(57)【要約】      （修正有）【課題】キャパシタのリーニング防止用組成物及びこれを利用したキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】シリンダー型キャパシタの格納電極３１の形成時に、隣接した下部電極３１間のリーニング現象を防止することができるキャパシタのリーニング防止用組成物と、前記組成物を用いて下部電極３１の上側部を連結するポリマー層３３を形成し、後続する洗浄工程を行なった後、前記ポリマー層３３を除去する段階を含むことにより、下部電極３１間のリーニング現象を防止することができるキャパシタの製造方法。【選択図】図３ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で示される化合物及び有機溶媒を含むことを特徴とするキャパシタのリーニング防止用組成物：
【化１】
2008091859.tif 000004
前記式で、Ｒは直鎖または側鎖の炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル、ヒドロキシ基に置換された直鎖または側鎖の炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル、炭素数Ｃ３〜Ｃ１０の直鎖または側鎖のエステル基を含む炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルまたは炭素数Ｃ２〜Ｃ１０の直鎖または側鎖のエーテル基を含む炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルである。
【請求項２】
前記Ｒは、直鎖または側鎖の炭素数Ｃ１〜Ｃ５のアルキル、ヒドロキシ基に置換された直鎖または側鎖の炭素数Ｃ１〜Ｃ５のアルキル、炭素数Ｃ３〜Ｃ６の直鎖または側鎖のエステル基を含む炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルまたは炭素数Ｃ２〜Ｃ６の直鎖または側鎖のエーテル基を含む炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルであることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタのリーニング防止用組成物。
【請求項３】
前記Ｒは−ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２または−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨであることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタのリーニング防止用組成物。
【請求項４】
前記式（１）の化合物の分子量は３００〜３０,０００であることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタのリーニング防止用組成物。
【請求項５】
前記式（１）の化合物は組成物の総重量に対し１〜５重量％で含まれることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタのリーニング防止用組成物。
【請求項６】
前記有機溶媒は炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルアルコール、炭素数Ｃ２〜Ｃ１０のエーテル及び炭素数Ｃ３〜Ｃ１０のケトン化合物でなる群から選択された１つ以上の溶媒であることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタのリーニング防止用組成物。
【請求項７】
前記有機溶媒はプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、エチルラクテート、シクロヘキサノン、ガンマ−ブチロラクトン、ｎ−ブタノール、２−ブタノール、１−ペンタノール及び２−ペンタノールでなる群から選択された１つ以上の溶媒であることを特徴とする請求項６に記載のキャパシタのリーニング防止用組成物。
【請求項８】
前記有機溶媒は組成物の総重量に対し９５〜９９重量％で含まれることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタのリーニング防止用組成物。
【請求項９】
格納電極用コンタクトプラグを含む層間絶縁膜が備えられた半導体基板の上部にバリヤー膜とキャパシタ酸化膜を順次形成する段階と、
前記コンタクトプラグが露出するまでキャパシタ酸化膜とバリヤー膜をエッチングしてキャパシタ用トレンチを形成する段階と、
