(57)【要約】【課題】金属板の開口部に対する位置合わせ精度を向上させることを可能とする回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】回路基板にはコア部材として開口部２を有する金属板１が設けられ、その開口部２の上面側（表面側）の端には突起３ａを有する。この金属板１の両面側には絶縁層４，５を介して配線パターン７，８がそれぞれ形成される。また、各配線パターンを電気的に接続させるため、開口部２内に設けられた貫通孔６を介して金属板１を貫通し、配線パターン７と配線パターン８とを接続する導体部９が設けられる。さらに、回路基板の上面側にＬＳＩチップ１０が半田ボール１１を介して直接接続される。ここで、金属板１の上面側に設けられた絶縁層４は、金属板１の開口部２の有無によらずその表面が一様に平坦化され、近傍に開口部２のない平坦部においては膜厚Ｔ１であり、突起３ａを有する開口部端では膜厚Ｔ１よりも薄い膜厚Ｔ２となっている。【選択図】図１
2008010709.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板にその表裏を貫通する開口部を設け、その表面側の開口部端に沿って突起を形成する第１の工程と、
前記金属板の表面および裏面に絶縁層をそれぞれ形成し、前記開口部内に絶縁層を充填する第２の工程と、
前記金属板の表面側から前記開口部を介して前記絶縁層の表裏を貫通する貫通孔を形成する第３の工程と、
を備え、
前記第２の工程では、前記突起上の前記絶縁層の膜厚を、前記金属板の表面側から前記突起を認識できる厚さに形成し、前記第３の工程では、前記突起を含む前記開口部を目印として前記貫通孔を形成していることを特徴とした回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程では、前記突起上の絶縁層の膜厚を、前記突起に隣接する前記金属板の平坦部における絶縁層の膜厚に比べて薄く形成している請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
金属板にその表裏を貫通する開口部を設け、その表面側の開口部端に少なくとも順テーパ形状を形成する第１の工程と、
前記金属板の表面および裏面に絶縁層をそれぞれ形成し、前記開口部内に絶縁層を充填する第２の工程と、
前記金属板の表面側から前記開口部を介して前記絶縁層の表裏を貫通する貫通孔を形成する第３の工程と、
を備え、
前記第２の工程では、前記開口部端上の前記絶縁層の膜厚を、前記金属板の表面側から前記開口部端を認識できる厚さに形成し、前記第３の工程では、前記開口部端を含む前記開口部を目印として前記貫通孔を形成していることを特徴とした回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２の工程では、前記金属板上の前記絶縁層の膜厚を、隣接する平坦部と比べて少なくとも開口部端において薄く形成している請求項３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記順テーパ形状は、前記金属板の裏面側の開口部端から前記金属板の表面側の開口部端に向かって前記開口部の寸法が大きくなるように形成している請求項３または４に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法に関し、特に、金属板をコア部に備えた回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit：大規模集積回路）のさらなる高性能化、高機能化にともない、その消費電力は増加の傾向にある。また、電子機器の小型化にともなって、実装基板にも小型化、高密度化、多層化が求められている。このため、回路基板の体積当たりの消費電力（熱密度）は上昇し、その放熱対策の必要性が高まっている。このため、回路基板として高い放熱性を有する金属板が用いられる（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
