(57)【要約】【課題】ＬＥＤにおいて、支持体の開口部内面に露出している内部リードに施されている銀メッキの表面の硫化を防止でき、時間経過に伴う光出力の維持率の低下を防止する。【解決手段】パッケージ１は、発光素子収納用の開口部を有する支持体１１の開口部内面の一部に内部リード１３ａが露出し、この内部リードに電気的に導通する外部リード１３ｂが支持体外部に引き出され、少なくとも内部リードに銀メッキ１４が施されている。ＬＥＤチップ１５は、支持体の開口部内に実装され、電極１５ａが内部リードに電気的に接続されている。支持体の開口部内において少なくとも内部リードの銀メッキ表面を被覆するように膜厚が１μｍ以下の銀メッキ硫化防止用の薄膜コート１６が形成されている。この薄膜コート１６は、所定の樹脂の溶液を注入した後に溶剤を揮発させて樹脂を硬化させてなる。さらに、支持体の開口部内の少なくとも薄膜コートおよびＬＥＤチップを覆うように透光性樹脂１７が埋め込まれている。【選択図】      図１
2008010591.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子収納用の開口部を有する支持体の開口部内面に内部リードが露出し、当該内部リードに電気的に連なる外部リードが前記支持体の外部に引き出され、少なくとも前記内部リードの露出部に銀が使用されたパッケージと、
前記支持体の開口部内面において少なくとも前記内部リードの前記銀の表面を被覆するように形成された所定の物質からなる薄膜コートと、
前記支持体の開口部内に実装され、前記内部リードと電気的に接続された電極を有する発光素子と、
を具備することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光装置は、さらに、少なくとも前記支持体の開口部内の前記発光素子を封止する透光性樹脂を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
配線パターンが形成され、前記配線パターンの少なくとも一部は銀メッキが施された発光素子実装用の基板と、
前記銀メッキの表面を被覆するように形成された所定の物質からなる薄膜コートと、
前記基板に実装され、前記配線パターンと電気的に接続された電極を有する発光素子と、を具備することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
前記発光装置は、さらに、少なくとも前記発光素子を封止する透光性樹脂を有することを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記薄膜コートは、Ｈ2 Ｓ透過性が１００×１０-9（ｍｌ・ｃｍ／ｓｅｃ・ｃｍ2 ・ｃｍＨｇ）以下であることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の発光装置。
【請求項６】
前記薄膜コートは、ＳＯ2 透過性が１５０×１０-9（ｍｌ・ｃｍ／ｓｅｃ・ｃｍ2 ・ｃｍＨｇ）以下であることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の発光装置。
【請求項７】
前記薄膜コートは、膜厚が５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の発光装置。
【請求項８】
前記所定の物質は、溶剤で希釈したエポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ウレタン樹脂、アクリレート樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シルセスキオキサン誘導体、変成シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、又はポリノルボルネン樹脂のうち少なくとも１種の溶液が用いられ、前記溶剤を揮発させることによって形成されたことを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の発光装置。
【請求項９】
前記透光性樹脂は、シリコーン樹脂である請求項２又は請求項４に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記透光性樹脂は、波長変換物質および／または無機フィラーが含有されていることを特徴とする請求項２又は請求項４に記載の発光装置。
【請求項１１】
発光素子と、前記発光素子が実装されたパッケージと、を有する発光装置の製造方法であって、
発光素子収納用の開口部を有する支持体の開口部内面に内部リードが露出し、当該内部リードに電気的に連なる外部リードが前記支持体の外部に引き出され、少なくとも前記内部リードの露出部分に銀が使用されたパッケージを用いて、前記支持体の開口部内に発光素子を固着し、前記発光素子の電極を前記内部リードに電気的に接続する工程と、
前記支持体の開口部内において少なくとも前記内部リードの銀の表面を被覆するように溶剤で希釈した所定の物質の溶液を注入した後に前記溶剤を揮発させて薄膜コートを形成する工程と、
を具備することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記所定の物質は、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ウレタン樹脂、アクリレート樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シルセスキオキサン誘導体、変成シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、又はポリノルボルネン樹脂のうち少なくとも１種であることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記薄膜コートを形成した後、さらに、前記発光素子を覆うように液状の透光性樹脂を注入して硬化させる工程を有することを特徴とする請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記透光性樹脂は、シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１５】
発光素子と、前記発光素子が実装された基板と、を有する発光装置の製造方法であって、
