(57)【要約】【課題】アライメントマークの密着力を大きくすることができるようにした薄膜担持体基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】図２の（ｃ）の様にポリイミド層２を有する基板３上に位置決め用パターンのフッ素化処理部６を成膜した後、図２の（ｄ）の様にフッ素化処理部６の表面及びポリイミド層２の露出面にＡｌ薄膜７を成膜し、図２の（ｅ），（ｆ）の様にＡｌ薄膜７に位置決め用パターン用及び転写用パターン用のエッチングを施し、フッ素化処理部６上に転写用パターン１１を形成し、フッ素化処理部６が無い領域に位置決め用パターン１０を形成する。これにより、位置決め用パターン１０は、転写用パターン１１よりも大きな密着力を得ることができる。【選択図】図２
2008091681.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された複数の転写用パターンと、
前記複数の転写用パターンよりも大きな密着力になるように前記基板上に形成された位置決め用パターンと、
を有することを特徴とする薄膜担持体基板。
【請求項２】
前記複数の転写用パターンは、前記基板上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜担持体基板。
【請求項３】
前記位置決め用パターンは、下地膜を介して形成されることにより、前記複数の転写用パターンよりも密着力を大きくしたことを特徴とする請求項１に記載の薄膜担持体基板。
【請求項４】
前記下地膜は、Ｔｉ、ＣｒまたはＴａかからなる金属膜であることを特徴とする請求項３に記載の薄膜担持体基板。
【請求項５】
前記転写用パターンは、下地膜を介して形成されることにより、記位置決め用パターンよりも密着力を小さくしたことを特徴とする請求項１に記載の薄膜担持体基板。
【請求項６】
前記下地膜は、ＳｉＯ２、フッ素化ポリイミドまたはＡｕかからなる金属膜であることを特徴とする請求項５に記載の薄膜担持体基板。
【請求項７】
前記位置決め用パターンは、その全体または一部に透明薄膜、透明接着剤または透明樹脂シールが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜担持体基板。
【請求項８】
前記位置決め用パターンは、レーザ光の照射により共晶化または固相相互拡散されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜担持体基板。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に形成されると共に、部分的にフッ素化処理が施された複数のフッ素化処理部を備えた離型層と、
前記複数のフッ素化処理部上に形成された複数の転写用パターンと、
前記離型層の前記複数のフッ素化処理部が形成されていない領域に形成された前記位置決め用パターンと、
を有することを特徴とする薄膜担持体基板。
【請求項１０】
基板上に離型層を形成する第１の工程と、
前記離型層と複数の転写用パターンとの密着力が、前記離型層と位置決め用パターンとの密着力よりも小になる領域を基板上に形成する第２の工程と、
前記領域上に前記複数の転写用パターンを形成すると共に前記領域以外の前記離型層上に前記位置決め用パターンを形成する第３の工程と、
を含むことを特徴とする薄膜担持体基板の製造方法。
【請求項１１】
前記領域は、前記基板をフッ素化処理して形成したフッ素化処理部であることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜担持体基板の製造方法。
【請求項１２】
基板と位置決め用パターンの密着力が、前記基板と複数の転写用パターンの密着力よりも大になる処理を前記基板に施す第１の工程と、
前記処理が施された部分に前記位置決め用パターンを形成すると共に前記領域以外の前記基板上に前記複数の転写用パターンを形成する第２の工程と、
を含むことを特徴とする薄膜担持体基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の工程は、前記処理として、Ｔｉ、ＣｒまたはＣｕからなる金属膜を形成することを特徴とする請求項１２に記載の薄膜担持体基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の工程は、前記処理として、ストライクめっき膜を形成することを特徴とする請求項１２に記載の薄膜担持体基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の工程は、前記処理として、前記位置決め用パターンに部分的に加熱することを特徴とする請求項１２に記載の薄膜担持体基板の製造方法。
