(57)【要約】【課題】安定した温度場下で水蒸気酸化処理等をすることができる加熱処理方法および加熱処理装置を提供すること。【解決手段】加熱された雰囲気下でウェハ６などの被処理物を処理する加熱処理装置であって、ウェハ６がセットされるトレイ５およびトレイ５にセットされたウェハを加熱するヒータ７を有した処理部２と、処理部２に送られるガスを予熱する予熱部３と、を有した加熱炉１を備える。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱された被処理物がセットされた処理部に予熱されたガスを導入して処理する加熱処理方法であって、
前記処理部に導入するガスの温度を、前記処理部にセットした前記被処理物の温度と同じ温度に予熱部で予め調整してから、前記ガスを処理部に導入することを特徴とする加熱処理方法。
【請求項２】
加熱された雰囲気下で被処理物を処理する加熱処理装置であって、
前記被処理物がセットされる載置台およびこの載置台にセットされた被処理物を加熱する加熱手段を有した処理部と、
前記処理部に送られるガスを予熱する予熱部と、
を有した加熱炉を備えたことを特徴とする加熱処理装置。
【請求項３】
前記予熱部は、前記加熱手段により温度制御された筒状の流路を有し、前記処理部に送られるガスは該流路中を流れて予熱されることを特徴とする請求項２に記載の加熱処理装置。
【請求項４】
前記処理部は、前記載置台にセットされた被処理物を加熱雰囲気下で水蒸気によって酸化処理する反応部として機能することを特徴とする請求項２または３に記載の加熱処理装置。
【請求項５】
前記処理部は、前記載置台にセットされた被処理物を当該処理部の外部から直接観察する観察窓を有するとともに、前記観察窓の内側にリフレクタを設け、該リフレクタは、前記観察窓から被処理物を観察できるように可動にしたことを特徴とする請求項２〜４のいずれか一つに記載の加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、水蒸気酸化により半導体基板などの被処理物を処理するのに適した加熱処理方法、及び加熱処理装置に関するものであり、特に、酸化処理の進行状況をモニタ可能な状態で行う装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、面発光レーザ素子の電流狭窄層は、次のような水蒸気酸化工程を経て形成されていた。すなわち、水蒸気雰囲気内でメサポストのＡｌＡｓ層を周囲から徐々に酸化させて酸化絶縁層に変化させることによって所望の径の開口を有する電流狭窄層を形成する。
【０００３】
このような水蒸気酸化工程では、水蒸気雰囲気下でＡｌＡｓ層が設けられた半導体基板を加熱する加熱処理装置が用いられる。水蒸気酸化工程は、酸化進行速度が温度に対して非常に敏感であるため、酸化開始時及び酸化中の温度を一定にすることが強く望まれている。この為に、従来の加熱処理装置では、たとえば加熱炉内に窒素ガスを導入し、基板を加熱し、加熱炉内の温度が安定した後に、水蒸気を導入して、上述した酸化絶縁層を形成するようにしていた（特許文献１参照）。
【０００４】
また、水蒸気ガス系全体を恒温槽内に入れ、配管内での水の凝縮を防止するとともに、ガス切換によるガス温度の変動をなくすようにするものがある（特許文献２参照）。
【０００５】
さらに、酸化絶縁層は、所望の大きさに選択成長させるため、成長中の酸化絶縁層を、窓を介して加熱炉外からモニタすることができるものがある（特許文献３参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１４４６８２号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８３３５号公報
【特許文献３】特開２００３−１７９３０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載された加熱処理装置では、常温の窒素ガスが流れている安定状態のところに、気化した高温の水蒸気が混合されるため、ガス切換時に炉内のガス温度が変動し、炉内の温度場の制御が困難になり、特に酸化絶縁層の初期成長速度が変動し、酸化絶縁層の成長制御が難しくなるという問題点があった。
【０００８】