配線パターンが形成され、前記配線パターンの少なくとも一部は銀メッキが施された基板に発光素子を固着し、前記発光素子の電極を前記配線パターンに電気的に接続する工程と、
溶剤で希釈した所定の物質の溶液を少なくとも前記配線パターンの銀メッキの表面を被覆するように付着させた後に前記溶剤を揮発させて薄膜コートを形成する工程と、
を具備することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記所定の物質の溶液を付着する手段は、スプレー噴霧手段、インクジェット塗布手段、カーテン塗工手段、滴下手段、前記基板を前記所定の物質の溶液中に浸漬する手段のいずれかであることを特徴とする請求項１５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記薄膜コートを形成した後、さらに、前記発光素子を覆うように透光性樹脂で封止する工程を有することを特徴とする請求項１５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記透光性樹脂は、シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項１７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１９】
発光素子収納用の開口部を有する支持体の開口部内面に内部リードが露出し、当該内部リードに電気的に連なる外部リードが前記支持体の外部に引き出され、少なくとも前記内部リードの露出部に銀が使用されたパッケージであって、
前記支持体の開口部内面において、前記発光素子との接続部分を除き、前記内部リードの前記銀の表面を被覆するように形成された所定の物質からなる薄膜コートが形成されていることを特徴とするパッケージ。
【請求項２０】
配線パターンが形成され、前記配線パターンの少なくとも一部は銀メッキが施された発光素子実装用の基板であって、
発光素子との接続部分を除き、前記銀メッキの表面を被覆するように形成された所定の物質からなる薄膜コートが形成されていることを特徴とする発光素子実装用の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置およびその製造方法に係り、特に開口部の底面に発光素子を収納し、発光素子を透光性樹脂で封止した構造を有する発光装置及びその製造方法や、基板に発光素子を実装し、発光素子を透光性樹脂で封止した構造を有する発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、表面実装型や砲弾型などの種々の発光装置が様々な分野に利用されている。発光装置の一例である発光ダイオード（ＬＥＤ）は、支持体となる基板上にＬＥＤチップを透光性樹脂によってダイボンディングされている。また、ＬＥＤチップの各電極とワイヤなどを用いて電気的に接続させると共に所望に応じてＬＥＤチップを保護する透光性樹脂で被覆してある。
【０００３】
ＬＥＤチップのダイボンディング・ワイヤボンディング後に基板の開口部内部に注入される樹脂には、一般に絶縁性且つ透光性を有し室温で液状の樹脂が使用される。具体例として、エポキシ樹脂やアクリレート樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂、又はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリノルボルネン樹脂等の熱可塑性樹脂が使用される。
【０００４】
熱硬化性樹脂を用いた場合、樹脂硬化のため加熱により透光性樹脂を形成させることができる。熱硬化性樹脂の特徴としては、成形時に熱硬化反応を伴い圧縮成形のような簡単な方法で成形可能であり堅くて頑丈な樹脂が得られる。耐熱性については、全般的に熱可塑性樹脂よりも優れている。
【０００５】
また、熱可塑性樹脂を用いた場合、溶剤を揮発させることにより透光性樹脂を形成させることができる。熱可塑性樹脂の特徴としては、化学構造的には線状高分子を成している。また、押出成形、射出成形によって効率よく加工することができ、成形不良品については再製利用も可能である。更に、熱硬化性樹脂よりも透明樹脂を成形し易く、透光性に優れている。
【０００６】
なお、特許文献１の半導体発光装置では、発光素子マウント部の表面を覆う蛍光膜層を形成する点が開示されている。また、特許文献２のＬＥＤランプでは、ＬＥＤチップを囲むカップの内面を覆う被覆層を形成する点が開示されている。これらの特許文献１，２中の被覆層は、蛍光体を含み、蛍光体を固定するためにかなりの膜厚を必要とする。また、特許文献３の発光装置では、樹脂基板の開口部内に蛍光体を含む透明ポリイミドシリコーン樹脂からなる皮膜を形成する点が開示されている。この場合、色調を変える添加剤を含む透明ポリイミドシリコーン樹脂の皮膜を１００μｍの膜厚で形成している。
【特許文献１】特開２０００−１５０９６６号公報
【特許文献２】特開２００２−５０７９９号公報
【特許文献３】特開２００６−６０００５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、近年のＬＥＤチップの高出力化に伴い、耐熱性、耐光性に富むシリコーン樹脂が頻繁に使用されるようになってきた。シリコーン樹脂は、透光性を有し、滴下等によりＬＥＤチップを封止し易いため、開口部を有する発光装置に広く使用されている。開口部の底面にＬＥＤチップを収納し、ＬＥＤチップを透光性樹脂で封止した構造を有する発光装置を形成する際、光取り出し効率を向上させるために、開口部内に露出している内部リードに銀メッキを施す構造が多く採用される。
【０００８】
しかし、シリコーン樹脂を用いて封止した場合、シリコーン樹脂はガスを透過し易いので、例えば車載用等の屋外用途の発光装置では内部リードの銀メッキが硫化し易いという問題が発生する。銀メッキの硫化により、銀メッキが黒色化し、発光装置の光出力低下が生じるという問題がある。
【０００９】
本発明者は前記した問題点を解決すべく鋭意研究した結果、本発明を成すに至ったものであり、本発明は前記した内部リード、リフレクター部等に使用されている銀の表面の硫化を防止し、時間経過に伴う光出力の維持率の低下を防止し得る発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
