(57)【要約】【課題】小型で信頼性に優れるセンサーチップと、このようなセンサーチップを簡便に製造するための製造方法を提供する。【解決手段】センサーチップを、アクティブ面の外側領域あるいは表裏導通ビアを介してアクティブ面と反対側の面に複数の端子を有するセンサー本体と、空隙部を設けてアクティブ面を封止するように封止用枠体を介してセンサー本体に接合された保護材とを備えるものとし、保護材のアクティブ面側の平面の外挿面と、前記センサー本体のアクティブ面の外側領域の端子との間隙および配線との間隙のいずれか狭い方を２〜５０μｍの範囲とし、センサー本体と対向する保護材の面積をセンサー本体の面積以下とする。【選択図】  図１
2008041863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ面の外側領域に、あるいは表裏導通ビアを介して前記アクティブ面と反対側の面に、複数の端子を有するセンサー本体と、
空隙部を設けて前記アクティブ面を封止するように封止用枠体を介して前記センサー本体に接合された保護材とを備え、
該保護材のアクティブ面側の平面の外挿面と、前記センサー本体のアクティブ面の外側領域の端子との間隙および配線との間隙のいずれか狭い方が２〜５０μｍの範囲であり、前記保護材のアクティブ面側の面積は、前記センサー本体の面積以下であることを特徴とするセンサーチップ。
【請求項２】
前記保護材は、赤外線カットフィルタ、反射防止膜、ローパスフィルタの少なくとも１種を有するものであることを特徴する請求項１に記載のセンサーチップ。
【請求項３】
多面付けサイズの保護材を紫外線照射剥離性粘着層を介して保持用基板に貼合する貼合工程と、
前記保護材を、後工程のダイシングにより得られる個々のセンサーチップで必要とする保護領域と不要である廃棄領域との境界線において切断する切断工程と、
アクティブ面と、該アクティブ面の外側領域に位置する複数の端子とを有するセンサー本体を、多面付けで作製するセンサー本体作製工程と、
前記保護材の各保護領域と、多面付けの各センサー本体とを位置合せして対向させ、両者を、前記センサー本体のアクティブ面と端子形成領域との間の部位に位置する封止用枠体を介して接合し、空隙部を設けて前記アクティブ面を封止する封止工程と、
前記保持用基板側から紫外線を照射して前記紫外線照射剥離性粘着層に剥離作用を発現させ、前記保持用基板と前記紫外線照射剥離性粘着層とを前記保護材から剥離除去するとともに、前記保護材の廃棄領域も同時に除去する剥離除去工程と、
多面付けの前記センサー本体をダイシングして個々のセンサーチップを得るダイシング工程と、を有することを特徴とするセンサーチップの製造方法。
【請求項４】
多面付けサイズの保護材を紫外線照射剥離性粘着層を介して保持用基板に貼合する貼合工程と、
前記保護材を、後工程のダイシングにより得られる個々のセンサーチップで必要とする保護領域と不要である廃棄領域との境界線において切断する切断工程と、
アクティブ面と、該アクティブ面の外側領域の前記アクティブ面と反対側の面に表裏導通ビアを介して配設された複数の端子とを有するセンサー本体を、多面付けで作製するセンサー本体作製工程と、
前記保護材の各保護領域と、多面付けの各センサー本体とを位置合せして対向させ、両者を、前記センサー本体のアクティブ面の外側領域に位置する封止用枠体を介して接合し、空隙部を設けて前記アクティブ面を封止する封止工程と、
前記保持用基板側から紫外線を照射して前記紫外線照射剥離性粘着層に剥離作用を発現させ、前記保持用基板と前記紫外線照射剥離性粘着層とを前記保護材から剥離除去するとともに、前記保護材の廃棄領域も同時に除去する剥離除去工程と、
多面付けの前記センサー本体をダイシングして個々のセンサーチップを得るダイシング工程と、を有することを特徴とするセンサーチップの製造方法。
【請求項５】
前記紫外線照射剥離性粘着層は、紫外線照射によりガスを発生する粘着剤、または、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤からなる層であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載のセンサーチップの製造方法。
【請求項６】
