(57)【要約】【課題】磁気特性を向上させることが可能なめっき膜の形成方法を提供する。【解決手段】基体１０１の一面に、アスペクト比（深さ／幅）が１よりも大きい開口部１０３Ｋ１とアスペクト比が開口部１０３Ｋ１よりも小さい開口部１０３Ｋ２とを有するフォトレジストパターン１０３を形成する。続いて、少なくとも開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２における基体１０１の露出面１０１Ｍおよびフォトレジストパターン１０３の内壁面１０３Ｍを覆うように、シード膜１０４を形成する。続いて、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２におけるシード膜１０４上に、基体１０１の一面と交差する方向に磁界ＦＶを印加しながら少なくとも開口部１０３Ｋ１を埋め込んだのち、基体１０１の一面に沿った方向に磁界を印加しながら少なくとも開口部１０３Ｋ２を埋め込むように、磁性材料からなるめっき膜１０５を成長させる。【選択図】図３
2008041198.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の一面に、アスペクト比（深さ／幅）が１よりも大きい第１の開口部とアスペクト比が前記第１の開口部よりも小さい第２の開口部とを有するパターン膜を形成する第１の工程と、
少なくとも、前記第１および第２の開口部における前記基体の露出面および前記パターン膜の内壁面を覆うように、シード膜を形成する第２の工程と、
前記第１および第２の開口部における前記シード膜上に、前記基体の一面と交差する方向に磁界を印加しながら少なくとも前記第１の開口部を埋め込んだのち、前記基体の一面に沿った方向に磁界を印加しながら少なくとも前記第２の開口部を埋め込むように、磁性材料からなるめっき膜を成長させる第３の工程と
を含むことを特徴とするめっき膜の形成方法。
【請求項２】
さらに、少なくとも前記パターン膜が露出するまで前記めっき膜に平坦化処理を施す第４の工程を含む
ことを特徴とする請求項１記載のめっき膜の形成方法。
【請求項３】
前記第３の工程において、磁界の印加方向を切り替える前後で同一の磁性材料を使用する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のめっき膜の形成方法。
【請求項４】
前記第３の工程において、磁界の印加方向を切り替える前後で異なる磁性材料を使用する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のめっき膜の形成方法。
【請求項５】
前記第１の工程において、前記第１および第２の開口部の幅が前記基体から離れるにしたがって次第に広がるように、前記パターン膜の内壁面を傾斜させる
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のめっき膜の形成方法。
【請求項６】
前記第１の工程が、
前記基体の一面にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を選択的に露光および現像して前記第１および第２の開口部を形成することにより前記パターン膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のめっき膜の形成方法。
【請求項７】
前記第１の工程が、
前記基体の一面に非磁性膜（フォトレジスト膜を除く）を形成する工程と、
前記非磁性膜を選択的にエッチングして前記第１および第２の開口部を形成することにより前記パターン膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のめっき膜の形成方法。
【請求項８】
磁性膜を備えた磁気デバイスの製造方法であって、
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載しためっき膜の形成方法を使用して、第１の開口部に埋め込まれためっき膜からなる高アスペクト比（厚さ／幅）部分と第２の開口部に埋め込まれためっき膜からなる低アスペクト比部分とを有するように前記磁性膜を形成する
ことを特徴とする磁気デバイスの製造方法。
【請求項９】
磁束を発生させる薄膜コイルと、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を磁気記録媒体に導く磁極層とを備えた垂直磁気記録ヘッドの製造方法であって、
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載しためっき膜の形成方法を使用して、第１の開口部に埋め込まれためっき膜からなる高アスペクト比（厚さ／幅）の磁極部分と第２の開口部に埋め込まれためっき膜からなる低アスペクト比のヨーク部分とを有するように前記磁極層を形成する
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
少なくとも前記第２の開口部を埋め込むようにめっき膜を成長させる際に、記録トラック幅方向に磁界を印加する
ことを特徴とする請求項９記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高アスペクト比（厚さ／幅）部分および低アスペクト比部分を有するめっき膜の形成方法、ならびにそれを使用した磁気デバイスの製造方法および垂直磁気記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、各種デバイスの製造分野において、微細パターンの形成方法としてフレームめっき法が広く使用されている。このフレームめっき法とは、基体の一面に電極膜としてシード膜を形成し、そのシード膜上にフレーム（開口部を有するパターン膜）を形成したのち、その開口部におけるシード膜上にめっき膜を成長させる方法である。
【０００３】
中でも、各種磁気デバイスの製造分野では、アスペクト比（厚さ／幅）が１よりも大きい部分（高アスペクト比部分）を有する微細パターンを形成するために、改良型のフレームめっき法（いわゆるダマシン法など）を使用している。この種の微細パターンとは、磁気デバイスの一例として垂直磁気記録ヘッドを挙げれば、磁気記録媒体に磁束を導く機能を有し、その磁気記録媒体の記録トラック幅を規定する微細幅部分を有する磁極層などである。改良型のフレームめっき法は、基体の一面に開口部を有するパターン膜を形成し、その開口部における基体の露出面およびパターン膜を覆うようにシード膜を形成したのち、その開口部におけるシード膜上にめっき膜を成長させる方法である。この改良型のフレームめっき法では、開口部において、基体の露出面に形成されたシード膜上だけでなく、パターン膜の内壁面に形成されたシード膜上においてもめっき膜が成長するため、めっき膜全体を短時間で形成することができる。
【０００４】
特に、各種磁気デバイスの製造分野において、磁性材料からなるめっき膜を形成する場合には、そのめっき膜について良好な磁気特性（例えば透磁率μ大および保持力Ｈｃ小の軟磁気特性）を得るために、基体の一面に沿った方向に磁界を印加しながらめっき膜を成長させている。なぜなら、磁界の印加方向をめっき膜の成長方向と交差させることにより、そのめっき膜の磁気特性が向上することが経験的に知られているからである。この場合における磁界の印加方向は、シード膜を形成したのちにパターン膜を形成する通常のフレームめっき法における磁界の印加方向をそのまま採用したものである。
