(57)【要約】【課題】  ベース板を有する半導体装置を製造する際に発生するベース板の反りを低減する。【解決手段】  ウエハ状態の単なるシリコン基板からなるベース板１上の複数の箇所に半導体構成体６を配置し、それらの上にエポキシ系樹脂からなる封止膜１７を形成する。この場合、封止膜１７は、当初は液状であるが、その後の加熱により硬化する。そして、ウエハ状態のベース板１は半導体構成体６のシリコン基板８と同一のシリコン基板によって形成されているので、このときの加熱によりウエハ状態のベース板１に発生する反りが低減される。【選択図】  図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体からなるベース板と、前記ベース板上に設けられた下層配線と、前記ベース板上に設けられ、半導体からなる半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の柱状電極を有する半導体構成体と、前記半導体構成体の周囲に設けられた前記下層配線の接続パッド部上に設けられた上下導通用柱状電極と、前記半導体構成体の半導体基板上および前記半導体構成体の周囲における前記ベース板上において前記半導体構成体の柱状電極の周囲および前記上下導通用柱状電極の周囲に設けられた封止膜と、前記封止膜上に前記半導体構成体の柱状電極の上面および前記上下導通用柱状電極の上面に接続されて設けられた上層配線とを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記封止膜の上面は前記半導体構成体の柱状電極の上面および前記上下導通用柱状電極の上面と面一となっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記下層配線は、前記ベース板の上面に設けられた下層絶縁膜の上面に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記上層配線は、前記封止膜の上面に設けられた上層絶縁膜の上面に設けられ、前記上層絶縁膜に設けられた開口部を介して前記半導体構成体の柱状電極の上面および前記上下導通用柱状電極の上面に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、上面に複数の接続パッドが設けられた前記半導体基板と、前記半導体基板の上面に設けられ、前記接続パッドに対応する部分に開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の開口部を介して露出された前記接続パッド上およびその周囲における前記絶縁膜上に設けられた前記柱状電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、上面に複数の接続パッドが設けられた前記半導体基板と、前記半導体基板の上面に設けられ、前記接続パッドに対応する部分に開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に該絶縁膜の開口部を介して前記接続パッドに接続されて設けられた配線と、前記配線の接続パッド部上に設けられた前記柱状電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部上に外部接続用柱状電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記外部接続用柱状電極の周囲に上層封止膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記外部接続用柱状電極上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部以外を覆うオーバーコート膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
半導体からなるベース板上に下層配線を形成する工程と、
前記ベース板上の半導体構成体配置領域の周囲に設けられた前記下層配線の接続パッド部上に上下導通用柱状電極を形成する工程と、
前記ベース板上の半導体構成体配置領域に、半導体からなる半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の柱状電極を有する半導体構成体を配置する工程と、
前記半導体構成体の半導体基板上および前記半導体構成体の周囲における前記ベース板上に封止膜をその厚さが前記半導体構成体の柱状電極の高さおよび前記上下導通用柱状電極の高さよりも厚くなるように形成する工程と、
前記封止膜の上面側を研削して、前記半導体構成体の柱状電極の上面および前記上下導通用柱状電極の上面を露出させ、且つ、この露出された前記半導体構成体の柱状電極の上面および前記上下導通用柱状電極の上面を含む前記封止膜の上面を平坦化する工程と、
前記封止膜上に上層配線を前記半導体構成体の柱状電極の上面および前記上下導通用柱状電極の上面に接続させて形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部上に外部接続用柱状電極を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の発明において、前記外部接続用柱状電極の周囲に上層封止膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の発明において、前記外部接続用柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部以外を覆うオーバーコート膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、半導体チップのサイズ外にも外部接続端子としての半田ボールを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。この場合、上面に複数の接続パッドを有する半導体チップは、それよりもサイズが大きいベース板の上面に配置されている。半導体チップの周囲におけるベース板の上面には絶縁膜が設けられている。半導体チップおよび絶縁膜の上面には上層絶縁膜が設けられている。上層絶縁膜の上面には上層配線が半導体チップの接続パッドに接続されて設けられている。上層配線の接続パッド部以外はオーバーコート膜によって覆われている。上層配線の接続パッド部上面には半田ボールが設けられている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２９８００５号公報
