(57)【要約】【課題】励振部からの振動の漏れを抑制してエネルギ閉じ込め効果を高めかつＣＩ値を小さくし、機械的強度を確保して耐衝撃性を向上させ、実用化に適した逆メサ型水晶振動片及びその製造方法を提供する。【解決手段】水晶振動片２１は、薄肉励振部２２、貫通溝２４を挟んで配置した厚肉補強枠部２３、及び励振部と同一平面及び同一厚さに形成されて励振部と補強枠部とを一体に結合する支持部２５，２６からなる水晶素子片と、励振部の表裏各面に設けられた励振電極２７ａ，２７ｂと、補強枠部に設けられた接続電極２８，２９と、各励振電極を対応する接続電極と接続する引出電極３０，３１とを有する。支持部は、その表面に形成した金属薄膜にレーザ光を照射して水晶のαβ転移点以上の温度に加熱することにより双晶化されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄肉の励振部、その周囲に貫通溝を挟んで配置した厚肉の補強枠部、前記貫通溝において前記励振部と同一平面及び同一厚さに形成されて前記励振部と前記補強枠部とを一体に結合する支持部からなる水晶素子片と、前記励振部の表裏各面に設けられた励振電極と、前記補強枠部に設けられた接続電極と、前記励振電極を前記接続電極と接続するために前記補強枠部及び前記支持部に設けられた引出電極とを有し、前記支持部が双晶化されていることを特徴とする水晶振動片。
【請求項２】
前記水晶素子片がＡＴカット水晶薄板からなることを特徴とする請求項１に記載の水晶振動片。
【請求項３】
請求項１又は２に記載される水晶振動片を形成するために、水晶ウエハを前記励振部の厚さにハーフエッチングして前記励振部、前記貫通溝及び前記支持部の形状に対応する薄肉部を形成する工程と、前記薄肉部をエッチングして前記貫通溝を形成しかつ前記補強枠部、前記励振部及び前記支持部を画定する工程と、前記支持部を加熱して双晶化する工程と、前記補強枠部、前記励振部及び前記支持部に前記励振電極、前記接続電極及び前記引出電極をパターニングする工程とを有することを特徴とする水晶振動片の製造方法。
【請求項４】
前記支持部の双晶化が、前記支持部の表面に金属薄膜を形成し、前記金属薄膜にレーザ光を照射して、前記支持部のみを選択的に水晶のαβ転移点以上の温度に加熱することにより行われることを特徴とする請求項３に記載の水晶振動片の製造方法。
【請求項５】
前記貫通溝の形成が、前記薄肉部の形成後に、前記水晶ウエハの表面に金属材料の耐蝕膜を形成し、前記耐蝕膜をフォトエッチングによりパターニングして、前記貫通溝を形成しようとする前記水晶ウエハ表面を露出させ、前記水晶ウエハの露出面をエッチングすることにより行われ、前記貫通溝の形成後に、前記支持部の表面に形成した前記耐蝕膜の部分を残存させることにより、前記支持部を双晶化するための前記金属薄膜を形成することを特徴とする請求項４に記載の水晶振動片の製造方法。
【請求項６】
前記励振電極、接続電極及び引出電極のパターニングが、前記貫通溝の形成後に、前記水晶ウエハの表面に電極膜を形成し、前記電極膜をフォトエッチングすることにより行われ、前記電極膜をフォトエッチングする際に、前記支持部の表面に形成した前記電極膜の部分を残存させることにより、前記支持部を双晶化するための前記金属薄膜を形成することを特徴とする請求項４に記載の水晶振動片の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄肉の振動部に励振電極を形成した所謂逆メサ型の水晶振動片及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、携帯電話等の情報通信機器の分野では、情報伝送の大容量化及び高速化に対応して、振動子、共振子、発振器等の圧電デバイスの高周波化が要求されている。特に厚みすべり振動モードの圧電振動子は、高周波化を図るために、圧電振動片の励振部の厚さを薄くする必要がある。そこで、高周波化を実現しつつ機械的強度を向上させるために、圧電振動片を薄肉の励振部とその周囲に厚肉の補強枠とを一体化した構造からなる逆メサ型の圧電振動子が良く知られている。更に、薄肉の励振部と補強枠との間にスリットまたは溝を形成して、補強枠から励振部に外力が伝わりにくくし、信頼性を高めた水晶振動子が提案されている（例えば、特許文献１，２を参照）。
