(57)【要約】【課題】ハウジングに充填される合成樹脂の量を低減すること、及び、放射ノイズを抑制することができ、しかも構造が簡易で組み立てが容易なイオン発生装置及びイオン発生装置の製造方法を提供する。【解決手段】シールドケース４３に覆われた昇圧コイル４１を上面に有する回路基板４はハウジング２１の底面２１２近傍に収容されて充填樹脂Ｐでハウジング２１と一体的に樹脂モールドされ、イオン発生素子３１は、放電電極３１１がシールドプレート５１に囲繞された状態で、充填樹脂Ｐとの間を底面２１２で仕切られており充填樹脂Ｐに侵入されない。このため、必要最小量の充填樹脂Ｐを用いて回路基板４が絶縁され、また、昇圧コイル４１及び放電電極３１１夫々からの放射ノイズが抑制される。コネクタ４２は回路基板４の上面に接続されて、ハウジング２１の開口２１１から装置外部に露出してあるため、イオン発生装置１１は構造が簡易で組み立てが容易である。【選択図】図５
2008123917.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流の駆動電圧を印加することによってプラスイオン及びマイナスイオンを発生させるイオン発生素子と、
該イオン発生素子に印加すべき駆動電圧を発生させる昇圧回路と、
該昇圧回路が一面に配されている回路基板と、
該回路基板が収容されており、開口及び該開口に対向する対向面を有する収容箱と
を備え、
前記収容箱と、該収容箱に収容されている前記回路基板とを一体的に樹脂モールドしてある
イオン発生装置において、
前記回路基板は、該回路基板の他面と前記対向面とが対面するように前記収容箱に収容されており、
前記イオン発生素子と前記他面との間に、前記対向面が配されていることを特徴とするイオン発生装置。
【請求項２】
前記イオン発生素子は、
一端部が前記収容箱の内部で前記回路基板に接続されており、他端部が前記収容箱の外部に露出している棒状の放電電極と、
該放電電極から離隔配置されて前記他端部を周方向に囲繞する誘導電極と
を有し、
一端部が前記収容箱の内部で前記回路基板に接続されており、他端部が前記収容箱の外部に露出して前記誘導電極に接続されている棒状の接続導体を備え、
前記対向面には、前記放電電極及び前記接続導体夫々と嵌合する嵌合孔が形成されており、
前記放電電極及び前記接続導体は、夫々前記嵌合孔を貫通して前記収容箱に保持されていることを特徴とする請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項３】
前記対向面の外側に、前記嵌合孔と前記放電電極及び前記接続導体夫々との間隙を封止する封止体が配されていることを特徴とする請求項２に記載のイオン発生装置。
【請求項４】
前記放電電極は、前記昇圧回路の前記回路基板に対する投影面の範囲以内に接続されていることを特徴とする請求項２又は３に記載のイオン発生装置。
【請求項５】
前記放電電極は、導電性を有する筒状のシールドプレートによって、前記放電電極の周方向に囲繞されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れかひとつに記載のイオン発生装置。
【請求項６】
前記シールドプレートと前記接続導体とが一体に設けられていることを特徴とする請求項５に記載のイオン発生装置。
【請求項７】
前記収容箱を収容する金属箱を備え、
該金属箱と前記誘導電極とが一体に設けられていることを特徴とする請求項２乃至４の何れかひとつに記載のイオン発生装置。
【請求項８】
請求項２に記載のイオン発生装置の製造方法であって、
前記対向面から該対向面の外側へ突出する袋状をなし、前記放電電極及び前記接続導体夫々と嵌合するための電極嵌合部が、前記対向面に設けられている収容箱を準備し、
次に、該収容箱の前記電極嵌合部に、前記収容箱の内側から前記放電電極及び前記接続導体夫々を挿入して嵌合し、
また、前記収容箱に前記回路基板を収容し、
次いで、収容された前記回路基板及び前記収容箱を、合成樹脂を用いて一体的に樹脂モールドし、
前記合成樹脂が硬化した後で前記電極嵌合部の先端部分を除去することによって、前記電極嵌合部の残部を前記嵌合孔となし、前記放電電極及び前記接続導体が、夫々前記嵌合孔を貫通して前記収容箱に保持されるようにし、
最後に、前記誘導電極を前記対向面に取り付けることを特徴とするイオン発生装置の製造方法。
【請求項９】
請求項３に記載のイオン発生装置の製造方法であって、
前記放電電極及び前記接続導体が、夫々前記嵌合孔を貫通して前記収容箱に保持されるよう、前記嵌合孔に前記放電電極及び前記接続導体夫々を挿入して嵌合し、
また、前記収容箱に前記回路基板を収容し、
更に、前記嵌合孔と前記放電電極及び前記接続導体夫々との間隙を前記封止体で封止し、
前記封止体による封止の完了後、収容された前記回路基板及び前記収容箱を、合成樹脂を用いて一体的に樹脂モールドし、
また、前記誘導電極を前記対向面に取り付けることを特徴とするイオン発生装置の製造方法。
【請求項１０】
少なくとも前記回路基板、前記昇圧回路、前記放電電極及び前記接続導体が一体的に設けられてユニット化されているユニット部品を準備し、
該ユニット部品を前記収容箱に収容することによって、前記放電電極及び前記接続導体夫々の前記電極嵌合部又は前記嵌合穴への挿入作業及び前記回路基板の前記収容箱への収容作業を同時的に実行することを特徴とする請求項８又は９に記載のイオン発生装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラスイオン及びマイナスイオンを発生させるイオン発生素子を備えるイオン発生装置及びイオン発生装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン発生装置はイオン発生素子を有しており、空気調和機、空気清浄機等、空気流が通気する通気路を有する電気機器に備えられる。イオン発生素子が発生させたプラスイオン及びマイナスイオンは、このような電気機器が送出する空気流と共に、装置外部へ送出される（特許文献１〜５参照）。
【０００３】
図１８は、従来のイオン発生装置１９の外観を示す斜視図であり、図１９は、イオン発生装置１９の内部構造を示す縦断面図である。
イオン発生装置１９は、直方体状の収容箱であるハウジング２９を備える。以下、ハウジング２９の開口２９１側を天側、開口２９１に対向する面２９２側を底側とし、この面２９２を底面２９２という。
開口２９１は蓋部材２９０によって閉鎖されており、この蓋部材２９０に、イオン発生素子３９が配設されている。
【０００４】
ハウジング２９には回路基板９が、回路基板９の一面を底面２９２に対面させて収容されており、回路基板９のこの一面（即ち下面）側には、昇圧部９１０、スイッチング素子を初めとする各種の電子部品、及び、回路基板９とコネクタ９２とを接続する電線９２０が実装されている。このため、回路基板９は開口２９１近傍に配されている。
また、イオン発生素子３９は、電線３９１，３９２を介して、昇圧部９１０及び回路基板９の他面（即ち上面）側に接続されている。
【０００５】
ハウジング２９と回路基板９とを一体的に樹脂モールドして回路基板９を絶縁するために、ハウジング２９には、充填樹脂Ｐ９が充填されている。
充填樹脂Ｐ９は、熱硬化性の液状の合成樹脂を、蓋部材２９０に形成されている孔２９ａから注入した後、ハウジング２９ごと加熱して硬化させてなる。
【０００６】
電線９２０は、底面２９２に形成されている孔２９ｂに挿通されて、ハウジング２９の外部に引き出されている。ただし、孔２９ｂには、孔２９ｂと電線９２０との間隙から液状の合成樹脂が漏れ出さないように、この間隙を密閉するためのゴムブッシュ９２１が配されている。
【特許文献１】特開２００３−４５６１１号公報
【特許文献２】特開２００４−１１１１３５号公報
【特許文献３】特開２００５−３１７２０４号公報
【特許文献４】特開２００４−３１１６３０号公報
【特許文献５】特開平８−９１８０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
