(57)【要約】【課題】電子部品を安定して実装・固定する。【解決手段】電子部品Ｐが接着材Ｃを介してベース部Ｂに接着されてなる。ベース部Ｂと相対移動する液滴吐出ヘッドを用いて、接着材Ｃを含む液滴をベース部Ｂの電子部品Ｐと対向する領域に電子部品Ｐと略同じ大きさで塗布する塗布工程と、ベース部Ｂに塗布された接着材Ｃ上に電子部品Ｐを搭載する搭載工程とを有する。【選択図】図３
2008117997.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が接着材を介してベース部に接着されてなる電子基板の製造方法であって、
前記ベース部と相対移動する液滴吐出ヘッドを用いて、前記接着材を含む液滴を前記ベース部の前記電子部品と対向する領域に前記電子部品と略同じ大きさで塗布する塗布工程と、
前記ベース部に塗布された前記接着材上に前記電子部品を搭載する搭載工程とを有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子基板の製造方法において、
塗布した前記接着材を、前記搭載工程の前に半硬化状態にする半硬化工程を有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の電子基板の製造方法において、
前記半硬化工程では、前記接着材を含む液滴が硬化するエネルギ量よりも小さいエネルギ量を付与し、
前記搭載工程後に、前記接着材を含む液滴が硬化するエネルギ量を付与することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の電子基板の製造方法において、
前記接着材を含む液滴に、光エネルギと熱エネルギとの少なくとも一方を付与することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の電子基板の製造方法において、
前記ベース部は絶縁材で形成され、
前記接着材は、前記絶縁材であることを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載の電子基板の製造方法において、
前記電子部品に電気的に接続される導電配線を有し、
前記接着材は、前記導電配線を形成する材料を含むことを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の電子基板の製造方法において、
前記導電配線は、絶縁層を介して複数積層して設けられることを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の電子基板の製造方法において、
前記導電配線及び前記絶縁層を、前記液滴吐出ヘッドを用いて成膜することを特徴とする電子基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化・小型化が進むのに伴って、ＩＣチップ等の電子部品を搭載した電子基板においても高密度・高機能化が一層求められている。
この種の技術としては、例えば特許文献１には、基板材に形成された銅配線上に電子部品を搭載し、その上から樹脂で一括して被覆して電子部品埋め込み層を形成し、こうして得られた電子部品埋め込み層を接着剤により積層することで電子基板を製造している。
【特許文献１】特開平３−６９１９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
通常、上記の電子部品は、実装されるベース部に対して接着材により固定される。この接着材は、例えばディスペンサにより電子部品搭載領域内の複数箇所で点状に塗布される。ところが、このように塗布された接着材上に電子部品を実装した場合、接着材は濡れ拡がるものの、電子部品とベース部との間を充填しきれずに隙間が形成されることが多い。
この場合、接着材を硬化させるために加熱したときに、隙間に残ったエアが膨張することにより、硬化した接着材にクラックが入って接着強度が低下する虞があった。
【０００４】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、電子部品を安定して実装・固定できる電子基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の電子基板の製造方法は、電子部品が接着材を介してベース部に接着されてなる電子基板の製造方法であって、前記ベース部と相対移動する液滴吐出ヘッドを用いて、前記接着材を含む液滴を前記ベース部の前記電子部品と対向する領域に前記電子部品と略同じ大きさで塗布する塗布工程と、前記ベース部に塗布された前記接着材上に前記電子部品を搭載する搭載工程とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の電子基板の製造方法では、接着材を含む液滴が前記ベース部に前記電子部品と略同じ大きさで塗布されるため、搭載した電子部品とベース部との間に空気が混入することを回避できる。従って、接着材を硬化するために熱等を付与した場合でも、空気の膨張等に起因してクラックが生じることを防止でき、電子部品の接着強度を安定した状態に維持することが可能になる。
