(57)【要約】【課題】樹脂封止型半導体装置の回路基板内の口開きを防止し、歩留向上することを目的とする。【解決手段】樹脂封止型半導体装置１の周囲の一部または全部、あるいは回路基板２の切断領域に回路基板２を貫通するビア７やシールリング８を設けることにより、回路基板２における基材とコア材２Ｃの密着性が向上するため、回路基板２の剥れを抑制することができ、歩留向上することができる。また、樹脂封止型半導体装置１の周囲における回路基板２の一部を削除することにより、検査ソケット３１やトレイ３２に収納した際に回路基板２に接触することを抑制することができるため、回路基板２の剥れを抑制することができ、歩留向上することができる。【選択図】図１
2008288400.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、
第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、
前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、
前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子と、
個片化後に前記樹脂封止型半導体装置となる領域の各コーナ部に形成されて前記回路基板を貫通するビアと
を有することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、
第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、
前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、
前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子と、
個片化後に前記樹脂封止型半導体装置となる領域の各辺部全体に複数個形成され、前記回路基板を貫通するビアと
を有することを特徴とする回路基板。
【請求項３】
個片化後に前記樹脂封止型半導体装置となる領域の各コーナ部にも前記ビアを形成することを特徴とする請求項２記載の回路基板。
【請求項４】
複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、
第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、
前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、
前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子と、
個片化後に前記樹脂封止型半導体装置となる領域の外周部分近傍に連続的に形成されて前記回路基板を貫通するシールリングと
を有することを特徴とする回路基板。
【請求項５】
複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、
第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、
前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、
前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子と、
前記切断領域の前記樹脂封止型半導体装置と隣接する辺に複数個形成され、前記回路基板を貫通するビアと
を有することを特徴とする回路基板。
【請求項６】
複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、
第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、
前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、
前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子と、
個片化後に前記樹脂封止型半導体装置となる領域と前記切断領域との境界部分に形成される前記回路基板を貫通する複数のビアと
を有することを特徴とする回路基板。
【請求項７】
複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、
第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、
前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、
前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子と
を有し、前記切断領域に沿った所定の領域のコア材および第１の基材または第２の基材のいずれか一方の基材を除去すると共に、他方の基材と樹脂との密着性を基材と前記コア材との密着性よりも高くすることを特徴とする回路基板。
【請求項８】
複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、
第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、
前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、
前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子と
を有し、個片化後に前記樹脂封止型半導体装置となる領域のコーナ部のコア材および第１の基材または第２の基材のいずれか一方の基材を所定の範囲で除去することを特徴とする回路基板。
【請求項９】
複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、
第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、
