(57)【要約】【課題】プラズマ放出部の構造を複雑化することなく、また、着火に伴うワークへの悪影響を及ぼすことなく、確実に着火することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置１は、ガス供給手段８と、ノズル５および第１電極２を備えたプラズマ放出部８０と、ワーク１０を介して第１電極２と対向して配置された第２電極３１と、第１電極２および第２電極３１間に電圧を印加する電源回路７とを有し、第１電極２および第２電極３１間に電圧を印加することにより、ノズル５から噴出されたガスを活性化してプラズマを生成し、該プラズマによりワーク処理部５１に設置されたワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理するよう構成され、ワーク処理部５１とは別の位置に、ノズル５から噴出するガスに着火する着火部５２を有するとともに、プラズマ放出部８０をワーク処理部５１と着火部５２との間で移送する移送手段２０を有する。【選択図】図１
2008091218.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ生成のための少なくとも１種のガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスを噴出するノズルおよび第１電極を備えたプラズマ放出部と、
ワークを介して前記第１電極と対向して配置された第２電極と、
前記第１電極および第２電極間に電圧を印加する電源を備えた電源回路とを有し、
前記第１電極および第２電極間に電圧を印加することにより、前記ノズルから噴出された前記ガスを活性化してプラズマを生成し、該プラズマによりワーク処理部に設置された前記ワークの被処理面をプラズマ処理するよう構成されたプラズマ処理装置であって、
前記ワーク処理部とは別の位置に、前記ノズルから噴出するガスに着火する着火部を有するとともに、前記プラズマ放出部を前記ワーク処理部と前記着火部との間で移送する移送手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記着火部は、前記第２電極と共通電極であり、前記第１電極との間で電圧を印加する請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記着火部は、前記第２電極と導通し、前記第１電極との間で電極を印加する第３電極を備える請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記着火部において、プラズマ放出空間のギャップ長を調整可能である請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記移送手段は、前記プラズマ放出部を前記被処理面と平行な２次元方向、または前記２次元に前記被処理面の法線方向を加えた３次元方向に移送可能なものである請求項１ないし４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記ガス供給手段は、供給するガスの組成および／またはガス流量を調整可能である請求項１ないし５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記電源回路は、供給する電力を調整可能である請求項１ないし６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記着火部では、ガス供給手段から供給されるガスの組成、ガス流量、プラズマ放出空間のギャップ長、供給電力のうちの少なくとも１つの条件を前記ワーク処理部での処理時における当該条件と比べて着火に有利なように変更して着火を試みるよう構成されている請求項１ないし７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記着火部では、ガス供給手段から供給されるガスの組成、ガス流量、プラズマ放出空間のギャップ長、供給電力のうちの少なくとも１つの条件を着火がなされるまで連続的または段階的に変化させるよう構成されている請求項１ないし８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記着火部では、ガス供給手段から供給されるガスの組成、ガス流量、プラズマ放出空間のギャップ長、供給電力のうちのいずれか１つの条件を連続的または段階的に変化させて着火を試み、その間に着火がなされない場合には、さらにその他の条件を変化させて再度着火を試みるよう構成されている請求項１ないし９のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記着火部において着火がなされたか否かを判別する判別手段を有する請求項１ないし１０のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記着火部において着火がなされたか否かを判別する判別手段を有し、
前記着火部では、前記判別手段により着火がなされたものと判別されるまで、前記各条件のうちの少なくとも１つを着火に有利なように変更しつつ着火を試みるよう構成されている請求項８ないし１０のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記電源における反射波を検出する反射波検出手段を有し、
前記判別手段は、前記反射波検出手段の検出結果に基づいて前記着火部において着火がなされたか否かを判別するよう構成されている請求項１１または１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記着火部は、着火を促進する着火促進手段を備えている請求項１ないし１３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
前記着火促進手段は、前記ノズルから噴出されたガス流内に電子を放出させるかまたは電子の放出を促進させる機能を有するものである請求項１４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１６】
前記ガス供給手段および前記電源回路の作動を制御する制御手段を備え、
前記制御手段は、前記ワーク処理部での処理の際と前記着火部における着火の際とで、前記ガス供給手段および前記電源回路の少なくとも一方の作動条件を変えるよう構成されている請求項１ないし１５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１７】
前記第１電極は、少なくとも前記ワークと対面する側が誘電体部で覆われている請求項１ないし１６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１８】
前記第１電極は、電圧を印加する上部電極であり、前記第２電極は、接地された下部電極であり、前記ワークは前記第２電極上に載置されている請求項１ないし１７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワークをプラズマにより処理するプラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
材料の表面を加工する方法の１つとして、電圧または高周波を印加した電極間に反応ガスを供給し、反応ガスに基づくラジカルを発生させ、該ラジカルとワークとのラジカル反応によって生成された生成物質を除去することで加工を行う、いわゆるプラズマＣｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ（以下、「プラズマＣＶＭ」と略す。）が知られている。
このようなプラズマＣＶＭでは、電極またはワークを走査するなどして、互いの位置関係を変化させながらワークの被処理面に対しプラズマ処理する方法が行われている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
ところで、大気圧下で行われるプラズマＣＶＭ等のプラズマ処理では、プラズマを発生させるための着火方法（放電開始方法）は、処理ガスを供給しつつ、電極間に電圧（高周波電圧）を印加する電源をオンすることにより行われていたが、処理ガスの種類（特に、ＣＦ４等を含む場合）によっては、着火性が悪い。
そのため、２重管構造のガス供給管の両端部に高電圧を印加してプラズマの着火を行うように構成したプラズマ発生装置および着火方法が開発されている（例えば、特許文献２）。
【０００４】
しかしながら、このようなプラズマ発生装置では、プラズマを放出する部位（プラズマ放出部）であるプラズマガンに別途着火のための電極対や該電極対に電圧を印加する高圧発生装置を設ける必要があり、プラズマガンの構造が複雑化するという問題がある。
さらに、前記プラズマ発生装置をプラズマ処理装置に適用した場合、ワークを処理する処理部において着火を行うこととなるが、着火の際には、通常の処理時に比べて高い電圧が印加されるので、ワークの被処理面に対し悪影響（例えば、過剰なエッチングや反応生成物の付着など）を及ぼすことがある。
【０００５】
【特許文献１】特開平１−１２５８２９号公報
【特許文献２】特開平５−２４２９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、プラズマ放出部の構造を複雑化することなく、また、着火に伴うワークへの悪影響を及ぼすことなく、確実に着火することができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のプラズマ処理装置は、プラズマ生成のための少なくとも１種のガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスを噴出するノズルおよび第１電極を備えたプラズマ放出部と、
ワークを介して前記第１電極と対向して配置された第２電極と、
前記第１電極および第２電極間に電圧を印加する電源を備えた電源回路とを有し、
