(57)【要約】【課題】ステージから離間した際にガラス基板に帯電した静電気を素早く除電して、パターン破壊及び絶縁破壊を抑止できる、基板の除電方法、及び、基板除電装置を提供すること。【解決手段】リフトピン６により押し上られたマザーガラス基板ＢがステージＳから離間する際に生じる剥離帯電によって基板Ｂは帯電する。まず、除電装置の接触部１４ａを該基板Ｂの側面と略同じ高さに移動して、接触部１８ａを該基板Ｂの表面よりも少し高い高さに移動する。次に、基台を前進させて、導電性の樹脂で形成されている接触部１４ａを該基板Ｂの側面に接触させることにより、静電気が徐々に除電される。続いて、接触部１８ａがダミー配線４の上方位置になるように延長腕１７を延出してから、接触部１８ａを下降してダミー配線４に接触させる。金属製の接触部１８ａは、ダミー配線４を介して該基板Ｂの静電気を素早く除電する。【選択図】図３
2008123777.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の基板をステージから離間させるときに、該基板に帯電する静電気を除去する基板
の除電方法において、
接地されている接触端子を、前記ステージ上に載置された前記基板と同じ高さに移動し
た後、該接触端子を該基板に接触させることを特徴とする基板の除電方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の除電方法において、
前記接触端子は、前記基板の側面と同じ高さに移動して、該基板の側面に接触すること
を特徴とする基板の除電方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板の処理方法において、
前記接触端子は、前記基板が前記ステージから離間される前に該基板に接触され、該接
触端子は、該基板がステージから離間されるのに同期して該基板に接触しながら移動する
ことを特徴とする基板の除電方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の基板の処理方法において、
前記接触端子は、前記基板が前記ステージから離間された後に該基板に接触されること
を特徴とする基板の除電方法。
【請求項５】
ステージに載置された所定のパターンが形成されている絶縁性の基板を離間手段によって
ステージから離間させるときに、該基板に帯電する静電気を除電する基板の除電方法にお
いて、
前記基板の表面に、ダミー配線を形成し、接地されている接触端子を、該基板に形成し
た該ダミー配線の上方位置に移動させた後、該接触端子を下降させて、該ダミー配線と接
触させることを特徴とする基板の除電方法。
【請求項６】
請求項５に記載の基板の除電方法において、
前記接触端子は、前記基板が前記ステージから離間される前に前記ダミー配線に接触さ
れ、該接触端子は、前記基板がステージから離間されるのに同期して該基板に接触しなが
ら移動することを特徴とする基板の除電方法。
【請求項７】
請求項５に記載の基板の除電方法において、
前記接触端子は、前記基板が前記ステージから離間された後に前記ダミー配線に接触さ
れることを特徴とする基板の除電方法。
【請求項８】
ステージに載置された絶縁性の基板を、離間手段によって、該ステージから離間させると
きに、該基板に帯電する静電気を除電する基板除電装置において、
前記ステージに対して水平方向及び上下方向に移動可能な支持腕と、
前記支持腕の先端に取着され、一端が接地された接触端子と、
前記支持腕を水平方向及び上下方向に移動させ、前記接触端子を前記基板に接触させる
支持腕移動手段と
を備えたことを特徴とする基板除電装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板除電装置において、
