(57)【要約】      （修正有）【課題】高速記録時の熱干渉が小さく、良好なジッタが得られる光情報記録媒体を提供する。【解決手段】基板上に２９０℃以上の膜軟化温度を有する一般式(Ｉ)で表される色素を含有する記録層を有することを特徴とする光情報記録媒体。2008273122.tif 000035一般式(Ｉ)中のＱ、は下記一般式(ＩＩ)等を表す。2008273122.tif 000036【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に２９０℃以上の膜軟化温度を有する色素を含有する記録層を有することを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
前記色素は、下記一般式(I)で表される色素である請求項１に記載の光情報記録媒体。
【化１】
2008273122.tif 000032
[一般式(I)中、Ｚａ21、Ｚａ22、Ｚａ23およびＺａ24は、各々独立に、酸性核を形成する原子群を表し、Ｍａ21、Ｍａ22、Ｍａ23、Ｍａ24、Ｍａ25およびＭａ26は、各々独立に、置換または無置換のメチン基を表し、Ｌは、２つの結合とともにπ共役系を形成しない２価の連結基を表し、Ｋａ21およびＫａ22は、各々独立に、０〜３の範囲の整数を表し、Ｋａ21、Ｋａ22が２または３であるとき、複数存在するＭａ21、Ｍａ22、Ｍａ25、Ｍａ26は、同じでも異なっていてもよく、Ｑは、ｎ価の陽イオンを表し、ｎは１〜６の範囲の整数である。]
【請求項３】
一般式(I)中、Ｑは、下記一般式(II)で表される４価の陽イオンを表す請求項２に記載の光情報記録媒体。
【化２】
2008273122.tif 000033
[一般式(II)中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、各々独立に置換基を表し、ｍ１およびｍ２は、各々独立に、０〜５の範囲の整数を表し、ｍ３、ｍ４、ｍ５およびｍ６は、各々独立に、０〜４の範囲の整数を表し、Ｌaは２価の連結基を表す。ｍ１、ｍ２が２〜５の範囲の整数であるとき、複数存在するＲ1、Ｒ2は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、ｍ３、ｍ４、ｍ５、ｍ６が２〜４の範囲の整数であるとき、複数存在するＲ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。]
【請求項４】
一般式（Ｉ）中、Ｑは、下記一般式(III)で表される２価の陽イオンを表す請求項２に記載の光情報記録媒体。
【化３】
2008273122.tif 000034
[一般式(III)中、Ｚ61およびＺ62は、各々独立に、含窒素ヘテロアリール環を形成する原子団を表し、Ｒ7およびＲ8は、各々独立に置換基を表し、ｍ７およびｍ８は、各々独立に、０〜４の範囲の整数を表す。]
【請求項５】
前記記録層は、４１．８８ｍ／ｓの記録線速度において、ランダムパターンでＥＦＭ信号を記録した際に下記式（１）を満たす請求項１〜４のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
平均３Ｔスペース長／平均１４Ｔスペース長＞０．２１１  （１）
【請求項６】
前記基板は、記録層と対向する面に溝深さ１４０ｎｍ以上のプレグルーブを有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
ＤＶＤ−Ｒ型光情報記録媒体である請求項１〜６のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
【請求項８】
２７．９ｍ／ｓ以上の線記録密度で記録層に情報を記録するために使用される請求項１〜７のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の光情報記録媒体へレーザー光を照射することにより、前記記録層へ情報を記録する情報記録方法。
【請求項１０】
前記情報を、２７．９ｍ／ｓ以上の線記録密度で記録する請求項９に記載の情報記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光情報記録媒体に関し、特に、可視レーザー光を用いて情報を記録する追記型のデジタル・バーサタイル・ディスク（ＤＶＤ−Ｒ）等のヒートモード型の光情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、レーザー光により一回限りの情報の記録が可能な光記録媒体（光ディスク）が知られている。この光ディスクは、追記型ＣＤ（所謂ＣＤ−Ｒ）とも称され、その代表的な構造は、透明な円盤状基板上に有機色素からなる記録層、金等の金属からなる光反射層、さらに樹脂製の保護層がこの順に積層状態で設けられている。そしてこのＣＤ−Ｒへの情報の記録は、近赤外域のレーザー光（通常は７８０ｎｍ付近の波長のレーザー光）をＣＤ−Ｒに照射することにより行われ、記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的または化学的変化（例えば、ピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録される。一方、情報の読み取り（再生）もまた記録用のレーザー光と同じ波長のレーザー光を照射することにより行われ、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部分）と変化しない部位（未記録部分）との反射率の違いを検出することにより情報が再生される。
【０００３】
近年、記録密度のより高い光記録媒体が求められている。このような要望に対して、追記型デジタル・バーサタイル・ディスク（所謂ＤＶＤ−Ｒ）と称される光ディスクが提案されている。このＤＶＤ−Ｒは、照射されるレーザー光のトラッキングのための案内溝（プレグルーブ）がＣＤ−Ｒに比べて半分以下（０．７４〜０．８μｍ）と狭く形成された透明な円盤状基板上に、色素からなる記録層、そして通常は該記録層の上に光反射層、そしてさらに必要により保護層を設けてなるディスクを二枚、または該ディスクと同じ形状の円盤状保護基板とを該記録層を内側にして接着剤で貼り合わせた構造を有している。ＤＶＤ−Ｒへの情報の記録再生は、可視レーザー光（通常は、６３０ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲の波長のレーザー光）を照射することにより行われ、ＣＤ−Ｒより高密度の記録が可能であるとされている。
【０００４】
このようなＤＶＤ−Ｒにおいて、近年、高速記録の要求が高まっており、高速記録に対応した光記録媒体が提案されている。例えば、記録線速度が１０．５ｍ／ｓ（ＤＶＤ−Ｒで３倍相当）で、記録パワーが１４ｍＷ以下、アシンメトリーβ≦０％で熱干渉を抑制する光記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、高速記録特性の向上のため、波長３５０〜６３０ｎｍに吸収極大を有する色素と、波長６３０〜９００ｎｍに吸収極大を有する色素とを混合して記録層を形成した光記録媒体が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００２−２６０２２７号公報
【特許文献２】特開２００３−３４０７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
色素型光情報記録媒体では、レーザー光を照射し記録層中の色素を分解または変質させることにより記録マークを形成し、記録マークが形成された部分と形成されていない部分での反射率の違いを利用して情報が読み出される。近年、記録に要する時間を短縮することを目的として、記録線速度の更なる向上が図られている。しかし、特に高速記録時には、隣り合う記録マーク間で先行する記録マーク形成過程における余熱が、後続の記録マーク形成に影響を及ぼすという問題（熱干渉と呼ばれる）が生じる。この熱干渉により、後続する記録マークが大きくなったり中心位置がずれることにより、ジッタが増大し記録特性が劣化するという問題があった。
【０００６】
かかる状況下、本発明は、高速記録時の熱干渉が小さく、良好なジッタが得られる光情報記録媒体を提供することを目的としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、膜軟化温度が２９０℃以上の色素を記録層に使用することにより、高速記録時の熱干渉を抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、上記目的を達成する手段は、以下の通りである。
