(57)【要約】【課題】反応ガスや基板の温度条件が局所的に異なる程度を小さくし、優れた膜質の膜を形成することが可能な処理装置および処理方法を提供する。【解決手段】処理装置１は、反応室３と、ヒータ６と、リフレクタ１０とを備える。ヒータ６は、反応室３の内部において、反応ガスを用いて処理される基板４を加熱する。リフレクタ１０は、ヒータ６により基板４を加熱するときに反応室３の内部から外部へ伝導する熱量を局所的に変更する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室と、
前記反応室の内部において、反応ガスを用いて処理される処理対象物を加熱する加熱部材と、
前記加熱部材により前記処理対象物を加熱するときに前記反応室の内部から外部へ伝導する熱量を局所的に変更する熱抵抗変更部材とを備える、処理装置。
【請求項２】
前記熱抵抗変更部材は、前記反応室の内部から外部へ出射する輻射エネルギー束の進行方向を変更するリフレクタを含む、請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記反応室の内部において、前記処理対象物を保持する保持部材をさらに備え、
前記リフレクタは前記保持部材と対向する位置に複数個設置され、
前記複数のリフレクタは、前記反応室の内部を流通する前記反応ガスの流れ方向の上流側から下流側に向けて順番に並ぶように配置されている、請求項１または２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記反応室の内部において、前記処理対象物を保持する保持部材をさらに備え、
前記リフレクタは前記保持部材と対向する位置に複数個設置され、
前記複数のリフレクタは、前記反応室の内部を流通する前記反応ガスの流れ方向と交差する方向に並ぶように配置されている、請求項１または２に記載の処理装置。
【請求項５】
前記反応室の内部において、前記処理対象物を保持する保持部材をさらに備え、
前記リフレクタは前記保持部材と対向する位置に、マトリックス状に複数個設置されている、請求項１または２に記載の処理装置。
【請求項６】
前記熱抵抗変更部材は、前記反応室の内部から外部へ出射する輻射エネルギー束の進行を妨げる断熱部材を含む、請求項１に記載の処理装置。
【請求項７】
前記反応室の内部において、前記処理対象物を保持する保持部材をさらに備え、
前記断熱部材は、前記保持部材から見た場合の厚みが局所的に変更されている、請求項６に記載の処理装置。
【請求項８】
前記反応室の内部において、前記処理対象物を保持する保持部材をさらに備え、
前記断熱部材は、前記保持部材から見た場合の密度が局所的に変更されている、請求項６に記載の処理装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の処理装置を用いた処理方法であって、
処理対象物を反応室の内部に配置する工程と、
前記処理対象物を処理温度まで加熱する工程と、
加熱された前記処理対象物に接触するように反応ガスを供給し、前記処理対象物の表面に膜を形成する処理を行なう処理工程とを備え、
前記処理工程では、前記熱抵抗変更部材が前記処理対象物と対向する位置に配置されている、処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理装置および処理方法に関し、より特定的には、処理対象物を加熱する加熱部材を備える処理装置および処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、反応室の内部に反応ガスを供給した状態で、処理対象物である基板を加熱することで、当該基板上に反応ガスを原料とした膜を成長させる処理装置が知られている。このような処理装置においては、形成される膜の膜質などを均一にするため、基板の全体を均一に加熱することが重要である。このように基板を均一に加熱するため、従来様々な提案がなされている。たとえば、基板を均一に加熱するため、基板の下面および上面の両面に加熱部材を配置した処理装置が従来提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−１４８４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述した従来の処理装置では、基板自体をほぼ均一に加熱することは可能であるように思われる。しかし、基板に供給される反応ガスについては、その反応ガスの流れに起因して当該反応ガスの温度条件が局所的に異なる（たとえば、反応ガスの流れ方向において基板に対して上流側に位置する反応ガスと下流側に位置する反応ガスとでは加熱部材や基板からの熱による加熱条件が異なる）。このような反応ガスの温度条件が局所的に異なると、当該反応ガスが接触する基板の温度分布も影響され、結果的に当該基板の温度分布の均一性が劣化する場合がある。この結果、基板の表面に形成される膜の膜質の均一性が劣化するなどの問題が発生することがあった。そして、従来の処理装置では、このような反応ガスの温度条件の不均一性、およびそれに起因する膜質の不均一さを修正することは困難であった。
【０００４】
この発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、この発明の目的は、反応ガスや基板の温度条件が局所的に異なる程度を小さくし、優れた膜質の膜を形成することが可能な処理装置および処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明に従った処理装置は、反応室と、加熱部材と、熱抵抗変更部材とを備える。加熱部材は、反応室の内部において、反応ガスを用いて処理される処理対象物を加熱する。熱抵抗変更部材は、加熱部材により処理対象物を加熱するときに反応室の内部から外部へ伝導する熱量を局所的に変更する。
【０００６】
このようにすれば、反応室へ供給される反応ガスの流れにより、反応ガスの温度分布が不均一になる場合であっても、熱抵抗変更部材を用いて反応室から外部へ伝導する熱量を局所的に変更することにより、反応ガスおよびそれに接する基板の温度分布を制御することができる（具体的には、反応ガスの温度分布が不均一になることを抑制でき、また、敢えて反応ガスの温度分布が均一では無い所望の分布になるようにすることもできる）。たとえば、反応ガスの温度が相対的に下がりやすい領域の近傍において、熱抵抗変更部材によって反応室の外部へ伝導する熱量を他の領域より小さくする。このようにすれば、熱抵抗変更部材が存在しない場合よりも、当該領域における反応ガスおよび基板の温度低下を抑制できる。この結果、反応ガスおよびそれに接する基板の温度分布の均一性を向上させることができる。
【０００７】
上記処理装置において、熱抵抗変更部材は、反応室の内部から外部へ出射する輻射エネルギー束の進行方向を変更するリフレクタを含んでいてもよい。
【０００８】
この場合、リフレクタによって反応室から外部へ出射する輻射エネルギー束の進行方向を（たとえば反応室側へ）変えることで、反応室の内部から外部へ伝導する熱量を変更することができる。また、リフレクタといった部材を配置することは、加熱部材の構造自体を変更することより比較的容易であり、コストの面でも加熱部材自体を改造する場合より低コストで実現可能であると考えられる。つまり、比較的容易かつ低コストで反応ガスおよびそれに接する基板の温度分布の均一性を向上させることができる。
【０００９】
上記処理装置は、反応室の内部において、処理対象物を保持する保持部材をさらに備えていてもよい。リフレクタは保持部材と対向する位置に複数個設置されていてもよい。複数のリフレクタは、反応室の内部を流通する反応ガスの流れ方向の上流側から下流側に向けて順番に並ぶように配置されていてもよい。
【００１０】
このようにすれば、反応ガスの流れ方向において当該反応ガスの温度が変化する場合、複数のリフレクタの状態（たとえばリフレクタの反射面の角度や位置などの配置条件）を調整することで、反応室から外部へ出射する輻射エネルギー束の量を反応ガスの流れ方向において局所的に変更できる。このため、当該流れ方向における反応ガスの温度分布の均一性を向上させることができる。たとえば、反応ガスの流れ方向において、保持部材と対向する領域で下流に行くほど反応ガスの温度が上昇するような場合、当該領域において、流れ方向の上流側に位置するリフレクタは輻射エネルギー束を反射して、当該反射した輻射エネルギー束が再び反応室に入射するようにその配置条件が調整されていることが好ましい。
【００１１】
上記処理装置において、複数のリフレクタは反応ガスの流れ方向と交差する方向に延びる回転軸を中心に回転可能になっていてもよい。この場合、回転軸を中心とした回転角度を調整することで、リフレクタで反射する輻射エネルギー束の反射方向を反応ガスの流れ方向に沿った面内で任意に変更することができる。したがって、リフレクタが設置された部分において反応室から出射する輻射エネルギー束の量を容易に変更できる（つまり反応室から外部へ伝導する熱量を局所的に変更することができる）。
【００１２】
上記処理装置は、反応室の内部において、処理対象物を保持する保持部材をさらに備えていてもよい。リフレクタは保持部材と対向する位置に複数個設置されていてもよい。複数のリフレクタは、反応室の内部を流通する反応ガスの流れ方向と交差する方向に並ぶように配置されていてもよい。
【００１３】
このようにすれば、反応ガスの温度分布が反応ガスの流れ方向と交差する方向において発生する場合、複数のリフレクタの状態を調整することで、反応室から外部へ出射する輻射エネルギー束の量を反応ガスの流れ方向と交差する方向において局所的に変更できる。このため、流れ方と交差する方向における反応ガスの温度分布、およびそれに接する基板の温度分布の均一性を向上させることができる。たとえば、反応ガスの流れ方向と交差する方向において、保持部材と対向する領域で保持部材の中央部から離れるにしたがって反応ガスの温度が低下するような場合、当該領域において、当該交差する方向で保持部材の中央部から離れた部分（保持部材の端部側）に位置するリフレクタは、輻射エネルギー束を反射して、当該反射した輻射エネルギー束が再び反応室に入射するようにその配置条件が調整されていることが好ましい。また、たとえば保持部材が回転し、さらに保持部材上で処理対象物も回転するような場合、反応ガスの流れ方向と交差する方向において、反応ガスの温度分布にあえて不均一な部分を形成したい場合にも、リフレクタの姿勢などを調整することで反応ガスの温度分布を制御することができる。
【００１４】
上記処理装置において、複数のリフレクタは反応ガスの流れ方向に延びる回転軸を中心に回転可能になっていてもよい。この場合、回転軸を中心とした回転角度を調整することで、リフレクタで反射する輻射エネルギー束の反射方向を反応ガスの流れ方向と交差する方向に沿った面内で任意に変更することができる。したがって、リフレクタが設置された部分において反応室から出射する輻射エネルギー束の量を容易に変更できる（つまり反応室から外部へ伝導する熱量を局所的に変更することができる）。
