(57)【要約】【課題】誘電体層および隔壁を適切に形成できるディスプレイパネル、およびディスプレイパネルの製造方法を提供すること。【解決手段】誘電体層３３を有する前面基板３と、隔壁２３を有する背面基板２とを備えるＰＤＰを製造する際に、封着工程において加熱して、隔壁２３を軟化させている。このため、この軟化した隔壁２３の先端を変形させつつ保護層３４を介して誘電体層３３に密着させることにより、隔壁２３と、保護層３４を介した誘電体層３３との密着性を確保できるとともに、誘電体層３３にクラックが発生することを防止できる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護層で覆われた誘電体層を備える第１基板と、この第１基板と放電空間を介して対向配置されかつ前記放電空間を区画する隔壁を備える第２基板と、を有するプラズマディスプレイパネルであって、
前記隔壁のガラス転移点は、前記第１基板および前記第２基板を前記対向配置される状態に重ね合わせる重ね合わせ工程以降の最高温度よりも低い温度に設定された
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記隔壁のガラス転移点は、前記誘電体層のガラス転移点よりも低い温度設定された
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記誘電体層のガラス転移点は、前記重ね合わせ工程以降の工程における最高温度よりも高い温度に設定された
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記隔壁の軟化点は、前記重ね合わせ工程以降の工程における最高温度よりも高い温度に設定された
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記重ね合わせ工程以降の工程における最高温度は、４００℃以上、５５０℃以下に設定された
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
保護層で覆われた誘電体層を備える第１基板と、この第１基板と放電空間を介して対向配置されかつ前記放電空間を区画する隔壁を備える第２基板と、を有するプラズマディスプレイパネルであって、
前記隔壁は、前記第１基板によって押し潰された箇所を有する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
保護層で覆われた誘電体層を備える第１基板と、この第１基板と放電空間を介して対向配置されかつ前記放電空間を区画する隔壁を備える第２基板と、を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記第１基板および前記第２基板を前記対向配置される状態に重ね合わせる重ね合わせ工程以降の工程において、前記隔壁を軟化させる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記隔壁のガラス転移点は、前記重ね合わせ工程以降の工程における最高温度よりも低い温度に設定された
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記誘電体層のガラス転移点は、前記重ね合わせ工程以降の工程における最高温度よりも高い温度に設定された
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項７から請求項９のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記重ね合わせ工程以降の工程は、パネル内の圧力がパネル外の圧力よりも低くなる減圧工程を含む
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイパネル、およびディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマディスプレイパネルは、放電空間を介して互いに対向配置された一対の平面ガラス基板である前面基板および背面基板を備えており、背面基板の内面上に井桁状などの隔壁を設けて前記放電空間を複数個の放電セルに区画し、これら複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像表示を実施する。このようなＰＤＰにおける誘電体層と隔壁との当接精度を向上させる構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１に記載のものは、誘電体層の軟化点温度を封着温度および／または排気温度に対して±６０℃以内に設定して、封着工程および／または排気工程において行われるＰＤＰへの加熱により誘電体層を軟化させる。