(57)【要約】【課題】実装した電子部品の放熱性が良好な回路基板、及び該回路基板の製造方法を得る。【解決手段】回路基板１０は、銅ベース１２と、銅ベース１２上に回路パターン基材１４を介して形成された回路パターン１８と、銅ベース１２に設けられたバンプ２６とを備えている。部分的にバンプ２６の銅ベース１２に対する突出端面は、回路パターン１８に電気的に接続される半導体素子２２が直接的に接合される電子部品搭載面２６Ａとされている。【選択図】図１
2008091814.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製のベース板部と、
前記ベース板部上に絶縁層を介して形成された回路パターンと、
前記ベース板部に設けられ、前記回路パターンに電気的に接続される電子部品が直接的に接合される電子部品搭載部と、
を備えた回路基板。
【請求項２】
金属製のベース板部と、
前記ベース板部上に絶縁層を介して形成された回路パターンと、
少なくとも一部が前記絶縁層に埋設された金属材にて構成され、前記回路パターンに電気的に接続される電子部品と前記ベース板部との間に介在する伝熱部と、
を備えた回路基板。
【請求項３】
前記伝熱部は、前記ベース板部から突出されたバンプを含んで構成されている請求項２記載の回路基板。
【請求項４】
前記バンプの前記ベース板部からの突出端が、前記電子部品が直接的に接合される電子部品搭載面とされている請求項３記載の回路基板。
【請求項５】
金属製のベース板部から部分的に突出されると共に突出端が電子部品の搭載面とされるバンプを形成するバンプ形成工程と、
一面側に回路形成用基材が設けられた絶縁体の他面側を、前記バンプが前記回路形成用基材との絶縁状態で露出されるように、前記ベース板部に積層する積層工程と、
を含む回路基板の製造方法。
【請求項６】
金属製のベース板部から部分的に突出したバンプを形成するバンプ形成工程と、
一面側に回路形成用基材が設けられた絶縁体の他端側を、該絶縁体中に前記バンプが埋設されるように前記ベース板部に積層する積層工程と、
前記回路形成用基材に、回路パターンと、前記バンプにオーバラップして配置されると共に前記回路パターンに電気的に接続される電子部品を搭載するための電子部品搭載部とを形成するパターン形成工程と、
を含む回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品が搭載される回路部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
銅ベース板の上に、一面側に半導体素子が実装される回路パターンが形成された絶縁基板の他面側を接合した回路基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−３３２１７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記下従来の技術では、回路基板を用いた半導体装置全体としての放熱は考慮されているものの、回路基板に実装された電子部品の放熱について考慮されていない問題があった。
【０００４】
本発明は、上記事実を考慮して、実装した電子部品の放熱性が良好な回路基板、及び該回路基板の製造方法を得ることが目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１記載の発明に係る回路基板は、金属製のベース板部と、前記ベース板部上に絶縁層を介して形成された回路パターンと、前記ベース板部に設けられ、前記回路パターンに電気的に接続される電子部品が直接的に接合される電子部品搭載部と、を備えている。
【０００６】
請求項１記載の回路基板では、金属製のベース板部上に絶縁層を介して形成された回路パターンに、電子部品搭載部に接合された電子部品が電気的に接続されて、該電子部品が実装されるようになっている。ここで、電子部品搭載部がベース板部に設けられているため、電子部品が発生した熱は、熱伝導性の良好な金属材料より成る電子部品搭載部からベース板部に伝わり、該ベース板部の各部に拡散されて放熱される。これにより、本回路基板では、電子部品の温度上昇を抑制することができる。
【０００７】
このように、請求項１記載の回路基板では、実装した電子部品の放熱性が良好である。
【０００８】
請求項２記載の発明に係る回路基板は、金属製のベース板部と、前記ベース板部上に絶縁層を介して形成された回路パターンと、少なくとも一部が前記絶縁層に埋設された金属材にて構成され、前記回路パターンに電気的に接続される電子部品と前記ベース板部との間に介在する伝熱部と、を備えている。
【０００９】
