(57)【要約】【課題】ＬＤを実装する基板に加工が必要であり、且つ安定したモニタＰＤ電流を得るためには、モニタＰＤの設置において高い精度が必要であり、製造工程数の増加とこれに伴い製造コストが高くなるという課題があった。【解決手段】半導体レーザ装置は、ＬＤ１０と表面入射型ＰＤ２０と有し、これらのＬＤ１０とＰＤ２０とを同一の基板１上に配置し、ＬＤ１０の背面から出射されるモニタ用レーザ光Ｓ１０ｂを、ＰＤ２０の側面のうちの１つの入射面２０ａから入射し、この入射光をＰＤ２０の内部で反射させることにより、ＰＤ２０の受光部２１に入射している。即ち、モニタ用レーザ光Ｓ１０ｂをＰＤ２０の受光部２１に直接入射するのではなく、ＰＤ２０を構成する光透過性の半導体基板の内部反射を利用して受光部２１に入射している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に配線パターンが形成された支持基板と、
前記支持基板の表面上に固定され、信号用レーザ光を出射する信号用出力部、及びモニタ用レーザ光を出射するモニタ用出力部を有する半導体レーザ素子と、
前記モニタ用レーザ光の波長において光透過領域を有する半導体基板と、前記半導体基板の表面上に形成された光／電気変換用の受光部とを有し、前記半導体基板の側面のうちの１つの入射面が前記モニタ用レーザ光に対する入射可能な位置で、且つ、前記受光部が前記モニタ用出力部よりも高い位置に配置され、前記半導体基板の裏面と前記配線パターンとが対向するように前記支持基板上に固定されたモニタ用フォトダイオードと、
を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記半導体レーザ素子と前記モニタ用フォトダイオードの受光部とは、ワイヤにより前記配線パターンとそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記支持基板の表面は、実質的に平坦な面であり、前記平坦な面上に、前記半導体レーザ素子と前記モニタ用フォトダイオードとが配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記半導体レーザ素子のモニタ用出力部と前記モニタ用フォトダイオードの入射面との間の距離は、前記モニタ用フォトダイオードの受光量が最大値となる距離に設定されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記半導体レーザ素子と前記モニタ用フォトダイオードは、前記入射面に対する前記モニタ用レーザ光の入射角度θが０°＜θ＜９０°となるように配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記半導体基板の裏面には、前記入射面から前記半導体基板内に入射された前記モニタ用レーザ光を前記半導体基板内に反射する電極が形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記半導体基板の入射面に対して反対側の背面には、前記入射面から前記半導体基板内に入射された前記モニタ用レーザ光を前記半導体基板内に反射する反射膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記半導体基板の入射面には、前記入射面に入射される前記モニタ用レーザ光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記半導体基板の入射面に対して略直交する両側面には、前記入射面から前記半導体基板内に入射された前記モニタ用レーザ光を前記半導体基板内に反射する反射膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記モニタ用フォトダイオードの受光部上には、前記半導体基板内に入射されて前記受光部を透過する前記モニタ用レーザ光を前記受光部内に反射する反射膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１１】
