(57)【要約】【課題】本発明は、サセプタに吸着された半導体基板を加熱し、加熱された半導体基板に膜を形成する膜形成工程を含んだ半導体装置の製造方法に関し、半導体基板の上面側に良好な膜質の膜を形成すると共に、半導体基板の下面側への膜の形成を防止して、半導体装置の歩留まりを向上させることを課題とする。【解決手段】半導体基板２２の中心から半導体基板２２の半径Ｒ１の１／２よりも内側に位置する第１の領域Ｄに対応する半導体基板２２と、第１の領域Ｄよりも外側に位置する第２の領域Ｅに対応する半導体基板２２とをサセプタ１７により吸着すると共に、ヒータ１６により所定の温度Ｔｘとなるように加熱された半導体基板２２上にＣＶＤ膜２３を形成する。【選択図】図２
2008010500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サセプタにより吸着された半導体基板を所定の温度に加熱して、前記半導体基板に膜を形成する膜形成工程を含んだ半導体装置の製造方法であって、
前記サセプタは、前記半導体基板の中心から前記半導体基板の半径の１／２よりも内側の第１の領域に対応する前記半導体基板と、前記第１の領域よりも外側の第２の領域に対応する前記半導体基板とを吸着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の領域に対応する前記半導体基板と接触する前記サセプタに第１の吸着用溝を形成し、前記第２の領域に対応する前記半導体基板と接触する前記サセプタに第２の吸着用溝を形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１及び第２の吸着用溝は、連続する溝であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１及び第２の吸着用溝は、前記サセプタの中心位置から放射状に形成された溝であることを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１及び第２の吸着用溝のうち、少なくとも一方は、前記サセプタの中心位置を中心とするリング状の溝であることを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サセプタに吸着された半導体基板を加熱し、加熱された半導体基板に膜を形成する膜形成工程を含んだ半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に形成された半導体集積回路とを有する。半導体集積回路は、半導体基板に形成された拡散層と、半導体基板上に積層された絶縁膜と、積層された絶縁膜に形成された配線パターンとを有した構成とされている。
【０００３】
上記半導体集積回路に設けられた絶縁膜を形成する成膜装置としては、例えば、常圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置が用いられる。
【０００４】
図１１は、従来の常圧ＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図である。
【０００５】
図１１を参照するに、従来の常圧ＣＶＤ装置１００は、成膜チャンバー１０１と、ステージ１０２と、管路１０３と、真空ポンプ１０４と、ヒータ１０６と、サセプタ１０７と、反応チャンバー１０９とを有する。
【０００６】
成膜チャンバー１０１は、反応室Ｆを形成するためのものである。成膜チャンバー１０１は、ステージ１０２の一部、サセプタ１０７、及び反応チャンバー１０９の一部を収容している。
【０００７】
ステージ１０２は、その一部が成膜チャンバー１０１に収容されている。ステージ１０２は、ヒータ１０６及びサセプタ１０７を配設するためのものである。ステージ１０２は、真空引きするための管路１１１を有する。管路１１１は、管路１０３を介して、真空ポンプ１０４と接続されている。
【０００８】
管路１０３は、一方の端部が管路１１１と接続されており、他方の端部が真空ポンプ１０４と接続されている。管路１０３は、管路１１１と真空ポンプ１０４と接続するためのものである。真空ポンプ１０４は、吸着用溝１１４及び管路１０３，１１１内を真空引きするためのものである。