［１］基板上に２９０℃以上の膜軟化温度を有する色素を含有する記録層を有することを特徴とする光情報記録媒体。
［２］前記色素は、下記一般式(I)で表される色素である［１］に記載の光情報記録媒体。
【化１】
2008273122.tif 000002
[一般式(I)中、Ｚａ21、Ｚａ22、Ｚａ23およびＺａ24は、各々独立に、酸性核を形成する原子群を表し、Ｍａ21、Ｍａ22、Ｍａ23、Ｍａ24、Ｍａ25およびＭａ26は、各々独立に、置換または無置換のメチン基を表し、Ｌは、２つの結合とともにπ共役系を形成しない２価の連結基を表し、Ｋａ21およびＫａ22は、各々独立に、０〜３の範囲の整数を表し、Ｋａ21、Ｋａ22が２または３であるとき、複数存在するＭａ21、Ｍａ22、Ｍａ25、Ｍａ26は、同じでも異なっていてもよく、Ｑは、ｎ価の陽イオンを表し、ｎは１〜６の範囲の整数である。]
［３］一般式(I)中、Ｑは、下記一般式(II)で表される４価の陽イオンを表す［２］に記載の光情報記録媒体。
【化２】
2008273122.tif 000003
[一般式(II)中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、各々独立に置換基を表し、ｍ１およびｍ２は、各々独立に、０〜５の範囲の整数を表し、ｍ３、ｍ４、ｍ５およびｍ６は、各々独立に、０〜４の範囲の整数を表し、Ｌaは２価の連結基を表す。ｍ１、ｍ２が２〜５の範囲の整数であるとき、複数存在するＲ1、Ｒ2は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、ｍ３、ｍ４、ｍ５、ｍ６が２〜４の範囲の整数であるとき、複数存在するＲ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。]
［４］一般式（Ｉ）中、Ｑは、下記一般式(III)で表される２価の陽イオンを表す［２］に記載の光情報記録媒体。
【化３】
2008273122.tif 000004
[一般式(III)中、Ｚ61およびＺ62は、各々独立に、含窒素ヘテロアリール環を形成する原子団を表し、Ｒ7およびＲ8は、各々独立に置換基を表し、ｍ７およびｍ８は、各々独立に、０〜４の範囲の整数を表す。]
［５］前記記録層は、４１．８８ｍ／ｓの記録線速度において、ランダムパターンでＥＦＭ信号を記録した際に下記式（１）を満たす［１］〜［４］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
平均３Ｔスペース長／平均１４Ｔスペース長＞０．２１１  （１）
［６］前記基板は、記録層と対向する面に溝深さ１４０ｎｍ以上のプレグルーブを有する［１］〜［５］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
［７］ＤＶＤ−Ｒ型光情報記録媒体である［１］〜［６］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
［８］２７．９ｍ／ｓ以上の線記録密度で記録層に情報を記録するために使用される［１］〜［７］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
［９］［１］〜［７］のいずれかに記載の光情報記録媒体へレーザー光を照射することにより、前記記録層へ情報を記録する情報記録方法。
［１０］前記情報を、２７．９ｍ／ｓ以上の線記録密度で記録する［９］に記載の情報記録方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高速記録時においてもジッタを低く抑え良好な記録特性を有する光情報記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の光情報記録媒体は、基板上に２９０℃以上の膜軟化温度を有する色素を含有する記録層を有する。
以下に、本発明の光情報記録媒体ついて更に詳細に説明する。
【００１０】
本発明の光情報記録媒体は、基板上に２９０℃以上の膜軟化温度を有する色素を含有する記録層を有する。膜軟化温度が２９０℃以上の色素を記録層に含むことにより、高速記録時の熱干渉によるジッタ増大を抑制し、高速記録時の記録特性を改善できることが本発明者らの検討の結果、新たに見出された。前記膜軟化温度が２９０℃未満では、高速記録時に熱干渉により、後続する記録マークが大きくなったり中心位置がずれることにより、ジッタが増大し記録特性が劣化する。また、記録マーク形成の容易性の点からは、前記膜軟化温度は４００℃以下であることが好ましい。よって、記録層に含まれる色素としては、２９０℃〜４００℃の膜軟化温度を有するものが好ましく、３３０〜４００℃の範囲の膜軟化温度を有するものがより好ましい。
【００１１】
本発明において、「膜軟化温度」とは、以下の方法により測定される値をいうものとする。
（測定方法）
適当な溶媒、例えばテトラフルオロプロパノール１ｍｌに色素２０ｍｇを溶解したものを、スピンコータでガラス基板上に塗布し（塗布条件：室温（２４℃程度）、回転数１００ｒｐｍ）、塗布膜厚が３００ｎｍ程度の膜軟化温度測定用塗布膜を作製する。次に、ティー・エイ・インスツルメント（ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）社製２９９０型マイクロサーマルアナライザー（μＴＡ）を用い、昇温時の塗布膜への針の進入開始温度を測定し、該温度を膜軟化温度とする。
【００１２】
膜軟化温度２９０℃以上の色素としては、下記一般式(I)で表される色素が好ましい。
【００１３】
【化４】
2008273122.tif 000005
[一般式(I)中、Ｚａ21、Ｚａ22、Ｚａ23およびＺａ24は、各々独立に、酸性核を形成する原子群を表し、Ｍａ21、Ｍａ22、Ｍａ23、Ｍａ24、Ｍａ25およびＭａ26は、各々独立に、置換または無置換のメチン基を表し、Ｌは、２つの結合とともにπ共役系を形成しない２価の連結基を表し、Ｋａ21およびＫａ22は、各々独立に、０〜３の範囲の整数を表し、Ｋａ21、Ｋａ22が２または３であるとき、複数存在するＭａ21、Ｍａ22、Ｍａ25、Ｍａ26は、同じでも異なっていてもよく、Ｑは、ｎ価の陽イオンを表し、ｎは１〜６の範囲の整数である。]
【００１４】
一般式(I)で表される色素は、連結基Lによってπ共役系を有する２つの構造を結合することで、分子間のスタッキングを増すことができ、これにより高い膜軟化温度を有し得る。また、連結基Lによりπ共役系を有する２つの構造を結合することによって最大吸収波長を長波長化し、記録再生波長において高い屈折率を得ることができる。そして屈折率が高いことにより、記録マークの形成に必要な記録層厚みを低減することができるため、記録時の余分な発熱を抑えることができる。
次に、一般式（I）について説明する。
【００１５】
一般式（I）
一般式（I）で表される色素は、ビス型オキソノールアニオン部と、該アニオン部の電荷を中和するカチオン部を含む。アニオン部において、Ｚａ21、Ｚａ22、Ｚａ23およびＺａ24は、各々独立に、酸性核を形成する原子群を表す。その例は、James 編、The Theory of the Photographic Process、第４版、マクミラン社、１９７７年、第１９８頁に記載されている。具体例としては、各々、置換されてもいてもよいピラゾール−５−オン、ピラゾリジン−３，５−ジオン、イミダゾリン−５−オン、ヒダントイン、２または４−チオヒダントイン、２−イミノオキサゾリジン−４−オン、２−オキサゾリン−５−オン、２−チオオキサゾリン−２，４−ジオン、イソローダニン、ローダニン、チオフェン−３−オン、チオフェン−３−オン−１，１−ジオキシド、インドリン−２−オン、インドリン−３−オン、２−オキソインダゾリウム、５，７−ジオキソ−６，７−ジヒドロチアゾロ〔３，２−ａ〕ピリミジン、３，４−ジヒドロイソキノリン−４−オン、１，３−ジオキサン−４，６−ジオン（例えば、メルドラム酸など）、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、クマリンー２，４−ジオン、インダゾリン−２−オン、ピリド［１，２−ａ］ピリミジン−１，３−ジオン、ピラゾロ〔１，５−ｂ〕キナゾロン、ピラゾロピリドン、５または６員の炭素環（例えば、ヘキサン−１，３−ジオン、ペンタン−１，３−ジオン、インダン−１，３−ジオン）などの核が挙げられ、好ましくは、ピラゾール−５−オン、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、１，３−ジオキサン−４，６−ジオンを挙げることができる。中でも、Ｚａ21、Ｚａ22、Ｚａ23、Ｚａ24は、置換されていてもよい１，３−ジオキサン−４，６−ジオンであることが最も好ましい。