前記接触端子は、導電性の樹脂であることを特徴とする基板除電装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の除電方法、及び、基板除電装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、基板の処理装置のステージに、ガラス基板を載置するとき、ステージとガラ
ス基板がともに滑らかな場合には、ステージにガラス基板が密着する。そのため、ガラス
基板をステージから離間させる場合は、例えば、ステージの上面に形成した穴からピンを
突出させてガラス基板の裏面を押し上げ、ガラス基板をステージから離間させる。
【０００３】
ところで、ステージに密着したガラス基板を、ステージから離間させると、ガラス基板
及びステージには、剥離帯電による静電気が帯電する。一般的に、ステージは金属部材で
構成されるとともに接地されているので、ステージに帯電した静電気はステージを介して
流出する。ところが、ガラス基板は導電性が低い上に接地もされていないので、静電気が
帯電したままになる。
【０００４】
ガラス基板に帯電した静電気は、その後にガラス基板が導電体と接触した時に放電され
る。しかし、ガラス基板に帯電した静電気は高電圧であるため、静電気の放電はガラス基
板に形成されたパターンを破損させる。従って、ガラス基板に帯電した静電気を、適切な
方法で除電する方法が望まれていた。
【０００５】
そこで、イオナイザーによるイオンをガラス基板に当てて、ガラス基板に帯電した電荷
を中和することによって静電気を除去して、ガラス基板に形成したパターンの破壊が発生
しないようにする方法が知られている。
【０００６】
しかしながら、イオナイザーによる静電気の除去は、ガラス基板の静電気の量が多いと
、静電気を除去するための時間が増大して、作業時間を増加させていた。
又、ガラス基板に静電気を帯電させない方法が提案されている（特許文献１）。特許文
献１によれば、ガラス基板の表面に半導体装置を製造する際に、その製造工程の初期段階
でガラス基板の裏面に導電性を有する金属薄膜を形成する。そして、該金属薄膜を静電シ
ールドとして機能させ、ガラス基板に直接的に静電気が帯電することを防いでいる。その
結果、ガラス基板の帯電した静電気の放電によるデバイス素子の静電破壊が未然に防止さ
れる。
【０００７】
しかしながら、特許文献１の方法では、ガラス基板の裏面に、帯電防止のための金属薄
膜を形成する必要があり、工程数及び作業時間が増加していた。
さらに又、パターン形状の工夫によって、基板の電極配線間の絶縁膜に絶縁破壊を生じ
させない静電気対策の方法が提案されている（特許文献２）。特許文献２によれば、基板
上で静電気の放電を誘発する突起部を形成可能な領域において、両層間の絶縁膜上に突起
部を形成する。両層間の絶縁膜上に突起部を形成することによって、絶縁膜を挟む一方の
電極に段差部を形成し、対向する電極相互間の垂直方向の放電、即ち両層間の放電を誘発
させる。つまり、両層間の放電を誘発させるように製造工程の途中における電極形状を電
界集中型に構成して電極配線基板を構成した。
【特許文献１】特開平９−３３１０６８号公報
【特許文献２】特開平１１−２８２０１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献２の方法のように、基板上に好適な突起部を形成することは基
板上のパターンの配置を制約するとともに、好適な突起部を形成することも容易ではなか
った。
【０００９】
本発明の目的は、ステージから離間した際にガラス基板に帯電した静電気を素早く除電
して、パターン破壊及び絶縁破壊を抑止できる、基板の除電方法、及び、基板除電装置を
提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の基板の除電方法は、絶縁性の基板をステージから離間させるときに、該基板に
帯電する静電気を除去する基板の除電方法において、接地されている接触端子を、前記ス
テージ上に載置された前記基板と同じ高さに移動した後、該接触端子を該基板に接触させ
る。
【００１１】
本発明の基板の除電方法によれば、接触端子を基板にあわせて移動させて、基板に接触
