(57)【要約】【課題】外部から磁気ヘッドに作用する電磁波の影響によってリード素子の特性が劣化することを防止し、外部からの電磁波に対する耐性の高い磁気ヘッドを提供する。【解決手段】リードヘッドとライトヘッドとを備え、前記リードヘッドを構成するリード素子５を、抵抗１０を介して基板４に接地して形成した磁気ヘッドであって、前記抵抗１０が形成された領域を面的に覆う配置に、下部シールド７に電磁波シールド層としてシールドパターン７ａを一体に形成している。電磁波シールド層は、抵抗１０が形成された領域を面的に覆う配置に下部シールド７等の磁性層とは別層に形成することもできる。【選択図】図１
2008010038.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードヘッドとライトヘッドとを備え、前記リードヘッドを構成するリード素子を、抵抗を介して基板に接地して形成した磁気ヘッドであって、
前記抵抗が形成された領域を面的に覆う配置に、電磁波シールド層が形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記リードヘッドを構成する上部および下部の少なくとも一方のシールドに、前記電磁波シールド層として、シールドパターンが一体に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記抵抗が、積層方向で、前記下部シールドと前記基板との間、あるいは下部シールドと前記リードヘッドを構成する上部シールドとの間に配されていることを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記抵抗が、積層方向で、前記リードヘッドの下部シールドと前記上部シールドとの間に配されていることを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記抵抗が、積層方向で、前記リードヘッドを構成する下部シールドと前記基板との間に配され、
前記電磁波シールド層が、前記リードヘッドおよびライトヘッドを構成する磁性層とは別層に形成されるとともに、積層方向で、前記抵抗と前記下部シールドとの間に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記抵抗が、積層方向で、前記リードヘッドを構成する下部シールドと前記基板との間に配され、
前記電磁波シールド層が、前記リードヘッドおよびライトヘッドを構成する磁性層とは別層に形成されるとともに、積層方向で、前記抵抗と前記基板との間に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記抵抗が、積層方向で、前記リードヘッドを構成する下部シールドと上部シールドとの間に配され、
前記電磁波シールド層が、前記リードヘッドおよびライトヘッドを構成する磁性層とは別層に形成されるとともに、前記リードヘッドの上部シールドの上層に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記抵抗が、積層方向で、前記リードヘッドを構成する下部シールドと上部シールドとの間に配され、
前記電磁波シールド層が、前記リードヘッドおよびライトヘッドを構成する磁性層とは別層に形成されるとともに、前記ライトヘッドの上層に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
前記抵抗が、積層方向で、前記リードヘッドを構成する下部シールドと上部シールドとの間に配され、
前記電磁波シールド層が、前記リードヘッドおよびライトヘッドを構成する磁性層とは別層に形成されるとともに、前記下部シールドと基板との間、および前記上部シールドの上層との間の双方に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記抵抗が、積層方向で、前記リードヘッドを構成する下部シールドと上部シールドとの間に配され、