請求項２記載の回路基板では、金属製のベース板部上に絶縁層を介して形成された回路パターンに、伝熱部を介してベース板部に支持された電子部品が電気的に接続されて、該電子部品が実装されるようになっている。ここで、少なくとも一部が熱伝導性が良好である金属材より成り絶縁層に埋設された伝熱部が、電子部品（の搭載部）とベース板部との間に介在されているため、電子部品が発生した熱は、伝熱部を経由してベース板部に伝わり、該ベース板部の各部に拡散されて放熱される。これにより、本回路基板では、電子部品の温度上昇を抑制することができる。
【００１０】
このように、請求項２記載の回路基板では、実装した電子部品の放熱性が良好である。
【００１１】
請求項３記載の発明に係る回路基板は、請求項２記載の回路基板において、前記伝熱部は、前記ベース板部から突出されたバンプを含んで構成されている。
【００１２】
請求項３記載の回路基板では、ベース板部から一体に突出したバンプが伝熱部の少なくとも一部を構成するため、部品点数が少なく構造が簡単である。また、別部材の金属体をベース板部に固定する構成と比較して、これらの接触面での熱抵抗が小さく、実装した電子部品の放熱性が向上する。
【００１３】
請求項４記載の発明に係る回路基板は、請求項３記載の回路基板において、前記バンプの前記ベース板部からの突出端が、前記電子部品が直接的に接合される電子部品搭載面とされている。
【００１４】
請求項４記載の回路基板では、バンプの突出端が電子部品搭載面であるため、換言すれば、実質的に伝熱部の全部がベース板部と一体のバンプで構成されているため、伝熱部全体として熱抵抗が小さく、実装した電子部品の放熱性が向上する。
【００１５】
請求項５記載の発明に係る回路基板の製造方法は、金属製のベース板部から部分的に突出されると共に突出端が電子部品の搭載面とされるバンプを形成するバンプ形成工程と、一面側に回路形成用基材が設けられた絶縁体の他面側を、前記バンプが前記回路形成用基材との絶縁状態で露出されるように、前記ベース板部に積層する積層工程と、を含む。
【００１６】
請求項５記載の回路基板の製造方法では、バンプ形成工程において、ベース板部にバンプを形成し、積層工程において、バンプが形成されているベース板部に絶縁体の他面側を接合する。これにより、バンプは、回路形成用基材との絶縁状態で、少なくとも突出端が露出される。また、例えば、積層工程の前又は後に回路形成用基材に回路パターンを形成する。
【００１７】
このようにして製造された回路基板には、金属製のベース板部から一体に突出されたバンプの突出端に電子部品が直接的に取り付けられる。このため、本回路基板（に電子部品を実装した電子装置）では、電子部品が発生した熱は、バンプを経由してベース板部に伝わり、該ベース板部の各部に拡散されて放熱される。これにより、本回路基板では、電子部品の温度上昇を効果的に抑制することができる。
【００１８】
このように、請求項５記載の回路基板の製造方法では、実装した電子部品の放熱性が良好な回路基板を製造することができる。
【００１９】
請求項６記載の発明に係る回路基板の製造方法は、金属製のベース板部から部分的に突出したバンプを形成するバンプ形成工程と、一面側に回路形成用基材が設けられた絶縁体の他端側を、該絶縁体中に前記バンプが埋設されるように前記ベース板部に積層する積層工程と、前記回路形成用基材に、回路パターンと、前記バンプにオーバラップして配置されると共に前記回路パターンに電気的に接続される電子部品を搭載するための電子部品搭載部とを形成するパターン形成工程と、を含む。
【００２０】
請求項６記載の回路基板の製造方法では、バンプ形成工程において、ベース板部にバンプを形成し、積層工程において、バンプが形成されているベース板部に絶縁体の他面側を接合することでバンプを絶縁体に埋設し、パターン形成工程において、回路形成用基材に回路パターン及び電子部品搭載部を形成する。
【００２１】
このようにして製造された回路基板には、回路形成用基材に形成された電子部品搭載部に電子部品が取り付けられる。ここで、本回路基板（に電子部品を実装した電子装置）では、金属製のベース板部から一体に突出されたバンプと金属製の電子部品搭載部（回路形成用基材）との間に介在する絶縁体の厚みが小さいので、電子部品が発生した熱は、電子部品搭載部、絶縁体の薄い層、及びバンプを経由してベース板部に伝わり、該ベース板部の各部に拡散されて放熱される。これにより、本回路基板では、電子部品の温度上昇を効果的に抑制することができる。
【００２２】
このように、請求項６記載の回路基板の製造方法では、実装した電子部品の放熱性が良好な回路基板を製造することができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように本発明に係る回路基板は、実装した電子部品の放熱性が良好であるという優れた効果を有する。
【００２４】
