(57)【要約】【課題】ＳＡＷ素子などのマイクロデバイスを封止する樹脂シートと基板の接着面積を縮小して高密度実装を実現できるマイクロデバイスモジュールとその製造方法を提供する。【解決手段】モジュール基板１０のマイクロデバイスマウント領域Ｒ１に第１電極１１が形成され、その外部の領域Ｒ２に第２電極１２が形成され、機能面に可動部または振動子が形成された機能素子と、機能面に形成されたバンプとを有するマイクロデバイス（２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ)が、バンプが第１電極１１に接続して、機能面がモジュール基板１０に接しないようにモジュール基板１０のマイクロデバイスマウント領域Ｒ１にマウントされ、機能面が封止されて中空部分Ｖが構成されるようにマイクロデバイスの機能面を除く面及びモジュール基板を被覆して、第２電極を露出させる開口部が形成されている、繊維に樹脂を含浸させてなる樹脂含浸シート３０が形成されている構成とする。【選択図】図１
2008010711.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュール基板と、
前記モジュール基板のマイクロデバイスマウント領域に形成された第１電極と、
前記モジュール基板の前記マイクロデバイスマウント領域の外部に形成された第２電極と、
機能面に可動部または振動子が形成された機能素子と、前記機能面に形成されたバンプとを有し、前記バンプが前記第１電極に接続して、前記機能面が前記モジュール基板に接しないように前記モジュール基板の前記マイクロデバイスマウント領域にマウントされたマイクロデバイスと、
前記機能面が封止されて中空部分が構成されるように前記マイクロデバイスの前記機能面を除く面及び前記モジュール基板を被覆して形成され、前記第２電極を露出させる開口部が形成されている、繊維に樹脂を含浸させてなる樹脂含浸シートと
を有するマイクロデバイスモジュール。
【請求項２】
前記モジュール基板に前記マイクロデバイスが複数個マウントされており、
前記樹脂含浸シートが前記複数個のマイクロデバイスを一括で封止するように形成されている
請求項１に記載のマイクロデバイスモジュール。
【請求項３】
前記第２電極の上層に前記第２電極に接続して、配線が形成されている、及び／または、電子部品が搭載されている
請求項１に記載のマイクロデバイスモジュール。
【請求項４】
前記モジュール基板の前記マイクロデバイスがマウントされた面の裏面に他の電子部品がマウントされている
請求項１に記載のマイクロデバイスモジュール
【請求項５】
前記中空部分が、真空、減圧、還元雰囲気、あるいは不活性ガス雰囲気に保持されている
請求項１に記載のマイクロデバイスモジュール。
【請求項６】
マイクロデバイスマウント領域に第１電極が形成され、前記マイクロデバイスマウント領域の外部に第２電極が形成されたモジュール基板の前記マイクロデバイスマウント領域に、機能面に可動部または振動子が形成された機能素子と、前記機能面に形成されたバンプとを有するマイクロデバイスを、前記バンプが前記第１電極に接続し、前記機能面が前記モジュール基板に接しないようにマウントする工程と、
繊維に樹脂を含浸させてなる樹脂含浸シートで前記マイクロデバイスの前記機能面を除く面及び前記モジュール基板を被覆し、前記機能面を封止して中空部分を構成する工程と、
前記樹脂含浸シートに前記第２電極を露出させる開口部を形成する工程と
を有するマイクロデバイスモジュールの製造方法。
【請求項７】
前記マイクロデバイスを前記モジュール基板にマウントする工程において、前記モジュール基板に複数個のマイクロデバイスをマウントし、
前記樹脂含浸シートで被覆する工程において、前記樹脂含浸シートで前記複数個のマイクロデバイスを一括で封止するように被覆する
請求項６に記載のマイクロデバイスモジュールの製造方法。
【請求項８】
前記開口部を形成する工程の後に、前記第２電極の上層に前記第２電極に接続して、配線を形成する工程、及び／または、電子部品を搭載する工程をさらに有する
請求項６に記載のマイクロデバイスモジュールの製造方法。
【請求項９】
前記モジュール基板の前記マイクロデバイスがマウントされた面の裏面に他の電子部品をマウントする工程をさらに有する
請求項６に記載のマイクロデバイスモジュールの製造方法
【請求項１０】
前記中空部分が、真空、減圧、還元雰囲気、あるいは不活性ガス雰囲気に保持されるように、前記樹脂含浸シートで被覆する工程を、真空、減圧、還元雰囲気、あるいは不活性ガス雰囲気下で行う
