(57)【要約】【課題】単一光子などの微弱な光を検出することが可能な新規な光検出器及び光検出方法を提供する。【解決手段】量子ドットから構成される受光体、及び前記量子ドットとトンネル接合される第１の電極を含む受光部と、前記受光部の前記第１の電極と接合された単電子トランジスタを含む光検出部とを具え、前記電極は、前記単電子トランジスタのゲート部にコンデンサを介して接合されるようにして光検出器を構成し、前記受光体で光を受光し、前記受光体が光を受光したことによる励起によって生じた電子を、前記量子ドットとトンネル接合される第１の電極に遷移させ、単電子トランジスタのゲート電圧を変化させて、前記単電子トランジスタ中を流れる電流変化を検出することによって光検出を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
量子ドットから構成される受光体、及び前記量子ドットとトンネル接合される第１の電極を含む受光部と、
前記受光部の前記第１の電極と接合された単電子トランジスタを含む光検出部とを具え、
前記電極は、前記単電子トランジスタのゲート部にコンデンサを介して接合されたことを特徴とする、光検出器。
【請求項２】
前記受光部は、前記第１の電極とともに、前記量子ドットを挟み込むような位置に、前記量子ドットとトンネル接合される第２の電極を含み、この第２の電極は少なくとも一定時間の間、負電位にバイアスされることを特徴とする、請求項１に記載の光検出器。
【請求項３】
前記単電子トランジスタは、微小ドットと、この微小ドットを挟み込むような位置において前記微小ドットとトンネル接合してなる第３の電極及び第４の電極を含み、前記第２の電極は前記微小ドットと前記コンデンサを介して接合されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の光検出器。
【請求項４】
前記量子ドットの大きさが、１０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の光検出器。
【請求項５】
前記量子ドットは半導体であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記載の光検出器。
【請求項６】
前記半導体はシリコンまたはゲルマニウムであることを特徴とする、請求項５に記載の光検出器。
【請求項７】
量子ドットから構成される受光体で光を受光するステップと、
前記受光体が光を受光したことによる励起によって生じた電子を、前記量子ドットとトンネル接合される第１の電極に遷移させるステップと、
前記励起した電子により単電子トランジスタのゲート電圧を変化させ、前記単電子トランジスタ中を流れる電流変化を検出するステップと、
を具えることを特徴とする、光検出方法。
【請求項８】
前記第１の電極とともに、前記量子ドットを挟み込むような位置に、前記量子ドットとトンネル接合される第２の電極を配置し、少なくとも一定時間の間、この第２の電極に所定の負電位をバイアスし、前記電子が前記単電子トランジスタ側の第１の電極へ遷移させるようにすることを特徴とする、請求項７に記載の光検出方法。
【請求項９】
前記単電子トランジスタは、微小ドットと、この微小ドットを挟み込むような位置において前記微小ドットとトンネル接合してなる第３の電極及び第４の電極を含み、前記第２の電極は前記微小ドットと前記コンデンサを介して接合することを特徴とする、請求項７又は８に記載の光検出方法。
【請求項１０】
前記量子ドットの大きさを、１０ｎｍ以下とすることを特徴とする、請求項７〜９のいずれか一に記載の光検出方法。
【請求項１１】
前記量子ドットは半導体であることを特徴とする、請求項７〜１０のいずれか一に記載の光検出方法。
【請求項１２】
前記半導体はシリコンまたはゲルマニウムであることを特徴とする、請求項１１に記載の光検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微弱な光を検出可能とした光検出器及び光検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信、情報処理、分光測定や撮像などの分野においては、極微弱な光を検出技術の確立が望まれている。例えば、情報通信の分野では、特に量子情報通信において、単一の光子を生成及び検出できる技術の確立が求められている。また、分光計測及び撮像用の分野では、赤外・紫外などのさまざまな波長帯で高感度の光検出、特に単一光子を検出できる技術の確立が求められている。
