(57)【要約】【課題】基板及びその上に形成された導電パターンに不良を発生させることなく基板の両面に電極を形成できる電極基板の製造方法を提供する。【解決手段】透光性基板１０２（ｈ）の両面に第１透光性電極１０４ａ及び第２透光性電極１０４ｂを有する電極基板１を製造するための製造方法である。透光性基板１０２の第１主面Ｓ１に導電膜１０４ａ’を形成する工程（ｃ）と、その導電膜１０４ａ’をパターニングする工程（ｄ）と、透光性基板１０２の第２主面Ｓ２に導電膜１０４ｂ’を形成する工程（ｆ）と、その導電膜１０４ｂ’をパターニングする工程（ｇ）とを有し、導電膜１０４ｂ’をパターニングする工程（ｇ）は第１主面Ｓ１上に保護膜１２５を設けた状態で実施される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１主面及び第２主面の両面に電極を有する電極基板の製造方法であって、
前記基板の前記第１主面に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、
前記第１導電膜をパターニングして第１電極を形成する第１パターニング工程と、
前記基板の前記第２主面に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、
前記第２導電膜をパターニングして第２電極を形成する第２パターニング工程と、を有し、
前記第２パターニング工程は、前記第１パターニング工程の後に行われると共に前記第１主面上に保護手段を設けた状態で行われる
ことを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電極基板の製造方法において、
前記基板の第１主面に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、
前記第１導電膜をパターニングして第１電極を形成する第１パターニング工程と、
前記第１電極を保護する第１保護手段を形成する第１保護手段形成工程と、
前記第１保護手段形成工程の後に前記基板の第２主面に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、
前記第２導電膜をパターニングして第２電極を形成する第２パターニング工程と、
前記第２パターニング工程の後に前記第１保護手段を除去する第１保護手段除去工程と
を有することを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の電極基板の製造方法において、前記第１保護手段形成工程では、前記基板の第１主面に感光性樹脂を塗布することにより前記第１保護手段を形成することを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項４】
請求項２記載の電極基板の製造方法において、前記第１保護手段形成工程では、前記基板の第１主面に前記第１保護手段としての感光性樹脂を貼り付けることを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項５】
請求項２記載の電極基板の製造方法において、前記第１保護手段形成工程では前記基板の第１主面に前記第１保護手段としてのガラス体を貼り付けることを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の電極基板の製造方法において、
前記基板の第１主面に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、
前記基板の第２主面に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、
前記第１導電膜形成工程の後に前記第２導電膜上に第２の保護手段を形成する第２保護手段形成工程と、
前記第２保護手段形成工程の後に前記第１導電膜をパターニングして第１電極を形成する第１パターニング工程と、
前記第１パターニング工程の後に前記第２保護手段を除去する第２保護手段除去工程と、
前記第２保護膜除去工程の後に前記第１電極上に第１の保護手段を形成する第１保護手段形成工程と、
前記第１保護手段形成工程の後に前記第２導電膜をパターニングして第２電極を形成する第２パターニング工程と、
前記第２パターニング工程の後に前記第１保護手段を除去する第１保護手段除去工程と
を有することを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の電極基板の製造方法において、前記第１保護手段形成工程では、前記基板の第１主面に感光性樹脂を塗布することにより前記第１保護手段を形成し、前記第２保護手段形成工程では、前記基板の第２主面に感光性樹脂を塗布することにより前記第２保護手段を形成することを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の電極基板の製造方法において、前記第１保護手段形成工程では前記基板の第１主面に前記第１保護手段としての感光性樹脂膜を貼り付け、前記第２保護手段形成工程では前記基板の第２主面に前記第２保護手段としての感光性樹脂膜を貼り付けることを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項９】
請求項６記載の電極基板の製造方法において、前記第１保護手段形成工程では前記基板の第１主面に前記第１保護手段としてのガラス体を貼り付け、前記第２保護手段形成工程では前記基板の第２主面に前記第２保護手段としてのガラス体を貼り付けることを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項２又は請求項６記載の電極基板の製造方法において、第１保護手段除去工程の後に前記第１電極を覆う第１保護膜を前記基板の第１主面に貼り付ける工程と、前記第１保護手段除去工程の後に前記第２電極を覆う第２保護膜を前記基板の第２主面に貼り付ける工程と、前記第１保護膜及び前記第２保護膜が貼り付けられた前記基板に分割用の溝を設ける工程と、前記分割用の溝に沿って前記基板を分割する工程とを有し、前記第１保護膜及び第２保護膜は前記分割用の溝が設けられる部分には設けられないことを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の電極基板の製造方法において、
前記基板の第１主面に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、
前記第１導電膜をパターニングして第１電極を形成する第１パターニング工程と、
前記基板の第１主面に前記第１電極を覆う金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記金属膜形成工程の後に前記基板の第２主面に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、
前記第２導電膜をパターニングして第２電極を形成する第２パターニング工程と、
前記第２パターニング工程の後に前記金属膜をパターニングして導電部材を形成する第３パターニング工程と
を有することを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の電極基板の製造方法において、第３パターニング工程の後に前記第１電極及び前記導電部材を覆う第１保護膜を前記基板の第１主面に貼り付ける工程と、前記第３パターニング工程の後に前記第２電極を覆う第２保護膜を前記基板の第２主面に貼り付ける工程と、前記第１保護膜及び前記第２保護膜が貼り付けられた前記基板に分割用の溝を設ける工程と、前記分割用の溝に沿って前記基板を分割する工程とを有し、前記第１保護膜及び第２保護膜は前記分割用の溝が設けられる部分には設けられないことを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれか１つに記載の電極基板の製造方法において、前記基板は透光性を有し、前記第１導電膜形成工程及び前記第２導電膜形成工程では透光性を有する導電材料を用いて前記第１導電膜及び前記第２導電膜を形成することを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の電極基板の製造方法において、前記第１導電膜形成工程で用いる前記導電材料はポリＩＴＯであることを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４のいずれか１つに記載の電極基板の製造方法において、前記第２導電膜形成工程では、前記第２導電膜をアモルファスＩＴＯを用いて形成し、前記第２導電膜をパターニングして形成した前記第２電極をポリ化する焼成工程をさらに有することを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項１６】
基板の第１主面及び第２主面の両面に電極を有する電極基板の製造方法であって、
第１基板の前記第１主面に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、
前記第１導電膜をパターニングして第１電極を形成する第１パターニング工程と、
前記第１パターニング工程の後に前記第１基板を薄くする工程と、
第２基板の前記第１主面に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、
前記第２導電膜をパターニングして第２電極を形成する第２パターニング工程と、
前記第２パターニング工程の後に前記第２基板を薄くする工程と、
前記第１基板の第２主面と前記第２基板の第２主面とを貼り合わせる工程と
を有することを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の電極基板の製造方法において、前記第１基板の第２主面と前記第２基板の第２主面とを貼り合わせる工程の後に前記第１電極を覆う第１保護膜を前記電極基板の第１主面に貼り付ける工程と、前記電極基板を形成する工程の後に前記第２電極を覆う第２保護膜を前記電極基板の第２主面に貼り付ける工程と、前記第１保護膜及び前記第２保護膜が貼り付けられた前記電極基板に分割用の溝を設ける工程と、前記分割用の溝に沿って前記電極基板を分割する工程とを有し、前記第１保護膜及び第２保護膜は前記分割用の溝が設けられる部分には設けられないことを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６又は請求項１７記載の電極基板の製造方法において、前記第１基板及び前記第２基板は透光性を有し、前記第１導電膜形成工程及び前記第２導電膜形成工程では透光性を有する導電材料を用いて前記第１導電膜及び前記第２導電膜を形成することを特徴とする電極基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１つの基板の両面に導電膜等の導電パターンを有する電極基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、例えば、当該電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、液晶装置やＥＬ（Electro luminessence）装置等といった電気光学装置が広く用いられている。また、これらの電気光学装置にはタッチパネル等といった入力装置が設けられることがある。これらの電気光学装置や入力装置は、一般に、透明導電膜や金属膜等から成る導電パターンが形成された基板を用いて構成されている。
【０００３】
基板上に導電パターンを形成する作業、いわゆるパターン形成作業の際には、一般に、スパッタ、露光、現像、エッチング等といった作業を行うのであるが、これらの作業を行う際には、各作業を行う装置が有するテーブルやマガジンに基板を固定してその作業が行われることがある。
【０００４】
上記のような基板を製造する方法として、従来から、基板の一方の面に導電パターンを形成するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この製造方法は、２つの基板を平面的に重ねて構成された液晶装置の製造方法であって、２つの基板のうちの一方の基板に導電膜等から成る導電パターンを形成している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２６８０４２号公報（第６頁、図１２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、基板に形成される導電パターンは、基板の表裏両面に設けられる場合がある。この場合、基板の一方の面にパターン形成を行い、その後、基板の他方の面にパターン形成を行うことが考えられる。しかしながら、特許文献１に開示された基板の製造方法は、専ら基板の一方の面のみにパターンを形成するものであり、パターン形成を行う際、そのパターンを形成する面の反対側の面を保護することに関してなんらの考慮もされていない。そのため、特許文献１に開示された方法を用いて基板の表裏両面にパターンを形成しようとすると、基板の一方の面にパターン形成を行う際、例えば基板を搬送する工程のとき等に、基板の他方の面に傷がついたり異物が付着することがあり、傷がついた面に形成するパターンに不良が発生するおそれがある。
【０００７】
