(57)【要約】【課題】パネル面内電極に対し、その抵抗値をほぼ均一に形成することができると共に、高抵抗化を実現するタッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置を提供する。【解決手段】パネルのタッチ面に接触物を接触させてそのタッチ面における接触位置を検出するタッチパネルであって、絶縁性基板と、絶縁性基板上の少なくともタッチ面対応領域に広がるように設けられ、且つ、少なくとも一方の表面に抵抗調整部が形成された電極と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パネルのタッチ面に接触物を接触させてそのタッチ面における接触位置を検出するタッチパネルであって、
絶縁性基板と、
上記絶縁性基板上の少なくともタッチ面対応領域に広がるように設けられ、且つ、少なくとも一方の表面に抵抗調整部が形成された電極と、
を備えたタッチパネル。
【請求項２】
請求項１に記載されたタッチパネルにおいて、
上記抵抗調整部は、上記電極表面に形成された凹凸面で構成されているタッチパネル。
【請求項３】
請求項２に記載されたタッチパネルにおいて、
上記凹凸面の凹部は、上記電極表面に形成された溝で構成されているタッチパネル。
【請求項４】
請求項３に記載されたタッチパネルにおいて、
上記溝が上記電極表面に格子状に設けられているタッチパネル。
【請求項５】
請求項２に記載されたタッチパネルにおいて、
上記凹凸面の凹部は、上記電極の厚さ方向に形成された貫通孔で構成されているタッチパネル。
【請求項６】
請求項２に記載されたタッチパネルにおいて、
上記凹凸面の凹部の側面は、該凹部が形成された電極の表面に向かって広がるように傾斜しているタッチパネル。
【請求項７】
請求項２に記載されたタッチパネルにおいて、
上記凹凸面が、それぞれ上記電極の表面に規則的に形成されているタッチパネル。
【請求項８】
請求項２に記載されたタッチパネルにおいて、
上記凹凸面の凹部及び凸部が不規則に形成されてなる凹凸セルが、上記電極の表面に規則的に複数形成されているタッチパネル。
【請求項９】
請求項１に記載されたタッチパネルにおいて、
上記抵抗調整部が上記電極の両表面に形成されているタッチパネル。
【請求項１０】
請求項１に記載されたタッチパネルにおいて、
上記電極が透明導電材料で形成されているタッチパネル。
【請求項１１】
請求項１０に記載されたタッチパネルにおいて、
上記透明導電材料がＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＳｎＯ２のうちの少なくとも一つで構成されているタッチパネル。
【請求項１２】
請求項１に記載されたタッチパネルにおいて、
上記電極が矩形状に形成されていると共に、
上記矩形状に形成された電極の四隅にそれぞれ該電極に流れる電流を検知する電流検知手段が電気的に接続されているタッチパネル。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかに記載されたタッチパネルを備えた表示装置
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶表示装置等の入力手段の一つとして、液晶表示素子等の表示素子上に取り付けられるタッチパネルが研究・開発されている。この種のタッチパネルは、通常、パネル面に接触物が接触した際に生じる静電容量の変化に影響された電気信号によってその接触位置を検知するために、ガラス基板等の絶縁性基板上に形成された平板状の電極を備えている。
【０００３】
上述したタッチパネルに用いられるパネル面内の電極は、高抵抗や高透過率という性能が要求されるため、一般的に、ＩＴＯ膜等の薄膜透明導電膜（膜厚１００Å程度）が主に用いられている。
【０００４】
また、このような電極を用いた従来のタッチパネルとして、例えば、特許文献１には、絶縁性基板と、基板の一方の表面上の抵抗コーティングと、抵抗コーティング上の保護コーティングと、保護コーティング上に複数の端部電極を有し抵抗コーティングまで延在してこれと電気的接触を形成する導電性端部電極パターンと、を包含するものが開示されている。そして、これによれば、十分に緻密化されたハードコートを有するタッチパネルを提供することができる、と記載されている。
【特許文献１】特表2004-537107号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したタッチパネルにおいて、パネル面内の電極を薄膜にすればするほど、その製造時において電極を所望の膜厚にすることが困難となると共に耐熱抵抗安定性、耐候性が劣る。このため、パネル面内の抵抗値を均一にまた安定して形成することが困難となり、タッチパネルの品質に問題が生じるおそれがある。
【０００６】
このような問題は、電極の膜厚を例えば２００〜３００Å等に形成して、ある程度の膜厚を確保することにより改善するが、電極の膜厚を厚くすると、タッチパネルの電極に要求される高抵抗性及び高透過性が低下するという問題が生じる。
【０００７】
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、パネル面内電極に対し、その抵抗値をほぼ均一にまた安定して形成することができると共に、高抵抗化並びに高透過率化を実現するタッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るタッチパネルは、パネルのタッチ面に接触物を接触させてそのタッチ面における接触位置を検出するタッチパネルであって、絶縁性基板と、絶縁性基板上の少なくともタッチ面対応領域に広がるように設けられ、且つ、少なくとも一方の表面に抵抗調整部が形成された電極と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
このような構成によれば、パネルのタッチ面対応領域に広がるように設けられた電極の少なくとも一方の表面に抵抗調整部が形成されているため、ある程度の膜厚を確保してパネル面内電極の抵抗値を均一に形成することができると共に、電極表面の抵抗を調整することにより、高抵抗化を実現することができる。
【００１０】
また、本発明に係るタッチパネルは、抵抗調整部が、電極表面に形成された凹凸面で構成されていてもよい。
【００１１】
このような構成によれば、抵抗調整部が、電極表面に形成された凹凸面で構成されているため、凹部の形成されていないフラットな表面で形成されたものに比べて光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能がより良好となる。また、これによって電極表面に防眩性も付与することができる。
【００１２】
さらに、本発明に係るタッチパネルは、凹凸面の凹部が、電極表面に形成された溝で構成されていてもよい。
【００１３】
このような構成によれば、凹凸面の凹部が、電極表面に形成された溝で構成されているため、パターニング等の通常の電極形成処理によって簡易に電極表面に凹凸面を形成することができる。
【００１４】
また、本発明に係るタッチパネルは、溝が電極表面に格子状に設けられていてもよい。
【００１５】
このような構成によれば、溝が電極表面に格子状に設けられているため、電極表面全体に亘って抵抗値を均一化することができ、タッチパネルの接触位置検知性能が良好となる。
【００１６】
さらに、本発明に係るタッチパネルは、凹凸面の凹部が、電極の厚さ方向に形成された貫通孔で構成されていてもよい。
【００１７】
このような構成によれば、凹凸面の凹部が、電極の厚さ方向に形成された貫通孔で構成されているため、光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能がより良好となる。また、これによって電極表面に防眩性も付与することができる。
【００１８】
また、本発明に係るタッチパネルは、凹凸面の凹部の側面が、凹部が形成された電極の表面に向かって広がるように傾斜していてもよい。
【００１９】
このような構成によれば、凹凸面の凹部の側面が、凹部が形成された電極の表面に向かって広がるように傾斜しているため、電極上に設ける保護膜等を傾斜した側面に沿って凹部に隙間無く埋設することができる。
【００２０】
さらに、本発明に係るタッチパネルは、凹凸面が、それぞれ電極の表面に規則的に形成されていてもよい。