【００１６】
前記酸性核は置換されていてもよく、酸性核を置換する置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基等の単環または多環の環状アルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基等の単環または多環の環状アルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が例として挙げられる。その中でも、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換または無置換のアリール基が好ましい。
前記酸性核としては、無置換または、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキル基で置換されたもの、炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリール基で置換されたものが好ましい。
【００１７】
Ｍａ21、Ｍａ22、Ｍａ23、Ｍａ24、Ｍａ25およびＭａ26は、各々独立に、置換または無置換のメチン基である。置換基として好ましくは、炭素数１〜２０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基）、ハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素）、炭素数１〜２０のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピル基）、炭素数６〜２６のアリール基（例えば、フェニル基、２−ナフチル基）、炭素数０〜２０のヘテロ環基（例えば、２−ピリジル基、３−ピリジル基）、炭素数６〜２０のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、１−ナフトキシ基、２−ナフトキシ基）、炭素数１〜２０のアシルアミノ基（例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、炭素数１〜２０のカルバモイル基（例えばＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基）、スルホ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基（例えばメチルチオ基）、シアノ基などが挙げられる。また、他のメチン基と結合して環構造を形成してもよく、Ｚａ21、Ｚａ22、Ｚａ23およびＺａ24で表される原子群の少なくとも１つと結合して環構造を形成してもよい。
Ｍａ21、Ｍａ22、Ｍａ23、Ｍａ24、Ｍａ25およびＭａ26は、各々独立に、好ましくは無置換のエチル基またはメチル基、フェニル基で置換されたメチン基のいずれかである。最も好ましくは、無置換のメチン基である。
【００１８】
Ｌは、２つの結合とともにπ共役系を形成しない２価の連結基である。Ｌで表される連結基については、Ｌにより結合した２つのクロモフォア間でπ共役系を形成しない以外に特に限定は無いが、好ましくはアルキレン基（好ましくは炭素数１〜２０のアルキレン基、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基）、アリーレン基（好ましくは炭素数６〜２６のアリーレン基、例えばフェニレン基、ナフチレン基）、アルケニレン基（炭素数２〜２０のアルケニレン基、例えばエテニレン基、プロペニレン基）、アルキニンレン基（炭素数２〜２０のアルキニンレン基、例えばエチニレン基、プロピニレン基）、-CO-N(R101)-、-CO-O-、-SO2-N(R102)-、-SO2-O-、-N(R103)-CO-N(R104)-、-SO2-、-SO-、-S-、-O-、-CO-、-N(R105)-、ヘテリレン基（炭素数１〜２６のヘテリレン基、例えば６-クロロ-１，３，５-トリアジル-２，４-ジイル基、ピリミジン-２，４-ジイル基）を１つまたはそれ以上組み合わせて構成される炭素数０以上１００以下、好ましくは１以上２０以下の連結基を表す。上記、Ｒ101、Ｒ102、Ｒ103、Ｒ104およびＲ105は、各々独立に、水素原子、置換または無置換のアルキル基、および置換または無置換のアリール基のいずれかを表す。また、Ｌで表される連結基は、それが連結する２つのクロモフォア間で１つ以上複数個存在していてもよく、複数個（好ましくは２つ）が結合して環を形成してもよい。
Ｌとして好ましい連結基は、２つのアルキレン基（好ましくは、エチレン基）が結合して環を形成したものである。その中でも、５または６員環（好ましくはシクロヘキシル）を形成した場合が更に好ましい。
【００１９】
一般式（I）において、Ｋａ21およびＫａ22は、各々独立に、０〜３の範囲の整数を表す。Ｋａ21、Ｋａ22が２または３であるとき、複数存在するＭａ21、Ｍａ22、Ｍａ25、Ｍａ26は、同じでも異なっていてもよい。Ｋａ21およびＫａ22がいずれも２であるものが好ましい。
【００２０】
一般式（I）中のアニオン部は、好ましくは下記一般式(IV)で表される。
【００２１】
【化５】
2008273122.tif 000006
【００２２】
一般式(IV)中、Ｒ110、Ｒ210、Ｒ120およびＲ220は、各々独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を表す。Ｒ110、Ｒ210、Ｒ120およびＲ220は、好ましくは、各々独立に、無置換アルキル基である。なお、Ｒ110とＲ210が同一であり、かつＲ120およびＲ220が同一であって、前者と後者が異なる基であることが好ましい。更に好ましくは、Ｒ110とＲ210、Ｒ120とＲ220はそれぞれ同一であり、かつ前者と後者がそれぞれ異なった炭素数１〜６の無置換アルキル基である。
なお、Ｒ110とＲ120、Ｒ210とＲ220は、互いに結合して環構造を形成してもよい。形成される環構造は好ましくは５ないし７員の環であり、より好ましくは５ないし６員の脂肪族環であり、特に好ましくはシクロヘキサン環である。
【００２３】
Ｒ130、Ｒ140、Ｒ150、Ｒ230、Ｒ240およびＲ250は、各々独立に、水素原子または置換基である。好ましくは、水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のヘテロ環基である。更に好ましくは、水素原子、エチル基、メチル基、フェニル基である。Ｒ130とＲ230、Ｒ140とＲ240、Ｒ150とＲ250は、それぞれ同一であることが好ましく、Ｒ130、Ｒ140、Ｒ150、Ｒ230、Ｒ240およびＲ250は、全て水素原子であることが最も好ましい。
【００２４】
Ｒ160およびＲ260は、各々独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基である。Ｒ160、Ｒ260が表すアルキル基として好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、前記アルキル基が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、アルコキシ基、アミド基、アシル基、エステル基を挙げることができる。Ｒ160、Ｒ260が表すアリール基として好ましくは炭素数６〜２０のアリール基であり、前記アリール基が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アミド基、アシル基、エステル基を挙げることができる。
Ｒ160およびＲ260は同一であることが好ましく、中でも、Ｒ160およびＲ260が互いに結合して２価の連結基を形成したものが好ましい。Ｒ160およびＲ260が互いに結合して形成する２価の連結基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキレン基であり、より好ましくは炭素数１〜３のアルキレン基である。
【００２５】