前記トレンチの内部に格納電極用下部電極を形成する段階と、
前記下部電極の上部に組成物をコーティングし、ベークして下部電極の上側部を連結するポリマー層を形成する段階と、
前記結果物からキャパシタ酸化膜を除去する段階と、
Ｏ２乾式エッチング工程を行ないポリマー層を除去する段階と、
を含むものの、
前記組成物は下記式（１）で示される化合物及び有機溶媒を含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。
【化２】
2008091859.tif 000005
前記式で、Ｒは直鎖または側鎖の炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル、ヒドロキシ基に置換された直鎖または側鎖の炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル、炭素数Ｃ３〜Ｃ１０の直鎖または側鎖のエステル基を含む炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルまたは炭素数Ｃ２〜Ｃ１０の直鎖または側鎖のエーテル基を含む炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルである。
【請求項１０】
前記方法はポリマー層の形成後、キャパシタ酸化膜を除去する前にＯ２ガスを用いた部分的なエッチング工程を行なう段階をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項１１】
前記キャパシタ酸化膜はフォスフォシリカグラス及びプラズマ強化テトラエチルオルトシリカでなる群から選択された１つ以上の酸化膜であり、
湿式エッチング工程で除去されることを特徴とする請求項９に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項１２】
前記ポリマー層の厚さは１０〜１５０ｎｍであることを特徴とする請求項９に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項１３】
前記ポリマー層の厚さは１０〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１２に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項１４】
前記キャパシタ酸化膜の除去工程は、
ＢＯＥ溶液を用いて基板を湿式エッチングする段階と、
蒸留水またはアルコールを用いて基板を洗浄する段階と、
基板を乾燥させる段階と、
を含むことを特徴とする請求項１１に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項１５】
前記キャパシタ酸化膜の除去工程は、基板を２０分〜１時間のあいだ５％のＨＦ水溶液に浸漬して行なわれることを特徴とする請求項１４に記載のキャパシタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子のキャパシタのリーニング（leaning）防止用組成物及びこれを用いたキャパシタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体素子のメモリ素子の需要が急増するに伴い、高容量のキャパシタ（capacitor）を得るための多様な技術等が提案されている。
キャパシタは格納電極（storage node）用下部電極とプレートノード（plate node）用上部電極との間に誘電体膜（dielectric）が介在した構造を有する。キャパシタの静電容量は電極の表面積と誘電体膜の誘電率に比例し、電極等の間の間隔、即ち誘電体膜の厚さに反比例する。したがって、静電容量の高いキャパシタを製造するため誘電率の大きい誘電体膜を用いる方法、誘電体膜の厚さを低減させる方法、下部電極の表面積を拡大させる方法、または電極等の間の距離を縮小させる方法等が開発された。
【０００３】
しかし、半導体メモリ素子の集積度の増加で素子の大きさが次第に減少するに伴い、十分な静電容量を確保することができるキャパシタを製造するのが益々困難になった。ここに、格納電極の構造を改良する研究が絶え間なくなされており、その解決策として、３次元構造を有するコンケーブ型（concave type）またはシリンダー型（cylinder type）キャパシタが開発された。最近には内部面積のみノード面積に用いるコンケーブ型キャパシタよりは内部面積はもちろん、外部面積までもノード面積に用いるシリンダー型キャパシタをより好む傾向である。
【０００４】