【０００４】
上記従来の半導体装置を製造する場合、生産性を高めるために、まず、完成された半導体装置を複数個形成することが可能な面積を有するベース板の上面に複数の半導体チップを相互に離間させて配置する。次に、各半導体チップの周囲におけるベース板の上面に絶縁膜を形成し、半導体チップおよび絶縁膜の上面に上層絶縁膜を形成する。次に、上層絶縁膜の上面に上層配線を半導体チップの接続パッドに接続させて形成する。次に、上層配線の接続パッド部以外をオーバーコート膜で覆う。次に、上層配線の接続パッド部上面には半田ボールを形成する。次に、半導体チップ間におけるベース板、絶縁膜、上層絶縁膜およびオーバーコート膜を切断し、上記従来の半導体装置を複数個得ている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記従来の半導体装置の製造方法では、ベース板を樹脂板、金属板、ガラス板等によって形成しているので（特許文献１の第８段落参照）、例えば絶縁膜を形成するとき、エポキシ系樹脂等の未硬化樹脂からなる絶縁膜形成用膜を加熱して硬化させると、ベース板と半導体チップのシリコン基板との間の熱膨張係数差に起因する応力により、ベース板が比較的大きく反ってしまい、それ以後の工程への搬送やそれ以後の工程での加工精度に支障を来すという問題があった。
【０００６】
そこで、この発明は、ベース板の反りを低減することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、半導体からなるベース板と、前記ベース板上に設けられた下層配線と、前記ベース板上に設けられ、半導体からなる半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の柱状電極を有する半導体構成体と、前記半導体構成体の周囲に設けられた前記下層配線の接続パッド部上に設けられた上下導通用柱状電極と、前記半導体構成体の半導体基板上および前記半導体構成体の周囲における前記ベース板上において前記半導体構成体の柱状電極の周囲および前記上下導通用柱状電極の周囲に設けられた封止膜と、前記封止膜上に前記半導体構成体の柱状電極の上面および前記上下導通用柱状電極の上面に接続されて設けられた上層配線とを備えていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記封止膜の上面は前記半導体構成体の柱状電極の上面および前記上下導通用柱状電極の上面と面一となっていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記下層配線は、前記ベース板の上面に設けられた下層絶縁膜の上面に設けられていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記上層配線は、前記封止膜の上面に設けられた上層絶縁膜の上面に設けられ、前記上層絶縁膜に設けられた開口部を介して前記半導体構成体の柱状電極の上面および前記上下導通用柱状電極の上面に接続されていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、上面に複数の接続パッドが設けられた前記半導体基板と、前記半導体基板の上面に設けられ、前記接続パッドに対応する部分に開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の開口部を介して露出された前記接続パッド上およびその周囲における前記絶縁膜上に設けられた前記柱状電極とを有することを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、上面に複数の接続パッドが設けられた前記半導体基板と、前記半導体基板の上面に設けられ、前記接続パッドに対応する部分に開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に該絶縁膜の開口部を介して前記接続パッドに接続されて設けられた配線と、前記配線の接続パッド部上に設けられた前記柱状電極とを有することを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部上に外部接続用柱状電極が設けられていることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置は、請求項７に記載の発明において、前記外部接続用柱状電極の周囲に上層封止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置は、請求項８に記載の発明において、前記外部接続用柱状電極上に半田ボールが設けられていることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部以外を覆うオーバーコート膜を有することを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１０に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられていることを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体からなるベース板上に下層配線を形成する工程と、前記ベース板上の半導体構成体配置領域の周囲に設けられた前記下層配線の接続パッド部上に上下導通用柱状電極を形成する工程と、前記ベース板上の半導体構成体配置領域に、半導体からなる半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の柱状電極を有する半導体構成体を配置する工程と、前記半導体構成体の半導体基板上および前記半導体構成体の周囲における前記ベース板上に封止膜をその厚さが前記半導体構成体の柱状電極の高さおよび前記上下導通用柱状電極の高さよりも厚くなるように形成する工程と、前記封止膜の上面側を研削して、前記半導体構成体の柱状電極の上面および前記上下導通用柱状電極の上面を露出させ、且つ、この露出された前記半導体構成体の柱状電極の上面および前記上下導通用柱状電極の上面を含む前記封止膜の上面を平坦化する工程と、前記封止膜上に上層配線を前記半導体構成体の柱状電極の上面および前記上下導通用柱状電極の上面に接続させて形