(57)【要約】【課題】半導体チップ上に形成されたアルミパッドの腐食を十分に抑制することを可能にする接着シート及び金属付き接着フィルムを提供すること。【解決手段】支持フィルム１３と、支持フィルム１３上に形成された金属層１２と、金属層１２上に形成された接着層１１と、を備え、接着層１１と金属層１２とが剥離しないように支持フィルム１３を金属層１２から剥離することが可能である、接着シート１０。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持フィルムと、当該支持フィルム上に形成された金属層と、当該金属層上に形成された接着層と、を備え、
前記接着層と前記金属層とが剥離しないように前記支持フィルムを前記金属層から剥離することが可能である、接着シート。
【請求項２】
前記金属層は３μｍ以下の厚みを有する、請求項１記載の接着シート。
【請求項３】
前記金属層はスパッタリング又は蒸着により形成されるものである、請求項１又は２に記載の接着シート。
【請求項４】
前記接着層は、１００質量部の樹脂組成物と、４０〜１８０質量部のフィラーと、を含有し、前記樹脂組成物は、
（Ａ）架橋性官能基を有し、重量平均分子量が１０万〜４０万であり、かつガラス転移温度が−５０〜５０℃である高分子量成分１５〜４０質量％と、
（Ｂ）分子量８００以上のエポキシ樹脂を含む熱硬化性成分６０〜８５質量％と、
を含有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の接着シート。
【請求項５】
硬化前の前記接着層は、２５℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２００〜３０００ＭＰａであり、かつ８０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着シート。
【請求項６】
前記支持フィルムはダイシングテープである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の接着シート。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の接着シートから前記支持フィルムを剥離して得られる金属付き接着フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着シート及び金属付き接着フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージの小型化に伴い、半導体チップと同等のサイズを有するＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、並びに半導体チップを多段に積層したスタックドＣＳＰが普及している（例えば、特許文献１〜５参照）。これら半導体パッケージの製造の際、半導体チップは、接着フィルム（ダイボンドフィルム）を用いて搭載基板又は下層の半導体チップに接着される。
【特許文献１】特開２００１−２７９１９７号公報
【特許文献２】特開２００２−２２２９１３号公報
【特許文献３】特開２００２−３５９３４６号公報
【特許文献４】特開２００１−３０８２６２号公報
【特許文献５】特開２００４−７２００９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来、半導体パッケージにおいて、半導体チップ上に形成されたアルミパッドが腐食し易いという問題があった。
【０００４】
そこで、本発明は、半導体チップ上に形成されたアルミパッドの腐食を十分に抑制することを可能にする接着シート及び金属付き接着フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、支持フィルムと、当該支持フィルム上に形成された金属層と、当該金属層上に形成された接着層とを備え、接着層と金属層とが剥離しないように支持フィルムを金属層から剥離することが可能である、接着フィルムに関する。
【０００６】
上記本発明に係る接着シートの接着層を被着体に貼り付けた後、支持フィルムを金属層から剥離することにより、接着層の被着体とは反対側の表面が金属層で覆われた状態になる。接着層が金属層で覆われることにより、環境中に存在する水分の透過が抑制される。その結果、被着体が有する金属層、具体的には半導体チップ上のアルミパッドの腐食が十分に抑制されると考えられる。
【０００７】
接着シートを構成する金属層は３μｍ以下の厚みを有することが好ましい。これにより、接着シート、並びに、被着体に貼り付けた後の接着層と金属層との積層体が、より高い柔軟性を有するものとなる。金属層は、例えば、スパッタリング又は蒸着により形成される。
【０００８】
接着シートを構成する接着層は、１００質量部の樹脂組成物と、４０〜１８０質量部のフィラーとを含有していてもよい。上記樹脂組成物は、（Ａ）架橋性官能基を有し、重量平均分子量が１０万〜４０万であり、かつガラス転移温度が−５０〜５０℃である高分子量成分１５〜４０質量％と、（Ｂ）分子量８００以上のエポキシ樹脂を含む熱硬化性成分６０〜８５質量％とを含有することが好ましい。このような接着層は、その接着特性や機械的特性が更に良好なものとなる。
【０００９】
