(57)【要約】【課題】基板上に形成された表示電極を覆う誘電体層上に形成される材料層に起因する品質劣化を防ぎ、ＰＤＰの品質向上に寄与することができるＰＤＰ用基板構体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のＰＤＰ用基板構体の製造方法は、基板上に形成された表示電極を覆う誘電体層上に、粉体又はこの粉体が分散媒中に分散された懸濁液を散布して粉体材料層を形成する工程を備え、前記基板は、表示領域と、この表示領域を囲むように設けられたシール層形成領域と、前記表示領域と前記シール層形成領域の間の中間領域とを有し、前記散布は、前記シール層形成領域に前記粉体又は懸濁液が付着しないように予めストッパー部材を前記中間領域に配置した状態で行われることを特徴とする。【選択図】図１
2008091086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された表示電極を覆う誘電体層上に、粉体又はこの粉体が分散媒中に分散された懸濁液を散布して粉体材料層を形成する工程を備え、
前記基板は、表示領域と、この表示領域を囲むように設けられたシール層形成領域と、前記表示領域と前記シール層形成領域の間の中間領域とを有し、
前記散布は、前記シール層形成領域に前記粉体又は懸濁液が付着しないように予めストッパー部材を前記中間領域に配置した状態で行われることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項２】
基板上に形成された表示電極を覆う誘電体層上に、粉体又はこの粉体が分散媒中に分散された懸濁液を散布して粉体材料層を形成する工程を備え、
前記基板は、表示領域と、この表示領域を囲むように設けられたシール層形成領域と、前記表示領域と前記シール層形成領域の間の中間領域とを有し、
前記散布は、前記中間領域に配置され、前記表示領域を囲む囲いの中で行われ、
前記基板は、前記中間領域に前記表示領域を囲む第１突起部を備え、
前記囲いは、前記囲いの下端が、第１突起部の上端よりも前記誘導体層の表面に近くなるように配置されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項３】
前記囲いは、前記囲いの下端と前記誘電体層表面の間に隙間が設けられるように配置される請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項４】
前記囲いは、第１突起部よりも前記表示領域に近い側に配置される請求項２又は３に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項５】
前記基板は、前記表示領域と第１突起部の間に又は第１突起部と前記シール層形成領域の間の間に前記表示領域を囲む第２突起部をさらに備え、
前記囲いは、第１突起部と第２突起部の間に配置される請求項２又は３に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項６】
基板上に形成された表示電極を覆う誘電体層上に、粉体又はこの粉体が分散媒中に分散された懸濁液を散布して粉体材料層を形成する工程を備え、
前記基板は、表示領域と、この表示領域を囲むように設けられたシール層形成領域と、前記表示領域と前記シール層形成領域の間の中間領域とを有し、
前記散布は、前記中間領域に配置され、前記表示領域を囲む囲いの中で行われ、
前記基板は、前記中間領域に前記表示領域を囲む窪み部を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項７】
前記囲いは、前記囲いの下端が前記誘電体層の表面に近接若しくは密着するか、又は前記窪み部内に位置するように配置される請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【請求項８】
前記粉体は、酸化マグネシウム結晶体からなる請求項１〜７の何れか１つに記載のプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と呼ぶ。）用基板構体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３は、従来のＰＤＰの構造を示す斜視図である。ＰＤＰは、前面側基板構体１と、背面側基板構体２を貼り合わせた構造をしている。前面側基板構体１は、ガラス基板からなる前面側基板１ａ上に、透明電極３ａとバス電極３ｂからなる表示電極３が配置され、表示電極３は、誘電体層４で覆われている。誘電体層４の上にさらに２次電子放出係数の高い酸化マグネシウム層からなる保護層５が形成されている。背面側基板構体２には、ガラス基板からなる背面側基板２ａ上に、表示電極と直交するようにアドレス電極６を配置し、かつアドレス電極６間には、発光領域を規定するために隔壁７が設けられ、アドレス電極６上の隔壁７で区分けされた領域には、赤、緑、青の蛍光体層８が形成されている。貼り合わせた前面側基板構体１と背面側基板構体２の内部に形成された気密な放電空間には、Ｎｅ−Ｘｅガスからなる放電ガスが封入されている。なお、図示していないが、アドレス電極６は、誘電体層で被覆されており、隔壁７及び蛍光体層８は、この誘電体層上に設けられている。
【０００３】
このようなＰＤＰでは、アドレス電極６と表示電極３の間に電圧を印加することによって、アドレッシングのための放電（アドレス放電）を生じさせ、一対の表示電極３の間に電圧を印加することによって、リセット放電や表示のためのサステイン放電を生じさせる。
【０００４】
電極間に電圧を印加してから実際に放電が開始されるまでには、若干の時間のずれがあり、放電遅れと呼ばれている。この放電遅れが大きくなると、表示品質が劣化したり、正しく表示が行われなかったりといった種々の不具合が生じ得る。
【０００５】
この放電遅れを改善するために、従来、波長２３５ｎｍ付近にピークを有するカソードルミネッセンス発光（以下、「ＣＬ発光」と呼ぶ。）を行う酸化マグネシウム結晶体層を表示電極を覆う誘電体層上の、放電セルに面する部分に設ける技術が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。この文献によると、放電遅れが改善される作用は、以下のように説明されている。酸化マグネシウム結晶体は、２３５ｎｍに対応したエネルギー準位を有し、この準位に電子を長時間（数ｍｓｅｃ）捕捉し、電極間に電圧が印加されたときにこの電子を放出する。このため、電極間に電圧が印加されたときに放電に必要な初期電子が迅速に供給され、その結果、放電遅れが改善される。