このように誘電体層を軟化させることにより、前面板と背面板とを対向させて貼り合わせた際、隔壁と誘電体層とが強く当接する部分が発生する場合においても、隔壁を軟化した誘電体層へ埋没させて、隔壁および誘電体層に対する「欠け」や「クラック」などの派生を抑制する構成が採られている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−９５３２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１のような構成では、隔壁および誘電体層の密着性を確保できるが、封着や排気の際に減圧されて、隔壁や誘電体層が互いに近づく方向へ相対移動した際に、軟化した誘電体層に隔壁が埋没するため、この埋没による変形により、誘電体層にクラックが入ってしまうおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記のような問題に鑑みて、誘電体層および隔壁を適切に形成可能なディスプレイパネル、およびディスプレイパネルの製造方法を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、保護層で覆われた誘電体層を備える第１基板と、この第１基板と放電空間を介して対向配置されかつ前記放電空間を区画する隔壁を備える第２基板と、を有するプラズマディスプレイパネルであって、前記隔壁のガラス転移点は、前記第１基板および前記第２基板を前記対向配置される状態に重ね合わせる重ね合わせ工程以降の最高温度よりも低い温度に設定されたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。
【０００８】
請求項６に記載の発明は、保護層で覆われた誘電体層を備える第１基板と、この第１基板と放電空間を介して対向配置されかつ前記放電空間を区画する隔壁を備える第２基板と、を有するプラズマディスプレイパネルであって、前記隔壁は、前記第１基板によって押し潰された箇所を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。
【０００９】
請求項７に記載の発明は、保護層で覆われた誘電体層を備える第１基板と、この第１基板と放電空間を介して対向配置されかつ前記放電空間を区画する隔壁を備える第２基板と、を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記第１基板および前記第２基板を前記対向配置される状態に重ね合わせる重ね合わせ工程以降の工程において、前記隔壁を軟化させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るＰＤＰの内部構造を示した斜視図である。図２は、ＰＤＰの外観を示した正面図である。図３は、ＰＤＰの一部を拡大して示した平面図である。図４は図３におけるIV−IV線に沿う側断面図であり、図５は図３におけるV−V線に沿う側断面図である。
なお、これらの図面において、各種電極および放電セルの寸法は説明の簡易化のため基板に対して相対的に大きく、それらの数は実際よりも大幅に省略して表示してある。また、図２においては、ＰＤＰの平面視で、前面基板の内面側に設けられたシールフリットを実線で示し、その他の構成は適宜図示省略した。
【００１１】
〔プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）の構成〕
図１および図２において、１はＰＤＰであり、このＰＤＰ１はプラズマ放電による発光を利用して画像を表示する装置である。このＰＤＰ１は、放電空間Ｈを介して対向配置された第２基板としての背面基板２および第１基板としての前面基板３を備えている。
【００１２】
背面基板２は、例えばガラス板材にて略長方形状に形成されている。この背面基板２の一面には、アドレス電極２１と、アドレス電極保護層２２と、隔壁２３と、蛍光体層（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と、通気孔２５となどがそれぞれ設けられている。
【００１３】
アドレス電極２１は、例えばＡｌ（アルミニウム）などの導電性材料にて、図２に示す背面基板２の長手方向（行方向）に直交する方向（列方向）に略沿う直線状に形成され、行方向で所定の間隔をおいて複数本配設されている。
【００１４】
アドレス電極保護層２２は、例えば誘電体ペーストなどにて形成され、図４および図５に示すように、アドレス電極２１を被覆する状態で、背面基板２の略全面に亘り設けられている。このアドレス電極保護層２２は、パネル駆動時において、放電によるアドレス電極２１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する誘電体層として機能する。
【００１５】
隔壁２３は、図１および図３に示すように、例えばアドレス電極保護層２２と同一成分の誘電体ペーストにて略梯子状に形成されている。また、アドレス電極保護層２２上において、上記行方向に略沿って伸びた直線状の隙間Ｓ（図４）を間に挟んで並列する状態で、複数設けられている。この隔壁２３により放電空間Ｈが複数の領域に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル２３１が形成されている。
