(57)【要約】  【課題】レーザーリペア装置を用いることなく、半導体集積回路にウェハ状態時の物理位置を書き込める安価な半導体集積回路、及び該半導体集積回路に前記物理位置を書き込む半導体集積回路検査装置を提供する。  【解決手段】  各半導体集積回路のウェハ状態時の物理位置を示す物理位置表示部１０４をその最上層に備えた半導体集積回路１０１を、半導体集積回路検査装置１１０で検査する際に、該半導体集積回路検査装置１１０に内蔵された、物理位置表示部１０４に接触して半導体集積回路毎に固有のプローブ痕をつけることが可能な物理位置書き込み器１２０により、前記物理位置表示部１０４に対して前記プローブ痕をつける。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の層を有する半導体集積回路が複数個整列配置されたウェハ状態から得られる一つの半導体集積回路であって、
該一つの半導体集積回路の最上層それぞれには、該半導体集積回路に固有のプローブ痕がつけられる、前記半導体集積回路のウェハ状態での物理位置を示す物理位置表示部が設けられている、
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体集積回路において、
前記物理位置表示部は、前記半導体集積回路を検査するための検査用パッド、あるいは外部回路との接続用のボンディング用パッドである、複数個の通常パッドとは異なる位置に設けられた、複数個の物理位置表示用パッドよりなる、
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体集積回路において、
前記複数の物理位置表示用パッドは、前記複数個の通常パッドが設けられる周状の通常パッド領域内の空き領域に設けられている、
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体集積回路において、
前記複数の物理位置表示用パッドは、前記複数個の通常パッドのうちの、任意の通常パッドの側部拡張領域に設けられている、
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項５】
半導体集積回路を検査するための検査用パッドに、検査用プローブを接触させて、該半導体集積回路の検査を行う半導体集積回路検査装置において、
検査対象の半導体集積回路は、複数の層を有する半導体集積回路が複数個整列配置されたウェハ状態から得られ、その最上層には、該半導体集積回路のウェハ状態での物理位置を示すための物理位置表示部を有するものであり、
前記半導体集積回路の前記物理位置表示部に、該半導体集積回路に固有のプローブ痕をつける物理位置書き込み器を備えた、
ことを特徴とする半導体集積回路検査装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体集積回路検査装置において、
検査対象の半導体集積回路の前記物理位置表示部は、該半導体集積回路を検査するための検査用パッド、あるいは外部回路との接続用のボンディング用パッドである、複数個の通常パッドとは異なる位置に設けられた、複数個の物理位置表示用パッドよりなり、
前記物理位置書き込み器は、その書き込み動作時に、前記複数個の物理位置表示用パッド各々に接触可能なように、その長さを調整可能な複数本のプローブを有する、
ことを特徴とする半導体集積回路検査装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体集積回路検査装置において、
前記物理位置書き込み器の前記複数本のプローブは、異なる先端形状を有するものである、
ことを特徴とする半導体集積回路検査装置。
【請求項８】
ウェハ状態の物理位置を示す物理位置表示部を有する半導体集積回路を製造する半導体集積回路製造方法であって、
ウェハ上に、複数の層を有する半導体集積回路を複数個整列配置させたウェハ状態で作りこみ、
該ウェハ状態にある半導体集積回路すべてに対して、
前記半導体集積回路の検査を行う半導体集積回路検査装置の検査用プローブを、前記各半導体集積回路に設けられた検査用パッドに接触させ、該半導体集積回路の検査を行う検査工程と、
該半導体集積回路検査装置の物理位置書き込み器を、前記半導体集積回路の最上層に設けられた前記物理位置表示部に接触させ、該各半導体集積回路に固有のプローブ痕をつけて該半導体集積回路のウェハ状態での物理位置の書き込みを行う物理位置書き込み工程と、を行った後、
前記ウェハ状態の半導体集積回路をダイシングして、個々の半導体集積回路に分離する、
ことを特徴とする半導体集積回路製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路、半導体集積回路検査装置、及び半導体集積回路製造方法に関し、特に、半導体集積回路に対して、ウェハ状態時の物理位置を書き込む技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路は集積度が年々増加しており、従来の検査ではスクリーニングできない不良が増加している。その中には製造工程で発生した不良も存在する。
