(57)【要約】【課題】ウェハー上に微細なパターンを容易に精度よく形成することができ、製造歩留まりも良好なレチクルを提供する。【解決手段】レチクル１０は、基板１１と、基板１１上に設定されたショット領域１２と、ショット領域１２内に形成されたマスクパターン１３と、ショット領域１２外に形成されたマスク倍率情報１４ｘとを備えている。マスクパターン１３を含めたショット領域１２全体は、矢印で示すスキャン方向（Ｙ方向）に伸張されており、そこに形成されるマスクパターン１３のＸ方向のマスク倍率ｍは４倍（ｍ＞１）、Ｙ方向のマスク倍率ｎが８倍（ｎ＞ｍ＞１）に設定されている。このレチクルのＹ方向をスキャン方向として、ウェハーのスキャン速度の２倍の速度でレチクルを動かすことにより、ウェハー上には縦横同比率の所望のパターンが形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャン方式の露光装置に用いられるレチクルであって、所定の偏倍率でスキャン方向に伸張されたマスクパターンを有することを特徴とするレチクル。
【請求項２】
前記マスクパターンの長手方向は、前記スキャン方向よりも前記スキャン方向と直交する方向に近いことを特徴とする請求項１に記載のレチクル。
【請求項３】
前記マスクパターンは、所定のピッチで周期的に配列された繰り返しパターンを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のレチクル。
【請求項４】
前記繰り返しパターンは、ラインアンドスペース、ホール、ピラー、リング状パターン、及びＵ字状パターンのいずれかを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のレチクル。
【請求項５】
前記偏倍率が１倍を超える倍率に設定されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のレチクル。
【請求項６】
周辺部領域に記された前記偏倍率に関する情報をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のレチクル。
【請求項７】
通常のバイナリレチクルであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のレチクル。
【請求項８】
アテニュエート型、オルタナティブ型、又はクロムレス型のいずれかの位相シフトマスクであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のレチクル。
【請求項９】
所定の偏倍率でスキャン方向に伸張されたマスクパターンを有するレチクルを用いてウェハーをステップアンドスキャン方式により露光することを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
前記ウェハーの移動速度及び前記偏倍率に基づいて前記レチクルの移動速度を決定するレチクル移動速度決定ステップと、
前記ウェハーにスリット状の光を照明しながら、前記ウェハーを所定のスキャン速度で移動させると共に、前記ウェハーと同期させながら前記レチクルを前記移動速度で移動させることにより、前記レチクルを露光するスキャン露光ステップとを備えることを特徴とする請求項９に記載の露光方法。
【請求項１１】
前記スキャン方向のマスク倍率をｎ倍（ｎ＞１）、前記スキャン方向と直交する方向のマスク倍率をｍ倍（ｎ＞ｍ＞１）とするとき、
前記レチクル移動速度決定ステップは、前記レチクル移動速度を前記ウェハーの移動速度のｎ倍に設定するステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の露光方法。
【請求項１２】
前記スキャン速度決定ステップの前に、前記レチクル上に記された前記偏倍率に関する情報を読み取る偏倍率情報読み取りステップをさらに備えることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の露光方法。
【請求項１３】
前記スキャン露光ステップの前に、前記偏倍率に関する情報に基づいて前記ウェハーの向きを調整するウェハー方向調整ステップをさらに備えることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１４】
所定の偏倍率でスキャン方向に伸張されたマスクパターンを有するレチクルを用いて、ウェハーをステップアンドスキャン方式により露光する露光装置であって、
前記レチクルにスリット状の光を照明する照明光学系と、
前記レチクルを通過した光を前記ウェハー上に縮小投影する縮小投影光学系と、
前記レチクルの前記一方のマスク倍率に応じた所定のスキャン速度で前記ウェハーをスキャン露光するスキャン露光手段とを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１５】
前記スキャン露光手段は、
前記レチクルが搭載されたレチクルステージと、
前記ウェハーが搭載されたウェハーステージと、
前記レチクルステージと前記ウェハーステージとを互いに同期させながら逆方向に移動させるスキャン制御手段とを備えることを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記スキャン方向のマスク倍率をｎ倍（ｎ＞１）、前記スキャン方向と直交する方向のマスク倍率をｍ倍（ｎ＞ｍ＞１）とするとき、
前記スキャン露光手段は、前記レチクルステージの移動速度を前記ウェハーステージの移動速度のｎ倍に設定することを特徴とする請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記レチクル上に記された前記偏倍率に関する情報を読み取る偏倍率情報読み取り手段と、前記ウェハーの移動速度及び前記偏倍率に関する情報に基づいて前記レチクルステージの移動速度を決定するスキャン速度決定手段とをさらに備えることを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記ウェハーステージがウェハー回転手段をさらに含み、前記ウェハー回転手段は、前記偏倍率に関する情報に基づいて前記ウェハーの向きを調整することを特徴とする請求項１７に記載の露光装置。
【請求項１９】
液浸露光方式により前記ウェハーを露光することを特徴とする請求項１４乃至１８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
変形照明方式により前記ウェハーを露光することを特徴とする請求項１４乃至１９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２１】
