(57)【要約】【課題】  露光装置に適用してその装置ダウンを防ぎ（延命し）、またスループット低下、光学系ユニット劣化を早期に警告することができる計測装置を提供する。【解決手段】  光源１２と、蓄積型の２つの光検出器９、１０と、前記光源からの光の量を調節する、前記２つの光検出器に共通の調光器１１と、前記２つの光検出器の出力が許容範囲内になるように前記調光器を制御する制御器１３とを有し、前記調光器により光量が調節された光で照明された２つの対象物からの光を前記２つの光検出器でそれぞれ検出することにより計測を行う。ここで、前記制御器は、前記調光器を制御することにより前記２つの光検出器のうち一方のみの出力が該許容範囲内になった場合に、前記２つの光検出器のうち他方の出力が該許容範囲内になるように該他方の蓄積時間を設定する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、蓄積型の２つの光検出器と、前記光源からの光の量を調節する、前記２つの光検出器に共通の調光器と、前記２つの光検出器の出力が許容範囲内になるように前記調光器を制御する制御器とを有し、前記調光器により光量が調節された光で照明された２つの対象物からの光を前記２つの光検出器でそれぞれ検出することにより計測を行う計測装置であって、
前記制御器は、前記調光器を制御することにより前記２つの光検出器のうち一方のみの出力が該許容範囲内になった場合に、前記２つの光検出器のうち他方の出力が該許容範囲内になるように該他方の蓄積時間を設定する、ことを特徴とする計測装置。
【請求項２】
前記制御器は、該一方の出力が該許容範囲内になり、かつ該他方の出力が該許容範囲より小さくなった場合に、該他方の出力が該許容範囲内になるように該他方の蓄積時間を設定する、ことを特徴とする請求項１に記載の計測装置。
【請求項３】
前記制御器により設定された前記２つの光検出器の蓄積時間に差が生じたことに関する報知を行う手段を有する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の計測装置。
【請求項４】
前記制御器により設定された前記２つの光検出器の蓄積時間のいずれかの変化量が許容量を超えたことに関する報知を行う手段を有する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の計測装置。
【請求項５】
前記光源は、パルスレーザ光源である、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の計測装置。
【請求項６】
前記光源は、エキシマレーザ光源である、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の計測装置。
【請求項７】
基板を露光する露光装置であって、
請求項１乃至６のいずれかに記載の計測装置を有する、ことを特徴とする露光装置。
【請求項８】
原版からの光を該基板に投影する投影光学系と、
該原版を保持し、かつ移動する原版ステージと、
該基板を保持し、かつ移動する基板ステージと、
前記原版ステージに配された、２つの第１の基準部材と、
前記基板ステージに配された、２つの第２の基準部材と、
を有し、
前記計測装置は、前記２つの第１の基準部材と前記２つの第２の基準部材とのうち少なくとも一方を該２つの対象物として計測を行う、ことを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
該露光された基板を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、計測装置、該計測装置を有する露光装置、および該露光装置を用いたデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高密度のメモリやハイスペックＣＰＵを製造する露光装置では、要求される露光解像力が０．０２［μｍ］以下となっている。そのため、より微細なパターンを転写するために、露光光源として、ＫｒＦレーザ（２４８［ｎｍ］）、ＡｒＦレーザ（１９３［ｎｍ］）、さらにはＦ２レーザ（１５７［ｎｍ］）が使用されている。
【０００３】
