(57)【要約】【課題】精度良く且つ確実に所定の位置でエッチングを停止することができるエッチングマスクを提供する。【解決手段】基板とドライエッチング用複合体を成すエッチングマスクは、基板の上に第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と、第１の特定スペクトル光を発生する物質からなる層と第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層とに挟まれる第１及び第２のいずれの特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一層と、第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層の上に接して第２の特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一層と、を含む複数の層で構成され、第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層は、基板に接し、基板とは異なるスペクトル光を発生する物質からなる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板および該基板上にエッチングマスクが形成されてなるドライエッチング用複合体において、
前記エッチングマスクは、前記基板の上に第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と、
前記第１の特定スペクトル光を発生する物質からなる層と前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層とに挟まれる前記第１及び第２のいずれの特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一つの層と、
更に、前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層の上に接して、前記第２の特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一つの層と、を含む前記基板のエッチング量に対応する複数の層から構成され、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層は、前記基板に接しており、且つ、前記基板とは異なるスペクトル光を発生する物質からなることを特徴とするドライエッチング用複合体。
【請求項２】
基板および該基板上にエッチングマスクが形成されてなるドライエッチング用複合体において、
前記エッチングマスクは、前記基板の上に第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と、
前記第１の特定スペクトル光を発生する物質からなる層と前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層とに挟まれる前記第１及び第２のいずれの特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一つの層と、
前記第２の特定スペクトル光を発生する物質からなる層と前記第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層とに挟まれる前記第２及び第３のいずれの特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一つの層と、
更に、前記第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層の上に接して、前記第３の特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一つの層と、を含む前記基板のエッチング量に対応する複数の層から構成され、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層は、前記基板に接しており、且つ、前記基板とは異なるスペクトル光を発生する物質からなることを特徴とするドライエッチング用複合体。
【請求項３】
前記基板は、Ｓｉ又は石英から構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のドライエッチング用複合体。
【請求項４】
前記エッチングマスクを構成する複数の層は、樹脂、金属、Ｓｉ3Ｎ4、Ｃ及びＳｉから選ばれる物質から構成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のドライエッチング用複合体。
【請求項５】
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層及び前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層は、金属、Ｓｉ3Ｎ4、Ｃ及びＳｉから選ばれる物質から構成されていることを特徴とする請求項１、３又は４に記載のドライエッチング用複合体。
【請求項６】
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層、前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層及び前記第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層は、金属、Ｓｉ3Ｎ4、Ｃ及びＳｉから選ばれる物質から構成されていることを特徴とする請求項２、３又は４に記載のドライエッチング用複合体。
【請求項７】
前記金属が、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ及びＮｉから選ばれることを特徴とする請求項４乃至６の何れか１項に記載のドライエッチング用複合体。
【請求項８】
前記樹脂から構成される層は、感光性ポリイミド層、感光性ドライフィルム層であることを特徴とする請求項４に記載のドライエッチング用複合体。
【請求項９】
請求項１、３、４、５、７又は８項に記載のドライエッチング用複合体を用いたドライエッチング製品の形成方法において、
ドライエッチング開始から前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層がドライエッチングされることにより発生する特定のスペクトル光の検知が完了するまでの時間を計測することによりドライエッチング速度を求める工程と、
前記工程において求められたドライエッチング速度と予め想定したドライエッチング速度を比較する工程と、
前記比較する工程での比較の結果、予め想定したエッチング速度に対して±３０％の範囲を超える場合、±３０％以内のエッチング速度に変更する工程と、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層から特定のスペクトル光の検出が開始された際に、エッチング速度を現在のエッチング速度より遅いエッチング速度に変更してエッチングする工程と、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層の特定のスペクトル光の検出が終了する時点でエッチングを停止する工程と、を有することを特徴とするドライエッチング製品の形成方法。
【請求項１０】