また、本発明に係る回路基板の製造方法は、実装した電子部品の放熱性が良好な回路基板を製造することができるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の第１の実施形態に係る回路基板１０について、図１乃至図６に基づいて説明する。先ず、回路基板１０の構成について説明し、次いで、回路基板１０の製造方法について説明し、その後、回路基板１０の作用を説明することとする。なお、各図は、回路基板１０を模式的に（特徴部分を誇張して）示している。
【００２６】
（第１の実施形態に係る回路基板の構成）
図２には、回路基板１０の一部が平面図にて示されており、図１には、図２の１−１線に沿った断面図が示されている。図１に示される如く、回路基板１０は、金属製のベース板部（メタルベース）としての銅ベース１２を備えている。銅ベース１２は、銅より成り、所定の厚みを有する略平板状に形成されている。銅ベース１２の一表面１２Ａ上には、一表面１４Ａに回路パターン１８が形成された絶縁体又は絶縁層としての絶縁樹脂基材１４が、接着シート２０を介して接着されている。
【００２７】
回路パターン１８は、後述するように、銅箔３４をエッチングすることで形成されている。この回路パターン１８には、回路基板１０に実装される電子部品としての半導体素子（例えば発光ダイオード（ＬＥＤ））２２等の給電端子２２Ａが金属線２４にて電気的に接続される構成とされている。
【００２８】
そして、回路基板１０では、銅ベース１２から部分的にバンプ２６が突設されており、バンプ２６は、回路パターン１８との絶縁状態で、絶縁樹脂基材１４（及び銅箔３４）に形成された貫通孔１６内に入り込んで、その突出端面である電子部品搭載面２６Ａを露出させている。図１及び図２に示される如く、バンプ２６は略円錐台状に形成されており、平面視におけるバンプ２６と貫通孔１６の孔縁との間には略円環状を成す接着シート２０の樹脂カバー層２０Ａ（後述）が露出している。換言すれば、バンプ２６の少なくとも電子部品搭載面２６Ａを除く一部は、絶縁体である回路パターン１８（貫通孔１６）、接着シート２０（樹脂カバー層２０Ａ）に埋設されている。なお、バンプ２６の形状は、略円錐台状には限定されず、例えば、平面視で正方形や長方形、六角形等の多角形状に形成しても良く、平面視で楕円状に形成しても良い。
【００２９】
この実施形態では、バンプ２６の電子部品搭載面２６Ａには、半導体素子２２が搭載されるようになっている。したがって、バンプ２６は、回路基板１０に実装される半導体素子２２（のうち比較的発熱量が大きい部品だけでも良い）の数だけ設けられる。それぞれのバンプ２６の電子部品搭載面２６Ａは、銅ベース１２を基準として、回路パターン１８の表面と略同等の高位（面一）とされている。なお、回路基板１０では、銅ベース１２（バンプ２６を除く部分）の厚みは、銅ベース１２からのバンプ２６の突出高（絶縁樹脂基材１４、回路パターン１８、接着シート２０の厚みの和）に対し十分に大とされている。
【００３０】
以上説明した回路基板１０には、それぞれのバンプ２６の電子部品搭載面２６Ａに、半導体素子２２が接着剤２８にて接合されるようになっている。この接着剤２８として、良好な熱伝導性を有するものが採用されている。電子部品搭載面２６Ａに接合された半導体素子２２の給電端子２２Ａを金属線２４を介して回路パターン１８に電気的に接合することで、回路基板１０に半導体素子２２が実装された半導体装置３０が構成されるようになっている。この実施形態では、バンプ２６（及び接着剤２８）が本発明における「伝熱部」に相当する。
【００３１】
（第１の実施形態に係る回路基板の製造方法）
上記構成の回路基板１０を製造するに当たっては、図３に示す回路パターンを形成するための回路パターン基材３２の準備工程と、図４に示す銅ベース１２にバンプ２６を形成するバンプ形成工程と、図５に示す銅ベース１２と回路パターン基材３２とを積層する積層工程と、図６に示す回路パターン基材３２の表面に回路パターン１８を形成する回路形成工程と、図示を省略する後工程と、を主要工程とする回路基板の製造方法を実施する。以下、具体的に説明する。
【００３２】
回路パターン基材３２の準備工程では、先ず、図３（Ａ）に示される如く、例えば白色樹脂より成る絶縁樹脂基材１４の一表面（片面）１４Ａに回路形成用基材としての銅箔３４が積層された片面基板３６を用意する。片面基板３６は、例えば絶縁樹脂基材１４の両面に銅箔３４が積層された材料（白色両面板）の一方側の銅箔３４をエッチングにて除去することで得ることができる。
【００３３】
次いで、図３（Ｂ）に示される如く、片面基板３６の絶縁樹脂基材１４における一表面１４Ａ（銅箔３４の積層側）とは反対側の片面１４Ｂに、該片面基板３６を銅ベース１２に接着するための接着シート２０を仮付けする。接着シート２０は、例えばラミネート装置を用いた熱圧着にて絶縁樹脂基材１４の片面１４Ｂに仮付けされる。これにより、回路パターン基材３２が構成される。
