(57)【要約】【課題】  中性塩濃度の高い洗浄排水の場合でも、少量の強酸性カチオン交換樹脂および強塩基性アニオン交換樹脂を用いて効率よく中性塩を分解して除去し、大量の純水を製造することができ、従来の装置をそのまま用いて処理することが可能な純水製造方法および装置を提供する。【解決手段】  ウエットプロセスの高純度洗浄排水を供給し、活性炭塔１で活性炭ＡＣで前処理し、弱アニオン交換塔２で弱塩基性アニオン交換樹脂ＷＡと接触させて脱アニオンした後、強アニオン交換塔３で強塩基性アニオン交換樹脂ＳＡと接触させて中性塩を分解するとともに、分解により生成するアニオンを交換吸着してさらに脱アニオンし、次いで強カチオン交換塔４で強酸性カチオン交換樹脂ＳＣと接触させて脱カチオンし、純水を製造する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品製造工程のウエットプロセスから排出され、酸およびアンモニウム塩を含む高純度洗浄排水を、弱塩基性アニオン交換樹脂と接触させて脱アニオンした後、強塩基性アニオン交換樹脂と接触させてさらに脱アニオンし、次いで強酸性カチオン交換樹脂と接触させて脱カチオンすることを特徴とする純水製造方法。
【請求項２】
高純度洗浄排水が、半導体製造排水または液晶製造排水である請求項１記載の方法。
【請求項３】
強塩基性アニオン交換樹脂がＩ型強塩基性アニオン交換樹脂である請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
電子部品製造工程のウエットプロセスから排出され、酸およびアンモニウム塩を含む高純度洗浄排水を導入して脱アニオンする弱塩基性イオン交換樹脂層と、
弱塩基性イオン交換樹脂層からの処理水を導入してさらに脱アニオンする強塩基性イオン交換樹脂層と、
強塩基性イオン交換樹脂層からの処理水を導入して脱カチオンする強酸性イオン交換樹脂層と
を含むことを特徴とする純水製造装置。
【請求項５】
高純度洗浄排水が、半導体製造排水または液晶製造排水である請求項４記載の装置。
【請求項６】
強塩基性アニオン交換樹脂層がＩ型強塩基性アニオン交換樹脂層である請求項４または５記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品製造工程のウエットプロセスから排出され、酸およびアンモニウム塩を含む高純度洗浄排水を、アニオン交換樹脂およびカチオン交換樹脂で脱イオンして純水を製造する純水製造方法および装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体工場や液晶工場などの電子部品製造工程のウエットプロセスでは、高純度の超純水を洗浄水として電子部品を洗浄しているため、電子部品製造工程で使用される酸や中性塩等を含む高純度洗浄排水が排出される。このような洗浄排水は、含まれる酸や中性塩等を除けば高純度であるため、イオン交換樹脂により不純物イオンを除去して、処理水を純水として回収することが行われている。
【０００３】
図３は特許文献１（特公昭６１−１１９２号公報）に示された従来の純水製造方法を示すフロー図である。図３において、活性炭層ＡＣを充填した活性炭塔１、弱塩基性アニオン交換樹脂層ＷＡを充填した弱アニオン交換塔２、強酸性カチオン交換樹脂層ＳＣを充填した強カチオン交換塔４、強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡを充填した強アニオン交換塔３がラインＬ１〜Ｌ５により、この順序で直列に配置されている。この装置では、再生剤等のラインが設けられているが、これらは省略して図示されている。
【０００４】
上記の方法では、ラインＬ１〜Ｌ５を通してウエットプロセスの洗浄排水を供給し、活性炭塔１で活性炭層ＡＣで前処理し、弱アニオン交換塔２で弱塩基性アニオン交換樹脂層ＷＡと接触させて鉱酸類を除去した後、強カチオン交換塔４で強酸性カチオン交換樹脂層ＳＣと接触させて脱カチオンし、次いで強アニオン交換塔３で強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＷと接触させてさらに脱アニオンして純水を製造する。
【０００５】