【０００３】
図４（Ａ）（Ｂ）は、このような逆メサ型水晶振動片の典型例を示している。この水晶振動片１は、厚みすべり振動モードの水晶振動子に多用されているＡＴカットの矩形水晶薄板である。水晶振動片１は、中央に矩形薄肉の励振部２と、その周囲に矩形厚肉の補強枠部３とを有する水晶素子片からなる。励振部２と補強枠部３とは、所定幅の貫通溝４により分離され、かつ該励振部の長手方向両側辺の中央付近で支持部５，６により一体に結合されている。励振部２には、表裏主面には１対の励振電極７ａ、７ｂが形成され、補強枠部３には、一方の長手方向端部に左右１対の接続電極８、９が形成されている。前記各励振電極は、それぞれ支持部５，６から補強枠部３に引き出された引出電極１０，１１を介して、対応する接続電極８、９と電気的に接続されている。
【０００４】
この典型例の逆メサ型水晶振動片１は、支持部５，６が励振部２と同一平面をなしかつ同じ厚さを有する。そのため、図４（Ｂ）上部に示す振動分布から分かるように、励振部２の振動が支持部５，６から補強枠部３に漏れ、その結果ＣＩ値が大きくなるという問題を生じる。そこで、図５（Ａ）（Ｂ）に示すように、各支持部５，６を、それと励振部２及び補強枠部３との間に段差５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂを設けて薄肉化した逆メサ型水晶振動片が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。これにより、図５（Ｂ）上部の振動分布に示すように、支持部５，６から補強枠部３への振動の漏れが大幅に低減し、ＣＩ特性を劣化させないエネルギ閉じ込め効果が得られる。
【０００５】
また、水晶平板に逆メサ部を設けかつその両面に励振電極を形成するとともに、励振電極を形成した部分の周辺部に双晶部を形成した逆メサ型水晶振動片が提案されている（例えば、特許文献３を参照）。特許文献３によれば、水晶が双晶化すると共振周波数が高くなるので、水晶を薄肉化した場合と同様の効果が得られ、水晶振動片の強度を確保しつつ、エネルギ閉じ込め効果を得ることができる。
【０００６】
水晶の双晶化は、水晶をそのαβ転移点以上の温度に加熱して、水晶の電気軸即ちＸ軸を反転させることにより可能である。特に、水晶振動子において微細な部分を双晶化したり素子の微細化に対応するためには、レーザ光の照射による加熱方法が、制御性に優れ、極めて局所的に加熱できることから有利なことが知られている（例えば、特許文献４、非特許文献１，２を参照）。
【０００７】
また、ＡＴカット水晶板のＸ軸を反転させた場合、Ｘ軸の反転領域におけるカットオフ周波数は非反転領域よりも１．４７倍高い周波数になることが報告されている（例えば、非特許文献２を参照）。そのため、Ｘ軸の反転領域では振動が大幅に減衰される。非特許文献２では、Ｘ軸の反転領域を隣接する振動子間の分離壁として利用し、弾性結合が起こらないことを実験的に検証している。
【０００８】
【非特許文献１】野毛悟，宇野武彦、「レーザ光照射を用いた人工双晶形成法」、第１９回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演予稿集、平成１０年１１月、Ｖｏｌ．１９、ｐ．１８７−１８８
【非特許文献２】野毛悟、「水晶振動子の集積化技術とセンサシステムへの応用に関する研究」、東京都立大学大学院工学研究科，学位論文公聴会、平成１６年１２月３日
【特許文献１】特開昭６１−１８９７１５号公報
【特許文献２】特開平１０−３２４５６号公報
【特許文献３】特開２００４−４８７１７号公報
【特許文献４】特開平１１−３４６１３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載の逆メサ型水晶振動片のように、励振部と補強枠部とを結合する支持部を薄肉化した場合、機械的強度が低下するという問題が生じる。十分に振動の漏れを抑制するためには、支持部を相当薄くしなければならず、特に落下等に対する耐衝撃性が低下するので、実用化する際に大きな障害となる。