図８は上記特許文献１に開示された従来の回路基板の構造を概略的に示した断面図である。従来の回路基板（メタルコア基板）は、コア部材としての金属板（金属層）１０２と、金属板１０２の表裏を貫通して設けられた開口部（貫通孔）１０２ａと、金属板１０２の表裏面に絶縁層１０４を介して設けられた配線パターン１１４と、開口部１０２ａを介して金属板１０２を貫通し、表裏面の配線パターン１１４を電気的に接続させる導体部１１０とを備える。ここで、絶縁層１０４は金属板１０２を中心としてその表裏面から絶縁樹脂シートを真空下または減圧下で熱圧着して形成される。この際、絶縁層１０４が両面から開口部１０２ａの内部に流動して充填されるとともに、その表面は完全に平坦化される。導体部１１０は開口部１０２ａ内の絶縁層１０４に貫通孔（スルーホール）１０４ａを設け、この貫通孔１０４内面に銅めっきを施すことにより形成される。なお、導体部１１０が設けられた貫通孔１０４ａ内はさらに絶縁体１１２が埋め込まれている。
【０００４】
さらに近年では、回路基板の小型化・薄型化が強く求められている。これを実現するため、金属板１０２に設ける開口部１０２ａや絶縁層１０４に設ける貫通孔１０４ａなどの加工寸法の微細化を行っていく必要がある。
【特許文献１】特開２００３−３０４０６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、一般に、金属板１０２の開口部１０２ａ内の絶縁層１０４に貫通孔１０４ａを設ける場合、金属板１０２を基準として貫通孔１０４ａの位置合わせをしている。具体的には、金属板１０２の上面側から照射された光によって金属板１０２の開口部１０２ａ部分近傍の像を投影し、その像を金属板１０２の上面側に設けたＣＣＤカメラ等の撮像手段によって撮影する。そしてこの撮影データをコンピュータに取り込んで金属板１０２の開口部１０２ａの画像認識を行い、その認識した画像に基づいて位置合わせを行うようにしている。ここで、位置合わせの精度は認識した画像のコントラスト（開口部と開口部近傍の領域とのコントラスト）に依存している。通常、照射された光は金属板で反射し、開口部内は透過するので、開口部内の画像は黒く認識される。
【０００６】
しかしながら、黒色は周囲ににじみやすいため開口部１０２ａの輪郭（エッヂ）１２０がぼやけてしまい、シャープな画像が得られない場合がある。特に開口部１０２ａの寸法を微細化する場合には、輪郭のぼやけが同程度であっても全体に占める割合が大きくなるため、正確に画像認識を行うことが困難となり、貫通孔１０４ａを設ける際の位置合わせ精度が低下してしまう問題が生じる。
【０００７】
本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、金属板の開口部に対する位置合わせ精度を向上させることを可能とする回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る回路基板の製造方法は、金属板にその表裏を貫通する開口部を設け、その表面側の開口部端に沿って突起を形成する第１の工程と、金属板の表面および裏面に絶縁層をそれぞれ形成し、開口部内に絶縁層を充填する第２の工程と、金属板の表面側から開口部を介して絶縁層の表裏を貫通する貫通孔を形成する第３の工程と、を備え、第２の工程では、突起上の絶縁層の膜厚を、金属板の表面側から突起を認識できる厚さに形成し、第３の工程では、突起を含む開口部を目印として貫通孔を形成していることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、突起上の絶縁層の膜厚を、金属板の表面側から突起を認識できる厚さに形成しているので、第３の工程において金属板の開口部に対する位置合わせを行う際、金属板の上面側から照射される光が突起（特に突起のテーパ部分）によって乱反射し、その部分では金属板の平坦部とは異なる光強度となる。このため、金属板の開口部端（突起部分）でのコントラストがさらに明確になり、貫通孔を設ける際の位置合わせ精度が向上する。