ウェハー上に投影される縦横同比率の実パターンの作図を支援する実パターン作成支援ステップと、
前記実パターンをもとに補助パターンを生成する補助パターン生成ステップと、
前記実パターン及び補助パターンの合成パターンを生成する合成パターン生成ステップと、
前記合成パターンの縦方向及び横方向の寸法をそれぞれ所定のマスク倍率で変換する変換ステップとを備えることを特徴とするレチクルのパターン作成方法。
【請求項２２】
前記実パターン作成支援ステップは、前記実パターン及びその寸法表示用目盛りを縦横同比率で表示するステップを含み、
前記変換ステップは、前記合成パターンを縦横同比率で表示すると共に、その寸法表示用目盛りを拡大後の寸法で表示するステップを含むことを特徴とする請求項２１に記載のレチクルのパターン作成方法。
【請求項２３】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のレチクルを用いたパターンの形成方法であって、
ウェハー上に第１の配線パターンを形成するステップと、
レチクルをスキャンする方向は同一方向としたまま、前記ウェハーを回転させて、前記ウェハー上に前記第１の配線パターンと略直交する第２の配線パターンを形成するステップとを備えることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２４】
縦方向及び横方向のマスク倍率が等しいレチクルを用いてパターンを形成する通常パターン形成ステップと、
縦方向及び横方向のマスク倍率が異なるレチクルを用いてパターンを形成する高解像パターン形成ステップとを含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２５】
繰り返しパターンを有するウェハー上に当該パターンに合わせてホールパターンを形成する際、前記繰り返しパターンの長手方向と直交する方向にスキャン露光することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２６】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載のレチクルを用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２７】
請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の露光方法を用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２８】
請求項２３乃至２５のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハー上に高精細なパターンを転写することが可能なレチクル、当該レチクルを用いたスキャン露光方法及び装置、並びに、当該レチクルのパターン作成方法、パターン形成方法及び半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ウェハー上に形成したレジスト等の感光性材料に微細な回路パターンを転写するための縮小投影露光装置としてステッパーが広く利用されている。ステッパーはステップアンドリピート方式の露光装置であり、図１７（ａ）に示すように、光源を含む照明光学系４１と、レチクル（フォトマスク）４２と、縮小投影光学系４３とを備えている。ステッパーでは、レチクル４２上の回路パターンをウェハー４４の面上に縮小投影して、パターンをウェハー４４上に一括転写する。そして、１ショットの露光が終了すると、ウェハー４４が載ったステージを所定量だけステップさせて再び露光を行い、これを繰り返すことにより、ウェハー４４全体の露光を行っている。
【０００３】
近年、半導体デバイスの高集積化に伴い、ウェハーの微細加工に対する要求もますます厳しくなってきている。また、チップサイズの大型化により、ステッパーには大口径で高ＮＡの投影レンズが要求されている。しかし、ステッパーにおいて、１ショットで露光可能なフィールド（露光フィールド）の大きさは投影レンズの口径や収差に大きく依存し、レンズ口径が大きくなるほどレンズ収差も大きくなることから、高解像度を維持しながらより広い露光フィールドを確保することが困難となってきている。
【０００４】
そこで最近、高解像度で露光フィールドも広いステップアンドスキャン方式の露光装置が利用されている（特許文献１参照）。この露光装置はスキャナーと呼ばれ、図１７（ｂ）に示すように、スリット状の照明エリアを形成するためのレチクルブラインド４６をさらに備え、１回の露光はレチクル４２とウェハー４４とを縮小投影光学系４３の縮小投影倍率に応じた所定の速度で同期スキャンすることにより行われる。そして、１スキャンの露光が終了すると、ウェハーが載ったステージを所定量だけステップさせて再び露光を行い、これを繰り返すことにより、ウェハー全体の露光を行っている。スキャナーでは、レンズ収差の少ない部分だけを使用するので、スリットの長さ方向の露光フィールドを大きく取ることができ、結果として大きな露光フィールドを確保することができる。したがって、チップ全面を同時に露光するステッパーよりも高精細なパターンを転写することが可能である。
【特許文献１】特開平９−１６７７３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のステッパーやスキャナーを用いたウェハーの加工では、縮小投影光学系（投影レンズ）の縮小倍率に合わせ、４〜５倍に拡大された回路パターンが形成されたレチクルが利用されている。図１８に示すように、従来のレチクル５０では、マスクパターン５１の拡大倍率（マスク倍率）がＸＹ方向共に同一（例えば４×４倍）に設定されており、このレチクル５０を通過した光をウェハー上で忠実に再現することによって、ウェハー上に微細パターンを形成している。
【０００６】
しかしながら、半導体デバイスの微細化に伴い、パターンピッチはますます狭くなり、所望の解像度を得ることが困難となっている。また、レチクル上のパターンが小さくなればなるほど、回折光の回折角度が大きくなるため、投影レンズ内に光を取り込むことが困難となり、所望のパターンを得られないという問題がある。さらに、パターンの微細化によってレチクル自体の製造歩留まりの低下、デリバリショートの問題も顕在化してきている。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、ウェハー上に微細なパターンを形成することができ、製造歩留まりも良好なレチクルを提供することにある。
【０００８】
