(57)【要約】      （修正有）【課題】レジスト除去用組成物及びこれを使用したレジストの除去及び分解方法に関し、より詳細には、カーバメート系化合物を含むレジスト除去用組成物に関する。本発明のレジスト除去用組成物は、オゾンによる工程中にレジストの除去によって発生するレジスト残留物を選択的に分解して、処理枚数を飛躍的に向上させて、金属配線または酸化膜の腐食を防止する効果がある。【解決手段】（ａ）環状ラクトン系化合物及び（ｂ）アミド系化合物、カーバメート系化合物、またはこれらの混合物を含むレジスト除去用組成物を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーバメート系化合物を含むレジスト除去用組成物。
【請求項２】
前記組成物は、カーバメート系化合物を１００重量％で含むことを特徴とする、請求項１に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項３】
（ａ）環状ラクトン系化合物及び
（ｂ）アミド系化合物、カーバメート系化合物、またはこれらの混合物を含む、レジスト除去用組成物。
【請求項４】
前記組成物は、環状ラクトン系化合物９９．９乃至７０重量部及びカーバメート系化合物３０乃至０．１重量部を含むことを特徴とする、請求項３に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項５】
前記組成物は、環状ラクトン系化合物９９．９乃至７０重量部及びアミド系化合物３０乃至０．１重量部を含むことを特徴とする、請求項３に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項６】
前記組成物は、環状ラクトン系化合物７０乃至９９．８重量部、アミド系化合物０．１乃至３０重量部、及びカーバメート系化合物０．１乃至３０重量部を含むことを特徴とする、請求項３に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項７】
前記カーバメート系化合物は、メチルカーバメート、エチルカーバメート、プロピルカーバメート、ブチルカーバメート、ｔｅｒｔ−ブチルカーバメート、Ｎ−エチルエチルカーバメート、Ｎ−メチルエチルカーバメート、及びＮ−エタノールエチルカーバメートからなる群より選択される１種以上であることを特徴とする、請求項１または３に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項８】
前記環状ラクトン系化合物は、下記の化学式１及び２で示される化合物からなる群より選択されるものであることを特徴とする、請求項３に記載のレジスト除去用組成物。
【化１】
2008065328.tif 000009
【化２】
2008065328.tif 000010
（前記式で、Ｒ及びＲ１は各々独立的に水素、ヒドロキシル基、炭素数１乃至１０のアルキル基、炭素数１乃至１０のアルカノール基、または炭素数１乃至１０のアルキルアセテート基である）
【請求項９】
前記環状ラクトン系化合物は、ガンマブチロラクトン、ガンマメチレンガンマブチロラクトン、アルファメチルガンマブチロラクトン、アルファメチレンガンマブチロラクトン、２−アセチルブチロラクトン、ガンマヘキサロラクトン、ガンマノナノールラクトン、デルタオクタロラクトン、ガンマバレロラクトン、デルタバレロラクトン、及びデルタヘキサノンラクトンからなる群より選択される１種以上であることを特徴とする、請求項３に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１０】
前記アミド系化合物は、下記の化学式３で示されるものであることを特徴とする、請求項３に記載のレジスト除去用組成物。
【化３】
2008065328.tif 000011
（前記式で、Ｒは水素、炭素数１乃至１０のアルキル、アルカノール、アルコキシ、アミン、またはヒドロキシル基であり、Ｒ´は水素、炭素数１乃至１０のアルキルまたはアルカノールであり、Ｒ´´は水素、炭素数１乃至１０のアルキルまたはアルカノールである）
【請求項１１】
