(57)【要約】【課題】パターンエッチングによる加工性が良好で、信頼性が高く消費電力が低い有機ＥＬ表示装置を可能とする導電膜基板を提供する。【解決手段】導電膜基板を、透明基材と、この透明基材上に順次積層された透明導電膜、中間層および金属層とを備えたものとし、透明導電膜は酸化インジウムスズ膜、中間層はＭｏ層、Ｍｏ合金層および酸化インジウム亜鉛層のいずれか、金属層はＡｇ合金層とし、これにより、透明導電膜と金属層との密着性が良好なものとなり、かつ、透明導電膜に対して中間層と金属層を一括で選択エッチングしてリード部のパターンを形成することが可能となる。【選択図】  図１
2008041294.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材と、該透明基材上に順次積層された透明導電膜、中間層および金属層とを備え、前記透明導電膜は酸化インジウムスズ膜であり、前記中間層はＭｏ層、Ｍｏ合金層および酸化インジウム亜鉛層のいずれかであり、前記金属層はＡｇ合金層であることを特徴とする導電膜基板。
【請求項２】
前記Ｍｏ合金層は、主成分であるＭｏを６０重量％以上の範囲で含有し、副成分としてＮｂ、Ｃｒ、Ａｌの少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１に記載の導電膜基板。
【請求項３】
前記Ａｇ合金層は、主成分であるＡｇを７０〜９９重量％の範囲で含有し、副成分としてＰｄ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕの少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の導電膜基板。
【請求項４】
前記透明基材と前記透明導電膜との間にカラーフィルタ層を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の導電膜基板。
【請求項５】
前記透明基材と前記透明導電膜との間にカラーフィルタ層と平坦化層をこの順に積層して備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の導電膜基板。
【請求項６】
前記透明基材と前記透明導電膜との間にカラーフィルタ層と色変換蛍光体層と平坦化層をこの順に積層して備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の導電膜基板。
【請求項７】
前記透明導電膜は、ガスバリア層を介して形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の導電膜基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電膜を備えた導電膜基板、特にパッシブマトリックス駆動方式の有機ＥＬ表示装置に使用する導電膜基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、自発光により視認性が高いこと、液晶表示装置と異なり全固体表示装置であること、温度変化の影響をあまり受けないこと、視野角が大きいこと等の利点をもっており、近年、フルカラー表示装置、エリアカラー表示装置、照明等の有機発光表示装置として実用化が進んでいる。
有機ＥＬ表示装置としては、例えば、（１）三原色の有機ＥＬ素子を各発光色毎に所定のパターンで配列する方式、（２）白色発光の有機ＥＬ素子を使用し、三原色のカラーフィルタ層を介して表示する方式、（３）青色発光の有機ＥＬ素子を使用し、蛍光色素を利用した色変換蛍光体層（ＣＣＭ層）を設置して、青色光を緑色蛍光や赤色蛍光に変換して三原色表示をするＣＣＭ方式等が提案されている。
【０００３】
また、有機ＥＬ表示装置には、パッシブマトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式とがある。このうち、パッシブマトリックス駆動方式は、複数のストライプ形状の陽極（透明電極）と、有機ＥＬ発光層を介して陽極と直交するように形成された複数のストライプ形状の陰極（背面電極）とを備え、ドライバＩＣにより陽極と陰極とが交差する所望の部位に電流を供給して駆動するものである。このパッシブマトリックス駆動方式は、アクティブマトリックス駆動方式に比べて構造が簡単であり製造コストが低いという利点があるが、反面、消費電力が大きいという問題がある。そして、近年の画素サイズの大型化に伴って、パッシブマトリックス駆動方式における消費電力低減の要請が更に高くなっている。
これに対応するために、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明電極のリード部に金属層を形成して、リード部とタブとの接触抵抗を低減した有機ＥＬ表示装置が提案されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００３−５５７２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の特許文献１では、ＩＴＯに対する密着性が不十分である点からＡｇ合金層は金属層から排除されており、Ａｇ、Ｐｄ等からなる金属層を形成することが開示されている。
しかし、特許文献１に開示されているＩＴＯ／金属層の積層体は、ＩＴＯに対する金属層の選択エッチング性が悪く、高精細なパターン形成が困難であるという問題があった。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、パターンエッチングによる加工性が良好で、信頼性が高く消費電力が低い有機ＥＬ表示装置を可能とする導電膜基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的を達成するために、本発明は、透明基材と、該透明基材上に順次積層された透明導電膜、中間層および金属層とを備え、前記透明導電膜は酸化インジウムスズ膜であり、中間層はＭｏ層、Ｍｏ合金層および酸化インジウム亜鉛層のいずれかであり、前記金属層はＡｇ合金層であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記Ｍｏ合金層は、主成分であるＭｏを６０重量％以上の範囲で含有し、副成分としてＮｂ、Ｃｒ、Ａｌの少なくとも１種を含有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記Ａｇ合金層は、主成分であるＡｇを７０〜９９重量％の範囲で含有し、副成分としてＰｄ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕの少なくとも１種を含有するような構成とした。
【０００６】
本発明の他の態様として、前記透明基材と前記透明導電膜との間にカラーフィルタ層を備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記透明基材と前記透明導電膜との間にカラーフィルタ層と平坦化層をこの順に積層して備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記透明基材と前記透明導電膜との間にカラーフィルタ層と色変換蛍光体層と平坦化層をこの順に積層して備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記透明導電膜は、ガスバリア層を介して形成されているような構成とした。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の導電膜基板は、Ｍｏ層、Ｍｏ合金層および酸化インジウム亜鉛層のいずれかからなる中間層を、Ａｇ合金層からなる金属層と酸化インジウムスズ膜からなる透明導電膜との間に備えるので、透明導電膜と金属層との密着性が良好であり、また、例えば、硝酸・リン酸・酢酸混合液等の金属層用のエッチング液に対して中間層も金属層と同等のエッチング性を発現し、透明導電膜に対して中間層と金属層を一括で選択エッチングしてリード部のパターンを形成することが可能であり、また、中間層はフォトリソグラフィー工程で使用するアルカリ性の現像液や剥離液に対する耐性に優れ、これによりリード部での接触抵抗が小さく消費電力が低いとともに、リード部の剥離欠陥が生じ難く信頼性の高い有機ＥＬ表示装置の製造を可能とするものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明について図面を参照しながら説明する。
［導電膜基板］
図１は、本発明の導電膜基板の一実施形態を示す概略構成図である。図１において、導電膜基板１は、透明基材２と、この透明基材２の一方の面に順次形成された透明導電膜３、中間層４および金属層５とを備えている。本発明では、上記の透明導電膜３が酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜であり、中間層４がＭｏ層、Ｍｏ合金層および酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）層のいずれかであり、金属層５がＡｇ合金層であり、中間層４は透明導電膜３と金属層（Ａｇ合金層）５との密着性を向上させるための層である。
【０００９】
図２は、本発明の導電膜基板の他の実施形態を示す概略構成図である。図２において、導電膜基板１１は、透明基材１２と、この透明基材１２の一方の面に順次形成されたカラーフィルタ層１６、透明導電膜１３、中間層１４および金属層１５とを備えている。透明導電膜１３、中間層１４、金属層１５は上述の透明導電膜３、中間層４、金属層５と同様であり、透明導電膜１３は酸化インジウム錫膜であり、中間層１４はＭｏ層、Ｍｏ合金層および酸化インジウム亜鉛層のいずれかであり、金属層１５はＡｇ合金層である。また、カラーフィルタ層１６は、入射光を色補正したり、色純度を高めるものであり、本発明の導電膜基板を用いて作製する有機ＥＬ表示装置に応じて適宜設定することができ、上述の例では、１色の着色層からなるものであるが、これに限定されるものではない。
