(57)【要約】【課題】  貯蔵燐光体プレートの読み出し後に検出された信号と相互作用する望ましくない放出によって起こりうる像品質の損失を避けるために貯蔵燐光体スクリーンにおいてＣｓＢｒ：Ｅｕ型の結合剤のない針状光刺激性燐光体を完全に消去する。【解決手段】  ＣｓＢｒ：Ｅｕ型の結合剤のない針状光刺激性又は貯蔵燐光体スクリーンに前記スクリーンのＸ線露光後に貯蔵された放射線像を読み出す方法であって、下記工程を含む：（１）１０００ｎｍ〜１５５０ｎｍの波長範囲の赤外放射線に前記スクリーンを露光することによって熱的に刺激可能なエネルギーを消去し；（２）５５０〜８５０ｎｍの範囲の刺激放射線によって前記燐光体スクリーンを刺激し；（３）刺激時に燐光体スクリーンによって放出された光を検出し、検出された光を前記放射線像の信号表示に変換し；（４）３００ｎｍ〜１５００ｎｍの波長範囲の消去光に前記燐光体スクリーンを露光することによって前記燐光体スクリーンを消去する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣｓＢｒ：Ｅｕ型の結合剤のない針状光刺激性又は貯蔵燐光体スクリーンに前記スクリーンのＸ線露光後に貯蔵された放射線像を読み出す方法であって、下記工程を含む方法：
（１）１０００ｎｍ〜１５５０ｎｍの波長範囲の赤外放射線に前記スクリーンを露光することによって熱的に刺激可能なエネルギーを消去し；
（２）５５０〜８５０ｎｍの範囲の刺激放射線によって前記燐光体スクリーンを刺激し；
（３）刺激時に燐光体スクリーンによって放出された光を検出し、検出された光を前記放射線像の信号表示に変換し；
（４）３００ｎｍ〜１５００ｎｍの波長範囲の消去光に前記燐光体スクリーンを露光することによって前記燐光体スクリーンを消去する。
【請求項２】
熱的に刺激可能なエネルギーを消去する工程は１３００ｎｍ〜１５５０ｎｍの波長範囲の赤外放射線に前記スクリーンを露光することによって実施される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
熱的に刺激可能なエネルギーを消去する工程は１０３０ｎｍ〜１１３０ｎｍの波長範囲の赤外放射線に前記スクリーンを露光することによって実施される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
消去は全ての消去工程に対して一つの同じレーザで実施され、前記一つの同じレーザでの消去を実施することは最初の消去工程における長い消去波長及び最後の消去工程における短い消去波長によって行われる請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線像を記録するために貯蔵燐光体スクリーン又はパネルを使用するコンピュータ放射線写真システムに関し、特にその繰り返し使用を確実にするためにプレートの貯蔵燐光体を消去するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
燐光体の良く知られた用途はＸ線像の生成にある。従来の放射線写真システムでは、Ｘ線放射線写真は、Ｘ線を対象物に像に従って透過させ、それをいわゆる増感スクリーン（Ｘ線変換スクリーン）における対応する強度の光に変換することによって得られ、前記スクリーンでは、燐光体粒子は透過されたＸ線を吸収し、それらを可視光及び／又は紫外線に変換する。写真フィルムはＸ線の直接衝撃に対してより可視光及び／又は紫外線に対して敏感である。
【０００３】
例えばＵＳ−Ａ  ３８５９５２７に開示されているようなＸ線パターンを記録及び再生する別の方法によれば、パネルに混入される光刺激性燐光体として知られる特別なタイプの燐光体が使用され、それは入射パターンに従って変調されたＸ線ビームに露光され、その結果としてＸ線放射線パターンに含まれるエネルギーを一時的に貯蔵する。露光後、ある間隔で、可視又は赤外光のビームはパネルを走査して貯蔵されたエネルギーの光としての放出を刺激し、その光を検出して逐次電気信号に変換し、それを処理して可視像を生成することができる。この目的のため、燐光体は入射Ｘ線エネルギーをできるだけ多く貯蔵するべきであり、走査ビームによって刺激されるまで貯蔵されたエネルギーをできるだけ少なく放出するべきである。