(57)【要約】【課題】青色帯域，赤色帯域，及び緑色帯域の各帯域で光透過損失及び反射率の両方が小さい透明多層膜を有する液晶表示素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１とこの半導体基板の一面と所定の間隙ｄ１を有して対向する対向面Ａを有する透明基板１０と所定の間隙に充填された液晶２０とを有する液晶表示素子において、第１の屈折率を有し前記透明基板の前記対向面上に設けられた第１の透明膜１１と、第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有し第１の透明膜上に設けられた第２の透明膜１２と、第２の屈折率よりも大きい第３の屈折率を有し第２の透明膜上に設けられた導電性の透明電極１３とを備え、第１の透明膜を、酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムとの混合物、または、酸化アルミニウムと酸化タンタルとの混合物を含む膜とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、この半導体基板の一面と所定の間隙を有して対向する対向面を有する透明基板と、前記所定の間隙に充填された液晶と、を有する液晶表示素子において、
第１の屈折率を有し前記透明基板の前記対向面上に設けられた第１の透明膜と、
前記第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有し前記第１の透明膜上に設けられた第２の透明膜と、
前記第２の屈折率よりも大きい第３の屈折率を有し前記第２の透明膜上に設けられた導電性の透明電極と、
を備え、
前記第１の透明膜は、酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムとの混合物、または、酸化アルミニウムと酸化タンタルとの混合物を含んでなることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
半導体基板とこの半導体基板の一面と所定の間隙を有して対向する対向面を有する透明基板と前記所定の間隙に充填された液晶とを有する液晶表示素子を製造するための液晶表示素子の製造方法において、
前記透明基板の前記対向面上に、第１の屈折率を有する第１の透明膜を成膜する第１の透明膜成膜工程と、
前記第１の透明膜成膜工程後に、前記第１の透明膜上に、前記第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する第２の透明膜を成膜する第２の透明膜成膜工程と、
前記第２の透明膜成膜工程後に、前記第２の透明膜上に、前記第２の屈折率よりも大きい第３の屈折率を有する導電性の透明電極を成膜する透明電極成膜工程と、
を有し、
前記第１の透明膜成膜工程において、前記第１の透明膜を成膜する際の成膜ガスを酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスとすると共に前記混合ガスにおける酸素ガスの流量比を０．０８％〜１．４２％の範囲内として、前記第１の透明膜を、酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムとの混合物、または、酸化アルミニウムと酸化タンタルとの混合物を含んで成膜することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示素子は、プロジェクタやプロジェクションテレビ等の大画面ディスプレイ装置に用いられている。また、大画面ディスプレイ装置は、さらなる大画面化が進み、この大画面化に伴って画像を表示するための光源の高輝度化が望まれている。
そこで、この光源として、従来から用いられていたメタルハライドランプに加えて、このメタルハライドランプよりも低消費電力で高輝度が得られる超高圧水銀（ＵＨＰ：Ultra High Performance）ランプが用いられるようになった。
この超高圧水銀ランプは、周知のように、可視光域において特定波長の輝線を有している。この特定波長は、一般的に、約４４０ｎｍ、約５４０ｎｍ、及び約５８０ｎｍである。そして、この輝線により干渉が発生し、干渉縞（フリンジともいう）や輝度むら等の表示不良が発生する場合がある。
【０００３】