Ｌ1は、２価の連結基である。好ましくは、Ｌ1は、置換または無置換のアルキレン基である。前記アルキレン基は、好ましくは炭素数１〜３のアルキレン基であり、前記アルキレン基が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、アルコキシ基、アシル基、アミド基、エステル基、アリール基を挙げることができる。
Ｌ1は、Ｒ160およびＲ260と環構造を形成したものが最も好ましい。その場合の環構造は、５または６員環が好ましく、脂肪族環がより好ましく、特に好ましくはシクロヘキサン環である。
【００２６】
ｎおよびｍは、各々独立に、０〜２の範囲の整数を表す。ｎ、ｍはそれぞれ２であることが好ましい。ｎ、ｍが２であるとき、複数存在するＲ130、Ｒ140、Ｒ230、Ｒ240は、同じでも異なっていてもよい。
【００２７】
以下に、前記アニオン部の具体例を示すが、本発明は下記具体例に限定されるものではない。
【００２８】
【化６】
2008273122.tif 000007
【００２９】
【化７】
2008273122.tif 000008
【００３０】
【化８】
2008273122.tif 000009
【００３１】
次に、一般式（I）中のカチオン部について説明する。
一般式（I）中、Ｑは、ｎ価の陽イオンを表す。ｎは、１〜６の範囲の整数であり、２〜４の範囲の整数であることが好ましい。Ｑで表されるイオンには特に制限はなく、無機化合物よりなるイオンであっても、有機化合物よりなるイオンであっても構わない。Ｑとして表される１価の陽イオンとしては、例えばナトリウムイオン、カリウムイオンのような金属イオン、４級アンモニウムイオン、オキソニウムイオン、スルホニウムイオン、ホスホニウムイオン、セレノニウムイオン、ヨードニウムイオンなどのオニウムイオンが挙げられる。
【００３２】
Ｑで表される陽イオンは、オニウムイオンであることが好ましく、更に好ましくは４級アンモニウムイオンである。４級アンモニウムイオンの中でも特に好ましくは、特開２０００−５２６５８号公報の一般式（Ｉ−４）で表される４，４’−ビピリジニウム陽イオンおよび特開２００２−５９６５２号公報に開示されている４，４’−ビピリジニウム陽イオンである。
【００３３】
また、光ディスク用途における記録特性の点で好ましい陽イオンとしては一般式(II)で表される４価の陽イオンまたは一般式(III)で表される２価の陽イオンが挙げられる。以下に、一般式(II)、(III)について順次説明する。
【００３４】
一般式(II)
【化９】
2008273122.tif 000010
【００３５】
一般式(II)中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、各々独立に置換基を表す。
Ｒ3、Ｒ4が表す置換基の例としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基、アントラニル基などが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、２−エチルヘキシロキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、芳香族へテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ基、ピラジルオキシ基、ピリミジルオキシ基、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例���ばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、芳香族へテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ基、２−ベンズイミゾリルチオ基、２−ベンズオキサゾリルチオ基、２−ベンズチアゾリルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、芳香族へテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、チエニル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンズオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは���素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。より好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アミノ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基であり、特に好ましくは、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基である。またＲ3、Ｒ4が表す置換基同士が結合していてもよい。即ち、左右のピリジン環がＲ3とＲ4が結合した連結基で結合していてもよい。また、Ｒ3、Ｒ4は、それぞれが置換しているベンゼン環と環を形成してもよい。
【００３６】
Ｒ1およびＲ2は、各々独立に置換基を表す。前記置換基の例としては、前述のＲ3、Ｒ4の置換基の説明に記載したものに加えて、窒素カチオンを有する置換基を挙げることができる。ここで、「窒素カチオン」とは、窒素原子を１つ以上含み、かつ含まれる窒素原子の少なくとも１つが陽電荷を有するカチオンを意味する。
【００３７】
前記窒素カチオンとしては、好ましくはテトラ置換窒素原子カチオン（置換基としてはＲ3、Ｒ4の置換基の例として説明したアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基を表す）、窒素原子含有芳香族へテロ環カチオンを挙げることができる。
【００３８】
テトラ置換窒素原子カチオンのより好ましい態様としては、
【化１０】
2008273122.tif 000011
を挙げることができる。上記において、Ｒa、Ｒb、Ｒc、ＲdおよびＲeは、各々独立に、Ａｒ1、Ａｒ2の置換基の例として説明したアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表す。
【００３９】
窒素原子含有芳香族へテロ環カチオンとしては、ピリジニウムカチオン、イミダゾリウムカチオン、チアゾリウムカチオン、オキサゾリウムカチオンまたはイミニウムカチオンを挙げることができ、具体的には、
【化１１】
2008273122.tif 000012
を挙げることができる。上記において、Ｘ1は、Ｏ、Ｎ、ＳまたはＣＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す）を表し、好ましくはＮである。Ｒf、ＲgおよびＲhは、各々独立に、水素原子または置換基を表し、ＲgおよびＲhは、それぞれヘテロ環に含まれるＮとともに環を形成してもよく、Ｘ1がＣＲを表すとき、Ｘ1とＲfまたはＲhは連結して環を形成してもよい。Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は、各々独立に、ＮまたはＣＲ’（Ｒ’は水素原子または置換基を表す）を表し、ＲiおよびＲiは、各々独立に、水素原子または置換基を表し、ＲiおよびＲiは、それぞれヘテロ環に含まれるＮとともに環を形成してもよく、Ｘ2がＣＲ’を表すとき、Ｘ2とＲiは連結して環を形成してもよく、Ｘ4がＣＲ’を表すとき、Ｘ4とＲjは連結して環を形成してもよい。前記置換基は、先にＲ3、Ｒ4の置換基の例として説明したアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基である。
【００４０】
前記窒素原子含有芳香族へテロ環カチオンの具体例としては、下記の窒素原子含有芳香族へテロ環において、少なくとも１つの窒素が置換されたものを挙げることができる。
【００４１】
【化１２】
2008273122.tif 000013
【００４２】
上記具体例の中で好ましいものとしては、ピリジン、1,3-オキサゾール、1,3-チアゾール、イミダゾールまたはベンズイミダゾールにおいて、少なくとも１つの窒素が置換されたものを挙げることができる。
【００４３】
Ｒ5およびＲ6で表される置換基の好ましい例等の詳細は、前述のＲ3、Ｒ4の置換基の説明に記載した通りである。一般式(II)中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6で表される置換基の特に好ましい例としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アミド基、スルファモイル基、ウレイド基等を挙げることができる。
