(57)【要約】【課題】インプリント法において、特に、高アスペクト比のパターン転写を可能にし、モールドパターン破壊を低減するモールドとその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のインプリント用モールドは、凹凸状パターンの少なくとも凹部の角をラウンド形状にしたことを特徴とすることにより、インプリントにおけるモールド離型時に、モールド材料中の応力集中を緩和することが出来る。このため、モールドパターンの破壊を低減することが可能となる。特に、高アスペクト比のパターン転写であってもモールドパターン破壊を低減することが可能となる。よって、転写パターン欠陥の低減、モールドの長寿命化も可能となり、インプリント法における良好な転写パターン形成と大幅なコストダウンが期待出来る。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸状パターンが形成されたインプリント用モールドにおいて、
該パターンの少なくとも凹部の角をラウンド形状にしたこと
を特徴とするインプリント用モールド。
【請求項２】
凹凸状パターンを備え、該パターンの少なくとも凹部の角がラウンド形状であるインプリント用モールドの製造方法であって、
凹凸状パターンを作製する工程と、
凹凸上パターンを作製した後に凹部をラウンド形状にする工程と
を行うことを特徴とするインプリント用モールド製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のインプリント用モールド製造方法であって、
凹部をラウンド形状にする工程に、ウェットエッチング、ドライエッチングまたは、アニール処理のいずれかを用いること
を特徴とするインプリント用モールド製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント用モールド及びインプリント用モールド製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
これまで、半導体デバイスの製造プロセスなど微細加工が要求されるパターンの形成には、転写パターンを形成したフォトマスクと呼ばれる原版を用い、レーザー光による縮小露光を行い、半導体基板上にパターンを転写するいわゆるフォトリソグラフィ法が使われている。
【０００３】
ところで、このフォトリソグラフィ法は、形成するパターンのサイズや形状が露光する光の波長に大きく依存する。例えば、昨今の先端半導体デバイスの製造においては、露光波長が１５０ｎｍ以上であるのに対し、最小線幅は６５ｎｍ以下となってきており、光の回折現象による解像限界に達している。レジストの解像度を増すために、近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）や位相シフトマスク、変形照明等の超解像技術を用いてはいるものの、マスクパターンを半導体基板上に忠実に転写することが困難となってきている。
【０００４】
更に縮小投影露光の場合には、基板の水平方向のみならず垂直方向にも位置合わせ精度が要求されるため、フォトマスク及び半導体基板の精密ステージ制御（Ｘ，Ｙ，Ｚ，θ）などが必要となるため、装置のコストが高くなるという欠点があった。
【０００５】
これらの光の回折現象によるパターンボケや複雑な機構を必要とする装置コストの問題は、半導体デバイスの製造のみならず、ディスプレイや記録メディア、バイオチップ、光デバイスなど様々なパターン形成においてもフォトリソグラフィ法を用いているため同様の課題を抱えている。
【０００６】
このような背景から、今日、インプリント法（もしくはナノインプリント法）と呼ばれる非常に簡易であるが大量生産にも向く、微細なパターンを忠実に転写可能な技術が提案されている。ここで、インプリント法とナノインプリント法に厳密な区別はないが、半導体デバイスや回折格子などの製造に用いられるようなナノメーターオーダーのものをナノインプリント法と呼び、その他のマイクロメーターオーダーのものをインプリント法と呼ぶことが多い。ここでは、両者併せて全てをインプリント法と呼ぶことにする。
【０００７】
インプリント法は、最終的に転写すべきパターンのネガポジ反転像に対応するパターンが形成されたモールドと呼ばれる型を、レジストに型押しし、その状態で熱あるいは紫外線などによってレジストを硬化させることでパターン転写を行うものである。熱硬化によるものを熱インプリント法と呼び（例えば、非特許文献１及び非特許文献２を参照。）、紫外線硬化によるものを光インプリント法と呼んでいる。（例えば、特許文献１を参照。）
