(57)【要約】【課題】共振器長が長い半導体レーザチップを備えて、高出力の光を出射できる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】第１リード１０１は、半導体レーザ素子１０５を搭載する板状の搭載部１０１ａと、この搭載部１０１ａに連なって延びるリード部１０１ｂとを有する。第２リードがリード部１０１ｂに沿って延び、また、樹脂部１０３が第１リード１０１および第２リードを一体に保持すると共に、絶縁性材料からなっている。樹脂部１０３は、半導体レーザ素子１０５の主光出射面１０５ａ側とは反対側の面１０５ｂの近傍に位置すると共に、搭載部１０１ａの一部である凸部１０７を収容する凹部１０３ａを有する。【選択図】図１Ａ
2008091507.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を出射する主光出射面を有する半導体レーザチップと、
上記半導体レーザチップを搭載する板状の搭載部と、この搭載部に連なって延びるリード部とを有する第１リードと、
上記第１リードのリード部に沿って延びる第２リードと、
上記第１リードおよび第２リードを一体に保持すると共に、絶縁性材料からなる保持部と
を備え、
上記保持部は、上記半導体レーザチップにおける上記主光出射面側とは反対側の面の近傍に位置すると共に、上記搭載部の一部を収容する凹部を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記保持部は、上記主光出射面から出射された光が通過する窓部を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記搭載部における上記半導体レーザチップ側とは反対側の面が上記保持部から露出することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記凹部は略半楕円形状であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記凹部は略多角形状であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザチップは上記搭載部にサブマウントを介して搭載されていて、
上記凹部の幅は上記サブマウントの幅以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザチップは上記搭載部にサブマウントを介して搭載されていて、
上記搭載部には、上記サブマウントを位置決めするための位置決め部が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体レーザ装置において、
上記位置決め部は略柱形状であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体レーザ装置において、
上記位置決め部は略錘形状であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の半導体レーザ装置において、
上記位置決め部は、略半球形状、または、略柱状の部材上に略半球形状の部材が乗った形状であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１１】
請求項７に記載の半導体レーザ装置において、
上記位置決め部は上記第１リードの一部からなることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１２】
請求項７に記載の半導体レーザ装置において、
上記位置決め部は少なくとも２つあることを特徴とする半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば光記録媒体や光磁気記録媒体などに記録された情報を読み書き、または消去できる光ピックアップ装置等に用いることができる半導体レーザ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ装置は、ＣＤ（コンパクトディスク）やＤＶＤ（デジタル万能ディスク）などの光記録媒体や光磁気記録媒体に記録された情報を読み書き、または消去できる光ピックアップ装置の基幹部品として使用され、光ピックアップ装置の性能に大きく関わる。
【０００３】
半導体レーザ装置の中にはフレームタイプ半導体レーザ装置がある。このフレームタイプレーザ装置は例えば特開２００５−３１１１４７号公報に開示されている。
【０００４】
より詳しくは、上記フレームタイプレーザ装置は、図８に示すように、リード端子となる金属のリードフレーム８０１と、電極となる複数のリード８０２が樹脂８０３により一体成型されている。
【０００５】
上記リードフレーム８０１は、搭載部８０１ａと、この搭載部８０１ａに連なって延びるリード部８０１ｂとを有している。