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部上に外部接続用柱状電極を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記外部接続用柱状電極の周囲に上層封止膜を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項１５に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記外部接続用柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項１６に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部以外を覆うオーバーコート膜を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項１７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１６に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、ベース板を半導体構成体の半導体基板と同一の半導体によって形成しているので、ベース板と半導体構成体の半導体基板との熱膨張係数が同じであり、これによりベース板の反りを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての半導体装置の断面部を示す。この半導体装置はシリコン（半導体）からなる平面方形状のベース板１を備えている。ベース板１の上面にはポリイミド系樹脂等からなる下層絶縁膜２が設けられている。下層絶縁膜２の上面には下層配線３が設けられている。下層配線３は、下層絶縁膜２の上面に設けられた銅等からなる下地金属層４と、下地金属層４の上面に設けられた銅からなる上部金属層５との２層構造となっている。
【００１０】
下層配線３を含む下層絶縁膜２の上面中央部には、ベース板１のサイズよりもある程度小さいサイズの平面方形状の半導体構成体６の下面が接着層７を介して接着されている。半導体構成体６は、次に詳述するが、シリコン基板（半導体基板）８、接続パッド９、絶縁膜１０、保護膜１２、下地金属層１４および柱状電極１５により構成されている。
【００１１】
すなわち、半導体構成体６はシリコン基板８を備えている。シリコン基板８の下面は下層配線３を含む下層絶縁膜２の上面中央部に接着層７を介して接着されている。シリコン基板８の上面には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド９が集積回路に接続されて設けられている。接続パッド９の中央部を除くシリコン基板８の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜１０が設けられ、接続パッド９の中央部は絶縁膜１０に設けられた開口部１１を介して露出されている。
【００１２】
絶縁膜１０の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜（絶縁膜）１２が設けられている。絶縁膜１０の開口部１１に対応する部分における保護膜１２には開口部１３が設けられている。絶縁膜１０および保護膜１２の開口部１１、１３を介して露出された接続パッド９の上面およびその周囲の保護膜１２の上面には銅等からなる下地金属層１４が設けられている。下地金属層１４の上面には銅等からなる柱状電極１５が設けられている。
【００１３】
半導体構成体６の周囲に設けられた下層配線３の接続パッド部上面には銅からなる上下導通用柱状電極１６が設けられている。上下導通用柱状電極１６の高さは、下層配線３の上面に設けられた接着層７の厚さと柱状電極１５の部分を含む半導体構成体６の高さとの合計値（例えば、１００μｍ以上）となっている。半導体構成体６の保護膜１２の上面および半導体構成体６の周囲における下層配線３を含む下層絶縁膜２の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１７がその上面が柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６の上面と面一となるように設けられている。
【００１４】
柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６の上面を含む封止膜１７の上面にはポリイミド系樹脂等からなる上層絶縁膜１８が設けられている。柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６の上面中央部に対応する部分における上層絶縁膜１８には開口部１９、２０が設けられている。上層絶縁膜１８の上面には上層配線２１が設けられている。上層配線２１は、上層絶縁膜１８の上面に設けられた銅等からなる下地金属層２２と、下地金属層２２の上面に設けられた銅からなる上部金属層２３との２層構造となっている。上層配線２１は、上層絶縁膜１８の開口部１９、２０を介して柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６の上面に接続されている。
【００１５】
上層配線２１の接続パッド部上面には銅からなる外部接続用柱状電極２４が設けられている。上層配線２１を含む上層絶縁膜１８の上面にはエポキシ系樹脂等からなる上層封止膜２５がその上面が外部接続用柱状電極２４の上面と面一となるように設けられている。外部接続用柱状電極２４の上面には半田ボール２６が設けられている。
【００１６】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明するに、まず、半導体構成体６の製造方法の一例について簡単に説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板８上にアルミニウム系金属等からなる接続パッド９、酸化シリコン等からなる絶縁膜１０、ポリイミド系樹脂等からなる保護膜１２、銅等からなる下地金属層１４および銅等からなる柱状電極１５が形成されたものを用意する。この場合、ウエハ状態のシリコン基板８の厚さは、図１に示すシリコン基板８の厚さよりもある程度厚くなっている。
【００１７】