【０００８】
これらインプリント法においては、モールドと基板上に生成したレジスト等の樹脂パターンとの剥離性は極めて重要である。インプリントにおいて、プレスした後（図５（ａ））、モールドと樹脂を引き離す場合、モールドと樹脂の付着や摩擦により、モールドパターンのほとんどの部分が折れたり（図５（ｂ））、一部分が折れたりし（図５（ｃ））、モールドパターンが樹脂に突き刺さったまま取り残される現象が見られることがある。これは、モールドまたは樹脂の表面エネルギーが大きい（付着力が大きい）ために、モールドパターンが破壊してしまうためである。
【０００９】
このようなモールドパターンの破壊を避けるために、表面エネルギーの小さいフッ素ポリマーを剥離剤としてモールド表面に形成し、モールドと樹脂との剥離性を向上させる必要がある。一般的な剥離剤として、モールド表面のシリコン酸化膜のＯＨ基にシランカップリング剤を作用させることで、表面エネルギーの小さい膜（これを離型層と呼ぶ）をモールド表面に形成している。この離型層によりモールドと樹脂との付着力を下げることが出来る。（例えば、非特許文献２を参照。）
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−１９４１４２号公報
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、ｖｏｌ．６７、１９９５年、Ｐ３３１４
【非特許文献２】「ナノインプリント技術徹底解説」、Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｊｏｕｒｎａｌ、２００４年１１月２２日、Ｐ２０−３８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、前述のようにモールド表面に離型層を形成し、樹脂との付着力を下げたとしても、付着力が完全にゼロにはならない。従って、特に、高アスペクト比（パターン深さ／パターン幅の値が大きい）のパターンでは、モールドの溝とそこに充填された樹脂の接触面積が大きくなり、付着力がモールド材料の破壊応力を上回ると、モールドパターンの破壊が生じる。例えば、図６（ａ）に示すように、アスペクト比が異なるパターンを有するモールドでインプリントした場合、図６（ｂ）に示すように高アスペクト比のパターンほど、離型時にモールドが破壊し、樹脂にモールドの凸部が突き刺さったまま取り残されてしまう。この現象は、光インプリントでも熱インプリントでも見られる現象であるが、概ねアスペクト比が３以上で顕著になる。
【００１２】
また、モールドの離型時のモールドパターンの破壊は、図７に示すように離型の際にモールドパターン内部のコーナー付近に応力が集中し（応力集中箇所４００）、そこからモールドパターンの破壊が生じることが、数値シミュレーション及び実験結果から分かっている。
【００１３】
このようなモールドパターンの破壊は、転写パターンの欠陥となってしまい、モールドパターンに忠実な転写パターンを得ることが出来ない。また、これによりパターンの欠けたモールドは、モールドパターンの欠陥となるため、その後、繰り返しインプリントに用いることが出来ないという問題がある。
【００１４】
本発明は、以上のような問題を解決するためになされたもので、インプリント法において、特に、高アスペクト比のパターン転写を可能にし、モールドパターン破壊を低減するインプリント用モールドとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
請求項１に記載の本発明は、凹凸状パターンが形成されたインプリント用モールドにおいて、該パターンの少なくとも凹部の角をラウンド形状にしたことを特徴とするインプリント用モールドである。
【００１６】
請求項２に記載の本発明は、凹凸状パターンを備え、該パターンの少なくとも凹部の角がラウンド形状であるインプリント用モールドの製造方法であって、凹凸状パターンを作製する工程と、凹凸上パターンを作製した後に凹部をラウンド形状にする工程とを行うことを特徴とするインプリント用モールド製造方法である。
【００１７】