第１の発明に係る発光装置は、発光素子収納用の開口部を有する支持体の開口部内面に内部リードが露出し、当該内部リードに電気的に連なる外部リードが前記支持体の外部に引き出され、少なくとも前記内部リードの露出部に銀が使用されたパッケージと、前記支持体の開口部内面において少なくとも前記内部リードの前記銀の表面を被覆するように形成された所定の物質からなる薄膜コートと、前記支持体の開口部内に実装され、前記内部リードと電気的に接続された電極を有する発光素子と、を具備する。この発光装置において、さらに、少なくとも前記支持体の開口部内の前記発光素子を封止する透光性樹脂を有することも可能である。
【００１１】
第２の発明に係る発光装置は、配線パターンが形成され、前記配線パターンの少なくとも一部は銀メッキが施された発光素子実装用の基板と、記銀メッキの表面を被覆するように形成された所定の物質からなる薄膜コートと、前記基板に実装され、前記配線パターンと電気的に接続された電極を有する発光素子と、を具備する。この発光装置において、さらに、少なくとも前記発光素子を封止する透光性樹脂を有することも可能である。
【００１２】
前記各発光装置において、前記薄膜コートは、硫黄成分を透過し難い機能を有するものであり、Ｈ2 Ｓ透過性が１００×１０-9（ｍｌ・ｃｍ／ｓｅｃ・ｃｍ2 ・ｃｍＨｇ）以下、あるいは、ＳＯ2 透過性が１５０×１０-9（ｍｌ・ｃｍ／ｓｅｃ・ｃｍ2 ・ｃｍＨｇ）以下が好ましい。また、膜厚は５０μｍ以下、特に３０μｍ以下、さらに１０μｍ以下が好ましい。また、前記薄膜コートを形成する所定の物質は、溶剤で希釈したエポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ウレタン樹脂、アクリレート樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シルセスキオキサン誘導体、変成シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、又はポリノルボルネン樹脂のうち少なくとも１種の溶液が用いられ、前記溶剤を揮発させることによって形成されたものである。
【００１３】
前記各発明の発光装置において、前記透光性樹脂は、シリコーン樹脂であることが望ましいが、他の樹脂でもよい。前記透光性樹脂は、波長変換物質および／または無機フィラーが含有されていてもよい。この際、基板やパッケージ、ＬＥＤチップとの熱膨張係数に近似したものとし、透光性樹脂とパッケージ等との剥離を防止することが望ましい。例えば発光素子としてＩｎＧａＮ系の青色発光ＬＥＤチップ、波長変換物質としてＹＡＧ蛍光体を使用することにより、白色発光ＬＥＤ装置を容易かつ安価に実現することができる。
【００１４】
第３の発明に係る発光装置の製造方法は、発光素子と、前記発光素子が実装されたパッケージと、を有する発光装置の製造方法であって、発光素子収納用の開口部を有する支持体の開口部内面に内部リードが露出し、当該内部リードに電気的に連なる外部リードが前記支持体の外部に引き出され、少なくとも前記内部リードの露出部分に銀が使用されたパッケージを用いて、前記支持体の開口部内に発光素子を固着し、前記発光素子の電極を前記内部リードに電気的に接続する工程と、前記支持体の開口部内において少なくとも前記内部リードの銀の表面を被覆するように溶剤で希釈した所定の物質の溶液を注入した後に前記溶剤を揮発させて薄膜コートを形成する工程と、を具備する。この発光装置の製造方法において、前記所定の物質は、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ウレタン樹脂、アクリレート樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シルセスキオキサン誘導体、変成シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、又はポリノルボルネン樹脂のうち少なくとも１種であり、硫黄成分を透過し難い機能を有することが望ましい。また、前記薄膜コートを形成した後、さらに、前記発光素子を覆うように液状の透光性樹脂を注入して硬化させる工程を有することも可能である。また、前記透光性樹脂は、シリコーン樹脂であることが望ましいが、他の樹脂でもよい。また、前記所定の物質を溶剤で希釈する割合は、前記溶剤に対する前記所定の物質量が５０重量％以下、特に３０重量％以下、さらに１０重量％以下であることが望ましい。
【００１５】
第４の発明に係る発光装置の製造方法は、発光素子と、前記発光素子が実装された基板と、を有する発光装置の製造方法であって、配線パターンが形成され、前記配線パターンの少なくとも一部は銀メッキが施された基板に、発光素子を固着し、前記発光素子の電極を前記配線パターンに電気的に接続する工程と、溶剤で希釈した所定の物質の溶液を少なくとも前記配線パターンの銀メッキの表面を被覆するように付着させた後に前記溶剤を揮発させて薄膜コートを形成する工程と、を具備する。この発光装置の製造方法において、前記所定の物質の溶液を付着する手段は、スプレー噴霧手段、インクジェット塗布手段、カーテン塗工手段、滴下手段、前記基板を前記所定の物質の溶液中に浸漬する手段のいずれかである。また、前記薄膜コートを形成した後、さらに、前記発光素子を覆うように液状の透光性樹脂を注入して硬化させる工程を有することも可能である。また、前記透光性樹脂は、シリコーン樹脂であることが望ましいが、他の樹脂でもよい。また、前記所定の物質を溶剤で希釈する割合は、前記溶剤に対する前記所定の物質量が５０重量％以下、特に３０重量％以下、さらに１０重量％以下であることが望ましい。溶剤で希釈した比較的低粘度の樹脂を用いると、スプレー噴霧手段等に効果的に使用できる。また、薄膜状に樹脂をスプレーした場合は揮発量が少なくてすむので、比較的高粘度の樹脂を使用できる。
【００１６】
第５の発明に係るパッケージは、発光素子収納用の開口部を有する支持体の開口部内面に内部リードが露出し、当該内部リードに電気的に連なる外部リードが前記支持体の外部に引き出され、少なくとも前記内部リードの露出部に銀が使用されたパッケージであって、前記支持体の開口部内面において、前記発光素子との接続部分を除き、前記内部リードの前記銀の表面を被覆するように形成された所定の物質からなる薄膜コートが形成されている。
【００１７】