請求項２、３、４、６、７又は８項に記載のドライエッチング用複合体を用いたドライエッチング製品の形成方法において、
ドライエッチング開始から前記第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層がドライエッチングされることにより発生する特定のスペクトル光の検知が完了するまでの時間を計測することによりドライエッチング速度を求める工程と、
前記工程において求められたドライエッチング速度と予め想定したドライエッチング速度を比較する工程と、
前記比較する工程での比較の結果、予め想定したエッチング速度に対して±３０％の範囲を超える場合、±３０％以内のエッチング速度に変更する工程と、
前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層から特定のスペクトル光の検出が開始された際に、エッチング速度を現在のエッチング速度より遅いエッチング速度に変更してエッチングする工程と、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層から特定のスペクトル光の検出が開始された際に、エッチングガスの変更を行いエッチングする工程と、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層から特定のスペクトル光の検出が終了する時点でエッチングを停止する工程と、を有することを特徴とするドライエッチング製品の形成方法。
【請求項１１】
請求項２、３、４、６、７又は８項に記載のドライエッチング用複合体を用いたドライエッチング製品の形成方法において、
ドライエッチング開始から前記第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層がドライエッチングされることにより発生する特定のスペクトル光の検知が完了するまでの時間を計測することによりドライエッチング速度を求める工程と、
前記工程において求められたドライエッチング速度と予め想定したドライエッチング速度を比較する工程と、
前記比較する工程での比較の結果、予め想定したエッチング速度に対して±３０％の範囲を超える場合、±３０％以内のエッチング速度に変更する工程と、
前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層から特定のスペクトル光の検出が開始された際に、エッチングガスの変更を行いエッチングする工程と、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層から特定のスペクトル光の検出が開始された際に、エッチング速度を現在のエッチング速度より遅いエッチング速度に変更してエッチングする工程と、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層の特定のスペクトル光の検出が終了する時点でエッチングを停止する工程と、を有することを特徴とするドライエッチング製品の形成方法。
【請求項１２】
前記現在のエッチング速度より遅い速度は、現在のエッチング速度の１０％から５０％の範囲であることを特徴とする請求項９、１０又は１１のドライエッチング製品の形成方法。
【請求項１３】
貫通孔を有する基板からなり、
前記貫通孔は、前記基板の一方の面に開口する大径部と、前記基板の他方の面に開口し前記大径部の断面より小さな断面を有する小径部とからなり、
前記貫通孔の前記小径部の開口を液滴吐出孔とする液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法において、
前記基板に前記小径部を形成する工程と、
前記基板にドライエッチングにて前記大径部を形成する工程と、を有し、
前記大径部を形成する工程は、請求項９乃至１２の何れか一項に記載のドライエッチング製品の形成方法を用いることを特徴とする液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライエッチング用複合体、ドライエッチング製品の形成方法及び液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ドライエッチング処理時にプラズマ中の特定のスペクトルを観測し、その特定のスペクトル線の強度（発光量）の増減に基づいてエッチングの終点を検出する方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
上記の方法は、エッチング目的層に、最表層レジストと第２層レジストとを有する多層レジストを設ける。最表層レジストは、エッチング目的層の目的エッチング量に対応した膜厚を有している。また、第２層レジストは、この最表層レジストの下に形成され且つ特定発光スペクトル線の発光強度が最表層レジストとは異なっている。この多層レジストを設けたエッチング目的層を特定のスペクトルの発光強度を測定しながらエッチングを行い、測定された特定のスペクトルの発光強度の変化からエッチングの終点を検出している。
【０００４】
また、ドライエッチングにおける終点の検出を行う際に、特定のスペクトルの発光強度を測定する方法の例としては、例えば、発光分光器を使用する方法が知られている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平６−２３２０９０号公報
【特許文献２】特開平７−２６３５５０号公報（第４頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら特許文献１に記載の方法では、深いエッチングを行う場合、エッチングが所定の速度で成されているのかどうかが終点が検出されるまで分からず、エッチングが速すぎてエッチング面が荒れてしまったり、逆にエッチングが遅すぎて完了するまで長時間を費やしてしまったりするという問題がある。
【０００６】
また、エッチング速度が速すぎて、終点の検出後にエッチング作業の停止を開始しても、エッチング停止が間に合わず、その結果、エッチング停止を精度よく行うことができなくて、長時間費やしたにもかかわらず、所望の形状が得られないという問題がある。
【０００７】
一方、図１０に示すようなノズル１１１を構成する小径部１１４及び大径部１１５を有する液体吐出ヘッド用ノズルプレート１００をドライエッチングを用いて製造する場合、小径部１１４の長さを精度良く製造する必要があることが分かっている。これは、小径部１１４の吐出口１１３の開口の大きさ、形状は液滴の吐出性能に大きな影響を及ぼすが、これらに加えて小径部１１４の長さは、小径部１１４の側壁と吐出する液体との流路抵抗の関係から、液滴の吐出性能に大きく影響するからである。このため、ノズルプレート１００を形成する上で、基板１３０に大径部１１５を所定の深さに形成することは極めて重要である。
【０００８】
例として、厚み１００μｍの石英基板に深さ８７．５μｍの大径部１１５をドライエッチングを用いて形成するには、エッチング速度を例えば１０μｍ／ｈとすると上記の深さより概ね９時間が費やされる。このような長時間に渡ってエッチングを行う場合、エッチング速度は一定ではなく加速する傾向にある。このため、所定のエッチング量を行う、すなわち大径部１１５の深さを所定の値にするためには、使用するエッチング装置、その装置によるエッチング条件を定めた上で、予め実験することによりエッチング時間を求めている。しかしながら、形成する穴が深くエッチング時間が長いことから、エッチング装置等に起因するエッチング速度の変動により予め求めたエッチング時間でもって所定の深さを得ることは難しいのが現状である。