【０００３】
そこで、従来より、スクリーニングできない不良が存在する半導体集積回路と同じ製造工程で作製された半導体集積回路を検出可能とするために、半導体集積回路に対して、レーザーリペア装置などにより、該半導体集積回路がウェハ状態からダイシングされて個別状態になった後でも、該半導体集積回路のウェハ状態での物理位置、あるいはそのウェハのロッド番号等を特定できるよう、予め半導体集積回路のウェハ状態での物理位置等を該半導体集積回路に直接書き込むようにしていた。
【０００４】
図５は、従来における、ウェハ状態時の物理位置を書き込み可能な半導体集積回路の構成を示す図である。
【０００５】
図５において、５０１は半導体集積回路であり、５０２は半導体集積回路５０１のウェハ状態時の物理位置等を書き込むためのヒューズ部であり、５０２ａ〜５０２ｆはヒューズである。
【０００６】
従来、半導体集積回路に対してウェハ状態時の物理位置の書き込みを行う場合、前記半導体集積回路５０１のヒューズ５０２ａ〜５０２ｆを、半導体集積回路それぞれで固有の値を示すように、前記レーザーリペア装置（図示せず）で切断するようにしていた。そして、半導体集積回路５０１のウェハ状態での物理位置を読み出したいときには、該半導体集積回路５０１の各ヒューズ５０２ａ〜５０２ｆのＯＮ・ＯＦＦ状態をテスターなどにより電気的に確認するようにしていた。
【特許文献１】特開平７−５０２３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の方法では、前述したレーザーリペア装置というかなり高価な装置が必要であり、また、半導体集積回路５０１に、予め、前記物理位置を書き込むためのヒューズ部５０２を設ける必要もある。そしてこれら両者の要因より、半導体集積回路５０１の価格が大きく上昇するという課題があった。
【０００８】
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、半導体集積回路に対してウェハ状態時の物理位置を簡易に書き込むことができる安価な半導体集積回路、及びその半導体集積回路を製造する半導体集積回路製造方法、並びに半導体集積回路に対してウェハ状態時の物理位置を簡易に書き込むことのできる半導体集積回路検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するために、本発明にかかる半導体集積回路は、複数の層を有する半導体集積回路が複数個整列配置されたウェハ状態から得られる一つの半導体集積回路であって、該一つの半導体集積回路の最上層それぞれには、該半導体集積回路に固有のプローブ痕がつけられる、前記半導体集積回路のウェハ状態での物理位置を示す物理位置表示部が設けられているものである。
【００１０】
これにより、ウェハ状態での半導体集積回路を検査する検査工程時に、各半導体集積回路のウェハ状態での物理位置を表示する物理位置を書き込むことができるため、ウェハ状態時の物理位置を認識できる半導体集積回路を、安価に提供することができる。
【００１１】
さらに、本発明の半導体集積回路は、前記物理位置表示部が、前記半導体集積回路を検査するための検査用パッド、あるいは外部回路との接続用のボンディング用パッドである、複数個の通常パッドとは異なる位置に設けられた、複数個の物理位置表示用パッドよりなるものである。
【００１２】
これにより、前記半導体集積回路に対して固有のプローブ痕をつけることで、該半導体集積回路の物理位置を表示することができる。
【００１３】
さらに、本発明の半導体集積回路は、前記複数の物理位置表示用パッドが、前記複数個の通常パッドが設けられる周状の通常パッド領域内の空き領域に設けられているものである。
【００１４】
これにより、半導体集積回路の回路設置面積に影響させることなく物理位置表示用パッドを設けることができる。
【００１５】
さらに、本発明の半導体集積回路は、前記複数の物理位置表示用パッドが、前記複数個の通常パッドのうちの、任意の通常パッドの側部拡張領域に設けられているものである。
【００１６】
これにより、前記半導体集積回路の回路設置面積に影響させることなく、前記物理位置表示用パッドを該半導体集積回路上に確実に設けることができる。
【００１７】
また、本発明にかかる半導体集積回路検査装置は、半導体集積回路を検査するための検査用パッドに、検査用プローブを接触させて、該半導体集積回路の検査を行う半導体集積回路検査装置において、検査対象の半導体集積回路は、複数の層を有する半導体集積回路が複数個整列配置されたウェハ状態から得られ、その最上層には、該半導体集積回路のウェハ状態での物理位置を示すための物理位置表示部を有するものであり、前記半導体集積回路の前記物理位置表示部に、該半導体集積回路に固有のプローブ痕をつける物理位置書き込み器を備えたものである。