前記アミド系化合物は、アセトアミド、ホルムアミド、モノメチルアミド、ジメチルアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、及び尿素からなる群より選択される１種以上であることを特徴とする、請求項３に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１２】
フォトリソグラフィ工程において、
請求項１または３によるレジスト除去用組成物を使用してフォトリソグラフィ工程でのレジストを除去及び分解する段階を含み、
前記レジストを分解する段階は、レジスト除去用組成物にオゾンを投入する段階を含むフォトリソグラフィ工程でのレジストの除去及び分解方法。
【請求項１３】
前記オゾンは、レジスト除去用組成物に５０乃至１００ｐｐｍの濃度で溶解されていることを特徴とする、請求項１２に記載のフォトリソグラフィ工程でのレジストの除去及び分解方法。
【請求項１４】
請求項１または３によるレジスト除去用組成物を使用して、表示素子の製造工程中に発生する変性または硬化したフォトレジストを剥離する段階を含む表示素子の製造方法。
【請求項１５】
前記表示素子は、半導体素子または平板表示素子を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏ−ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程に使用されるレジスト（ｒｅｓｉｓｔ）を除去するための組成物に関し、より詳細には、金属膜をパターニングするレジストを除去する時に、金属膜の腐食を最少化することができ、レジストの除去力が優れていて、オゾンによる再生処理工程を経る時に、オゾンによる溶剤自体の分解反応を抑制し、溶剤内に残留するレジストがオゾンによって分解されるより溶剤によって選択的に分解されるようにする、レジスト除去用組成物とこれを使用したフォトリソグラフィ工程でのレジストの除去及び分解方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レジスト（フォトレジスト；ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ）は、フォトリソグラフィ工程に必須で使用される物質であり、このようなフォトリソグラフィ工程は、集積回路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ、ＩＣ）、高集積回路（ｌａｒｇｅ  ｓｃａｌｅ  ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ、ＬＳＩ）、超高集積回路（ｖｅｒｙ  ｌａｒｇｅ  ｓｃａｌｅ  ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ、ＶＬＳＩ）などの半導体素子、液晶表示素子（ｌｉｑｕｉｄ−ｃｒｙｓｔａｌ−ｄｉｓｐｌａｙａｙ、ＬＣＤ）や平板表示素子、プラズマディスプレイパネル（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）などの画像実現装置などを製造するために一般的に行われる工程のうちの１つである。
【０００３】
以下、フォトリソグラフィ工程について簡略に説明する。
【０００４】
まず、所定の基板、例えば半導体基板またはガラス基板上にレジスト膜を形成する。前記基板は、レジスト膜を形成する前に他のいかなる工程も経ていない基板であってもよいが、通常はレジスト膜を形成する前に既に多様な段階の前工程を経て金属配線などの下部構造物が形成されている。したがって、前記レジスト膜は、基板の内部または基板上に既に形成されている所定の下部構造物の上部に形成されるのが一般的である。前記レジスト膜は、基板の上部の全面または選択的な領域に形成されるが、基板の全面に形成されるのがより一般的である。その後、後続のパターン形成工程を行うことによって、所定の領域のレジスト膜を除去して基板の上部を露出させ他の領域のレジスト膜は残すことによって、基板の上部を残ったレジスト膜で保護するようになる。基板の上部の全面にレジスト膜を形成する方法は多様であるが、最も一般的なのはスピンコーティング方法である。
【０００５】