【００１０】
上記構成において、第２の工程では、突起上の絶縁層の膜厚を、突起に隣接する金属板の平坦部における絶縁層の膜厚に比べて薄く形成していることが好ましい。このようにすることで、金属板から反射する光強度が突起と隣接する平坦部とで異なるようになり、突起と隣接する平坦部との間でのコントラストを向上させることができる。さらに、突起上においては絶縁層の膜厚が金属板の平坦部と比べて薄い分だけ金属板から反射する光強度が強くなり、開口部内における黒色の周囲へのにじみを緩和することができる。これらの結果、開口部の輪郭（エッヂ）のコントラストがより明確になり、貫通孔を設ける際の位置合わせ精度が向上する。
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明に係る別の回路基板の製造方法は、金属板にその表裏を貫通する開口部を設け、その表面側の開口部端に少なくとも順テーパ形状を形成する第１の工程と、金属板の表面および裏面に絶縁層をそれぞれ形成し、開口部内に絶縁層を充填する第２の工程と、金属板の表面側から開口部を介して絶縁層の表裏を貫通する貫通孔を形成する第３の工程と、を備え、第２の工程では、開口部端上の絶縁層の膜厚を、金属板の表面側から開口部端を認識できる厚さに形成し、第３の工程では、開口部端を含む開口部を目印として貫通孔を形成していることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、開口部端上の絶縁層の膜厚を、金属板の表面側から開口部端を認識できる厚さに形成しているので、第３の工程において金属板の開口部に対する位置合わせを行う際、金属板の上面側から照射される光が順テーパ形状を有する開口部端によって乱反射し、その部分では金属板の平坦部とは異なる光強度となる。このため、金属板の開口部端でのコントラストが明確になり、貫通孔を設ける際の位置合わせ精度が向上する。
【００１３】
上記構成において、第２の工程では、金属板上の絶縁層の膜厚を、隣接する平坦部と比べて少なくとも開口部端において薄く形成していてもよい。この場合、金属板から反射する光強度が開口部端と隣接する平坦部とで異なるようになり、その間でのコントラストを向上させることができる。さらに、金属板の開口部の端において金属板から反射する光強度が強くなり、開口部内における黒色の周囲へのにじみを緩和することができる。これらの結果、金属板の開口部の端でのコントラストがより明確になり、貫通孔を設ける際の位置合わせ精度が向上する。
【００１４】
上記構成において、順テーパ形状は、金属板の裏面側の開口部端から金属板の表面側の
開口部端に向かって開口部の寸法が大きくなるように形成していることを特徴とする。このようにすることで、金属板の上面側から絶縁層が開口部内に充填されやすくなるので、金属板の開口部の端において金属板上の絶縁層の膜厚を平坦部の膜厚と比べて容易に薄くすることができる。この結果、金属板の上面側の開口部の端でのコントラストがさらに明確になり、貫通孔を設ける際の位置合わせ精度を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、金属板の開口部に対する位置合わせ精度を向上させることを可能とする回路基板の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を具現化した実施形態について図面に基づいて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１７】
（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態に係る金属板を備えた回路基板の構成を示す概略断面図である。
【００１８】
