(57)【要約】【課題】光ファイバシステムに使用されるレーザやダイオードのような非線形的な光学−電子装置に使用するための歪打消し回路を提供する。【解決手段】非線形的回路により発生される歪信号とは逆の符号を有し且つ実質的に同じ大きさを有する周波数依存信号を発生することにより非線形的回路素子からの歪を補正するための歪回路が提供される。この歪回路は、入力信号と、この入力信号に結合されて、第１信号を発生すると共に、第１バイアスレベルを有する第１の非線形的装置とを備えている。又、前記第１の非線形的装置とは異なるもので、それに結合されて、前記第１信号を変更して、出力第２信号を発生する第２の非線形的装置であって、第２バイアスレベルを有するような第２の非線形的装置も含まれる。前記第１及び第２のバイアスレベルを調整して、出力第２信号の大きさ、位相及び周波数を調整できるようにするバイアス制御手段も設けられる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非線形的回路により発生される歪信号とは逆の符号を有し且つ実質的に同じ大きさを有する周波数依存信号を発生することにより非線形的回路素子からの歪を補正するための歪回路において、
入力信号と、
前記入力信号に結合されて、第１信号を発生すると共に、第１バイアスレベルを有する第１の非線形的装置と、
前記第１の非線形的装置とは異なるもので、それに結合されて、前記第１信号を変更して、出力第２信号を発生する第２の非線形的装置であって、第２バイアスレベルを有するような第２の非線形的装置と、
前記第１及び第２のバイアスレベルを調整して、前記出力第２信号の大きさ、位相及び周波数を調整できるようにするバイアス制御手段と、
を備えた歪回路。
【請求項２】
前記第１の非線形的素子は、ショットキーダイオードであり、そして前記第２の非線形的素子は、バラクタダイオードである、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記第１及び前記第２の非線形的素子は、逆方向バイアスされる、請求項１に記載の回路。
【請求項４】
前記第１の非線形的素子は、順方向バイアスされる、請求項１に記載の回路。
【請求項５】
前記非線形的素子の一方は順方向バイアスされ、そして他方の非線形的素子は逆方向バイアスされる、請求項１に記載の回路。
【請求項６】
前記バイアス制御手段は、リアクティブ成分を含む、請求項１に記載の回路。
【請求項７】
前記バイアス制御手段は、バラクダダイオードを含む、請求項１に記載の回路。
【請求項８】
前記バイアス制御手段は、線形的可変抵抗器として働くＰＩＮダイオードを含む、請求項１に記載の回路。
【請求項９】
前記バイアス制御手段は、二次及び三次歪の同時調整を許す、請求項１に記載の回路。
【請求項１０】
非線形的回路により発生される歪信号とは逆の符号を有し且つ実質的に同じ大きさを有する周波数依存信号を発生することにより非線形的回路素子からの歪を補正するための歪回路において、
非線形的回路素子からＲＦ信号を受信するための入力と、
アノードが接地され、カソードが前記歪回路の入力と出力との間に結合されたショットキーダイオードと、
前記ショットキーダイオードのカソードに接続され、前記歪回路の二次歪を制御する第１バイアス制御入力と、
アノードが接地されたバラクタと、
逆方向バイアスされたバラクタのカソードを前記ショットキーダイオードのカソードに接続するブロッキングキャパシタと、
前記バラクタのカソードに接続され、前記歪回路の位相及び周波数応答を制御する第２バイアス制御入力と、
前記入力のＲＦ信号、及び前記歪回路により発生される歪を信号処理装置へ送信するために信号処理装置に接続された出力と、
を備えた歪回路。
【請求項１１】
非線形的回路により発生される歪信号とは逆の符号を有し且つ実質的に同じ大きさを有する周波数依存信号を発生することにより非線形的回路素子からの歪を補正するための歪回路において、
入力信号と、
前記入力信号に結合され、バイアスレベルを有する第１信号を発生するための非線形的装置と、
