(57)【要約】【課題】無加熱、又は低温法のスパッタリングにより、透明基板の片面上に形成された遮光膜及び着色層からなるカラーフィルタパターン層上に、外部磁極と中心磁極によるスパッタカソードの磁気回路部を備えたスパッタリング装置を用いて透明導電膜を形成するカラーフィルタの製造方法において、透明導電膜の成膜時、無加熱、又は低温法でのスパッタリングでも膜強度・耐環境性・基板の表面段差へのステップカバレッジに優れた透明導電膜を形成できるカラーフィルタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】透明導電膜の成膜時、無加熱、又は低温法であって、スパッタカソードの磁気回路部の外部磁極の磁力が中心磁極の磁力より大きく非平衡としたスパッタリングの製造条件を用いて透明導電膜を形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に遮光層、着色層を順次形成した後に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて透明導電膜を形成するカラーフィルタの製造方法において、カソードの磁気回路が中心部よりも外側の磁力のほうが強い非平衡状態とする装置を用いて透明導電膜を形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【請求項２】
前記透明導電膜は、無加熱のスパッタリング法により形成したのち、アニール処理して形成することを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項３】
前記透明導電膜を形成する前に、研磨により表面を平滑化の処理をすることを特徴とする請求項１、又は２記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項４】
前記透明導電膜を形成する直前に、前処理としてプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項５】
前記プラズマ処理は、大気圧プラズマを用いたものであることを特徴とする請求項４記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項６】
透明基板上に遮光膜、着色層を順次形成した後に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて透明導電膜を形成するカラーフィルタにおいて、前記請求項１乃至５のいずれか１項記載の製造方法により形成したことを特徴とするカラーフィルタ。
【請求項７】
酸化インジウム又は、酸化インジウムを主体とする混合酸化物にて透明導電膜を形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項８】
酸化亜鉛又は、酸化亜鉛を主体とする混合酸化物にて透明導電膜を形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載のカラーフィルタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置（以下ＬＣＤと記す）用カラーフィルタの製造方法に関し、特に透明電極用の透明導電膜の形成方法に係るカラーフィルタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＬＣＤ用カラーフィルタの製造工程を順に説明する。最初の工程は、パターン形成の工程であり、透明基板の片面の遮光膜パターンの開口部にＲ画素パターン、Ｇ画素パターン、Ｂ画素パターンをその順に形成する。
【０００３】
パターンの形成工程は、公知の方法であり、フォトリソ法が一般的である。その工程では、透明基板上への光感光性樹脂を用いたレジスト液の塗布処理と、該レジストへのパターン転写処理と、レジストパターンを形成する現像処理、又はレジストをマスクにしたエッチング処理及びレジスト剥膜処理により形成する。その材料、装置等は公知であり、説明を省略する。
【０００４】
次いで、２番目の工程は、透明電極形成の工程であり、前記Ｒ、Ｇ、Ｂの画素パターン（以下着色層と記す）の表面上に透明導電膜からなる透明電極を形成する。透明導電膜としては、酸化インジウム又は、酸化インジウムを主体とし、酸化スズを添加した混合酸化物（ＩＴＯ）を用いるのが一般的になっている。また、高価なインジウムに代えて酸化亜鉛ＺｎＯを透明電極に用いる技術も提案されている。透明導電膜の形成方法では、スパッタリング槽内を所定の真空度まで減圧したあと、Ａｒガス及び酸素ガスを供給し、スパッタリングターゲットへ荷電し、ＤＣマグネトロンスパッタリング等により成膜形成する。