【０００９】
大径部１１５の深さが所定の値にならない場合、小径部１１４を大径部１１５に貫通するように基板１３０に形成するため、基板１３０の厚みを変えない限り小径部１１４の長さを所定の値にすることができない。
【００１０】
本発明は、上記の問題を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、精度良く且つ確実に所定の位置でエッチングを停止することができるドライエッチング用複合体、ドライエッチング製品の形成方法及び液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題は、以下の構成により解決される。
【００１２】
１．  基板および該基板上にエッチングマスクが形成されてなるドライエッチング用複合体において、
前記エッチングマスクは、前記基板の上に第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と、
前記第１の特定スペクトル光を発生する物質からなる層と前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層とに挟まれる前記第１及び第２のいずれの特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一つの層と、
更に、前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層の上に接して、前記第２の特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一つの層と、を含む前記基板のエッチング量に対応する複数の層から構成され、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層は、前記基板に接しており、且つ、前記基板とは異なるスペクトル光を発生する物質からなることを特徴とするドライエッチング用複合体。
【００１３】
２．  基板および該基板上にエッチングマスクが形成されてなるドライエッチング用複合体において、
前記エッチングマスクは、前記基板の上に第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と、
前記第１の特定スペクトル光を発生する物質からなる層と前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層とに挟まれる前記第１及び第２のいずれの特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一つの層と、
前記第２の特定スペクトル光を発生する物質からなる層と前記第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層とに挟まれる前記第２及び第３のいずれの特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一つの層と、
更に、前記第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層の上に接して、前記第３の特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一つの層と、を含む前記基板のエッチング量に対応する複数の層から構成され、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層は、前記基板に接しており、且つ、前記基板とは異なるスペクトル光を発生する物質からなることを特徴とするドライエッチング用複合体。
【００１４】
３．  前記基板は、Ｓｉ又は石英から構成されていることを特徴とする１又は２に記載のドライエッチング用複合体。
【００１５】
４．  前記エッチングマスクを構成する複数の層は、樹脂、金属、Ｓｉ3Ｎ4、Ｃ及びＳｉから選ばれる物質から構成されていることを特徴とする１乃至３の何れか１項に記載のドライエッチング用複合体。
【００１６】
５．  前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層及び前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層は、金属、Ｓｉ3Ｎ4、Ｃ及びＳｉから選ばれる物質から構成されていることを特徴とする１、３又は４に記載のドライエッチング用複合体。
【００１７】
６．  前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層、前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層及び前記第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層は、金属、Ｓｉ3Ｎ4、Ｃ及びＳｉから選ばれる物質から構成されていることを特徴とする２、３又は４に記載のドライエッチング用複合体。
【００１８】
７．  前記金属が、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ及びＮｉから選ばれることを特徴とする４乃至６の何れか１項に記載のドライエッチング用複合体。
【００１９】
８．  前記樹脂から構成される層は、感光性ポリイミド層、感光性ドライフィルム層であることを特徴とする４に記載のドライエッチング用複合体。
【００２０】
９．  １、３、４、５、７又は８項に記載のドライエッチング用複合体を用いたドライエッチング製品の形成方法において、
ドライエッチング開始から前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層がドライエッチングされることにより発生する特定のスペクトル光の検知が完了するまでの時間を計測することによりドライエッチング速度を求める工程と、
前記工程において求められたドライエッチング速度と予め想定したドライエッチング速度を比較する工程と、
前記比較する工程での比較の結果、予め想定したエッチング速度に対して±３０％の範囲を超える場合、±３０％以内のエッチング速度に変更する工程と、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層から特定のスペクトル光の検出が開始された際に、エッチング速度を現在のエッチング速度より遅いエッチング速度に変更してエッチングする工程と、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層の特定のスペクトル光の検出が終了する時点でエッチングを停止する工程と、を有することを特徴とするドライエッチング製品の形成方法。
【００２１】
１０．  ２、３、４、６、７又は８項に記載のドライエッチング用複合体を用いたドライエッチング製品の形成方法において、
ドライエッチング開始から前記第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層がドライエッチングされることにより発生する特定のスペクトル光の検知が完了するまでの時間を計測することによりドライエッチング速度を求める工程と、
前記工程において求められたドライエッチング速度と予め想定したドライエッチング速度を比較する工程と、
前記比較する工程での比較の結果、予め想定したエッチング速度に対して±３０％の範囲を超える場合、±３０％以内のエッチング速度に変更する工程と、
