(57)【要約】【課題】特別な製造装置を別途用意することなく、低コストかつ量産性及び信頼性を高くして、基板に対し、無機配向膜を効率良く形成することができる液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】ＴＦＴ基板の画素電極９ａ上に、酸化膜１５０を形成する酸化膜形成工程と、酸化膜１５０を、平面視した形状が縞状であって断面形状が矩形状の複数本の島部に、エッチングにより形成する酸化膜エッチング工程と、画素電極９ａ上に、酸化膜１５０を平面視した状態で覆うように、配向膜の内、無機配向膜１６を、高密度プラズマＣＶＤを用いて形成する無機配向膜形成工程と、を具備することを特徴とする。【選択図】図５
2008134274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置される第１の基板及び第２の基板に、前記第１の基板と前記第２の基板との間に介在される液晶を配向する配向膜を形成する液晶装置の製造方法であって、
前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の基板の前記液晶に駆動電圧を印加する電極上に、酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記酸化膜を、平面視した形状が縞状であって断面形状が矩形状の複数本の島部に、エッチングにより形成する酸化膜エッチング工程と、
前記電極上に、前記酸化膜を平面視した状態で覆うように、前記配向膜の内、無機配向膜を、高密度プラズマＣＶＤを用いて形成する無機配向膜形成工程と、
を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記酸化膜エッチング工程後に、前記無機配向膜形成工程に先立って、断面形状が矩形状の複数本の島部に形成された前記酸化膜の各一方の側面側に、テーパ面をそれぞれ形成するテーパ面形成工程を具備していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記テーパ面形成工程は、ウエットエッチングにより行うことを特徴とする請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記テーパ面形成工程は、ドライエッチングにより行うことを特徴とする請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向配置される第１の基板及び第２の基板に、第１の基板と第２の基板との間に介在される液晶を配向する配向膜を形成する液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、例えば光透過型の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成されている。
【０００３】
また、液晶装置は、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に介在された液晶層による光学応答を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００４】
また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程を繰り返すことによって形成されるのである。
【０００５】
このようにして形成されたＴＦＴ基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度（例えばアライメント誤差１μｍ以内）に貼り合わされる。このパネル組立工程の一例を説明すると、先ず、各基板の製造工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との各液晶層と接する面上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるための、例えばポリイミドから構成された有機配向膜が形成される。その後、焼成が行われ、さらに、電圧無印加時の液晶分子の配向、即ち、既知のプレチルト角を決定させるためのラビング処理が配向膜に施される。
【０００６】
次いで、例えば液晶封入方式により、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が介在される場合には、ＴＦＴ基板と対向基板との一方の基板上に、接着剤となるシール材が、一部に注入口となる切り欠きを有するよう略周状に塗布され、このシール材が用いられてＴＦＴ基板に対し、対向基板が貼り合わされる。
【０００７】
次いで、アライメントが施されてそれぞれ圧着硬化された後、真空下においてＴＦＴ基板のシール材の注入口の近傍に、規定量の液晶がそれぞれ滴下され、その後、大気解放されることにより、注入口を介して液晶がＴＦＴ基板と対向基板との間にそれぞれ注入され、最後に、注入口が、封止材により封止されて、液晶装置が製造される。
【０００８】
ところで、近年、液晶装置に用いる配向膜に、液晶を配向させるラビング処理が不要な、ＳｉＯ２等から構成された無機配向膜を用いる構成が周知である。
【０００９】
無機配向膜は、プレチルト角に相当する所定の角度を以て、対象基板に蒸着されて形成されることにより、形成後、ラビング処理を不要として、液晶のプレチルト角を規定することができる。尚、このような無機配向膜の形成方法は、斜方蒸着法と称される。よって、液晶装置に無機配向膜を用いると、該無機配向膜は、ラビング処理が不要なことから、ラビング処理に伴う静電気及び塵埃の発生が防止できる他、光透過に伴う光劣化が生じる可能性が低いといったメリットがあり、液晶装置の信頼性を向上させることができる。このような無機配向膜の形成方法は、例えば特許文献１に開示されている。