また、基板の他方の面にパターン形成を行う際、スパッタ等の作業を行う装置のテーブル等に直接に接触して、既に一方の面に形成されたパターンに傷がつく等の不良が発生するおそれがある。それらのパターン不良が発生することにより、基板を製造する工程における歩留まりが低下するおそれがある。
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、基板及びその基板上に形成された導電パターンに不良を発生させることなく基板の両面に電極を形成できる電極基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る第１の電極基板の製造方法は、基板の第１主面及び第２主面の両面に電極を有する電極基板の製造方法であって、前記基板の第１主面に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、前記第１導電膜をパターニングして第１電極を形成する第１パターニング工程と、前記基板の第２主面に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、前記第２導電膜をパターニングして第２電極を形成する第２パターニング工程とを有し、前記第２パターニング工程は、前記第１パターニング工程の後に行われると共に、前記第１主面上に保護手段を設けた状態で行われることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る電極基板の製造方法において、「保護手段」としては、例えば、感光性樹脂膜、ガラス体、金属膜等を用いることができる。また、第１導電膜形成工程及び第２導電膜形成工程では、例えばスパッタ装置を用いて基板の第１主面又は第２主面に導電膜が形成される。また、第１パターニング工程及び第２パターニング工程は、例えば露光装置を用いて行われる露光処理を含む。また、各工程の間には、製造中の基板を搬送する工程が行われる。また、その他必要に応じて種々の工程が実行される。
【００１１】
本発明に係る第１の製造方法において、第２パターニング工程は、基板の第１主面上に保護手段を設けた状態で実施される。これにより、第２パターニング工程においては、露光装置等といった製造装置において基板を載置する部分（例えば、テーブルやマガジン等）に、基板の第１主面の表面自体又は第１主面上に形成された電極が直接に触れることがなくなる。その結果、基板の第１主面それ自体又は第１主面上に形成された電極に傷がついたり異物が付着することを防止し、基板上の電極に不良が発生することを防止できる。
【００１２】
次に、本発明に係る第１の電極基板の製造方法において、前記基板の第１主面に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、前記第１導電膜をパターニングして第１電極を形成する第１パターニング工程と、前記第１電極を保護する第１保護手段を形成する第１保護手段形成工程と、前記第１保護手段形成工程の後に前記基板の第２主面に第２の導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、前記第２導電膜をパターニングして第２電極を形成する第２パターニング工程と、前記第２パターニング工程の後に前記第１保護手段を除去する第１保護手段除去工程とを有することが望ましい。
【００１３】
この構成の電極基板の製造方法では、第１パターニング工程の後に、第１保護手段形成工程において第１電極を覆う保護手段を形成することができる。これにより、基板の第１主面に形成された第１電極は保護手段によって保護されるので、第２パターニング工程において基板の第２主面に第２電極を形成する際に、露光装置やスパッタ装置等といった製造装置において基板を載置する部分に基板の第１主面及び第１電極が直接に触れることがなくなる。その結果、基板の第１主面の表面及び第１電極に傷がついたり異物が付着することを防止し、第１電極に不良が発生することを防止できる。
【００１４】
次に、本発明に係る第１の電極基板の製造方法において、前記基板の第１主面に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、前記基板の第２主面に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、前記第１導電膜形成工程の後に前記第２導電膜上に第２の保護手段を形成する第２保護手段形成工程と、前記第２保護手段形成工程の後に前記第１導電膜をパターニングして第１電極を形成する第１パターニング工程と、前記第１パターニング工程の後に前記第２保護手段を除去する第２保護手段除去工程と、前記第２保護手段除去工程の後に前記第１電極上に第１の保護手段を形成する第１保護手段形成工程と、前記第１保護手段形成工程の後に前記第２導電膜をパターニングして第２電極を形成する第２パターニング工程と、前記第２パターニング工程の後に前記第１保護手段を除去する第１保護手段除去工程とを有することが望ましい。
【００１５】
第１導電膜及び第２導電膜は、一般に、スパッタ処理により基板の表面に成膜される。このスパッタ処理には、高温雰囲気中で行われる高温スパッタ処理や、高温スパッタ処理に比べて低温の雰囲気中で行われる低温又は常温のスパッタ処理がある。本発明態様のように導電膜を形成するには、高温スパッタ処理を行うことが望ましい。
【００１６】
しかしながら、仮に基板の第１主面に第１保護手段を設けた状態で、基板の第２主面に第２導電膜を形成する場合には、第２導電膜を形成する際のスパッタ処理において、第１保護手段が高温雰囲気中にさらされることになる。こうなると、仮に第１保護手段が樹脂膜を用いて形成されている場合には、その樹脂膜からガスが発生して第２導電膜の成膜に影響を及ぼすおそれがある。
【００１７】
本発明態様では、基板の両面にそれぞれ第１導電膜と第２導電膜を形成した後に、第２導電膜上に第２保護手段を形成し、その後、第１導電膜をパターニングすることにした。これにより、第１導電膜及び第２導電膜を成膜するスパッタ処理の際には保護手段が設けられていないので、保護手段からガスが発生する等といった障害が発生することを防止できる。また、第１パターニング工程の際には第２保護手段によって第２導電膜が保護されるので、第２導電膜に傷がついたり異物が付着することを防止できる。一方、第２パターニング工程の際には第１保護手段によって第１電極が保護されるので、基板の第１主面の表面又は第１電極に、傷がついたり異物が付着することを防止し、第１電極に不良が発生することを防止できる。
【００１８】
次に、本発明に係る第１の電極基板の製造方法において、前記第１保護手段形成工程では、前記基板の第１主面に感光性樹脂を塗布することにより前記第１保護手段を形成し、前記第２保護手段形成工程では、前記基板の第２主面に感光性樹脂を塗布することにより前記第２保護手段を形成することができる。また、前記第１保護手段形成工程では前記基板の第１主面に前記第１保護手段としての感光性樹脂膜を貼り付け、前記第２保護手段形成工程では前記基板の第２主面に前記第２保護手段としての感光性樹脂膜を貼り付ける（すなわち、ラミネートする）こともできる。
【００１９】
このように、第１保護手段及び第２保護手段を感光性樹脂を材料とした膜として形成すれば、第１保護手段及び第２保護手段を所定の形状に形成することを容易に行うことができる。なお、第１保護手段及び第２保護手段を感光性樹脂を塗布することによって設ける場合には、第１パターニング工程及び第２パターニング工程において導電膜をパターニングする際に用いるレジストと同じ材料及び装置を用いることができるので、保護手段を容易に形成できる。また、第１保護手段及び第２保護手段を感光性樹脂の膜を貼り付ける（すなわち、ラミネートする）ことによって設ける場合には、基板の表面に感光性樹脂膜を貼り付けるという簡単な作業で保護手段を設けることができる。
【００２０】
次に、本発明に係る第１の電極基板の製造方法において、前記第１保護手段形成工程では前記基板の第１主面に前記第１保護手段としてのガラス体を貼り付けることができる。また、前記第２保護手段形成工程では前記基板の第２主面に前記第２保護手段としてのガラス体を貼り付けることができる。この構成において、ガラス体としては、例えば前記基板として用いられるガラス基板と同じものを用いることができる。このガラス体は、例えば、接着材を用いて基板の表面に貼り付けることができる。接着材は、例えば平面的に見て枠状に形成することができ、基板とガラス体との隙間を密閉することができる。これにより、基板の表面自体又は基板の表面に形成された電極を保護できる。また、保護手段としてガラス体を用いれば、接着材を設ける又は除去することにより、保護手段を容易に着脱できる。
【００２１】
次に、本発明に係る第１の電極基板の製造方法においては、第１保護手段除去工程の後に前記第１電極を覆う第１保護膜を前記基板の第１主面に貼り付ける工程と、前記第１保護手段除去工程の後に前記第２電極を覆う第２保護膜を前記基板の第２主面に貼り付ける工程と、前記第１保護膜及び前記第２保護膜が貼り付けられた前記基板に分割用の溝を設ける工程と、前記分割用の溝に沿って前記基板を分割する工程とを有し、前記第１保護膜及び第２保護膜は前記分割用の溝が設けられる部分には設けられないことが望ましい。
【００２２】
電極基板を製造する方法としては、個々の電極基板を１つずつ作る手法と、複数個の電極基板を同時に作る、いわゆる、多数個取りの手法とがある。一般には、後者の多数個取りの手法が用いられる。本発明態様は、この多数個取りの手法に関する。この多数個取りの手法では、一般に、複数個の基板を作ることができる大面積の基板上に複数個分の導電パターンが形成され、その後、個々の基板に分割される。基板を分割する工程では、大面積の基板の表面であって、個々の基板に分割する線に沿って分割用の溝を設ける、いわゆるスクライブ工程が行われ、その後個々の基板に分割する工程が行われる。
【００２３】
本発明態様によれば、第１保護手段除去工程の後に、第１電極を覆う保護膜を基板の第１主面に貼り付ける工程、及び第２電極を覆う保護膜を基板の第２主面に貼り付ける工程を設けたので、基板に分割用の溝を設ける際に、基板両側の表面自体、第１電極及び第２電極に傷がついたり異物が付着することを防止できる。また、基板に分割用の溝を設ける工程において溝が設けられた部分には保護膜を設けないので、分割用の溝を設ける工程の際に、保護膜が削られることがなくなる。これにより、保護膜が削られることによって塵が発生することを防止できる。
【００２４】
次に、本発明に係る第１の電極基板の製造方法において、前記基板の第１主面に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、前記第１導電膜をパターニングして第１電極を形成する第１パターニング工程と、前記基板の第１主面に前記第１電極を覆う金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記金属膜形成工程の後に前記基板の第２主面に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、前記第２導電膜をパターニングして第２電極を形成する第２パターニング工程と、前記第２パターニング工程の後に前記金属膜をパターニングして導電部材を形成する第３パターニング工程とを有することが望ましい。
【００２５】
この構成の電極基板の製造方法では、第１パターニング工程の後に金属膜形成工程において第１電極を覆う金属膜を形成することができる。こうすれば、基板の第１主面に形成された第１電極は金属膜によって保護されるので、基板の第２主面に第２電極を形成する際に、スパッタ装置等といった製造装置において基板を載置する部分に基板の第１主面の表面及び第１電極が直接に触れることがなくなる。その結果、基板の第１主面の表面及び第１電極に傷がついたり異物が付着することを防止し、第１電極に不良が発生することを防止できる。
【００２６】
また、第２パターニング工程の後に金属膜をパターニングして導電部材を形成することにした。導電部材としては、例えば、金属の配線、金属の端子等が考えられる。それらの導電部材は、一般に、電極基板に設けられるものである。本発明態様では、この導電部材材料層である金属膜を保護手段として用いることができるので、製造工程を増やすことなく保護膜を設けることができる。その結果、製造コストを低く抑えることができる。
【００２７】
次に、本発明に係る第１の電極基板の製造方法において、第３パターニング工程の後に前記第１電極及び前記導電部材を覆う第１保護膜を前記基板の第１主面に貼り付ける工程と、前記第３パターニング工程の後に前記第２電極を覆う第２保護膜を前記基板の第２主面に貼り付ける工程と、前記第１保護膜及び前記第２保護膜が貼り付けられた前記基板に分割用の溝を設ける工程と、前記分割用の溝に沿って前記基板を分割する工程とを有し、前記第１保護膜及び第２保護膜は前記分割用の溝が設けられる部分には設けられないことが望ましい。
【００２８】
本発明態様も多数個取りの手法を用いて電極基板を製造する方法に関する。本発明態様によれば、第３パターニング工程の後に、第１電極と導電部材を覆う第１保護膜を基板の第１主面に貼り付ける工程及び第２電極を覆う第２保護膜を基板の第２主面に貼り付ける工程を設けたので、基板に分割用の溝を設ける際に、基板両側の表面自体、第１電極、第２電極及び導電部材に傷がついたり異物が付着することを防止できる。また、基板に分割用の溝を設ける工程において溝が設けられた部分には、第１保護膜及び第２保護膜を設けないので、分割用の溝を設ける工程の際に、保護膜が削られることがなくなる。これにより、保護膜が削られることによって塵が発生することを防止できる。
