(57)【要約】【課題】例えば、液晶装置等の電気光学装置において、画素スイッチング用ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を効果的に低減でき、且つ高い開口率及び表示画像の高精細化を実現する。【解決手段】素子部１３０ａ及び１３０ｂは、Ｙ方向に沿って１画素分相互にずらして配置されている。このような配置によれば、第１部分Ｐｙ１、第２部分Ｐｙ２、第３部分Ｐｙ３、及び第４部分Ｐｙ４の夫々は、各部分が遮光すべきＬＤＤ領域に覆うようにＹ方向に沿って互いにずらして配置されていることになる。したがって、第１画素電極９ａ１が形成された画素の開口率と、第２画素電極９ａ２が形成された画素の開口率とが同じになるように揃えることが可能である。加えて、液晶装置１によれば、第２部分Ｐｙ２及び第４部分Ｐｙ４の幅に比べて、第１部分Ｐｙ１及び第３部分Ｐｙ３の幅を狭めているため、画素の開口率が極力低下されない構成を用いて、光リーク電流が発生し易いＬＤＤ領域をピンポイントで遮光できる。【選択図】図４
2008116732.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して規定され、且つ前記基板上の表示領域を構成する複数の画素に形成された複数の画素電極と、
前記複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち前記データ線が延びる一の方向に沿って延びる一の領域に前記一の方向に沿って形成されており、（ｉ）前記複数のデータ線のうち前記一の領域において前記一の方向に沿って延びる一のデータ線に電気的に接続された第１データ線側ソースドレイン領域と、（ｉｉ）前記一の方向に沿って前記第１データ線側ソースドレイン領域の両側に位置する第１チャネル領域及び第２チャネル領域と、（ｉｉｉ）前記第１データ線側ソースドレイン領域から見て前記一の方向に沿って前記第１チャネル領域及び前記第２チャネル領域の夫々の外側に位置しており、前記複数の画素電極のうち前記一の方向に沿って配列された第１画素電極及び第２画素電極の夫々に電気的に接続された第１画素電極側ソースドレイン領域及び第２画素電極側ソースドレイン領域と、（ｉｖ）前記第１チャネル領域及び前記第１データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１接合領域と、（ｖ）前記第１チャネル領域及び前記第１画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２接合領域とを含む第１半導体層を有する第１素子部と、
前記非開口領域のうち、前記一の方向に交わる他の方向に沿って前記一の領域と相隣接し、且つ前記一の方向に延びる他の領域に、前記第１素子部からみて前記一の方向に沿って１画素分ずらして形成されており、（ｖｉ）前記複数のデータ線のうち前記他の領域に前記一の方向に沿って延びる他のデータ線に電気的に接続された第２データ線側ソースドレイン領域と、（ｖｉｉ）前記一の方向において、前記第２データ線側ソースドレイン領域からみて、前記第１チャネル領域が形成された側と同じ側に形成された第３チャネル領域、及び前記第２チャネル領域が形成された側と同じ側に形成された第４チャネル領域と、（ｖｉｉｉ）前記第２データ線側ソースドレイン領域から見て前記一の方向に沿って前記第３チャネル領域及び前記第４チャネル領域の夫々の外側に位置しており、前記複数の画素電極のうち前記他の領域において前記一の方向に沿って相隣接する第３画素電極及び第４画素電極に電気的に接続された第３画素電極側ソースドレイン領域及び第４画素電極側ソースドレイン領域と、（ｉｘ）前記第３チャネル領域及び前記第２データ線側ソースドレイン領域間に形成された第３接合領域と、（ｘ）前記第３チャネル領域及び前記第３画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第４接合領域とを含む第２半導体層を有する第２素子部と、
前記第１半導体層よりも上層側に前記一の方向に沿って形成されており、且つ前記１接合領域を覆う第１遮光部と、
前記第１半導体層よりも上層側に形成され、且つ前記２接合領域を覆うと共に前記第１遮光部より前記他の方向の幅が広い第２遮光部と、
前記第２半導体層よりも上層側に前記一の方向に沿って形成されており、且つ前記３接合領域を覆う第３遮光部と、
前記第２半導体層よりも上層側に形成され、且つ前記４接合領域を覆うと共に前記第３遮光部より前記他の方向の幅が広い第４遮光部と
を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記開口領域を規定する複数の縁部のうち前記第１素子部及び前記第２素子部の夫々の側に臨む縁部は、前記一の方向に沿って延びていること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記第２接合領域及び前記第４接合領域の夫々は、ＬＤＤ領域であること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
前記第１遮光部、前記第２遮光部、前記第３遮光部、及び前記第４遮光部の夫々は、前記第１素子部及び前記第２素子部の夫々の直上に配置されていること
を特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項５】
前記第１遮光部及び前記第２遮光部は、一対の第１容量電極及び該一対の第１容量電極間に挟持された第１誘電体膜を有する第１容量素子を構成し、
前記第３遮光部及び前記第４遮光部は、一対の第２容量電極及び該一対の第２容量電極間に挟持された第２誘電体膜を有する第２容量素子を構成し、
前記第１容量素子は、前記一のデータ線を介して前記第１画素電極に画像信号が供給された際に、前記第１画素電極の電位を保持し、
前記第２容量素子は、前記他のデータ線を介して前記第３画素電極に画像信号が供給された際に、前記第３画素電極の電位を保持すること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項６】
前記一対の第１容量電極及び前記一対の第２容量電極のうち少なくとも一方は、導電性遮光膜を含んでなること
を特徴とする請求項５に記載の電気光学装置用基板。
【請求項７】
請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置用基板を備えたこと
を特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、及び該電気光学装置用基板を備えてなる電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置は、直視型ディスプレイのみならず、例えば投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）としても多用されている。特に投射型表示装置の場合、光源からの強い光が液晶ライトバルブに入射されるため、この光によって液晶ライトバルブ内の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）がリーク電流の増大や誤動作等を生じないよう、入射光を遮る遮光手段としての遮光膜が液晶ライトバルブに内蔵されている。このような遮光手段或いは遮光膜について、例えば特許文献１は、ＴＦＴのチャネル領域において、ゲート電極として機能する走査線によって遮光する技術を開示している。特許文献２によれば、チャネル領域上に形成された複数の遮光膜と、内面反射光を吸収する層とを設けることによってＴＦＴのチャネル領域に到達する光を低減している。特許文献３は、ＴＦＴの好適な動作の確保及び走査線の狭小化を可能としつつ、ＴＦＴのチャネル領域に入射する入射光を極力低減する技術を開示している。
【０００３】
他方、この種の電気光学装置では、基板上における遮光膜が形成された領域、即ち基板上において光を透過させない領域に、画素電極に供給される画像信号を一時的に保持することによって画素電極の電位を一定期間保持する保持容量が設けられる。このような保持容量は、当該保持容量の構成要素である電極を遮光膜として兼用し、ＴＦＴを遮光することもできる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−４７２２号公報
【特許文献２】特許３７３１４４７号公報
【特許文献３】特開２００３−２６２８８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、チャネル領域とソースドレイン領域との間に形成される、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域等の接合領域に光が照射された場合には、接合領域に光リーク電流が生じてしまうという問題点がある。このような問題点に対し、チャネル領域の両側の各々の接合領域上に遮光手段を設けることが考えられるが、画素において実質的に光が透過する開口領域を狭めることは、表示性能の観点から好ましくない。一方、画素電極に接続されたソースドレイン領域とチャネル領域との間に形成された接合領域に光が照射された場合には、データ線に接続されたソースドレイン領域とチャネル領域との間に形成された接合領域に光が照射された場合と比較して、ＴＦＴにおける光リーク電流が生じやすいと本願発明者は推察している。
