(57)【要約】【課題】広視野角な透過型表示が可能で、かつ、屋外のような非常に明るい環境下においても良好な視認性を可能にする半透過型液晶表示装置を提供する。【解決手段】第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの透過部は、前記第１の基板上に形成された第１共通電極と、層間絶縁膜を介して前記第１共通電極上に形成される透過画素電極とを有し、前記透過画素電極は、複数の櫛歯電極、あるいはスリットを有し、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの反射部は、前記第１共通電極上に形成される反射電極と、前記層間絶縁膜を介して前記第１共通電極上に形成される面状の反射画素電極と、前記第２の基板上に形成される第２共通電極と、前記第２共通電極と第２の基板との間に形成される位相差板とを有する。【選択図】図１（ｅ）
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有する半透過型液晶表示装置であって、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの透過部は、前記第１の基板上に形成された第１共通電極と、
層間絶縁膜を介して前記第１共通電極上に形成される透過画素電極とを有し、
前記透過画素電極は、複数の櫛歯電極、あるいはスリットを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの反射部は、前記第１共通電極上に形成される反射電極と、
前記層間絶縁膜を介して前記第１共通電極上に形成される面状の反射画素電極と、
前記第２の基板上に形成される第２共通電極と、
前記第２共通電極と第２の基板との間に形成される位相差板とを有することを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項２】
前記透過画素電極は、複数の櫛歯電極を有し、
前記各櫛歯電極は、前記反射画素電極側の一端に、他の櫛歯電極との間隔が徐々に大きくなるように形成された斜辺部を有するとともに、前記反射画素電極と反対側の先端が、鍵型状になっていることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項３】
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの反射部は、前記面状の反射画素電極に代えて、複数の櫛歯電極、あるいはスリットを有する反射画素電極を有することを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項４】
第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有する半透過型液晶表示装置であって、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの透過部は、複数の画素櫛歯電極を有する透過画素電極と、
前記透過画素電極の各画素櫛歯電極の間に配置される複数の共通櫛歯電極を有する第１共通電極とを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの反射部は、前記透過画素電極と同層の位置に形成される面状の反射画素電極と、
前記面状の反射画素電極上に形成される反射電極と、
前記第２の基板上に形成される第２共通電極と、
前記第２共通電極と第２の基板との間に形成される位相差板とを有することを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項５】
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの反射部は、前記面状の反射画素電極に代えて、複数の櫛歯電極を有する反射画素電極を有することを特徴とする請求項４に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項６】
第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有する半透過型液晶表示装置であって、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの透過部は、前記第１の基板上に形成された透過画素電極と、
前記第１の基板上に形成された第１共通電極とを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの反射部は、前記透過画素電極と同層の位置に形成される面状の反射画素電極と、
反射電極と、
前記第２の基板上に形成される第２共通電極とを有し、
前記第２共通電極と前記第２基板との間に段差形成層を有し、
前記段差形成層は、前記各サブピクセルの前記透過部と前記反射部との境界部がテーパ状に形成され、
前記第２共通電極は、前記段差形成層の前記テーパ状の底辺部まで延伸され、先端部が前記各サブピクセルの前記透過部領域に位置することを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項７】
前記各サブピクセルの前記反射部は、前記各サブピクセルにおける、表示ラインと直交する第１方向の中央部に配置され、
前記各サブピクセルの前記透過部は、前記反射部における、前記第１方向の両側に配置されることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項８】
前記反射電極は、高反射率の金属層で構成されることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項９】
前記透過画素電極と、前記反射画素電極とは一体に形成され、
前記透過画素電極と前記反射画素電極との間には、スリットが形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１０】
前記透過画素電極と、前記反射画素電極とには、それぞれ独立して映像電圧が印加されることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１１】
前記反射画素電極には、配向制御用のスリットが形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１２】
前記反射画素電極上に、配向制御用の誘電体突起を有することを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第２共通電極には、配向制御用のスリットが形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第２共通電極上に、配向制御用の誘電体突起を有することを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第１共通電極は、前記各サブピクセルの前記反射部の少なくとも一辺に接する部分に配向制御用のスリットが形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１６】
前記反射電極には、配向制御用のスリットが形成され、
１表示ライン上の前記反射電極は、前記反射電極の前記配向制御用のスリットが形成されない部分で互いに隣接する前記反射電極と接続されていることを特徴とする請求項１５に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第１共通電極を、表示ライン行毎に分割したことを特徴とする請求項１ないし請求項１６のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１８】
前記反射電極を形成する金属層を、前記第１共通電極の少なくとも１部にも形成したことを特徴とする請求項１７に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１９】
前記第２共通電極は、前記第２基板上で前記複数のサブピクセルを覆うように一体に形成されるとともに、前記各サブピクセルの前記透過部に対向する部分に開口部を有することを特徴とする請求項１ないし請求項１８のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項２０】
前記第２共通電極は、透明電極と低抵抗金属配線との積層構造であることを特徴とする請求項１ないし請求項１９のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半透過型液晶表示装置に係り、特に、広視野角な透過型表示が可能で、かつ、屋外のような非常に明るい環境下においても良好な視認性を可能にする半透過型液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