【００２９】
次に、本発明に係る第１の電極基板の製造方法において、前記基板は透光性を有し、前記第１導電膜形成工程及び前記第２導電膜形成工程では透光性を有する導電材料を用いて前記第１導電膜及び前記第２導電膜を形成することが望ましい。液晶装置等といった電気光学装置では、光を用いて表示を行うために透光性の基板が用いられることが多い。本構成の電極基板によれば、基板を透光性とし、さらにその基板の両面に形成される導電膜を透光性の材料を用いて形成することにより、液晶装置等といった電気光学装置に好適に用いることができる。
【００３０】
次に、本発明に係る第１の電極基板の製造方法において、前記第１導電膜形成工程で用いる前記導電材料はｐ（ポリ）−ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）であることが望ましい。ｐ−ＩＴＯは、いわゆる結晶質ＩＴＯ又は多結晶ＩＴＯである。このｐ−ＩＴＯは、一般に、透明度が高く且つ抵抗値が低い導電材料である。従って、ｐ−ＩＴＯを用いて第１導電膜を形成すれば、透明度が高く且つ抵抗値が低い導電膜を基板の表面に設けることができる。
【００３１】
次に、本発明に係る第１の電極基板の製造方法において、前記第２導電膜形成工程では、前記第２導電膜をアモルファスＩＴＯを用いて形成し、前記第２導電膜をパターニングして形成した前記第２電極をポリ化する焼成工程をさらに有することが望ましい。ａ−ＩＴＯは、いわゆる非晶質ＩＴＯである。このａ−ＩＴＯはｐ−ＩＴＯに比べて耐エッチング性が弱いＩＴＯである。すなわち、ａ−ＩＴＯは弱いエッチング液でエッチングすることができる。
【００３２】
基板の第１主面に形成された第１電極は第１保護手段によって保護されているのであるが、この第１保護手段が何等かの理由で傷つくことが考えられる。この状態で第２パターニング工程を行うと、第２導電膜をエッチングするためのエッチング液が第１保護手段の傷の部分から進入して第１電極を腐蝕させるおそれがある。本発明態様では、第２導電膜をａ−ＩＴＯを用いて形成するので、仮にエッチング液が第１保護手段から進入して第１電極に達したとしても、ｐ−ＩＴＯで形成した第１電極が腐蝕することがなくなる。
【００３３】
また、本発明態様では、第２導電膜に用いたａ−ＩＴＯを焼成工程においてポリ化（すなわち、結晶化又は多結晶化）することができる。ａ−ＩＴＯは、透明度が低く抵抗値が高い導電材料であるが、ポリ化することにより透明度を向上させ、且つ抵抗値を低くでき、第１導電膜と同等の機能を有することができる。また、ａ−ＩＴＯは、ｐ−ＩＴＯに比べて低い温度で成膜することができる。そのため、第２導電膜形成工程において第２導電膜を形成する際に、反対側の面に形成された第１保護手段が、熱で硬化することを防止できる。
【００３４】
次に、本発明に係る第２の電極基板の製造方法は、基板の第１主面及び第２主面の両面に電極を有する電極基板の製造方法であって、第１基板の第１主面に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、前記第１導電膜をパターニングして第１電極を形成する第１パターニング工程と、前記第１パターニング工程の後に前記第１基板を薄くする工程と、第２基板の第１主面に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、前記第２導電膜をパターニングして第２電極を形成する第２パターニング工程と、前記第２パターニング工程の後に前記第２基板を薄くする工程と、前記第１基板の第２主面と前記第２基板の第２主面とを貼り合わせる工程とを有することを特徴とする。
【００３５】
本発明に係る第２の電極基板の製造方法は、既述の第１の製造方法と異なり、保護手段を設けることなく基板の両面に電極を形成する方法である。この構成の電極基板の製造方法では、第１基板及び第２基板の両基板において、第１主面に電極を形成することにより、基板の片面に電極を有する電極基板を形成し、それらの電極基板を貼り合わせることにより表裏両面に電極を有する電極基板を形成するようにした。第１基板及び第２基板には、それぞれ基板の片面のみに電極が形成される。従って、第１基板上に電極を形成する際には、第１導電膜形成工程及び第１パターニング工程において基板の第２主面に保護手段を設ける必要がない。また第２基板に電極を形成する際にも、第２導電膜形成工程及び第２パターニング工程において、基板の第２主面に保護手段を設ける必要がない。従って、基板の表面に保護手段を設けることなく、基板の表裏両面に導電パターンを形成できる。
【００３６】
また、本発明に係る第２の製造方法では、第１基板及び第２基板の両基板を薄くする工程を設けた。この工程では、例えば電極が形成されていない表面をエッチングすることにより第１基板及び第２基板を薄く形成できる。こうすれば、これらの第１基板よ第２基板とを基板を貼り合わせて形成された電極基板を薄く形成できる。なお、基板を薄くする工程は、第１基板においては第１パターニング工程の後に行い、第２基板においては第２パターニング工程の後に行うことにした。これにより、第１基板の第１主面及び第２基板の第１主面に電極を形成する作業を、第１基板及び第２基板を厚みが十分に厚い状態で行うことができるので、第１基板及び第２基板が作業中に破損等することを防止できる。
【００３７】
次に、本発明に係る第２の電極基板の製造方法において、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程の後に前記第１電極を覆う第１保護膜を前記電極基板の第１主面に貼り付ける工程と、前記電極基板を形成する工程の後に前記第２電極を覆う第２保護膜を前記電極基板の第２主面に貼り付ける工程と、前記第１保護膜及び前記第２保護膜が貼り付けられた前記電極基板に分割用の溝を設ける工程と、前記分割用の溝に沿って前記電極基板を分割する工程とを有し、前記第１保護膜及び第２保護膜は前記分割用の溝が設けられる部分には設けられないことが望ましい。
【００３８】
本発明態様も多数個取りの手法を用いて電極基板を製造する方法に関する。本発明態様によれば、電極基板を形成する工程の後に、第１電極を覆う第１保護膜を電極基板の第１主面に貼り付ける工程、及び第２電極を覆う第２保護膜を電極基板の第２主面に貼り付ける工程を設けたので、電極基板に分割用の溝を設ける際に、基板両側の表面自体、第１電極及び第２電極に傷がついたり異物が付着することを防止できる。また、電極基板に分割用の溝を設ける工程において溝が設けられた部分には、第１保護膜及び第２保護膜を設けないので、分割用の溝を設ける工程の際に、保護膜が削られることがなくなる。これにより、保護膜が削られることによって塵が発生することを防止できる。
【００３９】
次に、本発明に係る第２の電極基板の製造方法において、前記第１基板及び前記第２基板は透光性を有し、前記第１導電膜形成工程及び前記第２導電膜形成工程では透光性を有する導電材料を用いて前記第１導電膜及び前記第２導電膜を形成することが望ましい。こうすれば、液晶装置等といった電気光学装置に好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
（電極基板の製造方法の第１実施形態）
以下、本発明に係る電極基板の製造方法の第１実施形態を説明する。なお、本実施形態の説明で例示する電極基板は特定の用途を企図したものではないが、例えば平面領域内において指示された位置を検出する装置、例えばタッチパネルとしての用途が考えられる。また、これ以降に説明する実施形態は本発明の一例であって、本発明を限定するものではない。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示している。
【００４１】
図１は、本実施形態に係る製造方法を基板構造の変遷によって示している。先ず、この製造方法によって製造される電極基板を図１（ｈ）を参照して説明すれば、電極基板１は、ガラス、プラスチック等によって形成された透光性基板１０２の表裏両面に電極１０４ａ，１０４ｂを形成することによって形成されている。符号１０３は配線等といった導電部材を示している。
【００４２】
本実施形態の製造方法では、図１（ａ）において基板１０２の表面に導電部材１０３の材料膜１０３’が形成され、その材料膜１０３’がフォトエッチング処理等によってパターニングされて、図１（ｂ）に示す導電部材１０３が形成される。次に、図１（ｃ）において基板１０２の第１主面Ｓ１に第１導電膜１０４ａ’を成膜し、この第１導電膜１０４ａ’をフォトエッチング処理等によってパターニングして図１（ｄ）に示す第１電極１０４ａを形成する。さらに、図１（ｅ）において第１電極１０４ａを覆うように保護膜１２５を成膜する。
【００４３】
次に、基板１０２の表裏を反転し、図１（ｆ）において基板１０２の第２主面Ｓ２上に第２導電膜１０４ｂ’を成膜し、この第２導電膜１０４ｂ’をフォトエッチング処理等によってパターニングして図１（ｇ）の第２電極１０４ｂを形成する。この電極形成時、処理面である第２主面Ｓ２の反対面である第１主面Ｓ１は処理装置の支持台上に支持されるため、傷を生じたり、異物が付着したりする等といった不都合が発生するおそれがある。しかしながら、第１主面Ｓ１は保護膜１２５によって保護されているので、その第１主面Ｓ１に傷が付いたり、異物が付着したりすることはない。以上により第２主面Ｓ２上に第２電極１０４ｂが形成された後、反対面上の保護膜１２５を除去することにより、図１（ｈ）の電極基板１が完成する。
【００４４】
以上のように本実施形態によれば、導電膜１０４ａ’，１０４ｂ’の成膜及びそれに続く導電膜のパターニングを基板１０２の片面ごとに順次に行う。そして、工程的に後で行われる第２パターニングの際には、先に行われた第１パターニングにおいてパターニングされた面を保護膜１２５で覆って保護しながら、その第２パターニングを行う。こうして、第１パターニングによって形成された電極等に傷が付いたり、異物が付着したりすることを防止する。
【００４５】
（電極基板の製造方法の第２実施形態）
以下、本発明に係る電極基板の製造方法の第２実施形態を図２〜図１６を用いて説明する。この第２実施形態は、図１に示した第１実施形態を、より現実に則して実施するものである。
【００４６】
まず、本実施形態に係る電極基板の製造方法を用いて製造される電極基板を図２〜図４を用いて説明する。図２は、その電極基板の側面図である。図３は、図２の矢印Ｚ３方向から見た基板の平面図である。これらの図において、電極基板１は透光性基板２を有し、その透光性基板２は第１主面Ｓ１とその反対面である第２主面Ｓ２とを有する。透光性基板２は、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等を用いて形成される。透光性基板２の第１主面Ｓ１には、複数の第１電極としての第１透光性電極４ａと、それらの第１透光性電極４ａの片側の端部に接続された配線３とが設けられている。第１透光性電極４ａは、図３において破線で示すように、縦方向Ｘに帯状に延び、横方向Ｙに間隔を空けて配列されている。
【００４７】
第１透光性電極４ａは、透光性の導電材料であるｐ（ポリ）−ＩＴＯを用いて形成されている。ｐ−ＩＴＯは、いわゆる結晶質ＩＴＯ又は多結晶ＩＴＯである。このｐ−ＩＴＯは、一般に、透明度が高く且つ抵抗値が低い導電材料である。従って、ｐ−ＩＴＯを用いて第１透光性電極４ａを形成すれば、透明度が高く且つ抵抗値が低い電極を基板の表面に設けることができる。なお、第１透光性電極４ａは、ＩＴＯ以外の透光性の導電材料を用いて形成することもできる。
【００４８】
配線３は導電材料によって形成され、複数本設けられている。これらの配線３は、透光性基板２の横方向Ｙに延びる端辺２ｂ及び２ｃに沿って延在する部分と、縦方向Ｘへ延在する部分とによって形成されている。個々の配線３同士は互いに間隔を空けて配列されている。
【００４９】
図２において、配線３の左側の先端部分６の上に導電部材７が設けられ、その先端部分６及びその導電部材７によって端子部５ａが形成されている。以下、先端部分６を端子部５ａの第１層といい、導電部材７を端子部５ａの第２層という。端子部５ａは図３に示すように基板２上に複数個、設けられている。これらの端子部５ａは、透光性基板２の縦方向に延びる端辺２ａの近傍で縦方向Ｘに沿って間隔を空けて並んでいる。個々の端子部５ａは、平面的に見て正方形状又は長方形状のドット状に形成されている。なお、端子部５ａを円形状に形成しても良い。
【００５０】
図２において、配線３は第１層６を含めて金属によって形成されている。本実施形態ではその金属としてＣｒ（クロム）の単層構造を用いている。端子部５ａの第２層７は、第１透光性電極４ａと同じく、透光性の導電材料であるｐ−ＩＴＯを用いて形成されている。なお、配線３は、Ｃｒ及びそれを覆うｐ−ＩＴＯから成る積層膜によって形成することも可能である。この場合には、端子部５ａの第２層７は第１層６を形成する積層膜の上層そのものとなる。
【００５１】
次に、透光性基板２の第２主面Ｓ２には、第２電極としての第２透光性電極４ｂが設けられている。第２透光性電極４ｂの左側の一端は端子部５ｂを構成している。端子部５ｂは反対面上の端子部５ａと平面的に重なる位置に設けられている。なお、端子部５ａと端子部５ｂとは平面的に重ならない位置に設けても良い。