前記電磁波シールド層が、前記リードヘッドおよびライトヘッドを構成する磁性層とは別層に形成されるとともに、前記下部シールドと前記基板との間、および前記ライトヘッドの上層の双方に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ヘッドに関し、より詳細には外部電磁波に対する耐性を向上させた磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ヘッドに形成されるリード素子は、静電気の作用によって損傷を受けやすいことから、磁気ヘッドの製造工程においては、リード素子を静電気から保護する対策がなされている。図１２（ａ）は、ＧＭＲ(Giant Magneto Resistance)型のリード素子５、図１２（ｂ）はＴＭＲ(Tunneling Magneto Resistance)型のリード素子６についての静電気対策の概略構成を示す。ＧＭＲ型のリード素子５の場合には、電極５ａ、５ｂと下部シールド７および上部シールド８とを電気的に接続し、下部シールド７と上部シールド８を抵抗１０を介して基板４に接地する構成とされる。ＴＭＲ型のリード素子６の場合は、抵抗１０を介して下部シールド７および上部シールド８を基板４に接地する構成とされる。図では、リード素子５の上側にライト素子の下部磁極９が形成されていることを示す。
【０００３】
図１１（ａ）は、ＧＭＲ型の磁気ヘッドを端子方向から見た状態を示し、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ線断面図を示す。図１１（ａ）では、ライトヘッド１８の下側にリードヘッドが形成されている。
リードヘッドと端子１２ａ、１２ｂとの電気的接続は、リード素子５から引き出された電極５ａ、５ｂが、上部シールド８と下部磁極９を介して配線１１ａ、１１ｂにより端子１２ａ、１２ｂに接続されることによってなされる。ライトヘッド１８では、記録用のコイル１９と端子１５ａ、１５ｂとが配線１４ａ、１４ｂにより接続される。
【０００４】
前述した静電対策用の抵抗１０は、下部シールド７および上部シールド８の裏面側（磁気ヘッドのハイト方向で上側）の領域に形成される。この抵抗１０はリード素子の特性等に影響を与えないように高抵抗のものが用いられる。図１１（ａ）に示すように、抵抗１０を屈曲形状に形成しているのは、必要な抵抗値が得られるように抵抗１０を長く形成するためである。
【特許文献１】特開２０００−１１３４１７号公報
【特許文献２】特開平９−６３０１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ＴＭＲ型の磁気ヘッドなどにおいては、外部から特定の周波数帯域の電磁波を受けることによってリード素子の特性が劣化するという障害が最近見られるようになってきた。
上述したように、磁気ヘッドの製造工程では素子部分に加えて静電気対策としての抵抗を形成する。この抵抗は、たとえばタンタルなどの金属薄膜を使用して形成するから数百μｍの長さに形成する必要があり、限られたスペース内で長さを確保するため、図１１（ａ）に示すように、基板との接地点から左右に枝分かれさせ、屈曲した形態に形成している。
【０００６】
したがって、このような抵抗１０のパターン形状から、抵抗１０が外部からの電磁波を受けて発生したノイズ電流を発生させ、これによってリード素子の特性を劣化させることが懸念される。
本発明は、外部から磁気ヘッドに作用する電磁波の影響によってリード素子の特性が劣化することを防止し、外部からの電磁波に対する耐性の高い磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、リードヘッドとライトヘッドとを備え、前記リードヘッドを構成するリード素子を、静電気から保護する抵抗を介して基板に接地して形成した磁気ヘッドであって、前記抵抗が形成された領域を面的に覆う配置に、電磁波シールド層が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
また、前記リードヘッドを構成する下部シールドに、前記電磁波シールド層として、シールドパターンが一体に形成されていること、また、前記抵抗が、積層方向で、前記下部シールドと前記基板との間、あるいは下部シールドと前記リードヘッドを構成する上部シールドとの間に配されていることにより、前記抵抗を外部からの電磁波から遮蔽し、抵抗にノイズ電流が生じることを防止して磁気ヘッドの信頼性を高めることができる。
また、前記抵抗が、積層方向で、前記リードヘッドの下部シールドと前記上部シールドとの間に配されていることによっても、外部からの電磁波に対する磁気ヘッドの耐性を向上させることができる。
【０００９】
