(57)【要約】【課題】主に基板表面のうねりやソーマークを抑制できる化合物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】この化合物半導体基板の製造方法では、ソーワイヤーＷを用いてインゴットＩＮの上端Ａ１から下端Ａ２に向けてインゴットＩＮをスライスすることにより化合物半導体基板５０を製造する。インゴットＩＮをスライスする際に、インゴットＩＮの上方からインゴットＩＮに向けて研磨材を含む第１のスラリーＳ１を供給すると共に、インゴットＩＮの側方から研磨材を含む第２のスラリーＳ２を供給する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソーワイヤーを用いてインゴットの上端から下端に向けて前記インゴットをスライスすることにより化合物半導体基板を製造する方法であって、
前記インゴットをスライスする際に、前記インゴットの上方から前記インゴットに向けて研磨材を含む第１のスラリーを供給すると共に、前記インゴットの側方から研磨材を含む第２のスラリーを供給する、化合物半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２のスラリーを、前記ソーワイヤーにおける前記インゴットの外側に位置する部分に供給する、請求項１に記載の化合物半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記ソーワイヤーは、第１のローラと第２のローラとの間に張られており、
前記ソーワイヤーにおける前記インゴットの外側に位置する前記部分は、前記第１のローラと前記インゴットとの間、及び、前記第２のローラと前記インゴットとの間の少なくとも一方に位置する、請求項２に記載の化合物半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記インゴットのスライスを進めながら前記第１のスラリーの流量を減少させる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記インゴットのスライスを進めながら前記第２のスラリーの流量を増加させる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記ソーワイヤーに沿った直線上における前記第２のスラリーの供給位置と前記インゴットとの距離が増加するに従って、前記第２のスラリーの流量を増加させる、請求項５に記載の化合物半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物半導体基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ソーワイヤーを用いてインゴットをスライスする方法には、アッパーカット方式及びダウンカット方式の２つの方法がある。アッパーカット方式では、インゴットの上端にソーワイヤーを押し当てて、インゴットをソーワイヤーに対して相対的に上方に移動させることによって、インゴットをスライスする（例えば、特許文献１〜４参照）。一方、ダウンカット方式では、インゴットの下端にソーワイヤーを押し当てて、インゴットをソーワイヤーに対して相対的に下方に移動させることによって、インゴットをスライスする。インゴットをスライスすると複数のウェハが得られる。
【０００３】
アッパーカット方式では、通常、インゴットとソーワイヤーとが接触するインゴットの切断箇所に向けてインゴットの上方から研磨材を含むスラリーが供給される。
【特許文献１】特開２００１−１０２３３２号公報
【特許文献２】特開２００２−１８８３１号公報
【特許文献３】特開２００３−３４０７０８号公報
【特許文献４】特開２００４−１７２２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述のアッパーカット方式では、特にインゴットの下端を含む下部をスライスする時に、切断面の加工精度に異常をきたす例が散見される。この原因としては、インゴットの下部をスライスする時にはスライスにより形成される溝が深くなるため、当該溝内にスラリーが入り込み難くなることが考えられる。溝内にスラリーが入り込み難くなると、スラリーがインゴットの切断箇所に十分に供給されないため、インゴットの下部をスライスする際の切断負荷が増大する。その結果、切断面の加工精度が悪化してしまうと考えられる。