(57)【要約】【課題】水素ガス検出感度が低下しにくい水素センサを提供する。【解決手段】基板の表面に薄膜層を形成し、薄膜層の表面にバッファー層を形成し、水素ガスに触れると水素化して薄膜層の光学的反射率を変化させる触媒層をバッファー層の表面に形成する。かかる水素センサでは、薄膜層から触媒層へ拡散した成分（例えばマグネシウム）がバッファー層から触媒層に拡散した成分（例えばチタン等）と結合して、触媒層の酸化が防止される。その結果、水素化の繰り返しにともなって生じる触媒層等の酸化が防止され、水素センサの水素ガス検出感度が低下しにくくなる。さらに薄膜活性層を、基板と薄膜層との間およびバッファー層と薄膜層との間のいずれか一方もしくは双方の間に形成すると、薄膜活性層から薄膜層へ拡散した成分（例えばパラジウム）が薄膜層の水素化を促進してバッファー層による水素ガス検出感度低下を補償する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の表面に形成された薄膜層と、
前記薄膜層の表面に形成されたバッファー層と、
前記バッファー層の表面に形成され、雰囲気中に含まれる水素ガスに触れると前記薄膜層を水素化して前記薄膜層の光学的反射率を変化させる触媒層を有し、
前記バッファー層は、前記薄膜層から前記触媒層へ拡散する前記薄膜層の成分と結合すると、前記触媒層の酸化を防ぐことができる成分を有することを特徴とする水素センサ。
【請求項２】
基板と、前記基板の表面に形成された薄膜層と、
バッファー層と、
前記バッファー層の表面に形成され、雰囲気中に含まれる水素ガスに触れると前記薄膜層を水素化して前記薄膜層の光学的反射率を変化させる触媒層と、
薄膜活性層を有し、
前記薄膜層の一方の面側には、前記触媒層と前記バッファー層が前記バッファー層を前記薄膜層側にして位置づけられ、
前記薄膜層の他方の面側には前記基板が位置づけられ、
前記薄膜活性層が、前記バッファー層と前記薄膜層との間および前記基板と前記薄膜層との間の、いずれか一方もしくは双方に介在し、
前記バッファー層は、前記薄膜層から前記触媒層へ拡散する前記薄膜層の成分と結合すると、前記触媒層の酸化を防ぐことができる成分を有し、
前記薄膜活性層は、水素に触れると前記薄膜層を水素化して前記薄膜層の光学的反射率を変化させる成分を有することを特徴とする水素センサ。
【請求項３】
前記薄膜層がマグネシウム系合金もしくはマグネシウムで形成され、
前記触媒層がパラジウムもしくは白金を有して形成されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の水素センサ。
【請求項４】
前記バッファー層の厚さが１ないし５ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の水素センサ。
【請求項５】
前記薄膜層がマグネシウム・ニッケル合金、マグネシウム・チタン合金、マグネシウム・ニオブ合金、マグネシウム・コバルト合金若しくはマグネシウム・マンガン合金で形成されたものであることを特徴とする請求項３に記載の水素センサ。
【請求項６】
前記バッファー層は、前記薄膜層から前記触媒層へ拡散するマグネシウムと結合して、マグネシウムに起因する前記触媒層の酸化を防ぐことができる成分を有することを特徴とする請求項３に記載の水素センサ。
【請求項７】
前記バッファー層がニッケル、チタン、ニオブ若しくはバナジウムを有して形成されたものであることを特徴とする請求項６に記載の水素センサ。
【請求項８】
前記薄膜活性層が、前記触媒層が有する成分を有して形成されたものであることを特徴とする請求項２に記載の水素センサ。
【請求項９】
前記薄膜活性層がパラジウムもしくは白金を有して形成されたものであることを特徴とする請求項８に記載の水素センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水素ガスを検出するための水素センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
