(57)【要約】      （修正有）【課題】ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性を向上させ、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法により形成された銅積層膜の応力を除去して、高効率の軟性銅箔積層フィルムを製造する軟性回路基板の製造装置及び方法を提供する。【解決手段】マグネトロン蒸着源７０、多数の単一マグネトロン蒸着源１０及び二重マグネトロン蒸着源２０を含み、単一マグネトロン蒸着源１０から二重マグネトロン蒸着源２０への方向に基板が移動するように配置される。ａ）マグネトロン蒸着源７０を用いて基板の上にシード層を蒸着し、ｂ）単一マグネトロン蒸着源１０を用いて圧縮応力薄膜を蒸着し、ｃ）二重マグネトロン蒸着源２０を用いて引張応力薄膜を蒸着し、ｄ）上記段階ｂ）及びｃ）を繰り返して圧縮応力薄膜と引張応力薄膜を交互に順次蒸着することにより、所望の厚さの厚膜を得る。【選択図】図１
2008208458.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にシード層を蒸着するためのマグネトロン蒸着源７０；
上記マグネトロン蒸着源７０の隣に配置され、圧縮応力薄膜を蒸着する多数の単一マグネトロン蒸着源１０；
上記単一マグネトロン蒸着源の隣に配置され、引張応力薄膜を蒸着する多数の二重マグネトロン蒸着源２０を含み、
上記基板は、上記単一マグネトロン蒸着源１０から二重マグネトロン蒸着源２０への方向に移動するように配置され、
多数の単一マグネトロン蒸着源１０及び二重マグネトロン蒸着源２０は、対をなして連なって配置され、基板上に圧縮応力薄膜３２、３４、３６、３８、...と引張応力薄膜３３、３５、３７、３９、．．．を交互に順次蒸着することを特徴とする無応力の軟性回路基板の製造装置。
【請求項２】
上記基板３０は、一直線に移動することを特徴とする請求項１に記載の無応力の軟性回路基板の製造装置。
【請求項３】
上記単一マグネトロン蒸着源１０及び二重マグネトロン蒸着源２０は、一直線に連結されることを特徴とする請求項１に記載の無応力の軟性回路基板の製造装置。
【請求項４】
上記基板３０は、“円状”または“コ状”に移動することを特徴とする請求項１に記載の無応力の軟性回路基板の製造装置。
【請求項５】
上記基板３０の移動経路に沿って、上記単一マグネトロン蒸着源１０及び二重マグネトロン蒸着源２０が配置されることを特徴とする請求項４に記載の無応力の軟性回路基板の製造装置。
【請求項６】
上記単一マグネトロン蒸着源１０には、直流電源装置５０が連結されていることを特徴とする請求項１に記載の無応力の軟性回路基板の製造装置。
【請求項７】
上記二重マグネトロン蒸着源２０には、二極パルス直流電源装置６０が連結されていることを特徴とする請求項１に記載の無応力の軟性回路基板の製造装置。
【請求項８】
（ａ）基板の表面に、上記マグネトロンスパッタリング装置により高エネルギーのアルゴンイオンとターゲットからスパッタリングされた金属イオンを衝突侵入させて、上記高エネルギーのイオンにより架橋層を形成する段階；
（ｂ）上記（ａ）段階で形成された架橋層に衝突侵入する金属イオン、及びスパッタリングされた金属中性粒子により銅薄膜を形成する段階；及び
（ｃ）上記（ｂ）段階で形成された銅薄膜の上にスパッタリング法を用いて応力制御による無応力の銅厚膜を蒸着する段階；を含んでなることを特徴とする軟性回路基板の製造方法。
【請求項９】
上記（ａ）段階では、上記基板の表面に上記マグネトロンスパッタリング装置により高エネルギーのイオンが衝突侵入すると同時に発生するバキュームウルトラバイオレット(vacuum  ultra  violet)領域の光により発生する架橋現状によって架橋層を形成して、上記基板と金属薄膜層との間に接着力を向上させることを特徴とする請求項８に記載の軟性回路基板の製造方法。
【請求項１０】
上記（ｂ）段階では、上記（ａ）段階で形成された架橋層に衝突侵入した金属イオンを基に発生する核生成によって金属薄膜が形成され、金属薄膜の応力制御のために、直流電源が印加される単一マグネトロンスパッタリング法、及び二極パルス直流電源が印加される二重マグネトロンスパッタリング法によって金属薄膜を形成することを特徴とする請求項８に記載の軟性回路基板の製造方法。