【０００６】
加えて、光リーク電流の低減するために画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子を遮光する遮光膜のパターンを変更すると、各画素にける開口率の低下、或いは表示画像のコントラストの低下を招き、電気光学装置の表示性能を低下させてしまう技術的問題点が生じる場合もある。
【０００７】
他方で、この種の電気光学装置では、装置の小型化及び表示画像の高精細化を実現することを目的として、画素の狭ピッチ化に対する要請もある。
【０００８】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、アクティブマトリクス方式で駆動される液晶装置等の電気光学装置であって、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を効果的に低減でき、且つ高い開口率及び表示画像の高精細化を実現できる電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、及びそのような電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、並びに電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して規定され、且つ前記基板上の表示領域を構成する複数の画素に形成された複数の画素電極と、前記複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち前記データ線が延びる一の方向に沿って延びる一の領域に前記一の方向に沿って形成されており、（ｉ）前記複数のデータ線のうち前記一の領域において前記一の方向に沿って延びる一のデータ線に電気的に接続された第１データ線側ソースドレイン領域と、（ｉｉ）前記一の方向に沿って前記第１データ線側ソースドレイン領域の両側に位置する第１チャネル領域及び第２チャネル領域と、（ｉｉｉ）前記第１データ線側ソースドレイン領域から見て前記一の方向に沿って前記第１チャネル領域及び前記第２チャネル領域の夫々の外側に位置しており、前記複数の画素電極のうち前記一の方向に沿って配列された第１画素電極及び第２画素電極の夫々に電気的に接続された第１画素電極側ソースドレイン領域及び第２画素電極側ソースドレイン領域と、（ｉｖ）前記第１チャネル領域及び前記第１データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１接合領域と、（ｖ）前記第１チャネル領域及び前記第１画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２接合領域とを含む第１半導体層を有する第１素子部と、前記非開口領域のうち、前記一の方向に交わる他の方向に沿って前記一の領域と相隣接し、且つ前記一の方向に延びる他の領域に、前記第１素子部からみて前記一の方向に沿って１画素分ずらして形成されており、（ｖｉ）前記複数のデータ線のうち前記他の領域に前記一の方向に沿って延びる他のデータ線に電気的に接続された第２データ線側ソースドレイン領域と、（ｖｉｉ）前記一の方向において、前記第２データ線側ソースドレイン領域からみて、前記第１チャネル領域が形成された側と同じ側に形成された第３チャネル領域、及び前記第２チャネル領域が形成された側と同じ側に形成された第４チャネル領域と、（ｖｉｉｉ）前記第２データ線側ソースドレイン領域から見て前記一の方向に沿って前記第３チャネル領域及び前記第４チャネル領域の夫々の外側に位置しており、前記複数の画素電極のうち前記他の領域において前記一の方向に沿って相隣接する第３画素電極及び第４画素電極に電気的に接続された第３画素電極側ソースドレイン領域及び第４画素電極側ソースドレイン領域と、（ｉｘ）前記第３チャネル領域及び前記第２データ線側ソースドレイン領域間に形成された第３接合領域と、（ｘ）前記第３チャネル領域及び前記第３画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第４接合領域とを含む第２半導体層を有する第２素子部と、前記第１半導体層よりも上層側に前記一の方向に沿って形成されており、且つ前記１接合領域を覆う第１遮光部と、前記第１半導体層よりも上層側に形成され、且つ前記２接合領域を覆うと共に前記第１遮光部より前記他の方向の幅が広い第２遮光部と、前記第２半導体層よりも上層側に前記一の方向に沿って形成されており、且つ前記３接合領域を覆う第３遮光部と、前記第２半導体層よりも上層側に形成され、且つ前記４接合領域を覆うと共に前記第３遮光部より前記他の方向の幅が広い第４遮光部とを備える。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置用基板によれば、例えば、複数のデータ線から複数の画素電極へ画像信号が制御され、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。尚、画像信号は、データ線及び画素電極間に電気的に接続された第１素子部及び第２素子部の夫々がオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線から各素子部を介して画素電極に供給される。画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる透明電極であり、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられている。
【００１１】
第１素子部は、前記複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち前記データ線が延びる一の方向に沿って延びる一の領域に前記一の方向に沿って形成されている。ここで、本発明に係る「開口領域」とは、実質的に光が透過する画素内の領域であり、例えば、画素電極が形成される領域であって、透過率の変更に応じて液晶等の電気光学物質を抜けてきた出射光の階調を変化させることが可能となる領域である。換言すれば、「開口領域」とは、画素に集光される光が光を透過させない、或いは光透過率が透明電極に比べて相対的に小さい配線、遮光膜、及び各種素子等の遮光体で遮られることがない領域を意味する。本発明に係る「非開口領域」とは、表示に寄与する光が透過しない領域を意味し、例えば画素内に非透明な配線或いは電極、若しくは各種素子等の遮光体が配設されている領域を意味する。
【００１２】
第１半導体層は、例えば第１データ線側ソースドレイン領域を共用する２つのトランジスタ素子の一部を構成する。第１素子部によれば、例えば一の方向に沿って相隣接する２つのトランジスタ素子によって第１データ線側ソースドレイン領域が共用されている。第１画素電極側ソースドレイン領域及び第１画素電極側ソースドレイン領域の夫々は、第１画素電極及び第２画素電極の夫々と互いに電気的に接続されている。このような２つのトランジスタ素子は、当該電気光学装置用基板を備えた電気光学装置の動作時に、一の方向に沿って相隣接する第１画素電極及び第２画素電極の夫々に、第１画素電極側ソースドレイン領域及び第２画素電極側ソースドレイン領域の夫々を介して画像信号を供給する。
【００１３】
第１素子部が有する第１半導体層では、第１チャネル領域と第１データ線側ソースドレイン領域との間に第１接合領域が形成され、第１チャネル領域と第１画素電極側ソースドレイン領域との間には第２接合領域が形成されている。第１接合領域は、第１チャネル領域と第１データ線側ソースドレイン領域との接合部に形成される領域であり、第２接合領域は、第１チャネル領域と第１画素電極側ソースドレイン領域との接合部に形成される領域である。即ち、第１接合領域及び第２接合領域は、例えば、トランジスタ素子が例えばＰＮＰ型或いはＮＰＮ型トランジスタ（即ち、Ｎチャネル型或いはＰチャネル型トランジスタ）として形成された場合におけるＰＮ接合領域や、トランジスタ素子がＬＤＤ構造を有する場合におけるＬＤＤ領域（即ち、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層に不純物を打ち込んでなる不純物領域）を意味する。他方、第１半導体層において、第２チャネル領域と第１データ線側ソースドレイン領域との間、及び、第２チャネル領域と第２画素電極側ソースドレイン領域との間の夫々にも第１接合領域及び第２接合領域の夫々と同様の接合領域が形成されていてもよい。
【００１４】
第１素子部に含まれる２つのトランジスタ素子は、一の方向に沿って第１データ線側ソースドレイン領域を基準としてミラー対称に形成されている。このため、トランジスタ素子毎にデータ線側ソースドレイン領域を形成する場合に比べて、一の方向に沿ってこれら２つのトランジスタ素子が占める領域を低減でき、一の方向に沿って画素ピッチを狭めることが可能である。尚、本発明に係る「一の方向」とは、例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の行方向、即ち複数のデータ線が配列される配列方向或いは複数の走査線の各々が延びる方向（即ちＸ方向）、又は例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の列方向、即ち複数の走査線が配列される配列方向或いは複数のデータ線の各々が延びる方向（即ちＹ方向）を意味する。
