(57)【要約】【課題】ｐ側電極をリッジストライプに対して適切に接合しつつ、パッド電極とｐ型半導体層とを十分に絶縁することが可能な半導体発光素子を提供すること。【解決手段】リッジストライプ４ａが形成されたｐ−ＧａＮ層４と、リッジストライプ４ａと接するｐ側電極６Ａと、少なくともその一部がｐ−ＧａＮ層４のうちリッジストライプ４ａ以外の部分とｐ側電極６Ａの一部との間に介在する第１絶縁膜５Ａと、ｐ側電極６Ａを覆うパッド電極６Ｂと、を備えた半導体発光素子Ａ１であって、第１絶縁膜５Ａおよびｐ側電極６Ａのリッジストライプ４ａに対して遠方に位置する外縁５Ａａ，６Ａａが互いに一致しており、第１絶縁膜５Ａおよびｐ側電極６Ａの外縁５Ａａ，６Ａａよりもリッジストライプ４ａに対して離間した位置において、ｐ−ＧａＮ層４とパッド電極６Ｂとの間に介在する第２絶縁膜５Ｂをさらに備えている。【選択図】  図１
2008010635.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リッジストライプが形成されたｐ型半導体層と、
上記リッジストライプと接するｐ側電極と、
少なくともその一部が上記ｐ型半導体層のうち上記リッジストライプ以外の部分と上記ｐ側電極の一部との間に介在する第１絶縁膜と、
上記ｐ側電極を覆うパッド電極と、
を備えた半導体発光素子であって、
上記第１絶縁膜および上記ｐ側電極の上記リッジストライプに対して遠方に位置する外縁が互いに一致しており、
上記第１絶縁膜および上記ｐ側電極の上記外縁よりも上記リッジストライプに対して離間した位置において、上記ｐ型半導体層と上記パッド電極との間に介在する第２絶縁膜をさらに備えていることを特徴とする、半導体発光素子。
【請求項２】
リッジストライプが形成されたｐ型半導体層と、
上記リッジストライプと接するｐ側電極と、
少なくともその一部が上記ｐ型半導体層のうち上記リッジストライプ以外の部分と上記ｐ側電極の一部との間に介在する第１絶縁膜と、
上記ｐ側電極を覆うパッド電極と、
を備えた半導体発光素子であって、
上記第１絶縁膜は、上記リッジストライプに隣接し、かつ上記ｐ側電極と接する厚肉部と、上記厚肉部よりも上記リッジストライプから離間した位置に設けられており、上記ｐ側電極とは接しない薄肉部とを有しており、
上記薄肉部と上記パッド電極との間に介在する第２絶縁膜をさらに備えることを特徴とする、半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば窒化物系化合物半導体からなり青色または緑色などの比較的長波長の光を発するのに適した半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
省電力および高輝度な発光源として、たとえば窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子が用いられている。図９は、従来の半導体発光素子の一例を示している。同図に示された半導体発光素子Ｘは、基板９１上にＮ−ＧａＮ層９２、活性層９３、およびｐ−ＧａＮ層９４が積層されている。活性層９３は、Ｎ−ＧａＮ層９２およびｐ−ＧａＮ層９４から供給された正孔および電子が再結合することによって発光する層である。ｐ−ＧａＮ層９４には、リッジストライプ９４ａが形成されている。リッジストライプ９４ａは、絶縁膜９５によって挟まれている。このため、ｐ−ＧａＮ層９４のうちｐ側電極９６Ａと接しているのは、リッジストライプ９４ａに限定されている。これにより、ｐ側電極９６Ａからｐ−ＧａＮ層９４へと供給される正孔の密度が高められる。また、活性層９３からの光のうち、ｐ−ＧａＮ層９４に入射した光は、リッジストライプ９４ａのうち半導体発光素子Ｘの積層方向に起立した１対の面に閉じ込められる格好となる。リッジストライプ９４ａのこれらの機能によって、半導体発光素子Ｘからはリッジストライプ９４ａが延びる方向に向けて比較的高輝度とされた光を出射することができる。
