(57)【要約】【課題】疎水化処理後の基板におけるパーティクルやシミの発生を抑制して、解像度及び面内の線幅精度の向上を図れるようにすること。【解決手段】半導体ウエハの表面にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、レジスト膜の表面に保護膜を塗布する保護膜塗布工程と、ウエハの表面及び裏面に洗浄液を供給して洗浄する洗浄工程と、ウエハの表面に、光を透過する液層を形成した状態で被処理基板の表面を露光する液浸露光工程と、露光された被処理基板の表面を現像する現像工程とを有する塗布・現像処理方法において、レジスト塗布工程の前に、ウエハとレジストの密着力増強材を塗布する疎水化処理を施すと共に、この疎水化処理後に、ウエハを加熱処理して、疎水化処理後にウエハ上に残存する水分及び析出物を除去する。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の表面にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、レジスト膜の表面に保護膜を塗布する保護膜塗布工程と、上記被処理基板の表面及び裏面に洗浄液を供給して洗浄する洗浄工程と、被処理基板の表面に、光を透過する液層を形成した状態で被処理基板の表面を露光する液浸露光工程と、露光された被処理基板の表面を現像する現像工程とを有する塗布・現像処理方法において、
上記レジスト塗布工程の前に、上記被処理基板とレジストの密着力増強材を塗布する疎水化処理を施すと共に、この疎水化処理後に、被処理基板を加熱処理して、疎水化処理後に残存する水分及び析出物を除去する、ことを特徴とする塗布・現像処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の塗布・現像処理方法において、
上記加熱処理の温度を２５０℃以上とした、ことを特徴とする塗布・現像処理方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の塗布・現像処理方法において、
上記疎水化処理の前に被処理基板を加熱処理して、被処理基板上の水分を除去する前加熱処理工程を更に有する、ことを特徴とする塗布・現像処理方法。
【請求項４】
請求項３記載の塗布・現像処理方法において、
上記前加熱処理工程における加熱温度を２５０℃以上とした、ことを特徴とする塗布・現像処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、塗布・現像処理方法に関するもので、更に詳細には、レジストの表面に保護膜を積層した被処理基板の表面に液層を形成して液浸露光し、現像する塗布・現像処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下にウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に、現像してレジストパターンを形成している。
【０００３】
また、近年のデバイスパターンの微細化、薄膜化に伴い露光の解像度を上げる要請が高まっている。露光の解像度を上げる方法の一つとして、既存の光源例えばフッ化アルゴン（ＡｒＦ）やフッ化クリプトン（ＫｒＦ）による露光技術を改良して解像度を上げるため、ウエハの表面に光を透過する液層を形成した状態で露光する液浸露光方法が知られている。この液浸露光は、例えば純水などの水の中に光を透過させる技術で、水中では波長が短くなることから１９３ｎｍのＡｒＦの波長が水中では実質１３４ｎｍになる、という特徴を利用するものである。
【０００４】
すなわち、この液浸露光の技術は、レンズとウエハの表面との間に液膜（水膜）を形成した状態で、光源から発せられた光がレンズを通過し、液膜を透過してウエハに照射され、これにより所定のレジストパターン（回路パターン）がレジストに転写する技術である。そして、ウエハとの間に液膜を形成した状態で露光手段を水平方向にスライド移動させて次の転写領域（ショット領域）に対応する位置に当該露光手段を配置し、光を照射する動作を繰り返すことによりウエハ表面に回路パターンを順次転写していく（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
