(57)【要約】      （修正有）【課題】焼成時におけるグリーンシートのガラス成分中へのＡｇ拡散を抑制することで、良好な回路パターンを形成し得ると共に基板に反りや変形をもたらさない導体ペーストを提供する。【解決手段】Ａｇを含む金属粒子と、バインダ成分と、熱分解性のアルカリ金属化合物６とを含有する低温焼成基板用導体ペースト７であって、前記熱分解性のアルカリ金属化合物６の含有量が、前記金属粒子の金属原子１００個に対して、０．１３以上７．８以下のアルカリ金属原子を含む相当量であることを特徴とする低温焼成基板用導体ペースト７とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｇを含む金属粒子と、バインダ成分と、熱分解性のアルカリ金属化合物とを含有する低温焼成基板用導体ペーストであって、
前記熱分解性のアルカリ金属化合物の含有量が、前記金属粒子の金属原子１００個に対して、０．１３以上７．８以下のアルカリ金属原子を含む相当量であることを特徴とする低温焼成基板用導体ペースト。
【請求項２】
前記熱分解性のアルカリ金属化合物が、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属蓚酸塩又はこれらの混合物であることを特徴とする請求項１に記載の低温焼成基板用導体ペースト。
【請求項３】
前記アルカリ金属が、カリウム、ナトリウム又はこれらの混合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の低温焼成基板用導体ペースト。
【請求項４】
低温焼成基板と、請求項１〜３のいずれか一項に記載の低温焼成基板用導体ペーストを焼成してなる回路とを具備することを特徴とする低温焼成セラミック回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低温焼成基板用導体ペースト及び低温焼成セラミック回路基板に関する。特に、本発明は、情報通信及び自動車等の分野において、マイクロ波やミリ波帯等の高周波特性、耐熱性及び強度に優れた低温焼成セラミック回路基板を与える低温焼成基板用導体ペーストに関する。
【背景技術】
【０００２】
高度な情報通信を支える技術として、低温焼成セラミック回路基板が実用化されている。かかる低温焼成セラミック回路基板は、グリーンシートと導体ペーストとを同時に焼成するため、同時焼成基板とも称せられる。ここで、グリーンシートとしては、硼素及び珪素を含むガラス成分と、アルミナと、有機成分とを含有するものが一般に用いられている。また、導体ペーストとしては、導電性に優れると共に、大気中での焼成が可能で、且つ安価であるという点から、Ａｇ、Ａｇ−ＰｄやＡｇ−Ｐｔ等のような、Ａｇを主成分として含有する導体材料が多く用いられている。
【０００３】
しかしながら、Ａｇを主成分として含有する導体材料を導体ペーストとして用いる場合、Ａｇのマイグレーションによって、導体間の絶縁抵抗が低下したり、短絡が生じ易いことが問題となっていた。
そこで、かかるマイグレーションを抑制する導体ペーストとして、Ａｇを主体とする金属粒子と、ＳｉＯ２:４５〜６０％、Ａｌ２Ｏ３：１０〜２８％、Ｌｉ２Ｏ：０．５〜１０％、ＲＯ：２〜１０％（ＲはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａから選ばれる一種以上のアルカリ土類金属)、Ｎａ２Ｏ及び/又はＫ２Ｏ：３％以下、Ｆ２：０．５〜５％、ＴｉＯ２：０．５〜４％、ＺｒＯ２：０．５〜４％、Ｂ２Ｏ３：０．５〜４％からなる無機組成物と、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕから選ばれる一種以上の金属酸化物：０．５〜１５％とを含有するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この導体ペーストは、Ａｇのマイグレーションを抑制するために、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕから選ばれる一種以上の金属酸化物を導体ペーストに配合することを特徴としている。
【０００４】
【特許文献１】特開平７−６６２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
