(57)【要約】【課題】絶縁基板に対する導体層の密着性がメッキの際に低下することを防ぐことができ、また電気特性が良好な導体層を形成することができる導体回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板１の表面に導電性ペーストを塗布すると共に焼成することによって導体層２を形成する。薬品バリア性被膜を形成することができるコーティング剤を導体層２に付与して、メッキに使用する薬品に対するバリア性を有する被膜３を導体層２の表面に形成する。次に被膜３を形成した導体層２を研磨して導体層２を露出させた後に、導体層２にメッキを施す。導体層２と絶縁基板１の接合界面を被膜３で覆った状態でメッキを行なうことができ、この接合界面にメッキ液等が作用することを防いで、絶縁基板１に対する導体層２の密着性が低下することを防ぐことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱性絶縁基板の表面に導電性ペーストを塗布すると共に焼成することによって導体層を形成し、薬品バリア性被膜を形成できるコーティング剤を導体層に付与させて、メッキに使用する薬品に対するバリア性を有する被膜を導体層の表面に形成し、次に所定部位にある被膜を除去して導体層を露出させた後に、露出された導体層にメッキを施すことを特徴とする導体回路基板の製造方法。
【請求項２】
導電性ペーストは、導電性粉末として銅粉を含有することを特徴とする請求項１に記載の導体回路基板の製造方法。
【請求項３】
導電性ペーストは、ガラス粉を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の導体回路基板の製造方法。
【請求項４】
コーティング剤は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、金属アルコキシド又はその加水分解物、珪素・窒素含有化合物から一種以上選ばれるものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の導体回路基板の製造方法。
【請求項５】
コーティング剤は、パーヒドロポリシラザンであることを特徴とする請求項４に記載の導体回路基板の製造方法。
【請求項６】
導体層の所定の部位にある被膜を研磨により除去することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の導体回路基板の製造方法。
【請求項７】
導体回路基板と素子の少なくとも一方として使用される導体回路基板を製造することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の導体回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性ペーストを用いて導体回路を形成するようにした導体回路基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
セラミック基板など絶縁基板の表面に、配線や導電パターン、積層セラミックコンデンサの電極などの導電膜や回路を形成するために、導電性ペーストが広く使用されている。導電性ペーストは焼成タイプと非焼成タイプの２種類あるが、上記のような高耐熱性・高信頼性が要求される用途においては通常焼成タイプが使用される。焼成タイプの導電性ペーストは通常、固形成分として金属粉末及びガラス粉末を含有し、これに塗布性を付与するために適当な樹脂や溶剤からなるビヒクルを添加して混練することによって調製されている。そして絶縁基板の表面に導電性ペーストをスクリーン印刷などで塗布した後、高温加熱して焼成し、有機成分を除去すると共に金属粉末を焼結することによって、導体層を形成することができるものであり、この導体層で回路や電極を形成することができるものである（例えば、特許文献１等参照）。
【０００３】
また、このように導電性ペーストから形成される導体層の表面には、酸化からの保護及びハンダ付け性の向上などの目的で、ニッケルや錫などのメッキが施されることが多い。
【特許文献１】特開平６−２０４６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、導電性ペーストから形成される導体層は、金属粒子の焼結によりある程度は緻密であるが、有機成分の影響や金属粒子の焼結時の粒界間の空隙の残留などにより、焼結膜は通常多孔質である。このために、メッキを行なう際に、前処理液やメッキ液が導体層の空隙を浸透して、導体層と絶縁基板との接合界面まで侵入することがあり、接合界面の金属やガラス、セラミック基板など絶縁基板の素地が侵食され、導体層と絶縁基板との密着性等が劣化するおそれがあるという問題があった。