第６の発明に係る発光素子実装用の基板は、配線パターンが形成され、前記配線パターンの少なくとも一部は銀メッキが施された発光素子実装用の基板であって、発光素子との接続部分を除き、前記銀メッキの表面を被覆するように形成された所定の物質からなる薄膜コートが形成されている。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１の発光装置によれば、支持体の開口部内面に露出している内部リードに施されている銀の表面の硫化を防止でき、時間経過に伴う光出力の維持率の低下を防止することができる。
【００１９】
請求項２の発光装置によれば、請求項１の発光装置の支持体の開口部内の発光素子を保護することができる。
【００２０】
請求項３の発光装置によれば、発光素子実装用の基板上の配線パターンに施された銀メッキの表面の硫化を防止でき、時間経過に伴う光出力の維持率の低下を防止することができる。
【００２１】
請求項４の発光装置によれば、請求項３の発光装置の発光素子実装用の基板上の発光素子を保護することができる。
【００２２】
請求項５乃至７の発光装置によれば、請求項１または３の発光装置において、薄膜コートのＨ2 Ｓ透過性、あるいは、ＳＯ2 透過性、あるいは、膜厚として望ましい範囲を規定することにより、薄膜コートに硫黄成分を透過し難い機能を持たせることが可能である。また、少量の樹脂により硫化を防止することができる。
【００２３】
請求項８の発光装置によれば、請求項１または３の発光装置において、薄膜コートを形成する所定の物質として望ましい例を規定することにより、薄膜コートに硫黄成分を透過し難い機能を持たせることが可能である。
【００２４】
請求項９の発光装置によれば、請求項２または４の発光装置において、透光性樹脂の望ましい例を規定することにより、発光素子を容易に封止できる。
【００２５】
請求項１０の発光装置によれば、請求項２または４の発光装置において、透光性樹脂に波長変換物質およびフィラーを含むことによって、例えば白色発光装置を容易かつ安価に実現することができる。
【００２６】
請求項１１の発光装置の製造方法によれば、請求項１の発光装置を容易に実現することができる。
【００２７】
請求項１２の発光装置の製造方法によれば、薄膜コートを形成する所定の物質を規定することにより、硫黄成分を透過し難い機能を有する薄膜コートを容易に実現することができる。
【００２８】
請求項１３の発光装置の製造方法によれば、請求項１１の発光装置の製造方法においてさらに透光性樹脂を形成することにより、発光素子を保護することができる。
【００２９】
請求項１４の発光装置の製造方法によれば、請求項１３の発光装置の製造方法において透光性樹脂の望ましい例を規定することにより、発光素子を容易に封止できる。
【００３０】
請求項１５の発光装置の製造方法によれば、請求項３の発光装置を容易に実現することができる。
【００３１】
請求項１６の発光装置の製造方法によれば、請求項１５の発光装置の製造方法において所定の物質の溶液を付着する手段の望ましい例を規定することにより、所望の薄膜コートを容易に実現することができる。
【００３２】
請求項１７の発光装置の製造方法によれば、請求項１５の発光装置の製造方法においてさらに透光性樹脂を形成することにより、発光素子を保護することができる。
【００３３】
請求項１８の発光装置の製造方法によれば、請求項１７の発光装置の製造方法において透光性樹脂の望ましい例を規定することにより、発光素子を容易に封止できる。
【００３４】
請求項１９のパッケージによれば、請求項１の発光装置に使用可能なパッケージを提供することができる。
【００３５】
請求項２０の発光素子実装用の基板によれば、請求項３の発光装置に使用可能な基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、図面を参照して本発明に係る発光装置の実施形態および実施例を説明するが、本発明は、これらの実施形態および実施例に限定されるものではない。また、この説明に際して、全図にわたり共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００３７】
＜第１の実施形態（パッケージ収納タイプの発光装置）＞
図１は、本発明の発光装置の第１の実施形態として、発光素子としてＬＥＤチップを用いた表面実装型のＬＥＤ装置の構造の一例を模式的に示す断面図である。まず、図１のＬＥＤ装置の概要を説明する。
【００３８】
パッケージ１は、樹脂製の支持体１１と例えばリードフレームからなる導電部材を有する。支持体１１は上面側に発光素子収納用の開口部（凹部）を有し、開口部内面の一部にリードフレームの内部リード１３ａが露出し、この内部リードに電気的に連なる外部リード１３ｂが支持体外部に引き出され、少なくとも内部リード１３ａに銀（Ａｇ）メッキ１４が施されている。そして、開口部内にＬＥＤチップ１５が実装され、ＬＥＤチップ１５の電極１５ａが内部リード１３ａに電気的に接続されている。さらに、開口部内面において少なくとも内部リード１３ａの銀メッキ表面を被覆するように、所定の樹脂の溶液が注入され、溶剤が揮発されて硬化されてなる膜厚が５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ、特に望ましくは１０μｍ以下の銀メッキ硫化防止用の薄膜コート１６が形成されている。そして、開口部内の少なくとも薄膜コート１６およびＬＥＤチップ１５を覆うように透光性樹脂１７が埋め込まれている。
【００３９】
次に、図１のＬＥＤ装置の製造工程の一例を説明する。まず、一対の内部リード１３ａと一対の外部リード１３ｂとを有するリードフレームおよびインサート成形可能な耐熱性樹脂を用いて、パッケージ１をインサート形成する。この際、発光素子収納用の開口部を有する樹脂からなる支持体１１の開口部内面に一対の内部リード１３ａを露出させ、一対の外部リード１３ｂを外部へ引き出すように成形する。上記リードフレームは、例えば平板状の金属部材が用いられており、熱伝導性の良い例えば銅板に対して光反射性を高めるために銀メッキ１４が施されてなる。
【００４０】
次に、支持体１１の開口部内に発光素子として例えばＩｎＧａＡｌＮ系の窒化物半導体からなるＬＥＤチップ１５の下面を例えば透光性エポキシ樹脂を用いてダイボンディングにより固着する。次に、ＬＥＤチップ上面（発光面側）に形成されている一対の電極１５ａと一対の内部リード１３ａとの間をそれぞれ導電性ワイヤ（例えば金線）１８を用いてワイヤボンディング接続する。次に、支持体１１の開口部内の少なくとも内部リード１３ａの銀メッキの表面を被覆するように膜厚が１０μｍ以下の薄膜コート１６を形成する。この薄膜コート１６を形成する際、例えば所定の変成シリコーン樹脂を溶剤で溶かした溶液を開口部内に適量注入し、ベーキングを行って溶剤を揮発させ、樹脂を硬化させる。または、インクジェット等を用いて、銀メッキ部にのみ薄膜コートを形成することもできる。ここで、変成シリコーン樹脂の一例として、特開２００４−２９２７７９号公報に記載されている組成物を用いることができる。