させることから、基板の位置、形状にかかわらず除電することができる。その結果、放電
による基板上のパターン破壊や絶縁破壊を防ぐことができる。
【００１２】
本発明の基板の除電方法において、前記接触端子は、前記基板の側面と同じ高さに移動
して、該基板の側面に接触すると好適である。
本発明の基板の除電方法によれば、基板の表面よりも押圧力に対して強い基板の側面に
接触端子を接触させることから、基板の表面を汚染させたり、傷付けることなく、接触端
子を基板に確実に接触させることができる。
【００１３】
本発明の基板の除電方法において、前記接触端子は、前記基板が前記ステージから離間
される前に該基板に接触され、該接触端子は、該基板がステージから離間されるのに同期
して該基板に接触しながら移動するとなおよい。
【００１４】
本発明の基板の除電方法によれば、基板がステージから離間するときにも、該基板に接
触端子は接触していることから、該基板に剥離帯電が発生すると、該接触端子を介して、
迅速に除電することができる。
【００１５】
本発明の基板の除電方法において、前記接触端子は、前記基板が前記ステージから離間
された後に該基板に接触されてもよい。
本発明の基板の除電方法によれば、接触端子は基板がステージから離間した後に基板と
接触させることから、該接触端子の移動制御が簡単になる。
【００１６】
本発明の基板の除電方法は、ステージに載置された所定のパターンが形成されている絶
縁性の基板を離間手段によってステージから離間させるときに、該基板に帯電する静電気
を除電する基板の除電方法において、前記基板の表面に、ダミー配線を形成し、接地され
ている接触端子を、該基板に形成した該ダミー配線の上方位置に移動させた後、該接触端
子を下降させて、該ダミー配線と接触させる。
【００１７】
本発明の基板の除電方法によれば、接触端子を上方から基板のダミー配線に移動させて
接触させることから、基板のダミー配線の位置、形状にかかわらず、除電することができ
る。その結果、放電による基板上のパターン破壊や絶縁破壊を防ぐことができる。
【００１８】
本発明の基板の除電方法において、前記接触端子は、前記基板が前記ステージから離間
される前に前記ダミー配線に接触され、該接触端子は、前記基板がステージから離間され
るのに同期して該基板に接触しながら移動するとなおよい。
【００１９】
本発明の基板の除電方法によれば、基板がステージから離間するときにも、該基板に接
触端子は接触していることから、基板に剥離帯電が発生すると、該接触端子を介して、迅
速に除電することができる。
【００２０】
本発明の基板の除電方法において、前記接触端子は、前記基板が前記ステージから離間
された後に前記ダミー配線に接触されてもよい。
本発明の基板の除電方法によれば、接触端子は基板がステージから離間した後に基板の
ダミー配線と接触されることから、接触端子の移動制御が簡単になる。
【００２１】
本発明の基板除電装置は、ステージに載置された絶縁性の基板を、離間手段によって、
該ステージから離間させるときに、該基板に帯電する静電気を除電する基板除電装置にお
いて、前記ステージに対して水平方向及び上下方向に移動可能な支持腕と、前記支持腕の
先端に取着され、一端が接地された接触端子と、前記支持腕を水平方向及び上下方向に移
動させ、前記接触端子を前記基板に接触させる支持腕移動手段とを備えた。
【００２２】
本発明の基板除電装置によれば、接触端子は基板に対して水平方向及び上下方向に移動
可能であることから、基板の位置、形状にかかわらず、接触端子は基板に接触させること
ができる。その結果、基板の位置、形状にかかわらず、好適に剥離帯電した基板の除電を
行うことができ、放電による基板上のパターン破壊や絶縁破壊を防ぐことができる。
【００２３】
本発明の基板除電装置において、前記接触端子は、導電性の樹脂であると好適である。
本発明の基板除電装置によれば、接触端子は導電性の樹脂であることから、剥離帯電し