また、前記抵抗が、積層方向で、前記リードヘッドを構成する下部シールドと前記基板との間に配され、前記電磁波シールド層が、前記リードヘッドおよびライトヘッドを構成する磁性層とは別層に形成されるとともに、積層方向で、前記抵抗と前記下部シールドとの間に形成されていること、また、前記抵抗が、積層方向で、前記リードヘッドを構成する下部シールドと前記基板との間に配され、前記電磁波シールド層が、前記リードヘッドおよびライトヘッドを構成する磁性層とは別層に形成されるとともに、積層方向で、前記抵抗と前記基板との間に形成されていることにより、抵抗を外部からの電磁波から遮蔽して、外部からの電磁波に対する磁気ヘッドの耐性を向上させることができる。
【００１０】
また、前記抵抗が、積層方向で、前記リードヘッドを構成する下部シールドと上部シールドとの間に配され、前記電磁波シールド層が、前記リードヘッドおよびライトヘッドを構成する磁性層とは別層に形成されるとともに、前記リードヘッドの上部シールドの上層に形成されていること、また、前記抵抗が、積層方向で、前記リードヘッドを構成する下部シールドと上部シールドとの間に配され、前記電磁波シールド層が、前記リードヘッドおよびライトヘッドを構成する磁性層とは別層に形成されるとともに、前記ライトヘッドの上層に形成されていることにより、抵抗を外部からの電磁波から遮蔽し同時にリードヘッドおよびライトヘッドを外部の電磁波から遮蔽して、外部からの電磁波に対する磁気ヘッドの耐性を向上させることができる。
【００１１】
また、前記抵抗が、積層方向で、前記リードヘッドを構成する下部シールドと上部シールドとの間に配され、前記電磁波シールド層が、前記リードヘッドおよびライトヘッドを構成する磁性層とは別層に形成されるとともに、前記下部シールドと基板との間、および前記上部シールドの上層との間の双方に形成されていること、また、前記抵抗が、積層方向で、前記リードヘッドを構成する下部シールドと上部シールドとの間に配され、前記電磁波シールド層が、前記リードヘッドおよびライトヘッドを構成する磁性層とは別層に形成されるとともに、前記下部シールドと前記基板との間、および前記ライトヘッドの上層の双方に形成されていることにより、外部からの電磁波に対する磁気ヘッドの耐性をさらに向上させることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る磁気ヘッドは、リード素子を静電気から保護する抵抗が設けられた領域を覆うように電磁波シールド層を設けたことにより、抵抗に外部から作用する電磁波を遮蔽することができ、抵抗にノイズ電流が発生してリード素子の特性を劣化させるといった問題を解消し、信頼性の高い、特性の安定した磁気ヘッドとして提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面と共に詳細に説明する。
（第１実施形態）
図１は本発明に係る磁気ヘッドについての第１の実施の形態の構成を示す。図１（ａ）は磁気ヘッド２０を端子形成面から見た図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。なお、以下の各実施形態においても、磁気ヘッド２０を端子形成面から見た図面と、Ａ−Ａ線断面図を示して各々の構成を示す。
【００１４】
本実施形態の磁気ヘッド２０はＧＭＲ型の磁気ヘッドであり、磁気ヘッド２０の基本的な構成は図１１に示す従来の磁気ヘッドの構成と変わらない。すなわち、リードヘッドはリード素子５を下部シールド７と上部シールド８とで挟む配置に設けて形成される。リード素子５の側面に電極５ａ、５ｂが接続され、電極５ａ、５ｂが裏面側に引き出され、配線１１ａ、１１ｂを介して端子１２ａ、１２ｂに接続される。なお、図１（ａ）、（ｂ）において、Ｂ面が媒体面に対向する面（浮上面）である。本明細書で裏面側とは、ハイト方向の上側、すなわち媒体面から離間する側の意味である。
ライトヘッド１８は下部磁極９と上部磁極および記録用のコイル１９とを備える。記録用のコイル１９は配線１４ａ、１４ｂを介して端子１５ａ、１５ｂに接続される。
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、静電気対策用の抵抗１０を、基板４上での各層の積層方向に見て、Al2O3-TiO（アルチック）からなる基板４と下部シールド７との間で、ハイト方向の上側（裏面側）の領域に形成し、抵抗１０の一端を下部シールド７に接続し、他端を基板４に接地して形成する。