前記非線形的装置に結合されて、前記第１信号を変更し、出力信号を発生するリアクティブ回路素子と、
前記バイアスレベルを調整して、前記出力信号の大きさ、位相及び周波数を調整できるようにするバイアス制御手段と、
を備えた歪回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的送信器及び受信器に係り、より詳細には、線形化を必要とする装置の入力又は出力に接続されたときに、半導体レーザ又はホトダイオードのような電子又は電気−光学装置の歪を打消すのに使用できる調整可能な位相及び周波数依存性をもつ非線形的信号を発生する電子回路に係る。
関連出願へのリファレンス：本出願は、２００５年１０月２７日に出願された米国特許出願第１１／２６２，０７７号、及び２００５年６月９日に出願された米国特許出願第１１／１４８，０２２号に係る。
【背景技術】
【０００２】
ＣＡＴＶ及びＦＴＴＨシステムに使用されるレーザやホトダイオードのようなアナログ電気−光学装置は、高度の線形性を必要とする。非線形的レーザ又はホトダイオードにより導入される望ましからぬ歪を打消す非線形的信号を加えることにより光学−電子装置及び電子装置の非線形的振舞いを補正するために、前歪及び後歪回路が一般に使用される。良好な打消しを達成するために、加えられる歪は、非線形的装置により導入されるものと位相、大きさ及び周波数内容が一致する必要がある。前歪及び後歪技術の中で、特許第５，７９８，８５４号に開示されたようなインライン回路は、一般に、低いコストで充分な線形化を与える。しかしながら、従来技術に開示された前歪回路及び後歪回路は、ある用途では、充分な前歪を達成できるが、異なる周波数及び位相特性を生成するに足る融通性を与えるものではない。例えば、低電力消散のために低い供給電圧で動作されるＲＦ増幅器は、多量の歪を必要とする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許第５，７９８，８５４号に開示されたある歪回路は、多量の歪を発生する必要があるときには、送信経路に高いＲＦロスを導入し、望ましからぬ反射を発生し得る。低いロス及び低い反射で大きな歪を可能にすることが要求されるが、従来の技術では満足されていない。更に、二次歪を補正するように設計された特許第５，７９８，８５４号に開示されたようなある歪回路は、望ましからぬ三次歪も発生し、このような設計は、二次及び三次歪の両方を同時に同調することができない。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
１．発明の目的
本発明の目的は、光ファイバシステムに使用されるレーザやダイオードのような非線形的な光学−電子装置に使用するための歪打消し回路を提供することである。
【０００５】
本発明の目的は、二次歪の位相及び周波数応答を同時に同調するのを許す回路を提供することである。
【０００６】
又、本発明の別の目的は、低い挿入ロス及び良好な戻りロスで多量の歪を発生する回路を提供することである。
【０００７】
本発明の更に別の目的は、二次及び三次の両歪を同時に同調するのを許す回路を提供することである。
【０００８】
２．発明の特徴
簡単に且つ一般的に述べると、本発明は、光学通信信号を受信してそれを電気信号に変換するために外部光ファイバに結合された光検出器と、この光検出器の電気的出力に結合されて、歪を伴う出力信号を発生するＲＦ増幅器と、光ファイバ、ホトダイオード、又はレーザ送信器を伝播して、このＲＦ増幅器により発生される出力信号の歪を打消すためにＲＦ増幅器の出力に接続された後歪回路であって、ショットキーダイオード又はバラクタダイオードを含み、このダイオードのバイアスが歪打消しの大きさ、位相及び周波数内容を制御するように調整されるような後歪回路と、を備えた光学受信器を提供する。
【０００９】