また、本発明では、液滴吐出方式で前記接着材を含む液滴を塗布するため、印刷法やフォトリソ法等のように、マスクやレジスト等を用いることなく、容易に接着材をパターニングすることができ、また消費する接着材に無駄が生じないため、コスト低減にも寄与できる。
【０００６】
また、本発明では、塗布した前記接着材を、前記載置工程の前に半硬化状態にする半硬化工程を有する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、半硬化状態の接着材に対して電子部品を搭載することになるため、電子部品が接着材に密着しやすくなり、接着性を向上させることが可能になる。また、塗布した接着材の粘度や、電子部品搭載時の圧力によっては、電子部品が接着材に埋まることになり、電子部品の側面にも接着材が密着するため、より接着強度を高めることができるとともに、接着材が熱収縮した場合には、その収縮力が電子部品の保持力となるため、一層接着強度を高めることができる。
【０００７】
前記半硬化工程では、前記接着材を含む液滴が硬化するエネルギ量よりも小さいエネルギ量を付与し、前記搭載工程後に、前記接着材を含む液滴が硬化するエネルギ量を付与する手順も好適に採用できる。
この場合、前記接着材を含む液滴に、光エネルギと熱エネルギとの少なくとも一方を付与する構成を採用できる。
従って、本発明の電子基板の製造方法では、前記接着材を含む液滴が硬化するエネルギ量よりも小さいエネルギ量を付与することにより、塗布した接着材を半硬化状態とすることができ、また電子部品搭載後に、追加のエネルギ量を付与することにより、接着材を硬化させて電子部品をベース部に固定することができる。
【０００８】
また、本発明では、前記ベース部は絶縁材で形成され、前記接着材は、前記絶縁材である構成を好適に採用できる。
従って、本発明の電子基板の製造方法では、ベース部と接着材とを同じ材料で形成することができるため、用いる材料の種類を減らすことができ、製造効率の向上に寄与できる。
【０００９】
また、本発明では、前記電子部品に電気的に接続される導電配線を有し、前記接着材は、前記導電配線を形成する材料を含む構成を好適に採用できる。
従って、本発明の電子基板の製造方法では、導電配線と接着材とを同じ材料で形成することができるため、用いる材料の種類を減らすことができ、製造効率の向上に寄与できる。上記の構成においては、前記導電配線が、絶縁層を介して複数積層して設けられる構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、いわゆる多層配線基板を製造するにあたっても、製造効率の向上に寄与できる。
【００１０】
また、本発明では、前記導電配線及び前記絶縁層を、前記液滴吐出ヘッドを用いて成膜する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、多層配線基板を液滴吐出方式のみで成膜、形成することが可能となり、製造効率の向上に寄与できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の電子基板の製造方法の実施の形態を、図１ないし図５を参照して説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１２】
（液滴吐出装置）
まず、本発明に係る電子基板の製造方法において用いられる液滴吐出装置について図１及び図２を参照して説明する。
図１に示す液滴吐出装置１は、基本的にはインクジェット装置である。より具体的には、液滴吐出装置１は、液状材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部（液滴吐出ヘッド）１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、光照射装置１４０と、支持部１０４ａと、を備えている。
【００１３】
吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図２参照）を保持している。このヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、液状材料１１１の液滴を吐出する。なお、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に液状材料１１１が供給される。
ステージ１０６は基板（後述）を固定するための平面を提供している。さらにステージ１０６は、吸引力を用いて基板の位置を固定する機能も有する。
【００１４】
第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施例では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。
【００１５】
第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方と直交する方向である。
【００１６】
上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、基板はステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、基板に対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８（図２参照）は、基板に対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、液状材料１１１を吐出する側と、そこからの吐出物が着弾する側（被吐出部）の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。
【００１７】
制御部１１２は、液状材料１１１の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。なお、吐出データとは、基板上に、液状材料１１１を所定パターンで付与するためのデータである。本実施例では、吐出データはビットマップデータの形態を有している。
【００１８】
上記構成を有する液滴吐出装置１は、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８（図２参照）を基板に対して相対移動させるとともに、被吐出部に向けてノズル１１８から液状材料１１１を吐出する。なお、液滴吐出装置１によるヘッド１１４の相対移動と、ヘッド１１４からの液状材料１１１の吐出と、をまとめて「塗布走査」または「吐出走査」と表記することもある。
光照射装置１４０は、基板に付与された液状材料１１１に紫外光を照射する装置である。光照射装置１４０の紫外光の照射のＯＮ・ＯＦＦは制御部１１２によって制御される。
【００１９】
図２（ａ）および（ｂ）に示すように、液滴吐出装置１におけるヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド１１４は、振動板１２６と、複数のノズル１１８と、複数のノズル１１８のそれぞれの開口を規定するノズルプレート１２８と、液たまり１２９と、複数の隔壁１２２と、複数のキャビティ１２０と、複数の振動子１２４と、を備えている。
【００２０】
液たまり１２９は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状材料１１１が常に充填される。また、複数の隔壁１２２は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置している。
キャビティ１２０は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状材料１１１が供給される。なお、本実施例では、ノズル１１８の直径は、例えば約２７μｍである。
【００２１】
さて、複数の振動子１２４のそれぞれは、それぞれのキャビティ１２０に対応するように振動板１２６上に位置する。複数の振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂと、を含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から液状材料１１１の液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状材料１１１の液滴が吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。
なお、吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。
【００２２】
