(57)【要約】【課題】  堆積膜形成途中の膜剥がれを防止し、高品質な堆積膜を形成可能な堆積膜形成方法を提供することにある。【解決手段】  減圧可能な反応容器内に基体を設置し、該反応容器内に高周波電力を導入してプラズマを発生させ、基体に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、反応容器内に導入する高周波電力を周期的に変動させて、その１周期の間に１乃至１０μｍの膜厚の堆積膜が形成されることを特徴とする。【選択図】  図３
2008208435.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な反応容器内に基体を設置し、該反応容器内に高周波電力を導入してプラズマを発生させ、該基体に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、該反応容器内に導入する高周波電力を周期的に変動させ、その１周期の間に１乃至１０μｍの膜厚の堆積膜が形成されることを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項２】
前記堆積膜形成方法において、前記反応容器内に導入する高周波電力の変動の振幅が、平均電力の２％以上２０％以下の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成方法。
【請求項３】
前記堆積膜形成方法において、前記反応容器内に導入する高周波電力の変動が、整合器のマッチング調整により制御されることを特徴とする請求項１乃至２に記載の堆積膜形成方法。
【請求項４】
前記堆積膜形成方法が、前記反応容器内に配置した円筒状基体上に、非単結晶材料で構成された複数の層を有する電子写真感光体を製造する方法であることを特徴とする請求項１乃至３に記載の堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体等に適用可能な堆積膜を、高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ法により形成するための堆積膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成において、高品質な堆積膜を高速且つ均一に形成する方法が広く求められてきた。
【０００３】
中でも、時間的に電力密度を変化させた高周波電力を印加することで、高速且つ高品質な堆積膜を形成する方法が開示されている（特許文献１参照。）。
【０００４】
また、放電開始電力と放電維持電力の間で連続的にマイクロ波電力を変化させることで、特性に優れた堆積膜を均一形成する方法が開示されている（特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００３−１４２７１３号公報
【特許文献２】特許第３２０２０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、前述したような堆積膜形成方法を用いることにより、当時としては十分な堆積膜の品質を実現することは可能ではあったものの、近年の電子写真分野において求められている更なる高画質化を実現するためには、膜質をより一層向上した高品質な堆積膜の形成を可能とする堆積膜形成方法の実現が求められている。
【０００６】
とくに、電子写真感光体の作製においては、このような高品質な堆積膜を長時間にわたって連続的に形成した場合、堆積膜形成途中に反応容器内の壁面等に堆積した膜に膜剥がれを生じやすく、剥がれた膜片が堆積膜中に取り込まれ異常成長部を形成する問題があった。こうした異常成長部を形成した電子写真感光体を電子写真装置に搭載して画像形成した際には、帯電時に異常成長部で電荷の抜けが発生し、ベタ画像上に黒点や白点と言った画像欠陥を生じてしまう。
【０００７】
