(57)【要約】【課題】装置の設置面積の増大を抑えつつ、大型のフォトマスクの性能評価及び欠陥検査を良好に行うことができ、また、大型のフォトマスクに対する安全性やハンドリング性が確保されたフォトマスクの検査装置を提供する。【解決手段】フォトマスク３を保持し、光源１からの所定波長の光束を照明光学系２を介して照射し、対物レンズ系４を介して、撮像手段５によりフォトマスク３の像を撮像する。照明光学系２、対物レンズ系４及び撮像手段５の光軸を一致させ、対物レンズ系４及び撮像手段５を光軸方向に互いに独立に移動操作して、フォトマスク３の像を撮像する。【選択図】図１
2008165217.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体であるフォトマスクを保持するマスク保持手段と、
所定波長の光束を発する光源と、
前記光源からの光束を導き、前記マスク保持手段により保持されたフォトマスクに該光束を照射する照明光学系と、
前記フォトマスクに照射され該フォトマスクを経た前記光束が入射される対物レンズ系と、
前記対物レンズ系を経た光束を受光し、前記フォトマスクの像を撮像する撮像手段と、
前記照明光学系、前記対物レンズ系及び撮像手段をそれぞれ支持する支持手段と、
前記それぞれの支持手段を移動操作する移動操作手段と、
前記移動操作手段を制御する制御手段と
を備え、
前記制御手段は、前記移動操作手段を制御することにより、前記照明光学系、前記対物レンズ系及び前記撮像手段を前記マスク保持手段により保持されたフォトマスクの主平面に平行な面内で移動操作し、これらの光軸を一致させた状態で所定位置に位置させ、かつ、前記対物レンズ系及び前記撮像手段の少なくとも一方を、光軸方向について位置調整とする
ことを特徴とするフォトマスクの検査装置。
【請求項２】
前記対物レンズ系及び前記照明光学系は、それぞれ開口数が可変となされており、
前記制御手段は、前記対物レンズ系の開口数、または、前記照明光学系の開口数を所定値にすることにより、前記照明光学系の開口数の前記対物レンズ系の開口数に対する比を所定の値に制御する
ことを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの検査装置。
【請求項３】
前記撮像手段により得られた画像に基づき、前記フォトマスクの所定領域の透過光の光強度分布データを用いて演算を行う演算手段を備えた
ことを特徴とする請求項１、または、請求項２記載のフォトマスクの検査装置。
【請求項４】
前記マスク保持手段は、前記フォトマスクの主平面を略々鉛直として該フォトマスクを固定して保持する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載のフォトマスクの検査装置。
【請求項５】
前記マスク保持手段は、前記フォトマスクの主平面を鉛直から傾斜した角度であって、かつ、鉛直から１０度以内の角度として該フォトマスクを保持する
ことを特徴とする請求項１、または、請求項２記載のフォトマスクの検査装置。
【請求項６】
前記光源より発せられ、前記照明光学系を経た光束は、少なくとも、ｇ線、ｈ線、または、ｉ線のいずれかを含み、あるいは、これらのうち任意の二以上を混合した光束を含む  ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載のフォトマスクの検査装置。
【請求項７】
前記照明光学系は、前記フォトマスクに光束を照射する範囲が、前記撮像手段の撮像視野よりも広い
ことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載のフォトマスクの検査装置。
【請求項８】
前記照明光学系は、視野絞りを備え、この視野絞りによって、前記フォトマスクに光束を照射し、かつ、前記フォトマスク上において光量分布が５％以内となる部分の直径が、前記撮像手段の撮像視野の直径に対し３０％以上大きくなっている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載のフォトマスクの検査装置。
【請求項９】
前記照明光学系、または、前記対物レンズ系及び前記撮像手段の少なくとも一方の光軸の微調整を行う角度調整機構を備える
ことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載のフォトマスクの検査装置。
【請求項１０】
前記対物レンズ系及び前記照明光学系は、開口数を可変とする絞り機構を備えている    ことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載のフォトマスクの検査装置。
【請求項１１】
透明基板上に所定のパターンを有する膜が形成されたフォトマスクを保持し、所定波長の光束を発する光源からの光束を照明光学系を介して前記フォトマスクに照射し、このフォトマスクを経た前記光束を対物レンズ系を介して撮像手段によって受光して、前記フォトマスクの像を撮像することにより、前記フォトマスクを検査するフォトマスクの検査方法であって、
前記照明光学系、前記対物レンズ系及び前記撮像手段を、前記マスク保持手段により保持されたフォトマスクの主平面に平行な面内で移動操作し、これらの光軸が一致した状態で所定位置に位置させ、更に、前記対物レンズ系及び前記撮像手段の少なくとも一方を、光軸方向において所定の相対位置となるように位置調整して、前記撮像手段により前記フォトマスクの像を撮像する
ことを特徴とするフォトマスクの検査方法。
【請求項１２】
前記撮像手段による前記フォトマスクの像の撮像は、前記フォトマスクを使用する際に適用する露光条件を予め把握し、該露光条件に基づいて決定した分光特性、前記対物レンズ系の開口数及び前記照明光学系の開口数の前記対物レンズ系の開口数に対する比を用いて行う
ことを特徴とする請求項１１記載のフォトマスクの検査方法。
【請求項１３】
前記フォトマスクの主平面を略々鉛直として、該フォトマスクを固定して保持する
ことを特徴とする請求項１１、または、請求項１２記載のフォトマスクの検査方法。
【請求項１４】
前記フォトマスクの主平面を鉛直から１０度以内の角度として該フォトマスクを保持する
ことを特徴とする請求項１１乃至請求項１３のいずれか一に記載のフォトマスクの検査方法。
【請求項１５】
前記フォトマスクの主平面を鉛直から傾斜した角度であって、かつ、鉛直から１０度以内の角度として該フォトマスクを保持する
ことを特徴とする請求項１１、または、請求項１２記載のフォトマスクの検査方法。
【請求項１６】
前記フォトマスクに照射する光束として、少なくとも、ｇ線、ｈ線、または、ｉ線のいずれかを含み、あるいは、これらのうち任意の二以上を混合した光束を用いる
ことを特徴とする請求項１１乃至請求項１５のいずれか一に記載のフォトマスクの検査方法。
【請求項１７】
前記フォトマスクに照射する光束として、このフォトマスクを用いて露光を行う露光装置において使用される照明光の波長分布を予め把握し、該波長分布に基づいてこれに基づいて決定した波長分布の光束を用いる
ことを特徴とする請求項１１乃至請求項１６のいずれか一に記載のフォトマスクの検査方法。
【請求項１８】
前記撮像手段の撮像視野よりも広い範囲に亘って、前記光源からの光束を照射する  ことを特徴とする請求項１１乃至請求項１７のいずれか一に記載のフォトマスクの検査方法。
【請求項１９】
前記フォトマスクに照射する光束内において、光量分布が５％以内となる部分の直径が、撮像手段の撮像視野の直径に対して３０％以上大きいものとする
ことを特徴とする請求項１１乃至請求項１８のいずれか一に記載のフォトマスクの検査方法。
【請求項２０】
前記照明光学系、または、前記対物レンズ系及び前記撮像手段の少なくとも一方の光軸の微調整を行う工程を有する
ことを特徴とする請求項１１乃至請求項１９のいずれか一に記載のフォトマスクの検査方法。
【請求項２１】
前記フォトマスクは、透明基板上に遮光部及び透光部を含むパターンが形成されてなり、
得られた前記撮像画像から、前記フォトマスクの所定領域の透過光の強度分布データを取得する
ことを特徴とする請求項１１乃至請求項２０のいずれか一に記載のフォトマスクの検査方法。
【請求項２２】
前記フォトマスクは、遮光部、または、透光部に、白欠陥、または、黒欠陥を有し、該欠陥部分の撮像画像、または、該欠陥部分の透過光の光強度分布データを得て、該データにより該フォトマスクの修正の要否を判定する
ことを特徴とする請求項２１記載のフォトマスクの検査方法。
【請求項２３】
前記撮像画像から取得した強度分布データにより、所定の閾値以上及び／又は所定の閾値以下となっている領域を検査する
ことを特徴とする請求項２１、または、請求項２２記載のフォトマスクの検査方法。
【請求項２４】
請求項１１乃至請求項２３のいずれか一に記載のフォトマスクの検査方法による検査工程を有する
ことを特徴とする液晶装置製造用フォトマスクの製造方法。
【請求項２５】
請求項２４記載の液晶装置製造用フォトマスクの製造方法により製造された液晶装置製造用フォトマスクを用いて、露光装置により所定波長の光を露光し、被転写体にパターンを転写する
ことを特徴とするパターン転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光用のフォトマスクの性能を検査するためのフォトマスクの検査装置及びフォトマスクの検査方法に関し、特に、フラット・パネル・ディスプレイ（ＦＰＤ）装置製造用の大型のフォトマスクの検査装置及び検査方法に関する。また、本発明は、液晶装置製造用フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フォトマスクの性能の検査について、特許文献１には、被検査体となるフォトマスクの透過照明光の強度分布を撮像素子（ＣＣＤ）により検出して、欠陥を検査する装置が記載されている。この装置においては、０．３μｍピッチ程度の微細なパターンが形成されたフォトマスクに検査光を集光して照射し、このフォトマスクを透過した検査光を拡大照射して、分解能７μｍ程度のＣＣＤで撮像するようにしている。