【００１８】
これにより、高価なレーザーリペア装置を使用せずとも、半導体集積回路を検査する半導体集積回路検査装置を用いて、半導体集積回路に対して、固有のプローブ痕をつけることができるため、半導体集積回路を安価にできる。
【００１９】
さらに、本発明の半導体集積回路検査装置は、検査対象の半導体集積回路の前記物理位置表示部が、該半導体集積回路を検査するための検査用パッド、あるいは外部回路との接続用のボンディング用パッドである、複数個の通常パッドとは異なる位置に設けられた、複数個の物理位置表示用パッドよりなり、前記物理位置書き込み器は、その書き込み動作時に、前記複数個の物理位置表示用パッド各々に接触可能なように、その長さを調整可能な複数本のプローブを有するものである。
【００２０】
さらに、本発明の半導体集積回路検査装置は、前記物理位置書き込み器の前記複数本のプローブが、異なる先端形状を有するものである。
【００２１】
これにより、各半導体集積回路に対して、固有のプローブ痕をつけることができる。
【００２２】
また、本発明の半導体集積回路製造方法は、ウェハ状態の物理位置を示す物理位置表示部を有する半導体集積回路を製造する半導体集積回路製造方法であって、ウェハ上に、複数の層を有する半導体集積回路を複数個整列配置させたウェハ状態で作りこみ、該ウェハ状態にある半導体集積回路すべてに対して、前記半導体集積回路の検査を行う半導体集積回路検査装置の検査用プローブを、前記各半導体集積回路に設けられた検査用パッドに接触させ、該半導体集積回路の検査を行う検査工程と、該半導体集積回路検査装置の物理位置書き込み器を、前記半導体集積回路の最上層に設けられた前記物理位置表示部に接触させ、該各半導体集積回路に固有のプローブ痕をつけて該半導体集積回路のウェハ状態での物理位置の書き込みを行う物理位置書き込み工程と、を行った後、前記ウェハ状態の半導体集積回路をダイシングして、個々の半導体集積回路に分離するものである。
【００２３】
これにより、ウェハ状態で半導体集積回路を検査する時に、各半導体集積回路のウェハ状態の物理位置を簡便且つ短時間で書き込むことができるため、ウェハ状態時の物理位置を認識できる半導体集積回路を安価で提供することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の半導体集積回路によれば、複数個の半導体集積回路が整列配置されたウェハ状態から得られる各半導体集積回路の最上層に、該ウェハ状態における各半導体集積回路の物理位置を固有のプローブ痕をつけることで示す物理位置表示部を備えるようにしたので、ウェハ状態時の物理位置を特定できる半導体集積回路を安価に提供することができる。
【００２５】
また、本発明の半導体集積回路検査装置によれば、半導体集積回路の最上層に、該半導体集積回路のウェハ状態時の物理位置を示す、固有のプローブ痕をつける物理位置書き込み器を備えるようにしたので、高価なレーザーリペア装置を使用せずとも、半導体集積回路の検査を行う半導体集積検査装置を用いて、前記各半導体集積回路にウェハ状態時の物理位置を書き込むことができるため、ウェハ状態時の物理位置を特定できる半導体集積回路を安価に提供することができる。
【００２６】
また、本発明の半導体集積回路製造方法によれば、ウェハ上に複数の層を有する半導体集積回路を、複数個整列配置させた状態で作りこんだ後、該ウェハ状態における各半導体集積回路の検査を半導体集積回路検査装置により行う時に、該半導体集積回路検査装置に設けられた物理位置書き込み器により、前記半導体集積回路の最上層に固有のプローブ痕を付けてウェハ状態の物理位置の書き込みを行った後、前記ウェハ状態にある半導体集積回路をダイシングして個々の半導体集積回路に分離するようにしたので、ウェハ状態時の物理位置を特定できる半導体集積回路を簡便に短時間で製造できるため、前記半導体集積回路を安価に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１について説明する。図１は、本実施の形態１における、ウェハ状態時の物理位置を半導体集積回路に書き込む方法を説明するための図である。
【００２８】
図１（ａ），（ｂ）において、１００は複数の層からなる半導体集積回路が複数個整列配置された状態で作りこまれた後のウェハであり、１０１は前記ウェハ１００上にある複数個の半導体集積回路をダイシングし個別状態にした後の一つの半導体集積回路である。そして、１０３は前述した半導体集積回路１０１それぞれに形成されている、該半導体集積回路を検査するための検査用パッド、あるいは該半導体集積回路１０１を外部回路とボンディングするためのボンディング用パッド（以下、これらを単に「通常パッド」とも称す。）であり、１０２は前記通常パッド１０３が設けられる周状の通常パッド領域であり、１０４は前記半導体集積回路１０１の最上層に形成されている、該半導体集積回路がウェハ状態にあるときの物理位置を表示する物理位置表示部である。なお、本実施の形態１において、「ウェハ状態」とは、図１（ａ）に示すように、複数個の半導体集積回路がウェハ１００上に整列配置された状態にあるときを示し、「個別状態」とは、該ウェハ状態にある複数個の半導体集積回路をそれぞれダイシングし、一つの半導体集積回路にした状態を示すものとする。
