(57)【要約】 【課題】低温下で、良質なシリコン酸化膜を形成することができるシリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラムを提供する。【解決手段】まず、反応管２内にＳｉソースを供給し、半導体ウエハＷの表面にＳｉを吸着させる。続いて、反応管２内に酸素ラジカルを供給して、吸着したＳｉを酸化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望厚のシリコン酸化膜を形成する。【選択図】図１
2008109091.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体が収容された反応室内に、１価のアミノシランを供給し、前記被処理体にシリコンを吸着させる吸着ステップと、
前記吸着ステップで吸着されたシリコンに活性化された酸化ガスを供給し、当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成ステップと、を備え、
前記吸着ステップと、前記シリコン酸化膜形成ステップとを、複数回繰り返す、ことを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項２】
前記反応室内を室温〜７００℃に設定する、ことを特徴とする請求項１に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項３】
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、前記酸化ガスに、酸素、オゾン、または、水蒸気を用いる、ことを特徴とする請求項１または２に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項４】
前記吸着ステップでは、前記反応室内を０．１３３Ｐａ〜１３．３ｋＰａに設定する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項５】
前記吸着ステップでは、前記反応室内に前記１価のアミノシランを１０ｓｃｃｍ〜１０ｓｌｍ供給する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項６】
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、前記反応室内を０．１３３Ｐａ〜１３．３ｋＰａに設定する、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項７】
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、前記反応室に酸化ガスを１ｓｃｃｍ〜１０ｓｌｍ供給する、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項８】
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、０．１３３Ｐａ〜１３．３ｋＰａに設定されたプラズマ発生室に酸化ガスを供給して酸化ガスのラジカルを形成し、形成した酸化ガスのラジカルを前記プラズマ発生室から前記反応室内に供給する、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項９】
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、２００℃〜６００℃に設定された反応室内にオゾンを供給してオゾンを活性化させ、当該活性化されたオゾンを前記吸着されたシリコンに供給して当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する、ことを特徴とする請求項１、４乃至７のいずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項１０】
被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内に、１価のアミノシランを供給するアミノシラン供給手段と、
前記被処理体に活性化された酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記アミノシラン供給手段を制御して、前記反応室内に１価のアミノシランを供給し、前記被処理体にシリコンを吸着させ、
前記酸化ガス供給手段を制御して、前記吸着されたシリコンに活性化された酸化ガスを供給し、当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する、
処理を複数回繰り返す、ことを特徴とするシリコン酸化膜の形成装置。
【請求項１１】
コンピュータを、
被処理体を収容する反応室内に、１価のアミノシランを供給するアミノシラン供給手段、
前記被処理体に活性化された酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段、
