(57)【要約】【課題】製造後、画素電極と対向電極とで水酸基の密度が異なってしまった場合におけるイオンの偏りにより発生する液晶装置におけるフリッカや焼き付き等の表示不良を、確実に防止することができる液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】ＴＦＴ基板及び対向基板に、液晶に駆動電圧を印加する画素電極、対向電極をそれぞれ形成するステップＳ１と、ＴＦＴ基板及び対向基板を、塩素系ガス雰囲気中で加熱しながら、画素電極、対向電極に対して脱水酸基処理を行い、画素電極、対向電極上の水酸基を除去するステップＳ２と、画素電極、対向電極上に、無機配向膜をそれぞれ形成するステップＳ３と、を具備することを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板との間に液晶が介在され、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記液晶に駆動電圧を印加する各電極上に、無機配向膜がそれぞれ形成された液晶装置の製造方法であって、
前記第１の基板及び前記第２の基板に、前記電極をそれぞれ形成する電極形成工程と、
前記第１の基板及び前記第２の基板を、塩素系ガス雰囲気中で加熱しながら、前記第１の基板及び前記第２の基板の各前記電極に対して脱水酸基処理を行い、各前記電極上の水酸基を除去する脱水酸基処理工程と、
前記第１の基板及び前記第２の基板の各前記電極上に、前記無機配向膜をそれぞれ形成する無機配向膜形成工程と、
を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記脱水酸基処理工程は、２００℃〜３００℃まで加熱して行うことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記脱水酸基処理工程は、前記第１の基板及び前記第２の基板の各前記電極に、マイクロ波を照射して行うことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記脱水酸基処理工程は、１００℃〜２００℃まで加熱して行うことを特徴とする請求項３に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の基板及び前記第２の基板の各前記電極は、透明電極であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板との間に液晶が介在され、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記液晶に駆動電圧を印加する各電極上に、無機配向膜がそれぞれ形成された液晶装置の製造装置であって、
真空槽と、
前記真空槽に設けられた、前記真空槽内に塩素系ガスを導入する塩素系ガス導入口と、
前記真空槽に設けられた、前記真空槽内に配設される前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の基板を加熱する加熱装置と、
を具備していることを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項７】
前記真空槽内に配設される前記一方の基板の前記電極に対し、マイクロ波を照射するマイクロ波照射装置を具備していることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置の製造装置。
【請求項８】
前記真空槽内に配設される前記一方の基板の前記電極上に、前記無機配向膜を形成する無機配向膜形成手段を具備していることを特徴とする請求項６または７に記載の液晶装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板との間に液晶が介在され、第１の基板及び第２の基板の液晶に駆動電圧を印加する各電極上に、無機配向膜がそれぞれ形成された液晶装置の製造方法、液晶装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、例えば光透過型の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成されている。
【０００３】
また、液晶装置は、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に介在された液晶層による光学応答を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００４】
また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程を繰り返すことによって形成されるのである。
【０００５】
このようにして形成されたＴＦＴ基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度（例えばアライメント誤差１μｍ以内）に貼り合わされる。このパネル組立工程の一例を説明すると、先ず、各基板の製造工程において夫々製造されたＴＦＴ基板の画素電極上、及び対向基板の対向電極上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるための、例えばＳｉＯ２等から構成された無機配向膜が形成される。
【０００６】
無機配向膜は、プレチルト角に相当する所定の角度を以て、対象基板に蒸着されて形成されることにより、形成後、ラビング処理を不要として、液晶のプレチルト角を規定することができる。尚、このような無機配向膜の形成方法は、斜方蒸着法と称される。
【０００７】
次いで、例えば液晶封入方式により、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が介在される場合には、ＴＦＴ基板と対向基板との一方の基板上に、接着剤となるシール材が、一部に注入口となる切り欠きを有するよう略周状に塗布され、このシール材が用いられてＴＦＴ基板に対し、対向基板が貼り合わされる。
【０００８】
次いで、アライメントが施されてそれぞれ圧着硬化された後、真空下においてＴＦＴ基板のシール材の注入口の近傍に、規定量の液晶がそれぞれ滴下され、その後、大気解放されることにより、注入口を介して液晶がＴＦＴ基板と対向基板との間にそれぞれ注入され、最後に、注入口が、封止材により封止されて、液晶装置が製造される。