【００２９】
前記物理位置表示部１０４は、前記半導体集積回路のウェハ状態での物理位置を、該半導体集積回路１０１毎に異なった固有な値で示すことが可能な面積が確保されている。ここでは、前記物理位置表示部１０４として、ウェハ１００上に集積された１００個の半導体集積回路１０１それぞれを固有な値で表記可能なように、７つの物理位置表示用パッド１０４ａ〜１０４ｇが備えられている。なお、これら物理位置表示用パッド１０４ａ〜１０４ｇは、通常パッド１０３と同様の方法で形成される。
【００３０】
一方、１１０はウェハ状態にある各半導体集積回路に対して、内蔵された検査用プローブ（図示せず）を接触させ、該半導体集積回路を検査する半導体集積回路検査装置である。さらに、本発明の半導体集積回路検査装置１１０には、前記半導体集積回路１０１の前記物理位置表示部１０４に対して、該半導体集積回路１０１のウェハ状態の物理位置を書き込む物理位置書き込み器１２０が設けられている。
【００３１】
そして前記物理位置書き込み器１２０は、前記物理位置表示部１０４に接触して固有のプローブ痕をつける複数本のプローブ１２１を備え、該プローブ１２１は、前記半導体集積回路検査装置１１０内に設けられた制御部（図示せず）の制御により、その長さをそれぞれ任意に変更することができるようになっている。なお、本実施の形態１では、一例として、前記物理位置書き込み器１２０が、それぞれその長さを変更できる７本のプローブ１２１ａ〜１２１ｇを備えるものとする。
【００３２】
これにより、前記半導体集積回路検査装置１１０を用いて、前記半導体集積回路１０１の物理位置表示部１０４に、半導体集積回路１０１毎に固有のプローブ痕１２２をつけることが可能となり、この結果、各半導体集積回路１０１にウェハ状態時の物理位置を直接書き込むことができる。
【００３３】
ここで、前記半導体集積回路１０１のウェハ状態時の物理位置と、該半導体集積回路の物理位置表示部１０４に付されるプローブ痕１２２との関係について説明する。
【００３４】
前記半導体集積回路１０１の物理位置は、前記半導体集積回路検査装置１１０に設けられたプローブ１２１によって付されるプローブ痕１２２の数と位置との組み合わせにより、一意に表現することができる。前述したように、前記各半導体集積回路１０１の最上層には、前記物理位置表示部１０４として、ウェハ１００上に形成される半導体集積回路の数が十分に表記できる領域が確保されている。例えば、図１に示すように、ウェハ１００上に１００個の半導体集積回路が集積されている場合は、前記各半導体集積回路１０１の物理位置表示部１０４に、該各半導体集積回路のウェハ状態時における物理位置を、１〜１００の数字でマッピングする。これにより、１対１に各半導体集積回路のウェハ状態での物理位置を特定することが可能となる。
【００３５】
例えば、前記物理位置表示部１０４にマッピングする数字が１〜１００であって、且つ該数字をある物理位置表示用パッドにプローブ１２１でプローブ痕１２２をつけた場合を「１」、プローブ痕１２２をつけない場合を「０」とする２進数で表示する場合、前記物理位置表示部１０４として７つの物理位置表示用パッド１０４を備えれば、全ての数字を表現することができる。具体的に述べると、ある半導体集積回路のウェハ状態時の物理位置が“１”であれば、物理位置表示用パッド１０４ｇにのみプローブ痕１２２をつけることで「００００００１」とビット表現し、また、その物理位置が“５”であれば２つの物理位置表示用パッド１０４ｅ，１０４ｆにプローブ痕１２２をつけることで、「００００１０１」とビット表現する。
【００３６】
次に、前記半導体集積回路を製造する一連の流れを説明する。
まず、図１（ａ）に示すように、ウェハ１００上に、複数の層からなる半導体集積回路を、複数個（ここでは、１００個）整列配置させた状態で作り込む。この際、各半導体集積回路１０１の最上層には、通常パッド１０３に加え、該半導体集積回路１０１のウェハ状態での物理位置を示す物理位置表示部１０４を形成する。なお、本実施の形態１では、１〜１００までの値を表記可能なように、前記物理位置表示部１０４として、１列に並んだ７個の物理位置表示用パッド１０４ａ〜１０４ｇが形成されるものとする。
【００３７】
次に、半導体集積回路検査装置１１０を用いて、ウェハ状態にある各半導体集積回路１０１に対して検査を行う。具体的には、前記半導体集積回路検査装置１１０に内蔵された検査用プローブ（図示せず）を、ウェハ１００上の各半導体集積回路に接触させることで行う。そしてこの後、本発明では、前記半導体集積回路検査装置１１０に内蔵された物理位置書き込み器１２０を前記半導体集積回路の物理位置表示部１０４に接触させ、ウェハ状態での物理位置を書き込む。