したがって、この種の液浸露光においては、レンズとウエハの表面との間に液膜（水膜）を形成するため、レジストの表面部からレジストの含有成分の一部が溶出しないように考慮する必要がある。レジストの含有成分の溶出を防止する手段の一つとして、後述するようにレジストの表面に反射防止膜（保護膜）を被覆する方法がある。
【０００６】
また、デバイスパターンの微細化、薄膜化に伴って、レジストパターンの光学起因の変形を軽減するために、図７に示すように、レジストＰＲの下層に反射防止膜ＢＣＴ（ボトム反射防止膜）が配置され、またレジストＰＲの上層に反射防止膜ＴＣ（トップ反射防止膜：保護膜）が配置されている。
【０００７】
一方、半導体製造工程では、一般にレジスト塗布工程の前に、ウエハとウエハ上に塗布する材料との密着力増強を目的としてウエハ上に密着力増強材を塗布する疎水化処理を行っている。そして、その後、クーリング処理を施し、必要に応じてボトム反射膜を塗布し、ベーク処理を行ってボトム反射膜中の溶媒等を除去した後、クーリング処理を行う。次いで、ウエハ上にレジストを塗布し、不要レジストを除去するリンス処理（洗浄処理）を行った後、レジスト中の溶媒等を除去するプリベーク処理を行う。その後、レジスト膜の表面にトップ反射防止膜（保護膜）を塗布し、不要トップ反射防止膜（保護膜）を除去するリンス処理を行った後、ベーク処理を行ってトップ反射膜中の溶媒等を除去する。そして、露光機によりウエハ上のレジスト膜に所定のマスクパターンを転写する露光処理を行った後、露光されたレジストの現像を行っている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−２９４５２０号公報（［０００２］，［０００３］、図１８，図１９）
【特許文献２】特開平１０−３２１５０３号公報（［０００２］、図２，図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、トップ反射防止膜（保護膜）の塗布後のリンス処理において、疎水化処理が施されていない場合は、ウエハの裏面にリンス液（洗浄液）を供給例えば噴射すると、図８に示すように、保護膜ＴＣとウエハＷとの密着性が悪いため、保護膜ＴＣが剥がれて保護膜表面に付着し、液浸露光の際に液膜内に入り込み、レンズに付着すると共に、光の屈折率に影響を及ぼす等の問題があった。この問題は、疎水化処理を施すことによってウエハとレジスト及び保護膜との密着性が向上することで、解決できる。
【０００９】
しかしながら、リンス液（例えばシクロヘキサノン）を使用してウエハの裏面を洗浄すると、疎水化処理の弊害すなわち親和性が悪いため、薬液の一部が残存して、パーティクルや黒いシミが発生する。このシミはウエハの表面の周辺部にも生じ、液浸露光時に、パーティクルやシミが起因して、解像度及び面内の線幅精度が低下すると共に、露光処理部及び現像処理部の汚染を招く虞がある。
【００１０】
この発明は、上記事情に鑑みなされたもので、疎水化処理後の基板におけるパーティクルやシミの発生を抑制して、解像度及び面内の線幅精度の向上を図れるようにした塗布・現像方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、この発明の塗布・現像処理方法は、  被処理基板の表面にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、レジスト膜の表面に保護膜を塗布する保護膜塗布工程と、上記被処理基板の表面及び裏面に洗浄液を供給して洗浄する洗浄工程と、被処理基板の表面に、光を透過する液層を形成した状態で被処理基板の表面を露光する液浸露光工程と、露光された被処理基板の表面を現像する現像工程とを有する塗布・現像処理方法において、  上記レジスト塗布工程の前に、上記被処理基板とレジストの密着力増強材を塗布する疎水化処理を施すと共に、この疎水化処理後に、被処理基板を加熱処理して、疎水化処理後に残存する水分及び析出物を除去する、ことを特徴とする（請求項１）。
【００１２】
この発明において、上記加熱処理の温度を２５０℃以上とする方が好ましい（請求項２）。その理由は、加熱処理の温度を２５０℃以上とすることにより、析出物に含まれるアミンを除去することができ、かつ、未反応のＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）が存在しないからである。