特許文献２に記載された加熱処理装置では、恒温槽内に装置を配置して導入ガスの温度変動がないようにしている。ところがこの装置でも、基板温度が変動してしまう。従って、この装置でも、前記酸化絶縁層の成長制御が難しいという問題があった。
【０００９】
特に、ウェハ（基板）に反りがあり（結晶成長をした基板は微妙に反っていることが多い）、トレイ（載置台）の表面とウェハとの接触状態が不均一である場合、従来装置では、トレイと接触状態が悪い所と良い所とでウェハの面方向に温度分布が生じてしまい、均一な熱処理を行えないことが多い。
【００１０】
ところで、酸化速度は、前工程の処理状態によっても大きくばらつくため、観察窓を設けて酸化絶縁層の成長をモニタするようにしている装置がある（特許文献３）。この観察窓は、被処理物が酸化処理される処理部（反応部）に設けられる。ところがこのような観察窓を設けた装置では、この窓からの放熱によって炉内の温度場が不均一かつ不安定になってしまう。このため、前述の面発光レーザ素子の酸化絶縁層を形成する場合は、安定した酸化絶縁層の成長制御が困難になるという問題点があった。
【００１１】
この発明は、上記に鑑みてなされたものであって、安定した温度場下で水蒸気酸化処理等をすることができる加熱処理方法および加熱処理装置を提供することを目的とする。特に、面発行レーザ素子の電流狭窄層を形成するときの酸化絶縁層の成長をより安定に制御できる加熱処理方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決し、目的を達成するため、この発明にかかる加熱処理方法は、加熱された被処理物がセットされた処理部に予熱されたガスを導入して処理する加熱処理方法であって、前記処理部に導入するガスの温度を、前記処理部にセットした前記被処理物の温度と同じ温度に予熱部で予め調整してから、前記ガスを処理部に導入することを特徴とする。
【００１３】
また、この発明にかかる加熱処理装置は、加熱された雰囲気下で被処理物を処理する加熱処理装置であって、前記被処理物がセットされる載置台およびこの載置台にセットされた被処理物を加熱する加熱手段を有した処理部と、前記処理部に送られるガスを予熱する予熱部と、を有した加熱炉を備えたことを特徴とする。
【００１４】
また、この発明にかかる加熱処理装置は、上記の発明において、前記予熱部は、前記加熱手段により温度制御された筒状の流路を有し、前記処理部に送られるガスは該流路中を流れて予熱されることを特徴とする。
【００１５】
また、この発明にかかる加熱処理装置は、上記の発明において、前記処理部は、前記載置台にセットされた被処理物を加熱雰囲気下で水蒸気によって酸化処理する反応部として機能することを特徴とする。
【００１６】
また、この発明にかかる加熱処理装置は、上記の発明において、前記処理部は、前記載置台にセットされた被処理物を当該処理部の外部から直接観察する観察窓を有するとともに、前記観察窓の内側にリフレクタを設け、該リフレクタは、前記観察窓から被処理物を観察できるように可動にしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
この発明の加熱処理装置では、処理部に導入するガスの温度を、前記処理部にセットした被処理物の温度と同じ温度に予熱部で予め調整してから、前記ガスを前記処理部に導入するので、導入ガスと被処理物との間での熱伝達を抑制できる。これによって、常に安定した温度場を形成し、被処理物の面内を均一に処理することができ、また異なるバッチ間であっても常に安定して処理することができるという効果を奏する。
【００１８】
特に、導入ガスの種類を変えたときに生じ易い、導入ガスの比熱の違いに起因する、被処理物と導入ガス間で伝達する熱量の変動を抑制できるから、被処理物に反りあっても、被処理物の全面の温度をより均一に保つことができ、熱処理のバラつきを抑制できる。
【００１９】
