(57)【要約】【課題】近年の半導体デバイスのさらなる微細化に対応し得るレジストパターン微細化用被覆形成剤、及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】レジストパターンを有する基板上に被覆され、微細パターンを形成するために用いられるレジストパターン微細化用被覆形成剤であって、水溶性ポリマー（Ａ）と、少なくとも１以上のヒドラジド基を有するヒドラジド化合物（Ｂ）とを含有することを特徴とするレジストパターン微細化用被覆形成剤、及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストパターンを有する基板上に被覆され、微細パターンを形成するために用いられるレジストパターン微細化用被覆形成剤であって、
水溶性ポリマー（Ａ）と、少なくとも１以上のヒドラジド基を有するヒドラジド化合物（Ｂ）とを含有することを特徴とするレジストパターン微細化用被覆形成剤。
【請求項２】
前記水溶性ポリマー（Ａ）は、アクリル酸、メタクリル酸、Ｎ−ビニルピロリドン、ビニルアルコール、Ｎ−ビニルイミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、及びＮ−アクリロイルモルホリンよりなる群から選ばれる少なくとも１種のモノマーの重合体及び／又は共重合体の中から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載のレジストパターン微細化用被覆形成剤。
【請求項３】
前記水溶性ポリマー（Ａ）は、アクリル酸、及びＮ−ビニルピロリドンの中から選ばれる少なくとも１種の重合体及び／又は共重合体であることを特徴とする請求項１又は２に記載のレジストパターン微細化用被覆形成剤。
【請求項４】
前記ヒドラジド化合物（Ｂ）は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のレジストパターン微細化用被覆形成剤。
【化１】
2008249741.tif 000021
（Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｒ１は、直鎖、分岐鎖のいずれでもよく、不飽和結合、環骨格を有していてもよい、炭素原子数１〜１０のアルキレン鎖であるか、又は単結合であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、それぞれ独立に水素原子、又はメチル基を示し、ｎは０又は１を示す。］
【請求項５】
前記ヒドラジド化合物（Ｂ）は、カルボヒドラジド、コハク酸ジヒドラジド、及びアジピン酸ジヒドラジドよりなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のレジストパターン微細化用被覆形成剤。
【請求項６】
前記ヒドラジド化合物（Ｂ）は、前記水溶性ポリマー（Ａ）に対して０．１モル％〜３０モル％配合されることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のレジストパターン微細化用被覆形成剤。
【請求項７】
前記レジストパターン微細化用被覆形成剤は、レジストパターンを有する基板上に被覆され、その熱収縮作用により前記レジストパターンの間隔を狭小せしめて微細パターンを有するために用いられることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のレジストパターン微細化用被覆形成剤。
【請求項８】
レジストパターンを有する基板上に、請求項１から７のいずれか１項に記載のレジストパターン微細化用被覆形成剤を用いて被膜を形成した後、加熱して前記被膜を熱収縮させることにより前記レジストパターンの間隔を狭小せしめ、次いで前記被膜を除去することを特徴とする微細レジストパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジストパターン微細化用被覆形成剤、及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法に関し、特に、近年の半導体デバイスのさらなる微細化に対応し得るレジストパターン微細化用被覆形成剤、及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、液晶デバイス等の電子部品の製造においては、基板にエッチング等の処理を施す際にホトリソグラフィ技術が用いられている。このホトリソグラフィ技術では、活性放射線に感応するいわゆるホトレジスト材料を用いて基板上に被膜（ホトレジスト層）を設け、次いでこれを活性放射線で選択的に照射して露光し、現像処理を行った後、ホトレジスト層を選択的に溶解除去して、基板上に画像パターン（ホトレジストパターン）を形成する。そして、このホトレジストパターンを保護層（マスクパターン）としてエッチング処理を行うことにより、基板に配線パターンを形成する。
【０００３】
近年、半導体デバイスの高集積化、微小化の傾向が高まり、これらホトレジストパターンの形成についても微細化が進み、現在パターン幅１２０ｎｍ以下の超微細加工が要求されている。また、ホトレジストパターン形成に用いられる活性光線も、ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザー光、ＥＢ、ＥＵＶ、軟Ｘ線等の短波長の照射光が利用され、ホトレジストパターン形成材料としてのホトレジスト材料についても、これらの照射光に対応した物性を持つ材料系の研究・開発が行われている。
【０００４】
このようなホトレジスト材料の改良からの超微細化対応策に加え、パターン形成方法の面からも、ホトレジスト材料の持つ解像度の限界を超えるパターン微細化技術の研究・開発が行われている。
【０００５】
例えば、特許文献１（特開平５−１６６７１７号公報）では、基板上に塗布したパターン形成用レジストに抜きパターンを形成した後、該パターン形成用レジストとミキシングするミキシング生成用レジストを基板全面に塗布した後、ベークして、ミキシング層をパターン形成用レジストの側壁〜表面に形成し、このミキシング生成用レジストの非ミキシング部分を除去して、上記ミキシング層寸法分の微細化を図った抜きパターン形成方法が開示されている。また、特許文献２（特開平５−２４１３４８号公報）では、酸発生剤を含有するレジストパターンを形成した基板上に、酸の存在下で不溶化する樹脂を含むレジストを被着した後、熱処理し、レジストパターンから酸を拡散させてレジストパターンの界面付近に一定厚さのレジスト膜を形成した後、現像して、酸の拡散がされていない樹脂部分を除去することにより、上記一定の厚さ寸法分の微細化を図ったパターン形成方法が開示されている。さらに、特許文献３（特開平１０−０７３９２７号公報）では、酸発生剤を含むレジストパターン上を、酸の存在で架橋する材料を含む材料で覆い、続く加熱又は露光処理によりレジストパターン中に酸を発生させ、界面に生じた架橋層をレジストパターンの被覆層として形成し、レジストパターンを太らせることによりレジストパターンのホール径や分離幅を縮小する方法が開示されている。
【０００６】
しかしながら、これらの方法では、ウェーハ面内の熱依存性が十数ｎｍ／℃程度と大きく、大口径化したウェーハ面内において、レジストパターン上に形成される被膜の膜厚を均一に制御することが非常に困難であることから、微細化処理後のレジストパターン寸法のバラツキが顕著にみられるという問題がある。また、微細化処理後のディフェクト（パターン欠陥）の発生を抑止することが困難であり、さらには、レジストパターンの形成をやり直す場合のリワーク処理（一旦形成したレジストパターンをウェーハ上から取り除く処理）が困難であるという問題がある。
