(57)【要約】【課題】高速データ伝送用の集積電気光学モジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】集積電気光学モジュールは高速データ伝送を促進するように、スプリッタ部分と変調器部分との双方にわたって連続する電気光学ポリマーの層を含んでいる。集積電気光学モジュールは、ウェハ上に底部被覆層を堆積する工程、側方被覆部を形成する工程、電気光学ポリマーを堆積する工程、及び頂部被覆層で覆う工程によって製造される。集積電気光学モジュールのスプリッタ部分と変調器部分との双方において、電気光学ポリマーは反転リッジ型導波路構造を形成する。スプリッタ部分の導波路は第１のリッジ深さを有し、変調器部分の導波路は第２のリッジ深さを有し、第１のリッジ深さは第２のリッジ深さより大きくされる。【選択図】図４
2008165241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積電気光学モジュールの製造方法であって：
底部被覆層を堆積する工程；
側方被覆部を形成する工程であり、該側方被覆部はスプリッタ部分で第１のリッジ深さを有し且つ変調器部分で第２のリッジ深さを有し、該第１のリッジ深さは該第２のリッジ深さより大きくされる、工程；
電気光学ポリマーを堆積する工程であり、該電気光学ポリマーは、前記変調器部分で第１の反転リッジ型構造を有し且つ前記スプリッタ部分で第２の反転リッジ型構造を有する電気光学層を形成する、工程；及び
前記電気光学層を覆う頂部被覆層を堆積する工程；
を有し、
前記スプリッタ部分は、光波を複数のチャネルに分割する少なくとも１つの分岐部を有し、且つ
前記変調器部分は複数の変調器を有し、各変調器は前記複数のチャネルの１つに対応し且つ第１経路、第２経路、並びに該第１経路及び該第２経路が交わる干渉点を有する、
方法。
【請求項２】
前記電気光学層は前記スプリッタ部分と前記変調器部分とで連続している、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記電気光学ポリマーは、該電気光学ポリマーに電界が印加されたときに変化する光学特性を有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記側方被覆部を形成する工程は、前記スプリッタ部分で前記第１のリッジ深さを有し且つ前記変調器部分で前記第２のリッジ深さを有する前記底部被覆層の部分を除去する工程を有する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記側方被覆部を形成する工程は：
前記底部被覆層上に側方被覆材料を堆積する工程；及び
前記側方被覆部を形成するように前記側方被覆材料をパターニングする工程；
を有し、
前記スプリッタ部分に堆積された前記側方被覆材料は前記第１のリッジ深さを有し、且つ前記変調器部分に堆積された前記側方被覆材料は前記第２のリッジ深さを有する、
請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記側方被覆部を形成する工程は：
前記スプリッタ部分で第３のリッジ深さを有し且つ前記変調器部分で前記第２のリッジ深さを有する前記底部被覆層の部分を除去する工程；
側方被覆材料を堆積する工程；及び
前記側方被覆材料をパターニングする工程であり、パターニングされた側方被覆材料が前記スプリッタ部分で第４のリッジ深さを有する、工程；
を有し、
前記第１のリッジ深さは前記第３のリッジ深さと前記第４のリッジ深さとを足し合わせたものに等しい、
請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記側方被覆部を形成する工程は、階調リソグラフィを用いて、前記スプリッタ部分で前記第１のリッジ深さを有し、前記変調器部分で前記第２のリッジ深さを有し、且つ前記スプリッタ部分と前記変調器部分との間で一定でないリッジ深さを有する前記底部被覆層の部分を除去する工程を有する、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記変調器の各々は、前記スプリッタ部分の前記複数のチャネルの対応する１つから入力を受け取り且つ受け取った入力を前記第１経路及び前記第２経路に分割するように形成された変調器分岐点を有する、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記電気光学ポリマーは、前記第１経路に電界が印加されたときに該第１経路内での光波の速度を低下させる、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
底部電極を形成する工程、及び頂部電極を形成する工程を更に有する請求項１記載の方法。
【請求項１１】
高速データ伝送用の集積電気光学モジュールであって：
光波を生成するように機能する少なくとも１つの光源；
前記光波を複数のチャネルに分割する少なくとも１つの分岐部を有するスプリッタ部分であり、該スプリッタ部分は電気光学ポリマーを含み、該電気光学ポリマーは第１の反転リッジ型構造を有する電気光学層を形成し、該第１の反転リッジ型構造は第１のリッジ深さを有する、スプリッタ部分；及び
複数の変調器を有する変調器部分であり、各変調器は前記複数のチャネルの１つに対応し且つ第１経路、第２経路、並びに該第１経路及び該第２経路が交わる干渉点を有し、該変調器部分は電気光学ポリマーを含み、該電気光学ポリマーは第２の反転リッジ型構造を有する電気光学層を形成し、該第２の反転リッジ型構造は第２のリッジ深さを有する、変調器部分；
を有し、
前記第１のリッジ深さは前記第２のリッジ深さより大きい、
集積電気光学モジュール。
【請求項１２】
前記電気光学層は前記スプリッタ部分と前記変調器部分とで連続している、請求項１１記載の集積電気光学モジュール。
【請求項１３】
前記電気光学ポリマーは、該電気光学ポリマーに電界が印加されたときに変化する光学特性を有する、請求項１１記載の集積電気光学モジュール。
【請求項１４】
ウェハ上に堆積された底部被覆層；及び
前記スプリッタ部分で前記第１のリッジ深さを有し且つ前記変調器部分で前記第２のリッジ深さを有する側方被覆部；
を更に有する請求項１１記載の集積電気光学モジュール。
【請求項１５】
前記側方被覆部は、前記スプリッタ部分で前記第１のリッジ深さを有し且つ前記変調器部分で前記第２のリッジ深さを有する前記底部被覆層の部分を除去する工程により形成されている、請求項１４記載の集積電気光学モジュール。
【請求項１６】
前記側方被覆部は、階調リソグラフィを用いて、前記スプリッタ部分で前記第１のリッジ深さを有し、前記変調器部分で前記第２のリッジ深さを有し、且つ前記スプリッタ部分と前記変調器部分との間で一定でないリッジ深さを有する前記底部被覆層の部分を除去する工程により形成されている、請求項１４記載の集積電気光学モジュール。
【請求項１７】
前記変調器の各々は、前記スプリッタ部分の前記複数のチャネルの対応する１つから入力を受け取り且つ受け取った入力を前記第１経路及び前記第２経路に分割するように形成された変調器分岐点を有する、請求項１１記載の集積電気光学モジュール。
【請求項１８】
前記電気光学ポリマーは、前記第１経路に電界が印加されたときに該第１経路内での光波の速度を低下させる、請求項１７記載の集積電気光学モジュール。
【請求項１９】
底部電極及び頂部電極を更に有する請求項１１記載の集積電気光学モジュール。
【請求項２０】
集積電気光学モジュールを製造する装置であって：
ウェハ上に底部被覆層を堆積する手段；
側方被覆部を形成する手段であり、該側方被覆部はスプリッタ部分で第１のリッジ深さを有し且つ変調器部分で第２のリッジ深さを有し、該第１のリッジ深さは該第２のリッジ深さより大きくされる、手段；