前記アミノシラン供給手段を制御して、前記反応室内に１価のアミノシランを供給し、前記被処理体にシリコンを吸着させ、前記酸化ガス供給手段を制御して、前記吸着されたシリコンに活性化された酸化ガスを供給し、当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する、処理を複数回繰り返す制御手段、
として機能させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウエハにシリコン酸化膜を形成する場合、低温下で処理を行うことが求められており、例えば、プラズマを用いてシリコン酸化膜を形成する方法が検討されている。しかし、このような方法でシリコン酸化膜を形成すると、ステップカバレッジが悪くなってしまうという問題があり、低温下で、ステップカバレッジのよい薄膜を形成できる、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法が採用され始めている。
【０００３】
このようなＡＬＤ法を用いた薄膜の成形については様々な方法が提案されている。例えば、特許文献１には、３００℃〜６００℃の低温で薄膜を形成する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−２８１８５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、シリコン酸化膜には、さらなる膜質の向上が求められている。このため、低温下で、良質なシリコン酸化膜を形成することができる方法が求められている。
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、低温下で、良質なシリコン酸化膜を形成することができるシリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係るシリコン酸化膜の形成方法は、
被処理体が収容された反応室内に、１価のアミノシランを供給し、前記被処理体にシリコンを吸着させる吸着ステップと、
前記吸着ステップで吸着されたシリコンに活性化された酸化ガスを供給し、当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成ステップと、を備え、
前記吸着ステップと、前記シリコン酸化膜形成ステップとを、複数回繰り返す、ことを特徴とする。
【０００７】
前記反応室内を、例えば、室温〜７００℃に設定する。
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、前記酸化ガスに、例えば、酸素、オゾン、または、水蒸気が用いられる。
【０００８】
前記吸着ステップでは、例えば、前記反応室内を０．１３３Ｐａ〜１３．３ｋＰａに設定する。
前記吸着ステップでは、例えば、前記反応室内に前記１価のアミノシランを１０ｓｃｃｍ〜１０ｓｌｍ供給する。
【０００９】
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、例えば、前記反応室内を０．１３３Ｐａ〜１３．３ｋＰａに設定する。
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、例えば、前記反応室に酸化ガスを１ｓｃｃｍ〜１０ｓｌｍ供給する。
【００１０】
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、例えば、０．１３３Ｐａ〜１３．３ｋＰａに設定されたプラズマ発生室に酸化ガスを供給して酸化ガスのラジカルを形成し、形成した酸化ガスのラジカルを前記プラズマ発生室から前記反応室内に供給する。
【００１１】
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、例えば、２００℃〜６００℃に設定された反応室内にオゾンを供給してオゾンを活性化させ、当該活性化されたオゾンを前記吸着されたシリコンに供給して当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する。
【００１２】
本発明の第２の観点に係るシリコン酸化膜の形成装置は、
被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内に、１価のアミノシランを供給するアミノシラン供給手段と、
前記被処理体に活性化された酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記アミノシラン供給手段を制御して、前記反応室内に１価のアミノシランを供給し、前記被処理体にシリコンを吸着させ、
前記酸化ガス供給手段を制御して、前記吸着されたシリコンに活性化された酸化ガスを供給し、当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する、
処理を複数回繰り返す、ことを特徴とする。
【００１３】
本発明の第３の観点に係るプログラムは、
コンピュータを、
被処理体を収容する反応室内に、１価のアミノシランを供給するアミノシラン供給手段、