【０００７】
一方、レジストパターンを熱処理等で流動化させ、パターン寸法を微細化する方法も知られている。例えば、特許文献４（特開平１−３０７２２８号公報）では、基板上にレジストパターンを形成した後、熱処理を行って、レジストパターンの断面形状を変形させることにより、微細なパターンを形成する方法が開示されている。また、特許文献５（特開平４−３６４０２１号公報）では、レジストパターンを形成した後、その軟化温度の前後に加熱し、レジストの流動化によりそのパターン寸法を変化させて微細なパターンを形成する方法が開示されている。
【０００８】
しかしながら、これらの方法は、熱流動による微細化量の制御が困難であり、微細化処理後に、良好な矩形形状を維持したレジストパターンを得ることが難しく、また、ウェーハ面内に混在する疎密パターンの微細化量を一定に制御することが困難であるという問題がある。
【０００９】
上記方法をさらに発展させた方法として、例えば特許文献６（特開平７−４５５１０号公報）では、レジストパターンを形成した基板上に、レジストパターンの流動のしすぎを防止するための樹脂膜を形成し、次いで熱処理し、レジストを流動化させてパターン寸法を変化させた後、樹脂を除去して微細化レジストパターンを形成する方法が開示されている。
【００１０】
しかしながら、この方法では、微細化処理後に、良好な矩形形状を維持したレジストパターンを得ることが難しく、また、ウェーハ面内に混在する疎密パターンの微細化量を一定に制御することが困難であり、さらには、加熱温度の変動に対するホトレジストパターンの微細化量の変動を抑制することが困難であるという問題がある。
【００１１】
さらに、本出願人は、特許文献７〜１２（特開２００３-０８４４５９号公報、特開２００３-０８４４６０号公報、特開２００３-１０７７５２号公報、特開２００３-１４２３８１号公報、特開２００３-１９５５２７号公報、特開２００３-２０２６７９号公報）等において、パターン微細化用被覆形成剤及び微細パターンの形成方法に関する技術を提案している。これら特許文献７〜１２等に示す技術により、パターン寸法の制御性を向上し、微細化処理後のレジストパターンを良好な矩形形状とする等、半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることが可能となった。
【００１２】
これらのパターン微細化用被覆形成剤を用いた微細パターン形成技術では、まず、基板上にホトレジスト層を設け、これを露光・現像してホトレジストパターンを形成する。次いで、基板全面に亘ってパターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、加熱し、該パターン微細化用被覆形成剤の熱収縮作用を利用して、ホトレジストパターンを幅広とする。これにより、ホトレジストパターン間隔が狭められ、該ホトレジストパターン間隔により画定されるパターン幅も狭められ、微細化したパターンが得られる。
【００１３】
すなわち上記パターン微細化では、ホトレジストパターン形成段階（第１段階）と、パターン微細化用被覆形成剤の熱収縮段階（第２段階）の、２つの段階でのレジストパターン寸法制御の影響を受ける。このような手法を用いたレジストパターンの形成においては、第１段階で形成したレジストパターン形状を、第２段階の熱収縮工程において、その形状を維持したまま均一な熱収縮率で収縮させることが必要である。
【００１４】
しかしながら、さらなるパターンの微細化要求に伴い、微細化量を向上させ、かつ微細化処理後のレジストパターン形状、及び微細化量のより厳密な制御が求められており、こうした状況下では、これらのパターン微細化用被覆形成剤を用いた微細パターン形成技術であっても、安定したパターン形状や微細化量を得ることが困難であるという問題がある。これに加えて、生産管理や微細化量の管理が容易なパターン微細化用被覆形成剤が必要とされている。本願発明はかかる課題の解決のためのものである。
【特許文献１】特開平５−１６６７１７号公報
【特許文献２】特開平５−２４１３４８号公報
【特許文献３】特開平１０−０７３９２７号公報
【特許文献４】特開平１−３０７２２８号公報
【特許文献５】特開平４−３６４０２１号公報
【特許文献６】特開平７−４５５１０号公報
【特許文献７】特開２００３−０８４４５９号公報
【特許文献８】特開２００３−０８４４６０号公報
【特許文献９】特開２００３−１０７７５２号公報
【特許文献１０】特開２００３−１４２３８１号公報
【特許文献１１】特開２００３−１９５５２７号公報
【特許文献１２】特開２００３−２０２６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
上述したように、これまで検討されてきた微細レジストパターン形成方法では、近年の半導体デバイスのさらなる微細化に十分に対応することができないのが現状である。このため、近年の半導体デバイスのさらなる微細化に対応し得る微細レジストパターン形成方法、ひいてはそれを可能とするレジストパターン微細化用被覆形成剤を開発することは、当業者に課せられた火急の課題である。
【００１６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、近年の半導体デバイスのさらなる微細化に対応し得るレジストパターン微細化用被覆形成剤、及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。その結果、水溶性ポリマーと、少なくとも１以上のヒドラジド基を有するヒドラジド化合物とを含有するレジストパターン微細化用被覆形成剤によれば、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１８】
より具体的には、本発明は、レジストパターンを有する基板上に被覆され、微細パターンを形成するために用いられるレジストパターン微細化用被覆形成剤であって、水溶性ポリマー（Ａ）と、少なくとも１以上のヒドラジド基を有するヒドラジド化合物（Ｂ）とを含有することを特徴とするレジストパターン微細化用被覆形成剤を提供する。また、このレジストパターン微細化用被覆形成剤を用いて、レジストパターンを有する基板上に被膜を形成した後、加熱して被膜を熱収縮させることによりレジストパターンの間隔を狭小せしめ、次いで被膜を除去することを特徴とする微細レジストパターン形成方法を提供する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、近年の半導体デバイスのさらなる微細化に十分に対応し得るべく、微細化量を向上させ、かつ微細化処理後のレジストパターン形状、及び微細化量のより厳密な制御が可能で、さらには、生産管理、微細化量の管理が容易なレジストパターン微細化用被覆形成剤、及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２１】
＜レジストパターン微細化用被覆形成剤＞
本実施形態に係るレジストパターン微細化用被覆形成剤は、レジストパターンを有する基板上に被覆され、微細パターンを形成するために用いられるものであり、水溶性ポリマー（Ａ）と、少なくとも１以上のヒドラジド基を有するヒドラジド化合物（Ｂ）とを含有することを特徴とする。
【００２２】
［水溶性ポリマー（Ａ）］
