(57)【要約】【課題】マスク開口部が形成されたチップが支持基板上に接合された蒸着用マスクを用いる場合に成膜コストを低減することのできる蒸着用マスクの製造方法、およびかかる製造方法の実施に適した蒸着用マスクを提供すること。【解決手段】蒸着用マスク１０は、ベース基板をなす矩形の支持基板３０に、複数のチップ２０を複数、取り付けた構成を有しており、チップ側接合面２８に凹凸２８ａが形成されている。このため、ウエットプロセスに晒された蒸着用マスク１０であっても、接着剤で接合されていない領域でチップ２０と支持基板３０とが強固に貼り付くという事態が発生しない。このため、チップ２０を支持基板３０から容易に剥がして支持基板３０を回収し、回収した支持基板３０を用いて再度、蒸着用マスク１０を製造することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク開口部が形成されたチップと、該チップが接合された支持基板とを有する蒸着マスクの製造方法において、
前記チップにおける前記支持基板との接合面、および前記支持基板における前記チップとの接合面のうちの少なくとも一方に凹凸を形成しておき、
前記支持基板に前記チップを接合した後、
前記チップに不具合を発見したときに前記チップを前記支持基板から除去するチップ除去工程を行い、
該チップ除去工程で前記チップが除去された支持基板に対して別のチップを固定することを特徴とする蒸着用マスクの製造方法。
【請求項２】
前記支持基板に前記チップを接合するにあたっては、前記チップと前記支持基板とが重なる領域のうちの一部に塗布された接着剤により接着することを特徴とする請求項１に記載の蒸着用マスクの製造方法。
【請求項３】
前記接合面に前記凹凸を形成するにあたっては、当該接合面にエッチングマスクを形成した状態でエッチングを行なうことを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着用マスクの製造方法。
【請求項４】
マスク開口部が形成されたチップと、該チップが接合された支持基板とを有する蒸着マスクにおいて、
前記チップにおける前記支持基板との接合面、および前記支持基板における前記チップとの接合面のうちの少なくとも一方に凹凸が形成されていることを特徴とする蒸着用マスク。
【請求項５】
前記チップと前記支持基板とは、前記チップと前記支持基板とが重なる領域のうちの一部で接着剤により接合されていることを特徴とする請求項４に記載の蒸着用マスク。
【請求項６】
前記凹凸は、前記チップおよび前記支持基板に形成されたアライメントマークと重なる領域を避けて形成されていることを特徴とする請求項４または５に記載の蒸着用マスク。
【請求項７】
前記チップは、単結晶シリコン基板に前記マスク開口部が形成されてなることを特徴とする請求項４乃至６の何れか一項に記載の蒸着用マスク。
【請求項８】
前記凹凸は、少なくとも前記チップ側に形成されているとともに、
当該チップにおいて、前記凹凸は溝状凹部により形成されていることを特徴とする請求項４乃至７の何れか一項に記載の蒸着用マスク。
【請求項９】
前記凹凸は、少なくとも前記支持基板側に形成されているとともに、
当該支持基板において、前記凹凸は半球状凹部により形成されていることを特徴とする請求項４乃至８の何れか一項に記載の蒸着用マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク開口部が形成されたチップが支持基板上に接合された蒸着用マスクの製造方法および当該蒸着用マスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体装置や電気光学装置の製造工程では、成膜パターンに対応するマスク開口部を備えた蒸着用マスクを被処理基板に重ね、この状態で真空蒸着法、スパッタ成膜、イオンプレーティングなどの蒸着を行うことがある。例えば、電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）装置の製造工程において、発光素子用の有機ＥＬ材料（有機機能層）を所定形状に形成する際にフォトリソグラフィ技術を利用すると、パターニング用のレジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に有機機能材料が水分や酸素に触れて劣化するおそれがあるため、レジストマスクを必要としないマスク蒸着法を用いて有機機能層を形成することが提案されている。
【０００３】
このような蒸着用マスクとしては、例えば、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板にウエットエッチングにより長穴形状のマスク開口部２２′を複数、形成したチップ２０′を支持基板３０′上に接着剤などにより接合したものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−２７６４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、支持基板３０′は、成膜精度の面から平面度の高いことが求められることから高価であるにもかかわらず、チップ２０′に不具合が発生した場合には、従来、支持基板３０′も含めて蒸着用マスク１０′全体が廃棄されており、成膜コストを増大させる原因となっている。
