(57)【要約】【課題】高解像度の撮像機構を用いた欠陥検出において、被検査領域中の欠陥を容易に検出する。【解決手段】主面上の複数のダイのそれぞれに所定の単位パターンが形成された基板９がステージ２上に保持され、撮像機構３では、ラインセンサ３１３を基板９の主面に沿う移動方向に基板９に対して相対的かつ連続的に移動することにより、移動方向に垂直な方向に関して幅がダイの幅よりも狭い帯領域の多階調の画像が高解像度にて取得される。記憶部５３では、ダイの全体を実質的に示すとともに欠陥検出の基準とされる基準画像が記憶されており、欠陥検出の際には、基準画像から被検査領域に対応する部分を含む部分画像が抽出されるとともに、被検査領域を示す被検査画像が撮像機構３により取得され、部分画像と被検査画像とを比較することにより、被検査領域中の欠陥が容易に検出される。【選択図】図１
2008046012.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のパターンの欠陥を検出する欠陥検出装置であって、
主面上の複数の単位領域のそれぞれに所定の単位パターンが形成された基板を保持する保持部と、
撮像デバイスを有し、前記撮像デバイスを前記主面に沿う移動方向に前記基板に対して相対的かつ連続的に移動することにより、前記移動方向に垂直な方向に関して幅が単位領域の幅よりも狭い帯領域の多階調の画像を取得する撮像機構と、
単位領域の全体を実質的に示すとともに欠陥検出の基準とされる多階調の基準画像を記憶する記憶部と、
前記基準画像から、欠陥検出の対象となる単位領域中の被検査領域に対応する部分を含む部分画像を抽出する部分画像抽出部と、
前記撮像機構により取得されるとともに前記被検査領域を示す被検査画像と、前記部分画像とを比較して前記被検査領域中の欠陥を検出する欠陥検出部と、
を備えることを特徴とする欠陥検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の欠陥検出装置であって、
それぞれが基板上の選択された単位領域である複数の選択単位領域を前記撮像機構にて撮像することにより取得された複数の選択画像において、互いに対応する画素値の代表値を求めることにより前記基準画像を生成する基準画像生成部をさらに備えることを特徴とする欠陥検出装置。
【請求項３】
請求項２に記載の欠陥検出装置であって、
前記基準画像生成部が、前記複数の選択画像が３以上である場合に、前記代表値を求める前に前記互いに対応する画素値の一部を演算から除外して、前記互いに対応する画素値のばらつきを低減する処理を実行することを特徴とする欠陥検出装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の欠陥検出装置であって、
前記複数の選択画像のそれぞれが、前記撮像機構により撮像された複数の帯領域をそれぞれ示す複数の選択帯領域画像の集合であり、前記基準画像が、前記複数の帯領域に対応する複数の基準帯領域画像の集合であることを特徴とする欠陥検出装置。
【請求項５】
請求項４に記載の欠陥検出装置であって、
前記基準画像中の前記被検査領域に対応する部分が、互いに隣接する基準帯領域画像に跨る場合に、前記互いに隣接する基準帯領域画像を合成した画像が前記部分画像として扱われることを特徴とする欠陥検出装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の欠陥検出装置であって、
前記記憶部が、ハードディスク駆動装置であることを特徴とする欠陥検出装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の欠陥検出装置であって、
前記欠陥検出装置と通信可能な記憶装置、または、他の欠陥検出装置が通信網に接続されており、前記通信網を介して前記記憶装置、もしくは、前記他の欠陥検出装置の記憶部に前記基準画像を送信する、または、前記通信網を介して前記記憶装置、もしくは、前記他の欠陥検出装置の前記記憶部から前記基準画像を受信する通信部をさらに備えることを特徴とする欠陥検出装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の欠陥検出装置であって、
前記基準画像を縮小した縮小画像を表示する表示部と、
前記被検査領域に対応する前記縮小画像中の領域の入力を受け付ける受付部と、
をさらに備えることを特徴とする欠陥検出装置。
【請求項９】
基板上のパターンの欠陥を検出する欠陥検出方法であって、
ａ）主面上の複数の単位領域のそれぞれに所定の単位パターンが形成された基板を準備する工程と、
ｂ）単位領域の全体を実質的に示すとともに欠陥検出の基準とされる多階調の基準画像を準備する工程と、
ｃ）前記基準画像から、欠陥検出の対象となる単位領域中の被検査領域に対応する部分を含む部分画像を抽出する工程と、
ｄ）撮像デバイスを有し、前記撮像デバイスを前記主面に沿う移動方向に前記基板に対して相対的かつ連続的に移動することにより、前記移動方向に垂直な方向に関して幅が単位領域の幅よりも狭い帯領域の多階調の画像を取得する撮像機構を用いて、前記被検査領域を示す被検査画像を取得する工程と、
ｅ）前記被検査画像と前記部分画像とを比較して前記被検査領域中の欠陥を検出する工程と、
を備えることを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の欠陥検出方法であって、
ｆ）前記ｂ）工程の前に、それぞれが基板上の選択された単位領域である複数の選択単位領域を前記撮像機構にて撮像することにより取得された複数の選択画像において、互いに対応する画素値の代表値を求めることにより前記基準画像を生成する工程をさらに備えることを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の欠陥検出方法であって、
前記ｆ）工程が、前記複数の選択画像が３以上である場合に、前記代表値を求める前に前記互いに対応する画素値の一部を除外して、前記互いに対応する画素値のばらつきを低減する工程を備えることを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の欠陥検出方法であって、
前記複数の選択画像のそれぞれが、前記撮像機構により撮像された複数の帯領域をそれぞれ示す複数の選択帯領域画像の集合であり、前記基準画像が、前記複数の帯領域に対応する複数の基準帯領域画像の集合であることを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の欠陥検出方法であって、