【請求項１１】
上記（ｃ）段階で無応力の金属厚膜を形成した後、上記基板の反対表面に、湿気及び酸素の透過を防止するために酸化物と窒化物により湿気及び酸素の透過を防止する薄膜を蒸着する段階を更に含んでなることを特徴とする請求項８に記載の軟性回路基板の製造方法。
【請求項１２】
上記基板は、ポリイミド、ＰＥＴ、液晶ポリマー、ＰＴＦＥ、ＰＣまたはアクリルを含む高分子素材及びフィルムを含むことを特徴とする請求項８に記載の軟性回路基板の製造方法。
【請求項１３】
マグネトロン蒸着源７０、多数の単一マグネトロン蒸着源１０及び二重マグネトロン蒸着源２０を含み、上記単一マグネトロン蒸着源１０から二重マグネトロン蒸着源２０への方向に基板が移動するように配置されたマグネトロンスパッタリング装置を用いて無応力の軟性回路基板を製造する方法において、
ａ）マグネトロン蒸着源７０を用いて基板上にシード層を蒸着する段階；
ｂ）上記マグネトロン蒸着源７０の隣に配置された単一マグネトロン蒸着源１０を用いて圧縮応力薄膜を蒸着する段階；
ｃ）上記単一マグネトロン蒸着源の隣に配置された二重マグネトロン蒸着源２０を用いて引張応力薄膜を蒸着する段階；及び
ｄ）所望の厚さの厚膜を得るために、上記段階ｂ）及びｃ）を繰り返して圧縮応力薄膜３２、３４、３６、３８、．．．と引張応力薄膜３３、３５、３７、３９、．．．を交互に順次蒸着する段階；を含むことを特徴とする無応力の軟性回路基板の製造方法。
【請求項１４】
ｅ）上記基板の反対表面に、湿気及び酸素の透過を防止するために酸化物及び窒化物の薄膜を蒸着する段階を更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の無応力の軟性回路基板の製造方法。
【請求項１５】
上記基板としてポリイミド、ＰＥＴ、液晶ポリマー、ＰＴＦＥ、ＰＣまたはアクリルを含む高分子素材及びフィルムを使用することを特徴とする請求項１３に記載の無応力の軟性回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、軟性回路基板(flexible  printed  circuit  boards）を製造するための装置及び方法に関し、特にポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性を向上させ、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法により形成された銅積層膜の応力を除去して、高効率の軟性銅箔積層フィルムを製造するようにした軟性回路基板の製造装置及び方法を提供するものである。
【背景技術】
【０００２】
このような軟性銅箔積層フィルムの製造方法としては、ポリイミドフィルムのようなプラスチックフィルムの表面に接着剤を用いて一定の厚さの圧延銅箔や電解銅箔などを熱圧着して接合を行う方法や、銅薄膜上に、ポリイミドのような熱硬化性樹脂を適当な有機溶媒に溶解した樹脂溶液を薄く塗布した後、溶媒を揮発させると共に熱硬化性樹脂を熱硬化させて成膜を行う方法などがある。しかし、接着剤の熱的性能がポリマーフィルムの性能に劣るばかりか、銅箔層の膜厚さが１０μm以上と厚いため、幅１０μm以下の微細加工が困難であるという短所により半導体産業において高密度配線に対応することができない。また、寸法の安全性及び製品の屈曲性の面で脆弱点が認められる。上記の問題を解決するために、最近では、プラスチックフィルム上に、導体回路に蒸着する金属をスパッタリング(sputtering)法で直接成膜する方法や、その間に異種の金属薄膜をスパッタリング法で蒸着する方法などが行なわれている。
【０００３】
スパッタリングによる薄膜形成方法では、真空チャンバー内に、形成しようとする薄膜材料からなるターゲットを置いて、ターゲットに対応する位置に基板を配置した後、アルゴンイオンを注入すれば、真空チャンバー内に形成されたプラズマによってイオン化されたアルゴン粒子などの衝突粒子が負に帯電したターゲット面に衝突し、そのエネルギーによりターゲット粒子が飛出してきて基板上に蒸着する。
【０００４】