例えばヘリウムネオンガスレーザ又はダイオードレーザによって生成された赤又は赤外光の如き相対的に長い波長の刺激放射線で刺激すると、貯蔵燐光体は受けたＸ線の量に比例して青色光の如き中間波長の放射線を放出する。電子像処理に有用な信号を生成するために貯蔵燐光体は振動又は回転する走査鏡又はホログラムによって偏向されたレーザビームによってラスターパターンに走査されるか又は例えばＬＥＤの線形アレイで走査される。貯蔵燐光体から放出された放射線は鏡光収集器によって反射されるか又は光ファイバーによって案内され、光電子増倍管の如き光検出器によって検出されて電子像信号を生成する。典型的には、貯蔵燐光体はレーザビームを越えてページ走査方向に移動され、それは画素のマトリックスの走査ラスターパターンを形成するために貯蔵燐光体のページ走査運動に垂直な線スキャン方向に繰り返し偏向される。この像形成技術は「デジタル放射線写真」又は「コンピュータ放射線写真」と称する。
【０００４】
貯蔵燐光体は次いで、再び使用できるように消去される。残留像及び背景像ノイズを除去するために有力な消去技術は以下の特許及び特許出願に記載されている。
【０００５】
ＵＳ−Ａ  ４４９６８３８は４００ｎｍ〜６００ｎｍの波長範囲を有する光の消去源を有する刺激性燐光体シートのためのノイズ消去装置を開示する。光源は蛍光ランプ、レーザ源、ナトリウムランプ、ネオンランプ、金属ハロゲン化物ランプ、又はキセノンランプであることができる。
【０００６】
ＵＳ−Ａ  ４４３９６８２は連続的な第一及び第二消去を含むノイズ消去方法を開示する。第一消去は貯蔵燐光体に予め貯蔵された放射線像を消去するために行われ、一方第二消去は第一消去後に発現するかぶりを消去するために燐光体が再び使用される直前に実施される。
【０００７】
ＵＳ−Ａ  ５０６５０２１，５４２２２０８及び５５５０３８６は、紫外範囲内の波長を有する光を含む第一消去光に刺激性燐光体シートを露光し、次いで紫外範囲より長い波長を有する第二消去光にそれを露光する工程を含む刺激性燐光体シートを消去する方法を開示する。
【０００８】
ＵＳ−Ａ  ５６６５９７６は、貯蔵燐光体が読み出し区域から離れて供給されるとき、光電気読み出し手段によって検出されることができる波長範囲の光成分を全く含有しない第一消去光への露光、及び貯蔵燐光体が読み出し区域に供給されるとき、光電気読み出し手段によって検出されることができる波長範囲の光成分を含有する第二消去光への露光を連続的に含む貯蔵燐光体消去方法を開示する。
【０００９】
ＵＳ−Ａ  ５３７１３７７は、二つの別個の放出バンド（一方は４００ｎｍ又はその付近にピークがあり（紫外）、他方は５００ｎｍ又はその付近にピークがある（青／緑））を含む３７０ｎｍ〜５３０ｎｍの波長範囲の光を使用する貯蔵燐光体消去方法を開示する。
【００１０】
ＵＳ−Ａ  ６１４０６６３は、黄色光放出ダイオードを含む、紫外光を防止しながら５７７〜５９７ｎｍの波長を有する第一放射線源、及び赤外又は近赤外の少なくとも一方を含む波長を有する第二放射線源を使用する貯蔵燐光体消去方法を開示する。
【００１１】
ＥＰ−Ａ  ０１３６５８８及び０１８２０９５は、７２８−８５０ｎｍの波長範囲の光を放出する発光ダイオードを含む貯蔵燐光体消去源を開示する。
【００１２】
消去されるスクリーン又はパネルにおける燐光体のほとんどは、主にユウロピウムをドープされた、アルカリ土類金属フルオロハライド型の光刺激性燐光体である。
【００１３】
一方、二価ＥｕをドープされたＣｓＢｒは針状結晶の形で生長されることができる有望なＸ線貯蔵燐光体であることが示されている。基本特許ＵＳ−Ａ  ６８０２９９１では、例えばＥｕＢｒ２，ＥｕＢｒ３及びＥｕＯＢｒからなる群から選択されたユウロピウム化合物とＣｓＢｒの混合物を４５０℃以上の温度に加熱し、物理蒸着、化学蒸着又は噴霧化技術からなる群から選択された方法によって支持体上に前記燐光体を蒸着することによる蒸着装置における蒸着によってかかる燐光体を製造するための特別な方法が提供される。ＵＳ−Ａ  ６７３０２４３では、ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体を製造するための方法は、ＥｕＢｒ２，ＥｕＢｒ３及びＥｕＯＢｒからなる群から選択されるユウロピウム化合物の１０−３ｍｏｌ％〜５ｍｏｌ％とＣｓＢｒを混合し、その混合物を支持体上に蒸着し、結合剤のない燐光体スクリーンを形成し、前記燐光体スクリーンを室温に冷却し、前記燐光体スクリーンを８０〜２２０℃の温度にもたらし、それをその温度で１０分〜１５時間維持する（アニール工程が燐光体スピードをさらに修正、即ち増加するために加えられる）工程を含む。