前記基準画像中の前記被検査領域に対応する部分が、互いに隣接する基準帯領域画像に跨る場合に、前記ｃ）工程において、前記互いに隣接する基準帯領域画像を合成した画像が前記部分画像として扱われることを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項１４】
請求項９ないし１３のいずれかに記載の欠陥検出方法であって、
前記ｄ）工程の前に、前記撮像機構にて取得されるとともに前記基板上の単位領域中の所定領域を示す画像の画素値に関する統計値と、前記基準画像中の前記所定領域に対応する部分の画素値に関する統計値とを比較し、比較結果を取得する工程と、
前記ｄ）工程における前記撮像機構の撮像条件を前記比較結果に基づいて変更する工程と、
をさらに備えることを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項１５】
請求項９ないし１４のいずれかに記載の欠陥検出方法であって、
前記ｃ）工程の前に前記基準画像を縮小した縮小画像を表示部に表示する工程と、
前記被検査領域に対応する前記縮小画像中の領域の入力を受け付ける工程と、
をさらに備えることを特徴とする欠陥検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上のパターンの欠陥を検出する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板の外観を検査する分野において、従来より様々な検査手法が用いられている。例えば、特許文献１では、半導体基板においてチップとなる部分である複数のダイ（ペレット）について、基準となる１つのダイを撮像して基準パターンとして記憶しておき、半導体基板上の任意の位置の他のダイに形成されたパターンの撮像結果と比較して欠陥を検出する欠陥検査装置が提案されている。
【０００３】
一方、近年では、半導体基板上に形成されるパターンの微細化が進められている。そこで、特許文献２では、半導体基板の１つのダイを複数の帯領域（スワス）に分割し、撮像デバイスを半導体基板に対して相対的に移動しつつ帯領域毎に撮像を行うことにより高解像度にて画像を取得する撮像機構を採用した欠陥検出装置が提案されており、この欠陥検出装置では、半導体基板上の基準とされるダイの１つの帯領域の第１画像を取得して記憶し、続いて、被検査ダイの対応する帯領域の第２画像を取得し、これらの画像を比較することにより、微細なパターンの欠陥検出が実現される。また、特許文献２では、もう１つの第１画像を取得して第２画像と比較し、２つの比較結果に基づいて第１画像中の欠陥を検出する手法も開示されている。
【特許文献１】特開平１１−４０６３８号公報
【特許文献２】特開２００５−３５１６３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献２の欠陥検出装置では、基準とされるダイ中に欠陥が存在する場合には、被検査ダイにおいて対応する部位が欠陥でないにもかかわらず欠陥として検出されてしまう場合がある。また、２つの第１画像と第２画像との比較結果に基づいて第１画像中の欠陥を検出することにより、上記問題を解消することは可能であるが、欠陥検出に要する処理が煩雑となってしまう。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、帯領域の画像を取得する高解像度の撮像機構を用いた欠陥検出において、被検査領域中の欠陥を容易に検出することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、基板上のパターンの欠陥を検出する欠陥検出装置であって、主面上の複数の単位領域のそれぞれに所定の単位パターンが形成された基板を保持する保持部と、撮像デバイスを有し、前記撮像デバイスを前記主面に沿う移動方向に前記基板に対して相対的かつ連続的に移動することにより、前記移動方向に垂直な方向に関して幅が単位領域の幅よりも狭い帯領域の多階調の画像を取得する撮像機構と、単位領域の全体を実質的に示すとともに欠陥検出の基準とされる多階調の基準画像を記憶する記憶部と、前記基準画像から、欠陥検出の対象となる単位領域中の被検査領域に対応する部分を含む部分画像を抽出する部分画像抽出部と、前記撮像機構により取得されるとともに前記被検査領域を示す被検査画像と、前記部分画像とを比較して前記被検査領域中の欠陥を検出する欠陥検出部とを備える。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の欠陥検出装置であって、それぞれが基板上の選択された単位領域である複数の選択単位領域を前記撮像機構にて撮像することにより取得された複数の選択画像において、互いに対応する画素値の代表値を求めることにより前記基準画像を生成する基準画像生成部をさらに備える。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の欠陥検出装置であって、前記基準画像生成部が、前記複数の選択画像が３以上である場合に、前記代表値を求める前に前記互いに対応する画素値の一部を演算から除外して、前記互いに対応する画素値のばらつきを低減する処理を実行する。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項２または３に記載の欠陥検出装置であって、前記複数の選択画像のそれぞれが、前記撮像機構により撮像された複数の帯領域をそれぞれ示す複数の選択帯領域画像の集合であり、前記基準画像が、前記複数の帯領域に対応する複数の基準帯領域画像の集合である。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の欠陥検出装置であって、前記基準画像中の前記被検査領域に対応する部分が、互いに隣接する基準帯領域画像に跨る場合に、前記互いに隣接する基準帯領域画像を合成した画像が前記部分画像として扱われる。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の欠陥検出装置であって、前記記憶部が、ハードディスク駆動装置である。
【００１２】
請求項７に記載の発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載の欠陥検出装置であって、前記欠陥検出装置と通信可能な記憶装置、または、他の欠陥検出装置が通信網に接続されており、前記通信網を介して前記記憶装置、もしくは、前記他の欠陥検出装置の記憶部に前記基準画像を送信する、または、前記通信網を介して前記記憶装置、もしくは、前記他の欠陥検出装置の前記記憶部から前記基準画像を受信する通信部をさらに備える。
