(57)【要約】【課題】輝度均一性を改善した発光装置及びこの発光装置を光源として使用する表示装置を提供する。【解決手段】輝度均一性を改善した発光装置、及び、この発光装置を光源として使用する表示装置を開示する。発光装置は互いに距離を置いて位置する少なくとも２つの発光領域及び発光領域の間に位置する非発光領域を含む発光パネルと、発光パネルの前方に位置し、発光領域に対応する少なくとも２つの第１拡散部と非発光領域に対応する第２拡散部を含む拡散部材を含む。第２拡散部は第１拡散部より高い拡散透過率を有する。【選択図】図１
2008288203.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに距離を置いて位置する少なくとも２つの発光領域及び前記発光領域の間に位置する非発光領域を含む発光パネル；及び
前記発光パネルの前方に位置し、前記発光領域に対応する少なくとも２つの第１拡散部及び前記非発光領域に対応する第２拡散部を含む拡散部材を含み、
前記第２拡散部が前記第１拡散部より高い拡散透過率を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第１拡散部が６０乃至８０％の拡散透過率を有し、前記第２拡散部が８０乃至１００％の拡散透過率を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１拡散部と前記第２拡散部が透明樹脂で形成されるベース層と、前記ベース層に含まれる光分散剤を含み、
前記第２拡散部が前記第１拡散部より高い密度の光分散剤を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１拡散部で単位面積当り前記光分散剤が占める面積比率が５０乃至８０％であり、
前記第２拡散部で単位面積当り前記光分散剤が占める面積比率が７０乃至１００％であることを特徴とする、請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光パネルが、
互いに対向配置される第１基板及び第２基板；
前記第１基板の一面に位置し、電子放出素子からなる電子放出ユニット；
前記第２基板の一面に位置し、蛍光層とアノード電極を含む発光ユニットを含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光パネルが複数の画素領域を形成し、前記それぞれの画素領域は少なくとも１つの電子放出素子を備え、
前記発光領域が前記画素領域に対応し、前記非発光領域が前記画素領域の境界部分に対応することを特徴とする、請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記電子放出素子が、
カソード電極；
前記カソード電極に電気的に連結される電子放出部；及び
絶縁層によって前記カソード電極と絶縁され、前記カソード電極と交差するゲート電極を含むことを特徴とする、請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記電子放出素子が、
第１電極；
前記第１電極と絶縁され、前記第１電極と交差する第２電極；
前記第１電極に電気的に連結される第１導電層；
前記第２電極に電気的に連結され、前記第１導電層と距離を置いて位置する第２導電層；及び
前記第１導電層と前記第２導電層の間に位置する電子放出部を含むことを特徴とする、請求項６に記載の発光装置。
【請求項９】
映像を表示する表示パネル；
前記表示パネルに光を提供し、互いに距離を置いて位置する少なくとも２つの発光領域及び前記発光領域の間に位置する非発光領域を含む発光パネル；及び
前記表示パネルと前記発光パネルの間に位置し、前記発光領域に対応する少なくとも２つの第１拡散部及び前記非発光領域に対応する第２拡散部を備える拡散部材を含み、
前記第２拡散部が前記第１拡散部より高い拡散透過率を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記第１拡散部が６０乃至８０％の拡散透過率を有し、前記第２拡散部が８０乃至１００％の拡散透過率を有することを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１拡散部と前記第２拡散部が透明樹脂で形成されるベース層と、前記ベース層に含まれる光分散剤を含み、
前記第２拡散部が前記第１拡散部より高い密度の光分散剤を含むことを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１拡散部で単位面積当り前記光分散剤が占める面積比率が５０乃至８０％であり、
前記第２拡散部で単位面積当り前記光分散剤が占める面積比率が７０乃至１００％であることを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記発光パネルが、