【００１３】
また、請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の塗布・現像処理方法において、上記疎水化処理の前に被処理基板を加熱処理して、被処理基板上の水分を除去する前加熱処理工程を更に有する、ことを特徴とする。この場合、上記前加熱処理工程における加熱温度を２５０℃以上とする方が好ましい（請求項４）。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような優れた効果を奏する。
【００１５】
（１）請求項１，２記載の発明によれば、レジスト塗布工程の前に、被処理基板とレジストの密着力増強材を塗布する疎水化処理を施すと共に、この疎水化処理後に、被処理基板を加熱処理して、疎水化処理後に残存する水分及び析出物を除去するので、疎水化処理後に残存する水分や析出物によるパーティクルやシミの発生を抑制することができ、液浸露光の際にパーティクルやシミが起因する弊害を防止することができ、解像度及び面内の線幅精度を高めることができる。
【００１６】
（２）請求項３，４記載の発明によれば、疎水化処理の前に被処理基板を加熱処理して、被処理基板上の水分を除去することにより、疎水化処理の際の水分や析出物の発生を更に抑制することができる。したがって、疎水化処理後の加熱処理と相俟って、上記（１）に加えて更に解像度及び面内の線幅精度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、この発明の最良の形態について、添付図示に基づいて説明する。
【００１８】
図１は、この発明に係る塗布・現像処理方法を適用する塗布・現像処理装置に露光処理装置を接続した処理システムの全体を示す概略平面図、図２は、上記処理システム概略斜視図である。
【００１９】
上記処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を複数枚例えば２５枚密閉収納するキャリア１０を搬出入するためのキャリアステーション１と、このキャリアステーション１から取り出されたウエハＷにレジスト塗布，現像処理等を施す処理部２と、ウエハＷの表面に光を透過する液層を形成した状態でウエハＷの表面を液浸露光する露光部４と、処理部２と露光部４との間に接続されて、ウエハＷの受け渡しを行うインターフェース部３とを具備している。
【００２０】
キャリアステーション１は、キャリア１０を複数個並べて載置可能な載置部１１と、この載置部１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリア１０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。
【００２１】
また、キャリアステーション１の奥側には筐体２０にて周囲を囲まれる処理部２が接続されており、この処理部２には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３及び液処理ユニットＵ４、Ｕ５の各ユニット間のウエハＷの受け渡しを行う主搬送手段Ａ２，Ａ３とが交互に配列して設けられている。また、主搬送手段Ａ２，Ａ３は、キャリアステーション１から見て前後方向に配置される棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットＵ４，Ｕ５側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁２１により囲まれる空間内に置かれている。また、キャリアステーション１と処理部２との間、処理部２とインターフェース部３との間には、各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニット２２が配置されている。
【００２２】
棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされており、その組み合わせはウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット（ＣＨＰ，ＰＥＢ，ＰＯＳＴ）、ウエハＷを冷却する冷却ユニット（ＣＯＬ）やウエハＷとレジストとの密着性を高めるために密着力増強材例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を塗布する疎水化処理するアドヒージョンユニット（ＡＤＨ）等が含まれる。例えば、図３に示すように、棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、下方から上方に順に、それぞれ２段ずつ配置される現像層（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２と、ボトム反射防止膜層（ＢＣＴ層）Ｂ３と、レジスト層（ＣＯＴ層）Ｂ４及びトップ反射防止膜層（ＴＣＴ層）Ｂ５に対応するように積層されている。具体的には、棚ユニットＵ１は、下方から上方に順に、４段のポストエクスポージャーベイキングユニットと称せられる加熱ユニット（ＰＯＳＴ１，２）と６段の冷却ユニット（ＣＯＬ３〜ＣＯＬ５）が積層されている。また、棚ユニットＵ２は、下方から上方に順に、ポストベーキングユニットと称せられる加熱ユニット（ＰＥＢ１），加熱ユニット（ＰＯＳＴ１），加熱ユニット（ＰＥＢ２），加熱ユニット（ＰＯＳＴ２），冷却ユニット（ＣＯＬ３），プリベークユニットと称される加熱ユニット（ＣＨＰ３），冷却ユニット（ＣＯＬ４），加熱ユニット（ＣＨＰ４），冷却ユニット（ＣＯＬ５），加熱ユニット（ＣＨＰ５）が積層されている。また、棚ユニットＵ３は、下方から上方に順に、冷却ユニット（ＣＯＬ１），加熱ユニット（ＰＥＢ１），冷却ユニット（ＣＯＬ２），加熱ユニット（ＰＥＢ２），２段の加熱ユニット（ＣＨＰ３），２段のアドヒージョンユニット（ＡＤＨ）及び２段の加熱ユニット（ＣＨＰ５）が積層されている。
【００２３】
また、液処理ユニットＵ４，Ｕ５は、例えば図２に示すように、レジストや現像液などの薬液収納部の上に反射防止膜を塗布するボトム反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）２３，トップ反射防止膜塗布ユニット（ＴＣＴ）２４、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）２５、ウエハＷに現像液を供給して現像処理する現像ユニット（ＤＥＶ）２６等を複数段例えば５段に積層して構成されている。
【００２４】
インターフェース部３は、図１に示すように、処理部２と露光部４との間に前後に設けられる第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂにて構成されており、それぞれに第１のウエハ搬送部３０Ａ及び第２のウエハ搬送部３０Ｂが設けられている。第１のウエハ搬送部３０Ａは昇降自在かつ鉛直軸回りに回転自在な基体３１Ａと、この基体３１Ａ上に設けられる進退自在なアーム３２Ａとで構成されている。また第２のウエハ搬送部３０Ｂは昇降自在かつ鉛直軸回りに回転自在な基体３１Ｂと、この基体３１Ｂ上に設けられる進退自在なアーム３２Ｂとで構成されている。
【００２５】
なお、トップ反射防止膜塗布ユニット（ＴＣＴ）２４には、洗浄手段が組み込まれている。この場合、トップ反射防止膜塗布ユニット（ＴＣＴ）２４は、図４に示すように、ウエハＷの裏面側中央部を吸引吸着して水平に保持する基板保持部をなすスピンチャック４０を具備している。このスピンチャック４０は軸部４１を介して駆動機構４２に接続されており、この駆動機構４２によりウエハＷを保持した状態で昇降及び回転可能に構成されている。なお、駆動機構４２は図示しないが制御手段に電気的に接続されており、制御手段からの制御信号に基づいてスピンチャック４０の回転数が制御されるようになっている。また、スピンチャック４０に保持されたウエハＷの側方を囲むようにして上部側が開口する外カップ４３ａ及び内カップ４３ｂを備えたカップ体４３が設けられている。外カップ４３ａは昇降部４３ｃにより昇降自在であり、上昇時において下部側に設けられた段部により内カップ４３ｂを下方側から持ち上げて、これにより外カップ４３ａと連動して内カップ４３ｂが昇降するように構成されている。また、カップ体４３の底部側には凹部状をなす液受け部４４ａがウエハＷの周縁下方側に全周に亘って形成されており、この液受け部４４ａの底部には排出口４４ｂが設けられている。更にウエハＷの下方側には円形板４４ｃが設けられており、この円形板４４ｃの外側を囲むようにしてリング部材４４ｄが設けられている。