【００１３】
請求項８に記載の発明は、請求項１ないし７のいずれかに記載の欠陥検出装置であって、前記基準画像を縮小した縮小画像を表示する表示部と、前記被検査領域に対応する前記縮小画像中の領域の入力を受け付ける受付部とをさらに備える。
【００１４】
請求項９に記載の発明は、基板上のパターンの欠陥を検出する欠陥検出方法であって、ａ）主面上の複数の単位領域のそれぞれに所定の単位パターンが形成された基板を準備する工程と、ｂ）単位領域の全体を実質的に示すとともに欠陥検出の基準とされる多階調の基準画像を準備する工程と、ｃ）前記基準画像から、欠陥検出の対象となる単位領域中の被検査領域に対応する部分を含む部分画像を抽出する工程と、ｄ）撮像デバイスを有し、前記撮像デバイスを前記主面に沿う移動方向に前記基板に対して相対的かつ連続的に移動することにより、前記移動方向に垂直な方向に関して幅が単位領域の幅よりも狭い帯領域の多階調の画像を取得する撮像機構を用いて、前記被検査領域を示す被検査画像を取得する工程と、ｅ）前記被検査画像と前記部分画像とを比較して前記被検査領域中の欠陥を検出する工程とを備える。
【００１５】
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の欠陥検出方法であって、ｆ）前記ｂ）工程の前に、それぞれが基板上の選択された単位領域である複数の選択単位領域を前記撮像機構にて撮像することにより取得された複数の選択画像において、互いに対応する画素値の代表値を求めることにより前記基準画像を生成する工程をさらに備える。
【００１６】
請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載の欠陥検出方法であって、前記ｆ）工程が、前記複数の選択画像が３以上である場合に、前記代表値を求める前に前記互いに対応する画素値の一部を除外して、前記互いに対応する画素値のばらつきを低減する工程を備える。
【００１７】
請求項１２に記載の発明は、請求項１０または１１に記載の欠陥検出方法であって、前記複数の選択画像のそれぞれが、前記撮像機構により撮像された複数の帯領域をそれぞれ示す複数の選択帯領域画像の集合であり、前記基準画像が、前記複数の帯領域に対応する複数の基準帯領域画像の集合である。
【００１８】
請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の欠陥検出方法であって、前記基準画像中の前記被検査領域に対応する部分が、互いに隣接する基準帯領域画像に跨る場合に、前記ｃ）工程において、前記互いに隣接する基準帯領域画像を合成した画像が前記部分画像として扱われる。
【００１９】
請求項１４に記載の発明は、請求項９ないし１３のいずれかに記載の欠陥検出方法であって、前記ｄ）工程の前に、前記撮像機構にて取得されるとともに前記基板上の単位領域中の所定領域を示す画像の画素値に関する統計値と、前記基準画像中の前記所定領域に対応する部分の画素値に関する統計値とを比較し、比較結果を取得する工程と、前記ｄ）工程における前記撮像機構の撮像条件を前記比較結果に基づいて変更する工程とをさらに備える。
【００２０】
請求項１５に記載の発明は、請求項９ないし１４のいずれかに記載の欠陥検出方法であって、前記ｃ）工程の前に前記基準画像を縮小した縮小画像を表示部に表示する工程と、前記被検査領域に対応する前記縮小画像中の領域の入力を受け付ける工程とをさらに備える。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、帯領域の画像を取得する高解像度の撮像機構を用いた欠陥検出において、単位領域の全体を実質的に示すとともに欠陥検出の基準とされる基準画像を用いて、被検査領域中の欠陥を容易に検出することができる。
【００２２】
また、請求項２および１０の発明では、適切な基準画像を用いて被検査領域中の欠陥を精度よく検出することができ、請求項３および１１の発明では、より適切な基準画像を生成することができる。
【００２３】
また、請求項６の発明では、大容量の基準画像を記憶することができ、請求項７の発明では、他の装置との間で基準画像を共有することができる。
【００２４】
また、請求項８および１５の発明では、被検査領域を容易に特定することができ、請求項１４の発明では、撮像機構における撮像条件を基準画像に合わせて補正することにより、欠陥を精度よく検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る欠陥検出装置１の構成を示す図である。欠陥検出装置１は、微細なパターンが形成された半導体基板（以下、「基板」という。）９上のパターンの欠陥を検出する装置である。
【００２６】
欠陥検出装置１は、基板９を保持するステージ２、基板９を撮像して基板９の多階調の画像データを取得する撮像部３１、ステージ２上の基板９を主面に沿って移動するステージ移動機構３２、および、各種演算処理を行うＣＰＵや各種情報を記憶するメモリ等により構成されたコンピュータ４を備える。コンピュータ４は、操作者によるキーボードやマウスを用いた入力を受け付ける受付部４１、および、各種情報の表示を行う表示部４２を有する。また、コンピュータ４ではＣＰＵやメモリ等により、撮像部３１を制御する撮像制御部４３、ステージ移動機構３２を制御する移動制御部４４、および、各種演算を行う演算部４５の機能が実現される。
【００２７】
ステージ移動機構３２は、ステージ２を図１中のＸ方向に移動するＸ方向移動機構３３、および、Ｙ方向に移動するＹ方向移動機構３４を備える。Ｘ方向移動機構３３はモータ３３１にボールねじ（図示省略）が接続され、モータ３３１が回転することにより、Ｙ方向移動機構３４がガイドレール３３２に沿ってＸ方向に移動する。Ｙ方向移動機構３４もＸ方向移動機構３３と同様の構成となっており、モータ３４１が回転するとボールねじ（図示省略）によりステージ２がガイドレール３４２に沿ってＹ方向に移動する。
【００２８】
撮像部３１は、照明光を出射する照明部３１１、基板９に照明光を導くとともに基板９からの光が入射する光学系３１２、および、光学系３１２により結像された基板９の像を電気信号に変換する撮像デバイスであるラインセンサ３１３を備える。
【００２９】
図２は、基板９を示す平面図である。基板９は、後工程においてダイシングされて半導体チップとなる複数の単位領域（以下、「ダイ」という。）９１を主面９０上に備え、複数のダイ９１のそれぞれには、所定の単位パターンが形成されている。なお、図２では、図示の便宜上、各ダイ９１上に形成されているパターンの図示を省略している（後述の図３、図８、図１０、図１１．Ａ、図１１．Ｂ並びに図１４において同様）。
