(57)【要約】【課題】ディメンションの変化が小さくて軽量薄形で製造できる光硬化タイプの疎水性モールドを得る。【解決手段】光開始剤を含み、式（１）の条件（γｄＭはソフトモールドの表面エネルギーの分散項、γｐＭはソフトモールドの表面エネルギーの極性項、γＬは純水の表面エネルギー）を満足する光硬化性物質を設けた。【選択図】図２Ｆ
2008006820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光硬化性物質と、光開始剤を含み、
すべての表面は、
【数１】
2008006820.tif 000011
の条件（γｄＭはソフトモールドの表面エネルギーの分散項、γｐＭはソフトモールドの表面エネルギーの極性項、γＬは純水の表面エネルギー）を満足する
ことを特徴とするソフトモールド。
【請求項２】
前記光硬化性物質は、ジエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、２-エキトシ(２-エキトシ)エチルアクリレート、１,６-ヘキサンジオールジアクリレート、ポリウレタンアクリレート、グリシジルアクリレート及びブチルメタクリレートで構成される群から選択される一つの物質、あるいは二つ以上の物質を組み合わせた物質である
ことを特徴とする請求項１記載のソフトモールド。
【請求項３】
前記光開始剤は、硬化のために前記ソフトモールドに紫外線ＵＶを照射する際に、使用される
ことを特徴とする請求項１記載のソフトモールド。
【請求項４】
前記ソフトモールドの各表面は、疎水性の特性を有する
ことを特徴とする請求項１記載のソフトモールド。
【請求項５】
マスター基板の表面に陽刻または陰刻のパターンを形成する工程と、
前記マスター基板の上部にモールドレジンを塗布する工程と、
光を照射して前記モールドレジンを硬化する工程と、
前記硬化したモールドレジンを前記マスター基板から分離してソフトモールドを完成する工程とを含み、
前記ソフトモールドのすべての表面は、
【数２】
2008006820.tif 000012
の条件(γｄＭはソフトモールドの表面エネルギーの分散項、γｐＭはソフトモールドの表面エネルギーの極性項、γＬは純水の表面エネルギー）を満足する
ことを特徴とするソフトモールドの製造方法。
【請求項６】
前記モールドレジンは、光硬化性物質と光開始剤とを含み、
前記光硬化性物質は、ジエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、２-エキトシ(２-エキトシ)エチルアクリレート、１,６-ヘキサンジオールジアクリレート、ポリウレタンアクリレート、グリシジルアクリレート及びブチルメタクリレートで構成される群から選択される一つの物質、あるいは二つ以上の物質を組み合わせた物質である
ことを特徴とする請求項５記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項７】
前記硬化したモールドレジンを前記マスター基板から分離させる工程の後、前記ソフトモールドに紫外線を照射する後処理工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項５記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項８】
前記後処理工程の前記紫外線は、２ないし１５ｍＷ／ｃｍ２の強度である
ことを特徴とする請求項７記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項９】
前記後処理工程の前記紫外線は、１０秒ないし２０分間照射される
ことを特徴とする請求項７記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項１０】
前記マスター基板の上部に前記モールドレジンを塗布する工程の後、表面に接着物質を有する支持板を前記モールドレジンに付着して前記接着物質を前記モールドレジンに接触させる工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項５に記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項１１】
光硬化性物質と、光開始剤を含み、