請求項６に記載のマイクロデバイスモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロデバイスモジュール及びその製造方法に関し、特に、圧電基板上にくし型電極部を有するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）素子あるいは機能面に可動部または振動子を持つＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）やＦ−ＢＡＲ（Thin Film Bulk Acoustic Wave Resonators）などのマイクロデバイスを内蔵してモジュール化されたマイクロデバイスモジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯電話をはじめとする携帯用電子機器は、持ち運びに便利なように小型軽量化が進められており、携帯用電子機器に搭載される電子部品も小型軽量化が促進されている。
電子部品の小型化に対しては、１つのデバイスの内部に複数のチップや部品を搭載する、いわゆる高密度実装モジュール化が大変有効であり、様々な研究開発が進められている。
【０００３】
一方、これらの携帯用電子機器に搭載される部品としては、圧電基板上にくし型電極部を有するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）素子あるいは機能面に可動部または振動子を持つＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）やＦ−ＢＡＲ（Thin Film Bulk Acoustic Wave Resonators）などのマイクロデバイスを内蔵してモジュール化されたマイクロデバイスモジュールも重要な部品であり、小型軽量化が進められている。
【０００４】
上記のマイクロデバイスは中空封止構造が必要であり、近年では特に複数のマイクロデバイスを中空封止して搭載する高密度実装型のマイクロデバイスモジュールの開発が重要となってきている。
【０００５】
特許文献１及び２は、単体のマイクロデバイスを樹脂シートなどの樹脂層で中空封止する技術を開示している。
しかし、特許文献１及び２の方法では、樹脂シートと基板との接着面積が大きく、しかもこの面積は他の部品を搭載できないので、高密度実装を実現する上では無駄な面積となってしまい、大きな障害となっている。
【特許文献１】特開平１０−１２５８２５号公報
【特許文献２】特願平９−５０４９７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、機能面に、ＭＥＭＳやＦ−ＢＡＲあるいはＳＡＷ素子などの振動子または可動部などを持つマイクロデバイスが組み込まれてモジュール化されたマイクロデバイスモジュールであって、マイクロデバイスを封止する樹脂シートと基板の接着面積を縮小して高密度実装を実現できるマイクロデバイスモジュール及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明のマイクロデバイスモジュールは、モジュール基板と、前記モジュール基板のマイクロデバイスマウント領域に形成された第１電極と、前記モジュール基板の前記マイクロデバイスマウント領域の外部に形成された第２電極と、機能面に可動部または振動子が形成された機能素子と、前記機能面に形成されたバンプとを有し、前記バンプが前記第１電極に接続して、前記機能面が前記モジュール基板に接しないように前記モジュール基板の前記マイクロデバイスマウント領域にマウントされたマイクロデバイスと、前記機能面が封止されて中空部分が構成されるように前記マイクロデバイスの前記機能面を除く面及び前記モジュール基板を被覆して形成され、前記第２電極を露出させる開口部が形成されている、繊維に樹脂を含浸させてなる樹脂含浸シートとを有する。
【０００８】
上記の本発明のマイクロデバイスモジュールは、モジュール基板のマイクロデバイスマウント領域に第１電極が形成され、モジュール基板のマイクロデバイスマウント領域の外部に第２電極が形成され、機能面に可動部または振動子が形成された機能素子と、機能面に形成されたバンプとを有するマイクロデバイスが、バンプが第１電極に接続して、機能面がモジュール基板に接しないようにモジュール基板のマイクロデバイスマウント領域にマウントされている。
また、機能面が封止されて中空部分が構成されるようにマイクロデバイスの機能面を除く面及びモジュール基板を被覆して、第２電極を露出させる開口部が形成されている、繊維に樹脂を含浸させてなる樹脂含浸シートが形成されている。
【０００９】