【０００９】
ところで、このように製造される液晶装置は、スイッチング素子をオンにすることによって画素電極に画像信号を供給し、画素電極と対向電極との相互間の液晶層に、画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。これにより、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させ画像表示を行う。
【００１０】
ここで、液晶装置では、印加信号の直流成分の印加等により、例えば液晶成分の分解、液晶中の不純物による汚染が発生し、表示画像の焼き付き、フリッカ等の表示不良が現れる。
【００１１】
具体的には、液晶装置では、周知のように、容量性を考慮して、画素電極には一定期間のみ駆動電圧が印加される。しかしながら、画素電極に駆動電圧が印加されない期間においては、結合容量の影響及び電荷のリークによって、画素に保持される電圧は徐々に低下する。
【００１２】
この場合、正極性駆動の際における電極印加電圧の低下の方が、負極性駆動時における電極印加電圧の低下よりも大きくなるため、液晶に対しＴＦＴ基板及び対向基板の剥き出しになった画素電極、対向電極の部位に、マイナスまたはプラスの電荷が蓄積されやすくなる。
【００１３】
よって、ＴＦＴ基板及び対向基板の各画素電極、対向電極に電荷が蓄積されると、上述した不純物のイオン（以下、不純物イオンと称す）は、液晶に対し剥き出しになった画素電極、対向電極の部位と液晶との界面に残留しやすくなる。その結果、不純物イオンが各界面に吸着されてしまう。
【００１４】
よって、ＴＦＴ基板の剥き出しになった画素電極の部位と、対向基板の剥き出しになった対向電極の部位とで、不純物イオンの吸着量に、極端な偏りが生じると、過多に一方の電極に吸着されたイオンによって両電極間に発生する、即ち液晶に印加される直流成分の影響が大きくなり、表示画像の焼き付き等の表示不良を加速してしまうという問題があった。
【００１５】
そこで、一般的には、各画素電極の駆動電圧の極性を、例えば画像信号におけるフィールド毎に反転させる、周知の反転駆動を行うことにより、表示画像の焼き付き等の表示不良を防止する技術が周知である。
【００１６】
また、特許文献１には、反射型液晶装置において、印加信号の直流成分の印加以外にも、画素電極の材料と対向電極の材料とが異なっている場合において発生するイオン吸着の偏りを、画素電極上に、該画素電極を構成する金属材料とは標準電位の符号が反対である異種金属膜を被覆して防止することにより、表示画像の焼き付き、フリッカ等の表示不良を防止する技術が提案されている。
【特許文献１】特開２００３−５７６７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、特許文献１に開示された技術においては、画素電極上に透過率の低い金属膜を被覆するため、画素電極及び対向電極に透明電極を用いる透過型の液晶装置には適用することができないといった問題があった。また、画素電極上に異種金属膜を被覆する工程を新たに有するため、製造工程数が増加してしまうといった問題もあった。
【００１８】
ここで、ＴＦＴ基板に形成される画素電極と、対向基板に形成される対向電極とで、製法やプロセスに起因して、形状や表面積が変わってしまうため、画素電極及び対向電極に生成される、液晶中に介在されたイオンが各電極に吸着してしまう原因となるイオン吸着サイトである水酸基の量、即ち水酸基の密度が、画素電極と対向電極とで、異なってしまう場合がある。
【００１９】
画素電極と対向電極とで各電極上に生じる水酸基の密度が異なってしまうと、液晶に対し剥き出しになった画素電極の部位と、剥き出しになった対向電極の部位とで、画素電極と対向電極とで水酸基の密度が同じ場合と比して、不純物イオンの吸着量に、極端な偏りが生じやすくなってしまい、表示画像の焼き付き、フリッカ等の表示不良が発生しやすくなってしまうといった問題がある。
【００２０】
以下、具体例を図１２〜図１５に示す。図１２は、ＴＦＴ基板側の画素電極上の水酸基の量が、対向基板側の対向電極上の水酸基の量よりも多くなった状態を概略的に示す図、図１３は、対向電極に対し画素電極の電位が、マイナス側にシフトした状態を示す図、図１４は、対向基板側の対向電極上の水酸基の量が、ＴＦＴ基板側の画素電極上の水酸基の量よりも多くなった状態を概略的に示す図、図１５は、対向電極に対し画素電極の電位が、プラス側にシフトした状態を示す図である。
【００２１】
例えば、図１２に示すように、ＴＦＴ基板１００の画素電極上に生じた水酸基の量が、対向基板２００の対向電極上に生じた水酸基の量よりも多くなってしまうと、ＴＦＴ基板１００にマイナスのイオンが吸着し、対向基板２００にプラスのイオンが吸着することにより液晶装置に発生するイオン吸着の偏りにより、図１３に示すように、対向電極の電位（＊１）に対する画素電極の電位（＊２）が、マイナス側にシフトしてしまうとともに（＊３）、対向電極の電位（＊１）と同じ電位であった既知のセンター電位も、マイナス側にシフトしてしまう（＊４）。
【００２２】
センター電位がマイナス側にシフトしてしまうと（＊４）、フリッカが生じやすくなってしまい、また、画素電極の電位（＊２）がマイナスにシフトしてしまうと（＊３）、対向電極の電位（＊１）はシフトしないため、液晶層に対し、直流成分が画素電極の電位のマイナス側へのシフト分だけ常に印加されてしまい、表示画像の焼き付きが発生しやすくなってしまう。
【００２３】
また、例えば図１４に示すように、対向基板２００の対向電極の水酸基の量が、ＴＦＴ基板１００の画素電極の水酸基の量よりも多くなってしまうと、対向基板２００にマイナスのイオンが吸着し、ＴＦＴ基板１００にプラスのイオンが吸着することにより液晶装置に発生するイオン吸着の偏りにより、図１５に示すように、画素電極の電位（＊６）が、プラス側にシフトしてしまうとともに（＊７）、対向電極の電位（＊５）と同じ電位であったセンター電位も、プラス側にシフトしてしまう（＊８）。
【００２４】
センター電位がプラス側にシフトしてしまうと（＊８）、フリッカが生じやすくなってしまい、また、画素電極の電位（＊６）がプラス側にシフトしてしまうと（＊７）、対向電極の電位（＊５）はシフトしないため、液晶層に対し、直流成分が画素電極の電位のプラス側へのシフト分だけ常に印加されてしまい、表示画像の焼き付きが発生しやすくなってしまう。
