(57)【要約】【課題】同電位ラインを所望位置、例えば、検査用パターンの隣接位置であっても形成することができ、当該検査用パターンによって、電気配線を精度良く検査することができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器をそれぞれ提供する。【解決手段】対向配置された一対の基板と、当該一対の基板間に保持された電気光学材料と、を含む電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器において、基板上の電気配線を検査するための検査用パターンを備えるとともに、当該検査用パターンをレーザー非切断性とする。【選択図】図１
2008083493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板間と、当該一対の基板間に保持された電気光学材料と、を含む電気光学装置において
前記基板上の電気配線を検査するための検査用パターンを備えるとともに、当該検査用パターンをレーザー非切断性とすることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記検査用パターンをレーザー非切断性材料から構成するか、あるいは、前記検査用パターンの一部に、レーザー非切断性材料からなるレーザー遮光層を設けることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記レーザー非切断性材料として、少なくともＴａＷまたはＭｏを含むことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記検査用パターンまたは当該検査用パターンに連なる電気配線と、レーザー切断性材料からなる同電位ラインの残部とが、並列配置してあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記検査用パターンの幅を、前記同電位ラインの幅よりも広くすることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記検査用パターンの厚さを、前記同電位ラインの厚さよりも厚くすることを特徴とする請求項４または５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記同電位ラインが、レーザー切断性材料として、Ｃｒ、Ｎｉ、ＡｌまたはＩＴＯを含むことを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記一対の基板が、シール材料によって固定してあるとともに、当該シール材料の外側領域に、前記検査用パターンが形成してあることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
対向配置された一対の基板と、当該一対の基板間に保持された電気光学材料と、を含む電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に、電気配線を検査するためのレーザー非切断性の検査用パターンを形成する工程と、
前記検査用パターンまたは電気配線と、並列配置して、レーザー切断性の同電位ラインを形成する工程と、
前記同電位ラインをレーザー切断した状態で、前記基板上の電気配線を検査する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記検査用パターンまたは電気配線の間に、前記同電位ラインをクランク状に形成することを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器に関する。特に、同電位ラインの形成が容易な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の一態様である液晶装置は、それぞれ着色層や保護膜、電極等を備えた一対の基板を対向配置するとともに、当該一対の基板の間に液晶材料を注入して構成されている。例えば、三端子型の非線形素子であるＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）を備えた液晶装置の場合、素子基板は、ガラス基板等の上に、電気配線、ＴＦＴ素子、層間絶縁膜、画素電極、配向膜等が積層されて構成されている。また、素子基板と対向する対向基板上には、着色層、遮光膜、対向電極、配向膜等が積層されて構成されている。そして、これらの素子基板及び対向基板をシール材により貼り合わせてセル構造を形成するとともに、形成されたセル内に液晶材料が注入されている。
【０００３】
ところで、各基板上に形成された電気配線の形成状態は、液晶装置の表示品位に大きく影響を与える要素である。例えば、基板上に形成された電気配線において断線等を生じていたりすると、点欠陥や線欠陥等の表示不良の原因となる。
そこで、通常、基板上の形成された電気配線や、それに電気接続されたスイッチング素子を静電気等から保護するために、検査用パターンを介して、所定の同電位ラインを設け、電荷の蓄積を有効に防止する液晶装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
より具体的には、図１５に示すように、素子側基板母材４０１に信号線４０２、ＩＣ出力端子４０６、およびＩＣ入力端子４０７をパターニングした後、ＴＦＤ素子４０３を構成するいずれかの金属をパターニングするときに、それと同時に環状の導電パターンを、同電位ライン４１９としてパターニングする。したがって、複数のＩＣ出力端子４０６及び複数のＩＣ入力端子４０７を互いに導通して、それらを同電位に保持することができる。そして、素子側基板母材４０１に、対向側基板母材を貼り合せ、液晶を封入し、スクライブ線Ｌ１〜Ｌ４に沿ってスクライブを行って個々の液晶パネルを切り出した後、同電位ライン４１９をエッチングによって除去することを特徴とした液晶装置が開示されている。
【特許文献１】特開平１１  −３３７９７９号公報（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された液晶装置において、電荷の蓄積を防止するための同電位ラインは、検査用パターンを含めて環状に形成されており、当該同電位ラインの占有面積や形成位置のために、基板上で、余分なスペースを確保しなければならないという問題が見られた。
【０００５】
もちろん、単純な構成として、通常の液晶装置においては、図１６（ａ）に示すように、同電位ライン５１２を、電気配線５７５を検査するための検査用パターン５１１の反対側に設けることが行われている。
この場合、図１６（ｂ）に示すような、検査用パターン５１１や同電位ライン５１２において、多層構造がとられているものの、いずれもレーザー切断性材料からなる構成であった。
したがって、電気配線５７５を検査する前に、同電位ライン５１２（５１２ａ）の形成箇所に、レーザー光線Ｌをスキャンしながら選択的に照射し、同電位ライン５１２（５１２ａ）のみを切断した後、独立した検査用パターン５１１として、各電気配線５７５の短絡等の電気検査を実施していた。
しかしながら、特許文献１と同様に、同電位ラインの占有面積や形成位置を確保するために、その分、基板を大きくしたり、画像表示部分を小さくしたりしなければならないという問題が見られた。
【０００６】
そこで、本発明の発明者らは、上記問題点を鋭意検討した結果、所定材料等からなるレーザー非切断性の検査用パターンを備えることにより、同電位ラインを設ける場合に、当該同電位ラインを所望位置、例えば、検査用パターンの隣接位置であっても形成できることを見出した。
すなわち、本発明は、レーザー非切断性の検査用パターンを設けることにより、レーザー切断性の同電位ラインの形成場所の制限が少なく、かつ、画像表示部分が大きくて、小型化した電気光学装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、そのような検査用パターンを備えた電気光学装置の製造方法、および電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、対向配置された一対の基板と、当該一対の基板間に保持された電気光学材料と、を含む電気光学装置において、基板上の電気配線を検査するための検査用パターンを備えるとともに、当該検査用パターンをレーザー非切断性とした電気光学装置が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、検査用パターンがレーザー非切断性であることから、検査用パターンの形成位置や形状等にかかわらず、レーザー切断性の同電位ラインを所望位置に形成することができる。