【０００３】
すなわち、この検査装置においては、フォトマスクを水平としてステージ上に載置し、このフォトマスクに、光源からの検査光を照明光学系を介して照射する。ステージは、フォトマスクの面内方向に移動操作可能となっている。そして、この検査装置においては、フォトマスクを経た検査光を撮像素子上に拡大照射して結像させ、フォトマスクの像を得るようにしている。
【０００４】
そして、特許文献２には、露光装置によりウェハに実際に転写されるフォトマスクの欠陥や異物を検出可能とする検査装置が記載されている。この装置においては、従来の検査装置で検出可能であった欠陥や異物の他に、位相シフトマスクやレチクルの透過部のシフタの欠陥や、露光波長依存性のマスク基板部の欠陥などについても検査可能となっている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２４９６４６号公報
【特許文献２】特開平４−３２８５４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１には、フォトマスク面内の所定の部位について撮像を行う手法については言及されていないが、ステージがフォトマスクの面内方向に移動操作可能であり、また、フォトマスクは一辺が５インチ乃至６インチ程度の角型基板であることから、この検査装置においては、フォトマスクの全面に亘る検査を不都合なく行えるものと考えられる。
【０００７】
また、特許文献１には、微細な凹凸パターンをもつ位相シフトマスクの欠陥やフォトマスクを用いた露光プロセスにおけるレジスト厚による焦点ずれの影響を評価するために、撮像素子を検査光の焦点位置からずらして撮像して得られた像と、設計上のマスクパターンによる画像信号や撮像素子を焦点位置として撮像した画像信号とを比較することが記載されている。
【０００８】
すなわち、実際のＩＣの製造工程においては、薄膜の積層が幾重にも繰り返し行われるため、フォトマスクを用いた露光プロセスではレジスト厚の分だけ焦点がずれて縮小照射される場合があり、これらフォトマスクの微細なパターンピッチを考慮すると焦点ずれによる影響は看過できず、また、焦点深度を深くとれる位相シフトマスクを用いる場合には、焦点ずれの影響を評価することが重要であると考えられる。
【０００９】
そのため、この検査装置においては、位相シフトマスクを使用する場合等の被転写面の段差等に起因する焦点ずれの影響を評価するため、撮像素子を検査光の光軸方向に変位可能とする撮像位置変位手段を設け、フォトマスクを用いた露光プロセスにおける被転写面に相当する撮像素子を光軸方向に焦点位置からずらして、その影響を検査するようにしている。
【００１０】
ところで、いわゆる液晶表示パネルなど、フラット・パネル・ディスプレイ（以下、「ＦＰＤ」という。）と呼ばれる表示デバイスの製造に使用されるフォトマスクにおいては、一辺が１ｍを超えるような大型のものが存在する。表示デバイスの製造には、例えば、主平面が１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ、厚さ１３ｍｍというサイズのフォトマスクが使用されている。このようなフォトマスクは、サイズの大型化に伴って重量も増加し、例えば、５０ｋｇ程度の重量を有するフォトマスクが使用されている。パターンピッチは、通常、数μｍ〜数百μｍ程度である。
【００１１】
このような大型のフォトマスクの欠陥検査や性能評価を行う検査においては、次のような課題が存在する。
【００１２】
すなわち、このような大型のフォトマスクを、特許文献１に記載されているようなステージ上に水平にして載置すると、検査装置の設置面積が大きくなってしまう。さらに、大型のフォトマスクは全面を単一視野によって検査することはできないため、検査領域を複数の領域に分割して検査を行う必要が生じるが、この場合に、撮像素子に対してフォトマスクを水平な面内で移動させることとすると、検査装置の設置面積がさらに大きくなってしまうという問題がある。
【００１３】
また、フォトマスクを水平として保持すると、このフォトマスクに、重力によって空中を落下してくるパーティクル（塵挨）が付着する確率が高くなるという問題がある。
【００１４】
特許文献２に記載された検査装置においても、サイズの比較的小さなレチクルに対しては対応できるが、大型のフォトマスクを検査する場合には、上述したような問題が生ずる。
【００１５】
そして、フォトマスクを水平として保持したときの自重による反りは、このフォトマスクを用いて露光を行う露光装置において生じていると考えられるが、露光装置においては、フォトマスクの反りに応じて焦点調節をしながら露光が行われる。したがって、撮像素子のみを光軸方向に移動操作して焦点調節を行うようにした従来の検査装置においては、露光装置のフォーカシング動作、露光装置において得られる露光パターンを正しく再現することができず、大型のフォトマスクの性能評価及び欠陥検査を良好に行うことができない。
【００１６】
すなわち、撮像素子のみを光軸方向に移動操作して焦点調節を行うようにした検査装置においては、フォトマスクが自重により反りを生じた状態で露光を行う露光装置におけるフォトマスクによる像を、実際の露光前に検査機上で再現し、それによって露光時のフォーカスマージンを精緻に評価することができない。具体的には、フォトマスクの露光に許されるフォーカシングマージンを検証するために、露光装置において対物レンズ及び被露光体（被転写体）のそれぞれをどのように位置決めするかについて、定量的にシミュレートすることができない。
【００１７】
また、このような検査装置においては、大型のフォトマスクを使用する露光機でデフォーカスさせるときの対物レンズ系及び被露光体の移動量を定量的にシミュレートすることができない。このことにより、従来の検査装置は、露光におけるフォーカスマージンの評価や、意図的にデフォーカスさせる場合が生じる微細パターンを有するグレートーンマスクの検査には適用できない。なお、ここでグレートーンマスクとは、マスクを透過する露光光の量を選択的に減少させ、被転写体上のフォトレジストの現像後の残膜厚を選択的に調整することを目的とするフォトマスクをいう。
【００１８】
液晶表示装置製造用などの大型フォトマスクは、通常、ｉ線〜ｇ線の波長帯域の露光光で露光される。被転写体上のレジスト膜が露光時に受けるフォトマスク透過光を近似した状態を形成し、被転写体上に得られるレジストパターン、または、それを用いて作製した膜パターンを予測し評価するためには、現実の露光状態を最も合理的に再現することが必要である。
【００１９】
そこで、本発明の好ましい形態は、上述の実情に鑑みて提案されるものであって、装置の設置面積の増大を抑えつつ、大型のフォトマスクの性能評価及び欠陥検査を、実際のフォトマスクの使用条件に即した条件で、高い精度で良好に行うことができ、また、大型のフォトマスクに対する安全性やハンドリング性が確保されたフォトマスクの検査装置及びフォトマスクの検査方法を提供し、さらに、これらフォトマスクの検査装置及びフォトマスクの検査方法を用いた液晶装置製造用フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
前述の課題を解決し、前記目的を達成するため、本発明に係るフォトマスクの検査装置は、以下の構成のいずれか一を有するものである。
【００２１】
〔構成１〕
被検体であるフォトマスクを保持するマスク保持手段と、所定波長の光束を発する光源と、光源からの光束を導きマスク保持手段により保持されたフォトマスクに該光束を照射する照明光学系と、フォトマスクに照射され該フォトマスクを経た光束が入射される対物レンズ系と、対物レンズ系を経た光束を受光しフォトマスクの像を撮像する撮像手段と、照明光学系、対物レンズ系及び撮像手段をそれぞれ支持する支持手段と、それぞれの支持手段を移動操作する移動操作手段と、移動操作手段を制御する制御手段とを備え、制御手段は、移動操作手段を制御することにより、照明光学系、対物レンズ系及び撮像手段をマスク保持手段により保持されたフォトマスクの主平面に平行な面内で移動操作し、これらの光軸を一致させた状態で所定位置に位置させ、かつ、対物レンズ系及び撮像手段の少なくとも一方を、光軸方向について位置調整可能とすることを特徴とするものである。
【００２２】
〔構成２〕
構成１を有するフォトマスクの検査装置において、対物レンズ系及び照明光学系は、それぞれ開口数が可変となされており、制御手段は、対物レンズ系の開口数、または、照明光学系の開口数を所定値にすることにより、照明光学系の開口数の対物レンズ系の開口数に対する比を所定の値に制御することを特徴とするものである。
【００２３】
〔構成３〕
構成１、または、構成２を有するフォトマスクの検査装置において、撮像手段により得られた画像に基づき、フォトマスクの所定領域の透過光の光強度分布データを用いて演算を行う演算手段を備えたことを特徴とするものである。
【００２４】
〔構成４〕
構成１乃至構成３のいずれか一を有するフォトマスク検査装置において、マスク保持手段は、フォトマスクの主平面を略々鉛直として該フォトマスクを固定して保持することを特徴とするものである。
【００２５】
〔構成５〕
構成１、または、構成２を有するフォトマスクの検査装置において、マスク保持手段は、フォトマスクの主平面を鉛直から傾斜した角度であって、かつ、鉛直から１０度以内の角度として該フォトマスクを保持することを特徴とするものである。
【００２６】
〔構成６〕