また、上記の課題を解決するため、本発明のマイクロデバイスモジュールの製造方法は、マイクロデバイスマウント領域に第１電極が形成され、前記マイクロデバイスマウント領域の外部に第２電極が形成されたモジュール基板の前記マイクロデバイスマウント領域に、機能面に可動部または振動子が形成された機能素子と、前記機能面に形成されたバンプとを有するマイクロデバイスを、前記バンプが前記第１電極に接続し、前記機能面が前記モジュール基板に接しないようにマウントする工程と、繊維に樹脂を含浸させてなる樹脂含浸シートで前記マイクロデバイスの前記機能面を除く面及び前記モジュール基板を被覆し、前記機能面を封止して中空部分を構成する工程と、前記樹脂含浸シートに前記第２電極を露出させる開口部を形成する工程とを有する。
【００１０】
上記の本発明のマイクロデバイスモジュールの製造方法は、まず、マイクロデバイスマウント領域に第１電極が形成され、マイクロデバイスマウント領域の外部に第２電極が形成されたモジュール基板を用意する。
次に、モジュール基板のマイクロデバイスマウント領域に、機能面に可動部または振動子が形成された機能素子と、機能面に形成されたバンプとを有するマイクロデバイスを、バンプが第１電極に接続し、機能面がモジュール基板に接しないようにマウントする。
次に、繊維に樹脂を含浸させてなる樹脂含浸シートでマイクロデバイスの機能面を除く面及びモジュール基板を被覆し、機能面を封止して中空部分を構成する。
次に、樹脂含浸シートに第２電極を露出させる開口部を形成する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のマイクロデバイスモジュールは、機能面に、ＭＥＭＳやＦ−ＢＡＲあるいはＳＡＷ素子などの振動子または可動部などを持つマイクロデバイスが組み込まれてモジュール化されたマイクロデバイスモジュールであって、モジュール基板にマウントされたマイクロデバイスを封止する樹脂含浸シートに第２電極を露出させる開口部が形成されており、マイクロデバイスを封止する樹脂シートと基板の接着面積を縮小して高密度実装を実現できる。
【００１２】
また、本発明のマイクロデバイスモジュールの製造方法は、機能面に、ＭＥＭＳやＦ−ＢＡＲあるいはＳＡＷ素子などの振動子または可動部などを持つマイクロデバイスが組み込まれてモジュール化されたマイクロデバイスモジュールの製造方法であって、モジュール基板にマウントされたマイクロデバイスを樹脂含浸シートで封止し、この樹脂含浸シートに第２電極を露出させる開口部を形成しており、第２電極にさらなる配線や電子部品を搭載可能となり、マイクロデバイスを封止する樹脂シートと基板の接着面積を縮小して高密度実装を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態に係るマイクロデバイスモジュール及びその製造方法について図面を参照して説明する。
【００１４】
図１（ａ）は本実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの斜視図であり、図１（ｂ）は断面図である。本実施形態に係るマイクロデバイスモジュールは、例えば、ＳＡＷ素子、ＭＥＭＳあるいはＦ−ＢＡＲなどの可動部または振動子を持つ機能素子を備えたマイクロデバイスがモジュール化されたものである。
例えば０．３ｍｍの樹脂基板などからなるモジュール基板１０の一方の面上におけるマイクロデバイスマウント領域Ｒ１に第１電極１１が形成されており、マイクロデバイスマウント領域の外部の領域Ｒ２に第２電極１２が形成されている。第１電極１１及び第２電極１２は、例えば３０μｍの厚みを有する。
機能面に可動部または振動子が形成された機能素子を有する複数個（例えば３個）のマイクロデバイス（２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ）がモジュール基板１０のマイクロデバイスマウント領域Ｒ１にマウントされている。
【００１５】
ここで、上記のマイクロデバイスについて説明する。図２は、図１のマイクロデバイスモジュールでモジュール化されているマイクロデバイスの断面図であり、代表的にＳＡＷ素子を示しているが、ＳＡＷ素子、ＭＥＭＳあるいはＦ−ＢＡＲなど、特に限定されるものではない。
【００１６】
図２に示すように、例えば、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、水晶などの圧電基板２０の機能面上に、くし型電極２１が形成されてＳＡＷ素子などの機能素子が構成されている。また、機能素子が形成された機能面において、機能素子などに接続して形成されたアルミニウムなどからなるパッド電極２２が形成されており、パッド電極２２上にバンプ（突起電極）２３が形成されている。さらに、不図示の保護膜などが形成されていてもよい。