本発明の目的はまた、そのようなレチクルを容易に作成する方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の目的はまた、そのようなレチクルを用いてステップアンドスキャン露光方式で高精細なパターンを形成する改良された露光方法及び露光装置を提供することにある。
【００１０】
本発明の目的はまた、ウェハー上に微細なパターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の目的はまた、集積度が高く高性能な半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の上記目的は、スキャン方式の露光装置に用いられるレチクルであって、所定の偏倍率でスキャン方向に伸張されたマスクパターンを有することを特徴とするレチクルによって達成される。
【００１３】
本発明のレチクルによれば、その縦横寸法が偏倍されていることから、その偏倍方向に対してそのマスク倍率に応じたスキャン速度でステップアンドスキャン方式によるウェハーの露光を行った場合には、縦横方向共に同一のマスク倍率を有する通常のレチクルを用いてスキャン露光を行った場合よりも高精細なパターンを転写することができる。また、通常のレチクルに比べて、一方向のパターン及びスペースの幅が伸張されていることから、レチクル上のパターンの加工精度に余裕を持たせることができる。
【００１４】
本発明において、前記マスクパターンの長手方向は、前記スキャン方向よりも前記スキャン方向と直交する方向に近いことが好ましく、前記マスクパターンは、所定のピッチで周期的に配列された繰り返しパターンを含むことが好ましい。パターンの解像度は、最小加工寸法のピッチで繰り返し形成されるラインアンドスペースなどの繰り返しパターンを形成する場合に特に問題となるが、本発明のように、レチクル上のマスクパターンの幅をスキャン方向に伸張した場合には、本発明による顕著な効果を得ることができる。繰り返しパターンとしては、ラインアンドスペース、密集ホール、密集ピラーパターン、リング状パターン、及びＵ字状パターンのいずれかを含むことが好ましい。
【００１５】
本発明のレチクルは、周辺部領域に記された前記偏倍率に関する情報をさらに備えることが好ましい。レチクル上に偏倍率に関する情報が記録されていれば、露光装置にレチクルがセットされたときに当該レチクルの偏倍率を読み出すことができ、この偏倍率をもとにウェハーのスキャン速度を自動算出し、露光するウェハーの向きを所望の向きに調整することが可能となる。
【００１６】
なお、本発明のレチクルは、通常のバイナリレチクルであってもよく、ＯＰＣマスクであってもよく、アテニュエート型、オルタナディブ型、又はクロムレス型のいずれかの位相シフトマスクであってもよく、これらの組み合わせであってもよい。
【００１７】
本発明の上記目的はまた、所定の偏倍率でスキャン方向に伸張されたマスクパターンを有するレチクルを用いてウェハーをステップアンドスキャン方式により露光することを特徴とする露光方法によっても達成される。
【００１８】
本発明においては、前記ウェハーの移動速度及び前記偏倍率に基づいて前記レチクルの移動速度を決定するレチクル移動速度決定ステップと、前記ウェハーにスリット状の光を照明しながら、前記ウェハーを所定のスキャン速度で移動させると共に、前記ウェハーと同期させながら前記レチクルを前記移動速度で移動させることにより、前記レチクルを露光するスキャン露光ステップとを備えることが好ましい。これによれば、縦横方向のマスク倍率が異なる偏倍レチクルを用いて、レチクルのスキャン方向をマスクパターンの伸張方向に設定し、スキャン方向のマスク倍率に基づいて決定された所定の速度でレチクルを動かしながら、ウェハーをスキャン露光することから、通常のレチクルを用いてスキャン露光を行った場合よりも高精細なパターンを転写することができる。なお、前記スキャン方向のマスク倍率をｎ倍（ｎ＞１）、前記スキャン方向と直交する方向のマスク倍率をｍ倍（ｎ＞ｍ＞１）とするとき、前記レチクル移動速度決定ステップは、前記レチクル移動速度を前記ウェハーの移動速度のｎ倍に設定するステップを含むことが好ましい。
【００１９】
本発明においては、前記スキャン速度決定ステップの前に、前記レチクル上に記された前記偏倍率に関する情報を読み取る偏倍率情報読み取りステップをさらに備えることが好ましい。露光装置にレチクルがセットされたとき、当該レチクルのマスク倍率情報を読み出すことにより、マスク倍率情報をもとにウェハーのスキャン速度を自動算出することが可能となる。
【００２０】
本発明においては、前記スキャン露光ステップの前に、前記偏倍率に関する情報に基づいて前記ウェハーの向きを調整するウェハー方向調整ステップをさらに備えることが好ましい。偏倍レチクルの場合、マスクパターンの伸張方向をスキャン方向に合わせなければならないが、ウェハーの向きを調整する場合には、レチクルの向きを調整する必要がないため、レチクルの取り扱いが容易となる。
【００２１】
本発明の上記目的はまた、所定の偏倍率でスキャン方向に伸張されたマスクパターンを有するレチクルを用いて、ウェハーをステップアンドスキャン方式により露光する露光装置であって、前記レチクルにスリット状の光を照明する照明光学系と、前記レチクルを通過した光を前記ウェハー上に縮小投影する縮小投影光学系と、前記レチクルの前記一方のマスク倍率に応じた所定のスキャン速度で前記ウェハーをスキャン露光するスキャン露光手段とを備えることを特徴とする露光装置によって達成される。
【００２２】
本発明において、前記スキャン露光手段は、前記レチクルが搭載されたレチクルステージと、前記ウェハーが搭載されたウェハーステージと、前記レチクルステージと前記ウェハーステージとを互いに同期させながら逆方向に移動させるスキャン制御手段とを備えることが好ましい。この場合において、前記スキャン方向のマスク倍率をｎ倍（ｎ＞１）、前記スキャン方向と直交する方向のマスク倍率をｍ倍（ｎ＞ｍ＞１）とするとき、前記スキャン露光手段は、前記レチクルステージの移動速度を前記ウェハーステージの移動速度のｎ倍に設定することが好ましい。
【００２３】
本発明の露光装置によれば、縦横寸法が偏倍されたレチクルを用いて、その偏倍方向に対してｍ倍速のスキャン速度でステップアンドスキャン方式による露光を行うことから、縦方向及び横方向のマスク倍率が等しい通常のレチクルを用いてスキャン露光を行った場合よりも高精細なパターンを転写することができる。
【００２４】
本発明の露光装置は、前記レチクル上に記された前記偏倍率に関する情報を読み取る偏倍率情報読み取り手段と、前記ウェハーの移動速度及び前記偏倍率に関する情報に基づいて前記レチクルステージの移動速度を決定するスキャン速度決定手段とをさらに備えることが好ましい。露光装置にレチクルがセットされたとき、当該レチクルの偏倍率に関する情報を読み出すことにより、レチクルの移動速度を自動算出することが可能となり、偏倍率に関する情報を手動で入力する手間を省略することができる。
