(57)【要約】【課題】有機層の補助電極上に形成された部分を真空雰囲気中でレーザ照射により除去することができる表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】真空雰囲気中で素子基板１０と対向基板６１とを突起構造１５を間にして重ね合わせることにより、重ね合わせ基板６２を形成する。次いで、素子基板１０と対向基板６１との間の空間Ｓを真空雰囲気に維持した状態で重ね合わせ基板６２を大気中に取り出す。続いて、重ね合わせ基板６２にレーザ光ＬＢを照射することにより有機層１６の補助電極１４上の部分を除去する。素子基板１０と対向基板６１との間の空間Ｓは真空雰囲気に維持されているので、大気中に取り出した重ね合わせ基板６２にレーザ光ＬＢを照射しても、有機層１６の補助電極１４上に形成された部分１６には真空雰囲気中でレーザ光ＬＢが照射される。【選択図】図８
2008288074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に複数の有機発光素子を有する表示装置の製造方法であって、
基板に、複数の第１電極、前記複数の第１電極の間の領域の補助電極、前記複数の第１電極と前記補助電極との間の領域の絶縁材料よりなる突起構造、並びに、前記複数の第１電極および前記補助電極を覆う有機層を形成し、素子基板を形成する工程と、
前記有機層の補助電極上に形成された部分を選択的に除去する工程と、
前記有機層および前記補助電極の上に第２電極を形成する工程と
を含み、
前記有機層の補助電極上に形成された部分を選択的に除去する工程は、
真空雰囲気中で前記素子基板と対向基板とを前記突起構造を間にして重ね合わせることにより、重ね合わせ基板を形成する工程と、
少なくとも前記対向基板と前記有機層の補助電極上に形成された部分との間の空間を真空雰囲気に維持した状態で前記重ね合わせ基板を大気中に取り出す工程と、
前記重ね合わせ基板にレーザ光を照射する工程と
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記突起構造は、前記複数の第１電極と前記補助電極との間の領域に設けられた基部と、前記基部の上面の一部に設けられた畝部とを有する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記対向基板には、前記レーザ光を照射する領域に対応して開口を有する遮蔽膜が設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子を備えた表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の表示装置としては、例えば図２１に示したように、基板８１１に、各有機発光素子ごとに第１電極８１３を形成し、その上に、発光層を含む有機層８１６および第２電極８１７を順に積層したものが知られている。ここで、第２電極８１７は薄膜状の共通電極であるので抵抗値が高く、電源（図示せず）から個々の有機発光素子までの距離に応じて電圧降下が異なり、それにより画面内に輝度のばらつきが発生するおそれがある。このような輝度のばらつきを抑制するため、第１電極８１３の間の領域に、比較的厚みの厚い補助電極８１４を設け、この補助電極８１４と第２電極８１７とを電気的に接続する場合がある。
【０００３】
第２電極８１７と補助電極８１４とを電気的に接続するためには、第２電極８１７を形成する前に、有機層８１６の補助電極８１４上に形成された部分を除去しておく必要がある。有機層８１６は、マスク等を用いて第１電極８１３のみに形成される場合と、基板８１０の表示領域のほぼ全面に形成される場合とがあるが、いずれの場合にも、補助電極８１４が有機層８１６で覆われてしまう可能性があるからである。
【０００４】
従来では、例えば特許文献１において、レーザ照射により有機層の補助電極上に形成された部分を除去する方法として、減圧維持されたチャンバの中で行うことが望ましいと記載されている。
【特許文献１】特開２００５−１１８１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１には、特に真空雰囲気を維持する方法については記載されていない。
【０００６】
一般に真空チャンバ中でレーザ光を照射する方法としては、真空チャンバにレーザ光を透過するための気密した開口部（ガラス窓）を設置し、チャンバの外からレーザ光を照射するか、チャンバ内にレーザ光源やその稼動部を設置し、レーザ光を照射する方法が考えられる。しかし、これらの方法は、有機発光素子を設ける基板に大型基板を用いた場合、真空チャンバのガラス窓が巨大化するため設備上実現が困難であった。また、真空チャンバやレーザ光源およびその稼動部の構成が複雑化および大型化してしまい、設備コストの増大が問題となっていた。
【０００７】