硬化前の上記接着層は、２５℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２００〜３０００ＭＰａであり、かつ８０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａであると好ましい。これにより、接着シートによるダイシング性が更に優れたものとなり、しかも接着層のウエハへの密着性がより高まる。
【００１０】
上記支持フィルムがダイシングテープであってもよい。この場合、接着シートをダイシングテープ一体型の接着シートとして好適に用いることが可能である。
【００１１】
本発明は、上述の接着シートから上記支持フィルムを剥離して得られる金属付き接着フィルムも提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、半導体チップ上に形成されたアルミパッドの腐食を十分に抑制することを可能にする接着シート及び金属付き接着フィルムが提供される。本発明に係る接着シートは、接着後の透湿性が低く、これにより被着物を水分から保護する機能を発揮する。また、本発明の接着シートは作業性点でも優れる。したがって、本発明の接着シートによれば、半導体装置の信頼性の向上と共に、半導体装置の加工速度、歩留の向上を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、実際の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。また、本明細書における「（メタ）アクリル」とは「アクリル」及びそれに対応する「メタクリル」を意味する。
【００１４】
図１は接着シートの一実施形態を模式的に示す断面図である。本実施形態の接着シート１０は、支持フィルム１３と、支持フィルム１３上に形成された金属層１２と、金属層１２上に形成された接着層１１とを備える。接着層１１は接着性を有する。金属層１２及び接着層１１は接着シート１０によって接着される被着体（例えばウエハ）と同じ平面形状を有することが好ましい。
【００１５】
支持フィルム１３と金属層１２とは互いに剥離可能である。言い換えると、接着層１１と金属層１２とが剥離しないように支持フィルム１３を金属層１２から剥離することが可能である。接着層１１と金属層１２との間の剥離強度が、金属層１２と支持フィルム１３との間の剥離強度よりも大きいことが好ましい。これにより、金属層１２及び支持フィルム１３を損傷することなく容易に両者を剥離することが可能になる。
【００１６】
金属層１２と支持フィルム１３との間の剥離強度を小さくするために、支持フィルム１３は離型処理を施された表面を有することが好ましい。この場合、離型処理を施された表面上に金属層１２が形成される。離型処理としてはシリコーン離型処理がある。
【００１７】
より具体的には、支持フィルム１３は、離型処理を施された表面を有するプラスチックフィルムであることが好ましい。プラスチックフィルムとしては、例えばポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、及びポリイミドフィルムが挙げられる。
【００１８】
支持フィルム１３として用いられる上記プラスチックフィルムはダイシングテープであってもよい。この場合、接着シート１０はダイシングテープ一体型の接着シートとして用いることができる。ダイシングテープ一体型の接着シートを用いることにより、ウエハへのラミネート工程が一回ですむため、作業の効率化が可能となる。
【００１９】
支持フィルム１３の金属層１１との接触面は、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が施されていてもよい。
【００２０】
支持フィルム１３がダイシングテープである場合、支持フィルム１３は粘着性を有することが好ましい。そのために、上記プラスチックフィルム自体に粘着性を付与してもよいし、プラスチックフィルム及びその片面に形成された粘着層を有する積層フィルムを支持フィルム１３として用いてもよい。粘着層は、液状成分及び高分子量成分を含有する樹脂組成物をプラスチックフィルムに塗布した後乾燥することで形成可能である。粘着層として機能するためには、乾燥後の粘着層のタック強度が適度なものとなるように、特に液状成分の含有割合、及び高分子量成分のＴｇを調整すればよい。
【００２１】
支持フィルム１３としてのダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、接着層の膜厚やダイシングテープ一体型の接着シートの用途によって適宜調整される。例えば、経済性及びフィルムの取扱い性が良好である点から、ダイシングテープの膜厚は６０〜１５０μｍであると好ましく、７０〜１３０μｍであるとより好ましい。
【００２２】
半導体装置を製造する際に用いられるダイシングテープ一体型の接着シートにおいては、ダイシング時には半導体チップが飛散しない粘着力をダイシングテープが有し、半導体チップのピックアップ時にはダイシングテープが金属層から剥離することが望まれる。例えば、ダイシングテープの粘着性が高すぎるとピックアップが困難になることがある。そのため、適宜、ダイシングテープのタック強度を調節することが好ましい。