二酸化炭素の排出を防止するため、水素がエネルギー源として注目されている。しかし、水素ガスは、雰囲気中に漏れると爆発するおそれがあるため、漏洩水素ガスを速やかに検出できる水素センサの開発が進められている。こうした水素センサとして酸化スズを用いた半導体センサが開発されたが、動作温度が摂氏４００度程度と高温であるため、防爆を考慮しなければならない。したがって上記半導体センサを用いた漏洩水素ガス検知装置は、構成が複雑になってしまう。そこでガラスなどの基板の表面にマグネシウム・ニッケル合金などの薄膜層を形成し、この薄膜層をパラジウムなどの触媒層の作用で速やかに水素化する（薄膜層の物性を変化させる）水素センサが開発された（例えば特許文献１）。この水素センサは、薄膜層の水素化にともなう光学的反射率（以下、「反射率」と表示することがある）の変化を検知することで、雰囲気中の漏洩水素ガスを検出することができ、また薄膜層が常温で可逆的に水素化するため、漏洩水素ガスを安全かつ迅速に検出することができるという特徴を有している。
【特許文献１】特開２００５−８３８３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記水素センサは、水素化、脱水素化の繰り返し（以下「水素化の繰り返し」と表示することがある）にともない、薄膜層を形成するマグネシウムが触媒層に向け拡散もしくは析出等するため（本明細書では「拡散」と表示することがある）と、雰囲気に直接触れる触媒層が酸化しやすくなって、薄膜層の漏洩水素ガスの検出感度が低下すること（水素センサが劣化すること）が否めない（触媒層が酸化すると薄膜層も酸化して反射率の変化が小さくなる）。
【０００４】
たとえば図６は、ガラス基板にマグネシウム・ニッケル合金の薄膜層とパラジウムの触媒層を形成した水素センサの劣化の一例を説明するためのものであり、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）測定によって得たものである。ここで、横軸のエッチング・タイム（Etching time (s)）は、パラジウムの触媒層の表面からの深さに相当し、エッチング・タイム２５０秒が深さ約５０ｎｍに相当する（原点ゼロがパラジウムの触媒層の表面である）。そして縦軸は、アトミックパーセンテージ（「％」と表示することがある）である。図６（ａ）は、水素化の繰り返しを行う前の水素センサの測定結果であり、触媒層の表面では、パラジウムＰｄが約９８％、マグネシウムＭｇおよびニッケルＮｉが約０％である（なお珪素Ｓｉは基板のガラスに含まれるものであり、また上記以外の物質に関する記載は省略してある）。そしてニッケルＮｉはエッチング・タイム０ないし４０秒の範囲で概ね０％である。図６（ｂ）は、水素化を繰り返した水素センサの測定結果であり、触媒層の表面では、パラジウムＰｄが６０％弱に減少した一方、マグネシウムＭｇが４０％弱に増加している。ここでニッケルＮｉはエッチング・タイム０ないし６０秒の範囲で概ね０％であるから、該範囲において、マグネシウムＭｇはニッケルＮｉと結合（例えば原子間結合等）できないことが判る。
【０００５】
すなわち図６（ｂ）によれば、水素センサの水素化の繰り返しによって、触媒層、薄膜層に物性的変化が生じたこと、触媒層にマグネシウムＭｇが拡散して、触媒層が酸化しやすくなったこと、および触媒層のパラジウムＰｄの減少で触媒作用が低下したことが判る。なお図６（ｂ）は、珪素Ｓｉの表示を省略してある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明に係る水素センサ（請求項１）は、基板と、基板の表面に形成された薄膜層と、薄膜層の表面に形成されたバッファー層と、そしてバッファー層の表面に形成され、雰囲気中に含まれる水素ガスに触れると薄膜層を水素化して薄膜層の反射率を変化させる触媒層を有している。すなわち該水素センサは、触媒層と薄膜層の間に、バッファー層を形成したところに特徴がある。したがって該水素センサでは、薄膜層からバッファー層内に拡散する成分は、バッファー層を形成する成分とともに触媒層に拡散し、触媒層内部および触媒層の表面近傍等において互いに結合（例えば原子間結合等である）することになる。こうして結合した元素は、一般に単体の場合よりも酸化しにくいから、水素化の繰り返しによる触媒層の酸化が防止され、その結果薄膜層の酸化も防止される（触媒層と薄膜層の酸化が抑制、または防止される）。なおバッファー層は、単一の成分（例えば単一の金属等）からなるもの、複数の成分からなるもの（例えば合金）のいずれであってもよい。
