(57)【要約】【課題】不良ブロックを代替できる代替ブロックの状態情報を提供することにより、使用者がデータに対する安定性を確保するための行為を行うことができるフラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法を提供することにある。【解決手段】フラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法において、前記フラッシュメモリの不良ブロックとこれを代替するための代替ブロックに対するブロック状態情報を記憶し、特定コマンドが入力されたときに前記ブロック状態情報を使用者に提供する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法において、
前記フラッシュメモリの不良ブロックとこれを代替するための代替ブロックに対するブロック状態情報を記憶し、特定コマンドが入力されたときに前記ブロック状態情報を使用者に提供することを特徴とするブロック状態情報提供方法。
【請求項２】
前記ブロック状態情報は前記不良ブロックの容量、前記代替ブロックの容量、及び前記代替ブロックの数を含むことを特徴とする請求項１に記載のブロック状態情報提供方法。
【請求項３】
前記ブロック状態情報は全体の代替ブロックのうち不良ブロックを代替するために使用された代替ブロックを除き、残っている代替ブロックに対する情報を含むことを特徴とする請求項２に記載のブロック状態情報提供方法。
【請求項４】
前記代替ブロックの容量または数が一定水準に到達する場合に使用者に警告を提供することを特徴とする請求項３に記載のブロック状態情報提供方法。
【請求項５】
前記警告が発生される警告時点は使用者により調節可能であることを特徴とする請求項４に記載のブロック状態情報提供方法。
【請求項６】
前記ブロック状態情報は前記フラッシュメモリに対するブロック情報及びマッピング情報を書き込みするメタブロックに記憶されることを特徴とする請求項４に記載のブロック状態情報提供方法。
【請求項７】
前記特定コマンドはＡＴＡコマンドのうち‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＡＤ  ＤＡＴＡ’コマンドであることを特徴とする請求項３に記載のブロック状態情報提供方法。
【請求項８】
前記特定コマンドはＡＴＡコマンドのうち製造者に許容された製造者固有のコマンドを利用して設定されることを特徴とする請求項３に記載のブロック状態情報提供方法。
【請求項９】
前記警告時点の設定はＡＴＡコマンドのうち製造者に許容された製造者固有のコマンドを利用して設定されることを特徴とする請求項５に記載のブロック状態情報提供方法。
【請求項１０】
前記警告の発生はＡＴＡコマンドのうち‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＴＵＲＮ  ＳＴＡＴＵＳ’コマンドが利用されることを特徴とする請求項９に記載のブロック状態情報提供方法。
【請求項１１】
前記警告の発生はＡＴＡコマンドのうち製造者に許容された製造者固有のコマンドを利用して設定されることを特徴とする請求項９に記載のブロック状態情報提供方法。
【請求項１２】
前記半導体メモリ装置はＮＡＮＤフラッシュメモリを利用したＳＳＤ（Solid State Disk）であることを特徴とする請求項５に記載のブロック状態情報提供方法。
【請求項１３】
フラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック情報提供方法において、
前記フラッシュメモリの不良ブロックとこれを代替するための代替ブロックに対するブロック状態情報を記憶する段階と、
ＡＴＡコマンドのうち‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＡＤ  ＤＡＴＡ’コマンドを利用して前記ブロック状態情報を使用者に提供する段階と、を備えることを特徴とするブロック状態情報提供方法。
【請求項１４】
ＡＴＡコマンドのうち‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＴＵＲＮ  ＳＴＡＴＵＳ’コマンドを利用して前記代替ブロックの容量または数が一定水準に到達する場合に使用者に警告を提供することを特徴とする請求項１３に記載のブロック状態情報提供方法。
【請求項１５】
前記警告が発生される警告時点は使用者により調節可能であることを特徴とする請求項１４に記載のブロック状態情報提供方法。
【請求項１６】
前記警告時点の設定はＡＴＡコマンドのうち製造者に許容された製造者固有のコマンドを利用して設定されることを特徴とする請求項１５に記載のブロック状態情報提供方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法に係り、具体的には、不良ブロックを代替できる代替ブロックの状態情報を提供することにより、使用者がデータに対する安定性確保のための行為を行うことができるフラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラッシュメモリは自由なデータの書き込み及び消去が可能であるＲＡＭの長所と電源供給がなくても記憶されたデータを保存するＲＯＭの長所を同時に有しているので、最近ではデジタルカメラ、ＰＤＡ、ＭＰ３プレーヤーのような携帯用電子機器の記憶媒体として広く使用されている。
