(57)【要約】【課題】発光装置の構造に支障をきたすことなく、また、画質を劣化させることなく、共通電極内の電圧降下を抑制し、且つ、装置の製造に用いるマスクの強度を確保する。【解決手段】発光素子２０は共通電極２２と画素電極２１との間に挟まれた発光機能層２３を有する。共通電極２２は、光透過性の材料から形成される。共通電極２２の上層には、補助電極４２としての電極帯４２ａが複数の列に並ぶように形成される。各列においては、複数の電極帯４２ａが間隙４２ｂをおいて配置されるとともに、発光素子２０と部分的に重なる位置に配置される。画素電極２１は光透過性の部材から構成され、発光素子２０を挟んで補助電極４２と反対側には反射層７０が形成される。発光機能層２３からの光は補助電極４２と反射層７０の間を往復させられる。【選択図】図３
2008041341.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極と両者に挟まれた発光層とを有する発光素子が複数配列された発光領域と、
前記第２電極より抵抗率が低い材料から形成され、前記第２電極に電気的に接続される補助電極と、
前記発光層からの射出光を前記第２電極に向けて反射する反射層とを有し、
前記第２電極は前記複数の発光素子にわたって連続に形成された光透過性の部材であり、
前記補助電極は、前記発光領域において第１方向に各列が延びる複数の列を構成し、補助電極は各列内において複数の電極部分に分割されて間隙をおいて配置され、
前記第１方向に直交する方向である第２方向における前記複数の列のピッチは、前記各発光素子の前記第２方向における寸法よりも小さく、
前記発光層からの射出光は前記補助電極と前記反射層との間で往復させられる
発光装置。
【請求項２】
前記電極部分の各列におけるピッチは、前記各発光素子の第１方向における寸法よりも小さい
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記複数の電極部分は、同じ列の隣り合う２つの発光素子を跨ぐように形成された電極部分を含む
請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記各電極部分は前記第１方向に延びる帯状の電極帯であり、
前記第２方向において、１つの列における間隙に、その列の隣の列に属しこの間隙より長い電極帯が並んでいることにより、隣り合う２つの列における間隙が前記第２方向に並んでいない
請求項１から請求項３の何れかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記各電極部分は前記第１方向に延びる帯状の電極帯であり、
前記複数の発光素子は、前記第２電極を透過する光のピーク波長によって、複数の種類に分類されるとともに、前記第１方向に各列が延びる複数の列を構成し、
前記発光素子の一つの列においては、一つの種類の複数の発光素子が配列され、
前記発光素子の各列において前記電極帯の前記第２方向における間隔を、これらの電極帯が重なった前記第２電極を透過する光のピーク波長に応じて設定した
請求項１から請求項４の何れかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記各電極部分はほぼ円形である
請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れかに記載の発光装置を備えた電子機器。
【請求項８】
請求項１に記載の発光装置の製造方法であって、
前記発光領域のうち、前記補助電極の各電極部分が形成される領域を開口部とするマスクを用意する第１工程と、
前記第２電極の前記表面に前記マスクを対向させる第２工程と、
前記第２電極に前記マスクを対向させた状態で導電性材料を堆積させることにより、前記補助電極を形成する第３工程と
を含む発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード素子のように電流量に応じた大きさの光を発光する発光素子を用いた発光装置およびその製造方法、並びに発光装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に多数の発光素子が配列された発光装置が広く用いられている。各発光素子は、画素電極（例えば、陽極）と共通電極（例えば、陰極）との間に挟まれた発光層を有する。共通電極は基板上において発光素子が配列される領域（以下、「発光領域」という）全体にわたって設けられる。しかしながら、電極自体が有する抵抗により電極の面内において電圧降下が発生し、基板における位置によって発光素子に供給される電位がばらついて発光素子の輝度が位置によってばらつくおそれがある。
【０００３】
この種の発光装置としては、発光層で発した光を基板から放出させるボトムエミッション型と、基板の反対側の射出面から放出させるトップエミッション型が知られている。トップエミッション型では、共通電極に光透過性の部材が用いられる。ところが一般的に、光透過性の部材は遮光性の部材と比較して抵抗率が高いため、発光素子に供給される電位のバラツキが特に顕著となるといった問題がある。そこで、従来から、共通電極と電気的に接続された補助電極を設け、共通電極の抵抗を下げることが行われている。例えば、特許文献１および特許文献２に記載の技術では、帯状、格子状、放射線状など種々のパターンで形成された補助配線が提案されている。また、特許文献３に記載の技術では、マトリクス状に配置された発光素子の間隙に一行おきに補助配線が形成される。
【０００４】
特許文献４に記載の技術では、両面発光型（いわゆる、デュアルエミッション型）の発光装置において、各発光素子に対応する画素電極の各領域内に島状の反射膜あるいは島部分を開口部とする反射膜が設けられる。
【特許文献１】特開２００１−２３００８６号公報
【特許文献２】特開２００２−３１８５５６号公報
【特許文献３】特開２００４−１３９９７０号公報
【特許文献４】特開２００６−１４０１２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、補助電極はマスクを利用した堆積法（例えば、真空蒸着）によって形成されることが多い。マスクは補助電極に相当する部分を開口部とし、それ以外の領域を覆う形状に形成される。上記特許文献１〜３には各種の補助電極のパターンが開示されている。しかし、実際には、多数の細片としてマスクを配置するのは極めて困難なので、長尺の開口部を有するマスクを形成する必要がある。このようなマスクを小さい撓みで配置するために張力をかけると、マスク自体が変形して、結果として補助電極の位置の精度が劣る。また、長尺の補助電極を形成する場合、長い距離にわたって補助電極と他の層が接合されるので、補助電極の応力や温度変化による熱応力が他の層にかかり破損しやすくなる。特許文献３に記載の補助電極を形成するには、発光素子に対応させてマスクを配置させる必要があるので、高度なマスク合わせ精度が必要となる。