ＥＰ−Ａ  １４４３５２５に教示されているように、少なくとも１０ｍＪ／ｍｍ２のエネルギーで１５０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲の短い紫外放射線を放出する放射線源からのエネルギーによる製造工程の少なくとも一つの間又はその後の放射線露光処理によってさらなる修正がなされることができる。
【００１４】
使用後、結合剤のない針状蒸着ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体を被覆された貯蔵燐光体スクリーン又はパネルを消去するための消去技術はＵＳ−Ａ  ６５０４１６９，６５２８８１２及び６５１２２４０に記載されている。
【００１５】
従って、ＵＳ−Ａ  ６５０４１６９では、（１）刺激放射線によって前記燐光体スクリーンを刺激し、（２）刺激時に燐光体スクリーンによって放出された光を検出し、検出された光を前記放射線像の信号表示に変換し、（３）消去光に前記燐光体スクリーンを露光することによって前記燐光体スクリーンを消去する工程を含み、（４）前記光刺激性燐光体スクリーンが二価ユウロピウム活性化ハロゲン化セシウム燐光体を含み、（５）前記消去光が３００ｎｍ〜１５００ｎｍの波長範囲で放出しかつＳｍａｘ×１Ｊ以下の電気消去エネルギーを有する消去光源アセンブリによって放出され、前記波長が５００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲である、Ｓｍａｘ以下の表面積を有する光刺激性燐光体スクリーンに貯蔵された放射線像の読み出し方法が記載されている。
【００１６】
ＵＳ−Ａ  ６５２８８１２では、光刺激性燐光体スクリーン、前記燐光体スクリーンを刺激するために配置された刺激光の少なくとも一つの源、刺激時に燐光体スクリーンによって放出された光を捕獲するため及び前記光を電気信号表示に変換するための変換器の配列、付勢されたときに前記燐光体スクリーンを照明するために配置されたエレクトロルミネセントランプを含む消去ユニット、少なくとも一つの刺激光源、消去ユニット、及び燐光体スクリーンに対する変換器要素の配列を含むアセンブリ、前記光刺激性燐光体スクリーンを包囲するエンクロージャ、及び前記電気信号表示を外部信号処理装置に通信するためのインターフェース手段を含む再使用可能な放射線検出器が記載される。前記エレクトロルミネセントランプはそこでは無機又は有機エレクトロルミネセント燐光体に基く。
【００１７】
ＵＳ−Ａ  ６５１２２４０では、光刺激性燐光体スクリーンに貯蔵された放射線像を読み出す方法は、（１）刺激光源によって放出された刺激放射線によって前記燐光体スクリーンを刺激し、（２）刺激時に燐光体スクリーンによって放出された光を検出し、検出された光を前記放射線像の信号表示に変換し、（３）前記燐光体スクリーンを消去光に露光することによって前記燐光体スクリーンを消去する工程を含み、前記光刺激性燐光体スクリーンが二価ユウロピウム活性化ハロゲン化セシウム燐光体を含み、（５）前記消去光が少なくとも一つのレーザを含む消去光源アセンブリによって放出される。それはさらに、前記刺激光が前記消去光源と同じ光源であることがクレームされている。
【００１８】
燐光体を刺激するために使用するための好適な可能な波長を示すＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体の刺激スペクトルは５５０ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲のスペクトルに一つだけのピークを示すことが知られ、７００ｎｍで最大値を有する。これまでこのタイプの燐光体を刺激する能力を与えるこれらの波長だけが使用されている。さらに、貯蔵されたエネルギーが室温で熱的に安定であること、そして光で刺激されないときであっても燐光体が放射線を弱く放出することが確立される。しかしながら、熱刺激の結果として放出された光はノイズを作り、従って像品質が一層悪くなる。刺激された放出がより熱的であるほど、「残光」が強くなり、遭遇される像品質に対して悪影響になる。
