(57)【要約】【課題】電子部品を支持体に保持する際に、電子部品と支持体との位置ズレを抑制して、チップ間の導通不良を低減可能とする電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法を提供する。【解決手段】電子部品１０は、その一面に、一面と平行な断面における外接円の直径がＲａである胴体部５ｂと、一面と平行な断面における外接円の直径がＲａよりも大きいＲｂである先端部５ａとからなる突起部５を備え、支持体２０は、その一面側の内部に、一面と平行な断面における内接円の直径がＲｃであり先端部を収容可能な空洞部１６と、一面と平行な断面における内接円の直径がＲｃよりも小さいＲｄであり空洞部を外部に開口する開口部１５とからなる穴部を備え、Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄが、Ｒａ≦Ｒｄ、及び、Ｒｄ＜Ｒｂ≦Ｒｃの関係を満たし、穴部が空洞部に先端部を収容して突起部を保持する構成３０とする。【選択図】図１１
2008010715.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を支持体に保持するための電子部品の保持構造において、
前記電子部品は、その一面に、該一面と平行な断面における外接円の直径がＲａである胴体部と、前記一面と平行な断面における外接円の直径がＲａよりも大きいＲｂ（Ｒａ＜Ｒｂ）である先端部とからなる突起部を備え、
前記支持体は、その一面側の内部に、該一面と平行な断面における内接円の直径がＲｃであり前記先端部を収容可能な空洞部と、前記一面と平行な断面における内接円の直径がＲｃよりも小さいＲｄ（Ｒｄ＜Ｒｃ）であり前記空洞部を外部に開口する開口部とからなる穴部を備え、
前記Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄは、Ｒａ≦Ｒｄ、及び、Ｒｄ＜Ｒｂ≦Ｒｃの関係を満たし、前記穴部は前記空洞部に前記先端部を収容して前記突起部を保持することを特徴とする電子部品の保持構造。
【請求項２】
電子部品を支持体に保持するための電子部品の保持構造において、
前記支持体は、その一面に、該一面と平行な断面における外接円の直径がＲａである胴体部と、前記一面と平行な断面における外接円の直径がＲａよりも大きいＲｂ（Ｒａ＜Ｒｂ）である先端部とからなる突起部を備え、
前記電子部品は、その一面側の内部に、該一面と平行な断面における内接円の直径がＲｃであり前記先端部を収容可能な空洞部と、前記一面と平行な断面における内接円の直径がＲｃよりも小さいＲｄ（Ｒｄ＜Ｒｃ）であり前記空洞部を外部に開口する開口部とからなる穴部を備え、
前記Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄは、Ｒａ≦Ｒｄ、及び、Ｒｄ＜Ｒｂ≦Ｒｃの関係を満たし、前記穴部は前記空洞部に前記先端部を収容して前記突起部を保持することを特徴とする電子部品の保持構造。
【請求項３】
電子部品を支持体に保持するための電子部品の保持構造の製造方法において、
前記電子部品の一面側に導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層上に、開口部を有する犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記導電層をめっき用導通層とし前記犠牲層をめっき用マスクとして、前記開口部を埋めると共に前記犠牲層の表面よりも突出するように電気めっきを行い、前記一面側に、該一面と平行な断面における外接円の直径がＲａである胴体部と前記一面と平行な断面における外接円の直径がＲａよりも大きいＲｂ（Ｒａ＜Ｒｂ）である先端部とからなる突起部を形成する突起部形成工程と、
該突起部形成工程後に、前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、
該犠牲層除去工程により露出した範囲の前記導電層を除去する導電層除去工程と、
前記支持体の一面側にギャップ層を形成するギャップ層形成工程と、
前記ギャップ層上に、前記支持体の一面と平行な断面における内接円の直径がＲａ以上のＲｄ（Ｒａ≦Ｒｄ）である開口部を有するカバー層を形成するカバー層形成工程と、
