(57)【要約】【課題】電気光学装置の製造方法において、短絡用配線の下地となる絶縁膜に対して不要なエッチングを殆ど施すことなく、短絡用配線を切断する。【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上に第１の絶縁膜（１２）を形成する工程と、第１の絶縁膜上に、複数の信号線（３ａ）を相互に短絡させる短絡用配線（６１０）を形成する工程と、短絡用配線を覆うように第２の絶縁膜（４１）を形成する工程と、第２の絶縁膜における短絡用配線のうち切断すべき部分（Ｃ）が形成された領域内に切断用孔（８１０）を開孔する工程と、切断すべき部分に対して切断用孔を介してエッチングを施すことにより切断すべき部分を切断する工程とを含む。更に、短絡用配線を形成する工程は、短絡用配線を、切断すべき部分の配線幅（Ｗ１）が切断用孔の径（Ｗ２）よりも大きくなるように、形成する。【選択図】図１１
2008165137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、複数の画素電極と、該画素電極に電気的に接続されたトランジスタと、該トランジスタに電気的に接続された複数の信号線とを備える電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に、前記複数の信号線を相互に短絡させる短絡用配線を形成する工程と、
前記複数の信号線を形成する工程と、
前記トランジスタを形成する工程と、
前記短絡用配線を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜よりも上層側に、前記複数の画素電極を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜における前記短絡用配線のうち切断すべき部分が形成された領域内に切断用孔を開孔する工程と、
前記切断すべき部分に対して前記切断用孔を介してエッチングを施すことにより前記切断すべき部分を切断する工程と
を含み、
前記短絡用配線を形成する工程は、前記短絡用配線を、前記切断すべき部分の配線幅が前記切断用孔の径よりも大きくなるように、形成する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数の信号線を形成する工程は、前記複数の信号線を、前記基板上における一の方向に沿って夫々形成し、
前記短絡用配線を形成する工程は、前記短絡用配線を、前記複数の信号線と互いに同一膜から形成すると共に、前記複数の信号線のうち相隣接する２本の信号線間を繋ぐように、前記一の方向に交わる他の方向に沿って形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記複数の信号線を形成する工程は、前記複数の信号線を、前記基板上における一の方向に沿って夫々形成し、
前記短絡用配線を形成する工程は、前記短絡用配線を、前記複数の信号線と互いに同一膜から形成し、且つ、前記複数の信号線のうち相隣接する２本の信号線間で前記一の方向に沿って延びると共に前記切断すべき部分を含む本線部と、該本線部の両端と前記２本の信号線とを夫々電気的に接続する接続部とを有するように形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記短絡用配線を形成する工程は、前記本線部を、前記切断すべき部分よりも幅が狭い幅狭部分を有するように形成することを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記切断用孔を開孔する工程は、前記切断用孔を、複数箇所に形成することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記複数の信号線を形成する工程は、前記複数の信号線を、前記トランジスタのゲートに電気的に接続された複数の走査線として形成することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記短絡用配線よりも前記第１の絶縁膜を介して下層側に、遮光性材料からなる遮光部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記短絡用配線を形成する工程は、前記短絡用配線を、導電性のポリシリコン膜から形成し、
前記第１の絶縁膜を形成する工程は、前記第１の絶縁膜を、シリケートガラス膜から形成し、
前記第２の絶縁膜を形成する工程は、前記第２の絶縁膜を、シリケートガラス膜から形成する
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置を製造する際、絶縁性の基板上に、半導体膜や各種導電膜を、ドライエッチング法やプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により形成することで、画素電極や、データ線、走査線、走査線及びデータ線と電気的に接続された画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下適宜、“ＴＦＴ”と称する）等が形成される。ところが、製造プロセス中の多数の工程を経るうちに基板に静電気が帯電したり、プラズマＣＶＤ法等の影響で基板表面に電荷が蓄積されたりすることがある。これら静電気や電荷の存在に起因して、走査線等に突発的な過剰電流が発生することがある。このような過剰電流により、走査線の破損や、特に走査線に電気的に接続された又は走査線の一部からなるＴＦＴのゲートとソース・ドレインとの間において絶縁破壊が生じるおそれがある。
【０００３】
そこで、製造工程途中においては走査線やデータ線等の相互の信号線間を電気的に接続する短絡用配線を形成しておき、製造工程中に発生する静電気や電荷を、短絡用配線を通じて基板外周側に拡散させることにより、上記静電気や電荷に起因する突発的な過剰電流がＴＦＴ等に流れないようにする対策が採られている。そして、この短絡用配線は、静電気などからＴＦＴ等の素子や配線を保護するために製造工程途中で必要とされるが、製造工程終了後は不要であり、製造工程終了後は何らかの方法により短絡用配線を切断する必要がある。
【０００４】
短絡用配線の切断は、例えば、ＴＦＴ及び走査線よりも層間絶縁膜を介して上層側に配置されるデータ線を形成した後に、該層間絶縁膜の表面から短絡用配線に至る、該短絡用配線の切断用の孔を開孔し、該切断用の孔を介して短絡用配線に対してエッチングを施すことにより行われる。
【０００５】
配線の切断に関して、例えば特許文献１では、配線にレーザ光を照射して切り離す際に、当該配線の下側のデバイスに悪影響を及ぼすのを防止する技術が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−８５４３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したような切断用の孔は、短絡用配線を確実に切断するために、短絡用配線の幅よりも大きな径或いは幅を有するように形成される。即ち、切断用の孔は、短絡用配線の両側に、該短絡用配線の下地となる絶縁膜が露出するように形成される。このため、切断用の孔をエッチングによって開孔し、続いて短絡用配線をエッチングによって切断する際に、短絡用配線の両側において、下地となる絶縁膜、及び該絶縁膜を介して下層側に配置された例えば下側遮光膜などの各種導電膜に不要なエッチングが施されてしまうおそれがあるという技術的問題点がある。例えば、仮に、下側遮光膜に不要なエッチングが施されてしまうと、光漏れが生じてしまうおそれがある。これにより、表示画像の品質が劣化してしまうおそれがある。