本実施形態においては、下部シールド７をハイト方向および幅方向に拡張し、抵抗１０が形成される領域（平面領域）をシールドパターン７ａによって面的に覆うように形成したことが特徴的である。
【００１６】
抵抗１０は、所要の抵抗が得られるタンタルなどの金属をスパッタリングすることによって形成する。基板上に抵抗１０が屈曲パターンに形成されるようにレジストパターンを形成し、タンタル等の金属をスパッタリングすることによって屈曲パターンの抵抗１０を形成し、所要の抵抗値が得られるようにすることができる。下部シールド７と上部シールド８と下部磁極９とを抵抗１０を介して基板４に接地することにより、リード素子５が静電気から保護される。
【００１７】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態においては、抵抗１０が形成される領域を覆うようにシールドパターン７ａを設けることにより、磁気ヘッド２０に外部から電磁波が作用した際に、シールドパターン７ａによって抵抗１０が電磁波から遮蔽され、外部の電磁波からリード素子５を保護することができる。
【００１８】
下部シールド７はNiFe等の磁性材からなり、磁気ヘッドの製造工程では電解めっきによって形成される。したがって、下部シールド７をパターン形成する際に、シールドパターン７ａを備えたパターンとして下部シールド７を形成することにより、下部シールド７と一体的にシールドパターン７ａを形成することができる。いいかえれば、電磁波シールド層としてのシールドパターン７ａを備えた下部シールド７として形成される。もちろん、シールドパターン７ａを含めて下部シールド７全体も電磁波のシールド作用を有している。
【００１９】
（第２実施形態）
図２は本発明に係る磁気ヘッドについての第２の実施の形態の構成を示す。磁気ヘッド２０の基本的な構成は第１の実施形態と同様である。
本実施形態において特徴的な構成は、上部シールド８をハイト方向および幅方向に拡張し、上部シールド８に、抵抗１０が形成される領域を面的に覆う電磁波シールド層としてシールドパターン８ａを設けた点にある。
【００２０】
抵抗１０は、積層方向に見て、下部シールド７と上部シールド８との間に形成し、ハイト方向の上側の領域を利用して屈曲形状に形成する。下部シールド７、上部シールド８および下部磁極９を電気的に接続し、抵抗１０を介して基板４に接地することにより、リード素子５が静電気から保護される。
上部シールド８に、抵抗１０が形成された領域を面的に覆うようにシールドパターン８ａを設けたことにより、磁気ヘッド２０に外部から作用する電磁波をシールドパターン８ａによって遮蔽することができ、外部からの電磁波によって抵抗１０にノイズ電流が生じるといったことを防止し、リード素子５を外部の電磁波から保護することができる。
【００２１】
上部シールド８は、磁気ヘッドの製造工程において、電解めっき等により所定の厚さに磁性膜（たとえばNiFe）を成膜して形成するから、上部シールド８を成膜する工程で、シールドパターン８ａについても同時にパターン形成することができる。
【００２２】
（第３実施形態）
図３は本発明に係る磁気ヘッドについての第３の実施の形態の構成を示す。磁気ヘッド２０についての基本的な構成は上記実施形態と同様である。
本実施形態において特徴的な構成は、下部シールド７と上部シールド８をハイト方向および幅方向に拡張し、下部シールド７と上部シールド８の双方に、抵抗１０が形成される領域を面的に覆うシールドパターン７ａ、８ａを設けた点にある。
【００２３】
抵抗１０は、第２の実施形態と同様に、積層方向に見て、下部シールド７と上部シールド８との間に、屈曲形状に形成する。
本実施形態においては、抵抗１０を、下部シールド７に設けたシールドパターン７ａと上部シールド８に設けたシールドパターン８ａによって挟む配置となるから、磁気ヘッドに外部から作用する電磁波を抵抗１０の両側から遮蔽することができ、外部から作用する電磁波に対する耐性を上記例よりも向上させることができる。
【００２４】
シールドパターン７ａ、８ａは、下部シールド７および上部シールド８を電解めっき等によって所定パターンに形成する製造工程において、下部シールド７および上部シールド８とともに同時にパターン形成できるから、下部シールド７および上部シールド８を形成する従来の製造工程を変えることなく製造できるという利点がある。