た基板の除電を行う際に、徐々に放電させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した実施形態を図１〜図４に従って説明する。図１は、基板の処
理装置１を示す斜視図である。尚、本実施形態では、基板の処理装置１は、ホットプレー
ト装置である。
【００２５】
図１において、ステージＳは、ステンレス製であって、その上面には液晶表示装置の表
示パネルを多数個取りするマザーガラス基板Ｂを載置されている。
マザーガラス基板Ｂの上面は、複数の略矩形状の液晶表示装置の表示パネルとなる表示
パネル形成領域３が、それぞれ所定の間隔を開けて、升目状に区画形成されている。そし
て、各表示パネル形成領域３内には、各画素を駆動する薄膜トランジスターや配線などが
多数形成されている。
【００２６】
又、マザーガラス基板Ｂの上面は、ダミー配線４が形成されている。ダミー配線４は、
すべての表示パネル形成領域３を囲むように形成されている。
ステージＳの上面であってマザーガラス基板Ｂが配置される位置には、図３及び図４に
示すように、複数の孔５が形成されている。
【００２７】
各孔５には、それぞれ離間手段としてのリフトピン６が出没可能に収納されており、リ
フトピン６は、図示しない駆動機構によりステージＳの上面に対して出没する。そして、
マザーガラス基板ＢをステージＳに載置するときには、図４（ａ）に示すように、リフト
ピン６は孔５内に没している。反対に、マザーガラス基板ＢをステージＳから離間させる
ときには、図４（ｃ）に示すように、リフトピン６は駆動機構によって孔５から突出する
ようになっている。尚、本実施形態では、リフトピン６は、導電性の低い合成樹脂で形成
されている。
【００２８】
ステージＳの上面の一端には、除電装置Ｊが設けられている。除電装置Ｊは、ステージ
Ｓの上面に固設された前後一対のレール７ａ，７ｂを備えている。前後一対のレール７ａ
，７ｂは、ステージＳに載置されたマザーガラス基板Ｂに向かって、互いに平行に配置さ
れている。
【００２９】
前後一対のレール７ａ，７ｂの間には、第１のスクリュウネジ８が、該レール７ａ，７
ｂと平行となるように配置され、該第１のスクリュウネジ８は、ステージＳに固着した左
右一対の軸受け８ａに回転可能に支持されている。該第１のスクリュウネジ８の一端には
、第１のモータＭ１が連結固着されている。従って、第１のスクリュウネジ８は、第１の
モータＭ１によって正逆回転されるようになっている。
【００３０】
前後一対のレール７ａ，７ｂには、支持腕移動手段としての基台９が載置され、該基台
９は該レール７ａ，７ｂに沿って移動可能に配設されている。基台９の下面は、図示しな
い第１のネジ受け部が突出形成され、該第１のネジ受け部に前記第１のスクリュウネジ８
が螺合されている。従って、第１のスクリュウネジ８（第１のモータＭ１）が正逆回転す
ると、基台９はレール７ａ，７ｂに沿って左右方向に往復動する。
【００３１】
基台９の上面は、第１の枠体１０、及び第２の枠体１１が固定されている。
第１の枠体１０は、その枠内に上下方向（Ｚ軸線方向）に延びる第２のスクリュウネジ
１２を回転可能に支持している。第２のスクリュウネジ１２は、第１の枠体１０の上面に
取着した第２のモータＭ２によって正逆回転される。
【００３２】
第１の枠体１０の枠内には、立方体形状の第１ブロック１３ａが上下方向にのみ移動可
能に支持されている。第１ブロック１３ａは、第２のスクリュウネジ１２が螺合され、該
第２のスクリュウネジ１２（第２のモータＭ２）が正逆回転すると、第１の枠体１０の枠
内に沿って上下方向に往復動するようになっている。第１ブロック１３ａの後面には、第
１の支持腕１３が固着され、該第１の支持腕１３は第１ブロック１３ａとともに上下方向
に往復動する。
【００３３】
第１の支持腕１３は、左右方向に伸びた略長方形の筐体で有って、その先端（マザーガ
ラス基板Ｂ側）に接触端子としてのアーススティック１４が取着されている。アースステ