【００１５】
第２素子部は、前記複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち前記データ線が延びる一の方向と交わる他の方向に沿って一の領域に相隣接する他の領域において前記一の方向に沿って形成されている。
【００１６】
第２半導体層は、例えば第２データ線側ソースドレイン領域を共用する２つのトランジスタ素子の一部である。第２素子部では、例えば一の方向に沿って相隣接する２つのトランジスタ素子によって第２データ線側ソースドレイン領域が共用されている。第３画素電極側ソースドレイン領域及び第４画素電極側ソースドレイン領域の夫々は、第３画素電極及び第４画素電極の夫々と互いに電気的に接続されている。このような２つのトランジスタ素子は、当該電気光学装置用基板を備えた電気光学装置の動作時に、一の方向に沿って相隣接する第３画素電極及び第４画素電極の夫々に、第３画素電極側ソースドレイン領域及び第４画素電極側ソースドレイン領域の夫々を介して画像信号を供給する。
【００１７】
第２半導体層には、第３チャネル領域と第２データ線側ソースドレイン領域との間に第３接合領域が形成され、第３チャネル領域と第３画素電極側ソースドレイン領域との間に第４接合領域が形成されている。第３接合領域及び第４接合領域は、第１接合領域及び第２接合領域と同様の構成を有している。他方、第２半導体層において、第４チャネル領域と第２データ線側ソースドレイン領域との間、及び、第４チャネル領域と第４画素電極側ソースドレイン領域との間の夫々にも第３接合領域及び第４接合領域の夫々と同様の接合領域が形成されていてもよい。
【００１８】
第２素子部に含まれる２つのトランジスタ素子は、一の方向に沿って第２データ線側ソースドレイン領域を基準としてミラー対称に形成されている。このため、トランジスタ素子毎にデータ線側ソースドレイン領域を形成する場合に比べて、一の方向に沿ってこれら２つのトランジスタ素子が占める領域を低減でき、一の方向に沿って画素ピッチを狭めることが可能である。
【００１９】
第１遮光部は、基板上の積層構造において第１半導体層よりも上層側に前記一の方向に沿って形成されており、第１接合領域を覆っている。第２遮光部は、第１半導体層よりも上層側に形成され、且つ前記２接合領域を覆うと共に第１遮光部より他の方向の幅が広い。よって、第１及び第２接合領域に上層側から入射する光を、第１及び第２部分の各々によって遮光することができ、第１及び第２接合領域における光リーク電流の発生を低減できる。
【００２０】
本発明では特に、第２接合領域を覆う第２遮光部は、第１接合領域を覆う第１遮光部よりも一の方向に交わる他の方向の幅が広くなるように構成されている。即ち、第２遮光部は、例えばＹ方向に沿って延びる第１半導体層に対して、例えばＸ方向の幅が、第１遮光部よりも広くなるように構成されている。言い換えれば、第２遮光部は、他の方向に沿って、第１遮光部よりも長く延びる延在部を有する。よって、第２接合領域に入射する光を、第１接合領域に入射する光よりも確実に遮光できる。即ち、第２接合領域に到達する光を遮る遮光性を、第１接合領域に到達する光を遮る遮光性よりも高める（即ち、強化する）ことができる。
【００２１】
ここで、本願発明者は、第１素子部の動作時において、第１接合領域に比べて第２接合領域に光リーク電流が相対的に発生しやすいと推察している。従って、第２遮光部が第１遮光部よりも広い幅を有するように形成されることによって、光リーク電流が相対的に生じ易い第２接合領域に対する遮光性を高めることができ、第１素子部に流れる光リーク電流を効果的に低減できる。逆に言えば、第２接合領域に比べて光リーク電流が相対的に発生しにくい第１接合領域を覆う第１遮光部が、第２遮光部よりも狭い幅を有するように形成されることによって、開口率の無駄な低下を防止できる。
【００２２】
したがって、第２遮光部の幅を広く形成することによって、光リーク電流が相対的に発生しやすい第２接合領域に対する遮光性を向上させつつ、第１遮光部の幅を狭く形成することによって、開口率の無駄な低下を防止できる。つまり、光リーク電流が発生しやすい第２接合領域に対する遮光性を、いわばピンポイントで高めることで、開口率の無駄な低下を招くことなく、第１素子部における光リーク電流を効果的に低減できる。ここで、「開口率」とは、開口領域及び非開口領域を加えた画素のサイズにおける開口領域の割合を意味し、開口率が大きいほど本発明に係る電気光学装置用基板を備えた電気光学装置の表示性能が向上する。
【００２３】
尚、第１遮光部及び第２遮光部、並びに後述する第３遮光部及び第４遮光部の夫々は、遮光膜のように遮光性を有する単層或いは複数層からなる膜状の遮光体であってもよいし、遮光性を有する電極を含む各種素子であってもよい。
【００２４】
第３遮光部は、基板上の積層構造において第２半導体層よりも上層側に形成されており、第３接合領域を覆っている。第４遮光部は、第２半導体層よりも上層側に形成され、且つ４接合領域を覆うと共に第３遮光部より他の方向の幅が広い。
【００２５】
第３遮光部及び第４遮光部によれば、第１遮光部及び第２遮光部と同様に、第３接合領域及び第４接合領域を遮光でき、第３及び第４接合領域における光リーク電流の発生を低減できる。特に、第４遮光部によれば、第２遮光部と同様に、第３接合領域より相対的に光リーク電流が発生しやすい第４接合領域をピンポイントで遮光できるため、開口率の無駄な低下を招くことなく、第２素子部における光リーク電流を効果的に低減できる。
【００２６】
ここで、本発明に係る電気光学装置用基板は、第１遮光部、第２遮光部、第３遮光部及び第４遮光部を備えているため、単に第１素子部及び第２素子部を他の方向に沿って並べて配置しただけでは、一の方向に沿って相隣接する画素の夫々において開口率に差が生じてしまう。より具体的には、第１素子部及び第２素子部の夫々は、一の領域及び他の領域の夫々において一の方向に沿って相隣接する２つの画素電極の夫々に画像信号を供給することから、仮に第１素子部及び第２素子部が他の方向、例えば走査線が延びる方向（Ｘ方向）に沿って同じ行に対応して配置されていた場合、一の方向、例えばデータ線が延びるＹ方向に沿って互いに隣接する２つの画素のうち一方の側に第１遮光部及び第３遮光部が配置され、他方の側に第１遮光部及び第３遮光部より他の方向の幅が広い第２遮光部及び第４遮光部が配置されることになる。このような遮光部によれば、他方の画素における開口率が一方の画素における開口率より小さくなり、Ｙ方向に沿って相隣接する２つの画素において、遮光部の幅の相違に応じて開口率に差が生じてしまう。このような開口率の相違が、表示領域を構成する複数の画素全体に生じた場合、遮光部を設けない場合に比べて、表示むらが生じてしまい、電気光学装置用基板を備えた電気光学装置の表示性能を低下させてしまう。
【００２７】
そこで、本発明に係る電気光学装置では、非開口領域のうち、一の方向に交わる他の方向に沿って一の領域と相隣接し、且つ一の方向に延びる他の領域に、第１素子部からみて一の方向に沿って１画素分ずらして第２素子部が形成されている。即ち、第１素子部及び第２素子部は、一の方向、例えばデータ線が延びるＹ方向に沿って、互いに１画素分ずらして配置されている。したがって、第１遮光部、第２遮光部、第３遮光部、及び第４遮光部の夫々は、各遮光部が遮光すべき接合領域に覆うように一の方向に沿って互いにずらして配置されていることになる。より具体的には、一の方向に沿って相隣接する第１画素電極及び第３画素電極の夫々が形成された２つの画素のうち第１画素電極が形成された一方の画素に第２遮光部が重なり、第３画素電極が形成された他方の画素に第４遮光部が重なる。したがって、表示領域を構成する複数の画素の全ての開口率を一様に揃えることが可能であると共に、遮光部を形成することによって低下する各画素の開口率を極力低下させないようにすることが可能である。
【００２８】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置用基板によれば、開口率の無駄な低下を招くことなく、光リーク電流の発生に起因して生じるフリッカ等の表示不良を低減できると共に、各画素の開口率の相違に起因する表示不良も低減することが可能である。
【００２９】
本発明に係る電気光学装置用基板の一の態様では、前記開口領域を規定する複数の縁部のうち前記第１素子部及び前記第２素子部の夫々の側に臨む縁部は、前記一の方向に沿って延びていてもよい。
【００３０】
この態様によれば、各画素における開口率、即ち、実質的に光を透過させる開口領域のサイズを複数の画素相互で一様に揃えることが可能である。したがって、電気光学装置用基板を備えた電気光学装置の動作時に、表示領域に表示される表示画像のコントラストを高めることが可能である。
【００３１】
本発明に係る電気光学装置用基板の他の態様では、前記第２接合領域及び前記第４接合領域の夫々は、ＬＤＤ領域であってもよい。
【００３２】
この態様によれば、第１素子部及び第２素子部の非動作時において、第１データ線側ソースドレイン領域及び第２画素電極側ソースドレイン領域間、並びに、第２データ線側ソースドレイン領域及び第４画素電極側ソースドレイン領域間の夫々の間に流れるオフ電流を低減し、且つ第１素子部及び第２素子部の夫々の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。