【００２３】
金属層１２を構成する金属としては、特に制限はないが、金、アルミニウム、ニッケル及びインジウムが挙げられる。ヒロックやマイグレーションを防止するために、金属層１２の材料は合金化されたものであってもよい。接着シートに高い柔軟性を付与するために、金属層１２の厚みは３μｍ以下であることが好ましい。
【００２４】
接着層１１のタック強度は、２５℃において８ｇｆ〜３０ｇｆであることが好ましい。また、接着層１１のタック強度は、６０℃において８０ｇｆ以上であることが好ましい。これにより、金属層１２上に接着層１１をラミネートにより付設することが容易になる。
【００２５】
上記タック強度の値は、Ｂステージ状態の接着層１１の表面について、レスカ株式会社製のプローブタッキング試験機を用いて、ＪＩＳＺ０２３７−１９９１に記載の方法（プローブ直径５．１ｍｍ、引き剥がし速度１０ｍｍ／ｓ、接触荷重１００ｇｆ／ｃｍ２、接触時間１ｓ）により測定される。
【００２６】
接着層１１は、樹脂組成物と、フィラーとを含有することが好ましい。この場合、接着層１１は、樹脂組成物１００質量部に対して、フィラーを４０〜１８０質量部含有することが好ましい。フィラーの含有量が４０質量部未満であると、ダイシングの際にチップクラックが多発しやすくなる傾向にある。フィラーの含有量が１８０部を超えると、接着層１１の弾性率が高くなって反りや剥離が生じやすくなる傾向にある。
【００２７】
接着層１１中の樹脂組成物は、１０万以上の重量平均分子量を有する高分子量成分と、熱硬化性成分とを含有することが好ましい。樹脂組成物全体質量を基準として、高分子量成分の含有割合は１５〜４０質量％であり、熱硬化性成分の含有割合は６０〜８５質量％であると好適である。また、接着層１１は、熱硬化性成分及び高分子量成分を合計で４０〜８５体積％含み、フィラーを１５〜６０体積％含むことが好適である。フィラーの含有量が１５体積％未満であると、ダイシングの際にチップクラックが多発しやすくなる傾向にある。フィラーの含有量が６０体積％を超えると、接着層１１の弾性率が高くなって反りや剥離が生じやすくなる傾向にある。
【００２８】
高分子量成分の重量平均分子量は、好ましくは１０万〜１００万であり、より好ましくは１０万〜４０万である。この重量平均分子量が１０万未満であると接着層１１の耐熱性が低下する傾向にある。この重量平均分子量が１００万を超えると接着層１１のフロー性が低下する傾向にある。なお、本明細書における重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００２９】
高分子量成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−５０℃〜５０℃、より好ましくは−２０℃〜４０℃、さらに好ましくは−１０℃〜４０℃である。高分子量成分のＴｇがこれら数値範囲内にあることにより、ウエハダイシング時に接着シート１０が切断しやすく、かつ樹脂くずが発生し難くなる。また接着層１１の耐熱性がより高くなる。Ｔｇが−２０℃〜４０℃であるとき、高分子量成分の重量平均分子量は１０万〜９０万であることが好ましい。Ｔｇが−１０℃〜４０℃であるとき、高分子量成分の重量平均分子量は２０万〜８５万であることが好ましい。
【００３０】
高分子量成分の好適な具体例としては、ポリイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂及び変性ポリフェニレンエーテル樹脂が挙げられる。これらは架橋性官能基を有することが好ましい。架橋性官能基としては、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、及びカルボキシル基が挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。
【００３１】
高分子量成分は、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートを含むモノマを重合して得られる、重量平均分子量が１０万以上である、エポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体であってもよい。この（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル共重合体及びアクリルゴムが挙げられ、アクリルゴムがより好ましい。
【００３２】
アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主なモノマー単位として含む共重合体から構成されるゴムである。アクリルゴムは、ブチルアクリレート及びアクリロニトリルを含む共重合体や、エチルアクリレート及びアクリロニトリルを含む共重合体であってもよい。
【００３３】
熱硬化性成分は、熱硬化性樹脂及びその硬化剤を含む成分である。熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が好適に用いられる。エポキシ樹脂を用いることにより、半導体チップを実装する場合に要求される程度の耐熱性及び耐湿性を容易に得ることができる。
【００３４】