【００２１】
このような構成によれば、凹凸面が、それぞれ電極の表面に規則的に形成されているため、電極表面全体に亘って抵抗値を均一化することができ、タッチパネルの接触位置検知性能が良好となる。さらに、電極において局所的に光の透過率が偏っている部分がないため、パネル面の表示性能が良好となる。
【００２２】
また、本発明に係るタッチパネルは、凹凸面の凹部及び凸部が不規則に形成されてなる凹凸セルが、電極の表面に規則的に複数形成されていてもよい。
【００２３】
このような構成によれば、凹凸面の凹部及び凸部が不規則に形成されてなる凹凸セルが電極表面に形成されているため、電極の光反射パターン、光透過パターン、又は、光回折パターン等が不規則となる。従って、電極表面にモアレ縞が発生するのを抑制することができる。また、このような凹凸セルが電極表面に規則的に複数形成されているため、電極表面全体としては凹凸が規則的に形成されていることになる。従って、パネル面の表示性能が良好となる。
【００２４】
さらに、本発明に係るタッチパネルは、抵抗調整部が電極の両表面に形成されていてもよい。
【００２５】
このような構成によれば、抵抗調整部が電極の両表面に形成されているため、所望の抵抗値及び光の透過率をより精度良く電極に形成することができる。
【００２６】
また、本発明に係るタッチパネルは、電極が透明導電材料で形成されていてもよい。
【００２７】
このような構成によれば、電極が透明導電材料で形成されているため、光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能が良好となる。
【００２８】
さらに、本発明に係るタッチパネルは、透明導電材料がＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＳｎＯ２のうちの少なくとも一つで構成されていてもよい。
【００２９】
このような構成によれば、透明導電材料がＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＳｎＯ２のうちの少なくとも一つで構成されているため、光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能が良好となる。
【００３０】
また、本発明に係るタッチパネルは、電極が矩形状に形成されていると共に、矩形状に形成された電極の四隅にそれぞれ電極に流れる電流を検知する電流検知手段が電気的に接続されていてもよい。
【００３１】
このような構成によれば、矩形状に形成され、その四隅に電流検知手段が電気的に接続されたタッチパネルの電極に対し、ある程度の膜厚を確保してパネル面内電極の抵抗値を均一に形成することができると共に、電極表面の抵抗を調整することにより、高抵抗化を実現することができる。
【００３２】
本発明に係る表示装置は、上述したタッチパネルを備えたことを特徴とする。
【００３３】
このような構成によれば、パネルのタッチ面対応領域に広がるように設けられた電極の少なくとも一方の表面に抵抗調整部が形成されているため、ある程度の膜厚を確保してパネル面内電極の抵抗値を均一に形成することができると共に、電極表面の抵抗を調整することにより高抵抗化を実現するタッチパネルを備えた表示装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、パネル面内電極に対し、その抵抗値をほぼ均一にまた安定して形成することができると共に、高抵抗化並びに高透過率化を実現するタッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
（実施形態１）
本実施形態１に係るタッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置について、液晶表示装置を例にして、図面を用いて詳細に説明する。
【００３６】
（タッチパネル１０の構成）
図１は本発明の実施形態１に係るタッチパネル１０の平面図（保護膜は省略）を、図２は、図１のタッチパネル１０平面のII−II線における断面図を示す。
【００３７】
タッチパネル１０は、絶縁性基板１１と、絶縁性基板１１上に形成されたパネル面内電極１２と、パネル面内電極１２上の四辺に額縁を構成するように配設された額縁配線１３と、絶縁性基板１１上に形成されてパネル面内電極１２の四隅に電気的に接続する外側配線１４（電流検知手段）と、絶縁性基板１１上において、パネル面内電極１２、額縁配線１３及び外側配線１４を覆うように形成された保護膜１５と、で構成されている。
【００３８】
絶縁性基板１１は、ガラス又は樹脂等の絶縁性材料を用いて矩形状に形成されている。
【００３９】
パネル面内電極１２は、プラチナ、金、白金、銀、銅、アルミニウム又はパラジウム等の金属、或いは、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＺｎＯ又はＳｎＯ２等の透明導電材料、さらには、高分子導電材料等を用いて形成されている。パネル面内電極１２は、タッチパネル１０のタッチ面を覆うように、即ち、タッチ面対応領域１６に配置されており、矩形状に形成されている。パネル面内電極１２は、複数の矩形状の切り欠き１７（貫通孔）を有する格子状に形成されている。パネル面内電極１２の表面は、この切り欠き１７で構成された凹部と、それ以外のフラットな部分で構成された凸部とで、凹凸面１８（抵抗調整部）が形成されている。パネル面内電極１２は、厚さが、例えば３００Å程度に形成されている。また、この場合、パネル面内電極１２は、抵抗値及び透過率をより良好なものにするために、フラットな部分で構成された凸部の面積が、パネル面内電極１２の表面の面積に対して３０〜５０％程度に形成されているのが好ましく、特に４０％程度に形成されているのが最適である。
【００４０】
格子状に形成されたパネル面内電極１２の斜視図を図３に示す。図３において、パネル面内電極１２の格子を構成する各線の線幅Ａは、例えば５０μｍに、ピッチ間隔Ｂは、例えば８５μｍに形成されている。
【００４１】
額縁配線１３は、矩形状に形成されたパネル面内電極１２上であって、パネル面内電極１２の四辺に沿って額縁を構成するように配設されている。額縁配線１３は、導電層２０と、導電層２０上に形成された保護層２１と、で構成されている。
【００４２】
額縁配線１３の導電層２０は、プラチナ、金、白金、銀、銅、アルミニウム又はパラジウム等の金属、或いは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ又はＳｎＯ２等の透明導電材料、さらには、高分子導電材料等を用いて形成されている。額縁配線１３の導電層２０は、厚さが、例えば２０００Å程度に形成されている。
【００４３】
額縁配線１３の保護層２１は、導電層２０を腐蝕等から保護するものであればどのようなものでもよく、例えば、窒化チタン等を用いて形成されている。額縁配線１３の保護層２１は、厚さが、例えば１０００Å程度に形成されている。
【００４４】
外側配線１４は、それぞれ、絶縁性基板１１上であって、パネル面内電極１２の四隅に電気的に接続された４本の配線で構成されている。外側配線１４は、一端がパネル面内電極１２の四隅のいずれかに電気的に接続されており、他端がそれぞれ同一方向へ向かい、後述の駆動回路１９に電気的に接続されている。外側配線１４は、額縁配線１３と同様に、導電層２０と、導電層２０上に形成された保護層２１と、で構成されている。外側配線１４の導電層２０及び保護層２１は、額縁配線１３を構成する導電層２０及び保護層２１と同様の構成材料で、且つ、同様の厚さで、それぞれ形成されている。
【００４５】
保護膜１５は、絶縁性基板１１上において、パネル面内電極１２、額縁配線１３及び外側配線１４を覆うように形成されている。保護膜１５は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、有機ＳＯＧ膜、又は、感光性有機樹脂膜等で形成されている。
【００４６】
（液晶表示装置２２の構成）
次に、本発明の実施形態１に係るタッチパネル１０を用いた液晶表示装置２２について説明する。
【００４７】
図４は、液晶表示装置２２の断面図を示す。
【００４８】
液晶表示装置２２は、液晶表示パネル２３と、液晶表示パネル２３の裏面に配置されたバックライト２４と、液晶表示パネル２３の表面に配置されたタッチパネル１０と、を備えている。
