(57)【要約】【課題】電子線による微細な描画を可能にするため、より細く、高速で、動的に電子線の露光量を変化させる。【解決手段】感光層が設けられた基板に電子線を描画方向に移動させながら露光を行う電子線描画方法である。電子線を所定のブランキング周波数でブランキングさせながら基板１に照射するとともに、電子線を前記描画方向に前後に振動させるように相対的に移動させ、かつ、この前後に振動させるような移動は、ブランキング周波数より高い周波数で行う。【選択図】図１
2008134482.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光層が設けられた基板に電子線を描画方向に相対的に移動させながら露光を行う電子線描画方法であって、
前記電子線を所定のブランキング周波数でブランキングさせながら前記基板に照射するとともに、前記電子線を前記描画方向に前後に振動させるように相対的に移動させ、かつ、この前後に振動させるような移動は、前記ブランキング周波数より高い周波数で行うことを特徴とする電子線描画方法。
【請求項２】
前記前後に振動させるような移動は、前記電子線を、前記相対的な移動方向に振動させるように偏向させることで行うことを特徴とする請求項１に記載の電子線描画方法。
【請求項３】
前記前後に振動させるような移動は、前記基板を、前記電子線に対し移動させることで行うことを特徴とする請求項１に記載の電子線描画方法。
【請求項４】
前記電子線に対する前記基板の相対速度をＡ（ｍ／ｓ）、前記ブランキング周波数をｆｂ（１／ｓ）、前記電子線の偏向周波数をｆａ（１／ｓ）、前記電子線の前記相対移動方向への偏向の前記基板上で振幅をＢ（ｍ）としたとき、
Ａ／ｆｂ＜Ｂ
および
２ｆｂ＜ｆａ
を満たすことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電子線描画方法。
【請求項５】
感光層が設けられた基板に電子線で露光を行う電子線描画装置であって、
前記電子線を発生する電子線発生装置と、
前記電子線に対し前記基板を相対的に移動させるため、前記電子線または前記基板を移動させる移動装置と、
前記電子線のブランキングおよび前記基板に対する照射位置を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、
前記電子線を所定のブランキング周波数でブランキングさせながら照射するとともに、前記電子線を描画方向に前後に振動させるように相対的に移動させ、かつ、この前後に振動させるような移動は、前記ブランキング周波数より高い周波数で行うことを特徴とする電子線描画装置。
【請求項６】
前記移動装置として電子線の照射方向を偏向させる偏向器を含み、
前記制御装置は、前記電子線を、前記相対的な移動方向に振動させるように偏向させることで前記前後に振動させるような移動を行うことを特徴とする請求項５に記載の電子線描画装置。
【請求項７】
前記制御装置は、前記基板を、前記電子線に対し移動させることで前記前後に振動させるような移動を行うことを特徴とする請求項５に記載の電子線描画装置。
【請求項８】
前記電子線に対する前記基板の相対速度をＡ（ｍ／ｓ）、前記ブランキング周波数をｆｂ（１／ｓ）、前記電子線の偏向周波数をｆａ（１／ｓ）、前記電子線の前記相対移動方向への偏向の前記基板上で振幅をＢ（ｍ）としたとき、
前記制御装置は、
Ａ／ｆｂ＜Ｂ
および
２ｆｂ＜ｆａ
を満たすように前記電子線のブランキングおよび照射方向を制御することを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の電子線描画装置。
【請求項９】
前記移動装置は、前記基板を回転させる回転装置を含み、
前記制御装置は、前記基板の回転中心からの距離が小さいほど、前記ブランキングの割合を大きくして露光量を小さくすることを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか１項に記載の電子線描画装置。
【請求項１０】
電子線を発生する電子線発生装置と、前記電子線の照射方向を偏向させる偏向器と、前記基板を支持し前記電子線に対し前記基板を相対移動させる移動装置と、前記電子線のブランキングおよび照射方向を制御する制御装置とを備えて感光層が設けられた基板に電子線で露光を行う電子線描画装置を制御するためのプログラムであって、
前記制御装置を、