【０００５】
この改良型のフレームめっき法に関しては、既にいくつかの関連技術が知られている。具体的には、半導体素子の製造分野において、均一な膜厚のめっき膜を形成するために、半導体ウェハを挟むように一対の磁石を設置し、その半導体ウェハの面に沿った方向に磁界を印加しながらめっき膜を成長させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−０２３９３２号公報
【０００６】
また、一般的なめっき分野において、めっき装置を構成する要素の配置に関する問題を軽減するために、基板の面内において磁界の印加方向を変更させることが可能なめっき装置や（例えば、特許文献２参照。）、磁気ヘッドの製造分野において、低ノイズ化を実現するために、めっき槽を挟んで設置されると共に凹型断面形状を有する一対の希土類磁石に設けられた調整穴に、磁石または磁性材が挿入された磁界印加装置が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献２】特開２００５−２８１７９７号公報
【特許文献３】特開平１１−０２５４２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、改良型のフレームめっき法を使用して、高アスペクト比部分だけでなく低アスペクト比部分も有する微細パターンを形成する場合には、めっき膜全体について十分な磁気特性が得られないという問題があった。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁気特性を向上させることが可能なめっき膜の形成方法、磁気デバイスの製造方法および垂直磁気記録ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るめっき膜の形成方法は、基体の一面に、アスペクト比（深さ／幅）が１よりも大きい第１の開口部とアスペクト比が第１の開口部よりも小さい第２の開口部とを有するパターン膜を形成する第１の工程と、少なくとも第１および第２の開口部における基体の露出面およびパターン膜の内壁面を覆うようにシード膜を形成する第２の工程と、第１および第２の開口部におけるシード膜上に、基体の一面と交差する方向に磁界を印加しながら少なくとも第１の開口部を埋め込んだのち、基体の一面に沿った方向に磁界を印加しながら少なくとも第２の開口部を埋め込むように、磁性材料からなるめっき膜を成長させる第３の工程とを含むものである。また、本発明に係る磁気デバイスの製造方法は、磁性膜を備えた磁気デバイスを製造する方法であり、上記しためっき膜の形成方法を使用して、第１の開口部に埋め込まれためっき膜からなる高アスペクト比（厚さ／幅）部分と第２の開口部に埋め込まれためっき膜からなる低アスペクト比部分とを有するように磁性膜を形成するものであり、本発明に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、磁束を発生させる薄膜コイルと薄膜コイルにおいて発生した磁束を磁気記録媒体に導く磁極層とを備えた垂直磁気記録ヘッドを製造する方法であり、上記しためっき膜の形成方法を使用して、第１の開口部に埋め込まれためっき膜からなる高アスペクト比（厚さ／幅）の磁極部分と第２の開口部に埋め込まれためっき膜からなる低アスペクト比のヨーク部分とを有するように磁極層を形成するものである。
【００１０】
このめっき膜の形成方法では、高アスペクト比の第１の開口部および低アスペクト比の第２の開口部に磁性材料からなるめっき膜を成長させる際に、基体の一面と交差する方向に磁界が印加されながら少なくとも第１の開口部が埋め込まれたのち、基体の一面に沿った方向に磁界が印加されながら少なくとも第２の開口部が埋め込まれるため、第１および第２の開口部の双方において、実質的なめっき膜の成長成分の方向に対して磁界の印加方向が交差する。この作用は、磁気デバイスの製造方法における磁性膜および垂直磁気記録ヘッドの製造方法における磁極層についても同様に得られる。
【００１１】
本発明に係るめっき膜の形成方法では、さらに、少なくともパターン膜が露出するまでめっき膜に平坦化処理を施す第４の工程を含むようにしてもよい。第３の工程において、磁界の印加方向を切り替える前後で同一の磁性材料を使用してもよいし、あるいは磁界の印加方向を切り替える前後で異なる磁性材料を使用してもよい。第１の工程において、第１および第２の開口部の幅が基体から離れるにしたがって次第に広がるようにパターン膜の内壁面を傾斜させてもよい（この場合には、第１および第２の開口部の最大幅が、アスペクト比（深さ／幅）を規定する幅となる。）。第１の工程が、基体の一面にフォトレジスト膜を形成する工程と、フォトレジスト膜を選択的に露光および現像して第１および第２の開口部を形成することによりパターン膜を形成する工程とを含んでもよいし、あるいは基体の一面に非磁性膜（フォトレジスト膜を除く）を形成する工程と、非磁性膜を選択的にエッチングして第１および第２の開口部を形成することによりパターン膜を形成する工程とを含んでもよい。
【００１２】
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法では、少なくとも第２の開口部を埋め込むようにめっき膜を成長させる際に、記録トラック幅方向に磁界を印加するのが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るめっき膜の形成方法によれば、アスペクト比（深さ／幅）が１よりも大きい第１の開口部とアスペクト比が第１の開口部よりも小さい第２の開口部とを有するパターン膜を形成したのち、第１および第２の開口部に、基体の一面と交差する方向に磁界を印加しながら少なくとも第１の開口部を埋め込んだのち、基体の一面に沿った方向に磁界を印加しながら少なくとも第２の開口部を埋め込むように、磁性材料からなるめっき膜を成長させているので、そのめっき膜の磁気特性を向上させることができる。これにより、磁気デバイスの製造方法における磁性膜および垂直磁気記録ヘッドの製造方法における磁極層の磁気特性も向上させることができる。特に、本発明に係るめっき膜の形成方法を垂直磁気記録ヘッドの製造方法に適用する場合には、少なくとも第２の開口部を埋め込むようにめっき膜を成長させる際に記録トラック幅方向に磁界を印加することにより、磁気特性をより向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
まず、図１〜図７を参照して、本発明の一実施の形態に係るめっき膜の形成方法について説明する。図１〜図６は、めっき膜の形成方法を説明するためのものであり、いずれも断面構成を示している。また、図７は、めっき膜の形成方法を使用して形成されるめっき膜の斜視構成を表している。
【００１６】
