(57)【要約】【課題】耐剥離強度が高いパッド電極に半田ボールを確実に接合させることができて製品の薄型化も阻害されないセラミック回路基板と、その製造方法とを提供すること。【解決手段】ＬＴＣＣ基板１０の実装主面１０ａに設けられたパッド電極１２に外部端子として半田ボール１１が接合されるセラミック回路基板において、パッド電極１２の周縁部を実装主面１０ａ側が裾拡がりとなるような斜面状に形成して斜面状周縁部１２ｂとなし、かつ、パッド電極１２を包囲しつつ斜面状周縁部１２ｂを覆うガラスコート層（絶縁体層）１３を実装主面１０ａに設けて、これらパッド電極１２およびガラスコート層１３の実装主面１０ａ側とは逆側の表面どうしを略同一平面内に位置させる。かかる構成のセラミック回路基板は、多層グリーンシート２０を圧着する製造段階で等水圧プレス装置による加圧を行うことによって得られる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装主面にパッド電極が設けられ、このパッド電極に外部端子として半田ボールが接合されたセラミック回路基板であって、
前記パッド電極の周縁部を前記実装主面側が裾拡がりな斜面状に形成して斜面状周縁部となし、かつ、前記実装主面に前記パッド電極を包囲しつつ前記斜面状周縁部を覆う絶縁体層を設け、これらパッド電極および絶縁体層の前記実装主面側とは逆側の表面どうしを略同一平面内に位置させたことを特徴とするセラミック回路基板。
【請求項２】
請求項１の記載において、基板材料が低温同時焼成セラミックスであり、かつ、前記絶縁体層がガラス材料からなることを特徴とするセラミック回路基板。
【請求項３】
請求項１の記載において、基板材料が低温同時焼成セラミックスであり、かつ、前記絶縁体層が基板材料と同一組成のセラミックス材料からなることを特徴とするセラミック回路基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項の記載において、前記斜面状周縁部の裾拡がり側の先端部が前記実装主面にめり込んでいることを特徴とするセラミック回路基板。
【請求項５】
実装主面となるグリーンシートの上面にパッド電極を印刷するパッド印刷工程と、
前記パッド印刷工程後に、前記グリーンシートの前記上面に前記パッド電極を包囲して該パッド電極の周縁部と重なり合う部分にペースト状の絶縁体層を印刷する絶縁体層印刷工程と、
前記絶縁体層印刷工程後に、前記グリーンシートを最外層に配置させてなる複数枚のグリーンシートの積層体を加圧して圧着する圧着工程と、
前記圧着工程後に前記積層体を焼成する焼成工程と、
前記焼成工程後に前記パッド電極にメッキを施すメッキ工程と、
前記メッキ工程後に前記パッド電極に半田ボールを接合させる半田ボール接合工程とを備え、
前記圧着工程では、前記パッド電極および前記絶縁体層を変形させることによって、前記パッド電極の周縁部を前記実装主面側で裾拡がりな斜面状に形成して斜面状周縁部となし、かつ、前記絶縁体層を前記斜面状周縁部を覆ったまま平坦化して、これらパッド電極および絶縁体層の前記実装主面側とは逆側の表面どうしが略同一平面内に位置するようにしたことを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５の記載において、前記圧着工程で複数枚のグリーンシートの積層体を等水圧プレス装置で加圧して圧着することを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６の記載において、基板材料が低温同時焼成セラミックスであり、かつ前記絶縁体層がガラス材料からなることを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。
【請求項８】
請求項５または６の記載において、基板材料が低温同時焼成セラミックスであり、かつ、前記絶縁体層が基板材料と同一組成のセラミックス材料からなることを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。
【請求項９】