【００３８】
詳述すると、まず、ウェハ上の１つ目の半導体集積回路１０１の検査用パッド１０３に、前記半導体集積回路検査装置１１０の検査用プローブ（図示せず）を接触させて検査する。この際、該半導体集積回路検査装置１１０の物理位置書き込み器１２０の、一列に並んだ７本のプローブ１２１ａ〜１２１ｇの長さを、該検査装置１１０の制御部（図示せず）の制御により調整しておく。具体的には、現在検査対象である半導体集積回路は、１つ目の半導体集積回路であるので、その物理位置表示部１０４に対して、「００００００１」をマッピングできるように、例えばプローブ１２１ｇの長さのみを長くする。
【００３９】
前記検査用プローブによる検査が終了後、その各プローブの長さが調整された物理位置書き込み器１２０を、半導体集積回路１０１の物理位置表示部１０４に接触させ、該一つ目の半導体集積回路１０１表面にプローブ痕１２２をつける。
【００４０】
このように１つ目の半導体集積回路１０１に対して検査、及び物理位置書き込み動作が終了後、次に２つ目の半導体集積回路に対して同じ動作を繰り返す。
【００４１】
１００つ目の半導体集積回路に対して前述した検査、及び物理位置書き込み動作が終了後、ウェハ状態にある半導体集積回路を、個別状態、すなわち一つの半導体集積回路にダイシングする。
【００４２】
これにより、ウェハ１００上にあるすべての半導体集積回路１０１それぞれに対して固有のプローブ痕を付すことが可能となるため、該半導体集積回路のプローブ痕を物理的に確認することで、ウェハ状態からダイシングして個別にした後でも、ウェハ状態時の物理位置を特定することが可能な半導体集積回路を製造することができる。
【００４３】
以上のように、本実施の形態１の半導体集積回路製造方法によれば、半導体集積回路１０１の最上層に、該半導体集積回路のウェハ状態時の物理位置を書き込む物理位置表示部１０４を設け、該物理位置表示部１０４に、該半導体集積回路を検査する半導体集積回路検査装置１１０の物理位置書き込み器１２０により、前記半導体集積回路毎に固有のプローブ痕１２２をつけるようにしたので、ウェハ状態の半導体集積回路をダイシングして個別にした後にウェハ状態の物理位置を一意に特定することが可能な半導体集積回路を安価に提供することができる。
【００４４】
さらに、本実施の形態１のように、前記各半導体集積回路１０１の物理位置表示部１０４を、半導体集積回路上の所定位置に設けるように統一しておけば、半導体集積回路検査装置１１０の構成を変えることなく、共有して使用できる効果が得られる。
【００４５】
なお、本実施の形態１では、半導体集積回路検査装置１１０の物理位置書き込み器１２０が複数本（ここでは７本）のプローブ１２１を備えているものとして説明したが、プローブ１２１の数はこれに限るものではない。例えば、前記プローブ１２１は１本であってもよく、その場合は、半導体集積回路１０１の物理位置表示部１０４の物理位置表示用パッド１０４ａ〜１０４ｇに対して、該一本のプローブ１２１で、順番にプローブ痕１２２をつければよい。
【００４６】
また、本実施の形態１では、各半導体集積回路１０１のウェハ状態時の物理位置を特定するために、数字（シリアル番号）をマッピングするものとしたが、物理位置の表示方法はこれに限るものではない。例えば、各半導体集積回路１０１のウェハ１００上でのＸ、Ｙ座標をビット表現してマッピングすることも可能である。さらに、前記物理位置表示部１０４に書き込む情報も、前述した該半導体集積回路のウェハ状態での物理位置だけでなく、例えば、半導体集積回路製造時のロッド番号などを書き込むようにしてもよい。
【００４７】
また、本実施の形態１では、物理位置表示用パッド１０４に対して物理的にプローブ痕１２２をつけ、該プローブ痕１２２を物理的に確認することで、各半導体集積回路の物理位置を特定するものとしたが、図１（ｃ）に示すように、各物理位置表示用パッド１０４にヒューズを設け、前記半導体集積回路検査装置１１０のプローブ１２１により該ヒューズを切断する構成にしてもよい。このようにすれば、各半導体集積回路の物理位置の特定を電気的に行うことが可能となる。
【００４８】
さらに、本実施の形態１では、１つの半導体集積回路を検査した後、該検査対象の半導体集積回路に固有のプローブ痕をつける、という動作を繰り返すことで、ウェハ上の全ての半導体集積回路に対して物理位置を書き込む場合を例に挙げたが、該ウェハ上の全ての半導体集積回路の検査を終了した後に、該半導体集積回路それぞれに対してプローブ痕をつけていくようにしてもよい。
【００４９】
（実施の形態２）
以下、本実施の形態２について説明する。