【０００５】
この対策の一つとして、焼結性の良い金属粉末を選択して用い、導体層を緻密化して形成するようにすれば、ある程度の改善は可能であるが、この方法でも導体層の空隙を皆無にすることは困難であり、逆に過度の緻密化は大きな焼成収縮を伴ない、絶縁基板に変形やクラックを発生させる危険がある。
【０００６】
また他の対策として、導電性ペーストに含有させるガラス粉末の種類や添加量を選択して調整し、焼成の際にガラスを溶融流動させて導体層の空隙をシールする方法がある。しかしこの方法でメッキ液等の浸透を完全に防止するためには、焼成条件やロット毎の配合の変動を考慮すると、導電性ペーストに多くのガラス粉末を添加する必要がある。そしてこの場合には、ガラスが導体層の表面に浸み出して導体層の表面がガラスで覆われ、導体層の表面へのメッキ金属の付着性が悪くなるという問題が生じ、また導体層の電気抵抗が大きくなるなど電気特性の低下を招くことになる。
【０００７】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、絶縁基板に対する導体層の密着性がメッキの際に低下することを防ぐことができ、また電気特性が良好な導体層を形成することができる導体回路基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に係る導体回路基板の製造方法は、耐熱性絶縁基板の表面に導電性ペーストを塗布すると共に焼成することによって導体層を形成し、薬品バリア性被膜を形成できるコーティング剤を導体層に含浸させて、メッキに使用する薬品に対するバリア性を有する被膜を導体層の表面に形成し、次に所定部位にある被膜を除去して導体層を露出させた後に、露出された導体層にメッキを施すことを特徴とするものである。
【０００９】
この発明によれば、薬品バリア性被膜を形成できるコーティング剤を導体層に付与させて、導体層の表面にメッキに使用する薬品に対するバリア性を有する被膜を形成しているため、表面研磨などでメッキが必要な所定の部位にある被膜を除去した後に、メッキを行なうにあたって、導体層と絶縁基板の接合界面は薬品バリア性の被膜で覆われており、この接合界面にメッキ液等が作用することを防いで、絶縁基板に対する導体層の密着性が低下することを防ぐことができるものである。また導電性ペーストにはガラス粉末を多量に添加する必要がなく、導体層の電気特性を低下させることもなくなるものである。さらに、被膜が導体層を酸化などの腐食からも保護するので、ハンダ付けの必要のない部分はメッキしなくても良いものである。
【００１０】
また請求項２の発明は、請求項１において、導電性ペーストは、導電性粉末として銅粉を含有することを特徴とするものである。
【００１１】
この発明によれば、銅粉を含有する導電性ペーストで導体層を形成することができ、安価で電気特性が良好な導体層を形成することができるものである。
【００１２】
また請求項３の発明は、請求項１又は２において、導電性ペーストは、ガラス粉を含有することを特徴とするものである。
【００１３】
この発明によれば、ガラスは、導電性粉末（金属粒子）の焼結助剤として働き、金属粒子の焼結性を向上させ、より緻密な導体層が得られる共に、自らは金属焼成膜と絶縁基板間のバインダーとして導体層の密着力を高めることが出来るものである。
【００１４】
また請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、コーティング剤は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、金属アルコキシド又はその加水分解物、珪素・窒素含有化合物から一種以上選ばれるものであることを特徴とするものである。
【００１５】
この発明によれば、メッキ液などに対するバリア性の高い有機又は無機の被膜を導体層の表面に形成することができるものである。
【００１６】
また請求項５の発明は、請求項４において、コーティング剤はパーヒドロポリシラザンであることを特徴とするものである。
【００１７】
この発明によれば、パーヒドロポリシラザンは低温下でも緻密なシリカ膜（ＳｉＯ２）が得られるので、一層薬品バリア性の高い被膜を導体層の表面に形成することが出来るものである。
【００１８】
また請求項６の発明は、請求項１乃至５のいずれかにおいて、導体層の所定の部位にある被膜を研磨により除去することを特徴とするものである。
この発明によれば、簡単な工程で導体層を除去することができると共に、焼成導電膜の表面平滑性の向上、膜厚調整なども同時に行なうことができ、実用性が高いものである。
【００１９】
また請求項７の発明は、請求項１乃至６のいずれかの製造方法で製造された導体回路基板と素子の少なくとも一方である。