また、同電位ラインを所望位置、例えば、検査用パターンの隣接位置であっても形成することができるため、電気光学装置の小型化や、画像表示部の大型化に資することができる。
さらに、レーザー非切断性の検査用パターンであれば、機械的強度や防食性等についても、通常優れていることから、導通検査する前の段階で生じた静電気等の帯電電荷を、確実に除去することができるとともに、検査用パターンの形成状態を精度良く検査することができる。
なお、同電位ラインは、通常、図１（ａ）に示すように、主同電位ライン１２から枝分かれした支線１２ａを備えているが、このような支線としての同電位ラインの一部についても、以下、総称して、同電位ラインと呼ぶことがある。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、検査用パターンをレーザー非切断性材料から構成するか、あるいは、検査用パターンの一部に、レーザー非切断性材料からなるレーザー遮光層を設けることが好ましい。
このように構成することにより、検査用パターンをレーザー非切断性と構成することができるとともに、レーザー切断性の同電位ラインを、所望位置に容易に形成することができる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、検査用パターン等を構成するレーザー非切断性材料として、少なくともＴａＷまたはＭｏを含むことが好ましい。
このように構成することにより、レーザー非切断性の検査用パターンを、基板上の電気配線やスイッチング素子と同時に形成することができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、検査用パターンまたは当該検査用パターンに連なる電気配線と、レーザー切断性材料からなる同電位ラインの残部とが、並列配置してあることが好ましい。
同電位ラインをレーザー切断すると、もはや同電位ラインの機能は失うが、同電位ラインの残部として残り、電気配線等における静電気の発生をすくなからず抑制することができる。
さらに、同電位ラインをレーザー切断後であっても、さらに同電位ラインの残部を介して、半田付け等も可能になるため、必要に応じて、同電位ラインを復元することができる。
なお、同電位ラインの残部が、検査用パターン等に対して、並列配置してあるとは、レーザー切断前にあっても、検査用パターン等に対して、並列配置してあることを意味する。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、検査用パターンの幅を、同電位ラインの幅よりも広くすることが好ましい。
このように構成することにより、レーザー装置におけるレーザー出力やレーザー照射位置がばらついたような場合であっても、検査用パターンを切断することなく、同電位ラインのみを確実に切断することができる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、検査用パターンの厚さを、同電位ラインの厚さよりも厚くすることが好ましい。
このように構成することにより、レーザー装置レーザー装置におけるレーザー出力やレーザー照射位置がばらついたような場合であっても、検査用パターンを切断することなく、同電位ラインのみを確実に切断することができる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、同電位ラインが、レーザー切断性材料として、Ｃｒ、Ｎｉ、ＡｌまたはＩＴＯを含むことが好ましい。
このように構成することにより、レーザー切断性の同電位ラインを、基板上の電気配線やスイッチング素子と同時に形成することができる。なお、特に、このような材料は、ＴＦＤ素子を形成する際に使用されるため、同電位ラインを、ＴＦＤ素子を形成する際に同時に形成することが好ましいと言える。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、一対の基板が、シール材料によって固定してあるとともに、当該シール材料の外側領域に、検査用パターンが形成してあることが好ましい。
このように構成することにより、電気光学装置を組立てた後においても、シール材料の外側領域に位置する検査用パターンを利用して、不良品等が生じた場合に、容易に導通検査をすることができる。
【００１５】
本発明の別の態様は、対向配置された一対の基板と、当該一対の基板間に保持された電気光学材料と、を含む電気光学装置の製造方法であって、基板上に、電気配線を検査するためのレーザー非切断性の検査用パターンを形成する工程と、検査用パターンまたは電気配線と、並列配置して、レーザー切断性の同電位ラインを形成する工程と、同電位ラインをレーザー切断した状態で、基板上の電気配線を検査する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法である。
すなわち、検査用パターンがレーザー非切断性であることから、当該検査用パターンの形成位置や形状等にかかわらず、レーザー切断性の同電位ラインを所望位置に形成することができる。
また、同電位ラインを所望位置、例えば、検査用パターンの隣接位置であっても形成することができるため、小型化した電気光学装置や、画像表示面積が大きい電気光学装置を効率的に製造することができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、検査用パターンまたは電気配線の間に、同電位ラインをクランク状に形成することが好ましい。
このように構成することにより、レーザー装置によって、クランク状の同電位ラインにおけるクランク間の直線部に対して、レーザーを照射することにより、レーザー照射位置がばらついたような場合であっても、検査用パターンを切断することなく、同電位ラインのみを確実に切断することができる。
また、同電位ラインがクランク状であれば、直線および角部（クランク部）のみから構成してあるため、同電位ラインを精度良く形成することができる。
【００１７】
本発明のさらに別の態様は、上述したいずれかの電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器である。
すなわち、同電位ラインによって、導通検査する前の段階で生じた静電気等の帯電電荷を、確実に除去することができ、検査用パターンの形成状態を精度良く検査できることから、検査結果の信頼性が高く、誤動作の少ない電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［第１実施形態］
第１実施形態は、図１（ａ）〜（ｂ）に例示するように、対向配置された一対の基板３０、６０と、当該一対の基板３０、６０間に保持された電気光学材料２１と、を含む電気光学装置１０において、基板３０、６０上の電気配線６５、７５を検査するための検査用パターン１１を備えるとともに、当該検査用パターン１１をレーザー非切断性とした電気光学装置１０である。
ここで、図１（ａ）は、検査用パターン１１と、同電位ライン１２（１２ａ）との関係を説明するための図である。ここで、図１（ａ）の液晶装置１０は、図２等に示す液晶パネルの表示画面部を概略的に示している。また、図１（ｂ）は、レーザー非切断性の検査用パターン１１およびレーザー切断性の同電位ライン１２（１２ａ）の断面図である。
以下、第１実施形態の電気光学装置として、所定構造の三端子型非線型素子及び画素電極を有する素子基板と、対向基板としての着色層及び対向電極を有するカラーフィルタ基板と、を備えた液晶装置の製造方法を例に採って説明する。
なお、それぞれの図中、同一の部材を示すものについては同一の符号を付してあり、各図の説明においては、適宜説明を省略する。
【００１９】
１．基本構造
まず、電気光学装置の一つとしての液晶装置の基本構造について、図２〜図３を参照しながら具体的に説明する。
ここで、図２（ａ）は、液晶装置１０の断面図を示し、図２（ｂ）は、図２（ａ）の液晶装置における素子基板６０の平面図を示している。
そして、かかる液晶装置１０は、対向基板３０と、素子基板６０とが、それらの周辺部においてシール材（図示せず）によって貼り合せられ、さらに、対向基板３０、素子基板６０及びシール材によって囲まれる間隙内に液晶材料２１を封入して、基本的に構成されている。
【００２０】
