(57)【要約】【課題】透過部の突起からの光洩れを抑制してコントラストが高く、開口度が大きくて明るい表示が可能な液晶表示パネルを提供すること。【解決手段】本発明の液晶表示パネル１０Ａは、各画素に設けられたスイッチング素子ＴＦＴと画素電極１９がコンタクトホール２０を介して電気的に接続された第１基板と、共通電極上でかつ前記各画素に対応する位置に液晶分子の傾斜を規制する少なくとも一つの突起３１が形成された第２基板と、前記第１及び第２基板上にそれぞれ積層された垂直配向膜と、前記第１及び第２基板間に配置された誘電率異方性が負の液晶層と、を有し、前記第２基板に設けられている突起３１には、平面視において前記突起３１の底部の周辺部を覆うとともに、前記突起３１よりも小さい開口３７を有する遮光膜３６が形成されていることを特徴とする。【選択図】  図１
2008116528.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された各画素にスイッチング素子及び画素電極が形成された第１基
板と、
共通電極上でかつ前記各画素に対応する位置に液晶分子の傾斜を規制する少なくとも一
つの突起が形成された第２基板と、
前記第１及び第２基板上にそれぞれ積層された垂直配向膜と、
前記第１及び第２基板間に配置された誘電率異方性が負の液晶層と、
を有する液晶表示パネルにおいて、
平面視において前記突起の周辺部を覆うとともに、前記突起よりも小さい開口を有する
遮光膜が前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板に形成されていることを
特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
前記遮光膜は、平面視において前記突起の底面と同じ大きさ又は前記突起の底面よりも
大きい形状を有していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記画素電極の下部又は表面には部分的に反射膜を有する反射部が形成され、前記突起
は前記反射膜が設けられていない透過部の画素電極と対向する位置に設けられていること
を特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記遮光膜は、前記第１基板に形成されており、前記第１基板における前記スイッチン
グ素子を形成する際に、スイッチング素子の一部の材料と同一な材料によって形成された
ものであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記遮光膜は、前記第１基板に形成されており、前記反射膜と同一な材料からなり、前
記反射膜の形成と同時に形成されたものであることを特徴とする請求項３に記載の液晶表
示パネル。
【請求項６】
前記遮光膜は、前記第２基板に形成されており、前記第２基板における画素を区切るブ
ラックマトリクスと同一な材料からなり、前記ブラックマトリクスの形成と同時に形成さ
れたものであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
前記第１基板上のスイッチング素子及び画素電極は互いに層間絶縁膜を介して電気的に
絶縁した状態で設けられ、
前記反射部において前記層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して前記画素電極
とスイッチング素子の電極とが電気的に接続され、
前記コンタクトホールに対向する第２基板側の位置には、突起及び平面視で該突起の底
部全面を覆う遮光膜が設けられていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示パネル
。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルに関し、特に明るく、コントラスト及び表示品質の良好なＭ
ＶＡ(Multi-domain Vertically Aligned)方式の透過型ないし半透過型の液晶表示パネル
に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示装置の適用が急速に
普及している。液晶表示パネルは、自ら発光しないために、バックライトを備えた透過型
の液晶表示装置が多く使用されているが、バックライトの消費電力が大きいために、特に
携帯型のものについては消費電力を減少させるためにバックライトを必要としない反射型
の液晶表示パネルが用いられている。しかしながら、この反射型液晶表示パネルは、外光
を光源として用いるために、暗い室内などでは見え難くなってしまう。そこで、近年に至
り特に透過型と反射型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示パネルの開発が進められてき
ている。
【０００３】
この半透過型の液晶表示パネルは、一つの画素領域内に画素電極を備えた透過部と画素
電極及び反射板の両方を備えた反射部とを有しており、暗い場所においてはバックライト
を点灯して画素領域の透過部を利用して画像を表示し、明るい場所においてはバックライ
トを点灯することなく反射部において外光を利用して画像を表示しているため、常時バッ
クライトを点灯する必要がなくなるので、消費電力を大幅に低減させることができるとい
う利点を有している。
【０００４】
ところで、携帯電話等に代表されるモバイル機器における小型の表示部には、その使用
者が限定されていること等から、液晶表示パネルに対する広視野角の要求は従来さほど高
くはなかった。しかしながら、近年のますます高機能化するモバイル機器においても、表
示部における液晶表示パネルの広視野角の要求が急激に高まってきている。このようなモ
バイル機器に対する広視野角化の要求に基づき、従来モバイル機器に多用されていたＴＮ
方式の液晶表示パネルに換えて、ＭＶＡ方式の透過型液晶表示パネルだけでなく、半透過
型液晶表示パネルの開発も最近では進められてきている（下記特許文献１、２参照）。
【０００５】
ここで、下記特許文献２に開示されているＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルについ
て図７及び図８を用いて説明する。なお、図７（ａ）はＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パ
ネルの概略的な構造を示す斜視図であり、図７（ｂ）は液晶に電界を印加したときの液晶
分子の傾斜状態を示す概略図であり、図８は図７（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【０００６】