第１実施形態の回路基板では、コア部材として開口部２を有する金属板１が設けられ、その開口部２の上面側（表面側）の端には突起３ａを有し、開口部２の下面側（裏面側）の端にはへたり（丸みを帯びた角部）３ｂを有している。この金属板１の両面側に絶縁層４，５を介して配線パターン７，８がそれぞれ形成されている。また、各配線パターンを電気的に接続させるため、開口部２内に設けられた貫通孔６を介して金属板１を貫通し、配線パターン７と配線パターン８とを接続する導体部９が設けられている。さらに、回路基板の上面側にＬＳＩチップ１０が半田ボール１１を介して直接接続されている。なお、金属板１の上面側に設けられた絶縁層４は、金属板１の開口部２の有無によらずその表面が一様に平坦化され、近傍に開口部２のない平坦部においては膜厚Ｔ１であり、突起３ａを有する開口部端では膜厚Ｔ１よりも薄い膜厚Ｔ２となっている。
（製造方法）
図２および図３は、図１に示した本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造プロセスを説明するための概略断面図である。
【００１９】
まず、図２（Ａ）に示すように、約５０μｍ〜約１ｍｍ（たとえば、約１５０μｍ）の厚みを有する金属板１を用意する。たとえば、この金属板１は、銅からなる下層金属層と、下層金属層上に形成されたＦｅ−Ｎｉ系合金（いわゆるインバー合金）からなる中間金属層と、中間金属層上に形成された銅からなる上層金属層とが積層されたクラッド材によって構成される。なお、金属板１は、銅単層であってもよい。
【００２０】
図２（Ｂ）に示すように、金属板１にレーザ照射またはドリル加工を行うことによって、金属板１の表裏を貫通する開口部２（直径約３００μｍ）を所定の箇所に形成する。これにより、金属板１の開口部２の上面側の端に突起３ａ（約１０μｍ）を形成し、開口部２の下面側の端にへたり３ｂを形成する。なお、この突起３ａは、金属板１の開口部２の端に沿って設けられるが、突起３ａの先端部は均一な高さでなくてもよく、たとえば、櫛状であったり、波状であったりしてもよい。また、突起ごとの形状や高さも同じでなくてもよい。さらに、突起３ａは、開口部２に沿って必ずしも一体的な（連続的な）突起として設けられる必要はなく、例えば、独立した複数の突起が開口部２に沿って不連続に設けられていてもよい。
【００２１】
図２（Ｃ）に示すように、エポキシ樹脂を主成分とする絶縁層４を金属板１の上面側（表面側）から、絶縁層５を金属板１の下面側（裏面側）から真空下または減圧下で熱圧着する。ここで、絶縁層４，５の厚さは、たとえば、７５μｍ程度とする。なお、絶縁層４
，５には約２μｍ〜１０μｍ程度の直径を有するフィラーが添加されていてもよい。このフィラーとしては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、及び窒化ホウ素（ＢＮ）などがある。また、フィラーの重量充填率は約６０％〜約８０％である。
【００２２】
図２（Ｄ）に示すように、絶縁層４，５を熱圧着することで、金属板１の開口部２内は絶縁層４，５によって完全に埋め込まれる。金属板１の上面側に設けられた絶縁層４および下面側に設けられた絶縁層５は、金属板１の開口部２の有無によらずその表面が一様に平坦化される。この結果、金属板１上の絶縁層４の膜厚は、近傍に開口部２のない平坦部において膜厚Ｔ１となり、突起３ａを有する開口部端では膜厚Ｔ１よりも薄い膜厚Ｔ２となる。また、金属板１の絶縁層５の膜厚は平坦部において膜厚Ｔ１となっている。
【００２３】
次に、図３（Ａ）に示すように、金属板１の開口部２内に埋め込まれた絶縁層４，５に金属板１の上面側（表面側）からレーザ照射またはドリル加工を行うことによって、この絶縁層４，５の表裏を貫通する貫通孔６（直径約１５０μｍ）を、開口部２に対応する箇所に形成する。ここで、貫通孔６を形成する際には、金属板１の開口部２の近傍部分の画像認識によって開口部２と貫通孔６との位置合わせを行っている。
【００２４】