【００２５】
本発明の露光装置は、前記ウェハーステージがウェハー回転手段をさらに含み、前記ウェハー回転手段は、前記偏倍率に関する情報に基づいて前記ウェハーの向きを調整することが好ましい。縦横寸法が偏倍されたレチクルの場合、パターンの伸張方向をスキャン方向に合わせなければならないが、ウェハーの向きを調整する場合には、レチクルの向きを調整する必要がないため、レチクルの取り扱いが容易となる。
【００２６】
なお、本発明の露光装置は、液浸露光方式であってもよく、変形照明方式であってもよく、これらの組み合わせであってもよい。
【００２７】
本発明の上記目的はまた、ウェハー上に投影される縦横同比率の実パターンの作図を支援する実パターン作成支援ステップと、前記実パターンをもとに補助パターンを生成する補助パターン生成ステップと、前記実パターン及び補助パターンの合成パターンを生成する合成パターン生成ステップと、前記合成パターンの縦方向及び横方向の寸法をそれぞれ所定のマスク倍率で変換する変換ステップとを備えることを特徴とするレチクルのパターン作成方法によっても達成される。この場合において、前記実パターン作成支援ステップは、前記実パターン及びその寸法表示用目盛りを縦横同比率で表示するステップを含み、前記変換ステップは、前記合成パターンを縦横同比率で表示すると共に、その寸法表示用目盛りを拡大後の寸法で表示するステップを含むことが好ましい。この方法によれば、偏倍パターンの形状を意識することなく、パターンの作図画面上では実パターンと相似のパターンとして取り扱うことができる。
【００２８】
本発明の上記目的はまた、本発明に係るレチクルを用いたパターンの形成方法であって、ウェハー上に第１の配線パターンを形成するステップと、レチクルをスキャンする方向は同一方向としたまま、前記ウェハーを回転させて、前記ウェハー上に前記第１の配線パターンと略直交する第２の配線パターンを形成するステップとを備えることを特徴とするパターン形成方法によっても達成される。
【００２９】
本発明の上記目的はまた、縦方向及び横方向のマスク倍率が等しいレチクルを用いてパターンを形成する通常パターン形成ステップと、縦方向及び横方向のマスク倍率が異なるレチクルを用いてパターンを形成する高解像パターン形成ステップとを含むことを特徴とするパターン形成方法によっても達成される。
【００３０】
本発明の上記目的はまた、繰り返しパターンを有するウェハー上に当該パターンに合わせてホールパターンを形成する際、前記繰り返しパターンの長手方向と直交する方向にスキャン露光することを特徴とするパターン形成方法によっても達成される。
【００３１】
本発明の上記目的はまた、本発明に係るレチクルを用いて製造された半導体装置によっても達成される。これによれば、集積度が高く且つ高性能な半導体装置を実現することができる。
【００３２】
本発明の上記目的はまた、本発明に係る露光方法を用いて製造されたことを特徴とする半導体装置によっても達成される。これによれば、集積度が高く且つ高性能な半導体装置を実現することができる。
【００３３】
本発明の上記目的はまた、本発明に係るパターン形成方法を用いて製造されたことを特徴とする半導体装置によっても達成される。これによれば、集積度が高く高性能な半導体装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、ウェハー上に微細なパターンを形成することができ、製造歩留まりも良好なレチクルを提供することができる。
【００３５】
また、本発明によれば、ウェハー上に微細なパターンを形成することができ、製造歩留まりも良好なレチクルの作成方法を提供することができる。
【００３６】
また、本発明によれば、Ｘ方向及びＹ方向のマスク倍率が異なるレチクルを用いて、ステップアンドスキャン方式で高精細なパターンを形成することが可能な露光方法及び露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００３８】
図１は、本発明の好ましい実施形態に係るレチクルの構成を示す略平面図である。また、図２はレチクルの部分断面図である。
【００３９】
図１に示すように、このレチクル１０は、基板１１と、基板１１上に設定されたショット領域１２と、ショット領域１２内に形成されたマスクパターン１３と、ショット領域１２の周辺部領域（レクト領域）１４に形成されたマスク倍率情報１４ｘとを備えている。本実施形態のレチクル１０には、図示のように、ショット領域１２内に１チップ分のパターンが４面付けされており、１ショットで４チップ分の露光が可能である。
【００４０】
基板１１はマスクブランクスとも呼ばれ、透明な石英基板やガラス基板で構成されている。図２に示すように、石英基板の表面はクロム（Ｃｒ）等の遮光膜１３ａで部分的に覆われており、これによりマスクパターン１３が形成される。マスクパターン１３は、ネガティブパターンであってもよく、ポジティブパターンであってもよい。
【００４１】
また、本実施形態のレチクル１０は、図１及び図２に示した通常のバイナリレチクルであってもよく、図３に示すようなマスクパターン１３の周囲にＯＰＣ補助パターン１３ｂが形成されたＯＰＣ（Optical Proximity effect Correction：光学的近接効果補正）マスクであってもよい。また、図４（ａ）に示すような半遮光膜１３ｃを用いたハーフトーン型（アテニュエート型ともいう）の位相シフトマスクであってもよく、図４（ｂ）に示すような薄膜（位相シフタ）１３ｄ等を用いたレベンソン型（オルタナティブ型ともいう）の位相シフトマスクであってもよい。また、クロム（Ｃｒ）の遮光膜を全く用いないクロムレス型の位相シフトマスクであってもよい。さらには、これらの組み合わせであってもよい。
【００４２】
本実施形態においては、図１に示すように、各マスクパターン１３を含めたショット領域１２全体が矢印で示すスキャン方向（Ｙ方向）に伸張されており、ショット領域１２内に形成されるマスクパターン１３のＸ方向及びＹ方向のマスク倍率もそれぞれ異なっている。例えば、図示のマスクパターン１３のマスク倍率は、Ｘ方向に４倍、Ｙ方向に８倍に設定されている。本実施形態においては、このようなＸ方向とＹ方向のマスク倍率が異なるレチクル（以下、偏倍レチクルという）を用いてステップアンドスキャン方式の露光を行う際、Ｙ方向をスキャン方向とし、レチクルのＹ方向への移動をウェハーのスキャン速度の８倍速で行うことにより、縦横同比率の高精細なパターンをウェハー上に転写することができる。