【０００５】
ここに、本願発明者は、チップ２０′に不具合が発生したときには、接着剤を除去して支持基板３０′を回収し、回収した支持基板３０′を用いて再度、蒸着用マスク３０′を製造することにより、成膜コストを低減することを提案するものである。
【０００６】
しかしながら、従来の蒸着用マスク３０′では、接着剤を除去しても、チップ２０′が支持基板３０′に強固に貼り付いて剥がせないという事態が発生する。本願発明者は、かかる原因を追求した結果、従来は、チップ２０′および支持基板３０′の表面が平滑面であるので、蒸着用マスク１０′に洗浄、乾燥工程などのウエットプロセスを施すと、接着剤で接合されていない領域でもチップ２０′と支持基板３０′とが強固に貼り付いてしまうためという知見を得た。その結果、接着剤を除去できず、たとえ接着剤を除去できても、チップ２０′と支持基板３０′とが強固に貼り付いているため、チップ２０′を支持基板３０′から剥がせないのである。なお、上記のウエットプロセスとしては、蒸着用マスク１０′を製造後の洗浄、乾燥工程や、蒸着に用いた蒸着用マスク１０′に付着した膜を除去するための洗浄、乾燥工程である。
【０００７】
以上の問題点および知見に基づいて、本発明の課題は、マスク開口部が形成されたチップが支持基板上に接合された蒸着用マスクを用いる場合に成膜コストを低減することのできる蒸着用マスクの製造方法、およびかかる製造方法の実施に適した蒸着用マスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明では、マスク開口部が形成されたチップと、該チップが接合された支持基板とを有する蒸着マスクの製造方法において、前記チップにおける前記支持基板との接合面、および前記支持基板における前記チップとの接合面のうちの少なくとも一方に凹凸を形成しておき、前記支持基板に前記チップを接合した後、前記チップに不具合を発見したときに前記チップを前記支持基板から除去するチップ除去工程を行い、該チップ除去工程で前記チップが除去された支持基板に対して別のチップを固定することを特徴とする。
【０００９】
本発明において、「蒸着」とは、真空蒸着に限らず、スパッタ成膜やイオンプレーティングなど、成膜材料の原子や分子が蒸着粒子流として供給される気相成膜法全般を含む意味である。
【００１０】
本発明では、チップ側の接合面、および支持基板側の接合面のうちの少なくとも一方に凹凸が形成されているため、ウエットプロセスに晒された蒸着用マスクであっても、接着剤で接合されていない領域でチップと支持基板とが強固に貼り付くという事態が発生しない。このため、チップに不具合が発生した際、接着剤を容易に除去できるとともに、接着剤を除去すれば、チップを支持基板から容易に剥がすことができる。従って、支持基板を回収し、回収した支持基板を用いて再度、蒸着用マスクを製造することにより、成膜コストを低減することができる。
【００１１】
本発明において、前記支持基板に前記チップを接合するにあたっては、前記チップと前記支持基板とが重なる領域のうちの一部に塗布された接着剤により接着することが好ましい。このように構成すると、チップを支持基板から容易に剥がすことができる。
【００１２】
本発明において、前記接合面に前記凹凸を形成するにあたっては、当該接合面にエッチングマスクを形成した状態でエッチングを行なうことが好ましい。
【００１３】
次に、上記課題を解決するために、本発明では、マスク開口部が形成されたチップと、該チップが接合された支持基板とを有する蒸着マスクにおいて、前記チップにおける前記支持基板との接合面、および前記支持基板における前記チップとの接合面のうちの少なくとも一方に凹凸が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明において、前記チップと前記支持基板とは、前記チップと前記支持基板とが重なる領域のうちの一部で接着剤により接合されていることが好ましい。
【００１５】
本発明において、前記凹凸は、前記チップおよび前記支持基板に形成されたアライメントマークと重なる領域を避けて形成されていることが好ましい。アライメントマークと重なる位置にも凹凸が付されていると、アライメントマークの視認性が低下するが、アライメントマークと重なる位置を避けた位置に凹凸を形成した場合には、かかる視認性の低下を回避することができる。
【００１６】
本発明において、前記チップは、単結晶シリコン基板に前記マスク開口部が形成されてなることが好ましい。このように構成すると、単結晶シリコン基板に対する結晶選択性エッチングによりマスク開口部を形成することができる。
【００１７】
本発明において、前記凹凸が、少なくとも前記チップ側に形成されている場合、当該チップにおいて、前記凹凸は溝状凹部により形成されていることが好ましい。溝状凹部を形成する場合には、狭い隙間を介してエッチングマスクを形成した状態でエッチングするが、その際、エッチング深さは、エッチングマスクの開口部の幅により規定され、浅い溝状凹部となる。従って、単結晶シリコン基板に結晶選択性エッチングによりマスク開口部を形成する場合、マスク開口部については貫通穴とする必要があるので、比較的深くエッチングすることになるが、凹凸を溝状凹部として形成するのであれば、溝状凹部とマスク開口部とを同時に形成することができる。