【００４９】
液晶表示パネル２３は、ガラス基板を有するＴＦＴ基板２５と、赤色絵素、緑色絵素及び青色絵素で構成されたカラーフィルタが形成され、ガラス基板を有するＣＦ基板２６と、を有している。ＴＦＴ基板２５とＣＦ基板２６との間には不図示の液晶層及びスペーサが形成されている。
【００５０】
ＴＦＴ基板２５は、その液晶層側（内側）に、画素領域がマトリクス状に形成され、画素領域に対応して、画素電極、薄膜トランジスタ等（それぞれ不図示）が形成されている。ＴＦＴ基板２５は、その基板端部にドライバＩＣ２７が設けられている。ＴＦＴ基板２５の基板端部には、コントローラが形成されたフレキシブルプリント基板（それぞれ不図示）が設けられている。
【００５１】
このドライバＩＣ２７及び上述のタッチパネル１０の駆動回路１９は、それぞれ不図示のコントローラに電気的に接続されている。
【００５２】
ＣＦ基板２６は、ガラス基板上であって、その液晶層側（内側）に、いずれも不図示の赤色絵素、緑色絵素及び青色絵素と、これらの間に配置された遮光層および対向電極等の表示素子が形成されている。
【００５３】
また、ＴＦＴ基板２５及びＣＦ基板２６は、それぞれの外側表面に偏光板２８及び保護フィルム２９が形成されている。
【００５４】
バックライト２４は、液晶表示パネル２３のＴＦＴ基板２５側に配置されている。バックライト２４は、光源と、光源から出射された光を受けてその中を伝播させながら液晶表示パネル２３に向けて出射する導光板と、導光板の裏面から出射された光を導光板に向けて反射する反射板（いずれも不図示）とを有している。
【００５５】
（タッチパネル１０及びそれを用いた液晶表示装置２２の機能）
次に、タッチパネル１０及びそれを用いた液晶表示装置２２の機能について説明する。
【００５６】
まず、コントローラから送られた信号によってＴＦＴ基板２５のドライバＩＣ２７が薄膜トランジスタで構成されるスイッチング素子を作動させ、液晶の配列状態を変化させる。
【００５７】
液晶の配列状態が変化すると、液晶表示パネル２３の表面に文字や画像が表示される。
【００５８】
ドライバＩＣ２７へ信号を送ったコントローラは、それと同時にタッチパネル１０の駆動回路１９へも信号を送り、パネル面内電極１２の四隅へ外側配線１４を通して電流を流す。
【００５９】
外側配線１４を通してパネル面内電極１２の四隅へ流れた電流は、額縁配線１３を通り、パネル面内電極１２全体に一様に電圧を加える。
【００６０】
このような状態において、液晶表示画面に表示された文字や画像から、選択すべき項目が位置するタッチパネル１０のタッチ面を、指又はタッチペン等の接触物によってタッチする。
【００６１】
タッチパネル１０のタッチ面が接触物によってタッチされると、パネル面内電極１２の接触部に対応する位置が容量結合して静電容量が変化する。
【００６２】
静電容量が変化すると、パネル面内電極１２の四隅に接続された外側配線１４に、それぞれ接触物までの距離に比例した電流信号が流れる。
【００６３】
パネル面内電極１２の四隅に接続された外側配線１４に流れた電流信号は、駆動回路１９を通りコントローラへ送られて、それぞれの電流値に基づいて接触物の位置座標が算出される。
【００６４】
算出された位置座標をもとに、コントローラは、再度ＴＦＴ基板２５のドライバＩＣ２７へ信号を送り、液晶表示画面の文字や画像を所望のものに変化させる。
【００６５】
（タッチパネル１０及びそれを備えた液晶表示装置２２の製造方法）
次に、タッチパネル１０及びそれを備えた液晶表示装置２２の製造方法について、図を用いて詳細に説明する。
【００６６】
（パネル面内電極１２形成工程）
まず、図５に示すように、絶縁性基板１１上に、スパッタリング法により、ＩＺＯ膜３０（厚さ３００Å程度）を成膜する。
【００６７】
続いて、ＩＺＯ膜３０上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、所定のレジストパターン（不図示）を形成する。
【００６８】
次に、上述のレジストパターンをマスクとして、ＩＺＯ膜３０を格子状にウエットエッチングすることにより、図６に示すパネル面内電極１２を形成する。
【００６９】
（配線形成工程）
続いて、図７に示すように、スパッタリング法により、金属導電膜として、絶縁性基板１１及びパネル面内電極１２上に、例えば、アルミニウム膜３１（厚さ２０００Å程度）と窒化チタン膜３２（厚さ１０００Å程度）とを、それぞれ成膜する。
【００７０】
次に、窒化チタン膜３２上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、所定のレジストパターン（不図示）を形成する。
【００７１】
次いで、レジストパターンをマスクとして、アルミニウム膜３１及び窒化チタン膜３２をそれぞれドライエッチングすることにより、図８に示すように、額縁配線１３及び外側配線１４をそれぞれ形成する。
【００７２】
（保護膜１５形成工程）
次に、図９に示すように、絶縁性基板１１、パネル面内電極１２、額縁配線１３及び外側配線１４をそれぞれ覆うように、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、窒化シリコン膜（厚さ１５００Å程度）を成膜する。
【００７３】
続いて、窒化シリコン膜上に、感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後に、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、所定のレジストパターン（不図示）を形成する。
【００７４】
次に、レジストパターンをマスクとして、窒化シリコン膜をドライエッチング又はウエットエッチングすることにより、図２に示すように、保護膜１５を形成する。
【００７５】
以上によって、タッチパネル１０を製造する。
【００７６】
尚、本実施形態では、パネル面内電極１２をＩＺＯ膜により形成したが、スパッタリング法を用いて高抵抗のＩＴＯ膜やＡＴＯ(アンチモン・スズ酸化物)膜などにより形成してもよい。また、フレキソ印刷やインクジェット印刷などの印刷法を用いてＩＴＯナノインクや高分子導電膜などにより形成してもよい。ここで、ナノインクとは、直径数ｎｍの微粒子を溶媒に分散させたインクである。
【００７７】
また、本実施形態では、額縁配線１３及び外側配線１４を、アルミニウム膜等により形成したが、フレキソ印刷やインクジェット印刷などの印刷法を用いてＡｕやＡｇを分散させたナノインク等により形成してもよい。
【００７８】
さらに、本実施形態では、保護膜１５を窒化シリコン膜などの無機絶縁膜により形成したが、マスクデポスパッタリング法を用いて酸化シリコン膜などの無機絶縁膜により形成してもよい。また、スピンコート法を用いて有機ＳＯＧ（Spin on Glass）膜や感光性有機樹脂膜等により形成したり、ドライフィルムラミネートを用いて有機絶縁膜等により形成してもよい。また、有機ＳＯＧ膜や感光性有機樹脂膜をフレキソ印刷やインクジェット印刷などで成膜（パターニング）して、保護膜１５を直接形成してもよい。
【００７９】
（液晶表示装置２２の製造工程）
次に、タッチパネル１０を備えた液晶表示装置２２の製造工程について説明する。
【００８０】
（ＣＦ基板２６の形成工程）
まず、ガラス基板を用意する。そして、ガラス基板上の遮光部となる領域で額縁部に、例えば、１０ｍｍ以下、画素間に幅５〜５０μｍのブラックマトリクスをスパッタリング法などにより形成する。次に、ガラス基板上の表示部となる領域に赤の顔料が分散された樹脂フィルム（ドライフィルム）を全面にラミネートし、露光、現像及びベーク（熱処理）を行って、第１色層（赤）を形成する。次に、第１色層に重ねて、緑色の顔料が分散された樹脂フィルムを全面にラミネートし、露光、現像及びベーク（熱処理）を行って、第２色層（緑）を形成する。同様に、第３色層（青）を形成する。次に、色層上にＩＴＯを蒸着して対向電極を形成し、続いて配向膜を形成する。
【００８１】
以上の工程により、ＣＦ基板２６を作製する。
【００８２】
（ＴＦＴ基板２５の形成工程）
