(57)【要約】【課題】リードフレームに対して十分な接着性を有し、封止材で封止した後のリードフレームや封止材から室温で容易に剥離でき、半導体装置を高い作業性で製造することができる半導体用接着フィルム、これを用いた半導体用接着フィルム付きリードフレーム、半導体用接着フィルム付き半導体装置及び半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護し、封止後に引き剥がす方法に使用される、支持フィルムを有する半導体用接着フィルムであって、支持フィルムの少なくとも片面に、特定の化合物が含まれている樹脂層Ａが形成されており、半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、かつ、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である半導体用接着フィルム。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護し、封止後に剥離する方法に使用される、支持フィルムを有する半導体用接着フィルムであって、支持フィルムの少なくとも片面に、下記一般式（Ｉ）、下記一般式（ＩＩ）、下記一般式（ＩＩＩ）、下記一般式（ＩＶ）で示される化合物より選ばれる少なくとも１種類の化合物が含まれている樹脂層Ａが形成されており、半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、かつ、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である半導体用接着フィルム。
【化１】
2008095063.tif 000011
（Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６の１価のアルキル基または炭素数６〜１２の１価のアリール基を、Ｒ４は炭素数１〜６の１価のアルキル基、炭素数６〜１２の１価のアリール基または水素原子を表す。）
【化２】
2008095063.tif 000012
（Ｒ５、Ｒ６及びＲ７はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６の１価のアルキル基または炭素数６〜１２の１価のアリール基を、Ｒ８は炭素数１〜６の１価のアルキル基、炭素数６〜１２の１価のアリール基または水素原子を表す。）
【化３】
2008095063.tif 000013
（Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６の１価のアルキル基または炭素数６〜１２の１価のアリール基を表す。）
【化４】
2008095063.tif 000014
（Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６の１価のアルキル基または炭素数６〜１２の１価のアリール基を、Ｒ１５は炭素数１〜６の１価のアルキル基、炭素数６〜１２の１価のアリール基または水素原子を表す。）
【請求項２】
前記樹脂層Ａのガラス転移温度が、１００〜３００℃である請求項１に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項３】
前記樹脂層Ａが、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基、スルホン基のいずれかを有する熱可塑性樹脂を含有する請求項１または２に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項４】
前記樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）が０．５以下である請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項５】
前記樹脂層Ａの厚さが１〜２０μｍである請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項６】
前記支持フィルムの材質が、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれる請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項７】
前記支持フィルムのガラス転移温度が、２００℃以上である請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項８】
前記支持フィルムの材質が、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケルよりなる群から選ばれるものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項９】
前記支持フィルムの厚さが、５〜１００μｍである請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項１０】
前記支持フィルムの２０〜２００℃における線熱膨張係数が３．０×１０−５以下である請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項１１】
前記支持フィルムの２００℃で２時間加熱した際の収縮率が０．１５％以下である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項１２】
前記支持フィルムの片面に前記樹脂層Ａが形成されており、その反対面に２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂが形成されている請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムを接着してなる半導体用接着フィルム付きリードフレーム。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに片面を接着してなる請求項１３記載の半導体用接着フィルム付きリードフレーム。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムを用いた半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１６】
半導体用接着フィルム、
半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに片面を接着してなるリードフレーム、
リードフレームのダイパッドに接着された半導体素子、
半導体素子とリードフレームのインナーリードとを接続するワイヤ、
リードフレームの露出面、半導体素子、ワイヤを封止する封止材
を備えてなる請求項１５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置から半導体用接着フィルムを剥離して得られる半導体装置。
【請求項１８】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム、または請求項１３または１４に記載の半導体用接着フィルム付きリードフレームを用いて作製した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護し、封止後に剥離する方法に使用される半導体用接着フィルムに関し、特に封止後のリードフレーム及び封止材から室温において簡便に引き剥がすことができ、半導体装置を高い作業性で製造することができる半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルム付き半導体装置、半導体用接着フィルム付きリードフレーム及びこれらを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置（半導体パッケージ）は、ダイパッド上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子を接着し、これとリードフレームをワイヤで接合した後に、外部接続用のアウターリードを残して全体を封止する構造のパッケージが用いられてきた。しかし近年、半導体パッケージの高密度化、小面積化、薄型化等の要求に伴い、さまざまな構造のパッケージが開発されてきている。その中には、例えば、ＬＯＣ（ｌｅａｄ  ｏｎ  ｃｈｉｐ）やＣＯＬ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｌｅａｄ）構造などがあるが、小面積化、薄型化の点では限界がある。
【０００３】
一方、これらの課題を解決するために、パッケージの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面のむき出しのリードフレームを外部接続用に用いる構造のパッケージが開発されてきた（特開平５−１２９４７３号公報、特開平１０−１２７７３号公報）。この構造のパッケージはリードフレームが封止材から突出していないので、小面積化及び薄型化が図れる。このパッケージ構造の半導体装置を製造する方法の一つとして、次に示す工程からなる製造方法がある。
【０００４】
（１）リードフレーム裏面に半導体用接着フィルムを接着する工程、
（２）リードフレームのダイパッドに半導体素子を接着する工程、
（３）リードフレームのインナーリードと半導体素子を接続する工程、
（４）封止材で封止する工程、
（５）封止材を硬化する工程、
（６）半導体用接着フィルムをリードフレーム及び封止材から剥離する工程。
【０００５】
この方法による半導体装置の製造において、封止材で封止する工程で、リードフレーム裏面に封止樹脂が回りこむ等の問題が起こり易かった。また、半導体用接着フィルムを封止材で封止した後のリードフレームや封止材から引き剥がす工程で、接着剤とリードフレームや封止材とが強固に接着してしまい、室温で剥離することができない問題や、接着剤が支持フィルムから剥離してリードフレームや封止材に付着する問題があった。また、室温で半導体用接着フィルムの剥離が困難な場合、熱をかけて剥離することがあり、作業性が低下する問題があった。
【特許文献１】特開平５−１２９４７３号公報
【特許文献２】特開平１０−１２７７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記半導体装置の製造方法に使用される半導体用接着フィルムであって、リードフレームに対して十分な接着性を有し、封止材で封止した後のリードフレームや封止材から室温で容易に剥離でき、半導体装置を高い作業性で製造することができる半導体用接着フィルム、これを用いた半導体用接着フィルム付きリードフレーム、半導体用接着フィルム付き半導体装置及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
すなわち、本発明は（１）リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護し、封止後に剥離する方法に使用される、支持フィルムを有する半導体用接着フィルムであって、支持フィルムの少なくとも片面に、下記一般式（Ｉ）、下記一般式（ＩＩ）、下記一般式（ＩＩＩ）、下記一般式（ＩＶ）で示される化合物より選ばれる少なくとも１種類の化合物が含まれている樹脂層Ａが形成されており、半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、かつ、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である半導体用接着フィルムに関する。
【化１】
2008095063.tif 000003
【０００８】
（Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６の１価のアルキル基または炭素数６〜１２の１価のアリール基を、Ｒ４は炭素数１〜６の１価のアルキル基、炭素数６〜１２の１価のアリール基または水素原子を表す。）