【００１５】
上記処理装置は、反応室の内部において、処理対象物を保持する保持部材をさらに備えていてもよい。リフレクタは保持部材と対向する位置に、マトリックス状に複数個設置されていてもよい。この場合、反応ガスの温度分布が反応ガスの流れ方向および当該流れ方向と交差する方向で変化する場合、個々のリフレクタの状態を調整することで、反応室から外部へ出射する輻射エネルギー束の量を個々のリフレクタが配置された場所ごとに変更できる。このため、当該流れ方向および流れ方向と交差する方向における反応ガスの温度分布、および基板の温度分布の均一性を向上させることができる。
【００１６】
上記処理装置において、複数のリフレクタの一部は、反応ガスの流れ方向と交差する方向に延びる交差方向回転軸を中心に回転可能になっていてもよい。また、複数のリフレクタの他の一部は、反応ガスの流れ方向に延びる流れ方向回転軸を中心に回転可能になっていてもよい。この場合、複数のリフレクタが交差方向回転軸を中心に回転可能なものと流れ方向回転軸を中心に回転可能なものという２種類のリフレクタを含むため、リフレクタの回転軸の方向がすべてのリフレクタについて同じ場合より、輻射エネルギー束の反射方向の調整の自由度を大きくすることができる。
【００１７】
上記処理装置において、熱抵抗変更部材は、反応室の内部から外部へ出射する輻射エネルギー束の進行を妨げる断熱部材を含んでいてもよい。
【００１８】
この場合、断熱部材の断熱性能を局所的に変えることによって、反応室の内部から外部へ伝導する熱量を局所的に変更することができる。また、断熱部材を配置することは、加熱部材の構造自体を変更することより比較的容易であり、コストの面でも加熱部材自体を改造する場合より低コストで実現可能であると考えられる。つまり、比較的容易かつ低コストで反応ガスの温度分布の均一性、および反応ガスに接する基板の温度分布の均一性、を向上させることができる。
【００１９】
上記処理装置は、反応室の内部において、処理対象物を保持する保持部材をさらに備えていてもよい。断熱部材は、保持部材から見た場合の厚みが局所的に変更されていてもよい。この場合、断熱部材の厚みを変更するという比較的簡単な手法により、断熱部材の断熱性能を局所的に容易に変更できる。つまり、比較的容易かつ低コストで反応ガスの温度分布の均一性を向上させることができる。また、たとえば保持部材が回転し、さらに保持部材上で処理対象物も回転するような場合、反応ガスの流れ方向と交差する方向において、反応ガスの温度分布にあえて不均一な部分を形成したい場合にも、反応ガスの流れ方向と交差する方向において、あえて断熱部材の厚みを変更することで反応ガスの温度分布を制御することができる。
【００２０】
上記処理装置において、断熱部材は保持部材と対向する位置に配置されることが好ましい。断熱部材は、反応室の内部を流通する反応ガスの流れ方向の下流側から上流側に向けて徐々に厚みが厚くなっていることが好ましい。
【００２１】
この場合、反応ガスの流れ方向の上流側に向かうほど、断熱部材による断熱効果が高くなる（つまり反応室の内部から外部へ伝導する熱量を小さくできる）。したがって、たとえば、断熱部材が存在しない従来の処理装置において、反応ガスの流れ方向において保持部材と対向する領域で下流に行くほど反応ガスの温度が上昇するような場合、上記のような構成により上流側での反応ガスの温度を従来より高くすることができる。このため、反応ガスの流れ方向における温度分布の均一性、および基板の温度分布の均一性、を向上させることができる。
【００２２】
上記処理装置において、断熱部材は保持部材と対向する位置に配置されることが好ましい。断熱部材は、反応室の内部を流通する反応ガスの流れ方向と交差する方向において、保持部材の中央部から外周部に向けて徐々に厚みが厚くなっていることが好ましい。
【００２３】
この場合、反応ガスの流れ方向と交差する方向で保持部材の外周部に向かうほど、断熱部材による断熱効果が高くなる（つまり反応室の内部から外部へ伝導する熱量を小さくできる）。したがって、たとえば、断熱部材が存在しない従来の処理装置において、保持部材と対向する領域で保持部材の外周部に行くほど反応ガスの温度が低下するような場合、上記のような構成により保持部材の外周部での反応ガスの温度を従来より高くすることができる。このため、保持部材に対向する領域における反応ガス、および基板の温度分布の均一性を向上させることができる。
【００２４】
上記処理装置は、反応室の内部において、処理対象物を保持する保持部材をさらに備えていてもよい。断熱部材は、保持部材から見た場合の密度が局所的に変更されていてもよい。この場合、断熱部材の密度を変更するという比較的簡単な手法により、断熱部材の断熱性能を局所的に容易に変更できる。つまり、比較的容易かつ低コストで反応ガスの温度分布の均一性を向上させることができる。ここで、断熱部材の密度を変更する手法としては、任意の手法を用いることができる。たとえば、密度の異なる断熱部材の要素を準備しておき、場所ごとにこれらの要素を使い分ける、あるいは全体に複数の開口部が分散して形成された断熱部材のベースを準備しておき、個々の開口部について、場所ごとに断熱性の別部材を挿入するようにし、また、開口部ごとに当該別部材の量や材質などを変更するというようにしてもよい。
【００２５】
上記処理装置において、断熱部材は保持部材と対向する位置に配置されることが好ましい。断熱部材は、反応室の内部を流通する反応ガスの流れ方向の下流側から上流側に向けて徐々に密度が高くなっていることが好ましい。
【００２６】
この場合、反応ガスの流れ方向の上流側に向かうほど、断熱部材による断熱効果が高くなる。したがって、たとえば、断熱部材が存在しない従来の処理装置において、反応ガスの流れ方向において保持部材と対向する領域で下流に行くほど反応ガスの温度が上昇するような場合、上記のような構成により上流側での反応ガスの温度を従来より高くすることができる。このため、反応ガスの流れ方向における温度分布の均一性を向上させることができる。
【００２７】
上記処理装置において、断熱部材は保持部材と対向する位置に配置されることが好ましい。断熱部材は、反応室の内部を流通する反応ガスの流れ方向と交差する方向において、保持部材の中央部から外周部に向けて徐々に密度が高くなっていることが好ましい。
【００２８】
この場合、反応ガスの流れ方向と交差する方向で保持部材の外周部に向かうほど、断熱部材による断熱効果が高くなる。したがって、たとえば、断熱部材が存在しない従来の処理装置において、保持部材と対向する領域で保持部材の外周部に行くほど反応ガスの温度が低下するような場合、上記のような構成により反応ガスの外周部での反応ガスの温度を従来より高くすることができる。このため、保持部材に対向する領域における反応ガスおよび基板の温度分布の均一性を向上させることができる。
【００２９】
上記処理装置において、処理対象物の表面に対して平行な方向から反応ガスが供給されてもよい。このような構成においては、処理対象物に対向する領域を反応ガスが流通している間に反応ガスの温度が上昇するため、反応ガスの流れ方向で下流側に行くほど反応ガスの温度が上昇する。したがって、本発明を適用することが特に効果的である。
【００３０】
上記処理装置において、処理対象物の表面に対して垂直な方向から反応ガスが供給されてもよい。また、この場合反応室の平面形状は円形状であってもよい。また、反応ガスは処理対象物の中央部（あるいは処理対象物が保持されている保持部材の中央部）に向けて供給されていてもよい。
【００３１】
このような構成の処理装置であっても、反応ガスの流れ方向において温度分布の不均一が起きる場合には、本発明を適用することが効果的である。
【００３２】
この発明に従った処理方法は、上記処理装置を用いた処理方法であって、処理対象物を反応室の内部に配置する工程と、処理対象物を処理温度まで加熱する工程と、加熱された処理対象物に接触するように反応ガスを供給し、処理対象物の表面に膜を形成する処理を行なう処理工程とを備える。処理工程では、熱抵抗変更部材が処理対象物と対向する位置に配置されている。
【００３３】
このようにすれば、熱抵抗変更部材によって反応ガス、およびそれに接する基板の温度分布の均一性を向上させた状態で成膜処理を実施できるため、得られる膜の膜質を向上させることができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、反応ガス、およびそれに接する基板の温度分布の均一性を向上させた状態で成膜などの処理を実施できるので、処理対象物の表面に対して均質な処理を行なうことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
次に図面を用いて、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
【００３６】
（実施の形態１）
図１は、本発明に従った処理装置の実施の形態１を示す平面模式図である。図２は、図１の線分ＩＩ−ＩＩにおける断面模式図である。図１および図２を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態１を説明する。
【００３７】
図１および図２を参照して、処理装置１は、気相成長装置であって、管状の反応室３と、反応室３の内部に処理対象物としての基板４を保持するサセプタ５と、反応室３の外部であってサセプタ５と対向する位置に配置され、サセプタ５を介して基板４を加熱するためのヒータ６と、反応室３においてサセプタ５と対向する壁面の外側に配置された熱抵抗変更部材としてのリフレクタ１０とを備える。反応室３の内部に配置された平面形状が円形状のサセプタ５には、その下面の中心部に図示しない支持軸などが接続されている。サセプタ５は、当該支持軸を回転させることによって水平方向に中心１４を回転中心として回転可能になっている。また、反応室３には、図１および図２の矢印８に示すように基板４に対する処理に用いる反応ガスが供給される。
【００３８】
リフレクタ１０は、反応ガスの流れ方向である矢印８で示される方向において、順番に並ぶように複数個配置されている。リフレクタ１０はそれぞれ平面形状が長方形状の板状体である。リフレクタ１０の表面はたとえば鏡面仕上げが施されている。リフレクタ１０は反応ガスの流れ方向と交差する方向（矢印８で示される方向と垂直な方向）に延びる回転軸１２を中心として、矢印１３に示すように回転可能になっている。リフレクタ１０は、回転軸１２を中心として回転することにより、リフレクタ１０表面の、サセプタ５の表面に対する角度を変更することができる。このようにサセプタ５の表面に対するリフレクタ１０の表面の角度を変更すれば、図２の矢印１５で示すようにリフレクタ１０の表面において反射する輻射エネルギー束の反射方向を変更することができる。このため、リフレクタ１０の表面で反射される輻射エネルギー束の反射方向を、サセプタ５から見て反応ガスの流れ方向での上流側に向かうようにすることで、リフレクタ１０において反射された輻射エネルギー束をサセプタ５の上流側に集めることができる。この結果、サセプタ５から見て反応ガスの流れ方向での上流側において反応ガスおよび基板を当該輻射エネルギー束によって加熱することができる。