【０００３】
フラッシュメモリはプログラム動作または消去動作のときに高エネルギー障壁を通過するトンネリング効果、或いは高い運動エネルギーを有するホットキャリヤが絶縁物を通過するホットキャリヤ効果を利用する。このようなプログラム動作及び消去動作はフラッシュメモリセルにデータを書き込みする回数を制限する要因となり、データの書き込み動作のときにセルの誤動作を誘発する原因となる。
【０００４】
また、高集積化が要求されるメモリ装置の製造工程が有する多数の制約要件のため、セルが不良を誘発することもある。このようなフラッシュメモリの高集積化による歩留まりの低下及びスループットの低下を改善するための様々ないろんな試みがなされている。
【０００５】
様々な試みの中で不良が発生したブロックを代替ブロックに代替する冗長技術がある。冗長技術は不良の発生したブロックのアドレスを把握し、把握されたアドレスにはデータの書き込み及び読み出し動作が行われないように阻止するものである。また、不良の発生した不良ブロックは所定の物理アドレスを有する代替ブロックに代替され、その代替されたブロックを通じてデータの書き込みまたは読み出し動作が行われる。
【０００６】
図７及び図８は一般のフラッシュメモリのメモリ構成を示す。
【０００７】
図７及び図８に示すように、フラッシュメモリはメタブロック、ユーザブロック、及び代替ブロックを備える。
【０００８】
メタブロックは誤動作の発生した不良ブロックに対する情報、代替ブロックに対する情報、及びマッピング情報を記憶するためのブロックであり、ユーザブロックはデータを記憶するための記憶ブロックであり、代替ブロックは不良ブロックを代替するためのブロックである。
【０００９】
フラッシュメモリを備える半導体メモリ装置は、不良ブロックを代替できる代替ブロックを具備し、動作中にデータに対する安定性を確保している。
【００１０】
即ち、図７に示すように、メタブロック、ユーザブロックにおいて初期不良ブロック３２、３４が発生した場合、これらは代替ブロック３５、３６にそれぞれ代替される。この場合、初期不良ブロック３２、３４にはデータのアクセスが起こらずに代替された代替ブロック３５、３６を通じてデータのアクセスが起こる。
【００１１】
初期不良ブロック３２、３４を代替した状態において動作進行中に進行不良ブロック３８が発生した場合にはこれらの進行不良ブロック３８も代替ブロック４０に代替される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、初期不良ブロックを含んで動作が行われる間に発生される進行不良ブロックを代替ブロックにすべて代替することにより、代替ブロックがすべて使用し尽した場合にはこれ以上の半導体メモリ装置の安定性を確保することができない。この場合に半導体メモリ装置はデータに対する安定性を確保するために自動的に書き込み禁止状態（または単に書き込みだけが可能な状態）が自動的に進行する。このとき、使用者は装置の寿命が尽きたことを感知し、データバックアップのような手順を行う。
【００１３】
従来のフラッシュメモリを具備した半導体メモリ装置は、半導体メモリ装置が書き込み禁止状態になるまでは代替ブロックに対する情報を知ることが出来ない。即ち、使用し尽されずに残っている代替ブロックの容量及び代替ブロックの数に対する情報を従来のフラッシュメモリを具備した半導体メモリ装置では提供していないという問題点がある。
【００１４】
そこで、本発明の目的は、このような従来の問題点を解決できるフラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法を提供することにある。
【００１５】
本発明の他の目的は、データの安定性確保が可能なフラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法を提供することにある。
【００１６】
本発明のまた他の目的は、代替ブロックの状態情報を提供できるフラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法を提供することにある。
【００１７】
本発明のまた他の目的は、代替ブロックが残っている容量が一定水準に到達した場合に警告を提供することができる半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法を提供することにある。
【００１８】
本発明のまた他の目的は、警告を提供する時点を使用者が調節することができる半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
このような目的を達成するために本発明によるフラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法は、前記フラッシュメモリの不良ブロックとこれを代替するための代替ブロックに対するブロック状態情報を記憶し、特定コマンドが入力されたときに前記ブロック状態情報を使用者に提供することを特徴とする。
【００２０】