【化２】
2008095063.tif 000004
【０００９】
（Ｒ５、Ｒ６及びＲ７はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６の１価のアルキル基または炭素数６〜１２の１価のアリール基を、Ｒ８は炭素数１〜６の１価のアルキル基、炭素数６〜１２の１価のアリール基または水素原子を表す。）
【化３】
2008095063.tif 000005
【００１０】
（Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６の１価のアルキル基または炭素数６〜１２の１価のアリール基を表す。）
【化４】
2008095063.tif 000006
【００１１】
（Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６の１価のアルキル基または炭素数６〜１２の１価のアリール基を、Ｒ１５は炭素数１〜６の１価のアルキル基、炭素数６〜１２の１価のアリール基または水素原子を表す。）
また、本発明は、（２）前記樹脂層Ａのガラス転移温度が、１００〜３００℃である前記（１）に記載の半導体用接着フィルムに関する。
【００１２】
また、本発明は、（３）前記樹脂層Ａが、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基、スルホン基のいずれかを有する熱可塑性樹脂を含有する前記（１）または（２）に記載の半導体用接着フィルムに関する。
【００１３】
また、本発明は、（４）前記樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）が０．５以下である前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムに関する。
【００１４】
また、本発明は、（５）前記樹脂層Ａの厚さが１〜２０μｍである前記（１）〜（４）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムに関する。
【００１５】
また、本発明は、（６）前記支持フィルムの材質が、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれる前記（１）〜（５）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムに関する。
【００１６】
また、本発明は、（７）前記支持フィルムのガラス転移温度が、２００℃以上である前記（１）〜（６）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムに関する。
【００１７】
また、本発明は、（８）前記支持フィルムの材質が、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケルよりなる群から選ばれるものである前記（１）〜（５）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムに関する。
【００１８】
また、本発明は、（９）前記支持フィルムの厚さが、５〜１００μｍである前記（１）〜（８）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムに関する。
【００１９】
また、本発明は、（１０）前記支持フィルムの２０〜２００℃における線熱膨張係数が３．０×１０−５以下である前記（１）〜（９）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムに関する。
【００２０】
また、本発明は、（１１）前記支持フィルムの２００℃で２時間加熱した際の収縮率が０．１５％以下である前記（１）〜（１０）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムに関する。
【００２１】
また、本発明は、（１２）前記支持フィルムの片面に前記樹脂層Ａが形成されており、その反対面に２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂが形成されている前記（１）〜（１１）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムに関する。
【００２２】
また、本発明は、（１３）前記（１）〜（１２）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムを接着してなる半導体用接着フィルム付きリードフレームに関する。
【００２３】
また、本発明は、（１４）前記（１）〜（１２）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに片面を接着してなる前記（１３）記載の半導体用接着フィルム付きリードフレームに関する。
【００２４】
また、本発明は、（１５）前記（１）〜（１２）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムを用いた半導体用接着フィルム付き半導体装置に関する。
【００２５】
また、本発明は、（１６）半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに片面を接着してなるリードフレーム、リードフレームのダイパッドに接着された半導体素子、半導体素子とリードフレームのインナーリードとを接続するワイヤ、リードフレームの露出面、半導体素子、ワイヤを封止する封止材を備えてなる前記（１５）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置に関する。
【００２６】
また、本発明は、（１７）前記（１６）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置から半導体用接着フィルムを剥離して得られる半導体装置に関する。
【００２７】
また、本発明は、（１８）前記（１）〜（１２）のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム、または前記（１３）または（１４）に記載の半導体用接着フィルム付きリードフレームを用いて作製した半導体装置に関する。
【発明の効果】
【００２８】
本発明は、リードフレームに対して十分な接着性を有し、封止材で封止した後のリードフレームや封止材から室温で容易に剥離でき、半導体装置を高い作業性で製造することができる半導体用接着フィルム、これを用いた半導体用接着フィルム付きリードフレーム、半導体用接着フィルム付き半導体装置及び半導体装置を提供することが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
次に本発明の実施の形態について詳しく説明する。
【００３０】
本発明の半導体用接着フィルムは、リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護し、封止後に剥離する方法に使用される、支持フィルムを有する半導体用接着フィルムであって、支持フィルムの少なくとも片面に、下記一般式（Ｉ）、下記一般式（ＩＩ）、下記一般式（ＩＩＩ）、下記一般式（ＩＶ）で示される化合物より選ばれる少なくとも１種類の化合物が含まれている樹脂層Ａが形成されており、半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、かつ、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である。
【００３１】
本発明において、樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度は、例えば、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７の９０度引き剥がし法に準じて、リードフレームに対して半導体用接着フィルムを９０度方向に引き剥がして測定する。具体的には、２５℃において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、好ましくは毎分３００ｍｍの速さで半導体用接着フィルムを引き剥がす際の９０度ピール強度を、９０度剥離試験機（テスタ産業製）で測定される。
【００３２】
本発明において、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度は５Ｎ／ｍ以上とされ、１０Ｎ／ｍ以上が好ましく、５０Ｎ／ｍ以上であることがより好ましく、１００Ｎ／ｍ以上であることがさらに好ましく、１５０Ｎ／ｍ以上であることが特に好ましい。９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満の場合、半導体用接着フィルムがリードフレームから剥がれやすく、また、封止工程時に、リードフレームと樹脂層Ａとの間に封止用樹脂が入り込むなどの問題がある。また、この９０度ピール強度は、２０００Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、１５００Ｎ／ｍ以下であることがより好ましく、１０００Ｎ／ｍ以下であることがさらに好ましい。
【００３３】
ピール強度は、接着層のガラス転移温度（Ｔｇ）、接着温度、被接着材の材質、接着層の濡れ性などに依存している為、本発明の半導体用接着フィルムにおいて、半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度を５Ｎ／ｍ以上にするには、樹脂層Ａのガラス転移温度（Ｔｇ）、接着温度、リードフレームの材質、樹脂層Ａの濡れ性などを考慮にして最適条件を適宜選択する。これらのなかでも、樹脂層Ａのガラス転移温度（Ｔｇ）及び接着温度が当該ピール強度に与える影響が大きく、通常は、樹脂層Ａのガラス転移温度（Ｔｇ）より０〜３０℃程度高い接着温度が採用されるが、リードフレームの材質又は樹脂層Ａの濡れ性なども勘案して最適条件を決めることが好ましい。
なお、このピール強度を測定するために半導体用接着フィルムとリードフレームとを接着する条件としては特に制限はないが、後述する本発明のリードフレームの製造方法における接着条件で行うことが好ましい。例えば、リードフレームとして、銅リードフレーム、パラジウムを被覆した銅リードフレーム又は４２アロイ製リードフレームを用い、（１）温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒、（２）温度３５０℃、圧力３ＭＰａ、時間３秒、又は（３）温度２３０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒のいずれかの接着条件で接着する。
【００３４】
本発明においては、特に封止工程を行う直前の２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上、好ましくは１０Ｎ／ｍ以上、より好ましくは５０Ｎ／ｍ以上にあることが好ましい。封止工程を行う直前の９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満である場合、封止工程時にリードフレームと樹脂層Ａとの間に封止用樹脂が入り込む等の問題が生じる。ここで、封止工程を行う直前とは、封止工程の前でありなおかつ封止工程の前に行う全ての工程が終了した状態を意味する。
【００３５】
また、上記において半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後、封止工程を行う前に、加熱を行うことにより、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を向上させることもできる。この加熱温度は特に限定されないが、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を向上させるためには、１００℃以上で加熱することが好ましい。また、リードフレームや半導体用接着フィルムの耐熱性の点から、３００℃以下であることが好ましい。同様の理由で、１３０℃以上２７０℃以下であることがより好ましい。また、加熱時間は特に限定されないが、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を十分に向上させるために１０秒以上が好ましい。同様の理由で加熱時間は１分以上２時間以内がより好ましい。