所定のブランキング周波数でブランキングさせて前記電子線を照射するブランキング手段、
前記ブランキング周波数より高い周波数で描画方向に前後に振動させるように前記電子線の照射方向を偏向させる偏向手段として機能させることを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子線描画方法、電子線描画装置および電子線描画装置を制御するためのプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光情報記録媒体は、高記録密度化に伴い、微細な溝を形成することが望まれている。光情報記録媒体、例えば光ディスクの製造には、微細な溝が形成された樹脂基板を作るためのスタンパが必要であり、さらにこのスタンパを製造するためのスタンパ原版が必要とされる。スタンパおよびスタンパ原版には、樹脂基板に対応した微細かつ高精度な溝構造が要求される。
【０００３】
このような溝を形成する方法として、従来、電子線による描画が用いられている。
例えば、特許文献１には、電子線の強度を基板の回転中心からの距離に応じて変化させる技術が開示されている。
また、特許文献２には、電子線をブランキングして露光量を調整する技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１３８９２３号公報
【特許文献２】特開２００３−５１４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に記載されているように、電子線の強度を変化させることで、基板に一様な露光ができたり露光時間の短縮が可能であるが、電子線の強度を動的、すなわち装置を稼働させたまま変化させるのは容易ではない。
この点、特許文献２に記載されたようなブランキングによる露光量の調整を行えば、動的に電子線の強度を変えることができるが、十分に高速なブランキング周波数でブランキングさせなければ、断続的にしか露光できない。言い方を換えれば、ブランキングの周波数の限界に応じて露光速度も低く制限されてしまう。
また、より微細な溝をスタンパ原版に形成するため、より細い線での描画が求められている。
【０００６】
本発明は、以上のような背景に鑑みてなされたものであり、電子線による微細な描画を可能にするため、より細く、高速で、動的に電子線の露光量を変化させることができる電子線描画方法および装置ならびに、電子線描画装置を制御するためのプログラムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記した課題を解決した本発明は、感光層が設けられた基板に電子線を描画方向に相対的に移動させながら露光を行う電子線描画方法であって、前記電子線を所定のブランキング周波数でブランキングさせながら前記基板に照射するとともに、前記電子線を前記描画方向に前後に振動させるように相対的に移動させ、かつ、この前後に振動させるような移動は、前記ブランキング周波数より高い周波数で行うことを特徴とする。
【０００８】
このような露光方法によれば、ブランキングにより、電子線を発生させながら、電子線の強度を動的に調整することができる。しかも、ブランキング周波数よりも高い周波数で電子線の照射位置を基板の相対的移動方向、言い換えれば描画方向に前後に振動させるように移動させるので、電子線が露光線をなぞるように移動し、ブランキングにより露光線が断続的になることがない。したがって、単にブランキングだけをした場合よりも高速度で基板を相対移動させながら露光することができる。また、このような方法により、電子線自体の強度を一定にしたまま電子線の強度を弱くできるので、細い線で描画をすることができ、スタンパ原版などの製造において微細な溝を形成するのに貢献することができる。
なお、ここでの前後の移動とは、描画方向に行き来することを意味する。
【０００９】
前記した方法において、前記前後に振動させるような移動は、前記電子線を、前記相対的な移動方向に振動させるように偏向させることで行うことができるし、前記基板を、前記電子線に対し移動させることで行うこともできる。
【００１０】
前記した方法においては、前記電子線に対する前記基板の相対速度をＡ（ｍ／ｓ）、前記ブランキング周波数をｆｂ（１／ｓ）、前記電子線の偏向周波数をｆａ（１／ｓ）、前記電子線の前記相対移動方向への偏向の前記基板上で振幅をＢ（ｍ）としたとき、
Ａ／ｆｂ＜Ｂ  ・・・（１）
および
２ｆｂ＜ｆａ  ・・・（２）