【００１９】
多くの技術が読み出し貯蔵燐光体プレート又はパネルを消去するために利用可能であるにもかかわらず、像品質に対して悪影響を与えずに、前記読み出しパネルの頻繁な再使用を可能にする消去技術に対する必要性がある。
【発明の開示】
【００２０】
本発明の目的は、貯蔵燐光体プレート又はパネルの読み出し後に検出された信号と相互作用する望ましくない放出によって起こりうる像品質の損失を避けるために貯蔵燐光体スクリーン又はパネルにおいてＣｓＢｒ：Ｅｕ型の結合剤のない針状光刺激性燐光体を完全に消去するための方法を提供することである。
【００２１】
特別な目的は、良好な像品質（即ち、少ないノイズ）及び高いダイナミックレンジを得るために、読み出しＣｓＢｒ：Ｅｕ型貯蔵燐光体プレートの望ましくない後光を減らすことであり、その後光は読み出の実施中、ノイズ及びそのダイナミックレンジの低下を起こす。
【００２２】
上述の有利な効果は請求項１に述べられた消去方法における特別な工程の適用によって望ましくない後光を生じる貯蔵されたエネルギーを量的に消去するための方法を提供することによって実現される。本発明の好ましい実施態様のための特別な特徴は従属請求項に述べられている。
【００２３】
燐光体結晶の深いエネルギートラップに貯蔵される潜像としてＸ線像を捕獲した後、赤外光で像貯蔵プレートを露光することは、通常使用された刺激光、即ち最大７００ｎｍを有する５５０ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲の光で捕獲されたＸ線潜像を読み出した後にその像の検出に影響を与えずに、存在する狭いトラップを消去することが見出された。
【００２４】
本発明による貯蔵燐光体パネルの消去方法における特別な実施態様は以下の通りである。
【００２５】
本発明の方法では赤外光が刺激後に像を形成する深いトラップを消去しないことが明らかになる。
【００２６】
熱的に刺激された光がＸ線像を読み出す前に放出される「予備消去」によって、前記熱的に刺激された放出光の量は、５５０ｎｍ〜８５０ｎｍの刺激スペクトル範囲内の波長を有する刺激光に露光した後に望ましくない後光の原因となる燐光体中の狭いトラップを消去することによって減少される。
【００２７】
ＣｓＢｒ：Ｅｕの刺激スペクトルでは刺激スペクトルの赤外範囲における狭いトラップが１０７０ｎｍ及び１３７０ｎｍの波長でピークを示すことが見出されている。
【００２８】
ＣｓＢｒ：Ｅｕ貯蔵燐光体パネルの深いトラップにおいて捕獲されたＸ線像の読み出し中に起こる後光を避けるために狭いトラップに貯蔵されたエネルギーを消去する方法では、本発明によれば、１０００ｎｍ〜１５５０ｎｍの範囲の波長を有する赤外放射線でＸ線露光後に像貯蔵燐光体プレートを露光することが推奨される。
【００２９】
本発明の方法における特別な実施態様では１０３０ｎｍ〜１１３０ｎｍの範囲の波長を有する赤外放射線による消去が好ましい。
【００３０】
全ての利用可能な赤外放射線源のうちＮｄ：ＹＡＧレーザが最も好適である。
【００３１】
本発明の有利な効果として、１０００ｎｍ〜１５５０ｎｍの範囲、特に１０３０ｎｍ〜１１３０ｎｍの範囲の赤外放射線を放出する源で、５５０ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲の刺激光による読み出しを開始する前、Ｘ線に露光されたＣｓＢｒ：Ｅｕ型燐光体の露光は、望ましくない後光の形で放出された熱的に刺激された放射線の顕著な減少を生じる。さらに、それは有利には、検出及び再生されたＸ線像のノイズレベルの減少及び生じた再生Ｘ線像の高いダイナミックレンジを生じる。
【００３２】
本発明のさらなる利点及び特別な実施態様は以下の記載から明らかになるが、本発明はそれらに限定されない。
【００３３】
図１は、スペクトルの強度が刺激波長の関数として任意単位（Ａ．Ｕ．）で与えられる、貯蔵燐光体パネルにおけるＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体の狭いトラップの刺激スペクトルを表す。前記刺激波長のピーク強度は１０５０−１１００ｎｍ及び１３５０−１４００ｎｍの波長範囲に現れ、それは長い波長範囲における刺激が最も効果的である範囲を表す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