この半透過型液晶表示パネル５０においては、反射部５１と透過部５２との間には傾斜
面または段差５３が設けられており、反射部５１と透過部５２とは段差５３を介して連続
している。半透過型液晶表示パネル５０における第１基板５４の画素電極５５には、画素
電極５５が形成されていない領域としての第１開口領域５６が形成されている。この第１
開口領域５６が第１の配向分割手段を構成し、段差５３を挟んで反射部５１及び透過部５
２にまたがって形成されている。この結果、反射部５１における画素電極５５ａと透過部
５２における画素電極５５ｂとは半透過型液晶表示パネル５０の長さ方向に延びる一個の
ライン５７を介して相互に接続されている。
【０００７】
第２基板５８の共通電極５９には、反射部５１における画素電極５５ａ及び透過部５２
における画素電極５５ｂに対向して、それぞれ第２開口領域６０ａ、６０ｂが形成されて
いる。この第２開口領域６０ａ、６０ｂが第２の配向分割手段を構成する。第２開口領域
６０ａ、６０ｂは十字型のスリットとして構成されており、鉛直方向において、第２開口
領域６０ａの中心が画素電極５５ａの中心と一致するように、さらに、第２開口領域６０
ｂの中心が画素電極５５ｂの中心と一致するように配置されている。
【０００８】
この半透過型液晶表示パネル５０は、図７（ｂ）及び図８に示すように、液晶層に電界
を印加したとき、液晶分子６１は誘電率異方性が負であるため、段差５３における第１開
口領域５６上においては、液晶分子６１は共通電極５９側におけるライン５７の方向に傾
斜し、反射部５１及び透過部５２上においては、共通電極５９における反射部５１に対応
する領域の中心又は透過部５２に対応する領域の中心に傾斜する。このように、半透過型
液晶表示パネル５０においては、液晶分子６１の配向方向が一意に定まるので、視覚特性
の悪化や応答速度の劣化を低減することができるというものである。
【０００９】
上述のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０は、第１基板５４側の反射部５１と透
過部５２との間に段差５３を設けて、周知のように反射部５１におけるセルギャップｄ１
と透過部におけるセルギャップｄ２との関係がｄ１＝（ｄ２）／２となるようにして、反
射部５１における表示画質と透過部における表示画質が同じになるように調整されている
が、このようなセルギャップ調整のための構成を第２基板側に設けたＭＶＡ方式の半透過
型液晶表示パネルも知られている。
【００１０】
このセルギャップ調整のための構成であるトップコート層を第２基板側に設けた従来例
に係るＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの一例を図９及び図１０を用いて説明する。
なお、図９はセルギャップ調整のためのトップコート層を第２基板側に設けた従来の半透
過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１サブ画素分の平面図であり、また、図
１０は図９のＣ−Ｃ断面図である。
【００１１】
このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０においては、アレイ基板ＡＲの透明な絶
縁性を有するガラス基板７１上には複数の走査線７２及び信号線７３がそれぞれ直接ない
し無機絶縁膜７４を介してマトリクス状に形成されている。ここで、走査線７２と信号線
７３とで囲まれた領域が１サブ画素に相当し、スイッチング素子となるＴＦＴ（Thin Fil
m Transistor）（図示せず）がそれぞれの画素毎に形成されており、各画素のＴＦＴ等の
表面は保護絶縁膜８３で被覆されている。
【００１２】
そして、走査線７２、信号線７３、無機絶縁膜７４、保護絶縁膜８３等を覆うようにし
て、反射部７５においては表面に微細な凹凸部が形成され、透過部７６においては表面が
平坦に形成された有機絶縁膜からなる層間膜７７が積層されている。なお、図９及び図１
０においては反射部７５の凹凸部は省略してある。そして層間膜７７にはＴＦＴのドレイ
ン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール８０が設けられ、それぞれの画素において、
コンタクトホール８０上及び層間膜７７の表面には、反射部７５に例えばアルミニウム金
属からなる反射板７８が設けられ、この反射板７８の表面及び透過部７６の層間膜７７の
表面には例えばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide)からなる透
明な画素電極７９が形成されている。
【００１３】
そして、反射部７５側においては、層間膜７７の反射板７８が存在する位置の下側に補
助容量線８１が配置され、また、平面視で、反射板７８及び画素電極７９は隣接する画素
の反射板及び画素電極とは接しないで、かつ走査線７２及び信号線７３とは同じく光漏れ
を防止するために若干重なるようにして形成されており、透過部７６側における画素電極
７９は隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないでかつ走査線７２及び信号線７３
と若干重なるように形成されている。
【００１４】
また、このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０においては、画素電極７９の反射
部７５と透過部７６の境界領域で液晶分子の配向を規制するためにスリット９３が設けら
れて、画素電極７９は実質的に反射部７５の画素電極７９ａと透過部７６の画素電極７９
ｂに分割されており、反射部７５の画素電極７９ａと透過部７６の画素電極７９ｂとは幅
の狭い部分９４を介して電気的に接続されている。そして、画素電極７９の表面には全て
の画素を覆うように垂直配向膜（図示せず）が積層されている。
【００１５】
また、カラーフィルタ基板ＣＦの透明な絶縁性を有するガラス基板８５の表示領域上に
は、それぞれの画素に対応して形成される例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の
うち何れか一色からなるストライプ状のカラーフィルタ層８６が設けられているとともに
、このカラーフィルタ層８６の表面には共通電極８７が設けられている。また、反射部７
５と透過部７６とで同じ厚さのカラーフィルタ層８６を使用するため、反射部７５のカラ
ーフィルタ層８６の一部分に所定の厚さのトップコート層８８が設けられている。このト
