(57)【要約】【課題】物品を処理する処理ユニットを含む処理装置における処理のスループットを向上させる。【解決手段】処理装置は、物品を処理する処理ユニットを含む。処理装置は、外部装置と前記処理ユニットとの間で物品を搬送する搬送ユニットと、制御部とを備える。前記制御部は、前記処理装置が特定状態になったことを示す状態信号を前記処理装置が前記特定状態になるよりも入力フィールド３０に入力された時間だけ前に出力して前記外部装置に物品の搬送に関する処理を実行させる制御部とを備える。【選択図】図２
2008091508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品を処理する処理ユニットを含む処理装置であって、
外部装置と前記処理ユニットとの間で物品を搬送する搬送ユニットと、
前記処理装置が特定状態になったことを示す状態信号を前記処理装置が前記特定状態になる前に出力して前記外部装置に物品の搬送に関する処理を実行させる制御部と、
を備えることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記特定状態は、前記外部装置から物品を受け取ることができる状態であることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記特定状態は、前記外部装置に物品を渡すことができる状態であることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項４】
前記処理装置は、第１状態を経て前記特定状態になり、
前記制御部は、前記処理装置が前記第１状態になったことに応じて、前記処理装置が前記特定状態になる時刻よりも設定された先行時間だけ早く、前記状態信号を出力することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項５】
前記先行時間を設定するための情報を受け付けるユーザーインターフェース部を更に備えることを特徴とする請求項４に記載の処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、学習により前記先行時間を決定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項７】
前記処理ユニットは、基板を露光する露光ユニットを含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項８】
前記状態信号は、感光剤が塗布された基板の提供を要求することを示す信号であることを特徴とする請求項７に記載の処理装置。
【請求項９】
前記状態信号は、露光がなされた基板の受け取りを要求することを示す信号であることを特徴とする請求項７に記載の処理装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の処理装置で基板を処理する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理装置に係り、特に物品を処理する処理ユニットを含む処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等のデバイスを製造するための露光装置は、通常、塗布現像装置と接続して使用される。感光剤が塗布されたウエハは、露光装置と塗布現像装置の間で受け渡しされる。露光装置と塗布現像装置との間には、ウエハ受渡ステーションが配置される。露光装置は、ウエハ受渡ステーションに置かれたウエハをそこから取り去った後、次のウエハを受け取ることが可能になったタイミングで、次のウエハの提供を塗布現像装置に要求する。
【０００３】
また、露光装置は、露光がなされたウエハを塗布現像装置に渡す際には、ウエハをウエハ受渡ステーションに置いて塗布現像装置がウエハを受け取ることが可能になったタイミングで、ウエハ受渡ステーションから取り去るように塗布現像装置に要求する。
【特許文献１】特開２００２−７５８５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように次のウエハを受け取ることが可能になったタイミングで次のウエハの提供を塗布現像装置に要求する方式では、塗布現像装置は、当該要求を受けたことに応じてウエハ搬送ユニットを動作させる。塗布現像装置がウエハの提供要求を受けてから実際に受渡ステーションにウエハをおくまでに要する時間を時間Ｔとすると、露光装置は、次のウエハを受け取ることが可能になったタイミングから時間Ｔを経た後でなければ次のウエハを受け取ることができない。
【０００５】
また、上記のように、塗布現像装置がウエハを受け取ることが可能になったタイミングで受渡ステーションからのウエハの取り去りを要求する方式では、塗布現像装置は、当該要求を受けたことに応じてウエハ搬送ユニットを動作させる。ここで、塗布現像装置がウエハの取去要求を受けてから受渡ステーションからのウエハの取り去りに要する時間をＴとする。露光装置は、塗布現像装置がウエハの受け取りが可能になったタイミングから時間Ｔを経た後でなければ次のウエハを受渡ステーションに置くことができない。
【０００６】
本発明は、本発明者による上記の課題認識を契機としてなされたものであり、物品を処理する処理ユニットを含む処理装置における処理のスループットを向上させることを例示的な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、物品を処理する処理ユニットを含む処理装置に係り、前記処理装置は、外部装置と前記処理ユニットとの間で物品を搬送する搬送ユニットと、前記処理装置が特定状態になったことを示す状態信号を前記処理装置が前記特定状態になる前に出力して前記外部装置に物品の搬送に関する処理を実行させる制御部とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、物品を処理する処理ユニットを含む処理装置における処理のスループットを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。図１は、本発明の好適な実施形態の露光装置の本体部分の概略構成を示す図である。本発明の好適な実施形態の露光装置１００は、光源を含む照明装置１と、パターンが形成されたレチクル（原版）２を保持するレチクルステージ３と、レチクルステージ３に保持されたレチクル２の位置を計測するレチクル位置計測ユニット４とを備える。露光装置１００はまた、投影光学系５と、感光剤が塗布されたウエハ（基板）８を位置決めするステージ装置２０とを備える。ステージ装置２０は、ウエハ８をＸＹ方向に位置決めするＸＹステージ６と、ウエハ８をＺ方向に位置決めするためのＺステージ８とを含む。露光装置１００はまた、ＸＹステージ６のＸＹ方向の位置を計測するレーザ干渉計７と、ウエハ９をＺ方向の位置を計測するフォーカスユニット１０とを備えている。レチクル２に形成されたパターンは、投影光学系５を介して、Ｚステージ８上のウエハに投影され、ウエハに塗布された感光剤に潜像パターンを形成する。この潜像パターンは、現像装置によって現像されて、物理的なパターンとなる。
【００１０】
図２は、本発明の好適な実施形態のリソグラフィーシステムの概略構成を示す図である。図２に示すリソグラフィーシステム３００は、図１に示す本体部分を有する露光装置（処理装置）１００と、現像塗布装置２００とを含む。露光装置１００は、露光チャンバ１１を備える。露光装置１００の本体部分、すなわち露光ユニット（処理ユニット）は、露光チャンバ１１内に配置される。図２では、簡単化のために、露光装置１００の本体部分として、ステージ装置２０のみが示されている。露光チャンバ１１内には、露光装置側ウエハ搬送ユニット（以下、ＥＸＰＯ搬送ユニット）１４、露光装置制御部１６、ユーザーインターフェースとしての入出力装置１８が配置されている。
【００１１】
塗布現像装置２００は、塗布現像チャンバ１２を備える。塗布現像装置２００の本体部分は、塗布現像チャンバ１２内に配置される。塗布現像チャンバ１２内には、塗布現像装置側ウエハ搬送ユニット（以下、ＣＤ搬送ユニット）１５、塗布現像装置制御部１７が配置されている。
【００１２】
ＥＸＰＯ搬送ユニット１４は、ＣＤ搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の第１位置（搬入ステーション）１３ａまで搬送したウエハを受け取り、露光ユニットのステージ装置２０まで搬送する。ＥＸＰＯ搬送ユニット１４は、露光が終了したウエハを受渡ステーション１３の第２位置（搬出ステーション）１３ｂまで搬送する。ＥＸＰＯ搬送ハンド１４は、ウエハアライメントユニット（不図示）を経由してウエハをＸＹステージ６に搬送する場合がある。露光チャンバ１１内には、複数のウエハ搬送ユニットが配置される場合がある。
【００１３】
以下において、「搬入」は、現像塗布装置２００からウエハ受渡の第１位置１３ａを経由して露光装置１００の本体部分（ステージ装置２０）にウエハが搬送される動作の全部又は一部を意味する。また、「搬出」は、露光装置１００から受渡ステーション１３の第２位置１３ｂを経由して現像塗布装置２００の本体部分にウエハが搬送される動作の全部又は一部を意味するものとする。
【００１４】
また、「提供要求」は、露光装置１００から塗布現像装置２００に対する要求であって、ＣＤ搬送ユニット１４によって受渡ステーションの第１位置１３ａにウエハを提供することの要求である。「取去要求」は、露光装置１００から塗布現像装置２００に対する要求であって、ＣＤ搬送ハンド１４によって受渡ステーションの第２位置１３ｂからウエハを取り去ることの要求である。提供要求及び取去要求は、露光装置１００が特定状態になったことを示す状態信号を発生（活性化）することによってなされる。提供要求信号は、それを示す状態信号と等価である。取去要求信号は、それを示す状態信号と等価である。
【００１５】
図３は、ユーザーインターフェースとしての入出力装置２０の画面表示の一例を示す図である。ここで、入出力装置２０の画面に表示されるパラメータについて説明をする。入力フィールド３０は、「オフセット時間（ウエハ提供要求）」が入力されるフィールドである。「オフセット時間（ウエハ提供要求）」は、露光装置１００から塗布現像装置２００に送られるウエハ提供要求信号の発生タイミングのオフセット時間（後述のＴＰ１）を意味する。露光装置１００は、入力フィールド３０に入力されたオフセット時間だけ、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）を本来の要求タイミングよりも早く発生（活性化）する。ここで、本来の要求タイミングとは、その要求タイミングと同じタイミングで要求が満たされてもよい状態に露光装置がなるタイミングを意味する。例えば、現像塗布装置２００から受渡ステーション１３の第１位置１３ａまでウエハが提供されてもよい状態に露光装置１００がなるタイミングは、提供要求信号の本来の要求タイミングである。入力フィールド３０に入力されたオフセット時間が０の場合には、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）は、本来の要求タイミングで発生する。
【００１６】
入力フィールド３２は、「オフセット時間（ウエハ取去要求）」が入力されるフィールドである。「オフセット時間（ウエハ取去要求）」は、露光装置１００から塗布現像装置２００に送られるウエハ取去要求信号の発生タイミングのオフセット時間（後述のＴＰ２）を意味する。露光装置１００は、入力フィールド３０に入力されたオフセット時間だけ、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）を本来の要求タイミングよりも早く発生（活性化）する。ここで、本来の要求タイミングとは、前述のように、その要求タイミングと同じタイミングで要求が満たされてもよい状態に露光装置がなるタイミングを意味する。例えば、現像塗布装置２００が受渡ステーション１３の第２位置１３ｂからウエハを取去ってもよい状態に露光装置１００がなるタイミングは、取去要求信号の本来の要求タイミングである。入力フィールド３２に入力されたオフセット時間が０の場合には、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）は、本来の要求タイミングで出力される。
【００１７】