前記光硬化性物質は、ジエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、２−エキトシ（２−エキトシ）エチルアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリウレタンアクリレート、グリシジルアクリレート及びブチルメタクリレートで構成される群から選択される一つの物質、あるいは二つ以上の物質を組み合わせた物質で、
前記光開始剤は、前記光硬化性物質に結合される
ことを特徴とするパターン形成用のソフトモールド。
【請求項１２】
前記ソフトモールドの各表面は、疎水性を有する
ことを特徴とする請求項１１記載のソフトモールド。
【請求項１３】
マスター基板の上部に光硬化物質を有するレジン層を形成する工程と、
前記レジン層に支持板を接触する工程と、
前記レジン層に紫外線を照射し、光開始剤を利用して、前記レジン層を硬化させる工程と、
前記マスター基板から前記レジン層を除去して、光硬化性ソフトモールドを形成する工程とを含み、
前記光硬化性物質は、ジエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、２−エキトシ（２−エキトシ）エチルアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリウレタンア７クリレート、グリシジルアクリレート及びブチルメタクリレートで構成される群から選択される一つの物質、あるいは二つ以上の物質を組み合わせた物質である
ことを特徴とする光硬化性ソフトモールドの製造方法。
【請求項１４】
前記光硬化性ソフトモールドの各表面は、疎水性の特性を有する
ことを特徴とする請求項１３記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項１５】
前記疎水性の特性は、
【数３】
2008006820.tif 000013
の条件（γｄＭはソフトモールドの表面エネルギーの分散項、γｐＭはソフトモールドの表面エネルギーの極性項、γＬは純水の表面エネルギー）を満足する
ことを特徴とする請求項１３記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項１６】
基板上に薄膜を形成する工程と、
前記基板の前記薄膜にレジストを塗布する工程と、
前記レジスト上にソフトモールドを整列する工程と、
前記基板上に少なくとも一つの望ましいパターンを形成するために、前記基板から前記ソフトモールドを除去する工程を含み、
前記ソフトモールドは、少なくとも一つの陰刻を有し、疎水性の特性を有する
ことを特徴とするソフトモールドを利用するパターンを形成する方法。
【請求項１７】
前記少なくとも一つの陰刻に対応する少なくとも一つのレジストパターンを形成するために前記レジストを光で硬化する工程と、
前記少なくとも一つのレジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングして、前記少なくとも一つのレジストパターンに対応する少なくとも一つのパターンの薄膜を残す工程と、
前記少なくとも一つのレジストパターンを除去して、前記基板上に前記少なくとも一つの望ましいパターンを残す工程とをさらに含む
ことを特徴とする請求項１６記載のソフトモールドを利用するパターンを形成する方法。
【請求項１８】
前記レジストを光で硬化する工程は、前記ソフトモールドに紫外線を照射する工程を含み、
前記紫外線の照射は、約１０秒ないし約２０分の間であり、強度は、約２ないし約１５ｍＷ／ｃｍ２である
ことを特徴とする請求項１７記載のソフトモールドを利用するパターンを形成する方法。
【請求項１９】
前記レジストは、前記ソフトモールドとレジスト間の反発力によって、前記少なくとも一つの陰刻パターンに吸い込まれる
ことを特徴とする請求項１６記載のソフトモールドを利用するパターンを形成する方法。
【請求項２０】
前記ソフトモールドの各表面は、疎水性の特性を有する
ことを特徴とする請求項１６記載のソフトモールドを利用するパターンを形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプレーンプリンティング（In Plane Printing：ＩＰＰ）工程で、パターン形成に使用されるモールドに係り、具体的には、光硬化タイプの疎水性モールドを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体または平面表示装置を製造するためには、ウエハーまたはガラス（以下、基板と称する。）に微細なパターンを形成するが、この時、代表的な方法として、フォトリソグラフィー法がある。