【００１０】
図３は、本発明の導電膜基板の他の実施形態を示す概略構成図である。図３において、導電膜基板２１は、透明基材２２と、この透明基材２２の一方の面に形成された三原色の着色層２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂからなるカラーフィルタ層２６と、着色層２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂの境界部位に対応したパターン形状のブラックマトリックス２７と、平坦化層２８と、この平坦化層２８上に順次形成された透明導電膜２３、中間層２４および金属層２５とを備えている。透明導電膜２３、中間層２４、金属層２５は上述の透明導電膜３、中間層４、金属層５と同様であり、透明導電膜２３はＩＴＯ膜であり、中間層２４はＭｏ層、Ｍｏ合金層およびＩＺＯ層のいずれかであり、金属層２５はＡｇ合金層である。
また、カラーフィルタ層２６は、入射光を色補正したり、色純度を高めるものであり、本発明の導電膜基板を用いて作製する有機ＥＬ表示装置に応じて適宜設定することができ、上述の例では、三原色の着色層２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂからなるものであるが、これに限定されるものではない。さらに、平坦化層２８は、カラーフィルタ層２６の形成による凹凸表面を平坦化するための層である。
【００１１】
図４は、本発明の導電膜基板の他の実施形態を示す概略構成図である。図４において、導電膜基板３１は、透明基材３２と、この透明基材３２の一方の面に形成された三原色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂからなるカラーフィルタ層３６と、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの境界部位に対応したパターン形状のブラックマトリックス３７と、色変換蛍光体層３９、平坦化層３８と、この平坦化層３８上に順次形成された透明導電膜３３、中間層３４および金属層３５とを備えている。透明導電膜３３、中間層３４、金属層３５は上述の中間層４、金属層５と同様であり、透明導電膜３３はＩＴＯ膜であり、中間層３４はＭｏ層、Ｍｏ合金層およびＩＺＯ層のいずれかであり、金属層３５はＡｇ合金層である。
また、カラーフィルタ層３６は、入射光を色補正したり、色純度を高めるものであり、本発明の導電膜基板を用いて作製する有機ＥＬ表示装置に応じて適宜設定することができ、上述の例では、三原色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂからなるものである。
【００１２】
また、色変換蛍光体層３９は、入射光を所望の色の蛍光に変換するための層であり、図示例では、有機ＥＬ素子で発光された青色光を赤色蛍光に変換する赤色変換蛍光体層３９Ｒ、青色光を緑色蛍光に変換する緑色変換蛍光体層３９Ｇ、青色光をそのまま透過する青色変換ダミー層３９Ｂからなっている。そして、赤色変換蛍光体層３９Ｒ、緑色変換蛍光体層３９Ｇ、青色変換ダミー層３９Ｂが、カラーフィルタ層３６の三原色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｒに対応した位置に形成されている。尚、平坦化層３８は、上述の平坦化層２８と同様に、凹凸表面を平坦化するための層である。
【００１３】
図５は、本発明の導電膜基板の他の実施形態を示す概略構成図である。図５において、導電膜基板４１は、透明基材４２と、この透明基材４２の一方の面に形成された三原色の着色層４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂからなるカラーフィルタ層４６と、着色層４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂの境界部位に対応したパターン形状のブラックマトリックス４７と、平坦化層４８、ガスバリア層４９と、このガスバリア層４９上に順次形成された透明導電膜４３、中間層４４および金属層４５とを備えている。透明導電膜４３、中間層４４、金属層４５は上述の中間層４、金属層５と同様であって、透明導電膜４３はＩＴＯ膜であり、中間層４４はＭｏ層、Ｍｏ合金層およびＩＺＯ層のいずれかであり、金属層４５はＡｇ合金層である。
また、カラーフィルタ層４６は、入射光を色補正したり、色純度を高めるものであり、本発明の導電膜基板を用いて作製する有機ＥＬ表示装置に応じて適宜設定することができ、上述の例では、三原色の着色層４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂからなるものである。尚、平坦化層４８は、上述の平坦化層２８と同様に、凹凸表面を平坦化するための層である。
また、ガスバリア層４９は、このガスバリア層４９よりも透明基材４２側に位置する層から発生するガスが透明導電膜４３方向へ移行することを防止するための層である。
【００１４】
次に、上述の本発明の導電膜基板を構成する部材について説明する。
本発明に使用可能な透明基材２，１２，２２，３２，４２としては、ガラス材料、樹脂材料、または、これらの複合材料からなるもの、例えば、ガラス板に保護プラスチックフィルムもしくは保護プラスチック層を設けたもの等が用いられる。
上記の樹脂材料、保護プラスチック材料としては、例えば、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、液晶性ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリオキシメチレン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアクリレート、アクリロニトリル−スチレン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、シリコーン樹脂、非晶質ポリオレフィン等が挙げられる。この他の樹脂材料であっても、有機ＥＬ表示装置用として使用できる高分子材料であれば、使用可能である。
【００１５】
また、透明基材２，１２，２２，３２，４２の厚さは、通常、５０μｍ〜２．０ｍｍ程度とすることができる。
このような透明基材は、水蒸気や酸素等のガスバリア性の良好なものであれば更に好ましい。また、透明基材に水蒸気や酸素等のガスバリア層を形成してもよい。このようなガスバリア層としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の無機酸化物をスパッタリング法や真空蒸着法等の物理蒸着法により形成したものであってよい。
本発明の導電膜基板を構成する透明導電膜３，１３，２３，３３，４３は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜であり、その厚みは、例えば、０．００５〜１μｍ程度とすることができる。
【００１６】
本発明の導電膜基板を構成する中間層４，１４，２４，３４，４４は、上述のように、透明導電膜３，１３，２３，３３，４３と金属層５，１５，２５，３５，４５との密着性を向上させるための層であり、Ｍｏ層、Ｍｏ合金層および酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）層のいずれかである。中間層がＭｏ合金層である場合、主成分であるＭｏを６０重量％以上、好ましくは８０重量％以上の範囲で含有し、副成分としてはＮｂ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｄの少なくとも１種を含有することができる。Ｍｏ合金層における主成分のＭｏの含有量が６０重量％未満であると、透明導電膜と金属層との密着性が不十分となり好ましくないとともに、Ｍｏ合金層と金属層とのエッチング性の差が大きくなり、本発明の導電膜基板に対する加工工程において、中間層４，１４，２４，３４，４４と金属層５，１５，２５，３５，４５との一括エッチングが難しくなり好ましくない。
【００１７】
また、このような中間層の厚みは０．００５〜０．１μｍ、好ましくは０．０１〜０．０３μｍの範囲で適宜設定することができる。中間層の厚みが０．００５μｍ未満であると、上記の透明導電膜と金属層との密着性を向上させる作用が十分に発現されず、０．１μｍを超えると、密着性向上の更なる作用が得られない反面、製造コストの増大を来たすので好ましくない。
本発明の導電膜基板を構成する金属層５，１５，２５，３５，４５は、透明電極のリード部を構成し、外部タブとの接触抵抗を低減するための層である。このような金属層は、上述のように、Ａｇ合金層であり、主成分であるＡｇを７０〜９９重量％、好ましくは９６〜９９重量％の範囲で含有し、副成分としてＰｄ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｄ、Ｍｇの少なくとも１種を含有するものである。金属層における主成分のＡｇの含有量が７０重量％未満であると、抵抗値が高くなり、９９重量％を超えると、白濁を生じたり耐腐食性が低下して好ましくない。
【００１８】
また、このような金属層の厚みは０．０５〜１．０μｍ、好ましくは０．２〜０．４μｍの範囲で適宜設定することができる。金属層の厚みが０．０５μｍ未満であると、リード部としての機能が不十分となることがあり、１．０μｍを超えると、製造コストの増大を来たすので好ましくない。
本発明の導電膜基板を構成するカラーフィルタ層１６，２６，３６，４６は、上述のように、入射光を色補正したり、色純度を高めるものであり、例えば、有機ＥＬ表示装置がエリアカラーの場合には、図２のカラーフィルタ層１６のような単色、あるいは所定のエリア毎の複数色とすることができる。また、有機ＥＬ表示装置がフルカラーの場合には、図３〜５のカラーフィルタ層２６，３６，４６のような三原色の着色層からなるものとする。