前記被処理体に活性化された酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段、
前記アミノシラン供給手段を制御して、前記反応室内に１価のアミノシランを供給し、前記被処理体にシリコンを吸着させ、前記酸化ガス供給手段を制御して、前記吸着されたシリコンに活性化された酸化ガスを供給し、当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する、処理を複数回繰り返す制御手段、
として機能させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、低温下で、良質なシリコン酸化膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態に係るシリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラムについて説明する。本実施の形態では、ＭＬＤ（Molecular Layer Deposition）法を用いて、シリコン酸化膜を形成する場合を例に説明する。また、本発明のシリコン酸化膜の形成装置として、バッチ式の縦型処理装置を用いる場合を例に説明する。図１に本実施の形態の処理装置の構成を示す。また、図２に本実施の形態の処理装置の断面構成を示す。
【００１６】
図１に示すように、処理装置１は、長手方向が垂直方向に向けられた、有天井で略円筒状の反応管２を備えている。反応管２は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。
【００１７】
反応管２の一側方には、反応管２内のガスを排気するための排気部３が配置されている。排気部３は、反応管２に沿って上方に延びるように形成され、図示しない反応管２の側壁に設けられた開口を介して、反応管２と連通する。排気部３の上端は、反応管２の上部に配置された排気口４に接続されている。この排気口４には図示しない排気管が接続され、排気管には図示しないバルブや後述する真空ポンプ１２７などの圧力調整機構が設けられている。この圧力調整機構により、反応管２内のガスが、開口、排気部３、排気口４を介して、排気管に排気され、反応管２内が所望の圧力（真空度）に制御される。
【００１８】
反応管２の下方には、蓋体５が配置されている。蓋体５は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。また、蓋体５は、後述するボートエレベータ１２８により上下動可能に構成されている。そして、ボートエレベータ１２８により蓋体５が上昇すると、反応管２の下方側（炉口部分）が閉鎖され、ボートエレベータ１２８により蓋体５が下降すると、反応管２の下方側（炉口部分）が開口される。
【００１９】
蓋体５の上には、ウエハボート６が載置されている。ウエハボート６は、例えば、石英により形成されている。ウエハボート６は、半導体ウエハＷが垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚、収容可能に構成されている。なお、蓋体５の上部に、反応管２の炉口部分から反応管２内の温度が低下することを防止する保温筒や、半導体ウエハＷを収容するウエハボート６を回転可能に載置する回転テーブルを設け、これらの上にウエハボート６を載置してもよい。これらの場合、ウエハボート６に収容された半導体ウエハＷを均一な温度に制御しやすくなる。
【００２０】
反応管２の周囲には、反応管２を取り囲むように、例えば、抵抗発熱体からなる昇温用ヒータ７が設けられている。この昇温用ヒータ７により反応管２の内部が所定の温度に加熱され、この結果、反応管２の内部に収容された半導体ウエハＷが所定の温度に加熱される。
【００２１】
反応管２の下端近傍の側面には、反応管２内に処理ガスを供給する、処理ガス供給管８、９が挿通されている。処理ガスとしては、ソースガス、酸化ガス、希釈ガス等がある。ソースガスは、被処理体にソース（Ｓｉ）を吸着させる１価のアミノシランからなるＳｉソースであり、後述する吸着ステップで用いられる。酸化ガスは、吸着されたソース（Ｓｉ）を酸化するガスであり、後述する酸化ステップで用いられる。本例では、酸化ガスとして、酸素（Ｏ２）が用いられている。希釈ガスは、処理ガスを希釈するガスであり、本例では、窒素（Ｎ２）が用いられている。
【００２２】
これらの処理ガスのうち、酸化ガスが処理ガス供給管８を介して反応管２内に供給される。この処理ガス供給管８は、後述するプラズマ発生部１０に挿通されている。このため、処理ガス供給管８から供給された酸化ガスは、プラズマ励起（活性化）される。ソースガスと希釈ガスとは、処理ガス供給管９を介して反応管２内に供給される。また、パージガス（例えば、窒素（Ｎ２））も処理ガス供給管９を介して反応管２内に供給される。なお、パージガスは、別途、パージガス供給管を介して反応管２内に供給してもよい。処理ガス供給管９は、図２に示すように、反応管２の内壁に配置されている。このため、処理ガス供給管９から供給されたソースガス及びパージガスは、プラズマ励起（活性化）されない。処理ガス供給管９としては、例えば、分散インジェクタが用いられる。