以下、図を参考にして従来の半導体素子のキャパシタの製造方法を説明する。即ち、図１ａ〜図１ｂは従来の技術による３次元シリンダー型キャパシタの製造工程の概略図を示した図である。
先ず、図１ａに示されているように、トランジスタ（図示省略）及びビットライン（図示省略）等の半導体回路が形成された半導体基板１上に層間絶縁膜３を形成した後、これをエッチングして半導体基板１の一部を露出させる格納電極コンタクトホール（図示省略）を形成する。
次に、格納電極コンタクトホールの内部に格納電極コンタクトプラグ５を埋め込み、格納電極コンタクトプラグ５を含む層間絶縁膜１の上部全面にエッチングバリヤー膜（barrier layer）の窒化膜７と下部電極の高さを決定付けるキャパシタ酸化膜９を順次蒸着する。
【０００５】
キャパシタ酸化膜９を乾式エッチングして格納電極用トレンチ（図示省略）を形成した後、前記トレンチの内部に格納電極用下部電極１１を形成する。
なお、前記図１ａの結果物に対しキャパシタ酸化膜９が露出するまでＣＭＰ工程を行なった後、湿式ケミカル（wet chemical）を用いた湿式エッチング工程及びリンス工程を行なった後、乾燥させる湿式ディップアウト（wet-dip out）工程を行なってキャパシタ酸化膜９を全て除去する。
一方、従来の方法はキャパシタの静電容量を確保するための一環の１つであり、キャパシタ酸化膜を高く形成し下部電極の表面積を拡大させるが、このため下部電極の縦横比（aspect ratio）が増加する。
【０００６】
その結果、キャパシタ酸化膜を除去する湿式ディップアウト工程中で下部電極の間に滲み込んだ水分を除去する乾燥工程時に、隣接する下部電極間に表面張力の発生で下部電極が互いに接触して連結されるリーニング現象１３が多発的に発生する（図２参照）。前記リーニング現象は素子の大きさの縮小に伴うキャパシタ間距離（線幅）の縮小、キャパシタ底線幅の縮小またはキャパシタの高さの増加等により一層深化する。このような問題点は素子の製造に致命的な欠陥（fail）を発生させて最終素子の収率を減少させる。
したがって、工場の設備や方法の開発無しに静電容量を確保することができるキャパシタの製造方法の開発が急を要する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記のような従来の技術の問題点を解決するため案出されたものであり、シリンダー型キャパシタの製造時に発生する下部電極間のリーニング現象を効果的に防止することができる組成物の提供に目的がある。
さらに、前記組成物を用いて素子の信頼性を向上させると共に、高集積化に対応して十分な静電容量を確保することができるキャパシタを製造する方法の提供に他の目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
先ず、本発明では下記式（１）で示される化合物及び有機溶媒を含むキャパシタのリーニング防止用組成物を提供する。
【化１】
2008091859.tif 000003
前記式で、Ｒは直鎖または側鎖の炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル、ヒドロキシ基に置換された直鎖または側鎖の炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル、炭素数Ｃ３〜Ｃ１０の直鎖または側鎖のエステル基を含む炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルまたは炭素数Ｃ２〜Ｃ１０の直鎖または側鎖のエーテル基を含む炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルである。
【０００９】
前記Ｒは、直鎖または側鎖の炭素数Ｃ１〜Ｃ５のアルキル、ヒドロキシ基に置換された直鎖または側鎖の炭素数Ｃ１〜Ｃ５のアルキル、炭素数Ｃ３〜Ｃ６の直鎖または側鎖のエステル基を含む炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルまたは炭素数Ｃ２〜Ｃ６の直鎖または側鎖のエーテル基を含む炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルで表わすことができ、より好ましくは、−ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２または−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨで表わすことができる。前記化合物は３００〜３０,０００の分子量を有する。
【００１０】
前記式（１）の化合物は組成物の総重量に対し１〜５重量％で含まれるのが好ましい。