本実施形態に係るレジストパターン微細化用被覆形成剤中に含まれる水溶性ポリマー（Ａ）は、従来公知の水溶性ポリマーを用いることができ、特に限定されない。好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸、Ｎ−ビニルピロリドン、ビニルアルコール、Ｎ−ビニルイミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、及びＮ−アクリロイルモルホリンよりなる群から選ばれる少なくとも１種のモノマーの重合体及び／又は共重合体の中から選ばれる少なくとも１種である。これらの重合体、共重合体は、単独で用いてもよく、２種以上を併用した混合ポリマーであってもよい。
【００２３】
上記重合体及び／又は共重合体としては、その構造中に、少なくともカルボニル基（鎖）、酸性水酸基、及びアルコール性水酸基の中から選ばれる少なくとも１種の置換基を有することが好ましく、特には、カルボキシル基を置換基として有することがより好ましい。
【００２４】
また、上記重合体及び／又は共重合体を用いたレジストパターン微細化用被覆形成剤は、ホモポリマーを用いたレジストパターン微細化用被覆形成剤に比して、共重合体又は混合ポリマーを用いた場合、レジストパターン間を近接させる効果が高いうえ、レジストパターン形状の保持効果も高い。このような共重合体又は混合ポリマーにおいては、良好なレジストパターン形状、レジストパターンの微細化効率、水に対する溶解性、経時安定性等の観点から、構成モノマー種、各モノマーの構成比率が選定される。
【００２５】
このような水溶性ポリマー（Ａ）として好ましく用いられるものは、アクリル酸、及びＮ−ビニルピロリドンの中から選ばれる少なくとも１種の重合体及び／又は共重合体である。これらの水溶性ポリマー（Ａ）によれば、後述するヒドラジド化合物（Ｂ）と効果的に相互作用する結果、熱収縮作用（シュリンク作用）が増強され、より微細で良好な形状を有するレジストパターンの形成が可能となる。
【００２６】
アクリル酸とＮ−ビニルピロリドンとの共重合体においては、アクリル酸とＮ−ビニルピロリドンの構成比率は、本発明の効果が奏される範囲内であれば特に限定されないが、好ましくは、アクリル酸：Ｎ−ビニルピロリドン＝５０：５０〜９９：１（質量比）の範囲である。この範囲内で共重合された共重合体を水溶性ポリマー（Ａ）として用いたレジストパターン微細化用被覆形成剤によれば、より優れた微細化効率、良好なレジストパターン形状が得られる。
【００２７】
水溶性ポリマー（Ａ）の分子量としては、本発明の効果が奏される範囲内であれば特に制限はないが、被膜形成性及び熱処理時における耐熱性等の観点から、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ法）により測定したポリメチルメタクリレート換算の質量平均分子量が１０,０００〜５０,０００の範囲であることが好ましい。
【００２８】
［ヒドラジド化合物（Ｂ）］
本実施形態に係るレジストパターン微細化用被覆形成剤中に含まれるヒドラジト化合物（Ｂ）は、少なくとも１以上のヒドラジド基を有することを特徴とする。具体的には、下記一般式（Ｉ）で表される化合物である。
【化１】
2008249741.tif 000002
（Ｉ）
【００２９】
上記式（Ｉ）中、Ｒ１は、直鎖、分岐鎖のいずれでもよく、不飽和結合、環骨格を有していてもよい、炭素原子数１〜１０のアルキレン鎖であるか、又は単結合であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、それぞれ独立に水素原子、又はメチル基を示し、ｎは０又は１を示す。
【００３０】
上記一般式（Ｉ）で表されるヒドラジド化合物（Ｂ）としては、水溶性のものであれば利用可能であるが、中でも、カルボヒドラジド、コハク酸ジヒドラジド、及びアジピン酸ジヒドラジドよりなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましく用いられる。これらヒドラジド化合物（Ｂ）は、上記水溶性ポリマー（Ａ）と効果的に相互作用する結果、熱収縮作用が増強され、より微細で良好な形状を有するレジストパターンの形成が可能となる。このようなヒドラジド基を有するヒドラジド化合物は、カルボニル基（鎖）、酸性水酸基、及びアルコール性水酸基の中から選ばれる少なくとも１種、特には、カルボニル基（鎖）に対して相互作用性の高い官能基であり、本実施形態に係るレジストパターン微細化用被覆形成剤においては、特にカルボン酸基等の酸性水酸基に対して相互作用性が高いと推測される。このため、上記水溶性ポリマー（Ａ）のうち、上記置換基を有する水溶性ポリマーを用いた場合には、特に大きな熱収縮作用が生じ、さらなる微細化が可能である。
【００３１】
また、従来のレジストパターン微細化用被覆形成剤においては、前記（Ａ）成分がイオン交換処理を行った水溶性ポリマーであった場合、すなわち低分子量域を除去した水溶性ポリマーであった場合には、所望の微細化量が得られないか、又はほとんど微細化が起こらないという現象が観察されていた。よって、実際の製品では、水溶性ポリマーのイオン交換処理を行わず、低分子量域を残したままの水溶性ポリマーが使用されていた。ところが、このようなイオン交換未処理の水溶性ポリマーを用いる場合は、その水溶性ポリマーのロット管理、及びレジストパターン微細化用被覆形成剤自体のロット管理が非常に困難であり、これに起因して、レジストパターンの微細化量を所定の範囲内に制御する管理が非常に困難であった。しかしながら、本発明のレジストパターン微細化用被覆形成剤では、上記（Ｂ）成分を配合することにより、水溶性ポリマーをイオン交換処理し、低分子領域が除去された水溶性ポリマーであっても、所望とする微細化量が得られることから、上述のロット管理や微細化量の管理が容易になるという利点を有するものである。
【００３２】
本実施形態に係るレジストパターン微細化用被覆形成剤中に含まれる水溶性ポリマー（Ａ）及びヒドラジド化合物（Ｂ）の含有量は、本発明の効果が奏される範囲内であれば特に限定されない。これらの好ましい含有量は、水溶性ポリマー（Ａ）に対して、ヒドラジド化合物（Ｂ）が０．１モル％〜３０モル％であり、より好ましくは、１モル％〜２５モル％である。
【００３３】
本発明のレジストパターン微細化用被覆形成剤は、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を含有してなる水溶液として通常用いられる。この被覆形成剤は、その固形分質量濃度を３〜５０質量％として用いるのが好ましく、５〜２０質量％の水溶液として用いるのがより好ましい。
【００３４】
なお、水溶液として用いることが好ましいが、本発明の効果を損なわない範囲であれば、水とアルコール系溶媒との混合溶媒としてもよい。このようなアルコール系溶媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、グリセリン、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−ブチレングリコール、１，３−ブチレングリコール、２，３−ブチレングリコール等が挙げられる。これらのアルコール系溶媒は、水１００質量部に対して３０質量部を上限として混合して用いられる。
【００３５】
さらに、本実施形態に係るレジストパターン微細化用被覆形成剤は、本発明の効果が奏される範囲内で、所望により上記（Ａ）以外の水溶性ポリマーを適宜含有することができる。このような水溶性ポリマーとしては、セルロース誘導体、アルキレングリコール系重合体、尿素系重合体、メラミン系重合体等が挙げられる。
【００３６】
