(57)【要約】【課題】製造工程を簡素化することができる、半導体レーザを提供すること。【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、７８０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する第１レーザ構造部３と、６５０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する第２レーザ構造部４とが形成されている。第１レーザ構造部３は、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３およびｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４の積層構造を有し、第２レーザ構造部４は、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２、ＭＱＷ活性層４３およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４の積層構造を有している。第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４には、それぞれ２つの溝部３６，４６が形成されている。そして、第２レーザ構造部４の各溝部４６の幅Ｗ２は、第１レーザ構造部３の各溝部３６の幅Ｗ１よりも狭い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波長のレーザ光を出射する第１レーザ構造部と、第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を出射する第２レーザ構造部とを同一の基板上に備える、半導体レーザであって、
前記第１レーザ構造部は、第１導電型の第１クラッド層、活性層および前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２クラッド層を前記基板側から積層した構造を有し、
前記第２レーザ構造部は、前記第１導電型の第１クラッド層、活性層および前記第２導電型の第２クラッド層を前記基板側から積層した構造を有し、
前記第１レーザ構造部の前記第２クラッド層は、ドライエッチングにおけるエッチングレートが相対的に小さな材料からなり、その表層部に、凹状の第１溝部およびこれに隣接する凸状の第１エアリッジ部が形成されており、
前記第２レーザ構造部の前記第２クラッド層は、ドライエッチングにおけるエッチングレートが相対的に大きな材料からなり、その表層部に、凹状の第２溝部およびこれに隣接する凸状の第２エアリッジ部が形成されており、
前記第２溝部は、前記第１溝部と比べて、前記基板の表面に平行な方向の幅が狭いことを特徴とする、半導体レーザ。
【請求項２】
前記第１溝部および前記第２溝部の前記基板の表面に平行な方向の幅は、各前記第２クラッド層の材料のエッチングレートの差に応じて、前記第１溝部および前記第２溝部を形成するためのドライエッチングにおいて、同じ時間で同じ深さの前記第１溝部および前記第２溝部が形成されるように設定されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、複数の異なる波長帯のレーザ光を出射する半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）などの光ディスクに対する情報の記録／再生には、光ディスクの種類に応じた波長帯のレーザ光が使用される。たとえば、ＣＤに対する情報の記録／再生には、７８０ｎｍ波長帯のレーザ光が使用され、ＤＶＤに対する情報の記録／再生には、６５０ｎｍ波長帯のレーザ光が使用される。
従来から、ＣＤに対する情報の記録／再生とＤＶＤに対する情報の記録／再生とに共用可能な光ピックアップとして、７８０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する半導体レーザのチップと、６５０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する半導体レーザのチップとを備える光ピックアップが提供されている。ところが、光ディスク記録／再生装置の小型化に伴い、光ピックアップの小型化が要求されており、従来の２個のチップを備える構成では、その小型化の要求に十分に応えることができない。
【０００３】
そこで、７８０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する半導体レーザの構造と６５０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する半導体レーザの構造とを１チップに集約した、いわゆるモノリシック２波長レーザが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。このモノリシック２波長レーザを光ピックアップに採用することにより、光ピックアップの小型化を図ることができ、ひいては光ディスク記録／再生装置の小型化を図ることができる。
【０００４】
モノリシック２波長レーザでは、たとえば、ｎ型基板上に積層されたｎ型バッファ層上に、７８０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する第１のレーザ構造部と、６５０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する第２のレーザ構造部とが互いに分離して形成されている。各レーザ構造部は、それぞれ、ｎ型バッファ層上に積層されたｎ型クラッド層と、ｎ型クラッド層上に積層された活性層と、活性層上に積層されたｐ型クラッド層とを備えている。