上記のＳＡＷ素子が形成されたマイクロデバイスは、例えば１×２ｍｍ、１２５μｍ厚さであり、マイクロデバイスに形成されたバンプ２３は例えば径が２００μｍ、高さが６０μｍのはんだバンプである。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、上記のような構成の複数個（例えば３個）のマイクロデバイス（２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ）が、バンプが第１電極１１に接続し、機能面がモジュール基板１０に接しないように、モジュール基板１０のマイクロデバイスマウント領域Ｒ１にマウントされている。
【００１８】
また、マイクロデバイス（２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ）の機能面を除く面及びモジュール基板１０を被覆して、繊維に樹脂を含浸させてなる樹脂含浸シート３０が形成されており、中空部分Ｖが構成されて、マイクロデバイス（１０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ）の機能面が封止されている。
ここで、本実施形態においては、モジュール基板１０に複数個（例えば３個）のマイクロデバイス（２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ）がマウントされているが、樹脂含浸シート３０は複数個のマイクロデバイス（２０Ａ，２０Ｂ、２０Ｃ）を一括で封止するように形成されている。
【００１９】
上記の樹脂含浸シート３０は、例えば炭素繊維やガラス繊維などの繊維または一方向に引き揃えた繊維にエポキシ樹脂などの各種樹脂を含浸させたものであり、例えば、自身の形状を保つ程度となっているが完全硬化はしておらず、反応性を有している状態（いわゆるＢ状態）でシート状に成形されたプリプレグを、上記の形状にして封止した後に硬化して得られた膜である。
【００２０】
また、マイクロデバイスマウント領域の外部の領域Ｒ２において、樹脂含浸シート３０に、第２電極を露出させる開口部Ｈが形成されており、また、マイクロデバイスマウント領域の外部の領域Ｒ２における開口部Ｈの上方において、枠状基板４０がマウントされている。
例えば、枠状基板４０は両面に電極（４１，４２）が形成され、両電極（４１，４２）を接続するように枠状基板４０を貫通する貫通配線４３が形成され、さらに一方の電極４２側の表面にソルダーレジスト４４が形成されて構成されている。
上記の構成の枠状基板４０の電極４１が、はんだ層４５により、開口部Ｈから露出しているモジュール基板１０の第２電極１２に接続されている。
【００２１】
上記のように第２電極１２の上層に枠状基板４０の配線が第２電極１２に接続して形成されている構成のほか、第２電極１２に電子部品が搭載されている構成とすることもできる。また、配線が形成され、さらに電子部品が搭載されている構成とすることもできる。
【００２２】
また、モジュール基板のマイクロデバイスがマウントされた面の裏面には、裏面電極１３などが形成され、モジュール基板１０を貫通する貫通配線１４により、第２電極１２と裏面電極１３などが接続されている。また、裏面電極１３が形成された領域を除いて、ソルダーレジスト１５が形成されている。裏面電極１３は、例えば３０μｍの厚みを有する。
【００２３】
また、モジュール基板１０のマイクロデバイス（２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ）がマウントされた面の裏面に、他の電子部品（５０，５１）がマウントされていてもよい。
例えば、リードフレームでパッケージ化された電子部品５０のリード５０ａが裏面電極１３に接続されている構成、あるいは電子部品５１の端子５１ａが直接裏面電極１３に接続された構成などとすることができる。
【００２４】
上記の樹脂含浸シート３０で封止された中空部分Ｖは、例えば、真空、減圧、還元雰囲気、あるいは不活性ガス雰囲気に保持されている。
一般に、ＳＡＷ素子、ＭＥＭＳあるいはＦ−ＢＡＲなどのマイクロデバイスは、素子が厚い保護膜などで被服される構成とはなっていないので、素子の耐久性及び信頼性を高めるために上記の各雰囲気に保持することが好ましい。
【００２５】
本実施形態において、第１電極、第２電極及び裏面電極としては、電極と称しているが、配線そのものであるような構成、あるいは、配線の一部が素子などをマウントするためのランドとなっている構成なども含む。