前記第１電極および第２電極間に電圧を印加することにより、前記ノズルから噴出された前記ガスを活性化してプラズマを生成し、該プラズマによりワーク処理部に設置された前記ワークの被処理面をプラズマ処理するよう構成されたプラズマ処理装置であって、
前記ワーク処理部とは別の位置に、前記ノズルから噴出するガスに着火する着火部を有するとともに、前記プラズマ放出部を前記ワーク処理部と前記着火部との間で移送する移送手段を有することを特徴とする。
これにより、プラズマ放出部の構造を複雑化することなく、また、着火に伴うワークへの悪影響を及ぼすことなく、確実に着火することができる。
また、ワーク処理部とは別の位置に着火部を有しているので、その着火部に着火用の設備（手段）を設けることができ、より確実に着火することができる。
【０００８】
本発明のプラズマ処理装置では、前記着火部は、前記第２電極と共通電極であり、前記第１電極との間で電圧を印加することが好ましい。
これにより、確実に着火することができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記着火部は、前記第２電極と導通し、前記第１電極との間で電極を印加する第３電極を備えることが好ましい。
これにより、確実に着火することができる。
【０００９】
本発明のプラズマ処理装置では、前記着火部において、プラズマ放出空間のギャップ長を調整可能であることが好ましい。
これにより、プラズマ放出空間のギャップ長を着火に有利なように調整することができ、より確実に着火することができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記移送手段は、前記プラズマ放出部を前記被処理面と平行な２次元方向、または前記２次元に前記被処理面の法線方向を加えた３次元方向に移送可能なものであることが好ましい。
これにより、前記移送手段によってプラズマ放出部を２次元的に走査（移動）して、プラズマ処理を行うことができ、このため、別途、ワークを２次元的に走査する走査手段を設ける必要がなく、構造が簡素化し、また、装置を小型化することができる。
【００１０】
本発明のプラズマ処理装置では、前記ガス供給手段は、供給するガスの組成および／またはガス流量を調整可能であることが好ましい。
これにより、供給するガスの組成やガス流量を着火に有利なように調整することができ、より確実に着火することができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記電源回路は、供給する電力を調整可能であることが好ましい。
これにより、供給電力を着火に有利なように調整することができ、より確実に着火することができる。
【００１１】
本発明のプラズマ処理装置では、前記着火部では、ガス供給手段から供給されるガスの組成、ガス流量、プラズマ放出空間のギャップ長、供給電力のうちの少なくとも１つの条件を前記ワーク処理部での処理時における当該条件と比べて着火に有利なように変更して着火を試みるよう構成されていることが好ましい。
これにより、より確実に着火することができる。
【００１２】
本発明のプラズマ処理装置では、前記着火部では、ガス供給手段から供給されるガスの組成、ガス流量、プラズマ放出空間のギャップ長、供給電力のうちの少なくとも１つの条件を着火がなされるまで連続的または段階的に変化させるよう構成されていることが好ましい。
これにより、より確実に着火することができる。
【００１３】
本発明のプラズマ処理装置では、前記着火部では、ガス供給手段から供給されるガスの組成、ガス流量、プラズマ放出空間のギャップ長、供給電力のうちのいずれか１つの条件を連続的または段階的に変化させて着火を試み、その間に着火がなされない場合には、さらにその他の条件を変化させて再度着火を試みるよう構成されていることが好ましい。
これにより、より確実に着火することができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記着火部において着火がなされたか否かを判別する判別手段を有することが好ましい。
これにより、より確実に着火することができる。
【００１４】
本発明のプラズマ処理装置では、前記着火部において着火がなされたか否かを判別する判別手段を有し、
前記着火部では、前記判別手段により着火がなされたものと判別されるまで、前記各条件のうちの少なくとも１つを着火に有利なように変更しつつ着火を試みるよう構成されていることが好ましい。
これにより、より確実に着火することができる。
【００１５】
本発明のプラズマ処理装置では、前記電源における反射波を検出する反射波検出手段を有し、
前記判別手段は、前記反射波検出手段の検出結果に基づいて前記着火部において着火がなされたか否かを判別するよう構成されている好ましい。
これにより、簡易な構成で、確実に、着火がなされたか否かを判別することができる。
【００１６】
本発明のプラズマ処理装置では、前記着火部は、着火を促進する着火促進手段を備えている好ましい。
これにより、より確実に着火することができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記着火促進手段は、前記ノズルから噴出されたガス流内に電子を放出させるかまたは電子の放出を促進させる機能を有するものであることが好ましい。
これにより、簡易な構成で、より確実に着火することができる。
【００１７】
本発明のプラズマ処理装置では、前記ガス供給手段および前記電源回路の作動を制御する制御手段を備え、
前記制御手段は、前記ワーク処理部での処理の際と前記着火部における着火の際とで、前記ガス供給手段および前記電源回路の少なくとも一方の作動条件を変えるよう構成されていることが好ましい。
これにより、より確実に着火することができる。
【００１８】
本発明のプラズマ処理装置では、前記第１電極は、少なくとも前記ワークと対面する側が誘電体部で覆われていることが好ましい。
これにより、第１電極と第２電極との間において、電極である金属等が露出しないため、電極間に電界を均一に発生させることができる。
前記第１電極は、電圧を印加する上部電極であり、前記第２電極は、接地された下部電極であり、前記ワークは前記第２電極上に載置されている請求項１ないし１７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
これにより、比較的大きさが小さい第１電極を簡単に走査、移送することができ、処理ガス噴出部のプラズマ洗浄も容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明のプラズマ処理装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明のプラズマ処理装置の第１実施形態を示す図（断面図、側面図、ブロック図）、図２は、図１に示すプラズマ処理装置の斜視図、図３は、図１に示すプラズマ処理装置のプラズマ処理装置本体を示す縦断面図（断面正面図）、図４は、図３中のＡ−Ａ線断面図、図５は、図１に示すプラズマ処理装置の移送手段のｘ軸方向移動手段を示す斜視図、図６は、図１に示すプラズマ処理装置の移送手段のｙ軸方向移動手段を示す斜視図、図７は、図１に示すプラズマ処理装置の移送手段のｚ軸方向移動手段を示す斜視図である。
なお、以下の説明では、図１および図２中互いに直交する３つの方向をｘ軸方向、ｙ軸方向およびｚ軸方向とする。そのうち、ワーク１０の被処理面１０１をｘｙ平面とし、被処理面１０１の法線方向をｚ軸方向とする。以下、対応する方向はその他の図においても同様である。また、図３、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２０】
図１および図２に示すように、プラズマ処理装置１は、プラズマ処理装置本体１１と、ワーク１０に処理ガス等の少なくとも１種のガスを噴出するノズル５等を有するプラズマ放出部（処理ガス噴出部）８０を３次元的（ｘ軸方向、ｙ軸方向およびｚ軸方向）に移動して移送する移送手段２０とを備えている。また、プラズマ処理装置本体１１は、ワーク１０が着脱自在に設置され、そのワーク１０の被処理面１０１に対してプラズマ処理を行うワーク処理部（プラズマ処理部）５１と、ワーク処理部５１とは別の位置に設けられ、プラズマの着火（放電開始）を行う着火部５２とを備えている。
なお、プラズマ処理には、一般には、処理ガス（１種または複数種）とキャリアガス（１種または複数種）とからなる混合ガスが用いられるが、これら処理ガス、キャリアガス、混合ガスを特に区別する必要がない場合は、これらを総括して、「処理ガス」または「ガス」と言う。
【００２１】
まず、プラズマ処理装置本体１１について、図３を用いて説明する。
図３に示すプラズマ処理装置本体１１は、第１電極（上部電極）２と、ワーク１０を介して第１電極２と対向して設けられた第２電極（第１の下部電極）３１と、ワーク１０が介在せずに第１電極２と対向して設けられた第３電極（第２の下部電極）３２と、第１電極２と第２電極３１との間および第１電極２と第３電極３２との間にそれぞれ処理ガスを噴出するノズル５と、処理ガスをノズル５に供給する処理ガス供給流路６と、第１電極２と第２電極３１との間および第１電極２と第３電極３２との間にそれぞれ電圧を印加する高周波電源（電源）７２を備えた電源回路７と、プラズマ生成のための処理ガス（少なくとも１種のガス）を供給するガス供給手段８とを備えている。
このプラズマ処理装置本体１１は、第１電極２および第２電極３１間に処理ガスを供給しつつ、電圧を印加することにより、処理ガスを活性化してプラズマを生成させ、該プラズマによりワーク１０の被処理面１０１を処理（プラズマ処理）する装置である。
【００２２】
本実施形態では、図１に示すように、共通の下部電極３の図１中の右側の端部（一端部）を第２電極３１、左側の端部（他端部）を第３電極３２として用いている（第３電極３２は、第２電極３１と共通の下部電極３で構成されている）。これにより、高周波電源７２から、第１電極２と下部電極３との間に電圧が印加されると、第１電極２と第２電極３１との間と、第１電極２と第３電極３２との間に、それぞれ、電圧が印加されるようになっている。
