(57)【要約】【課題】配線ＣＰ方式でパターンを描画する際において、ショット数の削減効率の向上及び微小パターン生成の抑制をはかる。【解決手段】直線状の開口パターンが周期配列されたキャラクタアパーチャ上を電子ビームで選択照射することで、開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する電子ビーム描画に用いる電子ビーム描画データの作成方法であって、一種類又は複数種類の直線状パターンの幅とパターン間の距離の組み合わせを、キャラクタパターン抽出のルールとして設定し（Ｓ１）、描画対象パターンに含まれる抽出ルールに適合するパターンに対して、抽出するパターンの長さ及び抽出したパターンの余り部分のパターンの長さをキャラクタパターン抽出のパラメータとして設定し（Ｓ２）、抽出ルール及び抽出パラメータに基づいて、描画対象パターンから直線状周期的キャラクタパターンを抽出する（Ｓ３）。【選択図】図２
2008117819.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直線状の開口パターンが周期配列されたキャラクタアパーチャ上を電子ビームで選択照射することで、開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する電子ビーム描画に用いる電子ビーム描画データの作成方法であって、
一種類又は複数種類の直線状パターンの幅とパターン間の距離の組み合わせを、キャラクタパターン抽出のルールとして設定する工程と、
描画対象パターンに含まれる前記抽出ルールに適合するパターンに対して、抽出するパターンの長さ及び抽出したパターンの余り部分のパターンの長さをキャラクタパターン抽出のパラメータとして設定する工程と、
前記設定された抽出ルール及び抽出パラメータに基づいて、描画対象パターンから直線状周期的キャラクタパターンを抽出する工程と、
を含むことを特徴とする電子ビーム描画データの作成方法。
【請求項２】
前記描画対象パターンから抽出される直線状周期的キャラクタパターンが連続するパターンの一部から抽出された場合、抽出した結果の残りのパターンの長さを調べ、前記抽出パラメータとして設定した余り部分のパターンの長さ未満である場合は、前記連続するパターンからの直線状周期的キャラクタパターンの抽出を中止する、ことを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画データの作成方法。
【請求項３】
前記描画対象パターンから抽出される直線状周期的キャラクタパターンの長さを調べ、前記抽出パラメータとして設定したパターンの長さ未満である場合は、当該部分からの直線状周期的キャラクタパターンの抽出を中止する、ことを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画データの作成方法。
【請求項４】
前記描画対象パターンから抽出された直線状周期的キャラクタパターンの複数個を結合した後に矩形領域への分割を行い、該矩形領域の長さを調べ、前記抽出パラメータとして設定したパターンの長さ以上の矩形領域を直線状周期的キャラクタパターンとして抽出する、ことを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画データの作成方法。
【請求項５】
前記抽出のパラメータのうちの少なくとも一つを徐々に小さな値に変化させながら、直前の直線状周期的キャラクタパターンの抽出後の残りのパターンの中から、新たな直線状周期的キャラクタパターンの抽出を繰り返す、ことを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画データの作成方法。
【請求項６】
直線状の開口パターンが周期配列されたキャラクタアパーチャ上を電子ビームで選択照射することで、開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する電子ビーム描画に用いる電子ビーム描画データの作成装置であって、
一種類又は複数種類の直線状パターンの幅とパターン間の距離の組み合わせを、キャラクタパターン抽出のルールとして設定する手段と、
描画対象パターンに含まれる前記抽出ルールに適合するパターンに対して、抽出するパターンの長さ及び抽出したパターンの余り部分のパターンの長さをキャラクタパターン抽出のパラメータとして設定する手段と、
