(57)【要約】      （修正有）【課題】表示品質を向上させることができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置は、第１絶縁基板と、第１絶縁基板上に形成され第１方向にのびたゲート線と、ゲート線と絶縁され交差し、互いに分離して第２方向にのびた第１および第２データ線と、第１および第２データ線から各々互いに異なるデータ電圧が印加されて間隙によって分離した第１および第２副画素電極を具備する画素電極と、第２副画素電極の少なくとも一部は第１および第２データ線と重畳する画素電極と、第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、第２絶縁基板上に形成され第１および第２データ線について延びて、凹凸形状を持つブラックマトリックスと、第１および第２絶縁基板の間に介在した液晶層とを含む。【選択図】図５
2008225436.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と、
前記第１絶縁基板上に形成され第１方向に延びているゲート線と、
前記ゲート線と絶縁され交差し、互いに分離して第２方向に延びている第１および第２データ線と、
前記第１および第２データ線から各々異なるデータ電圧が印加され、間隙をあけて互いに分離されている第１および第２副画素電極を具備する画素電極であって、前記第２副画素電極の少なくとも一部は前記第１および第２データ線と重畳している画素電極と、
前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、
前記第２絶縁基板上に前記第１および第２データ線に沿って延びて形成され、凹凸形状を有するブラックマトリックスと、
前記第１および第２絶縁基板の間に設けられた液晶層と、
を含む液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１副画素電極には、前記第２副画素電極に比べて高いデータ電圧が印加される、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１および第２データ線は、前記第１方向で前記第２副画素電極と重畳している、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１および第２データ線は前記第１副画素電極と重畳しない、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２副画素電極は前記第１副画素電極を囲むように形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１副画素電極はＶ字形状を有し、
前記第２副画素電極は前記画素電極内で前記第１副画素電極以外の領域に形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２副画素電極は、前記ゲート線と４５度または−４５度をなすメイン領域と、前記データ線に沿って配列され前記メイン領域の間を連結するブリッジ領域とを有し、
前記データ線は前記ブリッジ領域と重畳している、請求項５または請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記ブラックマトリックスは、前記間隙と重畳している凸部と、前記間隙と重畳しない凹部とを有し、
前記間隙は、前記ゲート線と傾斜をなす斜線部と、前記斜線部の間を連結し前記第１および第２データ線に沿って配列された縦部とを有し、
前記凸部は前記縦部と重畳して配置されている、請求項５または請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記画素電極を多数のドメインに分割するドメイン分割手段が前記第２副画素電極に形成され、
前記間隙は、前記ゲート線と傾斜をなす斜線部と前記斜線部の間を連結し、前記第１および第２データ線に沿って配列された縦部とを有し、
前記ドメイン分割手段の終端に隣接した前記第２副画素電極の幅が前記縦部に隣接した前記第２副画素電極の幅より大きい、請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記ブラックマトリックスは、前記間隙と重畳する凸部と、前記間隙と重畳しない凹部とを有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記間隙は、前記ゲート線と傾斜をなす斜線部と、前記斜線部の間を連結し前記第１および第２データ線に沿って配列された縦部とを有し、
前記凸部は、前記縦部と重畳して配置されている請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記凹部に比べて前記凸部は、前記第一方向に３μｍ以上突出している、請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記画素電極を多数のドメインに分割するドメイン分割手段が前記第２副画素電極に形成され、
前記間隙は、前記ゲート線と傾斜をなす斜線部と、前記斜線部の間を連結し前記第１および第２データ線に沿って配列された縦部とを有し、
前記ドメイン分割手段の端部に隣接した前記第２副画素電極の幅が前記縦部に隣接した前記第２副画素電極の幅より広い、請求項１または請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記ドメイン分割手段の端部と前記第１または第２データ線の水平離隔距離が前記縦部と前記第１または第２データ線の水平離隔距離より長い、請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記ドメイン分割手段の端部と前記第１または第２データ線の水平離隔距離が前記縦部と前記第１または第２データ線の水平離隔距離より２μｍ以上長い、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１データ線から前記第１副画素電極にデータ電圧が印加される第１型画素と、前記第２データ線から前記第１副画素電極にデータ電圧が印加される第２型画素とが、前記第１および第２方向に交互に配置されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第１データ線から前記第１副画素電極にデータ電圧が印加される第１型画素と、前記第２データ線から前記第１副画素電極にデータ電圧が印加される第２型画素とが、前記第１および第２方向に交互に配置されている、請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第１データ線から前記第１副画素電極にデータ電圧が印加される第１型画素と、前記第２データ線から前記第１副画素電極にデータ電圧が印加される第２型画素とが、前記第１および第２方向に交互に配置されている、請求項１３に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ装置に関するもので、より詳しくは液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在最も広く使われている平板表示装置のうち一つであって、画素電極と共通電極など電界生成電極が形成されている２枚の表示板とその間に挿入されている液晶層で形成され、電界生成電極に電圧を印加し、液晶層に電界を生成する。これによって、液晶層の液晶分子の配向を決定し入射光の偏光を制御することによって映像を表示する。