【０００５】
各レーザ構造部のｐ型クラッド層は、その下部が活性層の表面全域を覆う薄層状に形成され、上部が断面台形状のリッジ部として形成されている。このような形状のｐ型クラッド層は、活性層上にｐ型クラッド層の材料を堆積させた後、その材料の堆積層上にリッジ部を形成すべき領域を覆うレジスト膜をパターン形成し、レジスト膜をマスクとして堆積層をエッチングすることにより得られる。
【特許文献１】特開２００５−３４７４７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
各レーザ構造部のｐ型クラッド層の材料には、各レーザ構造部の特性に最適な材料が選択され、この選択に際して、それらの材料のドライエッチングにおけるエッチングレートは考慮されない。そのため、従来のモノリシック２波長レーザでは、各レーザ構造部のｐ型クラッド層の材料が異なり、当然、それらのドライエッチングにおけるエッチングレートは相異している。
【０００７】
各レーザ構造部のｐ型クラッド層の材料が異なっていても、ドライエッチングの手法であれば、各材料の堆積層を並行してエッチングすることが可能である。しかしながら、各材料のドライエッチングにおけるエッチングレートが相異していると、各材料の堆積層のエッチングを同時に開始して同時に終了することができない。そのため、従来のモノリシック２波長レーザでは、各レーザ構造部のｐ型クラッド層のリッジ部を形成する工程を別工程で行わなければならず、製造工程が複雑であるという問題があった。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、製造工程を簡素化することができる、半導体レーザを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、第１の波長のレーザ光を出射する第１レーザ構造部と、第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を出射する第２レーザ構造部とを同一の基板上に備える、半導体レーザであって、前記第１レーザ構造部は、第１導電型の第１クラッド層、活性層および前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２クラッド層を前記基板側から積層した構造を有し、前記第２レーザ構造部は、前記第１導電型の第１クラッド層、活性層および前記第２導電型の第２クラッド層を前記基板側から積層した構造を有し、前記第１レーザ構造部の前記第２クラッド層は、ドライエッチングにおけるエッチングレートが相対的に小さな材料からなり、その表層部に、凹状の第１溝部およびこれに隣接する凸状の第１エアリッジ部が形成されており、前記第２レーザ構造部の前記第２クラッド層は、ドライエッチングにおけるエッチングレートが相対的に大きな材料からなり、その表層部に、凹状の第２溝部およびこれに隣接する凸状の第２エアリッジ部が形成されており、前記第１溝部は、前記第２溝部と比べて、前記基板の表面に平行な方向の幅が狭いことを特徴とする、半導体レーザである。
【００１０】
この構成によれば、第１レーザ構造部の第２クラッド層の材料と第２レーザ構造部の第２クラッド層の材料とは異なり、第２レーザ構造部の第２クラッド層の材料のドライエッチングにおけるエッチングレートは、第１レーザ構造部の第２クラッド層の材料のドライエッチングにおけるエッチングレートよりも大きい。第１レーザ構造部の第２クラッド層の材料と第２レーザ構造部の第２クラッド層の材料とが異なっていても、ドライエッチングの手法であれば、各材料の堆積層を同じエッチング条件でエッチングすることが可能である。第２レーザ構造部の第２クラッド層に形成される第２溝部は、第１レーザ構造部の第２クラッド層に形成される第１溝部よりも幅狭であるので、各材料の堆積層を同時にドライエッチングして第１溝部および第２溝部を形成する場合、そのエッチング工程では、第１溝部に対応する開口部の幅が第２溝部に対応する開口部の幅よりも狭く形成されたマスクパターンが用いられる。そのため、第２レーザ構造部では、マイクロローディング効果により、第２クラッド層（材料の堆積層）のエッチング速度が抑えられる。その結果、第１レーザ構造部の第２クラッド層と第２レーザ構造部の第２クラッド層とがほぼ同じ速度でエッチングされ、同じエッチング時間で、第１レーザ構造部および第２レーザ構造部にそれぞれ同じ深さの第１溝部および第２溝部を得ることができる。言い換えれば、第１レーザ構造部および第２レーザ構造部に、それぞれ第１溝部および第２溝部に隣接する同じ高さの第１エアリッジ部および第２エアリッジ部を同時に形成することができる。よって、簡素な製造工程で、モノリシック２波長レーザの構造を得ることができる。
【００１１】
なお、請求項２に記載のように、前記第１溝部および前記第２溝部の前記基板の表面に平行な方向の幅は、各前記第２クラッド層の材料のエッチングレートの差に応じて、前記第１溝部および前記第２溝部を形成するためのドライエッチングにおいて、同じ時間で同じ深さの前記第１溝部および前記第２溝部が形成されるように設定されるとよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体レーザの構成を示す模式的な断面図である。