【００１０】
また、特許文献４に記載の逆メサ型水晶振動片のように、励振電極形成部分の周囲に双晶部を形成する場合、レーザ光照射による加熱処理の場合でも、処理領域を高精度に制御することが困難である。しかも、励振電極形成部分がその全周に亘ってレーザ光照射領域と隣接しているため、レーザ光の高温が励振電極形成部分の水晶に作用して振動特性に悪影響を及ぼす虞がある。
【００１１】
そこで本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、薄肉励振部と厚肉補強部とを支持部で一体に結合した逆メサ型水晶振動片において、励振部から補強枠部への振動の漏れを有効に抑制し、エネルギ閉じ込め効果を高めて振動特性の安定性を図り、ＣＩ値を小さくして高性能化を実現すると共に、その機械的強度を確保して、落下等に対する耐衝撃性を向上させ、実用化を図ることにある。
【００１２】
更に本発明の目的は、かかる水晶振動片を高精度にかつ容易に、その振動特性に影響を与えることなく安定して製造し得る実用的な方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によれば、上記目的を達成するために、薄肉の励振部、その周囲に貫通溝を挟んで配置した厚肉の補強枠部、及び貫通溝において前記励振部と同一平面及び同一厚さに形成されて励振部と補強枠部とを一体に結合する支持部からなる水晶素子片と、励振部の表裏各面に設けられた励振電極と、補強枠部に設けられた接続電極と、励振電極を接続電極と接続するために補強枠部及び支持部に設けられた引出電極とを有し、支持部が双晶化された水晶振動片が提供される。
【００１４】
このように励振部と同一厚さの支持部を双晶化することにより、その機械的強度を確保しつつ、支持部における振動の減衰作用により、補強枠部への振動の漏れを有効に抑制することができる。従って、ＣＩ値を小さくし、かつエネルギ閉じ込め効果を高めることができ、高性能かつ高安定性の逆メサ型水晶振動片を実用化することができる。
【００１５】
或る実施例では、水晶素子片がＡＴカット水晶薄板により形成される。従来技術に関連して上述したように、双晶化したＡＴカット水晶は１．４７倍も高い周波数が得られるので、支持部において振動を大幅に減衰させることができ、優れたエネルギ閉じ込め効果が得られる。
【００１６】
本発明の別の側面によれば、上述した本発明の水晶振動片を形成するために、水晶ウエハを励振部の厚さにハーフエッチングして励振部、貫通溝及び支持部の形状に対応する薄肉部を形成する工程と、薄肉部をエッチングして貫通溝を形成しかつ補強枠部、励振部及び支持部を画定する工程と、支持部を加熱して双晶化する工程と、補強枠部、励振部及び支持部に励振電極、接続電極及び引出電極をパターニングする工程とを有する水晶振動片の製造方法が提供される。
【００１７】
このように従来の製造工程をそのまま利用して、加熱による支持部の双晶化工程を加えるだけで、容易にかつ低コストで本発明の水晶振動片を製造することができる。
【００１８】
或る実施例では、支持部の双晶化が、該支持部の表面に金属薄膜を形成し、該金属薄膜にレーザ光を照射して、支持部のみを選択的に水晶のαβ転移点以上の温度に加熱することにより行われる。レーザ光照射による加熱は、もとより制御が容易であることに加え、励振部と補強枠部とが貫通溝により物理的に分離されているので、支持部のみを所望の温度に加熱するように制御することが非常に容易である。
【００１９】
この場合、或る実施例では、貫通溝の形成が、薄肉部の形成後に、水晶ウエハの表面に金属材料の耐蝕膜を形成し、該耐蝕膜をフォトエッチングによりパターニングして、貫通溝を形成しようとする水晶ウエハ表面を露出させ、該水晶ウエハ露出面をエッチングすることにより行われ、貫通溝の形成後に、支持部の表面に形成した耐蝕膜の部分を残存させることにより、支持部を双晶化するための金属薄膜を形成する。従来の製造工程において形成される耐蝕膜をそのまま利用するので、追加の成膜工程が不要であり、低コストでかつ効率良く支持部の双晶化を行うことができる。