このような場合、得られるウェハの表面にうねりやソーマークが形成されてしまう。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みて為されたものであり、主に基板表面のうねりやソーマークを抑制できる化合物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するため、本発明の化合物半導体基板の製造方法は、ソーワイヤーを用いてインゴットの上端から下端に向けて前記インゴットをスライスすることにより化合物半導体基板を製造する方法であって、前記インゴットをスライスする際に、前記インゴットの上方から前記インゴットに向けて研磨材を含む第１のスラリーを供給すると共に、前記インゴットの側方から研磨材を含む第２のスラリーを供給する。
【０００７】
本発明の化合物半導体基板の製造方法によれば、例えばインゴットの下端を含む下部をスライスする時にも、インゴットの側方から第２のスラリーがインゴットの切断箇所（内側）に十分に供給される。その結果、得られる化合物半導体基板の表面に形成されるうねりやソーマークを抑制できる。
【０００８】
また、前記第２のスラリーを、前記ソーワイヤーにおける前記インゴットの外側に位置する部分に供給することが好ましい。この場合、ソーワイヤーに付着した第２のスラリーがインゴットの切断箇所に十分に供給される。
【０００９】
また、前記ソーワイヤーは、第１のローラと第２のローラとの間に張られており、前記ソーワイヤーにおける前記インゴットの外側に位置する前記部分は、前記第１のローラと前記インゴットとの間、及び、前記第２のローラと前記インゴットとの間の少なくとも一方に位置することが好ましい。
【００１０】
また、前記インゴットのスライスを進めながら前記第１のスラリーの流量を減少させることが好ましい。ここで、第１のスラリーの流量を連続的に減少させてもよいし、段階的に減少させてもよい。
【００１１】
この場合、例えばインゴットの下端を含む下部をスライスする時に、第１のスラリーがインゴットに与える衝撃が小さくなる。このため、得られる化合物半導体基板の欠けの発生率を小さくすることができる。
【００１２】
また、前記インゴットのスライスを進めながら前記第２のスラリーの流量を増加させることが好ましい。ここで、第２のスラリーの流量を連続的に増加させてもよいし、段階的に増加させてもよい。
【００１３】
この場合、例えばインゴットの下端を含む下部をスライスする時に、インゴットの側方から第２のスラリーがインゴットの切断箇所に十分に供給される。
【００１４】
また、前記ソーワイヤーに沿った直線上における前記第２のスラリーの供給位置と前記インゴットとの距離が増加するに従って、前記第２のスラリーの流量を増加させることが好ましい。
【００１５】
この場合、第２のスラリーをインゴットの切断箇所に十分に供給することができると共に、第２のスラリーがインゴットの切断箇所に過剰に供給されることを抑制できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、主に基板表面のうねりやソーマークを抑制できる化合物半導体基板の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
【００１８】
図１は、実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法に用いられるワイヤーソー装置を模式的に示す図である。図１には、ＸＹＺ空間座標系が示されている。Ｚ軸の正方向が鉛直上方である。Ｚ軸の負方向が鉛直下方である。
【００１９】
図１に示されるワイヤーソー装置１０は、加工対象物（ワーク）であるインゴットＩＮをスライスするためのソーワイヤーＷと、ソーワイヤーＷが巻き回されたローラＲ１〜Ｒ３とを備える。ローラＲ３は、インゴットＩＮの上方に位置する。ソーワイヤーＷは、ローラＲ１〜Ｒ３の外周面に形成された溝内に配置される。ソーワイヤーＷは単一のワイヤーからなってもよいし、複数のワイヤーからなってもよい。ワイヤーソー装置１０は、ローラＲ３を備えなくてもよいし、ローラＲ１〜Ｒ３に加えて更なるローラを備えてもよい。
【００２０】