【００２３】
また、ワーク処理部５１は、前記第２電極３１を有し、図１中の右側の端部（一端部）に位置している。
一方、着火部５２は、前記第３電極３２を有し、図１中の左側の端部（一端部）に位置している。
なお、本発明では、前記第２電極３１と第３電極３２とが別体であってもよい。この場合、電源回路７の回路構成を簡素化を図るという観点から、第２電極３１と第３電極３２とを導通させるのが好ましいが、第２電極３１と第３電極３２とが導通していなくても、第１電極２と第２電極３１との間と、第１電極２と第３電極３２との間に、それぞれ、電圧を印加し得るようになっていればよい。
また、本実施形態では、プラズマによりエッチング処理（研摩処理を含む）またはダイシング処理する場合について説明する。以下、プラズマ処理装置本体１１の各部の構成について説明する。
【００２４】
図３および図４に示すように、誘電体部４は、誘電体材料で構成された四角柱状の形状をなしている。そして、その上面に開口する凹部４１が形成されている。この凹部４１は、その下端側に向かって外径が縮径されている。そして、その凹部４１に第１電極２（図３では上面以外全て）が挿入されている。第１電極２が挿入されることにより、第１電極２と第２電極３１との間において、電極である金属等が露出しないため、電極間に電界を均一に発生させることができる。また、第１電極２を誘電体部４で覆っているため、インピーダンスの増大を防止することができ、比較的低電圧で所望の放電を生じさせ、プラズマを確実に発生させることができる。さらに、電圧印加時における絶縁破壊を防止して、アーク放電が生じるのを好適に防止し、グローライクな安定した放電を得ることもできる。
【００２５】
なお、誘電体部４の形状は、例えば円錐台や円柱状など、特に限定されない。
このような誘電体部４の構成材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等の各種プラスチック、石英ガラス等の各種ガラス、無機酸化物等が挙げられる。前記無機酸化物としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等の金属酸化物、窒化シリコンなどの窒化物、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）等の複合酸化物等の誘電体材料等が挙げられる。これらのうち、金属酸化物が好ましく、アルミナがより好ましい。このような材料を用いることにより、電界におけるアーク放電の発生をより確実に防止することができる。
【００２６】
第１電極２は、その上面が誘電体部４から露出している。
この第１電極２は、電圧を印加するための電極であるため、該露出した位置で電気的接続をとるために導線７１を介して高周波電源７２に接続されている。
また、第１電極２の上面に、後述するプラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給手段８が連通している。そして、第１電極２の内部には、ガス供給手段８から供給された処理ガスをプラズマ発生領域３０に導く処理ガス供給流路６が形成されている。
【００２７】
第１電極２の形状は、円柱状に形成され（図３、図４）、下端部の外径が縮径されている。このような形状により、凹部４１と密着するため、凹部４１に確実に第１電極２を挿入することができるとともに、第１電極２の電流密度を高めることができる。
第１電極２の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、アルミニウム、鉄、銀等の金属単体、ステンレス鋼、真鍮、アルミニウム合金等の各種合金、金属間化合物、各種炭素材料等が挙げられる。
【００２８】
第１電極２は、ワーク１０から所定距離（図２中、ｈ１で示す長さ）だけ離れた位置に配置される。かかる距離ｈ１は、電源回路７の出力や、ワーク１０に施すプラズマ処理の種類等を考慮して適宜設定される。常圧でプラズマ処理する場合、インピーダンス、ガス流量、ガス放電寿命等より０．５〜１０ｍｍであるのがより好ましい。これにより、プラズマ発生領域３０に電界を確実に発生させることができる。
【００２９】
また、誘電体部４は、ワーク１０から所定距離（図２中、ｈ２で示す長さ）だけ離れた位置に配置される。かかる距離ｈ２は、電源回路７の出力や、ワーク１０に施すプラズマ処理の種類等を考慮して適宜設定される。常圧でプラズマ処理する場合、インピーダンス、ガス流量、ガス放電寿命、ガス圧力等より０．１〜１０ｍｍであるのがより好ましい。これにより、アーク放電を起こすことなく、プラズマ発生領域３０に電界を確実に発生させることができる。
【００３０】
なお、第１電極２は、その下面（ワーク１０と対面する側）が誘電体部４で覆われていれば、その外周面が誘電体部４で覆われていなくてもよい。これにより、プラズマ発生領域３０に金属などの電極材料が露出しないため、少ない量の誘電体材料で、電界の集中によるワーク１０の破損などを効率的に防止することができる。
下部電極３、すなわち、第２電極３１および第３電極３２は、接地電極としての機能を有する電極であり、導線７１を介して直接接地されている。これにより、下部電極３の帯電を防止することができ、プラズマ発生領域３０に確実に電界を発生させることができる。
【００３１】
また、第２電極３１はワーク１０の台（支持部）としての機能も有するため、第２電極３１の上面に、ワーク１０が接触して設置（載置）されている。これにより、確実に、ワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理することができる。
また、第２電極３１と第３電極３２との間の下部電極３の上面には、カバー１３が設けられている。これにより、第２電極３１と第３電極３２との間の下部電極３の上面の汚れ（例えば、金属汚染等）を防止することができる。このカバー１３の構成材料としては、例えば、前記誘電体部４の構成材料と同様のものを用いることができる。
【００３２】
また、第３電極３２の上面は、外部に露出している。これにより、着火し易い。
なお、第３電極３２の上面に、図示しないカバーを設けてもよい。これにより、第３電極３２の上面の汚れ（例えば、金属汚染等）を防止することができる。このカバーの構成材料としては、例えば、前記誘電体部４の構成材料と同様のものを用いることができる。
下部電極３の形状は、例えば平板状、直方体形状など、特に限定されない。また、下部電極３の構成材料は、第１電極２と同様に、特に限定されない。
【００３３】
ノズル５は、誘電体部４の下面４２に開口し、ワーク１０に臨む（対向する）ように位置している。そして、ノズル５は、誘電体部４の下面４２の中心に１つ形成されている。
このように、誘電体部４の下面４２の中心に開口して設けられていることにより、第１電極２の下方の空間の中心、すなわち、プラズマ発生領域３０の中心に処理ガスを噴出できるため、該ガスがプラズマ発生領域３０に均一に広がり、プラズマを均一に発生させることができる。
【００３４】
なお、ノズル５の孔の形状は、図示例では、円形状をなしているが、例えば四角形状や楕円形状など、特に限定されない。
処理ガス供給流路６は、第１電極２の上面に開口し、第１電極２の内部に上下方向に延在して設けられている。そして、その下流端は、誘電体部４を貫通してノズル５に連通している。
処理ガス供給流路６の横断面形状は、図示例では、円形状をなしているが、例えば四角形状や楕円形状など、特に限定されない。
なお、第１電極２と、誘電体部４と、ノズル５と、処理ガス供給流路６とが一体となって形成されたものをプラズマ放出部（処理ガス噴出部）８０という。
【００３５】
電源回路７は、第１電極２と下部電極３との間、すなわち、第１電極２と第２電極３１との間および第１電極２と第３電極３２との間にそれぞれ電圧を印加する高周波電源７２と、自動整合器（インピーダンスマッチング回路）７３と、第１電極２と自動整合器７３と高周波電源７２と下部電極３とを導通する導線（ケーブル）７１とを備えている。
この場合、第１電極２に、導線７１を介して、自動整合器７３および高周波電源７２がこの順序で接続され、また、下部電極３に、導線７１を介して、高周波電源７２が接続されており、これにより、電源回路７が構成されている。この電源回路７は、その一部、すなわち、下部電極３側の導線７１がアース（接地）されている。
【００３６】
また、高周波電源７２は、後述する制御手段７０によりその作動（駆動）が制御される図示しない電力調整部を有しており、制御手段７０の制御（指令）により、供給する電力（供給電力）の大きさ（電力値）を可変（変更）し得るようになっている。
また、高周波電源７２は、その高周波電源７２における反射波（高周波電源７２から電力を供給したときの反射波）を検出する反射波検出手段７４を有している。なお、反射波検出手段７４は、高周波電源７２とは別に設けられていてもよいことは、言うまでもない。
【００３７】
ワーク１０にプラズマ処理を施すときは、高周波電源７２が作動して第１電極２と第２電極３１との間に電圧が印加される。このとき、その第１電極２と第２電極３１との間には、電界が発生し、ガスが供給されると、放電が生じて、プラズマが発生する。
また、高周波電源７２の周波数は、特に限定されないが、１０〜７０ＭＨｚであるのが好ましく、１０〜４０ＭＨｚであるのがより好ましい。
【００３８】
ガス供給手段８は、プラズマ生成のための処理ガスを処理ガス供給流路６に供給する。このガス供給手段８は、互いに異なる所定のガスを充填し供給するガスボンベ（ガス供給源）８１および８５と、ガスボンベ８１から供給されるガスの流量を調整するマスフローコントローラ（流量調整手段）８２と、マスフローコントローラ８２より下流端側で、処理ガス管８４内の流路を開閉するバルブ（流路開閉手段）８３と、ガスボンベ８５から供給されるガスの流量を調整するマスフローコントローラ（流量調整手段）８６と、マスフローコントローラ８６より下流端側で、処理ガス管８４内の流路を開閉するバルブ（流路開閉手段）８７と、マスフローコントローラ８２および８６より下流端側で合流し、処理ガス供給流路６の上端部に接続された処理ガス管８４とを有している。