また、対向基板３０は、ガラス、プラスチック等によって形成され、当該対向基板３０上には、カラーフィルタすなわち着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと、その着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂの上に形成された対向電極３３と、その対向電極３３の上に形成された配向膜４５とを備えている。また、反射領域Ｒにおける、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと対向電極３３との間には、リタデーションを最適化するための絶縁層４１を備えている。
ここで、対向電極３３は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等によって対向基板３０の表面全域に形成された面状電極である。また、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂは、素子基板６０側の画素電極６３に対向する位置にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）又はＣ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）等といった各色のいずれかの色フィルタエレメントを備えている。そして、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂの隣であって、画素電極６３に対向しない位置にブラックマスク又はブラックマトリクスすなわち遮光膜３９が設けられている。
【００２１】
また、対向基板３０に対向する素子基板６０は、ガラス、プラスチック等によって形成され、当該素子基板６０上には、スイッチング素子として機能するアクティブ素子としてのＴＦＴ素子６９と、透明な絶縁膜８１を挟んでＴＦＴ素子６９の上層に形成された画素電極６３とを備えている。
ここで、画素電極６３は、反射領域Ｒにおいては反射表示を行うための光反射膜７９（６３ａ）を兼ねて形成されるとともに、透過領域Ｔにおいては、ＩＴＯなどにより透明電極６３ｂとして形成される。
また、画素電極６３ａとしての光反射膜７９は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等といった光反射性材料によって形成される。そして、画素電極６３の上には、ポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜８５が形成されるとともに、この配向膜８５に対して、配向処理としてのラビング処理が施されている。
【００２２】
また、対向基板３０の外側（すなわち、図２（ａ）の上側）表面には、位相差板４７が形成され、さらにその上に偏光板４９が形成されている。同様に、素子基板６０の外側（すなわち、図２（ａ）の下側）表面には、位相差板８７が形成され、さらにその下に偏光板８９が形成されている。さらに、素子基板６０の下方にはバックライトユニット（図示せず）が配置される。
【００２３】
また、ＴＦＴ素子６９は、素子基板６０上に形成されたゲート電極７１と、このゲート電極７１の上で素子基板６０の全域に形成されたゲート絶縁膜７２と、このゲート絶縁膜７２を挟んでゲート電極７１の上方位置に形成された半導体層７０と、その半導体層７０の一方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたソース電極７３と、さらに半導体層７０の他方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたドレイン電極６６とを備えている。
また、ゲート電極７１は、ゲートバス配線（図示せず）から延びており、ソース電極７３はソースバス配線（図示せず）から延びている。また、ゲートバス配線は、素子基板６０の横方向に延びていて、縦方向へ等間隔で平行に複数本形成されているとともに、ソースバス配線は、ゲート絶縁膜７２を挟んで、ゲートバス配線と交差するように、縦方向へ延びていて、横方向へ等間隔で平行に複数本形成されている。
かかるゲートバス配線は、液晶駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば走査線７５として作用し、他方、ソースバス配線は、他の駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されていて、例えば、信号線（図示せず）として作用する。
また、画素電極６３は、互いに交差するゲートバス配線と、ソースバス配線と、によって区画される方形領域のうち、ＴＦＴ素子６９に対応する部分を除いた領域に形成されている。
【００２４】
また、ゲートバス配線及びゲート電極は、例えば、クロム、タンタル等によって形成されている。また、ゲート絶縁膜は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等によって形成されている。
また、半導体層は、例えばドープトａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等によって形成することができる。
さらに、コンタクト電極は、例えばａ−Ｓｉ等によって形成することができ、ソース電極及びそれと一体をなすソースバス配線並びにドレイン電極は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等によって形成することができる。
【００２５】
また、有機絶縁膜８１は、ゲートバス配線、ソースバス配線及びＴＦＴ素子を覆って素子基板６０上の全域に形成されている。但し、有機絶縁膜８１のドレイン電極６６に対応する部分には、コンタクトホール８３が形成されており、このコンタクトホール８３の箇所で、画素電極６３と、ＴＦＴ素子６９のドレイン電極６６と、の間で電気的導通がとられている。
また、かかる有機絶縁膜８１には、反射領域Ｒに対応する領域に、散乱形状として、山部と谷部との規則的な又は不規則的な繰り返しパターンから成る凹凸パターンを有する樹脂膜が形成されている。この結果、有機絶縁膜８１の上に積層される光反射膜７９（６３ａ）も同様にして凹凸パターンから成る光反射パターンを有することになる。但し、この凹凸パターンは、高い光透過率が得られるように、透過領域Ｔには形成されていない。
【００２６】
以上のような構造を有する液晶装置１０において、反射表示の際には、太陽光や室内照明光などの外光が、対向基板３０側から液晶装置１０に入射するとともに、着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）や液晶材料２１などを通過して光反射膜７９に至る。そこで、光反射されて、再度液晶材料２１や着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）などを通過して、液晶装置１０の外部で認識されることにより、反射表示が行われる。
一方、透過表示の際にはバックライトユニット（図示せず）が点灯されるとともに、バックライトユニットから出射された光が、透光性の透明電極６３ｂ部分を通過し、着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）、液晶材料２１などを通過して、液晶装置１０の外部で認識されることにより、透過表示が行われる。
そして、詳細に後述するように、検査用パターンがレーザー非切断性であることから、検査用パターンの形成位置や形状等にかかわらず、レーザー切断性の同電位ラインを所望位置に形成することができるとともに、電気光学装置の小型化や、画像表示部の大型化に資することができる。
【００２７】
２．電気配線および検査用パターン
（１）電気配線
図２（ｂ）に示すように、素子基板６０及びカラーフィルタ基板３０が上下方向で重なる領域に、電気配線６５、７５が形成されており、それらの形成状態を検査するための検査用パターン１１を備えている。
すなわち、液晶装置１０におけるいずれかの基板３０、６０上に、所定の検査用パターン１１を備えることにより、表示領域内に形成された電気配線６５、７５の短絡等についての検査信頼性を高めることができる。
また、液晶装置１０を組立てた後においても、シール領域２３の外部に、当該検査用パターン１１が存在する場合には、表示不良等が発見された場合であっても、実際に表示領域内に形成された部材そのものを露出させることなく、電気配線の形成状態を検査することができる。