【００２３】
各処理ガス供給管８、９には、垂直方向の所定間隔ごとに供給孔が設けられており、供給孔から反応管２内に処理ガスが供給される。このため、図１に矢印で示すように、処理ガスが垂直方向の複数箇所から反応管２内に供給される。また、各処理ガス供給管８、９は、後述するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１２５を介して、図示しない処理ガス供給源に接続されている。なお、図１では、後述するプラズマ処理を行う処理ガスを供給する処理ガス供給管８（本実施の形態では、酸化ガスを供給する処理ガス供給管）のみを図示している。また、図２では、酸化ガスを供給する処理ガス供給管８と、後述するプラズマ処理を行わない処理ガスを供給する処理ガス供給管９（本実施の形態では、ソースガスやパージガスを供給する処理ガス供給管）と、を図示している。
【００２４】
反応管２の他側方、すなわち、排気部３が配置されている反応管２の一側方の反対側には、プラズマ発生部１０が設けられている。プラズマ発生部１０は、一対の電極１１等を備えている。プラズマ発生部１０には、一対の電極１１間に処理ガス供給管８が挿通されている。一対の電極１１は、図示しない高周波電源、整合器等に接続されている。そして、一対の電極１１間に高周波電源から整合器を介して高周波電力を印加することにより、一対の電極１１間に供給された処理ガスをプラズマ励起（活性化）させ、酸素ラジカル（Ｏ２＊）等を生成する。このように生成された酸素ラジカル（Ｏ２＊）等がプラズマ発生部１０から反応管２内に供給される。
【００２５】
また、反応管２内には、反応管２内の温度を測定する、例えば、熱電対からなる温度センサ１２２、及び、反応管２内の圧力を測定する圧力計１２３が複数本配置されている。
【００２６】
また、処理装置１は、装置各部の制御を行う制御部１００を備えている。図３に制御部１００の構成を示す。図３に示すように、制御部１００には、操作パネル１２１、温度センサ（群）１２２、圧力計（群）１２３、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ１２５、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７、ボートエレベータ１２８、プラズマ制御部１２９等が接続されている。
【００２７】
操作パネル１２１は、表示画面と操作ボタンとを備え、オペレータの操作指示を制御部１００に伝え、また、制御部１００からの様々な情報を表示画面に表示する。
【００２８】
温度センサ（群）１２２は、反応管２内及び排気管内などの各部の温度を測定し、その測定値を制御部１００に通知する。
圧力計（群）１２３は、反応管２内及び排気管内などの各部の圧力を測定し、その測定値を制御部１００に通知する。
【００２９】
ヒータコントローラ１２４は、昇温用ヒータ７を個別に制御するためのものであり、制御部１００からの指示に応答して、昇温用ヒータ７に通電してこれらを加熱し、また、昇温用ヒータ７の消費電力を個別に測定して、制御部１００に通知する。
【００３０】
ＭＦＣ１２５は、処理ガス供給管８、９等の各配管に配置され、各配管を流れるガスの流量を制御部１００から指示された量に制御するとともに、実際に流れたガスの流量を測定して、制御部１００に通知する。
【００３１】
バルブ制御部１２６は、各配管に配置され、各配管に配置された弁の開度を制御部１００から指示された値に制御する。
真空ポンプ１２７は、排気管に接続され、反応管２内のガスを排気する。
【００３２】
ボートエレベータ１２８は、蓋体５を上昇させることにより、ウエハボート６（半導体ウエハＷ）を反応管２内にロードし、蓋体５を下降させることにより、ウエハボート６（半導体ウエハＷ）を反応管２内からアンロードする。
【００３３】
プラズマ制御部１２９は、プラズマ発生部１０を制御するためのものであり、制御部１００からの指示に応答して、プラズマ発生部１０を制御し、プラズマ発生部１０内に供給された、例えば、酸素を活性化し、酸素ラジカル（Ｏ２＊）等を生成させる。
【００３４】
制御部１００は、レシピ記憶部１１１と、ＲＯＭ１１２と、ＲＡＭ１１３と、Ｉ／Ｏポート１１４と、ＣＰＵ１１５と、これらを相互に接続するバス１１６とから構成されている。
【００３５】
レシピ記憶部１１１には、セットアップ用レシピと複数のプロセス用レシピとが記憶されている。処理装置１の製造当初は、セットアップ用レシピのみが格納される。セットアップ用レシピは、各処理装置に応じた熱モデル等を生成する際に実行されるものである。プロセス用レシピは、ユーザが実際に行う熱処理（プロセス）毎に用意されるレシピであり、反応管２への半導体ウエハＷのロードから、処理済みの半導体ウエハＷをアンロードするまでの、各部の温度の変化、反応管２内の圧力変化、処理ガスの供給の開始及び停止のタイミングと供給量などを規定する。
【００３６】