前記ブロック状態情報は前記不良ブロックの容量、前記代替ブロックの容量、及び前記代替ブロックの数を含み、前記ブロック状態情報は全体の代替ブロックのうち不良ブロックを代替するために使用された代替ブロックを除いた残っている代替ブロックに対する情報を含むことができる。
【００２１】
前記代替ブロックの容量または数が一定水準に到達する場合に使用者に警告を提供することができるし、前記警告が発生される警告時点は使用者により調節可能であってもよい。
【００２２】
前記ブロック状態情報は前記フラッシュメモリに対するブロック情報及びマッピング情報を書き込みするメタブロックに記憶されてもよいし、前記特定コマンドはＡＴＡコマンドのうち‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＡＤ  ＤＡＴＡ’コマンドであってもよい。
【００２３】
また、前記特定コマンドはＡＴＡコマンドのうち製造者に許容された製造者固有のコマンドを利用して設定され、前記警告時点の設定はＡＴＡコマンドのうち製造者に許容された製造者固有のコマンドを利用して設定されうる。
【００２４】
そして、前記警告の発生はＡＴＡコマンドのうち‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＴＵＲＮ  ＳＴＡＴＵＳ’コマンドが利用されるか、またはＡＴＡコマンドのうち製造者に許容された製造者固有のコマンドを利用することができる。
【００２５】
前記半導体メモリ装置はＮＡＮＤフラッシュメモリを利用したＳＳＤ（Solid State Disk）であってもよい。
【００２６】
また、本発明の他の実施形態によるフラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法は、前記フラッシュメモリの不良ブロックとこれを代替するための代替ブロックに対するブロック状態情報を記憶する段階と、ＡＴＡコマンドのうち‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＡＤ  ＤＡＴＡ’コマンドを利用して前記ブロック状態情報を使用者に提供する段階と、を備える。
【００２７】
ＡＴＡコマンドのうち‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＴＵＲＮ  ＳＴＡＴＵＳ’コマンドを利用して前記代替ブロックの容量または数が一定水準に到達する場合に使用者に警告を提供する段階をさらに具備してもよいし、前記警告が発生される警告時点は使用者により調節可能であってもよい。そして、前記警告時点の設定はＡＴＡコマンドのうち製造者に許容された製造者固有のコマンドを利用して設定されうる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、フラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置において、特定コマンドを利用して代替ブロックの容量及び不良ブロックの容量などに対する情報を使用者が知ることができる。また、使用者がデータに対する安定性を確保するためにデータバックアップのような行為を行う時点を提供するために使用者に警告を提供することができる。このとき、警告を提供する警告時点を使用者が調節可能にすることにより、警告時点を調節することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の好ましい実施形態について、添付図面を参照して詳しく説明する。
【００３０】
図１はフレッシュメモリを用いた半導体メモリ装置のブロック図である。
【００３１】
図１に示すように、半導体メモリ装置はＮＡＮＤフラッシュメモリなどのフラッシュメモリ３０と、使用者プログラム１０を搭載した制御部２０とを備える。
【００３２】
フラッシュメモリ３０は、制御部２０のアクセス制御に従って対応するデータを書き込みまたは読み出しするメモリである。
【００３３】
制御部２０は使用者がフラッシュメモリ３０で所定のデータ演算を要請するかまたは所定ファイルに対する論理演算を行うようにする使用者プログラムを搭載し、使用者の要請に応じてフラッシュメモリ３０で所定のデータ演算が行われるようにする。
【００３４】
制御部２０は使用者プログラムを搭載するファイルシステム２２と、使用者の要請による所定のデータ演算、即ち、フラッシュメモリ３０の書き込み／読み出し動作をフラッシュメモリ３０に伝達するフラッシュ変換階層（Flash Translation Layer；以下、ＦＴＬという）２４と、を含む。
【００３５】
ＦＴＬ２４はフラッシュメモリの書き込み動作のときに、ファイルシステム２２が生成した論理アドレスを消去演算の行われたフラッシュメモリ３０の物理アドレスでマッピングさせる役割を果たす。
【００３６】
すなわち、フラッシュメモリ３０は、ハードウェアの特性上、既存のＲＡＭ及び不揮発性記憶媒体、マグネチック記憶媒体などと同様に特定位置に記憶されたデータを任意にアクセスするのが可能であるが、データを消去する場合には既存の記憶媒体とは異なってブロック単位に消去が行われる。また、フラッシュメモリにデータを書き込みするためには消去演算が必ず先行しなければならない。そして、書き込みデータの単位よりも消去されるデータの単位の方が大きいという特徴を有している。