【００１０】
特許文献１には、斜方蒸着法の一部であるスパッタリング法を用いて無機配向膜を形成する手法が開示されており、具体的には、形成対象となる基板に対向して設けられた、形成する無機配向膜と同じ物質から構成されたターゲットに、イオンビームを照射してスパッタ粒子を引き出した後、該スパッタ粒子を、基板の無機配向膜を形成する形成面の垂直方向に対して、所定の角度だけ傾斜させた方向から形成面に対し照射することにより、無機配向膜を形成する手法が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−８４１４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１に開示された無機配向膜の形成方法や他の斜方蒸着法においては、通常、半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜の形成に用いる成膜装置の他に、無機配向膜の形成に、イオンビーム源、ターゲット、基板を保持するフォルダ、真空チャンバ、ガス供給源、排気ポンプ等を具備する大型の装置を別途用意しなければならず、製造コストが増大するといった問題があった。
【００１２】
また、量産に当たり、製造する各基板の形成面に対して、全ての無機配向膜を、一定の角度で安定して蒸着するのは難しいため、即ち、製造における信頼性が低下してしまうため、歩留まりが低下してしまうといった問題もあった。
【００１３】
本発明は上記問題点に着目してなされたものであり、特別な製造装置を別途用意することなく、低コストかつ量産性及び信頼性を高くして、基板に対し、無機配向膜を効率良く形成することができる液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明に係る液晶装置の製造方法は、対向配置される第１の基板及び第２の基板に、前記第１の基板と前記第２の基板との間に介在される液晶を配向する配向膜を形成する液晶装置の製造方法であって、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の基板の前記液晶に駆動電圧を印加する電極上に、酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記酸化膜を、平面視した形状が縞状であって断面形状が矩形状の複数本の島部に、エッチングにより形成する酸化膜エッチング工程と、前記電極上に、前記酸化膜を平面視した状態で覆うように、前記配向膜の内、無機配向膜を、高密度プラズマＣＶＤを用いて形成する無機配向膜形成工程と、を具備することを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、断面形状が矩形状を有する複数本の島部に形成された酸化膜上に、無機配向膜を、基板に対し各種薄膜を形成する際用いる、量産性及び信頼性に優れる高密度プラズマＣＶＤで形成することにより、無機配向膜は、複数本の矩形状の酸化膜の形状に起因して、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方の基板の電極上に、従来の斜方蒸着で形成した場合と同様に、設定角度を以て形成される。このことにより、特別な装置を別途用いることなく、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方の基板の電極上に、無機配向膜を、従来よりも低コストかつ量産性及び信頼性を高くして効率良く形成することができるといった効果を有する。
【００１６】
また、前記酸化膜エッチング工程後に、前記無機配向膜形成工程に先立って、断面形状が矩形状の複数本の島部に形成された前記酸化膜の各一方の側面側に、テーパ面をそれぞれ形成するテーパ面形成工程を具備していることを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、各一方の側面にテーパ面を有する複数本の島部に形成された酸化膜上に、無機配向膜を、基板に対し各種薄膜を形成する際用いる、量産性及び信頼性に優れる高密度プラズマＣＶＤで形成することにより、無機配向膜は、テーパ面をそれぞれ有する複数本の酸化膜の形状に起因して、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方の基板の電極上に、従来の斜方蒸着で形成した場合と同様に、一部がテーパ面の角度を以て形成される。このことにより、特別な装置を別途用いることなく、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方の基板の電極上に、垂直配向に用いる無機配向膜を、従来よりも低コストかつ量産性及び信頼性を高くして効率良く形成することができるといった効果を有する。
【００１８】
さらに、前記テーパ面形成工程は、ウエットエッチングにより行うことを特徴とする。
【００１９】
また、前記テーパ面形成工程は、ドライエッチングにより行うことを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、複数本の島状の酸化膜の各側面に、確実にテーパ面を形成することができるといった効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において液晶装置は、光透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。
【００２２】