そこで、本出願に係る第１の発明の目的は、堆積膜形成途中の膜剥がれを防止し、異常成長部の形成を抑制した、高品質な堆積膜を形成可能な堆積膜形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本出願に係る発明は、減圧可能な反応容器内に基体を設置し、反応容器内に高周波電力を導入してプラズマを発生させ、基体に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、反応容器内に導入する高周波電力を周期的に変動させ、その１周期の間に１乃至１０μｍの膜厚の堆積膜が形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、堆積膜形成途中の膜剥がれを防止し、異常成長部の形成を抑制した、高品質な堆積膜を形成可能な堆積膜形成方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
図１は本発明の堆積膜形成方法を実現するためのプラズマ処理装置であり、プラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置の模式図である。図１（ａ）は製造装置全体を横から見た概略断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の切断線Ａ−Ａ'に沿う概略断面図である。
【００１２】
プラズマ処理装置１００は、誘電体部材で構成される円筒状の反応容器１０２、上蓋１１４、底板１１６で囲まれる空間によりプラズマ処理空間を形成し、底板１１６に排気管１０７が接続され、排気管１０７の他端は不図示の排気装置に接続される。さらに反応容器１０２内には複数の円筒状基体１０１が設置される。
【００１３】
高周波電力は、高周波電源１０８、１１８のいずれか或いは両方より、整合器であるマッチングボックス１０９、１１９を経て、電力分岐部１１３で分配され、６本の棒状の高周波電極１０４に同時に供給することが可能である。高周波電極１０４に供給された高周波電力は、誘電体部材で構成される反応容器１０２を通してプラズマ処理空間に導入される。この際、回転軸１１０を通してアース電位に維持された円筒状基体１０１、及び上蓋１１４、底板１１６がアノード電極として作用し、プラズマ処理空間にプラズマが形成され、堆積膜形成が行われる。
【００１４】
本発明は、図３の実施例に示すように、反応容器内に導入する高周波電力を、ある一定の周期と振幅で変動させることを特徴とする。さらに、その変動周期は、一般的なパルス放電のように１周期が１秒以下の短周期の変動ではなく、１周期が１分以上となるような、１周期でμｍオーダーの膜厚が形成されるような長周期の変動を指す。
【００１５】
高周波電力の変動の好適な周期は、形成される堆積膜の堆積速度により異なるため、本発明では１周期の間に基体上に形成される膜厚により規定する。また、高周波電力の変動の振幅は、平均電力に対する振幅の割合で規定する。
【００１６】
図３の実施例の場合、高周波電力の周期的な変動の1周期の間に基体に形成される堆積膜の膜厚は５μｍとなり、高周波電力の変動の振幅は平均電力の１０％となる。
【００１７】
高周波電力の変動のさせ方は、図３のような正弦波に限らず、図４のような鋸歯状の変動であってもよく、連続的に増加と減少を繰り返していれば、同様の効果が得られる。
【００１８】
反応容器内に導入する高周波電力、すなわち実効電力を周期的に変動させる方法としては、以下のいくつかの方法が挙げられる。
【００１９】
まず、高周波電源の入射電力を所定の周期で変化させて入射電力を変動させ、その都度整合器のマッチング調整により反射電力をほぼゼロにすることにより、実効電力を周期的に変動させることができる。
【００２０】
また、高周波電源の入射電力は一定とし、整合器のマッチング調整により反射電力が周期的に変動するように制御して、実効電力を周期的に変動させることができる。
【００２１】
さらには、高周波電源の入射電力は一定とし、プラズマ処理装置を構成する部材のうち、高周波電力の導入に影響を及ぼす部材の形状や他の部材との位置関係を変化させることによっても、実効電力を周期的に変動させることができる。
【００２２】
いずれにせよ、最終的に反応容器内に導入される高周波電力が変動していれば良い。
【００２３】
反応容器内に導入する高周波電力、すなわち実効電力の変動は、入射電力と反射電力の測定により確認することができる。高周波電力の入射電力及び反射電力は、高周波電源と整合器の間に方向性結合器を挿入し、方向性結合器から電力モニターに信号を出力して測定を行った。入射電力と反射電力の差が実効電力となる。また、プラズマに供給される実効電力の変動は、反応容器内に設置される基体やその他の部材の温度変化や、プラズマの発光輝度の変化によっても確認することができる。