電気光学ポリマーを堆積する手段であり、該電気光学ポリマーは、前記変調器部分で第１の反転リッジ型構造を有し且つ前記スプリッタ部分で第２の反転リッジ型構造を有する電気光学層を形成する、手段；及び
前記電気光学層を覆う頂部被覆層を堆積する手段；
を有し、
前記スプリッタ部分は、光波を複数のチャネルに分割する少なくとも１つの分岐部を有し、且つ
前記変調器部分は複数の変調器を有し、各変調器は前記複数のチャネルの１つに対応し且つ第１経路、第２経路、並びに該第１経路及び該第２経路が交わる干渉点を有する、
装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概してフォトニック回路に関し、より具体的には高速データ伝送用の集積電気光学モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
別々のデバイス（例えば、チップ又は回路基板）間の銅の電気的相互接続は、毎秒１５ギガビットに至るまでのデータ速度に対応するものとして期待されている。しかしながら、大きい待ち時間、チャネル間のクロストーク、周波数依存性を有する損失、大きい電力損失、及びその他の要因のため、銅相互接続はデータ伝送速度が上記の大きさを超えると深刻な問題に遭遇すると思われる。光相互接続はこれらの問題の一部に関して良好な解決策を提供するが、それら自身の一連の困難性を引き起こす。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、高速データ伝送用の集積電気光学モジュールを実現する技術を提供することを目的とする。これらの技術は、特定の実施形態によれば、スプリッタ部分及び変調器部分の双方にわたって連続する電気光学材料の層を含む集積電気光学モジュールの製造方法を表す。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一実施形態に従った集積電気光学モジュールの製造方法は、ウェハ上に底部被覆層を堆積する工程、及び側方被覆部を形成する工程を含む。側方被覆部はスプリッタ部分で第１のリッジ深さを有し、且つ変調器部分で第２のリッジ深さを有し、第１のリッジ深さは該第２のリッジ深さより大きくされる。この方法はまた、電気光学ポリマーを堆積する工程を含む。電気光学ポリマーは、変調器部分で第１の反転リッジ型構造を有し且つスプリッタ部分で第２の反転リッジ型構造を有する電気光学層を形成する。この方法はまた、電気光学層を覆う頂部被覆層を堆積する工程を含む。スプリッタ部分は、光波を複数のチャネルに分割する少なくとも１つの分岐部を含んでいる。変調器部分は複数の変調器を有し、各変調器は、上記の複数のチャネルの１つに対応し、且つ第１経路、第２経路、並びに第１経路及び第２経路が交わる干渉点を有する。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の実施形態は様々な技術的効果をもたらす。例えば、これらの技術は、スプリッタ部分と変調器部分との間のカップリング効率を増大させ、集積電気光学モジュールを高データ速度用途に適したものにし得る。一部の実施形態において、集積電気光学モジュールのスプリッタ部分のリッジ深さは、変調器部分のリッジ深さより大きくされる。これにより、スプリッタ部分で被る曲げ損失が低減され、スプリッタ部分の長さを短縮することが可能になる。短縮されたスプリッタ部分により、集積電気光学モジュールは高データ速度用途に適したままで、チップ間の光相互接続に十分なほどに小型化され得る。特定の実施形態において、位置合わせ精度を向上させ、集積電気光学モジュールを微細ピッチのデバイスに適したものにし得るリソグラフィ・パターニング技術が使用される。一部の実施形態において、チャネル間でのクロストークの発生が抑制あるいは排除される。何故なら、光相互接続におけるクロストークは、スプリッタ部分と変調器部分との間の位置不整合によって発生あるいは増大されるからである。
【０００６】
また、或る一定の実施形態において、スプリッタ部分及び変調器部分を集積電気光学モジュールへと一体化することにより、組立ての必要性が減少あるいは排除される。さらに、集積電気光学モジュールが組立部品、エポキシ接着剤、又はこれらに類するものを含まないとき、より良好な信頼性が達成され得る。一部の実施形態において、集積電気光学モジュールを製造するためにリソグラフィ技術を用いることにより、（例えば、厚さや幅における）幾何学的形状のバラつきによる影響が抑制される。或る一定の実施形態において、集積電気光学モジュールを一体化する方法は柔軟性を有し、より良好なカップリング効率を達成するようにスプリッタ部分の導波路と変調器部分の導波路との位置合わせを微調整することが可能になる。また、特定の実施形態において、この集積電気光学モジュールの製造方法は以前の方法よりも経済的である。スプリッタ部分の数多くの層は変調器部分の層と、同時に、同一材料を用いて、且つ／或いは同一の処理工程で構築され得る。
【０００７】
本発明のその他の技術的効果が、以下の記載と、図面及び特許請求の範囲とから当業者に明らかになるであろう。また、以上にて具体的な効果を列挙したが、様々である本発明の実施形態は列挙された効果の全て又は一部を含んでいることもあるし、それらの何れをも含んでいないこともあり得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明及びその効果の更に完全な理解のため、添付の図面に関する以下の記載を参照する。
【０００９】
図１は、全体として10で指し示される集積電気光学モジュールを例示しており、集積電気光学モジュール10は全体として12で指し示されるスプリッタ部分と全体として14で指し示される変調器部分との双方にわたって連続する電気光学材料の層を含んでいる。図示されるように、集積電気光学モジュール10は光源16、スプリッタ部分12、変調器部分14、及び光検出器18を含んでいる。特定の実施形態において、集積電気光学モジュール10は単一のウェハ20上に構築される。或る一定の実施形態において、ウェハ20はシリコンで形成されている。一般に、集積電気光学モジュール内の素子群は高速データ伝送を実現するように相互に接続されている。
【００１０】
一般的に、光源16は１つ以上の光波を生成する。特定の実施形態において、光源16は連続波のレーザビームを生成する半導体レーザである。他の実施形態においては、光源16は適当な種類の光波を生成する如何なる好適なデバイスであってもよい。
【００１１】
スプリッタ部分12は、光源16から受け取った光波を複数のチャネル24に分割する。図示された実施形態において、スプリッタ部分12は光源16から光波を受け取っている。スプリッタ部分12は受け取った光波を複数の分岐点22を介して導く。一部の実施形態において、各分岐点22は光波を２つの別々の分岐に分割して送る。他の実施形態においては、各分岐部22は光波を如何なる好適な数の分岐に分割して送ってもよい。特定の実施形態において、幾つかの分岐は更なる分岐点22へと導かれる。スプリッタ部分12は分岐点22の使用を介して複数のチャネル24を作り出してもよい。図示されるように、スプリッタ部分12は７個の分岐点22と８個のチャネル24を含んでいる。理解されるように、特定の数の分岐部22及びチャネル24が図示されているが、スプリッタ部分12は如何なる好適な数の分岐部22及びチャネル24を含んでいてもよい。一部の実施形態において、スプリッタ部分12は２つ以上の光源16から光波を受け取る。特定の実施形態において、スプリッタ部分12内の導波路は、逆さまにされた突起部（リッジ）を有する反転リッジ型導波路として形成されている。或る一定の実施形態において、スプリッタ部分12内の導波路は電気光学材料で形成されている。
【００１２】
