(57)【要約】【課題】光伝送損失の低下を抑制することができ、生産性の高い光電子回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】光電子回路基板１は、面型光素子としての発光素子アレイ１２０及び受光素子アレイ１２１と、光導波路１３を介して配置され、光導波路１３の光路変換面１３３Ａ，１３３Ｂが露出するように開口（貫通穴）１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂを有する第１及び第２の基板１０，１１からなるプリント基板１００と、アレイ１２０，１２１の実装面が取り付けられた取付面１２９ａが第１の基板１０に電気的に接続された中継基板１２９と、アレイ１２０，１２１の光出力面１２０ｂ、光入力面１２１ｂと光路変換面１３３Ａ，１３３Ｂとの間の空隙を埋めるように設けられ、光信号の波長を透過する特性を有し、エネルギー線が照射されることにより硬化する光学樹脂１４とを備える。【選択図】図２
2008299287.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を送信または受信する光学面と反対側に実装面を有する面型光素子と、
対向する第１および第２の面を貫通する貫通穴を有し、前記貫通穴に位置する光路変換面を有する光導波路が埋め込まれたプリント基板と、
前記面型光素子の前記実装面が取り付けられた取付面を有し、前記光素子が前記光路変換面と光結合するように前記取付面が前記プリント基板の前記第１の面に電気的に接続された中継基板と、
前記面型光素子の前記光学面と前記光路変換面との間の空隙を埋めるように設けられ、前記光信号の波長を透過する特性を有し、前記プリント基板の前記第２の面側から前記貫通穴を介してエネルギー線が照射されることにより硬化する光学樹脂とを備えた光電子回路基板。
【請求項２】
前記光導波路の前記光路変換面は、前記貫通穴の前記第２の面側から前記光導波路のコアの屈折率よりも小さい屈折率を有する樹脂により被覆された請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項３】
前記光導波路の前記光路変換面は、前記貫通穴の前記第２の面側から前記光導波路のクラッドの屈折率と同じ屈折率を有する樹脂により被覆された請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項４】
前記光路変換面を被覆する前記樹脂は、エネルギー線が照射されることにより硬化する硬化型樹脂である請求項２又は３に記載の光電子回路基板。
【請求項５】
対向する第１および第２の面を貫通する貫通穴を有し、前記貫通穴に位置する光路変換面を有する光導波路が埋め込まれたプリント基板と、光信号を送信または受信する光学面と反対側に実装面を有する面型光素子の前記実装面が取り付けられる取付面を有する中継基板とを準備する第１の工程と、
少なくとも前記プリント基板の前記第１の面側の前記貫通穴を含む領域に、前記光信号の波長を透過する特性を有し、エネルギー線が照射されることにより硬化する光学樹脂を充填する第２の工程と、
前記光素子が前記光路変換面と光結合するように前記面型光素子が実装された前記中継基板の前記取付面を前記プリント基板の前記第１の面に電気的に接続する第３の工程と、
前記エネルギー線を前記プリント基板の前記第２の面側から前記貫通穴を介して照射して前記光学樹脂を硬化させる第４の工程とを含む光電子回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電子回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光回路と電子回路を高密実装した光通信用デバイスが提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
この光通信用デバイスは、発光素子、受光素子およびＩＣチップが実装されたＩＣチップ実装用基板と、端部に光路変換ミラーを有する光導波路を含む多層プリント配線板とを封止樹脂層を介して接合している。発光素子および受光素子の周囲は、樹脂により封止され、光導波路の光路変換ミラーは、光路用樹脂層で封止されている。これにより、光学素子と光導波路との間に、空気中を浮遊しているゴミや異物が入り込むことがなく、ゴミや異物等により光信号の伝送が阻害されることがない。
【特許文献１】特開２００４−４４２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、光伝送損失の低下を抑制することができ、生産性の高い光電子回路基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記目的を達成するため、以下の光電子回路基板およびその製造方法を提供する。
【０００６】