【００２０】
別の実施例では、励振電極、接続電極及び引出電極のパターニングが、貫通溝の形成後に、水晶ウエハの表面に電極膜を形成し、該電極膜をフォトエッチングすることにより行われ、この電極膜をフォトエッチングする際に、支持部の表面に形成した電極膜の部分を残存させることにより、支持部を双晶化するための金属薄膜を形成する。この場合にも、同様に従来の製造工程において形成される電極膜をそのまま利用するので、追加の成膜工程が不要であり、低コストでかつ効率良く支持部の双晶化を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に、本発明の好適な実施例について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１（Ａ）（Ｂ）は、本発明を適用した厚みすべり振動モードの逆メサ型水晶振動片の好適な実施例を概略的に示している。本実施例の水晶振動片２１は、従来から厚みすべり振動モードの水晶振動子に多く使用されているＡＴカットの矩形水晶薄板で形成されている。ＡＴカット水晶板は、水晶をそのＸ軸回りにＺ軸から所定の約３５度のカットアングルで切り出したもので、水晶振動片２１は、その対向する長手方向の２辺が水晶のＸ軸方向に延長し、かつ対向する幅方向の２辺が水晶のＺ軸に関して前記所定の角度をなすＺ´方向に延長するように配向している。水晶振動片２１の表裏両主面は、水晶のＹ軸に関して前記所定の角度をなすＹ´方向に直交する、別言すればＹ軸に直交する平面に関して前記所定の角度で傾斜している。
【００２２】
水晶振動片２１は、中央に矩形薄肉の励振部２２と、その周囲に配置された矩形厚肉の補強枠部２３とからなる水晶素子片を有する。励振部２２と補強枠部２３とは、それらの間に設けた所定幅の貫通溝２４により分離され、かつ励振部２２の長手方向即ちＸ軸方向の各辺の中央付近に配置した支持部２５，２６により、一体に結合されている。両支持部２５，２６は、励振部２２と同じ厚さを有し、かつそれと同一平面をなすように形成されている。別の実施例では、前記支持部を励振部２２の長手方向各辺の中央以外の位置に設けることができ、また、２個所以上の支持部を設けることができる。
【００２３】
励振部２２の表裏主面には、同じ矩形パターンの１対の励振電極２７ａ、２７ｂがそれぞれ形成されている。補強枠部２３の一方の長手方向端部には、その表裏主面にそれぞれ前記励振電極を外部に接続するための左右１対の接続電極２８、２９が形成されている。更に、補強枠部２３の表側主面には、一方の接続電極２８と接続された引出電極３０が形成され、その裏側主面には、他方の接続電極９と接続された引出電極３１が形成されている。
【００２４】
引出電極３０は、接続電極２８から隣接する一方のＸ軸方向の側辺に沿って延長し、該側辺の中央付近で屈曲して支持部２５の表側主面を通過し、励振部２２表面の励振電極２７ａと接続されている。引出電極３１は、接続電極２９から隣接する他方のＸ軸方向の側辺に沿って延長し、該側辺の中央付近で屈曲して支持部２６の裏側主面を通過し、励振部２２裏面の励振電極２７ｂと接続されている。更に引出電極３１は、前記長手方向端部の側面に形成された電極膜３１ａにより、補強枠部２３表側主面の接続電極９と接続されている。
【００２５】
また、水晶は、そのエッチング速度が結晶方位別に異なり、Ｚ軸方向（水晶振動片２１の幅方向Ｚ´に関して約３５度の傾きをなす）に大きく、Ｘ軸方向（水晶振動片２１の長手方向）に小さく、Ｙ軸方向（水晶振動片２１の面方向Ｙ´に関して約３５度の傾きをなす）には更に小さいという、エッチング速度の結晶軸依存性を有する。このため、薄肉の励振部２２と厚肉の補強枠部２３との段差は、Ｘ軸方向に延長する対向２辺のうち、＋Ｚ´側が内側に向けて比較的緩やかに傾斜するのに対し、−Ｚ´側は略垂直にエッチングされる。これらと直交してＺ´方向に延長する対向２辺は、−Ｘ側がやや急峻に傾斜するのに対し、＋Ｘ側は更に急峻にエッチングされる。
【００２６】