インゴットＩＮは、支持台２２を介してテーブル２０上に載置されている。よって、インゴットＩＮの上端Ａ１はローラＲ３側に配置され、インゴットＩＮの下端Ａ２は支持台２２側に配置される。テーブル２０には、インゴットＩＮをＺ軸方向に上下動させるための駆動装置が接続されていることが好ましい。インゴットＩＮを上下動させずに、ソーワイヤーＷをＺ軸方向に上下動させてもよい。
【００２１】
インゴットＩＮの側面には、インゴットＩＮの中心軸Ａに沿って延びており所定の結晶方位を示すオリエンテーションフラットが形成されてもよい。オリエンテーションフラットに代えてノッチが形成されていてもよい。インゴットＩＮは、例えばＧａＡｓ、ＩｎＰ、六方晶のＧａＮ等の化合物半導体からなることが好ましい。インゴットＩＮは、水晶、シリコン、酸化物結晶からなってもよい。インゴットＩＮの断面形状は、円形であってもよいし、矩形であってもよい。インゴットＩＮの直径は、２００ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
ローラＲ１〜Ｒ３を同一の回転方向に回転させることによって、ソーワイヤーＷをその軸方向に走行させることができる。ローラＲ１〜Ｒ３が正回転及び逆回転を交互に繰り返すことによって、ソーワイヤーＷは２方向に往復走行する。ローラＲ１，Ｒ２間に張られたソーワイヤーＷは、その軸方向に沿った方向Ｄ１において両方向に走行する。同様に、ローラＲ２，Ｒ３間に張られたソーワイヤーＷは、ソーワイヤーＷの軸方向に沿った方向Ｄ２において両方向に走行する。同様に、ローラＲ３，Ｒ１間に張られたソーワイヤーＷは、ソーワイヤーＷの軸方向に沿った方向Ｄ３において両方向に走行する。
【００２３】
ワイヤーソー装置１０は、Ｚ軸方向におけるインゴットＩＮの上方に位置する上方ノズルＮ１と、Ｘ軸方向においてインゴットＩＮの側方に位置する側方ノズルＮ２，Ｎ３とを備える。上方ノズルＮ１は、インゴットＩＮに向けて研磨材を含む第１のスラリーＳ１を噴射する。上方ノズルＮ１は、１本でもよいし、インゴットＩＮの上面にスラリーＳ１が均等に噴射されるように複数本でもよい。側方ノズルＮ２，Ｎ３は、ソーワイヤーＷにおけるインゴットＩＮの外側に位置する部分Ｗａ，Ｗｂに向けて、研磨材を含む第２のスラリーＳ２及び第３のスラリーＳ３をそれぞれ噴射する。スラリーＳ２，Ｓ３は、ソーワイヤーＷを介してインゴットＩＮに供給されてもよいし（間接供給方式）、直接インゴットＩＮに供給されてもよい（直接供給方式）。ソーワイヤーＷの部分ＷａはローラＲ１とインゴットＩＮとの間に位置することが好ましい。ソーワイヤーＷの部分ＷｂはローラＲ２とインゴットＩＮとの間に位置することが好ましい。スラリーＳ１〜Ｓ３は、例えば、研磨材としての遊離砥粒と、ラッピングオイルとを含む。
【００２４】
ソーワイヤーＷに沿った直線Ａｘ上におけるスラリーＳ２の供給位置３０と、インゴットＩＮの切断箇所ＣＡの一方の端部３２との距離はｋである。また、直線Ａｘ上におけるスラリーＳ３の供給位置３４と、インゴットＩＮの切断箇所ＣＡの他方の端部３６との距離はｍである。ｋ及びｍは同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００２５】
側方ノズルＮ２とローラＲ１との間には、スラリーＳ２がローラＲ１に付着することを防止する役割とソーワイヤーＷにスラリーＳ２を付着させるためのガイドをする役割とを兼ね備えたシャッタ２４が配置されていることが好ましい。同様に、側方ノズルＮ３とローラＲ２との間には、スラリーＳ３がローラＲ２に付着することを防止する役割とソーワイヤーＷにスラリーＳ３を付着させるためのガイドをする役割とを兼ね備えたシャッタ２６が配置されていることが好ましい。スラリーＳ１〜Ｓ３は、同じ材料からなってもよいし、互いに異なる材料からなってもよい。
【００２６】
図２は、実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法によって製造された化合物半導体基板を模式的に示す斜視図である。図２に示される化合物半導体基板５０は、例えば図１に示されるワイヤーソー装置１０を用いることによって製造される。化合物半導体基板５０のエッジには、オリエンテーションフラット５２が形成されている。化合物半導体基板５０の表面５０ａ上には、１又は複数の化合物半導体膜を成長させることができる。この化合物半導体膜を加工することによって、半導体デバイスを作製することができる。本実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法を用いると、うねりを少なくすることができると共に、基板の割れや欠けを極端に抑制できるので、極薄のウェハの作製が容易になる。化合物半導体基板５０の直径をＤ（ｍｍ）、厚みをＴ（μｍ）とすると、６２５≦Ｔ２／Ｄ≦４０００であることが好ましい。本実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法を用いると、Ｔ２／Ｄの値が６２５という薄いウェハを得ることができる。