変調器部分14は該変調器部分14を進行する光波の特性を操作する。特定の実施形態において、変調器部分14は電気信号入力に基づく光信号を形成するように光波の特性を変更する。一部の実施形態において、変調器部分14は光波（これは搬送波として機能する）を二値データで変調するために電界を用いる。
【００１３】
図示されるように、変調器部分14は、各々の変調器が１つのチャネル24に対応した複数の変調器26を含んでいる。或る一定の実施形態において、各変調器26は１ビットの二値データに対応している。特定の実施形態において、各変調器26は第１経路28と第２経路30とを含んでいる。変調器26は１つのチャネル24から続いており、光波を第１経路28と第２経路30とに分割し得る。特定の実施形態において、光波を第１経路28と第２経路30とに分割するために分岐部22が用いられてもよい。図示されるように、第１経路28と第２経路30とは干渉点32で交わっている。一部の実施形態において、光波は干渉点32で建設的あるいは相殺的の何れかで干渉する。建設的（constructive）干渉は閾値より高い強度を有する光波を生成し得る一方で、相殺的（destructive）干渉は閾値より低い強度を有する光波を生成し得る。光検出器18は、或る一定の実施形態において、閾値より高い強度を有する光波を二値の“１”として、そして閾値より低い強度を有する光波を二値の“０”として読み取る。他の実施形態においては、光検出器18は閾値より高い強度を有する光波を二値の“０”として、そして閾値より低い強度を有する光波を二値の“１”として読み取る。変調器部分14は、電気信号を光信号に変換するために、光波の特性を操作するように如何なる好適な手法で動作してもよい。
【００１４】
特定の実施形態において、一部の、全ての、あるいは皆無の変調器26内で第１経路28若しくは第２経路30又はこれら双方に印加される電界は、干渉点32で光波を建設的あるいは相殺的の何れかで干渉させ得る。例えば、選択された１つの変調器26内の第１経路28に印加された電界は、第１経路28の導波路内の材料の屈折率を増大させ、それにより、第１経路28を進行する光波の速度を低下させ得る。故に、第１経路28を進行する光波は第２経路30を進行する光波に対して位相をシフトさせられ得る。選択された変調器26に対応する干渉点32において、第１経路28から出てくる光波と第２経路30から出てくる光波とは相殺的に干渉し、低められた強度の光波がもたらされ得る。一部の実施形態において、この低められた強度は光波がないことに近いものとなる。この状況は、所与の閾値より高い強度を有する光波とは異なる二値ビットとして光検出器に読み取られ得る。
【００１５】
変調器部分14は８個の変調器26を含むように図示されているが、理解されるように、変調器部分14は如何なる好適な数の変調器26を含んでいてもよい。また、各変調器26は第１経路28及び第２経路30を含むように図示されているが、理解されるように、変調器26は変調器部分14を進行する光波の特性を操作するのに好適であれば如何ように構築されてもよい。
【００１６】
特定の実施形態において、変調器部分14内の導波路は反転リッジ型導波路として形成されている。或る一定の実施形態において、変調器部分14内の導波路は電気光学材料で形成されている。一部の実施形態において、変調器部分14はスプリッタ部分12と同一の電気光学デバイス上に一体化される。故に、或る一定の実施形態において、スプリッタ部分12を形成する層は変調器部分14内の層と、同時に、同一の材料を用いて、且つ／或いは同一のプロセス工程を用いて構築されてもよい。スプリッタ部分12及び変調器部分14を一体化することは、スプリッタ部分12と変調器部分14との間のカップリング効率を増大させ、集積電気光学モジュール10を高データ速度用途に適したものにし得る。特定の実施形態において、スプリッタ部分12と変調器部分14との間の位置合わせ精度を向上させ得るリソグラフィ・パターニング技術が使用され、集積電気光学モジュール10を微細ピッチのデバイスに適したものにし得る。一部の実施形態において、チャネル24間でのクロストークの発生が抑制あるいは排除される。何故なら、クロストークはスプリッタ部分12と変調器部分14との間の位置不整合によって発生あるいは増大されるからである。また、或る一定の実施形態において、スプリッタ部分12及び変調器部分14を一体化することにより、集積電気光学モジュール10の組立ての必要性が減少あるいは排除される。集積電気光学モジュール10が組立部品又はエポキシ接着剤を含まないとき、より良好な信頼性が達成され得る。
【００１７】
光検出器18は、変調器部分14から発せられる光波の検出のための如何なる好適なデバイスをも意味する。一部の実施形態において、光検出器18は別個のデバイスに一体化される。特定の実施形態において、光検出器18は変調器26を介して受け取った光波を二値データのビット群に変換する。或る一定の実施形態において、光検出器18の各々は変調器26の１つに対応し、変調器26から受け取った光波の強度が閾値より高いのか低いのかを決定する。光検出器18はこの情報を用いて、光波が二値の“０”又は“１”の何れを伝送していたかを決定し得る。一部の実施形態において、光検出器18はこの情報を用いて光信号を電気信号に変換する。
【００１８】
特定の一実施形態の動作において、光波は光源16によって生成され、スプリッタ部分12へと伝えられる。スプリッタ部分12は、分岐部22を用いて、光信号を複数の別々のチャネル24に分割する。各チャネル24からの光波は変調器部分14の対応する変調器26に入射する。特定の実施形態において、スプリッタ部分12から変調器部分14へと連続した材料中を進行する。変調器部分14内の一部又は全ての変調器26が光波の光学特性を操作してもよいし、変調器部分14内の何れの変調器26も光波の光学特性を操作しなくてもよい。変調器部分14全体を進行した後、光波は光検出器18によって受光・検出される。
【００１９】
さらに、一部の実施形態において、集積電気光学モジュール10は変調器部分14内の変調器26に電界を印加するための頂部電極及び底部電極（図示せず）を含んでいてもよい。頂部電極及び底部電極は如何なる好適な方法を用いて形成されてもよい。例えば、頂部電極及び底部電極は、半導体製造技術を用いて導電性材料を堆積することによって形成され得る。特定の実施形態において、頂部電極及び底部電極は変調器26に対応するように位置付けられる。
【００２０】
スプリッタ部分と変調器部分との双方にわたって連続する電気光学材料の層を含む集積電気光学モジュールの特定の実施形態について述べてきたが、これは完全に包括的なものではない。集積電気光学モジュール10は素子群の一定の構成及び配置を含むように図示されているが、これは一例であり、集積電気光学モジュール10の構成要素及び機能は、必要に応じて、組み合わされ、分離され、分散され、補完され、そして変更されてもよい。また、集積電気光学モジュール10の機能は、構成要素の如何なる好適な集合及び配置によって実現されてもよい。スプリッタ部分12及び変調器部分14は、如何なる適当な機能を有していてもよく、また該スプリッタ部分12及び変調器部分14の双方にわたって連続する電気光学材料の層を設けるのに好適な如何なる手法で構築されてもよい。
【００２１】
図２は、集積電気光学モジュール10のスプリッタ部分12内の、全体として50で指し示される導波路の断面図と、曲げ損失に対する導波路の突起部（リッジ）深さの影響とを例示している。図示されるように、導波路50は底部クラッド52、電気光学層54及び頂部クラッド56を含んでいる。
【００２２】