を満たすことが望ましい。
ここで、Ａ／ｆｂは、ブランキングの一周期の間に電子線発生装置に対し基板が相対的に移動する距離、または電子線が基板に対して相対的に移動する距離を意味する。したがって、式（１）を満たすことで、一周期の間に露光される範囲を十分にカバーする程度の幅で電子線の照射方向が偏向される。
また、式（２）は、偏向周波数ｆａがブランキング周波数ｆｂより一定程度大きいことを規定したものであり、ブランキングの一周期の間に、電子線で約２回以上なぞることで、露光線が一様となり、高精度な露光が可能となる。
【００１１】
また、本発明の課題を解決するため感光層が設けられた基板に電子線で露光を行う電子線描画装置であって、前記電子線を発生する電子線発生装置と、前記電子線に対し前記基板を相対的に移動させるため、前記電子線または前記基板を移動させる移動装置と、前記電子線のブランキングおよび前記基板に対する照射位置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記電子線を所定のブランキング周波数でブランキングさせながら照射するとともに、前記電子線を描画方向に前後に振動させるように相対的に移動させ、かつ、この前後に振動させるような移動は、前記ブランキング周波数より高い周波数で行うことを特徴とする。
【００１２】
このような装置によれば、前記した方法を実現して、微細かつ高精度な電子線による露光を高速で行うことができる。
【００１３】
この電子線描画装置においては、前記移動装置として電子線の照射方向を偏向させる偏向器を含み、前記制御装置は、前記電子線を、前記相対的な移動方向に振動させるように偏向させることで前記前後に振動させるような移動を行うことができる。また、前記制御装置は、前記基板を、前記電子線に対し移動させることで前記前後に振動させるような移動を行うこともできる。
【００１４】
そして、前記した電子線描画装置においては、前記電子線に対する前記基板の相対速度をＡ（ｍ／ｓ）、前記ブランキング周波数をｆｂ（１／ｓ）、前記電子線の偏向周波数をｆａ（１／ｓ）、前記電子線の前記相対移動方向への偏向の前記基板上で振幅をＢ（ｍ）としたとき、前記制御装置は、
ａ／ｆｂ＜Ｂ
および
２ｆｂ＜ｆａ
を満たすように前記電子線のブランキングおよび照射方向を制御するのが望ましい。
【００１５】
さらに、前記した電子線描画装置においては、前記移動装置は、前記基板を回転させる回転装置を含み、前記制御装置は、前記基板の回転中心からの距離が小さいほど、前記ブランキングの割合を大きくして露光量を小さくすることが望ましい。
【００１６】
このようにすることで、基板を等速度で回転させても、電子線による露光強度を、基板全体で一様にすることができる。
【００１７】
さらに本発明は、電子線を発生する電子線発生装置と、前記電子線の照射方向を偏向させる偏向器と、前記基板を支持し前記電子線に対し前記基板を相対移動させる移動装置と、前記電子線のブランキングおよび照射方向を制御する制御装置とを備えて感光層が設けられた基板に電子線で露光を行う電子線描画装置を制御するためのプログラムであって、前記制御装置を、所定のブランキング周波数でブランキングさせて前記電子線を照射するブランキング手段、前記ブランキング周波数より高い周波数で描画方向に前後に振動させるように前記電子線の照射方向を偏向させる偏向手段として機能させるプログラムとして構成することも可能である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、微細かつ高精度な電子線による露光を高速で行うことができ、電子線の強度を動的に変更することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、本発明の実施形態に係る電子線描画装置について図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る電子線描画装置の要部側面図（ａ）および平面図（ｂ）である。
【００２０】
図１（ａ）に示すように、電子線描画装置１０は、基板１に電子線を照射する電子線照射装置２０と、基板１を回転・移動させる移動装置の一例としての基板移動装置（回転装置）３０と、電子線照射装置２０および基板移動装置３０の動作を制御する制御装置４０とを備えて構成されている。
基板１は電子線レジスト液が塗布された円形の基板であり、基板移動装置３０により図１（ｂ）に示す矢印Ｒ方向に回転される。