【０００６】
特許文献１には、酸化マグネシウム結晶体層は、静電塗布法やスプレー法などで形成することができる旨が記載されている。
【特許文献１】特開２００６−５９７８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１では、放電セルに面する部分に酸化マグネシウム結晶体層を形成することによって放電遅れが改善される旨が記載されているものの、実際にＰＤＰを製造する際に、酸化マグネシウム結晶体層は、基板全面に形成すればいいのか、それとも基板全面に形成することはよくないのかといった点についての検討が全く行われていない。また、基板全面に形成しないとすれば、どのようにして酸化マグネシウム結晶体層を一部の領域にのみ形成するのかといった点についても一切検討がなされていない。
従って、このような点についての検討がなされないままＰＤＰが製造されると、酸化マグネシウム結晶体層に起因する品質劣化等が生じることも考えられる。
このような問題は、酸化マグネシウム結晶体以外の材料からなる材料層を、表示電極を覆う誘電体層上に形成する場合にも同様に生じ得ると考えられる。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、基板上に形成された表示電極を覆う誘電体層上に形成される材料層に起因する品質劣化を防ぎ、ＰＤＰの品質向上に寄与することができるＰＤＰ用基板構体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００９】
本発明のＰＤＰ用基板構体の製造方法は、基板上に形成された表示電極を覆う誘電体層上に、粉体又はこの粉体が分散媒中に分散された懸濁液を散布して粉体材料層を形成する工程を備え、前記基板は、表示領域と、この表示領域を囲むように設けられたシール層形成領域と、前記表示領域と前記シール層形成領域の間の中間領域とを有し、前記散布は、前記シール層形成領域に前記粉体又は懸濁液が付着しないように予めストッパー部材を前記中間領域に配置した状態で行われることを特徴とする。
【００１０】
シール層形成領域とは、前面側基板構体と背面側基板構体を貼り合せて内部に気密な放電空間を有するパネルを形成する際にパネルの周縁部に設けられるシール層が形成される領域である。本発明者は、このシール層形成領域に粉体材料層が形成されると、（１）粉体材料層が原因でシール不良が起こり、それによってリークが発生する恐れがあること、及び（２）粉体材料層がシール層を変質させてしまう恐れがあることを見出し、この知見に基づき、シール層形成領域に粉体材料層が形成されないようにしつつ、表示領域に粉体材料層を形成することがＰＤＰの品質向上には重要であることを見出した。なお、粉体材料は、酸化マグネシウム結晶体又は酸化ストロンチウム結晶体などからなる。
【００１１】
さらに、発明者は、予めストッパー部材を前記中間領域に配置した状態で上記粉体又は懸濁液を散布することによって、上記粉体又は懸濁液がストッパー部材に遮られてシール層形成領域に付着せず、従って、シール層形成領域に粉体材料層が形成されることを防ぐことを見出し、本発明の完成に到った。「ストッパー部材」は、粉体又は懸濁液の飛び散りを遮る部材であればよく、例えば、（１）表示領域を囲む囲い、（２）表示領域を囲む囲いと、表示領域を囲むように基板に設けられた突起部の組合せ又は（３）表示領域を囲む囲いと、表示領域を囲むように基板に設けられた窪み部の組合せなどで構成される。
【００１２】
本発明によると、基板上に形成された表示電極を覆う誘電体層上に形成される粉体材料層に起因する品質劣化を防ぎ、ＰＤＰの品質向上に寄与することができるＰＤＰ用基板構体を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。図面や以下の記述中で示す構成は、例示であって、本発明の範囲は、図面や以下の記述中で示すものに限定されない。
【００１４】
以下の実施形態では、前面側基板構体に表示電極、誘電体層及び酸化マグネシウム結晶体層などが設けられる場合を例にとって説明を進めるが、表示電極、誘電体層及び酸化マグネシウム結晶体層などが背面側基板構体に設けられる場合にも本発明は適用可能である。また、本発明は、酸化マグネシウム結晶体以外の材料からなる粉体材料層を形成する場合にも適用可能である。
【００１５】
１．第１実施形態
図１（ａ）〜（ｃ）、図２及び図３を用いて、本発明の第１実施形態のＰＤＰ用前面側基板構体の製造方法について説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態のＰＤＰ用前面側基板構体の製造工程を示す斜視図である。図２は、図１（ａ）中の直線Ｉ−Ｉを通り、前面側基板１１の主面に垂直な面の断面図であり、前面側基板１１上に表示電極１３及び誘電体層１５を形成する工程を示す。図３は、本実施形態で使用される前面側基板１１の平面図であり、表示領域１１ａ、シール層形成領域１１ｂ及び中間領域１１ｃの一例を示す。
【００１６】
本実施形態のＰＤＰ用前面側基板構体の製造方法は、前面側基板１１上に形成された表示電極１３を覆う誘電体層１５上に、酸化マグネシウム結晶体からなる粉体１６又はこの粉体１６が分散媒中に分散された懸濁液２２を散布することによって酸化マグネシウム結晶体層１７を形成する工程を備え、基板１１は、表示領域１１ａと、この表示領域１１ａを囲むように設けられたシール層形成領域１１ｂと、表示領域１１ａとシール層形成領域１１ｂの間の中間領域１１ｃを有し、前記散布は、シール層形成領域１１ｂに酸化マグネシウム結晶体層１７が形成されないように予め表示領域を囲む囲い１９を中間領域１１ｃに配置した状態で行われる。本実施形態では、囲い１９が、ストッパー部材である。
【００１７】
以下、本実施形態に含まれる各工程について説明する。
【００１８】
１−１．表示電極及び誘電体層形成工程