【０００５】
なお、従来のＬＣＤ用カラーフィルタの透明導電膜の形成では、薄膜形成用の枚葉式インラインスパッタリング装置を使用しＩＴＯ膜を形成することが一般的である。その枚葉式インラインスパッタリング装置は、装置トレイ上に着色層からなる有機膜を形成した透明基板を大気圧下より所定の中真空圧領域まで排気可能な第一真空槽と、所定の中真空圧領域から所定の高真空圧領域まで排気可能で不活性ガス及び酸素ガスを導入可能な第二真空槽と、該所定の高真空圧領域まで排気可能で、且つ不活性ガス及び酸素ガスを導入しながら、スパッタリングターゲットを高電位に維持することで導電性薄膜を形成する第三真空槽と、所定の中真空領域から所定の高真空領域まで排気可能で不活性ガス及び酸素ガスを導入可能な第四真空槽と、大気圧下へ取り出し可能な所定の中真空圧領域まで排気可能な第五真空槽とに分割された真空槽を持つ構造の装置である。
【０００６】
透明基板を装置トレイ上に載置し、薄膜形成パターンを型取ったメタルマスク等を用いて固定したあと、装置投入側より順に装置内へ投入する。装置内では、カラーフィルタの透明基板は、第一真空槽から、第二真空槽／第三真空槽／第四真空槽から、第五真空槽へと移動して、透明導電性の薄膜を形成したカラーフィルタ基材が装置搬出側より順に装置外へ搬出される。
【０００７】
前記第二真空槽では、ＩＴＯ膜の形成環境前真空槽であり、高真空圧の領域は０．０１〜０．０３Ｐａが一般的である。前記第三真空槽は、ＩＴＯ膜の形成環境真空槽であり、０．００１〜０．０１Ｐａ近傍の高真空領域まで排気した真空層内へ、酸素ガス及び不活性ガス、例えばＡｒガスを導入しながら、高真空圧の領域が０．１〜１Ｐａ近傍領域まで増圧することが一般的である。前記ＩＴＯ膜の形成環境真空槽では、平衡なＤＣマグネトロンスパッタリング方式のターゲットに高電位荷電して、スパッタリング方式により導電膜の透明電極を形成する。
【０００８】
前記透明電極の形成では、従来型の非平衡でないスパッタリング装置が広く用いられている。従来型の非平衡でないスパッタリング装置では、スパッタリングの磁気回路部が、中心磁極と外部磁極とで形成され、該中心磁極と外部磁極の双方からでる磁力線が平衡となるように調整し、磁場がトンネル状に閉じる状態でスパッタ膜を形成する設計である。
【０００９】
図３ａ〜ｃは、従来の非平衡でないスパッタリング装置のスパッタリング部分の拡大図である。図３ａは、磁気回路部の斜視図である。磁気回路部１は、中央部には、中心磁極２があり、その外側に中心磁極２を囲むように外部磁極３が形成されている。中心磁極２では、上側がＮ極であり、下面がＳ極で、逆に外部磁極３では、上側がＳ極であり、下面がＮ極で、両磁極の磁力線の強さを同一に調整、すなわち平衡型とする。
【００１０】
図３ｂは、スパッタリング部分の側断面図である。図上段にＲ、Ｇ、Ｂの画素パターン面を下面にしたＬＣＤ用カラーフィルタ１０が載置され、図下段に磁気回路部１が配置され、該磁気回路部１の直上にＩＴＯ膜用のターゲット４が載置されている。なお、図示するように、中心磁極２と外部磁極３の極性は反転されており、中心磁極２と外部磁極３の双方からでる磁力線が平衡となるように調整し、磁場５がトンネル状に閉じる状態でスパッタ膜を形成する設計である。スパッタ膜形成時には、真空中に供給したスパッタリングガス、例えばアルゴンガスがイオン化され、Ａｒイオン３１がターゲットへ衝突し、その衝突エネルギーによりスパッタ粒子３０がターゲットより飛び出し、ＬＣＤ用カラーフィルタ１０の表面に表面拡散しながら堆積する。
【００１１】
図３ｃは、ターゲットより飛び出したスパッタ粒子３０が、ＬＣＤ用カラーフィルタ１０の表面拡散しながら堆積までを説明する概念図である。経路１では、スパッタ粒子３０が真空空間を直進し、ＬＣＤ用カラーフィルタ１０方向へ飛散する。次いで、経路２では、ＬＣＤ用カラーフィルタ１０の表面と衝突し、その近傍で表面拡散しながら、且つ形成済のＩＴＯ膜の内部でバルク拡散しながら堆積しＩＴＯ膜をスパッタリング形成する。
【００１２】