【００１９】
カラーフィルタ層の形成に使用する材料は、特に限定されず、例えば、顔料、顔料分散剤、バインダー樹脂、反応性化合物および溶媒を含有する顔料分散組成物で形成することができる。さらに、カラーフィルタ層の厚みは、使用する材料、入射光の光学特性等に応じて適宜設定することができ、例えば、０．５〜１０μｍ程度の範囲で設定することができる。
本発明の導電膜基板を構成する平坦化層２８，３８，４８は、平坦化層よりも透明基材側に位置する層構造による凹凸を解消して、透明電極膜２３，３３，４３の平坦性を確保するための層である。この平坦化層の形成は、樹脂材料をスピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布し、硬化させることにより行うことができる。
【００２０】
平坦化層の材料としては、例えば、アクリレート系、メタクリレート系、ポリ桂皮酸ビニル系、もしくは環化ゴム系等の反応性ビニル基を有する光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、また、透明樹脂として、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリ塩化ビニル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、環状ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、４−メチルペンテン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレナフタレート樹脂、ポリプロピレンテレフタレート樹脂、フッ素系樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、マレイン酸樹脂等の透明樹脂材が挙げられる。さらには、ポリシロキサンオリゴマー等からなるゾルゲル材料もしくはポリシロキサンオリゴマー等と有機ポリマー等とからなる有機−無機ハイブリッド材料を挙げることもできる。
【００２１】
本発明の導電膜基板を構成する色変換蛍光体層３９は、例えば、蛍光色素を単体で使用し、所望のパターンマスクを介して真空蒸着法、スパッタリング法により帯状に形成することができる。また、例えば、蛍光色素と樹脂とを分散、または可溶化させた塗布液をスピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布して成膜し、これをフォトリソグラフィー法でパターニングする方法、上記の塗布液をスクリーン印刷法等でパターン印刷する方法等により、樹脂中に蛍光色素を含有した層として形成することができる。
【００２２】
上記の青色発光を赤色蛍光に変換する赤色変換蛍光体層３９Ｒに使用する蛍光色素としては、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン等のシアニン系色素、１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジウム−パークロレート等のピリジン色素、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ等のローダミン系色素、オキサジン系色素等が挙げられる。また、青色発光を緑色蛍光に変換する緑色変換蛍光体層３９Ｇに使用する蛍光色素としては、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフルオロメチルキノリジノ（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン、３−（２′−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン、３−（２′−ベンズイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン等のクマリン色素、ベーシックイエロー５１等のクマリン色素系染料、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等のナフタルイミド色素等が挙げられる。さらに、直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等の各種染料も蛍光性があれば使用することができる。上述のような蛍光色素は単独、あるいは、２種以上の組み合わせで使用することができる。赤色変換蛍光体層および緑色変換蛍光体層が樹脂中に蛍光色素を含有したものである場合、蛍光色素の含有量は、使用する蛍光色素、色変換蛍光体層の厚み等を考慮して適宜設定することができるが、例えば、使用する樹脂１００重量部に対し０．１〜１重量部程度とすることができる。
【００２３】
また、青色変換ダミー層３９Ｂは、有機ＥＬ発光層で発光された青色光をそのまま透過するものであり、赤色変換蛍光体層３９Ｒ、緑色変換蛍光体層３９Ｇとほぼ同じ厚みの透明樹脂層とすることができる。
赤色変換蛍光体層および緑色変換蛍光体層が樹脂中に蛍光色素を含有したものである場合、樹脂としては、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリ塩化ビニル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等の透明（可視光透過率５０％以上）樹脂を使用することができる。また、色変換蛍光体層のパターン形成をフォトリソグラフィー法により行う場合、例えば、アクリル酸系、メタクリル酸系、ポリケイ皮酸ビニル系、環ゴム系等の反応性ビニル基を有する光硬化型レジスト樹脂を使用することができる。さらに、これらの樹脂は、上述の青色変換ダミー層に使用することができる。
【００２４】
このような色変換蛍光体層３９の厚みは、例えば、１０〜２０μｍ程度とすることができ、各色の色変換蛍光体層間で厚みが異なるように形成してもよい。
本発明の導電膜基板を構成するガスバリア層４９は、上述のように、このガスバリア層４９よりも透明基材４２側に位置する層から発生するガスを遮断するための層である。このガスバリア層４９としては、電気絶縁性の透明無機酸化物膜を設けることが好ましく、例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ゲルマニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ホウ素、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化鉛、酸化ジルコニウム、酸化ナトリウム、酸化リチウム、酸化カリウム等の１種あるいは２種以上の酸化物を用いて、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方式により形成することができる。ガスバリア層４９の厚みは、バリア性と透明性とを考慮して０．０１〜１μｍの範囲で適宜設定することができる。このようなガスバリア層は、上記のような無機酸化物膜からなる２層以上の多層構成であってもよく、また、窒化珪素等の窒化物を副成分として含有したものであってもよい。
【００２５】
［導電膜基板の製造例］
次に、本発明の導電膜基板の製造例を、上述の透明導電膜４１を例として説明する。
図６は、本発明の導電膜基板の製造例を説明するための工程図である。まず、透明基材４２の一方の面に、ブラックマトリックス４７を形成し、その後、カラーフィルタ層４６を形成する（図６（Ａ））。
ブラックマトリックス４７の形成は、従来のカラーフィルタ基板におけるブラックマトリックスの形成と同様に行うことができる。例えば、透明基材４２上に、スパッタリング法等の真空成膜法により酸化窒化複合クロム等の遮光性薄膜を形成し、この上に感光性レジストを塗布し、マスク露光、現像を行ってレジストパターンを形成し、次いで、このレジストパターンをマスクとして遮光性薄膜をエッチングしてブラックマトリックス４７を形成することができる。
【００２６】
また、カラーフィルタ層４６は、例えば、顔料、顔料分散剤、バインダー樹脂、反応性化合物および溶媒を含有する顔料分散組成物を用いた顔料分散法等の公知の方法により形成することができ、形成方法には特に制限はない。形成するカラーフィルタ層４６の厚みは、使用する材料、入射光の光学特性等に応じて適宜設定することができ、例えば、０．５〜１０μｍ程度の範囲で設定することができる。
次に、カラーフィルタ層４６、ブラックマトリックス４７を被覆するように平坦化層４８を形成する（図６（Ｂ））。平坦化層４８の形成は、上述の説明で挙げたような樹脂材料を用いて、スピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布し、硬化させることにより行うことができる。この平坦化層４８は、透明基材４２の周辺部であって、有機ＥＬ表示装置の作製工程においてリード部が形成される領域を露出させるように形成する。
【００２７】
次いで、平坦化層４８を被覆するように透明基材４２上にガスバリア層４９、透明導電膜４３、中間層４４、金属層４５を順次積層して本発明の導電膜基板４１を得る（図６（Ｃ））。図７は、図６（Ｃ）に示される導電膜基板４１のＩ−Ｉ線における部分縦断面図である。このＩ−Ｉ線で示される部位は、有機ＥＬ表示装置の作製工程においてリード部が形成される領域であり、透明基材４２上にガスバリア層４９を介して、透明導電膜４３、中間層４４、金属層４５が積層されている。