別の態様において、本発明は、光ファイバリンクを経てリモート受信器へ光学信号を送信するための光学送信器において、光学通信信号を送信するために外部光ファイバに結合されたレーザと、このレーザにより発生されるリモート受信器の光学信号における歪を打消すためにこのレーザの入力に接続された前歪回路であって、ショットキーダイオード又はバラクタダイオードを含み、このダイオードのバイアスが歪打消しの大きさ、位相及び周波数内容のものであるような前歪回路と、を備えた光学送信器を提供する。
【００１０】
別の態様において、本発明は、非線形的装置によって発生される歪とは逆の符号を有し且つ非線形的装置により発生される歪と実質的に同じ大きさを有する周波数依存性前歪を発生するためのインライン前歪回路であって、非線形的装置のＲＦ信号を受信するための入力と、前歪を発生するために前記入力とインラインである非線形的素子と、非線形的素子により発生される前歪の実数部及び虚数部を制御するためのバイアス入力とを備えたインライン前歪回路を提供する。
【００１１】
本発明の付加的な目的、効果及び新規な特徴は、以下の詳細な説明を含むこの開示から、及び本発明の実施により、当業者に明らかとなるであろう。本発明は、好ましい実施形態を参照して以下に説明するが、これに限定されるものではないことを理解されたい。この技術に精通した当業者であれば、本発明の範囲内に包含される付加的な適用、変更及び他の分野の実施形態が明らかであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明のこれら及び他の特徴は、添付図面を参照した以下の詳細な説明から良く理解され且つより充分に明らかとなろう。
【００１３】
本発明は、米国特許第５，７９８，８５４号に記載された歪補正の考え方を拡張する歪補正回路に向けられる。前記特許は、アナログ信号の送信における歪を減少するためのインライン前歪回路を開示している。このような回路により発生される歪、即ち前歪は、信号が印加されるレーザーダイオードのような非線形的な変調装置に固有な二次又はそれより高次の相互変調積歪と実質的に大きさが等しく且つ符号が逆であるように所与の回路に対して固定される。前歪信号の実数成分は、増幅器のような第１装置により発生され、そして非線形的装置による歪の振幅に一致するように振幅が選択される。前歪信号の虚数成分は、インライン電気経路において前歪信号の実数成分と位相ずれした歪信号を導入することにより選択される。実数及び虚数成分が合成されて、非線形的装置に印加するための相互変調積歪を含む信号変調信号を発生する。インライン前歪回路は、非線形的送信装置に固有の歪を打消すことにより変調信号の送信を線形化する。
【００１４】
非線形的装置により発生される信号の歪は、振幅及び位相と共に複素数量として表わすことができる。従来のフェーザー表記を使用すると、ある周波数ωにおける歪は、信号の振幅をＡとし、位相をΦとすれば、Ａｅi(ωt+Φ)として表わすことができる。同等のことであるが、歪を２つの成分、即ち実数部で表わされたＡｃｏｓ（Φ）と、虚数部で表わされたＡｓｉｎ（Φ）とに分離することができる。振幅及び位相は、実数部及び虚数部から独特に導出することができ、従って、両表記は同等である。以下に述べる歪回路については、歪を実数部及び虚数部に関して表現するのが便利である。というのは、ある回路は、主として実数歪を生成するが、他の回路は、主として虚数歪を生成するからである。一般的に、前歪回路又は後歪回路は、装置の非線形性を等化するために、両成分、即ち実数歪及び虚数歪の両方を発生できねばならない。これを行なうためには、異なる形式の歪を発生するように多数の歪回路をカスケード状にする必要がある。
【００１５】
従来技術による典型的な前歪回路が図１に示されており、図１（ａ）に示された理想的な順方向バイアスのショットキーダイオードにより非線形性が生じる。図１（ｂ）に示すように、このような理想的なダイオード装置の二次歪（ＣＳＯ）の実数成分が周波数とは独立してプロットされている。
【００１６】