チェックボックス３４は、「学習モード（ウエハ提供要求）」の機能のＯＮ、ＯＦＦを切り替えるために使用される。ＯＮボックス３４ａにチェックマークを入れると、「学習モード（ウエハ提供要求）」の機能がＯＮし、ＯＦＦボックス３４ｂにチェックマークを入れると、「学習モード（ウエハ提供要求）」の機能がＯＦＦする。学習モード（ウエハ提供要求）では、露光装置１００が塗布現像装置２００にウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）を出力してから現像塗布装置２００によって受渡ステーション１３の第１位置１３ａにウエハが提供されるまでの時間が計測される。そして、その計測結果に基づいてウエハ提供要求信号のタイミングのオフセット時間（ＴＰ１）が決定され。「学習モード（ウエハ提供要求）」の機能がＯＮに設定された場合には、入力フィールド３０に入力されたオフセット時間は無効とされ、計測結果に基づいて決定されるオフセット時間が使用される。「学習モード（ウエハ提供要求）」の機能がＯＦＦに設定された場合には、入力フィールド３０に入力されたオフセット時間が有効となる。
【００１８】
チェックボックス３６は、「学習モード（ウエハ取去要求）」の機能のＯＮ、ＯＦＦを切り替えるために使用される。ＯＮボックス３６ａにチェックマークを入れると、「学習モード（ウエハ取去要求）」の機能がＯＮし、ＯＦＦボックス３６ｂにチェックマークを入れると、「学習モード（ウエハ取去要求）」の機能がＯＦＦする。学習モード（ウエハ取去要求）では、露光装置１００が塗布現像装置２００にウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）を出力してから現像塗布装置２００によって受渡ステーション１３の第２位置１３ｂからウエハが取り去られるまでの時間が計測される。そして、その計測結果に基づいてウエハ取去要求信号のタイミングのオフセット時間が決定される。「学習モード（ウエハ取去要求）」の機能がＯＮに設定された場合には、入力フィールド３２に入力されたオフセット時間は無効とされ、計測結果に基づいて決定されるオフセット時間が使用される。「学習モード（ウエハ取去要求）」の機能がＯＦＦに設定された場合には、入力フィールド３２に入力されたオフセット時間が有効となる。
【００１９】
以下では、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）又はウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）を本来のタイミングより先行して出力するモードを先行出力モード、これらを本来のタイミングで出力するモードを通常モードと呼ぶ。
【００２０】
図４は、塗布現像装置２００から露光装置１００にウエハを搬入する際の動作例を示すタイミングチャートである。図４の（ａ）は、通常モードにおける動作例を示し、図４の（ｂ）は、先行出力モードにおける動作例を示している。以下に、図４に示された信号について説明する。
【００２１】
＜Ｗａｆｅｒ  Ｃａｒｒｙｉｎｇ  Ｉｎ  Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ信号＞
Ｗａｆｅｒ  Ｃａｒｒｙｉｎｇ  Ｉｎ  Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ信号は、露光装置１００内部の状態信号であって、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４の動作状態を示す。ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４がウエハの搬送処理を実行している間はＩｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓステート、実行していない間はＯｆｆステートになる。
【００２２】
＜Ｗａｆｅｒ  Ｉｎ  Ｓｅｎｓｏｒ信号＞
Ｗａｆｅｒ  Ｉｎ  Ｓｅｎｓｏｒ信号は、ウエハ受渡搬入ステーション１３の第１位置（搬入ステーション）１３ａにおけるウエハの有無を検知するウエハ検出センサー１３Ｓａの出力信号である。ウエハが存在する場合はＥｘｉｓｔステート、存在していない場合はＮｏｎｅステートになる。
【００２３】
＜Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号＞
Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号は、露光装置１００の露光制御部１６から塗布現像装置２００の塗布現像制御部１７に出力されるウエハ提供要求信号（ウエハの提供を要求する状態であることを示す状態信号）である。ウエハ提供要求信号は、露光装置１００が塗布現像装置２００に対して、ＣＤ搬送ハンド１４によって受渡ステーション１３の第１位置１３ａにウエハを提供することを要求する信号である。ウエハの提供を要求している間はＲｅｑｕｅｓｔステート、要求していない間はＮｏｔＲｅａｄｙステートになる。
【００２４】
＜Ｗａｆｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙ信号＞
Ｗａｆｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙ信号は、塗布現像装置２００の塗布現像制御部１７から露光装置１００の露光制御部１６に出力される信号である。Ｗａｆｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙ信号は、ＣＤ搬送ハンド１４によって受渡ステーション１３の第１位置１３ａにウエハが提供されたタイミングでＳｕｐｐｌｉｅｄステートになる。また、Ｗａｆｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙ信号は、Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号がＮｏｔＲｅａｄｙステートになると、ＮｏｔＳｕｐｐｌｉｅｄステートになる。
【００２５】
図５は、露光装置１００から塗布現像装置２００にウエハを搬出する際の動作例を示すタイミングチャートである。図５の（ａ）は、通常モードにおける動作例を示し、図５の（ｂ）は、先行出力モードにおける動作例を示している。以下に、図５に示された信号について説明する。
【００２６】
＜Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号＞
Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、塗布現像装置２００の塗布現像制御部１７から露光装置１００の露光制御部１６に出力される搬送完了信号である。Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、塗布現像装置２００がＣＤ搬送ハンド１４によって受渡ステーション１３の第２位置１３ａｂからウエハを取り去る準備が完了したことを示す信号である。Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、ＣＤ搬送ハンド１４によって受渡ステーション１３の第２位置１３ａｂからウエハを取り去る準備が完了したタイミングでＲｅａｄｙステートになる。Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ信号がＰｌａｃｅｄステートになると、ＮｏｔＲｅａｄｙステートになる。
【００２７】
＜Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ  Ｓｅｎｓｏｒ信号＞
Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ  Ｓｅｎｓｏｒ信号は、ウエハ搬出ステーション１３の第２位置１３ｂにおけるウエハの有無を検知するウエハ検出センサー１３Ｓｂの出力信号である。ウエハが存在する場合はＥｘｉｓｔステート、存在していない場合はＮｏｎｅステートになる。
【００２８】
＜Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ信号＞
Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ信号は、露光装置１００から塗布現像装置２００に出力されるウエハ取去要求信号である（ウエハの取り去りを要求する状態であることを示す状態信号）。ウエハ取去要求信号は、露光装置１００が塗布現像装置２００に対して、ＣＤ搬送ハンド１４によって受渡ステーションの第２位置１３ｂからウエハを取り去ることを要求する信号である。受渡ステーションの第２位置１３ｂにウエハが配置されている間はＲｅｑｕｅｓｔステート、それ以外ではＮｏｔ  Ｒｅａｄｙステートになる。
【００２９】
＜Ｗａｆｅｒ  Ｃａｒｒｙｉｎｇ  Ｏｕｔ  Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ信号＞
Ｗａｆｅｒ  Ｃａｒｒｙｉｎｇ  Ｏｕｔ  Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ信号は、塗布現像装置２００内部の状態信号であって、ＣＤウエハ搬送ユニット１５の動作状態を示す。ＣＤウエハ搬送ユニット１５が搬送処理を実行している間はＩｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓステート、実行していない間はＯｆｆステートになる。
【００３０】
図６Ａは、通常モードにおいて塗布現像装置２００から露光装置１００へウエハを搬入する際の動作例を示すフローチャートである。
【００３１】
Ｓ６０１において、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が搬送処理を開始する。具体的には、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が受渡ステーション１３の第１位置１３ａに向けて移動を開始する。このタイミングは、図４のｔ１に対応する。
【００３２】
Ｓ６０２において、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が受渡ステーション１３の第１位置１３ａのウエハを保持して第１位置１３ａから取り去って、ステージ装置２０に移動させる。この際に、Ｗａｆｅｒ  Ｉｎ  Ｓｅｎｏｒ信号がＥｘｉｓｔ状態からＮｏｎｅ状態に変化する。このタイミングは、図４のｔ２に対応する。
【００３３】
Ｓ６０３において、露光制御部１６は、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４のハンドが安全領域まで退避するまでの時間Ｔ３秒が経過するのを待つ。
【００３４】
Ｓ６０４において、露光制御部１６は、ウエハ搬入要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させる。このタイミングは、図４（ａ）のｔ３に対応する。
【００３５】
Ｓ６０５において、塗布現像装置２００は、受渡ステーション１３の第１位置１３ａへのウエハの搬送を開始する。
【００３６】
図４における時間Ｔ２は、ＣＤウエハ搬送ユニット１５のハンドが、受渡ステーション１３の第１位置１３ａに到達するまでの時間で、時間Ｔ２においては、受渡ステーション１３にＣＤウエハ搬送ハンド１５のハンドが進入することはない。
【００３７】
Ｓ６０６において、Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号をＮｏｔＲｅａｄｙからＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させたタイミングから時間Ｔ１が経過したタイミングでＣＤウエハ搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の第１位置１３ａにウエハが配置される。このタイミングで、塗布現像制御部１７は、Ｗａｆｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙ信号をＮｏｔＳｕｐｐｌｉｅｄ状態からＳｕｐｐｌｉｅｄ状態に変化させる。このタイミングは、図４（ａ）のｔ４に対応する。図４における時間Ｔ６は、ＣＤウエハ搬送ユニット１５のハンドが受渡ステーション１３の第１位置１３ａに進入してから第１位置１３ａにウエハを配置するまでの時間である。
【００３８】