【０００９】
ヒータ１０６は、ステージ１０２に内蔵されている。ヒータ１０６は、サセプタ１０７を介して、半導体基板１１２を所定の温度（例えば、３００℃〜４００℃）に加熱するためのものである。
【００１０】
サセプタ１０７は、ステージ１０２上に設けられている。サセプタ１０７は、サセプタ本体１１３と、管路１１５と、吸着用溝１１４とを有する。
【００１１】
図１２は、図１１に示すサセプタの平面図である。図１２において、Ｃｗはサセプタ１０７に吸着される半導体基板１１２の中心、Ｇはサセプタ１０７に吸着される半導体基板１１２の外形位置、Ｒｗは半導体基板１１２の半径（以下、「半径Ｒｗ」とする）、Ｈは半導体基板１１２の半径Ｒｗの１／２よりも内側に位置する領域（以下、「領域Ｈ」とする）をそれぞれ示している。
【００１２】
図１２を参照するに、吸着用溝１１４は、領域Ｈに対応するサセプタ本体１１３に形成されている。吸着用溝１１４は、管路１１５を介して、ステージ１０２に形成された管路１１１と接続されている（図１１参照）。吸着用溝１１４は、真空ポンプ１０４を動作させた際、半導体基板１１２の下面１１２Ｂをサセプタ本体１１３に吸着させるための溝である。
【００１３】
図１１を参照するに、管路１１５は、吸着用溝１１４の下方に位置するサセプタ本体１１３に設けられている。管路１１５は、吸着用溝１１４と管路１１１とを接続するためのものである。
【００１４】
反応チャンバー１０９は、その一部が成膜チャンバー１０１に収容されている。反応チャンバー１０９は、サセプタ１０７の上方に配置されている。反応チャンバー１０９は、開口部１０９Ａを有する。開口部１０９Ａは、所定の温度に加熱された半導体基板１１２に反応ガスを吐出するためのである。
【００１５】
上記構成とされた常圧ＣＶＤ装置１００では、所定の温度に加熱された半導体基板１１２に反応ガスを吐出させて、半導体基板１１２の熱により反応ガスを熱化学反応させることで、半導体基板１１２上にＣＶＤ膜１１７を形成する（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平７−２３８３８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
図１３は、従来のサセプタの課題を説明するための図である。図１３に示すＪは、サセプタ１０７から離間した半導体基板１１２の領域（以下、「領域Ｊ」とする）を示している。また、図１３において、図１１に示す常圧ＣＶＤ装置１００及び図１２に示すサセプタ１０７と同一構成部分には同一符号を付す。
【００１７】
しかしながら、従来のサセプタ１０７では、領域Ｈに対応する半導体基板１１２の下面１１２Ｂのみを吸着していたため、図１３に示すように、半導体基板１１２の厚さが薄い場合（例えば、半導体基板１１２の厚さが２７３μｍ〜４００μｍの場合）、領域Ｈよりも外側に位置する領域Ｊに対応する半導体基板１１２が熱の影響により反ってしまう。
【００１８】
これにより、領域Ｊに対応する半導体基板１１２がサセプタ１０７から離間して、領域Ｊに対応する半導体基板１１２の温度が所定の温度よりも低くなるため、領域Ｊに対応する半導体基板１１２に形成されるＣＶＤ膜１１７の膜質が悪くなってしまう（例えば、ＣＶＤ膜１１７にクラックが発生する）という問題があった。
【００１９】
また、半導体基板１１２が熱の影響により反った場合には、反応ガスが領域Ｊに対応する半導体基板１１２の下面１１２Ｂ側に回り込むため、領域Ｊに対応する半導体基板１１２の下面１１２Ｂ側にも膜質の悪いＣＶＤ膜１１７が形成される。
【００２０】
このように、領域Ｊに対応する半導体基板１１２の下面１１２Ｂ側にＣＶＤ膜１１７が形成された場合、その後のフォトリソ工程において、フォーカスをうまく合わせることが難しくなり、レジスト膜に所定の大きさの開口部を形成することが困難となるため、半導体装置の歩留まりが低下してしまうという問題があった。
【００２１】
さらに、ＣＶＤ膜１１７が剥がれた場合、製造途中の半導体集積回路にＣＶＤ膜１１７が付着して、半導体装置の歩留まりが低下してしまうという問題があった。