その中でも、電界が印加されない状態で液晶分子の主方向子が上下表示板に対し垂直をなすように配列した垂直配向モード液晶表示装置は、コントラスト比（ｃｏｎｔｒａｓｔ  ｒａｔｉｏ）が大きくて広い基準視野角の具現が容易であり脚光を浴びている。
このような垂直配向方式の液晶表示装置は前面視認性に比べて、側面視認性が低下するという問題点がある。このような問題点を改善するために、一つの画素（ｐｉｘｅｌ）を一対の副画素（ｓｕｂ−ｐｉｘｅｌ）に分割し、各副画素にスイッチング素子を形成して、副画素ごとに別途の電圧を印加する方法が提案された。
ただし、このような従来技術による液晶表示装置において、データ線上部に位置する液晶は、画素電極に起因する電界によってその動きが正確に制御されることができないため、光漏れが発生し液晶表示装置の表示特性を低下させる。
またこのような構造の液晶表示装置において、相対的に高いデータ電圧が印加される副画素電極とこれの両側に位置する一対のデータ線とのカップリングキャパシタンス（ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が不一致な場合、表示特性が低下する。
したがって、このような副画素とこれに隣接するデータ線とのカップリングキャパシタンスを減らす必要がある。
【特許文献１】韓国特許公開第２００６−００１８４０１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明が解決しようとする課題は、表示品質を向上させることができる液晶表示装置を提供することである。
本発明の技術的課題は以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されないまた他の技術的課題は後述の記載から当業者に明確に理解できるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
前記技術的課題を達成するために、本発明１は、下記の構成を含む液晶表示装置を提供する。
・第１絶縁基板と、
・前記第１絶縁基板上に形成され第１方向に延びているゲート線と、
・前記ゲート線と絶縁され交差し、互いに分離して第２方向に延びている第１および第２データ線と、
・前記第１および第２データ線から各々異なるデータ電圧が印加され、間隙をあけて互いに分離されている第１および第２副画素電極を具備する画素電極であって、前記第２副画素電極の少なくとも一部は前記第１および第２データ線と重畳している画素電極と、
・前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、
・前記第２絶縁基板上に前記第１および第２データ線に沿って延びて形成され、凹凸形状を有するブラックマトリックスと、
・前記第１および第２絶縁基板の間に設けられた液晶層。
本発明２は、発明１において、前記第１副画素電極には、前記第２副画素電極に比べて高いデータ電圧が印加される、液晶表示装置を提供する。
本発明３は、発明１において、前記第１および第２データ線は、前記第１方向で前記第２副画素電極と重畳している液晶表示装置を提供する。
本発明４は、発明３において、前記第１および第２データ線は前記第１副画素電極と重畳しない、液晶表示装置を提供する。
本発明５は、発明１において、前記第２副画素電極は前記第１副画素電極を囲むように形成されている、液晶表示装置を提供する。
本発明６は、発明１において、前記第１副画素電極はＶ字形状を有し、前記第２副画素電極は前記画素電極内で前記第１副画素電極以外の領域に形成されている、液晶表示装置を提供する。
本発明７は、発明５または発明６において、前記第２副画素電極は、前記ゲート線と４５度または−４５度をなすメイン領域と、前記データ線に沿って配列され前記メイン領域の間を連結するブリッジ領域とを有し、前記データ線は前記ブリッジ領域と重畳している、液晶表示装置を提供する。
本発明８は、発明５または発明６において、前記ブラックマトリックスは、前記間隙と重畳している凸部と、前記間隙と重畳しない凹部とを有し、前記間隙は、前記ゲート線と傾斜をなす斜線部と、前記斜線部の間を連結し前記第１および第２データ線に沿って配列された縦部とを有し、前記凸部は前記縦部と重畳して配置されている、液晶表示装置を提供する。
本発明９は、発明８において、前記画素電極を多数のドメインに分割するドメイン分割手段が前記第２副画素電極に形成され、前記間隙は、前記ゲート線と傾斜をなす斜線部と前記斜線部の間を連結し、前記第１および第２データ線に沿って配列された縦部とを有し、前記ドメイン分割手段の終端に隣接した前記第２副画素電極の幅が前記縦部に隣接した前記第２副画素電極の幅より大きい、液晶表示装置を提供する。
本発明１０は、発明１において、前記ブラックマトリックスは、前記間隙と重畳する凸部と、前記間隙と重畳しない凹部とを有する、液晶表示装置を提供する。
本発明１１は、発明１０において、前記間隙は、前記ゲート線と傾斜をなす斜線部と、前記斜線部の間を連結し前記第１および第２データ線に沿って配列された縦部とを有し、前記凸部は、前記縦部と重畳して配置されている、液晶表示装置を提供する。
本発明１２は、発明１０において、前記凹部に比べて前記凸部は、前記第一方向に３μｍ以上突出している、液晶表示装置を提供する。
本発明１３は、発明１または発明１１において、前記画素電極を多数のドメインに分割するドメイン分割手段が前記第２副画素電極に形成され、前記間隙は、前記ゲート線と傾斜をなす斜線部と、前記斜線部の間を連結し前記第１および第２データ線に沿って配列された縦部とを有し、前記ドメイン分割手段の端部に隣接した前記第２副画素電極の幅が前記縦部に隣接した前記第２副画素電極の幅より広い、液晶表示装置を提供する。
本発明１４は、発明１３において、前記ドメイン分割手段の端部と前記第１または第２データ線の水平離隔距離が前記縦部と前記第１または第２データ線の水平離隔距離より長い、液晶表示装置を提供する。
本発明１５は、発明１４において、前記ドメイン分割手段の端部と前記第１または第２データ線の水平離隔距離が前記縦部と前記第１または第２データ線の水平離隔距離より２μｍ以上長い、液晶表示装置を提供する。
本発明１６は、発明１において、前記第１データ線から前記第１副画素電極にデータ電圧が印加される第１型画素と、前記第２データ線から前記第１副画素電極にデータ電圧が印加される第２型画素とが、前記第１および第２方向に交互に配置されている、液晶表示装置を提供する。