【０００６】
特許文献４に記載の反射膜を補助電極に適用させることも考えられる。しかしながら、補助電極には一般的に遮光性の部材が用いられるため、単に補助電極を発光素子の領域内に設けるだけでは各素子から発光する光が遮られ、開口率（発光面積率）が低下する。結果として、十分な輝度が得られず画質が劣化する。以上の事情を考慮して、本発明は、発光装置の構造に支障をきたすことなく、また、画質を劣化させることなく、共通電極内の電圧降下を抑制し、且つ、装置の製造に用いるマスクの強度を確保するという課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、第１電極（画素電極；例えば、陽極）と第２電極（共通電極；例えば、陰極）と両者に挟まれた発光層とを有する発光素子が複数配列された発光領域と、前記第２電極より抵抗率が低い材料から形成され、前記第２電極に電気的に接続される補助電極と、前記発光層からの射出光を前記第２電極に向けて反射する反射層とを有し、前記第２電極は前記複数の発光素子にわたって連続に形成された光透過性の部材であり、前記補助電極は、前記発光領域において第１方向に各列が延びる複数の列を構成し、補助電極は各列内において複数の電極部分に分割されて間隙をおいて配置され、前記第１方向に直交する方向である第２方向における前記複数の列のピッチは、前記各発光素子の前記第２方向における寸法よりも小さく、前記発光層からの射出光は前記補助電極と前記反射層との間で往復させられる。この反射層は、発光素子の第１電極でもよいし、第１電極とは別であってもよい。
【０００８】
本発明においては、補助電極は第１方向において複数列に配置され、各列において複数の電極部分に間隙をおいて配置される。これらの電極部分を形成する際には、各電極部分に対面する部分を開口部とするマスクが用いられる。これらの開口部は電極部分の各列における間隙に対面する部分を介してつながっているので、間隙（すなわち、マスクの接続部分）を設けることなしに電極部分（すなわち、マスクの開口部）が形成される場合と比較して、マスクの強度が高い。よって、補助電極の形成に際してマスクに張力をかけても、マスクの変形が抑制され、結果として、補助電極の寸法や位置の誤差が低減される。
【０００９】
くわえて、本発明においては、補助電極の列のピッチは発光素子の第２方向の寸法よりも小さいことにより、補助電極は発光素子と部分的に重なる。発光素子と重ならないように補助電極を形成する場合には発光素子に対応させてマスクを配置する（マスクの開口部が発光素子と重ならないように配置する）必要があるが、本発明においては、このようなマスクの位置の調整を行わずともよい。すなわち、発光素子と重なってもよいので、マスクの多少のズレが許容される。よって、高度なマスク合わせ精度が要求されず、製造が簡易となる。また、補助電極と発光素子が重なるので、共通電極が発光素子に接する領域における共通電極の電位のバラツキが低減され、１つの発光素子内における輝度のムラが低減される。
【００１０】
ところが、補助電極が発光素子と重なる位置に形成されると、発光層から発光する光を遮るため、発光装置の開口率が低下する。その結果、輝度が減少して画質が劣化する。しかしながら、本発明では、発光層からの射出光を第２電極に向けて反射する反射層を有し、射出光が補助電極と反射層の間で往復させられる構成としているので、射出光は補助電極と反射層の間で強められる（共振して光の純度が上がる）。このように、補助電極を単に第２電極の低抵抗化に用いるのではなく、光の共振にも利用することにより、却って色のコントラストが鮮明な画質が実現される。
【００１１】
また、本発明においては、補助電極と共通電極とが接合される距離が短いので、長尺の補助電極を用いる場合と比較して、接合されている層にかかる膜応力や熱応力が解放されやすい。よって、膜応力や熱応力により発光装置が破損するといった事態の発生を低減することができ、温度変化に対する発光装置の寿命が向上する。
【００１２】
くわえて、発光装置を出射面側から人間の目で見た場合、補助電極からの反射光が迷光となって画像の認識の妨げとなることがある。本発明においては、補助電極の各列は複数の電極部分に分割されて間隙をおいて配置されるので、分割せずに連続した長尺の電極帯を形成する場合と比較して、反射光が認識されにくく、迷光が低減される。
【００１３】
本発明の好適な態様において、前記電極部分の各列におけるピッチは、前記各発光素子の第１方向における寸法よりも小さい。この態様においては、電極部分のピッチが第２方向のみならず、第１方向においても発光素子の寸法より小さい（すなわち、間隙が多い）ので、電極部分のピッチが発光素子の寸法よりも第２方向においてのみ短い構成と比較して、発光装置の開口率が上がる。また、間隙が多いと、間隙に対面する部分としてのマスクの接続部分が増えるので、マスクの強度が高くなる。
【００１４】
本発明の好適な態様において、前記複数の電極部分は、同じ列の隣り合う２つ（少なくとも２つ）の発光素子を跨ぐように形成された電極部分を含む。共通電極において、電流が流れ込む箇所は、発光素子が位置する領域である。仮に、発光素子が位置する領域に各電極部分が形成されないとすれば、共通電極が電流経路となる。しかし、共通電極の抵抗値は各電極部分の抵抗値と比較して高いので、電圧降下が発生し、輝度ムラとなる。しかしながら、本実施形態によれば、隣り合う２つの発光素子を跨ぐように各電極部分が形成されるので、これらの発光素子間での電圧降下を抑制することができ、その結果、輝度ムラを大幅に改善することができる。
【００１５】
本発明の別の好適な態様において、前記各電極部分は前記第１方向に延びる帯状の電極帯であり、前記第２方向において、１つの列における間隙に、その列の隣の列に属しこの間隙より長い電極帯が並んでいることにより、隣り合う２つの列における間隙が前記第２方向に並んでいない。この態様によれば、反射光が視認されない部分（すなわち、間隙に相当する部分）が連続して並ばないので、反射光が視認される部分と視認されない部分との境界が曖昧となる。よって、反射光の分布が曖昧となり迷光が低減される。
【００１６】
本発明の別の好適な態様において、前記各電極部分は前記第１方向に延びる帯状の電極帯であり、前記複数の発光素子が、前記第２電極を透過する光のピーク波長によって、複数の種類に分類されるとともに、前記第１方向に各列が延びる複数の列を構成し、前記発光素子の１つの列においては、１つの種類の複数の発光素子が配列され、前記発光素子の各列において前記電極帯の前記第２方向における間隔を、これらの電極帯が重なった前記第２電極を透過する光のピーク波長に応じて設定したことを特徴とする。ここで、「複数の種類の発光素子」とは、例えば、ＲＧＢ３原色に各々対応する発光素子であり、「第２電極を透過するピーク波長によって分類される」とは、発光層から射出する光自体の強度が最大であるところの波長（ピーク波長）がＲ、Ｇ、Ｂの何れかである、あるいは、射出光が反射層と補助電極との間を往復させられることにより（つまり、共振により）、ピーク波長がＲ、Ｇ、Ｂの何れかとなることを意味する。