【００４１】
次に、支持体１１の開口部内の少なくとも薄膜コート１６およびＬＥＤチップ１５、さらに導電性ワイヤ１８を覆うように液状のシリコーン樹脂などの透光性樹脂１７を注入して硬化させることにより、開口部内を封止する。この後、外部リード１３ｂを表面実装に適した所望の端子形状に加工する。
【００４２】
上記したような工程を経て得られた表面実装型のＬＥＤ装置は、インサート成形可能な耐熱性樹脂からなり、ＬＥＤチップ収納用の開口部を有する支持体１１と、この支持体１１の開口部内面に露出する内部リード１３ａおよび支持体外部に引き出された外部リード１３ｂを有する。少なくとも内部リード１３ａには銀メッキ１４が施されている。そして、支持体１１の開口部内に固着され、内部リード１３ａに電気的に接続された電極１５ａを有するＬＥＤチップ１５と、支持体１１の開口部内面において内部リード１３ａの銀メッキ表面および開口部内面（リフレクター）の表面を被覆するように、所定の変成シリコーン樹脂が溶剤中に溶かされた後で硬化された膜厚が１０μｍ以下の薄膜コート１６を有する。そして、支持体の開口部内の薄膜コート１６およびＬＥＤチップ１５を被覆するように注入され、硬化された透光性樹脂１７を有する。
【００４３】
上記したような構成の表面実装型のＬＥＤ装置は、薄膜コート１６の存在によって、内部リード１３ａの銀メッキ表面に対する所望の硫化防止効果が得られ、時間経過に伴う光出力の維持率の低下を防止可能であることが確認された。また、開口部内面に対する酸化防止効果を奏することが確認された。なお、薄膜コート１６の存在によって透光性樹脂１７の劣化などをきたすことはない。
【００４４】
なお、支持体１１の外部から開口部内面部へＬＥＤチップ１５に電源を供給する手段は、前記リードフレームに限らず、他の導電部材を用いてもよい。また、透光性樹脂１７は、ＬＥＤチップ１５から放出される光をＬＥＤチップ１５の発光色とは異なる波長（例えば補色関係を有する）の光に変換する波長変換物質（例えば蛍光体）、および／または、フィラーを含んでもよい。
【００４５】
さらに、開口部内には、薄膜コート１６を形成した後に、必ずしも封止部材を注入しないでもよく、あるいは、無機バインダー、Ｎ2 ，Ａｒなどの不活性ガスを充填してもよく、あるいは、開口部内を真空またはそれに近い状態にしてもよい。
【００４６】
以下、上記した発光装置における各構成要素について詳述する。
【００４７】
（支持体１１）  支持体は、ＬＥＤチップを配置させ、外部からの電流をＬＥＤチップに供給するリード電極が付加されるので、耐熱性や絶縁性を有するものが好適に用いられる。このような支持体の具体的材料としては、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン（以下ＢＴレジンとも呼ぶ）、セラミックス、液晶ポリマーやポリブチレンテレフタレート樹脂（ＰＢＴ樹脂）が好適に挙げられる。また、ＬＥＤチップからの光を効率よく反射させるために基板を構成する樹脂に酸化チタンなどの白色顔料などを混合させることができる。
【００４８】
樹脂により支持体をモールド成形させる場合は、内部に配置されるＬＥＤチップに電力を供給するリード電極をインサート成形などで比較的簡単に形成することができる。リード電極は、銅および銅合金等の電気良導体により形成することができる。本実施形態では、リード電極は、発熱を効率よく放出させるものが好ましく、銅電極を使用している。ＬＥＤチップからの光の反射性を向上させるために、リード電極の表面に銀メッキ１４を施しているが、アルミニウム、金等の平滑な金属メッキを施すこともできる。
【００４９】
ガラスエポキシおよびＢＴレジンにより支持体を構成させる場合は、銅張りガラスエポキシおよび銅箔を圧着したＢＴレジンに所望のパターンを作るためにケミカルエッチングを行う。これにドリル加工、パンチングプレス加工により側壁部となる穴を作ったガラスエポキシおよびＢＴレジンを接着剤で張り合わせ形成する。セラミックにより支持体を構成させる場合は、セラミック焼成前の原料となるグリーンシート上に所望のパターンで高融点金属を含有した導電性ペーストを印刷する。グリーンシートを複数重ね合わせ支持体形状にさせた後に焼成してセラミック支持体を形成する。導電性ペーストは焼成時に樹脂成分が飛び外部との電気的接続が可能な電極層として残る。
【００５０】
（発光素子１５）  発光素子の種類は特に制限されるものではないが、例えば、ＭＯＣＶＤ法等によって基板上にＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物半導体を発光層として形成させたもの、一例として、サファイア基板上にｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と、ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層と、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層とが順次に積層された構造のものを使用する。また、半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合などを有するホモ構造、ヘテロ結合あるいはダブルヘテロ結合のものが挙げられる。半導体の材料やその混晶比によって発光波長を種々選択できる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることができる。また、活性層には、Ｓｉ、Ｇｅ等のドナー不純物および／またはＺｎ、Ｍｇ等のアクセプター不純物がドープされる場合もある。発光素子の発光波長は、その活性層のＩｎＧａＮのＩｎ含有量を変えるか、または活性層にドープする不純物の種類を変えることにより、紫外領域から赤色まで変化させることができる。
【００５１】