前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層から特定のスペクトル光の検出が開始された際に、エッチング速度を現在のエッチング速度より遅いエッチング速度に変更してエッチングする工程と、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層から特定のスペクトル光の検出が開始された際に、エッチングガスの変更を行いエッチングする工程と、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層から特定のスペクトル光の検出が終了する時点でエッチングを停止する工程と、を有することを特徴とするドライエッチング製品の形成方法。
【００２２】
１１．  ２、３、４、６、７又は８項に記載のドライエッチング用複合体を用いたドライエッチング製品の形成方法において、
ドライエッチング開始から前記第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層がドライエッチングされることにより発生する特定のスペクトル光の検知が完了するまでの時間を計測することによりドライエッチング速度を求める工程と、
前記工程において求められたドライエッチング速度と予め想定したドライエッチング速度を比較する工程と、
前記比較する工程での比較の結果、予め想定したエッチング速度に対して±３０％の範囲を超える場合、±３０％以内のエッチング速度に変更する工程と、
前記第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層から特定のスペクトル光の検出が開始された際に、エッチングガスの変更を行いエッチングする工程と、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層から特定のスペクトル光の検出が開始された際に、エッチング速度を現在のエッチング速度より遅いエッチング速度に変更してエッチングする工程と、
前記第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層の特定のスペクトル光の検出が終了する時点でエッチングを停止する工程と、を有することを特徴とするドライエッチング製品の形成方法。
【００２３】
１２．  前記現在のエッチング速度より遅い速度は、現在のエッチング速度の１０％から５０％の範囲であることを特徴とする９、１０又は１１のドライエッチング製品の形成方法。
【００２４】
１３．  貫通孔を有する基板からなり、
前記貫通孔は、前記基板の一方の面に開口する大径部と、前記基板の他方の面に開口し前記大径部の断面より小さな断面を有する小径部とからなり、
前記貫通孔の前記小径部の開口を液滴吐出孔とする液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法において、
前記基板に前記小径部を形成する工程と、
前記基板にドライエッチングにて前記大径部を形成する工程と、を有し、
前記大径部を形成する工程は、９乃至１２の何れか一項に記載のドライエッチング製品の形成方法を用いることを特徴とする液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、ドライエッチング用複合体であるエッチングマスクを設けた基板をドライエッチングすると、エッチングが終了するエッチング終点までに２つ、または３つの特定のスペクトル光を発生する物質からなる層から発生する特定のスペクトル光を検出することができる。第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層は基板に接している。また、エッチングマスクを構成している各層は、基板のエッチング量に対応している。
【００２６】
よって、基板のエッチングが進む過程で、特定のスペクトル光を検知することで、第１の特定のスペクトル光を発生する層のエッチングが終了するに到る途中で基板のエッチングの位置（深さ）を検知することができる。この検知されたエッチングの位置に基づいて、エッチング速度を測定して場合によってはエッチング速度を想定している速度範囲内に修正したり、エッチング速度をより遅いエッチング速度に変更したり、エッチング面を良好とするためにエッチングガスを変更したりすることができる。
【００２７】
従って、正確且つ確実に所定の位置で基板のエッチングを停止することができるドライエッチング複合体、ドライエッチング製品の形成方法を提供することができる。
【００２８】
また、ドライエッチング製品の形成方法を用いることで、液体吐出ヘッド用ノズルプレートとなる基板に大径部を所定の深さに形成することができる。このため、大径部に貫通する小径部の長さを所定の長さにすることができる。
【００２９】
従って、吐出性能が良好な液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明を図示の実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限らない。
【００３１】
本発明に係わる形態として、インクジェット用記録ヘッドが有する液滴吐出のためのノズルプレートが有するノズルの形成を例にして説明する。
【００３２】
図１は液体吐出ヘッドの例であるインクジェット式記録ヘッド（以下、記録ヘッドと称する。）Ａを構成している、液体吐出ヘッド用ノズルプレート（以下、ノズルプレートと称する。）１、ボディプレート２、圧電素子３を模式的に示している。
【００３３】
ノズルプレート１には、インク吐出のためのノズル１１を複数配列してある。また、ボディプレート２には、ノズルプレート１を貼り合わせることで、圧力室となる圧力室溝２４、インク供給路となるインク供給路溝２３及び共通インク室となる共通インク室溝２２、並びにインク供給口２１が形成されている。
【００３４】
そして、ノズルプレート１のノズル１１とボディプレート２の圧力室溝２４とが一対一で対応するようにノズルプレート１とボディプレート２とを貼り合わせることで流路ユニットＭを形成する。ここで、以後、上記で説明に使用した圧力室溝、供給路溝、共通インク室溝の各符号はそれぞれ圧力室、供給路、共通インク室にも使用する。
【００３５】
ここで、図２は、図１に示す記録ヘッドＡにおけるノズルプレート１のＹ−Ｙ’、及びボディプレート２のＸ−Ｘ’の位置での断面を模式的に示している。図２が示しているように、流路ユニットＭに圧電素子３をインク吐出用アクチュエータとしてボディプレート２のノズルプレート１を接着する面と反対の各圧力室２４の底部２５の面に接着することで、記録ヘッドＡが完成する。この記録ヘッドＡの各圧電素子３に駆動パルス電圧が印加され、圧電素子３から発生する振動が圧力室２４の底部２５に伝えられ、この底部２５の振動により圧力室２４内の圧力を変動させることでノズル１１からインク滴を吐出させる。
【００３６】
図３は、ノズルプレート１が備えている一つのノズル１１の周辺部を示している。ノズル１１は、図３に示す様に、小径部１４と大径部１５とで構成されている。また、液滴を吐出する吐出口１３を有する小径部１４の開口側の面１２には撥液層４５が設けてある。ノズルプレート１の厚み、小径部１４の長さ及び径の大きさ、大径部１５の長さ及び径の大きさは、仕様により異なるが、例えば、ノズルプレート１の厚みが１００μｍ前後、小径部１４は長さ５μｍから３０μｍ前後、径がφ３μｍからφ２０ｍ程度、大径部１５は長さ７０μｍから９５μｍ前後、径がφ５０μｍからφ１００μｍ程度である。