前記セルロース誘導体としては、例えば、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースヘキサヒドロフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートサクシネート、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロール、セルロールアセテートヘキサヒドロフタレート、カルボキシメチルセルロース、エチルセルロース、メチルセルロース等が挙げられる。前記アルキレングリコール系重合体としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール等の付加重合体又は付加共重合体が挙げられる。前記尿素系重合体としては、例えば、メチロール化尿素、ジメチロール化尿素、エチレン尿素等の重合体が挙げられる。メラミン系重合体としては、例えばメトキシメチル化メラミン、メトキシメチル化イソブトキシメチル化メラミン、メトキシエチル化メラミン等の重合体がそれぞれ挙げられる。これらの他、水溶性のエポキシ系重合体やアミド系重合体を用いることもできる。これらの水溶性ポリマーは、単独で用いてもよく、２種以上を混合して併用してもよい。
【００３７】
また、本発明では、被覆形成剤に対して、必要に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、以下の水溶性架橋剤、界面活性剤、水溶性フッ素化合物、アミド基含有モノマー、少なくとも酸素原子及び／又は窒素原子を有する複素環式化合物、少なくとも同一環内に２個以上の窒素原子を有する複素環式化合物、水溶性アミン化合物、非アミン系水溶性有機溶媒等を配合してもよい。このような任意に添加される成分としては、例えば以下のようなものが挙げられる。
【００３８】
〔水溶性架橋剤〕
水溶性架橋剤としては、少なくとも２個の水素原子がヒドロキシアルキル基及び／又はアルコキシアルキル基で置換された、アミノ基及び／又はイミノ基を有する含窒素化合物が好ましく用いられる。これら含窒素化合物としては、例えば、アミノ基の水素原子がメチロール基又はアルコシキメチル基、あるいはその両方で置換された、メラミン系誘導体、尿素系誘導体、グアナミン系誘導体、アセトグアナミン系誘導体、ベンゾグアナミン系誘導体、スクシニルアミド系誘導体や、イミノ基の水素原子が置換されたグリコールウリル系誘導体、エチレン尿素系誘導体等を挙げることができる。
【００３９】
これら含窒素化合物の中でも、架橋反応性の点から、少なくとも２個の水素原子がメチロール基、又は炭素原子数１〜６の低級アルコキシメチル基、あるいはその両方で置換された、アミノ基及び／又はイミノ基を有する、ベンゾグアナミン系誘導体、グアナミン系誘導体、メラミン系誘導体等のトリアジン誘導体、グリコールウリル系誘導体、及び尿素系誘導体のうちの１種以上が好ましい。
【００４０】
このような水溶性架橋剤を添加する場合の添加量は、被覆形成剤の固形分中、１〜３５質量％程度に調整することが好ましい。
【００４１】
〔界面活性剤〕
界面活性剤としては、上記水溶性ポリマー（Ａ）に対し溶解性が高く、懸濁を発生しない等の特性が必要である。このような特性を満たす界面活性剤を用いることにより、特に被覆形成剤を塗布する際の気泡（マイクロフォーム）発生を抑えることができ、このマイクロフォーム発生と関係があるとされるディフェクトの発生をより効果的に防止することができる。上記の点から、Ｎ−アルキルピロリドン系界面活性剤、第４級アンモニウム塩系界面活性剤、ポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤、ノニオン性界面活性剤のうちの１種以上が好ましく用いられる。
【００４２】
上記Ｎ−アルキルピロリドン系界面活性剤としては、下記一般式（１）で表されるものが好ましい。
【化２】
2008249741.tif 000003
【００４３】
上記一般式（１）中、Ｒ２０は、炭素原子数６以上のアルキル基を示す。
【００４４】
かかるＮ−アルキルピロリドン系界面活性剤として、具体的には、Ｎ−ヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプチル−２−ピロリドン、Ｎ−オクチル−２−ピロリドン、Ｎ−ノニル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−ウンデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ドデシル−２−ピロリドン、Ｎ−トリデシル−２−ピロリドン、Ｎ−テトラデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ペンタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘキサデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−オクタデシル−２−ピロリドン等が挙げられる。中でも、Ｎ−オクチル−２−ピロリドン（「ＳＵＲＦＡＤＯＮＥ  ＬＰ１００」；ＩＳＰ社製）が好ましく用いられる。
【００４５】
上記第４級アンモニウム系界面活性剤としては、下記一般式（２）で表されるものが好ましい。
【化３】
2008249741.tif 000004
【００４６】
上記一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４は、それぞれ独立に、アルキル基又はヒドロキシアルキル基を示し（ただし、そのうちの少なくとも１つは炭素原子数６以上のアルキル基又はヒドロキシアルキル基を示す）、Ｘ−は水酸化物イオン又はハロゲンイオンを示す。
【００４７】
かかる第４級アンモニウム系界面活性剤として、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、トリデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ペンタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ヘプタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、オクタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。中でも、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましく用いられる。
【００４８】
上記ポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤としては、下記一般式（３）で表されるものが好ましい。
【化４】
2008249741.tif 000005
【００４９】
上記一般式（３）中、Ｒ２５は、炭素原子数１〜１０のアルキル基又はアルキルアリル基を示し、Ｒ２６は、水素原子又は（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）Ｒ２５（Ｒ２５は上記で定義したとおり）を示し、ｘは１〜２０の整数を示す。
【００５０】
かかるポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤としては、具体的には「プライサーフＡ２１２Ｅ」、「プライサーフＡ２１０Ｇ」（以上、いずれも第一工業製薬（株）製）等として市販されているものを好適に用いることができる。
【００５１】
上記ノニオン性界面活性剤としては、ポリオキシアルキレンのアルキルエーテル化物又はアルキルアミンオキシド化合物であることが好ましい。
【００５２】
上記ポリオキシアルキレンのアルキルエーテル化物としては、下記一般式（４）又は（５）で表される化合物が好ましく用いられる。
【化５】