この半導体レーザ１は、いわゆるモノリシック２波長レーザであり、ｎ型ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）基板２上に、７８０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する第１レーザ構造部３と、６５０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する第２レーザ構造部４とを備えている。第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４は、分離溝５により、ｎ型ＧａＡｓ基板２上で互いに分離して形成されている。
【００１３】
第１レーザ構造部３は、全体として断面台形状（メサ形状）に形成されており、その断面と直交する方向（図１の紙面に垂直な方向）に延びている。この第１レーザ構造部３は、ｎ型ＧａＡｓ基板２側から、ｎ型ＧａＡｓバッファ層３１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓからなるＭＱＷ（Multiple Quantum Well：多重量子井戸）活性層３３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層３５を、この順に積層した構造を有している。
【００１４】
第１レーザ構造部３には、２つの第１溝部としての溝部３６が、第１レーザ構造部３の長手方向と直交する方向（図１における左右方向）に間隔を隔てて形成されている。各溝部３６は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３５の表面（上面）からｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４の途中部まで掘り下がった凹状をなし、第１レーザ構造部３の長手方向の全幅にわたって延びている。ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層３５において、２つの溝部３６に挟まれた部分は、断面台形状（凸状）の第１エアリッジ部としてのエアリッジ部３７を構成している。
【００１５】
第２レーザ構造部４は、全体として断面台形状（メサ形状）に形成されており、その断面と直交する方向（図１の紙面に垂直な方向）に延びている。この第２レーザ構造部４は、ｎ型ＧａＡｓ基板２側から、ｎ型ＧａＡｓバッファ層４１、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２、ＩｎＧａＰ（インジウムガリウムリン）／ＩｎＧａＡｌＰからなるＭＱＷ活性層４３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層４５を、この順に積層した構造を有している。
【００１６】
第２レーザ構造部４には、２つの第２溝部としての溝部４６が、第２レーザ構造部４の長手方向と直交する方向（図１における左右方向）に間隔を隔てて形成されている。各溝部４６は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４５の表面（上面）からｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４の途中部まで掘り下がった凹状をなし、第２レーザ構造部４の長手方向の全幅にわたって延びている。ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層４５において、２つの溝部４６に挟まれた部分は、断面台形状（凸状）の第２エアリッジとしてのエアリッジ部４７を構成している。
【００１７】
また、ｎ型ＧａＡｓ基板２上には、たとえば、ＳｉＮ（窒化シリコン）からなる絶縁膜６が形成されている。第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４は、エアリッジ部３７，４７上を除いて、その絶縁膜６によって覆われている。
第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４において、絶縁膜６上には、Ｔｉ（チタン）層７およびＡｕ（金）層８の２層構造を有するメタル層９（ｐ側電極）が形成されている。第１レーザ構造部３のメタル層９（Ｔｉ層７）は、絶縁膜６から露出するｐ型ＧａＡｓコンタクト層３５の表面に接触し、第２レーザ構造部４のメタル層９（Ｔｉ層７）は、絶縁膜６から露出するｐ型ＧａＡｓコンタクト層４５の表面に接触している。各メタル層９上には、Ａｕからなる配線１０が形成されている。
【００１８】
また、ｎ型ＧａＡｓ基板２の裏面には、その全面に、Ａｕ／Ｇｅ（ゲルマニウム）層１１、Ｎｉ（ニッケル）層１２およびＡｕ層１３をｎ型ＧａＡｓ基板２側からこの順に積層した構造を有する裏面メタル層１４（ｎ側電極）が形成されている。
そして、この半導体レーザ１では、第２レーザ構造部４の各溝部４６の幅Ｗ２が、第１レーザ構造部３の各溝部３６の幅Ｗ１よりも狭い。より具体的には、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４の材料であるＡｌＧａＡｓのドライエッチングにおけるエッチングレートとｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４の材料であるＩｎＧａＡｌＰのドライエッチングにおけるエッチングレートとの差に応じて、各溝部３６，４６を形成するための後述するエッチング工程において、各溝部３６，４６が同じ時間で同じ深さに形成されるように、各溝部４６の幅Ｗ２が各溝部３６の幅Ｗ１よりも小さく設定されている。
【００１９】
図２Ａ〜図２Ｈは、半導体レーザ１の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