【００３７】
ノズルプレート１の材料としては、ドライエッチングが可能な材料であれば特に限定はなく、加工が容易で加工精度が容易なＳｉ、電界アシスト方式の記録ヘッドに使用する上で有利な絶縁性が高い石英が好ましい。以下、図３に示すノズルプレート１の基材を厚み１００μｍの石英基板３０として、石英基板３０の対向する面に、ドライエッチングを用いて、ノズル１１を構成する大径部１５及び小径部１４をそれぞれ形成することに関して説明する。
【００３８】
まず、大径部１５の形成に関して説明する。大径部１５の形状は、長さ（深さ）を８７．５μｍ、径をφ６０μｍとする。本発明に係わるドライエッチング用複合体及びドライエッチング製品の形成方法を採用することで、大径部１５の深さを所定の値にすることができる。これに関して、図４、図５、図６を用いて以下で説明する。
【００３９】
図４は、大径部１５を形成するために基板３０の上に複数の層から構成されるエッチングマスク形成されているドライエッチング用複合体６０を示している。このエッチングマスク５０は、特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と特定のスペクトルを発生しない層とを含んでいる。より詳しくは、層３２ａ’は特定のスペクトル光を発生する物質からなる層であり、層３２ｂ’及び層３２ｃ’は特定のスペクトル光を発生しない物質からなる層である。層３２ａ’、層３２ｂ’及び層３２ｃ’を一組みと考えて単位層と呼ぶことにすると、エッチングマスク５０は、基板のエッチング量に対応させる都合上、３層からなる単位層を７つ積層して構成されている。この７つの単位層３２−１〜３２−７で構成されるエッチングマスクの様子を図５に示す。
【００４０】
単位層３２−１の層３２ａ’は第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層、単位層３２−２の層３２ａ’は第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層、単位層３２−３の層３２ａ’は第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層に該当する。従って、第１、第２及び第３の特定のスペクトル光を発生する物質は同じである。
【００４１】
同様に、単位層３２−１の層３２ｂ’、層３２ｃ’は第１及び第２の特定のスペクトル光を発生しない物質からなる２つの層、単位層３２−２の層３２ｂ’、層３２ｃ’は第２及び第３の特定のスペクトル光を発生しない物質からなる２つの層、単位層３２−３の層３２ｂ’、層３２ｃ’は第３の特定のスペクトル光を発生しない物質からなる２つの層に該当する。従って、第１及び第２の特定のスペクトル光を発生しない物質からなる２つの層、第２及び第３の特定のスペクトル光を発生しない物質からなる２つの層及び第３の特定のスペクトル光を発生しない物質からなる２つの層は、層の構成及び材料とも同じである。
【００４２】
エッチングマスクを構成する材料は、微細加工が可能でエッチングマスクとして機能するものであれば良い。例えば、樹脂、金属、Ｓｉ3Ｎ4、Ｃ、Ｓｉが好ましい。この中で樹脂は、その特性として金属膜に比較して柔軟性が優れていることより、積層してエッチングマスクを構成する際に、例えば、単位層を構成する一つの層をなす材料として樹脂を取り入れることで積層する層間の応力を緩和することができる。このため、樹脂層は、その積層した各層間の応力によりエッチングマスクが割れたり、石英基板３０が歪んだりすることを抑制することができる。樹脂層を成す材料は、微細加工が可能でエッチングマスクとして機能するものであれば特に限定しないが、感光性ポリイミド（例えば、ＨＤ−８８２０、商品名、ＨＤ  ＭｉｃｒｏＳｙｓｔｅｍｓ製）、ドライフィルムが好ましい。
【００４３】
感光性ポリイミドは、応力が比較的小さい状態で厚膜塗布ができることと直接精度良くパターンニングができることから好ましい。ドライフィルムは、エッチングマスクを厚く積層する際の平坦な層を形成する下地層として効果的であり、エッチングマスクを多層で構成する場合、ドライフィルムを適宜挟むことで厚いエッチングマスクを容易に精度よく構成することができることから好ましい。
【００４４】
特定のスペクトル光を発生する物質からなる層は、エッチング時に特定のスペクトル光を発生し、そのスペクトル光は後述するスペクトル検出器を用いることで容易に検出できる。
【００４５】
特定のスペクトル光を発生する物質からなる層の材料は、被エッチング材である基板を成す材料と異なり、微細加工が可能でエッチングマスクとして機能し、エッチング時にスペクトル光検出器で特定のスペクトル光が検出できるものであれば特に限定しない。こうした材料としては、金属、Ｓｉ3Ｎ4，Ｃ、Ｓｉが好ましい。金属、Ｓｉ3Ｎ4、Ｃ、Ｓｉの様に単元素又は元素の種類が少ない材料からなる層は、スペクトルが樹脂に比較して単純であることから、特定のスペクトル光として検出が容易であるため特定のスペクトル光を発生する物質からなる層の材料として好ましい。
【００４６】
一方、樹脂は、その成分よりスペクトル光が多数発生しスペクトル検出器にてスペクトル光を検出することができるものの各樹脂のスペクトルパターンが複雑であることより、検出したスペクトル光より樹脂を特定することは容易でない。よって、樹脂は特定のスペクトル光を発生する物質からなる層を構成する材料としては好ましいとは言えない。
【００４７】
エッチングマスクは、後述するエッチング速度選択比を考慮して、例で挙げた上記に挙げたエッチングマスクを成す材料を適宜組み合わせて構成する。
【００４８】
図４で示したエッチングマスク５０の場合、特定のスペクトル光を発生する物質からなる層である層３２ａ’をＡｌ層、層３２ｂ’をドライフィルム層、層３２ｃ’を感光性ポリイミド層として単位層を構成する。この単位層を図５に示す様に３２−ｉ（ｉ＝１〜７）として石英基板３０の上に７段重ねてエッチングマスク５０を構成する。
【００４９】
ここで、石英（ＳｉＯ2）と上記のエッチングマスクを成す各層の材料とのエッチング速度選択比は、以下（１）、（２）、（３）としている。エッチング速度選択比は、予め使用する装置、エッチング条件の下で、予め実験等を行い決めるのが、より精度よく石英基板３０のエッチング量を制御する上で好ましい。
（１）感光性ポリイミド：石英＝１：２．５
（２）ドライフィルム：石英＝１：０．５
（３）Ａｌ：石英＝１：１０
感光性ポリイミド層の厚みを２．８μｍ、ドライフィルム層の厚みを５μｍ、Ａｌの厚みを０．３μｍとすると、この３層をエッチングマスクとして石英基板３０をエッチングする場合、全てのエッチングマスクが除去された時点で、石英基板３０は厚み方向に深さ１２．５μｍエッチングされることになる。例えば、（１）感光性ポリイミド：石英＝１：２．５の場合、感光性ポリイミド層が２．８μｍエッチングされると石英は２．８μｍの２．５倍の７μｍエッチングされることになる。この３層を７回積層し、これをエッチングマスクとして、エッチングマスクがすべてなくなる状態までエッチングすると、エッチングされた石英基板の深さは８７．５μｍとなる。
【００５０】
従って、図５の様に単位層３２−１〜単位層３２−７から構成するエッチングマスクを備えた石英基板３０のエッチングを開始し、図６（ａ）のように単位層３２−３の層３２ａ’を後述のスペクトル検出器で検知した時点で、大径部１５となる穴１５ａの深さは、５９．５μｍとなる。更に、図６（ｂ）で示すように、エッチングマスクが全て除去された時点で、形成された大径部１５の深さは８７．５μｍとなる。
