(57)【要約】【課題】積層方向の光学特性を容易に微調整可能な光学素子の製造方法、および薄膜パターン基板を提供する。【解決手段】薄膜パターン基板上に離型層を介して薄膜を形成し、薄膜をパターニングして光学素子３Ａ用の１層目〜１６層目の複数の薄膜パターン３０と、光学素子３Ｂ用の１層目〜１６層目の複数の薄膜パターン３１を形成して薄膜パターン基板を作製する。次に、光学素子３Ａを構成する複数の薄膜パターン３０のうち、２層目、４層目、６層目、１０層目、１２層目、１４層目、１６層目の薄膜パターン３０２、３０４、３０６、３０１０、３０１２、３０１４、３０１６にフェムト秒レーザ光を照射して屈折率を変化させる。次に、薄膜パターン基板とターゲット基板との接合、離間を繰り返すことにより、複数の薄膜パターン３０、３１をターゲット基板に積層、転写して光学素子３Ａ，３Ｂを製造する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に目的とする光学素子の断面形状に対応した複数の薄膜パターンを形成する第１の工程と、
前記第１の基板上の前記複数の薄膜パターンのうち１つ以上の薄膜パターンの屈折率を変化させる第２の工程と、
前記第１の基板と第２の基板との接合、離間を繰り返すことにより、前記第１の基板上の前記複数の薄膜パターンを前記第２の基板上に積層、転写して前記光学素子を形成する第３の工程とを含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１の基板と前記第２の基板との接合は、常温接合によることを特徴とする請求項１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２の工程は、前記１つ以上の薄膜パターンにフェムト秒レーザ光を照射して屈折率を変化させることを特徴とする請求項１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項４】
前記第２の工程における前記フェムト秒レーザ光の照射は、照射パワーまたは照射回数を制御して行うことを特徴とする請求項３に記載の光学素子の製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程は、前記１つ以上の薄膜パターンに紫外線を照射して屈折率を変化させることを特徴とする請求項１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項６】
前記第２の工程は、前記１つ以上の薄膜パターンにイオンを注入して屈折率を変化させることを特徴とする請求項１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項７】
前記第２の工程は、前記１つ以上の薄膜パターンを酸化させて屈折率を変化させることを特徴とする請求項１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項８】
第１の基板上に目的とする第１および第２の光学素子の断面形状にそれぞれ対応した複数の第１の薄膜パターン、および複数の第２の薄膜パターンを形成する第１の工程と、
前記第１の基板上の前記複数の第１の薄膜パターンのうち１つ以上の第１の薄膜パターンの屈折率を変化させる第２の工程と、
前記第１の基板と第２の基板との接合、離間を繰り返すことにより、前記第１の基板上の前記複数の第１および第２の薄膜パターンを前記第２の基板上に積層、転写して光学特性の異なる前記第１および第２の光学素子を形成する第３の工程とを含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に剥離可能に形成され、薄膜パターン間で屈折率の異なる複数の薄膜パターンとを備えたことを特徴とする薄膜パターン基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトニック結晶、フィルタ等の光学素子の製造方法、および光学素子を製造するための薄膜パターン基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光学素子の製造方法として、複数の薄膜を常温接合により積層して光学素子を製造するものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