このように、従来では、真空雰囲気中でレーザ照射により有機層の補助電極上に形成された部分を除去する方法は未だ開発されていなかった。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、有機層の補助電極上に形成された部分を真空雰囲気中でレーザ照射により除去することができる表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による表示装置の製造方法は、基板に複数の有機発光素子を有する表示装置を製造するものであって、基板に、複数の第１電極、複数の第１電極の間の領域の補助電極、複数の第１電極と補助電極との間の領域の絶縁材料よりなる突起構造、並びに、複数の第１電極および補助電極を覆う有機層を形成し、素子基板を形成する工程と、有機層の補助電極上に形成された部分を選択的に除去する工程と、前記有機層および前記補助電極の上に第２電極を形成する工程とを含み、有機層の補助電極上に形成された部分を選択的に除去する工程は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を含むものである。
（Ａ）  真空雰囲気中で前記素子基板と対向基板とを突起構造を間にして重ね合わせることにより、重ね合わせ基板を形成する工程
（Ｂ）  少なくとも対向基板と有機層の補助電極上に形成された部分との間の空間を真空雰囲気に維持した状態で重ね合わせ基板を大気中に取り出す工程
（Ｃ）  重ね合わせ基板にレーザ光を照射する工程
【００１０】
本発明による表示装置の製造方法では、突起構造が、素子基板と対向基板との間のスペーサとしての機能を有している。よって、素子基板と対向基板とを重ね合わせた状態でも、素子基板と対向基板との間には空間が生じる。この空間は、重ね合わせ基板を大気中に取り出しても真空雰囲気に維持することが可能であり、大気中に取り出した重ね合わせ基板にレーザ光を照射しても、有機層の補助電極上の形成された部分には真空雰囲気中でレーザ光が照射される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の表示装置の製造方法によれば、有機層の補助電極上に形成された部分を選択的に除去する工程で、真空雰囲気中で素子基板と対向基板とを突起構造を間にして重ね合わせることにより、重ね合わせ基板を形成し、少なくとも対向基板と有機層の補助電極上の部分との間の空間を真空雰囲気に維持した状態で重ね合わせ基板を大気中に取り出したのち、重ね合わせ基板にレーザ光を照射するようにしたので、有機層の補助電極上に形成された部分を真空雰囲気中でレーザ照射により除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１は、本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスよりなる基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。
【００１４】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１５の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００１５】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１６】
図３は、表示領域１１０の平面構成の一例を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは短冊形の平面形状を有し、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。
【００１７】
図４は図３に示した有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの断面構成を表したものである。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１、平坦化絶縁膜１２、陽極としての第１電極１３、補助電極１４、絶縁材料よりなる突起構造１５、後述する発光層を含む有機層１６、および陰極としての第２電極１７がこの順に積層された構成を有している。
【００１８】
このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化ケイ素（ＳｉＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ）などの保護膜（図示せず）により被覆され、更にこの保護膜上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層（図示せず）を間にしてガラスなどよりなる封止用基板（図示せず）が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。
【００１９】
駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化絶縁膜１２に設けられた接続孔１２Ａを介して第１電極１３に電気的に接続されている。
【００２０】
平坦化絶縁膜１２は、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１２Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁膜１２の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの無機材料が挙げられる。
【００２１】