虚数歪を発生する必要がある場合には、図２及び３に示すキャパシタのようなリアクティブな素子を追加することができる。虚数部の強度は、バイアスポイント及びキャパシタンスの値に依存し、ＣＡＴＶ周波数（＜５５０ＭＨｚ）において実数部に匹敵するようになる。又、これらのリアクティブ素子は、非理想的ダイオードに固有の寄生的なものでもよい。従来技術に基づいて虚数歪を発生する別の仕方が図４に示されており、非線形的素子は、逆方向バイアスされたバラクタである。種々のリアクティブ成分を使用する多数の他の組み合せも考えられる。これらの回路は、従来技術に前歪回路として開示されているが、後歪回路として使用することもできる。
【００１７】
図１から３に示す回路により表わされた従来技術は、融通性に欠ける。周波数の関数としての歪位相は、キャパシタの値に依存し、これは、従来技術では、固定である。
【００１８】
本発明の第１の態様は、１つ以上のバラクタを可変キャパシタとして使用して、歪の位相及び周波数内容を調整することより成る。バラクタは、以下に述べるように、それらの応答ができるだけ線形的となるように選択されねばならない。
【００１９】
図５は、例えば、外部の非線形的回路素子からの歪を補正するための歪回路を示す。歪信号は、非線形的回路により発生された歪信号とは逆の符号を有し且つ実質的に同じ大きさを有する周波数依存信号を発生することにより、歪を補正する。
【００２０】
図５は、入力信号ＩＮを示している。第１の非線形的装置Ｄ１は、入力信号ＩＮに結合され、非線形的装置Ｄ１のカソードに第１信号を発生すると共に、カソードに第１バイアスレベルを有している。
【００２１】
第２の非線形的装置Ｄ２は、第１の非線形的装置Ｄ１とは異なるもので、第１の非線形的装置Ｄ１に結合されて、第１信号を変更し、そして出力第２信号ＯＵＴＰＵＴを発生する。第２の非線形的装置Ｄ２は、そのカソードに第２のバイアスレベルを有する。前記第１及び第２のバイアスレベルを調整して、出力第２信号の大きさ、位相及び周波数を調整できるように、バイアス制御手段Ｄ１ＢＩＡＳ、Ｄ２ＢＩＡＳが設けられる。
【００２２】
図５の回路内において、Ｃ１、Ｃ２及びＣ３は、ＤＣブロッキングキャパシタである。Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、バイアス抵抗器である。
【００２３】
ショットキーダイオードＤ１により発生される二次歪の量は、電圧Ｄ１ＢＩＡＳにより制御される。位相及び周波数応答は、Ｄ２ＢＩＡＳにより制御され、Ｄ２は、可変キャパシタとして振舞う。他の考えられる実施形態は、Ｄ２に加えて又はＤ２をもたずに、Ｒ１と並列に可変キャパシタとして働くバラクタを備え、ダイオードＤ１を逆転して、逆符号の歪を発生する。他のリアクティブ又は抵抗成分を追加して、位相及び周波数シフトを導入することができる。回路は、ダイオードをＲＦ経路と分路構成にした状態で示されている。或いは又、ダイオードは、ＲＦ経路と直列に構成されてもよい。
【００２４】
図５の回路では、回路が後歪回路として使用されるか前歪回路として使用されるかに基づいて、入力又は出力（各々ＩＮ又はＯＵＴ）のいずれかが、線形化される必要のある装置へ接続される。ある応用例では、入力が、後歪回路としての光学的受信器に接続される。別の応用例では、出力が、前歪回路としての半導体レーザに接続される。或いは又、これは、多数の前歪回路又は後歪回路のカスケード構成の一部分であってもよく、この場合、入力又は出力のいずれかが次の歪段へ接続される。
【００２５】
一般に、図５の歪回路は、非線形的回路により発生される歪信号とは逆の符号を有し且つ実質的に同じ大きさを有する周波数依存信号を発生することにより、非線形的回路素子からの歪を補正するのに使用できる。非線形的回路素子からＲＦ信号を受信するために入力（ＩＮ）が設けられる。ショットキーダイオードＤ１が設けられ、そのアノードは接地され、カソードは、図５の歪回路の入力と出力との間に結合される。ショットキーダイオードＤ１のカソードに接続された第１のバイアス制御入力（ＤＢＩＡＳ  ＩＮ）が設けられ、これは、歪回路の二次歪を制御する。又、バラクタＤ２が設けられ、そのアノードは接地され、そしてブロッキングキャパシタが、その逆方向バイアスされたバラクタのカソードをショットキーダイオードＤ１のカソードに接続する。バラクタＤ２のカソードに接続された第２のバイアス制御入力（Ｄ２ＢＩＡＳ  ＩＮ）が設けられ、これは、歪回路の位相及び周波数応答を制御する。出力は、入力ＲＦ信号と、歪回路により発生された歪を信号処理装置へ送信するために、信号処理装置に接続することができる。
