(57)【要約】【課題】異方性導電フィルムの接合不良を予防できる液晶表示装置及びその製造方法を得る。【解決手段】互いに交差する複数のデータラインＤＬ及び複数のゲートラインＧＬを有する液晶パネル１０６と、データラインＤＬにデータ電圧を供給するデータ駆動回路ＩＣ１１０と、ゲートラインＧＬにスキャンパルスを供給するゲート駆動回路ＩＣ１０８と、駆動回路ＩＣの両側かつ液晶パネル１０６の基板上に配置されるダミーパッド群１２０とが設けられるる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差する複数のデータライン及び複数のゲートラインを有する液晶パネルと、
前記複数のデータラインにデータ電圧を供給するデータ駆動回路と、
前記複数のゲートラインにスキャンパルスを供給するゲート駆動回路と、
前記データ駆動回路の両側かつ前記液晶パネルの基板上に配置される第１ダミーパッドとを備え、
前記データ駆動回路は、第１異方性導電フィルムによって前記基板上に接合され、前記第１異方性導電フィルムの両側は、前記第１ダミーパッドに接合される
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記ゲート駆動回路の両側かつ前記液晶パネルの基板上に配置される第２ダミーパッドをさらに備え、
前記ゲート駆動回路は、第２異方性導電フィルムによって前記基板上に接合され、前記第２異方性導電フィルムの両側は、前記第２ダミーパッドに接合される
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１又は第２ダミーパッドは、前記複数のデータラインの金属と同じ金属である
ことを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１又は第２ダミーパッドは、モリブデン、チタニウム、タンタリウムのうち、少なくともいずれか一つを含む
ことを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１又は第２ダミーパッドの高さは、前記第１又は第２異方性導電フィルムの高さより高い
ことを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項６】
基板上に複数のゲートラインを形成する工程と、
前記複数のゲートライン上に絶縁層を形成する工程と、
前記複数のゲートラインと交差する複数のデータラインを形成すると共に、データ駆動回路の接合部分の両側に配置される第１ダミーパッドを前記絶縁層上に形成する工程と、
前記データ駆動回路の接合部分及び前記第１ダミーパッドに第１異方性導電フィルムを接合する工程と、 
前記複数のデータラインにデータ電圧を供給するデータ駆動回路を前記第１異方性導電フィルム上で熱圧着する工程と
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
ゲート駆動回路の接合部分の両側に配置される第２ダミーパッドを前記絶縁層上に形成する工程と、
前記ゲート駆動回路の接合部分及び前記第２ダミーパッドに第２異方性導電フィルムを接合する工程と、
前記複数のゲートラインにスキャンパルスを供給するゲート駆動回路を前記第２異方性導電フィルム上で熱圧着する工程とをさらに含む
ことを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１又は第２ダミーパッドは、前記複数のデータラインの金属と同じ金属である
ことを特徴とする請求項６又は７記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１又は第２ダミーパッドは、モリブデン、チタニウム、タンタリウムのうち、少なくともいずれか一つを含む
ことを特徴とする請求項６又は７記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１又は第２ダミーパッドの高さは、前記第１又は第２異方性導電フィルムの高さより高い