第１電極１３は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。また、第１電極１３は、発光層で発生した光を反射させる反射電極としての機能を有しており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。第１電極１３は、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ）あるいは金（Ａｕ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。
【００２２】
補助電極１４は、電源（図示せず）から個々の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂまでの距離により電圧降下に大きな差が生じないようにし、これにより画面内の輝度のばらつきを抑制するためのものであり、第１電極１３の間の領域に形成されている。また、補助電極１４は、突起構造１５により第１電極１３とは電気的に絶縁されている一方、第２電極１７と電気的に接続されている。すなわち、補助電極１４の上面は有機層１６で覆われておらず、この露出した部分が第２電極１７とのコンタクト領域となっている。なお、補助電極１４は、上面の全部で第２電極１７と電気的に接続されていることが望ましいが、上面の少なくとも一部で第２電極１７と電気的に接続されていてもよい。
【００２３】
補助電極１４は、例えば、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ）あるいは金（Ａｕ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。補助電極１４は、第１電極１３と同一の材料により構成されていてもよいし、異なる材料により構成されていてもよい。また、補助電極１４は、後述するレーザ光に対して吸収性の高い材料により構成されていることが望ましい。
【００２４】
突起構造１５は、第１電極１３と補助電極１４との間の領域に形成され、第１電極１３と補助電極１４および第２電極１７との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするための電極間絶縁膜としての機能を有している。この突起構造１５は、例えば、ポリイミドなどの有機材料、または酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの無機絶縁材料により構成され、第１電極１３の発光領域と補助電極１４とに対応して開口部を有している。なお、有機層１６および第２電極１７は、発光領域だけでなく突起構造１５の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは突起構造１５の第１電極１３に対応する開口部だけである。
【００２５】
突起構造１５は、また、後述する製造工程において有機層１６の補助電極１４上に形成された部分を選択的に除去する際に、対向基板６１との間のスペーサとして、対向基板６１と有機層１６の補助電極１４上に形成された部分との間に空間Ｓを確保する機能も有している。そのためには、突起構造１５の高さＨは、例えば、第１電極１３および補助電極１４の表面から２μｍ以上であることが好ましい。
【００２６】
突起構造１５は、例えば、第１電極１３と補助電極１４との間の領域に設けられた基部１５Ａと、基部１５Ａの上面に設けられた畝部（リブ）１５Ｂとの二段構造を有している。畝部１５Ｂを設けることにより、後述する製造工程において突起構造１５と対向基板６１との接触面積を小さくすることができ、突起構造１５と対向基板６１との間に隙間が生じたりすることなく、対向基板６１を安定して突起構造１５に重ねることができる。畝部１５Ｂは、表示領域１１０の全域にわたって形成されている。畝部１５Ｂは、基部１５Ａの上面に一様に設けられていてもよい（図６参照。）し、基部１５Ａの上面の一部に、各畝部１５Ｂが独立して形成されていてもよい（図３および図５参照。）。後者の例としては、畝部１５Ｂが、図３に示したように第１電極１３の長辺に沿って設けられている場合、および、図５に示したように第１電極１３の短辺に沿って設けられている場合が挙げられる。前者の例としては、畝部１５Ｂが、図６に示したように第１電極１３の四辺に沿って連続して設けられている場合が挙げられる。
【００２７】
有機層１６は、例えば、第１電極１３の側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層（いずれも図示せず）を積層した構成を有するが、これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。
【００２８】
有機発光素子１０Ｒの正孔注入層の構成材料としては、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）が挙げられ、有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）が挙げられ、有機発光素子１０Ｒの発光層の構成材料としては、例えば、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものが挙げられ、有機発光素子１０Ｒの電子輸送層の構成材料としては、例えば、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）が挙げられる。
【００２９】