上記スパッタリングによる薄膜形成方法としては、ダイオードスパッタリング方法、バイアススパッタリング方法、高周波スパッタリング方法、トライオードスパッタリング方法及びマグネトロンスパッタリング方法等がある。その中で最もよく用いられているマグネトロンスパッタリング方法の場合は、ターゲット裏面にマグネットが装着され、スパッタリングの際、マグネットのあるターゲットの部位には他の部位より高密度のプラズマが形成されることから、更に多くのターゲット原子が放出されて薄膜の蒸着速度を向上させることができるという長所がある。
【０００５】
このようなスパッタリング法で蒸着する場合も、数μm厚さ以上の銅箔で応力が作用するため、１μm以下の薄い厚さにマグネトロンスパッタリング法を用いた乾式方法により蒸着した後、湿式電解メッキによって数μm以上の厚膜を形成する方法が用いられている。
【０００６】
このように、数μm以上の積層フィルムの場合、マグネトロンスパッタリング法による完全乾式工程では応力制御が難しいので、湿式電解メッキ法が並行して用いられてきた。しかし、このように湿式電解メッキ法を並行する場合は、軟性銅箔積層フィルムの製造工程が複雑になり、かつ広い製造空間が必要となるため、製造に多くの費用及び時間がかかる。また、湿式電解メッキ法は環境を汚染させるとの問題点もある。
【０００７】
尚、完全乾式工程により積層しようとする銅箔を形成する場合は、厚さが厚くなるにつれてフィルムが銅箔の応力により容易く反るので、数μm以上の銅箔積層フィルムの厚さを保障することができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記のような問題点を解決するためのものであり、本発明の目的は、ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性をマグネトロンスパッタリング法を用いて向上させ、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法により形成された銅積層膜の応力を除去して、高効率の軟性銅箔積層フィルムを製造するようにした軟性回路基板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
即ち、軟性銅箔積層フィルムの製造時、銅箔の応力のために乾式蒸着法と湿式電解メッキ法を並行して用いなければならなかった従来技術の問題点を解決するべく、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法だけを用いて、所定厚さの銅箔を積層できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明による軟性回路基板の製造方法は、ポリイミドフィルム及びマグネトロンスパッタリング装置を備えた軟性回路基板の製造方法において、（ａ）上記ポリイミドフィルムの表面に、マグネトロンスパッタリング装置により高エネルギーのアルゴンイオンとターゲットからスパッタリングされた金属イオンを衝突侵入させて、高エネルギーのイオンにより架橋層を形成する段階、（ｂ）上記（ａ）段階で形成された架橋層に衝突侵入する金属イオン、及びスパッタリングされた金属中性粒子により銅薄膜を形成する段階、及び（ｃ）上記（ｂ）段階で形成された銅薄膜の上にスパッタリング法を用いて銅厚膜を蒸着する段階を含んでなることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明による軟性回路基板の製造方法において、上記（ｂ）段階では、上記（ａ）段階で形成された架橋層に衝突侵入した金属イオンを基に発生する核生成によって金属薄膜を形成することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明による軟性回路基板の製造方法において、上記（ｃ）段階では、単一マグネトロンスパッタリング蒸着源と二重マグネトロンスパッタリング蒸着源により、引張応力を有する銅薄膜と圧縮応力を有する銅薄膜とを交互に積層して無応力の銅厚膜を形成することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明による軟性回路基板の製造方法において、上記（ｃ）段階で金属厚膜を形成した後、上記ポリイミドフィルムの反対表面に、湿気及び酸素の透過を防止するために酸化物と窒化物により湿気及び酸素の透過を防止する薄膜を蒸着する段階を更に含んでなることを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、基板としてポリイミド、ＰＥＴ、液晶ポリマー、ＰＴＦＥ、ＰＣまたはアクリルを含む高分子素材及びフィルムを使用することができる。