【００４４】
一般式(II)中、ｍ１およびｍ２は、各々独立に０〜５の範囲の整数を表し、好ましくは０〜２の範囲の整数を表す。ｍ１、ｍ２が２〜５の範囲の整数であるときに複数存在するＲ1、Ｒ2は同じであっても異なってもよい。
【００４５】
ｍ３、ｍ４は、各々独立に０〜４の範囲の整数を表し、好ましくは０〜２の範囲の整数を表し、特に好ましくは０である。ｍ３、ｍ４が２〜４の範囲の整数であるときに複数存在するＲ3、Ｒ4は、それぞれ同じであっても異なってもよい。
【００４６】
ｍ５およびｍ６は、各々独立に、０〜４の範囲の整数を表し、好ましくは０〜２の範囲の整数を表し、特に好ましくは０である。ｍ５、ｍ６が２〜４の範囲の整数であるとき、複数存在するＲ5、Ｒ6は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
【００４７】
一般式(II)中、Ｌaは、２価の連結基を表し、好ましくは単結合、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、メチレン基、フェニレン基、カルボニル基、スルファニル基、アミド基およびそれらの組合せからなる基を表し、特に好ましくは下記連結基である。
【００４８】
【化１３】
2008273122.tif 000014
【００４９】
以下に、一般式(II)で表されるカチオン部の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に限定されるものではない。
【００５０】
【化１４】
2008273122.tif 000015
【００５１】
【化１５】
2008273122.tif 000016
【００５２】
【化１６】
2008273122.tif 000017
【００５３】
【化１７】
2008273122.tif 000018
【００５４】
【化１８】
2008273122.tif 000019
【００５５】
【化１９】
2008273122.tif 000020
【００５６】
【化２０】
2008273122.tif 000021
【００５７】
一般式(III)
【化２１】
2008273122.tif 000022
【００５８】
一般式(III)中、Z61およびＺ62は、各々独立に、含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表し、好ましくは、含窒素ヘテロ５員環を形成し、特に好ましくはピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環およびそのベンゾ縮合環、ヘテロ環縮合環である。
【００５９】
一般式(III)中、Ｒ7およびＲ8は、各々独立に置換基を表し、その詳細は先に一般式(II)中のＲ3、Ｒ4について述べた通りである。
【００６０】
一般式(III)中、ｍ７およびｍ８は、各々独立に、０〜４の範囲の整数を表し、０または１であることが好ましい。
【００６１】
以下に、一般式(III)で表されるカチオン部の具体例を示すが、本発明は下記具体例に限定されるものではない。
【００６２】
【化２２】
2008273122.tif 000023
【００６３】
一般式（II）で表されるカチオン部は、特開２００３−１２８６５４号公報に記載のように、ピリジニウム化合物の窒素上にジニトロベンゼンやヘテロアリールが置換したものをアニリンやヘテロアリールアミンで置換することで合成することができる。更に、３つ以上のカチオン基を有する本発明のカチオン化合物は、該アニリンやヘテロアリールアミンとして既にカチオン基を有するものを用いて合成することができ、またはビピリジニウム化合物の窒素上のアリール基またはヘテロアリール基の置換基をオニウム化することで合成することができる。
一般式（III）で表されるカチオン部は、Bull．Chem．Soc．Jpn．，６４環，３２１頁（１９９１年）記載の方法や特開２００３−１２８６５４号記載の方法などによって合成することができる。
また、ビス型オキソノール化合物の合成法は、例えば欧州特許ＥＰ１４２４６９１Ａ２に開示されている。
【００６４】
以下に、２９０℃以上の膜軟化温度を有する一般式（I）で表される色素の具体例を示す。但し、本発明は下記具体例に限定されるものではない。
【００６５】
色素        アニオン部    カチオン部      色素      アニオン部    カチオン部
Ｄ−１        Ｃ−５      II−１        Ｄ−２９      Ｃ−５      II−２９
Ｄ−２        Ｃ−５      II−２        Ｄ−３０      Ｃ−５      II−３０
Ｄ−３        Ｃ−５      II−３        Ｄ−３１      Ｃ−５      II−３１
Ｄ−４        Ｃ−５      II−４        Ｄ−３２      Ｃ−４      II−３２
Ｄ−５        Ｃ−５      II−５        Ｄ−３３      Ｃ−５      II−３３
Ｄ−６        Ｃ−９      II−６        Ｄ−３４      Ｃ−９      II−３４
Ｄ−７        Ｃ−４      II−７        Ｄ−３５      Ｃ−５      II−３５
Ｄ−８        Ｃ−９      II−８        Ｄ−３６      Ｃ−９      II−３６
Ｄ−９        Ｃ−９      II−９        Ｄ−３７      Ｃ−５      II−３７
Ｄ−１０      Ｃ−１１    II−１０      Ｄ−３８      Ｃ−９      II−３８
Ｄ−１１      Ｃ−９      II−１１      Ｄ−３９      Ｃ−５      II−３９
Ｄ−１２      Ｃ−９      II−１２      Ｄ−４０      Ｃ−５      II−４０
Ｄ−１３      Ｃ−９      II−１３      Ｄ−４１      Ｃ−５      II−４１
Ｄ−１４      Ｃ−５      II−１４      Ｄ−４２      Ｃ−５      II−４２
Ｄ−１５      Ｃ−５      II−１５      Ｄ−４３      Ｃ−５      II−４３
Ｄ−１６      Ｃ−９      II−１６      Ｄ−４４      Ｃ−９      II−４４
Ｄ−１７      Ｃ−５      II−１７      Ｄ−４５      Ｃ−５      III−１
Ｄ−１８      Ｃ−９      II−１８      Ｄ−４６      Ｃ−５      III−２
Ｄ−１９      Ｃ−９      II−１９      Ｄ−４７      Ｃ−５      III−３
Ｄ−２０      Ｃ−１１    II−２０      Ｄ−４８      Ｃ−５      III−４
Ｄ−２１      Ｃ−９      II−２１      Ｄ−４９      Ｃ−５      III−５
Ｄ−２２      Ｃ−５      II−２２      Ｄ−５０      Ｃ−５      III−６
Ｄ−２３      Ｃ−９      II−２３      Ｄ−５１      Ｃ−９      III−１
Ｄ−２４      Ｃ−５      II−２４      Ｄ−５２      Ｃ−９      III−２
Ｄ−２５      Ｃ−５      II−２５      Ｄ−５３      Ｃ−９      III−３
Ｄ−２６      Ｃ−５      II−２６      Ｄ−５４      Ｃ−９      III−４
Ｄ−２７      Ｃ−９      II−２７      Ｄ−５５      Ｃ−９      III−５
Ｄ−２８      Ｃ−５      II−２８      Ｄ−５６      Ｃ−９      III−６
Ｄ−５７      Ｃ−５      III−７
【００６６】
本発明の光情報記録媒体は、前述の色素を含む記録層を有し、該記録層はレーザー光を照射することによって情報を記録することができる。記録層に含まれる色素として、膜軟化温度が２９０℃以上の色素を含むことにより、高速記録時の熱干渉を低減することができる。これにより、ジッタ増大が抑制され記録特性を向上することができる。このように高速記録時の熱干渉が低減された本発明の光情報記録媒体は、好ましくは、４１．８８ｍ／ｓの記録線速度において、ランダムパターンでＥＦＭ信号を記録した際に下記式（１）を満たすものである。
