(57)【要約】【課題】  基板を膜で被覆するためのシステム及び方法を提供すること。【解決手段】  １つの実施形態は、膜を堆積する基板を準備し、支援ガスからラジカルを生成するためにプラズマを生成し、支援ガスからラジカルを生成し、ラジカルを使用して前駆体ガスを解離し、基板上に上記解離された前駆体ガスからの物質を堆積し、堆積される物質が曝される電磁放射線の量を制御するようなプロセスを含む。【選択図】      図８
2008121115.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜を堆積する基板を準備するステップと、
支援ガスからラジカルを生成するためプラズマを生成するステップと、
上記支援ガスから上記ラジカルを生成するステップと、
上記ラジカルを使用して前駆体ガスを解離するステップと、
上記基板上に上記解離された前駆体ガスからの物質を堆積させるステップと、
上記堆積される物質が曝される電磁放射線の量を制御するステップと、
を備えた、基板を膜で被覆する方法。
【請求項２】
上記堆積される物質が曝される電磁放射線の量を制御するステップは、上記プラズマによって放出される紫外線を遮断する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記堆積される物質が曝される電磁放射線の量を制御するステップは、上記プラズマと上記堆積される物質との間に開く開口を減ずる段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記堆積される物質が曝される電磁放射線の量を制御するステップは、生成される紫外線を増大させる段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記支援ガスからラジカルを生成するためプラズマを生成するステップは、上記プラズマを生成するため電力信号を供給する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記プラズマを生成するため電力信号を供給する段階は、上記紫外線の量を増大させるように上記電力信号をスパイク状とする手順を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
上記紫外線の量を増大させるように上記電力信号をスパイク状とする手順は、上記紫外線の量の上記増大を制御するように、上記電力信号をスパイク状とするタイミングを制御することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
上記プラズマを生成するため電力信号を供給する段階は、上記紫外線の量を増大させるように上記電力信号を変化させる手順を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
上記プラズマを生成するため電力信号を供給する段階は、上記紫外線の波長を変えるように上記電力信号を変化させる手順を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
上記堆積される物質が曝される電磁放射線の量を制御するステップは、上記堆積される物質が曝される紫外線の量を、ラジカルの密度に従って変化させる段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
上記堆積される物質が曝される紫外線の量を変化させる段階は、上記ラジカルの密度が減少されるときに、上記堆積される物質が曝される上記紫外線の量を増大させる手順を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
上記堆積される物質が曝される上記紫外線の量を変化させる段階は、上記ラジカルの密度が増大されるとき、上記堆積される物質が曝される上記紫外線の量を減少させる手順を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
上記堆積される物質が曝される電磁放射線の量を制御するステップは、上記堆積される物質が曝される紫外線の量を、上記プラズマを生成するのに使用される電力信号に対する変化に従って変化させる段階を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
