(57)【要約】【課題】高い生産効率を実現する真空処理及び真空処理方法を提供する。【解決手段】載置されるカセット１内の基板を水平に維持するカセット台２と、カセット台２上の複数のカセット１と基板受入室５または基板取出室６とにそれぞれアクセス可能に配置された第１搬送装置１３と、基板受入室５及び基板取出室６とともに周囲に複数の真空処理室１１を接続可能に構成した搬送室１６と、搬送室１６内に設けられ基板受入室５及び基板取出室６と前記複数の真空処理室１１との全てにアクセス可能に配置された第２搬送装置とを具備した真空処理装置。【選択図】図１
2008109157.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を一枚毎真空処理する複数の真空処理室と、
被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納できるカセットを、大気雰囲気で載置し得る実質的に水平な同一高さ面に配置された複数のカセット台と、
前記複数のカセット台のいずれかのカセット内のいずれの場所からも前記被処理基板を一枚毎抜き取れるよう上下動可能に構成された大気搬送手段と、
大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能な室と、
前記切り替え可能な室と前記複数の真空処理室のいずれかとの間で前記基板を搬送できるように構成された真空搬送装置と、
前記カセットに付与された生産情報を自ら認識するか上位の制御装置から送られる情報に基づくかあるいは入力された命令を受けて、前記大気搬送装置及び前記真空搬送装置により、前記複数のカセット台のいずれかの被処理基板を収納したカセット内の任意の場所からも前記被処理基板を一枚毎抜き取り前記切り替え可能な室を介して前記いずれかの真空処理室へ搬入し、前記真空処理室で前記被処理基板を一枚毎処理し、前記処理された処理済基板を前記切り替え可能な室を介して搬送し元のカセットの元の位置に一枚毎回収するとともに、処理の完了した前記カセットを回収し別の未処理の基板を収納したカセットと交換するように制御する制御手段とを具備し、
前記制御手段を用い、前記カセット内の前記被処理基板を前記いずれかの真空処理室で一枚毎処理することを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空処理装置に係り、特に複数の真空処理室を有する真空処理装置用搬送システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置あるいはスパッタリング装置などの真空処理装置においては、定められた複数枚の被処理基板を一つの単位（一般にロットとよばれる）として基板カセットに収納して装置に投入し、処理済みの基板も同一の単位毎に基板カセットに収容して回収することにより、生産の効率化を図るのが一般的な真空処理装置である。
【０００３】
しかしながら、上記のような真空処理装置、特にドライエッチング装置、ＣＶＤ装置など活性ガスによる反応を利用する装置においては、処理を行うに従って反応生成物が処理容器内に付着、堆積するために、真空性能の劣化、ゴミの増加、光学モニタ信号のレベル低下などの問題が生じることがしばしばあり、これを避けるために定期的に処理容器内をクリーニングする作業が行われている。クリーニング作業には、有機溶剤等によって付着物を拭き取る、所謂ウェットクリーニングと、付着物を分解する活性ガスやプラズマを利用するドライクリーニングとがあるが、作業性や効率面からはドライクリーニングが優れており、こうした機能は生産ラインの自動化が進むにつれて不可欠なものとなりつつある。
【０００４】
このような機能を備えた真空処理装置の一例として、特許文献１に開示された装置などがあげられる。
【０００５】
【特許文献１】実開昭６３−１２７１２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
例えば、特許文献１に開示された装置においては、処理室をプラズマクリーニングするにあたってあらかじめ真空予備室に収容されたダミーウェーハを処理室内に搬入し、プラズマクリーニングが終了したら搬送手段によってダミーウェーハを真空予備室に戻すようになされている。このため、ダミーウェーハを収容する真空予備室は、大きな容積を必要とするとともにダミーウェーハ専用の搬送機構を必要とし、装置が複雑化するという問題があった。
【０００７】
また、一旦、プラズマクリーニングに使用されたダミーウェーハが、再び真空予備室に戻された後に正規の処理を続行するため、真空予備室内では使用済みのダミーウェーハとこれから正規の処理を受けようとする未処理のウェーハとが混在することとなり、製品汚染の観点から好ましくない。
【０００８】