前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、
前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子と
を有し、前記回路基板の端部を前記半導体チップ搭載面から前記外部端子形成面に向かって前記樹脂封止型半導体装置の内側方向に斜めに除去することを特徴とする回路基板。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のいずれかに記載の回路基板の前記第１の面上に前記半導体チップを電気的に接続して搭載し、前記切断領域で切断して個片化することにより形成されることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の樹脂封止型半導体装置を切断するに際し、
前記切断領域をダイシング加工若しくは金型加工することにより切断することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の樹脂封止型半導体装置を切断するに際し、
前記切断領域をダイシング加工することにより切断し、ダイシング加工の際に、前記切断領域の前記樹脂封止型半導体装置のコーナ部近傍のみ速度を下げてダイシング加工することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
回路基板の第１の面に半導体チップを電気的に接続して搭載し、前記第１の面の裏面となる第２の面に前記半導体チップと電気的に接続される外部端子を設け、前記半導体チップを搭載した第１の面上を樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置を収納するトレイであって、
前記樹脂封止型半導体装置を前記外部端子および、前記樹脂が形成する面の内の対向する２面の３箇所で保持することにより収納することを特徴とするトレイ。
【請求項１４】
回路基板の第１の面に半導体チップを電気的に接続して搭載し、前記第１の面の裏面となる第２の面に前記半導体チップと電気的に接続される外部端子を設け、前記半導体チップを搭載した第１の面上を樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置を収納する検査ソケットであって、
前記樹脂封止型半導体装置を前記外部端子および、前記樹脂が形成する面の内の対向する２面の３箇所で保持することにより収納することを特徴とする検査ソケット。
【請求項１５】
回路基板の第１の面に半導体チップを電気的に接続して搭載し、前記第１の面の裏面となる第２の面に前記半導体チップと電気的に接続される外部端子を設け、前記半導体チップを搭載した第１の面上を樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置を収納し、積層して用いるトレイであって、
前記樹脂封止型半導体装置の前記回路基板もしくは前記外部端子はその樹脂封止型半導体装置が収納されるトレイにて保持され、前記樹脂の前記回路基板と対向する表面は直上に積層されたトレイにより保持されることを特徴とするトレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体チップを搭載することのできる回路基板，半導体チップを搭載した回路基板を個片化することにより形成する樹脂封止型半導体装置，樹脂封止型半導体装置の製造方法、および樹脂封止型半導体装置を収納するトレイならびに樹脂封止型半導体装置の検査時に用いる検査ソケットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化及び高機能化に対応するため、半導体部品の高密度実装がますます強く要求されるようになってきている。これに伴って、半導体チップと回路形成された基板とをモールド樹脂材により一体に封止してなる樹脂封止型半導体装置の小型化及び薄型化が急速に進展しており、さらには、生産コスト及び生産性向上を図るために、種々の工夫がなされている。
【０００３】
以下、従来の樹脂封止型半導体装置について図１３を参照しながら説明する。
図１３は従来の回路基板の構成を示す図である。
図１３（ａ）には、基材２Ａの第１の面側に半導体チップを搭載する領域と半導体チップを電気的に接続する電極パッドと配線、その周縁に切断領域を有し、基材２Ｂの第２の面側には第１の面より電気的につなげたビアを介したビア先端に外部端子４を有し、更に基材２Ａと基材２Ｂ間には基材２Ａと基材２Ｂとの電気的リークを抑制する為のコア材２Ｃを有し、更にその周縁に前記切断領域を有した回路基板２と、半導体チップ（図示せず）を回路基板２にダイアタッチ材（図示せず）を介して実装し、半導体チップ（図示せず）をワイヤー（図示せず）で回路基板２と電気的に接合し、更に樹脂３でモールドした樹脂封止型半導体装置１であって、ダイシング加工や金型加工することで個々の樹脂封止型半導体装置１に回路基板２から分離分割した状態を示している。
【特許文献１】特開２００２−１６１９３号公報
【特許文献２】特開平９−６４２４４号公報
【特許文献３】特開２００６−１００２９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この時、図１３（ｂ）に示すように、ダイシング加工や金型加工時の回路基板２に掛かる衝撃力５や、ダイシング加工や金型加工で回路基板２から分離分割した樹脂封止型半導体装置１を電気的に測定する為の検査ソケットまたはトレイ（図示せず）に収納した際に掛かる衝撃力５によって、回路基板２の基材２Ａとコア材２Ｃ間若しくは基材２Ｂとコア材２Ｃ間が口開き不具合部６のように回路基板２内で剥れてしまい、この状態のままだと水や湿気などが口開き不具合部６に浸入し、２次実装時に樹脂封止型半導体装置１の破壊（ポップコーン現象）や電気的ショートを引き起こすマイグレーション不具合を起こす。また、口開き不具合部６は更に衝撃力５によって、口開き量が増大する可能性があり、樹脂封止型半導体装置１と外部端子４間の電気的導通をショートさせる危険性がある。
【０００５】