前記モニタ用フォトダイオードは、表面入射型構造であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１２】
前記反射膜は、金属膜又は誘電体反射膜であることを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１３】
前記反射防止膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項８〜１２のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１４】
前記半導体基板は、インジウム・リン基板であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子（以下「ＬＤ」という。）と、この光パワーをモニタするためのフォトダイオード（以下「ＰＤ」という。）とを有する半導体レーザモジュールである半導体レーザ装置、特に、モニタ用のＰＤ（以下単に「モニタＰＤ」という。）の配置及び構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
主として光通信に用いられる半導体レーザ装置においては、例えば、下記の特許文献１、２、３に記載されているように、ＬＤの出力光強度を安定化させるためにＬＤの光パワーをモニタする機構を備えていることが多い。この場合、ＬＤの前方の光出力を光信号用として使用し、後方の光出力をモニタＰＤで受光して前方の光パワーが一定になるようにＬＤの駆動電流を制御することが一般的である。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２８９２５８号公報
【特許文献２】特開２００３−３０３９７５公報
【特許文献３】特開平９−２７０５６６号公報
【０００４】
モニタＰＤの設置方法としては、特許文献１に記載されているように、モニタＰＤをＰＤ用サブキャリア（支持台のことであるが、サブマウント、ベース、ヘッダ等の名称で呼ばれることもある。）に実装すると共に、ＬＤをＬＤ用サブキャリアに実装し、レーザキャリア上において、ＬＤ用サブキャリアの後方にＰＤ用サブキャリアを配置してこれらのサブキャリアをレーザキャリア上に固定することが一般的である。
【０００５】
ところが、この設置方法では、部品点数が増加し、これに伴う組立工数の増加の問題がある。更に大きな問題として、ＰＤ用サブキャリアのサイズがＬＤに比較して非常に大きいという問題がある。
【０００６】
最近、半導体レーザ装置を他の装置等に実装するのに都合が良い等の理由から、一般に使用されている、光出力方向と電気信号を取り出すピン（引き出し端子）の方向が対向するような形状の半導体レーザ装置においては、ＬＤを駆動するＬＤ用信号ライン（信号線）はモニタＰＤ用サブキャリアを迂回するように配置する必要がある。ＬＤの駆動周波数が例えば２．５GHz以下程度の場合には、このＬＤ用信号ラインの迂回は大きな問題とはならないが、１０GHz程度以上となる場合には、ＬＤ用信号ラインの配線形状は電気信号の伝達に大きな影響を与え、サイズの大きなモニタ用サブキャリアを迂回するような信号ラインの配置は、半導体レーザ装置の周波数特性を大きく劣化させる。
【０００７】
この間題を解決する方法として、特許文献２、３に記載されているように、モニタＰＤ用サブキャリアを使用しないでモニタＰＤを直接、ＬＤの後方に設置する方法がある。
【０００８】