ップコート層８８は、反射部７５全体にわたって設けられており、その厚さは反射部７５
における液晶層の厚さ、いわゆるセルギャップｄ１が透過部７６のセルギャップｄ２の半
分となるように、すなわちｄ１＝（ｄ２）／２となるようにされている。
【００１６】
加えて、透過部７６に位置するカラーフィルタ層８６の表面の一部及び反射部７５に位
置するトップコート層８８の表面の一部にそれぞれ液晶分子の配向を規制するための突起
９１及び９２がそれぞれ設けられており、また、共通電極８７、トップコート層８８及び
突起９１、９２の表面には垂直配向膜（図示せず）が積層されている。
【００１７】
そして、前記アレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを互いに対向させ、両基板の
周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電率異方性を有
する液晶を充填することによりＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０となる。なお、
前記アレイ基板ＡＲの下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有する
バックライト装置が配置されている。
【００１８】
このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０においては、画素電極７９と共通電極８
７間に電界が印加されない状態においては、液晶層８９の液晶分子は長軸が画素電極７９
及び共通電極８７の表面に対して垂直をなすように配向されているため、光が透過しない
状態となり、しかも、画素電極７９と共通電極８７間に電界が印加されたときには光が透
過するため、透過部における光漏れはあまり表示画質に影響しなくなり、更には画素電極
７９のスリット９３及び突起９１，９２の存在により、液晶分子は突起９１ないし９２に
向かうように傾斜するため、視野角が非常に広くなるという特性を備えている。
【００１９】
しかしながら、電圧無印加の状態でカラーフィルタ基板ＣＦに形成した突起９１，９２
の近傍においては、液晶分子は突起９１、９２の頂面部分に対しては第２基板に対して垂
直に配向されているが、突起９１、９２の頂面以外の部分ではその傾斜角度に影響されて
カラーフィルタ基板ＣＦに対して斜めに傾斜して配向されてしまう。そのため、電界無印
加時にこの突起の近傍より光洩れが発生し、コントラストが低下するという問題点が存在
する。このようなＭＶＡ方式の液晶表示パネルにおける突起に起因する問題点は下記特許
文献３にも示されており、下記特許文献３に開示された発明では、突起の存在による配向
の乱れに基づく光漏れを防止してコントラストを向上させる目的で、突起に対応する位置
に遮光膜を設けることが示されている。
【００２０】
また、発明者等は、ＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルにおけるコンタクトホールに
おける液晶分子の配向の乱れに起因する光漏れを防止する目的で、コンタクトホールに対
向する位置に突起を形成するとともに、突起に対応する位置に遮光膜を形成したものを、
既に特願２００６−０２１９２１号として特許出願している。
【特許文献１】特開２００３−１６７２５３号公報（特許請求の範囲、段落［００５０］〜［００５７］、図１）
【特許文献２】特開２００４−０６９７６７号公報（特許請求の範囲、段落［００４４］〜［００５３］、図１）
【特許文献３】特開２００５−１７３１０５号公報（特許請求の範囲、段落［０００３］〜［０００４］、図３、図４）
【特許文献４】特願２００６−０２１９２１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
上記特許文献３及び４に開示されている発明のように、突起に対応する位置に遮光膜を
設けると、この突起の部分は完全に遮光することができるから、突起ないしコンタクトホ
ールに起因する液晶分子の配向の乱れによる光漏れを防止することができ、その結果、コ
ントラストが良好なＭＶＡ方式の液晶表示パネルが得られるという優れた効果を奏するも
のである。
【００２２】
しかしながら、このように突起に対応する位置に遮光膜を設けると、その分だけ開口度
が小さくなって表示領域の減少に繋がり、表示領域の明るさが減少してしまうという新た
な問題点が生じる。このような表示領域の明るさが減少するという問題点は、消費電力を
抑制するために高出力のバックライト光源を使用し難い携帯型の液晶表示パネルについて
は特に大きく現れる。
【００２３】
発明者等は、配向規制手段として突起を有するＭＶＡ方式の液晶表示パネルの開口度を
大きくすべく種々実験を繰り返した結果、突起に起因する電界無印加時の光漏れは液晶分
子の長軸が共通電極に対して傾いている突起の端の部分でのみ生じるものであって、突起
の中心部では液晶分子は長軸が共通電極に対して垂直に配向しているために光漏れが生じ
ないこと、そのため、平面視において突起の底部の全てを遮光する必要はなく、突起の底
部の周辺部を覆うとともに突起よりも小さい開口を形成することにより突起に起因する光
漏れの防止と開口度の向上を達成できることを見出し、本発明を完成するに至ったのであ
る。
【００２４】
この突起に起因する電界無印加時の光漏れ現象を図１１及び図１２を用いて詳細に説明
する。なお、図１１は、図９及び図１０に示した従来例の液晶表示パネル７０における電
界無印加時の突起９１部分の光漏れ状態を隣り合うＲ、Ｂ、Ｇの３サブ画素分について示
した拡大平面図であり、図１２は液晶分子の配向状態を示す図９のＤ−Ｄ線に沿ったカラ
ーフィルタ基板ＣＦ側の拡大断面図である。
【００２５】
画素電極７９と共通電極８７との間に電界が印加されていないとき、本来は黒表示とな
る場合であるが、図９の記載からして明らかなように、僅かに光漏れが生じており、この
光漏れが生じている部分は突起９１の端の部分だけであって、突起９１の中心部からは光
漏れが生じていないことが分かる。このときの液晶分子の配向状態は図１２に示したとお
りとなる。すなわち、電界無印加時に液晶分子は配向膜に垂直に配向するため、突起９１
の周囲の平坦部においては液晶分子の配向状態は共通電極８７に対して垂直方向であるた
めに光漏れは生じない。また、突起９１の中心部においては、液晶分子の配向状態は共通
電極８７に対して垂直方向ないし垂直方向からの傾きが僅かであるために実質的に光漏れ
は生じない。これに対して、突起９１の端の部分においては、液晶分子は共通電極８７に
対して垂直方向から大きく傾くために、光漏れが生じてしまう。