【００２６】
上記の構成の本実施形態に係るマイクロデバイスモジュールは、枠状基板４０に形成された電極４２側から、他の実装基板などに実装して用いることができる。
【００２７】
上記の本実施形態のマイクロデバイスモジュールは、機能面に、ＭＥＭＳやＦ−ＢＡＲあるいはＳＡＷ素子などの振動子または可動部などを持つマイクロデバイスが組み込まれてモジュール化されたマイクロデバイスモジュールであって、モジュール基板にマウントされたマイクロデバイスを封止する樹脂含浸シートに第２電極を露出させる開口部が形成されており、マイクロデバイスを封止する樹脂シートと基板の接着面積を縮小して高密度実装を実現できる。
【００２８】
次に、本実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの製造方法について説明する。
本実施形態に係る製造方法においては、複数個のマイクロデバイスモジュールを一体化して製造し、最後に個片化する方法で製造する。
【００２９】
まず、図３（ａ）の断面図に示すように、例えば、複数個のマイクロデバイスモジュール用のモジュール基板を一体化してなるモジュール基板１０を用意する。
モジュール基板１０の一方の面において、マイクロデバイスマウント領域Ｒ１に第１電極１１が形成されており、マイクロデバイスマウント領域の外部の領域Ｒ２に第２電極１２が形成されている。
また、モジュール基板のマイクロデバイスマウント領域Ｒ１を有する面の裏面には、裏面電極１３が形成され、モジュール基板１０を貫通する貫通配線１４により、第２電極１２と裏面電極１３などが接続されている。また、裏面電極１３が形成された領域を除いて、ソルダーレジスト１５が形成されている。マイクロデバイスの形成面は、ソルダーレジストを形成しないようにする。
【００３０】
次に、機能面に可動部または振動子が形成された機能素子を有する複数個（例えば３個）のマイクロデバイス（２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ）をモジュール基板１０のマイクロデバイスマウント領域Ｒ１にマウントする。ここで、必要に応じてフラックスの洗浄を行う。
ここでは、マイクロデバイス（２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ）のバンプが第１電極１１に接続し、機能面がモジュール基板１０に接しないようにマウントする。マイクロデバイスのバンプがはんだバンプの場合にはリフローなどでマウントされ、あるいは、金などのスタッドバンプを用いた超音波接合によるマウントや、熱圧着によるマウントなどであってもよい。
【００３１】
上記のようにしてマウントした結果、図３（ｂ）の断面図及び図４の斜視図に示す状態となる。
【００３２】
次に、図５（ａ）の断面図に示すように、樹脂含浸シート３０として、例えば炭素繊維やガラス繊維などの繊維または一方向に引き揃えた繊維にエポキシ樹脂などの各種樹脂を含浸させたものであって、自身の形状を保つ程度となっているが完全硬化はしておらず、反応性を有している状態（いわゆるＢ状態）でシート状に成形された、いわゆるプリプレグを用意し、マイクロデバイスマウント領域に対応する凹部が形成された金型３２を用いて、たとえば０．５〜５ｍｍの厚みのシリコン樹脂シート３１を介してプリプレグ（樹脂含浸シート３０）を押圧する。シリコン樹脂シート３１を介することで、樹脂含浸シート３０の離型がよくなり、効率的に成形を行うことができる。
プリプレグとしては、例えば、日立化成社製のＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧ（商品名）を用いることができる。この場合には、１〜１００ｍｍＨｇ、１００〜１５０℃、１０〜１００Ｋｇ重／１０ｃｍ□、３０分〜２時間の処理を行う。
なお、ガラス繊維を有するプリプレグは強度が強く、マイクロデバイスの角部があたっても破れにくいという特徴を有する。
【００３３】
上記の結果、図５（ｂ）の断面図に示すように、プリプレグ（樹脂含浸シート３０）でマイクロデバイス（２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ）の機能面を除く面及びモジュール基板１０を被覆し、機能面を封止して中空部分Ｖを構成することができる。
上記のように金型を押圧した状態で所定の温度以上に加熱し、プリプレグ（樹脂含浸シート３０）を硬化させることができる。あるいは、金型をリリースした後で、熱を印加して硬化させることもできる。