【００１７】
この態様においては、電極帯は１つの列が同じ種類の複数の発光素子に重なるように柵状に並び、各列が重なる発光素子の種類に応じて、柵の間隙である電極帯の間隔が異ならせてある。つまり、柵の間隙は電極帯が重なる発光素子の種類に適した距離に設定されているので、第２電極を透過する光のうち、特定の波長帯域の光だけが電極帯の柵を透過する。よって、場合により、出力される色の純度が向上する。
【００１８】
本発明の別の好適な態様において、前記各電極部分はほぼ円形である。すなわち、発光領域には水玉状の補助電極が形成されるので、帯状の電極帯を形成する場合と比較して、補助電極と第２電極とが互いに接合される距離が短い。よって、接合されている層にかかる補助電極の応力や熱応力が解放されやすく、膜応力や熱応力により発光装置が破損するといった事態の発生を低減することができる。くわえて、本態様の補助電極の形成に際しては、ほぼ円形の開口部を有するマスクを用意すればよいので、マスクにおいて応力が集中する部分が少ない。よって、マスクに張力をかけても破損しづらく、マスクの強度を向上できる。また、互いに直交する２つの方向の長さが大幅に異なる形状（例えば、帯状）を有する開口部と比較して、マスクに張力をかけた場合にマスクにかかる力が均一となり、マスク自体の変形の度合いが少なくて済む。したがって、補助電極の位置や寸法の誤差が低減される。
【００１９】
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置（露光ヘッド）、液晶装置の背面側に配置されてこれを照明する装置（バックライト）、あるいは、スキャナなどの画像読取装置に搭載されて原稿を照明する装置など各種の照明装置など、様々な用途に本発明の発光装置を適用することができる。
【００２０】
本発明は、以上の各態様に係る発光装置を製造する方法としても特定される。この製造方法は、前記発光領域のうち、前記補助電極の各電極部分が形成される領域を開口部とするマスクを用意する第１工程と、前記第２電極の前記表面に前記マスクを対向させる第２工程と、前記第２電極に前記マスクを対向させた状態で導電性材料を堆積させることにより、前記補助電極を形成する第３工程とを含む。
【００２１】
以上の方法に使用されるマスクは、上述したように、マスクの強度が高いので、マスクに張力をかけた場合のマスクの変形や自重による撓みに起因した補助電力の誤差やマスクの破損を抑制することが可能である。また、マスクを発光素子に対応させて配置する必要がないので、マスクを被堆積面に対向させる際の位置合わせに高精度が要求されない。よって、より簡易な方法で、補助電極を正確に形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
＜Ａ：第１実施形態＞
＜発光装置の構成＞
図１は、本発明に係る発光装置Ｄの電気的な構成を示す回路図である。発光装置Ｄは、複数の画素回路Ｕが配列された発光領域Ａを具備する。発光領域Ａには、Ｘ方向に延在する複数の走査線１２と、Ｘ方向と直交するＹ方向に延在する複数のデータ線１４とが形成される。各画素回路Ｕは、走査線１２とデータ線１４との各交差に対応した位置に配置される。したがって、複数の画素回路Ｕは、Ｘ方向およびＹ方向にわたってマトリクス状に配列する。
【００２３】
ひとつの画素回路Ｕは、電源線１６（電源電圧ＶEL）から接地線１８（接地電圧Ｇnd）に至る経路上に配置された駆動トランジスタＴdrと発光素子２０とを含む。発光素子２０は、相互に対向する画素電極（第１電極；陽極）２１と共通電極（第２電極；陰極）２２との間に有機ＥＬ（Electro Luminescence）材料の発光層を含む発光機能層２３を介在させた有機発光ダイオード素子である。発光素子２０は、発光機能層２３に流れる電流（以下「駆動電流」という）Ｉelに応じた輝度に発光する。画素電極２１は発光素子２０ごとに相互に離間して形成される。共通電極２２は、複数の発光素子２０にわたって連続に形成されて接地線１８に導通する。
【００２４】
駆動トランジスタＴdrは、駆動電流Ｉelの電流量をゲートの電圧に応じて制御するｐチャネル型のトランジスタである。駆動トランジスタＴdrのドレインは発光素子２０の画素電極２１に接続される。各画素回路Ｕにおける駆動トランジスタＴdrのソースは電源線１６に対して共通に接続される。駆動トランジスタＴdrのゲートとソース（電源線１６）との間には容量素子Ｃが介挿される。また、駆動トランジスタＴdrのゲートとデータ線１４との間には両者の電気的な接続を制御する選択トランジスタＴslが介在する。
【００２５】
以上の構成において、走査線１２に供給される走査信号Ｇに応じて選択トランジスタＴslがオン状態に変化すると、発光素子２０に指定された階調に応じたデータ電圧Ｓがデータ線１４から選択トランジスタＴslを経由して駆動トランジスタＴdrのゲートに供給される。このときにデータ電圧Ｓに応じた電荷が容量素子Ｃに蓄積されるから、選択トランジスタＴslがオフ状態に変化しても、駆動トランジスタＴdrのゲートはデータ電圧Ｓに維持される。したがって、発光素子２０にはデータ電圧Ｓに応じた駆動電流Ｉelが継続的に供給される。
【００２６】
次に、図２および図３を参照して発光領域Ａの具体的な構成を説明する。図２は、発光領域Ａの部分的な構成を示す平面図であり、図３は、図２におけるIII−III線からみた断面の略図である。なお、図２や図３においては、走査線１２やデータ線１４や選択トランジスタＴslといった各要素の図示が適宜に省略されている。また、以下で参照する各図においては、説明の便宜のために、各要素の寸法の比率を実際の装置から適宜に異ならせてある。
【００２７】
図２に示されるように、本実施形態では、複数の発光素子２０（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）は発光領域Ａにおいてマトリクス状に整列させられている。発光素子２０のうち、発光素子２０Ｒは赤の出力光を得るための発光素子であり、発光素子２０Ｇは緑の出力光を得るための発光素子であり、発光素子２０Ｂは青の出力光を得るための発光素子である。これらの発光素子２０は、ＲＧＢ各色がＸ方向のストライプ状（すなわち、横縞）に配列される。詳細には、Ｘ方向を列とした場合、１列目には発光素子２０Ｒが、２列目には発光素子２０Ｇ、３列目には発光素子２０Ｂが配置される。なお、これらの発光素子２０は、ＲＧＢ各色が縦縞（Ｙ方向のストライプ状）となるように配列されていてもよい。また、説明の簡易のため、図２には３列×４行の発光素子２０のみが記載されているが、実際には、多数の発光素子２０が多数行多数列にわたって配列されている。さらに、本実施形態の理解を容易にする目的で、発光素子２０と後段で説明する補助電極４２のみが実線で示されているが、実際には、発光領域Ａは様々な層が幾重にも重なり合った積層構造を有し、発光素子２０と補助電極４２は他の層に覆われている。このため、まず図３を主に参照してこの積層構造の具体例を説明する。