【００２８】
（２）検査用パターン
（２）−１  レーザー非切断性
また、図１（ａ）や図４等に示すように、素子基板６０を構成する基板６１上の、所定の電極７６や電気配線７５の形成状態を検査するための検査用パターン１１を備えるとともに、当該検査用パターン１１をレーザー非切断性とすることを特徴とする。
この理由は、検査用パターンがレーザー非切断性であることから、検査用パターンの形成位置や形状等にかかわらず、レーザー切断性の同電位ラインを所望位置に形成することができるためである。
したがって、検査用パターンがレーザー非切断性であれば、図１（ａ）に示すように、同電位ラインの一部１２を、検査用パターン１１の隣接位置に形成できるため、電気光学装置の小型化や、画像表示部の大型化に資することができる。
【００２９】
（２）−２  レーザー遮光層
また、図１（ｂ）に示すように、検査用パターン１１をレーザー非切断性材料から構成するか、あるいは、検査用パターン１１の一部に、レーザー非切断性材料からなるレーザー遮光層１１ｂ、１１ｃを設けることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、検査用パターンをレーザー非切断性とすることができるとともに、レーザー切断性の同電位ラインを、所望位置に容易に形成することができるためである。
例えば、検査用パターンをレーザー非切断性材料から構成することにより、検査用パターンが比較的薄い場合や、線幅が狭い場合であっても、レーザーＬを、基板６１の背面側から矢印が示すように照射しながら、水平方向にスキャンした場合に、優れたレーザー非切断性を発揮することができる。
また、検査用パターンの一部に、レーザー非切断性材料からなるレーザー遮光層を設けた場合には、それらの厚さや幅等を所定範囲に調整することができ、結果として、検査用パターンの抵抗値やレーザー非切断性の制御がさらに容易になるためである。
なお、レーザー非切断性材料からなるレーザー遮光層１１ｂ、１１ｃを設けることによって、仮に、検査用パターン１１を構成する下層１１ａが、レーザー切断性であっても、検査用パターン１１としての機能を十分維持できることが判明している。すなわち、レーザー照射後であっても、検査用パターン１１を構成する導電性の上層１１ｅが残るため、検査用パターン１１としての機能を十分維持することができる。そして、レーザー遮光性の調節のためには、図１（ｂ）に示すように、レーザー非切断性材料からなる複数のレーザー遮光層１１ｂ、１１ｃを設けることが好ましい。
【００３０】
（２）−３  レーザー非切断性材料
また、検査用パターンを構成するレーザー非切断性材料が、少なくともＴａＷ（タンタルタングステン）、ＴａＷ酸化膜またはＭｏ（モリブデン）等を含むことが好ましい。例えば、図１（ｂ）に示すように、ＴａＷからなる第１のレーザー遮光層１１ｂと、ＴａＷ酸化膜からなる第２のレーザー遮光層１１ｃと、を設けることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、レーザー非切断性の検査用パターンを、基板上の電気配線やスイッチング素子と同時に形成することができるためである。すなわち、基板上の電気配線やスイッチング素子、例えば、ＴＦＤ素子は、ＴａＷやＴａＷ酸化膜を用いて形成されていることが多いためである。
また、このようにＴａＷやＴａＷ酸化膜を含むことにより、検査用パターンが比較的薄い場合や、線幅が狭い場合であっても、優れた導電性や機械的強度が得られる一方、レーザー切断の際には、優れたレーザー非切断性を発揮することができるためである。
【００３１】
なお、図１（ｂ）に示すように、一例ではあるが、基板６１の上に、酸化タンタル膜（Ｔａ２Ｏ５）１１ａと、ＴａＷ（タンタルタングステン）膜１１ｂと、ＴａＷ酸化膜１１ｃと、クロム（Ｃｒ）膜１１ｄと、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜１１ｅと、からなる検査用パターン１１を形成することが好ましい。
そして、かかる検査用パターン１１において、Ｔａ２Ｏ５膜の厚さを１００〜５００ｎｍ、ＴａＷ膜の厚さを５００〜１５００ｎｍ、ＴａＷ酸化膜の厚さを１００〜５００ｎｍ、Ｃｒ膜の厚さを１０００〜５０００ｎｍ、ＩＴＯ膜の厚さを３００〜１０００ｎｍの範囲内の値とすることが、それぞれ好ましい。
【００３２】
（２）−４  配置例および検査装置
また、図３に示すように、一対の基板３０、６０が、シール材料２３によって固定してあるとともに、図４に示すように、当該シール材料２３の外側領域に、検査用パターン１１が形成してあることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、図５に示すような、検査装置１００を用いて、電気光学装置（液晶装置）１０を組立てた後においても、シール材料の外側領域に位置する検査用パターンを利用して、容易に導通検査をすることができるためである。
【００３３】
また、図５に示す検査装置１００は、主に、端子部１１０や載置台１２１等の測定部材を含む測定部１２７と、端子部１１０に対して電圧を印加して導通状態を検査するための検査手段１２０と、端子部１１０を接地させるための接地手段１３０と、接続方向を切り替えるためのスイッチング手段１４０と、から構成される。
【００３４】
また、測定部１２７は、測定プローブとしての端子部１１０と、液晶装置１０を載置するための載置台１２１と、載置台１２１の上方に配置された押圧部材１２２と、押圧部材１２２を上下動させるための上下動手段１２３と、から構成される。
したがって、このように構成される検査装置１００によれば、載置台１２１上の所定位置に液晶装置１０を載置するとともに、当該液晶装置１０に対して、押圧部材１２２を押し付けることにより、液晶装置１０を構成する電気光学装置用基板上に設けられた電気配線と、端子部１１０と、を圧接させることができる。また、このような手順を経ることによって、検査手段１２０において電気配線の断線不良や、隣接配線間の接触といった導通不良を、精度良く勝つ迅速に検査することができる。
【００３５】
また、検査用パターンの形状については、特に制限されるものではないが、例えば、図４に示すように、所定の長さを有する線状の検査用パターン１１とすることが好ましい。
この理由は、このような形状とすることにより、例えば、図５に示すように、検査装置１００を用いて、検査用パターン１１の複数箇所で、形成状態の検査を行うことができるためである。したがって、検査用パターンの形成状態にばらつきがある場合であっても、それぞれの測定値を平均化して、測定結果の信頼性を向上させることができる。
【００３６】
（３）同電位ライン
（３）−１  レーザー切断性
また、図１（ｂ）に示すように、同電位ラインの一部１２ａを、レーザー切断性材料から構成することが必要である。
すなわち、同電位ラインがレーザー切断性であれば、検査用パターンがレーザー非切断性であることと相俟って、検査用パターンの形成位置や形状等にかかわらず、同電位ラインを所望位置に形成することができるためである。
したがって、同電位ラインを検査用パターンの隣接位置に形成できるため、同電位ラインの占有面積や形成位置を別途確保する必要がなくなり、電気光学装置の小型化や、画像表示部の大型化に容易に資することができるためである。
より具体的には、図１（ｂ）に示すように、レーザー切断前において、当該同電位ライン１２に連なる同電位ラインの一部１２ａを、検査用パターン１１または当該検査用パターン１１に連なる電気配線７５と、並列配置してあることが好ましい。
【００３７】
なお、同電位ラインをレーザー切断性とするにあたり、レーザー切断性材料としてのＣｒ、Ｎｉ、ＡｌまたはＩＴＯから構成してあることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、レーザー切断性の同電位ラインを、基板上の電気配線やスイッチング素子と同時に形成することができるためである。すなわち、基板上の電気配線やスイッチング素子は、Ｃｒ、Ｎｉ、ＡｌまたはＩＴＯを用いて形成されていることが多いためである。
したがって、図１（ｂ）に示すように、例えば、基板６１の上に、酸化タンタル膜（Ｔａ２Ｏ５）１２ｂと、クロム（Ｃｒ）膜１２ｃと、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜１２ｄと、からなる同電位ライン１２（１２ａ）を形成することが好ましい。