【００２６】
そこで、本発明は、液晶分子の配向規制手段として突起を備えたＭＶＡ方式の透過型な
いし半透過型の液晶表示パネルにおいて、突起に起因した配向不良を防止して電界無印加
時の光漏れを減少させ、コントラストを向上させるとともに明るい表示が可能な液晶表示
パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
上記課題を解決するため、本発明の液晶表示パネルは、マトリクス状に配置された各画
素にスイッチング素子及び画素電極が形成された第１基板と、共通電極上でかつ前記各画
素に対応する位置に液晶分子の傾斜を規制する少なくとも一つの突起が形成された第２基
板と、前記第１及び第２基板上にそれぞれ積層された垂直配向膜と、前記第１及び第２基
板間に配置された誘電率異方性が負の液晶層と、を有する液晶表示パネルにおいて、平面
視において前記突起の周辺部を覆うとともに、前記突起よりも小さい開口を有する遮光膜
が前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板に形成されていることを特徴と
する。
【００２８】
また、本発明は、上記液晶表示パネルにおいて、前記遮光膜は、平面視において前記突
起の底面と同じ大きさ又は前記突起の底面よりも大きい形状を有していることを特徴とす
る。
【００２９】
また、本発明は、上記液晶表示パネルにおいて、前記画素電極の下部又は表面には部分
的に反射膜を有する反射部が形成され、前記突起は前記反射膜が設けられていない透過部
の画素電極と対向する位置に設けられていることを特徴とする。
【００３０】
また、本発明は、上記液晶表示パネルにおいて、前記遮光膜は、前記第１基板に形成さ
れており、前記第１基板における前記スイッチング素子を形成する際に、スイッチング素
子の一部の材料と同一な材料によって形成されたものであることを特徴とする。
【００３１】
また、本発明は、上記液晶表示パネルにおいて、前記遮光膜は、前記第１基板に形成さ
れており、前記反射膜と同一な材料からなり、前記反射膜の形成と同時に形成されたもの
であることを特徴とする。
【００３２】
また、本発明は、上記液晶表示パネルにおいて、前記遮光膜は、前記第２基板に形成さ
れており、前記第２基板における画素を区切るブラックマトリクスと同一な材料からなり
、前記ブラックマトリクスの形成と同時に形成されたものであることを特徴とする。
【００３３】
また、本発明は、上記液晶表示パネルにおいて、前記第１基板上のスイッチング素子及
び画素電極は互いに層間絶縁膜を介して電気的に絶縁した状態で設けられ、前記反射部に
おいて前記層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して前記画素電極とスイッチング
素子の電極とが電気的に接続され、前記コンタクトホールに対向する第２基板側の位置に
は、突起及び平面視で該突起の底部全面を覆う遮光膜が設けられていることを特徴とする
。
【発明の効果】
【００３４】
本発明は、上記のような構成を備えることにより以下に述べるような優れた効果を奏す
る。すなわち、本発明の液晶表示パネルによれば、第１及び第２基板の少なくとも一方の
基板に設けられている突起には、平面視において突起の底部の周辺部を覆うとともに、こ
の突起よりも小さい開口を有する遮光膜を形成したため、平面視で突起の光漏れする部分
は遮光膜で遮光されているが、光漏れが生じない突起の中心部には遮光膜が形成されてい
ない。
【００３５】
したがって、本発明の液晶表示パネルによれば、突起の存在に起因する液晶分子の配向
の乱れによる光漏れを有効に抑制しつつ、突起の光漏れに関与しない部分を有効な表示領
域として利用することができるようになるため、コントラストが良好で明るく、しかも広
視野角のＭＶＡ方式の液晶表示パネルが得られる。
【００３６】
また、本発明の液晶表示パネルによれば、遮光膜は突起と同一の大きさ又は前記突起よ
りも大きい形状を有しているため、更に光漏れを良好に減少させることができる。なお、
遮光膜の大きさは平面視において突起の底部と同じか僅かに大きければよく、突起の底部
より大きくすればするほど光漏れを有効に遮断させることができるが、余り大きくすると
開口率が小さくなって表示が暗くなるため好ましくない。
【００３７】
また、本発明の液晶表示パネルによれば、上記効果を奏する半透過型液晶表示パネルが
得られる。
【００３８】
また、本発明の液晶表示パネルによれば、スイッチング素子の形成の際に、遮光膜をス
イッチング素子の一部の材料、具体的にはゲート電極Ｇや、ソース電極Ｓ、ドレイン電極
Ｄを形成する際の金属材料、と同一な材料で、これらと同時に形成することができるため
、特に遮光膜を形成するための工程数を増やす必要がなくなり、遮光膜を簡単に形成する
ことができるようになる。
【００３９】
また、本発明の液晶表示パネルによれば、遮光膜を反射膜と同じ材料で且つ同時に形成
することができるため、特に遮光膜を形成するための工程数を増やす必要がなくなり、遮
光膜を簡単に形成することができるようになる。
【００４０】
また、本発明の液晶表示パネルによれば、遮光膜をブラックマトリクスと同材料で且つ
同時に形成することができるため、特に遮光膜を形成するための工程数を増やす必要がな
くなり、遮光膜を簡単に形成することができるようになる。
【００４１】
また、本発明の液晶表示パネルによれば、半透過型液晶表示パネルでは、スイッチング
素子上も有効に表示に利用できるようにするために、スイッチング素子は反射部に設けら
れるため、スイッチング素子の電極と画素電極との導通という役割を担うコンタクトホー
ルは、反射部に形成する方が、スイッチング素子に近い場所に形成されることになるため
確実な導通をとりやすく、さらに開口面積の低下を防ぐことができるようになる。
【００４２】
しかも、コンタクトホールは通常円形状ないしは方形状の開口を備えており、このコン
タクトホール部分では液晶分子の配向に乱れが生じるために電界無印加時に光漏れが生じ
る可能性がある。しかしながら、本発明ではこのコンタクトホールに対向するカラーフィ
ルタ基板に相当する第２基板側には平面視で底部全面を覆う遮光膜が形成された突起が設
けられているため、突起によりコンタクトホール部における液晶分子の配向を規制しやす
くなるとともに、コンタクトホールからの光洩れ及び突起近傍の液晶分子の配向不良に起
因した光洩れの双方を同時に遮断することができる。このため、半透過型であっても良好
なコントラストが得られ、しかも明るい表示が可能な液晶表示パネルが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明を実施するための最良の形態を実施例及び図面を用いてより具体的に説明