図３（Ｂ）に示すように、無電解めっき法および電解めっき法を用いて、絶縁層４の上面上、貫通孔６の内面上、及び絶縁層５の上面上に銅（Ｃｕ）をめっきする。なお、本実施形態では、めっき液中に抑制剤および促進剤を添加することによって、抑制剤を絶縁層４，５の上面上に吸着させるとともに、促進剤を貫通孔６の内面上に吸着させる。これにより、貫通孔６の内面上の銅めっきの厚みを大きくすることができるので、貫通孔６内に銅を埋め込むことができる。その結果、絶縁層４，５上に約３５μｍの厚みを有する銅からなる配線層７ａ，８ａがそれぞれ形成されるとともに、貫通孔６内に銅からなる導体部９が充填される。
【００２５】
図３（Ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて配線層７ａ，８ａをそれぞれパターニングする。これにより、上面側の配線パターン７および下面側の配線パターン８を形成する。
【００２６】
最後に、図１に示したように、配線パターン７上の所定の箇所にＬＳＩチップ１０を、半田ボール１１を介して電気的に接続させるように直接搭載し、樹脂層（図示せず）で固定する。
【００２７】
これらの工程により、第１実施形態の金属板１を備えた回路基板が製造される。
【００２８】
以上説明した第１実施形態の回路基板の製造方法によれば、以下のような効果を得ることができるようになる。
（１）金属板１の上面側（表面側）の開口部端に沿って突起３ａを設けたことで、突起３ａ上の絶縁層４の膜厚を、金属板１の表面側から突起３ａを認識できる厚さに形成した場合には、金属板１の上面側から照射される光が突起（特に突起のテーパ部分）３ａによって乱反射し、その部分では金属板１の平坦部とは異なる光強度（特に突起のテーパ部分）となる。このため、金属板１の開口部端（突起部分）でのコントラストがさらに明確になり、貫通孔６を設ける際の位置合わせ精度が向上する。
（２）突起３ａ上の絶縁層４の膜厚を、金属板１の平坦部における絶縁層４の膜厚に比べて薄く形成したことで、金属板１から反射する光強度が突起３ａと隣接する平坦部とで異なるようになり、突起３ａと隣接する平坦部との間でのコントラストを向上させることができる。さらに、突起３ａ上において絶縁層４の膜厚が金属板１の平坦部と比べて薄い分だけ金属板１から反射する光強度が強くなり、開口部２内における黒色の周囲へのにじみを緩和することができる。これらの結果、開口部２の輪郭（エッヂ）のコントラストがよ
り明確になり、貫通孔６を設ける際の位置合わせ精度が向上する。
（３）金属板１に開口部２を形成する際に金属板１の表面側の開口部端に沿って突起３ａを設けるだけで、金属板１の開口部２の端において絶縁層４の膜厚Ｔ２を平坦部の膜厚Ｔ１と比べて薄くすることができる。このため、貫通孔６を設ける際の位置合わせ精度を向上させることを可能とする回路基板の製造方法を低コストで提供することができる。
（４）金属板１の上面側（表面側）の開口部端に沿って設けた突起３ａによって開口部端でのコントラストが明確になるので、開口部２の寸法を微細化しても貫通孔６を設ける際の位置合わせを行うことができるようになる。この結果、回路基板の小型化を実現することができる。
【００２９】
（第２実施形態）
図４は本発明の第２実施形態に係る金属板を備えた回路基板の構成を示す概略断面図である。第１実施形態と異なる箇所は、金属板１ａの開口部２ａが丸みを帯びた順テーパ形状を有する開口部端３ｃとなっていること、開口部２ａの上方領域において絶縁層４（および配線パターン７）の上面が窪み、その窪みが開口部端３ｃの上にも及んでいることである。これにより、金属板１上の絶縁層４の膜厚は、近傍に開口部２ａのない平坦部において膜厚Ｔ１となり、開口部端３ｃでは膜厚Ｔ１よりも薄い膜厚Ｔ３となっている。また、絶縁層５に関しても同様である。それ以外については、第１実施形態と同様である。
（製造方法）
図５は、図４に示した本発明の第２実施形態に係る回路基板の主要な製造プロセスを説明するための概略断面図である。
【００３０】