本発明は、樹脂封止型半導体装置の回路基板内の口開きを防止し、歩留向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１記載の回路基板は、複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子と、個片化後に前記樹脂封止型半導体装置となる領域の各コーナ部に形成されて前記回路基板を貫通するビアとを有することを特徴とする。
【０００７】
請求項２記載の回路基板は、複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子と、個片化後に前記樹脂封止型半導体装置となる領域の各辺部全体に複数個形成され、前記回路基板を貫通するビアとを有することを特徴とする。
【０００８】
請求項３記載の回路基板は、請求項２記載の回路基板において、個片化後に前記樹脂封止型半導体装置となる領域の各コーナ部にも前記ビアを形成することを特徴とする。
請求項４記載の回路基板は、複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子と、個片化後に前記樹脂封止型半導体装置となる領域の外周部分近傍に連続的に形成されて前記回路基板を貫通するシールリングとを有することを特徴とする。
【０００９】
請求項５記載の回路基板は、複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子と、前記切断領域の前記樹脂封止型半導体装置と隣接する辺に複数個形成され、前記回路基板を貫通するビアとを有することを特徴とする。
【００１０】
請求項６記載の回路基板は、複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子と、個片化後に前記樹脂封止型半導体装置となる領域と前記切断領域との境界部分に形成される前記回路基板を貫通する複数のビアとを有することを特徴とする。
【００１１】
請求項７記載の回路基板は、複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子とを有し、前記切断領域に沿った所定の領域のコア材および第１の基材または第２の基材のいずれか一方の基材を除去すると共に、他方の基材と樹脂との密着性を基材と前記コア材との密着性よりも高くすることを特徴とする。
【００１２】
請求項８記載の回路基板は、複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子とを有し、個片化後に前記樹脂封止型半導体装置となる領域のコーナ部のコア材および第１の基材または第２の基材のいずれか一方の基材を所定の範囲で除去することを特徴とする。
【００１３】
請求項９記載の回路基板は、複数の半導体チップを搭載して樹脂封止した後に切断領域で切断することにより複数の樹脂封止型半導体装置に個片化される回路基板であって、第１の基材と第２の基材の間に電気的リークを抑制する為のコア材を挟んで形成され、前記半導体チップを搭載する第１の面上の領域と、前記第１の面に対する裏面となる第２の面上に形成されて前記半導体チップと電気的に接続される外部端子とを有し、前記回路基板の端部を前記半導体チップ搭載面から前記外部端子形成面に向かって前記樹脂封止型半導体装置の内側方向に斜めに除去することを特徴とする。
【００１４】
請求項１０記載の樹脂封止型半導体装置は、請求項１〜請求項９のいずれかに記載の回路基板の前記第１の面上に前記半導体チップを電気的に接続して搭載し、前記切断領域で切断して個片化することにより形成されることを特徴とする。
【００１５】
請求項１１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１０記載の樹脂封止型半導体装置を切断するに際し、前記切断領域をダイシング加工若しくは金型加工することにより切断することを特徴とする。
【００１６】
請求項１２記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１０記載の樹脂封止型半導体装置を切断するに際し、前記切断領域をダイシング加工することにより切断し、ダイシング加工の際に、前記切断領域の前記樹脂封止型半導体装置のコーナ部近傍のみ速度を下げてダイシング加工することを特徴とする。
【００１７】
請求項１３記載のトレイは、回路基板の第１の面に半導体チップを電気的に接続して搭載し、前記第１の面の裏面となる第２の面に前記半導体チップと電気的に接続される外部端子を設け、前記半導体チップを搭載した第１の面上を樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置を収納するトレイであって、前記樹脂封止型半導体装置を前記外部端子および、前記樹脂が形成する面の内の対向する２面の３箇所で保持することにより収納することを特徴とする。
【００１８】
請求項１４記載の検査ソケットは、回路基板の第１の面に半導体チップを電気的に接続して搭載し、前記第１の面の裏面となる第２の面に前記半導体チップと電気的に接続される外部端子を設け、前記半導体チップを搭載した第１の面上を樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置を収納する検査ソケットであって、前記樹脂封止型半導体装置を前記外部端子および、前記樹脂が形成する面の内の対向する２面の３箇所で保持することにより収納することを特徴とする。
【００１９】
請求項１５記載のトレイは、回路基板の第１の面に半導体チップを電気的に接続して搭載し、前記第１の面の裏面となる第２の面に前記半導体チップと電気的に接続される外部端子を設け、前記半導体チップを搭載した第１の面上を樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置を収納し、積層して用いるトレイであって、前記樹脂封止型半導体装置の前記回路基板もしくは前記外部端子はその樹脂封止型半導体装置が収納されるトレイにて保持され、前記樹脂の前記回路基板と対向する表面は直上に積層されたトレイにより保持されることを特徴とする。
