(57)【要約】【課題】長期にわたって高い表示性能を維持することができ、製造コストの低減を図ることが可能な画像表示装置の製造方法および画像表示装置を提供する。【解決手段】前面基板１１およびこの前面基板に対向配置され背面基板１２を有する外囲器１０と、前記外囲器内に設けられた非蒸発型のゲッタと、を備えた画像表示装置の製造方法であって、非蒸発型ゲッタの粉末と金属アルコキシドとにより前記外囲器内に非蒸発型ゲッタ部材２３を形成し、金属アルコキシドを加熱して非蒸発型ゲッタの粉末を外囲器内に固着する。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面基板およびこの前面基板に対向配置され背面基板を有する外囲器と、前記外囲器内に設けられた非蒸発型のゲッタと、を備えた画像表示装置の製造方法において、
非蒸発型ゲッタの粉末と金属アルコキシドとにより前記外囲器内に非蒸発型ゲッタ部材を形成し、
前記金属アルコキシドを加熱して前記非蒸発型ゲッタの粉末を前記外囲器内に固着する画像表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記非蒸発型ゲッタの粉末と金属アルコキシドとを有する前記非蒸発型ゲッタ部材を前記外囲器内に塗布して成膜し、ゲッタ膜を形成する請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記ゲッタ膜は、印刷法、インクジェット方式、ディスペンサー塗布方式、スプレー法により製膜されていることを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項４】
金属アルコキシドは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｂ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｖ、Ｗ、Ｙの金属、あるいは、これらの合金を用いる請求項１記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項５】
上記被蒸発型ゲッタ部材は、１ないし５００μｍの膜厚に形成する請求項１記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項６】
上記被蒸発型ゲッタ部材は、１０ないし１００μｍの膜厚に形成する請求項５に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項７】
上記非蒸発型ゲッタは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｍｎのうち１種類以上の金属、または２種類以上の合金を用いる請求項１ないし６のいずれか１項に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項８】
上記非蒸発型ゲッタの粉末は、２００μｍ以下の粒径とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記非蒸発型ゲッタ部材を形成した後、前記前面基板および背面基板の周縁部同士を封着し、
前記外囲器を前記非蒸発型のゲッタの活性化温度よりも高い温度で加熱して、前記外囲器内を脱ガスし、
前記脱ガスしながら、前記外囲器内を真空排気し、
前記脱ガス後、前記非蒸発型のゲッタを活性化する請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前面基板およびこの前面基板に対向配置され背面基板を有する外囲器と、
非蒸発型ゲッタの粉末と金属アルコキシドとにより前記外囲器内に形成された非蒸発型ゲッタ部材と、
を備えた画像表示装置。
【請求項１１】
前記金属アルコキシドは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｂ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｖ、Ｗ、Ｙの金属、あるいは、これらの合金である請求項１０記載の画像表示装置。
【請求項１２】
上記被蒸発型ゲッタ部材は、１ないし５００μｍの膜厚のゲッタ膜として形成されている請求項１０記載の画像表示装置。
【請求項１３】
上記被蒸発型ゲッタ部材は、１０ないし１００μｍの膜厚に形成されている請求項１２に記載の画像表示装置。
【請求項１４】
上記非蒸発型ゲッタは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｍｎのうち１種類以上の金属、または２種類以上の合金である請求項１０ないし１３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１５】
上記非蒸発型ゲッタの粉末は、２００μｍ以下の粒径を有している請求項１０に記載の画像表示装置。
【請求項１６】
前記前面基板の内面に形成された蛍光体層と、前記外囲器内で前記背面基板上に設けられ前記蛍光体層を励起する電子を放出する複数の電子源と、を備えている請求項１０に記載の画像表示装置。
【請求項１７】