ィック１４は、接触部１４ａが突出形成されている。該接触部１４ａは、接地されていて
、図３に示すように、マザーガラス基板Ｂの側面に当接するようになっている。尚、本実
施形態では、接触部１４ａは、電気抵抗値が１０の１１乗オーム以下の導電性の樹脂で形
成されている。
【００３４】
第２の枠体１１は、その枠内に上下方向に延びる第３のスクリュウネジ１５を回転可能
に支持している。第３のスクリュウネジ１５は、第２の枠体１１の上面に取着した第３の
モータＭ３によって正逆回転される。
【００３５】
第２の枠体１１の枠内には、立方体形状の第２ブロック１６ａが上下方向にのみ移動可
能に支持されている。第２ブロック１６ａは、第３のスクリュウネジ１５が螺合され、該
第３のスクリュウネジ１５（第３のモータＭ３）が正逆回転すると、第２の枠体１１の枠
内に沿って上下方向に往復動するようになっている。第２ブロック１６ａの後面には、第
２の支持腕１６が固着され、該第２の支持腕１６は第２ブロック１６ａとともに上下方向
に往復動する。
【００３６】
第２の支持腕１６は、左右方向に延びた四角筒体であって、該筒内には延長腕１７が収
納されている。そして、延長腕１７は、第２の支持腕１６の基端（右端）に執着した第４
のモータＭ４が正逆回転することによって、該第２の支持腕１６に沿って移動可能になっ
ている。
【００３７】
延長腕１７の先端部下面には、接触端子としてのアースピン１８が取着されている。ア
ースピン１８は、接触部１８ａが下方に向かって突出形成されている。該接触部１８ａは
接地されていて、図３に示すように、マザーガラス基板Ｂの上面に接触するようになって
いる。尚、本実施形態では、接触部１８ａは、導電性のある金属部材で形成されている。
【００３８】
次に、ステージＳに設けた除電装置Ｊを用いてマザーガラス基板Ｂの静電気を除電する
方法について、図３に従って説明する。
ステージＳに密着しているマザーガラス基板Ｂを離間させる際は、図３（ａ）に示すよ
うに、リフトピン６をステージＳの孔５からステージＳの上面に突出させて、マザーガラ
ス基板Ｂの裏面をリフトピン６により押し上げる。マザーガラス基板ＢがステージＳから
離間する際に、マザーガラス基板ＢとステージＳとに剥離帯電が生じる。
【００３９】
ステージＳはステンレス製であって、接地されていることから、ステージＳに剥離帯電
した静電気は接地側へ流れる。しかし、マザーガラス基板Ｂは絶縁体であり、リフトピン
６は合成樹脂製で絶縁体であるので、マザーガラス基板Ｂの剥離帯電による静電気はどこ
にも流れず、マザーガラス基板Ｂは帯電した状態になっている。
【００４０】
一方、除電装置Ｊは、第１の支持腕１３の接触部１４ａが、図３（ａ）に示すように、
マザーガラス基板Ｂの側面と同じ高さになるように、第２のモータＭ２を回転させて第１
の支持腕１３を上下動させる。又、延長腕１７の接触部１８ａがマザーガラス基板Ｂの上
面より少し高い位置に配置されるように、第３のモータＭ３を回転させて第２の支持腕１
６を上下動させる。
【００４１】
次に、図３（ｂ）に示すように、接触部１４ａがマザーガラス基板Ｂの側面に接触する
まで、第１のモータＭ１を回転させて、基台９をマザーガラス基板Ｂ側に向かって移動さ
せる。
【００４２】
接触部１４ａがマザーガラス基板Ｂの側面に接触すると、導電性の樹脂で形成されてい
る接触部１４ａからマザーガラス基板Ｂの静電気が徐々に除電される。
これと同時に、接触部１８ａがダミー配線４の上方位置に配置されるように、第４のモ
ータＭ４を回転させて、延長腕１７を移動させる。
【００４３】
接触部１８ａがダミー配線４の上方位置に配置されると、図３（ｃ）に示すように、接
触部１８ａがダミー配線４に接触するまで、第３のモータＭ３を回転させて、第２の支持
腕１６を下降させる。
【００４４】
接触部１８ａがダミー配線４に接触すると、マザーガラス基板Ｂに剥離帯電した静電気
はダミー配線４を介して、素早く除電される。
本実施形態によれば以下のような効果を得ることができる。
【００４５】