【００２０】
以上により、樹脂封止型半導体装置の回路基板内の口開きを防止し、歩留向上することができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように、樹脂封止型半導体装置の周囲の一部または全部、あるいは回路基板の切断領域に回路基板を貫通するビアやシールリングを設けることにより、回路基板における基材とコア材の密着性が向上するため、回路基板の剥れを抑制することができ、歩留向上することができる。
【００２２】
また、樹脂封止型半導体装置の周囲における回路基板の一部を削除することにより、検査ソケットやトレイに収納した際に回路基板に接触することを抑制することができるため、回路基板の剥れを抑制することができ、歩留向上することができる。
【００２３】
さらに、樹脂封止型半導体装置を収納する検査ソケットやトレイにおいて、回路基板の周辺部以外で樹脂封止型半導体装置を保持する構成とすることにより、回路基板の剥れを抑制することができ、歩留向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の樹脂封止型半導体装置とその製造方法の実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は実施の形態１における回路基板のコーナ部にビアを設けた樹脂封止型半導体装置を示す図である。
【００２５】
図１において、基材２Ａの第１の面側には半導体チップを搭載する領域と半導体チップを電気的に接続する電極パッドと配線、その周縁に個片化するための切断領域を有し、基材２Ｂの第２の面側には第１の面より電気的につなげたビアを介したビア先端に外部端子４を有し、基材２Ａの第２の面と基材２Ｂの第１の面の間を基材２Ａと基材２Ｂとの電気的リークを抑制する為のコア材２Ｃを介して接合し、更にその周縁に前記切断領域を設けて回路基板２とし、半導体チップ（図示せず）を回路基板２にダイアタッチ材（図示せず）を介して実装し、半導体チップ（図示せず）をワイヤー（図示せず）で回路基板２と電気的に接合し、更に樹脂３でモールドし、ダイシング加工や金型加工して回路基板２から分離分割することにより製造された樹脂封止型半導体装置１を示している。
【００２６】
図１に示す樹脂封止型半導体装置１の特徴は、回路基板２内のコーナ部に、回路基板２の表裏を貫通するビア７を配置することである。図１の例では、４つのコーナ部それぞれに１つずつのビア７を配置した場合について示しており、いずれのコーナ部にいくつのビア７を配置するかは任意である。
【００２７】
回路基板２のコーナ部にビア７を配置することにより、コーナ部における基材とコア材の密着性が向上し、ダイシング加工や金型加工時の回路基板２に掛かる衝撃力や、ダイシング加工や金型加工で回路基板２から分離分割した樹脂封止型半導体装置１を電気的に測定する為の検査ソケットやトレイに収納した際に掛かる衝撃力によって、回路基板２の基材２Ａとコア材２Ｃ間若しくは基材２Ｂとコア材２Ｃ間が従来のような口開き不具合部のように回路基板２内で剥れてしまうことが抑制できる。
【００２８】
図２は実施の形態１における回路基板の周辺部にビアを設けた樹脂封止型半導体装置を示す図である。
図２において、基材２Ａの第１の面側には半導体チップを搭載する領域と半導体チップを電気的に接続する電極パッドと配線、その周縁に個片化するための切断領域を有し、基材２Ｂの第２の面側には第１の面より電気的につなげたビアを介したビア先端に外部端子４を有し、基材２Ａの第２の面と基材２Ｂの第１の面の間を基材２Ａと基材２Ｂとの電気的リークを抑制する為のコア材２Ｃを介して接合し、更にその周縁に前記切断領域を設けて回路基板２とし、半導体チップ（図示せず）を回路基板２にダイアタッチ材（図示せず）を介して実装し、半導体チップ（図示せず）をワイヤー（図示せず）で回路基板２と電気的に接合し、更に樹脂３でモールドし、ダイシング加工や金型加工して回路基板２から分離分割することにより製造された樹脂封止型半導体装置１を示している。
【００２９】
図２に示す樹脂封止型半導体装置１の特徴は、切断領域近傍の回路基板２内のコーナ部及び辺部に、回路基板２の表裏を貫通するビア７を複数配置することでコーナ部の基材とコア材２Ｃとの密着性を向上させたことである。図２の例では、樹脂封止型半導体装置１の外周部分の全ての辺全面に等間隔で１列のビア７を配置した場合について示しており、いずれの辺にどのような間隔で何列のビア７を形成するかは任意である。また、コーナ部にビアを配置することにより、密着性を高くすることができるが、十分な密着性を確保できる場合には、コーナ部にビアを設けない構成とすることもできる。
【００３０】
回路基板２の周辺部にビア７を配置することにより、回路基板２の周辺部における基材とコア材の密着性が向上し、ダイシング加工や金型加工時の回路基板２に掛かる衝撃力や、ダイシング加工や金型加工で回路基板２から分離分割した樹脂封止型半導体装置１を電気的に測定する為の検査ソケットやトレイに収納した際に掛かる衝撃力によって、樹脂封止型半導体装置１コーナ部及び辺部の回路基板２の基材２Ａとコア材２Ｃ間若しくは基材２Ｂとコア材２Ｃ間が従来のような口開き不具合部のように回路基板２内で剥れてしまうことが抑制できる。
【００３１】
図３は実施の形態１における回路基板の周辺部にシールリングを設けた樹脂封止型半導体装置を示す図である。
図３において、基材２Ａの第１の面側には半導体チップを搭載する領域と半導体チップを電気的に接続する電極パッドと配線、その周縁に個片化するための切断領域を有し、基材２Ｂの第２の面側には第１の面より電気的につなげたビアを介したビア先端に外部端子４を有し、基材２Ａの第２の面と基材２Ｂの第１の面の間を基材２Ａと基材２Ｂとの電気的リークを抑制する為のコア材２Ｃを介して接合し、更にその周縁に前記切断領域を設けて回路基板２とし、半導体チップ（図示せず）を回路基板２にダイアタッチ材（図示せず）を介して実装し、半導体チップ（図示せず）をワイヤー（図示せず）で回路基板２と電気的に接合し、更に樹脂３でモールドし、ダイシング加工や金型加工して回路基板２から分離分割することにより製造された樹脂封止型半導体装置１を示している。