ガスバリア層４９の形成は、上述の説明で挙げたような材料を用いて、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方式により形成することができる。形成するガスバリア層４９の厚みは、バリア性と透明性とを考慮して０．０１〜１μｍの範囲で適宜設定することができる。
【００２８】
また、透明導電膜４３の形成では、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方式によりＩＴＯ膜を成膜することができる。形成する透明導電膜４３の厚みは、例えば、０．００５〜１μｍの範囲で適宜設定することができる。
また、中間層４４の形成は、Ｍｏ、あるいは、上述の説明で挙げたようなＭｏ合金を用いて、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の成膜手段を用いて行うことができる。また、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方式によりＩＺＯ層を形成して中間層４４とすることができる。形成する中間層４４の厚みは、例えば、０．００５〜０．１μｍの範囲で適宜設定することができる。
さらに、金属層４５の形成は、上述の説明で挙げたようなＡｇ合金を用いて、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の成膜手段を用いて行うことができる。形成する金属層４５の厚みは、例えば、０．０５〜１．０μｍの範囲で適宜設定することができる。
【００２９】
［導電膜基板の加工例］
次に、本発明の導電膜基板を用いた有機ＥＬ表示装置の製造における加工例を、上述の導電膜基板４１を例として説明する。
図８は、本発明の導電膜基板の加工例を説明するための工程図である。まず、導電膜基板４１の金属層４５上に所望のレジストパターンを設け、このレジストパターンをマスクとして金属層４５と中間層４４を一括で選択エッチングし、その後、レジストパターンを除去する（図８（Ａ））。このエッチングは、例えば、硝酸・リン酸・酢酸混合液等の金属層（Ａｇ合金層）４５のエッチング液を用いて行うことができる。このようなエッチング液に対して、中間層４４も金属層４５と同等のエッチング性を発現するので、透明導電膜４３上において中間層４４と金属層４５を一括で選択エッチングしてパターン形成が可能となる。一方、中間層４４はレジストパターン形成で使用するアルカリ性の現像液や剥離液に対して優れた耐性を具備する。これにより、透明基材４２の対向する２辺に沿って複数のリード部５５ａが形成され、別の対向する２辺に沿って複数のリード部５５ｂが形成される。
【００３０】
これらのリード部５５ａ、５５ｂのうち、リード部５５ａは後工程で形成される透明電極のリード部となり、リード部５５ｂは、有機ＥＬ発光層を介して透明電極に直交するように形成される背面電極のリード部となる。尚、リード部５５ａは、図示例では、方形状に形成されているが、後工程で形成される透明電極の補助電極となるように、透明電極の長手方向と同一方向に細幅（図８（Ａ）に２点鎖線で示される形状）で延設されてもよい。
次に、リード部５５ａ、５５ｂを含む透明導電膜４３上に所望のレジストパターンを設け、このレジストパターンをマスクとして透明導電膜４３を選択エッチングし、その後、レジストパターンを除去する（図８（Ｂ））。このエッチングは、例えば、塩酸・硝酸混合液等のエッチング液を用いて行うことができる。この工程において、中間層４４はレジストパターン形成で使用するアルカリ性の現像液や剥離液に対して優れた耐性を具備する。これにより、リード部５５ａから同一方向に透明電極５３が延設される。
【００３１】
図９は、図８（Ｂ）に示される加工後の導電膜基板４１のII−II線における部分縦断面図であり、図１０は、図８（Ｂ）に示される加工後の導電膜基板４１のIII−III線における部分縦断面図である。図示されているように、リード部５５ａは金属層４５と中間層４４からなる積層体であり、リード部５５ｂは金属層４５、中間層４４、透明導電膜４３からなる積層体である。そして、これらの透明電極５３、リード部５５ａ，５５ｂの下層としてガスバリア層４９が透明基材４２の全域に存在している。
上述の加工例では、カラーフィルタ層４６の各着色層４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂの延設方向と、透明電極５３の延設方向が同一方向であるが、使用する有機ＥＬ発光層が三原色のものである場合、両者が直交するように、すなわち、リード部５５ｂから透明基板４２の中央部方向に透明電極５３を延設してもよい。この場合、リード部５５ａが、有機ＥＬ発光層を介して透明電極５３に直交するように形成される背面電極のリード部となる。
【００３２】
［有機ＥＬ表示装置］
次に、本発明の導電膜基板を上述のように加工して作製した有機ＥＬ表示装置の例を説明する。
図１１は、上述の図９に示される加工後の導電膜基板４１を用いて作製したパッシブマトリックス駆動方式の有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略構成図である。図１１に示される有機ＥＬ表示装置５１は、本発明の加工後の導電膜基板４１の帯状の透明電極５３の延設方向に直交するように延設された絶縁層５６と、この絶縁層上に配設された隔壁５７と、隔壁５７間に順次積層された有機ＥＬ発光層５８と背面電極５９とを備えている。隔壁５７は、有機ＥＬ発光層５８と背面電極５９の形成工程にてパターニング手段として利用するものであり、この結果、隔壁５７上にはダミーの有機ＥＬ発光層５８′と背面電極５９′が形成されている。
【００３３】
有機ＥＬ表示装置５１を構成する絶縁層５６は、非発光領域（透明電極５３と背面電極５９とが交差する領域を除く領域）にマトリックス形状に形成されている。この絶縁層５６は、例えば、チタン窒化物、チタン酸化物、チタン酸窒化物等のチタン系黒色顔料を用いて真空蒸着法、イオンプレーティング蒸着法等の方法により成膜し、その後、エッチングによるパターニング等を行なうことにより形成することができる。このような絶縁層５６の厚みは、例えば、０．２〜１μｍ程度とすることができる。また、絶縁層５６は、感光性樹脂材料を用いてパターニングした後、硬化させたものであってもよい。この場合、脱ガス性が低く、有機ＥＬ発光層５８へ脱ガス成分の拡散による画像表示品質の低下、短寿命化を防止できるポジ型感光性樹脂材料を使用することが好ましい。例えば、このようなポジ型感光性樹脂材料に、上述のようなチタン系黒色顔料の１種、あるいは２種以上を含有させた塗布液を用いて、フォトリソグラフィー法により絶縁層５６を形成することができる。絶縁層５６の厚みは、例えば、１〜３μｍ程度とすることができる。尚、絶縁層５６は、多層構造であってもよい。
【００３４】
有機ＥＬ表示装置５１を構成する隔壁５７は、上述のように、帯状の透明電極５３と直角に交差するように有機ＥＬ発光層５８と背面電極５９とを帯状に形成するための隔壁パターンである。すなわち、隔壁５７は、透明電極５３上に有機ＥＬ発光層５８と背面電極５９を真空蒸着法等により形成する際のマスクの役割を果たすものである。このような隔壁５７は、感光性樹脂をスピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布して成膜し、これをフォトリソグラフィー法でパターニングして形成することができる。図１１に示される例では、隔壁５７は下すぼまりの逆台形状の断面を有しているが、このように、隔壁５７を下すぼまり、もしくは、上すぼまりの形状とするには、所定の厚みで形成したポジ型またはネガ型の感光性樹脂層を、露光方向を変えて多重露光する方法、パターンをずらして異なる方向から多重露光する方法等により実現することができる。このような隔壁５７の高さは１〜２０μｍ程度、幅は５〜３０μｍ程度の範囲で設定することができる。
【００３５】
有機ＥＬ表示装置５１を構成する有機ＥＬ発光層５８は、白色発光であり、例えば、透明電極５３側から正孔注入層、発光層、および電子注入層が積層された構造、発光層単独からなる構造、正孔注入層と発光層とからなる構造、発光層と電子注入層とからなる構造、さらに、正孔注入層と発光層との間に正孔輸送層を介在させた構造、発光層と電子注入層との間に電子輸送層を介在させた構造等とすることができる。
また、発光波長を調整したり、発光効率を向上させる等の目的で、上記の各層に適当な材料をドーピングすることもできる。
【００３６】
有機ＥＬ発光層を構成する発光層は、上述の例では、白色発光であるが、有機ＥＬ表示装置の使用目的等に応じて、所望の発光色、例えば、赤色発光、緑色発光、青色発光の三原色とすることができ、あるいは、黄色、水色、オレンジ色である発光層を単独で、また、赤色発光、緑色発光、青色発光以外の他の複数の発光色の所望の組み合わせ等、いずれであってもよい。また、図４に示す導電膜基板３１を使用する場合には、有機ＥＬ発光層を青色発光とする。
【００３７】
有機ＥＬ発光層を構成する発光層に用いる有機発光材料としては、例えば、下記のような色素系、金属錯体系、高分子系のものを挙げることができる。
（１）色素系発光材料
シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等が挙げられる。
【００３８】
（２）金属錯体系発光材料
アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等、中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等、または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体が挙げられる。
【００３９】
（３）高分子系発光材料
ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体等が挙げられる。