また、液晶装置において対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、第１の基板である素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する第２の基板である対向基板を例に挙げて説明する。
【００２３】
（第１実施の形態）
先ず、本実施の形態の製造方法により製造される液晶装置の全体の構成について説明する。図１は、本実施の形態の製造方法により製造される液晶装置の平面図、図２は、図１中のII-II線に沿って切断した断面図、図３は、一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図である。
【００２４】
図１、図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英基板やガラス基板等を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板等を用いた対向基板２０との間に、液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００２５】
ＴＦＴ基板１０の液晶５０と接する領域に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表面１０ｆ側における表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する画素電極９ａがマトリクス状に配置されている。
【００２６】
また、対向基板２０の表面２０ｆ側における液晶５０と接する領域に、液晶５０に画素電極９ａとともに駆動電圧を印加する対向電極２１が設けられており、対向電極２１の表示領域１０ｈに対向する領域に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００２７】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、無機配向膜から構成された配向膜（以下、無機配向膜と称す）１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、無機配向膜２６が設けられている。尚、各無機配向膜１６、２６についての詳しい構成は、後述する。
【００２８】
また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の図示しない走査線と複数本の図示しないデータ線とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線との各交差部分に対応して図示しない薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられ、このＴＦＴ毎に画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２９】
ＴＦＴは走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００３０】
対向基板２０に、液晶装置１００の表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００３１】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。
【００３２】
シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間において、シール材５２により囲まれた領域に液晶５０を注入するための切り欠きである液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止剤１０９によって封止される。
【００３３】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１と外部回路との接続のための外部接続端子１０２とが、ＴＦＴ基板１０の液晶注入口１０８が位置する１辺に沿って設けられている。尚、外部接続端子１０２は、対向基板２０に設けられていても構わない。
【００３４】
外部接続端子１０２に、液晶装置１００を、プロジェクタ等の電子機器と電気的に接続する、図示しない特定の長さを有する柔軟なフレキシブル配線基板（Flexible Printed Circuits、以下ＦＰＣと称す）の一端が接続される。ＦＰＣの他端がプロジェクタ等の電子機器に接続されることにより、液晶装置１００と電子機器とは電気的に接続される。
【００３５】
外部接続端子１０２が設けられたＴＦＴ基板１０の１辺に隣接する２辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の図示しない走査線及びゲート電極に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバである走査線駆動回路１０３、１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３、１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００３６】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３、１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００３７】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００３８】