エポキシ樹脂は、硬化により接着作用を示すものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂及びビスフェノールＳ型エポキシ樹脂のような二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂のようなノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂として、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂を採用することもできる。
【００３５】
Ｂステージ状態での接着層１１の可撓性を高くするために、エポキシ樹脂の分子量又は重量平均分子量が１０００以下であることが好ましく、５００以下であることが更に好ましい。一方で、硬化後の接着層１１の耐熱性を高めるために、エポキシ樹脂の分子量は、８００以上であることが好ましい。可撓性及び耐熱性をバランスよく良好にするためには、熱硬化性成分は分子量が５００以下のエポキシ樹脂と分子量が８００以上のエポキシ樹脂との両方を含むことが好ましい。例えば、分子量５００以下のビスフェノールＡ型又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂５０〜９０重量部と、分子量が８００〜３０００の多官能エポキシ樹脂１０〜５０重量％とを併用することが好ましい。
【００３６】
エポキシ樹脂の硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。その具体例としては、アミン類；ポリアミド；酸無水物；ポリスルフィド；三フッ化ホウ素；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類；フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が挙げられる。
【００３７】
接着層１１に含まれるフィラーは無機フィラーであると好ましい。その具体例としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、及びアンチモン酸化物が挙げられる。これらの中で、熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ及び非晶性シリカ等が好ましい。また、溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の観点から、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ及び非晶性シリカ等が好ましい。さらには、ダイシング性を向上させるためには、アルミナ及びシリカが好ましい。
【００３８】
フィラーの平均粒径が０．０１μｍ未満であると接着層１１の粘度が大幅に上昇する傾向にある。また、フィラーの平均粒径が５μｍを超えると、接着層１１の薄膜化が困難となり、接着層１１表面の平滑性を保つことが難しくなる傾向にある。したがって、接着層１１の流動性及び表面平滑性を良好にする点から、フィラーの平均粒径は、０．０１〜５μｍが好ましい。さらに、流動性により優れる観点から、フィラーの平均粒径の下限としては、０．１μｍがより好ましく、０．３μｍが特に好ましい。また平滑性により優れる観点から、フィラーの平均粒径の上限としては３μｍがより好ましく、１μｍが特に好ましい。
【００３９】
フィラーの平均粒径の値は、レーザー回折式粒度分布測定装置（日機装製マイクロトラック社製）を用いて測定される。具体的には、フィラー０．１〜１．０ｇを秤量し、超音波により分散した後、その粒度分布を測定し、その分布での累積質量が５０％となる粒子径をフィラーの平均粒径とする。
【００４０】
フィラーの比表面積は、流動性及び表面平滑性を良好にする点から、２〜２００ｍ２／ｇが好ましい。さらに、流動性により優れる観点から、比表面積の上限は５０ｍ２／ｇがより好ましく、１０ｍ２／ｇが特に好ましい。
【００４１】
上記比表面積は、ブルナウアー・エメット・テーラー（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）式により、フィラーに窒素を吸着させて測定されるＢＥＴ比表面積の値である。ＢＥＴ比面積は市販されているＢＥＴ装置により測定できる。
【００４２】
接着層１１は、タック強度及びシート状での取扱い性を優れたものとするために、上述の各成分の他、硬化促進剤、触媒、各種添加剤及びカップリング剤等の成分を必要に応じて含んでもよい。
【００４３】
接着層１１の膜厚は１０〜２５０μｍであると好ましい。この膜厚が１０μｍよりも薄いと応力緩和効果や接着性が低下する傾向にある。この膜厚が２５０μｍよりも厚いと、経済的でなくなる上に、半導体装置を小型化し難くなる傾向にある。なお、接着性をより高め、半導体装置を更に薄型化する点から、接着層１１の膜厚は２０〜１００μｍが好ましく、４０〜８０μｍがより好ましい。
【００４４】