プラズマチャンバと、
アンテナと、
基板支持体と、
上記アンテナと上記基板支持体との間に配置され、制御可能な開口を有する電磁放射線制限器と、
上記制御可能な開口を制御するように構成されたコントローラと、
を備えるＰＥＣＶＤシステム。
【請求項１５】
上記コントローラは、少なくとも１つのＰＥＣＶＤ処理パラメータに従って上記開口のサイズを変化させるように構成されたコンピュータを備える、請求項１４に記載のＰＥＣＶＤシステム。
【請求項１６】
上記コントローラは、上記プラズマチャンバにて生成されるラジカルの密度に従って上記開口のサイズを変化させるように構成されたコンピュータを備える、請求項１４に記載のＰＥＣＶＤシステム。
【請求項１７】
上記コントローラは、上記アンテナに印加される電力信号の変化に従って上記開口のサイズを変化させるように構成されたコンピュータを備える、請求項１４に記載のＰＥＣＶＤシステム。
【請求項１８】
基板上に膜を堆積させるためＰＥＣＶＤ処理を開始させるステップと、
上記膜が曝される紫外線の量を成長中に変化させるステップと、
を備えた、膜を生成する方法。
【請求項１９】
上記膜が曝される紫外線の量を成長中に変化させるステップは、上記膜が曝される紫外線の量を成長中に機械的に変化させる段階を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
上記膜が曝される紫外線の量を成長中に変化させるステップは、上記ＰＥＣＶＤ処理中に使用されるプラズマが第１の量の紫外線を生成し、上記第１の量の紫外線の第１の部分が上記膜に達するのを阻止する段階を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
上記膜が曝される紫外線の量を成長中に変化させるステップは、上記ＰＥＣＶＤ処理中に使用されるプラズマが第１の量の紫外線を生成し、上記阻止される上記第１の量の紫外線の上記第１の部分より少ない部分が上記膜に達するのを阻止する段階を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
上記膜が曝される紫外線の量を成長中に変化させるステップは、上記ＰＥＣＶＤ処理を行わせるのに使用される電力波形の輪郭を決定することにより、上記膜が曝される紫外線の量を成長中に変化させる段階を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
基板上に膜を堆積させるためＰＥＣＶＤ処理を開始させるステップと、
上記膜が曝される紫外線を生成するステップと、
上記紫外線の波長を変化させるステップと、
を備えた、膜を生成する方法。
【請求項２４】
上記紫外線の波長を変化させるステップは、上記ＰＥＣＶＤ処理を行わせるのに使用される電力波形の輪郭を決定する段階を含む、請求項２３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の分野】
【０００１】
[0001]本発明は、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）処理に関する。特に、本発明は、ＰＥＣＶＤ処理中に電磁放射線を制御するためのシステム及び方法に関するが、これに限定されない。
【発明の背景】
【０００２】
[0002]ＰＥＣＶＤを使用して膜を堆積する処理は、よく知られており、何年もの間に亘って使用されてきている。ＰＥＣＶＤは、ガラス、半導体ウエハ及びプラズマディスプレイパネルを含む種々な基板上に非導電性膜及び導電性膜を堆積するため多くの製造業界において使用されている。
【０００３】
[0003]これらの膜の品質及び化学的性質は、広範囲に亘って種々異なるものである。品質に関して言えば、同じ材料で形成された膜でも、それらの濃度及び純度は広範囲に亘って変化し得る。即ち、ＰＥＣＶＤパラメータ、ＰＥＣＶＤシステムのタイプ及びシステム入力に依存して、膜の品質は、増減するものである。
【０００４】