回路基板９が開口２９１近傍に配されているため、充填樹脂Ｐ９は、底面２９２から開口２９１近傍に配されている回路基板９の上側まで、ハウジング２９に充填される。つまり、従来のイオン発生装置１９では、充填樹脂Ｐ９の量が多い。
【０００８】
また、従来のイオン発生装置１９は、外部へ放射される電磁ノイズ（以下、放射ノイズという）がイオン発生素子３９から発生して他の電気機器に悪影響を及ぼすことがある。仮に、イオン発生素子３９を全体的にシールドケースで覆った場合、放射ノイズの発生は抑制されるが、イオン発生素子３９が発生させたイオンがイオン発生装置１９の外部へ送出され難くなるという不具合が生じる。
更に、電線３９１，３９２から発生する放射ノイズも問題となる。特に、イオン発生素子３９と昇圧部９１０及び回路基板９夫々とが離隔している場合、電線３９１，３９２の長さが長くなるため、放射ノイズの発生は更に抑制し難くなる。
【０００９】
更にまた、孔２９ｂに対するゴムブッシュ９２１の嵌め込みと、電線９２０のゴムブッシュ９２１に対する挿通とは煩雑であり、このため、電線９２０が実装されている基板９のハウジング２９への収容も煩雑である。
【００１０】
しかしながら、特許文献１〜５には、充填樹脂Ｐ９の量の低減、イオン発生素子３９及び電線３９１，３９２に係る放射ノイズ発生の抑制、及び回路基板９とコネクタ９２とを容易に接続する構成等は開示も示唆もされていない。
【００１１】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、昇圧回路が一面に配されている回路基板の他面と、収容箱の開口に対向する対向面とが対面するように、回路基板を収容箱に収容し、イオン発生素子と回路基板の他面との間に収容箱の対向面を配する構成とすることにより、収容箱に注入すべき合成樹脂の量を低減することができるイオン発生装置を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、イオン発生素子の放電電極と、イオン発生素子の誘導電極に接続されている接続導体とが、収容箱の対向面に形成されている嵌合孔を貫通して収容箱に保持される構成とすることにより、収容箱に注入すべき合成樹脂の量を低減しつつ、構成を簡易にすることができるイオン発生装置を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、収容箱の嵌合孔とイオン発生素子の放電電極及び接続導体夫々との間隙を封止する封止体を配する構成とすることにより、簡易な方法で、収容箱に注入された合成樹脂の漏出を防止することができるイオン発生装置及びイオン発生装置の製造方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、放電電極を、昇圧回路の回路基板に対する投影面の範囲以内に接続する構成とすることにより、放電電極と昇圧回路との間の距離を最小限にして放射ノイズの発生を抑制することができるイオン発生装置を提供することにある。
【００１５】
本発明の他の目的は、放電電極をシールドプレートで囲繞する構成とすることにより、ノイズ発生源をシールドして放射ノイズの発生を抑制することができるイオン発生装置を提供することにある。
【００１６】
本発明の他の目的は、接続導体が一体に設けられているシールドプレートを備えることにより、シールドプレート及び接続導体をコンパクトにまとめることができるイオン発生装置を提供することにある。
【００１７】
本発明の他の目的は、誘導電極が一体に設けられている金属箱に収容箱を収容する構成とすることにより、収容箱を小型化することができるイオン発生装置を提供することにある。
【００１８】
本発明の他の目的は、先端部分を除去することによって嵌合孔となすべき袋状の電極嵌合部を収容箱に設けておくことにより、簡易な構成で、収容箱に注入された合成樹脂の漏出を防止することができるイオン発生装置の製造方法を提供することにある。
【００１９】
本発明の更に他の目的は、少なくとも回路基板、昇圧回路、放電電極及び接続導体をユニット化することにより、組み立てを簡易化することができるイオン発生装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明に係るイオン発生装置は、交流の駆動電圧を印加することによってプラスイオン及びマイナスイオンを発生させるイオン発生素子と、該イオン発生素子に印加すべき駆動電圧を発生させる昇圧回路と、該昇圧回路が一面に配されている回路基板と、該回路基板が収容されており、開口及び該開口に対向する対向面を有する収容箱とを備え、前記収容箱と、該収容箱に収容されている前記回路基板とを一体的に樹脂モールドしてあるイオン発生装置において、前記回路基板は、該回路基板の他面と前記対向面とが対面するように前記収容箱に収容されており、前記イオン発生素子と前記他面との間に、前記対向面が配されていることを特徴とする。
【００２１】
本発明に係るイオン発生装置は、前記イオン発生素子は、一端部が前記収容箱の内部で前記回路基板に接続されており、他端部が前記収容箱の外部に露出している棒状の放電電極と、該放電電極から離隔配置されて前記他端部を周方向に囲繞する誘導電極とを有し、一端部が前記収容箱の内部で前記回路基板に接続されており、他端部が前記収容箱の外部に露出して前記誘導電極に接続されている棒状の接続導体を備え、前記対向面には、前記放電電極及び前記接続導体夫々と嵌合する嵌合孔が形成されており、前記放電電極及び前記接続導体は、夫々前記嵌合孔を貫通して前記収容箱に保持されていることを特徴とする。
【００２２】
本発明に係るイオン発生装置は、前記対向面の外側に、前記嵌合孔と前記放電電極及び前記接続導体夫々との間隙を封止する封止体が配されていることを特徴とする。
【００２３】
本発明に係るイオン発生装置は、前記放電電極は、前記昇圧回路の前記回路基板に対する投影面の範囲以内に接続されていることを特徴とする。
【００２４】
本発明に係るイオン発生装置は、前記放電電極は、導電性を有する筒状のシールドプレートによって、前記放電電極の周方向に囲繞されていることを特徴とする。
【００２５】
本発明に係るイオン発生装置は、前記シールドプレートと前記接続導体とが一体に設けられていることを特徴とする。
【００２６】
本発明に係るイオン発生装置は、前記収容箱を収容する金属箱を備え、該金属箱と前記誘導電極とが一体に設けられていることを特徴とする。
【００２７】
本発明に係るイオン発生装置の製造方法は、本発明のイオン発生装置の製造方法であって、前記対向面から該対向面の外側へ突出する袋状をなし、前記放電電極及び前記接続導体夫々と嵌合するための電極嵌合部が、前記対向面に設けられている収容箱を準備し、次に、該収容箱の前記電極嵌合部に、前記収容箱の内側から前記放電電極及び前記接続導体夫々を挿入して嵌合し、また、前記収容箱に前記回路基板を収容し、次いで、収容された前記回路基板及び前記収容箱を、合成樹脂を用いて一体的に樹脂モールドし、前記合成樹脂が硬化した後で前記電極嵌合部の先端部分を除去することによって、前記電極嵌合部の残部を前記嵌合孔となし、前記放電電極及び前記接続導体が、夫々前記嵌合孔を貫通して前記収容箱に保持されるようにし、最後に、前記誘導電極を前記対向面に取り付けることを特徴とする。
【００２８】
本発明に係るイオン発生装置の製造方法は、本発明のイオン発生装置の製造方法であって、前記放電電極及び前記接続導体が、夫々前記嵌合孔を貫通して前記収容箱に保持されるよう、前記嵌合孔に前記放電電極及び前記接続導体夫々を挿入して嵌合し、また、前記収容箱に前記回路基板を収容し、更に、前記嵌合孔と前記放電電極及び前記接続導体夫々との間隙を前記封止体で封止し、前記封止体による封止の完了後、収容された前記回路基板及び前記収容箱を、合成樹脂を用いて一体的に樹脂モールドし、また、前記誘導電極を前記対向面に取り付けることを特徴とする。
【００２９】