特に、図４に示す導電膜基板３１を使用して製造する有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ発光層に使用する青色発光である有機発光材料として、例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、芳香族ジメチリディン系化合物等を挙げることができる。
【００４０】
具体的には、２−２′−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスヘンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系；  ２−［２−［４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾイミダゾール、２−［２−（４−カルボキシフェニル）ビニル］ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系；  ２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４′−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、２−［２−（４−クロロフェニル）ビニル］ナフト［１，２−ｄ］オキサゾール等のベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤を挙げることができる。
また、上記の金属キレート化オキシノイド化合物としては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ［ｆ］−８−キノリノール）亜鉛等の８−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピントリジオン等を挙げることができる。
【００４１】
また、上記のスチリルベンゼン系化合物としては、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼン等を挙げることができる。
また、上記のジスチリルピラジン誘導体としては、２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス［２−（１−ナフチル）ビニル］ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス［２−（４−ビフェニル）ビニル］ピラジン、２，５−ビス［２−（１−ピレニル）ビニル］ピラジン等を挙げることができる。
【００４２】
また、上記の芳香族ジメチリディン系化合物としては、１，４−フェニレンジメチリディン、４，４−フェニレンジメチリディン、２，５−キシレンジメチリディン、２，６−ナフチレンジメチリディン、１，４−ビフェニレンジメチリディン、１，４−ｐ−テレフェニレンジメチリディン、９，１０−アントラセンジイルジルメチリディン、４，４′−ビス（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル、４，４′−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル等、およびその誘導体を挙げることができる。
さらに、発光層の材料として、一般式（Ｒｓ−Ｑ）２−ＡＬ−Ｏ−Ｌで表される化合物も挙げることができる（上記式中、ＡＬはベンゼン環を含む炭素原子６〜２４個の炭化水素であり、Ｏ−Ｌはフェニラート配位子であり、Ｑは置換８−キノリノラート配位子であり、Ｒｓはアルミニウム原子に置換８−キノリノラート配位子が２個以上結合するのを立体的に妨害するように選ばれた８−キノリノラート置換基を表す）。具体的には、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（パラーフェニルフェノラート）アルミニウム（III）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム（III）等が挙げられる。
【００４３】
有機ＥＬ発光層５８を構成する各層に用いるドーピング材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料等は、下記に例示するような無機材料、有機材料いずれでもよい。有機ＥＬ発光層５８を構成する各層の厚みは特に制限はなく、例えば、１０〜１０００ｎｍ程度とすることができる。
（ドーピング材料）
ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポリフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等が挙げられる。
【００４４】
（正孔輸送材料）
オキサジアゾール系、オキサゾール系、トリアゾール系、チアゾール系、トリフェニルメタン系、スチリル系、ピラゾリン系、ヒドラゾン系、芳香族アミン系、カルバゾール系、ポリビニルカルバゾール系、スチルベン系、エナミン系、アジン系、トリフェニルアミン系、ブタジエン系、多環芳香族化合物系、スチルベン二量体等が挙げられる。
また、π共役系高分子として、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリ（Ｐ−フェニレン）、ポリ（Ｐ−フェニレンスルフィド）、ポリ（Ｐ−フェニレンオキシド）、ポリ（１，６−ヘプタジエン）、ポリ（Ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−チエニレン）、ポリ（２，５−ピロール）、ポリ（ｍ−フェニレンスルフィド）、ポリ（４，４′−ビフェニレン）等が挙げられる。
【００４５】
また、電荷移動高分子錯体として、ポリスチレン・ＡｇＣ１０４、ポリビニルナフタレン・ＴＣＮＥ、ポリビニルナフタレン・Ｐ−ＣＡ、ポリビニルナフタレン・ＤＤＱ、ポリビニルメシチレン・ＴＣＮＥ、ポリナフタアセチレン・ＴＣＮＥ、ポリビニルアントラセン・Ｂｒ２、ポリビニルアントラセン・Ｉ２、ポリビニルアントラセン・ＴＮＢ、ポリジメチルアミノスチレン・ＣＡ、ポリビニルイミダゾール・ＣＱ、ポリ−Ｐ−フェニレン・Ｉ２、ポリ−１−ビニルピリジン・Ｉ２、ポリ−４−ビニルピリジン・Ｉ２、ポリ−Ｐ−１−フェニレン・Ｉ２、ポリビニルピリジウム・ＴＣＮＱ等が挙げられ、さらに、電荷移動低分子錯体として、ＴＣＮＱ−ＴＴＦ等が、高分子金属錯体としては、ポリ銅フタロシアニン等が挙げられる。
正孔輸送材料としては、イオン化ポテンシャルの小さい材料が好ましく、特に、ブタジエン系、エナミン系、ヒドラゾン系、トリフェニルアミン系が好ましい。
【００４６】
（正孔注入材料）
フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー等の誘電性高分子オリゴマー等、を挙げることができる。
【００４７】
さらに、正孔注入材料として、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物を挙げることもできる。上記のポリフィリン化合物としては、ポリフィン、１，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ、２３Ｈ−ポリフィン銅（II）、アルミニウムフタロシアニンクロリド、銅オクタメチルフタロシアニン等を挙げることができる。また、芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジアミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−［４（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン、３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン、４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４′，４″−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン等を挙げることができる。
【００４８】
（電子注入材料）
カルシウム、バリウム、アルミリチウム、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、ニトロ置換フルオレン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、上記のオキサジアゾール環の酸素原子をイオウ原子に置換したチアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有したキノキサリン誘導体、トリス（８−キノリノール）アルミニウム等の８−キノリノール誘導体の金属錯体、フタロシアニン、金属フタロシアニン、ジスチリルピラジン誘導体等を挙げることができる。
【００４９】
有機ＥＬ発光層５８を構成する各層の形成は、隔壁５７をマスクとした真空蒸着法等により成膜して形成することができる。
有機ＥＬ表示装置５１を構成する背面電極５９の材料としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、これらの混合物で形成される。具体的には、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。電子注入性および電極としての酸化等に対する耐久性を考えると、電子注入性金属と、これより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物が好ましく、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が挙げられる。このような背面電極５９はシート抵抗が数百Ω／□以下が好ましく、このため、背面電極５９の厚みは、例えば、１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍ程度とすることができる。