【００２２】
そこで、本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、半導体基板の上面側に良好な膜質の膜を形成できると共に、半導体基板の下面側に膜が形成されることを防止して半導体装置の歩留まりを向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の一観点によれば、サセプタ（１７）により吸着された半導体基板（２２）を所定の温度（Ｔｘ）に加熱して、前記半導体基板（２２）に膜（２３）を形成する膜形成工程を含んだ半導体装置の製造方法であって、前記サセプタ（１７）は、前記半導体基板（２２）の中心から前記半導体基板（２２）の半径（Ｒ１）の１／２よりも内側の第１の領域（Ｄ）に対応する前記半導体基板（２２）と、前記第１の領域（Ｄ）よりも外側の第２の領域（Ｅ）に対応する前記半導体基板（２２）とを吸着することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２４】
本発明によれば、半導体基板（２２）の中心から半導体基板（２２）の半径（Ｒ１）の１／２よりも内側の第１の領域（Ｄ）に対応する半導体基板（２２）と、第１の領域（Ｄ）よりも外側の第２の領域（Ｅ）に対応する前記半導体基板（２２）とをサセプタ（１７）で吸着して、所定の温度（Ｔｘ）に加熱された半導体基板（２２）に膜（２３）を形成することにより、半導体基板（２２）の下面（２２Ｂ）側の略全体をサセプタ（１７）に接触させることが可能となる。これにより、半導体基板（２２）全体を所定の温度（Ｔｘ）に加熱することが可能となるため、半導体基板（２２）の上面（２２Ａ）側に良好な膜質の膜（２３）を形成することができる。
【００２５】
また、第２の領域（Ｅ）に対応する半導体基板（２２）を吸着することにより、例えば、常圧ＣＶＤ装置（１０）を用いて成膜する場合、反応ガスが半導体基板（２２）の下面（２２Ｂ）側に回り込むことがなくなる。これにより、半導体基板（２２）の下面（２２Ｂ）側に膜（２３）が形成されることがなくなるため、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００２６】
なお、上記参照符号は、あくまでも参考であり、これによって、本願発明が図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２７】
本発明は、半導体基板の上面側に良好な膜質の膜を形成できると共に、半導体基板の下面側に膜が形成されることを防止して、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００２９】
（第１の実施の形態）
半導体装置は、半導体基板と、半導体集積回路とを有する。半導体集積回路は、半導体基板に形成された拡散層と、半導体基板上に積層された複数の絶縁膜と、複数の絶縁膜に形成された複数の配線パターンとを有する。半導体集積回路に設けられた絶縁膜を形成する際に用いられる成膜装置としては、例えば、常圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置が用いられる。
【００３０】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る常圧ＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図である。
【００３１】
図１を参照するに、第１の実施の形態に係る常圧ＣＶＤ装置１０は、成膜チャンバー１１と、反応チャンバー１２と、ステージ１３と、管路１４と、真空ポンプ１５と、ヒータ１６と、サセプタ１７とを有する。
【００３２】
成膜チャンバー１１は、反応室Ａを形成するためのものである。成膜チャンバー１１は、反応チャンバー１２の一部、ステージ１３の一部、及びサセプタ１７を収容している。反応室Ａは、所定の温度Ｔｘ（ＣＶＤ膜２３を半導体基板２２に成膜するときの温度）に加熱された半導体基板２２の熱により反応ガスを熱化学反応させて、半導体基板２２の上面２２Ａ側にＣＶＤ膜２３を形成するための空間である。所定の温度Ｔｘは、例えば、３００℃〜４００℃とすることができる。