【００２６】
特定の用途により要求される線形化の程度と、非線形的装置の反復性の程度とに基づいて、歪設定を、固定することもできるし、部品の各バッチに対して同調することもできるし、各個々の部品に対して製造時に同調することもできるし、或いはフィードバックループにおけるある測定パラメータの関数としてリアルタイムで同調することもできる。
【００２７】
図６は、図５の回路により発生される二次歪の実数部（左側のプロット）及び虚数部（右側のプロット）を周波数の関数として示している。Ｄ１ＢＩＡＳは、Ｄ１により発生される歪が最大となるような電圧に固定される。種々の曲線は、Ｄ２ＢＩＡＳの異なる値に対応する。太い曲線は、Ｄ２ＢＩＡＳの最高電圧に対するものであり、Ｄ２のキャパシタンスは、非常に低く、そして回路により発生される歪は、主として実数となる。Ｄ２ＢＩＡＳの電圧を減少するにつれて、キャパシタンスは増加し、そして歪は、周波数が高いほど、実数部が小さくなり、虚数部が大きくなる。Ｄ１ＢＩＡＳ及びＤ２ＢＩＡＳを制御することにより、実数及び虚数の両歪を調整することができる。
【００２８】
強力な周波数依存性を有する歪を発生する別のやり方は、図７に示すように、逆方向バイアスされるショットキーダイオードを使用することである。ダイオードの非線形的キャパシタンスは、実数部の大きさが周波数の上昇と共に増加するような歪を発生する。図８は、逆方向バイアス状態における図５の回路の実数部及び虚数部を示す。
【００２９】
図４に示す回路は、通常、多量の虚数歪が必要とされるときに使用される。しかしながら、大きな歪を形成するためには、大きなキャパシタをバラクタと直列にする必要があり、これは、高い周波数において悪いリターンロス及び高い挿入ロスを招く。更に、この回路により発生される実数部が望まれないことがある。本発明の第２の態様は、低い挿入ロス及び良好なリターンロスで多量の歪を発生するように正しいバラクタを選択する設計上の指標を与えることに向けられる。
【００３０】
バラクタの非線形的キャパシタンスは、通常、次のようにモデリングされる。
2008005487.tif 000003
但し、Ｖは、バラクタにまたがって印加される電圧である。バラクタにより発生される歪の量は、比Ｖj／Ｍに逆比例することが示される。手前のセクションの用途については、大きなＶj／Ｍ比をもつバラクタを選択しなければならない。図４の回路の場合には、小さなＶj／Ｍ比をもつＳｋｙｗｏｒｋｓ  ＳＭＶ−１２４７のような部品を選択しなければならない。
【００３１】
ファイバ分散により導入される歪をイコライズするような幾つかの用途については、周波数と共に線形的で主として虚数の歪を発生する回路が必要とされる。この場合に、図４の回路は最適ではない。というのは、この回路は、ある程度の実数歪を導入し、そして高い周波数において虚数歪の量が飽和するからである。この作用を防止するために、図９に示すように、前歪回路の後及び／又は前にインダクタを追加することができる。インダクタＬ１及びＬ２の値は、直列キャパシタと、歪の必要な周波数及び位相応答とに基づいて選択される必要がある。
【００３２】