【請求項１６】
前記加熱の手段は、レーザ光照射であることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜担持体基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第１の工程は、前記処理として、前記位置決め用パターンに対して透明薄膜、透明接着剤膜または透明樹脂シール接着剤を設けることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜担持体基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第１の工程は、前記処理を施した部分にプラズマを照射する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の薄膜担持体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、３次元微細加工等に用いられる薄膜担持体基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
任意形状の３次元微小構造体をナノメートルの精度で製作する方法として、常温接合を用いた微小構造体の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。この製造方法は、基板に離型層が設けられたドナー基板上に所定のパターンの複数の薄膜を形成し、また、Ｘ−Ｙステージにターゲット基板としての犠牲層を取り付け、離型層上の薄膜パターンを１つずつ剥離して犠牲層へ順次転写及び積層して微小構造体を作製するものである。
【０００３】
通常、ドナー基板においては、薄膜パターン（転写用パターンとも言う）を剥離し易くするために、離型層を設けて薄膜パターンの密着力が小さくなるようにしている。また、薄膜パターンと共に、積層装置内における基板の位置を決定するための位置決め用パターンも形成されている。この位置決め用パターンは、ドナー基板のハンドリング中に剥離や位置ずれが生じると、積層構造体の精度を低下させる原因になる。そこで、位置決め用パターンは、剥離し難い、すなわち密着力の高いことが要求される。
【特許文献１】特許第３１６１３６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、位置決め用パターンの密着力を大きくすることができるようにした薄膜担持体基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の薄膜担持体基板およびその製造方法を提供する。
【０００６】
［１］基板と、前記基板上に形成された複数の転写用パターンと、前記複数の転写用パターンよりも大きな密着力になるように前記基板上に形成された位置決め用パターンと、を有することを特徴とする薄膜担持体基板。
【０００７】
［２］前記複数の転写用パターンは、前記基板上に形成されていることを特徴とする前記［１］に記載の薄膜担持体基板。
【０００８】
［３］前記位置決め用パターンは、下地膜を介して形成されることにより、前記複数の転写用パターンよりも密着力を大きくしたことを特徴とする前記［１］に記載の薄膜担持体基板。
【０００９】
［４］前記下地膜は、Ｔｉ、ＣｒまたはＴａかからなる金属膜であることを特徴とする前記［３］に記載の薄膜担持体基板。
【００１０】
［５］前記転写用パターンは、下地膜を介して形成されることにより、記位置決め用パターンよりも密着力を小さくしたことを特徴とする［１］に記載の薄膜担持体基板。
【００１１】
［６］前記下地膜は、ＳｉＯ２、フッ素化ポリイミドまたはＡｕかからなる金属膜であることを特徴とする［５］に記載の薄膜担持体基板。
【００１２】
［７］前記位置決め用パターンは、その全体または一部に透明薄膜、透明接着剤または透明樹脂シールが設けられていることを特徴とする前記［１］に記載の薄膜担持体基板。
【００１３】
［８］前記位置決め用パターンは、レーザ光の照射により共晶化または固相相互拡散されていることを特徴とする前記［１］に記載の薄膜担持体基板。