【００３９】
また、リフレクタ１０を回転させることにより、サセプタ５側へのリフレクタ１０の投影面積を変更することができる。このため、リフレクタ１０の回転角度を調整することにより、複数のリフレクタ１０の間から反応室３の外部へ矢印１６に示すように出射される輻射エネルギー束の量を変更することができる。
【００４０】
なお、上述した本発明の実施の形態１および以下説明する本発明の他の実施の形態において、複数のリフレクタ１０を反応室３に隣接して（サセプタ５（または基板４）と対向する位置に）保持する方法としては、任意の方法を用いることができる。たとえば、図３や図４に示すようなリフレクタ集合部材２０を用いてもよい。図３は、本発明に従った処理装置に設置されるリフレクタ集合部材の例を示す平面模式図であり、図４は、本発明に従った処理装置に設置されるリフレクタ集合部材の他の例を示す平面模式図である。
【００４１】
図３に示すように、リフレクタ集合部材２０は、複数のリフレクタ１０ａ〜１０ｅをそれぞれ個別に保持するための複数の開口部２３が形成された支持部材２２と、支持部材２２の開口部２３のそれぞれの内部に配置されたリフレクタ１０ａ〜１０ｅとからなる。リフレクタ１０ａ〜１０ｅは、それぞれ軸２４を介して支持部材２２に接続されている。リフレクタ１０ａ〜１０ｅはそれぞれ軸２４を中心として（つまり軸２４と重なる回転軸１２を中心として）回転可能になっている。また、リフレクタ１０ａ〜１０ｅのそれぞれは、任意の回転角度でその位置を固定可能になっている。固定方法としては、従来周知の任意の方法を用いることができる。
【００４２】
そして、図３の紙面に垂直方向における支持部材２２の厚みは、リフレクタ１０ａ〜１０ｅが回転軸１２を中心として自由に回転可能な厚みとなっている（回転軸１２の中心から支持部材２２の下面までの距離が、回転軸１２の中心からリフレクタ１０ａ〜１０ｅの外周の長辺までの距離より大きくなっている）。このようなリフレクタ集合部材２０を、図２に示した反応室３の上壁の上に配置することで、図１および図２に示したような構成の処理装置１を実現できる。また、図３に示したリフレクタ集合部材２０は、支持部材２２も固定型のリフレクタとして作用させてもよい。この場合、反応室３から外部へ出射する輻射エネルギー束をこの支持部材２２の表面においても反射させて、反応室３の内部に再び輻射エネルギー束を入射させることができる。
【００４３】
また、リフレクタ集合部材２０の構成としては、図４に示すように、複数のリフレクタ１０ａ〜１０ｅをまとめて内部に配置できるような開口部２５を有する支持部材２２を用いてもよい。すなわち、図４に示したリフレクタ集合部材２０は、基本的には図３に示したリフレクタ集合部材２０と同様の構成を備えるが、支持部材２２の形状が異なっている。つまり、図４に示したリフレクタ集合部材２０の支持部材２２は、１つの大きな開口部２５を有する。この開口部２５の内部に、複数のリフレクタ１０ａ〜１０ｅが並んで配置されている。リフレクタ１０ａ〜１０ｅのそれぞれは、図３に示したリフレクタ集合部材２０と同様に軸２４を介して開口部２５の内周側壁に接続されている。リフレクタ１０ａ〜１０ｅは軸２４を中心として回転可能になっている。
【００４４】
このような構成のリフレクタ集合部材２０を用いても、図１および図２に示した処理装置を実現できる。また、図４に示したリフレクタ集合部材２０では、図３に示したリフレクタ集合部材２０と同じサイズのリフレクタ１０ａ〜１０ｅを用いる場合、複数のリフレクタ１０ａ〜１０ｅの間において図３に示したリフレクタ集合部材２０より広い空間を確保できる。したがって、反応室３から外部へ出射する輻射エネルギー束の量を図３に示したリフレクタ集合部材２０より多くできる。
【００４５】
また、図３または図４に示した支持部材２２について、輻射エネルギー束の透過率がリフレクタ１０ａ〜１０ｅを構成する材料より大きい材料を用いることにより、支持部材２２での輻射エネルギー束の反射を抑制してもよい。
【００４６】
また、図４に示した構成のリフレクタ集合部材２０では、リフレクタ１０ａ〜１０ｅの幅（回転軸１２と垂直方向の幅）を広くすることで、リフレクタ１０ａ〜１０ｅによって占有される開口部２５の内部の面積を変更できる範囲を大きくすることができる。たとえば、リフレクタ１０ａ〜１０ｅの相対的に面積の広い主面の方向が支持部材２２の上面の延びる方向と同じ方向になるように、リフレクタ１０ａ〜１０ｅの回転角度を調整したときに、開口部２５をリフレクタ１０ａ〜１０ｅでほぼ閉じた状態（閉状態）とするように、リフレクタ１０ａ〜１０ｅの主面の幅を決定してもよい。
【００４７】
一方、リフレクタ１０ａ〜１０ｅを上記閉状態から回転軸１２を中心として９０度回転させると、開口部２５がほぼ開いた状態（開状態）にすることができる。開口部２５の面積に対するリフレクタ１０ａ〜１０ｅにより占有される部分以外の面積の割合（開口率）を考えると、図３に示したリフレクタ集合部材２０より、図４に示したリフレクタ集合部材２０の方が大きな開口率を実現できる。なお、図３および図４に示したようなリフレクタ集合部材２０の構成は、本発明の他の実施の形態においてリフレクタを処理装置に設置するための構成として利用することができる。
【００４８】
上述した処理装置１の構成を要約すれば、この発明に従った処理装置１は、反応室３と、加熱部材としてのヒータ６と、熱抵抗変更部材としてのリフレクタ１０とを備える。ヒータ６は、反応室３の内部において、反応ガスを用いて処理される処理対象物としての基板４を加熱する。リフレクタ１０は、ヒータ６により基板４を加熱するときに反応室３の内部から外部へ伝導する熱量を局所的に変更する。
【００４９】
このようにすれば、反応室３へ供給される反応ガスの流れにより、反応ガスの温度分布が不均一になる場合であっても、リフレクタ１０を用いて反応室３から外部へ伝導する熱量を局所的に変更することにより、反応ガスの温度分布が不均一になることを抑制できる。たとえば、反応ガスの温度が相対的に低くなっている、反応ガスの流れ方向におけるサセプタ５の上流側や、流れ方向に垂直な幅方向におけるサセプタ５の端部の近傍において、リフレクタ１０によって輻射エネルギー束を反射して反応室３の内部へ再び入射させることができる。これにより、反応室３の外部へ伝導する熱量を他の領域より小さくする。このようにすれば、リフレクタ１０が存在しない場合よりも、当該領域における反応ガス、およびそれに接する基板の温度低下を抑制できる。この結果、反応ガス、およびそれに接する基板の温度分布の均一性を向上させることができる。
【００５０】
上記処理装置１において、熱抵抗変更部材としてのリフレクタ１０は、反応室３の内部から外部へ出射する輻射エネルギー束の進行方向を変更する。この場合、リフレクタ１０によって反応室３から外部へ出射する輻射エネルギー束の進行方向を（たとえば反応室３側へ）変えることで、上述のように反応室３の内部から外部へ伝導する熱量を変更することができる。また、リフレクタ１０といった部材を配置することは、ヒータ６の構造自体を変更することより比較的容易であり、コストの面でもヒータ６自体を改造する場合より低コストで実現可能であると考えられる。つまり、比較的容易かつ低コストで反応ガス、およびそれに接する基板の温度分布の均一性を向上させることができる。
【００５１】
なお、リフレクタ１０としては、輻射エネルギー束の進行方向を変更できれば任意の部材を用いることができる。たとえば、処理対象物としての基板４が加熱される温度が比較的低温（たとえば７００℃から８００℃以下）の場合には、リフレクタ１０の材料として、耐熱鋼、ステンレス鋼、ニッケル合金（インコネル、ハステロイなど）といった金属を用いることができる。また、基板４が加熱される温度が比較的高温（たとえば８００℃超え）の場合には、リフレクタ１０の材料として、高融点金属（タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）など）、セラミックス（アルミナ、ジルコニア、ムライト、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化炭素、炭化珪素、これらの化合物または混合物）、グラファイト、またはグラファイトに炭化珪素またはＰＢＮ（熱分解性窒化ホウ素）などの被覆層をコーティングしたもの、などを用いることができる。このようなリフレクタ１０の材質は、使用される温度や環境、またリフレクタ１０の必要強度などの使用条件に応じて適宜選択される。
【００５２】
上記処理装置１は、反応室３の内部において、処理対象物としての基板４を保持する保持部材としてのサセプタ５をさらに備えている。リフレクタ１０はサセプタ５と対向する位置に複数個設置されている。複数のリフレクタ１０は、反応室３の内部を流通する反応ガスの流れ方向（矢印８で示す方向）の上流側から下流側に向けて順番に並ぶように配置されている。
【００５３】
このようにすれば、矢印８で示す反応ガスの流れ方向において当該反応ガスの温度が変化する場合、複数のリフレクタ１０の反射面の角度などの配置条件）を調整することで、反応室３から外部へ出射する輻射エネルギー束の量を反応ガスの流れ方向において局所的に変更できる。このため、当該流れ方向における反応ガスの温度分布、およびそれに接する基板４の温度分布の均一性を向上させることができる。たとえば、反応ガスの流れ方向において、サセプタ５と対向する領域で下流に行くほど反応ガスの温度が上昇するような場合、当該領域において、流れ方向の上流側に位置するリフレクタ１０は輻射エネルギー束を反射して、当該反射した輻射エネルギー束が再び反応室に入射するようにその回転角度が調整される。
【００５４】
上記処理装置１において、複数のリフレクタ１０は矢印８で示す反応ガスの流れ方向と交差する方向（矢印８で示す方向に対して垂直な方向）に延びる回転軸１２を中心に回転可能になっている。この場合、回転軸１２を中心とした回転角度を調整することで、リフレクタ１０で反射する輻射エネルギー束の反射方向を反応ガスの流れ方向に沿った面内で任意に変更することができる。したがって、リフレクタ１０が設置された部分において反応室３から出射する輻射エネルギー束の量（熱量）を容易に変更できる。
【００５５】
上記処理装置１においては、基板４の表面に対して平行な方向から反応ガスが供給されている。このような構成では、基板４に対向する領域を反応ガスが流通している間に反応ガスの温度が上昇するため、矢印８で示す反応ガスの流れ方向で下流側に行くほど反応ガスの温度が上昇する。したがって、本発明を適用して反応ガス、およびそれに接する基板４の温度分布を均一化することが特に効果的である。