本発明の最終的な部分は、二次歪を発生する回路は、三次歪も発生することを取り扱う。図１０及び１１に示すように、図３及び４の回路により発生される二次及び三次歪は、バイアス電圧に基づいて変化する。ＣＳＯが最大であるバイアス電圧の付近では、残留ＣＴＢが最低である。各々の特定回路に対してＣＳＯの量をしばしば同調する必要がある。バイアス電圧を変化させることでそれを同調する場合には、望ましからぬＣＴＢを発生することができる。各々図３及び４の抵抗器及びキャパシタの値を変化させることでＣＳＯの量を調整することができる。これは、時間がかかり、実際的でない。別の方法は、ＰＩＮダイオード又は順直線的バラクタ（準直線的バラクタの選択については前記を参照）を、各々、電圧制御抵抗器及びキャパシタとして使用することである。バイアス電圧に基づいて、図３及び４の回路により発生されるＣＴＢは、正又は負になり得るので、ＣＳＯ及びＣＴＢを同時に打消すことができる。図１２及び１３は、本発明の実施形態を例示する。Ｃ１、Ｃ２及びＣ３は、ＤＣブロッキングキャパシタであり、そしてＲ２、Ｒ３及びＲ４は、バイアス抵抗器である。図１２は、主として実数歪を発生する回路である。Ｄ１は、電圧Ｄ１ＢＩＡＳが変化するときに図１０に示すように歪を発生するショットキーダイオードであり、そしてＤ２は、Ｄ２ＢＩＡＳが変化するときに発生するＣＳＯ及びＣＴＢの量を減衰するための可変抵抗器として働く準直線的ＰＩＮダイオードである。図１３は、主として虚数歪を発生する回路である。Ｄ１は、Ｄ１ＢＩＡＳが変化するときに図１１に示すように歪を発生するバラクタダイオードであり、そしてＤ２は、Ｄ２ＢＩＡＳが変化するときに発生するＣＳＯ及びＣＴＢの量を減衰するための可変キャパシタとして働く準直線的バラクタダイオードである。両制御Ｄ１ＢＩＡＳ及びＤ２ＢＩＡＳを使用すると、ＣＳＯ及びＣＴＢの量を独立して調整することができる。他のリアクティブ成分及び抵抗成分、並びにＰＩＮダイオード又は準直線的バラクタダイオードを、上述した回路に追加して、歪の位相及び周波数依存性を更に調整することができる。更に、ダイオードは、分路構成ではなく、ＲＦ経路と直列に使用することができる。
【００３３】
上述した全ての回路は、入力周波数とは比較的独立し、ビート周波数のみに依存した二次歪を発生する。例えば、６１．２５ＭＨｚ及び１２１．２５ＭＨｚの一対のトーンにより発生される６０ＭＨｚの歪は、４８１．２５ＭＨｚ及び５４１．２５ＭＨｚの一対のトーンにより発生される６０ＭＨｚの歪と同じである。しかしながら、ある非線形的装置は、入力周波数に依存する歪を発生し、そして先に開示された歪回路は、複合二次歪を補償できないかもしれない。図１４は、入力周波数に依存する歪を発生できる本発明による新規な回路を示す。比較的大きな値のキャパシタＣ１を使用することにより、回路は、入力周波数に依存する歪を発生することができる。同様の作用を生じる他のリアクティブ成分を追加することもできる。或いは又、線形的可変キャパシタとして働くバラクタのような能動的成分を使用して、融通性を向上させることができる。
【００３４】
図１５は、本発明に開示された歪回路を使用できる典型的な応用回路を示す。図１５（ａ）及び（ｂ）は、ＲＦ増幅器の歪を打消すための回路で、その第１は、増幅器の前に設けられる前歪回路、そしてその第２は、増幅器の後に設けられる後歪回路である。図１５（ｃ）は、レーザを線形化するのに使用される前歪回路を示し、そして図１５（ｄ）は、光学受信器を線形化するのに使用される後歪回路を示す。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１（ａ）】従来の理想的なショットキーダイオードをもつ前歪回路を示す図である。
【図１（ｂ）】この回路に関連した二次歪（ＣＳＯ）の実数及び虚数成分を示すグラフである。
【図２（ａ）】従来の理想的なショットキーダイオード及びリアクティブ素子をもつ前歪回路を示す図である。
【図２（ｂ）】この回路に関連した二次歪（ＣＳＯ）の実数及び虚数成分を示すグラフである。
【図３（ａ）】従来の理想的なショットキーダイオード及びリアクティブ素子をもつ前歪回路を示す図である。
【図３（ｂ）】この回路に関連した二次歪（ＣＳＯ）の実数及び虚数成分を示すグラフである。
【図４（ａ）】従来の理想的なバラクタをもつ前歪回路を示す図である。
【図４（ｂ）】この回路に関連した二次歪（ＣＳＯ）の実数及び虚数成分を示すグラフである。
【図５】本発明の第１実施形態による歪回路である。