また、この隔壁２３の形成に用いる誘電体ペーストは、ガラス転移点が後述する封着工程および排気工程における最高温度よりも低い温度、具体的には、封着工程における最高温度の４５０℃よりも低い温度に設定されている。
【００１６】
蛍光体層（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）は、図１、図４および図５に示すように、複数の放電セル２３１内部にそれぞれ順に充填された赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペースト層である。これら蛍光体層（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）は、それぞれの放電セル２３１で放電発光した際の紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光するようになっている。
【００１７】
通気孔２５は、図２に示すように、背面基板２の一隅に設けられた貫通孔である。この通気孔２５には、図示しないチップ管が取り付けられ、このチップ管を介して、後述する封着工程、排気工程、ガス導入工程において、放電空間Ｈ内部に対して各種気体が導入・排出されるようになっている。
【００１８】
前面基板３は、ＰＤＰ１の表示面を構成し、背面基板２と同様に、例えばガラス板材にて略長方形状に形成されている。この前面基板３の一面には、図１に示すように、表示電極対３１と、ブラックストライプ３２と、誘電体層３３と、保護層３４となどがそれぞれ設けられている。
【００１９】
表示電極対３１は、図１、図３ないし図５に示すように、放電ギャップＧ（図３参照）を介して対向する複数対の透明電極３１１ａ，３１１ｂと、これら透明電極３１１ａ，３１１ｂの一端部に積層する一対の直線状のバス電極３１２ａ，３１２ｂとを備えて構成されている。
【００２０】
透明電極３１１ａ，３１１ｂは、図３に示すように、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜で略Ｔ字形状に形成されており、所定の放電セル２３１に対応して一対ずつ設けられている。
【００２１】
バス電極３１２ａ，３１２ｂは、例えばＡｇ（銀）などの導電性材料にて、それぞれ上記列方向に略沿う直線状に形成されている。そして、これらバス電極３１２ａ，３１２ｂは、一対の透明電極３１１ａ，３１１ｂにおける放電ギャップＧ（図３参照）に対して反対側の端部に、それぞれ積層して設けられている。
【００２２】
ブラックストライプ３２は、例えば黒色無機顔料などにて直線状に形成され、複数の表示電極対３１間にそれぞれ設けられている。このブラックストライプ３２にて、前面基板３の外方から照射された可視光が吸収されるようになっている。
【００２３】
誘電体層３３は、例えば誘電体ペーストなどにて形成され、背面基板２上におけるアドレス電極保護層２２に対向する位置に、表示電極対３１およびブラックストライプ３２を被覆する状態で設けられている。この誘電体層３３上におけるバス電極３１２ａ，３１２ｂに対向する部分には、図１および図４に示すように、放電空間Ｈ側に向かって突出した嵩上げ誘電体層３３１が設けられている。この嵩上げ誘電体層３３１により、列方向に隣接する放電セル２３１同士間での誤放電が防止されるようになっている。
また、この誘電体層３３の形成に用いる誘電体ペーストは、ガラス転移点が封着工程および排気工程における最高温度よりも高い温度、具体的には、封着工程における最高温度の４５０℃よりも高い温度に設定されている。つまり、誘電体層３３の誘電体ペーストのガラス転移点は、隔壁２３の誘電体ペーストのそれよりも高い温度に設定されている。
【００２４】
保護層３４は、蒸着法やスパッタリング法などの成膜法にて形成されたＭｇＯ（酸化マグネシウム）層であり、誘電体層３３の略全面を被覆する状態で設けられている。このような保護層３４は、誘電体層３３が放電によりスパッタリングされることを防ぐと共に、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層として機能する。
なお、この保護層３４の上に、さらにスプレー法にて図示しない単結晶ＭｇＯ層（保護層）を形成する構成としてもよい。このような単結晶ＭｇＯ層により、ＰＤＰ１の放電特性の改善（放電遅れの減少、放電確率の向上）を図ることが可能となる。
【００２５】
このような背面基板２および前面基板３の間には、図２に示すように、低融点ガラスを含む材料からなるシールフリット４（封着剤）が、アドレス電極保護層２２の周縁に略沿う状態（保護層３４の外周を囲む状態）で設けられている。このシールフリット４により、背面基板２および前面基板３が一体化されていると共に、背面基板２および前面基板３間に放電空間Ｈを含む密封空間が形成されている。この密封空間内部は例えば６．７×１０4Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）程度の減圧状態とされ、また、この密封空間内にはＨｅ−Ｘｅ（ヘリウム−キセノン）系やＮｅ−Ｘｅ（ネオン−キセノン）系の不活性ガスが充填されている。