この工程では、図１（ａ）及び図２に示すように、前面側基板１１上に表示電極１３を形成し、さらに表示電極１３を覆う誘電体層１５を形成する。
【００１９】
基板１１は、図３に示すように、表示領域１１ａと、この表示領域１１ａを囲むように設けられたシール層形成領域１１ｂと、表示領域１１ａとシール層形成領域１１ｂの間の中間領域１１ｃを有している。
【００２０】
ＰＤＰは、表示電極１３及び誘電体層１５等が形成された前面側基板構体と、アドレス電極、隔壁及び蛍光体層等が形成された背面側基板構体と貼り合わされて形成されるが、この貼り合わせは、シール層形成領域１１ｂに封着材（フリットガラス）を塗布した後、表示電極１３とアドレス電極が平面視で交差するように前面側基板構体と背面側基板構体とを重ね合わせ、その状態で焼成することによって行われる。これによって、シール層形成領域１１ｂにシール層が形成される。表示領域１１ａには、表示電極１３とアドレス電極との交点で定まる複数の放電セルが存在し、表示領域１１ａにおいて放電及び表示が行なわれる。
【００２１】
基板１１は、特に限定されず、当該分野で公知の基板をいずれも使用することができる。具体的には、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板が挙げられる。
【００２２】
表示電極１３としては、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 などの透明電極材料で形成された電極や、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒなどの金属電極材料で形成された電極を用いることができる。具体的には、例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 などの幅の広い透明電極１３ａと、電極の抵抗を下げるための、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等からなる金属製の幅の狭いバス電極１３ｂから構成された電極などが用いられる。表示電極１３は、Ａｇ、Ａｕについては印刷法を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の成膜法とエッチング法を組み合わせることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【００２３】
誘電体層１５は、一例では、基板１１の全面に形成される。また、誘電体層１５は、一例では、二層構造であり、表示電極１３を覆う下層誘電体層１５ａと、下層誘電体層１５ａを覆う保護層１５ｂとを有する。下層誘電体層１５ａは、例えば、低融点ガラスフリットにバインダと溶剤を加えた誘電体層形成用ペーストを、得られた基板上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することにより形成する。下層誘電体層１５ａは、ＣＶＤ法などで酸化シリコンを堆積することによって形成してもよい。保護層１５ｂは、例えば酸化マグネシウムからなり、蒸着法やスパッタ法で形成される。蒸着法やスパッタ法で形成された酸化マグネシウム層は、後述する酸化マグネシウム結晶体層１７とは異なり、波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するＣＬ発光を生じさせない（特許文献１を参照。）。なお、誘電体層１５は、保護層１５ｂを備えず、下層誘電体層１５ａのみからなる一層構造であってもよい。
【００２４】
１−２．囲い設置工程
次に、図１（ｂ）に示すように、基板１１上の表示領域１１ａを囲むように中間領域１１ｃに囲い１９を設置する。囲い１９は、粉体１６又は懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに付着することを防ぐ役割を有する。囲い１９を設置することによって、シール層形成領域１１ｂに酸化マグネシウム結晶体層１７が形成されることを防ぐことができ、実質的に表示領域１１ａにのみ酸化マグネシウム結晶体層１７を形成することができる。
【００２５】
囲い１９の構成や素材等は、特に限定されず、囲い１９は、例えば、アルミ板で形成することができる。囲い１９は、例えば、囲い１９の下端が誘電体層１５表面に密着するように配置される。但し、この場合、囲い１９が誘電体層１５やその下の表示電極１３を傷つける危険性があるので、囲い１９の下端には、比較的柔らかい（囲いの下端以外の部分（囲い本体）よりも柔らかい）素材（ゴムなど）で形成された誘電体層保護部を設けておくことが好ましい。また、囲い１９の下端と誘電体層１５表面の間に隙間を設けることによって誘電体層１５や表示電極１３の損傷を防止してもよい。なお、誘電体層１５が損傷を受けると、その際に発生する誘電体層１５のかけらに起因する不具合が生じることがあり、表示電極１３が損傷を受けると、表示電極１３が破断するという不具合が生じることがある。
【００２６】
１−３．粉体又は懸濁液散布工程
次に、図１（ｃ）に示すように、囲い１９内で、酸化マグネシウム結晶体からなる粉体１６又はこの粉体１６が分散媒中に分散された懸濁液２２を散布することによって誘電体層１５上に酸化マグネシウム結晶体層１７を形成する。粉体１６が酸化マグネシウム結晶体以外の材料からなる場合も、基本的に同様の方法によって粉体材料層を形成することができ、以下の説明は、適宜読み替えて（例えば、酸化マグネシウムを酸化ストロンチウムに読み替えて）、酸化マグネシウム結晶体以外の材料についても当てはまる。
本明細書での「散布」は、粉体又は霧化された液体を分散させて誘電体層上に付着させる種々の方法で行うことができ、例えば、粉体又は霧化された液体を重力や静電力の作用によって誘電体層上に付着させる方法や、圧縮空気と共に粉体又は霧化された液体を誘電体層上に吹きつける方法や、液体に直接圧力を加えた状態でオリフィスから液体を噴出させることによって霧化した液体を誘電体層上に吹きつける方法などで行うことができる。「散布」は、例えば、エアスプレー塗装、エアレススプレー塗装，静電塗装及び粉体塗装等で使用される方法を用いて行うことができる。散布の際の基板１１の設置角度は限定されず、基板を水平に寝かせた状態で散布を行ってもよく、基板を傾けたり、垂直に立てたりした状態で散布を行ってもよい。