【０００６】
上記搭載部８０１ａには、サブマント８０４を介して半導体レーザ素子８０５が搭載されている。この半導体レーザ素子８０５は、複数のリード８０２のうちの１つとワイヤ（図示せず）により電気的に接続される。
【０００７】
しかしながら、上記フレームタイプレーザ装置では、搭載部８０１ａの長さが短いため、例えば高出力の光を出射可能であるような共振器長が長くなった半導体レーザ素子を搭載部８０１ａに搭載できないという問題があった。
【特許文献１】特開２００５−３１１１４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の課題は、共振器長が長い半導体レーザチップを備えて、高出力の光を出射できる半導体レーザ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ装置は、
光を出射する主光出射面を有する半導体レーザチップと、
上記半導体レーザチップを搭載する板状の搭載部と、この搭載部に連なって延びるリード部とを有する第１リードと、
上記第１リードのリード部に沿って延びる第２リードと、
上記第１リードおよび第２リードを一体に保持すると共に、絶縁性材料からなる保持部と
を備え、
上記保持部は、上記半導体レーザチップにおける上記主光出射面側とは反対側の面の近傍に位置すると共に、上記搭載部の一部を収容する凹部を有することを特徴としている。
【００１０】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記保持部の凹部は、半導体レーザチップにおける主光出射面側とは反対側の面の近傍に位置すると共に、搭載部の一部を収容するので、搭載部の長さを長くすることができる。
【００１１】
したがって、上記搭載部に、共振器が長い半導体レーザチップを搭載することができるので、高出力の光を出射できる。
【００１２】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記保持部は、上記主光出射面から出射された光が通過する窓部を有する。
【００１３】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記窓部を主光出射面に対向するように形成することにより、主光出射面から出射された光を例えばミラーで反射しなくても、その光を外部に放出することができる。
【００１４】
したがって、上記半導体レーザ装置の製造コストの増大を防ぐことができる。
【００１５】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記搭載部における上記半導体レーザチップ側とは反対側の面が上記保持部から露出する。
【００１６】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記搭載部における半導体レーザチップ側とは反対側の面が保持部から露出するので、半導体レーザチップの熱を搭載部から外部へ効率良く放出することができる。
【００１７】
したがって、上記半導体レーザチップにおける熱による損傷を防ぐことができる。
【００１８】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記凹部は略半楕円形状である。
【００１９】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記凹部は略半楕円形状であるので、凹部内に入る搭載部の一部を略半楕円形状して、半導体レーザチップの回転方向の取り付けの自由度を高めることができる。
【００２０】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記凹部は略多角形状である。
【００２１】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記凹部は略多角形状であるので、半導体レーザチップにおける主光出射面側とは反対側の端部の幅の制約をゆるくすることができる。
【００２２】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記半導体レーザチップは上記搭載部にサブマウントを介して搭載されていて、
上記凹部の幅は上記サブマウントの幅以上である。
【００２３】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記凹部の幅はサブマウントの幅以上であるから、サブマウントの凹部側の端部の幅の制約をゆるくすることができる。
【００２４】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記半導体レーザチップは上記搭載部にサブマウントを介して搭載されていて、
上記搭載部には、上記サブマウントを位置決めするための位置決め部が形成されている。