【発明の効果】
【００１５】
上述したように、本発明による軟性回路基板の製造方法によれば、ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性を乾式工程であるマグネトロンスパッタリング法を用いて向上させて、応力が除去された高効率の軟性銅箔積層フィルムを製造できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の上記及びその他の目的と新しい特徴は、本明細書の記述内容及び添付図面から更に明確となるであろう。
【００１７】
以下、本発明の構成を図面に基づいて説明する。
【００１８】
また、本発明の説明において、同一部分には同一符号を付けて、それに対する説明は省略する。
【００１９】
図１は、本発明による無応力の軟性回路基板の製造方法が適用される無応力の軟性回路基板の製造装置の一例を示すもので、図４は、本発明による軟性回路基板の製造方法によって蒸着された軟性銅箔積層フィルムの断面を示すものである。マグネトロンスパッタリング装置は、真空チャンバー４０内に設置される多数の単一マグネトロン蒸着源１０、多数の二重マグネトロン蒸着源２０及び基板３０を含んで成る。上記それぞれの単一マグネトロン蒸着源１０及び二重マグネトロン蒸着源２０にはターゲットが装着されている。上記それぞれの単一マグネトロンスパッタリング蒸着源１０には、上記真空チャンバー４０の外部から直流電源装置５０が連結されて、それぞれの単一マグネトロン蒸着源１０に直流電源を供給する。また、上記それぞれの二重マグネトロンスパッタリング蒸着源２０には、二極パルス直流電源装置６０が連結されて、二極パルス直流電源が二重マグネトロン蒸着源２０に印加されるように構成される。
【００２０】
本実施例において、多数の単一マグネトロン蒸着源１０及び二重マグネトロン蒸着源２０は一列に配列されており、それぞれの単一マグネトロン蒸着源１０及び二重マグネトロン蒸着源２０の上方には基板３０が配置されている。図１の矢印で示したように、上記基板３０は、それぞれの単一マグネトロン蒸着源１０及び二重マグネトロン蒸着源２０の上方において、それぞれの作業順序または作業工程に沿って移動するように構成されている。上記基板３０は、マグネトロンスパッタリング蒸着源の上方に設置されて、マグネトロンスパッタリング蒸着源から放出された金属粒子が蒸着される。
【００２１】
基板３０の進行方向に沿って、一番目には金属シード層(seed  layer）を蒸着するためのマグネトロン蒸着源７０が配置され、その隣には単一マグネトロン蒸着源１０と二重マグネトロン蒸着源２０とからなるマグネトロン蒸着源の対が多数配置されている。上記単一マグネトロン蒸着源１０と二重マグネトロン蒸着源２０とからなる対の数は、蒸着される膜の厚さによって変更されることがある。
【００２２】
マグネトロンスパッタリング蒸着源のターゲットから金属粒子が放出されるために、上記単一マグネトロンスパッタリング蒸着源には陰極またはＲＦ電源が印加され、二重マグネトロンスパッタリング蒸着源には二極パルス直流電源が印加される。
【００２３】
次に、上記のように構成された本発明による軟性回路基板の製造装置に基づいて、無応力の軟性回路基板の製造方法を添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２４】
先ず、マグネトロンスパッタリング装置内に基板３０としてポリイミドフィルムを設置した後、マグネトロンスパッタリング法により上記ポリイミドフィルムに蒸着しようとする金属(銅）をマグネトロン蒸着源のターゲットとして設置し、上記ターゲットの裏面には永久磁石を設置する。
【００２５】
次に、真空ポンプを用いてマグネトロンスパッタリング装置の真空チャンバー内を真空状態にした後、スパッタリングガス（例えば、アルゴンガス）を注入する。
【００２６】