【００５２】
第２透光性電極４ｂは、図３において実線で示すように、横方向Ｙに延びる帯状に形成されている。そしてそれら帯状の第２透光性電極４ｂの複数が、縦方向Ｘに沿って間隔を空けて配列されている。従って、帯状に形成された第２透光性電極４ｂは、反対側の面である第１主面Ｓ１上に設けられた第１透光性電極４ａと平面的に見て直交する方向に延びている。第２透光性電極４ｂは、第１透光性電極４ａと同じく、透光性の導電材料であるｐ−ＩＴＯを用いて形成されている。なお、第２透光性電極４ｂも、ＩＴＯ以外の透光性の導電材料を用いて形成することもできる。
【００５３】
本実施形態において、第１透光性電極４ａ及び端子部５ａが第１主面上の電極を構成している。また、第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂが第２主面上の電極を構成している。本明細書では、電極及びそれ以外の導電要素（例えば、配線３）を総称して導電パターンと呼ぶことがある。
【００５４】
以下、上記構成の電極基板１を製造する方法について説明する。
本実施形態では、電極基板を１つずつ作製するのではなく、面積の大きな透光性基板（いわゆる、マザー透光性基板）を用いて複数の電極基板を同時に作製する、いわゆる多数個取りの手法に基づいて電極基板を作製するものとする。このような多数個取りの製造方法においては、図３に示す電極基板１を１つずつ形成するのではなく、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、複数の電極基板１を形成できる大きさの面積を有するマザー透光性基板２’の上に、電極基板１の複数個分の要素（すなわち、第１透光性電極４ａや第２透光性電極４ｂ等を含む導電パターン）を同時に形成する。こうして、電極基板１を縦及び横に複数列含む大きさの大面積のパネル構造体１’を作製し、その大面積のパネル構造体１’に対して縦方向及び横方向に分割用の溝を形成し、さらに、その溝に沿ってパネル構造体１’を分割することにより、個々の電極基板１が作製される。
【００５５】
図５は、本発明に係る電極基板の製造方法の一実施形態を示している。また、図６〜図１５は、図５の各工程において形成される基板の構造の変遷を工程順に示す構造変遷図である。特に、図６〜図１０は、図４（ａ）の上段左寄りに示すＺ６−Ｚ６線に従った断面、すなわち端子部５ａ及び５ｂを横切る断面を示している。また、図１１〜図１５は、Ｚ６−Ｚ６断面を含む平面部分Ｚ１１を拡大して示す平面図である。これらの図６〜図１０の断面図と図１１〜図１５の平面図は、それぞれ、同一工程における断面構造及び平面構造を示している。
【００５６】
なお、図６〜図１０の断面図では処理を受ける面を上面として描いている。このため、図６〜図８の状態と図９〜図１０の状態は上下が反転している。また、図１１〜図１５の平面図では処理を受ける面を手前側の面として描いている。このため、図１１〜図１３の状態と図１４〜図１５の状態は表裏が反転している。以下、図６〜図１５を参照しながら図５の製造方法を説明する。
【００５７】
図５において、工程Ｐ１〜工程Ｐ７は、図４（ａ）のマザー基板２’の第１主面（裏面）Ｓ１に導電パターンを形成するための第１主面形成工程Ｑ１である。図５の工程Ｐ８〜工程Ｐ１１は、図４（ａ）の第２主面（表面）Ｓ２に導電パターンを形成するための第２主面形成工程Ｑ２である。図５の工程Ｐ１３及びＰ１４は、図４（ａ）のマザー基板２’を個々の基板へと分割するための工程Ｑ３である。
【００５８】
まず、図４（ａ）に示すマザー基板２’に対する第１主面形成工程Ｑ１について説明する。図５の工程Ｐ１において、図４（ａ）のマザー基板２’を所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図５の工程Ｐ２において、図６（ａ）及び図１１（ａ）に示すように、マザー基板２’の第１主面Ｓ１上に材料層３’を、例えばＣｒを材料としてスパッタリングによって約２０００Åの膜厚に成膜する。材料層３’は、図２の配線３及びそれの先端部分である端子部５ａの第１層６の材料層である。
【００５９】
次に、図５の工程Ｐ３において、図６（ａ）及び図１１（ａ）の材料層３’をフォトエッチング処理によってパターニングする。具体的には、まず、図６（ｂ）及び図１１（ｂ）に示すように、材料層３’上にポジ型の感光性樹脂であるレジスト２１ａを、例えばスピンコートによって一様な厚さに塗布する。次に、プレベークを行ってレジスト２１ａ内の溶媒を除去する。
【００６０】
次に、塗布されたレジスト２１ａに対して図６（ｃ）及び図１１（ｃ）において露光処理を実行する。具体的には、マザー基板２’を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、図６（ｃ）に示す露光マスク２２Ａをマザー基板２’に対向する所定位置に設置する。露光マスク２２Ａは、ガラス基板２３によって形成された完全光透過領域Ａ０と遮光パターン２４Ａによって形成された完全遮光領域Ａ１の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。この露光マスク２２Ａは、完全光透過領域Ａ０がレジスト２１ａを除去する部分に対向し、完全遮光領域Ａ１がレジスト２１ａを残す部分に対向するように、マザー基板２’に対向する位置に設置される。この状態で露光マスク２２Ａを通してレジスト２１ａへ一定光量の露光光Ｌ１を照射すると、鎖線で示す露光像が形成されて露光された部分Ｂ１が可溶化する。
【００６１】
次に、図６（ｃ）及び図１１（ｃ）のマザー基板２’を現像液に所定時間、浸漬して現像処理を行う。すると、図６（ｃ）において可溶化した部分Ｂ１のレジスト２１ａが除去されて、レジスト２１ａが図６（ｄ）及び図１１（ｄ）に示す形状にパターニングされる。次に、ポストベークを行い、後のエッチング処理に用いるエッチング液に対するレジスト２１ａの耐性を調整する。その後、材料層３’に対してレジスト２１ａをマスクとしてエッチング処理を行うことにより、図６（ｅ）及び図１１（ｅ）に示すように材料層３’をパターニングする。そしてさらに、マスクとして使用したレジスト２１ａを、例えば硫酸等によって剥離することにより、図７（ｆ）及び図１２（ｆ）に示すように金属膜としての配線３及び端子部５ａ（図２参照）の第１層６が形成される。
【００６２】
次に、第１導電膜形成工程としての図５の工程Ｐ４において、図７（ｇ）及び図１２（ｇ）の配線３及び第１層６上に、図２の第１透光性電極４ａの材料である第１導電膜としてのｐ（ポリ）−ＩＴＯ膜４ａ’を、スパッタリングによって約５００Åの膜厚に成膜する。
【００６３】
次に、第１パターニング工程としての図５の工程Ｐ５を、図７（ｈ）〜図８（ｋ）及び図１２（ｈ）〜図１３（ｋ）に示すように実行する。具体的には、まず、図７（ｈ）及び図１２（ｈ）に示すように、ｐ−ＩＴＯ膜４ａ’上にポジ型の感光性樹脂であるレジスト２１ｂを、例えばスピンコートによって一様な厚さに塗布する。次に、プレベークを行ってレジスト２１ｂ内の溶媒を除去する。
【００６４】
次に、塗布されたレジスト２１ｂに対して図７（ｉ）及び図１２（ｉ）において露光処理を実行する。具体的には、マザー基板２’を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、図７（ｉ）の露光マスク２２Ｂをマザー基板２’に対向する所定位置に設置する。露光マスク２２Ｂは、ガラス基板２３によって形成された完全光透過領域Ａ０と遮光パターン２４Ｂによって形成された完全遮光領域Ａ１の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。この露光マスク２２Ｂは、完全光透過領域Ａ０がレジスト２１ｂを除去する部分に対向し、完全遮光領域Ａ１がレジスト２１ｂを残す部分に対向するように、マザー基板２’に対向する位置に設置される。この状態で露光マスク２２Ｂを通してレジスト２１ｂへ一定光量の露光光Ｌ２を照射すると、破線で示す露光像が形成されて露光された部分Ｂ２が可溶化する。
【００６５】
次に、図７（ｉ）及び図１２（ｉ）のマザー基板２’を現像液に所定時間、浸漬して現像処理を行う。すると、図７（ｉ）において可溶化した部分Ｂ２のレジスト２１ｂが除去されて、図８（ｊ）及び図１３（ｊ）に示す形状にパターニングされる。次に、ポストベークを行い、後のエッチング処理に用いるエッチング液に対するレジスト２１ｂの耐性を調整する。その後、ｐ−ＩＴＯ膜４ａ’に対してレジスト２１ｂをマスクとしてエッチング処理を行うことにより、図８（ｋ）及び図１３（ｋ）に示すようにｐ−ＩＴＯ膜４ａ’をパターニングする。
【００６６】
次に、マスクとして使用したレジスト２１ｂを、図５の工程Ｐ６において、例えば有機溶剤等によって剥離することにより、図８（ｌ）及び図１３（ｌ）に示すように第１透光性電極４ａ及び端子部５ａの第２層７が形成される。
【００６７】
次に、第１保護手段形成工程としての図５の保護膜形成工程Ｐ７を行う。具体的には、図８（ｍ）及び図１３（ｍ）において、第１保護手段としての保護膜であるポジ型の感光性樹脂２５を、例えばスピンコートによって１μｍ〜２μｍの厚さにマザー基板２’上に塗布し、この保護膜２５によって第１透光性電極４ａ及び端子部５ａを覆う。保護膜２５は、これ以降の工程において第１透光性電極４ａ等に傷が付いたり、異物が付着したりすることを防止する。以上により、マザー基板２’の第１主面Ｓ１に対する第１主面形成工程が終了する。
【００６８】
次に、マザー基板２’の第２主面Ｓ２に対する第２主面形成工程Ｑ２について説明する。まず、図５の工程Ｐ８において、図４（ａ）の第２主面（表面）Ｓ２が処理できるようにマザー基板２’の表裏を反転し、その第２主面Ｓ２を所定の洗浄液によって洗浄する。次に、第２導電膜形成工程としての図５の工程Ｐ９において、図９（ａ）及び図１４（ａ）に示すように、マザー基板２’の第２主面Ｓ２上に図３の第２透光性電極４ｂの材料であるａ（アモルファス）−ＩＴＯ膜４ｂ’を、スパッタリングによって約５００Åの膜厚に成膜する。
【００６９】
次に、第２パターニング工程としての図５の工程Ｐ１０を、図９（ｂ）〜図１０（ｅ）及び図１４（ｂ）〜図１５（ｅ）に示すように実行する。具体的には、まず、図９（ｂ）及び図１４（ｂ）に示すように、ａ−ＩＴＯ膜４ｂ’上にポジ型の感光性樹脂であるレジスト２１ｃを、例えばスピンコートによって一様な厚さに塗布する。
【００７０】
次に、塗布されたレジスト２１ｃに対して、図９（ｃ）及び図１４（ｃ）において、露光処理を実行する。具体的には、マザー基板２’を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、露光マスク２２Ｃをマザー基板２’に対向する所定位置に設置する。このとき、第２主面Ｓ２の裏面である第１主面Ｓ１上のパターンと露光マスク２２Ｃとの間で、透光性のマザー基板２’を通してアライメントが行われる。露光マスク２２Ｃは、ガラス基板２３によって形成された完全光透過領域Ａ０と遮光パターン２４Ｃによって形成された完全遮光領域Ａ１の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。この露光マスク２２Ｃは、完全光透過領域Ａ０がレジスト２１ｃを除去する部分に対向し、完全遮光領域Ａ１がレジスト２１ｃを残す部分に対向するように、マザー基板２’に対向する位置に設置される。この状態で露光マスク２２Ｃを通してレジスト２１ｃへ一定光量の露光光Ｌ３を照射すると、破線で示す露光像が形成されて露光された部分Ｂ３が可溶化する。
【００７１】
次に、図９（ｃ）及び図１４（ｃ）のマザー基板２’を現像液に所定時間、浸漬して現像処理を行う。すると、図９（ｃ）において可溶化した部分Ｂ３のレジスト２１ｃが除去されて、図１０（ｄ）及び図１５（ｄ）に示す形状にパターニングされる。次に、ポストベークを行い、後のエッチング処理に用いるエッチング液に対するレジスト２１ｃの耐性を調整する。その後、ａ−ＩＴＯ膜４ｂ’に対してレジスト２１ｃをマスクとしてエッチング処理を行うことにより、図１０（ｅ）及び図１５（ｅ）に示すようにａ−ＩＴＯ膜４ｂ’をパターニングする。
【００７２】
次に、第１保護手段除去工程としての図５の工程Ｐ１１において、マスクとして使用した図１０（ｅ）のレジスト２１ｃ及び反対面である第１主面Ｓ１上の保護膜２５を、例えば有機溶剤等によって剥離することにより、図１０（ｆ）及び図１５（ｆ）に示すように第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂが形成される。以上により、マザー基板２’の第２主面Ｓ２に対する第２主面形成工程が終了し、マザー透光性基板２’の両面に導電パターンが形成された図４のパネル構造体１’が完成する。
【００７３】
以上の第２主面形成工程Ｑ２が行われている間、マザー基板２’の第１主面Ｓ１は各工程で用いられる処理装置の支持部材上に支持される。この場合、第１主面Ｓ１は支持部材の支持面に接触するので、傷が付いたり、異物が付着することが考えられる。しかしながら、本実施形態では第２主面形成工程Ｑ２が行われている間、第１主面Ｓ１は保護膜２５に覆われて保護されているので、保護膜２５には傷等が付くかもしれないが、保護膜２５の中の電極等に傷が付くことはない。
【００７４】