有機発光素子１０Ｇの正孔注入層の構成材料としては、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡが挙げられ、有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられ、有機発光素子１０Ｇの発光層の構成材料としては、例えば、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものが挙げられ、有機発光素子１０Ｇの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ3 が挙げられる。
【００３０】
有機発光素子１０Ｂの正孔注入層の構成材料としては、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡが挙げられ、有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられ、有機発光素子１０Ｂの発光層の構成材料としては、例えば、ＡＤＮに４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものが挙げられ、有機発光素子１０Ｂの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ3 が挙げられる。
【００３１】
第２電極１７は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。また、第２電極１７は、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）またはＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）により構成されていてもよい。
【００３２】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００３３】
図７ないし図１２は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図７に示したように、上述した材料よりなる基板１１を用意し、この基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成したのち、全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜１２を形成し、露光および現像により平坦化絶縁膜１２を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１２Ａを形成し、焼成する。
【００３４】
次いで、同じく図７に示したように、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる第１電極１３を形成し、例えばエッチングにより所定の形状に成形する。また、例えばスパッタ法により、上述した補助電極１４を形成し、例えばエッチングにより所定の形状に成形する。なお、第１電極１３および補助電極１４は、同一工程で成膜およびエッチングによる成形を行うようにしてもよい。また、補助電極１４を第１電極１３とは異なる材料により、別工程で成膜およびエッチングによる成形を行うようにしてもよい。
【００３５】
続いて、同じく図７に示したように、例えばフォトリソグラフィ法により、上述した材料よりなる突起構造１５の基部１５Ａを形成する。このとき、第１電極１３の発光領域と、補助電極１４とに対応して開口部を設ける。
【００３６】
そののち、同じく図７に示したように、例えば二度目のフォトリソグラフィを行い、基部１５Ａの上に、基部１５Ａと同様の材料よりなる畝部１５Ｂを、図３，図５または図６に示したような平面形状で形成する。これにより、基部１５Ａおよび畝部１５Ｂの二段構造を有する突起構造１５が形成される。
【００３７】
突起構造１５を形成したのち、同じく図７に示したように、例えば蒸着法，ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法，印刷法，インクジェット法または転写法などの一般的な成膜方法により、第１電極１３および補助電極１４を覆う有機層１６を形成する。なお、有機層１６は、必ずしも基板１１上の全面を覆うように成膜する必要はなく、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとにパターン成膜してもよい。ただし、有機層１６は第１電極１３の上面を完全に覆う必要があるので、有機層１６をパターン成膜する場合であっても、有機層１６は突起構造１５および補助電極１４上にはみ出して形成されることになる。これにより、基板１１に、第１電極１３，補助電極１４，突起構造１５および有機層１６が形成された素子基板１０が形成される。
【００３８】
素子基板１０を形成したのち、有機層１６の補助電極１４上に形成された部分を選択的に除去し、補助電極１４を露出させる。
【００３９】
すなわち、まず、図８（Ａ）に示したように、素子基板１０と対向基板６１とをチャンバ５０内に導入し、チャンバ５０内を真空雰囲気に維持したのち、真空雰囲気中で素子基板１０と対向基板６１とを突起構造１５を間にして重ね合わせ、重ね合わせ基板６２を形成する。このとき、突起構造１５が、素子基板１０と対向基板６１との間のスペーサとなるので、素子基板１０と対向基板６１とを重ね合わせた状態でも、素子基板１０と対向基板６１との間には空間Ｓが生じる。