【００３６】
上記の加熱工程を、生産性の点から、封止工程に移る前の諸工程（例えば、銀ペースト等の接着剤の硬化工程、ワイヤボンド工程等）における加熱によって行うことが好ましい。例えば、上記したように、半導体素子の接着工程では通常、接着に用いる接着剤を硬化させるために１４０〜２００℃で３０分〜２時間の加熱が行われる。従って、上記の加熱工程をこれらの諸工程における加熱により行うことができる。
【００３７】
本発明において、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７の９０度引き剥がし法に準じて、リードフレーム及び封止材に対して半導体用接着フィルムを９０度方向に引き剥がして測定する。具体的には、２５℃において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、好ましくは毎分３００ｍｍの速さで半導体用接着フィルムを引き剥がす際の９０度ピール強度を、ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ  ＡＧＳ−１０００Ｇ（島津製作所（株）製）で測定される。
【００３８】
本発明の半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度は、樹脂層Ａとリードフレーム又は樹脂層Ａと封止材のどちらのピール強度も１０００Ｎ／ｍ以下とされ、８００Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、５００Ｎ／ｍ以下であることがより好ましい。前記９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍを超える場合、リードフレームや封止材に応力が加わり、破損する問題がある。この９０度ピール強度は０Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、３Ｎ／ｍ以上であることがより好ましく、５Ｎ／ｍ以上であることがさらに好ましい。
【００３９】
上記の２５℃における９０度ピール強度を測定するための封止材による封止条件としては、特に制限はないが、後述の本発明の半導体装置の製造方法における封止条件において封止することが好ましい。例えば、封止材としてＣＥＬ−９６００（日立化成工業株式会社製）を用い、温度１８０℃、圧力７ＭＰａ、時間３分の条件で封止を行い、次いで１８０℃で５時間加熱して封止材を硬化させることが好ましい。
【００４０】
本発明において、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度を１０００Ｎ／ｍ以下にするには、樹脂層Ａが下記一般式（Ｉ）、下記一般式（ＩＩ）、下記一般式（ＩＩＩ）、下記一般式（ＩＶ）で示される化合物より選ばれる少なくとも１種類の化合物を含んでいることにより達成される。
本発明の半導体用接着フィルムは、支持フィルムの少なくとも片面に、下記一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＶ）より選ばれる少なくとも１種類の化合物が含まれている樹脂層Ａが形成されている。
【化５】
2008095063.tif 000007
【００４１】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などの炭素数１〜３のアルコキシ基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などの炭素数１〜６の１価のアルキル基；またはフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などの炭素数６〜１２の１価のアリール基；Ｒ４はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などの炭素数１〜６の１価のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などの炭素数６〜１２の１価のアリール基；または水素原子を表す。
【００４２】
上記一般式（Ｉ）としては、例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３−フェニルアミノプロピルトリエトキシシラン、３−フェニルアミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−フェニルアミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、３−メチルアミノプロピルトリエトキシシラン、３−エチルアミノプロピルトリメトキシシラン、３−エチルアミノプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
【化６】
2008095063.tif 000008
【００４３】
一般式（ＩＩ）中、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７はそれぞれ独立に、上記と同様の炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６の１価のアルキル基または炭素数６〜１２の１価のアリール基を、Ｒ８は炭素数１〜６の１価のアルキル基、炭素数６〜１２の１価のアリール基または水素原子を表す。
【００４４】
上記一般式（ＩＩ）としては、例えば、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（２−フェニルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−フェニルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−フェニルアミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−メチルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−メチルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−エチルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−エチルアミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
【化７】
2008095063.tif 000009
【００４５】
一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１はそれぞれ独立に、上記と同様の炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６の１価のアルキル基または炭素数６〜１２の１価のアリール基を表す。
【００４６】
上記一般式（ＩＩＩ）としては、例えば、３−イソシアナトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナトプロピルメチルジメトキシシラン、３−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナトプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。
【化８】
2008095063.tif 000010
【００４７】
一般式（ＩＶ）中、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立に、上記と同様の炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６の１価のアルキル基または炭素数６〜１２の１価のアリール基を、Ｒ１５は炭素数１〜６の１価のアルキル基、炭素数６〜１２の１価のアリール基または水素原子を表す。
【００４８】
上記一般式（ＩＶ）としては、例えば、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルメチルジエトキシシラン、３−（３−フェニルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３−（３−メチルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３−（３−エチルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３−（３−プロピルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３−（３−ブチルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３−（３−ヘキシルウレイド）プロピルトリエトキシシラン、３−（３−フェニルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、３−（３−メチルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、３−（３−エチルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、３−（３−プロピルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、３−（３−ブチルウレイド）プロピルトリメトキシシラン、３−（３−ヘキシルウレイド）プロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
本発明においては、これら一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）で示される化合物は単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。
本発明において、一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）より選ばれる少なくとも１種類の化合物が樹脂層Ａに含まれることは、封止工程後のリードフレーム及び封止材から本発明の半導体用接着フィルムを室温（２５℃）において容易に剥離するために必要である。一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）より選ばれる少なくとも１種類の化合物が樹脂層Ａに含まれない場合、リードフレーム及び封止材と樹脂層Ａとの接着力が封止工程後に強くなり、半導体用接着フィルムをリードフレーム及び封止材から室温（２５℃）で剥がす時に半導体用接着フィルムが破断したりパッケージが変形する等の不具合が起こり、半導体用接着フィルムを剥がすことが困難になる。
【００４９】
本発明における樹脂層Ａは、前記一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）より選ばれる少なくとも１種類の化合物と樹脂（ａ）を含有する。
【００５０】