続いて、ガラス基板を用意し、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成する。次いで、エッチング保護膜を形成し、パターン形成を行う。次に、コンタクトホール、ドレイン電極及びソース電極を形成する。次に、同一工程又は別工程によって、基板端部にドライバＩＣ２７を設け、薄膜トランジスタを形成し、さらに、コントローラを形成する。次いで、ＩＴＯを真空蒸着してパターン形成し、画素電極を形成する。続いて、セル厚を規定するためのスペーサを、フォトリソグラフィ工程を経て複数形成する。尚、スペーサはＣＦ基板２６側に形成してもよい。
【００８３】
以上の工程により、ＴＦＴ基板２５を作製する。
【００８４】
（液晶表示パネル２３の形成工程）
次に、ＴＦＴ基板２５の遮光部に連続して途切れなくシール材を塗布する。
【００８５】
次いで、ディスペンサ等を用いて、例えば１ショット当り２ｍｇの液晶材料をＴＦＴ基板２５に滴下する。この際、液晶材料はＴＦＴ基板２５の遮光部外周囲に枠状に塗布されたシール材の内方に滴下する。
【００８６】
続いて、液晶材料が滴下されたＴＦＴ基板２５にＣＦ基板２６を位置合わせして貼り付ける。このとき、貼り付けられたＣＦ基板２６及びＴＦＴ基板２５におけるシール材で囲まれた領域に、液晶表示セルが形成される。この工程は真空中で行われる。次いで、大気中に戻すと貼り合わされたＴＦＴ基板２５及びＣＦ基板２６間の液晶材料が大気圧により拡散する。
【００８７】
このようにして、液晶材料を２枚の基板間に封止して貼り合わせ基板を形成し、その両表面に保護膜１５を設けることにより、液晶表示パネル２３を作製する。
【００８８】
次に、液晶表示パネル２３のＣＦ基板２６側表面にタッチパネル１０を設け、タッチパネル１０の駆動回路１９と液晶表示パネル２３のコントローラとを電気的に接続する。
【００８９】
さらに、ＴＦＴ基板２５側表面にバックライト２４等を設けて液晶表示装置２２を完成させる。
【００９０】
（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２に係るタッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置について、液晶表示装置を例にして説明する。
【００９１】
本実施形態２に係るタッチパネル４０は、上述の実施形態１に係るタッチパネル１０と比較して、パネル面内電極に溝が形成されている点を特徴とするものである。
【００９２】
また、以下、実施形態１に係るタッチパネル１０及びそれを用いた液晶表示装置２２と同様の構成要素については、同符号を付し、その説明を省略する。
【００９３】
（タッチパネル４０及びそれを備えた液晶表示装置４９の構成）
図４は、本実施形態２に係るタッチパネル４０及びそれを備えた液晶表示装置４９の断面図を示す。
【００９４】
液晶表示装置４９は、液晶表示パネル２３と、液晶表示パネル２３の裏面に配置されたバックライト２４と、液晶表示パネル２３の表面に配置されたタッチパネル４０と、を備えている。
【００９５】
また、図１０は本発明の実施形態２に係るタッチパネル４０の平面図（保護膜は省略）を、図１１は、図１０のタッチパネル４０平面のXI−XI線における断面図を示す。
【００９６】
タッチパネル４０は、絶縁性基板４１と、絶縁性基板４１上に形成されたパネル面内電極４２と、パネル面内電極４２上の四辺に額縁を構成するように配設された額縁配線４３と、絶縁性基板４１上に形成されてパネル面内電極４２の四隅に電気的に接続する外側配線４４（電流検知手段）と、絶縁性基板４１上において、パネル面内電極４２、額縁配線４３及び外側配線４４を覆うように形成された保護膜４５と、で構成されている。
【００９７】
パネル面内電極４２は、プラチナ、金、白金、銀、銅、アルミニウム又はパラジウム等の金属、或いは、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＺｎＯ又はＳｎＯ２等の透明導電材料、さらには、高分子導電材料等を用いて形成されている。パネル面内電極４２は、タッチパネル４０のタッチ面を覆うように配置されており、矩形状に形成されている。パネル面内電極４２は、厚さが、例えば３００Å程度に形成されている。また、この場合、抵抗値及び透過率をより良好なものにするために、パネル面内電極４２は、フラットな部分で構成された凸部の面積が、パネル面内電極４２の表面の面積に対して３０〜５０％程度に形成されているのが好ましく、特に４０％程度に形成されているのが最適である。パネル面内電極４２は、その表面全体に亘って格子状に設けられた溝４７が形成されている。溝４７の深さ、幅及びピッチ間隔はどのようなものであってもよいが、例えば、深さが１５０Å程度、幅が５０μｍ程度、そして、ピッチ間が８５μｍ程度に形成されている。パネル面内電極４２の表面は、この溝４７で構成された凹部と、それ以外のフラットな部分で構成された凸部とで、凹凸面４８（抵抗調整部）が形成されている。
【００９８】
尚、パネル面内電極４２の溝４７は、上述したように格子状に形成されていなくてもよく、一方向に連続して形成されていてもよく、又、パネル面内電極４２表面の所々に不連続に形成されていてもよい。さらに、上述のように表面に形成されていなくてもよく、裏面側に形成されていてもよい。
【００９９】
額縁配線４３は、矩形状に形成されたパネル面内電極４２上であって、パネル面内電極４２の四辺に沿って額縁を構成するように配設されている。額縁配線４３は、導電層２０と、導電層２０上に形成された保護層２１と、で構成されている。
【０１００】
外側配線４４は、それぞれ、絶縁性基板４１上であって、パネル面内電極４２の四隅に電気的に接続された４本の配線で構成されている。外側配線４４は、一端がパネル面内電極４２の四隅のいずれかに電気的に接続されており、他端がそれぞれ同一方向へ向かい、後述の駆動回路７５に電気的に接続されている。外側配線４４は、額縁配線４３と同様に、導電層２０と、導電層２０上に形成された保護層２１と、で構成されている。外側配線４４の導電層２０及び保護層２１は、額縁配線４３を構成する導電層２０及び保護層２１と同様の構成材料で、且つ、同様の厚さで、それぞれ形成されている。
【０１０１】
保護膜４５は、絶縁性基板４１上において、パネル面内電極４２、額縁配線４３及び外側配線４４を覆うように形成されている。保護膜４５は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、有機ＳＯＧ膜、又は、感光性有機樹脂膜等で形成されている。
【０１０２】
（タッチパネル４０及びそれを備えた液晶表示装置４９の製造方法）
次に、タッチパネル４０及びそれを備えた液晶表示装置４９の製造方法について説明する。
【０１０３】
まず、絶縁性基板４１上に、スパッタリング法により、ＩＺＯ膜（厚さ３００Å程度）を成膜する。
【０１０４】
続いて、ＩＺＯ膜上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、所定のレジストパターン（不図示）を形成する。
【０１０５】
次に、上述のレジストパターンをマスクとして、ＩＺＯ膜を格子状にウエットエッチングすることにより、格子状に設けた溝４７を形成し、パネル面内電極４２を作製する。
【０１０６】
次に、絶縁性基板４１及びパネル面内電極４２上に、実施形態１と同様にして額縁配線４３及び外側配線４４を形成し、さらに保護膜４５を設けてタッチパネル４０を作製する。
【０１０７】
次いで、実施形態１と同様にして液晶表示パネル２３を作製し、これにタッチパネル４０及びバックライト２４をそれぞれ設けて液晶表示装置４９を作製する。
【０１０８】
（実施形態３）
次に、本発明の実施形態３に係るタッチパネル５０及びタッチパネル５０を用いた表示装置について、液晶表示装置５９を例にして説明する。
【０１０９】
本実施形態３に係るタッチパネル５０は、上述の実施形態１に係るタッチパネル１０と比較して、パネル面内電極に側面が広がる形状の溝５７が形成されている点を特徴とするものである。
【０１１０】
また、以下、実施形態１に係るタッチパネル１０及びそれを用いた液晶表示装置２２と同様の構成要素については、同符号を付し、その説明を省略する。
【０１１１】
（タッチパネル５０及びそれを備えた液晶表示装置５９の構成）
図４は、本実施形態３に係るタッチパネル５０及びそれを備えた液晶表示装置５９の断面図を示す。
【０１１２】
液晶表示装置５９は、液晶表示パネル２３と、液晶表示パネル２３の裏面に配置されたバックライト２４と、液晶表示パネル２３の表面に配置されたタッチパネル５０と、を備えている。
【０１１３】