（１）本実施形態によれば、ステージＳに載置したマザーガラス基板Ｂに対して、上下
動、及び、左右方向に移動できるアーススティック１４及びアースピン１８を設けた。従
って、マザーガラス基板Ｂの形状や位置にかかわらず、好適にマザーガラス基板Ｂにアー
ススティック１４を接触させることができる。又、ダミー配線４の形状や位置にかかわら
ず、好適にダミー配線４にアースピン１８を接触させることができる。
【００４６】
（２）本実施形態によれば、アーススティック１４の接触部１４ａは導電性のある樹脂
で構成された。従って、マザーガラス基板Ｂに帯電した静電気は接触部１４ａを介して徐
々に放電されるので、急激な放電によるパターン破壊や絶縁破壊を防ぐことができる。
【００４７】
（３）本実施形態によれば、マザーガラス基板Ｂにダミー配線４を設け、ダミー配線４
にアースピン１８の接触部１８ａを接触させた。従って、マザーガラス基板Ｂに配設され
たダミー配線４によって、マザーガラス基板Ｂの側面から離れた内側に帯電した静電気で
あっても、該マザーガラス基板Ｂから除去することができる。
【００４８】
（４）本実施形態によれば、アーススティック１４とアースピン１８を用い、それらを
マザーガラス基板Ｂに接触させるだけで、静電気を除電できるようにした。従って、イオ
ナイザーによる静電気の除電に比較して、短時間のうちにマザーガラス基板Ｂに帯電した
静電気を除電することができる。その結果、作業時間を大幅に短縮することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態の除電装
置Ｊを使って除電する方法が、第１実施形態と相違するだけなので、説明の便宜上、その
除電方法について図４に従って説明する。
【００４９】
図４（ａ）に示すように、リフトピン６は孔５に格納され、マザーガラス基板Ｂはステ
ージＳに載置されている。この状態から、図４（ｂ）に示すように、アーススティック１
４の接触部１４ａがマザーガラス基板Ｂの側面に接触するまで、第１のモータＭ１を回転
させて、基台９をマザーガラス基板Ｂ側に移動させる。さらに、接触部１８ａがマザーガ
ラス基板Ｂに形成されたダミー配線４の上方に位置するまで、第４のモータＭ４を回転さ
せて、延長腕１７を移動させるとともに、接触部１８ａが該ダミー配線４に接触するまで
、第３のモータＭ３を回転させて、第２の支持腕を下方に移動させる。
【００５０】
次に、図４（ｃ）に示すように、リフトピン６を孔５からステージＳの上面に突出させ
て、マザーガラス基板Ｂを押し上げてステージＳから離間させる。
この時、マザーガラス基板Ｂの側面に接触している接触部１４ａ、及び、ダミー配線４
に接触している接触部１８ａがその状態が維持されるように、第２及び第３のモータＭ２
，Ｍ３を回転させて、第１及び第２の支持腕１３，１６を上方に移動させる。これによっ
て、マザーガラス基板Ｂが押し上げられるのに同期して第１及び第２の支持腕１３，１６
が上昇される。
【００５１】
従って、マザーガラス基板ＢとステージＳとが離間する際に、マザーガラス基板Ｂに帯
電した静電気は、接触部１４ａと接触部１８ａとを介して接地側に流れ、マザーガラス基
板Ｂは除電される。
【００５２】
本実施形態によれば以下のような効果を得ることができる。
（１）本実施形態によれば、マザーガラス基板Ｂがステージに載置された状態で、アー
ススティック１４を基板Ｂの側面に、アースピン１８をダミー配線４に接触させる。そし
て、マザーガラス基板ＢをステージＳから離間させるとき、接触部１４ａ、及び、接触部
１８ａを接触させながら、マザーガラス基板ＢをステージＳから離間させるようにした。
従って、マザーガラス基板Ｂに生じる剥離帯電を迅速に除電することができる。
【００５３】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、基板の処理装置１は、ホットプレート装置であった。しかし、こ
れに限らず、基板の処理装置１は、ステージに基板を載置する装置であれば、クーリング