次に、目的とする所定のパターンが形成された露光マスクを前記基板の全面に形成されたレジスト膜の上部に密着させて配置したり、レジスト膜の上部から所定の間隔で離隔させて配置する。その後、前記マスクの全面に対して、例えば紫外線、電子線、またはＸ線などの高エネルギー活性線を照射する露光工程を行う。前記マスクパターンは、前記照射された高エネルギー活性線を透過させる領域及び遮光する領域に区分されるようにパターンが形成されている。したがって、前記マスクパターンの透過領域を通過した前記高エネルギー活性線は、その下部のレジスト膜に到達する。前記レジスト膜に到達した高エネルギー活性線は、レジスト膜の物性を変性させる。前記高エネルギー活性線の照射が終了すると、前記レジスト膜は、前記高エネルギー活性線の照射前と同一な物性に維持される領域、及び前記照射によってその内部の物性が変性した領域に区分されるように形成される。前記のようにレジスト膜の物性の変性の有無で区分されて形成されるパターンは、前記マスクパターンによって暫定的に決定されるため、通常、マスクパターンの「潜在像（ｌａｔｅｎｔ）」という。
【０００６】
前記レジスト膜に形成された潜在像に対して現像工程を行って、マスクパターンが転写されたレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンをエッチングマスクとして利用して下部基板をエッチングすることによって、最終的に基板の内部に所定のパターンを形成する。その後、所定のパターンが形成された基板の上部にあるレジスト残留物を除去することによって、一連のフォトリソグラフィ工程が完了する。
【０００７】
この時、既存のレジスト除去用組成物として、韓国公開特許２００３−００３３９８８号は、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、またはこれらの混合物を含む処理液を使用して基板の表面上に有機被膜を製造する方法を開示している。また、米国特許第６，４０３，５４４号は、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどの再生処理方法を開示している。
【０００８】
前記方法では、カーボネート化合物を使用しているが、エチレンカーボネートは、融点が常温以上に高いので剥離溶剤として使用するのが困難であり、プロピレンカーボネートは、他の剥離溶剤に比べて剥離性能が低いという短所がある。また、前記方法は、ラクトンを分別蒸留して不純物と分離する方法であって、リアルタイムでレジストを分解するのとは程遠く、使用後に一定量のレジストが含まれている溶剤を回収して別途に分別蒸留工程を経るものであるため、追加的な費用がかかるという短所がある。
【０００９】
また、従来のカーボネート化合物は、オゾンによって分解されて過酸化物またはカルボン酸類などを発生させるが、このようなカーボネート化合物のオゾンによる副産物は、金属配線の腐食をもたらして、カーボネート化合物の純度を低下させ、剥離溶剤としての剥離性能をさらに低下させるという短所がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このような従来の技術の問題点を解決するために、本発明の目的は、フォトレジスト工程で硬化したレジスト膜及び変性したレジストの同時除去力が優れているだけでなく、薬液疲労度が少なく、レジストの分解力が優れているオゾンの選択的分解反応を誘導することができる、レジスト除去用組成物を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、前記レジスト除去用組成物を使用したフォトリソグラフィ工程でのレジストの除去及び分解方法を提供することにある。
【００１２】
本発明のまた他の目的は、前記レジスト除去用組成物とフォトリソグラフィ工程でのレジストの除去及び分解方法を半導体素子及び表示素子の製造に適用する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、本発明は、カーバメート系化合物を含む、レジスト除去用組成物を提供する。
【００１４】
本発明は、また、（ａ）環状ラクトン系化合物及び（ｂ）アミド系化合物、カーバメート系化合物、またはこれらの混合物を含む、レジスト除去用組成物を提供する。
【００１５】