【００２７】
粉体１６又は懸濁液２２の散布による酸化マグネシウム結晶体層１７の形成は、例えば、以下の方法で実施することができる。
【００２８】
（１）静電塗布法
静電塗布法では、誘電体層１５を帯電させた後、酸化マグネシウム結晶体からなる粉体１６を散布することによって誘電体層１５上に粉体１６を膜状に吸着させ、これによって誘電体層１５上に酸化マグネシウム結晶体層１７を形成することができる。誘電体層１５を帯電させる代わりに粉体１６を帯電させてもよい。粉体１６は、囲い１９内で誘電体層１５上に均一に散布することが好ましく、例えば、図１（ｃ）に示すように、囲い１９内に設置された複数の散布ヘッド２１から粉体１６を散布させながら、これらの散布ヘッド２１を矢印の方向に移動させることによって均一に散布することができる。散布ヘッド２１は、１つでもよく、この場合は、散布ヘッド２１を二次元走査させることによって均一に散布することができる。帯電や散布の方法は、酸化マグネシウム結晶体層１７を形成することができるものであれば、特に限定されない。
【００２９】
粉体１６を構成する酸化マグネシウム結晶体のサイズや形状は特に限定されないが、平均粒径が０．０５〜２０μｍであることが好ましい。酸化マグネシウム結晶体は、平均粒径が小さすぎると、波長２３５ｎｍ付近のＣＬ発光が弱いために放電遅れの改善効果が小さく、平均粒径が大きいと、酸化マグネシウム結晶体層１７が均一に形成されにくいからである。
【００３０】
酸化マグネシウム結晶体の平均粒径は、式１に従って求めることができる。
式１：平均粒径＝ａ／（Ｓ×ρ）
（但し、ａは、形状係数で６、Ｓは、窒素吸着法により求まるＢＥＴ比表面積、ρは、酸化マグネシウムの真密度である。）
酸化マグネシウム結晶体の平均粒径は、具体的には、例えば、０．０５、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０μｍである。酸化マグネシウム結晶体の平均粒径の範囲は、上記具体的な平均粒径として例示した数値の何れか２つの間であってもよい。
酸化マグネシウム結晶体の製造方法は、特に限定されないが、マグネシウム蒸気と酸素とを反応させる気相法で製造することが好ましく、例えば、特開２００４−１８２５２１号公報に記載された方法や、『材料』昭和６２年１１月号、第３６巻第４１０号の第１１５７〜１１６１頁の『気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質』に記載された方法で製造することができる。また、酸化マグネシウム結晶体は、宇部マテリアルズ株式会社から購入してもよい。気相法で製造することが好ましいのは、気相法により酸化マグネシウム結晶体を製造すると、純度の高い単結晶体が得られるからである。
【００３１】
（２）スプレー法
スプレー法では、酸化マグネシウム結晶体からなる粉体１６が分散媒中に分散された懸濁液２２を霧状にして散布することによって誘電体層１５上に懸濁液２２を膜状に塗布し、その後、分散媒を蒸発させることによって誘電体層１５上に酸化マグネシウム結晶体層１７を形成することができる。懸濁液２２の付着性を高めるために誘電体層１５を予め帯電させておいてもよい。懸濁液２２は、囲い１９内で誘電体層１５上に均一に散布することが好ましく、例えば、図１（ｃ）に示すように、囲い１９内に設置された複数の散布ヘッド２１から懸濁液２２を霧状にして散布させながら、これらの散布ヘッド２１を矢印の方向に移動させることによって均一に散布することができる。散布ヘッド２１は、１つでもよく、この場合は、散布ヘッド２１を二次元走査させることによって均一に散布することができる。分散媒の蒸発は、加熱又は常温放置によって行うことができる。懸濁液２２の散布や分散媒の蒸発の方法は、酸化マグネシウム結晶体層１７を形成することができるものであれば、特に限定されない。
【００３２】
酸化マグネシウム結晶体としては、上述したものを用いることができる。粉体１６を分散させる分散媒の種類は、特に限定されない。分散媒は、揮発性等の観点からアルコール、特に炭素数１〜５の低級アルコールが好ましい。懸濁液２２は、粉体１６と分散媒とを混ぜ、攪拌することによって作製することができる。
【００３３】
以上の工程によって、図１（ｄ）に示すように囲い１９内にのみ酸化マグネシウム結晶体層１７が形成され、前面側基板構体の製造が完了する。シール層形成領域１１ｂは、囲い１９外にあるので、シール層形成領域１１ｂには酸化マグネシウム結晶体層１７が形成されず、シール不良によるリークの発生や酸化マグネシウム結晶体層によるシール層の変質を防止できる。
【００３４】
この前面側基板構体は、別途作製した、アドレス電極、隔壁及び蛍光体層等が形成された背面側基板構体と貼り合わされて内部に気密な放電空間を有するパネルが形成される。前面側基板構体と背面側基板構体は、表示電極とアドレス電極が直交するように貼り合わされる。このパネルの放電空間内を排気し、その後、ネオンやキセノンなどからなる放電ガスを放電空間内に導入することによって、ＰＤＰが製造される。
【００３５】
２．第２実施形態
図１（ａ）〜（ｄ）、図２、図４（ａ）及び（ｂ）、図５及び図６（ａ）〜（ｃ）を用いて、本発明の第２実施形態のＰＤＰ用前面側基板構体の製造方法について説明する。図４（ａ）は、後述する突起部２３が設けられた基板１１を示す平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＩ−Ｉ断面図である。図５は、突起部２３と囲い１９との位置関係を示す、図４（ｂ）に対応した断面図である。図６（ａ）〜（ｃ）は、突起部２３によって粉体１６又は懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに付着することを防ぐことができることを説明するための、図４（ｂ）に対応した断面図である。
【００３６】