構成１乃至構成５のいずれか一を有するフォトマスクの検査装置において、光源より発せられ照明光学系を経た光束は、少なくとも、ｇ線、ｈ線、または、ｉ線のいずれかを含み、あるいは、これらのうち任意の二以上を混合した光束を含むことを特徴とするものである。
【００２７】
〔構成７〕
構成１乃至構成６のいずれか一を有するフォトマスクの検査装置において、照明光学系は、フォトマスクに光束を照射する範囲が、撮像手段の撮像視野よりも広いことを特徴とするものである。
【００２８】
〔構成８〕
構成１乃至構成７のいずれか一を有するフォトマスクの検査装置において、照明光学系は、視野絞りを備え、この視野絞りによって、フォトマスクに光束を照射し、かつ、フォトマスク上において光量分布が５％以内となる部分の直径が、撮像手段の撮像視野の直径に対し３０％以上大きくなっていることを特徴とするものである。
【００２９】
〔構成９〕
構成１乃至構成８のいずれか一を有するフォトマスクの検査装置において、照明光学系、または、対物レンズ系及び撮像手段の少なくとも一方の光軸の微調整を行う角度調整機構を備えることを特徴とするものである。
【００３０】
〔構成１０〕
構成１乃至構成９のいずれか一を有するフォトマスクの検査装置において、対物レンズ系及び照明光学系は、開口数を可変とする絞り機構を備えていることを特徴とするものである。
【００３１】
また、本発明に係るフォトマスクの検査方法は、以下の構成のいずれか一を有するものである。
【００３２】
〔構成１１〕
透明基板上に所定のパターンを有する膜が形成されたフォトマスクを保持し所定波長の光束を発する光源からの光束を照明光学系を介してフォトマスクに照射しこのフォトマスクを経た光束を対物レンズ系を介して撮像手段によって受光してフォトマスクの像を撮像することによりフォトマスクを検査するフォトマスクの検査方法であって、照明光学系、対物レンズ系及び撮像手段を、マスク保持手段により保持されたフォトマスクの主平面に平行な面内で移動操作し、これらの光軸が一致した状態で所定位置に位置させ、更に、対物レンズ系、または、撮像手段の少なくとも一方を、光軸方向において所定の相対位置となるように位置調整して、撮像手段によりフォトマスクの像を撮像することを特徴とするものである。
【００３３】
〔構成１２〕
構成１１を有するフォトマスクの検査方法において、撮像手段によるフォトマスクの像の撮像は、フォトマスクを使用する際に適用する露光条件を予め把握し、該露光条件に基づいて決定した分光特性、対物レンズ系の開口数及び照明光学系の開口数の対物レンズ系の開口数に対する比を用いて行うことを特徴とするものである。
【００３４】
〔構成１３〕
構成１１、または、構成１２を有するフォトマスクの検査方法において、フォトマスクの主平面を略々鉛直として、該フォトマスクを固定して保持することを特徴とするものである。
【００３５】
〔構成１４〕
構成１１乃至構成１３のいずれか一を有するフォトマスクの検査方法において、フォトマスクの主平面を鉛直から１０度以内の角度として該フォトマスクを保持することを特徴とするものである。
【００３６】
〔構成１５〕
構成１１、または、構成１２を有するフォトマスクの検査方法において、フォトマスクの主平面を鉛直から傾斜した角度であって、かつ、鉛直から１０度以内の角度として該フォトマスクを保持することを特徴とするものである。
【００３７】
〔構成１６〕
構成１１乃至構成１５のいずれか一を有するフォトマスクの検査方法において、フォトマスクに照射する光束として、少なくとも、ｇ線、ｈ線、または、ｉ線のいずれかを含み、あるいは、これらのうち任意の二以上を混合した光束を用いることを特徴とするものである。
【００３８】
〔構成１７〕
構成１１乃至構成１６のいずれか一を有するフォトマスクの検査方法において、フォトマスクに照射する光束として、このフォトマスクを用いて露光を行う露光装置において使用される照明光の波長分布を予め把握し、該波長分布に基づいてこれに基づいて決定した波長分布の光束を用いることを特徴とするものである。
【００３９】
〔構成１８〕
構成１１乃至構成１７のいずれか一を有するフォトマスクの検査方法において、撮像手段の撮像視野よりも広い範囲に亘って、光源からの光束を照射することを特徴とするものである。
【００４０】
〔構成１９〕
構成１１乃至構成１８のいずれか一を有するフォトマスクの検査方法において、フォトマスクに照射する光束内において、光量分布が５％以内となる部分の直径が、撮像手段の撮像視野の直径に対して３０％以上大きいものとすることを特徴とするものである。
【００４１】
〔構成２０〕
構成１１乃至構成１９のいずれか一を有するフォトマスクの検査方法において、照明光学系、または、対物レンズ系及び撮像手段の少なくとも一方の光軸の微調整を行う工程を有することを特徴とするものである。
【００４２】
〔構成２１〕
構成１１乃至構成２０のいずれか一を有するフォトマスクの検査方法において、フォトマスクは、透明基板上に遮光部及び透光部を含むパターンが形成されてなり、得られた撮像画像から、フォトマスクの所定領域の透過光の強度分布データを取得することを特徴とするものである。
【００４３】
〔構成２２〕
構成２１を有するフォトマスクの検査方法において、フォトマスクは、遮光部、または、透光部に、白欠陥、または、黒欠陥を有し、該欠陥部分の撮像画像、または、該欠陥部分の透過光の光強度分布データを得て、該データにより該フォトマスクの修正の要否を判定することを特徴とするものである。
【００４４】
〔構成２３〕
構成２１、または、構成２２を有するフォトマスクの検査方法において、撮像画像から取得した強度分布データにより、所定の閾値以上及び／又は所定の閾値以下となっている領域を検査することを特徴とするものである。
【００４５】
また、本発明に係る液晶装置製造用フォトマスクの製造方法は、以下の構成を有するものである。
【００４６】
〔構成２４〕
構成１１乃至構成２３のいずれか一を有するフォトマスクの検査方法による検査工程を有することを特徴とするものである。
【００４７】
さらに、本発明に係るパターン転写方法は、以下の構成を有するものである。
【００４８】
〔構成２５〕
構成２４を有する液晶装置製造用フォトマスクの製造方法により製造された液晶装置製造用フォトマスクを用いて、露光装置により所定波長の光を露光し、被転写体にパターンを転写することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００４９】
構成１を有する本発明に係るフォトマスクの検査装置においては、制御手段は、照明光学系、対物レンズ系及び撮像手段をそれぞれ支持する支持手段を移動操作する移動操作手段を制御することにより、照明光学系、対物レンズ系及び撮像手段をマスク保持手段により保持されたフォトマスクの主平面に平行な面内で移動操作し、これらの光軸を一致させた状態で所定位置に位置させ、かつ、対物レンズ系及び撮像手段の少なくとも一方を、光軸方向について位置調整可能とするので、該マスクを使用する際に用いる露光装置のフォーカシング動作、露光装置において得られる露光パターン像を、現実に即した条件で再現することができる。
【００５０】
すなわち、この検査装置においては、フォトマスクが自重により反りを生じた状態で露光を行う露光装置におけるフォーカスマージンを評価することができる。具体的には、フォトマスクの露光に許されるフォーカシングマージンを検証するために、露光装置において対物レンズ及び被露光体（被転写体）のそれぞれをどのように位置決めするかについて、定量的にシミュレートすることができる。
【００５１】
あるいは、対物レンズと被露光体の相対位置を調整することにより、フォトマスク使用時の露光機の光学系を考慮したときのフォトマスクの透過光分布を評価できる。また、この検査装置においては、デフォーカスさせたときの対物レンズ系及び被露光体の移動量を定量的にシミュレートすることができる。このことにより、この検査装置は、露光において意図的にデフォーカス（フォーカスオフセット）させる場合が生じるグレートーンマスクの検査にも適用できる。
【００５２】
構成２を有する本発明に係るフォトマスクの検査装置においては、制御手段は、対物レンズ系の開口数及び照明光学系の開口数の対物レンズ系の開口数に対する比を所定の値に制御するので、露光装置における露光パターンを良好にシミュレートすることができる。
【００５３】
構成３を有する本発明に係るフォトマスクの検査装置においては、撮像手段により得られた画像に基づき、フォトマスクの所定領域の透過光の光強度分布データを用いて演算を行う演算手段を備えるので、所望の演算方法により、フォトマスクから得られる転写パターンを予測し、評価し、更にはフォトマスクの良否を判定し、欠陥修正の可能性や必要性を判定することができる。
【００５４】
構成４を有する本発明に係るフォトマスクの検査装置においては、マスク保持手段は、フォトマスクの主平面を略々鉛直として該フォトマスクを固定して保持するので、装置の設置面積の増大を抑えつつ、大型のフォトマスクに対する安全性やハンドリング性を確保することができる。
【００５５】
構成５を有する本発明に係るフォトマスクの検査装置においては、フォトマスクの主平面を鉛直から傾斜した角度であって、かつ、鉛直から１０度以内の角度として該フォトマスクを保持するので、装置の設置面積の増大を抑えつつ、大型のフォトマスクに対する安全性やハンドリング性を確保することができる。
【００５６】
構成６を有する本発明に係るフォトマスクの検査装置においては、光源より発せられ照明光学系を経た光束は、少なくとも、ｇ線、ｈ線、または、ｉ線のいずれかを含み、あるいは、これらのうち任意の二以上を混合した光束を含むので、大型のフォトマスクを用いて露光を行う露光装置において得られる露光パターンを正しく再現することができる。
【００５７】