【００４３】
レクト領域１４は、位置決めマークの形成領域として利用される他、マスク倍率情報１４ｘの記録領域としても利用される。特に、本実施形態においては、マスク倍率情報１４ｘ自体が位置決めマークとして用いられている。マスク倍率情報１４ｘは、レチクルのＸ方向及びＹ方向のマスク倍率を示す情報であって、例えば、数字、符号、バーコードといった形式で記録される。通常、レチクルのＸ方向とＹ方向のマスク倍率は同じであるが、偏倍レチクルではＸＹ方向のマスク倍率がそれぞれ異なる。スキャナーは、このマスク倍率情報１４ｘを読み出し、マスク倍率情報１４ｘから偏倍率を求めることによりスキャン速度を決定する。なお、Ｘ方向のマスク倍率は、当該レチクルが使用される露光装置のレンズ倍率に基づいて一義的に定まるため、Ｙ方向のマスク倍率のみを設定しておいてもよく、Ｘ方向（スキャン方向と直交する方向）に対するＹ方向（スキャン方向）の偏倍率としてレクト領域１４に記録してもよい。この場合、レチクル１０の偏倍率は"２"となる。また、Ｘ方向及びＹ方向それぞれのマスク倍率は、レチクル１０の偏倍率に関する情報として取り扱うことができる。
【００４４】
図５（ａ）及び（ｂ）は、偏倍レチクル１０上のマスクパターン１３をウェハー上に縮小投影される実パターンと対比しながら示す略平面図であって、図５（ａ）はラインアンドスペースの繰り返しパターン、図５（ｂ）はホールパターンについてそれぞれ示している。
【００４５】
図５（ａ）に示すように、ライン１５ａ及びスペース１５ｂの幅が共にＷ１の繰り返しパターンをウェハー上の実パターンとして形成しようとする場合、レチクル上のライン１５ｃ及びスペース１５ｄの幅は共にｎＷ１に設定される。ここで、"ｎ"はＹ方向のマスク倍率である。Ｙ方向のマスク倍率ｎは、Ｘ方向のマスク倍率ｍを超える倍率に設定され、Ｘ方向のマスク倍率ｍは縮小投影光学系（投影レンズ）の縮小倍率と等しく設定される。つまり、ｎ＞ｍ＞１である。したがって、例えば、縮小投影光学系の縮小倍率を４倍とするとき、Ｘ方向のマスク倍率ｍ＝４に設定され、ＸＹ方向の偏倍率ｎ／ｍ＝２とするとき、Ｙ方向のマスク倍率ｎ＝８に設定され、偏倍レチクル上のライン幅１５ｃ及びスペース幅１５ｄは"８Ｗ１"に設定される。このマスクパターンのスキャン方向は、矢印で示すように、ラインアンドスペースの幅方向、つまりラインアンドスペースの延在方向と略直交する方向に設定される。
【００４６】
また、図５（ｂ）に示すように、長さ及び幅が共にＷ２のホールパターン１６ａをウェハー上の実パターンとして形成しようとする場合、レチクル上のホールパターン１６ｂの長さはｍＷ２、幅はｎＷ２にそれぞれ設定される。ここで、"ｍ"はＸ方向のマスク倍率、"ｎ"はＹ方向のマスク倍率である。Ｙ方向のマスク倍率ｎは、Ｘ方向のマスク倍率ｍを超える倍率に設定され、Ｘ方向のマスク倍率ｍは縮小投影光学系（投影レンズ）の縮小倍率と等しく設定される。つまり、ｎ＞ｍ＞１である。したがって、例えば、縮小投影光学系の縮小倍率を４倍とするとき、Ｘ方向のマスク倍率ｍ＝４に設定され、ＸＹ方向の偏倍率ｎ／ｍ＝２とするとき、Ｙ方向のマスク倍率ｎ＝８に設定され、偏倍レチクル上のホールパターン１６ｂの長さは"４Ｗ２"、幅は"８Ｗ２"に設定される。このマスクパターンのスキャン方向は、矢印で示すように、ホールパターンの幅方向、つまりホールパターンの長さ方向と略直交する方向に設定される。ただし、ホールパターンの長さ及び幅が共にＷ２である場合には、どちらの方向を幅方向としてもよい。
【００４７】
図６及び図７は、偏倍レチクルの効果について説明するための模式図であって、図６（ａ）は、Ｘ方向とＹ方向のマスク倍率が等しい通常のレチクル（図１８参照）により形成されるウェハー上のパターン形状、図６（ｂ）は、本実施形態の偏倍レチクルにより形成されるウェハー上のパターン形状をそれぞれ示している。また、図７（ａ）は、通常のレチクルを通過した光の強度分布、図７（ｂ）は、偏倍レチクルを通過した光の強度分布を示している。
【００４８】
図６（ａ）に示すように、マスク倍率が（ｍ×ｍ）倍の通常のレチクルを用いて通常の露光方法によりレチクル上のマスクパターンを転写した場合には、実パターン１７のＸ方向に沿ったエッジ部分のバラツキが大きくなる。これに対し、図６（ｂ）に示すように、マスク倍率が（ｍ×ｎ）倍の偏倍レチクルをウェハーのスキャン速度のｎ倍の速度で動かしてマスクパターンを転写した場合には、実パターン１７のエッジ部分のバラツキを通常レチクルに比べ少なくすることができ、高精細なパターンを形成することができる。
【００４９】
また、図７（ａ）に示すように、マスク倍率が（ｍ×ｍ）倍の通常のレチクルを用いて通常の露光方法によりレチクル上のパターンを転写した場合には、マスクパターン１３を通過した光の強度パターンＬ１の立ち上がり及び立ち下がりはやや緩やかになる。これに対し、図７（ｂ）に示すように、マスク倍率が（ｍ×ｎ）倍の偏倍レチクルをウェハーのスキャン速度のｎ倍の速度で動かしてパターンを転写した場合には、マスクパターン１３を通過した光の強度パターンＬ２の立ち上がり及び立ち下がりが急峻となるので、高精細なパターンを形成することができる。特にマスクパターンの寸法が光の波長に近づくほど、この現象は顕著となる。
【００５０】
したがって、ワード線やデータ線といったラインアンドスペースの繰り返しパターンを狭ピッチで形成する場合には、それらのパターンの延在方向と略直交する方向をスキャン方向に設定し、ラインアンドスペースの幅を縮小投影倍率によって定まる幅よりも広く設定することにより、ラインパターンのエッジ部分のバラツキを抑えることができる。すなわち、微細配線パターンをこのように形成することで、スキャン方向と平行なパターンについて従来と同様の加工精度を確保しつつ、スキャン方向と交差するパターンのエッジ部分のバラツキを抑えることができ、より高精細なパターンを形成することができる。
【００５１】
偏倍レチクルのマスクパターンは、上述のラインアンドスペースやホールに限定されるものではなく、種々の形状が考えられる。例えば、図８（ａ）に示す矩形状（ピラー）であってもよく、図８（ｂ）に示す略リング状のパターンであってもよく、図８（ｃ）に示すＵ字状のパターンであってもよい。また、マスクパターンは、その長手方向が必ずスキャン方向と直交する方向を向いていなくてもよいが、図９に示すように、スキャン方向（Ｙ方向）よりもスキャン方向と直交する方向（Ｘ方向）に近いほうが好ましい。このような向きであれば、直交する場合ほどではないが、ウェハー上に形成されるパターンの解像度を十分に高めることが可能である。
【００５２】