低温焼成セラミック回路基板は、図１に示すように、導体ペースト２を用いて回路パターンをグリーンシート１上に形成した後、当該回路パターンが形成されたグリーンシート１を複数枚積み重ねて熱圧着させ、１０００℃以下の温度で焼成することにより製造される。かかる製造において、導体ペースト２に含まれるＡｇは、焼成時にグリーンシート１のガラス成分中に拡散し、ガラス成分の軟化点を低下させる。そのため、グリーンシート１と導体ペースト２とを同時焼成する場合は、グリーンシート１単体で焼成する場合よりも、より低い温度で緻密化されることとなる。このような現象は、グリーンシート１における導体ペースト２の印刷部分の近傍でより顕著に現れるため、流動性の高いガラス成分が導体（回路）中に入り込み、導体表面にガラス成分が表出したり、導体端部の荒れが生じたりする。その結果、回路パターンの不鮮明化やメッキ不良が生じるという問題があった。さらに、上記現象により生じる局所的な緻密化のムラが、基板全体の又は局所的な反りや変形をもたらすという問題もあった。
かかる低温焼成セラミック回路基板の断面模式図を図２に示す（なお、図２では、説明を簡単にするため、一層のみの基板を示した）。図２では、回路４が形成された低温焼成基板３の表面近傍においてＡｇ拡散部５が生じている。そして、このＡｇ拡散部５において、ガラス成分の軟化点が低下して早期に緻密化が生じたため、収縮挙動の不均一化による低温焼成セラミック回路基板の変形が起こる。
【０００６】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、焼成時におけるグリーンシートのガラス成分中へのＡｇ拡散を抑制することで、良好な回路パターンを形成し得ると共に基板に反りや変形をもたらさない低温焼成基板用導体ペーストを提供することを目的とする。
また、本発明は、良好な回路パターンを有し、且つ反りや変形のない低温焼成セラミック回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、Ａｇを含む金属粒子を含有する低温焼成基板用導体ペーストに、所定量の熱分解性のアルカリ金属化合物を配合することで、上記Ａｇ拡散を抑制し得ること見出した。
すなわち、本発明は、Ａｇを含む金属粒子と、バインダ成分と、熱分解性のアルカリ金属化合物とを含有する低温焼成基板用導体ペーストであって、前記熱分解性のアルカリ金属化合物の含有量が、前記金属粒子の金属原子１００個に対して、０．１３以上７．８以下のアルカリ金属原子を含む相当量であることを特徴とする低温焼成基板用導体ペーストである。
また、本発明は、低温焼成基板と、上記低温焼成基板用導体ペーストを焼成してなる回路とを具備することを特徴とする低温焼成セラミック回路基板である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、焼成時におけるグリーンシートのガラス成分中へのＡｇ拡散を抑制することで、良好な回路パターンを形成し得ると共に基板に反りや変形をもたらさない低温焼成基板用導体ペーストを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
実施の形態１．
（低温焼成基板用導体ペースト）
本実施の形態の低温焼成基板用導体ペースト（以下、単に導体ペーストという）は、Ａｇを含む金属粒子と、バインダ成分と、熱分解性のアルカリ金属化合物とを含有する。ここで、低温焼成基板とは、硼素及び珪素を含むガラス成分を主成分とした基板であって、約１０００℃以下の温度での焼成が可能な基板を意味する。
Ａｇを含む金属粒子としては、例えば、Ａｇ粒子、Ａｇ−ＰｄやＡｇ−Ｐｔ等のようなＡｇを主成分として含む粒子が挙げられる。
金属粒子の平均粒径は、特に限定されることはないが、０．５μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。平均粒径が３μｍを超えると、微細な回路形成が困難となることがある。一方、平均粒径が０．５μｍ未満であると、金属粒子間の凝集が著しく高くなり、導体ペースト中で個々の金属粒子を均一に分散させておくことが困難となることがある。
【００１０】