【００５６】
次に、図１および図２に示した処理装置を用いた処理方法（気相成長方法あるいは成膜方法）を、図５を用いて説明する。図５は、図１および図２に示した処理装置を用いた処理方法を説明するためのフローチャートである。
【００５７】
図５に示すように、図１および図２に示した本発明による処理方法では、まず準備工程（Ｓ１０）を実施する。具体的には、反応室３の内部のサセプタ５の上に処理対象物である基板４を配置する工程、および反応室３の内部の雰囲気条件を所定の条件にする工程などを実施する。また、このときリフレクタ１０の回転軸１２を中心とした回転角度や配置を決定しておいてもよい。
【００５８】
次に、加熱工程（Ｓ２０）を実施する。具体的には、ヒータ６を駆動する（ヒータ６がたとえば抵抗発熱体である場合には、ヒータ６に通電する）。この結果、サセプタ５を介して基板４が加熱される。
【００５９】
次に、処理工程（Ｓ３０）を実施する。この処理工程（Ｓ３０）では、具体的には、図１および図２に示すように基板４が加熱された状態で、反応室３の内部に反応ガスを供給することにより、基板４の表面に反応ガスを原料とした膜を形成する。反応ガスは図１および図２の矢印８にしめす方向から反応室３の内部に供給される。このとき、リフレクタ１０が反応室３の上壁上に配置されており、また、当該リフレクタ１０の回転軸１２を中心とした回転角度は、当該リフレクタ１０により反射した輻射エネルギー束ができるだけサセプタ５における反応ガスの流れ方向での上流側に向かうように決定されている。
【００６０】
上述した処理方法の特徴的な構成を要約すれば、図５に示した処理方法は、上記処理装置１を用いた成膜方法あるいは気相成長方法であって、処理対象物としての基板４を反応室３の内部に配置する工程（準備工程（Ｓ１０））と、基板４を処理温度まで加熱する工程（加熱工程（Ｓ２０））と、加熱された基板４に接触するように反応ガスを供給し、基板４の表面に膜を形成する処理を行なう処理工程（Ｓ３０）とを備える。処理工程（Ｓ３０）では、基板４と対向する位置に熱抵抗変更部材としてのリフレクタ１０が配置されている。また、処理工程（Ｓ３０）では、リフレクタ１０が存在しない場合よりも、基板４の表面に対向する位置における反応ガスの温度分布が均一化するように、リフレクタ１０が配置されている。このようにすれば、リフレクタ１０によって反応ガスの温度分布の均一性を向上させた状態で処理工程（Ｓ３０）での成膜処理を実施できるため、基板４の表面に形成される膜の膜質を向上させることができる。
【００６１】
図６は、図１および図２に示した処理装置の実施の形態１の変形例を示す平面模式図である。図６を参照して、図１および図２に示した処理装置の実施の形態１の変形例を説明する。
【００６２】
図６に示した処理装置１は、基本的には図１および図２に示した処理装置と同様の構成を備えるが、リフレクタ１０の構成が異なる。すなわち、図６に示した処理装置１では、リフレクタ１０が保持部材としてのサセプタ５と対向する位置に、マトリックス状に複数個設置されている。個々のリフレクタ１０は回転軸１２を中心として回転可能になっている。このような構成の処理装置１によっても、図１および図２に示した処理装置１と同様の効果を得ることができる。さらに、図６に示した処理装置１では、反応ガスの流れ方向（矢印８で示す方向）と９０度の角度で交差する方向（幅方向）において反応ガスの温度分布が不均一となった場合において、幅方向に沿って並んだリフレクタ１０の個々の回転角度を個別に変更することができる。この結果、反応ガスの温度分布を幅方向において調整することができる。つまり、反応ガスの温度分布が反応ガスの流れ方向および当該流れ方向と交差する幅方向で変化する場合、個々のリフレクタ１０の回転角度を調整することで、反応室３から外部へ出射する輻射エネルギー束の量（熱量）を個々のリフレクタ１０が配置された場所ごとに変更できる。このため、当該流れ方向および幅方向における反応ガスの温度分布の均一性を向上させることができる。したがって、基板４上に形成される膜の均一性をさらに向上させることができる。なお、図１、図２および図６では個々のリフレクタ１０が同じ形状であったが、リフレクタ１０の形状（および／またはサイズ）をその位置によって変更してもよい。つまり、リフレクタ１０は、形状および／またはサイズが異なる複数種類のリフレクタを含んでいてもよい。
【００６３】
（実施の形態２）
図７は、本発明に従った処理装置の実施の形態２を示す平面模式図である。図８は、図７の線分ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける断面模式図である。図７および図８を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態２を説明する。
【００６４】
図７および図８を参照して、処理装置１は基本的には図１および図２に示した処理装置１と同様の構成を備える。ただし、図７および図８に示した処理装置１では、複数のリフレクタ１０が反応ガスの流れ方向（矢印８に示す方向）に対して交差する方向（矢印８に示す方向に対して垂直な方向）に並ぶように配置されている。また、リフレクタ１０の回転軸１２は、矢印８により示す反応ガスの流れ方向に沿って延びるように配置されている。
【００６５】
ここで、上述した処理装置１の特徴的な構成を要約すれば、上記処理装置１では、リフレクタ１０は保持部材としてのサセプタ５と対向する位置に複数個設置されている。複数のリフレクタ１０は、反応室３の内部を流通する反応ガスの流れ方向と交差する方向（矢印８で示す方向に対して垂直な方向である幅方向）に並ぶように配置されている。
【００６６】
このようにすれば、反応ガスの温度分布が幅方向において発生する場合、複数のリフレクタ１０の状態（回転角度）を調整することで、反応室３から外部へ出射する輻射エネルギー束の量（熱量）を幅方向において局所的に変更できる。このため、幅方向における反応ガスの温度分布の均一性を向上させることができる。たとえば、幅方向において、サセプタ５と対向する領域でサセプタ５の中央部から離れるにしたがって反応ガスの温度が低下するような場合、当該領域において、幅方向でサセプタ５の中央部から離れた部分（サセプタ５の端部側）に位置するリフレクタ１０は、輻射エネルギー束を反射して、当該反射した輻射エネルギー束が再び反応室に入射するようにその回転角度が調整される。
【００６７】
上記処理装置１において、複数のリフレクタ１０は矢印８で示される反応ガスの流れ方向に延びる回転軸１２を中心に回転可能になっている。この場合、回転軸１２を中心とした回転角度を調整することで、リフレクタ１０で反射する輻射エネルギー束の反射方向を、幅方向に沿った面内で任意に変更することができる。したがって、リフレクタ１０が設置された部分において反応室３から出射する輻射エネルギー束の量（熱量）を容易に変更できる。
【００６８】
図９は、図７および図８に示した処理装置の実施の形態２の変形例を示す平面模式図である。図９を参照して、本発明による処理装置の実施の形態２の変形例を説明する。
【００６９】
図９を参照して、処理装置１は、基本的には図７および図８に示した処理装置と同様の構成を備えるが、リフレクタ１０の構成が異なる。すなわち、図９に示した処理装置では、複数のリフレクタ１０がサセプタ５と対向する位置にマトリックス状に配置されている。個々のリフレクタ１０は回転軸１２を中心として回転可能になっている。このような構成の処理装置１によっても、図７および図８に示した処理装置１と同様の効果を得ることができる。さらに、図９に示した処理装置１では、反応ガスの流れ方向（矢印８で示す方向）において反応ガスの温度分布が不均一となった場合に、反応ガスの流れ方向に沿って並んだリフレクタ１０の個々の回転角度を個別に変更することができる。この結果、反応ガスの温度分布を当該流れ方向において調整することができる。このため、図９に示した処理装置１では、図６に示した処理装置１と同様に、当該流れ方向および幅方向における反応ガスの温度分布の均一性を向上させることができる。したがって、基板４上に形成される膜の均一性をさらに向上させることができる。なお、図７〜図９では個々のリフレクタ１０が同じ形状であったが、リフレクタ１０の形状（および／またはサイズ）をその位置によって変更してもよい。つまり、リフレクタ１０は、形状および／またはサイズが異なる複数種類のリフレクタを含んでいてもよい。
【００７０】
（実施の形態３）
図１０は、本発明に従った処理装置の実施の形態３を示す平面模式図である。図１１は、図１０の線分ＸＩ−ＸＩにおける断面模式図である。図１０および図１１を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態３を説明する。
【００７１】
図１０および図１１に示すように、処理装置１は基本的には図９に示した処理装置と同様の構成を備える。しかし、図１０および図１１に示した処理装置１は、サセプタ５と対向する位置にマトリックス状に配置されたリフレクタ１０ａ、１０ｂの平面形状が正方形状である点、およびリフレクタ１０ａ、１０ｂの回転軸１２の方向が複数種類（図１０では２種類）ある点、が図９に示した処理装置１と異なる。
【００７２】
図１０および図１１に示した処理装置では、複数のリフレクタ１０ａ、１０ｂがマトリックス状に配置されているが、反応ガスの流れ方向(矢印８で示す方向）から見て両端に位置するリフレクタ１０ａは、その回転軸１２の方向が矢印８で示した反応ガスの流れ方向に沿った方向になっている。一方、反応ガスの流れ方向から見て中央部に位置するリフレクタ１０ｂは、その回転軸１２の方向が矢印８で示した反応ガスの流れ方向と交差する方向（流れ方向に対して垂直な方向である幅方向）に沿った方向になっている。
【００７３】
すなわち、上記処理装置１において、複数のリフレクタ１０ａ、１０ｂの一部（リフレクタ１０ｂ）は、反応ガスの流れ方向と交差する方向（幅方向）に延びる交差方向回転軸（回転軸１２）を中心に回転可能になっている。また、複数のリフレクタ１０ａ、１０ｂの他の一部（リフレクタ１０ａ）は、反応ガスの流れ方向に延びる流れ方向回転軸（回転軸１２）を中心に回転可能になっている。この場合、複数のリフレクタ１０ａ、１０ｂがそれぞれ異なる方向に延びる回転軸１２を中心に回転可能となっている複数種類（図１０では２種類）のリフレクタを含む。そのため、リフレクタ１０ａ、１０ｂの回転軸１２の方向がすべてのリフレクタについて同じ場合より、輻射エネルギー束の反射方向の調整の自由度を大きくすることができる。なお、回転軸１２の延在方向が異なるリフレクタ１０の種類の数は、図１０のように２に限られず、３以上の任意の数であってもよい。
【００７４】