ＲＯＭ１１２は、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ１１５の動作プログラム等を記憶する記録媒体である。
ＲＡＭ１１３は、ＣＰＵ１１５のワークエリアなどとして機能する。
【００３７】
Ｉ／Ｏポート１１４は、操作パネル１２１、温度センサ１２２、圧力計１２３、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ１２５、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７、ボートエレベータ１２８、プラズマ制御部１２９等に接続され、データや信号の入出力を制御する。
【００３８】
ＣＰＵ（Central Processing Unit)１１５は、制御部１００の中枢を構成し、ＲＯＭ１１２に記憶された制御プログラムを実行する。また、ＣＰＵ１１５は、操作パネル１２１からの指示に従って、レシピ記憶部１１１に記憶されているレシピ（プロセス用レシピ）に沿って、処理装置１の動作を制御する。すなわち、ＣＰＵ１１５は、温度センサ（群）１２２、圧力計（群）１２３、ＭＦＣ１２５等に反応管２内及び排気管内などの各部の温度、圧力、流量等を測定させ、この測定データに基づいて、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ１２５、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７等に制御信号等を出力し、上記各部がプロセス用レシピに従うように制御する。
バス１１６は、各部の間で情報を伝達する。
【００３９】
次に、以上のように構成された処理装置１を用いたシリコン酸化膜の形成方法について、図４に示すレシピ（タイムシーケンス）を参照して説明する。本実施の形態のシリコン酸化膜の形成方法では、ＭＬＤ（Molecular Layer Deposition）法により、半導体ウエハＷ上にシリコン酸化膜を形成する。
【００４０】
図４に示すように、本実施の形態では、半導体ウエハＷの表面にシリコン（Ｓｉ）を吸着する吸着ステップと、吸着されたＳｉを酸化する酸化ステップとを備えており、これらのステップがＭＬＤ法の１サイクルを示している。また、図４に示すように、本実施の形態では、酸化ガスとして酸素、希釈ガスとして窒素を用いている。この図４のレシピに示すサイクルを複数回、例えば、１００サイクル実行する（繰り返す）ことにより、半導体ウエハＷ上に所望のシリコン酸化膜が形成される。
【００４１】
なお、以下の説明において、処理装置１を構成する各部の動作は、制御部１００（ＣＰＵ１１５）により制御されている。また、各処理における反応管２内の温度、圧力、ガスの流量等は、前述のように、制御部１００（ＣＰＵ１１５）がヒータコントローラ１２４（昇温用ヒータ７）、ＭＦＣ１２５（処理ガス供給管８、９）、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７、プラズマ制御部１２９（プラズマ発生部１０）等を制御することにより、図４に示すレシピに従った条件に設定される。
【００４２】
まず、被処理体としての半導体ウエハＷを反応管２内に収容（ロード）する。具体的には、昇温用ヒータ７により反応管２内を所定のロード温度に維持し、反応管２内に所定量の窒素を供給する。また、半導体ウエハＷを収容したウエハボート６を蓋体５上に載置する。そして、ボートエレベータ１２８により蓋体５を上昇させ、半導体ウエハＷ（ウエハボート６）を反応管２内にロードする。
【００４３】
次に、半導体ウエハＷの表面にＳｉを吸着させる吸着ステップを実行する。吸着ステップは、半導体ウエハＷにソースガスを供給して、その表面にＳｉを吸着させる工程である。
【００４４】
吸着ステップでは、昇温用ヒータ７により反応管２内を所定の温度、例えば、図４（ａ）に示すように、４００℃に設定する。また、処理ガス供給管９から反応管２内に所定量の窒素を供給するとともに、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図４（ｂ）に示すように、６６．５Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）に設定する。そして、処理ガス供給管９からＳｉソースを所定量、例えば、図４（ｄ）に示すように、０．３ｓｌｍと、図４（ｃ）に示すように、所定量の窒素を反応管２内に供給する（フロー工程）。
【００４５】
ここで、反応管２内の温度は、室温（ＲＴ）〜７００℃にすることが好ましい。室温より低くなると、シリコン酸化膜を成膜することができなくなるおそれが生じ、反応管２内の温度が７００℃より高くなると、形成されるシリコン酸化膜の膜質や膜厚均一性等が悪化してしまうおそれが生じるためである。反応管２内の温度は、ＲＴ〜７００℃とすることがより好ましく、ＲＴ〜５００℃にすることがさらに好ましい。かかる範囲の温度にすることにより、形成されるシリコン酸化膜の膜質や膜厚均一性等をさらに向上させることができるためである。
【００４６】