前記紫外線照射剥離性粘着層は、基材の一方の面に紫外線照射によりガスを発生する粘着剤、または、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤が塗布され、他方の面に紫外線を照射しても粘着性が低下しない粘着剤を塗布した両面粘着層であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載のセンサーチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサーチップに係り、特にＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサー、加速度センサー等のセンサー本体のアクティブ面側に保護材を備えたセンサーチップと、このセンサーチップを簡便に製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサー、加速度センサー等のセンサーチップが種々の用途に用いられている。例えば、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサーは、一般に、微細な複数の受光部（画素）の配列上にカラーフィルタ層や集光レンズが配設されてアクティブ面とされ、このアクティブ面の外側の領域に、外部へ信号を送るための複数の端子が設けられた構造を有している。このようなイメージセンサーを備えたセンサーチップでは、イメージセンサーのアクティブ面を保護するために、透明な保護材が設けられている。この保護材は、アクティブ面との間に所望の間隙を存在させるために、アクティブ面の周囲を樹脂によりモールドしたり、絶縁性樹脂からなる突起枠を介在させて配設されていた。（特許文献１、２）
【特許文献１】特開平３−１５５６７１号公報
【特許文献２】特開平６−２０４４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来のセンサーチップでは、ダイシングにより個々のセンサー本体を得る工程においてアクティブ面に研削紛等の付着を生じ易く、また、個々のセンサー本体毎に保護材を接合して製造されるため、製造効率が悪く、歩留まりが低いという問題があった。
また、従来のセンサーチップは、保護材がセンサー本体よりも大きく、このため、センサーチップ自体の小型化、さらに、センサーチップを内蔵する電子機器の小型化に支障を来たしていた。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、小型で信頼性に優れるセンサーチップと、このようなセンサーチップを簡便に製造するための製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
このような目的を達成するために、本発明のセンサーチップは、アクティブ面の外側領域に、あるいは表裏導通ビアを介して前記アクティブ面と反対側の面に、複数の端子を有するセンサー本体と、空隙部を設けて前記アクティブ面を封止するように封止用枠体を介して前記センサー本体に接合された保護材とを備え、該保護材のアクティブ面側の平面の外挿面と、前記センサー本体のアクティブ面の外側領域の端子との間隙および配線との間隙のいずれか狭い方が２〜５０μｍの範囲であり、前記保護材のアクティブ面側の面積は、前記センサー本体の面積以下であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記保護材は、赤外線カットフィルタ、反射防止膜、ローパスフィルタの少なくとも１種を有するものであるような構成とした。
【０００５】
本発明のセンサーチップの製造方法は、多面付けサイズの保護材を紫外線照射剥離性粘着層を介して保持用基板に貼合する貼合工程と、前記保護材を、後工程のダイシングにより得られる個々のセンサーチップで必要とする保護領域と不要である廃棄領域との境界線において切断する切断工程と、アクティブ面と、該アクティブ面の外側領域に位置する複数の端子とを有するセンサー本体を、多面付けで作製するセンサー本体作製工程と、前記保護材の各保護領域と、多面付けの各センサー本体とを位置合せして対向させ、両者を、前記センサー本体のアクティブ面と端子形成領域との間の部位に位置する封止用枠体を介して接合し、空隙部を設けて前記アクティブ面を封止する封止工程と、前記保持用基板側から紫外線を照射して前記紫外線照射剥離性粘着層に剥離作用を発現させ、前記保持用基板と前記紫外線照射剥離性粘着層とを前記保護材から剥離除去するとともに、前記保護材の廃棄領域も同時に除去する剥離除去工程と、多面付けの前記センサー本体をダイシングして個々のセンサーチップを得るダイシング工程と、を有するような構成とした。
【０００６】