まず、図２Ａに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属化学気相蒸着）法により、ｎ型ＧａＡｓバッファ層３１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層３５の各材料の堆積層が形成される。
【００２０】
次に、図２Ｂに示すように、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３５の材料の堆積層上に、フォトリソグラフィにより、第１レーザ構造部３を形成すべき領域を覆うレジスト膜２１が形成される。その後、レジスト膜２１をマスクとして、たとえば、ウエットエッチングにより、ｎ型ＧａＡｓバッファ層３１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層３５の各材料の堆積層が部分的に除去される。この後、レジスト膜２１は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３５の材料の堆積層上から除去される。
【００２１】
次いで、図２Ｃに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＡｓバッファ層４１、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２、ＭＱＷ活性層４３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層４５の各材料の堆積層が形成される。
つづいて、図２Ｄに示すように、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４５の材料の堆積層上に、フォトリソグラフィにより、第２レーザ構造部４を形成すべき領域を覆うレジスト膜２２が形成される。その後、レジスト膜２２をマスクとして、たとえば、ウエットエッチングにより、ｎ型ＧａＡｓバッファ層４１、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２、ＭＱＷ活性層４３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層４５の各材料の堆積層が部分的に除去される。この後、レジスト膜２２は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４５の材料の堆積層上から除去される。
【００２２】
レジスト膜２２の除去後、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＡｓ基板２上の全領域を覆うＳｉＯ2（酸化シリコン）膜が形成される。そして、フォトリソグラフィおよびウエットエッチングにより、第１レーザ構造部３の各溝部３６および第２レーザ構造部４の各溝部４６を形成すべき領域上からＳｉＯ2膜が除去される。これにより、図２Ｅに示すように、各溝部３６，４６を形成すべき領域に対向する開口部を有するＳｉＯ2パターン２３が得られる。各溝部３６の幅Ｗ１および各溝部４６の幅Ｗ２に応じて、各溝部３６を形成すべき領域に対向する開口部の幅と、各溝部４６を形成すべき領域に対向する開口部の幅とは異なる。すなわち、各溝部３６を形成すべき領域に対向する開口部の幅は、各溝部４６を形成すべき領域に対向する開口部の幅よりも狭い。
【００２３】
次いで、ＳｉＯ2パターン２３をマスクとして、ドライエッチング（この実施形態では、塩素系ガスを使用するＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング））により、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層３５、ならびにｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層４５が部分的にエッチングされる。これにより、第１レーザ構造部３に２つの溝部３６が形成されるとともに、第２レーザ構造部４に２つの溝部４６が形成される。その結果、エアリッジ部３７，４７が得られる。
【００２４】
このとき、ＳｉＯ2パターン２３において、各溝部３６を形成すべき領域に対向する開口部の幅と各溝部４６を形成すべき領域に対向する開口部の幅とが同じであれば、ＡｌＧａＡｓのドライエッチングにおけるエッチングレートとＩｎＧａＡｌＰのドライエッチングにおけるエッチングレートとの差により、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４のエッチングがｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４のエッチングよりも速く進む。そのため、第１レーザ構造部３の溝部３６が第２レーザ構造部４の溝部４６よりも深く形成されてしまう。
【００２５】
これに対し、この半導体レーザ１では、各溝部４６の幅Ｗ２が各溝部３６の幅Ｗ１よりも小さく設定され、ＳｉＯ2パターン２３において、各溝部４６を形成すべき領域に対向する開口部の幅が各溝部３６を形成すべき領域に対向する開口部の幅よりも狭いので、ＳｉＯ2パターン２３をマスクとするドライエッチングでは、いわゆるマイクロローディング効果により、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４のエッチング速度が抑えられる。その結果、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４とｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４とがほぼ同じ速度でエッチングされ、同じエッチング時間で、同じ深さの各溝部３６，４６が得られる。