【００２４】
本発明において、２つの異なる周波数の高周波電力を同時に供給する場合には、一方の周波数の高周波電力を周期的に変動させることにより効果は得られるが、両方の高周波電力を同じ位相で周期的に変動させることがより好ましい。この場合、高周波電力の平均電力及び変動の振幅は、２つの異なる周波数の高周波電力を足し合わせた電力により規定する。
【００２５】
本発明において、反応容器内に導入する高周波電力を周期的に変動させることで効果が得られる理由は定かではないが、本発明者らは以下のように考えている。
【００２６】
電子写真感光体の作製においては、一般に基体上に２０μｍ以上の堆積膜を形成する。その結果、反応容器内の壁面にも同程度の膜厚の堆積膜が形成され、これらの堆積膜は膜応力の増大により膜剥がれが生じ易くなる。堆積膜形成途中に膜剥がれを生じた場合、膜片が基体上の堆積膜中に取り込まれ異常成長部を形成し、画像欠陥を生じる問題があった。とくに、高周波電力を高める等の条件で、高品質な堆積膜を長時間にわたって連続的に形成した場合、こうした膜剥がれが生じやすく問題となっていた。
【００２７】
そこで、本発明においては、反応容器内に導入する高周波電力を周期的に変動させることにより、膜応力も周期的に変動し、膜応力が拡散して、堆積膜の膜質を高品質に維持しながら、膜応力の蓄積を低減し膜剥がれの予防を可能にしたものと考えている。
【００２８】
本発明者らが鋭意検討した結果、反応容器内に導入する高周波電力の変動周期を、１周期の間に１乃至１０μｍの膜厚の堆積膜が基体上に形成される時間に設定することで、堆積膜の膜質を高品質に維持しながら、膜剥がれを予防し、異常成長部の形成による品質低下を抑制できることを見出した。
【００２９】
本発明では、高周波電力の変動における１周期の間に基体上に形成される堆積膜の膜厚は、実際に１周期分の堆積膜を基体上に形成し、渦電流式膜厚計（株式会社フィッシャーインストルメンツ製  ＦＩＳＣＨＥＲＳＣＯＰＥ  ＭＭＳ）で測定して求めた。
【００３０】
本発明者らは、高周波電力の変動周期が本発明の範囲よりも短いと、膜応力を緩和する役割を果たす、平均電力よりも低い電力で形成される堆積膜の膜厚が薄くなり、十分に堆積膜中の膜応力を緩和できないため、膜剥がれが生じやすくなるものと考えている。
【００３１】
逆に、高周波電力の変動周期が本発明の範囲よりも長いと、堆積膜中に蓄積される膜応力の低減効果が十分に得られないばかりか、平均電力よりも低い高周波電力で形成される堆積膜が連続して形成されてしまい、膜質が低下しやすくなるものと考えている。
【００３２】
さらに、反応容器内に導入する高周波電力の変動の振幅を、平均電力の２％以上２０％以下の範囲とすることで、堆積膜の膜質を高品質に維持しながら、さらに効果的に膜剥がれを予防し、異常成長部の形成による品質低下を抑制できることを見出した。
【００３３】
本発明者らは、高周波電力の変動の振幅が本発明の範囲よりも小さいと、堆積膜中に蓄積される膜応力の低減効果が十分に得られないため、膜剥がれが劣るものと考えている。
【００３４】
逆に、高周波電力の変動の振幅が本発明の範囲よりも大きいと、平均電力よりもかなり低い高周波電力で堆積膜が形成されるため、膜質が劣るものと考えている。
【００３５】
さらには、高周波電力の周期的な変動は、高周波電源より供給する入射電力は一定とし、整合器のマッチング調整により反射電力が周期的に変動するように制御して、プラズマに供給される実効電力を周期的に変動させて実現することが、プラズマ処理装置の改造を必要とせず、制御性、再現性に優れることからより好ましいことを見出した。
【００３６】
本発明の堆積膜形成方法を実現するためのプラズマ処理装置の構成をさらに詳述する。
【００３７】
本発明において、使用される高周波電力は、少なくとも５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の範囲の周波数を含むことが効果的である。その理由は定かではないが、高周波電力の少なくとも一方の周波数を５０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の範囲とすることで、誘電体部材を介して高周波電力を効率良く反応容器内に導入することが可能となり、プラズマ処理を均一且つ高速に行うことができるためと考えられる。また、グロー放電の発生及びマッチング調整を容易に安定して行うことができる。