【００３２】
図３に示す樹脂封止型半導体装置１の特徴は、回路基板２内のコーナ部及び辺部に、回路基板２の表裏を貫通する連続したシールリング８を配置することでコーナ部と辺部の基材とコア材２Ｃとの密着性を向上させたことである。
【００３３】
回路基板２の周辺部にシールリング８を配置することにより、回路基板２の周辺部における基材とコア材の密着性が向上し、ダイシング加工や金型加工時の回路基板２に掛かる衝撃力や、ダイシング加工や金型加工で回路基板２から分離分割した樹脂封止型半導体装置１を電気的に測定する為の検査ソケットやトレイに収納した際に掛かる衝撃力によって、樹脂封止型半導体装置１コーナ部及び辺部の回路基板２の基材２Ａとコア材２Ｃ間若しくは基材２Ｂとコア材２Ｃ間が従来のような口開き不具合部のように回路基板２内で剥れてしまうことが抑制できる。
（実施の形態の２）
図４は実施の形態２における回路基板の切断領域にビアを設けた樹脂封止型半導体装置を示す図である。
【００３４】
実施の形態２においても、図１〜図３に示すように、基材２Ａの第１の面側には半導体チップを搭載する領域と半導体チップを電気的に接続する電極パッドと配線、その周縁に個片化するための切断領域を有し、基材２Ｂの第２の面側には第１の面より電気的につなげたビアを介したビア先端に外部端子４を有し、基材２Ａの第２の面と基材２Ｂの第１の面の間を基材２Ａと基材２Ｂとの電気的リークを抑制する為のコア材２Ｃを介して接合し、更にその周縁に前記切断領域を設けて回路基板２とし、半導体チップ（図示せず）を回路基板２にダイアタッチ材（図示せず）を介して実装し、半導体チップ（図示せず）をワイヤー（図示せず）で回路基板２と電気的に接合し、更に樹脂３でモールドし、ダイシング加工や金型加工して回路基板２から分離分割することにより製造された樹脂封止型半導体装置１に対するものである。
【００３５】
図４では、樹脂封止型半導体装置が複数形成された回路基板はダイシングテープ２２で接着固定されており、切断領域Ｋをダイシングブレード２１で切断することにより個々の樹脂封止型半導体装置に回路基板から分離分割される。
【００３６】
図４に示す樹脂封止型半導体装置の特徴は、切断領域Ｋ内に実施の形態１で示したビアやシールリングを配置することである。つまり、樹脂封止型半導体装置のコーナ部や周辺部に配置したビアやシールリングを、その領域と隣接する切断領域Ｋに配置するものである。図４の例では、樹脂封止型半導体装置の周辺部に隣接する領域として、樹脂封止型半導体装置と隣接する切断領域Ｋの周辺部全辺に一列のビアを配置している。
【００３７】
切断領域Ｋ内に実施の形態１で示したビアやシールリングを配置することにより、切断領域Ｋ内における基材とコア材の密着性が向上し、ダイシング加工や金型加工時の回路基板に掛かる衝撃力によって、樹脂封止型半導体装置の回路基板の基材とコア材間が従来のような口開き不具合部のように回路基板内で剥れてしまうことが抑制できる。更に、切断領域Ｋ内にビアやシールリングを配置しているため、樹脂封止型半導体装置にビアやシールリング跡が残らず、また、樹脂封止型半導体装置内にビアやシールリングを配置するスペースを設ける必要がなく、樹脂封止型半導体装置を小型化できる。
【００３８】
図５は実施の形態２における回路基板の切断領域と半導体装置領域との境界にビアを設けた樹脂封止型半導体装置を示す図である。
実施の形態２においても、図１〜図３に示すように、基材２Ａの第１の面側には半導体チップを搭載する領域と半導体チップを電気的に接続する電極パッドと配線、その周縁に個片化するための切断領域を有し、基材２Ｂの第２の面側には第１の面より電気的につなげたビアを介したビア先端に外部端子４を有し、基材２Ａの第２の面と基材２Ｂの第１の面の間を基材２Ａと基材２Ｂとの電気的リークを抑制する為のコア材２Ｃを介して接合し、更にその周縁に前記切断領域を設けて回路基板２とし、半導体チップ（図示せず）を回路基板２にダイアタッチ材（図示せず）を介して実装し、半導体チップ（図示せず）をワイヤー（図示せず）で回路基板２と電気的に接合し、更に樹脂３でモールドし、ダイシング加工や金型加工して回路基板２から分離分割することにより製造された樹脂封止型半導体装置１に対するものである。
【００３９】
図５では、樹脂封止型半導体装置が複数形成された回路基板はダイシングテープ２２で接着固定されており、切断領域Ｋをダイシングブレード２１で切断することにより個々の樹脂封止型半導体装置に回路基板から分離分割される。
【００４０】
図５に示す樹脂封止型半導体装置の特徴は、切断領域と半導体装置領域との境界にビアやシールリングを配置することである。
切断領域と半導体装置領域との境界にビアやシールリングを配置することにより、辺部の基材とコア材との密着性が向上し、ダイシング加工や金型加工時の回路基板に掛かる衝撃力や、ダイシング加工や金型加工で回路基板から分離分割した樹脂封止型半導体装置を電気的に測定する為の検査ソケットやトレイに収納した際に掛かる衝撃力による基板内口開き不具合が抑制でき、その結果、樹脂封止型半導体装置の歩留が向上し生産性が向上する。更に、切断領域と半導体装置領域との境界にビアやシールリングを配置しているため、樹脂封止型半導体装置に残るビアやシールリングの跡が小さくなり、また、樹脂封止型半導体装置内にビアやシールリングを配置するスペースを少なくすることができ、樹脂封止型半導体装置を小型化できる。
【００４１】
図６は実施の形態２における回路基板の切断領域近傍の基材とコア材を除去した樹脂封止型半導体装置を示す図である。
図６において、基材２Ａの第１の面側には半導体チップを搭載する領域と半導体チップを電気的に接続する電極パッドと配線、その周縁に個片化するための切断領域を有し、基材２Ｂの第２の面側には第１の面より電気的につなげたビアを介したビア先端に外部端子４を有し、基材２Ａの第２の面と基材２Ｂの第１の面の間を基材２Ａと基材２Ｂとの電気的リークを抑制する為のコア材２Ｃを介して接合し、更にその周縁に前記切断領域を設けて回路基板２とし、半導体チップ９を回路基板２にダイアタッチ材１０を介して実装し、半導体チップ９をワイヤー１１で回路基板２と電気的に接合し、更に樹脂３でモールドし、ダイシング加工や金型加工して回路基板２から分離分割することにより製造された樹脂封止型半導体装置１を示している。