このめっき膜の形成方法は、いわゆる改良型のフレームめっき法であり、アスペクト比（深さ／幅）が１よりも大きい第１の開口部とアスペクト比が第１の開口部よりも小さい第２の開口部とを有するパターン膜を使用してめっき膜を形成するものである。図１〜図６に示した（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ第１および第２の開口部の周辺構造を示している。以下では、図１〜図７に示したＸ軸方向およびＺ軸方向の寸法をそれぞれ幅および深さ（または厚さ）と呼称する。
【００１７】
このめっき膜の形成方法では、まず、図１に示したように、例えばスピンコート法を使用して基体１０１の表面にフォトレジストを塗布したのち、必要に応じてフォトレジストを加熱（ベーク）することにより、フォトレジスト膜１０２を形成する。なお、基体１０１は、フォトレジスト膜１０２を支持可能であれば、各種基板であってもよいし、あるいは各種膜であってもよい。
【００１８】
続いて、フォトリソグラフィ法を使用してフォトレジスト膜１０２をパターニング（選択的に露光および現像）することにより、図２に示したように、フォトレジストパターン１０３を形成する。このフォトレジストパターン１０３を形成する際には、（Ａ）に示したように、アスペクト比（深さ／幅）が１よりも大きい開口部１０３Ｋ１を有すると共に、（Ｂ）に示したように、アスペクト比が開口部１０３Ｋ１よりも小さい開口部１０３Ｋ２を有するようにする。この場合には、例えば、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２の間において深さＤが互いに等しくなると共に、その開口部１０３Ｋ２のアスペクト比が１よりも小さくなるようにする。また、例えば、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２が互いに連結されると共に、それらの幅が基体１０１から離れるにしたがって次第に広がるようにフォトレジストパターン１０３の内壁面１０３Ｍを所定の角度（傾斜角度θ）だけ傾斜させる。この傾斜角度θとは、内壁面１０３Ｍが基体１０１の一面の垂線に対してなす角度であり、任意に設定可能である。ここでは、開口部１０３Ｋ１の上端の幅ＷＫ１Ａが下端の幅ＷＫ１Ｂよりも大きくなると共に、開口部１０３Ｋ２の上端の幅ＷＫ２Ａが下端の幅ＷＫ２Ｂよりも大きくなる。この場合におけるアスペクト比とは、開口部１０３Ｋ１について深さＤ／最大幅ＷＫ１Ａであり、開口部１０３Ｋ２について深さＤ／最大幅ＷＫ２Ａである。なお、フォトレジスト膜１０２を露光する際には、例えば、ステッパまたはスキャナなどの各種露光源を使用可能である。
【００１９】
続いて、例えばスパッタリング法または蒸着法などを使用して、少なくとも、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２における基体１０１の露出面１０１Ｍおよびフォトレジストパターン１０３の内壁面１０３Ｍを覆うように、シード膜１０４を形成する。ここでは、例えば、シード膜１０４がフォトレジストパターン１０３の内壁面１０３Ｍだけでなく上面も覆うようにする。
【００２０】
続いて、図３および図４に示したように、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２におけるシード膜１０４上に、磁界を印加しながら磁性材料からなるめっき膜１０５を成長させる。このめっき膜１０５を成長させる際には、図３に示したように、例えば、深さ方向（Ｚ軸方向）において基体１０１を挟むように設置した一対のヘルムホルツコイル（図示せず）などを使用して、その基体１０１の一面と交差する方向に磁界（以下、単に「磁界ＦＶ」という）を印加しながら少なくとも開口部１０３Ｋ１を埋め込んだのち、図４に示したように、幅方向（Ｘ軸方向）において基体１０１を挟むように設置した他の一対のヘルムホルツコイル（図示せず）を使用して、その基体１０１の面に沿った方向に磁界（以下、単に「磁界ＦＰ」という）を印加しながら少なくとも開口部１０３Ｋ２を埋め込むようにする。ここでは、例えば、磁界ＦＶを印加しながら開口部１０３Ｋ１を埋め込むと共にその周辺まで覆ったのち、磁界ＦＰを印加しながら開口部１０３Ｋ２を埋め込むと共にその周辺まで覆うように、めっき膜１０５を成長させる。なお、磁性材料の種類や磁界の印加強度などは、任意に設定可能である。
【００２１】
このめっき膜１０５の成長工程では、開口部１０３Ｋ１の容積が開口部１０３Ｋ２の容積よりも小さいことに伴い、磁界ＦＶの印加下において開口部１０３Ｋ１が埋め込まれた時点では（図３（Ａ））、開口部１０３Ｋ２が未だ埋め込まれておらず（図３（Ｂ））、その開口部１０３Ｋ２は、磁界ＦＰの印加下において埋め込まれる（図４（Ｂ））。すなわち、開口部１０３Ｋ１には、磁界ＦＶの印加下において成長しためっき膜１０５のみが埋め込まれるのに対して、開口部１０３Ｋ２には、磁界ＦＶの印加下において成長しためっき膜１０５に加えて、磁界ＦＰの印加下において成長しためっき膜１０５も埋め込まれる。なお、図４（Ａ），（Ｂ）においてめっき膜１０５中に示した破線は、磁界ＦＶの印加下において成長しためっき膜１０５と磁界ＦＰの印加下において成長しためっき膜１０５との間の境界、すなわち磁界の印加方向の切り替え位置を示している。ここでは、例えば、めっき膜１０５の形成材料として、磁界の印加方向を切り替える前後で同一の磁性材料を使用していることにより、そのめっき膜１０５は単層膜として形成される。
【００２２】
続いて、例えば化学機械研磨法（ＣＭＰ）などの研磨法を使用して、少なくともフォトレジストパターン１０３が露出するまでめっき膜１０５に平坦化処理を施し、そのめっき膜１０５と共にシード膜１０４を部分的に除去することにより、図５に示したように、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２に埋め込まれためっき膜１０５のみを残存させる。この場合には、フォトレジストパターン１０３の露出後も引き続きめっき膜１０５に平坦化処理を施すことにより、そのめっき膜１０５の厚さを所望の厚さとなるように調整してもよい。
【００２３】
最後に、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）またはアセトンなどの有機溶剤を使用してフォトレジストパターン１０３を溶解除去することにより、図６に示したように、基体１０１上にシード膜１０４およびめっき膜１０５を残存させる。これにより、めっき膜１０５が完成する。
【００２４】
このめっき膜１０５は、図５〜図７に示したように、開口部１０３Ｋ１に形成された高アスペクト比（厚さ／幅）部分１０５１と、開口部１０３Ｋ２に形成された低アスペクト比部分１０５２とを有している。この高アスペクト比部分１０５１は、上端の幅Ｗ１０５１Ａが下端の幅Ｗ１０５１Ｂよりも大きい台形型（側面の傾斜角度θ）の断面形状を有しており、低アスペクト比部分１０５２は、上端の幅Ｗ１０５２Ａが下端の幅Ｗ１０５２Ｂよりも大きい台形型の断面形状を有している。この場合におけるアスペクト比とは、高アスペクト比部分１０５１について厚さＴ／最大幅Ｗ１０５１Ａであり、低アスペクト比部分１０５２について厚さＴ／最大幅Ｗ１０５２Ａである。
【００２５】