基板移動装置３０は、回転ステージユニット３１と、この回転ステージユニット３１を図１（ｂ）のＹ方向、すなわち基板１の半径方向へ進退移動させる直線移動装置３５とを備えている。
【００２１】
回転ステージユニット３１は、円形のステージ３２とスピンドルモータ３３とからなる。ステージ３２は、水平に設置された円板からなり、基板１がその中心をステージ３２の回転中心３４に合わせて載置される。
スピンドルモータ３３は、ステージ３２を鉛直軸周りに回転させるモータであり、そのモータ軸がステージ３２の中心に固定されている。
【００２２】
直線移動装置３５は、Ｙ方向に延びるシャフト３６と、シャフト３６に沿ってシャフト３６に支持されたネジ軸３７と、ネジ軸３７を正方向または逆方向に回転させるパルスモータ３８とを備えてなる。ネジ軸３７は、前記したスピンドルモータ３３と係合してボールネジ機構を構成しており、パルスモータ３８の回転によりスピンドルモータ３３がＹ方向に移動可能となっている。
【００２３】
電子線照射装置２０は、電子線ＥＢを出射する電子線発生装置としての電子銃２１と、電子線ＥＢをＹ方向（基板１の半径方向）へ偏向させる移動装置の一例としての偏向器２２とＹ方向に直交するＸ方向（円周方向）へ偏向させる偏向器２３と、電子線ＥＢを基板１上に集束させる電子光学系２４とを備えている。これにより、電子銃２１から出射された電子線ＥＢは偏向器２２，２３および電子光学系２４を経て、基板１上に照射される。
【００２４】
電子光学系２４は、図２に示すように、電子線ＥＢの基板１上への照射エネルギーを調整する調整用電子レンズ２４ａと、調整用電子レンズ２４ａを通過した電子線ＥＢを絞るアパーチャ２４ｂと、アパーチャ２４ｂを通過した電子線ＥＢの基板１上へのフォーカスおよび非点収差を補正する補正用電子レンズ２４ｃとを備えている。調整用電子レンズ２４ａおよび補正用電子レンズ２４ｃは、それぞれ電流が流れることにより磁場を発生する複数のコイルを備えており、このコイルに流れる電流が制御されることにより調整用電子レンズ２４ａおよび補正用電子レンズ２４ｃのレンズの強度が制御される。
【００２５】
偏向器２２，２３は、それぞれコイルが設置され、各コイルに電流を流すことにより磁界が発生して電子線ＥＢをそれぞれＹ方向およびＸ方向に曲げることができる。なお、偏向器２２，２３は、電圧の付与により電界を発生させ、電子線ＥＢを曲げるものであってもよい。
偏向器２２，２３は、電子線ＥＢを断続的に照射、すなわちブランキングするための装置としても利用できる。偏向器２２または偏向器２３に、電子線ＥＢを曲げるための磁界を強く発生すれば、電子線ＥＢは、アパーチャ２４ｂに遮断されて、基板１には到達しない。したがって、偏向器２２，２３に適度な強度の信号をパルス的に出力することにより、電子線ＥＢをブランキングすることができる。
なお、ブランキングの遮断壁として電子光学系２４のアパーチャ２４ｂを利用するのではなく、別個に電子線ＥＢの遮断用の絞りを偏向器２２，２３の直下に設けてもよい。また、ブランキングのために電子線ＥＢを偏向させる装置を偏向器２２，２３と別個に設ける構成とすることもできる。
【００２６】
電子銃２１、偏向器２２，２３、電子光学系２４および基板移動装置３０は、それぞれ制御装置４０に接続され、制御装置４０から各機器を制御するための信号が入力されることで動作が制御される。
【００２７】
制御装置４０は、図示はしないが、ＣＰＵ、ＲＯＭおよびＲＡＭを含む記憶装置ならびに各機器に信号出力するためのドライバを備え、記憶装置に記憶したプログラムを適宜読み出して実行することで、各機器に制御信号を出力するように構成されている。
そのため、制御装置４０が、スピンドルモータ３３の駆動およびパルスモータ３８の駆動のタイミング等を制御することにより、基板１上に同心円状のパターンまたは渦巻き状のパターンなどの所望のパターンを描画することができる。
【００２８】
本実施形態の電子線描画装置１０では、電子線ＥＢのブランキングと偏向をともに偏向器２２，２３で行う構成となっており、制御装置４０には、ブランキングをするためのブランキング手段４１、および高周波数で偏向させる偏向手段４２として制御装置４０を機能させるプログラムが記憶されている。
【００２９】
