(57)【要約】【課題】スパッタリングによるターゲットの消費効率を低下させずに、段差に成膜される薄膜の被覆性を改善する。【解決手段】基板の端部７１Ｌの表面に段差のある基板２１に薄膜を成膜する場合、まず（Ａ）に示すように基板２１をターゲットに対して傾斜させながら薄膜９１を成膜する。次に、（Ｂ）に示すように基板２１をターゲットに対して傾斜させながら薄膜９１の上に薄膜９２を成膜する。薄膜９１と薄膜９２を順に成膜することで、（Ｃ）に示すように、段差の側面９７Ｌ，９７Ｒ及び底面９８に被覆性の良い薄膜が成膜される。また、ターゲットに対して基板２１の角度を連続的に変化させながら薄膜９６を成膜する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を設置するステージと、成膜する薄膜の材料からなるターゲットとを有し、前記ターゲットを構成する材料の粒子を飛散させ、前記基板上に被着させて薄膜を成膜するスパッタリングによる薄膜の製造方法において、
前記基板を前記ターゲットに対して傾斜させることで、前記粒子が前記基板に被着する角度を調節しながら前記基板の表面に薄膜を成膜させることを特徴とするスパッタリングによる薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記ステージを前記ターゲットに対して傾斜させることによって、前記基板を前記ターゲットに対して傾斜させることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングによる薄膜の製造方法。
【請求項３】
基板を設置するステージと、成膜する薄膜の材料からなるターゲットとを有し、前記ターゲットを構成する材料の粒子を飛散させ、前記基板上に被着させて薄膜を成膜するスパッタリングによる薄膜の製造装置において、
前記粒子の主な飛散方向に略垂直な第１の回転軸のまわりに前記基板を回転させる第１の回転機構と、
前記基板の表面に略平行な第２の回転軸のまわりに前記基板を回転させる第２の回転機構と、
前記第２の回転軸とは異なる前記基板の表面に略平行な第３の回転軸のまわりに前記基板を回転させる第３の回転機構とを備え、
前記基板を前記ターゲットに対して傾斜させることで、前記粒子が前記基板に被着する角度を調節しながら前記基板の表面に薄膜を成膜させることを特徴とするスパッタリングによる薄膜の製造装置。
【請求項４】
前記第１の回転機構、前記第２の回転機構、及び前記第３の回転機構は、前記ステージを回転させることによって前記基板を前記ターゲットに対して傾斜させることを特徴とする請求項３記載のスパッタリングによる薄膜の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜の製造方法及び製造装置に関し、詳しくはスパッタリングによる薄膜の製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
物質の表面に薄膜を成膜する方法は、化学気相蒸着法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）や物理気相蒸着法（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）が知られている。ＰＶＤとしては、真空槽内にアルゴンガスなどの不活性な気体を導入し、高電圧をかけることでイオン化したアルゴンなどを加速してターゲットに衝突させ、その衝突の際に飛散されるターゲットを構成する粒子（以下、スパッタ原子）を基板などの表面に被着させて薄膜を成膜する手法が、スパッタリングとして広く用いられている。
【０００３】
主にターゲットから垂直な方向にスパッタ原子が飛散されるスパッタリングを用いて平坦な基板に薄膜を成膜する場合には、一般に、ターゲットと基板を平行に設置する。しかし、スパッタリングを用いて凹凸のある基板に薄膜を成膜する場合、ターゲットと平行な基板の面内だけでなく、凹凸による段差の側面においても薄膜が成膜されるものの、ターゲットと平行な基板の面内と比較すると薄い膜厚の薄膜が成膜される。
【０００４】
これを改善するために、ターゲットに対して基板を移動させ、その移動速度や移動経路を変化させて制御することにより、段差側面においても均一な膜厚を持つ薄膜を成膜する方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００５】