【００３４】
さらに、図３（Ｃ）及び図３（Ｄ）に示される如く、回路パターン基材３２における銅ベース１２の各バンプ２６設置位置に対応する位置に、それぞれ対応するバンプ２６を回路基板１０の表面（回路パターン１８側）に露出させるための貫通孔１６を形成する。貫通孔１６は、例えばＮＣ穴あけ機にて回路パターン基材３２に穴あけ加工を施して形成される。また、回路パターン基材３２の各コーナー部（位置合わせ用マーク部）に、銅ベース１２に対する位置合わせ用の位置合わせ孔３８を形成する。この実施形態では、計４つの位置合わせ孔３８を形成する。
【００３５】
バンプ形成工程では、図４（Ａ）に示される如く、銅ベース１２及びバンプ２６を形成するための銅板４０の両面にそれぞれ感光性のドライフィルム４２、４４を貼り付ける。ドライフィルム４２、４４は、例えばドライフィルムラムネータ等を用いて銅板４０に圧着される。
【００３６】
次いで、一方のドライフィルム４２に、バンプ２６を形成するためのバンプ回路パターン（バンプ形成パターン）を露光し、所定の条件で現像処理を行うことで、図４（Ｂ）に示される如くバンプ回路４６を形成する。このバンプ回路４６は、後述するエッチングによって、銅ベース１２上に、各バンプ２６と共に、回路パターン基材３２の位置合わせ孔３８に挿入（嵌合）可能な位置合わせ用バンプ４８（図４（Ｃ）参照）を形成させる回路パターンとされている。一方、ドライフィルム４４は、全面露光（べた露光）されており、上記した現像処理によって除去される部分が生じない。これにより、銅板４０（銅ベース１２）のバンプ２６、４８の形成側とは反対側の面が保護される。
【００３７】
そして、片面側にバンプ回路４６が形成された（マスク４６Ａで覆われた）銅板４０をハーフエッチングして、図４（Ｃ）に示される如く、銅ベース１２、並びに該銅ベース１２から部分的に突出したバンプ２６及び位置合わせ用バンプ４８を形成する。ハーフエッチングの量は、銅ベース１２に貼り付ける片面基板３６の厚みｔ（絶縁樹脂基材１４、銅箔３４、及び接着シート２０の厚みの和、図３（Ｃ）参照））を考慮して設定される。この実施形態では、ハーフエッチングの量は、バンプ２６の銅ベース１２に対する突出高Ｈが回路パターン基材３２の厚みｔよりも大となるように設定されている。換言すれば、バンプ形成工程では、電子部品搭載面２６Ａは形成されない。
【００３８】
最後に、バンプ回路４６のマスク４６Ａ（ドライフィルム４２）、ドライフィルム４４を剥離すると、図４（Ｄ）に示される如く、バンプ２６、位置合わせ用バンプ４８が一体に形成された銅ベース１２が完成する。なお、バンプ形成工程は、例えば、回路パターン基材３２の準備工程と平行して、又は該準備工程よりも前に行っても良い。
【００３９】
積層工程では、先ず、図５（Ａ）に示される如く、銅ベース１２における回路パターン基材３２が積層される積層面（表面）１２Ａを粗化し、接着シート２０による回路パターン基材３２の密着性を向上する。銅ベース１２の積層面１２Ａの粗化には、粗化処理液等の薬品を用いる。
【００４０】
次いで、図５（Ｂ）に示される如く、接着シート２０を銅ベース１２の積層面１２Ａ側に向けた姿勢の回路パターン基材３２を、各バンプ２６が対応する貫通孔１６に入り込むと共に各位置合わせ用バンプ４８が対応する位置合わせ孔３８に入り込むように、銅ベース１２上に重ねる（載せる）。各位置合わせ用バンプ４８が対応する位置合わせ孔３８に入り込むことで、回路パターン基材３２は銅ベース１２に対し位置決めされる。
【００４１】
この状態から真空熱プレス（真空ホットプレス）にて、回路パターン基材３２を銅ベース１２に積層（接合）する。この積層に伴って、回路パターン基材３２を構成する接着シート２０中の樹脂の一部が貫通孔１６内に流入し、バンプ２６の周囲を被覆（カバーリング）する樹脂カバー層２０Ａが形成される。
【００４２】
回路形成工程では、先ず、図６（Ａ）に示される如く、銅ベース１２への積層後の回路パターン基材３２における銅箔３４の表面を、バンプ２６の突出端部と共に研磨する。これにより、バンプ２６の突出端面は、回路パターン１８（が形成される銅箔３４）の表面と略面一の電子部品搭載面２６Ａとされる。なお、この研磨には、例えば、同図に示されるバフ研磨機Ａを用いる。
【００４３】
次いで、図示は省略するが、銅箔３４の表面に感光性のドライフィルムをラミネートし、回路パターン基材３２のコーナー部に設けた位置合わせ孔３８を基準に、回路形成すなわち露光及び現像を行う。そして、銅箔３４厚み分のエッチングを行って、図６（Ｂ）に示される如く、絶縁樹脂基材１４上に回路パターン１８を形成する。
【００４４】