【００２０】
この発明によれば、安価で電気特性、信頼性の高い導体回路基板や素子を得ることが出来るものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、導体層と絶縁基板の接合界面を薬品バリア性の被膜で覆った状態でメッキを行なうことができ、この接合界面にメッキ液等が作用することを防いで、絶縁基板に対する導体層の密着性が低下することを防ぐことができるものであり、また導電性ペーストにはガラス粉を多量に添加する必要がなく、導体層の電気特性を低下させることもなくなるものである。さらには薬品バリア性の被膜は導体層を酸化などの腐食から保護するので、ハンダ付け性の向上などメッキの必要のない導体層には、メッキを行なわなくても導体層の劣化を防ぐことが出来るものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００２３】
本発明において絶縁基板１の材料としては、特に限定されるものではないが、セラミックスなど導電性ペーストの焼成温度で支障のない耐熱性の材料はすべて使用することが出来る。例えばセラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素，サイアロン，炭化ケイ素，ボロンナイトライド，炭化ケイ素複合材料、ガラスセラミックスなど任意のものを使用することができる。
【００２４】
また本発明の導電性ペーストの組成およびその製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知なものを用いることが出来る。導電性ペーストは通常、導電性を担う主成分の銅粉などの金属粉に、ガラス粉、有機バインダー、溶剤などを配合して混合することによって調製されるものである。混合の方法は特に限定されるものではないが、三本インクロールを用いて行なうことができる。各材料の配合割合は特に制限されるものではないが、金属粉１００質量部に対して、ガラス粉０．５〜２０質量部、有機バインダー１〜１０質量部、溶剤２〜３０質量の範囲が好ましい。
【００２５】
使用される導電性粉末としては、特に限定されるものではないが、導体回路や積層電子部品の端子電極形成用の導電性ペーストにおいて通常用いられるＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ等の金属粉末を用いることができ、特にＣｕを含む導電性粉末を用いた場合に本発明の作用効果をより高く享受することができる。銅は安価であると共に、導電性、熱伝導性などに優れているからである。Ｃｕを含む導電性粉末としては、Ｃｕ粉末の他、酸化銅粉末、Ｃｕの合金粉末やこれらと他の導電性金属との混合粉末でもよく、またＣｕ粉末の表面に金属酸化物、ガラス、セラミックなどの無機材料を存在させた金属−無機複合粉末や、金属酸化物、ガラス、セラミックなどの粉末や他の金属粉末にＣｕを被覆した金属−無機複合粉末を用いることもできる。
【００２６】
使用される金属粉の粒径及び形状としては、特に限定するものではなく、金属粒子の焼結性、目標とする導体層の厚み、平滑性、緻密性などに応じて適宜選択すればよいが、粒径の異なる２種類以上の粒子を併用することにより、緻密な導体層を得ることが出来るので、好ましい。ここで金属粉として銅粉を用いるにあたって、平均粒径が１μｍを超える（上限は１００μｍ程度）の銅粉に、平均粒径が１μｍ以下の微細な銅粉を混合したものを用いることができる。さらには最密充填になるよう粒径設計をしてもよい。このように粒径の大きい銅粉に微細な銅粉を混合して使用することによって、粒径の大きい銅粉に微細な銅粉が入り、銅粉を緻密に充填させて電気特性を向上することができるものである。微細な銅粉の粒径の下限は特に設定されるものではないが、実用的には、１ｎｍ程度が下限である。また微細な銅粉の混合量は、粒径の大きい銅粉１００質量部に対して１〜３０質量部の範囲が好ましい。
【００２７】
また銅粉として上記のように大きな粒径と微細な粒径のものを併用しない場合、銅粉は平均粒径が１０μｍ未満のものを用いるのが好ましい。平均粒径１０μｍ以上の銅粉を使用すると、得られた導体層の緻密性や平滑性が低下する恐れがある。
【００２８】
使用されるガラス粉は、軟化温度が３００〜８００℃の低融点ガラスが好ましい。また、近年環境問題への関心から、鉛フリーのガラス粉を使用することが好ましい。このような鉛フリーの低融点ガラスの種類としては、特に限定するものではないが、従来公知のホウケイ酸系ガラス、ビスマス系ガラス、スズ系ガラスなどを用いることが出来る。耐メッキ性を高めるためには、耐水性、耐酸・耐アルカリ性の高いガラスを使用することがより好ましい。
【００２９】