【００１８】
本発明において、前記凹凸は、少なくとも前記支持基板側に形成されている場合、当該支持基板において、前記凹凸は半球状凹部により形成されている構成を採用することができる。このような半球状凹部も、支持基板の穴形状のエッチングマスクを形成した状態で支持基板をエッチングすることにより形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、図面を参照して、本発明を適用した蒸着用マスクの製造方法、および蒸着マスクについて説明する。なお、以下の説明では、各実施の形態で共通の構成を説明した後、各実施の形態の特徴部分を説明する。以下の説明に用いる各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。また、以下の実施の形態では、本発明の蒸着用マスクおよびマスク蒸着法が使用される対象として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置を例示する。
【００２０】
［共通構成］
（有機ＥＬ装置の構成例）
図１は、本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図である。図１に示す有機ＥＬ装置１は、表示装置やプリンタの光学ヘッドなどとして用いられるものであり、素子基板２上では、感光性樹脂からなる隔壁９で囲まれた複数の領域に画素３が構成されている。複数の画素３は各々、有機ＥＬ素子３ａを備えており、有機ＥＬ素子３ａは、陽極として機能するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる画素電極４と、この画素電極４からの正孔を注入／輸送する正孔注入輸送層５と、有機ＥＬ材料からなる発光層６と、電子を注入／輸送する電子注入輸送層７と、アルミニウムやアルミニウム合金からなる陰極８とを備えている。陰極８の側には、有機ＥＬ素子３ａが水分や酸素により劣化するのを防止するための封止層や封止部材（図示せず）が配置されている。素子基板２上には、画素電極４に電気的に接続された駆動用トランジスタ２ａなどを含む回路部２ｂが有機ＥＬ素子３ａの下層側に形成されている。
【００２１】
有機ＥＬ装置１がボトムエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を画素電極４の側から出射するため、素子基板２の基体としては、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）などの透明基板が用いられる。その際、陰極８を光反射膜によって構成すれば、発光層６で発光した光を陰極８で反射して透明基板の側から出射することができる。
【００２２】
これに対して、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射するため、素子基板２の基体は透明である必要はない。但し、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合でも、素子基板２に対して光出射側とは反対側の面に反射層（図示せず）を配置して、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射する場合には、素子基板２の基体として透明基板を用いること必要がある。なお、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合において、素子基板２の基体と発光層６との間、例えば、画素電極４の下層側などに反射層を形成して、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射する場合には、素子基板２の基体は透明である必要はない。
【００２３】
有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合、陰極８が薄く形成される。このため、陰極８の電気抵抗の増大を補うことを目的に、隔壁９の上面にアルミニウムやアルミニウム合金からなる補助配線８ａが形成されることもある。
【００２４】
有機ＥＬ装置１がカラー表示装置として用いられる場合、複数の画素３は各々、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するサブ画素として構成される。その場合、有機ＥＬ素子３ａにおいて、発光層６は、例えば、各色に対応する光を出射可能な発光材料により形成される。また、単独の発光材料からなる発光層６によって、ＲＧＢ各色の特性を得るのは難しいことが多いので、ホスト材料に蛍光色素をドーピングした発光層６を形成し、蛍光色素からのルミネッセンスを発光色として取り出すこともある。このようなホスト材料とドーパント材料の組み合わせとしては、例えば、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとクマリン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とスチリルアミン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とナフタセン誘導体との組み合わせ、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとジシアノピラン誘導体との組み合わせ、ナフタセン誘導体とジインデノペリレンとの組み合わせなどがある。