また、ターゲットから飛散されるスパッタ原子はＣＯＳ則に従い飛散されるが、基板表面に凹凸があると、段差の側面に段差の底部と比較して薄い薄膜が成膜されるだけでなく、凹凸による段差の底部などのターゲットと平行な基板面に成膜される薄膜も膜厚が不均一になるという問題がある。
【０００６】
このような段差底部などにおける膜厚の不均一を改善する方法としては、ターゲットと基板の間の距離を広げる方法や、ターゲットと基板の間に基板の表面に垂直に入射するスパッタ原子以外を遮蔽するコリメータを設置する方法などが知られている。
【特許文献１】特開平５−２５６１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のように、特許文献１の薄膜の製造方法によれば、凹凸の段差の側面と底部とで同じ膜厚の薄膜を成膜することができる。また、ターゲットと基板の間の距離を広げる方法やコリメータを設置する方法によれば、ターゲットと平行な基板の面内での膜厚の不均一性を改善できる。しかしながら、これらの方法によると、薄膜を成膜すべき基板以外の物に被着するスパッタ原子が多く、ターゲットの消費効率が悪くなるという問題がある。
【０００８】
さらに、スパッタリングによって薄膜を成膜すると、凹凸による段差の側面や底部に成膜される薄膜の膜厚や形状といった被覆性は、基板の中央部と基板の端部とでは差が生じ、基板の中央部と基板の端部において比較すると、凹凸による段差の側面に成膜される薄膜は、基板中央部では対称的であるのに対して、基板端部の段差側面の薄膜は基板の中央側に位置する側面と、基板の端部側に位置する側面では、膜厚が異なり対称性が悪いという問題もある。
【０００９】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、ターゲットの消費効率を低下させずに、凹凸による段差の底部における膜厚の均一性、基板の端部における凹凸による段差側面の薄膜の対称性といった薄膜の被覆性を改善するスパッタリングを用いた薄膜の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のスパッタリングによる薄膜の製造方法は、基板を設置するステージと、成膜する薄膜の材料からなるターゲットとを有し、前記ターゲットを構成する材料の粒子を飛散させ、前記基板上に被着させて薄膜を成膜するスパッタリングによる薄膜の製造方法において、前記基板を前記ターゲットに対して傾斜させることで、前記粒子が前記基板に被着する角度を調節しながら前記基板の表面に薄膜を成膜させることを特徴とする。
【００１１】
また、前記ステージを前記ターゲットに対して傾斜させることによって、前記基板を前記ターゲットに対して傾斜させることを特徴とする。
【００１２】
本発明のスパッタリングを用いた薄膜の製造装置は、基板を設置するステージと、成膜する薄膜の材料からなるターゲットとを有し、前記ターゲットを構成する材料の粒子を飛散させ、前記基板上に被着させて薄膜を成膜するスパッタリングによる薄膜の製造装置において、前記粒子の主な飛散方向に略垂直な第１の回転軸のまわりに前記基板を回転させる第１の回転機構と、前記基板の表面に略平行な第２の回転軸のまわりに前記基板を回転させる第２の回転機構と、前記第２の回転軸とは異なる前記基板の表面に略平行な第３の回転軸のまわりに前記基板を回転させる第３の回転機構とを備え、前記基板を前記ターゲットに対して傾斜させることで、前記粒子が前記基板に被着する角度を調節しながら前記基板の表面に薄膜を成膜させることを特徴とする。
【００１３】
また、前記第１の回転機構、前記第２の回転機構、及び前記第３の回転機構は、前記ステージを回転させることによって前記基板を前記ターゲットに対して傾斜させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のスパッタリングを用いた薄膜の製造方法及び製造装置によれば、表面に凹凸がある基板に薄膜を成膜する場合に、ターゲットの消費効率を低下させることなく、凹凸による段差の側面や凹凸による段差の底部に成膜される薄膜の被覆性を改善することができる。