【００２６】
スピンチャック４０に保持されたウエハＷの上方側には、ウエハＷの表面の中央部と隙間を介して対向する、保護膜用塗布液の塗布液供給ノズル４５Ａが進退自在かつ昇降自在に設けられている。この塗布液供給ノズル４５Ａは、流量調整可能な開閉弁Ｖ１を介設する供給路４６ａを介して塗布液の供給源４７Ａに接続されている。また、ウエハＷの表面と隙間を介して対向する、洗浄液例えばシクロヘキサノンを供給（吐出）する洗浄ノズル４５Ｂが進退自在かつ昇降自在に設けられている。この洗浄ノズル４５Ｂは、流量調整可能な開閉弁Ｖ２を介設する供給路４６ｂを介して洗浄液の供給源４７Ｂに接続されている。更に、ウエハＷの裏面側には、ウエハＷの裏面の周辺部及びベベル部に向かって洗浄液（例えばシクロヘキサノン）を供給（噴射）する裏面洗浄ノズル４５Ｃが配置されている。なお、裏面洗浄ノズル４５Ｃは、流量調整可能な開閉弁Ｖ３を介設する供給路４６ｃを介して洗浄液の供給源４７Ｂに接続されている。
【００２７】
なおこの場合、開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３は、図示しない制御手段からの制御信号に基づいて流量調整可能に開閉され、所定量の塗布液，洗浄液がウエハＷの表面又は裏面に供給（吐出，噴射）されるようになっている。
【００２８】
なお、塗布液供給ノズル４５Ａ及び洗浄ノズル４５Ｂは、それぞれ塗布液，洗浄液の温度を調整するための温度調整部４８を備えている。温度調整部４８は、供給路４６ａ，４６ｂの外側を囲むように形成された温調水の流路４９により二重管構造に構成され、この温調水により洗浄液の温度が調整されるように構成されている。
【００２９】
次に、上記塗布・現像装置を用いてウエハＷを処理する手順について、図５に示すフローチャートを参照して説明する。ここでは、ウエハＷの表面に下地膜を介してレジスト層を塗布し、レジスト層の表面にトップ反射防止膜ＴＣ（以下に保護膜ＴＣという）を積層した場合について説明する。まず、例えば２５枚のウエハＷを収納したキャリア１０が載置部１１に載置されると、開閉部１２と共にキャリア１０の蓋体が外されて受け渡し手段Ａ１によりウエハＷが取り出される。そして、ウエハＷは棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニット（図示せず）を介して主搬送手段Ａ２へと受け渡され、塗布処理の前処理として例えば加熱ユニット（ＣＨＰ４）にて、例えば３００℃，６０ｓｅｃで加熱処理して、ウエハＷ上の水分を除去する（ステップＳ１）。その後、加熱ユニット（ＣＨＰ４）から主搬送手段Ａ３により取り出されて棚ユニットＵ３のアドヒージョンユニット（ＡＤＨ）にて、ウエハＷ上に密着性増強材（ＨＭＤＳ）を塗布するアドヒージョン処理を行う（ステップＳ２）。その後、主搬送手段Ａ３によりアドヒージョンユニット（ＡＤＨ）から取り出されて加熱ユニット（ＣＨＰ４）に搬送され、加熱ユニット（ＣＨＰ４）にて、例えば３００℃，６０ｓｅｃで加熱処理して、ウエハＷ上に残存する水分及びアドヒージョン処理によって生じた析出物例えばアミンを除去する（ステップＳ３）。その後、冷却ユニット（ＣＯＬ４）内に搬入され、冷却ユニット（ＣＯＬ４）にて冷却処理を行う（ステップＳ４）。
【００３０】
その後、主搬送手段Ａ２によりウエハＷは塗布ユニット（ＣＯＴ）２５に搬送され、ウエハＷの表面全体に薄膜状にレジストが塗布される（ステップＳ５）。その後、主搬送手段Ａ２により棚ユニットＵ２の加熱ユニット（ＣＨＰ４）に搬送されてプリベークされる（ステップＳ６）。
【００３１】
その後、主搬送手段Ａ２によりウエハＷはユニット（ＴＣＴ）２４にてレジスト層の表面に保護膜ＴＣが形成される（ステップＳ７）。保護膜ＴＣを形成した後、ウエハＷの表面縁部（ベベル部）及び裏面周辺部に洗浄液（シクロヘキサノン）を供給（吐出，噴射）して洗浄処理を行う（ステップＳ８）。その後、主搬送手段Ａ２により棚ユニットＵ２の加熱ユニット（ＣＨＰ４）に搬送されてプリベークされる（ステップＳ９）。その後、ウエハＷは主搬送手段Ａ２により第１の受け渡しユニット３３に搬送された後、インターフェース部３のアーム３２Ａにより洗浄装置（図示せず）に搬送されて露光前洗浄を行う（ステップＳ１０）。
