(57)【要約】【課題】高圧抵抗を樹脂埋めする高電圧トランスにおいて、高圧抵抗の保持において樹脂埋めの応力歪を低減し、熱衝撃の繰返しによるクラックの発生を抑制する。【解決手段】高圧抵抗を取り囲む箱形形状の高圧抵抗保持壁部と、箱形形状の高圧抵抗保持壁部の短辺方向の１辺に高圧抵抗のアース側電極部付近の端部を挿入して保持する凹形リブと、高圧抵抗の長辺方向において高圧抵抗を左右からはさみ込む複数のリブとを備え、高圧抵抗保持壁部内における高圧抵抗を中心に位置づけるので、樹脂の応力のバランスをとることができるようになる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧抵抗などの電子部品を絶縁樹脂で樹脂埋めする高電圧トランスにおいて、
前記高圧抵抗を取り囲む箱形形状の高圧抵抗保持壁部と、前記箱形形状の高圧抵抗保持壁部の短辺方向の１辺に前記高圧抵抗のアース側電極部付近の端部を挿入して保持する凹形リブと、前記高圧抵抗の長辺方向において前記高圧抵抗を左右からはさみ込む複数のリブとを備え、前記高圧抵抗の高圧側電極部付近の端部を前記箱形形状の高圧抵抗保持壁部に接触しないように挿設することを特徴とする高電圧トランス。
【請求項２】
前記複数のリブは、前記箱型形状の高圧抵抗保持壁部の側壁と接触せずに前記箱型形状の高圧抵抗保持壁部の底面部から挿設され、かつ、前記高圧抵抗の上面を超える高さを有することを特徴とする請求項１記載の高電圧トランス。
【請求項３】
前記複数のリブは、前記高圧抵抗の印刷抵抗面側でアース側電極部寄りに挿設された第１のリブと、前記高圧抵抗の印刷抵抗面の裏側で高圧側電極部寄りに挿設された第２のリブとを有し、前記第２のリブを前記高圧側電極から前記高圧抵抗の長辺の１／３以上の長さを離して挿設することを特徴とする請求項２記載の高電圧トランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、直流高電圧を供給する高電圧トランスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の高電圧トランスの構造について図７、図８、図９、図１０を参照しながら説明する。図７は従来の高電圧トランスの断面図を示したものである。図８は従来の高電圧トランスの高圧抵抗保持壁部の正面図である。図９は従来の高電圧トランスの高圧抵抗保持壁部のＤ−Ｄ断面図である。図１０は従来の高電圧トランスの高圧抵抗保持壁部のＥ−Ｅ断面図とＦ−Ｆ断面図である。
【０００３】
各図において、高電圧トランスは、高圧抵抗１０１と、高圧抵抗１０１を囲むように挿設されたプラスチック樹脂のＵ型形状の高圧抵抗保持壁部１０２と、高圧抵抗のアース側電極部１０５と、高圧抵抗の高圧側電極部１０６と、高圧接続端子１０７と、熱硬化性絶縁樹脂１１０と、凹型の樹脂成型部１１１と、アース側リード１１２と、高圧側リード１１３を備えている。
【０００４】
また、Ｕ型形状の高圧抵抗保持壁部１０２は、高圧抵抗保持下壁部１０２Ｕと、高圧抵抗保持左壁部１０２Ｌと、高圧抵抗保持右壁部１０２Ｒで構成されている。
【０００５】
図８において、従来の高電圧トランスの高圧抵抗１０１を収容する部分の構造は、上方に開放されたＵ型形状の高圧抵抗保持壁部１０２の中に、図１０のＦ−Ｆ断面図に示すように凹型リブ１１１にて高圧抵抗１０１のアース側電極部１０５側の端面を支え、図８のように高圧側電極部１０６側のリード１１３を高圧接続端子１０７に接続固定することで高圧抵抗１０１を２点保持する構造により、Ｕ型形状の高圧抵抗保持壁部１０２に囲まれた容積の中に高圧抵抗１０１を配置する構成となっている。