【０００３】
フォトリソグラフィー法は、先ず、感光性高分子物質をエッチング対象層に塗布して、所定のパターンが形成されたフォトマスクを利用して露光した後、現像工程によって不必要な高分子物質を除去し、望むパターンのエッチングマスクを形成する。それから、エッチング工程を行い、エッチングマスクを除去すると、基板上のエッチング対象層が望む形状にパターニングされる。
【０００４】
ところで、このような従来のフォトリソグラフィー法は、露光、現像等の複雑な工程を行い、高価のフォトマスク、露光装置等を必要とするという問題がある。これによって、生産性低下と製造原価の上昇をもたらして、パターンの線幅が微細になるほど、このような問題はさらに酷くなる。
【０００５】
最近は、このようなフォトリソグラフィー法の代案として、ナノイムプリント（nano-imprint）リソグラフィー、軟性リソグラフィー、毛細管力リソグラフィー（capillary force lithography）、柔軟成形法（soft molding）等の非伝統的方式のリソグラフィー技術が注目を浴びている。
【０００６】
非伝統的リソグラフィー方法は、ナノイムプリントリソグラフィーを除いては、高分子弾性体材質のソフトモールドをパターン形成用モールドとして主に使用している。
【０００７】
以下、ソフトモールドを利用して基板にパターンを形成するソフトリソグラフィー工程を、図１Ａないし図１Ｆを参照して簡単に説明する。
【０００８】
図１Ａに示したように、基板１０上に、望むパターンを形成するためのエッチング対象層１１を形成して、エッチング対象層１１全面に、レジスト１３を塗布する。
【０００９】
図１Ｂに示したように、形成しようとするパターンに対応する領域に、陰刻（depressed portions）１７を有するモールド１５をレジスト１３上に整列させた状態で、レジスト１３と接触するモールド１５の接触面がエッチング対象層１１に接触する程度の圧力を加える。
【００１０】
この時、レジスト１３には、多様な力が作用するが、例えば、モールド１５とレジスト間の反発力ＦＲ、モールドの陰刻１７部分にレジストが吸い込まれる毛細管力ＦＣ、レジストに及ぶ重力ＦＧ、基板とレジストの摩擦力または粘着力ＦＶ等がある。
【００１１】
従って、レジスト１３をモールド１５の陰刻１７の内部へと押し出す力Ｆは、ＦＲ＋ＦＣ−ＦＧ−ＦＶで表現することができる。
【００１２】
例えば、ソフトリソグラフィー工程では、モールド１５の表面エネルギーを小さくするために、疎水性（hydrophobic）材質でモールドを製造して、レジスト１３は、逆に、親水性（hydrophile）材質で製造する場合が多い。従って、反発力ＦＲは、モールド１５とレジスト１３間のこのような性質差から基づいている。
【００１３】
図１Ｃに示したように、レジスト１３が光硬化性の場合は、このようにモールド１５を加圧してレジスト１３をモールド１５の陰刻１７の内部に移動させると同時に、紫外線ＵＶを照射して、これによって、陰刻１７の内部のレジスト１３は、光反応して固化され、線形高分子パターン、すなわち、レジストパターン１３ａを形成する。
【００１４】
仮に、レジスト１３が熱硬化性の場合は、加熱によってレジスト１３を硬化させる。
【００１５】
図１Ｄに示したように、レジスト１３が硬化された後、モールド１５を除去すると、エッチング対象層１１上に選択的に残留するレジストパターン１３ａが形成される。
【００１６】
図１Ｅに示したように、レジストパターン１３ａをエッチングマスクとして利用してエッチング対象層１１をエッチングして、図１Ｆに示したように、ストリップ工程によってレジストパターン１３ａを除去すると、基板１０上に望むエッチング対象層パターン１１ａのみ残る。
【００１７】
一方、一般的にモールドを利用して基板にレジストパターンを形成する場合、レジストパターンとモールドを容易に分離させるためには、モールドの表面エネルギーがレジストより低くなるべきである。表面エネルギーは、固体または液体状が気体状と界面を有するために必要な単位面積当エネルギーを意味するので、表面エネルギーが大きいほど気体状との界面が有し難い。
【００１８】
従って、インプレーンプリンティングＩＰＰ方式で、所定のレジストパターンを適切に形成するためには、モールド、レジスト及び基板の表面エネルギーを各々γＭＯＬＤ、γＥＲ、γｓｕｂｓｔｒａｔｅとする時、次の関係が成立する。
γＭＯＬＤ＜γＥＲ＜γｓｕｂｓｔｒａｔｅ
【００１９】