このような従来の方法では、ウエットプロセスの洗浄排水がフッ酸、その他の酸成分を含む酸性水であるので、弱塩基性アニオン交換樹脂層ＷＡにより酸成分を除去し、その後通常の純水製造と同様に、強酸性カチオン交換樹脂層ＳＣおよび強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡの順でイオン交換し、純水を製造している。この方法では、除去対象となる不純物イオンは、酸成分が大部分であるため、弱塩基性アニオン交換樹脂の使用量を多くしており、中性塩は少量であるのでこれを除去するために、少量の強酸性カチオン交換樹脂および強塩基性アニオン交換樹脂を組合わせて処理を行っている。
【０００６】
ところが電子部品製造工程のウエットプロセスで使用する薬品の変化により、洗浄排水に含まれるイオン組成が変化し、酸の量が減少し、アンモニウム塩のような中性塩が増加する場合、少量の強酸性カチオン交換樹脂および強塩基性アニオン交換樹脂を用いる従来の装置をそのまま用いて、高濃度の中性塩を含む洗浄排水を処理すると、短時間で強酸性カチオン交換樹脂層ＳＣおよび強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡからのイオンの漏出が始まり、このため大量の高純度純水を製造することができなくなる。上記の方法に使用される装置は設置当時の被処理水に合わせて設計されているので、被処理水の変化に対応して装置を変更するのは困難であるという問題点があった。
【特許文献１】特公昭６１−１１９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、中性塩濃度の高い洗浄排水の場合でも、少量の強酸性カチオン交換樹脂および強塩基性アニオン交換樹脂を用いて効率よく中性塩を分解して除去し、大量の純水を製造することができ、従来の装置をそのまま用いて処理することが可能な純水製造方法および装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、次の純水製造方法および装置である。
（１）  電子部品製造工程のウエットプロセスから排出され、酸およびアンモニウム塩を含む高純度洗浄排水を、弱塩基性アニオン交換樹脂と接触させて脱アニオンした後、強塩基性アニオン交換樹脂と接触させてさらに脱アニオンし、次いで強酸性カチオン交換樹脂と接触させて脱カチオンすることを特徴とする純水製造方法。
（２）  高純度洗浄排水が、半導体製造排水または液晶製造排水である上記（１）記載の方法。
（３）  強塩基性アニオン交換樹脂がＩ型強塩基性アニオン交換樹脂である上記（１）または（２）記載の方法。
（４）  電子部品製造工程のウエットプロセスから排出され、酸およびアンモニウム塩を含む高純度洗浄排水を導入して脱アニオンする弱塩基性イオン交換樹脂層と、
弱塩基性イオン交換樹脂層からの処理水を導入してさらに脱アニオンする強塩基性イオン交換樹脂層と、
強塩基性イオン交換樹脂層からの処理水を導入して脱カチオンする強酸性イオン交換樹脂層と
を含むことを特徴とする純水製造装置。
（５）  高純度洗浄排水が、半導体製造排水または液晶製造排水である上記（４）記載の装置。
（６）  強塩基性アニオン交換樹脂層がＩ型強塩基性アニオン交換樹脂層である上記（４）または（５）記載の装置。
【０００９】
本発明において、処理の対象となる被処理水は、半導体工場や液晶工場などの電子部品製造工程のウエットプロセスから排出される高純度洗浄排水であり、酸および中性塩を含む高純度洗浄排水、特にアンモニウム塩等の中性塩を高濃度で含む高純度洗浄排水が挙げられる。電子部品製造工程としては、半導体工場や液晶工場などの他にも、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ等のディスプレイ装置、その他の高純度洗浄排水が排出されるウエットプロセスを伴う電子部品製造工程が含まれる。
【００１０】
上記の電子部品製造工程のウエットプロセスでは、高純度の超純水を洗浄水として半導体や液晶等の電子部品を洗浄しており、このとき洗浄剤として用いられる酸、アンモニア等が洗浄排水に含まれるが、これらの成分以外は高純度の排水である。洗浄排水に含まれる酸としては、フッ酸（ＨＦ）および硝酸（ＨＮＯ３）が多いが、この他に塩酸（ＨＣｌ）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、リン酸（Ｈ３ＰＯ３）などがある。中性塩としては、これらの酸のアンモニウム塩が一般的であるが、他の塩でもよい。