本発明において、樹脂層Ａの形成に用いられる樹脂（ａ）は、アミド基（−ＮＨＣＯ−）、エステル基（−ＣＯ−Ｏ−）、イミド基（−ＮＲ２、但しＲはそれぞれ−ＣＯ−である）、エーテル基（−Ｏ−）又はスルホン基（−ＳＯ２−）を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。特に、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。具体的には、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポリエステルイミド及び芳香族ポリエーテルイミド等が挙げられる。これらのなかで、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミドが、耐熱性、接着性の点から好ましい。
【００５１】
上記の樹脂はいずれも、塩基成分である芳香族ジアミン又はビスフェノール等と、酸性分であるジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸もしくは芳香族塩化物又はこれらの反応性誘導体を重縮合させて製造することができる。すなわち、アミンと酸との反応に用いられている公知の方法で行うことができ、諸条件についても特に制限はない。芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボン酸又はこれらの反応性誘導体とジアミンの重縮合反応については、公知の方法が用いられる。
【００５２】
上記一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）より選ばれる少なくとも１種類の化合物の配合量は、樹脂（ａ）１００重量部に対して、総量で１〜４０重量部であることが好ましく、２〜３５重量部であることがより好ましく、３〜３０重量部であることが特に好ましい。上記配合量が１重量部より少ないと、封止した後に樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との密着性が強くなり、室温（２５℃）で半導体用接着フィルムを剥がすことが困難になる傾向にある。また、上記配合量が４０重量部より多いと、樹脂ワニスのゲル化や粘度の低下等が起こり、ワニスの安定性が低下するためにフィルムの作製が困難になる傾向にある。
【００５３】
また、本発明においては、樹脂（ａ）にセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーや、カップリング剤を添加してもよい。フィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ａ）１００重量部に対して１〜３０重量部が好ましく、５〜１５重量部がより好ましい。カップリング剤としては、ビニルシラン、エポキシシラン、メルカプトシラン、チタネート、アルミキレート、ジルコアルミネート等のカップリング剤が使用できるが、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤で、これらの内、エポキシ基を有するエポキシシランカップリング剤が好ましく用いられる。シランカップリング剤の添加は、樹脂層Ａの支持フィルムに対する密着性を向上させ、本発明の半導体用接着フィルムを引き剥がした際に、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離が生じにくくするためである。カップリング剤の添加量は、樹脂（ａ）１００重量部に対して、１〜１５重量部が好ましく、２〜１０重量部がより好ましい。
【００５４】
本発明においては、接着性、耐熱性の観点から樹脂層Ａのガラス転移温度は１００〜３００℃であることが好ましく、１３０〜２８０℃であることがさらに好ましく、１５０〜２５０℃であることが特に好ましい。前記ガラス転移温度が１００℃より低いと、リードフレーム及び封止材と樹脂層Ａとの接着強度が封止工程後に高くなる傾向にあり、また、ワイヤボンド工程において、樹脂層が軟化するためにワイヤ接続時の力が分散し、ワイヤの接続不良が起こりやすくなる。一方、前記ガラス転移温度が３００℃より高いとリードフレームへの接着強度が低下するために、搬送工程での剥離や、封止時に封止材の漏れが発生しやすくなる。
【００５５】
支持フィルム上に樹脂層Ａを形成する方法は、特に制限はないが、樹脂（ａ）及び一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）より選ばれる少なくとも１種類の化合物をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶剤に溶解して作製した樹脂ワニスを、支持フィルムの片面又は両面上に塗布した後、加熱処理して溶剤を除去することにより、二層構造又は三層構造の半導体用接着フィルムを得ることができる。
【００５６】
樹脂ワニスを塗布した支持フィルムを加熱処理する温度は、溶剤が除去できる温度であればよい。  上記において、支持フィルムへの樹脂ワニスの塗布方法には、特に制限はないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート等を用いて行なうことができる。また、樹脂ワニス中に支持フィルムを通して塗布してもよい。
【００５７】
本発明においては、支持フィルムには特に制限はないが、樹脂ワニスの塗布工程、乾燥工程、半導体装置組立工程中の熱に耐えられる樹脂からなるフィルムが好ましい。このような樹脂としては、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれることが好ましい。また、支持フィルムのガラス転移温度は、耐熱性を向上するために２００℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であることがより好ましい。また、上記の耐熱性樹脂フィルムを用いることにより、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程等の熱の加わる工程において、支持フィルムが軟化せず、効率よく作業を行うことができる。また、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けたあとのリードフレームの反りを低減するために、支持フィルムの２０〜２００℃における線熱膨張係数は、３.０×１０−５／℃以下であることが好ましく、２．５×１０−５／℃以下であることがより好ましく、２．０×１０−５／℃以下であることがさらにより好ましい。また、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けたあとのリードフレームの反りを低減するために、支持フィルムを２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率は、０.１５％以下であることが好ましく、０．１３％以下であることがより好ましく、０．１０％以下であることがさらにより好ましい。
【００５８】
上記の支持フィルムは、樹脂層Ａに対して密着性が十分高いことが好ましい。密着性が低いと、リードフレーム及び封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がした際、樹脂層Ａと支持フィルム界面で剥離が生じやすく、リードフレーム及び封止材に樹脂層Ａが残留しやすい。支持フィルムは、耐熱性を有し、かつ樹脂層Ａに対する密着性が十分高いことが好ましいことから、ポリイミドフィルムが好ましい。
【００５９】
上記の支持フィルムは、樹脂層Ａに対する密着性を十分高めるために、表面を処理することが好ましい。支持フィルムの表面を処理する方法には特に制限はないが、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、コロナ処理等が挙げられる。
【００６０】
上記の支持フィルムの厚さには特に制限はないが、５〜１００μｍであることが好ましく、５〜５０μｍ以下であることがより好ましい。支持フィルムの厚さが５μｍ未満である場合は、フィルムにシワが入り易く作業性に劣る傾向にあり、１００μｍ超である場合は、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りが大きくなる傾向がある。
また、支持フィルムの材質を、上記した樹脂以外の、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケルよりなる群から選ぶこともできる。支持フィルムを上記の金属とすることにより、リードフレームと支持フィルムの線熱膨張係数を近くし、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減できる。
【００６１】
本発明の半導体用接着フィルムにおいて、樹脂層の厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｃ）との比（Ａ／Ｃ）が０．５以下であることが好ましく、０．３以下がより好ましく、０．２以下がさらに好ましい。ここでいう樹脂層の厚さ（Ａ）は、支持フィルムに形成された樹脂層の片面のみの厚さであり、両面に樹脂層を設けた場合は厚い方の樹脂層の厚さである。
【００６２】
前記比（Ａ／Ｃ）が０．５を超える場合、塗工後の溶剤除去時の樹脂層Ａの体積減少によりフィルムがカールしやすく、リードフレームに接着する際の作業性が低下しやすい傾向にある。支持フィルムの両面に樹脂層を設けた場合には、両樹脂層の厚みの比（リードフレームと接着する側に設けられた樹脂層の厚さ：反対側に設けられた樹脂層の厚さ）を０．８：１〜１．２：１とすることが好ましく、０．９：１〜１．１：１とすることがより好ましく、１：１とすることが特に好ましい。なお、樹脂層Ａの厚さ（Ａ）は１〜２０μｍであることが好ましく、３〜１５μｍであることが好ましく、４〜１０μｍであることがさらに好ましい。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）が１μｍ未満である場合は、接着性に劣り、封止時に封止材が漏れやすくなる傾向にある。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）が２０μｍ超である場合は、接着フィルムの層厚みが厚くなり経済性に劣る傾向にある。
溶剤除去時の樹脂層Ａの体積減少に起因する半導体用接着フィルムのカールを相殺するために、支持フィルムの両面に樹脂層Ａを設けてもよい。支持フィルムの片面に樹脂層Ａを設け、反対面に高温で軟化しにくい樹脂層を設けることが好ましい。すなわち、前記支持フィルムの片面に接着性を有する樹脂層Ａを形成し、その反対面に２３０℃における弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂを形成することが好ましい。
【００６３】
本発明においては、接着性を有しない樹脂層Ｂの２３０℃での弾性率は１０ＭＰａ以上であることが好ましく、１００ＭＰａ以上であることがより好ましく、１０００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。樹脂層Ｂの２３０℃での弾性率が１０ＭＰａ未満の場合、ワイヤボンド工程などの熱が加わる工程で軟化しやすく、金型やジグに張り付きやすい傾向がある。この弾性率は、２０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１５００ＭＰａ以下であることがより好ましい。
【００６４】
上記の接着性を有しない樹脂層Ｂの金型やジグに対する接着力は、工程上、金型やジグに貼り付かない程度に低ければ特に制限はないが、２５℃における樹脂層Ｂと金型やジグとの９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満であることが好ましく、１Ｎ／ｍ未満であることがより好ましい。このピール強度は、例えば、真鍮製の金型に温度２５０℃、圧力８ＭＰａで１０秒間圧着した後に測定する。
【００６５】
