(57)【要約】【課題】容易に変形できる構造とし、照明器具のベース等に容易に実装することができるＬＥＤ照明装置とその製造方法を提供する。【解決手段】金属層１の上に絶縁層２が形成され、絶縁層２上に配線金属４が配置されている。配線金属４には、接合層５を介してＬＥＤチップ６が接合されている。ＬＥＤチップ６が配線金属４上にダイボンされている。配線金属４の正極、負極間での短絡を防ぐために、絶縁層３が設けられている。金属層１は、金属箔で形成されており、この厚みは、０．３ｍｍ以下となるように構成されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤを複数個使用したＬＥＤ照明装置であって、第１と第２の主面を有する第１絶縁層の第１の主面側に、０．３ｍｍ以下の厚さの金属層が形成されており、前記第１絶縁層の第２の主面はＬＥＤ接続用の配線金属を介してＬＥＤが実装されていることを特徴とするＬＥＤ照明装置。
【請求項２】
前記ＬＥＤは３００ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲のピーク発光波長を持つ短波長ＬＥＤであって、蛍光体を含有する蛍光体層にＬＥＤが埋め込まれており、前記蛍光体層の高さの変動範囲が基準となる高さの±５％内に収められていることを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ照明装置。
【請求項３】
前記第１絶縁層の第１の主面側にＬＥＤからの発光を被照明体側に向けるための反射膜が形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載のＬＥＤ照明装置。
【請求項４】
ＬＥＤを前記第１絶縁層の第２の主面側に一次元配置したことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のＬＥＤ照明装置。
【請求項５】
ＬＥＤが接続される領域以外の配線金属は第２絶縁層で覆われており、一部領域については第２絶縁層が取り除かれて配線金属が露出していることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のＬＥＤ照明装置。
【請求項６】
前記配線金属が露出している領域に他の回路を電気的に接続して駆動できるように、前記配線金属が露出している領域は正極と負極が対になっていることを特徴とする請求項５記載のＬＥＤ照明装置。
【請求項７】
ＬＥＤを複数個使用したＬＥＤ照明装置の製造方法であって、
第１と第２の主面を有する第１絶縁層の第１の主面側に、０．３ｍｍ以下の厚さの金属層を形成する第１工程と、
前記第１絶縁層の第２の主面はＬＥＤ接続用の配線金属を介してＬＥＤを実装する第２工程と、
前記第２工程の後に、ＬＥＤ実装面に開口部を有するマスクを配置する第３工程と、
前記マスクの上から蛍光体を含有する蛍光層を前記ＬＥＤを覆うように塗布する第４工程と、
前記蛍光層を硬化させてからマスクを離型させる第５工程とを備えていることを特徴とするＬＥＤ照明装置の製造方法。
【請求項８】
ＬＥＤを複数個使用したＬＥＤ照明装置の製造方法であって、
第１と第２の主面を有する第１絶縁層の第１の主面側に、０．３ｍｍ以下の厚さの金属層を形成する第１工程と、
前記第１絶縁層の第２の主面はＬＥＤ接続用の配線金属を介してＬＥＤを実装する第２工程と、
前記第２工程の後に、ＬＥＤ実装面に開口部を有するマスクを配置する第３工程と、
前記マスクの上から蛍光体を含有する蛍光層を前記ＬＥＤを覆うように塗布する第４工程と、
前記蛍光層の硬化前にマスクを離型させる第５工程とを備えていることを特徴とするＬＥＤ照明装置の製造方法。
【請求項９】
ＬＥＤを複数個使用したＬＥＤ照明装置の製造方法であって、
第１と第２の主面を有する第１絶縁層の第１の主面側に、０．３ｍｍ以下の厚さの金属層が形成する第１工程と、