本実施形態は、第１実施形態に類似しており、主に（１）基板１１が、中間領域１１ｃに表示領域１１ａを囲む突起部２３を備える点、（２）囲い１９が、囲い１９の下端が、突起部２３の上端よりも誘導体１５の表面に近くなるように配置される点、（３）囲い１９が、突起部２３よりも表示領域１１ａに近い側に配置される点、（４）囲い１９が、囲い１９の下端と誘電体層１５の表面の間に隙間が設けられるように配置される点に特徴を有している。このうち、（３）及び（４）の特徴は、必須ではなく、囲い１９は、突起部２３よりもシール層形成領域１１ｂに近い側に配置されてもよく、囲い１９の下端と誘電体層１５の表面とが密着するように配置されてもよい。
【００３７】
以下、本実施形態に含まれる各工程について説明する。
【００３８】
２−１．表示電極、誘電体層及び突起部形成工程
まず、図１（ａ）、図２及び図４（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１１上に表示電極１３、誘電体層１５及び突起部２３を形成する。突起部２３は、中間領域１１ｃに表示領域１１ａを囲むように形成する。別の表現では、突起部２３は、環状になるように、かつ環の内側に表示領域１１ａが配置されるように形成される。表示電極１３及び誘電体層１５は、第１実施形態と同様の方法で形成することができる。
【００３９】
突起部２３は、中間領域１１ｃに形成されるので、背面側基板構体の隔壁を表示領域のみに形成した場合、突起部２３と隔壁との干渉が回避される。また、前面側基板構体と背面側基板構体とを貼り合せたときに隔壁の上面を前面側基板構体の誘電体層に接触させるために、突起部２３の高さは、隔壁と同じか、隔壁よりも低いことが好ましい。隔壁の高さは、一般に、１００〜１５０μｍ程度なので、突起部２３の高さは、１００μｍ以下であることが好ましい。突起部２３は、表示領域１１ａを完全に囲むように形成することが好ましいが、表示領域１１ａを部分的に囲むように形成してもよい。
【００４０】
突起部２３の形成方法は、特に限定されず、例えば、背面側基板構体の隔壁を形成するために用いられる方法、具体的にはサンドブラスト法、スクリーン印刷法、感光性材料法等で形成することができる。
【００４１】
突起部２３は、下層誘電体層１５ａと保護層１５ｂの間に形成してもよく、保護層１５ｂ上に形成してもよい。突起部２３を形成するのに焼成が必要な場合、下層誘電体層１５ａの焼成を行った後、突起部２３の焼成を別途行ってもよく、下層誘電体層１５ａの焼成と突起部２３の焼成を同時に行ってもよい。
【００４２】
スクリーン印刷法では、突起部２３は、下層誘電体層１５ａ又は保護層１５ｂ上に、低融点ガラスフリットにバインダと溶剤を加えた誘電体層形成用ペーストをスクリーン印刷し、その後焼成することによって形成することができる。
【００４３】
２−２．囲い設置工程
次に、図１（ｂ）及び図５に示すように、基板１１上の表示領域１１ａを囲む囲い１９を設置する。囲い１９は、囲い１９の下端が、突起部２３の上端よりも誘導体層１５の表面に近くなるように配置される。また、囲い１９は、突起部２３よりも表示領域１１ａに近い側に配置される。後述するが、このような構成によって、粉体１６又は懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに付着することがさらに確実に防ぐことができる。さらに、囲い１９は、囲い１９の下端と誘電体層１５の表面の間に隙間１９ａが設けられるように配置される。この場合、囲い１９が誘電体層１５やその下の表示電極１３を損傷することを防ぐことができる。
【００４４】
２−３．粉体又は懸濁液散布工程
次に、第１実施形態と同様の方法で、図１（ｃ）及び（ｄ）に示すように、囲い１９内で、粉体１６又は懸濁液２２を散布することによって誘電体層１５上に酸化マグネシウム結晶体層１７を形成する。
【００４５】
ここで、図６（ａ）〜（ｃ）を用いて、本実施形態によれば、粉体１６又は懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに付着することを防ぐことができる作用について説明する。ここでは、粉体１６を散布する場合を例にとって説明を進めるが、懸濁液２２を散布する場合でも基本的に同様の説明が成り立つ。
【００４６】
まず、図６（ａ）に示すように、囲い１９内（図６（ａ）の囲い１９よりも右側の部分）で、散布ヘッド２１から散布された粉体１６は、予め帯電処理された誘電体層１５に引き付けられる。
【００４７】
囲い１９は、誘電体層１５から少し離して設置しているので、囲い１９の下部と誘電体層１５の表面との間に隙間１９ａがある。図６（ｂ）に示すように、粉体１６の一部は、この隙間１９ａを通って囲い１９外に漏出することがある。
【００４８】
囲い１９の外に突起部２３がない場合、漏出した粉体１６は、シール層形成領域１１ｂに付着する。しかし、本実施形態では、囲い１９の外側に囲い１９を囲むように突起部２３が設けられているので、漏出した粉体１６は、突起部２３で堰き止められ、図６（ｃ）に示すように、シール層形成領域１１ｂに粉体１６が付着することなく、表示領域１１ａ上に酸化マグネシウム結晶体層１７が形成される。
【００４９】
以上の説明から明らかなように、本実施形態によれば、表示領域１１ａを囲む突起部２３を基板１１上に設けることによって囲い１９の下部が誘電体層１５表面から離れている場合でも、粉体１６又は懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに付着することを防ぐことができる。
誘電体層１５表面は、表示電極１３を覆っているので、その分だけ表面に凹凸が存在していることがある。この場合、囲い１９を誘電体層１５表面に密着させることが難しい場合がある。このような場合にも、本実施形態によれば、粉体１６又は懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに付着することを防ぐことができる。
【００５０】
ここでは、囲い１９が突起部２３よりも表示領域１１ａに近い側に配置された場合を例にとって説明を行ったが、囲い１９が突起部２３よりもシール層形成領域１１ｂに近い側に配置された場合でも、囲い１９と誘電体層１５の間の隙間１９ａから粉体１６又は懸濁液２２が囲い１９外に漏出することをある程度防ぐことができる。また、後者の場合には、懸濁液２２を散布する場合に、囲い１９の壁面を伝って下降した懸濁液２２が表示領域１１ａに余分に付着することを防ぐことができる。
【００５１】
３．第３実施形態