【００３９】
このようなガス供給手段８は、ガスボンベ８１、８５から所定のガスを送り出し、マスフローコントローラ８２、８６で流量を調節する。そして、処理ガス管８４を通って、第１電極２の上面に開口し、第１電極２の内部に形成された処理ガス供給流路６に処理ガスを導入（供給）する。この場合、バルブ８３、８７の作動（開閉）を制御することにより、例えば、ガスの種類、ガスを混合するか否か等を選択（調整）することができる。
【００４０】
なお、本実施形態では、代表的に、ガスボンベ、マスフローコントローラおよびバルブを２組設けた場合を説明するが、これに限らず、例えば、１組でもよく、また、３組以上でもよい。
このように、このプラズマ処理装置１では、ガス供給手段８により、供給するガスの組成（例えば、ガスの種類、混合比等）と、ガス流量とのいずれか一方または両方を調整し得るようになっている。
【００４１】
このようなプラズマ処理に用いるガス（処理ガス）には、処理目的により種々のガスを用いることができる。本実施形態のようにエッチング処理やダイシング処理を目的とする場合には、例えば、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＣｌＦ３、ＳＦ６等のフッ素原子含有化合物ガスやＣｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４等の塩素原子含有化合物ガスなどの各種ハロゲン系ガスが用いられる。
【００４２】
また、その他の処理目的の場合には、目的別に以下示すような処理ガスを用いることができる。
（ａ）ワーク１０の被処理面１０１を加熱することを目的とする場合、例えば、Ｎ２、Ｏ２等が用いられる。
（ｂ）ワーク１０の被処理面１０１を撥水（撥液）化することを目的とする場合、例えば、前記フッ素原子含有化合物ガスが用いられる。
（ｃ）ワーク１０の被処理面１０１を親水（親液）化することを目的とする場合、例えば、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、空気等の酸素原子含有化合物、Ｎ２、ＮＨ３等の窒素原子含有化合物、ＳＯ２、ＳＯ３等の硫黄原子含有化合物が用いられる。これにより、ワーク１０の被処理面１０１にカルボニル基、水酸基、アミノ基等の親水性官能基を形成させて表面エネルギーを高くし、親水性表面を得ることができる。また、アクリル酸、メタクリル酸等の親水基を有する重合性モノマーを用いて親水性重合膜を堆積（形成）することもできる。
（ｄ）ワーク１０の被処理面１０１に電気的、光学的機能を付加することを目的とする場合、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等の金属酸化物薄膜をワーク１０の被処理面１０１に形成するために、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ等の金属の金属−水素化合物、金属−ハロゲン化合物、金属アルコキシド（有機金属化合物）等が用いられる。
（ｅ）レジスト処理や有機物汚染の除去を目的とする場合は、例えば酸素系ガスが用いられる。
【００４３】
このような処理ガスは、一般に、上記処理ガスとキャリアガスとからなる混合ガス（以下、単に「ガス」とも言う）が用いられる。なお、「キャリアガス」とは、放電開始と放電維持のために導入するガスのことを言う。
キャリアガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ等の希ガスを用いることができる。これらは、単独でも２種以上を混合した形態でも用いることができる。
【００４４】
混合ガス中における処理ガスの占める割合（混合比）は、処理の目的によっても若干異なり、特に限定されないが、例えば、混合ガス中の処理ガスの割合が１〜１０％であるのが好ましく、５〜１０％であるのがより好ましい。これにより、効率的に放電が開始され、処理ガスにより、所望のプラズマ処理をすることができる。
供給するガスの流量は、ガスの種類、処理の目的、処理の程度等に応じて適宜決定される。通常は、３０ＳＣＣＭ〜５０ＳＬＭ程度であるのが好ましい。これにより、効率的にプラズマ発生領域３０の中央部の圧力が上がるため、微細な加工をすることができる。
【００４５】
本実施形態では、代表的に、処理ガスとしてＣＦ４がガスボンベ８１に充填され、キャリアガスとしてＨｅがガスボンベ８５に充填され、これらＣＦ４およびＨｅの混合ガスを用いてプラズマ処理を行う場合を説明するが、これに限定されないことは、言うまでもない。なお、処理ガスとキャリアガスとは、処理ガス管８４の途中で、所定の混合比で混合することができる。
【００４６】
次に、プラズマ処理装置本体１１のプラズマ放出部８０を３次元的（ワーク１０の被処理面１０１と平行な２次元方向に被処理面１０１の法線方向を加えた３次元方向）に移動して移送する移送手段２０について、図２、図５〜６を用いて説明する。
図２に示す移送手段２０は、プラズマ放出部８０をｘ軸方向に移動（移送）するｘ軸方向移動手段２０１と、プラズマ放出部８０をｙ軸方向に移動（移送）するｙ軸方向移動手段２０２と、プラズマ放出部８０をｚ軸方向に移動（移送）するｚ軸方向移動手段２０３とを備えている。
【００４７】
この移送手段２０は、プラズマ放出部８０をワーク処理部（プラズマ処理部）５１と着火部５２との間で移送、すなわち、プラズマ放出部８０を、着火部５２からワーク処理部５１に、ワーク処理部５１から着火部５２に移送する手段である。また、移送手段２０には、ワーク処理部５１における後述するプラズマ放出空間１２のギャップ長Ｇ１および着火部５２における後述するプラズマ放出空間１２のギャップ長Ｇ２をそれぞれ調整する手段である。また、移送手段２０は、ワーク１０をプラズマ処理する際に、プラズマ放出部８０をワーク処理部５１内でｘ軸方向およびｙ軸方向に移動して、被処理面１０１を２次元的に走査する走査手段でもある。以下、移送手段２０の各部の構成について説明する。
ｘ軸方向移動手段２０１は、機器収容部（ハウジング）１００の上部にｘ軸方向に沿って架設されている。
【００４８】
図５に示すように、ｘ軸方向移動手段２０１は、機器収納部１００に設置されたガイドレール２０１６の案内によりｘ軸方向に沿って移動可能に設置されたスライドブロック（移動体）２０１１と、ガイドレール２０１６の両端付近にそれぞれ設置された駆動プーリー（ベルト車）２０１２および従動プーリー（ベルト車）２０１３と、駆動プーリー２０１２を回転駆動するパルスモーター（ステッピングモーター）２０１４と、駆動プーリー２０１２および従動プーリー２０１３に掛け回されたベルト２０１５とを有している。
【００４９】
スライドブロック２０１１は、ベルト２０１５の一部に固定されている。このスライドブロック２０１１には、ｙ軸方向移動手段２０２のアーム２０２７の一端部が固定されている。
パルスモーター２０１４が駆動プーリー２０１２を回転駆動すると、ベルト２０１５が回転し、ベルト２０１５に牽引されてスライドブロック２０１１がｘ軸方向に移動する。これに伴って、アーム２０２７（ｙ軸方向移動手段２０２）もｘ軸方向に移動する。スライドブロック２０１１およびアーム２０２７（ｙ軸方向移動手段２０２）は、パルスモーター２０１４の正転／逆転の切り換えにより、ｘ軸プラス方向またはｘ軸マイナス方向に移動する。
ベルト２０１５は、駆動プーリー２０１２および従動プーリー２０１３の外周面に形成された歯と噛み合う歯を有する歯付きベルトで構成されており、駆動プーリー２０１２および従動プーリー２０１３に対し滑りを生じないようになっている。
【００５０】
ｙ軸方向移動手段２０２は、ｙ軸方向に沿って延在し、ｘ軸方向に移動可能なアーム２０２７を有している。アーム２０２７の一端部は、ｘ軸方向移動手段２０１のスライドブロック２０１１に固定されている。一方、アーム２０２７の他端部は、図示のように支持されていない（片持ち支持）場合の他、前記一端部と同様のスライドブロック（図示しない）に支持され、両持支持されていてもよい。この場合、他端部は、該スライドブロックが駆動プーリーなどで移動しなくとも、スライドブロック２０１１に追従して、摺動または転動するようなものであればよい。
【００５１】
図６に示すように、ｙ軸方向移動手段２０２は、ガイドレール２０２６の案内によりアーム２０２７の長手方向に沿って移動可能に設置されたスライドブロック（移動体）２０２１と、アーム２０２７の一端付近に設置された駆動プーリー（ベルト車）２０２２と、アーム２０２７の他端付近に設置された従動プーリー（ベルト車）２０２３と、アーム２０２７の一端付近に設置され、駆動プーリー２０２２を回転駆動するパルスモーター（ステッピングモーター）２０２４と、駆動プーリー２０２２および従動プーリー２０２３に掛け回されたベルト２０２５とを有している。
【００５２】
スライドブロック２０２１は、ベルト２０２５の一部に固定されている。スライドブロック２０２１には、ｚ軸方向移動手段２０３のフレーム２０３７が固定されている。
パルスモーター２０２４が駆動プーリー２０２２を回転駆動すると、ベルト２０２５が回転し、ベルト２０２５に牽引されてスライドブロック２０２１がアーム２０２７の長手方向すなわちｙ軸方向に移動する。これに伴って、フレーム２０３７（ｚ軸方向移動手段２０３）も、ｙ軸方向に移動する。スライドブロック２０２１およびフレーム２０３７（ｚ軸方向移動手段２０３）は、パルスモーター２０２４の正転／逆転の切り換えにより、ｙ軸プラス方向またはｙ軸マイナス方向に移動する。
【００５３】
ベルト２０２５は、駆動プーリー２０２２および従動プーリー２０２３の外周面に形成された歯と噛み合う歯を有する歯付きベルトで構成されており、駆動プーリー２０２２および従動プーリー２０２３に対し滑りを生じないようになっている。