また、この発明にかかる加熱処理装置は、加熱炉の上流側に設けられた予熱部で、反応部に送られる導入ガスを、基板の温度と同じ温度まで予熱して導入することが可能になるので、常に安定した温度場を形成し、面内を均一に処理することができ、また異なるバッチ間であっても常に安定して処理することができるという効果を奏する。特に、観察窓の内側にリフレクタを設けた加熱処理装置にあっては、観察窓からの観察に起因する反応部（処理部）の温度変化を最小限に抑制でき、反応部内により安定した温度場を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、この発明を実施するための最良の形態である加熱処理装置について、図面を参照して説明する。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１である加熱処理装置の加熱炉の部分の概要構成を模式的に示す断面図である。この加熱炉１は、加熱手段を備えた処理部２と、この処理部２の前段に設けられた予熱部３を有する。処理部２は、リアクタとして機能する部分である（以下、「反応部２」）と記す。）。予熱部３は、反応部２に導入されるガスを予め加熱しておく部分である。
【００２２】
反応部２は、被処理物がセットされる載置台として、回転軸４まわりに回転する回転テーブル４ａを有している。この回転テーブル４ａは、その上に配置されたトレイ５の上に処理対象の半導体基板であるウェハ６が配置され、処理中のウェハ６は、回転軸４により回転される。回転テーブル４ａの下部にはヒータ７が設けられている。このヒータ７によって反応部２内は加熱されて所定温度に保たれる。これにより被処理物であるウェハ６も加熱されて一定温度に保たれる。この反応部２には適切なタイミングで高温の水蒸気が導入され、この水蒸気によってウェハ６に設けられているＡｌＡｓ層が酸化されて酸化絶縁層を形成することができる。この選択成長の状態は、観察窓８を介して、モニタ９によって観察される。観察窓８は、耐熱ガラス製のもので、反応部２のウェハ６の直上の炉壁に設けられている。モニタ９は、処理の進行状況を観察するものである。モニタは、光学的に拡大して直接観察するための顕微鏡機構であり、可視光ないし赤外線のセンサを用いたものである。
【００２３】
予熱部３は、導入ガスを反応部２に導入する流路１１として機能している。反応部２内に導入されるガスは、ガス導入部３ａからこの予熱部３に導入され、予熱部３を経由した後に反応部２内に流入する。この予熱部３には、流路１１に沿ってヒータ１０が設けられている。
【００２４】
この装置を用いた加熱処理方法では、このヒータ１０によって流路１１内に流れるガスが、反応部２にある回転テーブル４ａ上のウェハ６の温度と同じ温度となるように予め加熱される（なお、ここで同じ温度とは、装置の制御可能範囲で同じ温度にすることを意味する。）。
【００２５】
このようにすると、ガス種が切り替わっても反応部２内の温度およびウェハ６の温度は変化せず、安定した温度場を常に形成することができる。
【００２６】
予熱部３の流路１１の出口側（反応部２側）には、拡散板１２が設けられている。拡散板１２は、複数の孔が設けられた板状部材であり、流路１２内で加熱されたガスを拡散して反応部２に導入させるものであり、これによって均一な温度分布をもったガスが反応部２内に導入され、反応部２内の温度分布の乱れを防止できる。なお、拡散板１２の代わりに、ガスを拡散して反応部２に供給できるものであれば種々の機構を利用できる。例えば、ガス導入部３ａ側にガスの流れを乱す部材を設けるようにしてもよい。また、拡散板を複数設置することで、より良い効果を得られる場合もある。なお、反応部２内のガスは、流路１３を介して排気される。この流路１３の下部にもヒータ１４が設けられ、反応部２内の温度変化が生じないようにしている。
【００２７】
被処理物の一例であるウェハ６は、最終的に図２に示す面発光レーザ素子が複数形成されるものである。図２は、ウェハ６上に形成される面発光レーザ素子の構成を斜めからみた断面図である。この面発光レーザ素子２０は、ＧａＡｓ基板２１上に、バッファ層３１、下部多層膜反射鏡２２、活性領域２３、電流狭窄層２５を含む上部多層膜反射鏡２６、コンタクト層２７が順次積層され、ＧａＡｓ基板２１の下部にはｎ側電極３３が設けられ、コンタクト層２７の上部にはリング状のｐ側電極２８およびこのｐ側電極２８の電極引き出し用の電極パッド３０が設けられた構造を有する。活性領域２３、上部多層膜反射鏡２６およびｐ側電極２８は、その周囲が除去された円柱状のメサポストを形成し、メサポストの側壁および下部多層膜反射鏡２２の上部はシリコン窒化膜２９によって覆われている。メサポストの周囲はこのシリコン窒化膜２９を介したポリイミド３２で埋められている。