【０００３】
しかしながら、ｐ側電極９６Ａから正孔を供給するには、パッド電極９６Ｂを設けることが好ましい。パッド電極９６Ｂは、ボンディングワイヤなどの導通部材を接合するために用いられるものであり、ｐ側電極９６Ａを含む比較的広い領域を覆う形状とされている。また、ｐ側電極９６Ａをリッジストライプ９４ａと接しつつ、絶縁膜９５と不要に広い領域において接することの無い形状に仕上げる必要がある。一般的に、ＺｒＯ2などからなる絶縁膜９５とＡｕなどからなるｐ側電極９６Ａとは、接合強度を高めることが困難だからである。このため、ｐ側電極９６Ａを形成するためのＡｕ薄膜をリッジストライプ９４ａおよび絶縁膜９５を覆うように形成した後に、このＡｕ薄膜の不要部分をエッチングなどによって除去する。このとき、エッチングが過度に行われると、パッド電極９６Ｂとｐ−ＧａＮ層９４とが不当に導通してしまう。反対に、エッチングが不足すると、上記Ａｕ薄膜が残存してしまい、ｐ側電極９６Ａとパッド電極９６Ｂとが剥離してしまうおそれがある。このように、ｐ側電極９６Ａをリッジストライプ９４ａに対して適切に接合しつつ、パッド電極９６Ｂとｐ−ＧａＮ層９４とを十分に絶縁することは困難であった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３０５３４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、ｐ側電極をリッジストライプに対して適切に接合しつつ、パッド電極とｐ型半導体層とを十分に絶縁することが可能な半導体発光素子を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の側面によって提供される半導体発光素子は、リッジストライプが形成されたｐ型半導体層と、上記リッジストライプと接するｐ側電極と、少なくともその一部が上記ｐ型半導体層のうち上記リッジストライプ以外の部分と上記ｐ側電極の一部との間に介在する第１絶縁膜と、上記ｐ側電極を覆うパッド電極と、を備えた半導体発光素子であって、上記第１絶縁膜および上記ｐ側電極の上記リッジストライプに対して遠方に位置する外縁が互いに一致しており、上記第１絶縁膜および上記ｐ側電極の上記外縁よりも上記リッジストライプに対して離間した位置において、上記ｐ型半導体層と上記パッド電極との間に介在する第２絶縁膜をさらに備えていることを特徴としている。
【０００７】
このような構成によれば、上記ｐ型半導体層と上記パッド電極とは、上記第２絶縁膜によって絶縁される。上記第２絶縁膜は、上記半導体発光素子の製造工程においてその一部がエッチングなどによって減肉されることが無い。このため、比較的厚肉でありかつ全体が一様な厚さとされた上記第２絶縁膜によって、上記パッド電極を上記ｐ型半導体層に対して十分に絶縁することができる。また、上記ｐ側電極と上記第１絶縁膜とが接触する面積を縮小することが可能である。上記ｐ側電極と上記ｐ型半導体層との接合を適切に行うのに適した材質によって上記ｐ側電極を形成すると、上記ｐ側電極と上記第１絶縁膜とが剥離しやすくなる場合がある。しかし、上記構成によれば、上記ｐ側電極の全体が上記第
１絶縁膜から剥離してしまうことを抑制することができる。
【０００８】
本発明の第２の側面によって提供される半導体発光素子は、リッジストライプが形成されたｐ型半導体層と、上記リッジストライプと接するｐ側電極と、少なくともその一部が上記ｐ型半導体層のうち上記リッジストライプ以外の部分と上記ｐ側電極の一部との間に介在する第１絶縁膜と、上記ｐ側電極を覆うパッド電極と、を備えた半導体発光素子であって、上記第１絶縁膜は、上記リッジストライプに隣接し、かつ上記ｐ側電極と接する厚肉部と、上記厚肉部よりも上記リッジストライプから離間した位置に設けられており、上記ｐ側電極とは接しない薄肉部とを有しており、上記薄肉部と上記パッド電極との間に介在する第２絶縁膜をさらに備えることを特徴としている。