本発明の目的は、上記の問題点を解決し、ゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染をなくし、高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理装置用搬送システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するために、被処理基板を一枚毎水平状態で真空処理する複数の真空処理室に連結され、該真空処理室との間に各室を夫々分離する隔離弁を有する１つの室からなる搬送室と、被処理基板、処理済基板もしくはダミー処理済基板を複数枚収納できる複数のカセットを大気中で載置する複数のカセット台と、前記搬送室に連結され,該搬送室を介していずれかの真空処理室との間で前記基板を搬入するためのロードロック室及び前記搬送室を介していずれかの真空処理室との間で前記基板を搬出するためのアンロードロック室と、前記大気中のカセットと前記ロードロック室及び前記アンロードロック室の双方の室との間で前記基板を一枚毎搬送する大気搬送装置と、前記ロードロック室及び前記アンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ、該ロードロック室及び前記アンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記を搬入出する毎に開閉される隔離弁とを備えたことに特徴がある。
【００１０】
本発明によれば、いずれかの真空処理室へ被処理基板を搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するためのアンロードロック室がありこのロードロック室及びアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために被処理基板もしくは処理済基板を搬入出する毎に開閉される隔離弁とが設けられている。そして、大気雰囲気の前記ロードロック室及びアンロードロツク室と大気中のカセットとの間で、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲気のロードロック室及びアンロードロック室といずれかの真空処理室との間で、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬入出する。
【００１１】
そのため、基板の搬入出に伴い真空処理室とロードロック室またはアンロードロック室が導通状態になっている時間は短い。従って、処理済基板に付着したゴミや残留ガスのロードロック室及びアンロードロック室に持ち込まれる量が少なくなり、ゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染をなくし、高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理装置用搬送システムを提供することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染をなくし、高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理装置用搬送システムを提供することができるという効果が有る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施例を図１により説明する。  
図１は、本発明による真空処理装置の、半導体ウェーハに対するドライエッチング処理を行う装置への応用を示す図である。
【００１４】
装置は、未処理のウェーハ（基板）を収納した状態で、装置に処理対象を供給し、かつ処理済みのウェーハ（基板）を再度元の位置に収納して回収するための、複数（通常２５枚）のウェーハ（基板）を収納できる複数のカセット１ａ、１ｂおよび１ｃ、該カセット１ａ、１ｂ、１ｃを載置し、装置への導入／払出しの位置を決定するための、位置及び姿勢を変えることがなく、水平又は水平に近い平面の上に常に一定位置に固定されたカセット台２ａ、２ｂ、２ｃ、図示しない真空排気装置及びガス導入装置を装備し、ウェーハを真空雰囲気に導入するためのロードロック室（基板受入室）５、同じくウェーハを大気中に取りだすためのアンロードロック室（基板取出室）６、ウェーハにエッチング処理を施すためのエッチング１１、それらをそれぞれ気密に分離可能な隔離弁１２、及びロードロック室（基板受入室）５／アンロードロック室（基板取出室）６とカセット１ａ、１ｂ、１ｃとの間に配置され、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びθ軸を有するロボットを備えた、ロードロック室（基板受入室）５／アンロードロック室（基板取出室）６とカセット１ａ、１ｂ、１ｃとの間でウェーハ（基板）を授受するための第１搬送装置１３から構成されている。
【００１５】
装置の動作としては、まず、未処理のウェーハ（基板）を収納したカセット１ａ、１ｂがストッカ（図示省略）から装置へとロボット又はオペレータにより供給され、カセット台２ａ、２ｂに載置される。この時カセット台２ａ、２ｂは水平な同一平面上にあるため、カセットの供給動作を単純化することが可能であり、生産ラインの自動化への対応が容易である。一方、カセット台２ｃには、ダミーウェーハを収納したカセット１ｃが載置される。
【００１６】
装置は、カセットに付与された生産情報を自ら認識するか、上位の制御装置から送られる情報に基づくか、あるいはオペレータの入力する命令によるか、いずれかの方法によりウェーハに処理を行うことができる。
【００１７】
