(57)【要約】【課題】検査コスト及び不良品の処理コストの和であるトータルコストが最小になる理論検査間隔と現状の検査間隔との差分を認識しやすい形式で表示する検査間隔表示装置を提供する。【解決手段】本発明に係る検査間隔表示装置は、前記複数の検査工程それぞれ毎に、実際の検査間隔を保持するデータ保持部５と、半導体装置の製造における複数の検査工程それぞれ毎に、検査コスト及び不良品の処理コストの和であるトータルコストを最小値にするための理論検査間隔を算出する演算部４と、データ保持部３から実際の検査間隔を読み出し、実際の検査間隔と理論検査間隔の差分である第１の差分を前記複数の検査工程それぞれ毎に算出し、前記複数の検査工程それぞれ毎に算出された複数の前記第１の差分を同時に表示するグラフを生成するグラフ生成部６と、前記グラフ生成部が生成したグラフを表示する表示部７とを具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造における複数の検査工程それぞれ毎に、検査コスト及び不良品の処理コストの和であるトータルコストを最小値にするための理論検査間隔を算出する理論検査間隔算出部と、
前記複数の検査工程それぞれ毎に、実際の検査間隔を保持する検査間隔保持部と、
前記検査間隔保持部から前記実際の検査間隔を読み出し、前記実際の検査間隔と前記理論検査間隔の差分である第１の差分を前記複数の検査工程それぞれ毎に算出し、前記複数の検査工程それぞれ毎に算出された複数の前記第１の差分を同時に表示するグラフを生成するグラフ生成部と、
前記グラフ生成部が生成したグラフを表示する表示部と、
を具備する検査間隔表示装置。
【請求項２】
前記半導体装置の製造において、少なくとも一つの工程において同一の処理を行う複数の処理装置が使用され、
前記検査間隔保持部は、半導体装置の品質保持に必要な検査間隔の最小値である品質保持検査間隔、前記複数の処理装置間のばらつきを基準値以下にするために必要な検査間隔の最小値である調整検査間隔それぞれを、前記複数の検査工程それぞれに対応付けて保持し、
前記グラフ生成部は、前記検査間隔保持部から前記品質保持検査間隔及び前記調整検査間隔を読み出し、前記品質保持検査間隔及び前記調整検査間隔のうち値が小さい方と前記理論検査間隔との差分である第２の差分を前記複数の検査工程それぞれ毎に算出し、前記グラフにおいて、前記複数の検査工程それぞれ毎に算出された複数の前記第２の差分を、前記複数の第１の差分とともに同時に表示する請求項１に記載の検査間隔表示装置。
【請求項３】
前記半導体装置の製造において、少なくとも一つの工程において同一の処理を行う複数の処理装置が使用され、
前記検査間隔保持部は、半導体装置の品質保持に必要な検査間隔の最小値である品質保持検査間隔、前記複数の処理装置間のばらつきを基準値以下にするために必要な検査間隔の最小値である調整検査間隔それぞれを、前記複数の検査工程それぞれに対応付けて保持し、
前記品質保持検査間隔、前記調整検査間隔、及び前記理論検査間隔のうち最も値が小さい検査間隔を、改善後の実際の検査間隔として設定する改善後検査間隔設定部を更に具備する請求項１に記載の検査間隔表示装置。
【請求項４】
前記理論検査間隔算出部は、一定期間ごとに、不良品の発生率を取得して該発生率を用いて不良品処理に必要なコストを算出し、該算出した不良品処理に必要なコストを用いて前記理論検査間隔を前記一定期間ごとに更新し、
前記グラフ生成部は、前記理論検査間隔が更新されるたびに、前記第１の差分を更新し、前記第１の差分が更新されるたびに、前記グラフを更新する請求項１〜３のいずれか一項に記載の検査間隔表示装置。
【請求項５】
半導体装置の製造工程における検査のタイプを示すタイプ情報を検査工程毎に保持する工程データベースを更に具備し、
前記理論検査間隔算出部は、前記検査工程毎に、前記工程データベースから前記タイプ情報を読み出し、該タイプ情報に基づいて複数の計算式から一つの計算式を選定し、該選定した計算式を用いて前記理論検査間隔を算出する請求項１〜４のいずれか一項に記載の検査間隔表示装置。
【請求項６】
コンピュータによって実行可能なプログラムであって、