【０００９】
このような構成によれば、上記パッド電極は、上記第１絶縁膜の上記薄肉部と上記第２絶縁膜とによって上記ｐ型半導体層に対して絶縁されることとなる。したがって、上記パッド電極を上記ｐ型半導体層に対してさらに絶縁することができる。また、上記ｐ型半導体層は、上記リッジストライプが形成された後には、その他の部分が減肉されることが無い。これにより、上記ｐ型半導体層全体の厚さを比較的薄くすることができる。したがって、たとえばＭＯＣＶＤ法によって上記ｐ型半導体層を形成する時間を短縮することが可能であり、たとえば活性層に含まれるＩｎが昇華してしまうことを抑制することができる。
【００１０】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１２】
図１は、本発明に係る半導体発光素子の第１実施形態を示している。本実施形態の半導体発光素子Ａ１は、基板１、ｎ−ＧａＮ層２、活性層３、ｐ−ＧａＮ層４、第１絶縁膜５Ａ、第２絶縁膜５Ｂ、ｐ側電極６Ａ、およびパッド電極６Ｂを備えている。
【００１３】
基板１は、たとえばサファイア製であり、ｎ−ＧａＮ層２、活性層３、およびｐ−ＧａＮ層４などを支持するためのものである。基板１は、その厚さがたとえば３５０μｍ程度とされている。
【００１４】
ｎ−ＧａＮ層２は、ＧａＮにＳｉがドープされた層であり、本発明で言うｎ型半導体層の一例である。本実施形態においては、ｎ−ＧａＮ層２は、その厚さが２６０μｍ程度とされている。基板１とｎ−ＧａＮ層２との間には、バッファ層２１およびノンドープＧａＮ層２２が積層されている。これらのバッファ層２１およびノンドープＧａＮ層２２は、基板１とｎ−ＧａＮ層２との格子歪みを緩和するためのものである。
【００１５】
活性層３は、ＭＱＷ構造とされた層であり、ｐ側電極６Ａを介して供給される正孔と図外のｎ側電極から供給される電子とが再結合することにより発せられる光を増幅させるための層である。本実施形態においては、活性層３は、複数のＩｎＧａＮ層と複数のＧａＮ層とが交互に積層されており、たとえば緑色光などの比較的長波長の光を発するように構成されている。上記ＩｎＧａＮ層は、Ｉｎの組成比がたとえば１５％程度とされることにより、ｎ−ＧａＮ層２よりもバンドギャップが小とされており、活性層３の井戸層を構成している。上記ＧａＮ層は、活性層３のバリア層を形成している。本実施形態においては、活性層３は、たとえば上記複数のＩｎＧａＮ層と複数のＧａＮ層とが３〜７層ずつ積層されており、その厚さが５０〜１５０ｎｍ程度とされている。活性層３とｎ−ＧａＮ層２との間には、超格子層３１が設けられている。超格子層３１は、たとえばＩｎＧａＮ層とＧａＮ層とが一原子層毎に交互に積層された超格子（Superlattice）構造を有する層であり、その厚さが３０ｎｍ程度とされている。
【００１６】
ｐ−ＧａＮ層４は、ＧａＮにＭｇがドープされたことによりいわゆるｐ型半導体層とされており、本発明で言うｐ型半導体層の一例である。本実施形態においては、ｐ−ＧａＮ層４は、その厚さが５０００Å程度とされている。ｐ−ＧａＮ層４には、リッジストライプ４ａが形成されている。リッジストライプ４ａは、半導体発光素子Ａ１の積層方向と直角な方向に延びる断面矩形状の突起である。リッジストライプ４ａは、ｐ−ＧａＮ層４とｐ側電極６Ａとの接触部分をリッジストライプ４ａ上面に限定することにより、ｐ側電極６Ａからｐ−ＧａＮ層４へと注入される正孔の密度を高める機能を有する。また、活性層３からの光のうちｐ−ＧａＮ層４へと入射した光は、リッジストライプ４ａのうち半導体発光素子Ａ１の積層方向に起立する１対の側面によって閉じ込められる。リッジストライプ４ａのこれらの機能によって、半導体発光素子Ａ１は、リッジストライプ４ａが延びる方向に比較的高輝度な光を出射可能とされている。また、ｐ−ＧａＮ層４には、リッジストライプ４ａを挟んで離間した１対の凹面４ｂが形成されている。凹面４ｂは、リッジストライプ４ａおよびｐ−ＧａＮ層４のうちリッジストライプ４ａに隣接する部分の上面よりも、活性層３寄りに位置する面とされている。