【００１４】
［９］基板と、前記基板上に形成されると共に、部分的にフッ素化処理が施された複数のフッ素化処理部を備えた離型層と、前記複数のフッ素化処理部上に形成された複数の転写用パターンと、前記離型層の前記複数のフッ素化処理部が形成されていない領域に形成された前記位置決め用パターンと、を有することを特徴とする薄膜担持体基板。
【００１５】
［１０］基板上に離型層を形成する第１の工程と、前記離型層と複数の転写用パターンとの密着力が、前記離型層と位置決め用パターンとの密着力よりも小になる領域を基板上に形成する第２の工程と、前記領域上に前記複数の転写用パターンを形成すると共に前記領域以外の前記離型層上に前記位置決め用パターンを形成する第３の工程と、を含むことを特徴とする薄膜担持体基板の製造方法。
【００１６】
［１１］前記領域は、前記基板をフッ素化処理して形成したフッ素化処理部であることを特徴とする前記［１０］に記載の薄膜担持体基板の製造方法。
【００１７】
［１２］基板と位置決め用パターンの密着力が、前記基板と複数の転写用パターンの密着力よりも大になる処理を前記基板に施す第１の工程と、前記処理が施された部分に前記位置決め用パターンを形成すると共に前記領域以外の前記基板上に前記複数の転写用パターンを形成する第２の工程と、を含むことを特徴とする薄膜担持体基板の製造方法。
【００１８】
［１３］前記第１の工程は、前記処理として、Ｔｉ、ＣｒまたはＴａからなる金属膜を形成することを特徴とする前記［１２］に記載の薄膜担持体基板の製造方法。
【００１９】
［１４］前記第１の工程は、前記処理として、ストライクめっき膜を形成することを特徴とする前記［１２］に記載の薄膜担持体基板の製造方法。
【００２０】
［１５］前記第１の工程は、前記処理として、前記位置決め用パターンに部分的な加熱を施すことを特徴とする前記［１２］に記載の薄膜担持体基板の製造方法。
【００２１】
［１６］前記加熱の手段は、レーザ光照射であることを特徴とする［１５]に記載の薄膜担持体基板の製造方法。
【００２２】
［１７］前記第１の工程は、前記処理として、前記位置決め用パターンに対して透明薄膜、透明接着剤膜または透明樹脂シール接着剤を設けることを特徴とする前記［１２］に記載の薄膜担持体基板の製造方法。
【００２３】
［１８］前記第１の工程は、前記処理を施された部分にプラズマを照射する工程を含むことを特徴とする前記［１２］に記載の薄膜担持体基板の製造方法。
【発明の効果】
【００２４】
請求項１の薄膜担持体基板によれば、基板に対する位置決め用パターンの密着力を転写用パターンよりも大きくすることができる。
請求項２の薄膜担持体基板によれば、転写用パターンを基板に直接設けることができる。
請求項３，４の薄膜担持体基板によれば、位置決め用パターンの密着力を大きくすることができる。
請求項５，６の薄膜担持体基板によれば、転写パターンの密着力を小さくすることで、相対的に位置決め用パターンの密着力を大きくできる。
請求項７の薄膜担持体基板によれば、下地膜を設けることなく位置決め用パターンの剥離・位置ずれを抑制できる。
請求項８の薄膜担持体基板によれば、他の部材や下地膜を設けることなく位置決め用パターンの密着力を大きくすることができる。
請求項９の薄膜担持体基板によれば、離型層を有する構成においても、位置決め用パターンの密着力を転写用パターンよりも大きくすることができる。
請求項１０の薄膜担持体基板の製造方法によれば、離型層を設ける場合でも、位置決め用パターンの密着力を転写用パターンよりも大きくすることができる。
請求項１１の薄膜担持体基板の製造方法によれば、転写用パターンの密着力を小にするための領域を容易に形成することができる。
請求項１２の薄膜担持体基板の製造方法によれば、基板に対する位置決め用パターンの密着力を転写用パターンよりも大きくすることができる。
請求項１３，１４，１５，１６，１７の薄膜担持体基板の製造方法によれば、位置決め用パターンの密着力を大きくする処理を多様な方法によって実現することができる。
請求項１８の薄膜担持体基板の製造方法によれば、位置決め用パターンの親水性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜担持体基板の完成状態を示す平面図である。ここでは、薄膜担持体基板としてのドナー基板１００が示され、このドナー基板１００は、最終的に図示しないターゲット基板に転写される複数の転写用パターン１１及び図示しない積層装置内におけるドナー基板１００の位置を決定する少なくとも２つの位置決め用パターン１０が、Ｓｉウェハ上に設けられている。