前記コンピュータに、
半導体装置の製造工程における複数の検査工程それぞれ毎に、検査コスト及び不良品の処理コストの和であるトータルコストを最小値にするための理論検査間隔を算出する機能と、
実際の検査間隔と前記理論検査間隔の差分である第１の差分を前記複数の検査工程それぞれ毎に算出し、前記複数の検査工程それぞれ毎に算出された複数の前記第１の差分を同時に表示するグラフを生成する機能と、
を実現させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造工程における検査間隔の適正値を表示する検査間隔表示装置及びプログラムに関する。特に本発明は、検査コスト及び不良品の処理コストの和であるトータルコストが最小になる理論検査間隔と現状の検査間隔との差分を認識しやすい形式で表示する検査間隔表示装置及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する場合、不良率を下げるために一定の間隔で検査を行い、製造ラインに異常があるか否かを検査する。一般的に検査間隔を短くすると不良率は下がるが、代わりに検査費用が増大する。このため、費用対効果に基づいて適正な検査間隔を設定する必要がある。費用対効果に基づいて適正な検査間隔を算出する従来の方法として、異なる複数の検査装置間の性能上の相関を求め、検査費用と不良品による損失期待値の和で表される総合損失期待値が最小となる検査間隔を算出する方法がある。（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２６９２９４号公報（第６５〜６８段落）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の特許文献に記載された技術では、算出された検査間隔に対して現状の検査間隔がどの程度ずれていたかを認識することは難しかった。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、検査コスト及び不良品の処理コストの和であるトータルコストが最小になる理論検査間隔と現状の検査間隔との差分を認識しやすい形式で表示することができる検査間隔表示装置及びプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明に係る検査間隔表示装置は、半導体装置の製造における複数の検査工程それぞれ毎に、検査コスト及び不良品の処理コストの和であるトータルコストを最小値にするための理論検査間隔を算出する理論検査間隔算出部と、
前記複数の検査工程それぞれ毎に、実際の検査間隔を保持する検査間隔保持部と、
前記検査間隔保持部から前記実際の検査間隔を読み出し、前記実際の検査間隔と前記理論検査間隔の差分である第１の差分を前記複数の検査工程それぞれ毎に算出し、前記複数の検査工程それぞれ毎に算出された複数の前記第１の差分を同時に表示するグラフを生成するグラフ生成部と、
前記グラフ生成部が生成したグラフを表示する表示部とを具備する。
【０００６】
この検査間隔表示装置によれば、前記グラフを見ることにより、作業者等は前記実際の検査間隔と前記理論検査間隔の差分である前記第１の差分を視覚的に認識することができる。また、前記グラフには、前記複数の検査工程それぞれ毎に算出された複数の前記第１の差分が同時に表示されているため、前記第１の差分を視覚的に認識しやすい。
【０００７】
前記半導体装置の製造において、少なくとも一つの工程において同一の処理を行う複数の処理装置が使用されている場合、
前記検査間隔保持部は、半導体装置の品質保持に必要な検査間隔の最小値である品質保持検査間隔、前記複数の処理装置間のばらつきを基準値以下にするために必要な検査間隔の最小値である調整検査間隔それぞれを、前記複数の検査工程それぞれに対応付けて保持し、
前記グラフ生成部は、前記検査間隔保持部から前記品質保持検査間隔及び前記調整検査間隔を読み出し、前記品質保持検査間隔及び前記調整検査間隔のうち値が小さい方と前記理論検査間隔との差分である第２の差分を前記複数の検査工程それぞれ毎に算出し、前記グラフにおいて、前記複数の検査工程それぞれ毎に算出された複数の前記第２の差分を、前記複数の第１の差分とともに同時に表示してもよい。