【００１１】
本発明においては、処理の対象となる被処理水は、全アニオンに占める酸と中性塩の比率（モル比）が４：１〜２：１と、中性塩の比率が高いものが処理に適している。通常全アニオンに占める酸と中性塩の比率で、酸が５倍以上である場合は、弱塩基性アニオン交換樹脂層ＷＡ→強酸性カチオン交換樹脂層ＳＣ→強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡの処理でも処理可能である。
【００１２】
高純度洗浄排水に含まれる酸および中性塩の種類は電子部品製造工程で用いる薬剤によって異なるが、上記の酸はいずれも弱塩基性アニオン交換樹脂によって交換吸着が可能である。洗浄剤として用いられるアンモニアは、これらの酸のアンモニウム塩として、中性塩の形で洗浄排水に含まれるので、強酸性カチオン交換樹脂および強塩基性アニオン交換樹脂により中性塩分解および交換吸着が可能である。高純度洗浄排水に過酸化水素、有機物、その他の非イオン性物質が含まれる場合は、活性炭等による前処理を行うことができる。
【００１３】
電子部品製造工程において高純度の超純水を洗浄水として電子部品を洗浄するウエットプロセスでは、洗浄排水中にカルシウム、マグネシウム等のスケール成分を含まないので、本発明ではこの特性を利用して、強塩基性アニオン交換樹脂による処理を先に行うが、洗浄排水中にカルシウム、マグネシウム等のスケール成分を含む場合には、スケール成分を除去する前処理を行ってもよい。高純度洗浄排水をイオン交換処理する際、工業用水等のスケール成分を含む原水を高純度洗浄排水に混入しない状態で処理を行う。
【００１４】
本発明においても、従来の処理法においても、弱塩基性イオン交換樹脂で最初に処理するのは、半導体製造工程のウエットプロセスからの回収水中には酸が多いため、アニオンの全交換容量が大きい弱塩基性イオン交換樹脂により、アニオンの粗取りをするためである。このように弱塩基性アニオン交換樹脂は主として酸として存在するアニオンの除去に用いられる。一般的には弱塩基性アニオン交換樹脂は中性塩分解能を有しないとされているが、再生直後には若干の中性塩分解能を有し、その範囲で中性塩は除去される。しかし弱塩基性アニオン交換樹脂の中性塩分解能は樹脂の種類によって差があり、中性塩分解能の少ない弱塩基性アニオン交換樹脂の場合には、分解されない中性塩が漏出する。
【００１５】
従来はこのような中性塩を除去するために、弱塩基性アニオン交換樹脂の次に、中性塩分解能を有する強酸性カチオン交換樹脂で処理を行っていたが、強酸性カチオン交換樹脂量が少ない場合には、強酸性カチオン交換樹脂により中性塩が除去されないで漏出する原因を調べた結果、弱塩基性アニオン交換樹脂から漏出する中性塩が強酸性カチオン交換樹脂により分解されず、このため中性塩を構成するカチオンが除去されないで処理水に漏出するためであることが分かった。
【００１６】
強酸性カチオン交換樹脂により分解、除去されないで漏出する中性塩は次の強塩基性アニオン交換樹脂に入るが、ここでは中性塩が分解されても、アニオンが除去されるだけであり、生成するカチオンは除去されないで処理水中に漏出し、処理水の純度を低下させることになる。このため少量の強酸性カチオン交換樹脂および強塩基性アニオン交換樹脂を用いる従来の装置をそのまま用いて、大量の中性塩を含む洗浄排水を処理できない結果となっていた。
【００１７】
強酸性カチオン交換樹脂は中性塩分解能を有するが、中性塩分解の反応速度は遅いため、強酸性カチオン交換樹脂量が少ない場合には、強酸性カチオン交換樹脂により中性塩が分解されず、中性塩のまま強塩基性アニオン交換樹脂に入る中性塩を構成するカチオンは除去されないことになり、少量の強酸性カチオン交換樹脂および強塩基性アニオン交換樹脂を用いる従来の装置は使用できない。
【００１８】
ところが強塩基性アニオン交換樹脂は塩基度が高く、特にＩ型強塩基性アニオン交換樹脂は塩基度が高いため、中性塩分解の反応速度は速く、このため従来使用されていた少量の強塩基性アニオン交換樹脂でも、弱塩基性アニオン交換樹脂から漏出する中性塩を分解できることが分かった。従来はスケールの生成を防止するために、強酸性カチオン交換樹脂でスケール成分を除去した後、強塩基性アニオン交換樹脂で処理していたが、カルシウム、マグネシウム等のスケール成分を含まない高純度洗浄排水の場合には、先に強塩基性アニオン交換樹脂で処理してもスケールは生成しない。