この光学素子の製造方法は、基板上に２次元パターンを有する複数の薄膜を形成し、基板上から複数の薄膜を剥離し、この剥離した複数の薄膜を順次接合して積層することにより、フォトニック結晶を製造するものである。
【特許文献１】特開２０００−１８０６０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、積層方向の光学特性を容易に微調整可能な光学素子の製造方法、および薄膜パターン基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光学素子の製造方法、および屈折率分布薄膜パターン基板を提供する。
【０００６】
［１］第１の基板上に目的とする光学素子の断面形状に対応した複数の薄膜パターンを形成する第１の工程と、前記第１の基板上の前記複数の薄膜パターンのうち１つ以上の薄膜パターンの屈折率を変化させる第２の工程と、前記第１の基板と第２の基板との接合、離間を繰り返すことにより、前記第１の基板上の前記複数の薄膜パターンを前記第２の基板上に積層、転写して前記光学素子を形成する第３の工程とを含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
【０００７】
［２］前記第１の基板と前記第２の基板との接合は、常温接合によることを特徴とする前記［１］に記載の光学素子の製造方法。
【０００８】
［３］前記第２の工程は、前記１つ以上の薄膜パターンにフェムト秒レーザ光を照射して屈折率を変化させることを特徴とする前記［１］に記載の光学素子の製造方法。
【０００９】
［４］前記第２の工程における前記フェムト秒レーザ光の照射は、照射パワーまたは照射回数を制御して行うことを特徴とする前記［３］に記載の光学素子の製造方法。
【００１０】
［５］前記第２の工程は、前記１つ以上の薄膜パターンに紫外線を照射して屈折率を変化させることを特徴とする前記［１］に記載の光学素子の製造方法。
【００１１】
［６］前記第２の工程は、前記１つ以上の薄膜パターンにイオンを注入して屈折率を変化させることを特徴とする前記［１］に記載の光学素子の製造方法。
【００１２】
［７］前記第２の工程は、前記１つ以上の薄膜パターンを酸化させて屈折率を変化させることを特徴とする前記［１］に記載の光学素子の製造方法。
【００１３】
［８］第１の基板上に目的とする第１および第２の光学素子の断面形状にそれぞれ対応した複数の第１の薄膜パターン、および複数の第２の薄膜パターンを形成する第１の工程と、前記第１の基板上の前記複数の第１の薄膜パターンのうち１つ以上の第１の薄膜パターンの屈折率を変化させる第２の工程と、前記第１の基板と第２の基板との接合、離間を繰り返すことにより、前記第１の基板上の前記複数の第１および第２の薄膜パターンを前記第２の基板上に積層、転写して光学特性の異なる前記第１および第２の光学素子を形成する第３の工程とを含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
【００１４】
［９］基板と、前記基板上に剥離可能に形成され、薄膜パターン間で屈折率の異なる複数の薄膜パターンとを備えたことを特徴とする薄膜パターン基板。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１に係る光学素子の製造方法によれば、積層方向の光学特性を容易に微調整可能となる。
請求項２に係る光学素子の製造方法によれば、請求項１の効果に加えて、薄膜パターンの形状や厚さの変化が少なく、高精度な光学素子を製造することができる。
請求項３に係る光学素子の製造方法によれば、２次元的にレーザ光を照射することが可能であるので、レーザ光の走査が不要となり、または少ない走査量で薄膜パターン全体にレーザ光を照射することができ、レーザ光の照射工程の時間を短縮することができる。
請求項４に係る光学素子の製造方法によれば、レーザ光の照射量を制御することで、屈折率の高精度な制御が可能となる。
請求項５、６、７に係る光学素子の製造方法によれば、レーザ光と同様に屈折率を変更することができる。
請求項８に係る光学素子の製造方法によれば、請求項１の効果に加えて、光学特性の異なる複数の光学素子を一括して製造することができる。