前記カバー層をエッチングマスクとして前記ギャップ層を選択的にエッチングすることによって、前記ギャップ層に、前記開口部と連結し前記支持体の一面と平行な断面における内接円の直径がＲｄよりも大きいＲｃでありＲｄ＜Ｒｂ≦Ｒｃの関係を満たす空洞部を形成する空洞部形成工程と、
前記電子部品の一面と前記支持体の一面とを向かい合わせて、前記先端部が前記空洞部に収容されるように、前記電子部品を前記支持体に押圧する押圧工程と、
を有することを特徴とする電子部品の保持構造の製造方法。
【請求項４】
電子部品を支持体に保持するための電子部品の保持構造の製造方法において、
前記支持体の一面側に導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層上に、開口部を有する犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記導電層をめっき用導通層とし前記犠牲層をめっき用マスクとして、前記開口部を埋めると共に前記犠牲層の表面よりも突出するように電気めっきを行い、前記一面側に、該一面と平行な断面における外接円の直径がＲａである胴体部と前記一面と平行な断面における外接円の直径がＲａよりも大きいＲｂ（Ｒａ＜Ｒｂ）である先端部とからなる突起部を形成する突起部形成工程と、
該突起部形成工程後に、前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、
該犠牲層除去工程により露出した範囲の前記導電層を除去する導電層除去工程と、
前記電子部品の一面側にギャップ層を形成するギャップ層形成工程と、
前記ギャップ層上に、前記電子部品の一面と平行な断面における内接円の直径がＲａ以上のＲｄ（Ｒａ≦Ｒｄ）である開口部を有するカバー層を形成するカバー層形成工程と、
前記カバー層をエッチングマスクとして前記ギャップ層を選択的にエッチングすることによって、前記ギャップ層に、前記開口部と連結し前記電子部品の一面と平行な断面における内接円の直径がＲｄよりも大きいＲｃでありＲｄ＜Ｒｂ≦Ｒｃの関係を満たす空洞部を形成する空洞部形成工程と、
前記支持体の一面と前記電子部品の一面とを向かい合わせて、前記先端部が前記空洞部に収容されるように、前記電子部品を前記支持体に押圧する押圧工程と、
を有することを特徴とする電子部品の保持構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ等の電子部品を他の半導体チップや基板等の支持体に保持する方法として、接着剤や半田等を用いる方法がある。
例えば、特許文献１には、半導体チップが他の半導体チップにバンプによって電気的に接続され、チップ間が絶縁性樹脂で充填された電子部品の保持構造が記載されている。
【特許文献１】特開２００３−１７６５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に記載されているような電子部品の保持構造では、半導体チップを他の半導体チップに接続する際、または、絶縁性樹脂を硬化する際に、半導体チップと他の半導体チップとの位置ズレが生じて、チップ間で導通不良が発生する場合があり、その改善が望まれる。
【０００４】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、電子部品を支持体に保持する際に、電子部品と支持体との位置ズレを抑制して、チップ間の導通不良を低減可能とする電子部品の接続構造及び電子部品の接続構造の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するために、本願各発明は次の手段を有する。
１）電子部品（１０）を支持体（２０）に保持するための電子部品の保持構造において、前記電子部品は、その一面に、該一面と平行な断面における外接円の直径がＲａである胴体部（５ｂ）と、前記一面と平行な断面における外接円の直径がＲａよりも大きいＲｂ（Ｒａ＜Ｒｂ）である先端部（５ａ）とからなる突起部（５）を備え、前記支持体は、その一面側の内部に、該一面と平行な断面における内接円の直径がＲｃであり前記先端部を収容可能な空洞部（１６）と、前記一面と平行な断面における内接円の直径がＲｃよりも小さいＲｄ（Ｒｄ＜Ｒｃ）であり前記空洞部を外部に開口する開口部（１５）とからなる穴部を備え、前記Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄは、Ｒａ≦Ｒｄ、及び、Ｒｄ＜Ｒｂ≦Ｒｃの関係を満たし、前記穴部は前記空洞部に前記先端部を収容して前記突起部を保持することを特徴とする電子部品の保持構造（３０）である。