ことを特徴とする請求項６又は７記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、異方性導電フィルムの接合不良を防ぐようにしたチップオンガラス型の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、電界を用いて液晶の光透過率を調節することによって画像を表示する。このため、液晶表示装置は、液晶セルがマトリクス状に配列された液晶パネルと、その液晶パネルを駆動するための駆動回路とを備える。
【０００３】
液晶パネルは、ゲートラインとデータラインとが交差するように配列され、そのゲートラインとデータラインとの交差によって設けられる領域に液晶セルが配置される。
【０００４】
駆動回路は、ゲートラインを駆動するためのゲートドライバ（ゲート駆動回路）と、データラインを駆動するためのデータドライバ（データ駆動回路）とを備える。
【０００５】
ゲートドライバとデータドライバは、それぞれ、複数のドライブ集積回路（Integrated Circuit：以下、「ＩＣ」という）を含む。データドライブＩＣとゲートドライブＩＣは、それぞれ、図１に示すように、小型及び中型の液晶表示装置において、主にチップオンガラス（Chip On Glass：以下、「ＣＯＧ」という）の方式で液晶パネル上に実装される。
【０００６】
データドライブＩＣを中心としてＣＯＧの工程を図１から図３までを参照しながら説明すると次の通りである。図１及び図２は、従来の液晶表示装置のチップオンガラス工程を説明するための図である。また、図３は、従来の液晶表示装置のチップオンガラス工程における異方性導電フィルムの接合不良を示す図である。
【０００７】
図１及び図２に示すように、下部ガラス基板９は、データライン４、このデータライン４に連結されたデータリンク３、このデータリンク３の末端に形成されたデータパッド２、ＦＰＣ連結ライン６、並びにこのＦＰＣ連結ライン６の両末端に形成された第１及び第２ＦＰＣ連結パッド５、７を含む。下部ガラス基板９は、シーラントでカラーフィルターとブラックマトリクスが形成された上部ガラス基板８と接合される。
【０００８】
ＣＯＧ工程は、図１に示すように、異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film：以下、ＡＣＦという）１を下部ガラス基板９に仮圧着する工程と、図２に示すように、熱圧着工程を通じてデータドライブＩＣ１１をＡＣＦ１上に本圧着する工程とを含む。
【０００９】
仮圧着工程は、図１に示すように、ＡＣＦ１を上部ガラス基板８と重畳されていない下部ガラス基板９の縁部の非表示面１０に配置されるデータパッド２、データリンク３の一部、第１ＦＰＣ連結パッド５及びＦＰＣ連結ライン６の一部を十分に覆うように、下部ガラス基板９の非表示面１０に接合して仮圧着する。ＡＣＦ１には保護紙１ａが覆われている。
【００１０】
本圧着工程においては、図１に示すように、保護紙１ａが覆われているＡＣＦ１を裁断した後にＡＣＦ１から保護紙１ａを剥離した後、図２に示すように、データパッド２にデータドライブＩＣ１１の出力バンプをアラインし、第１ＦＰＣ連結パッド５にデータドライブＩＣ１１の入力バンプをアラインする。そして、本圧着工程は、ボンディングヘッドを用いた熱圧着工程でＡＣＦ１に熱を加えると共に、データドライブＩＣ１１を下部ガラス基板９上に加圧し、データドライブＩＣ１１を下部ガラス基板９上に完全に接合する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、ＡＣＦ１はガラスとの接合特性が不良であるため、仮圧着工程において、下部ガラス基板９に接合されたＡＣＦ１から保護紙１ａを剥離する際、図３に示すように、ＡＣＦ１が保護紙１ａに従って剥離され、その結果、データドライブＩＣの接合部分以外の他部分に取り付けられ、データドライブＩＣの接合不良が発生するという問題点があった。