【００１５】
さらには、薄膜を成膜する基板の中央部と端部とで、略同様の被覆性をもつ薄膜を成膜することができる。従って、基板内に複数の製品、部品などを作製する場合には、歩留まりがよくなり、製造コストの削減につながる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１に示すように、本発明を実施するマグネトロンスパッタリング装置５（薄膜の製造装置）は、内部を真空にすることができる真空槽６、薄膜を成膜する際に必要な様々な計器や装置からなる操作部７、操作部７を構成する各種計器や装置を制御するコンピュータ８などから構成される。
【００１７】
真空槽６の内部には、ステージ１１、ステージ駆動部１２、ターゲット１３、磁石ユニット１４が配設されている。また、真空槽６には、バルブ１６を介してアルゴンガス１７を、バルブ１８を介して窒素ガス１９を導入することができる。ステージ１１は、ターゲット１３と対向する位置にあり、薄膜を成膜する基板２１を配置される。
【００１８】
ステージ駆動部１２は、回転軸Ｌ１（図２参照）のまわりにステージ１１を回転させるとともに、ターゲット１３に対してステージ１１を傾斜させる。このステージ駆動部１２は、後述するステージコントローラ３６によって薄膜を成膜中であっても真空槽６の外部から自在に駆動される。
【００１９】
ターゲット１３は、基板２１に成膜する薄膜の材料からなり、磁石ユニット１４上の真空槽６の内部に配設される。また、基板２１上に薄膜を成膜させる際には、ターゲット１３は陰極になるように電圧が印加される。
【００２０】
磁石ユニット１４は、真空槽６の外部に、ステージ１１と対向する位置に配設される。この磁石ユニット１４の内部には、磁石２２が設けられている。磁石２２は、ターゲット１３の表面付近に半円状の磁力線を持つ磁場を生成する。
【００２１】
ターゲット１３から飛散するスパッタ原子２４（粒子）は、その発生原理が結晶としてのターゲット１３と様々な方向から飛来するアルゴンイオンとの物理的な衝突であるから、スパッタ原子２４は、ターゲット１３の表面にアルゴンイオンが衝突する方向に応じて飛散される。マグネトロンスパッタリング装置５の場合、ターゲット１３の下方にスパッタ原子２４は飛散される。
【００２２】
シャッタ２６は、節２７に回動自在に取り付けられており、モータ４３を介し、シャッタコントローラ３４によって開閉される。このシャッタ２６が基板２１の表面を覆う閉じ位置にある場合は、基板２１をスパッタ原子２４から遮蔽する。また、シャッタ２６が基板２１の表面を開放する開き位置にある場合には、スパッタ原子２４は、基板２１上に被着し、堆積することで薄膜が成膜される。
【００２３】
操作部７は、流量制御部３２、シャッタコントローラ３４、ステージコントローラ３６などから構成される。流量制御部３２は、バルブ１６に接続されており、真空槽６にアルゴンガス１７を導入する際に、その流量を適切な量に調節する。
【００２４】
ステージコントローラ３６は、ステージ駆動部１２を制御することで、ステージ１１をターゲット１３に対して自在に回転又は傾斜させる。このステージコントローラ３６は、基板２１上に薄膜を成膜している最中であってもステージ１１を、延いては基板２１をターゲット１３に対して傾斜させる。
【００２５】
図２に示すように、ステージ１１は基板係止板５１と傾斜台５２とから構成される。基板係止板５１の上面には、基板２１を係止する係止爪５３ａ，５３ｂ，５３ｃが設けられている。係止爪５３ａ，５３ｂ，５３ｃは基板２１の形状に即して設けられているから、他の大きさ又は形状の基板を用いるときには、この基板係止板５１自体を係止する基板の形状に合わせたものに交換する。また、基板係止板５１の下面には、基板係止板５１を傾斜台５２に螺合させるための雄ネジ部５６が設けられている。
【００２６】
傾斜台５２の上面には、基板係止板５１を雄ネジ部５６によって螺合させるための雌ネジ部５７が設けられている。また、傾斜台５２の下面には、後述するステージ傾斜部６３のボールジョイントを形成する上カバー５９ａ，５９ｂ，５９ｃ，５９ｄが設けられている。
【００２７】