硬化前（Ｂステージ状態）の接着層１１の２５℃における動的粘弾性測定による貯蔵弾性率は、ダイシング性により優れる観点から、２００〜３０００ＭＰａであると好ましい。また、ダイシング性を更に良好にし、かつウエハとの密着性を高める点から、上記貯蔵弾性率は５００〜２０００ＭＰａであるとより好ましい。硬化前（Ｂステージ状態）の接着層１１の８０℃における動的粘弾性測定による貯蔵弾性率は０．１〜１０ＭＰａであると、８０℃でウエハに良好にラミネートできるので好ましい。特にウエハへの密着性を高める点から、この貯蔵弾性率は０．５〜５ＭＰａであるとより好ましい。
【００４５】
硬化後（Ｃステージ状態）の接着層１１の１７０℃における動的粘弾性測定による貯蔵弾性率は、良好なワイヤボンディング性を得るために２０〜６００ＭＰａであることが好ましい。この貯蔵弾性率は、より好ましくは４０〜６００ＭＰａ、さらに好ましくは４０〜４００ＭＰａである。
【００４６】
接着シート１０を、接着層１１の金属層１２の側とは反対側の表面が被着体と接するように積層した後、支持フィルム１３を金属層１２から剥離してこれを除去すると、被着体上に接着層１１及び金属層１２がこの順に形成された状態となる。すなわち、接着層１１と金属層１２とを有しこれらが被着体側からこの順で積層している金属付き接着フィルムが得られる。金属付き接着フィルムをそのまま用いることもできるし、金属層１２の接着層１１とは反対側の面に更に他の接着層を積層してもよい。
【００４７】
接着シート１０を被着体に接着層１１が半硬化状態のまま積層し、部分的に接着層１１を加熱硬化した後、加熱硬化していない部分の接着層１１を剥離する方法により、被着体表面のうち必要箇所のみ選択的に接着層１１を積層することもできる。
【００４８】
接着シート１０は、支持フィルム１３上に金属層１２を形成する工程と、金属層１２上に接着層１１を形成する工程とを備える方法により製造することができる。
【００４９】
支持フィルム１３上に金属層１２を形成する手法としては、例えば、真空蒸着等の蒸着法、ＤＣスパッタリング及びＲＦスパッタリング等のスパッタリング法、イオンプレーティング、並びに無電解めっきが挙げられる。これらの中では、支持フィルム１３の耐熱性や成膜コスト、プロセス容易性を考慮して、蒸着法及びスパッタリング法が好ましい。
【００５０】
接着層１１は、例えば、上述の樹脂組成物、フィラー、有機溶媒及び必要に応じて他の成分を含有するワニスを準備する工程と、ワニスの層を基材フィルム上に形成する工程と、基材フィルム上のワニスを加熱により乾燥して接着層１１を形成する工程と、接着層１１を金属層１２上に転写する方法により形成される。
【００５１】
ワニスは上記各成分を有機溶媒中で混合、混練して調製される。混合、混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜組み合わせて行うことができる。
【００５２】
ワニスの調製に用いる有機溶媒、各成分を均一に溶解又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。有機溶媒としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ―メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、及びキシレンが挙げられる。これらの中では、乾燥速度が速く、価格が安い点で、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノンが好ましい。
。
【００５３】
ワニスの調製に用いられた有機溶媒は、ワニスの乾燥後、形成される接着層１１中に残存揮発分として含まれる場合が多い。接着層１１中の残存揮発分の割合は、接着層１１全質量を基準として０．０１〜３質量％であることが好ましい。耐熱信頼性の観点から、残存揮発分の割合は、０．０１〜２質量％がより好ましく、０．０１〜１．５重量％が更に好ましい。
【００５４】
ワニスの乾燥の条件は、使用した有機溶媒が十分に揮発する条件であれば特に制限はなく、例えば、加熱温度が６０℃〜２００℃、加熱時間が０．１〜９０分間の条件であってもよい。
【００５５】
接着層を基材フィルムから金属層に転写する方法としては、プレス又はホットロールラミネートする方法が挙げられる。連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネートする方法が好ましい。
【００５６】
本実施形態に係る接着シートは、配線回路及びワイヤの充てん性や、上下の半導体チップとの絶縁性の点でも優れる。また、本実施形態に係る接着シートによれば、半導体装置の歩留の向上、製造速度の向上を図ることが可能となる。本実施形態に係る接着シートは、半導体装置の製造における半導体チップと基板や下層のチップなどの支持部材との接着工程において、接着信頼性に優れる接着シートとして使用することができる。本実施形態に係る接着シートは、半導体搭載用支持部材に半導体チップを実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性、絶縁性を有し、かつ作業性に優れるものである。
【００５７】
以上、本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。例えば、接着層は多層構造を有していてもよい。この場合、同じ又は異なる組成を有する複数の接着層が積層される。
【実施例】
【００５８】