本発明に係るイオン発生装置の製造方法は、少なくとも前記回路基板、前記昇圧回路、前記放電電極及び前記接続導体が一体的に設けられてユニット化されているユニット部品を準備し、該ユニット部品を前記収容箱に収容することによって、前記放電電極及び前記接続導体夫々の前記電極嵌合部又は前記嵌合穴への挿入作業及び前記回路基板の前記収容箱への収容作業を同時的に実行することを特徴とする。
【００３０】
本発明にあっては、開口と、この開口に対向する対向面を有する収容箱に、昇圧回路が一面に配されている回路基板を、回路基板の他面と収容箱の対向面の内側とが対面するように収容する。このため、回路基板は収容箱の対向面近傍に配される。
回路基板を絶縁するために、収容箱と、収容箱に収容されている回路基板とは一体的に樹脂モールドされるが、回路基板が対向面近傍に配されているため、樹脂モールドのための合成樹脂は、収容箱の対向面から対向面近傍に配されている回路基板の上側まで、必要十分量が注入される。
【００３１】
また、イオン発生素子と回路基板の他面との間に、対向面が配されている。つまり、イオン発生素子は、収容箱の外側に配されている。
収容箱に注入された合成樹脂とイオン発生素子とは、収容箱によって仕切られるため、この合成樹脂がイオン発生素子へ侵入することが抑制されている。
【００３２】
更に、回路基板とイオン素子とが夫々対向面近傍に配されているため、回路基板（又は回路基板に配されている昇圧回路）とイオン素子との離隔距離は短い。ここで、例えば収容箱の対向面を貫通して回路基板（又は昇圧回路）とイオン素子とを接続することによって、これらを接続する接続端子、接続ケーブル等の長さを低減することが可能である。このため、接続端子、接続ケーブル等からの放射ノイズの発生が抑制される。
【００３３】
昇圧回路は、イオン発生素子に印加すべき駆動電圧を発生させ、イオン発生素子は、昇圧回路が発生させた交流の駆動電圧が印加されることによってプラスイオン及びマイナスイオンを発生させる。
【００３４】
仮に、例えば収容箱の開口を閉鎖する蓋部材にイオン発生素子を配した場合、昇圧回路を始めとする各種の電子部品は開口側に向けられているため、これらとイオン発生素子とを確実に絶縁するために、樹脂モールド用の合成樹脂を、収容箱の開口近傍まで注入する必要があり、合成樹脂は低減できない。
なお、収容箱の内部には、収容箱に収容された回路基板を、回路基板の他面と収容箱の対向面との間に適宜の離隔距離を設けた状態で支持する支持部が備えられていることが望ましい。
【００３５】
本発明にあっては、イオン発生素子が、棒状の放電電極と、棒状の接続導体に接続されている誘導電極とを有し、また、収容箱の対向面に、イオン発生素子の放電電極及び接続導体夫々と嵌合する嵌合孔が形成されており、放電電極及び接続導体は、夫々嵌合孔を貫通して収容箱に保持されている。
放電電極及び接続導体夫々は、一端部が収容箱の内部で回路基板に接続されており、他端部が収容箱の外部に露出している。収容箱の外部に露出している接続導体の他端部は、収容箱の外部で誘導電極に接続している。誘導電極は、放電電極から離隔配置されて、収容箱の外部に露出している放電電極の他端部を周方向に囲繞している。
【００３６】
つまり、放電電極及び接続導体夫々が収容箱の対向面を貫通し、各一端部が回路基板に接続することによって、収容箱の外部、具体的には収容箱の対向面の外側に配されている放電電極の他端部及び誘導電極夫々が、短距離で回路基板に接続される。
イオン発生素子は、この放電電極の他端部と、これを囲繞する放電電極との間の空隙で、イオンを発生させる。
【００３７】
本発明にあっては、嵌合孔と、嵌合孔に嵌合している放電電極及び接続導体夫々との間隙を封止する封止体が、対向面の外側に配されている。
このようなイオン発生装置を製造するために、作業者は、まず、放電電極及び接続導体夫々を嵌合すべき嵌合孔が対向面に形成されている収容箱を準備し、次に、嵌合孔に放電電極及び接続導体夫々を挿入して嵌合することによって、放電電極及び接続導体が、夫々嵌合孔を貫通して収容箱に保持されるようにする。このとき、放電電極及び接続導体夫々は、対向面の内側から挿入する。
また、作業者は、収容箱に回路基板を収容する。
【００３８】
ここで、収容箱に収容された回路基板と放電電極及び接続導体夫々とを簡易かつ確実に接続するために、収容箱に収容する前の回路基板と放電電極及び接続導体夫々とを予め接続（即ちこれらをユニット化）しておき、放電電極及び接続導体夫々が接続されている回路基板を収容箱に収容しつつ対向面の内側から放電電極及び接続導体夫々を嵌合孔に挿入することが望ましい。
【００３９】
そして、作業者は、嵌合孔と放電電極及び接続導体夫々との間隙を封止体で封止する。封止体による封止を実行するタイミングは、回路基板と放電電極及び接続導体夫々とがユニット化されているので、収容箱に対する回路基板の収容後に行なうことになる。
封止体による封止作業は、例えば嵌合孔と放電電極及び接続導体夫々との間隙に液状の封止剤を注入して硬化させることによって封止体となす作業であるため、嵌合孔と放電電極及び接続導体夫々との間にゴムブッシュを配する作業に比べて簡易である。
【００４０】
封止体による封止の完了後、作業者は、収容箱に収容された回路基板と収容箱とを、合成樹脂を用いて一体的に樹脂モールドして回路基板を絶縁する。このとき、収容箱に合成樹脂が注入されるが、嵌合孔と放電電極及び接続導体夫々との間隙が封止体で封止されているため、注入された合成樹脂が、この間隙から収容箱外部へ漏出することが抑制される。
また、作業者は、誘導電極を収容箱の対向面に取り付けて、放電電極及び誘導電極を備えるイオン発生素子を構成する。イオン発生素子の構成は、封止体による封止の完了後であれば、樹脂モールドの前に行なっても後に行なってもよい。
【００４１】
本発明にあっては、昇圧回路の回路基板に対する投影面の範囲以内（例えば昇圧回路の真下）の回路基板に、収容箱の内部に配されている放電電極の一端部が接続されている。
この場合、この範囲の外側に放電電極が接続される場合と比べて、昇圧回路と放電電極との離隔距離が略最小になる。即ち、放電電極の長さが略最小限に低減される。
【００４２】
本発明にあっては、放射ノイズの発生源である放電電極を、導電性を有する筒状のシールドプレートで囲繞してシールドするため、放電電極からの放射ノイズがシールドプレートに吸収されて抑制される。
しかも、シールドプレートは放電電極の周方向に囲繞するため、収容箱の外部に配されている放電電極をシールドプレートが覆ってイオンの発生を阻害する不具合が抑制されている。
【００４３】
なお、シールドプレートの内側には、他の放射ノイズの発生源（例えば接続導体）も配することが望ましい。また、シールドプレートを例えば回路基板のグランド側の端子に接続しておく場合、放射ノイズがアースされ、更に確実に放射ノイズの発生が抑制される。
【００４４】
本発明にあっては、筒状のシールドプレートと棒状の接続導体とが一体に設けられている。例えば、筒状のシールドプレートの両端部の一部を軸長方向に延長して、延長された部分を、回路基板と誘導電極とを接続する接続導体として利用する。
【００４５】
本発明にあっては、金属箱と誘導電極とが一体に設けられているため、金属箱と誘導電極とがコンパクトに形成される。
このような金属箱に収容箱が収容されているため、収容箱の容積は、樹脂モールドのために注入すべき合成樹脂を収容可能な容積であればよく、また、放電電極、回路基板等と金属箱又は誘導電極との間に十分な離隔距離を設けるための寸法及び形状を有していればよい。
【００４６】
仮に、収容箱の容積が小さすぎる場合、樹脂モールドのために注入された合成樹脂が収容箱と金属箱（延いては誘導電極）との間隙に侵入することを抑制する手段が別途必要となり、また、放電電極、回路基板等と金属箱又は誘導電極とが接近しすぎる場合、これらを絶縁することが困難になる。
ところで、このような金属箱は放射ノイズの発生源をシールドするシールドケースとしても機能するため、放射ノイズの発生が更に確実に抑制される。