請求項５〜８のいずれか１項の記載において、前記圧着工程で前記斜面状周縁部の裾拡がり側の先端部が前記実装主面にめり込むようにしたことを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッド電極に接合された半田ボール（バンプ）を有してフリップチップ実装されるセラミック回路基板と、その製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
回路パターン等を有してマザーボードに実装されるセラミック回路基板などにおいては、基板の実装主面に設けたパッド電極に外部端子として半田ボールを接合させることによって、この基板をフリップチップ実装することができるため、製品の小型化や配線の高密度化が図りやすくなる。しかしながら、半田ボールが接合されているパッド電極には応力が集中しやすいため、パッド電極が基板から剥離しないように補強する手段が講じられていないと、衝撃等が加わった際にパッド電極が半田ボールごと基板から剥離するという事故が起こりやすくなる。また、半田ボールを接合させる前にパッド電極はメッキ処理されるが、メッキ液がパッド電極近傍の基板に浸透するとその機械的強度が低下しやすいため、これによってパッド電極の耐剥離強度が低下する可能性も高い。
【０００３】
そこで従来、図４に示すように、パッド電極２が設けられている基板１の実装主面１ａに該パッド電極２の周縁部を覆う絶縁体層３を設け、この絶縁体層３によって画成された凹所３ａ内においてパッド電極２に半田ボール４を接合させるという構成が採用されていた（例えば、特許文献１参照）。このようにパッド電極２の周縁部が絶縁体層３に覆われていると、パッド電極２に作用する応力を絶縁体層３に分散させることができる。また、パッド電極２の周囲で実装主面１ａが絶縁体層３に被覆された状態となるため、パッド電極２のメッキ処理工程でメッキ液がパッド電極２の近傍の基板１に浸透しにくくなって機械的強度の低下を抑制できる。それゆえ、基板１に対するパッド電極２の耐剥離強度を高めることができる。
【特許文献１】特開平８−１１１５７８号公報（第２頁、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、図４に示す従来技術のように、パッド電極２の周縁部を覆う絶縁体層３によって凹所３ａが画成され、この凹所３ａ内にパッド電極２を露出させるという構成にしてあると、半田ボール４が溶融時に凹所３ａ内で球面体になりやすいため、パッド電極２との接触面積が少なくなる。つまり、半田ボール４は加熱溶融されてパッド電極２に接合されるので、絶縁体層３が付設されていなければ半田ボール４をパッド電極２の露出面に広く溶着させることができるが、半田ボール４が凹所３ａの開口縁部に当接して支持されるようになっていると、溶融状態の半田ボール４は表面張力によって凹所３ａ内においても球面体になろうとするためパッド電極２との接触面積が低減し、十分な接合強度が得にくくなる。その結果、半田ボール４とパッド電極２との導通の信頼性が低下したり、半田ボール４がパッド電極２から脱落してしまう等の問題が発生していた。また、半田ボール４がパッド電極２との接触面積が少ない略球形のまま接合されていると、パッド電極２上における半田ボール４の高さ寸法が大きくなるため、製品の薄型化が阻害されるという問題もあった。
【０００５】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、耐剥離強度が高いパッド電極に半田ボールを確実に接合させることができて製品の薄型化も阻害されないセラミック回路基板を提供することにある。また、本発明の第２の目的は、そのようなセラミック回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の第１の目的を達成するために、本発明では、実装主面にパッド電極が設けられ、このパッド電極に外部端子として半田ボールが接合されたセラミック回路基板において、前記パッド電極の周縁部を前記実装主面側が裾拡がりな斜面状に形成して斜面状周縁部となし、かつ、前記実装主面に前記パッド電極を包囲しつつ前記斜面状周縁部を覆う絶縁体層を設け、これらパッド電極および絶縁体層の前記実装主面側とは逆側の表面どうしを略同一平面内に位置させるという構成にした。
【０００７】