また、シリコン酸化膜の形成方法においては、成膜シーケンス上、反応管２内の温度を変化させないことが好ましい。このため、本実施の形態では、後述するように、酸化ステップにおいても反応管２内の温度を変化させず、４００℃に設定している。
【００４７】
Ｓｉソースの供給量は、１０ｓｃｃｍ〜１０ｓｌｍにすることが好ましい。１０ｓｃｃｍより少ないと半導体ウエハＷの表面に十分なＳｉが供給されないおそれが生じ、１０ｓｌｍより多いと反応に寄与しないＳｉが多くなってしまうおそれが生じるためである。Ｓｉソースの供給量は、０．１ｓｌｍ〜３ｓｌｍにすることがさらに好ましい。かかる範囲にすることにより、半導体ウエハＷの表面とＳｉとの反応が促進されるためである。
【００４８】
反応管２内の圧力は、０．１３３Ｐａ（０．００１Ｔｏｒｒ）〜１３．３ｋＰａ（１００Ｔｏｒｒ）にすることが好ましい。かかる範囲の圧力にすることにより、半導体ウエハＷの表面とＳｉとの反応を促進することができるためである。
【００４９】
図５に半導体ウエハＷ表面の反応を模式的に示す。反応管２内に供給されたＳｉソースは、反応管２内で加熱されて活性化する。このため、反応管２内にＳｉソースが供給されると、図５（ａ）に示す状態から図５（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷの表面と活性化されたＳｉが反応し、半導体ウエハＷの表面にＳｉが吸着する。
【００５０】
ここで、Ｓｉソースが１価のアミノシランであるので、吸着工程で吸着された吸着物中に窒素（Ｎ）が含まれなくなり、本発明の方法で成膜されるシリコン酸化膜中に窒素が含まれにくくなる。このため、良質なシリコン酸化膜を形成することができる。また、Ｓｉソースが１価のアミノシランであるので、Ｓｉ吸着の際に構造障害が発生しにくく、他の分子の吸着を妨げにくくなる。このため、吸着速度が遅くならず、生産性が低下しなくなる。
【００５１】
半導体ウエハＷの表面に所定量のＳｉが吸着すると、処理ガス供給管９からのＳｉソース及び窒素の供給を停止する。そして、反応管２内のガスを排出するとともに、例えば、処理ガス供給管９から反応管２内に所定量の窒素を供給して反応管２内のガスを反応管２外に排出する（パージ、Vacuum工程）。
【００５２】
続いて、半導体ウエハＷの表面を酸化する酸化ステップを実行する。酸化ステップは、Ｓｉが吸着された半導体ウエハＷ上に酸化ガスを供給して、吸着されたＳｉを酸化する工程である。本実施の形態では、半導体ウエハＷ上に酸素（酸素ラジカル）を供給することにより吸着されたＳｉを酸化している。
【００５３】
酸化ステップでは、昇温用ヒータ７により反応管２内を所定の温度、例えば、図４（ａ）に示すように、４００℃に設定する。また、処理ガス供給管９から反応管２内に所定量の窒素を供給するとともに、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図４（ｂ）に示すように、６６．５Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）に設定する。そして、図４（ｇ）に示すように、電極１１間に図示しない高周波電源から整合器を介して高周波電力を印加（ＲＦ：ＯＮ）するとともに、処理ガス供給管８から酸素を所定量、例えば、図４（ｅ）に示すように、１ｓｌｍを一対の電極１１間（プラズマ発生部１０内）に供給する。一対の電極１１間に供給された酸素はプラズマ励起（活性化）され、酸素ラジカル（Ｏ＊）を生成する。このように生成された酸素ラジカルがプラズマ発生部１０から反応管２内に供給される。また、図４（ｃ）に示すように、処理ガス供給管９から希釈ガスとしての所定量の窒素を反応管２内に供給する（フロー工程）。
【００５４】
ここで、酸素の供給量は、１ｓｃｃｍ〜１０ｓｌｍにすることが好ましい。かかる範囲にすることにより、プラズマを問題なく発生できるとともにシリコン酸化膜を形成するのに十分な酸素ラジカルを供給できるためである。酸素の供給量は、０．５ｓｌｍ〜５ｓｌｍにすることがさらに好ましい。かかる範囲にすることにより、プラズマを安定して発生させることができるためである。
【００５５】
ＲＦパワーは、１０Ｗ〜１５００Ｗにすることが好ましい。１０Ｗより少ないと、酸素ラジカルが生成しにくくなり、１５００Ｗを超えると、プラズマ発生部１０を構成する石英壁がダメージを受けるおそれが生じるためである。ＲＦパワーは、５０Ｗ〜５００Ｗとすることがさらに好ましい。かかる範囲にすることにより、酸素ラジカルを効率的に生成することができるためである。
【００５６】
反応管２内の圧力は、０．１３３Ｐａ（０．００１Ｔｏｒｒ）〜１３．３ｋＰａ（１００Ｔｏｒｒ）にすることが好ましい。かかる範囲の圧力にすることにより、酸素ラジカルが発生しやすく、かつ、半導体ウエハＷが置かれた空間における酸素ラジカルの平均自由行程が大きくなるためである。反応管２内の圧力は、４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）〜４００Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）にすることがさらに好ましい。かかる範囲の圧力にすることにより、反応管２内の圧力制御が容易になるためである。