本発明によれば、ＣｓＢｒ：Ｅｕ型の結合剤のない針状光刺激性又は貯蔵燐光体スクリーンに前記スクリーンのＸ線露光後に貯蔵された放射線像を読み出す方法であって、下記工程を含む方法が提供される：
（１）１０００ｎｍ〜１５５０ｎｍの波長範囲の赤外放射線に前記スクリーンを露光することによって熱的に刺激可能なエネルギーを消去する；
（２）５５０〜８５０ｎｍの範囲の刺激放射線によって前記燐光体スクリーンを刺激する；
（３）刺激時に燐光体スクリーンによって放出された光を検出し、検出された光を前記放射線像の信号表示に変換する；
（４）３００ｎｍ〜１５００ｎｍの波長範囲の消去光に前記スクリーンを露光することによって前記燐光体スクリーンを消去する。
【００３５】
本発明の方法による特別な実施態様では、熱的に刺激可能なエネルギーを消去する工程は１０３０ｎｍ〜１１３０ｎｍの波長範囲の赤外放射線に前記スクリーンを露光することによって実施される。
【００３６】
本発明の方法に使用するために好適な特別な放射線放出源に関して、燐光体結晶の狭いトラップに貯蔵された熱的に刺激可能なエネルギーを消去する工程は赤外放射線の源としてのＮｄ：ＹＡＧレーザによって前記スクリーンを赤外放射線に露光することによって実施される。
【００３７】
本発明の方法による別の実施態様では、前記スクリーンを赤外放射線に露光することによって熱的に刺激可能なエネルギーを消去する工程は赤外放射線の源としてのＮｄ：ＹＬＦレーザによって実施される。
【００３８】
本発明の方法によるさらに別の実施態様では、前記スクリーンを赤外放射線に露光することによって熱的に刺激可能なエネルギーを消去する工程は赤外放射線の源としての光学フィルターを有するタングステンランプによって赤外放射線に前記スクリーンを露光することによって実施される。
【００３９】
本発明の方法によるさらなる実施態様では、熱的に刺激可能なエネルギーを消去する工程は赤外放射線の源としての赤外ＬＥＤによって赤外放射線に前記スクリーンを露光することによって実施される。
【００４０】
本発明の方法による別の実施態様では、熱的に刺激可能なエネルギーを消去する工程は赤外放射線の源としてのダイオードレーザによって赤外放射線に前記スクリーンを露光することによって実施される。
【００４１】
本発明の方法による特別な実施態様では、連続的に狭いトラップを消去した直後に一つの同じレーザで走査することによって深いトラップを読み出すことの組み合わせが利用可能にされる。それゆえ、かかる特別に好適なレーザは例えばＮｄ：ＹＡＧレーザである。従って、フィルターによって刺激青色光をブロックしかつ赤外波長範囲の長波長の放射線の透過を可能にしている間の前記レーザでの第一走査の後、少ないノイズ及び良好な像品質のＸ線露光対象物の放射線像の表示を与えるために、貯蔵されたエネルギーの刺激を可能にしかつ深いエネルギートラップに貯蔵されたエネルギーの放出を与えるように刺激青色光をブロックするフィルターなしで同じレーザで直接走査することが有利である。
【００４２】
ＵＳ−Ａ  ６３６９４０２のような燐光体層に貯蔵された情報を読み出すための装置において、ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体層を含む透明キャリア材料は励起又は刺激放射線を放出するための放射線源、燐光体層によって放出された放出放射線を受けるための受容器をさらに与えられ、放射線源がキャリア材料の一方の側上に配置され、受容器がキャリア材料の他方の側上に配置され、従って光学経路が放射線源と受容器の間に規定され、少なくとも一つの薄い反射層が刺激励起放射線の少なくとも一部を前記受容器から離れるように反射するために放射線源と受容器の間の光学経路に配置される。かかる装置では、反射層は放射線源と燐光体層の間に配置され、燐光体層を励起するために使用されない励起放射線の波長範囲を反射するように設計される。特に、本発明のように、二つの反射層を有することが有利であるとき、第一反射層は燐光体層と受容器の間に配置され、第二反射層は放射線源と燐光体層の間に配置され、燐光体層を励起するために使用されない刺激放射線の波長範囲を反射するために設計される。