また、図３に示すように、各種薄膜形成前の、石英基板、ガラス、シリコン基板等のＴＦＴ基板１０を構成する基板の表面上に、ＴＦＴ３０や画素電極９ａの他、これらを含む半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜の構成が積層構造をなして備えられている。尚、この積層構造、及び積層された各層の機能は周知であるため、概略的に説明する。
【００３９】
この積層構造は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、シールド層４００等を含む第５層、画素電極９ａ及び無機配向膜１６等を含む第６層から構成されている。また、各層間には、後述する層間絶縁膜がそれぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。
【００４０】
第１層に、例えば、タングステンシリサイドからなるＴＦＴ３０に電気的に接続された走査線１１ａが形成されている。走査線１１ａは、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る遮光機能をも有している。走査線１１ａ上に、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２が、例えば、常圧または減圧ＣＶＤ等により形成されている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａとＴＦＴ３０とを絶縁する。
【００４１】
第２層に、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、例えばポリシリコン膜等の結晶化シリコン膜からなる半導体層１と、ゲート電極３ａと、半導体層１を覆うことによりゲート電極３ａと半導体層１とを絶縁するゲート絶縁膜２とから主要部が構成されている。
【００４２】
半導体層１は、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域１ａと、ソース領域における低濃度ソース領域１ｂと、ドレイン領域における低濃度ドレイン領域１ｃと、ソース領域における高濃度ソース領域１ｄと、ドレイン領域における高濃度ドレイン領域１ｅとを備えている。
【００４３】
そして、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。下地絶縁膜１２に、平面的にみて半導体層１の両脇に、データ線６ａに沿って延びる半導体層１のチャネル長と同じ幅の溝（コンタクトホール）１２ｃｖが掘られている。該コンタクトホール１２ｃｖにより、同一行の走査線１１ａとゲート電極３ａとは同電位となる。
【００４４】
第３層に、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された下部電極７１と、容量電極３００とが、容量となる誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００４５】
ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下に、例えば、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１は、少なくともゲート電極３ａと下部電極７１とを絶縁する。
【００４６】
第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８１が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００４７】
また、第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８３が開孔されている。
【００４８】
さらに、この第１層間絶縁膜４１に、下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１に、中継電極７１９と第２中継層６１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８２が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００４９】
第４層に、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、下層より順に、アルミニウム層４１Ａ、窒化チタン層４１ＴＮ、窒化シリコン膜層４０１の三層構造を有する膜として形成されている。
【００５０】
また、この第４層に、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６０及び第２中継層６１が形成されている。また、第２層間絶縁膜４２に、シールド層用中継層６０と容量電極３００とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０１が開孔されている。
【００５１】
第５層に、シールド層４００が形成されている。また、第５層に、このようなシールド層４００と同一膜として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。
【００５２】
第３層間絶縁膜４３に、シールド層４００とシールド層用中継層６０とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０３、及び第３中継電極４０２と第２中継層６１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００５３】