２）電子部品（１０）を支持体（２０）に保持するための電子部品の保持構造において、前記支持体は、その一面に、該一面と平行な断面における外接円の直径がＲａである胴体部（５ｂ）と、前記一面と平行な断面における外接円の直径がＲａよりも大きいＲｂ（Ｒａ＜Ｒｂ）である先端部（５ａ）とからなる突起部（５）を備え、前記電子部品は、その一面側の内部に、該一面と平行な断面における内接円の直径がＲｃであり前記先端部を収容可能な空洞部（１６）と、前記一面と平行な断面における内接円の直径がＲｃよりも小さいＲｄ（Ｒｄ＜Ｒｃ）であり前記空洞部を外部に開口する開口部（１５）とからなる穴部を備え、前記Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄは、Ｒａ≦Ｒｄ、及び、Ｒｄ＜Ｒｂ≦Ｒｃの関係を満たし、前記穴部は前記空洞部に前記先端部を収容して前記突起部を保持することを特徴とする電子部品の保持構造（３０）である。
３）電子部品（１０）を支持体（２０）に保持するための電子部品の保持構造の製造方法において、前記電子部品の一面側に導電層（３）を形成する導電層形成工程と、前記導電層上に、開口部（４ａ）を有する犠牲層（４）を形成する犠牲層形成工程と、前記導電層をめっき用導通層とし前記犠牲層をめっき用マスクとして、前記開口部を埋めると共に前記犠牲層の表面よりも突出するように電気めっきを行い、前記一面側に、該一面と平行な断面における外接円の直径がＲａである胴体部（５ｂ）と前記一面と平行な断面における外接円の直径がＲａよりも大きいＲｂ（Ｒａ＜Ｒｂ）である先端部（５ａ）とからなる突起部（５）を形成する突起部形成工程と、該突起部形成工程後に、前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、該犠牲層除去工程により露出した範囲の前記導電層を除去する導電層除去工程と、前記支持体の一面側にギャップ層（１３）を形成するギャップ層形成工程と、前記ギャップ層上に、前記支持体の一面と平行な断面における内接円の直径がＲａ以上のＲｄ（Ｒａ≦Ｒｄ）である開口部（１５）を有するカバー層（１４）を形成するカバー層形成工程と、前記カバー層をエッチングマスクとして前記ギャップ層を選択的にエッチングすることによって、前記ギャップ層に、前記開口部と連結し前記支持体の一面と平行な断面における内接円の直径がＲｄよりも大きいＲｃでありＲｄ＜Ｒｂ≦Ｒｃの関係を満たす空洞部（１６）を形成する空洞部形成工程と、前記電子部品の一面と前記支持体の一面とを向かい合わせて、前記先端部が前記空洞部に収容されるように、前記電子部品を前記支持体に押圧する押圧工程と、を有することを特徴とする電子部品の保持構造（３０）の製造方法である。
４）電子部品（１０）を支持体（２０）に保持するための電子部品の保持構造の製造方法において、前記支持体の一面側に導電層（３）を形成する導電層形成工程と、前記導電層上に、開口部（４ａ）を有する犠牲層（４）を形成する犠牲層形成工程と、前記導電層をめっき用導通層とし前記犠牲層をめっき用マスクとして、前記開口部を埋めると共に前記犠牲層の表面よりも突出するように電気めっきを行い、前記一面側に、該一面と平行な断面における外接円の直径がＲａである胴体部（５ｂ）と前記一面と平行な断面における外接円の直径がＲａよりも大きいＲｂ（Ｒａ＜Ｒｂ）である先端部（５ａ）とからなる突起部（５）を形成する突起部形成工程と、該突起部形成工程後に、前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、該犠牲層除去工程により露出した範囲の前記導電層を除去する導電層除去工程と、前記電子部品の一面側にギャップ層（１３）を形成するギャップ層形成工程と、前記ギャップ層上に、前記電子部品の一面と平行な断面における内接円の直径がＲａ以上のＲｄ（Ｒａ≦Ｒｄ）である開口部（１５）を有するカバー層（１４）を形成するカバー層形成工程と、前記カバー層をエッチングマスクとして前記ギャップ層を選択的にエッチングすることによって、前記ギャップ層に、前記