図１０は、偏倍レチクルの作成手順を示すフローチャートである。また、図１１（ａ）及び（ｂ）は、レチクルの作図画面を示す模式図であって、（ａ）は倍率変換前、（ｂ）は倍率変換後をそれぞれ示している。
【００５３】
図１０に示すように、偏倍レチクルの作成では、まずウェハー上に実際に形成されるパターンである実パターンが作成される（Ｓ１０１）。実パターンの作図にはパターン設計用ＣＡＤが用いられ、パターン設計者によるマスクパターンの作図がＣＡＤによって支援される。ここで、実パターン作図用の初期グリッドは、図１１（ａ）に示すように、実パターン１７ｘのＸ方向及びＹ方向ともに同じ刻みの目盛りに設定される。
【００５４】
次に、実パターンをもとに補助パターンが生成される（Ｓ１０２）。補助パターンとしては、例えば、ＯＰＣマスクを形成する場合におけるＯＰＣパターン、位相シフトマスクを作成する場合におけるシフターパターン等を挙げることができる。その後、実データ及び補助パターンデータの合成パターンが作成される（Ｓ１０３）。
【００５５】
次に、合成パターンのＸ方向及びＹ方向のマスク倍率が設定される（Ｓ１０４）。上述の通り、通常のレチクルを作成する場合には、Ｘ方向及びＹ方向のマスク倍率が同一（例えばｍ×ｍ倍）に設定されるが、偏倍レチクルを作成する場合には、Ｘ方向及びＹ方向のいずれか一方のマスク倍率が他方のマスク倍率を超える倍率に設定される。Ｘ方向及びＹ方向のどちらを高倍率に設定するかは、マスクパターンの形状に合わせて決定すればよい。合成パターンにラインアンドスペースの繰り返しパターンが多数存在する場合には、それらのパターンの延在方向と略直交する方向を高倍率に設定ことが好ましい。このようにすれば、ラインパターンのエッジ部分のバラツキを低減することができ、ウェハー上に高精細なパターンを形成することが可能となるからである。また、レチクルを作成するレチクル描画機やレチクル作成時の寸法補正（寸法バイアス）の設定が必要な場合は、マスク倍率の設定（Ｓ１０４）の後、所望の寸法補正を設定することが好ましい。
【００５６】
次に、こうして設定されたＸ方向及びＹ方向のマスク倍率に基づき、合成パターンのＸ方向及びＹ方向の寸法が変換される（Ｓ１０５）。ただし、図１１（ｂ）に示すように、パターンを偏倍する場合であっても、画面上には縦横同比率のパターン１７ｙが表示され、その寸法表示のための目盛りだけが変換されて表示される。したがって、パターン設計者は、偏倍パターンの形状を意識することなく、画面上では実パターンと相似のパターンとして取り扱うことができる。その後、こうして作成された合成パターンを実際にレチクル上に形成することにより（Ｓ１０６）、本実施形態の偏倍レチクルが完成する。
【００５７】
次に、偏倍レチクルを用いたウェハーの露光方法について説明する。
【００５８】
図１２は、偏倍レチクル１０を使用可能なスキャナー２０の構成を示す略斜視図である。
【００５９】
図１２に示すように、このスキャナー２０は、光源２１と、レンズ２２ａ及び２２ｂと、これらのレンズ２２ａ、２２ｂ間に設けられたレチクルブラインド２３と、レンズ２２ｂを通過した光の進路を変更するミラー２４と、コンデンサレンズ２５と、投影レンズ２７とを備えている。そして、光源２１、レンズ２２ａ、２２ｂ、レチクルブラインド２３、ミラー２４、及びコンデンサレンズ２５によってスキャナー２０の照明光学系が構成されており、投影レンズ２７によってスキャナー２０の縮小投影光学系が構成されている。スキャナー２０はまた、マスクパターンが描かれたレチクル１８が搭載されたレチクルステージ２６と、レジスト等の感光体が塗布されたウェハー１９が搭載されたウェハーステージ２８と、レチクルの表面を撮像可能な撮像装置２９と、各部を制御するコントローラ３０を備えている。
【００６０】
光源２１としては、ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ２エキシマレーザ、EUV、Ｘ線等のエネルギー線を使用することができる。レチクル１８はレチクルステージ２６によってＹ方向に移動可能であり、コントローラ３０によりＹ方向の位置及び移動速度Ｖ２が制御される。ウェハー１９はウェハーステージ２８によってＸ方向及びＹ方向に移動可能であり、コントローラ３０によりＸ方向及びＹ方向の位置及びＹ方向の移動速度Ｖ１が制御される。ウェハーステージ２８はまた、ウェハー回転機構を有しており、ウェハー１９の向きを３６０度回転させることが可能である。レチクルステージ２６とウェハーステージ２８は、コントローラ３０によって同期制御されており、ウェハー１９とレチクル１８が互いに同期しながら逆方向に移動することにより、レチクル上のマスクパターン全体が縮小投影される。
【００６１】
光源２１を射出した光はレンズ２２ａを介してレチクルブラインド２３に照射される。レチクルブラインド２３は図示のようにＸ方向に延びたスリット２３ａを有し、これによりスリット状の照明エリア３１が実現されている。レチクルブラインド２３で制限された光は、レンズ２２ｂ、ミラー２４、コンデンサレンズ２５を介してレチクル１８上に照射される。さらに、レチクル１８を通過した光は、投影レンズ２７を通過してウェハー１９上に照射される。
【００６２】
こうして、レチクル１８を通過したスリット状の光でウェハー１９を照明しながら、ウェハー１９を矢印Ｐ１で示すスキャン方向と逆方向に所定の速度Ｖ１で動かすことにより、スリット状の照明エリアはスキャン速度Ｖ１でスキャン方向に移動し、ウェハー上の所定の露光エリア全体がスキャン露光される。一方、レチクル１８については、矢印Ｐ２で示すウェハー１９の移動方向とは逆方向（つまりスキャン方向）に所定の速度Ｖ２で動かすことにより、スリット状の照明エリアがレチクル１８上のマスクパターン全体をスキャンし、マスクパターン全体がウェハー１９上の所定の露光エリアに縮小投影される。
【００６３】
ここで、投影レンズ２７の縮小投影倍率ｍに基づいて設定されたｍ×ｍ倍（ｍ＞１）のマスク倍率を有する通常のレチクルでは、レチクルの移動速度Ｖ２をウェハーの移動速度Ｖ１のｍ倍速、つまりＶ２＝ｍ・Ｖ１とすることにより、マスク倍率に応じた所望のパターンを形成することができる。これに対し、ｍ×ｎ倍（ｎ＞ｍ＞１）のマスク倍率を有する偏倍レチクルでは、レチクルの移動速度Ｖ２をウェハーの移動速度Ｖ１のｎ倍速、つまりＶ２＝ｎ・Ｖ１とすることにより、通常のレチクルと同様、ウェハー上に縦横同比率のパターンを形成することができる。しかも、通常のレチクルに比べてＸ方向に沿ったパターンのエッジ部分のバラツキが少なく、高精細なパターンを形成することができる。
【００６４】
次に、図１３を参照しながら、上述のスキャナー２０を用いたウェハーのスキャン露光手順について説明する。
【００６５】