【００３０】
図３は、基板９上の３つのダイ（ただし、図３では３つのダイに符号９１ａ，９１ｂ，９１ｃをそれぞれ付している。）を拡大して示す図である。欠陥検出装置１では、図１に示すステージ移動機構３２により、基板９がラインセンサ３１３の受光素子（例えば、２０４８個の受光素子）の配列方向（図１中のＸ方向）に垂直な方向（Ｙ方向）に連続的に移動しつつ、ラインセンサ３１３にて撮像が行われることにより、ダイ９１を分割して得られる複数の帯領域（スワスとも呼ばれる。）９１１のうちの１つの帯領域９１１の２次元の画像データが取得される。すなわち、欠陥検出装置１では、撮像部３１およびステージ移動機構３２が撮像機構３として互いに同期して作動することにより、ラインセンサ３１３を基板９の主面９０に沿う移動方向に基板９に対して相対的かつ連続的に移動して、当該移動方向に垂直な方向に関して幅がダイ９１の幅よりも狭い帯領域９１１の多階調の画像を高解像度にて取得することが可能となっている。本実施の形態では、撮像機構３にて取得される画像中の１つの画素は、基板９上の５０ナノメートル（ｎｍ）角の矩形領域に対応する（すなわち、画素分解能が５０ｎｍとされる。）。なお、半導体の基板９の欠陥検出では、撮像機構３における画素分解能は１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とされることが好ましい。
【００３１】
図１の欠陥検出装置１は、さらに、後述する欠陥検出における主たる処理を行う検査部５１、欠陥検出において基準とされる多階調の画像である基準画像を生成する基準画像生成部５２、および、基準画像のデータ（図１中の基準画像データ５３１）を記憶するハードディスク駆動装置である記憶部５３を備える。検査部５１は、基準画像から欠陥検出の対象となるダイ９１中の被検査領域に対応する部分を含む部分画像を抽出する部分画像抽出部５１１、および、撮像部３１に接続される欠陥検出部５１２を有する。欠陥検出部５１２は、撮像部３１にて取得されるとともに被検査領域を示す被検査画像と、部分画像抽出部５１１から入力される部分画像とを比較して被検査領域中の欠陥を検出する比較部５１３、および、比較部５１３により検出された欠陥の情報を一時的に記憶する欠陥情報メモリ５１４を備える。また、基準画像生成部５２には２つのメモリ（第１メモリ５２１および第２メモリ５２２）並びに撮像部３１が接続される（正確には、撮像部３１は切替部５０を介して基準画像生成部５２に接続される。）。本実施の形態では、検査部５１および基準画像生成部５２は専用の電気的回路にて形成されるが、これらの機能はコンピュータ４によりソフトウェア的に実現されてもよい。
【００３２】
次に、欠陥検出装置１が基板９上のパターンの欠陥を検出する動作について説明する。ここでは、まず、欠陥検出動作の前に行われる基準画像を生成する処理について図４を参照しつつ説明する。
【００３３】
基準画像を生成する際には、まず、基準画像生成用の基板（例えば、所定の処理が行われた後の回路形成途上の基板）がステージ２上に載置されて準備される（ステップＳ２１）。本実施の形態では、図２の検査対象の基板９が基準画像生成用の基板でもあるものとする。続いて、基板９において、Ｙ方向に並ぶ複数のダイ（図２中にて平行斜線を付す３つのダイ９１ａ〜９１ｃ）が選択ダイとして選択され、撮像制御部４３および移動制御部４４により撮像部３１およびステージ移動機構３２がそれぞれ制御されることにより、図３の複数の選択ダイ９１ａ〜９１ｃにおいて（−Ｘ）側の帯領域９１１ａ，９１１ｂ，９１１ｃが、図３中に符号Ｋ１を付す矢印にて示すように順次撮像される（ステップＳ２２）。
【００３４】
このとき、図１の撮像部３１は切替部５０により基準画像生成部５２側へと接続されており、選択ダイ９１ａの撮像時には、帯領域９１１ａを示す画像（以下、「選択帯領域画像」という。）の各画素値は第１メモリ５２１のみにて記憶され、選択ダイ９１ｂの撮像時には、帯領域９１１ｂを示す選択帯領域画像の各画素値は第２メモリ５２２のみにて記憶される。そして、選択ダイ９１ｃの撮像時には、帯領域９１１ｃを示す選択帯領域画像の各画素値は、第１メモリ５２１、第２メモリ５２２および基準画像生成部５２のそれぞれへと入力されることにより、帯領域９１１ｃの選択帯領域画像の各画素値、並びに、この画素値に対応する帯領域９１１ａの選択帯領域画像の画素値および帯領域９１１ｂの選択帯領域画像の画素値が基準画像生成部５２に（ほぼ）同時に入力される。なお、選択帯領域画像は、例えば約１ギガバイトのサイズの画像とされ、第１および第２メモリ５２１，５２２のそれぞれは１ギガバイトの記憶容量を有している。
【００３５】
基準画像生成部５２では、同時に入力される選択ダイ９１ａ〜９１ｃの選択帯領域画像の３つの画素値のうち、互いに値が近い２つの画素値が選択される（ステップＳ２３）。例えば、３つの画素値がそれぞれ１００、１０２、１５０である場合には、画素値１００、１０２が選択され（すなわち、画素値１５０が除外され）、その後、これらの値の平均値１０１が、３つの画素値の代表値として算出される。これにより、複数の帯領域９１１ａ〜９１１ｃをそれぞれ示す複数の選択帯領域画像から１つの帯領域に相当する大きさの１つの画像（以下、「基準帯領域画像」という。）が生成され、基準帯領域画像のデータが記憶部５３に入力されて記憶される（ステップＳ２４）。
【００３６】
帯領域９１１ａ〜９１１ｃに対応する基準帯領域画像が生成されると、続いて、図３中に符号Ｋ２を付す矢印にて示すように、選択ダイ９１ｃにおける帯領域９１１ｃの（＋Ｘ）側の帯領域９１１、選択ダイ９１ｂにおける帯領域９１１ｂの（＋Ｘ）側の帯領域９１１、および、選択ダイ９１ａにおける帯領域９１１ａの（＋Ｘ）側の帯領域９１１が撮像機構３により順次撮像され（ステップＳ２５，Ｓ２２）、これらの帯領域９１１の選択帯領域画像において互いに対応する３つの画素値のうち、値が近い２つの画素値が選択される（ステップＳ２３）。そして、選択された画素値の平均値が算出されることにより、次の基準帯領域画像が生成され、当該基準帯領域画像のデータが記憶部５３にて記憶される（ステップＳ２４）。
【００３７】
上記ステップＳ２２〜Ｓ２４を繰り返すことにより（ステップＳ２５）、選択ダイ９１ａ（または、選択ダイ９１ｂ，９１ｃ）における複数の帯領域９１１にそれぞれ対応する複数の基準帯領域画像が取得されて記憶部５３にて記憶される。記憶部５３では、複数の基準帯領域画像のデータの集合が基準画像データ５３１として扱われ、図５に示すように、複数の基準帯領域画像６１１の集合である基準画像６１が生成される。実際には、各選択ダイ９１ａ〜９１ｃには多数の（例えば１５０〜３００個の）帯領域９１１が設定され、基準画像データ５３１は膨大なサイズ（１５０〜３００ギガバイト）となる。