【００２８】
ここでこの面発光レーザ素子２０の製造方法について説明する。まず上述したＧａＡｓ基板２１上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ＧａＡｓバッファ層３１、下部多層膜反射鏡２２，活性領域２３、上部多層膜反射鏡２６、コンタクト層２７を順次積層する。なお、上部多層膜反射鏡２２の最下層にＡｌＡｓによって形成される電流狭窄層２５が積層される。
【００２９】
その後、プラズマＣＶＤ法によって、コンタクト層２７の成長表面にシリコン窒化膜を成膜し、円形パターンをフォトレジストによるフォトリソグラフィ技術を用いて転写する。この転写された円形レジストマスクを用いて、シリコン窒化膜をエッチングする。さらに、下部多層膜反射鏡２２に到達するまでエッチングし、柱状構造のメサポストを形成する。なお、エッチング深さは、下部多層膜反射鏡２２の位置で停止させるようにする。
【００３０】
この状態のウェハ６を、反応部２内で水蒸気雰囲気中で２５０〜４５０℃に加熱し、放置することによって、上部多層膜反射鏡２６の最下層の電流狭窄層２５を選択的に酸化する選択酸化工程を行う。この時のガスは、水蒸気を含む窒素ガスであり、ガス圧は、１０Ｔｏｒｒから常圧である。電流狭窄層２５のＡｌＡｓはＨ2Ｏと反応してＡｌ2Ｏ3を生成し、このＡｌ2Ｏ3内をＨ2Ｏが拡散してさらにＡｌ2Ｏ3を生成することによって酸化が進行していく。これによって選択的に酸化絶縁層２４を形成する。
【００３１】
選択酸化工程が行われると、図３に示したモニタ画像および図４に示すように、ＡｌＡｓ層５０の周囲から酸化が進み、最終的に矩形の電流注入領域である酸化アパーチャＯＡが形成される。なお、酸化アパーチャＯＡの形状は酸化速度が一定である場合には円形になるはずであるが、ＡｌＡｓ層５０の結晶構造の影響を受けて、斜め方向酸化量Ｌ１と横方向酸化量Ｌ２とが異なる値となり、上述した略矩形形状となる。
【００３２】
一般に、ＣＶＤ法では、図５に示すように、ガス同士が反応し、この反応後の種がウェハに化学吸着する。ＣＶＤ法では、ウェハの温度が反応炉内のガス温度よりも高い。これは、ガス同士がウェハ表面到達前に反応するプレリアクションを防止し、ウェハに堆積（化学吸着）する直前にガス同士が反応する状態となり、反応種だけを化学吸着させることができるので、堆積する膜の純度が高くなるというメリットを生じる。
【００３３】
これに対し、前述の選択酸化工程では、図６に示すように、反応ガスが物理吸着し、さらに反応ガスが拡散することによって酸化反応が進む反応である。ここで、ウェハ６の温度が反応部２のガス温度よりも高い場合、反応ガスがウェハ６へ物理吸着しにくくなり、選択酸化工程が吸着過程により律速されてしまう可能性がある。さらに、このガス温度とウェハ６の温度とのわずかな温度差が、物理吸着に大きく影響し、結果的に酸化速度が変動し、酸化速度の不安定化を招く。
【００３４】
このようにＣＶＤ法による堆積と選択酸化工程とでは、ウェハとガスとの温度差の影響が全く異なる。選択酸化工程では、反応部２内の温度場が均一であり、かつ反応部２内のガス温度と被処理物（ウェハ６）の温度とがほぼ同一であることが望ましい。
【００３５】
ここで、この実施の形態１の加熱処理装置では、予熱部３を設け、ガスの温度を予め被処理物である載置台上のウェハ６の温度と同じ温度まで加熱してから反応部２内に導入するようにしているので、ウェハ６の温度が変化せず、しかも炉内のガス温度も変化せず、炉内の温度場も均一に保持される。この結果、上述した選択酸化工程を行う場合であっても、酸化速度を精度よく制御することができる。
【００３６】
また、この実施の形態１の熱処理方法では、導入ガスの温度をトレイ５（ひいてはウェハ６）と同じにしたので、ウェハ６と、トレイ６および導入ガス間の熱の移動を抑制できる。従って、この実施形態の熱処理方法では、ウェハ６の全面を均一に熱処理することができる。すなわち、選択酸化工程の酸化速度を精度よく制御することができ、酸化絶縁層２４をより均一に形成することが可能になる。
【００３７】