【００２６】
図２は、図１に示す薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。同図中、（ａ）〜（ｇ）は工程順の処理状態を示すと共に、図１のＡ−Ａ線の断面図に相当する。なお、図中、マスクは断面図で示している。
【００２７】
第１の実施の形態は、位置決め用パターンの直下以外の離型層のみにフッ化処理を施し、転写用パターンの離型性を向上させる方法である。
【００２８】
まず、図２の（ａ）に示すように、Ｓｉウェハ１と、Ｓｉウェハ１上に離型層としてのポリイミド層２とからなる基板３を用意する。
【００２９】
次に、図２の（ｂ）に示すように、ポリイミド層２上にポジレジストを塗布してレジスト膜４を形成し、図２の（ｃ）で説明する工程で設けられるフッ素化処理部６に対応したパターンが形成されている第１のマスク５を用いて露光を行う。このとき、第１のマスク５は、そのパターンが後の工程で用いる第２のマスク９でパターニングされる位置決め用パターンの位置にほぼ重なるようにする。
【００３０】
次に、図２の（ｃ）に示すように、レジスト膜４を除去後、離型性を向上させるために、レジスト膜４が設けられていない部分にＣＦ４（フレオン）によるフッ素化処理を施してフッ素化処理部６を形成する。
【００３１】
更に、図２の（ｄ）に示すように、ポリイミド層２上にＡｌ薄膜７を堆積（deposition）する。
【００３２】
次に、図２の（ｅ）に示すように、Ａｌ薄膜７上にポジレジストを塗布してレジスト膜８を形成し、第２のマスク９を用いて位置決め用パターン及び転写用パターンを形成するための露光を行う。
【００３３】
次に、図２の（ｆ）に示すように、Ｃｌ２ガス(塩素ガス)によりＡｌ薄膜７をエッチングする。
【００３４】
次に、図２の（ｇ）に示すように、レジスト膜８を除去する。
【００３５】
以上により、ポリイミド層２上に複数の位置決め用パターン１０が配設され、フッ素化処理部６上に複数の転写用パターン１１が配設されたドナー基板、即ち、図２に示すように、同一基板上に離型性の異なるパターンが形成された薄膜担持体基板としてのドナー基板１００が完成する。このように、転写用パターン１１をフッ素化処理部６上に設けたことにより、転写用パターン１１の密着力を位置決め用パターン１０よりも小さくすることができる。
【００３６】
［第２の実施の形態］
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。同図中、（ａ）〜（ｇ）は工程順の処理状態を示す。
【００３７】
まず、図３の（ａ）に示すように、Ｓｉウェハ１上にネガレジストを塗布してレジスト膜４を形成し、このレジスト膜４に対して図３の（ｂ）の工程で設けられる下地膜２１に対応したパターンを有する第１のマスク５を用いて露光を行う。このとき、第１のマスク５は、そのパターンが第２のマスク９でパターニングされるアライメントマークの位置にほぼ重なるようにする。
【００３８】
次に、図３の（ｂ）に示すように、レジスト膜４の末露光部分を除去後、残ったレジスト膜４の全面にＳｉウェハ１との密着力に優れるＴｉ又はＣｒからなる下地膜２１（金属膜）を数十ｎｍ程度の厚みに堆積する。
【００３９】
次に、図３の（ｃ）に示すように、レジスト膜４を除去すると共に、下地膜２１をリフトオフする。
【００４０】
次に、図３の（ｄ）に示すように、下地膜２１の表面及びＳｉウェハ１の露出面にＡｕ薄膜２２を形成する。
【００４１】
次に、図３の（ｅ）に示すように、Ａｕ薄膜２２上にポジレジストを塗布してレジスト膜２３を形成し、位置決め用パターン１０及び転写用パターン１１に対応した露光パターンを有する第２のマスク９を用いて露光を行う。
【００４２】
次に、レジスト膜２３を除去するとともに、図３の（ｆ）に示すように、Ｉ２+ＮＨ４Ｉ（ヨウ素およびヨウ化アンモニウム）混合溶液によりＡｕ薄膜２２をエッチングする。
【００４３】
以上により、図３の（ｇ）に示すように、下地膜２１上に位置決め用パターン１０が配設され、Ｓｉウェハ１上に複数の転写用パターン１１が配設されたドナー基板１００、即ち、同一基板上に離型性の異なるパターンが形成された薄膜担持体基板としてのドナー基板１００が完成する。
【００４４】
［第３の実施の形態］
図４は、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。同図中、（ａ）〜（ｇ）は工程順の処理状態を示す。