【００４０】
なお、真空雰囲気は、例えば１０-1Ｐａ以下の減圧状態であり、減圧窒素雰囲気または減圧ドライエア雰囲気などの減圧状態も含まれる。図８ないし図１１，図１３および図１４では、真空雰囲気の領域に網掛けを付して表している。対向基板６１は、例えばガラスまたはプラスチックなどの透光性材料により構成されている。対向基板６１は、真空チャンバ５０内を真空雰囲気にした場合に、素子基板１０との間に空間を確保できる程度の剛性を有しているものであれば、プラスチックフィルムでもよい。
【００４１】
重ね合わせ基板６２を形成したのち、素子基板１０と対向基板６１との間の空間Ｓを真空雰囲気に維持した状態で重ね合わせ基板６１を大気中に取り出す。なお、このとき、必ずしも素子基板１０と対向基板６１との間の空間Ｓの全部を真空雰囲気に維持する必要はなく、少なくとも表示領域１１０内の対向基板６１と有機層１６の補助電極１４上に形成された部分との間の空間Ｓを真空雰囲気に維持すればよい。
【００４２】
このとき、素子基板１０に対向基板６１を重ね合わせた状態で、空間Ｓが重ね合わせ基板６２の外部に連通しない場合は、チャンバ５０内を常圧に戻した後も、この空間Ｓ内の真空雰囲気が維持されるので、重ね合わせ基板６２をチャンバ５０の外に排出することができる。なお、空間Ｓが重ね合わせ基板６２の外部に連通しない場合とは、例えば、図示しないが、畝部１５Ｂが表示領域１１０の外周を隙間なく囲う状態で形成された場合である。また、畝部１５Ｂが、図６に示したように、第１電極１３の四辺に沿って連続して設けられ、少なくとも表示領域１１０内の対向基板６１と有機層１６の補助電極１４上に形成された部分との間の空間Ｓを隙間なく囲う状態で形成された場合でもよい。
【００４３】
一方、素子基板１０に対向基板６１を重ね合わせた状態で、空間Ｓが重ね合わせ基板６２の外部に連通する場合は、図９（Ａ）に示したような治具７０を用いて、重ね合わせ基板６２をチャンバ５０の外に排出する。なお、空間Ｓが重ね合わせ基板６２の外部に連通する場合とは、例えば、図３または図５に示したように、各畝部１５Ｂが独立して形成され、表示領域１１０の外周に隙間がある場合である。
【００４４】
治具７０は、例えばステンレス鋼により構成された本体７１および蓋体７２を有している。本体７１の底面は、重ね合わせ基板６２を水平に寝かせて収容可能な大きさを有し、側面の高さは、重ね合わせ基板６２の厚みにほぼ等しく、上面は、重ね合わせ基板６２を出し入れするため開放されている。蓋体７２は、本体７１の側面の上端に取り付けられ、本体７１と蓋体７２との間には気密シール部７３が設けられている。また、蓋体７２は、重ね合わせ基板６２よりも小さな開口部７２Ａを有する枠状に形成され、蓋体７２と重ね合わせ基板６２との間には気密シール部７４が設けられている。
【００４５】
この治具７０をチャンバ５０内に導入し、チャンバ５０内を真空雰囲気に維持した状態で、本体７１と蓋体７２との間に重ね合わせ基板６２を挟持する。これにより、本体７１と蓋体７２との間は気密シール部７３により密閉され、蓋体７２と重ね合わせ基板６２との間は気密シール部７４により密閉され、治具７０内が真空雰囲気を維持した状態となる。よって、チャンバ５０内を常圧に戻した後も、素子基板１０と対向基板６１との間の空間Ｓの真空雰囲気が維持されるので、治具７０により挟持された重ね合わせ基板６２をチャンバ５０の外に排出することができる。
【００４６】
重ね合わせ基板６２をチャンバ５０の外に排出したのち、図８（Ｂ）または図９（Ｂ）に示したように、対向基板６１側にレーザ照射装置６３を配置し、重ね合わせ基板６２に対して対向基板６１側から、例えば半導体ＣＷ（Continuous Wave ）レーザより波長８００ｎｍの赤外域のレーザ光ＬＢを照射する。このとき、素子基板１０と対向基板６１との間の空間Ｓは真空雰囲気に維持されているので、大気中に取り出した重ね合わせ基板６２にレーザ光ＬＢを照射しても、有機層１６の補助電極１４上に形成された部分には真空雰囲気中でレーザ光ＬＢが照射される。
【００４７】
有機層１６の補助電極１４上に形成された部分に対して真空雰囲気中でレーザ光ＬＢを照射することにより、大気中よりも低いエネルギーで除去することが可能であり、除去残りを防止することができる。また、レーザ光ＬＢの照射による補助電極１４や隣接する有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの熱的なダメージの影響も少なくすることができる。
【００４８】
更に、大気中で重ね合わせ基板６２にレーザ光ＬＢを照射するようにしたので、従来のようにチャンバのガラス窓ごしにレーザ照射する場合と比較して、レーザ照射装置６３と素子基板１０との距離を比較的短くとることができ、集光性の安定したレーザ光ＬＢを照射することができる。加えて、レーザ光を照射する設備を簡素化することができ、コスト削減につながると共に大型基板への対応も可能となる。
【００４９】
このようにして、図１０に示したように、有機層１６の補助電極１４上に形成された部分を昇華させ、対向基板６１に再付着させて除去する。よって、この対向基板６１を回収することで、除去された有機層１６の材料が素子基板１０に再付着したり、装置を汚染したりすることを防止することができ、高い歩留まりを実現することができる。
【００５０】