１サブピクセル内に、透過部と反射部を有する半透過型液晶表示装置が携帯機器用のディスプレイとして使用されている。
一方、液晶表示装置として、ＩＰＳ方式の液晶表示装置が知られており、このＩＰＳ方式の液晶表示装置では、画素電極と対向電極とを同じ基板上に形成し、その間に電界を印加させ液晶を基板平面内で回転させることにより、明暗のコントロールを行っている。そのため、斜めから画面を見た際に表示像の濃淡が反転しないという特徴を有する。
この特徴を活かすために、ＩＰＳ方式の液晶表示装置を用いて、半透過型液晶表示装置を構成することが、例えば、下記、特許文献１などで提案されている。
【０００３】
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
【特許文献１】特開２００６−１７１３７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１においては、反射表示領域をノーマリブラック表示とするために、反射表示領域の液晶層の厚みを透過表示領域の約半分として、かつ、反射表示領域にのみ１／２波長板を設けている。
しかしながら、ＩＰＳ方式の液晶表示装置は、液晶層の厚みを薄くすると駆動電圧が上昇してしまうため、透過表示領域の電圧―輝度特性と、反射表示領域の電圧―輝度特性の変化の仕方が異なるという問題点が生じる。
この問題を解消するために、特許文献１では、半透過型液晶表示装置において、透過表示領域をＩＰＳ方式で、反射表示領域を縦電界方式で駆動している。
しかしながら、特許文献１は、半透過型液晶表示装置において、透過表示領域をＩＰＳ方式で、反射表示領域を縦電界方式で駆動するという基本概念を開示するのみで、透過表示領域をＩＰＳ方式で、反射表示領域を縦電界方式で駆動する半透過型液晶表示装置の具体的な構成まで開示するものではない。
【０００５】
即ち、特許文献１は、広視野角な透過型表示が可能で、かつ、屋外のような非常に明るい環境下においても良好な視認性を可能にする半透過型液晶表示装置を開示するものではない。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、広視野角な透過型表示が可能で、かつ、屋外のような非常に明るい環境下においても良好な視認性を可能にする半透過型液晶表示装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有する半透過型液晶表示装置であって、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの透過部は、前記第１の基板上に形成された第１共通電極と、層間絶縁膜を介して前記第１共通電極上に形成される透過画素電極とを有し、前記透過画素電極は、複数の櫛歯電極、あるいはスリットを有し、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの反射部は、前記第１共通電極上に形成される反射電極と、前記層間絶縁膜を介して前記第１共通電極上に形成される面状の反射画素電極と、前記第２の基板上に形成される第２共通電極と、前記第２共通電極と第２の基板との間に形成される位相差板とを有する。
（２）（１）において、前記透過画素電極は、複数の櫛歯電極を有し、前記各櫛歯電極は、前記反射画素電極側の一端に、他の櫛歯電極との間隔が徐々に大きくなるように形成された斜辺部を有するとともに、前記反射画素電極と反対側の先端が、鍵型状になっている。
（３）（１）において、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの反射部は、前記面状の反射画素電極に代えて、複数の櫛歯電極、あるいはスリットを有する反射画素電極を有する。
【０００７】
（４）第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有する半透過型液晶表示装置であって、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの透過部は、複数の画素櫛歯電極を有する透過画素電極と、前記透過画素電極の各画素櫛歯電極の間に配置される複数の共通櫛歯電極を有する第１共通電極とを有し、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの反射部は、前記透過画素電極と同層の位置に形成される面状の反射画素電極と、前記面状の反射画素電極上に形成される反射電極と、前記第２の基板上に形成される第２共通電極と、前記第２共通電極と第２の基板との間に形成される位相差板とを有する。
（５）（４）において、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの反射部は、前記面状の反射画素電極に代えて、複数の櫛歯電極を有する反射画素電極を有する。
【０００８】
（６）第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有する半透過型液晶表示装置であって、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの透過部は、前記第１の基板上に形成された透過画素電極と、前記第１の基板上に形成された第１共通電極とを有し、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルの反射部は、前記透過画素電極と同層の位置に形成される面状の反射画素電極と、反射電極と、前記第２の基板上に形成される第２共通電極とを有し、前記第２共通電極と前記第２基板との間に段差形成層を有し、前記段差形成層は、前記各サブピクセルの前記透過部と前記反射部との境界部がテーパ状に形成され、前記第２共通電極は、前記段差形成層の前記テーパ状の底辺部まで延伸され、先端部が前記各サブピクセルの前記透過部領域に位置する。
【０００９】
（７）（１）ないし（６）の何れかにおいて、前記各サブピクセルの前記反射部は、前記各サブピクセルにおける、表示ラインと直交する第１方向の中央部に配置され、前記各サブピクセルの前記透過部は、前記反射部における、前記第１方向の両側に配置される。
（８）（１）ないし（７）の何れかにおいて、前記反射電極は、高反射率の金属層で構成される。
（９）（１）ないし（８）の何れかにおいて、前記透過画素電極と、前記反射画素電極とは一体に形成され、前記透過画素電極と前記反射画素電極との間には、スリットが形成される。
（１０）（１）ないし（８）の何れかにおいて、前記透過画素電極と、前記反射画素電極とには、それぞれ独立して映像電圧が印加される。
（１１）（１）ないし（１０）の何れかにおいて、前記反射画素電極には、配向制御用のスリットが形成されている。
【００１０】
（１２）（１）ないし（１０）の何れかにおいて、前記反射画素電極上に、配向制御用の誘電体突起を有する。
（１３）（１）ないし（１０）の何れかにおいて、前記第２共通電極には、配向制御用のスリットが形成されている。
（１４）（１）ないし（１０）の何れかにおいて、前記第２共通電極上に、配向制御用の誘電体突起を有する。
（１５）（１）ないし（１０）の何れかにおいて、前記第１共通電極は、前記各サブピクセルの前記反射部の少なくとも一辺に接する部分に配向制御用のスリットが形成されている。
【００１１】
（１６）（１）ないし（１０）の何れかにおいて、前記反射電極には、配向制御用のスリットが形成され、１表示ライン上の前記反射電極は、前記反射電極の前記配向制御用のスリットが形成されない部分で互いに隣接する前記反射電極と接続されている。
（１７）（１）ないし（１６）の何れかにおいて、前記第１共通電極を、表示ライン行毎に分割する。
（１８）（１７）において、前記反射電極を形成する金属層を、前記第１共通電極の少なくとも１部にも形成する。
（１９）（１）ないし（１８）の何れかにおいて、前記第２共通電極は、前記第２基板上で前記複数のサブピクセルを覆うように一体に形成されるとともに、前記各サブピクセルの前記透過部に対向する部分に開口部を有する。
（２０）（１）ないし（１９）の何れかにおいて、前記第２共通電極は、透明電極と低抵抗金属配線との積層構造である。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明によれば、広視野角な透過型表示が可能で、かつ、屋外のような非常に明るい環境下においても良好な視認性を可能にする半透過型液晶表示装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