【００５０】
上記の背面電極５９は、隔壁５７をマスクとして上述の電極材料を用いて真空蒸着法、イオンプレーティング蒸着法等の方法により成膜して形成することができる。すなわち、隔壁５７がマスクパターンとなり、各隔壁５７間のみを電極材料が通過して有機ＥＬ発光層５８上に到達することができる。そして、フォトリソグラフィー法等のパターニングを行う必要がないので、有機ＥＬ発光層５８の特性を劣化させることがない。
上述の本発明の実施形態は例示であり、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００５１】
次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
（試料１）
＜導電膜基板の作製＞
透明基材として、３７０ｍｍ×４７０ｍｍ、厚み０．７ｍｍのソーダガラス（セントラル硝子（株）製）を準備した。
【００５２】
（ブラックマトリックスの形成）
上記の透明基材上に、スパッタリング法により酸化窒化複合クロムの薄膜（厚み０．２μｍ）を形成した。この酸化窒化複合クロム薄膜上に感光性レジストを塗布し、マスク露光、現像を行ってレジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをマスクとして酸化窒化複合クロムをエッチングして、８０μｍ×２８０μｍの長方形状の開口部が、短辺方向に１００μｍピッチ、長辺方向に３００μｍピッチでマトリックス状に配列したブラックマトリックスを形成した。尚、透明基材の周縁部には、幅１０ｍｍでブラックマトリックスの非形成領域（後工程にてリード部を形成する領域）を確保した。
【００５３】
（カラーフィルタ層の形成）
まず、赤色、緑色、青色の３種の着色層用感光性塗料を調製した。すなわち、赤色着色剤として縮合アゾ系顔料（チバガイギー社製  クロモフタルレッドＢＲＮ）、緑色着色剤としてフタロシアニン系顔料緑色顔料（東洋インキ（株）製  リオノールグリーン２Ｙ−３０１）、および、青色着色剤としてアントラキノン系顔料（チバガイギー社製  クロモフタルブルーＡ３Ｒ）を準備した。これらの着色剤を用い、バインダー樹脂としてポリビニルアルコール（１０％水溶液）を用い、ポリビニルアルコール水溶液１０重量部に対し、各着色剤を１重量部の割合で配合して、十分に混合分散させ、得られた溶液１００重量部に１重量部の重クロム酸アンモニウムを架橋剤として添加し、赤色、緑色、青色の３種の着色層用感光性塗料を得た。
【００５４】
次に、上記の３種の着色層用感光性塗料を用いて各色の着色層を成膜してカラーフィルタ層を形成した。すなわち、上記のブラックマトリックスを形成した透明基材全面に、赤色着色層用の感光性塗料をスピンコート法により塗布し、プリベーク（１００℃、５分間）を行った。その後、所定の着色層用フォトマスクを用いて露光した。次いで、現像液（０．０５％ＫＯＨ水溶液）にて現像を行い、次いで、ポストベーク（２００℃、６０分間）を行って、帯状（幅８５μｍ）の赤色着色層（厚み１．５μｍ）を、その幅方向がブラックマトリックスの短辺方向となり、ブラックマトリックスの開口配列上となるように、３００μｍピッチで形成した。
同様に、緑色着色層の感光性塗料を用いて、帯状（幅８５μｍ）の緑色着色層（厚み１．５μｍ）を、上記の赤色着色層の延設方向と平行にブラックマトリックスの開口配列上となるように、それぞれ３００μｍピッチで形成した。隣接する赤色着色層と緑色着色層のピッチは１００μｍとした。さらに、青色着色層の感光性塗料を用いて、帯状（幅８５μｍ）の青色着色層（厚み１．５μｍ）を、上記の赤色着色層の延設方向と平行に赤色着色層と緑色着色層の中間領域（ブラックマトリックスの開口配列上）に、それぞれ３００μｍピッチで形成した。これにより、着色層の延設方向と直角方向の３００μｍ幅内に、帯状（幅８５μｍ）の赤色着色層、緑色着色層、青色着色層が１００μｍピッチで配設され、この３００μｍ単位が繰り返えされてなる着色層が形成された。
【００５５】
（平坦化層の形成）
アクリレート系光硬化性樹脂（ＪＳＲ（株）製  ＪＵＰＣ）をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで希釈して平坦化層用塗布液を調製した。この平坦化層用塗布液を、スピンコート法によりカラーフィルタ層上に塗布し、プリベーク（１２０℃、５分間）を行った。その後、所定のフォトマスクを用いて露光、現像を行い、次いで、ポストベーク（２３０℃、６０分間）を行って、カラーフィルタ層とブラックマトリックスを被覆する平坦化層（厚み２μｍ）を形成した。尚、透明基材の周縁部には、幅１０ｍｍで平坦化層の非形成領域（後工程にてリード部を形成する領域）を確保した。
【００５６】
（透明導電膜の形成）
上記の平坦化層を被覆するように透明基材の全面に、イオンプレーティング法により膜厚１５０ｎｍの酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜を形成して透明導電膜とした。
【００５７】
（中間層の形成）
上記のＩＴＯ膜上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により厚み０．３μｍのＭｏ層を形成して中間層とした。
【００５８】
（金属層の形成）
上記の中間層上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により厚み０．３μｍのＡｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）を形成して金属層とした。
これにより、導電膜基板（試料１）を得た。
【００５９】
＜導電膜基板の加工＞
（金属層と中間層の一括パターニング）
上記の導電膜基板（試料１）の金属層上に感光性レジスト（シプレー（株）製  Ｓ１８０５）をスピンコート法により塗布し乾燥し、次いで、所望のフォトマスクを介して露光、現像してレジストパターンを設けた。このレジストパターンをマスクとし、硝酸・リン酸・酢酸混合液を用いて金属層（Ａｇ／Ｐｄ層）と中間層（Ｍｏ層）を一括で選択エッチングし、その後、レジストパターンを除去した。これにより、図８（Ａ）に示されるように、透明導電膜（ＩＴＯ膜）の周縁部（平坦化層が形成されていない部位）に、一辺が８０μｍの正方形のリード部（金属層（Ａｇ／Ｐｄ層）と中間層（Ｍｏ層）の積層体）を１００μｍピッチで形成した。
【００６０】
（透明導電膜のパターニング）
次に、リード部を形成した導電膜基板の透明導電膜（ＩＴＯ膜）上に、リード部も被覆するように感光性レジスト（シプレー（株）製  Ｓ１８０５）をスピンコート法により塗布し乾燥し、次いで、所望のフォトマスクを介して露光、現像してレジストパターンを設けた。このレジストパターンをマスクとし、塩酸・硝酸混合液を用いて透明導電膜（ＩＴＯ膜）を選択エッチングし、その後、レジストパターンを除去した。これにより、図８（Ｂ）に示されるように、カラーフィルタ層の各着色層の長手方向に向って、リード部から透明電極を延設した。
【００６１】
＜評  価＞
（エッチング性の評価）
上記の金属層（Ａｇ／Ｐｄ層）と中間層（Ｍｏ層）を一括で選択エッチングした際のエッチング性を下記の基準で評価して、結果を下記の表１に示した。
（評価基準）
○  ：  全面均一にエッチングが可能  
△  ：  中間層（Ｍｏ層）に少しオーバーエッチングがみられる  
×  ：  オーバーエッチングにより中間層（Ｍｏ層）がほとんど残らない  
【００６２】
（密着性の評価）
ヒートサイクルテープ剥離テスト［ヒートサイクル：温度６０℃、湿度９０％の環境下での５時間放置を１サイクルとし、４サイクル（２０時間）実施］により透明電極に対するリード部の密着性を下記の基準で評価して、結果を下記の表１に示した。尚、使用したテープは３Ｍ（株）製  ＢＫ−１５（テープ幅１５ｍｍ）である。
（評価基準）
○  ：  リード部が剥離しない  
△  ：  ３〜４サイクルでリード部の剥離（剥離面積は２０％以下）発生  
×  ：  ２サイクル以下でリード部の剥離（剥離面積は２０％以上）発生
また、上記の導電膜基板（試料１）について、透明導電膜の抵抗値を下記条件で測定し、また導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を下記の基準で評価して、結果を下記の表１に示した。
【００６３】
（抵抗値の測定条件）
常温にて、試料の５箇所に４探針抵抗値計（三菱油化（株）製  ロレスタ）を
接触させ測定する。
【００６４】
（透明導電膜の耐性の評価）
レジストパターン形成時の現像液、剥離液による表面の変化を観察し下記の基準で評価した。
（評価基準）
○  ：  透明導電膜にクラック、欠けがみられない
△  ：  透明導電膜にクラック、欠けがみられるが断線状態ではない  
×  ：  透明導電膜にクラックがみられ断線状態となっている  
【００６５】
（試料２）
中間層として、Ｍｏ層の代わりに、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によりＭｏ／Ｎｂ合金層（Ｍｏ含有量＝９０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料２）を作製した。
この導電膜基板（試料２）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表１に示した。また、導電膜基板（試料２）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表１に示した。
【００６６】
（試料３）