【００３７】
このような特徴はフラッシュメモリを主メモリとして使用することを難しくするだけでなく、フラッシュメモリが補助記憶装置として使用される場合にも一般のハードディスク用ファイルシステムをそのまま活用することを阻害する要因となる。従って、フラッシュメモリの消去演算を抑えるためにファイルシステム２２とフラッシュメモリ３０との間にＦＴＬ２４が使用される。
【００３８】
ＦＴＬ２４のアドレスマッピング機能のため、ホストはフラッシュメモリ３０をハードディスクドライバとして認識し、ハードディスクドライバと同一な方式によりフラッシュメモリ装置にアクセスすることができる。ＦＴＬ２４はホストシステムから独立したハードウェア形態で具現することもできるし、ホストシステム内部のディバイスドライバ形態で具現することもできる。
【００３９】
上述のような半導体メモリ装置がＳＳＤ（Solid State Disk）またはハードディスク（以下「ハードディスク」という）として利用される場合、フラッシュメモリの不良ブロック及びその全体の不良ブロックのうち不良ブロックを代替するために使用された代替ブロックを除き、残された代替ブロックに対するブロック状態情報を使用者に提供するために、本発明の一実施形態ではＡＴＡ（AdvancedTechnology Attachment）インターフェースのスマート（Ｓ．Ｍ．Ａ．Ｒ．Ｔ）関連の特定コマンドを利用している。本実施形態に係る半導体メモリ装置は、特定コマンドが入力されたときに、ブロック状態情報が使用者に提供するように構成されている。また、特定コマンドは、ＡＴＡコマンドのうち製造者に許容された製造者固有のコマンドを利用して設定されうる。
【００４０】
スマートは‘Ｓｅｌｆ−Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  ａｎｄ  Ｒｅｐｏｒｔｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ’の略語として、ディスクドライバの近い将来に発生する可能性のある故障に対する予測を可能にするものであって、最近開発され始めた技術である。
【００４１】
スマート機能で観察する値は製造業者（製造者）ごとに異なる。まだ確定していないが、一般に、ヘッドの浮上高（Head flying height）、データ処理能力（Data throughput performance）、スピンアップタイム（Spin-uptime）、再割当されたセクタ数（Reallocated sector count）、シークタイムエラー（Seek time error）、シークタイム性能（Seektime performance）、スピンタイム性能（Spin time performance）、スピントライ再カウント（Spin try recount）、ドライブ計算リトライの回数（Drivecalibration retry count）など値であり、これらをどのようなフォーマットで報告するかは製造業者ごとに相違しうる。
【００４２】
図２はスマートコマンドの種類を‘ｆｅａｔｕｒｅ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’値に従い区分したコマンドフォーマットを示す。
【００４３】
図２に示すように、スマートコマンドは‘ｆｅａｔｕｒｅ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’値をサブコマンドとして利用して、この値に従い他の動作を行うことができるコマンドである。
【００４４】
図２に示したスマートコマンドに対しては当業者によく知られているため、その説明を省略する。
【００４５】
スマートコマンドのうち‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＡＤ  ＤＡＴＡ（Ｄ０ｈ）’、‘ＳＭＡＲＴ  ＥＮＡＢＬＥ／ＤＩＳＡＢＬＥ  ＡＴＴＲＩＢＵＴＥ  ＡＵＴＯＳＡＶＥ（Ｄ２ｈ）’、‘ＳＭＡＲＴ  ＳＡＶＥ  ＡＴＴＲＩＢＵＴＥ  ＶＡＬＵＥＳ（Ｄ３ｈ）’、‘ＳＭＡＲＴ  ＥＸＥＣＵＴＥ  ＯＦＦ−ＬＩＮＥ  ＩＭＭＥＤＩＡＴＥ（Ｄ４ｈ）’、‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＡＤ  ＬＯＧ（Ｄ５ｈ）’、‘ＳＭＡＲＴ  ＷＲＩＴＥ  ＬＯＧ（Ｄ６ｈ）’、‘ＳＭＡＲＴ  ＥＮＡＢＬＥ  ＯＰＥＲＡＴＩＯＮＳ（Ｄ８ｈ）’、‘ＳＭＡＲＴ  ＤＩＳＡＢＬＥ  ＯＰＥＲＡＴＩＯＮ（Ｄ９ｈ）’、及び‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＴＵＲＮ  ＳＴＡＴＵＳ’の９つのコマンドは標準に指定されている。
【００４６】