[0004]ある場合に、膜の品質及び化学的性質の変化は、意図されたものではない。しかし、他の場合には、膜の化学的性質を意図的に変更することにより、特定の特性及び特徴を有した膜を形成することができる。例えば、ラジカル密度、パルス化周波数、デューティーサイクル、ガス圧力及び温度の如きＰＥＣＶＤ処理パラメータを変えることにより、膜の化学的性質を変えることができる。
【０００５】
[0005]これらの処理パラメータに対する制御を改善することにより、膜のための新しい用途が見出され、また、既存の用途についても膜の品質を向上させることができる。現在の処理制御の如何に関わらず、ＰＥＣＶＤ製造業界は、膜の化学的性質を制御するための新規でより良い方法を探し求め続けている。従って、膜の化学的性質をより精細に制御するためのシステム及び方法が必要とされている。同様に、その結果として精細に制御された膜の化学的性質を有した新しい膜が必要とされている。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]図面に示した本発明の典型的な実施形態について、以下、概要を述べる。これら及び他の実施形態については、「詳細な説明」の欄においてより十分に説明する。しかしながら、この「発明の概要」の欄又は「詳細な説明」の欄に記載した構成に本発明を限定しようとするものではないことを理解されたい。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の精神及び範囲内に入る種々多くの変更、均等物及び代替的構成があることを、認めることができよう。
【０００７】
[0007]基板を膜で被覆するためのシステム及び方法について説明する。１つの実施形態は、膜を堆積する基板を準備し、支援ガスからラジカルを生成するためにプラズマを生成し、上記支援ガスから上記ラジカルを生成し、上記ラジカルを使用して前駆体ガスを解離し、上記基板上に上記解離された前駆体ガスからの物質を堆積し、上記堆積される物質が曝される電磁放射線の量を制御するようなプロセスを含む。
【０００８】
[0008] 本発明の種々な目的及び効果は、図面に関連させて以下の詳細な説明及び特許請求の範囲を参照することにより、明らかとなり、また、より容易に認識でき、本発明をより完全に理解できよう。
【詳細な説明】
【０００９】
[0009]図面を参照するに、これら図面においては、幾つかの図を通して、一般に、同じ又は同様の要素は同一の参照符号を付して示しており、特に、図１を参照すると、この図１は、従来技術によるリモートＰＥＣＶＤシステム１００を示している。このシステムは、処理チャンバ１０５、基板支持体１１０、膜が堆積される基板１１５、前駆体ガス源１２０、ガスポンプ１２５、プラズマチャンバ１３０、アンテナ１３５、保護シース１４０、支援ガス源１４５及びプラズマチャンバ１３０を処理チャンバ１０５に接続する接続ネック１５０を含む。このタイプのリモートプラズマシステムは、当業分野では一般的に知られているものであり、ここでは詳細には説明しない。
【００１０】
[0010]図２を参照するに、この図２は、図１のリモートＰＥＣＶＤシステム１００の動作状態を示している。このＰＥＣＶＤシステム１００は、基板１１５上にＳｉＯ２の絶縁体層を堆積させるように構成されている。この絶縁体層を堆積するため、前駆体ガスであるＨＭＤＳＯは、Ｏ３及びＯ１イオンを使用して解離させられる。これらのＯ３及びＯ１イオンは、支援ガスであるＯ２を、アンテナ１３５によって放出される電子に対して曝し且つイオン衝突に曝すことによって生成される。一般的に、アンテナ１３５は、高周波源によって付勢されるが、他の電力源によって駆動されてもよい。
【００１１】
[0011]アンテナ１３５により放出される電子により、Ｏ２ガスはイオン化させられ、プラズマ１５５を形成するようにされる。このプラズマ１５５により、カスケード反応が生ぜしめられ、更なるイオン及び断片化されたＯ２ガス（ラジカル）が形成される。それから、これらのラジカルは、リモートプラズマチャンバ１３０を処理チャンバ１０５に接続するネック１５０を通して進行していく。処理チャンバ１０５において、それらラジカルがＨＭＤＳＯ分子と衝突するとき、それらのＨＭＤＳＯ分子がＳｉＯＸ、Ｈ、ＯＨ等へと破断させられる。
【００１２】