【０００８】
前記半導体装置の製造において、少なくとも一つの工程において同一の処理を行う複数の処理装置が使用されている場合、
前記検査間隔保持部は、半導体装置の品質保持に必要な検査間隔の最小値である品質保持検査間隔、前記複数の処理装置間のばらつきを基準値以下にするために必要な検査間隔の最小値である調整検査間隔それぞれを、前記複数の検査工程それぞれに対応付けて保持し、
前記品質保持検査間隔、前記調整検査間隔、及び前記理論検査間隔のうち最も値が小さい検査間隔を、改善後の実際の検査間隔として設定する改善後検査間隔設定部を更に具備してもよい。
【０００９】
前記理論検査間隔算出部は、一定期間ごとに、不良品の発生率を取得して該発生率を用いて不良品処理に必要なコストを算出し、該算出した不良品処理に必要なコストを用いて前記理論検査間隔を前記一定期間ごとに更新し、前記グラフ生成部は、前記理論検査間隔が更新されるたびに前記第１の差分を更新し、前記第１の差分が更新されるたびに前記グラフを更新してもよい。
【００１０】
半導体装置の製造工程における検査のタイプを示すタイプ情報を検査工程毎に保持する工程データベースを更に具備し、前記理論検査間隔算出部は、前記検査工程毎に、前記工程データベースから前記タイプ情報を読み出し、該タイプ情報に基づいて複数の計算式から一つの計算式を選定し、該選定した計算式を用いて前記理論検査間隔を算出してもよい。
【００１１】
本発明に係るプログラムは、コンピュータによって実行可能なプログラムであって、前記コンピュータに、
半導体装置の製造工程における複数の検査工程それぞれ毎に、検査コスト及び不良品の処理コストの和であるトータルコストを最小値にするための理論検査間隔を算出する機能と、
実際の検査間隔と前記理論検査間隔の差分である第１の差分を前記複数の検査工程それぞれ毎に算出し、前記複数の検査工程それぞれ毎に算出された複数の前記第１の差分を同時に表示するグラフを生成する機能とを実現させるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施形態に係る製造工程における検査間隔算出方法について説明する。本方法は、検査間隔表示装置を用いて検査コスト及び不良品の処理コストの和であるトータルコストが最小になる理論検査間隔を算出し、算出した理論検査間隔と現状の検査間隔との差分をグラフ表示する方法である。本方法の対象となる製造工程は、例えば半導体装置の製造工程である。
【００１３】
図１は、検査間隔表示装置の構成を説明する為のブロック図である。この検査間隔表示装置は、演算部４、推奨検査間隔設定部５、グラフ生成部６、及び表示部７を有している。
【００１４】
演算部４は、工程データベース１が保持するデータに基づいて、検査コスト及び不良品の処理コストを算出してデータ保持部３に格納する。また演算部４は、半導体装置の製造過程における検査のタイプを示すタイプ情報を工程データベース１から読み出し、読み出したタイプ情報に対応する計算式を複数の計算式から選定する。そして演算部４は、選定した計算式を用いて、検査コスト及び不良品の処理コストの和であるトータルコストが最小になる理論検査間隔を、前記検査工程毎に算出し、データ保持部３に格納する。
なお、演算部４が行う処理の詳細は、フローチャートを用いて後述する。
【００１５】
推奨検査間隔設定部５は、半導体装置の品質保持に必要な検査間隔の最小値である品質保持検査間隔を工程データベース１から読み出し、かつ処理装置間のばらつきを基準値以下にするために必要な検査間隔の最小値である調整検査間隔をＣＨ間差確認データベース２から読み出す。そして推奨検査間隔設定部５は、読み出した品質保持検査間隔、調整検査間隔、及び理論検査間隔の最小値を選択し、推奨検査間隔に設定する。なお、推奨検査間隔設定部５が行う処理の詳細は、フローチャートを用いて後述する。
【００１６】
グラフ生成部６は推奨検査間隔と現状の検査間隔の差分を表示するグラフを生成し、表示部７はグラフ生成部６が生成したグラフを表示する。グラフ生成部６が行う処理の詳細は、フローチャートを用いて後述する。