開口部と連結し前記電子部品の一面と平行な断面における内接円の直径がＲｄよりも大きいＲｃでありＲｄ＜Ｒｂ≦Ｒｃの関係を満たす空洞部（１６）を形成する空洞部形成工程と、前記支持体の一面と前記電子部品の一面とを向かい合わせて、前記先端部が前記空洞部に収容されるように、前記電子部品を前記支持体に押圧する押圧工程と、を有することを特徴とする電子部品の保持構造の製造方法である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、電子部品を支持体に保持する際に、電子部品と支持体との位置ズレを抑制して、チップ間の導通不良を低減可能とするという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明の実施の形態を、好ましい実施例である第１実施例及び第２実施例により図１〜図１１を用いて説明する。
【０００８】
＜第１実施例＞
まず、第１実施例を第１工程〜第１０工程として図１〜図１０を用いて説明する。
図１〜図１０は、本発明の電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法の第１実施例における第１工程〜第１０工程をそれぞれ説明するための模式的断面図である。
なお、大判の半導体ウエハに後述する第１工程〜第５工程を行うことによって電子部品である第１の半導体チップを複数得ることができ、また、大判の半導体ウエハに後述する第６工程〜第９工程を行うことによって支持体である第２の半導体チップを複数得ることができるが、説明をわかりやすくするために、図１〜図５では複数の第１の半導体チップの内の各１チップを示し、また、図６〜図９では複数の第２の半導体チップの内の各１チップを示すこととする。
【０００９】
まず、電子部品である第１の半導体チップ１０の製造方法について説明する。
【００１０】
（第１工程）［図１参照］
半導体ウエハ１の表面を含むその近傍部に所定の回路１ａを形成し、この所定の回路１ａに接続する例えばＡｌ（アルミニウム）からなる電極２を形成する。
回路１ａ及び電極２は、周知の半導体プロセスによって形成することができる。
【００１１】
（第２工程）［図２参照］
第１工程を経た半導体ウエハ１の表面上に、導電層３を形成する。
この導電層３は、真空蒸着法やスパッタ法等の真空成膜法、または、めっき法等により形成することができる。
第１実施例では、厚さが２００ｎｍのＮｉ（ニッケル）層３ａと、厚さが３００ｎｍのＣｕ（銅）層３ｂとが順次積層されてなる導電層３を真空蒸着法により形成した。このＣｕ層３ｂは、成膜後にＮｉ層３ａが大気に晒された際に酸化されることを防止する機能を有している。
【００１２】
（第３工程）［図３参照］
導電層３上に、ＳｉＯ２（二酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等からなる犠牲層４を形成する。
この犠牲層４は、真空蒸着法やスパッタ法等の周知の真空成膜法により形成することができる。
第１実施例では、犠牲層４として、厚さが５μｍのＳｉＯ２層をＡＰＣＶＤ（Atmospheric pressure chemical vapor deposition）法を用いて形成した。
【００１３】
次に、フォトリソ法を用いて、犠牲層４を選択的にエッチングして、導電層３が露出するように、略円筒形状の開口部４ａを形成する。
第１実施例では、開口径Ｒ４ａが４μｍとなるように開口部４ａを形成した。
また、第１実施例では、電極２が形成されている範囲を残して、開口部４ａを、１００μｍ間隔でマトリクス状に複数形成した。
【００１４】
（第４工程）［図４参照］
複数の開口部４ａそれぞれに、犠牲層４の表面よりも突出するように、導電層３をめっき導通層として電気めっきを行う。
第１実施例では、図４中の吹き出し部に示すように、犠牲層４の表面よりも突出した略半球形状の突出部５ａの直径Ｒ５ａが８μｍ、高さＨ５ａが４μｍとなるように、電気Ｎｉめっきを行った。
この突出部５ａは、後述する突起部５の先端部５ａとなる。
【００１５】
この突出部５ａの直径Ｒ５ａ及び高さＨ５ａは、電気めっき条件、例えば、めっき時間によって調整することができる。
即ち、めっき時間を長くするほど突出部５ａの直径Ｒ５ａ及び高さＨ５ａを大きくすることができる。
【００１６】
（第５工程）［図５参照］