カセット１ａに収納された未処理のウェーハ（基板）２０を第１搬送装置１３により抜き取り、第１搬送装置１３に対してカセット１ａとは反対側に配置されたロードロック室（基板受入室）５へ隔離弁１２ａを通して搬入する。このときウェーハ（基板）２０は、カセット１ａ内のいずれの場所に収納されたものでも良い。ウェーハ（基板）２０は、隔離弁１２ａからロードロック室（基板受入室）５に入った後、隔離弁１２ｂからアンロードロック室（基板取出室）６を出るまで、装置外部の雰囲気とは完全に遮断された状態にあるので、隔離弁１２ａ、１２ｂを境にして仕切りを設け、カセット台２ａ、２ｂとそこに載置されたカセット１ａ、１ｂ及び第１搬送装置１３のみを清浄度の高いクリーンルーム側に置き、残りの部分は清浄度の低いメインテナンスルーム側に置くことができる。ロードロック室（基板受入室）５は、隔離弁１２ａを閉じた後、排気装置（図示省略）によって所定の圧力まで真空排気され、次いで、隔離弁１２ｂが開放されてウェーハ（基板）２０は、搬送室１６に設置された真空搬送装置（図示省略）によりエッチング室１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）へ搬送され、試料台８（８ａ，８ｂ，８ｃ）上に載置される。
【００１８】
エッチング室１１に搬入されたウェーハ（基板）２０は、所定の条件によりエッチング処理を施される。この間に、ロードロック室（基板受入室）５は隔離弁１２ａ、１２ｂを閉じた状態で、ガス導入装置４により大気圧に復帰され、開放された隔離弁１２ａから１枚目のウェーハと同様に２枚目のウェーハ（基板）が第１搬送装置１３によって搬入され、再び排気装置によって所定の圧力まで真空排気される。１枚目のウェーハ２０のエッチング処理が終了すると、隔離弁１２ｃが開かれて処理済みのウェーハ（基板）２０がアンロードロック室（基板取出室）６に搬出され、続いて隔離弁１２ｃが閉じられ、隔離弁１２ｂが開かれて２枚目のウェーハ（基板）がロードロック室（基板受入室）５から搬入され、隔離弁１２ｂを閉じた後エッチング処理が開始される。
【００１９】
アンロードロック室（基板取出室）６に搬出された処理済みウェーハ（基板）２０は、アンロードロック室（基板取出室）６を大気圧に復帰した後、隔離弁１２ｄを通して第１搬送装置１３によって大気中に取りだされ、当初収納されていたカセット１ａ内の元の位置へ戻される。
【００２０】
以上の動作を繰り返して、カセット１ａに収納されていた未処理ウェーハの処理が完了し、元の位置に再収納し終わるとカセット１ａは回収可能となり、別の未処理のウェーハを収納したカセットと交換されるが、装置はその間カセット１ｂ内の未処理ウェーハの処理を続けており、カセット１ｂの全てのウェーハの処理が完了する前に別の未処理のウェーハを収納したカセットが供給されれば、装置は常に連続的に稼働可能である。この時カセット１ａ、カセット１ｂは水平な同一平面上にあるため、カセット１ａの回収作業及び別の未処理のウェーハを収納したカセットの供給作業を、第１搬送装置１３によるカセット１ｂへのアクセスに影響を与えることなく行うことができる。
【００２１】
エッチング室１１は、処理を重ねるにつれて反応生成物が内壁面に付着、堆積してくるためにプラズマクリーニングによって付着物を除去し、元の状態に復旧してやる必要があるが、プラズマクリーニングの実施に当っては、カセット１ｃに収納されたダミーウェーハ３０を第１搬送装置１３によって抜取り、以降は前記被処理ウェーハ２０の場合と全く同様にして処理を行った後、ダミーウェーハ３０をカセット１ｃ内の元の位置に戻すことができ、ダミーウェーハ３０は常にカセット１ｃ内にストックされていることになる。尚、カセット１ｃのダミーウェーハ３０が全てプラズマクリーニングで使用された場合や、数回の使用により使用不良となった場合、ダミーウェーハ３０はカセット１ｃごと全て交換される。
【００２２】
従って、プラズマクリーニングを特別な処理シーケンスとして扱う必要は無く、通常のエッチング処理の中に組み込んで一連の作業として行うことができ、クリーニングを実施する周期も任意に設定することが可能である。装置のハードウェア上からもプラズマクリーニングの為の専用の機構は必要が無く、複数のカセット台の一つ（本例の場合２ｃ）にダミーウェーハ３０を収納したカセット（本例の場合１ｃ）を設置するだけで良く、プラズマクリーニングの必要が無い用途の場合には、ダミーウェーハ３０を収納したカセットの代わりに、被処理ウェーハ（基板）２０を収納したカセットを設置することにより、より効率良く生産を行うことができることは説明するまでもない。
【００２３】
また、一旦プラズマクリーニングに使用されたダミーウェーハは、再び大気中の元のカセットに戻るようになされているので、真空室内では使用済みのダミーウェーハとこれから正規の処理を受けようとする未処理のウェーハとが混在することがなく、製品の汚染の心配も無い。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施例のドライエッチング装置の平面図である。
【符号の説明】
【００２５】
１…基板カセット、２…カセット台、５…ロードロック室（基板受入室）、６…アンロードロック室（基板取出室）、
８…試料台、１１…エッチング室、１２…隔離弁、１３…第１搬送装置、１６…搬送室、２０…ウェーハ（基板）、３０…ダミーウェーハ。
【図１】
2008109157.tif 000003