本発明は、また、フォトリソグラフィ工程において、前記レジスト除去用組成物のうちの１つを使用してフォトリソグラフィ工程でのレジストを除去及び分解する段階を含み、前記レジストを分解する段階は、レジスト除去用組成物にオゾンを投入する段階を含む、フォトリソグラフィ工程でのレジストの除去及び分解方法を提供する。
【００１６】
本発明は、また、前記レジスト除去用組成物を使用して表示素子の製造工程中に発生する変性または硬化したフォトレジストを剥離する段階を含む表示素子の製造方法を提供する。
【００１７】
前記表示素子は、半導体素子または平板表示素子を含むことができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によるレジスト除去用組成物は、オゾンの選択的分解反応を誘導して、工程中のレジストの除去力が優れているだけでなく、レジスト除去用組成物に溶解されているレジストを分解する再生処理過程で、オゾンによってレジスト除去用組成物が分解されて副産物を発生させないので、再生処理時に問題になる反応副産物による金属配線の腐食を防止することができる。また、本発明は、オゾンによって簡単な方法で使用後のレジスト除去用組成物を再生できてフォトリソグラフィ工程に再活用することができるという長所がある。本発明のレジスト除去用組成物とフォトリソグラフィ工程でのレジストの除去及び分解方法は、半導体素子だけでなくいろいろの多様な表示素子の製造工程に適用されて変性及び硬化したレジストを効果的に除去することによって、生産収率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明をより詳細に説明する。
【００２０】
本発明は、フォトリソグラフィ工程でレジストパターンを形成した後、順次に基板の上部にあるレジスト残留物をレジスト除去用組成物溶剤で除去して、溶剤内に溶解されて残留するレジストをオゾンとの反応によって分解するために反応槽を通過する工程で、溶剤がオゾンによって分解されない安定性を確保することができる、レジスト組成物を提供することを特徴とする。
【００２１】
既存の単独で溶剤として使用されるカーボネート化合物やラクトン系化合物は、溶剤内に残留するレジストをオゾンで分解する工程を長時間経る場合に、使用される溶剤の異性体が生成されたり、過酸化物または蟻酸、酢酸、プロピオン酸など多様なカルボン酸類が生成されて、溶剤の純度を低下させる短所がある。このような純度の低下は、レジストの除去力の低下をもたらし、カルボン酸類の生成及び過酸化物の生成は、金属配線の損傷をもたらす結果となる。
【００２２】
したがって、本発明では、オゾンによって薬液が分解されて薬液の純度が低下したり、分解反応副産物として生成される過酸化物またはカルボン酸類などによる副作用を抑制するために、カーバメート系溶剤を単独で使用したり、またはラクトン系溶剤にアミド系またはカーバメート系溶剤を添加して、その分解反応を抑制することができるようにした。
【００２３】
つまり、前記カーバメート系化合物は、窒素基を含んでいて若干のアルカリ度を有するため、オゾンが存在する場合にラジカルの形成を助け、レジストの分解反応を助けることができるので、単独で溶剤として使用が可能である。また、前記カーバメート系化合物は、カーボネート化合物やラクトン系化合物より安定していて、オゾンによって分解されにくいので、副産物による副作用を抑制することができる。
ここで、本発明のレジスト除去用組成物は、カーバメート系化合物を含む１成分系組成であってもよく、１００重量％の量を含むことができる。
【００２４】
ただし、カーバメート系化合物は、ラクトン系溶剤に比べてレジスト中の感光剤（ＰＡＣ）を酸化させる性質が強いので、溶剤の色が大きく向上されないこともある。したがって、本発明のレジスト除去用組成物は、ラクトン系溶剤に前記カーバメート系化合物、アミド系化合物、またはこれらの混合物をさらに含ませて使用するのが好ましい。
【００２５】
この時、前記アミド系化合物は、それ自体が極性溶剤であるため、その特性上、オゾンの分解作用に有用なラジカルを形成する代わりに急激に酸素で還元させるので、レジストの分解に良くない影響を与えるため、単独で使用することはできない。
【００２６】
したがって、本発明では、オゾンによる溶剤自体の分解反応を抑制して、レジストの剥離性能を向上させるために、沸点が１８０℃以上のラクトン系溶剤を使用し、オゾンの選択的分解反応を誘導するために、アミド系化合物またはカーバメート系化合物を使用するのである。