犠牲層４を除去した後、この除去によって露出した範囲の導電層３を除去する。
犠牲層４及び導電層３は、ウェットエッチング等の周知の除去方法によってそれぞれ除去することができる。
【００１７】
この除去により、図５、特に図５中の吹き出し部に示すように、半導体ウエハ１の表面に、直径Ｒ５ａが８μｍであり高さＨ５ａが４μｍである略半球形状を有する先端部５ａと、直径Ｒ５ｂが４μｍであり高さＨ５ｂが４．５μｍである略円柱形状を有する胴体部５ｂとからなるキノコ形状を有する突起部５を形成する。
ここで、突起部５において、先端部５ａは上述の突出部５ａに相当し、胴体部５ｂの直径Ｒ５ｂは開口部４ａの開口径Ｒ４ａに相当し、胴部５ｂの高さＨ５ｂは導電層３の厚さと犠牲層４の厚さとの合計の厚さに相当する。
【００１８】
その後、この半導体ウエハ１を所定の位置で分断することによって、電子部品である第１の半導体チップ１０を複数得る。
【００１９】
次に、支持体となる第２の半導体チップ２０の製造方法について説明する。
【００２０】
（第６工程）［図６参照］
半導体ウエハ１１の表面を含むその近傍部に所定の回路１１ａを形成し、この所定の回路１１ａに接続する例えばＡｌ（アルミニウム）からなる電極１２を形成する。
回路１１ａ及び電極１２は、周知の半導体プロセスによって形成することができる。
【００２１】
（第７工程）［図７参照］
第６工程を経た半導体ウエハ１１の表面上に、ギャップ層１３を形成する。
このギャップ層１３は、真空蒸着法やスパッタ法等の周知の真空成膜法により形成することができる。
第１実施例では、ギャップ層１３として、厚さが６μｍのＳｉＯ２層をＡＰＣＶＤ法を用いて形成した。
【００２２】
（第８工程）［図８参照］
ギャップ層１３上に、カバー層１４を形成する。
このカバー層１４は、真空蒸着法やスパッタ法等の周知の真空成膜法により形成することができる。
第１実施例では、カバー層１４として、厚さが３μｍのＡｌ（アルミニウム）層を真空蒸着法により形成した。
【００２３】
次に、フォトリソ法を用いて、カバー層１４を選択的にエッチングして、ギャップ層１３が露出するように、略円筒形状の開口部１５を形成する。
第１実施例では、開口径Ｒ１５ａが６μｍとなるように開口部１５を形成した。
また、第１実施例では、電極２が形成されている範囲を残して、上述した突起部５に対応させて、開口部１５を、１００μｍ間隔でマトリクス状に複数形成した。
【００２４】
（第９工程）［図９参照］
例えば緩衝フッ酸液を用いて、開口部１５において露出したギャップ層１３を選択的にエッチングして、端部の直径Ｒ１６ａが開口部１５の開口径Ｒ１５ａよりも大きい空洞部１６を形成する。
第１実施例では、端部の直径Ｒ１６ａが１０μｍとなるように空洞部１６を形成した。
【００２５】
緩衝フッ酸液等のエッチング液を用いたウェットエッチングは、一般的に等方性エッチングであるため、図９中の特に吹き出し部に示すように、形成された空洞部１６は、中央部の直径Ｒ１６ｂが端部の直径Ｒ１６ａよりも大きい略樽形状を有する。
【００２６】
（第１０工程）［図１０参照］
電極１２が露出するように、少なくとも開口部１５及び空洞部１６が形成されている領域及びその近傍の領域を残して、フォトリソ法により、ギャップ層１３及びカバー層１４を選択的にエッチングする。
【００２７】
その後、この半導体ウエハ１１を所定の位置で分断することによって、支持体である第２の半導体チップ２０を複数得る。
【００２８】
次に、上述した電子部品である第１の半導体チップ１０が支持体である第２の半導体チップ２０に保持されてなる保持構造の製造方法について説明する。
【００２９】
（第１１工程）［図１１参照］
まず、図１１（ａ）に示すように、第２の半導体チップ２０の電極１２上に銀ペースト等の導電性材料２２を塗布し、カバー層１４が形成されている範囲における少なくとも一部の範囲に絶縁性樹脂等の絶縁性材料２３を塗布する。
その後、第１の半導体チップ１０の突起部５と第２の半導体チップ２０の開口部１５とを対向させて、この突起部５と開口部１５とを位置合わせする。
【００３０】
次に、図１１（ｂ）に示すように、第１の半導体チップ１０を第２の半導体チップ２０に押圧する。
第１の半導体チップ１０を第２の半導体チップ２０に押圧した際に、第１の半導体チップ１０の突起部５の先端部５ａは略半球形状を有しているので、この先端部５ａを第２の半導体チップ２０の開口部１５を通過させて空洞部１６の内部に挿入することができる。