このようにパッド電極の周縁部を実装主面側が裾拡がりとなるような斜面状に形成して、該斜面状周縁部が絶縁体層に覆われるという構成にしてあると、パッド電極に作用する応力を絶縁体層に分散させることができ、かつ、メッキ液の基板内への浸透を絶縁体層で抑えることもできるため、パッド電極の耐剥離強度が十分に確保できる。また、パッド電極の半田ボールが接合される側の表面（実装主面側とは逆側の表面）と、その周囲に存する絶縁体層との間に段差が生じない構成になっているため、溶融状態の半田ボールをパッド電極の該表面に広く溶着させることができる。それゆえ、パッド電極に半田ボールを確実に接合させることができて製品の薄型化も阻害されないセラミック回路基板が得られる。
【０００８】
上記の構成において、基板材料が低温同時焼成セラミックスであるＬＴＣＣ基板の場合、絶縁体層としてガラス材料を用いたり、基板材料と同一組成のセラミックス材料を用いることが好ましい。特に、基板材料と同一組成のセラミックス材料からなる絶縁体層を用いると、基板材料と絶縁体層の機械的特性や熱特性が同じになるため、焼成後に反りや変形が発生しないセラミック回路基板を実現することができる。
【０００９】
また、上記の構成において、パッド電極に形成される斜面状周縁部の裾拡がり側の先端部が基板の実装主面にめり込んでいると、実装主面にめり込んだ部分のアンカー効果によってパッド電極の密着強度を高めることができて好ましい。
【００１０】
また、上記の第２の目的を達成するために、本発明によるセラミック回路基板の製造方法では、実装主面となるグリーンシートの上面にパッド電極を印刷するパッド印刷工程と、このパッド印刷工程後に、前記グリーンシートの前記上面に前記パッド電極を包囲して該パッド電極の周縁部と重なり合う部分にペースト状の絶縁体層を印刷する絶縁体層印刷工程と、この絶縁体層印刷工程後に、前記グリーンシートを最外層に配置させてなる複数枚のグリーンシートの積層体を加圧して圧着する圧着工程と、この圧着工程後に前記積層体を焼成する焼成工程と、この焼成工程後に前記パッド電極にメッキを施すメッキ工程と、このメッキ工程後に前記パッド電極に半田ボールを接合させる半田ボール接合工程とを備え、前記圧着工程では、前記パッド電極および前記絶縁体層を変形させることによって、前記パッド電極の周縁部を前記実装主面側で裾拡がりな斜面状に形成して斜面状周縁部となし、かつ、前記絶縁体層を前記斜面状周縁部を覆ったまま平坦化して、これらパッド電極および絶縁体層の前記実装主面側とは逆側の表面どうしが略同一平面内に位置するようにした。
【００１１】
このように実装主面にパッド電極と該パッド電極の周縁部を覆う絶縁体層とが印刷形成されている焼成前の積層体（多層グリーンシート）を加圧すると、パッド電極の周縁部が絶縁体層に覆われたまま裾拡がりに変形していくと共に、絶縁体層が変形してパッド電極との間の段差が失われていく。すなわち、かかる圧着工程によって、パッド電極の周縁部を実装主面側が裾拡がりとなるような斜面状に形成し、かつ、該斜面状周縁部を絶縁体層にて覆うことができるため、焼成工程後、パッド電極に作用する応力を絶縁体層に分散させることができる。また、メッキ工程でメッキ液の基板内への浸透を絶縁体層で抑えることもできる。それゆえ、こうして製造したセラミック回路基板は、パッド電極の耐剥離強度が高い。しかも、かかる圧着工程で、パッド電極の半田ボールが接合される側の表面（実装主面側とは逆側の表面）と、その周囲に存する絶縁体層との間に段差が生じないように平坦化されるため、溶融状態の半田ボールをパッド電極の該表面に広く溶着させることができる。それゆえ、こうして製造したセラミック回路基板は、パッド電極に半田ボールを確実に接合させることができて、製品の薄型化が阻害されることもない。特に、圧着工程で複数枚のグリーンシートの積層体を等水圧プレス装置（静水圧プレス装置）で等方向に加圧して圧着すると、パッド電極の周縁部が絶縁体層に覆われたまま裾拡がりに変形しやすくなって好ましい。
【００１２】
なお、上記の構成において、基板材料が低温同時焼成セラミックスであるＬＴＣＣ基板の場合、絶縁体層としてガラス材料を用いたり、基板材料と同一組成のセラミックス材料を用いることが好ましい。特に、基板材料と同一組成のセラミックス材料からなる絶縁体層を用いると、基板材料と絶縁体層の機械的特性や熱特性が同じになるため、焼成後に反りや変形が発生しないセラミック回路基板を実現することができる。