従来型の非平衡でないスパッタリング装置では、中心磁極２と外部磁極３の双方からでる磁力線が平衡となるように調整し、磁場がトンネル状に閉じる状態でスパッタ膜を形成するため、スパッタリング形成時において、経路１の真空空間を直進し、ＬＣＤ用カラーフィルタ１０方向へ飛散するスパッタ粒子３０の持つエネルギーが少なく、そのため表面拡散及びバルク拡散が充分に生じない問題がある。
【００１３】
従来型の非平衡でないスパッタリング装置では、飛散するスパッタ粒子３０の持つエネルギーが少なく、そのため表面拡散及びバルク拡散が充分に生じないため、生成されるＩＴＯ膜は、隙間、又は孔が多く、密度の低い膜質であり、従って、膜強度が低く、耐環境性が弱いという問題がある。
【００１４】
また、ＩＴＯ膜の形状については、ＬＣＤ用カラーフィルタ１０の表面形状・段差に対するステップカバレッジが悪く、例えば段差部の形状がオーバーハングの場合、該オーバーハング部の側面（側壁部）にはＩＴＯ膜が形成されず、ＩＴＯ膜の断線となり、透明電極が導通不良となる問題がある。
【００１５】
図４は、従来のカラーフィルタの表面形状・段差に対するステップカバレッジを説明する側断面図である。段差部１５の形状がオーバーハングの側壁では、表面拡散及びバルク拡散が充分に生じないため、成膜厚が不十分となり、導通不良となる場合が発生する。
【００１６】
前記の膜強度が低いこと、及び耐環境性が弱い問題に対して、従来技術では、成膜時、同時にＬＣＤ用カラーフィルタ１０を加熱する方法が提案されている。この加熱成膜方式
の非平衡でないスパッタリング装置では、基板の加熱装置や昇温安定性を得る付帯装置が必要であり、昇温及び冷却時間の増加により装置稼働率が低下する問題がある。
【００１７】
次いで、３番目の工程は、透明電極へ加熱するアニール工程であり、摂氏２００度〜２４０度の恒温槽に所定時間放置し、十分な電気的光学的特性を付与する。以上の工程により所定の品質を備えたカラーフィルタが製造される。
【００１８】
前記の表面拡散及びバルク拡散が充分に生じない問題に対して、従来型のスパッタリング装置技術では、イオンプレーティング法、バイアススパッタ法、ＲＦ／ＤＣスパッタ法が提案されている。イオンプレーティング法では、大面積の成膜には不向きであり、バイアススパッタ法、ＲＦ／ＤＣスパッタ法では、従来型の非平衡でないＤＣのスパッタリング装置に比べて、複雑となり且つコスト高になる問題がある。
【００１９】
以下に公知文献を記す。
【特許文献１】特開２０００−２４３１６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明の課題は、透明導電膜の成膜において、無加熱、又は低温法でのスパッタリングでも膜強度・耐環境性・基板の表面段差へのステップカバレッジに優れた透明導電膜膜を形成したカラーフィルタ及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の請求項１に係る発明は、透明基板上に遮光層、着色層を順次形成した後に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて透明導電膜を形成するカラーフィルタの製造方法において、カソードの磁気回路が中心部よりも外側の磁力のほうが強い非平衡状態とする装置を用いて透明導電膜を形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法である。
【００２２】
本発明の請求項２に係る発明は、前記透明導電膜は、無加熱のスパッタリング法により形成したのち、アニール処理して形成することを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタの製造方法である。
【００２３】
本発明の請求項３に係る発明は、前記透明導電膜を形成する前に、研磨により表面を平滑化の処理をすることを特徴とする請求項１、又は２記載のカラーフィルタの製造方法である。
【００２４】
本発明の請求項４に係る発明は、前記透明導電膜を形成する直前に、前処理としてプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のカラーフィルタの製造方法である。
【００２５】
本発明の請求項５に係る発明は、前記プラズマ処理は、大気圧プラズマを用いたものであることを特徴とする請求項４記載のカラーフィルタの製造方法である。
【００２６】