【００４７】
本発明にあっては、イオン発生素子の放電電極及び接続導体夫々が、収容箱の対向面に形成されている嵌合孔を貫通して収容箱に保持されているイオン発生装置を製造するために、作業者は、まず、放電電極及び接続導体夫々と嵌合するための電極嵌合部が対向面に設けられている収容箱を準備する。この電極嵌合部は、収容箱の対向面からこの対向面の外側へ突出する袋状をなしている。
【００４８】
次に、作業者は、収容箱の電極嵌合部に、収容箱の内側から放電電極及び接続導体夫々を挿入して嵌合し、また、収容箱に回路基板を収容する。
収容箱に収容された回路基板と放電電極及び接続導体夫々とを簡易かつ確実に接続するために、収容箱に収容する前の回路基板と放電電極及び接続導体夫々とを予め接続（即ちこれらをユニット化）しておき、放電電極及び接続導体夫々が接続されている回路基板を収容箱に収容しつつ対向面の内側から放電電極及び接続導体夫々を電極嵌合部に挿入することが望ましい。
【００４９】
次いで、作業者は、収容箱に収容された回路基板と収容箱とを、合成樹脂を用いて一体的に樹脂モールドして回路基板を絶縁する。このとき収容箱に合成樹脂が注入されるが、電極嵌合部は袋状であり、収容箱を貫通する嵌合孔はまだ形成されていないため、注入された合成樹脂が、この嵌合孔から収容箱外部へ漏出することが抑制される。
【００５０】
作業者は、収容箱に注入した合成樹脂が硬化した後で、電極嵌合部の先端部分（及び電極嵌合部の内面と放電電極及び接続導体夫々との間隙に侵入した合成樹脂）を除去する。このことによって、電極嵌合部の残部が嵌合孔となり、放電電極及び接続導体が、夫々嵌合孔を貫通して収容箱に保持される。
このような電極嵌合部の先端部分の除去作業は、例えば嵌合孔と放電電極及び接続導体夫々との間にゴムブッシュを配する作業に比べて簡易である。
最後に、作業者は、誘導電極を収容箱の対向面に取り付けて、放電電極及び誘導電極を備えるイオン発生素子を構成する。
【００５１】
本発明にあっては、本発明のイオン発生装置を製造するために、作業者は、回路基板を収容箱に収容したり、放電電極及び接続導体夫々を電極嵌合部又は嵌合穴へ挿入したりする前に、まず、少なくとも回路基板、昇圧回路、放電電極及び接続導体が一体的に設けられてユニット化されているユニット部品を準備する。
【００５２】
このようなユニット部品は、例えば工場で予め製造されていてもよい。この場合、作業者が組み立て作業を行なう必要がない。
また、このようなユニット部品を、イオン発生装置の組み立ての際に、作業者が組み立ててもよい。
仮に、収容箱に収容されている回路部品に、昇圧回路、放電電極及び接続導体を接続する場合、接続作業のためのスペースが収容箱内部に限定されるため、接続作業が煩雑であり、しかも、接続不良を生じ易い。
つまり、収容箱に収容される前にユニット部品を組み立てることによって、接続不良の発生が抑制されているユニット部品が、簡易に準備される。
【００５３】
そして、作業者は、準備されたユニット部品を収容箱に収容する。このことによって、作業者は、収容箱に電極嵌合部が設けられている場合は放電電極及び接続導体夫々の電極嵌合部への挿入作業及び回路基板の収容箱への収容作業を同時的に実行し、収容箱に電極嵌合部が設けられていない（即ち最初から嵌合孔が形成されている）場合は放電電極及び接続導体夫々の嵌合孔への挿入作業及び回路基板の収容箱への収容作業を同時的に実行する。
【発明の効果】
【００５４】
本発明のイオン発生装置による場合、収容箱と回路基板との樹脂モールドの際に、収容箱の対向面から、対向面近傍に配されている回路基板の上側まで、合成樹脂を注入すればよく、対向面から開口近傍まで注入する必要がないため、収容箱に注入すべき合成樹脂の量を低減することができる。
また、回路基板を確実に絶縁しつつ、合成樹脂がイオン発生素子に侵入してイオンの発生を阻害することを抑制することができる。
更に回路基板（又は回路基板に配されている昇圧回路）とイオン発生素子との離隔距離を低減させて、放射ノイズの発生を抑制することができる。
【００５５】
本発明のイオン発生装置による場合、放電電極及び接続導体夫々が収容箱の対向面を貫通して回路基板に接続することによって、放電電極及び誘導電極夫々を短距離で回路基板に接続することができる。つまり、合成樹脂を低減させるための構成（即ち、回路基板を収容箱の対向面近傍に配するための構成）を、簡易に実現することができる。
更に、放電電極及び接続導体夫々の長さを低減させて、放射ノイズの発生を抑制することができる。
【００５６】
本発明のイオン発生装置及び本発明のイオン発生装置の製造方法による場合、嵌合孔と放電電極及び接続導体夫々との間隙を封止体で封止するという簡易な方法で、収容箱に注入された合成樹脂の漏出を防止することができる。
【００５７】
本発明のイオン発生装置による場合、放電電極の長さを最小限に低減させることができるため、放電電極からの放射ノイズの発生を抑制することができる。
【００５８】
本発明のイオン発生装置による場合、放電電極からのイオン発生を阻害することなく、放電電極からの放射ノイズ発生を抑制することができるため、放電電極から十分にイオンを発生させることと、放射ノイズによって装置外部の各種電気機器に悪影響を与える不具合を抑制することとを両立させることができる。
【００５９】
本発明のイオン発生装置による場合、シールドプレートの一部を接続導体として利用することができるため、シールドプレートと接続導体とをコンパクトに形成することができる。
【００６０】
本発明のイオン発生装置による場合、誘導電極が一体に設けられているコンパクトな金属箱に収容箱が収容されているため、収容箱を小型化することができると共に、放射ノイズの発生を抑制することができる。
【００６１】
本発明のイオン発生装置の製造方法による場合、収容箱に袋状の電極嵌合部を設けるという簡易な構成で、収容箱に注入された合成樹脂の漏出を防止することができる。
【００６２】
本発明のイオン発生装置の製造方法による場合、少なくとも回路基板、昇圧回路、放電電極及び接続導体をユニット化することによって、接続不良の発生を抑制しつつ、イオン発生装置を容易に組み立てることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６３】
以下、本発明を、その実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
【００６４】
実施の形態  １．
図１、図２及び図３は、本発明の実施の形態１に係るイオン発生装置１１の外観を示す平面図、側面図及び底面図である。
また、図４及び図５は、イオン発生装置１１の内部構造を示す縦断面図及び横断面図である。ここで、図５は、図４におけるＶ−Ｖ線の断面図でもある。
更に、図６は、イオン発生装置１１が備えるユニット部品Ｕの側面図である。
【００６５】
図１〜図５に示すように、イオン発生装置１１は、イオン発生素子３１と、合成樹脂を用いてなる直方体状の収容箱としてのハウジング２１とを備える。
ハウジング２１は、平面視矩形状の開口２１１を有し、また、この開口２１１に対向する矩形状の対向面２１２を有する。以下、ハウジング２１の開口２１１側を天側、開口２１１に対向する対向面２１２側を底側とし、この対向面２１２を底面２１２という。
【００６６】
更に、開口２１１の長手方向はハウジング２１の長手方向と略同一方向であり、以下では、開口２１１の長手方向（図１〜図４の左右方向）を左右方向、開口２１１の短手方向を前後方向（図１及び図３の上下方向、図５の左右方向）、開口２１１と底面２１２との離隔方向（図２、図４及び図５の上下方向）を上下方向という。
【００６７】
図１〜図６に示すように、回路基板４は、導体パターン、スルーホール等が形成されている矩形状のプリント基板を用いてなり、回路基板４の一面（更に詳細には、ハウジング２１に収容された回路基板４の上面）には、導電性を有する有底円筒状のシールドケース４３に上側から覆われている昇圧コイル４１と、コネクタ４２と、スイッチング素子４４と、各種の電子部品４５，４５，…とが配されて、これら夫々の接続端子と回路基板４に設けられている接続部（例えばスルーホール）とが接続されている。
