の陽電子寿命は、使用する銅張積層板の銅箔の陽電子寿命と同じと見ることができる。これは、銅張積層板が熱処理を受けたものであり、銅箔は再結晶を完了しているためである。
【００２４】
配線基板に実装する電子部品としては、半導体素子が一般的である。実装する際には、両者を電気的に接続する接合材料が使用される。接合材料としては、半田が一般的であるが、鉛フリー半田等の各種の半田が使用される。接合材料としては、錫、金、亜鉛又は鉛のいずれかを主成分とする金属が好ましい。
【００２５】
本発明の実装部品の評価方法は、配線基板の導体部が銅箔であって、線源から放出した陽電子を銅箔に入射させ、銅箔中の陽電子寿命を測定する陽電子消滅法によって測定される銅箔の陽電子の寿命が、JIS合金番号C1020銅板（質別O材、銅成分99.96％以上）の120psに対し、120〜150psの範囲内の陽電子寿命を有する銅箔であることを確認することである。かかる評価を行うことにより耐熱性、耐屈曲性の優れる実装部品を選択することができ、良品の検査方法として優れる。
【実施例】
【００２６】
１）銅箔中の陽電子寿命の測定方法
非特許文献２（新日鉄技報第367号）のp16中の図１に記載の装置を用いて、銅張積層板を構成する銅箔の陽電子寿命の平均を求めた。なお、陽電子で検出できる量の空孔型欠陥が含まれていない標準材料として、充分、焼きなましされた高純度銅のJIS合金番号C1020銅板（質別O材、銅成分99.96％以上）を選定し、その陽電子寿命が120psとなる測定条件で測定した。
【００２７】
２）平均結晶粒径の測定方法
銅箔表面に物理研磨を施した後、さらに酸性の腐食液を用いてエッチングし、これをキーエンス社製の超深度形状測定顕微鏡VK8500により2000倍の倍率で観察し、切断法によるASTM粒度測定（ASTM E112）に準拠した方法を用いて、平均の結晶粒径を求めた。
【００２８】
３）屈曲試験
以下に示したMIT試験法により評価を行った。屈曲試験サンプルは、銅張積層板を各屈曲試験用に回路加工して、回路が形成された面に12μm厚のポリイミドフィルムに15μmのエポキシ系接着剤層が設けられた市販のカバー材を回路形成面と接着剤層とが向かい合わさるようにし、40kgf/cm2の圧力、160℃、60分間の条件で高温真空プレス機を用いて熱圧着させて得た。以下、試験片と呼ぶ。
【００２９】
[MIT屈曲試験方法]
（株）東洋精機製作所製のMIT屈曲試験装置により、MIT屈曲試験を行った。下記条件下で屈曲を繰り返し、試験片が断線するまでの回数を屈曲回数として求めた。
試験片幅：9mm、試験片長さ：90mm、回路幅／絶縁幅＝150μm/250μm、試験片採取方向：試験片の長さが機械方向と平行になるように採取、屈曲半径r＝0.8mm、おもりの重さ＝500g、折り曲げ角度＝135°の条件で試験を行った。
【００３０】
４）ガラス転移温度の測定
粘弾性アナライザー（レオメトリックサイエンスエフィー株式会社製RSA−II）にて、合成例から得られたポリイミドフィルムを10mm幅のサンプルとして用い、１Hzの振動を与えながら、室温から400℃まで10℃/分の速度で昇温した際の、損失正接（Tanδ）の極大から求めた。
【００３１】
５）熱線膨張係数の測定
サーモメカニカルアナライザー（セイコーインスツルメンツ社製）をにて、合成例から得られたポリイミドフィルムを250℃まで昇温し、更にその温度で10分保持した後、5℃／分の速度で冷却し、ポリイミドフィルムの寸法変化から240℃から100℃までの平均の熱線膨張係数を求めた。
【００３２】
合成例１
反応容器に、N,N-ジメチルアセトアミドを入れる。この反応容器に4,4'-ジアミノ-2'-メトキシベンズアニリド(MABA)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、無水ピロメリット酸(PMDA)及び4,4'-ジアミノジフェニルエーテル(DAPE)を加えた。モノマーの投入総量が15wt％で、各ジアミンのモル比率は、MABA:DAPE、60：40となるよう投入した。その後、3時間撹拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリイミド前駆体樹脂液ａを得た。また、本合成例によって得られたポリイミド前駆体樹脂液aを、ポリイミド樹脂フィルムとし、その熱線膨張係数を測定したところ、15×10-6/Kであった。