【００５１】
感光性ポリイミドとドライフィルムのスペクトル光は、その含有する成分が複雑であるため、両者を識別できないわけではないが容易ではない。一方、Ａｌは単元素であることからスペクトル光は単純であるため、感光性ポリイミドやドライフィルムとのスペクトルの識別は容易である。また、石英基板のスペクトル光とＡｌのスペクトル光が異なるのは勿論である。
【００５２】
従って、ドライエッチング時に発せられるスペクトル光をスペクトル検出器（例えば、ＬＵＸＴＲＯ製エンドポイントコントローラ１０１５型）を用いて検出する場合、エッチングがドライフィルム層からＡｌ層、Ａｌ層から感光性ポリイミド層、Ａｌ層から石英基板に移動したことは容易に判断することができる。
【００５３】
スペクトル検出器は、被エッチング材料及びエッチングガスに起因する、プラズマ発光スペクトルに含まれる光を分析し、エッチング中に、プラズマの状態に影響を及ぼさずに、リアルタイムでプラズマ雰囲気中の各成分を検出することができる。すなわち、プラズマ種によりスペクトルの波長が異なることから、各波長のスペクトルを検出することでプラズマ雰囲気中に存在する粒子種を知ることができる。エッチング開始当初からスペクトル検出器によりスペクトル光を観察することで特定のスペクトル光の発生する物質からなる層からのスペクトル光を容易に特定することができる。なぜなら、エッチングガス、特定のスペクトル光を発生する物質からなる層を含めたエッチングマスクを成す材料及びその構成がエッチング開始前に既知であるからである。
【００５４】
上記で説明した基板の上にエッチングマスクが形成されているドライエッチング用複合体６０をドライエッチングすることに関して説明する。
【００５５】
ドライエッチング用複合体６０をドライエッチングすると、Ａｌのスペクトル光を検出することができる。Ａｌのスペクトル光を検出するまでのエッチングマスクを構成している層の構成、層を成す材料及びその材料のエッチング速度選択比が既知であるため、石英基板３０のエッチングが施された箇所のエッチング量（エッチング深さ）、石英基板３０からエッチング深さを差し引いて残された基板の厚み（エッチング残量）を知ることができる。このエッチング量（またはエッチング残量）を知ることで精度良く且つ確実に所定の位置でエッチングを停止することができる。
【００５６】
エッチング開始から基板側から２番目の第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層に該当する単位層３２−２の層３２ａ’を成すＡｌのスペクトル光の検出完了までの時間を計測することで石英基板を７５μｍ（＝１２．５μｍ×６）エッチングしたエッチング速度を求めることができる。
【００５７】
この求めたエッチング速度を当初想定しているエッチング速度と比較して±３０％を超える場合、例えば、エッチング装置の高周波電力を調整して以降のエッチング速度を当初想定しているエッチング速度の±３０％以内になるように変更する。エッチングが良好な範囲としては、装置等によるエッチング条件の安定性やエッチング速度を見積もったエッチングマスクと実際に行うエッチングマスクの形状差等から当初想定しているエッチング速度の±３０％以内とする。この範囲にエッチング速度の変動を収めておくことで、以降でエッチング速度をより正確に設定することができるためエッチング停止をより正確に行うことができる。
【００５８】
更に、基板に接する第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層に該当する単位層３２−１の層３２ａ’を成すＡｌのスペクトル光を検出した時点でエッチング速度を現在のエッチング速度より遅くなるように変更する。現在のエッチング速度より遅くする範囲としては、停止精度や製造効率の観点より現在のエッチング速度の１０％から５０％の範囲が好ましく、被エッチング材料やエッチング条件によってこの範囲内で適宜決めればよい。
【００５９】
このようにエッチング速度を低下させることで、単位層３２−１の層３２ａ’を成すＡｌのスペクトル光の検出が終了する時点で正確且つ確実に所定の位置で基板のエッチングを停止することができる。従って、所定の深さの大径部１５を得ることができる。
【００６０】
エッチング速度を遅くする具体的な方法としては、上記に挙げたエッチング装置の高周波電力を調整する方法がある。また、エッチング速度を遅くする方法として、遅くできる範囲が広くはないが、以下で説明するエッチングガスを変更する方法もある。
【００６１】
また、上記とは別の大径部の形成方法として、以下がある。エッチング開始から基板側から３番目の第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層に該当する単位層３２−３の層３２ａ’を成すＡｌのスペクトル光の検出が完了までの時間を計測してエッチング速度を求める。次に、この求めたエッチング速度が上記と同様に当初想定しているエッチング速度の±３０％を超える場合、当初想定しているエッチング速度の±３０％以内になるようにエッチング速度を変更する。更に、基板側から２番目の第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層に該当する単位層３２−２の層３２ａ’を成すＡｌのスペクトル光を検出した時点でエッチング速度を現在のエッチング速度より遅くしてエッチングし、第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層に該当する単位層３２−１の層３２ａ’を成すＡｌのスペクトル光を検出した時点でエッチングガスを変更してエッチングする。又は、単位層３２−２の層３２ａ’を成すのＡｌのスペクトル光を検出した時点でエッチングガスを変更してエッチングし、基板に接する単位層３２−１の層３２ａ’を成すＡｌのスペクトル光を検出した時点でエッチング速度を現在のエッチング速度より遅くしてエッチングする。現在のエッチング速度より遅くする範囲としては、停止精度や製造効率の観点より現在のエッチング速度の１０％から５０％の範囲が好ましく、被エッチング材料やエッチング条件によってこの範囲内で適宜決めればよい。
【００６２】
これまでにエッチング速度を十分に低下させているため単位層３２−１の層３２ａ’を成すＡｌのスペクトル光の検出が終了する時点で正確且つ確実に所定の位置で基板のエッチングを停止することができる。従って、所定の深さの大径部を得ることができる。また、エッチングガスを変更しているため、大径部の底周辺の面は滑らかな状態にすることができ、流路抵抗を小さくすることができる。
【００６３】
ここで、エッチングガスの変更とは、エッチングを促進するガスを含む混合ガスからこのエッチングを促進するガスが少ない又は無いガスにする、または、エッチングを行うガスを不活性ガスで希釈することを示している。具体的に、前者の例では石英基板をエッチングする場合、ＣＨＦ3とＣＦ4との混合ガスからＣＦ4ガスに変更する。当初のＣＨＦ3とＣＦ4との混合比は、得られるエッチング速度とエッチング面の滑らかさのバランスから８：２から９：１の範囲が好ましい。また、後者の例では、Ｓｉ基板の場合、ＳＦ6から希釈ガスとしてＡｒを加えたＡｒとＳＦ6との混合ガスに変更することが挙げられる。このように、エッチングガスを変更すると、以降のエッチング面を滑らかにすることができる。また、エッチングガスを変更すると、エッチング速度が３０％から５０％程度に低下する。従って、エッチングガスの変更は、エッチング停止を精度良く行うためのエッチング速度を低下させる方法とすることもできる。