レーザ光ＬＢの照射方法としては、レーザ照射装置６３が精密なアライメント機構を備えている場合は、補助電極１４上の一部または全部に選択的にレーザ光ＬＢを照射する。この場合、確実に除去するため、レーザ光ＬＢの幅とレーザ光ＬＢの照射精度を考慮に入れ、補助電極１４の幅を大きく形成しておくようにしてもよい。
【００５１】
一方、レーザ照射装置６３が精密なアライメント機構を備えていない場合は、図１１に示したように、対向基板６１に、レーザ光ＬＢを照射する領域に対応して開口６１Ｂを有する遮蔽膜６１Ａをあらかじめ形成しておき、重ね合わせ基板６２を形成する際に、遮蔽膜６１Ａの開口６１Ｂと、素子基板１０上の補助電極１４とを精度よく重ね合わせ、対向基板６１をマスクとしてレーザ光ＬＢを照射することが好ましい。レーザ光ＬＢを精度よく照射する必要がなくなり、レーザ光ＬＢを一括して照射することなども可能となるからである。なお、遮蔽膜６１Ａは、例えば、厚みが１００ｎｍ以上であり、アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ）などの金属元素の単体または合金により構成され、フォトリソグラフィ工程などにより開口６１Ｂを設けたものである。
【００５２】
有機層１６の補助電極１４上に形成された部分を除去したのち、重ね合わせ基板６２を再びチャンバ５０に搬送し、チャンバ５０内を真空雰囲気に維持したのち、蓋体７２を分離し、図１２（Ａ）に示したように、素子基板１０から対向基板６１を分離させる。なお、素子基板１０と対向基板６１とを分離する工程は、大気中でも行うことが可能であるが、素子特性を保持するためには真空雰囲気中で行うことが望ましい。
【００５３】
素子基板１０と対向基板６１とを分離したのち、図１２（Ｂ）に示したように、例えば蒸着法，スパッタ法またはＣＶＤ法により、有機層１６および補助電極１４の上に第２電極１７を形成する。これにより、補助電極１４の露出した部分で補助電極１４と第２電極１７とが電気的に接続される。そののち、第２電極１７の上に、必要に応じて、例えば蒸着法，スパッタ法またはＣＶＤ法により、上述した材料よりなる保護膜を形成し、この保護膜上に、接着層を間にして封止用基板を貼り合わせる。以上により、図１に示した表示装置が完成する。
【００５４】
この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１７，保護膜および封止用基板を透過して取り出される。ここでは、有機層１６の補助電極１４上に形成された部分が、真空雰囲気中においてレーザ照射により除去されているので、除去残りが少なくなっており、補助電極１４と第２電極１７との電気的な接続が良好になっている。よって、電源（図示せず）から供給された電流は、電圧降下に大きな差を生ずることなく、補助電極１４を通じて各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに流れ、その結果、画面全体にわたって均一な輝度で表示がなされる。
【００５５】
このように本実施の形態によれば、有機層１６の補助電極１４上に形成された部分を選択的に除去する工程で、真空雰囲気中で素子基板１０と対向基板６１とを突起構造１５を間にして重ね合わせることにより、重ね合わせ基板６２を形成し、素子基板１０と対向基板６１との間の空間Ｓを真空雰囲気に維持した状態で重ね合わせ基板６２を大気中に取り出したのち、重ね合わせ基板６２にレーザ光ＬＢを照射するようにしたので、有機層１６の補助電極１４上に形成された部分を真空雰囲気中でレーザ照射により除去することができる。
【００５６】
なお、上記実施の形態では、突起構造１５が基部１５Ａと畝部１５Ｂとの二段構造を有している場合について説明したが、突起構造１５は必ずしも畝部１５Ｂを有する必要はなく、図１３に示したように、基部１５Ａのみにより構成されていてもよい。このようにすることにより、一回のフォトリソグラフィ工程で突起構造１５を形成することができ、製造工程をより簡略化することができる。その場合も、突起構造１５の高さＨは、例えば、第１電極および補助電極１４の表面から２μｍ以上であることが好ましい。
【００５７】
また、上記実施の形態では、第１電極１３および補助電極１４が平坦化絶縁膜１２上に形成されている場合について説明したが、補助電極１４は、図１４に示したように、駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０と同様に、基板１１上に形成され、平坦化絶縁膜１２に設けられた接続孔１２Ｂを介して第２電極１７に接続されていてもよい。
【００５８】
（モジュールおよび適用例）
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００５９】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１５に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板３０および接着層２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００６０】
（適用例１）
図１６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６１】
（適用例２）
図１７は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６２】