さらに、前記有機溶媒はフォトレジスト組成物の製造時に通常用いられる有機溶媒であれば特に制限しないが、例えば炭素数Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルアルコール、炭素数Ｃ２〜Ｃ１０のエーテルまたは炭素数Ｃ３〜Ｃ１０のケトン化合物を用いることができ、好ましくはプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、エチルラクテート、シクロヘキサノン、ガンマ−ブチロラクトン、ｎ−ブタノール、２−ブタノール、１−ペンタノール及び２−ペンタノールでなる群から選択された１つ以上の溶媒を用いる。
【００１１】
前記有機溶媒は前記組成物の総重量に対し９５〜９９重量％で含まれるが、有機溶媒の含量が９９重量％を超える場合は十分な厚さのハードマスク膜を得ることができず、９５重量％未満の場合は形成されるポリマー層があまり厚く形成され後続する除去工程を安定的に行なうのが困難である。
【００１２】
さらに、本発明では前記半導体素子のキャパシタのリーニング防止用組成物を用いて、
ａ）格納電極用コンタクトプラグを含む層間絶縁膜が備えられた半導体基板の上部にバリヤー膜とキャパシタ酸化膜を順次形成する段階と、
ｂ）前記キャパシタ酸化膜とバリヤー膜を順次エッチングしてコンタクトプラグとその周りの層間絶縁膜が全て露出したキャパシタ用トレンチを形成する段階と、
ｃ）前記トレンチの内部に格納電極用下部電極を形成する段階と、
ｄ）前記下部電極を含む結果物の全面に本発明の組成物をコーティングし、ベークして下部電極の上側部を連結するポリマー層を形成する段階と、
ｅ）前記結果物に対する湿式ディップアウト工程を行ない前記キャパシタ酸化膜を除去する段階と、
ｆ）前記結果物に対するＯ２乾式エッチング工程を行ないポリマー層を除去する段階と、
を含むキャパシタの製造方法を提供する。
このとき、本発明の方法はｄ）段階のポリマー層を形成した後、ｅ）段階前にＯ２ガスを用いた部分的なエッチング工程を行なう段階をさらに含む。
【００１３】
前記のように本発明の方法は、硬化剤に知られている化合物を含む組成物をキャパシタ酸化膜上にコーティングした後、ベークして下部電極を互いに連結する硬化したポリマー層を形成する。このとき、前記硬化したポリマー層は後続する湿式ディップアウト工程時に用いられる湿式ケミカルに対する溶解度が低いため、キャパシタ酸化膜を除去するとき共に除去されない。代りに、前記ポリマー層は湿式ディップアウト工程時に下部電極が崩壊しないよう支持台の役割を果たすので、隣接した下部電極間にリーニング現象が発生することを防止することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の方法を利用する場合、キャパシタ形成時にキャパシタのリーニング現象を改良することができるので、キャパシタの格納電極の高さを確保することができ静電容量の向上したキャパシタを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図３ａ〜図３ｆを参照して本発明の実施形態を説明する。このとき、本発明の実施形態は幾多の別の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。本発明の実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明を一層完全に説明するため提供されるものである。したがって、図における要素等の形状及び大きさ等はより明らかな説明のため誇張されることがあり、図面上の同一符号で表示される要素は同一の要素である。
【００１６】
図３ａ〜図３ｅは、本発明に係るキャパシタの製造方法を利用する実施形態に係る半導体素子の３次元シリンダー型キャパシタの製造工程を示した概略図である。
【００１７】
図３ａに示されているように、トランジスタ（図示省略）及びビットライン（図示省略）等の半導体回路が形成された半導体基板２１上に層間絶縁膜２３を形成した後、これをエッチングして半導体基板２１の一部を露出させる格納電極コンタクトホール（図示省略）を形成する。
次に、格納電極コンタクトホールの内部を格納電極コンタクトプラグ２５で埋め込み、格納電極コンタクトプラグ２５を含む層間絶縁膜２１の上部にエッチングバリヤー膜の窒化膜２７と、下部電極の高さを決定付けるキャパシタ酸化膜２９を順次蒸着する。
このとき、前記キャパシタ酸化膜はフォスフォシリカグラス（ＰＳＧ）、プラズマ強化テトラエチルオルトシリカ（ＰＥ−ＴＥＯＳ）等を１つ以上用いて形成することができる。
次に、キャパシタ酸化膜２９とバリヤー膜２７を順次エッチングし、格納電極コンタクトプラグ２５とその周りの層間絶縁膜２３が全て露出したキャパシタ用トレンチ（図示省略）を形成する。