［実施例１］
図１（ａ）は、本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図、図１（ｂ）は、本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
図１（ｃ）は、図１（ａ）のＤ−Ｄ’切断線に沿った断面構造を示す断面図、図１（ｄ）は、図１（ａ）のＥ−Ｅ’切断線に沿った断面構造を示す断面図、図１（ｅ）は、図１（ａ）のＦ−Ｆ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
本実施例の半透過型液晶表示装置では、液晶層（ＬＣ）を挟んで、第１および第２の一対の基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）が設けられる。本実施例の半透過型液晶表示装置では、第２の基板（ＳＵＢ２）の主表面側が観察側となっている。
なお、図１（ｃ）に示すように、本実施例では、基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）の液晶層（ＬＣ）の面には、配向膜（ＡＬ１，ＡＬ２）が形成されるが、図１（ｃ）以外の図面では、配向膜（ＡＬ１，ＡＬ２）の図示は省略する。
【００１４】
以下、本実施例の半透過型液晶表示装置の反射部３１の構成について説明する。
図１（ｄ）、図１（ｅ）に示すように、反射部３１において、第２の基板（ＳＵＢ２；ＣＦ基板ともいう。）の液晶層側には、第２の基板（ＳＵＢ２）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、ブラックマトリクス（ＢＭ）および赤・緑・青のカラーフィルタ層（ＦＩＲ）、オーバーコート膜（ＯＣ）、光の偏光状態を変化させる内蔵位相差板（１／２波長板）（ＲＥＴ）、保護膜（ＰＯＣ）、段差形成層（ＭＲ）、第２共通電極（ＣＴ２；対向電極ともいう）、配向膜（ＡＬ２）が形成される。なお、基板（ＳＵＢ２）の外側には偏光板（図示せず）が形成される。
また、第１の基板（ＳＵＢ１；ＴＦＴ基板ともいう。）の液晶層側には、第１の基板（ＳＵＢ１）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、走査線（ＧＬ；ゲート線ともいう）、層間絶縁膜（ＰＡＳ３）、映像線（ＤＬ；ソース線またはドレイン線ともいう）およびソース電極（ＳＤ１）、層間絶縁膜（ＰＡＳ２）、第１共通電極（ＣＴ１；対向電極ともいう）および反射電極（ＲＡＬ）、層間絶縁膜（ＰＡＳ１）、反射画素電極（ＰＸＲ）、配向膜（ＡＬ１）が形成される。なお、基板（ＳＵＢ１）の外側には偏光板（図示せず）が形成される。
【００１５】
第１共通電極（ＣＴ１）は、第１の基板（ＳＵＢ１）上の全面に、面状に形成される。また、反射電極（ＲＡＬ）は、１表示ライン上の各サブピクセルの反射部３１に対応して、面状（あるいは、長方形形状）に形成される。
この反射画素電極（ＰＸＲ）と第１共通電極（ＣＴ１）とが、層間絶縁膜（ＰＡＳ１）を介して重畳しており、これによって保持容量を形成している。なお、第１共通電極（ＣＴ１）および第２共通電極（ＣＴ２）は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜で構成される。また、層間絶縁膜（ＰＡＳ１）は、１層に限定されず、２層以上であっても良い。
反射電極（ＲＡＬ）は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の金属膜、あるいは、下層のモリブデン（Ｍｏ）と、上層のアルミニウム（Ａｌ）の２層構造であってもよい。
第２共通電極（ＣＴ２）も、図１（ｂ）に示すように、１表示ライン上の各サブピクセルの反射部３１に対応して、長方形の形状（または、面状）に形成される。
本実施例の反射部３１では、反射画素電極（ＰＸＲ）と、第２共通電極（ＣＴ２）との間に電界を印加して、液晶層（ＬＣ）を配向変化させる。即ち、本実施例の反射部３１は、所謂、縦電界方式で駆動される。なお、図１（ｄ）において、ＣＨは、第１共通電極（ＣＴ１）に形成されたコンタクトホールを示す。また、図１（ｅ）において、ＳＣＤは半導体層を示す。
【００１６】
以下、本実施例の半透過型液晶表示装置の透過部３０の構成について説明する。
図１（ｃ）、図１（ｅ）に示すように、透過部３０における第１の基板（ＳＵＢ１）側の構成は、段差形成層（ＭＲ）と、第２共通電極とが省略されている点で、反射部３１における第２の基板（ＳＵＢ２）の構成と相異するが、その他の構成は同じである。
また、透過部３０における第１の基板（ＳＵＢ１）側の構成は、反射画素電極（ＰＸＲ）が面状（あるいは、長方形形状）に形成されているのに対して、透過画素電極（ＰＸＴ）が、複数の櫛歯電極を有する櫛歯状電極である点で、反射部３１における第１の基板（ＳＵＢ１）の構成と相異するが、その他の構成は同じである。なお、透過画素電極（ＰＸＴ）は、複数の櫛歯電極を有する櫛歯状電極に代えて、複数のスリットを有するスリット状電極を用いてもよい。
本実施例の透過部３０では、透過画素電極（ＰＸＴ）と平面状の第１共通電極（ＣＴ１）とが、層間絶縁膜（ＰＡＳ１）を介して積層されており、透過画素電極（ＰＸＴ）と第１共通電極（ＣＴ１）との間に形成されるアーチ状の電気力線が液晶層（ＬＣ）を貫くように分布することにより液晶層（ＬＣ）を配向変化させる。即ち、本実施例の透過部３０は、所謂、ＩＰＳ方式で駆動される。
また、透過部３０では、液晶層（ＬＣ）の複屈折性を利用して光の明暗を表示するのに対して、反射部３１では、液晶表示パネルの内部に配置された内蔵位相差板（１／２波長板）（ＲＥＴ）と液晶層（ＬＣ）の複屈折性を利用して光の明暗を表示する。
【００１７】
本実施例では、内蔵位相差板（ＲＥＴ）を反射部３１にのみ配置することにより、透過部３０には、不要な位相差板がなく、通常の透過型ＩＰＳ表示方式の性能をそのまま発揮できる構造とすることができる。
また、反射部３１の液晶層（ＬＣ）の厚みは、透過部３０の液晶層（ＬＣ）の厚みの約半分にするが、ＩＰＳ方式の場合、画素電極と共通電極との間隔や、くし歯状ないしスリット状の電極の幅や間隔を変えないまま、液晶層（ＬＣ）の厚みのみを狭くすると駆動電圧が上昇する。これは、液晶分子には、第１の基板（ＳＵＢ１）及び第２の基板（ＳＵＢ２）との間に配向規制力が働いているが、液晶層（ＬＣ）の厚みが薄くなるとその影響がより顕著になることがその理由である。
一方、反射部３１に設けた内蔵位相差板（ＲＥＴ）と液晶層（ＬＣ）との間に第２共通電極（ＣＴ２）を設けて、第２の基板（ＳＵＢ２）上の画素電極との間に発生する縦電界により液晶層（ＬＣ）を駆動する場合には、液晶層（ＬＣ）の厚みが薄いことにより配向規制力の影響が顕著になることはＩＰＳ方式と同様である。
【００１８】
しかしながら、その一方で、第２の基板（ＳＵＢ２）上の第２共通電極（ＣＴ２）と、第１の基板（ＳＵＢ１）上の画素電極との距離も縮まるため必然的に縦電界強度が強まり、両者はほぼキャンセルされるため駆動電圧の上昇はあまりみられない。
したがって、本実施例のように、透過部３０をＩＰＳ方式となし、反射部３１を、第２共通電極（ＣＴ２）と第１の基板（ＳＵＢ１）上の反射画素電極（ＰＸＲ）との間に発生する縦電界方式とすることにより、広視野角の透過ＩＰＳ表示と高反射率の反射表示とを両立することができる。
このように、本実施例では、透過部３０に広視野角なＩＰＳ方式を用い、かつ、屋外視認性を確保するために重要な明るい反射表示が求められる反射部３１には縦電界方式を適用することにより、暗室のような暗い環境から晴天時の屋外のような非常に明るい環境においてまで視認性のよい液晶表示装置を実現することができる。
【００１９】
なお、本実施例において、液晶層（ＬＣ）の初期配向方向（ラビング方向）は、透過画素電極（ＰＸＴ）の各くし歯電極の長手方向に対して、５°〜２０°ずらした方向である。また、液晶層（ＬＣ）のリタデーションは、透過部３０は略１／２波長、反射部３１は略１／４波長になるように液晶層（ＬＣ）の厚みと屈折率異方性（Δｎ）を調整する。
さらに、本実施例、あるいは後述する各実施例において、反射部３１には、後述する図１８〜図１９に示すように、凹凸パターン（ＰＴＯ）を配置することが好ましい。
本実施例では、内蔵位相差板（ＲＥＴ）は、液晶表示パネルの両側に配置される偏光板を、ＩＰＳ方式の透過型液晶表示装置と同様にした上で、反射部３１と透過部３０の位相差を１／４波長だけシフトするように配置する。