一方、半導体製造装置の位置合わせ方法の一環として、原版であるレチクルの位置あるいはレチクルをセットするレチクルステージ（原版ステージ）の位置関係を精密に計測する必要がある。その計測方法として最も有利なのが、レチクルとステージを同時に計測するＴＴＲ計測である。ＴＴＲ計測は、レチクルとステージの間に存在する投影レンズを介して計測を行う。ＴＴＲ計測で使用する照明光源は、露光光が最も適している。理由は、投影レンズの収差が（色収差等）露光光に合わせられており、その結果レチクルとステージを同時に計測することができるからである。
【０００４】
ところで、現在高エネルギーで、かつ短い波長の光を発光することができる照明装置は、エキシマレーザが主流である。これらのレーザは、パルス発光のレーザ（パルス発光装置）である。
図１を用いて、従来の計測装置の構成を説明する。パルス発光装置であるパルスレーザ（Ｌａｓｅｒ）１２の光をＮＤフィルタ等の光量加減手段１１で光量調整する。光量調整されたパルス光は、ミラー４、５、６およびハーフミラー７、８の後、投影レンズ２を通して基準プレート３上に配置されている複数のマークＷＲ、ＷＬを照明する。複数のマークＷＲ、ＷＬからの反射光を投影レンズ２を通してハーフミラー７、８を通過した後、蓄積型ポジションセンサであるＣＣＤカメラ（ｃａｍ１，２）９、１０で同時に撮像する。
【０００５】
ＣＣＤカメラ９、１０の同期信号は、同期信号発生装置（Ｓｙｎｃ）１４より発生している。同時に、同期信号はレーザ（Ｌａｓｅｒ）１２にも送られ、ＣＣＤカメラ９、１０とレーザ１２は同期している。
図１において、１はレチクル、２２は駆動手段（ｍｏｔｅｒ）、２３は干渉計（ｉｎｔｅｒ）、２４はステージ制御装置（ＳＦ）、１３は露光制御装置（ｃｏｍ）をそれぞれ示す。さらに、１５、１６はＡＤ変換器（ＡＤ１，２）、１９は画像処理装置（ｐｒｏｃ）をそれぞれ示す。
【０００６】
ＣＣＤカメラ９、１０は、ＮＴＳＣ方式のため、ｅｖｅｎ／ｏｄｄのタイミングに分けて光を蓄積する。図５は、従来例におけるレーザ発光、画像蓄積のタイミングを説明する図であり、Ｌａｓｅｒ発光時間、光の蓄積時間は同じである。
従来例では、蓄積した画像データは、図１の加算器１７、１８（ｓｕｍ１，２）にて加算され、計測用画像を作成している。
前記のような電荷蓄積型センサの蓄積時間は、一般のカメラで言う露出時間に相当し、暗い被写体（計測マーク）では蓄積時間を長く、明るい被写体（計測マーク）では蓄積時間を短くする（特許文献１）。
【０００７】
上記従来構成では、複数の計測対象へ同一条件のパルス光を同時に照射するための複数の光路（例えば光ファイバ２０、２１）を持ち、複数の蓄積ポジションセンサで各計測信号を同時に検出する。これにより、単一計測信号毎に計測するよりもステージの暗振動や気圧の変化等の影響を受けず、同一条件で計測することで精度向上、スループット向上が実現できる構成となっている。また、コスト削減のため、照射されたパルス光の光量を調整する共通の加減手段（ＮＤフィルタ（１つ））で光量調整する構成となっている。
【特許文献１】特開２００２−５７０８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記従来構成には次のような問題がある。すなわち、各センサの蓄積時間の設定値、加減手段（ＮＤフィルタ）設定値は、計測動作開始時には前回計測した時の計測マークに最適な値になっている。この場合、複数マークを同一条件（光量、ＮＤ設定、蓄積時間）で計測するため、マーク計測で精度を保つため、蓄積時間内に得られる光量の判定トレランスをマーク毎に持ち、トレランス内に収まるように光量を調整している。
【０００９】
このとき、ステージ基準プレート上の複数マークの反射率が、マークの曇り（ミラーでもよい）の影響によりマーク毎に差異がある場合には、計測しようとするマークの反射率に適合するように、蓄積時間を調整し直すことで対応している。この場合、複数のセンサの蓄積時間は、一律に調整し直す。
また、レーザから照射されたエキシマ光を、光量加減手段（ＮＤフィルタ）を介して投影レンズへ導入するための光ファイバが経年劣化した場合は、以前の蓄積時間では所望の光量を得ることができなくなる。そこで、蓄積時間を増加することで対応している。この場合も全センサの蓄積時間を一律に増加している。
【００１０】