特許文献２では、シリコン（Si)基板上にＬＤを固定し、このＬＤの後方のSi基板に形成した溝（凹部）内にＰＤを固定し、このＰＤの受光部をＬＤよりも低い位置に配置している。又、特許文献３では、半導体基板の表面にＰＤを形成し、このＰＤに隣接してこのＰＤよりも高位置になるように半導体基板上にＬＤを固定すると共に、ＰＤの受光部の上部に集光用のプリズムを設け、ＬＤの後方からの光出力をプリズムを介してＰＤの受光部に入射している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の特許文献２、３に記載されているいずれの方法においても、ＬＤを実装する基板に加工が必要であり、且つ安定したモニタＰＤ電流を得るためには、モニタＰＤの設置において高い精度が必要であり、製造工程数の増加とこれに伴い製造コストが高くなるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体レーザ装置は、表面に配線パターンが形成された支持基板と、前記支持基板の表面上に固定され、信号用レーザ光を出射する信号用出力部、及びモニタ用レーザ光を出射するモニタ用出力部を有するＬＤと、モニタ用ＰＤとを備えている。
【００１１】
前記モニタ用ＰＤは、前記モニタ用レーザ光の波長において光透過領域を有する半導体基板と、前記半導体基板の表面上に形成された光／電気変換用の受光部とを有し、前記半導体基板の側面のうちの１つの入射面が前記モニタ用レーザ光に対する入射可能な位置で、且つ、前記受光部が前記モニタ用出力部よりも高い位置に配置され、前記半導体基板の裏面と前記配線パターンとが対向するように前記支持基板上に固定されている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体レーザ装置によれば、ＬＤとモニタＰＤとを同一の支持基板１上に配置して固定し、ＬＤから出射されたモニタ用レーザ光をモニタＰＤの入射面から入射し、この入射光をモニタＰＤの内部で反射させることにより、受光部に入射する構成にしているので、次の（i）〜（iii）のような効果がある。
【００１３】
（i）  従来のようなサイズの大きなモニタ用サブキャリアを使用する半導体レーザ装置と比較して、信号ラインを迂回する必要がないため、例えば、１０GHz以上の高速動作の際に、周波数特性を劣化させることなく信号伝送ができる。
【００１４】
（ii）  支持基板に、従来のような凹部を形成する等の特別な加工を行う必要がないため、支持基板を安価に製造することができる。
【００１５】
（iii）  モニタＰＤとしては、例えば、通常の表面入射型ＰＤを使用できる。又、そのＰＤの入射面を基準にして、該入射面に入射するモニタ用レーザ光の光軸の入射角度θが、０°＜θ＜１８０°となるようにＬＤ及びモニタ用ＰＤを設置すれば、ＰＤの入射面に入射されるモニタ用レーザ光の反射による戻りを防止でき、モニタ用レーザ光を効率良くモニタ信号に変換できる。しかも、入射面に入射されるモニタ用レーザ光の反射防止のために、モニタＰＤに特別な加工をする必要がないので、モニタＰＤを製造する上での製造工程の削減と、これに伴う製造コストの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
半導体レーザ装置は、ＬＤと表面入射型ＰＤと有し、これらのＬＤと表面入射型ＰＤとを同一の支持基板上に配置し、ＬＤの背面から出射されるモニタ用レーザ光を、ＰＤの側面のうちの１つの入射面から入射し、この入射光をＰＤの内部で反射させることにより、ＰＤの受光部に入射している。即ち、モニタ用レーザ光をＰＤの受光部に直接入射させると共に、ＰＤを構成する光透過性の半導体基板の内部反射を利用して受光部に入射している。
【実施例１】
【００１７】
（実施例１の構成）
図１は本発明の実施例１を示す半導体レーザ装置の概略の側面図、及び図２は図１の概略の平面図である。
【００１８】