【００３３】
合成例２
反応容器に、N,N-ジメチルアセトアミドを入れる。この反応容器に2，2'ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン（BAPP）及び1,4-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン(TPE-Q)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、BPDA及びPMDAを加えた。モノマーの投入総量が15wt％で、各ジアミンのモル比率は、BAPP:TPE-Q、80：20となるよう投入した。その後、3時間撹拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリイミド前駆体樹脂液bを得た。また、本合成例によって得られたポリイミド前駆体樹脂液bをイミド化してガラス転移温度を測定したところ、319℃であった。
【００３４】
参考例
銅箔上に、合成例２で得られたポリイミド前駆体樹脂液bを硬化後の厚みが約2μmとなるように均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。次に、その上に積層するように合成例１で調整したポリイミド前駆体樹脂aを硬化後の厚みが約35μmとなるように均一に塗布し、135℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。さらにこのポリイミド前駆体樹脂層上にポリイミド前駆体樹脂液bを硬化後の厚みが約3μmとなるように均一に塗布し、130℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。引き続き、130℃から380℃まで10分かけて段階的に昇温された熱処理工程を経由させ、ポリイミド樹脂層の厚み40μmの銅張積層板を得た。
この銅張積層板を塩化第二鉄溶液にてエッチングして銅箔を除去し、ポリイミドフィルムを得た。このポリイミドフィルムの銅箔を除去した面に金属原料が成膜されるように、RFマグネトロンスパッタリング装置にセットし、金属薄膜を形成した。サンプルをセットした槽内は3×10-4Paまで減圧した後、アルゴンガスを導入し真空度を2×10-1Paとし、RF電源にてプラズマを発生した。このプラズマにてニッケル：クロムの合金層〔比率8：2、99.9wt％、ニクロム層が膜厚30nmとなるようにポリイミドフィルムの銅箔除去面に成膜した。ニクロム層を成膜した後、同一雰囲気下にて、このニクロム層上に更にスパッタリングにより銅（99.99wt％）を200nm成膜した。次いで、上記銅スパッタ膜を電極として電解めっき浴にて12μm厚の銅めっき層を形成した。電解めっき浴としては、硫酸銅浴（浴組成として、硫酸銅100g/L、硫酸220g/L及び塩素40mg/L、並びにアノードとして、含燐銅）を使用し、電流密度2.0A/dm2にてめっき膜を形成した。めっき後には十分な蒸留水で洗浄し乾燥を行った。このようにして、ポリイミドフィルム／ニクロム層／銅スパッタ層／電解めっき銅層から構成される銅張積層板Sを得た。前記銅張積層板Sを屈曲試験サンプル試験片に加工後、導体部表面に錫めっきし、さらに150℃、１時間の熱処理を行ったサンプルを得た。錫めっき前後におけるMIT屈曲試験を実施し、屈曲回数を測定した。
【００３５】
実施例１
銅箔１（電解銅箔、厚み12μm）を準備した。この銅箔上に合成例２で得られたポリイミド前駆体樹脂液bを硬化後の厚みが約2μmとなるように均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。次に、その上に積層するように合成例１で調整したポリイミド前駆体樹脂aを硬化後の厚みが約35μmとなるように均一に塗布し、135℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。さらにこのポリイミド前駆体樹脂層上にポリイミド前駆体樹脂液bを硬化後の厚みが約3μmとなるように均一に塗布し、130℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。