構成７を有する本発明に係るフォトマスクの検査装置においては、照明光学系は、フォトマスクに光束を照射する範囲が撮像手段の撮像視野よりも広いので、照明光学系に対する対物レンズ系及び撮像手段の光軸ずれの許容範囲を広くすることができる。
【００５８】
構成８を有する本発明に係るフォトマスクの検査装置においては、照明光学系の視野絞りにより、フォトマスク上に照射された光束の光量分布が５％以内となる部分の直径が、撮像手段の撮像視野の直径に対し３０％以上大きくなっているので、照明光学系に対する対物レンズ系及び撮像手段の光軸ずれの許容範囲を広くすることができる。
【００５９】
構成９を有する本発明に係るフォトマスクの検査装置においては、照明光学系、または、対物レンズ系及び撮像手段の少なくとも一方の光軸の微調整を行う角度調整機構を備えるので、照明光学系に対する対物レンズ系及び撮像手段の光軸ずれを抑えることができる。
【００６０】
構成１０を有する本発明に係るフォトマスクの検査装置においては、対物レンズ系及び照明光学系は、開口数を可変とする絞り機構を備えているので、制御手段による開口数の制御を容易に行うことができる。
【００６１】
構成１１を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、対物レンズ系、または、撮像手段の少なくとも一方を光軸方向において所定の相対位置となるように位置調整して、撮像手段によりフォトマスクの像を撮像するので、露光装置のフォーカシング動作、露光装置において得られる露光パターンを正しく再現することができる。
【００６２】
構成１２を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、フォトマスクを使用する際に適用する露光条件を予め把握し、該露光条件に基づいて決定した分光特性、対物レンズ系の開口数及び照明光学系の開口数の対物レンズ系の開口数に対する比を用いて撮像手段によるフォトマスクの像の撮像を行うので、露光装置における露光パターンを良好にシミュレートすることができる。
【００６３】
構成１３を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、フォトマスクの主平面を略々鉛直として該フォトマスクを固定して保持するので、装置の設置面積の増大を抑えつつ、大型のフォトマスクに対する安全性やハンドリング性を確保することができる。
【００６４】
構成１４を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、フォトマスクの主平面を鉛直から１０度以内の角度として該フォトマスクを保持するので、装置の設置面積の増大を抑えつつ、大型のフォトマスクに対する安全性やハンドリング性を確保することができる。
【００６５】
構成１５を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、フォトマスクの主平面を鉛直から傾斜した角度であって、かつ、鉛直から１０度以内の角度として該フォトマスクを保持するので、装置の設置面積の増大を抑えつつ、大型のフォトマスクに対する安全性やハンドリング性を確保することができる。
【００６６】
構成１６を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、フォトマスクに照射する光束として、少なくとも、ｇ線、ｈ線、または、ｉ線のいずれかを含み、あるいは、これらのうち任意の二以上を混合した光束を用いるので、大型のフォトマスクを用いて露光を行う露光装置において得られる露光パターンを正しく再現することができる。
【００６７】
構成１７を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、フォトマスクに照射する光束として、このフォトマスクを用いて露光を行う露光装置において使用される照明光の波長分布を予め把握し、該波長分布に基づいてこれに基づいて決定した波長分布の光束を用いるので、大型のフォトマスクを用いて露光を行う露光装置において得られる露光パターンを正しく再現することができる。
【００６８】
構成１８を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、撮像手段の撮像視野よりも広い範囲に亘って、光源からの光束を照射するので、照明光学系に対する対物レンズ系及び撮像手段の光軸ずれの許容範囲を広くすることができる。
【００６９】
構成１９を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、フォトマスクに照射する光束内において、光量分布が５％以内となる部分の直径が、撮像手段の撮像視野の直径に対して３０％以上大きいものとするので、照明光学系に対する対物レンズ系及び撮像手段の光軸ずれの許容範囲を広くすることができる。
【００７０】
構成２０を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、照明光学系、または、対物レンズ系及び撮像手段の少なくとも一方の光軸の微調整を行う工程を有するので、照明光学系に対する対物レンズ系及び撮像手段の光軸ずれを抑えることができる。
【００７１】
構成２１を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、フォトマスクは、透明基板上に遮光部及び透光部を含むパターンが形成されてなり、得られた撮像画像から、フォトマスクの所定領域の透過光の強度分布データを取得するので、露光装置における露光パターンを良好にシミュレートすることができる。
【００７２】
構成２２を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、フォトマスクは、遮光部、または、透光部に、白欠陥、または、黒欠陥を有し、該欠陥部分の撮像画像、または、該欠陥部分の透過光の光強度分布データを得て、該データにより該フォトマスクの修正の要否を判定するので、白欠陥、または、黒欠陥の有無、これら欠陥が修正された状態の良否を判断することができる。
【００７３】
構成２３を有する本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、撮像画像から取得した強度分布データにより、所定の閾値以上及び／又は所定の閾値以下となっている領域を検査するので、露光装置における露光パターンを良好にシミュレートすることができる。
【００７４】
構成２４を有する本発明に係る液晶装置製造用フォトマスクの製造方法においては、本発明に係るフォトマスクの検査方法による検査工程を有するので、欠陥が十分に修正された良好な液晶装置製造用フォトマスクを製造することができる。
【００７５】
構成２５を有する本発明に係るパターン転写方法においては、本発明に係る液晶装置製造用フォトマスクの製造方法により製造された液晶装置製造用フォトマスクを用いて、露光装置により所定波長の光を露光し、被転写体にパターンを転写するので、良好なパターン転写を行うことができる。
【００７６】
すなわち、本発明は、装置の設置面積の増大を抑えつつ、大型のフォトマスクの性能評価及び欠陥検査を良好に行うことができ、また、大型のフォトマスクに対する安全性やハンドリング性が確保されたフォトマスクの検査装置及びフォトマスクの検査方法を提供し、さらに、これらフォトマスクの検査装置及びフォトマスクの検査方法を用いた液晶装置製造用フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法を提供することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７７】
以下、本発明を実施するための最良の実施の形態について説明する。
【００７８】
〔本発明に係るフォトマスクの検査装置の概要〕
本発明に係るフォトマスクの検査装置は、透明基板からなるフォトマスクを用いて露光を行う露光装置におけると同等の露光条件、または、露光装置の露光条件を基に得られた露光条件を作り出し、露光装置における露光によって被転写体（レジスト塗布されたガラス基板など）に転写されるイメージをシミュレートし、撮像手段によって捉え、更に光強度分布データとして得ることが可能な装置である。なお、露光装置は、フォトマスクに形成されたパターンを、一定の露光条件にて被転写体上に転写させる装置である。
【００７９】
そして、このフォトマスクの検査装置においては、撮像手段により得られた画像データから把握できるフォトマスク透過光の光強度分布に基づいて、被転写体上のレジスト膜に形成されるレジストパターンの形状、パターン寸法の仕上がり値、透過率の変動を含む様々な解析、評価を行なうことができる。なお、この検査装置よって検査されるフォトマスクは、最終製品であるフォトマスクのみならず、フォトマスクを製造する途中での中間体をも含む。
【００８０】
本発明の検査装置、及び検査方法は、露光によってフォトマスクに形成されたパターンを、被転写体上に転写するに際し、その転写像をシミュレートする目的で、露光条件を近似した条件で透過光の撮像を行い、又は、演算によって露光条件を近似できるような条件で撮像を行うものである。特に、液晶表示装置製造用などの大型フォトマスクのシミュレーションに好適に適用することができる。一般の、欠陥検査装置のように、ラインセンサを用いてパターンを走査し、得られたデータを他のパターンやデータを比較する検査手法とは異なり、マスクの所定領域を、エリアセンサを用いて撮像画像として捉える。従って、被検査体であるフォトマスクの表面の任意の位置を撮像することができることが好ましいが、高速で全面を走査することは特に必要としない。面内の一部の領域についてのパターンの転写状態をシミュレートできれば、全面の転写状態が把握できるからである。
【００８１】