前記非蒸発型ゲッタ部材は、上記電子源から放出される電子が当たらない領域に設けられている請求項１６に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、対向配置された基板を有する外囲器と、外囲器内に内部に設けられたゲッタとを備えた画像表示装置の製造方法、および画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、軽量・薄型の画像表示装置として、液晶の配向を利用して光の強弱を制御する液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと称する）、プラズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）、表面伝導型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させる表面伝導型電子放出ディスプレイ（以下、ＳＥＤと称する）などが開発されている。
【０００３】
例えばＦＥＤでは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周辺部同士を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。前面基板の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面基板の内面には蛍光体を励起して発光させる電子放出源として多数の電子放出素子が設けられている。
【０００４】
背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板の間には複数の支持部材が配設されている。背面基板側の電位はほぼアース電位であり、蛍光面にはアノード電圧として例えば１０ｋＶが印加される。蛍光体スクリーンを構成する赤、緑、青の蛍光体に電子放出素子から放出された電子ビームを照射し、蛍光体を発光させることによって画像を表示する。
【０００５】
このようなＦＥＤにおいては、外囲器内部を高い真空度に維持することが重要となる。真空度が低いと、安定した電子放出ができず、画像表示装置の寿命が低下する。また、ＰＤＰでは、外囲器の内部を満たした不活性ガスを高純度に保つことが重要な技術となっている。
【０００６】
長期間に渡って外囲器内を高真空に維持するため、外囲器内には放出ガスを吸着するゲッタ材が設けられ重要な役割を果たしている。従来、ゲッタ材のガス吸着特性を向上させるため、真空処理装置内でゲッタ材を前面基板または背面基板の内面、あるいはその他の構造物に蒸着し、更に、両基板を真空中で封着して外囲器を形成する画像表示装置の製造方法および製造装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、例えば、ＰＤＰのパネル側辺に隣り合う領域に非蒸発型ゲッタ層を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−２２９８２４号公報
【特許文献２】特開平１１−１９１３７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
真空処理装置内でゲッタ膜の形成、および外囲器の封着を行う方法では、不所望なガス分子は効率的にゲッタ膜に吸着される。そのため、ＦＥＤの真空外囲器内部は長期間にわたって高い真空度に維持される。
【０００８】
しかしながら、この方法では大型の真空処理装置を使用するため、製造コストが高くなり、結果として画像表示装置のコストも高くなる。蛍光体スクリーンの全面に亘って蒸発型のゲッタ膜を蒸着形成すると、輝度が低下するという性能上の問題も生じる。また、背面基板側に設けられた電子放出素子や配線に重ねてゲッタ膜を設けた場合、耐圧が劣化し、あるいは、配線が短絡する問題を生じる。
【０００９】
また、パネル側辺に隣り合う領域に非蒸発型のゲッタ膜を形成する方法では、ゲッタから離れた領域、すなわち蛍光体スクリーンの中央部に存在する不所望なガス分子を効率的にゲッタに吸着することができない。そのため、真空外囲器の中央部のガス圧が高くなり、表示装置中央部の輝度が低下する。更に、コンダクタンスの小さい排気管や排気孔から外囲器内を排気している状態で基板を加熱すると、放出ガスによって外囲器内の圧力が上昇し、十分なゲッタ特性を得られるまでゲッタを活性化することが困難となる。
【００１０】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、長期にわたって良好な表示性能を維持することができ、製造コストの低減を図ることが可能な画像表示装置の製造方法および画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明の態様に係る画像表示装置の製造方法は、前面基板およびこの前面基板に対向配置され背面基板を有する外囲器と、前記外囲器内に設けられた非蒸発型のゲッタと、を備えた画像表示装置の製造方法において、非蒸発型ゲッタの粉末と金属アルコキシドとにより前記外囲器内に非蒸発型ゲッタ部材を形成し、前記金属アルコキシドを加熱して前記非蒸発型ゲッタの粉末を前記外囲器内に固着することを特徴としている。
【００１２】
この発明の他の形態に係る画像表示装置は、前面基板およびこの前面基板に対向配置され背面基板を有する外囲器と、非蒸発型ゲッタの粉末と金属アルコキシドとにより前記外囲器内に形成された非蒸発型ゲッタ部材と、を備えている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の様態によれば、高価な真空装置を用いることなく、非蒸発型ゲッタを効果的に機能させることが可能となり、長期にわたって高い表示性能を維持することができとともに、製造コストの低減を図ることが可能な画像表示装置の製造方法および画像形成装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下図面を参照しながら、この発明の実施形態に係る画像表示装置の製造方法および画像表示装置について詳細に説明する。ここでは、画像表示装置の一例として、表面導電型の電子放出素子を備えたＳＥＤについて説明する。  