【００１８】
前記図３ａに示したトレンチの内部に、図３ｂに示されているように格納電極用下部電極３１を形成する。
前記図３ｂに示した結果物の全面に対し、キャパシタ酸化膜２９が露出するまでＣＭＰ工程を行なって下部電極を分離する。このとき、図３ｃに示されているように格納電極用下部電極３１間の線幅の広い部分３５は大凡１０３ｎｍの値を有し、下部電極間の線幅の狭い部分３７は大凡４０ｎｍの値を有する。
【００１９】
前記結果物の全面に、図３ｄに示されているように本発明に係るリーニング防止用組成物をコーティングし、ベークしてポリマー層３３を形成する。
前記ポリマー層はキャパシタ酸化膜から大凡１０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは１０〜３０ｎｍの厚さに形成する。もし、ポリマー層の厚さが１５０ｎｍを超える場合は後続する部分エッチング工程を完了する時間が増加するので、工程を安定に行なうことができない。さらに、ポリマー層の厚さが１０ｎｍ未満の場合部分エッチング工程や、湿式ディップアウト工程時にポリマー層が除去されながら、下部電極間の連結が切られるので下部電極のリーニング現象が発生する。
前記ベーク工程は２００℃以上の温度で４０〜９０秒間行なわれる。
【００２０】
一方、前記ポリマー層のコーティング時に下部電極間の線幅の狭い部分３７は下部電極の内部がポリマー層で全部埋め込まれるが、下部電極間の線幅の広い部分３５は下部電極の内部側面にのみポリマー層が形成される。
【００２１】
次に、前記図３ｄに示した結果物に対し、キャパシタ酸化膜が露出するまでＯ２エッチングガスを用いた部分エッチング工程を行なう。その結果、下部電極間の線幅の広い部分３５のポリマー層３３と下部電極間の一部のポリマー層３３は除去される。その反面、下部電極間の線幅の狭い部分３７に形成されたポリマー層３３は除去されず、下部電極３１の上側部が互いに連結された状態４５で残留する（図４ａ参照）。
前記部分エッチング工程は３０秒〜１分間行なわれる。
【００２２】
一方、前記ポリマー層は本発明に係る組成物の代りに非晶質炭素（amorphous carbon）を用いて形成することもできる。しかし、ポリマー層コーティング用装備が非晶質炭素蒸着用装備に比べて生産性が非常に高いので、本発明に係る組成物を用いる場合工程コスト等をさらに節減することができる。
【００２３】
次に、前記部分エッチング工程の結果物に対し湿式ケミカルを用いた湿式ディップアウト工程を行なってキャパシタ酸化膜２９を全て除去する。このとき、ポリマー層３３は前記湿式ディップアウト工程により除去されない。さらに、前記線幅の狭い部分３７の上部に残留するポリマー層３３により線幅の狭い部分３７に形成されていたキャパシタ酸化膜２９も除去されない。
前記湿式ディップアウト工程は５％ＨＦ水溶液（ＨＦ：ＤＩ水溶液＝１：２０）のようなＢＯＥ（Buffered Oxide Etchant）溶液を用いて行なわれる。好ましくは、前記湿式ディップアウト工程は前記ＢＯＥ水溶液内に基板を２０分〜１時間のあいだ浸漬する湿式エッチング工程と、蒸留水とアルコールを用いてリンスする工程と、乾燥させる工程とを含む。
【００２４】
終わりに、前記図３ｅに示した結果物に対しＯ２ガスを用いた乾式エッチング工程を行なって前記ポリマー層と残留していたキャパシタ酸化膜を全て除去することにより、図３ｆに示されているようにリーニング現象が発生していない垂直の格納電極用下部電極を形成する（図４ｂ〜図４ｃ参照）。
前記乾式エッチング工程は３０秒〜１分間行なわれる。
【００２５】
従来のシリンダー型キャパシタの形成方法の場合、キャパシタ酸化膜及び下部電極の上部にポリマー層をコーティングせず直ちに湿式ディップアウト工程を行なうため、湿式エッチング溶液の表面張力により線幅の狭い部分で下部電極が倒れるリーニング現象が発生する。
しかし、前述のように本願発明では簡単な工程により形成されたポリマー層が下部電極の上層部を互いに連結させる支持台の役割を果たすので、後続する工程の遂行時にも線幅の狭い部分の下部電極間に表面張力が発生することを防ぐ。さらに、前記ポリマー層もまた表面張力が存在しないガスを用いる乾式エッチング工程で除去が容易である。したがって、本願発明に係る方法を利用したキャパシタの製造工程時には下部電極のリーニング現象は発生しない。その結果、本発明に係る方法により半導体工程の安定化と、所望の静電容量の確保が可能なキャパシタを形成することができる。
【００２６】
さらに、本発明は前記パターンの形成工程を含む半導体素子の製造方法により製造された半導体素子を提供する。
【００２７】
＜I．本発明に係る組成物の製造＞
実施例１．