そして、空洞部１６の内部に挿入された先端部５ａは、その直径Ｒ５ａ（９μｍ）が開口部１５の開口径Ｒ１５ａ（６μｍ）よりも大きいため開口部１５を通過することができないので、突起部５は開口部１５及び空洞部１６によって保持される。
【００３１】
従って、上述の押圧により、第１の半導体チップ１０を第２の半導体チップ２０に保持することができる。
このとき、導電性材料２２は第１の半導体チップ１０の電極２と接触し、絶縁性材料２３は第１の半導体チップ１０と接触してさらに第１の半導体チップ１０と第２の半導体チップ２０との間隙を埋める。
【００３２】
その後、導電性材料２２及び絶縁性材料２３を硬化させる。
この硬化した導電性材料２２により、電極２と電極１２とは電気的に接続すると共に互いに固定される。
また、硬化した絶縁性材料２３により、第１の半導体チップ１０と第２の半導体チップ２０とはより強固に固定される。
【００３３】
上述の工程により、電子部品である第１の半導体チップ１０が支持体である第２の半導体チップ２０に保持されて電気的に接続されてなる接続構造３０を得る。
【００３４】
この接続構造３０によれば、導電性材料２２及び絶縁性材料２３を硬化させる際に、第１の半導体チップ１０と第２の半導体チップ２０とは、突起部５が開口部１５及び空洞部１６で保持されているため、電子部品である第１の半導体チップ１０と支持体である第２の半導体チップ２０との位置ズレを抑制することができるので、位置ズレによるチップ間の導通不良を低減することができる。
【００３５】
＜第２実施例＞
次に、第２実施例について図１２を用いて説明する。
図１２は、本発明の電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法の第２実施例を説明するための模式的断面図である。
【００３６】
第２実施例は、特に、電子部品である第３の半導体チップ４０の電極３２に突起部３５をマトリクス状に複数形成し、支持体である第４の半導体チップ５０の電極４２に突起部３５に対応して開口部４５及び空洞部４６をマトリクス状に複数形成する。
この突起部３５、開口部４５、及び空洞部４６は第１実施例で詳述した製造方法と同様の製造方法によって形成することができる。
突起部３５の形状及び各寸法は、第１実施例の突起部５と同じである。
開口部４５及び空洞部４６の形状及び各寸法は、第１実施例の開口部１５及び空洞部１６と同じである。
また、図１２において、第１実施例と同じ構成部には同符号を付している。
【００３７】
また、第２実施例では、図１２（ａ）に示すように、第４の半導体チップ５０の電極４２とカバー層４４とが電気的に接続する接続部４８を設けた構成としている。
【００３８】
そして、第４の半導体チップ５０の表面上のカバー層４４が形成された範囲以外の少なくとも一部の範囲に絶縁性材料２３を塗布する。
次に、第３の半導体チップ４０の突起部３５と第４の半導体チップ５０の開口部４５とを対向させて、突起部３５と開口部４５との位置合わせを行った後、第３の半導体チップ４０を第４の半導体チップ５０に押圧する。
この押圧によって、絶縁性材料２３は第３の半導体チップ４０と接触しさらに第３の半導体チップ４０と第４の半導体チップ５０との間隙を充填する。
その後、この絶縁性材料２３を硬化することによって、図１２（ｂ）に示す保持構造６０を得る。
【００３９】
第３の半導体チップ４０を第４の半導体チップ５０に押圧した際に、第３の半導体チップ４０の突起部３５の先端部３５ａは略半球形状を有しているので、この先端部３５ａを第４の半導体チップ５０の開口部４５を通過させて空洞部４６の内部に挿入することができる。
そして、空洞部４６の内部に挿入された先端部３５ａは、その直径Ｒ３５ａ（９μｍ）が開口部４５の開口径Ｒ４５ａ（６μｍ）よりも大きいため開口部４５を通過することができないので、突起部３５は開口部４５及び空洞部４６によって保持される。
従って、上述の押圧により、第３の半導体チップ４０を第４の半導体チップ５０に保持することができる。
【００４０】
また、この接続構造６０により、突起部３５とカバー層４４とが電気的に接続され、また、カバー層４４と電極４２とは電気的に接続されているので、第３の半導体チップ４０と第４の半導体チップ５０とを電気的に接続することができる。