【００３８】
ここで、各選択ダイ９１ａ〜９１ｃにおいて全ての選択帯領域画像の集合を選択画像として捉えると、基準画像６１は、複数の選択ダイ９１ａ〜９１ｃを撮像機構３にて撮像することにより取得された複数の選択画像において、互いに対応する画素値の代表値を求めることにより生成されるものとなる。したがって、基準画像６１は１つのダイ９１の全体（ただし、ダイシングの際に除去される領域が除かれていてもよい。）を実質的に示すとともに、欠陥がほとんど無い単位パターンを示すものとなる。図１では、基準画像データ５３１が１つのみ図示されているが、実際には、複数の回路形成段階に対応する複数の基準画像データが記憶部５３にて記憶されている。
【００３９】
次に、欠陥検出装置１が基板９上のパターンの欠陥を検出する動作について図６を参照しつつ説明する。欠陥検出装置１では、まず、検査される予定の基板９に対して基準とされる画像である基準画像６１が準備される（ステップＳ１１）。既述のように、基板９上のパターンに対応する基準画像６１は基準画像データ５３１として記憶部５３にて既に記憶されているため、本実施の形態における基準画像６１を準備する処理は、記憶部５３に記憶される複数の基準画像データから基板９の回路形成段階に応じた基準画像データ５３１を特定する処理となる。
【００４０】
基準画像６１が準備されると、コンピュータ４では、記憶部５３から基準画像データ５３１が読み出され、演算部４５にて基準画像６１中の所定画素数毎の画素値を抽出することにより、図７に示すように基準画像６１を縮小した縮小画像６１ａが生成され、表示部４２に表示される（ステップＳ１２）。続いて、操作者により検査対象のダイ（以下、「被検査ダイ」という。）９１、および、被検査領域に対応する縮小画像６１ａ中の領域（例えば、図７中にて平行斜線を付す領域Ａ１）を特定する入力が行われ、当該入力が受付部４１にて受け付けられることにより、欠陥検出装置１において被検査ダイ９１中の被検査領域が特定される（ステップＳ１３）。このとき、操作者が表示部４２上の縮小画像６１ａを参照しつつ、例えばマウスを操作して縮小画像６１ａ中の領域Ａ１を選択することにより、被検査領域を容易に特定することが可能となる。
【００４１】
被検査領域が特定されると、部分画像抽出部５１１では図５の基準画像６１において、被検査領域に対応する部分（図５中にて平行斜線を付す領域Ａ２）を含む画像（すなわち、部分画像）が抽出される（ステップＳ１４）。ここで、既述のように、基準画像６１は複数の基準帯領域画像６１１の集合として記憶部５３に記憶されており、図５に示すように、基準画像６１中の被検査領域に対応する部分Ａ２が互いに隣接する基準帯領域画像（図５中にて符号６１１ａ，６１１ｂをそれぞれ付す２つの基準帯領域画像）に跨る場合には、これらの基準帯領域画像６１１ａ，６１１ｂが抽出された後、合成されて部分画像抽出部５１１が有するメモリ（例えば、２ギガバイトの記憶容量を有するメモリ）にて記憶される。すなわち、部分画像抽出部５１１ではこれらの基準帯領域画像６１１ａ，６１１ｂを合成した画像が部分画像として扱われる。
【００４２】
部分画像が抽出されると、検査対象の基板９がステージ２上に載置されて準備される（ステップＳ１５）。ここでは、基準画像生成用の基板９と検査対象の基板９とが同一であるため、ステップＳ１５の処理は、図４のステップＳ２１にて既に完了している。続いて、図２の基板９上の被検査ダイ（図２中にて符号９１ｄを付すダイ）の近傍へと撮像部３１が基板９に対して相対的に移動し、図８に示す被検査ダイ９１ｄの被検査領域（図８中にて平行斜線を付す領域Ａ３）を含む帯領域９１１ｄ上を撮像部３１が通過することにより、被検査領域Ａ３を示す被検査画像が取得される（ステップＳ１６）。なお、図８では、基準帯領域画像に対応する領域を二点鎖線の矩形にて示している。
【００４３】
このとき、図１の撮像部３１は、切替部５０により欠陥検出部５１２側へと接続されており、被検査画像の画素値は部分画像抽出部５１１および欠陥検出部５１２の比較部５１３へと順次出力される。部分画像抽出部５１１では、入力される画素値に対応する部分画像中の画素値が比較部５１３へと出力され、比較部５１３にて被検査画像の各画素値と部分画像の対応する画素値との差の絶対値（差分絶対値）が算出される。差分絶対値が所定の閾値よりも大きい場合にはこの画素値に対応する被検査領域Ａ３中の位置が欠陥の要素であるとされ、欠陥を示す値が欠陥情報メモリ５１４に出力され、差分絶対値が閾値以下である場合にはこの画素値に対応する被検査領域Ａ３中の位置が正常であるとされ、正常（非欠陥）を示す値が欠陥情報メモリ５１４に出力される。これにより、被検査領域Ａ３中の欠陥（すなわち、互いに隣接する欠陥の要素の集合）を示す欠陥画像が生成され、基板９上の被検査領域Ａ３中のパターンの欠陥が検出される（ステップＳ１７）。欠陥検出の結果はコンピュータ４に出力され、コンピュータ４が有する記憶部にて記憶されるとともに、必要に応じて表示部４２にて表示される。なお、被検査領域Ａ３中に欠陥が存在しない場合には、全ての画素が非欠陥を示す値を有する欠陥画像が取得される。以下の説明では、基板９上のパターンの欠陥検出は、欠陥が検出されない（すなわち、全ての画素が非欠陥を示す値を有する欠陥画像が生成される）場合も含むものとする。
【００４４】
実際には、欠陥検出装置１では、複数の被検査ダイ９１が選択されており（ステップＳ１８）、他の被検査ダイ９１についても同様に被検査画像が取得され（ステップＳ１６）、被検査画像と部分画像とを比較することにより被検査領域中の欠陥が検出される（ステップＳ１７）。また、必要に応じて他の基板９（例えば、同一ロットまたは異なるロットに含まれる基板９と同じ回路形成段階の基板）に対しても、上記ステップＳ１５〜Ｓ１８の処理が繰り返される（ステップＳ１９）。これにより、複数の基板上のパターンの欠陥検出が短時間にて行われることとなる。
【００４５】