図１（ａ）〜（ｄ）、図２、図７（ａ）及び（ｂ）、図８及び図９（ａ）〜（ｃ）を用いて、本発明の第３実施形態のＰＤＰ用前面側基板構体の製造方法について説明する。図７（ａ）は、後述する第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂが設けられた基板１１を示す平面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＩ−Ｉ断面図である。図８は、第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂと囲い１９との位置関係を示す、図７（ｂ）に対応した断面図である。図９（ａ）〜（ｃ）は、第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂによって、粉体１６又は懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに付着したり、粉体１６又は懸濁液２２が表示領域１１ａに余分に付着したりすることを防ぐことができることを説明するための、図７（ｂ）に対応した断面図である。
【００５２】
本実施形態は、第２実施形態に類似しており、第２実施形態での突起部２３は、本実施形態の第１突起部２３ａに相当する。本実施形態の特徴は、主に（１）基板１１が、表示領域１１ａを囲む第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂを備えている点、（２）囲い１９が、第１突起部２３ａと第２突起部２３ｂの間に配置される点である。
本実施形態では、第２突起部２３ｂは、表示領域１１ａと第１突起部２３ａの間に設けられている場合を例にとって説明を進めるが、第２突起部２３ｂは、第１突起部２３ａとシール層形成領域１１ｂの間に設けられてもよい。
【００５３】
以下、本実施形態に含まれる各工程について説明する。
【００５４】
３−１．表示電極、誘電体層及び第１及び第２突起部形成工程
まず、図１（ａ）、図２及び図７（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１１上に表示電極１３、誘電体層１５及び第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂを形成する。第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂは、表示領域１１ａを囲むように中間領域１１ｃに形成する。別の表現では、第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂは、環状になるように、かつ環の内側に表示領域１１ａが配置されるように形成される。第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂは、表示領域１１ａを完全に囲むように形成することが好ましいが、表示領域１１ａを部分的に囲むように形成してもよい。
表示電極１３及び誘電体層１５は、第２実施形態と同様の方法で形成することができる。第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂは、それぞれ、第２実施形態の突起部２３と同様の方法で形成することができる。第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂは、同時に形成してもよく、順次形成してもよい。第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂの高さは、互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００５５】
３−２．囲い設置工程
次に、図１（ｂ）及び図８に示すように、第１突起部２３ａと第２突起部２３ｂの間に囲い１９を設置する。囲い１９は、囲い１９の下端が、第１突起部２３ａの上端よりも表示領域１１ａに近くなるように配置され、好ましくは、第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂの何れの上端よりも表示領域１１ａに近くなるように配置される。詳しくは後述するが、このような構成によって、粉体１６又は懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに付着したり、粉体１６又は懸濁液２２が表示領域１１ａに余分に付着したりすることを防ぐことができる。
また、囲い１９は、囲い１９の下端と誘電体層１５の表面の間に隙間１９ａが設けられるように配置される。これによって、囲い１９が誘電体層１５やその下の表示電極１３を損傷することが防止される。
【００５６】
３−３．粉体又は懸濁液散布工程
次に、第２実施形態と同様の方法で、図１（ｃ）及び（ｄ）に示すように、囲い１９内で、粉体１６又は懸濁液２２を散布することによって誘電体層１５上に酸化マグネシウム結晶体層１７を形成する。
【００５７】
ここで、図９（ａ）〜（ｃ）を用いて、本実施形態によれば、粉体１６又は懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに付着したり、粉体１６又は懸濁液２２が表示領域１１ａに余分に付着したりすることを防ぐことができる作用について説明する。ここでは、懸濁液２２を散布する場合を例にとって説明を進めるが、粉体１６を散布する場合でも基本的に同様の説明が成り立つ。
【００５８】
まず、図９（ａ）に示すように、囲い１９内（図９（ａ）の囲い１９よりも右側の部分）で、誘電体層１５の上方にある散布ヘッド２１から散布された懸濁液２２は、重力によって誘電体層１５に向かう。
【００５９】
囲い１９は、誘電体層１５から少し離して設置しているので、囲い１９の下部と誘電体層１５の表面との間に隙間１９ａがある。図９（ｂ）に示すように、懸濁液２２の一部が、囲い１９の壁面に付着し、この壁面を伝って下降し、隙間１９ａを通って囲い１９外に漏出することがある。
【００６０】