本実施の形態に係るめっき膜の形成方法では、基体１０１上に高アスペクト比（深さ／幅）の開口部１０３Ｋ１および低アスペクト比の開口部１０３Ｋ２を有するフォトレジストパターン１０３を形成し、少なくとも開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２における基体１０１の露出面１０１Ｍおよびフォトレジストパターン１０３の内壁面１０３Ｍを覆うようにシード膜１０４を形成したのち、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２におけるシード膜１０４上に、磁界ＦＶを印加しながら少なくとも開口部１０３Ｋ１を埋め込んだのち、磁界ＦＰを印加しながら少なくとも開口１０３Ｋ２を埋め込むように、磁性材料からなるめっき膜１０５を成長させているので、以下の理由により、そのめっき膜１０５の磁気特性を向上させることができる。
【００２６】
図８は、本実施の形態に係るめっき膜の形成方法に対する比較例を説明するためのものであり、図３および図４に対応した断面構成を示している。また、図９は、めっき膜の成長方向分布を説明するためのものであり、シード膜１０４のうちの主要部（めっき膜１０５の成長に実質的に寄与する部分）のみを抜粋して示している。
【００２７】
図８に示した比較例は、めっき膜１０５の成長途中において磁界ＦＶから磁界ＦＰに切り替えず、磁界ＦＰのみを印加しながらめっき膜１０５全体を成長させる点を除き、本実施の形態と同様の形成手順を経るものである。
【００２８】
図９に示したように、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２の間ではアスペクト比が異なるため、そのアスペクト比の違いによりめっき膜の成長方向分布に差異が生じる。すなわち、シード膜１０４上にめっき膜が成長する際には、高アスペクト比の（深さが幅よりも大きい）開口部１０３Ｋ１では、（Ａ）に示したように、深さ方向の成長成分ＧＶよりも幅方向の成長成分ＧＰが支配的となるため、その開口部１０３Ｋ１が実質的に幅方向の成長成分ＧＰにより埋め込まれる。一方で、低アスペクト比の（幅が深さよりも大きい）開口部１０３Ｋ２では、（Ｂ）に示したように、幅方向の成長成分ＧＰよりも深さ方向の成長成分ＧＶが支配的となるため、その開口部１０３Ｋ２が実質的に深さ方向の成長成分ＧＶにより埋め込まれる。
【００２９】
比較例では、図７〜図９に示したように、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２にめっき膜１０５を成長させる場合に、磁界ＦＰのみを印加しながら開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２を埋め込んでいるため、開口部１０３Ｋ２では実質的な成長成分ＧＶの方向に対して磁界ＦＰの印加方向が交差するが、開口部１０３Ｋ１では実質的な成長成分ＧＰの方向に対して磁界ＦＰの印加方向が交差しない。これにより、開口部１０３Ｋ２に形成されためっき膜１０５（低アスペクト比部分１０５２）については良好な磁気特性が得られるが、開口部１０３Ｋ１に形成されためっき膜１０５（高アスペクト比部分１０５１）については良好な磁気特性が得られない。
【００３０】
これに対して、本実施の形態では、図３、図４、図７および図９に示したように、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２にめっき膜１０５を成長させる場合に、磁界ＦＶを印加しながら開口部１０３Ｋ１を埋め込んだのち、磁界ＦＰを印加しながら開口部１０３Ｋ２を埋め込んでいるため、開口部１０３Ｋ２において実質的な成長成分ＧＶの方向に対して磁界ＦＰの印加方向が交差し、しかも開口部１０３Ｋ１においても実質的な成長成分ＧＰの方向に対して磁界ＦＶの印加方向が交差する。これにより、開口部１０３Ｋ２に形成されためっき膜１０５（低アスペクト比部分１０５２）および開口部１０３Ｋ１に形成されためっき膜１０５（高アスペクト比部分１０５１）の双方について良好な磁気特性が得られる。したがって、本実施の形態では、比較例よりもめっき膜１０５の磁気特性を向上させることができるのである。
【００３１】
なお、本実施の形態では、図３、図４および図６に示したように、めっき膜１０５の形成材料として磁界の印加方向を切り替える前後で同一の磁性材料を使用することにより、高アスペクト比部分１０５１および低アスペクト比部分１０５２がいずれも単層構造となるようにめっき膜１０５を形成したが、必ずしもこれに限られない。例えば、図３、図４および図６に対応する図１０および図１１に示したように、磁界の印加方向を切り替える前後で異なる磁性材料を使用することにより、低アスペクト比部分１０５２が２層構造となるようにめっき膜１０５を形成してもよい。具体的には、磁界ＦＶを印加しながら任意の磁性材料からなる下層１０５Ｌを形成したのち、その下層１０５Ｌ上に、磁界ＦＰを印加しながら下層１０５Ｌとは異なる磁性材料からなる上層１０５Ｈを形成することにより、高アスペクト比部分１０５１が下層１０５Ｌのみにより構成され、低アスペクト比部分１０５２が下層１０５Ｌおよび上層１０５Ｈにより構成されるようにする。この場合には、例えば飽和磁束密度などの磁気的物性を下層１０５Ｌと上層１０５Ｈとの間で異ならせることにより、めっき膜１０５の磁気特性を任意に制御することができる。
【００３２】
また、本実施の形態では、図１および図２に示したように、めっき膜１０５を形成するためのパターン膜としてフォトレジストパターン１０３を使用し、そのめっき膜１０５の完成後にフォトレジストパターン１０３を除去するようにしたが、必ずしもこれに限られない。例えば、図１および図２に対応する図１２〜図１５に示したように、めっき膜１０５を形成するためのパターン膜としてフォトレジストパターン１０３に代えて非磁性膜パターン１１０を使用し、そのめっき膜１０５の完成後において非磁性膜パターン１１０を残存させるようにしてもよい。
【００３３】
具体的には、まず、図１２に示したように、例えばスパッタリング法または化学蒸着法（ＣＶＤ）などを使用して、基体１０１の一面に非磁性膜１０６を形成する。この非磁性膜１０６の形成材料としては、フォトレジスト以外の非磁性材料であれば特に限定されず、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）などを使用する。続いて、非磁性膜１０６上にリフトオフマスク１０７を形成する。このリフトオフマスク１０７を形成する際には、例えば、非磁性膜１０６の表面にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜（図示せず）を形成したのち、フォトリソグラフィ法を使用してフォトレジスト膜をパターニングする。続いて、例えばスパッタリング法などを使用して、リフトオフマスク１０７およびその周辺の非磁性膜１０６を覆うようにエッチングマスク膜１０８を形成する。このエッチング膜１０８の形成材料としては、非磁性膜１０６よりもエッチングレートが遅い材料を使用し、例えば、タンタル（Ｔａ）、窒化チタン（ＴｉＮ）またはニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）などを使用する。