請求項９に係る薄膜パターン基板によれば、積層方向の光学特性を容易に微調整可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光学デバイスを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【００１７】
この光学デバイス１は、基板２上に光学特性の異なる複数の光学素子３Ａ，３Ｂを有する。本実施の形態では、光学素子が２つの場合を示すが、１つでも３つ以上でもよい。
【００１８】
光学素子３Ａは、角柱状を有し、断面形状に対応した複数の薄膜パターン３０（３０１〜３０１６）を積層して形成される。光学素子３Ａは、複数の薄膜パターン３０のうち１つ以上の薄膜パターン３０、本実施の形態では、２層目、４層目、６層目、１０層目、１２層目、１４層目、１６層目の薄膜パターン３０２、３０４、３０６、３０１０、３０１２、３０１４、３０１６がレーザ光の照射により屈折率が変化している。
【００１９】
光学素子３Ｂは、円柱状を有し、断面形状に対応した複数の薄膜パターン３１（３１１〜３１１６）がレーザ光が照射されずに積層して形成される。
【００２０】
薄膜パターン３０，３１は、レーザ光の照射によって屈折率が変化する材料から形成されている。このような材料として、例えば、ポリイミド、ポリカーボネート、フッ素系樹脂等の高分子材料にラジカル反応性またはイオン反応性を有するオリゴマーおよび／またはモノマーを含有させたものや、Ｓｉ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｌＡｓＰ等の半導体材料を用いることができる。
【００２１】
（光学デバイスの製造方法）
次に、本実施の形態に係る光学デバイス１の製造方法を図２および図３を参照して説明する。図２は、薄膜パターン基板を示し、（ａ）は、薄膜パターン基板全体の平面図、（ｂ）は、（ａ）の要部拡大図、（ｃ）は、レーザ光照射後の（ａ）の要部拡大図である。また、図３（ａ）〜（ｆ）は、積層工程を示す。
【００２２】
（１）薄膜パターン基板の作製
まず、Ｓｉウェハからなる基板１０１を準備する。なお、基板１０１として、Ｓｉウェハのほかに、ガラス基板、石英基板等を用いてもよい。
【００２３】
次に、基板１０１上にポリイミドからなる離型層１０２をスパッタ法により着膜する。なお、離型層１０２として、上記ポリイミドのほかに、フッ化ポリイミド、酸化シリコン等の公知の材料を用いることができる。なお、離型層として、基板１０１の熱酸化処理を行って形成される熱酸化膜を用いてもよい。また、離型層１０２の着膜法として、上記スパッタ法のほかに、分子線ビームエピタキシャル法、化学気相堆積法、真空蒸着法、スピン塗布法等の一般的な薄膜形成方法を用いることができる。離型層１０２を用いることにより、薄膜パターン基板と薄膜パターンが転写される対向基板とを圧接して離間したとき、薄膜パターンが離型層から容易に剥離してターゲット基板側に転写させることができる。
【００２４】
次に、離型層１０２の表面に光学素子３Ａ，３Ｂの構成材料となる薄膜をスパッタ法により着膜する。薄膜の着膜法として、上記スパッタ法のほかに、分子線ビームエピタキシャル法、化学気相堆積法、真空蒸着法、スピン塗布法等の一般的な薄膜形成方法を用いることができる。
【００２５】
次に、図２（ｂ）に示すように、薄膜をリソグラフィー法によりパターニングして光学素子３Ａ用の１層目〜１６層目の複数の薄膜パターン３０（３０１〜３０１６）と、光学素子３Ｂ用の１層目〜１６層目の複数の薄膜パターン３１（３１１〜３１１６）を形成して、薄膜パターン基板１００を作製する。パターニングは、上記リソグラフィー法のほかに、集束イオンビーム（ＦＩＢ）法、電子ビーム直接描画法等を用いることができるが、高い平面形状精度が得られ、量産性が高い点で、リソグラフィ法が好ましい。図２中、１０３は、仮想の領域を示すセルであり、１つのセル１０３に同時に転写される薄膜パターン３０，３１が形成される。
【００２６】
次に、図２（ｃ）に示すように、光学素子３Ａを構成する複数の薄膜パターン３０のうち、２層目、４層目、６層目、１０層目、１２層目、１４層目、１６層目の薄膜パターン３０２、３０４、３０６、３０１０、３０１２、３０１４、３０１６にアブレーション（凹凸）が起こらない程度にフェムト秒レーザ光を照射して屈折率を高くさせる。図２（ｃ）中、フェムト秒レーザ光を照射した薄膜パターン３０を斜線を施して示す。
【００２７】