上記の２３０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上である樹脂層Ｂのガラス転移温度は、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程などで軟化しにくく、金型やジグに貼りつきにくくするため、１５０℃以上であることが好ましく、２００℃以上であることがより好ましく、２５０℃以上であることがさらに好ましい。なお、このガラス転移温度は、３５０℃以下であることが好ましく、３００℃以下であることがより好ましい。
【００６６】
上記の樹脂層Ｂの形成に用いられる樹脂（ｂ）の組成には特に制限はなく、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれも用いることができる。熱可塑性樹脂の組成は、特に制限はないが、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基又はスルホン基を有する熱可塑性樹脂が好ましい。また、熱硬化性樹脂の組成は、特に制限はないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂（例えば、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンをモノマーとするビスマレイミド樹脂）等が好ましい。また、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合わせて用いることもできる。熱可塑製樹脂と熱硬化性樹脂を組み合わせる場合、熱可塑性樹脂１００重量部に対し、熱硬化性樹脂５〜１００重量部とすることが好ましく、２０〜７０重量部とすることがより好ましい。
【００６７】
さらには、上記の樹脂（ｂ）にセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーや、カップリング剤を添加してもよい。フィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ｂ）１００重量部に対して１〜３０重量部が好ましく、５〜１５重量部がより好ましい。カップリング剤の添加量は、樹脂（ｂ）１００重量部に対して１〜２０重量部とすることが好ましく、２〜１５重量部とすることがより好ましい。
【００６８】
上記の接着性を有しない樹脂層Ｂを形成する方法は、特に制限はないが、通常、樹脂（ｂ）をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の溶剤に溶解して作製した樹脂ワニスを、支持フィルム上に塗布した後、加熱処理して溶剤を除去することにより、形成することができる。又は、ワニス塗布後に加熱処理等によって耐熱性樹脂（ｂ）（例えばポリイミド樹脂）となる樹脂（ｂ）の前駆体（例えばポリアミド酸）を溶剤に溶解した前駆体ワニスを支持フィルム上に塗布した後、加熱処理することで、形成することができる。この場合、塗布後の加熱処理により、溶剤を除去し、前駆体を樹脂（ｂ）とする（例えばイミド化）。塗布面の表面状態等の点から、樹脂ワニスを用いることが好ましい。
【００６９】
上記のワニスを塗布した支持フィルムを溶剤の除去やイミド化等のために加熱処理する場合の処理温度は、樹脂ワニスであるか前駆体ワニスであるかで異なる。樹脂ワニスの場合には溶剤が除去できる温度であればよく、前駆体ワニスの場合には、イミド化させるために樹脂層Ｂのガラス転移温度以上の処理温度が好ましい。
【００７０】
上記の樹脂層Ｂにおいて、溶剤除去時の樹脂層Ｂの体積減少またはイミド化や熱硬化性樹脂の硬化の際の収縮により、樹脂層Ａの体積減少に起因する半導体用接着フィルムのカールを相殺することができる。
【００７１】
上記において、支持フィルムへの樹脂（ｂ）の樹脂ワニス又は前駆体ワニスの塗布方法には、特に制限はないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート等を用いて行なうことができる。また、樹脂ワニス又は前駆体ワニス中に支持フィルムを通して塗布しても良い。
【００７２】
本発明の半導体用接着フィルムは、例えば、半導体装置の製造法に好適に使用することができる。本発明の半導体用接着フィルムを半導体装置の製造法に使用する場合、下記の工程からなる方法により、半導体装置を製造することが好ましい。
【００７３】
即ち、（１）リードフレームに１５０〜４００℃で本発明の半導体用接着フィルムを接着する工程、
（２）リードフレームのダイパッドに銀ペースト等の接着剤を用いて半導体素子を接着し、１４０〜２００℃で３０分〜２時間の加熱を行うことにより銀ペースト等の接着剤を硬化する工程、
（３）２００〜２７０℃で３分〜３０分加熱して、リードフレームのインナーリードと半導体素子を金線等でワイヤボンドを行う工程、
（４）１５０〜２００℃で封止材を封止する工程、
（５）１５０〜２００℃で４〜６時間の加熱を行うことにより、封止材樹脂を硬化する工程、
（６）０〜４０℃で半導体用接着フィルムをリードフレーム及び封止材から引き剥がす工程である。
【００７４】
リードフレームが各々ダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンからなるものである場合には、必要に応じ、各々１つの半導体素子を有する複数の半導体装置に分割される。
【００７５】
本発明の半導体用接着フィルム付きリードフレームは、上記半導体用接着フィルムを、樹脂層Ａをリードフレームの片面に接して接着することにより製造することができる（図２参照）。
【００７６】
本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着条件は特に制限はないが、接着温度は１５０〜４００℃の間であることが好ましく、１８０〜３５０℃がより好ましく、２００〜３００℃がさらに好ましい。接着温度が１５０℃未満の場合、リードフレームと接着剤層の接着強度が低下する傾向がある。また接着温度が４００℃を超えると、リードフレームが劣化する傾向がある。
【００７７】
本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着圧力は０．５〜３０ＭＰａの間が好ましく、１〜２０ＭＰａがより好ましく、３〜１５ＭＰａがさらに好ましい。接着圧力が０．５ＭＰａ未満の場合、接着剤層とリードフレームとの接着強度が低下する傾向がある。また接着圧力が３０ＭＰａを超えると、リードフレームが破損しやすい傾向がある。
【００７８】
本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着時間は０．１〜６０秒の間が好ましく、１〜３０秒がより好ましく、３〜２０秒がさらに好ましい。接着時間が０．１秒未満の場合、接着剤層とリードフレームとの接着強度が低下しやすい傾向がある。また接着時間が６０秒を超えると、作業性と生産性が低下しやすい傾向がある。また、圧力を加える前に、５〜６０秒程度の予備加熱を行うことが好ましい。
【００７９】
本発明において、リードフレームの材質には特に制限はないが、例えば、４２アロイなどの鉄系合金または銅や銅系合金などを用いることができる。また、銅や銅系合金のリードフレームの表面には、パラジウム、金、銀などを被覆することもできる。
【００８０】
本発明の半導体用接着フィルムを用いて製造される半導体装置の構造は特に限定されないが、例えばパッケージの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面のむき出しのリードフレームを外部接続用に用いる構造のパッケージ（Ｎｏｎ  Ｌｅａｄ  Ｔｙｐｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。上記パッケージの具体例としては、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）等が挙げられる。
【００８１】
本発明の半導体装置は、例えば、半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａに片面を接して接着されたリードフレーム、リードフレームのダイパッドに接着された半導体素子、半導体素子とリードフレームのインナーリードとを接続するワイヤ並びにリードフレームの露出面、半導体素子及びワイヤを封止する封止材を備える構造を有する接着フィルム付き半導体装置から、半導体用接着フィルムを剥離して製造される。本発明の半導体用接着フィルムを用いて製造される半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化等の点で優れており、例えば携帯電話等の情報機器に組み込まれる。
【実施例】
【００８２】
次に実施例により、図１〜図６を参照しながら、本発明を具体的に説明するが、これらは本発明を制限するものではない。
【００８３】
製造例１（実施例１、３〜６、８、９、比較例１に樹脂（ａ）として、実施例１０に樹脂（ｂ）として使用した樹脂の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２９５．２ｇ（０．７２モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン４４．６ｇ（０．１８モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰと略す）１５００ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１８７．３ｇ（０．８９モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解した後、トリエチルアミン１００ｇを添加した。室温（２５℃）で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液を水中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、ＮＭＰに溶解し水中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。
【００８４】
製造例２（実施例２、７、１０、比較例２に樹脂（ａ）として使用した樹脂の製造）
攪拌機、温度計、窒素ガス導入管及び冷却管を備えた１０００ｍｌ四つ口フラスコに、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンを１２０．９ｇ（０．４１モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンを４４．０ｇ（０．１８モル）、ＮＭＰを５３８．３ｇ加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら０℃まで冷却した後、無水トリメリット酸クロリドを１２５．０ｇ（０．５９モル）加え、室温（２５℃）で１時間攪拌して反応させた。反応溶液にトリエチルアミンを７２．６ｇ加えて室温（２５℃）で１時間撹拌した後、１８０℃で６時間撹拌して反応させた。得られた反応液を水中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、ＮＭＰに溶解し水中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。
【００８５】
製造例３（実施例２〜５、７〜９、比較例１〜３に樹脂（ｂ）として使用した樹脂ワニスの製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔をとりつけた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１７２．４ｇ（０．４２モル）、４，４′−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）１５３．７ｇ（０．４２モル）を入れ、ＮＭＰ１５５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１７４．７ｇ（０．８３モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解した後、トリエチルアミン１３０ｇを添加した。室温（２５℃）で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液を水中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、ＮＭＰに溶解し水中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリアミドイミド粉末を得た。得られたポリアミドイミド粉末１２０ｇ及びシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）６ｇをＮＭＰ３６０ｇに溶解し、樹脂ワニスを得た。