【００３４】
続いて、例えばＮＭＰまたはアセトンなどの有機溶剤を使用して、リフトオフマスク１０７をリフトオフし、それと共にエッチング膜１０８の一部を除去することにより、図１３に示したように、非磁性膜１０６上に、開口部１０９Ｋ１，１０９Ｋ２を有するエッチングマスク１０９を形成する。続いて、例えばイオンミリングまたはリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）などのドライエッチングや、ウェットエッチングを使用して、エッチングマスク１０９の開口部１０９Ｋ１，１０９Ｋ２を通じて非磁性膜１０６をエッチングすることにより、図１４に示したように、基体１０１上に、開口部１１０Ｋ１，１１０Ｋ２を有する非磁性膜パターン１１０を形成する。図１４に示した開口部１１０Ｋ１，１１０Ｋ２および内壁面１１０Ｍは、それぞれ図２に示した開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２および内壁面１０３Ｍに対応している。非磁性膜パターン１１０を形成するためにＲＩＥを使用する場合には、例えば、エッチングガスとして、アルゴン（Ａｒ）、塩素（Ｃｌ2 ）および三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）の混合ガスなどを使用する。こののち、図２〜図５を参照して説明した手順と同様の手順（シード膜１０４の形成からめっき膜１０５の平坦化に至る一連の手順）を経ることにより、図１５に示したように、非磁性膜パターン１１０の開口部１１０Ｋ１に高アスペクト比部分１０５１が形成されると共に、開口部１１０Ｋ２に低アスペクト比部分１０５２が形成されるため、めっき膜１０５が完成する。
【００３５】
この場合には、パターン膜としてフォトレジストパターン１０３を使用した場合とは異なり、完成後のめっき膜１０５を周囲から磁気的に分離したい場合に、その周囲にあらためて高物理的安定性の非磁性材料を埋め込む必要がなく、めっき膜１０５を形成するために使用した非磁性膜パターン１１０をそのまま使用すればよい。したがって、めっき膜１０５の形成工程を簡略化することができる。
【００３６】
確認までに説明しておくと、図１３に示した場合において、ＲＩＥを使用して非磁性膜１０６をエッチングする場合には、図１４に対応する図１６に示したように、開口部１１０Ｋ２の深さＤが開口部１１０Ｋ１の深さＤよりも大きくなる場合がある。なぜなら、ＲＩＥでは、開口面積が大きいほどエッチングレートが大きくなり、すなわち開口部１１０Ｋ１よりも開口部１１０Ｋ２においてエッチングレートが大きくなる傾向にあるからである。この場合においても、開口部１１０Ｋ１，１１０Ｋ２の間において上記したアスペクト比の関係が成立していれば、同様の効果を得ることができる。
【００３７】
また、本実施の形態では、図２および図７に示したように、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２の幅が基体１０１から離れるにしたがって次第に広がるようにフォトレジストパターン１０３の内壁面１０３Ｍを傾斜させることにより、高アスペクト比部分１０５１および低アスペクト比部分１０５２において上端の幅Ｗ１０５１Ａ，Ｗ１０５２Ａが下端の幅Ｗ１０５１Ｂ，Ｗ１０５２Ｂよりも大きくなるようにめっき膜１０５を形成したが、必ずしもこれに限られない。具体的には、図２および図７に対応する図１７および図１８に示したように、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２の上端の幅ＷＫ１Ａ，ＷＫ２Ａおよび下端の幅ＷＫ１Ｂ，ＷＫ２Ｂを一定にすることにより、高アスペクト比部分１０５１および低アスペクト比部分１０５２において上端の幅Ｗ１０５１Ａ，Ｗ１０５２Ａが下端の幅Ｗ１０５１Ｂ，Ｗ１０５２Ｂに等しくなるようにめっき膜１０５を形成してもよい。この場合においても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３８】
本実施の形態に係るめっき膜の形成方法は、高アスペクト比部分および低アスペクト比部分を有する磁性膜を備えた磁気デバイスの製造方法に適用可能であり、すなわちめっき膜の形成方法を使用して磁性膜を形成可能である。以下では、例えば、磁気デバイスを代表して、薄膜磁気ヘッドの製造方法にめっき膜の形成方法を適用する場合について説明する。
【００３９】
図１９および図２０は、磁気デバイスの製造方法を使用して製造される薄膜磁気ヘッドの構成を表しており、図１９は断面構成、図２０は主要部の拡大斜視構成をそれぞれ示している。図１９では、（Ａ）がエアベアリング面に平行な断面、（Ｂ）がエアベアリング面に直交する断面をそれぞれ示している。
【００４０】
この薄膜磁気ヘッドは、例えば、媒体進行方向Ｄに移動するハードディスクなどの磁気記録媒体（図示せず）に磁気的処理を施すために、ハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載されるものである。具体的には、薄膜磁気ヘッドは、例えば、磁気的処理として記録処理および再生処理の双方を実行可能な複合型ヘッドであり、図１９に示したように、例えばアルティックなどのセラミック材料により構成された基板１上に、例えばアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成された絶縁層２と、再生ヘッド部１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成された分離層７と、記録ヘッド部１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されたオーバーコート層１４とがこの順に積層された構造を有している。
【００４１】
再生ヘッド部１００Ａは、磁気抵抗効果（ＭＲ）を利用して再生処理を実行するものであり、例えば、下部リードシールド層３と、シールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とがこの順に積層された構造を有している。このシールドギャップ膜４には、磁気記録媒体に対向するエアベアリング面３０に一端面が露出するように、再生素子としてのＭＲ素子６が埋設されている。
【００４２】
下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、いずれもＭＲ素子６を周囲から磁気的に分離するものであり、エアベアリング面３０から後方に向かって延在している。これらの下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、いずれも例えばニッケル鉄合金（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されている。
【００４３】
シールドギャップ膜４は、ＭＲ素子６を周囲から電気的に分離するものであり、例えばアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。