【００２５】
（第４実施形態）
図４は本発明に係る磁気ヘッドについての第４の実施の形態の構成を示す。
本実施形態は、第１の実施の形態と同様に、下部シールド７にシールドパターン７ａを形成したことを特徴とする。第１の実施の形態においては、抵抗１０を、積層方向に見て、下部シールド７と基板４との間に形成したのに対して、本実施形態では下部シールド７と上部シールド８との間に抵抗１０を形成している。
抵抗１０は基板上に各部を成膜して作り込む工程において形成するから、下部シールド７と基板４との間に形成することもできるし、下部シールド７と上部シールド８との間に形成することもできる。
【００２６】
本実施形態においても、下部シールド７に抵抗１０を面的に覆う配置にシールドパターン７ａを設けたことによって、磁気ヘッド２０に外部から作用する電磁波に対して抵抗１０を遮蔽することができ、外部からの電磁波によって抵抗１０にノイズ電流が生じてリード素子６の特性を劣化させるという問題を防止することができる。
【００２７】
（第５実施形態）
図５は本発明に係る磁気ヘッドについての第５の実施の形態の構成を示す。図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
本実施形態において特徴的な構成は、下部シールド７の下層（浮上面に近い側）に下部シールド７とは別層に電磁波シールド層１６を設けた点にある。
本実施形態においては、リードヘッド、ライトヘッドの構成は上述した各実施形態と同様である。静電対策用の抵抗１０は図５（ｂ）に示すように、一端側を下部シールド７に接続し、他端側を基板４に接地して形成される。静電対策用に下部シールド７、上部シールド８、下部磁極９を電気的に接続することも上記各実施形態と同様である。
【００２８】
電磁波シールド層１６は、基板４上における各層の積層方向に見て、抵抗１０と下部シールド７との間に形成する。電磁波シールド層１６は下部シールド７とは別層に形成するから、抵抗１０を面的に覆う領域を超えて、浮上面（Ｂ面）側まで延出するように形成してかまわない。図５（ａ）、（ｂ）では、抵抗１０を覆う領域から浮上面側までの領域を電磁波シールド層１６によって面的に覆うように配置した例を示す。電磁波シールド層１６は、下部シールド７と電気的に短絡しないように形成する。
【００２９】
電磁波シールド層１６は、電磁波をシールドする作用を有するものであれば、磁性材に限らず適宜材料を使用することができる。この電磁波シールド層１６も、基板４上にめっきあるいはスパッタリングによって成膜する方法によって形成できる。
本実施形態の磁気ヘッド２０のように、少なくとも抵抗１０が形成された領域を面的に覆う配置に電磁波シールド層１６を設けることにより、抵抗１０に作用する外部からの電磁波を遮蔽し、外部からの電磁波の影響によってリード素子５の特性が劣化することを防止することができる。
本実施形態のように、抵抗１０が形成される領域を超えて、リードヘッドが形成される領域まで幅広く電磁波シールド層１６を設けることにより、磁気ヘッド２０全体として外部からの電磁波の影響を抑制することが可能となる。
【００３０】
（第６実施形態）
図６は本発明に係る磁気ヘッドについての第６の実施の形態の構成を示す。
本実施形態においても、第５の実施の形態と同様に下部シールド７の下層に電磁波シールド層１６を設ける。第５の実施の形態では、積層方向に見て、抵抗１０と下部シールド７との間に電磁波シールド層１６を設けたが、本実施形態では基板４と抵抗１０との間に電磁波シールド層１６を設けたことを特徴とする。
第５の実施の形態におけると同様に、抵抗１０を形成する領域を含めて、浮上面（Ｂ面）側まで電磁波シールド層１６を設けている。
本実施形態においても、電磁波シールド層１６によって抵抗１０を外部からの電磁波から遮蔽することができ、リード素子５を外部からの電磁波から保護することができる。
【００３１】
（第７実施形態）
図７は本発明に係る磁気ヘッドについての第７の実施の形態の構成を示す。
本実施形態においては、図７（ｂ）に示すように、積層方向に見て、上部シールド８と下部磁極９との間に電磁波シールド層１６を設けたことを特徴とする。静電気対策用の抵抗１０は、下部シールド７と上部シールド８の裏面側に、下部シールド７と上部シールド８に挟まれて配置され、下部シールド７、上部シールド８および下部磁極９が抵抗１０を介して基板４に接地されている。この抵抗１０の配置は図１１に示す従来の構成と同一構造である。