また、図１２は本発明の実施形態３に係るタッチパネル５０の平面図（保護膜５５は省略）を、図１３は、図１２のタッチパネル５０平面のXIII−XIII線における断面図を示す。
【０１１４】
タッチパネル５０は、絶縁性基板５１と、絶縁性基板５１上に形成されたパネル面内電極５２と、パネル面内電極５２上の四辺に額縁を構成するように配設された額縁配線５３と、絶縁性基板５１上に形成されてパネル面内電極５２の四隅に電気的に接続する外側配線５４（電流検知手段）と、絶縁性基板５１上において、パネル面内電極５２、額縁配線５３及び外側配線５４を覆うように形成された保護膜５５と、で構成されている。
【０１１５】
パネル面内電極５２は、プラチナ、金、白金、銀、銅、アルミニウム又はパラジウム等の金属、或いは、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＺｎＯ又はＳｎＯ２等の透明導電材料、さらには、高分子導電材料等を用いて形成されている。パネル面内電極５２は、タッチパネル５０のタッチ面を覆うように配置されており、矩形状に形成されている。パネル面内電極５２は、厚さが、例えば３００Å程度に形成されている。また、この場合、抵抗値及び透過率をより良好なものにするために、パネル面内電極５２は、フラットな部分で構成された凸部の面積が、パネル面内電極５２の表面の面積に対して３０〜５０％程度に形成されているのが好ましく、特に４０％程度に形成されているのが最適である。パネル面内電極５２は、その表面全体に亘って格子状に設けられた溝５７が形成されている。溝５７の側面は、電極の表面に向かって広がって傾斜するように形成されている。溝５７の側面の傾斜角はどのようなものであってもよく、例えば垂線方向から４５度外側へ広がって傾斜するように形成されている。パネル面内電極５２の表面は、この溝５７で構成された凹部と、それ以外のフラットな部分で構成された凸部とで、凹凸面５８（抵抗調整部）が形成されている。
【０１１６】
尚、パネル面内電極５２の溝５７は、上述したように格子状に形成されていなくてもよく、一方向に連続して形成されていてもよく、又、パネル面内電極５２表面の所々に不連続に形成されていてもよい。
【０１１７】
額縁配線５３は、矩形状に形成されたパネル面内電極５２上であって、パネル面内電極５２の四辺に沿って額縁を構成するように配設されている。額縁配線５３は、導電層２０と、導電層２０上に形成された保護層２１と、で構成されている。
【０１１８】
外側配線５４は、それぞれ、絶縁性基板５１上であって、パネル面内電極５２の四隅に電気的に接続された４本の配線で構成されている。外側配線５４は、一端がパネル面内電極５２の四隅のいずれかに電気的に接続されており、他端がそれぞれ同一方向へ向かい、後述の駆動回路７６に電気的に接続されている。外側配線５４は、額縁配線５３と同様に、導電層２０と、導電層２０上に形成された保護層２１と、で構成されている。外側配線５４の導電層２０及び保護層２１は、額縁配線５３を構成する導電層２０及び保護層２１と同様の構成材料で、且つ、同様の厚さで、それぞれ形成されている。
【０１１９】
保護膜５５は、絶縁性基板５１上において、パネル面内電極５２、額縁配線５３及び外側配線５４を覆うように形成されている。保護膜５５は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、有機ＳＯＧ膜、又は、感光性有機樹脂膜等で形成されている。
【０１２０】
（タッチパネル５０及びそれを備えた液晶表示装置５９の製造方法）
次に、タッチパネル５０及びそれを備えた液晶表示装置５９の製造方法について説明する。
【０１２１】
まず、絶縁性基板５１上に、スパッタリング法により、ＩＺＯ膜（厚さ３００Å程度）を成膜する。
【０１２２】
続いて、ＩＺＯ膜上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、所定のレジストパターン（不図示）を形成する。
【０１２３】
次に、上述のレジストパターンをマスクとして、ＩＺＯ膜を格子状にウエットエッチングすることにより、格子状に設けた、側面が広がるように形成された溝５７を形成し、パネル面内電極５２を作製する。
【０１２４】
次に、絶縁性基板５１及びパネル面内電極５２上に、実施形態１と同様にして額縁配線５３及び外側配線５４を形成し、さらに保護膜５５を設けてタッチパネル５０を作製する。
【０１２５】
次いで、実施形態１と同様にして液晶表示パネル２３を作製し、これにタッチパネル５０及びバックライト２４をそれぞれ設けて液晶表示装置５９を作製する。
【０１２６】
（実施形態４）
次に、本発明の実施形態４に係るタッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置について、液晶表示装置を例にして説明する。
【０１２７】
本実施形態４に係るタッチパネル６０は、上述の実施形態１に係るタッチパネル１０と比較して、パネル面内電極に数種の切り欠き７１，７２，７３が不規則に形成されてなる凹凸セル７０が、上記電極の表面に規則的に複数形成されている点を特徴とするものである。
【０１２８】
また、以下、実施形態１に係るタッチパネル６０及びそれを用いた液晶表示装置６９と同様の構成要素については、同符号を付し、その説明を省略する。
【０１２９】
（タッチパネル６０及びそれを備えた液晶表示装置６９の構成）
図４は、本実施形態４に係るタッチパネル６０及びそれを備えた液晶表示装置６９の断面図を示す。
【０１３０】
液晶表示装置６９は、液晶表示パネル２３と、液晶表示パネル２３の裏面に配置されたバックライト２４と、液晶表示パネル２３の表面に配置されたタッチパネル６０と、を備えている。
【０１３１】
また、図１４は本発明の実施形態４に係るタッチパネル６０の平面図（保護膜６５は省略）を、図１５は、図１４のタッチパネル６０平面のXV−XV線における断面図を示す。
【０１３２】
タッチパネル６０は、絶縁性基板６１と、絶縁性基板６１上に形成されたパネル面内電極６２と、パネル面内電極６２上の四辺に額縁を構成するように配設された額縁配線６３と、絶縁性基板６１上に形成されてパネル面内電極６２の四隅に電気的に接続する外側配線６４（電流検知手段）と、絶縁性基板６１上において、パネル面内電極６２、額縁配線６３及び外側配線６４を覆うように形成された保護膜６５と、で構成されている。
【０１３３】
パネル面内電極６２は、プラチナ、金、白金、銀、銅、アルミニウム又はパラジウム等の金属、或いは、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＺｎＯ又はＳｎＯ２等の透明導電材料、さらには、高分子導電材料等を用いて形成されている。パネル面内電極６２は、タッチパネル６０のタッチ面を覆うように配置されており、矩形状に形成されている。パネル面内電極６２は、厚さが、例えば３００Å程度に形成されている。パネル面内電極６２は、円形、楕円形及び矩形状の切り欠き７１，７２，７３（貫通孔）が、それぞれ不規則に形成されてなる凹凸セル７０が、規則的に配列されて複数形成されている。パネル面内電極６２の表面は、この切り欠き７１，７２，７３で構成された凹部と、それ以外のフラットな部分で構成された凸部とで、凹凸面６８（抵抗調整部）が形成されている。
【０１３４】
凹凸セル７０は、それぞれタッチパネル６０のタッチ面に触れる接触物の接触面積より小さいものであるのが良い。より具体的には、凹凸セル７０をそれぞれ約１ｍｍ四方程度に形成し、幼児の指やタッチペンのペン先等を接触させても、その接触面積が少なくとも一つの凹凸セル７０を覆うようにする。このように凹凸セル７０を形成すると、接触物が、凹凸セル７０の不規則に形成した切り欠き７１，７２，７３をすべて覆うように接触することができる。従って、接触物のパネル面内電極６２表面における接触位置をより正確に検知することができる。
【０１３５】
一つの凹凸セル７０に形成された切り欠き７１，７２，７３は、それぞれタッチパネル６０の抵抗値及び透過率をより良好なものにするために、それらを合わせた面積を一つの凹凸セル７０の面積との関係で調整するのが良い。具体的には、本実施形態におけるパネル面内電極６２の膜厚を３００Åに形成しているため、一つの凹凸セル７０のうち、切り欠き７１，７２，７３を合わせた面積を除いた部分が、一つの凹凸セル７０全体の面積に対して３０〜５０％程度に形成されているのが好ましく、特に４０％程度に形成されているのが最適である。