図５（Ａ）に示すように、金属板１ａを挟み込んで金属板１ａと同時に開口される捨基板（図示せず）を用いてドリル加工を行い、さらに薬液処理を行うことによって、金属板１ａの表裏を貫通する開口部２ａ（直径約３００μｍ）を所定の箇所に形成する。これにより、金属板１ａの開口部端３ｃは第１実施形態とは異なり、その部分が突起３ａとはならず、表裏面とも丸みを帯びた順テーパ形状となる。
【００３１】
図５（Ｂ）に示すように、絶縁層４を金属板１ａの上面側（表面側）から、絶縁層５を金属板１ａの下面側（裏面側）から真空下または減圧下で熱圧着する。ここで、温度や圧力を調整することにより絶縁層４，５の流動性を制御し、金属板１ａの開口部２ａ内を絶縁層４，５によって完全に埋め込むとともに、開口部２ａの上面側および下面側に形成される絶縁層４および絶縁層５の表面を窪ませ、この窪みが開口部端３ｃの上にも及ぶようにする。なお、絶縁層４，５は先の第１実施形態と同じ材料を採用する。絶縁層４，５の厚さは、たとえば、７５μｍ程度であり、窪みの深さ（最深の窪み量）Ｈ１は２５μｍ程度である。この結果、金属板１ａ上の絶縁層４の膜厚は、近傍に開口部２ａのない平坦部において膜厚Ｔ１となり、開口部端３ｃでは膜厚Ｔ１よりも薄い膜厚Ｔ３となる。また、絶縁層５に関しても同様となる。
【００３２】
これ以降は第１実施形態の図３（Ａ）以降の工程を経て、第２実施形態の金属板１ａを備えた回路基板が製造される。
【００３３】
この第２実施形態の回路基板の製造方法によれば、以下のような効果を得ることができるようになる。
（５）金属板１ａの上面側（表面側）の開口部２ａの端を順テーパ形状（丸みを帯びた開口部端３ｃ）に形成したことで、開口部端上の絶縁層４の膜厚を、金属板１ａの表面側から開口部端３ｃを認識できる厚さに形成した場合には、金属板１ａの上面側（表面側）から照射される光が順テーパ形状を有する開口部端３ｃによって乱反射し、その部分では金属板１ａの平坦部とは異なる光強度となる。このため、金属板１ａの開口部２ａの端（開口部端３ｃ）でのコントラストがさらに明確になり、貫通孔６を設ける際の位置合わせ精度が向上する。
（６）開口部２ａの上方領域に形成する絶縁層４の表面を窪ませ、この窪みを開口部端３ｃの上にも及ぶようにしたことで、開口部２ａの端の膜厚Ｔ３は平坦部の膜厚Ｔ１に比べ薄くなる。このため、貫通孔６を形成するために金属板１ａの開口部２ａに対する位置合わせを行う際、金属板１ａから反射する光強度が開口部端３ｃと隣接する平坦部（膜厚Ｔ１と同じ膜厚）とで異なるようになり、その間でのコントラストを向上させることができる。さらに、開口部２ａの端の膜厚Ｔ３が平坦部の膜厚Ｔ１に比べ薄い分だけ金属板１ａからの反射する光強度が強くなり、開口部２ａ内における黒色の周囲へのにじみを緩和することができる。これらの結果、金属板１ａの開口部２ａの端（開口部端３ｃ）でのコントラストがさらに明確になり、貫通孔６を設ける際の位置合わせ精度が向上する。
（７）金属板１ａの上面側（表面側）の開口部２ａの端を順テーパ形状（丸みを帯びた開口部端３ｃ）に形成したことおよび開口部２ａの上方領域に形成する絶縁層４の表面を窪ませ、この窪みを開口部端３ｃの上にも及ぶようにしたことによって、開口部端３ｃでのコントラストが明確になるので、開口部２ａの寸法を微細化しても貫通孔６を設ける際の位置合わせを行うことができるようになる。この結果、回路基板の小型化を実現することができる。
（８）金属板１ａの下面側（裏面側）の開口部２ａの端を順テーパ形状（丸みを帯びた開口部端３ｃ）に形成したことおよび金属板１ａの下面側（裏面側）において金属板１ａ上の絶縁層５の膜厚を開口部２ａの端において平坦部と比べて薄く形成したことで、金属板１ａの下面側（裏面側）からも貫通孔６を設ける際の位置合わせを行うことができる。このため、貫通孔６を設ける際、任意の方向から位置合わせおよび貫通孔６の形成を行うことができるようになるので、回路基板の製造コストの低減を図ることが可能となる。