中間層として、Ｍｏ層の代わりに、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によりＭｏ／Ｎｂ合金層（Ｍｏ含有量＝６０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料３）を作製した。
この導電膜基板（試料３）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表１に示した。また、導電膜基板（試料３）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表１に示した。
【００６７】
（試料４）
中間層として、Ｍｏ層の代わりに、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によりＭｏ／Ｃｒ合金層（Ｍｏ含有量＝６０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料４）を作製した。
この導電膜基板（試料４）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表１に示した。また、導電膜基板（試料４）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表１に示した。
【００６８】
（試料５）
中間層として、Ｍｏ層の代わりに、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によりＭｏ／Ａｌ合金層（Ｍｏ含有量＝６０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料５）を作製した。
この導電膜基板（試料５）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表１に示した。また、導電膜基板（試料５）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表１に示した。
【００６９】
（試料６）
金属層として、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）の代わりに、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝９０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料６）を作製した。
この導電膜基板（試料６）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表１に示した。また、導電膜基板（試料６）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表１に示した。
【００７０】
（試料７）
金属層として、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）の代わりに、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝７０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料７）を作製した。
この導電膜基板（試料７）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表１に示した。また、導電膜基板（試料７）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表１に示した。
【００７１】
（試料８）
金属層として、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）の代わりに、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によりＡｇ／Ｃｕ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料８）を作製した。
この導電膜基板（試料８）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表１に示した。また、導電膜基板（試料８）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表１に示した。
【００７２】
（試料９）
金属層として、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）の代わりに、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によりＡｇ／Ａｌ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料９）を作製した。
この導電膜基板（試料９）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表１に示した。また、導電膜基板（試料９）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表１に示した。
【００７３】
（試料１０）
金属層として、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）の代わりに、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によりＡｇ／Ａｕ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料１０）を作製した。
この導電膜基板（試料１０）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表１に示した。また、導電膜基板（試料１０）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表１に示した。
【００７４】
（試料１１）
中間層として、Ｍｏ層の代わりに、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によりＭｏ／Ｎｂ合金層（Ｍｏ含有量＝５０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料１１）を作製した。
この導電膜基板（試料１１）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表２に示した。また、導電膜基板（試料１１）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表２に示した。
【００７５】
（試料１２）
中間層として、Ｍｏ層の代わりに、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によりＭｏ／Ｃｒ合金層（Ｍｏ含有量＝５０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料１２）を作製した。
この導電膜基板（試料１２）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表２に示した。また、導電膜基板（試料１２）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表２に示した。
【００７６】
（試料１３）
中間層として、Ｍｏ層の代わりに、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によりＭｏ／Ａｌ合金層（Ｍｏ含有量＝５０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料１３）を作製した。
この導電膜基板（試料１３）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表２に示した。また、導電膜基板（試料１３）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表２に示した。
【００７７】
（試料１４）
中間層を形成しない他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料１４）を作製した。
この導電膜基板（試料１４）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表２に示した。また、導電膜基板（試料１４）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表２に示した。
【００７８】
（試料１５）
金属層として、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）の代わりに、Ａｇ層を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料１５）を作製した。
この導電膜基板（試料１５）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表２に示した。また、導電膜基板（試料１５）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表２に示した。
【００７９】
（試料１６）
金属層として、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）の代わりに、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝９９重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料１６）を作製した。