この半導体レーザ装置は、セラミック、硝子等で形成された表面が凹凸のない実質的に平坦な面で且つ略方形の支持基板（以下単に「基板」という。）１を有している。基板１の表面には、長手方向のＸ軸に沿って素子を固定するためのダイボンディング用の配線パターン（例えば、金属パターン）２ａが形成され、更にその近傍に、素子をワイヤ接続するためのワイヤボンディング用の配線パターン（例えば、金属パターン）２ｂ，２ｄ，２ｅ、及びグランド（ＧＮＤ)用の配線パターン（例えば、金属パターン）２ｃが形成されている。ダイボンディング用の金属パターン２ａ上には、Ｘ軸に沿って例えば左側（前方）にＬＤ１０が半田等でダイスボンド（固定）され、このＬＤ１０の右側（後方）の所定距離Ｌ１だけ離れた位置に、表面入射型のモニタＰＤ２０が半田等でダイスボンドされている。所定距離Ｌ１は、ＰＤ２０の受光量（例えば、受光電流）が最大値となる値（例えば、２００μm程度）に設定されている。
【００１９】
ＬＤ１０は、例えば、波長１．３μm〜１．５５μm程度のInGaAsP（活性層）／InP（基板）からなる高さＨ１が１００μｍ程度の略直方体のチップであり、平面（上面）にワイヤボンディング用の電極１１が設けられ、Ｘ軸上において左側面（正面）の出射面１０ａから左方向（前方）へ信号用レーザ光Ｓ１０ａが出射され、右側面（背面）の出射面１０ｂから右方向（後方）へモニタ用レーザ光Ｓ１０ｂ（光軸方向の広がり角度θ1は、数十度）が出射されるように固定されている。ＬＤ１０の電極１１は、金線等のワイヤ３ａにより金属パターン２ｄに接続されている。
【００２０】
表面入射型のモニタＰＤ２０は、例えば、バンドギャップ１．３５eV、波長０．９μm程度のInP基板を用いたpinフォトダイオードで構成された高さＨ２が２００μm程度のチップであり、内部上方に光／電気変換用の受光部２１が形成され、この上の平面（上面）にワイヤボンディング用の金属（Au等）のアノード電極２２が設けられている。アノード電極２２は、金線等のワイヤ３ｂにより金属パターン２ｂに接続されている。モニタＰＤ２０は、ＬＤ１０の背面に対峙する左側面（正面）がモニタ用レーザ光Ｓ１０ｂを受光する入射面２０ａとなっており、この入射面２０ａから入射されたレーザ光Ｓ１０ｂが内部を透過して受光部２１へ直接到達するか、或いは側面２０ｂ，２０ｃや背面２０ｄ等で反射して受光部２１へ到達して信号（例えば、電流）に変換される構造になっている。入射面２０ａは、Ｘ軸に対して直交するＹ軸を基準にして任意の角度θ2（但し、０°＜θ2＜１８０°）だけ傾斜して配置され、入射されるレーザ光Ｓ１０ｂの反射による戻りを防止している。
【００２１】
図３は図１の表面入射型モニタＰＤ２０を表面から見た模式的な平面図、及び、図４は図１の表面入射型モニタＰＤ２０の模式的な縦断面図である。
【００２２】
この表面入射型モニタＰＤ２０は、例えば、平面（上面）から受光する通常のpinフォトダイオードで構成されている。この断面構造は、下層から上層にかけて、金（Au）等の金属のカソード電極２３、インジュウム・リン基板（n-InP基板）２４、インジュウム・リン層（n-InP層）２５、吸収層であるn− 型インジュウム・ガリウム・砒素層（n−InGaAs層）２６、及びn-InP層２７が積層され、そのn-InP層２７内の受光箇所に亜鉛（Zn）等のP＋拡散領域２７ａが形成され、n−InGaAs層２６及びP＋拡散領域２７ａにより受光部２１が構成されている。更に、n-InP層２７上に窒化シリコン膜（Si3N4膜）等の絶縁膜２８が形成され、この絶縁膜２８の中央が受光用に開口され、この開口箇所を含む絶縁膜２８の全面に窒化シリコン膜（SiNx)等の反射防止膜（AR膜）２９が形成されている。開口箇所に隣接する反射防止膜２９上にアノード電極２２が形成され、このアノード電極２２がビア（導電孔）を介してP＋拡散領域２７ａに電気的に接続されている。
【００２３】