フェムト秒レーザ光の照射は、薄膜パターンの外径よりも小さいビーム径を用いて薄膜パターン上を走査してもよく、薄膜パターンの外径よりも大きいビーム径を用いて薄膜パターン全体を照射してもよい。なお、フェムト秒レーザ光以外のレーザ光を用いてもよい。
【００２８】
（２）薄膜パターンの積層
次に、図３（ａ）に示すように、図２（ｃ）に示す薄膜パターン基板１００を真空槽内の図示しない下部ステージ上に配置し、ターゲット基板１１０を真空層内の図示しない上部ステージ上に配置する。ターゲット基板１１０には、Ｓｉウェハ、石英基板、ガラス基板等を用いることができる。なお、光学素子３Ａと光学素子３Ｂの積層方法は、同一であるので、図３には、光学素子３Ａ用の１層目および２層目の薄膜パターン３０１，３０２のみを示す。
【００２９】
続いて、真空槽内を排気して高真空状態あるいは超高真空状態にする。次に、下部ステージを上部ステージに対して相対的に水平方向に移動させてターゲット基板１１０の直下に薄膜パターン基板１００の１層目の薄膜パターン３０１，３１１を位置させる。次に、ターゲット基板１１０の表面、および１層目の薄膜パターン３０１，３１１の表面にアルゴン原子ビームを照射して清浄化する。
【００３０】
次に、図３（ｂ）に示すように、上部ステージを下降させ、所定の荷重力（例えば、１０ｋｇｆ／ｃｍ2）でターゲット基板１１０と薄膜パターン基板１００とを所定の時間（例えば、５分間）押圧し、ターゲット基板１１０と１層目の薄膜パターン３０１，３１１とを常温接合する。ここで、「常温接合」とは、被接合物の表面に中性原子ビーム、イオンビームなどを照射して表面を清浄化した後、被接合物を室温で接触させて原子同士を直接接合することをいう。常温接合により薄膜パターンを接合することにより、薄膜パターンの形状や厚みの変化が少なく、高精度な光学素子が得られる。
【００３１】
次に、図３（ｃ）に示すように、上部ステージを上昇させると、１層目の薄膜パターン３０１，３１１が基板１０１から剥離し、ターゲット基板１１０側に転写される。これは、薄膜パターン３０１，３１１とターゲット基板１１０との密着力が薄膜パターン３０１，３１１と基板１０１との密着力よりも大きいからである。
【００３２】
次に、図３（ｄ）に示すように、下部ステージを相対的に水平方向に移動させ、ターゲット基板１１０の直下に薄膜パターン基板１００上の２層目の薄膜パターン３０２，３１２とを位置させる。次に、ターゲット基板１１０側に転写された薄膜パターン３０１，３１１の表面（基板１０１に接触していた面）、および２層目の薄膜パターン３０２，３１２の表面にアルゴン原子ビームを照射して清浄化する。
【００３３】
次に、図３（ｅ）に示すように、上部ステージを下降させ、１層目の薄膜パターン３０１，３１１と２層目の薄膜パターン３０２，３１２とを接合させ、図３（ｆ）に示すように、上部ステージを上昇させると、２層目の薄膜パターン３０２，３１２が基板１０１から剥離し、ターゲット基板１１０側に転写される。
【００３４】
３層目以降の薄膜パターン３０３〜３０１６，３１３〜３１１６も同様に、薄膜パターン基板１００とターゲット基板１１０との位置決め、接合、離間を繰り返すことにより、光学素子３Ａ，３Ｂの各断面形状に対応した複数の薄膜パターン３０，３１がターゲット基板１１０上に転写される。ターゲット基板１１０上に転写された積層体を上部ステージから取り外すと、図１に示した光学素子３Ａ，３Ｂが得られる。
【００３５】
このようにして製造された２つの光学素子３Ａ，３Ｂは、光学特性が異なっている。すなわち、光学素子３Ｂは、積層方向に屈折率ｎ、１（空気）が交互に繰り返された周期的構造と、周期的構造の途中に薄膜の存在しない欠陥を有するフィルタを構成することができる。また、光学素子３Ａは、積層方向に屈折率（ｎ＋Δｎ）、１（空気）が交互に繰り返された周期的構造と、周期的構造の途中に薄膜の存在しない欠陥を有するフィルタを構成することができる。２つの光学素子３Ａ，３Ｂに軸方向にそれぞれ光を入射させると、光を遮光するストップバンドと、ストップバンド中に光を透過させる２つのスペクトルが現れる。
【００３６】
［第２の実施の形態］
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る光学デバイスおよび薄膜パターン基板を示し、（ａ）は光学デバイスの断面図、（ｂ）は薄膜パターン基板の要部平面図である。