また、本発明のセンサーチップの製造方法は、多面付けサイズの保護材を紫外線照射剥離性粘着層を介して保持用基板に貼合する貼合工程と、前記保護材を、後工程のダイシングにより得られる個々のセンサーチップで必要とする保護領域と不要である廃棄領域との境界線において切断する切断工程と、アクティブ面と、該アクティブ面の外側領域の前記アクティブ面と反対側の面に表裏導通ビアを介して配設された複数の端子とを有するセンサー本体を、多面付けで作製するセンサー本体作製工程と、前記保護材の各保護領域と、多面付けの各センサー本体とを位置合せして対向させ、両者を、前記センサー本体のアクティブ面の外側領域に位置する封止用枠体を介して接合し、空隙部を設けて前記アクティブ面を封止する封止工程と、前記保持用基板側から紫外線を照射して前記紫外線照射剥離性粘着層に剥離作用を発現させ、前記保持用基板と前記紫外線照射剥離性粘着層とを前記保護材から剥離除去するとともに、前記保護材の廃棄領域も同時に除去する剥離除去工程と、多面付けの前記センサー本体をダイシングして個々のセンサーチップを得るダイシング工程と、を有するような構成とした。
【０００７】
本発明の他の態様として、前記紫外線照射剥離性粘着層は、紫外線照射によりガスを発生する粘着剤、または、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤からなる層であるような構成、あるいは、基材の一方の面に紫外線照射によりガスを発生する粘着剤、または、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤が塗布され、他方の面に紫外線を照射しても粘着性が低下しない粘着剤を塗布した両面粘着層であるような構成とした。
【発明の効果】
【０００８】
このような本発明のセンサーチップは、センサー本体のアクティブ面が保護材により汚染、損傷から保護され、また、保護材とセンサー本体の端子あるいは配線との間隙が２〜５０μｍの範囲であるためセンサーチップの薄型化が可能であると同時に、保護材の面積がセンサー本体の面積以下であるため、センサーチップの大きさがセンサー本体と同じサイズとなり、従来に比べてセンサーチップの大幅な小型化が可能となる。
また、本発明のセンサーチップの製造方法では、多面付けでセンサー本体を作製し、多面付けで保護領域と廃棄領域の境界線において予め切断された保護材を固着する一括アッセンブリーであり、封止用枠体を介して保護材をセンサー本体に多面付けで接合した後に、保持用基板を除去することにより保護材の廃棄領域も容易に除去することができるので、センサー本体に損傷を与えないように保護材を研削切断（寸止めカット）するような工程が不要となり、したがって、保護材とセンサー本体の端子あるいは配線との間隙を狭く設定したセンサーチップの加工が容易となり、また、ダイシング時の研削粉等がアクティブ面へ付着することが防止され、これにより小型薄型のセンサーチップを高効率で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［センサーチップ］
図１は本発明のセンサーチップの一実施形態を示す概略断面図である。図１において、本発明のセンサーチップ１は、アクティブ面２Ａの外側領域に配線３ａを介して配設された複数の端子３を有するセンサー本体２と、このセンサー本体２に封止用枠体５を介して接合された保護材４とを備えている。この保護材４は、所望の空隙部６を介してセンサー本体２のアクティブ面２Ａと対向し、封止用枠体５とともにアクティブ面２Ａを封止して保護するものである。
本発明では、保護材４のアクティブ面２Ａ側の平面の外挿面と、センサー本体２のアクティブ面２Ａの外側領域の端子３との間隙Ｇ、および配線３ａとの間隙Ｇのいずれか狭い方（図示例では、端子３との間隙Ｇ）が２〜５０μｍ、好ましくは２〜３０μｍの範囲である。また、保護材４のアクティブ面２Ａ側の面積は、センサー本体２の面積以下である。これにより、センサーチップ１は、大幅な小型化、薄型化が可能となる。
【００１０】
図２は封止用枠体５を説明するための図であり、図１に示されるセンサーチップから保護材４を取り去った状態の平面図である。図２に斜線を付して示した封止用枠体５は、枠形状が回廊形状であるが、この回廊形状は、アクティブ面２Ａに対応して、正方形、長方形のいずれであってもよい。また、必要な場合には、封止用枠体５の枠形状が平行四辺形、ひし形、円形、楕円形等であってもよい。尚、図２では、端子３、配線３ａを省略している。
【００１１】
また、図３は、本発明のセンサーチップの他の実施形態を示す概略断面図である。図３において、本発明のセンサーチップ１１は、アクティブ面１２Ａの外側領域まで引き出された複数の配線１３ａと、表裏導通ビア１７を介して各配線１３ａに接続された複数の端子１３を裏面（アクティブ面１２Ａと反対側の面）に有するセンサー本体１２と、このセンサー本体１２に封止用枠体１５を介して接合された保護材１４とを備えている。この保護材１４は、所望の空隙部１６を介してセンサー本体１２のアクティブ面１２Ａと対向し、封止用枠体１５とともにアクティブ面１２Ａを封止して保護するものである。尚、このセンサーチップ１１における封止用枠体１５の形状は、上述のセンサーチップ１における封止用枠体５と同様である。