一般に窒化物半導体（ＩｎX ＧａY Ａｌ1-X-Y Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）は、結晶成長が難しく、絶縁性のサファイア基板上に形成される。サファイア基板上に形成された窒化物半導体に電力を供給するためには正極（ｐ電極）および負極（ｎ電極）を同一面側（半導体積層面側）に形成せざるを得ず、オーミック接触をとり、かつ、効率的に電流を注入させるためには透光性の電極として金薄膜などが用いられる。このような電極は薄膜にして透光性を持たせているものの金属からなるが故に、窒化物半導体を利用したＬＥＤチップの活性層で生成した光は部分的に反射される。
【００５２】
このようなＬＥＤチップは支持体上にダイボンド機器を用いてマウントすることができる。また、ＬＥＤチップ上に設けられた電極と、金線ワイヤを利用して電気的に接続させることができる。
【００５３】
発光素子は、４６０ｎｍ近傍に発光ピーク波長を持つ青色発光の発光素子、４１０ｎｍ近傍に発光ピーク波長を持つ青紫色発光の発光素子、３６５ｎｍ近傍に発光ピーク波長を持つ紫外線発光の発光素子などを使用することができる。
【００５４】
白色発光の発光装置を実現する場合には、例えば青色発光の発光素子と、透光性被覆部材に含まれる蛍光物質としてＹＡＧ蛍光体（Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体）との組合せを使用することによって、発光素子による発光とＹＡＧ蛍光体による発光との混色によって白色発光が得られる。
【００５５】
（導電性ワイヤ１８）  導電性ワイヤとしては、発光素子の電極とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性および熱伝導性が良いものが求められる。熱伝導率としては、0.01cal ／（S ）（cm2 ）（℃／cm）以上が好ましく、より好ましくは、0.5cal／（S ）（cm2 ）（℃／cm）以上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイヤの直径は、好ましくは10μｍ以上、45μｍ以下である。このような導電性ワイヤとして、具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属およびそれらの合金を用いたワイヤが挙げられる。このような導電性ワイヤは、ワイヤボンディング装置によって、各発光素子と内部端子との間に容易にボンディング接続させることができる。
【００５６】
（薄膜コート１６）  薄膜コートは、硫黄成分を透過し難い機能を有するものであればよく、例えばＨ2 Ｓ透過性が１００×１０-9（ｍｌ・ｃｍ／ｓｅｃ・ｃｍ2 ・ｃｍＨｇ）以下、あるいは、ＳＯ2 透過性が１５０×１０-9（ｍｌ・ｃｍ／ｓｅｃ・ｃｍ2 ・ｃｍＨｇ）以下であり、膜厚が５０μｍ以下、望ましくは１０μｍ以下である。この薄膜コート１６は、所定の物質を溶剤で希釈した溶液を開口部内に適量注入した後、溶剤を揮発させることにより、形成することが可能である。ここで、所定の物質は、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ウレタン樹脂、アクリレート樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シルセスキオキサン誘導体、変成シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、又はポリノルボルネン樹脂のうち少なくとも１種である。また、前記溶剤で希釈する所定の物質の割合は、溶剤に対する所定の物質量が５０重量％以下、特に３０重量％以下、さらに１０重量％以下が好ましい。この揮発させる溶剤を回収して、再利用することもできる。
【００５７】
（透光性樹脂１７）  透光性封止材は、支持体開口部内に設けるものであり、ＬＥＤチップからの光を効率よく外部に透過させると共に、外力、塵芥などからＬＥＤチップや金ワイヤなどを保護するものである。このような透光性封止材としては、シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはアクリル樹脂、ポリカーボネット樹脂、ポリノルボルネン樹脂等の熱可塑性樹脂から選択された少なくとも一種を用いることができる。
【００５８】
また、透光性樹脂は、波長変換物質および／または無機フィラーが含有されていてもよい。この際、基板やパッケージ、ＬＥＤチップとの熱膨張係数に近似したものとし、透光性樹脂とパッケージ等との剥離を防止することが望ましい。例えば発光素子としてＩｎＧａＮ系の青色発光ＬＥＤチップ、波長変換物質としてＹＡＧ蛍光体を使用することにより、白色発光ＬＥＤ装置を容易かつ安価に実現することができる。
【００５９】
＜第２の実施形態（段差付きパッケージ収納タイプの発光装置）＞
図２は、第２の実施形態に係る表面実装型のＬＥＤ装置の構造の一例を模式的に示す断面図である。図２のＬＥＤ装置は、図１を参照して前述した第１の実施形態のＬＥＤ装置と比べて、パッケージ１ａの開口部内底面の一部（例えば中央部）が低くなった段差部１１ａが形成されており、開口部内底面上にＬＥＤチップ１５がフェースアップ実装されている。内部リード１３ａは、段差部上面に露出している点が異なり、その他は同じである。段差部側壁面にも銀メッキが施されることが望ましい。内部リード１３ａとＬＥＤチップ上面の電極１５ａとは導電性ワイヤ１８によりボンディング接続されている。そして、少なくとも開口部内面の一部を被覆するように膜厚が例えば１０μｍ以下の薄膜コート１６が形成されている。さらに、開口部の内部には、内部リード１３ａ、ＬＥＤチップ１５、導電性ワイヤ１８を覆うようにシリコーン樹脂１７が埋め込まれている。
【００６０】
上記構成の図２のＬＥＤ装置においても、図１を参照して前述した図１のＬＥＤ装置と基本的に同様の効果が得られるほか、ＬＥＤチップの実装位置がワイヤボンディング（２ｎｄボンディング）の位置よりも低いカップ構造を有するので、ＬＥＤチップを実装するよりも先に銀メッキをコートすることができる。これにより、チップ上面電極（ワイヤの１ｓｔボンディング位置）、および、２ｎｄボンディング位置にコーティング樹脂が被覆されず、封止用透光樹脂との界面がボンディングワイヤの金線部分に存在せず、異なる樹脂物性界面での金線破断が発生しないので、信頼性が向上する。
【００６１】
＜第３の実施形態（基板搭載タイプの発光装置）＞
図３は、本発明の発光装置の第３の実施形態として、発光素子としてＬＥＤチップを用いた表面実装型のＬＥＤ装置の構造の一例を模式的に示す断面図である。図３のＬＥＤ装置は、図１を参照して前述した第１の実施形態のＬＥＤ装置と比べて、パッケージ１に代えて、発光素子実装用の基板３０を使用している点が主に異なる。