【００１９】
このため本発明においては、高純度洗浄排水を、弱塩基性アニオン交換樹脂と接触させて脱アニオンした後、強塩基性アニオン交換樹脂と接触させることにより、中性塩分解反応によってさらに脱アニオンし、次いで強酸性カチオン交換樹脂と接触させることにより、中和反応によって脱カチオンする。強塩基性アニオン交換樹脂による脱アニオン水はアルカリ性なので、強酸性カチオン交換樹脂と接触すると、中和反応的に脱カチオンされ、反応速度は速く、除去率も高くなる。これにより少量の強酸性カチオン交換樹脂および強塩基性アニオン交換樹脂により、弱塩基性アニオン交換樹脂から漏出する中性塩を分解して脱アニオンおよび脱カチオンすることができる。このため少量の強酸性カチオン交換樹脂および強塩基性アニオン交換樹脂を用いる従来の装置をそのまま用いて、中性塩濃度の高い洗浄排水の場合でも、効率よく中性塩を分解して除去し、大量の純水を得ることができる。
【００２０】
弱塩基性アニオン交換樹脂は、弱塩基性アニオン交換基を有するイオン交換樹脂であり、市販品が使用できる。弱塩基性アニオン交換基としては、１〜３級アミノ基が一般的であるが、他の基でもよい。
強塩基性アニオン交換樹脂は、強塩基性アニオン交換基を有するイオン交換樹脂であり、市販品が使用できる。強塩基性アニオン交換基としては、４級アンモニウム基が一般的であるが、他の基でもよい。強塩基性アニオン交換樹脂のうち、トリメチルアンモニウム基を交換基とするＩ型強塩基性アニオン交換樹脂が塩基度が高く、中性塩分解能が高いので好ましい。ジメチルエタノールアンモニウム基を交換基とするＩＩ型強塩基性アニオン交換樹脂は、フッ化物イオンの除去性が悪いので、その目的のためには好ましくない。
強酸性カチオン交換樹脂は、強酸性カチオン交換基を有するイオン交換樹脂であり、市販品が使用できる。強酸性カチオン交換基としては、スルフォン基が一般的であるが、他の基でもよい。
【００２１】
弱塩基性アニオン交換樹脂、強塩基性アニオン交換樹脂、および強酸性カチオン交換樹脂の使用量は、被処理水のイオン組成に応じて決められるが、本発明では少量の強塩基性アニオン交換樹脂および強酸性カチオン交換樹脂で、高濃度の中性塩を含む酸性水を処理できるので、弱塩基性アニオン交換樹脂よりも強塩基性アニオン交換樹脂および強酸性カチオン交換樹脂の使用量を少なくすることができる。このため強塩基性アニオン交換樹脂および強酸性カチオン交換樹脂の使用量を少なく設計された既設の装置に対して、樹脂を入れ替えるか、あるいは弱塩基性アニオン交換樹脂層ＷＡ→強酸性カチオン交換樹脂層ＳＣ→強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡから、弱塩基性アニオン交換樹脂層ＷＡ→強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡ→強酸性カチオン交換樹脂層ＳＣに順序に配管を変更するだけで、被処理水のイオン組成変化に対応することができる。好ましい樹脂の容量比は、弱塩基性アニオン交換樹脂１に対し、強塩基性アニオン交換樹脂０．３〜０．７、強酸性カチオン交換樹脂０．１〜０．４とすることができる。
【００２２】
樹脂の再生は従来法と同様に行うことができる。弱塩基性アニオン交換樹脂は再生が容易なため、強塩基性アニオン交換樹脂の再生排液をそのまま通液することにより行うことができる。好ましい再生条件は、弱塩基性アニオン交換樹脂と強塩基性アニオン交換樹脂を合わせた全アニオン交換樹脂量に対して、順流再生の場合は６０〜８０ｇ−ＮａＯＨ／Ｌ−樹脂、向流再生の場合は４０〜６０ｇ−ＮａＯＨ／Ｌ−樹脂とすることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、電子部品製造工程のウエットプロセスから排出される高純度洗浄排水を、弱塩基性アニオン交換樹脂と接触させて脱アニオンした後、強塩基性アニオン交換樹脂と接触させてさらに脱アニオンし、次いで強酸性カチオン交換樹脂と接触させて脱カチオンするようにしたので、中性塩濃度の高い洗浄排水の場合でも、少量の強酸性カチオン交換樹脂および強塩基性アニオン交換樹脂を用いて効率よく中性塩を分解して除去し、大量の純水を製造することができ、従来の装置をそのまま用いて処理することが可能な純水製造方法および装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態を図面により説明する。