【００１７】
第１絶縁膜５Ａは、リッジストライプ４ａを挟んでこれを露出させる形状に仕上げられており、たとえばＺｒＯ2といった絶縁性材料からなる。第１絶縁膜５Ａの外縁５Ａａは、半導体発光素子Ａ１の積層方向と直角な平面における位置が、ｐ−ＧａＮ層４の凹面４ｂの内縁と一致している。本実施形態においては、第１絶縁膜５Ａは、その厚さが５００Å程度とされている。
【００１８】
ｐ側電極６Ａは、リッジストライプ４ａの上面および第１絶縁膜５Ａを覆っている。ｐ側電極６Ａは、たとえばＰｄ／Ａｕからなり、リッジストライプ４ａとオーミックコンタクトを形成している。ｐ側電極６Ａは、その厚さが１０００Å程度とされている。ｐ側電極６Ａの外縁６Ａａは、半導体発光素子Ａ１の積層方向と直角な平面における位置が、第１絶縁膜５Ａの外縁５Ａａと一致している。
【００１９】
第２絶縁膜５Ｂは、ｐ側電極６Ａの一部とｐ−ＧａＮ層４とを覆っており、たとえばＺｒＯ2といった絶縁性材料からなる。第２絶縁膜５Ｂは、ｐ側電極６Ａのうちリッジストライプ４ａと接する部分の裏にあたる部分を露出させる形状に仕上げられている。また、第２絶縁膜５Ｂは、ｐ−ＧａＮ層４の凹面４ｂと接している。本実施形態においては、第２絶縁膜５Ｂは、その厚さが３０００Å程度とされている。
【００２０】
パッド電極６Ｂは、正孔を供給するためのワイヤボンディングなどが接合される部分であり、たとえば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる。パッド電極６Ｂは、第２絶縁膜５Ｂとｐ側電極６Ａのうち第２絶縁膜５Ｂから露出した部分とを覆っており、ｐ側電極６Ａと導通している。本実施形態においては、パッド電極６Ｂは、その厚さが５０００Å程度とされている。
【００２１】
次に、半導体発光素子Ａ１の製造方法について、図２〜図６を参照しつつ以下に説明する。
【００２２】
まず、図２に示すように、基板１上にバッファ層２１、ノンドープＧａＮ層２２、ｎ−ＧａＮ層２、超格子層３１、活性層３、およびｐ−ＧａＮ層４を、たとえばＭＯＣＶＤ法を用いて積層する。ｐ−ＧａＮ層４は、成長させたＧａＮ層にＭｇをドープした後に、たとえばエッチングによってリッジストライプ４ａを設けることによって形成する。
【００２３】
次に、図３に示すように、ＺｒＯ2からなる絶縁膜５０Ａを形成する。絶縁膜５０Ａの形成は、たとえばスパッタなどのＰＶＤ法を用いて厚さが５００Å程度のＺｒＯ2の膜を成長させた後に、このＺｒＯ2の膜のうち、リッジストライプ４ａを覆う部分をリフトオフの手法を用いて除去することによって行う。
【００２４】
次に、図４に示すように、Ｐｄ／Ａｕからなる厚さ１０００Å程度の金属膜６０Ａを形成する。金属膜６０Ａの形成は、たとえばスパッタなどのＰＶＤ法を用いて絶縁膜５０Ａおよびリッジストライプ４ａの上面を覆うように行う。
【００２５】
次に、金属膜６０Ａ、絶縁膜５０Ａに対してたとえばフォトリソグラフィの手法によって残存させるべき箇所をマスクした状態でドライエッチングを施し、図５に示すように第１絶縁膜５Ａおよびｐ側電極６Ａを形成する。このエッチングは、上述した金属膜６０Ａおよび絶縁膜５０Ａを超えて、ｐ−ＧａＮ層４に達するまで行う。これによって、ｐ−ＧａＮ層４には、１対の凹面４ｂが形成される。
【００２６】
次に、図６に示すように、ｐ側電極６Ａおよびｐ−ＧａＮ層４の凹面４ｂを覆うように、第２絶縁膜５Ｂを形成する。第２絶縁膜５Ｂの形成においては、たとえばスパッタなどのＰＶＤ法を用いてＺｒＯ2からなる厚さ３０００Å程度の絶縁膜を形成した後に、この絶縁膜の一部を除去することによってｐ側電極６Ａの中央部分を露出させる。この後は、第２絶縁膜５Ｂおよびｐ側電極６Ａの露出部分を覆うようにパッド電極６Ｂを形成する。また、図外のｎ側電極を既知の手法によって形成する。以上の工程を経ることによって、半導体発光素子Ａ１が得られる。
