(57)【要約】【課題】所望の部位ごとに膜厚の異なる金めっき部を迅速かつ容易に設けることができる半導体部品搭載用有機配線基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】有機基板からなる基板本体部４と、前記基板本体部４に設けられ、半導体部品が搭載される半導体搭載部５と、前記半導体搭載部５に搭載される半導体部品の端子から延びる金属線が接続される金属線接続部６と、前記基板本体部４に設けられ、半田によって外部の接続端子に接続される半田接続部８とを備え、前記金属線接続部６は、前記半田接続部８にマスクが施されてから、電解めっき又は無電解めっきによって形成された金属線用金めっき部１３を備え、前記半田接続部８は、前記金属線用金めっき部１３が形成されてから前記マスクが除去されて、置換めっきによって形成された半田用金めっき部１１を備えることを特徴とする。【選択図】図１
2008288494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機基板からなる基板本体部と、
前記基板本体部に設けられ、半導体部品が搭載される半導体搭載部と、
前記半導体搭載部に搭載される半導体部品の端子から延びる金属線が接続される金属線接続部と、
前記基板本体部に設けられ、半田によって外部の接続端子に接続される半田接続部とを備え、
前記金属線接続部は、前記半田接続部にマスクが施されてから、電解めっき又は無電解めっきによって形成された金属線用金めっき部を備え、
前記半田接続部は、前記金属線用金めっき部が形成されてから前記マスクが除去されて、置換めっきによって形成された半田用金めっき部を備えることを特徴とする半導体部品搭載用有機配線基板。
【請求項２】
前記基板本体部に設けられ、半田によって電子部品が接続される電子部品接続部を備え、
前記金属線用金めっき部は、前記電子部品接続部及び前記半田接続部にマスクが施されてから、電解めっき又は無電解めっきによって形成され、
前記電子部品接続部は、前記金属線用金めっき部が形成されてから前記マスクが除去されて、置換めっきによって形成された電子部品用金めっき部を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体部品搭載用有機配線基板。
【請求項３】
前記金属線接続部及び前記電子部品接続部が、前記基板本体部の一方の主面に設けられ、
前記半田接続部が、前記基板本体部の他方の主面に設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体部品搭載用有機配線基板。
【請求項４】
有機基板からなる基板本体部と、前記基板本体部に設けられ、半導体部品が搭載される半導体搭載部と、前記半導体搭載部に搭載される半導体部品の端子から延びる金属線が接続される金属線接続部と、前記基板本体部に設けられ、半田によって外部の接続端子に接続される半田接続部とを備える半導体部品搭載用有機配線基板の製造方法であって、
前記半田接続部にマスクを施すマスク工程と、
前記マスク工程において前記半田接続部がマスクされた状態で、電解めっき又は無電解めっきによって前記金属線接続部に金属線用金めっき部を形成する金属線用金めっき工程と、
前記金属線用金めっき工程において前記金属線接続部に金属線用金めっき部が形成された状態で、前記マスクを除去するマスク除去工程と、
前記マスク除去工程においてマスクが除去された半田接続部に、置換めっきによって半田用金めっき部を形成する置換めっき工程とを含むことを特徴とする半導体部品搭載用有機配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板本体部に、半田によって電子部品が接続される電子部品接続部が設けられており、
前記マスク工程において、前記半田接続部及び前記電子部品接続部にマスクを施し、
前記マスク除去工程において、前記半田接続部及び前記電子部品接続部に施された前記マスクを除去し、
前記置換めっき工程において、前記マスク除去工程においてマスクが除去された半田接続部及び電子部品接続部に、置換めっきによって半田用金めっき部及び電子部品用金めっき部をそれぞれ形成することを特徴とする請求項４に記載の半導体部品搭載用有機配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記マスク工程の前に、電解めっきのための給電用配線を前記金属線接続部に設ける給電用配線形成工程が含まれ、