ウエハ状態のシリコン基板８の上面において各半導体構成体６が形成される領域には所定の機能の集積回路（図示せず）が形成され、接続パッド９はそれぞれ対応する領域に形成された集積回路に接続されている。なお、図２において、符号３１で示す領域は、個片化するための切断ラインに対応する領域である。
【００１８】
次に、図３に示すように、ウエハ状態のシリコン基板８の下面側を適宜に研削し、ウエハ状態のシリコン基板８の厚さを極力例えば５０μｍ程度と薄くする。このように、ウエハ状態のシリコン基板８の厚さを極力薄くするのは、図１に示す上下導通用柱状電極１６を後述の如く形成するとき、上下導通用柱状電極１６の高さをなるべく低くすることができるようにするためである。
【００１９】
次に、図４に示すように、ウエハ状態のシリコン基板８の下面に接着層７を接着する。接着層７は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等のダイボンド材からなるものであり、加熱加圧により、半硬化した状態でウエハ状態のシリコン基板８の下面に固着する。次に、図５に示すように、ウエハ状態のシリコン基板８、絶縁膜１０、保護膜１２および接着層７を切断ライン３１に沿って切断すると、個片化されたシリコン基板８の下面に接着層７を有する半導体構成体６が複数個得られる。
【００２０】
次に、このようにして得られた半導体構成体６を用いて、図１に示す半導体装置を製造する場合の一例について説明する。まず、図６に示すように、ウエハ状態の単なるシリコン基板からなるベース板（以下、ウエハ状態のベース板１という）を用意する。次に、ウエハ状態のベース板１の上面に、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、ポリイミド系樹脂等からなる下層絶縁膜２を形成する。なお、図６において、符号３２で示す領域は、個片化するための切断ラインに対応する領域である。
【００２１】
次に、図７に示すように、下層絶縁膜２の上面全体に下地金属層４を形成する。この場合、下地金属層４は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００２２】
次に、下地金属層４の上面にメッキレジスト膜３３をパターン形成する。この場合、上部金属層５形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜３３には開口部３４が形成されている。次に、下地金属層４をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜３３の開口部３４内の下地金属層４の上面に上部金属層５を形成する。次に、メッキレジスト膜３３を剥離する。
【００２３】
次に、図８に示すように、上部金属層５を含む下地金属層４の上面にメッキレジスト膜３５をパターン形成する。この場合、上部金属層５の接続パッド部つまり上下導通用柱状電極１６形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜３５には開口部３６が形成されている。次に、下地金属層４をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜３５の開口部３６内の上部金属層５の接続パッド部上面に上下導通用柱状電極１６を形成する。
【００２４】
次に、メッキレジスト膜３５を剥離し、次いで、上部金属層５をマスクとして下地金属層４の不要な部分をエッチングして除去すると、図９に示すように、上部金属層５下にのみ下地金属層４が残存される。この状態では、下地金属層４およびその上面に形成された上部金属層５により、下層配線３が形成されている。
【００２５】
次に、図１０に示すように、下層配線３を含む下層絶縁膜２の上面の互いに離間する複数の半導体構成体配置領域に複数の半導体構成体６のシリコン基板８の下面に固着された接着層７を接着する。ここでの接着は、加熱加圧により、接着層７を本硬化させる。ここで、上下導通用柱状電極１６は、半導体構成体６の周囲に形成された下層配線３の接続パッド部上面に形成されている。
【００２６】
次に、図１１に示すように、半導体構成体６、下層配線３および上下導通用柱状電極１６を含む下層絶縁膜２の上面に、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、エポキシ系樹脂等からなる封止膜１７をその厚さが柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６の上面は封止膜１７によって覆われている。
【００２７】
ここで、封止膜１７は、スクリーン印刷法、スピンコート法等により塗布された状態では液状であり、硬化温度以上で加熱されると硬化する。この場合、ウエハ状態のベース板１は半導体構成体６のシリコン基板８と同一のシリコン基板（半導体）によって形成されているので、ウエハ状態のベース板１と半導体構成体６のシリコン基板８との熱膨張係数が同じである。したがって、この時の加熱によりウエハ状態のベース板１に発生する反りが低減される。このようなことは、後述する上層絶縁膜１８および上層封止膜２５を形成する時も同様である。
【００２８】
次に、封止膜１７および柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６の上面側を適宜に研削し、図１２に示すように、柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６の上面を含む封止膜１７の上面を平坦化する。このように、柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６の上面を含む封止膜１７の上面を平坦化しているので、研削前の柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６の上面の高さ位置に多少のばらつきがあっても、研削後の柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６の上面の高さ位置を確実に同じとすることができる。
【００２９】
次に、図１３に示すように、柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６を含む封止膜１７の上面に、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、ポリイミド系樹脂等からなる上層絶縁膜１８を形成する。次に、柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６の上面中央部に対応する部分における上層絶縁膜１８に、レーザビームを照射するレーザ加工、フォトリソグラフィ法等により、開口部１９、２０を形成する。