【００２５】
（有機ＥＬ装置１の製造方法）
素子基板２を形成するにあたっては、単品サイズの基板に以下の工程を施す方法の他、素子基板２を多数取りできる大型基板に以下の工程を施した後、単品サイズの素子基板２に切断する方法が採用されるが、以下の説明では、サイズを問わず、素子基板２と称して説明する。
【００２６】
有機ＥＬ装置１を製造するには、素子基板２に対して成膜工程、レジストマスクを用いてのパターニング工程などといった半導体プロセスを利用して各層が形成される。但し、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７などは、水分や酸素により劣化しやすいため、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには、電子注入輸送層７の上層に補助配線８ａや陰極８を形成する際、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行うと、レジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７が水分や酸素により劣化してしまう。そこで、本形態では、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには補助配線８ａや陰極８を形成する際には、以下に詳述するマスク蒸着法を利用して、素子基板２に所定形状の薄膜を形成し、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行わない。
【００２７】
（マスク蒸着装置の構成例）
図２は、マスク蒸着装置の構成を模式的に示す概略構成図である。図２に示すように、マスク蒸着装置１００では、蒸着室１１０内の上方位置に、素子基板２（被処理基板）および蒸着用マスク１０を保持する基板ホルダ１１９が配置されている。素子基板２および蒸着用マスク１０は、素子基板２の下面側（被成膜面側）の所定位置に蒸着用マスク１０を重ねた状態で基板ホルダ１１９により保持され、成膜時、矢印Ａで示すように回転させる。蒸着用マスク１０の構成については、図３を参照して後述するが、支持基板３０に対して、複数枚のチップ２０が接合された構造を有し、チップ２０には、素子基板２に対する成膜パターンに対応するマスク開口部２２が形成されている。
【００２８】
蒸着室１１０内の下方位置には、素子基板２に向けて蒸着分子や蒸着原子を供給する蒸着源１２０が配置されており、蒸着源１２０は、蒸着材料を内部に保持する坩堝１２１、坩堝１２１内の蒸着材料を加熱するためのヒータ１２２、および坩堝１２１の上部開口を開閉するシャッタ１２３などを備えている。
【００２９】
［実施の形態１］
（蒸着用マスクの構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る蒸着用マスク全体の構成を示す斜視図、およびそのＢ−Ｂ′断面を模式的に示す説明図である。図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、チップの下面（支持基板と接合される側の面）のうち、図３（ａ）の一点鎖線Ｌで囲んだ領域を拡大して示す平面図、そのＣ−Ｃ′断面を模式的に示す説明図、および図４（ａ）、（ｂ）に示す凹凸を形成するためのエッチングマスクの説明図である。なお、図３（ａ）には、矢印Ｒで示すようにチップを上下反転させた様子も示してある。
【００３０】
図２および図３（ａ）、（ｂ）に示す蒸着用マスク１０は、ベース基板をなす矩形の支持基板３０に、複数のチップ２０を複数、取り付けた構成を有している。本形態では、チップ２０はシリコンからなる。各チップ２０は各々、アライメントされて支持基板３０に紫外線硬化型接着剤などにより接合されている。
【００３１】
蒸着用マスク１０は、例えば、図１に示す補助配線８ａをマスク蒸着法により形成するためのマスクであり、チップ２０には、補助配線８ａの成膜パターンに対応する長孔形状のマスク開口部２２が複数一定間隔で平行に並列した状態で形成されている。このため、チップ２０には、マスク開口部２２の各間には梁部２７が形成されている。
【００３２】
チップ２０において、マスク開口部２２の形成領域の周りには外枠部２５が形成されており、外枠部２５の下面が支持基板３０と接合されるチップ側接合面２８である。また、支持基板３０において、一点鎖線で囲んだ領域がチップ２０と接合される支持基板側接合面３８である。
【００３３】