この導電膜基板（試料１６）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表２に示した。また、導電膜基板（試料１６）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表２に示した。
【００８０】
（試料１７）
金属層として、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）の代わりに、Ａｇ／Ｃｕ合金層（Ａｇ含有量＝９９重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料１７）を作製した。
この導電膜基板（試料１７）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表２に示した。また、導電膜基板（試料１７）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表２に示した。
【００８１】
（試料１８）
金属層として、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）の代わりに、Ａｇ／Ａｌ合金層（Ａｇ含有量＝９９重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料１８）を作製した。
この導電膜基板（試料１８）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表２に示した。また、導電膜基板（試料１８）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表２に示した。
【００８２】
（試料１９）
金属層として、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）の代わりに、Ａｇ／Ａｕ合金層（Ａｇ含有量＝９９重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料１９）を作製した。
この導電膜基板（試料１９）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表２に示した。また、導電膜基板（試料１９）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表２に示した。
【００８３】
（試料２０）
金属層として、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）の代わりに、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝６０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料２０）を作製した。
この導電膜基板（試料２０）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表２に示した。また、導電膜基板（試料２０）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表２に示した。
【００８４】
（試料２１）
金属層として、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）の代わりに、Ａｇ／Ｃｕ合金層（Ａｇ含有量＝６０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料２１）を作製した。
この導電膜基板（試料２１）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表２に示した。また、導電膜基板（試料２１）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表２に示した。
【００８５】
（試料２２）
金属層として、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）の代わりに、Ａｇ／Ａｌ合金層（Ａｇ含有量＝６０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料２２）を作製した。
この導電膜基板（試料２２）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表２に示した。また、導電膜基板（試料２２）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表２に示した。
【００８６】
（試料２３）
金属層として、Ａｇ／Ｐｄ合金層（Ａｇ含有量＝８０重量％）の代わりに、Ａｇ／Ａｕ合金層（Ａｇ含有量＝６０重量％）を形成した他は、試料１と同様にして導電膜基板（試料２３）を作製した。
この導電膜基板（試料２３）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表２に示した。また、導電膜基板（試料２３）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表２に示した。
【００８７】
【表１】
2008041294.tif 000003
【００８８】
【表２】
2008041294.tif 000004
【００８９】
［実施例２］
Ｍｏ層の代わりに、ＩＴＯ膜上にＲＦマグネトロンスパッタリング法により厚み０．３μｍの酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）層を形成して中間層とした他は、実施例１の試料１、６〜１０、１５〜２３と同様にして導電膜基板（試料２４〜３８）を作製した。
この導電膜基板（試料２４〜３８）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表３に示した。また、導電膜基板（試料２４〜３８）について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表３に示した。
【００９０】
【表３】
2008041294.tif 000005
【００９１】
［実施例３］
透明導電膜として、イオンプレーティング法により膜厚１５０ｎｍのＩＺＯ膜を形成した他は実施例１の試料１と同様にして導電膜基板（試料３９）を作製した。
また、透明導電膜として、イオンプレーティング法により膜厚１５０ｎｍのＩＺＯ膜を形成し、中間層（Ｍｏ層）を形成しない他は実施例１の試料１と同様にして導電膜基板（試料４０）を作製した。
これらの導電膜基板（試料３９，４０）に、試料１と同様の加工を施し、エッチング性と密着性を実施例１と同様に評価して、結果を下記の表４に示した。
また、上記の試料３９、４０について、試料１と同様に抵抗値を測定し、導電膜基板の加工における透明導電膜の耐性を評価して、結果を下記の表４に示した。
尚、表４には実施例１の試料１、実施例２の試料２４の評価結果も示した。
【００９２】
【表４】
2008041294.tif 000006
【産業上の利用可能性】
【００９３】
フルカラー表示装置、エリアカラー表示装置、照明等の種々の有機ＥＬ表示装置の製造において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の導電膜基板の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】本発明の導電膜基板の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図３】本発明の導電膜基板の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図４】本発明の導電膜基板の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図５】本発明の導電膜基板の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図６】本発明の導電膜基板の製造例を説明するための工程図である。
【図７】図６（Ｃ）に示される導電膜基板のＩ−Ｉ線における部分縦断面図である。
【図８】本発明の導電膜基板の加工例を説明するための工程図である。
【図９】図８（Ｂ）に示される加工後の導電膜基板のII−II線における部分縦断面図である。
【図１０】図８（Ｂ）に示される加工後の導電膜基板のIII−III線における部分縦断面図である。
【図１１】本発明の導電膜基板を加工して作製したパッシブマトリックス駆動方式の有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００９５】
１，１１，２１，３１，４１…導電膜基板
２，１２，２２，３２，４２…透明基材
３，１３，２３，３３，４３…透明導電膜
４，１４，２４，３４，４４…中間層
５，１５，２５，３５，４５…金属層
１６，２６，３６，４６…カラーフィルタ層
２８，３８，４８…平坦化層
３９…色変換蛍光体層
４９…ガスバリア層
５１…有機ＥＬ表示装置
５３…透明電極
５５ａ，５５ｂ…リード部
５７…隔壁
５８…有機ＥＬ発光層
５９…背面電極
【図１】
2008041294.tif 000007
【図２】
2008041294.tif 000008
【図３】
2008041294.tif 000009
【図４】
2008041294.tif 000010
【図５】
2008041294.tif 000011
【図６】
2008041294.tif 000012
【図７】
2008041294.tif 000013
【図８】
2008041294.tif 000014
【図９】
2008041294.tif 000015
【図１０】
2008041294.tif 000016
【図１１】
2008041294.tif 000017