2008249741.tif 000006
【００５３】
上記一般式（４）、（５）において、Ｒ２７及びＲ２８は、炭素原子数１〜２２の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基、水酸基を有するアルキル基、又はアルキルフェニル基を示す。Ａ０は、オキシアルキレン基であり、オキシエチレン、オキシプロピレン、及びオキシブチレン基の中から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。ｙは整数である。
【００５４】
アルキルアミンオキシド化合物としては、下記一般式（６）又は（７）で表される化合物が好ましく用いられる。
【化６】
2008249741.tif 000007
【００５５】
上記一般式（６）、（７）において、Ｒ２９は、酸素原子で中断されていてもよい炭素原子数８〜２０のアルキル基又はヒドロキシアルキル基を示し、ｐ及びｑは１〜５の整数を示す。
【００５６】
上記一般式（６）、（７）で表されるアルキルアミンオキシド化合物としては、オクチルジメチルアミンオキシド、ドデシルジメチルアミンオキシド、デシルジメチルアミンオキシド、ラウリルジメチルアミンオキシド、セチルジメチルアミンオキシド、ステアリルジメチルアミンオキシド、イソヘキシルジエチルアミンオキシド、ノニルジエチルアミンオキシド、ラウリルジエチルアミンオキシド、イソペンタデシルメチルエチルアミンオキシド、ステアリルメチルプロピルアミンオキシド、ラウリルジ（ヒドロキシエチル）アミンオキシド、セチルジエタノールアミンオキシド、ステアリルジ（ヒドロキシエチル）アミンオキシド、ドデシルオキシエトキシエトキシエチルジ（メチル）アミンオキシド、ステアリルオキシエチルジ（メチル）アミンオキシド等が挙げられる。
【００５７】
これらの界面活性剤の中でも、特にディフェクト低減の点からは、ノニオン性界面活性剤が好ましく用いられる。
【００５８】
このような界面活性剤を添加する場合の添加量は、被覆形成剤の固形分中、１ｐｐｍ〜１０質量％程度とするのが好ましく、より好ましくは１００ｐｐｍ〜２質量％程度に調整することが好ましい。
【００５９】
〔水溶性フッ素化合物〕
水溶性フッ素化合物としては、上記水溶性ポリマー（Ａ）に対し溶解性が高く、懸濁を発生しない等の特性が必要である。このような特性を満たす水溶性フッ素化合物を用いることにより、さらにレベリング性（被覆形成剤の広がり度合い）を向上させることができる。このレベリング性は、界面活性剤の過剰量添加による接触角の引き下げにより達成することも可能であるが、界面活性剤添加量を過剰にした場合、ある一定以上の塗布向上性が認められないばかりか、過剰量とすることにより、塗布した際に被覆膜上に気泡（マイクロフォーム）が発生し、ディフェクトの原因となり得るという問題がある。この水溶性フッ素化合物を配合することにより、そのような発泡を抑制しつつ、接触角を下げ、レベリング性を向上させることができる。
【００６０】
かかる水溶性フッ素化合物としては、フルオロアルキルアルコール類、フルオロアルキルカルボン酸類等が好ましく用いられる。フルオロアルキルアルコール類としては、２−フルオロ−１−エタノール、２，２−ジフルオロ−１−エタノール、トリフルオロエタノール、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロアミルアルコール等が挙げられる。フルオロアルキルカルボン酸類としては、トリフルオロ酢酸等が挙げられる。ただし、これら例示に限定されるものではなく、水溶性を有するフッ素化物であって、上述の効果を奏するものであれば限定されない。特には、炭素原子数６以下のフルオロアルキルアルコール類が好ましく用いられる。中でも入手しやすさ等の点から、トリフルオロエタノールが特に好ましい。
【００６１】
このような水溶性フッ素化合物を添加する場合の添加量は、被覆形成剤の固形分中、０．１〜３０質量％程度とするのが好ましく、特には０．１〜１５質量％程度に調整することが好ましい。
【００６２】
〔アミド基含有モノマー〕
アミド基含有モノマーとしては、特に限定されるものではないが、上記水溶性ポリマー（Ａ）に対し溶解性が高く、懸濁を発生しない等の特性が必要である。
【００６３】
かかるアミド基含有モノマーとしては、下記一般式（８）で表されるアミド化合物が好ましく用いられる。
【化７】
2008249741.tif 000008
【００６４】
上記一般式（８）において、Ｒ３０は、水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基、又はヒドロキシアルキル基を示し、Ｒ３１は、炭素原子数１〜５のアルキル基を示し、Ｒ３２は、水素原子又はメチル基を示し、ｚは０〜５の整数を示す。上記においてアルキル基、ヒドロキシアルキル基は直鎖、分岐鎖のいずれも含む。
【００６５】
上記一般式（８）中、Ｒ３０が水素原子、メチル基、又はエチル基を示し、ｚが０であるアミド基含有モノマーがより好ましく用いられる。このようなアミド基含有モノマーとしては、具体的には、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−エチルアクリルアミド、Ｎ−エチルメタクリルアミド等が挙げられる。中でも、アクリルアミド、メタクリルアミドが特に好ましい。
【００６６】
このようなアミド基含有モノマーを添加する場合の添加量は、被覆形成剤の固形分中、０．１〜３０質量％程度とするのが好ましく、特には１〜１５質量％程度に調整することが好ましい。
【００６７】
〔少なくとも酸素原子及び／又は窒素原子を有する複素環式化合物〕
少なくとも酸素原子及び／又は窒素原子を有する複素環式化合物を配合してもよい。このような複素環式化合物としては、オキサゾリジン骨格を有する化合物、オキサゾリン骨格を有する化合物、オキサゾリドン骨格を有する化合物、及びオキサゾリジノン骨格を有する化合物の中から選ばれる少なくとも１種が好ましく用いられる。
【００６８】
上記オキサゾリジン骨格を有する化合物としては、下記化学式（９）で表されるオキサゾリンのほか、その置換体が挙げられる。
【化８】
2008249741.tif 000009
【００６９】
該置換体としては、上記化学式（９）で表されるオキサゾリンの炭素原子あるいは窒素原子に結合する水素原子が、炭素原子数１〜６の置換若しくは未置換の低級アルキル基、カルボキシル基、水酸基、ハロゲン基で置換された化合物が挙げられる。上記置換された低級アルキル基としては、ヒドロキシアルキル基、低級アルコキシアルキル基等が挙げられるが、これら例示に限定されるものではない。
【００７０】
上記オキサゾリン骨格を有する化合物としては、下記化学式（８−１）で表される２−オキサゾリン、化学式（８−２）で表される３−オキサゾリン、化学式（８−３）で表される４−オキサゾリンのほか、それらの置換体が挙げられる。
【化９】
2008249741.tif 000010
【００７１】
該置換体としては、上記化学式（８−１）〜（８−３）で表されるオキサゾリン骨格を有する化合物の炭素原子あるいは窒素原子に結合する水素原子が、炭素原子数１〜６の置換若しくは未置換の低級アルキル基、カルボキシル基、水酸基、ハロゲン基で置換された化合物が挙げられる。上記置換された低級アルキル基としては、ヒドロキシアルキル基、低級アルコキシアルキル基等が挙げられるが、これら例示に限定されるものではない。
【００７２】
上記オキサゾリン骨格を有する化合物の中でも、下記化学式（８−１−Ａ）で表される２−メチル−２−オキサゾリンが好ましく用いられる。
【化１０】
2008249741.tif 000011
【００７３】