ブランキング手段４１は、図１（ｂ）のＹ方向に電子線ＥＢを大きく振るために、偏向器２２に大きなパルス電圧を所定の周波数で出力するように構成されている。なお、この所定の周波数は、一定である必要はなく、露光位置に応じて動的に変更できることはいうまでもない。また、ブランキングの割合（デューティ比）も露光位置に応じて動的に変更することができる。例えば、露光位置が基板１の回転中心から（距離が小さい）ほど、ブランキングの割合を比例して大きくすることで、露光量を小さくし、スタンパ原版全体として一様な露光量を得ることができる。
さらに、ブランキングのために電子線ＥＢを大きく振る方向は、Ｙ方向に限らず、Ｘ方向であっても構わない
【００３０】
偏向手段４２は、電子線ＥＢのブランキング周波数より高い周波数で図１（ｂ）のＸ方向、すなわち基板１の電子線ＥＢに対する相対的移動方向（描画方向）に前後に電子線ＥＢを振動させるように偏向させる手段である。すなわち、電子線ＥＢは、揺動するように動くことになる。そのため、偏向手段４２は偏向器２３に低出力で高速なパルス信号を出力するように構成されている。
なお、本実施形態では、基板１は回転運動しているので、Ｘ方向と電子線ＥＢに対する基板１の相対移動方向とは厳密には一致せず、相対的移動の接線方向ということもできるが、電子線ＥＢの振幅は基板１上の露光される点の回転半径に比べて小さいので、この点の軌跡である円弧は直線と同視できる。
【００３１】
偏向手段４２により電子線ＥＢを振動させる振幅Ｂ（ｍ）は、電子線ＥＢに対する基板１の相対速度をＡ（ｍ／ｓ）、ブランキング周波数をｆｂ（１／ｓ）、電子線の偏向周波数をｆａ（１／ｓ）、としたとき、
Ａ／ｆｂ＜Ｂ
を満たすのがよい。なお、相対速度Ａは、電子線ＥＢを振動させない場合に対する相対速度である。
また、ブランキング周波数ｆｂと偏向周波数ｆａは、最低限、ｆｂ＜ｆａを満たす必要があるが、望ましくは
２ｆｂ＜ｆａ
を満たすのがよい。これにより、一回のブランキングの間に、そのブランキングの際に基板１が相対的に移動する範囲を電子線ＥＢで約２回（ブランキング信号のデューティ比により異なる）なぞることになり、描画のムラを少なくすることができる。
【００３２】
以上のような電子線描画装置１０を用いた電子線描画方法について説明する。
電子線描画をする際には、基板１の表面に電子線レジスト液を塗布して感光層を設け、この感光層が上側になるようにして、ステージ３２の上に固定する。
そして、制御装置４０は、スピンドルモータ３３を制御してステージ３２を一定回転させつつ、パルスモータ３８に制御パルスを送って回転させ、電子線ＥＢが基板１の内周側から外周側に向けて螺旋状に基板１に照射されるように回転ステージユニット３１を移動させる。
【００３３】
そして、制御装置４０は、電子銃２１から電子線ＥＢを発生させるとともに、偏向器２２，２３にブランキング手段４１および偏向手段４２によりパルス信号を送る。
すなわち、図３（ａ）に示すように、ブランキング信号として、大きい振幅で比較的低い周波数でパルス信号を送り、偏向信号として、ブランキング信号より小さい振幅で、ブランキング信号より高い周波数でパルス信号を送る。
ブランキング信号は偏向器２２，２３のいずれかまたは双方に送られ、偏向信号は偏向器２３に送られる。
なお、ブランキング信号と偏向信号の振幅の大きさの違いは、これらがともに同等の性能を有する偏向器２２，２３に送られているからであって必須の条件ではない。ブランキング用の偏向器が別個に設けられる場合には、その偏向器に合った振幅のブランキング信号を用いればよい。
【００３４】
このブランキング信号および偏向信号により、描画パターンは、図３（ａ）に示したように、連続的で細いパターンとすることができる。
また、本実施形態の場合（図３（ａ）の場合）に、同じビーム径であっても描画パターンの線幅が細くなる理由は、電子線ＥＢの断面のエネルギー分布が中心ほど高く、周辺ほど弱いためである。電子線ＥＢが全体として弱くなったことにより、感光層を十分に感光できるエネルギーを有する部分が中心付近のみになり、線幅が細くなるのである。
【００３５】
この実施形態の効果を従来の方法で電子線描画した場合と比較して説明する。図３（ｂ）は、ブランキングも振動させる偏向もしなかった場合であり、連続的ではあるが、太い線での描画がなされることになる。
また、図３（ｃ）に示すように、ブランキングのみを行い、振動させる偏向を行わなかったときには、描画パターンは、太い線で断続的となる。もちろん、基板１の電子線ＥＢに対する速度に対して十分にブランキング周波数が高かった場合には、図３（ｃ）のように断続的なパターンになることはなく、ほぼ連続したパターンとなるが、基板１を一定以上の高速で回転させた場合には、図３（ａ）と図３（ｃ）に示したような断続パターンと連続パターンの差がでることになる。