【００８６】
製造例４（比較例３に樹脂（ａ）として使用した樹脂の製造）
攪拌機、温度計、窒素ガス導入管及び冷却管を備えた５０００ｍｌ四つ口フラスコに、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンを２９５．２ｇ（０．７２モル）、シリコーンジアミン（信越化学工業株式会社製、商品名：Ｘ−２２−１６１Ｂ）を５４０．０ｇ（０．１８モル）、ジエチレングリコールジメチルエーテルを２４００ｇ加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら−１０℃まで冷却した後、イソフタル酸クロリドを１８８．８ｇ（０．９３モル）加え、１時間攪拌した後、プロピレンオキシド２１４ｇを添加した。さらに室温で３０分間攪拌した後、４０℃に昇温して５時間反応させた。得られた反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、ジメチルホルムアミドに溶解しメタノール中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリシロキサンポリアミド樹脂粉末を得た。
【００８７】
実施例１
製造例１で製造したポリエーテルアミドイミド樹脂２２ｇ、３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＭ９０３）１．１ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、樹脂ワニスを作製した。
【００８８】
厚さ５０μｍの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製  ユーピレックスＳＧＡ）を支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、樹脂ワニスを５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルム（２）の片面に厚さ９μｍの樹脂層Ａ（１）が形成された図１の構成の半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２２３℃、５重量％減少温度が４１５℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．１８であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）を測定したところ、２０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールはやや大きかったが、接着時の作業性は良好であった。次に図３のように、半導体用接着フィルム（３）を接着後のリードフレーム（４）を台（１１）上に載せ、リードフレーム（４）の長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、１．５ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行った。得られたパッケージは、図４のパッケージが複数繋がった構造のものである。半導体素子の接着には銀ペーストを用い、１５０℃で６０分加熱して銀ペーストを硬化させた。ワイヤボンドは、ワイヤとして金線を用い、２６０℃で５分加熱して行った。封止工程には封止材としてＣＥＬ−９６００（日立化成工業株式会社製）を用い、温度１８０℃、圧力７ＭＰａ、時間３分で行い、その後、１８０℃で５時間の加熱を行い、封止材を硬化させた。いずれの工程でも問題は生じなかった。図４において、３は半導体用接着フィルム、８はワイヤ、９は封止材、４はリードフレーム、７は半導体素子、６はダイパッドを表す（銀ペーストは図示せず）。封止工程後、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ、以下同様）、９０度ピール強度は１８０Ｎ／ｍであり、樹脂層がリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。得られたパッケージは図５のパッケージが複数繋がった構造のものである。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
【００８９】
実施例２
製造例２で製造したポリエーテルアミドイミド樹脂２２ｇ、３−アミノプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＥ９０３）１．１ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、樹脂ワニスを作製した。
【００９０】
厚さ２５μｍの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製  ユーピレックスＳＧＡ）を支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、樹脂ワニスを５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ９μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａは、ガラス転移温度が１５５℃、５重量％減少温度が４２１℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、支持フィルムの片面に樹脂層Ａを形成したポリイミドフィルムの反対面に、製造例３で作製した樹脂ワニスを５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ９μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５重量％減少温度は４１６℃、２３０℃における弾性率は１５００ＭＰａであった。これにより図６のように、支持フィルム(２)に樹脂層Ａ（１）と樹脂層Ｂ（１０）が片面ずつに形成された半導体用接着フィルムを得た。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度を測定したところ、１００Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着し、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４のパッケージが複数繋がった構造のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止工程後、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は２００Ｎ／ｍであり、樹脂層がリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
【００９１】
実施例３
製造例１で製造したポリエーテルアミドイミド樹脂２２ｇ、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＭ６０３）２．２ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、樹脂ワニスを作製した。
【００９２】
この樹脂ワニスを樹脂層Ａとして用いた以外は実施例２と同様の操作で、図６のように樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつに形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは８μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２３℃、５重量％減少温度は４２０℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５重量％減少温度は４１６℃、２３０℃における弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度を測定したところ、２５Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着し、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４のパッケージが複数繋がった構造のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止工程後、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１６０Ｎ／ｍであり、樹脂層がリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
【００９３】
実施例４
製造例１で製造したポリエーテルアミドイミド樹脂２２ｇ、３−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＥ９００７）４．４ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、樹脂ワニスを作製した。
【００９４】
支持フィルムとして、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトンＥＮ、２０〜２００℃における線熱膨張係数が１．５×１０−５／℃、２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率が０．０２％）を用いた。このポリイミドフィルムの片面に、樹脂ワニスを５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ８μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２５℃、５重量％減少温度は４１０℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３２であった。次に、支持フィルムの片面に樹脂層Ａを形成したフィルムの反対面に、製造例３で作製した樹脂ワニスを５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ８μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５重量％減少温度は４１６℃、２３０℃における弾性率は１５００ＭＰａであった。これにより図６のように、支持フィルムに樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつに形成された半導体用接着フィルムを得た。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度を測定したところ、８０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着し、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．２ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４のパッケージが複数繋がった構造のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止工程後、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１２０Ｎ／ｍであり、樹脂層がリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