【００３３】
半導体基板２２としては、例えば、Ｓｉウエハを用いることができる。半導体基板２２の厚さは、例えば、４００μｍ以下とすることができる。また、反応ガスとしては、例えば、ＴＥＯＳガスやＯ３ガス等を用いることができる。具体的なＣＶＤ膜２３としては、例えば、ＰＳＧ（Phospho Silicate Glass）膜、ＴＥＯＳ膜、ＢＰＳＧ（Boro-Phospho Silicate Glass）膜等がある。
【００３４】
反応チャンバー１２は、その一部が成膜チャンバー１１内に収容されている。反応チャンバー１２は、サセプタ１７の上方に配置されている。反応チャンバー１２は、反応ガスを導入するための空間である。反応チャンバー１２は、複数の開口部１２Ａを有する。複数の開口部１２Ａは、サセプタ１７上に吸着された半導体基板２２と対向する反応チャンバー１２に形成されている。複数の開口部１２Ａは、半導体基板２２に反応ガスを吐出するためのものである。
【００３５】
ステージ１３は、その一部が成膜チャンバー１１内に収容されている。ステージ１３は、ヒータ１６及びサセプタ１７を配設するためのものである。ステージ１３は、管路２５を有する。管路２５は、管路１４を介して、真空ポンプ１５と接続されている。
【００３６】
管路１４は、一方の端部が管路２５と接続されており、他方の端部が真空ポンプ１５と接続されている。管路１４は、管路２５と真空ポンプ１５との間を接続するためのものである。
【００３７】
真空ポンプ１５は、管路１４と接続されている。真空ポンプ１５は、管路１４，２５，３１を介して、後述する第１及び第２の吸着用溝２８，２９内を真空引きして、半導体基板２２をサセプタ１７に吸着させるためのものである。
【００３８】
ヒータ１６は、ステージ１３に内蔵されている。ヒータ１６は、サセプタ１７を介して、半導体基板２２を所定の温度Ｔｘに加熱するためのものである。
【００３９】
サセプタ１７は、サセプタ本体２７と、第１の吸着用溝２８と、第２の吸着用溝２９と、管路３１とを有する。サセプタ本体２７は、ステージ１３上に設けられている。
【００４０】
図２は、図１に示すサセプタを拡大した断面図であり、図３は、図２に示すサセプタの平面図である。図２において、Ｃ１はサセプタ１７の中心位置（以下、「中心位置Ｃ１」とする）、Ｂはサセプタ１７に吸着される半導体基板２２の外形位置、Ｒ１は半導体基板２２の半径（以下、「半径Ｒ１」とする）、Ｄは半導体基板２２の半径Ｒ１の１／２よりも内側に位置する半導体基板２２の領域（以下、「第１の領域Ｄ」とする）、Ｅは第１の領域Ｄよりも外側に位置する半導体基板２２の領域（以下、「第２の領域Ｅ」とする）をそれぞれ示している。また、図２において、図１に示す常圧ＣＶＤ装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。さらに、図３において、図２に示すサセプタ１７と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４１】
図２及び図３を参照して、第１及び第２の吸着用溝２８，２９について説明する。第１の吸着用溝２８は、半導体基板２２の半径Ｒ１の１／２よりも内側に位置する第１の領域Ｄに対応するサセプタ本体２７に形成されている。第１の吸着用溝２８は、サセプタ１７の中心位置Ｃ１を中心として放射状に複数形成されている。第１の吸着用溝２８は、その一方の端部が管路３１と接続されており、他方の端部が第２の吸着用溝２９と接続されている。第１の吸着用溝２８は、第１の領域Ｄに対応する半導体基板２２の下面２２Ｂ側を吸着するためのものである。
【００４２】
第１の吸着用溝２８の長さＬ１（サセプタ１７の中心位置Ｃ１から第１の吸着用溝２８の端部までの長さ）は、半導体基板２２の半径Ｒ１の１／２の値と略等しくなるように構成されている。半導体基板２２の直径Ｒ１が１５０ｍｍの場合、第１の吸着用溝２８の長さＬ１は、例えば、３７．５ｍｍとすることができる。第１の吸着用溝２８の幅Ｗ１は、例えば、０．５５ｍｍとすることができる。また、第１の吸着用溝２８の深さＦ１は、例えば、０．５５ｍｍとすることができる。