前記第１絶縁層の第２の主面側には、あらかじめＬＥＤを覆うように蛍光層を形成し、蛍光層内にＬＥＤが埋め込まれたチップをＬＥＤ接続用の配線金属を介して実装する第２工程とを備えたことを特徴とするＬＥＤ照明装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ（発光ダイオード）を用いたＬＥＤ照明装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高効率の青色・白色発光ダイオードの登場により、発光ダイオード（ＬＥＤ）を使った照明は、従来の白熱電球やハロゲン電球に比べて、高効率・高寿命が期待されることから、電球代替光源として提案されている。発光ダイオードのベアチップは、０．５ｍｍ以下と極めて小さいが、通常、直径３ｍｍ程度の砲弾型の樹脂パッケージに封止されたものや、３ｍｍ×１．５ｍｍ×１．５ｍｍ程度の直方体状の樹脂パッケージに封止されているものが市販されている。
【０００３】
これら、発光ダイオードの発光効率は、電球と同等以上であるが、１個あたりの光束は数ｌｍと電球に比べて２桁以上低いため、同等の光束を得るためには、数百もの多数の発光ダイオードを高密度で実装する必要がある。従って、個々の発光ダイオードのベアチップを１つ１つ組み立てる方法では、多数の発光ダイオードを高密度実装することは困難である。そのため、特許文献１に示されるように、一度に多数の発光ダイオードを基板上に転写実装した照明装置の製造方法等が提案されている。
【特許文献１】特開２００２−２８０６１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記従来の技術は、一度に多数のＬＥＤを基板上に転写実装する方法についての内容であって、ＬＥＤの特徴である実装のしやすさを引き出すような実装形態については何ら言及されていない。
【０００５】
例えば、ＬＥＤ照明装置を使用するために、様々な形状に貼り付けて使用したり、様々なデザインに対応して照明装置を変形して用いるには、フレキシブル性が重要な要素となる。したがって、発光効率重視のメタル基板では、様々なデザインに対応できない。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、容易に変形できる構造とし、照明器具のベース等に容易に実装することができるＬＥＤ照明装置とその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、ＬＥＤを複数個使用したＬＥＤ照明装置であって、第１と第２の主面を有する第１絶縁層の第１の主面側に、０．３ｍｍ以下の厚さの金属層が形成されており、前記第１絶縁層の第２の主面はＬＥＤ接続用の配線金属を介してＬＥＤが実装されていることを特徴とするＬＥＤ照明装置である。
【０００８】
また、請求項２記載の発明は、前記ＬＥＤは３００ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲のピーク発光波長を持つ短波長ＬＥＤであって、蛍光体を含有する蛍光体層にＬＥＤが埋め込まれており、前記蛍光体層の高さの変動範囲が基準となる高さの±５％内に収められていることを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ照明装置である。
【０００９】
また、請求項３記載の発明は、前記第１絶縁層の第１の主面側にＬＥＤからの発光を被照明体側に向けるための反射膜が形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載のＬＥＤ照明装置である。
【００１０】
また、請求項４記載の発明は、ＬＥＤを前記第１絶縁層の第２の主面側に一次元配置したことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のＬＥＤ照明装置である。
【００１１】
また、請求項５記載の発明は、ＬＥＤが接続される領域以外の配線金属は第２絶縁層で覆われており、一部領域については第２絶縁層が取り除かれて配線金属が露出していることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のＬＥＤ照明装置である。
【００１２】
また、請求項６記載の発明は、前記配線金属が露出している領域に他の回路を電気的に接続して駆動できるように、前記配線金属が露出している領域は正極と負極が対になっていることを特徴とする請求項５記載のＬＥＤ照明装置である。
【００１３】