【００１２】
このセンサーチップ１１において、保護材１４のアクティブ面１２Ａ側の平面の外挿面と、センサー本体１２のアクティブ面１２Ａの外側領域の配線１３ａとの間隙Ｇが２〜５０μｍ、好ましくは２〜３０μｍの範囲である。また、保護材１４のアクティブ面１２Ａ側の面積は、センサー本体１２の面積以下（図示例は同面積）である。これにより、センサーチップ１１は、大幅な小型化、薄型化が可能となる。
尚、センサーチップ１１では、表裏導通ビア１７の位置を封止用枠体１５の下部に設定してもよく、このような構造とすることにより、センサーチップ１１を更に小型化することが可能である。
【００１３】
本発明のセンサーチップ１，１１を構成するセンサー本体２，１２は、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサーや、加速度センサー、圧力センサー、ジャイロセンサー等の各種ＭＥＭＳ（Micro Electromechanical System）センサー等であってよい。また、センサー本体２，１２のアクティブ面２Ａ，１２Ａは、例えば、光電変換を行う受光素子が複数の画素をなすように配列された領域等、センサーの所望の検知機能を発現する領域を意味する。
また、センサー本体２，１２が備える複数の端子３，１３は、外部に信号を送るための端子である。センサーチップ１１では、これらの端子１３は表裏導通ビア１７を介してセンサー本体１２の裏面に接続されている。端子３，１３および配線３ａ，１３ａの材質は、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル等の導電材料とすることができ、複数種の導電材料の積層構造であってもよい。また、表裏導通ビア１７の材質は、銅、銀、金、スズ等の導電材料、あるいは、これらの導電材料を含有する導電ペーストとすることができる。
【００１４】
本発明のセンサーチップ１，１１を構成する保護材４，１４は、センサー本体２，１２のアクティブ面２Ａ，１２Ａとの間に空隙部６，１６を形成するように、封止用枠体５，１５によってセンサー本体２，１２に接合されている。この保護材４，１４は、例えば、ガラス、ポリイミド、ポリカーボネート、石英、アートン、三酢酸セルロース、シクロオレフィンポリマー、ポリエステル等の材質を使用することができる。また、赤外線吸収機能を有する材質を用いて赤外線カットフィルタを兼ねるもの、さらに、反射防止膜、ローパスフィルタの少なくとも１種を有するもの等であってもよい。この保護材４，１４の大きさ（センサー本体２，１２と対向する面の大きさ）は、センサー本体２，１２の面積以下である。図１に示される例では、センサー本体２の端子３の形成領域よりも保護材４が内側に存在し、端子３が露出した状態となっている。
このような保護材４，１４の厚みは、材質、光透過性等を考慮して、例えば、０．２〜０．５ｍｍの範囲で設定することができる。
【００１５】
本発明のセンサーチップ１，１１を構成する封止用枠体５，１５は、センサー本体２，１２のアクティブ面２Ａ，１２Ａの外側の領域に配設されたものである。但し、センサーチップ１のように、アクティブ面側に端子が形成されたセンサーチップでは、アクティブ面２Ａの外側領域であるとともに、端子３よりも内側の領域に封止用枠体５が配設される。この封止用枠体５の材質は、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アリル系樹脂等の絶縁樹脂とすることができる。また、これらの絶縁樹脂にガラスビーズ等の絶縁性を有するビーズを含有してもよい。このような封止用枠体５の高さは、保護材４のアクティブ面２Ａ側の平面の外挿面と、センサー本体２のアクティブ面２Ａの外側領域の端子３との間隙Ｇ、および配線３ａとの間隙Ｇにいずれか狭い方が２〜５０μｍとなるように適宜設定することができる。また、封止用枠体１５の高さは、保護材１４のアクティブ面１２Ａ側の平面の外挿面と、センサー本体１２のアクティブ面１２Ａの外側領域の配線１３ａとの間隙Ｇが２〜５０μｍとなるように適宜設定することができる。また、封止用枠体５，１５の幅は、例えば、５０〜５００μｍの範囲で適宜設定することができる。
【００１６】
上述のような本発明のセンサーチップは、保護材によりアクティブ面が汚染、損傷から保護され、また、保護材とセンサー本体の端子との間隙および配線との間隙のいずれか狭い方が２〜５０μｍの範囲であるため、薄型化が可能である。さらに、保護材の面積がセンサー本体の面積以下であるため、センサーチップの大きさがセンサー本体と同じサイズとなり、従来に比べてセンサーチップの大幅な小型化が可能となる。
【００１７】