なお、図１に示す有機ＥＬ装置１において、画素電極４は、画素毎に分離した状態に形成されているが、正孔注入輸送層５、発光層６および電子注入輸送層７が複数の画素３に跨ってストライプ状に形成される場合があり、このような場合には、正孔注入輸送層５、発光層６および電子注入輸送層７も、蒸着用マスク１０と同様、チップ２０において長孔形状のマスク開口部２２が複数一定間隔で平行に並列した構造の蒸着用マスクが用いられる。いずれの場合、蒸着用マスク１０は、例えば、被成膜領域の所定領域に成膜を行った後、蒸着用マスク１０をずらしながら複数回、成膜することにより、被成膜領域全体にわたってストライプ状の薄膜を形成する。また、蒸着用マスク１０を用いて、被成膜領域の所定領域に一括して成膜を行い、被成膜領域全体にわたってストライプ状の薄膜を形成する場合もある。
【００３４】
再び図３（ａ）、（ｂ）において、支持基板３０には、長方形の貫通穴からなる複数の開口領域３２が平行に形成されており、複数のチップ２０は、支持基板３０の開口領域３２を塞ぐように支持基板３０上に固定されている。
【００３５】
支持基板３０の構成材料は、チップ２０の構成材料の熱膨張係数と同一又は近い熱膨張係数を有するものが好ましい。チップ２０はシリコンであるので、シリコンの熱膨張係数と同等の熱膨張係数をもつ材料で支持基板３０を構成する。このようにすることにより、支持基板３０とチップ２０との熱膨張量の違いによる「歪み」や「撓み」の発生を抑えることができる。本形態では、支持基板３０としては、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、石英ガラスなどからなる透明基板が用いられている。
【００３６】
支持基板３０の上面には、開口領域３２の周りにアライメントマーク３４が形成されており、アライメントマーク３４は、チップ２０を支持基板３０に接合する際の位置合わせを行うためのものである。
【００３７】
（チップの詳細構成）
複数のチップ２０の各々において、外枠部２５の上面にはアライメントマーク２３が形成されており、アライメントマーク２３は、蒸着用マスク１０を使用して蒸着などを行うときに、蒸着用マスク１０の位置合わせを行うためのものである。また、複数のチップ２０の各々において、外枠部２５の下面にはアライメントマーク２４が形成されており、アライメントマーク２４は、支持基板３０にチップ２０を固定する際、支持基板３０のアライメントマーク３４と位置合わせされる。これらのアライメントマーク２３、２４は、フォトリソグラフィ技術および結晶異方性エッチングなどにより形成される。
【００３８】
本形態において、チップ２０は、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板２０ａからなり、後述するように、単結晶シリコン基板２０ａにフォトリソグラフィ技術、ウエットエッチング、ドライエッチングなどを用いて、貫通溝からなるマスク開口部２２を形成することにより、製造される。本形態において、マスク開口部２２の長手方向の側面は、面方位（１１１）を有している。チップ２０の裏面には大きな凹部２９が形成されており、マスク開口部２２は、凹部２９の底部で開口している。このため、マスク開口部２２が形成された領域では基板厚が薄く、斜め方向に進行する蒸着粒子もマスク開口部２２を通過しやすくなっている。
【００３９】
このように構成した蒸着マスク１０において、チップ２０は、図３（ａ）に斜線で示した領域Ｍで示す２つの領域に塗布された接着剤により支持基板３０上に接合される。
【００４０】
また、本形態では、支持基板側接合面３８は平滑面であるが、チップ側接合面２８のうち、アライメントマーク２３、２４、３４と重なる領域（チップ２０の四隅部分）を避けた領域には、微細な凹凸２８ａが形成されており、かかる凹凸２８ａの形成領域は、図３（ａ）に点線を付した領域である。
【００４１】
本形態では、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、凹凸２８ａは、断面Ｖ字形状の溝状凹部２８ｂにより形成されている。ここで、溝状凹部２８ｂは、マスク開口部２２と平行な第１の溝２８ｃと、マスク開口部２２の辺が延びている方向と交差する方向に延びた第２の溝２８ｄとを含んでおり、後述するエッチング工程により、マスク開口部２２および凹部２９と同時形成される。
【００４２】
（蒸着用マスクの製造方法）
図５（ａ）〜（ｃ）は、本形態の蒸着用マスクの製造方法を示す工程断面図である。本形態の蒸着用マスク１０を製造するにあたっては、図５（ａ）に示すように、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板２０ａの全面に熱酸化法により酸化膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、酸化膜をパターニングし、マスク開口部２２を形成すべき領域、凹部２９を形成すべき領域、および凹凸２８ａ（溝状凹部２８ｂ／第１の溝２８ｃおよび第２の溝２８ｄ）を形成すべき領域の酸化膜を除去する。
【００４３】