この積層体１を、その後130℃から380℃まで10分かけて段階的に昇温された熱処理工程を経由させ、ポリイミド樹脂層の厚み40μmの銅張積層板Aを得た。この際、最高加熱温度は380℃であり、この温度で６分の熱処理を行った。300℃から380℃の温度範囲における合計の保持時間は、約10分である。得られた銅張積層板Aの銅箔の陽電子寿命は147psであり、平均結晶粒径は3.0μmであった。前記銅張積層板Aを屈曲試験サンプル試験片に加工後、導体部表面に錫めっきし、さらに150℃、１時間の熱処理を行ったサンプルを得た。錫めっき前後におけるMIT屈曲試験を実施し、屈曲回数を測定した。
【００３６】
実施例２
銅箔２（電解銅箔、厚み12μm）を準備した。この銅箔を用いて、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂層の厚み40μmの銅張積層板Bを得た。なお、得られた銅張積層板Bの銅箔の陽電子寿命は、146psであり、平均結晶粒径は、4.0μmであった。この銅張積層板Bを屈曲試験サンプル試験片に加工後、導体部表面に錫めっきし、さらに150℃、１時間の熱処理を行ったサンプルを得た。錫めっき前後におけるMIT屈曲試験を実施し、屈曲回数を測定した。
【００３７】
比較例１
銅箔３（電解銅箔、厚み12μm）を準備した。この銅箔を用いて、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂層の厚み40μmの銅張積層板Cを得た。なお、得られた銅張積層板Cの銅箔の陽電子寿命は、160psであり、平均結晶粒径は、1.3μmであった。前記銅張積層板Cを屈曲試験サンプル試験片に加工後、導体部表面に錫めっきし、さらに150℃、１時間の熱処理を行ったサンプルを得た。錫めっき前後におけるMIT屈曲試験を実施し、屈曲回数を測定した。
【００３８】
比較例２
銅箔１（電解銅箔、厚み12μm）を準備した。この銅箔を用いて、実施例１と同様にして、積層体１を得た。この積層体１を、その後130℃から250℃まで10分かけて段階的に昇温された熱処理工程を経由させ、ポリイミド樹脂層の厚み40μmの銅張積層板Dを得た。この際、最高加熱温度は250℃であり、この温度で６分の熱処理を行った。なお、得られた銅張積層板Dの銅箔の陽電子寿命は、152psであり、平均結晶粒径は、2.5μmであった。前記銅張積層板Dを屈曲試験サンプル試験片に加工後、導体部表面に錫めっきし、さらに150℃、１時間の熱処理を行ったサンプルを得た。錫めっき前後におけるMIT屈曲試験を実施し、屈曲回数を測定した。
【００３９】
以上の結果をまとめて表１に示す。なお、表１の屈曲回数比は、参考例で作製した銅張積層板Sの屈曲回数に対する比率を表し、総合判定はこの比率が1.0未満をNGとし、1.0以上のものをOKとした。
【００４０】
【表１】
2008091430.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
比較例２
銅箔２（電解銅箔、厚み12μm）を準備した。この銅箔を用いて、実施例１と同様にして、積層体１を得た。この積層体１を、その後130℃から250℃まで10分かけて段階的に昇温された熱処理工程を経由させ、ポリイミド樹脂層の厚み40μmの銅張積層板Dを得た。この際、最高加熱温度は250℃であり、この温度で６分の熱処理を行った。なお、得られた銅張積層板Dの銅箔の陽電子寿命は、152psであり、平均結晶粒径は、2.5μmであった。前記銅張積層板Dを屈曲試験サンプル試験片に加工後、導体部表面に錫めっきし、さらに150℃、１時間の熱処理を行ったサンプルを得た。錫めっき前後におけるMIT屈曲試験を実施し、屈曲回数を測定した。