【００２５】
このように、画素電極と対向電極とで各電極上に生じる水酸基の量、即ち水酸基の密度が異なってしまった場合、上述した反転駆動では、表示画像の焼き付き、フリッカ等の表示不良を完全に防止することができない。また、反転駆動は、液晶装置の有効画素領域における光透過率を低下させてしまうため、画素電極と対向電極とで水酸基の密度が異なってしまった場合において、イオン吸着の偏りに起因する表示画像の焼き付き、フリッカ等の表示不良を防ぐのに、他の手法が望まれていた。
【００２６】
本発明は上記事情及び問題点に着目してなされたものであり、製造後、画素電極と対向電極とで水酸基の密度が異なってしまった場合におけるイオンの偏りにより発生する液晶装置におけるフリッカや焼き付き等の表示不良を、確実に防止することができる液晶装置の製造方法、液晶装置の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
上記目的を達成するために本発明に係る液晶装置の製造方法は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板との間に液晶が介在され、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記液晶に駆動電圧を印加する各電極上に、無機配向膜がそれぞれ形成された液晶装置の製造方法であって、前記第１の基板及び前記第２の基板に、前記電極をそれぞれ形成する電極形成工程と、前記第１の基板及び前記第２の基板を、塩素系ガス雰囲気中で加熱しながら、前記第１の基板及び前記第２の基板の各前記電極に対して脱水酸基処理を行い、各前記電極上の水酸基を除去する脱水酸基処理工程と、前記第１の基板及び前記第２の基板の各前記電極上に、前記無機配向膜をそれぞれ形成する無機配向膜形成工程と、を具備することを特徴とする。
【００２８】
本発明によれば、第１の基板及び第２の基板に電極を形成した後、第１の基板と第２の基板とで、製法やプロセスに違いにより、電極の形状や表面積が異なり、各電極間で、液晶中に介在されたイオンが各電極に吸着してしまう原因となる水酸基の密度が異なった結果、イオンの吸着量が異なってしまったとしても、両方の基板の各電極に、塩素系ガス雰囲気中で加熱しながら、脱水酸基処理を行うことにより、両基板の各電極に生じた水酸基を、無機配向膜形成前にあらかじめ除去することができる。よって、第１の基板と第２の基板とで電極に吸着するイオンの量の違いにより、液晶中に介在されたプラスイオンが水酸基の少ない電極の界面に溜まるとともに、液晶中に介在されたマイナスイオンが水酸基の多い電極の界面に溜まることによるイオンの偏りにより発生する液晶装置におけるフリッカや焼き付き等の表示不良を、確実に防止することができる液晶装置の製造方法を提供することができる。
【００２９】
また、前記脱水酸基処理工程は、２００℃〜３００℃まで加熱して行うことを特徴とする。
【００３０】
本発明によれば、第１の基板及び第２の基板の各電極に、塩素系ガス雰囲気中で２００℃〜３００℃に加熱しながら脱水酸基処理を行うことにより、両基板の各電極に生じた水酸基を、無機配向膜形成前にあらかじめ除去することができる。よって、第１の基板と第２の基板とで電極に吸着するイオンの量の違いにより、液晶中に介在されたプラスイオンが水酸基の少ない電極の界面に溜まるとともに、液晶中に介在されたマイナスイオンが水酸基の多い電極の界面に溜まることによるイオンの偏りにより発生する液晶装置におけるフリッカや焼き付き等の表示不良を、確実に防止することができる液晶装置の製造方法を提供することができる。
【００３１】
さらに、前記脱水酸基処理工程は、前記第１の基板及び前記第２の基板の各前記電極に、マイクロ波を照射して行うことを特徴とする。また、前記脱水酸基処理工程は、１００℃〜２００℃まで加熱して行うことを特徴とする。
【００３２】
本発明によれば、第１の基板及び第２の基板の各電極に、塩素系ガス雰囲気中で１００℃〜２００℃に加熱しながらマイクロ波を照射して脱水酸基処理を行うことにより、両基板の各電極に生じた水酸基を、単に加熱して行う場合よりも低い温度で、無機配向膜を形成する前にあらかじめ除去することができる。よって、第１の基板と第２の基板とで電極に吸着するイオンの量の違いにより、液晶中に介在されたプラスイオンが水酸基の少ない電極の界面に溜まるとともに、液晶中に介在されたマイナスイオンが水酸基の多い電極の界面に溜まることによるイオンの偏りにより発生する液晶装置におけるフリッカや焼き付き等の表示不良を、確実に防止することができる液晶装置の製造方法を提供することができる。
【００３３】
さらに、前記第１の基板及び前記第２の基板の各前記電極は、透明電極であることを特徴とする。
【００３４】
本発明によれば、第１の基板及び第２の基板の各透明電極に、塩素系ガス雰囲気中で加熱しながら、脱水酸基処理を行うことにより、両基板の各透明電極に生じた水酸基を、無機配向膜形成前にあらかじめ除去することができる。よって、第１の基板と第２の基板とで透明電極に吸着するイオンの量の違いにより、液晶中に介在されたプラスイオンが水酸基の少ない透明電極の界面に溜まるとともに、液晶中に介在されたマイナスイオンが水酸基の多い透明電極の界面に溜まることによるイオンの偏りにより発生する液晶装置におけるフリッカや焼き付き等の表示不良を、確実に防止することができる液晶装置の製造方法を提供することができる。
【００３５】
本発明に係る液晶装置の製造装置は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板との間に液晶が介在され、前記第１の基板及び前記第２の基板の前記液晶に駆動電圧を印加する各電極上に、無機配向膜がそれぞれ形成された液晶装置の製造装置であって、真空槽と、前記真空槽に設けられた、前記真空槽内に塩素系ガスを導入する塩素系ガス導入口と、前記真空槽に設けられた、前記真空槽内に配設される前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の基板を加熱する加熱装置と、を具備していることを特徴とする。
【００３６】