このように、レジストの表面エネルギーγＥＲが基板の表面エネルギーγｓｕｂｓｔｒａｔｅより小さいとレジストを基板に容易に塗布することができ、レジストの表面エネルギーγＥＲがモールドの表面エネルギーγＭＯＬＤより大きいとモールドとレジスト間に反発力が形成されてモールドをレジストパターンから容易に分離させることができる。
【００２０】
すなわち、モールドの表面エネルギーγＭＯＬＤが低いほどレジストとの反発力が大きくなって、パターン形成に有利である。
【００２１】
一方、このようなソフトリソグラフィー工程には、ＰＤＭＳ（Polydimethylsiloxsane）材質のソフトモールドが多く使用される。ＰＤＭＳモールドは、未硬化されたＰＤＭＳ鎖がモールド表面へはみ出て表面が一定に疎水性を維持する特性があり、弾性体であるので、パターニングする基板の表面と均一に接触し、表面エネルギーが小さいので、パターニング後に基板から分離し易い長所がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
ところで、ＰＤＭＳモールドは、熱硬化方式で製造されるために、その製造過程で収縮変形が発生して、モールドパターンのディメンション（dimension）が変化する場合が頻発するという問題がある。また、材料の粘度が比較的高いため、結果として、分散方法によって、塗布されたＰＤＭＳ材質は、比較的に大きい厚さを有する。さらに、モールドの厚さを数マイクロメートル単位に薄くするのが難しいと言う限界がある。
【００２３】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、ディメンションの変化が小さくて軽量薄形で製造できる光硬化タイプの疎水性モールドを得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明に係るソフトモールドは、光硬化性物質と、光開始剤を含み、ソフトモールドのすべての表面は、
【００２５】
【数１】
2008006820.tif 000003
【００２６】
の条件（γｄＭはソフトモールドの表面エネルギーの分散項、γｐＭはソフトモールドの表面エネルギーの極性項、γＬは純水の表面エネルギー）を満足する。
【００２７】
前記光硬化性物質は、ジエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、２−エキトシ（２−エキトシ）エチルアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリウレタンアクリレート、グリシジルアクリレート及びブチルメタクリレートで構成される群から選択される一つの物質、あるいは二つ以上の物質を組み合わせた物質である。
【００２８】
前記光開始剤は、硬化のために前記ソフトモールドに紫外線ＵＶを照射する際に、使用される。
【００２９】
前記ソフトモールドの各表面は、疎水性の特性を有する。
【００３０】
また、本発明に係るソフトモールドの製造方法は、マスター基板の表面に陽刻または陰刻のパターンを形成する工程と、前記マスター基板の上部にモールドレジンを塗布する工程と、光を照射して前記モールドレジンを硬化する工程と、前記硬化したモールドレジンを前記マスター基板から分離してソフトモールドを完成する工程とを含み、前記ソフトモールドのすべての表面は、
【００３１】
【数２】
2008006820.tif 000004
【００３２】
の条件（γｄＭはソフトモールドの表面エネルギーの分散項、γｐＭはソフトモールドの表面エネルギーの極性項、γＬは純水の表面エネルギー）を満足する。
【００３３】
前記モールドレジンは、光硬化性物質と光開始剤とを含み、前記光硬化性物質は、ジエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、２−エキトシ（２−エキトシ）エチルアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリウレタンアクリレート、グリシジルアクリレート及びブチルメタクリレートで構成される群から選択される一つの物質、あるいは二つ以上の物質を組み合わせた物質である。
【００３４】
前記硬化したモールドレジンを前記マスター基板から分離させる工程の後、前記ソフトモールドに紫外線を照射する後処理工程をさらに含む。
【００３５】
前記後処理工程の前記紫外線は、２ないし１５ｍＷ／ｃｍ２の強度である。
【００３６】
前記後処理工程の前記紫外線は、１０秒ないし２０分間照射される。
【００３７】