【００３３】
本発明に係る電気光学装置用基板の他の態様では、前記第１遮光部、前記第２遮光部、前記第３遮光部、及び前記第４遮光部の夫々は、前記第１素子部及び前記第２素子部の夫々の直上に配置されていてもよい。
【００３４】
この態様によれば、基板上の積層構造における各遮光部と、第１素子部及び第２素子部との間において第１半導体層及び第２半導体層に対して斜めに入射する入射光をより低減できる。より具体的には、各遮光部と、第１素子部及び第２素子部との間に、これら遮光部とは別の他の遮光膜を介在させる場合に比べて、各遮光部と、第１素子部及び第２素子部との積層方向の距離を近づけることができ、その分第１半導体層及び第２半導体層の夫々の法線方向に対して大きな角度でこれら半導体層に斜めに入射する光を各遮光部によって遮ることが可能である。
【００３５】
本発明に係る電気光学装置用基板の他の態様では、前記第１遮光部及び前記第２遮光部は、一対の第１容量電極及び該一対の第１容量電極間に挟持された第１誘電体膜を有する第１容量素子を構成し、前記第３遮光部及び前記第４遮光部は、一対の第２容量電極及び該一対の第２容量電極間に挟持された第２誘電体膜を有する第２容量素子を構成し、前記第１容量素子は、前記一のデータ線を介して前記第１画素電極に画像信号が供給された際に、前記第１画素電極の電位を保持し、前記第２容量素子は、前記他のデータ線を介して前記第３画素電極に画像信号が供給された際に、前記第３画素電極の電位を保持してもよい。
【００３６】
この態様によれば、第１容量素子及第２容量素子の夫々は、第１画素電極及び第３画素電極の夫々の電位を一時的に保持する保持容量である。第１容量素子を第１遮光部及び第２遮光部によって構成し、第２容量素子を第３遮光部及び第４遮光部によって構成することによって、別途遮光膜を設ける場合に比べて当該電気光学装置用基板における回路構成及び当該回路を構成する配線等のレイアウトを簡略化できる。
【００３７】
本発明に係る電気光学装置用基板の他の態様では、前記一対の第１容量電極及び前記一対の第２容量電極のうち少なくとも一方は、導電性遮光膜を含んでいてもよい。
【００３８】
この態様によれば、第１素子部及び第２素子部の夫々の上に、例えば層間絶縁膜を介して近接配置可能な第１容量素子及び第２容量素子の夫々によって、第１半導層及び第２半導体層の夫々の上層側から入射する光を確実に遮光できる。尚、導電性遮光膜としては、例えば導電性ポリシリコン、やチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いはタングステンシリサイドが挙げられる。
【００３９】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置用基板を備えている。
【００４０】
本発明に係る電気光学装置によれば、本発明の電気光学装置用基板を備えているので、表示性能に優れた電気光学装置を提供することができる。したがって、本発明に係る電気光学装置は、高品質の表示を行うことができる。
【００４１】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。
【００４２】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００４３】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
【００４５】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´線断面図である。
【００４６】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素部が設けられる、本発明に係る「表示領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。本実施形態に係る液晶装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【００４８】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４９】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００５０】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００５１】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００５２】
ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板２０もＴＦＴアレイ基板１０と同様に透明基板である。
【００５３】
ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。例えば、画素電極９ａはＩＴＯ膜などの透明導電膜からなり、配向膜は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００５４】
対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電膜からなる。配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００５５】
対向基板２０には、格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、後述する上部容量電極３００として設けられた上側遮光膜と併せ、ＴＦＴアレイ基板１０側からの入射光のチャネル領域ないしその周辺への侵入をより確実に阻止することができる。
【００５６】
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜により所定の配向状態をとる。
【００５７】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５８】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な接続構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５９】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００６０】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００６１】
液晶層５０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に、蓄積容量７０ａが電気的に接続されている。蓄積容量７０ａは、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０ａによれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００６２】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４乃至図７を参照して説明する。ここに図４は、相隣接する複数の画素部の平面図である。図５は、図４のＶ−Ｖ´線断面図である。図６は、２つのトランジスタ素子を含んで構成された素子部の平面図である。図７は、本実施形態に係る電気光学装置の比較例における相隣接する複数の画素部の平面図である。尚、図４乃至図７では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図４及び図５では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。図５において、ＴＦＴアレイ基板１０から画素電極９ａまでの部分が、本発明に係る「電気光学装置用基板」の一例を構成している。また、図７では、図４乃至図６と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略している。
【００６３】
図４及び図５において、液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された複数のデータ線６ａ及び複数の走査線３ａ、複数の画素電極９ａ、本発明に係る「第１素子部」の一例である素子部１３０ａ、本発明に係る「第２素子部」の一例である素子部１３０ｂ、及び蓄積容量７０ａを備えている。
【００６４】
ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａは、画素電極９ａが夫々設けられた複数の画素によって構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０上において、マトリクス状に設けられた複数の画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線３ａと交差するようにＹ方向に沿って延びている。走査線３ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の各々には画素スイッチング用のＴＦＴが設けられている。このような画素スイッチング用ＴＦＴは、データ線６ａが延びるＹ方向に沿って２つのＴＦＴを一組として構成される素子部１３０ａ及び１３０ｂの一部として形成されている。
【００６５】