【００６２】
発光素子実装用の基板３０は、ガラスエポキシ、セラミックスなどからなる平板タイプの基板（例えば印刷配線板）３１の上面に配線パターン３２が設けられ、この配線パターン３２の少なくとも一部（例えば先端部）は例えば銀メッキ３３が施され、この銀メッキ３３の表面を被覆するように所定の物質からなる薄膜コート３４が形成されている。そして、基板３１上にはＬＥＤチップ３５が例えばフェースアップ実装されており、ＬＥＤチップ３５の電極が例えばボンディングワイヤ３６により配線パターン３２と電気的に接続されている。前記ＬＥＤチップ３５を実装した後、さらに、ＬＥＤチップ３５を覆うように透光性樹脂（例えばシリコーン樹脂）３７で封止している。なお、前記配線パターン３２は基板側面部に引き出され、外部端子となっている。
【００６３】
薄膜コート３４は、第１の実施形態で前述した薄膜コート１６と同様であり、硫黄成分を透過し難い機能を有する。この薄膜コート３４の形成は、所定の物質を溶剤で希釈した溶液を少なくとも配線パターンの銀メッキの表面を被覆するように付着させた後に溶剤を揮発させることにより可能である。所定の物質の溶液を付着する手段は、スプレー噴霧手段、インクジェット塗布手段、カーテン塗工手段、滴下手段、基板を所定の物質の溶液中に浸漬する手段のいずれかを用いることができる。所定の物質を溶剤で希釈する割合は、溶剤に対する所定の物質量が５０重量％以下、特に３０重量％以下、さらに１０重量％以下が好ましい。所定の樹脂を溶剤で希釈した比較的低粘度の溶液を用いると、スプレー噴霧手段等に効果的に使用できる。また、樹脂を薄膜状にスプレーした場合は揮発量が少なくてすむので、比較的高粘度の樹脂を使用することもできる。
【００６４】
＜第４の実施形態（基板搭載タイプ、リフレクター付きの発光装置）＞
図４は、本発明の発光装置の第４の実施形態として、リフレクター付きの表面実装型のＬＥＤ装置の構造の一例を模式的に示す断面図である。図４のＬＥＤ装置は、図３を参照して前述した第３の実施形態のＬＥＤ装置と比べて、基板３０上でＬＥＤチップ３５の周りを囲むようにリフレクター４０が搭載されて固着されている点が主に異なる。
【００６５】
リフレクター４０は、平板状の基体の中央部が開口されており、この開口内部のテーパ状の側壁面は銀メッキ３３が施されて反射面とされている。そして、基板３１上にＬＥＤチップ３５がフェースアップ実装された状態で所定の物質からなる薄膜コート３４が、少なくとも配線パターン３２上の銀メッキ３３の表面およびリフレクター４０の反射面を被覆するように形成されている。なお、リフレクター４０の反射面を被覆する薄膜コート３４は、リフレクター４０を基板３１上に搭載する前に形成しておき、リフレクター４０を基板３１上に搭載した後には形成しないようにしてもよい。さらに、リフレクター４０の開口内部でＬＥＤチップ３５を覆うように透光性樹脂３７で封止している。
【００６６】
上記した第４の実施形態に係る基板搭載タイプ、リフレクター付きの発光装置においても、前述した第１の実施形態に係るパッケージ収納タイプの発光装置と同様に、薄膜コート３４の存在による効果が得られる。
【００６７】
以下、具体的実施例について詳述するが、これらに限定されるものではない。
［実施例１〜２］  実施例１〜２では、図１に示したようなパッケージ１の開口部内底面に、青色（４７０ｎｍ）が発光可能な窒化物半導体を発光層に持ったＬＥＤチップをダイボンディングにより配置させた。ＬＥＤチップはサファイア基板上に窒化ガリウムからなるバッファ層、ＧａＮからなるｎ型コンタクト兼クラッド層、ＧａＡｌＮからなるｐ型クラッド層、ＧａＮからなるｐ型コンタクト層が積層されたものである。ｎ型コンタクト層およびｐ型クラッド層との間には単一量子井戸構造となるＩｎＧａＮ層が形成されている。サファイア基板上に形成された半導体層側から正極および負極の電極を形成させるために窒化物半導体の一部をエッチングさせてｎ型コンタクト層を露出させてある。ｐ型コンタクト層上には金薄膜をオーミック電極として形成させてある。
【００６８】
パッケージ１は、予め形成させたリード電極を金型内に配置させ、ポリアミド樹脂を注入させることにより成形した。パッケージの開口部内底面にリード電極の一部（内部リード１３ａ）が露出しており、内部リード１３ａは銀メッキが施されている。パッケージの開口部内底面は、鏡面の如く一定方向から入射したＬＥＤチップからの光の大部分を特定方向に反射可能な平面（平滑面）とされている。このような平面上に配置されたＬＥＤチップ１５から放出される縦方向の光は、効率よく前面に放出することができる。そのため、内部リード１３ａの銀メッキ表面、開口部内の底面および側面はＬＥＤチップ１５からの光を効率よく反射することが可能となる。
【００６９】
パッケージ１の開口部内に透光性エポキシ樹脂を用いてＬＥＤチップ１５をダイボンディングによりマウントさせた。ＬＥＤチップ１５の各電極１５ａと内部リード１３ａとを金線１８を用いてワイヤボンディングさせ電気的に導通をとってある。
【００７０】
さらに、パッケージの開口部内の少なくとも内部リード１３ａの銀メッキと開口部内面からなるリフレクターの表面を被覆するように膜厚が１０μｍ以下の薄膜コート１６を形成した。この際、所定の樹脂を溶剤で溶かした溶液を開口部内に注入し、ベークによって溶剤を揮発させ、樹脂を硬化させて薄膜コート１６を形成した。
【００７１】
次に、支持体１１の開口部内の少なくとも薄膜コート１６およびＬＥＤチップ１５、さらに導電性ワイヤ１８を覆うように液状の透光性樹脂１７を注入して硬化させた。このような封止用の透光性樹脂として、シリコーン樹脂を用いる。
【００７２】
この後、外部リード１３ｂを表面実装に適した所望の端子形状に加工する、例えば支持体側面から支持体底面に沿って底面側に折り曲げることによって外部端子１３ｃを形成し、この外部端子１３ｃを表面実装時に半田付け接続する。
【００７３】
上記したような工程を経て得られた表面実装型のＬＥＤ装置は、第１の実施形態で前述したような効果が得られる。具体的に、薄膜コート形成の処理方法を異ならせた実施例１〜２により得た処理品１〜２について、硫化試験装置で硫化試験を行った結果、確認された効果を比較例（薄膜コートが形成されていない）と対比する。薄膜コート形成の処理方法は、溶剤としてアセトンあるいはＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート）を用いた。そして、前記樹脂を溶剤で希釈した溶液をディスペンサーから開口部内に滴下し、硬化（例えば１２０℃で１時間）により溶剤を揮発させて薄膜コートを形成して硬化（最大１５０℃で１時間）させる。この際、溶液の種類と濃度を異ならせて得た実施例１〜２により得た処理品１〜２について、硫化試験装置で硫化試験を行った。  