しかし、上記構成のようなシステムでは、複数マークを同一条件の光量で計測するため、ある計測マークの曇り等のためにそのマークからの光量が不足すると、発光装置の光量を増加させたり、光量加減手段（ＮＤフィルタ）を変更したりする。すると、他の曇っていない計測マークの光量も増加し、その計測マークの光量を検出する蓄積センサが飽和するため計測できない。
【００１１】
また、光量加減手段（ＮＤフィルタ）を介したあとの光ファイバが劣化している場合、該計測マークを計測するための所望の光量を得るために、計測時間を延長する必要がある。しかし、他の劣化していない光ファイバから光量を導入している計測マークは、光量が増加して光量が飽和するため計測できないという問題が発生する。
こうした場合、ステージ基準プレート上マークの曇り除去（ミラー含む）、劣化した光学系ユニットの交換といった保守作業が生じ、生産計画に影響を与える。
【００１２】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、例えば、保守作業の頻度を低減できる計測装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するため本発明の計測装置は、光源と、蓄積型の２つの光検出器と、前記光源からの光の量を調節する、前記２つの光検出器に共通の調光器と、前記２つの光検出器の出力が許容範囲内になるように前記調光器を制御する制御器とを有し、前記調光器により光量が調節された光で照明された２つの対象物からの光を前記２つの光検出器でそれぞれ検出することにより計測を行う計測装置であって、前記制御器は、前記調光器を制御することにより前記２つの光検出器のうち一方のみの出力が該許容範囲内になった場合に、前記２つの光検出器のうち他方の出力が該許容範囲内になるように該他方の蓄積時間を設定する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、例えば、保守作業の頻度を低減できる計測装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明は、
本発明の好ましい実施の形態に係る計測装置は、光源と、２つの蓄積型ポジションセンサ（蓄積型の光検出器）と、前記光源からの光の量を調節する、前記２つの光検出器に共通のＮＤフィルタ（調光器）とを有する。また、前記２つの光検出器の出力が許容範囲内になるように前記調光器を制御する制御器を有する。そして、前記調光器により光量が調節された光で照明された２つの基準マーク（対象物）からの光（計測信号）を前記２つの光検出器でそれぞれ検出することにより計測を行う。前記制御器は、前記調光器を制御することにより前記２つの光検出器のうち一方のみの出力が該許容範囲内になった場合に、前記２つの光検出器のうち他方の出力が該許容範囲内になるように該他方の蓄積時間を設定する。
これにより、計測マークやミラー等の曇りや光学ユニットの劣化等により、ある計測マークの光量をアップ（蓄積時間延長）する必要が出てきた場合、計測光の受光時間を調整することができる。そして、マークやミラー等の曇り除去や光学系ユニットの交換なしで計測することが可能となる。
【００１６】
ここで、前記光源は、例えば、エキシマレーザ光源等のパルス発光装置（パルスレーザ光源）である。また、前記制御器は、該一方の出力が該許容範囲内になり、かつ該他方の出力が該許容範囲より小さくなった場合に、該他方の出力が該許容範囲内になるように該他方の蓄積時間を設定する。また、前記制御器により設定された前記２つの光検出器の蓄積時間に差が生じたことに関する報知を行う手段を有する。前記制御器により設定された前記２つの光検出器の蓄積時間のいずれかの変化量が許容量を超えたことに関する報知を行うようにしてもよい。報知は、例えば、警告メッセージを表示することにより行う。
これにより、スループットの低下（蓄積時間延長、リトライ計測）や、光学系ユニット不具合等を同時かつ早期に検知でき、生産計画に影響のない期間で装置改修等を行うことができるようになる。
【実施例】
【００１７】
以下に本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
［実施例１］