支持部２５，２６は、その厚み全体が双晶化されている。前記支持部の双晶化は、後述するようにレーザ光の照射によって、水晶のαβ転移点以上の温度に加熱して、水晶の電気軸即ちＸ軸を反転させることにより行うことができる。支持部２５，２６は、励振部２２と同一の厚さを有するので、機械的強度を確保しつつ、双晶化していない他の部分よりも共振周波数が１．４７倍高くなる。これにより、図１（Ｂ）上部の振動分布に示すように、励振部２２による振動が前記支持部で大幅に減衰し、補強枠部２３への振動の漏れが大幅に低減する。従って、ＣＩ値を小さくし、高いエネルギ閉じ込め効果を得ることができる。
【００２７】
本発明の水晶振動片２１は、以下に説明するように、フォトリソグラフィ技術を用いてＡＴカット水晶板の表裏主面を異方性ウェットエッチングする従来の方法を利用して形成することができる。具体的には、先ず所定厚さの水晶ウエハを準備してその両面を鏡面研磨で仕上げた後、例えばＣｒ／Ａｕ薄膜からなる耐フッ酸性の耐蝕膜をスパッタリング又は蒸着により全面に形成する。この水晶ウエハの両面全面にレジスト膜を塗布し、補強枠部２３の内側の貫通溝２４を含むメサ形状をパターニングしたフォトマスクを用いて、紫外線で前記レジスト膜を露光する。
【００２８】
前記レジスト膜の露光部分を除去し、それにより露出した耐蝕膜の部分を適当なエッチング液で除去して前記メサ形状をパターニングする。これにより前記水晶ウエハの表面を露出させ、その露出面を例えばフッ酸を主成分とする水晶用エッチング液で、励振部２２の所望の厚さまでハーフエッチングする。残存するレジスト膜を適当な剥離液又は酸素プラズマなどにより完全に除去し、更に残存する耐蝕膜を剥離液で完全に除去する。
【００２９】
次に、この水晶ウエハの両面全面に同様にして耐蝕膜を形成し、かつレジスト膜を塗布し、貫通溝２４の形状をパターニングしたフォトマスクを用いて、紫外線で前記レジスト膜を露光する。このレジスト膜の露光部分を除去し、それにより露出した耐蝕膜の部分を適当なエッチング液で除去して前記水晶ウエハの表面を露出させる。そして、前記水晶ウエハの露出面を同様にフッ酸を主成分とする水晶用エッチング液などでエッチングして、貫通溝４を形成する。残存するレジスト膜及び耐蝕膜を同様にして完全に除去する。これにより、水晶振動片１の厚み方向を含む外形を加工した水晶素子片が得られる。
【００３０】
このようにして得られた水晶素子片の支持部２５，２６の表側又は裏側の表面に、図２に示すように、例えばＣｒ膜又はＮｉ膜からなる金属薄膜３２，３３を形成する。ＹＡＧレーザ等のレーザ装置を用いて、前記金属薄膜に焦点を合わせてレーザ光を照射し、前記支持部のみを水晶のαβ転移点以上の温度に加熱する。レーザ光照射は、所望の部分を局所的に加熱するように制御可能であるから、各支持部２５，２６を選択的に、その水晶のＸ軸を反転させて双晶化することができる。特に本発明では、支持部２５，２６の周囲において励振部２２が貫通溝２４により補強枠部２３から物理的に分離されているので、前記支持部のみを所望の温度に加熱するように制御することが非常に容易である。
【００３１】
この場合、貫通溝２４の形成後に残存する前記耐蝕膜を剥離する際に、前記支持部の一方の表面に形成した前記耐蝕膜のＣｒ膜を残存させて、双晶化するための前記金属薄膜とすることができる。このように従来の製造工程において形成される耐蝕膜をそのまま利用すれば、金属薄膜３２，３３のために追加の成膜工程が不要になるので、低コストでかつ効率良く前記支持部の双晶化を行うことができる。レーザ光照射後の金属薄膜３２，３３は、支持部表面から完全に除去する。
【００３２】
次に、この水晶素子片の表面全面に、例えばＣｒ／Ａｕ薄膜からなる電極膜をスパッタリング又は蒸着により形成し、かつレジスト膜を塗布する。励振電極２７ａ，２７ｂ、引出電極３０，３１及び接続電極２８，２９の形状をパターニングしたフォトマスクを用いて、紫外線で前記レジスト膜を露光する。このレジスト膜の露光部分を除去し、それにより露出した前記電極膜の部分を適当なエッチング液で除去して、前記励振電極、引出電極及び接続電極をパターニングする。最後に、残存するレジスト膜を完全に除去すると、本発明の水晶振動片２１が完成する。更に、この水晶振動片を公知のパッケージに搭載すると、本発明の逆メサ型ＡＴカット水晶振動子が得られる。