具体的には、液晶層（ＬＣ）と、内蔵位相差板（ＲＥＴ）の積層体を、広帯域の１／４波長板の配置にする。即ち、反射電極（ＲＡＬ）に近接する方の液晶層（ＬＣ）のリタデーションを１／４波長とし、他方を１／２波長とする。
ＩＰＳ方式では、電圧印加時に液晶層（ＬＣ）は主にダイレクタ方位が層内で回転するように配向変化し、チルト角の変化は小さくリタデーションはほとんど変化しない。そのため、液晶層（ＬＣ）と内蔵位相差板（ＲＥＴ）のうち液晶層（ＬＣ）を反射電極（ＲＡＬ）に近接するように配置して、そのリタデーションを１／４波長とする。
【００２０】
内蔵位相差板（ＲＥＴ）の遅相軸は、以下のように決定する。方位角を上側偏光板透過軸を０度として反時計回りに定義する。
内蔵位相差板（ＲＥＴ）の遅相軸方位角をθPH、液晶層（ＬＣ）の配向方向の方位角をθLCとすると、広帯域の１／４波長板とした時の方位角は、次式（１）で表される。
２θPH＝±４５°＋θLC  ・・・・・・・・  （１）
ここで、θLCは、透過部３０における偏光板配置を、ＩＰＳ方式の透過型液晶表示装置と同様にすることから、０°または±９０°の何れかにしなければならない。
これより、θPHは、±２２．５°（作製上の余裕±１０％をみて２０°以上２５°以下）、または、±６７．５°（作製上の余裕±１０％をみて６０°以上７５°以下）になる。
このように、液晶層（ＬＣ）と内蔵位相差板（ＲＥＴ）の積層体を広帯域の１／４波長板の配置にすることにより、可視波長域全域に渡って反射率が低減し、低反射率かつ無彩色の反射表示が得られる。
【００２１】
透過部３０と反射部３１とでは、反射率と透過率を偏光板の光吸収により定められる限界値にするための液晶層（ＬＣ）のリタデーションの最適値がそれぞれ異なり、反射部３０では１／４波長、透過部３０では１／２波長である。
これを実現する為には、反射部３１の液晶層（ＬＣ）の厚さを、透過部３０よりも小さくしなければならない。具体的には、反射部３１に段差調整層（ＭＲ）を配置して、段差調整層（ＭＲ）の厚さの分だけ反射部３１の液晶層（ＬＣ）の厚さを減少する。当然、段差調整層（ＭＲ）は反射部３１に対応するように配置しなければならない。
本実施例では、内蔵位相差板（ＲＥＴ）を用いるが、内蔵位相差板（ＲＥＴ）もまた反射部３１に対応するように配置する。
反射部３１と透過部３０に必要とされるリタデーションの差は１／４波長であり、内蔵位相差板（ＲＥＴ）に必要とされるリタデーションは１／２波長である。そのため、内蔵位相差板（ＲＥＴ）の複屈折が、液晶層（ＬＣ）の２倍以上であれば、内蔵位相差板（ＲＥＴ）の層厚は、反射部３１と透過部３０に必要とされる液晶層（ＬＣ）の厚さの差よりも小さくなる。
【００２２】
この場合には、内蔵位相差板（ＲＥＴ）と段差調整層（ＭＲ）を積層し、反射部３１に対応するようにパターンニングして、両者の層厚の合計を反射部３１と透過部３０に必要とされる液晶層（ＬＣ）の厚さの差にすればよい。
あるいは、内蔵位相差板（ＲＥＴ）の複屈折が液晶層（ＬＣ）の２倍であれば、内蔵位相差板（ＲＥＴ）の層厚は、反射部３１と透過部３０に必要とされる液晶層（ＬＣ）の厚さの差に等しくなる。この場合には段差調整層（ＭＲ）が不要になるので、製造過程を簡略化できる。
あるいは、内蔵位相差板（ＲＥＴ）と液晶層（ＬＣ）とが接しないようにしたい場合には、内蔵位相差板（ＲＥＴ）と液晶層（ＬＣ）との間に保護膜（ＰＯＣ）を設けても良い。ただし、保護膜（ＰＯＣ）を設けた場合には内蔵位相差板（ＲＥＴ）による段差が軽減されてしまうので、反射部３１の液晶層（ＬＣ）の厚みを制御するための構造を追加しておく必要がある。
【００２３】
［実施例２］
図２（ａ）は、本発明の実施例２の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図、図２（ｂ）は、本発明の実施例２の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
図２（ｃ）は、図２（ａ）のＧ−Ｇ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
本実施例は、透過画素電極（ＰＸＴ）と、反射画素電極（ＰＸＲ）との間（即ち、透過部３０と反射部３１との間）に、スリット（ＳＬ１）を設けた構造である。
本実施例では、スリット（ＳＬ１）によって、強制的に反射部３１の内側の反射画素電極（ＰＸＲ）から、反射部３１の段差の頂点の第２共通電極（ＣＴ２）の方へ斜め電界を発生させ、配向安定性を高める効果がある。
第１および第２の基板面内に対して垂直方向に電界を印加した場合、通常は、第１および第２の基板付近で発生しているプレチルト角の方向によって液晶分子が立ち上がる方向が決定する。
【００２４】
しかしながら、このプレチルト角が小さい場合は、液晶分子は何らかの影響（例えば、コンタクトホール（ＣＨ）で発生する斜め電界や、隣のサブピクセルからの漏れ電界など）によって、従来プレチルト角が発生している方向の反対側に立ち上がってしまい、配向乱れが生じる。
この反射部３１で発生した配向乱れが、透過部３０に影響を及ぼさないために、前述したスリット（ＳＬ１）を配置する。
なお、反射部３１の反射画素電極（ＰＸＲ）と、透過部３０の透過画素電極（ＰＸＴ）は同層で、かつ一体に作製される。そのため、透過部３０の透過画素電極（ＰＸＴ）と反射部３１の反射画素電極（ＰＸＲ）を接続する必要があるが、その接続箇所は任意であり、例えば、図２に示すように、中心付近、あるいは、図３に示すように、端部であってもよい。なお、図３（ａ）は、本発明の実施例２の半透過型液晶表示装置の変形例の第１の基板側の電極構造を示す平面図、図３（ｂ）は、本発明の実施例２の半透過型液晶表示装置の変形例の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【００２５】
［実施例３］
図４（ａ）は、本発明の実施例３の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図、図４（ｂ）は、本発明の実施例３の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
図４（ｃ）は、図４（ａ）のＨ−Ｈ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
前述の各実施例では、透過部３０の透過画素電極（ＰＸＴ）の櫛歯電極の方向を映像線（ＤＬ）と平行にしていたが、本実施例では、透過画素電極（ＰＸＴ）の櫛歯電極の方向を走査線（ＧＬ）と平行にしたものである。
本実施例の電極構造により、前述の実施例２のスリット（ＳＬ１）と同様の効果を得ることが可能である。なお、図４では、透過画素電極（ＰＸＴ）の各櫛歯電極を連結する連結部は、映像線（ＤＬ）側の端部に形成しているが、この連結部は、櫛歯電極の中央に設けてもよい。
【００２６】
［実施例４］
図５（ａ）は、本発明の実施例４の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図、図５（ｂ）は、本発明の実施例４の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
図５（ｃ）は、図５（ａ）のＩ−Ｉ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
前述の各実施例では、透過部３０にのみ櫛歯電極を形成していたが、本実施例では、この透過部３０の透過画素電極（ＰＸＴ）の各櫛歯電極を反射部３１まで延長したものである。
透過部３０をＩＰＳ方式で、反射部３１を縦電界方式で駆動する場合、反射部３１の透過部側の端部と、透過部３０の反射部側の端部の位置が、設計値よりもずれると、透過部３０と反射部３１とで配向乱れが発生するので好ましくない。
そこで、本実施例のように、反射部３１の反射画素電極（ＰＸＲ）も、複数の櫛歯電極で構成することにより、第１の基板（ＳＵＢ１）と第２の基板（ＳＵＢ２）を封止する際の両者の位置ずれマージンを向上させることができる。
【００２７】
［実施例５］
図６（ａ）は、本発明の実施例５の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図、図６（ｂ）は、本発明の実施例５の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
本実施例は、透過部３０の透過画素電極（ＰＸＴ）の各櫛歯電極の反射部側に、他の櫛歯電極との間隔が徐々に大きくなるように形成された斜辺部（ＫＤＳ）を設け、さらに、透過画素電極（ＰＸＴ）の各櫛歯電極の反射画素電極（ＰＸＲ）と反対側の先端部（ＫＤＫ）を鍵型状にしたものである。