第６層に、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。また、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４上には、平面視した形状が縞状（以下、ストライプ状と称す）であって断面形状が図３に示すように矩形状の複数本の島部から構成された酸化膜１５０が形成されている。
【００５４】
尚、酸化膜１５０は、ＳｉＯ２やＳｉＯ等のシリコン酸化物等の絶縁物により構成されている。また、酸化膜１５０は、無機配向膜１６と同じ物質から構成されていることが好ましい。
【００５５】
さらに、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４上には、複数本の酸化膜１５０上を平面視した状態で覆うように、ＳｉＯ２やＳｉＯ等のシリコン酸化物等の絶縁物により構成された無機配向膜１６が、例えば０．０２〜０．０８μｍの膜厚に、高密度プラズマＣＶＤにより形成されている。
【００５６】
無機配向膜１６は、複数本の酸化膜１５０の形状に起因して、平面視した状態でストライプ状であって、断面形状が三角形状を有する複数の凹凸部から構成されており、各凹凸部の側面を構成する傾斜面１６ｋ１、１６ｋ２は、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４上に対し、例えばθ１＝４５°の角度でそれぞれ傾斜している。即ち、各凹凸部は、断面形状が対称形状の三角形から構成されている。
【００５７】
尚、傾斜面１６ｋ１、１６ｋ２の画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４上に対する角度θ１は、図示しない高密度プラズマＣＶＤ装置の既知の下部電極のバイアスパワーを調整したり、既知のＩＳ−ＲＦパワーを調整したりすることにより、任意の角度に調節することが可能である。また、傾斜面１６ｋ１、１６ｋ２の画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４上に対する角度θ１は、３０°〜６０°であることが好ましく、４０°〜５０°であることがより好ましい。
【００５８】
さらに、各凹凸部間の幅Ｗは、１０〜４０ｎｍであることが好ましく、１０〜２０ｎｍであるのがより好ましい。
【００５９】
画素電極９ａ下に、第４層間絶縁膜４４が形成されている。また、第４層間絶縁膜４４に、画素電極９ａ及び第３中継電極４０２間を電気的に接続するために介在されたコンタクトホール８９が開孔されている。
【００６０】
また、各種薄膜形成前の、石英基板、ガラス、シリコン基板等の対向基板２０を構成する基板の表面上に、上述したように、対向基板２０上の全面に渡って対向電極２１が形成されており、対向電極２１上には、上述した複数本の酸化膜１５０と同一構成及び形状を有する、図３に示すような断面形状が矩形状の複数本の島部から構成された酸化膜１５１が形成されている。
【００６１】
さらに、対向電極２１上には、複数本の酸化膜１５１を平面視した状態で覆うように、ＳｉＯ２やＳｉＯ等のシリコン酸化物等の絶縁物により構成された無機配向膜２６が、例えば０．０２〜０．０８μｍの膜厚に、高密度プラズマＣＶＤにより形成されている。
【００６２】
尚、無機配向膜２６の形状、構成、機能は、上述した無機配向膜１６の形状、構成、機能と同一であるため、その説明は省略する。尚、無機配向膜１６の傾斜面１６ｋ１、１６ｋ２は、無機配向膜２６においては、傾斜面２６ｋ１、２６ｋ２となる。
【００６３】
尚、上述した液晶装置の構成は、上記実施形態のような形態に限定されるものではなく、別の種々の形態が考えられ得る。
【００６４】
次に、このように構成された液晶装置１００の製造方法、具体的には、無機配向膜１６、２６の形成方法について、上述した図３と、図４及び図５とを用いて説明する。図４は、ＴＦＴ基板の画素電極上に酸化膜を形成した状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図、図５は、ＴＦＴ基板の画素電極上に、酸化膜を平面視した状態で覆うように無機配向膜を形成した状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図である。
【００６５】
尚、以下に示す配向膜の形成方法において、無機配向膜１６を形成する手法は、無機配向膜２６を形成する手法と同一である。よって、無機配向膜１６を形成する方法のみを例に挙げて説明する。また、その他の液晶装置１００の製造方法については、周知であるため、その説明は省略する。
【００６６】
先ず、上述した図３に示すように、画素電極９ａまで形成されたＴＦＴ基板１０において、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４上全体に、例えばＳｉＯ２から構成された酸化膜１５０を、設定厚さに形成する酸化膜形成工程を行う。尚、酸化膜１５０を構成する物質は、上述したように、ＳｉＯ２に限定されない。
【００６７】
その後、酸化膜１５０上の所定位置にフォトレジストを形成し、続いて、酸化膜１５０に対し、エッチング、フォトレジスト剥離の順に各種工程を行うことにより、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４（図４では図示されず）上に、酸化膜１５０を、平面視した形状がストライプ状であって、図４に示すように、断面形状が矩形状の複数本の島部に形成する酸化膜エッチング工程を行う。尚、酸化膜エッチング工程におけるエッチングは、ドライエッチングであっても、ウエットエッチングであっても構わない。
【００６８】