【００５７】
また、プラズマ発生部１０内の圧力は、０．１３３Ｐａ（０．００１Ｔｏｒｒ）〜１３．３ｋＰａ（１００Ｔｏｒｒ）にすることが好ましく、７０Ｐａ（０．５３Ｔｏｒｒ）〜４００Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）にすることがさらに好ましい。かかる範囲の圧力にすることにより、プラズマを問題なく発生できるとともにシリコン酸化膜を形成するのに十分な酸素ラジカルを供給できるためである。
【００５８】
反応管２内に酸素ラジカルが供給されると、図５（ｃ）に示す状態から図５（ｄ）に示すように、半導体ウエハＷ上に吸着されたＳｉが酸化され、半導体ウエハＷ上にシリコン酸化膜が形成される。半導体ウエハＷ上に所望のシリコン酸化膜が形成されると、処理ガス供給管８から酸素の供給を停止するとともに、図示しない高周波電源からの高周波電力の印加を停止する。また、処理ガス供給管９からの窒素の供給を停止する。そして、反応管２内のガスを排出するとともに、図４（ｃ）に示すように、処理ガス供給管９から反応管２内に所定量の窒素を供給して反応管２内のガスを反応管２外に排出する（パージ、Vacuum工程）。
【００５９】
これにより、吸着ステップと、酸化ステップとからなる、ＭＬＤ法の１サイクルが終了する。
【００６０】
続いて、再び、吸着ステップから始まるＭＬＤ法の１サイクルを開始する。そして、このサイクルを所定回数繰り返す。これにより、図５（ｅ）に示すように、半導体ウエハＷの表面にＳｉソースが供給され、図５（ｆ）に示すようにＳｉを吸着させ、吸着されたＳｉを酸化することにより、シリコン酸化膜が形成される。この結果、半導体ウエハＷ上に所望厚のシリコン酸化膜が形成される。
【００６１】
半導体ウエハＷ上に所望厚のシリコン酸化膜が形成されると、半導体ウエハＷをアンロードする。具体的には、処理ガス供給管９から反応管２内に所定量の窒素を供給して、反応管２内の圧力を常圧に戻すとともに、昇温用ヒータ７により反応管２内を所定温度に維持する。そして、ボートエレベータ１２８により蓋体５を下降させることにより、半導体ウエハＷがアンロードされる。
【００６２】
次に、このような方法により形成されたシリコン酸化膜について、Ｘ線光電子分光装置（ＸＰＳ：X-ray Photoelectron Spectrometer）を用い、その組成の確認を行った。その結果、形成されたシリコン酸化膜中には窒素が含まれていないことが確認できた。このため、低温化で良質なシリコン酸化膜が形成されていることが確認できた。
【００６３】
また、形成されたシリコン酸化膜の１サイクル当たり成膜レート（サイクルレート）を求めた。なお、比較のため、ソースガスとして、２価のアミノシラン（ＢＴＢＡＳ：ＳｉＨ２（ＮＨＣ（ＣＨ３）３）２）、３価のアミノシラン（３ＤＭＡＳ：ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）を用いた場合についても、同様に、そのサイクルレートを求めた。図６に、ソースガスに３価のアミノシランを用いた場合のサイクルレートを１としたときの、２価のアミノシラン、及び、１価のアミノシランのサイクルレートを示す。
【００６４】
図６に示すように、ソースガスに１価のアミノシランを用いることにより、そのサイクルレートが向上することが確認できた。これは、Ｓｉ吸着の際に構造障害が発生しにくく、他の分子の吸着を妨げにくくなるためと考えられる。
【００６５】
以上説明したように、本実施の形態によれば、１価のアミノシランを用いてＳｉを吸着させる吸着ステップと、この吸着したＳｉを酸化させる酸化ステップとからなるサイクルを複数回繰り返すことにより、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を形成しているので、膜中には窒素が含まれない良質なシリコン酸化膜を形成することができる。このため、低温下で、良質なシリコン酸化膜を形成することができる。
【００６６】
また、本実施の形態によれば、ソースガスに１価のアミノシランを用いているので、Ｓｉ吸着の際に構造障害が発生しにくく、他の分子の吸着を妨げにくくなる。このため、吸着速度が遅くならず、生産性が低下しなくなる。
【００６７】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。
【００６８】
上記実施の形態では、プラズマにより酸素ラジカルを発生させた場合を例に本発明を説明したが、本発明は、酸化ガスを活性化させることができるものであればよく、例えば、触媒、ＵＶ、熱、磁力などを用いてもよい。例えば、熱により、酸化ガスを活性化させる場合には、図７に示すような熱処理装置を用いることができる。例えば、このような熱処理装置を用いる場合には、所定の温度に加熱された反応管２内に酸素を導入することにより酸素を活性化させることができる。反応管２内の温度は供給された酸素を活性化できる温度であればよく、例えば、５５０℃程度にすることが好ましい。反応管２内の圧力は１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度にすることが好ましく、酸素供給量は１００ｓｃｃｍ〜１ｓｌｍにすることが好ましい。