上下の電極２２，２３と吸収層であるn-InGaAs層２６を除き、n-InP基板２４、n-InP層２５、n-InP層２７、P＋拡散領域２７ａ、絶縁膜２８、及び反射防止膜２９は、透明材料で形成されている。
【００２４】
本実施例１の特徴は、従来のように、レーザ光Ｓ１０ｂを上方から受光部２１に直接入射するのではなく、レーザ光Ｓ１０ｂをモニタＰＤ２０の側面の入射面２０ａから入射させ、このレーザ光Ｓ１０ｂをn-InP基板２４等の内部反射を利用して内部で反射させることにより、受光部２１に入射させている。
【００２５】
（実施例１の動作）
図５は図１のモニタＰＤ２０における光伝送経路を示す断面の模式図、及び、図６は図１のモニタＰＤ２０における光伝送経路を示す平面の模式図である。この図５及び図６を参照しつつ、図１の半導体レーザ装置の動作を説明する。
【００２６】
金属パターン２ｂ，２ｄからワイヤ３ａ,３ｂを介してＬＤ１０及びモニタＰＤ２０に電源電力が供給されると、ＬＤ１０の出射面１０ａからＸ軸の前方へ信号用レーザ光Ｓ１０ａが出射されると共に、出射面１０ｂからＸ軸の後方へモニタ用レーザ光Ｓ１０ｂが出射される。モニタ用レーザ光Ｓ１０ｂは、モニタＰＤ２０の入射面２０ａに照射され、このモニタＰＤ２０の内部で散乱されて受光部２１へ到達して電流に変換される。
【００２７】
即ち、モニタＰＤ２０は、光透過性の半導体基板（例えば、n-InP基板２４）で構成されているために、ＬＤ１０から出射されたモニタ用レーザ光Ｓ１０ｂのうちでモニタＰＤ２０の入射面２０ａに到達したレーザ光Ｓ１０ｂは、モニタＰＤ２０の内部へ透過し（入射光Ｓ１０ｂ−１）、一部は受光部２１に直接入射して電流に変換され、他の一部はモニタＰＤ２０の内部での反射を繰り返す。例えば、入射光Ｓ１０ｂ−１は、背面２０ｄで一部が反射されて反射光Ｓ１０ｂ−２となり、この反射光Ｓ１０ｂ−２が底面の電極２３で反射され、この反射光Ｓ１０ｂ−３の一部が入射面２０ａで再び反射され、この反射光Ｓ１０ｂ−４が受光部２１に到達して電流に変換される。
【００２８】
（実施例１の効果）
本実施例１によれば、ＬＤ１０とモニタＰＤ２０とを同一の基板１上に配置して固定し、ＬＤ１０から出射されたモニタ用レーザ光Ｓ１０ｂをモニタＰＤ２０の入射面２０ａから入射し、この入射光Ｓ１０ｂ−１をモニタＰＤ２０の内部で反射させることにより、受光部２１に入射する構成にしているので、次の（ａ）〜（ｃ）のような効果がある。
【００２９】
（ａ）  従来のようなサイズの大きなモニタ用サブキャリアを使用する半導体レーザ装置と比較して、信号ラインを迂回する必要がないため、例えば、１０GHz以上の高速動作の際に、周波数特性を劣化させることなく信号伝送ができる。
【００３０】
（ｂ）  基板１に、従来のような凹部を形成する等の特別な加工を行う必要がないため、基板１を安価に製造することができる。
【００３１】
（ｃ）  モニタＰＤ２０としては、例えば、通常のpinフォトダイオード構造のものを使用し、Ｙ軸に対する入射面２０ａの角度θ2を傾けて設置しているので、入射されるレーザ光Ｓ２０ｂの反射による戻りを防止でき、レーザ光Ｓ１０ｂを効率良くモニタ電流に変換できる。しかも、入射されるレーザ光Ｓ２０ｂの反射防止のために、モニタＰＤ２０に特別な加工をする必要がないので、モニタＰＤ２０を製造する上での製造工程の削減と、これに伴う製造コストの低減を図ることができる。
【実施例２】
【００３２】
（実施例２の構成）
図７は本発明の実施例２を示すモニタＰＤ付近の模式的な断面図、及び、図８は図７に示すモニタＰＤ付近の模式的な平面図である。この図７及び図８は、実施例１の図５及び図６に対応する図であり、この図５及び図６中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００３３】