以下、実施例を挙げて本発明について更に具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５９】
（実施例１）
エポキシ樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６０、東都化成株式会社製、商品名「ＹＤ−８１７０Ｃ」）２９質量部、及び、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１０、東都化成株式会社製、商品名「ＹＤＣＮ−７０３」）９．７質量部を準備した。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名「プライオーフェンＬＦ２８８２」）２７．４質量部を準備した。さらに、エポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム（重量平均分子量８０万、グリシジルメタクリレート３質量％、Ｔｇ：−７℃、ナガセケムテックス株式会社製、商品名「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲ」）２８．３質量部を準備した。硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製、商品名「キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ」）０．１質量部を準備した。フィラーとして、シリカフィラー（アドマファイン株式会社製、商品名「Ｓ０−Ｃ２」、比重：２．２ｇ／ｃｍ３、モース硬度：７、平均粒径：０．５μｍ、比表面積：６．０ｍ２／ｇ）９４．４質量部を準備した。また、日本ユニカー株式会社製「Ａ−１８９」（商品名）０．２５質量部、及び日本ユニカー株式会社製「Ａ−１１６０」（商品名）０．５質量部の２種のシランカップリング剤を準備した。以上の各材料を所定の容器に投入した後、さらにシクロヘキサノンを投入して撹拌することにより混合し、真空脱気することにより接着剤のワニスを得た。
【００６０】
得られたワニスを、表面に離型処理を施した厚さ３５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（支持フィルム）上に塗布した。次いで、９０℃で１０分間、１２０℃で５分間の加熱により乾燥して、膜厚が６０μｍでＢステージ状態にある接着層を形成した。
【００６１】
一方、表面に離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム上に、アルバック社製スパッタリング装置（商品名「ＭＬ６３１５−ＲＤ」）を用いて、アルミニウム層をスパッタリングにより形成した。金属層であるアルミニウム層の膜厚は０．２μｍであった。この際、スパッタリングターゲットとして５インチ×１５インチのアルミニウム金属を用い、スパッタリングガスとしてアルゴンガスを用い、３アンペアのＤＣスッパタリングにより成膜レートを０．２μｍ／分とした。
【００６２】
形成されたアルミニウム層上に上述の接着層を６０℃でラミネートした。こうして、支持フィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム上にアルミニウム層及び接着層がこの順に形成された接着シートを得た。
【００６３】
（比較例１）
アルミニウム層を形成しなかったこと以外は実施例１と同様にして、接着層の両面にポリエチレンテレフタレートフィルムが積層された接着シートを作製した。
【００６４】
（評価）
アルミパッドを有する回路の加工が施されたウエハを準備した。そして、上述の実施例１の接着シートから接着層側のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がし、ウエハの回路が設けられた面に接着層が接する向きで接着シートをラミネートした。ラミネートは接着シートを６０℃に加熱しながら行った。次いで、接着層とアルミニウム層とが剥離しないようにアルミニウム層から支持フィルムを剥離して、アルミニウム層を露出させた。その後、１７０℃で１時間加熱することにより、接着層を硬化した。また、比較例１の接着シートを用いて、アルミニウム層を有しないことの他は実施例１のサンプルと同様の構成を有するサンプルを作製した。
【００６５】
得られたサンプルを、温度８５℃、相対湿度８５％の環境中に１０００時間放置した後、ウエハ上のアルミパッドの腐食の状態を目視により観察した。その結果、実施例１の接着シートを用いた場合は、アルミパッドの腐食がほとんど認められなかったのに対して、比較例１の接着シートを用いた場合は、アルミパッドの著しい腐食が認められた。
【００６６】
上記結果から、本発明によれば、半導体チップ上に形成されたアルミパッドの腐食を十分に抑制することが可能であることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】接着シートの一実施形態を示す模式断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１０…接着シート、１１…接着層、１２…金属層、１３…支持フィルム。
【図１】
2008308675.tif 000003