本発明１７は、発明９において、前記第１データ線から前記第１副画素電極にデータ電圧が印加される第１型画素と、前記第２データ線から前記第１副画素電極にデータ電圧が印加される第２型画素とが、前記第１および第２方向に交互に配置されている、液晶表示装置を提供する。
本発明１８は、発明１３において、前記第１データ線から前記第１副画素電極にデータ電圧が印加される第１型画素と、前記第２データ線から前記第１副画素電極にデータ電圧が印加される第２型画素とが、前記第１および第２方向に交互に配置されている、液晶表示装置を提供する。
その他実施形態の具体的な事項は詳細な説明および図に含まれている。
【発明の効果】
【０００５】
前述したように本発明による液晶表示装置によれば、データ線周辺で発生する光漏れ現象を防止することができ、開口率を高めることができる。また第１副画素電極と第１および第２データ線とのカップリングキャパシタンスを減らすことによって、液晶表示装置の表示特性が低下することを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は添付される図と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば明確になるであろう。
しかし本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく互いに異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施形態は本発明の開示が完全なようにし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されているもので、本発明は請求項の範囲によってのみ定義される。
図において層および領域の大きさおよび相対的な大きさは、説明の明瞭性のために拡大されたものである。
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が異なる素子または層の「上（ｏｎ）」にあるとされる場合は、他の素子または層の真上だけでなく中間に他の層または他の素子を介在した場合をすべて含む。
一方、素子が「直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ｏｎ）」または「真上」にあるとされる場合は、中間に他の素子または層を介在しないものを表す。明細書全体にかけて同一参照符号は同一構成要素を示す。「および／または」は言及されたアイテムの各々および一つ以上のすべての組合せを含む。
空間的に相対的な用語の「下（ｂｅｌｏｗ）」、「の下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」等は、図面に図示されているように一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使用され得る。空間的に相対的な用語は図面に図示されている方向に加え、使用時または動作時の素子の互いに異なる方向を含む用語として理解しなければならない。
本明細書で記述する実施形態は、本発明の理想的な概略図の平面図および断面図を参考にして説明されものである。したがって、製造技術および／または許容誤差などによって例示図の形態が変形し得る。したがって、本発明の実施形態は図示された特定形態に制限されるものではなく、製造工程により生成される形態の変化も含むものである。したがって、図面で例示された領域は概略的な属性を有し、図面で例示された領域の形は素子の領域の特定形態を例示するためのもので、発明の範疇を制限するためのものではない。
以下添付された図を参照し、本発明の一実施形態による液晶表示装置に対し詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の画素アレイを概略的に表した図面である。図２は、図１の液晶表示装置のある画素に対する等価回路図である。
本発明の一実施形態による液晶表示装置は、液晶パネルアセンブリ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｐａｎｅｌ  ａｓｓｅｍｂｌｙ）と、これに連結されたゲート駆動部およびデータ駆動部と、データ駆動部に連結された階調電圧生成部と、これらを制御する信号制御部とを含む。
液晶パネルアセンブリは、多数の表示信号線に連結され行列状に配列された多数の画素（ＰＸ）を含む。ここで、液晶パネルアセンブリは、互いに向かい合う下部表示板と上部表示板と、そしてこれらの間に介在した液晶層とを含む。
図１および図２を参照すれば、表示信号線は下部表示板に具備されており、ゲート信号を伝達する多数のゲート線（Ｇ）とデータ信号を伝達するデータ線（Ｄａ、Ｄｂ）とを含む。ゲート線（Ｇ）は、概ね行方向に延び互いにほぼ平行であり、データ線（Ｄａ、Ｄｂ）は概ね列方向に延び互いにほぼ平行である。
各画素（ＰＸ）は、一対の副画素（ＰＸａ、ＰＸｂ）を含む。各副画素（ＰＸａ、ＰＸｂ）は、データ線（Ｄａ、Ｄｂ）および一つのゲート線（Ｇ）に連結されているスイッチング素子（Ｑａ、Ｑｂ）と、これに連結された液晶キャパシタ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）と、これに連結されたストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）（Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ）とを含む。すなわち、一対の副画素（ＰＸａ、ＰＸｂ）には、二つのデータ線（Ｄａ、Ｄｂ）と一個のゲート線（Ｇ）が割当てられる。ストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ）は必要により省略し得る。
各副画素（ＰＸａ、ＰＸｂ）のスイッチング素子（Ｑａ、Ｑｂ）は、下部表示板に具備されている薄膜トランジスタなどから成り、ゲート信号が印加されるゲート線（Ｇ）に連結されている制御端子（以下、ゲート電極）、データ線（Ｄａ、Ｄｂ）に連結されている入力端子（以下、ソース電極）、そして液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）およびストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ）に連結されている出力端子（以下、ドレイン電極）を有する三端子素子である。
液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）は、下部表示板の副画素電極と上部表示板の共通電極を二つの端子とし、副画素電極と共通電極の間の液晶層は誘電体として機能をする。各副画素電極（ＰＸａ、ＰＸｂ）は、各スイッチング素子（Ｑａ、Ｑｂ）に連結され、共通電極は上部表示板の前面に形成されており、共通電圧（Ｖｃｏｍ）の印加を受ける。ここで、共通電極が下部表示板に具備される場合もあり、この時には副画素電極と共通電極のうち少なくとも一つが線形または棒形に作られ得る。