【００１２】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、ＡＣＦの接合不良を予防することができる液晶表示装置及びその製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る液晶表示装置は、互いに交差する複数のデータライン及び複数のゲートラインを有する液晶パネルと、前記複数のデータラインにデータ電圧を供給するデータ駆動回路と、前記複数のゲートラインにスキャンパルスを供給するゲート駆動回路と、前記データ駆動回路の両側かつ前記液晶パネルの基板上に配置される第１ダミーパッドとが設けられる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る液晶表示装置は、データドライブＩＣの両側に、ＡＣＦとの接合力が良好な金属のダミーパッドを形成し、ＣＯＧ工程において、ＡＣＦの接合不良を予防し、ドライブＩＣの接合を安定化することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
この発明の実施の形態に係る液晶表示装置について図４から図７Ｄまでを参照しながら説明する。図４は、本発明の実施の形態に係る液晶表示装置を示す平面図である。また、図５は、図４に示すダミーパッド群を拡大した平面図である。
【００１６】
図４及び図５に示すように、本発明の実施の形態に係る液晶表示装置は、液晶パネル１０６と、この液晶パネル１０６の非表示面にＣＯＧ方式で並んで接合されたゲートドライブＩＣ１０８及びデータドライブＩＣ１１０と、これらゲートドライブＩＣ１０８及びデータドライブＩＣ１１０の両側に配置されるダミーパッド群１２０と、液晶パネル１０６とＰＣＢ１１４の間に接続されたＦＰＣ１１２とを備える。
【００１７】
液晶パネル１０６の上部ガラス基板１０２と下部ガラス基板１０４は、シーラント（sealent）で接合される。
【００１８】
下部ガラス基板１０４上には、複数のデータラインＤＬとゲートラインＧＬが相互交差するように形成され、データラインＤＬとゲートラインＧＬにより定義されたセル領域に液晶セルＣｌｃがマトリクス状に配置される。データラインＤＬにはデータリンクが接続され、このデータリンクの末端には、データドライブＩＣ１１０の出力バンプと電気的に接続されるデータパッドが形成される。ゲートラインＧＬにはゲートリンクが接続され、このゲートリンクの末端には、ゲートドライブＩＣ１０８の出力バンプと電気的に接続されるデータパッドが形成される。
【００１９】
データラインＤＬとゲートラインＧＬとの交差部に形成された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）は、ゲートラインＧＬからのスキャンパルスに応じて、データラインＤＬからのデータ電圧を液晶セルＣｌｃに供給する。このために、ＴＦＴのゲート電極はゲートラインＧＬに接続され、ソース電極はデータラインＤＬに接続される。ＴＦＴのドレイン電極は、液晶セルＣｌｃの画素電極に接続される。この画素電極と対向する共通電極には、共通電圧Ｖｃｏｍが供給される。
【００２０】
上部ガラス基板１０２は、隣接した液晶セルＣｌｃの間で形成されてセル領域を定義するブラックマトリクスと、カラー表示を具現するためのＲ、Ｇ及びＢカラーフィルターとを含む。
【００２１】
液晶セルＣｌｃの画素電極と対向する共通電極は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードや、ＶＡ（Vertical Alignment）モードのような垂直電界駆動方式では上部ガラス基板１０２上に形成され、ＩＰＳ（In Plane Switching）モードや、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードのような水平電界駆動方式では画素電極と共に下部ガラス基板１０４上に形成される。
【００２２】
図４の符合「Ｃｓｔ」は、ストレージキャパシタ（Storage Capacitor）である。このストレージキャパシタＣｓｔは、ゲートラインＧＬと液晶セルＣｌｃの画素電極との重畳によって形成されたり、または、別途の共通ラインと画素電極との重畳によって形成されたりする。
【００２３】
データドライブＩＣ１１０は、ＦＰＣ１１２を経由してＰＣＢ１１４から入力されるデジタルビデオデータを、ＰＣＢ上に実装されたタイミングコントローラの制御下で正極性/負極性アナログガンマ補償電圧に変換し、そのアナログガンマ補償電圧をアナログデータ電圧としてデータラインＤＬに供給する。
【００２４】
ゲートドライブＩＣ１０８は、ＦＰＣ１１２を通じてＰＣＢ１１４から供給されるゲート制御信号に応じて、ゲートラインＧＬにスキャンパルスを順次供給する。