互いに対向配置される第１基板及び第２基板；
前記第１基板の一面に位置し、電子放出素子からなる電子放出ユニット；
前記第２基板の一面に位置し、蛍光層とアノード電極を含む発光ユニットを含むことを特徴とする、請求項９に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記発光パネルが複数の画素領域を形成し、前記それぞれの画素領域は少なくとも１つの電子放出素子を備え、
前記発光領域が前記画素領域に対応し、前記非発光領域が前記画素領域の境界部分に対応することを特徴とする、請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記表示パネルが第１画素を形成し、前記発光パネルが前記第１画素より少ない個数の第２画素を形成し、前記第２画素別に発光強度を独立的に制御することを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記表示パネルが液晶表示パネルであることを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光装置に関し、より詳しくは輝度均一性を改善した発光装置及びこの発光装置を光源として使用する表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
外部から見る時に、光が射出されていることを認識できる全ての種類の装置を一括して発光装置と言えるならば、前面基板に蛍光層とアノード電極を含む発光ユニットを備え、後面基板に電子放出素子からなる電子放出ユニットを備えた発光装置が公知である。前面基板と後面基板の周縁には密封部材が配置されて両基板を接合させ、内部空間が排気されて真空容器を構成する。
【０００３】
電子放出素子としては電界放出アレイ（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ａｒｒａｙ；ＦＥＡ）型と表面電導放出（ｓｕｒｆａｃｅ-ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ；ＳＣＥ）型がよく知られている。電子放出素子から放出した電子は蛍光層を励起させて可視光を放出させる。この時、アノード電極が数キロボルト以上の高電圧の印加を受けて前記電子を蛍光層に加速させる。
【０００４】
前述した発光装置は液晶表示パネルのような受光型表示パネルを備える表示装置内で光源として利用することができる。この場合、発光装置は輝度均一性が優れていなければならない。
【０００５】
しかし、前記発光装置は駆動時に高密度電子ビームの提供を受ける蛍光層部位では強い光を放出する一方、低密度電子ビームの提供を受ける蛍光層部位では弱い光を放出する。このような輝度差によって従来の発光装置は低い輝度均一性を示す。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本発明は前記問題点を解消するためのもので、解決しようとする課題は、輝度均一性を改善した発光装置及びこの発光装置を光源として使用する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施例による発光装置は、互いに距離を置いて位置する少なくとも２つの発光領域及び発光領域の間に位置する非発光領域を含む発光パネルと、発光パネルの前方に位置し、発光領域に対応する少なくとも２つの第１拡散部及び非発光領域に対応する第２拡散部を含む拡散部材を含む。第２拡散部は第１拡散部より高い拡散透過率を有する。
【０００８】
第１拡散部は６０乃至８０％の拡散透過率を有することができ、第２拡散部は８０乃至１００％の拡散透過率を有することができる。
【０００９】
第１拡散部と第２拡散部は透明樹脂で形成されるベース層と、ベース層に含まれた光分散剤を含み、第２拡散部が第１拡散部より高い密度の光分散剤を含むことができる。
【００１０】
第１拡散部で単位面積当り光分散剤が占める面積比率は５０乃至８０％であってもよく、第２拡散部で単位面積当り光分散剤が占める面積比率は７０乃至１００％であってもよい。
【００１１】
発光パネルは互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、第１基板の一面に位置し、電子放出素子からなる電子放出ユニットと、第２基板の一面に位置し、蛍光層とアノード電極を含む発光ユニットを含むことができる。
【００１２】
発光パネルは複数の画素領域を形成し、それぞれの画素領域は少なくとも１つの電子放出素子を備えることができる。発光領域は画素領域に対応し、非発光領域は画素領域の境界部分に対応することができる。