【００３８】
さらに、本発明では、図１に示すように、２つの異なる周波数の高周波電力を同時に供給できる構成が、プラズマの均一化を実現する上で好ましい。高周波電源１０８、１１８は各々の発振周波数の関係が、高周波電源１０８の発振周波数をｆ１、高周波電源１１８の発振周波数をｆ２とした場合、
２５０ＭＨｚ≧ｆ１≧５０ＭＨｚ、ｆ１＞ｆ２≧１０ＭＨｚ
０．９≧ｆ２／ｆ１≧０．１
を満たす電源を用いることが好ましい。
【００３９】
反応容器１０２を構成する誘電体部材の材料としては、高周波の損失が少ないセラミックス材料が好ましく、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン-コージェライト、酸化珪素及び酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。また、これらを単独で用いても良いし、組み合わせて用いても良い。これらのうち、高周波電力の吸収が少ない点からアルミナ、窒化アルミニウム、二酸化チタン、窒化ホウ素が好ましく、強度、耐久性、耐腐食性に優れている点からアルミナが好適である。
【００４０】
反応容器１０２の形状にはとくに制限はないが、プラズマ処理特性を均一化するためには、図１に示したような円筒状であることが好ましい。
【００４１】
反応容器１０２の厚みにはとくに制限はないが、コスト、取り扱いの面からは薄いほうが良いものの、強度、耐久性の面からある程度の厚みは必要となる。形状、寸法により異なるが、一般的には１ｍｍ以上、好ましくは５ｍｍ以上の厚みがあれば良い。
【００４２】
反応容器１０２の表面は、膜の密着性を向上する目的から、粗面化されていることが望ましい。粗面化の具体的な程度としては、ＪＩＳ  Ｂ０６０１（２００１）に基づき測定した、２．５ｍｍを基準とする１０点平均粗さ（Ｒｚｊｉｓ（2001））で５μｍ以上２００μｍ以下の範囲が好ましい。
【００４３】
反応容器１０２内には、その中心部を取り囲むように、６本のAl製の円筒状基体１０１が基体支持体１０６とともに互いに平行になるように配置される。各円筒状基体１０１は基体支持体１０６を介して回転軸１１０によって保持され、内部に設置した発熱体（不図示）によって加熱することができる。モーター１１１を駆動すると、減速ギア１１２を介して回転軸１１０が回転し、円筒状基体１０１が基体支持体１０６とともにその中心を軸として自転する。
【００４４】
円筒状基体１０１は導電性であっても電気絶縁性であってもよい。導電性の基体としては、Al、Cr、Mo、Au、In、Nb、Te、V、Ti、Pt、Pd、Fe等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性の基体の少なくとも堆積膜を形成する側の表面を導電処理した基体も用いることができる。
【００４５】
円筒状基体１０１の表面は通常切削加工が施されるが、その表面形状は平滑表面であっても、レーザー光などの可干渉性光により発生する干渉縞模様による画像不良を解消するために意図的に凹凸を設けた表面であっても良い。
【００４６】
また、円筒状基体１０１には、表面に付着するダストの低減、堆積膜の密着性アップを目的として、堆積膜形成前に適切な洗浄処理を施すことが好ましい。
【００４７】
原料ガスは、不図示の原料ガス供給装置により、所定のガスが所定の流量で原料ガス導入管１０３を介して供給される。
【００４８】
原料ガス導入管１０３の形状及びガス穴数にはとくに制限はないが、プラズマ処理特性を均一化するためには、反応容器内のガス濃度分布にむらが生じないように適正化されることが好ましい。また、原料ガス導入管１０３の設置本数及び配置にもとくに制限はないが、コスト、取り扱いの面からは少ない本数のほうが良く、ガス濃度分布にむらが生じないよう対称に配置することが好ましい。
【００４９】
複数の円筒状基体１０１と反応容器１０２と高周波電極１０４の位置関係にはとくに制限はないが、図１に示したように、円筒状基体１０１と反応容器１０２と高周波電極１０４を同心円上に等間隔で配置することが、プラズマ処理を均一化する上で好ましい。
【００５０】