底部クラッド52は頂部クラッド56とともに、電気光学層54を取り囲んで該電気光学層54の機能を支援するために使用される。特定の実施形態において、底部クラッド52はポリマー材料で形成される。ポリマー材料は、例えば、マスターボンド社により製造され商業的に入手可能なエポキシ樹脂である、紫外光により硬化可能なＵＶ１５とし得る。他の実施形態においては、底部クラッド52は如何なる好適な材料で形成されてもよい。図示されるように、底部クラッド52は底部の被覆層と側方の被覆部とを含んでいる。或る一定の実施形態において、底部クラッド52は伝統的な半導体製造技術を用いて形成される。一部の実施形態において、底部クラッド52は、底部の被覆材料をウェハ上にスピンコーティングし、その後、当該底部クラッド52を適切に硬化させることによって形成される。一部の実施形態において、側方の被覆部はリソグラフィ技術によってパターニングされる。
【００２３】
一般に、スプリッタ部分12全体を通じて電気光学層54が光波を導く。図示されるように、電気光学層54は反転リッジ型導波路として構築されている。特定の実施形態において、電気光学層54は電気光学ポリマーを含む。電気光学ポリマーが有する光学特性は、該電気光学ポリマーに電界が印加されると変化し得る。他の実施形態においては、電気光学層54は如何なる好適な材料（群）から成っていてもよい。或る一定の実施形態において、電気光学層54は伝統的な半導体製造技術を用いて形成される。特定の実施形態において、電気光学層54は、電気光学ポリマーを底部クラッド52上にスピンコーティングし、その後、電気光学ポリマーを硬化させることによって形成される。導波路50は電気光学層54を有するように図示されているが、理解されるように、導波路50はスプリッタ部分12を貫通するように光波を導くのに好適な如何なる光学層を含んでいてもよい。特定の実施形態において、電気光学層54は底部クラッド52及び頂部クラッド56とは異なる屈折率を有する。
【００２４】
図示された実施形態において、電気光学層54は板状部（スラブ）58及び突起部（リッジ）60を含んでおり、突起部60はリッジ深さ62を有している。図示されるように、電気光学層54は反転リッジ型導波路として構築されており、離れて見ると大文字の“Ｔ”字状をしている。板状部58は“Ｔ”字の頂部を構成し、突起部60は“Ｔ”字の脚部を構成している。特定の実施形態において、板状部58及び突起部60は同一の材料から成っている。他の実施形態においては、板状部58及び突起部60は相異なる材料を含んでいてもよい。図示されるように、突起部60はリッジ深さ62を有している。或る一定の実施形態において、リッジ深さ62は側方の被覆部の厚さに対応している。
【００２５】
頂部クラッド56は底部クラッド52とともに用いられ、光学層54を格納且つ収容している。特定の実施形態において、頂部クラッド56は例えばＵＶ１５等のポリマー材料で形成される。他の実施形態においては、頂部クラッド56はその他の好適な材料で形成されてもよい。図示されるように、底部クラッド52は底部の被覆層と側方の被覆部とを含んでいる。或る一定の実施形態において、頂部クラッド56は、頂部被覆材料を電気光学層54の頂部上にスピンコーティングし、その後、該頂部クラッド56を適切に硬化させることによって形成される。一部の実施形態において、頂部クラッド56は底部クラッド52と同一の材料及び同一の手法で構築される。
【００２６】
さらに、図示されていないが、導波路50はその他の如何なる好適な構成要素、デバイス又は素子を含んでいてもよい。例えば、一部の実施形態において、導波路50は該導波路50に電界を印加するための頂部電極及び底部電極（図示せず）を含んでいる。頂部電極及び底部電極は如何なる好適な方法を用いて形成されてもよい。例えば、頂部電極及び底部電極は、半導体製造技術を用いて導電性材料を堆積することによって形成され得る。特定の実施形態において、頂部電極及び底部電極は変調器26に対応するように位置付けられる。一部の実施形態において、変調器部分14内の導波路は導波路50と実質的に同一の構造を有する。
【００２７】
全体として70で指し示されるグラフは、リッジ深さ62の値の曲げ損失への影響を例示している。グラフ70は、４ｍｍの曲げ半径を有する長さが２ｍｍのカスケード接続の場合に関して得られたサンプル結果を表している。グラフ70は横軸72、縦軸74及び凡例76を含んでいる。横軸72は電気光学層54の屈折率と底部クラッド52及び頂部クラッド56の屈折率との差を百分率で示した値を含んでいる。図示されるように、横軸72は屈折率の差の値２％、４％及び６％を含んでいる。縦軸74はデシベル（ｄＢ）単位で表されたＳ曲げ損失の様々な値を示している。図示されるように、縦軸74は値０ｄＢ、５ｄＢ、１０ｄＢ、１５ｄＢ及び２０ｄＢを含んでいる。
【００２８】
凡例76は、何れのリッジ深さ62がグラフ70の何れのラインに対応しているかを指し示している。凡例76は、１μｍのリッジ深さ62が菱形で表された一番上のラインに対応していることを指し示している。１．５μｍのリッジ深さ62は円で表された上から２番目のラインに対応している。２μｍのリッジ深さ62は三角形で表された次のラインに対応している。４μｍのリッジ深さ62は×印で表された一番下のラインに対応している。グラフ70から見て取れるように、リッジ深さを増大させるほど、スプリッタ部分12でのＳ曲げ損失が改善される。一部の実施形態において、増大されたリッジ深さ62はモードフィールドを閉じ込める助けとなり、例えば導波路50である屈曲した導波路を光が伝搬するときに光波は漏れにくくなる。
【００２９】
集積電気光学モジュール10の導波路50の特定の実施形態について述べてきたが、これは完全に包括的なものではない。導波路50は素子群の一定の構成及び配置を含むように図示されているが、これは一例であり、導波路50の構成要素及び機能は、必要に応じて、組み合わされ、分離され、分散され、補完され、そして変更されてもよい。導波路50の様々な要素によって果たされる機能は、集積電気光学モジュール10の一部内で光波を導くのに好適な如何なる要素によって達成されてもよい。
【００３０】
図３Ａ−３Ｄは、集積電気光学モジュール10の様々な実施形態に関して、スプリッタ部分12の導波路及び変調器部分14の導波路の断面を例示している。一部の実施形態において、導波路は導波路50と同様である。
【００３１】
図３Ａは、集積電気光学モジュール10を製造する“アンダーカット法”によって形成された素子を例示しており、スプリッタ導波路100及び変調器導波路102を含んでいる。この製造技術によれば、集積電気光学モジュール10は、先ず底部被覆層104を堆積することによって形成され得る。一部の実施形態において、底部被覆層104はスプリッタ導波路100及び変調器導波路102の全体に均一に堆積される。特定の実施形態において、底部被覆層104は伝統的な半導体製造技術を用いて堆積される。製造装置が、その後、スプリッタ導波路100の底部被覆層104の部分106と、変調器導波路102の底部被覆層104の部分108とを除去する。部分106のリッジ深さ114は部分108のリッジ深さ116より大きい。特定の実施形態において、部分106の除去は該部分106に隣接する側方の被覆部を形成し、部分108の除去は該部分108に隣接する側方の被覆部を形成する。
【００３２】
製造装置が部分106及び部分108を除去した後、電気光学層110を作り出す電気光学材料が堆積される。そして、電気光学層110は頂部被覆層112で覆われる。特定の実施形態において、頂部被覆層112及び底部被覆層104は同一の材料で形成される。スプリッタ導波路100は、故に、“アンダーカット法”を用いて形成され得るスプリッタ部分12の導波路の特定の一実施形態の断面であり、変調器導波路102は、“アンダーカット法”により形成され得る変調器部分14の導波路の特定の一実施形態の断面である。
【００３３】