本実施の形態の導体ペーストにおいて、熱分解性のアルカリ金属化合物は、焼成時におけるグリーンシートのガラス成分中へのＡｇ拡散を抑制する効果をもたらす成分である。かかる熱分解性のアルカリ金属化合物は、グリーンシートとの同時焼成の際に分解し、その分解物がグリーンシートのガラス成分中に拡散することで、グリーンシートのガラス成分中へのＡｇ拡散を抑制する。これは、アルカリ金属が、Ａｇと同じ価数であり、Ａｇの代替としてアルカリ金属がグリーンシートのガラス成分中に拡散するためであると考えられる。
なお、熱分解性のアルカリ金属化合物は、グリーンシートとの同時焼成の際に分解し、その分解物の一部がグリーンシートのガラス成分中に移動して残部が導体（回路）中に残留するが、導体（回路）抵抗等の特性にはほとんど影響を与えない。
【００１１】
熱分解性のアルカリ金属化合物としては、グリーンシートとの同時焼成の際（具体的には、１０００℃以下の温度）に分解するものであれば特に限定されることはなく、炭素、水素及び酸素からなる基がアルカリ金属に結合した化合物を用いることができる。具体的には、かかる熱分解性のアルカリ金属化合物としては、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム及び炭酸リチウム等のアルカリ金属炭酸塩；蓚酸カリウム、蓚酸ナトリウム及び蓚酸リチウム等のアルカリ金属蓚酸塩；安息香酸カリウム等のアルカリ金属安息香酸塩；クエン酸カリウム等のアルカリ金属クエン酸塩；ギ酸カリウム等のアルカリ金属ギ酸塩；酢酸ナトリウム及び酢酸リチウム等のアルカリ金属酢酸塩；炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩；並びに水酸化リチウム等のアルカリ金属水酸化物等が挙げられる。
【００１２】
上記化合物の中でも、熱分解性のアルカリ金属化合物は、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属蓚酸塩又はこれらの混合物であることが好ましい。かかる化合物であれば、グリーンシートとの同時焼成の際にアルカリ金属と炭酸ガスとに分解されるため、不要な化合物を導体（回路）に残留させないと共に、アルカリ金属のみをグリーンシートのガラス成分中に拡散させることが可能となる。また、不要な化合物が導体（回路）に残留しなければ、焼成時に導体ペーストに含有される熱分解性のアルカリ金属化合物自体の体積が減少するため、導体ペーストの収縮率を増加させることも可能となる。
また、上記化合物の中でも、アルカリ金属は、カリウム、ナトリウム又はこれらの混合物であることが好ましい。かかるアルカリ金属であれば、より良好な上記効果が得られる。
【００１３】
ここで、導体ペーストの収縮率について説明する。
低温焼成セラミック回路基板の製造工程において、グリーンシートは焼成時に収縮するため、グリーンシートと導体ペーストとの収縮挙動の差に起因する基板の歪みを防ぐには、導体ペーストの収縮率をグリーンシートの収縮率と同程度にする必要がある。しかしながら、Ａｇを含有する導体ペーストでは、グリーンシートのガラス成分中へのＡｇ拡散によってグリーンシートの収縮挙動を変化させるので、導体ペーストの収縮率を一義的に定義することは難しい。従って、グリーンシートの種類やＡｇ拡散等を考慮して、所望の収縮率を有する導体ペーストを選択しなければならない。
一方、本実施の形態の導体ペーストは、グリーンシートのガラス成分中へのＡｇ拡散を抑制し得るので、グリーンシートの種類等にあわせて、所望の収縮率を有する導体ペーストを従来よりも自由に選択することができる。例えば、ガラス成分にアルカリ金属を含む市販のグリーンシートでは、焼成時の収縮率が約２３％程度であるため、かかる収縮率と同等程度の導体ペーストを用いればよい。一方、ガラス成分にアルカリ金属を含まないグリーンシートでは、焼成時の収縮率が約３０％と高いため、導体ペーストの収縮率が３０〜３５％程度の導体ペーストを用いる必要がある。上述したように、本実施の形態の導体ペーストでは、３０％を超える収縮率を有するものを調製することができるので、ガラス成分にアルカリ金属を含まないグリーンシートに用いることが可能である。なお、上記の収縮率はＴＭＡにより測定を行った場合の例であり、実際の製造プロセスにおける収縮率の値とは異なる場合がある。
【００１４】