この表示不良は、液晶表示素子の液晶層の厚さが１０ミクロン以下と薄いため、透明基板と液晶層との界面で反射が起こると、液晶層のわずかな厚みむらによって位相ずれが生じ、この位相ずれにより発生するものと考えられる。特に反射型液晶表示素子では、液晶層を入射光及び反射光が通過するため、投射型液晶表示素子に比べ干渉縞が目立ちやすい。
この解決手段として光源の輝線を除去する方法が考えられるが、光量が減少するといった不具合が生じる。また、他の解決手段として液晶層の厚みむらをなくすことが考えられるが、透明基板の表面の平坦性を向上させるための工数等が増えるため、生産性が著しく低下するといった不具合が生じる。
【０００４】
そこで、上述した干渉縞を低減する他の手段の一つが特許文献１に記載されている。
特許文献１の記載によれば、透明基板の一面側に、高屈折率透明膜と低屈折率透明膜と透明電極とが積層された積層構造を有する透明多層膜を形成することにより、干渉縞を低減できるとしている。
高屈折率透明膜の材料としてＩＴＯ(Indium Tin Oxide)やＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）が、低屈折率透明膜の材料としてＳｉＯ２（酸化シリコン）が、透明電極の材料としてＩＴＯがそれぞれ用いられている。
【特許文献１】特開２００２−１４３２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、発明者が鋭意実験した結果、高屈折率透明膜の材料にＩＴＯを用いた透明多層膜は、特に青色帯域（例えば波長４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの範囲）における光透過損失が大きく、また、高屈折率透明膜の材料にＡｌ２Ｏ３を用いた透明多層膜は、特に赤色帯域（例えば波長６１０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲）における反射率が大きく、その改善が望まれる。
透明多層膜において、例えば、光透過損失の差によって発生する色むらを改善するためには、青色帯域における光透過損失を１％以下にすることが好ましく、また、反射率の差によって発生する色むらを改善するためには、赤色帯域における反射率を０．１％以下にすることが好ましい。
【０００６】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、青色帯域，赤色帯域，及び緑色帯域（例えば波長５００ｎｍ〜５７０ｎｍ）の各帯域で光透過損失が１％以下であり、かつ、反射率が０．１％以下である透明多層膜を有する液晶表示素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本願各発明は次の手段を有する。
１）半導体基板（１）と、この半導体基板の一面と所定の間隙（ｄ１）を有して対向する対向面（Ａ）を有する透明基板（１０）と、前記所定の間隙に充填された液晶（２０）と、を有する液晶表示素子において、第１の屈折率を有し前記透明基板の前記対向面上に設けられた第１の透明膜（１１）と、前記第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有し前記第１の透明膜上に設けられた第２の透明膜（１２）と、前記第２の屈折率よりも大きい第３の屈折率を有し前記第２の透明膜上に設けられた導電性の透明電極（１３）と、を備え、前記第１の透明膜は、酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムとの混合物、または、酸化アルミニウムと酸化タンタルとの混合物を含んでなることを特徴とする液晶表示素子（５０）である。