図６Ｂは、先行出力モードにおいて塗布現像装置２００から露光装置１００へウエハを搬入する際の動作例を示すフローチャートである。
【００３９】
Ｓ６１１において、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が搬送処理を開始する。具体的には、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４のハンドが受渡ステーション１３の第１位置１３ａに向けて移動を開始する。  Ｓ６１２において、露光制御部１６は、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングｔ１１を計算する。ここで、先行出力モードでは、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングが本来のタイミングよりも時間ＴＰ１だけ先行して出力される。図４では、時間ＴＰ１が最大値ＴＰ１ｍａｘである場合（ＴＰ１ｍａｘ＝Ｔ１−Ｔ６）が示されている。ここで、時間ＴＰ１は、０≦ＴＰ１≦ＴＰ１ｍａｘの範囲で入力フィールド３０に入力することができる。
【００４０】
ＴＰ１ｍａｘについて説明する。露光制御部１６は、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４のハンドが受渡ステーション１３に向けて移動を開始したタイミング（ｔ１）から該搬送ユニット１４が第１位置１３ａのウエハを保持して第１位置１３ａから取り去るまで要する時間Ｔ５を予め知っている。
【００４１】
ＴＰ１ｍａｘは、（Ｔ２−Ｔ３）で表現され、ＴＰ１ｍａｘ（ＴＰ１）が（Ｔ２−Ｔ３）よりも大きいと、ＥＸＰＯウエハ搬送ハンド１４が安全領域まで退避する前にＣＤウエハユニット１５が受渡ステーション１３に侵入して、両者が衝突する可能性がある。
【００４２】
露光制御部１６は、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングｔ１１を式（１）にしたがって計算する。
【００４３】
ｔ１１＝ｔ１＋Ｔ５＋Ｔ３−ＴＰ１  ・・・（１）
Ｓ６１３において、露光制御部１６は、計算したタイミングｔ１１で、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させる。  Ｓ６１４において、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が受渡ステーション１３の第１位置１３ａのウエハを保持して第１位置１３ａから取り去ってステージ装置２０に移動させる。この際に、Ｗａｆｅｒ  Ｉｎ  Ｓｅｎｏｒ信号がＥｘｉｓｔ状態からＮｏｎｅ状態に変化する。このタイミングは、図４におけるｔ２に対応する。
【００４４】
Ｓ６１５において、塗布現像２００は、受渡ステーション１３の第１位置１３ａへのウエハの搬送を開始する。この処理と並行して、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４は、受渡ステーション１３の第１位置１３ａのウエハをステージ装置２０に搬送する搬送処理を継続する。
【００４５】
Ｓ６１６において、Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号をＮｏｔＲｅａｄｙからＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させたタイミングから時間Ｔ１が経過したタイミングでＣＤウエハ搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の第１位置１３ａにウエハが配置される。このタイミングで、塗布現像制御部１７は、Ｗａｆｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙ信号をＮｏｔＳｕｐｐｌｉｅｄ状態からＳｕｐｐｌｉｅｄ状態に変化させる。このタイミングは、図４におけるｔ１２に対応する。
【００４６】
ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）を先行時間ＴＰ１だけ本来のタイミングよりも早く発生することによって、受渡ステーション１３の第１位置１３ａに塗布現像装置２００によってウエハが提供されるタイミングがＴＰ１だけ早くなる。
【００４７】
図７Ａは、通常モードにおいて露光装置１００から塗布現像装置２００へウエハを搬出する際の動作例を示すフローチャートである。
【００４８】
Ｓ７０１において、ＣＤウエハ搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の第２位置１３ｂからウエハを取り去って現像ユニットに搬送する搬送処理が終了したタイミングで、塗布現像制御部１７が搬送完了信号（Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ）を変化させる。具体的には、このタイミングで、塗布現像制御部１７は、搬送完了信号（Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅａｄｙ状態に変化させる。このタイミングは、図５におけるｔ２１に対応する。
【００４９】
Ｓ７０２において、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が受渡ステーション１３の第２位置１４ａにウエハを搬送する処理を開始する。
【００５０】
Ｓ７０３において、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が、受渡ステーション１３の第２位置１３ｂへのウエハの配置を完了する。このタイミングで、ウエハ検出センサー１３Ｓｂの出力信号（Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ  Ｓｅｎｏｒ）がＮｏｎｅ状態からＥｘｉｓｔ状態に変化する。このタイミングは、図５のｔ２２に対応する。
【００５１】
Ｓ７０４において、露光制御部１６は、塗布現像制御部１８が露光制御部１６に搬送完了信号（Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅａｄｙ状態に変化させたタイミングｔ２１から時間Ｔａが経過するのを待つ。その後、露光制御部１６は、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）Ｎｏｔ  Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させる。このタイミングは、図５におけるｔ２３に対応する。図５において、時間Ｔｅは、ウエハ検出センサー１３Ｓｂの出力信号（Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ  Ｓｅｎｏｒ）がＮｏｎｅ状態からＥｘｉｓｔ状態に変化してから露光装置１００のウエハ搬送ユニット１４が安全領域まで退避するまでの時間である。
【００５２】
Ｓ７０５において、ＣＤウエハ搬送ユニット１５がウエハの搬送処理を開始する。具体的には、塗布現像装置２００のウエハ搬送ユニット１５のハンドが受渡ステーション１３の第２位置１３ｂへの移動を開始する。
【００５３】
図５における時間Ｔｂは、ＣＤウエハ搬送ユニット１５のハンドが、受渡ステーション１３の第２位置１３ｂに到達するまでの時間で、この時間は、受渡ステーション１３にＣＤウエハ搬送ユニット１５のハンドが進入することはない。
【００５４】
Ｓ７０６において、ＣＤウエハ搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の第２位置１３ｂからウエハを取り去る。これにより、ウエハ検出センサー１３Ｓｂの出力信号（Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ  Ｓｅｎｏｒ）がＥｘｉｔ状態からＮｏｎｅ状態に変化する。
【００５５】
図７Ｂは、先行出力モードにおいて露光装置１００から塗布現像装置２００へウエハを搬出する際の動作例を示すフローチャートである。
【００５６】
Ｓ７１１において、ＣＤウエハ搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の第２位置１３ｂからウエハを取り去って現像ユニットに搬送する搬送処理が終了したタイミングで、塗布現像制御部１８が搬送完了信号（Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ）を変化させる。具体的には、このタイミングで、塗布現像制御部１８は、搬送完了信号（Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅａｄｙ状態に変化させる。このタイミングは、図５におけるｔ２１に対応する。
【００５７】
Ｓ７１２において、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が受渡ステーション１３の第２位置１４ａにウエハを搬送する処理を開始する。
【００５８】
Ｓ７１３において、露光制御部１６は、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ）をＮｏｔ  Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングを計算する。ここで、先行出力モードでは、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ）をＮｏｔ  Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングが本来のタイミングよりも時間ＴＰ２だけ先行して出力される。図５では、時間ＴＰ２が最大値ＴＰ２ｍａｘである場合（ＴＰ２ｍａｘ＝Ｔｂ）が示されている。ここで、時間ＴＰ２は、０≦ＴＰ２≦ＴＰ２ｍａｘの範囲で入力フィールド３２に入力することができる。
【００５９】
ＴＰ２ｍａｘについて説明する。時間Ｔｂは、ＣＤウエハ搬送ユニット１５のハンドが受渡ステーション１３の第２位置１３ｂに到達するまでの時間で、この時間内は、受渡ステーション１３にウエハ搬送ユニット１５のハンドが進入することはない。ＴＰ２ｍａｘ（ＴＰ２）がＴｂよりも大きいと、ＥＸＰＯウエハ搬送ハンド１４のハンドが安全領域まで退避する前に塗布現像装置２００のウエハユニット１５のハンドが受渡ステーション１３に侵入して、両者が衝突する可能性がある。
【００６０】
露光装置１００は、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４のハンドが受渡ステーション１３の第２位置１３ｂに向けて移動を開始したタイミングｔ２１から第２位置１３ｂにウエハを配置するまでに要する時間Ｔａを性能情報として知っている。
【００６１】
露光制御部１６は、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ）をＮｏｔ  Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングを式（２）にしたがって計算する。
【００６２】
ｔ２４＝ｔ２１＋Ｔａ−ＴＰ２  ・・・（２）
Ｓ７１４において、露光制御部１６は、タイミングｔ２４においてウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）をＮｏｔ  Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させる。  Ｓ７１５において、塗布現像装置２００のウエハ搬送ユニット１５がウエハの搬送処理を開始する。具体的には、塗布現像装置２００のウエハ搬送ユニット１５のハンドが受渡ステーション１３の第２位置１３ｂへの移動を開始する。
【００６３】
Ｓ７１６において、露光装置１００のウエハ搬送ユニット１４が、タイミングｔ２１からＴａ時間後に受渡ステーション１３の第２位置１３ｂへのウエハの配置を完了する。
【００６４】
Ｓ７１７において、塗布現像装置２００のウエハ搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の第２位置１３ｂからウエハを取り去る。これにより、ウエハ検出センサー１３Ｓｂの出力信号（Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ  Ｓｅｎｏｒ）がＥｘｉｔ状態からＮｏｎｅ状態に変化する。