次に、図５の工程Ｐ１２において、図４（ａ）の右辺部に示すＺ４−Ｚ４線に従った断面構造を示す図４（ｂ）に示すように、パネル構造体１’の両面上であって個々の電極基板１の部分に対応する領域に保護膜としての樹脂膜２６ａ，２６ｂを設ける。具体的には、マザー基板２’の第１主面Ｓ１上において、個々の電極基板１部分に属する第１透光性電極４ａ、端子部５ａ（図４（ａ）参照）及び配線３を覆うことができる形状の、第１保護膜としての複数の島状の樹脂膜２６ａを個々の電極基板１部分の上に取り付ける（図１６（ｂ）参照）。これらの島状の樹脂膜２６ａは、マザー基板２’の第１主面Ｓ１上に貼り付ける（すなわち、ラミネートする）ことによって取り付けられる。互いに隣接する樹脂膜２６ａ同士は、所定の間隔を空けて設けられている。従って、マザー基板２’の第１主面Ｓ１上には、樹脂膜２６ａが設けられない領域、すなわちマザー基板２’の第１主面Ｓ１の表面が露出している領域Ｔ（図４（ａ），（ｂ）参照）が設けられている。
【００７５】
一方、マザー基板２’の第２主面Ｓ２上においては、図４（ｂ）に示すように、個々の電極基板１部分に属する第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂ（図４（ａ）参照）を覆うことができる形状に、第２保護膜としての複数の島状の樹脂膜２６ｂを個々の電極基板１部分の上に取り付ける（図１６（ｃ）参照）。これらの島状の樹脂膜２６ｂも、マザー基板２’の第２主面Ｓ２上に貼り付ける（すなわち、ラミネートする）ことによって取り付けられる。互いに隣接する樹脂膜２６ｂ同士も、所定の間隔を空けて設けられている。従って、マザー基板２’の第２主面Ｓ２上には、樹脂膜２６ｂが設けられない領域、すなわちマザー基板２’の第２主面Ｓ２の表面が露出している領域Ｔ（図４（ａ），（ｂ）参照）が設けられている。また、図４（ａ）に示すように、マザー基板２’の外周に沿った部分にも樹脂膜２６ａ，２６ｂが設けられていない領域Ｔ（斜線で示す）が設けられている。樹脂膜２６ａ，２６ｂとしては、例えばアクリル系樹脂や窒化膜等を用いることができる。
【００７６】
斜線で示す領域Ｔのうち鎖線Ｘ０に沿った領域は、パネル構造体１’を個々の電極基板１へと分割する際にスクライブ（すなわち、罫書き）によって分割用の溝を形成する領域である。このように分割用溝を形成する領域に樹脂膜２６ａ，２６ｂを設けずにマザー基板２’の表面を露出しておけば、マザー基板２’をスクライブする際に樹脂膜２６ａ，２６ｂが削られることがなく、それ故、削られた樹脂膜２６ａ，２６ｂが塵となって雰囲気を汚すことがなくなる。
【００７７】
ところで、樹脂膜２６ａ，２６ｂが貼り付けられたパネル構造体１’はその後に適宜の構造のマガジン（すなわち、収納枠）に収容された上で必要な処理を受ける。領域Ｔのうちマザー基板２’の外周に沿った領域は、後の工程においてマザー基板２’にマガジンが接触する領域である。本実施形態のようにマザー基板２’の外周に沿った部分において樹脂膜２６ａ，２６ｂを設けることなく基板表面を露出しておけば、後の工程における作業性が向上する。
【００７８】
次に、図５において、パネル構造体１’を分割する工程Ｑ３を説明する。まず、工程Ｐ１３において、図４（ａ）のパネル構造体１’の第１主面Ｓ１で鎖線Ｘ０に沿って、例えばガラススクライバによってスクライブを行って分割用の溝を形成する。このとき、マザー基板２’の第１主面Ｓ１上であって鎖線Ｘ０に沿った部分には樹脂膜２６ａが設けられていないので、ガラススクライバは樹脂膜２６ａを削ることなくマザー基板２’の表面を直接にスクライブできる。また、裏面である第２主面Ｓ２においても、樹脂膜２６ｂは鎖線Ｘ０に沿った部分には設けられていないので、マザー基板２’の第２主面Ｓ２もガラススクライバによって直接にスクライブできる。
【００７９】
次に、図５の工程Ｐ１４において、例えばブレイクマシン等を用いて、図１６（ｄ）に示すように、パネル構造体１’を、電極基板１の複数個分の要素を一列に含んだ短冊状１ａ’に分割する（１次ブレイク）。さらにその後、短冊状のパネル構造体１ａ’を図１６（ｅ）に示すように分割用の溝に沿って分割（２次ブレイク）することにより、図３に示す個々の電極基板１を作製する。
【００８０】
次に、図５の焼成工程Ｐ１５において、個々の電極基板１を所定の温度で焼成する。この焼成により、工程Ｐ９においてａ−ＩＴＯによって膜として形成され工程Ｐ１０においてパターニングされた第２透光性電極４ｂ（図１０の符号４’参照）がポリ化する。このポリ化により、第２透光性電極４ｂの透光性を向上させ、且つ抵抗値を低くすることができる。以上の一連の工程により、電極基板１が完成する。
【００８１】
本実施形態の電極基板の製造方法では、図５のｐ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ５の後に保護膜形成工程Ｐ７において、図８（ｍ）及び図１３（ｍ）に示すように、第１透光性電極４ａ、端子部５ａ及び配線３（以下、第１主面膜要素という）を覆う形状に保護膜２５を形成する。これにより、基板２’の第１主面Ｓ１に形成された第１主面膜要素４ａ，５ａ，３は保護膜２５によって保護されるので、図４（ａ）のマザー基板２’の第２主面（表側面）Ｓ２に第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂを形成する際に、第１主面（裏面）Ｓ１の表面自体及び第１主面膜要素４ａ，５ａ，３がスパッタ装置等といった製造装置のテーブルやマガジンに直接に触れることがなくなる。その結果、マザー基板２’の第１主面Ｓ１の表面自体及び第１主面膜要素４ａ，５ａ，３に傷がついたり異物が付着したりすることを防止でき、第１主面膜要素４ａ，５ａ，３に不良が発生することを防止できる。
【００８２】
また、本実施形態では、図５の保護膜貼り付け工程Ｐ１２において、図４（ａ）に示すように、マザー基板２’の両面Ｓ１，Ｓ２における個々の電極基板１の部分の領域に対応させて複数の樹脂膜２６ａ，２６ｂを貼り付けることにした。この場合、互いに隣接する樹脂膜２６ａ同士の間及び互いに隣接する樹脂膜２６ｂ同士の間には、樹脂膜２６ａ，２６ｂが無くて基板２’の表面が露出する領域Ｔが設けられている。これにより、図５の分割工程Ｑ３内のスクライブ工程Ｐ１３の際に、樹脂膜２６ａ又は２６ｂが削られることがなくなる。これにより、削られた樹脂膜２６ａ又は２６ｂが塵となって雰囲気を汚すことを防止できる。
【００８３】
また、本実施形態において、図３の第１主面（裏面）Ｓ１上の第１透光性電極４ａと端子部５ａの第２層７は、図５の第１主面形成工程Ｑ１においてｐ−ＩＴＯを用いて形成した。一方、図３の第２主面Ｓ２上の第２透光性電極４ｂと端子部５ｂは、図５の第２主面形成工程Ｑ２においてａ−ＩＴＯを用いて形成した上で、焼成工程Ｐ１５において焼成することによりそのａ−ＩＴＯをポリ化することにした。
【００８４】
本実施形態では、第２主面洗浄工程Ｐ８又はａ−ＩＴＯスパッタ工程Ｐ９の際に、それらの処理を受ける第２主面Ｓ２の反対面である第１主面Ｓ１上に設けた保護膜２５に傷がつくかもしれない。このように傷がつくと、ａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ１０においてエッチング液が保護膜２５についた傷へ進入するおそれがある。しかし、ａ−ＩＴＯはｐ−ＩＴＯに比べて弱いエッチング液でエッチングすることができるので、ａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ１０において弱いエッチング液を用いることにすれば、保護膜２５についた傷等から仮にエッチング液が進入して、第１透光性電極４ａ又は端子部５ａに達したとしても、ｐ−ＩＴＯで形成した第１透光性電極４ａと端子部５ａの第２層７が腐蝕することはない。
【００８５】
また、本実施形態では、図５の工程Ｐ９で成膜されさらに工程Ｐ１０でパターニングされて第２透光性電極４ｂを形成しているａ−ＩＴＯ（図１０（ｅ）参照）を、図５の焼成工程Ｐ１５においてポリ化する。これにより、第２透光性電極４ｂの透明度を向上させ、且つ抵抗値を低くできる。その結果、第２透光性電極４ｂはｐ−ＩＴＯを用いて形成した第１透光性電極４ａと同様に、高い透光性及び低い電気抵抗を有することができる。また、ａ−ＩＴＯはｐ−ＩＴＯに比べて低い温度で成膜することができる。そのため、図５のａ−ＩＴＯスパッタ工程Ｐ９においてａ−ＩＴＯ膜４ｂ’を形成する際に、反対側の面に形成された保護膜２５が、熱で硬化することを防止できる。
【００８６】
（電極基板の製造方法の第３実施形態）
次に、本発明に係る電極基板の製造方法の第３実施形態を図１７に基づいて説明する。図１及び図５に示した先の実施形態では、基板の両面に電極を形成するに際して、導電膜の成膜及びそれに続く導電膜のパターニングを基板の片面ごとに順次に行い、そして後工程で行われる第２パターニングの際には先に行われた第１パターニングにおいてパターニングされた面を保護膜で覆って保護しながら第２パターニングを行った。これに対し、本実施形態では、導電膜の形成の仕方に改変を加えている。具体的には、まず、基板の両面に導電膜を同時に形成し、その後、両面の導電膜を片面ずつパターニングする。以下、本実施形態を具体的に説明する。
【００８７】
本実施形態の製造方法では、図１７（ａ）において基板１０２の第１主面Ｓ１に導電部材１０３（図１７（ｉ）参照）の材料膜１０３’が形成され、その材料膜１０３’がフォトエッチング処理等によってパターニングされて、図１７（ｂ）に示す導電部材１０３が形成される。次に、図１７（ｃ）において基板１０２の第１主面Ｓ１に第１導電膜１０４ａ’を成膜し、同時に反対面である第２主面Ｓ２に第２導電膜１０４ｂ’を成膜する。次に、図１７（ｄ）において第２導電膜１０４ｂ’を覆うように保護膜１３５を成膜する。
【００８８】
次に、第１導電膜１０４ａ’をフォトエッチング処理等によってパターニングして図１７（ｅ）に示す第１電極１０４ａを形成する。次に、保護膜１３５を図１７（ｆ）に示すように除去する。次に、図１７（ｇ）に示すように、第１電極１０４ａを覆うように保護膜１２５を成膜する。次に、基板１０２の表裏を反転し、第２導電膜１０４ｂ’をフォトエッチング処理等によってパターニングして図１７（ｈ）の第２電極１０４ｂを形成する。
【００８９】
この電極形成時、処理面である第２主面Ｓ２の反対面である第１主面Ｓ１は処理装置の支持台上に支持されるため、傷を生じたり、異物が付着したりする等といった不都合が発生するおそれがある。しかしながら、第１主面Ｓ１は保護膜１２５によって保護されているので、その第１主面Ｓ１に傷が付いたり、異物が付着したりすることはない。以上により第２主面Ｓ２上に第２電極１０４ｂが形成された後、反対面上の保護膜１２５を除去することにより、図１７（ｉ）の電極基板１が完成する。
【００９０】
以上のように本実施形態によれば、導電膜１０４ａ’，１０４ｂ’を基板１０２の両面に同時に成膜した後、それらに続く導電膜のパターニングを基板１０２の片面ごとに順次に行う。そして、工程的に後で行われる第２パターニングの際には、先に行われた第１パターニングにおいてパターニングされた面を保護膜１２５で覆って保護しながらその第２パターニングを行う。こうして、第１パターニングによって形成された電極等に傷が付いたり、異物が付着したりすることを防止している。
【００９１】
（電極基板の製造方法の第４実施形態）
以下、本発明に係る電極基板の製造方法の第４実施形態を図１８〜図２０に基づいて説明する。この第４実施形態は、図１７に示した第３実施形態を、より現実に則して実施するものである。なお、本実施形態においても、図２に示す電極基板１を製造するものとする。また、以下の説明では、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する工程については説明を省略する。
【００９２】
図１８は、本実施形態に係る電極基板の製造方法を構成する各工程を示す工程図である。図１９及び図２０は、図１８の両面ｐ−ＩＴＯスパッタ工程Ｐ２４から第１レジスト及び第２主面保護膜剥離工程Ｐ２７に至るまでの各工程に対応する膜構成の変遷を示す断面図である。
【００９３】
本実施形態において、図１８のＰ２１〜Ｐ２３に示す工程は、図５のＰ１〜Ｐ３に示す工程と同じである。また、図１８のＰ２９〜Ｐ３０に示す工程は、図５のＰ１０〜Ｐ１１に示す工程と同じである。従って、これらの工程の詳細な説明は省略する。
【００９４】
図１８の工程Ｐ２３が終了した状態で、図７（ｆ）に示すように配線３及び端子部５ａ（図２参照）の第１層６が形成されている。その後、図１８の工程Ｐ２４において、図１９（ａ）に示すように、マザー基板２’の第１主面Ｓ１に第１導電膜としてのｐ−ＩＴＯ膜４ａ’を形成し、マザー基板２’の第２主面Ｓ２に第２導電膜としてのｐ−ＩＴＯ膜４ｂ’’を形成する。本実施形態では、マザー基板２’の両面に対して同時にスパッタ処理を行うことにより、ｐ−ＩＴＯ膜４ａ’とｐ−ＩＴＯ膜４ｂ’’とを同時に形成する。
【００９５】
次に、第２保護手段形成工程としての図１８の工程Ｐ２５において、図１９（ｂ）のｐ−ＩＴＯ膜４ｂ’’を覆うように第２保護手段としての保護膜であるポジ型の感光性樹脂３５を、例えばスピンコートによって１μｍ〜２μｍの厚さに塗布して成膜する。
【００９６】