２）半導体基板（１）とこの半導体基板の一面と所定の間隙（ｄ１）を有して対向する対向面（Ａ）を有する透明基板（１０）と前記所定の間隙に充填された液晶（２０）とを有する液晶表示素子を製造するための液晶表示素子の製造方法において、前記透明基板の前記対向面上に、第１の屈折率を有する第１の透明膜（１１）を成膜する第１の透明膜成膜工程と、前記第１の透明膜成膜工程後に、前記第１の透明膜上に、前記第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する第２の透明膜（１２）を成膜する第２の透明膜成膜工程と、前記第２の透明膜成膜工程後に、前記第２の透明膜上に、前記第２の屈折率よりも大きい第３の屈折率を有する導電性の透明電極（１３）を成膜する透明電極成膜工程と、を有し、前記第１の透明膜成膜工程において、前記第１の透明膜を成膜する際の成膜ガスを酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスとすると共に前記混合ガスにおける酸素ガスの流量比を０．０８％〜１．４２％の範囲内として、前記第１の透明膜を、酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムとの混合物、または、酸化アルミニウムと酸化タンタルとの混合物を含んで成膜することを特徴とする液晶表示素子（５０）の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る液晶表示素子によれば、その透明多層膜は、青色帯域（例えば波長４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの範囲），赤色帯域（例えば波長６１０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲），及び緑色帯域（例えば波長５００ｎｍ〜５７０ｎｍ）の各帯域で光透過損失が１％以下であり、かつ、反射率が０．１％以下の膜であるので、色むらを改善できるという効果を奏する。
また、本発明に係る液晶表示素子の製造方法によれば、透明多層膜を、青色帯域（例えば波長４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの範囲），赤色帯域（例えば波長６１０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲），及び緑色帯域（例えば波長５００ｎｍ〜５７０ｎｍ）の各帯域で光透過損失が１％以下であり、かつ、反射率が０．１％以下である膜とすることができるので、色むらを改善できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図１〜図５を用いて説明する。
図１及び図２は、本発明の液晶表示素子及びその製造方法の実施例を説明するための模式的断面図である。
【００１０】
＜実施例＞
まず、実施例における液晶表示素子５０の構成について、図１を用いて説明する。
【００１１】
液晶表示素子５０は、Ｓｉ（シリコン）からなる半導体基板１の表面に、後述する読み出し光（入射光という場合がある）Ｌ１を反射する画素電極２がマトリクス状に複数形成されている。画素電極２の材料として、Ａｌ（アルミニウム）やＡｕ（金）等の金属材料を用いることができる。
また、半導体基板１の表面には、画素電極２への電源供給を制御するスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）３が、各画素電極２に対応して形成されており、また、これら画素電極２及び薄膜トランジスタ３を覆うように第１の配向膜４が形成されている。
【００１２】
光透過性を有するガラスからなる透明基板１０の一面Ａ側には、第１の屈折率ｎ１を有する第１の透明膜１１と、第１の屈折率ｎ１よりも小さい第２の屈折率ｎ２（ｎ１＞ｎ２）を有する第２の透明膜１２と、第２の屈折率ｎ２よりも大きい第３の屈折率ｎ３（ｎ２＜ｎ３）を有する導電性の透明電極１３とが順次積層されてなる透明多層膜１５が形成されている。
【００１３】
透明多層膜１５の表面には第２の配向膜１６が形成されており、透明基板１０の他面Ｂ側には、ＡＲ（Anti Reflection）膜（反射防止膜ともいう）１７が形成されている。
第１の配向膜４及び第２の配向膜１６の各材料として、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）等を用いることができる。
【００１４】
上述した半導体基板１及び透明基板１０は、半導体基板１の第１の配向膜４と透明基板１０の第２の配向膜１６とが互いに向き合うように所定の間隙ｄ１を有して配置されており、この間隙ｄ１には、負の誘電異方性を有するネマティック液晶２０が充填されている。
【００１５】