平均３Ｔスペース長／平均１４Ｔスペース長＞０．２１１  （１）
【００６７】
高速記録時には高い記録パワーでマークを記録するため、記録マーク部分の温度が高くなる。記録マーク部分の温度が高くなることにより記録マークの周辺の色素が熱分解しマークが広がる傾向にある（熱干渉)。その傾向はマークとマークの間の距離が短い、すなわち最小スペース（ＤＶＤでは３Ｔスペース）の場合に顕著である。つまり、上述する熱干渉の影響により短いスペースほど前後のマークが広がりやすく、結果としてスペース長が短くなる。この影響が大きいとマーク前後のスペースの長さによってマーク長がばらつくこととなり、記録時のジッタが大きくなってしまう。そこで、最小スペースである３Ｔスペースと１４Ｔスペースの比をとることによって、上述する記録マークの熱干渉の影響を評価することができる。本発明の光情報記録媒体は、前記色素を記録層に含むことにより、４１．８８ｍ／ｓの記録線速度において、ランダムパターンでＥＦＭ信号を記録した際の平均３Ｔスペース長と平均１４Ｔスペース長との比（平均３Ｔスペース長／平均１４Ｔスペース長）を０．２１１より大きくし得る。このように高速記録時の熱干渉が抑制されれば、広いパワーマージンを得ることができる。ただし、３Ｔスペースが長すぎると記録信号のジッターが悪化する傾向がある。そのため平均３Ｔスペース長／平均１４Ｔスペース長は０．２２５未満とすることが好ましい。即ち、前記式（１）は、好ましくは下記式（１）’である。前記一般式（１）は、より好ましくは下記式（１）”である。
０．２１１＜平均３Ｔスペース長／平均１４Ｔスペース長＜０．２２５  （１）’
０．２１４＜平均３Ｔスペース長／平均１４Ｔスペース長＜０．２２０  （１）”
【００６８】
上記の平均３Ｔスペース長と平均１４Ｔスペース長との比は、例えば以下の方法により求められる値である。
ＤＤＵ−１０００およびマルチシグナルジェネレータ（パルステック社製、レーザー波長６５５．９ｎｍ、対物レンズ開口数０．６５）を用いて、線速度を４１．８８ｍ／ｓとして、８−１６変調信号を記録する。記録後に平均３Ｔスペース長および平均１４Ｔスペース長を、以下の方法で測定する。
ＤＤＵ−１０００（パルステック社製、レーザー波長６５５．９ｎｍ、対物レンズ開口数０．６５）を用い、線速度３．４９ｍ／sとして、記録した８−１６信号を再生する。再生信号をタイムインターバルアナライザーＴＡ３２０（横河電気製）を用い、ＭＯＤＥをＨＡＤＷＡＲＥ ＨＩＳＴに設定し、ＦＵＮＣＴＩＯＮをＰＵＬＳＥ ＷＩＴＨに設定する。ＤＤＵ−１０００のＲＦ信号をＣＨＡに入力し、３Ｔ〜１４Ｔスペースのヒストグラムを測定する。さらに、マーカーを使用して３Ｔおよび１４Ｔスペースの平均長を測定する。記録ストラテジはＤＶＤ＋Ｒ４．７ＧＢ  Ｂａｓｉｃ  ｆｏｒｍａｔ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ  ｖｅｒｓｉｏｎ３．０記載の１２Ｘ記録用ストラテジを用い、各パラメータを後述する表１記載の通りに設定する。記録は最適記録パワーを中心に１０段階に変化させて行う。
【００６９】
本発明の光情報記録媒体は、膜軟化温度２９０℃以上の色素を記録層に含むものである。記録層には、膜軟化温度２９０℃以上の色素を一種のみ用いてもよく、また、二種以上を組合わせて使用してもよい。また、記録層に含まれる色素は、膜軟化温度２９０℃以上の色素のみでもよく、前記色素以外の色素を併用してもよい。併用される色素としては、アモルファス膜での吸収極大波長が６００ｎｍ以上７２０ｎｍ未満である色素を挙げることができる。なお、前記色素のアモルファス膜での吸収極大波長は、好ましくは５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満である。記録材料として前記色素と他の色素を併用する場合は、記録特性および製造適性向上の観点からは、記録材料における前記色素の割合が８０〜９９質量％、他の色素の割合が１〜２０質量％であることが好ましい。
【００７０】
本発明の光情報記録媒体は、前記色素を記録層に含むものであれば特に制限されないが、追記型ＤＶＤであることが好ましい。追記型ＤＶＤとしては、単層記録層を有するものと二層記録層を有するものがあり、また、ＤＶＤ−ＲおよびＤＶＤ＋Ｒがあるが、本発明の光情報記録媒体はいずれの態様であってもよい。
【００７１】
単層記録層を有するＤＶＤ−Ｒ型光情報記録媒体の好ましい態様としては、下記（１）を挙げることができ、二層記録層を有するＤＶＤ−Ｒ型光情報記録媒体としては、下記（２）を挙げることができる。
（１）トラックピッチ０．６〜０．９μｍのプレグルーブが形成された厚さ０．６±０．１ｍｍの透明な円盤状基板上に、前記色素を含む記録層および光反射層が設けられてなる積層体と、該積層体の円盤状基板と同じ形状の透明な円盤状保護基板とを、記録層が内側となるように接合され、厚さ１．２±０．２ｍｍとなるように構成された光情報記録媒体。
（２）トラックピッチ０．６〜０．９μｍのプレグルーブが形成された厚さ０．６±０．１ｍｍの透明な円盤状基板上に、前記色素を含む記録層および光反射層が設けられてなる二枚の積層体が、それぞれ記録層が内側となるように接合され、厚さ１．２±０．２ｍｍとなるに構成された光情報記録媒体。
なお、上記ＤＶＤ−Ｒ型光情報記録媒体においては、光反射層の上には更に保護層を設けた構成とすることもできる。
【００７２】
本発明の情報記録媒体は、例えば、以下に述べるような方法により製造することができる。基板（保護基板も含む）は、従来の情報記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任意に選択することができる。基板材料としては、例えば、ガラス；ポリカーボネート；ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィンおよびポリエステル等を挙げることができ、所望によりそれらを併用してもよい。なお、これらの材料はフィルム状としてまたは剛性のある基板として使うことができる。上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性および価格などの点からポリカーボネートが好ましい。
【００７３】
記録層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善および接着力の向上および記録層の変質防止などの目的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材料としては例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；およびシランカップリング剤などの表面改質剤をあげることができる。下塗層は、上記物質を適当な溶剤に溶解または分散して塗布液を調製したのち、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコートなどの塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。
【００７４】
また、基板（または下塗層）上には、トラッキング用溝またはアドレス信号等の情報を表す凹凸（プレグルーブ）が形成されている。このプレグルーブは、ポリカーボネートなどの樹脂材料を射出成形あるいは押出成形する際に直接基板上に前記のトラックピッチで形成されることが好ましい。また、基板とは別の層（表面にプレグルーブを有する層；以下、「プレグルーブ層」という）を設け、プレグルーブ層によりプレグルーブの形成を行ってもよい。プレグルーブ層の材料としては、アクリル酸のモノエステル、ジエステル、トリエステルおよびテトラエステルのうち少なくとも一種のモノマー（またはオリゴマー）と光重合開始剤との混合物を用いることができる。プレグルーブ層の形成は、例えば、まず精密に作られた母型（スタンパー）上に上記のアクリル酸エステルおよび重合開始剤からなる混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に基板を載せたのち、基板または母型を介して紫外線を照射することにより塗布層を硬化させて基板と塗布層とを固着させる。次いで、基板を母型から剥離することにより得ることができる。
【００７５】