後工程では、回路パターン１８における半田付け部位（ボンディング部）以外の部分に、ソルダレジストとして、液状レジスト（白色液状レジスト）を塗布する。一方、回路パターン１８における半田付け部位（ボンディング部）には、ボンディング仕様めっき処理を施す。この実施形態では、バンプ２６の電子部品搭載面２６Ａにもボンディング仕様めっき処理が施されている。最後に、外形加工を施して、回路基板１０の製造が完了する。
【００４５】
この回路基板１０への半導体素子２２の実装について補足すると、半導体素子２２を接着剤２８にて電子部品搭載面２６Ａに接着固定し、その後、該半導体素子２２の給電端子２２Ａと回路パターン１８とを金属線２４を用いてワイヤボンディングし、電気的に接続（結線）する。
【００４６】
（第１の実施形態に係る回路基板の作用）
次に、第１の実施形態の作用を説明する。
【００４７】
上記構成の回路基板１０では、半導体素子２２が実装されて半導体装置３０を構成する。この半導体装置３０では、回路パターン１８を介して半導体素子２２に給電され、半導体素子２２は、その機能を果たす。例えば発光ダイオードである半導体素子２２は、給電されて発光する。そして、このように機能を果たすことに伴って、半導体素子２２は発熱する。
【００４８】
ここで、回路基板１０では、半導体素子２２が、熱伝導性の良好な金属材（銅）より成るバンプ２６の電子部品搭載面２６Ａに接合されているため、半導体素子２２の動作に伴って発生した熱は、バンプ２６を経由して銅ベース１２に伝わり（図１の矢印Ｂ参照）、該銅ベース１２において拡散されて外部に放熱される。特に、半導体素子２２がバンプ２６に直接的に接着されているため、半導体素子２２が発生した熱を一層効率良くバンプ２６に伝えることができ、放熱性能が向上する。しかも、バンプ２６が銅ベース１２に一体に設けられているため、例えば別体のバンプ２６を銅ベース１２に接合した如き構成と比較して、これら接合面での熱抵抗が少なく、バンプ２６から銅ベース１２への伝熱性能が良好である。
【００４９】
以上により、回路基板１０では、半導体素子２２からの熱を効率良く放出することができるので、半導体素子２２自体の過熱や局部的な温度上昇が抑制される。このため、半導体素子２２の寿命向上、許容熱量の増加による部品の能力アップ（例えば、供給電流を増すことによる輝度の向上等）を図ることができる。
【００５０】
図１２に示す比較例に係る回路基板１００との比較で補足する。回路基板１００は、銅又はアルミ材より成る銅ベース１２に相当するメタルベース１０２上に、絶縁層１０４を介して回路パターン１０６が形成されている。半導体素子２２は、絶縁層１０４上において回路パターン１８とは絶縁状態で配置された銅箔より成る電子部品搭載部１０８に接合されている。この回路基板１００では、半導体素子２２が発生した熱は絶縁層１０４を介してメタルベース１０２に伝わるので、熱拡散性（放熱性能）はメタルベース１０２の熱伝導性に依存する。そして、メタルベース１０２を構成する材料の熱伝導性は、銅ベース１２を構成する金属材（銅）と比較して大きく劣るので、回路基板１００では、放熱性の向上に限界がある。
【００５１】
これに対して回路基板１０では、銅ベース１２から突出したバンプ２６に直接的に半導体素子２２を接合する構造であるため、換言すれば、熱伝導性の良好な金属部分（銅ベース１２）のみで伝熱経路を構成しているので、上記の通り良好な放熱性能を得ることが実現された。
【００５２】
また、本発明では、銅ベース１２の積層面１２Ａに直接半導体素子２２を接合しても良いが、バンプ２６を設けることで、電子部品搭載面２６Ａを回路パターン１８の表面と略面一に構成することができ、半導体素子２２の実装作業性に影響を与えることなく、上記の通り良好な放熱性能を得ることが実現された。
【００５３】
そして、本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法では、上記の通り良好な放熱性能を果たすことができる回路基板１０を製造することができる。
【００５４】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る回路基板５０について、図７乃至図１１に基づいて、構成、製造方法、作用の順で説明する。なお、各図は、回路基板５０を模式的に（特徴部を誇張して）示している。また、上記第１の実施形態と基本的に同一の部分等については、上記第１の実施形態と同一の符号を付して説明を省略する。
【００５５】
（第２の実施形態に係る回路基板の構成）
図８には、回路基板５０の一部が平面図にて示されており、図７には、図８の７−７線に沿った断面図が示されている。図７に示される如く、回路基板５０は、金属製のベース板部（メタルベース）としての銅ベース５２を備えている。銅ベース５２は、銅より成り、所定の厚みを有する略平板状に形成されている。銅ベース５２の一表面５２Ａ上には、一表面５４Ａに回路パターン５６が形成された絶縁体又は絶縁層としての絶縁樹脂基材５４が接着されている。