【００４２】
図６に示す樹脂封止型半導体装置の特徴は、切断領域近傍において基材２Ａとコア材２Ｃを除去すると共に、基材２Ｂと樹脂３との密着性を基材２Ａ、２Ｂとコア材２Ｃとの密着性よりも高くすることである。切断領域近傍の基材２Ａとコア材２Ｃが除去され、更に基材２Ｂと樹脂３との密着性が基材２Ａ、２Ｂとコア材２Ｃとの密着性より高いため、ダイシング加工や金型加工時の回路基板２に掛かる衝撃力や、ダイシング加工や金型加工で回路基板２から分離分割した樹脂封止型半導体装置１を電気的に測定する為の検査ソケットやトレイに収納した際に掛かる衝撃力によって、樹脂封止型半導体装置１コーナ部及び辺部の回路基板２の基材２Ａとコア材２Ｃ間若しくは基材２Ｂとコア材２Ｃ間が従来のような口開き不具合部のように回路基板２内で剥れてしまうことが抑制でき、その結果、樹脂封止型半導体装置の歩留が向上し生産性が向上する。更に、樹脂封止型半導体装置１の外形形状が変わらないメリットがある。
【００４３】
尚、基材２Ａとコア材２Ｃの除去は、回路基板状態で、化学材料を用いたエッチング加工により行うことができる。また、基材２Ａとコア材２Ｃの除去範囲は切断領域に到っても基板の剛性があればかまわない。
【００４４】
図７は実施の形態２における回路基板の切断領域近傍の樹脂モールドされない基材とコア材を除去した樹脂封止型半導体装置を示す図である。
図７において、基材２Ａの第１の面側には半導体チップを搭載する領域と半導体チップを電気的に接続する電極パッドと配線、その周縁に個片化するための切断領域を有し、基材２Ｂの第２の面側には第１の面より電気的につなげたビアを介したビア先端に外部端子４を有し、基材２Ａの第２の面と基材２Ｂの第１の面の間を基材２Ａと基材２Ｂとの電気的リークを抑制する為のコア材２Ｃを介して接合し、更にその周縁に前記切断領域を設けて回路基板２とし、半導体チップ９を回路基板２にダイアタッチ材１０を介して実装し、半導体チップ９をワイヤー１１で回路基板２と電気的に接合し、更に樹脂３でモールドし、ダイシング加工や金型加工して回路基板２から分離分割することにより製造された樹脂封止型半導体装置１を示している。
【００４５】
図７に示す樹脂封止型半導体装置の特徴は、切断領域近傍において基材２Ｂとコア材２Ｃを除去と共に、基材２Ａと樹脂３との密着性を基材２Ａ、２Ｂとコア材２Ｃとの密着性よりも高くすることである。切断領域近傍の基材２Ｂとコア材２Ｃが除去されているため、ダイシング加工や金型加工時の回路基板２に掛かる衝撃力や、ダイシング加工や金型加工で回路基板２から分離分割した樹脂封止型半導体装置１を電気的に測定する為の検査ソケットやトレイに収納した際に掛かる衝撃力によって、樹脂封止型半導体装置１コーナ部及び辺部の回路基板２の基材２Ａとコア材２Ｃ間若しくは基材２Ｂとコア材２Ｃ間が従来のような口開き不具合部６のように回路基板２内で剥れてしまうことが抑制でき、その結果、樹脂封止型半導体装置の歩留が向上し生産性が向上する。更に、基材２Ｂとコア材２Ｃが除去されているため、樹脂封止型半導体装置の小型軽量化に繋がる。
【００４６】
尚、基材２Ｂとコア材２Ｃの除去は、回路基板状態で、化学材料を用いたエッチング加工により行うことができる。また、基材とコア材の除去範囲は切断領域に到っても基板の剛性があればかまわない。
【００４７】
図８は実施の形態２における回路基板のコーナ部にて一方の基材とコア材を除去した樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図８（ｂ）は底面側から見た平面図、図８（ａ）は図８（ｂ）の一点鎖線における断面図である。
【００４８】
実施の形態２においても、図１〜図３に示すように、基材２Ａの第１の面側には半導体チップを搭載する領域と半導体チップを電気的に接続する電極パッドと配線、その周縁に個片化するための切断領域を有し、基材２Ｂの第２の面側には第１の面より電気的につなげたビアを介したビア先端に外部端子４を有し、基材２Ａの第２の面と基材２Ｂの第１の面の間を基材２Ａと基材２Ｂとの電気的リークを抑制する為のコア材２Ｃを介して接合し、更にその周縁に前記切断領域を設けて回路基板２とし、半導体チップ（図示せず）を回路基板２にダイアタッチ材（図示せず）を介して実装し、半導体チップ（図示せず）をワイヤー（図示せず）で回路基板２と電気的に接合し、更に樹脂３でモールドし、ダイシング加工や金型加工して回路基板２から分離分割することにより製造された樹脂封止型半導体装置１に対するものである。
【００４９】
図８に示す樹脂封止型半導体装置の特徴は、樹脂封止型半導体装置のコーナ付近の基材２Ａないし基材２Ｂと、コア材２Ｃを除去することである。図８では基材２Ｂとコア材２Ｃを除去したものを示している。予め切断領域近傍における樹脂封止型半導体装置のコーナ付近の基材２Ａないし基材２Ｂと、コア材２Ｃが除去されているため、ダイシング加工や金型加工時の回路基板２に掛かる衝撃力や、ダイシング加工や金型加工で回路基板２から分離分割した樹脂封止型半導体装置１を電気的に測定する為の検査ソケットやトレイに収納した際に掛かる衝撃力によって、樹脂封止型半導体装置１の特にコーナ部の回路基板２の基材２Ａとコア材２Ｃ間若しくは基材２Ｂとコア材２Ｃ間が従来のような口開き不具合部のように回路基板２内で剥れてしまうことを抑制でき、その結果、樹脂封止型半導体装置の歩留が向上し生産性が向上する。更に、コーナ部において基材２Ｂとコア材２Ｃが除去されている場合、樹脂封止型半導体装置の小型軽量化に繋がる。
【００５０】
尚、基材とコア材の除去は、回路基板状態で、化学材料を用いたエッチング加工により行うことができる。
図９は実施の形態２における回路基板のコーナ部に斜面を設けた樹脂封止型半導体装置を示す図である。
【００５１】