（９）開口部２ａの上方領域および下方領域において絶縁層４，５の上面をそれぞれ窪ませたことで、金属板１ａの開口部２ａ内の絶縁層４，５の厚みは窪みがない場合に比べて薄くなるので、貫通孔６の形成時の加工量が少なくなり、加工精度が向上する。このため、貫通孔６の微細化が可能となり、回路基板の小型化を実現することができる。
【００３４】
（第３実施形態）
図６は本発明の第３実施形態に係る金属板を備えた回路基板の構成を示す概略断面図である。第１実施形態と異なる箇所は、金属板１ｂの開口部２ｂが下面側（裏面側）から上面側（表面側）に向かってその寸法が徐々に広がるように設けられていること（上面側開口寸法Ａ：約４５０μｍ／下面側開口寸法Ｂ：約３００μｍ）、開口部２ｂの上方領域において絶縁層４（および配線パターン７）の上面が窪み、その窪みが開口部端３ｄの上にも及んでいることである。これにより、金属板１ｂ上の絶縁層４の膜厚は、近傍に開口部２ｂのない平坦部において膜厚Ｔ１となり、開口部端３ｄでは膜厚Ｔ１よりも薄い膜厚Ｔ４となっている。それ以外については、第１実施形態と同様である。
（製造方法）
図７は、図６に示した本発明の第３実施形態に係る回路基板の主要な製造プロセスを説明するための概略断面図である。
【００３５】
図７（Ａ）に示すように、銅板（たとえば、厚さ約１５０μｍ）からなる金属板１ｂの上にレジストパターン（図示せず）を設け、ウェットエッチング処理によって金属板１ｂを貫通する開口部２ｂ（上面側開口寸法Ａ：約４５０μｍ／下面側開口寸法Ｂ：約３００μｍ）を所定の箇所に形成する。ここで、ウェットエッチング処理により金属板１ｂは等方的に除去されるので、開口部２ｂは下面側（裏面側）から上面側（表面側）に向かってその寸法が徐々に広がっていくようテーパ状に設けられる。なお、上面側の開口部端３ｄは従来の構造における直角（垂直）よりも角度の緩やかな角部となる。
【００３６】
図７（Ｂ）に示すように、絶縁層４を金属板１ｂの上面側（表面側）から、絶縁層５を金属板１ｂの下面側（裏面側）から真空下または減圧下で熱圧着する。絶縁層４，５は先の第１実施形態と同じ材料を採用する。絶縁層４，５の厚さは、たとえば、７５μｍ程度
とする。これにより、金属板１ｂの開口部２ｂ内を絶縁層４，５によって完全に埋め込むとともに、開口部２ｂの上面側に形成される絶縁層４の表面を窪ませ、この窪みが開口部端３ｄの上にも及ぶようにする。なお、絶縁層４，５を熱圧着する際には、金属板１ｂに対して垂直方向（上下方向）に加圧するが、金属板１ｂの開口部２ｂの上面側がテーパ形状を有しているので、開口部２ｂ内で平行方向の力が生じ、この力によって開口部２ｂ内への絶縁層４の流動が加速される。これにより、開口部２ｂ内への絶縁層の流動は開口部２ｂの上面側から選択的に起こり、開口部２ｂの上面側に形成される絶縁層４が選択的に窪むことになる。なお、窪みの深さ（最深の窪み量）Ｈ２は４５μｍ程度である。この結果、金属板１ｂ上の絶縁層４の膜厚は、近傍に開口部２ｂのない平坦部において膜厚Ｔ１となり、開口部端３ｄでは膜厚Ｔ１よりも薄い膜厚Ｔ４となる。
【００３７】
これ以降は第１実施形態の図３（Ａ）以降の工程を経て、第３実施形態の金属板１ｂを備えた回路基板が製造される。
【００３８】
この第３実施形態の回路基板の製造方法によれば、以下のような効果を得ることができるようになる。
（１０）金属板１ｂの下面側（裏面側）の開口部端から金属板の上面側（表面側）の開口部端に向かって開口部２ｂの寸法が大きくなるように形成したことで、金属板１ｂの上面側から絶縁層４が開口部２ｂ内に充填されやすくなるので、金属板１ｂの上面側の開口部２ｂの端（開口部端３ｄ）において金属板１ｂ上の絶縁層４の膜厚Ｔ４を平坦部の膜厚Ｔ１と比べてさらに薄くすることができるようになる。この結果、金属板１ｂの上面側の開口部２ｂの端（開口部端３ｄ）でのコントラストがさらに明確になり、貫通孔６を設ける際の位置合わせ精度を向上させることができる。