【００６８】
例えば昇圧コイル４１に関しては、昇圧コイル４１の接続端子４１ａ，４１ａ，…が回路基板４に設けられているスルーホールに挿入されて、半田付けによって接続されている。
なお、シールドケース４３の形状は、円筒状に限るものではない。また、シールドケース４３は回路基板４に接続されていないが、例えば回路基板４上に形成されている図示しないグランドパターンに接続してあってもよい。
【００６９】
また、昇圧コイル４１の回路基板４に対する投影面の範囲以内には、２個のスルーホール４ａ，４ｂが前後方向に適長離隔して夫々形成されており、これらのスルーホール４ａ，４ｂ夫々には、後述する放電電極３１１と接続導体３１３とが挿入されて、半田付けによって接続されている。
【００７０】
コネクタ４２は、昇圧コイル４１と昇圧コイル４１に給電する図示しない外部の電源とを接続するための物であり、コネクタ４２が電源に接続されている場合に、昇圧コイル４１が給電される。また、コネクタ４２は、イオン発生装置１１とイオン発生装置１１の動作を制御する図示しない外部の制御部とを接続するための物でもある。
昇圧コイル４１は、イオン発生素子３１に印加すべき交流の駆動電圧を発生させる昇圧回路として機能し、イオン発生素子３１は、交流の駆動電圧が印加されることによってプラズマ放電し、略同量のプラスイオン及びマイナスイオンを発生させる。
【００７１】
ハウジング２１には、回路基板４が、回路基板４の他面（更に詳細には、ハウジング２１に収容された回路基板４の下面）と底面２１２とを対面させ、かつ適長離隔して収容されている。このために、ハウジング２１の底面２１２のハウジング２１内側（即ち底面２１２の上面側）には、回路基板４の下面側が載置されて回路基板４を支持する基板支持部２１ｃ，２１ｃ，…が突設してあり、また、ハウジング２１の側面のハウジング２１内側には、基板支持部２１ｃ，２１ｃ，…上に載置された回路基板４の端部上面に係止して回路基板４を保持する係止部２１ｄ，２１ｄ，…が突設してある。
【００７２】
基板支持部２１ｃ，２１ｃ，…に支持され、更に係止部２１ｄ，２１ｄ，…に係止されることによって回路基板４がハウジング２１内に保持されている状態で、ハウジング２１と、ハウジング２１に収容されている回路基板４とは、一体的に樹脂モールドされている。このため、ハウジング２１には、合成樹脂を用いてなる充填樹脂Ｐが、ハウジング２１の底面２１２から回路基板４の上側まで充填されて、回路基板４（更に詳細には回路基板４と昇圧コイル４１、コネクタ４２等との接続部分）を確実に絶縁している。
【００７３】
ここで、ハウジング２１に収容されている回路基板４上のコネクタ４２は、前述の電源と接続すべきコネクタ４２の上端部が、ハウジング２１の開口２１１からハウジング２１外部に露出している。一方、シールドケース４３、これに覆われた昇圧コイル４１、スイッチング素子４４、各種の電子部品４５，４５，…等は、ハウジング２１から外部へ露出していない。
【００７４】
昇圧コイル４１、スイッチング素子４４等がハウジング２１から外部へ露出しないよう回路基板４の上面に配されているため、回路基板４のハウジング２１内での配置位置は、開口２１１よりも底面２１２に近い。このため、ハウジング２１に充填されている充填樹脂Ｐの上面の配置位置もまた、開口２１１よりも底面２１２に近い。
また、コネクタ４２がハウジング２１を貫通して外部に露出しないため、コネクタ４２を外部に露出させるための構成は簡易である。
【００７５】
ところで、イオン発生素子３１と回路基板４の下面との間には、底面２１２が配されている。換言すれば、イオン発生素子３１は、ハウジング２１の底面２１２の下面側に配されており、更に詳細には、昇圧コイル４１の略真下に配されている。
【００７６】
イオン発生素子３１は、放電電極３１１と誘導電極３１２とを備える。
放電電極３１１は棒状であり、上端部がハウジング２１の内部で回路基板４のスルーホール４ａに接続されることによって、昇圧コイル４１に間接的に接続されており、尖鋭状に形成されている下端部がハウジング２１の外部に露出している。
ハウジング２１の底面２１２には、放電電極３１１と嵌合する第１の嵌合孔２１ａが形成されており、放電電極３１１は、第１の嵌合孔２１ａを貫通して、放電電極３１１の中央部分をハウジング２１に保持されている。このような第１の嵌合孔２１ａは、回路基板４のスルーホール４ａの略真下に形成されている。
【００７７】
誘導電極３１２は、ハウジング２１の底面２１２の下面側に取り付けられており、放電電極３１１から離隔配置されて放電電極３１１の下端部の周方向を平面視円形状に囲繞している。このようにして、放電電極３１１と誘導電極３１２との間には、放電電極３１１及び誘導電極３１２間に生じるプラズマ放電によってイオンを発生させるための放電空間３１０が設けられている。
放電電極３１１は、放電電極３１１を円形状に囲繞する誘導電極３１２から略等距離に離隔している（即ち誘導電極３１２の円形状部分の中心位置に配されている）ため、イオン発生素子３１は安定した放電状態を保つ。
【００７８】
この誘導電極３１２と回路基板４とは、直接的には接続されておらず、接続導体３１３を介して間接的に接続されている。
接続導体３１３は棒状であり、上端部がハウジング２１の内部で回路基板４のスルーホール４ｂに接続されることによって、昇圧コイル４１に間接的に接続されており、下端部がハウジング２１の外部に露出している。誘導電極３１２には、接続導体３１３に貫通される孔が形成してあり、この孔を貫通した接続導体３１３の下端部と誘導電極３１２とが、ハウジング２１外部で、半田付けによって接続されている。
【００７９】
ハウジング２１の底面２１２には、接続導体３１３と嵌合する第２の嵌合孔２１ｂが形成されており、接続導体３１３は、第２の嵌合孔２１ｂを貫通して、接続導体３１３の中央部分をハウジング２１に保持されている。このような第２の嵌合孔２１ｂは、回路基板４のスルーホール４ｂの略真下に形成されている。
【００８０】
ハウジング２１は、更に、導電性を有する円筒状のシールドプレート５１を収容している。このようなシールドプレート５１は、例えば基板支持部２１ｃ，２１ｃ，…に固定されており、放電電極３１１及び接続導体３１３夫々は、放電電極３１１及び接続導体３１３夫々の中央部分を、シールドプレート５１によって周方向に囲繞されている。更にシールドプレート５１は、回路基板４上に形成されている図示しないグランドパターンに接続されている。
なお、シールドプレート５１の形状は、円筒状に限るものではない。
【００８１】
図７〜図１０は、イオン発生装置１１の製造方法の説明図である。
イオン発生装置１１を製造する作業者は、まず、回路基板４、昇圧コイル４１、放電電極３１１、接続導体３１３等が一体的に設けられてユニット化されている図６に示すようなユニット部品Ｕを組み立てる（図７）。
【００８２】
作業者は、回路基板４に、昇圧コイル４１、コネクタ４２、スイッチング素子４４、及び電子部品４５，４５，…を接続し、昇圧コイル４１をシールドケース４３で上側から覆う。更に、図７に示すように、作業者は、スルーホール４ａ，４ｂ夫々に、放電電極３１１及び接続導体３１３を挿入して半田付けする。
このように、ユニット部品Ｕをハウジング２１の外部で予め組み立てるため、例えばスルーホール４ａ，４ｂと放電電極３１１及び接続導体３１３とが確実に接続される。
【００８３】
以上のようにして組み立てられたユニット部品Ｕを、作業者は、ハウジング２１となすべきハウジング２１０に収容する（図８）。
このために、作業者は、放電電極３１１及び接続導体３１３夫々と嵌合するための電極嵌合部２１３，２１４が底面２１２に設けられているハウジング２１０を準備する。電極嵌合部２１３，２１４夫々は、底面２１２からハウジング２１０外側へ突出する袋状をなし、ハウジング２１の第１及び第２の嵌合孔２１ａ，２１ｂの形成位置に対応する位置に設けられている。