【００９５】
実施例５
製造例１で製造したポリエーテルアミドイミド樹脂２２ｇ、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（５０％メタノール溶液）（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＥ５８５）１３．２ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、樹脂ワニスを作製した。
【００９６】
この樹脂ワニスを樹脂層Ａとして用いた以外は実施例２と同様の操作で、図６のように樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつに形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは８μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２８℃、５重量％減少温度は４１３℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５重量％減少温度は４１６℃、２３０℃における弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度を測定したところ、３０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着し、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４のパッケージが複数繋がった構造のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止工程後、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１２０Ｎ／ｍであり、樹脂層がリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
【００９７】
実施例６
製造例１で製造したポリエーテルアミドイミド樹脂２２ｇ、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（５０％メタノール溶液）（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＥ５８５）４．４ｇ、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＭ６０２）２．２ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、樹脂ワニスを作製した。
【００９８】
支持フィルムとして、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（カネカ株式会社製、商品名：アピカルＮＰＩ、２０〜２００℃における線熱膨張係数が１．６×１０−５／℃、２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率が０．０７％）を用いた。このポリイミドフィルムの片面に、樹脂ワニスを５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ８μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２４℃、５重量％減少温度は４１８℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．１６であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度を測定したところ、３５Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールはやや大きかったが、接着時の作業性は良好であった。次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、１．８ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４のパッケージが複数繋がった構造のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止工程後、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１１０Ｎ／ｍであり、樹脂層がリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
【００９９】
実施例７
製造例２で製造したポリエーテルアミドイミド樹脂２２ｇ、３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＭ９０３）２．２ｇ、３−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＥ９００７）２．２ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、樹脂ワニスを作製した。
【０１００】
この樹脂ワニスを樹脂層Ａとして用いた以外は実施例２と同様の操作で、図６のように樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつに形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは９μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は１５５℃、５重量％減少温度は４２０℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５重量％減少温度は４１６℃、２３０℃における弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度を測定したところ、８０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着し、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４のパッケージが複数繋がった構造のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止工程後、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１８０Ｎ／ｍであり、樹脂層がリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１０１】
実施例８
製造例１で製造したポリエーテルアミドイミド樹脂２２ｇ、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（５０％メタノール溶液）（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＥ５８５）４．４ｇ、３−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＥ９００７）２．２ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、樹脂ワニスを作製した。
【０１０２】
この樹脂ワニスを樹脂層Ａとして用いた以外は実施例２と同様の操作で、図６のように樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつに形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは８μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２５℃、５重量％減少温度は４２０℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５重量％減少温度は４１６℃、２３０℃における弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度を測定したところ、５０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着し、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４のパッケージが複数繋がった構造のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止工程後、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１５０Ｎ／ｍであり、樹脂層がリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１０３】
実施例９
製造例１で製造したポリエーテルアミドイミド樹脂２２ｇ、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（５０％メタノール溶液）（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＥ５８５）８．８ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、樹脂ワニスを作製した。
【０１０４】
支持フィルムとして、厚さ１８μｍの銅箔（日本電解株式会社製、商品名：ＨＬＢ）を用いた。この銅箔の片面に、樹脂ワニスを３０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、２００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ５μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２６℃、５重量％減少温度は４１６℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．２８であった。次に、支持フィルムの片面に樹脂層Ａを形成したフィルムの反対面に、製造例３で作製した樹脂ワニスを３０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ５μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５重量％減少温度は４１６℃、２３０℃における弾性率は１５００ＭＰａであった。これにより図６のように、支持フィルムに樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつに形成された半導体用接着フィルムを得た。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度を測定したところ、４０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着し、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍ未満であった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４のパッケージが複数繋がった構造のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止工程後、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は１４０Ｎ／ｍであり、樹脂層がリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１０５】