【特許文献１】特開２００１−１７６７２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の高電圧トランスの構成では、高圧抵抗１０１を略角型のＵ型形状の高圧抵抗保持壁部１０２内に保持する場合、図８の高圧側リード１１３を高圧接続端子１０７に固定する際の作業バラツキ等により高圧抵抗１０１をＵ型形状の高圧抵抗保持壁部１０２内の中心に保持することが難しく、図１０に示すように高圧抵抗１０１とＵ型形状の高圧抵抗保持壁部１０２の隙間１１４、１１５が左右のどちらかに偏るという課題を有していた。
【０００７】
そして高圧抵抗１０１がＵ型形状の高圧抵抗保持壁部１０２内の中心に保持されない場合、高圧抵抗１０１の左右に注入される熱硬化型絶縁樹脂１１０の容量がアンバランスとなる。一方、熱硬化絶縁樹脂であるエポキシ樹脂の硬化は、液状のエポキシ樹脂をトランスに注入し、エポキシ樹脂のガラス転移温度を超えない範囲の高温で硬化を実施する。エポキシ樹脂硬化後の高電圧トランス内部は高温状態で各部材の容積バランスが安定状態となっている。
【０００８】
高電圧トランスの温度が高温から低温へと変化すると、高圧抵抗のセラミック基板の線膨張係数５×１０−６／℃に比べてエポキシ樹脂の線膨張係数が５×１０−５／℃と差が有る為にセラミック基板近傍にて熱収縮によるせん断力が発生し、発生したせん断力が樹脂または樹脂とセラミックとの界面強度を上回ると微少クラックが発生する。また、セラミック基板の両側でエポキシの樹脂厚が大きく異なると、低温時にエポキシ樹脂が縮小する際にセラミック基板の両側から加わるせん断力の差により、セラミック基板片方により強く引っ張られることで、同じくセラミック基板近傍においてせん断力が界面強度を越えて微小クラックが発生する。高電圧トランス電源のＯＮ−ＯＦＦやトランスの周囲温度の変化により、高温から低温、低温から高温と熱衝撃が繰り返し継続して高電圧トランスに加わることで、前記微少クラックが成長することが知られている。
【０００９】
ゆえに従来の構成では、熱衝撃に対してＵ型形状の高圧抵抗保持壁部１０２、熱硬化絶縁樹脂１１０及び高圧抵抗１０１のセラミック基板の線膨張係数の差によって、高圧抵抗１０１のごく近傍にて微少クラックが早期に発生しやすくなる。熱衝撃が繰り返されることによりこの微少クラックが成長を繰り返しやがては、高圧抵抗１０１の長辺方向両端上部に設けられたアース側電極部１０５と高圧側電極部１０６間、あるいは、アース側リード１１２と高圧側リード１１３間に繋がって絶縁破壊に至り長期安全性に課題があった。
【００１０】
図１１は従来の高電圧トランスにおける高圧抵抗近傍に発生するクラックを示す図である。図１１において、熱衝撃の繰返しである長期熱衝撃試験を実施した際に、従来の高電圧トランスにおける高圧抵抗近傍に発生し成長した微少クラック１２１〜１２６を示している。図１１で示すように、従来の高電圧トランスでは、抵抗基盤アース側端面及び高圧側端面から成長したクラックが成長して最終的にクラック１２１となり、アース側電極部１０５から高圧側電極部１０６まで到達して絶縁破壊に至ってしまう。
【００１１】
また、Ｕ型形状の高圧抵抗保持壁部１０２は、高圧抵抗１０１の上部スペースが図８のように開放されており、高圧抵抗１０１上方の熱硬化性絶縁樹脂１１０の容積が大きい為、熱硬化性絶縁樹脂の温度低下時にセラミック抵抗基板高圧側端面に発生するせん断力が大きくなり、高圧抵抗１０１の高圧側端面近傍にクラックが入りやすい構造となっていた。