液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）の補助的な役割をするストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ）は、下部表示板に具備されるストレージ配線と副画素電極とが絶縁体を間に置いて重畳して形成されており、ストレージ配線には共通電圧（Ｖｃｏｍ）などの定められた電圧が印加される。ここで、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ）は、副画素電極が絶縁体を媒介に真上の前端ゲート線と重畳され形成されてもよい。
一方、色表示を具現するためには、各画素が原色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうち一つを固有に表示したり（空間分割）各画素が時間によって交互に三原色を表示するように（時間分割）して、これら三原色の空間的、時間的な和によって望む色相が認識されるようにする。原色の例としては、赤色、緑色および青色を挙げることができる。空間分割の一例として、各画素が上部表示板の領域に原色のうち一つを表すカラーフィルタを具備することができる。
また、カラーフィルタは、下部表示板の副画素電極の上または下に形成することもできる。
ゲート駆動部はゲート線（Ｇ）に連結され、外部からのゲートオン電圧（Ｖｏｎ）とゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）の組合せでなされるゲート信号をゲート線（Ｇ）に印加する。
階調電圧生成部（ｇｒａｙ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）は、画素の透過率と関連した二つの階調電圧集合（または基準階調電圧集合）を生成し、データ駆動部に提供し得る。すなわち、二つの階調電圧集合は、一つの画素をなす一対の副画素に独立的に提供され得る。ただ、本発明はこれに限定されず、二つの階調電圧集合の代わりに一つの階調電圧集合だけを生成することもできる。
データ駆動部は、一対のデータ線（Ｄａ、Ｄｂ）に各々連結されている。データ駆動部は、データ線（Ｄａ）を通して一つの画素を構成する一対の副画素のうちある一つの副画素にデータ電圧を伝達し、データ線（Ｄｂ）を通して、一つの画素を構成する一対の副画素のうち他の一つの副画素に別途のデータ電圧を伝達する。
このようなゲート駆動部またはデータ駆動部は、多数の駆動集積回路チップの形態で液晶パネルアセンブリ上に直接装着されたり、可撓性印刷回路フィルム（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｆｉｌｍ）上に装着され、テープキャリアパッケージ（ｔａｐｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｐａｃｋａｇｅ）の形態で液晶パネルアセンブリに付着されたりこともできる。これとは異なり、ゲート駆動部またはデータ駆動部は、表示信号線（Ｇ、Ｄａ、Ｄｂ）と薄膜トランジスタスイッチング素子（Ｑａ、Ｑｂ）などと共に液晶パネルアセンブリに集積（ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）され得る。
信号制御部は、ゲート駆動部およびデータ駆動部などの動作を制御する。
また図１を参照すれば、一つの画素は、二つのスイッチング素子と、各スイッチング素子に連結された副画素電極（Ｐａ、Ｐｂ）とを含む。ここで第１副画素電極（Ｐａ）に相対的に高いデータ電圧が印加され、第２副画素電極（Ｐｂ）に相対的に低いデータ電圧が印加される場合を仮定する。
以下、データ電圧の高低は共通電圧とデータ電圧の差異の高低を意味する。また、第１データ線（Ｄａ）を通して第１副画素電極（Ｐａ）にデータ電圧が印加される画素をＡ型画素とし、第２データ線（Ｄｂ）を通して第１副画素電極（Ｐａ）にデータ電圧が印加される画素をＢ型画素とする。
図１に図示されたように、Ａ型画素とＢ型画素を横方向および縦方向に交互に配置することによって、液晶表示装置において縦縞または横縞が視認されることを防止することができる。
もし、すべての画素に対し第１データ線（Ｄａ）を通して第１副画素電極（Ｐａ）にデータ電圧が印加された場合、すなわち画素アレイがすべてＡ型画素で成された場合、液晶表示装置がカラム反転（ｃｏｌｕｍｎ  ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ）によって駆動されると、フレーム当たり一画素分水平方向に移動する検査パターンに対して水平方向に移動する縦縞が視認される。一方、一つの画素行（ｒｏｗ）に対して第１データ線（Ｄａ）を通して第１副画素電極（Ｐａ）にデータ電圧が印加され、次の画素行をなす画素に対して第２データ線（Ｄｂ）を通して第１副画素電極（Ｐａ）にデータ電圧が印加される場合は、すなわちＡ型画素の行とＢ型画素の行が交互に配置される場合、先に言及した水平方向に移動する縦縞が視認されることを防止することができる。
ただし第１副画素電極（Ｐａ）とその両側に位置する第１および第２データ線（Ｄａ、Ｄｂ）との間にカップリング（ｃｏｕｐｌｉｎｇ）が起きると、第１副画素電極（Ｐａ）と第１および第２データ線（Ｄａ、Ｄｂ）のカップリングキャパシタンスがＡ型画素およびＢ型画素により異なるために横縞が視認され得る。
したがって図１に図示された本発明の一実施形態による液晶表示装置にように、Ａ型画素とＢ型画素を横方向および縦方向に交互に配置することによって先に言及した水平方向に移動する縦縞または横縞を防止することができる。
ただしこのような構造の液晶表示装置が低い階調（ｇｒａｙ  ｓｃａｌｅ）で動作する場合、相対的に高いデータ電圧が印加される第１副画素電極（Ｐａ）によってのみ液晶が実質的に動作するため、Ａ型画素およびＢ型画素の各々に対して第１副画素電極（Ｐａ）と第１データ線（Ｄａ）のカップリングキャパシタンスと第１副画素電極（Ｐａ）と第２データ線（Ｄｂ）のカップリングキャパシタンスの差異を減らすことによってクロストークによる表示品質の低下を改善することができる。
さらに、本発明の一実施形態のように、第１および第２データ線（Ｄａ、Ｄｂ）を第２副画素電極（Ｐｂ）と重畳するように配置して第２副画素電極（Ｐｂ）が第１副画素電極（Ｐａ）を囲むようにすることによって、Ａ型画素とＢ型画素を横方向および縦方向に交互に配置しなくとも縦縞もまたは横縞が認識されるのを防止することができる。すなわち第１および第２データ線（Ｄａ、Ｄｂ）と第１副画素電極（Ｐａ）のカップリングキャパシタンスを最小化することによって、表示特性が低下することを防止することができる。これに対しては後で詳しく説明する。
以下、図３Ａないし図７Ｂを参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置を詳細に説明する。