走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０ａ、下側遮光膜１１ａ、及び中継層９３は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線３ａ、蓄積容量７０ａ、データ線６ａ、及び下側遮光膜１１ａは、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。
【００６６】
素子部１３０ａは、一対のＴＦＴ３０ａ１及びＴＦＴ３０ａ２を備えている。素子部１３０ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上において複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうちデータ線６ａが延びるＹ方向に沿って延びる領域に形成されている。より具体的には、素子部１３０ａは、Ｘ方向に形成された複数のデータ線６ａのうちａ列番目のデータ線６ａが形成された領域において、該素子部１３０ａに含まれるＴＦＴ３０ａ１及び３０ａ２のチャネル長がＹ方向に沿うように形成されている。加えて、素子部１３０ａは、ａ列番目のデータ線６ａが形成された領域において、Ｙ方向に沿って複数配設されている。
【００６７】
素子部１３０ｂも、素子部１３０ａ（ｉ）と同様に、一対のＴＦＴ３０ｂ１及び３０ｂ２を備えており、ｂ列番目のデータ線６ａが形成された領域において、Ｙ方向に沿って複数配設されている。素子部１３０ａ及び１３０ｂは、Ｙ方向に沿って相互に１画素分ずらして配置されている。
【００６８】
ここで、ａ列番目及びｂ列番目は、１画素分のスペースを隔てて相隣接する列であり、例えばａ列をｉ列（ｉは自然数）とすると、ｂ列は（ｉ＋１）列になる。本実施形態では、説明の便宜上、相隣接する列をａ列及びｂ列と称している。以下では、複数の素子部のうち互いに対応する素子部である素子部１３０ａ及び１３０ｂについて詳細に説明する。
【００６９】
次に、図４乃至図６を参照しながら、素子部１３０ａの詳細な構成を説明する。素子部１３０ａは、ａ列のデータ線６ａに電気的に接続された第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１、Ｙ方向に沿って第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１の両側に位置する第１チャネル領域１ａ−１及び第２チャネル領域１ａ−２、第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１から見てＹ方向に沿って第１チャネル領域１ａ−１及び第２チャネル領域１ａ−２の夫々の外側に位置しており、複数の画素電極９ａのうちＹ方向に沿って配列された第１画素電極９ａ１及び第２画素電極９ａ２の夫々に電気的に接続された第１画素電極側ソースドレイン領域１ｅー１及び第２画素電極側ソースドレイン領域１ｅー２、第１チャネル領域１ａ−１及び第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１間に形成された本発明の「第１接合領域」の一例であるデータ線側ＬＤＤ領域１ｂ−１、並びに、第１チャネル領域１ａ−１及び第１画素電極側ソースドレイン領域１ｄ−１間に形成された本発明の「第２接合領域」の一例である画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１を含む第１半導体層１Ａ−１を有している。
【００７０】
ＴＦＴ３０ａ１は、第１チャネル領域１ａ−１、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−１、第１画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１、第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１、第１画素電極側ソースドレイン領域１ｅー２、及び走査線３ａ−１のうちゲート線として第１チャネル領域１ａ−１に重なる部分を含んで構成されている。第１半導体層１Ａ−１は、例えばポリシリコンからなり、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ−１、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−１及び第１画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１、第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１、及び第１画素電極線側ソースドレイン領域１ｅ−１を含んでいる。即ち、ＴＦＴ３０ａ１は、ＬＤＤ構造を有している。
【００７１】
第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１及び第１画素電極線側ソースドレイン領域１ｅ−１は、第１チャネル領域１ａ−１を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−１、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１、第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１及び第１画素電極線側ソースドレイン領域１ｅ−１は、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって第１半導体層１ａ−１に不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−１及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１の夫々は、第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１及び第１画素電極線側ソースドレイン領域１ｅ−１よりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成される。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０ａ１の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０ａ１の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０ａ１は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−１、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１に不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極線側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００７２】
ＴＦＴ３０ａ２は、第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１を基準として、Ｙ方向に沿ってＴＦＴ３０ａ１の反対側に形成されており、ＴＦＴ３０ａ１と共に第１半導体層１Ａ−１を共有している。ＴＦＴ３０ａ２は、第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１、第２チャネル領域１ａ−２、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−２、画素電極側ソースドレイン領域１ｃ−２、第１画素電極側ソースドレイン領域１ｅ―２、及び走査線３ａ−２のうちゲート線として第２チャネル領域１ａ−２に重なる部分を含んで構成されている。ＴＦＴ３０ａ２は、第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１を基準としてＴＦＴ３０ａ１と略ミラー対称な素子構造を有している。
【００７３】
図４に示すように、ＴＦＴ３０ａ１及び３０ａ２は、Ｙ方向に沿って第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１に対して第１画素電極側ソースドレイン領域１ｅ−１及び第２画素電極側ソースドレイン領域１ｅ−２の向きが相互に逆となるように配置されると共に、第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１をデータ線６ａに電気的に接続するコンタクトホール８１ｂが共通化されている。
【００７４】
即ち、図４において、図中上下方向であるＹ方向において、一対のＴＦＴ３０ａ１及び３０ａ２は、上下反転した或いは上下ミラー反転したＴＦＴということになる。そして、このようにミラー対称に配置された一対のＴＦＴを有する素子部１３０ａは、一つのコンタクトホール８１ｂのみによって、データ線６ａと電気的に接続されている。即ち、通常の如くＴＦＴ３０ａ１及び３０ａ２の夫々を画素毎に別々に設けて別々のデータ線側ソースドレイン領域からデータ線６に電気的な接続する場合に比べて、コンタクトホールの数を飛躍的に少なくすることができる。これにより、画素部の狭ピッチ化が可能となり、液晶装置の小型化・高精細化が実現可能となる。