【００４３】
第２の吸着用溝２９は、第１の領域Ｄよりも外側に位置する第２の領域Ｅに対応するサセプタ本体２７に形成されている。第２の吸着用溝２９は、第１の吸着用溝２８の他方の端部から第１の吸着用溝２８の長手方向に延在するように形成されている。つまり、第１及び第２の吸着用溝２８，２９は、連続する放射状の溝である。第２の吸着用溝２９は、第２の領域Ｅに対応する半導体基板２２の下面２２Ｂ側を吸着するためのものである。
【００４４】
半導体基板２２の直径Ｒ１が１５０ｍｍの場合、第２の吸着用溝２９の長さＬ２は、例えば、２７．５ｍｍとすることができる。第２の吸着用溝２９の幅Ｗ２は、例えば、０．５５ｍｍとすることができる。また、第２の吸着用溝２９の深さＦ２は、例えば、０．５５ｍｍとすることができる。
【００４５】
本実施の形態の膜形成工程では、上記構成とされた常圧ＣＶＤ装置１０を用いて、半導体基板２２の上面２２Ａ側にＣＶＤ膜２３を形成する。具体的には、第１の吸着用溝２８により第１の領域Ｄに対応する半導体基板２２の下面２２Ｂ側を吸着すると共に、第２の吸着用溝２９により第１の領域Ｄよりも外側に位置する第２の領域Ｅに対応する半導体基板２２の下面２２Ｂ側を吸着し、加熱された半導体基板２２の熱により反応ガスを熱化学反応させて、半導体基板２２の上面２２Ａ側にＣＶＤ膜２３を形成する。
【００４６】
このように、サセプタ１７の中心位置Ｃ１から放射状に形成された第１及び第２の吸着用溝２８，２９をサセプタ本体２７に設け、第１の吸着用溝２８により第１の領域Ｄに対応する半導体基板２２の下面２２Ｂ側を吸着すると共に、第２の吸着用溝２９により第１の領域Ｄよりも外側に位置する第２の領域Ｅに対応する半導体基板２２の下面２２Ｂ側を吸着して、所定の温度Ｔｘに加熱された半導体基板２２にＣＶＤ膜２３を形成することにより、半導体基板２２の厚さが薄い場合（例えば、半導体基板２２の厚さが４００μｍ以下の場合）でも半導体基板２２の下面２２Ｂ側の略全体がサセプタ本体２７と接触する。これにより、ヒータ１６によりサセプタ本体２７を介して半導体基板２２の全体を所定の温度Ｔｘに加熱することが可能となるので、半導体基板２２の上面２２Ａ側に良好な膜質のＣＶＤ膜２３を形成することができる。
【００４７】
また、第２の吸着用溝２９により第２の領域Ｅに対応する半導体基板２２の下面２２Ｂ側を吸着することにより、半導体基板２２の下面２２Ｂ側に反応チャンバー１２から吐出される反応ガスが回り込むことを防止することができる。これにより、半導体基板２２の下面２２Ｂ側にＣＶＤ膜２３が形成されることがなくなるため、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００４８】
さらに、第１の吸着用溝２８と第２の吸着用溝２９とを連続する溝とすることにより、サセプタ本体２７に真空引き用の管路３１を１つだけ設ければよいため、サセプタ１７のコストを低減することができる。
【００４９】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、第１の吸着用溝２８により第１の領域Ｄに対応する半導体基板２２の下面２２Ｂ側を吸着すると共に、第２の吸着用溝２９により、第１の領域Ｄよりも外側に位置する第２の領域Ｅに対応する半導体基板２２の下面２２Ｂ側を吸着して半導体基板２２にＣＶＤ膜２３を形成することにより、半導体基板２２の厚さが薄い場合（例えば、半導体基板２２の厚さが４００μｍ以下の場合）でも半導体基板２２の全体を所定の温度Ｔｘに加熱することが可能となるため、半導体基板２２の上面２２Ａ側に良好な膜質のＣＶＤ膜２３を形成することができる。
【００５０】
また、第２の吸着用溝２９により第２の領域Ｅに対応する半導体基板２２の下面２２Ｂ側を吸着することで、半導体基板２２の下面２２Ｂ側にＣＶＤ膜２３が形成されることが防止されるので、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００５１】