図１および図２に示すように、ＳＥＤは、それぞれ矩形状のガラス板からなる前面基板１１、および背面基板１２を備え、これらの基板は所定の間隔で対向配置されている。背面基板１２は、前面基板１１よりも大きな寸法に形成されている。前面基板１１および背面基板１２は、矩形枠状の側壁１３を介して周縁部同士が接合され、内部が真空状態に維持された偏平な外囲器１０を構成している。接合部材として機能する側壁１３は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２５により、前面基板１１の周縁部および背面基板１２の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。
【００１５】
外囲器１０の内部には、前面基板１１および背面基板１２に加わる大気圧荷重を支えるため、複数の板状の支持部材１４が設けられている。これらの支持部材１４は、外囲器１０の一辺と平行な方向にそれぞれ延在しているとともに、上記一辺と直交する方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。各支持部材１４の長手方向両端部は、それぞれ側壁１３と隙間を置いて対向している。
【００１６】
図２ないし図４に示すように、前面基板１１の内面には、画像表示面として機能する蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、赤、緑、青の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、およびこれらの蛍光体層間に位置した黒色の遮光層２０を並べて構成されている。赤、緑、青の３色の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂは、前面基板１１の長辺と平行な第１方向に隙間を置いて交互に並んで形成され、同一色の蛍光体層が第１方向と直交する第２方向に隙間を置いて配列されている。蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂはそれぞれ、赤、緑、青の単色でサブピクセルを構成し、３色のサブピクセルを合わせて一画素を構成している。
【００１７】
蛍光体スクリーン１６の遮光層２０に重ねてマトリクス状の分断層３１が形成されている。蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウム膜等からなるメタルバック層１７が形成されている。本実施形態によれば、メタルバック層１７は、分断層３１により縦方向および横方向に分断され、互いに電気的に分離した複数の分断領域を有している。分断層３１により夫々が互いに電気的に分断したメタルバック層１７は、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂに夫々重なって位置している。
【００１８】
蛍光体スクリーン１６の遮光層２０に重ねて、ここでは、分断層３１に重ねて、非蒸発型のゲッタ膜２３がパターン形成されている。ゲッタ膜２３は、後述するように、非蒸発型ゲッタと金属アルコキシドによって作られて非蒸発型ゲッタ部材により形成され、蛍光体スクリーン１６上に所定の面積で配置されている。すなわち、ゲッタ膜２３は、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ上を避けるように分断層３１上に重ねて形成され、互いに電気的に分断された複数の領域を有している。ゲッタ膜２３は、遮光層２０上に重なる領域にだけ設けても良いが、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂに重なる領域であっても、対応する電子放出素子１８からの電子ビームが当たらない領域であれば重ねて設けても良い。
【００１９】
図２に示すように、背面基板１２の内面上には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起する電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。背面基板１２の内面には、電子放出素子１８に電位を供給する多数本の配線２１がマトリック状に設けられ、その端部は外囲器１０の外部に引出されている。
【００２０】
背面基板１２の周縁部、例えば、コーナー部には排気工程において外囲器１０内部を排気するための排気孔２９が貫通形成されている。排気孔２９は、蛍光体スクリーン１６から外れた位置、つまり、有効表示領域から外れた位置に設けられている。排気孔２９は蓋部材３０によって気密に封止されている。排気孔２９は、１つに限らず、必要に応じて増加可能である。
【００２１】
このようなＳＥＤでは、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック層１７にアノード電圧を印加して、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーンへ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂが励起されて発光し、カラー画像を表示する。