次に、作業者は、ハウジング２１０にシールドプレート５１を収容して、基板支持部２１ｃ，２１ｃ，…に固定する。
【００８４】
更に作業者は、図８に示すように、シールドプレート５１が収容されているハウジング２１０に、ユニット部品Ｕを、開口２１１を通して収容する。このとき、作業者は、放電電極３１１及び接続導体３１３夫々の電極嵌合部２１３，２１４への挿入作業と回路基板４のハウジング２１０への収容作業とを同時的に実行する。具体的には、作業者は、電極嵌合部２１３，２１４に、ハウジング２１０内側から放電電極３１１及び接続導体３１３夫々を挿入して嵌合しつつ、回路基板４を基板支持部２１ｃ，２１ｃ，…に上に載置し、回路基板４の端部を係止部２１ｄ，２１ｄ，…に係止することによって、回路基板４、延いてはユニット部品Ｕをハウジング２１０に保持させる。
【００８５】
次いで、作業者は、ハウジング２１０に収容された回路基板４とハウジング２１０とを、熱硬化性の合成樹脂を用いて一体的に樹脂モールドして回路基板４を絶縁する（図９）。
このとき、作業者は、回路基板４が収容されているハウジング２１０に、液状の合成樹脂を、ハウジング２１０の底面２１２から回路基板４の上側まで、回路基板４（更に詳細には回路基板４と昇圧コイル４１、コネクタ４２等との接続部分）を絶縁するために必要充分な量を注入する。次いで作業者は、ハウジング２１０を図示しない恒温槽に収納することによって、注入した合成樹脂を加熱して硬化させ、図９に示すように、この合成樹脂を充填樹脂Ｐとなす。
【００８６】
ハウジング２１０に注入された液状の合成樹脂は、放電電極３１１及び接続導体３１３夫々と電極嵌合部２１３，２１４との僅かな間隙にも侵入するが、電極嵌合部２１３，２１４が袋状であって第１及び第２の嵌合孔２１ａ，２１ｂがまだ形成されていないため、ハウジング２１０外部に漏出することはない。
ハウジング２１０に注入される合成樹脂の量は、充填樹脂Ｐの上面の配置位置が開口２１１よりも底面２１２に近い位置となるため、従来のイオン発生装置のハウジングに注入される合成樹脂の量よりも低減されている。
【００８７】
そして作業者は、合成樹脂を硬化させて充填樹脂Ｐとなした後で、電極嵌合部２１３，２１４の先端部分を除去する（図１０）。ここで、作業者は、電極嵌合部２１３，２１４の先端部分を、例えば回転ルータのような工具を用いて機械的に容易に削り落し、また、放電電極３１１及び接続導体３１３夫々に付着している充填樹脂Ｐも除去する。このとき、ハウジング２１０はハウジング２１となる。
【００８８】
図１０に示すように、先端部分を除去された電極嵌合部２１３，２１４の残部は、第１及び第２の嵌合孔２１ａ，２１ｂとなり、放電電極３１１及び接続導体３１３は、夫々第１及び第２の嵌合孔２１ａ，２１ｂを貫通してハウジング２１に保持される。
底面２１２の下面側には、誘導電極３１２を取り付けるべき凹上の電極取付部２１２ａが予め設けられており、電極嵌合部２１３，２１４の先端部分の除去後、作業者は、底面２１２の電極取付部２１２ａに誘導電極３１２を取り付ける。
【００８９】
最後に作業者は、底面２１２に取り付けられた誘導電極３１２と接続導体３１３とを半田付けする（図５）。電極取付部２１２ａに対する誘導電極３１２の取り付けは、図１０に示す電極取付部２１２ａへ誘導電極３１２を嵌め合わせることによって行なわれ、更に、誘導電極３１２と接続導体３１３とを半田付けされることによって、図５に示すように、誘導電極３１２は確実にハウジング２１の底面２１２に取り付けられる。
【００９０】
以上のようなイオン発生装置１１及びイオン発生装置１１の製造方法によれば、図１８及び図１９に示したイオン発生装置１９のような従来のイオン発生装置は、特に、合成樹脂が漏出する可能性がある部分の構造が複雑であるが、本実施の形態のイオン発生装置１１は、特に、合成樹脂が漏出する可能性がある部分の構造が簡易であり、このため、組み立ても容易である。例えば、従来のイオン発生装置１９を組み立てる場合のような、回路基板９及びコネクタ９２両方に対する電線９２０の接続作業、電線９２０のゴムブッシュ９２１に対する挿通作業、ハウジング２９の底面２９２に形成された孔２９ｂに対するゴムブッシュ９２１の嵌め込み作業等の煩雑な作業が不要である。
【００９１】
また、回路基板４、昇圧コイル４１、放電電極３１１、接続導体３１３等をユニット化することによってユニット部品Ｕがコンパクトに構成されており、ハウジング２１への収容作業の利便性が向上されている。従来のイオン発生装置１９は、放電電極３１１に相当する電極が、直接的にではなく、電線３９１，３９２を介して間接的に接続されているため、各部はユニット化されておらず、コンパクトに構成されていない。
【００９２】
更に、シールドケース４３及びシールドプレート５１夫々によって、スイッチング素子４４のオン・オフによる昇圧コイル４１、放電電極３１１及び接続導体３１３から発生した電磁波が放射ノイズとなってイオン発生装置１１周辺の電気機器に悪影響を及ぼすことが抑制されている。
このようなシールドプレート５１は、イオン発生素子３１を全体的に覆うのではなく、中央部を周方向に囲繞しているだけであるため、イオン発生素子３１のイオン発生を阻害することなく、放射ノイズの発生を抑制する。しかも、シールドプレート５１は前述のグランドパターンに接続されているため、放射ノイズがグランドへ誘導され、より確実に放射ノイズの発生が抑制される。
【００９３】
しかも、昇圧コイル４１の回路基板４に対する投影面の範囲以内に形成されているスルーホール４ａに放電電極３１１を接続しているため、昇圧コイル４１から放電電極３１１までの間にある通電経路、即ち高周波電流が流れる通電経路の距離、更には放電電極３１１の長さが略最短に低減されている、このため、昇圧コイル４１から放電電極３１１までの間で発生する放射ノイズが抑制される。
【００９４】
また、樹脂モールドの際にハウジング２１から合成樹脂が漏出してイオン発生素子３１に合成樹脂が侵入することが防止されている。ハウジング２１内部とイオン発生素子３１とはハウジング２１の底面２１２によって仕切られているため、仮に、合成樹脂が過剰に注入されたとしても、イオン発生素子３１に合成樹脂が侵入することは抑制される。
【００９５】
また、充填樹脂Ｐの形成後も、充填樹脂Ｐとイオン発生素子３１とはハウジング２１の底面２１２によって仕切られているため、充填樹脂Ｐが例えば放電空間３１０に侵入して、イオン発生素子３１によるイオンの発生を阻害することが抑制されている。
更に、ハウジング２１に収容されている充填樹脂Ｐの量が低減されているため、イオン発生装置１１を廃棄する際も、大量の充填樹脂Ｐが廃棄されて周辺環境が悪化することが抑制される。
【００９６】
ところで、イオン発生装置１１は、空気調和機、空気清浄機、冷蔵庫、掃除機等、空気流の通気路を備える電気機器に、イオン発生素子３１が空気流に対面するように配設される。このため、イオン発生素子３１が発生させるプラスイオン及びマイナスイオンは、電気機器が所要の空間（以下、送出空間という）へ送出する空気流と共に、送出空間へ送出される。このとき、プラスイオン及びマイナスイオンは、送出空間に存在する浮遊粒子を不活性化し、浮遊細菌を殺菌して、送出空間を良好に清浄化する。
【００９７】
実施の形態  ２．
図１１及び図１２は、本発明の実施の形態２に係るイオン発生装置１２の内部構造を示す縦断面図及び横断面図である。ここで、図１２は、図１１におけるＶII−ＶII線の断面図でもある。
【００９８】
本実施の形態のイオン発生装置１２は、実施の形態１のイオン発生装置１１と略同様の構成であるが、実施の形態１のハウジング２１及びイオン発生素子３１の代わりにハウジング２２及びイオン発生素子３２を備え、更に、ハウジング２２を収容する金属箱３と、蓋部材３００とが追加されている。
【００９９】