本発明の請求項６に係る発明は、透明基板上に遮光膜、着色層を順次形成した後に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて透明導電膜を形成するカラーフィルタにおいて、前記請求項１乃至５のいずれか１項記載の製造方法により形成したことを特徴とするカラーフィルタである。
【００２７】
本発明の請求項７に係る発明は、酸化インジウム又は、酸化インジウムを主体とする混
合酸化物にて透明導電膜を形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載のカラーフィルタの製造方法である。
【００２８】
本発明の請求項８に係る発明は、酸化亜鉛又は、酸化亜鉛を主体とする混合酸化物にて透明導電膜を形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載のカラーフィルタの製造方法である。
【発明の効果】
【００２９】
本発明のカラーフィルタの製造方法によれば、透明導電膜の形成時、磁気回路部を非平衡とすることにより、外部磁極の余分な磁力線は外側（基板方向）へ向かい、すなわち漏れ磁場を形成し、該漏れ磁場によってプラズマの一部を基板方向へ引き出し、そのイオンアシスト等により、スパッタ粒子３０の持つエネルギーが増加し、表面拡散及びバルク拡散が十分に効果を奏し、強固な膜質の透明導電膜が提供できる。
【００３０】
本発明のカラーフィルタの製造方法によれば、透明導電膜の形成時、磁気回路部を非平衡とすることにより、外部磁極の余分な磁力線は外側（基板方向）へ向かい、すなわち漏れ磁場を形成し、該漏れ磁場によってプラズマの一部を基板方向へ引き出し、そのイオンアシスト等により、表面拡散による、又はイオンアシストによる再スパッタ等が十分に効果を奏し、カラーフィルタの表面形状・段差に対するステップカバレッジを確保することができる。
【００３１】
本発明のカラーフィルタでは、透明電極の成膜コストが削減でき、膜強度・耐環境性に優れた透明電極の透明導電膜が提供でき、且つ基板の表面段差へのステップカバレッジに優れた透明導電膜が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明のカラーフィルタ及びその製造方法を透明導電膜としてＩＴＯ膜を用いた場合の一実施形態に基づいて以下説明する。
【００３３】
図１ａは、本発明の非平衡のスパッタリング装置のスパッタリング部分の拡大側断面図である。図１ａは、磁気回路部１を外部磁極３に比べ、中心磁極２の磁力が弱い非平衡な状態にすることで、故意に漏れ磁場６を形成させ、外部磁極３から出る磁力線は、従来型と同様に中心磁極に向かいトンネル状となり、余分の磁力線は漏れ磁場６となり外方に向かい基板に達する。図１ａ上では、トンネル状に閉じる磁場５と、基板に達する漏れ磁場６とが混在する環境を形成している。
【００３４】
図上段に着色層を下面にしたＬＣＤ用カラーフィルタ１０が載置され、図下段に磁気回路部１が配置され、該磁気回路部１の直上にＩＴＯ膜用合金のターゲット４が載置されている。なお、図示するように、中心磁極２と外部磁極３の極性は反転されており、中心磁極２と外部磁極３の双方からでる磁力線が非平衡となるように調整し、トンネル状に閉じる状態の磁場５と、基板に達する漏れ磁場６とが混在する環境でスパッタ膜を形成する。スパッタ膜の形成時は、真空中に供給したスパッタリングガス、例えばアルゴンガスがイオン化され、Ａｒイオン３１がターゲットへ衝突し、その衝突エネルギーによりスパッタ粒子３０がターゲットより飛び出し、基板方向へむかいながら漏れ磁場６によりさらに加速され、十分なエネルギーを貯え、ＬＣＤ用カラーフィルタ１０の表面に表面拡散しながら堆積する。
【００３５】
図１ｂは、磁気回路部の斜視図である。磁気回路部１は、中央部には、中心磁極２があり、その外側に中心磁極２を囲むように外部磁極３が形成されている。中心磁極２では、上側がＮ極であり、下面がＳ極で、逆に外部磁極３では、上側がＳ極であり、下面がＮ極
で、両磁極の磁力線の強さを不同一に調整、すなわち非平衡型とする。本発明の場合は、外部磁極３に比べ、中心磁極２の磁力が弱い非平衡な状態にする。
【００３６】