【０００８】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、短絡用配線の下地となる絶縁膜に対して不要なエッチングを殆ど施すことなく、短絡用配線を切断できる電気光学装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素電極と、該画素電極に電気的に接続されたトランジスタと、該トランジスタに電気的に接続された複数の信号線とを備える電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に、前記複数の信号線を相互に短絡させる短絡用配線を形成する工程と、前記複数の信号線を形成する工程と、前記トランジスタを形成する工程と、前記短絡用配線を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜よりも上層側に、前記複数の画素電極を形成する工程と、前記第２の絶縁膜における前記短絡用配線のうち切断すべき部分が形成された領域内に切断用孔を開孔する工程と、前記切断すべき部分に対して前記切断用孔を介してエッチングを施すことにより前記切断すべき部分を切断する工程とを含み、前記短絡用配線を形成する工程は、前記短絡用配線を、前記切断すべき部分の配線幅が前記切断用孔の径よりも大きくなるように、形成する。
【００１０】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、例えばガラス基板、石英基板等である絶縁性の基板上に、例えば、下地絶縁膜としての第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜より上層側に、例えば複数のデータ線、複数の走査線等の複数の信号線、及び画素毎に画素電極を形成する。また、画素毎に、画素電極を駆動するためのトランジスタを、複数の信号線に電気的に接続して形成する。尚、画素電極に電気的に接続された蓄積容量を形成してもよい。
【００１１】
この際、信号線、トランジスタ、画素電極を形成する導電膜や半導体膜を、基板上に積層して形成する。導電膜や半導体膜の形成、又はトランジスタのソース領域及びドレイン領域の形成において、プラズマＣＶＤ法による成膜や不純物イオンのドープにより、基板表面に電荷が蓄積されることがある。このように蓄積された電荷や、静電気に起因して、例えば、走査線等の信号線に突発的な過剰電流が発生すると、信号線や、例えば信号線に電気的に接続された又は信号線の一部からなるゲートを有するトランジスタが破損してしまうおそれがある。
【００１２】
本発明の電気光学装置の製造方法では、第１の絶縁膜を形成する工程によって、基板上に第１の絶縁膜を形成した後、トランジスタを形成する工程によって、トランジスタを構成する半導体膜を成膜する。続いて、複数の信号線を形成する工程によって、複数の信号線を形成すると共に、短絡用配線を形成する工程によって、該複数の信号線を相互に短絡させる短絡用配線を、例えば、該信号線と互いに同一膜から形成する。即ち、例えば、第１の絶縁膜上に前駆膜としての導電膜を成膜し、例えばフォトリソグラフィ法及びエッチング法等によりパターニングすることで、信号線及び短絡用配線を形成する。
【００１３】
そして、複数の信号線及び短絡用配線を形成した後、トランジスタを形成する工程によって、トランジスタを構成する半導体膜に対する不純物イオンのドープを行い、このトランジスタのソース領域又はドレイン領域を形成する。この後、第２の絶縁膜を形成する工程によって、短絡用配線を覆うように、典型的には基板上の全面に、第２の絶縁膜を形成する。第２の絶縁膜を形成した後、画素電極を形成する工程によって、典型的には基板上の積層構造における最上層に、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電膜性膜を成膜して、この導電膜をパターニングして画素電極を形成する。このようにすれば、信号線に蓄積された電荷や静電気を、短絡用配線を介して基板表面外に拡散させることで、いずれかの信号線或いはトランジスタにおける突発的な過剰電流の発生を防止することが可能となる。
【００１４】
ここで、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、切断用孔を開孔する工程によって、第２の絶縁膜における短絡用配線が形成された領域内に、短絡用配線を切断するための切断用孔を、例えばエッチング等によって開孔し、続いて、切断用孔を利用して、短絡用配線を切断する工程が行われる。
【００１５】
本発明では特に、短絡用配線を、当該短絡用配線のうち切断すべき部分の配線幅が、切断用孔の径よりも大きくなるように形成し、第２の絶縁膜における短絡用配線が形成された領域内に、切断用孔を形成する。即ち、切断用孔は、短絡用配線のうち切断すべき部分の一部が露出するように且つ該切断すべき部分の周辺に位置する第１の絶縁膜が露出しないように、形成される。よって、切断用孔を開孔する際に、第１の絶縁膜に対して不要なエッチングを施してしまうことを低減或いは防止できる。従って、例えば、第１の絶縁膜よりも下層側に配置された素子や配線に対して不要なエッチングを施してしまうことを低減或いは防止できる。特に、第１の絶縁膜よりも下層側に配置される、戻り光を遮るための遮光部に不要なエッチングが施されてしまうことを低減或いは防止できる。よって、例えば、トランジスタにおける光リーク電流の発生を低減或いは防止できる。従って、高品質な画像を表示可能な電気光学装置を製造できる。
【００１６】
更に、本発明では特に、切断すべき部分に対して切断用孔を介して、例えば等方性エッチング等のエッチングを施す。よって、切断すべき部分に対して、該切断すべき部分のうち切断用孔から露出している部分から例えば等方的にエッチングを施すことができる。即ち、切断すべき部分のうち切断用孔から露出している部分に対してだけでなく、該露出している部分を囲む部分（即ち、切断用孔から露出していない部分）に対してもエッチングを施すことができる。従って、切断すべき部分を切断できる。
【００１７】
尚、エッチングとしては、等方性ドライエッチングを用いてもよいし、ウエットエッチングを用いてもよい。この場合には、切断すべき部分に対して、該切断すべき部分のうち切断用孔から露出している部分から等方的にエッチングを施すことができ、切断すべき部分をより確実に切断できる。
【００１８】