図２に示すように、ステージ駆動部１２は、回転台６１（第１の回転機構）、ステッピングモータ６２、ステッピングモータ６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄ、ステージ傾斜部６３ａ，６３ｃ（第２の回転機構）、ステージ傾斜部６３ｂ，６３ｄ（第３の回転機構）から構成される。
【００２８】
回転台６１は、ステッピングモータ６２によって回転軸Ｌ１のまわりに回転される。ステッピングモータ６２は真空槽６内部の壁６６に設けられた円筒部６７の内部に固定されている。また、回転台６１の上面にはステージ傾斜部６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄが設けられている。
【００２９】
ステッピングモータ６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄは、回転台６１に固定されており、回転台６１の回転とともに回転軸Ｌ１のまわりに回転される。ステッピングモータ６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄは、円筒部６７の側面に設けられた電極（図示しない）に回転自在に電気的に接続されており、回転台６１が定常的で一方向に回転してもステージコントローラ３６によって駆動することができる。
【００３０】
ステージ傾斜部６３ａは、ボールジョイントを成膜するボール６８ａ及び下カバー６０ａ、上下動ネジ部６９ａ、水平回転部７０ａから構成される。下カバー６０ａがボール６８ａを挟み込むようにして上カバー５９ａと嵌合することでボールジョイントが形成される。
【００３１】
水平回転部７０ａは、回転台６１に水平方向に回転自在に設置され、歯車（図示しない）を介してステッピングモータ６４ａによって回転台に対して回転される。また、水平回転部７０ａ内壁は、上下動ネジ部６９ａと螺合するようにネジ溝が切られている。
【００３２】
上下動ネジ部６９ａは、水平回転部７０ａの回転に応じて上端に設けられたボール６８ａを上下動させる。これにより、ステージ傾斜部６３の全体としての長さは伸縮し、ステージ１１はターゲット１３に対して傾斜される。
【００３３】
同様にして、ステージ傾斜部６３ｂはボール６８ｂ及び下カバー６０ｂ、上下動ネジ部６９ｂ、水平回転部７０ｂから構成され、ステージ傾斜部６３ｃはボール６８ｃ及び下カバー６０ｃ、上下動ネジ部６９ｃ、水平回転部７０ｃから構成され、ステージ傾斜部６３ｄはボール６８ｄ及び下カバー６０ｄ、上下動ネジ部６９ｄ、水平回転部７０ｄから構成される。
【００３４】
なお、ステージ傾斜部６３ａとステージ傾斜部６３ｃは、ステージ傾斜部６３ａが伸張する場合はステージ傾斜部６３ｃは収縮し、ステージ傾斜部６３ｃが伸張する場合はステージ傾斜部６３ａは収縮するというようにして対になって駆動され、ステージ１１を回転軸Ｌ２のまわりに回転させ、ターゲット１３に対して傾斜させる。同様に、ステージ傾斜部６３ｂとステージ傾斜部６３ｄは対になって駆動され、ステージ１１を回転軸Ｌ３のまわりに回転させ、ターゲット１３に対して傾斜させる。
【００３５】
以下、上述のように構成されるマグネトロンスパッタリング装置５の作用を説明する。真空槽６内の気圧を１０−７Ｐａ程度の真空にした後に、基板２１とターゲット１３間に電圧を印加し、流量制御部３２からアルゴンガス１７の流量を調節しながら徐々に真空槽６内にアルゴンガス１７を導入する。
【００３６】
そして、ステージコントローラ３６を操作し、ステージ駆動部１２を駆動してステージ１１及びステージ１１上に設置された基板２１をターゲット１３に対して傾斜させて成膜を行う。このとき、例えば、図３に示すように、基板２１をターゲット１３に平行な面内で回転させるだけでなく、ステージ１１に対して傾斜させる。
【００３７】
図３（Ｂ）に示すように、ステージ１１及び基板２１はターゲット１３に平行な面内で回転しながらも、ターゲット１３の表面と基板２１の表面が平行である場合であっても、基板の中央部７３と基板２１の端部７１Ｌ，７１Ｒでは、ターゲット１３から飛来するスパッタ原子２４の飛来する方向、角度は異なる。
【００３８】
図３（Ａ）に示すように、端部７１Ｌをターゲット１３から遠ざかるように、また端部７１Ｒをターゲット１３に近づくように基板２１及びステージ１１を傾斜させると、基板２１及びステージ１１がターゲット１３と平行な場合と比べて、端部７１Ｌに飛来するスパッタ原子２４は基板２１の表面に近い浅い角度で端部７１Ｌに入射する。