また、請求項７記載の発明は、ＬＥＤを複数個使用したＬＥＤ照明装置の製造方法であって、第１と第２の主面を有する第１絶縁層の第１の主面側に、０．３ｍｍ以下の厚さの金属層が形成する第１工程と、前記第１絶縁層の第２の主面はＬＥＤ接続用の配線金属を介してＬＥＤを実装する第２工程と、前記第２工程の後に、ＬＥＤ実装面に開口部を有するマスクを配置する第３工程と、前記マスクの上から蛍光体を含有する蛍光層を前記ＬＥＤを覆うように塗布する第４工程と、前記蛍光層を硬化させてからマスクを離型させる第５工程とを備えていることを特徴とするＬＥＤ照明装置の製造方法である。
【００１４】
また、請求項８記載の発明は、ＬＥＤを複数個使用したＬＥＤ照明装置の製造方法であって、第１と第２の主面を有する第１絶縁層の第１の主面側に、０．３ｍｍ以下の厚さの金属層を形成する第１工程と、前記第１絶縁層の第２の主面はＬＥＤ接続用の配線金属を介してＬＥＤを実装する第２工程と、前記第２工程の後に、ＬＥＤ実装面に開口部を有するマスクを配置する第３工程と、前記マスクの上から蛍光体を含有する蛍光層を前記ＬＥＤを覆うように塗布する第４工程と、前記蛍光層の硬化前にマスクを離型させる第５工程とを備えていることを特徴とするＬＥＤ照明装置の製造方法である。
【００１５】
また、請求項９記載の発明は、ＬＥＤを複数個使用したＬＥＤ照明装置の製造方法であって、第１と第２の主面を有する第１絶縁層の第１の主面側に、０．３ｍｍ以下の厚さの金属層が形成する第１工程と、前記第１絶縁層の第２の主面側には、あらかじめＬＥＤを覆うように蛍光層を形成し、蛍光層内にＬＥＤが埋め込まれたチップをＬＥＤ接続用の配線金属を介して実装する第２工程とを備えたことを特徴とするＬＥＤ照明装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ＬＥＤ接続用の配線金属が設けられている絶縁層と、この配線金属が設けられている主面の反対側には、人間の手で折り曲げ可能な０．３ｍｍ以下の厚さの金属層が形成されているので、容易に変形でき、容易に実装することができる。これまでは実装の難しかった曲面や複雑な構造、または薄さを利用して隙間にＬＥＤを実装することが可能となる。
【００１７】
また、上記金属層を、放熱板として、また反射膜として使用することができ、光の取り出し効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。図１は本発明のＬＥＤ照明装置の一部の断面構造を模式的に示す。金属層１の上に絶縁層２（第１絶縁層）が形成され、絶縁層２上に配線金属４が配置されている。配線金属４には、接合層５を介してＬＥＤチップ６が接合されている。接合層５には、はんだ、Ｉｎ、Ａｕ／Ｓｎ、Ａｇペースト等が用いられ、ＬＥＤチップ６が配線金属４上にダイボンされている。ＬＥＤチップ６は照明素子としての役割を果たし、発光ダイオードのみで構成される場合や、後述するように発光ダイオードの周囲を蛍光層で覆った構成となる場合もある。
【００１９】
配線金属４には、ＬＥＤチップ６に電流を供給するために、各ＬＥＤチップ毎に正極（陽極）と負極（陰極）がそれぞれ接続されるように、ペアで配線されている。また、配線金属４の正極、負極間での短絡を防ぐために、絶縁層３（第２絶縁層）が設けられている。絶縁層３は、ＬＥＤチップ６がダイボンされている部分を除いて、配線金属４を覆うように形成されている。例えば、絶縁層２は、５０μｍ程度、絶縁層３は３５μｍ程度に形成される。絶縁層２（第１絶縁層）と絶縁層３（第２絶縁層）は、柔軟性のある樹脂等で構成されており、金属層１と絶縁層２と絶縁層３でフレキシブル基板１０を構成する。
【００２０】
金属層１は、金属箔で形成されており、この厚みは、０．３ｍｍ以下となるように構成され、例えば、０．１〜１００μｍ程度の厚みで構成される。金属箔の金属には放熱性の良いＡｌ（アルミニウム）やＣｕ（銅）等が用いられる。金属層１の厚みを０．３ｍｍ以下としているのは、金属は一般的に厚みが０．３ｍｍを越えると折り曲げがしにくくなり、折り曲げを戻すことができなくなってしまうためである。本発明では、できるだけいろいろな形の照明器具に対応して容易に変形できることを目的としており、人間の手作業でも折り曲げることができるように、自由が効く厚みに設定している。
【００２１】