【００７５】
図５に示すように、ＴＦＴ３０ａ１において、第１データ線側ソースドレイン領域１ｄ−１は、層間絶縁膜４２、絶縁膜６１、層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２（具体的には絶縁膜２ａ及び２ｂ）を貫通して開孔されたコンタクトホール８１ｂを介してデータ線６ａと互いに電気的に接続されている。第１画素電極側ソースドレイン領域１ｅ−１は、層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２を貫通して開孔されたコンタクトホール８３ｂを介して、後述する下部容量電極７１と互いに電気的に接続されている。
【００７６】
尚、ＴＦＴ３０ａ２においても、ＴＦＴ３０ａ１と同様に、第２画素電極側ソースドレイン領域１ｅ−２が、層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２を貫通して開孔されたコンタクトホール８３ｂを介して、ＴＦＴ３０ａ２に対応する下部容量電極７１と互いに電気的に接続されている。
【００７７】
図４乃至図６に示すように、ＴＦＴ３０ａ１及びのゲート電極は、走査線３ａ１の一部として形成されており、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。より具体的には、走査線３ａ１及び３ａ２の夫々のうち第１チャネル領域１ａ−１及び第２チャネル領域１ａ−２の夫々に重なる部分が各ＴＦＴのゲート電極を構成している。
【００７８】
走査線３ａ１は、Ｘ方向に沿って延びる本線部分と共に、Ｙ方向に沿って突出した凸部１５０及びＹ方向に沿って窪んだ凹部１６０によって規定された部分がＴＦＴ３０ａ１の第１チャネル領域１ａ−１に重なってなり、ゲート電極として機能する。ゲート電極及び第１半導体層１Ａ−１間は、ゲート絶縁膜２（より具体的には、２層の絶縁膜２ａ及び２ｂ）によって絶縁されている。走査線３ａ２も、走査線３ａ１と同様に、Ｘ方向に延びる本線部のうち凹部及び凸部によって規定された部分が第２チャネル領域１ａ−２に重なっており、ゲート電極として機能する。
【００７９】
ＴＦＴ３０ａ１及び３０ａ２の下側に下地絶縁膜１２を介して格子状に設けられた下側遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０ａ１及び３０ａ２の夫々のチャネル領域及びその周辺を遮光する。下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【００８０】
下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０ａ１及び３０ａ２を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。尚、素子部１３０ｂが有する一対のＴＦＴも遮光膜１１ａによって遮光されていると共に、下地絶縁膜１２によって層間絶縁されている。
【００８１】
図４及び図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０ｃよりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０ａが設けられている。蓄積容量７０ｃは、下部容量電極７１及び上部容量電極３００が誘電体膜７５ａを介して対向配置されることにより形成されており、ＴＦＴ３０ａ１に対応して形成された蓄積容量７０ａが、本発明に係る「第１の容量素子」の一例であり、ＴＦＴ３０ｂ１に対応して設けられた蓄積容量７０ａが、本発明に係る「第２の容量素子」の一例である。
【００８２】
上部容量電極３００は、固定電位側容量電極であり、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３ｂを介してＴＦＴ３０ａ１の第１画素電極側ソースドレイン領域１ｅ−１に電気的に接続された画素電位側容量電極である。下部容量電極７１は、ポリシリコン等の半導体で形成されている。従って、蓄積容量７０は、金属−誘電体−金属が積層された、所謂ＭＩＳ構造を有している。下部容量電極７１は、層間絶縁膜４２及び絶縁膜６１を貫通して開孔されたコンタクトホール８４ｂを介して中継層９３と電気的に接続されている。尚、下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜として上部容量電極３００とＴＦＴ３０ｃとの間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。データ線６ａは、層間絶縁膜４１、絶縁膜６１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１ｂを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。
【００８３】
上部容量電極３００は、コンタクトホール８４ｂを介して中継層９３に電気的に接続されており、中継層９３と共に画素電極線側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。加えて、中継層９３は、中継層９３の一部である凸部９３ａ及び当該凸部９３ａに電気的に接続されたコンタクトホール８５ａを介して画素電極９ａに電気的に接続されている。従って、画素電極９ａ及び上部容量電極３００は、電気的に接続されている。
【００８４】
上部容量電極３００は、例えば金属又は合金を含んでＴＦＴ３０ａ１の上側に設けられた非透明な金属膜である。上部容量電極３００は、ＴＦＴ３０ａ１を遮光する上側遮光膜（或いは、内蔵遮光膜）としても機能する。上部容量電極３００は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属を含んで形成されている。
【００８５】
尚、上部容量電極３００は、本発明に係る「導電性遮光膜」として、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものから構成されていてもよい。この場合には、上部容量電極３００の上側遮光膜としての機能を一層高めることができる。
【００８６】
下部容量電極７１は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。下部容量電極７１は、定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。
【００８７】
誘電体膜７５ａは、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００８８】
層間絶縁膜４１及び４２間には、部分的に絶縁膜６１が介在している。尚、下部容量電極７１は金属膜であってもよい。このような下部容量電極７１によれば、蓄積容量７０ａは、金属−誘電体−金属が積層された構造である、所謂ＭＩＭ構造を有していてもよい。
【００８９】
図４において、下部容量電極７１は、画素毎に互いに離間されている。従って、データ線６ａを介して供給される画像信号がＴＦＴ３０ａ１のスイッチング動作に応じてＴＦＴ３０ａ１に対応する第１画素電極９ａ１に供給される。上部容量電極３００は、Ｘ方向に沿って複数の画素に亘って延在されているため、複数の画素で共用されることによって電極面積が下部容量電極７１より大きくなっている。しかしながら、上部容量電極３００は、Ａｌ等の金属膜で構成されているため、半導体で上部容量電極３００を形成する場合に比べて電極面積の増大による電気抵抗の増大分を抑制できる。よって、液晶装置の動作時における消費電力の低減、及び各画素における各種素子の高速駆動が可能となり、液晶装置によって画像が表示される際の応答性が低下することを抑制できる利点がある。
【００９０】
尚、このような利点は、本実施形態のように上部容量電極３００がＸ方向に沿って互いに隣接する画素に亘って延在するように形成されている場合に限定されず、上部容量電極３００が画像表示領域１０ａにおいてより大きな面積を占めるように複数の画素に渡って形成されている場合により顕著に現れる。
【００９１】
図４において、蓄積容量７０ａは、Ｙ方向に延びる第１領域Ｄ１と、Ｘ方向に延びる第２領域Ｄ２とが相互に交差する交差領域からＹ方向に沿って延びる、本発明に係る「第１遮光部」の一例である第１部分Ｐｙ１、及び本発明に係る「第２遮光部」の一例である第２部分Ｐｙ２を有している。第１部分Ｐｙ１は、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−１を覆っており、第２部分Ｐｙ２は、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１を覆っている。第２部分Ｐｙ２におけるＸ方向に沿った幅Ｗ２は、第１部分Ｐｙ１の幅Ｗ１に比べて広くなっている。
【００９２】