また、本発明の装置には演算装置が含まれることが好ましい。これによって、適切なパラメータを導入すれば、露光機の特性や、個別の露光機の個体差による転写への影響、更には、露光後に被転写体の現像やエッチングを経て、回路パターンなどが形成される状態をも、演算によってシミュレートすることができる。
【００８２】
〔本発明に係るフォトマスクの検査装置の構成〕
このフォトマスクの検査装置の一例においては、図１に示すように、被検体であるフォトマスク３は、マスク保持手段３ａによって保持される。このマスク保持手段３ａは、フォトマスク３の主平面を略鉛直とした状態で、このフォトマスクの下端部及び側縁部近傍を支持し、このフォトマスク３を傾斜させて固定して保持するようになっている。このマスク保持手段３ａは、フォトマスク３として、大型（例えば、主平面の一辺が３００ｍｍ以上のもの。具体的には、主平面が１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ、厚さ１３ｍｍのものなど）、かつ、種々の大きさのフォトマスク３を保持できるようになっている。すなわち、このマスク保持手段３ａにおいては、主平面を略鉛直とした状態のフォトマスク３の下端部を主に支持するので、フォトマスク３の大きさが異なっても、同一の支持部材によってフォトマスク３の下端部を支持することができる。
【００８３】
この検査装置においては、フォトマスク３の主平面を略鉛直とした状態でフォトマスク３を支持するので、検査に際して、フォトマスクの自重によるたわみの影響を排除した解析が行える利点がある。更に、限られた設置面積に載置可能であり、また、フォトマスク３上へのパーティクル落下のリスクを低減することができる。
【００８４】
ここで、略鉛直とは、鉛直、又はわずかな傾斜状態を意味し、好ましくは、図１中θで示す鉛直からの角度が１０度程度以内となるように傾斜した状態をいい、より好ましくは、鉛直から２度乃至１０度の角度、さらに好ましくは、鉛直から４度乃至１０度だけ傾斜した状態をいう。この範囲は、フォトマスク３を本発明の装置に載置したときに、フォトマスクを最も安定に保持することができ、その姿勢のままフォトマスクの検査が行えるものである。
【００８５】
すなわち、フォトマスク３を傾斜させて支持するマスク保持手段３ａを用いることにより、フォトマスク３を保持させる過程において、フォトマスク３を転倒させてしまうことを防止し、安定してフォトマスク３の保持、固定を行うことができる。なお、フォトマスクを、装置に安定に保持するためには、フォトマスクの周縁近傍を支障する、枠体（不図示）によって、わずかに傾斜した状態のフォトマスクを支承するのが好ましい。これは、フォトマスクの全自重をフォトマスクの下側端面に集中させて損傷を与えることを防止するのみでなく、フォトマスクの自重によるたわみの影響を最も小さくするため、検査精度にも有利である。なお、載置後フォトマスク３を傾斜させて支持するマスク保持手段３ａを用いて、フォトマスクを固定するのが好ましい。但し、このようなフォトマスクの傾斜配置を採用する場合に、光学系の配置に際しては、考慮が必要であるが、この点については、後述する。
【００８６】
そして、このフォトマスクの検査装置は、所定波長（又は波長域）の光束を発する光源１を有している。この光源１としては、例えば、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、ＵＨＰランプ（超高圧水銀ランプ）等を使用することができる。
【００８７】
この光源１としては、検査を経たフォトマスク３を用いて露光を行う露光装置における露光光を近似した、または、その波長成分の少なくとも一部を含む波長分布を有する検査光を発するものを用いることが好ましい。具体的には、この検査光は、少なくともｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、または、ｉ線（３６５ｎｍ）のいずれかを含んでおり、更には、これら各波長成分を全て含み、これら各波長成分のうち任意の２以上が含まれている混合光を適用することも可能である。なお、これら各波長成分の混合比を調整するには、光学フィルタなどの波長選択フィルタ６を用いることができる。
【００８８】
通常、ＦＰＤ製造用の大型マスクの露光に際しては、これらの波長を含んだ波長域をもつ光である、いわば混合光を用いることが多いため、この検査装置においても、所望の光強度割合での混合光を適用する場合には、所望の光強度割合は、実際に使用する露光装置の光源の特性に基づいて決定することが好ましい。
【００８９】
この検査装置においては、光源１から発せられる検査光の波長分布が露光装置における露光光の波長分布と同一、または、略等しいことによって、実際の露光条件を反映した検査を行うことができる。すなわち、露光光によっては、白色光下で欠陥と見なされるものが露光装置において正常なパターンとして扱える場合や、その逆に、白色光下で欠陥と見なされないものが露光装置において正常なパターンとして扱えない場合があり得るからである。
【００９０】
または、他の好ましい態様として、本検査装置の光源１は、単独波長の露光光を照射可能であり、単独波長によるフォトマスク透過光の解析を行えるほか、複数の波長の混合光を適用した場合の透過光を演算によって導き、混合光露光をシミュレートすることなどが可能である。
【００９１】
そして、この検査装置は、光源１からの検査光を導きマスク保持手段３ａにより保持されたフォトマスク３に検査光を照射する照明光学系２を有している。この照明光学系２は、開口数（ＮＡ）を可変とするため、絞り機構を備えている。さらに、この照明光学系２は、フォトマスク３における検査光の照射範囲を調整するための視野絞りを備えていることが好ましい。この照明光学系２を経た検査光は、マスク保持手段３ａにより保持されたフォトマスク３に照射される。
【００９２】
フォトマスク３に照射された検査光は、このフォトマスク３を透過して、対物レンズ系４に入射される。この対物レンズ系４は、絞り機構を備えることにより、開口数（ＮＡ）が可変となされている。この対物レンズ系４は、例えば、フォトマスク３を透過した検査光が入射されこの光束に無限遠補正を加えて平行光とする第１群（シミュレータレンズ）４ａと、この第１群を経た光束を結像させる第２群（結像レンズ）４ｂとを備えたものとすることができる。
【００９３】
この検査装置においては、照明光学系２の開口数と対物レンズ系４の開口数とがそれぞれ可変となっているので、照明光学系２の開口数の対物レンズ系４の開口数に対する比、すなわち、シグマ値（σ：コヒーレンス）を可変することができる。
【００９４】
対物レンズ系４を経た光束は、撮像手段５により受光される。この撮像手段５は、フォトマスク３の像を撮像する。この撮像手段５としては、例えば、ＣＣＤ等の撮像素子を用いることができる。
【００９５】
そして、この検査装置においては、撮像手段５によって得られた撮像画像についての画像処理、演算、所定の閾値との比較及び表示などを行う演算手段１１及び表示手段１２が設けられている。
【００９６】
また、この検査装置においては、所定の露光光を用いて得られた撮像画像、または、これに基づいて得られた光強度分布データに対して、演算手段１１によって所定の演算（波長合成演算）を行い、他の露光光を用いた条件下での撮像画像、または、光強度分布データを求めることができる。例えば、この検査装置においては、ｇ線、ｈ線及びｉ線が同一である強度比の露光条件において光強度分布を得たとき、ｇ線、ｈ線及びｉ線が１：２：１の強度比の露光条件において露光した場合の光強度分布を求めることができる。これにより、この検査装置においては、フォトマスクを露光する露光機の個体差や経時変化による波長変動も含めて、実際に用いる露光装置における露光条件を再現又は近似した評価を行うことが可能であり、また、該フォトマスクを用いて被転写体上にパターンを転写したときに形成されるレジストパターンについて、所望のフォトレジスト残膜量を想定した場合に、これを達成できるか否かを判断し、あるいは、達成できるような最適な露光条件を簡便に求めることが可能である。
【００９７】
このように支持手段及び移動操作手段によって支持された照明光学系２及び対物レンズ系４は、図２に示すように、それぞれの自重による重力を光軸に略直交する方向に受ける。したがって、これら照明光学系２及び対物レンズ系４の間では、光軸ずれが生じ易くなる虞れがある。更に、フォトマスクをわずかに傾斜させた状態で保持すれば、これに応じて、照明光学系２と対物レンズ系４は、該傾斜面に対して光軸を直交させて対峙する。この場合、照明光学系２と、対物レンズ系に、それぞれ自重によって、重心の周りに回転する位置ずれをしやすく、その結果、いずれか一方、又は両方が位置ずれを起こすと、両者の光軸は整合しない。このとき、照明光学系がフォトマスク上に光束を照射する位置と、対物レンズ系がフォトマスク上の光を光束として捉える位置とがずれてしまう。
【００９８】
そのため、この検査装置においては、照明光学系２及び対物レンズ系４のいずれか一方又は両方の光軸が他方に対してずれた場合にも検査に支障をきたさないように、図３及び図４に示すように、照明光学系２によって検査光がフォトマスク上に照射される範囲は、対物レンズ系４の視野を含み、さらに、この対物レンズ系４の視野よりも広くなるようになっている。対物レンズ視野の直径よりも３０％以上照明範囲の直径が大きいことが好ましく、更には、３０％以上３００％以下が好ましい。検査光が照射される範囲は、光源１の位置及び照明光学系２の視野絞りによって調整することができる。
【００９９】