ｚ軸方向移動手段２０３は、ｚ軸方向に沿って延在し、ｙ軸方向に移動可能なフレーム２０３７を有している。フレーム２０３７の一端部は、ｙ軸方向移動手段２０２のスライドブロック２０２１に固定されている。ｚ軸方向移動手段２０３は、ｘ軸方向移動手段２０１およびｙ軸方向移動手段２０２の作動の組み合わせにより、下部電極３（ワーク１０の被処理面１０１、第３電極３２等）の上方の空間（作業空間）において、ｘｙ平面内で移動可能になっている。
【００５４】
図７に示すように、ｚ軸方向移動手段２０３は、ガイドレール２０３６の案内によりフレーム２０３７の鉛直方向に沿って移動可能に設置されたスライドブロック（移動体）２０３１と、フレーム２０３７の一端付近に設置された駆動プーリー（ベルト車）２０３２と、フレーム２０３７の他端付近に設置された従動プーリー（ベルト車）２０３３（図示しない）と、フレーム２０３７の一端付近に設置され、駆動プーリー２０３２を回転駆動するパルスモーター（ステッピングモーター）２０３４と、駆動プーリー２０３２および従動プーリー２０３３に掛け回されたベルト２０３５とを有している。
【００５５】
スライドブロック２０３１は、ベルト２０３５の一部に固定されている。スライドブロック２０３１には、プラズマ放出部８０が固定されている。
パルスモーター２０３４が駆動プーリー２０３２を回転駆動すると、ベルト２０３５が回転し、ベルト２０３５に牽引されてスライドブロック２０３１がフレーム２０３７の鉛直方向すなわちｚ軸方向に移動する。これに伴って、プラズマ放出部８０も、ｚ軸方向に移動する。スライドブロック２０３１およびプラズマ放出部８０は、パルスモーター２０３４の正転／逆転の切り換えにより、ｚ軸プラス方向またはｚ軸マイナス方向に移動する。
ベルト２０３５は、駆動プーリー２０３２および従動プーリー２０３３の外周面に形成された歯と噛み合う歯を有する歯付きベルトで構成されており、駆動プーリー２０３２および従動プーリー２０３３に対し滑りを生じないようになっている。
【００５６】
なお、ｚ軸方向移動手段２０３は、プラズマ放出部８０の下端部がワーク１０の被処理面１０１に接触しないようにするため、ストッパー２０３８を備えている。スライドブロック２０３１がストッパー２０３８に当接すると、スライドブロック２０３１およびプラズマ放出部８０は、これ以上下方へは移動できず、被処理面１０１との接触が防止される。このときのプラズマ放出部８０の下面（誘電体部４の下面４２）とワーク１０との間の間隙距離は、最短距離となる。
【００５７】
また、ストッパー２０３８は、厚さが異なるストッパー２０３８に交換することができる。これにより、１つのワーク１０に対して前記間隙距離の最短距離を調整することができる。
以上の構成により、プラズマ放出部８０は、ｘ軸方向移動手段２０１、ｙ軸方向移動手段２０２およびｚ軸方向移動手段２０３の作動の組み合わせにより、下部電極３上方の空間（作業空間）において、ｘｙｚ３次元空間内で任意の位置（座標）に移動可能となっている。
【００５８】
次に、プラズマ処理装置１の回路構成について説明する。
図１に示すように、このプラズマ処理装置１は、入力等の各操作を行う操作部（入力手段）５０と、記憶手段６０と、プラズマ処理装置１の全体の作動（駆動）を制御する制御手段７０とを備えている。
操作部５０としては、例えば、キーボード、液晶表示パネル、ＥＬ表示パネル等を備えたタッチパネル等を用いることができ、この場合は、操作部５０は、各種の情報を表示（報知）する表示手段（報知手段）を兼ねるものでもよい。
【００５９】
記憶手段６０は、各種の情報、データ、演算式、テーブル、プラズマ処理装置１の動作のシーケンスプログラム、プラズマ処理のシーケンスプログラム、着火のシーケンスプログラムなどのプログラム等が記憶（記録とも言う）される記憶媒体（記録媒体とも言う）を有している。この記憶媒体は、例えば、ＲＡＭ等の揮発性メモリー、ＲＯＭ等の不揮発性メモリー、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリー等の書き換え可能（消去、書き換え可能）な不揮発性メモリー等、各種半導体メモリー、ＩＣメモリー、磁気記録媒体、光記録媒体、光磁気記録媒体等で構成される。この記憶手段６０における書き込み（記憶）、書き換え、消去、読み出し等の制御は、制御手段７０によりなされる。
【００６０】
制御手段７０は、例えば、ＣＰＵあるいはこれを備えるマイクロコンピュータやパーソナルコンピュータ等のコンピュータで構成されており、制御手段７０には、反射波検出手手段７４からの検出信号（反射波情報）、操作部５０からの信号（入力）が、それぞれ入力される。
制御手段７０は、反射波検出手段７４からの検出信号（反射波情報）、操作部５０からの信号等に基づき、予め設定されたプログラムに従って、プラズマ処理装置１の各部の作動（駆動）、例えば、ガス供給手段８（マスフローコントローラ８２、８６、バルブ８３、８７等）、電源回路７（高周波電源７２等）、移送手段２０（ｘ軸方向移動手段２０１、ｙ軸方向移動手段２０２、ｚ軸方向移動手段２０３等）、記憶手段６０等の作動をそれぞれ制御する。
【００６１】
また、制御手段７０は、着火の際、反射波検出手段７４の検出結果、すなわち、反射波検出手段７４からの検出信号（反射波情報）に基づいて、着火部５２において着火がなされたか否かを判別するよう構成されている。従って、この制御手段７０により、着火部５２において着火がなされたか否かを判別する判別手段の主機能が達成（構成）される。
この場合、着火しないときは、高周波電源７２において反射波が生じ、反射波検出手段７４により反射波が検出（検知）され、一方、着火すると、反射波は生じないので、反射波検出手段７４により反射波が検出されない。よって、制御手段７０は、この反射波の有無により、着火がなされたか否かを判別する。すなわ、反射波検出手段７４により反射波が検出されると、「着火しない」と判別し、反射波が検出されないときは、「着火した」と判別する。
なお、本発明では、反射波検出手段７４の検出結果に基づいて着火がなされたか否かを判別するような構成には限定されない。すなわち、反射波検出手段７４に換えて、例えば、温度センサ等の熱を検出する手段、光センサ等の光を検出する手段を設け、この検出結果に基づいて、着火がなされたか否かを判別するように構成してもよい。
【００６２】
ワーク１０としては、特に限定されないが、本実施形態では、例えば、電子デバイスの基板として用いられるものが挙げられる。具体的な材料としては、例えば、石英ガラス、無アルカリガラス、水晶等の各種ガラス、アルミナ、シリカ、チタニア等の各種セラミックス、シリコン、ガリウム−ヒ素等の各種半導体材料、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミド、液晶ポリマー、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等各種プラスチック（樹脂材料）のような誘電体材料で構成されたものが挙げられる。これらのうち、特に、水晶や石英などの各種ガラスや各種半導体材料に好ましく用いられる。
ワーク１０の形状としては、板状のもの、長尺な層状のものなどが挙げられる。
【００６３】
次に、プラズマ処理装置１の作用（動作）を説明する。まず、図３の基本動作を説明する。
ワーク１０を第２電極３１上に設置する。電源回路７を作動させるとともに、バルブ８３および８７を開く。そして、マスフローコントローラ８２および８６によりガスの流量を調整し、ガスボンベ８１および８５からガスを送り出す。これにより、ガスボンベ８１および８３から送り出されたガスは、処理ガス管８４内を流れ、処理ガス管８４内で所定の混合比で混合され、所定の流量で処理ガス供給流路６に供給される。そして、処理ガス供給流路６に供給されたガスは、ノズル５から噴出される。
【００６４】
ノズル５から噴出された処理ガスは、噴出直後は真下に向かって噴出されるが、ノズル５の真下のワーク１０に当って、第１電極２の外周方向へと流れる。
一方、電源回路７の作動により、第１電極２と第２電極３１の間に高周波電圧が印加され、プラズマ発生領域３０に電界が発生する（放電される）。
プラズマ発生領域３０に流入した処理ガスは、放電によって活性化され、プラズマが発生する。そして、発生したプラズマ（活性化されたガス）が、ワーク１０の被処理面１０１に接触し、その被処理面１０１に加工（エッチングやダイシング等）が施される。
【００６５】
被処理面１０１の加工は、移送手段２０によってプラズマ放出部８０をｘ軸方向、ｙ軸方向に移動しながら行うことができる。この場合、ｚ軸方向の移動は固定した状態とする。すなわち、プラズマ放出部８０の誘電体部４とワーク１０との間の間隙距離（プラズマ放出空間１２のギャップ長Ｇ）を一定にして加工を行う。
例えば、図２において、プラズマを発生させた状態で、被処理面１０１のｘ軸プラス方向にプラズマ放出部８０を走査した後、所定のピッチ分（例えば、プラズマ発生領域３０の幅分だけ）ｙ軸方向に移動し、ｘ軸マイナス方向に走査する。このような走査（移動）を順次繰り返し、ワーク１０の被処理面１０１の全面を処理してもよい。
【００６６】
また、上記のプラズマ放出部８０の走査方法において、所定のピッチ分ｙ軸方向に移動させる際、１度プラズマの発生を停止し、所定のピッチ分ｙ軸方向に移動した後、再度プラズマを発生させて加工を行ってもよい。
また、被処理面１０１を浅く加工をしたい場合には、ｚ軸方向移動手段２０３を作動させ、プラズマ放出部８０と被処理面１０１との間の間隙距離を大きくすればよい。
【００６７】
なお、プラズマ放出部８０とワーク１０との間の最小間隙距離は、ストッパー２０３８で保持（規制）されるので、プラズマ放出部８０がワーク１０に衝突することはない。
このような移送手段２０により、ワーク１０の被処理面１０１を所望の形状、所望の範囲で簡単、迅速にプラズマ処理することができる。
さて、このプラズマ処理装置１は、図１に示すように、ワーク処理部５１と、ワーク処理部５１とは別の位置に設けられた着火部５２とを有しており、制御手段７０の制御により、まず、移送手段２０によりワーク処理部５１を着火部５１に移送し、この着火部５１において、プラズマ放出部８０のノズル５から噴出されたガスに着火し（放電を開始させ）、この後、移送手段２０によりプラズマ放出部８０をワーク処理部５１に移送し、ワーク処理部５１に設置されたワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理するよう構成されている。