図１ｃは、ターゲットより飛び出したスパッタ粒子３０が、ＬＣＤ用カラーフィルタ１０の表面を拡散しながら堆積するまでを説明する概念図である。経路１では、漏れ磁場６の影響によりさらに加速され、スパッタ粒子３０が真空空間を超高速で直進し、ＬＣＤ用カラーフィルタ１０方向へ飛散する。次いで、経路２では、十分なエネルギーを貯えたスパッタ粒子３０がＬＣＤ用カラーフィルタ１０の表面と衝突し、その近傍で表面拡散しながら、均一な膜を形成し、且つ既成のＩＴＯ膜の内部でバルク拡散しながら安定した品質の膜を堆積し、ＩＴＯ膜をスパッタリング形成する。同時にＡｒイオン３１が漏れ磁場６の影響により加速され、膜面に衝突する効果もある。Ａｒイオン３１が真空空間を超高速で直進し、十分なエネルギーを貯えたＡｒイオン３１が既成のＩＴＯ膜の表面と衝突し、その近傍のＩＴＯ膜を均一な膜質に形成する。
【００３７】
図２ａは、本発明のカラーフィルタの表面形状・段差に対するステップカバレッジを説明する側断面図である。段差部１５の形状がオーバーハングの側壁では、表面拡散及びバルク拡散が充分に生じるため、成膜厚が十分となり、導通不良等の発生がない。
【００３８】
図２ｂは、その透明電極膜の成膜過程の説明図である。段差部１５では、基板１０の近傍において、漏れ磁場６の影響が効果的であり、ターゲット４方向から飛散したスパッタ粒子３０は、十分に加速され、ＩＴＯ膜１４の表面に衝突し、その表面近傍で表面拡散を繰り返し、垂直及び水平方向へスパッタ粒子３０を分散させ、均一な膜厚を形成、例えば段差部１５では側壁側へ均一な膜厚を形成する。他方、飛散したＡｒイオン３１は、漏れ磁場６により十分に加速され、ＩＴＯ膜１４の表面に衝突し、再度スパッタ粒子３０を放出させ、近傍のＩＴＯ膜１４の表面、例えば側壁面へ再付着させ、側壁面の膜厚を増加する。以上の効果によりカラーフィルタの表面形状・段差に対するステップカバレッジを確保することができる。
【００３９】
以下に、本発明のカラーフィルタの製造方法の具体的な実施例に従って説明する。実施例１では、カラーフィルタの製造方法、実施例２では、実施例１のカラーフィルタ上にＩＴＯ膜を形成した事例である。
【実施例１】
【００４０】
実施例１のカラーフィルタ用の透明基板は、ガラスであり、そのサイズは、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ×０．７ｍｍを使用した。まず、０．７ｍｍ厚のカラーフィルタ用の透明基板上に、公知の方法、例えば、金属クロムを蒸着法により０．１μｍ厚の遮光膜を成膜後、フォトプロセス法により金属クロムの格子パターンの遮光膜層１１を形成した（図２（ａ）参照）。
【００４１】
次いで、本発明のカラーフィルタ用マスクを作成した。マスク用基板がＱＺで、遮光膜がＣｒの単層膜より形成した。Ｃｒの単層膜の厚さは１０００Åである。その幅は１２μｍである。
【００４２】
また、顔料分散樹脂層の形成は、顔料分散樹脂レジストをスピンコート法により、格子パターンの遮光膜層１１付きのカラーフィルタ基板１０の全面へ顔料分散樹脂レジストを１．５μｍ厚さで均一に塗布した後、該レジストを７０℃の温度で２０分間加熱するプリベーク処理をした。顔料分散樹脂レジストはＣＲ−２０００（品番、（株）フジハント社製造）を使用した。露光光の照射処理条件では、カラーフィルタ用マスクを用いて、露光量が１８０ｍＪ／ｃｍ2の条件下で、紫外線露光をした。次いで、専用の現像液を用いて現像処理をした後、該レジストを２３０℃の温度で２０分間加熱するポストベーク処理を
し、Ｒ画素の着色層１２を形成した。
【００４３】
次に、Ｇ画素の着色層１３を形成した。顔料分散樹脂レジストをスピンコート法により、カラーフィルタ基板１０の全面へ顔料分散樹脂レジストを１．７μｍ厚さで均一に塗布した後、該レジストを７０℃の温度で２０分間加熱するプリベーク処理をした。顔料分散樹脂レジストはＣＧ−２０００（品番、（株）フジハント社製造）を使用した。露光光の照射処理条件では、カラーフィルタ用マスクを用いて、露光量が１８０ｍＪ／ｃｍ2の条件下で、紫外線露光をした。次いで、専用の現像液を用いて現像処理をした後、該レジストを２３０℃の温度で２０分間加熱するポストベーク処理をし、Ｇ画素の着色層１３を形成した。
【００４４】
次に、Ｂ画素の着色層を形成した。顔料分散樹脂レジストをスピンコート法により、カラーフィルタ基板１０の全面へ顔料分散樹脂レジストを１．３μｍ厚さで均一に塗布した後、該レジストを７０℃の温度で２０分間加熱するプリベーク処理をした。顔料分散樹脂レジストはＣＢ−２０００（品番、（株）フジハント社製造）を使用した。露光光の照射処理条件では、カラーフィルタ用マスクを用いて、露光量が１８０ｍＪ／ｃｍ2の条件下で、紫外線露光をした。次いで、専用の現像液を用いて現像処理をした後、該レジストを２３０℃の温度で２０分間加熱するポストベーク処理をし、Ｂ画素の着色層を形成した。以上により、カラーフィルタ基板１０は、格子付き遮光膜層１１及びＲＧＢ画素の着色層を区画形成した。