本実施形態による液晶表示装置は、薄膜トランジスタアレイ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ａｒｒａｙ）が形成された下部表示板、これと向かい合う上部表示板およびこれらの間に介在した液晶層を含む。
まず、図３Ａないし図３Ｃを参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置の下部表示板に対し詳細に説明する。ここで図３Ａは、本発明の一実施形態による図１のＡ型画素を含む下部表示板の配置図である。図３Ｂは、図３Ａの下部表示板をIIIｂ−IIIｂ’線で切った断面図である。図３Ｃは、図３Ａの下部表示板をIIIｃ−IIIｃ’線およびIIIｃ’−IIIｃ’’線で切った断面図である。
透明なガラス等で成された絶縁基板１０上に、主に横方向に延びておりゲート信号を伝達するゲート線２２が形成されている。ゲート線２２は、一つの画素に対して一つずつ割り当てられている。そして、ゲート線２２には突出した一対の第１および第２ゲート電極（２６ａ、２６ｂ）が形成されている。このようなゲート線２２と第１および第２ゲート電極（２６ａ、２６ｂ）とをゲート配線という。
また絶縁基板１０の上には、画素領域を横切ってゲート線２２と実質的に平行に横方向に延びているストレージ線（ｓｔｏｒａｇｅ  ｌIｎｅ）２８が形成されていて、ストレージ線２８に連結され広い幅を持つストレージ電極２７が形成されている。ストレージ電極２７は、画素電極８２と重畳され画素の電荷保存能力を向上させるストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃIｔｏｒ）を形成する。このようなストレージ電極２７およびストレージ線２８をストレージ配線という。
本実施形態でストレージ配線２７、２８は、画素領域の中心と重畳されるように形成されているが、本発明はこれに限定されず、ストレージ配線２７、２８の形および配置は各種形態に変形され得る。さらに画素電極８２とゲート線２２の重畳で発生するストレージキャパシタンスが充分な場合は、ストレージ配線２７、２８が形成されないこともある。
ゲート配線２２、２６ａ、２６ｂとストレージ配線２７、２８は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金などアルミニウム系列の金属、銀（Ａｇ）と銀合金など銀系列の金属、銅（Ｃｕ）と銅合金など銅系列の金属、モリブデン（Ｍｏ）とモリブデン合金などモリブデン系列の金属、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（ＴI）、タンタリウム（Ｔａ）などでなされ得る。
また、ゲート配線２２、２６ａ、２６ｂとストレージ配線２７、２８は、物理的性質が異なる二つの導電膜（図示されていない）を含む多重膜構造を有し得る。
このうち、ある導電膜は、ゲート配線２２、２６ａ、２６ｂとストレージ配線２７、２８の信号遅延や電圧降下を減らすことができるよう低い比抵抗（ｒｅｓIｓｔIｖIｔｙ）の金属、例えばアルミニウム系列金属、銀系列金属、銅系列金属などで成される。
これとは異なり、他の導電膜は他の物質、特にIＴＯ（IｎｄIｕｍ  ｔIｎ  ｏｘIｄｅ）およびIＺＯ（IｎｄIｕｍ  ｚIｎｃ  ｏｘIｄｅ）との接触特性が優秀な物質、例えばモリブデン系列金属、クロム、チタニウム、タンタリウムなどで成される。このような組合せの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム上部膜およびアルミニウム下部膜とモリブデン上部膜をあげることができる。ただし、本発明はこれに限定されず、ゲート配線２２、２６ａ、２６ｂおよびストレージ配線２７、２８は多様な各種な金属と導電体で作られ得る。
ゲート線２２およびストレージ配線２７、２８の上には、窒化ケイ素（ＳIＮｘ）等でなされたゲート絶縁膜３０が形成されている。
ゲート絶縁膜３０上には、水素化非晶質ケイ素（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓIｌIｃｏｎ）または多結晶ケイ素などでなされた一対の半導体層４０ａ、４０ｂが形成されている。半導体層４０ａ、４０ｂは、俵形、扇形などのように多様な形状を有することができ、例えば本実施形態のように俵形で形成され得る。
各半導体層４０ａ、４０ｂの上部には、シリサイド（ｓIｌIｃIｄｅ）またはｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ＋水素化非晶質ケイ素などの物質で作られたオーミックコンタクト層（ｏｈｍIｃ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｌａｙｅｒ）５５ａ、５６ａが形成されている。オーミックコンタクト層５５ａ、５６ａは対（ｐａIｒ）をなして、半導体層４０ａ、４０ｂの上に位置する。
オーミックコンタクト層５５ａ、５６ａおよびゲート絶縁膜３０の上には、一対の第１および第２データ線６２ａ、６２ｂと、第１および第２データ線６２ａ、６２ｂに各々対応する一対の第１および第２ドレーン電極６６ａ、６６ｂが形成されている。
第１および第２データ線６２ａ、６２ｂは主に縦方向に延びてゲート線２２およびストレージ線２８と交差し、データ電圧を伝達する。第１および第２データ線６２ａ、６２ｂには、第１および第２ドレーン電極６６ａ、６６ｂに向かって各々のびた第１および第２ソース電極６５ａ、６５ｂが形成されている。図３Ａに図示されたように、一つの画素８２は一対の副画素８２ａと副画素８２ｂとに分割され、第１データ線６２ａは、一つの副画素８２ａにデータ信号を伝達し、第２データ線６２ｂは他の副画素８２ｂに別途のデータ信号を伝達する。
このような第１および第２データ線６２ａ、６２ｂと、第１および第２ソース電極６５ａ、６５ｂと、第１および第２ドレーン電極６６ａ、６６ｂとをデータ配線という。
データ配線６２ａ、６２ｂ、６５ａ、６５ｂ、６６ａ、６６ｂは、クロム、モリブデン系列の金属、タンたタリウムおよびチタニウムなど耐火性金属でなされるのが好ましく、耐火性金属などの下部膜（未図示）とその上に位置した低抵抗物質上部膜（未図示）でなされた多層膜構造を有し得る。多層膜構造の例としては、先に説明したクロム下部膜とアルミニウム上部膜またはアルミニウム下部膜とモリブデン上部膜の二重膜以外にもモリブデン膜−アルミニウム膜−モリブデン膜の三重膜をあげることができる。
第１および第２ソース電極６５ａ、６５ｂは、各々半導体層４０ａ、４０ｂと少なくとも一部分が重畳され、第１および第２ドレーン電極６６ａ、６６ｂは各々ゲート電極（２６ａ、２６ｂ）を中心として第１および第２ソース電極６５ａ、６５ｂと対向し、半導体層４０ａ、４０ｂと少なくとも一部分が重畳される。