図７（ａ）に示すように、電磁波シールド層１６は抵抗１０が形成される領域を面的に遮蔽し、磁気ヘッドの浮上面（Ｂ面）側まで延出するように設けられる。電磁波シールド層１６により、抵抗１０を外部からの電磁波から遮蔽することができ、合わせてリードヘッドを外部からの電磁波から保護することができる。
【００３２】
（第８実施形態）
図８は本発明に係る磁気ヘッドについての第８の実施の形態の構成を示す。
本実施形態においては、図８（ｂ）に示すように、積層方向に見て、ライトヘッドの上層に電磁波シールド層１６を設けたことを特徴とする。静電気対策用の抵抗１０は、第７の実施の形態におけると同様に構成される。
電磁波シールド層１６は、図８（ａ）に示すように、抵抗１０が形成されている領域を面的に遮蔽し、磁気ヘッドの浮上面まで遮蔽するように形成される。
このように電磁波シールド層１６を形成することにより、抵抗１０と磁気ヘッド２０のリードヘッドおよびライトヘッドとを、外部からの電磁波から遮蔽して保護することができる。
【００３３】
（第９実施形態）
図９は本発明に係る磁気ヘッドについての第９の実施の形態の構成を示す。
本実施形態においては、積層方向に見て、基板４と下部シールド７との間、および上部シールド８と下部磁極９との間に、各々電磁波シールド層１６ａ、１６ｂを設けたことを特徴とする。すなわち、第６の実施の形態における電磁波シールド層１６と、第７の実施の形態における電磁波シールド層１６の配置を複合させた構造である。静電気対策用の抵抗１０は、第８の実施の形態におけると同様に配置される。
本実施形態では、抵抗１０を一対の電磁波シールド層１６ａ、１６ｂによって挟む配置となるから、単一の電磁波シールド層１６によって遮蔽する構成と比較して、抵抗１０およびリードヘッドを外部からの電磁波から遮蔽する作用を向上させることができる。
【００３４】
（第１０実施形態）
図１０は本発明に係る磁気ヘッドについての第１０の実施の形態の構成を示す。
本実施形態においては、積層方向に見て、基板４下部シールド７との間、およびライトヘッドの上層に、各々電磁波シールド層１６ａ、１６ｃを設けたことを特徴とする。すなわち、第６の実施の形態における電磁波シールド層１６と、第８の実施の形態における電磁波シールド層１６の配置を複合させた構造である。静電気対策用の抵抗１０は、第９の実施の形態におけると同様に配置される。
【００３５】
本実施形態では、抵抗１０を含む領域について、磁気ヘッド２０のリードヘッドとライトヘッドを一対の電磁波シールド層１６ａ、１６ｃによって挟む配置となるから、単一の電磁波シールド層１６によってリード素子等を遮蔽する構成と比較して、抵抗１０を含めてリードヘッドおよびライトヘッドを外部の電磁波から遮蔽する作用を向上させることができる。
【００３６】
なお、上述した各実施形態ではＧＭＲ型のリード素子を備えた磁気ヘッドの構成について説明したが、リード素子の構成についてはとくに限定されるものではない。たとえば、ＴＭＲ型のリード素子を備える磁気ヘッドについてもまったく同様にシールドパターンあるいは電磁波シールド層を設けることによって、磁気ヘッドの電磁波に対する耐性を向上させることができる。
また、上記実施形態においては、リードヘッドの上部シールド８とライトヘッドの下部磁極９とを別層に設けたが、上部シールド８と下部磁極とを共用する構成の磁気ヘッドについても適用することができる。また、上述した実施形態の磁気ヘッドはいわゆる水平磁気記録型の磁気ヘッドであるが、ライトヘッドの構成はとくに限定されるものではなく、垂直磁気記録型のライトヘッドを備える磁気ヘッドについても同様に適用できる。また、磁気ヘッドの全体的な構成についても、とくに上記実施形態の構成に限定されるものではない。
【００３７】
（ヘッドスライダー）
上記実施形態で説明した磁気ヘッド２０は、基板４に成膜処理あるいはエッチング加工等の所要の加工を施して形成され、図１３に示すようなヘッドスライダー３０に作り込まれて提供される。図１３は、ヘッドスライダー３０の斜視図を示す。ヘッドスライダー３０の磁気ディスクに対向する面（浮上面）には、スライダー本体３１の側縁に沿ってヘッドスライダー３０を磁気ディスク面から浮上させるための浮上用レール３２ａ、３２ｂが設けられている。リードヘッドおよびライトヘッドを備える磁気ヘッド２０は、ヘッドスライダー３０の前端側（気流が流出する側）に磁気ディスクに対向して配置される。磁気ヘッド２０は保護膜３４によって保護される。