よって、第２部分Ｐｙ２によれば、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１に入射する光を、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−１に入射する光よりも確実に遮光できる。即ち、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１に到達する光を遮る遮光性を、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−１に到達する光を遮る遮光性よりも高める或いは強化することができる。本願発明者は、ＴＦＴ３０ａ１の動作時に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１において、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−１に比べて光リーク電流が相対的に発生しやすいと推察している。即ち、ＴＦＴ３０ａ１の動作時に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１に光が照射された場合には、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−１に光が照射された場合よりも、ＴＦＴ３０ａ１における光リーク電流が発生しやすいと推察している。従って、第２部分Ｐｙ２が第１部分Ｐｙ１の幅Ｗ１よりも広い幅Ｗ２を有するように形成されることによって、光リーク電流が相対的に生じ易い画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１に対する遮光性を高めることができ、ＴＦＴ３０ａ１に流れる光リーク電流を効果的に低減できる。逆に言えば、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１に比べて光リーク電流が相対的に発生しにくいデータ線側ＬＤＤ領域１ｂ−１を覆う第１部分Ｐｙ１が、第２部分Ｐｙ２よりも狭い幅Ｗ１を有するように形成されることによって、開口率の無駄な低下を防止できる。
【００９３】
即ち、第２部分Ｐｙ２の幅Ｗ２を、より広く形成することによって、光リーク電流が相対的に発生しやすい画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１に対する遮光性を向上させつつ、第１部分Ｐｙ１の幅Ｗ１を、より狭く形成することによって、開口率の無駄な低下を防止できる。つまり、光リーク電流が発生しやすい画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１に対する遮光性のみを、いわばピンポイントで高めることで、開口率の無駄な低下を招くことなく、ＴＦＴにおける光リーク電流に起因して生じるフリッカ等の表示不良を効果的に低減できる。
【００９４】
ＴＦＴ３０ａ２に重なる蓄積容量７０ａは、第１部分Ｐｙ１及び第２部分Ｐｙ２と同様にＸ方向に沿って互いに幅が異なる部分を有しており、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−２及び画素電極側１ｃ−２を効果的に遮光している。但し、ＴＦＴ３０ａ２では、ＴＦＴ３０ａ１に比べて、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−２及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−２が第２チャネル領域１ａ−２を基準として逆の位置に形成されている。したがって、ＴＦＴ３０ａ２に重なる蓄積容量７０ａでは、第１部分Ｐｙ１及び第２部分Ｐｙ２に対応し、且つＸ方向に沿って互いに幅が異なる部分の相対的な位置関係は、第１部分Ｐｙ１及び第２部分Ｐｙ２と逆になっている。
【００９５】
図４において、素子部１３０ｂは、ｂ列のデータ線６ａに電気的に接続された第２データ線側ソースドレイン領域１ｄ−２、Ｙ方向に沿って第２データ線側ソースドレイン領域１ｄ−２の両側に位置する第３チャネル領域１ａ−３及び第４チャネル領域１ａ−４、第２データ線側ソースドレイン領域１ｄ−２から見てＹ方向に沿って第３チャネル領域１ａ−３及び第４チャネル領域１ａ−４の夫々の外側に位置しており、複数の画素電極９ａのうちＹ方向に沿って配列された第３画素電極９ａ３及び第４画素電極９ａ４の夫々に電気的に接続された第３画素電極側ソースドレイン領域１ｅー３及び第４画素電極側ソースドレイン領域１ｅー４、第３チャネル領域１ａ−３及び第２データ線側ソースドレイン領域１ｄ−２間に形成された本発明の「第３接合領域」の一例であるデータ線側ＬＤＤ領域１ｂ−３、並びに、第３チャネル領域１ａ−３及び第３画素電極側ソースドレイン領域１ｅ−３間に形成された本発明の「第４接合領域」の一例である画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−３を含む第２半導体層１Ａ−２を有している。
【００９６】
素子部１３０ｂは、素子部１３０ａと略同様の構成を有しており、第３画素電極９ａ３及び第４画素電極９ａ４の夫々が形成された画素に対応して画像信号を供給する一対のＴＦＴ３０ｂ１及び３０ｂ２を含んでいる。これら一対のＴＦＴ３０ｂ１及び３０ｂ２は、素子部１３０ａにおけるＴＦＴ３０ａ１及び３０ａ２に対応するものであり、第３画素電極９ａ３及び第４画素電極９ａ４の夫々に電気的に接続された第３画素電極側ソースドレイン領域１ｅ−３及び第４画素電極側ソースドレイン領域１ｅ−４を介して、第３画素電極９ａ３及び９ａ４の夫々に画像信号を供給する。尚、画像信号は、素子部１３０ｂが含む一対のＴＦＴ３０ｂ１及び３０ｂ２によって共用される第２データ線側ソースドレイン領域１ｄ−２を介して各ＴＦＴに供給される。素子部１３０ｂによれば、第２データ線側ソースドレイン領域１ｄ−２が一対のＴＦＴによって共用されているため、画素のピッチを狭めることが可能である。但し、図４に示すように、素子部１３０ｂは、複数のデータ線６ａのうちｂ列に対応するデータ線６ａが形成された領域に形成されており、Ｙ方向に沿って素子部１３０ａに対して一画素分図中上側にずらして配置されている。
【００９７】
素子部１３０ｂ（ｉ）が有するＴＦＴ３０ｂ１に重なる蓄積容量７０ａも、第１部分Ｐｙ１及び第２部分Ｐｙ２と同様の機能を有する、本発明の「第３遮光部」の一例である第３部分Ｐｙ３、及び本発明の「第４遮光部」の一例である第４部分Ｐｙ４を有している。第３部分Ｐｙ３は、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−３を覆っており、第４部分Ｐｙ４は、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−３を覆っている。より具体的には、第４部分Ｐｙ４におけるＸ方向に沿った幅Ｗ４は、第３部分Ｐｙ３における幅Ｗ３に比べて広くなっており、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−３に比べて、光リーク電流が発生し易い画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−３がピンポイントで確実に遮光されている。
【００９８】
加えて、ＴＦＴ３０ｂ２に重なる蓄積容量７０ａは、第３部分Ｐｙ３及び第４部分Ｐｙ４と同様にＸ方向に沿って互いに幅が異なる部分を有しており、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−４及び画素電極側１ｃ−４を効果的に遮光している。但し、ＴＦＴ３０ｂ２では、ＴＦＴ３０ｂ１に比べて、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ−４及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−４が第４チャネル領域１ａ−４を基準として逆の位置に形成されている。したがって、ＴＦＴ３０ｂ２に重なる蓄積容量７０ａでは、第３部分Ｐｙ３及び第４部分Ｐｙ４に対応し、且つＸ方向に沿って互いに幅が異なる部分の相対的な位置関係は、第３部分Ｐｙ３及び第４部分Ｐｙ４と逆になっている。
【００９９】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０ａ１よりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０ａが設けられている。蓄積容量７０ａは、下部容量電極７１及び上部容量電極３００が誘電体膜７５ａを介して対向配置されることにより形成されている。
【０１００】
図４において、本実施形態に係る液晶装置１では、第１部分Ｐｙ１、第２部分Ｐｙ２、第３部分Ｐｙ３及び第４部分Ｐｙ４を備えているため、単に素子部１３０ａ（ｉ）及び１３０ｂ（ｉ）をＸ方向に沿って同じ行に並べて配置しただけでは、Ｘ方向に沿って相隣接する画素の夫々において開口率に差が生じてしまう問題点がある。この問題点について、図７を参照しながら、より詳細に説明する。尚、図７に示した液晶装置は、本実施形態に係る液晶装置１の比較例であり、液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付している。
【０１０１】
図７において、素子部１３０ａ及び素子部１３０ｂは、ａ列及びｂ列の夫々において、図中Ｘ方向に沿って平面的に並列に配置されている。第２部分Ｐｙ２及び第４部分Ｐｙ４の夫々は、第１画素電極９ａ１が形成された画素の開口領域に向かって張り出している。第１部分Ｐｙ１及び第３部分Ｐｙ３の夫々は、第２画素電極９ａ２が形成された画素の開口領域に向かって張り出している。したがって、第１画素電極９ａ１が形成された画素の開口率は、第２画素電極９ａ２が形成された画素の開口率に比べて小さくなっている。素子部１３０ａ及び１３０ｂは、Ｙ方向に沿って複数配列されているため、Ｙ方向に沿ってａ列及びｂ列間に位置する複数の画素の夫々の開口率は、Ｙ方向に沿って交互に異なる。加えて、他の列間においても、ａ列及びｂ列と同様にＹ方向に沿って相隣接する画素の夫々において開口率に差が生じてしまう。