前記金属線用金めっき工程において、前記給電用配線に通電する電解めっきによって前記金属線接続部に金属線用金めっき部を形成し、
前記金属線用金めっき工程の後、前記置換めっき工程の前に、前記給電用配線形成工程において形成された給電用配線をエッチングによって除去する給電用配線除去工程が含まれることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体部品搭載用有機配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体部品が搭載される半導体部品搭載用有機配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、種々の半導体部品が搭載される半導体部品搭載用有機配線基板が利用されている（例えば、特許文献１参照。）。これら半導体部品搭載用有機配線基板としては、搭載される半導体部品にワイヤボンディングにより接続されるワイヤ接続部と、ドーターボードやマザーボードなどの外部の接続端子に半田によって接続される半田接続部とを備えるものが知られている。そして、ワイヤ接続部及び半田接続部の表面には、信頼性の高い金属結合を行うために金めっき膜が設けられる。
【０００３】
ここで、ワイヤ接続に設けられる金めっき膜は、その膜厚をなるべく大きくする必要がある。なぜなら、金めっき膜の膜厚が小さいと、ワイヤボンディングの際に、金めっき膜の下に形成された下地金属が拡散してしまい、ワイヤと金めっき膜との接続強度が低下してしまうからである。
一方、半田接続部に設けられる金めっき膜は、その膜厚をなるべく小さくする必要がある。なぜなら、金めっき膜の膜厚が大きいと、半田接続の際に、半田の主成分である錫に金が拡散してしまい、半田接続部と外部の接続端子との接続強度が低下してしまうからである。
【０００４】
そこで、ワイヤ接続部及び半田接続部の金めっき膜の膜厚を調整するために、以下のように金めっき膜を形成することが考えられる。
まず、半田接続部にマスクを施してから、ワイヤ接続部に膜厚の大きな金めっき膜を設ける。そして、半田接続部のマスクを除去してから、今度はワイヤ接続部にマスクを施す。それから、半田接続部に膜厚の小さな金めっき膜を設けて、ワイヤ接続部のマスクを除去する。
これにより、金めっき膜を設ける部位によって、その膜厚を調整することができる。
【特許文献１】特開２００４−２７３６２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のようにして金めっき膜を各部位に設けると、それら部位ごとにマスクを設けたり除去したりする必要があるため、工程数が増加してしまい、その結果、製造に多大な時間がかかり、コストが増大してしまうという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、所望の部位ごとに膜厚の異なる金めっき部を迅速かつ容易に設けることができる半導体部品搭載用有機配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明は、有機基板からなる基板本体部と、前記基板本体部に設けられ、半導体部品が搭載される半導体搭載部と、前記半導体搭載部に搭載される半導体部品の端子から延びる金属線が接続される金属線接続部と、前記基板本体部に設けられ、半田によって外部の接続端子に接続される半田接続部とを備え、前記金属線接続部は、前記半田接続部にマスクが施されてから、電解めっき又は無電解めっきによって形成された金属線用金めっき部を備え、前記半田接続部は、前記金属線用金めっき部が形成されてから前記マスクが除去されて、置換めっきによって形成された半田用金めっき部を備えることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、金属線接続部にマスクを施すことなく、半田接続部のみに半田用金めっき部を設けることができ、そのため、金属線接続部と半田接続部とに膜厚の異なる金めっきを迅速かつ容易に設けることができる。
【０００９】