図４は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係るサセプタの平面図である。図４において、図３に示すサセプタ１７と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５２】
図４を参照するに、第１の実施の形態の変形例のサセプタ３５は、第１の実施の形態で説明したサセプタ１７（図３参照）の構成に、さらに第２の吸着用溝３６を設けた以外はサセプタ１７と同様に構成される。
【００５３】
第２の吸着用溝３６は、第２の領域Ｅに対応するサセプタ本体２７に形成されている。第２の吸着用溝３６は、リング状の溝である。第２の吸着用溝２９，３６は、連続する溝である。第２の吸着用溝３６の幅Ｗ３は、例えば、０．５５ｍｍとすることができる。また、半導体基板２２の直径Ｒ１が１５０ｍｍの場合、第２の吸着用溝３６の外径Ｒ２は、例えば、１００ｍｍとすることができる。
【００５４】
このように、第１及び第２の吸着用溝２８，２９の他にリング状とされた第２の吸着用溝３６を設けることにより、第２の吸着用溝２９間に位置する半導体基板２２の下面２２Ｂ側を吸着することが可能となるため、熱に起因する半導体基板２２の反りを抑制することができる。
【００５５】
なお、第１の実施の形態で説明したサセプタ１７の代わりに、第１の実施の形態の変形例のサセプタ３５を用いて半導体基板２２を吸着して、ＣＶＤ膜２３を形成した場合においても第１の実施の形態と同様な効果を得ることができる。
【００５６】
（第２の実施の形態）
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る常圧ＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図である。図５において、第１の実施の形態の常圧ＣＶＤ装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５７】
図５を参照するに、第２の実施の形態に係る常圧ＣＶＤ装置４０は、第１の実施の形態の常圧ＣＶＤ装置１０に設けられたサセプタ１７の代わりに、サセプタ４１を設けた以外は常圧ＣＶＤ装置１０と同様に構成されている。
【００５８】
図６は、図５に示すサセプタの平面図である。図６において、図４に示す第１の実施の形態の変形例のサセプタ３５と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５９】
図６を参照するに、サセプタ４１は、第１の実施の形態の変形例に係るサセプタ３５に設けられた第１及び第２の吸着用溝２８，２９の代わりに、第１及び第２の吸着用溝４２，４３を設けた以外はサセプタ３５と同様に構成される。
【００６０】
第１の吸着用溝４２は、第１の領域Ｄに対応するサセプタ本体２７に形成されている。第１の吸着用溝４２は、サセプタ４１の中心位置Ｃ１を通過しており、一方向に延在する溝である。第１の吸着用溝４２は、管路３１と接続されている。第１の吸着用溝４２の幅Ｗ４は、例えば、０．５５ｍｍとすることができる。また、第１の吸着用溝４２の深さは、例えば、０．５５ｍｍとすることができる。
【００６１】
第２の吸着用溝４３は、第２の吸着用溝３６の内側の第２の領域Ｅに対応するサセプタ本体２７に形成されている。第２の吸着用溝４３は、第１の吸着用溝４２と第２の吸着用溝３６とを接続している。つまり、第１の吸着用溝４２及び第２の吸着用溝３６，４３は、連続する溝である。第２の吸着用溝４３は、第１の吸着用溝４２の端部から第１の吸着用溝４２の長手方向に延在するように形成されている。第２の吸着用溝４３の幅Ｗ５は、例えば、０．５５ｍｍとすることができる。また、第２の吸着用溝４３の深さは、例えば、０．５５ｍｍとすることができる。
【００６２】
上記説明したような第１の吸着用溝４２及び第２の吸着用溝３６，４３を備えたサセプタ４１を用いて半導体基板２２を吸着し、半導体基板２２を所定の温度Ｔｘに加熱してＣＶＤ膜２３を形成する場合においても、第１の実施の形態と同様な効果を得ることができる。
【００６３】