その結果、単結晶シリコン基板２０ａの上面、側面および下面には、マスク開口部２２を形成すべき領域、凹部２９を形成すべき領域、および凹凸２８ａ（溝状凹部２８ｂ／第１の溝２８ｃおよび第２の溝２８ｄ）を形成すべき領域に開口部２０ｃ、２０ｄ、２０ｅを備えたエッチングマスク２０ｂが形成される。ここで、単結晶シリコン基板２０ａの下面のうち、チップ側接合面２８となる領域でのエッチングマスク２０ｂの形成パターンは、図４（ｃ）に示すとおりであり、平行四辺形の島状のエッチングマスク２０ｂが縦横に整列した状態にある。
【００４４】
次に、例えば、温度が８０℃、濃度が３５％の水酸化カリウム水溶液により、エッチングマスク２０ｂの開口部２０ｃ、２０ｄ、２０ｅから単結晶シリコン基板２０ａの上面および下面に対してウエットエッチングを行なう。ここで行なうウエットエッチングは、結晶異方性エッチングであり、開口部２０ｃ、２０ｄ、２０ｅのうち、開口部が広い領域ではエッチングが深く進行し、開口部が狭い領域ではエッチングが浅く進行する。ここで、開口部２０ｃ、２０ｄ、２０ｅの１つ当たりの面積は、以下の関係
開口部２０ｄ＞開口部２０ｃ＞開口部２０ｅ
にあるため、単結晶シリコン基板２０ａの下面には大きくて深い凹部２９が形成される一方、単結晶シリコン基板２０ａには、その上面と凹部２９の上底部で開口する貫通穴からなるマスク開口部２２が形成される。また、単結晶シリコン基板２０ａにおいて、チップ２０の外枠部２５の下面（チップ側接合面２８）には、アライメントマーク２３、２４を避けた領域に、図３（ａ）、（ｂ）および図４（ａ）、（ｂ）を参照して説明した断面Ｖ字形状の溝状凹部２８ｂ（第１の溝２８ｃおよび第２の溝２８ｄ）からなる凹凸２８ａが形成される。
【００４５】
次に、緩衝ふっ酸を用いてエッチングマスク２０ｂを全て除去すると、チップ２０が形成される。しかる後には、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、支持基板３０上の領域Ｍに部分的に塗布した接着剤により、チップ２０を支持基板３０上に接合して蒸着用マスク１０を得る。なお、製造した蒸着用マスク１０については、必要に応じて、イソプロピルアルコールなどの洗浄液で洗浄した後、乾燥させる。
【００４６】
（蒸着用マスクの製造方法／再生方法１）
このようにして製造した蒸着用マスク１０については、検査工程が行なわれ、複数のチップ２０のいずれかに不具合が発見した場合には、硫酸と過酸化水素水の混合液などからなる接着剤除去液に蒸着用マスク１０を浸漬して接着剤を除去し、不具合のあったチップ２０、あるいは全てのチップ２０を支持基板３０から剥がし、再度、別のチップ２０を支持基板３０上に接合する。その際、チップ２０は、部分的に塗布された接着剤により支持基板３０に接合されているので、接着剤を容易に除去できる。また、チップ側接合面２８には、凹凸２８ａが形成されているため、接着剤除去液が容易に進入するので、接着剤を容易に除去できる。さらに、蒸着用マスク１０の状態で洗浄、乾燥工程などのウエットプロセスを行なっても、チップ側接合面２８には、凹凸２８ａが形成されているので、接着剤により接着されている領域以外で、チップ２０が支持基板３０に貼り付いているという事態が発生しないので、接着剤さえ除去すれば、チップ２０を支持基板３０から容易に除去できる。それ故、支持基板３０を容易に回収できるので、回収した支持基板３０を用いて再度、蒸着用マスク１０を製造することができる。
【００４７】
（蒸着用マスクの製造方法／再生方法２）
また、蒸着用マスク１０を蒸着に使用するうちに、蒸着用マスク１０に付着した膜は、エッチング液での除去、洗浄、乾燥などのウエットプロセスが行われる。また、蒸着用マスク１０を使用していくうちに、複数のチップ２０のいずれかに不具合が発生した場合には、硫酸と過酸化水素水の混合液などからなる接着剤除去液に蒸着用マスク１０を浸漬して接着剤を除去し、不具合のあったチップ２０、あるいは全てのチップ２０を支持基板３０から剥がし、再度、別のチップ２０を支持基板３０上に接合する。その際、チップ２０は、部分的に塗布された接着剤により支持基板３０に接合されているので、接着剤を容易に除去できる。また、チップ側接合面２８には、凹凸２８ａが形成されているため、接着剤除去液が容易に進入するので、接着剤を容易に除去できる。さらに、蒸着用マスク１０の状態で洗浄、乾燥工程などのウエットプロセスを行なっても、チップ側接合面２８には、凹凸２８ａが形成されているので、接着剤により接着されている領域以外で、チップ２０が支持基板３０に貼り付いているという事態が発生しないので、接着剤さえ除去すれば、チップ２０を支持基板３０から容易に除去できる。それ故、支持基板３０を容易に回収できるので、回収した支持基板３０を用いて再度、蒸着用マスク１０を製造することができる。
【００４８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の蒸着用マスク１０では、チップ側接合面２８に凹凸２８ａが形成されているため、ウエットプロセスに晒された蒸着用マスク１０であっても、接着剤で接合されていない領域でチップ２０と支持基板３０とが強固に貼り付くという事態が発生しない。このため、チップ２０に不具合が発生した際、接着剤を容易に除去できるとともに、接着剤を除去すれば、チップ２０を支持基板３０から容易に剥がすことができる。従って、支持基板３０を回収し、回収した支持基板３０を用いて再度、蒸着用マスク１０を製造することにより、成膜コストを低減することができる。