尚、短絡用配線を切断する工程は、第２の絶縁膜を形成する工程の後であって、画素電極を形成する工程より前か、それよりも後であってもよい。好ましくは、短絡用配線を切断する工程より前であって、短絡用配線を形成する工程より後に画素電極を駆動するための主要な構成要素であるトランジスタ、蓄積容量等を形成する。このようにすれば、画素電極を駆動するための主要な構成要素である、走査線やデータ線等の信号線、或いはトランジスタ等が、静電気等に起因して突発的に発生する過剰電流により、破損するのを防止することが可能となる。いずれにせよ、短絡用配線を切断する工程は、上述の如き信号線を短絡することによる利益がなるべく長期に亘って得られるように、製造工程に不都合がない範囲で、なるべく最終工程近くに行われるとよい。
【００１９】
以上説明したように、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、短絡用配線の下地となる第１の絶縁膜に対して不要なエッチングを殆ど施すことなく、短絡用配線を切断できる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記複数の信号線を形成する工程は、前記複数の信号線を、前記基板上における一の方向に沿って夫々形成し、前記短絡用配線を形成する工程は、前記短絡用配線を、前記複数の信号線と互いに同一膜から形成すると共に、前記複数の信号線のうち相隣接する２本の信号線間を繋ぐように、前記一の方向に交わる他の方向に沿って形成する。
【００２１】
この態様によれば、短絡用配線を、複数の信号線と互いに同一膜から形成する。即ち、短絡用配線及び信号線を、互いに同層に配置された同一種類の膜として連続的に形成する。つまり、短絡用配線及び信号線を、例えば、第１の絶縁膜上に前駆膜としての導電膜を成膜し、例えばフォトリソグラフィ法及びエッチング法等によりパターニングすることで、形成する。よって、短絡用配線を形成することによる製造工程の増加を抑制できる。
【００２２】
更に、短絡用配線を、相隣接する２本の信号線間を繋ぐように、信号線が延びる一の方向に交わる他の方向に沿って形成することで、例えば直線状など比較的単純なパターンで容易に形成できる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記複数の信号線を形成する工程は、前記複数の信号線を、前記基板上における一の方向に沿って夫々形成し、前記短絡用配線を形成する工程は、前記短絡用配線を、前記複数の信号線と互いに同一膜から形成し、且つ、前記複数の信号線のうち相隣接する２本の信号線間で前記一の方向に沿って延びると共に前記切断すべき部分を含む本線部と、該本線部の両端と前記２本の信号線とを夫々電気的に接続する接続部とを有するように形成する。
【００２４】
この態様によれば、切断すべき部分を含む本線部を、短絡すべき２本の信号線間に、該２本の信号線の各々と所定距離だけ離れて、信号線に沿って形成する。よって、切断すべき部分に対してエッチングを施す際、短絡用配線と同一膜からなる信号線にもエッチングが施されてしまうことを抑制或いは防止できる。即ち、信号線と本線部分とは、所定距離だけ離れて、いずれも一の方向に沿って形成されているので、エッチングが他の方向に沿って施されて或いは進行してしまうのを抑制或いは防止できる。言い換えれば、切断すべき部分と信号線との間の同一膜上における距離を、仮に例えば短絡用配線を他の方向に沿った直線状の配線として形成する場合と比べて、長くすることができる。よって、エッチングが信号線に対しても施されてしまうのを抑制或いは防止できる。
【００２５】
上述した、短絡用配線を形成する工程が、短絡用配線を、本線部と接続部とを有するように形成する態様では、前記短絡用配線を形成する工程は、前記本線部を、前記切断すべき部分よりも幅が狭い幅狭部分を有するように形成するようにしてもよい。
【００２６】
この態様によれば、切断すべき部分を切断する工程におけるエッチングが、本線部における切断すべき部分から接続部を介して信号線まで進行してしまうのをより一層確実に抑制或いは防止できる。言い換えれば、幅狭部分を形成することで、切断すべき部分を切断する工程におけるエッチングが当該幅狭部分を介して接続部まで進行してしまうのを抑制できる。
【００２７】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記切断用孔を開孔する工程は、前記切断用孔を、複数箇所に形成する。
【００２８】
この態様によれば、切断用孔を、短絡用配線のうち切断すべき部分が形成された領域内の複数箇所に形成する。よって、切断すべき部分をより確実に切断することができる。即ち、切断すべき部分を切断する工程では、切断すべき部分に対して複数箇所に形成された切断用孔を介してエッチングが施されるので、例えば切断すべき部分において部分的にエッチング量が不足して切断すべき部分が切断されないために信号線間が短絡したままになってしまうことを抑制或いは防止できる。
【００２９】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記複数の信号線を形成する工程は、前記複数の信号線を、前記トランジスタのゲートに電気的に接続された複数の走査線として形成する。
【００３０】
この態様によれば、複数の走査線を短絡用配線によって短絡させた後に、例えば、トランジスタを構成する半導体膜に対する不純物イオンのドープにより、該トランジスタのソース領域又はドレイン領域を形成する。また、複数の走査線を短絡用配線によって短絡させた後に、例えば蓄積容量、データ線、画素電極等を形成する。このようにすれば、走査線に蓄積された電荷や静電気を、走査線や短絡用配線を介して基板表面外に拡散させることで、いずれかの走査線或いはトランジスタのゲートにおける突発的な過剰電流の発生を防止することが可能となる。
【００３１】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記短絡用配線よりも前記第１の絶縁膜を介して下層側に、遮光性材料からなる遮光部を形成する工程を含む。
【００３２】
この態様によれば、遮光部を、例えば、基板上で平面的に見て、相隣接する信号線間に形成される短絡用配線と重なる部分を有するように形成する。即ち、例えば、遮光部を相隣接する信号線間の一部に形成する。よって、基板における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の電気光学装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光が相隣接する信号線間から入射されるのを、遮光部によって低減或いは防止できる。
【００３３】
更に、本発明によれば、短絡用配線の下地となる第１の絶縁膜に対して不要なエッチングが抑制或いは防止されるので、遮光部に対しても不要なエッチングが施されるのを抑制或いは防止できる。
【００３４】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記短絡用配線を形成する工程は、前記短絡用配線を、導電性のポリシリコン膜から形成し、前記第１の絶縁膜を形成する工程は、前記第１の絶縁膜を、シリケートガラス膜から形成し、前記第２の絶縁膜を形成する工程は、前記第２の絶縁膜を、シリケートガラス膜から形成する。
【００３５】