本実施例２のモニタＰＤ２０Ａでは、ＰＤ例１として、モニタＰＤ２０Ａの背面２０ｄに反射膜（HR膜）３０を被着している。反射膜３０としては、例えば、アルミニュウム（Al）等の金属膜や、電体反射膜等を使用でき、この反射率は９０％以上である。
【００３４】
ＰＤ例２としては、ＰＤ例１に加えて、モニタＰＤ２０Ａの入射面２０ａに反射防止膜（AR膜）３１を被着している。反射防止膜３１としては、例えば、SiNx等の透明膜を使用でき、この反射率は形成材料や膜厚等にもよるが、数％以下である。
【００３５】
ＰＤ例３としては、ＰＤ例２に加えて、モニタＰＤ２０Ａの両側面２０ｂ,２０ｃにも金属膜、誘電体反射膜等からなる反射膜を被着している。説明の便宜上、側面２０ｂの反射膜に符号３０ｂ、及び、側面２０ｃの反射膜に符号３０ｃを付して、以下説明する。
【００３６】
（実施例２の動作・効果）
（１）  ＰＤ例１の場合
ＰＤ例１では、モニタＰＤ２０Ａの背面２０ｄに反射膜３０を形成しているので、ＬＤ１０から出射されたモニタ用レーザ光Ｓ１０ｂがモニタＰＤ２０Ａの入射面２０ａに入射されると、これが内部へ透過し（入射光Ｓ１０ｂ−１）、この入射光Ｓ１０ｂ−１の一部が、背面２０ｄの反射膜３０でほぼ全てが反射されて反射光Ｓ１０ｂ−２となり、この反射光Ｓ１０ｂ−２が底面の電極２３で反射され、この反射光Ｓ１０ｂ−３の一部が入射面２０ａで再び反射され、この反射光Ｓ１０ｂ−４が受光部２１に到達して電流に変換される。
【００３７】
このように、反射膜３０により、入射光Ｓ１０ｂ−１のほぼ全てが反射されるので、受光部２１に到達する反射光Ｓ１０ｂ−４の光量が増え、受光部２１で変換されるモニタ電流量が増加する。本発明者による実験結果では、反射膜３０を形成しない実施例１の場合は、入射されるモニタ用レーザ光Ｓ１０ｂの２５％程度の光をモニタ電流に変換できるこを確認したので、本ＰＤ例１のように反射膜３０を形成した場合は、２５％以上の光をモニタ電流に変換することが可能となる。
【００３８】
（２）  ＰＤ例２の場合
ＰＤ例２では、モニタＰＤ２０Ａの背面２０ｄに反射膜３０を形成すると共に、入射面２０ａに反射防止膜３１を形成しているので、ＬＤ１０から出射されたモニタ用レーザ光Ｓ１０ｂがモニタＰＤ２０Ａの入射面２０ａに入射されると、反射防止膜３１により、反射による戻りを防止できると共に、レーザ光Ｓ１０ｂをモニタＰＤ２０Ａ内に効率良く導き入れることができ、入射する光強度が増加する。
【００３９】
なお、反射防止膜３１は、一旦、モニタＰＤ２０Ａ内に透過した光がモニタＰＤ２０Ａ内での反射を繰り返し、再度、入射面２０ａに到達したときに内部反射を減少させる働きがあり、これは受光電流の減少につながる。一方で、入射面２０ａに反射防止膜３１を形成しない場合には、モニタＰＤ２０Ａ内に入射するモニタ用レーザ光Ｓ１０ｂは減少するが、内部反射は増加する。
【００４０】
本発明者の実験結果によれば、反射防止膜３１を形成しない場合は、モニタ用レーザ光Ｓ１０ｂの３０％程度をモニタ電流に変換できることを確認している。これに対し、反射防止膜３１を形成した場合は、モニタ用レーザ光Ｓ１０ｂのうちの３５％程度の光をモニタ電流に変換することができる結果が得られている。
【００４１】
（２）  ＰＤ例３の場合
ＰＤ例３では、モニタＰＤ２０Ａの背面２０ｄに反射膜３０、入射面２０ａに反射防止膜３１、及び両側面２０ｂ,２０ｃに反射膜３０ｂ，３０ｃをそれぞれ形成しているので、モニタＰＤ２０Ａ内に入射された入射光Ｓ１０ｂ−１を反射膜３０，３０ｂ，３０ｃで効率良く反射できるので、内部反射が増加してモニタ用レーザ光Ｓ１０ｂのうちの５０％以上の光をモニタ電流に変換することが可能となる。
【実施例３】
【００４２】
（実施例３の構成）
図９は本発明の実施例３を示すモニタＰＤの模式的な断面図であり、実施例１を示す図１〜図６中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００４３】