【００１３】
電子放出素子はカソード電極と、カソード電極に電気的に連結される少なくとも１つの電子放出部と、絶縁層によってカソード電極から絶縁され、カソード電極と交差するゲート電極を含むことができる。
【００１４】
一方、電子放出素子は第１電極と、第１電極と絶縁されて第１電極と交差する第２電極と、第１電極に電気的に連結される第１導電層と、第２電極に電気的に連結され、第１導電層と距離を置いて位置する第２導電層と、第１導電層と第２導電層の間に位置する電子放出部を含むことができる。
【００１５】
本発明の一実施例による表示装置は、映像を表示する表示パネルと、表示パネルに光を提供し、互いに距離を置いて位置する少なくとも２つの発光領域及び発光領域の間に位置する非発光領域を含む発光パネルと、表示パネルと発光パネルの間に位置し、発光領域に対応する少なくとも２つの第１拡散部及び非発光領域に対応する第２拡散部を備える拡散部材を含む。第２拡散部は第１拡散部より高い拡散透過率を有する。
【００１６】
表示パネルが第１画素を形成する時、発光パネルは第１画素より少ない個数の第２画素を形成し、第２画素別に発光強度を独立的に制御することができる。表示パネルは液晶表示パネルであり得る。
【発明の効果】
【００１７】
本発明による発光装置は、発光パネルの前方に第１拡散部と第２拡散部からなる拡散部材を備えることによって輝度均一性を改善することができる。また、前記発光装置を光源として使用する本発明による表示装置は発光パネルの画素別輝度制御によって画面のコントラスト比を高め、表示品質を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施例について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は多様で相異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限られない。
【００１９】
本発明の実施例で発光装置と称するものは、外部から見る時、光を射出していることを認識することができる全ての装置を含む。したがって、記号、文字、数字及び映像などを表示して情報を伝達するすべてのディスプレイの装置も発光装置に含まれる。また、発光装置は表示装置で受光型表示パネルに光を提供する光源として利用することができる。
【００２０】
図１から図４を参照して本発明の第１実施例による発光装置について説明する。
【００２１】
図１と図２を参照すると、本実施例の発光装置１００は発光パネル１０と、発光パネル１０の前方で発光パネル１０と所定の距離を置いて位置する拡散部材５０を含む。
【００２２】
発光パネル１０は互いに対向配置される第１基板１２と第２基板１４及び第１基板１２と第２基板１４の間に配置されて両基板（１２、１４）を接合させる密封部材２４からなる真空容器を含む。真空容器の内部はほぼ１０-６Ｔｏｒｒの真空度を維持する。
【００２３】
発光パネル１０は駆動時に互いに距離を置いて位置する複数の発光領域１６と、発光領域１６の間に位置する格子模様の非発光領域１８を形成する。発光パネル１０はまた、発光パネル１０内部の駆動電極と第１基板１２の裏面に位置する駆動回路アセンブリー（図示せず）を連結して駆動電極に駆動電圧を印加する接続部材（２０、２２）を含む。
【００２４】
図３と図４を参照すると、第１基板１２と第２基板１４の中で密封部材２４の内側に位置する領域は実際可視光放出に寄与する有効領域と、有効領域を囲む非有効領域に区分することができる。第１基板１２内面の有効領域には電子放出のための電子放出ユニット２６が位置し、第２基板１４内面の有効領域には可視光放出のための発光ユニット２８が位置する。
【００２５】
発光ユニット２８が位置する第２基板１４が発光装置１０の前面基板になることができ、電子放出ユニット２６が位置する第１基板１２が発光装置１０の後面基板になることができる。第１基板１２と第２基板１４の間にはスペーサ（図示せず）が配置されて両基板（１２、１４）の間隔を一定に維持させる。
【００２６】
本実施例で電子放出ユニット２６は電界放出アレイ（ＦＥＡ）型電子放出素子からなる。
【００２７】
電子放出ユニット２６は電子放出部３０と、電子放出部３０の電子放出量を制御する駆動電極（３２、３４）を含む。駆動電極（３２、３４）は第１基板１２の一方向（図３に示されたｙ軸方向）に沿って帯状で形成されるカソード電極３２と、絶縁層３６を介してカソード電極３２上部でカソード電極３２と交差する方向（図３に示されたｘ軸方向）に沿って帯状で形成されるゲート電極３４を含む。
【００２８】
カソード電極３２とゲート電極３４の交差領域ごとにゲート電極３４と絶縁層３６に開口部３４１、３６１が形成されてカソード電極３２の表面を一部露出させ、絶縁層開口部３６１内側にカソード電極３２上に電子放出部３０が位置する。