本発明のセンサーチップ１，１１は、端子３，１３、あるいは、表裏導通ビア１７の裏面（アクティブ面１２Ａが存在しない面）側を用いて他の基板等に接続、実装することができる。例えば、図１に示されるセンサーチップ１では、図４に示されるような形態で、開口部２２と配線２３を備えた基板２１にバンプ２４を介して実装することができる。尚、図示例では、センサーチップ１を実装した後、基板２１の開口部２２内に絶縁材料２５を流し込んで封止したものとなっているが、この際、封止用枠体５によって、アクティブ面２Ａ（空隙部６内）への絶縁材料２５の流れ込みが防止される。
上述のセンサーチップは例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００１８】
［センサーチップの製造方法］
次に、本発明のセンサーチップの製造方法について説明する。
図５および図６は、本発明のセンサーチップの製造方法の一実施形態を、上述の図１に示すセンサーチップ１を例として示す工程図である。
本発明では、貼合工程において、多面付けサイズの保護材４と保持用基板９とを、紫外線照射剥離性粘着層８を介して貼合する（図５（Ａ））。
保護材４は上述のような材質のものを使用することができる。また、保持用基板９としては、後工程にて紫外線照射剥離性粘着層８に紫外線を照射するために、紫外線透過性を有するものを使用し、例えば、ガラス板、透明な樹脂基板等を用いることができる。
【００１９】
紫外線照射剥離性粘着層８は、紫外線照射によりガスを発生する粘着剤、または、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤を塗布して形成した層であってよい。
また、紫外線照射剥離性粘着層８は、基材の一方の面に紫外線照射によりガスを発生する粘着剤、または、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤が塗布され、他方の面に通常の粘着剤（紫外線を照射しても粘着性が低下しない粘着剤）を塗布した両面粘着層（両面粘着テープ）であってもよい。この場合、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤が塗布された面を保護材４に貼着する。
上述の紫外線照射によりガスを発生する粘着剤としては、積水化学工業（株）製  セルファ等を挙げることができる。また、紫外線照射により粘着性が低下する粘着剤としては、トーヨーアドテック（株）製  ＵＤＴ−１０２５ＭＣ等を挙げることができる。
【００２０】
次の切断工程では、後工程のダイシングにより得られる個々のセンサーチップ１で必要とする保護領域４Ａと不要である廃棄領域４Ｂとの境界線において、保護材４を切断する（図５（Ｂ））。保護領域４Ａは、個々のセンサーチップ１において保護材４として存在する領域である。上述のような境界線での保護材４の切断は、ダイヤモンドカッター、ダイサー、レーザダイサー、ルーター等により切り込み４ａを形成することにより行なうことができる。この切り込み４ａの幅は、例えば、１０〜５００μｍ程度とすることができる。このような切り込み４ａによる保護材４の切断によって、各面付け毎の保護領域４Ａが廃棄領域４Ｂと完全に離間した状態となる。そして、このように離間した各保護領域４Ａおよび各廃棄領域４Ｂは、上述の紫外線照射剥離性粘着層８により粘着保持される。
【００２１】
一方、センサー本体作製工程にて、多面付けでセンサー本体２を作製する（図５（Ｃ）参照）。センサー本体２は、従来公知の手法、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electromechanical System）手法、フォトダイオードの製造方法（半導体プロセス）等を用いて作製することができる。作製したセンサー本体２は、表面にアクティブ面２Ａを有し、このアクティブ面２Ａの外側の領域に、配線３ａを介して複数の端子３を有するものである。
次に、封止工程において、多面付けの保護材４の各面付け毎に、封止用枠体５を配設し、（図５（Ｄ））、この多面付け保護材４と多面付けセンサー本体２との位置合せを行う。その後、空隙部６を形成するように両者を封止用枠体５を介して接合して、各面付けのセンサー本体２のアクティブ面２Ａを封止する（図６（Ａ））。
【００２２】
多面付けの保護材４への封止用枠体５の配設は、上述のような封止用枠体５用の材料を使用して、ノズル塗布、スクリーン印刷、ディスペンサー射出等の公知の手段により行なうことができる。封止用枠体５の配設位置は、センサー本体２のアクティブ面２Ａの外側の領域であり、かつ、端子３よりも内側の領域となるように設定する。尚、封止用枠体５の配設は、多面付けセンサー本体２側に行なってもよい。