ブロック状態情報を提供するために‘ｆｅａｔｕｒｅ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’値の‘Ｄ０ｈ’を有する‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＡＤ  ＤＡＴＡ’コマンドを利用することができる。勿論、ブロック状態情報を提供するためのコマンドとして、製造者が使用可能な‘ｆｅａｔｕｒｅ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’値の領域のＥ０ｈ−ＦＦｈ範囲内で一つの‘ｆｅａｔｕｒｅ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’値に対応するコマンド（例えば、‘ＦＦＨ’）が利用されうる。そして、９つの標準コマンドのうちいずれか一つを利用することも可能である。
【００４７】
ここで、‘Ｆ’は該当バイトの内容が固定されて変更不能であることを意味し、‘Ｖ’は該当バイトの内容が可変的で変更可能であることを意味する。また、‘Ｒ’は該当バイトの内容が予約されたものとして、０にならなければならないことを意味し、‘Ｘ’は該当バイトの内容が製造者に使用可能な領域であり、さらに固定または可変的なものになることを意味する。
【００４８】
‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＡＤ  ＤＡＴＡ’コマンドの結果値のデータ構造は図３に示される。
【００４９】
図３に示すように、‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＡＤ  ＤＡＴＡ’コマンドのデータ構造は５１２バイトで構成される。これらの中で製造者が使用可能なデータ領域０−３６１バイト、３８６−５１０バイトを利用して、代替ブロックの容量、初期不良ブロックの容量、進行不良ブロックの容量などに対する情報を提供することができる。これを図４に示す。
【００５０】
例えば、図４に示すように、０−１バイト領域にはスマートデータのバージョンに対する情報を提供し、２−３バイト領域には有用な情報の個数情報を提供し、４−７バイト領域には代替ブロックの容量に対する情報を提供することができる。また、８−１１バイト領域には進行不良ブロックの容量に対する情報を提供し、１２−１５バイト領域には初期不良ブロックの容量に対する情報を提供することができる。追加的に残りの領域に代替ブロックの数及びそのほかの必要な情報を提供することもできる。
【００５１】
代替ブロック及び不良ブロックに対するブロック状態情報はすでにブロックに対するマッピングを行う‘ＦＴＬ’に記憶されているか、或いはフラッシュメモリのメタブロックに記憶されうる。
【００５２】
‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＡＤ  ＤＡＴＡ’コマンドを利用して代替ブロックの容量及び不良ブロックの容量に対する情報を使用者は知ることができる。
【００５３】
また、使用者がデータに対する安定性を確保するためにデータのバックアップのような行為を行う時点を提供するため、一定水準の代替ブロックのみが残った場合に使用者に警告を提供することができる。このとき、警告が発生する代替ブロックの一定水準を使用者が調節可能にして警告時点を調節することもできる。
【００５４】
警告提供及び警告時点調節の場合にスマートコマンドのうち特定コマンドを利用することができる。
【００５５】
図２に示すように、例えば、代替ブロックが予め設定された一定水準だけ残った場合、スマートコマンドのうち使用者に警告を提供するために‘ｆｅａｔｕｒｅ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’値の‘ＤＡｈ’を有する‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＴＵＲＮ  ＳＴＡＴＵＳ’コマンドを利用することができる。
【００５６】
勿論、使用者に警告を提供するためのコマンドとして、製造者が使用可能な‘ｆｅａｔｕｒｅ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’値の領域のＥ０ｈ−ＦＦｈ範囲内で一つの‘ｆｅａｔｕｒｅ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’値に対応されるコマンド（例えば、‘ＦＦＨ’）が利用されうる。この領域は本発明の説明のために例示されたもので、必要に応じて他の領域に変更されうる。そして、９つの標準コマンドのうちいずれか一つを利用することも可能である。
【００５７】
そして、残った代替ブロックに対し警告の時点を知らせる一定水準を使用者が調節可能にすることができる。この場合にはスマートコマンドのうち、製造者が使用可能な領域の‘ｆｅａｔｕｒｅ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’の値のＥ０ｈ−ＦＦｈ領域の一部を使用してその水準を使用することができる。例えば、‘ｆｅａｔｕｒｅ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’の値の‘Ｅ０ｈ’コマンドを利用して代替ブロックの残った程度に対する警告の時点を設定することができる。これを図５に示す。
【００５８】
図５は警告時点を調節するコマンドのフォーマットを示す。
【００５９】