図１は、本発明の一実施例に係る計測装置およびマーク検出装置を備えた半導体露光装置の概略構成図である。同図は、ＴＴＲ方式でレチクルを保持し、かつ移動するレチクルステージ（原版ステージ）上のマークとウエハを保持し、かつ移動するウエハステージ（基板ステージ）上のマークの少なくとも一方を対象物として観察し、計測する場合を示している。レチクルステージおよびウエハステージのマークは、例えば各ステージに固定された基準プレート（第１の基準部材および第２の基準部材）に形成されている。
計測される値は、マークの明るさ、マークのコントラスト（デフォーカス量）、マークの位置である。なお、本発明は、明るさ、コントラスト、マーク位置の計測方法の詳細は重要ではなく、複数マーク同時計測時の蓄積型（ポジション）センサでの光蓄積手段を主題とするものである。よって、本実施例において、上記のマーク計測法の説明は省略する。
【００１８】
エキシマレーザ等のパルスレーザ（Ｌａｓｅｒ）１２は、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ２等が封入されたガスレーザであり、パルス化されたレーザ光を発生する光源（パルス発生装置）である。ここで発生されたパルス光は、光量加減手段（ＮＤフィルタ）１１に入射する。光量加減手段１１は、複数マーク計測に共通で使用可能に配置されている。最適化されたＮＤフィルタで光量調整されたビームは、ミラー４、５、６で反射され、ハーフミラー７、８を通過し、レチクルステージ１上のレチクル側マークＲＲ、ＲＬ（位置合わせマークまたはコントラスト計測マーク）に達する。さらに、光（ＮＤフィルタで光量調整されたビーム）は投影レンズ（投影光学系）２を通り、ウエハステージ上の基準プレート（第２の基準部材）３上のマークＷＲ、ＷＬ（位置合わせマークまたはコントラスト計測マーク）を照射する。
【００１９】
図１においてウエハ基準マークＷＲ、ＷＬで反射されたビームは投影レンズ２、レチクル基準マークＲＲ、ＲＬを通り、ハーフミラー７、８を通過して蓄積ポジションセンサであるＣＣＤカメラ９、１０（ｃａｍ１，２）の撮像面に入射する。このため、ＣＣＤカメラ９、１０では、ステージ基準マークＷＲ、ＷＬおよびレチクルマークＲＲ、ＲＬを同時に観察することができる。そして、この画像を処理することによりウエハステージおよびレチクルステージの相対位置（マーク位置）または各マークの明るさ（マーク光量）やコントラスト（マークコントラスト）を知ることができる。
【００２０】
計測対象のマークの種別や形状、ＣＣＤや光源の特性等によってそのマーク計測に必要な光量は予め決められている。したがって、蓄積中に必要なパルス数（Ｐ）から（蓄積型ポジションセンサの）蓄積時間（ＣＴ）とレーザ（パルス）発光周波数（ＬＦ）が次式によって決定される。（式１）において、Ｐは蓄積パルス数、ＬＦはレーザ周波数（発光パルスの周波数）［Ｈｚ］、ＣＴは蓄積時間［ｓｅｃ］である。
ＣＴ（ｓｅｃ）＝Ｐ／ＬＦ      ‥‥（式１）
【００２１】
レーザのパルス周波数は、ＣＣＤカメラ９、１０に蓄積させるパルス数によって求められ、制御装置（ｃｏｍ）１３によって制御される。ＣＣＤカメラ９、１０の蓄積時間は、ＣＣＤカメラ９、１０に蓄積されるパルス数によって求められ、制御装置１３より画像処理装置の制御部（ｐｒｏｃ）１９に伝えられ、同期信号発生制御装置（Ｓｙｎｃ）１４にセットされる。
【００２２】
図１の装置における画像の取り込みと、取り込み画像からのレチクル基準マークＲＲ、ＲＬ、ステージ基準マークＷＲ、ＷＬの計測は、以下のフロー（第１ステップ〜第８ステップ）で行われる。
第１ステップ：レチクルステージおよびウエハステージが所定の位置に到達する。
第２ステップ：予め設定されている蓄積時間ＣＴをｃｏｍ１３からｐｒｏｃ１９を介してＳｙｎｃ１４に至るルートで設定する。
第３ステップ：レーザ周波数（ＬＦ）はｃｏｍ１３からＬａｓｅｒ１２へ指令される。同時に、外部からレーザ制御された際に発光すべきパルス数（Ｐ）をｃｏｍ１３からＬａｓｅｒ１２に指令する（ダミーパルス発光ステップ）。
第４ステップ：計測コマンドをｃｏｍ１３からｐｒｏｃ１９に指令する。
第５ステップ：レーザ発振信号およびＣＣＤカメラ蓄積信号がＳｙｎｃ１４から発生される（計測パルス発光ステップ）。