次に、第１パターニング工程としての図１８の工程Ｐ２６において、図１９（ｂ）のｐ−ＩＴＯ膜４ａ’をフォトエッチング処理によってパターニングする。具体的には、まず、図１９（ｃ）においてｐ−ＩＴＯ膜４ａ’上にポジ型の感光性樹脂であるレジスト２１ｄを一様な厚さに塗布し、プレベークを行ってレジスト２１ｄ内の溶媒を除去する。その後、図１９（ｄ）において、レジスト２１ｄに対して露光マスク２２Ｄを用いて露光処理を実施する。露光マスク２２Ｄを用いて露光することにより、図１９（ｄ）の露光された部分Ｂ４が可溶化する。
【００９７】
次に、図２０（ｅ）において、マザー基板２’を現像液に所定時間浸漬して、可溶化した部分Ｂ４（図２０（ｄ）参照）のレジスト２１ｄを除去する。その後ポストベークを行い、さらにｐ−ＩＴＯ膜４ａ’に対してレジスト２１ｄをマスクとしてエッチング処理を行うことにより、図２０（ｆ）に示すようにｐ−ＩＴＯ膜４ａ’をパターニングする。
【００９８】
その後、マスクとして使用したレジスト２１ｄ及びその反対面上の保護膜３５を、第２保護膜除去工程としての図１８の工程Ｐ２７において剥離することにより、図２０（ｇ）に示す第１電極４ａ及び端子部５ａの第２層７が形成される。そして、第１保護手段形成工程としての図１８の工程Ｐ２８において、図２０（ｈ）に示すように、端子部５ａ及び第１電極４ａを覆うように、第１保護手段としての保護膜であるポジ型の感光性樹脂２５を、例えばスピンコートによって１μｍ〜２μｍの厚さに塗布して成膜する。以上により、マザー基板２’の第１主面形成工程Ｑ１が終了する。
【００９９】
この後、第２主面形成工程Ｑ２が実行される。この工程Ｑ２は、図５に示した先の実施形態における工程Ｑ２と略同じであるが、以下の点が異なっている。まず、図５の実施形態では、図９（ａ）において、第２導電膜としてのａ−ＩＴＯ膜４ｂ’をマザー基板２’の第２主面Ｓ２上に成膜している。これに対し、本実施形態では、図１８の工程Ｐ２４において既に第２導電膜としてのｐ−ＩＴＯ膜４ｂ’’（図１９（ａ）参照）を成膜しているので、第１主面形成工程Ｑ１が終了した時点で、図９（ａ）と同じ膜構成が図２０（ｈ）にて形成された状態にある。従って、図１８に示す本実施形態において第２主面形成工程Ｑ２は、第２パターニング工程としての第２主面ｐ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ２９から開始される。
【０１００】
既述のように、工程Ｐ２９〜Ｐ３０の各工程は、図５に示した先の実施形態における工程Ｐ１０〜Ｐ１１と同じである。すなわち、図１８の工程Ｐ２９において、図９（ｂ）〜図１０（ｅ）と同様の工程が行われて、図４（ａ）の第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂが形成される。そして、工程Ｐ３０において図１０（ｅ）に示すレジスト２１ｃ及びその反対面上の保護膜２５が剥離されて、図１０（ｆ）に示す導電膜パターンが現れ、これにより、第２主面形成工程Ｑ２が終了する。
【０１０１】
この後、先の第１実施形態と同様に、図５に示す保護膜貼り付け工程Ｐ１２が実行され、続いて分割工程Ｑ３が実行され、さらに工程Ｐ１５において焼成が行われて図２の電極基板１が完成する。
【０１０２】
本実施形態では、図１９（ａ）のマザー基板２’の両面にそれぞれｐ−ＩＴＯ膜４ａ’と４ｂ’’を形成した後に、図１９（ｂ）のｐ−ＩＴＯ膜４ｂ’’上に保護膜３５を形成し、その後ｐ−ＩＴＯ膜４ａ’をパターニングすることにした。これにより、ｐ−ＩＴＯ膜４ａ’及び４ｂ’’を成膜するスパッタ処理を保護膜が設けられていない状態で行うことができる。そのため、ｐ−ＩＴＯ膜４ａ’，４ｂ’’を高温スパッタ処理により成膜したとしても、保護膜からガスが発生する等といった障害が発生することを防止できる。
【０１０３】
また、図１８の第１主面ｐ−ＩＴＯパターニング工程２６の際には、図１９（ｃ）〜図１９（ｆ）に示すように、保護膜３５によってｐ−ＩＴＯ膜４ｂ’’が保護されるので、ｐ−ＩＴＯ膜４ｂ’’に傷がついたり異物が付着することを防止できる。一方、図１８の第２主面ｐ−ＩＴＯ膜形成工程Ｐ２９の際には、図２０（ｈ）に示すように、保護膜２５によって第１透光性電極４ａ及び端子部５ａが保護されるので、基板２’の第１主面Ｓ１の表面、第１透光性電極４ａ及び端子部５ａに傷がついたり異物が付着することを防止でき、電極４ａ及び端子部５ａに不良が発生することを防止できる。
【０１０４】
（変形例）
図１８の工程Ｐ２４では、図１９（ａ）において、マザー基板２’の両面に対して同時にスパッタ処理を行うことにより、第１導電膜としてのｐ−ＩＴＯ膜４ａ’と第２導電膜としてのｐ−ＩＴＯ膜４ｂ’’とを同時に形成する場合を例示した。しかしながら、ｐ−ＩＴＯ膜４ａ’とｐ−ＩＴＯ膜４ｂ’’とを別々の工程で形成することもできる。この場合には、ｐ−ＩＴＯ膜４ａ’を形成する工程とｐ−ＩＴＯ膜４ｂ’’を形成する工程とを連続して行うことになる。また、このように、第１導電膜と第２導電膜を別々に形成する場合には、第２主面Ｓ２上に形成する第２導電膜をａ−ＩＴＯ膜を用いて形成することもできる。こうすれば、先の第１実施形態と同様に、保護膜２５に何等かの理由により傷がついた場合に、ａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ１０において、保護膜２５についた傷等から仮にエッチング液が進入して、第１透光性電極４ａ又は端子部５ａに達したとしても、ｐ−ＩＴＯで形成した第１透光性電極４ａと端子部５ａの第２層７とが腐蝕することがなくなる。
【０１０５】
（電極基板の製造方法の第５実施形態）
次に、本発明に係る電極基板の製造方法の第５実施形態を図２１に基づいて説明する。本実施形態の製造方法の全体的な工程は、図５に示した第２実施形態に係る製造方法と略同じである。図５に示した先の実施形態では、保護膜形成工程Ｐ７において、図８（ｍ）に示す第１保護手段としての保護膜２５をスピンコート等により成膜した。これに対し本実施形態では、第１保護手段として保護膜２５に代えてガラス体を用いている。
【０１０６】
本実施形態に係る製造方法を図２１を用いて工程順に説明すると、図２１（ａ）において基板１０２の第１主面Ｓ１に導電部材１０３（図２１（ｈ）参照）の材料膜１０３’が形成され、その材料膜１０３’がフォトエッチング処理等によってパターニングされて、図２１（ｂ）に示す導電部材１０３が形成される。次に、図２１（ｃ）において基板１０２の第１主面Ｓ１に第１導電膜１０４ａ’を成膜し、さらにその第１導電膜１０４ａ’をフォトエッチング処理によってパターニングして図２１（ｄ）の第１電極１０４ａを形成する。
【０１０７】
次に、図２１（ｅ）において第１電極１０４ａを覆うガラス体３４５を接着材３４６を用いて基板１０２に接着する。そして、基板１０２を表裏反転した後、図２１（ｆ）において基板１０２の第２主面Ｓ２上に第２導電膜１０４ｂ’を成膜し、その膜１０４ｂ’をフォトエッチング処理によってパターニングして図２１（ｇ）の第２電極１０４ｂを形成する。さらに、図２１（ｇ）において接着材３４６を除去して基板１０２からガラス体３４５を取外すことにより、図２１（ｈ）に示す電極基板１が完成する。
【０１０８】
以上のように本実施形態によれば、導電膜１０４ａ’，１０４ｂ’の成膜及びそれに続く導電膜のパターニングを基板１０２の片面ごとに順次に行う。そして、工程的に後で行われる第２パターニングの際には、先に行われた第１パターニングにおいてパターニングされた面をガラス体３４５で覆って保護しながらその第２パターニングを行う。こうして、第１パターニングによって形成された電極等に傷が付いたり、異物が付着したりすることを防止している。
【０１０９】
（電極基板の製造方法の第６実施形態）
以下、本発明に係る電極基板の製造方法の第６実施形態を図２２に基づいて説明する。この第６実施形態は、図２１に示した第５実施形態を、より現実に則して実施するものである。なお、本実施形態においても、図２に示す電極基板１を製造するものとする。また、以下の説明では、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する工程については説明を省略する。
【０１１０】
本実施形態において、図５の工程Ｐ１から工程Ｐ６までの各工程が実行され、図８（ｌ）に示すように、マザー基板２’上に配線３（図３参照）、第１透光性電極４ａ及び端子部５ａが形成される。次に、図５の工程Ｐ７が実行され、図２２に示す保護構造が作られる。図２２は、本実施形態に係る基板の製造方法を構成する各工程のうちの図５に示す保護手段形成工程Ｐ７において保護手段を形成した状態を示す断面図である。この断面図は、図４（ａ）の上段右寄りに示すＺ２２−Ｚ２２線に従った断面、すなわち、マザー基板２’のうち、１つの電極基板１内の端子部５ａに対応する部分の断面を示している。
【０１１１】
本実施形態において保護手段を形成するには、まず、図２２において、マザー基板２’の第１主面Ｓ１上に接着材４６を、例えば印刷することによって形成する。この接着材４６としては、エッチング液に対して耐性を有する材料が用いられる。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。また、接着材４６は平面的に見て正方形又は長方形で環状に形成されており、図５の工程Ｐ６までの工程において、電極基板１部分に対応して形成された第１透光性電極４ａ、端子部５ａ及び配線３を囲む枠状に形成される。なお、接着材４６は、個々の基板１部分に対応する枠状に形成することに代えて、大面積のマザー基板２’の周辺に沿って、複数個分の電極４ａ等を囲む大きな枠状に形成することもできる。また、接着材４６は、個々の電極基板１に対応する枠状に形成することに加えて、大面積のマザー基板２’の周辺に沿って、複数個分の電極４ａ等を囲む大きな枠状に形成することもできる。
【０１１２】
次に、接着材４６を用いて、第１保護手段であるガラス体４５を、マザー基板２’の第１主面Ｓ１に対向する状態に接着する。このガラス体４５は、板状に形成されたガラス板であり、例えば、マザー基板基板２’と同じ材質及び同じ形状のガラス基板を用いることができる。なお、ガラス体４５は、基板２’の第１主面Ｓ１に形成された電極４ａ等を覆うことができれば、板状以外の形状に形成することもできる。
【０１１３】
以上のようにしてマザー基板２’にガラス体４５を接着した後、図５の工程Ｐ８から工程Ｐ１５までの各工程が行われ、図２に示す電極基板１が作製される。なお、既述の第１実施形態では、図５の工程Ｐ１１において、図１０（ｅ）の保護膜２５とレジスト２１ｃとを有機溶剤等を用いて剥離している。これに対し、本実施形態では、例えば有機溶剤等を用いて接着材４６をマザー基板基板２’から剥離することにより、ガラス体４５をマザー基板２’から取り除くことがきる。
【０１１４】
本実施形態においては、図５の保護手段形成工程Ｐ７において、図２２に示すように、マザー基板２’の第１主面Ｓ１に形成された第１透光性電極４ａ、端子部５ａ及び配線３を覆うように接着材４６によってガラス体４５をマザー基板２’に接着した。これにより、マザー基板２’の第２主面Ｓ２に第２透光性電極４ｂ及び端子部５ａを形成する際に、マザー基板２’の第１主面Ｓ１の表面自体、第１透光性電極４ａ、端子部５ａ及び配線３（すなわち、第１主面膜要素）をガラス体４５によって保護できる。その結果、マザー基板２’の第１主面Ｓ１の表面自体及び第１主面膜要素４ａ，５ａ，３に傷がついたり異物が付着することを防止でき、第１主面膜要素４ａ，５ａ，３に不良が発生することを防止できる。
【０１１５】
また、本実施形態のように、第１保護手段としてガラス体４５を用いれば、接着材４６を用いてマザー基板基板２’に接着することにより、マザー基板２’上に保護手段を容易に設けることができる。また、接着材４６を有機溶剤等を用いて剥離することにより、ガラス体４５をマザー基板２’から容易に取り除くことができる。
【０１１６】
（電極基板の製造方法の第７実施形態）
次に、本発明に係る電極基板の製造方法の第７実施形態を図２３に基づいて説明する。図１、図１７、図２１に示した先の実施形態は、それぞれ、図１（ｈ）、図１７（ｉ）、図２１（ｈ）に示したように、電極１０４ａの下に導電部材１０３が形成される構成の電極基板１を製造する場合に好適な製造方法であった。これに対し、図２３に示す本実施形態の製造方法は、図２３（ｆ）に示すように、電極１０４ａの上に導電部材１０３が形成される構成の電極基板１を製造するのに好適な製造方法である。
【０１１７】
本実施形態では、図２３（ａ）において基板１０２の第１主面Ｓ１上にｐ−ＩＴＯ膜１０４ａ’を成膜する。次に、そのｐ−ＩＴＯ膜１０４ａ’をパターニングして図２３（ｂ）に示す第１電極１０４ａを形成する。その後、図２３（ｃ）において金属膜１０３’を成膜した上で、図２３（ｄ）及び図２３（ｅ）においてその金属膜１０３’を保護手段として用いて基板１０２の第２主面Ｓ２に第２電極１０４ｂを形成し、その後、図２３（ｆ）において金属膜１０３’をパターニングして導電部材１０３を形成することにより、電極基板１を製造する。
【０１１８】
以上のように本実施形態によれば、導電膜１０４ａ’，１０４ｂ’の成膜及びそれに続く導電膜のパターニングを基板１０２の片面ごとに順次に行う。そして、工程的に後で行われる第２パターニングの際には、先に行われた第1パターニングにおいてパターニングされた面を金属膜１０３’で覆って保護しながらその第２パターニングを行う（図２３（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）参照）。こうして、第１パターニングによって形成された電極等に傷が付いたり、異物が付着したりすることを防止している。