透過部３０をＩＰＳ方式で、反射部３１を縦電界方式で駆動する場合、透過部３０における、反射部３１との境界付近では、透過画素電極（ＰＸＴ）の各櫛歯電極によって発生する横電界、もしくはフリンジ電界が、透過部中央付近で発生する横電界、もしくはフリンジ電界の向きと異なり、配向乱れが発生する問題がある。
そこで、本実施例では、この問題を解決するために、透過部３０の透過画素電極（ＰＸＴ）に斜辺部（ＫＤＳ）を設け、さらに、透過画素電極（ＰＸＴ）の各櫛歯電極の反射画素電極（ＰＸＲ）と反対側の先端部（ＫＤＫ）鍵型状にしたものである。
【００２８】
［実施例６］
図７（ａ）は、本発明の実施例６の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図、図７（ｂ）は、本発明の実施例６の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
本実施例では、透過部３０の画素電極（ＰＸＴ）を構成する各櫛歯電極を「く」の字形の構造にしたものである。これにより、画素電極（ＰＸＴ）の各櫛歯電極に電圧を印加したときに、透過部３０の液晶配向がマルチドメイン化する。よって、透過部３０の視野角特性を改善することが可能である。
なお、透過部３０の画素電極（ＰＸＴ）を構成する各櫛歯電極は、図８に示す構造であってもよい。
なお、図８（ａ）は、本発明の実施例６の半透過型液晶表示装置の変形例の第１の基板側の電極構造を示す平面図、図８（ｂ）は、本発明の実施例６の半透過型液晶表示装置の変形例の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【００２９】
［実施例７］
図９（ａ）は、本発明の実施例７の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図、図９（ｂ）は、本発明の実施例７の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
図９（ｃ）は、図９（ａ）のＪ−Ｊ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
本実施例では、反射部３１が、各サブピクセルの中央に配置されている。前述の各実施例では、走査方向において、各サブピクセルの透過部３０、反射部３１は、透過部３０−反射部３１−透過部３０−反射部３１・・・の順で配置されているが、本実施例の場合は、透過部３０−反射部３１−透過部３０−透過部３０−反射部３１−透過部３０・・・の順で配置されるので、サブピクセル間で発生する配向乱れを軽減することができる。
【００３０】
［実施例８］
図１０（ａ）は、本発明の実施例８の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図、図１０（ｂ）は、本発明の実施例８の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
図１０（ｃ）は、図１０（ａ）のＫ−Ｋ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
本実施例は、反射部３１の反射画素電極（ＰＸＲ）と、透過部３０の透過画素電極（ＰＸＴ）がそれぞれ独立させたものである。そのため、図１０（ｃ）のＣＨ１，ＣＨ２に示すように、コンタクトホールが、透過部３０、反射部３１のそれぞれに設けられている。
これにより、透過部３０と反射部３１に完全なスリットを設けることができ、前述したような反射部３１で発生した配向乱れが、透過部３１に影響するのを押さえる効果がある。
【００３１】
［実施例９］
本実施例において、反射部３１の反射画素電極（ＰＸＲ）と、反射部３１の第２共通電極（ＣＴ２）の位置の関係は、反射部３１で配向乱れが発生しないように設計する必要がある。
段差形成層（ＭＲ）の頂点の位置や、透過画素電極（ＰＸＴ）と反射画素電極（ＰＸＲ）との間のスリットの関係等で斜め方向に電界が発生する。プレチルトは、透過部３０の視野角に影響が及ばないように十分に小さいために、斜め電界の方向に液晶が配向する。
そのため、サブピクセル内で斜め電界の方向を対向するように設計してしまうと、配向乱れが発生する。この配向乱れは、ある位置で動かなければ問題はない。
ある位置で動かないようにする方法として、配向制御用の突起を設けたり、反射部３１の電極に配向制御用スリットを設ける方法がある。
【００３２】
図１１（ａ）は、本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の断面構造を示す断面図であり、図２（ａ）のＭ−Ｍ’切断線に沿った断面構造に相当する断面図である。
サブピクセル間にはかならずスリットがあり、そのスリットの位置と、段差形成層（ＭＲ）の頂点の位置によって、反射部３１に発生する斜め電界の方向異なる。
サブピクセル間のスリットが、段差形成層（ＭＲ）より外側にある場合は、図１１（ａ）に示すような斜め電界が発生する。このとき、透過部３０の透過画素電極（ＰＸＴ）と、反射部３１の反射画素電極（ＰＸＲ）との間のスリット（ＳＬ１）を、図１１（ａ）に示すように、段差形成層（ＭＲ）の頂点よりも反射部側に配置することで、発生する電界の向きが反射部内で一様になるために、配向乱れが発生しない。
図１１（ｂ）は、本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の断面構造を示す断面図であり、図１（ａ）のＬ−Ｌ’切断線に沿った断面構造に相当する断面図である。
一方、図１１（ａ）において、透過部３０の透過画素電極（ＰＸＴ）と、反射部３１の反射画素電極（ＰＸＲ）との間のスリット（ＳＬ１）がない場合は、図１１（ｂ）に示すように、反射部３１の反射画素電極（ＰＸＲ）に配向制御用のスリット（ＳＬＨ）を設けることで、その位置に配向乱れをとどめておくことができるために、配向乱れが動いて表示特性に悪影響を及ぼすことが無くなる。
図１２は、本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の断面構造を示す断面図である。
サブピクセル間のスリットが、段差形成層（ＭＲ）より外側にある場合は、配向制御用の突起（ＴＫＨ）を、反射部３１の反射画素電極（ＰＸＲ）上に配置してもよく、この場合でも、図１１（ｂ）と同様な作用・効果を得ることができる。
【００３３】
図１３（ａ）は、本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の断面構造を示す断面図であり、図１（ａ）のＬ−Ｌ’切断線に沿った断面構造に相当する断面図である。
サブピクセル間のスリットが、段差形成層（ＭＲ）より内側にある場合は、図１３（ａ）に示すような斜め電界が発生する。このとき、反射部３１に発生する電界の向きが反射部内で一様になるために、配向乱れが発生しない。
図１３（ｂ）は、本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の断面構造を示す断面図であり、図２（ａ）のＭ−Ｍ’切断線に沿った断面構造に相当する断面図である。
一方、段差形成層（ＭＲ）より内側に、透過部３０の透過画素電極（ＰＸＴ）と、反射部３１の反射画素電極（ＰＸＲ）との間のスリット（ＳＬ１）がある場合は、図１３（ｂ）に示すように、反射部３１の第２共通電極（ＣＴ２）に配向制御用のスリット（ＳＬＨ）を設けることで、その位置に配向乱れをとどめておくことができるために、配向乱れが動いて表示特性に悪影響を及ぼすことが無くなる。
図１４は、本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の断面構造を示す断面図である。
段差形成層（ＭＲ）より内側に、透過部３０の透過画素電極（ＰＸＴ）と、反射部３１の反射画素電極（ＰＸＲ）との間のスリット（ＳＬ１）がある場合は、図１４に示すように、反射部３１の第２共通電極（ＣＴ２）に配向制御用の突起（ＴＫＨ）を設けてもよく、この場合でも、図１３（ｂ）と同様な作用・効果を得ることができる。
【００３４】
図１５（ａ）は、本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
図１５（ａ）に示す半透過型液晶表示装置は、第１の基板（ＳＵＢ１）基板上の反射電極（ＲＡＬ）と、第１共通電極（ＣＴ１）をパターンニングして、スリット部（ＳＬＰ）を形成したものである。このスリット部（ＳＬＰ）は、反射電極（ＲＡＬ）と第１共通電極（ＣＴ１）のいずれもが存在しない部分である。
図１５（ａ）では、スリット部（ＳＬＰ）は、概略四角形をなす反射部３１の四辺で、なおかつ、透過部３０に隣接しない３つの辺に接する部分に配置される。