【００３９】
このとき、端部７１Ｒに飛来するスパッタ原子２４は、基板２１の表面から離れた深い角度で端部７１Ｒに入射する。また、中央部７３に飛来するスパッタ原子２４は、基板２１とターゲット１３とが平行である場合と比べて、浅い角度で入射する。このスパッタ原子２４の基板２１への入射角度は、ターゲット１３と基板２１を平行に保ったまま端部７１Ｌ方向に基板２１を平行移動したときの入射角度に相当する。
【００４０】
しかしながら、基板２１を端部７１Ｌ方向に平行移動する場合、ターゲット１３から飛来するスパッタ原子２４のうち端部７１Ｒ付近に飛来していたものは基板２１上に被着することができないため、成膜の効率は落ち、ターゲットの消費効率が悪い。これに比べ、図３（Ａ）に示すように基板２１を傾ける場合には、ターゲット１３から飛散されるスパッタ原子２４の殆どは基板２１上に被着することができるから、ターゲットの消費効率を低下させることなく、被覆性を改善することができる。
【００４１】
同様に、図３（Ｃ）に示すように、端部７１Ｒをターゲット１３に近づくように、また、端部７１Ｌをターゲット１３から遠ざかるように基板２１及びステージ１１を傾斜させると、端部７１Ｒ、中央部７３、端部７１Ｌにそれぞれ入射するスパッタ原子２４は、基板２１をターゲット１３と平行に保ったまま端部７１Ｒの方向に平行移動した場合に相当する入射角度で基板２１に被着し、かつターゲットの消費効率を低下させることなく、被覆性を改善することができる。
【００４２】
また、多層のプリント基板で各層間を電気的に接続するためのいわゆるビアホールがある場合や、半導体基板上に電極金属などが蒸着されている場合など、基板２１上に凹凸がある場合、この凹凸による段差の影響で、段差の底面や段差の側面に成膜される薄膜は、平坦な基板に成膜する場合と異なる。例えば、図４に示すように、基板２１の表面に凹凸のある場合に、基板２１をターゲット１３と平行に保ったときに成膜される薄膜は、端部７１Ｌ、中央部７３、端部７１Ｒそれぞれで異なる。
【００４３】
図４（Ａ）に示すように、端部７１Ｌにある段差に成膜される薄膜７４は、中央部７３側の側面７６と、中央部７３から見て遠く、より基板２１の端に近い段差の側面７７とを比較すると、側面７６は成膜される薄膜７４は薄く、対称性が悪いばかりか被覆性も悪い。また、段差の深さ方向では、段差上部よりも底面７８に近づくほど薄い薄膜が成膜される。さらに、底面７８に成膜される薄膜７４の膜厚は、側面７７に近いほど厚く、側面７６に近いほど薄くなり、底面７８の面内での対称性に加え、被覆性が悪い。
【００４４】
同様に、図４（Ｃ）に示すように、端部７１Ｒにある段差に成膜される薄膜７４は、中央部７３側の側面８１と基板２１の端側の側面８２を比較すると、中央部７３側の側面８１に成膜される薄膜は薄く、対称性が悪いだけでなく被覆性も悪い。また、底面８３に成膜される薄膜の膜厚は、側面８２に近いほど厚く、側面８１に近いほど薄くなり、底面８３の面内での対称性に加え、被覆性が悪い。
【００４５】
また、図４（Ｂ）に示すように、中央部７３にある段差に成膜される薄膜７４は、側面８６Ｌと側面８６Ｒに成膜される薄膜７４は、端部７１Ｌ及び端部７１Ｒの段差側面の薄膜と比較して対称性のよい薄膜が成膜できる。また、底面８８に成膜される薄膜の膜厚は、中央付近が厚く、側面８６Ｌ及び側面８６Ｒに近づくにつれて薄くなる。
【００４６】
このように表面に凹凸があり、段差に薄膜を成膜する場合、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、端部７１Ｌをターゲット１３に近づくように基板２１を傾斜させて成膜される薄膜９１上に、端部７１Ｌをターゲット１３から遠ざかるように基板２１を傾斜させて薄膜９２を成膜する。すると、図５（Ｃ）に示すように、結果として段差の側面に成膜される薄膜９６は、段差側面９７Ｌ，９７Ｒでは対称的で、被膜性の良い薄膜が成膜される。これは、基板の中央部にある段差に成膜する薄膜と同等の被覆性である。さらに、薄膜９６の段差の底面９８における膜厚は段差の底面９８の面内で均一になる。
【００４７】