【００６４】
上記のエッチングマスクを構成する各層の材料を石英基板に積層してパターニングしてエッチングマスクとする方法は、特に限定することはなく、公知の方法でよい。具体的には、例えば、上記の感光性ポリイミド層／ドライフィルム層／Ａｌ層の場合、図７に沿って以下に説明する。
（１）石英基板３０の上に、スパッタリングにより所定の厚みのＡｌ膜である層３２ａを設ける（図７（ａ））。次に、公知のフォトリソグラフィ−処理及びエッチング処理にてパターニングを行いＡｌパターン膜である層３２ａ’を形成する（図７（ｂ））。
（２）層３２ａ’の上に所定の厚みのドライフィルムである層３２ｂを貼り付けて全面露光して現像を行う（図７（ｃ））。
（３）層３２ｂの上に所定の厚みの感光性ポリイミドの前駆体溶液をスピンコート法等を用いて塗布し（図７（ｄ））、公知のフォトリソグラフィ−処理及びエッチング処理にてパターニングを行い、感光性ポリイミドパターン膜である層３２ｃ’を形成する（図７（ｅ））。
（４）水酸化ナトリウム水溶液に上記までの処理を行った石英基板を浸漬し感光性ポリイミドパターン膜である層３２ｃ’の開口部の領域の層３２ｂを除去しドライエッチングフィルムパターンである層３２ｂ’を形成する（図７（ｆ））。この（１）から（４）の作業を７回繰り返すことでエッチングマスクを完成することができる。
【００６５】
次に小径部１４を形成することに関して説明する。小径部１４は、大径部１５を形成してある石英基板３０の反対面より公知のエッチング方法でエッチングすることで形成できる。既に所定の深さの大径部１５が形成してあるため、小径部１４は、大径部１５の径に同心となる位置に開口を備えた、例えば、Ａｌ等からなるエッチングマスクを用いて貫通するまでエッチングするだけでよい。具体的には、例えば、以下のようにすることができる。
【００６６】
図８（ａ）に示す大径部１５が形成された石英基板３０において、小径部１４が形成される側のＡｌ膜３１の面にフォトレジスト４４を塗布（図８（ｂ））後、小径部１４を形成するためのフォトレジストパターン４４ａを形成する（図８（ｃ））。フォトレジストパターン４４ａをエッチングマスクとして、Ａｌ膜パターン３１ａを形成し（図８（ｄ））、これをエッチングマスクとする。フォトレジストパターン４４ａを除去後（図８（ｅ））、ドライエッチングにより小径部１４を大径部１５に貫通するまで形成する（図８（ｆ））。この後、Ａｌ膜パターン３１ａを除去する（図８（ｇ））。
【００６７】
この例では、大径部１５を前に形成し小径部１４を後で形成しているが、逆の順に形成しても良い。逆の順に形成する場合、大径部１５を形成することになる深さの位置を超え、大径部１５を所定の深さに形成すると問題なく貫通する深さまで小径部１４を形成しておく。こうすることにより所定の長さを有する小径部１４を得ることができる。
【００６８】
撥液層４５に関して説明する。図１に示すノズルプレート１の吐出口１３が存在する面に撥液層４５を設けるのが好ましい。撥液層４５を設けることで、吐出口１３から液体が吐出面１２に馴染むことでの染み出しや広がりを抑制することができる。具体的には、例えば液体が水性であれば撥水性を有する材料が用いられ、液体が油性であれば撥油性を有する材料が用いられるが、一般に、ＦＥＰ（四フッ化エチレン、六フッ化プロピレン）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）、フッ素シロキサン、フルオロアルキルシラン、アモルファスパーフルオロ樹脂等のフッ素樹脂等が用いられることが多く、塗布や蒸着等の方法で吐出面１２に成膜されている。膜厚の厚みは、特に限定されるものではないが、概ね０．１μｍから３μｍとするのが好ましい。
【００６９】
なお、撥液層４５は、ノズルプレート１の吐出面１２に直接成膜してもよいし、撥液層４５の密着性を向上させるために中間層を介して成膜することも可能である。
【００７０】
本実施の形態では、エッチングマスクを構成する複数の層の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層、特定のスペクトル光を発生しない物質からなる層を同じとした例を示したが、これに限定される必要はない。例えば、第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層、第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層、第３の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層を特定のスペクトル光を発生する物質が異なる構成とすることができる。また、例えば、第１及び第２のいずれの特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一つの層や第２及び第３のいずれの特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一つの層において、層数や特定のスペクトル光を発生しない物質が異なる構成とすることもできる。
【実施例】
【００７１】
（実施例１）
厚みが１００μｍの４インチ石英基板を使用してφ６０μｍで深さ８７．５μｍの大径部を形成し、次にφ１０μｍの小径部が大径部と同心となる様に貫通（深さ１２．５μｍ）させることで形成するノズルを備えた図１に示すノズルプレート１を作製した。
【００７２】
（大径部の形成）
図７（ａ）に示す様に、厚み１００μｍの石英基板３０の片面にＡｌ膜の層３２ａをスパッタリングにより成膜する。層３２ａの厚みは０．３μｍとした。これにフォトリソグラフィ−処理及びエッチング処理にてφ６０μｍの穴を設けるためのパターニングを行いＡｌパターン膜である層３２ａ’を形成した（図７（ｂ））。
【００７３】
次に、層３２ａ’の上に、厚み５μｍのドライフィルムを貼り付けて層３２ｂとした。その後全面露光して現像を行った（図７（ｃ））。
【００７４】
次に、層３２ｂの上に感光性ポリイミドＨＤ−８８２０（商品名）をスピンコートし感光性ポリイミド膜を形成し層３２ｃとした（図７（ｄ））。ベーキング後、Ａｌパターン膜である層３２ａ’を形成した同じフォトマスクを使用して、フォトリソグラフィ−処理及びエッチング処理を層３２ｃに行って、感光性ポリイミドパターン膜である層３２ｃ’を形成した（図７（ｅ））。感光性ポリイミドの膜厚は２．８μｍとした。
【００７５】
次に、これまで形成した３層を備えた石英基板３０を３質量％の水酸化ナトリウム水溶液に浸漬して感光性ポリイミド開口部のドライフィルム部分を除去しドライフィルムパターンである層３２ｂ’を形成した（図７（ｆ））。これでエッチングマスクを構成する単位層３２−１が完成した。この様子を図９（ａ）に示す。
【００７６】
この後、単位層３２−１の上に上記のＡｌ膜の層３２ａの形成からドライフィルム部分の除去までを繰り返して単位層３２−２を形成する（図９（ｂ））。以降層３２ａの形成からドライフィルム部分の除去までを更に５回繰り返し、図９（ｃ）に示す様に石英基板３０の上にエッチングマスクとし単位層３２−１から単位層３２−７を形成した。
【００７７】