【００２７】
次に、実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法について説明する。一例として、ワイヤーソー装置１０を用いて化合物半導体基板５０を製造する方法について説明する。
【００２８】
まず、図１に示されるように、インゴットＩＮを支持台２２上に載置する。続いて、ソーワイヤーＷを用いてインゴットＩＮの上端Ａ１から下端Ａ２に向けてインゴットＩＮをスライスすることにより化合物半導体基板５０を製造する。ローラＲ１〜Ｒ３を時計回り及び反時計回りに交互に回転させることによって、ソーワイヤーＷを往復走行させる。その後、テーブル２０をＺ軸の正方向に移動させることによって、インゴットＩＮをＺ軸の正方向に移動させる。インゴットＩＮとソーワイヤーＷとが接触すると、インゴットＩＮのスライスが開始される。
【００２９】
インゴットＩＮをスライスする際に、インゴットＩＮの上方からインゴットＩＮに向けてスラリーＳ１を供給すると共に、インゴットＩＮの側方からスラリーＳ２，Ｓ３をそれぞれ供給する。好ましくは、スラリーＳ２，Ｓ３は、ソーワイヤーＷにおけるインゴットＩＮの外側に位置する部分Ｗａ，Ｗｂに供給される。インゴットＩＮのスライスを進めながら、スラリーＳ１の流量を減少させ、スラリーＳ２，Ｓ３の流量を増加させることが好ましい。
【００３０】
図３は、Ｚ軸方向におけるインゴットの送り量とスラリーの流量との関係の一例を示すグラフである。図３に示されるグラフにおいて、縦軸はスラリーＳ１，Ｓ２の流量を示し、横軸はインゴットＩＮの送り量を示す。グラフ中の破線Ｖ１はスラリーＳ１の流量を示し、実線Ｖ２はスラリーＳ２の流量を示す。なお、スラリーＳ３の流量はスラリーＳ２の流量と同じであってもよい。インゴットＩＮの送り量が０の時にスライスは開始される。インゴットＩＮの送り量がｎの時にスライスは終了する。図３に示されるように、スラリーＳ２の流量は、インゴットＩＮの直胴部分（センター）から徐々に増加している。
【００３１】
その後、得られた化合物半導体基板５０の表面５０ａを機械的及び化学的に研磨してもよい。
【００３２】
本実施形態の化合物半導体基板の製造方法によれば、例えばインゴットＩＮの下端Ａ２を含む下部をスライスする時にも、ソーワイヤーＷの部分Ｗａ，Ｗｂにそれぞれ付着したスラリーＳ２，Ｓ３が、ソーワイヤーＷの走行によってインゴットＩＮの切断箇所ＣＡ（内側）に十分に供給される。その結果、切断負荷が低減されるので、得られる化合物半導体基板５０の表面５０ａに形成されるうねりやソーマークを抑制できる。また、得られる化合物半導体基板５０の欠けの発生率を小さくすることができる。したがって、化合物半導体基板５０の製造歩留まりが向上する。本実施形態の化合物半導体基板の製造方法を用いると、直径をＤ（ｍｍ）、厚みをＴ（μｍ）とすると、６２５≦Ｔ２／Ｄ≦４０００となる化合物半導体基板５０を製造することが可能になる。
【００３３】
また、ソーワイヤーＷの部分ＷａがローラＲ１とインゴットＩＮとの間に位置すると、ローラＲ１に付着するスラリーＳ２が少なくなるので、スラリーＳ２をインゴットＩＮの切断箇所ＣＡに効率的に供給することができる。同様に、ソーワイヤーＷの部分ＷｂがローラＲ２とインゴットＩＮとの間に位置すると、ローラＲ２に付着するスラリーＳ３が少なくなるので、スラリーＳ３をインゴットＩＮの切断箇所ＣＡに効率的に供給することができる。
【００３４】
また、インゴットＩＮのスライスを進めながらスラリーＳ１の流量を減少させることが好ましい。インゴットＩＮの下端Ａ２を含む下部をスライスする際にスラリーＳ１の流量を減少させることが特に好ましい。ここで、スラリーＳ１の流量を連続的に減少させてもよいし、段階的に減少させてもよい。この場合、例えばインゴットＩＮの下端Ａ２を含む下部をスライスする時に、スラリーＳ１がインゴットＩＮの下部に与える衝撃が小さくなる。このため、得られる化合物半導体基板５０の切り終わり部分の欠けの発生率を小さくすることができる。また、化合物半導体基板５０の切り始め部分の厚みのバラツキを低減することができる。