本実施例３のモニタＰＤ２０Ｂでは、受光部２１の表面に反射膜３２を形成している。反射膜３２としては、例えば、Au等の金属光沢膜や、誘電体反射膜（１／２波長単層誘電体反射膜、１／２波長多層誘電体反射膜）等を使用でき、この反射率は９０％以上である。その他の構成は、実施例１と同様である。
【００４４】
（実施例３の動作）
図１に示すＬＤ１０から出射されたモニタ用レーザ光Ｓ１０ｂがモニタＰＤ２０Ｂの入射面２０ａに入射されると、これが内部へ透過し（入射光Ｓ１０ｂ−１１，Ｓ１０ｂ−２１）、この入射光Ｓ１０ｂ−１１，Ｓ１０ｂ−２１が受光部２１へ入射される。受光部２１へ入射される入射光Ｓ１０ｂ−１１，Ｓ１０ｂ−２１の一部が、図４に示す受光部２１内の吸収層であるn−InGaAs層２６に吸収されずに透過する。図４に示す通常のモニタ用ＰＤ２０は、受光部２１の上面に反射防止膜３１が形成されているので、透過光は自由空間中に放出されるだけで無駄になってしまう。
【００４５】
しかし、本実施例３では、反射防止膜３１上に反射膜３２が形成されているので、受光部２１に吸収されない入射光Ｓ１０ｂ−１１，Ｓ１０ｂ−２１の一部がその反射膜３２で反射されて折り返され、この折り返された反射光Ｓ１０ｂ−１２，Ｓ１０ｂ−２２が、再び受光部２１を通過し、吸収される。これにより、受光部２１での光吸収効率（受光効率）が向上し、レーザ光Ｓ１０ｂを効率良くモニタ電流に変換できる。
【００４６】
（実施例３の効果）
本実施例３によれば、受光部２１上に反射膜３２を形成したので、実施例１とほぼ同様に、受光感度が向上してレーザ光Ｓ１０ｂを効率良くモニタ電流に変換できる。又、本実施例３の反射膜３２を実施例１、２に適用すれば、これらの実施例１、２に比べて、レーザ光Ｓ１０ｂをより効率良くモニタ電流に変換できる。
【００４７】
（変形例）
本発明は、上記実施例１〜３に限定されず、種々の利用形態や変形が可能である。この利用形態や変形例としては、例えば、次の（ａ）、（ｂ）のようなものがある。
【００４８】
（ａ）  ＬＤ１０及びモニタＰＤ２０，２０Ａ，２０Ｂの形状、構造、形成材料等は、図示以外のものに変更しても良い。
【００４９】
（ｂ）  実施例では、通常のＬＤ１０を使用した半導体レーザ装置に本発明を適用した例を説明したが、ＬＤ１０と、このＬＤ１０から出力される信号用レーザ光Ｓ１０ａを変調する電界吸収型変調器とを有するレーザモジュールにも、本発明を適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施例１を示す半導体レーザ装置の概略の側面図である。
【図２】図１の概略の平面図である。
【図３】図１のモニタＰＤを表面から見た模式的な平面図である。
【図４】図１のモニタＰＤの模式的な縦断面図である。
【図５】図１のモニタＰＤにおける光伝送経路を示す断面の模式図である。
【図６】図１のモニタＰＤにおける光伝送経路を示す平面の模式図である。
【図７】本発明の実施例２を示すモニタＰＤ付近の模式的な断面図である。
【図８】図７に示すモニタＰＤ付近の模式的な平面図である。
【図９】本発明の実施例３を示すモニタＰＤの模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１      基板
１０      ＬＤ
１０ａ,１０ｂ      出射面
２０，２０Ａ，２０Ｂ      モニタＰＤ
２０ａ      入射面
２０ｂ，２０ｃ      側面
２０ｄ      背面
２１      受光部
３０，３０ｂ，３０ｃ，３２      反射膜
３１      反射防止膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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