【００１３】
また、上記の構成において、圧着工程でパッド電極に形成される斜面状周縁部の裾拡がり側の先端部を基板の実装主面にめり込ませると、実装主面にめり込んだ部分のアンカー効果によってパッド電極の密着強度を高めることができて好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のセラミック回路基板は、パッド電極の周縁部を実装主面側が裾拡がりとなるような斜面状に形成して、該斜面状周縁部が絶縁体層に覆われるという構成にしてあるため、パッド電極の耐剥離強度が十分に確保できる。また、パッド電極の半田ボールが接合される側の表面（実装主面側とは逆側の表面）と、その周囲に存する絶縁体層との間に段差が生じない構成になっているため、溶融状態の半田ボールをパッド電極の該表面に広く溶着させることができる。それゆえ、パッド電極に半田ボールを確実に接合させることができて製品の薄型化も阻害されないセラミック回路基板が得られる。
【００１５】
本発明の製造方法は、圧着工程によって、パッド電極の周縁部を実装主面側が裾拡がりとなるような斜面状に形成し、かつ、該斜面状周縁部を絶縁体層にて覆うことができるため、焼成工程後、パッド電極に作用する応力を絶縁体層に分散させることができる。また、メッキ工程でメッキ液の基板内への浸透を絶縁体層で抑えることもできる。それゆえ、こうして製造したセラミック回路基板は、パッド電極の耐剥離強度が高い。しかも、かかる圧着工程で、パッド電極の半田ボールが接合される側の表面（実装主面側とは逆側の表面）と、その周囲に存する絶縁体層との間に段差が生じないように平坦化されるため、溶融状態の半田ボールをパッド電極の該表面に広く溶着させることができる。それゆえ、こうして製造したセラミック回路基板は、パッド電極に半田ボールを確実に接合させることができて、製品の薄型化が阻害されることもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
発明の実施の形態を図面を参照して説明すると、図１は本発明の第１実施形態例に係るセラミック回路基板の半田ボール接合部を示す要部断面図、図２は該セラミック回路基板の製造方法を示す工程図である。
【００１７】
図１に示すセラミック回路基板は、回路パターン（図示せず）等が設けられた多層構造のＬＴＣＣ基板１０に外部端子として半田ボール１１が接合されたものである。ＬＴＣＣ基板１０の実装主面１０ａには、半田ボール１１を溶着させるためのパッド電極１２と、このパッド電極１２の耐剥離強度を高めるためのガラスコート層１３とが設けられており、パッド電極１２は前記回路パターンと導通されている。なお、図１では半田ボール１１が１個だけ図示されているが、実際には多数のパッド電極１２が実装主面１０ａに設けられて各パッド電極１２に半田ボール１１が接合されている。そして、これらの半田ボール１１を介して、ＬＴＣＣ基板１０が図示せぬマザーボードにフリップチップ実装されるようになっている。
【００１８】
ＬＴＣＣ基板１０の材料は、アルミナにガラス系成分を添加した低温同時焼成セラミックスである。パッド電極１２はＡｇ等の良導電性材料からなり、ガラスコート層１３に覆われていない部分にはメッキ層１２ａが被着されている。このメッキ層１２ａとしては例えば、Ｎｉ層を下地層とするＡｕ層が好適である。パッド電極１２の周縁部は、実装主面１０ａ側が裾拡がりとなるような斜面状に形成されて斜面状周縁部１２ｂとなっている。ガラスコート層１３は、パッド電極１２を包囲しつつ斜面状周縁部１２ｂを覆っている。このガラスコート層１３の膜厚はパッド電極１２の膜厚と同等であり、両者１２，１３が段差なく重なり合うように構成されている。すなわち、パッド電極１２およびガラスコート層１３は、実装主面１０ａ側とは逆側（図１の下側）の表面どうしが略同一平面内に位置するように形成されている。
【００１９】