【０１０２】
このように、ＴＦＴに生じる光リーク電流を低減するために設けられた第１部分Ｐｙ１及び第３部分Ｐｙ３と、第２部分Ｐｙ２及び第４部分Ｐｙ４との夫々の幅の違いによって、相隣接する画素の一方の開口率が他の画素の開口率より小さくなり、第１部分Ｐｙ１及び第３部分Ｐｙ３と、第２部分Ｐｙ２及び第４部分Ｐｙ４との夫々の幅に違いを持たせない場合に比べて、Ｙ方向に沿って画像表示領域１０ａ全体に表示むらが生じてしまい、液晶装置の表示性能をかえって低下させてしまう虞がある。
【０１０３】
そこで、図４に示すように、本実施形態に係る液晶装置１では、素子部１３０ａ及び１３０ｂは、Ｙ方向に沿って１画素分相互にずらして配置されている。このような配置によれば、第１部分Ｐｙ１、第２部分Ｐｙ２、第３部分Ｐｙ３、及び第４部分Ｐｙ４の夫々は、各部分が遮光すべきＬＤＤ領域に覆うようにＹ方向に沿って互いにずらして配置されていることになる。
【０１０４】
より具体的には、第２部分Ｐｙ２が、第１画素電極９ａ１に重なっており、第４部分Ｐｙ４が、第２画素電極９ａ２に重なっている。したがって、第１画素電極９ａ１が形成された画素の開口率と、第２画素電極９ａ２が形成された画素の開口率とが同じになるように揃えることが可能である。即ち、画像表示領域１０ａ全体において、複数の素子部１３０ａ及び１３０ｂをＹ方向に沿って相互に１画素分ずらして配置することによって、画像表示領域１０ａを構成する複数の画素の開口率を同じに揃えることが可能である。
【０１０５】
加えて、液晶装置１は、光リーク電流が発生し易いＬＤＤ領域をピンポイントで遮光する第２部分Ｐｙ２及び第４部分Ｐｙ４を有しているため、画素スイッチング用ＴＦＴに発生する光リーク電流は、第２部分Ｐｙ２及び第４部分Ｐｙ４を設けない場合に比べて低減されている。更に、本実施形態に係る液晶装置１では、第２部分Ｐｙ２及び第４部分Ｐｙ４の幅に比べて、第１部分Ｐｙ１及び第３部分Ｐｙ３の幅を狭めているため、画素の開口率が極力低下されない構成となっている。
【０１０６】
次に、図８及び図９を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の画素の開口領域と、図７に示した比較例に係る液晶装置の画素の開口領域とを比較する。図８は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａの一部を図式的に示した平面図であり、図９は、図７に示した比較例に係る液晶装置の画像表示領域の一部を模式的に示した平面図である。
【０１０７】
図８において、本実施形態に係る液晶装置１では、画像表示領域１０ａは、液晶の駆動に応じて光が実質的に透過可能な開口領域２１０及び光が透過しない非開口領域２１１から構成されている。開口領域２１０及び非開口領域２１１は、複数の素子部１３０ａ及び１３０ｂ、並びに各種配線等によって規定されている。本実施形態に係る液晶装置１では、既に図４乃至図７を参照しながら説明したように、各画素における開口領域２１０のサイズは、画像表示領域１０ａ内で一様に揃っている。より具体的には、第１画素電極９ａ１、第２画素電極９ａ２、第３画素電極９ａ３及び第４画素電極９ａ４の夫々が形成された画素の開口領域２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ、及び２１０ｄのサイズは互いに等しい。
【０１０８】
他方、図９に示すように、本実施形態に係る液晶装置の比較例では、素子部１３０ａ及び１３０ｂがＸ方向に沿って同一行に並んで配置されているため、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ−１及び１ｃ−３を遮光する第２部分Ｐｙ２及び第４部分Ｐｙ４が画素電極９ａ１及び９ａ３に重なる面積は、データ線側ソースドレイン領域１ｂ−１及び１ｂ−３を遮光する第１部分Ｐｙ１及び第３部分Ｐｙ３が、画素電極９ａ２及び９ａ４に重なる面積より大きくなる（図４参照）。したがって、各画素の開口領域２１０は相隣接する行において相互に異なる。より具体的には、開口領域２１０ａ´及び２１０ｃ´の面積と、開口領域２１０ｂ´及び２１０ｄ´の面積とが相互に異なることになり、画像表示領域１０ａ´における表示むら等の表示不良を発生させてしまう。
【０１０９】
そこで、本実施形態に係る液晶装置によれば、図８に示したように、各開口領域２１０の面積を相互に等しく揃えることができるため、各画素における開口率を等しくすることができる。したがって、本実施形態に係る電気光学装置によれば、表示むら等の表示不良が生じない高品位の画像表示が可能になる。
【０１１０】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置用基板によれば、開口率の無駄な低下を招くことなく、光リーク電流の発生に起因して生じるフリッカ等の表示不良を低減できると共に、各画素の開口率の相違に起因する表示不良も低減することが可能である。
【０１１１】
＜変形例＞
次に、図１０を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の変形例を説明する。図１０は、本例に係る液晶装置の画像表示領域１０ａを図式的に示した平面図である。
【０１１２】
図１０において、本例に係る液晶装置が、上述の液晶装置１と異なる点は、各画素における開口領域を規定する複数の縁部のうち素子部１３０ａ及び素子部１３０ｂの夫々の側に臨む縁部２１２ａ及び２１２ｃは、Ｙ方向に沿って延びている点である。
【０１１３】
より具体的には、このような縁部２１２ａ及び２１２ｃによれば、各画素における開口領域２１０ａ及び２１０ｃの平面形状を矩形状にすることができる。そして、画像表示領域１０ａを構成する全ての画素について開口領域を矩形状にすることによって、開口領域が矩形状でない場合（例えば、図８に示したように画素における開口領域の隅が切り欠かれた平面形状）に比べて、画像表示領域１０ａに表示された画像のコントラストを高めることが可能である。したがって、本例に係る液晶装置によれば、上述の液晶装置１と同様に高品位で画像を表示できる。
【０１１４】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１１は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【０１１５】
図１１に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１１６】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１１７】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１１８】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１１９】
尚、図１１を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１２０】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１２１】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１２２】
【図１】本実施形態に係る電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´線断面図である。
【図３】本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】本実施形態に係る電気光学装置において相隣接する複数の画素部の平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ´線断面図である。
【図６】本実施形態に係る電気光学装置が有する素子部の平面図である。
【図７】本実施形態に係る電気光学装置の比較例における相隣接する複数の画素部の平面図である。
【図８】本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域の一部を図式的に示した平面図である。
【図９】図７に示した比較例に係る電気光学装置の画像表示領域の一部を図式的に示した平面図である。
【図１０】本実施形態に係る電気光学装置の変形例における画像表示領域を図式的に示した平面図である。
【図１１】本実施形態に係る電子機器の平面図である。
【符号の説明】
【０１２３】
１・・・液晶装置、１Ａ−１・・・第１半導体層、１Ａ−２・・・第２半導体層、９ａ・・・画素電極、３０ａ１，３０ａ２，３０ｂ１，３０ｂ２・・・ＴＦＴ、１ａ−１・・・第１チャネル領域、１ａ−２・・・第２チャネル領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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