図７は、加熱炉１を備えた酸化処理装置の全体を示すものである。図中５１は窒素ガスボンベである。この窒素ガスボンベ５１から供給される窒素ガスは、パージガスとして、ＭＦＣ（Ｍａｓｓ  Ｆｌｏｗ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）５４により流量調節された後、熱交換機５６に供給され、この熱交換器５６で温度コントロールされながら、リアクタとしての反応部２に供給される。また、この窒素ガスは、キャリアガスとしてＭＦＣ５７を介して気化器６３に供給される。
【００３８】
一方、図中６１はヘリウムガスボンベである。ヘリウムガスボンベ６１からは他の気体に比べて水に対する溶解度の低いヘリウムガスが供給される。このヘリウムガスは、水が収容された圧力容器６２内の気体部分に供給され、圧力容器６２内の水を圧送する。この圧送された水は、ＭＦＣ６４を介して気化器６３に導入され、温度コントロールされながら水蒸気となり、反応部２側に供給される。
【００３９】
ＭＦＣ５４から送られた窒素ガスと気化器６３から送られた水蒸気とは合流点Ｐにおいて混合され、さらに熱交換器５６で被処理物であるウェハとほぼ同じ温度となるように温度コントロールされ、反応部２に導入される。反応部２の下流側には、ロータリポンプ７１が接続され、排気処理が行われる。また、熱交換器５６へ送られる窒素ガスと、気化器６３から送られた水蒸気は、それぞれ弁７２，７３を介して一部を排出できるようになっている。
【００４０】
ここで、ＭＦＣ５４の下流側の所定位置から合流点Ｐまでの間、気化器６３の下流側の所定位置から合流点Ｐまでの間、合流点Ｐから反応部２までの間には、それぞれヒータＰ１〜Ｐ３が設けられ、ヒータＰ１〜Ｐ３内の流路を流れるガスを加熱する。これらヒータＰ１〜Ｐ３が設けられている流路は、図１に示した流路１１に相当する。すなわち、この合流点Ｐを含む部分は、予熱部３を構成している。なお、熱交換器５６は、必要に応じて設ければよい。また、用いるガス種は窒素やヘリウムガスに限定されるものではない。
【００４１】
この実施の形態１では、予熱部３を設け、導入されるガスの温度をウェハ６の基板温度とほぼ同じ温度まで予熱し、この予熱したガスを反応部２に導入するようにしているので、常に基板温度とガス温度との温度差がなくなり、ガス温度も常に均一となるため、ウェハ面内の酸化ばらつきが小さくなるとともに、バッチ間での酸化処理のばらつきも小さくすることができ、酸化速度の制御も精度よく行うことができる。
【００４２】
（実施の形態２）
つぎに、この発明の実施の形態２について説明する。この発明の実施の形態２では、予熱部および反応部にリフレクタを設けた。
【００４３】
図８および図９は、この発明の実施の形態２である加熱処理装置の加熱炉８１の概要構成を模式的に示した断面図である。この加熱炉８１は、予熱部３に固定のリフレクタ８２が設けられ、反応部２に可動リフレクタ８３が設けられている。リフレクタ８２、８３の材質は、例えば、ステンレス、銅、炭化珪素焼結体などである。
【００４４】
リフレクタ８２は、ほぼ筒状のもので、予熱部３の上部に配置されている。このリフレクタ８２は、予熱部３の下側に設けられたヒータ８４により加熱される。リフレクタ８２の内部空間は、ガスが流れる流路１１を形成している。これによりガスは、炉壁３ｂに接することなく前記リフレクタ８２内を流れて予熱される。この結果、予熱部３内のガスはより効率的に加熱され、温度場もより均一に保つことが可能になる。なお、リフレクタ８２の上部の壁は、ヒータ８４からの輻射熱により加熱される。
【００４５】
また、この加熱炉８１の、反応部２には、可動リフレクタ８３が設けられている。この可動リフレクタ８３は略板状である。この可動リフレクタ８３は、反応部２内の熱が観察窓８から外部に逃げるのを抑制するためのものである。可動リフレクタ８３は観察窓８を開閉できるように設けられている。すなわち、この可動リフレクタ８３は、反応部２内にセットされたウェハ６の直上部の壁に設けられた観察窓８とウェハ６との間の位置に配置されており、モニタ９により、前記選択酸化工程の進行状況をモニタする時には、モニタ９の観察範囲の外に退避できるように、それ以外のときは、観察窓８とウェハ６との間に位置して、反応部２内の熱が観察窓８から外部に逃げるのを抑制している。
【００４６】