【００３５】
また、インゴットＩＮのスライスを進めながらスラリーＳ２，Ｓ３の流量を増加させることが好ましい。インゴットＩＮの下端Ａ２を含む下部をスライスする際にスラリーＳ２，Ｓ３の流量を増加させることが特に好ましい。ここで、スラリーＳ２，Ｓ３の流量を連続的に増加させてもよいし、段階的に増加させてもよい。この場合、例えばインゴットＩＮの下端Ａ２を含む下部をスライスする時に、ソーワイヤーＷを介してスラリーＳ２，Ｓ３がインゴットＩＮの切断箇所ＣＡに十分に供給される。このため、得られる化合物半導体基板５０の表面５０ａに形成されるうねりやソーマークを小さくすると共に、化合物半導体基板５０のエッジの欠けの発生率を小さくすることができる。
【００３６】
また、ソーワイヤーＷに沿った直線Ａｘ上におけるスラリーＳ２の供給位置３０とインゴットＩＮの切断箇所ＣＡの端部３２との距離ｋが増加するに従って、スラリーＳ２の流量を増加させることが好ましい。この場合、スラリーＳ２をインゴットＩＮの切断箇所ＣＡに十分に供給することができると共に、スラリーＳ２がインゴットＩＮの切断箇所ＣＡに過剰に供給されることを抑制できる。同様に、ソーワイヤーＷに沿った直線Ａｘ上におけるスラリーＳ３の供給位置３４とインゴットＩＮの切断箇所ＣＡの端部３６との距離ｍが増加するに従って、スラリーＳ３の流量を増加させることが好ましい。この場合、スラリーＳ３をインゴットＩＮの切断箇所ＣＡに十分に供給することができると共に、スラリーＳ３がインゴットＩＮの切断箇所ＣＡに過剰に供給されることを抑制できる。
【００３７】
スラリーＳ２，Ｓ３の粘度は、スラリーＳ１の粘度よりも大きいことが好ましい。スラリーＳ２，Ｓ３をソーワイヤーＷに付着させる場合には、ソーワイヤーＷへの付着性を向上させるためにスラリーＳ２，Ｓ３は相応の粘度を有することが好ましい。これにより、得られる化合物半導体基板５０の表面５０ａに形成されるうねりやソーマークを小さくすると共に、化合物半導体基板５０のエッジの欠けの発生率を小さくすることができる。
【００３８】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。
【実施例】
【００３９】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４０】
（実施例１）
ＧａＡｓ単結晶からなるインゴットをスライスすることによって、ＧａＡｓ単結晶基板を作製した。インゴットをスライスする際に、スライスの開始から終了まで、上方ノズルスラリー流量（スラリーＳ１の流量）を３５Ｌ／ｍｉｎ、側方ノズルスラリー流量（スラリーＳ２，Ｓ３の流量）を１５Ｌ／ｍｉｎとした。なお、Ｌはリットルを表す。
【００４１】
（実施例２）
インゴットをスライスする際に、スライスの開始から終了まで、上方ノズルスラリー流量を３０Ｌ／ｍｉｎ、側方ノズルスラリー流量を１７Ｌ／ｍｉｎとしたこと以外は実施例１と同様にしてＧａＡｓ単結晶基板を作製した。
【００４２】
（実施例３）
インゴットをスライスする際に、スライスの開始から終了まで、上方ノズルスラリー流量を１５Ｌ／ｍｉｎ、側方ノズルスラリー流量を２０Ｌ／ｍｉｎとしたこと以外は実施例１と同様にしてＧａＡｓ単結晶基板を作製した。
【００４３】
（実施例４）
インゴットをスライスする際に、スライスの開始から終了まで、上方ノズルスラリー流量を１５Ｌ／ｍｉｎ、側方ノズルスラリー流量を１５Ｌ／ｍｉｎとしたこと以外は実施例１と同様にしてＧａＡｓ単結晶基板を作製した。
【００４４】
（比較例１）
インゴットをスライスする際に、スライスの開始から終了まで、上方ノズルスラリー流量を３５Ｌ／ｍｉｎとして、側方ノズルスラリーを用いなかったこと以外は実施例１と同様にしてＧａＡｓ単結晶基板を作製した。
【００４５】
（比較例２）
インゴットをスライスする際に、スライスの開始から終了まで、上方ノズルスラリー流量を３０Ｌ／ｍｉｎとしたこと以外は比較例１と同様にしてＧａＡｓ単結晶基板を作製した。
【００４６】
（比較例３）
インゴットをスライスする際に、スライスの開始から終了まで、上方ノズルスラリー流量を１５Ｌ／ｍｉｎとしたこと以外は比較例１と同様にしてＧａＡｓ単結晶基板を作製した。