【００２７】
この場合、本発明のレジスト除去用組成物は、環状ラクトン系化合物９９．９乃至７０重量部及びカーバメート系化合物３０乃至０．１重量部を含む２成分系組成でありうる。
【００２８】
また、本発明のレジスト除去用組成物は、環状ラクトン系化合物９９．９乃至７０重量部及びアミド系化合物３０乃至０．１重量部を含む２成分系組成でありうる。
また、本発明のレジスト除去用組成物は、環状ラクトン系化合物９９．８乃至７０重量部、カーバメート系化合物３０乃至０．１重量部、アミド系化合物３０乃至０．１重量部を含む３成分系組成でありうる。
【００２９】
前記環状ラクトン系化合物及びアミド系化合物を含む２成分系または３成分系組成物からなる群において、環状ラクトン系化合物の含量が９９．９重量部を超過する場合には、オゾンによる溶剤の分解反応を抑制することができずに多量の副産物を発生させ、７０重量部未満である場合には、アミド系化合物の極性が大きく作用して、オゾンのラジカル形成を妨害して、オゾンを還元させて酸素を発生させるので、溶剤内に残留するフォトレジストを分解する効率が急激に低下する問題点がある。
【００３０】
また、前記環状ラクトン系化合物及びカーバメート系化合物を含む２成分系または３成分系組成物からなる群において、環状ラクトン系化合物の含量が９９．９重量部を超過する場合には、オゾンによる溶剤の分解反応を抑制することができずに多量の副産物を発生させ、７０重量部未満である場合には、レジストの除去力が低下する問題点がある。
【００３１】
また、前記３成分系組成物において、アミド系化合物またはカーバメート系化合物の含量が３０重量部を超過する場合には、オゾンのラジカル形成を妨害し、オゾンを還元させて酸素を発生させるので、溶剤内に残留するフォトレジストを分解する効率が急激に低下する問題点があり、０．１重量部未満である場合には、オゾンによるラクトン系溶剤の分解反応を抑制することができずに多量の副産物を発生させる問題点がある。
【００３２】
本発明で使用されるカーバメート系化合物としては、メチルカーバメート、エチルカーバメート、プロピルカーバメート、ブチルカーバメート、ｔｅｒｔ−ブチルカーバメート、Ｎ−エチルエチルカーバメート、Ｎ−メチルエチルカーバメート、及びＮ−エタノールエチルカーバメートからなる群より選択される１種以上を使用するのが好ましい。
【００３３】
前記環状ラクトン系化合物は、下記の化学式１または化学式２で示される化合物からなる群より選択される１種以上を使用するのが好ましい。
【００３４】
【化１】
2008065328.tif 000002
【００３５】
【化２】
2008065328.tif 000003
（前記式で、Ｒ及びＲ１は各々独立的に水素、ヒドロキシル基、炭素数１乃至１０のアルキル基、炭素数１乃至１０のアルカノール基、または炭素数１乃至１０のアルキルアセテート基である）。
【００３６】
前記環状ラクトン系化合物の具体的な例としては、ガンマブチロラクトン、ガンマメチレンガンマブチロラクトン、アルファメチルガンマブチロラクトン、アルファメチレンガンマブチロラクトン、２−アセチルブチロラクトン、ガンマヘキサロラクトン、ガンマノナノールラクトン、デルタオクタロラクトン、ガンマバレロラクトン、デルタバレロラクトン、及びデルタヘキサノンラクトンからなる群より選択される１種以上を使用するのが好ましい。
【００３７】
前記アミド系化合物は、下記の化学式３で示される化合物を使用するのが好ましい。
【００３８】
【化３】
2008065328.tif 000004
（前記式で、Ｒは水素、炭素数１乃至１０のアルキル、アルカノール、アルコキシ、アミン、またはヒドロキシル基であり、Ｒ´は水素または炭素数１乃至１０のアルキルまたはアルカノールであり、Ｒ´´は水素、炭素数１乃至１０のアルキルまたはアルカノールである）。
【００３９】
前記アミド系化合物の具体的な例としては、アセトアミド、ホルムアミド、モノメチルアミイド、ジメチルアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、及び尿素からなる群より選択される１種以上を使用するのが好ましい。
【００４０】