【００３２】
その後、ウエハＷはアーム３２Ａにより洗浄装置から搬出されて、第２のウエハ搬送部３０Ｂへと受け渡されて第１の受け渡しユニット３３の下段に配置された第２の受け渡しユニット３４に載置される。このウエハＷは露光部４に設けられた図示しない搬送手段により露光部４内に搬入され、ウエハＷの表面に対向するように露光手段１が配置されて液浸露光が行われる（ステップＳ１１）。
【００３３】
その後、液浸露光を終えたウエハＷは図示しない上記搬送手段により第２の受け渡しユニット３４に載置される。次いで、第２のウエハ搬送部３０Ｂにより第２の受け渡しユニット３４からウエハＷは取り出され、更に、第１のウエハ搬送部３０Ａに受け渡されて、第１のウエハ搬送部３０Ａにより主搬送手段Ａ３に受け取られ、棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３のいずれかの加熱ユニット（ＰＥＢ）内に搬入される。ここで、ウエハＷは所定の温度に加熱されることにより、レジストに含まれる酸発生剤から発生した酸をその内部領域に拡散させるポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）処理が行われる（ステップＳ１２）。そして、当該酸の触媒作用によりレジスト成分が化学的に反応することにより、この反応領域は例えばポジ型のレジストの場合には現像液に対して可溶解性となる。なおこの場合、ウエハＷをバッファカセット（図示せず）内に一時収納し、所定時間経過後、第２のウエハ搬送部３０Ｂにより取り出して時間を管理するようにしてもよい。これにより、レジストの膜厚を一定にすることができると共に、レジストの化学反応を抑制することができるので、レジストの膜厚を一定にすることができると共に、レジストの化学反応を抑制することができる。
【００３４】
ＰＥＢ処理がされたウエハＷは、主搬送手段Ａ３により現像ユニット（ＤＥＶ）２６内に搬入され、現像ユニット（ＤＥＶ）２６内に設けられた現像液ノズルによりその表面に現像液が供給されて現像処理が行われる（ステップＳ１３）。これにより、ウエハＷ表面のレジスト膜のうちの現像液に対して可溶解性の部位が溶解することにより所定のレジストパターンが形成される。更にウエハＷには例えば純水などのリンス液が供給されてリンス処理がなされ、その後にリンス液を振り切るスピン乾燥が行われる。例えば乾燥エア、乾燥窒素などの乾燥用気体を供給するための乾燥用気体ノズルをユニット内に設けておき、スピン乾燥に代えてあるいはスピン乾燥と共に乾燥用気体をウエハＷに吹き付けて、より完全にウエハＷを乾燥させるようにしてもよい。その後、ウエハＷは主搬送手段Ａ３により現像ユニット（ＤＥＶ）２６から搬出され、主搬送手段Ａ２、受け渡し手段Ａ１を経由して載置部１１上の元のキャリア１０へと戻されて一連の塗布・現像処理を終了する。
【００３５】
上記実施形態によれば、ＡＤＨ処理の前後にウエハＷを高温例えば３００℃で加熱処理するので、ＡＤＨ処理前では、ウエハＷ上に付着する水分やパーティクルを除去し、ＡＤＨ処理後では、ウエハＷ上に付着する水分やＡＤＨ処理により生じた析出物（アミン等）を除去することができる。また、この加熱処理によってウエハＷ表面の接触角を小さくすることができるので、ＡＤＨ処理後の疎水化された状態から親和性を高めることができる。したがって、ウエハＷ上にパーティクル，シミ等が発生するのを阻止するので、結果として現像処理したウエハＷの表面に高精度な線幅であってかつ面内均一性の高いレジストパターンを形成することができる。すなわち、ウエハＷに対して高精度かつ面内均一性の高い塗布・現像処理をすることができる。
【００３６】