本発明によれば、第１の基板及び第２の基板に電極を形成した後、第１の基板と第２の基板とで、製法やプロセスに違いにより、電極の形状や表面積が異なり、各電極間で、液晶中に介在されたイオンが各電極に吸着してしまう原因となる水酸基の密度が異なった結果、イオンの吸着量が異なってしまったとしても、真空槽内に配設される処理対象基板の電極に、塩素系ガス導入口から真空槽内に導入された塩素系ガス雰囲気中で加熱装置により加熱しながら脱水酸基処理を行うことができるため、両基板の各電極に生じた水酸基を、無機配向膜形成前にあらかじめ除去することができる。よって、第１の基板と第２の基板とで電極に吸着するイオンの量の違いにより、液晶中に介在されたプラスイオンが水酸基の少ない電極の界面に溜まるとともに、液晶中に介在されたマイナスイオンが水酸基の多い電極の界面に溜まることによるイオンの偏りにより発生する液晶装置におけるフリッカや焼き付き等の表示不良を、確実に防止することができる液晶装置の製造装置を提供することができる。
【００３７】
また、前記真空槽内に配設される前記一方の基板の前記電極に対し、マイクロ波を照射するマイクロ波照射装置を具備していることを特徴とする。
【００３８】
本発明によれば、液晶装置の製造装置は、さらにマイクロ波照射装置を具備していることから、真空槽内に配設される処理対象基板の電極に、塩素系ガス導入口から真空槽内に導入された塩素系ガス雰囲気中で加熱装置により１００℃〜２００℃に加熱しながら、マイクロ波照射装置を用いてマイクロ波を照射して脱水酸基処理を行うことができるため、両基板の各電極に生じた水酸基を、単に加熱して行う場合よりも低い温度で、無機配向膜形成前にあらかじめ除去することができる。よって、第１の基板と第２の基板とで電極に吸着するイオンの量の違いにより、液晶中に介在されたプラスイオンが水酸基の少ない電極の界面に溜まるとともに、液晶中に介在されたマイナスイオンが水酸基の多い電極の界面に溜まることによるイオンの偏りにより発生する液晶装置におけるフリッカや焼き付き等の表示不良を、確実に防止することができる液晶装置の製造装置を提供することができる。
【００３９】
さらに、前記真空槽内に配設される前記一方の基板の前記電極上に、前記無機配向膜を形成する無機配向膜形成手段を具備していることを特徴とする。
【００４０】
本発明によれば、液晶装置の製造装置は、さらに、無機配向膜形成手段を具備していることにより、即ち、無機配向膜形成装置において、脱水酸基処理を行うことができるため、各電極上の水酸基を除去した後、無機配向膜形成のため、各基板を真空槽から取り出し、別途、無機配向膜形成装置に移動させる必要がないため、各電極が空気に晒されてしまうことがないことから、移動の際に、再度、各電極上に水酸基が生成されてしまうことを確実に防止することができる。また、１つの装置において、脱水酸基処理と無機配向膜形成を行うことができることから、製造工程の短縮化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において液晶装置は、光透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。
【００４２】
また、液晶装置において対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、第１の基板である素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する第２の基板である対向基板を例に挙げて説明する。
【００４３】
（第１実施の形態）
先ず、本実施の形態の製造方法、製造装置により製造される液晶装置全体の構成について説明する。図１は、本実施の形態の製造方法により製造される液晶装置の平面図、図２は、図１中のII-II線に沿って切断した断面図、図３は、図１の液晶装置における画素電極及び無機配向膜と、その近傍を示す部分拡大断面図である。
【００４４】
図１、図２に示すように、液晶装置１は、例えば、石英基板やガラス基板等を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板等を用いた対向基板２０との間に、液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００４５】
ＴＦＴ基板１０の液晶５０と接する領域に、液晶装置１の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する、透明電極、例えば既知のＩＴＯから構成された画素電極９がマトリクス状に配置されている。
【００４６】
また、対向基板２０の液晶５０と接する領域に、液晶５０に画素電極９とともに駆動電圧を印加する透明電極、例えば既知のＩＴＯから構成された対向電極２１が設けられており、対向電極２１の表示領域１０ｈに対向する領域に、液晶装置１の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００４７】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９上に、無機配向膜から構成された配向膜（以下、無機配向膜と称す）１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、無機配向膜２６が設けられている。
【００４８】
詳しくは、図３に示すように、画素電極９上に、ＳｉＯ２やＳｉＯ等のシリコン酸化物等の絶縁物により構成された複数本の柱状の構造を有する無機配向膜１６が、画素電極９に垂直な面に対し所定の角度θ傾くよう、上述した斜方蒸着法により形成されている。その結果、液晶５０は、斜方蒸着された無機配向膜１６により垂直配向されている。
【００４９】
尚、このように、無機配向膜１６が、斜方蒸着法により形成されていることにより、画素電極９に、液晶５０に対して剥き出しになる部位９ｍが形成されている。
【００５０】
また、このことは、図示しないが、無機配向膜２６であっても同様であり、対向電極２１上に、ＳｉＯ２やＳｉＯ等のシリコン酸化物等の絶縁物により構成された複数本の柱状の構造を有する無機配向膜２６が、対向電極２１に垂直な面に対し所定の角度θ傾くよう、上述した斜方蒸着法により形成されている。その結果、液晶５０は、斜方蒸着された無機配向膜２６により垂直配向されている。
【００５１】
また、無機配向膜２６が、斜方蒸着法により形成されていることにより、対向電極２１にも、液晶５０に対して剥き出しになる図示しない部位が形成されている。
【００５２】