また、本発明は、前記基板本体部に設けられ、半田によって電子部品が接続される電子部品接続部を備え、前記金属線用金めっき部は、前記電子部品接続部及び前記半田接続部にマスクが施されてから、電解めっき又は無電解めっきによって形成され、前記電子部品接続部は、前記金属線用金めっき部が形成されてから前記マスクが除去されて、置換めっきによって形成された電子部品用金めっき部を備えることを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、半導体部品及び外部の接続端子だけでなく、電子部品をも良好に接続することができる。
【００１１】
また、本発明は、前記金属線接続部及び前記電子部品接続部が、前記基板本体部の一方の主面に設けられ、前記半田接続部が、前記基板本体部の他方の主面に設けられていることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、外部の接続端子表面への半田の良好な濡れ性を確保することができ、外部の接続端子に長期にわたって確実に接続することができる。
【００１３】
また、本発明は、有機基板からなる基板本体部と、前記基板本体部に設けられ、半導体部品が搭載される半導体搭載部と、前記半導体搭載部に搭載される半導体部品の端子から延びる金属線が接続される金属線接続部と、前記基板本体部に設けられ、半田によって外部の接続端子に接続される半田接続部とを備える半導体部品搭載用有機配線基板の製造方法であって、前記半田接続部にマスクを施すマスク工程と、前記マスク工程において前記半田接続部がマスクされた状態で、電解めっき又は無電解めっきによって前記金属線接続部に金属線用金めっき部を形成する金属線用金めっき工程と、前記金属線用金めっき工程において前記金属線接続部に金属線用金めっき部が形成された状態で、前記マスクを除去するマスク除去工程と、前記マスク除去工程においてマスクが除去された半田接続部に、置換めっきによって半田用金めっき部を形成する置換めっき工程とを含むことを特徴とする。
【００１４】
この発明においては、マスク工程において、半田接続部にマスクが施され、金属線用金めっき工程において、電解めっき又は無電解めっきによって金属線接続部に金属線用金めっき部が形成される。さらに、マスク除去工程において、マスクが除去され、置換めっき工程において、置換めっきによって半田用金めっき部が形成される。
これにより、金属線接続部にマスクを施すことなく、半田接続部のみに半田用金めっき部を設けることができ、そのため、金属線接続部と半田接続部とに膜厚の異なる金めっきを迅速かつ容易に設けることができる。
【００１５】
また、本発明は、前記基板本体部に、半田によって電子部品が接続される電子部品接続部が設けられており、前記マスク工程において、前記半田接続部及び前記電子部品接続部にマスクを施し、前記マスク除去工程において、前記半田接続部及び前記電子部品接続部に施された前記マスクを除去し、前記置換めっき工程において、前記マスク除去工程においてマスクが除去された半田接続部及び電子部品接続部に、置換めっきによって半田用金めっき部及び電子部品用金めっき部をそれぞれ形成することを特徴とする。
【００１６】
この発明においては、マスク工程において、半田接続部及び電子部品接続部にマスクが施され、マスク除去工程において、半田接続部及び電子部品接続部に施されたマスクが除去される。さらに、置換めっき工程において、置換めっきによって半田用金めっき部及び電子部品用金めっき部がそれぞれ形成される。
これにより、半導体部品及び外部の接続端子だけでなく、電子部品をも良好に接続することができる。
【００１７】
また、本発明は、前記マスク工程の前に、電解めっきのための給電用配線を前記金属線接続部に設ける給電用配線形成工程が含まれ、前記金属線用金めっき工程において、前記給電用配線に通電する電解めっきによって前記金属線接続部に金属線用金めっき部を形成し、前記金属線用金めっき工程の後、前記置換めっき工程の前に、前記給電用配線形成工程において形成された給電用配線をエッチングによって除去する給電用配線除去工程が含まれることを特徴とする。
【００１８】
この発明においては、給電用配線形成工程において、電解めっきのための給電用配線が金属線接続部に設けられ、金属線用金めっき工程において、給電用配線に通電する電解めっきによって金属線接続部に金属線用金めっき部が形成される。さらに、給電用配線除去工程において、給電用配線がエッチングによって除去される。