また、本発明は、前記レジスト除去用組成物をフォトリソグラフィ工程でのレジストを除去及び分解する段階に適用することができる。
【００４１】
この際、カーバメート系化合物を含む組成物をレジスト剥離溶剤として使用する場合には、オゾンによるレジストの分解及びレジストの剥離に大きな問題点が発生することはないが、窒素基を含んでいるため、感光剤（ＰＡＣ）の一部を酸化させて溶剤の色が濃くなることがあるので、溶剤の色が問題にならない制限された工程に適用されるのが好ましい。
【００４２】
また、本発明の２成分系または３成分系のレジスト除去用組成物を使用してオゾンによって溶剤内に残留するレジストを除去する時には、オゾンはオゾン発生装置を使用してリアルタイムで供給されなければならない。また、溶剤に含まれているレジスト及び基板に塗布されたレジストを分解または剥離するために、５０乃至１００ｐｐｍ程度のオゾンが溶剤に溶解しているのが好ましく、少なくとも３０ｐｐｍ以上のオゾンがレジスト除去用組成物に溶解していることによって、レジストの除去を助けることができる。また、オゾンが溶剤に効率的に溶解されるためには、発生装置及び溶剤が入っているタンクの間に接触器が必要である。このようなオゾンは、溶剤内で分解する効率が高いほど、レジストの剥離性能が高くなり、温度が高くてヒドロキシオキシドが多く存在するほど、その分解速度が速い。
【００４３】
以上のような本発明のレジスト除去用組成物の製造方法は特に限定されず、通常の方法で配合されて、電子回路または表示素子の金属配線をパターニングするレジストの除去に使用される。
【００４４】
本発明のレジスト除去用組成物は、フォトリソグラフィ工程が使用される工程であればその素子の種類に特に限定されず多様に適用することができる。
【００４５】
したがって、本発明のレジスト除去用組成物は、半導体またはＦＰＤ工程中に発生した変性または硬化したフォトレジストを剥離するのに使用できる。前記変性または硬化したフォトレジストは、多重接合または単一金属配線と無機材料層で形成された基板の湿式または乾式エッチング工程で発生するものである。前記表示素子は、集積回路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ、ＩＣ）、高集積回路（ｌａｒｇｅ  ｓｃａｌｅ  ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ、ＬＳＩ）、超高集積回路（ｖｅｒｙ  ｌａｒｇｅ  ｓｃａｌｅ  ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ、ＶＬＳＩ）等のような半導体素子、液晶表示素子（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙａｙ、ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）等のような平板表示素子（Ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｉｓｐｌａｙ、ＦＰＤ）等の多様な画像実現装置などを含む。
【００４６】
好ましい一例を挙げれば、本発明は所定の基板上にレジスト膜を形成し、露光及び現像した後にエッチングして所定のパターンを形成し、前記所定のパターンが形成された基板上部に残留するレジストパターンを本発明のレジスト除去用組成物を適用して、工程中に発生した変性または硬化したフォトレジストを剥離する段階を含んで、表示素子を製造することができる。
【００４７】
この時、所定の基板は被エッチング層が形成された半導体基板、ガラス基板、シリコンウエハーなどを含み、その種類が特に限られない。また、前記被エッチング層は本発明が属する技術分野における通常のものを選択して形成することができる。また、レジスト膜はポジティブまたはネガティブ方式の通常のレジスト組成物を使用して基板にコーティングして形成することができ、この時、コーティング方式はスピンコーティング方式などを利用できる。
【００４８】