[0012]この実施形態では、完全膜は、ＳｉＯ２のみを含むものとしている。しかしながら、解離及び堆積処理中に、ＯＨ、Ｈ２Ｏ及びＳｉＯＨの如き廃棄粒子が形成される。そして、これらの粒子も又、基板及び成長している膜の上に堆積してしまう。成長している膜がＳｉＯ２であるとき、これらの不純物は、その絶縁体特性を低減させるが、その膜に柔軟性を導入することもある。同様の変化により、他のタイプの膜となることもある。
【００１３】
[0013]ＰＥＣＶＤ処理中に生成される不純物のほとんどは、実際には、処理チャンバから排出させられ、基板上には堆積しない。しかしながら、大抵の処理においては、ある量の不純物が基板上に堆積してしまい、その量は、その膜の化学的性質を相当に変えてしまうに十分なものである。
【００１４】
[0014]当業者には、絶縁体ＳｉＯ２層以外の他の薄膜を堆積させるのにもリモートプラズマ源を使用できることは、理解できよう。この処理は、単に例示のためにのみ示したものである。
【００１５】
[0015]図３を参照するに、この図３は、図２に示したリモートＰＥＣＶＤシステムによって生成されたＳｉＯ２膜１６０を例示している。この図は、基板層及びその上に堆積された膜を例示している。この薄膜のほとんどは、ＳｉＯ２で形成されている。しかしながら、この膜は、また、ＯＨ、Ｈ２Ｏ及びＳｉＯＨの如きある種の不純物をも含む。これらの不純物は、そのマトリックスにおいて、前駆体からの非分解物質、断片化処理物質及びマトリックス中の不満足結合とゆっくりと結合して、膜濃度を増大させていく傾向にあり、その結果として、膜が古くなるにつれて、膜応力を増大させ、クラッキング及びはく離を生じさせがちである。その上、膜は、均一な濃度を有さない。即ち、堆積物質は、均等に堆積せずに、間隙を残してしまう。更に又、膜が冷えていくにつれて、Ｈ２Ｏ分子のあるものが最終的に抜け出てしまい、それらＨ２Ｏ分子が元々あった場所に間隙が残されてしまう。
【００１６】
[0016]薄膜におけるこれらのタイプの傷は、ほとんど全ての膜の化学的性質において見出されるものであり、ＳｉＯ２絶縁体に限られたものではない。これらの膜はある目的のためには機能するものであるが、これらの傷のため、多くの場合において、その膜の能力及び寿命が限定されてしまう。例えば、これらの不純物及び間隙により、薄膜にき裂が生じてしまい、それらに望まれる電気的特性が低下させられてしまう。
【００１７】
[0017]ある場合には、注意深くある量の不純物を膜に加えることにより、実際にある効果を得ることができる場合がある。しかし、不純物を加えるこの処理は、注意深く制御されねばならず、さもないと、膜の品質が相当に低下させられてしまう。
【００１８】
[0018]図４を参照するに、この図４は、従来の技術によるダイレクトＰＥＣＶＤシステム１７０を例示している。このタイプのＰＥＣＶＤシステムにおいては、プラズマチャンバと処理チャンバとは結合されている。その他の点では、このダイレクトＰＥＣＶＤシステムは、リモートＰＥＣＶＤシステムと同様に動作する。
【００１９】
[0019]この実施形態の従来のＰＥＣＶＤシステムは、処理チャンバ１７５、アンテナ１８０、絶縁体シース１８５、支援ガス供給源１９０、前駆体ガス供給源１９５及び基板２００を含む。図示していないが、このシステムは、また、基板支持体を含むことができる。また、このタイプのＰＥＣＶＤシステムは、当業分野においてよく知られており、ここでは詳細には説明しない。
【００２０】
[0020]このＰＥＣＶＤシステムは、図１に示したリモートＰＥＣＶＤシステムとほとんど同様に動作するのであるが、ある特定の膜の化学的性質の場合には、ダイレクトＰＥＣＶＤシステムの方がリモートＰＥＣＶＤシステムよりも幾分より高い品質の膜を生成できることが見出されている。例えば、図５は、ダイレクトＰＥＣＶＤシステムによって生成された絶縁体膜２０５を例示している。この膜は、膜の全体的品質を低下させる不純物及び間隙を依然として含んでいるが、その不純物及び間隙の数は減少させられている。
【００２１】