次いで、図５に示すように、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４（図５では図示されず）上に、複数本の酸化膜１５０上を平面視した状態で覆うように、例えばＳｉＯ２より構成された無機配向膜１６を、例えば０．０２〜０．０８μｍの膜厚に、高密度プラズマＣＶＤにより形成する無機配向膜形成工程を行う。具体的には、高密度プラズマＣＶＤ装置を用いて、例えばアルゴンスパッタを行いながら、無機配向膜１６を形成する。
【００６９】
尚、無機配向膜１６を構成する物質は、酸化膜１５０と同一であることが望ましい。よって、上述したように、ＳｉＯ２に限定されない。
【００７０】
無機配向膜形成工程後、無機配向膜１６は、複数本の島状の酸化膜１５０の形状に起因して、平面視した状態でストライプ状であって、断面形状が三角形状を有する複数の凹凸部に形成される。
【００７１】
また、各凹凸部の側面を構成する傾斜面１６ｋ１、１６ｋ２は、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４上に対し、例えばθ１＝４５°の角度でそれぞれ傾斜するよう形成される。即ち、各凹凸部は、断面形状が対称形状の三角形に形成される。
【００７２】
尚、以上説明した無機配向膜１６の形成方法は、対向基板２０の対向電極２１上に無機配向膜２６を形成する手法と、複数本の酸化膜１５０が複数本の酸化膜１５１となる以外は、同一であるため、その説明は省略する。
【００７３】
このように、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４上に、無機配向膜１６を形成するに際し、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４上に、平面視した形状がストライプ状であって断面形状が矩形状の複数本の島部から構成された酸化膜１５０を形成した後、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４上に、複数本の酸化膜１５０を平面視した状態で覆うように、高密度プラズマＣＶＤを用いて無機配向膜１６を形成すると示した。
【００７４】
このことによれば、無機配向膜１６は、複数本の矩形状の酸化膜１５０の形状に起因して、画素電極９ａ上に、従来の斜方蒸着でθ１＝４５°を以て形成した場合と同様に形成される。
【００７５】
その結果、θ１＝４５°の複数の傾斜面１６ｋ１、１６ｋ２を有する無機配向膜１６は、垂直配向モードの液晶５０に対し、適当な配向方向とプレチルト角を規定することができる。
【００７６】
以上から、量産性及び信頼性に優れるとともに、上述した各種半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜の成膜等に用いる高密度プラズマＣＶＤを用いて、無機配向膜１６を形成することにより、特別な装置を別途用いることなく、ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、無機配向膜１６を、従来よりも低コストかつ量産性及び信頼性を高くして効率良く形成することができる。
【００７７】
尚、以上の効果は、対向基板２０の対向電極２１上に、無機配向膜２６を形成する場合であっても同様である。
【００７８】
尚、以下、変形例を示す。本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０上及び対向基板２０上に、それぞれ無機配向膜１６、２６を形成する場合を例に挙げて示したが、これに限らず、ＴＦＴ基板１０上または対向基板２０上のみに、無機配向膜を上述した手法により形成し、無機配向膜を形成しない基板には、従来どおり、有機配向膜を形成してラビング処理を行っても構わない。このようにしても、無機配向膜を形成した基板に対しては、本実施の形態と略同様の効果を得ることができる。
【００７９】
（第２実施の形態）
図６は、図４のＴＦＴ基板の画素電極上に、該画素電極上に形成された酸化膜の一部を平面視した状態で覆うフォトレジストを形成した状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図、図７は、図６の酸化膜に対し、ウエットエッチングを行った状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図である。
【００８０】
また、図８は、図７からフォトレジストを除去した状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図、図９は、ＴＦＴ基板の画素電極上に、酸化膜を平面視した状態で覆うように無機配向膜を形成した状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図である。
【００８１】
この第２実施の形態の液晶装置の製造方法は、上述した第１実施の形態の液晶装置の製造方法と比して、複数本の島状にパターニングした酸化膜の各一方側の側面に、テーパ面を形成する点のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施の形態の液晶装置と同様の構成部材には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００８２】
尚、本実施の形態においても、配向膜の形成方法においては、無機配向膜１６を形成する方法と無機配向膜２６を形成する方法とは同一であるため、無機配向膜１６を形成する方法のみを例に挙げて説明する。
【００８３】