図１は本発明の実施形態の純水製造方法および装置を示すフロー図である。図１において、図３と同符号は同一または相当部分を示す。図１の純水製造方法および装置は、図３の強アニオン交換塔３と強カチオン交換塔４の配置が逆になっている。
【００２５】
すなわち図１では、活性炭層ＡＣを充填した活性炭塔１、弱塩基性アニオン交換樹脂層ＷＡを充填した弱アニオン交換塔２、強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡを充填した強アニオン交換塔３、強酸性カチオン交換樹脂層ＳＣを充填した強カチオン交換塔４がラインＬ１〜Ｌ５により、この順序で直列に配置されている。この装置では、再生剤等のラインが設けられているが、これらは省略して図示されている。
【００２６】
図１の装置による純水製造方法は、ラインＬ１〜Ｌ５を通してウエットプロセスの高純度洗浄排水を供給し、活性炭塔１で活性炭層ＡＣで前処理し、弱アニオン交換塔２で弱塩基性アニオン交換樹脂層ＷＡと接触させて脱アニオンした後、強アニオン交換塔３で強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡと接触させて中性塩を分解するとともに、分解により生成するアニオンを交換吸着してさらに脱アニオンし、次いで強カチオン交換塔４で強酸性カチオン交換樹脂層ＳＣと接触させて脱カチオンし、純水を製造する。
【００２７】
上記の方法では、ウエットプロセスの洗浄排水がフッ酸、その他の酸成分を含む酸性水であるので、弱塩基性アニオン交換樹脂により酸成分を除去するが、このとき弱塩基性アニオン交換樹脂の中性塩分解能に応じて中性塩を分解する。弱塩基性アニオン交換樹脂により分解されない中性塩は強アニオン交換塔３に入り、強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡにより中性塩分解を受け、アニオンとカチオンが生成する。分解により生成するアニオンは強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡにより交換吸着され、カチオンは次の強カチオン交換塔４で強酸性カチオン交換樹脂層ＳＣにより交換吸着される。
【００２８】
強塩基性アニオン交換樹脂は塩基度が高く、特にＩ型強塩基性アニオン交換樹脂は塩基度が高いため、強酸性カチオン交換樹脂の場合よりも中性塩分解の反応速度は速く、このため従来使用されていた少量の強塩基性アニオン交換樹脂でも、弱塩基性アニオン交換樹脂から漏出する中性塩を十分に分解できる。これにより強アニオン交換塔３に入る中性塩は、強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡによりほぼ完全に分解され、分解により生成するアニオンおよびカチオンはそれぞれ、強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡおよび強酸性カチオン交換樹脂層ＳＣにより交換吸着され、高純度の純水を得ることができる。
【００２９】
このため電子部品製造工程のウエットプロセスで使用する薬品の変化により、洗浄排水に含まれるイオン組成が変化し、酸の量が減少し、アンモニウム塩のような中性塩が増加する場合でも、少量の強酸性カチオン交換樹脂および強塩基性アニオン交換樹脂を用いる既設の装置をそのまま用いて、高濃度の中性塩を含む洗浄排水を処理することができ、長時間にわたって強酸性カチオン交換樹脂および強塩基性アニオン交換樹脂の交換容量を維持して脱イオンすることができ、このため大量の高純度純水を製造することができる。
【００３０】