【００１７】
図２は、工程データベース１をテーブル形式で示す図である。工程データベース１は、検査の詳細を示す検査データ及びコストデータを検査工程ごとに保持している。検査データは、例えば「目的工程の処理形態」、「不合格時の処置」、「検査の種類」、「調整間隔」及び「品質保持検査間隔」を有している。「目的工程の処理形態」とは、その工程における処理形態を示しており、具体的には枚葉処理やバッチ処理である。「不合格時の処置」とは、不合格時にそのウェハをどのように処理するかを示しており、具体的にはリワーク（再加工）又は加工不良（廃棄）である。「調整間隔」とは、その工程における不合格率すなわち不良率の逆数を示しており、理論検査間隔の算出に用いられる。「検査の種類」とは、上記したタイプ情報であり、検査における合否の判定方法を示している。例えば、Ｆは数値により合否を判定することを示しており、Ｓは目視等の外観検査により合否を判定することを示しており、Ｄはキズやゴミの付着有無によりウェハの欠陥を判定することを示している。また、「検査の種類」の分類は、理論検査間隔の計算方式を選定の際に参照される。「品質保持検査間隔」とは品質を維持するために必要な検査間隔であり、例えば全枚数検査が必要な場合の検査間隔は、１．０枚である。なお、「制約条件」が無い場合は空欄となっている。
【００１８】
また、図２に示すようにコストデータとしては、検査工程ごとに例えば、「１枚あたりの実処理コスト」、「１枚あたりの人件費」、「累積工程加工費」、「リワークコスト」、「バッチサイズ」、及び「１バッチあたりの検査枚数」がある。「１枚あたりの実処理コスト」は、ウェハ１枚あたりのその工程の検査又は処理コストである。「１枚あたりの人件費」は、ウェハ１枚あたりのその工程の人件費である。「累積加工費」は、ウェハ１枚の原価及びその工程までにウェハ１枚にかけられた検査コスト及び処理コストの累積コストの和である。「リワークコスト」は、再加工時に必要なウェハ１枚あたりのコストである。「バッチサイズ」は、検査対象となる処理がバッチ処理である場合において一度に処理するウェハの枚数（例えば１００枚）である。「１バッチあたりの検査枚数」は、検査対象となる処理がバッチ処理である場合において一回の検査において抜き取られるウェハの枚数である（例えば、３枚／１００枚）。また、「１枚あたりの人件費」及び「リワークコスト」は、例えば作業時間入力データベース（図示せず）及びリワークコストデータベース（図示せず）に保持しているデータベースから工程ごとに基づいて読み出される。
【００１９】
図３は、ＣＨ間差確認データベース２が保持するデータをテーブル形式で示す図である。ＣＨ間差確認データベース２は、同一の処理を行う複数の処理装置間のばらつきを基準値以下にするために必要な検査間隔の最小値である調整検査間隔を、各検査工程ごとに保持している。
【００２０】
図４は、データ保持部３が保持する損失計算パラメータをテーブル形式で示す図である。本図に示すように工程データベース１は、工程ごとに、「不合格損失」、「検査コスト」、検査間隔データ、及びコストデータを保持している。「不合格損失」は、不良品が発生することにより生じるコストを示している。「検査コスト」は、一回の検査に必要なコストを示している。「不合格損失」及び「検査コスト」の算出方法はフローチャートを用いて後述する。
【００２１】
また、検査間隔データには、演算部４が算出した理論検査間隔、品質保持検査間隔及び理論検査間隔のうち小さい方の値である制約検査間隔、調整検査間隔、現状検査間隔、制約検査間隔および調整検査間隔のうち小さい方の値である推奨検査間隔、及び改善後の検査間隔の各項目がある。コストデータには、現状の検査間隔における不良品の発生による損失コスト、及び現状の検査間隔における検査コストがある。
【００２２】