【００３３】
別の実施例では、励振電極２７ａ，２７ｂ、引出電極３０，３１及び接続電極２８，２９をパターニングするために、前記水晶素子片の外形加工後にその表面に形成される前記電極膜を利用して、双晶化するための前記金属薄膜を形成することができる。図３に示すように、前記水晶素子片の表面に電極膜３４，３５を形成し、支持部２５，２６の前記引出電極を形成しない側の表面に金属薄膜３２，３３を残すようにパターニングする。このとき、金属薄膜３２，３３は前記電極膜の下層のＣｒ薄膜だけでよい。レーザ光は、反対側の電極膜３４，３５部分に影響を与えないように、その反対側から金属薄膜３２，３３に照射する。レーザ光照射後の金属薄膜３２，３３は除去しなくても良い。この場合も、同様に金属薄膜３２，３３のために追加の成膜工程が不要であり、低コストでかつ効率良く支持部の双晶化を行うことができる。
【００３４】
また、水晶振動片２１は、大型の水晶ウエハを用いて一度に多数個を形成することができる。両面を鏡面仕上げした所定厚さの大型の水晶ウエハを準備し、上述した製造工程に従って多数の水晶振動片２１を縦及び横方向に連続して形成する。この水晶ウエハをダイシングすることにより、個々の振動片に分割することができる。
【００３５】
上記実施例では、本発明を厚みすべり振動モードの水晶振動片に適用した場合について説明したが、同様に薄肉励振部と厚肉補強枠部とを有する逆メサ型の水晶振動片であれば、本発明はモノリシッククリスタルフィルタの水晶振動片にも適用することができる。この場合、薄肉励振部には、その一方の主面に分離された複数の励振電極が設けられる。接続電極及び引出電極は、補強枠部及び支持部の励振電極と同じ側の主面に形成することができる。
【００３６】
以上、本発明の好適実施例について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において上記各実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができる。例えば、水晶振動片のメサ形状は、異方性ウェットエッチング以外にドライエッチングや機械的加工方法により形成することもできる。更に、水晶ウエハから個々の振動片を個片化する際に、ダイシング以外の機械的加工やウェットエッチングを用いることができる。また、ＡＴカット以外の水晶からなる水晶振動片についても同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】（Ａ）図は本発明を適用したＡＴカット水晶振動片の実施例を示す平面図、（Ｂ）図はそのＩ−Ｉ線における断面図及び該断面における振動の分布図。
【図２】支持部を双晶化する工程を説明する図１（Ａ）のＩ−Ｉ線における部分拡大断面図。
【図３】支持部を双晶化する別の工程を説明する図２と同様の部分拡大断面図。
【図４】（Ａ）図は従来のＡＴカット水晶振動片の典型例を示す平面図、（Ｂ）図はそのIV−IV線における断面図及び該断面における振動の分布図。
【図５】（Ａ）図は従来技術の別のＡＴカット水晶振動片を示す平面図、（Ｂ）図はそのＶ−Ｖ線における断面図及び該断面における振動の分布図。
【符号の説明】
【００３８】
１，２１…水晶振動片、２，２２…励振部、３，２３…補強枠部、４，２４…貫通溝、５，６，２５，２６…支持部、５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂ…段差、７ａ，７ｂ，２７ａ，２７ｂ…励振電極、８，９，２８，２９…接続電極、１０，１１，３０，３１…引出電極、１１ａ，３１ａ…電極膜、３２，３３…金属薄膜、３４，３５…電極膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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