【００４９】
また、本形態において、凹凸２８ａは溝状凹部２８ｂにより形成されているため、溝状凹部２８ｂをマスク開口部２２や凹部２９とを同時に形成することができる。すなわち、エッチング深さは、エッチングマスク２０ｂの開口部２０ｃ、２０ｄ、２０ｅの幅により規定されるので、単結晶シリコン基板２０ａに結晶選択性エッチングによりマスク開口部２２や凹部２９を形成する際、開口部２０ｅの幅を狭くしておくだけで、浅い溝状凹部２８ｂをマスク開口部２２や凹部２９とを同時に形成できる。それ故、溝状凹部２８ｂを形成する場合でも、製造工程数が増えず、かつ、チップ２０を強度を低下させるなどの不具合が発生しない。
【００５０】
また、凹凸２８ａは、チップ２０および支持基板３０に形成されたアライメントマーク２３、２４、３４と重なる領域を避けて形成されているため、アライメントマーク２３、３４、３４に対する視認性の低下を回避することができる。
【００５１】
（他の製造方法）
上記形態では、エッチングマスクとして酸化膜を用いたが、耐エッチング性を有するものであれば、ＣＶＤ法などにより形成された窒化シリコン膜や、スパッタ法により形成されたＡｕ膜やＰｔ膜などの金属膜であってもよい。また、凹凸２８ａについては溝状に限らず、ドット状に形成してもよい。また、凹凸２８ａについては、サンドブラスト処理などによって形成してもよい。
【００５２】
［実施の形態２］
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２に係る蒸着用マスク全体の構成を示す斜視図、そのＤ−Ｄ′断面を模式的に示す説明図、および図６（ａ）、（ｂ）に示す凹凸を形成する方法を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００５３】
図６（ａ）、（ｂ）に示す蒸着用マスク１０は、実施の形態１と同様、ベース基板をなす矩形の支持基板３０に、複数のチップ２０を複数、取り付けた構成を有している。本形態では、チップ２０はシリコンからなる。チップ２０において、マスク開口部２２の形成領域の周りには外枠部２５が形成されており、外枠部２５の下面が支持基板３０と接合されるチップ側接合面２８である。また、支持基板３０において、一点鎖線で囲んだ領域がチップ２０と接合される支持基板側接合面３８である。支持基板３０には、長方形の貫通穴からなる複数の開口領域３２が平行に形成されており、複数のチップ２０は、支持基板３０の開口領域３２を塞ぐように支持基板３０上に固定されている。支持基板３０としては、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、石英ガラスなどからなる透明基板が用いられている。支持基板３０の上面には、開口領域３２の周りにアライメントマーク３４が形成されている。複数のチップ２０の各々において、外枠部２５の上面にはアライメントマーク２３が形成されており、外枠部２５の下面にはアライメントマーク２４（図３（ａ）参照）が形成されている。チップ２０の裏面には大きな凹部２９が形成されており、マスク開口部２２は、凹部２９の底部で開口している。
【００５４】
このように構成した蒸着マスク１０において、チップ２０は、図６（ａ）に斜線で示したの領域Ｍで示す２つの領域に塗布された接着剤により支持基板３０上に接合されている。
【００５５】
本形態では、チップ側接合面２８は平滑面であるが、支持基板側接合面３８のうち、アライメントマーク２３、２４、３４と重なる領域（支持基板側接合面３８の四隅領域）を避けた領域には、微細な凹凸３８ａが形成されており、かかる凹凸２８ａの形成領域は、図６（ａ）に点線を付した領域である。
【００５６】
本形態では、図６（ｂ）に示すように、凹凸３８ａは複数の半球状凹部３８ｂにより形成されている。このような半球状凹部３８ｂを形成するにあたっては、図６（ｃ）に示すように、支持基板３０の表面にドット状の開口部４０ａを備えたエッチングマスク４０を形成した状態で支持基板３０にエッチングを行なう。より具体的には、支持基板３０の表面に多結晶シリコン膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術により、多結晶シリコン膜の表面にレジストマスクを形成し、このレジストマスクの開口部を介して多結晶シリコン膜をパターニングし、エッチングマスク４０を形成する。次に、エッチングマスク４０の開口部４０ａから支持基板３０に対して、フッ酸（ＨＦ）系のエッチング液などにより、ウエットエッチングを行なうと、開口部４０ａを中心として等方性エッチングが進行し、支持基板３０の表面に半球状凹部３８ｂが形成される。
【００５７】
このようにして製造した支持基板３０に対して、領域Ｍに接着剤を部分的に塗布した後、チップ２０を接合して蒸着用マスク１０を得る。なお、製造した蒸着用マスク１０については、必要に応じて、イソプロピルアルコールなどの洗浄液で洗浄した後、乾燥させる。
【００５８】