図５は、検査間隔表示装置の動作を説明するフローチャートである。まず、演算部４は工程データベース１から、検査工程別の検査データ及びコストデータを読み出す（Ｓ１）。次いで、演算部４は、読み出した検査データ及びコストデータから、検査工程毎に、不合格品が出たときの損失（Ｓ２）及び検査を行ったときのコスト（Ｓ３）を算出する。また演算部４は、現状の検査間隔における不合格損失コスト及び検査コストを算出し、データ保持部３に格納する。次いで、演算部４は、検査工程毎に、工程データベース１から読み出したデータ、並びに不合格損失及び検査コストから理論検査間隔を算出し、データ保持部３に格納する（Ｓ４）。
【００２３】
そして推奨検査間隔設定部５は、工程データベース１から品質保証検査間隔を読み出し、品質保証検査間隔と理論検査間隔の最小値を選択することにより、制約検査間隔を検査工程毎に決定し、データ保持部３に格納する（Ｓ５）。なお、工程データベース１の「品質保証検査間隔」欄にデータが格納されていない場合、理論検査間隔がそのまま制約検査間隔になる。
【００２４】
そして推奨検査間隔設定部５は、ＣＨ間差確認データベース２からＣＨ間差確認の最小検査間隔を読み出し（Ｓ６）、制約検査間隔及びＣＨ間差確認に必要な最小検査間隔のうち最小値を選択することにより、最適な検査間隔である推奨検査間隔を検査工程毎に決定し、データ保持部３に格納する（Ｓ７）。
【００２５】
その後、グラフ生成部６は理論検査間隔と現状の検査間隔の差分を検査工程毎に算出し、かつ理論検査間隔と推奨検査間隔の差分を検査工程毎に算出する。そしてグラフ生成部６は、算出した検査工程ごとに算出された２種類の差分を全て同時に表示するグラフを生成する（Ｓ８）。またグラフ生成部６は、現状の検査間隔における不合格損失コスト及び検査コストをデータ保持部３から読み出し、これらのコストを表示するグラフを生成する。
その後、表示部７はグラフ生成部６が生成したグラフを表示し、作業者に認識させる（Ｓ９）。
【００２６】
そして作業者は表示されたグラフに基づいて、改善後の検査間隔を検査工程毎に決定し、検査間隔表示装置に入力する（Ｓ１０）。改善後の検査間隔が入力されると、グラフ生成部６は、入力された検査間隔をデータ保持部３に格納する。さらにグラフ生成部６は、入力された検査間隔と理論検査間隔の差分を算出し、算出した差分をＳ８で生成したグラフに追加することによりグラフを更新し（Ｓ１１）、更新後のグラフを表示部７に表示させる（Ｓ１２）。
【００２７】
図６は、図５の不合格損失算出処理（Ｓ２）の詳細例を説明する為のフローチャートである。まず、演算部４は、工程データベース１が保持する検査データに基づいて、工程ごとの不合格時の処置を確認する（Ｓ２１）。不合格時の処置が加工不良（廃棄）の場合は、演算部４は、工程データベース１が保持するコストデータから累積加工費を読み出す（Ｓ２２）。また、不合格時の処置がリワーク（再加工）の場合、演算部４は、図２に示すコストデータからリワークコストを読み出す（Ｓ２３）。
【００２８】
次いで、演算部４は、工程データベース１が保持する検査データに基づいて処理形態を確認する（Ｓ２４）。処理形態がバッチの場合は、演算部４は、Ｓ２２又はＳ２３で読み出した累積加工費又はリワークコストにバッチサイズを乗ずる（Ｓ２５）。そして、Ｓ２５で求めた値がこの工程における不合格損失となる。また、処理形態が枚葉の場合、Ｓ２２又はＳ２３で読み出した累積加工費又はリワークコストが不合格損失となる。そして演算部４は、算出した不合格損失を工程データベース１が保持する調整間隔で除することにより、現状の検査間隔における不合格損失コストを算出する（Ｓ２６）。そして、すべての検査工程における不合格損失を算出すると作業を終了する（Ｓ２７）。
【００２９】
図７は、図５の検査コスト算出（Ｓ３）の詳細例を説明する為のフローチャートである。まず、演算部４は、工程データベース１が保持するコストデータに基づいて、工程ごとの一枚あたりの実処理コスト及び一枚あたりの人件費を読み出し、これらの和を算出する（Ｓ３１）。
【００３０】
次いで、演算部４は、図２に示す検査データに基づいて処理形態を確認する（Ｓ３２）。ここで、処理形態がバッチの場合は、演算部４は、Ｓ３１で算出した値にバッチあたり検査枚数を乗ずる（Ｓ３３）。そして、Ｓ３３で求めた値がこの工程における検査コストとなる。また、処理形態が枚葉の場合は、Ｓ３１で算出した値がこの工程における検査コストとなる。そして演算部４は、算出した検査コストを現状の検査間隔で除することにより、現状の検査間隔における不合格損失コストを算出する（Ｓ３４）。そして、全工程における検査コストを算出すると作業を終了する（Ｓ３５）。