（適用例３）
図１８は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６３】
（適用例４）
図１９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６４】
（適用例５）
図２０は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６５】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法，成膜条件およびレーザ光の照射条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法，成膜条件および照射条件としてもよい。例えば、第１電極１３は、ＩＴＯまたはＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）により構成されていてもよい。また、第１電極１３は、誘電体多層膜を有するようにすることもできる。
【００６６】
加えて、例えば、上記実施の形態においては、基板１１の上に、第１電極１３，有機層１６および第２電極１７を基板１１の側から順に積層し、封止用基板の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、基板１１の上に、第２電極１７，有機層１６および第１電極１３を基板１１の側から順に積層し、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【００６７】
更にまた、例えば、上記実施の形態では、第１電極１３を陽極、第２電極１７を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１３を陰極、第２電極１７を陽極としてもよい。さらに、第１電極１３を陰極、第２電極１７を陽極とすると共に、基板１１の上に、第２電極１７，有機層１６および第１電極１３を基板１１の側から順に積層し、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【００６８】
加えてまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極１３と有機層１６との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3 ），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。
【００６９】
更にまた、上記実施の形態では、第２電極１７が半透過性電極により構成され、発光層で発生した光を第２電極１７の側から取り出す場合について説明したが、発生した光を第１電極１３の側から取り出すようにしてもよい。この場合、第２電極１７はできるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。
【００７０】
加えてまた、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。
【図４】図３に示した有機発光素子の構成を表す断面図である。
【図５】図３に示した表示領域の他の構成を表す平面図である。
【図６】図３に示した表示領域の更に他の構成を表す平面図である。
【図７】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図８】図７に続く工程の一例を説明するための図である。
【図９】図７に続く工程の他の例を説明するための図である。
【図１０】図８および図９に続く工程を説明するための図である。
【図１１】図１０（Ａ）に示した工程の他の例を説明するための図である。
【図１２】図１０および図１１に続く工程を説明するための図である
【図１３】図１に示した有機発光素子の他の構成を表す断面図である。
【図１４】図１に示した有機発光素子の更に他の構成を表す断面図である。
【図１５】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１６】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１７】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１８】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１９】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２０】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図２１】従来の有機発光素子を有する表示装置の構成を表す平面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…基板、１２…平坦化絶縁膜、１３…第１電極、１４…補助電極、１５…突起構造、１５Ａ…基部、１５Ｂ…畝部、１６…有機層、１７…第２電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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