【００２８】
図３に示すように、駆動トランジスタＴdrや発光素子２０といった図１の各要素は基板１０の面上に形成される。基板１０は、ガラスやプラスチックなど各種の絶縁材料からなる板材である。なお、本実施形態の発光装置Ｄは発光素子２０からの放射光が基板１０とは反対側に出射するトップエミッション型であるから、基板１０に光透過性は要求されない。
【００２９】
基板１０の面上には駆動トランジスタＴdrが配置される。駆動トランジスタＴdrは、基板１０の表面に半導体材料によって形成された半導体層３１と、ゲート絶縁層Ｆ0を挟んで半導体層３１（チャネル領域）に対向するゲート電極３２とを含む。ゲート電極３２は第１絶縁層Ｆ1に覆われる。駆動トランジスタＴdrのソース電極３３およびドレイン電極３５は、第１絶縁層Ｆ1の面上に形成されるとともに第１絶縁層Ｆ1のコンタクトホールを介して半導体層３１（ソース領域・ドレイン領域）に導通する。駆動トランジスタＴdrが形成された基板１０の表面は第２絶縁層Ｆ2に覆われる。第１絶縁層Ｆ1や第２絶縁層Ｆ2はＳｉＯ2などの絶縁材料で形成された透明な膜体である。
【００３０】
第２絶縁層Ｆ2の面上には画素電極２１が発光素子２０ごとに相互に離間して形成される。画素電極２１は、Ｙ方向を長手とする長方形状の電極であり、共通電極２２よりも仕事関数が高い光透過性の導電材料によって形成される。画素電極２１は、第２絶縁層Ｆ2を厚さ方向に貫通するコンタクトホールＣＨを介して駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３５に電気的に接続される。
【００３１】
第２絶縁層Ｆ2の層内には、反射層７０（７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂ）が形成される。反射層７０は、例えばアルミニウムなどの金属、またはその他の反射性が高い材料から形成され、発光機能層２３から発した光を図中の上方に反射するため、発光機能層２３および画素電極２１の下層に局部的に配置されている。詳細には、反射層７０は、隔壁層４０の開口部４０ａと位置が重なり、その領域は開口部４０ａよりも広い。また、各反射層７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂの画素電極２１との距離Ｗは、発光機能層２３が光出射面より取り出す所定波長の光を共振によって強めるように、光の各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に適した距離に設定されて、各反射層の第２絶縁層Ｆ2の層内における深さが決定される。
【００３２】
画素電極２１が形成された第２絶縁層Ｆ2の表面には隔壁層４０が形成される。図３に示すように、隔壁層４０は絶縁性の膜体であり、開口部４０ａを有する。開口部４０ａの各々の全体は、画素電極２１に重なる。より詳細には、発光機能層２３が形成される前の段階では、開口部４０ａを通して画素電極２１が露出している。開口部４０ａは画素電極２１よりも狭く、画素電極２１の端部は隔壁層４０により部分的に覆われている。隔壁層４０は、画素電極２１とその後に形成される共通電極２２との間を絶縁するとともに、複数の画素電極２１同士の間を絶縁する。隔壁層４０は、例えば、アクリルもしくはポリイミド等の透明樹脂が隔壁層４０の材料である。
【００３３】
発光機能層２３は、発光層およびこの発光層による発光を促進または効率化するための各種の機能層（正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層など）を有し、隔壁層４０が形成された第２絶縁層Ｆ2の全域を被覆するように複数の発光素子２０にわたって連続に形成される。この発光機能層２３は開口部４０ａの内側に入り込んで画素電極２１に接触する部分（すなわち実際に発光する部分）と隔壁層４０の面上に位置する部分とを含む。すなわち、発光機能層２３は隔壁層４０により区画されている。よって、隔壁層４０を設けることにより画素電極２１の各々を独立して制御することができ、複数の発光素子２０の各々に独立して電流を流すことができる。発光層は、白色の有機材料から成り、例えば、真空蒸着などの、有機材料を表面に堆積させる堆積法により形成される。但し、図示はしないが、発光素子２０の各々が独立した発光機能層２３を有するように、すなわち、開口部４０ａの各々の内部だけに発光機能層２３が配置されるように、ＲＧＢ各色に対応する有機材料の発光層を含む発光機能層２３を画素ごとにパターニングしてもよい。この場合、後述するカラーフィルタ５４は必ずしも設けずともよい。画素ごとに有機材料をパターニングする場合には、堆積法あるいはインクジェットにより有機材料を吐出させる方法が用いられる。
【００３４】
共通電極２２は、複数の発光素子２０にわたって連続に形成されて発光機能層２３と隔壁層４０とを覆う電極であり、開口部４０ａ各々の内部にも配置される。すなわち、共通電極２２は、開口部４０ａの内側にて発光機能層２３を挟んで画素電極２１に対向する部分と隔壁層４０の面上に位置する部分とを含む。図２および図３に示すように、画素電極２１と共通電極２２と発光機能層２３との積層のうちＺ方向からみて開口部４０ａの内周縁の内側に位置する部分（すなわち画素電極２１から共通電極２２に駆動電流Ｉelが流れる領域）が発光素子２０である。発光機能層２３のうち隔壁層４０と重なり合う領域は、画素電極２１と共通電極２２との間に介在する隔壁層４０によって電流が遮断されるから発光しない。すなわち、隔壁層４０は、各発光素子２０の輪郭線を画定する手段として機能する。
【００３５】
共通電極２２は、光透過性の導電材料によって形成される。共通電極２２は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）といった酸化導電材料や、光透過性を有する程度の膜厚で形成されたＭｇＡｇやＡｌなどの導電材料が用いられる。共通電極２２を陰極として機能させるため、共通電極２２はアルカリ金属やアルカリ土類金属などの仕事関数が３．５ｅＶ以下の材料を含んでいてもよい。したがって、発光機能層２３から基板１０とは反対側に出射した光と発光機能層２３から基板１０側に出射して画素電極２１の表面で反射した光とは共通電極２２を透過して出射する。すなわち、本実施形態の発光装置Ｄはトップエミッション型である。