本実施の形態の導体ペーストにおいて、熱分解性のアルカリ金属化合物の含有量は、金属粒子の金属原子１００個に対して０．１３以上７．８以下のアルカリ金属原子を含む相当量である。また、かかる原子比は、プロセス上の安定性の観点から、アルカリ金属原子は０．７８以上４．８以下であることが好ましい。かかるアルカリ金属原子の原子比が０．１３未満であると、Ａｇ拡散の抑制効果が得られない。一方、かかるアルカリ金属原子の原子比が７．８を超えると、導体ペーストにおける体積比率が大きくなり、導体ペーストの作製時に均一な混練状態が得られない。さらに、グリーンシートと同時焼成した際に、導体（回路）にムラが生じ、導体抵抗が安定して得られない。
本実施の形態の導体ペーストを焼成した後、熱分解性のアルカリ金属化合物の分解物の大部分は導体（回路）中に残留するが、基板導体部（回路及び基板における導体部分）中に含有されるアルカリ金属原子は、０．１原子％以上７．５原子％以下である。
【００１５】
バインダ成分としては、導体ペーストに用いることが可能なものであれば特に限定されることはない。かかるバインダ成分としては、例えば、エチルセルロースやメチルセルロース等のセルロース系樹脂や、メチルメタアクリレートやエチルメタアクリレート等のアクリル系樹脂等を用いることができる。
また、本実施の形態の導体ペーストにおけるバインダ成分の含有量は、特に限定されることはなく、金属粒子及び熱分解性のアルカリ金属化合物の種類や量等にあわせて適宜調整すればよい。
【００１６】
本実施の形態の導体ペーストは、分散剤、溶剤、可塑剤をさらに含有することができる。これらの成分は、導体ペーストに用いることが可能なものであれば特に限定されることはなく、従来公知の各種成分を用いることができる。また、本実施の形態の導体ペーストにおける上記成分の含有量も、特に限定されることはなく、金属粒子及び熱分解性のアルカリ金属化合物の種類や量等にあわせて適宜調整すればよい。
本実施の形態の導体ペーストは、上記成分を混練することにより製造することができる。混練の方法は、特に限定されることはなく従来公知の方法を用いればよく、例えば、自動乳鉢を用いてペースト状になるまで混練すればよい。
【００１７】
（低温焼成セラミック回路基板）
本実施の形態の低温焼成セラミック回路基板は、低温焼成基板と、上記の導体ペーストを焼成してなる回路とを具備する。
かかる低温焼成セラミック回路基板は、図３に示すように、焼成後に低温焼成基板となるグリーンシート１上に、上記熱分解性のアルカリ金属化合物６を含有する導体ペースト７を用いて回路パターンを形成した後、１０００℃以下で焼成することにより製造することができる。ここで、導体ペースト７が形成されたグリーンシート１は、積層一体化させた後に焼成して多層化してもよい。
【００１８】
グリーンシート１としては、１０００℃以下での焼成可能なものであれば特に限定されることはなく、一般に、硼素及び珪素を含むガラス成分と、アルミナと、バインダ、可塑剤、分散剤及び有機溶剤等の有機成分とを含有するスラリーをシート状に成形して乾燥させることにより得られるものを用いることをできる。
バインダとしては、特に限定されることはなく、ポリビニルブチラールやアクリル系樹脂等を使用することができる。可塑剤としては、特に限定されることはなく、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジｎ−ブチル及びポリエチレングリコール等を使用することができる。分散剤としては、特に限定されることはなく、トリオレイン等を使用することができる。有機溶剤としては、特に限定されることはなく、トルエンやエタノール等のアルコールを使用することができる。
また、スラリーをシート状に成形する方法としては、特に限定されることはなく、作製するグリーンシート１の厚みに応じて、ドクターブレード法、押出法、ロールコーター法、印刷法等を使用することができる。
なお、グリーンシート１は、市販されているものを用いることも可能である。
【００１９】
回路パターンの形成方法としては、特に限定されることはなく、ドクターブレード法、押出法、ロールコーター法、印刷法等の従来公知の方法を用いることができる。
回路パターンが形成されたグリーンシート１を積層一体化する方法としては、特に限定されることはなく、例えば、熱圧着にて行うことができる。
【００２０】