そして、この液晶表示素子５０は、薄膜トランジスタ３により各画素電極２への電源供給を制御して、所定の画素電極２に対応した範囲における液晶２０を駆動させ、外部からＡＲ膜１７を透過して入射した読み出し光Ｌ１を、この所定の画素電極２で表示光Ｌ２として反射させて、所定の画像を得るものである。
【００１６】
次に、上述した液晶表示素子５０の製造方法、特に、透明多層膜１５の形成方法を第１工程〜第３工程として、図２を用いて説明する。
図２（ａ）〜図２（ｃ）は、本発明の液晶表示素子の製造方法の実施例における第１工程〜第３工程をそれぞれ説明するための模式的断面図である。
また、透明基板１０の一面Ａ側を、図１では下側としたが、図２では説明をわかりやすくするために上側として上下逆にして表している。
【００１７】
（第１工程）［図２（ａ）参照］
ガラス基板（例えばコーニング社製ガラス基板“商品名１７３７”）である透明基板１０の一面Ａ側に、スパッタ法により、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）とＺｒＯ２（酸化ジルコニウム）との混合物からなる第１の透明膜１１を成膜する。
詳しくは、所定の体積比を有するＡｌ２Ｏ３とＺｒＯ２との混合物からなる焼結ターゲットを用いて、Ａｒ（アルゴン）ガスとＯ２（酸素）ガスとの流量比を所定の値とする混合ガス雰囲気中でスパッタを行い、光学膜厚ＮＤ１が０．２９となるようにＡｌ２Ｏ３とＺｒＯ２との混合物からなる第１の透明膜１１を透明基板１０の一面Ａ側に成膜する。
【００１８】
実施例では、上述の混合ガスにおけるＯ２ガスの流量比を０．０８％〜１．４２％の範囲内とし、スパッタする際の混合ガス圧を０．４Ｐａとし、基板加熱温度を２２０℃とし、第１の透明膜１１におけるＺｒＯ２の含有率を２５vol％とした。
上述の成膜条件により成膜された第１の透明膜１１の中心波長５００ｎｍにおける屈折率ｎ１は１．８０である。
なお、混合ガスにおけるＯ２ガスの流量比を０．０８％〜１．４２％の範囲内とした理由については後述することとする。
【００１９】
（第２工程）［図２（ｂ）参照］
次に、第１工程で成膜した第１の透明膜１１上に、スパッタ法により、ＳｉＯ２（二酸化シリコン）からなる第２の透明膜１２を成膜する。
詳しくは、ＳｉＯ２からなる焼結ターゲットを用いて、ＡｒガスとＯ２ガスとの流量比を所定の値とする混合ガス雰囲気中でスパッタを行い、光学膜厚ＮＤ２が０．５９となるように第２の透明膜１２を成膜する。
実施例では、スパッタする際の混合ガス圧を０．４Ｐａとし、基板加熱温度を２２０℃とした。
上述の成膜条件により成膜された第２の透明膜１２の中心波長５００ｎｍにおける屈折率ｎ２は１．４６である。
【００２０】
（第３工程）［図２（ｃ）参照］
次に、第２工程で成膜した第２の透明膜１２上に、スパッタ法により、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)からなる透明電極１３を成膜する。
詳しくは、ＩＴＯからなる焼結ターゲットを用いて、ＡｒガスとＯ２ガスとの流量比を所定の値とする混合ガス雰囲気中でスパッタを行い、光学膜厚ＮＤ３が０．２１となるように透明電極１３を成膜する。
実施例では、スパッタする際の混合ガス圧を０．４Ｐａとし、基板加熱温度を２２０℃とし、混合ガスにおけるＯ２ガスの流量比を０．２５％とした。
上述の成膜条件により成膜された透明電極１３の中心波長５００ｎｍにおける屈折率ｎ３は１．９４である。
【００２１】
上述した第１工程〜第３工程により、Ａｌ２Ｏ３とＺｒＯ２との混合物からなる第１の透明膜１１と、ＳｉＯ２からなる第２の透明膜１２と、ＩＴＯからなる透明電極１３とが順次積層されてなる透明多層膜１５が透明基板１０の一面Ａ側に形成される。
【００２２】
そして、透明多層膜１５の表面に上述した第２の配向膜１６を形成し、透明基板１０の他面Ｂ側にＡＲ膜１７を形成する。
また、半導体基板１の表面に、上述した画素電極２，ＴＦＴ３，及び第１の配向膜４を形成する。
第２の配向膜１６，ＡＲ膜１７，画素電極２，ＴＦＴ３，及び第１の配向膜４は周知の方法により形成することができる。
【００２３】
さらに、半導体基板１と透明基板１０とを、第１の配向膜４と第２の配向膜１６とが互いに向き合うように間隙ｄ１を有して配置させ、間隙ｄ１に液晶２０を充填させる。
そして、半導体基板１と透明基板１０とをシール材等を用いて接着固定することにより、上述した液晶表示素子５０を得る。