前記設定された抽出ルール及び抽出パラメータに基づいて、描画対象パターンから直線状周期的キャラクタパターンを抽出する手段と、
を具備してなることを特徴とする電子ビーム描画データの作成装置。
【請求項７】
コンピュータ読み取り可能なプログラムであり、直線状の開口パターンが周期配列されたキャラクタアパーチャ上を電子ビームで選択照射することで、開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する電子ビーム描画に用いる電子ビーム描画データの作成プログラムであって、
一種類又は複数種類の直線状パターンの幅とパターン間の距離の組み合わせを、キャラクタパターン抽出のルールとして設定する手順と、
描画対象パターンに含まれる前記抽出ルールに適合するパターンに対して、抽出するパターンの長さ及び抽出したパターンの余り部分のパターンの長さをキャラクタパターン抽出のパラメータとして設定する手順と、
前記設定された抽出ルール及び抽出パラメータに基づいて、描画対象パターンから直線状周期的キャラクタパターンを抽出する手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする電子ビーム描画データ作成プログラム。
【請求項８】
直線状の開口パターンが周期配列されたキャラクタアパーチャ上を電子ビームで選択照射することで、開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する電子ビーム描画装置であって、
一種類又は複数種類の直線状パターンの幅とパターン間の距離の組み合わせを、キャラクタパターン抽出のルールとして設定する手段と、
描画対象パターンに含まれる前記抽出ルールに適合するパターンに対して、抽出するパターンの長さ及び抽出したパターンの余り部分のパターンの長さをキャラクタパターン抽出のパラメータとして設定する手段と、
前記設定された抽出ルール及び抽出パラメータに基づいて、描画対象パターンから直線状周期的キャラクタパターンを抽出する手段と、
前記抽出された直線状周期的キャラクタパターンを前記キャラクタアパーチャを用いて描画すると共に、前記抽出されなかったパターンを可変成形ビームを用いて描画する手段と、
を具備してなることを特徴とする電子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、直線状の開口パターンが周期配列されたキャラクタアパーチャを用いて試料上に複数の直線状パターンを同時に描画する電子ビーム描画技術に係わり、特に電子ビーム描画データを作成するための電子ビーム描画データの作成方法、作成装置、作成プログラム及び電子ビーム描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子ビーム（ＥＢ）直接描画によるリソグラフィのスループット向上のため、従来の可変成形（Variable Shaped Beam：ＶＳＢ）方式にキャラクタ・プロジェクション（Character Projection：ＣＰ）方式を併用することで、ＥＢショット数を削減することが提案されている。さらに、通常のＣＰ方式に対して、電子ビームをキャラクタ開口の一部に選択照射する方式を採用することにより、複数の配線パターンやアレイ状のコンタクトホールを一括でショットする方法（“配線ＣＰ”と呼ぶ）が提案されている。
【０００３】
例えば、（特許文献１）や（特許文献２）では、ロジックデバイスにおける配線ルールに着目し、並行に走る配線パターンから、配線パターンの幅と配線パターン間の間隔（距離）を元に配線ＣＰを抽出し、ＥＢショットデータ（描画データ）を作成する方法と、その描画データを用いた描画方法を開示している。
【０００４】
これらの方法によると、配線パターンの幅とパターン間隔が指定された組み合わせ（配線ＣＰルール）になっているパターンを抽出し、抽出した配線ＣＰパターン形状の電子ビームを成形するためのＥＢ描画データを作成する。そして、ある一つのルールに基づく配線ＣＰの抽出後に、異なるルールに基づく配線ＣＰパターン抽出を繰り返す。これにより、複数のルール、即ち複数のキャラクタパターンを使用することができ、ショット数を削減することができる。
【０００５】