１０００℃以下での焼成は、グリーンシート１の緻密化を目的とする焼成を意味し、一般に８００〜９００℃で行われる。また、かかる緻密化を目的とする焼成の前に、３００〜６００℃で加熱保持する工程（脱バインダ工程）を設けることが好ましい。かかる温度で加熱保持すれば、グリーンシート１に含まれるバインダを分解させてガス化除去することができると共に、導体ペースト７に含まれる熱分解性のアルカリ金属化合物６を分解させて、その分解物をグリーンシート１のガラス成分中に拡散させることができる。なお、熱分解性のアルカリ金属化合物６が上記の温度で分解しない場合には、別の温度範囲で熱分解性のアルカリ金属化合物６を分解させて、その分解物をグリーンシート１のガラス成分中に拡散させる工程を設けてもよい。
また、上記焼成時間は、特に限定されることはなく、グリーンシート１等の大きさにあわせて適宜設定すればよい。
このようにして製造される低温焼成セラミック回路基板の断面模式図を図４に示す（なお、図４では、説明を簡単にするため、一層のみの基板を示した）。図４では、回路８が形成された低温焼成基板３の表面近傍において、熱分解性のアルカリ金属化合物の分解物の拡散部９が生じている。この熱分解性のアルカリ金属化合物の分解物の拡散により、Ａｇ拡散を抑制することができるので、良好な回路パターンを有し、且つ反りや変形のない低温焼成セラミック回路基板となる。
【実施例】
【００２１】
以下、実施例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
（導体ペーストの作製）
９８．５重量％のＡｇ粒子（平均粒径：約１μｍ）及び１．５重量％のＰｄ粒子（平均粒径：約１μｍ）からなる金属粒子と、熱分解性のアルカリ金属化合物と、エチルセルロース１〜３重量％のテルピネオール溶液、分散剤、及び可塑剤からなる有機成分とを自動乳鉢に入れ、３〜４時間混練することにより導体ペーストを得た。ここで、Ａｇ粒子と有機成分との重量比は、導体ペーストの粘度の変動にあわせて７７：２３〜８２：１８の範囲に調整した。また、使用した熱分解性のアルカリ金属化合物の種類と配合量については表１に示す。
【００２２】
（低温焼成セラミック回路基板の作製）
約７５０℃に軟化点を有するＳｉ−Ｂ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｃａ−Ｂａ−Ｏ系ガラス５０重量％とアルミナとを５０重量％とを混合し、これに有機バインダとしてボリビニルブチラールを加えてスラリー化し、このスラリーをドクターブレード法にてシート状に成形して約０．１ｍｍの厚さを有するグリーンシートを得た。
次に、上記導体ペーストを用いてグリーンシート上に回路パターンを印刷した後、該グリーンシートを９枚積み重ね、８０℃にて１５分間、３００ｋｇ／ｃｍ２の圧力下での熱圧着によって積層させた。次に、この積層物を約５００℃で２時間焼成した後、８２０〜８５０℃にて３０分間焼成することによって低温焼成セラミック回路基板を得た。
【００２３】
［実施例２〜１３］
表１の熱分解性のアルカリ金属化合物を所定の配合量で使用したこと以外は、実施例１と同様にして導体ペースト及び低温焼成セラミック回路基板を得た。
【００２４】
［比較例１］
比較例１では、熱分解性のアルカリ金属化合物を含有しない導体ペーストを作製した。ここで、熱分解性のアルカリ金属化合物を配合しないこと以外は、実施例１と同様にして導体ペースト及び低温焼成セラミック回路基板を得た。
【００２５】
［比較例２］
比較例２では、金属粒子の金属原子１００個に対する熱分解性のアルカリ金属化合物のアルカリ金属原子が、所定の範囲を超える導体ペーストを作製した。ここで、表１の熱分解性のアルカリ金属化合物を所定の配合量で使用したこと以外は、実施例１と同様にして導体ペースト及び低温焼成セラミック回路基板を得た。
【００２６】
［比較例３〜５］
比較例３〜５では、各種アルカリ金属化合物を含有する導体ペーストを作製した。ここで、表１の各種アルカリ金属化合物を所定の配合量で使用したこと以外は、実施例１と同様にして導体ペースト及び低温焼成セラミック回路基板を得た。
【００２７】
［比較例６］
比較例６では、アルカリ金属化合物の代わりに、グリーンシートにおけるガラス成分の結晶生成を促進し、Ａｇ拡散によるガラス軟化点の低下を抑制することを目的として酸化チタンを配合した導体ペーストを作製した。ここで、酸化チタンを表１の配合量で使用したこと以外は、実施例１と同様にして導体ペースト及び低温焼成セラミック回路基板を得た。
【００２８】
【表１】