封止用枠体５を介した多面付け保護材４と多面付けセンサー本体２との接合は、例えば、空隙部６を窒素置換する真空ラミネート方法により行なうことができる。また、接合後に封止用枠体５に対して紫外線照射、加熱等の所望の硬化処理を施すことができる。この接合では、封止用枠体５の高さは、保護材４のアクティブ面２Ａ側の平面の外挿面と、センサー本体２のアクティブ面２Ａの外側領域の端子３との間隙Ｇ、および配線３ａとの間隙Ｇのいずれか狭い方（図示例では、端子３との間隙Ｇ）が２〜５０μｍとなるように圧着強度を適宜設定することが好ましい。上記の硬化処理が紫外線照射である場合、次工程である剥離除去工程での紫外線照射で、封止用枠体５の硬化処理と、紫外線照射剥離性粘着層８における剥離作用発現を同時に行なってもよい。
【００２３】
次に、剥離除去工程にて、保持用基板９側から紫外線を照射して、紫外線照射剥離性粘着層８に剥離作用を発現させ（図６（Ｂ））、次いで、保持用基板９と紫外線照射剥離性粘着層８とを保護材４から剥離除去する（図６（Ｃ））。この剥離除去により、保護材４の廃棄領域４Ｂが紫外線照射剥離性粘着層８に粘着した状態で除去される。したがって、センサー本体に損傷を与えないように、ダイヤモンドカッターが接触する寸前で研削を停止（寸止めカット）して保護材４の廃棄領域４Ｂを除去するような工程が不要となる。このため、上述のように保護材４とセンサー本体２の端子３あるいは配線３ａとの間隙Ｇを狭く設定しても、工程管理が極めて容易となる。
次に、ダイシング工程において、多面付けのセンサー本体をダイシングエリアにてダイシングして、個々のセンサーチップ１を得ることができる（図６（Ｄ））。
【００２４】
図７は、本発明のセンサーチップの製造方法の他の実施形態を、上述の図３に示すセンサーチップ１１を例として示す工程図である。
上述の実施形態と同様に、貼合工程にて、多面付けサイズの保護材１４と保持用基板１９とを、紫外線照射剥離性粘着層１８を介して貼合し、切断工程にて、保護領域１４Ａと廃棄領域１４Ｂとの境界線に切り込み１４ａを形成して、保護材１４を切断する（図７（Ａ））。
次に、センサー本体作製工程にて、多面付けでセンサー本体１２を作製する。センサー本体１２は、従来公知の手法、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electromechanical System）手法、フォトダイオードの製造方法（半導体プロセス）等を用いて作製することができる。作製したセンサー本体１２は、アクティブ面１２Ａの外側領域まで引き出された複数の配線１３ａと、表裏導通ビア１７を介して各配線１３ａに接続された複数の端子１３を裏面（アクティブ面１２Ａと反対側の面）に有するものである。
【００２５】
尚、端子１３と配線１３ａとを接続する表裏導通ビア１７は、各センサー本体１２に微細貫通孔を形成し、この微細貫通孔に導電材料を配設して形成することができる。微細貫通孔は、例えば、マスクパターンを形成し、露出している基材（例えば、シリコンウエハ）に対して、プラズマを利用したドライエッチング法であるＩＣＰ−ＲＩＥ（Inductively Coupled Plasma − Reactive Ion Etching：誘導結合プラズマ−反応性イオンエッチング）法により形成することができる。また、サンドブラスト法、ウエットエッチング法、フェムト秒レーザ法により微細貫通孔を形成することもできる。この微細貫通孔の開口径は、例えば、３０〜８０μｍの範囲で設定することができる。また、微細貫通孔内への導電材料の配設は、例えば、プラズマＣＶＤ法等により下地導電薄膜を微細貫通孔内に形成し、その後、電解フィルドめっきにより金属を析出させることにより行うことができる。また、導電性ペーストを微細貫通孔内に充填して表裏導通ビア１７とすることもできる。
【００２６】
次に、上述の実施形態と同様に、封止工程において、多面付けの保護材１４の各面付け毎に、封止用枠体１５を配設し、この多面付け保護材１４と多面付けセンサー本体１２との位置合せを行い、その後、空隙部１６を形成するように両者を封止用枠体１５を介して接合して、各面付けのセンサー本体１２のアクティブ面１２Ａを封止する（図７（Ｂ））。
その後、上述の実施形態と同様に、剥離除去工程にて、保持用基板１９側から紫外線を照射して、紫外線照射剥離性粘着層１８に剥離作用を発現させ、次いで、保持用基板１９と紫外線照射剥離性粘着層１８とを保護材１４から剥離除去し、同時に保護材１４の廃棄領域１４Ｂも除去する。次に、ダイシング工程において、多面付けのセンサー本体をダイシングエリアにてダイシングして、個々のセンサーチップ１１（図３参照）を得ることができる。
【００２７】