第６ステップ：レーザ発光（Ｓｙｎｃ１４に設定された周波数（ＬＦ）で発光）と取り込み（蓄積型ポジションセンサで蓄積を開始）を行う。
第７ステップ：取り込まれた画像はビデオ信号として出力され、ＡＤコンバータ（ＡＤ）でアナログ信号（電気信号）からデジタル信号に変換される。
第８ステップ：デジタルデータをｐｒｏｃ１９で処理し、レチクル基準マークＲＲ、ＲＬ、ステージ基準マークＷＲ、ＷＬの位置計測が行われる。
【００２３】
上記フローによりレチクル基準マークＲＲ、ＲＬ、ステージ基準マークＷＲ、ＷＬの位置計測が行われる。次に、図１の装置における本発明に係る処理に関して、図２のフローで説明する。この処理は、複数マークの同時計測時（本実施例では、同時に計測する計測マークを２マークとする）の調光処理であり、上記の計測処理においては、第４ステップに先立って実行される。
ステップＳ１：最後に調光が成功した（前回ステップＳ４を実行したときに記憶した）光量加減手段（ＮＤフィルタ）を設定する。
ステップＳ２：上記の第３ステップで各計測マークに照射された光の反射光を、各センサで設定された蓄積時間取り込む。
ステップＳ３：取り込んだ各光量が、トレランス内（計測可能光量）か否かをチェックする。このチェックの結果に基づいてステップＳ４、Ｓ５およびＳ９のいずれかに分岐する。
【００２４】
ステップＳ４：Ｌ／Ｒ２つのマークからの各計測光量がトレランス内であれば、ＮＤフィルタの値（ＮＤ位置）を記憶し処理を終了する。
ステップＳ５：計測する２マークの計測光量が共にトレランス外であれば、トレランス値より次回調光時に必要な光量加減手段の設定値を決める。
ステップＳ６：光量加減手段の設定値変更が可能かチェックする。可能であればステップＳ７へ、設定変更が出来ない場合はステップＳ８へ進む。
ステップＳ７：光量加減手段設定値を変更し（ＮＤフィルタ切り替え）、ステップＳ２の処理へ戻る。
【００２５】
ステップＳ８：光量加減手段の設定値が変更できないので、現在の光量値から足りない光量値を求め、光の蓄積時間を再設定し、ステップＳ２の処理へ戻る。上記の再設定では、例えば、現在の設定蓄積時間に下記の（式２）で得られる延長蓄積時間を加算した時間を設定する。この場合、再設定された蓄積時間は、再設定前の２倍以上となる。（式２）において、Ａは蓄積パルス数（現在の設定蓄積時間に対応する発光パルス数）、Ｉは計測光量、Ｔはターゲット光量である。
延長蓄積時間：Ａ×（Ｔ／Ｉ）‥‥（式２）
【００２６】
ステップＳ９：計測する２マークの計測光量のどちらかがトレランス内であれば、トレランス内に収まったマークの調光を終了する。
ステップＳ１０：トレランス外となった計測マークの延長計測時間（蓄積時間）を前記（式２）により算出し、これを現在の設定蓄積時間に加算した時間を再設定する。
ステップＳ１１：２マーク同時計測処理において、同時計測マーク蓄積時間に差異が発生した場合、光学系ユニットの劣化（マーク、ミラー等の曇り含む）が原因と思われる。そこで、光学系ユニットの点検を促し、スループット低下を警告するメッセージを表示し、ステップＳ２の処理へ戻る。
【００２７】
図３は、２マーク（Ｌ／Ｒ）同時計測処理において、蓄積時間に差異が生じた場合の加算器（Ｓｕｍ１，２）１７、１８に取り込まれたマークＬとＲの計測光量の関係を示すグラフである。Ｌ側のマークは初期蓄積時間ｔＬでトレランス内に収まっている。また、Ｒ側のマークは蓄積時間ｔＲでトレランス内に収まることを示し、Ｒ側の延長蓄積時間は、ｔＲ−ｔＬで示される。
【００２８】
図４は、本発明で実施される蓄積時間を可変とした場合のレーザ発光と画像蓄積のタイミングを説明する図である。ＣＣＤカメラ（ｃａｍ１）９側の光学系ユニット劣化によりＣＣＤカメラ９の光の蓄積時間を、ＣＣＤカメラ（ｃａｍ２）１０の光の蓄積時間より、延長していることを示している。
【００２９】
本実施例の計測装置は、複数の計測対象に共通の光量加減手段機構を持ち、そこで調整されたレーザ光により複数マークの同時計測を行うものである。本実施例によれば、ある光学系ユニットの劣化（ガラス、レンズ、マークの曇り等も含む）が原因で、マーク計測が行えないことによる計測エラーを回避することができる。
また、各マークの蓄積時間に差が発生した場合、ユニット劣化起因の警告メッセージを表示することができる。