シード層を蒸着するためのマグネトロン蒸着源７０のターゲットには直流電源装置５０の陰極を連結する。また、直流電源装置５０は、その陰極を上記単一マグネトロンスパッタリング蒸着源１０のターゲットと連結し、その陽極を上記真空チャンバーに連結し、二極パルス直流電源装置６０は、その陰極を二重マグネトロンスパッタリング蒸着源に連結し、その陽極を真空チャンバーに連結して接地連結した後、直流電源装置及び二極パルス直流電源装置から電源を印加する。
【００２７】
すると、上記直流電源装置５０及び二極パルス直流電源装置６０から印加される電源によって上記ターゲットの前面にプラズマが形成され、プラズマ内のアルゴンイオンがターゲットと衝突してスパッタリングが発生し、ターゲットと基板との電圧差により、基板３０であるポリイミドフィルムの表面にアルゴンイオン及びスパッタリングされた金属イオンが衝突侵入するようになる。
【００２８】
基板３０の進行方向から見た時一番目に配置されたマグネトロン蒸着源７０のターゲットから放出されたイオンと金属粒子がポリイミドフィルムの表面に衝突侵入すると同時に、プラズマ内に発生する２００ナノメートル波長以下のバキュームウルトラバイオレット(vacuum  ultra  violet)領域の光により架橋(cross-linking)現状が発生され、上記基板３０であるポリイミドフィルム上に架橋層が形成されるようになる。そして、上記架橋層にイオンと共に衝突侵入したターゲット金属イオンを基に核生成が発生して上記架橋層上に金属（銅）薄膜が形成されるようになる。図４に示したように、このように形成された金属薄膜がシード層３１である。
【００２９】
以後、単一マグネトロン蒸着源１０を用いて単一マグネトロンスパッタリング法により上記単一マグネトロン蒸着源１０のターゲット前面にプラズマが形成され、プラズマ内のアルゴンイオンがターゲットと衝突してスパッタリングが発生し、基板であるポリイミドフィルムの表面にアルゴンイオン及びスパッタリングされた金属イオンが衝突侵入するようになって、圧縮応力を有する銅薄膜３２（図４参照）が形成される。同様に、次は、二重マグネトロン蒸着源２０を用いて二極パルス直流マグネトロンスパッタリング法により引張応力を有する銅薄膜３３（図４参照）が蒸着される。
【００３０】
次に、図１に示したように、シード層３１、一対の圧縮応力薄膜３２及び引張応力薄膜３３が蒸着された基板３０は、連なって配置された単一マグネトロン蒸着源１０から二重マグネトロン蒸着源２０への真空チャンバーの長さ方向に沿って移動するようになる。このように移動する基板上には、単一マグネトロンスパッタリング法を用いる単一マグネトロン蒸着源１０による圧縮応力薄膜３４、及び二極パルス直流マグネトロンスパッタリング法を用いる二重マグネトロン蒸着源２０による引張応力薄膜３５が蒸着される。このように単一マグネトロン蒸着源１０及び二重マグネトロン蒸着源２０の対を用いて圧縮応力薄膜３４、３６、３８、．．．及び引張応力薄膜３５、３７、３９、．．．を形成することにより、回路形成にあたって要求される厚さに金属(銅)厚膜を形成できるようになる。
【００３１】
また、上記金属厚膜の形成後、上記基板であるポリイミドフィルムの反対表面に、湿気及び酸素の透過を防止するために酸化物と窒化物により湿気及び酸素の透過を防止する薄膜を蒸着する。
【００３２】
一方、図６は、図１の、本発明による軟性回路基板の製造装置を用いて完成した軟性銅箔積層フィルムの断面を示すものである。本実施例では、ポリイミドフィルムを基板として使用し、蒸着条件は、まず２×１０−５トール(torr)まで排気した後、アルゴンガスを注入して３×１０−３トールの真空度を維持し、上記単一マグネトロンスパッタリング法及び二極パルスマグネトロンスパッタリング法を用いて１０μmの厚さに蒸着することにより、軟性銅箔積層フィルムを完成させたことを表す。
【００３３】