【００６５】
ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）を先行時間ＴＰ２だけ本来のタイミングよりも早く発生することによって、受渡ステーション１３の第２位置１３ｂから塗布現像装置２００によってウエハが取り去られるタイミングがＴＰ２だけ早くなる。
【００６６】
図８は、学習モード（ウエハ提供要求）における露光制御部１６の動作を例示するフローチャートである。学習モード（ウエハ提供要求）は、前述のように、ＯＮボックス３４ａにチェックマークが入れられることに応じてＯＮされる。学習モード（ウエハ提供要求）では、露光装置１００がウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）を出力してから現像塗布装置２００から受渡ステーション１３の第１位置１３ａにウエハが提供されるまでの時間が計測される。そして、その計測結果に基づいてウエハ提供要求信号のタイミングのオフセット時間（ＴＰ１）が決定される。
【００６７】
以下で説明する処理において、Ｎ、Ｍは、例えば入出力装置１８を使って、予め設定されているものとする。
【００６８】
Ｓ８０１において、露光制御部１６は、Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  ＮｕｍｂｅｒがＮより大きいか否かが判断され、Ｎより大きければＳ８０２に処理を進め、Ｎ以下であれば、Ｎより大きくなるまで待つ。ここで、Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒは、ロット開始時に１に初期化され、ウエハが露光装置１００に搬入される度にカウントアップされる。
【００６９】
Ｓ８０２において、露光制御部１６は、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）がＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態へ変化したタイミング（ｔ３）で、その時刻を変数ＴｉｍｅＡに格納する。
【００７０】
Ｓ８０３において、露光制御部１６は、Ｗａｆｅｒ  Ｉｎ  Ｓｅｎｓｏｒ信号がＮｏｎｅ状態からＥｘｓｉｓｔ状態へ変化したタイミング（ｔ４）でその時刻を変数ＴｉｍｅＢに格納する。
【００７１】
Ｓ８０４において、露光制御部１６は、ＴｉｍｅＢとＴｉｍｅＡとの差を求め、配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ）に格納する。
【００７２】
Ｓ８０５において、露光制御部１６は、Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  ＮｕｍｂｅｒがＭ以上であるか否か判断し、Ｎ以上であればＳ８０６に処理を進め、Ｎ未満であればＳ８０１に処理を戻す。
【００７３】
Ｓ８０６において、露光制御部１６は、配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ）の最小値を求め、この値から前述の時間Ｔ６を減じた時間に基づいて先行時間ＴＰ１を決定する。配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ）の最小値から時間Ｔ６を減じた時間を先行時間ＴＰ１とすることができる。或いは、配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ）の最小値から時間Ｔ６を減じ、更に余裕時間を減じて先行時間ＴＰ１としてもよい。
【００７４】
図９は、学習モード（ウエハ取去要求）における露光制御部１６の動作を例示するフローチャートである。学習モード（ウエハ取去要求）は、前述のように、ＯＮボックス３６ａにチェックマークが入れられることに応じてＯＮされる。学習モード（ウエハ取去要求）では、露光装置１００がウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）を出力してから現像塗布装置２００から受渡ステーション１３の第２位置１３ｂにウエハが提供されるまでの時間が計測される。そして、その計測結果に基づいてウエハ取去要求信号のタイミングのオフセット時間が決定される。
【００７５】
Ｓ９０１において、Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  ＮｕｍｂｅｒがＮより大きいか否かが判断され、Ｎより大きければＳ８０２に処理を進め、Ｎ以下であれば、Ｎより大きくなるまで待つ。ここで、Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒは、ロット開始時に１に初期化され、ウエハが露光装置１００に搬入される度にカウントアップされる。  Ｓ９０２において、露光制御部１６は、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態へ変化させたタイミング（ｔ２３）でその時刻を変数ＴｉｍｅＡに格納する。
【００７６】
Ｓ９０３において、露光制御部１６は、Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ  Ｓｅｎｓｏｒ信号がＥｘｓｉｔ状態からＮｏｎｅ状態へ変化したタイミング（ｔ２４）でその時刻を変数ＴｉｍｅＢに格納する。
【００７７】
Ｓ９０４において、露光制御部１６は、ＴｉｍｅＢとＴｉｍｅＡとの差を求め、配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒに格納する。
【００７８】
Ｓ９０５において、露光制御部１６は、Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  ＮｕｍｂｅｒがＭ以上であるか否か判断し、Ｎ以上であればＳ９０６に処理を進め、Ｎ未満であればＳ９０１に処理を戻す。
【００７９】
Ｓ９０６において、配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ）の最小値を求め、この値から前述の時間Ｔｄを減じた時間に基づいて先行時間ＴＰ２を決定する。配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ）の最小値から時間Ｔｄを減じた時間を先行時間ＴＰ２とすることができる。或いは、配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ）の最小値から時間Ｔｄを減じ、更に余裕時間を減じて先行時間ＴＰ２としてもよい。
【００８０】
以上の説明では、露光装置から塗布現像装置に信号を提供するタイミングを本来のタイミングよりも早くすることによって、ウエハの搬送タイミングを早くし、スループットを向上させる。これとは逆に、塗布現像装置から露光装置に信号を提供するタイミングを本来のタイミングよりも早くすることによって、ウエハの搬送タイミングを早くし、スループットを向上させることもできる。
【００８１】
ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させてから塗布現像装置のウエハ搬送ハンド１５が受渡ステーション１３に到達するまでの時間は塗布現像装置の性能や塗布現像レシピーにより異なる。
【００８２】
ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）をＮｏｔ  Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させてから塗布現像装置のウエハ搬送ハンド１５が受渡ステーション１３に到達するまでの時間は塗布現像装置の性能や塗布現像レシピーにより異なる。
【００８３】
上記の実施形態では、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニットとＣＤウエハ搬送ユニットとの間でのウエハの受渡は、受渡ステーションを介してなされている。しかしながら、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニットとＣＤウエハ搬送ユニットとの間でのウエハの受渡は、直接なされてもよい。
【００８４】
上記の実施形態は、露光装置と塗布現像装置との間のウエハの受渡に本発明を適用した例であるが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明は、物品を処理する処理ユニットを含む処理装置と外部装置との間での物品の受渡に広く適用されうる。上記の露光装置は、処理装置の一例であり、上記の塗布現像装置は、外部装置の一例である。
【００８５】
次に上記の露光装置或いはリソグラフィーシステムを利用したデバイス製造方法を説明する。図１０は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル作製）では設計した回路パターンに基づいてレチクル（原版またはマスクともいう）を作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のレチクルとウエハを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
【００８６】
図１１は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（ＣＭＰ）ではＣＭＰ工程によって絶縁膜を平坦化する。ステップ１６（レジスト処理）では、上記のリソグラフィーシステムの塗布現像装置でウエハに感光剤を塗布する。ステップ１７（露光）では、上記のリソグラフィーシステムの露光装置で、回路パターンが形成されたマスクを介し感光剤が塗布されたウエハを露光してレジストに潜像パターンを形成する。ステップ１８（現像）では、上記のリソグラフィーシステムの塗布現像装置で、ウエハ上のレジストに形成された潜像パターンを現像して物理的なレジスパターンを形成する。ステップ１９（エッチング）ではレジストパターンが開口した部分を通してレジストパターンの下にある層又は基板をエッチングする。ステップ２０（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の好適な実施形態の露光装置の本体部分の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の好適な実施形態のリソグラフィーシステムの概略構成を示す図である。
【図３】ユーザーインターフェースとしての入出力装置２０の画面表示の一例を示す図である。
【図４】塗布現像装置２００から露光装置１００にウエハを搬入する際の動作例を示すタイミングチャートである。
【図５】露光装置１００から塗布現像装置２００にウエハを搬出する際の動作例を示すタイミングチャートである。
【図６Ａ】通常モードにおいて塗布現像装置２００から露光装置１００へウエハを搬入する際の動作例を示すフローチャートである。
【図６Ｂ】先行出力モードにおいて塗布現像装置２００から露光装置１００へウエハを搬入する際の動作例を示すフローチャートである。
【図７Ａ】通常モードにおいて露光装置１００から塗布現像装置２００へウエハを搬出する際の動作例を示すフローチャートである。
【図７Ｂ】先行出力モードにおいて露光装置１００から塗布現像装置２００へウエハを搬出する際の動作例を示すフローチャートである。
【図８】学習モード（ウエハ提供要求）における露光制御部１６の動作を例示するフローチャートである。
【図９】学習モード（ウエハ取去要求）における露光制御部１６の動作を例示するフローチャートである。
【図１０】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【図１１】上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。
【符号の説明】
【００８８】
１：照明装置
２：レチクル（原版）
３：レチクルステージ
４：レチクル位置計測機構
５：投影レンズ
６：ＸＹステージ
７：レーザ干渉計
８：Ｚステージ
９：ウエハ（基板）
１０：フォーカスユニット
１１：露光装置チャンバ
１２：塗布現像装置チャンバ
１３：受渡ステーション
１４：露光装置側ウエハ搬送ユニット
１５：塗布現像装置側ウエハ搬送ユニット
１６：露光制御部
１７：塗布現像制御部
１８：入出力装置
【図１】
2008091508.tif 000003
【図２】