【００３８】
図１４は、上記ヘッドスライダー３０を搭載した磁気ディスク装置の例を示す。磁気ディスク装置５０は、矩形の箱状に形成されたケーシング５１内に、スピンドルモータ５２によって回転駆動される複数の磁気記録ディスク５３を備える。磁気記録ディスク５３の側方には、ディスク面に平行に揺動可能に支持されたキャリッジアーム５４が配置されている。キャリッジアーム５４の先端には、キャリッジアーム５４の延長方向にヘッドサスペンション５５が取り付けられ、ヘッドサスペンション５５の先端にヘッドスライダー３０が取り付けられる。ヘッドスライダー３０は、ヘッドサスペンション５５ののディスク面に対向する面に取り付けられる。
【００３９】
ヘッドスライダー３０は、ヘッドサスペンション５５によりディスク面に弾性的に押圧され、磁気記録ディスク５３の回転が停止している際にはディスク面に接触している。スピンドルモータ５２により磁気記録ディスク５３が回転駆動されると、磁気記録ディスク５３の回転によって生じた気流によってヘッドスライダー３０がディスク面から浮上する。ヘッドスライダー３０に設けられた磁気ヘッド２０により磁気記録ディスク５３に情報を記録し情報を再生する処理は、制御部によって制御されるアクチュエータ５６により、キャリッジアーム５４を所定位置に揺動させる操作（シーク動作）とともになされる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】磁気ヘッドの第１実施形態の構成を示す端面図及びＡ−Ａ線断面図である。
【図２】磁気ヘッドの第２実施形態の構成を示す端面図及びＡ−Ａ線断面図である。
【図３】磁気ヘッドの第３実施形態の構成を示す端面図及びＡ−Ａ線断面図である。
【図４】磁気ヘッドの第４実施形態の構成を示す端面図及びＡ−Ａ線断面図である。
【図５】磁気ヘッドの第５実施形態の構成を示す端面図及びＡ−Ａ線断面図である。
【図６】磁気ヘッドの第６実施形態の構成を示す端面図及びＡ−Ａ線断面図である。
【図７】磁気ヘッドの第７実施形態の構成を示す端面図及びＡ−Ａ線断面図である。
【図８】磁気ヘッドの第８実施形態の構成を示す端面図及びＡ−Ａ線断面図である。
【図９】磁気ヘッドの第９実施形態の構成を示す端面図及びＡ−Ａ線断面図である。
【図１０】磁気ヘッドの第１０実施形態の構成を示す端面図及びＡ−Ａ線断面図である。
【図１１】磁気ヘッドの従来の構成を示す端面図及びＡ−Ａ線断面図である。
【図１２】磁気ヘッドの静電気対策についての概略構成を示す説明図である。
【図１３】ヘッドスライダーの斜視図である。
【図１４】磁気ディスク装置の平面図である。
【符号の説明】
【００４１】
４  基板
５、６  リード素子
５ａ、５ｂ  電極
７  下部シールド
７ａ  シールドパターン
８  上部シールド
８ａ  シールドパターン
９  下部磁極
１０  抵抗
１１ａ、１１ｂ、１４ａ、１４ｂ  配線
１２ａ、１２ｂ、１５ａ、１５ｂ  端子
１６、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ  電磁波シールド層
１８  ライトヘッド
１９  コイル
２０  磁気ヘッド
３０  ヘッドスライダー
５０  磁気ディスク装置
【図１３】
2008010038.tif 000003
【図１４】
2008010038.tif 000004
【図１】
2008010038.tif 000005
【図２】
2008010038.tif 000006
【図３】
2008010038.tif 000007
【図４】
2008010038.tif 000008
【図５】
2008010038.tif 000009
【図６】
2008010038.tif 000010
【図７】
2008010038.tif 000011
【図８】
2008010038.tif 000012
【図９】
2008010038.tif 000013
【図１０】
2008010038.tif 000014
【図１１】
2008010038.tif 000015
【図１２】
2008010038.tif 000016