なお、上記実施形態では、ウエハＷの表面に下地膜を介してレジスト層（ＰＲ）を形成し、その表面にトップ反射防止膜（保護膜）（ＴＣ）を積層した場合について説明したが、ウエハＷの表面に下地膜を介してボトム反射防止膜（ＢＡＲＣ）を形成し、その表面にレジスト層（ＰＲ）を形成し、更にその表面にトップ反射防止膜（保護膜）（ＴＣ）を積層した場合についても、上記実施形態と同様の効果が得られる。この場合の処理手順は、（ＡＤＨ前）加熱処理工程→ＡＤＨ処理工程→（ＡＤＨ後）加熱処理工程→冷却処理工程→ボトム反射膜塗布工程→プリベーク工程→レジスト塗布工程→プリベーク工程→トップ反射防止膜塗布工程→プリベーク工程→露光前洗浄工程→液浸露光工程→ポストエクスポージャーベーク工程→現像工程の順に処理される。
【実施例】
【００３７】
次に、本発明の効果を確認するために行った評価実験について説明する。
【００３８】
＜処理条件＞
試料として、硫酸過酸化水素洗浄（ＳＰＭ），ＨＦ洗浄，アンモニア洗浄（ＳＣ１）を施したＳｉウエハを用い、全てのＳｉウエハについて、レジスト塗布処理前にＡＤＨ処理を行う。
【００３９】
・比較例１：ＡＤＨ処理の前後に加熱処理を行わない
・実施例１：ＡＤＨ処理の前に加熱処理（３００℃、６０ｓｅｃ）を行う
・実施例２：ＡＤＨ処理の後に加熱処理（３００℃、６０ｓｅｃ）を行う
・実施例３：ＡＤＨ処理の前後に加熱処理（３００℃、６０ｓｅｃ）を行う
について、レジスト層の表面に保護膜を形成した状態で、ウエハの表裏面に洗浄液としてシクロヘキサノン（ＣＨ）を供給（噴射）した後のサイズが０．１μｍ以上のパーティクル数を調べたところ、図６に示すような結果が得られた。また、このときのシクロヘキサノン，純水（ＤＩＷ）を用いて（１／２）θ法にて接触角を測定したところ、表１の通りであった。
【表１】
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【００４０】
上記実験の結果、比較例１では、５０００個以上のパーティクルが検出された。これに対して、実施例１の場合では、３６１７個のパーティクルが検出され、実施例２の場合では３３５０個のパーティクルが検出され、実施例３の場合においては、３４個のパーティクルが検出された。これにより、ＡＤＨ処理の前後に加熱処理を行うことにより、パーティクル数を確実に低減できるという顕著な効果が得られる。
【００４１】
また、比較例１におけるＣＨの接触角は１５°，ＤＩＷの接触角は６４°であるのに対し、実施例１及び実施例２におけるＣＨの接触角は１２°，ＤＩＷの接触角は６０°であり、また、実施例におけるＣＨの接触角は１１°，ＤＩＷの接触角は６０°であった。これにより、ＡＤＨ処理の前又は後、特に前後に加熱処理した場合におけるＣＨの接触角を小さくすることができ、ＣＨの親和性を高めることができるので、パーティクルの低減効果が得られる。
【００４２】
なお、上記実施例では、加熱処理を３００℃で実施したが、アミンの除去に効果があり、かつ、未反応のＨＭＤＳの存在が確認されない温度、例えば２５０℃以上であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】この発明に係る塗布・現像処理方法を適用した塗布・現像処理装置に露光処理装置を接続した処理システムの全体を示す概略平面図である。
【図２】上記処理システムの概略斜視図である。
【図３】上記処理システムにおける加熱部，アドヒージョン部を有する棚ユニットを示す概略正面である。
【図４】上記処理システムにおけるトップ反射防止膜塗布ユニットを示す断面図である。
【図５】塗布、露光、現像の処理手順を示すフローチャートである。
【図６】本発明の効果を確認するために行った実験の結果を示すパーティクル数の残渣個数を比較したグラフである。
【図７】レジスト層の表面に保護膜を積層した一例を示す拡大断面図である。
【図８】裏面洗浄により保護膜の剥離状態を示す拡大断面図ある。
【符号の説明】
【００４４】
Ｗ  半導体ウエハ（被処理基板）
ＰＲ  レジスト層
ＴＣ  トップ反射防止膜（保護膜）
２  処理部
４  露光部
２４  トップ反射防止膜（保護膜）塗布ユニット
２５  レジスト塗布ユニット
２６  現像ユニット
４５Ａ  塗布液供給ノズル
４５Ｂ  洗浄ノズル
４５Ｃ  裏面洗浄ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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