また、図１０および図１１に示した処理装置１では、リフレクタ１０ａ、１０ｂがマトリックス状に整列して配置されているが、個々のリフレクタ１０ａ、１０ｂがランダムに配置されていてもよい。また、図１０では、全てのリフレクタ１０ａ、１０ｂの形状は同じであり、サイズも同じになっているが、リフレクタ１０ａ、１０ｂが複数種類のサイズのリフレクタを含んでいてもよい。また、リフレクタ１０ａ、１０ｂが複数種類の形状のリフレクタを含んでいてもよい。
【００７５】
（実施の形態４）
図１２は、本発明に従った処理装置の実施の形態４を示す平面模式図である。図１３は、図１２の線分ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩにおける断面模式図である。図１２および図１３を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態４を説明する。
【００７６】
図１２および図１３に示した処理装置は、気相成長装置であって、平面形状が円形状の反応室３と、サセプタ５と、加熱部材としてのヒータ６と、熱抵抗変更部材としての複数のリフレクタ１０とを備える。反応室３の上壁の中央部には反応ガスを反応室３内部に供給するためのガス供給管３０が設置されている。また、反応室３の中心を介して対向する両端部には、反応室３の内部からガスを排気するためのガス排気管３２がそれぞれ設置されている。
【００７７】
反応室３の中央部には、処理対象物である基板４を保持するための保持部材であるサセプタ５が設置されている。反応室３の外部であってサセプタ５の下には当該サセプタ５を介して基板４を加熱するためのヒータ６が配置されている。平面形状が円形状のサセプタ５には、その下面の中心部に図示しない支持軸などが接続されている。サセプタ５は、当該支持軸を回転させることによって水平方向に回転可能になっている。
【００７８】
反応室３の上壁上には、ガス供給管３０を囲むように、複数のリフレクタ１０が配置されている。複数のリフレクタ１０は、基板４（またはサセプタ５）と対向する位置に、サセプタ５の中心部を中心とした同心円状に複数列（図１２では２列）に並ぶように配置されている。リフレクタ１０の平面形状は四角形状（図１２では長方形状）である。図１２に示すように、リフレクタ１０の回転軸１２が、ガス供給管３０から反応室３の内部に供給される反応ガスの流れ方向と交差する方向（リフレクタ１０が並ぶ円の円周に沿った方向）に延びるように、リフレクタ１０は配置されている。リフレクタ１０は、回転軸１２を中心として矢印１３に示す方向に回転可能になっている。
【００７９】
次に、図１２および図１３に示した処理装置の動作を簡単に説明する。図１２および図１３に示した処理装置１では、サセプタ５上に基板４を配置し、反応室３の内部の雰囲気条件を所定の条件に整えた後、ヒータ６を稼動させることにより基板４を加熱する。また、サセプタ５はその中心部を中心として水平方向において回転する。そして、基板４の温度が所定の温度（処理温度）になった状態で、ガス供給管３０から反応ガスを矢印３４に示すように反応室３内部に供給する。供給された反応ガスは、矢印３４に示すようにガス供給管３０から放出された後、サセプタ５の中央部から外周部に向けて流れ、最終的にはガス排気管３２を介して反応室３から排出される。基板４の表面では、反応ガスを利用して成膜処理が行なわれる。このとき、リフレクタ１０は反応ガスの温度条件の均一性が向上するようにその回転角度が調整されている。
【００８０】
上述した処理装置１の特徴的な構成を要約すれば、この発明に従った処理装置１は、平面形状が円形状の反応室３と、加熱部材としてのヒータ６と、熱抵抗変更部材としてのリフレクタ１０とを備える。ヒータ６は、反応室３の内部において、反応ガスを用いて処理される処理対象物としての基板４を加熱する。基板４の表面に対して垂直な方向から反応ガスは供給される。また、図１２に示すように、反応ガスはサセプタ５の中央部に向けて供給される。リフレクタ１０は、ヒータ６により基板４を加熱するときに反応室３の内部から外部へ伝導する熱量を局所的に変更する。
【００８１】
また、上記処理装置１は、反応室３の内部において、基板４を保持する保持部材としてのサセプタ５をさらに備える。リフレクタ１０はサセプタ５と対向する位置に複数個設置されている。複数のリフレクタ１０は、反応室３の内部を流通する反応ガスの流れ方向の上流側から下流側（つまりガス供給管３０が位置する反応室３の中央部から外周部側）に向けて順番に並ぶように、また、反応ガスの流れ方向に垂直な方向に沿って複数並ぶように、配置されている。つまり、複数のリフレクタ１０は、反応室３のガス供給管３０を中心として複数の同心円上に位置するように配置される。
【００８２】
このような構成の処理装置においても、本発明による処理装置の実施の形態１によって得られる効果と同様の効果を得ることができる。つまり、反応室３へ供給される矢印３４に示すような反応ガスの流れにより、反応ガスの温度分布が不均一になる場合であっても、リフレクタ１０を用いて反応室３から外部へ伝導する熱量を局所的に変更できる。この結果、反応ガスの温度分布が不均一になることを抑制できる。たとえば、反応ガスの温度が相対的に下がりやすい領域であるサセプタ５の外周側の領域において、リフレクタ１０によって反応室３の外部へ伝導する熱量を他の領域より小さくする。具体的には、リフレクタ１０によって反応室３から外部へ出射する輻射エネルギー束の進行方向を反応室３側へ変えることで、反応室３の内部から外部へ伝導する熱量を変更することができる。このようにすれば、リフレクタ１０が存在しない場合よりも、当該領域における反応ガスの温度低下を抑制できる。この結果、反応ガスの温度分布の均一性を向上させることができる。
【００８３】
また、図１などに示した処理装置１と同様に、リフレクタ１０を配置することは、ヒータ６の構造自体を変更することより比較的容易であり、コストの面でも低コストで実現可能である。
【００８４】
上記処理装置１において、複数のリフレクタ１０は反応ガスの流れ方向（矢印３４により示す方向）と交差する方向（リフレクタ１０が沿うように配置されている同心円の円周方向）に延びる回転軸１２を中心に回転可能になっている。この場合、回転軸１２を中心とした回転角度を調整することで、リフレクタ１０で反射する輻射エネルギー束の反射方向を、回転軸１２に対して垂直であって反応ガスの流れ方向に沿った面内で任意に変更することができる。したがって、リフレクタ１０が設置された部分において反応室３から出射する輻射エネルギー束の量を容易に変更できる。また、リフレクタ１０が反応ガスの供給部であるガス供給管３０を中心とした環状（具体的には同心円状）に複数配置されているため、ガス供給管３０から見て反応室３の外周側に向かうどの方向においても、反応室３から出射する輻射エネルギー束の量を制御することができる。
【００８５】
なお、上記の処理装置１では、リフレクタ１０は全て同じ形状およびサイズであったが、リフレクタ１０の形状（および／またはサイズ）をその位置によって変更してもよい。つまり、リフレクタ１０は、形状および／またはサイズが異なる複数種類のリフレクタを含んでいてもよい。たとえば、環状に配置されたリフレクタ１０毎に、形状および／またはサイズを変更してもよい。
【００８６】
（実施の形態５）
図１４は、本発明に従った処理装置の実施の形態５を示す平面模式図である。図１５は、図１４の線分ＸＶ−ＸＶにおける断面模式図である。図１４および図１５を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態５を説明する。
【００８７】
図１４および図１５に示した処理装置１は、基本的には図１２および図１３に示した処理装置１と同様の構成を備える。しかし、図１４および図１５に示した処理装置１では、リフレクタ１０の回転軸１２が、矢印３４により示す反応ガスの流れ方向に沿って延びるように配置されている。
【００８８】
このような処理装置１によっても、図１２および図１３に示した処理装置１により得られる効果と同様の効果を得ることができる。さらに、図１４および図１５に示した処理装置１では、上述のように複数のリフレクタ１０は反応ガスの流れ方向である矢印３４に示す方向に延びる回転軸１２を中心に回転可能になっている。この場合、回転軸１２を中心とした回転角度を調整することで、リフレクタ１０で反射する輻射エネルギー束の反射方向を、回転軸１２に対して垂直で反応ガスの流れ方向と交差する方向（リフレクタ１０が沿って並ぶ同心円の円周方向）に沿った面内で任意に変更することができる。したがって、リフレクタ１０が設置された部分において反応室３から出射する輻射エネルギー束の量を容易に変更できる。また、相対的に反応ガスの温度が他の部分より低下しやすい領域に向けて、リフレクタ１０から反射した輻射エネルギー束が照射されるように、リフレクタ１０の回転角度を調整できる。このため、反応ガスの温度分布をより均一化できる。
【００８９】
なお、上記の処理装置１では、リフレクタ１０は全て同じ形状およびサイズであったが、リフレクタ１０の形状（および／またはサイズ）をその位置によって変更してもよい。つまり、リフレクタ１０は、形状および／またはサイズが異なる複数種類のリフレクタを含んでいてもよい。たとえば、環状に配置されたリフレクタ１０毎に、形状および／またはサイズを変更してもよい。
【００９０】
（実施の形態６）
図１６は、本発明に従った処理装置の実施の形態６を示す平面模式図である。図１７は、図１６の線分ＸＶＩＩ−ＸＶＩＩにおける断面模式図である。図１６および図１７を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態４を説明する。
【００９１】
図１６および図１７に示した処理装置１は、基本的には図１２および図１３に示した処理装置１と同様の構成を備える。ただし、複数のリフレクタ１０ａ、１０ｂが同心円状に３重の円を描くように配置されている点、およびリフレクタ１０ａとリフレクタ１０ｂとで、回転軸１２の方向が異なっている点、において、図１６および図１７に示した処理装置１は図１２および図１３に示した処理装置１と異なっている。具体的には、図１６および図１７の処理装置１において、最も内側および最も外側に位置するリフレクタ１０ａでは、回転軸１２がリフレクタ１０ａの並ぶ同心円の円周に沿った方向に延びるように位置している。また、２つの同心円上に配置されたリフレクタ１０ａに挟まれる位置に配置されるリフレクタ１０ｂでは、回転軸１２が、矢印３４により示す反応ガスの流れ方向に沿って延びるように配置されている。
【００９２】
このような処理装置１によっても、図１２および図１３、または図１４および図１５に示した処理装置と同様の効果を得ることができる。さらに、複数のリフレクタ１０ａ、１０ｂが交差方向回転軸（リフレクタ１０ａの回転軸１２）を中心に回転可能なものと流れ方向回転軸（リフレクタ１０ｂの回転軸１２）を中心に回転可能なものという２種類のリフレクタを含むため、リフレクタ１０ａ、１０ｂの回転軸１２の方向がすべてのリフレクタについて同じ場合より、輻射エネルギー束の反射方向の調整の自由度を大きくすることができる。