【００３０】
次に、図１４に示すように、上層絶縁膜１８の開口部１９、２０を介して露出された柱状電極１５、上下導通用柱状電極１６の上面を含む上層絶縁膜１８の上面全体に、無電解メッキ等により、銅等からなる下地金属層２２を形成する。次に、下地金属層２２の上面にメッキレジスト膜３７をパターン形成する。この場合、上部金属層２３形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜３７には開口部３８が形成されている。次に、下地金属層２２をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜３７の開口部３８内の下地金属層２２の上面に上部金属層２３を形成する。次に、メッキレジスト膜３７を剥離する。
【００３１】
次に、図１５に示すように、上部金属層２３を含む下地金属層２２の上面にメッキレジスト膜３９をパターン形成する。この場合、上部金属層２３の接続パッド部つまり外部接続用柱状電極２４形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜３９には開口部４０が形成されている。次に、下地金属層２２をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行うことにより、メッキレジスト膜３９の開口部４０内の上部金属層２３の接続パッド部上面に外部接続用柱状電極２４を形成する。
【００３２】
次に、メッキレジスト膜３９を剥離し、次いで、上部金属層２３をマスクとして下地金属層２２の不要な部分をエッチングして除去すると、図１６に示すように、上部金属層２３下にのみ下地金属層２２が残存される。この状態では、下地金属層２２とその上面に形成された上部金属層２３とにより、上層配線２１が形成されている。
【００３３】
次に、図１７に示すように、上層配線２１および外部接続用柱状電極２４を含む上層絶縁膜１８の上面に、スクリーン印刷、スピンコート法等により、エポキシ系樹脂等からなる上層封止膜２５をその厚さが外部接続用柱状電極２４の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、外部接続用柱状電極２４の上面は上層封止膜２５によって覆われている。
【００３４】
次に、上層封止膜２５および外部接続用柱状電極２４の上面側を適宜に研削し、図１８に示すように、外部接続用柱状電極２４の上面を露出させ、且つ、この露出された外部接続用柱状電極２４の上面を含む上層封止膜２５の上面を平坦化する。次に、図１９に示すように、外部接続用柱状電極２４の上面に半田ボール２６を形成する。次に、図２０に示すように、互いに隣接する半導体構成体６間における切断ライン３２に沿って、上層封止膜２５、上層絶縁膜１８、封止膜１７、下層絶縁膜２およびウエハ状態のベース板１を切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３５】
（第２実施形態）
図２１はこの発明の第２実施形態としての半導体装置の断面部を示す。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と異なる点は、外部接続用柱状電極２４および上層封止膜２５を有せず、その代わりに、上層配線２１を含む上層絶縁膜１８の上面にソルダーレジスト等からなるオーバーコート膜４１を形成し、上層配線２１の接続パッド部に対応する部分におけるオーバーコート膜４１に開口部４２を形成し、開口部４２内およびその上方に半田ボール２６を上層配線２１の接続パッド部に接続させて形成した点である。
【００３６】
（第３実施形態）
図２２はこの発明の第３実施形態としての半導体装置の断面部を示す。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体６を、保護膜１２の上面に、下地金属層４４と上部金属層４５とからなる２層構造の配線４３を設け、配線４３の接続パッド部上面に柱状電極４６を設けた構造とした点である。
【００３７】
（その他の実施形態）
例えば、図２０に示す場合では、互いに隣接する半導体構成体６間において切断したが、これに限らず、２個またはそれ以上の半導体構成体６を１組として切断し、マルチチップモジュール型の半導体装置を得るようにしてもよい。この場合、例えば２個で１組の半導体構成体６は同種、異種のいずれであってもよい。また、図２３に示すこの発明の第４実施形態のように、２個で１組の半導体構成体６はサイズが互いに異なるものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】この発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２】図１に示す半導体構成体の製造方法の一例において、当初の工程の断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】図１５に続く工程の断面図。
【図１７】図１６に続く工程の断面図。
【図１８】図１７に続く工程の断面図。
【図１９】図１８に続く工程の断面図。
【図２０】図１９に続く工程の断面図。
【図２１】この発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２２】この発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２３】この発明の第４実施形態としての半導体装置の断面図。
【符号の説明】
【００３９】
１  ベース板
２  下層絶縁膜
３  下層配線
６  半導体構成体
７  接着層
８  シリコン基板
９  接続パッド
１０  絶縁膜
１２  保護膜
１５  柱状電極
１６  上下導通用柱状電極
１７  封止膜
１８  上層絶縁膜
２１  上層配線
２４  外部接続用柱状電極
２５  上層封止膜
２６  半田ボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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