上述のような本発明のセンサーチップの製造方法は、多面付けでセンサー本体２，１２を作製し、多面付けで保護領域４Ａ，１４Ｂと廃棄領域４Ｂ，１４Ｂの境界線において予め切断された保護材４，１４を固着する一括アッセンブリーである。このため、封止用枠体５，１５を介して保護材４，１４をセンサー本体２，１２に多面付けで接合した後に、保持用基板９，１９を除去することにより保護材４，１４の廃棄領域４Ｂ，１４Ｂも容易に除去することができる。したがって、保護材４，１４とセンサー本体２，１２の端子３あるいは配線３ａ，１３ａとの間隙を狭くすることが可能となり、また、ダイシング時の研削粉等がアクティブ面２Ａ，１２Ａへ付着することが防止され、これにより小型薄型のセンサーチップ１，１１を高効率で製造することができる。
尚、上述のセンサーチップ、センサーチップの製造方法は例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【実施例】
【００２８】
次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
（貼合工程）
保護材として、厚みが５５０μｍであるガラス基板（６インチＪＥＩＤＡ規格シリコンウエハ寸法に準拠）を準備した。また、保持用基板として、厚みが０．５ｍｍであるガラス基板（６インチＪＥＩＤＡ規格シリコンウエハ寸法に準拠）を準備した。次いで、紫外線照射剥離性粘着層を備えた両面粘着テープ（積水化学（株）製  セルファ）を介して、上記の保護材と保持用基板とを貼合した。
【００２９】
（切断工程）
上記の保護材を５ｍｍ×７ｍｍで多面付けに区画し、各面付け内に４ｍｍ×６ｍｍの保護領域を設定し、これらの保護領域と、保護領域の周囲に存在する幅１ｍｍの格子形状の廃棄領域との境界線上に、ダイヤモンドカッターを用いて幅１００μｍで切り込みを形成して、保護材を切断した。
【００３０】
（センサー本体作製工程）
一方、厚み６２５μｍのシリコンウエハを準備し、５ｍｍ×７ｍｍで多面付けに区画した。次いで、このシリコンウエハの各面付け毎に、従来の手法により固体撮像素子（センサー本体）（アクティブ面寸法：３．８８ｍｍ×５．８８ｍｍ）を作製し、その後、シリコンウエハの裏面からバックグラインドを行って厚みを５００μｍとした。各センサー本体は、アクティブ面の周囲に２０個の端子を備えるものであった。
【００３１】
（封止工程）
保護材の各面付けの保護領域に、絶縁樹脂組成物（スリーボンド（株）製  ３１２１）をディスペンサーから射出して、封止用枠体（幅１００μｍ、高さ２０μｍ、回廊形状の寸法３．９５ｍｍ×５．９５ｍｍ（枠体中心線での寸法））を形成した。
次に、保護材の各面付けの封止用枠体が、多面付けの各センサー本体のアクティブ面の外側の領域であり、かつ、端子よりも内側の領域となる部位と一致するように位置合せを行い、その後、窒素置換真空ラミネートにより両者を封止用枠体を介して接合した。その後、封止用枠体に硬化処理（１００℃、３０分間の加熱）を施した。これにより、各面付けのセンサー本体のアクティブ面を、２０μｍの空隙を設けて封止した。
【００３２】
（剥離除去工程）
次に、保持用基板側から２０００ｍＪ／ｃｍ2で紫外線を照射し、その後、保持用基板と紫外線照射剥離性粘着層を保護材から剥離除去した。この際、保護材の廃棄領域も同時に除去された。これにより、封止用枠体上に４ｍｍ×６ｍｍのガラス基板からなる保護材が配設された状態となった。
【００３３】
（ダイシング工程）
次に、シリコンウエハをダイヤモンドカッターでダイシングして、本発明のセンサーチップを得た。
このセンサーチップは、保護材のアクティブ面側の平面の外挿面と、センサー本体のアクティブ面の外側領域の端子との間隙が１００μｍ、配線との間隙が１００μｍであり、外形寸法が４．８ｍｍ×６．８ｍｍであり、高さ約１．０７ｍｍであり、極めて薄く小型なものであった。
【００３４】
［実施例２］
（貼合工程）
実施例１と同様にして、保護材と保持用基板とを貼合した。
（切断工程）
実施例１と同様にして、保護材を切断した。
【００３５】
（センサー本体作製工程）
実施例１と同様にして、シリコンウエハに多面付けでセンサー本体を作製して、ウエハレベルのセンサー本体を得た。各センサー本体は、アクティブ面の周囲に２０個の配線パッドを備えるものであった。
次いで、アクティブ面の反対側のシリコンウエハ面に、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜（厚み５μｍ）を成膜した。次に、この窒化珪素膜の全面にポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製  ＯＦＰＲ−８００）を塗布し、微細貫通孔形成用のフォトマスクを介して露光、現像することによりレジストパターンを形成した。次に、ＣＦ4をエッチングガスとして、レジストパターンから露出している窒化珪素膜をドライエッチングし、その後、レジストパターンを剥離し、窒化珪素からなるマスクパターンを各面付けに形成した。上記のマスクパターンは、各面付け毎に、直径が１００μｍである円形開口が、上記の配線パッドに対応するように２０個形成されたものであった。