先ず、上述した酸化膜形成工程を行い、その後、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４（図４では図示されず）上に、酸化膜１５０を、平面視した形状がストライプ状であって、図４に示すように、断面形状が矩形状の複数本の島部に形成する上述した酸化膜エッチング工程を行った後、図６に示すように、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４（図７では図示されず）上に、各島状の酸化膜１５０の他方の側面側の半部を平面視した状態で覆うよう、フォトレジスト１６０をそれぞれ形成する。
【００８４】
次いで、各酸化膜１５０に対して、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＨＦ（フッ酸）等の薬液を用いて、ウエットエッチングを行うことにより、図７に示すように、各酸化膜１５０の一方の側面に、断面形状が曲面を有するテーパ面１５０ｔをそれぞれ形成するテーパ面形成工程を行う。その後、図８に示すように、フォトレジスト１６０を除去する。
【００８５】
最後に、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４（図９では図示されず）上に、複数本の酸化膜１５０上を平面視した状態で覆うように、例えばＳｉＯ２より構成された無機配向膜１１６を、例えば０．０２〜０．０８μｍの膜厚に、高密度プラズマＣＶＤにより形成する無機配向膜形成工程を行う。具体的には、高密度プラズマＣＶＤ装置を用いて、例えばアルゴンスパッタを行いながら、無機配向膜１１６を形成する。
【００８６】
無機配向膜形成工程後、無機配向膜１１６は、各一方の側面にテーパ面１５０ｔを有する複数本の島状の酸化膜１５０の形状に起因して、平面視した状態でストライプ状であって、断面形状が非対称な三角形状を有する複数の凹凸部に形成される。
【００８７】
また、各凹凸部の一方の側面を構成する傾斜面１１６ｋ１は、テーパ面１５０ｔに起因して、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４上に対し、例えばθ２＝３０°〜６０°の角度で傾斜するよう形成され、他方の側面を構成する傾斜面１１６ｋ２は、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４上に対し、例えばθ３＝６０°〜３０°の角度で傾斜するよう形成される。
【００８８】
さらに、本実施の形態においても、各凹凸部間の幅Ｗは、１０〜４０ｎｍであることが好ましく、１０〜２０ｎｍであるのがより好ましい。
【００８９】
尚、以上説明した無機配向膜１１６の形成方法は、対向基板２０の対向電極２１上に、無機配向膜を形成する手法と、複数本の酸化膜１５０が複数本の酸化膜１５１となる以外は、同様であるため、その説明は省略する。
【００９０】
このように、本実施の形態においては、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４上に、ウエットエッチングにより、各一側面側にテーパ面１５０ｔが形成された各島状の酸化物１５０を平面視した状態で覆うよう、高密度プラズマＣＶＤを用いて無機配向膜１１６を形成すると示した。
【００９１】
このことによれば、無機配向膜１１６は、テーパ面１５０ｔをそれぞれ有する複数本の酸化膜１５０の形状に起因して、ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、従来の斜方蒸着で形成した場合と同様に、傾斜面１１６ｋ１がテーパ面１５０ｔの画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４に対する角度θ２を以て形成され、傾斜面１１６ｋ２がテーパ面１５０ｔの画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４に対する角度θ３を以て形成される。
【００９２】
即ち、無機配向膜１１６の各凹凸部の断面形状を、非対称な三角形状に形成することができることから、無機配向膜１１６は、例えば傾斜面１１６ｋ１の角度θ２が３０°〜４０°、傾斜面１１６ｋ２の角度θ３が６０°〜５０°に形成されることにより、無機配向膜１１６は、一定強度でラビング処理を行った後の有機配向膜の形状と略同じとなり、同等の機能を有することになる。よって、無機配向膜１１６は、水平配向モードの液晶５０の配向方向とプレチルト角を規定することができる。
【００９３】
尚、θ２の角度及びθ３の角度は、水平配向に用いる液晶５０の種類に応じた最適な角度に、形成可能である。
【００９４】
以上から、量産性及び信頼性に優れるとともに、上述した各種半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜の成膜等に用いる高密度プラズマＣＶＤを用いて、無機配向膜１１６を形成することにより、特別な装置を別途用いることなく、ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、無機配向膜１１６を、従来よりも低コストかつ量産性及び信頼性を高くして効率良く形成することができる。
【００９５】
尚、以上の効果は、対向基板２０の対向電極２１上に、無機配向膜を形成する場合であっても同様である。
【００９６】
尚、以下、変形例を示す。図１０は、図４のＴＦＴ基板の画素電極上に、該画素電極上に形成された酸化膜の一部を、図６に示した場合よりも平面視した状態で多く覆うフォトレジストを形成した状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図、図１１は、図１０の酸化膜に対し、ドライエッチングを行った状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図である。