する。なお、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための半透過型ないし
透過型液晶表示パネルを示すものであるが、本発明をここに記載したものに限定すること
を意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく
種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。
【実施例１】
【００４４】
実施例１に係るＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルを図１及び図２に示す。なお図１
は、半透過型液晶表示パネル１０Ａの１サブ画素部分をカラーフィルタを透視して表した
概略平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００４５】
このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａは、アレイ基板ＡＲのガラス基板等か
らなる透明基板１１の表面にマトリクス状に形成された複数本の走査線１２及び信号線１
３と、これらの複数本の走査線１２間に設けられた走査線１２と平行な複数本の補助容量
線２１と、ソース電極Ｓ、ゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄ、及び半導体膜２２とからなる
ＴＦＴと、走査線１２と信号線１３とで囲まれた領域を覆う画素電極１９と、が設けられ
ている。ここで、それぞれの走査線１２と信号線１３とで囲まれた領域が１サブ画素に相
当する。
【００４６】
そして、走査線１２、ゲート電極Ｇ、補助容量線２１及び露出している透明基板１１の
表面は第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜ともいわれる）１４によって被覆され、この第１の絶
縁膜１４の表面には、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層とその表面に形成され
たオーミックコンタクト層となるｎ＋ａ−Ｓｉ層とからなる半導体膜２２、ソース電極Ｓ
及びドレイン電極ＤからなるＴＦＴが形成されているとともに、信号線１３も形成されて
おり、更にこれらの表面全体が第２の絶縁膜（保護絶縁膜ないしパッシベーション膜とも
いわれる）２３によって被覆されている。そして、ドレイン電極Ｄは第１の絶縁膜１４の
表面を補助容量線２１の上部にまで延在されており、このドレイン電極Ｄと補助容量線２
１との間で補助容量が形成されている。
【００４７】
更に、この第２の絶縁膜２３の表面には、反射部１５においては表面に微細な凹凸部が
形成され、透過部１６においては表面が平坦に形成されたフォトレジスト等の有機絶縁膜
からなる層間膜（平坦化膜ともいわれる）１７が形成され、補助容量線２１上に位置する
第２の絶縁膜２３及び層間膜１７の表面にはコンタクトホール２０が形成され、このコン
タクトホール２０を介して層間膜１７上に形成されたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺ
Ｏ（Indium Zinc Oxide）等の透明電極からなる画素電極１９がドレイン電極Ｄと電気的
に接続されている。なお、図１及び図２においては反射部１５の凹凸部は省略してある。
【００４８】
また、この半透過型液晶表示パネル１０Ａにおいては、画素電極１９の反射部１５と透
過部１６の境界領域で液晶分子の配向を規制するためにスリット３３が設けられ、画素電
極１９は実質的に反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂに分割され
ており、反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂとは幅の狭い部分３
４を介して電気的に接続されている。
【００４９】
そして、反射部１５側においては、層間膜１７の反射板１８が存在する位置の下側に補
助容量線２１が配置され、また、平面視で、反射板１８及び反射部の画素電極１９ａは、
隣接する画素の反射板及び画素電極とは接しないように、走査線１２及び信号線１３とは
部分的に重複するように設けられ、かつ、反射板１８と反射部１５の画素電極１９ａとは
互いに重なるように実質的に同じ形状に設けられている。更に、透過部１６側における画
素電極１９ｂは、隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないように、かつ、信号線
とは実質的に重複しないように信号線１３に沿うように設けられ、また、走査線１２とは
若干重なるように形成されている。
【００５０】
更に、この実施例の半透過型液晶表示パネル１０Ａにおいては、透過部１６の画素電極
１９ｂは、反射部１５の画素電極１９ａよりも面積が大きくされている。このように、透
過部の画素電極１９ｂの面積を大きくした理由は、携帯電話機用の半透過型液晶表示パネ
ルは、高精細であってしかも画像表示が多いため、バックライトを常時点灯して実質的に
透過型液晶表示パネルとして使用される機会が多くなっているためである。そして、画素
電極１９の表面をも含み、アレイ基板ＡＲの表面には全ての表示領域を覆うようにして垂
直配向膜（図示せず）が積層されている。
【００５１】
また、カラーフィルタ基板ＣＦの透明なガラス基板２５の表示領域上には、それぞれの
画素に対応して形成される例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち何れか一色
からなるストライプ状のカラーフィルタ層２６及び共通電極２７が設けられている。更に
、反射部１５と透過部１６とで同じ厚さのカラーフィルタ層２６を使用するため、反射部
１５の共通電極２７の一部分に所定の厚さのトップコート層２８が設けられている。この
トップコート層２８は、反射部１５全体にわたって設けられており、その厚さは反射部１
５における液晶層２９の厚さ、いわゆるセルギャップｄ１が透過部１６のセルギャップｄ
２の半分となるように、すなわちｄ１＝（ｄ２）／２となるようにされている。
【００５２】
さらに、透過部１６に位置する共通電極２７の表面の一部には、それぞれ透過部１６の
画素電極１９ｂの中央部に位置するように、液晶分子の配向を規制するための長十字状の
突起３１（図１では破線で示している領域内）が設けられているとともに、反射部１５の