前記実施の形態１では、各半導体集積回路のウェハ状態時の物理位置を示す物理位置表示部１０４を、半導体集積回路上の所定領域に設けるものしたが、本実施の形態２では、前記物理位置表示部１０４を、プローブ検査に使用する検査用パッドや組み立て時に使用するボンディングパッドである、通常パッドが設けられる周状の通常パッド領域の空き領域に設けるものである。
【００５０】
図２は、本実施の形態２における、ウェハ状態時の物理位置を半導体集積回路に書き込む方法を説明するための図である。
図２（ａ），（ｂ）において、２００は複数の層を有する半導体集積回路が複数個整列配置された状態で作りこまれた後のウェハであり、２０１は該ウェハ２００からダイシングし個別状態にした後の１つの半導体集積回路である。そして、２０３は前述した半導体集積回路２０１それぞれに形成されている、該半導体集積回路２０１を検査するための検査用パッド、あるいはその半導体集積回路２０１を外部回路とボンディングするためのボンディング用パッド（以下、単に「通常パッド」とも称す。）であり、２０２は前記通常パッド２０が設けられる周状の通常パッド領域であり、２０４は該通常パッド領域２０２の空き領域に設けられた、該半導体集積回路がウェハ状態にあるときの物理位置を表示する物理位置表示部である。このように本実施の形態２では、物理位置表示部２０４が通常パッド領域２０２の空き領域に設けられているため、半導体集積回路の回路設置面積を大きくすることができる。
【００５１】
前記物理位置表示部２０４は、前記実施の形態１と同様、前記半導体集積回路のウェハ状態での物理位置を、該半導体集積回路２０１毎に異なった固有な値で示すことが可能な面積が確保されている。例えばここでは、ウェハ２００上に集積された１００個の半導体集積回路２０１それぞれを固有に表記可能なように、前記物理位置表示部２０４として７つの物理位置表示用パッド２０４ａ〜２０４ｇが備えられている。なお、これらの物理位置表示用パッド２０４ａ〜２０４ｇは、前記通常パッド２０３と同様の方法で形成される。
【００５２】
一方、２１０はウェハ状態にある各半導体集積回路に対して、内蔵された検査用プローブ（図示せず）を接触させ、該半導体集積回路を検査する半導体集積回路検査装置である。さらに、本発明の半導体集積回路検査装置２１０には、前記半導体集積回路２０１の前記物理位置表示部２０４に対して、該半導体集積回路２０１のウェハ状態の物理位置を書き込む物理位置書き込み器２２０が設けられている。
【００５３】
そして前記物理位置書き込み器２２０は、前記物理位置表示部２０４に接触して固有のプローブ痕をつける複数本のプローブ２２１を備え、該プローブ２２１は、前記半導体集積回路検査装置２１０内に設けられた制御部（図示せず）の制御により、その長さをそれぞれ任意に変更することができるようになっている。なお、本実施の形態２では、前記物理位置書き込み器２２０が、通常パッド領域２０２に沿って周状に複数本のプローブ２２１が設けられているものとする。
【００５４】
これにより、前記物理位置書き込み器２２０を用いて、前記半導体集積回路２０１の物理位置表示部２０４に、半導体集積回路２０１毎に固有のプローブ痕２２２をつけることが可能となり、この結果、各半導体集積回路２０１にウェハ状態時の物理位置を直接書き込むことができる。
【００５５】
なお、前記半導体集積回路２０１のウェハ状態時の物理位置と、該半導体集積回路の物理位置表示部２０４に付されるプローブ痕２２２との関係、また前記半導体集積回路を製造する一連の流れは、前記実施の形態１と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５６】
以上のように、本実施の形態２の半導体集積回路によれば、半導体集積回路２０１上の通常パッド２０３が設けられる周状の通常パッド領域２０２の空き領域に、該半導体集積回路のウェハ状態時の物理位置を示す物理位置表示部２０４を設けるようにしたので、半導体集積回路の回路設置面積に影響することなく設けることができる。
【００５７】
なお、本実施の形態２では、半導体集積回路検査装置２１０に内蔵された物理位置書き込み器２２０が、前記通常パッド領域２０２に沿って周状に複数本のプローブ２２１を備えるものとして説明したが、プローブ２２１の数はこれに限るものではない。例えば、前記物理位置書き込み器に備えられるプローブ２２１の数は１本であってもよく、この場合、該一本のプローブ１２１で、半導体集積回路２０１の物理位置表示部２０４の物理位置表示用パッド２０４ａ〜２０４ｇに対して、一つずつプローブ痕をつけていけば、同等の効果を得ることができる。
【００５８】
また、本実施の形態２では、物理位置表示用パッド２０４に対して物理的にプローブ痕２２２をつけ、該プローブ痕２２２を物理的に確認することで、各半導体集積回路の物理位置を特定するものとしたが、前記実施の形態１で示したように、各物理位置表示用パッド２０４にヒューズを設け、前記半導体集積回路検査装置２１０のプローブ２２１により該ヒューズを切断する構成にしてもよい。このようにすれば、各半導体集積回路の物理位置の特定を電気的に行うことが可能となる。