【０００７】
ところで水素ガスの検知感度向上のためには、触媒層を形成する成分が薄膜層内部に拡散していることが望ましい。しかしバッファー層は、触媒層の酸化を防ぐ一方、触媒層を形成する成分が薄膜層内部に拡散することを妨げて、水素ガスの検知感度を低下させることが否めない。そこで請求項２に係る水素センサでは、請求項１に係る水素センサに対し、さらに基板と薄膜層との間およびバッファー層と薄膜層との間の、いずれか一方もしくは双方に薄膜活性層を形成した（介在させた）のである。この薄膜活性層は、水素に触れると触媒作用で薄膜層を水素化して、薄膜層の反射率を触媒層と同様に減少等させる成分を含んでいる。したがって該水素センサでは、バッファー層による水素ガスの検知感度低下を補償することはもとより、バッファー層を厚くして、触媒層の酸化をより効果的に防ぐこともできる。なお薄膜活性層は、触媒作用を有する成分を有していれば、単一の成分（例えば単一の金属等）からなるもの、複数の成分からなるもの（例えば合金）のいずれであってもよい。
【０００８】
薄膜層の可逆的水素化（水素化による反射率変化）は、薄膜層をマグネシウム系合金もしくはマグネシウムで形成し、触媒層をパラジウムもしくは白金を含んで形成することで実現できる（請求項３）。なお触媒層は、パラジウムもしくは白金の単一金属からなるもの、あるいはパラジウム系合金もしくは白金系合金のいずれであってもよい。また請求項４に記載のように、バッファー層の厚さを１ないし５ｎｍにすれば、バッファー層による水素ガスの検知感度低下を殆ど生じさせずに、触媒層の酸化を防ぐことができる。
【０００９】
請求項５に記載のように、薄膜層をマグネシウム・ニッケル合金、マグネシウム・チタン合金、マグネシウム・ニオブ合金、マグネシウム・コバルト合金若しくはマグネシウム・マンガン合金で形成すれば、薄膜層の可逆的水素化がより迅速になる。請求項６に記載のように、薄膜層から触媒層へ拡散するマグネシウムと結合して、マグネシウムに起因する触媒層の酸化を防ぐことができる成分（例えば単一の金属若しくは合金）を含むバッファー層を形成する。ここで請求項７に記載のように、バッファー層をニッケル、チタン、ニオブ若しくはバナジウムを有して形成すれば、薄膜層がマグネシウム系合金もしくはマグネシウムのいずれであっても、マグネシウムがニッケル、チタン、ニオブ若しくはバナジウムと結合して、触媒層の酸化を防ぐことができる。
【００１０】
請求項８に記載のように、薄膜活性層が触媒層と同一の成分を有して形成されたものであれば、薄膜活性層から触媒作用を奏する成分が薄膜層内に拡散するから、バッファー層による水素ガスの検知感度低下を補償することができる。請求項９に記載のように、薄膜活性層がパラジウムもしくは白金を有して形成されたものであれば、薄膜活性層から触媒作用を奏するパラジウムもしくは白金が薄膜層内に拡散するから、バッファー層による水素ガスの検知感度低下を効果的に補償することができる。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように本発明に係る水素センサによれば、バッファー層を設けたことで、水素化の繰り返しによる触媒層および薄膜層の酸化を防ぐことができる。さらに薄膜活性層を設ければ、バッファー層による水素ガスの検知感度低下を補償することができる。またバッファー層の厚さを１ないし５ｎｍにすれば、バッファー層による水素ガスの検知感度低下を殆ど生じさせずに、触媒層の酸化を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明にかかる水素センサについて説明する。
【実施例１】
【００１３】
本発明にかかる水素センサの一実施例を、図１ないし図４を用いて説明する。
（水素センサの膜構成）