【００５６】
回路パターン５６は、後述するように、銅箔７２をエッチングすることで形成されている。この回路パターン５６には、回路基板５０に実装される半導体素子２２の給電端子２２Ａが金属線２４にて電気的に接続される構成とされている。
【００５７】
そして、回路基板５０では、銅ベース１２から部分的にバンプ５８が突設されており、バンプ５８は、絶縁樹脂基材５４中に埋設されている。換言すれば、絶縁樹脂基材５４は、バンプ５８の設置部位において他の部分と比較して薄肉である薄肉部５４Ｂが形成されている。図１に示される如く、バンプ５８は、略円錐台状に形成されている。なお、バンプ５８の形状は、略円錐台状には限定されず、例えば、平面視で正方形や長方形、六角形等の多角形状に形成しても良く、平面視で楕円状に形成しても良い。
【００５８】
また、絶縁樹脂基材５４の薄肉部５４Ｂにおける表面５４Ａには、半導体素子２２が接合される電子部品搭載部６０が設けられている。したがって、回路基板５０では、バンプ５８と電子部品搭載部６０との間に、絶縁樹脂基材５４の薄肉部５４Ｂが介在している（挟み込まれている）。電子部品搭載部６０は、回路パターン５６と共に銅箔７２をエッチングすることで形成されている。したがって、回路パターン５６と電子部品搭載部６０とは、互いの表面が略面一とされている。この実施形態では、電子部品搭載部６０（接着剤２８）、薄肉部５４Ｂ、及びバンプ５８が本発明における「伝熱部」に相当する。
【００５９】
この実施形態では、電子部品搭載部６０には、半導体素子２２が搭載されるようになっている。したがって、バンプ５８及び電子部品搭載部６０は、回路基板５０に実装される半導体素子２２（のうち比較的発熱量が大きい部品だけでも良い）の数だけ設けられる。なお、回路基板５０では、銅ベース５２（バンプ５８を除く部分）の厚みは、銅ベース１２からのバンプ５８の突出高に対し十分に大とされている。
【００６０】
以上説明した回路基板５０には、それぞれの電子部品搭載部６０に、半導体素子２２が熱伝導性の良好な接着剤２８にて接合されるようになっている。電子部品搭載部６０に接合された半導体素子２２の給電端子２２Ａを金属線２４を介して回路パターン５６に電気的に接合することで、回路基板５０に半導体素子２２が実装された半導体装置６２が構成されるようになっている。
【００６１】
（第２の実施形態に係る回路基板の製造方法）
上記構成の回路基板５０を製造するに当たっては、図９に示す銅ベース５２にバンプ５８を形成するバンプ形成工程と、図１０に示す銅ベース５２と回路パターン基材６４とを積層する積層工程と、図１１に示す回路パターン基材６４の表面に回路パターン５６を形成する回路形成工程と、図示を省略する後工程と、を主要工程とする回路基板の製造方法を実施する。以下、具体的に説明する。
【００６２】
バンプ形成工程では、先ず、図９（Ａ）に示される如く、銅ベース５２及びバンプ５８を形成するための銅板６６の適宜位置（位置合わせ用マーク部）に位置合わせ用の回路形成用基準孔６８を形成する。この実施形態では、銅板６６のコーナー部に計４つの回路形成用基準孔６８を形成する。
【００６３】
次いで、図９（Ｂ）に示される如く、銅ベース５２及びバンプ５８を構成する銅板６６の両面にそれぞれ感光性のドライフィルム４２、４４を貼り付ける。ドライフィルム４２、４４は、例えばドライフィルムラムネータ等を用いて銅板６６に圧着される。さらに、一方のドライフィルム４２に、バンプ５８を形成するためのバンプ回路パターンを露光し、所定の条件で現像処理を行うことで、図９（Ｃ）に示される如くバンプ回路７０を形成する。一方、ドライフィルム４４は、全面露光（べた露光）されており、上記した現像処理によって除去される部分が生じない。これにより、銅板６６（銅ベース５２）のバンプ５８の形成側とは反対側の面が保護される。
【００６４】
そして、片面側にバンプ回路７０が形成された（マスク７０Ａで覆われた）銅板６６をハーフエッチングして、図９（Ｄ）に示される如く、銅ベース５２及び該銅ベース５２から部分的に突出したバンプ５８を形成する。ハーフエッチングの量は、銅ベース５２に積層する回路パターン基材６４（絶縁樹脂基材５４）の厚みを考慮して設定される。この実施形態では、ハーフエッチングの量は、バンプ５８が絶縁樹脂基材５４に埋設されて所定厚みの薄肉部５４Ｂが形成されるように設定されている。最後に、バンプ回路４６のマスク４６Ａ（ドライフィルム４２）、ドライフィルム４４を剥離すると、図９（Ｅ）に示される如く、バンプ５８が一体に形成された銅ベース５２が完成する。
【００６５】