しかし、配線ＣＰルールとして考慮しているのが、配線パターンの幅とそれらパターン間の距離のみであるため、配線ＣＰルールに適合するあらゆるパターンを一纏めにしてしまう。そのため、描画対象とするパターンによっては、配線ＣＰパターンや配線ＣＰパターン抽出後の余りのパターンを、必要以上に微小なパターンに分割してしまうことがある。その結果、ＶＳＢのみの場合と比べてのショット数の削減率が低下し、場合によってはショット数が増加してしまう。また、微小なパターンを多く生成するため、ＥＢショットの接続が多くなり、描画パターンの寸法及び位置精度を劣化させてしまうおそれがある。
【特許文献１】特開２００２−２５２１５８号公報
【特許文献２】特開２００４−２８１５０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このように従来、電子ビームをキャラクタ開口の一部に選択照射し、複数の配線パターンやアレイ状のコンタクトホールを一括でショットする配線ＣＰ方式においては、ＥＢ描画データを作成する際に、ショット数の削減効率が低下し、また微小パターンが生成されてしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、配線ＣＰ方式でパターンを描画する際において、ショット数の削減効率の向上及び微小パターン生成の抑制をはかり得る電子ビーム描画データの作成方法、作成装置、及び作成プログラム、更には電子ビーム描画装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を採用している。
【０００９】
即ち、本発明の一態様は、直線状の開口パターンが周期配列されたキャラクタアパーチャ上を電子ビームで選択照射することで、開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する電子ビーム描画に用いる電子ビーム描画データの作成方法であって、一種類又は複数種類の直線状パターンの幅とパターン間の距離の組み合わせを、キャラクタパターン抽出のルールとして設定する工程と、描画対象パターンに含まれる前記抽出ルールに適合するパターンに対して、抽出するパターンの長さ及び抽出したパターンの余り部分のパターンの長さをキャラクタパターン抽出のパラメータとして設定する工程と、前記設定された抽出ルール及び抽出パラメータに基づいて、描画対象パターンから直線状周期的キャラクタパターンを抽出する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の別の一態様は、直線状の開口パターンが周期配列されたキャラクタアパーチャ上を電子ビームで選択照射することで、開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する電子ビーム描画に用いる電子ビーム描画データの作成装置であって、一種類又は複数種類の直線状パターンの幅とパターン間の距離の組み合わせを、キャラクタパターン抽出のルールとして設定する手段と、描画対象パターンに含まれる前記抽出ルールに適合するパターンに対して、抽出するパターンの長さ及び抽出したパターンの余り部分のパターンの長さをキャラクタパターン抽出のパラメータとして設定する手段と、前記設定された抽出ルール及び抽出パラメータに基づいて、描画対象パターンから直線状周期的キャラクタパターンを抽出する手段と、を具備してなることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の別の一態様は、直線状の開口パターンが周期配列されたキャラクタアパーチャ上を電子ビームで選択照射することで、開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する電子ビーム描画に用いる電子ビーム描画データの作成プログラムであって、一種類又は複数種類の直線状パターンの幅とパターン間の距離の組み合わせを、キャラクタパターン抽出のルールとして設定する手順と、描画対象パターンに含まれる前記抽出ルールに適合するパターンに対して、抽出するパターンの長さ及び抽出したパターンの余り部分のパターンの長さをキャラクタパターン抽出のパラメータとして設定する手順と、前記設定された抽出ルール及び抽出パラメータに基づいて、描画対象パターンから直線状周期的キャラクタパターンを抽出する手順と、をコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の別の一態様は、直線状の開口パターンが周期配列されたキャラクタアパーチャ上を電子ビームで選択照射することで、開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する電子ビーム描画装置であって、一種類又は複数種類の直線状パターンの幅とパターン間の距離の組み合わせを、キャラクタパターン抽出のルールとして設定する手段と、描画対象パターンに含まれる前記抽出ルールに適合するパターンに対して、抽出するパターンの長さ及び抽出したパターンの余り部分のパターンの長さをキャラクタパターン抽出のパラメータとして設定する手段と、前記設定された抽出ルール及び抽出パラメータに基づいて、描画対象パターンから直線状周期的キャラクタパターンを抽出する手段と、前記抽出された直線状周期的キャラクタパターンを前記キャラクタアパーチャを用いて描画すると共に、前記抽出されなかったパターンを可変成形ビームを用いて描画する手段と、を具備してなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、配線ＣＰ抽出ルール（配線パターンの幅とそれらパターンの間隔）と共に、配線ＣＰパターンとして抽出する長さ、及び配線ＣＰパターン抽出後の余りのパターンの長さを配線ＣＰ抽出パラメータとして設定することによって、配線ＣＰパターン抽出によりＥＢショットを必要以上に細切れにすることがなくなる。このため、従来の抽出方法で発生が懸念されているような、ショット数削減効率の低下や、微小パターンの接続による描画精度の劣化を抑制することができる。
【００１４】
従って、配線ＣＰパターンを効果的に使用し、半導体デバイスの回路パターンにおけるメタル配線レイヤのＥＢ直接描画によるリソグラフィを、短時間で高精度に行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００１６】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に使用した電子ビーム描画装置、特に光学系の構成を示す概略構成図である。この装置は、数μｍ□程度の微小な成形ビームを繰り返し露光することにより、半導体デバイスの回路パターンを描画するものである。
【００１７】
図中の１０１は電子銃、１２１，１２２はコンデンサーレンズ、１２３，１２４は投影レンズ、１２５は縮小レンズ、１２６は対物レンズ、１３１はブランキング偏向器、１３２は成形偏向器（キャラクタ選択偏向器）、１３３は副偏向器、１３４は主偏向器、１４１は第１成形アパーチャ、１４２は第２成形アパーチャ、１４３はブランキングアパーチャ、１５１はウェーハ、１６１はブランキングアンプ、１６２は成形偏向アンプ、１６３は副偏向アンプ、１６４は主偏向アンプを示している。
【００１８】
電子銃１０１より放出された電子ビームは、コンデンサーレンズ１２１，１２２で電流密度及びケーラー照明条件が調整され、第１成形アパーチャ１４１を均一に照明する。第１成形アパーチャ１４１は矩形の開孔を有するものである。また、電子ビームを照射しない領域への照射を防止するため、そのようなときはブランキング偏向器１３１及びブランキングアンプ１６１によりビームが偏向され、ブランキングアパーチャ１４３で遮蔽される。
【００１９】
第１成形アパーチャ１４１で矩形に成形されたビームは、投影レンズ１２３，１２４により、第２成形アパーチャ１４２上に結像させられる。第２成形アパーチャ１４２は、ＶＳＢ用の矩形の開口と複数のキャラクタ開口とを備えており、ＣＰ用の開口を多く搭載していることから、一般にＣＰアパーチャとも呼ばれている。
【００２０】
電子銃１０１から放出された電子ビームは、矩形の開口を有する第１成形アパーチャ１４１によって矩形に成形され、第２成形アパーチャ１４２によりキャラクタ形状、或いはＶＳＢにより任意の大きさの基本パターン形状に成形される。即ち、成形偏向アンプ１６２により成形偏向器１３２にビームの偏向量に対応した偏向電圧を印加することにより、ＣＰアパーチャ１４２上の任意のキャラクタ開孔にビームを照射して、キャラクタ形状の電子ビームを形成したり、ＶＳＢ用の矩形開口に照射するビームの位置を制御して、任意の大きさの矩形パターンを形成する。
【００２１】
キャラクタ形状、或いはＶＳＢパターンに成形された電子ビームは、縮小レンズ１２５で縮小され、対物レンズ１２６を用いてウェーハ１５１上に結像される。このとき、ウェーハ１５１上の所望の位置に、主偏向アンプ１６４で駆動される主偏向器１３４及び副偏向アンプ１６３で駆動される副偏向器１３３により偏向されることにより電子ビームが照射される。