図１に示す水素センサ１０ａは、ガラスで形成された基板１１と、基板１１の表面１１ａに形成された、組成がＭｇＮｉｘ（０≦ｘ＜０．６）である薄膜層１２と、薄膜層１２の表面１２ａにチタンＴｉで形成されたバッファー層１３と、バッファー層１３の表面１３ａにパラジウムＰｄで形成された触媒層１４を有している。ここで薄膜層１２の厚さは４０ｎｍであり、バッファー層１３の厚さは２ｎｍであり、そして触媒層１４の厚さは４ｎｍである。バッファー層１３が１ｎｍより薄い場合には、バッファー層から触媒層１４へ拡散するチタンＴｉ等の量が少なくなって、触媒層１４の酸化を防ぎにくくなり、一方バッファー層１３が５ｎｍより厚い場合には、触媒層１４を形成するパラジウムＰｄ等が薄膜層１２内部へ拡散しにくくなって、水素ガスの検知感度低下が否めない。すなわち酸化防止効果と水素ガスの検知感度低下のかねあいで、バッファー層１３の厚さが決定される。バッファー層１３は、薄膜層１２から触媒層１４へ拡散するマグネシウムＭｇと結合して、マグネシウムＭｇに起因する触媒層１４の酸化を防ぐことができる成分であれば、例えばニッケル、ニオブまたはバナジウム等で形成することもできる。なお触媒層１４の厚さは１ｎｍないし１００ｎｍが好ましい。
【００１４】
薄膜層１２、バッファー層１３および触媒層１４は、何れもスパッタリング法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、メッキ法などによって形成することができる。ここで基板１１は、アクリル樹脂、ポリエチレンシート（ポリエチレンフィルム）等であってもよい。かかる水素センサ１０ａが、水素濃度が１００ｐｐｍないし１％程度以上の雰囲気に触れると、数秒ないし１０秒程度で、薄膜層１２の光学的反射率に目視可能（可視化可能）な迅速な変化が生じる。
（水素化の繰り返しによるマグネシウム等の分布の変化）
図２は、水素センサ１０ａのＸＰＳ測定結果を示すものであって、図２（ａ）は、水素化の繰り返しを行う前の測定結果であり、図２（ｂ）は、水素化を６０回繰り返した後の測定結果である（測定条件は、水素化の繰り返し周期が５分、周囲温度が摂氏２５度である）。図２（ａ）では、触媒層１４の表面１４ａ（エッチング・タイム０秒）において、パラジウムＰｄが約９５％、ニッケルＮｉおよびマグネシウムＭｇが０％である。またマグネシウムＭｇはエッチング・タイム０ないし約２０秒の範囲で約０％であり、エッチング・タイム約６０秒で６０％強まで増大している。パラジウムＰｄは、エッチング・タイム５０秒で約２０％に減少し、さらにエッチング・タイム約１６０秒で０まで緩やかに減少している。なおエッチング・タイム２５０秒が深さ約５０ｎｍであるから、エッチング・タイム２０秒は深さ約４ｎｍである。また図２（ｂ）では、触媒層１４の表面１４ａにおいて、パラジウムＰｄが約９９％、ニッケルＮｉおよびマグネシウムＭｇが０％である。またマグネシウムＭｇはエッチング・タイム０ないし約２０秒の範囲で約０％であり、エッチング・タイム約６０秒で６０％強まで増大している。パラジウムＰｄは、エッチング・タイム約６０秒で約２０％に減少し、さらにエッチング・タイム約１８０秒で０まで緩やかに減少している。
【００１５】
すなわち水素化を６０回繰り返しても、薄膜層１２を形成するマグネシウムＭｇが触媒層１４に向け殆ど拡散せず、エッチング・タイム０ないし約２０秒までの領域には、マグネシウムＭｇが殆ど存在していないことが判る（触媒層１４の酸化が防止されることが判る）。また水素化の繰り返し前後において、エッチング・タイム２５ないし５０秒の範囲に、チタンＴｉのアトミックパーセンテージの最大値領域が存在していること（バッファー層１３が安定していること）、エッチング・タイム約２０秒からマグネシウムＭｇが増大していること（薄膜層１３が比較的安定していること）、そして触媒層１４のパラジウムＰｄに顕著な変化がないこと（触媒層１４が安定していること）が判る。
【００１６】
このように水素センサ１０ａは、バッファー層１３によって、水素化を繰り返しても触媒層１４の酸化が防止され、したがって水素検知感度の低下を防止できることが判る。なお図２（ａ）におけるＳｉは、基板１１のガラスに含まれる珪素であり、図２（ｂ）は、珪素Ｓｉの表示を省略してある。
（水素センサの水素検知感度の変化について）