【００４５】
次に、本発明の実施例２では、実施例１のカラーフィルタ上に、ＩＴＯ膜の形成工程を枚葉式インラインスパッタリング装置を用いて実施した例を示す。
【実施例２】
【００４６】
使用した装置は、枚葉式インラインパッタリング装置であり、第一真空槽／第二真空槽／第三真空槽／第四真空槽／第五真空槽から構成されている。最初に、カラーフィルタ基材を装置トレイ上に載置し、メタルマスク等を用いて固定したあと、装置投入側より順に装置内へ投入した。カラーフィルタ用の透明基板は、ガラスであり、そのサイズは、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ×０．７ｍｍを使用、同一パターンの着色部からなる有機膜を形成した実施例１のカラーフィルタを使用した。
【００４７】
装置内では、第一真空槽から、第二真空槽／第三真空槽／第四真空槽を経て、第五真空槽へと移動して、透明導電膜を形成したカラーフィルタが装置搬出側より順に装置外へ搬出された。前記第二真空槽は、形成環境前真空槽であり、装置トレイ上の透明基板を形成環境前真空槽へ移動後に、真空圧を０．００７Ｐａまで排気した。
【００４８】
前記第三真空槽は、形成環境真空槽であり、高真空層内へ、不活性ガス及び酸素ガス、例えばＡｒガスを導入しながら、高真空圧の領域が０．６Ｐａ近傍領域まで増圧した真空圧下において、本発明の非平衡としたスパッタリングの製造条件を用いてプラズマ状態を形成し、膜厚１４００Åに設定し、シート抵抗値を２０Ω／□のＩＴＯ膜を形成するためのスパッタリングを行った。
【００４９】
前記非平衡としたスパッタリング製造条件は、スパッタカソードの磁気回路部の外部磁極と中心部磁場の磁力の比率（外部磁極の磁力／中心部磁場の磁力）を１．３以上、例えば本実施例１では１．３に設定し、非平衡としたスパッタリングの製造条件とした。
【００５０】
前記形成環境真空槽の第三真空槽では、本発明の透明導電膜の形成条件を用いて、非平衡型の漏れ磁場を形成した環境下で成膜した。基板の送り速度は６００ｍｍ／分で前記カラーフィルタの基板上にＩＴＯ膜を形成した。
【００５１】
次いで、ＩＴＯ膜を形成したカラーフィルタでは、透明電極へ加熱するアニール工程を省略した。次いで、形成したＩＴＯ膜を品質試験した。その結果、ＩＴＯ膜の品質は、空孔の少ない緻密な膜質、すなわち膜強度及び耐環境性が良好な膜質であり、表面段差部の視認評価では、ステップカバレッジが向上、すなわちその側壁の成膜厚が十分に形成されていた。
【００５２】
なお、ＩＴＯ膜に代わって、酸化亜鉛又は酸化亜鉛を主体とする混合酸化物にて本発明のカラーフィルタの製造方法にて透明導電膜を形成しても同様の効果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の非平衡のスパッタリング装置のスパッタリング部分の説明図で、ａは、スパッタリング部分の側断面図であり、ｂは、磁気回路部の斜視図であり、ｃは、スパッタ粒子が、ＬＣＤ用カラーフィルタ１０の表面に堆積するまでを示した。側断面図である。
【図２】本発明のカラーフィルタの表面形状・段差に対するステップカバレッジを説明する側断面図で、ａは、ＬＣＤ用カラーフィルタであり、ｂは、その透明電極膜の成膜過程の説明図である。
【図３】従来の非平衡でないスパッタリング装置のスパッタリング部分の拡大図で、ａは、磁気回路部の斜視図であり、ｂは、スパッタリング部分の側断面図であり、ｃは、スパッタ粒子が、ＬＣＤ用カラーフィルタ１０の表面に堆積するまでを示した側断面図である。
【図４】従来のカラーフィルタの表面形状・段差に対するステップカバレッジを説明する側断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１…磁気回路部
２…中心磁極
３…外部磁極
４…ターゲット
５…磁場
６…漏れ磁場
１０…基板、（ＬＣＤ用）カラーフィルタ
１１…遮光膜
１２…着色層
１３…着色層
１４…ＩＴＯ膜、透明電極
１５…段差部
３０…スパッタ粒子
３１…Ａｒイオン
【図１】
2008046604.tif 000003
【図２】
2008046604.tif 000004
【図３】
2008046604.tif 000005
【図４】
2008046604.tif 000006