この実施の形態２では、リフレクタ８２を設けたので、予熱部３の流路１１のガス流通方向に対し直交する断面におけるガス温度の均一性をより向上できる。その結果、温度の均一性が高まったガスが反応部２に送られることになり、より均一な温度場を反応部２に形成できる。
【００４７】
また、この実施の形態２の装置では、反応部２に可動リフレクタ８３が設けられているので、観察窓８からの放熱を抑制でき、より安定した温度場の下でウェハ６を酸化処理できる。
【００４８】
（実施の形態３）
つぎに、この発明の実施の形態３について説明する。この発明の実施の形態３では、予熱部の上部にもヒータを設けた。
【００４９】
図１０及び図１１は、この発明の実施の形態３である加熱処理装置の加熱炉９１の部分の概要構成を模式的に示した断面図である。図９に示すように、この加熱炉９１の予熱部にも略筒状のリフレクタ８２が設けられている。この実施の形態３では、このリフレクタ８２の上側にも炉壁３ｂとの間にヒータ８５をさらに設けている。これにより、導入ガスの予熱を、予熱部３の上下を含む周囲からを均一に行うようにしている。また、ガスは、炉壁３ｂに接することなく前記リフレクタ８２内を流れて予熱されるので、これによって、予熱部３内の予熱の温度場がさらに均一になる。
【００５０】
なお、上述した実施の形態１〜３では、いずれもウェハ６をフェースアップ状態で処理するものを示したが、本発明の加熱処理装置は、これに限らずフェースダウン型の加熱処理装置であってもよい。
【００５１】
また、上述した実施の形態１〜３では、水蒸気を用いて被処理物を酸化する装置について説明したが、本発明の加熱処理装置はこれら限らず、酸素を用いて酸化する装置にも適用できる。さらには、アニール装置にも適応できる。アニール装置の場合、アニール処理する処理部内において被処理物の上流および下流の温度場を一定にすることができるので、特に被処理物の面内のばらつきを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】この発明の実施の形態１である加熱処理装置の概要構成を模式的に示す断面図である。
【図２】選択酸化層が形成されるデバイスとしての面発光レーザ素子を斜めからみた断面図である。
【図３】酸化モニタによって観察された酸化アパーチャの画像を示す図である。
【図４】メサポストに形成される選択酸化層の構成を示す図である。
【図５】ＣＶＤ法による堆積の原理を示す図である。
【図６】選択酸化工程の原理を示す図である。
【図７】加熱処理装置をガス系回路に適用した場合のシステム構成を示す図である。
【図８】この発明の実施の形態２である加熱処理装置の概要構成を模式的に示す断面図である。
【図９】図８に示した実施形態のリフレクタ部分を示す、流路と直交する方向のＡ−Ａ線部分断面図である。
【図１０】この発明の実施の形態３である加熱処理装置の概要構成を模式的に示す断面図である。
【図１１】図１０に示した実施形態のリフレクタ部分を示す、流路と直交する方向のＢ−Ｂ線部分断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１，８１，９１  加熱炉
２，５３  反応部（処理部）
３  予熱部
３ａ  ガス導入部
４  回転軸
４ａ  回転テーブル
５  トレイ
６  ウェハ
７，１０，１４，８４，８５  ヒータ
８  観察窓
９  酸化モニタ
１１，１３  流路
１２  拡散板
２０  面発光レーザ素子
５１  窒素ガスボンベ
６１  ヘリウムガスボンベ
５６  熱交換器
６２  圧力容器
６３  気化器
８２  リフレクタ
８３  可動リフレクタ
【図１】
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【図２】
2008010596.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2008010596.tif 000009
【図９】
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【図１０】
2008010596.tif 000011
【図１１】
2008010596.tif 000012
【図３】
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