トップコート層２８の表面のコンタクトホール２０に対向する位置にも底面が円形状の突
起３１３が設けられている。そして、これらの共通電極２７、トップコート層２８及び突
起３１及び３１３の表面には垂直配向膜（いずれも図示せず）が積層されている。
【００５３】
また、透過部１６の突起３１の底部に対応するカラーフィルタ層２６の部分には、平面
視で突起３１の底部よりも僅かに大きく、突起の周縁部を被覆するが中央部に開口３７（
図１では突起を示す破線の領域内にある実線で示している領域）が設けられた遮光膜３６
が形成されており、更に、反射部１５に設けられた突起３１３の底部に対応するカラーフ
ィルタ層２６の部分には、平面視で突起３１３の底部よりも僅かに大きい突起３１３の全
面を遮光する遮光膜３６３が形成されている。この反射部１５における突起３１３の全面
を遮光する遮光膜３６３を設けた理由は次のとおりである。
【００５４】
すなわち、半透過型液晶表示パネル１０Ａにおいては、反射部に形成されるコンタクト
ホール２０は、画素電極１９ａとスイッチング素子であるＴＦＴのドレイン電極Ｄとの電
気的導通を確実にとる必要があるため、ある程度の大きさ及び深さを有しており、このコ
ンタクトホール２０には図２に示されているように傾斜面が形成される。このようなコン
タクトホール２０の傾斜は、図３に示すように、使用されている配向膜（図示せず）によ
って液晶層２９の液晶分子に物理的な力を与え、液晶分子を傾斜させてしまう。なお、図
３は図２のコンタクトホール２０部分で液晶層２９の液晶分子が傾斜する状態を概念的に
示す拡大図である。
【００５５】
特に画素電極１９ａと共通電極２７との間に電界を生じさせて液晶分子を配向させた際
にも、液晶分子はこのコンタクトホール２０の物理的な力による影響を強く受け、希望す
る方向へ傾斜せず、表示に悪影響を与えるために表示品位が低下する。また、コンタクト
ホール２０は、文字通り孔が形成されているため、図示していない配向膜にムラができた
りしている等、コンタクトホール２０の存在に基づく影響で液晶分子の配向が不安定にな
りやすく、更に、コンタクトホール２０の入口部分では、電界を印加しないときでも液晶
分子が斜めに傾斜するため、この部分での光の遮断が不完全となり、光洩れが発生するこ
とがある。遮光膜３６３はコンタクトホール２０からの光洩れがあっても、それが外部に
漏出しないように作用するため、遮光膜３６３はコンタクトホール２０からの光洩れ及び
突起３１３近傍での液晶分子の配向不良に起因した光洩れの双方を遮断することができる
。
【００５６】
この遮光膜３６及び３６３はストライプ状のカラーフィルタ層２６の製造時に各色の境
界に設けられるブラックマトリクス３８と同じ材料で同時に形成することができる。これ
により、遮光膜３６及び３６３形成のための工程数が増えることなく、遮光膜３６及び３
６３を簡単に形成することができる。なお、ブラックマトリクス３８は具体的には金属材
料からなるクロムを用いている。また樹脂からなる遮光性の材料でもよいが、樹脂の場合
には開口３７を形成するのが製造上難しいので金属材料により形成した方がよい。また、
図２には遮光膜３６及び３６３の大きさが突起３１及び３１３の底部の大きさよりも僅か
に大きくしたものが示されているが、突起３１及び３１３の底部の大きさと実質的に同じ
大きさであってもよい。
【００５７】
ただ、反射部の突起部３１３の底部の大きさはコンタクトホール２０の大きさよりも大
きい方が好ましく、例えば、約７×７μｍの大きさのコンタクトホール２０に対し、突起
３１３の底部の幅を約８μｍとすることが好ましい。この実施例１における突起３１３側
の遮光膜３６３においては、突起３１３が透明基板１１のコンタクトホール２０と平面視
で重なるように設けられているところから、遮光膜３６３はコンタクトホール２０とも平
面視で重なるように配置される。
【００５８】
そして、前記アレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを互いに対向させ、両基板の
周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電異方性を有す
る液晶を充填することによりＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａとなる。なお、
アレイ基板ＡＲの下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバッ
クライト装置が配置されて液晶表示パネルが完成される。
【００５９】
この実施例１の半透過型液晶表示パネル１０Ａによれば、透過部における突起３１の近
傍で電界無印加時に液晶分子の配向の乱れが生じて光が漏れることがあっても、この漏れ
た光は遮光膜３６によって遮光されるために外部に出てくることが少なくなるので、透過
部においても電界無印加時の光漏れによるコントラストの低下を大きく減少させることが
可能となる。加えて、遮光膜３６には開口３７を形成したため、光漏れの原因となる突起
３１の周辺部分は遮光膜３６により有効に遮光され、光漏れが生じない突起３１の中心部
は遮光膜３６に設けられた開口３７によって有効に表示領域として利用できるようになる
ので、遮光膜３６の開口３７に相当する分だけ開口度が上昇し、明るい表示の半透過型液
晶表示パネル１０Ａが得られる。
【００６０】
なお、ＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルにおいては、本来液晶分子に電界が印加さ
れていない状態で垂直に配向されている限りは液晶層２９を光が透過することはない。従
って、画素電極１９に設けられたスリット３３の部分にも垂直配向膜が設けられているの
で、このスリットの部分は光が透過することがないため、この実施例１のＭＶＡ方式の半
透過型液晶表示パネル１０Ａとしては、補助容量が大きくなるようにするために、補助容
量線２１を反射板１８の下部から更に透過部１６側のスリット３３側にまで延長してある
。
【００６１】
また、この実施例１のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａにおいては、透過部
１６側における画素電極１９ｂを信号線１３とは実質的に重複しないように信号線１３に
沿うように設けた例を示したが、透過部１６側における画素電極１９ｂを正確に信号線１
３に沿って設けることは技術的に困難であるため、透過部側の画素電極１９ｂと信号線１
３との間に僅かな隙間が生じるようにしてもよく、逆にわずかに透過部側の画素電極１９