また、高周波電極１０４を取り囲むように円筒状導電性シールド１１５が設置される。円筒状導電性シールド１１５は、中心軸が円筒状基体配置円の中心を通るように設置し、一定電位に維持しておくことが、放出される高周波電力を均一化する上で好適である。この円筒状導電性シールド１１５を反応容器が兼ねる構成としてもよい。
【００５１】
上述した実施形態では円筒状の基体に対して真空処理を施す装置を一例として示したが、本発明は、これに限定されるものではなく、平行平板型のプラズマ処理装置にも適用可能である。
【００５２】
このようなプラズマ処理装置を用いた堆積膜形成は概略以下のような手順により行うことができる。
【００５３】
まず、反応容器１０２内に円筒状基体１０１を設置し、不図示の排気装置により排気管１０７を通して反応容器１０２内を排気する。続いて、不図示の発熱体により円筒状基体１０１を２００℃〜３００℃程度の所定の温度に加熱・制御する。
【００５４】
円筒状基体１０１が所定の温度となったところで、原料ガス導入管１０３を介して、原料ガスを反応容器１０２内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０２内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電力供給システム１０５において、高周波電力を高周波電源１０８及び１１８からマッチングボックス１０９及び１１９を介して高周波電極１０４へ所定の電力で供給する。
【００５５】
高周波電力は、誘電体部材で構成される反応容器１０２を通して反応容器１０２内に導入され、グロー放電が生起し、原料ガスが励起解離して円筒状基体１０１上に堆積膜が形成される。
【００５６】
所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の堆積膜が形成される。
【００５７】
堆積膜形成中、モーター１１１によって回転軸１１０を介して円筒状基体１０１を所定の速度で回転させることにより、円筒状基体表面全周に渡って均一な堆積膜を形成することができる。
【００５８】
このような本発明を用いることにより、円筒状基体上に非単結晶材料で構成された複数の層を有する電子写真感光体を、高品質に製造することが可能である。
【００５９】
例えば図２に示すような、アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ）系の光導電層を形成した電子写真感光体が作製可能である。
【００６０】
図２（ａ）に示す電子写真感光体２００は、基体２０１の上に、光受容層２０２が設けられている。光受容層２０２は基体２０１側から順にａ−Ｓｉ系電荷注入阻止層２０５と、光導電性を有するａ−Ｓｉ系光導電層２０３と、 ａ−ＳｉＣ系表面層２０４とから構成されている。
【００６１】
図２（ｂ）に示す感光体２００は、同じく基体２０１の上に、光受容層２０２が設けられている。光受容層２０２は基体２０１側から順にａ−Ｓｉ系電荷注入阻止層２０５と、光導電性を有するａ−Ｓｉ系光導電層２０３と、ａ−ＳｉＣ系表面層２０４とから構成され、光導電層と表面層の界面を連続的に変化させ界面反射を抑制する界面制御が成されている。さらに、光導電層２０３は光導電層第１層２０３１と光導電層第２層２０３２とから構成され、光導電層第２層２０３２で形成されたキャリアが、光導電層第１層２０３１を走行し易いように機能分離が成されている。
【００６２】
図２（ｃ）に示す感光体２００は、同じく基体２０１の上に、光受容層２０２が設けられている。電子写真感光体光受容層２０２は基体２０１側から順にａ−Ｓｉ系電荷注入阻止層２０５と、光導電性を有するａ−Ｓｉ系光導電層２０３と、ａ−ＳｉＣ系中間層２０６とａ−ＳｉＣ系表面層２０４とから構成され、光導電層と中間層、及び中間層と表面層の界面を連続的に変化させ界面反射を抑制する界面制御が成されている。
【００６３】
また、これら各層にはドーパントとして周期律表第１３族に属する原子、周期律表第１５族に属する原子を適宜選択して含有させることにより、正帯電、負帯電といった帯電極性の制御も可能となる。
【００６４】
本発明における高周波電力の周期的な変動は、電子写真感光体を構成する複数の層全体に渡って実施しても良いし、複数の層の中でもとくに膜厚の厚い層、例えば光導電層２０３においてのみ実施しても有効である。