ここで、図９に示す比較例の欠陥検出装置９２について述べる。図９の欠陥検出装置９２は、図１の欠陥検出装置１において記憶部５３および基準画像生成部５２を省略し、部分画像抽出部５１１を１つの帯領域画像（１つのスワスの画像）が記憶可能な画像メモリ９２１に置き換えたものである。比較例の欠陥検出装置９２において、図１０に示す被検査ダイ９３（図１０中にて平行斜線を付して示す。）を検査する際には、図１０中に符号９４を付して示す参照ダイの一の帯領域を撮像して帯領域画像が画像メモリ９２１にて記憶され、基板９５上の複数の被検査ダイ９３の対応する帯領域の帯領域画像を順次取得しつつ、欠陥検出部５１２にて参照ダイ９４の帯領域画像と比較することにより、各被検査ダイ９３の欠陥が検出される（いわゆる、Die-to-AnyDie方式の欠陥検出）。ところが、Die-to-AnyDie方式の欠陥検出においては、参照ダイ自体に偶発的な欠陥が存在する場合には、被検査ダイにおいて対応する部位が欠陥ではないにもかかわらず欠陥として検出されてしまう（虚報が発生する。）。また、Die-to-AnyDie方式の欠陥検出において複数の基板を検査する際には、各基板において、参照ダイを撮像して画像メモリ９２１にて記憶する動作が行われる。
【００４６】
これに対し、図１の欠陥検出装置１では、複数の選択ダイを撮像機構３にて帯領域毎に撮像することにより取得された複数の選択画像において、互いに対応する画素値の代表値を求めることにより適切な（欠陥がほとんど無い）基準画像が生成されて記憶部５３にて記憶される。そして、基準画像から被検査領域に対応する部分を含む部分画像が抽出されるとともに、被検査領域を示す被検査画像が撮像機構３により取得され、部分画像と被検査画像とが欠陥検出部５１２にて比較される。このように、帯領域の画像を取得する高解像度の撮像機構３を有する欠陥検出装置１において、いわゆる、ゴールデンテンプレート方式の欠陥検出が行われることにより、被検査領域中の欠陥を精度よくかつ容易に検出することが可能となる。
【００４７】
また、複数の基板９を検査する場合であっても、欠陥検出装置１では、同一の基準画像が複数の基板９の欠陥検出に繰り返し利用されるため（Die-to-AnyWafer方式の欠陥検出が行われるため）、Die-to-AnyDie方式の欠陥検出と比較して、複数の基板９の検査を短時間にて行うことができるとともに、複数のロットに含まれる複数の基板９に対して絶対的な評価が可能となり、基板９の質のロット間のばらつきの程度を欠陥検出の観点から認識することができる。
【００４８】
また、図９の比較例の欠陥検出装置９２における他の動作例（いわゆる、Die-to-Die方式の欠陥検出の一例）では、まず、図１０の基板９５において第１参照ダイ９４ａの帯領域を撮像して帯領域画像が画像メモリ９２１にて記憶され、続いて、被検査ダイ９３ａの対応する帯領域を撮像して帯領域画像の各画素値が欠陥検出部５１２および画像メモリ９２１に入力される。これにより、欠陥検出部５１２に被検査ダイ９３ａの帯領域画像の各画素値と、第１参照ダイ９４ａの対応する画素値とが入力されて第１比較結果が取得されるとともに、画像メモリ９２１には被検査ダイ９３ａの帯領域画像が記憶される。続いて、第２参照ダイ９４ｂの帯領域を撮像することにより、被検査ダイ９３ａの帯領域と第２参照ダイ９４ｂの対応する帯領域との第２比較結果が取得され、第１比較結果および第２比較結果に基づいて被検査ダイ９３ａの欠陥が検出される。
【００４９】
一方で、図１１．Ａに示すように、パターン形成時の露光工程（もちろん、他の工程であってもよい。）において、所定のプロセスパラメータ（例えば、フォーカス位置や露光時間）をダイ９６の位置に合わせて漸次変更しつつ各ダイ９６にパターンを形成してプロセス評価用の基板を作製することがあり、このようなプロセス評価用の基板は、露光工程のパラメータの許容範囲である、いわゆるプロセスマージンを取得する際に用いられる。この場合に、上記Die-to-Die方式にて欠陥検出を行うときには、図１１．Ｂに示すように、図１１．Ａに示すプロセスパラメータを変更して形成したダイ（図１１．Ｂ中にて破線の矩形にて囲む複数のダイであり、以下、「評価ダイ９６」という。）を、標準的な条件にて形成したダイ（図１１．Ｂ中にて平行斜線を付すダイであり、以下、「標準ダイ９６ａ」という。）にて挟むようにした基板を準備し、ある評価ダイ９６に対してＹ方向に隣接する２つの標準ダイ９６ａを参照ダイとして評価ダイ９６中の被検査領域の欠陥検出が行われる。この場合、１つの基板上に形成可能な評価ダイ９６の個数が、基板上のダイ数に比べて少なくなり、プロセスパラメータの変更数によっては、複数のプロセス評価用の基板を作製する必要が生じる。また、複数の評価ダイ９６が異なる参照ダイと比較されるため、評価結果がばらつくこともある。
【００５０】
これに対し、図１の欠陥検出装置１では、欠陥検出の基準とされる基準画像が記憶部５３にて記憶され、基準画像から導かれる部分画像と被検査画像とを比較することのみにより被検査領域中の欠陥が容易に検出される。さらに、プロセス評価用の基板に標準ダイを形成する必要がない（すなわち、評価ダイのみを形成すればよい）ため、プロセス評価用の基板を効率よく作製することができ、その結果、プロセスパラメータの変更数が膨大となる場合であっても、プロセス評価用の基板の枚数を低減することができる。また、複数の評価ダイが同一の基準画像と比較されるため、プロセスパラメータの許容範囲を精度よく取得することができる。
【００５１】
図１２は、複数の欠陥検出装置１を有する欠陥検出システム８０を示す図である。図１２の欠陥検出システム８０では、複数の欠陥検出装置１のそれぞれが通信部４６を介して通信網８に接続され、通信網８にはさらに、欠陥検出装置１と通信可能な記憶装置８１が接続される（例えば、ＳＡＮ（Storage Area Network）が構築される。）。各欠陥検出装置１の通信部４６では、通信網８を介して他の欠陥検出装置１の記憶部５３または記憶装置８１に基準画像を送信する、並びに、他の欠陥検出装置１の記憶部５３または記憶装置８１から基準画像を受信することが可能とされる。これにより、一の欠陥検出装置１にて生成された基準画像を他の欠陥検出装置１に直接的に送信する、または、当該基準画像を記憶装置８１に記憶させ、その後、他の欠陥検出装置１にて受信させることにより間接的に送信することができ、複数の欠陥検出装置１および記憶装置８１の間で基準画像を共有することが可能となる。
【００５２】
次に、図１２中の１つの欠陥検出装置１（以下、「注目欠陥検出装置１」という。）における欠陥検出動作の一例について説明する。図１３は、注目欠陥検出装置１が基板９上の欠陥を検出する動作の流れの一部を示す図であり、図６中のステップＳ１５とステップＳ１６との間にて行われる動作を示している。
【００５３】
本動作例では、図６のステップＳ１１にて、他の欠陥検出装置１の記憶部５３または記憶装置８１から注目欠陥検出装置１の通信部４６にて検査対象の基板９上のパターンに対応する基準画像が受信され、記憶部５３にて記憶される。注目欠陥検出装置１にて基準画像が準備されると、続いて、被検査領域の特定に係る処理（ステップＳ１２，Ｓ１３）および部分画像の抽出（ステップＳ１４）が行われ、その後、ステージ２上に検査対象の基板９が載置されて準備される（ステップＳ１５）。