図７は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係るサセプタの平面図である。図７において、図６に示すサセプタ４１と同一構成部分には同一符号を付す。
【００６４】
図７を参照するに、第２の実施の形態の変形例のサセプタ４６は、第２の実施の形態で説明したサセプタ４１（図６参照）の構成に、さらに第１の吸着用溝４７を設けた以外はサセプタ４１と同様に構成される。
【００６５】
第１の吸着用溝４７は、第１の領域Ｄに対応するサセプタ本体２７に形成されている。第１の吸着用溝４７は、リング状の溝である。第１の吸着用溝４２，４７は、連続する溝である。第１の吸着用溝４７の幅Ｗ６は、例えば、０．５５ｍｍとすることができる。
【００６６】
このように、第１の吸着用溝４２及び第２の吸着用溝３６，４３の他にさらに、リング状とされた第１の吸着用溝４７が形成されたサセプタ４６を用いて半導体基板２２を吸着し、半導体基板２２を所定の温度Ｔｘに加熱してＣＶＤ膜２３を形成する場合においても、第１の実施の形態と同様な効果を得ることができる。
【００６７】
（第３の実施の形態）
図８は、本発明の第３の実施の形態に係る常圧ＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図である。図８において、第１の実施の形態の常圧ＣＶＤ装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００６８】
図８を参照するに、第３の実施の形態に係る常圧ＣＶＤ装置５０は、第１の実施の形態の常圧ＣＶＤ装置１０に設けられたステージ１３、管路１４、及びサセプタ１７の代わりに、ステージ５１、管路５２，５３、及びサセプタ５５を設けた以外は常圧ＣＶＤ装置１０と同様に構成されている。
【００６９】
ステージ５１は、その一部が成膜チャンバー１１内に収容されている。ステージ５１は、ヒータ１６及びサセプタ５５を配設するためのものである。ステージ５１は、管路５７，５８を有する。管路５７は、管路５２を介して、真空ポンプ１５と接続されている。管路５８は、管路５３を介して、真空ポンプ１５と接続されている。
【００７０】
管路５２は、一方の端部が管路５７と接続されており、他方の端部が真空ポンプ１５と接続されている。管路５３は、一方の端部が管路５８と接続されており、他方の端部が真空ポンプ１５と接続されている。管路５２，５３は、管路５７，５８と真空ポンプ１５との間を接続するためのものである。
【００７１】
図９は、図８に示すステージ及びサセプタを拡大した断面図であり、図１０は、図９に示すサセプタの平面図である。
【００７２】
図９及び図１０を参照するに、サセプタ５５は、第２の実施の形態の変形例に係るサセプタ４６に設けられた管路３１の代わりに管路６１，６２を設けると共に、サセプタ４６に設けられた第１及び第２の吸着用溝４２，４３を取り除いた以外はサセプタ４６と同様に構成される。つまり、サセプタ５５は、リング状とされた第１及び第２の吸着用溝４７，３６を有した構成とされている。第２の吸着用溝３６は、第１の吸着用溝４７から離間した溝である。
【００７３】
管路６１は、サセプタ本体２７に形成されている。管路６１は、一方の端部が第１の吸着用溝４７と接続されており、他方の端部がステージ５１の管路５７と接続されている。管路６２は、サセプタ本体２７に形成されている。管路６２は、一方の端部が第２の吸着用溝３６と接続されており、他方の端部がステージ５１の管路５８と接続されている。
【００７４】
このように、第１の吸着用溝４７と、第１の吸着用溝４７から離間した第２の吸着用溝３６とを設けると共に、第１の吸着用溝４７と真空ポンプ１５とを接続するライン（具体的には、管路５２，５７，６１）と第１の吸着用溝４７と真空ポンプ１５とを接続するライン（具体的には、管路５３，５８，６２）とを別々のラインとすることにより、半導体基板２２の反りに応じて、第１の吸着用溝４７内における真空圧と第２の吸着用溝３６内における真空圧とを調整することができる。
【００７５】
なお、本実施の形態の常圧ＣＶＤ装置５０を用いて、所定の温度Ｔｘに加熱された半導体基板２２にＣＶＤ膜２３を形成した場合も第１の実施の形態と同様な効果を得ることができる。