【００４５】
まず、図４の（ａ）に示すように、Ｓｉウェハ１上にネガレジストを塗布してレジスト膜４を形成し、このレジスト膜４０１に対して図３の（ｂ）の工程で設けられる下地膜３０１および３０２に対応したパターンを有する第１のマスク５を用いて露光を行う。このとき、第１のマスク５は、そのパターンが第２のマスク９でパターニングされる転写用薄膜の位置にほぼ重なるようにする。
【００４６】
次に、図４の（ｂ）に示すように、レジスト膜４０１の末露光部分を除去後、残ったレジスト膜４の全面にＳｉウェハ１との密着力に優れるＴｉ又はＣｒからなる下地膜３０１（金属膜）、転写用薄膜との離型性に優れるＡｕまたはＰｔからなる下地膜３０２を数十ｎｍ程度の厚みに堆積する。
【００４７】
次に、図４の（ｃ）に示すように、レジスト膜４０１を除去すると共に、下地膜３０１および３０２をリフトオフする。
【００４８】
次に、図３の（ｄ）に示すように、下地膜３０２の表面及びＳｉウェハ１の露出面にＳｉＯ２薄膜２０を形成する。
【００４９】
次に、図４の（ｅ）に示すように、ＳｉＯ２薄膜２０上にポジレジストを塗布してレジスト膜４０２を形成し、位置決め用パターン１０及び転写用パターン１１に対応した露光パターンを有する第２のマスク９を用いて露光を行う。
【００５０】
次に、レジスト膜４０２を除去するとともに、図４の（ｆ）に示すように、バッファードフッ酸溶液によりＳｉＯ２薄膜２０をエッチングする。
【００５１】
以上により、図４の（ｇ）に示すように、Ｓｉウェハ１上に位置決め用パターン１０が配設され、下地膜３０２上に複数の転写用パターン１１が配設されたドナー基板１００、即ち、同一基板上に離型性の異なるパターンが形成された薄膜担持体基板としてのドナー基板１００が完成する。
【００５２】
［第４の実施の形態］
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。同図中、（ａ）〜（ｇ）は工程順の処理状態を示す。
【００５３】
まず、図５の（ａ）に示すポリイミドフィルム基板３１を用意する。
【００５４】
次に、図５の（ｂ）に示すように、ポリイミドフィルム基板３１の片面にネガレジストの塗布によりレジスト膜３２を形成する。ついで、図４の（ｃ）の工程で設けられる下地膜３３に対応したパターンを有する第１のマスク５を用いて露光を行う。このとき、第１のマスク５は、そのパターンが第２のマスク９でパターニングされるアライメントマークの位置にほぼ重なるようにする。
【００５５】
次に、図５の（ｃ）に示すように、レジスト膜３２を現像する。ついで、親水性を持たせることを目的として、Ｏ２プラズマを露出面に数十秒照射する。このＯ２プラズマの照射により、ポリイミドフィルム基板３１に対するアライメントマーク用パターンの密着力が大きくなる。なお、Ｃｕに対しては、Ｏ２プラズマに代えて、窒素プラズマやアルゴンプラズマを用いることができる。
【００５６】
次に、Ｃｕを無電解めっきして下地膜３３（Ｃｕめっき膜）を成膜する。
【００５７】
次に、図５の（ｄ）に示すように、レジスト膜３２の末露光部分を除去後、下地膜３３及びポリイミドフィルム基板３１の表面にＣｕめっき膜３４を成膜する。
【００５８】
次に、図５の（ｅ）に示すように、Ｃｕめっき膜３４上にポジレジストを塗布してレジスト膜３５を形成する。ついで、第２のマスク９を用いて位置決め用パターン１０及び転写用パターン１１を形成するための露光を行う。
【００５９】
次に、図５の（ｆ）に示すように、ＦｅＣｌ２（塩化第２鉄）水溶液でＣｕめっき膜３４をウェットエッチングする。ついで、レジスト膜３５を除去する。
【００６０】
以上により、図５（ｇ）に示すように、下地膜３３上に複数の位置決め用パターン１０が配設され、Ｃｕめっき膜３４上に複数の転写用パターン１１が配設されたドナー基板１００、即ち、図１に示したような、同一基板上に離型性の異なるパターンが形成された薄膜担持体基板としてのドナー基板１００が完成する。
【００６１】
［第５の実施の形態］
図６は、本発明の第５の実施の形態に係る薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。同図中、（ａ）〜（ｇ）は工程順の処理状態を示す。
【００６２】
まず、図６の（ａ）に示すように、ステンレス（ＳＵＳ）基板４１上に、ネガレジストの塗布によりレジスト膜４２を形成する。ついで、第１のマスク５を用いて露光を行う。このとき、第１のマスク５は、そのパターンが第２のマスク９でパターニングされるアライメントマークの位置にほぼ重なるようにする。