【００２５】
ダミーパッド群１２０は、後述する製造工程から説明されるように、ＴＦＴのソース/ドレイン電極、データライン、データパッド等のソース/ドレイン金属パターンと同一の金属で、そのソース/ドレイン金属パターンと同時に形成される。ソース/ドレイン金属パターンに用いられる金属は、ＡＣＦとの接着特性が良好である。従って、ダミーパターン群１２０は、ＡＣＦの両側を堅く接合させる役割を果たす。
【００２６】
このダミーパッド群１２０は、図５に示すように、横方向長さ（Ｌ）ができれば長く形成されるのが好ましく、ダミーパッド１２１の高さ（Ｈ１）は、ＡＣＦ１００の高さ（Ｈ２）以上になるべきである。ダミーパッド１２１の幅（Ｗ）は、ゲート及びデータドライブＩＣ１０８、１１０の入力及び出力パッドの幅と同一か、または異なる。ダミーパッド１２１間のピッチ（Ｐ）は、ゲート及びデータドライブＩＣ１０８、１１０の入力及び出力パッドのバンプのピッチ（Ｐ）と同一か、または異なる。
【００２７】
ＰＣＢ１１４には、データドライブＩＣ１１０とゲートドライブＩＣ１０８に必要な駆動電圧と共通電圧Ｖｃｏｍ等を発生する直流−直流変換器（DC-DC Convertor）と、ドライブＩＣ１１０、１０８の動作タイミングを制御するタイミングコントローラ等が実装されている。
【００２８】
図６〜図７Ｄは、本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の下板の製造工程を段階的に説明するための平面図及び断面図である。図６は、本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の下部ガラス基板に形成されるＴＦＴアレイの一部を示す平面図である。また、図７Ａから図７Ｄまでは、図６に示す線分Ｉ−Ｉ’に沿った断面であって、液晶表示装置の下板の製造工程を示す図である。
【００２９】
まず、図７Ａに示すように、下部ガラス基板１０４上には、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム系金属等の単一層または二重層を含むゲート金属層のゲート金属パターンが形成される。ゲート金属層はスパッタリング方法等の蒸着方法を通じて下部ガラス基板１０４上に形成され、そのゲート金属層は第１マスクを用いるフォトリソグラフィ（写真平版）工程とエッチング工程でパターニングされる。ゲート金属パターンは、ゲートラインＧＬ、ＴＦＴのゲート電極２０、ゲートパッド下部電極２２を含む。
【００３０】
続いて、図７Ｂに示すように、ゲート金属パターンが形成されている下部ガラス基板１０４上に、ゲート絶縁膜２４、活性層２６、オーミック接触層２８、そしてソース/ドレイン金属パターンが順次形成される。この過程を段階的に説明すると、ゲート金属パターンが形成された下部ガラス基板１０４上に、ＰＥＣＶＤ、スパッタリング等の蒸着方法を通じて、ゲート絶縁膜２４、非晶質シリコン層、ｎ＋非晶質シリコン層、そしてソース/ドレイン金属層が順次形成される。ゲート絶縁膜２４としては、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等の無機絶縁物質が選ばれ、ソース/ドレイン金属層としては、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタリウム（Ｔａ）、モリブデン合金（Ｍｏ  ａｌｌｏｙ）等が選ばれる。
【００３１】
続いて、ソース/ドレイン金属層上に第２マスクを用いたフォトリソグラフィ工程でフォトレジストパターンが形成される。この第２マスクは、ＴＦＴのチャンネル部に回折露光部を有する回折露光マスクを用いることにより、チャンネル部のフォトレジストパターンの露光量を他の部分に位置するフォトレジストパターンの露光量より少なくし、それにより、ストリップ工程後にチャンネル部のフォトレジストパターンの厚さを薄くする。フォトレジストパターンを用いるウェットエッチング工程によってソース/ドレイン金属層がパターニングされることにより、データラインＤＬ、ソース電極３２、当該ソース電極３２と接続されたドレイン電極３４、ストレージ電極３６及びＡＣＦ１００が接合されるダミーパッド１２１が形成される。
【００３２】