[0021]最近において、このように膜品質が向上させられる理由の１つとして、アンテナのまわりに形成されたプラズマから外方に放射される、電磁放射線、特に、紫外線によるものが挙げられることが、見出された。リモートＰＥＣＶＤシステムでは、このような電磁放射線は、遮断されてしまって、基板及び成長膜には達しない。しかし、ダイレクトＰＥＣＶＤシステムでは、プラズマからの放射線は、基板及び成長膜を直接的に衝撃しうるのである。このような衝撃が、成長膜の化学的性質に相当の影響を与えることが見出された。ある場合には、電磁放射線衝撃により、膜の品質が高められた。しかしながら、他の場合には、電磁放射線衝撃により、膜の成長が実際に阻害させられることがありうる。
【００２２】
[0022]前述したように、ＰＥＣＶＤ製造業界は、常に、ＰＥＣＶＤ処理を制御し、堆積膜の化学的性質をより精細に調整するための新しいより良い方法を探し求めている。そして、従来において、ＰＥＣＶＤ製造業界においては、ラジカル密度、パルス化周波数、デューティーサイクル、ガス圧力及び温度の如き処理パラメータを制御していた。本発明の実施形態によれば、電磁放射線の付加的な処理パラメータもまた制御される。
【００２３】
[0023]成長膜が曝されるＵＶ放射線を含む電磁放射線の量を制御することにより、膜の化学的性質をより精細に制御することができる。更に又、膜を堆積する前に、基板が曝される電磁放射線の量を制御することにより、基板を前もって調整しておくことができる。両方の場合において、電磁放射線の量は、膜生成の途中において相当に且つ素早く変えることができる。また別の仕方として、望まれる膜の化学的性質に対して電磁放射線の量を設定しておくことができる。このように、膜の生成中に電磁放射線を変化させることができるようにしておくことにより、膜の成長につれて膜の化学的性質を精細に制御し変化させることが可能となる。
【００２４】
[0024]図６を参照するに、この図６は、電磁放射線制御を含むＰＥＣＶＤシステム２１０の１つの実施形態を示している。このシステムは、図１に示したシステムと同様のリモートプラズマシステムである。このシステムは、接続ネック１５０によって分離されたプラズマチャンバ１３０及び処理チャンバ１０５を含む。典型的に、このタイプのシステムは、プラズマによって生成された電磁放射線が基板に達するのを阻止する。しかし、このシステムは、処理チャンバに付加した放射線助成装置２１５を使用して、成長膜へと放射線を導入するようにしている。
【００２５】
[0025]１つの実施形態では、この放射線助成装置２１５は、コンピュータによって制御されるか又はユーザによって手動的に制御されるかする紫外線源である。このＵＶ源出力は、膜の化学的性質を制御するのに普通に使用される処理パラメータのうちの任意のものと関連付けることができる。例えば、ＵＶ源は、ラジカル密度がその最も低い点にあるときにそのＵＶ源が高い出力レベルにあり、ラジカル密度がその最も高い点にあるときそのＵＶ源がその最も低い点にあるように、ラジカル密度に関連付けることができる。当業者であれば、それらの独特な望まれる膜の化学的性質を得るために処理パラメータ及びＵＶ出力をどのように調整したらよいのか決定することができよう。
【００２６】
[0026]図７は、放射線助成装置２２５を含むダイレクトプラズマ源を例示している。このダイレクトプラズマシステムは、図４に示すシステムと同様である。このシステムは、処理チャンバ２３０、アンテナ２３５、アンテナを保護する絶縁体シース２４０、基板支持体２４５、基板２５０、支援ガス供給源２５５、前駆体ガス供給源２６０及び排気ポンプ２７０を含む。
【００２７】
[0027]この実施形態においては、アンテナ２３５のまわりのプラズマから放射される電磁放射線は、望まれる膜の化学的性質を達成するには十分ではないと仮定されている。従って、必要とされる追加電磁放射線を与えるための助成装置２２５が付加されている。この電磁放射線助成装置２２５は、また、他の従来の処理パラメータと協働するように、手動制御され又はコンピュータ制御され且つタイミングを合わせられる。
【００２８】
[0028]図８は、本発明によるダイレクトＰＥＣＶＤシステム２７５の部分を例示している。この図は、処理チャンバ２８０を破断して示している。特に、この図は、処理チャンバ壁部２８０、アンテナ２８５、アンテナを保護する絶縁体シース２９０、基板支持体２９５及び基板３００を例示している。この実施形態は、また、放射線シールド３０５も例示しており、この放射線シールド３０５は、このシールドの開口を制限するための可変シャッター３１０を有している。このような放射線シールドを含まない処理チャンバ及びＰＥＣＶＤシステムの全体的動作は当業分野において知られているので、ここでは更に説明しない。