これにより上記の方法に使用される装置が設置当時の被処理水に合わせて設計されている場合でも、被処理水の変化に対応して装置を変更することなく、樹脂を入れ替えるだけで処理を行うことができる。また弱塩基性アニオン交換樹脂層ＷＡ→強酸性カチオン交換樹脂層ＳＣ→強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡから、弱塩基性アニオン交換樹脂層ＷＡ→強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡ→強酸性カチオン交換樹脂層ＳＣに順序に配管を変更するだけでも処理を行うことができる。被処理水の変化がない場合でも、弱塩基性アニオン交換樹脂の種類の変更により、中性塩分解能が変化する場合でも、同様に処理を行うことができる。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００３２】
実施例１
図１において、ｐＨ３．１、アンモニウムイオン１７．２ｍｇ／Ｌ、Ｎａイオン０．２ｍｇ／Ｌ、Ｃａイオン＜０．２ｍｇ／Ｌ（ＣａＣＯ３として）、Ｍｇイオン＜０．４ｍｇ／Ｌ（ＣａＣＯ３として）、全カチオン１８ｍｇ／Ｌ（ＣａＣＯ３として）、フッ化物イオン２３ｍｇ／Ｌ、硫酸イオン８０ｍｇ／Ｌ、全アニオン１０３ｍｇ／Ｌ（ＣａＣＯ３として）の半導体製造工程の洗浄排水４３ｍ３／ｈｒを、弱塩基性アニオン交換樹脂ダイヤイオンＷＡ−３０（三菱化成（株）製）を１８５０Ｌ充填した弱塩基性アニオン交換塔に通水した後、強塩基性アニオン交換樹脂Ｌｅｗａｔｉｔ  Ｍ５００ＭＤ（ランクセス社製）を１２５０Ｌ充填した強塩基性アニオン交換塔に通水し、次いで強酸性カチオン交換樹脂Ｌｅｗａｔｉｔ  ＳＰ１１２ＭＤ（ランクセス社製）を７００Ｌ充填した強酸性カチオン交換塔に通水してカチオン交換させた。
【００３３】
比較例１（従来例）
図３において、ｐＨ３．１、アンモニウムイオン１７．２ｍｇ／Ｌ、Ｎａイオン０．２ｍｇ／Ｌ、Ｃａイオン＜０．２ｍｇ／Ｌ（ＣａＣＯ３として）、Ｍｇイオン＜０．４ｍｇ／Ｌ（ＣａＣＯ３として）、全カチオン１８ｍｇ／Ｌ（ＣａＣＯ３として）、フッ化物イオン２３ｍｇ／Ｌ、硫酸イオン８０ｍｇ／Ｌ、全アニオン１０３ｍｇ／Ｌ（ＣａＣＯ３として）の半導体製造工程の洗浄排水４３ｍ３／ｈｒを、弱塩基性アニオン交換樹脂ダイヤイオンＷＡ−３０（三菱化成（株）製）を１８５０Ｌ充填した弱塩基性アニオン交換塔に通水した後、強酸性カチオン交換樹脂Ｌｅｗａｔｉｔ  ＳＰ１１２ＭＤ（ランクセス社製）を７００Ｌ充填した強塩基性アニオン交換塔に通水し、次いで強塩基性アニオン交換樹脂Ｌｅｗａｔｉｔ  Ｍ５００ＭＤ（ランクセス社製）を１２５０Ｌ充填した強酸性カチオン交換塔に通水してカチオン交換させた。
【００３４】
実施例１および比較例１において、弱塩基性アニオン交換塔への通水量に対する電気伝導率の変化を図２に示す。実施例１においては、通水量が約６００ＢＶまで１μＳ／ｃｍ以下を維持しており、長時間に渡って処理を行えている。一方、比較例１においては、２００ＢＶで１μＳ／ｃｍを超えていることがわかる。以上より、実施例１の方が比較例１よりも採水量が２倍以上多く取れることがわかる。
従って、本発明により、弱塩基性アニオン交換樹脂層ＷＡ→強塩基性アニオン交換樹脂層ＳＡ→強酸性カチオン交換樹脂層ＳＣの順で処理することにより、イオン交換樹脂の洗浄回数が少なく、安定した純水の製造を行うことができることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
電子部品製造工程のウエットプロセスから排出される高純度洗浄排水を、アニオン交換樹脂およびカチオン交換樹脂で脱イオンして純水を製造する純水製造方法および装置に利用される。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】実施形態の純水製造方法および装置を示すフロー図。
【図２】実施例および比較例の結果を示すグラフ。
【図３】従来の純水製造方法および装置を示すフロー図。
【符号の説明】
【００３７】
１  活性炭塔
２  弱アニオン交換塔
３  強アニオン交換塔
４  強カチオン交換塔
ＡＣ  活性炭層
ＷＡ  弱塩基性アニオン交換樹脂層
ＳＡ  強塩基性アニオン交換樹脂層
ＳＣ  強酸性カチオン交換樹脂層
【図１】
2008073644.tif 000003
【図２】
2008073644.tif 000004
【図３】
2008073644.tif 000005