【００４４】
ＭＲ素子６は、例えば巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）またはトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）などを利用して再生処理を実行するものである。
【００４５】
記録ヘッド部１００Ｂは、垂直磁気記録方式の記録処理を実行する垂直磁気記録ヘッドであり、例えば、補助磁極層８と、薄膜コイル１０を埋設するギャップ層９および連結部１１と、主磁極層２０とがこの順に積層された構造を有している。なお、図２０では、主磁極層２０の周辺構造を示している。
【００４６】
補助磁極層８は、主磁極層２０から放出された磁束を磁気記録媒体を経由して環流させるものであり、エアベアリング面３０から後方に向かって延在している。この補助磁極層８は、例えばニッケル鉄合金（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されている。
【００４７】
ギャップ層９は、ギャップ層部分９Ａ〜９Ｃを含んでいる。ギャップ層部分９Ａは、バックギャップ９ＡＧを有して補助磁極層８上に設けられており、例えば酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素などの非磁性絶縁性材料により構成されている。ギャップ層部分９Ｂは、薄膜コイル１０の各巻線間およびその周辺領域を覆うようにギャップ層部分９Ａ上に設けられており、例えば加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）またはスピンオングラス（ＳＯＧ）などの非磁性絶縁性材料により構成されている。ギャップ層部分９Ｃは、バックギャップ９ＣＧを有してギャップ層部分９Ａ，９Ｂ上に設けられており、例えば酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素などの非磁性絶縁性材料により構成されている。
【００４８】
薄膜コイル１０は、記録用の磁束を発生させるものであり、連結部１１を中心としてスパイラル状に巻回する巻線構造を有している。この薄膜コイル１０は、例えば銅（Ｃｕ）などの導電性材料により構成されている。なお、図１９および図２０では、薄膜コイル１０を構成する複数の巻線のうちの一部のみを示している。
【００４９】
連結部１１は、補助磁極層８と主磁極層２０との間を磁気的に連結させるためのものであり、例えばニッケル鉄合金（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されている。
【００５０】
主磁極層２０は、薄膜コイル１０において発生した磁束を磁気記録媒体に導くことにより、その磁気記録媒体を垂直方向に磁化するものである。この主磁極層２０は、エアベアリング面３０から後方に向かって延在することにより、バックギャップ９ＡＧ，９ＣＧにおいて連結部１１を介して補助磁極層８に磁気的に連結されている。特に、主磁極層２０は、例えば、ギャップ層部分９Ｃのうちの前方部分上に配設された磁極部分層１２と、その後方部分を周囲から覆うことにより磁気的に連結された磁極本体層１３とを含んで構成されている。
【００５１】
磁極部分層１２は、磁束の放出部分として機能するものであり、例えば、磁極本体層１３よりも飽和磁束密度が大きい磁性材料により構成されている。この磁極部分層１２の構成材料としては、例えば、鉄および窒素を含む材料や、鉄、ジルコニアおよび酸素を含む材料や、鉄およびニッケルを含む材料などが挙げられ、好ましくはニッケル鉄合金（例えばＮｉ：４５％，Ｆｅ：５５％）、窒化鉄（ＦｅＮ）、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）、鉄を含む合金（ＦｅＭ）、ならびに鉄およびコバルトを含む合金（ＦｅＣｏＭ）のうちの少なくとも１種が挙げられる。上記した構造式（ＦｅＭ，ＦｅＣｏＭ）中のＭは、例えば、ニッケル、窒素、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、珪素、アルミニウム、チタン（Ｔｉ）、ジルコニア、ハフニウム（Ｈｆ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル、ニオブ（Ｎｂ）、銅のうちの少なくとも１種である。
【００５２】
この磁極部分層１２は、エアベアリング面３０から後方に向かって延在しており、上記しためっき膜の形成方法を使用して形成されるめっき膜１０５（図７参照）に対応するものである。すなわち、磁極部分層１２は、エアベアリング面３０に近い側から順に、高アスペクト比部分１０５１に対応する磁極部分である先端部１２Ａと、低アスペクト比部分１０５２に対応するヨーク部分である後方部分１２Ｂとを有している。先端部１２Ａは、実質的な磁束の放出部分として機能するものであり、磁気記録媒体の記録トラック幅を規定する微細な一定幅を有している。後端部１２Ｂの幅は、例えば、後方において先端部１２Ａのよりも大きくなっていると共に、前方において先端部１２Ａに向かって次第に小さくなっている。
【００５３】
磁極本体層１３は、磁束の収容部分として機能するものであり、エアベアリング面３０よりも後退した位置から後方に向かって延在している。この磁極本体層１３は、例えば、磁極部分層１２の構成材料と同様の磁性材料により構成されており、特に、耐食性に優れ、かつ、磁極部分層１２よりも高抵抗な磁性材料により構成されている。
【００５４】
この薄膜磁気ヘッドは、主に、めっき法またはスパッタリング法などの成膜技術、フォトリソグラフィ法などのパターニング技術、ドライエッチング法またはウェットエッチング法などのエッチング技術、ＣＭＰ法などの平坦化技術を含む既存の薄膜プロセスを使用して、各構成要素を順次積層しながら形成することにより製造される。すなわち、図１９および図２０に示したように、まず、基板１上に絶縁層２を形成したのち、その絶縁層２上に、下部リードシールド層３と、ＭＲ素子６が埋設されたシールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とをこの順に形成することにより、再生ヘッド部１００Ａを形成する。続いて、再生ヘッド部１００Ａ上に分離層７を形成したのち、その分離層７上に、補助磁極層８と、薄膜コイル１０が埋設されたギャップ層９（ギャップ層部分９Ａ〜９Ｃ）および連結部１１と、主磁極層２０（磁極部分層１２，ヨーク部分層１３）とをこの順に形成することにより、記録ヘッド部１００Ｂを形成する。この場合には、上記しためっき膜の形成方法を使用して、めっき膜１０５として磁極部分層１２を形成する。特に、低アスペクト比の開口部を埋め込むようにめっき膜を成長させる際には、記録トラック幅方向（Ｘ軸方向）、すなわち主磁極層２０の延在方向（主磁極層２０から磁束が放出される方向）と交差する方向に磁界ＦＰを印加するのが好ましい。最後に、記録ヘッド部１００Ｂ上にオーバーコート層１４を形成したのち、機械加工や研磨加工を使用してエアベアリング面３０を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００５５】
この薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上記しためっき膜の形成方法を使用して、高アスペクト比の先端部１２Ａと低アスペクト比の後端部１２Ｂとを有する磁極部分層１２を形成しているので、その磁極部分層１２の磁気特性が向上する。したがって、磁気動作特性を安定させることができる。この場合には、記録トラック幅方向に磁界ＦＰを印加すれば、後述するポールイレージャの発生を抑制する観点において磁気特性をより向上させることができる。
【００５６】
特に、上記しためっき膜の形成方法を使用して磁極部分層１２を形成した場合には、以下の観点において利点が得られる。
【００５７】
垂直磁気記録方式の記録処理を実行する磁極部分層１２では、トレーリングエッジＴＥ、すなわち先端部１２Ａのエアベアリング面３０への露出面における媒体進行方向Ｄ側の端縁において、実質的に記録処理が行われる。したがって、磁極部分層１２では、実質的に記録処理に関わる先端部１２ＡのうちのトレーリングエッジＴＥの近傍部分において、良好な磁気特性が得られることが望ましい。
【００５８】
ここで、図３、図４、図７、図９および図２０を参照すると、磁極部分層１２の磁気特性を向上させる場合には、以下の点が懸念される。すなわち、先端部１２Ａは、磁界ＦＶの印加下において成長しためっき膜１０５だけを含むが、後端部１２Ｂは、磁界ＦＰの印加下において成長しためっき膜１０５だけでなく、磁界ＦＶの印加下において成長しためっき膜１０５も含んでしまう。
【００５９】
純粋に磁気特性の向上を追求するのであれば、磁界ＦＶの印加下において成長しためっき膜１０５を含まず、磁界ＦＰの印加下において成長しためっき膜１０５だけを含むように後端部１２Ｂが形成されるのが好ましい。しかしながら、後端部１２Ｂの体積（開口部１０３Ｋ２の容積）は先端部１２Ａの体積（開口部１０３Ｋ２の容積）よりも著しく大きいため、後端部１２Ｂ中では、磁界ＦＰの印加下において成長しためっき膜１０５が大部分を占めることとなる。また、実質的な記録処理は、後端部１２Ｂではなく、先端部１２ＡのうちのトレーリングエッジＴＥにおいて行われることから、めっき膜１０５の成長方向と磁界の印加方向とを互いに交差させるという理想的な関係は、少なくとも先端部１２Ａにおいて満たされていればよい。したがって、上記した理想的な関係が少なくとも先端部１２Ａにおいて満たされていれば、磁極部分層１２の実質的な磁気特性を向上させる上では十分であり、先端部１２Ａと後端部１２Ｂとの間に十分な体積差が確保されていれば、上記した懸念は深刻な問題までには至らない。
【００６０】
また、図３、図７、図９および図２０を参照すると、先端部１２Ａを形成するために開口部１０３Ｋ１にめっき膜１０５を成長させる場合、磁界ＦＶの印加方向に沿っためっき膜１０５の成長成分ＧＶが占める割合は、開口部１０３Ｋ１の下方よりも上方において少なくなる。なぜなら、基体１０１の露出面１０１Ｍから遠い開口部１０３Ｋ１の上方では、成長成分ＧＶよりも成長成分ＧＰが支配的になるからである。この磁界ＦＶの印加方向に沿った成長成分ＧＶは、上記した理想的な関係を満たさないため、磁極部分層１２の磁気特性を向上させるためにはできるだけ含みたくない成分である。この点に関して、先端部１２Ａが形成される際には、基体１０１から遠い側に位置するトレーリングエッジＴＥの近傍部分において、上記した磁界ＦＶの印加方向に沿った成長成分ＧＶの占める割合が少なくなるため、磁極部分層１２の実質的な磁気特性を向上させる上で望ましいこととなる。したがって、磁界ＦＶの印加方向に沿った成長成分ＧＶが先端部１２Ａ中に含まれるとしても、上記しためっき膜形成方法を使用して磁極部分層１２を形成すれば、その成長成分ＧＶの占める割合がトレーリングエッジＴＥの近傍部分においてより少なくなるため、そのめっき膜の形成方法は磁極部分層１２の磁気特性向上に有利に働く。
【００６１】
なお、上記した薄膜磁気ヘッドの製造方法では、薄膜磁気ヘッドが複合型薄膜磁気ヘッドである場合について説明したが、必ずしもこれに限られず、例えば、記録用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。もちろん、薄膜磁気ヘッドは、記録用の素子および再生用の素子の積層順序を逆転させた構造を有していてもよい。
【実施例】
【００６２】
次に、本発明に関する実施例について説明する。
【００６３】
（実施例１）
本発明の磁気デバイスの製造方法を使用して、図１９および図２０に示した磁極部分層１２を形成することにより、薄膜磁気ヘッドを製造した。この磁極部分層１２を形成する際には、まず、酸化アルミニウムからなるギャップ層部分９Ｃの表面に、ポリヒドロキシスチレン系化学増幅型レジスト（ＰＨＳ−ＣＡＲ）を塗布してベークすることにより、フォトレジスト膜１０２（３００ｎｍ厚）を形成した。続いて、フォトリソグラフィ法を使用してフォトレジスト膜１０２をパターニングすることにより、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２を有するフォトレジストパターン１０３を形成した。このフォトリソグラフィ工程では、露光源としてステッパ（露光波長＝２４８ｎｍ）を使用した。続いて、スパッタリング法を使用して、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２におけるギャップ層部分９Ｃの露出面およびフォトレジストパターン１０３を覆うように、タンタルからなるシード膜１０４（３０ｎｍ厚）を形成した。続いて、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２におけるシード膜１０４上に、一対のヘルムホルムコイルを使用してギャップ層部分９Ｃの面と交差する方向に１０００×１０3 （４π）Ａ／ｍ（＝１０００Ｏｅ）の磁界ＦＶを印加しながら開口部１０３Ｋ１を埋め込んだのち、他の一対のヘルムホルムコイルを使用してギャップ層部分９Ｃの面に沿った方向（記録トラック幅方向）に１０００×１０3 （４π）Ａ／ｍの磁界ＦＰを印加しながら開口部１０３Ｋ２を埋め込むように、ニッケル鉄コバルト合金からなるめっき膜１０５（３００ｎｍ厚）を成長させた。この場合には、めっき膜１０５の成長厚さが磁界ＦＶ，ＦＰの印加時においてそれぞれ１００ｎｍ，２００ｎｍとなるようにした。続いて、ＣＭＰ法を使用して、フォトレジストパターン１０３が露出するまでめっき膜１０５およびシード膜１０４を研磨した。このＣＭＰ工程では、発砲ポリウレタンパッドおよびアルミナスラリー（粒径＝２５０ｎｍ）を使用した。最後に、アセトンを使用してフォトレジストパターン１０３を溶解除去することにより、めっき膜１０５からなる磁極部分層１２が完成した。
【００６４】
（実施例２）
めっき膜１０５の形成材料として、磁界ＦＶ，ＦＰの印加時にそれぞれ鉄コバルト合金およびニッケル鉄コバルト合金を使用した点を除き、実施例１と同様の手順を経た。
【００６５】
（比較例１）
磁界ＦＰのみを印加しながらめっき膜１０５を成長させた点を除き、実施例１と同様の手順を経た。
【００６６】
（比較例２）