すなわち、本実施例によれば、あるマーク計測が行えないことによる装置のダウンタイムをなくすことができる。更に警告メッセージ表示により、スループット低下（蓄積時間延長、リトライ計測）、光学系ユニット不具合を同時（早期）に検知でき、生産計画に影響のない期間で装置改修等を行うことができる。
【００３０】
なお、上述においては、検出した光量が許容範囲内か否かにより、計測信号が適正か否かを判断しているが、計測対象（マーク等）の像のコントラスト等に基づいて判断してもよい。
また、上述においては、蓄積時間に差が生じた場合に警告を発するようにしているが、いずれかの蓄積型センサ（ＣＣＤカメラなど）の設定蓄積時間の変化分が予め定めた値より大きい場合に発するようにしてもよい。
さらに、上述においては、警告として、スループット低下を警告するメッセージを表示しているが、他のメッセージでもよく、または、ランプの点灯や点滅、音声、ブザーまたはサイレンによる警報等を行ってもよい。
【００３１】
［実施例２］
次に、上記の露光装置を利用した微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造プロセスを説明する。
図６は半導体デバイスの製造のフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスク（原版またはレチクルともいう）を製作する。
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクを設置した露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程である。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００３２】
上記ステップ４のウエハプロセスは、ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップステップを有する。また、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置を用いて、回路パターンを有するマスクを介し、レジスト処理ステップ後のウエハを露光する露光ステップを有する。さらに、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップを有する。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施例に係る半導体露光装置の概略構成図である。
【図２】図１の装置において、２計測マークの同時計測における蓄積時間の差異が発生した場合、一方の蓄積時間を可変とし、警告表示を行う処理を示すフローチャート図である。
【図３】図１の装置における、計測マーク毎の蓄積時間と光量、またその時のトレランス範囲を示すグラフ図である。
【図４】図１の装置における、蓄積時間を可変とした場合のレーザ発光および画像蓄積のタイミングを説明する図である。
【図５】従来のレーザ発光および画像蓄積のタイミングを説明する図である。
【図６】デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【符号の説明】
【００３４】
ＲＲ：レチクル基準マーク右側、ＲＬ：レチクル基準マーク左側、ＷＲ：ウエハ基準マーク右側、ＷＬ：ウエハ基準マーク左側、１：レチクル（レチクル基準プレート）、２：投影レンズ、３：ステージ基準プレート、４，５，６：ミラー、７，８：ハーフミラー、９，１０：ＣＣＤカメラ（ｃａｍ１、ｃａｍ２）、１１：光量加減手段（ＮＤフィルタ）、１２：エキシマレーザ（パルスレーザ：Ｌａｓｅｒ）、１３：露光制御装置（ｃｏｍ）、１４：同期信号発生装置（Ｓｙｎｃ）、１５，１６：ＡＤ変換機（ＡＤ１、ＡＤ２）、１７，１８：加算器（ｓｕｍ１、ｓｕｍ２）、１９：画像処理装置（ｐｒｏｃ）、２０，２１：光ファイバ（光学系ユニット）、２２：駆動手段（ｍｏｔｏｒ）、２３：干渉計（ｉｎｔｅｒ）、２４：ステージ制御装置（ＳＦ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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