2008091508.tif 000004
【図３】
2008091508.tif 000005
【図４】
2008091508.tif 000006
【図５】
2008091508.tif 000007
【図６Ａ】
2008091508.tif 000008
【図６Ｂ】
2008091508.tif 000009
【図７Ａ】
2008091508.tif 000010
【図７Ｂ】
2008091508.tif 000011
【図８】
2008091508.tif 000012
【図９】
2008091508.tif 000013
【図１０】
2008091508.tif 000014
【図１１】
2008091508.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月15日(2007.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理装置であって、
物品を処理する処理ユニットと、
外部装置が前記物品を前記処理装置に又は前記処理装置から搬送することを前記外部装置に要求する信号を、前記処理装置が前記外部装置による当該搬送が可能な状態になる前に、前記外部装置に出力する制御部と、
を備えることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記状態は、前記外部装置が物品を前記処理装置に搬送することができる状態であり、
前記制御部は、前記外部装置が前記物品を前記処理装置に搬送することを要求する信号を前記外部装置に出力することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記状態は、前記外部装置が物品を前記処理装置から搬送することができる状態であり、
前記制御部は、前記外部装置が前記物品を前記外部装置に搬送することを要求する信号を前記外部装置に出力することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記処理装置が前記状態になる時刻よりも設定された先行時間だけ早く、前記信号を出力することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項５】
前記先行時間を設定するための情報を受け付けるユーザーインターフェース部を更に備えることを特徴とする請求項４に記載の処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、学習により前記先行時間を決定することを特徴とする請求項４に記載の処理装置。
【請求項７】
前記処理ユニットは、基板を露光する露光ユニットを含むことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項８】
前記信号は、感光剤が塗布された基板を前記処理装置に搬送することを前記外部装置に要求する信号であることを特徴とする請求項７に記載の処理装置。
【請求項９】
前記信号は、露光がなされた基板を前記処理装置から搬送することを要求することを示す信号であることを特徴とする請求項７に記載の処理装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか１項に記載の処理装置で基板を露光する工程と、
該基板を現像する工程と、
該現像された基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理装置に係り、特に物品を処理する処理ユニットを含む処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等のデバイスを製造するための露光装置は、通常、塗布現像装置と接続して使用される。感光剤が塗布されたウエハは、露光装置と塗布現像装置の間で受け渡しされる。露光装置と塗布現像装置との間には、ウエハ受渡ステーションが配置される。露光装置は、ウエハ受渡ステーションに置かれたウエハをそこから取り去った後、次のウエハを受け取ることが可能になったタイミングで、次のウエハの提供を塗布現像装置に要求する。
【０００３】
また、露光装置は、露光がなされたウエハを塗布現像装置に渡す際には、ウエハをウエハ受渡ステーションに置いて塗布現像装置がウエハを受け取ることが可能になったタイミングで、ウエハ受渡ステーションから取り去るように塗布現像装置に要求する。
【特許文献１】特開２００２−７５８５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように次のウエハを受け取ることが可能になったタイミングで次のウエハの提供を塗布現像装置に要求する方式では、塗布現像装置は、当該要求を受けたことに応じてウエハ搬送ユニットを動作させる。塗布現像装置がウエハの提供要求を受けてから実際に受渡ステーションにウエハをおくまでに要する時間を時間Ｔとすると、露光装置は、次のウエハを受け取ることが可能になったタイミングから時間Ｔを経た後でなければ次のウエハを受け取ることができない。
【０００５】
また、上記のように、塗布現像装置がウエハを受け取ることが可能になったタイミングで受渡ステーションからのウエハの取り去りを要求する方式では、塗布現像装置は、当該要求を受けたことに応じてウエハ搬送ユニットを動作させる。ここで、塗布現像装置がウエハの取去要求を受けてから受渡ステーションからのウエハの取り去りに要する時間をＴとする。露光装置は、塗布現像装置がウエハの受け取りが可能になったタイミングから時間Ｔを経た後でなければ次のウエハを受渡ステーションに置くことができない。
【０００６】
本発明は、本発明者による上記の課題認識を契機としてなされたものであり、処理装置における処理のスループットを向上させることを例示的な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る処理装置は、物品を処理する処理ユニットと、制御部とを備える。前記制御部は、外部装置が前記物品を前記処理装置に又は前記処理装置から搬送することを前記外部装置に要求する信号を、前記処理装置が前記外部装置による当該搬送が可能な状態になる前に、前記外部装置に出力する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、処理装置における処理のスループットを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。図１は、本発明の好適な実施形態の露光装置の本体部分の概略構成を示す図である。本発明の好適な実施形態の露光装置１００は、光源を含む照明装置１と、パターンが形成されたレチクル（原版）２を保持するレチクルステージ３と、レチクルステージ３に保持されたレチクル２の位置を計測するレチクル位置計測ユニット４とを備える。露光装置１００はまた、投影光学系５と、感光剤が塗布されたウエハ（基板）９を位置決めするステージ装置２０とを備える。ステージ装置２０は、ウエハ９をＸＹ方向に位置決めするＸＹステージ６と、ウエハ９をＺ方向に位置決めするためのＺステージ８とを含む。露光装置１００はまた、ＸＹステージ６のＸＹ方向の位置を計測するレーザ干渉計７と、ウエハ９のＺ方向の位置を計測するフォーカスユニット１０とを備えている。レチクル２に形成されたパターンは、投影光学系５を介して、Ｚステージ８上のウエハ９に投影され、ウエハ９に塗布された感光剤に潜像パターンを形成する。この潜像パターンは、現像装置によって現像されて、物理的なパターンとなる。
【００１０】
図２は、本発明の好適な実施形態のリソグラフィーシステムの概略構成を示す図である。図２に示すリソグラフィーシステム３００は、図１に示す本体部分を有する露光装置（処理装置）１００と、現像塗布装置２００とを含む。露光装置１００は、露光チャンバ１１を備える。露光装置１００の本体部分、すなわち露光ユニット（処理ユニット）は、露光チャンバ１１内に配置される。図２では、簡単化のために、露光装置１００の本体部分として、ステージ装置２０のみが示されている。露光チャンバ１１内には、露光装置側ウエハ搬送ユニット（以下、ＥＸＰＯ搬送ユニット）１４、露光装置制御部１６、ユーザーインターフェースとしての入出力装置１８が配置されている。
【００１１】
塗布現像装置２００は、塗布現像チャンバ１２を備える。塗布現像装置２００の本体部分は、塗布現像チャンバ１２内に配置される。塗布現像チャンバ１２内には、塗布現像装置側ウエハ搬送ユニット（以下、ＣＤ搬送ユニット）１５、塗布現像装置制御部１７が配置されている。
【００１２】
ＥＸＰＯ搬送ユニット１４は、ＣＤ搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の第１位置（搬入ステーション）１３ａまで搬送したウエハを受け取り、露光ユニットのステージ装置２０まで搬送する。ＥＸＰＯ搬送ユニット１４は、露光が終了したウエハを受渡ステーション１３の第２位置（搬出ステーション）１３ｂまで搬送する。ＥＸＰＯ搬送ユニット１４は、ウエハアライメントユニット（不図示）を経由してウエハをＸＹステージ６に搬送する場合がある。露光チャンバ１１内には、複数のウエハ搬送ユニットが配置される場合がある。
【００１３】
以下において、「搬入」は、現像塗布装置２００からウエハ受渡ステーション１３の第１位置１３ａを経由して露光装置１００の本体部分（ステージ装置２０）にウエハが搬送される動作の全部又は一部を意味する。また、「搬出」は、露光装置１００から受渡ステーション１３の第２位置１３ｂを経由して現像塗布装置２００の本体部分にウエハが搬送される動作の全部又は一部を意味するものとする。
【００１４】
また、「提供要求」は、露光装置１００から塗布現像装置２００に対する要求であって、ＣＤ搬送ユニット１４によって受渡ステーションの第１位置１３ａにウエハを提供することの要求である。「取去要求」は、露光装置１００から塗布現像装置２００に対する要求であって、ＣＤ搬送ハンド１４によって受渡ステーションの第２位置１３ｂからウエハを取り去ることの要求である。提供要求及び取去要求は、露光装置１００が特定状態になったことを示す状態信号を発生（活性化）することによってなされる。提供要求信号は、それを示す状態信号と等価である。取去要求信号は、それを示す状態信号と等価である。
【００１５】
図３は、ユーザーインターフェースとしての入出力装置１８の画面表示の一例を示す図である。ここで、入出力装置１８の画面に表示されるパラメータについて説明をする。入力フィールド３０は、「オフセット時間（ウエハ提供要求）」が入力されるフィールドである。「オフセット時間（ウエハ提供要求）」は、露光装置１００から塗布現像装置２００に送られるウエハ提供要求信号の発生タイミングのオフセット時間（後述のＴＰ１）を意味する。露光装置１００は、入力フィールド３０に入力されたオフセット時間だけ、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）を本来の要求タイミングよりも早く発生（活性化）する。ここで、本来の要求タイミングとは、その要求タイミングと同じタイミングで要求が満たされてもよい状態に露光装置がなるタイミングを意味する。例えば、現像塗布装置２００から受渡ステーション１３の第１位置１３ａまでウエハが提供されてもよい状態に露光装置１００がなるタイミングは、提供要求信号の本来の要求タイミングである。入力フィールド３０に入力されたオフセット時間が０の場合には、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）は、本来の要求タイミングで発生する。
【００１６】
入力フィールド３２は、「オフセット時間（ウエハ取去要求）」が入力されるフィールドである。「オフセット時間（ウエハ取去要求）」は、露光装置１００から塗布現像装置２００に送られるウエハ取去要求信号の発生タイミングのオフセット時間（後述のＴＰ２）を意味する。露光装置１００は、入力フィールド３０に入力されたオフセット時間だけ、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）を本来の要求タイミングよりも早く発生（活性化）する。ここで、本来の要求タイミングとは、前述のように、その要求タイミングと同じタイミングで要求が満たされてもよい状態に露光装置がなるタイミングを意味する。例えば、現像塗布装置２００が受渡ステーション１３の第２位置１３ｂからウエハを取去ってもよい状態に露光装置１００がなるタイミングは、取去要求信号の本来の要求タイミングである。入力フィールド３２に入力されたオフセット時間が０の場合には、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）は、本来の要求タイミングで出力される。