【００３６】
次に、上記のマスクパターンから露出しているシリコンウエハを、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置により、エッチングガスにＳＦ6を用いてドライエッチングして、微細貫通孔を形成した。この微細貫通孔は、一方の開口径が８０μｍであり、奥部の開口径が４０μｍであるテーパー形状であり、奥部には配線パッドが露出したものであった。
次に、アセトンを用いてマスクパターンをコア材から除去した。その後、微細貫通孔内、およびアクティブ面の反対側のシリコンウエハ面に、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素膜を形成し、さらに、ＭＯＣＶＤ法により窒化チタン膜を形成して、絶縁膜を形成した。その後、シリコンウエハの一方の面（アクティブ面の反対側面）から、チタン−銅の順にスパッタリング法により下地導電薄膜を０．３μｍの厚みで形成した。次いで、この下地導電薄膜上にドライフィルムレジスト（旭化成（株）製ＡＰＲ）をラミネートした。次いで、表裏導通ビア形成用のフォトマスクを介し露光、現像してレジストパターン（厚み１５μｍ）を形成した。このレジストパターンをマスクとし、上記の下地導電薄膜を給電層として、電解銅めっきを行ない、微細貫通孔内部を充填した。次に、レジストパターンと下地導電薄膜を除去して、表裏導通ビアを形成した。
【００３７】
（封止工程）
各面付けのアクティブ面の外側領域に、絶縁樹脂組成物（積水化学工業（株）製  フォトレック）をディスペンサーから射出して、封止用枠体（幅１００μｍ、高さ２０μｍ、回廊形状の寸法３．９５ｍｍ×５．９５ｍｍ（枠体中心線での寸法））を形成した。
次に、保護材の各面付けの保護領域が、多面付けの各センサー本体のアクティブ面の外側領域と一致するように位置合せを行い、その後、窒素置換真空ラミネートにより両者を封止用枠体を介して接合した。その後、封止用枠体に硬化処理（１００℃、３０分間の加熱）を施した。これにより、各面付けのセンサー本体のアクティブ面を、２０μｍの空隙を設けて封止した。
【００３８】
（剥離除去工程）
次に、実施例１と同様に、保持用基板側から紫外線を照射し、その後、保持用基板と紫外線照射剥離性粘着層を保護材から剥離除去した。この際、保護材の廃棄領域も同時に除去された。これにより、封止用枠体上に４ｍｍ×６ｍｍのガラス基板からなる保護材が配設された状態となった。
【００３９】
（ダイシング工程）
次に、シリコンウエハをダイヤモンドカッターでダイシングして、本発明のセンサーチップを得た。
このセンサーチップは、保護材のアクティブ面側の平面の外挿面と、センサー本体のアクティブ面の外側領域の端子との間隙が１００μｍ、配線との間隙が１００μｍであり、外形寸法が４．８ｍｍ×６．８ｍｍであり、高さ約１．０７ｍｍであり、極めて薄く小型なものであった。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
小型で高信頼性のセンサーチップが要求される種々の分野において適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明のセンサーチップの一実施形態を示す概略断面図である。
【図２】封止用枠体の形状を示す平面図である。
【図３】本発明のセンサーチップの他の実施形態を示す概略断面図である。
【図４】本発明のセンサーチップの他の実施形態を示す概略断面図である。
【図５】本発明のセンサーチップの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図６】本発明のセンサーチップの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図７】本発明のセンサーチップの製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
【符号の説明】
【００４２】
１，１１…センサーチップ
２，１２…センサー本体
２Ａ，１２Ａ…アクティブ面
３，１３…端子
４，１４…保護材
４Ａ，１４Ａ…保護領域
４Ｂ，１４Ｂ…廃棄領域
５，１５…封止用枠体
６，１６…間隙
８，１８…紫外線照射剥離性粘着層
９，１９…保持用基板
１７…表裏導通ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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