【００２９】
電子放出部３０は真空中で電界が加えられると電子を放出する物質、たとえば炭素系物質またはナノメートル（ｎｍ）サイズ物質を含むことができる。電子放出部３０は例えば、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、フラレン（Ｃ６０）、シリコンナノワイヤー及びこれらの組み合わせからなる群より選択される物質を含むことができる。
【００３０】
この他、電子放出部はモリブデン（Ｍｏ）またはシリコン（Ｓｉ）等を主材質とする先端のとがっているチップ構造物として作ることができる。
【００３１】
上述した構造で１つのカソード電極３２と１つのゲート電極３４及びカソード電極３２とゲート電極３４の交差領域に位置する電子放出部３０が１つの電子放出素子を構成する。そして、１つの電子放出素子または２つ以上の電子放出素子が集まって発光パネル１０の１つの画素領域を形成する。
【００３２】
次に、発光ユニット２８はアノード電極３８と、アノード電極３８の一面に位置する蛍光層４０と、蛍光層４０を覆う反射膜４２を含む。
【００３３】
アノード電極３８は蛍光層４０から放射される可視光を透過させるようにＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）のような透明な導電物質で形成される。アノード電極３８は電子ビームを引き寄せる加速電極で、数千ボルト以上の正の直流電圧（つまり、アノード電圧）の印加を受けて蛍光層４０を高電位状態に維持する。
【００３４】
蛍光層４０は赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体が混合されて白色光を放出する混合蛍光体で形成されることができる。蛍光層４０は第２基板１４の有効領域全体に位置することができ、画素領域ごとに分離されて位置することもできる。図３と図４では蛍光層４０が第２基板１４の有効領域全体に位置する場合を示した。
【００３５】
反射膜４２は数千オームストロング（Å）の薄い厚さと電子ビーム通過のための微細ホールを備えるアルミニウム膜からなることができる。反射膜４２は蛍光層４０で放射された可視光の中で第１基板１２に向かって放射された可視光を第２基板１４側に反射させて発光装置１０の輝度を高める役割を果たす。
【００３６】
一方、上述したアノード電極３８が省略され、反射膜４２がアノード電圧の印加を受けてアノード電極として機能することができる。
【００３７】
上述した構造の発光パネル１０はカソード電極３２とゲート電極３４のうちのいずれか１つの電極に走査駆動電圧を印加し、他の１つの電極にデータ駆動電圧を印加し、アノード電極３８にアノード電圧を印加して駆動する。
【００３８】
その結果、カソード電極３２とゲート電極３４の電圧差が臨界値以上である画素で電子放出部３０周囲に電界が形成され、これから電子が放出される。放出された電子はアノード電極３８に印加されたアノード電圧に引かれて対応する蛍光層４０部位に衝突することでこれを発光させる。
【００３９】
蛍光層４０が第２基板１４の有効領域全体に位置する場合、画素領域に対応する蛍光層４０部位は電子放出素子から高い密度の電子を提供されて高い輝度を示す。これに反し、画素領域の間に対応する蛍光層４０部位は電子放出素子から発散された低い密度の電子を提供されて低い輝度を示す。
【００４０】
一方、蛍光層が互いに距離を置いて画素領域ごとに分離されて位置する場合、発光パネル１０は蛍光層の間に非発光領域を形成する。
【００４１】
したがって、発光パネル１０は図１に示したように互いに距離を置いて位置する複数の発光領域１６と、発光領域１６の間に位置する非発光領域１８（または低発光領域）を形成する。発光領域１６は発光パネル１０の行方向（図１に表記したｘ軸方向）及び列方向（図１に表記したｙ軸方向）に沿って互いに距離を置いて位置することができ、非発光領域１８は格子模様に形成されることができる。
【００４２】
再び図１と図２を参照すると、拡散部材５０は発光パネル１０の発光領域１６から射出する光を拡散させ、発光パネル１０の発光領域１６に対応する第１拡散部５２と、発光パネル１０の非発光領域１８に対応する第２拡散部５４からなる。拡散部材５０は板形態を維持する拡散プレートで形成されることができる。
【００４３】
第１拡散部５２と第２拡散部５４は透明樹脂で形成されるベース層５６と、ベース層５６の内部またはベース層５６の表面に位置する光分散剤５８で構成される。光分散剤５８はベース層５６と光透過率の異なる微細ビーズからなることができる。図２では例えば、光分散剤５８がベース層５６内部に位置する場合を示した。
【００４４】