さらに、照明光学系２によってフォトマスク３上に照射される検査光の光束内における光量分布が、図５に示すように小さいことが好ましく、５％以内の照度分布を満たす照明範囲の直径が対物レンズ系４の視野の直径の３０％以上大きいことが好ましい。より好ましくは３０％以上１００％以下の範囲で大きいことが望まれる。更に、より好ましくは、上記直径の照明の照度分布が２％以内である。検査光の光束内における光量分布が大きい場合には、特に、対物レンズ系４の光軸がずれた場合には、フォトマスク３の透過光の光強度分布を求めても、フォトマスクの状態が正確に検査できない虞れがあるからである。
【０１００】
また、この検査装置においては、照明光学系２及び対物レンズ系４の光軸が一定以上にずれたときに補正ができるように、これら照明光学系２及び対物レンズ系４の光軸の相対的な角度を微調整する角度調整機構を備えることが好ましい。このような角度調整機構を備えることにより、容易な操作により、これら照明光学系２及び対物レンズ系４の光軸を常に一致させておくことができる。
【０１０１】
そして、この検査装置においては、支持手段１３によって支持された対物レンズ系４及び撮像手段５の少なくとも一方が、制御手段１４及び移動操作手段１５により、光軸方向に移動操作可能となっており、それぞれのフォトマスク３に対する相対距離を変化させることができる。照明光学系２、対物レンズ系４及び撮像手段５は、制御手段１４及び移動操作手段１５によって移動操作可能となされている。この移動操作手段１５は、照明光学系２、対物レンズ系４及び撮像手段５を、それぞれの光軸を互いに一致させつつ、フォトマスク３の主平面に対して平行に移動させることができる。この検査装置においては、このような移動操作手段１５が設けられていることにより、大型のフォトマスクを検査する場合であっても、このフォトマスク３を主平面に平行な方向に移動させることなく、フォトマスク３の主平面の全面に亘る検査が可能であり、また、主平面上の所望の部位の選択的な検査が可能である。
【０１０２】
この検査装置において好ましくは、対物レンズ系４及び撮像手段５が独立に光軸方向に移動可能であることにより、フォトマスク３を用いて露光を行う露光装置を近似した状態での撮像を行うことができる。また、対物レンズ系４の位置、ないし撮像手段５の位置を意図的にオフセットし、露光装置におけるマスクのたわみを近似したり、あるいは、撮像手段５により、フォトマスク３のぼかされた像（デフォーカス画像）を撮像することも可能である。このようにぼかされた像を評価することによって、後述するように、グレートーンマスクの性能及び欠陥の有無を判断することもできる。
【０１０３】
そして、この検査装置の制御手段１４は、照明光学系２の視野絞り及び絞り機構、対物レンズ系４の絞り機構を制御することができる。この制御手段１４は、この検査装置を用いたフォトマスクの検査方法において、照明光学系２、対物レンズ系４及び撮像手段５を、マスク保持手段により保持されたフォトマスク３の主平面に平行な方向に移動操作し、マスク上の所望の位置に達したのち、対物レンズ系４及び撮像手段５を光軸方向について互いに独立に移動操作することが可能である。このとき、対物レンズ系４の開口数及びシグマ値（コヒーレンス、照明光学系２の開口数の対物レンズ系４の開口数に対する比）を所定の値に維持した状態でマスク主平面に移動操作してもよく、または、マスク上の所望位置に平行移動してからシグマ値を調整してもよい。また、照明光学系２、対物レンズ系４及び撮像手段５の光軸を一致した状態で、マスク主平面に平行に移動操作することが好ましいが、マスク上の所定位置に到達した時点で光軸が一致する制御を行ってもよい。
【０１０４】
このようにして、この検査装置においては、露光条件、すなわち、対物レンズ系４の開口数及びシグマ値を自在に調整することができ、また、対物レンズ系４、ないし撮像素子５の位置をオフセットしてデフォーカスさせた状態でのマスク上の所望の位置の撮像をも行うこともでき、フォーカスオフセットによる線幅変動やマルチトーンマスクの転写像などを検査することができる。また、図６に示すように、撮像手段５によって得られる光強度分布を数値化して得ることができ、この光強度を所定の閾値と比較することにより、露光装置において転写されるであろう形状（被転写体上のレジスト膜に形成されるレジスト転写パターン形状）を得ることができる。また、撮像手段５によって得られる光強度を所定の閾値と比較することにより、転写パターンにおける所望のレジスト残膜値部分の寸法を数値化して得ることができる。
【０１０５】
〔本発明に係るフォトマスクの検査方法〕
図７は、前述のフォトマスクの検査装置を用いて実施されるフォトマスクの検査方法の手順を示すフローチャートである。
【０１０６】
この検査装置を用いて行う本発明に係るフォトマスクの検査方法においては、図７に示すように、ステップｓｔ１において、主平面を略鉛直としてフォトマスク３を載置し保持させる。上述したように、フォトマスクは、わずかに傾斜させることが好ましい。次に、ステップｓｔ２において、光源の波長（λ）、対物レンズ系４の開口数（ＮＡ）、シグマ値（σ）など光学条件の設定する。
【０１０７】
次に、ステップｓｔ３において、波長合成演算が必要な場合かどうかを判別する。波長合成演算が必要でない場合には、ステップｓｔ４に進み、波長合成演算が必要な場合には、ステップｓｔ８に進む。
【０１０８】
ステップｓｔ４では、照明光学系２と、対物レンズ系４及び撮像手段５とを、該フォトマスクの主平面を略鉛直として保持されたフォトマスク３を挟んで対峙する位置にそれぞれ配設し、両者の光軸を一致させた状態で、観察位置に移動させる。そして、ステップｓｔ５において、光学方向の調整（フォーカス調整）を行う。次に、ステップｓｔ６において、検査光の照射及び受光を行い、撮像を行い、ステップｓｔ７に進む。
【０１０９】
一方、ステップｓｔ８では、照明光学系２と、対物レンズ系４及び撮像手段５とを、該フォトマスクの主平面を略鉛直として保持されたフォトマスク３を挟んで対峙する位置にそれぞれ配設し、両者の光軸を一致させた状態で、観察位置に移動させる。そして、ステップｓｔ９において、光学方向の調整（フォーカス調整）を行う。次に、ステップｓｔ１０において、検査光の照射及び受光を行い、撮像を行い、ステップｓｔ１１に進む。
【０１１０】
ステップｓｔ１１では、波長合成演算のために必要な画像が全て撮像されたかどうかを判別する。必要な画像が全て撮像されていなければ、ステップｓｔ１２に進み、波長条件を変更して、ステップｓｔ１０に戻る。必要な画像が全て撮像されていれば、ステップｓｔ１３に進み、波長合成演算を行い、ステップｓｔ７に進む。
【０１１１】
ステップｓｔ７では、得られたデータの解析を行い、強度分布データを取得する。次に、ステップｓｔ１４に進み、透過率の算出を行う。
【０１１２】
〔本発明に係るフォトマスクの検査装置の使用態様〕
本発明に係るフォトマスクの検査装置における被検体となるフォトマスクは、前述したように、製品として完成したフォトマスクのみならず、フォトマスクを製造する途中での中間体をも含み、また、このフォトマスクの種類や用途には特に制限はない。
【０１１３】
すなわち、この検査装置においては、透明基板の主表面にＣｒなどを主成分とする遮光膜を形成しこの遮光膜に所定のパターンをフォトリソグラフィーにより形成して遮光部及び透光部を有するパターンを形成したバイナリーマスクのみならず、透明基板の主表面に遮光部、透光部及び露光光の一部を透過する半透光部を有するグレートーンマスクを検査することが可能である。
【０１１４】
この検査装置においては、このようなグレートーンマスクを検査する場合に、特に顕著な効果が得られる。更に、パターン上に欠陥を有するバイナリーマスク、グレートーンマスクの使用可否を判断する検査にも適用可能である。ここで、欠陥は白欠陥、黒欠陥を含み、ここで、白欠陥とは、露光光の透過量が所定量より大きい欠陥、黒欠陥とは、露光光の透過量が所定量より小さい欠陥をいう。この検査装置においては、欠陥部分の撮像画像、または、欠陥部分の透過光の光強度分布データを得て、このデータによりフォトマスクの修正の要否を判定することができる。
【０１１５】
したがって、この検査装置は、ＦＰＤの製造用のフォトマスクを検査する場合に顕著な効果があり、さらに、液晶装置製造用のフォトマスクの中でも薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」という。）製造用のものに最も適している。これは、これらの分野では、製造効率及びコスト上の有利さから、グレートーンマスクが多用されることに加え、半透光部の寸法が極めて微細であり、かつ、精緻である必要があるためである。
【０１１６】
なお、半透光部には、半透光膜が形成された半透光部（「半透光膜タイプ」という。）と、露光条件での解像限界以下の微細パターンによって半透光部とするもの（「微細パターンタイプ」という。）の両方が含まれる。
【０１１７】
〔グレートーンマスクについて〕
ここで、本発明に係るフォトマスクの検査装置において被検査体となるグレートーンマスクについて説明する。
【０１１８】
ＴＦＴを備えた液晶表示デバイス（LiquidCrystalDisplay：以下、「ＬＣＤ」という。）は、陰極線管（ＣＲＴ）に比較して、薄型にしやすく消費電力が低いという利点から、現在、広く使用されるに至っている。ＬＣＤにおけるＴＦＴは、マトリックス上に配列された各画素にＴＦＴが配列された構造のＴＦＴ基板と、各画素に対応してレッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）及びブルー（Ｂ）の画素パターンが配列されたカラーフィルタとが液晶相を介して重ね合わされた構造を有している。このようなＬＣＤは、製造工程数が多く、ＴＦＴ基板だけでも、５乃至６枚のフォトマスクを用いて製造されていた。
【０１１９】
このような状況の下、ＴＦＴ基板の製造を４枚のフォトマスクを用いて行う方法が提案されている。この方法は、遮光部、透光部及び半透光部（グレートーン部）を有するフォトマスク（以下、「グレートーンマスク」という。）を用いることにより、使用するマスクの枚数を低減するものである。図８及び図９に、グレートーンマスクを用いたＴＦＴ基板の製造工程の一例を示す。