【００２５】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記サブマウントを搭載部に例えばダイボンドする場合、サブマウントを位置決めするための位置決め部が搭載部に形成されているので、サブマウントの位置決めが容易である。
【００２６】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記位置決め部は略柱形状である。
【００２７】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記位置決め部は略柱形状あるので、位置決め部の形成は容易である。
【００２８】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記位置決め部は略錘形状である。
【００２９】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記位置決め部は略錘形状であるので、リードフレームへの形成が容易である。
【００３０】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記位置決め部は、略半球形状、または、略柱状の部材上に略半球形状の部材が乗った形状である。
【００３１】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記位置決め部は、略半球形状、または、略柱状の部材上に略半球形状の部材が乗った形状であるので、リードフレームへの形成が容易である。また、ダイボンドを行う際に、あやまって位置決め部と接触してもサブマウントならびにチップへのダメージが少ない。
【００３２】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記位置決め部は上記第１リードの一部からなる。
【００３３】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記位置決め部は第１リードの一部からなるので、第１リードと位置決め部とが分離する可能性を低減することができる。
【００３４】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記位置決め部は少なくとも２つある。
【００３５】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記位置決め部は少なくとも２つあるので、位置決め部を用いたサブマウントの位置決めの精度を高めることができる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の半導体レーザ装置によれば、保持部の凹部が、半導体レーザチップにおける主光出射面側とは反対側の面の近傍に位置するすると共に、搭載部の一部を収容するので、搭載部の長さを長くすることができる。
【００３７】
したがって、上記搭載部に、共振器が長い半導体レーザチップを搭載することができるので、高出力の光を出射できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の半導体レーザ装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３９】
（第１実施形態）
図１Ａに、本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置を上方から見た概略図を示す。また、図１Ｂに、上記半導体レーザ装置を下方から見た概略図を示す。
【００４０】
上記半導体レーザ装置は、図１Ａ，図１Ｂに示すように、第１リード１０１と、電極用の複数の第２リード１０２と、保持部の一例としての樹脂部１０３と、サブマウント１０４と、半導体レーザチップの一例としての半導体レーザ素子１０５とを備え、フレームタイプ構造となっている。
【００４１】
上記第１リード１０１は、半導体レーザ素子１０５を搭載する板状の搭載部１０１ａと、この搭載部１０１ａに連なって延びるリード部１０１ｂとを有している。この搭載部１０１ａおよびリード部１０１ｂは金属からなっている。
【００４２】
上記搭載部１０１ａは凸部１０７を有している。つまり、上記凸部１０７は搭載部１０１ａの一部である。この凸部１０７の幅は、サブマウント１０４の図中左右方向の幅より大きくなっている。また、上記搭載部１０１ａの裏面１０９は樹脂部１０３で覆われていなくて露出している。
【００４３】
上記第２リード１０２はリード部１０１ｂに沿って延びている。上記複数の第２リード１０２のうちの１つは、半導体レーザ素子１０５側の端部がＡｕ線ワイヤ１０６を介してサブマウント１０６に接続されている。これにより、上記複数の第２リード１０２のうちの１つは半導体レーザ素子１０５に電気的に接続されている。
【００４４】