実施例１０
製造例２で製造したポリエーテルアミドイミド樹脂２２ｇ、３−アミノプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＥ９０３）１．１ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、樹脂ワニスを作製した。この樹脂ワニスを樹脂層Ａとして用いた。製造例１で製造したポリエーテルアミドイミド樹脂６０ｇ及びビス（４−マレイミドフェニル）メタン４０ｇをＮＭＰ３００ｇに溶解し、樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスを樹脂層Ｂとして用いた。実施例２と同様の操作で、図６のように樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつに形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは８μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は１５５℃、５重量％減少温度は４２１℃であった。樹脂層Ｂの２３０℃における弾性率は８００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。これにより図６のように、支持フィルムに樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつに形成された半導体用接着フィルムを得た。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度を測定したところ、１１０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着し、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．２ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４のパッケージが複数繋がった構造のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止工程後、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、９０度ピール強度は２００Ｎ／ｍであり、樹脂層がリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、このパッケージを分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有するパッケージを作製したが、工程中、問題はなかった。
【０１０６】
比較例１
製造例１で製造したポリエーテルアミドイミド樹脂２２ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、樹脂ワニスを作製した。
【０１０７】
この樹脂ワニス樹脂層Ａの形成に用いた以外は実施例２と同様の操作で、図６のように樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつに形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは８μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２３℃、５重量％減少温度は４３１℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５重量％減少温度は４１６℃、２３０℃における弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度を測定したところ、８０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着し、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４のパッケージが複数繋がった構造のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止工程後、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して、引き剥がすことができなかった。樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度はフィルムが破断したため測定できず、破断時のピール強度は１８００Ｎ／ｍであった。
【０１０８】
比較例２
製造例２で製造したポリエーテルアミドイミド樹脂２２ｇ、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニングシリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）４．４ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、樹脂ワニスを作製した。
【０１０９】
この樹脂ワニスを樹脂層Ａの形成に用いた以外は実施例２と同様の操作で、図６のように樹脂層Ａと樹脂層Ｂが片面ずつに形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは９μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は１５４℃、５重量％減少温度は４２０℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５重量％減少温度は４１６℃、２３０℃における弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度を測定したところ、１２０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じなかった。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着し、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかった。また、半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４のパッケージが複数繋がった構造のパッケージを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止工程後、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して、引き剥がすことができなかった。樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度はフィルムが破断したため測定できず、破断時のピール強度は１８００Ｎ／ｍであった。
【０１１０】
比較例３
製造例４で製造したポリシロキサンポリアミド樹脂２２ｇ、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＭ６０３）２．２ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、樹脂ワニスを作製した。
【０１１１】
厚さ２５μｍの表面に化学処理を施したポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製  ユーピレックスＳＧＡ）を支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、樹脂ワニスを５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ９μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａは、ガラス転移温度が１８２℃、５重量％減少温度が３８０℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、支持フィルムの片面に樹脂層Ａを形成したポリイミドフィルムの反対面に、製造例３で作製した樹脂ワニスを５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ９μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５重量％減少温度は４１６℃、２３０℃における弾性率は１５００ＭＰａであった。これにより図６のように、支持フィルム(２)に樹脂層Ａ（１）と樹脂層Ｂ（１０）が片面ずつに形成された半導体用接着フィルムを得た。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度を測定したところ、０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれてしまい、後の工程を行うことができなかった。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着し、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかった。
【０１１２】
実施例１〜１０の結果より、リードフレーム及び封止材より室温（２５℃）において容易に剥離可能な半導体用接着フィルムを製造することができ、半導体パッケージを高い作業性と生産性で製造することができることが示された。本発明の半導体用接着フィルムは、２５℃でリードフレームとの密着性が高く、なおかつ樹脂封止後、室温（２５℃）においてリードフレーム及び封止材から容易に引き剥がせるため、半導体パッケージを高い作業性と生産性で製造することを可能とするものである。これに対して、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍを超える比較例１及び２の半導体用接着フィルムは、樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して、引き剥がすことができなかった。半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満である比較例３の半導体用接着フィルムは、搬送時に剥がれてしまい、後の工程を行うことができなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の一態様の半導体用接着フィルムの断面図である。
【図２】本発明の一態様の半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した半導体用接着フィルム付きリードフレームの断面図である。
【図３】半導体用接着フィルムを接着したリードフレームの反りの測定方法を示す側面図である。
【図４】本発明の一態様の半導体用接着フィルムを備えた半導体装置を示す断面図である。
【図５】本発明半導体用接着フィルムを用いて作製された半導体装置を示す断面図である。
【図６】本発明の一態様の半導体用接着フィルムの断面図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１  樹脂層Ａ
２  支持フィルム
３  半導体用接着フィルム
４  リードフレーム
５  インナーリード
６  ダイパッド
７  半導体素子
８  ワイヤ
９  封止材
１０  樹脂層Ｂ
１１  台
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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