式（１）の化合物（ＲはＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２）（ＴＯＡＧＯＳＥ社製造；Model No.M-315）１ｇをＰＧＭＥＡ ４０ＭＬに溶解させた。
【００２８】
実施例２．
式（１）の化合物（ＲはＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）（ＴＯＡＧＯＳＥ社製造；Model No.M-215）１ｇをＰＧＭＥＡ ４０ＭＬに溶解させた。
【００２９】
＜II．本発明に係るキャパシタの形成方法＞
実施例３．
キャパシタ酸化膜と下部電極が形成された半導体基板上に２０００ｒｐｍの速度で前記実施例１の組成物をコーティングした後、２００℃で６０秒間熱処理して２０ｎｍ厚さのポリマー層を形成した。形成されたポリマー層をＯ２ガスを用いて５０秒間部分的にエッチングした。エッチング工程完了後、５％のＨＦ水溶液に３５分間浸漬し、蒸留水を用いたリンス工程を行ないキャパシタ酸化膜を除去した。以後、Ｏ２ガスを用いたエッチング工程を５０秒間行ないポリマー層を除去した（図５ａ参照）。
【００３０】
実施例４．
キャパシタ酸化膜と下部電極が形成された半導体基板上に２０００ｒｐｍの速度で前記実施例２の組成物をコーティングした後、２００℃で６０秒間熱処理して２０ｎｍ厚さのポリマー層を形成した。形成されたポリマー層をＯ２ガスを用いて５０秒間部分的にエッチングした。エッチング工程完了後、５％のＨＦ水溶液を用いて３５分間浸漬し、蒸留水を用いたリンス工程を行ないキャパシタ酸化膜を除去した。以後、Ｏ２ガスを用いたエッチング工程を５０秒間行ないポリマー層を除去した（図５ｂ参照）。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１ａ】従来の技術に係るシリンダー型キャパシタの製造方法を示した工程概略図である。
【図１ｂ】従来の技術に係るシリンダー型キャパシタの製造方法を示した工程概略図である。
【図２】従来の発明によるキャパシタの製造時、下部電極間に発生したリーニング現象を見せるＳＥＭ写真である。
【図３ａ】本発明に係るキャパシタの形成方法を示した工程概略図である。
【図３ｂ】本発明に係るキャパシタの形成方法を示した工程概略図である。
【図３ｃ】本発明に係るキャパシタの形成方法を示した工程概略図である。
【図３ｄ】本発明に係るキャパシタの形成方法を示した工程概略図である。
【図３ｅ】本発明に係るキャパシタの形成方法を示した工程概略図である。
【図３ｆ】本発明に係るキャパシタの形成方法を示した工程概略図である。
【図４ａ】本発明に係る方法において下部電極の上側面が連結されたポリマー層が形成されている基板を示したＳＥＭ写真である。
【図４ｂ】前記図４ａに示した基板に対するＯ２エッチング工程を行ない、ポリマー層が除去された下部電極の上側面を示したＳＥＭ写真である。
【図４ｃ】前記図４ａに示した基板に対するＯ２エッチング工程を行ない、ポリマー層が除去された下部電極の上側面を示したＳＥＭ写真である。
【図５ａ】実施例３により形成されたキャパシタの下部電極を示したＳＥＭ写真である。
【図５ｂ】実施例４により形成されたキャパシタの下部電極を示したＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
【００３２】
１、２１   半導体基板
３、２３   層間絶縁膜
５、２５   格納電極コンタクトプラグ
７、２７   窒化膜
９、２９   キャパシタ酸化膜
１３   リーニング現象
１１、３１   格納電極用下部電極
３３   ポリマー層
３５   下部電極間の線幅の広い部分
３７   下部電極間の線幅の狭い部分
４３   ポリマー層及びキャパシタ酸化膜が除去された領域
４５   ポリマー層が連結された領域
【図１ａ】
2008091859.tif 000006
【図１ｂ】
2008091859.tif 000007
【図３ｂ】
2008091859.tif 000008
【図３ｃ】
2008091859.tif 000009
【図３ｄ】
2008091859.tif 000010
【図３ｅ】
2008091859.tif 000011
【図３ｆ】
2008091859.tif 000012
【図２】
2008091859.tif 000013
【図３ａ】
2008091859.tif 000014
【図４ａ】
2008091859.tif 000015
【図４ｂ】
2008091859.tif 000016
【図４ｃ】
2008091859.tif 000017
【図５ａ】
2008091859.tif 000018
【図５ｂ】
2008091859.tif 000019