図３Ｂは、集積電気光学モジュール10を製造する“トップオーバー法”によって形成された素子を例示しており、スプリッタ導波路120及び変調器導波路122を含んでいる。この製造技術によれば、集積電気光学モジュール10は、先ず底部被覆層124を堆積することによって形成され得る。一部の実施形態において、底部被覆層124はスプリッタ導波路120及び変調器導波路122の全体に均一に堆積される。特定の実施形態において、底部被覆層124は伝統的な半導体製造技術を用いて堆積される。製造装置が、その後、フォトリソグラフィを用いて側方の被覆材料の層126を付加する。製造装置はスプリッタ導波路120に、側方の被覆材料の更なる層128を付加する。図示されるように、スプリッタ導波路120は層126と層128とを含んでおり、これらの層がスプリッタ導波路120の側方の被覆部を構成している。変調器導波路122は層126を含んでおり、この層が変調器導波路122の側方の被覆部を構成している。スプリッタ導波路120はまた、変調器導波路１22に関するリッジ深さ132より大きいリッジ深さ130を有している。
【００３４】
その後、製造装置は底部被覆層124及び側方の被覆部（例えば、層126及び／又は層128）上に、電気光学層134を作り出す電気光学材料を堆積する。最後に、電気光学層134は頂部被覆層136で覆われる。特定の実施形態において、頂部被覆層136、底部被覆層124、及び側方の被覆部は同一の材料で形成される。スプリッタ導波路120は、故に、“トップオーバー法”を用いて形成され得るスプリッタ部分12の導波路の特定の一実施形態の断面であり、変調器導波路122は、“トップオーバー法”により形成され得る変調器部分14の導波路の特定の一実施形態の断面である。
【００３５】
図３Ｃは、集積電気光学モジュール10を製造する“調整可能法”によって形成された素子を例示しており、スプリッタ導波路140及び変調器導波路142を含んでいる。特定の実施形態において、調整可能法は図３Ａ及び３Ｂにそれぞれ示された“アンダーカット法”及び“トップオーバー法”の双方の態様を組み合わせるものである。
【００３６】
この製造技術によれば、集積電気光学モジュール10は、先ず底部被覆層144を堆積することによって形成され得る。一部の実施形態において、底部被覆層144はスプリッタ導波路140及び変調器導波路142の全体に均一に堆積される。特定の実施形態において、底部被覆層144は伝統的な半導体製造技術を用いて堆積される。製造装置が、その後、スプリッタ導波路140の底部被覆層144の部分146と、変調器導波路142の底部被覆層144の部分148とを除去する。図示された実施形態において、部分146のリッジ深さは部分148のリッジ深さより大きい。他の実施形態においては、部分146のリッジ深さは部分148のリッジ深さに対して如何なる好適な関係を有していてもよい。
【００３７】
その後、製造装置はフォトリソグラフィを用いてスプリッタ導波路140に、側方のクラッド材料の層150を付加する。図示されるように、スプリッタ導波路140の側方の被覆部は、部分146に隣接する底部被覆層144と層150とで形成されている。これら側方の被覆部のリッジ深さはリッジ深さ152として指し示されている。図示されるように、変調器導波路142の側方の被覆部は、部分148に隣接する底部被覆層144で形成される。これら側方の被覆部のリッジ深さはリッジ深さ154として指し示されている。図示されるように、リッジ深さ152はリッジ深さ154より大きい。
【００３８】
その後、製造装置は底部被覆層144及び側方の被覆部（例えば、層150）上に、電気光学層156を作り出す電気光学材料を堆積する。最後に、電気光学層156は頂部被覆層158で覆われる。スプリッタ導波路140の電気光学層156は、変調器導波路142の電気光学層156に対して如何なる好適な光カップリング関係を有していてもよい。特定の実施形態において、頂部被覆層158、底部被覆層144、及び側方の被覆部は同一の材料で形成される。スプリッタ導波路140は、故に、“調整可能法”を用いて形成され得るスプリッタ部分12の導波路の特定の一実施形態の断面であり、変調器導波路142は、“調整可能法”により形成され得る変調器部分14の導波路の特定の一実施形態の断面である。
【００３９】
図３Ｄは、集積電気光学モジュール10を製造する“階調（グレースケール）リソグラフィ法”によって形成された素子を例示しており、スプリッタ導波路160及び変調器導波路162を含んでいる。図示されるように、側面図164はスプリッタ部分12（及びスプリッタ導波路160）と変調器部分14（及び変調器導波路162）との変わり目の内部側面図を示している。
【００４０】
この製造技術によれば、集積電気光学モジュール10は、先ず底部被覆層166を堆積することによって形成され得る。一部の実施形態において、底部被覆層166は初め、スプリッタ導波路160及び変調器導波路162の全体に均一に堆積される。特定の実施形態において、底部被覆層166は伝統的な半導体製造技術を用いて堆積される。製造装置が、その後、底部被覆層166の部分168を除去する。図示された実施形態において、製造装置はスプリッタ導波路160と変調器導波路162とで異なる量の底部被覆層166を除去するために、リソグラフィ工程において階調パターニングを用いる。部分168の除去により、スプリッタ導波路160のリッジ深さ174と変調器導波路162のリッジ深さ176とが作り出され、リッジ深さ174はリッジ深さ176より大きくされる。
【００４１】
側面図164により示されるように、部分168が除去された後、スプリッタ部分12（及びスプリッタ導波路160）と変調器部分14（及び変調器導波路162）との間で変化するリッジ深さが残される。一部の実施形態において、スプリッタ部分12と変調器部分14との間の傾きは直線状である。他の実施形態においては、この傾きは、曲線状を含め、如何なる適当な形状を有していてもよい。製造装置が部分168を除去した後、電気光学層170を作り出す電気光学材料が堆積される。そして、電気光学層170は頂部被覆層172で覆われる。特定の実施形態において、頂部被覆層172及び底部被覆層166は同一の材料で形成される。或る一定の実施形態において、底部被覆層166は底部クラッドと側方の被覆部とを含むが、他の実施形態においては、底部クラッド層166は底部クラッドのみを含んでいてもよい。
【００４２】
さらに、一部の実施形態において、電気光学層110、134、156、170はスプリッタ部分12と変調器部分14との全体にわたって連続している。スプリッタ部分12と変調器部分14とを一体化することにより、これらの技術はカップリング効率を増大させ、集積電気光学モジュール10を高データ速度の用途に適したものにし得る。一部の実施形態において、スプリッタ部分12のリッジ深さ114、130、152、174が変調器部分14のリッジ深さ116、132、154、176より大きいことにより、スプリッタ部分12で被る曲げ損失が低減されるので、スプリッタ部分12の長さを短縮し、集積電気光学モジュール10をチップ間の光相互接続に十分なほどに小型化することが可能になる。特定の実施形態において、スプリッタ部分12と変調器部分14との間の位置合わせ精度を向上させ、集積電気光学モジュールを微細ピッチのデバイスに適したものにし得るリソグラフィ・パターニング技術が使用される。図示されるように、製造装置は、スプリッタ導波路100、120、140、160及び変調器導波路102、122、142、162を、実質的に同一のプロセス工程を用いて実質的に同一の材料から作り出す。故に、同一の工程、材料、及び／又は製造装置が使用されることも可能であり且つ集積電気光学モジュール10を製造することは組立てを必要としないので、この集積電気光学モジュール10の製造方法は以前の方法より経済的なものとなり得る。
【００４３】