使用されるガラス粉の粒径は特に限定するものではないが、０．１〜１０μｍの範囲にあるものが好ましい。ガラス粉は、金属粒子の焼結温度以下の温度で溶融流動し、金属粒子の焼結性を向上すると共に、導体層と絶縁基板間のバインダーとして働くので、密着力の向上に寄与する。
【００３０】
なお、使用目的、用途またはペースト配合によってはガラス粉を使用しなくてもよい。この場合、焼結導体層の緻密性及び絶縁基板との密着力向上のために、より粒径の小さい金属粒子を使用することが好ましい。
【００３１】
また、有機バインダーとしては、特に限定されるものではないが、焼成過程で容易に焼失させられ且つ灰分の少ない有機化合物、例えばポリブチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル類、ニトロセルロース、エチルセルロース、酢酸セルロース、ブチルセルロース等のセルロース類、ポリオキシメチレン等のポリエーテル類、ポリブタジエン、ポリイソプレン等のポリビニル類などを使用することができ、これらは１種を単独で用いる他、２種類以上を混合して用いることもできる。
【００３２】
さらに溶剤としては、特に限定されるものではないが、ペーストに適度な粘性を与え且つ導電性ペーストを絶縁基板に塗布した後に乾燥処理によって容易に揮発させられる有機化合物、例えばカルビトール、カルビトールアセテート、テレピネオール（ターピノール）、メタクレゾール、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルホルムアミド、ターピノール、ジアセトンアルコール、トリエチレングリコール、パラキシレン、乳酸エチル、イソホロン等の高沸点の有機溶剤を使用することができ、これらは１種を単独で用いる他、２種類以上を混合して用いることもできる。
【００３３】
また、導電性ペーストには上記の成分以外に、必要に応じて表面活性剤、酸化防止剤などを添加することも出来る。
【００３４】
そしてまず、絶縁基板１の表面に導電性ペーストを塗布する。導電性ペーストの塗布方法は特に限定するものではなく、スクリーン印刷、インクジェット印刷、ディッピング、アップリケーター塗布など従来公知の方法で行なうことができるものであり、このとき、回路パターンなど任意のパターンで導電性ペーストを塗布することができるものである。このように導電性ペーストを塗布した後、乾燥機などで加熱して導電性ペーストの溶剤を除去し、さらに焼成炉に入れ、高温で加熱して焼成することによって、絶縁基板１の表面に図１（ａ）のように導体層２を形成することができるものである。
【００３５】
導電性ペーストの焼成条件については特に限定するものではなく、使用される導電性ペーストの性質に合う従来の焼成方法及び条件を用いることが出来る。例えば銅ペーストの場合、窒素雰囲気で７００〜１０００℃で１０分以上保持して焼成することが出来る。
【００３６】
図１（ａ）に示すように、導電性ペーストに含有されるガラス粉が焼成の際に溶融して形成されるガラス薄膜１０によって、導体層２は絶縁基板１に高い密着性で密着しているものであり、また焼成の際に金属粒子間の隙間は完全に埋め切れてない空隙１１が導体層２に形成されている。
【００３７】
次に、このように絶縁基板１に形成した導体層２に、薬品バリア性被膜を形成できるコーティング剤を付与する。コーティング剤の付与方法は特に限定されるものではなく、例えば浸漬したり、コーティング剤を塗布するなどして、導体層２の内部空隙までにコーティング剤が到達でき、導体層２の外部及び内部空隙１１の表面に被膜３を形成することが出来ればよい。導体層２の内部空隙までにコーティング剤が速やかに侵入させるために、チャンバーの中で減圧浸漬しても良い。
【００３８】
ここでコーティング剤としては、有機又は無機高分子、あるいはその前駆体を用いることができるものであり、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、金属アルコキシド又はその加水分解物、珪素・窒素含有化合物を使用することができる。この中で、パーヒドロポリシラザンを使用することが特に好適である。パーヒドロポリシラザンは低温下でもシリカ転換して緻密なシリカ膜（ＳｉＯ２）が得られるので、優れた薬品バリア性のある被膜を導体層２の表面に形成することが出来る。これらのコーティング材料を、導体層２の空隙１１内に容易に侵入できるように、溶媒などを用いて粘度を調節してから使用することが好ましい。使用するコーティング剤の種類及び付与回数は、１種類１回でも良いが、２種類以上のコーティング剤または複数回付与しても良い。導体層２にコーティング剤を付与した後、コーティング剤の乾燥または硬化条件に応じて室温または加熱下で乾燥・硬化させることによって、導体層２の内外表面に被膜３を形成することができるものである。コーティング剤の硬化温度または硬化被膜の物性を調整するために、コーティング剤に反応触媒などを添加しても良い。