【００２６】
〔ＰＤＰの製造方法〕
次に、上述した構成のＰＤＰ１の製造方法について説明する。図６は、ＰＤＰの製造方法を示すフロー図である。
本実施形態において、ＰＤＰ１の製造は、図６に示すように、前面基板製造工程Ｓ１１０と、背面基板製造工程Ｓ１２０と、重ね合わせ工程Ｓ１３０と、封着工程Ｓ１４０（減圧工程）と、排気工程Ｓ１５０（減圧工程）と、ガス導入工程Ｓ１６０（減圧工程）とを実施することにより行う。
【００２７】
前面基板製造工程Ｓ１１０は、上述した構成の前面基板３を製造するものであり、前工程Ｓ１１１と、保護層形成工程Ｓ１１２と、保護層焼成工程Ｓ１１３とを含んで構成されている。
【００２８】
前工程Ｓ１１１では、十分に洗浄したガラス基板の内面側に、例えば、透明電極材料層を形成して、フォトリソグラフィ法などにより透明電極３１１ａ，３１１ｂをパターン形成する。そして、透明電極３１１ａ，３１１ｂ上にスクリーン印刷法などにより導電性ペーストのパターンを積層形成し、これを焼成してバス電極３１２ａ，３１２ｂを形成する。この後、これら表示電極対３１間にスクリーン印刷法などにより黒色ペーストのパターンを形成して、これを焼成して複数のブラックストライプ３２を形成する。さらに、ダイコータなどにより表示電極対３１およびブラックストライプ３２を被覆する状態に誘電体ペーストを塗布し、これを焼成して誘電体層３３を形成する。
【００２９】
保護層形成工程Ｓ１１２では、前工程Ｓ１１１にて形成された誘電体層３３上に、蒸着法やスパッタリング法などの成膜法にて、保護層３４としてのＭｇＯ膜を形成する。
なお、この保護層３４の上に、さらにスプレー法にて単結晶ＭｇＯを含有した塗布液を塗布し、これを焼成して図示しない単結晶ＭｇＯ層（保護層）を形成する構成としてもよい。
【００３０】
保護層焼成工程Ｓ１１３では、保護層形成工程Ｓ１１２にて形成された保護層３４（前面基板３）に対して、焼成処理を実施する。ここでの焼成温度は、保護層３４の表面における不純物が放出され易い３００℃以上７００℃以下、より好ましくは３５０℃以上４５０℃以下とすることが好ましい。なお、焼成温度が３００℃よりも低い場合または７００℃よりも高い場合は、優れた不純物の放出効果が得られない。
この保護層焼成工程Ｓ１１３を実施することにより、保護層３４の表面に残留している不純物を除去することができる。そして、この状態の前面基板３を用いてパネル化することで、ＰＤＰ１の製品寿命を向上できる。
【００３１】
背面基板製造工程Ｓ１２０では、上述した構成の背面基板２を製造する。すなわち、十分に洗浄したガラス基板の内面側に、例えば、Ａｌ膜を形成して、フォトリソグラフィ法によりアドレス電極２１をパターン形成する。そして、このアドレス電極２１上に誘電体ペーストを塗布して、この誘電体ペーストを成形・焼成することにより、アドレス電極保護層２２および隔壁２３を形成する。この後、放電セル２３１内部にスクリーン印刷法などにより赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを塗布し、これを焼成して蛍光体層（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）を形成する。
そして、このようにして製造した背面基板２には、例えば低融点ガラス粉末にアクリルなどの樹脂とターピネオールなどの溶剤で混練したペーストを用いて、図２に示すように、シールフリット４をアドレス電極保護層２２の周縁に略沿う状態に設けておく。
【００３２】
重ね合わせ工程Ｓ１３０では、上記の前面基板製造工程Ｓ１１０にて製造した前面基板３と、上記の背面基板製造工程Ｓ１２０にて製造した背面基板２とを、所定の位置関係で重ね合わせる。
【００３３】
封着工程Ｓ１４０では、重ね合わせ工程Ｓ１３０にて重ね合わされた前面基板３と背面基板２とを、シールフリット４中の低融点ガラスが溶解する温度以上の所定の温度、具体的には４５０℃まで加熱し、所定時間この温度を維持させて、低融点ガラスを軟化溶融させる。この後、低融点ガラスが凝固する温度まで降温させて、前面基板３および背面基板２間の内部空間を封止する。これにより、前面基板３および背面基板２間には、放電空間Ｈを含んだ密封空間が形成される。
また、上述したように、隔壁２３のガラス転移点を４５０℃よりも低い温度に設定するとともに、誘電体層３３のガラス転移点を４５０℃よりも高い温度に設定している。このため、前面基板３および背面基板２が４５０℃まで加熱されると、誘電体層３３は軟化せずに、隔壁２３のみが軟化する。そして、この軟化した隔壁２３が誘電体層３３に対して相対移動すると、隔壁２３の先端が変形されつつ硬化している誘電体層３３に密着する状態となる。