請求項３に記載の本発明は、請求項２に記載のインプリント用モールド製造方法であって、凹部をラウンド形状にする工程に、ウェットエッチング、ドライエッチングまたは、アニール処理のいずれかを用いることを特徴とするインプリント用モールド製造方法である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のインプリント用モールドは、凹凸状パターンの少なくとも凹部の角をラウンド形状にしたことを特徴とすることにより、インプリントにおけるモールド離型時に、モールド材料中の応力集中を緩和することが出来る。このため、モールドパターンの破壊を低減することが可能となる。特に、高アスペクト比のパターン転写であってもモールドパターン破壊を低減することが可能となる。よって、転写パターン欠陥の低減、モールドの長寿命化も可能となり、インプリント法における良好な転写パターン形成と大幅なコストダウンが期待出来る。ここで、凹凸状のパターンとは、矩形状に限定されず、円形や多角形の溝を定期的に繰り返すパターンである。
【００１９】
また、凹部をラウンド形状にする工程として、ドライエッチングを用いることにより、開口幅１００ｎｍの以下の微細パターンに対しても、ラウンド形状化が可能となる。
【００２０】
また、凹部をラウンド形状にする工程として、ウェットエッチングを用いることが出来る。ウェットエッチングはエッチャントの濃度と処理時間だけでラウンド形状が決定するため、最も簡便にインプリント用モールドのラウンド形状を設計・制御することが出来る。また、モールドパターン上に異物が乗っている場合、ウェットエッチングによって異物の除去が可能となるため、洗浄の効果も得られる。
【００２１】
また、凹部をラウンド形状にする工程として、アニール処理を用いることにより、モールド材料の溶融と再結晶化がされるため、インプリント用モールドの機械的強度が増す効果が期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明のインプリント用モールドについて、図１を用いながら説明を行う。
【００２３】
本発明のインプリント用モールドは、図１に示すように、凹凸状パターンの少なくとも凹部の角をラウンド形状にしたことを特徴とする。これにより、インプリントにおけるモールド離型時に、モールド材料中の応力集中を緩和することができるため、モールドパターン破壊を低減することが可能となる。
【００２４】
本発明のインプリント用モールドの凹凸状パターン形成部材料としては、特に限定されず、例えば、ニッケル、クロム、鉄、アルミなどの金属またはそれら金属の化合物、シリコン、石英、ガラス、ダイヤモンド、ＳｉＣなどのシリコン化合物、セラミックなどが使用できる。
【００２５】
このため、本発明のインプリント用モールドは、
特定のインプリント法に限定されず、
熱可塑性樹脂にパターン転写する熱インプリント法、
光硬化性樹脂にパターン転写する光インプリント法、
熱や光を必要としないＨＳＱ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｓｉｌｓｅｓ  Ｑｕｉｏｘａｎｅ）にパターン転写する室温インプリント法、
ゲル状のガラス材料にパターン転写するゾルゲルインプリント法、
金属やガラスへ直接パターン転写する直接インプリント法など、
それぞれに適する凹凸状パターン形成材料を使用することが出来る。
【００２６】
以下、本発明のインプリント用モールドの製造方法について図２、図３、図４を用いて説明を行う。ここでは、一例として熱インプリント用として広範に用いられるＳｉモールドの場合について述べる。
【００２７】
＜凹凸状パターンを作製する工程＞
まず、モールド形成基材１としてＳｉ基板上にレジスト２をコートし（図２（ｂ））、ＥＢリソグラフィもしくはフォトリソグラフィ技術によって、レジストパターンが形成される（図２（ｃ））。
【００２８】
次に、パターニングされたレジストをエッチングマスクとしてＳｉの異方性ドライエッチングが行なわれ、Ｓｉのパターン形成がなされる（図３（ａ））。
【００２９】
このとき、モールドパターンの加工に、ドライエッチングを用いた理由は、ナノレベルパターンの垂直加工が可能なためであり、特に、高アスペクト比のインプリント用モールドを製造するのに好適なためである。高アスペクトである必要がなければ、例えば、ウェットエッチング、サンドブラストなども用いることが出来る。
【００３０】
＜凹凸上パターンを作製した後に凹部をラウンド形状にする工程＞
次に、パターニングされたレジストをエッチングマスクとして、Ｓｉの等方性ドライエッチングを行い、凹部がラウンド形状となったモールド２０を形成する（図４（ｂ））。最後に、酸素プラズマアッシングや基板洗浄によりレジスト剥離を行い、Ｓｉモールド２００を形成する（図４（ｃ））。ラウンド形状にする工程として、異方性ドライエッチングから連続的に等方性ドライエッチングを用いる場合、モールドパターンの加工に用いたレジストを利用できるため工程を簡便化することが出来る。