【００１７】
チェックボックス３４は、「学習モード（ウエハ提供要求）」の機能のＯＮ、ＯＦＦを切り替えるために使用される。ＯＮボックス３４ａにチェックマークを入れると、「学習モード（ウエハ提供要求）」の機能がＯＮし、ＯＦＦボックス３４ｂにチェックマークを入れると、「学習モード（ウエハ提供要求）」の機能がＯＦＦする。学習モード（ウエハ提供要求）では、露光装置１００が塗布現像装置２００にウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）を出力してから現像塗布装置２００によって受渡ステーション１３の第１位置１３ａにウエハが提供されるまでの時間が計測される。そして、その計測結果に基づいてウエハ提供要求信号のタイミングのオフセット時間（ＴＰ１）が決定され。「学習モード（ウエハ提供要求）」の機能がＯＮに設定された場合には、入力フィールド３０に入力されたオフセット時間は無効とされ、計測結果に基づいて決定されるオフセット時間が使用される。「学習モード（ウエハ提供要求）」の機能がＯＦＦに設定された場合には、入力フィールド３０に入力されたオフセット時間が有効となる。
【００１８】
チェックボックス３６は、「学習モード（ウエハ取去要求）」の機能のＯＮ、ＯＦＦを切り替えるために使用される。ＯＮボックス３６ａにチェックマークを入れると、「学習モード（ウエハ取去要求）」の機能がＯＮし、ＯＦＦボックス３６ｂにチェックマークを入れると、「学習モード（ウエハ取去要求）」の機能がＯＦＦする。学習モード（ウエハ取去要求）では、露光装置１００が塗布現像装置２００にウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）を出力してから現像塗布装置２００によって受渡ステーション１３の第２位置１３ｂからウエハが取り去られるまでの時間が計測される。そして、その計測結果に基づいてウエハ取去要求信号のタイミングのオフセット時間が決定される。「学習モード（ウエハ取去要求）」の機能がＯＮに設定された場合には、入力フィールド３２に入力されたオフセット時間は無効とされ、計測結果に基づいて決定されるオフセット時間が使用される。「学習モード（ウエハ取去要求）」の機能がＯＦＦに設定された場合には、入力フィールド３２に入力されたオフセット時間が有効となる。
【００１９】
以下では、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）又はウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）を本来のタイミングより先行して出力するモードを先行出力モード、これらを本来のタイミングで出力するモードを通常モードと呼ぶ。
【００２０】
図４は、塗布現像装置２００から露光装置１００にウエハを搬入する際の動作例を示すタイミングチャートである。図４の（ａ）は、通常モードにおける動作例を示し、図４の（ｂ）は、先行出力モードにおける動作例を示している。以下に、図４に示された信号について説明する。
【００２１】
＜Ｗａｆｅｒ  Ｃａｒｒｙｉｎｇ  Ｉｎ  Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ信号＞
Ｗａｆｅｒ  Ｃａｒｒｙｉｎｇ  Ｉｎ  Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ信号は、露光装置１００内部の状態信号であって、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４の動作状態を示す。ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４がウエハの搬送処理を実行している間はＩｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓステート、実行していない間はＯｆｆステートになる。
【００２２】
＜Ｗａｆｅｒ  Ｉｎ  Ｓｅｎｓｏｒ信号＞
Ｗａｆｅｒ  Ｉｎ  Ｓｅｎｓｏｒ信号は、ウエハ受渡搬入ステーション１３の第１位置（搬入ステーション）１３ａにおけるウエハの有無を検知するウエハ検出センサー１３Ｓａの出力信号である。ウエハが存在する場合はＥｘｉｓｔステート、存在していない場合はＮｏｎｅステートになる。
【００２３】
＜Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号＞
Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号は、露光装置１００の露光制御部１６から塗布現像装置２００の塗布現像制御部１７に出力されるウエハ提供要求信号（ウエハの提供を要求する状態であることを示す状態信号）である。ウエハ提供要求信号は、露光装置１００が塗布現像装置２００に対して、ＣＤ搬送ハンド１４によって受渡ステーション１３の第１位置１３ａにウエハを提供することを要求する信号である。ウエハの提供を要求している間はＲｅｑｕｅｓｔステート、要求していない間はＮｏｔＲｅａｄｙステートになる。
【００２４】
＜Ｗａｆｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙ信号＞
Ｗａｆｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙ信号は、塗布現像装置２００の塗布現像制御部１７から露光装置１００の露光制御部１６に出力される信号である。Ｗａｆｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙ信号は、ＣＤ搬送ハンド１４によって受渡ステーション１３の第１位置１３ａにウエハが提供されたタイミングでＳｕｐｐｌｉｅｄステートになる。また、Ｗａｆｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙ信号は、Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号がＮｏｔＲｅａｄｙステートになると、ＮｏｔＳｕｐｐｌｉｅｄステートになる。
【００２５】
図５は、露光装置１００から塗布現像装置２００にウエハを搬出する際の動作例を示すタイミングチャートである。図５の（ａ）は、通常モードにおける動作例を示し、図５の（ｂ）は、先行出力モードにおける動作例を示している。以下に、図５に示された信号について説明する。
【００２６】
＜Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号＞
Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、塗布現像装置２００の塗布現像制御部１７から露光装置１００の露光制御部１６に出力される搬送完了信号である。Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、塗布現像装置２００がＣＤ搬送ハンド１４によって受渡ステーション１３の第２位置１３ｂからウエハを取り去る準備が完了したことを示す信号である。Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、ＣＤ搬送ハンド１４によって受渡ステーション１３の第２位置１３ｂからウエハを取り去る準備が完了したタイミングでＲｅａｄｙステートになる。Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ信号がＰｌａｃｅｄステートになると、ＮｏｔＲｅａｄｙステートになる。
【００２７】
＜Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ  Ｓｅｎｓｏｒ信号＞
Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ  Ｓｅｎｓｏｒ信号は、ウエハ搬出ステーション１３の第２位置１３ｂにおけるウエハの有無を検知するウエハ検出センサー１３Ｓｂの出力信号である。ウエハが存在する場合はＥｘｉｓｔステート、存在していない場合はＮｏｎｅステートになる。
【００２８】
＜Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ信号＞
Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ信号は、露光装置１００から塗布現像装置２００に出力されるウエハ取去要求信号である（ウエハの取り去りを要求する状態であることを示す状態信号）。ウエハ取去要求信号は、露光装置１００が塗布現像装置２００に対して、ＣＤ搬送ハンド１４によって受渡ステーションの第２位置１３ｂからウエハを取り去ることを要求する信号である。受渡ステーションの第２位置１３ｂにウエハが配置されている間はＲｅｑｕｅｓｔステート、それ以外ではＮｏｔ  Ｒｅａｄｙステートになる。
【００２９】
＜Ｗａｆｅｒ  Ｃａｒｒｙｉｎｇ  Ｏｕｔ  Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ信号＞
Ｗａｆｅｒ  Ｃａｒｒｙｉｎｇ  Ｏｕｔ  Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ信号は、塗布現像装置２００内部の状態信号であって、ＣＤウエハ搬送ユニット１５の動作状態を示す。ＣＤウエハ搬送ユニット１５が搬送処理を実行している間はＩｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓステート、実行していない間はＯｆｆステートになる。
【００３０】
図６Ａは、通常モードにおいて塗布現像装置２００から露光装置１００へウエハを搬入する際の動作例を示すフローチャートである。
【００３１】
Ｓ６０１において、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が搬送処理を開始する。具体的には、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が受渡ステーション１３の第１位置１３ａに向けて移動を開始する。このタイミングは、図４のｔ１に対応する。
【００３２】
Ｓ６０２において、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が受渡ステーション１３の第１位置１３ａのウエハを保持して第１位置１３ａから取り去って、ステージ装置２０に移動させる。この際に、Ｗａｆｅｒ  Ｉｎ  Ｓｅｎｏｒ信号がＥｘｉｓｔ状態からＮｏｎｅ状態に変化する。このタイミングは、図４のｔ２に対応する。
【００３３】
Ｓ６０３において、露光制御部１６は、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４のハンドが安全領域まで退避するまでの時間Ｔ３秒が経過するのを待つ。
【００３４】
Ｓ６０４において、露光制御部１６は、ウエハ搬入要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させる。このタイミングは、図４（ａ）のｔ３に対応する。
【００３５】
Ｓ６０５において、塗布現像装置２００は、受渡ステーション１３の第１位置１３ａへのウエハの搬送を開始する。
【００３６】
図４における時間Ｔ２は、ＣＤウエハ搬送ユニット１５のハンドが、受渡ステーション１３の第１位置１３ａに到達するまでの時間で、時間Ｔ２においては、受渡ステーション１３にＣＤウエハ搬送ハンド１５のハンドが進入することはない。
【００３７】
Ｓ６０６において、Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号をＮｏｔＲｅａｄｙからＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させたタイミングから時間Ｔ１が経過したタイミングでＣＤウエハ搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の第１位置１３ａにウエハが配置される。このタイミングで、塗布現像制御部１７は、Ｗａｆｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙ信号をＮｏｔＳｕｐｐｌｉｅｄ状態からＳｕｐｐｌｉｅｄ状態に変化させる。このタイミングは、図４（ａ）のｔ４に対応する。図４における時間Ｔ６は、ＣＤウエハ搬送ユニット１５のハンドが受渡ステーション１３の第１位置１３ａに進入してから第１位置１３ａにウエハを配置するまでの時間である。