【００３４】
排気工程Ｓ１５０では、封着工程Ｓ１４０後に前面基板３と背面基板２をシールフリット４が凝固する温度まで降温して、通気孔２５および図示しないチップ管を介して、封着工程Ｓ１４０にて形成した密封空間内部の気体を真空ポンプなどにより排気する。つまり、排気工程Ｓ１５０では、封着工程Ｓ１４０における最高温度よりも低い温度で処理をする。これにより、保護層焼成工程Ｓ１１３にて保護層３４から除去した不純物や、各種構造物中に含まれた樹脂や溶剤などのガス成分が、密封空間内部から排出される。
【００３５】
ガス導入工程Ｓ１６０では、封着工程Ｓ１４０における最高温度よりも低い温度で、通気孔２５および図示しないチップ管を介して、上記した空間内部に放電ガスを導入し、この空間内部が、例えば６．７×１０4Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）程度となる状態に圧力調整する。そして、チップ管の先端を加熱してチップ管を溶融させ、チップ管自体を封止する。
以上で、ＰＤＰ１が完成する。
【００３６】
なお、重ね合わせ工程Ｓ１３０以降の工程における最高温度を、封着工程Ｓ１４０における最高温度である４５０℃に設定している。
ここで、最高温度を４００℃よりも低くすると、放電空間Ｈ内の不純物を燃焼させることができず、不燃物が放電空間Ｈ内に残留してしまうおそれがある。また、最高温度を５５０℃よりも高くすると、前面基板３や背面基板２の構造物が熱損傷してしまうおそれがある。このため、重ね合わせ工程Ｓ１３０以降の工程における最高温度を４００℃以上、５５０℃以下の４５０℃に設定している。
【００３７】
〔実施形態の作用効果〕
以上の構成の一実施形態によれば、以下の作用効果が期待できる。
【００３８】
（１）誘電体層３３を有する前面基板３と、隔壁２３を有する背面基板２とを備えるＰＤＰ１を製造する際に、封着工程Ｓ１４０において加熱して、隔壁２３を軟化させている。
このため、封着工程Ｓ１４０における加熱および減圧により、隔壁２３を軟化させつつ誘電体層３３に対して相対移動させることができ、この軟化した隔壁２３の先端を変形させつつ保護層３４を介して誘電体層３３に密着させることにより、隔壁２３および誘電体層３３の密着性を確保できるとともに、誘電体層３３にクラックが発生することを防止できる。また、隔壁２３の頂部が押し潰されることにより、前面基板３と背面基板２との接触面積が増大し、かつ、前面基板３と背面基板２との間隔がより均一になる。この結果、前面基板３および背面基板２の間に作用する静電力による振動や振動音を抑制できるとともに、ＰＤＰ１のパネル強度を向上できる。
【００３９】
（２）隔壁２３のガラス転移点を、重ね合わせ工程Ｓ１３０以降の減圧工程における最高温度、つまり封着工程Ｓ１４０、排気工程Ｓ１５０あるいはガス導入工程Ｓ１６０における最高温度よりも低い温度に設定している。
このため、封着工程Ｓ１４０、排気工程Ｓ１５０、ガス導入工程Ｓ１６０の他に、隔壁２３を軟化させるだけの特別な加熱工程を設けることなく、隔壁２３を軟化させることができる。したがって、従来の工程を変更することなく、隔壁２３のガラス転移点を変更するだけの簡単な構成で、隔壁２３および誘電体層３３の密着性を確保できるとともに、誘電体層３３にクラックが発生することを防止できる。
【００４０】
（３）隔壁２３のガラス転移点を、誘電体層３３のガラス転移点よりも低い温度に設定している。
このため、温度が隔壁２３のガラス転移点に達したときに、誘電体層３３を軟化させずに隔壁２３のみを軟化させることができる。したがって、隔壁２３の軟化開始時において、隔壁２３の先端を硬化している誘電体層３３に表面に沿って広がる状態に変形させることができ、隔壁２３および誘電体層３３をより良好に密着させることができる。
【００４１】
（４）誘電体層３３のガラス転移点を、封着工程Ｓ１４０、排気工程Ｓ１５０、ガス導入工程Ｓ１６０における最高温度よりも高い温度に設定している。
このため、封着工程Ｓ１４０などにおいて、誘電体層３３を軟化させずに隔壁２３のみを軟化させることができるので、隔壁２３の先端の変形により隔壁２３および誘電体層３３をさらに良好に密着させることができる。さらに、誘電体層３３が硬化した状態を維持できるので、誘電体層３３にクラックが発生することを確実に防止できる。
【００４２】
（５）封着工程Ｓ１４０、排気工程Ｓ１５０、ガス導入工程Ｓ１６０における最高温度を、４００℃以上、５５０℃以下に設定している。
このため、上述したような作用により、不純物が放電空間Ｈ内に残留したり、前面基板３や背面基板２の構造物が熱損傷してしまうなどの不具合を防止でき、良好な品質のＰＤＰ１を製造できる。
【００４３】
〔他の実施形態〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。 
【００４４】