【００３１】
また、酸素プラズマアッシングや基板洗浄によりレジスト剥離を行いモールド１０（図３（ｂ））作った後に、モールド１０の凸凹パターンの凹部の角をラウンド形状とし、Ｓｉモールド１００を形成してもよい（図３（ｃ））。  このとき、ラウンド形状とするためには、等方性ドライエッチング、ウェットエッチングまたはアニール処理などが使用できる。レジスト剥離を行った後で、ラウンド形状にする工程を行うことで、凹部をラウンド形状にするだけでなくインプリント用モールド全体に丸みを帯びさせることが出来る。これにより、離型性をより向上させることが可能となる。
【００３２】
ラウンド形状にするため等方性ドライエッチングを用いる場合、ＩＣＰ型ドライエッチング装置、ＲＩＥ型ドライエッチング装置、ＥＣＲ型ドライエッチング装置、マイクロ波型ドライエッチング装置、並行平板型ドライエッチング装置、ヘリコン派型ドライエッチング装置などのドライエッチング装置が使用可能である。
【００３３】
また、ラウンド形状にするためウェットエッチングを用いる場合、溶液は、モールド材料がシリコンであれば水酸化カリウムやフッ硝酸などアルカリ溶液を用い、石英やＳｉＯ２であればフッ酸を用い、ニッケルであれば硝酸や酢酸やクロム酸を用い、タンタルであれば硝酸とフッ酸の混合液を用い、銅であれば塩化鉄を用いることができる。
【００３４】
また、ラウンド形状にするためのアニール処理を用いる場合、方法として、モールド材料やパターンサイズに合わせて条件出しを行うことで、オーブンや電気炉などの熱アニール、遠赤外線アニール、レーザアニールなどが利用可能である。
【００３５】
レーザアニールを用いると基板全体は比較的低温のまま、Ｓｉモールドの表面のみが加熱され、溶融と再結晶化されるため、表面の凹凸パターンの角がラウンド形状になる。一方、オーブンなどで熱アニールを実施した場合は、基板全体が加熱されるが、この場合もやはり表面の凹凸パターンの角が図１（ａ）に示すようなラウンド形状になる。
【００３６】
凹凸上パターンを作製した後に凹部をラウンド形状にする工程において用いる方法によって、本発明のインプリント用モールドのラウンド形状は変化する。（例えば、ウェットエッチングなら完全な等方的エッチングとなり開口寸法も変化するが、ドライエッチングなら開口寸法を変化させずに、凹部をラウンド形状にすることが可能である。また、アニール処理の場合は、凹部だけでなく表面に近い部分もラウンドしやすい。）このため、インプリント後の転写パターン形状の要求に合わせて、凹部をラウンド形状にする工程において用いる方法を選択することが望ましい。
【００３７】
Ｓｉモールド以外の場合、例えば、光インプリント用として広範に用いられる石英モールドや、ＳｉＯ２、ニッケル、その他の無機材料からなるモールドの場合においても、同様の製造方法でパターン形成できる。ただし、加工する材料に適したドライエッチング条件やガス種、ウェットエッチング溶液の種類やエッチング時間・温度などの条件、アニール方法や温度、照射エネルギーの変更が必要となる。
【００３８】
本発明のインプリント用モールドを用いてインプリントした樹脂パターンは、図９（ｂ）に示すようにモールドパターンのラウンド形状と同じように、樹脂パターンにもラウンド形状が形成される。転写された樹脂パターンのその後の用途やプロセスによって、このラウンド形状が問題となる場合は、Ｏ２ＲＩＥ（酸素リアクティブイオンエッチング）などによって、ラウンド形状を解消することが出来る（図９（ｃ））。
【実施例１】
【００３９】
熱インプリント用のＳｉモールドを製造した。
【００４０】
モールドの製造方法を図２、３に示す。まず、モールド形成基材１として、４インチシリコンウェハを用意した（図２（ａ））。
次に、この基材に電子線レジスト２（ＺＥＰ５２０／日本ゼオン社製）を５００ｎｍ厚コートし（図２（ｂ））、
次に、電子線描画装置にて１００〜４００ｎｍのラインパターン描画し、
次に、有機現像によりレジストパターンを形成した（図２（ｃ））。このときの条件は、描画時のドーズを１００μＣ／ｃｍ２、現像時間を２分とした。