実施の形態２においても、図１〜図３に示すように、基材２Ａの第１の面側には半導体チップを搭載する領域と半導体チップを電気的に接続する電極パッドと配線、その周縁に個片化するための切断領域を有し、基材２Ｂの第２の面側には第１の面より電気的につなげたビアを介したビア先端に外部端子４を有し、基材２Ａの第２の面と基材２Ｂの第１の面の間を基材２Ａと基材２Ｂとの電気的リークを抑制する為のコア材２Ｃを介して接合し、更にその周縁に前記切断領域を設けて回路基板２とし、半導体チップ（図示せず）を回路基板２にダイアタッチ材（図示せず）を介して実装し、半導体チップ（図示せず）をワイヤー（図示せず）で回路基板２と電気的に接合し、更に樹脂３でモールドし、ダイシング加工や金型加工して回路基板２から分離分割することにより製造された樹脂封止型半導体装置１に対するものである。
【００５２】
図９に示す樹脂封止型半導体装置の特徴は、半導体チップ搭載面から外部端子形成面に向かって樹脂封止型半導体装置の内側方向に斜めに除去することである。予め切断領域近傍の樹脂封止型半導体装置１の回路基板２に斜面ＴＳが加工されているため、ダイシング加工や金型加工時の回路基板２に掛かる衝撃力や、ダイシング加工や金型加工で回路基板２から分離分割した樹脂封止型半導体装置１を電気的に測定する為の検査ソケットやトレイに収納した際に掛かる衝撃力が、回路基板２に傾斜ＴＳが付いているため衝撃力が分散され、樹脂封止型半導体装置１コーナ部及び辺部の回路基板２の基材２Ａとコア材２Ｃ間若しくは基材２Ｂとコア材２Ｃ間が従来のような口開き不具合部６のように回路基板２内で剥れてしまうことを抑制でき、その結果、樹脂封止型半導体装置の歩留が向上し生産性が向上する。更に、基板が斜面加工されているため、樹脂封止型半導体装置の小型軽量化に繋がる。
【００５３】
尚、基板の斜面加工は、樹脂封止型半導体装置状態で、ダイシングブレードの先端を三角形状にしたベベルダイシング加工により実施することができる。
図１０は実施の形態２におけるトレイ若しくは検査ソケットを示す図である。
【００５４】
図１０では、図１〜図３に示すような、半導体チップを搭載できる半導体装置領域を複数、切断領域で区切って設けられた回路基板２に形成され、基材２Ａの第１の面側には半導体チップを搭載する領域と半導体チップを電気的に接続する電極パッドと配線、その周縁に個片化するための切断領域を有し、基材２Ｂの第２の面側には第１の面より電気的につなげたビアを介したビア先端に外部端子４を有し、基材２Ａの第２の面と基材２Ｂの第１の面の間を基材２Ａと基材２Ｂとの電気的リークを抑制する為のコア材２Ｃを介して接合し、更にその周縁に前記切断領域を設けられた回路基板２に、半導体装置を搭載し、前記切断領域をダイシング若しくは金型加工して形成された樹脂封止型半導体装置１に対して、前記樹脂封止型半導体装置１を収納するトレイ若しくは検査する検査ソケット３１で、トレイ若しくは検査する検査ソケット３１上に外部端子４を接して載置し、前記樹脂封止型半導体装置１を樹脂部側面Ｒで保持することを特徴とする。
【００５５】
このトレイ若しくは検査ソケット３１によれば、樹脂封止型半導体装置１を回路基板２に接触することなく樹脂部側面Ｒで保持するため、トレイ若しくは検査ソケット３１が回路基板２に接触することがなく回路基板２に衝撃力が及ばないので、基板内口開き不具合が抑制でき、その結果、樹脂封止型半導体装置１の品質が向上し生産性が向上する。尚、本発明でのトレイ若しくは検査ソケット３１は射出成形にて安価に量産しやすいように分割＆結合ラインＢで上下２分割に射出成形し、後ほど上下を接着結合させても良い。
【００５６】
図１１は実施の形態２における積層用トレイを示す図である。
図１１では、図１〜図３に示すような、半導体チップを搭載できる半導体装置領域を複数、切断領域で区切って設けられた回路基板２に形成され、基材２Ａの第１の面側には半導体チップを搭載する領域と半導体チップを電気的に接続する電極パッドと配線、その周縁に個片化するための切断領域を有し、基材２Ｂの第２の面側には第１の面より電気的につなげたビアを介したビア先端に外部端子４を有し、基材２Ａの第２の面と基材２Ｂの第１の面の間を基材２Ａと基材２Ｂとの電気的リークを抑制する為のコア材２Ｃを介して接合し、更にその周縁に前記切断領域を設けられた回路基板２に、半導体装置を搭載し、前記切断領域をダイシング若しくは金型加工して形成された樹脂封止型半導体装置１を収納するトレイ３２に特徴を有する。
【００５７】
本実施の形態のトレイ３２は、前記樹脂封止型半導体装置１を収納した状態でトレイ３２を積層して用い、上側のトレイ３２は規制リブ下部３２Ｂで下側のトレイ３２に搭載された樹脂封止型半導体装置１の樹脂３部表面を保持し、下側のトレイは規制リブ上部３２Ａで上側のトレイに搭載された樹脂封止型半導体装置１の回路基板２もしくは外部端子４を保持する構成となる。この時、規制リブ上部３２Ａを設けずに、直接トレイ３２の底部で外部端子４を保持することもできる。
【００５８】
このトレイ３２によれば、収納するトレイ３２同士で、上側のトレイ３２の規制リブ下部３２Ｂで下側のトレイ３２に搭載された樹脂封止型半導体装置１の樹脂３部表面を保持し、下側のトレイ３２の規制リブ上部３２Ａは回路基板２もしくは外部端子４を保持するため、従来のような基板内口開き不具合を抑制でき、その結果、樹脂封止型半導体装置の歩留が向上し生産性が向上する。
【００５９】
尚、本実施の形態のトレイ３２は安価に量産しやすいように射出成形にて加工することができる。また、規制リブと樹脂封止型半導体装置１の樹脂３若しくは回路基板２若しくは外部端子４との密着性を下げるために、規制リブ下部３２Ｂや規制リブ上部３２Ａの樹脂３若しくは回路基板２若しくは外部端子４との接触部にフッ素系の表面コーティングを施しても良いし、密着性を下げるようなトレイ材料として、例えばＰＣ（ポリカーボネート）などを使用すれば、表面コーティングなどをする必要は少ない。
【００６０】
図１２は実施の形態２における樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明する図である。