これにより、迅速かつ容易に電解めっきを施すことができる。
なお、「除去」とは、全部を取り除くことだけでなく、一部を取り除くことも含まれる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、電解めっき又は無電解めっきにより金属線用金めっき部が設けられ、それから置換めっきにより半田用金めっき部が設けられることから、マスクの設置や除去などを行う工程を減少させることができ、そのため、所望の部位ごとに膜厚の異なる金めっき部を迅速かつ容易に設けることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（実施形態１）
以下、本発明の第１の実施形態における半導体部品搭載用有機配線基板について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態としての半導体部品搭載用有機配線基板を示したものである。
半導体部品搭載用有機配線基板１ａは、いわゆる両面配線基板である。この半導体部品搭載用有機配線基板１ａは、絶縁部材からなる矩形板状の基板本体部４を備えている。
基板本体部４としては、ガラス布にエポキシ系樹脂を含浸して加熱加圧硬化させた有機基板等が使用される。
【００２１】
基板本体部４の一方の主面４ａの中央部４ｃには、例えばメモリやチップなどの半導体部品が搭載される半導体搭載部５が設けられている。
半導体搭載部５は、一方の主面４ａの中央部４ｃに形成された不図示の端子を備えている。半導体部品は、それら不図示の端子に半導体部品の端子が接続された状態で、固定されるようになっている。
【００２２】
基板本体部４の一方の主面４ａのうち、半導体搭載部５の近傍には、ワイヤが接続されるワイヤ接続部（金属線接続部）６が設けられている。
ワイヤ接続部６は、一方の主面４ａに形成されたワイヤ接続用銅配線２を備えている。ワイヤ接続用銅配線２の外縁部の表面には、感光性のソルダーレジスト層７ａが設けられている。ソルダーレジスト層７ａは、一方の主面４ａの外縁部からワイヤ接続用銅配線２の外縁部にわたって設けられている。
また、ワイヤ接続用銅配線２の内縁部及び中央部の表面（外縁部を除く表面）には、ニッケル膜１２が設けられている。
【００２３】
ニッケル膜１２は、電解ニッケルめっきによって形成され、その膜厚は約５μｍとされている。ニッケル膜１２の表面には、ワイヤ接続用金めっき膜（金属線用金めっき部）１３が設けられている。
ワイヤ接続用金めっき膜１３は、電解金めっきによって形成され、その膜厚は約０．４μｍとされている。このワイヤ接続用金めっき膜１３に、半導体搭載部５に搭載された半導体部品の端子から延びるワイヤがワイヤボンディングにより接続されるようになっている。
なお、ニッケル膜１２及びワイヤ接続用金めっき膜１３は、後述する半田接続部８の表面にフィルム膜２０（図４に示す）が施されてから、電解めっきによって形成されるものである。
【００２４】
また、基板本体部４の他方の主面４ｂには、例えばドーターボードやマザーボードなどの外部の接続端子に半田によって接続される半田接続部８が設けられている。
半田接続部８は、他方の主面４ｂに形成された半田用銅配線３を備えている。
半田用銅配線３の表面の全面には、他の金属を介することなく半田用金めっき膜（半田用金めっき部）１１が直接設けられている。
半田用金めっき膜１１は、置換金めっきによって形成され、その膜厚は約０．０５μｍとされている。すなわち、半田用金めっき膜１１の膜厚は、ワイヤ接続用金めっき膜１３の膜厚より小さくなっている。
【００２５】
なお、半田用金めっき膜１１は、ワイヤ接続用金めっき膜１３が形成された後、半田接続部８に施されたフィルム膜２０が除去されて、それから銅と直接置換反応が可能な置換金めっき液を利用して置換金めっきにより形成されるものである。このような置換金めっき液としては、例えば、「ＡＴＯＭＥＸ（エヌ・イーケムキャット株式会社）」、「ＩＭ  ＧＯＬＤ  −ＰＣ（日本高純度化学株式会社）」及び「コブライト  ＴＣＵ−３８（上村工業株式会社）」などがあげられる。また、奥野製薬工業株式会社製の置換金めっきでもよい。
また、他方の主面４ｂのうち、半田接続部８が設けられていない箇所には、感光性のソルダーレジスト層７ｂが設けられている。
【００２６】