【０１１９】
（電極基板の製造方法の第８実施形態）
以下、本発明に係る電極基板の製造方法の第８実施形態を図２４〜図２８に基づいて説明する。この第８実施形態は、図２３に示した第７実施形態を、より現実に則して実施するものである。本実施形態では、図２４に示す電極基板５１を製造するものとする。この電極基板５１の矢印Ｚ３側から見た平面構造は、端子部５５ａ及び配線５３の層構造を除いて、図３に示す平面構造と同じである。図２５は、本実施形態に係る電極基板の製造方法を示す工程図である。図２６〜図２８は、図２５の各工程において形成される基板の構造を工程順に示す構造変遷図である。これらの図２６〜図２８は、図２４の左側に示すＺ２６−Ｚ２６線に従った端子部の断面構造を示している。
【０１２０】
まず、図２４の電極基板５１上に設けられる導電パターンについて説明する。電極基板５１において、透光性基板２の第２主面Ｓ２上に形成される導電パターンは図２及び図３に示す先の実施形態の透光性基板２において第２主面Ｓ２上に形成されるパターンと同じである。すなわち、図２４において、ｐ−ＩＴＯから成る第２電極としての第２透光性電極４ｂと端子部５ｂが第２主面Ｓ２上に形成されている。
【０１２１】
他方、第１主面Ｓ１上の導電パターンは、金属膜である導電部材としての配線５３と、第１電極としての第１透光性電極５４ａと、端子部５５ａとを含んでいる。端子部５５ａは、第１層５６と第２層５７との積層構造となっている。第１層５６は、透光性の導電材料であるｐ−ＩＴＯを用いて形成されている。第２層５７は金属、本実施形態ではＣｒを用いて形成されている。
【０１２２】
配線５３は、複数本設けられている。これらの配線５３は、Ｃｒを用いた単層の膜に形成されている。配線５３は、端子部５５ａのところまで延びて該端子部５５ａの第２層５７となっている。個々の配線５３の一方の端部５３ａは、第１透光性電極５４ａの端部に積層されている。これにより、配線５３と第１透光性電極５４ａとが導電接続されている。他方、配線５３の他方の端部は端子部５５ａの第２層５７となっているので、配線５３と端子部５５ａとは互いに導電接続されている。すなわち、配線５３を介して第１透光性基板５４ａと端子部５５ａとが導電接続されている。
【０１２３】
以下、本実施形態に係る電極基板５１の製造方法について説明する。まず、図２５における第１主面形成工程Ｑ１について説明する。工程Ｐ４１において図２６（ａ）のマザー基板２’を所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図２５の工程Ｐ４２において、図２６（ａ）に示すように、透光性基板２’の第１主面Ｓ１上に図２４の第１透光性電極５４ａの材料である第１導電膜としてのｐ−ＩＴＯ膜５４ａ’を、スパッタリングによって約５００Åの膜厚に成膜する。
【０１２４】
次に、第１パターニング工程としての図２５の工程Ｐ４３において、図２６（ａ）のｐ−ＩＴＯ膜５４ａ’をフォトエッチング処理によってパターニングする。具体的には、まず、図２６（ｂ）においてｐ−ＩＴＯ膜５４ａ’上にポジ型の感光性樹脂であるレジスト２１ｅを一様な厚さに塗布し、プレベークを行ってレジスト２１ｅ内の溶媒を除去する。その後、図２６（ｃ）においてレジスト２１ｅに対して露光マスク２２Ｅを用いて露光処理を行う。露光マスク２２Ｅを用いて露光することにより、図２６（ｃ）の露光された部分Ｂ５が可溶化する。
【０１２５】
次に、図２６（ｃ）のマザー基板２’を現像液に所定時間浸漬して、可溶化した部分Ｂ５のレジスト２１ｅを除去して、図２６（ｄ）に示すレジストパターン２１ｅを得る。その後ポストベークを行い、さらにｐ−ＩＴＯ膜５４ａ’に対してレジスト２１ｅをマスクとしてエッチング処理を行うことにより、図２７（ｅ）に示すようにｐ−ＩＴＯ膜５４ａ’を得る。その後、図２５の工程Ｐ４４において、マスクとして使用したレジスト２１ｅを剥離することにより、図２７（ｆ）に示す第１電極５４ａ及び端子部５５ａ（図２４参照）の第１層５６が形成される。そして、金属膜形成工程としての図２５の工程Ｐ４５において、図２７（ｇ）に示すように、第１層５６及び第１電極５４ａを覆うように金属膜である材料層５３’を、例えばＣｒを材料としてスパッタリングによって約２０００Åの膜厚に成膜する。以上により、マザー基板２’の第１主面Ｓ１に対する図２５の第１主面形成工程Ｑ１が終了する。
【０１２６】
この後、第２主面形成工程Ｑ２が実行される。この工程Ｑ２では、工程Ｐ４６〜工程Ｐ４９において、図２４に示す基板２の第２主面Ｓ２上に第１透光性電極４ｂ及び端子部５ｂが形成される。工程Ｐ４６〜工程Ｐ４９は図５に示した先の実施形態における第２主面形成工程Ｑ２（工程Ｐ８〜工程Ｐ１１）に相当する工程である。図５の工程Ｐ８〜工程Ｐ１１においては、図９（ａ）〜図１０（ｆ）を参照して説明したように、第２主面Ｓ２上に電極４ｂ等といった導電パターンを形成する際に第１主面Ｓ１を第１保護手段としての樹脂製の保護膜２５で覆って保護した。これに対して本実施形態における工程Ｐ４６〜Ｐ４９の工程は、図５の工程Ｐ８〜工程Ｐ１１（図９（ａ）〜図１０（ｆ））における保護膜２５に代えて上記の材料層５３’を第１保護手段として形成するものであり、その他の処理は図５の工程Ｐ８〜工程Ｐ１１と同じである。従って、図２５の工程Ｐ４６〜Ｐ４９についての説明は省略することにする。
【０１２７】
図２５の工程Ｐ４９が終了すると、図５に示した先の実施形態における図１０（ｅ）と同様に、図２７（ｍ）に示すように、第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂがマザー基板２’の第２主面Ｓ２上に形成される。その後、第３パターニング工程としての図２５の工程Ｐ５０において、材料層５３’をパターニングする。具体的には、まず、図２８（ａ）において材料層５３’上にポジ型の感光性樹脂であるレジスト２１ｆを一様な厚さに塗布し、プレベークを行ってレジスト２１ｆ内の溶媒を除去する。その後、図２８（ｂ）においてレジスト２１ｆに対して露光マスク２２Ｆを用いて露光処理が実施される。露光マスク２２Ｆを用いて露光することにより、図２８（ｂ）の露光された部分Ｂ６が可溶化する。
【０１２８】
次に、図２８（ｃ）において、マザー基板２’を現像液に所定時間浸漬して、可溶化した部分Ｂ６（図２８（ｂ）参照）のレジスト２１ｆを除去する。その後、ポストベークを行い、さらに材料層５３’に対してレジスト２１ｆをマスクとしてエッチング処理を行うことにより、図２８（ｄ）に示すように材料層５３’をパターニングする。その後、マスクとして使用したレジスト２１ｆを図２５の工程Ｐ５１において剥離することにより、図２８（ｅ）に示す配線５３及び端子部５５ａの第２層５７が形成される。
【０１２９】
以上により、マザー基板２’の第２主面Ｓ２に対する第２主面形成工程Ｑ２が終了する。この後、先の第１実施形態と同様にして、図５に示す保護膜貼り付け工程Ｐ１２を行い、分割工程Ｑ３を行い、さらに、工程Ｐ１５において焼成処理を行うことにより、図２４の電極基板５１が完成する。
【０１３０】
本実施形態における電極基板の製造方法では、図２５のｐ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ４３の後に、金属膜形成工程であるＣｒスパッタ工程Ｐ４５において、図２７（ｇ）の第１透光性電極５４ａ及び第１層５６を覆うように金属膜である材料層５３’を形成する。マザー基板２’の第２主面Ｓ２に第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂを形成する際には、第１主面Ｓ１がスパッタ装置等といった処理装置の基板支持面に接触するのであるが、本実施形態では、マザー基板２’の第１主面Ｓ１に形成された材料層５３’によって第１透光性電極５４ａ及び第１層５６が保護されるので、マザー基板２’の第２主面Ｓ２に第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂを形成する際に、第１主面Ｓ１の表面自体、第１透光性電極５４ａ及び第１層５６が処理装置の基板支持面に直接に触れることがなくなる。その結果、第１主面Ｓ１の表面自体、第１透光性電極５４ａ及び第１層５６に傷がついたり異物が付着したりすることを防止でき、第１透光性電極５４ａ及び第１層５６に不良が発生することを防止できる。
【０１３１】
また、図２５のａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ４８の後に、Ｃｒパターニング工程Ｐ５０において、図２８（ｂ）〜図２８（ｅ）に示すように、材料層５３’をパターニングして導電部材としての配線５３及び端子部５５ａの第２層５７を形成することにした。すなわち、図２７（ｍ）のａ−ＩＴＯ膜４ｂ’と異なるエッチングレートによって、図２５の第２主面形成工程Ｑ２において保護手段として用いた図２８（ｃ）の材料層５３’をエッチングすることにより、図２８（ｅ）の配線５３及び第２層５７を形成することにした。こうすれば、製造工程を増やすことなく、マザー基板２’の第１主面Ｓ１上に保護手段を設けることができるので、製造コストを低く抑えることができる。
【０１３２】
（電極基板の製造方法の第９実施形態）
次に、本発明に係る電極基板の製造方法の第９実施形態を図２９を用いて説明する。これまでに説明した各実施形態では、１枚の透光性基板の両面に電極を形成する場合を例示した。これに対し、本実施形態では、片面に電極を形成した２枚の基板を貼り合わせることにより、両面に電極を有する１つの電極基板を形成する。以下、本実施形態を詳しく説明する。
【０１３３】
本実施形態の製造方法によって製造する電極基板は図２９（ｉ）に符号１で示すように、接着材１１４によって互いに貼り合わされた第１基板１０２ａ及び第２基板１０３ａを有する。互いに貼り合わされた第１基板１０２ａと第２基板１０３ａとによって１つの透光性基板が形成されている。この透光性基板の第１主面（すなわち、第１基板１０２ａの表面）Ｓ１には、導電部材１１３及び第１電極１０４ａが形成されている。一方、透光性基板の第２主面（すなわち、第２基板１０３ａの表面）Ｓ２には第２電極１０４ｂが形成されている。
【０１３４】
上記構成の電極基板１を製造する際には、一方において第１基板形成工程Ｑ４を実行し、他方において第２基板形成工程Ｑ５を実行する。第１基板形成工程Ｑ４では、図２９（ａ）において第１基板１０２ａ上に第１の導電膜１１３’を成膜し、その導電膜をパターニングして図２９（ｂ）の導電部材１１３を形成し、図２９（ｃ）において第２の導電膜１０４ａ’を成膜し、その導電膜をパターニングして図２９（ｄ）の第１電極１０４ａを形成し、そして、図２９（ｅ）において第１基板１０２ａの厚さを研削、研磨、切削、エッチング等によって薄くする。
【０１３５】
上記の第２基板形成工程Ｑ５では、図２９（ｆ）において第２基板０３ａ上に第３の導電膜１０４ｂ’を成膜し、その導電膜をパターニングして図２９（ｇ）の第２電極１０４ｂを形成し、そして、図２９（ｈ）において第２基板１０３ａの厚さを研削、研磨、切削、エッチング等によって薄くする。
【０１３６】
その後、図２９（ｉ）において、第１基板１０２ａ又は第２基板１０３ａのいずれか一方の裏面に接着材１１４を塗布、印刷等によって付着させ、第１基板１０２ａ又は第２基板１０３ａの他方をその接着材１１４によって上記一方の基板に接着する。これにより、電極基板１が作製される。
【０１３７】
本実施形態に係る電極基板の製造方法によれば、個々の基板１０２ａ及び１０３ａはそれぞれが単独で電極等の形成処理を受けるので、一方の基板に電極等を形成するための処理を行っている最中に他方の基板上に形成された電極等に傷が生じたり、異物が付着したりするという事態が起こり得ない。このため、図２９（ｉ）において出来上がった電極基板１の表裏両面には、常に、傷や異物付着の無い高品質の電極が形成されている。
【０１３８】
（電極基板の製造方法の第１０実施形態）
以下、本発明に係る電極基板の製造方法の第１０実施形態を図３０〜図３２を用いて説明する。この第１０実施形態は、図２９に示した第９実施形態を、より現実に則して実施するものである。なお、図３０は、本実施形態の製造方法で製造される電極基板６１の側面図である。図３１は、本実施形態に係る電極基板の製造方法を示す工程図である。図３２は、図３１の工程図に対応した構造変遷図である。
【０１３９】
まず、図３０の電極基板６１の構成について説明する。電極基板６１は、第１電極基板６２と、第２電極基板６３とを有する。第１電極基板６２は、第１基板としての第１透光性基板６２ａと、当該第１透光性基板６２ａの表面に形成された複数の導電パターンから構成されている。導電パターンは、第１電極としての第１透光性電極４ａと、配線３と、端子部５ａとを含んでいる。
【０１４０】
第２電極基板６３は、第２基板としての第２透光性基板６３ａと、当該第２透光性基板６３ａの表面に形成された複数の導電パターンから構成されている。導電パターンは、第２電極としての第２透光性電極４ｂと、端子部５ａとを含んでいる。これらの第１透光性基板６２ａと第２透光性基板６３ａとが接着材６４によって互いに貼り合わされることにより、両面に導電パターンを備えた電極基板６１が形成されている。第１透光性基板６２ａの接着面の反対面が電極基板６１の第１主面Ｓ１である。また、第２透光性基板６３ａの接着面の反対面が電極基板６１の第２主面Ｓ２である。
【０１４１】