以上で本発明の好ましい実施例について記載したが、本発明がこれに限定されるのではなく、当該技術分野の熟練した技術者は前記に記載された範囲及び特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内では本発明を多様に変更及び修正できることが認知できる。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例及び比較例を通じて本発明をより詳細に説明する。しかし、実施例は本発明を例示するためのものであり、本発明はこれに限定されない。一方、下記の実施例において、別途の言及がない場合には、百分率及び混合比は重量を基準にしている。
【００５０】
＜実施例１乃至１５＞
下記の表１のような成分及び含量で実施例１乃至１５のレジスト除去用組成物を製造した。
【００５１】
【表１】
2008065328.tif 000005
（前記表１で、ＡＡ：アセトアミド、ＦＡ：ホルムアミド、ＭＭＡｃ：モノメチルアミド、ＭＭＦ：モノメチルホルムアミド、ＤＭＡｃ：ジメチルアセトアミド、Ｕｒｅａ：尿素、ＭＣ：メチルカーバメート、ＴＢＣ：Ｔｅｒｔ−ブチルカーバメート、Ｎ−ＭＥＣ：ｎ−メチルエチルカーバメート、ＧＢＬ：ガンマブチロラクトン、ＡＢＬ：２−アセチルブチロラクトン）。
【００５２】
（実験例）
各組成物のレジストの除去力、オゾンによるレジストの分解力、及び腐食の有無を評価するための実験を行った。
【００５３】
（１）レジストの除去力評価
前記実施例１乃至１５の組成物を使用して、下記第１試片、２試片、３試片、試片４のレジスト膜に対する除去力及び腐食の有無を評価した。特に、揮発によるレジストの除去力の変化を観察するために、各除去用組成物を強制排気状態で７０℃に維持して各試片のレジストの除去力を評価した後、完全にレジストを除去する時間を測定して、その結果を表２に示した。
【００５４】
レジストの除去力を評価するために、次のようである。
【００５５】
試片１：ガラス上にＤＴＦＲ−３６５０Ｂ（東進セミケム、ポジティブレジスト）を塗布した後、１４０度で１０分間ベーキングして得たレジストパターンを使用して、レジストの除去時間を測定し、試片の大きさは２ｃｍ×４ｃｍとした。
【００５６】
試片２：ガラス上にＤＴＦＲ−３６５０Ｂ（東進セミケム、ポジティブレジスト）を塗布した後、１５０℃で１０分間ベーキングして得たレジストパターを使用して、レジストの除去時間を測定し、試片の大きさは２ｃｍ×４ｃｍとした。
【００５７】
（２）レジストの分解力評価
レジストの分解力を評価するために、ＤＴＦＲ−３６５０Ｂ（東進セミケム、ポジティブレジスト）に溶剤としてＰＧＭＥＡ（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ  ａｃｅｔａｔｅ）を投入した後、溶剤を強制的に乾燥させた結果物１重量部を強制的に各実施例の組成物に投入した。オゾン発生装置を使用して２０ｇ／ｈｒ以上のオゾンを発生させて、溶剤内にオゾンが１００ｐｐｍ以上に維持されるように調節し、各々６時間以上オゾンと反応させてレジストの分解の有無を観察した。オゾン発生装置は、主に放電法、光化学反応法、電解法などが知られており、本実験では、２つ上の電極の間に誘電体を挿入して放電空間で酸素をオゾンに変換させる放電法を使用した。オゾンは、密閉された容器内で微細気泡形式で溶剤内に表面積が大きいように接触させて溶解させた。
【００５８】
レジストの分解の有無は、ＵＶ吸光度測定を通じて評価し、各々２８０ｎｍ、３５０ｎｍ、５５０ｎｍでの吸光度を観察して、基準対比の分解の有無を（％）で表示した。
【００５９】
（３）金属配線の腐食の有無評価
工程適用時に金属配線に対する腐食の有無を評価するための試片として下記試片３を使用して腐食の有無を評価し、その結果を表２に示した。
【００６０】
試片３：ガラス基板上にモリブデン及びアルミニウムが順次に２００Å、２０００Åの薄膜に蒸着されたものにＤＴＦＲ−３６５０Ｂで配線をパターニングした後、ウェットエッチング法でエッチングした。
【００６１】
試片の大きさは２ｃｍ×４ｃｍとして、各組成物を７０℃に維持した後で１分間浸漬させたものを純水で洗浄した後、ＳＥＭを通じて下部膜の腐食の有無を観察した。
【００６２】
（４）変性したレジストの除去力評価
また、変性されたレジストの除去力を評価するために、下記試片４を使用して実験を行った。
【００６３】