【００６９】
上記実施の形態では、酸化ガスとして酸素を用いた場合を例に本発明を説明したが、酸化ガスは、半導体ウエハＷ上に吸着されたＳｉを酸化できるものであればよく、例えば、オゾン（Ｏ３）、水蒸気（Ｈ２Ｏ）等であってもよい。例えば、酸化ガスとしてオゾンを用いる場合には、反応管２内の温度２００℃〜６００℃、圧力１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）とし、オゾンを１０ｓｌｍ、Ｏ３／Ｏ２を２５０ｇ／Ｎｍ３程度とすることが好ましい。
【００７０】
上記実施の形態のＳｉソースは、１価のアミノシランであれば、種々のアミノシランを用いることができる。１価のアミノシランとしては、例えば、ＳｉＨ３（ＮＨＣ（ＣＨ３）３）、ＳｉＨ３（Ｎ（ＣＨ３）２）などがある。
【００７１】
上記実施の形態では、１００サイクル実行することにより、半導体ウエハＷ上にシリコン酸化膜を形成した場合を例に本発明を説明したが、例えば、５０サイクルのように、サイクル数を少なくしてもよい。また、２００サイクルのように、サイクル数を多くしてもよい。この場合にも、サイクル数に応じて、例えば、Ｓｉソース及び酸素の供給量、ＲＦパワー等を調整することにより、所望の厚さのシリコン酸化膜の形成が可能である。
【００７２】
上記実施の形態では、処理ガス供給時に希釈ガスとしての窒素を供給する場合を例に本発明を説明したが、処理ガス供給時に窒素を供給しなくてもよい。ただし、窒素を希釈ガスとして含ませることにより処理時間の設定等が容易になることから、希釈ガスを含ませることが好ましい。希釈ガスとしては、不活性ガスであることが好ましく、窒素の他に、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）が適用できる。
【００７３】
上記実施の形態では、プラズマ処理を行う処理ガスを供給する処理ガス供給管８と、プラズマ処理を行わない処理ガスを供給する処理ガス供給管９が設けられている場合を例に本発明を説明したが、例えば、処理ガスの種類毎に処理ガス供給管が設けられていてもよい。また、複数本から同じガスが供給されるように、反応管２の下端近傍の側面に、複数本の処理ガス供給管８、９が挿通されていてもよい。この場合、複数本の処理ガス供給管８、９から反応管２内に処理ガスが供給され、反応管２内に処理ガスをより均一に供給することができる。
【００７４】
本実施の形態では、処理装置１として、単管構造のバッチ式の処理装置の場合を例に本発明を説明したが、例えば、反応管２が内管と外管とから構成された二重管構造のバッチ式の縦型処理装置に本発明を適用することも可能である。また、バッチ式の横型処理装置や枚葉式の処理装置に本発明を適用することも可能である。また、被処理体は半導体ウエハＷに限定されるものではなく、例えば、ＬＣＤ用のガラス基板であってもよい。
【００７５】
本発明の実施の形態にかかる制御部１００は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭなど）から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する制御部１００を構成することができる。
【００７６】
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板（ＢＢＳ）に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施の形態の処理装置を示す図である。
【図２】図１の処理装置の断面構成を示す図である。
【図３】図１の制御部の構成を示す図である。
【図４】シリコン酸化膜の形成方法を説明する図である。
【図５】半導体ウエハ表面の反応を説明するための図である。
【図６】ソースガスを変えた場合のサイクルレートを示す図である。
【図７】本発明の他の実施の形態の処理装置を示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
１  処理装置
２  反応管
３  排気部
４  排気口
５  蓋体
６  ウエハボート
７  昇温用ヒータ
８、９  処理ガス供給管
１０  プラズマ発生部
１１  電極
１００  制御部
１１１  レシピ記憶部
１１２  ＲＯＭ
１１３  ＲＡＭ
１１４  Ｉ／Ｏポート
１１５  ＣＰＵ
１１６  バス
１２１  操作パネル
１２２  温度センサ
１２３  圧力計
１２４  ヒータコントローラ
１２５  ＭＦＣ
１２６  バルブ制御部
１２７  真空ポンプ
１２８  ボートエレベータ
１２９  プラズマ制御部
Ｗ  半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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