上記樹脂部１０３は、絶縁性材料からなって、第１リード１０１および第２リード１０２を一体に保持している。また、上記樹脂部１０３は、半導体レーザ素子１０５の面１０５ｂの近傍に位置する凹部１０３ａを有している。また、上記樹脂部１０３の上部は、上方から見て略Ｃ字形状を呈している。より詳しくは、上記樹脂部１０３の上部には隙間つまり窓１０３ｂを形成している。
【００４５】
上記凹部１０３ａは略四角形状を呈している。また、上記凹部１０３ａの幅は、サブマウント１０４の図中左右方向の幅より大きくなっている。そして、上記凹部１０３ａ内には凸部１０７が入っている。
【００４６】
上記半導体レーザ素子１０５は、搭載部１０１ａにサブマウント１０４を介して搭載されている。そして、上記半導体レーザ素子１０５はＡｕ線ワイヤ１１０を介して搭載部１０１ａに接続されている。また、上記半導体レーザ素子１０５はレーザ光を出射する主光出射面１０５ａを有する。この主光出射面１０５ａから出射したレーザ光は窓１０３ｂを通過して外部に放出される。また、上記半導体レーザ素子１０５の面１０５ｂは凸部１０７上に位置している。
【００４７】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、樹脂部１０３の凹部１０３ａは半導体レーザ素子１０５の面１０５ｂの近傍に位置するので、搭載部１０１ａが凸部１０７を有するように搭載部１０１ａを形成して、搭載部１０１ａの図中上下方向の長さを図８の従来例よりも長くすることができている。
【００４８】
したがって、上記搭載部１０１ａに、共振器が長い半導体レーザ素子１０５を搭載することができているので、高出力の光を出射できる。
【００４９】
なお、上記搭載部１０１ａの長さとは、半導体レーザ素子１０５の共振器長方向と平行な方向の長さのことである。
【００５０】
上記第１実施形態では、Ａｕ線ワイヤ１０６，１１０を用いていたが、Ａｕ以外の導電性素材からなるワイヤを用いてもよい。
【００５１】
上記Ａｕ線ワイヤ１０６，１１０や、Ａｕ以外の導電性素材からなるワイヤは、接続箇所、本数が半導体レーザ装置によって異なる場合がある。
【００５２】
（第２実施形態）
図２に、本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置を上方から見た概略図を示す。また、図２において、図１Ａ，図１Ｂに示した第１実施形態の構成部と同一構成部は、図１Ａ，図１Ｂにおける構成部と同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００５３】
上記半導体レーザ装置は、第１リード２０１と、保持部の一例としての樹脂部２０３とを備えている点が上記第１実施形態と異なっている。
【００５４】
上記第１リード２０１は、半導体レーザ素子１０５を搭載する板状の搭載部２０１ａと、この搭載部２０１ａに連なって延びるリード部２０１ｂとを有している。この搭載部２０１ａおよびリード部２０１ｂは金属からなっている。
【００５５】
上記搭載部２０１ａは略半楕円形状の凸部２０７を有している。つまり、上記凸部２０７は搭載部２０１ａの一部である。また、上記搭載部２０１ａの裏面（半導体レーザ素子１０５側とは反対側の面）は樹脂部２０３で覆われていなくて露出している。
【００５６】
上記樹脂部２０３は、絶縁性材料からなって、第１リード２０１および第２リード１０２を一体に保持している。また、上記樹脂部２０３は、半導体レーザ素子１０５の面１０５ｂの近傍に位置する凹部２０３ａを有している。また、上記樹脂部２０３の上部は、上方から見て略Ｃ字形状を呈している。より詳しくは、上記樹脂部２０３の上部には隙間つまり窓２０３ｂを形成している。
【００５７】
上記凹部２０３ａは略半楕円形状を呈している。また、上記凹部２０３ａ内には凸部２０７が入っている。
【００５８】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏すると共に、凸部２０７が略半楕円形状であるので、サブマウント１０４の回転方向の取り付けの自由度が増す構造になっている。
【００５９】
（第３実施形態）
図３に、本発明の第３実施形態の半導体レーザ装置を上方から見た概略図を示す。また、図３において、図１Ａ，図１Ｂに示した第１実施形態の構成部と同一構成部は、図１Ａ，図１Ｂにおける構成部と同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００６０】
上記半導体レーザ装置は、第１リード３０１と、保持部の一例としての樹脂部３０３とを備えている点が上記第１実施形態と異なっている。
【００６１】
上記第１リード３０１は、半導体レーザ素子１０５を搭載する板状の搭載部３０１ａと、この搭載部３０１ａに連なって延びるリード部３０１ｂとを有している。この搭載部３０１ａおよびリード部３０１ｂは金属からなっている。
【００６２】