【００６３】
次に、図６の（ｂ）に示すように、レジスト膜４２を現像した後、未露光であった部分にＴｉによるストライクメッキ膜を下地膜４３として形成する。下地膜４３を設けたことにより、アライメントマーク用パターンのステンレス基板４１への密着力が大きくなる。
【００６４】
次に、図６の（ｃ）に示すように、レジスト膜４２を除去する。
【００６５】
次に、図６の（ｄ）に示すように、ネガレジストを塗布してレジスト膜４４を形成し、第２のマスク９を用いて位置決め用パターン１０及び転写用パターン１１を形成するための露光を行い、図６の（ｅ）に示すように、第２のマスク９を介して露光されていた部分にレジスト膜４４が残るようにする。
【００６６】
次に、図６の（ｆ）に示すように、ステンレス基板４１及び下地膜４３の露出面に電鋳によりＮｉ膜４５を成長させる。ついで、レジスト膜４４を除去する。
【００６７】
以上により、図６の（ｇ）に示すように、下地膜４３の表面に複数の位置決め用パターン１０が配設され、ステンレス基板４１の表面に複数の転写用パターン１１が配設されたドナー基板１００、即ち、図１に示したような、同一基板上に離型性の異なるパターンが形成された薄膜担持体基板としてのドナー基板１００が完成する。
【００６８】
［第６の実施の形態］
図７は、本発明の第６の実施の形態に係る薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。同図中、（ａ）〜（ｇ）は工程順の処理状態を示す。
【００６９】
まず、図７の（ａ）に示すように、Ｓｉウェハ１の片面全域にＡｌ膜５１を堆積させる。
【００７０】
次に、図７の（ｂ）に示すように、ポジレジストを塗布してレジスト膜５２を形成し、第２のマスク９を用いて位置決め用パターン１０及び転写用パターン１１を形成するための露光を行う。
【００７１】
次に、図７の（ｃ）に示すように、Ｃｌ２ガスによりレジスト膜５２をドライエッチングする。
【００７２】
次に、図７の（ｄ）に示すように、レジスト膜５２を除去し、Ａｌ膜５１を露出させる。
【００７３】
次に、レーザ発生装置５３を用意し、図７の（ｅ），（ｆ）に示すように、アライメントマークに対応する各パターン５５に対して、個別にレーザ光５４を所定時間照射する。レーザ光５４をパターン５５のみに照射して加熱することで、レーザ光５４の照射部を共晶化することができ、これにより、位置決め用パターン１０のＳｉウェハ１への密着力を大きくすることができる。
【００７４】
以上により、図７の（ｇ）に示すように、レーザ光５４を照射したパターン５５による複数の位置決め用パターン１０と、Ｓｉウェハ１上に複数の転写用パターン１１が配設されたドナー基板１００が完成する。
【００７５】
［第７の実施の形態］
図８は、本発明の第６の実施の形態に係る薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。同図中、（ａ）〜（ｇ）は工程順の処理状態を示す。
【００７６】
まず、図８の（ａ）に示すように、Ｓｉウェハ１の片面全域にＡｌ膜５１を堆積させる。
【００７７】
次に、図８の（ｂ）に示すように、ポジレジストを塗布してレジスト膜５２を形成し、第１のマスク５を用いて露光を行う。
【００７８】
次に、図８の（ｃ）に示すように、Ｃｌ２ガスによりレジスト膜５２をドライエッチングする。
【００７９】
次に、図８の（ｄ）に示すように、レジスト膜５２を除去し、Ａｌ膜５１を露出させる。
【００８０】
次に、図８の（ｅ）に示すように、アライメントマークに対応するパターン５５のそれぞれに透明な樹脂シール６１を貼付する。樹脂シール６１は、積層装置の撮像素子やカメラによって画像認識されるため、透明である必要がある。なお、樹脂シール６１は、シート状であってもよい。
【００８１】
樹脂シール６１に代えて、図８の（ｆ）に示すように、メタルマスク６２を用いてパターン５５以外をマスクし、上方からＩＴＯ（Indium Tin Oxide）透明薄膜６３を堆積させても良い。なお、透明でないシールや堆積薄膜を使用する場合は、アライメントが支障なく行えるように、十字形のアライメントマークを撮像素子が認識可能な状態に固定する。
【００８２】