【００１２】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、作業バラツキ等の影響を受けず、高圧抵抗の周囲の熱硬化性絶縁樹脂の容積バランスを改善し、熱衝撃の繰返しに対するアース側電極部と高圧側電極部の間を繋ぐ絶縁破壊を防いで、製品寿命が長い安全な製品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記従来の課題を解決するために、本発明の高電圧トランスは、高圧抵抗を取り囲む箱形形状の高圧抵抗保持壁部と、箱形形状の高圧抵抗保持壁部の短辺方向の１辺に高圧抵抗のアース側電極部付近の端部を挿入して保持する凹形リブと、高圧抵抗の長辺方向において高圧抵抗を左右からはさみ込む複数のリブとを備え、高圧抵抗の高圧側端部を箱形形状の高圧抵抗保持壁部に接触しないように挿設する。
【００１４】
本構成によって、箱形形状の高圧抵抗保持壁部内における高圧抵抗を中心に位置づけ、高圧抵抗の両側に充填する絶縁樹脂の容積をほぼ同量にすることができるようになる。
【００１５】
また、複数のリブは箱型形状の高圧抵抗保持壁部の側壁と接触せずに箱型形状の高圧抵抗保持壁部の底面部から挿設され、かつ、高圧抵抗の上面を超える高さを有する構成にする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の高電圧トランスによれば、高圧抵抗保持壁部を箱型して高圧抵抗の上方に壁を挿設することで、高圧抵抗上方の熱硬化性絶縁樹脂の容積が従来例に比べて小さくなり、熱硬化性絶縁樹脂の温度低下時にセラミック抵抗基板高圧側端面に発生するせん断力をより小さくでき、高圧抵抗の高圧側基板端面近傍にクラックが入りにくくなる。また箱型形状の高圧抵抗保持壁部内において、高圧抵抗の両側に充填する熱硬化型絶縁樹脂の容積をほぼ同量にするできることができる為、熱硬化性絶縁樹脂の温度低下時に発生するせん断力が均等且つ低減でき、高圧抵抗の長手面近傍にクラックが入りにくくなる。さらに高電圧トランスのスイッチのＯＮ−ＯＦＦや、環境の変化による熱衝撃が繰り返し加わった時に、高圧抵抗にかかる収縮時の熱応力のバランスがとれる。あるいは、熱応力が低減されることで、高圧抵抗近傍の微少クラックの発生が抑えられる。
【００１７】
また、本発明の第２の高電圧トランスによれば、高圧抵抗を左右から保持する為に挿設した複数の高圧抵抗の上面を超えるリブにより、従来の高電圧トランスと同じ熱衝撃の繰り返しにおいても、高圧抵抗を保持するリブの端面部にもクラックが生じて成長し、高圧抵抗の短辺方向にクラックが生じる。高圧抵抗の短辺方向にクラックが発生することで、高圧抵抗の長辺方向に成長するクラックが発生しても、高圧抵抗の短辺方向のクラックのところで熱応力が分散され、長辺方向に成長するクラックの成長が止まり、結果としてアース側と高電圧側の電極間にクラックが繋がることを防ぐことができる。
【００１８】
また、本発明の第３の高電圧トランスによれば、前記複数のリブを高圧抵抗の高圧側電極から前記高圧抵抗の長辺の１／３以上の長さを離して挿設することで、高圧抵抗の高電位部周辺にはクラック発生の一因である保持リブが無く、周囲を熱硬化型絶縁樹脂でせん断力のバランスがとれた状態で囲む構造となり、高圧抵抗の高電位部周辺でのクラックの発生及び成長を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における高電圧トランスの断面図である。
【００２１】
図１において、高電圧トランスは、セラミック基板に抵抗印刷した高圧抵抗１と、高圧抵抗１を囲むように挿設されたＰＢＴ（Ｐｏｌｙｂｕｔｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂製の箱型形状の高圧抵抗保持壁部２と、高圧抵抗１の印刷抵抗のアース側電極部６と、高圧抵抗１の印刷抵抗の高圧側電極部７と、下側リブ８と、上側リブ９と、エポキシ樹脂などの熱硬化性絶縁樹脂１０と、凹型の樹脂成型された凹型リブ１１と、アース端子１８と、高圧出力ケーブル１９と、高圧側電極部７と高圧出力ケーブル１９とを繋ぐ高圧側リード１２と、アース側電極部６とアース端子１８とを繋ぐアース側リード１３とを備えている。