基板上（または下塗層）のプレグルーブが形成されているその表面上には、前記色素を含む記録層が設けられる。前記プレグルーブの溝深さは、１４０ｎｍ以上であることが好ましい。プレグルーブの溝深さが１４０ｎｍ以上であれば、プレグルーブ間の障壁が大きくなり、隣接トラック間での記録マークの干渉(クロストーク)を小さくすることができ、良好な記録信号を得ることができる。前記プレグルーブの溝深さは、より好ましくは１４５〜１６５ｎｍの範囲である。１４５ｎｍ以上とすることでクロストークの低減効果がさらに大きくなり、また１６５ｎｍ以下であれば良好な反射率を得ることができる。
【００７６】
記録層には、更に耐光性を向上させるための種々の褪色防止剤を含有することができる。褪色防止剤の代表例としては、特開平３−２２４７９３号公報に記載の一般式(III）、（IV）または（Ｖ）で表される金属錯体、ジインモニウム塩、アミニウム塩や特開平２−３００２８７号公報や特開平２−３００２８８号公報に示されているニトロソ化合物、特開平１０−１５１８６１号公報に示されているTCNQ誘導体などを挙げることができる。
【００７７】
記録層は、前記色素、更に所望によりクエンチャー、結合剤などを溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いでこの塗布液を基板表面に塗布して塗膜を形成したのち乾燥することにより形成することができる。記録層形成用の塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、乳酸エチル、２−メトキシエチルアセテートなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなどのアルキルエーテル；エタノ−ル、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセトンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テトラフロロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレンングリコールモノエチルエーテル、プロピレンングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独または二種以上組み合わせて用いることができる。塗布液中にはさらに酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤などの各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【００７８】
結合剤の例としては、例えばゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機高分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチルなどのアクリル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物などの合成有機高分子を挙げることができる。記録層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使用量は、色素に対して一般に０．０１〜５０倍量（質量比）の範囲にあり、好ましくは０．１〜５倍量（質量比）の範囲にある。このようにして調製される塗布液の色素濃度は一般に０．０１〜１０質量％の範囲にあり、好ましくは０．１〜５質量％の範囲にある。
【００７９】
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる。記録層は単層でも重層でもよい。本発明の光情報記録媒体が二層以上の記録層を有する場合、一般式(I)で表され、かつ２９０℃以上の膜軟化温度を有する色素は、一層の記録層にのみ含まれてもよく、二層以上の記録層に含まれてもよく、すべての記録層に含まれてもよい。記録層（複数の記録層を有する場合は各記録層）の層厚は一般に２０〜５００ｎｍの範囲にあり、好ましくは５０〜３００ｎｍの範囲にある。
【００８０】
上記記録層の上には、通常、情報の再生時における反射率の向上の目的で、反射層が設けられる。反射層の材料である光反射性物質はレーザー光に対する反射率が高い物質であり、その例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびステンレス鋼であり、特に好ましいものはＡｇである。これらの物質は単独で用いてもよいし、または二種以上の組み合わせで、または合金として用いてもよい。反射層は、例えば上記反射性物質を蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティングすることにより記録層の上に形成することができる。反射層の層厚は一般には１０〜３００ｎｍの範囲にあり、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲である。
【００８１】
反射層の上には、記録層などを物理的および化学的に保護する目的で保護層が設けられていてもよい。この保護層は、基盤の記録層が設けられていない側にも耐傷性、耐湿性を高める目的で設けられてもよい。保護層に用いられる材料としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などの無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。保護層は、たとえばプラスチックの押出加工で得られたフィルムを接着層を反射層上および／または基板上にラミネートすることにより形成することができる。または真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらの適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したのち、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂の場合には、そのまま、または適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成することができる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。保護層の層厚は一般には０．１〜１００μｍの範囲にある。以上の工程により、基板上に記録層、および反射層、そして所望により保護層を設けた積層体を作製することができる。上記のようにして二枚の積層体を作製し、これらを、各々の記録層が内側となるように接着剤で貼り合わせることにより、二つの記録層を持つＤＶＤ−Ｒ型の情報記録媒体を製造することができる。また得られた積層体と、該積層体の基板と略同じ寸法の円盤状保護基板とを、その記録層が内側となるように接着剤で貼り合わせることにより、片側のみに記録層を持つＤＶＤ−Ｒ型の情報記録媒体を製造することができる。
【００８２】
本発明の光情報記録媒体へ情報を記録するためには、まず、情報記録媒体を定線速度または定角速度にて回転させながら、基板側から半導体レーザー光などの記録用のレーザー光を照射する。この光の照射により、記録層と反射層との界面に空洞を形成（空洞の形成は、記録層または反射層の変形、あるいは両層の変形を伴って形成される）するか、基板が肉盛り変形する、あるいは記録層に変色、会合状態の変化等により屈折率が変化することにより情報が記録されると考えられる。本発明の光情報記録媒体は、高速記録特性に優れるものであり、例えば記録線速度２７．９ｍ／ｓ以上、好ましくは４１．８〜５５．８ｍ／ｓにて情報を記録する際にも熱干渉によるジッタ増大が抑制され高い記録特性を発揮することができる。記録光としては、例えば、ＤＶＤ−Ｒ型として６００ｎｍ〜７００ｎｍ（好ましくは６２０〜６８０ｎｍ、更に好ましくは、６３０〜６６０ｎｍ）の範囲の発振波長を有する半導体レーザービームを用いられる。上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら記録時と同じ波長を持つ半導体レーザー光を基板側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
【００８３】
更に、本発明は、本発明の光情報記録媒体へレーザー光を照射することにより、光情報記録媒体が有する記録層へ情報を記録する情報記録方法に関する。前述のように、本発明の光情報記録媒体は、高速記録時、例えば２７．９ｍ／ｓ以上、更には４１．８〜５５．８ｍ／ｓの線記録密度においても、ジッタを低く抑え良好な記録特性を実現できる。
【実施例】
【００８４】