図１１及び図１２に示すように、本実施の形態のハウジング２２は、図４及び図５に示すような実施の形態１のハウジング２１と比べて、側面の高さが約半分である。つまり、ハウジング２２はハウジング２１よりも小型化されている。
なお、ハウジング２２の側面の高さは、更に低くてもよいが、少なくとも充填樹脂Ｐの上面の高さよりは高くしておく必要がある。
【０１００】
仮に、ハウジング２２の側面の高さが充填樹脂Ｐの上面の高さよりも低い場合、樹脂モールドの際に、ハウジング２２に注入される合成樹脂がハウジング２２から溢れ出してハウジング２２と金属箱３との間隙、更にはイオン発生素子３２に侵入することがある。この不具合を防止するために、注入すべき合成樹脂の量を低減させると、回路基板４の絶縁が不完全となる。
【０１０１】
ハウジング２２に関し、側面の高さ以外は、実施の形態１のハウジング２１と略同様である。つまり、本実施の形態の開口２２１、底面２２２、第１の嵌合孔２２ａ、第２の嵌合孔２２ｂ、基板支持部２２ｃ，２２ｃ，…、及び係止部２２ｄ，２２ｄ，…は、実施の形態１の開口２１１、底面２１２、第１の嵌合孔２１ａ、第２の嵌合孔２１ｂ、基板支持部２１ｃ，２１ｃ，…、及び係止部２１ｄ，２１ｄ，…と略同様である。
ただし、底面２２２には、図１０に示すような電極取付部２１２ａに対応する部分は形成されていない。
【０１０２】
また、本実施の形態のイオン発生素子３２は、イオン発生素子３２の誘導電極３２２と、金属箱３とが一体に設けられているが、これ以外は、実施の形態１のイオン発生素子３１と略同様である。つまり、本実施の形態の放電空間３２０、放電電極３２１、誘導電極３２２、及び接続導体３２３は、実施の形態１の放電空間３１０、放電電極３１１、誘導電極３１２、及び接続導体３１３と略同様である。
【０１０３】
金属箱３は導電性を有し、金属箱３の内法とハウジング２２の外法とは略等しい。このため、金属箱３に収納されたハウジング２２は、金属箱３に内嵌固定される。
また、金属箱３の底面の一部が、誘導電極３２２を兼ねている。このため、金属箱３と誘導電極３２２とがコンパクトに形成されている。
【０１０４】
そして、金属箱３の側面の高さは、実施の形態１のハウジング２１より僅かに高い。このため、ハウジング２２に収容されている回路基板４上のコネクタ４２は、コネクタ４２の上端部が、金属箱３の開口から金属箱３外部に露出している。一方、シールドケース４３、これに覆われた昇圧コイル４１、スイッチング素子４４、各種の電子部品４５，４５，…等は、金属箱３から外部へ露出していない。
【０１０５】
金属箱３の上部開口には、この開口を上側から覆う蓋部材３００が取り付けられている。蓋部材３００は導電性を有する金属製であり、コネクタ４２を外部に露出させるために、コネクタ４２が貫通する孔３０ａが形成されている。
【０１０６】
ところで、実施の形態１では、イオン発生装置１１を製造する際、図１０に示すように、作業者は樹脂モールド作業の完了後、誘導電極３１２をハウジング２１に取り付ける。
しかしながら、本実施の形態では、イオン発生装置１２を製造する際、作業者は樹脂モールド作業の完了後、誘導電極３２２を含む金属箱３をハウジング２２に取り付ける。
【０１０７】
その他、実施の形態１に対応する部分には同一符号を付してそれらの説明を省略する。
【０１０８】
以上のようなイオン発生装置１２も、実施の形態１のイオン発生装置１１同様、構造が簡易かつコンパクトであり、組み立ても容易である。
また、シールドケース４３及びシールドプレート５１のみならず、金属箱３及び蓋部材３００が放射ノイズをシールドするため、更に確実に放射ノイズの発生が抑制される。
更にまた、充填樹脂Ｐとなすべき合成樹脂の量も低減されている。
【０１０９】
実施の形態  ３．
図１３は、本発明の実施の形態３に係るイオン発生装置１３の内部構造を示す横断面図である。
【０１１０】
本実施の形態のイオン発生装置１３は、実施の形態１のイオン発生装置１１と略同様の構成であるが、実施の形態１のシールドプレート５１及び接続導体３１３の代わりに、シールドプレート５３を備える。
シールドプレート５３は、円筒状のプレートの両端部の一部を棒状にして軸長方向に突出させたような形状であり、換言すれば、実施の形態１の円筒状のシールドプレート５１及び棒状の接続導体３１３を一体に設けたような形状である。このため、シールドプレート５３は、シールドプレート５１の機能と接続導体３１３の機能とを両方有しつつ、コンパクトに形成されている。
【０１１１】
実施の形態１では、イオン発生装置１１を製造する際、図８に示すように、作業者はシールドプレート５１をハウジング２１に予め収容してから図６及び図７に示すようなユニット部品Ｕをハウジング２１にする。
しかしながら、本実施の形態では、イオン発生装置１３を製造する際、作業者は回路基板４に、接続導体３１３ではなくシールドプレート５３を組み付けた状態のユニット部品を、ハウジング２１に収容する。
【０１１２】
その他、実施の形態１，２に対応する部分には同一符号を付してそれらの説明を省略する。
【０１１３】
以上のようなイオン発生装置１３も、実施の形態１，２のイオン発生装置１１，１２同様、構造が簡易かつコンパクトであり、組み立ても容易である。
また、シールドケース４３及びシールドプレート５３によって、放射ノイズの発生が抑制される。
更に、充填樹脂Ｐとなすべき合成樹脂の量も低減されている。
【０１１４】
実施の形態  ４．
図１４は、本発明の実施の形態４に係るイオン発生装置１４の内部構造を示す横断面図である。
本実施の形態のイオン発生装置１４は、実施の形態１のイオン発生装置１１と略同様の構成であるが、実施の形態１のハウジング２１の代わりにハウジング２４を備える。
【０１１５】
ハウジング２４は、実施の形態１のハウジング２１と略同様である。つまり、本実施の形態の開口２４１、底面２４２、電極取付部２４２ａ（図１７参照）、第１の嵌合孔２４ａ、第２の嵌合孔２４ｂ、基板支持部２４ｃ，２４ｃ，…、及び図示しない係止部は、実施の形態１の開口２１１、底面２１２、電極取付部２１２ａ、第１の嵌合孔２１ａ、第２の嵌合孔２１ｂ、基板支持部２１ｃ，２１ｃ，…、及び係止部２１ｄ，２１ｄ，…と略同様である。
【０１１６】
ただし、底面２４２の外側、即ち底面２４２の下面側に、第１の嵌合孔２４ａと放電電極３１１との間隙を封止する封止体Ｓ１が配されており、更に、第２の嵌合孔２４ｂと接続導体３１３との間隙を封止する封止体Ｓ２が配されている。
このために、第１及び第２の嵌合孔２４ａ，２４ｂの下側開口部分には、封止体Ｓ１，Ｓ２が充填されている充填部２４ｅ，２４ｆが形成されている。
この充填部２４ｅ，２４ｆは、第１及び第２の嵌合孔２４ａ，２４ｂの下側開口部分を漏斗状に形成してなり、充填部２４ｅ，２４ｆの内周面と封止体Ｓ１，Ｓ２との接触面積が広くなるようにしてある。このため、封止体Ｓ１，Ｓ２は、第１及び第２の嵌合孔２４ａ，２４ｂに係る間隙を封止するために必要十分な量が配され、しかも封止体Ｓ１，Ｓ２の底面２４２からの脱離が抑制されている。
【０１１７】
図１５〜図１７は、イオン発生装置１４の製造方法の説明図である。
イオン発生装置１４を製造する作業者は、まず、ユニット部品Ｕ、シールドプレート５１及びハウジング２４を準備して、ユニット部品Ｕ及びシールドプレート５１を夫々ハウジング２４に収容する（図１５）。
このために、作業者は、ハウジング２４にシールドプレート５１を収容して、基板支持部２４ｃ，２４ｃ，…に固定する。
【０１１８】
更に作業者は、図１５に示すように、シールドプレート５１が収容されているハウジング２４に、ユニット部品Ｕを収容する。このとき、作業者は、放電電極３１１及び接続導体３１３夫々の第１及び第２の嵌合孔２４ａ，２４ｂへの挿入作業と回路基板４のハウジング２４への収容作業とを同時的に実行する。具体的には、作業者は、第１及び第２の嵌合孔２４ａ，２４ｂに、ハウジング２４内側から放電電極３１１及び接続導体３１３夫々を挿入して嵌合しつつ、回路基板４を基板支持部２４ｃ，２４ｃ，…に上に載置し、回路基板４の端部をハウジング２４の係止部に係止することによって、回路基板４、延いてはユニット部品Ｕをハウジング２４に保持させる。