【００３１】
図８は、図５の理論検査間隔算出（Ｓ４）の詳細例を説明する為のフローチャートである。まず、演算部４は、図２に示す検査の種類に基づいて計算方式の選定を行う。検査の種類がＤ（キズやゴミの付着有無によりウェハの欠陥を判定）の場合（Ｓ４１：Ｙｅｓ）は、検査コスト及び不良品の処理コストの和が最小となる検査間隔を理論検査間隔にする（Ｓ４２）。検査の種類がＦ（数値により合否を判定）の場合（Ｓ４１：ＮｏかつＳ４３：Ｙｅｓ）、下記式１に基づいて理論検査間隔を算出する。また検査の種類がＳ（目視等の外観検査により合否を判定）の場合（Ｓ４１：ＮｏかつＳ４３：Ｎｏ）、下記式２に基づいて理論検査間隔を算出する。そして算出した理論検査間隔をデータ保持部３に格納する。
理論検査間隔＝（２×調整間隔×検査コスト／不合格損失）１／２×α  …式１  ただしα：調整値
理論検査間隔＝（２×調整間隔×検査コスト／不合格損失）１／２      …式２
【００３２】
図９は、図８のＳ４２を説明するためのグラフである。本グラフにおいて、横軸は検査間隔を示しており、縦軸はコストを示している。点線は検査コストを示しており、一点鎖線は、一工程おける不合格損失期待値を示しており、図４で示した不良品が発生することにより生じるコスト（不合格損失）及び不合格発生率の逆数（調整間隔）から算出される。実線は、一工程における検査コスト及び不合格損失期待値の和であり、トータルコストを示している。
【００３３】
本図に示すように、検査頻度が多くなるにつれて（すなわち検査間隔が短くなるにつれて）、不良品が発生する確率が低くなるため、不良コスト期待値は低くなる。その一方、検査コストは高くなる。そして、トータルコストが最小値となる検査間隔を理論検査間隔とする。
【００３４】
図１０は、図５のＳ１１において表示部７が表示するグラフの一例を示す図である。本図において、グラフには、現状の検査頻度と理論検査頻度の差分、推奨検査頻度と理論検査頻度の差分、及び改善検査頻度と理論検査頻度の差分がプロットされている。このグラフを見ることにより、作業者は、現状の検査頻度、推奨検査頻度、及び改善検査頻度が、理論検査頻度に対して過剰であるか不足しているかを視覚的に認識することができる。
【００３５】
また、このグラフには、現状の検査間隔における不合格損失コスト及び検査コストが工程毎に棒グラフで表示されている。このため、現状の検査間隔における不合格損失コスト及び検査コストを視覚的に認識することができる。
【００３６】
なお、上記した検査間隔表示装置は、上記した機能を有するプログラムをコンピューターシステムにインストールすることにより、実現される。このプログラムは、例えば、記録媒体を介してコンピューターシステムにインストールされる。プログラムを格納する記録媒体は、例えばフロッピー（登録商標）ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−Ｒ／Ｗ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＯ、及び半導体メモリー等のリムーバブルディスク、若しくはハードディスクであるが、これら以外であってもよい。また、このプログラムは、インターネット等の通信回線を介してダウンロードされることにより、コンピューターシステムにインストールされてもよい。
【００３７】
以上、本実施形態によれば、現状の検査頻度と理論検査頻度の差分、推奨検査頻度と理論検査頻度の差分、及び改善検査頻度と理論検査頻度の差分がグラフ表示されるため、作業者は、現状の検査頻度、推奨検査頻度、及び改善検査頻度が、理論検査頻度に対して過剰であるか不足しているかを視覚的に認識することができる。
【００３８】