こうしたエッチングマスクの形成に先立ち、予め感光性ポリイミド、ドライフィルム、Ａｌの石英に対するエッチング速度選択比を本実施例のエッチングを行うエッチング装置と同じ装置で求めている。これらの値は、以下の通りであった。
（１）感光性ポリイミド（ＨＤ−８８２０）：石英＝１：２．５
（２）ドライフィルム：石英＝１：０．５
（３）Ａｌ：石英＝１：１０
これらのエッチング速度選択比から石英基板３０上に設けた各感光性ポリイミド層、ドライフィルム層、Ａｌ層の厚み、及びこれら３層とする単位層の繰り返し回数を決めている。従って、石英基板３０に接している単位層３２−１の最下層であるＡｌパターン膜の層３２ａ’がエッチングにて取り去られた時点で、大径部１５を所定の深さ８７．５μｍとすることができる。
【００７８】
エッチング装置は、１０ＮＬ（（株）サムコインターナショナル研究所製）、エッチングマスクからのスペクトルを検出するスペクトル検出器（以降、モニターと称する。）はエンドポイントコントローラ１０１５型（ＬＵＸＴＲＯＮ製）を用いた。
【００７９】
当初のエッチング条件は、高周波電力を３００Ｗ、エッチングガス圧力を１０．６６Ｐａ、エッチングガスはＣＨＦ3を９０体積％、ＣＦ4を１０体積％の混合ガスとした。
【００８０】
エッチングを開始した後、モニターによりエッチング開始から単位層３２−３の層３２ａ’のＡｌが発するスペクトル光の検出が完了する時点での時間を測定しエッチング速度を求め、当初想定していたエッチング速度と比較したところ、その差は１０％以内であったため、エッチング速度の変更は行わなかった。単位層３２−３の層３２ａ’のＡｌが発する特定のスペクトル光の検出が終了した時点でのエッチングマスクと石英基板との状態を図９（ｄ）に示す。エッチングマスクは単位層３２−１、単位層３２−２が残り、大径部となる穴１５ａの深さは、６２．５μｍとなっていると推測できる。
【００８１】
モニターにより単位層３２−２の層３２ａ’のＡｌが発する特定のスペクトル光を検出した時点で、高周波電力を１５０Ｗにしてエッチング速度を約５０％遅くした。この後、モニターにより単位層３２−１の層３２ａ’のＡｌが発する特定のスペクトル光を検出した時点で、エッチングガスのＣＦ4の供給を停止し、ＣＨＦ3を１００％とした。モニターでＡｌが発する特定のスペクトル光が検出されなくなった時点でエッチングを停止した。これで大径部１５が完成した（図９（ｅ））。
【００８２】
ここで、単位層３２−２の層３２ａ’であるＡｌの特定のスペクトル光の検出が継続す時間と単位層３２−１の層３２ａ’であるＡｌの特定のスペクトル光の検出が継続す時間とを比較したところ前者が後者に対して約２．５倍長かった。よって、エッチングガスを変更したことで、ガスの変更前と比較して約４０％エッチング速度が低下していると推測される。
【００８３】
尚、上記に高周波電力の可変範囲（１００Ｗ〜３００Ｗ）及びエッチングガスの変更（ＣＨＦ3を９０体積％、ＣＦ4を１０体積％からＣＨＦ3を１００体積％）においてのエッチング速度選択比はほぼ同じであることを予め確認している。
【００８４】
（小径部の形成）
φ１０μｍの小径部１４が大径部１５と同心になるように大径部１５を加工した面と反対面にフォトリソグラフィ−処理によりパターンニングしたエッチングマスクを形成して、貫通するまで（１２．５μｍ以上）ドライエッチングを行った。図８に沿って具体的に説明する。
（１）大径部１５が形成された石英基板３０において、エッチングマスクとなる厚み１．４μｍのＡｌ膜３１を設け（図８（ａ））、Ａｌ膜３１の面上にフォトレジスト４４を塗布（図８（ｂ））した。
（２）マスクアライナーを用いて形成する小径部１４が大径部１５と同心位置となるようにフォトマスクを位置を調整しフォトリソグラフィ−処理してフォトレジストパターン４４ａを形成した（図８（ｃ））。
（３）フォトレジストパターン４４ａをエッチングマスクとして、Ａｌ膜パターン３１ａを形成し（図８（ｄ））、これをエッチングマスクとした。
（４）フォトレジストパターン４４ａを除去後（図８（ｅ））、ドライエッチングにより小径部１４を大径部１５に貫通するまで形成する（図８（ｆ））。ドライエッチングの条件は、実施例１の当初の条件と同じとした。石英のエッチング速度は、予め３０分間エッチングを行ってその深さを測定した結果より求めた。求めたエッチング速度は１０μｍ／ｈであった。これより、小径部１４となる穴が十分貫通するように８０分間エッチングを行った。この後、残ったＡｌ膜パターン３１ａを除去した（図８（ｇ））。
【００８５】
小径部１４の形成時のエッチングは、貫通穴を形成すれば良いので、本発明のエッチングマスク及びエッチング方法を用いることなく従来の時間制御とした。
【００８６】
上記の方法で形成した大径部１５の穴の深さをレーザー走査顕微鏡を用いて測定したところ、想定した深さの３％以内に収まっており、また大径部１５の底から高さ約３μｍの範囲の内周面が滑らかであることが確認できた。
【００８７】
（比較例１）
実施例１と同じ石英基板に同じ形状の大径部を形成するためのエッチングマスクとなる膜として膜厚９μｍのＡｌ膜を設けた。このＡｌ膜に、フォトリソグラフィ−処理によりパターニングしてエッチングマスクとした。
【００８８】
次に、実施例１の当初と同じエッチング条件にてドライエッチングを行った。エッチング速度は実施例１で求めた１０μｍ／ｈとした。このエッチング速度により、８時間４５分エッチング加工を行った。この結果、大径部の深さをレーザー走査顕微鏡を用いて測ったところ８７．５μｍ近傍とはならず、９５μｍとオーバーエッチング状態となっており所定の深さの大径部１５とすることができなかった。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】インクジェット式記録ヘッドの例を示す図である。
【図２】インクジェット式記録ヘッドの断面を示す図である。
【図３】ノズルプレートの吐出口周辺の例を示す図である。
【図４】石英基板の上に複数の層を積層して構成するエッチングマスクを模式的に示す図である。
【図５】石英基板の上に複数の層を積層して構成するエッチングマスクを模式的に示す図である。
【図６】積層したエッチングマスクを用いて石英基板をエッチングする様子を説明する図である。
【図７】積層する３層（単位層）を形成する様子を示す図である。
【図８】小径部を形成する工程を説明する図である。
【図９】積層したエッチングマスクを用いて大径部を形成する工程を説明する図である。
【図１０】ノズルプレートの吐出口周辺の例を示す図である。
【符号の説明】
【００９０】
１、１００  ノズルプレート
２  ボディプレート
３  圧電素子
１１、１１１  ノズル
１２  吐出面
１３、１１３  吐出口
１４、１１４  小径部
１５、１１５  大径部
２１  インク供給口
２２  共通インク室（溝）
２３  インク供給路（溝）
２４  圧力室（溝）
３０  石英基板
３１  Ａｌ膜
３１ａ  Ａｌパターン膜
３２−１〜３２−７  単位層
３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ａ’、３２ｂ’、３２ｃ’  層
４４  フォトレジスト
４４ａ  フォトレジストパターン
４５  撥液層
Ａ  インクジェット式記録ヘッド
【図１】
2008208444.tif 000003
【図２】
2008208444.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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