【００３８】
図６Ｂは、先行出力モードにおいて塗布現像装置２００から露光装置１００へウエハを搬入する際の動作例を示すフローチャートである。
【００３９】
Ｓ６１１において、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が搬送処理を開始する。具体的には、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４のハンドが受渡ステーション１３の第１位置１３ａに向けて移動を開始する。  Ｓ６１２において、露光制御部１６は、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングｔ１１を計算する。ここで、先行出力モードでは、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングが本来のタイミングよりも時間ＴＰ１だけ先行して出力される。図４では、時間ＴＰ１が最大値ＴＰ１ｍａｘである場合（ＴＰ１ｍａｘ＝Ｔ１−Ｔ６）が示されている。ここで、時間ＴＰ１は、０≦ＴＰ１≦ＴＰ１ｍａｘの範囲で入力フィールド３０に入力することができる。
【００４０】
ＴＰ１ｍａｘについて説明する。露光制御部１６は、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４のハンドが受渡ステーション１３に向けて移動を開始したタイミング（ｔ１）から該搬送ユニット１４が第１位置１３ａのウエハを保持して第１位置１３ａから取り去るまで要する時間Ｔ５を予め知っている。
【００４１】
ＴＰ１ｍａｘは、（Ｔ２−Ｔ３）で表現され、ＴＰ１ｍａｘ（ＴＰ１）が（Ｔ２−Ｔ３）よりも大きいと、ＥＸＰＯウエハ搬送ハンド１４が安全領域まで退避する前にＣＤウエハユニット１５が受渡ステーション１３に侵入して、両者が衝突する可能性がある。
【００４２】
露光制御部１６は、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングｔ１１を式（１）にしたがって計算する。
【００４３】
ｔ１１＝ｔ１＋Ｔ５＋Ｔ３−ＴＰ１  ・・・（１）
Ｓ６１３において、露光制御部１６は、計算したタイミングｔ１１で、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させる。  Ｓ６１４において、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が受渡ステーション１３の第１位置１３ａのウエハを保持して第１位置１３ａから取り去ってステージ装置２０に移動させる。この際に、Ｗａｆｅｒ  Ｉｎ  Ｓｅｎｏｒ信号がＥｘｉｓｔ状態からＮｏｎｅ状態に変化する。このタイミングは、図４におけるｔ２に対応する。
【００４４】
Ｓ６１５において、塗布現像２００は、受渡ステーション１３の第１位置１３ａへのウエハの搬送を開始する。この処理と並行して、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４は、受渡ステーション１３の第１位置１３ａのウエハをステージ装置２０に搬送する搬送処理を継続する。
【００４５】
Ｓ６１６において、Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号をＮｏｔＲｅａｄｙからＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させたタイミングから時間Ｔ１が経過したタイミングでＣＤウエハ搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の第１位置１３ａにウエハが配置される。このタイミングで、塗布現像制御部１７は、Ｗａｆｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙ信号をＮｏｔＳｕｐｐｌｉｅｄ状態からＳｕｐｐｌｉｅｄ状態に変化させる。このタイミングは、図４におけるｔ１２に対応する。
【００４６】
ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）を先行時間ＴＰ１だけ本来のタイミングよりも早く発生することによって、受渡ステーション１３の第１位置１３ａに塗布現像装置２００によってウエハが提供されるタイミングがＴＰ１だけ早くなる。
【００４７】
図７Ａは、通常モードにおいて露光装置１００から塗布現像装置２００へウエハを搬出する際の動作例を示すフローチャートである。
【００４８】
Ｓ７０１において、ＣＤウエハ搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の第２位置１３ｂからウエハを取り去って現像ユニットに搬送する搬送処理が終了したタイミングで、塗布現像制御部１７が搬送完了信号（Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ）を変化させる。具体的には、このタイミングで、塗布現像制御部１７は、搬送完了信号（Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅａｄｙ状態に変化させる。このタイミングは、図５におけるｔ２１に対応する。
【００４９】
Ｓ７０２において、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が受渡ステーション１３の第２位置１３ｂにウエハを搬送する処理を開始する。
【００５０】
Ｓ７０３において、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が、受渡ステーション１３の第２位置１３ｂへのウエハの配置を完了する。このタイミングで、ウエハ検出センサー１３Ｓｂの出力信号（Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ  Ｓｅｎｏｒ）がＮｏｎｅ状態からＥｘｉｓｔ状態に変化する。このタイミングは、図５のｔ２２に対応する。
【００５１】
Ｓ７０４において、露光制御部１６は、塗布現像制御部１７が露光制御部１６に搬送完了信号（Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅａｄｙ状態に変化させたタイミングｔ２１から時間Ｔａが経過するのを待つ。その後、露光制御部１６は、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）Ｎｏｔ  Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させる。このタイミングは、図５におけるｔ２３に対応する。図５において、時間Ｔｅは、ウエハ検出センサー１３Ｓｂの出力信号（Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ  Ｓｅｎｏｒ）がＮｏｎｅ状態からＥｘｉｓｔ状態に変化してから露光装置１００のウエハ搬送ユニット１４が安全領域まで退避するまでの時間である。
【００５２】
Ｓ７０５において、ＣＤウエハ搬送ユニット１５がウエハの搬送処理を開始する。具体的には、塗布現像装置２００のウエハ搬送ユニット１５のハンドが受渡ステーション１３の第２位置１３ｂへの移動を開始する。
【００５３】
図５における時間Ｔｂは、ＣＤウエハ搬送ユニット１５のハンドが、受渡ステーション１３の第２位置１３ｂに到達するまでの時間で、この時間は、受渡ステーション１３にＣＤウエハ搬送ユニット１５のハンドが進入することはない。
【００５４】
Ｓ７０６において、ＣＤウエハ搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の第２位置１３ｂからウエハを取り去る。これにより、ウエハ検出センサー１３Ｓｂの出力信号（Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ  Ｓｅｎｏｒ）がＥｘｉｔ状態からＮｏｎｅ状態に変化する。
【００５５】
図７Ｂは、先行出力モードにおいて露光装置１００から塗布現像装置２００へウエハを搬出する際の動作例を示すフローチャートである。
【００５６】
Ｓ７１１において、ＣＤウエハ搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の第２位置１３ｂからウエハを取り去って現像ユニットに搬送する搬送処理が終了したタイミングで、塗布現像制御部１７が搬送完了信号（Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ）を変化させる。具体的には、このタイミングで、塗布現像制御部１７は、搬送完了信号（Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅａｄｙ状態に変化させる。このタイミングは、図５におけるｔ２１に対応する。
【００５７】
Ｓ７１２において、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４が受渡ステーション１３の第２位置１３ｂにウエハを搬送する処理を開始する。
【００５８】
Ｓ７１３において、露光制御部１６は、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ）をＮｏｔ  Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングを計算する。ここで、先行出力モードでは、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ）をＮｏｔ  Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングが本来のタイミングよりも時間ＴＰ２だけ先行して出力される。図５では、時間ＴＰ２が最大値ＴＰ２ｍａｘである場合（ＴＰ２ｍａｘ＝Ｔｂ）が示されている。ここで、時間ＴＰ２は、０≦ＴＰ２≦ＴＰ２ｍａｘの範囲で入力フィールド３２に入力することができる。
【００５９】
ＴＰ２ｍａｘについて説明する。時間Ｔｂは、ＣＤ搬送ユニット１５のハンドが受渡ステーション１３の第２位置１３ｂに到達するまでの時間で、この時間内は、受渡ステーション１３にＣＤ搬送ユニット１５のハンドが進入することはない。ＴＰ２ｍａｘ（ＴＰ２）がＴｂよりも大きいと、ＥＸＰＯウエハ搬送ハンド１４のハンドが安全領域まで退避する前に塗布現像装置２００のＣＤ搬送ユニット１５のハンドが受渡ステーション１３に侵入して、両者が衝突する可能性がある。
【００６０】
露光装置１００は、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニット１４のハンドが受渡ステーション１３の第２位置１３ｂに向けて移動を開始したタイミングｔ２１から第２位置１３ｂにウエハを配置するまでに要する時間Ｔａを性能情報として知っている。
【００６１】
露光制御部１６は、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ）をＮｏｔ  Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングを式（２）にしたがって計算する。
【００６２】
ｔ２４＝ｔ２１＋Ｔａ−ＴＰ２  ・・・（２）
Ｓ７１４において、露光制御部１６は、タイミングｔ２４においてウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）をＮｏｔ  Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させる。
Ｓ７１５において、塗布現像装置２００のＣＤ搬送ユニット１５がウエハの搬送処理を開始する。具体的には、塗布現像装置２００のＣＤ搬送ユニット１５のハンドが受渡ステーション１３の第２位置１３ｂへの移動を開始する。
【００６３】
Ｓ７１６において、露光装置１００のＥＸＰＯ搬送ユニット１４が、タイミングｔ２１からＴａ時間後に受渡ステーション１３の第２位置１３ｂへのウエハの配置を完了する。
【００６４】