【００２７】
次に、半導体発光素子Ａ１の作用について説明する。
【００２８】
本実施形態によれば、ｐ側電極６Ａと第１絶縁膜５Ａとの接触面積を縮小することが可能である。ｐ側電極６Ａは、ｐ−ＧａＮ層４とオーミックコンタクトを形成するために、Ｐｄ／Ａｕによって形成することが好ましい。このようなｐ側電極６Ａは、ＺｒＯ2からなる第１絶縁膜５Ａから比較的剥離しやすい。この剥離しやすいｐ側電極６Ａと第１絶縁膜５Ａとの接触面積を縮小することにより、ｐ側電極６Ａ全体が剥離してしまうことを抑制することができる。また、ｐ側電極６Ａの大部分は、第２絶縁膜５Ｂによって覆われている。これによっても、ｐ側電極６Ａの剥離防止を図ることができる。
【００２９】
図５に示したエッチング工程においては、エッチングをｐ−ＧａＮ層４に達するまで行うことにより、図４に示す絶縁膜５０Ａおよび金属膜６０Ａの一部ずつを完全に除去する。このため、第２絶縁膜５Ｂは、凹面４ｂにおいてｐ−ＧａＮ層４と直接接している。したがって、この部分には、剥離しやすいＺｒＯ2とＡｕとの接触部分が無く、第２絶縁膜５Ｂをｐ−ＧａＮ層４から剥離しにくいものとすることができる。
【００３０】
第２絶縁膜５Ｂは、たとえばエッチングによってその一部が減肉されるといった処理が施されることが無い。このため、第２絶縁膜５Ｂは、比較的厚肉でありかつ一様な厚さのものとなっている。したがって、第２絶縁膜５Ｂによってパッド電極６Ｂをｐ−ＧａＮ層４に対して十分に絶縁することができる。
【００３１】
特に、半導体発光素子Ａ１を緑色光などの比較的長波長の光を発するものとして構成するには、活性層３のＩｎＧａＮ層のＩｎ組成比を高める必要がある。高濃度のＩｎを活性層３に含有させるためには、半導体発光素子Ａ１の製造工程において活性層３が高温にさらされてＩｎが昇華してしまうことをできるだけ回避する必要がある。このため、高温状態で形成することが必要とされるｐ−ＧａＮ層４の厚さを厚くすることは困難である。これに伴い、第１絶縁膜５Ａも厚く仕上げることができない。しかし、本実施形態においては、第１絶縁膜５Ａが薄くても、第２絶縁膜５Ｂを備えることにより、パッド電極６Ｂをｐ−ＧａＮ層４に対して確実に絶縁することが可能である。したがって、本実施形態の半導体発光素子Ａ１は、緑色光などの比較的長波長の光を発するのに適している。
【００３２】
図７は、本発明の第２実施形態を示している。なお、本図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。本実施形態の半導体発光素子Ａ２は、第１絶縁膜５Ａおよび第２絶縁膜５Ｂの構成が、上述した第１実施形態と異なっている。
【００３３】
本実施形態においては、第１絶縁膜５Ａは、厚肉部５１および薄肉部５２を有している。厚肉部５１は、リッジストライプ４ａに隣接する部分であり、その厚さが５００Å程度とされている。薄肉部５２は、厚肉部５１を挟んでリッジストライプ４ａから離間した位置に設けられており、その厚さが１００Å程度とされている。第２絶縁膜５Ｂは、ｐ側電極６Ａの一部と第１絶縁膜５Ａの薄肉部５２を覆っている。第１実施形態とは異なり、第２絶縁膜５Ｂとｐ−ＧａＮ層４とは直接接していない。
【００３４】
このような半導体発光素子Ａ２は、図２〜図６に示した製造方法と類似の方法によって製造することができる。ただし、ｐ側電極６Ａおよび第１絶縁膜５Ａを形成するためのエッチング工程においては、図８に示すように、エッチングがｐ−ＧａＮ層４に達しないようにエッチング条件を設定する。
【００３５】