前記マスター基板の上部に前記モールドレジンを塗布する工程の後、表面に接着物質を有する支持板を前記モールドレジンに付着して前記接着物質を前記モールドレジンに接触させる工程をさらに含む。
【００３８】
また、本発明に係るパターン形成用のソフトモールドは、光硬化性物質と、光開始剤を含み、前記光硬化性物質は、ジエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、２−エキトシ（２−エキトシ）エチルアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリウレタンアクリレート、グリシジルアクリレート及びブチルメタクリレートで構成される群から選択される一つの物質、あるいは二つ以上の物質を組み合わせた物質で、前記光開始剤は、前記光硬化性物質に結合される。
【００３９】
前記ソフトモールドの各表面は、疎水性を有する。
【００４０】
また、本発明に係る光硬化性ソフトモールドの製造方法は、マスター基板の上部に光硬化物質を有するレジン層を形成する工程と、前記レジン層に支持板を接触する工程と、前記レジン層に紫外線を照射し、光開始剤を利用して、前記レジン層を硬化させる工程と、前記マスター基板から前記レジン層を除去して、光硬化性ソフトモールドを形成する工程とを含み、前記光硬化性物質は、ジエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、２−エキトシ（２−エキトシ）エチルアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリウレタンアクリレート、グリシジルアクリレート及びブチルメタクリレートで構成される群から選択される一つの物質、あるいは二つ以上の物質を組み合わせた物質である。
【００４１】
前記光硬化性ソフトモールドの各表面は、疎水性の特性を有する。
【００４２】
前記疎水性の特性は、
【００４３】
【数３】
2008006820.tif 000005
【００４４】
の条件（γｄＭはソフトモールドの表面エネルギーの分散項、γｐＭはソフトモールドの表面エネルギーの極性項、γＬは純水の表面エネルギー）を満足する。
【００４５】
また、本発明に係るソフトモールドを利用するパターンを形成する方法は、基板上に薄膜を形成する工程と、前記基板の前記薄膜にレジストを塗布する工程と、前記レジスト上にソフトモールドを整列する工程と、前記基板上に少なくとも一つの望ましいパターンを形成するために、前記基板から前記ソフトモールドを除去する工程を含み、前記ソフトモールドは、少なくとも一つの陰刻を有するし、疎水性の特性を有する。
【００４６】
前記少なくとも一つの陰刻に対応する少なくとも一つのレジストパターンを形成するために前記レジストを光で硬化する工程と、前記少なくとも一つのレジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングして、前記少なくとも一つのレジストパターンに対応する少なくとも一つのパターンの薄膜を残す工程と、前記少なくとも一つのレジストパターンを除去して、前記基板上に前記少なくとも一つの望ましいパターンを残す工程とをさらに含む。
【００４７】
前記レジストを光で硬化する工程は、前記ソフトモールドに紫外線を照射する工程を含み、前記紫外線の照射は、約１０秒ないし約２０分の間であり、強度は、約２ないし約１５ｍＷ／ｃｍ２である。
【００４８】
前記レジストは、前記モールドとレジスト間の反発力によって、前記少なくとも一つの陰刻パターンに吸い込まれる。
【００４９】
前記ソフトモールドの各表面は、疎水性の特性を有する。
【発明の効果】
【００５０】
本発明に係るソフトモールドは、光硬化タイプながらも熱硬化タイプのＰＤＭＳと類似の疎水性の特性を有する。また、粘度の低い材料を使用するために、数マイクロメートル単位の厚さの軽量薄形を容易に製造することができ、さらに、光硬化タイプであるために、モールドレジンに過度な熱が加えられず、熱的変形によってモールドディメンションが最初の設計から逸脱する場合も殆どない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
本発明の実施の形態は、ＰＤＭＳを利用して熱硬化方式で製造される従来のソフトモールドに代わる光硬化タイプのソフトモールドに関する。
【００５２】