【００３６】
ところで、共通電極２２を光透過性を有するように形成する場合には、共通電極２２の抵抗率が高くなり、その面内における電圧降下が顕著となる。したがって、各発光素子２０に印加される電圧が共通電極２２の面内（Ｘ−Ｙ平面内）の位置に応じて相違し、この結果として各発光素子２０の輝度にムラが発生する場合がある。以上のような光量のバラツキを抑制するために、本実施形態においては、共通電極２２の導電性を補助するために共通電極２２の上層に補助電極４２が形成される。補助電極４２は、共通電極２２よりも抵抗率が低い遮光性の導電材料（例えばアルミニウム）によって形成されて共通電極２２に導通する。なお、図示の形態では、共通電極２２の上層に補助電極４２が形成されているが、共通電極２２の下層に補助電極４２が形成されてもよい。
【００３７】
このように発光素子２０が形成された基板１０には、キャップ封止体としての対向基板５０が取り付けられる。これらは、図示しない位置で接合されている。対向基板５０は例えばガラスまたは透明なプラスチックから形成されている。対向基板５０の下層には、ブラックマトリクスとしての遮光層５２が形成されている。遮光層５２には複数の光透過部５２ａが形成されており、発光素子２０から発した光は光透過部５２ａを通じて図の上方に放出される。光透過部５２ａの各々には、カラーフィルタ５４（５４Ｒ，５４Ｇまたは５４Ｂ）が配置されている。遮光層５２は、Ｚ方向からみたときに、隔壁層４０と重なる位置に形成される。
【００３８】
図２に示されるように、本実施形態の補助電極４２は、マトリクス状に整列する発光素子２０を含む発光領域Ａにおいて、Ｘ方向（第１方向）に各列が延びる複数の列を構成する。これら複数の列のＹ方向の間隔であるピッチは、発光素子２０のＹ方向の寸法ｄ１より小さい。これにより、補助電極４２の一部は、発光素子２０と重なる位置に形成される。補助電極４２は各列において複数の帯状の電極部分（以下、「電極帯４２ａ」という）に分割される。複数の電極帯４２ａは間隙４２ｂをおいて配置される。
【００３９】
一方、本実施形態の補助電極４２は、Ｘ方向と直行するＹ方向（第２方向）において、１つの列における間隙４２ｂに、その列の隣の列に属しこの間隙４２ｂより長い電極帯４２ａが並んでいる。これにより、隣り合う２つの列において間隙４２ｂは並んでいない。すなわち、電極帯４２ａの配列する方向に直交する方向に間隙４２ｂが並んでいない。
【００４０】
ところで、補助電極４２は反射性の部材であるから、発光素子２０と重なるように配置すると、発光素子２０からの射出光を反射する（透過しない）。そこで、本実施形態では、発光素子２０を挟んで補助電極４２とは反対側に反射層７０（７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂ）を設けることにより、各反射層７０と補助電極４２との間で発光素子２０からの射出光を往復させる構成としている。より詳細には、補助電極４２と反射層７０Ｒとの距離Ｒsr（すなわち、反射層７０Ｒと画素電極２１との距離Ｗ）は、赤の波長を強めるのに適するように設定され、反射層７０Ｇとの距離Ｒsg（すなわち、反射層７０Ｇと画素電極２１との距離Ｗ）は緑の波長を強めるのに適するように設定され、反射層７０Ｂとの距離Ｒsb（すなわち、反射層７０Ｂと画素電極２１との距離Ｗ）は青の波長を強めるのに適するように設定される。これにより、補助電極４２および反射層７０（７０Ｒ、７０Ｇ、または７０Ｂ）は、発光素子２０からの射出光を両者間で往復させて特定の波長（赤、緑、または青）の光を発光層で発した時よりも強める共振体として作用する。なお、補助電極４２が形成されていない領域（共通電極２２が開口部４０ａに入り込んだ部分のうち、補助電極４２と重ならない領域）を通る光は、共振により特定の波長が強められることはなく、そのままの強度で出射面に向けて進行する。上記共振体により波長の強度が強められた光と合わせると、結果として、１つの発光素子２０に関わる色度は向上する。このように、補助電極４２を共通電極２２の低抵抗化に用いるだけでなく反射層としての機能を付加することにより、共通電極２２の電圧の降下を抑制しつつ、光の色度が高い画像が得られる。
【００４１】
また、各電極帯４２ａは、応力による剥離を抑制する観点から、所定の長さに分断されているが、この例では、図に示すように隣接する発光素子２０を跨ぐように形成される。共通電極２２において、電流が流れ込む箇所は、発光素子２０が位置する領域である。仮に、発光素子２０が位置する領域に各電極帯４２ａが形成されないとすれば、共通電極２２が電流経路となる。しかし、共通電極２２の抵抗値は各電極帯４２ａの抵抗値と比較して高いので、電圧降下が発生し、輝度ムラとなる。本実施形態によれば、隣接する発光素子２０を跨ぐように各電極帯４２ａが形成されるので、隣接する発光素子２０間での電圧降下を抑制することができ、その結果、輝度ムラを大幅に改善することができる。なお、図示の例では、各電極帯４２ａは４個の発光素子２０を跨ぐように形成されているが、これに限られず、少なくとも隣り合う２個の発光素子２０を跨ぐ（１つの電極帯４２ａが２個の発光素子２０の両方と部分的に重なる）構成とすればよい。
【００４２】
くわえて、補助電極４２はアルミニウムなどの金属材料であるから、人間の目には反射光として映り、迷光となって画像の認識の妨げとなる場合がある。このため、補助電極４２が長い距離にわたって配置されていると、この反射光が線をなして際立ってしまう。そこで、本実施形態では、補助電極４２が長い距離にわたって連続することがないように補助電極４２を短く分割し所定の間隔で間隙４２ｂを配置している。さらには、間隙４２ｂを特定の行に集中して配置すると、反射光が視認される行の間隙に反射光が途切れる行が存在することになり反射光が却って際立って見えてしまう場合がある。そこで、本実施形態においては、１つの列の間隙４２ｂに、この列の隣の列に属しこの間隙４２ｂよりも長い電極帯４２ａが並ぶことにより、隣り合う２つの列においては間隙４２ｂが並ばない構成としている。
【００４３】
また、上述したように、本実施形態の発光装置Ｄはトップエミッション型であるので、共通電極２２はＩＴＯなどの光透過性材料から形成される。一方、補助電極４２は共通電極２２よりも抵抗が低い金属などの材料で形成される。このため、材質が異なる補助電極４２と共通電極２２とを互いに接合させて長い距離にわたって配置すると、補助電極の膜自体の応力（引っ張り応力、圧縮応力などのストレス）や温度変化による熱歪みの違いによる熱応力が発生し電極が変形・破損する場合が起こり得る。そこで、本実施形態では、補助電極４２の各電極帯４２ａの長手方向の距離を短くし、これにより、電極帯４２ａと共通電極２２との間で生じる応力を部分的に解放している。
【００４４】