【００２２】
次に、上記の電子ビーム描画装置に用いる電子ビーム描画データの作成方法について説明する。
【００２３】
配線ＣＰ抽出ルールとして、配線パターンの幅とそれらパターンの間隔を採用するのは従来と同じである。本実施形態ではこれに加え、配線ＣＰ抽出パラメータとして、
配線ＣＰ抽出パターンの長さ：Ｌmin
配線ＣＰ抽出後の余りのパターンの長さ：Ｋmin
を導入することを特徴にしている。
【００２４】
配線ＣＰパターン抽出の手順は、以下の通りである。図２は、本実施形態に係わる電子ビーム描画データ作成方法を説明するためのフローチャートである。
【００２５】
まず、複数種類の直線状パターンの幅とパターン間の距離の組み合わせを、直線状周期的キャラクタパターン抽出のルールとして設定する（ステップＳ１）。続いて、抽出するパターンの長さ及び抽出したパターンの余り部分のパターンの長さの組み合わせを、直線状周期的キャラクタパターン抽出のパラメータとして設定する（ステップＳ２）。具体的には、抽出するパターンの最小の長さＬmin と、抽出したパターンの余り部分のパターンの最小の長さＫmin を設定する。
【００２６】
次いで、描画対象パターンの中から、直線状周期的キャラクタパターン抽出のルールに適合するパターンを抽出する（ステップＳ３）。そして、抽出したパターンがパターンの一部分から抽出したものである場合は、抽出したパターンの残り部分の長さを調べる（ステップＳ４）。
【００２７】
Ｓ４において、抽出したパターンの残りの長さが、直線状周期的キャラクタパターン抽出パラメータとして指定した抽出したパターンの余り部分のパターンの長さＫmin 未満と判定された場合は、そのパターンからの直線状周期的キャラクタパターンの抽出を中止する（ステップＳ５）。一方、抽出したパターンの残りの長さがＫmin 以上と判定された場合は、抽出したパターンの長さを調べる（ステップＳ６）。
【００２８】
Ｓ６において、抽出したパターンの長さがＬmin 未満と判定された場合は、そのパターンからの直線状周期的キャラクタパターンの抽出を中止する（ステップＳ５）。一方、抽出したパターンの長さがＬmin 以上と判定された場合は、抽出したパターンをキャラクタパターンに設定する（ステップＳ７）。
【００２９】
Ｓ５，Ｓ７の後に、他のパラメータで再抽出を行うか否かを判定し（ステップＳ８）、行う場合はＳ２に戻り、行わない場合は終了する。
【００３０】
なお、図２には示さないが、この後に、抽出したパターンを抽出のルール毎に結合し、結合してできたポリゴン図形を矩形に分割を行う。そして、作成した矩形パターンの長さを調べ、矩形パターンの長さが、直線状周期的キャラクタパターン抽出パラメータとして指定した抽出するパターンの長さ以上の矩形パターンを直線状周期的キャラクタパターンとして抽出する。最終的に配線ＣＰパターンとして抽出されなかったパターンは、ＶＳＢ方式でショットするパターンに割り当てる。
【００３１】
ここで、抽出したパターンを結合し、さらに矩形分割を行い、その矩形パターンの長さが配線ＣＰ抽出パラメータの値以上のパターンを配線ＣＰとして抽出しているが、配線ＣＰ抽出ルールに適合するパターンの長さを調べ、その長さが配線ＣＰ抽出パラメータの値未満であれば、配線ＣＰパターンとして抽出するのを中止する、という方法でもよい。
【００３２】
次に、上記のフローに基づく電子ビーム描画データの作成方法を、図３〜図７を参照して説明する。
【００３３】
図３は、ライン＆スペースからなる描画対象配線パターンである。図４は、図３の描画対象配線パターンの描画に用いる配線キャラクタであり、図４（ａ）は線幅Ｗで間隔Ｗの配線キャラクタ（ＣＰ１）、図４（ｂ）は線幅Ｗで間隔３Ｗの配線キャラクタ（ＣＰ２）を示している。
【００３４】
従来方法のように、抽出ルールのみに基づいてパターンを抽出した場合、図５に示すようになる。
【００３５】
ＣＰ１−１，〜，ＣＰ１−９は、描画対象配線パターンから抽出された直線状周期的キャラクタパターンであり、図４（ａ）に示す配線キャラクタ（ＣＰ１）の選択照射により描画される。ＣＰ２−１は、描画対象配線パターンから抽出された直線状周期的キャラクタパターンであり、図４（ｂ）に示す配線キャラクタ（ＣＰ２）の選択照射により描画される。また、ＶＳＢ１−１，ＶＳＢ１−２は、抽出されずに残ったパターンであり、ＶＳＢで描画される。