【００３６】
このようにして、電子線ＥＢをブランキングにより弱くすることができ、描画パターンも細くすることができる。このような描画の太さの変更は、電子線ＥＢを照射しながら、ブランキング信号のデューティ比を変更することで動的に変更させることができる。したがって、基板１の回転中心３４からの距離に応じて電子線ＥＢの強度を変えたい場合などに好適に本発明を利用することができる。また、電子線ＥＢのブランキングのみでは、描画パターンが断続的になってしまうほどに基板１の速度が速くても、電子線ＥＢを基板１の相対的移動方向（描画方向）に振動させるように偏向させるので、連続的な描画パターンを形成でき、結果として、高速な描画が可能となる。
【００３７】
以上のように、本発明の実施形態による電子線描画装置１０および電子線描画方法によれば、電子線ＥＢを弱めることができ、微細かつ高精度な電子線ＥＢによる露光を高速で行うことができる。また、電子線の強度を動的に変更することができる。
本発明の方法および装置は、溝幅が８０〜１８０ｎｍ、深さが６０ｎｍ以下の微細な溝を有する光情報記録媒体用スタンパ原版の製造に有効であり、異なる２種類以上の溝幅を有するスタンパ原板の製造の場合には、電子線描画装置１０を稼働させながら線幅、すなわち溝幅を変えることができるので特に有効に利用することができる。
【００３８】
以上に本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記した実施形態には限定されない。
例えば、基板１への螺旋の描画は、基板１の内周からする場合だけでなく、外周から行ってもよい。
また、基板１を回転させる場合に限らず、平行移動させて、直線や曲線を描画してもよい。この場合には、描画方向への電子線の相対的移動を、電子線の位置を固定し、基板１を平行移動することにより行うだけでなく、描画方向に電子線を振動させるように相対的に移動させるのも、基板１を細かく振動させるように平行移動することにより行ってもよい。
また、移動装置は、電子線ＥＢと基板の相対的位置を移動させるものであればよいので、基板１を移動させる装置に限らず、基板１を固定し、電子線ＥＢを動かす偏向器２２，２３を、描画方向を決めるための移動装置として用いてもよい。すなわち、基板１は固定させたまま、偏向器２２，２３に送る電流を制御することで、電子線ＥＢの照射位置を変位させて描画することも可能である。
【実施例】
【００３９】
前記した実施形態と同様の電子線描画装置により、光情報記録ディスク用のスタンパ原版の製造に際し、ブランキング信号および偏向信号を用いて螺旋状のグルーブパターンを電子線により描画した。
このときの描画条件は下記の通りとした。
線速度（電子線に対する基板の相対速度）  ０．５ｍ／ｓ
ブランキング周波数ｆｂ                      １ＭＨｚ
ブランキングの信号のデューティ比          ５０％
電子線の偏向周波数ｆａ                    １０ＭＨｚ
偏向の振幅                                  １μｍ
【００４０】
この結果、線幅１４０ｎｍで連続的なグルーブパターンを描画することができた。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施形態に係る電子線描画装置の要部側面図（ａ）および平面図（ｂ）である。
【図２】電子線光学系を説明する詳細図である。
【図３】ブランキング信号、偏向信号および描画パターンの関係を示した図であり、（ａ）が本実施形態の場合、（ｂ）がブランキング信号も偏向信号も用いない場合、（ｃ）がブランキング信号のみを用いた場合を示す。
【符号の説明】
【００４２】
１      基板
１０    電子線描画装置
２０    電子線照射装置
２１    電子銃
２２    偏向器
２３    偏向器
２４    電子光学系
３０    移動装置
４０    制御装置
４１    ブランキング手段
４２    偏向手段
ＥＢ    電子線
【図１】
2008134482.tif 000003
【図２】
2008134482.tif 000004
【図３】
2008134482.tif 000005