【００４７】
（評価及び結果）
実施例１〜４及び比較例１〜３について、得られたＧａＡｓ単結晶基板の厚みのバラツキσ（μｍ）と、ＧａＡｓ単結晶基板の表面に形成されたうねり又は反り（μｍ）と、ＧａＡｓ単結晶基板の欠け発生率（％）とを算出した。結果を図４にまとめて示す。図４は、実施例１〜４及び比較例１〜３についての評価結果をまとめて示す図表である。
【００４８】
（実施例５）
インゴットをスライスする際に、スライスの開始から終了まで側方ノズルスラリー流量を１７Ｌ／ｍｉｎとして、上方ノズルスラリー流量を図５に示されるように変化させたこと以外は実施例１と同様にしてＧａＡｓ単結晶基板を作製した。
【００４９】
図１及び図５に示される各切断点Ｐ１〜Ｐ８における距離ｋの値は以下の通りである。切断点Ｐ１〜Ｐ８は、Ｚ軸の負方向に順に配列されている。
切断点Ｐ１：ｋ＝４２．１ｍｍ
切断点Ｐ２：ｋ＝２６．８ｍｍ
切断点Ｐ３：ｋ＝１９．３ｍｍ
切断点Ｐ４：ｋ＝１５．９ｍｍ
切断点Ｐ５：ｋ＝１５．９ｍｍ
切断点Ｐ６：ｋ＝１９．３ｍｍ
切断点Ｐ７：ｋ＝２６．８ｍｍ
切断点Ｐ８：ｋ＝４２．１ｍｍ
【００５０】
（実施例６）
インゴットをスライスする際に、上方ノズルスラリー流量を図５に示されるように変化させたこと以外は実施例５と同様にしてＧａＡｓ単結晶基板を作製した。
【００５１】
（実施例７）
インゴットをスライスする際に、上方ノズルスラリー流量を図５に示されるように変化させたこと以外は実施例５と同様にしてＧａＡｓ単結晶基板を作製した。
【００５２】
（実施例８）
インゴットをスライスする際に、上方ノズルスラリー流量を図５に示されるように変化させたこと以外は実施例５と同様にしてＧａＡｓ単結晶基板を作製した。
【００５３】
（評価及び結果）
実施例５〜８について、得られたＧａＡｓ単結晶基板の厚みのバラツキσ（μｍ）と、ＧａＡｓ単結晶基板の表面に形成されたうねり又は反り（μｍ）と、ＧａＡｓ単結晶基板の欠け発生率（％）とを算出した。結果を図５にまとめて示す。図５は、実施例５〜８についての評価結果をまとめて示す図表である。
【００５４】
（実施例９）
インゴットをスライスする際に、スライスの開始から終了まで上方ノズルスラリー流量を３０Ｌ／ｍｉｎとして、側方ノズルスラリー流量を図６に示されるように変化させたこと以外は実施例１と同様にしてＧａＡｓ単結晶基板を作製した。
【００５５】
（実施例１０）
インゴットをスライスする際に、スライスの開始から終了まで上方ノズルスラリー流量を１７Ｌ／ｍｉｎとして、側方ノズルスラリー流量を図６に示されるように変化させたこと以外は実施例１と同様にしてＧａＡｓ単結晶基板を作製した。
【００５６】
（評価及び結果）
実施例９及び１０について、得られたＧａＡｓ単結晶基板の厚みのバラツキσ（μｍ）と、ＧａＡｓ単結晶基板の表面に形成されたうねり又は反り（μｍ）と、ＧａＡｓ単結晶基板の欠け発生率（％）とを算出した。結果を図６にまとめて示す。図６は、実施例９及び１０についての評価結果をまとめて示す図表である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法に用いられるワイヤーソー装置を模式的に示す図である。
【図２】実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法によって製造された化合物半導体基板を模式的に示す斜視図である。
【図３】Ｚ軸方向におけるインゴットの送り量とスラリーの流量との関係の一例を示すグラフである。
【図４】実施例１〜４及び比較例１〜３についての評価結果をまとめて示す図表である。
【図５】実施例５〜８についての評価結果をまとめて示す図表である。
【図６】実施例９及び１０についての評価結果をまとめて示す図表である。
【符号の説明】
【００５８】
３０…第２のスラリーの供給位置、５０…化合物半導体基板、Ａ１…インゴットの上端、Ａ２…インゴットの下端、Ａｘ…ソーワイヤーに沿った直線、ＩＮ…インゴット、Ｒ１…第１のローラ、Ｒ２…第２のローラ、Ｓ１…第１のスラリー、Ｓ２…第２のスラリー、Ｗ…ソーワイヤー、Ｗａ…ソーワイヤーにおけるインゴットの外側に位置する部分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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