【００９３】
なお、図１６ではリフレクタ１０が３重の同心円状に配置されているが、リフレクタ１０を任意の数の環状（たとえば４重以上の同心円状）に配置してもよい。また、図１６および図１７では、回転軸１２の方向が異なるリフレクタ１０が、反応ガスの流れ方向（矢印３４に示す方向）にそって交互に配置されているが、他の順番に配置されていてもよい。たとえば、矢印３４に示す方向に回転軸１２の方向が同じリフレクタ１０が隣接するように配置されていてもよい。また、図１６では、同じ同心円を構成するリフレクタ１０はすべて反応ガスの流れ方向に対する回転軸１２の方向がそろっているが、同じ同心円を構成する複数のリフレクタ１０が、反応ガスの流れ方向に対する回転軸１２の延在方向の異なるものを含んでいてもよい。また、反応ガスの流れ方向において、複数のリフレクタ１０が列をなすように整列されていてもよいが、当該反応ガスの流れ方向において複数のリフレクタ１０が互いに重ならないように、リフレクタ１０の配置が決定されていてもよい。
【００９４】
また、上記の処理装置１では、リフレクタ１０は全て同じ形状およびサイズであったが、リフレクタ１０の形状（および／またはサイズ）をその位置によって変更してもよい。つまり、リフレクタ１０は、形状および／またはサイズが異なる複数種類のリフレクタを含んでいてもよい。たとえば、環状に配置されたリフレクタ１０毎に、形状および／またはサイズを変更してもよい。あるいは、回転軸１２の方向毎に、リフレクタ１０の形状および／またはサイズを変更してもよい。
【００９５】
（実施の形態７）
図１８は、本発明に従った処理装置の実施の形態７を示す平面模式図である。図１９は、図１８の線分ＸＩＸ−ＸＩＸにおける断面模式図である。図２０は、図１８に示した処理装置の矢印８で示された反応ガスの流れ方向の下流側から見た模式図である。図１８〜図２０を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態７を説明する。
【００９６】
図１８〜図２０を参照して、処理装置１は、基本的には図１および図２に示した処理装置１と同様の構成を備えるが、熱抵抗変更部材としてリフレクタ１０ではなく断熱部材４０を備えている点が異なる。すなわち、図１８〜図２０に示した処理装置１では、反応室３の上壁上であってサセプタ５と対向する位置に、複数の断熱体ブロック４２を積層した断熱部材４０が配置されている。断熱部材４０の材料としては、たとえばグラファイトを用いる。また、断熱部材４０では、矢印８で示される反応ガスの流れ方向において上流側から下流側に向けて、徐々に断熱体ブロック４２の積層数が減少するように、断熱体ブロック４２が配置されている。つまり、断熱部材４０は、サセプタ５から見た場合の厚みが局所的に変更されている。この結果、基板４またはサセプタ５側から見た断熱部材４０の厚みは、反応ガスの流れ方向での上流側から下流側に向けて徐々に減少するようになっている。なお、図１９および図２０からも分かるように、反応ガスの流れ方向に垂直な方向（幅方向）においては、当該流れ方向での所定位置における断熱体ブロック４２の積層数（断熱部材４０の厚み）は同じになっている。
【００９７】
ここで、断熱部材４０としては、輻射エネルギー束の進行を妨げることができれば任意の部材を用いることができる。たとえば、断熱部材４０の材料として上述のようなグラファイトなどが考えられる。このような断熱部材４０の材質は、使用される温度や環境、また断熱部材４０の必要強度などの使用条件に応じて適宜選択される。また、断熱部材４０の表面を鏡面仕上げしておいてもよい。この場合、断熱部材４０の表面で輻射エネルギー束を反射し、断熱効果をより高めることもできる。
【００９８】
このような構成の処理装置１によっても、図１および図２に示した処理装置１と同様の効果を得ることができる。さらに、断熱部材４０の厚みを変更するという比較的簡単な手法により、断熱部材４０の断熱性能を局所的に容易に変更できる。つまり、比較的容易かつ低コストで反応ガスの温度分布の均一性を向上させることができる。
【００９９】
また、上記処理装置１において、断熱部材４０はサセプタ５と対向する位置に配置されている。断熱部材４０は、反応室３の内部を流通する反応ガスの流れ方向（矢印８で示す方向）の下流側から上流側に向けて徐々に厚みが厚くなっている。この場合、反応ガスの流れ方向の上流側に向かうほど、断熱部材４０による断熱効果が高くなる。したがって、たとえば、断熱部材４０が存在しない従来の処理装置において、反応ガスの流れ方向においてサセプタ５と対向する領域で下流に行くほど反応ガスの温度が上昇するような場合、上記のような構成により上流側での反応ガスの温度を従来より高くすることができる。このため、反応ガスの流れ方向における温度分布の均一性を向上させることができる。
【０１００】
図２１は、図１８〜図２０に示した処理装置の実施の形態７の変形例を示す正面模式図である。図２１は図２０に対応する。図２１を参照して、図１８〜図２０に示した処理装置の実施の形態７の変形例を説明する。
【０１０１】
図２１に示した処理装置１は、基本的に図１８〜図２０に示した処理装置１と同様の構成を備えるが、反応ガスの流れ方向に垂直な方向（幅方向）における断熱部材４０の形状が異なっている。具体的には、幅方向において、サセプタ５の中央部に対向する部分の断熱部材４０の厚みが最も薄くなっており、幅方向の両端（サセプタ５の外周部に対向する部分）に向かうにつれて、断熱部材４０の厚みが徐々に厚くなっている。より具体的には、幅方向の中央部において断熱体ブロック４２の積層数が最も少なく、幅方向の両端に向かうにつれて、断熱体ブロック４２の積層数が徐々に多くなっている。なお、図２１に示した処理装置１の断熱部材４０は、図１８〜図２０に示した処理装置１と同様に、反応ガスの流れ方向において上流側が最も断熱部材４０の厚みが厚く、下流側に向かうにつれて当該厚みが薄くなっている。
【０１０２】
この場合、図１８〜図２０に示した処理装置１と同様の効果を得ることができる。さらに、図２１に示した処理装置１では、幅方向でサセプタ５の外周部に向かうほど、断熱部材４０による断熱効果が高くなる。したがって、たとえば、断熱部材４０が存在しない従来の処理装置１において、サセプタ５と対向する領域でサセプタ５の外周部に行くほど反応ガスの温度が低下するような場合、図２１に示したような構成により幅方向の端部での反応ガスの温度低下を抑制できる。このため、サセプタ５に対向する領域における反応ガスの温度分布の（特に幅方向での）均一性を向上させることができる。
【０１０３】
（実施の形態８）
図２２は、本発明に従った処理装置の実施の形態８を示す平面模式図である。図２３は、図２２の線分ＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩにおける断面模式図である。図２４は、図２３の線分ＸＸＩＶ−ＸＸＩＶにおける断面模式図である。図２２〜図２４を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態８を説明する。
【０１０４】
図２２〜図２４に示す処理装置１は、基本的には図１８〜図２０に示した処理装置と同様の構成を備える。ただし、図２２〜図２４に示した処理装置１では、断熱部材４０が、凹部としての同じ形状の貫通孔４４が複数個分散して形成された断熱体ベース４３と、当該貫通孔４４の内部に配置された充填材４５とから構成されている。なお、断熱部材４０は、反応室３の上壁上であってサセプタ５（または基板４）と対向する位置に配置されている。また、充填材４５は断熱体ベース４３と同じ断熱性材料により構成されていてもよいが、他の種類の断熱性材料によって構成されていてもよい。
【０１０５】
図２３に示すように、反応ガスの流れ方向（矢印８で示す方向）の上流側から下流側に向かうにつれて、充填材４５の大きさ（長さ）は徐々に小さくなっている。このため、基板４またはサセプタ５から見たときの断熱部材４０の密度は局所的に変更されている。より具体的には、基板４またはサセプタ５から見たときの断熱部材４０の密度は、矢印８で示す反応ガスの流れ方向の上流側から下流側に向けて徐々に小さくなっている。
【０１０６】
また、図２４に示すように、反応ガスの流れ方向における任意の位置では、当該流れ方向に垂直な方向（幅方向）に並ぶ複数の貫通孔４４内部に位置する充填材４５の大きさはほぼ同じになっている。
【０１０７】
この場合、断熱部材４０の密度を変更するという比較的簡単な手法により、断熱部材４０の断熱性能を局所的に容易に変更できる。つまり、容易かつ低コストに反応ガスの温度分布の均一性を向上させることができる。
【０１０８】
また、上記処理装置１において、断熱部材４０は、反応室３の内部を流通する反応ガスの流れ方向の下流側から上流側に向けて徐々に密度が高くなっている。このため、矢印８で示す反応ガスの流れ方向の上流側に向かうほど、断熱部材４０による断熱効果が高くなる。したがって、断熱部材４０が存在しない従来の処理装置において、反応ガスの流れ方向においてサセプタ５と対向する領域で下流に行くほど反応ガスの温度が上昇する場合、図２２〜図２４に示す処理装置１により上流側での反応ガスの温度を従来より高くすることができる。このため、反応ガスの流れ方向における温度分布の均一性を向上させることができる。
【０１０９】
ここで、断熱部材４０の密度を変更する手法としては、図２２〜図２４に示したような手法の他に、任意の手法を用いることができる。たとえば、密度の異なる断熱部材の要素を準備しておき、場所ごとにこれらの要素を使い分けて配置するといった方法を用いてもよい。また、図２２〜図２４に示した処理装置１において、開口部としての貫通孔４４ごとに、充填材４５の材質を変更してもよい。たとえば、断熱体ベース４３に形成する貫通孔４４のサイズを統一する。そして、それぞれの貫通孔４４に配置する充填材４５のサイズも統一しておき、その材質や密度を変更してもよい。あるいは、充填材４５についてその平面形状は共通とする一方で、その長さを複数種類準備することにより、複数のサイズの充填材４５を準備しておいてもよい。
【０１１０】
図２５は、図２２〜図２４に示した処理装置の実施の形態８の変形例を示す断面模式図である。図２５は図２４に対応する。図２５を参照して、図２２〜図２４に示した処理装置の実施の形態８の変形例を説明する。
【０１１１】
図２５に示した処理装置１は、基本的には図２２〜図２４に示した処理装置１と同様の構成を備えるが、反応ガスの流れ方向に垂直な方向（幅方向）に並ぶ貫通孔４４の内部に位置する充填材４５の大きさが、図２２〜図２４に示した処理装置１とは異なっている。具体的には、幅方向に並ぶ貫通孔４４のうち、サセプタ５の中央部に対向する貫通孔４４（幅方向の中央部に位置する貫通孔４４）に、相対的に最も小さな充填材４５が配置されている。そして、幅方向において中央部から両端部に向かうにつれて、充填材４５の大きさは徐々に大きくなっている。つまり、断熱部材４０は、反応室３の内部を流通する反応ガスの流れ方向と交差する方向である幅方向において、サセプタ５の中央部に対向する領域から外周部（両端部）に向けて徐々に密度が高くなっている。