【００６５】
（実施例及び比較例）
以下、本発明を実施例及び比較例に基づき詳細に説明する。
【００６６】
下記の実施例は、本発明の最良な実施形態の一例であるものの、本発明はこれら実施例により限定されるものではない。
【００６７】
＜実施例１〜３及び比較例１＞
図１に示すプラズマ処理装置を用い、表１に示す製造条件で、図２（ｂ）に示した電荷注入阻止層、光導電層第１層及び第２層、表面層から成る、直径８０ｍｍの正帯電ａ−Ｓｉ感光体を作製した。
【００６８】
反応容器内に導入する高周波電力は、表１に示す平均電力を中心に対称に変動させることとし、実施例１では光導電層第１層及び第２層においてのみ、実施例２及び実施例３では電荷注入阻止層と光導電層第１層及び第２層と表面層の全層において、反応容器内に導入する高周波電力を周期的に変動させた。高周波電力の変動は、実施例１及び実施例２では図３に示すような正弦波で変動させ、実施例３では図４に示すように鋸歯状に変動させた。いずれも平均電力値からスタートして、平均電力よりも増加方向に先に変動させた。一方、比較例１では、反応容器内に導入する高周波電力を周期的に変動させず、一定とした。
【００６９】
実施例１〜３では、いずれも入射電力は一定のままで、整合器のマッチング調整により反射電力が周期的に変動するように制御して、実効電力を周期的に変動させた。
【００７０】
高周波電力の変動周期は、１周期の間に基体上に形成される堆積膜の膜厚が３μｍになるようにした。また、高周波電力の変動の振幅は平均電力の１０％、すなわち２００Ｗ一定とした。
【００７１】
表１に示す製造条件中の「200→40」はガス流量を200mL/min(normal)から40 mL/min(normal)まで連続的に変化させることを表す。
【００７２】
【表１】
2008208435.tif 000003
【００７３】
作製したａ−Ｓｉ感光体を、キヤノン製デジタル電子写真装置ｉＲ−６０００（前露光６６０nｍＬＥＤアレイ、画像露光６５５nｍレーザー、プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ）の改造機に設置して画出しを行い、以下の方法でコントラスト及び画像欠陥の評価を実施した。
【００７４】
コントラストの評価については、まず比較例１の感光体を設置し、現像器位置での暗部電位が＋４５０Ｖとなるよう主帯電器電流を調整し、これを基準主帯電器電流とした。その後、原稿に反射濃度０．１以下の所定の白紙を用いて画出しした際に、現像器位置での明部電位が＋５０Ｖとなるよう像露光光量を調整し、これを基準像露光光量とした。次に、実施例１〜３の感光体を設置し、基準主帯電器電流における暗部電位と、基準像露光光量における明部電位を測定した。このときの暗部電位と明部電位の差をコントラストとし、比較例1の感光体のコントラストである４００Ｖとの比較を実施した。コントラストが大きいほど良好である。
【００７５】
画像欠陥の評価については、いずれの感光体についても、現像器位置での暗部電位が＋４５０Ｖとなるよう主帯電器電流を調整した後、全面黒チャートを原稿台に置き、全面ベタ黒コピー画像の同一面積内にある直径０．１ｍｍ以上の白点を数え、その数により評価した。従って、数値が小さいほど良好である。
【００７６】
評価結果を表２に示す。評価結果は比較例１のａ−Ｓｉ感光体を基準とし、コントラストに関しては、比較例１の９８％以上１０２％以下を◎、９５％以上９８％未満を○、９０％以上９５％未満を△で示した。また、画像欠陥に関しては、同じく比較例１のａ−Ｓｉ感光体を基準とし、直径０．１ｍｍ以上の白点の数が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜○、１／２以上３／４未満まで良化したものを○、３／４以上までの良化を○〜△、同等あるいは悪化を△で示した。
【００７７】
【表２】
2008208435.tif 000004
【００７８】
表２より、反応容器内に導入する高周波電力を周期的に変動させて作製した実施例１〜３において、コントラストに影響を与えることなく、比較例１よりも画像欠陥を低減できることが確認された。また、高周波電力を周期的に変動させて形成する層は、光導電層だけであっても、全層に渡っても、いずれも同様の効果が得られた。また、高周波電力の変動の形態についても、正弦波、鋸歯状のいずれも同様の効果が得られた。