【００４１】
また、この保持構造６０によれば、絶縁性材料２３を硬化させる際に、第３の半導体チップ４０と第４の半導体チップ５０とは、突起部３５が開口部４５及び空洞部４６で保持されているため、電子部品である第３の半導体チップ４０と支持体である第４の半導体チップ５０との位置ズレを抑制することができるので、位置ズレによるチップ間の導通不良を低減することができる。
【００４２】
本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。
【００４３】
例えば、第１実施例及び第２実施例では、第１の基板を作製した後に第２の基板を作製したが、これに限定されるものではなく、第２の基板を作製した後に第１の基板を作製するようにしてもよい。
【００４４】
また、第１実施例及び第２実施例では、電子部品に突起部を形成し、支持体に開口部及び空洞部を形成したが、これに限定されるものではなく、支持体に突起部を形成し、電子部品に開口部及び空洞部を形成してもよい。
【００４５】
また、第１実施例及び第２実施例では、犠牲層４をＳｉＯ２層としたがこれに限定されるものではなく、ＳｉＮ層やレジスト等を用いることができる。
【００４６】
また、前述した保持構造が可能であれば、第１の半導体チップ１０及び第２の半導体チップ２０の少なくともいずれかの対向する面、または、第３の半導体チップ４０及び第４の半導体チップ５０の少なくともいずれかの対向する面に、保護層を形成しても良い。
この保護層により、チップ同士を接続した際に、チップの表面を含むその近傍部に形成された回路を保護することができる。
【００４７】
また、第１実施例では、第２の半導体チップ２０の電極１２に導電性材料２２を塗布したが、これに限定されるものではなく、第１の半導体チップ１０の電極２に導電性材料２２を塗布してもよく、また、電極２及び電極１２それぞれに導電性材料２２を塗布してもよい。
【００４８】
また、第２実施例では、突起部３５とカバー層４４とを電気的に接続することによって、第３の半導体チップ４０の電極３２と第４の半導体チップ５０の電極４２とを電気的に接続したが、これに限定されるものではなく、さらに、第１実施例と同様に、導電性材料により電極３２と電極４２とを電気的に接続するようにしてもよい。これにより、電極３２と電極４２との接続抵抗をさらに低減させることができる。
【００４９】
また、第１実施例における第１の半導体チップ１０と第２の半導体チップ２０との間隙に、また、第２実施例における第３の半導体チップ４０と第４の半導体チップ５０との間隙に、絶縁性材料を充填する構成としたが、これに限定されるものでなく、突起部と開口部及び空洞部とで十分な接続強度が得られる場合は、絶縁性材料で充填しなくてもよい。
【００５０】
また、第１実施例では、突起部５の先端部５ａの直径Ｒ５ａを９μｍ、開口部１５の開口径Ｒ１５ａを６μｍ、空洞部１６の端部の直径Ｒ１６ａを１０μｍとしたが、これに限定されるものではない。発明者が鋭意実験した結果、突起部５を開口部１５及び空洞部１６で固定するためには、上述のＲ５ａ，Ｒ１５ａ，Ｒ１６ａが、Ｒ１５ａ＜Ｒ５ａ≦Ｒ１６ａの関係を満たせばよく、より好ましくは、突起部５の先端部５ａの直径Ｒ５ａを開口部１５の開口径Ｒ１５ａの１．２倍〜１．５倍の範囲内とすることが望ましい。
このときの突起部５の胴体部５ｂの直径Ｒ５ｂと開口部１５の開口径Ｒ１５ａとの関係はＲ５ｂ≦Ｒ１５ａである。
【００５１】
同様に、第２実施例では、突起部３５の先端部３５ａの直径Ｒ３５ａを９μｍ、開口部４５の開口径Ｒ４５ａを６μｍ、空洞部４６の端部の直径Ｒ４６ａを１０μｍとしたが、これに限定されるものではない。発明者が鋭意実験した結果、突起部３５を開口部４５及び空洞部４６で固定するためには、上述のＲ３５ａ，Ｒ４５ａ，Ｒ４６ａが、Ｒ４５ａ＜Ｒ３５ａ≦Ｒ４６ａの関係を満たせばよく、より好ましくは、突起部３５の先端部３５ａの直径Ｒ３５ａを開口部４５の開口径Ｒ４５ａの１．２倍〜１．５倍の範囲内とすることが望ましい。
このときの突起部３５の胴体部３５ｂの直径Ｒ３５ｂと開口部４５の開口径Ｒ４５ａとの関係はＲ３５ｂ≦Ｒ４５ａである。
【００５２】