【００３４】
ここで、本実施形態においては、モジュール１つあたりモジュール基板１０に複数個（例えば３個）のマイクロデバイス（２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ）をマウントしているが、樹脂含浸シート３０により複数個のマイクロデバイス（２０Ａ，２０Ｂ、２０Ｃ）を一括で封止することができる。これは、樹脂含浸シートの樹脂成分の粘性が高く、複数個のマイクロデバイスの間隙から中空部分となる内側に流れ出すことを防止することができるために実現できる。
【００３５】
上記の金型をリリースすると、図６（ａ）の断面図及び図７（ａ）の斜視図に示す状態となる。
次に、図６（ｂ）の断面図及び図７（ｂ）の斜視図に示すように、樹脂含浸シート３０に第２電極１２を露出させる開口部Ｈを形成する。
ここでは、例えばＣＯ２レーザ光を照射して、径が２５０μｍの開口部Ｈを形成する。例えば、０．１ｍｍ程度の厚みのプリプレグは、ＣＯ２レーザ光により容易に貫通する開口部を形成することができる。プリプレグの下部の電極は金属層であり、高い反射率を有するので、レーザ光を反射するので電極表面で開口が停止する。ＣＯ２レーザ光は出力が高いので広い開口部を形成するのに適している。
この後、必要に応じて、デスミヤと呼ばれる洗浄工程を行って開口部の内部を洗浄する。
【００３６】
次に、図８（ａ）の断面図に示すように、マイクロデバイスマウント領域の外部の領域Ｒ２において、開口部Ｈの上方に枠状基板４０をマウントする。枠状基板４０も、複数個のマイクロデバイスモジュール用の枠状基板を一体化してなる枠状基板４０であり、マイクロデバイスをマウントし、樹脂含浸シートで被覆してなる凸部に対応する貫通部Ｔが形成された形状となっている。
上記の貫通部Ｔを、マイクロデバイスをマウントし、樹脂含浸シートで被覆して構成される凸部に嵌合させて、枠状基板４０をマウントする。
【００３７】
上記の枠状基板のマウントの結果、図９（ａ）の断面図に示す状態となる。
例えば、枠状基板４０は両面に電極（４１，４２）が形成され、両電極（４１，４２）を接続するように枠状基板４０を貫通する貫通配線４３が形成され、さらに一方の電極４２側の表面にソルダーレジスト４４が形成された構成であり、上記の構成の枠状基板４０の電極４１を、はんだ層４５により、開口部Ｈから露出しているモジュール基板１０の第２電極１２に接続する。枠状基板についても、一方の面のみソルダーレジストを形成しておき、貫通部Ｔは打ち抜きなどで形成しておく。
【００３８】
枠状基板４０は、例えば０．２ｍｍの厚みであり、予め形成したアライメントマークなどを用いて位置合わせしてマウントし、例えば５０〜１００μｍの厚みのはんだ層４５によりリフロー処理などで接続する。
また、マイクロデバイスをマウントし、樹脂含浸シートで被覆してなる凸部と、枠状基板４０の貫通部の内壁の間隙は、例えば０．１〜０．３ｍｍ程度とする。本実施形態においては、マイクロデバイスをマウントし、樹脂含浸シートで被覆してなる凸部に対して０．１〜０．３ｍｍ程度の狭い間隙で枠状基板などをマウント可能であるので、実装密度を向上できる。
【００３９】
次に、図９（ｂ）に示すように、モジュール基板１０のマイクロデバイス（２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ）がマウントされた面の裏面において、リードフレームでパッケージ化された電子部品５０のリード５０ａを裏面電極１３に接続し、あるいは電子部品５１の端子５１ａを直接裏面電極１３に接続して、電子部品（５０，５１）をマウントする。
【００４０】
上記の枠状基板のマウント及び裏面への電子部品のマウントの結果、図１０の斜視図に示す状態となる。
この後の工程としては、個片化（ダイシング）処理により、個々のマイクロデバイスモジュール毎に切断して、図１（ａ）及び（ｂ）に示すマイクロデバイスモジュールを製造することができる。
【００４１】
上記のように第２電極１２の上層に枠状基板４０の配線が第２電極１２に接続して形成するほか、第２電極１２に電子部品を搭載してもよい。また、配線を形成し、さらに電子部品を搭載することもできる。
【００４２】
また、上記の樹脂含浸シート３０で封止された中空部分Ｖを、例えば、真空、減圧、還元雰囲気、あるいは不活性ガス雰囲気に保持されるように、樹脂含浸シートで被覆する工程を、真空、減圧、還元雰囲気、あるいは不活性ガス雰囲気下で行うことができる。
【００４３】