囲い１９の外に第１突起部２３ａがない場合、漏出した懸濁液２２は、シール層形成領域１１ｂに付着する。しかし、本実施形態では、囲い１９の外側に囲い１９を囲むように第１突起部２３ａが設けられているので、漏出した懸濁液２２は、第１突起部２３ａで堰き止められる。また、囲い１９と表示領域１１ａの間に第２突起部２３ｂがない場合、第１突起部２３ａで堰き止められた懸濁液２２は、表示領域１１ａに向かい、懸濁液２２が表示領域１１ａに余分に付着することがある。懸濁液２２が表示領域１１ａに余分に付着すると、表示領域１１ａでの放電特性が不均一になった表示ムラに繋がる。本実施形態では、囲い１９と表示領域１１ａの間に第２突起部２３ｂが設けられているので、懸濁液２２は、表示領域１１ａに向かわず、第１突起部２３ａと第２突起部２３ｂに間に閉じ込められる。従って、図９（ｃ）に示すように、懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに付着したり、粉体１６又は懸濁液２２が表示領域１１ａに余分に付着したりすることなく、表示領域１１ａ上に酸化マグネシウム結晶体層１７が形成される。
【００６１】
４．第４実施形態
図１（ａ）〜（ｄ）、図２、図１０（ａ）及び（ｂ）、図１１（ａ）〜（ｃ）及び図１２（ａ）〜（ｃ）を用いて、本発明の第３実施形態のＰＤＰ用前面側基板構体の製造方法について説明する。図１０（ａ）は、後述する窪み部２５が設けられた基板１１を示す平面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＩ−Ｉ断面図である。図１１（ａ）〜（ｃ）は、窪み部２５と囲い１９との種々の位置関係を示す、図１０（ｂ）に対応した断面図である。図１２（ａ）〜（ｃ）は、窪み部２５によって粉体１６又は懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに付着することを防ぐことができることを説明するための、図１０（ｂ）に対応した断面図である。
【００６２】
本実施形態は、第１実施形態に類似しており、主に（１）基板１１が、中間領域１１ｃに表示領域１１ａを囲む窪み部２５を備える点、（２）囲い１９は、囲い１９の下端と誘電体層１５の表面の間に隙間が設けられるように配置される点に特徴を有している。このうち、（２）の特徴は、必須ではなく、囲い１９は、囲い１９の下端と誘電体層１５の表面とが密着するように配置してもよい。
【００６３】
以下、本実施形態に含まれる各工程について説明する。
４−１．表示電極、誘電体層及び窪み部形成工程
まず、図１（ａ）、図２及び図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板１１上に表示電極１３、誘電体層１５及び窪み部２５を形成する。窪み部２５は、中間領域１１ｃに表示領域１１ａを囲むように形成する。表示電極１３及び誘電体層１５は、第１実施形態と同様の方法で形成することができる。
【００６４】
窪み部２５の深さは、表示電極１３を露出させない程度の深さであることが好ましい。窪み部２５は、表示領域１１ａを完全に囲むように形成することが好ましいが、表示領域１１ａを部分的に囲むように形成してもよい。
窪み部２５の形成方法は、特に限定されず、窪み部２５は、例えば、誘電体層１５を形成した後にサンドブラスト法で窪みを掘るか、スクリーン印刷法や感光性材料法等で最初から窪み部２５に相当する部分に誘電体層２５を形成しないことによって形成することができる。下層誘電体層１５ａに窪み部２５を形成した後に保護層１５ｂを形成してもよく、下層誘電体層１５ａ上に保護層１５ｂを形成した後に下層誘電体層１５ａと保護層１５ｂに対して窪み部２５を形成してもよい。
【００６５】
４−２．囲い設置工程
次に、図１（ｂ）及び図１１（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板１１上の表示領域１１ａを囲む囲い１９を設置する。囲い１９は、図１１（ａ）に示すように、窪み部２５よりも表示領域１１ａに近い側に配置してもよく、図１１（ｂ）に示すように、窪み部２５の真上に配置してもよく、図１１（ｃ）に示すように、窪み部２５よりもシール層形成領域１１ｂに近い側に配置してもよい。囲い１９を窪み部２５の真上に配置する場合、囲い１９は、囲い１９の下端が窪み部２５内に位置するように配置してもよい。また、囲い１９は、囲い１９の下端が誘電体層１５の表面に近接するように配置されることが好ましい。囲い１９と誘電体層１５の間の隙間１９ａが大きくなりすぎると、粉体１６又は懸濁液２２が隙間１９ａを通って囲い１９外に漏出しやすくなるからである。
【００６６】
４−３．粉体又は懸濁液散布工程
次に、第１実施形態と同様の方法で、図１（ｃ）及び（ｄ）に示すように、囲い１９内で、粉体１６又は懸濁液２２を散布することによって誘電体層１５上に酸化マグネシウム結晶体層１７を形成する。
【００６７】
ここで、図１２（ａ）〜（ｃ）を用いて、本実施形態によれば、粉体１６又は懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに付着することを防ぐことができる作用について説明する。ここでは、懸濁液２２を散布する場合を例にとって説明を進めるが、粉体１６を散布する場合でも基本的に同様の説明が成り立つ。また、ここでは、窪み部２５と囲い１９とが図１１（ａ）に示す位置関係にある場合を例にとって説明する。図１１（ｂ）又は（ｃ）に示す位置関係にある場合については、後述する。
【００６８】
まず、図１２（ａ）に示すように、囲い１９内（図１２（ａ）の囲い１９よりも右側の部分）で、誘電体層１５の上方にある散布ヘッド２１から散布された懸濁液２２は、重力によって誘電体層１５に向かう。
【００６９】
囲い１９は、誘電体層１５から少し離して設置しているので、囲い１９の下部と誘電体層１５の表面との間に隙間１９ａがある。図１２（ｂ）に示すように、懸濁液２２の一部が、囲い１９の壁面に付着し、この壁面を伝って下降し、隙間１９ａを通って囲い１９外に漏出することがある。
【００７０】
囲い１９の外に窪み部２５がない場合、漏出した懸濁液２２は、シール層形成領域１１ｂに付着する。しかし、本実施形態では、囲い１９の外側に囲い１９を囲むように窪み部２５が設けられているので、漏出した懸濁液２２は、窪み部２５内に溜まり、図１２（ｃ）に示すように、シール層形成領域１１ｂに懸濁液２２が付着することなく、表示領域１１ａ上に酸化マグネシウム結晶体層１７が形成される。