【００９７】
本実施の形態においては、各酸化膜１５０の各一側面側のエッチングは、ウエットエッチングにより行い、各酸化膜１５０に、曲面を有するテーパ面１５０ｔをそれぞれ形成すると示したが、これに限らず、エッチングは、Ｃ４Ｈ８(オクタフルオロシクロブタン)、ＣＦ４（四フッ化炭素）ＳＦ６（六フッ化硫黄）、ＣＨＦ３（トリフルオロメタン）、ＸｅＦ２（二フッ化キセノン）等のエッチングガスを用いたドライエッチングであっても構わない。
【００９８】
具体的には、先ず、上述した酸化膜形成工程を行い、その後、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４（図４では図示されず）上に、酸化膜１５０を、平面視した形状がストライプ状であって、図４に示すように、断面形状が矩形状の複数本の島部に形成する酸化膜エッチング工程を行った後、図１０に示すように、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４（図１０では図示されず）上に、各島状の酸化膜１５０の他側面側を、図６に示した位置よりも多く平面視した状態で覆うよう、フォトレジスト１６０をそれぞれ形成する。
【００９９】
次いで、各酸化膜１５０に対してドライエッチングを行うことにより、図７に示すように、各酸化膜１５０の一方の側面に、断面形状が傾斜面を有するテーパ面１５０ｔをそれぞれ形成するテーパ面形成工程を行う。
【０１００】
その後は、上述したように、フォトレジスト１６０を除去し、最後に、画素電極９ａ及び第４層間絶縁膜４４（図９では図示されず）上に、複数本の酸化膜１５０上を平面視した状態で覆うように、例えばＳｉＯ２より構成された無機配向膜１１６を、高密度プラズマＣＶＤにより形成する無機配向膜形成工程を行う。
【０１０１】
このように形成しても、無機配向膜１１６は、酸化膜１５０にテーパ面１５０ｔを形成する際、ウエットエッチングを用いた場合と、略同一の形状に形成される。即ち、酸化膜１５０にテーパ面１５０ｔを形成する際、ドライエッチングを用いた場合であっても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、このことは、対向基板２０の対向電極２１上に、無機配向膜を形成する場合であっても同様である。
【０１０２】
尚、以下、別の変形例を示す。本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０上及び対向基板２０上に、それぞれ無機配向膜を形成する場合を例に挙げて示したが、これに限らず、本実施の形態においても、ＴＦＴ基板１０上または対向基板２０上のみに、無機配向膜を上述した手法により形成し、無機配向膜を形成しない基板には、従来どおり、有機配向膜を形成してラビング処理を行っても構わない。このようにしても、無機配向膜を形成した基板に対しては、本実施の形態と略同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本実施の形態の製造方法により製造される液晶装置の平面図。
【図２】図１中のII-II線に沿って切断した断面図。
【図３】一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図。
【図４】ＴＦＴ基板の画素電極上に酸化膜を形成した状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図。
【図５】ＴＦＴ基板の画素電極上に、酸化膜を平面視した状態で覆うように無機配向膜を形成した状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図。
【図６】図４のＴＦＴ基板の画素電極上に、該画素電極上に形成された酸化膜の一部を平面視した状態で覆うフォトレジストを形成した状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図。
【図７】図６の酸化膜に対し、ウエットエッチングを行った状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図。
【図８】図７からフォトレジストを除去した状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図。
【図９】ＴＦＴ基板の画素電極上に、酸化膜を平面視した状態で覆うように無機配向膜を形成した状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図。
【図１０】図４のＴＦＴ基板の画素電極上に、該画素電極上に形成された酸化膜の一部を、図６に示した場合よりも平面視した状態で多く覆うフォトレジストを形成した状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図。
【図１１】図１０の酸化膜に対し、ドライエッチングを行った状態を示すＴＦＴ基板の部分断面図。
【符号の説明】
【０１０５】
９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、２０…対向基板、２１…対向電極、５０…液晶、１００…液晶装置、１５０…酸化膜、１５０ｔ…テーパ面、１５１…酸化膜、１６１…無機配向膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2008134274.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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