図１１は、第２の実施形態に係る検査間隔表示装置の動作を説明する為のフローチャートである。本実施形態に係る検査間隔表示装置の構成は第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。また、第１の実施形態と同様の動作に付いては同一のステップ番号を付して説明を省略する。
【００３９】
本実施形態に係る検査間隔表示装置の動作は、不良率が定期的に取り込まれ、工程データベース１の「調整間隔」が所定期間（例えば１ヶ月）が経過するたびに更新される点（図１１のＳ１３、Ｓ１４）、及び調整間隔の更新が行われたら検査間隔表示装置が図５のＳ１〜Ｓ１２に示した動作を行い、表示部７に表示しているグラフを更新する点を除いて、第１の実施形態と同様である。
本実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４０】
また、第1の実施形態の図９に示した不合格損失期待値は、データ保持部３に保持されている不合格損失を、上記した「調整間隔」で除した値（すなわち不合格損失と不良率との積）である。不良率の逆数である「調整間隔」は、半導体製造装置を稼働させている間に徐々に変化する。このため、図８のＳ４２で算出される最適検査間隔は徐々に変化する。これに対し、本実施形態では、図１１のＳ１３及びＳ１４で示したように、定期的に不良率を更新して、最適検査間隔を定期的に更新し、さらにグラフ表示を定期的に更新している。従って、作業者は実際の検査間隔と最適検査間隔の差分の最新値を認識することができる。
【００４１】
図１２は、第３の実施形態に係る検査間隔表示装置の動作を説明する為のフローチャートである。本実施形態に係る検査間隔表示装置の構成は第２の実施形態と同様であるため、説明を省略する。また、第２の実施形態と同様の動作に付いては同一のステップ番号を付して説明を省略する。
【００４２】
本実施形態に係る検査間隔表示装置の動作は、改善後検査頻度が作業者等により入力される（図１１のＳ１０）代わりに、Ｓ７で算出した推奨検査頻度を改善後検査頻度に設定する（Ｓ１５）点を除いて、第２の実施形態に係る検査間隔表示装置の動作と同様である。
本実施形態によっても第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４３】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば上記した各実施形態では、現状の検査頻度と理論検査頻度の差分、推奨検査頻度と理論検査頻度の差分、及び改善検査頻度と理論検査頻度の差分がグラフ表示されるが、現状の検査頻度と理論検査頻度の比、推奨検査頻度と理論検査頻度の比、及び改善検査頻度と理論検査頻度の比がグラフ表示されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】検査間隔表示装置の構成を説明する為のブロック図。
【図２】工程データベース１をテーブル形式で示す図。
【図３】ＣＨ間差確認データベース２が保持するデータをテーブル形式で示す図。
【図４】データ保持部３が保持する損失計算パラメータをテーブル形式で示す図。
【図５】検査間隔表示装置の動作を説明するフローチャート。
【図６】図５の不合格損失算出処理（Ｓ２）の詳細例を説明する為のフローチャート。
【図７】図５の検査コスト算出（Ｓ３）の詳細例を説明する為のフローチャート。
【図８】図５の理論検査間隔算出（Ｓ４）の詳細例を説明する為のフローチャート。
【図９】図８のＳ４２を説明するためのグラフ。
【図１０】図５のＳ１１において表示部７が表示するグラフの一例を示す図。
【図１１】第２の実施形態に係る検査間隔表示装置の動作を説明するフローチャート。
【図１２】第３の実施形態に係る検査間隔表示装置の動作を説明するフローチャート。
【符号の説明】
【００４５】
１…工程データベース、２…ＣＨ間差確認データベース、３…データ保持部、４…演算部、５…推奨検査間隔設定部、６…グラフ生成部、７…表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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