光分散剤５８は第１拡散部５２より第２拡散部５４でさらに高い密度で分布する。したがって、第１拡散部５２より第２拡散部５４で光拡散がさらによく行われ、第２拡散部５４が第１拡散部５２より高い拡散透過率を有する。
【００４５】
例えば、第１拡散部５２で単位面積当り光分散剤５８が占める面積比率は５０乃至８０％であってもよく、第１拡散部５２は６０乃至８０％の拡散透過率を有することができる。第２拡散部５４で単位面積当り光分散剤５８が占める面積比率は７０乃至１００％であってもよく、第２拡散部５４は８０乃至１００％の拡散透過率を有することができる。
【００４６】
ここで、第１拡散部５２の拡散透過率が６０％以下になれば、発光装置の輝度均一度を劣化させることができ、第１拡散部５２の拡散透過率が８０％以上になれば、発光装置の光透過率を減少させることができる。
【００４７】
上述した構成の拡散部材５０では発光パネル１０から射出された光が拡散部材５０を通過する時、輝度の高い発光領域１６で放出された光は第１拡散部５２によって拡散すると同時に、輝度の低い非発光領域１８及び非発光領域１８の周辺から放出された光は第２拡散部５４によって第１拡散部５２よりさらに高い効率で拡散する。
【００４８】
したがって、第１拡散部５２を通過した光の強さと第２拡散部５４を通過した光の強さはその差が最小化されて発光装置１００の輝度均一性を高めることができる。その結果、拡散部材５０を観察する観察者は発光パネル１０の非発光領域１８を視覚的に認識することができなくなる。
【００４９】
以下、図５と図６を参照して本発明の第２実施例による発光装置について説明する。第１実施例と同一部材に対しては同じ引用符号を使用する。
【００５０】
図５と図６を参照すると、本実施例の発光装置は発光パネル１０１の電子放出ユニット２６１が表面−伝導放出（ＳＣＥ）型電子放出素子で構成されることを除いて上述した第１実施例の発光装置と同一な構成からなる。
【００５１】
電子放出ユニット２６１は第１基板１２の一方向（図６に表示されたｙ軸方向）に沿って位置する第１電極４３と、第１電極４３と直交する方向（図６に表示されたｘ軸方向）に沿って位置し、第１電極４３から絶縁されている第２電極４４と、それぞれの第１電極４３と電気的に連結される第１導電膜４６と、それぞれの第２電極４４と電気的に連結され、第１導電膜４６と距離を置いて位置する第２導電膜４８と、第１導電膜４６と第２導電膜４８の間に位置する電子放出部４９を含む。
【００５２】
電子放出部４９は炭素系物質を含む所定の層からなることができる。この場合、電子放出部４９は炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド状炭素、フラレン（Ｃ６０）及びこれらの組み合わせからなる群より選択された物質を含むことができる。一方、電子放出部は第１導電膜４６と第２導電膜４８の間に位置する微細クラック又は繊維の集合として存在することができる。
【００５３】
上述した構造で１つの第１電極４３、１つの第２電極４４、１つの第１導電膜４６、１つの第２導電膜４８及び１つの電子放出部４９が１つの電子放出素子を構成する。そして１つの電子放出素子または２つ以上の電子放出素子が集まって発光パネル１０１の１つの画素領域を形成する。
【００５４】
第１電極４３と第２電極４４に駆動電圧を印加すると、第１導電膜４６と第２導電膜４８を通じて電子放出部４９の表面と水平方向に電流が流れながら、電子放出部４９から表面伝導型電子放出が行われる。
【００５５】
以下、図７と図８を参照して上述した第１実施例または第２実施例の発光装置を光源として使用する本発明の一実施例による表示装置について説明する。
【００５６】
図７を参照すると、本実施例の表示装置２００は発光パネル１０と拡散部材５０で構成される発光装置１００と、発光装置１００の前方に位置する表示パネル６０を含む。表示パネル６０の前方にはトップシャーシ（図示せず）が位置し、発光装置１００の後方にはボトムシャーシ（図示せず）が位置する。
【００５７】
表示パネル６０は液晶表示パネルまたは他の受光型表示パネルからなる。以下では表示パネル６０が液晶表示パネルである場合について説明する。
【００５８】
図８を参照すると、表示パネル６０は複数の薄膜トランジスター（ＴＦＴ）７２と複数の画素電極７４が形成された下部基板６２と、カラーフィルター層７６と共通電極７８が形成された上部基板６４と、この基板（６２、６４）の間に注入された液晶層８０を含む。上部基板６４の上面と下部基板６２の下面には偏光板（８２、８４）が付着されて表示パネル６０を通過する光を偏光させる。
【００５９】
画素電極７４は副画素ごとに１つずつ位置し、薄膜トランジスター７２によって駆動が制御される。画素電極７４と共通電極７８は透明な導電物質で形成される。カラーフィルター層７６は副画素別に１つずつ位置する赤色フィルター層、緑色フィルター層及び青色フィルター層を含む。