この態様によれば、短絡用配線を、導電性のポリシリコン膜から形成し、第１及び第２の絶縁膜を、例えばノンドープトシリケートガラス（ＮＳＧ）膜やリンシリケートガラス（ＰＳＧ）膜などのシリケートガラス膜から形成する。よって、切断用孔を開孔するために、例えば、第２の絶縁膜に対してエッチングを施す際に、短絡用配線に対してオーバーエッチングしてしまうことを低減できる。更に、短絡用配線の切断すべき部分に対してエッチングを施す際に、第１の絶縁膜に対してオーバーエッチングしてしまうことを低減できる。つまり、本態様によれば、第２の絶縁膜或いは短絡用配線に対してエッチングを施す際に、短絡用配線と第１及び第２の絶縁膜との選択比（即ち、エッチング速度の比）を比較的大きくすることができるので、下層側に位置することになる短絡用配線或いは第１の絶縁膜に対してオーバーエッチングしてしまうことを低減できる。
【００３６】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明に係る電気光学装置の製造方法によって製造される電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００３８】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置及びその製造方法について、図１から図１３を参照して説明する。
【００３９】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００４０】
図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【００４１】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４２】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４３】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してほぼ全面に形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００４４】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００４５】
次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図３を参照して説明する。
【００４６】
図３は、本実施形態に係る液晶装置の複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００４７】
図３において、複数の画素部７００には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、・・・、ＶＳｎが供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。尚、ＴＦＴ３０は、本発明に係る「トランジスタ」の一例である。
【００４８】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されている。走査線駆動回路１０４は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、・・・、ＶＳｎを所定のタイミングで書き込む。尚、データ線６ａに書き込む画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、・・・、ＶＳｎは、この順に線順次に供給してもよいし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４９】
画素電極９ａを介して液晶層５０（図２参照）の液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、・・・、ＶＳｎは、対向基板に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶層５０の液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５０】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図１及び図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられると共に所定電位とされた容量線３００に電気的に接続された固定電位側容量電極を含んでいる。蓄積容量７０によって、各画素電極９ａにおける電荷保持特性は向上されている。尚、容量線３００の電位は、一つの電圧値に常時固定してもよいし、複数の電圧値に所定周期で振りつつ固定してもよい。
【００５１】
以上のような画素部７００が、画像表示領域１０ａにマトリクス状に配列されているので、アクティブマトリクス駆動が可能となっている。
【００５２】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の具体的構成について、図４及び図５を参照して説明する。
【００５３】
図４は、本実施形態に係る液晶装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素部の平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ´断面図である。
【００５４】
図４において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ´により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜からなる。走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。即ち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００５５】
図５に示すように、本実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。このうち画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０には、そのほぼ全面に亘って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述した画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
【００５６】
図５に示すように、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００５７】
図５において、蓄積容量７０は、本発明に係る「第２の絶縁膜」の一例としての第１層間絶縁膜４１を介してＴＦＴ３０の上層側に設けられており、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された下側電極７１と、容量線３００の一部からなる上側電極３００ａが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００５８】