上記オキサゾリドン骨格を有する化合物としては、下記化学式（９−１）で表される５（４）−オキサゾロン、下記化学式（９−２）で表される５（２）−オキサゾロン、下記化学式（９−３）で表される４（５）−オキサゾロン、下記化学式（９−４）で表される２（５）−オキサゾロン、下記化学式（９−５）で表される２（３）−オキサゾロンのほか、それらの置換体が挙げられる。
【００７４】
【化１１】
2008249741.tif 000012
【００７５】
該置換体としては、上記化学式（９−１）〜（９−５）で表されるオキサゾリドン骨格を有する化合物の炭素原子あるいは窒素原子に結合する水素原子が、炭素原子数１〜６の置換若しくは未置換の低級アルキル基、カルボキシル基、水酸基、ハロゲン基で置換された化合物が挙げられる。上記置換された低級アルキル基としては、ヒドロキシアルキル基、低級アルコキシアルキル基等が挙げられるが、これら例示に限定されるものではない。
【００７６】
上記オキサゾリジノン骨格を有する化合物（又は２−オキサゾリドン骨格を有する化合物）としては、下記化学式（１０）で表されるオキサゾリジノン（又は２−オキサゾリドン）のほか、その置換体が挙げられる。
【化１２】
2008249741.tif 000013
【００７７】
該置換体としては、上記化学式（１０）で表されるオキサゾリジノン（又は２−オキサゾリドン）の炭素原子あるいは窒素原子に結合する水素原子が、炭素原子数１〜６の置換若しくは未置換の低級アルキル基、カルボキシル基、水酸基、ハロゲン基で置換された化合物が挙げられる。上記置換された低級アルキル基としては、ヒドロキシアルキル基、（低級アルコキシ）アルキル基等が挙げられるが、これら例示に限定されるものではない。
【００７８】
該オキサゾリジノン骨格を有する化合物の中でも、下記化学式（１０−１）で表される３−メチル−２−オキサゾリドンが好ましく用いられる。
【化１３】
2008249741.tif 000014
【００７９】
このような少なくとも酸素原子及び／又は窒素原子を有する複素環式化合物を添加する場合の添加量は、上記水溶性ポリマー（Ａ）に対し、１〜５０質量％とするのが好ましく、より好ましくは３〜２０質量％に調整することが好ましい。
【００８０】
〔少なくとも同一環内に２個以上の窒素原子を有する複素環式化合物〕
少なくとも同一環内に２個以上の窒素原子を有する複素環式化合物としては、ピラゾール、３，５−ジメチルピラゾール、２−ピラゾリン、５−ピラゾロン、３−メチル−１−フェニル−５−ピラゾロン、２，３−ジメチル−１−フェニル−５−ピラゾロン、２，３−ジメチル−４−ジメチルアミノ−１−フェニル−５−ピラゾロン、ベンゾピラゾール等のピラゾール系化合物；イミダゾール、メチルイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、４−（２−アミノエチル）イミダゾール、２−アミノ−３−（４−イミダゾリル）プロピオン酸等のイミダゾール系化合物；２−イミダゾリン、２，４，５−トリフェニル−２−イミダゾリン、２−（１−ナフチルメチル）−２−イミダゾリン等のイミダゾリン系化合物；イミダゾリジン、２−イミダゾリドン、２，４−イミダゾリジンジオン、１−メチル−２，４−イミダゾリジンジオン、５−メチル−２，４−イミダゾリジンジオン、５−ヒドロキシ−２，４−イミダゾリジンジオン−５−カルボン酸、５−ウレイド−２，４−イミダゾリジンジオン、２−イミノ−１−メチル−４−イミダゾリドン、２−チオキソ−４−イミダゾリドン等のイミダゾリジン系化合物；ベンゾイミダゾール、２−フェニルベンゾイミダゾール、２−ベンゾイミダゾリノン等のベンゾイミダゾール系化合物；１，２−ジアジン、１，３−ジアジン、１，４−ジアジン、２，５−ジメチルピラジン等のジアジン系化合物；２，４（１Ｈ，３Ｈ）ピリミジンジオン、５−メチルウラシル、５−エチル−５−フェニル−４，６−パーヒドロピリミジンジオン、２−チオキソ−４（１Ｈ，３Ｈ）−ピリミジノン、４−イミノ−２（１Ｈ，３Ｈ）−ピリミジン、２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−ピリミジントリオン等のヒドロピリミジン系化合物；シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、ルミノール等のベンゾジアジン系化合物；ベンゾシノリン、フェナジン、５，１０−ジヒドロフェナジン等のジベンゾジアジン系化合物；１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、４−アミノ−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール系化合物；ベンゾトリアゾール、５−メチルベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール系化合物；１，３，５−トリアジン、１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリオール、２，４，６−トリメトキシ−１，３，５−トリアジン、１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリチオール、１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリアミン、４，６−ジアミノ−１，３，５−トリアジン−２−オール等のトリアジン系化合物、等が挙げられるが、これら例示に限定されるものではない。
【００８１】
中でも、取り扱いが容易であり、さらには入手が容易である、等の点から、イミダゾール系化合物の単量体が好ましく用いられ、特にはイミダゾールが好ましく用いられる。
【００８２】
このような少なくとも同一環内に２個以上の窒素原子を有する複素環式化合物を添加する場合の添加量は、上記水溶性ポリマー（Ａ）に対し、１〜１５質量％程度とするのが好ましく、より好ましくは２〜１０質量％程度に調整することが好ましい。
【００８３】
〔水溶性アミン化合物〕
このような水溶性アミン化合物を用いることにより、さらに不純物発生防止、ｐＨ調整等が可能となる。
【００８４】
かかる水溶性アミン化合物としては、２５℃の水溶液におけるｐＫａ（酸解離定数）が７．５〜１３のアミン類が挙げられる。具体的には、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン等のアルカノールアミン類；ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、１，４−ブタンジアミン、Ｎ−エチル−エチレンジアミン、１，２−プロパンジアミン、１，３−プロパンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン等のポリアルキレンポリアミン類；２−エチル−ヘキシルアミン、ジオクチルアミン、トリブチルアミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン類；ベンジルアミン、ジフェニルアミン等の芳香族アミン類；ピペラジン、Ｎ−メチル−ピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジン等の環状アミン類等が挙げられる。中でも、沸点１４０℃以上（７６０ｍｍＨｇ下）のものが好ましく、例えばモノエタノールアミン、トリエタノールアミン等が好ましく用いられる。
【００８５】
このような水溶性アミン化合物を添加する場合の添加量は、被覆形成剤の固形分中、０．１〜３０質量％程度とするのが好ましく、特には２〜１５質量％程度に調整することが好ましい。