そして、例えば、Ｔａ２Ｏ５膜の厚さを１００〜５００ｎｍ、Ｃｒ膜の厚さを１０００〜５０００ｎｍ、ＩＴＯ膜の厚さを３００〜１０００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
【００３８】
（３）−２  配置例
また、同電位ライン１２に連なる同電位ラインの一部１２ａの配置例を、図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ａ）〜（ｄ）、図８（ａ）〜（ｃ）に例示する。
まず、図６（ａ）に示すように、同電位ラインの一部１２ａを、隣接する電気配線７５の垂直部分７５ａの間において、クランク状に形成することにより、レーザー切断前は、同電位ラインの一部１２ａによって、検査用パターン１１を確実に電気接続することができる。
一方、レーザー切断の際には、水平方向にレーザーＬをスキャンすることによって、同電位ラインの一部１２ａの垂直部が、レーザーのスキャン方向に対峙するため、同電位ラインの一部１２ａを確実に複数箇所で切断することができる。
なお、図６（ａ）において、隣接する電気配線７５の垂直部分７５ａの間に形成する同電位ラインの一部１２ａは単数であるが、検査用パターン１１を確実に電気接続できるように、２本以上の複数とすることも好ましい。以下、同様である。
【００３９】
また、図６（ｂ）に示すように、隣接する電気配線７５の斜向部分７５ｂの間において、同電位ラインの一部１２ａを垂直方向に形成することにより、かかる同電位ラインの一部１２ａの長さが短い場合であっても、レーザー切断前は、検査用パターン１１を確実に電気接続することができる。
一方、レーザー切断の際には、同電位ラインの一部１２ａが、レーザーのスキャン方向に対峙するため、同電位ラインの一部１２ａを確実に切断することができる。
【００４０】
また、図６（ｃ）に示すように、隣接する電気配線７５の垂直部分７５ａの間において、同電位ラインの一部１２ａを山形のジグザグ状に形成することにより、かかる同電位ラインの一部１２ａの長さが比較的短い場合であっても、レーザー切断前は、検査用パターン１１を確実に電気接続することができる。
一方、同電位ラインの一部１２ａが山形のジグザグ状であることから、レーザー切断の際には、かかる同電位ラインの一部１２ａを複数箇所で、確実に切断することができる。
【００４１】
また、図６（ｄ）に示すように、電気配線７５の垂直部分７５ａに、同電位ラインの一部１２ａを、連続したクランク状とすることにより、かかる同電位ラインの一部１２ａの長さが比較的短い場合であっても、レーザー切断前は、検査用パターン１１を確実に電気接続することができる。
一方、レーザー切断の際には、同電位ラインの一部１２ａの垂直部が、同電位ラインの一部１２ａを複数箇所で対峙するため、確実に複数箇所で切断することができる。
【００４２】
また、図７（ａ）に示すように、同電位ラインの一部１２ａを、隣接する電気配線７５の垂直部分７５ａの間において、波状に形成することにより、レーザー切断前は、曲線的な同電位ラインの一部１２ａによって、検査用パターン１１を確実に電気接続することができる。
一方、レーザー切断の際には、水平方向にレーザーＬをスキャンすることによって、波状の同電位ラインの一部１２ａを確実に複数箇所で切断することができる。
【００４３】
また、図７（ｂ）に示すように、同電位ラインの一部１２ａを、隣接する検査用パターン１１の間において、クランク状に形成することにより、レーザー切断前は、同電位ラインの一部１２ａによって、検査用パターン１１を確実に電気接続することができる。
一方、レーザー切断の際には、水平方向にレーザーＬをスキャンすることによって、クランク状の同電位ラインの一部１２ａを確実に複数箇所で切断することができる。
【００４４】
また、図７（ｃ）に示すように、同電位ラインの一部１２ａを、隣接する検査用パターン１１の間と、電気配線７５の垂直部分７５ａにおいて、互い違いに、クランク状に形成することにより、レーザー切断前は、同電位ラインの一部１２ａによって、検査用パターン１１を確実に電気接続することができる。
一方、レーザー切断の際には、水平方向にレーザーＬをスキャンすることによって、クランク状の同電位ラインの一部１２ａを確実に複数箇所で切断することができる。
【００４５】
また、図７（ｄ）に示すように、同電位ラインの一部１２ａを、長さが異なる複数の検査用パターン１１の間において、ほぼＬ状に形成することにより、レーザー切断前は、同電位ラインの一部１２ａによって、長さが異なる検査用パターン１１を確実に電気接続することができる。
一方、レーザー切断の際には、水平方向にレーザーＬをスキャンすることによって、Ｌ状の同電位ラインの一部１２ａを確実に複数箇所で切断することができる。
【００４６】
また、図８（ａ）に示すように、同電位ラインの一部１２ａを、隣接する検査用パターン１１の間において、水平方向に形成することにより、レーザー切断前は、同電位ラインの一部１２ａによって、検査用パターン１１を確実に電気接続することができる。
一方、レーザー切断の際には、斜め方向にレーザーＬをスキャンすることによって、同電位ラインの一部１２ａを確実に複数箇所で切断することができる。
【００４７】
また、図８（ｂ）に示すように、同電位ラインの一部１２ａを、隣接する検査用パターン１１の間において、山形のジグザグ状に形成することにより、レーザー切断前は、同電位ラインの一部１２ａによって、検査用パターン１１を確実に電気接続することができる。
一方、レーザー切断の際には、水平方向にレーザーＬをスキャンすることによって、山形のジグザグ状の同電位ラインの一部１２ａを確実に複数箇所で切断することができる。
【００４８】
また、図８（ｃ）に示すように、同電位ラインの一部１２ａを、隣接する検査用パターン１１間において、複数の山形を構成するように形成することにより、レーザー切断前は、同電位ラインの一部１２ａによって、検査用パターン１１を確実に電気接続することができる。
一方、レーザー切断の際には、水平方向にレーザーＬをスキャンすることによって、複数の山形からなる同電位ラインの一部１２ａを確実に複数箇所で切断することができる。
【００４９】
（３）−３  幅
また、同電位ラインの幅（Ｗ１）を、検査用パターンの幅（Ｗ２）よりも狭くすることが好ましい。すなわち、逆に言うと、検査用パターンの幅（Ｗ２）を、同電位ラインの幅（Ｗ１）よりも太くすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、レーザー装置によって、検査用パターンを切断することなく、同電位ラインのみを確実に切断することができるためである。
但し、同電位ラインの幅（Ｗ１）が、検査用パターンの幅（Ｗ２）よりも、過度に細くなると、同電位ラインを介して、静電気を除去することが困難となる場合がある。
したがって、同電位ラインの幅（Ｗ１）を１００としたときに、検査用パターンの幅（Ｗ２）を１０〜９５の範囲内の値とすることが好ましく、２０〜９０の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、同電位ラインの幅（Ｗ１）とは、レーザー切断される箇所における同電位ラインの幅であって、例えば、図１（ａ）に示すレーザー光線Ｌの照射位置における同電位ライン１２ａの幅を意味する。
【００５０】
（３）−４  厚さ
また、同電位ラインの厚さ（ｔ１）を、検査用パターンの厚さ（ｔ２）よりも薄くすることが好ましい。すなわち、逆に言うと、検査用パターンの厚さ（ｔ２）を、同電位ラインの厚さ（ｔ２）よりも厚くすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、レーザー装置によって、検査用パターンを切断することなく、同電位ラインのみを確実に切断することができるためである。
但し、同電位ラインの厚さ（ｔ１）が、検査用パターンの厚さ（ｔ２）よりも、過度に薄くなると、同電位ラインを安定的に形成したり、あるいは、同電位ラインを介して、静電気を除去したりすることが困難となる場合がある。
したがって、同電位ラインの厚さ（ｔ１）を１００としたときに、検査用パターンの厚さ（ｔ２）を１１０〜５００の範囲内の値とすることが好ましく、１２０〜３００の範囲内の値とすることがより好ましく、１３０〜２００の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、同電位ラインの厚さ（ｔ１）とは、レーザー切断される箇所における同電位ラインの厚さであって、例えば、図１（ａ）に示すレーザー光線Ｌの照射位置における同電位ライン１２ａの厚さを意味する。