【００７６】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００７７】
例えば、第１の領域Ｄに対応するサセプタ本体２７に複数の第１の開口部を設けると共に、第２の領域Ｅに対応するサセプタ本体２７に複数の第２の開口部を設け、複数の第１及び第２の開口部と真空ポンプ１５とを接続して、複数の第１及び第２の開口部により半導体基板２２をサセプタ本体２７に吸着させてもよい。
【００７８】
なお、第１〜第３の実施の形態では、成膜装置として常圧ＣＶＤ装置１０，４０，５０を用いた場合を例に挙げて説明したが、第１〜第３の実施の形態で説明したサセプタ１７，３５，４１，４６，５５は、常圧ＣＶＤ装置１０，４０，５０以外の成膜装置にも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は、サセプタに吸着された半導体基板を加熱し、加熱された半導体基板に膜を形成する膜形成工程を含んだ半導体装置の製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る常圧ＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に示すサセプタを拡大した断面図である。
【図３】図２に示すサセプタの平面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の変形例に係るサセプタの平面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る常圧ＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図である。
【図６】図５に示すサセプタの平面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態の変形例に係るサセプタの平面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る常圧ＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図である。
【図９】図８に示すステージ及びサセプタを拡大した断面図である。
【図１０】図９に示すサセプタの平面図である。
【図１１】従来の常圧ＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図である。
【図１２】図１１に示すサセプタの平面図である。
【図１３】従来のサセプタの課題を説明するための図である。
【符号の説明】
【００８１】
１０，４０，５０  常圧ＣＶＤ装置
１１  成膜チャンバー
１２  反応チャンバー
１２Ａ  開口部
１３，５１  ステージ
１４，２５，３１，５２，５３，５７，５８，６１，６２  管路
１５  真空ポンプ
１６  ヒータ
１７，３５，４１，４６，５５  サセプタ
２２  半導体基板
２２Ａ  上面
２２Ｂ  下面
２３  ＣＶＤ膜
２７  サセプタ本体
２８，４２，４７  第１の吸着用溝
２９，３６，４３  第２の吸着用溝
Ａ  反応室
Ｃ１  中心位置
Ｄ  第１の領域
Ｅ  第２の領域
Ｆ１，Ｆ２  深さ
Ｌ１，Ｌ２  長さ
Ｒ１  半径
Ｒ２，Ｒ３  外径
Ｔｘ  所定の温度
Ｗ１〜Ｗ６  幅
【図１】
2008010500.tif 000003
【図２】
2008010500.tif 000004
【図３】
2008010500.tif 000005
【図４】
2008010500.tif 000006
【図５】
2008010500.tif 000007
【図６】
2008010500.tif 000008
【図７】
2008010500.tif 000009
【図８】
2008010500.tif 000010
【図９】
2008010500.tif 000011
【図１０】
2008010500.tif 000012
【図１１】
2008010500.tif 000013
【図１２】
2008010500.tif 000014
【図１３】
2008010500.tif 000015