【００３６】
従来方法の場合、ＣＰ１が９ショット、ＣＰ２が１ショット、ＶＳＢが２ショットであり、合計１２ショットとなる。これは、ＶＳＢのみで描画した場合の１６ショットよりも少なくなるものの、ショット削減効率は小さい。また、図５からも分かるように、微小パターンが形成されてしまう。この微小パターンの発生は大きな問題であり、描画精度の低下を招くことになる。
【００３７】
これに対し本実施形態では、Ｓ２において抽出パラメータを設定するため、図６に示すように、描画対象配線パターンから抽出される直線状周期的キャラクタパターンは何れもＬmin よりも長いものとなる。抽出されたキャラクタパターンがキャラクタサイズよりも長いために、図６ではキャラクタサイズによる分割を行っている。その結果、最終的に抽出されたキャラクタパターンはＣＰ１−１，〜，ＣＰ１−４の４つとなる。ＣＰ−２に関しては、Ｌmin の制限から図６では抽出されていない。
【００３８】
本実施形態の場合、ＣＰ１が４ショット、ＶＳＢが６ショットであり、合計１０ショットとなり、ＶＳＢのみで描画した場合よりも６ショット少なくなっている。しかも、抽出パラメータの設定（Ｋmin）により微小パターンの発生を抑制することができる。この微小パターン発生の抑制は、描画精度の向上につながる大きな効果である。
【００３９】
なお、図５と図６の比較では、本実施形態によるショット数削減の効果は小さいように思われるが、図３の描画対象配線パターンは全体の配線パターンのごく一部であり、本実施形態の方法を全体の配線パターンに対して適用することにより、ショット削減効果は大きいものとなる。
【００４０】
このように本実施形態によれば、配線ＣＰ抽出パラメータを基に、配線ＣＰパターンとして抽出するパターンを選択することが可能となる。ここでは、配線ＣＰパターンとして抽出する長さ、配線ＣＰ抽出後の余りのパターンの長さをパラメータとすることで、細切れのＥＢショットの生成を抑制することができる。
【００４１】
従って、配線ＣＰパターン抽出により、ＥＢショットを必要以上に細切れにすることがなくなり、従来の抽出方法で発生が懸念されているような、ショット数削減効率の低下や、微小パターンの接続による描画精度の劣化を抑制することができる。このため、配線ＣＰパターンを効果的に使用し、半導体デバイスの回路パターンにおけるメタル配線レイヤのＥＢ直接描画によるリソグラフィを、短時間で、高精度に行うことが可能となる。
【００４２】
（第２の実施形態）
本実施形態では、第１の実施形態の配線ＣＰ抽出方法を用いて、更にショット数の削減が可能となる方法について述べる。
【００４３】
まず、第１の実施形態に記載の指定した配線ＣＰ抽出ルールと配線ＣＰ抽出パラメータを用いて配線ＣＰパターン抽出を行う。その際、配線ＣＰ抽出パラメータとして使用する、配線ＣＰパターンとして抽出する長さＬmin 、及び配線ＣＰパターン抽出後の余りのパターンの長さＫmin として、なるべく大きな値を設定する。
【００４４】
次に、これら二つの配線ＣＰ抽出パラメータとして指定する値を順次小さくしながら、前回の配線ＣＰ抽出後の残りのパターンから新たに配線ＣＰパターン抽出を行う。このとき使用する配線ＣＰ抽出ルールは、前回の抽出と同じものであっても、異なったものでもかまわない。
【００４５】
最終的に、配線ＣＰパターン抽出が終了したら、それぞれ抽出された配線ＣＰパターンを一つのパターンデータとしてまとめる。最後の配線ＣＰパターン抽出で残ったパターンをＶＳＢ方式でショットするパターンに割り当てる。
【００４６】
例えば、配線ＣＰパターンとして抽出する長さをＬmin 、配線ＣＰ抽出後の残りのパターンの長さをＫmin 、キャラクタパターンの最大辺長をＣＰmax 、配線パターンの幅をＷmin として、配線ＣＰ抽出パラメータの組み合わせを例として挙げると、
１回目Ｌmin >> ＣＰmax， Ｋmin ＞ ＣＰmax 
２回目Ｌmin ＞ ＣＰmax， Ｋmin 〜 ＣＰmax 
３回目Ｌmin 〜 ＣＰmax， Ｗmin ＜ Ｋmin ≦ ＣＰmax 
４回目Ｗmin ＜ Ｌmin ≦ ＣＰmax， Ｋmin 〜Ｗmin 
などといった組み合わせが考えられる。
【００４７】
このような方法によって、図７に示すように、１回目のパラメータでＣＰ１が抽出される。このとき、抽出パラメータＬmin の条件から、ＣＰ２は抽出されない。ＣＰ２は２回目以降のパラメータで抽出されることになる。