【００５１】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態は、対向配置された一対の基板と、当該一対の基板間に保持された電気光学材料と、を含む電気光学装置の製造方法であって、少なくとも基板上に、電気配線を検査するためのレーザー非切断性の検査用パターンを形成する工程と、検査用パターンまたは電気配線と、並列配置して、レーザー切断性の同電位ラインを形成する工程と、同電位ラインをレーザー切断した状態で、基板上の電気配線を検査する工程と、を含む電気光学装置の製造方法である。
すなわち、図９に示されるように、本実施形態における電気光学装置（液晶装置）の製造方法は、液晶装置を構成する素子基板の製造工程（Ｓ１〜Ｓ２）と、対向基板の製造工程（Ｓ１´〜Ｓ２´）と、これら両基板を貼り合わせる組立工程（Ｓ３）と、同電位ラインをレーザー切断する工程（Ｓ３´）と、基板上に配置された電気配線の形成状態を検査する検査工程（Ｓ４）と、基板上の貼り出し部に駆動素子やフレキシブル回路基板等の部品を取り付ける実装工程（Ｓ５）と、から構成される。
以下、図９等を参照しながら、第２実施形態に係る電気光学装置の製造方法として、第１実施形態で説明したＴＦＴ素子を備えた液晶装置の製造方法を例に採って説明する。
【００５２】
１．ＴＦＴ素子の形成工程
まず、図９中、Ｓ１で示されるＴＦＴ素子の形成工程を実施する。かかるＴＦＴ素子の形成工程は、素子基板の基体上に金属膜および絶縁膜を形成し、パターニングすることによって、図１０（ａ）に示すように、ＴＦＴ素子６９等のスイッチング素子を形成する工程である。
このようなスイッチング素子６９を形成するにあたり、ガラス基板からなる基体６１上に、ゲート電極７１を形成する。このゲート電極７１は、例えば、クロム、タンタル、モリブデン等の低抵抗材料から構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。
【００５３】
次いで、このゲート電極７１上に、絶縁層としてのゲート絶縁膜７２を形成する。このゲート絶縁膜７２は、窒化シリコン（ＳｉＮx）や酸化シリコン（ＳｉＯx）等の半導体材料からなる電気絶縁材料を積層させて形成することができる。
次いで、このゲート絶縁膜７２上に、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等の半導体材料を積層させて半導体層７０を形成する。さらに、この半導体層７０の両端部分に、ドープされたアモルファスシリコン等によりコンタクト電極７７を形成する。
最後に、このコンタクト電極７７と接触するように、ソース電極７３及びそれと一体をなすソースバス配線並びにドレイン電極６６を形成する。このとき、ソース電極７３、ソースバス配線（図示せず）及びドレイン電極６６は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等の低抵抗材料を、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることで形成することができる。
【００５４】
２．画素電極等の形成工程
次いで、図９中、Ｓ２で示される画素電極等の形成工程を実施する。かかる画素電極等の形成工程は、図１０（ｂ）〜（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子６９が形成された基体６１上に、有機絶縁膜からなる保護膜８１と、透明導電膜からなる画素電極６３と、を順次形成する工程である。
より具体的には、ＴＦＴ素子６９が形成してある基体６１上に、光硬化性樹脂等の樹脂材料を塗布するとともに、この樹脂層に対して所定のパターニングを施すことにより有機絶縁膜からなる保護膜８１を形成する。
次いで、この有機絶縁膜からなる保護膜８１内に設けられたコンタクトホール８３の周辺部であって、反射領域（Ｒ）に相当する領域に対して、アルミニウム等の金属を蒸着した後、この膜に対して、フォトリソグラフィ及びエッチング法を施すことで、表示領域にマトリクス状の光反射膜７９を形成する。
一方、透過領域（Ｔ）に相当する領域に対して、スパッタリング法等により透明導電膜を形成することにより、画素電極６３を形成し、素子基板６０の基本形態とする。
次いで、このようにして得られた素子基板６０に対して、ポリイミド樹脂等からなる配向膜８５を形成するとともに、この配向膜８５にラビング処理を施すことにより、配向制御機能を持たせることができる。
最後に、ＴＦＴ素子や画素電極が形成された基体上に、フォトリソグラフィ法等を用いて、感光性樹脂材料からなる樹脂膜としての柱状スペーサを形成する。この柱状スペーサにより、素子基板６０と対向基板３０との間隙幅（セルギャップ）を正確に規定して、所望の表示特性を得ることができる。
【００５５】
３．着色層の形成工程
次いで、対向基板の製造工程について説明する。まず、図９中、Ｓ１´で示される着色層の形成工程を実施する。かかる着色層の形成工程は、図１１（ａ）〜（ｂ）に示すように、対向基板の基体３１上に着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）、遮光膜３９及び層厚調整層４１等を順次形成する工程である。
より具体的には、基体３１上に、顔料や染料等の着色材を分散させた樹脂材料からなる感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂に対してパターン露光及び現像処理を順次施すことにより、着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）を形成することができる。
なお、かかる露光及び現像処理は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）それぞれの色毎に繰り返すことで、３色に対応した着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂをそれぞれ形成することができる。
【００５６】
次いで、それぞれの画素領域の境界領域に遮光膜３９を形成する。この遮光膜３９に用いられる材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を使用したり、あるいは、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いたりすることができる。
したがって、かかる遮光膜３９を金属膜から形成するに際しては、例えば、クロム（Ｃｒ）等の金属材料をスパッタリング法等により基体３１上に積層した後、所定パターンに合せて、エッチング処理を施すことによって形成することになる。
【００５７】
最後に、着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）や、遮光膜３９等が形成された対向基板の基体３１上に、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等を用いて、全面的に層厚調整層４１を形成する。
この層厚調整層４１は、透過領域（Ｔ）と反射領域（Ｒ）とのリタデーション調整のための層であって、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等の樹脂材料に対して所定のパターニングを施すことにより形成される。
【００５８】
４．対向電極等の形成工程
次いで、図９中、Ｓ２´で示される対向電極の形成工程を実施する。かかる対向電極の形成工程は、図１１（ｃ）に示すように、対向基板に形成された着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）、遮光膜３９及び層厚調整層４１に、透明導電材料等からなる対向電極３３を形成する工程である。
より具体的には、着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）及び遮光膜３９が形成された対向基板の基体３１上に、スパッタリング法等により透明導電膜を積層した後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により、表示領域全面に所定パターンを有する対向電極３３を形成する。
さらに、この対向電極３３の表面に、ポリイミド樹脂等からなる配向膜４５を形成することで、対向基板３０の基本形態とすることができる。