また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の図示しない走査線と複数本の図示しないデータ線とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９がマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線との各交差部分に対応して図示しない薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられ、このＴＦＴ毎に画素電極９が電気的に接続されている。
【００５３】
ＴＦＴは走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９に供給される。この画素電極９と対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００５４】
対向基板２０に、液晶装置１の表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００５５】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。
【００５６】
シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間において、シール材５２により囲まれた領域に液晶５０を注入するための切り欠きである液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止剤１０９によって封止される。
【００５７】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１と外部回路との接続のための外部接続端子１０２とが、ＴＦＴ基板１０の液晶注入口１０８が位置する１辺に沿って設けられている。尚、外部接続端子１０２は、対向基板２０に設けられていても構わない。
【００５８】
外部接続端子１０２に、液晶装置１を、プロジェクタ等の電子機器と電気的に接続する、図示しない特定の長さを有する柔軟なフレキシブル配線基板（Flexible Printed Circuits、以下ＦＰＣと称す）の一端が接続される。ＦＰＣの他端がプロジェクタ等の電子機器に接続されることにより、液晶装置１と電子機器とは電気的に接続される。
【００５９】
外部接続端子１０２が設けられたＴＦＴ基板１０の１辺に隣接する２辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の図示しない走査線及びゲート電極に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバである走査線駆動回路１０３、１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３、１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００６０】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３、１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００６１】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００６２】
次に、このように構成された液晶装置の製造装置、具体的には、液晶装置１における画素電極９、対向電極２１の形成後の各電極９、２１の脱水酸基処理装置について、図４を用いて説明する。図４は、本実施の形態の液晶装置の製造装置を概略的に示す図である。
【００６３】
図４に示すように、液晶装置の製造装置である脱水酸基処理装置６０は、真空槽である真空チャンバ６１と、該真空チャンバ６１に設けられた塩素系ガス導入口６３と、真空チャンバ６１内に設けられた加熱装置であるヒータ６２とにより主要部が構成されている。
【００６４】
塩素系ガス導入口６３は、真空チャンバ６１内に、後述する塩素系ガスを導入するものであり、ヒータ６２は、一方、処理対象基板がＴＦＴ基板１０であれば、画素電極９が形成された後のＴＦＴ基板１０が載置されるとともに、ＴＦＴ基板１０を、後述する設定温度まで加熱するものであり、他方、処理対象基板が対向基板２０であれば、対向電極２１が形成された後の対向基板２０が載置されるとともに、対向基板２０を、後述する設定温度まで加熱するものである。尚、ヒータ６２には、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の両方が載置されても構わない。
【００６５】
次に、図４の液晶装置の製造装置を用いた図１〜図３のように構成された液晶装置の製造方法、具体的には、液晶装置１における画素電極９、対向電極２１、無機配向膜１６、２６の形成方法について、図５〜図７を用いて説明する。図５は、本実施の形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図６は、図５の脱水酸基処理工程を具体的に示したフローチャート、図７は、脱水酸基処理工程における処理基板の加熱温度及び加熱時間に対する、液晶装置に発生するフリッカレベルの結果を示す図表である。
【００６６】
尚、画素電極９、対向電極２１、無機配向膜１６、２６の形成方法以外の液晶装置の製造方法については、周知であるため、その説明は省略する。
【００６７】
図５に示すように、先ず、ステップＳ１において、既知の半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって複数の薄膜が形成されたＴＦＴ基板１０、対向基板２０に対し、上述した画素電極９、対向電極２１をそれぞれ形成する電極形成工程を行う。
【００６８】
尚、ステップＳ１における電極形成工程後、上述したように、製法やプロセスに起因して、画素電極９と対向電極２１とで、形状や表面積が変わってしまうため、画素電極９と対向電極２１とで、液晶５０中に介在されたイオンが各電極９、２１に吸着してしまう原因となる水酸基の密度が異なってしまう場合がある。
【００６９】