【００５９】
（実施の形態３）
以下、本実施の形態３について説明する。
前記実施の形態２では、各半導体集積回路のウェハ状態時の物理位置を示す物理位置表示部を、プローブ検査に使用する検査用パッドや組み立て時に使用するボンディング用パッドである通常パッドを設ける通常パッド領域内の空き領域に設ける場合について説明したが、本実施の形態３では、前記通常パッド領域に設けられる複数個の通常パッドのうちの、任意のパッドの側部領域を拡張し、該側部拡張領域に前記物理位置表示部を設けるものである。
【００６０】
図３は、本実施の形態３における半導体集積回路を示す図である。
図３（ａ）において、３０１はウェハ上に整列配置されて作りこまれた複数個の半導体集積回路をダイシングし個別状態にした後の一つの半導体集積回路であり、３０３は前述した半導体集積回路３０１それぞれに形成されている、該半導体集積回路を検査するための検査用パッド、あるいは該半導体集積回路３０１を外部回路とボンディングするためのボンディング用パッド（以下、これらを単に「通常パッド」とも称す。）であり、３０２は前記通常パッド３０３が設けられる周状の通常パッド領域であり、３０４は前記通常パッドの側部領域の拡張し、その側部拡張部分を、ウェハ状態時の物理位置を示す物理位置表示部とする拡張パッドである。
【００６１】
このように、本実施の形態３では、通常パッド３０３の面積を側部領域に拡張した拡張パッド３０４を複数個形成し、該拡張パッド３０４の拡張領域部分に前記物理位置表示部を設けるようにしたため、周状の通常パッド領域３０２に物理位置表示部３０４を設けるための空き領域がなくとも、半導体集積回路の回路設置面積に影響させることなく、前記物理位置表示部を確実に確保することができる。
【００６２】
本実施の形態３の前記物理位置表示部は、前記実施の形態と同様、前記半導体集積回路のウェハ状態での物理位置を、該半導体集積回路３０１毎に異なった固有な値で示すことが可能な面積が確保されている。例えばここでは、前記物理位置表示部を確保するために、６つの拡張パッド３０４ａ〜３０４ｆが形成されるものとする。この拡張パッド３０４ａ〜３０４ｆは、前記通常パッド３０３と同様の方法で形成される。
【００６３】
なお、本実施の形態３における、前記半導体集積回路３０１を検査するための半導体集積回路検査装置の構成は、前記実施の形態２と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６４】
また、前記半導体集積回路３０１のウェハ状態時の物理位置と、該半導体集積回路の物理位置表示部３０４に付されるプローブ痕３２２との関係、また、前記半導体集積回路を製造する一連の流れは、前記実施の形態１とほぼ同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６５】
以上のように、本実施の形態３の半導体集積回路製造方法によれば、半導体集積回路３０１に、通常パッド３０３のうちのいずれかの側部領域を拡張した拡張パッド３０４を形成し、該拡張部分にウェハ状態時の物理位置を示す物理位置表示部を設けるようにしたので、半導体集積回路の回路設置面積を大きくとりながら、前記物理位置表示部を確実に確保することができる。
【００６６】
なお、前記説明においては、拡張パッド３０４ａ〜３０４ｆに変更する通常パッド３０３を、回路設置面積を最大限にできるようランダムに選択する場合を一例に挙げたが、図３（ｂ）に示すように、拡張パッド３１４ａ〜３１４ｆに変更する通常パッドを予め決めておくようにしてもよい。このようにした場合、物理位置が示される位置が全ての半導体集積回路において同じとなるため、半導体集積回路検査装置の構成を共通のものにすることができる。
【００６７】
（実施の形態４）
以下、本実施の形態４について説明する。
前記各実施の形態においては、半導体集積回路上に設けられた物理位置表示部にプローブされたプローブ痕の有無で、各半導体集積回路のウェハ状態での物理位置を示すようにしたが、本実施の形態４では、該プローブ痕の有無ではなく、プローブ痕の形状により、ウェハ状態時の各半導体集積回路の物理位置を示すものである。
【００６８】
図４は、本実施の形態４における半導体集積回路検査装置及び半導体集積回路を示す図である。
図４（ａ），（ｂ）において、４０１はウェハ上に整列配置されて作りこまれた複数個の半導体集積回路をダイシングし個別状態にした後の一つの半導体集積回路であり、４０４は前記半導体集積回路４０１の最上層に形成されている、該半導体集積回路がウェハ状態にあるときの物理位置を表示する物理位置表示部である。
【００６９】
前記物理位置表示部４０４は、前記各実施の形態と同様、前記半導体集積回路のウェハ状態での物理位置を、該半導体集積回路４０１毎に異なった固有な値で示すことが可能な面積が確保されている。例えばここでは、前記物理位置表示部４０４として、ウェハ上に集積された半導体集積回路４０１それぞれを固有に表記可能なように、４つの物理位置表示用パッド４０４ａ〜４０４ｄが備えられている。なお、これら物理位置表示用パッド４０４ａ〜４０４ｄは、前記通常パッドと同様の方法で形成される。