【００２４】
ここで、上述した第１工程において、Ａｌ２Ｏ３とＺｒＯ２との混合物からなる第１の透明膜１１を成膜する際の混合ガスにおけるＯ２ガスの流量比を０．０８％〜１．４２％の範囲内とした理由について説明する。
【００２５】
発明者は、青色帯域（例えば波長４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの範囲），赤色帯域（例えば波長６１０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲），及び緑色帯域（例えば波長５００ｎｍ〜５７０ｎｍ）の各帯域で光透過損失及び反射率の両方が小さい透明多層膜を得る手段の１つとして、第１の透明膜の構成材料及びその成膜方法に着目した。
そこで、発明者が鋭意実験をした結果、第１の透明膜の構成材料をＡｌ２Ｏ３とＺｒＯ２との混合物とし、この第１の透明膜を成膜する際の混合ガスにおけるＯ２ガスの流量比を所定の範囲内とすることにより、上述の各帯域で光透過損失及び反射率の両方が小さい透明多層膜が得られることを見出した。
【００２６】
図３に、第１の透明膜を成膜する際の混合ガスにおけるＯ２ガスの流量比と得られた透明多層膜の光透過損失との関係（実験結果）を示す。
図３は、第１の透明膜を成膜する際の混合ガスにおけるＯ２ガスの流量比と得られた透明多層膜の光透過損失との関係（実験結果）を示す図である。
【００２７】
図３から、混合ガスにおけるＯ２ガスの流量比を０．０８％〜１．４２％の範囲内とすることにより、透明多層膜の光透過損失を１％以下とすることができることを確認した。
また、図３から、混合ガスにおけるＯ２ガスの流量比を０．３％〜１．１％の範囲内とすることにより、透明多層膜の光透過損失を０．５％以下とすることができることを確認した。
そこで、実施例における第１工程では、透明多層膜の光透過損失を１％以下とするために、Ａｌ２Ｏ３とＺｒＯ２との混合物からなる第１の透明膜１１を成膜する際の混合ガスにおけるＯ２ガスの流量比を０．０８％〜１．４２％の範囲内とした。
【００２８】
＜比較例＞
上述した実施例に対して、第１の透明膜の構成材料をＡｌ２Ｏ３としたものを第１比較例、ＩＴＯとしたものを第２比較例として、液晶表示素子をそれぞれ作製した。
第１比較例及び第２比較例の液晶表示素子において、第１の透明膜以外の構成材料及び製造方法は実施例と同じである。
【００２９】
次に、作製した実施例、第１比較例、及び第２比較例の液晶表示素子それぞれについて、入射光Ｌ１の波長に対する各透明多層膜の光透過損失及び反射率について比較実験を行った。
実施例、第１比較例、及び第２比較例の液晶表示素子における各透明多層膜の波長に対する光透過損失の比較実験結果を図４に示す。
図４は、実施例、第１比較例、及び第２比較例の液晶表示素子における各透明多層膜の波長に対する光透過損失の比較実験結果を示す図である。
また、実施例、第１比較例、及び第２比較例の液晶表示素子における各透明多層膜の波長に対する反射率の比較実験結果を図５に示す。
図５は、実施例、第１比較例、及び第２比較例の液晶表示素子における各透明多層膜の波長に対する反射率の比較実験結果を示す図である。
【００３０】
図４から、第２比較例は、実施例及び第１比較例に対して、青色帯域（例えば波長４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの範囲），赤色帯域（例えば波長６１０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲），及び緑色帯域（例えば波長５００ｎｍ〜５７０ｎｍ）の各帯域で光透過損失がいずれも大きく、特に青色帯域では光透過損失が１％を超えるため、色むらの原因となる。
一方、実施例及び第１比較例は、上述の各帯域で光透過損失がいずれも１％以下であるので、色むらを低減することができる。
【００３１】
また、図５から、第１比較例は、実施例及び第２比較例に対して、特に赤色帯域（例えば波長６１０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲）で反射率が大きく、０．１％を越えるため、色むらの原因となる。
一方、実施例及び第２比較例は、上述の各帯域で反射率がいずれも０．１％以下であるので、色むらを低減することができる。
【００３２】