【０１２０】
まず、図８中の（Ａ）に示すように、ガラス基板２０１上に、ゲート電極用金属膜を形成し、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィー工程によりゲート電極２０２を形成する。その後、ゲート絶縁膜２０３、第１半導体膜（ａ−Ｓｉ）２０４、第２半導体膜（Ｎ＋ａ−Ｓｉ）２０５、ソースドレイン用金属膜２０６及びポジ型フォトレジスト膜２０７を形成する。
【０１２１】
次に、図８中の（Ｂ）に示すように、遮光部１０１、透光部１０２及び半透光部（グレートーン部）１０３を有するグレートーンマスク１００を用いて、ポジ型フォトレジスト膜２０７を露光し、現像して、第１レジストパターン２０７Ａを形成する。この第１レジストパターン２０７Ａは、ＴＦＴチャンネル部、ソースドレイン形成領域及びデータライン形成領域を覆い、かつ、ＴＦＴチャンネル部形成領域がソースドレイン形成領域よりも薄くなっている。
【０１２２】
次に、図８中の（Ｃ）に示すように、第１レジストパターン２０７Ａをマスクとして、ソースドレイン金属膜２０６、第２及び第１半導体膜２０５、２０４をエッチングする。次に、図９中の（Ａ）に示すように、酸素によるアッシングによってレジスト膜２０７を全体的に減少させて、チャンネル部形成領域の薄いレジスト膜を除去し、第２レジストパターン２０７Ｂを形成する。その後、図９中の（Ｂ）に示すように、第２レジストパターン２０７Ｂをマスクとして、ソースドレイン用金属膜２０６をエッチングしてソース／ドレイン２０６Ａ、２０６Ｂを形成し、次いで第２半導体膜２０５をエッチングする。最後に、図９中の（Ｃ）に示すように、残存した第２レジストパターン２０７Ｂを剥離させる。
【０１２３】
ここで用いられるグレートーンマスク１００は、図１０に示すように、ソース／ドレインに対応する遮光部１０１Ａ、１０１Ｂ、透光部１０２及びＴＦＴチャンネル部に対応するグレートーン部１０３を有する。このグレートーン部１０３は、グレートーンマスク１００を使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界以下の微細パターンからなる遮光パターン１０３Ａが形成された領域である。遮光部１０１Ａ、１０１Ｂ及び遮光パターン１０３Ａは、通常、ともにクロムやクロム化合物等の同じ材料からなる同じ厚さの膜から形成されている。このようなグレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界は、ステッパ方式の露光機で約３μｍ、ミラープロジェクション方式の露光機で約４μｍである。このため、グレートーン部１０３においては、透過部１０３Ｂのスペース幅及び遮光パターン１０３Ａのライン幅のそれぞれを、露光機の解像限界以下の、例えば、３μｍ未満とする。
【０１２４】
このような微細パターンタイプのグレートーン部１０３の設計においては、遮光部１０１Ａ、１０１Ｂと透光部１０２との中間的な半透光（グレートーン）効果を持たせるための微細パターンを、ライン・アンド・スペースタイプにするか、ドット（網点）タイプにするか、あるいはその他のパターンにするかという選択がある。また、ライン・アンド・スペースタイプの場合、線幅をどのくらいにするか、光が透過する部分と遮光される部分の比率をどうするか、全体の透過率をどの程度に設計するかなどを考慮して設計がなされるが、実際にマスク使用時に、このような微細パターンがどのように、被転写体上に転写されるかを把握できる方法がなかった。また、グレートーンマスクの製造においても、線幅の中心値の管理及びマスク内の線幅のばらつき管理など、非常に難しい生産技術が要求されていたが、実際のマスク使用環境で、どの程度のばらつきが許容されるか、など生産管理と歩留まりのバランスを簡便に把握する手段がなかった。
【０１２５】
一方、グレートーン部を半透光性の膜によって形成することが提案されている。グレートーン部に半透光膜を用いることにより、グレートーン部による露光量を少なくして、ハーフトーン露光を実施することができる。また、グレートーン部に半透光膜を用いることにより、設計においては、全体の透過率がどのくらい必要かを検討するのみで足り、グレートーンマスクの製造においても、半透光膜の膜種（膜材質）や膜厚を選択するだけで、グレートーンマスクの生産が可能となる。したがって、このような半透光膜タイプのグレートーンマスクの製造では、半透光膜の膜厚制御を行うだけで足り、比較的管理が容易である。また、ＴＦＴチャンネル部をグレートーンマスクのグレートーン部で形成する場合には、半透光膜であればフォトリソグラフィー工程により容易にパターンニングが実施できるので、ＴＦＴチャンネル部の形状も複雑な形状とすることが可能となる。
【０１２６】
半透光膜タイプのグレートーンマスクは、例えば、以下のようにして製造することができる。ここでは、一例として、ＴＦＴ基板のパターンを挙げて説明する。このパターンは、前述したように、ＴＦＴ基板のソース及びドレインに対応するパターンからなる遮光部１０１と、ＴＦＴ基板のチャネル部に対応するパターンからなる半透光部１０３と、これらパターンの周囲に形成される透光部１０２とで構成される。
【０１２７】
まず、透明基板上に半透光膜及び遮光膜を順次形成したマスクブランクを準備し、このマスクブランク上にレジスト膜を形成する。次に、パターン描画を行って、現像することにより、パターンの遮光部及び半透光部に対応する領域にレジストパターンを形成する。次に、適当な方法でエッチングすることにより、レジストパターンが形成されていない透光部に対応する領域の遮光膜とその下層の半透光膜を除去し、パターンを形成する。
【０１２８】
このようにして、透光部１０２が形成され、同時に、パターンの遮光部１０１と半透光部１０３に対応する領域の遮光パターンが形成される。そして、残存するレジストパターンを除去してから、再び、レジスト膜を基板上に形成し、パターン描画を行って、現像することにより、パターンの遮光部１０１に対応する領域にレジストパターンを形成する。  次に、適当なエッチングにより、レジストパターンの形成されていない半透光部１０３の領域の遮光膜のみを除去する。これにより、半透光膜のパターンによる半透光部１０３が形成され、同時に、遮光部１０１のパターンが形成される。
【０１２９】
このような半透光膜を用いたグレートーンマスクにおいても、生産管理上の問題がある。例えば、半透光膜の光透過率や、露光機の解像条件は、露光光の波長によって変化し、かつ、露光光の波長特性は、露光機ごとに異なるなど、マスク生産段階での把握が難しいマスク性能要因が種々あるからである。
【０１３０】
〔グレートーンマスクの検査について〕
前述のようなグレートーンマスクにおける欠陥や性能上の検査を行うには、実際の露光条件を反映したシミュレーションを行い、欠陥の有無、性能の優劣を評価することが望ましい。
【０１３１】
グレートーンマスクにおいては、マスクに形成されたパターン形状が、このマスクを使用した露光によって形成される被転写体上のレジストパターン膜厚やレジストパターンの形状に影響する。例えば、半透光部の光透過率が適切な範囲内にあるか、半透光部と遮光部の境界の立ち上がり（シャープネス、または、ぼかし具合）がどのようであるかを評価する必要がある。
【０１３２】
特に、微細パターンからなる半透光部を有するグレートーンマスクの場合には、フォトマスクを用いて実際に露光する時には、微細パターンが解像されずに、実質的に均一な透過率とみなされる程度に非解像の状態で使用される。この状態をマスクの製造過程において、または、出荷前の段階において、さらには、欠陥修正を行った段階において検査する必要がある。このような課題に対して、本件発明者らは、本発明に係る検査装置を用いた検査方法に顕著な効果があることを見出した。
【０１３３】
すなわち、本発明に係る検査装置においては、半透光部を透過する露光光の量を低減しこの領域におけるフォトレジストのへの照射量を低減することによりフォトレジストの膜厚を選択的に変えるものであるようなグレートーンマスクの検査を、実際の露光条件を再現して、高精度で行うことができるのである。
【０１３４】
そして、この検査装置において取得するデータでは、装置に与える光学条件（使用する露光機の光学条件に略等しい条件）に対して適切に設計され、適切に形成されたフォトマスクパターンであれば、図１１（右端図）に示すように半透光部に形成された微細パターンが実質的に略単一の濃度となるような非解像の状態となる。この部分の濃度が、このグレートーンマスクを使用した場合のこの部分の光透過量を示し、この部分の、透光部に対する透過量の低減度合（又は遮光部に対する透過量の増加度合）によって、マスク使用時に半透光部により形成されるレジスト膜の残膜量が決定される。一方、もしマスクの設計が露光光学条件に対して不適切だった場合や、製造工程で所定の形状、寸法にパターンが形成されていない場合は、半透光部の濃度や、半透光部の形状などが上記の正常な状態とは異なる状態を示すことになるため、正常な状態との比較により、検査部分の良否を判定することができる。
【０１３５】
したがって、本発明に係る検査装置によってグレートーンマスクを検査する場合には、上記のような適切な非解像部分が出現する（すなわち、グレー部が出現する）露光条件が、実際にフォトマスクに適用する露光条件とほぼ一致していれば、フォトマスクの性能が十分であると言える。
【０１３６】
さらに、該グレートーンマスクが薄膜トランジスタ製造用のものである場合には、上記のような非解像の状態において撮像画像を得たときに、必要により適切な演算を経て、チャネル部と、ソース、ドレイン部との境界部分のシャープネスを評価し、該部分のフォトレジストパターンの立体形状を予測することも可能である。