【００７９】
＜実施例４〜６及び比較例２〜３＞
同じく表１に示す製造条件で、反応容器内に導入する高周波電力を周期的に変動させて、図２（ｂ）に示した直径８０ｍｍの正帯電ａ−Ｓｉ感光体を作製した。
高周波電力は、実施例１と同じく、図３に示すような正弦波で、整合器のマッチング調整により反射電力が周期的に変動するように制御して、実効電力を周期的に変動させた。高周波電力の変動周期は、表３に示すように、１周期の間に基体上に形成される堆積膜の膜厚が０．５μｍから１５μｍの範囲になるように、実施例４〜６及び比較例２〜３で変化させた。一方、高周波電力の変動の振幅は、実効値の平均電力の５％で一定とした。
【００８０】
作製したａ−Ｓｉ感光体を、実施例１と同様の方法で、コントラスト及び画像欠陥の評価を実施し、その評価結果を同様の評価基準で表３に示す。
【００８１】
【表３】
2008208435.tif 000005
【００８２】
表３より、光導電層２０３形成時に反応容器内に導入する高周波電力を周期的に変動させた感光体のうち、１周期の間に基体上に形成される堆積膜の膜厚が１μｍから１０μｍの範囲で作製した実施例４〜６において、コントラストに影響を与えることなく、比較例１よりも画像欠陥を低減できることが確認された。
【００８３】
＜実施例７〜１１＞
同じく表１に示す製造条件で、反応容器内に導入する高周波電力を周期的に変動させて、図２（ｂ）に示した直径８０ｍｍの正帯電ａ−Ｓｉ感光体を作製した。
高周波電力は、入射電力を変動させ、その都度整合器のマッチング調整により反射電力をほぼゼロにすることで、図３に示すような正弦波で実効値を周期的に変動させた。高周波電力の変動の振幅は、表４に示すように、平均電力の１％〜３０％の範囲になるように、実施例７〜１１で変化させた。一方、高周波電力の変動周期は、１周期の間に基体上に形成される堆積膜の膜厚が５μｍ一定となるようにした。
【００８４】
作製したａ−Ｓｉ感光体を、実施例１と同様の方法で、コントラスト及び画像欠陥の評価を実施し、その評価結果を同様の評価基準で表４に示す。
【００８５】
【表４】
2008208435.tif 000006
【００８６】
表４より、光導電層２０３形成時に反応容器内に導入する高周波電力を周期的に変動させて作製した実施例７〜１１のいずれにおいても、コントラストに影響を与えることなく、比較例１よりも画像欠陥を低減できることが確認された。
さらに、実施例８〜１０においては、コントラスト、画像欠陥がともに極めて優れた感光体を作製できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明に係わる電子写真感光体製造装置の一例を示す模式的構成図である。
【図２】本発明に係わる電子写真感光体の層構成を模式的に示す概略断面図である。
【図３】本発明の堆積膜形成方法に係わる高周波電力の周期的な変動を説明するグラフである。
【図４】本発明の堆積膜形成方法に係わる高周波電力の周期的な変動を説明するグラフである。
【符号の説明】
【００８８】
１００  プラズマ処理装置
１０１  円筒状基体
１０２  反応容器
１０３  原料ガス導入管
１０４  高周波電極
１０５  高周波電力供給システム
１０６  基体支持体
１０７  排気管
１０８、１１８  高周波電源
１０９、１１９  マッチングボックス
１１０  回転軸
１１１  モーター
１１２  減速ギア
１１３  電力分岐部
１１４  上蓋
１１５  シールド
１１６  底板
１１７  排気メッシュ
２００  電子写真感光体
２０１  導電性基体
２０２  光受容層
２０３  光導電層
２０３１  光導電層第１層
２０３２  光導電層第２層
２０４  表面層
２０５  下部電荷注入阻止層
２０６  上部電荷注入阻止層
【図１】
2008208435.tif 000007
【図２】
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【図３】
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【図４】
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