【０００３】
このような分野にて通常利用されている光検出器の代表的なものとしては、光電子増倍管やアバランシェフォトダイオードなどを例示することができる。しかしながら、これらの光電子増倍管などでは、光子カウントが困難であることや、ダークカウント（暗電流）大きいことなどに起因して、単一光子などの微弱な光を高精度に計測することができない。
【０００４】
かかる状況に鑑みて、近年では、単電子トランジスタ（Single Electron Transistor、以下、「ＳＥＴ」と略す）を光検出素子として利用した光検出器の研究開発が盛んに行われている。
【０００５】
例えば、特開２００３−２４３６９２号公報においては、量子ドットを挟み込むとともに、トンネル接合をさせるようにして第１の電極及び第２の電極を対向して配置するとともに、前記量子ドットと近接させるとともに、前記第１の電極及び前記第２の電極と略直交するようにして第３の電極を設け、前記量子ドットを受光部とするとともに、前記第３の電極をゲート電極とし、前記第１の電極及び前記第２の電極をそれぞれソース電極及びドレイン電極とした光検出器が開示されている。しかしながら、このような構成の単電子トランジスタ自体を光検出器として利用するものであるため、単一光子などの微弱光を検出するには前記単電子トランジスタの設計自体が困難となり、実用に供するものを提供することができない。また、受光によって生成した励起電子の寿命が極端に短く、かかる観点からも単一光子などの微弱光を検出することが困難であった。
【０００６】
また、特開２００４−２１４３８３号公報においては、半導体量子井戸構造上に単電子トランジスタを積層し、前記量子井戸構造に光が入射したことによって生成された励起電子を前記単電子トランジスタで検出するようにしている。しかしながら、このような光検出器では、構造が複雑になって、検出感度の安定性及び再現性などに問題が生じる。また、受光波長に制限があったり、使用温度などの使用環境が制限されてしまうという問題があった。
【特許文献１】特開２００３−２４３６９２号
【特許文献２】特開２００４−２１４３８３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、単一光子などの微弱な光を検出することが可能な新規な光検出器及び光検出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく、本発明は、
量子ドットから構成される受光体、及び前記量子ドットとトンネル接合される第１の電極を含む受光部と、
前記受光部の前記第１の電極と接合された単電子トランジスタを含む光検出部とを具え、
前記電極は、前記単電子トランジスタのゲート部にコンデンサを介して接合されたことを特徴とする、光検出器に関する。
【０００９】
また、本発明は、
量子ドットから構成される受光体で光を受光するステップと、
前記受光体が光を受光したことによる励起によって生じた電子を、前記量子ドットとトンネル接合される第１の電極に遷移させるステップと、
前記励起した電子により単電子トランジスタのゲート電圧を変化させ、前記単電子トランジスタ中を流れる電流変化を検出するステップと、
を具えることを特徴とする、光検出方法に関する。
【００１０】
本発明によれば、従来の単電子トランジスタに加えて、量子ドットからなる受光体と、前記量子ドットにトンネル接合された電極とからなる受光部を設けている。そして、前記受光体の前記電極を、トランジスタを介して前記単電子トランジスタのゲート部に接合するようにしている。
【００１１】
すなわち、本発明では、例えば特開２００３−２４３６９２号などに記載されているような、単電子トランジスタから直接に光検出器を構成する代わりに、前記単電子トランジスタを光検出に係わる電流変化を読み取る光検出部として利用し、この光検出部と独立に量子ドット及びこれとトンネル接合した電極とからなる簡易な構成の受光部を設け、この受光部で光を受光したことによって励起された電子を、トンネル接合を介して隣接した電極に遷移させ、直接前記単電子トランジスタのゲート電圧変化に利用するようにしている。したがって、前記単電子トランジスタにおいては、前記ゲート電圧の変化を感受してそのソース／ドレイン間に流れる電流が変化するので、その電流変化を読み取ることにより、前記受光部での光検出を検知することができる。