また、変形して照明器具に取り付けたり、組み込んだりした場合、照明器具のベース面との熱伝導をよくする放熱板の役割も果たすため、ＬＥＤ照明装置の全面が金属箔（金属層１）で覆われているのが望ましい。
【００２２】
図１はＬＥＤ照明装置の一部の断面構造を示すが、ＬＥＤチップが多い場合の全体概略構成を示すのが、図２と図３である。図３のように、ＬＥＤチップが広範囲に多数フレキシブル基板上に実装され、チップ実装面側は、図２のように例えば、柔軟性のある透光性のシリコンゴムシート２０で覆われている。なお、このような透光性のシリコンゴムシート２０等のシートで覆わない場合もある。また、図６は、ＬＥＤチップ６が１次元状に並べられている例を示す。
【００２３】
ＬＥＤチップ６で発生した光は、図１の矢印方向に取り出され、この方向が照射方向となるが、矢印方向への光の取り出し効率を高めるために、金属層１を反射板（反射膜）として用いることができる。例えば、金属層１の主面で絶縁層２と接触している側を鏡面加工したり、反射率の大きい金属材料、ＡｌやＡｇ（銀）等で構成するようにしても良い。また、金属層１の下側に酸化物の多層膜反射層（ブラッグ反射層）を設けるようにしても良い。少なくとも、フレキシブル性を損なわないように構成することが必要である。
【００２４】
ＬＥＤチップ６は、青色の発光のみ、また赤色の発光のみ（例えば車のリアランプ）必要な場合は、図４に示すような構造の半導体発光素子からなる青色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤのみで構成すれば良いが、白色発光を必要とする場合には、後述する図１１に示すように、ＬＥＤチップ６は、半導体発光素子（ＬＥＤ）６ｂとこの半導体発光素子の周囲を覆うように形成されている蛍光層６ａで構成する必要があり、蛍光層６ａは、半導体発光素子（ＬＥＤ）６ｂから発せられる３００ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲のピーク発光波長を持つ青色発光を白色発光に変換する蛍光体を含むものである。
【００２５】
蛍光体の種類は、特に制限されるものではなく、従来公知のものを適宜使用することができ、例えば、（Ｙ,Ｓｍ）３（Ａｌ,Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｇｄ,Ｓｍ）３（Ａｌ,Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、ＹＡＧ：Ｔｅ等が用いられる。また、蛍光層６ａは、蛍光体を含有するペースト又は蛍光体を含有するガラスと封止樹脂が含まれており、半導体発光素子６ｂの上面から上方向への厚みＷ１は、１０μｍ〜５００μｍ、望ましくは５０μｍで形成する。一方、半導体発光素子６ｂの横方向への厚みＷ２は、１０μｍ〜５００μｍ、望ましくは５０μｍで形成する。
【００２６】
厚みＷ２は、マスクの精度によりほぼ一定になり、半導体発光素子６ｂの表面積も一定なので、蛍光層６ａの塗布量のバラツキは、Ｗ１のバラツキに比例するので、Ｗ１の厚みの変動が色度のバラツキの原因となる。例えば最も望ましいＷ１の基準値として、５０μｍと設定した場合、製品としての歩留を上げるためには、この高さは５０μｍの±５％以内に収める必要がある。この基準値は、生産される照明装置の仕様によって変わるものであるが、そのときの理論的数値としても良い。
【００２７】
次に、図１の照明装置の製造方法について説明する。まず、図４に示す半導体発光素子６ｂを最初に作製する。サファイア基板６１をＭＯＣＶＤに入れ、水素ガスを流しながら、1０５０℃程度まで温度を上げ、基板をサーマルクリーニングする。温度を６００℃程度まで下げ、低温でＧａＮバッファ層６２を成長させる。再び１０００℃程度まで温度を上げ、Ｓｉがドープされたｎ型ＧａＮコンタクト層６３、Ｓｉがドープされたｎ型のＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子層６４を堆積させる。
【００２８】
次に、温度を７００℃〜８００℃に下げて、井戸層としてＩｎ０．１７ＧａＮを３０Å、バリア層としてアンドープＧａＮを１００Åで交互に例えば８周期積層されたＩｎＧａＮ／ＧａＮ構造によるＭＱＷ活性層６５、アンドープＧａＮ層もしくは１％程度のＩｎ組成のＩｎＧａＮ層６６を順次積層する。