次に、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたＳｉの異方性ドライエッチングによって、深さ１０００ｎｍのＳｉパターンを形成した（図３（ａ））。Ｓｉ異方性エッチングの条件は、Ｃ４Ｆ８流量３０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量３０ｓｃｃｍ、Ａｒ流量５０ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー５００Ｗ、ＲＩＥパワー１３０Ｗとした。
次に、Ｏ２プラズマアッシング（条件：Ｏ２流量５００ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＲＦパワー１０００Ｗ）によってレジストを剥離してモールド１０を形成した（図３（ｂ））。
【実施例２】
【００４１】
実施例１と同様に、深さ１０００ｎｍのＳｉパターンを形成した（図３（ａ））。
次に、レジストを残したまま、連続して等方性ドライエッチングを行うことにより、凹部の角をラウンド形状とした。凹部をラウンド形状にする工程におけるＳｉの等方性ドライエッチングの条件は、（ＳＦ６流量３０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量２０ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７０ｓｃｃｍ、圧力２．２Ｐａ、ＩＣＰパワー５００Ｗ、ＲＩＥパワー１０Ｗ）とした。
次に、Ｏ２プラズマアッシング（条件：Ｏ２流量５００ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＲＦパワー１０００Ｗ）によってレジストを剥離し、Ｓｉモールドの凹部の角が図１（ｂ）に示すようなラウンド形状のＳｉモールドを形成した。
【実施例３】
【００４２】
実施例１と同様に、深さ１０００ｎｍのＳｉパターンを形成し、レジストを剥離し、モールド１０を形成した。
次に、Ｓｉモールドのパターンの角部をラウンド形状にするために、Ｓｉの等方性ドライエッチングを行った（図３（ｃ））。ドライエッチング装置には、ＩＣＰ型ドライエッチング装置を用い、このときのＳｉ等方性エッチングの条件は、ＳＦ６流量３０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量２０ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７０ｓｃｃｍ、圧力２．２Ｐａ、ＩＣＰパワー５００Ｗ、ＲＩＥパワー１０Ｗとした。
その結果、モールドの凹部の角が、図１（ａ）に示すようなラウンド形状になった。本実施例の等方性ドライエッチングでは、パターン全体が等方的にエッチングされるため、Ｓｉモールドのパターン凹部の角がラウンド形状となるだけでなく、インプリント用モールド全体に丸みを帯びさせることが出来た。
【実施例４】
【００４３】
実施例１と同様に、深さ１０００ｎｍのＳｉパターンを形成し、レジストを剥離し、モールド１０を形成した。
次に、パターンの凹部の角をラウンド形状にする工程をウェットエッチング処理としてＳｉモールドを作製した。通常、単結晶Ｓｉの場合を水酸化カリウム溶液でエッチングすると、結晶方位面に従った面方位になるため、Ｓｉモールドの結晶性や結晶方位に合わせて、溶液を選択する必要があるが、フッ硝酸を用いれば等方的なエッチングが可能となる。本実施例では、単結晶Ｓｉをモールド材料としているので、フッ硝酸にてエッチングを行い、凹部の角を図１（ａ）に示すようなラウンド形状にした。本実施例のウェットエッチングでは、パターン全体が等方的にエッチングされるため、Ｓｉモールドのパターン凹部の角がラウンド形状となるだけでなく、インプリント用モールド全体に丸みを帯びさせることが出来た。
【実施例５】
【００４４】
実施例１と同様に、深さ１０００ｎｍのＳｉパターンを形成し、レジストを剥離し、モールド１０を形成した。
次に、Ｓｉモールドのパターンの凹部の角をラウンド形状にする工程をアニール処理としてＳｉモールドを作製した。アニール装置には、エキシマレーザアニール装置（エキシマレーザ波長３０８ｎｍ／装置ＬＡ５０６０Ｊ／日本製鋼所社製）を用いて、幅０．４ｍｍ、長さ１００ｍｍの均一なラインビームをスキャン照射することで、モールド表面のみアニールを行った。このとき照射エネルギー密度を３００ｎＪ／ｃｍ２とした。
その結果、モールドの凹部の角が、図１（ａ）に示すようなラウンド形状になった。また、Ｓｉモールドのパターン凹部の角がラウンド形状となるだけでなく、インプリント用モールド全体に丸みを帯びさせることが出来た。
【実施例６】
【００４５】
＜インプリント結果の比較＞