（電子基板の製造方法）
次に、上記の液滴吐出装置１を用いて電子基板を製造する手順の中、まず電子部品をベース部に固定する手順について説明する。
図３は、電子基板の製造方法を示す工程図である。
図３（ａ）に示すように、まず上記液滴吐出装置１のヘッド１１４からベース部Ｂ上に接着材を含む液滴Ｃ（以降、単に接着材Ｃと称する）を塗布する（塗布工程）。
ここで、接着材Ｃは、後にベース部Ｂ上に搭載する電子部品Ｐ（図３（ｃ）参照）と対向する領域に、当該電子部品Ｐと略同じ大きさで塗布される。
【００２３】
この場合のベース部Ｂとしては、ガラス基板や半導体基板等の基板や、基板上に成膜された絶縁膜であってもよい。接着材Ｃとしては、ここでは光エネルギを付与した際に硬化する光硬化性、及び熱エネルギを付与した際に硬化する熱硬化性を有する材料として、アクリル系の感光性樹脂を含んでいる。
【００２４】
この光硬化性材料は、溶剤と、溶剤に溶解した樹脂とを含有してよい。ここで、この場合の光硬化性材料は、それ自体が感光して重合度を上げる樹脂を含有してもよいし、あるいは、樹脂と、その樹脂の硬化を開始させる光重合開始剤とを含有していてもよい。また、光硬化性材料として、光重合して不溶の絶縁樹脂を生じるモノマーと、そのモノマーの光重合を開始させる光重合開始剤とを含有してもよい。ただしこの場合の光硬化性材料は、モノマー自体が光官能基を有していれば、光重合開始剤を含有しなくてもよい。
【００２５】
続いて、図３（ｂ）に示すように、紫外域の波長を有する光Ｌを所定時間照射して所定エネルギ量を付与することにより、塗布した接着材Ｃを半硬化状態にする（半硬化工程）。このとき、接着材Ｃに対して付与するエネルギ量は、接着材Ｃが硬化するエネルギ量よりも小さい値に設定される。
【００２６】
本実施形態では、接着材Ｃに照射する光の波長は、例えば３６５ｎｍである。
ここで、接着材Ｃの半硬化とは、接着材Ｃに含まれる光硬化性材料の状態が、吐出時の状態と、完全な硬化状態との間の状態になることを意味する。本実施形態では、このような中間の状態が上述の半硬化状態である。なお、吐出時の状態とは、光硬化性材料がノズル１１８から吐出されうる粘性を有している状態である。
【００２７】
次に、図３（ｃ）に示すように、半硬化状態の接着材Ｃ上に電子部品Ｐを載置・搭載する（搭載工程）。この電子部品Ｐの搭載は、マウンタ等を用いて実施される。また、電子部品Ｐは、接着材Ｃ上に載置するのみでもよいし、加圧して搭載してもよい。電子部品Ｐを加圧して搭載した場合には、電子部品Ｐが接着材Ｃに埋め込まれ、電子部品Ｐと接着材Ｃとの接触面積が大きくなるため、より電子部品Ｐを固定させやすくなる。
いずれの搭載方法でも、接着材Ｃが半硬化状態で軟性であるため、電子部品Ｐの底面（接着材Ｃとの接着面）の平坦性が悪く凹凸があった場合でも、接着材Ｃが当該接着面に倣うことから接触面積が増えて密着性を上げることができる。
【００２８】
続いて、図３（ｄ）に示すように、ベース部Ｂ側から加熱することにより、接着材Ｃに熱エネルギを付与する。このエネルギ量は、半硬化状態であった接着材Ｃが硬化する量に設定される。この加熱処理としては、例えばクリーンオーブンを用いて、１５０度の温度で６０分間加熱する。この加熱によって、接着材Ｃにおける樹脂の重合反応がさらに進むので、樹脂が硬化する。この結果、接着材Ｃが、絶縁材で形成された電子部品Ｐとベース部Ｂとの接合層となる。
【００２９】
（多層配線基板の製造方法）
次に、上記の電子基板の製造方法を用いて多層配線基板を製造する方法について、図４及び図５を参照して説明する。
ここでは、ベース部としての絶縁層上に、電子部品としてのＩＣチップを搭載する例を用いて説明する。
【００３０】
まず、図４（ａ）に示すように、シリコンからなる基材１０上に、チップ部品２０、２１を配置する。このとき、前記チップ部品２０、２１の裏面には、例えば接着テープ等が設けられ、これにより基材１０上に固定される。なお、前記チップ部品２０、２１を配置する基材としては、他にもガラス、石英ガラス、金属板など各種のものが挙げられる。さらに、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、絶縁膜、有機膜、などが下地層として形成されたものも含む。
【００３１】
前記チップ部品２０、２１としては、抵抗、コンデンサー、ＩＣチップ等が挙げられ、本実施形態では、チップ部品２０として抵抗を用い、チップ部品２１としてコンデンサーを用いた。また、チップ部品２０、２１は、その電極部（導電部）２０ａ、２１ａを上方に向けた状態で基材１０上に配置されている。