【００２２】
図２は本発明の実施の形態１における高電圧トランスの高圧抵抗保持部の正面図である。図２に示す通り、高圧抵抗１を配置する箱型形状の高圧抵抗保持壁部２は、形状が高圧抵抗１を囲むような箱型形状となるように、高圧抵抗保持上壁部２Ｔ、高圧抵抗保持下壁部２Ｕ、高圧抵抗保持左壁部２Ｌ、高圧抵抗保持右壁部２Ｒの長方形形状になる４つの側壁と、高圧抵抗保持底面部２Ｂの底面とで構成されている。さらに箱型形状の高圧抵抗保持壁部２の高圧抵抗保持下壁部２Ｕ側の内部に凹形状で樹脂成型された凹型リブ１１を挿設し、高圧抵抗１のアース側電極部６側の端面を挿入して保持する。反対側の箱型形状の高圧抵抗保持壁部２の高圧抵抗保持上壁部２Ｔ側の内部は、高圧抵抗１の高圧側電極部７側の端面と熱硬化性絶縁樹脂１０が間に注入されて絶縁が保てるように、距離を置いて配置している。
【００２３】
また、高圧抵抗１の長辺方向において高圧抵抗１のアース側電極部６および高圧側電極部７および抵抗印刷面を支える下側リブ８とアース側電極部６および高圧側電極部７および抵抗印刷の無い側の面を支える上側リブ９を高圧抵抗の長辺方向の上下２箇所に分けて挿設する。
【００２４】
図３は本発明の実施の形態１における高電圧トランスの高圧抵抗の周囲に硬化される熱硬化性絶縁樹脂１０の厚みを示す図である。図３において、高圧抵抗１と高圧抵抗保持部２との間隔として、高圧抵抗１の右側の樹脂厚み１５と、高圧抵抗１の左側の樹脂厚み１６と、高圧抵抗１の高圧側端面から上側の樹脂厚み１７とを示している。本実施の形態１の構成においては、図３のように高圧抵抗１と箱型形状の高圧抵抗保持壁部２の高圧抵抗保持右壁部２Ｒおよび高圧抵抗保持左壁部２Ｌとの間隔１５および１６は両側均等となっている。さらに、高圧抵抗１の高圧側電極部７付近は、樹脂厚み１７の熱硬化性絶縁樹脂１０のみにして、絶縁不良の発生確率を低くしている。
【００２５】
また、図４は本発明の実施の形態１における高電圧トランスにおいて、長期熱衝撃試験を実施した際高圧抵抗近傍に発生する微少クラックの発生結果を示した図である。
【００２６】
図４において、クラック２１〜２８は本発明で従来例と同じ長期熱衝撃試験を実施した際に発生し成長した微少クラックを示している。
【００２７】
通常エポキシ樹脂の硬化は、熱硬化性である液状のエポキシ樹脂をトランスに注入し、エポキシ樹脂のガラス転移温度を超えない範囲の高温で硬化を実施する。エポキシ樹脂硬化後のトランス内部は高温状態で各部材の容積バランスが安定状態となっている。トランスの温度が高温から低温へと変化すると、高圧抵抗セラミック基板の線膨張係数５×１０−６／℃に比べてエポキシ樹脂の線膨張係数が５×１０−５／℃と大きく差が有る為にセラミック基板近傍にて微少クラックが発生する。また、セラミック基板の両側でエポキシの樹脂厚が大きく異なると、トランスの温度が高温から低温に変化した時、エポキシ樹脂が収縮しセラミック基板近傍にせん断力が加わり、せん断力が樹脂のあるいは樹脂とセラミック基板の界面強度を越えると微少クラックが発生する。高電圧トランス電源のＯＮ−ＯＦＦやトランスの周囲温度の変化により、高温から低温、低温から高温と熱衝撃が繰り返し継続してトランスに加わることで、クラックが成長する。
【００２８】
本発明の実施形態１の構成によれば、高圧抵抗１を取り囲む箱型形状２の保持壁を有することにより、図２のように高圧抵抗１の上部スペースを高圧抵抗保持上壁部２Ｔで塞ぐことにより、高圧抵抗上部の熱硬化型絶縁樹脂の容積を小さくでき、熱硬化型絶縁樹脂のせん断力が小さくなることで、図１１に示す従来例の高圧抵抗高圧側端面での微小クラック１２４の発生を図４の２７、２８程度に抑制することができる。
【００２９】