このような実施形態によっても、上述した第１実施形態と同様に、ｐ側電極６Ａの剥離防止と、パッド電極６Ｂの十分な絶縁とを実現することができる。また、本実施形態においては、ｐ−ＧａＮ層４にリッジストライプ４ａを形成した後には、さらなるエッチングなどによってｐ−ＧａＮ層４が部分的に減肉されることが無い。このため、ｐ−ＧａＮ層４全体を比較的薄肉とすることが可能である。ｐ−ＧａＮ層４が薄肉であるほど、ｐ−ＧａＮ層４を形成する際に活性層３が高温にさらされる時間を短縮することができる。したがって。緑色光などを出射するために比較的Ｉｎ組成比が高いものとされた活性層３からＩｎが昇華してしまうことを防止するのに適している。
【００３６】
本発明に係る半導体発光素子は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光素子の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００３７】
ｎ型半導体層およびｐ型半導体層をＧａＮなどの窒化物系化合物によって形成することは、青色または緑色の光を出射するのに適しているが、本発明はこれに限定されず、活性層に電子と正孔とを注入可能な構成とすればよい。同様に、本発明でいう活性層は、ＩｎＧａＮからなる層をふくむＭＱＷ構造のものに限定されない。第１絶縁膜および第２絶縁膜の材質としては、ＺｒＯ2に限定されず、ＳｉＯ2などさまざまな絶縁材料を用いてもよい。本発明で言うｐ型半導体層は、均一なＧａＮによって形成されたものに限定されず、たとえばリッジストライプが形成される場所に位置するｐ−ＧａＮクラッド層や、ｐ側電極と接する部分に位置するｐ型コンタクト層などを含む構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明に係る半導体発光素子の第１実施形態を示す要部断面図である。
【図２】本発明に係る半導体発光素子の第１実施形態の製造方法において、ｐ−ＧａＮ層を形成する工程を示す要部断面図である。
【図３】本発明に係る半導体発光素子の第１実施形態の製造方法において、絶縁膜を形成する工程を示す要部断面図である。
【図４】本発明に係る半導体発光素子の第１実施形態の製造方法において、金属膜を形成する工程を示す要部断面図である。
【図５】本発明に係る半導体発光素子の第１実施形態の製造方法において、ｐ側電極および第１絶縁膜を形成する工程を示す要部断面図である。
【図６】本発明に係る半導体発光素子の第１実施形態の製造方法において、第２絶縁膜を形成する工程を示す要部断面図である。
【図７】本発明に係る半導体発光素子の第２実施形態を示す要部断面図である。
【図８】本発明に係る半導体発光素子の第２実施形態の製造方法において、ｐ側電極および第１絶縁膜を形成する工程を示す要部断面図である。
【図９】従来の半導体発光素子の一例を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
Ａ      半導体発光素子
１      基板
２      ｎ−ＧａＮ層
３１    超格子層
３      活性層
４      ｐ−ＧａＮ層
４ａ    リッジストライプ
４ｂ    凹面
５Ａ    第１絶縁膜
５Ａａ  外縁
５Ｂ    第２絶縁膜
６Ａ    ｐ側電極
６Ａａ  外縁
６Ｂ    パッド電極
２１    バッファ層
２２    ノンドープＧａＮ層
５１    厚肉部
５２    薄肉部
【図１】
2008010635.tif 000003
【図２】
2008010635.tif 000004
【図３】
2008010635.tif 000005
【図４】
2008010635.tif 000006
【図５】
2008010635.tif 000007
【図６】
2008010635.tif 000008
【図７】
2008010635.tif 000009
【図８】
2008010635.tif 000010
【図９】
2008010635.tif 000011