そこで、ステップＳ２においては、各電極９、２１に生じた水酸基をあらかじめ除去する脱水酸基処理工程を行う。これは、画素電極９と、対向電極２１とで水酸基の密度に差があると、上述したように、液晶５０に対して剥き出しになった画素電極９の部位９ｍと、液晶５０に対して剥き出しになった対向電極２１の部位とで、不純物イオンの吸着量に、極端な偏りが生じやすくなってしまい、液晶装置１における表示画像の焼き付き、フリッカ等の表示不良が発生しやすくなってしまうという問題があるためである。この問題を解決するため、各電極９、２１に生じた水酸基を除去する必要がある。
【００７０】
具体的には、図６に示すように、先ず、ステップＳ１０において、図４に示す脱水酸基処理装置６０内のヒータ６２に処理対象基板、例えば画素電極９が形成されたＴＦＴ基板１０を載置した後、真空チャンバ６１内を、脱水酸基処理装置６０に設けられた図示しない減圧装置により真空引きする。
【００７１】
次いで、ステップＳ１１では、真空チャンバ６１内に、塩素系ガス導入口６３を介して塩素系ガス、例えばＨe（ヘリウム）、Ａｒ（アルゴン）、Ｎ２（窒素）、O２等のキャリアガスに対し塩素ガスを混合した塩素系ガスを導入する。
【００７２】
最後に、ステップＳ１２では、ヒータ６２により、ＴＦＴ基板１０を、塩素系ガス雰囲気中で、設定温度である２００℃〜３００℃まで設定時間加熱する。その結果、画素電極９上の水酸基は除去されることが、実験の結果分かった。
【００７３】
以下、実験の結果を図７に示す。図７に示すように、塩素系ガス雰囲気中において、２００℃で２０分しか加熱しないと、画素電極９に対する水の接触角は、２°しか変化しない、即ち、加熱前の画素電極９に対し２°しか大きくならない。よって、この条件での処理後のＴＦＴ基板１０を用いて液晶装置１を製造した場合、液晶装置１に発生するフリッカのレベルは許容範囲外となることが分かった。
【００７４】
しかしながら、２００℃で３０分加熱すると、画素電極９に対する水の接触角は、５°変化し、即ち、加熱前の画素電極９に対し５°大きくなり、または３００℃で２０分加熱すると、画素電極９に対する水の接触角は、７°変化し、即ち、加熱前の画素電極９に対し７°大きくなる。つまり、本条件では、画素電極９が処理前よりも親水性が低下する、即ち疎水性となることがわかる。よって、処理後のＴＦＴ基板１０を用いて液晶装置１を製造した場合、液晶装置１に発生するフリッカのレベルは許容範囲内となることが実験の結果分かった。
【００７５】
この結果から、ＴＦＴ基板１０を、塩素系ガス雰囲気中で、２００℃〜３００℃まで加熱すると、画素電極９上に生じた水酸基が除去されると判断できる。尚、以上の脱水酸基処理工程におけるステップＳ１０〜ステップＳ１２は、対向基板２０に対しても同様に行われる。また、脱水酸基処理工程は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０に対し、同時に行われても構わない。
【００７６】
図５に戻って、脱水酸基処理工程後、最後に、ステップＳ３において、例えばＴＦＴ基板１０を、画素電極９が空気に晒されることがないよう真空チャンバからインラインで接続された図示しない無機配向膜形成装置へと移動させ、該無機配向膜形成装置にて、水酸基があらかじめ除去された画素電極９上に、上述したように、斜方蒸着法により、無機配向膜１６を形成する無機配向膜形成工程を行う。尚、無機配向膜形成工程において、対向基板２０に対して無機配向膜２６を形成する場合もＴＦＴ基板１０の手法と同様である。また、無機配向膜形成工程においても、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０に対し、同時に無機配向膜１６、２６を形成しても構わない。
【００７７】
このように、本実施の形態においては、画素電極９、対向電極２１の形成後、脱水酸基処理装置６０を用いて、各基板１０、２０の各電極９、２１に対して、脱水酸基処理を行うと示した。
【００７８】
このことによれば、各電極９、２１を形成した後、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とで、製法やプロセスに違いにより、電極９、２１の形状や表面積が異なり、液晶５０中に介在されたイオンが各電極９、２１に吸着してしまう原因となる水酸基の密度が画素電極９と対向電極２１とで異なった結果、イオンの吸着量が各電極９、２１間で異なってしまったとしても、無機配向膜形成前に、各電極９、２１に対し、塩素系ガス雰囲気中で２００℃〜３００℃まで加熱しながら、脱水酸基処理を行うことにより、各電極９、２１の水酸基をあらかじめ除去することができる。
【００７９】
よって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とで電極９、２１に吸着するイオンの量の違いにより、液晶５０中に介在されたプラスイオンが水酸基の少ない電極の界面に溜まるとともに、液晶５０中に介在されたマイナスイオンが水酸基の多い電極の界面に溜まることによるイオンの偏りにより発生する液晶装置１におけるフリッカや焼き付き等の表示不良を、確実に防止することができる液晶装置１の製造方法、製造装置を提供することができる。
【００８０】
（第２実施の形態）
図８は、本実施の形態の液晶装置の製造装置を概略的に示す図、図９は、本実施の形態の液晶装置の製造方法における脱水酸基処理工程を具体的に示したフローチャート、図１０は、脱水酸基処理工程におけるマイクロ波を照射した際の処理基板の加熱温度及び加熱時間に対する、液晶装置に発生するフリッカレベルの結果を示す図表である。
【００８１】
この第２実施の形態の液晶装置の製造方法は、上述した第１実施の形態の液晶装置の製造方法と比して、脱水酸基処理工程において、処理対象基板に対し、マイクロ波を照射しながら加熱する点のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施の形態の液晶装置、液晶装置の製造装置と同様の構成部材には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００８２】
先ず、本実施の形態における液晶装置の製造装置、具体的には、液晶装置１における画素電極９、対向電極２１の形成後の各電極９、２１の脱水酸基処理装置について、図８を用いて説明する。
【００８３】
図８に示すように、液晶装置の製造装置である脱水酸基処理装置１６０は、上述した真空チャンバ６１と、塩素系ガス導入口６３と、ヒータ６２とに加え、マイクロ波照射装置であるマグネトロン発振器６４と、該マグネトロン発振器６４から真空チャンバ６１内まで延出されたアンテナ６５とにより主要部が構成されている。