【０１３７】
したがって、本発明に係る検査装置は、実際の露光条件では解像限界以下となるような微細な遮光パターンからなるグレートーン部を有するフォトマスクの検査に有利に適用することができる。
【０１３８】
この場合、解像限界以下の微細パターンを有するフォトマスク３を被検体として検査装置に設置し、該マスクを使用する露光機の露光条件を予め把握した上で、例えば、対物レンズ系４の開口数及びシグマ値（照明光学系２の開口数の対物レンズ系４の開口数に対する比）を所定の値とし、また、対物レンズ系４の位置を適切に光軸方向に調節することにより、撮像手段５における撮像面には、微細パターンの非解像な状態の像が得られる。そして、撮像された画像データを演算手段１１によって処理することにより、マスクパターンの光強度分布を得ることができる。この撮像画像の形状及び所定の評価点における光強度データから、フォトマスク３の性能の優劣、欠陥の有無を評価することができる。
【０１３９】
さらに、この検査装置においては、図１２に示すように、対物レンズ系４及び撮像手段５がそれぞれ光軸方向に移動操作可能となっており、これら対物レンズ系４及び撮像手段５を互いに独立にフォトマスク３に対する相対距離を変化させることができるので、フォトマスク３を用いて露光を行う露光装置においてフォトマスク３が自重などによる反りを生ずる場合であっても、この露光装置を近似させた状態での撮像を行うことができる。すなわち、この検査装置においては、フォトマスク３から対物レンズ系４までの距離Ｌ１と、対物レンズ系４から撮像手段５までの距離Ｌ２とのそれぞれを、自在に調整することができる。また、対物レンズ系４の位置、ないし撮像素子５の位置をオフセットし、撮像手段５により、フォトマスクのぼかされた像を撮像することも可能である。このようにぼかされた像を評価することによって、グレートーンマスクの性能及び欠陥の有無を判断することもできる。
【０１４０】
そして、本発明に係る検査装置においては、解像限界以下の微細パターンからなる半透光部ばかりでなく、半透光性の膜（露光光の遮光率が、例えば透光部の透光率に対して、１０％乃至６０％、より好ましくは、４０％乃至６０％の膜）によって形成された半透光部を有するグレートーンマスクについての検査も行うことができる。
【０１４１】
例えば、図１３に示すように、撮像された画像データにおける半透光部の光強度のピーク値をＩｇとし、十分に広い透光部の光強度をＩｗとし、遮光部の光強度をＩｂとしたとき、半透光部の透光部に対する透過比率は、Ｉｇ／（Ｉｗ−Ｉｂ）で示すことができ、これをフォトマスクの評価項目とすることができる。この評価項目により、所定範囲の透過率を有する（すなわち、実際の露光時に形成されるレジストパターンのレジスト膜厚が所定の膜厚となる）フォトマスクであるか否かの評価を行うことができる。
【０１４２】
また、半透光部（例えばチャネル部）の所定の幅寸法を与える光強度をＩｇ´とするとき、以下のように、Ｔｇの三つを使って、これらのパラメータを比較することにより、パターンの評価を行うことができる。
Ｉｇ／（Ｉｗ−Ｉｂ）＝Ｔｇ  
Ｉｇ´／（Ｉｗ−Ｉｂ）＝Ｔｇ´（チャネル部の透過率の最低値）
（Ｔｇ−Ｔｇ´）／２＝Ｔｇｃ（チャンネル内透過率の中央値）
｜Ｔｇ−Ｔｇ´｜＝Ｔｇｄ（チャネル内透過率の変化量、レンジ）
【０１４３】
すなわち、上記評価においては、撮像画像によって得られた、グレートーンマスクの透過光強度分布データから、半透光部、透光部、遮光部の透過光強度を得て、それらの数値から、半透光膜部分の透過率（ここで、透過率とは、遮光部と透光部の透過量の差に対する半透光部の透過量をいう）最大値を求め、或いは、半透光部の透過率の最低値を求め、或いは、半透光部の透過率の中央値を求め、或いは、半透光部の透過率のレンジを求めることにより、マスクの評価を行うことができる。
【０１４４】
その他、光強度分布から得られる情報により、フォトマスクを使用して実際に露光装置において露光した場合に形成されるレジストパターンをシミュレートし、その評価を行うことができる。
【０１４５】
このように、本発明に係る検査装置においては、実際の露光装置による露光条件と同様の解像状態の撮像画像を得ることができるため、フォトマスクの性能、欠陥の有無を現実の使用に即した条件下で適切に評価することができる。また、この場合には、実際の露光条件を反映した条件下、半透光部に求められる所定範囲の透過率を充足しているか否かの検査のほかに、前述したと同様に、撮像画像を得たときに、チャネル部と、ソース、ドレイン部との境界部分のシャープネスを評価し、露光後のフォトレジストの立体形状を予測することができる。
【０１４６】
さらに、本発明に係る検査装置においては、前述したような、製造したフォトマスクの検査、評価のみではなく、図１４に示すように、欠陥が修正を要するものかの判断や、欠陥修正を経たフォトマスクの修正効果が十分であるか否かの検査にも適用することもでき、極めて有用である。フォトマスク３上に、図１４中の（ａ）に示すように、黒欠陥がある場合や、図１４中の（ｂ）に示すように、白欠陥がある場合であっても、これらの欠陥が十分に小さい場合には、露光機の解像度により、露光された状態においては、その影響が現れない。この検査装置においては、撮像手段５によって得られる撮像データにおいて、欠陥が十分に小さい場合には、強度変化が殆ど現れず、修正を要しないと判断することができる。
【０１４７】
また、この検査装置は、微細パターンからなる半透光部において、微細パターンとは異なる形状の微細パターンを付加的に部分的に成膜することによって白欠陥を修正した場合や、または、欠陥を含むパターンの一部を剥離させた後に元の微細パターンとは異なる形状の微細パターンを部分的に成膜することによって黒欠陥または白欠陥を修正した場合について、修正結果が十分であるか否かの検査を好適に行うことができる。
【０１４８】
白欠陥部分に付加的に成膜して欠陥修正する場合や、黒欠陥の一部を剥離して再成膜することにより欠陥修正する場合には、再成膜の素材が、元来の膜素材と異なる場合がある。また、黒欠陥に対しては、形成された膜の一部を除去し、またはその膜の膜厚を減少させることによって欠陥修正を行う場合がある。これらいずれの場合についても、本発明に係る検査装置によれば、欠陥修正の結果が、実際の露光装置による露光条件下で、十分な遮光効果、または、半透光部としての効果を有するか否かを検査することができる。
【０１４９】
〔液晶装置製造用フォトマスクの製造方法〕
液晶装置製造用フォトマスクを製造するにあたっては、一般的な公知の製造工程において、前述した本発明に係るフォトマスクの検査方法による検査工程を含む工程とすることにより、欠陥が必要十分に修正された良好な液晶装置製造用フォトマスクを迅速に製造することができる。
【０１５０】
〔パターン転写方法〕
前述した液晶装置製造用フォトマスクの製造方法により製造された液晶装置製造用フォトマスクを用いて、露光装置により所定波長の光を露光することによって、被転写体に対し、所定のパターンを良好に転写することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】本発明に係るフォトマスクの検査装置の構成を示す側面図である。
【図２】前記フォトマスクの検査装置における照明光学系と対物レンズ系との位置関係を示す側面図である。
【図３】前記フォトマスクの検査装置における照明光学系と対物レンズ系との位置関係を示す斜視図である。
【図４】前記フォトマスクの検査装置における照明光学系による照明範囲と対物レンズ系による撮像範囲との関係を示す正面図である。
【図５】前記フォトマスクの検査装置における照明光学系による照明範囲内の光強度分布と対物レンズ系による撮像範囲との関係を示すグラフである。
【図６】前記フォトマスクの検査装置において得られた撮像データを数値化したグラフである。
【図７】前記フォトマスクの検査装置において実施されるフォトマスクの検査方法の手順を示すフローチャートである。
【図８】グレートーンマスクを用いたＴＦＴ基板の製造工程（前半）を示す断面図である。
【図９】グレートーンマスクを用いたＴＦＴ基板の製造工程（後半）を示す断面図である。
【図１０】グレートーンマスクの構成を示す正面図である。
【図１１】前記フォトマスクの検査装置において得られた撮像データにおける半透光部の状態を示す図である。
【図１２】前記フォトマスクの検査装置におけるフォトマスク、対物レンズ系及び撮像手段の位置関係を示す側面図である。
【図１３】前記フォトマスクの検査装置において得られた撮像データを数値化し、半透光部の透過率を説明するためのグラフである。
【図１４】前記フォトマスクの検査装置において得られた撮像データにおける、欠陥のサイズと転写像の関係を示す図である。
【符号の説明】
【０１５２】
１  光源
２  照明光学系
３  フォトマスク
４  対物レンズ系
５  撮像手段
【図１】
2008165217.tif 000003
【図２】
2008165217.tif 000004
【図３】
2008165217.tif 000005
【図４】
2008165217.tif 000006
【図５】
2008165217.tif 000007
【図６】
2008165217.tif 000008
【図７】
2008165217.tif 000009
【図９】
2008165217.tif 000010
【図１２】
2008165217.tif 000011
【図１３】
2008165217.tif 000012
【図８】
2008165217.tif 000013
【図１０】
2008165217.tif 000014
【図１１】
2008165217.tif 000015
【図１４】
2008165217.tif 000016