ここで、先に言及したオーミックコンタクト層５５ａ、５６ａは、その下部の半導体層４０ａ、４０ｂと、その上部の第１および第２ソース電極６５ａ、６５ｂおよび第１および第２ドレーン電極６６ａ、６６ｂとの間に存在し、接触抵抗を低くする役割をする。
データ配線６２ａ、６２ｂ、６５ａ、６５ｂ、６６ａ、６６ｂと露出した半導体層４０ａ、４０ｂ上には、保護膜（ｐａｓｓIｖａｔIｏｎ  ｌａｙｅｒ）７０が形成されている。保護膜７０は、窒化ケイ素または酸化ケイ素でなされた無機物、平坦化特性が優秀で、感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓIｔIｖIｔｙ）を有する有機物またはプラズマ化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍIｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓIｔIｏｎ、ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ−ＳI：Ｃ：Ｏ、ａ−ＳI：Ｏ：Ｆなどの低誘電率絶縁物質などで成される。また、保護膜７０は、有機膜の優秀な特性を生かしつつも露出した半導体層４０ａ、４０ｂ部分を保護するために、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有し得る。さらに保護膜７０では赤色、緑色または青色のカラーフィルタ層が使用され得る。
保護膜７０には、第１および第２コンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）７６ａ、７６ｂを介して各々第１および第２ドレーン電極６６ａ、６６ｂと電気的に連結しており、画素領域に位置する第１および第２副画素電極８２ａ、８２ｂが形成されている。ここで、第１および第２副画素電極８２ａ、８２ｂは、IＴＯまたはIＺＯなどの透明導電体またはアルミニウムなどの反射性導電体で成される。
第１および第２副画素電極８２ａ、８２ｂは、各々第１および第２コンタクトホール７６ａ、７６ｂを介して第１および第２ドレーン電極６６ａ、６６ｂと物理的・電気的に連結され、第１および第２ドレーン電極６６ａ、６６ｂから互いに異なるデータ電圧の印加を受ける。
データ電圧が印加された第１および第２副画素電極８２ａ、８２ｂは、上部表示板の共通電極と共に電気場を生成することによって第１および第２副画素電極８２ａ、８２ｂと共通電極の間の液晶分子の配列を決定する。
また先に説明したように図２および図３Ａを参照すれば、各副画素電極８２ａ、８２ｂと共通電極とは液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）をなし、薄膜トランジスタ（Ｑａ、Ｑｂ）がターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。電圧維持能力を強化するために液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）と並列で連結されたストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ）は、第１および第２副画素電極８２ａ、８２ｂまたはこれに連結されている第１および第２ドレーン電極６６ａ、６６ｂとストレージ配線（２７、２８）と重畳して形成られる。
改めて図３Ａないし図３Ｃを参照すれば、一つの画素電極８２は所定の間隙（ｇａｐ）８３を間におき互いに電気的に分離された第１および第２副画素電極８２ａ、８２ｂを有する。第１副画素電極８２ａは、概ね横になったＶ字形状を有し、第２副画素電極８２ｂは、画素電極８２内で第１副画素電極８２ａ以外の領域に形成されている。具体的には、第２副画素電極８２ｂは第１副画素電極８２ａを囲むように形成されている。
このような間隙８３は、ゲート線２２と約４５度または−４５度を成す斜線部８３ａと、斜線部８３ａの間を連結し、第１および第２データ線６２ａ、６２ｂに沿って配列された縦部８３ｂとを含む。
第２副画素電極８２ｂには、ゲート線２２と約４５度または−４５度を成し、例えば切開（ｃｕｔｏｕｔ）または突出（ｐｒｏｔｒｕｓIｏｎ）している第１ドメイン分割手段８４が形成され得る。画素電極８２の表示領域は、液晶層に含まれた液晶分子の主方向子が電界印加時に配列される方向によって多数のドメインに分割される。間隙８３および第１ドメイン分割手段８４は、画素電極８２を多くのドメインに分割する役割をする。ここでドメインとは、画素電極８２と共通電極（図４の図面符号９０参照）の間に形成された電界によって液晶分子の方向子が特定方向に群れをなして傾く液晶分子で成された領域を意味する。図示されていないが、第１副画素電極８２ａにもドメイン分割手段が形成され得る。
間隙８３の斜線部８３ａおよび第１ドメイン分割手段８４には、むらや残像が発生するのを防止することができるノッチ（ｎｏｔｃｈ）８５が形成され得る。
先に言及したように、第１副画素電極８２ａは全体的にＶ字形状を有し、第２副画素電極８２ｂは第１副画素電極８２ａを囲むように形成されている。具体的には、第２副画素電極８２ｂは、間隙８３の斜線部８３ａと隣接して全体的にゲート線２２と約４５度または−４５度を成し、液晶分子の動きを制御するメイン領域と、間隙８３の縦部８３ｂと隣接して第１および第２データ線６２ａ、６２ｂに沿って配列されメイン領域を連結するブリッジ領域で成される。
図３Ａに図示されたように、第１および第２データ線６２ａ、６２ｂは、第２副画素電極８２ｂと少なくとも一部が重畳されるように形成される。望ましくは第１および第２データ線６２ａ、６２ｂは、幅方向で第２副画素電極８２ｂと重畳されるように形成される。また、望ましくは第１および第２データ線６２ａ、６２ｂは、幅方向で第２副画素電極８２ｂと完全に重畳されるように形成される。具体的に第１および第２データ線６２ａ、６２ｂは、第２副画素電極８２ｂのブリッジ領域と重畳される。したがって、第１および第２データ線６２ａ、６２ｂが第１副画素電極８２ａと重畳せず、第２副画素電極８２ｂと重畳するように配置することによって、第１および第２データ線６２ａ、６２ｂと第１副画素電極８２ａ間のカップリングキャパシタンスを減らして液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
第２副画素電極８２ｂを第１および第２データ線６２ａ、６２ｂと重畳させて配置し、低い階調で液晶表示装置を動作させる場合、第２副画素電極８２ｂによってこれを通過する光が遮蔽されるため、第１および第２データ線６２ａ、６２ｂ周辺で発生する光漏れ現象を防止することができる。しかし、第１ドメイン分割手段８４の端部分周辺では第２副画素電極８２ｂと第１および第２データ線６２ａ、６２ｂの重畳の程度および視野角により光漏れが発生し得る。例えば、第２データ線６２ｂに隣接した第１ドメイン分割手段８４の端部分周辺では、相対的に第２副画素電極８２ｂの幅が狭いため光漏れが発生し得る。