また箱形形状の高圧抵抗保持壁部の短辺方向の１辺に高圧抵抗のアース側電極部付近の端部を挿入して保持する凹形リブ１１と、高圧抵抗の長辺方向において高圧抵抗を左右からはさみ込む複数のリブ８、９で高圧抵抗の高圧側端部を箱形形状の高圧抵抗保持壁部に接触しないように配置でき、更に高圧抵抗１を箱型形状の高圧抵抗保持壁部内の中心に位置づけ、高圧抵抗の両側に充填する絶縁樹脂の容積をほぼ均等にすることができるようになり、熱硬化性絶縁樹脂の温度低下時に発生するせん断力が均等且つ低減でき、高圧抵抗１近傍の微少クラックの発生が抑えられる。また熱衝撃が繰り返されることによって成長する微少クラックの成長も抑えることが出来る効果がある。すなわち、図１１に示す高圧抵抗の長手面近傍での従来例における微小クラック１２１、１２６の発生を図４の２２、２３程度に抑制することができる。
【００３０】
図５は本発明の実施の形態１における高電圧トランスの高圧抵抗保持部のＡ−Ａ断面図でもある。図５の下側リブ８、上側リブ９の高さ方向寸法を高圧抵抗１の幅を超える高さにし、高圧抵抗１を凹型リブ１１にのせ、下側リブ８と上側リブ９で挟むことで固定している。
【００３１】
図６は本発明の実施の形態１における高電圧トランスの高圧抵抗保持部のＢ−Ｂ断面図とＣ−Ｃ断面図である。下側リブ８、上側リブ９の高さ方向の形状は図６の断面図の高さ方向において、高圧抵抗１のセラミック基板の下側約１／３が下側リブ８および上側リブ９に接触し、下側リブ８、上側リブ９の先端は高圧抵抗１のセラミック基板から約０．５ｍｍ程度離れるテーパーがついている。この高さ方向の形状を有することによって、凹型リブ１１と下側リブ８、上側リブ９の下部との３点で高圧抵抗１を安定して箱型形状の高圧抵抗保持壁部２の短辺方向の中心に保持し、テーパーをつけることで箱型形状の高圧抵抗保持壁部２全体の成型性を良くすることができる。
【００３２】
ここで、下側リブ８、上側リブ９は図６に示すように箱型形状の高圧抵抗保持壁部２の高圧抵抗保持底面部２Ｂから挿設され、箱型形状の高圧抵抗保持壁部２の高圧抵抗保持上壁部２Ｔ、高圧抵抗保持下壁部２Ｕ、高圧抵抗保持左壁部２Ｌおよび高圧抵抗保持右壁部２Ｒとは繋がっていない構成となっている。
【００３３】
また、下側リブ８、上側リブ９の幅は、１．０ｍｍ〜３．０ｍｍの範囲が最適値である。１．０ｍｍより小さいとリブとしての構造的強度が不足する。そして、３．０ｍｍより大きいと下側リブ８、上側リブ９の上端のＰＢＴと熱効果性絶縁樹脂の界面において高圧抵抗１のアース側電極部６から高圧側電極部７へ向かう方向に絶縁樹脂のクラックが発生しやすくなり、絶縁に対する安全性が悪化する要因となる。
【００３４】
従来例では、図１１で示すように抵抗基盤アース側端面及び高圧側端面で発生した微少クラックが成長して最終的にクラック１２１となり、アース電極１０５から高圧側電極１０６まで到達して絶縁破壊に至ってしまう。しかし本発明実施形態２の構成にすれば、同じ熱衝撃の繰り返しによっても、図４に示すように高圧抵抗１を保持する下側リブ８、上側リブ９の端面部にもクラックが生じて成長しリブの長辺方向に平行なクラック２１が生じる。クラック２１が発生することで、高圧抵抗１の端面部に沿って成長するクラック２２が発生しても、クラック２１のところで熱応力が分散されクラック２２の成長が止まり、結果としてクラック２２がアース側電極部６と高電圧側電極部６の間を繋ぐまで成長することがなく絶縁破壊を防ぐ効果を奏し、同時に下側リブ８、上側リブ９の高さ方向寸法を高圧抵抗の上面より高く挿設することにより、熱衝撃を加え続けた場合に、クラッ２１の成長がクラック２２の成長に比べて早くなることでより確実にクラック２２の成長を抑制することができるという効果を発揮する。
【００３５】