【００２２】
次に、ゲッタ膜２３を形成する非蒸発型ゲッタ部材の物性、およびＳＥＤの製造方法について説明する。  
非蒸発型ゲッタ部材は、上述したように非蒸発型ゲッタと金属アルコキシドを混ぜて形成される。本実施形態では、Ｚｒ、Ｖ、およびＦｅを配合した混合物をアークメルトにより溶解してインゴットを溶製し、このインゴットを粉砕機により平均粒径１０μｍ程度に粉砕して非蒸発型ゲッタの粉末を製造する。溶媒がエタノールからなるＳｉアルコキシドを用意し、上記のように製造した非蒸発型ゲッタの粉末とＳｉアルコキシド（溶液時）とを重量比５：３で混合して非蒸発型ゲッタ部材の溶液を製造した。
【００２３】
非蒸発型ゲッタの粉末の粒径は、２００μｍ以下が望ましい。粒径が大きいと接着力を得にくく、さらに単位重量あたりの吸着効率も悪くなり効率が悪い。また、金属アルコキシドは、表層がアルキル基で終端されていればよく、金属材料は何でもよい。例えば、金属材料として、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｂ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｖ、Ｗ、Ｙを用いることができる。非蒸発型ゲッタの粉末に対する金属アルコキシドの混合比は、十分な接着強度を得ることができる最小の量であることが望ましく、塗布方法によっても適切な混合比を選択することが望ましい。
【００２４】
製造工程においては、まず、前面基板１１となる板ガラスに蛍光体スクリーン１６を形成する。続いて、蛍光体スクリーン１６の遮光層２０に重ねてマトリクス状の分断層３１を形成した後、蛍光体スクリーン１６に重ねてアルミニウム膜等からなるメタルバック層１７を蒸着形成する。メタルバック層１７は、分断層により縦方向および横方向に分断され、互いに電気的に分離した複数の分断領域を形成する。
【００２５】
続いて、上記のように製造した非蒸発型ゲッタ部材を、メタルマスクを介して分断層３１上にスプレーし、パターンニングされたゲッタ膜２３を形成する。パターニングされたゲッタ膜２３を１００℃程度の温度で加熱し、前面基板１１に固着させる。図５は、非蒸発型ゲッタの粒子２３ａおよび金属アルコキシド２３ｂにより形成されたゲッタ膜２３を拡大して示している。非蒸発型のゲッタ膜２３の膜厚を３０μｍ程度に設定した。
【００２６】
ゲッタ膜２３を形成した後、金属アルコキシド２３ｂを加熱すると、金属アルコキシド２３ｂはポーラスな網目構造となり、非蒸発型ゲッタの粒子２３ａ同士を強固に接着するとともに、非蒸発型ゲッタの粒子２３ａの表面を比較的大きな面積で露出させることができる。そのため、後の活性化工程で非蒸発型ゲッタ粒子２３ａを活性化させた後、非蒸発型ゲッタのガス吸着機能を十分に発揮させることができる。
【００２７】
なお、ゲッタ膜２３の形成は、スプレー法に限らず、インクジェット方式やディスペンサー塗布方式、印刷法などの他の方法を用いても良い。印刷法で塗布する場合には、低粘度溶液でも容易に成膜できるフレキソ印刷法が良い。
【００２８】
ゲッタ膜２３の膜厚は、３０μｍに限らず、１〜５００μｍ程度に設定され、好ましくは１０〜１００μｍ程度に設定される。ゲッタ膜２３の膜厚が１μｍより薄いと、後述するように非蒸発型ゲッタを活性化させた後のガス吸着能力が不十分となり、膜厚が５００μｍを超えるとゲッタ膜２３が剥れ易くなってしまう。ゲッタ膜２３の膜厚が１００μｍ以下であれば剥れることは殆どなく、１０μｍ以上であればガス吸着能力も十分となる。膜厚の好適な数値範囲は、本実施形態のゲッタ膜２３を加熱して前面基板に固着させたときのポーラスな構造に起因するものである。
【００２９】
続いて、封着材２５として、軟化温度が３５０〜５００℃程度の低融点ガラスを前面基板１１の内面外周部に沿って矩形枠状に塗布して封着層を形成する。大気中で低融点ガラスを仮焼成して有機溶剤と樹脂を除去しておく。
【００３０】
一方、背面基板１２用の板ガラスに電子放出素子１８および配線２１を形成する。次に、封着材２５としての低融点ガラスを背面基板１２の内面外周部に沿って矩形枠状に塗布し封着層を形成する。この背面基板１２を大気中で仮焼成する。その後、封着層上に側壁１３を位置合わせした後、大気中で低融点ガラスの結晶析出温度まで昇温しその温度を保持することにより側壁１３を背面基板１２に封着する。この後、電子放出素子１８の活性化を行う。次いで、複数の支持部材１４を背面基板１２に対して位置合わせし、その端部を背面基板に固着する。
【００３１】
続いて、上記のように形成された前面基板１１および背面基板１２の周縁部同士を封着する。この際、前面基板１１と背面基板１２を真空チャンバ内に配置して周縁部同士を封着することで最も良い特性を得ることができるが、大型の真空チャンバを用意する必要があり製造コストが高くなってしまう。そこで、本実施の形態では、前面基板１１と背面基板１２とを互いに位置合わせし、一定の隙間を置いて対向配置した状態で図示しない加熱炉内に投入する。そして、前面基板１１および背面基板１２を５００℃程度に加熱する。加熱により、予め塗布された低融点ガラスの溶融が始まる。例えば、３０分かけてアルゴン雰囲気にて約５００℃に温度が保持され、低融点ガラスが溶融するとともに結晶析出が始まる。その後、低融点ガラスの結晶析出がほぼ完了し、背面基板１２、前面基板１１が低融点ガラスにより側壁１３を介して互いに封着される。