例えば、前記実施形態では、前面基板３側に表示電極対３１および誘電体層３３を設け、かつ、背面基板２側にアドレス電極２１および蛍光体層（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）を設けた、いわゆる反射型交流ＰＤＰを例示したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、本発明が適用可能なＰＤＰとしては、例えば、前面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成してこれらを誘電体層によって被覆し、背面基板側に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰでもよい。また、例えば、前面基板側に蛍光体層を形成し、背面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成してこれらを誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰでもよい。
また、前記実施の形態では、隔壁２３を井桁状に形成する構成を例示して説明したが、これに限らず、例えば、隔壁をストライプ状に形成する構成としてもよい。また、誘電体層３３に嵩上げ誘電体層３３１を設ける構成としたが、誘電体層３３に嵩上げ誘電体層３３１を設けない構成としてもよい。
つまり、本発明は、前面基板あるいは背面基板のいずれか一方の基板上に、保護層で覆われた誘電体層が設けられるとともに、他方の基板上に隔壁が設けられた構成であれば、いずれのタイプのＰＤＰに対しても適用できる。
【００４５】
そして、隔壁２３のガラス転移点を、重ね合わせ工程Ｓ１３０以降の工程の最高温度よりも低く、かつ、誘電体層３３のガラス転移点以上の温度に設定してもよい。
さらには、誘電体層３３のガラス転移点を、重ね合わせ工程Ｓ１３０以降の工程の最高温度よりも低い温度に設定してもよい。
また、例えば封着工程Ｓ１４０、排気工程Ｓ１５０、ガス導入工程Ｓ１６０の他に、隔壁２３を軟化させるだけの特別な加熱工程を設け、この加熱工程により隔壁２３を軟化させて、隔壁２３の先端を変形させつつ保護層３４を介して誘電体層３３に密着させる構成としてもよい。
【００４６】
〔実施形態の作用効果〕
上記したように、誘電体層３３を有する前面基板３と、隔壁２３を有する背面基板２とを備えるＰＤＰ１を製造する際に、封着工程Ｓ１４０において加熱して、隔壁２３を軟化させている。
このため、封着工程Ｓ１４０における加熱および減圧により、隔壁２３を軟化させつつ誘電体層３３に対して相対移動させることができ、この軟化した隔壁２３の先端を変形させつつ保護層３４を介して誘電体層３３に密着させることにより、隔壁２３および誘電体層３３の密着性を確保できるとともに、誘電体層３３にクラックが発生することを防止できる。
【００４７】
また、隔壁２３のガラス転移点を重ね合わせ工程Ｓ１３０以降の工程における最高温度よりも低い温度に設定している。
このため、封着工程Ｓ１４０、排気工程Ｓ１５０、ガス導入工程Ｓ１６０の他に、隔壁２３を軟化させるだけの特別な加熱工程を設けることなく、隔壁２３を軟化させることができる。したがって、従来の工程を変更することなく、隔壁２３のガラス転移点を変更するだけの簡単な構成で、隔壁２３および誘電体層３３の密着性を確保できるとともに、誘電体層３３にクラックが発生することを防止できる。
さらに、重ね合わせ工程Ｓ１３０以降の工程を減圧化で行うことにより、隔壁２３のガラス転移点よりも高い温度で、ＰＤＰ１内の圧力が外圧よりも低ければ、外圧によってパネルが押し潰されることにより、隔壁２３および誘電体層３３の密着性や、誘電体層３３のクラック発生が、より改善される。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態に係るＰＤＰの内部構造を示した斜視図である。
【図２】前記実施形態におけるＰＤＰの外観を示した正面図である。
【図３】前記実施形態におけるＰＤＰの一部を拡大して示した平面図である。
【図４】図３におけるIV−IV線に沿う側断面図である。
【図５】図３におけるV−V線に沿う側断面図である。
【図６】前記実施形態におけるＰＤＰの製造方法を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００４９】
１…ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）
２…第２基板としての背面基板
３…第１基板としての前面基板
２３…隔壁
３３…誘電体層
３４…保護層
Ｈ…放電空間
Ｓ１３０…重ね合わせ工程
Ｓ１４０…封着工程（減圧工程）
Ｓ１５０…排気工程（減圧工程）
Ｓ１６０…ガス導入工程（減圧工程）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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