上記実施例１〜５で作製したＳｉモールドを用いて、底部の角の曲率半径を走査電子顕微鏡写真から測定した。さらに、これらのＳｉモールドを同一条件で熱インプリントを実施し、モールドパターン破壊の発生するアスペクト比（パターンの深さ／パターンの開口幅の値）を調べた。
【００４６】
熱インプリント前にＳｉモールドのパターン面には、離型剤としてフッ素系表面処理剤ＥＧＣ−１７２０（住友スリーエム社製）を浸漬処理した。インプリントの対象となる基板３００として、４インチシリコン基板を使用し、シリコン基板上に熱可塑性樹脂ＰＭＭＡ３１０（ポリメタクリル酸メチル）を３５０ｎｍ厚でコートした（図８（ｂ））。そこへ、上記Ｓｉモールドを熱インプリントし（図８（ｃ））、その後モールドを離型した（図８（ｄ））。このときの熱インプリント条件は、基板及びモールド温度１１０℃、プレス圧力１５ＭＰａ、保持時間１分とした。
【００４７】
【表１】
2008006638.tif 000003
【００４８】
【表２】
2008006638.tif 000004
【００４９】
表１にインプリントに使用したモールドのパターンのアスペクト比と樹脂パターンの転写結果を示す。また、表２にはこれらのモールドの凹部の角の曲率半径とモールドパターン破壊の発生するアスペクト比を示す。この結果から、実施例２〜５の処理方法にてモールドの凹部の角をラウンド形状に処理したモールドは、角部の曲率半径がおよそ１５〜１２０ｎｍとなり、アスペクト比が約５まではインプリントでモールドパターン破壊が生じないが、実施例１のラウンド形状に処理していないモールドは、凹部の角の曲率半径がおよそ４ｎｍであり、アスペクト比が約３でもインプリントでモールドパターン破壊が生じた
【００５０】
このことから、モールドパターンの凹部の角をラウンド形状にすることによって、インプリントにおけるモールド離型時に、モールド材料中の応力集中を緩和することができるため、モールドパターン破壊を低減することが示された。
【実施例７】
【００５１】
凹凸状パターン形成部材料として石英を用いて、実施例１〜５と同様にモールドを作製し、パターン凹部の角のラウンド形状処理を実施し、光インプリントを実施し、評価を行った。その結果、Ｓｉモールドによる熱インプリントと同様に、モールドパターン凹部の角の曲率半径が大きいほど、モールドパターン破壊がなく、高アスペクト比の樹脂パターンが転写できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明のインプリント用モールドは、半導体デバイス、光導波路や回折格子等の光学部品、ハードディスクやＤＶＤ等の記録デバイス、ＤＮＡ分析等のバイオチップ、拡散版や導光版などのディスプレイなど様々なパターン形成に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明のインプリント用モールドを説明する断面図である。
【図２】本発明のインプリント用モールドの製造行程を示す工程断面図である。
【図３】本発明のインプリント用モールドの製造行程を示す工程断面図である。
【図４】本発明のインプリント用モールドの製造行程を示す工程断面図である。
【図５】インプリント法でのモールド離型時のパターン破壊を示す断面図である。
【図６】インプリント法でのモールド離型時の別のパターン破壊を示す断面図である。
【図７】インプリント法でのモールド離型時のパターン破壊を説明する断面図である。
【図８】熱インプリントの工程を示す工程断面図である。
【図９】本発明のモールドを用いたインプリント後の樹脂断面とＯ２ＲＩＥ処理後のパターン形状と示す断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・モールド形成基材
２・・・レジスト
１０・・・モールド
１００、２００・・・パターン凹部の角をラウンド形状としたモールド
１００ａ、２００ｂ・・・モールドのパターン凹部の角のラウンド形状箇所
３００・・・基板
３１０・・・樹脂
４００・・・応力集中箇所
【図１】
2008006638.tif 000005
【図２】
2008006638.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
2008006638.tif 000009
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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