なお、実際には電極部２０ａ、２１ａは、チップ部品２０、２１の上面と略面一であるが、ここでは、突起状に図示している。また、液滴吐出方式等を用いて導電性インクを吐出することで実際に突起を形成してもよい。
【００３２】
次に、液滴吐出装置１による液滴吐出方式を用いて前記チップ部品２０，２１の周囲に、該チップ部品２０，２１と略同じ高さとなるように絶縁性インク（絶縁材料）を塗布し、該絶縁性インクを硬化させることで絶縁膜を形成する。
【００３３】
この絶縁性インクとしては、乾燥後にＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４となる液状材料、ポリイミド樹脂系、エポキシ樹脂系、ポリエステル樹脂系、フェノール樹脂系、フッ素樹脂系、紫外線硬化樹脂等が用いられる。本実施形態では、絶縁性インクとして、例えばポリイミドを溶剤（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）に希釈し、粘度が２０［ｍＰａ・ｓ］となるように調整したものを用いた。
そして、絶縁性インクを硬化することにより、形成された絶縁膜１３は、図４（ｂ）に示すようにチップ部品２０、２１を埋め込むとともに、電極部２０ａ、２１ａを突出させる。
【００３４】
次に、前記絶縁膜１３上に電極部２０ａ、２１ａに接続する配線を形成する。本実施形態では、上記接着材Ｃ及び絶縁膜１３と同様に、液滴吐出装置１による液滴吐出方式を用いて導電性インクを吐出することで配線を形成する。
本実施形態では、直径１０ｎｍ程度の銀微粒子が有機溶剤に分散した銀微粒子分散液の分散媒をテトラデカンで置換してこれを希釈し、濃度が６０ｗｔ％、粘度が８ｍＰａ・ｓ、表面張力が０．０２２Ｎ/ｍとなるように調整したものを導電性インクとして用いた。
【００３５】
具体的には、前記チップ部品２０、２１の電極部２０ａ、２１ａ上に導電性インクを吐出し、焼成することにより、図４（ｃ）に示すように、前記チップ部品２０、２１と電気的に接続されるＡｇ配線（導電配線）１５を形成できる。
また、上記分散媒としては、銀微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。また、分散液の粘度は、例えば１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周囲がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるからである。
【００３６】
なお、表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
以上の工程により電子部品２０、２１が絶縁膜１３に埋設された配線基板１００が製造される。
【００３７】
次に、図４（ｄ）に示すように、上記配線基板１００上に第１層間絶縁膜６０を形成する。そして、前記第１層間絶縁膜６０上にスルーホールＨ１を介して配線１５及びチップ部品２０に接続される第１上層配線６１を形成するとともに、上述した接着材Ｃを後述するＩＣチップ７０と略同じ大きさで塗布する。本実施形態では、接着材Ｃとしては、絶縁膜６０（及び後述する絶縁膜６２、６４）と同一材料が塗布される。
これら第１層間絶縁膜６０、スルーホールＨ１、第１上層配線６１及び接着材Ｃは、いずれも液滴吐出方式を用いて形成される。
そして、接着材Ｃについては、第１層間絶縁膜６０上に塗布した後に、紫外光を照射して半硬化状態にする。
【００３８】
この後、図５（ａ）に示すように、外部接続用の端子７２を有するＩＣチップ（電子部品）７０を接着材Ｃ上に搭載し、加熱することにより、接着材Ｃを硬化させてＩＣチップ７０を固定する。
【００３９】
続いて、図５（ｂ）に示すように、前記第１層間絶縁膜６０上にＩＣチップ７０及び配線６１を覆うように、絶縁性インクを液滴吐出方式で塗布し、硬化させることで第２層間絶縁膜（絶縁膜）６２を形成する。なお、この絶縁性インクの塗布は、配線１５に接続されるスルーホールＨ１及び配線６１に接続されるスルーホールＨ３を囲むように形成される。
これにより、第２層間絶縁膜６２中にＩＣチップ７０を埋め込むことができる。
【００４０】
そして、上記スルーホールＨ２、Ｈ３を液滴吐出方式で配線１５、６１と同じ材料を塗布して形成するとともに、前記第２層間絶縁膜６２上に前記端子７２に接続する第２上層配線６３を液滴吐出方式で形成する。このとき、配線６３は、ＩＣチップ７０の端子７２とスルーホールＨ２、Ｈ３にそれぞれ接続される。
また、この第２上層配線６３は、スルーホールＨ３を介して第１上層配線６１、あるいはスルーホールＨ２を介してＡｇ配線１５に導通される。よって、ＩＣチップ７０と第２上層配線６３とは、端子７２を介して良好に導通されたものとなっている。