以下、本発明を実施例により更に説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。
【００８５】
[合成例１]
以下の合成方法により、色素Ｄ−５を合成した。
【００８６】
【化２３】
2008273122.tif 000024
【００８７】
（１）カチオン化合物の塩酸塩の合成
次のスキームに従い合成した。
（ｉ）中間体Ａの合成
４，４’−ビピリジル１５ｇをアセトン１００ｍｌに溶解したものに、１−クロロ−２，４−ジニトロベンゼン１３．２ｇを添加し、室温にて１５分攪拌し、更に１５時間加熱還流した。反応終了後、室温まで放冷し、析出結晶を減圧濾過にて濾取した。最後に得られた結晶をアセトンで洗浄後、乾燥し、中間体Ａ  １８．８ｇを得た。
（ｉｉ）中間体Ｂの合成
中間体Ａ１４．４ｇをアセトニトリル１００ｍｌに懸濁したものに、アニリン４．６ｇを添加し、７時間加熱還流した。反応終了後、室温まで放冷し、析出結晶を濾取し、アセトニトリルでかけ洗い、乾燥した。得られた粗結晶にメタノール２０ｍｌを添加し加熱完溶させたものに、酢酸エチル２００ｍｌを添加し、室温にて１時間攪拌した。得られた結晶を濾取し、中間体Ｂ１０．４ｇを得た。
（ｉｉｉ）中間体Ｃの合成
中間体Ｂ３ｇと１−クロロ−２，４−ジニトロベンゼン７ｇにＮ−メチルピロリドン５ｍｌを添加し、外温１１０℃のオイルバスで９時間加熱した。反応終了後、室温まで放冷し、析出結晶を濾取し、Ｎ−メチルピロリドンでかけ洗い、さらに酢酸エチルでかけ洗いし乾燥し、中間体Ｃ３．７ｇを得た。
（ｉｖ）カチオン化合物の塩酸塩の合成
中間体Ｃ２．４ｇをジメチルホルムアミド３０ｍｌに懸濁したものに、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル０．４ｇを添加し、１００℃にて６時間加熱攪拌した。反応終了後、室温まで放冷し、析出結晶を濾取し、ジメチルホルムアミドでかけ洗い、さらに酢酸エチルでかけ洗いし乾燥し、カチオン化合物II-5の塩酸塩１．１６ｇを得た。
【００８８】
【化２４】
2008273122.tif 000025
【００８９】
上記カチオン化合物II-5の塩酸塩の1Ｈ−ＮＭＲデータ(CD3OD)：9.62〜9.56(ｍ，８Ｈ)，8.97〜8.83(ｍ，８Ｈ)，8.10〜8.06(ｍ，４Ｈ)，7.97〜7.94(ｍ，４Ｈ)，7.83〜7.80(ｍ，６Ｈ)，7.57〜7.53(ｍ，４Ｈ)
【００９０】
（２）色素Ｄ−５の合成（塩形成）
上記で得られたカチオン化合物II-5の塩酸塩１．０ｇをメタノール３０ｍｌに加熱溶解したものに、以下に示す色素原料３．１ｇを添加し、６０℃にて３０分攪拌した。次に放冷後、室温にて２時間攪拌し、析出結晶を濾取、メタノールにて洗浄、乾燥し、色素Ｄ−５を１．８ｇ得た（吸収λｍａｘ＝５６１．８ｎｍ、ε＝６．０７×１０5／２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ））。
【００９１】
【化２５】
2008273122.tif 000026
【００９２】
色素Ｄ−５の1Ｈ−ＮＭＲデータ(ｄ6−DMSO)：9.70(ｓ(br)，８Ｈ)，9.08(ｓ(br)，８Ｈ)，8.08(ｓ(br)，４Ｈ)，7.98(ｓ(br)，４Ｈ)，7.81(ｓ(br)，６Ｈ) ，(7.70〜7.46(ｍ，１６Ｈ)，7.20〜7.08(ｍ，８Ｈ)，1.99(ｓ，１６Ｈ)，1.80〜1.75(ｍ，８Ｈ)，1.52(ｓ，１２Ｈ)，1.47〜1.32(ｍ，８Ｈ)，0.88(ｔ，１２Ｈ)
【００９３】
[合成例２]
【００９４】
【化２６】
2008273122.tif 000027
【００９５】
特開２００２−５９６５２号公報記載の方法で、下記スキームに従い、色素Ｄ−５７を合成した。
（吸収λｍａｘ＝５６１．７ｎｍ、ε＝３．１５×１０5／２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ））。
【００９６】
【化２７】
2008273122.tif 000028
【００９７】
色素D-57の1Ｈ−ＮＭＲデータ(ｄ6−DMSO)：11.57(ｓ，２Ｈ)，9.72(ｄ，４Ｈ)，9.0７(ｄ，４Ｈ)，8.52(ｓ，２Ｈ)，8.03〜8.10(ｍ，６Ｈ)， 7.48〜7.71(ｍ，１２Ｈ)，7.10〜7.21(ｍ，４Ｈ)，2.00(ｓ，８Ｈ)，1.76〜1.81(ｍ，４Ｈ)，1.53(ｓ，６Ｈ)，1.33〜1.47(ｍ，４Ｈ)，0.88(ｔ，６Ｈ)
【００９８】
膜軟化温度の測定
色素Ｄ−５、Ｄ−５７および後述する色素１、２について、以下の方法で膜軟化温度を測定した。測定された膜軟化温度を表２に示す。
（膜軟化温度測定法）
テトラフルオロプロパノール１ｍｌに色素２０ｍｇを溶解したものを、スピンコータでガラス基板上に塗布し（塗布条件：２４℃、回転数１００ｒｐｍ）、塗布膜厚が３００ｎｍ程度の膜軟化温度測定用塗布膜を作製した。次に、ティー・エイ・インスツルメント（ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）社製２９９０型マイクロサーマルアナライザー（μＴＡ）を用い、昇温時の塗布膜への針の進入開始温度を測定し、該温度を膜軟化温度とした。
【００９９】
[実施例１]
光情報記録媒体の作製
射出成形にて、ポリカーボネート樹脂をスパイラル状のグルーブ（深さ１４０ｎｍ、溝幅３６５ｎｍ、トラックピッチ０．７４μｍ）を有する厚さ０．６００ｍｍ、直径１２０ｍｍの基板に成形し、これを記録層を形成するための基板とした。１．００ｇの色素Ｄ−５を２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍｌに溶解した塗布液を調製し、この塗布液をスピンコート法により上記基板のグルーブが形成されている面上に塗布して、色素層を形成した。次に、色素層上にＡｇＮｄＣｕ合金（ターゲット組成Ａｇ９８．４ａｔ％：Ｎｄ０．７ａｔ％：Ｃｕ０．９ａｔ％）をスパッタして膜厚１２０ｎｍの反射層を形成した。紫外線硬化樹脂（ダイキュアクリアＳＤ６４０  大日本インキ化学工業製）を接着剤として用いて上記ディスクの反射層側面と別途成形した厚さ０．６００ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート樹脂製基板とを貼り合わせ、ＤＶＤ−Ｒ型光情報記録媒体を作製した。
【０１００】
[実施例２、比較例１および２]
色素Ｄ−５に代えて色素Ｄ−５７、色素１または２を使用した以外は実施例１と同様の方法でＤＶＤ−Ｒ型光情報記録媒体を作製した。なお、色素１は色素Ｄ−５７の合成方法に準じて合成した。色素２は特開２００４−１８８９６８号公報に記載の方法で合成した。
【０１０１】
【化２８】
2008273122.tif 000029
【０１０２】
光情報記録媒体の評価
ＤＤＵ−１０００およびマルチシグナルジェネレータ（パルステック社製、レーザー波長６５５．９ｎｍ、対物レンズ開口数０．６５）を用いて、線速度を４１．８８ｍ／ｓとして、８−１６変調信号を記録した。記録ストラテジはＤＶＤ＋Ｒ４．７ＧＢ  Ｂａｓｉｃ  ｆｏｒｍａｔ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ  ｖｅｒｓｉｏｎ３．０記載の１２Ｘ記録用ストラテジを用い、各パラメータを表１記載の通りに設定した。記録は最適記録パワーを中心に１０段階に変化させて行い、その後線速度を３．４９ｍ／ｓとして、再生を行った。再生した信号はタイムインターバルアナライザＴＡ３２０（横河電機製）を用いジッタおよびアシンメトリ＝０における平均３Ｔスペース長および平均１４Ｔスペース長の測定を行った。ジッタが９％を下回る記録パワー幅を、そのパワーの平均値で割った値をパワーマージンとした。なお、パワーマージンが０．１以上であれば、実使用時に記録装置のパワーが変動した場合にもジッタが許容範囲を超えることがなく、再生に支障が生じない。結果を表２に示す。
【０１０３】
【表１】
2008273122.tif 000030
【０１０４】
【表２】
2008273122.tif 000031
【０１０５】
評価結果
表２に示すように、記録層用色素として、膜軟化温度が２９０℃以上の色素を使用することにより、平均３Ｔスペース長／平均１４Ｔスペース長が０．２１１より大きく、パワーマージンの高い光情報記録媒体が得られた。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明によれば、高速記録時においてもジッタを低く抑えることが可能で、良好な記録特性を実現できる光情報記録媒体を提供することができる。