【０１３６】
また、切り欠き７１，７２，７３は、それぞれ上述した形状に限らず、多角形状等のその他の形状であってもよい。また、その凹凸セル７０内の配列や個数も上述のものに限らず、不規則的に配列されていればどのようなものであってもよい。さらに、凹部を構成するものは、上述のように切り欠きでなくてもよく、数種の形状からなる溝が形成されていてもよい。
【０１３７】
額縁配線６３は、矩形状に形成されたパネル面内電極６２上であって、パネル面内電極６２の四辺に沿って額縁を構成するように配設されている。額縁配線６３は、導電層２０と、導電層２０上に形成された保護層２１と、で構成されている。
【０１３８】
外側配線６４は、それぞれ、絶縁性基板６１上であって、パネル面内電極６２の四隅に電気的に接続された４本の配線で構成されている。外側配線６４は、一端がパネル面内電極６２の四隅のいずれかに電気的に接続されており、他端がそれぞれ同一方向へ向かい、後述の駆動回路７７に電気的に接続されている。外側配線６４は、額縁配線６３と同様に、導電層２０と、導電層２０上に形成された保護層２１と、で構成されている。外側配線６４の導電層２０及び保護層２１は、額縁配線６３を構成する導電層２０及び保護層２１と同様の構成材料で、且つ、同様の厚さで、それぞれ形成されている。
【０１３９】
保護膜６５は、絶縁性基板６１上において、パネル面内電極６２、額縁配線６３及び外側配線６４を覆うように形成されている。保護膜６５は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、有機ＳＯＧ膜、又は、感光性有機樹脂膜等で形成されている。
【０１４０】
（タッチパネル６０及びそれを備えた液晶表示装置６９の製造方法）
次に、タッチパネル６０及びそれを備えた液晶表示装置６９の製造方法について説明する。
【０１４１】
まず、絶縁性基板６１上に、スパッタリング法により、ＩＺＯ膜（厚さ３００Å程度）を成膜する。
【０１４２】
続いて、ＩＺＯ膜上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、所定のレジストパターン（不図示）を形成する。
【０１４３】
次に、上述のレジストパターンをマスクとして、ＩＺＯ膜をウエットエッチングすることにより、円形、楕円形及び矩形状の切り欠き７１，７２，７３がそれぞれ不規則に形成されてなる凹凸セル７０を規則的に配列されて複数形成し、パネル面内電極６２を作製する。
【０１４４】
次に、絶縁性基板６１及びパネル面内電極６２上に、実施形態１と同様にして額縁配線６３及び外側配線６４を形成し、さらに保護膜６５を設けてタッチパネル６０を作製する。
【０１４５】
次いで、実施形態１と同様にして液晶表示パネル２３を作製し、これにタッチパネル６０及びバックライト２４をそれぞれ設けて液晶表示装置６９を作製する。
【０１４６】
（実施形態５）
次に、本発明の実施形態５に係るタッチパネル８０及びタッチパネル８０を用いた表示装置について、液晶表示装置を例にして説明する。
【０１４７】
本実施形態５に係るタッチパネル８０は、上述の実施形態２に係るタッチパネル４０と比較して、その表面全体に亘って格子状に設けられた溝８７が、裏面側にも同様に形成されている点を特徴とするものである。
【０１４８】
また、以下、実施形態２に係るタッチパネル４０及びそれを用いた液晶表示装置４９と同様の構成要素については、同符号を付し、その説明を省略する。
【０１４９】
（タッチパネル８０及びそれを備えた液晶表示装置８９の構成）
図４は、本実施形態５に係るタッチパネル８０及びそれを備えた液晶表示装置８９の断面図を示す。
【０１５０】
液晶表示装置８９は、液晶表示パネル２３と、液晶表示パネル２３の裏面に配置されたバックライト２４と、液晶表示パネル２３の表面に配置されたタッチパネル８０と、を備えている。
【０１５１】
また、図１６は本発明の実施形態４に係るタッチパネル８０の平面図（保護膜８５は省略）を、図１７は、図１６のタッチパネル８０平面のXVII−XVII線における断面図を示す。
【０１５２】
タッチパネル８０は、絶縁性基板８１と、絶縁性基板８１上に形成されたパネル面内電極８２と、パネル面内電極８２上の四辺に額縁を構成するように配設された額縁配線８３と、絶縁性基板８１上に形成されてパネル面内電極８２の四隅に電気的に接続する外側配線８４（電流検知手段）と、絶縁性基板８１上において、パネル面内電極８２、額縁配線８３及び外側配線８４を覆うように形成された保護膜８５と、で構成されている。
【０１５３】
パネル面内電極８２は、プラチナ、金、白金、銀、銅、アルミニウム又はパラジウム等の金属、或いは、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＺｎＯ又はＳｎＯ２等の透明導電材料、さらには、高分子導電材料等を用いて形成されている。パネル面内電極８２は、タッチパネル８０のタッチ面を覆うように配置されており、矩形状に形成されている。パネル面内電極８２は、厚さが、例えば３００Å程度に形成されている。また、この場合、抵抗値及び透過率をより良好なものにするために、パネル面内電極８２は、その表面及び裏面のそれぞれについて、フラットな部分で構成された凸部の面積が、パネル面内電極８２のそれぞれの面の面積に対して３０〜５０％程度に形成されているのが好ましく、特に４０％程度に形成されているのが最適である。パネル面内電極８２は、その表面全体に亘って格子状に設けられた溝８７が形成されている。さらに、その裏面全体に亘っても同様に、格子状に設けられた溝８７が形成されている。パネル面内電極８２の表面及び裏面は、それぞれ、この溝８７で構成された凹部と、それ以外のフラットな部分で構成された凸部とで、凹凸面８８（抵抗調整部）が形成されている。溝８７の深さ、幅及びピッチ間隔はどのようなものであってもよいが、例えば、深さが１５０Å程度、幅が５０μｍ程度、そして、ピッチ間が８５μｍ程度に形成されている。
【０１５４】
額縁配線８３は、矩形状に形成されたパネル面内電極８２上であって、パネル面内電極８２の四辺に沿って額縁を構成するように配設されている。額縁配線８３は、導電層２０と、導電層２０上に形成された保護層２１と、で構成されている。
【０１５５】
外側配線８４は、それぞれ、絶縁性基板８１上であって、パネル面内電極８２の四隅に電気的に接続された４本の配線で構成されている。外側配線８４は、一端がパネル面内電極８２の四隅のいずれかに電気的に接続されており、他端がそれぞれ同一方向へ向かい、後述の駆動回路７８に電気的に接続されている。外側配線８４は、額縁配線８３と同様に、導電層２０と、導電層２０上に形成された保護層２１と、で構成されている。外側配線８４の導電層２０及び保護層２１は、額縁配線８３を構成する導電層２０及び保護層２１と同様の構成材料で、且つ、同様の厚さで、それぞれ形成されている。
【０１５６】
保護膜８５は、絶縁性基板８１上において、パネル面内電極８２、額縁配線８３及び外側配線８４を覆うように形成されている。保護膜８５は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、有機ＳＯＧ膜、又は、感光性有機樹脂膜等で形成されている。
【０１５７】
（タッチパネル８０及びそれを備えた液晶表示装置８９の製造方法）
次に、タッチパネル８０及びそれを備えた液晶表示装置８９の製造方法について説明する。
【０１５８】
まず、用意した絶縁性基板８１にレジスト膜を形成し、露光及び現像を行い、所定のレジストパターンを形成する。
【０１５９】
続いて、上述のレジストパターン（不図示）をマスクとして、絶縁性基板８１をウェトエッチングすることにより、パネル面内電極８２形成予定領域に図に示すような格子状の壁部を形成する。
【０１６０】
次に、格子状の壁部が形成された絶縁性基板８１上に、スパッタリング法により、ＩＺＯ膜（厚さ３００Å程度）を成膜する。
【０１６１】
続いて、ＩＺＯ膜上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、所定のレジストパターン（不図示）を形成する。
【０１６２】
次に、上述のレジストパターンをマスクとして、ＩＺＯ膜をウエットエッチングすることにより、格子状に設けた溝８７を形成し、パネル面内電極８２を作製する。
【０１６３】
次に、絶縁性基板８１及びパネル面内電極８２上に、実施形態２と同様にして額縁配線８３及び外側配線８４を形成し、さらに保護膜８５を設けてタッチパネル８０を作製する。