このような構成のもと、半導体搭載部５に半導体部品が搭載され、その半導体部品とワイヤ接続用金めっき膜１３とが、ワイヤボンディングにより接続される。
さらに、半田用金めっき膜１１には、半田によって、半田ボールが接続され、これら半田ボールを介して、半田接続部８と外部の接続端子とが接続される。
【００２７】
次いで、半導体部品搭載用有機配線基板１ａの製造方法について説明する。
まず、図２に示すように、表面に銅箔が形成された銅張積層板である基板本体部４の表面の所定の箇所に、エッチングにより銅パターンを形成する（銅パターン形成工程、給電用配線形成工程）。なお、中央部４ｃの近傍に形成された銅パターンの一部が、ワイヤ接続用銅配線２となり、他方の主面４ｂに形成された銅パターンの一部が、半田用銅配線３となる。
このとき、ワイヤ接続用銅配線２に接続された給電用配線１８が同時に形成される。給電用配線１８は、銅からなるものである。すなわち、銅箔をエッチングすることにより、ワイヤ接続用銅配線２と給電用配線１８とが一体的に形成される。
【００２８】
それから、図３に示すように、一方の主面４ａの外縁部からワイヤ接続用銅配線２の外縁部にわたって完全に被覆するようにして、また、他方の主面４ｂの所定の箇所に、感光性樹脂であるレジストを塗布して、ソルダーレジスト層７ａ，７ｂを形成する（レジスト形成工程）。
そして、図４に示すように、半田用銅配線３の表面の全面を完全に被覆するようにして、他方の主面４ｂ側の全面に、金めっきマスク用の感光性のフィルム膜（マスク）２０を設ける（マスク工程）。
さらに、図５に示すように、給電用配線１８に通電してワイヤ接続用銅配線２に電流を流す。すなわち、電解ニッケルめっきにより、ワイヤ接続用銅配線２の表面にニッケル膜１２を設ける（ニッケルめっき工程）。さらに、給電用配線１８に通電して、電解金めっきにより、膜厚の大きなワイヤ接続用金めっき膜１３をニッケル膜１２の表面に設ける（金属線用金めっき工程）。
【００２９】
そして、図６に示すように、エッチングにより給電用配線１８を除去する（給電用配線除去工程）。
さらに、図７に示すように、マスク剥離液を利用して、フィルム膜２０を剥離する（マスク除去工程）。
それから、基板本体部４を置換金めっき液に浸漬し、置換金めっきにより半田用銅配線３の表面の全面に、膜厚の小さな半田用金めっき膜１１を設ける（置換めっき工程）。
これにより、図１に示す半導体部品搭載用有機配線基板１ａが得られる。
【００３０】
ここで、従来では、部位によって膜厚の異なる金めっき膜を設ける場合、それら部位ごとに、フィルム膜の設置及び除去を行う必要があった。
本実施形態における半導体部品搭載用有機配線基板１ａでは、電解金めっきと置換金めっきとを併用することにより、フィルム膜２０の設置及び除去を行う工程を減らすことができる。すなわち、本実施形態で使用される、置換金めっき液では、銅と金のイオン化傾向の差によって膜形成が進行するので、金めっき表面では置換金めっき反応が進行しない。
そのため、ワイヤ接続用金めっき膜１３が設けられた後は、ワイヤ接続部６にフィルム膜２０を設けることなく、半田用銅配線３のみに金めっき膜を形成することができる。
【００３１】
以上より、本実施形態における半導体部品搭載用有機配線基板１ａによれば、電解金めっきによりワイヤ接続用金めっき膜１３が設けられ、それから置換金めっきにより半田用金めっき膜１１が設けられることから、フィルム膜２０の設置や除去などを行う工程を減少させることができる。そのため、所望の部位ごとに膜厚の異なる金めっき膜を迅速かつ容易に設けることができる。
【００３２】
また、ワイヤ接続部６及び半田接続部８に金めっき膜が設けられていることから、信頼性の高い金属結合を得ることができる。すなわち、金めっきに代えて、イミダゾール化合物を設けることも考えられるが、イミダゾール化合物では、加熱を伴う工程を経ると、表面が著しく酸化してしまう。本実施形態では、金めっき膜が設けられていることから、酸化を防止することができ、そのため、金属結合の信頼性を向上させることができる。
また、ワイヤ接続用銅配線２と一体的に給電用配線１８が設けられて、エッチングにより給電用配線１８が除去されることから、迅速かつ容易に電解めっきを施すことができる。
【００３３】
（実施形態２）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図８は、本発明の第２の実施形態を示したものである。