【００６８】
この場合、ワーク処理部５１でのプラズマ処理の際と着火部５２における着火の際とで、ガス供給手段８および電源回路７の少なくとも一方の作動条件を変えるよう構成されている。すなわち、着火部５１では、ガス供給手段８から供給されるガスの組成（例えば、ガスの種類、混合比等）、ガス流量、プラズマ放出空間１２のギャップ長および供給電力（電源回路７から供給される電力）のうちの少なくとも１つの条件をワーク処理部５１でのプラズマ処理時における当該条件と比べて着火に有利なように変更して着火を試みるよう構成されている。
【００６９】
ここで、前記プラズマ放出空間１２は、プラズマ放出部８０からプラズマが放出される空間、すなわち、プラズマ放出部８０の下方のプラズマ発生領域３０を含む空間である。図示例では、ワーク処理部５１におけるプラズマ放出空間１２は、プラズマ放出部８０（誘電体部４）とワーク１０との間の空間であり、また、着火部５２におけるプラズマ放出空間１２は、プラズマ放出部８０（誘電体部４）と第３電極３２との間の空間である。
【００７０】
また、プラズマ放出空間１２のギャップ長は、プラズマ発生領域３０の鉛直方向の長さと等しい。図示例では、ワーク処理部５１におけるプラズマ放出空間１２のギャップ長Ｇ１は、プラズマ放出部８０（誘電体部４）とワーク１０との間の間隙距離であり、また、着火部５２におけるプラズマ放出空間１２のギャップ長Ｇ２は、プラズマ放出部８０（誘電体部４）と第３電極３２との間の間隙距離である。
【００７１】
次に、ガスの組成、ガス流量、プラズマ放出空間１２のギャップ長および供給電力について、それぞれ、着火に有利な条件について説明する。
（１）ガスの組成
プラズマ処理において、例えば、ＣＦ４およびＨｅ（希ガス）の混合ガスを用いる場合、ＣＦ４が混合されていると着火し難い。このため、着火の際は、Ｈｅ（希ガス）のみを用いる。
【００７２】
（２）ガス流量
ガス流量が多いと、プラズマ発生領域３０（プラズマ放出空間１２）の圧力が高くなり、着火し難い。このため、着火の際は、プラズマ処理の際に比べ、ガス流量を少なくし、プラズマ発生領域３０の圧力を低くする。
着火の際のガス流量は、諸条件に応じて適宜決定されるが、例えば、１００ＳＣＣＭ〜１０ＳＬＭ程度であるのが好ましく、５００ＳＣＣＭ〜３ＳＬＭ程度であるのがより好ましい。
なお、用いるガスの組成によっては、ガス流量が多い方が着火し易い場合があり、このときは、プラズマ処理の際に比べ、ガス流量を多くする。
【００７３】
（３）プラズマ放出空間１２のギャップ長
プラズマ放出空間１２のギャップ長が小さい（短い）と、プラズマ発生領域３０の圧力が高くなり、着火し難い。このため、着火の際は、プラズマ処理の際に比べ、プラズマ放出空間１２のギャップ長を大きく（長く）し、プラズマ発生領域３０の圧力を低くする。
着火の際のプラズマ放出空間１２のギャップ長Ｇ２は、諸条件に応じて適宜決定されるが、例えば、０．１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜１ｍｍ程度であるのがより好ましい。
なお、用いるガスの組成によっては、プラズマ放出空間１２のギャップ長が小さい方、すなわち、電極間距離が小さい方が着火し易い場合があり、このときは、プラズマ処理の際に比べ、プラズマ放出空間１２のギャップ長を小さくする。
【００７４】
（４）供給電力
供給電力は、高いほど、大きな電界（電界密度）が得られ、着火し易い。このため、着火の際は、プラズマ処理の際に比べ、供給電力を高くする。
着火の際の供給電力は、諸条件に応じて適宜決定されるが、例えば、５０〜１０００Ｗ程度であるのが好ましく、１００〜３００Ｗ程度であるのがより好ましい。
【００７５】
また、このプラズマ処理装置１では、着火を試みたところ、着火しなかった場合、それで終了してもよいが、ガス供給手段８から供給されるガスの組成、ガス流量、プラズマ放出空間１２のギャップ長および供給電力のうちの少なくとも１つの条件を着火がなされるまで連続的または段階的に変化させるよう構成するのが好ましい。すなわち、制御手段７０により着火がなされたものと判別されるまで、前記各条件のうちの少なくとも１つの条件を着火に有利なように連続的または段階的に変更しつつ着火を試みるよう構成するのが好ましい。
【００７６】
この場合、例えば、ガス供給手段８から供給されるガスの組成、ガス流量、プラズマ放出空間１２のギャップ長および供給電力のうちのいずれか１つの条件を連続的または段階的に変化させて着火を試み、その間に着火がなされない場合には、さらにその他の条件を変化させて再度着火を試みるような構成が挙げられる。前記他の条件は、前記ガスの組成、ガス流量、プラズマ放出空間１２のギャップ長および供給電力のうちの他の条件でもよく、または、前記ガスの組成、ガス流量、プラズマ放出空間１２のギャップ長および供給電力以外の条件でもよい。
【００７７】
また、着火部５２は、着火を促進する着火促進手段を有しているのが好ましく、次に、この着火促進手段について説明する。
図８〜図１１は、着火促進手段の構成例を示す図である。なお、各図中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
これらの図に示す着火促進手段９は、プラズマ放出部８０のノズル５から噴出（放出）されたガス流（ガス）内に、電子を放出させるか、または、電子の放出を促進させる機能を有するものである。
【００７８】
図８に示す着火促進手段９は、一端が第３電極３２に接続されたコイル９１と、コイル９１に直流電圧（電圧）を印加する直流電源（第２の電源）９２とで構成されている。直流電源９２からコイル９１に直流電圧が印加されると、熱電子が発生し（電子が放出され）、これにより、着火が促進される。
図９に示す着火促進手段９は、プラズマ放出部８０のノズル５から噴出されたガス流（ガス）、または、第３電極３２に、レーザー光（励起光）を照射するレーザー光照射装置（励起光照射手段）９３で構成されている。レーザー光照射装置９３により、第３電極３２にレーザー光が照射されると、電子が放出され、また、プラズマ放出部８０のノズル５から噴出されたガス流にレーザー光が照射されると、そのガスが励起され、これにより、着火が促進される。
【００７９】
図１０に示す着火促進手段９は、第３電極３２を加熱するヒーター（加熱手段）９４で構成されている。ヒーター９４により第３電極３２が加熱されると、その第３電極３２の温度が上昇し、着火が促進される。
図１１に示す着火促進手段９は、第３電極３２上に設けられ、ｚ軸方向の長さ（高さ）が互いに略等しい複数の突起９５で構成されている。各突起９５は、それぞれ、導電性を有し、第３電極３２と導通している。また、各突起９５の上端部（先端部）は、それぞれ、尖っている。これにより、電界が集中し、着火が促進される。
なお、着火部５２に、複数種の着火促進手段９を設けてもよい。
また、本実施形態では、移送手段２０が、着火部５２におけるプラズマ放出空間１２のギャップ長Ｇ２を調整する手段を兼ねるが、本発明では、これに限定されず、他の構成のギャップ長Ｇ２を調整する手段や構造物を設けてもよい。
【００８０】
次に、着火部５２におけるプラズマ放出空間１２のギャップ長Ｇ２を調整する手段や構造物について説明する。
図１２および図１３は、着火部５２におけるプラズマ放出空間１２のギャップ長Ｇ２を調整する調整手段（構造物）の構成例を示す図である。なお、各図中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１２に示す調整手段は、第３電極３２上に設けられ、ｚ軸方向の長さ（高さ）が互いに異なる複数の凸部９６で構成されている。図示例では、３つの凸部９６が設けられており、各凸部９６は、その高さが高い順に、図１２中の左側から右側に向って並設されている。また、各凸部９６は、それぞれ、導電性を有し、第３電極３２と導通している。また、各凸部９６の上面（プラズマ放出部８０と対面する側の面）は、平面をなしている。
【００８１】
これにより、ｚ軸方向移動手段２０３が省略されている場合でも、ｘ軸方向移動手段２０１およびｙ軸方向移動手段２０２により、所定のｘｙ平面内でプラズマ放出部８０を移動させて、対応する凸部９６の上方に、そのプラズマ放出部８０を位置させることで、ギャップ長Ｇ２を調整することができる。
なお、隣り合う２つの凸部９６は、互いに接触しているが、これに限らず、例えば、隣り合う２つの凸部９６は、互いに離間していてもよい（隣り合う２つの凸部９６の間に、間隙が設けられていてもよい）。
【００８２】
図１３に示す調整手段は、第３電極３２をｚ軸方向に移動する（昇降する）シリンダ（昇降手段）９７で構成されている。シリンダ９７のピストン９７１の先端部（上端部）には、第３電極３２が取り付けられる取付部９７２が設けられており、第３電極３２は、この取付部９７２上に固定されている。この調整手段では、シリンダ９７の作動により、そのピストン９７１を伸縮させて、第３電極３２をｚ軸方向に移動し、これにより、ギャップ長Ｇ２を調整することができる。
【００８３】
次に、図１４に示すフローチャートを参照して、プラズマ装置１の動作（制御動作）をさらに詳細に説明する。
図１４は、図１に示すプラズマ装置の制御動作（作用）を示すフローチャートである。
ここで、このフローチャートに記述されている各機能を実現するためのプログラムは、コンピュータに読み取り可能なプログラムコードの形態でプラズマ装置１の記憶部６０に格納（記憶）されており、プラズマ装置１（制御手段７０）は、このプログラムコードにしたがった動作を逐次実行する。
【００８４】
まずは、移送手段２０により、プラズマ放出部８０を着火部５２へ移動させる（ステップＳ１０１）。
次いで、各条件を着火開始条件に設定する（ステップＳ１０２）。この着火開始条件およびプラズマ処理の際の条件は、それぞれ下記の通りである。なお、これらの条件は、一例であることは、言うまでもない。