【００２６】
その後は、ＳｉＯ2パターン２３が除去される。そして、図２Ｆに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板２上の全領域を覆うＳｉＮ膜２４が形成される。
次いで、フォトリソグラフィおよびウエットエッチングにより、エアリッジ部３７，４７上からＳｉＮ膜２４が除去される。これにより、図２Ｇに示すように、絶縁膜６が形成される。
【００２７】
その後、図２Ｈに示すように、第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４上に、Ｔｉ層７およびＡｕ層８が選択的に形成される。さらに、各Ａｕ層８上に、配線１０が形成される。そして、ｎ型ＧａＡｓ基板２の裏面全域に、Ａｕ／Ｇｅ層１１、Ｎｉ層１２およびＡｕ層１３が形成されると、図１に示す構造の半導体レーザ１が得られる。Ｔｉ層７、Ａｕ層８、配線１０、Ａｕ／Ｇｅ層１１、Ｎｉ層１２およびＡｕ層１３は、たとえば、スパッタリング法または真空蒸着法などにより形成することができる。
【００２８】
以上のように、この実施形態によれば、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４の材料であるＡｌＧａＡｓのドライエッチングにおけるエッチングレートとｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４の材料であるＩｎＧａＡｌＰのドライエッチングにおけるエッチングレートとの差に応じて、各溝部４６の幅Ｗ２が各溝部３６の幅Ｗ１よりも小さく設定されている。したがって、各溝部３６，４６を形成するためのエッチング工程では、各溝部４６を形成すべき領域に対向する開口部の幅が各溝部３６を形成すべき領域に対向する開口部の幅よりも狭く形成されたＳｉＯ2パターン２３が用いられる。そのため、第２レーザ構造部４では、マイクロローディング効果により、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４のエッチング速度が抑えられる。その結果、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４とｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４とがほぼ同じ速度でエッチングされ、同じエッチング時間で、同じ深さの各溝部３６，４６を得ることができる。言い換えれば、第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４に、それぞれ同じ高さのエアリッジ部３７，４７を同時に形成することができる。よって、簡素な製造工程で、モノリシック２波長レーザの構造を得ることができる。
【００２９】
以上、この発明の一実施形態を説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態の場合と各半導体部分の導電型を反転した構成が採用されてもよい。すなわち、前述の実施形態におけるｐ型の部分がｎ型であり、ｎ型の部分がｐ型である構成が採用されてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体レーザの構成を示す模式的な断面図である。
【図２Ａ】図１に示す半導体レーザの製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの次の工程を示す模式的な平面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｃの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｄの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｅの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｇ】図２Ｆの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｈ】図２Ｇの次の工程を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１      半導体レーザ
２      ｎ型ＧａＡｓ基板
３      第１レーザ構造部
４      第２レーザ構造部
３２    ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
３３    活性層
３４    ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
３６    溝部（第１溝部）
３７    エアリッジ部（第１エアリッジ部）
４２    ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
４３    ＭＱＷ活性層
４４    ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
４６    溝部（第２溝部）
４７    エアリッジ部（第２エアリッジ部）
Ｗ１    幅
Ｗ２    幅
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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