以上により、図８の（ｇ）に示すように、樹脂シール６１やＩＴＯ透明薄膜６３により固定した位置決め用パターン１０、及びＳｉウェハ１上に配設された複数の転写用パターン１１を有した薄膜担持体基板としてのドナー基板１００が完成する。このように、樹脂シール６１やＩＴＯ透明薄膜６３等の固定材料により位置決め用パターン１０が固定されていることにより、位置決め用パターン１０のＳｉウェハ１への密着力が大きくなる。
【００８３】
［第８の実施の形態］
図９は、本発明の第７の実施の形態に係る薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。同図中、（ａ）〜（ｇ）は工程順の処理状態を示す。
【００８４】
まず、図９の（ａ）に示すように、Ｓｉウェハ１の片面全域にＡｌ膜５１を堆積させる。
【００８５】
次に、図９の（ｂ）に示すように、ポジレジストを塗布してレジスト膜５２を形成し、第２のマスク９を用いて位置決め用パターン１０及び転写用パターン１１を形成するための露光を行う。
【００８６】
次に、図９の（ｃ）に示すように、Ｃｌ２ガスによりレジスト膜５２をドライエッチングする。
【００８７】
次に、図９の（ｄ）に示すように、レジスト膜５２を除去し、Ａｌ膜５１を露出させる。
【００８８】
次に、図９の（ｅ），（ｆ）に示すように、インクジェット装置７１により、アライメントマークに対応するパターン５５に対して、インクジェット装置７１のノズルから透明接着剤７２を噴射し、パターン５５を覆う接着剤膜７３を形成する。それぞれのパターン５５に接着剤膜７３が形成されたことにより、位置決め用パターン１０は接着剤膜７３によってＳｉウェハ１に固定されるため、位置決め用パターン１０のＳｉウェハ１への密着力が大きくなる。
【００８９】
以上により、図９の（ｇ）に示すように、インクジェット装置７１により接着剤膜７３が塗布された複数の位置決め用パターン１０と、Ｓｉウェハ１上に複数の転写用パターン１１が配設された薄膜担持体基板としてのドナー基板１００が完成する。
【００９０】
［他の実施の形態］
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、各実施の形態間の構成要素の組合せは任意に行うことができる。例えば、第１の実施の形態と他の実施の形態との組み合わせ、第２〜第４の実施の形態と第６，７の実施の形態の組み合わせによる薄膜担持体基板、及びその製造方法が可能である。
【００９１】
また、第６及び第７の実施の形態において、樹脂シール６１、ＩＴＯ透明薄膜６３及び接着剤膜７３は、位置決め用パターン１０の全体に設けることが望ましいが、一部に設ける構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜担持体基板の完成状態を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体基板の製造方法を示す工程図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。
【図７】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。
【図８】本発明の第７の実施の形態に係る薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。
【図９】本発明の第８の実施の形態に係る薄膜担持体基板の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００９３】
１  Ｓｉウェハ
２  ポリイミド層
３  基板
４，８，２３，３２，４２，４４，５２  レジスト膜
５  第１のマスク
６  フッ素化処理部
７，２２，５１  Ａｌ薄膜
９  第２のマスク
１０  位置決め用パターン
１１  転写用パターン
２０  ＳｉＯ２膜
２１，３３，４３  下地膜
３１  ポリイミドフィルム基板
３４  Ｃｕめっき膜
４１  ステンレス基板
４５  Ｎｉ膜
５３レーザ発生装置
５４レーザ光
５５  パターン
６１  樹脂シール
６２  メタルマスク
６３  ＩＴＯ透明薄膜
７１  インクジェット装置
７２  透明接着剤
７３  接着剤膜
１００  ドナー基板（薄膜担持体基板）
３０１,３０２  下地膜
４０１,４０２  レジスト膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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