その後、同じフォトレジストパターンを用いるドライエッチング工程でｎ＋非晶質シリコン層と非晶質シリコン層とを同時にエッチングすることにより、オーミック接触層２８と活性層２６をパターニングした後、ＴＦＴのチャンネル部において相対的に低い高さを有するフォトレジストパターンがアッシング（Ashing）工程によって除去された後、ドライエッチングでＴＦＴのチャンネル部でソース/ドレインパターンとオーミック接触層２８とがエッチングされる。その結果、チャンネル部から活性層２６が露出され、ソース電極３２とドレイン電極３４が分離される。
【００３３】
続いて、ストリップ工程でフォトレジストパターンが除去される。このような工程によって、活性層２６とオーミック接触層２８を含む半導体パターン３０と、ソース/ドレイン金属パターンのエッジは同じ線上に位置する。
【００３４】
一方、本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の下板の製造工程は、図７Ｂの製造工程と異なって、マスク工程を半導体パターン３０を形成するためのマスク工程と、ソース/ドレインパターンを形成するためのマスク工程に分離し得る。即ち、本発明の他の実施の形態は、ゲート金属パターンが形成された下部ガラス基板１０４上に、非晶質シリコン層とｎ＋非晶質シリコン層及び活性層を順次形成する。また、その半導体層がマスクを用いるフォトリソグラフィ工程とエッチング工程でパターニングされ、活性層２６とオーミック接触層２８とをパターニングした後、その半導体パターン３０上にソース/ドレイン金属層が形成され、他のマスクを用いるフォトリソグラフィ工程とエッチング工程でソース/ドレイン金属パターンがパターニングされる。
【００３５】
図７Ｃに示すように、ソース/ドレインパターンが形成されたゲート絶縁膜２４上に、第１〜第４コンタクトホール４４、４６、４８、５０を含む保護膜４２が形成される。
【００３６】
ソース/ドレイン金属パターンが形成されているゲート絶縁膜２４上に、ＰＥＣＶＤ等の蒸着方法で保護膜４２が全面蒸着される。保護膜４２は、第３マスクを用いるフォトリソグラフィ工程とエッチング工程でパターニングされることにより、第１〜第４コンタクトホール４４、４６、４８、５０が形成される。それと同時に、ダミーパッド１２１上に覆われている保護膜４２が除去される。第１コンタクトホール４４は、保護膜４２とゲート絶縁膜２４を貫通してゲートパッド下部電極２２を露出させ、第２コンタクトホール４６は、保護膜４２を貫通してＴＦＴのドレイン電極３４を露出させる。第３コンタクトホール４８は、保護膜４２を貫通してストレージ電極３６を露出させ、第４コンタクトホール５０は、保護膜４２を貫通してデータパッド下部電極３８を露出させる。保護膜４２としては、ゲート絶縁膜２４のような無機絶縁物質や、誘電定数が小さなアクリル（acryl）系有機化合物、ＢＣＢまたはＰＦＣＢ等のような有機絶縁物質が用いられる。
【００３７】
図７Ｄに示すように、保護膜４２上にスパッタリング等の蒸着方法によって透明電極物質が全面蒸着される。透明電極物質としては、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:ITO)や錫酸化物(Tin Oxide:TO)、あるいはインジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:IZO)が用いられる。
【００３８】
続いて、第４マスクを用いるフォトリソグラフィ工程とエッチング工程を通じて透明電極物質をパターニングすることにより、画素電極５４、ゲートパッド上部電極５２、データパッド上部電極５６を含む透明電極パターンが形成される。それと同時に、ダミーパッド１２１にも透明電極が形成される。画素電極５４は、第２コンタクトホール４６を通じてＴＦＴのドレイン電極３４と接続され、第３コンタクトホール４８を通じて前段ゲートラインＧＬと重畳されるストレージ電極３６と接続される。ゲートパッド上部電極５２は、第１コンタクトホール４４を通じてゲートパッド下部電極２２と接続され、データパッド上部電極５６は、第４コンタクトホール５０を通じてデータパッド下部電極３８と接続される。
【００３９】