【００８５】
＜着火開始条件＞
着火用のガスとして、Ｈｅのみを用いる。
Ｈｅのガス流量：５ＳＬＭ
着火部５２におけるプラズマ放出空間１２のギャップ長Ｇ２：１ｍｍ
供給電力：３００Ｗ
【００８６】
＜プラズマ処理の際の条件＞
プラズマ処理用のガスとして、ＣＦ４およびＨｅの混合ガスを用いる。
Ｈｅのガス流量：１０ＳＬＭ
ＣＦ４のガス流量：１００ＳＣＣＭ
ワーク処理部５１におけるプラズマ放出空間１２のギャップ長Ｇ１：０．５ｍｍ
次いで、着火促進手段９を作動させる（ステップＳ１０３）。この着火促進手段９としては、例えば、図８〜図１０に示すものを用いる。
【００８７】
次いで、ガス供給手段８によりガスを供給するとともに、高周波電源７２を作動させて電力を供給し、着火を試みる（ステップＳ１０４）。
次いで、反射波検出手段７４により反射波が検出されたか否かを判断する（ステップＳ１０５）。
ステップＳ１０５において、反射波が検出されない場合は、着火がなされたものと判別し、ステップＳ１１８へ移行する。
【００８８】
一方、ステップＳ１０５において、反射波が検出された場合は、着火がなされないものと判別し、供給電力を１０Ｗ（１段階）増大させる（ステップＳ１０６）。
次いで、反射波検出手段７４により反射波が検出されたか否かを判断する（ステップＳ１０７）。
ステップＳ１０７において、反射波が検出されない場合は、着火がなされたものと判別し、ステップＳ１１８へ移行する。
【００８９】
一方、ステップＳ１０７において、反射波が検出された場合は、着火がなされないものと判別し、高周波電源７２の供給電力が限界値（供給可能な最大値）であるか否かを判断する（ステップＳ１０８）。
ステップＳ１０８において、高周波電源７２の供給電力が限界値ではない場合は、ステップＳ１０６に戻り、再度、ステップＳ１０６以降を実行する。
【００９０】
一方、ステップＳ１０８において、高周波電源７２の供給電力が限界値である場合は、一旦、各条件を前記着火開始条件に変更する（ステップＳ１０９）。
次いで、ガス流量を５０ＳＣＣＭ（１段階）減少させる（ステップＳ１１０）。なお、前述したように、ガスの組成によっては、このステップＳ１１０において、ガス流量を５０ＳＣＣＭ（１段階）増大させてもよい。
【００９１】
次いで、反射波検出手段７４により反射波が検出されたか否かを判断する（ステップＳ１１１）。
ステップＳ１１１において、反射波が検出されない場合は、着火がなされたものと判別し、ステップＳ１１８へ移行する。
一方、ステップＳ１１１において、反射波が検出された場合は、着火がなされないものと判別し、供給電力を１０Ｗ（１段階）増大させる（ステップＳ１１２）。
【００９２】
次いで、反射波検出手段７４により反射波が検出されたか否かを判断する（ステップＳ１１３）。
ステップＳ１１３において、反射波が検出されない場合は、着火がなされたものと判別し、ステップＳ１１８へ移行する。
一方、ステップＳ１１３において、反射波が検出された場合は、着火がなされないものと判別し、高周波電源７２の供給電力が限界値（供給可能な最大値）であるか否かを判断する（ステップＳ１１４）。
【００９３】
ステップＳ１１４において、高周波電源７２の供給電力が限界値ではない場合は、ステップＳ１１２に戻り、再度、ステップＳ１１２以降を実行する。
【００９４】
一方、ステップＳ１１４において、高周波電源７２の供給電力が限界値である場合は、ガス流量が限界値（供給可能な最小値）であるか否かを判断する（ステップＳ１１５）。なお、前記ステップＳ１１０において、ガス流量を５０ＳＣＣＭ（１段階）増大させる場合は、このステップＳ１１５におけるガス流量の限界値は、供給可能な最大値である。
ステップＳ１１５において、ガス流量が限界値ではない場合は、一旦、供給電力のみを前記着火開始条件に変更し（ステップＳ１１６）、ステップＳ１１０に戻り、再度、ステップＳ１１２以降を実行する。すなわち、ガス流量を５０ＳＣＣＭ減少させ（ステップＳ１１０）、以降の工程を実行する。
【００９５】
一方、ステップＳ１１５において、ガス流量が限界値である場合は、エラー処理を行う（ステップＳ１１７）。このエラー処理では、高周波電源７２、ガス供給手段８および着火促進手段９をそれぞれ停止するとともに、操作部５０の画面に、着火できない旨の警告表示を行う。
前記ステップＳ１０５、ステップＳ１０７、ステップＳ１１１またはステップＳ１１３において、反射波が検出されず、ステップＳ１１８へ移行すると、着火促進手段９を停止し、着火を終了し（Ｓ１１８）、各条件を前記プラズマ処理の際の条件に変更する（切り替える）（Ｓ１１９）。
【００９６】
次いで、プラズマ（放電）が安定するまで所定時間（例えば、１０秒程度）待機する（Ｓ１２０）。待機位置は、ワーク処理部５１以外の位置であればよく、例えば、着火部５２、着火部５２とワーク処理部５１との間の位置（好ましくは、ワーク処理部５１の近傍）等が挙げられる。また、前記プラズマが安定するまでの間の所定時間の間、プラズマ放出部８０は、静止していてもよく、また、移動していてもよい。
次いで、移送手段２０により、プラズマ放出部８０をワーク処理部５２へ移動させる（ステップＳ１２１）。
次いで、プラズマ処理の工程に移行し、プラズマ処理を開始する。なお、プラズマ処理については、既に述べたので、その説明は、省略する。
【００９７】
以上説明したように、このプラズマ装置１によれば、着火部５２を有しているので、プラズマ放出部８０の構造を複雑化することなく、また、着火に伴うワーク１０への悪影響を及ぼすことなく、確実に着火することができる。
また、ワーク処理部５１とは別の位置に着火部５２を有しているので、その着火部５２に着火促進手段９等を設けることができ、より確実に着火することができる。
【００９８】
＜第２実施形態＞
次に、本発明のプラズマ処理装置の第２実施形態について説明するが、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態のプラズマ処理装置１は、着火の際の制御が異なっていること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【００９９】
図１５は、本発明のプラズマ処理装置の第２実施形態における制御動作（作用）を示すフローチャートである。
ここで、このフローチャートに記述されている各機能を実現するためのプログラムは、コンピュータに読み取り可能なプログラムコードの形態でプラズマ装置１の記憶部６０に格納（記憶）されており、プラズマ装置１（制御手段７０）は、このプログラムコードにしたがった動作を逐次実行する。
【０１００】
まずは、移送手段２０により、プラズマ放出部８０を着火部５２へ移動させる（ステップＳ２０１）。
次いで、各条件を着火開始条件に設定する（ステップＳ２０２）。この着火開始条件およびプラズマ処理の際の条件は、前述した通りである。
次いで、着火促進手段９を作動させる（ステップＳ２０３）。この着火促進手段９としては、例えば、図８〜図１０に示すものを用いる。
【０１０１】
次いで、ガス供給手段８によりガスを供給するとともに、高周波電源７２を作動させて電力を供給し、着火を試みる（ステップＳ２０４）。
次いで、反射波検出手段７４により反射波が検出されたか否かを判断する（ステップＳ２０５）。
ステップＳ２０５において、反射波が検出されない場合は、着火がなされたものと判別し、ステップＳ２１８へ移行する。
【０１０２】
一方、ステップＳ２０５において、反射波が検出された場合は、着火がなされないものと判別し、供給電力を１０Ｗ（１段階）増大させる（ステップＳ２０６）。
次いで、反射波検出手段７４により反射波が検出されたか否かを判断する（ステップＳ２０７）。
ステップＳ２０７において、反射波が検出されない場合は、着火がなされたものと判別し、ステップＳ２１８へ移行する。
【０１０３】
一方、ステップＳ２０７において、反射波が検出された場合は、着火がなされないものと判別し、高周波電源７２の供給電力が限界値（供給可能な最大値）であるか否かを判断する（ステップＳ２０８）。
ステップＳ２０８において、高周波電源７２の供給電力が限界値ではない場合は、ステップＳ２０６に戻り、再度、ステップＳ２０６以降を実行する。
【０１０４】
一方、ステップＳ２０８において、高周波電源７２の供給電力が限界値である場合は、一旦、各条件を前記着火開始条件に変更する（ステップＳ２０９）。
次いで、プラズマ放出空間１２のギャップ長Ｇ２を０．５ｍｍ（１段階）増大させる（ステップＳ２１０）。なお、前述したように、ガスの組成によっては、このステップＳ２１０において、ギャップ長Ｇ２を０．５ｍｍ（１段階）減少させてもよい。
【０１０５】
次いで、反射波検出手段７４により反射波が検出されたか否かを判断する（ステップＳ２１１）。
ステップＳ２１１において、反射波が検出されない場合は、着火がなされたものと判別し、ステップＳ２１８へ移行する。
一方、ステップＳ２１１において、反射波が検出された場合は、着火がなされないものと判別し、供給電力を１０Ｗ（１段階）増大させる（ステップＳ２１２）。
【０１０６】
次いで、反射波検出手段７４により反射波が検出されたか否かを判断する（ステップＳ２１３）。
ステップＳ２１３において、反射波が検出されない場合は、着火がなされたものと判別し、ステップＳ２１８へ移行する。
一方、ステップＳ２１３において、反射波が検出された場合は、着火がなされないものと判別し、高周波電源７２の供給電力が限界値（供給可能な最大値）であるか否かを判断する（ステップＳ２１４）。
【０１０７】
ステップＳ２１４において、高周波電源７２の供給電力が限界値ではない場合は、ステップＳ２１２に戻り、再度、ステップＳ２１２以降を実行する。
一方、ステップＳ２１４において、高周波電源７２の供給電力が限界値である場合は、プラズマ放出空間１２のギャップ長Ｇ２が限界値（最大値）であるか否かを判断する（ステップＳ２１５）。なお、前記ステップＳ２１０において、ギャップ長Ｇ２を０．５ｍｍ（１段階）減少させる場合は、このステップＳ２１５におけるギャップ長Ｇ２の限界値は、最小値である。
【０１０８】