【００１２】
また、前記受光部は受光体を量子ドットから構成しているので、単一光子などの微弱な光を受光することができる。換言すれば、前記受光部が前記量子ドットを有することによって単一光子などの微弱な光を受光した場合においても、その結果得られた励起電子をトンネル接合を介して隣接電極に遷移させ、単電子トランジスタのゲート電圧を変化させてソース／ドレイン間を流れる電流を変化させることができるので、この電流変化を検出することにより、前述した単一光子などの微弱な光を検出することができる。
【００１３】
なお、本発明の一態様においては、前記第１の電極とともに、前記量子ドットを挟み込むような位置に、前記量子ドットとトンネル接合される第２の電極を配置し、この第２の電極に少なくとも一定時間の間、所定の負電位をバイアスするようにすることができる。この間、前記電子は前記単電子トランジスタ側の第１の電極へ容易に遷移するようになり、単一光子などの微弱な光の検出を良好に行うことができる。
【００１４】
また、本発明の一態様においては、前記量子ドットの大きさを１０ｎｍ以下とすることができる。これによって、前記受光部において、単一光子などの微弱な光を簡易に検出することができるようになる。好ましくは、前記量子ドットを３ｎｍ程度とする。
【００１５】
さらに、本発明の一態様においては、前記量子ドットは半導体、好ましくはシリコンまたはゲルマニウムから構成することができる。これによって、上記受光部における量子ドットからなる受光体が光を受光した際に、安定して励起電子を生ぜしめることができ、上述した光検出を簡易かつ効果的に実行せしめることができる。
【００１６】
但し、上述した光検出を実施することができる限り、シリコン及びゲルマニウム以外の半導体を使用することができ、さらには半導体以外の材料を使用することもできる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明によれば、単一光子などの微弱な光を検出することが可能な新規な光検出器及び光検出方法を提供することができる。即ち、量子ドットへの単一光子などの微弱な光の入射で励起電子が発生し、前記電子が第１の電極に遷移し、その結果、光検出部の単電子トランジスタのゲート電圧が変化してソース／ドレイン間を流れる電流を変化させることができるので、単一光子などの微弱な光を検出することができる。また、第２の電極に少なくとも零以下の負電位をバイアスしている間、第１の電極に遷移した電子を第１の電極に保持できるので、光が入射した事象を光が入射した瞬間よりも長い間検出し続けることができる。このため、検出している間、連続的に光が入射し続ける必要がなく、光量の少ない、即ち、単位時間当たりの光子の入射数が少ない微弱な光を検出できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の詳細、並びにその他の特徴及び利点に関し、発明を実施するための最良の形態に基づいて説明する。
【００１９】
（光検出器）
図１は、本発明の光検出器の一例を概略的に示す構成図（原理図）であり、図２は、図１に示す光検出器の等価電気回路である。
【００２０】
図１に示す光検出器１０は、絶縁性の基板１３上において、受光部１１及び光検出部１２を具えている。受光部１１は、量子ドット１１１から構成される受光体と、量子ドット１１１とトンネル接合されてなる第１の電極１１２と第２の電極１１３とを含んでいる。第１の電極１１２及び第２の電極１１３は、量子ドット１１１を挟み込むようにして互いに対向して配置されている。また、第２の電極１１３には電源Ｖ１が接続されており、第２の電極１１３に対して負のバイアス電圧が印加されるように構成されている。
【００２１】
第２の電極１１３に対して所望の負のバイアス電圧が印加されている間、量子ドット１１１で発生した励起電子は第１の電極１１２に遷移しやすい。一端遷移した電子にとっては、第２の電極１１３側に２つのトンネル接合があることになり、第２の電極１１３に対して所望の零以下の負のバイアス電圧が印加されている間、第１の電極１１２に遷移した電子は第２の電極１１３側に移動しにくくなる。このため、第２の電極１１３に対して所望の少なくとも零以下の負のバイアス電圧が印加されている間、第１の電極１１２に遷移した電子は第１の電極１１２に保持される。
【００２２】