上記搭載部３０１ａは略三角形状の凸部３０７を有している。つまり、上記凸部３０７は搭載部３０１ａの一部である。また、上記搭載部３０１ａの裏面（半導体レーザ素子１０５側とは反対側の面）は樹脂部３０３で覆われていなくて露出している。
【００６３】
上記樹脂部３０３は、絶縁性材料からなって、第１リード３０１および第２リード１０２を一体に保持している。また、上記樹脂部３０３は、半導体レーザ素子１０５の面１０５ｂの近傍に位置する凹部３０３ａを有している。また、上記樹脂部３０３の上部は、上方から見て略Ｃ字形状を呈している。より詳しくは、上記樹脂部３０３の上部には隙間つまり窓３０３ｂを形成している。
【００６４】
上記凹部３０３ａは略三角形状を呈している。また、上記凹部３０３ａ内には凸部３０７が入っている。
【００６５】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏すると共に、凸部３０７が略三角形状であるので、サブマウント１０４の図中左右方向の幅の制約がゆるくなる構造になっている。
【００６６】
（第４実施形態）
図４に、本発明の第４実施形態の半導体レーザ装置を上方から見た概略図を示す。また、図４において、図１Ａ，図１Ｂに示した第１実施形態の構成部と同一構成部は、図１Ａ，図１Ｂにおける構成部と同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００６７】
上記半導体レーザ装置は、第１リード４０１と、保持部の一例としての樹脂部４０３とを備えている点が上記第１実施形態と異なっている。
【００６８】
上記第１リード４０１は、半導体レーザ素子１０５を搭載する板状の搭載部４０１ａと、この搭載部４０１ａに連なって延びるリード部４０１ｂとを有している。この搭載部４０１ａおよびリード部４０１ｂは金属からなっている。
【００６９】
上記搭載部４０１ａは略四角形状の凸部４０７を有している。つまり、上記凸部４０７は搭載部４０１ａの一部である。この上記凸部４０７の幅はサブマウント１０４の図中左右方向の幅と等しくなっている。また、上記搭載部４０１ａの裏面（半導体レーザ素子１０５側とは反対側の面）は樹脂部４０３で覆われていなくて露出している。
【００７０】
上記樹脂部４０３は、絶縁性材料からなって、第１リード４０１および第２リード１０２を一体に保持している。また、上記樹脂部４０３は、半導体レーザ素子１０５の面１０５ｂの近傍に位置する凹部４０３ａを有している。また、上記樹脂部４０３の上部は、上方から見て略Ｃ字形状を呈している。より詳しくは、上記樹脂部４０３の上部には隙間つまり窓４０３ｂを形成している。
【００７１】
上記凹部４０３ａは略四角形状を呈している。また、上記凹部４０３ａの幅は、サブマウント１０４の図中左右方向の幅と等しくなっている。そして、上記凹部４０３ａ内には凸部４０７が入っている。
【００７２】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏すると共に、凸部４０７の幅はサブマウント１０４の図中左右方向の幅と等しくなっているので、サブマウント１０４を搭載部４０１ａのより機械的精度の高い位置に搭載することができる。
【００７３】
（第５実施形態）
図５に、本発明の第５実施形態の半導体レーザ装置を上方から見た概略図を示す。また、図５において、図１Ａ，図１Ｂに示した第１実施形態の構成部と同一構成部は、図１Ａ，図１Ｂにおける構成部と同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００７４】
本発明の実施形態５の半導体レーザ装置の図５示す。図５は請求項５に記載の半導体レーザ装置に関する。
【００７５】
上記半導体レーザ装置は、第１リード５０１と、保持部の一例としての樹脂部５０３とを備えている点が上記第１実施形態と異なっている。
【００７６】
上記第１リード５０１は、半導体レーザ素子１０５を搭載する板状の搭載部５０１ａと、この搭載部５０１ａに連なって延びるリード部５０１ｂとを有している。この搭載部５０１ａおよびリード部５０１ｂは金属からなっている。
【００７７】
上記搭載部５０１ａは略四角形状の凸部５０７を有している。つまり、上記凸部５０７は搭載部５０１ａの一部である。この上記凸部５０７の幅はサブマウント１０４の図中左右方向の幅より大きくなっている。また、上記搭載部５０１ａの表面（半導体レーザ素子１０５側の面）には、略円柱形状の位置決め部５０８が２個形成されている。一方、上記搭載部５０１ａの裏面（半導体レーザ素子１０５側とは反対側の面）は樹脂部５０３で覆われていなくて露出している。
【００７８】
上記位置決め部５０８の一方は半導体レーザ素子１０５の一側方に位置する。また、上記位置決め部５０８の他方は半導体レーザ素子１０５の他側方に位置する。つまり、上記位置決め部５０８は半導体レーザ素子１０５を挟むように２個形成されている。