【図６（ａ）】図５の回路により周波数の関数として発生される典型的な実数の二次歪（ＣＳＯ）を示すグラフである。
【図６（ｂ）】図５の回路により周波数の関数として発生される典型的な虚数の二次歪（ＣＳＯ）を示すグラフである。
【図７】逆方向バイアスのショットキーダイオードをもつ本発明の第２実施形態による歪回路の回路図である。
【図８】図７の回路により発生される実数及び虚数歪を示すグラフである。
【図９】歪の実数部を同調するのにインダクタＬ１及びＬ２が使用される新規な技術による歪回路を示す図である。
【図１０】図３の回路により、あるバイアス電圧の関数として発生される典型的な実数のＣＳＯ及びＣＴＢを示すグラフである。
【図１１】図４の回路により、あるバイアス電圧の関数として発生される典型的な虚数のＣＳＯ及びＣＴＢを示すグラフである。
【図１２】主として実数の歪を発生するためのショットキーダイオードと、歪を減衰するためのＰＩＮダイオードとをもつ新規な技術による歪回路を示す図である。
【図１３】主として虚数の歪を発生するためのバラクタダイオードと、歪を減衰するための準直線的バラクタダイオードとをもつ新規な技術による歪回路を示す図である。
【図１４】主として実数の歪を発生するためのショットキーダイオードと、歪の周波数依存に作用するためのキャパシタとをもつ新規な技術による歪回路を示す図である。
【図１５（ａ）】本発明による回路が使用される典型的な応用回路である。
【図１５（ｂ）】本発明による回路が使用される典型的な応用回路である。
【図１５（ｃ）】本発明による回路が使用される典型的な応用回路である。
【図１５（ｄ）】本発明による回路が使用される典型的な応用回路である。
【符号の説明】
【００３６】
ＩＮ：入力信号
Ｄ１：第１の非線形的装置
Ｄ２：第２の非線形的装置
ＯＵＴ：出力信号
Ｄ１ＢＩＡＳ、Ｄ２ＢＩＡＳ：バイアス制御手段
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３：ＤＣブロッキングキャパシタ
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４：バイアス抵抗器
【図１（ａ）】
2008005487.tif 000004
【図１（ｂ）】
2008005487.tif 000005
【図２（ａ）】
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【図２（ｂ）】
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【図３（ａ）】
2008005487.tif 000008
【図３（ｂ）】
2008005487.tif 000009
【図４（ａ）】
2008005487.tif 000010
【図４（ｂ）】
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【図５】
2008005487.tif 000012
【図６（ａ）】
2008005487.tif 000013
【図６（ｂ）】
2008005487.tif 000014
【図７】
2008005487.tif 000015
【図８】
2008005487.tif 000016
【図９】
2008005487.tif 000017
【図１０】
2008005487.tif 000018
【図１１】
2008005487.tif 000019
【図１２】
2008005487.tif 000020
【図１３】
2008005487.tif 000021
【図１４】
2008005487.tif 000022
【図１５（ａ）】
2008005487.tif 000023
【図１５（ｂ）】
2008005487.tif 000024
【図１５（ｃ）】
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【図１５（ｄ）】
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