図５に示すように、ＡＴＡコマンドはコマンドコードとそれに伴う変数として定義され、変数は‘ｆｅａｔｕｒｅ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’、‘ｓｅｃｔｏｒ  ｃｏｕｎｔ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’、‘ｓｅｃｔｏｒ  ｎｕｍｂｅｒ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’、‘ｃｙｌｉｎｄｅｒ  ｌｏｗ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’、‘ｃｙｌｉｎｄｅｒ  ｈｉｇｈ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’、‘ｄｅｖｉｃｅ／ｈｅａｄ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’などを通じて伝達される。そして、‘ＤＥＶ’は選択されたデバイス、例えば、‘ｍａｓｔｅｒ  ＨＤＤ’と‘ｓｌａｖｅ  ＨＤＤ’を示す。
【００６０】
警告時点を調節するコマンドはコマンドコードが‘Ｂ０ｈ’のスマートコマンドのサブコマンドで、サブコマンドのコードは‘Ｅ０ｈ’である。ここで、‘ｓｅｃｔｏｒ  ｃｏｕｎｔ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’値に警告を現そうとする代替ブロックの残った容量または数を設定することができる。そして、‘ｃｙｌｉｎｄｅｒ  ｌｏｗ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’は‘４Ｆｈ’、‘ｃｙｌｉｎｄｅｒ  ｈｉｇｈ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’は‘Ｃ２ｈ’に設定されうる。
【００６１】
警告時点は、例えば、２ブロックの代替ブロックが残った場合に警告が発生されるようにすることも可能であり、一定容量が残った場合に警告が発生されるようにすることも可能である。
【００６２】
図６は使用者に警告を提供するためのコマンド（例えば、‘ＤＡｈ’）が設定された場合におけるその出力を示す。
【００６３】
図６に示すように、半導体メモリ装置が警告時点に到達していないと、‘ｃｙｌｉｎｄｅｒ  ｌｏｗ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’は‘４Ｆｈ’、‘ｃｙｌｉｎｄｅｒ  ｈｉｇｈ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’は‘Ｃ２ｈ’に設定されている状態を維持する。しかし、半導体メモリ装置が警告時点に到達した場合には‘ｃｙｌｉｎｄｅｒ  ｌｏｗ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’は‘Ｆ４ｈ’、‘ｃｙｌｉｎｄｅｒ  ｈｉｇｈ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ’は‘２Ｃｈ’に設定される。従って、この場合に使用者がデータの安定性確保のための行為を行う時点を提供するようになる。
【００６４】
上述したように、使用者がこのデータに対する安定性を確保するためにデータバックアップのような行為を行う時点を提供するように一定水準の代替ブロックだけが残った場合に使用者に警告を提供することができる。このとき、警告が発生する代替ブロックの一定水準を使用者が調節可能にして警告時点を調節することもできる。
【００６５】
本発明は、上述した実施形態の説明により限定的に解釈されるべきではない。また、当業者であれば、本発明の基本的原理を逸脱しない範囲内で多様な変形や変更が可能なであることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】フラッシュメモリを用いた半導体メモリ装置のブロック図である。
【図２】スマートコマンドのコマンドフォーマットを示す図である。
【図３】‘ＳＭＡＲＴ  ＲＥＡＤ  ＤＡＴＡ’コマンドの結果値のデータ構造を示す図である。
【図４】ブロック状態情報を提供するためのデータ領域を示す図である。
【図５】警告時点を調節するコマンドのフォーマットを示す図である。
【図６】使用者に警告を提供するためのコマンドに対するその出力を示す図である。
【図７】、
【図８】一般のフラッシュメモリのメモリ構成を示す図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０：使用者プログラム
２０：制御部
２２：ファイルシステム
２４：ＦＴＬ
３０：フラッシュメモリ
【図１】
2008117516.tif 000003
【図２】
2008117516.tif 000004
【図３】
2008117516.tif 000005
【図４】
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【図５】
2008117516.tif 000007
【図６】
2008117516.tif 000008
【図７】
2008117516.tif 000009
【図８】
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