図３は、水素化の繰り返しに起因する水素センサの水素検知感度の劣化を示すものであり、図３（ａ）は、バッファー層１３を有さない水素センサの場合を示し、図３（ｂ）は、バッファー層１３を有する水素センサ１０ａの場合を示している。ここで横軸は水素化の繰り返し回数であり、縦軸は水素センサ１０ａの透過率である（透過率は、水素センサ１０ａでは、例えば基板１１の裏面１１ｂに垂直に入射した光量に対する、触媒層１４から出射した光量のパーセンタージである）。
【００１７】
水素センサは、水素化していない状態（脱水素化状態）では透過率が低く（反射率が高く）、水素化すると透過率が高くなる（反射率が低くなる）。すなわち水素センサの水素検知感度は、水素ガス濃度の変化に応じて生じる透過率の差異（以下、単に「透過率の差異」と表示することがある）できまるから、透過率の差異が一定であることが望まれる。また希薄な漏洩水素ガスを安定して検知するためには、水素化していない状態における透過率が一定であることが望まれる。このように水素センサは、透過率の差異、および水素化していない状態における透過率が一定であることが望まれる。
【００１８】
図３（ａ）に示すとおり、バッファー層１３を有さない水素センサは、水素化を繰り返すたびに水素化したときの透過率が減少し、且つ透過率の差異が減少し、水素化を１３０回程度繰り返すと、さらに水素化していない状態における透過率が変化する。一方バッファー層１３を有する水素センサ１０ａは、水素化の繰り返し回数が約４５０回まで、水素化したときの透過率、透過率の差異および水素化していない状態における透過率が殆ど変化しない。すなわち水素センサ１０ａは、バッファー層１３を有さない水素センサに対し、水素検知感度の低下が極めて少なく、また漏洩水素ガスを安定して検知できるから、耐久性が極めて高い水素センサといえる。
（バッファー層をニッケルで形成した水素センサ）
図４は、バッファー層１３を有さない水素センサのＸＰＳ測定結果（図４（ａ））と、バッファー層１３のチタンＴｉをニッケルＮｉに変えた水素センサのＸＰＳ測定結果（図４（ｂ））を対比したものである（いずれも水素化の繰り返し前の測定結果である）。バッファー層１３を有さない場合（図４（ａ））には、薄膜層１２に含まれるマグネシウムＭｇだけが触媒層１４に拡散する一方、ニッケルＮｉは触媒層１４の表面１４ａに向け拡散しないため（エッチング・タイム０ないし約２５秒の範囲では、ニッケルＮｉが殆ど０％である）、触媒層１４内では、ニッケルＮｉと結合できないマグネシウムＭｇの酸化にともない、触媒層１４が酸化するといえる。
【００１９】
一方、ニッケルＮｉで形成されたバッファー層１３がある場合（図４（ｂ））には、ニッケルＮｉは、エッチング・タイム０秒で約２％であり、エッチング・タイム約２５秒では約７％であるから、ニッケルＮｉが薄膜層１２から触媒層１４へと拡散していることが判る。そうすると水素化の繰り返しで、薄膜層１２に含まれるマグネシウムが触媒層１４に向け拡散しても、触媒層１４においてマグネシウムＭｇがニッケルＮｉと結合することができるから、触媒層１４の酸化が防止される。このように、バッファー層１３をニッケルＮｉで形成しても、水素センサ１０ａの耐久性が向上する。
【実施例２】
【００２０】
本発明にかかる水素センサの他の実施例を、図５を用いて説明する。なお実施例１と同様の機能を有する構成要素には、同一の符号を附しその説明を省略する。
図５（ａ）に示す水素センサ１０ｂでは、基板１１の表面１１ａに第１の薄膜活性層１５ｐが形成され、第１の薄膜活性層１５ｐの表面１５ａに薄膜層１２が形成され、薄膜層１２の表面１２ａにバッファー層１３が形成され、バッファー層１３の表面１３ａに触媒層１４が形成されている。すなわち水素センサ１０ｂは、水素センサ１０ａにおいて、基板１１と薄膜層１２との間にさらに第１の薄膜活性層１５ｐを形成したものである。また水素センサ１０ｂの基板１１、薄膜層１２、バッファー層１３および触媒層１４は、水素センサ１０ａと同様の組成と構造を有しており、第１の薄膜活性層１５ｐは、触媒層１４において触媒作用を奏するパラジウムを含んで形成されている。水素センサ１０ｂは、水素センサ１０ａと同様に、バッファー層１３を有するから、触媒層１４および薄膜層１２の酸化が防止されて、水素検知感度低下を防ぐことができる。また水素センサ１０ｂでは、基板１１と薄膜層１２との間に形成された第１の薄膜活性層１５ｐからパラジウムが薄膜層１２へと拡散して、薄膜層１２の水素化・脱水素化を促進することができる（水素検知感度を向上させることができる）。したがって水素センサ１０ｂは、バッファー層１３によって、触媒層１４および薄膜層１２の酸化が防止され、またバッファー層１３を設けたことによる水素ガスの検知感度低下を、第１の薄膜活性層１５ｐによって補償することができる。