第１透光性基板６２ａ及び第２透光性基板６３ａは、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等を用いて形成されている。矢印Ｚ３側から平面的に見た第１電極基板６２上の導電パターンのパターン形状は図３に示した実施形態における透光性基板２の第１主面Ｓ１に形成された導電パターンのパターン形状と同じである。配線３は、Ｃｒを主とする金属から成る金属膜である。第１透光性電極４ａはｐ−ＩＴＯによって形成されている。端子部５ａは、Ｃｒを主成分とする金属にｐ−ＩＴＯを積層して成る積層構造として形成されている。
【０１４２】
矢印Ｚ３側から平面的に見た第２電極基板６３上の導電パターンのパターン形状は図３に示した実施形態における透光性基板２の第２主面Ｓ２に形成された導電パターンのパターン形状と同じである。第２透光性電極４ｂはｐ−ＩＴＯによって形成されている。端子部５ｂも、同じくｐ−ＩＴＯによって形成されている。
【０１４３】
以下、電極基板６１を製造する方法について説明する。
本実施形態においても、上記各実施形態と同じく、電極基板６１を多数個取りの手法に基づいて作製するものとする。従って、図３２においては、第１透光性基板６２ａのマザー基板を６２ａ’とし、第２透光性基板６３ａのマザー基板を６３ａ’として示している。また、本実施形態において、図３１の工程Ｐ６１〜工程Ｐ６６までの一連の工程は、図５に示した実施形態における工程Ｐ１〜工程Ｐ６までの一連の工程と同じである。また、図３１の工程Ｐ７１〜工程Ｐ７４までの一連の工程は、図２５に示した実施形態におけるＰ４１〜Ｐ４４に示す工程と同じである。従って、これらの工程の詳細な説明は省略する。
【０１４４】
図３１の第１基板製造工程において工程Ｐ６６までが終了すると、図３２（ａ）に示すように、第１マザー基板６２ａ’の第１主面Ｓ１上に配線３、端子部５ａ及び第１透光性電極４ａが形成される。この後、図３１の工程Ｐ６７において、図３２（ｂ）に示すように、第１マザー基板６２ａ’の第２主面Ｓ３をエッチングして斜線で示す部分Ｙ１を除去する。これにより、第１マザー基板６２ａ’を薄くする。例えば、エッチング前の基板６２ａ’の厚みｔ０＝０．５ｍｍを、エッチング後の基板６２ａ’の厚みｔ１＝０．２ｍｍまで薄くする。以上により、第１電極基板６２の製造工程が終了する。
【０１４５】
次に、図３１の工程Ｐ７４までが終了すると、図３２（ｃ）に示すように、第２マザー基板６３ａ’の第１主面Ｓ２上に第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂが形成される。この後、図３１の工程Ｐ７５において、図３２（ｄ）に示すように、第２マザー基板６３ａ’の第２主面Ｓ４をエッチングして斜線で示す部分Ｙ２を除去する。これにより、第２透光性基板６３ａ’を薄くすることができる。例えば、エッチング前の基板６３ａ’の厚みｔ２＝０．５ｍｍを、エッチング後の基板６３ａ’の厚みｔ３＝０．２ｍｍまで薄くする。以上により、第２電極基板６３の製造工程が終了する。
【０１４６】
次に、図３１の工程Ｐ８１において、図３２（ｂ）に示す第１電極基板６２と図３２（ｄ）に示す第２電極基板６３とを貼り合わせる。具体的には、図３２（ｅ）に示すように、第１透光性基板６２ａ’の第２主面Ｓ３と第２透光性基板６３ａ’の第２主面Ｓ４とを対向させた状態で、両基板を接着材６４によって接着する。このとき、接着材６４の厚みｔ４は、例えば０．１ｍｍとする。この後、図５に示す実施形態の場合と同様にして、保護膜貼り付け工程Ｐ１２が行われ、分割工程Ｑ３が行われ、そして工程Ｐ１５において焼成処理が行われて、図３０に示す電極基板６１が完成する。
【０１４７】
本実施形態では、図３２（ａ）において第１透光性基板６２ａ’の第１主面Ｓ１に、配線３、第１透光性電極４ａ及び端子部５ａを形成した。また、図３２（ｃ）において第２透光性基板６３ａ’の第１主面Ｓ２に、第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂを形成した。そして、図３２（ｅ）において、それらの第１透光性基板６２ａ’と第２透光性基板６３ａ’とを接着材６４によって貼り合わせることにより、表裏両面に電極を有する電極基板６１を形成するようにした。これにより、第１電極基板６２又は第２電極基板６３の表面に保護手段を設けなくても各基板に傷や異物付着が生じることを回避できる。このように保護手段を用いる必要がないので、製造コストを上げることなく、表裏両面に導電パターンを有する電極基板を形成できる。
【０１４８】
また、図３１の工程Ｐ６７において、図３２（ｂ）に示すように、第１透光性基板６２ａ’の第２主面Ｓ３の表面をエッチングにより除去した。また、図３１の工程Ｐ７５において、図３２（ｄ）に示すように、第２透光性基板６３ａ’の第２主面Ｓ４の表面をエッチングにより除去した。これにより、図３０の第１透光性基板６２ａ’及び第２透光性基板６３ａ’を薄く形成できるので、これらの基板６２ａ’と６３ａ’を貼り合わせて形成された電極基板６１を薄く形成できる。
【０１４９】
なお、第１透光性基板６２ａ’をエッチングする工程Ｐ６７は、第１パターニング工程であるｐ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ６５より後に行い、第２透光性基板６３ａ’をエッチングする工程Ｐ７５は第２パターニング工程であるｐ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ７３より後に行うことにした。これにより、基板６２ａ’の第１主面Ｓ１及び基板６３ａ’の第１主面Ｓ２に導電パターンを形成する作業を、第１透光性基板６２ａ’及び第２透光性基板６３ａ’の厚みが十分に厚い状態で行うことができるので、第１透光性基板６２ａ’及び第２透光性基板６３ａ’が作業中に破損等することを防止できる。
【０１５０】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記の各実施形態では、基板上に形成される導電パターンの１つである配線３（例えば図３参照）を、Ｃｒを主成分とする金属を用いて単層の膜として形成した。しかしながら、配線３は、Ｃｒ以外の材料、例えばＡｌ（アルミニウム）系合金、Ａｇ（銀）系合金又はＣｕ（銅）系合金を用いて、単層の膜として形成することもできる。例えば、Ｃｕ系合金の添加材としてはＭｏを用いることができ、Ａｇ系合金の添加材としてはＰｄ、Ｃｕ、Ｇｅ等を用いることができる。Ａｌ系合金、Ａｇ系合金、銅系合金では、いずれの場合でも、２０００Åの膜厚に形成することで配線のシート抵抗値を０．３Ω程度にできる。
【０１５１】
また、配線３は、ＡｌとＭｏとを積層して形成することもできる。また、配線３は、ＡｌとＭｏ以外の材料、例えば、ＡｌとＣｒを積層して形成することもできる。また、配線３は、異なる種類の金属材料を２層より多く積層して形成することもできる。このように配線３を積層構造とする場合には、金属成膜とそれに続くフォトエッチングとを２回行うことによって配線３を形成できる。また、連続成膜を１回行って、１回のフォトエッチング処理でパターン形成することもできる。例えば、ＡｌとＭｏを夫々２０００Åと２００Åで連続して成膜し、それらの膜を燐硝酢酸のエッチング液で同時にエッチングすれば、１回のフォトエッチング処理で２種類のパターンを形成でき、１回分フォトエッチング工程を省略でき、配線幅も狭くすることが可能である。
【０１５２】
また、図８（ｍ）において、保護膜２５はポジ型の感光性樹脂をスピンコート等によって塗布することによって成膜した。しかしながら、保護膜２５は、感光性樹脂のシートを貼り付ける（いわゆる、ラミネートする）ことによって設けることもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１５３】
【図１】本発明に係る電極基板の製造方法の第１実施形態を基板構造の変遷によって示す図である。
【図２】本発明に係る電極基板の製造方法の第２実施形態を用いて製造する電極基板を示す側面図である。
【図３】図２の矢印Ｚ３方向から基板を示す平面図である。
【図４】図３の基板上に形成される膜要素を複数組み含んだパネル構造体を示す平面図である。
【図５】本発明に係る電極基板の製造方法の第２実施形態を示す工程図である。
【図６】図５の工程図に対応して基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す断面図である。
【図７】図６に続いて基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す断面図である。
【図８】図７に続いて基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す断面図である。
【図９】図５の工程図に対応して基板の第２主面上の膜構成の変遷を示す断面図である。
【図１０】図９に続いて基板の第２主面上の膜構成の変遷を示す断面図である。
【図１１】図６に対応した基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す平面図である。
【図１２】図７に対応した基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す平面図である。
【図１３】図８に対応した基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す平面図である。
【図１４】図９に対応した基板の第２主面上の膜構成の変遷を示す平面図である。
【図１５】図１０に対応した基板の第２主面上の膜構成の変遷を示す平面図である。
【図１６】図５の工程図における分割工程Ｑ３に対応した構造変遷図である。
【図１７】本発明に係る電極基板の製造方法の第３実施形態を基板構造の変遷によって示す図である。
【図１８】本発明に係る基板の製造方法の第４実施形態を示す工程図である。
【図１９】図１８の工程図に対応して基板の膜構成の変遷を示す断面図である。
【図２０】図１９に続いて基板の膜構成の変遷を示す断面図である。
【図２１】本発明に係る電極基板の製造方法の第５実施形態を基板構造の変遷によって示す図である。
【図２２】本発明に係る電極基板の製造方法の第６実施形態を用いて製造する電極基板を示す断面図である。
【図２３】本発明に係る電極基板の製造方法の第７実施形態を基板構造の変遷によって示す図である。
【図２４】本発明に係る電極基板の製造方法の第８実施形態を用いて製造する基板を示す側面図である。
【図２５】本発明に係る電極基板の製造方法の第８実施形態を示す工程図である。
【図２６】図２５の工程図に対応して基板の膜構成の変遷を示す断面図である。
【図２７】図２６に続いて基板の膜構成の変遷を示す断面図である。
【図２８】図２７に続いて基板の膜構成の変遷を示す断面図である。
【図２９】本発明に係る電極基板の製造方法の第９実施形態を基板構造の変遷によって示す図である。
【図３０】本発明に係る電極基板の製造方法の第１０実施形態を用いて製造する基板を示す側面図である。
【図３１】本発明に係る電極基板の製造方法の第１０実施形態を示す工程図である。
【図３２】図３１の工程図に対応して基板の膜構成の変遷を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１５４】
１，５１、６１．電極基板、  １’．パネル構造体、  ２．透光性基板、  
２ａ，２ｂ，２ｃ．端辺、  ２’マザー透光性基板、  ３，５３．配線（金属膜）、  
３’，５３’．材料層、  ４ａ、５４ａ．第１透光性電極（第１電極）、
４ａ’，５４ａ’．ｐ−ＩＴＯ膜（第１導電膜）、  
４ｂ．第２透光性電極（第２電極）、  ４ｂ’．ａ−ＩＴＯ膜（第２導電膜）、  
５ａ，５５ａ．第１端子部（第１電極）、  ５ｂ．第２端子部（第２電極）、  
６，５６．端子部第１層、  ７，５７．端子部第２層、  Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３．露光光、  Ａ０．完全光透過領域、  Ａ１．完全遮光領域、
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６．可溶化領域、  
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ．レジスト（ポジ型感光性樹脂）、
２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ，２２Ｅ，２２Ｆ．露光マスク、
２３．ガラス基板、  ２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ．遮光パターン、  
２５．保護膜（第１保護手段）、  ２６ａ，２６ｂ．保護膜、  
３５．保護膜（第２保護手段）、  ４５．ガラス体、  ４６．接着材、  
６２．第１電極基板、  ６２ａ．第１透光性基板（第１基板）、  ６３．第２電極基板、
６３ａ．第２透光性基板（第２基板）、  ６４．接着材、  Ｓ１．第１主面、  
Ｓ２．第２主面、  Ｓ３．第１透光性基板の第２主面、  Ｓ４．第２透光性基板の第２主面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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