【０１１２】
この場合、図２５に示した処理装置１によって、図２２〜図２４に示した処理装置１により得られる効果と同様の効果を得ることができる。さらに、図２５に示した処理装置１では、反応ガスの流れ方向と交差する方向（幅方向）でサセプタ５の外周部に向かうほど、断熱部材４０による断熱効果が高くなる。したがって、たとえば、断熱部材４０が存在しない従来の処理装置において、サセプタ５と対向する領域でサセプタ５の外周部に行くほど反応ガスの温度が低下するような場合、上記のような構成により反応ガスの外周部での反応ガスの温度低下を抑制できる。このため、サセプタ５に対向する領域における反応ガスの温度分布の均一性をさらに向上させることができる。
【０１１３】
（実施の形態９）
図２６は、本発明に従った処理装置の実施の形態９を示す平面模式図である。図２７は、図２６の線分ＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩにおける断面模式図である。図２６および図２７を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態９を説明する。
【０１１４】
図２６および図２７を参照して、処理装置１は、基本的には図１２および図１３に示した処理装置１と同様の構成を備えるが、熱抵抗変更部材としてリフレクタ１０ではなく断熱部材４０を備えている点が異なる。すなわち、図２６および図２７に示した処理装置１では、平面形状が円形状の反応室３の上壁上であってサセプタ５と対向する位置に、同心円状に積層された複数の断熱体ブロック４２からなる断熱部材４０が配置されている。また、断熱部材４０では、矢印３４で示される反応ガスの流れ方向において上流側から下流側に向けて（つまりサセプタ５の中心部側から外周側に向けて）、徐々に断熱体ブロック４２の積層数が増加するように、断熱体ブロック４２が配置されている。この結果、基板４またはサセプタ５側から見た断熱部材４０の厚みは、反応ガスの流れ方向での上流側から下流側に向けて(サセプタ５の中心部側から外周側に向けて）徐々に厚くなるようになっている。つまり、断熱部材４０は、サセプタ５から見た場合の厚みが局所的に変更されている。
【０１１５】
このような構成の処理装置１によっても、本発明による処理装置の実施の形態４によって得られる効果と同様の効果を得ることができる。たとえば、反応ガスの温度が相対的に下がりやすい領域であるサセプタ５の外周側の領域において、断熱部材４０によって反応室３の外部へ伝導する熱量を他の領域より小さくする。このようにすれば、断熱部材４０が存在しない場合よりも、当該領域における反応ガスの温度低下を抑制できる。この結果、反応ガスの温度分布の均一性を向上させることができる。
【０１１６】
なお、図２７からも分かるように、反応ガスの流れ方向に垂直な方向（断熱体ブロック４２が積層された同心円の円周方向）での所定位置における断熱体ブロック４２の積層数（断熱部材４０の厚み）は同じになっている。また、断熱体ブロック４２は、同心円を複数箇所で分割した、いわゆる屈曲した棒状の形状を有している。したがって、サセプタ５の中心部から見たときの方向によって、断熱体ブロック４２の積層数を変更することで、サセプタ５の中心部から見たときの方向ごとに断熱体ブロックの量（厚さ）を変更することもできる。この結果、サセプタ５の中心部から見たときの方向ごとに反応ガスの温度についてばらつきが発生するような場合に、断熱体ブロック４２の積層数を方向ごとに変更することによって当該方向毎に反応室３から外部へ放射される熱量を変更できる。この結果、反応ガスの温度の均一性をより向上させることができる。なお、リング状の断熱体ブロック４２を複数サイズ準備して、断熱部材４０を構成してもよい。
【０１１７】
（実施の形態１０）
図２８は、本発明に従った処理装置の実施の形態１０を示す平面模式図である。図２９は、図２８の線分ＸＸＩＸ−ＸＸＩＸにおける断面模式図である。図２８および図２９を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態１０を説明する。
【０１１８】
図２８および図２９に示した処理装置１は、基本的には図２６および図２７に示した処理装置１と同様の構成を備えるが、断熱部材４０の構成が異なる。具体的には、図２８および図２９に示した処理装置１では、断熱部材４０が、凹部としての貫通孔４４が複数個分散して形成された断熱体ベース４３と、当該貫通孔４４の内部に配置された充填材４５とから構成されている。断熱体ベース４３の平面形状は、中央にガス供給管３０を通すための穴が開いた環状（ドーナツ形状）である。なお、断熱部材４０は、反応室３の上壁上であってサセプタ５（または基板４）と対向する位置に配置されている。また、充填材４５は断熱体ベース４３と同じ断熱性材料により構成されていてもよいが、他の種類の断熱性材料によって構成されていてもよい。また、貫通孔４４は、断熱部材４０の中心部を中心とした同心円状に並ぶように形成されている。なお、貫通孔４４をマトリックス状に配置してもよいし、その分布密度が局所的に異なるように配置してもよい。また、貫通孔４４の平面形状は図２８に示すようにすべて同じとしているが、貫通孔４４が異なる平面形状のものや異なる大きさのものを含んでいてもよい。また、貫通孔４４に代えて、断熱体ベース４３の表面から裏面にまで到達しない、有底の凹部を形成してもよい。
【０１１９】
図２９に示すように、反応ガスの流れ方向（矢印３４で示す方向）の上流側から下流側に向かうにつれて、充填材４５の大きさは徐々に大きくなっている。このため、基板４またはサセプタ５側から見たときの断熱部材４０の密度は、反応ガスの流れ方向の上流側から下流側（反応室３の中央部側から下流側）に向けて徐々に大きくなっている。つまり、断熱部材４０は、サセプタ５から見た場合の密度が局所的に変更されている。
【０１２０】
また、図２８および図２９に示した処理装置１では、反応ガスの流れ方向における任意の位置（反応室３の中央からの任意の位置）では、同心円状に並ぶ複数の貫通孔４４内部に位置する充填材４５の大きさがほぼ同じになっている。
【０１２１】
このような構成によっても、図２６および図２７に示した処理装置１と同様の効果を得ることができる。
【０１２２】
（実施の形態１１）
図３０は、本発明に従った処理装置の実施の形態１１を示す断面模式図である。図３０を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態１１を説明する。なお、図３０は図２に示した断面模式図と同様の断面を示している。
【０１２３】
図３０を参照して、処理装置１は、処理対象物である基板の被処理面を下方に向けた構成（いわゆるフェースダウンの構成）となっている。処理装置１は、図１および図２に示した処理装置の上下を反転させたような構成となっている。具体的には、処理装置１は、気相成長装置であって、管状の反応室３と、反応室３の上壁に設置され、反応室３の内部に処理対象物としての基板４を保持するサセプタ５と、反応室３の上壁外部であってサセプタ５と対向する位置に配置され、サセプタ５を介して基板４を加熱するためのヒータ６と、反応室３においてサセプタ５と対向する壁（底壁）の外側に配置された熱抵抗変更部材としてのリフレクタ１０とを備える。反応室３の内部に配置された平面形状が円形状のサセプタ５には、反応室３の上壁と対向する面の中心部に図示しない支持軸などが接続されている。サセプタ５は、当該支持軸を回転させることによって水平方向に上記中心部を回転中心として回転可能になっている。また、反応室３には、図３０の矢印８に示すように基板４に対する処理に用いる反応ガスが供給される。
【０１２４】
リフレクタ１０は、図１および図２に示した処理装置１と同様に、反応ガスの流れ方向である矢印８で示される方向において、順番に並ぶように複数個配置されている。リフレクタ１０はそれぞれ平面形状が長方形状の板状体である。リフレクタ１０の表面はたとえば鏡面仕上げが施されている。リフレクタ１０は反応ガスの流れ方向と交差する方向（矢印８で示される方向と垂直な方向）に延びる回転軸１２を中心として、矢印１３に示すように回転可能になっている。リフレクタ１０は、回転軸１２を中心として回転することにより、リフレクタ１０表面の、サセプタ５の表面に対する角度を変更することができる。このようにサセプタ５の表面に対するリフレクタ１０の表面の角度を変更すれば、図１および図２に示した処理装置１と同様の効果を得ることができる。また、図３０に示した処理装置１を用いた処理方法（気相成長方法あるいは成膜方法）は、図１および図２に示した処理装置１を用いた処理方法と同様である。
【０１２５】
また、リフレクタ１０の構成は、図３０に示した構成以外に、任意の構成（具体的には、本願の実施の形態１〜実施の形態３の処理装置１のいずれかにおけるリフレクタ１０の構成）を用いることができる。このようにしても、本願の実施の形態１〜実施の形態３の処理装置１とそれぞれ同様の効果を得ることができる。
【０１２６】
（実施の形態１２）
図３１は、本発明に従った処理装置の実施の形態１２を示す断面模式図である。図３１を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態１２を説明する。なお、図３１は図１３に示した断面模式図と同様の断面を示している。
【０１２７】
図３１を参照して、処理装置１は、図３０に示した処理装置１と同様に処理対象物である基板の被処理面を下方に向けた構成となっている。処理装置１は、図１２および図１３に示した処理装置の上下を反転させたような構成となっている。具体的には、処理装置１は、気相成長装置であって、平面形状が円形状の反応室３と、サセプタ５と、加熱部材としてのヒータ６と、熱抵抗変更部材としての複数のリフレクタ１０とを備える。反応室３の底壁の中央部には反応ガスを反応室３内部に供給するためのガス供給管３０が設置されている。また、反応室３の中心を介して対向する両端部には、反応室３の内部からガスを排気するためのガス排気管３２がそれぞれ設置されている。
【０１２８】
反応室３の上壁の内側中央部には、処理対象物である基板４を保持するための保持部材であるサセプタ５が設置されている。反応室３の上壁の外部であってサセプタ５と対向する部分には当該サセプタ５を介して基板４を加熱するためのヒータ６が配置されている。平面形状が円形状のサセプタ５には、その中心部に図示しない支持軸などが接続されている。サセプタ５は、当該支持軸を回転させることによって水平方向に回転可能になっている。
【０１２９】