発光装置Ｄの製造工程において補助電極４２を形成するに際しては、電極以外の部分をマスクで覆って材料を堆積させる堆積法（例えば、真空蒸着、スパッタ法など）を用いる場合が多い。図４（ａ）は、堆積法によって本実施形態の補助電極４２を形成する場合に用いるマスクの形状の一例を示す図であり、図４（ｂ）は、他のマスクの形状を示す比較例である。図５は、マスクを用いた堆積法により補助電極４２を形成する様子を説明するための図である。
【００４５】
図４（ａ）に示されるように、マスク４３Ａは、複数の開口部４３ａを有するシート状の部材であり、金属材料から形成される。マスク４３Ａは、発光領域Ａと略一致する寸法および形状を有する。図５から理解されるように、堆積法においては、マスク４３Ａを製造中の発光装置Ｄの被堆積面（すなわち、共通電極２２）に対向させて接近させた状態において、マスク４３Ａを挟んで発光装置Ｄとは反対側から材料を吹き付けて堆積させる。この方法においては、開口部４３ａを通り抜けて共通電極２２に到達した材料だけが堆積して補助電極４２となる。このため、開口部４３ａの寸法および形状は電極帯４２ａのそれに略一致する。したがって、マスク４３Ａは、電極帯４２ａに対面する部分としての帯状の開口部４３ａがＸ方向に延びる複数の列を構成し、各列内においては間隙４２ｂに対面する部分としての間隔をおくように形成されることにより、開口部４３ａが間隙４２ｂに対面する領域により接続されている（つながっている）。
【００４６】
図４（ｂ）に比較例として示す形状のマスク４３Ｂには、開口部４３ａの代わりに開口部４３ｂが設けられる。すなわち、マスク４３Ｂによれば、開口部４３ｂの寸法および形状に相当する長尺の補助電極が共通電極２２の表面に形成される。比較例における補助電極は、発光素子２０と重ならない位置に形成される。
【００４７】
ここで、本実施形態に係る発光装置Ｄを製造する方法のうち補助電極４２を形成する工程について説明する。本実施形態の補助電極４２は、マスクを利用した蒸着（真空蒸着）によって形成される。なお、補助電極４２以外のすべての要素は公知の技術によって生成することができる。
【００４８】
図５は、補助電極４２を形成する工程を説明するための断面図（図３に対応する断面）であるが、図３とは天地を逆に図示してある。これは、真空蒸着においては、被蒸着面を下方に向けた上でマスクを被蒸着面に対向させ、熱により気化した材料が上昇して被蒸着面に堆積されるためである。
【００４９】
まず、補助電極４２の形成に先立って蒸着用のマスク４３Ａが用意される。図４（ａ）に示されるように、マスク４３Ａは、開口部４３ａが開口するとともにそれ以外の領域を遮蔽する形状に作成される。マスク４３Ａの開口部４３ａは、補助電極４２が形成される領域と対向するようにＸ方向に沿って延在するスリット状の領域（以下、「領域ＭＡ」という；図４（ａ））である。一方、マスク４３Ａの開口部４３ａ以外の領域（以下、「領域ＭＢ」という；図４（ａ））は、発光領域Ａのうち補助電極４２を除く領域であって間隙４２ｂを含む領域に対面する領域を含む。
【００５０】
以上のマスク４３Ａを利用した蒸着によって補助電極４２が形成される。すなわち、共通電極２２が形成された段階（対向基板５０の設置前）にある発光装置Ｄが真空中に配置され、発光機能層２３と対向するようにマスク４３Ａが配置される。そして、共通電極２２よりも抵抗率が低い導電材料の蒸気Ｍをマスク４３Ａ側から発光装置Ｄに吹き付ける。以上の工程において、マスク４３Ａの領域ＭＢによって遮断された蒸気Ｍは発光装置Ｄに到達せず、マスク４３Ａの領域ＭＡを通過した蒸気Ｍが選択的に発光機能層２３の表面に付着・堆積することで補助電極４２が図２の形状に形成される。
【００５１】
蒸着に際しては、マスク４３を被蒸着面に対して平行に且つ撓みなく配置する（対向させる）ことが好適であるから、マスク４３の端部を把持して張力をかける（付与する）といったことが行われる。マスク４３Ａおよびマスク４３Ｂに同じ大きさの張力を付与する場合を想定する。その場合、マスク４３Ｂは発光領域ＡのＸ方向の幅全体にわたって開口する部分（開口部４３ｂ）を有するので、強度が十分でない。このため張力があるレベルを超えると開口部４３ｂの周縁部分がＹ方向に引っ張られて開口部４３ｂがＹ方向に拡がるといったことが起こり得る。結果として、補助電極４２が所期の領域からズレたりはみ出した状態で形成されてしまう。一方、開口部が拡がることを避けたいがために付与する張力を弱めてしまうと、逆にマスク自体の重みでマスクが撓み、補助電極４２の位置や寸法の精度が低下する。これに対し、マスク４３Ａの開口部４３ａのＸ方向の距離はマスク４３Ｂの開口部４３ｂと比較して短い。また、各列に形成された間隙（マスクにとっての接続部分）は分散して配置されるから、マスク４３Ｂと比較してＹ方向にかかる力に対する強度が向上する。したがって、マスク４３Ａの構成によれば、補助電極４２の位置や寸法の精度を損なわない程度に、マスク４３Ａを小さい撓みで配置することが可能となる。なお、各電極帯４２ａは各電極帯４２ａの長さが発光素子２０のＸ方向の寸法ｄ２よりも短い構成としてもよい。これにより、発光装置Ｄの開口率が上がるとともに、マスクの強度がさらに向上する。換言すれば、開口率の低下を抑制しつつ、補助電極４２の位置や寸法の誤差を低減することが可能となる。
【００５２】
くわえて、マスク４３を被蒸着面に対向させる際には、Ｘ−Ｙ平面内におけるマスクの位置を適切な位置に調整するマスクの位置合わせが行われる。比較例のように補助電極４２が発光素子２０と重ならない位置に形成される構成においては、発光素子２０に対応させてマスク４３Ｂを配置する（開口部４３ｂが発光素子と重ならないように配置する）のが好適であるが、発光素子２０はミクロン単位の間隔で配置されるから、高い位置合わせ精度が要求される。しかしながら、本実施形態の補助電極４２の列のピッチは発光素子２０のＸ方向の寸法ｄ２よりも小さいことにより、補助電極４２は発光素子２０と部分的に重なっている。よって、本実施形態の補助電極４２によれば、発光素子２０に対応させてマスクの位置の調整を行わずともよく、マスクの多少のズレが許容される。
【００５３】
以上説明したように、本実施形態の補助電極４２を形成する際に使用するマスク４３Ａの開口部４３ａは長い距離にわたって開口することなく短尺に分割される（マスクは補助電極４２の間隙４２ｂに対応する部分でつながっている）ので、図４（ｂ）に示すように、長尺の開口部４３ｂを有するマスク４３Ｂを使用して補助電極４２を形成する場合と比較して、マスク４３Ａの強度を充分に維持することができる。結果として、マスク４３Ａの変形（例えば張力の付加による変形や自重による撓み）に起因した補助電極４２の寸法や位置の誤差を抑制することが可能である。くわえて、本実施形態の補助電極４２は発光素子２０と重なる位置に配置されるから、マスクの開口部が発光素子と重ならないようにマスクのＸ−Ｙ平面内における位置を調整する必要がない。よって、高度なマスク合わせ精度が要求されず、製造が簡易となる。さらに、本実施形態によれば、隣接する発光素子２０を跨ぐように、これら発光素子と重なる電極帯４２ａが形成されるので、発光素子２０間の輝度のバラツキが抑制される。