【００３７】
この光学デバイス１は、図４（ａ）に示すように、ターゲット基板１１０上に、フェムト秒レーザ光が照射されて屈折率が変化した薄膜パターン３０を有する角柱状の光学素子３Ｃと、フェムト秒レーザ光が照射されない薄膜パターン３１から形成された円柱状の光学素子３Ｄとを有する。
【００３８】
薄膜パターン基板は、図４（ｂ）に示すように、基板上に、光学素子３Ａの１層目から１３層目に対応する複数の薄膜パターン３０１〜３０１３が形成され、７層目の薄膜パターン３０７のみにフェムト秒レーザ光が照射され、屈折率が変化している。また、薄膜パターン基板の基板上に、光学素子３Ｂの１層目から１３層目に対応する複数の薄膜パターン３１１〜３１１３がレーザ光は照射されずに形成されている。これらの薄膜パターン３０、３１を第１の実施の形態と同様にターゲット基板１１０上に積層、転写することにより、光学特性の異なる狭帯域フィルタを構成することができる。
【００３９】
［第３の実施の形態］
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る光学デバイスおよび薄膜パターン基板を示し、（ａ）は光学デバイスの断面図、（ｂ）は薄膜パターン基板の要部平面図である。
【００４０】
この光学デバイス１は、図５（ａ）に示すように、ターゲット基板１１０上に、フェムト秒レーザ光が照射されて屈折率が変化した薄膜パターン３０を有する角柱状の光学素子３Ｅと、フェムト秒レーザ光が照射されない薄膜パターン３１から形成された円柱状の光学素子３Ｄとを有する。
【００４１】
薄膜パターン基板は、図５（ｂ）に示すように、基板上に、光学素子３Ａの１層目から１３層目に対応する複数の薄膜パターン３０１〜３０１３が形成され、３層目、５層目、７層目、９層目、１１層目の薄膜パターン３０３、３０５、３０７、３０９、３０１１のみにフェムト秒レーザ光が照射され、屈折率が変化している。フェムト秒レーザ光の照射パワーは、中央の７層目が最も強く、７層目から離れるに従ってレーザ光の照射パワーを小さくしている。また、薄膜パターン基板の基板上に、光学素子３Ｂの１層目から１３層目に対応する複数の薄膜パターン３１１〜３１１３がレーザ光は照射されずに形成されている。これらの薄膜パターン３０、３１を第１の実施の形態と同様にターゲット基板１１０上に積層、転写することにより、ディップ（落ち込み）が少なく、光学特性の異なる狭帯域フィルタを構成することができる。なお、フェムト秒レーザ光は、照射回数を制御してレーザ光の照射量を変えてもよい。
【００４２】
［第４の実施の形態］
図６は、本発明の第４の実施の形態に係る光学デバイスおよび薄膜パターン基板を示し、（ａ）は光学デバイスの断面図、（ｂ）は薄膜パターン基板の要部平面図である。
【００４３】
この光学デバイス１は、図６（ａ）に示すように、ターゲット基板１１０上に、フェムト秒レーザ光が照射されて屈折率が変化した薄膜パターン３０を有する角柱状の光学素子３Ｅと、レーザ光が照射されない薄膜パターン３１から形成された円柱状の光学素子３Ｄと、フェムト秒レーザ光が照射されて屈折率が変化した薄膜パターン３２を有する角柱状の光学素子３Ｆとを有する。
【００４４】
薄膜パターン基板は、図６（ｂ）に示すように、基板上に、図５に示す光学素子３Ｅと同様に、３層目、５層目、７層目、９層目、１１層目の薄膜パターン３０３、３０５、３０７、３０９、３０１１のみに照射パワーが異なるフェムト秒レーザ光が照射され、屈折率が変化している。また、薄膜パターン基板の基板上に、図５に示す光学素子３Ｄと同様に、１層目から１３層目に対応する複数の薄膜パターン３１１〜３１１３がフェムト秒レーザ光は照射されずに形成されている。また、薄膜パターン基板の基板上に、１層目、３層目、５層目、７層目、９層目、１１層目、１３層目に対応する複数の薄膜パターン３２１〜３２１３に同じ照射パワーのフェムト秒レーザ光が照射され、屈折率が変化している。これらの薄膜パターン３０、３１、３２を第１の実施の形態と同様にターゲット基板１１０上に積層、転写することにより、狭帯域フィルタ、フィルタ、フォトニック結晶等の各種の光学素子を有する光学デバイスを製造することができる。
【実施例１】
【００４５】