プレート装置や基板待機ステージ装置、成膜チャンバー装置もしくはドライエッチングチ
ャンバー装置などでもよい。
【００５４】
・上記実施形態では、除電装置ＪはステージＳに１つ設けた。しかし、これに限らず、
除電装置はステージＳ上に２つ以上備えてもよい。例えば、基板が矩形状ならば、基板の
各側面にそれぞれ対応させて、ステージＳに４つの除電装置Ｊを設けることが好適である
。
【００５５】
・上記実施形態では、基台９はマザーガラス基板Ｂに向かって移動できるようにした。
しかし、これに限らず、基台９はマザーガラス基板Ｂの側面に沿って移動してもよい。そ
うすれば、アーススティック１４及びアースピン１８による除電位置の自由度を増すこと
ができる。
【００５６】
・上記実施形態では、除電装置Ｊは、アーススティック１４、及び、アースピン１８を
設けられた。しかし、これに限らず、除電装置Ｊは、アーススティック１４のみを設けら
れて、アーススティック１４による除電動作のみをさせられてもよい。又、除電装置Ｊは
、アースピン１８のみを設けられて、アースピン１８による除電動作のみをさせられても
よい。
【００５７】
・上記実施形態では、マザーガラス基板Ｂは、液晶装置用であった。しかし、これに限
らず、マザーガラス基板Ｂは、例えば、エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディス
プレイ装置、電子放出素子を用いた装置用でもよい。
【００５８】
・上記実施形態では、アーススティック１４の接触部１４ａは、マザーガラス基板Ｂの
側面に接触させた。しかし、これに限らず、接触部１４ａはマザーガラス基板Ｂの何れの
箇所に接触させても良い。そうすれば、除電装置Ｊの設置場所や構造を、基板の処理装置
１にあわせて好適に構成することができる。
【００５９】
・上記実施形態では、接触部１４ａは導電性の樹脂製であった。しかし、これに限らず
、接触部１４ａは、金属製針、樹脂製針、樹脂製ブロックなどでもよい。又、樹脂製であ
る場合は、耐食性の樹脂だとなお好適である。
【００６０】
・第１実施形態では、マザーガラス基板ＢがステージＳから離間した後にアーススティ
ック１４、アースピン１８の順に基板Ｂに接触させた。又、第２実施形態では、マザーガ
ラス基板ＢがステージＳに載置された状態でアーススティック１４、アースピン１８の順
にマザーガラス基板Ｂに接触させた。しかし、アーススティック１４及びアースピン１８
は個別に移動するので、これに限らず、マザーガラス基板Ｂに、アーススティック１４及
びアースピン１８を接触させる順番や、接触させる位置、高さは、基板の処理の都合に合
わせて最適化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１実施形態の基板除電装置を示す斜視図。
【図２】第１実施形態の除電装置を拡大した斜視図。
【図３】（ａ）（ｂ）（ｃ）第１実施形態の静電気の除電方法を説明する、基板除電装置の部分側面図。
【図４】（ａ）（ｂ）（ｃ）第２実施形態の静電気の除電方法を説明する、基板除電装置の部分側面図。
【符号の説明】
【００６２】
Ｂ…マザーガラス基板、Ｊ…除電装置、Ｓ…ステージ、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４…モータ
、１…処理装置、３…表示パネル形成領域、４…ダミー配線、５…孔、６…リフトピン、
７ａ，７ｂ…レール、８…第１のスクリュウネジ、８ａ…軸受け、９…基台、１０…第１
の枠体、１１…第２の枠体、１２…第２のスクリュウネジ、１３…第１の支持腕、１４…
アーススティック、１５…第３のスクリュウネジ、１６…第２の支持腕、１７…延長腕、
１８…アースピン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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