図２は、本発明による軟性回路基板の製造方法が適用されるマグネトロンスパッタリング装置の配列の他の実施例を示すものである。図２における軟性回路基板の製造装置も、基板３０上にシード層３１を形成し、シード層の上に圧縮応力薄膜３２、３４、３６、３８、…と引張応力薄膜３３、３５、３７、３９、…を交互に形成することにより、回路形成にあたって要求される厚さに金属（銅）厚膜を形成する。但し、上記図２の実施例は図１の実施例と異なり、マグネトロンスパッタリング装置を空間効率の側面からウェブシステム(web  system)方式で配置した。ウェブシステム方式は、基板を“円状”または“コ状”に移動させ、このような基板の移動経路に沿って、基板の移動経路と同じ形状に単一マグネトロン蒸着源１０及び二重マグネトロン蒸着源２０を配置するものである。基板は単一マグネトロン蒸着源１０及び二重マグネトロン蒸着源２０の上方に配置されることにより、適切な薄膜が蒸着される。上記のように構成された図２のウェブシステム方式は、多数のマグネトロン蒸着源が一列に配置される図１の軟性回路基板の製造装置に比べて、要求される装置の空間が相対的に小さく、装置の小型化が可能である。
【００３４】
図３は、図２と類似のウェブシステム方式で配置されたマグネトロンスパッタリング装置の配列の他の実施例を示すものである。図３の軟性回路基板の製造装置では、真空チャンバー４０内にドラムが設置されており、基板３０がドラムに巻き付いて回転し、上記ドラムの周囲に多数のマグネトロンスパッタリング装置が配列されるように構成される。このように構成された図３のウェブシステム方式も、要求される装置の空間が相対的に小さく、装置の小型化が可能である。
【００３５】
本実施例ではターゲット物質として銅を使用したが、その他にもＡｌ、Ｃｒ、ＩＴＯ、ＳｉＯ2及びＳｉＮなどを使用することができる。また、スパッタリングガスとしてはＡｒ、Ｈｅ、ＸｅまたはＫｒを使用することができる。単一マグネトロン蒸着源に印加される電源は２５０乃至５００Ｖであり、二重マグネトロン蒸着源に印加される電源は３００乃至６００Ｖである。
【００３６】
図５は、本発明によって製造された軟性回路基板における、圧縮応力を有する薄膜及び引張応力を有する薄膜に対して測定した応力値を示すグラフである。図５に示したように、単一マグネトロンスパッタリング法を用いる単一マグネトロン蒸着源１０により蒸着された圧縮応力薄膜に対する応力値は約−３．１６２であり、二極パルス直流マグネトロンスパッタリング法を用いる二重マグネトロン蒸着源２０により蒸着された引張応力薄膜に対する応力値は約３．３７２である。よって、圧縮応力薄膜と引張応力薄膜が連続して交互に形成されている本発明の全体軟性回路基板では、それぞれの圧縮応力及び引張応力が相殺されて全体積層膜の応力は除去されることになる。従って、本発明によれば、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法だけを用いてポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性を向上させて、積層膜の応力を除去することができる。
【００３７】
以上、本発明者が成し遂げた発明を上記実施例に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で各種変更が可能であることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明による軟性回路基板の製造方法が適用されるマグネトロンスパッタリング装置の配列の一実施例を示す図である。
【図２】本発明による軟性回路基板の製造方法が適用されるマグネトロンスパッタリング装置の配列の他の実施例を示す図である。
【図３】本発明による軟性回路基板の製造方法が適用されるマグネトロンスパッタリング装置の配列のまた他の実施例を示す図である。
【図４】本発明による軟性回路基板の製造方法によって蒸着された無応力の軟性銅箔積層フィルムの断面を示す図である。
【図５】各蒸着方法による応力を示す図である。
【図６】図４におけるエッチング後の断面を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０  単一マグネトロン蒸着源
２０  二重マグネトロン蒸着源
３０  基板
４０  真空チャンバー
５０  直流電源
６０  二極パルス直流電源
【図１】
2008208458.tif 000003
【図２】
2008208458.tif 000004
【図３】
2008208458.tif 000005
【図４】
2008208458.tif 000006
【図５】
2008208458.tif 000007
【図６】
2008208458.tif 000008