装置はキャリア材料及び燐光体層が装置内で固定された位置を有する構成であることが有利であり、放射線源は燐光体層から離れて面するキャリア材料の側上に配置され、受容器は燐光体層の方に面するキャリア材料の側上に配置され、放射線源と受容器の間及び燐光体層と受容器の間にわずかな光学経路があり、受容器は燐光体層によって放出された放出放射線を捕獲しかつ放出放射線を受容器上に像形成することができる光学像形成手段を与えられる。装置は光学導波路を含む像形成手段をさらに与えられる。かかる装置では、放射線源は燐光体層及び受容器の個々の列を励起するための線光源であり、そのため放出放射線の点ごとの受容のための複数の画素を含み、燐光体層の励起された列によって放出された放出放射線は燐光体層が列ごとに読みとることができるように画素によって同時に受容されることができる。本発明では、まず燐光体中の狭いトラップを列ごとに励起し、即ち第一走査では、線ごとに、ＮｄＹＡＧレーザの青色レーザ光はブロック及び／又は反射されるが、長い赤外波長は狭いトラップを消去し、一方第二走査では第一走査のほぼ直後であるかどうかにかかわらず、青色レーザ光は透過され、Ｘ線露光によって生成される深いトラップ、及び像に従ってＸ線露光された対象物を表すために読み出されるべき潜像のエネルギー貯蔵を刺激する。
【００４３】
別の実施態様では、放出される波長を望むように変化する能力を与える調整可能なレーザは、刺激された放出信号をできるだけ高く得るために刺激スペクトルにおいて最適に選択された波長を有するエネルギーによって読み出しを与えるために使用される。
【００４４】
一つの同じレーザの使用はプレートの移動を２倍必要とし、それによって読み出し時間を２倍にするが、消去及び読み出しの工程がすぐ連続して続くように互いに隣接して位置された二つのレーザを有する読み出しシステムを提供することによって代替策が提供される。
【００４５】
走査ヘッド型では像読み出しが線に従うが、従来の飛点型読み出しユニットでは読み出しが点ごとの様式で実施される点で、記載された走査ヘッド型は従来の飛点型とは異なる。
【００４６】
かかる配置では、第一反射層は像形成手段と受容器の間に配置される。特別な実施態様では、放射線源及び受容器は互いに接続され、装置は放射線源、受容器及び燐光体層の間の移動方向の相対的な動きを与えるための駆動装置をさらに含む。さらに、装置は像形成手段と受容器の間に配置される第一反射層を有する。
【００４７】
放射線源及び受容器が互いに接続される装置は放射線源、受容器及び燐光体層の間の移動方向の相対的な動きを与えるための駆動装置をさらに含む。
【００４８】
一つの実施態様では、読み出しユニットは刺激光を光刺激性燐光体スクリーン上に放出するための線状光源を含む。この線状光源は列で配置された４０９６個の個別のレーザダイオードを含む。この光源は光刺激性燐光体スクリーンの単一線の全ての画素の同時照明を与える。
【００４９】
読み出しユニットは刺激時に燐光体スクリーンによって放出された光を線状配列のセンサー素子、特に電荷結合素子上に向けるための光ファイバープレートをさらに含む。光ファイバープレートは照明された線の各個々の素子によって放出された光をセンサー素子上に案内するために平行に配置された多数の装着された光案内ファイバーを含む。
【００５０】
さらに別の実施態様では、刺激光源の配列、光ファイバープレート及びセンサー配列は光刺激性燐光体スクリーンの同じ側に配置される。読み出し後に光刺激性燐光体スクリーンは読み出し後にスクリーンに残っているエネルギーが解放されるように消去され、従って源は再使用のための状態にある。
【００５１】
刺激が刺激性燐光体スクリーン上の走査線に平行に延びる線状光源によって放出された光によって実施される読み出し装置のタイプでは、消去ユニットは読み出しユニットの一部を形成することが好ましい。
【００５２】
燐光体層によって放出された放出放射線を反射するための追加の反射層は放出放射線を燐光体層に戻すように反射するために放射線源と燐光体層の間に配置される。
【００５３】
装置では、反射層は反射層によって反射されるべきである励起放射線の波長の１／４に等しい厚さを有することが有利である。
【００５４】
本発明の方法による一つの側面では、消去は少なくとも一つのレーザで実施される。
【００５５】