【００５４】
基板９が準備されると、基板９上の所定のダイ９１中の領域（以下、「評価領域」という。）が撮像機構３により撮像され、コンピュータ４の演算部４５にて評価領域を示す画像の画素値の平均値が取得される（図１３：ステップＳ３１）。続いて、基準画像中の評価領域に対応する部分が演算部４５に入力され、画素値の平均値が算出される（ステップＳ３２）。そして、基板９上の評価領域における画素値の平均値と、基準画像の評価領域に対応する部分の画素値の平均値との比が比較結果として取得される（ステップＳ３３）。
【００５５】
演算部４５では、さらに、当該比較結果に基づいて、撮像機構３における撮像条件が変更される（ステップＳ３４）。例えば、比較結果が、評価領域における画素値の平均値が基準画像における画素値の平均値よりも小さいことを示す場合には、撮像部３１における照明部３１１からの光の強度が、比較結果に応じた量だけ大きくなるように、撮像制御部４３における照明部３１１に対する設定パラメータの値が変更される。このようにして、撮像機構３における撮像条件が基準画像に合わせて補正され、取得される画像の明るさが基準画像と同等となる。そして、撮像機構３にて被検査画像を取得しつつ被検査画像と部分画像とが比較され（図６：ステップＳ１６，Ｓ１７）、基板９の被検査領域中の欠陥が検出される。また、必要に応じて、基板９上の他のダイ、または、他の基板９に対して欠陥検出が繰り返される（ステップＳ１８，Ｓ１９）。
【００５６】
以上に説明したように、複数の欠陥検出装置１を有する欠陥検出システム８０では、複数の欠陥検出装置１、および、欠陥検出装置１と通信可能な記憶装置８１が通信網８に接続され、複数の欠陥検出装置１の間で基準画像が共有される。これにより、ある欠陥検出装置１において、検査対象とされる基板９（ある回路形成段階の基板９）に対して必要な基準画像が、他の欠陥検出装置１にて既に取得されている場合に、基準画像を新たに生成することなく欠陥検出を行うことができる。また、各欠陥検出装置１では、他の欠陥検出装置１にて取得された基準画像を利用する際に、撮像機構３における撮像条件が基準画像に合わせて補正される。その結果、基板９上の欠陥を精度よくかつ効率よく検出することが可能となる。なお、撮像条件を基準画像に合わせる上記動作では、画像の画素値の平均値以外に、画素値の中央値等の画像の画素値に関する他の統計値が用いられてもよい。
【００５７】
また、欠陥検出システム８０では、各欠陥検出装置１における記憶部５３が省略され、記憶装置８１が各欠陥検出装置１に対する記憶部として捉えられることにより、複数の欠陥検出装置１において１つの記憶部（記憶装置８１）が共有されてもよい（この場合、基準画像をコピーする動作は行われない。）。
【００５８】
次に、第２の実施の形態に係る欠陥検出装置１について説明する。本実施の形態では、図１の欠陥検出装置１または図１２の欠陥検出装置１が用いられ、欠陥検出の対象物は、液晶表示装置等の表示装置（例えば、自動車に搭載される表示装置）に用いられるガラスの基板とされる。図１４に示すように、ガラスの基板９ａの主面９０ａには、それぞれが表示装置のパネルに対応するとともに一様なパターンを有する複数の単位領域９１Ａが隙間を空けて縦横に整列して設定されており、基板９ａは複数の単位領域９１Ａに従って多面取りされる（すなわち、複数の部位（パネル）に切断される）予定のものである。また、本実施の形態では、撮像機構３における画素分解能が１０マイクロメートル（μｍ）以下とされ、好ましくは、１〜５μｍとされる。
【００５９】
第２の実施の形態における欠陥検出動作は、第１の実施の形態と同様であり、まず、欠陥検出において基準とされる画像である基準画像が準備され（図６：ステップＳ１１）、基準画像を縮小した縮小画像が表示部４２に表示される（ステップＳ１２）。続いて、検査対象の単位領域（以下、「被検査単位領域」という。）、および、被検査領域に対応する縮小画像中の領域を特定する入力が行われ（ステップＳ１３）、基準画像から被検査領域に対応する部分を含む部分画像が抽出される（ステップＳ１４）。部分画像が抽出されると、検査対象の基板９ａがステージ２上に載置されて準備され（ステップＳ１５）、被検査単位領域において、被検査領域を含む帯領域上を撮像部３１が通過することにより、被検査領域を示す被検査画像が取得される（ステップＳ１６）。そして、欠陥検出部５１２において被検査画像と部分画像とを比較することにより被検査領域中の欠陥が検出される（ステップＳ１７）。また、第１の実施の形態と同様に、必要に応じて、基板９ａ上の他の単位領域９１Ａ、または、他の基板に対して欠陥検出が繰り返される（ステップＳ１８，Ｓ１９）。
【００６０】
以上に説明したように、本実施の形態における欠陥検出装置１の撮像機構３では、ラインセンサ３１３をガラスの基板９ａの主面９０ａに沿う移動方向に基板９ａに対して相対的かつ連続的に移動することにより、基板９ａ上の単位領域９１Ａ中の帯領域の画像が高解像度にて取得可能とされる。また、単位領域の全体を実質的に示すとともに欠陥検出の基準とされる基準画像が記憶部５３にて記憶され、欠陥検出の際には、基準画像から被検査領域に対応する部分を含む部分画像が抽出されるとともに、被検査領域を示す被検査画像が撮像機構３により取得され、欠陥検出部５１２にて部分画像と被検査画像とが比較される。これにより、帯領域の画像を取得する高解像度の撮像機構３を有する欠陥検出装置１において、基準画像を用いてガラスの基板９ａ上の被検査領域中の欠陥を容易に検出することが実現される。
【００６１】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【００６２】
上記第１の実施の形態では、基準画像を生成する際に３つの選択ダイ９１ａ〜９１ｃが選択されて３つの選択画像（各選択ダイにおける全ての選択帯領域画像の集合）が取得され、図４のステップＳ２３において、３つの選択画像の互いに対応する画素値のうち値が近い２つの画素値を選択し、他の画素値がエラー値として除外されることにより、欠陥のほとんど無い基準画像の作成が可能となるが、３以上の選択ダイが選択されて選択画像が３以上となる場合に、例えば、これらの選択画像の互いに対応する複数の画素値のうち、最大または／および最小となるものを除外することにより、エラー値が除外されてもよい。すなわち、基準画像生成部５２では、複数の選択画像が３以上である場合に、互いに対応する画素値の代表値を求める前に、これらの画素値の一部を演算から除外して画素値のばらつきを低減する様々な処理が実行されてよく、これにより、より適切な基準画像を生成することが可能となる。