積層工程では、先ず、図１０（Ａ）に示される如く、銅ベース５２における回路パターン基材６４が積層される積層面（表面）５２Ａを粗化し、回路パターン基材６４（絶縁樹脂基材５４）の密着性を向上する。銅ベース５２の積層面５２Ａの粗化には、粗化処理液等の薬品を用いる。
【００６６】
次いで、図１０（Ｂ）に示される如く、回路パターン基材６４を用意する。ここで、回路パターン基材６４は、絶縁樹脂基材５４を構成する高熱伝導性白色樹脂の一表面（片面）５４Ａに回路形成用基材としての銅箔７２が積層された高熱伝導性白色樹脂付き銅箔とされている。この回路パターン基材６４を、絶縁樹脂基材５４が銅ベース５２（バンプ５８）側を向く姿勢で銅ベース５２に重ね（載せ）、この状態から真空熱プレスにて、図１０（Ｃ）に示される如く、回路パターン基材６４を銅ベース５２に積層（接合）する。この状態では、バンプ５８と銅箔７２との間に薄肉部５４Ｂが形成されている。
【００６７】
回路形成工程では、先ず、図１１（Ａ）に示される如く積層完了状態から、図１１（Ｂ）に示される如く、銅ベース５２に形成されている回路形成用基準孔６８に合わせ（回路形成用基準孔６８を利用して）、該銅ベース５２に積層された回路パターン基材６４に回路形成用基準孔７４を形成する。この回路形成用基準孔７４が回路パターン５６を形成する差異の位置整合の基準となる。
【００６８】
次いで、図示は省略するが、銅箔７２の表面を薬品にて処理し、ドライフィルムの密着性を上げる。そして、銅箔７２の表面に感光性のドライフィルムをラミネートし、回路パターン基材６４のコーナー部に設けた回路形成用基準孔７４を基準にして、ドライフィルムに回路パターン５６及び電子部品搭載部６０を形成するためのパターンを露光する。この際、バンプ５８が形成された銅ベース５２の回路形成用基準孔６８と、回路パターン５６及び電子部品搭載部６０が形成される銅箔７２（回路パターン基材６４）の回路形成用基準孔７４との位置が一致しているため、バンプ５８と回路パターン５６及び電子部品搭載部６０との位置が整合する（位置整合が可能となる）。露光後のドライフィルムを所定の条件で現像し、さらに、銅箔７２厚み分のエッチングを行って、図１１（Ｃ）に示される如く、絶縁樹脂基材５４上に回路パターン５６及び電子部品搭載部６０を形成する。
【００６９】
後工程では、回路パターン１８における半田付け部位（ボンディング部）以外の部分に、ソルダレジストとして、液状レジスト（白色液状レジスト）を塗布する。一方、回路パターン１８における半田付け部位（ボンディング部）には、ボンディング仕様めっき処理を施す。この実施形態では、電子部品搭載部６０にもボンディング仕様めっき処理が施されている。最後に、外形加工を施して、回路基板５０の製造が完了する。
【００７０】
この回路基板５０への半導体素子２２の実装について補足すると、半導体素子２２を接着剤２８にて電子部品搭載部６０に接着固定し、その後、該半導体素子２２の給電端子２２Ａと回路パターン５６とを金属線２４を用いてワイヤボンディングし、電気的に接続（結線）する。
【００７１】
（第２の実施形態に係る回路基板の作用）
次に、第２の実施形態の作用を説明する。
【００７２】
上記構成の回路基板５０では、半導体素子２２が実装されて半導体装置６２を構成する。この半導体装置６２では、回路パターン５６を介して半導体素子２２に給電され、半導体素子２２は、その機能を果たす。例えば発光ダイオードである半導体素子２２は、給電されて発光する。そして、このように機能を果たすことに伴って、半導体素子２２は発熱する。
【００７３】
このとき、半導体素子２２の動作に伴って発生した熱は、電子部品搭載部６０、絶縁樹脂基材５４の薄肉部５４Ｂ、バンプ５８を経由して銅ベース１２に伝わり（図７の矢印Ｃ参照）、該銅ベース１２において拡散されて外部に放熱される。
【００７４】
ここで、回路基板５０では、半導体素子２２が接合された電子部品搭載部６０と、銅ベース５２から突設されたバンプ５８との間に絶縁樹脂基材５４の薄肉部５４Ｂが介在する構成であり、上記伝熱経路の大部分が熱伝導性の良好な金属材（銅）にて構成されているため、換言すれば、銅ベース５２からバンプ５８を突設することで、該バンプ５８（銅ベース５２）と電子部品搭載部６０との間に介在する絶縁樹脂基材５４の部分が薄肉部５４Ｂとされているため、半導体素子２２の動作に伴って発生した熱は、電子部品搭載部６０からバンプ５８に効率良く伝達され、銅ベース１２で拡散される。
【００７５】
特に、絶縁樹脂基材５４が高熱伝導性の樹脂材より成るため、薄肉部５４Ｂでの伝熱ロスが少なく、半導体素子２２が発生した熱を一層効率的にバンプ５８、銅ベース５２に伝えることができる。また、バンプ５８が銅ベース５２に一体に設けられているため、例えば別体のバンプ５８を銅ベース５２に接合した如き構成と比較して、これら接合面での熱抵抗が少なく、バンプ５８から銅ベース５２への伝熱性能が良好である。