【０１６４】
次いで、実施形態１と同様にして液晶表示パネル２３を作製し、これにタッチパネル８０及びバックライト２４をそれぞれ設けて液晶表示装置８９を作製する。
【０１６５】
尚、本実施形態では、絶縁性基板上に、パネル面内電極を形成し、その上に額縁配線を形成したが、これに限られず、絶縁性基板上に額縁配線を形成し、そこへパネル面内電極を形成してもよい。この場合、パネル面内電極は、その端部のみが額縁配線上に形成されている構成となる。
【０１６６】
また、表示装置として液晶表示装置を例に挙げたが、これに限定されず、ＰＤＰ（plasma display panel；プラズマディスプレイパネル）、有機ＥＬ（organic electroluminescence ）、又は、ＳＥＤ（surface-conduction electron-emitter display；表面電界ディスプレイ）等のその他の表示装置についても本発明に係るタッチパネルを用いることができる。
【実施例】
【０１６７】
（試験評価１）
表面に凹凸を形成していない膜厚がほぼ均一なパネル面内電極を有するタッチパネルについて、パネル面内電極の膜厚と、電極の抵抗（シート抵抗）及びその抵抗値の電極内における分布率との関係を調べるための評価試験を行った。
【０１６８】
〈試験評価用タッチパネル〉
試験評価用タッチパネルについては、膜厚が、それぞれ１００、２００，３００，４００，５００Åのパネル面内電極８２を有するタッチパネルを採用した。
【０１６９】
〈試験評価方法〉
上記試験評価用の各タッチパネルについて、パネル面内電極の所定領域におけるシート抵抗をそれぞれ複数箇所測定し、さらにその抵抗値の電極面内分布率を算出した。
【０１７０】
〈試験評価結果〉
試験評価１の結果を図１８に示す。
【０１７１】
図１８において、各シート抵抗値を挟んで記された上下の抵抗値は、それぞれ複数箇所測定して得られた抵抗値の最大値及び最小値を示している。そして、電極面内分布率は、複数箇所測定して得られたシート抵抗の平均値からの最大値及び最小値の差の割合を示している。
【０１７２】
図１８によって、膜厚を１００Åから５００Åへと増大させていくほど、パネル面内電極のシート抵抗は下がり、電極面内分布率も低下するという結果が得られた。
【０１７３】
（試験評価２）
次に、本発明の実施形態２に係るタッチパネル４０と同様の構成のタッチパネルについて、パネル面内電極の膜厚及び面積比率と、電極の抵抗（シート抵抗）と、の関係を調べるための評価試験を行った。
【０１７４】
〈試験評価用タッチパネル〉
試験評価用タッチパネルについては、膜厚が、それぞれ１００、２００，３００Åであるパネル面内電極を有するものを採用した。また、これらのパネル面内電極は、それぞれ複数の矩形状の切り欠きを有する格子状に形成されており、その電極表面の面積がパネル面に対して約６０〜８０％程度であるもの、即ち、パネル面に対して約２０〜４０％程度の面積が切り欠かれているものを用いた。
【０１７５】
〈試験評価方法〉
上記試験評価用の各タッチパネルについて、パネル面内電極の所定領域におけるシート抵抗をそれぞれ測定した。
【０１７６】
〈試験評価結果〉
試験評価２の結果を図１９に示す。
【０１７７】
図１９から、膜厚が１００Åで均一に形成されたパネル面内電極と同等のシート抵抗を実現するためには、膜厚が２００Åのパネル面内電極の場合は、電極表面のパネル面に対する面積の割合を約６０％程度に形成するのがよいことがわかる。さらに、膜厚が３００Åのパネル面内電極の場合は、電極表面のパネル面に対する面積の割合を約５０％程度に形成するのがよいことがわかる。
【０１７８】
また、図１８及び図１９を比較することにより、例えば、膜厚が３００Åのパネル面内電極に関しては、試験評価１のタッチパネルのパネル面内電極ではシート抵抗が所定領域あたり約１６５オーム程度であるのに対し、試験評価２の電極表面のパネル面に対する面積の割合を約６０％程度に形成したものは約５００オーム程度と、約３倍の値を有することがわかる。従って、パネル面内電極の表面積を調整することで、効率良く電極の高抵抗化が可能となることがわかる。
【０１７９】
（試験評価３）
次に、本発明の実施形態２に係るタッチパネル４０と同様の構成のタッチパネルについて、パネル面内電極の膜厚及び面積比率と、タッチパネルの透過率との関係を調べるための評価試験を行った。
【０１８０】
〈試験評価用タッチパネル〉
試験評価用タッチパネルについては、膜厚が、それぞれ１００、２００，３００Åであるパネル面内電極を有するものを採用した。また、これらのパネル面内電極は、それぞれ複数の矩形状の切り欠きを有する格子状に形成されており、その電極表面の面積がパネル面に対して約６０及び８０％程度であるもの、即ち、パネル面に対してそれぞれ約４０及び２０％程度の面積が切り欠かれているものを用いた。
【０１８１】
〈試験評価方法〉
上記試験評価用の各タッチパネルについて、下側に所定のバックライトを設置して光を照射させ、透過率をそれぞれ測定した。
【０１８２】
〈試験評価結果〉
試験評価３の結果を図２０に示す。
【０１８３】
図２０から、膜厚が１００Åで均一に形成されたパネル面内電極と同等の透過率を実現するためには、膜厚が２００Åのパネル面内電極の場合は、電極表面のパネル面に対する面積の割合を約５０％程度に形成するのがよいことがわかる。さらに、膜厚が３００Åのパネル面内電極の場合は、電極表面のパネル面に対する面積の割合を約４０％程度に形成するのがよいことがわかる。
【０１８４】
（作用効果）
次に、作用効果について説明する。
【０１８５】
本発明の実施形態１〜５に係るタッチパネル１０，４０，５０，６０，８０は、パネルのタッチ面に接触物を接触させてそのタッチ面における接触位置を検出するタッチパネルであって、絶縁性基板１１，４１，５１，６１，８１と、絶縁性基板１１，４１，５１，６１，８１上の少なくともタッチ面対応領域１６に広がるように設けられ、且つ、少なくとも一方の表面に抵抗調整部１８，４８，５８，６８，８８が形成されたパネル面内電極１２，４２，５２，６２，８２と、を備えたことを特徴とする。
【０１８６】
このような構成によれば、パネルのタッチ面対応領域１６に広がるように設けられたパネル面内電極１２，４２，５２，６２，８２の少なくとも一方の表面に抵抗調整部１８，４８，５８，６８，８８が形成されているため、ある程度の膜厚を確保してパネル面内電極１２，４２，５２，６２，８２の抵抗値を均一に形成することができると共に、電極表面の抵抗を調整することにより、高抵抗化を実現することができる。
【０１８７】
また、本発明の実施形態１〜５に係るタッチパネル１０，４０，５０，６０，８０は、抵抗調整部が、電極表面に形成された凹凸面１８，４８，５８，６８，８８で構成されていることを特徴とする。
【０１８８】
このような構成によれば、抵抗調整部が、電極表面に形成された凹凸面１８，４８，５８，６８，８８で構成されているため、凹部の形成されていないフラットな表面で形成されたものに比べて光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能がより良好となる。また、これによって電極表面に防眩性も付与することができる。
【０１８９】
さらに、本発明の実施形態２，３，５に係るタッチパネル４０，５０，８０は、凹凸面４８，６８，８８の凹部が、電極表面に形成された溝４７，５７，８７で構成されていることを特徴とする。
【０１９０】
このような構成によれば、凹凸面４８，６８，８８の凹部が、電極表面に形成された溝４７，５７，８７で構成されているため、パターニング等の通常の電極形成処理によって簡易に電極表面に凹凸面４８，６８，８８を形成することができる。
【０１９１】
また、本発明の実施形態２，３，５に係るタッチパネル４０，５０，８０は、溝４７，５７，８７が電極表面に格子状に設けられていることを特徴とする。
【０１９２】
このような構成によれば、溝４７，５７，８７が電極表面に格子状に設けられているため、電極表面全体に亘って抵抗値を均一化することができ、タッチパネル４０，５０，８０の接触位置検知性能が良好となる。
【０１９３】
さらに、本発明の実施形態１，４に係るタッチパネル１０，６０は、凹凸面１８，６８の凹部が、電極の厚さ方向に形成された貫通孔で構成されていることを特徴とする。
【０１９４】