上記の本実施形態のマイクロデバイスモジュールの製造方法によれば、機能面に、ＭＥＭＳやＦ−ＢＡＲあるいはＳＡＷ素子などの振動子または可動部などを持つマイクロデバイスが組み込まれてモジュール化されたマイクロデバイスモジュールの製造方法であって、モジュール基板にマウントされたマイクロデバイスを樹脂含浸シートで封止し、この樹脂含浸シートに第２電極を露出させる開口部を形成しており、第２電極にさらなる配線や電子部品を搭載可能となり、マイクロデバイスを封止する樹脂シートと基板の接着面積を縮小して高密度実装を実現できる。
【００４４】
また、中空封止する樹脂含浸シートとして、プリプレグは開口部の形成が容易である。さらに、プリプレグの材料コストは非常に安価であるので、従来技術よりも大幅にコストを抑制することができる。
また、中空封止する樹脂含浸シートとして、例えばガラス織物にエポキシ樹脂が含浸されてなるプリプレグは、加熱加圧時の樹脂の流れ込みが少なく、封止工程においてマイクロデバイスの機能面側に樹脂が流れ込むなどの不良が起こりにくいので、高歩留りを実現できる。
【００４５】
本発明は上記の実施形態に限定されない。
例えば、ＳＡＷ素子の他、ＭＥＭＳやＦ−ＢＡＲなどの機能素子を有するマイクロデバイスを内蔵したモジュールとすることも可能である。
マイクロデバイスマウント領域の外部の領域においては、枠状基盤や電子部品など種々の部品をマウントできる。
その他、本発明の観点を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明のマイクロデバイスモジュールは、ＳＡＷ素子、ＭＥＭＳあるいはＦ−ＢＡＲなどの機能面に可動部または振動子を持つマイクロデバイスをパッケージ化したモジュールなどに適用できる。
本発明のマイクロデバイスモジュールの製造方法は、ＳＡＷ素子、ＭＥＭＳあるいはＦ−ＢＡＲなどの機能面に可動部または振動子を持つマイクロデバイスをパッケージ化したモジュールを製造する方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１（ａ）は本発明の実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの斜視図であり、図１（ｂ）は断面図である。
【図２】図２は、図１のマイクロデバイスモジュールでモジュール化されているマイクロデバイスの断面図である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの製造方法の製造工程を示す断面図である。
【図４】図４は本発明の実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの製造方法の製造工程を示す斜視図である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの製造方法の製造工程を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの製造方法の製造工程を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの製造方法の製造工程を示す斜視図である。
【図８】図８は本発明の実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの製造方法の製造工程を示す斜視図である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの製造方法の製造工程を示す断面図である。
【図１０】図１０は本発明の実施形態に係るマイクロデバイスモジュールの製造方法の製造工程を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０…モジュール基板、１１…第１電極、１２…第２電極、１３…裏面電極、１４…貫通配線、１５…ソルダーレジスト、２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ…マイクロデバイス、２１…くし型電極、２２…パッド電極、２３…バンプ、３０…樹脂含浸シート、３１…シリコン樹脂シート、３２…金型、４０…枠状基板、４１，４２…電極、４３…貫通配線、４４…ソルダーレジスト、４５…はんだ層、５０…電子部品、５０ａ…リード、５１…電子部品、５１ａ…端子、Ｈ…開口部、Ｒ１…マイクロデバイスマウント領域、Ｒ２…マイクロデバイスマウント領域の外部の領域、Ｔ…貫通部、Ｖ…中空部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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