【００６０】
特定副画素のＴＦＴ７２が導通すると、画素電極７４と共通電極７８の間に電界が形成され、この電界によって液晶分子の配列角が変化し、変化された配列角によって光透過度が変化する。表示パネル６０はこのような過程を通じて画素別輝度と発光色を制御することができる。
【００６１】
図７で引用符号６６は各ＴＦＴのゲート電極にゲート駆動信号を伝送するゲート回路ボードアセンブリーを示し、引用符号６８は各ＴＦＴのソース電極にデータ駆動信号を伝送するデータ回路ボードアセンブリーを示す。
【００６２】
図７を参照すると、発光パネル１０は表示パネル６０より少ない数の画素を形成して発光パネル１０の１つの画素を２つ以上の表示パネル６０画素に対応させる。発光パネル１０の各画素はこれに対応する複数の表示パネル６０画素のうちの最も高い階調に対応して発光することができ、２乃至８ビットの階調を表現することができる。
【００６３】
便宜上表示パネル６０の画素を第１画素と言い、発光パネル１０の画素を第２画素、１つの第２画素に対応する第１画素を第１画素群と称する。
【００６４】
発光パネル１０の駆動過程は（１）表示パネル６０を制御する信号制御部（図示せず）が第１画素群の第１画素のうちの最も高い階調を検出し、（２）検出された階調によって第２画素発光に必要な階調を算出し、これをデジタルデータに変換し、（３）デジタルデータを利用して発光パネル１０の駆動信号を生成し、（４）生成された駆動信号を発光パネル１０の駆動電極に印加する段階を含むことができる。
【００６５】
発光パネル１０の駆動信号は走査駆動信号とデータ駆動信号からなる。上述したカソード電極とゲート電極のうちのいずれか１つの電極（例えば、ゲート電極）が走査駆動信号の印加を受け、他の１つの電極（例えば、カソード電極）がデータ駆動信号の印加を受ける。
【００６６】
発光パネル１０の駆動のための走査回路ボードアセンブリーとデータ回路ボードアセンブリーは発光パネル１０の裏面に位置することができる。図７で引用符号２０がカソード電極とデータ回路ボードアセンブリーを連結する第１接続部材を示し、引用符号２２がゲート電極と走査回路ボードアセンブリーを連結する第２接続部材を示す。そして、引用符号７０はアノード電極にアノード電圧を印加する第３接続部材を示す。
【００６７】
このように発光パネル１０の第２画素は対応する第１画素群に映像が表示される時、第１画素群に同期して所定の階調で発光する。つまり、発光パネル１０は表示パネル６０が実現する画面の中で明るい領域には高い輝度の光を提供し、暗い領域には低い輝度の光を提供する。従って、本実施例の表示装置２００は画面のコントラスト比を高め、より鮮明な画質を実現することができる。
【００６８】
前記では本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されることでなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属することは当然である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１実施例による発光装置の分解斜視図である。
【図２】図１に示す発光装置の部分断面図である。
【図３】図１に示す発光パネルの有効領域内部を示す部分切開斜視図である。
【図４】図１に示した発光パネルの部分断面図である。
【図５】本発明の第２実施例による発光装置における発光パネルの部分断面図である。
【図６】図５に示す電子放出ユニットの部分平面図である。
【図７】本発明の一実施例による表示装置の分解斜視図である。
【図８】図７に示す表示パネルの部分断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０  発光パネル
１２  第１基板
１４  第２基板
１６  発光領域
１８  非発光領域
２０、２２  接続部材
２４  密封部材
２６  電子放出ユニット
２８  発光ユニット
３０、４９  電子放出部
３２、３４  駆動電極
３８  アノード電極
４０  蛍光層
４２  反射膜
４３  第１電極
４４  第２電極
５０  拡散部材
５２  第１拡散部
５４  第２拡散部
５６  ベース層
５８  光分散剤
６０  表示パネル
６２  下部基板
６４  上部基板
７２  薄膜トランジスター
７４  画素電極
７６  カラーフィルター層
７８  共通電極
８０  液晶層
１００  発光装置
１０１  発光パネル
２００  表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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