従って、上述したように、青色帯域（例えば波長４３０ｎｍ〜４６０ｎｍの範囲），赤色帯域（例えば波長６１０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲），及び緑色帯域（例えば波長５００ｎｍ〜５７０ｎｍ）の各帯域で、光透過損失がいずれも１％以下であり、かつ、反射率がいずれも０．１％以下であるものは実施例のみである。
【００３３】
本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。
【００３４】
例えば、実施例の第１工程〜第３工程では、基板加熱温度を２２０℃としたが、これに限定されるものではない。
透明電極の構成材料であるＩＴＯは、一般的に、スパッタ法や真空蒸着法等の真空成膜法を用いて成膜されるが、加熱せずに室温で成膜されたＩＴＯ膜はアモルファス（非晶質ともいう）状の膜であるため、電気抵抗の大きい膜となってしまう。そこで、ＩＴＯ膜の結晶化温度（約１５０℃）以上の温度でＩＴＯ膜を成膜するとこのＩＴＯ膜は多結晶状の膜であるため、電気抵抗の小さい膜となる。
従って、少なくとも、実施例の第３工程でＩＴＯからなる透明電極を成膜する際の基板加熱温度を１５０℃以上とすればよいが、実施例では、工程の始め（第１工程）から基板加熱温度をＩＴＯ膜の結晶化温度（約１５０℃）以上の温度である２２０℃とした。
【００３５】
また、実施例の第１工程では、第１の透明膜１１におけるＺｒＯ２の含有率を２５vol％としたが、これに限定されるものではない。
但し、第１の透明膜１１におけるＺｒＯ２の含有率を２５vol％よりも小さくすると赤色帯域における反射率が増加し、また、６０vol％よりも大きくすると形成された透明多層膜１５の光透過損失及び反射率のばらつきが大きくなるため、第１の透明膜１１におけるＺｒＯ２の含有率を２５vol％〜６０vol％の範囲内とすることが好ましい。
【００３６】
また、実施例の第１工程では、第１の透明膜１１の構成材料をＡｌ２Ｏ３とＺｒＯ２との混合物としたが、これに限定されるものではなく、ＺｒＯ２の代わりにＴａ２Ｏ５（酸化タンタル）を用いることもできる。
ＺｒＯ２の代わりにＴａ２Ｏ５を用いた場合、第１の透明膜におけるＴａ２Ｏ５の含有率を２０vol％よりも小さくすると赤色帯域における反射率が増加し、また、４５vol％よりも大きくすると形成された透明多層膜の光透過損失及び反射率のばらつきが大きくなるため、第１の透明膜におけるＴａ２Ｏ５の含有率を２０vol％〜４５vol％の範囲内とすることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の反射型液晶表示素子及びその製造方法の実施例を説明するための模式的断面図である。
【図２】本発明の反射型液晶表示素子及びその製造方法の実施例を説明するための模式的断面図である。
【図３】第１の透明膜を成膜する際の混合ガスにおけるＯ２ガスの流量比と得られた透明多層膜の光透過損失との関係（実験結果）を示す図である。
【図４】実施例、第１比較例、及び第２比較例の液晶表示素子における各透明多層膜の波長に対する光透過損失の比較実験結果を示す図である。
【図５】実施例、第１比較例、及び第２比較例の液晶表示素子における各透明多層膜の波長に対する反射率の比較実験結果を示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１  半導体基板、  ２  画素電極、  ３  薄膜トランジスタ、  ４，１６  配向膜、  １０  透明基板、  １１  第１の透明膜、  １２  第２の透明膜、  １３  透明電極、  １５  透明多層膜、  １７  ＡＲ膜、  ２０  液晶、  ５０  液晶表示素子、  Ｌ１  読み出し光、  Ｌ２  表示光、  Ａ，Ｂ  面、  ｄ１  間隙
【図１】
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【図２】
2008083462.tif 000004
【図３】
2008083462.tif 000005
【図４】
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【図５】
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