このような構成によれば、凹凸面８８の凹部が、電極の厚さ方向に形成された貫通孔１７，７１，７２，７３で構成されているため、光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能がより良好となる。また、これによって電極表面に防眩性も付与することができる。
【０１９５】
また、本発明の実施形態３に係るタッチパネル５０は、凹凸面５８の凹部の側面が、凹部が形成された電極の表面に向かって広がるように傾斜していることを特徴とする。
【０１９６】
このような構成によれば、凹凸面５８の凹部の側面が、凹部が形成された電極の表面に向かって広がるように傾斜しているため、電極上に設ける保護膜５５等を傾斜した側面に沿って凹部に隙間無く埋設することができる。
【０１９７】
さらに、本発明の実施形態１〜５に係るタッチパネル１０，４０，５０，６０，８０は、凹凸面１８，４８，５８，６８，８８が、それぞれ電極の表面に規則的に形成されていることを特徴とする。
【０１９８】
このような構成によれば、凹凸面１８，４８，５８，６８，８８が、それぞれ電極の表面に規則的に形成されているため、電極表面全体に亘って抵抗値を均一化することができ、タッチパネル１０，４０，５０，６０，８０の接触位置検知性能が良好となる。さらに、電極において局所的に光の透過率が偏っている部分がないため、パネル面の表示性能が良好となる。
【０１９９】
また、本発明の実施形態４に係るタッチパネル６０は、凹凸面６８の凹部及び凸部が不規則に形成されてなる凹凸セル７０が、電極の表面に規則的に複数形成されていることを特徴とする。
【０２００】
このような構成によれば、凹凸面６８の凹部及び凸部が不規則に形成されてなる凹凸セル７０が電極表面に形成されているため、電極の光反射パターン、光透過パターン、又は、光回折パターン等が不規則となる。従って、電極表面にモアレ縞が発生するのを抑制することができる。また、このような凹凸セル７０が電極表面に規則的に複数形成されているため、電極表面全体としては凹凸が規則的に形成されていることになる。従って、パネル面の表示性能が良好となる。
【０２０１】
さらに、本発明の実施形態５に係るタッチパネル８０は、抵抗調整部８８が電極の両表面に形成されていることを特徴とする。
【０２０２】
このような構成によれば、抵抗調整部８８が電極の両表面に形成されているため、所望の抵抗値及び光の透過率をより精度良く電極に形成することができる。
【０２０３】
また、本発明の実施形態１〜５に係るタッチパネル１０，４０，５０，６０，８０は、電極が透明導電材料で形成されていることを特徴とする。
【０２０４】
このような構成によれば、電極が透明導電材料で形成されているため、光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能が良好となる。
【０２０５】
さらに、本発明の本発明の実施形態１〜５に係るタッチパネル１０，４０，５０，６０，８０は、透明導電材料がＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＳｎＯ２のうちの少なくとも一つで構成されていることを特徴とする。
【０２０６】
このような構成によれば、透明導電材料がＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ及びＳｎＯ２のうちの少なくとも一つで構成されているため、光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能が良好となる。
【０２０７】
また、本発明の本発明の実施形態１〜５に係るタッチパネル１０，４０，５０，６０，８０は、電極が矩形状に形成されていると共に、矩形状に形成された電極の四隅にそれぞれ電極に流れる電流を検知する電流検知手段１４，４４，５４，６４，８４が電気的に接続されていることを特徴とする。
【０２０８】
このような構成によれば、矩形状に形成され、その四隅に電流検知手段１４，４４，５４，６４，８４が電気的に接続されたタッチパネル１０，４０，５０，６０，８０の電極に対し、ある程度の膜厚を確保してパネル面内電極１２，４２，５２，６２，８２の抵抗値を均一に形成することができると共に、電極表面の抵抗を調整することにより、高抵抗化を実現することができる。
【０２０９】
本発明の実施形態１〜５に係る液晶表示装置２２，４９，５９，６９，８９は、上述したタッチパネル１０，４０，５０，６０，８０を備えたことを特徴とする。
【０２１０】
このような構成によれば、パネルのタッチ面対応領域１６に広がるように設けられた電極の少なくとも一方の表面に抵抗調整部１８，４８，５８，６８，８８が形成されているため、ある程度の膜厚を確保してパネル面内電極１２，４２，５２，６２，８２の抵抗値を均一に形成することができると共に、電極表面の抵抗を調整することにより高抵抗化を実現するタッチパネル１０，４０，５０，６０，８０を備えた液晶表示装置２２，４９，５９，６９，８９を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０２１１】
以上説明したように、本発明は、タッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置について有用である。
【図面の簡単な説明】
【０２１２】
【図１】本発明の実施形態１に係るタッチパネル１０の平面図である。
【図２】図１のタッチパネル１０平面のII−II線における断面図である。
【図３】格子状に形成されたパネル面内電極１２の斜視図である。
【図４】本発明の実施形態１〜５に係る液晶表示装置２２，４９，５９，６９，８９の断面図である。
【図５】本発明の実施形態１に係るタッチパネル１０のフォトリソ製造工程におけるＩＺＯ膜３０を成膜した絶縁性基板１１の断面図である。
【図６】本発明の実施形態１に係るタッチパネル１０のフォトリソ製造工程におけるＩＺＯ膜３０をパターニングした絶縁性基板１１の断面図である。
【図７】本発明の実施形態１に係るタッチパネル１０のフォトリソ製造工程におけるアルミニウム膜３１及び窒化チタン膜３２を成膜した絶縁性基板１１の断面図である。
【図８】本発明の実施形態１に係るタッチパネル１０のフォトリソ製造工程におけるアルミニウム膜３１及び窒化チタン膜３２をパターニングした絶縁性基板１１の断面図である。
【図９】本発明の実施形態１に係るタッチパネル１０のフォトリソ製造工程における保護膜１５を成膜した絶縁性基板１１の断面図である。
【図１０】本発明の実施形態２に係るタッチパネル４０の平面図である。
【図１１】図１０のタッチパネル４０平面のXI−XI線における断面図である。
【図１２】本発明の実施形態３に係るタッチパネル５０の平面図である。
【図１３】図１２のタッチパネル５０平面のXIII−XIII線における断面図である。
【図１４】本発明の実施形態４に係るタッチパネル６０の平面図である。
【図１５】図１４のタッチパネル６０平面のXV−XV線における断面図である。
【図１６】本発明の実施形態４に係るタッチパネル８０の平面図である。
【図１７】図１６のタッチパネル８０平面のXVII−XVII線における断面図である。
【図１８】試験評価１の評価結果を示すグラフである。
【図１９】試験評価２の評価結果を示すグラフである。
【図２０】試験評価３の評価結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【０２１３】
１０，４０，５０，６０，８０  タッチパネル
１１，４１，５１，６１，８１  絶縁性基板
１２，４２，５２，６２，８２  パネル面内電極
１３，４３，５３，６３，８３  額縁配線
１４，４４，５４，６４，８４  外側配線
１５，４５，５５，６５，８５  保護膜
１６  タッチ面対応領域
１７，７１，７２，７３  切り欠き
１８，４８，５８，６８，８８  凹凸面
１９，７５，７６，７７，７８  駆動回路
２０  導電層
２１  保護層
２２，４９，５９，６９，８９  液晶表示装置
４７，５７，８７  溝
７０  凹凸セル
【図１】
2008065748.tif 000003
【図２】
2008065748.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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