磁界ＦＰのみを印加しながらめっき膜１０５を成長させた点を除き、実施例２と同様の手順を経た。
【００６７】
これらの実施例１，２および比較例１，２の薄膜磁気ヘッドの記録動作の安定性を調べたところ、表１に示した結果が得られた。表１は、ポールイレージャの発生状況を表しており、磁極部分層１２の形成材料、磁界の印加方向および不良率（％）を示している。このポールイレージャとは、磁気記録媒体に記録済みの情報が非記録（非通電）状態の薄膜磁気ヘッドにより意図せずに消去される現象である。ポールイレージャの発生状況を調べる際には、磁気記録媒体上の特定のセクタＡに情報を記録しておき、他のセクタＢで記録処理を完了した非通電状態の薄膜磁気ヘッド（強制磁化された磁極部分層１２）を通常の浮上高さでセクタＡ上において５００回通過させたのち、セクタＡの再生信号強度を測定することにより、その再生信号強度の低下率（５００回通過後の再生信号強度／５００回通過前の再生信号強度）×１００を不良率として算出した。この場合には、試験条件として、実効記録トラック幅＝２２０ｎｍ，記録周波数＝１８０ＭＨｚ，記録電流（ゼロ・ピーク）＝３０ｍＡ，実効再生トラック幅＝１１０ｎｍ，再生電圧＝１２０ｍＶ，磁気記録媒体の保持力＝４０００×１０3 （４π）Ａ／ｍ（＝４０００Ｏｅ）とした。なお、実施例１，２および比較例１，２の間では、磁極部分層１２以外の薄膜磁気ヘッドの構成条件を同様に設定した。
【００６８】
【表１】
2008041198.tif 000003
【００６９】
表１に示した結果から判るように、磁極部分層１２の形成材料としてニッケル鉄コバルト合金を使用した場合の不良率は、実施例１および比較例１においてそれぞれ２５％および５０％であり、比較例１よりも実施例１において小さくなった。また、磁極部分層１２の形成材料として鉄コバルト合金およびニッケル鉄コバルト合金を使用した場合の不良率は、実施例２および比較例２においてそれぞれ１０％および３０％であり、比較例２よりも実施例２において小さくなった。このことから、本発明の磁気デバイスの製造方法では、本発明のめっき膜の形成方法を使用して磁極部分層１２を形成することにより、その磁極部分層１２の磁気特性が向上するため、ポールイレージャが発生しにくくなることが確認された。
【００７０】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例において説明した態様に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、アスペクト比（深さ／幅）が１よりも大きい開口部１０３Ｋ１とアスペクト比が開口部１０３Ｋ１よりも小さい開口部１０３Ｋ２とを互いに連結させるようにしたが、必ずしもこれに限らず、開口部１０３Ｋ１，１０３Ｋ２において並列的にめっき膜１０５を成長させるのであれば、それらが互いに離間されていてもよい。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７１】
また、上記実施の形態では、本発明の磁気デバイスの製造方法を薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限らず、高アスペクト比（厚さ／幅）部分および低アスペクト比部分を有する磁性膜を備えていれば、薄膜磁気ヘッド以外の他の磁気デバイスにも適用可能である。この種の磁性膜を備えた他の磁気デバイスとしては、例えば、磁気ヨークを備えた磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）や、インダクタンス向上用の磁性膜を備えた薄膜インダクタなどが挙げられる。これらの場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明に係るめっき膜の形成方法は、例えば垂直磁気記録ヘッドなどの磁気デバイスの製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の一実施の形態に係るめっき膜の形成方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図１〜図６に示しためっき膜の形成方法を使用して形成されるめっき膜の構成を表す斜視図である。
【図８】本発明の一実施の形態に係るめっき膜の形成方法に対する比較例を説明するための断面図である。
【図９】めっき膜の成長方向分布を説明するための図である。
【図１０】本発明の一実施の形態に係るめっき膜の形成方法に関する変形例を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態に係るめっき膜の形成方法に関する他の変形例を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図である。
【図１６】図１３に続く他の工程を説明するための他の断面図である。
【図１７】本発明の一実施の形態に係るめっき膜の形成方法に関するさらに他の変形例を説明するための断面図である。
【図１８】図１７に示しためっき膜の形成方法を使用して形成されるめっき膜の構成を表す斜視図である。
【図１９】本発明の一実施の形態に係るめっき膜の形成方法を適用した薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用して製造される薄膜磁気ヘッドの構成を表す断面図である。
【図２０】図１９に示した薄膜磁気ヘッドのうちの主要部の構成を拡大して表す斜視図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０１…基体、１０１Ｍ…露出面、１０２…フォトレジスト膜、１０３…フォトレジストパターン、１０３Ｋ１，１０３Ｋ２，１０９Ｋ１，１０９Ｋ２，１１０Ｋ１，１１０Ｋ２…開口部、１０３Ｍ，１１０Ｍ…内壁面、１０４…シード膜、１０５…めっき膜、１０５Ｌ…下層、１０５Ｈ…上層、１０６…非磁性膜、１０７…リフトオフマスク、１０８…エッチングマスク膜、１０９…エッチングマスク、１１０…非磁性膜パターン、１０５１…高アスペクト比部分、１０５２…低アスペクト比部分、Ｄ…深さ、ＦＰ，ＦＶ…磁界、ＧＰ，ＧＶ…成長成分、Ｔ…厚さ、ＷＫ１Ａ，ＷＫ１Ｂ，ＷＫ２Ａ，ＷＫ２Ｂ，Ｗ１０５１Ａ，Ｗ１０５１Ｂ，Ｗ１０５２Ａ，Ｗ１０５２Ｂ…幅、θ…傾斜角度。
【図１】
2008041198.tif 000004
【図２】
2008041198.tif 000005
【図３】
2008041198.tif 000006
【図４】
2008041198.tif 000007
【図５】
2008041198.tif 000008
【図６】
2008041198.tif 000009
【図７】
2008041198.tif 000010
【図８】
2008041198.tif 000011
【図９】
2008041198.tif 000012
【図１０】
2008041198.tif 000013
【図１１】
2008041198.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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