【００３２】
続いて、加熱炉内の温度をゲッタ膜の活性化温度よりも高い高温、例えば、４００〜４５０℃に維持し、前面基板１１および背面基板１２を１時間程度ベーキングする。これにより、前面基板、背面基板、蛍光体スクリーン、電子放出素子に吸着していた不所望なガス成分を放出させ脱ガスを行う。電子放出素子の酸化を防ぐため、加熱炉内を不活性雰囲気、還元雰囲気にて封着およびベーキングを行なうことが望ましい。時間、温度により雰囲気を選択することが可能である。
【００３３】
ベーキングによる脱ガスの間、排気ポンプにより、排気孔２９から外囲器１０内部を排気する。これにより、基板、蛍光体スクリーン等から脱離したガス成分が外囲器１０から外部へ排出され、外囲器１０内部は清浄な真空状態となる。
【００３４】
外囲器１０内部の真空度が１×１０−３Ｐａ以下となったところで、前面基板１１および背面基板１２を３５０〜５００℃程度で所定時間、例えば、２時間、加熱して非蒸発ゲッタを活性化する。これにより、活性化されたゲッタ膜２３は、吸着能力がほぼ劣化することなく動作状態となる。
【００３５】
非蒸発型のゲッタ膜２３の活性化が終了した後、外囲器１０を所望の温度まで降温し、蓋部材３０により外囲器１０の排気孔２９を気密に封止する。蓋部材３０の封止は、インジウム等の低融点金属による封着、局所加熱による溶着など公知の技術を用いて行うことができる。次いで、外囲器１０は、加熱炉から取り出される。以上の工程によりＳＥＤの外囲器１０が完成する。
【００３６】
上記のように構成されたＳＥＤおよび製造方法によれば、非蒸発型ゲッタおよび金属アルコキシドで形成されたゲッタ膜２３は、蛍光体スクリーン１６の全面にわたって形成されているとともに、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ上を避けるよう遮光層２０上に形成されている。そのため、ゲッタ膜２３により輝度を低下させずに外囲器１０内部全体を高い真空度に維持することが可能となる。
【００３７】
ゲッタ膜を非蒸発型ゲッタおよび金属アルコキシドを混合した非蒸発型ゲッタ部材で形成することにより、活性化工程において非蒸発型ゲッタ部材を加熱した場合でも、有機バインダーを用いた場合のように有機ガスが発生する心配がなく、非蒸着型ゲッタの性能劣化を防止することができる。また、金属アルコキシドは、ポーラスな構造を有していることから、非蒸着型ゲッタの露出面積が大きく、高いガス吸着能力を有したゲッタ膜が得られる。同時に、ＳＥＤの動作時においても、有機ガスの発生を防止することができる。これにより、長期間に亘って高い表示性能を維持可能なＳＥＤを得ることができる。
【００３８】
以上のことから、非蒸発型ゲッタを効果的に機能させることが可能となり、長期にわたって高い表示性能を維持することができとともに、高価な真空装置を用いることなく、製造コストの低減を図ることが可能な画像表示装置の製造方法および画像形成装置を提供することができる。
【００３９】
この発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００４０】
上述した実施形態では、ゲッタ膜の形成対象となる部材として、内面に蛍光体スクリーンを有する前面基板を備えたＳＥＤを例にとって説明したが、この発明はこれに限定されること無く、ＦＥＤ、ＰＤＰ等の他の表示装置に適用することもできる。
【００４１】
各構成要素の寸法、材料等は、上述した実施形態で例示した数値、材料に限定されることなく、必要に応じて種々選択可能である。ゲッタとしては、Ｚｒ、Ｖ、Ｆｅに限らず、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｈ、Ｎｉ、Ｍｎなどの金属、あるいはこれらの合金を用いても良い。
【００４２】
上述した実施形態では、非蒸発型ゲッタ部材を蛍光体スクリーン上に設ける構成としたが、これに限らず、ゲッタ部材を外囲器内に位置した他の構成部材に形成してもよい。例えば、背面基板１２側の構造物に非蒸発型ゲッタ部材を設ける場合、電子放出素子１８から外れた位置で配線２１を短絡することのない位置に形成すれば良い。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１は、この発明の実施形態に係るＳＥＤを一部破断して示す斜視図。
【図２】図２は、図１の線Ａ−Ａに沿ったＳＥＤの断面図。
【図３】図３は、前記ＳＥＤの前面基板および蛍光体スクリーンの一部を拡大して示す平面図。
【図４】図４は、図３の線Ｂ−Ｂに沿った前面基板の断面図。
【図５】図５は、前記ＳＥＤの非蒸発型のゲッタ膜を拡大して示す断面図。
【符号の説明】
【００４４】
１０…外囲器、  １１…前面基板、  １２…背面基板、  １３…側壁、
１４…支持部材、  １６…蛍光体スクリーン、  １７…メタルバック層、
１８…電子放出素子、  Ｒ、Ｇ、Ｂ…蛍光体層、  ２０…遮光層、
２３…非蒸発型のゲッタ膜、  ２３ａ…ゲッタの粉末、  ２３ｂ…金属アルコキシド
【図１】
2008091253.tif 000003
【図２】
2008091253.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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