上述のスキャナー２０を用いてウェハー１９をスキャン露光する場合には、まずレチクルステージ２６上にレチクル１８がセットされる（Ｓ２０１）。特に、偏倍レチクルをセットする場合には、パターンの伸張方向がスキャン方向を向くようにセットされる。次に、撮像装置２９によってレチクル１８上のレクト領域が読み取られ、レクト領域に基づいてレチクル１８とウェハー１９との間の位置合わせが行われると共に、レチクル１８のマスク倍率情報が読み出される（Ｓ２０２）。
【００６６】
レチクル１８とウェハー１９の位置合わせでは、スキャン方向に対するウェハー１９の向きも調整される（Ｓ２０３）。通常のレチクル場合、マスクパターンは縦横同比率であるため、レチクル１８上のマスクパターンの向きには制約がなく、ウェハー１９の向きに合わせてマスクパターンの向きを自由に決定することが可能である。しかし、Ｘ，Ｙ方向のマスク倍率が異なる偏倍レチクルの場合、パターンの伸張方向をスキャン方向に合わせなければならないため、スキャン方向によってマスクパターンの向きが制約され、スキャナー２０にセットされるレチクル１８の向きは自ずと決まってしまう。そのため、ウェハーステージ２８を必要に応じて所定量回転させることにより、ウェハー１９の向きをレチクル１８の向きに合わせることが行われる。
【００６７】
次に、マスク倍率情報に基づいてレチクル１８の移動速度Ｖ２が決定される（Ｓ２０４）。レチクルの移動速度は、ウェハー１９の移動速度Ｖ１及びスキャン方向（Ｙ方向）のマスク倍率に基づいて決定する。例えば、投影レンズ２７の縮小投影倍率ｍに基づいて設定されたｍ×ｍ倍（ｍ＞１）のマスク倍率を有する通常のレチクルでは、その移動速度Ｖ２がウェハーの移動速度Ｖ１のｍ倍、つまりＶ２＝ｍ・Ｖ１に設定される。これにより、マスク倍率に応じた所望のパターンを形成することができる。
【００６８】
これに対し、ｍ×ｎ倍（ｎ＞ｍ＞１）のマスク倍率を有する偏倍レチクルでは、レチクルの移動速度Ｖ２がウェハーの移動速度Ｖ１のｎ倍、つまりＶ２＝ｎ・Ｖ１に設定される。例えば、４×８倍のマスク倍率を有する偏倍レチクルの場合、その移動速度はスキャン速度の８倍に設定される。また、４×１６倍のマスク倍率を有する偏倍レチクルの場合、スキャン速度の１６倍に設定される。これにより、通常のレチクルと同様、ウェハー１９上に縦横同比率のパターンを形成することができる。しかも、通常のレチクルに比べてＸ方向に沿ったパターンのエッジ部分のバラツキが少なく、高精細なパターンを形成することができる。
【００６９】
次に、ウェハー１９がスキャン露光される（Ｓ２０５）。スキャン露光では、スリット状の光束でレチクル１８を照明しながら、レチクルステージ２６及びウェハーステージ２８を互いに逆方向に動かすことにより、ウェハー１９上のスリット状の照明エリアを所定のスキャン速度でＹ方向に移動させる。こうして、レチクル１８全体をスキャンすることにより、レチクル１８上のパターン全体をウェハー１９上に転写する。このとき、通常のレチクルに対してはレチクル１９をＹ方向に速度ｍ・Ｖ１で動かす通常のスキャン露光が行われ、また偏倍レチクルに対してはレチクル１９をＹ方向に速度ｍ・Ｖ１で動かす（ｍ／ｎ）倍速のスキャン露光が行われる。こうして、レチクルのマスク倍率に応じた所定の速度でレチクルをスキャンした場合には、ウェハー上に縦横同比率の高精細なパターンを形成することができる。
【００７０】
以上説明したように、本実施形態によれば、Ｘ方向のマスク倍率がｍ倍（ｎ＞１）、Ｙ方向のマスク倍率がｎ倍（ｎ＞ｍ＞１）に設定された偏倍レチクルを用い、Ｙ方向をスキャン方向として、ウェハーのスキャン速度のｎ倍の速度でレチクルを動かすので、ウェハー上に縦横同比率のパターンを形成することができ、通常のレチクルよりも高精細なパターンを形成することができる。
【００７１】
さらに、本発明の偏倍レチクルは種々のスキャン露光方式に適用可能である。
【００７２】
図１４は、本発明の他の実施形態に係る露光装置の構成を示す模式図である。
【００７３】
図１４に示すように、この露光装置３２は、液浸露光方式を採用するものであり、ウェハーステージ２８に搭載されたウェハー１９と投影レンズ２７との間に純水を供給する純水供給部３３と、この純水を回収する純水回収部３４とを備える点に特徴を有している。通常、投影レンズ２７を急な角度で透過しようとする光は、空気との境界面で反射してしまうため、解像度が上がらないが、水を加えた場合には、光が水との境界面で曲げられ、焦点に達することができるようになり、焦点深度を向上させることができる。この液浸露光方式によれば、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを光源として使用しても、その等価波長（λ／ｎ）が１３４ｎｍとなるため、回路線幅４５ｎｍまでの微細加工が可能となる。
【００７４】
この液浸露光装置３２も、ウェハー１９を移動させてステップアンドスキャン方式で露光するスキャン露光方式を採用するため、本発明の偏倍レチクルを使用することができる。つまり、偏倍レチクルをその偏倍率及びウェハーのスキャン速度に応じた所定の速度で移動させながら、ウェハー１９をスキャン露光することにより、上述したスキャナー２０と同様、高精細なパターンを形成することができる。また特に、液浸露光方式を採用しているため、スキャナー２０よりもさらに高解像度のパターンを得ることができる。
【００７５】
図１５は、本発明のさらに他の実施形態に係る露光装置の構成を示す模式図である。
【００７６】
図１５に示すように、この露光装置３６は、変形照明（オフアクシス照明）方式を採用するものであり、オフアクシス照明を実現するための空間フィルタ３７を備える点に特徴を有している。空間フィルタは、照明光学系のフーリエ変換面に配置されている。光源から放射された光は、空間フィルタ３７に設けられた透過窓３７ａを透過し、コンデンサレンズ２５に入射する。つまり、オフアクシス照明で露光する場合の照明の配置は、光学系の光軸からずれた位置に設けられている。こうして、オフアクシス照明では、図１６に示すように、０次光、±１次光が光学系の光軸の中心からずれて進行するので、光軸の中心から遠いもの（ここでは+１次光）は採用されず、光軸に近い２つの成分（０次光及び−１次光）だけが採用される。これにより、密集パターンのＤＯＦ焦点深度が大きくなり、描画可能条件範囲が広がる。
【００７７】
この変形照明方式の露光装置３６も、ウェハー１９を移動させてステップアンドスキャン方式で露光するスキャン露光方式を採用可能であり、本発明の偏倍レチクルを使用することができる。つまり、偏倍レチクルをその偏倍率及びウェハーのスキャン速度に応じた所定の速度で移動させながら、ウェハー１９をスキャン露光することにより、上述のスキャナー２０と同様、高精細なパターンを形成することができる。また特に、変形照明方式を採用しているため、上述のスキャナー２０よりもさらに高解像度のパターンを得ることができる。さらに、上述の液浸露光方式と変形照明方式を組み合わせれば、より高解像度のパターンを得ることも可能である。