（１１）開口部２ｂの上方領域において絶縁層４の上面を窪ませたことで、金属板１ｂの開口部２ｂ内の絶縁層４，５の厚みは絶縁層４の窪みがない場合に比べて薄くなるので、貫通孔６の形成時の加工量が少なくなり、加工精度が向上する。このため、貫通孔６の微細化が可能となり、回路基板の小型化を実現することができる。
【００３９】
なお、上記実施形態では、ＬＳＩチップ１０が装着された回路基板に本発明を適用したが、本発明はこれに限らず、ＬＳＩチップ以外の回路素子が装着された回路基板にも適用可能である。たとえば、キャパシタや抵抗などの受動素子であってもよい。
【００４０】
上記実施形態では、ＬＳＩチップ１０を搭載した回路基板の例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、図３（Ｃ）にように、ＬＳＩチップ１０を搭載していない状態の回路基板であってもよい。この場合にも上記効果を享受することができる。
【００４１】
上記第１実施形態では、貫通孔６を設ける開口部２においてその開口部端に突起３ａを形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、金属板１に対して、貫通孔６や導体部９を設ける必要のない位置合わせマーク（アライメントマーク）としての開口部を設け、その部分に本発明を適用して位置合わせを行ってもよい。
【００４２】
上記第２および第３実施形態では、貫通孔６を設ける開口部２ａ，２ｂにおいてその開口端部を順テーパ形状とし、その開口部端の膜厚を平坦部に比べて薄くした例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、金属板１ａ，１ｂに対して、貫通孔６や導体部９を設ける必要のない位置合わせマーク（アライメントマーク）としての開口部を設け、その部分に本発明を適用して位置合わせを行ってもよい。
【００４３】
上記第２実施形態では、貫通孔６を設ける開口部２ａの上方領域に窪みを設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、金属板１ａの開口部２ａの有無によらずその表面が一様に平坦化されていてもよい。この場合には、少なくとも上記（５）の効果を享受することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る金属板を備えた回路基板の概略断面図。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）図１に示した第１実施形態による回路基板の製造プロセスを説明するための概略断面図。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）図１に示した第１実施形態による回路基板の製造プロセスを説明するための概略断面図。
【図４】本発明の第２実施形態に係る金属板を備えた回路基板の概略断面図。
【図５】（Ａ），（Ｂ）図４に示した第２実施形態による回路基板の主要な製造プロセスを説明するための概略断面図。
【図６】本発明の第３実施形態に係る金属板を備えた回路基板の概略断面図。
【図７】（Ａ），（Ｂ）図４に示した第３実施形態による回路基板の主要な製造プロセスを説明するための概略断面図。
【図８】従来の回路基板の構造を概略的に示した断面図。
【符号の説明】
【００４５】
１・・・金属板、２・・・開口部、３ａ・・・突起、３ｂ・・・へたり（丸みを帯びた角部）、４・・・絶縁層、５・・・絶縁層、６・・・貫通孔、７・・・配線パターン、８・・・配線パターン、９・・・導体部、１０・・・ＬＳＩチップ、１１・・・半田ボール
【図１】
2008010709.tif 000003
【図２】
2008010709.tif 000004
【図３】
2008010709.tif 000005
【図４】
2008010709.tif 000006
【図５】
2008010709.tif 000007
【図６】
2008010709.tif 000008
【図７】
2008010709.tif 000009
【図８】
2008010709.tif 000010