【００２１】
ここで第１の薄膜活性層１５ｐの厚さは２ｎｍであるが、パラジウムを薄膜層１２へと拡散させて薄膜層１２の水素化を促進する目的を有するものであるから、かかる目的が達成できれば、上記厚さに限定されない。また第１の薄膜活性層１５ｐは、触媒作用を奏する金属を薄膜層１２に拡散するものであり、パラジウムＰｄで形成されるものに限定されない。
（実施例２の変形例）
【００２２】
本発明にかかる水素センサの他の実施例の変形例を、図５を用いて説明する。なお前述の各実施例と同様の機能を有する構成要素には、同一の符号を附しその説明を省略する。
図５（ｂ）に示す水素センサ１０ｃは、水素センサ１０ａにおいて、バッファー層１３と薄膜層１２との間にさらに第２の薄膜活性層１５ｓを形成したものであり、第２の薄膜活性層１５ｓは、パラジウムを含んで形成されている。水素センサ１０ｃでは、第２の薄膜活性層１５ｓからパラジウムが薄膜層１２へと拡散するから、薄膜層１２の水素化・脱水素化を促進することができる。したがって水素センサ１０ｃは、バッファー層１３によって、触媒層１４および薄膜層１２の酸化が防止され、またバッファー層１３を設けたことによる水素ガスの検知感度低下を、第２の薄膜活性層１５ｓによって補償することができる。ここで第２の薄膜活性層１５ｓは、バッファー層１３と同様の理由で、厚さを１ないし５ｎｍとすることが好ましい。
【００２３】
図５（ｃ）に示す水素センサ１０ｄは、第１の薄膜活性層１５ｐおよび第２の薄膜活性層１５ｓを有するものである。水素センサ１０ｄでは、これら２つの薄膜活性層からパラジウムＰｄが薄膜層１２へと拡散するから、水素センサ１０ｄは、水素センサ１０ｂおよび１０ｃよりも、薄膜層１２の水素化・脱水素化を更に促進することができる。
なお、本発明の水素センサは、前述した各実施例に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において、適宜変形し実施できることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明にかかる水素センサ（実施例１）の断面概略構成を示す図である。
【図２】図１の水素センサの水素化繰り返し前におけるＸＰＳ測定結果示すグラフであり（ａ）、同水素センサの水素化を６０回繰り返したのちにおけるＸＰＳ測定結果を示すグラフである（ｂ）。
【図３】水素化の繰り返しに起因する水素センサの透過率の変化（水素センサの劣化）の測定結果であり、バッファー層を有さない水素センサの測定結果（ａ）と、バッファー層を有する水素センサの測定結果（ｂ）である。
【図４】ＸＰＳ測定結果を示すグラフであり、バッファー層を有さない水素センサの測定結果（ａ）と、バッファー層を有する水素センサの測定結果（ｂ）である。
【図５】本発明にかかる水素センサ（実施例２）の断面概略構成を示す図であり（ａ）、その変形例を示す断面概略構成を示す図である（（ｂ）および（Ｃ））。
【図６】従来の水素センサの劣化の一例を説明するグラフである。
【符号の説明】
【００２５】
１０ａないし１０ｄ  水素センサ
１１  基板
１１ａ  基板の表面
１２  薄膜層
１２ａ  薄膜層の表面
１３  バッファー層
１３ａ  バッファー層の表面
１４  触媒層
１５ｐ  第１の薄膜活性層
１５ｓ  第２の薄膜活性層
Ｍｇ  マグネシウム
Ｎｉ  ニッケル
Ｐｄ  パラジウム
Ｔｉ  チタン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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