【００７０】
一方、４１０はウェハ状態にある各半導体集積回路に対して、内蔵された検査用プローブ（図示せず）を接触させ、該半導体集積回路を検査する半導体集積回路検査装置である。さらに、本発明の半導体集積回路検査装置４１０には、前記半導体集積回路４０１の前記物理位置表示部４０４に対して、該半導体集積回路４０１のウェハ状態の物理位置を書き込む物理位置書き込み器４２０が設けられている。
【００７１】
そして前記物理位置書き込み器４２０は、前記物理位置表示部４０４に接触して固有のプローブ痕をつける複数本のプローブ４２１を備え、本実施の形態４では、該プローブ４２１は、図４（ａ）に示すように、各プローブ４２１の先端形状が異なるように作成されている。例えばここでは、一例として、各プローブの先端形状が「△」「□」「○」「＋」である４本のプローブ４２１ａ〜４２１ｄを備えるものとする。また、前記プローブ４２１は、前記各実施の形態と同様、半導体集積回路検査装置１１０内に設けられた制御部（図示せず）の制御により、その長さをそれぞれ任意に変更することができるようになっている。
【００７２】
これにより、前記半導体集積回路検査装置４１０を用いて、前記半導体集積回路４０１の物理位置表示部４０４に、半導体集積回路４０１毎に固有のプローブ痕４２２をつけることが可能となり、この結果、各半導体集積回路１０１にウェハ状態時の物理位置を直接書き込むことができる。また、前述したようにその先端形状が異なるプローブを備える物理位置書き込み器を使用すれば、より少ないプローブで多くの固有値を表記できるため、物理位置表示部４０４の数を削減できる効果が得られる。
【００７３】
なお、前記各実施の形態においては、ウェハ状態時の各半導体集積回路の物理位置を直接書き込む物理位置書き込み器が、半導体集積回路検査装置に内蔵されているとして説明したが、前述したような物理位置書き込み器を、ウェハ状態時の各半導体集積回路の物理情報を書き込む専用装置として半導体集積回路検査装置外部に設けても、同じ効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明の半導体集積回路、半導体集積回路検査装置、及び半導体集積回路製造方法は、半導体装置の不良解析、歩留まり向上に関して必要な情報を入手できるものとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体集積回路及び半導体集積回路検査装置を示す図であり、図（ａ）は当該半導体集積回路にウェハ状態時の物理位置を書き込む方法を説明するための図であり、図（ｂ），（ｃ）はプローブ痕が形成された物理位置表示用パッドを示す図である。
【図２】本発明の実施の形態２における半導体集積回路及び半導体集積回路検査装置を示す図であり、図（ａ）は当該半導体集積回路にウェハ状態時の物理位置を書き込む方法を説明するための図であり、図（ｂ）はプローブ痕が形成された半導体集積回路を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態３におけるプローブ痕が形成された半導体集積回路を示す図であり、図（ａ）は物理位置表示部が任意の複数個の通常パッドに設けられる場合を示し、図（ｂ）は物理位置表示部が任意の領域の通常パッドにかたまって設けられる場合を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態４における半導体集積回路検査装置及び半導体集積回路を示す図であり、図（ａ）は物理位置書き込み器のプローブを拡大した図を示し、図（ｂ）はプローブ痕が形成された半導体集積回路を示す図である。
【図５】従来の半導体集積回路の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００７６】
１００，２００  ウェハ
１０１，２０１，３０１，３１１，４０１，５０１  半導体集積回路
１０２，２０２，３０２，５０２  通常パッド領域
１０３，２０３，３０３，３１３  通常パッド
１０４，２０４，３０４，３１４  物理位置表示部
１０４ａ〜１０４ｇ，１０４ａ’〜１０４ｇ’，２０４ａ〜２０４ｇ，４０４ａ〜４０４ｄ  物理位置表示用パッド
１１０，２１０，４１０  半導体集積回路検査装置
１２０，２２０，４２０  物理位置書き込み器
１２１，２２１，４２１  プローブ
１２２，２２２，３２２，４２２  プローブ痕
３０４ａ〜３０４ｆ，３１４ａ〜３１４ｆ  拡張パッド
５０２ａ〜５０２ｆ  ヒューズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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