【００７６】
以上により、回路基板５０では、半導体素子２２からの熱を効率良く放出することができるので、半導体素子２２自体の過熱や局部的な温度上昇が抑制される。このため、半導体素子２２の寿命向上、許容熱量の増加による部品の能力アップ（例えば、供給電流を増すことによる輝度の向上等）を図ることができる。
【００７７】
図１２に示す比較例に係る回路基板１００との比較しつつ補足すると、回路基板５０では、バンプ５８を設けることで、電子部品搭載部６０とバンプ５８すなわち銅ベース５２との間に介在する絶縁樹脂基材５４を薄肉部５４Ｂとしたため、メタルベース１０２と電子部品搭載部１０８との間に厚肉の絶縁層１０４が介在する回路基板１００と比較して、半導体素子２２が発生する熱の放熱性が良好である。
【００７８】
また、本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法では、上記の通り良好な放熱性能を果たすことができる回路基板５０を製造することができる。
【００７９】
なお、上記した各実施形態では、ベース板部として、銅材より成る銅ベース１２、５２を用いた例を示したが、本発明はこれに限定されず、例えば、銅ベース１２等に代えて、アルミ（合金）より成るメタルベースを用いても良い。
【００８０】
また、回路基板１０、５０に実装される電子部品（半導体素子）としては、ＬＥＤには限られず、動作に伴い発熱する各種電子部品とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る回路基板を模式的に示す図であって、図２の１−１線に沿った断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る回路基板を模式的に示す平面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）のそれぞれは、本発明の第１の実施形態に係る回路基板の製造方法のうち、回路パターン基材の準備工程を示す模式図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）のそれぞれは、本発明の第１の実施形態に係る回路基板の製造方法のうち、バンプ形成工程を示す模式図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）のそれぞれは、本発明の第１の実施形態に係る回路基板の製造方法のうち、積層工程を示す模式図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｂ）のそれぞれは、本発明の第１の実施形態に係る回路基板の製造方法のうち、回路形成工程を示す模式図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る回路基板を模式的に示す図であって、図８の７−７線に沿った断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る回路基板を模式的に示す平面図である。
【図９】（Ａ）〜（Ｅ）のそれぞれは、本発明の第２の実施形態に係る回路基板の製造方法のうち、バンプ形成工程を示す模式図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｃ）のそれぞれは、本発明の第２の実施形態に係る回路基板の製造方法のうち、積層工程を示す模式図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｃ）のそれぞれは、本発明の第１の実施形態に係る回路基板の製造方法のうち、回路形成工程を示す模式図である。
【図１２】本発明の実施形態との比較例に係る回路基板を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１０    回路基板
１２    銅ベース（ベース板部）
１４    絶縁樹脂基材（絶縁体、絶縁層）
１８    回路パターン
２２    半導体素子（電子部品）
２６    バンプ（電子部品搭載部、伝熱部）
２６Ａ  電子部品搭載面
３４    銅箔（回路形成用基材）
５０    回路基板
５２    銅ベース（ベース板部）
５４    絶縁樹脂基材（絶縁体、絶縁層）
５４Ｂ  薄肉部（伝熱部）
５６    回路パターン
５８    バンプ（伝熱部）
７２    銅箔（回路形成用基材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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