また、第１実施例及び第２実施例では、突起部５，３５の先端部５ａ，３５ａの形状を略半球形状とし胴体部５ｂ，３５ｂの形状を略円柱形状とし、また、開口部１５，４５の形状を略円筒形状とし、空洞部１６，４６の形状を略樽形状としたが、これに限定されるものではない。
先端部５ａ，３５ａにおける第１の半導体チップ１０の表面と平行な断面の外接円の直径をＲａ、胴体部５ｂ，３５ｂにおける第１の半導体チップ１０の表面と平行な断面の外接円の直径をＲｂ、開口部１５，４５における第２の半導体チップ２０の表面と平行な断面の内接円の直径をＲｃ、空洞部１６，４６における第２の半導体チップ２０の表面と平行な断面の内接円の直径をＲｄとしたとき、前述した関係と同様の関係、即ち、Ｒａ≦Ｒｄ、及び、Ｒｄ＜Ｒｂ≦Ｒｃの関係を満たしていれば、第１実施例及び第２実施例と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法の第１実施例における第１工程を説明するための模式的断面図である。
【図２】本発明の電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法の第１実施例における第２工程を説明するための模式的断面図である。
【図３】本発明の電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法の第１実施例における第３工程を説明するための模式的断面図である。
【図４】本発明の電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法の第１実施例における第４工程を説明するための模式的断面図である。
【図５】本発明の電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法の第１実施例における第５工程を説明するための模式的断面図である。
【図６】本発明の電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法の第１実施例における第６工程を説明するための模式的断面図である。
【図７】本発明の電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法の第１実施例における第７工程を説明するための模式的断面図である。
【図８】本発明の電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法の第１実施例における第８工程を説明するための模式的断面図である。
【図９】本発明の電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法の第１実施例における第９工程を説明するための模式的断面図である。
【図１０】本発明の電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法の第１実施例における第１０工程を説明するための模式的断面図である。
【図１１】本発明の電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法の第１実施例における第１１工程を説明するための模式的断面図である。
【図１２】本発明の電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法の第２実施例を説明するための模式的断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１，１１  半導体ウエハ、  １ａ，１１ａ  回路、  ２，１２，３２，４２  電極、  ３  導電層、  ３ａ  Ｎｉ層、  ３ｂ  Ｃｕ層、  ４  犠牲層、  ４ａ，１５，４５  開口部、  ５，３５  突起部、  ５ａ，３５ａ  傘部、  ５ｂ  胴部、  １０，２０，４０，５０  半導体チップ、  １３  ギャップ層、  １４，４４  カバー層、  １６，４６  空洞部、  ２２  導電性材料、  ３０，６０  接続構造、  ４８  接続部、  Ｒ４ａ，Ｒ１５ａ，Ｒ４５ａ  開口径、  Ｒ５ａ，Ｒ５ｂ，Ｒ１６ａ，Ｒ１６ｂ，Ｒ３５ａ  直径、  Ｈ５ａ，Ｈ５ｂ  高さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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