試片４：下部にアルミニウムまたはアルミニウム合金及びチタニウムナイトライド膜が下から各々順次に２０００Å及び２００Åに蒸着された４インチシリコンウエハーの表面を蒸着した。汎用的に使用されるポジティブフォトレジスト（東進セミケム社、商品名：ＤＰＲ−ｉ９００）を前記チシリコンウエハー上にスピンコーティングして、最終的な膜の厚さが１．２μｍになるように塗布した。続いて、前記フォトレジスト膜上にテストマスクを位置させた後で露光して現像液で現像して、パターンが形成された試片を製造した。
【００６４】
前記試片４を１２０℃で１００秒間ハードベークしてフォトレジストパターンを形成した。前記試片４に形成されたフォトレジストパターンに対して、ドライエッチング装置（プラズマテクノロジー社、モデル名：ＲＩＥ−８０）でＣＨＦ３ガスを使用してフォトレジストパターンによって覆われていない下部のチタニウムナイトライド膜及びアルミニウム合金膜をエッチングした。次に、Ｏ２プラズマを利用したアッシング装置を使用してフォトレジストの大部分を除去して、試片を完成させた。
【００６５】
【表２】
2008065328.tif 000006
＜腐食結果の評価基準  ◎：腐食なし  ○：若干腐食あり  ■：深刻な腐食＞
＜除去力結果の評価基準  ◎：除去完了  ○：若干残留物あり、■：除去されず＞。
【００６６】
前記表２の結果で、レジストの分解比率は、レジスト１重量部に対する３時間のオゾン処理後の減少比率であり、オゾン発生量及び処理時間によって変化する値であるため、相対比較して優位を評価しなければならない。
【００６７】
前記表２の結果から、本発明の実施例は、金属膜質において長時間が経過した後にも金属配線の腐食がなく、レジストの剥離性能も一般的な有機系剥離液と同様な水準であることが分かる。したがって、本発明のようにラクトン系溶剤にアミド系溶剤が混合された場合、レジストの剥離性能が優れているだけでなく、溶剤内に残留するレジストを複数回分解して再生処理工程を経ることができるので、工程費用を画期的に減少させることができる長所がある。
【００６８】
また、ラクトン系溶剤だけでなくカーバメート系溶剤を単独で使用した場合にも、レジストの分解比率は若干低下するが、レジストの剥離性能及び金属配線の腐食が少ないので、フォトリソグラフィ工程に十分に活用することができる。
【００６９】
［比較例］
＜比較例１乃至４＞
下記の表３のような成分及び含量で比較例１乃至４のレジスト除去用組成物を製造した。以後、実施例と同一の方法でレジスト除去力、オゾンによるレジスト分解力及び腐食の有無を実験して、その結果を表４に示した。
【００７０】
【表３】
2008065328.tif 000007
（前記表３で、ＭＥＡ：モノエタノールアミン、ＤＭＡｃ：ジメチルアセトアミド、ＭＣ：メチルカーバメート、ＢＤＧ：ブチルジグリコール、ＴＥＧ：トリエチレングリコール）。
【００７１】
【表４】
2008065328.tif 000008
＜腐食結果の評価基準  ◎：腐食なし  ○：若干腐食あり  ■：深刻な腐食＞
＜除去力結果の評価基準  ◎：除去完了  ○  若干残留物あり  ■    除去されず＞。
【００７２】
前記表４の結果で、レジストの分解比率は、レジスト１重量部に対する３時間のオゾン処理後の減少比率であり、オゾン発生量及び処理時間によって変化する値であるため、相対比較して優位を評価しなければならない。
【００７３】
前記表４の結果から、アミン化合物が含まれている一般的なフォトレジスト除去用組成物は、オゾンによって残留しているレジストを分解する工程を経た場合より、分解比率が顕著に低く、３６時間以上の長時間オゾン処理を行う場合、アミン化合物がオゾンによって大部分が分解されて、レジストの除去力が顕著に低下する結果をもたらした。また、単独でアミド系化合物をレジスト除去用組成物として使用する場合、分解比率が低下するだけでなく、除去力も顕著に低下するという短所がある。単独でラクトン系化合物を使用する場合、分解比率及び腐食結果は良好であるが、除去力が著しく低下して、オゾンによって長時間の処理を行う場合に析出物が発生する問題がある。
【００７４】
前記比較例から、通常使用されるレジスト除去用組成物は、オゾンによる再生処理工程を経ることができず、単独でアミド系化合物を使用する場合にも、オゾンのラジカル形成を顕著に低下させるので使用することができないという結論を下すことができる。