【００２９】
その後１０００℃程度まで昇温し、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮコンタクト層６７を積層する。ｐ型化アニールを行い、ｐ型ＧａＮ中のＭｇを活性化させる。分子線エピタキシー法を用いて、２ｅ−４Ωｃｍ程度の低い低効率を持つＧａドープＺｎＯ電極６８を積層する。ＺｎＯ電極６８の膜厚は１０００Å〜２００００Å、好ましくは、８０００Åで形成する。
【００３０】
ＳｉＯ２のような誘電体膜やレジストによりマスクをＺｎＯ電極６８上のｐ電極として使用する領域のみに形成する。ＩＣＰなどを用いてメサエッチングを行い、ＺｎＯ電極６８からＩｎＧａＮ−ＭＱＷ活性層６５を通過し、ｎ型ＧａＮコンタクト層６３に到達するまで行い、ｎ型ＧａＮコンタクト層６３を露出させる。その後、Ａｌを露出したｎ型ＧａＮコンタクト層６３表面に蒸着して、ｎ電極６９ａを形成し、オーミックコンタクトを得るためのシンターもここで行う。次にパッド電極６９ｂとしてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着で形成する。
【００３１】
最後にサファイア基板６１を研磨で８０μｍ程度まで削り、スクライブによってチップサイズに加工を行う。本実施例では、半導体発光素子６ｂのチップサイズを、１辺が４００μｍの立方体形状に加工した。
【００３２】
このようにして作製したチップをＡｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｓｉ、クリームハンダやＡｇペースト等の接合層５を用いてフリップチップの状態で配線金属４にダイボンディングする。フリップチップタイプのダイボンにすることで、輝度を上げることができ、かつ後述するスクリーン印刷時にはマスク合わせ時の配線金属４の切れを防ぐことが可能となる。
【００３３】
チップをダイボンした後の状態の概略を示すのが、図７である。また、図５（ａ）は、蛍光層を塗布するために配置されるスクリーン印刷のマスク１１の全体構成を示す。マスク１１には貫通孔１２が設けられている。図５（ｂ）は、ペースト３４をスキージ３３により、貫通孔１２に流し込む様子を示す。
【００３４】
これらを参照しながら、次の工程を説明すると、チップをダイボン後に蛍光層を塗布するためにスクリーン印刷のマスク１１を図８のように基板１０上に重ね、図９に示すように、蛍光体と封止樹脂を含有するペースト３４をスキージ３３により、貫通孔１２に流し込み、１００〜１５０℃で１０〜２０分間べ一キングすることにより図１０のように蛍光層６ａが形成される。
【００３５】
ここで、チップに対してスキージ３３により所望の厚さの蛍光層６ａを塗布するのであるが、上述したように、チップ上面に形成する高さＷ１は１０μｍから５００μｍ、好ましくは５０μｍである。チップ横方向への塗布する厚さＷ２は１０μｍから５００μｍ、好ましくは５０μｍである。この時に大事なのは蛍光体のチップへ塗布する厚さであり、これが色度のバラツキの原因となる。蛍光体を塗布するチップの表面積は一定なので、その蛍光体の高さの変動が塗布量の変動となる。そこで蛍光体の高さを制御する必要がある。製品としての歩留を上げるためには、この高さは予想される基準高さに対して、±５％以内に収める必要がある。
【００３６】
上記のように、蛍光層６ａの原材料として蛍光体と封止樹脂が含まれるペーストを塗布し、ペーストの粘度が１０Ｐａ・ｓより低い場合には、ペーストをべ一キングして硬化させてからマスク１１を除去し、図１１のように照明装置が完成する。なお、ペーストの粘度が１０Ｐａ・ｓ以上ある場合にはべ一キングしなくても、ペーストが形を保持するので、マスク１１を除去してからベーキングしても良い。このようにスクリーン印刷を利用することで、簡便に多くのチップに蛍光層６ａを形成することができる。
【００３７】
また、上記スクリーン印刷以外にも、あらかじめ蛍光層６ａを半導体発光素子６ｂに形成して白色ＬＥＤとなったチップを直接フレキシブル基板１０に実装してもよい。
【００３８】
このように人間の手で折り曲げられ、容易に変形できる０・３ｍｍ以下の厚さの金属層１を有するフレキシブル基板１０にチップを実装することで、これまでは難しかった照明器具の曲面への実装や、薄さを利用して隙間に配置することもできる。