【００４８】
ＣＰ１はキャラクタパターンがキャラクタサイズよりも長いために、キャラクタサイズによる分割を行い、ＣＰ１−１，〜，ＣＰ１−４の４つとなる。また、ＣＰ−２はキャラクタパターンがキャラクタサイズよりも短いために分割の必要はなく、ＣＰ２−１の１つとなる。
【００４９】
但し、この例の通りにパラメータを設定しないとうまく配線ＣＰパターンを抽出できない、というわけではない。他にも、Ｋmin は固定してＬmin のみを順次小さな値にして、配線ＣＰパターン抽出を繰り返すことも有効な方法である。さらに、配線ＣＰパターン抽出を必要以上に繰り返すことにより、ショット数が逆に増加する場合などもあるため、抽出回数もパラメータ的に扱う場合も考えられる。
【００５０】
本実施形態の場合、ＣＰ１が４ショット、ＣＰ２が２ショット、ＶＳＢが３ショットであり、合計９ショットとなり、ＶＳＢのみで描画した場合よりも７ショット少なくなっている。しかも、抽出パラメータの設定（Ｋmin）により微小パターンの発生を抑制することができる。
【００５１】
このように本実施形態によれば、配線ＣＰとして抽出するための長さに関するパラメータを徐々に小さい値にしながら配線ＣＰパターン抽出を繰り返すことにより、細切れなＥＢショットの発生を抑制しながら、ショット数を更に削減することが可能となる。
【００５２】
従って、第１の実施形態の場合に比べ、更にショット数を削減できるため、半導体デバイスの回路パターンにおけるメタル配線レイヤのＥＢ直接描画によるリソグラフィを、更に短時間で行うことが可能となる。それと同時に、細切れになるＥＢショットの作成は抑制されているため、パターンの描画精度の劣化も抑制することができる。
【００５３】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、複数種類の直線状パターンの幅とパターン間の距離の組み合わせを、直線状周期的キャラクタパターン抽出のルールとして設定したが、必ずしも複数種類のパターンに限らず１種類のパターンに対して抽出ルールを設定しても良い。また、抽出パラメータとしての長さＬmin やＫmin は仕様に応じて適宜変更可能である。さらに、描画対象パターンは必ずしも配線パターンに限るものではなく、ライン＆スペースのパターンであれば適用することができる。
【００５４】
また、実施形態では２段偏向方式の電子ビーム描画装置を用いたが、これに限るものではなく、例えば３段偏向方式の電子ビーム描画装置に適用することもできる。さらに、実施形態では電子ビーム描画装置を例にとって説明したが、本発明はイオンビーム描画装置に適用することも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】第１の実施形態に使用した電子ビーム描画装置を示す概略構成図。
【図２】第１の実施形態に係わる電子ビーム描画データの作成手順を示すフローチャート。
【図３】描画対象配線パターンの例を示す図。
【図４】配線キャラクタの例を示す図。
【図５】従来方法による配線ＣＰパターン抽出の例を示す図。
【図６】第１の実施形態における配線ＣＰパターン抽出の例を示す図。
【図７】第２の実施形態における配線ＣＰパターン抽出の例を示す図。
【符号の説明】
【００５６】
１０１…電子銃
１２１，１２２…コンデンサーレンズ
１２３，１２４…投影レンズ
１２５…縮小レンズ
１２６…対物レンズ
１３１…ブランキング偏向器
１３２…成形偏向器（キャラクタ選択偏向器）
１３３…副偏向器
１３４…主偏向器
１４１…第１成形アパーチャ
１４２…第２成形アパーチャ
１４３…ブランキングアパーチャ
１５１…ウェーハ
１６１…ブランキングアンプ
１６２…成形偏向アンプ
１６３…副偏向アンプ
１６４…主偏向アンプ
ＣＰ１，ＣＰ２…配線キャラクタ
ＣＰ１−１，〜，ＣＰ１−９…抽出された直線状周期的キャラクタパターン
ＣＰ２−１，〜，ＣＰ２−２…抽出された直線状周期的キャラクタパターン
【図１】
2008117819.tif 000003
【図２】
2008117819.tif 000004
【図３】
2008117819.tif 000005
【図４】
2008117819.tif 000006
【図５】
2008117819.tif 000007
【図６】
2008117819.tif 000008
【図７】
2008117819.tif 000009