第１ドメイン分割手段８４の端部分周辺で光漏れ現象を防止するために、図３Ａおよび図３Ｃに図示されたように、第１ドメイン分割手段８４の端部分に隣接した第２副画素電極８２ｂの幅（Ｗ１）が間隙８３の縦部８３ｂと隣接する第２副画素電極８２ｂのブリッジ領域の幅（Ｗ２）より大きいのが好ましい。より一層好ましくは、第１ドメイン分割手段８４の長さを減らすことによって第１ドメイン分割手段８４の端部分と第２データ線６２ｂの水平離隔距離（Ｌ１）が間隙８３の縦部８３ｂと第２データ線６２ｂの水平離隔距離（Ｌ２）より長いことが好ましい。ここで水平離隔距離とは配置図上の離隔距離をいう。水平離隔距離（Ｌ１）は水平離隔距離（Ｌ２）より約２μｍ以上長いものが好ましい。例えば水平離隔距離（Ｌ２）が約１μｍの場合、水平離隔距離（Ｌ１）は約３μｍ以上であるものが好ましい。
このような第１および第２副画素電極８２ａ、８２ｂ、および保護膜７０上には、液晶層を配向することができる配向膜（図示せず）が塗布され得る。
次に図４ないし図７Ｂを参照し、上部表示板および液晶表示装置について説明する。ここで図４は、図３Ａの下部表示板と結合する上部表示板の配置図である。図５は、図３Ａの下部表示板と図４の上部表示板を含む液晶表示装置の配置図である。図６は、図５の画素電極とブラックマトリックスの配置図である。図７Ａは、図５の液晶表示装置をVIIa−VIIa’線およびVIIa’−VIIa’’線で切った断面図である。図７Ｂは、図５の液晶表示装置をVIIｂ−VIIｂ’線およびVIIｂ’−VIIｂ’’線で切った断面図である。
透明なガラスなどで成された絶縁基板１００上に光漏れを防止し、画素領域を定義するブラックマトリックス９４が形成されている。ブラックマトリックス９４は、ゲート線２２と第１および第２データ線６２ａ、６２ｂに対応する部分と薄膜トランジスタに対応する部分に形成され得る。また、ブラックマトリックス９４は、第１および第２副画素電極８２ａ、８２ｂと薄膜トランジスタ付近での光漏れを遮断するために多様な形状を有し得る。ブラックマトリックス９４は、クロム、クロム酸化物などの金属（金属酸化物）、または有機ブラックレジストなどでなされ得る。
第１副画素電極８２ａが第１および第２データ線６２ａ、６２ｂと隣接する領域、すなわち間隙８３の縦部８３ｂ周辺には光漏れ発生が予想される。したがってこのような光漏れ現象を防止して液晶表示装置の開口率（ａｐｅｒｔｕｒｅ  ｒａｔIｏ）を高めるために、ブラックマトリックス９４は、第１および第２データ線６２ａ、６２ｂに沿ってのびて凹凸形状を有することができる。具体的には、図６を参照すればブラックマトリックス９４は、間隙８３の縦部８３ｂと隣接して重畳する凸部９４ｂと、間隙８３の縦部８３ｂと隣接しない凹部９４ａとを含む。ここでブラックマトリックス９４の凹部９４ａは、画素電極８２との重畳面積を減らすことによって液晶表示装置の開口率を高める役割をする。ブラックマトリックス９４の凸部９４ｂは、間隙８３の縦部８３ｂ周辺で光漏れが発生するのを防止する役割をする。
図７Ａを参照すれば、ブラックマトリックス９４の凸部９４ｂの端部分は、間隙８３の縦部８３ｂ上に配置され、ブラックマトリックス９４の凸部９４ｂの端部分と第１データ線６２ａの水平離隔距離（Ｌ３）は、ブラックマトリックス９４の凹部９４ａの端部分と第１データ線６２ａの水平離隔距離（Ｌ４）より長いことが好ましい。水平離隔距離（Ｌ３）は水平離隔距離（Ｌ４）より約３μｍ以上長いことが好ましい。例えば水平離隔距離（Ｌ４）が約３μｍの場合、水平離隔距離（Ｌ３）は約６μｍ以上であることが好ましい。言い換えれば凸部９４ｂの端部分と凹部９４ａの端部分は約３μｍ以上の段差を有し得る。
ブラックマトリックス９４の間の画素領域には赤色、緑色、青色のカラーフィルタ（未図示）が順次的に配列され得る。
このようなカラーフィルタ上には、これらの段差を平坦化するためのオーバーコート層（ｏｖｅｒｃｏａｔ  ｌａｙｅｒ）１１０が形成され得る。
オーバーコート層１１０上にはIＴＯまたはIＺＯなどの透明な導電物質からなる共通電極９０が形成されている。共通電極９０は、第１および第２副画素電極８２ａ、８２ｂと向かい合い、ゲート線２２に対し約４５度または−４５度をなし、例えば切開または突出している第２ドメイン分割手段９２を含み得る。第２ドメイン分割手段９２には、むらや残像が発生することを防止することができるノッチ（ｎｏｔｃｈ）９３が形成され得る。
共通電極９０上には、液晶分子を配向する配向膜（未図示）が塗布され得る。
このような構造の下部表示板と上部表示板を整列して結合し、その間に液晶物質を注入して、垂直配向すれば本発明の一実施形態による液晶表示装置の基本構造が成される。
液晶層１２０に含まれている液晶分子は、画素電極８２と共通電極９０間に電界が印加されない状態で、その方向子（ｄIｒｅｃｔｏｒ）が下部表示板と上部表示板に対して垂直を成すように配向されており、陰の遺伝率異方性を有する。
液晶表示装置は、このような基本構造に偏光板、バックライトなどの要素を配置して成される。この時偏光板は基本構造両側に各々一つずつ配置され、その透過軸はゲート線２２に対して二つのうち一つは並んでおり、残り一つはこれに垂直をなすように配置する。
下部表示板と上部表示板の間に電界を印加すると大部分の領域では二つの表示板に垂直の電界が形成されるが、間隙８３やドメイン分割手段８４、９２の近くでは水平電界が形成される。このような水平電界は、各ドメインの液晶分子の配向を助ける役割をする。
本実施形態の液晶分子は陰の遺伝率異方性を有するため、液晶分子に電界が印加される場合、各ドメイン内の液晶分子は前記ドメインを区切る間隙８３またはドメイン分割手段８４、９２に対して垂直をなす方向に傾くようになる。したがって間隙８３またはドメイン分割手段８４、９２を中心に両側で液晶分子の傾く方向が反対となり、間隙８３の斜線部８３ａまたはドメイン分割手段８４、９２が画素の中心に対し対称的に形成されているため、液晶分子はゲート線２２と実質的に４５度または−４５度をなし、４方向に傾くようになる。このように４方向に傾く液晶分子によって光学的特性が互いに補償され、視野角が広くなる。
以下図３Ａないし図５を参照し、本発明の一実施形態による液晶表示装置の作用に対し具体的に説明する。
第１データ線６２ａと連結された第１副画素電極８２ａに相対的に高いデータ電圧が印加され、第２データ線６２ｂと連結された第２副画素電極８２ｂに相対的に低いデータ電圧が印加されることによって液晶表示装置の側面視認性を向上させることができる。
特に低い階調で液晶表示装置が動作する場合、相対的に高いデータ電圧が印加される第１副画素電極８２ａによってのみ液晶が実質的に動作し第２副画素電極８２ｂには電圧が印加されない。この場合、第２副画素電極８２ｂには上部表示板の共通電極９０と実質的に同一な電圧が印加されるため、第２副画素電極８２ｂの上に配置された液晶分子はその方向子が下部表示板に対し垂直をなすように配向される。したがって、バックライトから放出された光は第２副画素電極８２ｂを通過できず遮蔽される。