本発明の実施の形態では、光硬化タイプのソフトモールドを製作するために、ジエチレングリコールジメタクリレート（Diethylene glycol dimethacrylate、ＤＣＤＭＡ）、エチレングリコールジメタクリレート（Ethylene glycol dimethacrylate、ＥＧＤＭＡ）、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート（Ethylene glycol phenyletheracrylate、ＥＧＰＥＡ）、２−エキトシ−（２−エキトシ）エチルアクリレート（２−ethoxy−（２−ethoxy）ethyl acrylate、ＥＯＥＯＥＡ）、１，６−ヘキサンジオール（ＥＯ）ジアクリルレート（１，６−hexanediol（ＥＯ）diacrylate、ＨＤ（ＥＯ）ＤＡ）、ポリウレタンアクリレート（polyurethane acrylate）、グリシジルアクリレート（glycidyl acrylate）及びブチルメタクリレート（butyl methacrylate）のうちから選択されるいずれかの材料を利用したり、このうちの二つ以上の材料を混合したりして製造する。
【００５３】
前述した材料は、光硬化方式でモールドを製作するために、光開始剤（photo-initiator）を添加するが、本発明の実施例では、チバスペシャルティケミカルズ（ciba specialty chemicals）（株）商品名イルガキュア（IRGACURE）３６９、イルガキュア（IRGACURE）１８４またはイルガキュア（IRGACURE）３７９製品を利用する。
【００５４】
一方、本発明では、モールドの表面の特性が熱硬化タイプＰＤＭＳに準ずる低い表面エネルギーを有するように、下記の式（１）の条件を満足する材料を使用する。
【００５５】
【数４】
2008006820.tif 000006
【００５６】
ここで、γＭは、モールドの表面エネルギー、γＬは、純水の表面エネルギーを示しており、従って、式（１）の左辺（以下、係数Ａ）は、モールド表面エネルギーγＭの分散項（dispersion term）と極性項（polar term）によって決まる。
【００５７】
式（１）は、下記の過程を通じて導かれる。
【００５８】
【数５】
2008006820.tif 000007
【００５９】
式（２）は、ヤングの式（Young's equation）であり、式（３）は、グッドギリファルコ説（Good-Girifalco's theory）であって、Ｗａは、粘着力（Work of Adhesion）である。式（２）及び式（３）から下記の式（４）を導く。
【００６０】
【数６】
2008006820.tif 000008
【００６１】
この時、一般的に水の接触角が９０°以上の時、表面が疎水性を有するので、モールド表面が疎水性を有するためには、次の式（５）を満足すべきである。
【００６２】
【数７】
2008006820.tif 000009
【００６３】
式（５）に、（Ｏｗｅｎｓ  ａｎｄ  Ｗｅｎｄｔ）の仮定に関する下記の式（６）を代入すると、式（１）が導かれる。
【００６４】
【数８】
2008006820.tif 000010
【００６５】
以下、前述した条件を満足する光硬化タイプのモールドを製造する工程を図２Ａないし図２Ｆを参照して説明する。
【００６６】
図２Ａに示したように、表面に所定の陽刻（embossed portions）２２または陰刻が形成されたマスター基板２０を備える。マスター基板２０は、例えば、絶縁基板にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を蒸着した後、これにフォトリソグラフィー工程等によってパターニングして製造する。
【００６７】
図２Ｂに示したように、マスター基板２０の上部にモールドレジン３０を塗布する。
【００６８】
モールドレジン３０は、前述したように、ジエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、２−エキトシ−（２−エキトシ）エチルアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリウレタンアクリレート、グリシジルアクリレート及びブチルメタクリレートを含む群から選択されるいずれかの材料で製造したり、二つ以上の物質を混合して製造したりする。
【００６９】
この時、モールドレジン３０は、式（１）の条件を満足する材質である。また、本発明の実施の形態では、モールドレジン３０が光硬化の特性を有するべきなので、このために、モールドレジン３０が光開始剤（photo initiator）を含むのが望ましい。