ここで、上述した素子基板６０に用いられるスイッチング素子が、ＴＦＴ素子（Thin
Film Transistor）６９の場合には、この対向電極３３は、それぞれのセル領域に対応した面状電極としてパターニングされる。
【００５９】
５．組立工程
次いで、図９中、Ｓ３で示される組立工程は、図１２（ａ）〜（ｂ）に示すように、素子基板６０と、対向基板３０とを、シール材２３を介して貼り合わせ、その間隙に液晶材料を注入する工程である。より具体的には、対向基板３０と、シール材２３が形成された素子基板６０と、をアライメントして貼り合わせ位置を確定する。
その後、両基板を重ね合わせて接合させた後、加熱しながら加圧保持して、シール材２３を硬化させながら対向基板３０と、素子基板６０とを貼合せることにより、図１２（ｂ）に示すように、内部に間隙２１ａを備えた一対の液晶パネル２０が形成される。
次いで、間隙２１ａに対して、従来公知の方法により液晶材料２１を注入した後、その注入口を、エポキシ樹脂等の封止樹脂を用いて封止する。
最後に、素子基板６０の外表面に位相差板８７と、偏光板８９と、を貼り付けるとともに、対向基板３０の外表面に位相差板４７と、偏光板４９とを貼り付けることにより、図１２（ｂ）に示すように、液晶パネル２０の組立を終了することができる。
【００６０】
６．同電位ラインのレーザー切断工程
次いで、図１（ａ）〜（ｂ）に示すように、共通する同電位ライン１２に連なる同電位ラインの一部１２ａの形成箇所に対して、レーザーを照射しながら、水平方向にスキャンすることにより、複数の同電位ラインの一部１２ａのみを選択して、切断することができる。その際に、図１（ａ）〜（ｂ）に示すように、検査用パターン１１が並列配置されていても、レーザー非切断性であることから、当該検査用パターン１１はそのまま残存するとともに、レーザー切断性の同電位ライン１２（１２ａ）のみを切断して、次工程である検査工程に供することができる。
ここで、レーザー切断装置３１０としては、一例ではあるが、図１３の示すような構成とすることができる。すなわち、レーザー発信装置３０１と、複数のビームエキスパンダ３０２Ａ、３０２Ｂと、可変位相差板３０６と、ビーム分岐素子３０３と、を備え、発振されたレーザー３０５ａを、複数のミラー３０８等により、加工装置まで導いて、所望箇所に照射できる構成である。
【００６１】
７．検査工程
次いで、図９中、Ｓ４で示される検査工程は、製造された液晶装置１０において、その導通状態が正常であるか否かを確認するための導通検査工程である。
この検査工程は、特に、液晶装置用基板である素子基板上に配置された電気配線９０が、断線したり、隣接配線と接触したりしていないかを検査するための、いわゆるオープン／ショート検査であって、その合否は、表示エリアを、検査装置に取り付けられたバックライトで照らしながら、各画素の点灯状態を検査する点灯検査によって行うことができる。
以下、第１実施形態で説明した検査装置１００を用いた場合の検査工程を例に採って説明する。
【００６２】
（１）端子部と接地手段とを電気接続する工程
まず、図９中、Ｓ４−１で示される、端子部と接地手段とを電気接続する工程を実施する。この工程は、図５に示す検査装置１００において、端子部１１０と接地手段１３０とを電気的に接続する工程である。
このように、端子部１１０と接地手段１３０とを、スイッチング手段１４０を用いて接続することにより、端子部１１０は、その先端部分に取り付けられた導電性ゴム１１２も含めて、全て短絡して０Ｖとすることができる。
【００６３】
（２）電気配線と端子部とを接触させる工程
次いで、図９中、Ｓ４−２で示される、電気配線と端子部とを接触させる工程を実施する。この工程は、図５に示す検査装置１００において、電気配線９０と、端子部１１０とを電気接続する工程であって、検査装置１００における押圧手段１２２を用いて、液晶装置１０を下方向に押圧することにより為される工程である。
この工程により、端子部１１０と電気配線９０とは互いに導通状態となるが、端子部１１０が前工程である工程Ｓ４−１の作業によって接地されているため、電気配線９０もまた、同時に接地されることとなる。
したがって、この時点で、端子部１１０と電気配線９０とは、接触状態を保ったまま、その電位を０Ｖとすることができ、例えば、端子部１１０と電気配線９０とが接触した瞬間に静電気が発生していたとしても、それらを十分除電して、安定電位を維持しておくことができる。
また、押圧手段１２２による押圧力の範囲としては、その液晶装置の形状や、端子部の弾力性等にもよるが、例えば、５〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2の範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、このような範囲内の値とすることにより、液晶装置に対する許容圧力の範囲内での加圧となり、液晶装置を破損させたり、端子部を塑性変形させてしまったりすることなく、端子部と電気配線との電気接続を行うことができるためである。
【００６４】
（３）端子部と検査手段とを電気接続する工程
次いで、図９中、Ｓ４−３で示される、端子部と検査手段とを電気接続する工程を実施する。
この工程は、前工程である工程Ｓ４−２を実施してから所定時間経過後に、端子部１１０と検査手段１２０とを電気的に接続する工程である。言い換えれば、工程Ｓ４−２において、静電気除去が十分為された後に、スイッチング手段１４０を切り替える工程である。
また、ここでの所定時間とは、端子部１１０と接地手段１３０とを接続して第１の接続状態を構成してからの経過時間を意味している。すなわち、この時間は、静電気が除去されるのに必要な時間であって、通常、０．１〜２０秒の範囲内の値とすることができる。
また、本工程において、第２の接続状態を構成したとき、すなわち、検査作業が実施されているときは、測定対象物である液晶装置１０に対して、イオン化空気を吹付けながら検査することが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、検査装置自身のもつ静電気除去機能に加えて、更に、別手段として、発生した静電気を除去する機構を設けておくことができ、より一層、静電気による不具合発生の頻度を抑えることができるためである。
なお、このイオン化空気とは、放電現象により大気中成分を電離させたプラスイオン及びマイナスイオンからなる気体であって、その発生装置としては、送風機付きイオナイザーや、エアーガンタイプのイオナイザーなど、設置条件に合せて適宜用いることができる。
【００６５】
（４）端子部に電圧を印加する工程
次いで、図９中、Ｓ４−４で示される、端子部に電圧を印加する工程を実施する。この工程は、上述した検査手段との接続を維持したまま、端子部１１０に対して所定の電圧を印加する電圧印加工程である。
このように電圧を印加することにより、液晶装置１０内に配置された画素電極と対向電極には、それぞれ端子部１１０ａ及び１１０ｂを介して、所定の電圧が印加され、液晶材料を配向制御させることができる。このとき、もし端子部１１０と、画素電極あるいは対向電極までの間のいずれかで断線あるいはショートが発生していたような場合には、対応する箇所の液晶材料は配向制御されないこととなり、後述する点灯検査工程において、異常として検出することができる。
また、この電圧印加工程における印加電圧の値としては、液晶材料を配向制御できる範囲であれば特に限定されるものではないが、例えば、１．０〜５．０Ｖの範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、このような範囲内の値とすることにより、実際に液晶駆動させる場合の電圧値と近い値とすることができ、より実使用環境に近い条件での検査とすることができるためである。
また、この検査工程（Ｓ４）を実施するにあたり、上述した端子部と接地手段とを電気接続する工程（Ｓ４−１）から、この電圧印加工程（Ｓ４−４）までを、自動化して実施することが好ましい。
すなわち、検査装置１００の所定位置に液晶装置１０を配置した後には、押圧手段の上下動作から、第１の接続状態及び第２の接続状態を順次構成し、電圧を印加するまでを、一連の無人作業として実施することが好ましい。
この理由は、このような一連の検査作業を、所定の制御装置を用いて自動作業とすることにより、工程順序の入れ違いや、工程作業の省略といったヒューマンエラーの発生要因を極力排除することができるためである。