光検出部１２は、微小ドット１２１と、この微小ドット１２１を挟み込むようにしてトンネル接合された第３の電極１２２及び第４の電極１２３とを含み、いわゆる単電子トランジスタを構成している。この場合は、第３の電極１２２は電源Ｖ２に接続されてソース電極を構成し、第４の電極１２３はドレイン電極を構成し、微小ドット１２１はゲート部を構成するようになる。微小ドット１２１は単電子トランジスタが機能する程度に小さければよく、量子効果が生じる程度に微小な量子ドットである必要はない。
【００２３】
また、受光部１１における第１の電極１１２は、トンネル接合しないような十分な間隔を保持した状態で、微小ドット１２１に接合されている。したがって、第１の電極１１２と微小ドット１２１との間にはコンデンサ（Ｃ１）が形成されるようになる。なお、図１から明らかなように、受光部１１を構成する量子ドット１１１、第１の電極１１２及び第２の電極１１３の配列は、光検出部１２（単電子トランジスタ）を構成する微小ドット１２１、第３の電極１２２及び第４の電極１２３の配列と略垂直となるように接合されている。
【００２４】
微小ドット１２１はゲート部を構成するので、コンデンサＣ１に蓄積される電荷によって前記ゲート部の電圧が変化するようになる。すなわち、コンデンサＣ１は光検出部１２を構成する単電子トランジスタのゲート電圧制御の機能を奏する。
【００２５】
なお、受光部１１における第１の電極１１２に対しては、その側面においてトンネル接合しないような十分な間隔を保持した状態で、第５の電極１４が接続されている。したがって、第１の電極１１２と第５の電極１４との間にはコンデンサＣ２が形成されることになる。このコンデンサＣ２は本発明の必須の構成要素ではなく、図１に示す光検出器１０の各構成要素の設計における許容誤差範囲を拡大するために形成された構成要素である。すなわち、コンデンサＣ２が存在することにより、例えば単電子トランジスタ１２のトンネル接合度合いなどが多少ずれた場合においても、光検出器１０を全体として見た場合、等価回路的には十分に許容範囲のものとなり、光検出器１０の動作状態が影響を受けることはない。
【００２６】
第４の電極１２３の、微小ドット１２１と反対側の端部、及び第５の電極１４の、第１の電極１１２と反対側の端部は、接地電位の電極１５に接続されている。
【００２７】
本例における受光部１１を構成する量子ドット１１１は、その大きさが１０ｎｍ以下であることが好ましく、さらには３ｎｍ程度であることが好ましい。これによって、単一光子などの微弱な光を簡易に検出することができるようになる。なお、この場合の“大きさ”とは、量子ドット１１１の特徴的な大きさを意味するものであって、量子ドット１１１が図１に示すような立方体形状を呈する場合、その一辺の長さを意味する。
【００２８】
また、量子ドット１１１の大きさの下限値は、検出したい光の波長の上限値で決まる。即ち、量子ドット１１１の大きさに対応した一定の波長以下の光が検出され、前記大きさが小さくなるほど波長の上限値が小さくなる。前記大きさは、現状においてはその製造技術の制約によって決定されている。現状では、１ｎｍ程度が下限値である。
【００２９】
さらに、量子ドット１１１は、半導体、好ましくはシリコンまたはゲルマニウムから構成することができる。これによって、以下に詳述するように、量子ドット１１１からなる受光体が光を受光した際に、安定して励起電子を生ぜしめることができ、上述した光検出を簡易かつ効果的に実行せしめることができる。なお、半導体としては上記シリコンの他に、ＧａＡｓやＣ（カーボン）及びシリコンとゲルマニウムの混晶等も使用することができる。また、量子ドット１１１は、受光しさえすればその構成材料は半導体に限定されるものではなく、その他の任意の材料系を用いることができる。
【００３０】
また、微小ドット１２１は、光検出器（単電子トランジスタ）１２のゲートとして機能するように構成する必要があり、単電子トランジスタの機能が発現できればその大きさは特に限定されるものではないが、以下に詳述する製造方法などに起因して、量子ドット１１１とほぼ同一の大きさに形成することができる。
【００３１】
さらに、微小ドット１２１は光検出機能としてではなく、単電子トランジスタのゲートとして機能するので、その構成材料は一般のトランジスタのゲートに使用されるような導電性材料から構成することができる。
【００３２】