本発明の方法による別の側面では、消去は全ての消去工程に対して一つの同じレーザで実施される。
【００５６】
本発明の方法による特別な実施態様では、前記レーザは調整可能なレーザである。
【００５７】
本発明の方法によるさらに特別な実施態様では、前記レーザの主波長は周波数倍増によって得られる一つ以上のその調波と混合される。
【００５８】
本発明による方法では、一つの同じレーザで消去を実施することは最初の消去工程における長い消去波長及び最後の消去工程における短い消去波長によって行う。
【００５９】
さらに、本発明の方法によれば、最初の消去工程において前記長い消去波長での消去を実施することは前記短い消去波長の透過を防止するためにフィルターの存在下で行う。
【００６０】
さらに、本発明の方法によれば、最後の消去工程において前記短い消去波長での消去を実施することはフィルターなしで行う。
【００６１】
本発明の方法によれば、刺激する工程は光源としてレーザダイオードの線状配列で実施される。
【００６２】
本発明の方法による別の側面では、検出工程は、刺激時に放出された前記検出された光を電気信号表示に変換する変換器要素の配列として電荷結合素子の線状配列で実施される。
【００６３】
本発明による方法では、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体はアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒとランタノイドドーパント塩としてのＥｕＸ２，ＥｕＸ３，ＥｕＯＸ又はＥｕＸｚ（但し、２＜ｚ＜３，ＸはＢｒ，Ｃｌ又はそれらの組み合わせの一つである）とを混合することによって製造されることが有利である。
【００６４】
本発明による別の実施態様では、本発明によれば、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体はアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒとＥｕＸ２，ＥｕＸ３，ＥｕＯＸ又はＥｕＸｚ（但し、２＜ｚ＜３，ＸはＢｒ，Ｃｌ又はそれらの組み合わせの一つである）からなる群から選択されるユウロピウム化合物の１０−３〜５ｍｏｌ％とを混合し、その混合物を４５０℃以上の温度で燃焼し、前記混合物を冷却し、ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体を回収することによって製造されることが有利である。
【００６５】
本発明によるさらに別の実施態様によれば、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体はアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒと、式ＣｓｘＥｕｙＸ′ｘ＋αｙ（但し、ｘ／ｙ＞０．２５，α≧２，Ｘ′はＣｌ，Ｂｒ及びＩ及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるハロゲン化物である）によるランタノイドドーパント塩とアルカリ金属ハロゲン化物塩の組み合わせとを混合することによって製造されることが有利である。
【００６６】
本発明の方法によれば、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体スクリーンは物理蒸着、熱蒸着、化学蒸着、高周波蒸着及びパルス化レーザ蒸着からなる群から選択される方法によって支持体上に前記燐光体を適用することによって得られる。
【００６７】
上記のような本発明の方法を使用する像形成システムは所望の像のノイズ表示に良好な信号を与えるために推奨される。
【実施例】
【００６８】
本発明をその好ましい実施態様と関連して以下の実施例に記載するが、本発明をそれらの実施態様に限定することを意図しないことは理解されるだろう。
【００６９】
原材料としてＣｓＢｒとＥｕＯＢｒの混合物を出発材料として有するるつぼの抵抗加熱によって、真空室において可撓性のクロム封止された陽極酸化アルミニウムプレート上に蒸着工程によってＣｓＢｒ：Ｅｕ光刺激性燐光体スクリーンを製造した。前記可撓性の陽極酸化アルミニウム支持体上への前記蒸着工程は、前記支持体が蒸気流上で回転するような方法で実施された。
【００７０】