【００８４】
マグネトロン発振器６４は、所定のマイクロ波を発振する装置であり、アンテナ６５は、マグネトロン発振器６４から発振されたマイクロ波を、真空チャンバ６１内のヒータ６２に載置された処理対象基板に照射するためのものである。
【００８５】
次に、図８の液晶装置の製造装置を用いた液晶装置の製造方法、具体的には、液晶装置１における画素電極９、対向電極２１、無機配向膜１６、２６の形成方法について、上述した図５及び図９、図１０を用いて説明する。
【００８６】
尚、本実施の形態においても、画素電極９、対向電極２１、無機配向膜１６、２６の形成方法以外の液晶装置の製造方法については、周知であるため、その説明は省略する。
【００８７】
先ず、上述した図５に示すように、ステップＳ１において、既知の半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって複数の薄膜が形成されたＴＦＴ基板１０、対向基板２０に対し、上述した画素電極９、対向電極２１をそれぞれ形成する電極形成工程を行う。
【００８８】
次いで、ステップＳ２においては、各電極９、２１に生成された水酸基をあらかじめ除去する脱水酸基処理工程を行う。
【００８９】
具体的には、図９に示すように、先ず、上述した第１実施の形態同様、ステップＳ１０において、図８に示す脱水酸基処理装置１６０内のヒータ６２に処理対象基板、例えば画素電極９が形成されたＴＦＴ基板１０を載置した後、真空チャンバ６１内を、脱水酸基処理装置１６０に設けられた図示しない減圧装置により真空引きする。
【００９０】
次いで、ステップＳ１１では、上述した第１実施の形態同様、真空チャンバ６１内に、塩素系ガス導入口６３を介して塩素系ガス、例えばＨe（ヘリウム）、Ａｒ（アルゴン）、Ｎ２（窒素）、O２等のキャリアガスに対し塩素ガスを混合した塩素系ガスを導入する。
【００９１】
次いで、ステップＳ１３においては、マグネトロン発振器６４を駆動させ、所定のマイクロ波、例えば２４５０ＭＨｚ帯、出力６００Ｗのマイクロ波を発振させるとともに、該マイクロ波を、アンテナ６５から、処理対象電極である画素電極９に照射する。
【００９２】
最後に、ステップＳ１４では、マイクロ波を照射した状態で、ヒータ６２により、ＴＦＴ基板１０を、塩素系ガス雰囲気中で、設定温度である１００℃〜２００℃まで加熱する。その結果、画素電極９の水酸基は除去されることが、実験の結果分かった。
【００９３】
以下、実験の結果を図１０に示す。図１０に示すように、塩素系ガス雰囲気中において、マイクロ波を照射しながら加熱を行えば、１００℃で１０分加熱したのみで、画素電極９に対する水の接触角は、７°変化し、即ち、加熱前の画素電極９に対し７°大きくなり、また、第１実施の形態ではフリッカのレベルが許容範囲外となった２００℃で２０分加熱した場合であっても、画素電極９に対する水の接触角は、１０°変化し、即ち、加熱前の画素電極９に対し１０°大きくなる。つまり、本条件では、画素電極９が処理前よりも親水性が低下する、即ち、疎水性となることがわかる。よって、処理後のＴＦＴ基板１０を用いて液晶装置１を製造した場合、液晶装置１に発生するフリッカのレベルは許容範囲内となることが実験の結果分かった。
【００９４】
この結果から、ＴＦＴ基板１０を、塩素系ガス雰囲気中で、マイクロ波を照射しながら、１００℃〜２００℃まで加熱すると、画素電極９の水酸基が除去されると判断できる。即ち、上述した第１実施の形態よりも、低温度かつ短時間にて、画素電極９に生成された水酸基を除去することができる。
【００９５】
尚、以上の脱水酸基処理工程におけるステップＳ１０〜ステップＳ１４は、対向基板２０に対しても同様に行われる。また、脱水酸基処理工程は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０に対し、同時に行われても構わない。
【００９６】
図５に戻って、脱水酸基処理工程後、最後に、ステップＳ３において、ＴＦＴ基板１０を、画素電極９が空気に晒されることがないよう真空チャンバからインラインで接続された図示しない無機配向膜形成装置へと移動させ、該無機配向膜形成装置にて、上述した第１実施の形態同様、水酸基があらかじめ除去された画素電極９上に、上述したように、斜方蒸着法により、無機配向膜１６を形成する無機配向膜形成工程を行う。尚、無機配向膜形成工程において、対向基板２０に対して無機配向膜２６を形成する場合もＴＦＴ基板１０の手法と同様である。また、無機配向膜形成工程においても、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０に対し、同時に無機配向膜１６、２６を形成しても構わない。
【００９７】
このように、本実施の形態においては、脱水酸基処理装置１６０を用いて、画素電極９、対向電極２１の形成後、各電極９、２１に対して、脱水酸基処理を行うと示した。
【００９８】
このことによれば、各電極９、２１を形成した後、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とで、製法やプロセスに違いにより、電極９、２１の形状や表面積が異なり、液晶５０中に介在されたイオンが各電極９、２１に吸着してしまい、画素電極９と対向電極２１とで水酸基の密度が異なった結果、イオンの吸着量が異なってしまったとしても、各電極９、２１に、塩素系ガス雰囲気中で、マイクロ波を照射しながら、１００℃〜２００℃まで加熱して脱水酸基処理を行うことにより、無機配向膜形成前に、各電極９、２１の水酸基を、上述した第１実施の形態よりも低温度かつ短時間にてあらかじめ除去することができる。
【００９９】
尚、その他の効果は、上述した第１実施の形態と同じである。
【０１００】
以下、変形例を、図１１を用いて示す。図１１は、第１実施の形態及び第２実施の形態における液晶装置の製造装置の変形例を概略的に示す図である。
【０１０１】
上述した第１実施の形態及び第２実施の形態においては、脱水酸基処理を行うに際し、脱水酸基処理装置６０または脱水酸基処理装置１６０を用いて行うと示した。これに限らず、上述した図５のステップＳ３に示した無機配向膜形成工程において、各電極９、２１上に無機配向膜１６、２６を斜方蒸着法によりそれぞれ形成する斜方蒸着装置を用いて脱水酸基処理を行っても構わない。