また、このように作業を自動化した場合の検査作業時間としては、上述した静電気除去に掛ける時間にも依るが、例えば、１〜２０秒の範囲内の値で設定しておくことが好ましい。
この理由は、このような時間であれば、残留している静電気を十分除去しつつ、効率的な検査作業を実施することができるためである。
【００６６】
（５）点灯検査工程
次いで、図９中、Ｓ４−５で示される、点灯検査工程を実施する。この工程は、上述した電圧印加工程での状態を維持したまま、この液晶装置１０を、裏面側からバックライトで光照射することにより、偏光板を通して、その配向状態を目視検査する工程である。
この工程を実施することにより、端子部１１０から画素電極あるいは対向電極までの間の電気配線の導通状態を検査することができる。
すなわち、電気配線が途中で断線しているような場合には、その先にある電極には電圧が印加されないことから、例えば、当該液晶装置の構成が、電圧印加時に光透過するようなノーマリーブラックである場合には、対応する画素は遮光状態となり、黒点として検出される。
一方、電気配線が、隣接配線間で接触してしまっているような場合には、例えば、当該電気配線に対して、一本おきに電圧を印加することで、その異常を検知することができる。
すなわち、全てが正常に形成されている場合には、電圧印加した画素列が、一列おきに点灯するところ、このような隣接配線間での接触が起こっている場合には、電圧が印加されていない画素列にも、その接触部分を介して電圧が印加されて、部分的に点灯することとなる。
このような点灯検査を適宜繰り返すことにより、電気配線の導通状態を検査して、その品質保証レベルを向上させることができる。
【００６７】
７．実装工程
次いで、図９中、Ｓ５で示される実装工程は、図１２（ｃ）に示すように、素子基板６０上の基板張り出し部６０Ｔに対して、液晶駆動用の駆動素子（半導体素子）９１やフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）９３を実装する工程である。
まず、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を用いて、電気光学装置用基板上の外部端子である配線と、駆動素子９１と、を電気的に接続する。ここで、駆動素子９１を実装するに際して、ＡＣＦの圧着特性にもよるが、例えば、１２０〜２００℃、５〜３０秒、５〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧着条件とすることが好ましい。
【００６８】
［第３実施形態］
本発明に係る第３実施形態として、第１実施形態の液晶装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
図１４は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は、液晶装置１０に備えられた液晶パネル２０と、これを制御するための制御手段２００とを有している。
また、図１４中では、液晶パネル２０を、パネル構造体２０Ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成される駆動回路２０Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段２００は、表示情報出力源２０１と、表示処理回路２０２と、電源回路２０３と、タイミングジェネレータ２０４とを備えている。
また、表示情報出力源２０１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ２０４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示処理回路２０２に供給するように構成されている。
【００６９】
また、表示処理回路２０２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２０Ｂへ供給する。さらに、駆動回路２０Ｂは、第１の電極駆動回路、第２の電極駆動回路及び検査回路を含めることができる。また、電源回路２０３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電子機器であれば、基板上の所定領域に検査用パターンを備えた液晶装置を備えるために、樹脂膜や導電膜の検査に関し、検査結果の信頼性が高く、組立て後においても容易に検査可能な電子機器とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明の電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器によれば、検査用パターンをレーザー非切断性とすることにより、電気配線等の検査の信頼性を高めるとともに、組立て後においても基板上に残存する検査用パターンを用いて、容易に検査することができるようになった。
したがって、表示不良の発生の少ない電気光学装置を製造する歩留まりを著しく向上させることができ、液晶装置等の電気光学装置や電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子を備えた装置（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）などに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】（ａ）〜（ｂ）は、液晶装置におけるレーザー非切断性の検査パターンと、レーザー切断性の同電位ラインと、を説明するために供する平面図および断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ第１実施形態の液晶装置を示す概略平面図及び概略断面図である。
【図３】第１実施形態の液晶装置を示す概略斜視図である。
【図４】検査用パターンおよび電気配線の形成例を示す図である。
【図５】検査装置を説明するために供する図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれレーザー非切断性の検査パターンと、レーザー切断性の同電位ラインと、の配置関係を説明するために供する図である（その１）。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれレーザー非切断性の検査パターンと、レーザー切断性の同電位ラインと、の配置関係を説明するために供する図である（その２）。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれレーザー非切断性の検査パターンと、レーザー切断性の同電位ラインと、の配置関係を説明するために供する図である（その３）。
【図９】第１実施形態の液晶装置の製造工程を説明するために供するフロー図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、素子基板の製造工程を説明するために供する図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、カラーフィルタ基板の製造工程を説明するために供する図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、素子基板と、カラーフィルタ基板とからなる液晶装置の組立工程等を説明するために供する図である。
【図１３】レーザー切断装置を説明するために供する図である。
【図１４】第３実施形態の電子機器の概略構成を示すブロック図である。
【図１５】従来の同電位ラインの配置を示す図である。
【図１６】（ａ）〜（ｂ）は、従来の液晶装置における検査パターンと、レーザー切断性の同電位ラインと、を説明するために供する平面図および断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０：液晶装置（電気光学装置）、１１：検査用パターン、１１ｂ、１１ｃ：レーザー遮光層、１２：同電位ライン、１２ａ：同電位ラインの一部、２０：液晶パネル、３０：カラーフィルタ基板、３３：対向電極、６０：素子基板、６３：画素電極、６５：電気配線（信号線）、６９：スイッチング素子（ＴＦＴ素子）、７５：電気配線（走査線）、１００：検査装置、２００：電子機器の制御手段、３１０：レーザー切断装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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