電気加熱されたオーブン及び二つの耐火トレー又はボート（一方は左側に置かれ、他方は右側に置かれる）が使用され、そこでは３３０ｇのＣｓＢｒとＥｕＯＢｒの混合物（ＣｓＢｒ／ＥｕＯＢｒ重量％比＝９９．５％／０．５％）を蒸着のために前記るつぼの各々に原材料として存在させた。るつぼとして１００ｍｍの長さを有する細長いボートを使用し、それは０．５ｍｍの厚さを有する「タンタル」から構成された３５ｍｍの幅及び５０ｍｍの側壁高さを有し、三つの集積部品：るつぼ容器、スリット及び小さな開口を有する「第二」プレート及びスリット出口を有するカバーから構成された。長手方向部分は漏れを克服するために一つの連続タンタルベースプレートから折り曲げられ、頭部分が溶接された。前記第二プレートは４５ｍｍの前記側壁高さの２／３より小さい最外カバープレートからの距離でるつぼの内部に装着された。真空室へのアルゴンガスの連続注入によって維持された真空圧力（２×１０−３ｍｂａｒに等価な２×１０−１Ｐａの圧力）下で、かつ蒸気源（７６０℃）の十分に高い温度で、得られた蒸気は、移動するシート支持体の方に向けられ、前記支持体が蒸気流の上で回転するにつれて連続的にその上に付着された。蒸気源の前記温度は、外側に存在しかつ前記るつぼの底の下で圧縮された熱電対によって及びるつぼに存在するタンタル保護された熱電対によって測定された。蒸着装置において蒸発を開始する前、ボート又はるつぼにおいて原材料を加熱して、それらを蒸発のために準備しているとき、シャッターはボート、トレー又はるつぼを覆っている。
【００７１】
８００μｍの厚さ、１８ｃｍの幅及び２４ｃｍの長さを有するクロム封止された陽極酸化アルミニウム支持体は、燐光体が蒸着される側をパリレンＣプレコートで覆われ、支持体とるつぼ蒸気出口スリットの間の（垂直に測定した）距離が２２ｃｍになるように位置された。
【００７２】
プレートはほぼ等しい厚さの燐光体層を有する燐光体プレートに導く同じ蒸着時間を実施した後に蒸着装置から取り出された。
【００７３】
図１では、ＣｓＢｒ：Ｅｕ貯蔵燐光体パネルの刺激スペクトルによって与えられるピークは容易に検出されることができる。
【００７４】
試験は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（１０６４ｎｍ）及びダイオードレーザ（１３００ｎｍ及び１５５０ｎｍ）が消去に関して最良の結果を与え、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの方が好ましい結果を与えることが示された。
【００７５】
それによって上で引用された長波長が実際に最良の結果を与えることが明らかに示された。しかしながら、良く知られているように単色光分光器は２倍の長さ又は半分の長さの波長で位置された調波を作る。これをさらに証明するために、上述のような半分の波長を有する放射線の透過を許可しかつ上述のような長い波長をブロックする光学フィルターは望ましい効果が実際に消失することを明らかにした。
【００７６】
本発明の有利な効果として、５５０ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲の刺激光によって読み出しを開始する前に、１０００ｎｍ〜１５５０ｎｍの範囲、特に１０３０ｎｍ〜１１３０ｎｍの範囲の赤外放射線を放出する源でのＸ線に露光されたＣｓＢｒ：Ｅｕ型燐光体の露光は、望ましくない後光の形で放出された熱的に刺激された放射線の顕著な減少を生じ、さらに有利には、検出及び再生されたＸ線像のノイズレベルの減少及び生じた再生Ｘ線像の高いダイナミックレンジを生じる。
【００７７】
本発明の好ましい実施態様を詳細に記載したが、添付の特許請求の範囲に規定された本発明の範囲から逸脱せずに多数の変更をその中でなしうることが当業者に明らかであるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】スペクトルの強度が刺激波長の関数として任意単位（Ａ．Ｕ．）で与えられる、貯蔵燐光体パネルにおけるＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体の狭いトラップの刺激スペクトルを表す。
【図１】
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