【０１１９】
次に、作業者は、第１及び第２の嵌合孔２４ａ，２４ｂと放電電極３１１及び接続導体３１３夫々との間隙を封止体Ｓ１，Ｓ２で封止する（図１６）。
このために、作業者は、図１６に示すように、ハウジング２４の姿勢を天地逆転させた状態で、合成樹脂、合成ゴム等を用いてなる液状の封止剤Ｓを充填部２４ｅ，２４ｆに注入して充填し、次いで、封止剤Ｓを加熱、自然乾燥等で硬化させることによって封止体Ｓ１，Ｓ２となす。
【０１２０】
封止体Ｓ１，Ｓ２による間隙封止の完了後、作業者は、ハウジング２４の姿勢を元に戻し、次いで、ハウジング２４に収容された回路基板４とハウジング２４とを、熱硬化性の合成樹脂を用いて一体的に樹脂モールドして回路基板４を絶縁する（図１７）。
このとき、作業者は、回路基板４が収容されているハウジング２４に、液状の合成樹脂を、ハウジング２４の底面２４２から回路基板４の上側まで、回路基板４（更に詳細には回路基板４と昇圧コイル４１、コネクタ４２等との接続部分）を絶縁するために必要充分な量を注入する。次いで作業者は、ハウジング２４を図示しない恒温槽に収納することによって、注入した合成樹脂を加熱して硬化させ、図１７に示すように、この合成樹脂を充填樹脂Ｐとなす。
【０１２１】
ハウジング２４に注入された液状の合成樹脂は、放電電極３１１及び接続導体３１３夫々と第１及び第２の嵌合孔２４ａ，２４ｂとの僅かな間隙にも侵入するが、第１及び第２の嵌合孔２４ａ，２４ｂの下側開口部分である充填部２４ｅ，２４ｆ夫々に封止体Ｓ１，Ｓ２が配されて間隙が封止されているため、ハウジング２４外部に漏出することはない。
【０１２２】
そして作業者は、合成樹脂を硬化させて充填樹脂Ｐとなした後で、底面２４２の電極取付部２４２ａに誘導電極３１２を取り付ける。
電極取付部２４２ａに対する誘導電極３１２は、電極取付部２４２ａへ誘導電極３１２を嵌め合わせることによって行なわれ、更に、誘導電極３１２と接続導体３１３とを半田付けされることによって、誘導電極３１２は確実にハウジング２４の底面２４２に取り付けられる。
【０１２３】
その他、実施の形態１〜３に対応する部分には同一符号を付してそれらの説明を省略する。
【０１２４】
以上のようなイオン発生装置１４も、実施の形態１のイオン発生装置１１同様、構造が簡易かつコンパクトであり、組み立ても容易である。特に、合成樹脂が漏出する可能性がある部分の構造が簡易であり、このため、組み立ても容易である。例えば、封止剤Ｓの注入作業及び硬化作業は、回路基板９及びコネクタ９２両方に対する電線９２０の接続作業、電線９２０のゴムブッシュ９２１に対する挿通作業、ハウジング２９の底面２９２に形成された孔２９ｂに対するゴムブッシュ９２１の嵌め込み作業等よりも容易である。しかも、例えば実施の形態１の電極嵌合部２１３，２１４を形成する必要がないため、ハウジング２４の形状が簡単である。
【０１２５】
また、シールドケース４３及びシールドプレート５１によって、放射ノイズの発生が抑制される。
更に、充填樹脂Ｐとなすべき合成樹脂の量も低減されている。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】本発明の実施の形態１に係るイオン発生装置の外観を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係るイオン発生装置の外観を示す側面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係るイオン発生装置の外観を示す底面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係るイオン発生装置の内部構造を示す縦断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係るイオン発生装置の内部構造を示す横断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係るイオン発生装置が備えるユニット部品の側面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係るイオン発生装置の製造方法の説明図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係るイオン発生装置の製造方法の説明図である。
【図９】本発明の実施の形態１に係るイオン発生装置の製造方法の説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態１に係るイオン発生装置の製造方法の説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態２に係るイオン発生装置の内部構造を示す縦断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係るイオン発生装置の内部構造を示す横断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態３に係るイオン発生装置の内部構造を示す横断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態４に係るイオン発生装置の内部構造を示す横断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態４に係るイオン発生装置の製造方法の説明図である。
【図１６】本発明の実施の形態４に係るイオン発生装置の製造方法の説明図である。
【図１７】本発明の実施の形態４に係るイオン発生装置の製造方法の説明図である。
【図１８】従来のイオン発生装置の外観を示す斜視図である。
【図１９】従来のイオン発生装置の内部構造を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【０１２７】
１１，１２，１３，１４  イオン発生装置
２１，２２，２４  ハウジング（収容箱）
２１１，２２１，２４１  開口
２１２，２２２，２４２  底面（対向面）
２１３，２１４  電極嵌合部
２１ａ，２２ａ，２４ａ  第１の嵌合孔（嵌合孔）
２１ｂ，２２ｂ，２４ｂ  第２の嵌合孔（嵌合孔）
３    金属箱
３１，３２  イオン発生素子
３１１，３２１  放電電極
３１２，３２２  誘導電極
３１３，３２３  接続導体
４    回路基板
４１  昇圧コイル（昇圧回路）
４２  コネクタ
４３  シールドケース
５１  シールドプレート
５３  シールドプレート（接続導体）
Ｓ１，Ｓ２  封止体
Ｐ    充填樹脂（合成樹脂）
Ｕ    ユニット部品
【図１】
2008123917.tif 000003
【図２】
2008123917.tif 000004
【図３】
2008123917.tif 000005
【図４】
2008123917.tif 000006
【図５】
2008123917.tif 000007
【図６】
2008123917.tif 000008
【図７】
2008123917.tif 000009
【図８】
2008123917.tif 000010
【図９】
2008123917.tif 000011
【図１０】
2008123917.tif 000012
【図１１】
2008123917.tif 000013
【図１２】
2008123917.tif 000014
【図１３】
2008123917.tif 000015
【図１４】
2008123917.tif 000016
【図１５】
2008123917.tif 000017
【図１６】
2008123917.tif 000018
【図１７】
2008123917.tif 000019
【図１８】
2008123917.tif 000020
【図１９】
2008123917.tif 000021