ｂと信号線１３とが重なるようにしてもよい。透過部側の画素電極１９ｂと信号線１３と
の間に僅かな隙間が生じても、この隙間の部分には垂直配向膜が設けられているため、こ
の隙間の部分から光漏れすることはない。
【００６２】
また実施例１においては、開口３７を有する遮光膜３６を、カラーフィルタ基板ＣＦに
形成したものを示したが、これに限定されるものではなく、開口を有する遮光膜を、アレ
イ基板ＡＲに形成してもよい。具体的には、アレイ基板ＡＲ側に形成されるＴＦＴを製造
する工程において、ＴＦＴを構成するゲート電極Ｇを形成する際に同じ材料、例えばアル
ミニウムやモリブデンで遮光膜を形成してもよいし、ＴＦＴを構成するソース電極Ｓやド
レイン電極Ｄを形成する際に同じ材料で形成してもよい。つまりアレイ基板ＡＲ側に遮光
膜を形成する場合には、遮光性の材料を用いる際に同じ材料を用いて同時に形成すること
で、コントラストの低下防止及び開口度の上昇という効果に加え、遮光膜を形成するため
の工程数が増えることなく、簡単に形成することができる。したがって実施例１のような
半透過型液晶表示パネルの場合には、反射部１５に形成する反射板１８と同じ材料を用い
て同時に形成してもよい。更には、開口を有する遮光膜を、アレイ基板ＡＲとカラーフィ
ルタ基板ＣＦの両方に形成してもよい。
【実施例２】
【００６３】
上述の実施例１のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａでは、カラーフィルタ基
板ＣＦの透過部１６に設ける配向規制部材として長十字状の突起３１を設けた例を示した
が、透過部に設ける配向規制部材としては長十字状のものに限らず、周知の種々の形状の
ものを使用し得る。そこで、実施例２のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ｂとし
ては、透過部の画素電極を２つの領域に区画するとともに、突起の形状としてそれぞれの
画素電極の領域に対向するように底面の形状が円形状のものを採用した。この実施例２の
半透過型液晶表示パネル１０Ｂを、１サブ画素部分をカラーフィルタを透視して表した概
略平面図である図４を用いて説明するが、図１〜図３に記載の半透過型液晶表示パネル１
０Ａと同一の構成部分については同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００６４】
実施例２の半透過型液晶表示パネル１０Ｂが実施例１の半透過型液晶表示パネル１０Ａ
と構成が相違する点は、
（１）画素電極１９において反射部１５と透過部１６の境界領域で液晶分子の配向を規制
するためにスリット３３１が設けられ、画素電極１９は実質的に反射部１５の画素電極１
９ａと透過部１６の画素電極１９ｂに分割されており、反射部１５の画素電極１９ａと透
過部１６の画素電極１９ｂとは幅の狭い部分３４１を介して電気的に接続されているが、
透過部１６の画素電極１９ｂは中間部に設けられた別のスリット３３２によって更に２つ
の領域１９ｂ１及び１９ｂ２に分割されており、この２つの領域１９ｂ１及び１９ｂ２部
分は幅の狭い部分３４２を介して電気的に接続されている点、及び、
（２）カラーフィルタ基板ＣＦの透過部１６に位置するカラーフィルタ層２６の表面の一
部には、それぞれ透過部１６の画素電極１９ｂの２つの領域１９ｂ１及び１９ｂ２部分の
中央部に対向するように、それぞれ平面視で突起３１１及び３１２の底部の大きさと同じ
か僅かに大きい遮光膜３６１及び３６２が形成されており、これらの遮光膜３６１及び３
６２は突起の中心部に対応する位置にそれぞれ開口３７１及び３７２が設けられている点
である。
【００６５】
このような構成を採用すると、突起３１１及び３１２とスリット３３１及び３３２とに
よって、面積が大きい透過部の画素電極１９ｂの全体にわたって液晶分子の配向規制を行
うことができるようなり、更に、透過部の突起３１１及び３１２の底部には遮光膜３６１
及び３６２が平面視において突起３１１及び３１２の底部の大きさと同じか僅かに大きく
形成されているから、突起３１１及び３１２の近傍で電界無印加時に液晶分子の配向の乱
れが生じて光が漏れることがあっても、この漏れた光は遮光膜３６１及び３６２によって
遮光されるために外部に出てくることが少なくなる。加えて、遮光膜３６１及び３６２に
形成された開口３７１及び３７２によって突起３１１及び３１２の光漏れが生じない領域
を有効な表示領域として使用できる。したがって、実施例２の半透過型液晶表示パネル１
０Ｂによれば、視野角が広く、電界無印加時の光漏れによるコントラストの低下を大きく
減少させることができるとともに、明るい表示のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１
０Ｂが得られる。
【実施例３】
【００６６】
実施例２のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ｂでは、カラーフィルタ基板ＣＦ
の透過部１６に設ける配向規制部材として底面が円形状の突起３１１及び３１２を設けた
例を示したが、実施例３のＭＶＡ方式の液晶表示パネル１０Ｃでは、透過部の突起として
突起の形状を平面視で底部が十字状のもの採用した。この実施例３の液晶表示パネル１０
Ｃの１サブ画素部分をカラーフィルタを透視して表した概略平面図を図５に示すが、実施
例３の半透過型液晶表示パネル１０Ｃと実施例２の半透過型液晶表示パネル１０Ｂとの間
の構成の差異は、透過部の突起３１１及び３１２の形状と遮光膜３６１及び３６２の形状
が相違するのみであるので、図４に記載の実施例２の半透過型液晶表示パネル１０Ｂと同
一の構成部分については同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【実施例４】
【００６７】
実施例１〜実施例３に示したＭＶＡ方式の液晶表示パネルは何れも半透過型のものであ
るが、本発明は透過型のＭＶＡ方式の液晶表示パネルに対しても適用可能である。そこで
、実施例４としては、実施例１の場合と同様に、透過部の突起部の形状が長十字状のもの
を採用したＭＶＡ方式の透過型液晶表示パネル１０Ｄを作成した。この実施例４の透過型
液晶表示パネル１０Ｄの１サブ画素部分をカラーフィルタを透視して表した概略平面図を
図６に示すが、図１に示した実施例１の半透過型液晶表示パネル１０Ａと同一の構成部分
については同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００６８】
実施例４のＭＶＡ方式の透過型液晶表示パネル１０Ｄにおいては、画素電極１９は、液
晶分子の配向を規制するためにスリット３３によって、表示領域として機能するバックラ