【００４１】
そして、図５（ｃ）に示すように、前記第２層間絶縁膜６２上に第３層間絶縁膜６４を形成し、該第３層間絶縁膜６４上に、他のチップ部品２４、２５をスルーホールホールＨ４、Ｈ５を介して実装する。これらスルーホールＨ４、Ｈ５は、上述したスルーホールＨ２、Ｈ３と同様の材料・手順により形成される。また、これら第３層間絶縁膜６４、スルーホールＨ４、Ｈ５も液滴吐出方式を用いて形成される。
なお、チップ部品２４、２５としては、ここでは、アンテナ素子及び水晶振動子をそれぞれ実装した。
以上の工程により、多層配線基板５００を形成することができる。
【００４２】
このように、本実施の形態では、電子部品ＰやＩＣチップ７０と略同じ大きさで接着材Ｃを塗布した後に、これら電子部品ＰやＩＣチップ７０を搭載するため、これら電子部品とベース部Ｂ（多層配線基板５００では絶縁膜６０）との間にエアが混入することを防止できる。従って、本実施形態では、加熱時にエアが膨張して、硬化した接着材Ｃにクラックが入り、接着強度が低下することを回避することが可能になる。
【００４３】
また、本実施形態では、接着材Ｃを半硬化状態とした後に電子部品を搭載するため、電子部品の接着面の平坦性が低い場合でも、密着性を向上させることができ、安定して電子部品を搭載・固定することが可能になる。
特に、本実施形態では、光エネルギの付与により接着材Ｃを半硬化状態にしているため、半硬化処理が容易であるとともに、例えばマスク等を用いることで、容易に紫外光の照射範囲を規定することが可能になる。
【００４４】
さらに、本実施形態では、接着材Ｃとして絶縁膜６０、６２、６４と同一材料を用いているため、別途接着材Ｃ用の材料を用意する必要がなくなり、生産性の向上に寄与できる。また、本実施形態では、配線基板１００及び多層配線基板５００の製造工程を全て液滴吐出方式で行うことが可能であり、生産性の大幅な向上を図ることができる。
また、本実施形態では、液滴吐出方式で前記接着材を含む液滴を塗布するため、印刷法やフォトリソ法等のように、マスクやレジスト等を用いることなく、容易に接着材をパターニングすることができ、また消費する接着材に無駄が生じないため、コスト低減にも寄与できる。
【００４５】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００４６】
例えば、半硬化状態の接着材Ｃに熱エネルギを付与して硬化させる手順としたが、これに限定されるものではなく、ベース部Ｂや電子部品Ｐが紫外光を透過する場合は、光エネルギを付与して硬化させる手順としてもよい。
また、上記実施形態では、半硬化状態の接着材Ｃに電子部品を搭載した後に、直ちに硬化処理を実施する手順としたが、例えば多層配線基板５００を形成する場合には、半硬化状態で接着材や絶縁膜、導電配線を形成し、その後、加熱処理を施して、一括して硬化させる手順としてもよい。
【００４７】
また、上記実施形態では、接着材Ｃとして、絶縁膜６０、６２、６４と同一材料を用いる手順としたが、例えば電子部品の接着面に電極や端子等の導電接続部が配置されない場合には、絶縁膜以外にも、配線１５、６１、６３と同じ導電性材料を用いる手順としてもよい。
また、上記実施形態では、ＩＣチップ７２を搭載する際に本発明を適用する手順としたが、これに限定されるものではなく、チップ部品２０、２１やチップ部品２４、２５を実装する前に接着材を塗布・半硬化させ、その後にこれらチップ部品を実装する手順としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】電子基板の製造に用いる液滴吐出装置の模式図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は液滴吐出装置におけるヘッドの模式図である。
【図３】本発明に係る電子基板の製造方法を示す工程図である。
【図４】多層配線基板を製造する手順を示す図である。
【図５】多層配線基板を製造する手順を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１…液滴吐出装置、  １５…Ａｇ配線（導電配線）、  ７０…ＩＣチップ（電子部品）、  １０３…吐出ヘッド部（液滴吐出ヘッド）、  Ｂ…ベース部、  Ｃ…接着材、  Ｐ…電子部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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