スプリッタ部分と変調器部分との双方にわたって連続する電気光学材料の層を含む集積電気光学モジュールの特定の実施形態について述べてきたが、これらは完全に包括的なものではない。集積電気光学モジュール10の様々な実施形態は素子群の一定の構成及び配置を含むように図示されているが、これらは例であり、集積電気光学モジュール10の構成要素及び機能は、必要に応じて、組み合わされ、分離され、分散され、補完され、そして変更されてもよい。また、集積電気光学モジュール10の機能は、構成要素の如何なる好適な集合及び配置によって実現されてもよい。例えば、集積電気光学モジュール10は様々な要素の特定の重ね合わせを有するように図示され説明されているが、理解されるように、集積電気光学モジュール10は如何なる適当な材料で形成された如何なる好適な層群を含んでいてもよい。さらに、スプリッタ部分12及び変調器部分14は、如何なる適当な機能を有していてもよく、また該スプリッタ部分12及び変調器部分14の双方にわたって連続する電気光学材料の層を設けるのに好適な如何なる手法で構築されてもよい。
【００４４】
図４は、図３Ａに示された導波路構造を有する集積電気光学モジュールの製造方法を例示する、全体として200で指し示されたフローチャートである。工程202にて、製造装置は特定の実施形態において底部クラッドを堆積する。底部クラッドは頂部クラッドとともに、電気光学層を取り囲んで該電気光学層の機能を支援するために使用される。一部の実施形態において、底部クラッドは例えばＵＶ１５等のポリマー材料で形成される。他の実施形態においては、底部クラッドはその他の何らかの好適材料で形成される。特定の実施形態において、底部クラッドは、底部被覆材料をウェハ上にスピンコーティングし、その後、該底部クラッドを適切に硬化させることによって形成される。底部クラッドは底部クラッド52、底部クラッド104、底部クラッド124、底部クラッド144及び／又は底部クラッド166とし得る。
【００４５】
工程204にて、製造装置はスプリッタ部分12と変調器部分14との双方に対して側部クラッドをパターニングする。特定の実施形態において、製造装置は底部クラッドから材料を除去することによって側部クラッドをパターニングする。一部の実施形態において、製造装置はフォトリソグラフィ技術を用いて側部クラッドをパターニングする。工程206にて、製造装置はスプリッタ部分12のリッジを変調器部分14のそれより深くエッチングする。一部の実施形態において、工程204及び工程206は同一の処理で行われる。他の実施形態においては、工程204及び工程206は別々の処理工程を必要とする。
【００４６】
工程208にて、製造装置は電気光学ポリマーを堆積する。一部の実施形態において、電気光学ポリマーは底部クラッド及び／又は側部クラッド上に堆積される。特定の実施形態において、電気光学ポリマーは反転リッジ型導波路構造を有する電気光学層を形成する。そして工程210にて、製造装置は電気光学ポリマーを頂部クラッドで覆う。或る一定の実施形態において、頂部クラッドは底部クラッド及び／又は側部クラッドと実質的に同一の材料で形成される。他の実施形態においては、頂部クラッドは如何なる好適な材料で形成されてもよい。工程210の後、この方法は終了する。
【００４７】
図４に関連して説明された方法は単なる例示であり、理解されるように、処理の手法及び順序、並びにこれらの処理を実行するとして示された装置は、好適なように如何ようにも変更され得る。この方法は特定の順序で実行される特定の工程群を述べているが、集積電気光学モジュール10はこれらの工程の一部、全て、又は皆無を如何なる使用可能な順序で実行する如何なる好適な要素の集合及び並びによっても製造可能である。例えば、一部の実施形態において、更なる工程にて頂部電極及び底部電極が付加される。
【００４８】
図５は、図３Ｂに示された導波路構造を有する集積電気光学モジュールの製造方法を例示する、全体として220で指し示されたフローチャートである。工程222にて、製造装置は特定の実施形態において底部クラッドを堆積する。底部クラッドは頂部クラッドとともに、電気光学層を取り囲んで該電気光学層の機能を支援するために使用され得る。一部の実施形態において、底部クラッドは例えばＵＶ１５等のポリマー材料で形成される。他の実施形態においては、底部クラッドはその他の何らかの好適材料で形成される。特定の実施形態において、底部クラッドは、底部被覆材料をウェハ上にスピンコーティングし、その後、該底部クラッドを適切に硬化させることによって形成される。底部クラッドは底部クラッド52、底部クラッド104、底部クラッド124、底部クラッド144及び／又は底部クラッド166とし得る。
【００４９】
工程224にて、製造装置はスプリッタ部分12と変調器部分14との双方に対して側部クラッドをパターニングする。特定の実施形態において、製造装置は側方の被覆材料を付加することによって側部クラッドをパターニングする。一部の実施形態において、製造装置はフォトリソグラフィ技術の使用を介して特定の位置に側方の被覆材料を付加する。工程226にて、製造装置はスプリッタ部分12に側部クラッドの第２の層を付加する。これにより、スプリッタ部分12のリッジ深さは変調器部分14のリッジ深さより大きくされる。一部の実施形態において、工程224及び工程226は同一の処理で行われる。他の実施形態においては、工程224及び工程226は別々の処理工程を必要とする。
【００５０】
工程228にて、製造装置は電気光学ポリマーを堆積する。一部の実施形態において、電気光学ポリマーは底部クラッド及び／又は側部クラッド上に堆積される。特定の実施形態において、電気光学ポリマーは反転リッジ型導波路構造を有する電気光学層を形成する。そして工程230にて、製造装置は電気光学ポリマーを頂部クラッドで覆う。或る一定の実施形態において、頂部クラッドは底部クラッド及び／又は側部クラッドと実質的に同一の材料で形成される。他の実施形態においては、頂部クラッドは如何なる好適な材料で形成されてもよい。工程230の後、この方法は終了する。
【００５１】
図５に関連して説明された方法は単なる例示であり、理解されるように、処理の手法及び順序、並びにこれらの処理を実行するとして示された装置は、好適なように如何ようにも変更され得る。この方法は特定の順序で実行される特定の工程群を述べているが、集積電気光学モジュール10はこれらの工程の一部、全て、又は皆無を如何なる使用可能な順序で実行する如何なる好適な要素の集合及び並びによっても製造可能である。例えば、一部の実施形態において、更なる工程にて頂部電極及び底部電極が付加される。
【００５２】
図６は、図３Ｃに示された導波路構造を有する集積電気光学モジュールの製造方法を例示する、全体として240で指し示されたフローチャートである。工程242にて、製造装置は特定の実施形態において底部クラッドを堆積する。底部クラッドは頂部クラッドとともに、電気光学層を取り囲んで該電気光学層の機能を支援するために使用され得る。一部の実施形態において、底部クラッドは例えばＵＶ１５等のポリマー材料で形成される。他の実施形態においては、底部クラッドはその他の何らかの好適材料で形成される。特定の実施形態において、底部クラッドは、底部被覆材料をウェハ上にスピンコーティングし、その後、該底部クラッドを適切に硬化させることによって形成される。底部クラッドは底部クラッド52、底部クラッド104、底部クラッド124、底部クラッド144及び／又は底部クラッド166とし得る。
【００５３】
工程244にて、製造装置はスプリッタ部分12と変調器部分14との双方に対して側部クラッドをパターニングする。特定の実施形態において、製造装置は側方の被覆材料を付加することによって側部クラッドをパターニングする。或る一定の実施形態において、製造装置は底部クラッドから材料を除去することによって側部クラッドをパターニングする。一部の実施形態において、製造装置はフォトリソグラフィ技術を用いて側部クラッドをパターニングする。工程246にて、製造装置はスプリッタ部分12のリッジを変調器部分14のそれより深くエッチングし、工程248にて、製造装置はスプリッタ部分12に側方の被覆材料の更なる層を付加する。これにより、スプリッタ部分12のリッジ深さは変調器部分14のリッジ深さより大きくされる。一部の実施形態において、工程244、工程246及び／又は工程248は同一の処理で行われる。他の実施形態においては、工程244、工程246及び／又は工程248は別々の処理工程を必要とする。