【００３９】
ここで、導体層２にコーティング剤を含浸させてバリア性の被膜３を形成するようにしているので、図１（ｂ）に示すように、導体層２にはその表面は勿論、導体層２内に形成された空隙１１の表面や、導体層２と絶縁基板１との接合界面にもバリア性被膜３を形成することができるものである。そしてこのバリア性被膜３は上記のような材料で形成されているので、メッキ液やメッキ前の前処理液などメッキに使用する薬品に対するバリア性を有するものである。
【００４０】
このように導体層２の表面をバリア性被膜３で被覆した後、導体層２の全部または一部において表面（絶縁基板１と反対側の上面）の被膜３を除去して、図１（ｃ）のように導体層２を露出させる。被膜３の除去方法は特に限定するものではなく、サンドペーパー研磨、バフ研磨、ブラスト研磨、プラズマエッチングなど、所定の部分の被膜を除去できれば良い。その中で、バフ研磨は導体層２の表面平滑性向上及び膜厚調整のために通常良く行われる工程でもあるので、本発明の目的と合わせて行なうことができるので、好適である。被膜除去は導体層２の表面において行なわれるので、導体層２内の空隙１１の表面や、導体層２と絶縁基板１との接合界面に形成された被膜３はそのまま残っている。
【００４１】
そしてこのように導体層２を研磨などして表面の被膜３を除去し、被膜３を除去した部分において導体層２の金属を露出させた後、導体層２にニッケルメッキや錫メッキなどの金属メッキを施して、図１（ｄ）のようなメッキ膜４を導体層２の表面に形成することができるものである。このとき、導体層２内の空隙１１の表面や、導体層２と絶縁基板１との接合界面はバリア性を有する被膜３で覆われているので、メッキ液などが空隙１１から浸入しても、導体層２と絶縁基板１との接合界面にメッキ液などが接触することを防いで、導体層２と絶縁基板１との接合界面がメッキ液などで侵食されることを防止することができるものであり、導体層２と絶縁基板１との密着性等が劣化することを防ぐことができるものである。
【００４２】
また、このように導体層２の表面にバリア性被膜３を形成することによって、メッキの際に導体層２と絶縁基板１との密着性等が劣化することを防ぐようにしているので、導体層２を形成する導電性ペーストにガラス粉を多量に配合する必要がなくなるものである。従って、ガラスが導体層２の表面に浸み出してメッキ金属の付着性が悪くなったり、また導体層２の電気抵抗が大きくなるなどして電気特性が低下したりすることがなくなるものである。
【実施例】
【００４３】
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００４４】
（導電性ペーストの調製）
銅粉として、平均粒径５μｍのベース銅粉と、３種類の微細な補助銅粉を用いた。またガラス粉として、軟化点６００℃のホウケイ酸系のガラスフリットと、軟化点５９０℃のスズ系のガラスフリットを用いた。さらに有機バインダーとしてのアクリル樹脂を溶剤であるカルビトールとテレピネオールに溶解したものを用意した。そしてこれらの各材料を表１の配合でミキサーにより混合し、更に３本ロールで均一に混合することによって、Ｎｏ１〜３の導電性ペーストを調製した。得られた各導電性ペーストの２５℃における粘度を粘度計で測定し、表１に示す。
【００４５】
【表１】
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【００４６】
（実施例１）
Ｎｏ１の導電性ペーストを２×２ｍｍのパターンを多数有するステンレススクリーン＃２５０を用いてアルミナ基板の上に印刷した。次にこのアルミナ基板を１５０℃の送風乾燥機で２０分間乾燥して溶剤を除去した後、ベルト炉に入れ、ピーク温度９００℃に到達してから１０分間保持する条件で、窒素雰囲気中で焼成し、導体層を形成した（図１（ａ）参照）。このとき、ベルト炉の前段の温度上昇段階においては、アクリル樹脂のバーンアウトのために２００ｐｐｍの酸素を窒素雰囲気に含有させた。このように形成した導体層の膜厚を、触針式膜厚計（テンコー社製「テンコールＡＳ５０」）で測定した。結果を表２に示す。
【００４７】
上記のように焼成した後、エタノールイソプロパノール系シリケート加水分解物（コルコート社製「ＨＡＳ−１０」から調製：シリカ分５質量％）からなるコーティング剤にアルミナ基板を１０分間浸漬し、導体層にこのコーティング剤を含浸させた。次にアルミナ基板を取り出して立てた状態で１０秒間静置して、過剰なコーティング剤を垂れ落ちさせて除去した。この後、１２０℃の送風乾燥機で６０分間乾燥して硬化させることによって、被膜を形成させた（図１（ｂ）参照）。含浸前と、含浸・乾燥硬化後の質量の差を測定することによって、被膜による被覆量を求めた。結果を表２に示す。