【００２９】
[0029]この実施形態では、アンテナ２８５のまわりのプラズマによって生成される電磁放射線は、膜の化学的性質を十分に変えるのに十分であると仮定している。実際には、この実施形態では、プラズマによって生成される電磁放射線は、膜の化学的性質を十分に変えるに必要とされるより、時々、高くなるものと仮定している。従って、この実施形態におけるシャッター３１０は、処理パラメータの要求に応じて、開放されたり、制限されたり、又は閉じられたりすることができる。これらシャッター３１０は、電磁放射線の通過を阻止するように設計されている。前述した放射線源の場合のように、これらシャッターは、膜の化学的性質を最終的に制御するように、他の処理パラメータ制御に関連付けることができる。シャッターは、ＵＶ放射線を含む電磁放射線を制限する任意の装置を含むことができる。
【００３０】
[0030]図９及び図１０は、成長膜を衝撃する電磁放射線の量を制御することにより生成することのできる２つの膜の化学的性質を例示している。図９においては、電磁放射線は、膜３１５の成長につれて増大されている。例えば、図８に示すシャッターは、膜３１５の成長につれて、ゆっくりと開かれる。その結果生ずる膜の化学的性質は、膜が外方に成長していくにつれて、より濃くなる。ＳｉＯ２で形成される絶縁体層の場合には、このタイプの濃度の増大していく膜は、その基板に最も近いところが有機シリコン層となり、その膜の外側部分が濃いＳｉＯ２層となるようなものとされる。このようなタイプの膜の化学的性質は、その膜が下層の基板に十分に接着するので、ある場合には望ましい。
【００３１】
[0031]図１０は、膜を衝撃する放射線の量を制御することにより生成される別のタイプの膜３２０を例示している。この膜３２０においては、膜の濃度は、より低い濃度から濃い濃度へと変化し、また、より低い濃度へと戻るように変化している。このようなタイプの化学的性質は、ある特定の場合において望ましい電気的特性を与える。
【００３２】
[0032]ある場合には、電磁放射線だけを制御することにより、望まれる膜の化学的性質を与えることができる。しかし、前述したように、他の場合には、電磁放射線は、ラジカル密度、電力変調、デューティーサイクル、パルス化周波数、パルス形状、ガス圧力及びラジカル密度の如き他の処理パラメータと関連付けて制御される。特に、前述したように、ＵＶ制御を使用する１つの新規な方法は、膜でのＵＶの量をラジカル密度に関連付けることを含む。
【００３３】
[0033]例えば、もし、ＳｉＯ２絶縁体層が堆積されているならば、ＵＶは、ある特定の時点でのＯ１及びＯ３ラジカルの密度に関連付けることができる。ラジカル密度が減少するにつれて、堆積割合が低くなるように膜の表面を調整するため、ＵＶの量を増大させることができ、また、ラジカル密度が増大するにつれて、より多くの物質が堆積させられるようにＵＶを減少させることができ、これにより、付加的なエネルギー源を設けるような負担をなくすることができる。
【００３４】
[0034]図１１Ａ及び図１１Ｂを参照するに、これらの図は、付加的な紫外線を生成するのに使用できる電力波形を例示している。一般的に、ＰＥＣＶＤ処理は、マイクロ波又は高周波電力信号を処理チャンバ内のアンテナに印加することによって行われる。本発明の１つの実施形態によれば、その電力信号は、より多くの又はより少ない紫外線を生成するように変更することができる。この実施形態では、ＰＥＣＶＤ処理に加えられる電力は、初期的には、スパイク状である。このスパイクは、ＰＥＣＶＤ処理に分配される全電力に対して僅かしか加えられないのであるが、この電力スパイクは、付加的な紫外線の相当量を生成する。この付加的な紫外線は、図１１Ｂに例示されている。
【００３５】
[0035]ここで注目すべきは、紫外線の量を制御するような形状とされた電力波形を使用する実施形態では、どのようなタイプの放射線シールドも設ける必要がないことである。しかしなら、本発明の幾つかの実施形態では、放射線シールドを含むことができる。