【００５４】
工程250にて、製造装置は電気光学ポリマーを堆積する。一部の実施形態において、電気光学ポリマーは底部クラッド及び／又は側部クラッド上に堆積される。特定の実施形態において、電気光学ポリマーは反転リッジ型導波路構造を有する電気光学層を形成する。そして工程252にて、製造装置は電気光学ポリマーを頂部クラッドで覆う。或る一定の実施形態において、頂部クラッドは底部クラッド及び／又は側部クラッドと実質的に同一の材料で形成される。他の実施形態においては、頂部クラッドは如何なる好適な材料で形成されてもよい。工程252の後、この方法は終了する。
【００５５】
図６に関連して説明された方法は単なる例示であり、理解されるように、処理の手法及び順序、並びにこれらの処理を実行するとして示された装置は、好適なように如何ようにも変更され得る。この方法は特定の順序で実行される特定の工程群を述べているが、集積電気光学モジュール10はこれらの工程の一部、全て、又は皆無を如何なる使用可能な順序で実行する如何なる好適な要素の集合及び並びによっても製造可能である。例えば、一部の実施形態において、更なる工程にて頂部電極及び底部電極が付加される。
【００５６】
図７は、図３Ｄに示された導波路構造を有する集積電気光学モジュールの製造方法を例示する、全体として260で指し示されたフローチャートである。工程262にて、製造装置は特定の実施形態において底部クラッドを堆積する。底部クラッドは頂部クラッドとともに、電気光学層を取り囲んで該電気光学層の機能を支援するために使用される。一部の実施形態において、底部クラッドは例えばＵＶ１５等のポリマー材料で形成される。他の実施形態においては、底部クラッドはその他の何らかの好適材料で形成される。特定の実施形態において、底部クラッドは、底部被覆材料をウェハ上にスピンコーティングし、その後、該底部クラッドを適切に硬化させることによって形成される。底部クラッドは底部クラッド52、底部クラッド104、底部クラッド124、底部クラッド144及び／又は底部クラッド166とし得る。
【００５７】
工程264にて、製造装置は異なるリッジ深さを作り出すように階調マスクを適用する。特定の実施形態において、階調リソグラフィは一度のリソグラフィ工程で所望の地の形状を作り出すために適用されることができる。一部の実施形態において、コアの厚さの差は階調マスクの階調勾配によって都合良く調整可能である。スプリッタ部分と変調器部分との間の勾配は曲線状又は直線状の何れであってもよく、如何なる好適な形状を有していてもよい。
【００５８】
工程266にて、製造装置は電気光学ポリマーを堆積する。一部の実施形態において、電気光学ポリマーは底部クラッド及び／又は側部クラッド上に堆積される。特定の実施形態において、電気光学ポリマーは反転リッジ型導波路構造を有する電気光学層を形成する。そして工程268にて、製造装置は電気光学ポリマーを頂部クラッドで覆う。或る一定の実施形態において、頂部クラッドは底部クラッド及び／又は側部クラッドと実質的に同一の材料で形成される。他の実施形態においては、頂部クラッドは如何なる好適な材料で形成されてもよい。工程268の後、この方法は終了する。
【００５９】
図７に関連して説明された方法は単なる例示であり、理解されるように、処理の手法及び順序、並びにこれらの処理を実行するとして示された装置は、好適なように如何ようにも変更され得る。この方法は特定の順序で実行される特定の工程群を述べているが、集積電気光学モジュール10はこれらの工程の一部、全て、又は皆無を如何なる使用可能な順序で実行する如何なる好適な要素の集合及び並びによっても製造可能である。例えば、一部の実施形態において、更なる工程にて頂部電極及び底部電極が付加される。
【００６０】
本発明について幾つかの実施形態にて説明してきた。しかしながら、無数の変更及び改良が当業者に示唆され、本発明は、添付の特許請求の範囲に入るそのような変更及び改良を包含するものである。
【００６１】
（付記１）  集積電気光学モジュールの製造方法であって：
底部被覆層を堆積する工程；
側方被覆部を形成する工程であり、該側方被覆部はスプリッタ部分で第１のリッジ深さを有し且つ変調器部分で第２のリッジ深さを有し、該第１のリッジ深さは該第２のリッジ深さより大きくされる、工程；
電気光学ポリマーを堆積する工程であり、該電気光学ポリマーは、前記変調器部分で第１の反転リッジ型構造を有し且つ前記スプリッタ部分で第２の反転リッジ型構造を有する電気光学層を形成する、工程；及び
前記電気光学層を覆う頂部被覆層を堆積する工程；
を有し、
前記スプリッタ部分は、光波を複数のチャネルに分割する少なくとも１つの分岐部を有し、且つ
前記変調器部分は複数の変調器を有し、各変調器は前記複数のチャネルの１つに対応し且つ第１経路、第２経路、並びに該第１経路及び該第２経路が交わる干渉点を有する、
方法。
【００６２】
（付記２）  前記電気光学層は前記スプリッタ部分と前記変調器部分とで連続している、付記１記載の方法。
【００６３】
（付記３）  前記電気光学ポリマーは、該電気光学ポリマーに電界が印加されたときに変化する光学特性を有する、付記１記載の方法。
【００６４】
（付記４）  前記側方被覆部を形成する工程は、前記スプリッタ部分で前記第１のリッジ深さを有し且つ前記変調器部分で前記第２のリッジ深さを有する前記底部被覆層の部分を除去する工程を有する、付記１記載の方法。
【００６５】
（付記５）  前記側方被覆部を形成する工程は：
前記底部被覆層上に側方被覆材料を堆積する工程；及び
前記側方被覆部を形成するように前記側方被覆材料をパターニングする工程；
を有し、
前記スプリッタ部分に堆積された前記側方被覆材料は前記第１のリッジ深さを有し、且つ前記変調器部分に堆積された前記側方被覆材料は前記第２のリッジ深さを有する、
付記１記載の方法。
【００６６】
（付記６）  前記側方被覆部を形成する工程は：
前記スプリッタ部分で第３のリッジ深さを有し且つ前記変調器部分で前記第２のリッジ深さを有する前記底部被覆層の部分を除去する工程；
側方被覆材料を堆積する工程；及び
前記側方被覆材料をパターニングする工程であり、パターニングされた側方被覆材料が前記スプリッタ部分で第４のリッジ深さを有する、工程；
を有し、
前記第１のリッジ深さは前記第３のリッジ深さと前記第４のリッジ深さとを足し合わせたものに等しい、
付記１記載の方法。
【００６７】
（付記７）  前記側方被覆部を形成する工程は、階調リソグラフィを用いて、前記スプリッタ部分で前記第１のリッジ深さを有し、前記変調器部分で前記第２のリッジ深さを有し、且つ前記スプリッタ部分と前記変調器部分との間で一定でないリッジ深さを有する前記底部被覆層の部分を除去する工程を有する、付記１記載の方法。
【００６８】
（付記８）  前記変調器の各々は、前記スプリッタ部分の前記複数のチャネルの対応する１つから入力を受け取り且つ受け取った入力を前記第１経路及び前記第２経路に分割するように形成された変調器分岐点を有する、付記１記載の方法。
【００６９】
（付記９）  前記電気光学ポリマーは、前記第１経路に電界が印加されたときに該第１経路内での光波の速度を低下させる、付記８記載の方法。
【００７０】
（付記１０）  底部電極を形成する工程、及び頂部電極を形成する工程を更に有する付記１記載の方法。
【００７１】
（付記１１）  高速データ伝送用の集積電気光学モジュールであって：