【００８６】
〔非アミン系水溶性有機溶媒〕
非アミン系水溶性有機溶媒を配合することにより、より一層ディフェクトの発生を抑制することができる。
【００８７】
かかる非アミン系水溶性有機溶媒としては、水と混和性のある非アミン系有機溶媒であればよく、例えばジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、グリセリン、１，２−ブチレングリコール、１，３−ブチレングリコール、２，３−ブチレングリコール等の多価アルコール類及びその誘導体が挙げられる。中でも、ディフェクト発生抑制等の点から多価アルコール類及びその誘導体が好ましく、特にはグリセリンが好ましく用いられる。非アミン系水溶性有機溶媒は１種又は２種以上を用いることができる。
【００８８】
このような非アミン系水溶性有機溶媒を添加する場合の添加量は、上記水溶性ポリマー（Ａ）に対し、０．１〜３０質量％程度とするのが好ましく、特には０．５〜１５質量％程度に調整することが好ましい。
【００８９】
＜微細レジストパターン形成方法＞
本実施形態に係る微細レジストパターン形成方法は、上記レジストパターン微細化用被覆形成剤を用いて、レジストパターンを有する基板上に被膜を形成した後、加熱して被膜を熱収縮させることによりレジストパターンの間隔を狭小せしめ、次いで被膜を除去することを特徴とする。より詳しくは、本実施形態に係る微細レジストパターン形成方法は、（ａ）レジストパターン形成工程、（ｂ）水溶性樹脂被膜形成工程、（ｃ）熱処理工程、及び（ｄ）水洗工程を有する。
【００９０】
［（ａ）レジストパターン形成工程］
この工程は、ホトレジストを用いて基板上にレジストパターンを形成する工程である。レジストパターンの形成方法としては、半導体素子の製造に際し、通常用いられている微細レジストパターン形成方法が採用される。例えば、シリコンウエハ等の基板上に、化学増幅型レジスト、電子線レジスト、又はＦ２レジストをスピンナー等で塗布し、乾燥して感光層を形成する。その後、縮小投影露光装置等を用いて、紫外線、ｄｅｅｐ−ＵＶ、エキシマレーザー光等を所望のマスクパターンを介して照射するか、又は電子線により描画し、加熱する。次いで、例えば１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液等のアルカリ現像液を用いて現像処理することにより、所望のレジストパターンが形成される。
【００９１】
［（ｂ）水溶性樹脂被膜形成工程］
この工程は、上記（ａ）レジストパターン形成工程で形成されたレジストパターンの全面又は一部に水溶性樹脂被膜を設ける工程である。この水溶性樹脂被膜の形成には、上述のレジストパターン微細化用被覆形成剤が用いられる。被膜形成方法としては、従来の熱フロープロセスにおいて通常行われていた方法が採用される。例えば、上述のレジストパターン微細化用被覆形成剤を、スピンナー等を用いてレジストパターンの全面又は一部に塗布し、水溶性樹脂被膜を形成する。この際には、必要に応じ、加熱乾燥処理の工程を加えてもよい。水溶性樹脂被膜の厚さとしては、特に限定されないが、０．１μｍ〜０．５μｍが好ましい。
【００９２】
［（ｃ）熱処理工程］
この工程は、上記（ｂ）水溶性樹脂被膜形成工程で設けられた水溶性樹脂被膜を有するレジストパターンを熱処理し、レジストパターン間の距離を接近させる工程である。この熱処理工程における加熱処理で生じる水溶性樹脂被膜の熱収縮作用により、レジストパターンの間隔が狭小されて微細化が達成される。この熱処理温度は、通常、８０℃〜１６０℃（３０秒〜１２０秒間）で行われる。なお、本実施形態では、上記ヒドラジド化合物（Ｂ）の熱収縮作用によりレジストパターンの微細化が助長されるため、従来に比して低温化が可能である。
【００９３】
［（ｄ）水洗工程］
この工程は、上記（ｃ）熱処理工程で熱処理されたレジストパターン上に存在する水溶性樹脂被膜を水洗除去する工程である。この水溶性樹脂被膜は、水系溶剤、好ましくは純水により１０秒〜６０秒間、洗浄することにより完全に除去される。
【００９４】
以上の工程を順次経ることにより、リソグラフィー技術で形成されるレジストパターンをさらに微細化することができる。なお、レジストのパターンとしては、特に限定されず、トレンチ型パターンでもよく、ホール型パターンでもよい。
【実施例】
【００９５】
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００９６】
＜実施例１〜３、比較例１＞
膜厚７７ｎｍ「ＡＲＣ２９Ａ（ブリューワサイエンス社製）」の反射防止膜が形成されたシリコンウエハ上に、ホトレジスト（東京応化工業株式会社製、商品名「ＴＡｒＦ−Ｐ７ａ１４４ＭＥ」）をスピンナー塗布し、１１０℃で６０秒間ベーク処理することにより、膜厚２２０ｎｍのホトレジスト膜を形成した。その後、得られたホトレジスト膜に対し、露光装置（ニコン株式会社製、商品名「ＮＳＲ−３０２Ａ」）を用いて所定のパターン露光を行い、９５℃で６０秒間加熱処理した。次いで、２．３８質量％テトラアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて２３℃で６０秒間の現像処理を施すことにより、直径１２５ｎｍ（ピッチ１４００ｎｍ）のホールパターンを形成した。
【００９７】
得られたホールパターン上に、下表１の各レジストパターン微細化用被覆形成剤（各レジストパターン微細化用被覆形成剤の固形分質量濃度は全て７．５質量％に調整した）をそれぞれ２００ｎｍの膜厚となるように塗布し、１４０℃にて６０秒間加熱処理し、レジストパターンを熱収縮（シュリンク）させた。次いで、２３℃の純水を用いて６０秒間水洗し、レジストパターン微細化用被覆形成剤を除去することにより、微細化されたホールパターンを得た。
【００９８】
各微細化されたホールパターンについて、シュリンク（熱収縮）量、及びホールパターンの真円性の評価を行った。シュリンク量の評価は、レジストパターン微細化後のホールパターンの径を、ＳＥＭを用いて測定することにより行った。また、ホールパターンの真円性の評価についてもＳＥＭを用いて拡大観察することにより行った。得られた評価結果を同表１に示す。
【００９９】
【表１】
2008249741.tif 000015
【０１００】
上表１中、「ＶＰＡＡ−Ｉ」は、アクリル酸とＮ−ビニルピロリドンの共重合体（構成比：アクリル酸／Ｎ−ビニルピロリドン＝９５／５、質量平均分子量１５０００）をイオン交換樹脂（オルガノ社製、ＥＧ４−ＨＧ）を用いて常法によりイオン交換を施した水溶性ポリマーであり、「ＡＤＨ」は、アジピン酸ジヒドラジドであり、「Ａ−２１０Ｇ」は、第一工業製薬（株）製のポリオキシエチレン−リン酸エステル系界面活性剤である「プライサーフＡ−２１０Ｇ」であり、「ＴＥＡ」は、トリエチルアミンである。また、表１中の（ｂ）成分の配合量（括弧内の数値）は（ａ）成分に対するモル％を示すものであり、その他の成分の配合量は（ａ）成分に対する質量％を示すものであり、真円性評価は、初期（微細化処理前）のホールパターンに対して、真円性が高くなったものを「○」、真円性が初期ホールパターンと同等又はそれよりも劣るものを「△」とした。
【０１０１】
＜実施例４〜８、比較例２＞
前記実施例１と同様の手順にて、直径１４０ｎｍ（ピッチ２８０ｎｍ）のホールパターンＡ、及び直径１３１ｎｍ（ピッチ１４００ｎｍ）のホールパターンＢを形成した。
【０１０２】
得られたホールパターン上に、下表２の各レジストパターン微細化用被覆形成剤（各レジストパターン微細化用被覆形成剤の固形分質量濃度は全て７．５質量％に調整した）をそれぞれ２００ｎｍの膜厚となるように塗布し、１４０℃にて６０秒間加熱処理し、レジストパターンを熱収縮（シュリンク）させた。次いで、２３℃の純水を用いて６０秒間水洗し、レジストパターン微細化用被覆形成剤を除去することにより、微細化されたホールパターンを得た。