【００３９】
具体的に、チップを搭載した本発明のＬＥＤ照明装置の構成例を図１２、１３に示す。図１２、１３では、２次元的にＬＥＤチップ６を配置した例を示す。図１２では、フレキシブル基板１０に形成されている配線金属４にＬＥＤチップ６がダイボンディングされている。配線金属４のうち、ＬＥＤチップ６がダイボンディングされる配線金属については、その配線の幅が他よりも太くなっている。また、フレキシブル基板１０の上面は、絶縁層３で覆われている。各ＬＥＤチップ６の正極は、上側の正極ラインの配線金属に接続されており、各ＬＥＤチップ６の負極は下側の負極ラインの配線金属に接続されており、各ＬＥＤチップ６は、すべて並列接続されている。なお、絶縁層３は、各ＬＥＤチップ６を内包する高さまで形成しておいても良い。
【００４０】
ところで、接続端子１５、１６の部分は、絶縁層３が取り除かれて配線金属４が露出している。例えば、接続端子１５には、各ＬＥＤチップ６に電圧を供給するための電源を繋いで使用し、一方、接続端子１６には、図１２の構成と同じＬＥＤ照明装置をもう１つ用意して、これを接続する端子として用いることができ、これを繰り返せば、何個ものＬＥＤ照明装置を接続して用いることができ、利便性が向上する。
【００４１】
一方、図１３の構成は、ほぼ図１２と同じであるが、各ＬＥＤチップ６の正極は、下側の正極ラインの配線金属に接続されており、各ＬＥＤチップ６の負極は上側の負極ラインの配線金属に接続されており、図１２とは逆になっている。また、絶縁層３が取り除かれて配線金属４が露出している接続端子１７、１８を、１６の箇所とは別の所に設けたものである。この場合、接続端子１７、１８は、ＬＥＤチップ６に補正回路等を接続して所定の回路を構成するときに、用いると便利である。
【００４２】
上述した例では、２次元的にチップを配置しているが、図１４のように、ＬＥＤチップ６を１次元的にライン状に配置したほうが、幅が狭くなり、また変形もしやすくなるので、張りつける場所が丸い場合や複雑な場合に実装が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明におけるＬＥＤ照明装置の一部の断面構造を示す図である。
【図２】ＬＥＤ照明装置の全体概略構成を示す図である。
【図３】ＬＥＤ照明装置の全体概略構成を示す図である。
【図４】ＬＥＤ照明装置に用いる半導体発光素子の断面構造を示す図である。
【図５】蛍光層を塗布する場合に使用するマスクの全体構成と塗布方法を示す図である。
【図６】ＬＥＤチップを１次元的に配置したＬＥＤ照明装置の全体構成を示す図である。
【図７】蛍光層の形成方法の一工程を示す図である。
【図８】蛍光層の形成方法の一工程を示す図である。
【図９】蛍光層の形成方法の一工程を示す図である。
【図１０】蛍光層の形成方法の一工程を示す図である。
【図１１】蛍光層の形成方法の一工程を示す図である。
【図１２】本発明におけるＬＥＤ照明装置の具体的なチップ配置や配線の構成を示す図である。
【図１３】本発明におけるＬＥＤ照明装置の具体的なチップ配置や配線の構成を示す図である。
【図１４】本発明におけるＬＥＤ照明装置の具体的なチップ配置や配線の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１  金属層
２  絶縁層
３  絶縁層
４  配線金属
５  接合層
６  ＬＥＤチップ
１０  フレキシブル基板
【図１】
2008091459.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008091459.tif 000009
【図８】
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【図９】
2008091459.tif 000011
【図１０】
2008091459.tif 000012
【図１１】
2008091459.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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