【００４８】
次に、導体層の表面をバフ研磨機（山縣機械社製）により２回研磨し、顕微鏡観察により、研磨部分に導体層の銅が露出されていることを確認した（図１（ｃ）参照）。研磨量を表２に示す。
【００４９】
このように研磨した後、アルミナ基板を蒸留水で洗浄して乾燥し、次の方法で導体層の表面に無電解ニッケルメッキを行なった。
【００５０】
まず、アルミナ基板を温度４０℃の酸性洗浄剤（上村工業社製「ＡＣＬ−００７」）に１８０秒間浸漬した後、１００ｇ／Ｌ濃度の硫酸水溶液に６０秒間浸漬して表面処理し、酸化物を除去した。次に、無電解ニッケルメッキ析出の触媒としてパラジウムを導体層の銅に付着させるために、パラジウム活性化剤（上村工業社製「ＭＳＲ−２８」）に浸漬した後、さらに８０℃の無電解ニッケルメッキ液（上村工業社製「ＮＰＲ−４」）に７分間浸漬した。この後、１５０℃で２０秒間乾燥することによって、導体層にニッケルのメッキ膜が付着した回路基板を得た（図１（ｄ）参照）。
【００５１】
（実施例２）
Ｎｏ２の導電性ペーストを用いるようにした他は、実施例１と同様にして、回路基板を得た。
【００５２】
（実施例３）
Ｎｏ３の導電性ペーストを用いるようにした他は、実施例１と同様にして、回路基板を得た。
【００５３】
（実施例４）
コーティング剤として、パーヒドロポリシラザンの５質量％のキシレン溶液（クラリアントジャパン社製「ＮＰ１１０」から調製）を用いるようにした。その他は実施例１と同様にして、回路基板を得た。
【００５４】
（実施例５）
コーティング剤として、シリコーン樹脂（信越シリコーン社製「ＫＲ２５１」：不揮発分１０質量％、トルエン溶剤）を用いるようにした。その他は実施例１と同様にして、回路基板を得た。
【００５５】
（実施例６）
コーティング剤として、シリコーン樹脂（信越シリコーン社製「ＫＲ４００」：無溶剤脱アルコール型）を用いるようにした。その他は実施例１と同様にして、回路基板を得た。
【００５６】
（実施例７）
アルミナ基板の代わりに窒化アルミニウム基板を用いるようにした。その他は実施例１と同様にして、回路基板を得た。
【００５７】
（比較例１〜３）
コーティング剤の含浸を行なわないようにした他は、実施例１〜３と同様にして、回路基板を得た。
【００５８】
（比較例４〜６）
アルミナ基板の代わりに窒化アルミニウム基板を用いるようにした他は、比較例１〜３と同様にして、回路基板を得た。
【００５９】
（比較例７）
コーティング剤を含浸・硬化させた後の、導体層の研磨を行なわないようにした。その他は実施例１と同様にして、回路基板を得た。
【００６０】
上記の実施例１〜７及び比較例１〜７で得た回路基板について、ニッケルメッキのメッキ付き性と、導体層の密着性を測定した。
【００６１】
メッキ付き性の測定は、ニッケルメッキ後の導体層の表面を光学顕微鏡で観察して行ない、メッキ付き面積が導体層の表面中１００％のものを「○」、９０％以下のものを「×」、その間のものを「△」として評価した。結果を表２に示す。
【００６２】
導体層の密着性は、Ｌ型に曲げた直径０．６ｍｍの錫メッキ銅線を導体層の表面にハンダ付けして固定し、基板と垂直な方向に導体層を錫メッキ銅線で引っ張って、導体層の密着力を引っ張り試験機（西進商事社製「ＳＳ１５ＷＤ」）で測定した。この基板に対する導体層の密着性の測定は、メッキ前と、メッキ後にそれぞれ行なった。結果を表２に示す。
【００６３】
【表２】
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【００６４】
表２にみられるように、コーティング剤による被膜で導体層を被覆しない状態でメッキを行なうようにした比較例１〜６では、基板に対する導体層の密着性は低いものであった。これに対して、コーティング剤による被膜で導体層を被覆した後にメッキを行なうようにした各実施例のものは、いずれも基板に対する導体層の密着性は良好なものであった。
【００６５】
また、コーティング剤による被膜で被覆した後に導体層を研磨しなかった比較例７では、メッキが殆ど析出していず、また導体層の表面にガラス層があって錫メッキ銅線のハンダ付けができなかったので、導体層の密着性の評価を行なうことができなかった。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれ断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  絶縁基板
２  導体層
３  被膜
４  メッキ膜
【図１】
2008091455.tif 000005