【００５４】
また、本実施形態の補助電極４２は発光素子２０と重なる位置に配置され、発光素子２０を挟んで補助電極４２と反対側の位置に反射層７０が設けられることにより、発光素子２０からの射出光が補助電極４２と反射層７０との間で往復させられる構成としている。その結果、射出光のうち、特定の波長が共振して強められ、光の色の純度が向上する。
【００５５】
さらに、本実施形態の補助電極４２は、各電極帯４２ａの長辺側の距離が短いので、長尺の電極帯を形成する場合と比較して、接合されている層にかかる膜応力や熱応力が緩和され、温度変化に対する発光装置Ｄの寿命が向上する。
【００５６】
くわえて、間隙４２ｂを設けることなく連続した電極帯を形成する場合と比較して、発光装置Ｄを出射面側（対向基板５０の側）から人間の目で見て視認され得る補助電極４２からの反射光を低減することができる。また、間隙４２ｂはＹ方向において隣り合う列において一列に並ばないように分散して配置されるから、反射光が視認される部分（電極帯４２ａ部分）と視認されない部分（間隙４２ｂ部分）が分散し、その分布が視認される可能性が低減される。
【００５７】
なお、図２に示す例においては、補助電極４２の列の間隔（すなわち、電極帯４２ａのＹ方向における間隔）は、ほぼ等間隔であるが、これに限定されない。例えば、発光素子２０の種類（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）に応じて、電極帯４２ａのＹ方向における間隔を異ならせてもよい。以下、この態様について詳細に説明する。
【００５８】
図６は、発光素子２０の種類に応じて、電極帯４２ａのＹ方向における間隔を異ならせる態様における補助電極４２の配置例である。ここで、発光素子２０は、その射出光のピーク波長によって複数の種類の発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂに分類される。つまり、発光層から射出する光自体の強度が最大であるところの波長（ピーク波長）がＲ、Ｇ、Ｂの何れであるか、あるいは、射出光が反射層７０と補助電極４２との間を往復させられることにより（つまり、共振により）ピーク波長がＲ、Ｇ、Ｂの何れになるか、により分類される。そこで、この態様においては、電極帯４２ａの列は、１つの列が同じ種類の複数の発光素子２０に重なるように、柵状に並んで配置されるとともに、各列が重なる発光素子２０の種類に応じて、電極帯４２ａのＹ方向における間隔が異ならせてある。詳細には、図６に示されるように、ＲＧＢの各色がＸ方向にストライプ状に並んでいる場合には、電極帯４２ａはＸ方向に延在するように配置されることにより、１つの列が同じ種類の複数の発光素子２０（例えば、複数の発光素子２０Ｒ）と重なっている。さらには、電極帯４２ａの列は複数列が１個の発光素子２０と重なるように形成されることにより柵状に並び、柵の間隙としての列の間隔は、赤の発光素子２０Ｒに重なる電極帯４２ａの列の群（以下、「電極帯群４２Ｒ」という）、緑の発光素子２０Ｇに重なる電極帯４２ａの列の群（以下、「電極帯群４２Ｇ」という）、青の発光素子２０Ｂに重なる電極帯４２ａの列群（以下、「電極帯群４２Ｂ」という）で異なっている。このような構成において、各電極帯群４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂは、ワイヤグリッド型偏光ビームスプリッタとして機能する。ここで、各電極帯群４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂにおける柵の間隙は、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの各々に適した間隔に設定される。すなわち、共通電極２２を透過する光のピーク波長に応じた間隔に設定される。この結果、透過光のピーク波長を中心とする波長帯域の光だけが電極帯の柵を選択的に透過するから、出力される色の純度が向上する。このように、電極帯４２ａの列の間隔を適宜異ならせることにより、補助電極４２をフィルターとして機能させ、色の純度をさらに高めるという付加的な効果を生じさせることが可能である。
【００５９】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、本実施形態のうち第１実施形態と共通する要素については以上と同じ符号を付してその詳細な説明を適宜に省略する。
【００６０】
図７は、第２実施形態に係る発光領域Ａの構成を示す平面図である。第１実施形態においては、補助電極４２が帯状の電極帯４２ａとして形成される構成を例示した。これに対し、本実施形態における補助電極４２は、各々が円形の複数の電極部分（以下、「円形電極４２ｃ」という）として水玉状に形成される。
【００６１】
図７に示されるように、補助電極４２は、複数の円形電極４２ｃがＸ方向に整列させられることにより、補助電極４２の各列がＸ方向（第１方向）に延びる複数の列を構成し、各列において、複数の円形電極４２ｃに分割されて間隙４２ｂをおいて配置される。また、Ｙ方向（第２方向）において隣り合う２つの列においては、円形電極４２ｃの隣には間隙４２ｂが並ぶことにより、２つの円形電極４２ｃがＹ方向に並ばない（すなわち、２つの間隙４２ｂがＹ方向に並ばない）。補助電極４２の列のピッチは、発光素子２０のＹ方向における寸法ｄ１より小さい。さらには、補助電極４２の列内において隣り合う円形電極４２ｃ同士の間隔（間隙４２ｂ）は、発光素子２０のＸ方向における寸法ｄ２より小さい。よって、補助電極４２の一部は発光素子２０と重なる位置に形成される。なお、図示の例においては、円形電極４２ｃは略正円形であるが、楕円形であってもよい。
【００６２】
本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態においては水玉状の円形電極４２ｃが形成されるので、帯状の電極帯４２ａを形成する場合と比較して、補助電極４２と共通電極２２とが互いに接合される距離が短い。よって、接合されている層にかかる膜応力や熱応力が解放されやすく、応力により発光装置が破損するといった事態の発生を低減することができる。また、帯状に補助電極を形成する場合と比較して、開口率の低下が抑制される。
【００６３】