【００７０】
図２Ｃに示したように、モールドレジン３０の上部に支持板（backplane）５０を付着する。この時、支持板５０の一面に、先ず、接着物質４０を形成した後で付着するのが望ましい。接着物質４０は、プライマー（primer）である。場合によっては、このような支持板５０の付着工程は、省略することもできる。
【００７１】
支持板５０を付着した後には、図２Ｄに示したように、紫外線ＵＶを照射してモールドレジン３０を硬化させる光硬化工程を行う。
【００７２】
光硬化工程は、モールドレジン３０に含まれた光開始剤によって触発され、線形高分子鎖の物理的架橋反応が活性化されることによって行われる。本工程は、単純にモールドレジン３０を硬化させるためであって、後述する後処理工程とは目的を異にする。
【００７３】
モールドレジン３０が硬化された後、図２Ｅに示したように、硬化されたモールドレジン３０をマスター基板２０から分離させてモールド１００を完成する。従って、モールド１００は、マスター基板２０の陽刻または陰刻に対応する陰刻または陽刻を有する。
【００７４】
本発明の実施の形態では、モールド１００をマスター基板から分離した後、疎水性の特性をより強化するために、図２Ｆに示したように、もう一度紫外線を照射する後処理工程を行うことを特徴とする。
【００７５】
そして、後処理工程では、紫外線の強度を２ないし１５ｍＷ／ｃｍ２に維持して、照射時間も１０秒ないし２０分の間が望ましい。
【００７６】
例えば、本発明の実施の形態で使用されたモールドに対して１１ｍＷ／ｃｍ２の強度で５分間紫外線を照射した場合、係数Ａは、０．４５、分散項は、２０．８、極性項は、２．６である。
【００７７】
このような数値は、従来において主に使用されるＰＤＭＳの物性（分散項：１８．８、極性項：１．６、係数Ａ：０．４）に非常に類似しており、これによって、本発明の実施の形態により製作された光硬化タイプの疎水性モールドがＰＤＭＳに類似する疎水性の特性を有するようになる。
【００７８】
一方、ポリウレタンで構成された他の光硬化性ソフトモールドは、係数Ａの値が、０.６であって、疎水性は、無い。
【００７９】
さらに、本発明の実施の形態に係るモールドは、光硬化タイプにも関わらず、疎水性の特性が優れるのみならず、使用される材料の粘度がＰＤＭＳに比べて非常に低いため、数マイクロメートル単位の厚さの軽量薄形のモールドを製造することもできる。
【００８０】
また、熱硬化タイプとは異なり、モールドレジンに過度な熱が加えられないため、熱的変形によってモールドディメンションが最初の設計から逸脱する場合も殆どない。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１Ａ】従来の疎水性モールドを利用したレジストパターンの形成工程を示した図である。
【図１Ｂ】図１Ａに続く形成工程を示す図である。
【図１Ｃ】図１Ｂに続く形成工程を示す図である。
【図１Ｄ】図１Ｃに続く形成工程を示す図である。
【図１Ｅ】図１Ｄに続く形成工程を示す図である。
【図１Ｆ】図１Ｅに続く形成工程を示す図である。
【図２Ａ】本発明の実施の形態に係る光硬化タイプの疎水性モールドを製造する工程を示した図である。
【図２Ｂ】図２Ａに続く製造工程を示す図である。
【図２Ｃ】図２Ｂに続く製造工程を示す図である。
【図２Ｄ】図２Ｃに続く製造工程を示す図である。
【図２Ｅ】図２Ｄに続く製造工程を示す図である。
【図２Ｆ】図２Ｅに続く製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【００８２】
２０  マスター基板、３０  モールドレジン、４０  接着物質、５０  支持板、
１００  モールド。
【図１Ａ】
2008006820.tif 000014
【図１Ｂ】
2008006820.tif 000015
【図１Ｃ】
2008006820.tif 000016
【図１Ｄ】
2008006820.tif 000017
【図１Ｅ】
2008006820.tif 000018
【図１Ｆ】
2008006820.tif 000019
【図２Ａ】
2008006820.tif 000020
【図２Ｂ】
2008006820.tif 000021
【図２Ｃ】
2008006820.tif 000022
【図２Ｄ】
2008006820.tif 000023
【図２Ｅ】
2008006820.tif 000024
【図２Ｆ】
2008006820.tif 000025