【００７９】
上記樹脂部５０３は、絶縁性材料からなって、第１リード５０１および第２リード１０２を一体に保持している。また、上記樹脂部５０３は、半導体レーザ素子１０５の面１０５ｂの近傍に位置する凹部５０３ａを有している。また、上記樹脂部５０３の上部は、上方から見て略Ｃ字形状を呈している。より詳しくは、上記樹脂部５０３の上部には隙間つまり窓５０３ｂを形成している。
【００８０】
上記凹部５０３ａは略四角形状を呈している。また、上記凹部５０３ａの幅は、サブマウント１０４の図中左右方向の幅より大きくなっている。そして、上記凹部５０３ａ内には凸部５０７が入っている。
【００８１】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏すると共に、サブマウント１０４の両側方に位置決め部５０８を形成しているので、サブマウント１０４を搭載部５０１ａのより機械的精度の高い位置に搭載することができる。
【００８２】
上記第５実施形態では、位置決め部５０８は第１リード５０１の一部であるが、搭載部５０１ａの表面に固定される別の部品にしてもよい。
【００８３】
上記第５実施形態では、略円柱形状の位置決め部５０８を用いていたが、四角柱などの略柱状、または、円錐や四角錐などの略錘状の位置決め部を用いてもよい。または、図６に示すように、略半球形状の位置決め部６０８を用いてもよいし、図７Ａ，図７Ｂに示すように、略柱状の部材７０８ａ，７１８ａ上に略半球形状の部材７１８ｂが乗った形状の位置決め部７０８，７１８を用いてもよい。なお、上記部材７０８ａ，７１８は略角柱形状であってもよいし、略円柱形状であってもよい。
【００８４】
また、上記サブマウント１０４を位置決めするための位置決め部は、搭載部５０１ａの半導体レーザ素子１０５側の面に形成された凹部であってもよい。
【００８５】
以上のような位置決め部の個数は３個以上であってもよい。つまり、上記位置決め部は少なくとも２個形成するのが好ましい。
【００８６】
また、上記位置決め部は、例えば、サブマウント１０４を取り囲むように複雑に複数個配置することにより、上記第５実施形態よりも、サブマウント１０４を搭載部５０１ａのより機械的精度の高い位置に搭載することができる。
【００８７】
本発明は、上記第１〜第５実施形態を適宜組み合わせたものであってもよい。例えば、上記第１〜第４実施形態において第５実施形態の位置決め部を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１Ａ】図１Ａは本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置の概略上面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置の概略底面図である。
【図２】図２は本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置の概略上面図である。
【図３】図３は本発明の第３実施形態の半導体レーザ装置の概略上面図である。
【図４】図４は本発明の第４実施形態の半導体レーザ装置の概略上面図である。
【図５】図５は本発明の第５実施形態の半導体レーザ装置の概略上面図である。
【図６】図６は位置決め部の変形例の概略側面図である。
【図７Ａ】図７Ａは位置決め部の変形例の概略側面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは位置決め部の変形例の概略側面図である。
【図８】図８は従来の半導体レーザ装置の概略上面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１  第１リード
１０１ａ，２０１ａ，３０１ａ，４０１ａ，５０１ａ  搭載部
１０１ｂ，２０１ｂ，３０１ｂ，４０１ｂ，５０１ｂ  リード部
１０３，２０３，３０３，４０３，５０３  樹脂部
１０３ａ，２０３ａ，３０３ａ，４０３ａ，５０３ａ  凹部
１０３ｂ，２０３ｂ，３０３ｂ，４０３ｂ，５０３ｂ  窓
１０４  サブマウント
１０５  半導体レーザ素子
１０５ａ  光出射面
１０５ｂ  半導体レーザ素子の光出射面側とは反対側の面
５０８，６０８，７０８，７１８  位置決め部
【図１Ａ】
2008091507.tif 000003
【図１Ｂ】
2008091507.tif 000004
【図２】
2008091507.tif 000005
【図３】
2008091507.tif 000006
【図４】
2008091507.tif 000007
【図５】
2008091507.tif 000008
【図６】
2008091507.tif 000009
【図７Ａ】
2008091507.tif 000010
【図７Ｂ】
2008091507.tif 000011
【図８】
2008091507.tif 000012