図１５（ｂ）は、スリット部（ＳＬＰ）を配置しない場合の、図１５（ａ）のＥ−Ｅ’切断線に沿った断面構造における電気力線の分布と、電気力線によって生じる液晶配向状態を示す図である。
図１５（ｂ）に示すように、反射画素電極（ＰＸＲ）の中央部では、第１の基板（ＳＵＢ１）の法線方向に向かう電気力線が主要であり、所謂、縦電界に対応する電気力線である。これに加えて、第１共通電極（ＣＴ１）が反射画素電極（ＰＸＲ）の下層の全面に渡って存在することにより、反射画素電極（ＰＸＲ）の両端にアーチ状の電気力線５０が発生しており、所謂、フリンジ電界に対応する電気力線である。
【００３５】
液晶層（ＬＣ）は、正の誘電率異方性を有するため、液晶分子（ＬＣＢ）は、電気力線の方向に分子軸を向けるように配向を変化させる。この時の配向変化方向を規定すべく配向膜（図１（ｂ）のＡＬ１，ＡＬ２）が形成されているが、透過部３０において広視野角を確保するため、配向膜が液晶層（ＬＣ）に付与するチルト角は小さい角度に、例えば、２度以下にしなければならない。
そのため、配向膜自体の縦電界に対する配向制御は不十分であり、反射画素電極（ＰＸＲ）の両端のフリンジ電界が、反射部３１における電圧印加時の液晶配向方向に主要な影響を及ぼす場合がある。
フリンジ電界は、反射画素電極（ＰＸＲ）の両端において液晶配向方向が互いに逆方向になるように作用する。反射画素電極（ＰＸＲ）近傍の液晶層（ＬＣ）も、反射画素電極端の液晶配向に習うように配向するので、端部と類似の配向状態は、反射画素電極（ＰＸＲ）の中央近傍まで形成される。
【００３６】
その結果、図１５（ｂ）中のＡの一点鎖線で示したように、反射画素電極上の何れかで不連続な境界を形成する。これを液晶配向不連続部と呼ぶことにすると、液晶配向不連続部の位置は定まらず、印加電圧値や外部圧力などの要因により移動しうる。
液晶配向不連続部が生じる位置が画素ごとに異なれば、斜め方向から液晶表示パネルを観察した場合に画面内の反射率が不均一になるため好ましくない。また、電圧印加により液晶配向不連続部が移動すれば、応答特性が低下する。移動速度が極端に遅い場合には、残像となって観察される。
図１５（ｃ）は、スリット部（ＳＬＰ）を配置しない場合の、図１５（ａ）のＦ−Ｆ’切断線に沿った断面構造における電気力線の分布と、電気力線によって生じる液晶配向状態を示す図である。
図１５（ｃ）に示すように、スリット部（ＳＬＰ）を配置しない場合のＦ−Ｆ’断面においても、図１５（ｂ）に示すＥ−Ｅ’断面と同様に、反射画素電極（ＰＸＲ）の両端にフリンジ電界が発生し、これにより、液晶配向不連続部が生じる場合がある。
【００３７】
以上説明したように、スリット部（ＳＬＰ）を配置しない場合には、反射部３１の４辺にフリンジ電界が発生し、電圧印加時に反射部３１はフリンジ電界で囲まれる。そのため、配向膜の配向規制力が低い場合には画面内反射率の不均一、応答特性低下、残像が生じる場合がある。
図１５（ｄ）は、スリット部（ＳＬＰ）を配置した場合の、図１５（ａ）のＥ−Ｅ’断面における電気力線の分布と、電気力線によって生じる液晶配向状態を示す図である。
反射電極（ＲＡＬ）と、第１共通電極（ＣＴ１）にスリット部（ＳＬＰ）を配置した場合、反射電極（ＲＡＬ）および第１共通電極（ＣＴ１）は、反射画素電極（ＰＸＲ）の端部と同じ位置に端部を有する。
そのため、第１共通電極（ＣＴ１）と反射画素電極（ＰＸＲ）との間にのみ電界が形成されることになるので、反射画素電極（ＰＸＲ）の端部にフリンジ電界が発生せず、図１５（ｄ）に示すように、反射画素電極上には、第２の基板（ＳＵＢ２）上の第２の共通電極（ＣＴ２）との間に形成される均一な縦電界のみが存在する。
【００３８】
図１５（ｅ）は、スリット部（ＳＬＰ）を配置した場合の、図１５（ａ）のＦ−Ｆ’断面における電気力線の分布と、電気力線によって生じる液晶配向状態を示す図である。
反射電極（ＲＡＬ）と第１共通電極（ＣＴ１）にスリット部（ＳＬＰ）を配置した場合、反射画素電極（ＰＸＲ）の左側端部において、反射電極（ＲＡＬ）および第１共通電極（ＣＴ１）は、反射画素電極（ＰＸＲ）と同じ位置に端部を有するため、反射画素電極（ＰＸＲ）の左側端部にはフリンジ電界が発生しない。
図１５（ｅ）内の反射画素電極（ＰＸＲ）の右側端部は、透過部３０に接するため、第１共通電極（ＣＴ１）は、反射画素電極（ＰＸＲ）の端部を越えて、図１５（ｅ）の端まで存在する。
そのため、反射画素電極（ＰＸＲ）の右側端部にはフリンジ電界が発生する。この様に、概略四角形をした反射部３１のうち、透過部３０に近接する一辺のみにフリンジ電界が発生する。
このため、透過部３０に近接する端部のフリンジ電界だけで反射部３１の全体の配向方向が決定され、液晶配向不連続部が現れることもなく、反射部全体に渡って均一な配向が得られる。従って、画面内反射率の不均一、応答特性低下、残像等は発生しない。
【００３９】
図１６は、本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
図１６では、スリット部（ＳＬＰ）は、反射部３１と透過部３０の境界に達していない。そのため、各サブピクセルの反射電極（ＲＡＬ）は連結している。
スリット部（ＳＬＰ）が存在する場合、反射電極（ＲＡＬ）と第１共通電極（ＣＴ１）の積層膜はストライプ状の分布になるが、図１５（ａ）では、反射電極（ＲＡＬ）は、スリット部（ＳＬＰ）によって両断されて、各サブピクセルの反射部３１に島状に残ることになる。
反射電極（ＲＡＬ）は、アルミニウム等の低抵抗の金属であるが、これが島状に分断されることにより、反射電極（ＲＡＬ）と第１共通電極（ＣＴ１）の積層膜の抵抗は、例えば、ＩＴＯの透明導電膜で形成された第１共通電極（ＣＴ１）で決定される。
図１６に示す構造では、スリット部（ＳＬＰ）は、反射電極（ＲＡＬ）が連結していることにより、反射電極（ＲＡＬ）と第１共通電極（ＣＴ１）の積層膜の抵抗は、反射電極（ＲＡＬ）で決定されるために、より低抵抗になり、第１共通電極（ＣＴ１）上の共通電圧を変えた際に電圧分布が生じにくく、輝度傾斜等が生じにくくなる。
【００４０】
図１７は、本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
図１５（ａ）に示す構造では、スリット部（ＳＬＰ）は、走査線（ＧＬ）を超えた領域まで形成されていないため、透過画素電極（ＰＸＴ）の櫛歯電極の先端で、櫛歯方向に平行なフリンジ電界が発生し、移動ドメインの核を形成する場合があった。
図１７に示す構造では、スリット部（ＳＬＰ）は、走査線（ＧＬ）を超えて、隣接サブピクセルに跨り、かつ透過画素電極（ＰＸＴ）の櫛歯電極の櫛歯構造の先端まで形成される。
このため、透過画素電極（ＰＸＴ）の櫛歯電極の櫛歯構造の先端でフリンジ電界が発生せず、櫛歯先端からは移動ドメインが発生しなくなる。
【００４１】
［実施例１０］
図１８（ａ）は、本発明の実施例１０の半透過型液晶表示装置の第１の基板側と第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
図１８（ｂ）は、図１８（ａ）のＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す断面図、図１８（ｃ）は、図１８（ａ）のＢ−Ｂ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
実施例１ないし実施例９では、第２の基板（ＳＵＢ２）側の第２の共通電極（ＣＴ２）は、１表示ライン上の各サブピクセルの反射部３１に対応して、面状（あるいは、長方形形状）に、即ち、ストライプ状に形成されている。
本実施例の半透過型液晶表示装置では、第２の基板（ＳＵＢ２）側の第２の共通電極（ＣＴ２）は、透過部３０に対応する箇所に開口部（ＡＯＰ）を設けて、第２の基板（ＳＵＢ２）上に全面に形成される。
これにより、第２の共通電極（ＣＴ２）がストライプ状に形成されている場合よりも、第２の共通電極（ＣＴ２）の抵抗を低くすることが可能となる。なお、本実施例では、反射部３１には、凹凸パターン（ＰＴＯ）が形成されているが、前述の各実施例、および後述する各実施例においても、反射部３１に凹凸パターン（ＰＴＯ）を形成してもよい。
【００４２】
［実施例１１］
図１９（ａ）は、本発明の実施例１１の半透過型液晶表示装置の第１の基板側と第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
図１９（ｂ）は、図１９（ａ）のＣ−Ｃ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
前述の実施例１ないし実施例９では、第２の基板（ＳＵＢ２）側の第２の共通電極（ＣＴ２）は、１表示ライン上の各サブピクセルの反射部３１に対応して、面状（あるいは、長方形形状）に、即ち、ストライプ状に形成されている。