下側電極７１は、導電性のポリシリコン膜からなり、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３を介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。即ち、下側電極７１は、画素電位とされる画素電位側容量電極として機能する。下側電極７１の延在部は、第３層間絶縁膜４３及び第２層間絶縁膜４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８５を介して画素電極９ａと電気的に接続されている。即ち、下側電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的に中継接続する機能をもつ。
【００５９】
層間絶縁膜４１、４２及び４３は夫々、ＮＳＧ膜から形成されている。尚、層間絶縁膜４１、４２及び４３には夫々、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）膜、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）膜等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などを用いることができる。
【００６０】
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜３００ｎｍ程度の比較的薄い窒化シリコン膜から構成されている。
【００６１】
上側電極３００ａは、容量線３００の一部として形成されており、下側電極７１と対向配置された固定電位側容量電極として機能する。容量線３００は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、図４に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。また、容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされている。
【００６２】
図５において、データ線６ａは、蓄積容量７０よりも第２層間絶縁膜４２を介して上層側に設けられている。データ線６ａは、例えばアルミニウム膜等の金属膜或いは合金膜からなる。
【００６３】
図４及び図５に示すように、ＴＦＴ３０よりも、本発明に係る「第１の絶縁膜」の一例としての下地絶縁膜１２を介して、下層側に下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。更に、下側遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、下層側からの戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａを遮光している。下側遮光膜１１ａは、金属又は合金等の遮光性材料を含む単層膜又は多層膜から構成されている。
【００６４】
下地絶縁膜１２は、ＮＳＧ膜から形成されている。下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されており、下側遮光膜１１ａ等とＴＦＴ３０等との間の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。
【００６５】
以上のように、各画素部７００は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、下側遮光膜１０ａと、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａと、ＴＦＴ３０を構成するゲート電極を含む走査線３ａと、蓄積容量７０と、データ線６ａと、画素電極９ａとが、各種絶縁膜１２、２、４１、４２及び４３を介して積層された積層構造を有している。
【００６６】
次に、本実施形態に係る液晶装置の相隣接する走査線間を短絡させる短絡用配線について、図６から図８を参照して説明する。
【００６７】
図６は、本実施形態に係る液晶装置の短絡用配線に係る構成について概略的に示す模式図である。図７は、切断された状態の短絡用配線の構成を示す平面図である。図８は、図７のＢ−Ｂ´断面図である。
【００６８】
図６において、本実施形態に係る液晶装置を製造する製造プロセスでは、相隣接する走査線３ａ間が短絡用配線６１０によって短絡された後、短絡用配線６１０の切断すべき部分Ｃが切断される。短絡用配線６１０は、画素部７００が配列された画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域において、相隣接する走査線３ａを繋ぐように形成される。相隣接する走査線３ａは、短絡用配線６１０に電気的に接続されることにより、短絡される。そして、後述するように例えばＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａに対する不純物イオンのドープ等を行った後に、切断すべき部分Ｃが切断される。
【００６９】
図７及び図８において、短絡用配線６１０は、走査線３ａ（図５参照）と同一膜、即ち、導電性のポリシリコン膜から形成されている。
【００７０】
短絡用配線６１０の切断すべき部分Ｃは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔された切断用孔８１０を介して等方性エッチングが施されることによって切断されている。尚、短絡用配線６１０の形成や、短絡用配線６１０の切断すべき部分Ｃの切断については、後に、より詳細に説明する。
【００７１】
図７及び図８において、短絡用配線６１０よりも下地絶縁膜１２を介して下層側には、図５を参照して上述した下側遮光膜１１ａと同一膜（即ち、金属又は合金等の遮光性材料を含む単層膜又は多層膜）からなる下側遮光膜１１ｂが形成されている。尚、下側遮光膜１１ｂは、本発明に係る「遮光部」の一例である。下側遮光膜１１ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域に、走査線３ａ間の間隙領域を塞ぐように、且つ、複数に分断されて島状に設けられている。下側遮光膜１１ｂによって、当該液晶装置に、下層側からの戻り光が入射するのを防止できる。また、下側遮光膜１１ｂは、複数に分断されて島状に設けられているので、仮に周辺領域に一枚の膜として設けた場合と比較して、クラック或いは割れが生じにくく、装置の信頼性が向上する。
【００７２】
次に、上述した液晶装置を製造する液晶装置の製造方法について、図５に加えて、主に図９から図１３を参照して説明する。
【００７３】
図９は、切断される前の状態の短絡用配線に関する構成を示す平面図である。図１０は、製造プロセスの各工程における短絡用配線に関する構成を、図９のＤ−Ｄ´断面図に対応して順に示す工程図である。図１１は、切断用孔を開孔する工程における短絡用配線に関する構成を示す平面図である。図１２は、図１１のＥ−Ｅ´断面図である。図１３は、短絡用配線の切断すべき部分を切断する工程における短絡用配線に関する構成を、図１２の断面図に対応して示す断面図である。