図７は、本発明の実施例の光学素子３Ａ，３Ｂの透過率を示す。実線は、フェムト秒レーザ光未照射の屈折率ｎ＝３．６の場合の透過率を示す。一点鎖線は、フェムト秒レーザ光を照射して屈折率をレーザ光未照射よりも０．４％高いｎ＝３．６１４４とした場合の透過率を示す。破線は、レーザ光を照射して屈折率をレーザ光未照射よりも０．８％高いｎ＝３．６２８８とした場合の透過率を示す。
【００４６】
図７から明らかなように、２つの光学素子３Ａ,３Ｂに軸方向にそれぞれ光を入射させると、１２００ｎｍ〜２４００ｎｍに光を遮断するストップバンドが得られ、ストップバンド中に、屈折率ｎ＝３．６の光学素子３Ｂでは、１２４８ｎｍに光を透過させるスペクトルが現れ、屈折率ｎ＝３．６１４４の光学素子３Ａでは、１２５２ｎｍに光を透過させるスペクトルが現れ、屈折率ｎ＝３．６２８８の光学素子３Ａでは、１２５４ｎｍに光を透過させるスペクトルが現れる。
【００４７】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、その発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々な変形が可能である。
【００４８】
上記実施の形態では、フェムト秒レーザ光を照射して屈折率を変化させたが、薄膜パターンに紫外線を照射して屈折率を変化させてもよい。紫外線照射によって屈折率が変化する材料として、例えば、Ｇｅドープ石英系ガラス、ＳｉＮ等がある。
【００４９】
また、薄膜パターンに不純物原子を拡散させて屈折率を変化させてもよい。例えば、Ｓｉ等からなる薄膜パターンにリン、ボロン、砒素等のイオンを注入することで屈折率を変化させてもよい。また、イオン注入を用いずに、固相拡散や気相拡散を用いて元素を拡散することで、屈折率を変化させてもよい。また、多結晶Ｓｉに対して、Ｓｉ原子をイオン注入して多結晶構造を断ち切って屈折率を変化させてもよい。
【００５０】
また、薄膜パターンを酸化させて屈折率を変化させてもよい。酸化処理は、熱酸化処理等を用いることができる。酸化によって屈折率が変化する材料として、例えば、Ｓｉ等がある。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光学デバイスを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜パターン基板を示し、（ａ）は、薄膜パターン基板全体の平面図、（ｂ）は、（ａ）の要部拡大図、（ｃ）は、レーザ光照射後の（ａ）の要部拡大図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光学デバイスの積層工程を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る光学デバイスおよび薄膜パターン基板を示し、（ａ）は光学デバイスの断面図、（ｂ）は薄膜パターン基板の要部平面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る光学デバイスおよび薄膜パターン基板を示し、（ａ）は光学デバイスの断面図、（ｂ）は薄膜パターン基板の要部平面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る光学デバイスおよび薄膜パターン基板を示し、（ａ）は光学デバイスの断面図、（ｂ）は薄膜パターン基板の要部平面図である。
【図７】本発明の実施例に係る光学デバイスの透過率を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  光学デバイス
２  基板
３Ａ〜３Ｆ  光学素子
３０，３０１〜３０１６，３１，３１１〜３１１６，３２，３２１〜３２１２  薄膜パターン
１００  薄膜パターン基板
１０１  基板
１０２  離型層
１０３  セル
１１０  ターゲット基板
【図１】
2008116633.tif 000003
【図２】
2008116633.tif 000004
【図３】
2008116633.tif 000005
【図４】
2008116633.tif 000006
【図５】
2008116633.tif 000007
【図６】
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【図７】
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