また、端部７１Ｒにある段差に成膜される薄膜についても同様である。さらにまた、前述したように、基板をターゲットに対して傾けることによるスパッタ原子の入射角度の変化は、基板とターゲットの対向する表面を平行に保ったまま基板をターゲットに対して平行移動させることに相当するから、中央部７３にある段差に成膜される薄膜についても上述した端部７１Ｌ及び端部７１Ｒにある段差に成膜された薄膜と同様に、底面に成膜される薄膜の膜厚は底面の面内で均一になる。つまり、薄膜を成膜する基盤内で、その中央部と端部とで略同様の被覆性を持つ薄膜を成膜される。
【００４８】
以上のように、本発明のスパッタリングによる薄膜の製造方法及び薄膜の製造装置によれば、ターゲットの消費効率を低下させることなく、被覆性の良い薄膜を段差の側面及び底面に成膜することができる。
【００４９】
さらには、薄膜を成膜する基板内で、その中央部と端部とで略同様の被覆性を持つ薄膜を成膜することができ、基板内に複数の製品、部品などを作製する場合には、歩留まりが良くなり、製造コストの削減にもつながる。
【００５０】
なお、本実施形態はマグネトロンスパッタリング装置５を例に説明したが、これに限らず、例えば、イオンビームスパッタリング装置、ＲＦスパッタリング装置、ＤＣスパッタリング装置などスパッタリングによって薄膜を成膜する場合にも本発明を適用することができる。但し、イオンビームスパッタリング装置のように、スパッタ原子がターゲットから飛散される主な方向が、ターゲットの表面に垂直でない場合には、本実施形態におけるターゲットと基板の平行性は、スパッタ原子の主な飛散方向に基板表面が略垂直であることに相当する。
【００５１】
なお、本実施形態では、薄膜の成膜をしてからステージ１１を傾斜させるなどして、成膜とステージ１１の回転又は傾斜を独立に行うが、これに限らず、薄膜の成膜を行っている最中に連続的にステージ１１を回転又は傾斜さてもよい。
【００５２】
なお、本実施形態では、基板を回転及び傾斜させる場合、回転軸Ｌ１、回転軸Ｌ２及び回転軸Ｌ３についてそれぞれ独立にステージ１１及び基板２１を回転させるが、これに限らず、例えば、回転台６１上にカムなどを設けることで、回転軸Ｌ１のまわりの回転に連動して、ターゲット１３に対して基板２１及びステージ１１を回転させるなどすることで本発明の効果を得ることができる。
【００５３】
なお、本実施形態では、ターゲット１３に略平行な表面を持つステージ１１を回転、又は傾斜させることによって、基板２１をターゲット１３に対して傾斜させるが、これに限らず、ターゲット１３に対して傾斜した基板設置面を持つステージを回転させるなどしてもよい。また、ステージ１１を回転、又は傾斜させずとも、直接、基板２１をターゲット１３に対して回転、又は傾斜させてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明のマグネトロンスパッタリング装置を示す概略図である。
【図２】ステージ及びステージ駆動部の分解斜視図である。
【図３】ステージ及び基板が傾斜する様子を表す説明図である。
【図４】表面に段差がある基板をターゲットに対して平行に配置するときに成膜される薄膜を示す断面図である。
【図５】表面に段差がある基板をターゲットに対して傾斜させながら薄膜を成膜する様子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
５  マグネトロンスパッタリング装置（薄膜の製造装置）
１１  ステージ
１２  ステージ駆動部
１３  ターゲット
１７  アルゴンガス
２１  基板
２４  スパッタ原子（粒子）
３６  ステージコントローラ
６１  回転台（第１の回転機構）
６３ａ，６３ｃ  ステージ傾斜部（第２の回転機構）
６３ｂ，６３ｄ  ステージ傾斜部（第３の回転機構）
７１Ｌ，７１Ｒ  基板の端部
７３  基板の中央部
７４，９１，９２  薄膜
７６，７７，８１，８２，８６Ｌ，８６Ｒ，９３Ｌ，９３Ｒ，９７Ｌ，９７Ｒ  段差の側面
７８，８３，８８，９４，９８  段差の底面
Ｌ１  回転軸（第１の回転軸）
Ｌ２  回転軸（第２の回転軸）
Ｌ３  回転軸（第３の回転軸）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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