【００３６】
[0036]図１２Ａ及び図１２Ｂは、付加的な紫外線を生成するのに使用される別の波形を例示している。この実施形態では、電力は、単一のパルス中に２回スパイク状とされている。これらのスパイクは、ＰＥＣＶＤ処理に分配される全電力に対して僅かしか加えられないのであるが、生成される紫外線の量を相当に増大させているものである。
【００３７】
[0037]更に又、パルス形状の輪郭を制御することにより、生成される紫外線の波長を制御することができる。更に、ある実施形態では、その波長は、生成される紫外線の量とは無関係に制御される。
【００３８】
[0038]要するに、本発明によれば、とりわけ、ＰＥＣＶＤのための且つＰＥＣＶＤ処理を制御するためのシステム及び方法が提供される。当業者であれば、ここに説明した実施形態によって達成されるのと実質的に同じ結果を得るため、本発明、その使用及び構成において種々多くの変形及び置換をなすことができることは、容易に認識できよう。従って、ここに説明した典型的な形態に本発明を限定しようとするものではない。多くの変形、変更及び代替的構成は、特許請求の範囲に記載されたような、ここに説明した本発明の範囲及び精神内に入るものである。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】従来の技術によるリモートプラズマ源のブロック図である。
【図２】従来の技術によるリモートプラズマ源の動作状態を示す図である。
【図３】従来の処理によって構成された絶縁体膜を示す図である。
【図４】従来の技術によるダイレクトプラズマ源を示す図である。
【図５】本発明の１つの実施形態の原理に従って構成された絶縁体膜を示す図である。
【図６】電磁放射線助成装置を有するリモートプラズマ源を示す図である。
【図７】放射線助成装置を含むダイレクトプラズマ源を示す図である。
【図８】本発明の１つの実施形態によるダイレクトプラズマ源を示す図である。
【図９】本発明の１つの実施形態に従って構成された薄膜を示す図である。
【図１０】本発明の別の実施形態に従って構成された薄膜を示す図である。
【図１１Ａ】付加的な紫外線を発生するのに使用することのできる電力波形を例示している。
【図１１Ｂ】図１１Ａの電力波形から生ずる紫外線を例示している。
【図１２Ａ】付加的な紫外線を発生するのに使用することのできる電力波形を例示している。
【図１２Ｂ】図１２Ａの波形から生ずる紫外線を例示している。
【符号の説明】
【００４０】
１００…リモートＰＥＣＶＤシステム、１０５…処理チャンバ、１１０…基板支持体、１１５…基板、１２０…前駆体ガス源、１２５…ガスポンプ、１３０…プラズマチャンバ、１３５…アンテナ、１４０…保護シース、１４５…支援ガス源、１５０…接続ネック、１５５…プラズマ、１６０…ＳｉＯ２膜、１７０…ダイレクトＰＥＣＶＤシステム、１７５…処理チャンバ、１８０…アンテナ、１８５…絶縁体シース、１９０…支援ガス供給源、１９５…前駆体ガス供給源、２００…基板、２０５…絶縁体膜、２１０…電磁放射線制御を含むＰＥＣＶＤシステム、２１５…放射線助成装置、２２５…放射線助成装置、２３０…処理チャンバ、２３５…アンテナ、２４０…絶縁体シース、２４５…基板支持体、２５０…基板、２５５…支援ガス供給源、２６０…前駆体ガス供給源、２７０…排気ポンプ、２７５…ダイレクトＰＥＣＶＤシステム、２８０…処理チャンバ壁部、２８５…アンテナ、２９０…絶縁体シース、２９５…基板支持体、３００…基板、３０５…放射線シールド、３１０…可変シャッター、３１５…膜、３２０…膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008121115.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
2008121115.tif 000014
【図１２Ａ】
2008121115.tif 000015
【図１２Ｂ】
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【外国語明細書】
2008121115000001.pdf