【００７１】
窪み部２５と囲い１９とが図１１（ｃ）に示す位置関係にある場合、囲い１９の壁面を伝って下降した懸濁液２２は、囲い１９と表示領域１１ａの間にある窪み部２５に溜まり、懸濁液２２が表示領域１１ａに余分に付着することを防ぐことができる。また、余分な懸濁液２２が窪み部２５に溜まることによって懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに広がることもある程度抑制される。窪み部２５と囲い１９とが図１１（ｂ）に示す位置関係にある場合、囲い１９の壁面を伝って下降した懸濁液２２は、そのまま窪み部２５に溜まり、シール層形成領域１１ｂや表示領域１１ａに広がることを防ぐことができる。
【００７２】
以上の実施形態で示した種々の特徴は、互いに組み合わせることができる。１つの実施形態中に複数の特徴が含まれている場合、そのうちの１又は複数個の特徴を適宜抜き出して、単独で又は組み合わせて、本発明に採用することができる。
【００７３】
第２〜第４実施形態では、基板１１上に１つ若しくは２つの突起部２３、２３ａ、２３ｂ又は１つの窪み部２５が設けられている場合を例にとって説明を進めたが、突起部又は窪み部の数は、これよりも多くてもよい。また、突起部と窪み部を組み合わせてもよい。例えば、第３実施形態の第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂの一方又は両方を窪み部に変えてもよい。その場合でも、シール層形成領域１１ｂや表示領域１１ａに余分な酸化マグネシウム結晶体層１７が形成されることが防止又は抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１〜第４実施形態のＰＤＰ用前面側基板構体の製造工程を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１〜第４実施形態に係る、図１（ａ）中の直線Ｉ−Ｉを通り、基板の主面に垂直な面の断面図であり、前面側基板上に表示電極及び誘電体層を形成する工程を示す。
【図３】本発明の第１実施形態で使用される前面側基板の平面図であり、表示領域やシール層形成領域の一例を示す。
【図４】（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る、突起部２３が設けられた基板１１を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＩ−Ｉ断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る、突起部２３と囲い１９との位置関係を示す、図４（ｂ）に対応した断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る、突起部２３によって、粉体１６がシール層形成領域１１ｂに付着することを防ぐことができることを説明するための、図４（ｂ）に対応した断面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の第３実施形態に係る、第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂが設けられた基板１１を示す平面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＩ−Ｉ断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る、第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂと囲い１９との位置関係を示す、図７（ｂ）に対応した断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３実施形態に係る、第１及び第２突起部２３ａ、２３ｂによって、懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに付着したり、粉体１６又は懸濁液２２が表示領域１１ａに余分に付着したりすることを防ぐことができることを説明するための、図７（ｂ）に対応した断面図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の第４実施形態に係る、窪み部２５が設けられた基板１１を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＩ−Ｉ断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第４実施形態に係る、窪み部２５と囲い１９との種々の位置関係を示す、図１０（ｂ）に対応した断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第４実施形態に係る、窪み部２５によって、懸濁液２２がシール層形成領域１１ｂに付着することを防ぐことができることを説明するための、図１０（ｂ）に対応した断面図である。
【図１３】従来のＰＤＰの構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７５】
１：前面側基板構体  １ａ：前面側基板  ２：背面側基板構体  ２ａ：背面側基板  ３：表示電極  ３ａ：透明電極  ３ｂ：バス電極  ４：誘電体層  ５：保護層  ６：アドレス電極  ７：隔壁  ８：蛍光体層  １１：基板  １１ａ：表示領域  １１ｂ：シール層形成領域  １１ｃ：中間領域  １３：表示電極  １３ａ:透明電極  １３ｂ：バス電極  １５：誘電体層  １５ａ：下層誘電体層  １５ｂ：保護層  １７：酸化マグネシウム結晶体層  １６：酸化マグネシウム結晶体からなる粉体  １９：囲い  １９ａ：囲いと誘電体層表面との間の隙間  ２１：散布ヘッド  ２２：懸濁液  ２３：突起部  ２３ａ：第１突起部  ２３ｂ：第２突起部  ２５：窪み部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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