【００７４】
尚、以下では、短絡用配線６１０に関する製造工程について特に詳しく説明し、図１から図３に示す他の構成要素に係る製造工程の説明については適宜省略する。
【００７５】
先ず、図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに、下側遮光膜１１ａを形成する。
【００７６】
この際、図９及び図１０（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域に、下側遮光膜１１ｂを、下側遮光膜１１ａと同一膜（即ち、金属又は合金等の遮光性材料を含む単層膜又は多層膜）から、島状に複数形成する。
【００７７】
次に、図５及び図１０（ａ）において、ＴＦＴアレイ基板１０上に、下側遮光膜１１ａ及び１１ｂを覆うように、下地絶縁膜１２を形成する。続いて、画像表示領域１０ａでは、下地絶縁膜１２上にＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを形成した後、絶縁膜２を形成する。
【００７８】
次に、図５において、ＴＦＴ３０のゲート電極を含む走査線３ａを形成する。
【００７９】
この際、図９及び図１０（ａ）に示すように、短絡用配線６１０を形成する工程によって、相隣接する走査線３ａ間を繋ぐ短絡用配線６１０を、走査線３ａと同一膜から形成して、相隣接する走査線３ａを短絡用配線６１０によって短絡する。より具体的には、短絡用配線６１０及び走査線３ａを、下地絶縁膜１２上に前駆膜としての導電膜を成膜し、連続的なパターンとして、例えばフォトリソグラフィ法及びエッチング法等によりパターニングすることで、形成する。このため、短絡用配線６１０を形成することによる製造工程の増加を抑制できる。
【００８０】
尚、後述するように、本実施形態では特に、短絡用配線６１０を、切断すべき部分Ｃの配線幅Ｗ１が切断用孔８１０の径Ｗ２（後述する図１１参照）よりも大きくなるように、形成する。
【００８１】
次に、図５において、ＴＦＴ３０を構成する半導体膜１ａに対し、低濃度及び高濃度の２段階で不純物イオンをドープすることにより、半導体膜１ａにおいて、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成する。
【００８２】
本実施形態では、走査線３ａを短絡用配線６１０によって短絡させた後、ＴＦＴ３０を構成する半導体膜１ａに対する不純物イオンのドープを行ったり、後述するデータ線６ａを形成する導電膜を成膜したり、パターニングしたりする。よって、不純物イオンのドープや、プラズマＣＶＤ法による成膜により、ＴＦＴアレイ基板１０表面に蓄積された電荷や静電気を、走査線３ａ或いは短絡用配線６１０を介してＴＦＴアレイ基板１０表面外に拡散させることで、突発的な過剰電流の発生を防止することが可能となる。
【００８３】
次に、図５及び図１０（ｂ）において、ＴＦＴアレイ基板１０上の全面に、例えば、常圧ＣＶＤ法により、第１層間絶縁膜４１を成膜する。尚、このようにして成膜された第１層間絶縁膜４１の表面に対して平坦化処理を施してもよい。
【００８４】
次に、図５において、第１層間絶縁膜４１に、コンタクトホール８３を開孔する。続いて、第１層間絶縁膜４１上に、下側電極７１、誘電体膜７５、及び上側電極３００ａを含む容量線３００をこの順に積層して、蓄積容量７０を形成する。この際、下側電極７１の一部をコンタクトホール８３内に形成することで、下側電極７１を、コンタクトホール８３を介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続させる。
【００８５】
次に、図５及び図１０（ｂ）において、ＴＦＴアレイ基板１０上の全面に、例えば、常圧ＣＶＤ法により、第２層間絶縁膜４２を成膜する。尚、このようにして成膜された第２層間絶縁膜４２の表面に対して平坦化処理を施してもよい。
【００８６】
次に、図５において、コンタクトホール９２を、第２層間絶縁膜４２及第１層間絶縁膜４１を貫通して開孔する。続いて、第２層間絶縁膜４２上に、例えば、スパッタリング法等によりＡｌを含む導電性材料を堆積して、フォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターニングすることで、データ線６ａを形成する。この際、データ線６ａの一部をコンタクトホール９２内に形成することで、データ線６ａを、コンタクトホール９２を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続させる。
【００８７】
次に、図１１及び図１２において、第２層間絶縁膜４２に、切断用孔８１０を形成する。具体的には、先ず、第２層間絶縁膜４２上に、レジスト５１０を、切断用孔８１０を規定するパターンとして形成し、レジスト５１０を介して、例えばドライエッチング法により切断用孔８１０を開孔する。尚、ドライエッチング法により切断用孔８１０を開孔する場合、エッチングガスとしては、例えば八フッ化炭素（Ｃ３Ｆ８）ガスを用いるとよい。また、切断用孔８１０の開孔には、例えばウエットエッチング法を用いてもよく、層間絶縁膜４２及び４１に対して等方性エッチングを施してもよいし、異方性エッチングを施してもよい。
【００８８】
この際、図１１に示すように、本実施形態では特に、切断用孔８１０を、短絡用配線６１０の配線幅Ｗ１よりも小さな径Ｗ２で開孔する。言い換えれば、上述した短絡用配線６１０を形成する工程では、短絡用配線６１０を、切断すべき部分Ｃの配線幅Ｗ１が切断用孔８１０の径Ｗ２よりも大きくなるように、形成する。
【００８９】
つまり、図１１及び図１２に示すように、切断用孔８１０は、短絡用配線６１０のうち切断すべき部分Ｃの一部が露出するように且つ該切断すべき部分Ｃの周辺に位置する下地絶縁膜１２が露出しないように、形成される。よって、切断用孔８１０を開孔する際に、下地絶縁膜１２に対して不要なエッチングを施してしまうことを低減できる。従って、下地絶縁膜１２よりも下層側に配置された下側遮光膜１１ｂに対して不要なエッチングを施してしまうことを低減できる。これにより、下側遮光膜１１ｂが不要なエッチングによって破壊されてしまうことによる、当該液晶装置の動作時における光漏れの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる。この結果、本実施形態に係る液晶装置によれば、高品質な画像を表示可能となる。
【００９０】
次に、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、短絡用配線６１０の切断すべき部分Ｃに対して切断用孔８１０を介して等方性エッチングを施すことにより、切断すべき部分Ｃを切断する。尚、図１３（ａ）は、短絡用配線の切断すべき部分を切断する工程のうち、切断すべき部分Ｃに対して等方性エッチングを施している途中の状態を示しており、図１３（ｂ）は、短絡用配線の切断すべき部分を切断する工程のうち、切断すべき部分Ｃに対して等方性エッチングを施した後の状態を示している。
【００９１】