図８において、図１から図７に記載の構成要素と同一部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
この実施形態と上記第１の実施形態とは基本的構成は同一であり、ここでは異なる点についてのみ説明する。
【００３４】
本実施形態においては、ニッケル膜１２の表面に、パラジウム膜１５が設けられている。
パラジウム膜１５は、電解パラジウムめっきによって形成され、その膜厚は約０．２μｍとされている。また、パラジウム膜１５の表面には、ワイヤ接続用金めっき膜１３が設けられている。
このパラジウム膜１５は、以下のようにして形成される。すなわち、ニッケルめっき工程の後、給電用配線１８に通電して、電解パラジウムめっきにより、パラジウム膜１５をニッケル膜１２の表面に設ける（パラジウムめっき工程）。
【００３５】
以上より、本実施形態における半導体部品搭載用有機配線基板１ｂによれば、ニッケル膜１２とワイヤ接続用金めっき膜１３との間にパラジウム膜１５が設けられていることから、接続信頼性を向上させることができる。
なお、本実施形態において、電解めっき工程（電解ニッケルめっき工程、電解パラジウムめっき工程及び電解金めっき工程）に代えて、無電解めっき工程（無電解ニッケルめっき工程、無電解パラジウムめっき工程及び無電解金めっき工程）を利用することも可能である。これにより、接続信頼性をさらに向上させることができる。
【００３６】
（実施形態３）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図９は、本発明の第３の実施形態を示したものである。
図９において、図１から図５に記載の構成要素と同一部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
この実施形態と上記第１の実施形態とは基本的構成は同一であり、ここでは異なる点についてのみ説明する。
【００３７】
本実施形態においては、基板本体部４の一方の主面４ａのうち、半導体搭載部５の近傍に、電子部品が搭載される電子部品搭載部２２が設けられている。電子部品としては、例えば抵抗やコンデンサーなどの面実装チップ部品が使用される。
電子部品搭載部２２には、電子部品が接続される電子部品接続部３０が設けられている。
電子部品接続部３０は、一方の主面４ａに形成された電子部品用銅配線２５を備えている。電子部品用銅配線２５の表面の全面には、他の金属を介することなく電子部品用金めっき膜（電子部品用金めっき部）２６が直接設けられている。
電子部品用金めっき膜２６は、置換金めっきによって形成され、その膜厚は約０．０５μｍとされている。すなわち、電子部品用金めっき膜２６の膜厚は、半田用金めっき膜１１の膜厚と同一になっている。
また、電子部品用金めっき膜２６は、電子部品の端子が半田によって接続される。
【００３８】
このような半導体部品搭載用有機配線基板１ｃは、以下のようにして製造される。
なお、この実施形態の製造工程と上記第１の実施形態の製造工程とは基本的には同一であり、ここでは異なる工程を中心に説明する。
図１０に示すように、マスク工程において、半田用銅配線３と電子部品用銅配線２５との表面をそれぞれ被覆するようにして、フィルム膜２０を設ける。
また、図１１に示すように、マスク除去工程において、半田用銅配線３及び電子部品用銅配線２５のフィルム膜２０を除去する。
【００３９】
さらに、置換めっき工程において、基板本体部４の全体を置換めっき液に浸漬して、置換金めっきにより、半田用銅配線３の表面と、電子部品用銅配線２５の表面とに金めっき膜を一緒に設ける。このとき、半田用銅配線３の表面に設けられた金めっき膜が、半田用金めっき膜１１となり、電子部品用銅配線２５の表面に設けられた金めっき膜が電子部品用金めっき膜２６となる。
これにより、図９に示す半導体部品搭載用有機配線基板１ｃが得られる。
【００４０】
以上より、本実施形態における半導体部品搭載用有機配線基板１ｃによれば、半導体部品だけでなく、他の電子部品を強固に半田接続することができる。
ここで、電子部品は半田により接続されることが一般的であり、電子部品用金めっき膜２６の膜厚が大きいと、金の拡散により接続強度が低下してしまう。