本実施の形態は、保護膜４２上に配向膜を形成して下板を完成し、その下板に、カラーフィルター、ブラックマトリクス、共通電極及び配向膜等が形成されている上部ガラス基板１０２をシーラントで接合する。最後に、本実施の形態は、ＣＯＧ工程を用いて、ゲートドライブＩＣ１０８とデータドライブＩＣ１１０とを下部ガラス基板１０４の非表示面にＡＣＦ１００で接合する。
【００４０】
ＣＯＧ工程は、ＡＣＦ１００を下部ガラス基板１０４に仮圧着する工程と、熱圧着工程を用いてゲートドライブＩＣ１０８とデータドライブＩＣ１１０をＡＣＦ１００上に本圧着する工程とを含む。
【００４１】
仮圧着工程は、ＡＣＦ１００を上部ガラス基板１０２と重畳されていない下部ガラス基板１０４の縁部の非表示面において、ゲートドライブＩＣ１０８とデータドライブＩＣ１１０とが接合される部分とダミーパッド群１２０上に広く接合して仮圧着する。ＡＣＦ１００には保護紙が覆われている。
【００４２】
本圧着工程では、保護紙が覆われているＡＣＦ１００を裁断した後、ＡＣＦ１００から保護紙を剥離した後、データパッドＤＰにドライブＩＣ１０８、１１０の出力バンプをアラインし、ＦＰＣ連結パッドにドライブＩＣ１０８、１１０の入力バンプをアラインする。そして、本圧着工程は、ボンディングヘッドを用いた熱圧着工程でＡＣＦ１００に熱を加えると共に、ドライブＩＣ１０８、１１０を下部ガラス基板１０４上に加圧し、ドライブＩＣ１０８、１１０を下部ガラス基板１０４上に完全に接合する。
【００４３】
このようなＣＯＧ工程において、ＡＣＦ１００とソース/ドレイン金属は接着力が良好であるため、ＡＣＦ１００の両側がソース/ドレイン金属からなっているダミーパッド群１２０に堅く接着される。従って、ＡＣＦ１００上に覆われている保護紙を剥離する場合、ＡＣＦ１００が殆ど剥がれず、ドライブＩＣ１０８、１１０の接合部分に安定的に配置される。
【００４４】
前述のように、本発明の実施の形態に係る液晶表示装置及びその製造方法は、ゲート及びデータドライブのＩＣの両側に、ＡＣＦとの接合力が良好な金属のダミーパッドを形成し、ＣＯＧ工程において、ＡＣＦの接合不良を予防し、ドライブＩＣの接合を安定化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】従来の液晶表示装置のチップオンガラス工程を説明するための図である。
【図２】従来の液晶表示装置のチップオンガラス工程を説明するための図である。
【図３】従来の液晶表示装置のチップオンガラス工程における異方性導電フィルムの接合不良を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置を示す平面図である。
【図５】図４に示すダミーパッド群を拡大した平面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の下部ガラス基板に形成されるＴＦＴアレイの一部を示す平面図である。
【図７Ａ】図６に示す線分Ｉ−Ｉ’に沿った断面であって、液晶表示装置の下板の製造工程を示す図である。
【図７Ｂ】図６に示す線分Ｉ−Ｉ’に沿った断面であって、液晶表示装置の下板の製造工程を示す図である。
【図７Ｃ】図６に示す線分Ｉ−Ｉ’に沿った断面であって、液晶表示装置の下板の製造工程を示す図である。
【図７Ｄ】図６に示す線分Ｉ−Ｉ’に沿った断面であって、液晶表示装置の下板の製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１００  ＡＣＦ、１０２  上部ガラス基板、１０４  下部ガラス基板、１０６  液晶パネル、１０８  ゲートドライブＩＣ、１１０  データドライブＩＣ、１１２  ＦＰＣ、
１１４  ＰＣＢ、１２０  ダミーパッド群。
【図１】
2008165204.tif 000003
【図２】
2008165204.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2008165204.tif 000007
【図６】
2008165204.tif 000008
【図７Ａ】
2008165204.tif 000009
【図７Ｂ】
2008165204.tif 000010
【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
2008165204.tif 000012