反応室３の底壁の外側には、ガス供給管３０を囲むように、複数のリフレクタ１０が配置されている。複数のリフレクタ１０は、基板４（またはサセプタ５）と対向する位置に、サセプタ５の中心部を中心とした同心円状に複数列（図３１では２列）に並ぶように配置されている。リフレクタ１０の平面形状は四角形状（たとえば正方形状または長方形状）である。図３１に示した処理装置１では、リフレクタ１０の回転軸１２が、ガス供給管３０から反応室３の内部に供給される反応ガスの流れ方向と交差する方向（リフレクタ１０が並ぶ円の円周に沿った方向）に延びるように、リフレクタ１０は配置されている。リフレクタ１０は、回転軸１２を中心として矢印１３に示す方向に回転可能になっている。このような構成の処理装置１によっても、図１２および図１３に示した本発明による処理装置の実施の形態４と同様の効果を得ることができる。
【０１３０】
なお、図３１に示した処理装置１を用いた処理方法は、基本的に図１２および図１３に示した処理装置１を用いた処理方法と同様である。
【０１３１】
また、リフレクタ１０の構成は、図３１に示した構成以外に、任意の構成（具体的には、本願の実施の形態４〜実施の形態６の処理装置１のいずれかにおけるリフレクタ１０の構成）を用いることができる。このようにしても、本願の実施の形態４〜実施の形態６の処理装置１とそれぞれ同様の効果を得ることができる。
【０１３２】
（実施の形態１３）
図３２は、本発明に従った処理装置の実施の形態１３を示す断面模式図である。図３２を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態１３を説明する。なお、図３２は図１９に示した断面模式図と同様の断面を示している。
【０１３３】
図３２を参照して、処理装置１は、図３０に示した処理装置と同様に、処理対象物である基板の被処理面を下方に向けた構成となっている。処理装置１は、図１８〜図２０に示した処理装置の上下を反転させたような構成となっている。具体的には、処理装置１は、気相成長装置であって、基本的には図３０に示した処理装置１と同様の構成を備えるが、熱抵抗変更部材としてリフレクタ１０ではなく断熱部材４０を備えている点が異なる。すなわち、図３２に示した処理装置１では、反応室３の底壁の下（外側）であってサセプタ５と対向する位置に架台５０が配置され、また、当該架台５０上に複数の断熱体ブロック４２を積層した断熱部材４０がサセプタ５と対向する位置に配置されている。断熱部材４０の材料としては、たとえばグラファイトを用いる。また、断熱部材４０では、矢印８で示される反応ガスの流れ方向において上流側から下流側に向けて、徐々に断熱体ブロック４２の積層数が減少するように、断熱体ブロック４２が配置されている。つまり、断熱部材４０は、サセプタ５から見た場合の厚みが局所的に変更されている。この結果、基板またはサセプタ５側から見た断熱部材４０の厚みは、反応ガスの流れ方向での上流側から下流側に向けて徐々に減少するようになっている。なお、反応ガスの流れ方向に垂直な方向（幅方向）においては、当該流れ方向での所定位置における断熱体ブロック４２の積層数（断熱部材４０の厚み）は同じになっている。
【０１３４】
このような構成の処理装置１によっても、図３０に示した処理装置１と同様の効果を得ることができる。さらに、断熱部材４０を用いることによって、図１８〜図２０に示した処理装置１によって得られる効果と同様の効果を得ることができる。また、断熱部材４０として、図２１〜図２５に示した処理装置１における断熱部材４０を用いてもよい。
【０１３５】
（実施の形態１４）
図３３は、本発明に従った処理装置の実施の形態１４を示す断面模式図である。図３３を参照して、本発明に従った処理装置の実施の形態１４を説明する。なお、図３３は図２７に示した断面模式図と同様の断面を示している。
【０１３６】
図３３を参照して、処理装置１は、図３１に示した処理装置と同様に、処理対象物である基板の被処理面を下方に向けた構成（いわゆるフェースダウンの構成）となっている。処理装置１は、図２６および図２７に示した処理装置の上下を反転させたような構成となっている。具体的に、処理装置１は基本的には図３１に示した処理装置１と同様の構成を備えるが、熱抵抗変更部材としてリフレクタ１０ではなく断熱部材４０を備えている点が異なる。すなわち、図３３に示した処理装置１では、平面形状が円形状の反応室３の底壁の外側であってサセプタ５と対向する位置に、同心円状に積層された複数の断熱体ブロック４２からなる断熱部材４０が架台５０上に配置されている。また、断熱部材４０では、矢印３４で示される反応ガスの流れ方向において上流側から下流側に向けて（つまりサセプタ５の中心部側から外周側に向けて）、徐々に断熱体ブロック４２の積層数が増加するように、断熱体ブロック４２が配置されている。この結果、基板４またはサセプタ５側から見た断熱部材４０の厚みは、反応ガスの流れ方向での上流側から下流側に向けて(サセプタ５の中心部側から外周側に向けて）徐々に厚くなるようになっている。つまり、断熱部材４０は、サセプタ５から見た場合の厚みが局所的に変更されている。
【０１３７】
このような構成の処理装置１によっても、図３１または図２６および図２７に示した処理装置１によって得られる効果と同様の効果を得ることができる。
【０１３８】
なお、反応ガスの流れ方向に垂直な方向（断熱体ブロック４２が積層された同心円の円周方向）での所定位置における断熱体ブロック４２の積層数（断熱部材４０の厚み）は同じになっている。また、断熱体ブロック４２は、同心円を複数箇所で分割した、いわゆる屈曲した棒状の形状を有している。したがって、サセプタ５の中心部から見たときの方向によって、断熱体ブロック４２の積層数を変更することで、サセプタ５の中心部から見たときの方向ごとに断熱体ブロックの量（厚さ）を変更することもできる。また、リング状の断熱体ブロック４２を複数サイズ準備して、断熱部材４０を構成してもよい。また、断熱部材４０として、図２８および図２９に示した処理装置１における断熱部材４０を用いてもよい。
【０１３９】
なお、上述した実施の形態において、処理対象物の例として基板４を示したが、処理対象物としては反応ガスを用いた処理を行なう対象であれば任意の材料を用いることができる。また、反応ガスを用いた処理としては、成膜処理のほかに、反応ガスを用いる処理であればエッチング処理など任意の処理を行なってもよい。
【０１４０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１４１】
本発明は、反応ガスを利用する処理装置および処理方法、特に反応ガスを用いた気相成長装置および成膜方法に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】本発明に従った処理装置の実施の形態１を示す平面模式図である。
【図２】図１の線分ＩＩ−ＩＩにおける断面模式図である。
【図３】本発明に従った処理装置に設置されるリフレクタ集合部材の例を示す平面模式図である。
【図４】本発明に従った処理装置に設置されるリフレクタ集合部材の他の例を示す平面模式図である。
【図５】図１および図２に示した処理装置を用いた処理方法を説明するためのフローチャートである。
【図６】図１および図２に示した処理装置の実施の形態１の変形例を示す平面模式図である。
【図７】本発明に従った処理装置の実施の形態２を示す平面模式図である。
【図８】図７の線分ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける断面模式図である。
【図９】図７および図８に示した処理装置の実施の形態２の変形例を示す平面模式図である。
【図１０】本発明に従った処理装置の実施の形態３を示す平面模式図である。
【図１１】図１０の線分ＸＩ−ＸＩにおける断面模式図である。
【図１２】本発明に従った処理装置の実施の形態４を示す平面模式図である。
【図１３】図１２の線分ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩにおける断面模式図である。
【図１４】本発明に従った処理装置の実施の形態５を示す平面模式図である。
【図１５】図１４の線分ＸＶ−ＸＶにおける断面模式図である。
【図１６】本発明に従った処理装置の実施の形態６を示す平面模式図である。
【図１７】図１６の線分ＸＶＩＩ−ＸＶＩＩにおける断面模式図である。
【図１８】本発明に従った処理装置の実施の形態７を示す平面模式図である。
【図１９】図１８の線分ＸＩＸ−ＸＩＸにおける断面模式図である。
【図２０】図１８に示した処理装置の矢印８で示された反応ガスの流れ方向の下流側から見た模式図である。
【図２１】図１８〜図２０に示した処理装置の実施の形態７の変形例を示す正面模式図である。
【図２２】本発明に従った処理装置の実施の形態８を示す平面模式図である。
【図２３】図２２の線分ＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩにおける断面模式図である。
【図２４】図２３の線分ＸＸＩＶ−ＸＸＩＶにおける断面模式図である。
【図２５】図２２〜図２４に示した処理装置の実施の形態８の変形例を示す断面模式図である。
【図２６】本発明に従った処理装置の実施の形態９を示す平面模式図である。
【図２７】図２６の線分ＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩにおける断面模式図である。
【図２８】本発明に従った処理装置の実施の形態１０を示す平面模式図である。
【図２９】図２８の線分ＸＸＩＸ−ＸＸＩＸにおける断面模式図である。
【図３０】本発明に従った処理装置の実施の形態１１を示す断面模式図である。
【図３１】本発明に従った処理装置の実施の形態１２を示す断面模式図である。
【図３２】本発明に従った処理装置の実施の形態１３を示す断面模式図である。
【図３３】本発明に従った処理装置の実施の形態１４を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【０１４３】
１  処理装置、３  反応室、４  基板、５  サセプタ、６  ヒータ、８，１３，１５，１６，３４  矢印、１０，１０ａ〜１０ｅ  リフレクタ、１２  回転軸、１４  中心、２０  リフレクタ集合部材、２２  支持部材、２３  開口部、２４  軸、２５  開口部、３０  ガス供給管、３２  ガス排気管、４０  断熱部材、４２  断熱体ブロック、４３  断熱体ベース、４４  貫通孔、４５  充填材、５０  架台。
【図１】
2008041698.tif 000003
【図２】
2008041698.tif 000004
【図３】
2008041698.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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