高い階調で液晶表示装置が動作する場合、液晶表示装置の全体的な輝度が高いため光漏れ現象が大きくは問題とならない。したがって、低い階調で液晶表示装置が動作する時、光漏れ現象を防止することが重要である。一般的に第１および第２データ線６２ａ、６２ｂ周辺で光漏れ現象が発生する。しかし、本発明の一実施形態のように第２副画素電極８２ｂを第１および第２データ線６２ａ、６２ｂと重畳させて配置し、低い階調で液晶表示装置を動作させる場合、第２副画素電極８２ｂによって、これを通過する光が遮蔽されるため第１および第２データ線６２ａ、６２ｂ周辺で発生する光漏れ現象を防止することができる。
また上部表示板のブラックマトリックス９４の面積を広げずに第１副画素電極８２ａを覆っている第２副画素電極８２ｂを利用して、光漏れ現象を防止するため、液晶表示装置の開口率（ａｐｅｒｔｕｒｅ  ｒａｔIｏ）を高めることができる。
相対的に高い電圧が印加される第１副画素電極８２ａは第１および第２データ線６２ａ、６２ｂとの各カップリングキャパシタンスが不一致な場合、液晶表示装置の表示特性が低下し得る。したがって第１副画素電極８２ａが第１および第２データ線６２ａ、６２ｂと重畳しないように配置し、第１副画素電極８２ａと第１および第２データ線６２ａ、６２ｂとのカップリングキャパシタンス自体を減らすことによって、このようなカップリングキャパシタンスが液晶表示装置の表示特性が影響を与えることを防止することができる。
以下、図８を参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の下部表示板に対して詳細に説明する。ここで図８は、本発明の他の実施形態による図１のＢ型画素を含む下部表示板の配置図である。説明の便宜上、以前実施形態の図面（図３Ａないし図７Ｂ）に示された各部材と同一機能を有する部材は同一符号で表してその説明は省略し、以下差異点を中心に説明する。
図８に図示されたように、第１ドレーン電極６６ａは、第１コンタクトホール７６ａを介して、￥第２副画素電極８２ｂと接続し、第２ドレーン電極６６ｂは、第２コンタクトホール７６ｂを介して第１副画素電極８２ａと接続する。第２データ線６２ｂと連結された第１副画素電極８２ａに相対的に高いデータ電圧が印加され、第１データ線６２ａと連結された第２副画素電極８２ｂに相対的に低いデータ電圧が印加されることによって、液晶表示装置の側面視認性を向上させることができる。
このような構造の液晶表示装置の場合、前述の実施形態と同様に第１および第２データ線６２ａ、６２ｂ周辺で発生する光漏れ現象を防止することができ、液晶表示装置の開口率を高めることができる。また第１副画素電極８２ａと第１および第２データ線６２ａ、６２ｂとのカップリングキャパシタンスを減らすことによって、液晶表示装置の表示特性が低下することを防止することができる。
以上添付された図面を参照して、本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更せずとも、他の具体的な形態で実施され得るということを理解することができるはずである。したがって以上で記述した実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的ではないことを理解しなければならない。
【産業上の利用可能性】
【０００７】
本発明の液晶表示装置は、ＴＶ、モニター、ＰＭＰ（Ｐｏｒｔａｂｌｅ  ＭｕｌｔIｍｅｄIａ  Ｐｌａｙｅｒ）、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  ＤIｇIｔａｌ  ＡｓｓIｓｔａｎｔ）、携帯用ＤＶＤ（ＤIｇIｔａｌ  ＶｅｒｓａｔIｌｅ  ＤIｓｋ）プレーヤ、携帯電話（ｃｅｌｌｕｌａｒ  ｐｈｏｎｅ）等に適用される。ただし、上記で言及した装置は例示的なものに過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置の画素アレイを概略的に示す図である。
【図２】図２は図１の液晶表示装置のある画素に対する等価回路図である。
【図３Ａ】図３Ａは本発明の一実施形態による図１のＡ型画素を含む下部表示板の配置図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは図３Ａの下部表示板をIIIｂ−IIIｂ’線で切った断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは図３Ａの下部表示板をIIIｃ−IIIｃ’線およびIIIｃ’−IIIｃ’’線で切った断面図である。
【図４】図４は図３Ａの下部表示板と結合する上部表示板の配置図である。
【図５】図５は図３Ａの下部表示板と図４の上部表示板を含む液晶表示装置の配置図である。
【図６】図６は図５の画素電極とブラックマトリックスの配置図である。
【図７Ａ】図７Ａは図５の液晶表示装置をVIIａ−VIIａ’線およびVIIａ’−VIIａ’’線で切った断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは図５の液晶表示装置をVIIｂ−VIIｂ’線（船）およびVIIｂ’−VIIｂ’’線（船）で切った断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態による図１のＢ型画素を含んだ下部表示板の配置図である。
【符号の説明】
【０００９】
１０    絶縁基板
２２    ゲ−ト線
２６ａ、２６ｂ    ゲ−ト電極
２７    ストレ−ジ電極
２８    ストレ−ジ線
３０    ゲ−ト絶縁膜
４０ａ、４０ｂ    半導体層
５５ａ、５６ａ    オ−ミックコンタクト層
６２ａ、６２ｂ    デ−タ線
６５ａ、６５ｂ    ソ−ス電極
６６ａ、６６ｂ    ドレ−ン電極
７０    保護膜
７６ａ、７６ｂ    コンタクトホ−ル
８２    画素電極
８２ａ、８２ｂ    副画素電極
８３    間隙
８３ａ    斜線部
８３ｂ    縦部
８４    第１ドメイン分割手段
８５    ノッチ
９０    共通電極
９２    第２ドメイン分割手段
９３    ノッチ
９４    ブラックマトリックス
９４ａ    凹部
９４ｂ    凸部
１００    絶縁基板
１１０    オ−バ−コ−ト層
１２０    液晶層
【図１】
2008225436.tif 000003
【図２】
2008225436.tif 000004
【図３Ａ】
2008225436.tif 000005
【図３Ｂ】
2008225436.tif 000006
【図３Ｃ】
2008225436.tif 000007
【図４】
2008225436.tif 000008
【図５】
2008225436.tif 000009
【図６】
2008225436.tif 000010
【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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