このように構成されるセラミック回路基板は、図２に示すような手順で製造される。すなわち、まず多層構造のＬＴＣＣ基板１０の各層に相当する複数枚のグリーンシート１５〜１８に、それぞれ回路パターンやビアホール導体等を形成する。このとき、ＬＴＣＣ基板１０の最外層となるグリーンシート１５の上面（実装主面１０ａとなる面）１５ａには、図２（ａ）に示すようにＡｇペーストを印刷して周縁部が斜面状でないパッド電極１２を形成する。次に、このグリーンシート１５の上面１５ａに図２（ｂ）に示すようにガラスペーストを印刷して、パッド電極１２を包囲して該パッド電極１２の周縁部と重なり合うガラスコート層１３を形成する。つまり、この段階ではパッド電極１２の周縁部を覆うガラスコート層１３によって凹所１３ａが画成されている。
【００２０】
この後、図２（ｃ）に示すように、ベース板１９上で、グリーンシート１５〜１８を位置合わせして積層することによって未圧着の多層グリーンシート２０となし、この多層グリーンシート２０上に押さえ板２１を載せる。このとき、グリーンシート１５は最上層に配置して、その上面１５ａが多層グリーンシート２０の最上面となるように設定しておく。
【００２１】
次に、図２（ｄ）に示すように、ベース板１９と押さえ板２１とで挟んだまま多層グリーンシート２０をプラスチック等の袋２２内に入れて真空ラミネート梱包する。そして、この袋２２を等水圧プレス装置（静水圧プレス装置）の水槽内に入れて等方向に加圧する。これにより、積層状態のグリーンシート１５〜１８が圧着されて一体化されると共に、パッド電極１２やガラスコート層１３が図２（ｅ）に示すような形状に変形する。すなわち、パッド電極１２は、その周縁部が上面１５ａ側で裾拡がりな斜面状に変形して、ガラスコート層１３に覆われた斜面状周縁部１２ｂが形成される。また、ガラスコート層１３は、凹所１３ａを画成していた部分が斜面状周縁部１２ｂの周囲に押し広げられるため、パッド電極１２上に突出することなく斜面状周縁部１２ｂと重なり合う形状に変形する。したがって、この段階で、パッド電極１２とガラスコート層１３はそれぞれの表面１２ｃ，１３ｂどうしが略同一平面内に位置することになる。
【００２２】
次に、こうして圧着された多層グリーンシート２０を袋２２から取り出して焼成することによって、実装主面１０ａにパッド電極１２やガラスコート層１３を有するＬＴＣＣ基板１０となす。この後、無電解メッキ法でパッド電極１２の表面１２ｃにＮｉ層とＡｕ層を順次被着させることによって、図２（ｆ）に示すようにメッキ層１２ａを形成する。そして、かかるメッキ工程後に、パッド電極１２のメッキ層１２ａに半田ボール１１を溶着させることによって、図１に示すようなセラミック回路基板が得られる。
【００２３】
このようにして製造されるセラミック回路基板は、圧着工程によって、パッド電極１２の周縁部を実装主面１０ａ側が裾拡がりとなるような斜面状に形成して、この斜面状周縁部１２ｂをガラスコート層１３にて覆うことができるため、焼成工程後、パッド電極１２に作用する応力をガラスコート層１３に分散させることができる。また、メッキ工程でメッキ液のＬＴＣＣ基板１０内への浸透をガラスコート層１３で抑えることもできる。それゆえ、こうして製造したセラミック回路基板は、パッド電極１２の耐剥離強度が高い。しかも、かかる圧着工程で、パッド電極１２の表面（実装主面１０ａ側とは逆側の表面）１２ｃと、その周囲に存するガラスコート層１３との間に段差が生じないように平坦化されるため、溶融状態の半田ボール１１をパッド電極１２の該表面１２ｃに広く溶着させることができる。それゆえ、こうして製造したセラミック回路基板は、パッド電極１２に半田ボール１１を確実に接合させることができて、製品の薄型化が阻害されることもない。
【００２４】
図３は本発明の第２実施形態例に係るセラミック回路基板の半田ボール接合部を示す要部断面図であり、図１に対応する部分には同一符号を付すことにより、重複する説明は適宜省略する。
【００２５】
図３に示すセラミック回路基板が前述した第１実施形態例と相違する点は、パッド電極１２を包囲しつつ斜面状周縁部１２ｂを覆っている絶縁体層２３がＬＴＣＣ基板１０と同一組成のセラミックス材料であることと、パッド電極１２の斜面状周縁部１２ｂの先端部１２ｃがＬＴＣＣ基板１０の実装主面１０ａに若干めり込んでいることにあり、それ以外の構成は基本的に同じである。すなわち、ＬＴＣＣ基板１０の材料はアルミナにガラス系成分を添加した低温同時焼成セラミックスであり、絶縁体層２３の材料もアルミナにガラス系成分を添加した低温同時焼成セラミックスである。また、パッド電極１２はＬＴＣＣ基板１０の実装主面１０ａに設けられているが、パッド電極１２の周縁部に形成された斜面状周縁部１２ｂの先端部１２ｃは実装主面１０ａの内部に若干めり込んでおり、パッド電極１２と絶縁体層２３の実装主面１０ａ側とは逆側（図４の下側）の表面どうしは略同一平面内に位置するように形成されている。