また、受光部１１における第１の電極１１２及び第２の電極１１３の幅、並びに光検出部１２における第３の電極１２２及び第４の電極１２３の長さ方向に垂直な断面幅は、これら電極をそれぞれ量子ドット１１１及び微小ドット１２１とトンネル接合させる関係から、これらのドットの大きさとほぼ同一とすることが好ましい。
【００３３】
さらに、第２の電極１１３、第３の電極１２２及び第４の電極１２３の長さは、その構成材料などに応じて図１に示す光検出器１０が駆動するように適宜決定することができる。本例では、例えば５ｎｍ以上の長さに設定することができる。ただし、第１の電極１１２は、例えば３ｎｍ〜１００ｎｍの長さに設定することができる。
【００３４】
なお、これら電極は文言どおり電極として機能するものであるので、通常の電極材料などの使用される導電性材料から構成することができる。
【００３５】
（光検出方法）
次に、図１に示す光検出器１０を用いた光検出方法について説明する。図３は、本例の光検出に際して利用する検出原理を説明するための図（バンド図）である。第１の電極１１２および第２の電極１１３は金属として記載している。量子ドット１１１は半導体量子ドットで、価電子帯の正孔のエネルギー準位および伝導体の電子のエネルギー準位は図３に記すように離散化している。
【００３６】
図１に示す光検出器１０の受光部１１に光が入射し、量子ドット（受光体）１１１が前記光を受光すると、量子ドット１１１中の電子が価電子帯の正孔のエネルギー準位から伝導帯の電子のエネルギー準位へ励起されるようになる。この際、第２の電極１１３は電源Ｖ１より負のバイアス電位が印加されている場合は、励起された電子（以後、「励起電子」という場合がある）は第１の電極１１２へ向けてトンネル接合を介して遷移する。この際、第１の電極１１２と光検出部１２を構成する微小ドット１２１との間にはコンデンサＣ１が形成されているので、前記励起電子はコンデンサＣ１に蓄積されることになる。コンデンサＣ１に遷移した電子は第２の電極１１３に対して所望の少なくとも零以下の負のバイアス電圧が印加されている間、コンデンサＣ１に保持される。
【００３７】
一方、光検出部１２においては、微小ドット１２１、第３の電極１２１及び第４の電極１２２で単電子トランジスタを構成しており、第３の電極１２１は電源Ｖ２に接続され、これら単電子トランジスタには、ゲートを構成する微小ドット１２１の電圧（ゲート電圧）に依存して、第３の電極（ソース電極）１２１から第４の電極（ドレイン電極）１２２に向けて電流が流れるように構成されている。
【００３８】
上述したように、受光部１１が光を受光すると、生成した励起電子によってコンデンサＣ１に電荷が蓄積されるようになるので、このコンデンサＣ１と直列に接続されている微小ドット１２１に印加される電圧、すなわちゲート電圧が変化するようになる。すると、第３の電極（ソース電極）１２２及び第４の電極（ドレイン電極）１２３間を流れる電流値が変化するようになるので、この電流変化を読み取ることにより、受光部１１による光の受光を光検出部１２で検出できるようになる。
【００３９】
新たな光量や光の入射の有無を再度検出するためには、第２の電極１１３に対して正電位をバイアスすると、コンデンサＣ１に蓄積された電子が第２の電極１１３側に抜けるので、光検出器１０は光を検出していない状態にリセットされる。その後、再び、第２の電極１１３に対して負電位をバイアスすると新たに光を検出することができる。このように、負電位バイアスと正電位バイアスを繰り返せば、時間と共に変化する光量の変化を追うことができる。
【００４０】
このように、本例では、受光部１１における受光体を量子ドットから構成し、この量子ドットで受光した光を単電子トランジスタで検出するようにしているので、受光した光が単一光子などのように極微弱な光であっても検出することができるようになる。したがって、図１に示す光検出器１０及びこれを用いた光検出方法は、単一の光子検出が求められている量子情報通信や、分光計測及び撮像用の分野などにおいて好適に用いることができる。
【００４１】
（光検出器の製造方法）
次に、図１に示す光検出器１０の製造方法について説明する。代表的には、光検出器１０を構成する各素子を、基板１３上にパターニングして製造することができるが、現状においては極めて高度なパターニング技術が必要となり、生産性が劣化するため、図１に示す光検出器１０と等価な光検出器を以下に示すような工程に基づいて製造することが好ましい。
【００４２】