（処理方法）                溶剤                樹脂              濃度
実施例１（処理品１）  アセトン  ９．９  ｇ    ０．１  ｇ            １％
実施例２（処理品２）  アセトン  ９．９５ｇ    ０．０５ｇ        ０．５％
（試験条件）４０℃、８０％ＲＨ、Ｈ2 Ｓ流量１５ｐｐｍの雰囲気下、９６時間爆露
（試験結果）          薄膜コート  光出力の取り出し効率    低  下  率
（比較例１）          無し          初期値の８４％        １６％
実施例１（処理品１）  有り          初期値の９４％          ６％
実施例２（処理品２）  有り          初期値の９３％          ７％
処理品１〜２によればＬＥＤ寿命が比較例の２．６倍延びるものと推定される。
［実施例３］
【００７４】
実施例１と同様に前記樹脂を溶剤で希釈した溶液ををディスペンサーから開口内部に滴下した後、樹脂が硬化しない条件（２５℃、８時間）で大気中に放置し、溶剤を揮発させた。コートした樹脂は硬化していないことを確認した後、透光性のシリコーン樹脂を滴下し、透光性シリコーン樹脂とコート樹脂とを同時に硬化させた後、実施例１〜２と同様に、硫化試験装置で硫化試験を行った結果、実施例１〜２と同様の効果が得られた。
【００７５】
（処理方法）                溶剤                樹脂              濃度
実施例３（処理品３）  アセトン  ９．９  ｇ    ０．１  ｇ        １％
（試験結果）          薄膜コート          光出力の取り出し効率    低  下  率
（比較例１）          無し                    初期値の８４％        １６％
実施例３（処理品３）  封止樹脂と同時硬化    初期値の９４％          ６％
［実施例４〜７］  実施例４〜７では、図２に示したようなパッケージ１の開口部内底面に、青色（４７０ｎｍ）が発光可能な窒化物半導体を発光層に持ったＬＥＤチップをダイボンディングにより配置させ、フェースアップ実装している。この場合、内部リードは、開口部内底面の段差部上面に露出している。銀メッキは、リードフレームの少なくとも内部リードの表面に施されており、さらに望ましくは開口部内面にも施されている。内部リードとＬＥＤチップ上面の電極とは導電性ワイヤによりボンディング接続されている。そして、少なく開口部内面の一部と内部リード１３ａの銀メッキ表面を被覆するように、所定の樹脂が注入されて硬化されてなる膜厚が例えば１０μｍ以下の銀メッキ硫化防止用の薄膜コート１６が形成されている。シリコーン樹脂１８は、開口部内で内部リード１３ａ、ＬＥＤチップ１５、導電性ワイヤ１８を覆うように埋め込まれている。
【００７６】
上記したような工程を経て得られた表面実装型のＬＥＤ装置は、図２を参照して前述した第２の実施形態の表面実装型のＬＥＤ装置と同様の効果が得られる。なお、実施例１〜７の薄膜コートに使用した所定の樹脂は、実施の形態に示す公報の実施例４５のシリコーン樹脂を用いている。また、薄膜コート形成の処理方法を異ならせた実施例により得た処理品について、硫化試験装置で硫化試験を行った結果、実施例１〜３と同様の効果が得られた。  
（処理方法）                溶剤                樹脂              濃度
実施例４（処理品１）  アセトン  ９．９  ｇ    ０．１  ｇ            １％
実施例５（処理品２）  アセトン  ９．９５ｇ    ０．０５ｇ        ０．５％
実施例６（処理品３）  ＰＧＭＥＡ９．９  ｇ    ０．１  ｇ            １％
実施例７（処理品４）  ＰＧＭＥＡ９．９５ｇ    ０．０５ｇ        ０．５％
（試験条件）４０℃、８０％ＲＨ、Ｈ2 Ｓ流量１５ｐｐｍの雰囲気下、９６時間爆露
（試験結果）          薄膜コート  光出力の取り出し効率    低  下  率
（比較例２）            無し      初期値の８３．８％      １６．２％
実施例４（処理品４）  有り      初期値の９８．１％        １．９％
実施例５（処理品５）  有り      初期値の９７．７％        ２．３％
実施例６（処理品６）  有り      初期値の９８．９％        １．１％
実施例７（処理品７）  有り      初期値の９９．０％        １．０％
処理品４〜７によればＬＥＤ寿命が比較例の７〜１６倍延びるものと推定される。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明の発光装置およびその製造方法は、各種インジケータ、ディスプレイ、光プリンターの書き込み光源やバックライト用光源などに適用される。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の発光装置の第１の実施形態に係る表面実装型のＬＥＤ装置の構造の一例を模式的に示す断面図。
【図２】本発明の発光装置の第２の実施形態に係る表面実装型のＬＥＤ装置の構造の一例を模式的に示す断面図。
【図３】本発明の発光装置の第３の実施形態に係る表面実装型のＬＥＤ装置の構造の一例を模式的に示す断面図。
【図４】本発明の発光装置の第４の実施形態に係る表面実装型のＬＥＤ装置の構造の一例を模式的に示す断面図
【符号の説明】
【００７９】
１…パッケージ、１１…樹脂製の支持体、１３ａ…内部リード、１３ｂ…外部リード、１４…銀メッキ、１５…ＬＥＤチップ、１５ａ…ＬＥＤチップの電極、１６…薄膜コート、１７…透光性樹脂、１８…導電性ワイヤ。
【図１】
2008010591.tif 000003
【図２】
2008010591.tif 000004
【図３】
2008010591.tif 000005
【図４】
2008010591.tif 000006