本実施形態では特に、切断すべき部分Ｃに対して切断用孔８１０を介して等方性エッチングを施すので、切断すべき部分Ｃのうち切断用孔８１０から露出している部分に対してだけでなく、該露出している部分を囲む部分（即ち、切断用孔から露出していない部分）に対しても確実にエッチングを施すことができる。従って、切断すべき部分Ｃを確実に切断できる。
【００９２】
尚、等方性エッチングとしては、エッチングガスとして四フッ化炭素（ＣＦ４）ガスを用いたドライエッチングを用いるとよい。或いは、等方性エッチングとしてウエットエッチングを用いてもよい。
【００９３】
切断すべき部分Ｃを切断する工程の後、ＴＦＴアレイ基板１０上の全面に、例えば、常圧ＣＶＤ法により、第３層間絶縁膜４３を成膜する。尚、このようにして成膜された第３層間絶縁膜４３の表面に対して平坦化処理を施してもよい。続いて、第３層間絶縁膜４３上の画像表示領域１０ａに、ＩＴＯ膜を成膜した後、成膜したＩＴＯ膜をパターニングすることにより、画素電極９ａを形成する。
【００９４】
ここで、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の比較例について、図１４及び図１５を参照して説明する。図１４は、比較例における図１１と同趣旨の平面図である。図１５は、図１４のＦ−Ｆ´断面図である。
【００９５】
図１４及び図１５において、比較例では、ＴＦＴアレイ基板１０上に、相隣接する走査線３ａを短絡する短絡用配線６００ｃが形成される。その後、短絡用配線６００ｃの上層側に層間絶縁膜４１及び４２が形成された状態で、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して切断用孔８００ｃが開孔される。
【００９６】
比較例では、短絡用配線６００ｃを形成する工程において、短絡用配線６００ｃを、当該短絡用配線６００ｃのうち切断すべき部分Ｃの配線幅Ｗ１ｃが、切断用孔８００ｃの径Ｗ２ｃよりも小さくなるように形成し、その後、切断用孔８００ｃを開孔する工程において、切断用孔８００ｃを、切断すべき部分Ｃの配線幅Ｗ１ｃよりも大きな径Ｗ２ｃを有するように形成する。即ち、切断用孔８００ｃは、短絡用配線６００ｃのうち切断すべき部分Ｃが露出するように且つ該切断すべき部分Ｃの周辺に位置する下地絶縁膜１２が露出するように、形成される。よって、切断用孔８００ｃを開孔する際に、下地絶縁膜１２に対してオーバーエッチングを施してしまい、オーバーエッチング部９１０を形成してしまうおそれがある。更に、このようなオーバーエッチングの量が大きくなると、オーバーエッチング部９１０が下地絶縁膜１２の下層側に配置された下側遮光膜１１ｂにまで形成されてしまい、光漏れが発生してしまうおそれがある。その結果、比較例の製造プロセスを経て製造された液晶装置では、画像表示時、表示不良が発生することもある。
【００９７】
これに対して、本実施形態の製造プロセスでは、上述したように、切断用孔８１０を、短絡用配線６１０の配線幅Ｗ１よりも小さな径Ｗ２で開孔するので、切断用孔８１０を開孔する際に、下地絶縁膜１２に対して不要なエッチングを施してしまうことを低減できる。その結果、液晶装置における表示不良を低減できる。
【００９８】
更に、本実施形態では特に、短絡用配線６１０を、導電性のポリシリコン膜から形成し、下地絶縁膜１２及び層間絶縁膜４１及び４２を、ＮＳＧ膜から形成する。よって、切断用孔８１０を開孔するために、層間絶縁膜４１及び４２に対してエッチングを施す際に、短絡用配線６１０に対してオーバーエッチングしてしまうことを低減できる。更に、短絡用配線６１０の切断すべき部分Ｃに対して等方性エッチングを施す際に、下地絶縁膜１２に対してオーバーエッチングしてしまうことを低減できる。つまり、本実施形態によれば、層間絶縁膜４１及び４２或いは短絡用配線６１０に対してエッチングを施す際に、短絡用配線６１０と層間絶縁膜４１及び４２並びに下地絶縁膜１２との選択比（即ち、エッチング速度の比）を比較的大きくすることができるので、下層側に位置することになる短絡用配線６１０或いは下地絶縁膜１２に対してオーバーエッチングしてしまうことを低減できる。
【００９９】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、切断すべき部分Ｃの配線幅Ｗ１が切断用孔８１０の径Ｗ２よりも大きいので、短絡用配線６１０の下地となる下地絶縁膜１２に対して不要なエッチングを殆ど施すことがない。更に、短絡用配線６１０を等方性エッチングにより確実に切断できる。
【０１００】
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図１６を参照して説明する。ここに図１６は、第２実施形態における図１１と同趣旨の平面図である。尚、図１６において、図１から図１３に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【０１０１】
第２実施形態に係る液晶装置の製造方法は、上述した第１実施形態における短絡用配線６１０に代えて短絡用配線６２０を形成する点、及び上述した第１実施形態における切断用孔８１０に代えて切断用孔８２０を開孔する点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置の製造方法と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置の製造方法と概ね同様である。
【０１０２】
尚、第２実施形態では、短絡用配線６２０の切断すべき部分Ｃに対して切断用孔８２０を介して等方性エッチングを施す。この点については、上述した第１実施形態において、短絡用配線６１０の切断すべき部分Ｃに対して切断用孔８１０を介して等方性エッチングを施すのと同様である。
【０１０３】
図１６において、本実施形態では特に、短絡用配線６２０を形成する工程において、短絡用配線６２０を、走査線３ａと互いに同一膜から形成し、且つ、相隣接する２本の走査線３ａ間でＸ方向（即ち、走査線３ａが延びる方向）に沿って延びると共に切断すべき部分Ｃを含む本線部６２１と、該本線部６２１の両端と前記２本の走査線３ａとを夫々接続する接続部６２２とを有するように形成する。言い換えれば、切断すべき部分Ｃを含む本線部６２１を、短絡すべき２本の走査線３ａ間に、該２本の走査線３ａの各々と所定距離Ｌ１だけ離れて、走査線３ａに沿って形成する。よって、切断すべき部分Ｃに対して等方性エッチングを施す際、短絡用配線６２０と同一膜からなる走査線３ａにも等方性エッチングが施されてしまうことを防止できる。即ち、走査線３ａと本線部分６２１とは、所定距離Ｌ１だけ離れて、いずれもＸ方向に沿って形成されているので、等方性エッチングがＹ方向に沿って進行してしまうのを防止できる。言い換えれば、切断すべき部分Ｃと走査線３ａとの間の同一膜上における距離を、仮に短絡用配線６２０をＹ方向に沿った直線状の配線として形成する場合と比べて、長くすることができる。従って、等方性エッチングが走査線３ａに対しても施されてしまうのを防止できる。
【０１０４】
尚、切断用孔８２０を開孔する工程は、切断用孔８２０を、短絡用配線６２０の配線幅Ｗ３よりも小さな径Ｗ４で開孔する。言い換えれば、上述した短絡用配線６２０を形成する工程では、短絡用配線６２０を、切断すべき部分Ｃの配線幅Ｗ３が切断用孔８２０の径Ｗ４よりも大きくなるように、形成する。