光波を生成するように機能する少なくとも１つの光源；
前記光波を複数のチャネルに分割する少なくとも１つの分岐部を有するスプリッタ部分であり、該スプリッタ部分は電気光学ポリマーを含み、該電気光学ポリマーは第１の反転リッジ型構造を有する電気光学層を形成し、該第１の反転リッジ型構造は第１のリッジ深さを有する、スプリッタ部分；及び
複数の変調器を有する変調器部分であり、各変調器は前記複数のチャネルの１つに対応し且つ第１経路、第２経路、並びに該第１経路及び該第２経路が交わる干渉点を有し、該変調器部分は電気光学ポリマーを含み、該電気光学ポリマーは第２の反転リッジ型構造を有する電気光学層を形成し、該第２の反転リッジ型構造は第２のリッジ深さを有する、変調器部分；
を有し、
前記第１のリッジ深さは前記第２のリッジ深さより大きい、
集積電気光学モジュール。
【００７２】
（付記１２）  前記電気光学層は前記スプリッタ部分と前記変調器部分とで連続している、付記１１記載の集積電気光学モジュール。
【００７３】
（付記１３）  前記電気光学ポリマーは、該電気光学ポリマーに電界が印加されたときに変化する光学特性を有する、付記１１記載の集積電気光学モジュール。
【００７４】
（付記１４）  ウェハ上に堆積された底部被覆層；及び
前記スプリッタ部分で前記第１のリッジ深さを有し且つ前記変調器部分で前記第２のリッジ深さを有する側方被覆部；
を更に有する付記１１記載の集積電気光学モジュール。
【００７５】
（付記１５）  前記側方被覆部は、前記スプリッタ部分で前記第１のリッジ深さを有し且つ前記変調器部分で前記第２のリッジ深さを有する前記底部被覆層の部分を除去する工程により形成されている、付記１４記載の集積電気光学モジュール。
【００７６】
（付記１６）  前記側方被覆部は：
前記底部被覆層上に側方被覆材料を堆積する工程；及び
当該側方被覆部を形成するように前記側方被覆材料をパターニングする工程；
により形成されており、
前記スプリッタ部分に堆積された前記側方被覆材料は前記第１のリッジ深さを有し、且つ前記変調器部分に堆積された前記側方被覆材料は前記第２のリッジ深さを有する、
付記１４記載の集積電気光学モジュール。
【００７７】
（付記１７）  前記側方被覆部は：
前記スプリッタ部分で第３のリッジ深さを有し且つ前記変調器部分で前記第２のリッジ深さを有する前記底部被覆層の部分を除去する工程；
側方被覆材料を堆積する工程；及び
前記側方被覆材料をパターニングする工程であり、パターニングされた側方被覆材料が前記スプリッタ部分で第４のリッジ深さを有する、工程；
により形成されており、
前記第１のリッジ深さは前記第３のリッジ深さと前記第４のリッジ深さとを足し合わせたものに等しい、
付記１４記載の集積電気光学モジュール。
【００７８】
（付記１８）  前記側方被覆部は、階調リソグラフィを用いて、前記スプリッタ部分で前記第１のリッジ深さを有し、前記変調器部分で前記第２のリッジ深さを有し、且つ前記スプリッタ部分と前記変調器部分との間で一定でないリッジ深さを有する前記底部被覆層の部分を除去する工程により形成されている、付記１４記載の集積電気光学モジュール。
【００７９】
（付記１９）  前記変調器の各々は、前記スプリッタ部分の前記複数のチャネルの対応する１つから入力を受け取り且つ受け取った入力を前記第１経路及び前記第２経路に分割するように形成された変調器分岐点を有する、付記１１記載の集積電気光学モジュール。
【００８０】
（付記２０）  前記電気光学ポリマーは、前記第１経路に電界が印加されたときに該第１経路内での光波の速度を低下させる、付記１９記載の集積電気光学モジュール。
【００８１】
（付記２１）  底部電極及び頂部電極を更に有する付記１１記載の集積電気光学モジュール。
【００８２】
（付記２２）  集積電気光学モジュールを製造する装置であって：
ウェハ上に底部被覆層を堆積する手段；
側方被覆部を形成する手段であり、該側方被覆部はスプリッタ部分で第１のリッジ深さを有し且つ変調器部分で第２のリッジ深さを有し、該第１のリッジ深さは該第２のリッジ深さより大きくされる、手段；
電気光学ポリマーを堆積する手段であり、該電気光学ポリマーは、前記変調器部分で第１の反転リッジ型構造を有し且つ前記スプリッタ部分で第２の反転リッジ型構造を有する電気光学層を形成する、手段；及び
前記電気光学層を覆う頂部被覆層を堆積する手段；
を有し、
前記スプリッタ部分は、光波を複数のチャネルに分割する少なくとも１つの分岐部を有し、且つ
前記変調器部分は複数の変調器を有し、各変調器は前記複数のチャネルの１つに対応し且つ第１経路、第２経路、並びに該第１経路及び該第２経路が交わる干渉点を有する、
装置。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】集積電気光学モジュールを例示する図である。
【図２】集積電気光学モジュールのスプリッタ部分内の導波路の断面図と、曲げ損失に対する導波路のリッジ深さの影響とを例示する図である。
【図３Ａ】集積電気光学モジュールの一実施形態に関して、スプリッタ部分内の導波路と変調器部分内の導波路とを例示する断面図である。
【図３Ｂ】集積電気光学モジュールの他の一実施形態に関して、スプリッタ部分内の導波路と変調器部分内の導波路とを例示する断面図である。
【図３Ｃ】集積電気光学モジュールの他の一実施形態に関して、スプリッタ部分内の導波路と変調器部分内の導波路とを例示する断面図である。
【図３Ｄ】集積電気光学モジュールの他の一実施形態に関して、スプリッタ部分内の導波路と変調器部分内の導波路とを例示する断面図である。
【図４】図３Ａの導波路構造を有する集積電気光学モジュールの製造方法を例示するフローチャートである。
【図５】図３Ｂの導波路構造を有する集積電気光学モジュールの製造方法を例示するフローチャートである。
【図６】図３Ｃの導波路構造を有する集積電気光学モジュールの製造方法を例示するフローチャートである。
【図７】図３Ｄの導波路構造を有する集積電気光学モジュールの製造方法を例示するフローチャートである。
【符号の説明】
【００８４】
10  …  集積電気光学モジュール
12  …  スプリッタ部分
14  …  変調器部分
16  …  光源
18  …  光検出器
20  …  ウェハ
22  …  分岐点
24  …  チャネル
26  …  変調器
28  …  第１経路
30  …  第２経路
32  …  干渉点
50  …  導波路
52  …  底部クラッド
54  …  電気光学層
56  …  頂部クラッド
60  …  突起部（リッジ）
62  …  リッジ深さ
100、120、140、160  …  スプリッタ導波路
102、122、142、162  …  変調器導波路
104、124、144、166  …  底部被覆層
106、108、126、128、146、148、152、168  …  側方被覆部（側部クラッド）
110、134、156、170  …  電気光学層
112、136、158、172  …  頂部被覆層（頂部クラッド）
114、130、152、174  …  第１のリッジ深さ
116、132、154、176  …  第２のリッジ深さ
【図１】
2008165241.tif 000003
【図２】
2008165241.tif 000004
【図３Ａ】
2008165241.tif 000005
【図３Ｂ】
2008165241.tif 000006
【図３Ｃ】
2008165241.tif 000007
【図３Ｄ】
2008165241.tif 000008
【図４】
2008165241.tif 000009
【図５】
2008165241.tif 000010
【図６】
2008165241.tif 000011
【図７】
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