図４〜図９は、光検出器１０と等価な光検出器を簡易に製造する方法を説明するための工程図である。なお、図４〜図９において、図１〜２と同じあるいは類似の構成要素に関しては同じ参照数字を用いて表している。
【００４３】
最初に、図４に示すように、ガラスなどからなる絶縁性の基板１３上に第３の電極（単電子トランジスタにおけるソース電極）１２２をパターニングして形成する。次いで、図５に示すように、第３の電極１２２を覆うようにして絶縁層２１１を例えばスパッタリング法などの公知の成膜手法を用いて形成する。次いで、図６に示すように、絶縁層及び半導体のスパッタリングを同時に実施することによって、絶縁層２１１の上層部に量子ドット１１１及び微小ドット１２１が形成される。
【００４４】
なお、図６に示すように、量子ドット１１１は基板１３上の平坦な表面部分に形成され、微小ドット１２１は第３の電極１２２に起因して形成されたリッジ構造上に形成される。
【００４５】
次いで、図７に示すように、引き続き成膜処理を実施し、量子ドット１１１及び微小ドット１２１を覆うようにして追加の絶縁層２１２を形成する。次いで、図８に示すように、パターニングを行うことにより、追加の絶縁層２１２上に第４の電極（単電子トランジスタにおけるドレイン電極）１２３、並びに後に第１の電極１１２及び第２の電極１１３を構成する金属パターン１１２Ａ及び１１３Ａを形成する。
【００４６】
次いで、金属パターン１１２Ａ及び１１３Ａに対して表面酸化処理を施すことによって、その表層部分に酸化層を形成し、量子ドット１１１とトンネル接合した第１の電極１１２及び第２の電極１１３を形成する（図９参照）。
【００４７】
図９に示すように、本製造方法では、縦方向（積層方向）に第３の電極１２２（ソース電極）、微小ドット１２１及び第４の電極（ドレイン電極）１２３が配列され、このような縦方向（積層方向）において単電子トランジスタ、すなわち光検出部１２が形成されている。また、第１の電極１１２、量子ドット１１１及び第２の電極１１３は、横方法（膜面平行）に配列され、受光部１１は積層方向において多少のずれはあるものの、図１に示すように、略平面的に配列されて形成されている。
【００４８】
図９に示すような構成においても、図１に示す構成と同様の機能を果たし、光検出器として機能する。
【００４９】
但し、先にも述べたが、図９に示す構成の光検出器はあくまで、製造方法の複雑さ及び正確さから要求される図１に示す構成の光検出器の代替であって、パターン化技術などが十分に進歩し、その精度及び再現性が増大すれば、図１に示すような構成の光検出器を再現性良く十分に製造することができる。
【００５０】
以上、本発明について具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の光検出器の一例を示す構成図である。
【図２】図１に示す光検出器の等価回路を示す図である。
【図３】本例の光検出に際して利用する検出原理を説明するための図（バンド図）である。
【図４】図１に示す光検出器と等価な光検出器を簡易に製造する方法を説明するための工程図である。
【図５】同じく、図１に示す光検出器と等価な光検出器を簡易に製造する方法を説明するための工程図である。
【図６】同じく、図１に示す光検出器と等価な光検出器を簡易に製造する方法を説明するための工程図である。
【図７】同じく、図１に示す光検出器と等価な光検出器を簡易に製造する方法を説明するための工程図である。
【図８】同じく、図１に示す光検出器と等価な光検出器を簡易に製造する方法を説明するための工程図である。
【図９】同じく、図１に示す光検出器と等価な光検出器を簡易に製造する方法を説明するための工程図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０  光検出器
１１  受光部
１２  光検出部（単電子トランジスタ）
１１１  量子ドット
１１２  第１の電極
１１３  第２の電極
１２１  微小ドット
１２２  第３の電極（単電子トランジスタにおけるソース電極）
１２３  第４の電極（単電子トランジスタにおけるドレイン電極）
１３  （絶縁性の）基板
１４  第５の電極
１５  接地電位の電極
Ｖ１、Ｖ２  電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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