本実施例の半透過型液晶表示装置でも、第２の基板（ＳＵＢ２）側の第２の共通電極（ＣＴ２）は、ストライプ状に形成されているが、本実施例では、第２の共通電極（ＣＴ２）の端部に、例えば、アルミニウムなどの金属層からなる低抵抗共通電極（ＣＴＡ）が重畳される。これにより、第２の共通電極（ＣＴ２）が単にストライプ状に形成されている場合よりも、第２の共通電極（ＣＴ２）の抵抗を低くすることが可能となる。
【００４３】
［実施例１２］
図２０（ａ）は、本発明の実施例１２の半透過型液晶表示装置の第１の基板側と第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
図２０（ｂ）は、図２０（ａ）のＤ−Ｄ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
本実施例では、第１の基板の第１共通電極（ＣＴ１）を、透過画素電極（ＰＸＴ）と同層の位置に形成する。即ち、本実施例において、第１共通電極（ＣＴ１）は、複数の櫛歯電極を有する櫛歯状電極であり、図２０（ａ）に示すように、透過画素電極（ＰＸＴ）の櫛歯電極と、第１共通電極（ＣＴ１）の櫛歯電極とは、互いに対向するように配置される。
また、本実施例では、反射電極（ＲＡＬ）は、面状の反射画素電極（ＰＸＲ）上に形成されている。
また、本実施例では、第１共通電極（ＣＴ１）の各櫛歯電極を連結する連結部に、反射電極（ＲＡＬ）と同一工程で形成され、反射電極（ＲＡＬ）と同一の金属層からなる低抵抗共通配線（ＣＴＡ）が重畳される。
本実施例では、第１共通電極（ＣＴ１）が分割され、ストライプ状に形成されるが、第１共通電極（ＣＴ１）に低抵抗共通配線（ＣＴＡ）を重畳することにより、第１の共通電極（ＣＴ１）が単にストライプ状に形成されている場合よりも、第１の共通電極（ＣＴ１）の抵抗を低くすることが可能となる。
【００４４】
［実施例１３］
図２１は、本発明の半透過型液晶表示装置の問題点を説明するための図である。
図２１（ａ）に示すように、本発明の場合、液晶層（ＬＣ）に電圧が印加されている状態において、主として反射部３１に位置する縦配向領域（ＶＡＲ）と、主として透過部３０に位置する水平配向領域（ＨＡＲ）に分けられる。
一般に、液晶表示パネルに対して、押し圧力が加えられると、液晶層（ＬＣ）に圧縮応力が加わるが、本実施例において、反射部３１の液晶層（ＬＣ）の厚みは、透過部３０に比べて薄いため、反射部３１の方が、液晶層（ＬＣ）の層厚変化の液晶層（ＬＣ）厚に対する比率が大きい。
そして、押し圧力印加前と押し圧力印加後における、縦配向領域（ＶＡＲ）と水平配向領域（ＨＡＲ）の体積比に変化がないとすると、図２１（ｂ）に示すように、縦配向領域（ＶＡＲ）が水平配向領域（ＨＡＲ）にはみ出すこととなる。
この水平配向領域（ＨＡＲ）にはみ出した縦配向領域（ＶＡＲ）の配向状態が、水平配向領域（ＨＡＲ）に影響を与えることにより、水平配向の液晶分子のチルトアップ方向が反転するようなリバースチルトドメインが発生する可能性が増す。
リバースチルトドメインが発生すると、そのサブピクセルの輝度は他の正常なサブピクセルに比べて低下するため、表示の異常として視認されてしまう。
【００４５】
図２２は、本発明の実施例１３の半透過型液晶表示装置の断面構造を示す断面図であり、図１（ｅ）に相当する箇所の断面構造を示す断面図である。
図２２に示すように、本実施例では、段差形成層（ＭＲ）は、透過部３０と反射部３１との境界部に、テーパ状に形成された部分（ＰＴＰ）を有し、第２共通電極（ＣＴ２）が、段差形成層（ＭＲ）のテーパ状に形成された部分（ＰＴＰ）の底辺部まで延伸され、先端部が、透過部３０の領域に位置している。
圧力起因のリバースチルトドメイン発生を防止するためには、図２２に示すように、第２共通電極（ＣＴ２）の一部を、透過部３０にまではみ出させておくとよい。それにより、透過部３０の端部において常に縦電界が印加された領域が存在するため、発生したリバースチルトドメインが緩和することができる。
透過部３０の端部に縦電界領域がない場合には、リバースチルトドメインが緩和する経路がないため電圧を低下させるまで残留してしまう。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１（ａ）】本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図１（ｂ）】本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図１（ｃ）】図１（ａ）のＤ−Ｄ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図１（ｄ）】図１（ａ）のＥ−Ｅ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図１（ｅ）】図１（ａ）のＦ−Ｆ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図２（ａ）】本発明の実施例２の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図２（ｂ）】本発明の実施例２の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図２（ｃ）】図２（ａ）のＧ−Ｇ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図３（ａ）】本発明の実施例２の半透過型液晶表示装置の変形例の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図３（ｂ）】本発明の実施例２の半透過型液晶表示装置の変形例の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図４（ａ）】本発明の実施例３の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図４（ｂ）】本発明の実施例３の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図４（ｃ）】図４（ａ）のＨ−Ｈ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図５（ａ）】本発明の実施例４の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図５（ｂ）】本発明の実施例４の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図５（ｃ）】図５（ａ）のＩ−Ｉ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図６（ａ）】本発明の実施例５の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図６（ｂ）】本発明の実施例５の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図７（ａ）】本発明の実施例６の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図７（ｂ）】本発明の実施例６の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図８（ａ）】本発明の実施例６の半透過型液晶表示装置の変形例の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図８（ｂ）】本発明の実施例６の半透過型液晶表示装置の変形例の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図９（ａ）】本発明の実施例７の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図９（ｂ）】本発明の実施例７の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図９（ｃ）】図９（ａ）のＪ−Ｊ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図１０（ａ）】本発明の実施例８の半透過型液晶表示装置の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図１０（ｂ）】本発明の実施例８の半透過型液晶表示装置の第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図１０（ｃ）】図１０（ａ）のＫ−Ｋ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図１１（ａ）】本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の断面構造を示す断面図であり、図２（ａ）のＭ−Ｍ’切断線に沿った断面構造に相当する断面図である。