くわえて、上述したように、マスクを利用した堆積法を用いて補助電極４２を形成する場合には、補助電極４２に対面する部分を開口部とするマスクが用意される。本実施形態の円形電極４２ｃは円形なので、円形の開口部を有するマスクが形成される。角型の電極と比較して、マスクに応力集中する部分が少ないので、マスクに張力をかけても破損しづらく、マスクの強度を向上できる。また、互いに直交する２つの方向の長さが大幅に異なる形状（例えば、長尺）を有する開口部と比較して、マスクに張力をかけた場合にマスクにかかる力が均一となり、マスク自体の変形の度合いが少なくて済む。くわえて、円形電極４２ｃが間隙４２ｂをおいて配置されるとともに、Ｙ方向において間隙４２ｂが並ばないことにより円形電極４２ｃはＹ方向において隣り合う２つの列において並ばない。よって、円形電極４２ｃに対面する領域としてのマスクの開口部はＸ，Ｙ何れの方向においても並ばないので、マスクの強度が向上する。このように、本実施形態の補助電極４２によれば、マスクの変形や撓みに起因した補助電極の誤差やマスクの破損が抑制される。
【００６４】
＜Ｄ：変形例＞
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に述べる変形が可能である。
【００６５】
上述したように、補助電極４２は共通電極２２で発生する電圧の降下を抑制するために形成される。よって、解像度数や発光領域Ａの大きさ等の種々の条件によって、補助電極４２の粗密（各電極帯４２ａおよび円形電極４２ｃの寸法、形状、配置される間隔）を適宜調整できることは当業者にとって自明である。
【００６６】
上記第１および第２実施形態においては、共通電極２２を陰極として説明したが、陽極であってもよい。また、共通電極２２は発光領域Ａにおける総ての発光素子２０に共通して設けられる必要は必ずしもなく、発光領域Ａを区分されたサブ領域ごとに設けられる態様としてもよい。
【００６７】
上述した実施形態においては、トップエミッション型の発光装置Ｄについて説明したが、ボトムエミッション型であってもよい。この場合、共通陰極２２が光透過性の部材であることは要求されないが、発光層にかかる膜応力（ストレス）の関係で、共通陰極２２を厚膜化することができない（すなわち、抵抗値が高くなる）場合がある。そこで、ボトムエミッション型の場合であっても、上記実施形態と同様に補助電極４２を用いることにより、共通電極２２の低抵抗化が可能となる。
【００６８】
上記第１および第２実施形態においては、反射層７０（７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂ）を設けることにより、補助電極４２と反射層７０とを共振体として作用させる構成としていたが、反射層７０を設ける代わりに、光を反射させる反射膜で画素電極２１を形成することより、画素電極２１を反射層として機能させる構成としてもよい。この場合、補助電極４２と反射層としての画素電極２１との距離は、発光機能層２３の厚みを発光素子２０の種類（ピーク波長）に応じて適宜異ならせればよい。
【００６９】
＜Ｅ：応用例＞
次に、本発明に係る発光装置Ｄを適用した電子機器について説明する。図８は、上記実施形態に係る発光装置Ｄを表示装置に適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置Ｄと本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
【００７０】
図９に、上記実施形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置Ｄに表示される画面がスクロールされる。
【００７１】
図１０に、上記実施形態に係る発光装置Ｄを適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal  Digital  Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置Ｄに表示される。
【００７２】
本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図８から図１０に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子写真方式を利用した画像印刷装置における像担持体に光を照射して潜像を形成するプリンタヘッドのような発光源、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置の電気的な構成を示す回路図である。
【図２】発光領域の構成を示す平面図である。
【図３】図２におけるIII―III線からみた断面の略図である。
【図４】補助電極の形成に使用されるマスクの例である。
【図５】補助電極を形成する工程につい説明するための図である。
【図６】補助電極の配置例である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る発光装置の発光領域の構成を示す平面図である。
【図８】本発明に係る発光装置を有するパーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。
【図９】本発明に係る発光装置を有する携帯電話機の外観を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る発光装置を有する携帯情報端末の外観を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０……基板、１２……走査線、１４……データ線、１６……電源線、１８……接地線、２０，２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ……発光素子、２１……画素電極（第１電極）、２２……共通電極（第２電極）、２３……発光機能層、３１……半導体層、３２……ゲート電極、３３……ソース電極、３５……ドレイン電極、４０……隔壁層、４０ａ……開口部、４２……補助電極、４２ａ……電極帯、４２ｂ……間隙、４２ｃ……円形電極、４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂ……電極帯群、４３，４３Ａ，４３Ｂ……マスク、４３ａ，４３ｂ……開口部、５０……対向基板、５２……遮光層、５２ａ……光透過部、５４……カラーフィルタ、７０，７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂ……反射層、Ａ……発光領域、ＣＨ……コンタクトホール、Ｄ…発光装置、Ｆ0……ゲート絶縁層、Ｆ1……第１絶縁層、Ｆ2……第２絶縁層、ＭＡ，ＭＢ……領域、Ｔdr……駆動トランジスタ、Ｔsl……選択トランジスタ、Ｕ……画素回路。
【図１】
2008041341.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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