このようにして製造した蒸着用マスク１０についても、実施の形態１と同様、検査工程において、複数のチップ２０のいずれかに不具合が発見した場合には、硫酸と過酸化水素水の混合液などからなる接着剤除去液に蒸着用マスク１０を浸漬して接着剤を除去し、不具合のあったチップ２０、あるいは全てのチップ２０を支持基板３０から剥がし、再度、別のチップ２０を支持基板３０上に接合する。また、蒸着用マスク１０は、蒸着に使用した際に付着した膜がエッチング液で除去された後、洗浄、乾燥などのウエットプロセスが施される。そして、蒸着用マスク１０を使用していくうちに、複数のチップ２０のいずれかに不具合が発生した場合には、硫酸と過酸化水素水の混合液などからなる接着剤除去液に蒸着用マスク１０を浸漬して接着剤を除去し、不具合のあったチップ２０、あるいは全てのチップ２０を支持基板３０から剥がし、再度、別のチップ２０を支持基板３０上に接合する。
【００５９】
かかる再生を行なう際、本形態の蒸着用マスク１０では、支持基板側接合面３８に凹凸３８ａが形成されているため、ウエットプロセスに晒された蒸着用マスク１０であっても、接着剤で接合されていない領域でチップ２０と支持基板３０とが強固に貼り付くという事態が発生しない。このため、チップ２０に不具合が発生した際、接着剤を容易に除去できるとともに、接着剤を除去すれば、チップ２０を支持基板３０から容易に剥がすことができる。従って、支持基板３０を回収し、回収した支持基板３０を用いて再度、蒸着用マスク１０を製造することにより、成膜コストを低減することができる。
【００６０】
また、凹凸３８ａは、チップ２０および支持基板３０に形成されたアライメントマーク２３、２４、３４と重なる領域を避けて形成されているため、アライメントマーク２３、３４、３４に対する視認性の低下を回避することができる。
【００６１】
（他の製造方法）
上記形態では、エッチングマスクとして多結晶シリコン膜を用いたが、耐エッチング性を有するものであれば、ＣＶＤ法などにより形成された窒化シリコン膜や、スパッタ法により形成されたＡｕ膜やＰｔ膜などの金属膜であってもよい。また、凹部３８ａについてはサンドブラスト処理などによって形成してもよい。
【００６２】
［その他の実施の形態］
本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記形態では、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板２０ａにマスク開口部２２を形成した例を説明したが、その他の面方位を備えた単結晶シリコン基板や、その他のシリコン基板、さらにはシリコン以外の基板にマスク開口部２２を形成した蒸着用マスクに本発明を適用してもよい。
【００６３】
また、上記形態については、真空蒸着法に用いる蒸着用マスクを説明したが、スパッタ成膜法やイオンプレーティング法などの蒸着法に用いる蒸着用マスクに本発明を適用することができる。また、近年、イオンプレーティング法についてはプラズマを利用したプラズマコーティングが提案されており、かかる蒸着法に用いる蒸着用マスクに対しても、本発明を適用することができる。
【００６４】
さらに、上記形態では、有機ＥＬ装置１のストライプ状の薄膜（補助配線８ａ、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７）を形成するための蒸着用マスクに本発明を適用したが、液晶装置その他の電気光学装置や半導体装置の製造工程において、ストライプ状の薄膜を形成する蒸着用マスクに本発明を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図である。
【図２】マスク蒸着装置の概略構成図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る蒸着用マスク全体の構成を示す斜視図、およびそのＢ−Ｂ′断面を模式的に示す説明図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態１に係る蒸着用マスクに用いたチップの下面の一部を拡大して示す平面図、そのＣ−Ｃ′断面を模式的に示す説明図、および凹凸を形成するためのエッチングマスクの説明図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１に係る蒸着用マスクの製造方法を示す工程断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２に係る蒸着用マスク全体の構成を示す斜視図、そのＤ−Ｄ′断面を模式的に示す説明図、および凹凸を形成する方法を示す説明図である。
【図７】従来の蒸着用マスクの説明図である。
【符号の説明】
【００６６】
１・・有機ＥＬ装置、２・・素子基板（被処理基板）、３・・画素、３ａ・・有機ＥＬ素子、１０・・蒸着用マスク、２０・・チップ、２０ａ・・単結晶シリコン基板、２２・・マスク開口部、２８・・チップ側接合面、２８ａ、３８ａ・・接合面に形成した凹凸、３０・・支持基板、３８・・支持基板側接合面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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