そこで、電子部品搭載部２２にイミダゾール化合物を設けることが考えられる。
しかし、イミダゾール化合物は、熱によって酸化してしまうだけでなく、プラズマ処理の際に剥離されてしまう。すなわち、基板本体部４の一方の主面４ａは、半導体搭載部５に搭載された半導体部品などを保護するために、モールドされる。このときのモールド加工の際に、プラズマ処理が行われるが、このプラズマ処理の際にイミダゾール化合物では剥離されてしまう。
本実施形態における半導体部品搭載用有機配線基板１ｃによれば、ワイヤ接続用金めっき膜１３へのワイヤボンディング、半田用金めっき膜１１及び電子部品用金めっき膜２６への半田接続、並びに、一方の主面４ａ側へのモールド加工を良好に行うことができる。
【００４１】
なお、上記第１から第３の実施形態においては、基板本体部４が両面配線基板であるとしたが、これに限ることはなく、多層配線基板としてもよい。この多層配線基板としては、ビルドアップ法配線基板を使用することができる。
また、ニッケル膜１２を設けるとしたが、これに限ることはなく、ニッケル合金であってもよい。また、ニッケル膜１２の膜厚が約５μｍとしたが、これに限ることはなく、適宜変更可能である。特に、０．５μｍから１０μｍの範囲であることが好ましい。
また、ワイヤ接続用金めっき膜１３の膜厚が約０．４μｍとしたが、これに限ることはなく、適宜変更可能である。特に、０．１μｍから１．０μｍの範囲であることが好ましい。
また、半田用金めっき膜１１の膜厚が約０．０５μｍとしたが、これに限ることはなく、適宜変更可能である。特に、０．０１μｍから０．１μｍの範囲であることが好ましい。
また、パラジウム膜１５の膜厚が、約０．２μｍとしたが、これに限ることはなく、適宜変更可能である。特に、０．０５μｍから０．５μｍの範囲であることが好ましい。
【００４２】
また、給電用配線１８を設けるとしたが、この給電用配線１８はなくてもよい。
また、金めっき膜、ニッケルめっき膜及びパラジウムめっき膜を電解めっきによって設けるとしたが、これに限ることはなく、無電解めっきによって設けてもよい。さらに、無電解めっきとして、置換めっきも含まれることは言うまでもない。
なお、本発明の技術範囲は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変更を加えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る半導体部品搭載用有機配線基板の第１の実施形態を側面から示す断面図である。
【図２】図１の半導体部品搭載用有機配線基板の製造工程を示す図であって、基板本体部に銅パターンを形成した様子を示す断面図である。
【図３】図２の基板本体部にソルダーレジスト層を設けた様子を示す断面図である。
【図４】図３の半田用銅配線にフィルム膜を設けた様子を示す断面図である。
【図５】図４のワイヤ接続用銅配線に、ニッケル膜及びワイヤ接続用金めっき膜を設けた様子を示す断面図である。
【図６】図５の給電用配線を除去した様子を示す断面図である。
【図７】図６のフィルム膜を除去した様子を示す断面図である。
【図８】本発明に係る半導体部品搭載用有機配線基板の第２の実施形態を側面から示す断面図である。
【図９】本発明に係る半導体部品搭載用有機配線基板の第３の実施形態を側面から示す断面図である。
【図１０】図９の半導体部品搭載用有機配線基板の製造工程を示す図であって、マスク工程において、フィルム膜を設けた様子を示す断面図である。
【図１１】図１０のフィルム膜を除去した様子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１ａ，１ｂ，１ｃ    半導体部品搭載用有機配線基板
４    基板本体部
４ａ  一方の主面
４ｂ  他方の主面
５    半導体搭載部
６    ワイヤ接続部（金属線接続部）
８    半田接続部
１１  半田用金めっき膜（半田用金めっき部）
１３  ワイヤ接続用金めっき膜（金属線用金めっき部）
１８  給電用配線
２０  フィルム膜（マスク）
２６  電子部品用金めっき膜（電子部品用金めっき部）
３０  電子部品接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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