【図１１（ｂ）】本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の断面構造を示す断面図であり、図１（ａ）のＬ−Ｌ’切断線に沿った断面構造に相当する断面図である。
【図１２】本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の断面構造を示す断面図である。
【図１３（ａ）】本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の断面構造を示す断面図であり、図１（ａ）のＬ−Ｌ’切断線に沿った断面構造に相当する断面図である。
【図１３（ｂ）】本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の断面構造を示す断面図であり、図２（ａ）のＭ−Ｍ’切断線に沿った断面構造に相当する断面図である。
【図１４】本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の断面構造を示す断面図である。
【図１５（ａ）】本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図１５（ｂ）】スリット部（ＳＬＰ）を配置しない場合の、図１５（ａ）のＥ−Ｅ’切断線に沿った断面構造における電気力線の分布と、電気力線によって生じる液晶配向状態を示す図である。
【図１５（ｃ）】スリット部（ＳＬＰ）を配置しない場合の、図１５（ａ）のＦ−Ｆ’切断線に沿った断面構造における電気力線の分布と、電気力線によって生じる液晶配向状態を示す図である。
【図１５（ｄ）】スリット部（ＳＬＰ）を配置した場合の、図１５（ａ）のＥ−Ｅ’断面における電気力線の分布と、電気力線によって生じる液晶配向状態を示す図である。
【図１５（ｅ）】スリット部（ＳＬＰ）を配置した場合の、図１５（ａ）のＦ−Ｆ’断面における電気力線の分布と、電気力線によって生じる液晶配向状態を示す図である。
【図１６】本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図１７】本発明の実施例９の半透過型液晶表示装置の変形例の第１の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図１８（ａ）】本発明の実施例１０の半透過型液晶表示装置の第１の基板側と第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図１８（ｂ）】図１８（ａ）のＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図１８（ｃ）】図１８（ａ）のＢ−Ｂ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図１９（ａ）】本発明の実施例１１の半透過型液晶表示装置の第１の基板側と第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図１９（ｂ）】図１９（ａ）のＣ−Ｃ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図２０（ａ）】本発明の実施例１２の半透過型液晶表示装置の第１の基板側と第２の基板側の電極構造を示す平面図である。
【図２０（ｂ）】図２０（ａ）のＤ−Ｄ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図２１】本発明の半透過型液晶表示装置の問題点を説明するための図である。
【図２２】本発明の実施例１３の半透過型液晶表示装置の断面構造を示す断面図であり、図１（ｅ）に相当する箇所の断面構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
３０  透過部
３１  反射部
５０  電気力線
ＳＵＢ１，ＳＵＢ２  ガラス基板
ＲＥＴ  位相差板
ＰＡＳ１〜ＰＡＳ３  層間絶縁膜
ＢＭ  ブラックマトリクス
ＦＩＲ  カラーフィルタ
ＯＣ  オーバーコート膜
ＰＯＣ  保護膜
ＭＲ  段差形成層
ＡＬ１，ＡＬ２  配向膜
ＣＨ，ＣＨ１，ＣＨ２  コンタクトホール
ＬＣ  液晶層
ＬＣＢ  液晶分子
ＰＸＴ  透過画素電極
ＫＤＳ  透過画素電極（ＰＸＴ）の櫛歯電極の斜辺部
ＫＤＫ  透過画素電極（ＰＸＴ）の櫛歯電極の先端部
ＰＸＲ  反射画素電極
ＣＴ１  第１共通電極
ＣＴ２  第２共通電極
ＣＴＡ  低抵抗共通配線
ＲＡＬ  反射電極
ＧＬ  走査線（ゲート線）、
ＤＬ  映像線（ドレイン線またはソース線）
ＳＤ１  ソース電極
ＳＣＤ  半導体層
ＳＬ１  スリット
ＳＬＰ  スリット部
ＳＬＨ  配向制御用のスリット
ＴＫＨ  配向制御用の突起
ＡＯＰ  開口部
ＶＡＲ  縦配向領域
ＨＡＲ  水平配向領域
ＰＴＯ  凹凸パターン
ＰＴＰ  段差形成層（ＭＲ）のテーパ状に形成された部分
【図１（ａ）】
2008111973.tif 000003
【図１（ｂ）】
2008111973.tif 000004
【図１（ｃ）】
2008111973.tif 000005
【図１（ｄ）】
2008111973.tif 000006
【図１（ｅ）】
2008111973.tif 000007
【図２（ａ）】
2008111973.tif 000008
【図２（ｂ）】
2008111973.tif 000009
【図２（ｃ）】
2008111973.tif 000010
【図３（ａ）】
2008111973.tif 000011
【図３（ｂ）】
2008111973.tif 000012
【図４（ａ）】
2008111973.tif 000013
【図４（ｂ）】
2008111973.tif 000014
【図４（ｃ）】
2008111973.tif 000015
【図５（ａ）】
2008111973.tif 000016
【図５（ｂ）】
2008111973.tif 000017
【図５（ｃ）】
2008111973.tif 000018
【図６（ａ）】
2008111973.tif 000019
【図６（ｂ）】
2008111973.tif 000020
【図７（ａ）】
2008111973.tif 000021
【図７（ｂ）】
2008111973.tif 000022
【図８（ａ）】
2008111973.tif 000023
【図８（ｂ）】
2008111973.tif 000024
【図９（ａ）】
2008111973.tif 000025
【図９（ｂ）】
2008111973.tif 000026
【図９（ｃ）】
2008111973.tif 000027
【図１０（ａ）】
2008111973.tif 000028
【図１０（ｂ）】
2008111973.tif 000029
【図１０（ｃ）】
2008111973.tif 000030
【図１１（ａ）】
2008111973.tif 000031
【図１１（ｂ）】
2008111973.tif 000032
【図１２】
2008111973.tif 000033
【図１３（ａ）】
2008111973.tif 000034
【図１３（ｂ）】
2008111973.tif 000035
【図１４】
2008111973.tif 000036
【図１５（ａ）】
2008111973.tif 000037
【図１５（ｂ）】
2008111973.tif 000038
【図１５（ｃ）】
2008111973.tif 000039
【図１５（ｄ）】
2008111973.tif 000040
【図１５（ｅ）】
2008111973.tif 000041
【図１６】
2008111973.tif 000042
【図１７】
2008111973.tif 000043
【図１８（ａ）】
2008111973.tif 000044
【図１８（ｂ）】
2008111973.tif 000045
【図１８（ｃ）】
2008111973.tif 000046
【図１９（ａ）】
2008111973.tif 000047
【図１９（ｂ）】
2008111973.tif 000048
【図２０（ａ）】
2008111973.tif 000049
【図２０（ｂ）】
2008111973.tif 000050
【図２１】
2008111973.tif 000051
【図２２】
2008111973.tif 000052