Ｓ７１７において、塗布現像装置２００のＣＤ搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の第２位置１３ｂからウエハを取り去る。これにより、ウエハ検出センサー１３Ｓｂの出力信号（Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ  Ｓｅｎｏｒ）がＥｘｉｔ状態からＮｏｎｅ状態に変化する。
【００６５】
ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）を先行時間ＴＰ２だけ本来のタイミングよりも早く発生することによって、受渡ステーション１３の第２位置１３ｂから塗布現像装置２００によってウエハが取り去られるタイミングがＴＰ２だけ早くなる。
【００６６】
図８は、学習モード（ウエハ提供要求）における露光制御部１６の動作を例示するフローチャートである。学習モード（ウエハ提供要求）は、前述のように、ＯＮボックス３４ａにチェックマークが入れられることに応じてＯＮされる。学習モード（ウエハ提供要求）では、露光装置１００がウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）を出力してから現像塗布装置２００から受渡ステーション１３の第１位置１３ａにウエハが提供されるまでの時間が計測される。そして、その計測結果に基づいてウエハ提供要求信号のタイミングのオフセット時間（ＴＰ１）が決定される。
【００６７】
以下で説明する処理において、Ｎ、Ｍは、例えば入出力装置１８を使って、予め設定されているものとする。
【００６８】
Ｓ８０１において、露光制御部１６は、Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  ＮｕｍｂｅｒがＮより大きいか否かが判断され、Ｎより大きければＳ８０２に処理を進め、Ｎ以下であれば、Ｎより大きくなるまで待つ。ここで、Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒは、ロット開始時に１に初期化され、ウエハが露光装置１００に搬入される度にカウントアップされる。
【００６９】
Ｓ８０２において、露光制御部１６は、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）がＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態へ変化したタイミング（ｔ３）で、その時刻を変数ＴｉｍｅＡに格納する。
【００７０】
Ｓ８０３において、露光制御部１６は、Ｗａｆｅｒ  Ｉｎ  Ｓｅｎｓｏｒ信号がＮｏｎｅ状態からＥｘｓｉｓｔ状態へ変化したタイミング（ｔ４）でその時刻を変数ＴｉｍｅＢに格納する。
【００７１】
Ｓ８０４において、露光制御部１６は、ＴｉｍｅＢとＴｉｍｅＡとの差を求め、配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ）に格納する。
【００７２】
Ｓ８０５において、露光制御部１６は、Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  ＮｕｍｂｅｒがＭ以上であるか否か判断し、Ｎ以上であればＳ８０６に処理を進め、Ｎ未満であればＳ８０１に処理を戻す。
【００７３】
Ｓ８０６において、露光制御部１６は、配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ）の最小値を求め、この値から前述の時間Ｔ６を減じた時間に基づいて先行時間ＴＰ１を決定する。配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ）の最小値から時間Ｔ６を減じた時間を先行時間ＴＰ１とすることができる。或いは、配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ）の最小値から時間Ｔ６を減じ、更に余裕時間を減じて先行時間ＴＰ１としてもよい。
【００７４】
図９は、学習モード（ウエハ取去要求）における露光制御部１６の動作を例示するフローチャートである。学習モード（ウエハ取去要求）は、前述のように、ＯＮボックス３６ａにチェックマークが入れられることに応じてＯＮされる。学習モード（ウエハ取去要求）では、露光装置１００がウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）を出力してから現像塗布装置２００から受渡ステーション１３の第２位置１３ｂにウエハが提供されるまでの時間が計測される。そして、その計測結果に基づいてウエハ取去要求信号のタイミングのオフセット時間が決定される。
【００７５】
Ｓ９０１において、Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  ＮｕｍｂｅｒがＮより大きいか否かが判断され、Ｎより大きければＳ８０２に処理を進め、Ｎ以下であれば、Ｎより大きくなるまで待つ。ここで、Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒは、ロット開始時に１に初期化され、ウエハが露光装置１００に搬入される度にカウントアップされる。  Ｓ９０２において、露光制御部１６は、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態へ変化させたタイミング（ｔ２３）でその時刻を変数ＴｉｍｅＡに格納する。
【００７６】
Ｓ９０３において、露光制御部１６は、Ｗａｆｅｒ  Ｏｕｔ  Ｓｅｎｓｏｒ信号がＥｘｓｉｔ状態からＮｏｎｅ状態へ変化したタイミング（ｔ２４）でその時刻を変数ＴｉｍｅＢに格納する。
【００７７】
Ｓ９０４において、露光制御部１６は、ＴｉｍｅＢとＴｉｍｅＡとの差を求め、配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒに格納する。
【００７８】
Ｓ９０５において、露光制御部１６は、Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  ＮｕｍｂｅｒがＭ以上であるか否か判断し、Ｎ以上であればＳ９０６に処理を進め、Ｎ未満であればＳ９０１に処理を戻す。
【００７９】
Ｓ９０６において、配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ）の最小値を求め、この値から前述の時間Ｔｄを減じた時間に基づいて先行時間ＴＰ２を決定する。配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ）の最小値から時間Ｔｄを減じた時間を先行時間ＴＰ２とすることができる。或いは、配列変数Ｔｉｍｅ（Ｓｅｒｉａｌ  Ｗａｆｅｒ  Ｎｕｍｂｅｒ）の最小値から時間Ｔｄを減じ、更に余裕時間を減じて先行時間ＴＰ２としてもよい。
【００８０】
以上の説明では、露光装置から塗布現像装置に信号を提供するタイミングを本来のタイミングよりも早くすることによって、ウエハの搬送タイミングを早くし、スループットを向上させる。これとは逆に、塗布現像装置から露光装置に信号を提供するタイミングを本来のタイミングよりも早くすることによって、ウエハの搬送タイミングを早くし、スループットを向上させることもできる。
【００８１】
ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させてから塗布現像装置のＣＤ搬送ハンド１５が受渡ステーション１３に到達するまでの時間は塗布現像装置の性能や塗布現像レシピーにより異なる。
【００８２】
ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）をＮｏｔ  Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させてから塗布現像装置のＣＤ搬送ハンド１５が受渡ステーション１３に到達するまでの時間は塗布現像装置の性能や塗布現像レシピーにより異なる。
【００８３】
上記の実施形態では、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニットとＣＤウエハ搬送ユニットとの間でのウエハの受渡は、受渡ステーションを介してなされている。しかしながら、ＥＸＰＯウエハ搬送ユニットとＣＤウエハ搬送ユニットとの間でのウエハの受渡は、直接なされてもよい。
【００８４】
上記の実施形態は、露光装置と塗布現像装置との間のウエハの受渡に本発明を適用した例であるが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明は、物品を処理する処理ユニットを含む処理装置と外部装置との間での物品の受渡に広く適用されうる。上記の露光装置は、処理装置の一例であり、上記の塗布現像装置は、外部装置の一例である。
【００８５】
次に上記の露光装置或いはリソグラフィーシステムを利用したデバイス製造方法を説明する。図１０は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル作製）では設計した回路パターンに基づいてレチクル（原版またはマスクともいう）を作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のレチクルとウエハを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
【００８６】
図１１は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（ＣＭＰ）ではＣＭＰ工程によって絶縁膜を平坦化する。ステップ１６（レジスト処理）では、上記のリソグラフィーシステムの塗布現像装置でウエハに感光剤を塗布する。ステップ１７（露光）では、上記のリソグラフィーシステムの露光装置で、回路パターンが形成されたマスクを介し感光剤が塗布されたウエハを露光してレジストに潜像パターンを形成する。ステップ１８（現像）では、上記のリソグラフィーシステムの塗布現像装置で、ウエハ上のレジストに形成された潜像パターンを現像して物理的なレジスパターンを形成する。ステップ１９（エッチング）ではレジストパターンが開口した部分を通してレジストパターンの下にある層又は基板をエッチングする。ステップ２０（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の好適な実施形態の露光装置の本体部分の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の好適な実施形態のリソグラフィーシステムの概略構成を示す図である。
【図３】ユーザーインターフェースとしての入出力装置２０の画面表示の一例を示す図である。
【図４】塗布現像装置２００から露光装置１００にウエハを搬入する際の動作例を示すタイミングチャートである。
【図５】露光装置１００から塗布現像装置２００にウエハを搬出する際の動作例を示すタイミングチャートである。
【図６Ａ】通常モードにおいて塗布現像装置２００から露光装置１００へウエハを搬入する際の動作例を示すフローチャートである。
【図６Ｂ】先行出力モードにおいて塗布現像装置２００から露光装置１００へウエハを搬入する際の動作例を示すフローチャートである。
【図７Ａ】通常モードにおいて露光装置１００から塗布現像装置２００へウエハを搬出する際の動作例を示すフローチャートである。
【図７Ｂ】先行出力モードにおいて露光装置１００から塗布現像装置２００へウエハを搬出する際の動作例を示すフローチャートである。
【図８】学習モード（ウエハ提供要求）における露光制御部１６の動作を例示するフローチャートである。
【図９】学習モード（ウエハ取去要求）における露光制御部１６の動作を例示するフローチャートである。
【図１０】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【図１１】上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。
【符号の説明】
【００８８】
１：照明装置
２：レチクル（原版）
３：レチクルステージ
４：レチクル位置計測機構
５：投影レンズ
６：ＸＹステージ
７：レーザ干渉計
８：Ｚステージ
９：ウエハ（基板）
１０：フォーカスユニット
１１：露光装置チャンバ
１２：塗布現像装置チャンバ
１３：受渡ステーション
１４：露光装置側ウエハ搬送ユニット
１５：塗布現像装置側ウエハ搬送ユニット
１６：露光制御部
１７：塗布現像制御部
１８：入出力装置