また、下側リブ８、上側リブ９は図６のように下側約１／３が高圧抵抗１と接して、高圧抵抗１を高圧抵抗保持壁部２の中央に位置付けると共に、上側約２／３のテーパーが高圧抵抗１と下側リブ８、上側リブ９の間に熱硬化性絶縁樹脂１０を充填することができるようにしているので、熱衝撃の繰返しで発生するクラック２１、２２を下側リブ８、上側リブ９に沿って伝播させて、高圧抵抗１の端面で伝播することを抑制する。
【００３６】
図５は実施の形態１における高電圧トランスの高圧抵抗保持部のＡ−Ａ断面図である。図５に示す通り、下側リブ８および上側リブ９は、高圧抵抗１のアース側電極部６から長辺方向の長さの約２／３までの位置に挿設する。つまり、高圧抵抗１の高圧側電極部７から長辺方向の長さの約１／３までの位置にはリブなど高圧抵抗１に接触させるものは挿設せず、熱硬化性絶縁樹脂１０のみが囲むこととなる。
【００３７】
また、本発明の高電圧トランスは部品点数・高圧抵抗収納スペースや生産コストを増やすことなく、熱衝撃に対する安全性を高めることができるものである。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明にかかる高電圧トランスによれば、従来の高電圧トランスと同じ熱衝撃の繰り返しでも、高圧抵抗を保持するリブの端面部にもクラックが生じて成長し、高圧抵抗の短辺方向にクラックが生じる。高圧抵抗の短辺方向にクラックが発生することで、高圧抵抗の長辺方向に成長するクラックが発生しても、高圧抵抗の短辺方向のクラックのところで熱応力が分散され、長辺方向に成長するクラックの成長が止まり、結果としてアース側と高電圧側の電極間にクラックが繋がることを防ぐことができるものであり、直流高電圧を供給する高電圧トランス等において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施の形態１における高電圧トランスの断面図
【図２】本発明の実施の形態１における高電圧トランスの高圧抵抗保持部の正面図
【図３】本発明の実施の形態１における高電圧トランスの高圧抵抗の周囲に硬化される熱硬化型絶縁樹脂の厚みを示す図
【図４】本発明の実施の形態１における高電圧トランスにおける高圧抵抗近傍に発生するクラックを示す図
【図５】本発明の実施の形態１における高電圧トランスの高圧抵抗保持部のＡ−Ａ断面図
【図６】本発明の実施の形態１における高電圧トランスの高圧抵抗保持部のＢ−Ｂ断面図とＣ−Ｃ断面図
【図７】従来の高電圧トランスの断面図
【図８】従来の高電圧トランスの高圧抵抗保持部の正面図
【図９】従来の高電圧トランスの高圧抵抗保持部のＤ−Ｄ断面図
【図１０】従来の高電圧トランスの高圧抵抗保持部のＥ−Ｅ断面図とＦ−Ｆ断面図
【図１１】従来の高電圧トランスにおける高圧抵抗近傍に発生するクラックを示す図
【符号の説明】
【００４０】
１    高圧抵抗
２    箱型形状の高圧抵抗保持壁部
２Ｔ    高圧抵抗保持上壁部
２Ｕ    高圧抵抗保持下壁部
２Ｌ    高圧抵抗保持左壁部
２Ｒ    高圧抵抗保持右壁部
２Ｂ    高圧抵抗保持底面部
６    アース側電極部
７    高圧側電極部
８    下側リブ
９    上側リブ
１０    熱硬化性絶縁樹脂
１１    凹型リブ
１２    高圧側リード
１３    アース側リード
１５    樹脂厚み
１６    樹脂厚み
１７    樹脂厚み
１８    アース端子
１９    高圧出力ケーブル
２１    クラック
２２    クラック
２３    クラック
２４    クラック
２５    クラック
２６    クラック
２７    クラック
２８    クラック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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