図１２には、図１〜図３に示すような、基材２Ａの第１の面側には半導体チップを搭載する領域と半導体チップを電気的に接続する電極パッドと配線、その周縁に個片化するための切断領域を有し、基材２Ｂの第２の面側には第１の面より電気的につなげたビアを介したビア先端に外部端子４を有し、基材２Ａの第２の面と基材２Ｂの第１の面の間を基材２Ａと基材２Ｂとの電気的リークを抑制する為のコア材２Ｃを介して接合し、更にその周縁に前記切断領域を設けて回路基板２とし、半導体チップ（図示せず）を回路基板２にダイアタッチ材（図示せず）を介して実装し、半導体チップ（図示せず）をワイヤー（図示せず）で回路基板２と電気的に接合し、更に樹脂３でモールドし、ダイシング加工や金型加工して回路基板２から分離分割することで個々の樹脂封止型半導体装置１に回路基板２から分離分割する前の状態を示している。図１２では、樹脂封止型半導体装置１が形成された回路基板２はダイシングテープ２２で接着固定されており、ダイシングブレード２１で個々の樹脂封止型半導体装置１に回路基板２から分離分割される。ここで、ダイシングに際し、切断領域の樹脂封止型半導体装置１のコーナ部近傍IIのみ速度を下げてダイシング加工することを特徴とする。
【００６１】
この樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、切断領域の樹脂封止型半導体装置１のコーナ部近傍のみ速度を下げてダイシング加工するため、特にコーナ部の基板内口開き不具合が抑制でき、その結果、樹脂封止型半導体装置１の歩留が向上し生産性が向上する。
【００６２】
尚、本発明では、回路基板厚さ約０．１ｍｍから０．５ｍｍで、コア材には基材間の電気的リークを防止する為に、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含有させたものを用いた。また、樹脂はエポキシ系熱硬化性樹脂を用いた。ダイシング加工では、ブレード幅は約０．０２ｍｍから０．８ｍｍ、送り速度１ｍｍ／ｓから３００ｍｍ／ｓ、回転数５０００ｒｐｍから６００００ｒｐｍの条件幅の広い条件で加工することができる。
【００６３】
また、本発明において、口開き抑制用のビア上には外部端子を付けない構造としたため、ビア（本発明では銅系材料）上酸化抑制のため金フラッシュをコーティングすることが望ましい。また、本発明ではビア上に外部端子を付けない構造としたが、半導体チップとの電気的接合はなくとも、外部端子をつけることで２次実装時の樹脂封止型半導体装置にかかる繰返し曲げ応力を低減できる。
【００６４】
また、以上の説明では、半導体チップをワイヤーボンディングにて回路基板と電気的に接続する場合について説明したが、バンプを介して接続する構成としても良い。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、回路基板の剥れを抑制することができ、複数の半導体チップを搭載することのできる回路基板，半導体チップを搭載した回路基板を個片化することにより形成する樹脂封止型半導体装置，樹脂封止型半導体装置の製造方法、および樹脂封止型半導体装置を収納するトレイならびに樹脂封止型半導体装置の検査時に用いる検査ソケット等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】実施の形態１における回路基板のコーナ部にビアを設けた樹脂封止型半導体装置を示す図
【図２】実施の形態１における回路基板の周辺部にビアを設けた樹脂封止型半導体装置を示す図
【図３】実施の形態１における回路基板の周辺部にシールリングを設けた樹脂封止型半導体装置を示す図
【図４】実施の形態２における回路基板の切断領域にビアを設けた樹脂封止型半導体装置を示す図
【図５】実施の形態２における回路基板の切断領域と半導体装置領域との境界にビアを設けた樹脂封止型半導体装置を示す図
【図６】実施の形態２における回路基板の切断領域近傍の基材とコア材を除去した樹脂封止型半導体装置を示す図
【図７】実施の形態２における回路基板の切断領域近傍の樹脂モールドされない基材とコア材を除去した樹脂封止型半導体装置を示す図
【図８】実施の形態２における回路基板のコーナ部にて一方の基材とコア材を除去した樹脂封止型半導体装置を示す図
【図９】実施の形態２における回路基板のコーナ部に斜面を設けた樹脂封止型半導体装置を示す図
【図１０】実施の形態２におけるトレイ若しくは検査ソケットを示す図
【図１１】実施の形態２における積層用トレイを示す図
【図１２】実施の形態２における樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明する図
【図１３】従来の回路基板の構成を示す図
【符号の説明】
【００６７】
１    樹脂封止型半導体装置
２    回路基板
２Ａ    基材
２Ｂ    基材
２Ｃ    コア材
３    樹脂
４    外部端子
５    衝撃力
６    口開き不具合部
７    ビア
８    シールリング
９    半導体チップ
１０    ダイアタッチ材
１１    ワイヤー
２１    ダイシングブレード
２２    ダイシングテープ
Ｋ    切断領域
ＴＳ    斜面
３１    検査ソケット
Ｒ    規制部
Ｂ    分割＆結合ライン
３２    トレイ
３２Ａ    規制リブ上部
３２Ｂ    規制リブ下部
【図１】
2008288400.tif 000003
【図２】
2008288400.tif 000004
【図３】
2008288400.tif 000005
【図４】
2008288400.tif 000006
【図５】
2008288400.tif 000007
【図６】
2008288400.tif 000008
【図７】
2008288400.tif 000009
【図８】
2008288400.tif 000010
【図９】
2008288400.tif 000011
【図１０】
2008288400.tif 000012
【図１１】
2008288400.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2008288400.tif 000015