【０１０２】
詳しくは、図１１に示すように、斜方蒸着装置２６０は、真空チャンバ２６１と、ガス導入口２６３と、加熱装置であるヒータ２６２と、マイクロ波照射装置であるマグネトロン発振器２６４と、アンテナ２６５と、ガス排気口２６６と、無機配向膜形成手段である蒸着源２６７とにより主要部が構成されている。
【０１０３】
尚、真空チャンバ２６１と、ヒータ２６２と、マグネトロン発振器２６４と、アンテナ２６５とは、上述した真空チャンバ６１と、ヒータ６２と、マグネトロン発振器６４と、アンテナ６５と同等の機能を有しているが、ヒータ２６２は、蒸着源２６７に対し、処置対象基板、具体的には、ＴＦＴ基板１０の画素電極９または対向基板２０の対向電極２１が所定の角度を有して位置するよう、ＴＦＴ基板１０、対向基板２０を保持する構成となっている。
【０１０４】
また、ガス導入口２６３は、無機配向膜１６、２６の形成の際に使用する酸素ガス等を、真空チャンバ２６１内の導入する他、真空チャンバ２６１内に、上述した塩素系ガスを導入するものである。
【０１０５】
ガス排気口２６６は、処理後、真空チャンバ２６１内に導入されたガスを、真空チャンバ２６１外に排出するものであり、蒸着源２６７は、例えばＳｉＯ２から構成され、無機配向膜形成の際、酸素ガスの導入により、蒸着流を発生し、ＴＦＴ基板１０または対向基板２０の各電極９、２１上に、上述した斜方蒸着法により無機配向膜１６、２６を形成するものである。
【０１０６】
即ち、斜方蒸着装置２６０は、マグネトロン発振器２６４とアンテナ２６５とを有している以外は、一般的な斜方蒸着装置と同様の構成を有している。
【０１０７】
よって、斜方蒸着装置２６０を用いて脱水酸基処理を行う場合は、上述した第１及び第２実施の形態同様、ヒータ２６２にＴＦＴ基板１０または対向基板２０を保持させた後、ガス導入口２６３から塩素系ガスを真空チャンバ２６１内に導入した後、塩素系ガス雰囲気下において、ＴＦＴ基板１０または対向基板２０に対して、例えば２００℃３０分または３００℃２０分の加熱を行うか、マグネトロン発振器２６４とアンテナ２６５とを用いて画素電極９または対向電極２１にマイクロ波を照射しながら、例えば１００℃１０分または２００℃２０分の加熱を行う。
【０１０８】
脱水酸基処理後、各電極上に無機配向膜１６、２６をそれぞれ形成する際は、ＴＦＴ基板１０を、ヒータ２６２に保持させた状態で、真空チャンバ２６１内に酸素ガス等を導入することにより、既知の手法により行う。
【０１０９】
このように、無機配向膜を形成する斜方蒸着装置２６０を用いて、上述した第１及び第２実施の形態に示した脱水酸基処理を行えば、各電極９、２１上の水酸基を除去した後、各基板１０、２０を真空チャンバ２６１から取り出し、別途、無機配向膜形成装置に移動させる必要がない。
【０１１０】
よって、１つの装置において、脱水酸基処理と無機配向膜形成を行うことができることから、製造工程の短縮化を実現することができる。尚、その他の効果は、上述した第１及び第２実施の形態と同様である。
【０１１１】
また、以下、別の変形例を示す。
【０１１２】
上述した第１及び第２実施の形態においては、液晶装置は、光透過型の液晶装置を例に挙げて説明したが、これに限らず、本実施の形態の製造方法は、反射型の液晶装置に適用しても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１１３】
また、上述した第１及び第２実施の形態においては、無機配向膜１６、２１は、垂直配向モードの液晶５０の配向に用いると示したが、これに限らず、斜方蒸着の角度θによっては、水平配向モードの液晶の配向に用いても構わない。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【０１１５】
さらに、液晶装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本実施の形態の製造方法により製造される液晶装置の平面図。
【図２】図１中のII-II線に沿って切断した断面図。
【図３】図１の液晶装置における画素電極及び無機配向膜と、その近傍を示す部分拡大断面図。
【図４】本実施の形態の液晶装置の製造装置を概略的に示す図。
【図５】本実施の形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図６】図５の脱水酸基処理工程を具体的に示したフローチャート。
【図７】脱水酸基処理工程における処理基板の加熱温度及び加熱時間に対する、液晶装置に発生するフリッカレベルの結果を示す図表。
【図８】本実施の形態の液晶装置の製造装置を概略的に示す図。
【図９】本実施の形態の液晶装置の製造方法における脱水酸基処理工程を具体的に示したフローチャート。
【図１０】脱水酸基処理工程におけるマイクロ波を照射した際の処理基板の加熱温度及び加熱時間に対する、液晶装置に発生するフリッカレベルの結果を示す図表。
【図１１】第１実施の形態及び第２実施の形態における液晶装置の製造装置の変形例を概略的に示す図。
【図１２】ＴＦＴ基板側の画素電極上の水酸基の量が、対向基板側の対向電極上の水酸基の量よりも多くなった状態を概略的に示す図。
【図１３】対向電極に対し画素電極の電位が、マイナス側にシフトした状態を示す図。
【図１４】対向基板側の対向電極上の水酸基の量が、ＴＦＴ基板側の画素電極上の水酸基の量よりも多くなった状態を概略的に示す図。
【図１５】対向電極に対し画素電極の電位が、プラス側にシフトした状態を示す図。
【符号の説明】
【０１１７】
１…液晶装置、９…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、１６…無機配向膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２６…無機配向膜、５０…液晶、６０…脱水酸基処理装置、６１…真空チャンバ、６２…ヒータ、６３…塩素系ガス導入口、６４…マグネトロン発振器、１６０…脱水酸基処理装置、２６０…斜方蒸着装置、２６１…真空チャンバ、２６２…ヒータ、２６３…ガス導入口、２６４…マグネトロン発振器、２６７…蒸着源。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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