ステップＳ２１５において、ガス流量が限界値ではない場合は、一旦、供給電力のみを前記着火開始条件に変更し（ステップＳ２１６）、ステップＳ２１０に戻り、再度、ステップＳ２１２以降を実行する。すなわち、ギャップ長Ｇ２を０．５ｍｍ増大させ（ステップＳ２１０）、以降の工程を実行する。
一方、ステップＳ２１５において、ギャップ長Ｇ２が限界値である場合は、エラー処理を行う（ステップＳ２１７）。このエラー処理では、高周波電源７２、ガス供給手段８および着火促進手段９をそれぞれ停止するとともに、操作部５０の画面に、着火できない旨の警告表示を行う。
【０１０９】
前記ステップＳ２０５、ステップＳ２０７、ステップＳ２１１またはステップＳ２１３において、反射波が検出されず、ステップＳ２１８へ移行すると、着火促進手段９を停止し、着火を終了し（Ｓ２１８）、各条件を前記プラズマ処理の際の条件に変更する（切り替える）（Ｓ２１９）。
次いで、プラズマ（放電）が安定するまで所定時間（例えば、１０秒程度）待機する（Ｓ２２０）。
【０１１０】
次いで、移送手段２０により、プラズマ放出部８０をワーク処理部５２へ移動させる（ステップＳ２２１）。
次いで、プラズマ処理の工程に移行し、プラズマ処理を開始する。なお、プラズマ処理については、既に述べたので、その説明は、省略する。
このプラズマ処理装置１によれば、前述した第１実施形態と同様の効果が得られる。
なお、ステップＳ２１５において、ギャップ長Ｇ２が限界値である場合、さらに、前記第１実施形態のように、ガス流量を変更して、着火を試みるように構成してもよい。この場合は、さらに確実に着火することができる。
【０１１１】
＜第３実施形態＞
次に、本発明のプラズマ処理装置の第３実施形態について説明するが、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第３実施形態のプラズマ処理装置１は、着火の際の制御が異なっていること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【０１１２】
図１６は、本発明のプラズマ処理装置の第３実施形態における制御動作（作用）を示すフローチャートである。
ここで、このフローチャートに記述されている各機能を実現するためのプログラムは、コンピュータに読み取り可能なプログラムコードの形態でプラズマ装置１の記憶部６０に格納（記憶）されており、プラズマ装置１（制御手段７０）は、このプログラムコードにしたがった動作を逐次実行する。
【０１１３】
まずは、移送手段２０により、プラズマ放出部８０を着火部５２へ移動させる（ステップＳ３０１）。
次いで、各条件を着火開始条件に設定する（ステップＳ３０２）。この着火開始条件およびプラズマ処理の際の条件は、前述した通りである。
次いで、ガス供給手段８によりガスを供給するとともに、高周波電源７２を作動させて電力を供給し、着火を試みる（ステップＳ３０３）。
【０１１４】
次いで、反射波検出手段７４により反射波が検出されたか否かを判断する（ステップＳ３０４）。
ステップＳ３０４において、反射波が検出されない場合は、着火がなされたものと判別し、ステップＳ３１１へ移行する。
一方、ステップＳ３０４において、反射波が検出された場合は、着火がなされないものと判別し、供給電力を１０Ｗ（１段階）増大させる（ステップＳ３０５）。
【０１１５】
次いで、反射波検出手段７４により反射波が検出されたか否かを判断する（ステップＳ３０６）。
ステップＳ３０６において、反射波が検出されない場合は、着火がなされたものと判別し、ステップＳ３１１へ移行する。
一方、ステップＳ３０６において、反射波が検出された場合は、着火がなされないものと判別し、高周波電源７２の供給電力が限界値（供給可能な最大値）であるか否かを判断する（ステップＳ３０７）。
ステップＳ３０７において、高周波電源７２の供給電力が限界値ではない場合は、ステップＳ３０５に戻り、再度、ステップＳ３０５以降を実行する。
【０１１６】
一方、ステップＳ３０７において、高周波電源７２の供給電力が限界値である場合は、着火促進手段９を作動させる（ステップＳ３０８）。この着火促進手段９としては、例えば、図８〜図１０に示すものを用いる。
次いで、反射波検出手段７４により反射波が検出されたか否かを判断する（ステップＳ３０９）。
【０１１７】
ステップＳ３０９において、反射波が検出されない場合は、着火がなされたものと判別し、ステップＳ３１１へ移行する。
一方、ステップＳ３０９において、反射波が検出された場合は、着火がなされないものと判別し、エラー処理を行う（ステップＳ３１０）。このエラー処理では、高周波電源７２、ガス供給手段８および着火促進手段９をそれぞれ停止するとともに、操作部５０の画面に、着火できない旨の警告表示を行う。
【０１１８】
前記ステップＳ３０４、ステップＳ３０６またはステップＳ３０９において、反射波が検出されず、ステップＳ３１１へ移行すると、着火促進手段９が作動している場合はそれを停止し、着火を終了し（Ｓ３１１）、各条件を前記プラズマ処理の際の条件に変更する（切り替える）（Ｓ３１２）。
次いで、プラズマ（放電）が安定するまで所定時間（例えば、１０秒程度）待機する（Ｓ３１３）。
【０１１９】
次いで、移送手段２０により、プラズマ放出部８０をワーク処理部５２へ移動させる（ステップＳ３１４）。
次いで、プラズマ処理の工程に移行し、プラズマ処理を開始する。なお、プラズマ処理については、既に述べたので、その説明は、省略する。
このプラズマ処理装置１によれば、前述した第１実施形態と同様の効果が得られる。
【０１２０】
以上、本発明のプラズマ処理装置について、図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。プラズマ処理装置を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。
また、本発明のプラズマ処理装置は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
また、電源は、高周波電源に限らず、低周波電源であってもよい。
また、本発明のプラズマ装置の用途は、特に限定されないが、本発明は、例えば、酸化絶縁膜の加工、除去、ガラス（石英）などの無歪加工、水晶加工などに適用することができる。また、ＭＥＭＳ等への応用も可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の第１実施形態を示す図（断面図、側面図、ブロック図）である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置の斜視図である。
【図３】図１に示すプラズマ処理装置のプラズマ処理装置本体を示す縦断面図（断面正面図）である。
【図４】図３中のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図１に示すプラズマ処理装置の移送手段のｘ軸方向移動手段を示す斜視図である。
【図６】図１に示すプラズマ処理装置の移送手段のｙ軸方向移動手段を示す斜視図である。
【図７】図１に示すプラズマ処理装置の移送手段のｚ軸方向移動手段を示す斜視図である。
【図８】着火促進手段の構成例を示す図である。
【図９】着火促進手段の構成例を示す図である。
【図１０】着火促進手段の構成例を示す図である。
【図１１】着火促進手段の構成例を示す図である。
【図１２】着火部におけるプラズマ放出空間のギャップ長Ｇ２を調整する調整手段の構成例を示す図である。
【図１３】着火部におけるプラズマ放出空間のギャップ長Ｇ２を調整する調整手段の構成例を示す図である。
【図１４】図１に示すプラズマ装置の制御動作（作用）を示すフローチャートである。
【図１５】本発明のプラズマ処理装置の第２実施形態における制御動作（作用）を示すフローチャートである。
【図１６】本発明のプラズマ処理装置の第２実施形態における制御動作（作用）を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１２２】
１……プラズマ処理装置  １１……プラズマ処理装置本体  ２……第１電極  ３……下部電極  ３１……第２電極  ３２……第３電極  ４……誘電体部  ４１…………凹部  ４２……下面  ５……ノズル  ６……処理ガス供給流路  ７……電源回路  ７１……導線  ７２……高周波電源  ７３……自動整合器  ７４……反射波検出手段  ８……ガス供給手段  ８１、８５……ガスボンベ  ８２、８６……マスフローコントローラ  ８３、８７……バルブ  ８４……処理ガス管  ９……着火促進手段  ９１……コイル  ９２……直流電源  ９３……レーザー光照射装置  ９４……ヒーター  ９５……突起  ９６……凸部  ９７……シリンダ  ９７１……ピストン  ９７２……取付部  １０……ワーク  １０１……被処理面  １２……プラズマ放出空間  １３……カバー  ２０……移送手段  ２０１……ｘ軸方向移動手段  ２０１１、２０２１、２０３１……スライドブロック  ２０１２、２０２２、２０３２……駆動プーリー  ２０１３、２０２３、２０３３……従動プーリー  ２０１４、２０２４、２０３４……パルスモーター  ２０１５、２０２５、２９３５……ベルト  ２０１６、２０２６、２０３６……ガイドレール  ２０２……ｙ軸方向移動手段  ２０２７……アーム  ２０３……ｚ軸方向移動手段  ２０３７……フレーム  ２０３８……ストッパー  ３０……プラズマ発生領域  ５０……操作部  ６０……記憶手段  ７０……制御手段  ８０……プラズマ放出部  １００……機器収容部（ハウジング）  ５１……ワーク処理部  ５２……着火部  Ｓ１０１〜Ｓ１２１……ステップ  Ｓ２０１〜Ｓ２２１……ステップ  Ｓ３０１〜Ｓ３１４……ステップ
【図１】
2008091218.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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