【０１０３】
各微細化されたホールパターンについて、シュリンク（熱収縮）量、及びホールパターンの真円性の評価を行った。シュリンク量の評価は、レジストパターン微細化後のホールパターン径を、ＳＥＭを用いて測定することにより行った。また、ホールパターンの真円性の評価についてもＳＥＭを用いて拡大観察することにより行った。得られた評価結果を同表２に示す。
【０１０４】
【表２】
2008249741.tif 000016
【０１０５】
上表２中、ＣＤＨは、カルボジヒドラジドであり、ＳＵＤＨは、コハク酸ジヒドラジドであり、他は全て表１と同じである。
【０１０６】
＜実施例９〜１０、比較例３＞
前記実施例１と同様の操作にて、直径１４０ｎｍ（ピッチ２８０ｎｍ）のホールパターンＡ、及び直径１３１ｎｍ（ピッチ１４００ｎｍ）のホールパターンＢを形成した。
【０１０７】
得られたホールパターン上に、下表３の各レジストパターン微細化用被覆形成剤（各レジストパターン微細化用被覆形成剤の固形分質量濃度は全て７．５質量％に調整した）をそれぞれ２００ｎｍの膜厚となるように塗布し、１４０℃にて６０秒間加熱処理し、レジストパターンを熱収縮（シュリンク）させた。次いで、２３℃の純水を用いて６０秒間水洗し、レジストパターン微細化用被覆形成剤を除去することにより、微細化されたホールパターンを得た。
【０１０８】
各微細化されたホールパターンについて、シュリンク（熱収縮）量、及びホールパターンの真円性の評価を行った。シュリンク量の評価は、レジストパターン微細化後のホールパターン径を、ＳＥＭを用いて測定することにより行った。また、ホールパターンの真円性の評価についてもＳＥＭを用いて拡大観察することにより行った。得られた評価結果を同表３に示す。
【０１０９】
【表３】
2008249741.tif 000017
【０１１０】
上表３中、ＶＰＡＡ−Ｓは、アクリル酸とＮ−ビニルピロリドンの共重合体（構成比：アクリル酸／Ｎ−ビニルピロリドン＝９５／５、質量平均分子量１８５００、イオン交換未処理）であり、他は全て表１及び表２と同じである。
【０１１１】
＜実施例１１〜１４、比較例４＞
前記実施例１と同様の操作にて、直径１３９ｎｍ（ピッチ２８０ｎｍ）のホールパターンＡ、及び直径１１８ｎｍ（ピッチ１４００ｎｍ）のホールパターンＢを形成した。
【０１１２】
得られたホールパターン上に、下表４の各レジストパターン微細化用被覆形成剤（各レジストパターン微細化用被覆形成剤の固形分質量濃度は全て７．５質量％に調整した）をそれぞれ２００ｎｍの膜厚となるように塗布し、１４０℃にて６０秒間加熱処理し、レジストパターンを熱収縮（シュリンク）させた。次いで、２３℃の純水を用いて６０秒間水洗し、レジストパターン微細化用被覆形成剤を除去することにより、微細化されたホールパターンを得た。
【０１１３】
各微細化されたホールパターンについて、シュリンク（熱収縮）量、及びホールパターンの真円性の評価を行った。シュリンク量の評価は、レジストパターン微細化後のホールパターン径を、ＳＥＭを用いて測定することにより行った。また、ホールパターンの真円性の評価についてもＳＥＭを用いて拡大観察することにより行った。得られた評価結果を同表４に示す。
【０１１４】
【表４】
2008249741.tif 000018
【０１１５】
上表４中の記号は、全て表１〜表３と同じである。
【０１１６】
＜実施例１５〜１６、比較例５＞
前記実施例１と同様の操作にて、直径１３９ｎｍ（ピッチ２８０ｎｍ）のホールパターンＡ、及び直径１１８ｎｍ（ピッチ１４００ｎｍ）のホールパターンＢを形成した。
【０１１７】
得られたホールパターン上に、下表５の各レジストパターン微細化用被覆形成剤（各レジストパターン微細化用被覆形成剤の固形分質量濃度は全て７．５質量％に調整した）をそれぞれ２００ｎｍの膜厚となるように塗布し、１４０℃にて６０秒間加熱処理し、レジストパターンを熱収縮（シュリンク）させた。次いで、２３℃の純水を用いて６０秒間水洗し、レジストパターン微細化用被覆形成剤を除去することにより、微細化されたホールパターンを得た。
【０１１８】
各微細化されたホールパターンについて、シュリンク（熱収縮）量、及びホールパターンの真円性の評価を行った。シュリンク量の評価は、レジストパターン微細化後のホールパターン径を、ＳＥＭを用いて測定することにより行った。また、ホールパターンの真円性の評価についてもＳＥＭを用いて拡大観察することにより行った。得られた評価結果を同表５に示す。
【０１１９】
【表５】
2008249741.tif 000019
【０１２０】
上表５中、ＰＡＡは、ポリアクリル酸（日本純薬社製、商品名「ＡＣ−１０ＬＰ」、質量平均分子量３３０００）であり、他は全て表１〜表４と同様である。
【０１２１】
＜実施例１７、比較例６＞
前記実施例１と同様の操作にて、直径１３５ｎｍ（ピッチ２８０ｎｍ）のホールパターンＡを形成した。
【０１２２】
得られたホールパターン上に、下表６の各レジストパターン微細化用被覆形成剤（各レジストパターン微細化用被覆形成剤の固形分質量濃度は全て７．５質量％に調整した）をそれぞれ２００ｎｍの膜厚となるように塗布し、実施例１７においては１１５℃にて６０秒間の加熱処理を施し、比較例６においては１４０℃にて６０秒間加熱処理を施すことにより、レジストパターンを熱収縮（シュリンク）させた。次いで、２３℃の純水を用いて６０秒間水洗し、レジストパターン微細化用被覆形成剤を除去することにより、微細化されたホールパターンを得た。
【０１２３】
各微細化されたホールパターンについて、シュリンク（熱収縮）量、及びホールパターンの真円性の評価を行った。シュリンク量の評価は、レジストパターン微細化後のホールパターン径を、ＳＥＭを用いて測定することにより行った。また、ホールパターンの真円性の評価についてもＳＥＭを用いて拡大観察することにより行った。得られた評価結果を同表６に示す。
【０１２４】
【表６】
2008249741.tif 000020
【０１２５】
表１〜６の結果に示される通り、ヒドラジド化合物を添加することにより、シュリンク量が増加しているとともに、真円性も向上していることが確認された。また、トリエチルアミンを添加した実施例３においては、さらにパターンの垂直性が改善されていたことが確認された。
【０１２６】
さらに、イオン交換処理により低分子領域を除去した水溶性ポリマーを用いた場合であっても、本発明のヒドラジド化合物添加すれば、所望とする微細化が可能であることが確認された。これにより、水溶性ポリマーや被覆形成剤のロット管理を容易にすることができ、さらにはレジストパターン微細化用被覆形成剤の微細化量の制御が容易になる。また、実施例１〜１７のいずれにおいても、ホールパターン側壁のラフネスが改善されたことが確認された。
【０１２７】
さらには、実施例１７及び比較例６によれば、本発明のジヒドラジド化合物を添加することにより、より低い加熱温度で、同等の微細化量が得られることが確認された。よって、微細化処理温度の低温化を可能ならしめ、歩留まりの向上が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１２８】
以上述べた通り、本発明に係るレジストパターン微細化用被覆形成剤、及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法は、従来に比してより一層微細化されたレジストパターンの形成が可能であることから、さらなる微細化が求められている近年の半導体デバイス用として適している。