【００６３】
また、欠陥検出の基準とされる基準画像は、基板上の単位領域の全体を実質的に示すものであるならば、設計データ（例えば、ＣＡＤ（Computer Aided Design）データ等）から生成することも可能である。この場合、製造プロセスの条件に依存して生じるパターン（の要素）の形状変化を考慮した補正（例えば、フォトリソグラフィ工程における条件に依存して変化するエッチング後のパターン形状の補正（エッチング補正））を行いつつ、多階調の基準画像が生成される。もちろん、撮像機構３にて取得される複数の選択画像から導かれる基準画像が、操作者により修正され、修正後の基準画像が記憶部５３（または、記憶装置８１）にて記憶されてもよい。
【００６４】
欠陥検出部５１２では、被検査画像と部分画像との互いに対応する画素値の差分絶対値を求めることにより被検査領域中の欠陥が検出されるが、例えば、画素値の差分絶対値を正規化した後に所定のしきい値と比較する等、他の手法により被検査領域中の欠陥が検出されてもよい。すなわち、欠陥検出部５１２では、被検査画像と部分画像とを比較して被検査領域中の欠陥が検出されるのであれば、いかなる手法が用いられてもよい。
【００６５】
欠陥検出システム８０において、通信網８には複数の欠陥検出装置１のみが接続されてもいてもよく、さらに、基準画像を予め記憶する記憶装置８１および１つの欠陥検出装置１のみが通信網８に接続されていてもよい。すなわち、注目欠陥検出装置１と通信可能な記憶装置８１、または、他の欠陥検出装置１が通信網８に接続されていることにより、注目欠陥検出装置１において、他の装置との間で基準画像を共有することが可能となる。
【００６６】
基板を保持する保持部は、必ずしも基板が載置されるステージ２である必要はなく、例えば基板の外縁部を把持することにより基板を保持するものであってもよい。また、撮像機構３は、固定された基板に対して撮像部３１の撮像デバイスであるラインセンサ３１３を主面に沿う移動方向に連続的に移動することにより、帯領域の画像を取得するものであってもよい。さらに、撮像部３１は、例えば、電子線、紫外線、Ｘ線等を利用して画像を取得するものであってもよい。電子線を利用する際には、経時的な電子線量の変化や、ロット間における基板の帯電状態の変動等により、一定の質にて画像を得ることは容易ではないが、図１３の処理にて基準画像に合わせて撮像条件を補正することにより、複数の基板を検査する場合であっても、基準画像に合わせた画質にて複数の被検査画像を再現性よく取得して基板上の欠陥を精度よく検出することが可能となる。また、基準画像に合わせて撮像条件を補正する処理は、欠陥検出装置１が通信網８に接続されているか否かを問わず、撮像機構３のメンテナンスが行われた後に、あるいは、定期的なキャリブレーション等として行われてもよい。
【００６７】
欠陥検出装置１では、記憶部５３がハードディスク駆動装置とされることにより大容量の基準画像が記憶可能とされるが、記憶部５３は複数のハードディスク駆動装置が組み合わされたもの（例えば、ＲＡＩＤ（Redundant Arrays of Inexpensive Disks）を構成したもの）であってもよく、この場合、記憶部５３におけるデータ転送速度の更なる向上を図ることが可能となる。
【００６８】
図６に示す動作の流れは、可能な範囲内で適宜変更されてよく、例えば、検査対象の基板が準備された後に基準画像が準備されてもよい。
【００６９】
基板は必ずしも半導体基板や、表示装置用のガラス基板である必要はなく、主面上の複数の単位領域のそれぞれに単位パターンが形成されたプリント配線基板、リードフレーム、あるいは、フォトマスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】欠陥検出装置の構成を示す図である。
【図２】基板を示す平面図である。
【図３】複数のダイを拡大して示す図である。
【図４】基準画像を生成する処理の流れを示す図である。
【図５】基準画像を示す図である。
【図６】基板上のパターンの欠陥を検出する動作の流れを示す図である。
【図７】縮小画像を示す図である。
【図８】被検査ダイを示す図である。
【図９】比較例の欠陥検出装置の一部を示す図である。
【図１０】比較例の欠陥検出装置における欠陥検出動作を説明するための図である。
【図１１．Ａ】プロセス評価用の基板を説明するための図である。
【図１１．Ｂ】比較例の欠陥検出装置に対するプロセス評価用の基板を示す図である。
【図１２】欠陥検出システムを示す図である。
【図１３】基板上の欠陥を検出する動作の流れの一部を示す図である。
【図１４】ガラスの基板を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１    欠陥検出装置
２    ステージ
３    撮像機構
８    通信網
９，９ａ    基板
４１    受付部
４２    表示部
４６    通信部
５２    基準画像生成部
５３    記憶部
６１    基準画像
６１ａ    縮小画像
８１    記憶装置
９０，９０ａ    主面
９１    ダイ
９１Ａ    単位領域
９１ａ〜９１ｃ    選択ダイ
９１ｄ    被検査ダイ
３１３    ラインセンサ
５１１    部分画像抽出部
５１２    欠陥検出部
６１１，６１１ａ，６１１ｂ    基準帯領域画像
９１１，９１１ａ〜９１１ｄ    帯領域
Ａ３    被検査領域
Ｓ１１〜Ｓ１７，Ｓ２２〜Ｓ２５，Ｓ３１〜Ｓ３４    ステップ
【図１】
2008046012.tif 000003
【図２】
2008046012.tif 000004
【図３】
2008046012.tif 000005
【図４】
2008046012.tif 000006
【図５】
2008046012.tif 000007
【図６】
2008046012.tif 000008
【図７】
2008046012.tif 000009
【図８】
2008046012.tif 000010
【図９】
2008046012.tif 000011
【図１０】
2008046012.tif 000012
【図１１．Ａ】
2008046012.tif 000013
【図１１．Ｂ】
2008046012.tif 000014
【図１２】
2008046012.tif 000015
【図１３】
2008046012.tif 000016
【図１４】
2008046012.tif 000017