【０１０５】
＜第３実施形態＞
第３実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図１７を参照して説明する。ここに図１７は、第３実施形態における図１１と同趣旨の平面図である。尚、図１７において、図１から図１３に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【０１０６】
第３実施形態に係る液晶装置の製造方法は、上述した第１実施形態における短絡用配線６１０に代えて短絡用配線６３０を形成する点、及び上述した第１実施形態における切断用孔８１０に代えて切断用孔８３０を開孔する点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置の製造方法と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置の製造方法と概ね同様である。
【０１０７】
尚、第３実施形態では、短絡用配線６３０の切断すべき部分Ｃに対して切断用孔８３０を介して等方性エッチングを施す。この点については、上述した第１実施形態において、短絡用配線６１０の切断すべき部分Ｃに対して切断用孔８１０を介して等方性エッチングを施すのと同様である。
【０１０８】
図１７において、本実施形態では特に、短絡用配線６３０を形成する工程において、短絡用配線６３０を、走査線３ａと互いに同一膜から形成し、且つ、相隣接する２本の走査線３ａ間でＸ方向（即ち、走査線３ａが延びる方向）に沿って延びると共に切断すべき部分Ｃを含む本線部６３１と、該本線部６３１の両端と前記２本の走査線３ａとを夫々接続する接続部６３２とを有するように形成する。更に、短絡用配線６３０を形成する工程では、本線部６３１を、切断すべき部分Ｃを構成する切断部分６３１ａと、該切断部分６３１及び接続部６３２間を繋ぐと共に切断部分６３１ａよりも幅が狭い幅狭部分６３２ａとを有するように形成する。
【０１０９】
よって、切断すべき部分Ｃを切断する工程における等方性エッチングが、本線部６３１における切断すべき部分Ｃ（即ち、切断部分６３１ａ）から接続部６３２を介して走査線３ａまで進行してしまうのをより一層確実に防止できる。言い換えれば、幅狭部分６３１ｂを形成することで、切断すべき部分Ｃを切断する工程における等方性エッチングが当該幅狭部分６３１ｂを介して接続部６３２、更には走査線３ａにまで進行してしまうのをより一層確実に防止できる。
【０１１０】
尚、切断用孔８３０を開孔する工程は、切断用孔８３０を、短絡用配線６３０の切断部分６３１ａの配線幅Ｗ５よりも小さな径Ｗ６で開孔する。言い換えれば、上述した短絡用配線６３０を形成する工程では、短絡用配線６３０を、切断部分６３１ａの配線幅Ｗ５が切断用孔８３０の径Ｗ６よりも大きくなるように、形成する。
【０１１１】
＜第４実施形態＞
第４実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図１８を参照して説明する。ここに図１８は、第４実施形態における図１１と同趣旨の平面図である。尚、図１８において、図１６に示した第２実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【０１１２】
第４実施形態に係る液晶装置の製造方法は、上述した第２実施形態における切断用孔８２０に代えて切断用孔８４１及び８４２を開孔する点で、上述した第２実施形態に係る液晶装置の製造方法と異なり、その他の点については、上述した第２実施形態に係る液晶装置の製造方法と概ね同様である。
【０１１３】
尚、第４実施形態では、短絡用配線６４０の切断すべき部分Ｃに対して切断用孔８４１及び８４２を介して等方性エッチングを施す。この点については、上述した第１実施形態において、短絡用配線６１０の切断すべき部分Ｃに対して切断用孔８１０を介して等方性エッチングを施すのと概ね同様である。
【０１１４】
図１８において、本実施形態では特に、切断用孔８４１及び８４２を開孔する工程は、切断用孔８４１及び８４２を、切断すべき部分Ｃが形成された領域内におけるＸ方向に並んだ２箇所に夫々形成する。
【０１１５】
よって、切断すべき部分Ｃをより確実に切断することができる。即ち、切断すべき部分Ｃを切断する工程では、切断すべき部分Ｃに対して２つの切断用孔８４１及び８４２を介して等方性エッチングが施されるので、例えば切断すべき部分Ｃにおいて部分的にエッチング量が不足して切断すべき部分Ｃが切断されないために、相隣接する走査線３ａ間が短絡したままになってしまうことを防止できる。
【０１１６】
尚、本実施形態では、２つの切断用孔８４１及び８４２を開孔するようにしたが、切断用孔を、切断すべき部分Ｃ内において、例えば３箇所、４箇所、・・・など、２箇所よりも多くの箇所に開孔するようにしてもよい。
【０１１７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
【図４】第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´断面図である。
【図６】第１実施形態に係る液晶装置の短絡用配線の模式図である。
【図７】切断された状態の短絡用配線の構成を示す平面図である。
【図８】図７のＢ−Ｂ´断面図である。
【図９】切断される前の状態の短絡用配線に関する構成を示す平面図である。
【図１０】製造プロセスの各工程における短絡用配線に関する構成を示す工程図である。
【図１１】切断用孔を開孔する工程における短絡用配線に関する構成を示す平面図である。
【図１２】図１１のＥ−Ｅ´断面図である。
【図１３】切断すべき部分を切断する工程における短絡用配線に関する構成を示す断面図である。
【図１４】比較例における図１１と同趣旨の平面図である。
【図１５】図１４のＦ−Ｆ´断面図である。
【図１６】第２実施形態における図１１と同趣旨の平面図である。
【図１７】第３実施形態における図１１と同趣旨の平面図である。
【図１８】第４実施形態における図１１と同趣旨の平面図である。
【符号の説明】
【０１１９】
３ａ…走査線、６ａ…データ線、７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ、１１ｂ…下側遮光膜、１２…下地絶縁膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、３０…トランジスタ、４１、４２、４３…層間絶縁膜、５０…液晶層、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、７０…蓄積容量、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、６１０…短絡用配線、８１０…切断用孔、Ｃ…切断すべき部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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