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【００２９】
上記実施例及び比較例で得られた導体ペースト及び低温焼成セラミック回路基板において以下の評価を行った。
（１）低温焼成セラミック回路基板の反り量（変形量）
反り量は、基板の中央部分の高さを基準とし、基板の中央部分の高さと基板の中央部分以外の高さとの差を反り量として表した。
かかる反り量は、回路パターンやグリーンシートの種類によって異なるので好ましい範囲を一義的に定義することは困難であるが、実質上、かかる反り量が２００μｍ以下であれば使用可能な範囲である。
（２）低温焼成セラミック回路基板のシート抵抗値
シート抵抗値は、接触型四端子表面抵抗計を用いて測定した。測定した値から、基板及び導体部のサイズを基に補正係数を算出してシート抵抗値を得た。ここで、基板のサイズを５０ｍｍ×５０ｍｍとし、導体の厚さを１０μｍとした。
【００３０】
（３）導体ペーストの収縮率
導体ペーストの収縮率は、導体ペーストを塊状に乾固させた後、２〜３ｍｍ角で厚さ約１ｍｍの板状に切出し、これを試料としてＴＭＡ（熱質量分析）装置を用いて室温から９００℃の間の熱収縮率を測定することによって求めた。
（４）低温焼成セラミック回路基板の基板導体部におけるアルカリ金属原子の含有率
低温焼成セラミック回路基板の基板導体部におけるアルカリ金属原子の含有率は、波長分散型エックス線分光分析装置を用いて測定した。
上記評価の結果を表２に示す。また、実施例７及び比較例１の導体ペーストにおける温度と収縮率との関係を図５に示す。
【００３１】
【表２】
2008288076.tif 000004
【００３２】
表２に示されているように、実施例１〜１３の導体ペーストを用いて作製した低温焼成セラミック回路基板は、反り量が小さく、且つシート抵抗値も低かった。
また、実施例１と実施例４との比較からわかるように、熱分解性のリチウム化合物（炭酸リチウム）よりも熱分解性のカリウム化合物（炭酸カリウム）を配合した導体ペーストの方が、基板の反り量がより小さく、且つシート抵抗値もより低かった。これは、焼成の際に、グリーンシートのガラス成分中へのリチウムの拡散によってもガラス軟化点が低下する傾向にあるためであると推測される。
さらに、図５において例示されているように、実施例１〜１３の導体ペーストは、収縮率が大きかった。
【００３３】
これに対して比較例１〜６の導体ペーストを用いて作製した低温焼成セラミック回路基板は、反り量及びシート抵抗値の少なくとも１つが十分なものではなかった。
なお、比較例５の導体ペーストを用いて作製した低温焼成セラミック回路基板の抵抗値は使用不可能な値ではないが、かかる低温焼成セラミック回路基板は、導体表面にガラス成分が表出している可能性が高く、メッキ処理の際にメッキ付着不良を引き起こす可能性が高いので好ましくないと考えられる。
【００３４】
以上、説明したように、本発明の導体ペーストは、焼成時におけるグリーンシートのガラス成分中へのＡｇ拡散を抑制することで、良好な回路パターンを形成し得ると共に基板に反りや変形をもたらさない。また、本発明の低温焼成セラミック回路基板は、良好な回路パターンを有し、且つ反りや変形がない。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】従来の低温焼成セラミック回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図２】従来の低温焼成セラミック回路基板の断面模式図である。
【図３】本発明の低温焼成セラミック回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の低温焼成セラミック回路基板の断面模式図である。
【図５】実施例７及び比較例１の導体ペーストにおける温度と収縮率との関係である。
【符号の説明】
【００３６】
１  グリーンシート、２、７  導体ペースト、３  低温焼成基板、４、８  回路、５  Ａｇ拡散部、６  熱分解性のアルカリ金属化合物、９  熱分解性のアルカリ金属化合物の分解物の拡散部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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