【００７８】
本発明は、以上の実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を加えることが可能であり、これらも本発明の範囲に包含されるものであることは言うまでもない。
【００７９】
例えば、上記実施形態においては、図１２に示したように、投影レンズ２７を用いてスキャナー２０の縮小投影光学系を構成しているが、本発明はこのような構成に限定されるものではなく、ミラー等の反射光学系のみを用いて構成することも可能である。
【００８０】
また、上記実施形態においては、Ｙ方向のマスク倍率がＸ方向のマスク倍率を超える倍率に設定されているが、ＸＹ方向は説明上の便宜的なものであって、Ｘ方向のマスク倍率を高倍率にすることも可能である。ただしこの場合、スキャン方向をＸ方向に設定する必要があることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施形態に係るレチクルの構成を示す略平面図である。
【図２】図２は、図１に示したレチクルの部分断面図である。
【図３】図３は、ＯＰＣマスクの構成を示す略平面図である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は、位相シフトマスクの構成を示す略断面図であり、（ａ）はハーフトーン型、（ｂ）はレベンソン型をそれぞれ示している。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は、偏倍レチクル１０上のマスクパターン１３をウェハー上に縮小投影される実パターンと対比しながら示す略平面図であって、図５（ａ）はラインアンドスペースの繰り返しパターン、図５（ｂ）はホールパターンについてそれぞれ示している。
【図６】図６は、偏倍レチクルの効果について説明するための模式図であって、図６（ａ）は通常のレチクルにより形成されるウェハー上のパターン形状、図６（ｂ）は、本実施形態の偏倍レチクルにより形成されるウェハー上のパターン形状をそれぞれ示している。
【図７】図７は、偏倍レチクルの効果について説明するための模式図であって、図６（ａ）は、通常のレチクルを通過した光の光強度分布、図６（ｂ）は、偏倍レチクルを通過した光の光強度分布を示している。
【図８】図８は、偏倍レチクルのマスクパターンの形状を示す図であり、図８（ａ）は矩形状（ピラー）のパターン、図８（ｂ）は略リング状のパターン、図８（ｃ）はＵ字状のパターンをそれぞれ示している。
【図９】図９は、マスクパターンの向きとスキャン方向との関係を説明するための模式図である。
【図１０】図１０は、偏倍レチクルの作成手順を示すフローチャートである。
【図１１】図１１は、レチクルの作図画面を示す模式図であって、（ａ）は倍率変換前、（ｂ）は倍率変換後をそれぞれ示している。
【図１２】図１２は、偏倍レチクル１０を使用可能なスキャナー２０の構成を概略的に示す斜視図である。
【図１３】図１３は、スキャナー２０を用いたウェハーの露光手順を示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、本発明の他の好ましい実施形態に係る露光装置（液浸露光方式）の構成を示す模式図である。
【図１５】図１５は、本発明の他の好ましい実施形態に係る露光装置（変形照明方式）の構成を示す模式図である。
【図１６】図１６は、変形照明方式の原理を説明するための模式図である。
【図１７】図１７は、従来の露光装置の構成を示す模式図であって、図１７（ａ）はステップアンドリピート方式の露光装置（ステッパー）、図１７（ｂ）は、ステップアンドスキャン方式の露光装置（スキャナー）の構成をそれぞれ示している。
【図１８】図１８は、従来のレチクルの構成を示す略平面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１０    レチクル（偏倍レチクル）
１１    基板
１２    ショット領域
１３    マスクパターン
１３ａ    遮光膜
１３ｂ    ＯＰＣ補助パターン
１３ｃ    半遮光膜
１３ｄ    薄膜（位相シフタ）
１４    周辺部領域（レクト領域）
１４ｘ    マスク倍率情報
１５    マスクパターン
１５ａ    ラインパターン
１５ｂ    スペースパターン
１５ｃ    ラインパターン
１５ｄ    スペースパターン
１６ａ    ホールパターン
１６ｂ    ホールパターン
１７    実パターン
１７ｘ    画面上の実パターン
１７ｙ    画面上の実パターン
１８    レチクル
１９    ウェハー
２０    スキャナー
２１    光源
２２ａ    レンズ
２２ｂ    レンズ
２３    レチクルブラインド
２３ａ    スリット
２４    ミラー
２５    コンデンサレンズ
２６    レチクルステージ
２７    投影レンズ
２７ａ    瞳フィルタ
２８    ウェハーステージ
２９    撮像装置
３０    コントローラ
３１    照明エリア
３２    液浸露光装置
３３    純水供給部
３４    純水回収部
３６    変形照明方式の露光装置
３７    空間フィルタ
３７ａ    透過窓
４１    照明光学系
４２    レチクル
４３    縮小投影光学系
４４    ウェハー
４６    レチクルブラインド
５０    レチクル
５１    マスクパターン
【図１】
2008046210.tif 000003
【図２】
2008046210.tif 000004
【図３】
2008046210.tif 000005
【図４】
2008046210.tif 000006
【図５】
2008046210.tif 000007
【図６】
2008046210.tif 000008
【図７】
2008046210.tif 000009
【図８】
2008046210.tif 000010
【図９】
2008046210.tif 000011
【図１０】
2008046210.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2008046210.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2008046210.tif 000018
【図１７】
2008046210.tif 000019
【図１８】
2008046210.tif 000020