イトからの光を透過する画素電極１９ｂ部分と、補助電極１９ｃ部分の２つの領域に分割
されており、画素電極１９ｂ部分と補助電極１９ｃ部分との間は幅の狭い部分３４を介し
て電気的に接続されている。
【００６９】
そして、実施例４の透過型液晶表示パネル１０Ｄの画素電極１９ｂ部分の構成、カラー
フィルタ基板ＣＦに設けられる配向規制手段としての突起３１、遮光膜３６、開口３７等
の構成は、実施例１の半透過型液晶表示パネル１０Ａの透過部１６における構成と実質的
に差異はない。ただ、実施例４の透過型液晶表示パネル１０Ｄは、反射部が存在しないた
めに、実施例１の液晶表示パネル１０Ａで使用されている反射板１８及び突起３１３が設
けられておらず、また、補助電極１９ｃ部分の占める割合は画素電極１９ｂ部分が占める
割合よりも小さくされ、補助電極１９ｃ部分は主として補助容量線２１との間での補助容
量の形成及びＴＦＴのドレイン電極Ｄとのコンタクトホール２０を介した電気的接続用と
して機能する。なお、実施例４或いは実施例１における突起３１の長十字の形状において
、開口３７は突起の形状にあわせ十字状に形成されている。しかしながら、長十字の短辺
側は長辺側に比べ非常に短いので、短辺側には開口３７を設けない形状、つまり長辺側に
沿ったバー状で、長十字の突起３１の長辺側にだけ開口３７を設けた形状あっても構わな
い。
【００７０】
この補助電極１９ｃの下部には、光不透過性の補助容量線２１、ドレイン電極Ｄ、ゲー
ト電極Ｇ、ソース電極Ｓ及び半導体膜２２が存在しているために、バックライトからの光
が透過せず、表示領域としては使用し得ないために、補助電極１９ｃの占める面積は画素
電極１９ｂの占める面積よりも相対的に小さくされている。なお、この実施例４の透過型
液晶表示パネル１０Ｄでは、補助電極１９ｃをＴＦＴの表面を除いた位置にのみ設けたが
、このＴＦＴに対向するカラーフィルタ基板ＣＦにはブラックマトリクスを設けることに
より遮光されるため、ＴＦＴの周囲の光が透過する部分の存在によるコントラストの低下
は無視し得る。
【００７１】
そして、この実施例４のＭＶＡ方式の透過型液晶表示パネル１０Ｄにおいても、実施例
１のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａが透過部において奏する効果と同等の効
果を奏することができ、画素電極１９ｂと共通電極２７との間の電界無印加時の光漏れを
有効に排除してコントラストが良好で、しかも明るい表示の透過型液晶表示パネル１０Ｄ
となる。なお、実施例４の透過型液晶表示パネル１０Ｄでは、画素電極１９ｂ部分と補助
電極１９ｃ部分の間にスリット３３を設けた例を示したが、これはスリット３３による配
向規制能力を利用したためであって、このスリット３３は必ずしも必要な構成ではない。
【００７２】
また、実施例１〜４ではバックライト光源からの光を透過する部分に設ける配向規制手
段としての突起及び遮光手段の形状として、平面視で底部が十字状、長十字状及び円形状
となるものを用いた例を示したが、他にバー状、Ｙ字状又はＹ字と逆Ｙ字を重ね合わせた
形状とすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】実施例１の半透過型液晶表示パネルの１サブ画素部分をカラーフィルタを透視して表した概略平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】図２のコンタクトホール部分で液晶分子が傾斜する状態を概念的に示す拡大図である。
【図４】実施例２の半透過型液晶表示パネルの１サブ画素部分をカラーフィルタを透視して表した概略平面図である。
【図５】実施例３の半透過型液晶表示パネルの１サブ画素部分をカラーフィルタを透視して表した概略平面図である。
【図６】実施例４の透過型液晶表示パネルの１サブ画素部分をカラーフィルタを透視して表した概略平面図である。
【図７】図７（ａ）は従来例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの概略的な構造を示す斜視図であり、図７（ｂ）は液晶に電界を印加したときの液晶分子の傾斜状態を示す概略図である。
【図８】図７（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図９】セルギャップ調整のためのトップコート層を第２基板側に設けた従来の半透過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１サブ画素分の平面図である。
【図１０】図９のＣ−Ｃ断面図である。
【図１１】図９及び図１０に示した従来例の液晶表示パネル７０における電界無印加時の突起９１部分の光漏れ状態を隣り合うＲ、Ｂ、Ｇの３サブ画素分について示した拡大平面図である。
【図１２】液晶分子の配向状態を示す図９のＤ−Ｄ線に沿ったカラーフィルタ基板ＣＦ側の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０Ａ〜１０Ｃ、５０、７０    半透過型液晶表示パネル
１０Ｄ    透過型液晶表示パネル
１１、２５    透明基板
１２    走査線
１３    信号線
１４    第１の絶縁膜
１５    反射部
１６    透過部
１７    層間膜
１８    反射板
１９、１９ａ、１９ｂ、１９ｂ１、１９ｂ２    画素電極
１９ｃ    補助電極
２０    コンタクトホール
２１    補助容量線
２３    第２の絶縁膜
２６    カラーフィルタ層
２７    共通電極
２８    トップコート層
２９    液晶層
３１、３１１〜３１３    突起
３３、３３１、３３２    スリット
３４、３４１、３４２    幅の狭い部分
３６、３６１〜３６３    遮光膜
３７、３７１、３７２    開口
３８    ブラックマトリクス
【図１】
2008116528.tif 000003
【図２】
2008116528.tif 000004
【図３】
2008116528.tif 000005
【図４】
2008116528.tif 000006
【図５】
2008116528.tif 000007
【図６】
2008116528.tif 000008
【図７】
2008116528.tif 000009
【図８】
2008116528.tif 000010
【図９】
2008116528.tif 000011
【図１０】
2008116528.tif 000012
【図１２】
2008116528.tif 000013
【図１１】
2008116528.tif 000014