【００２６】
このように構成されるセラミック回路基板は、前述した第１実施形態例と同様に図２に示すような手順で製造される。ただし、図２（ｂ）に示される工程ではガラスペーストの代わりにペースト状のセラミックス材料を用い、このセラミックス材料をグリーンシート１５の上面１５ａに印刷することにより、パッド電極１２を包囲して該パッド電極１２の周縁部と重なり合う絶縁体層２３を形成する。その際、パッド電極１２の周縁部と絶縁体層２３とが重なり合うオーバーラップ量を若干多めに設定すると、その後の圧着工程によって、パッド電極１２に実装主面１０ａ側を裾拡がりにした斜面状周縁部１２ｂが形成されると共に、この斜面状周縁部１２ｂの先端部１２ｃが実装主面１０ａの内部に若干めり込み、この状態で焼成工程等を経て図３に示すようなセラミック回路基板が得られる。
【００２７】
このようにして製造されるセラミック回路基板においても、圧着工程によって、パッド電極１２の周縁部を実装主面１０ａ側が裾拡がりとなるような斜面状に形成して、この斜面状周縁部１２ｂを絶縁体層２３にて覆うことができるため、焼成工程後、パッド電極１２に作用する応力を絶縁体層２３に分散させることができる。しかも、この絶縁体層２３の材料がＬＴＣＣ基板１０と同一組成のセラミックス材料からなるため、圧着工程後の焼成工程でＬＴＣＣ基板１０と絶縁体層２３が同じように膨張・収縮し、焼成後に反りや変形が発生しないセラミック回路基板を実現することができる。また、圧着工程でパッド電極１２の斜面状周縁部１２ｂの先端部１２ｃが実装主面１０ａの内部に若干めり込むため、図３に示すように、実装主面１０ａにめり込んだパッド電極１２の先端部１２ｃにアンカー効果を持たせることができ、ＬＴＣＣ基板１０に対するパッド電極１２の密着強度が向上する。したがって、パッド電極１２の斜面状周縁部１２ｂを覆う絶縁体層２３と、実装主面１０ａにめり込んだ斜面状周縁部１２ｂの先端部１２ｃによるアンカー効果との相乗作用により、パッド電極１２の剥離強度を著しく高めることができる。
【００２８】
なお、上記第１実施形態例に係るセラミック回路基板においても、図２（ｂ）に示す工程でパッド電極１２の周縁部とガラスコート層１３とが重なり合うオーバーラップ量を若干多めに設定すると、第２実施形態例と同様に、その後の圧着工程でパッド電極１２の斜面状周縁部１２ｂの先端部を実装主面１０ａの内部にめり込ませることができる。
【００２９】
また、上記第１および第２実施形態例では、ＬＴＣＣ基板１０に設けられたパッド電極１２の斜面状周縁部１２ｂをガラスコート層１３や絶縁体層２３で覆っているが、ＬＴＣＣ基板ではないセラミック基板に設けられたパッド電極の場合にも、本発明を適用することによって同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第１実施形態例に係るセラミック回路基板の半田ボール接合部を示す要部断面図である。
【図２】該セラミック回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図３】本発明の第２実施形態例に係るセラミック回路基板の半田ボール接合部を示す要部断面図である。
【図４】従来例に係るセラミック回路基板の半田ボール接合部を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０  ＬＴＣＣ基板
１０ａ  実装主面
１１  半田ボール
１２  パッド電極
１２ａ  メッキ層
１２ｂ  斜面状周縁部
１２ｃ  斜面状周縁部の先端部
１３  ガラスコート層（絶縁体層）
１５〜１８  グリーンシート
２０  多層グリーンシート（積層体）
２３  絶縁体層
【図１】
2008091874.tif 000003
【図２】
2008091874.tif 000004
【図３】
2008091874.tif 000005
【図４】
2008091874.tif 000006