［１］光信号を送信または受信する光学面と反対側に実装面を有する面型光素子と、対向する第１および第２の面を貫通する貫通穴を有し、前記貫通穴に位置する光路変換面を有する光導波路が埋め込まれたプリント基板と、前記面型光素子の前記実装面が取り付けられた取付面を有し、前記光素子が前記光路変換面と光結合するように前記取付面が前記プリント基板の前記第１の面に電気的に接続された中継基板と、前記面型光素子の前記光学面と前記光路変換面との間の空隙を埋めるように設けられ、前記光信号の波長を透過する特性を有し、前記プリント基板の前記第２の面側から前記貫通穴を介してエネルギー線が照射されることにより硬化する光学樹脂とを備えた光電子回路基板。
【０００７】
［２］前記光導波路の前記光路変換面は、前記貫通穴の前記第２の面側から前記光導波路のコアの屈折率よりも小さい屈折率を有する樹脂により被覆された前記［１］に記載の光電子回路基板。
【０００８】
［３］前記光導波路の前記光路変換面は、前記貫通穴の前記第２の面側から前記光導波路のクラッドの屈折率と同じ屈折率を有する樹脂により被覆された前記［１］に記載の光電子回路基板。
【０００９】
［４］前記光路変換面を被覆する前記樹脂は、エネルギー線が照射されることにより硬化する硬化型樹脂である前記［２］又は［３］に記載の光電子回路基板。
【００１０】
［５］対向する第１および第２の面を貫通する貫通穴を有し、前記貫通穴に位置する光路変換面を有する光導波路が埋め込まれたプリント基板と、光信号を送信または受信する光学面と反対側に実装面を有する面型光素子の前記実装面が取り付けられる取付面を有する中継基板とを準備する第１の工程と、少なくとも前記プリント基板の前記第１の面側の前記貫通穴を含む領域に、前記光信号の波長を透過する特性を有し、エネルギー線が照射されることにより硬化する光学樹脂を充填する第２の工程と、前記光素子が前記光路変換面と光結合するように前記面型光素子が実装された前記中継基板の前記取付面を前記プリント基板の前記第１の面に電気的に接続する第３の工程と、前記エネルギー線を前記プリント基板の前記第２の面側から前記貫通穴を介して照射して前記光学樹脂を硬化させる第４の工程とを含む光電子回路基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１に係る光電子回路基板によると、光伝送損失の低下を抑制することができ、生産性が高くなる。
【００１２】
請求項２に係る光電子回路基板によると、光路変換面へのゴミ、異物等の付着により、光伝送損失が低下するのを抑制することができる。
【００１３】
請求項３に係る光電子回路基板によると、光路変換面へのゴミ、異物等の付着により、光伝送損失が低下するのを抑制することができる。
【００１４】
請求項４に係る光電子回路基板によると、光素子側と光路変換面側を共通の樹脂を用いることで、生産性がより一層高くなる。
【００１５】
請求項５に係る光電子回路基板の製造方法によると、光伝送損失の低下を抑制することができ、生産性が高くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の概略の構成を示し、（ａ）は、斜視図、（ｂ）は、（ａ）のＡ―Ａ線断面図、（ｃ）は、（ａ）のＢ―Ｂ線断面図である。
【００１７】
この光電子回路基板１は、光回路と電子回路を融合させたものであり、プリント基板１００に光導波路１３（図１（ｂ）、（ｃ）参照）を埋め込んで構成されている。
【００１８】
プリント基板１００は、光導波路１３を介して配置された第１および第２の基板１０，１１から構成され、第１の基板１０の上面（第１の面）に第１および第２の光モジュール１２Ａ，１２Ｂが実装され、これらの光モジュール１２Ａ，１２Ｂは、光導波路１３に光学的に接続されている。なお、プリント基板１００における配線を有する層数は、２つに限られず、３つ以上でもよい。
【００１９】
また、光電子回路基板１は、光導波路１３をエポキシ樹脂等の封止部材２００により第１および第２の基板１０，１１の周辺で封止している。なお、封止部材２００を設けずに、第１および第２の基板１０，１１間に基板１０，１１と同じ大きさの光導波路１３を配置してもよい。
【００２０】
（光モジュール）
第１の光モジュール１２Ａは、複数の発光素子（面型光素子）１２０ａが一例に配列された発光素子アレイ１２０と、発光素子１２０ａを駆動する駆動回路等を有する。第２の光モジュール１２Ｂは、複数の受光素子（面型受光素子）１２１ａが一列に配列された受光素子アレイ１２１と、受光素子１２１ａからの出力信号を増幅する処理回路等を有する。第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂは、それぞれパッケージ化されており、それらの詳細な構成は後述する。
【００２１】
（第１の基板）
第１の基板１０は、例えば、厚みが０．５ｍｍのガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成された基材と、この基材の上面に形成され、各種の電子部品や電源回路部品等が電気的に接続された導電性パターンとを有する。
【００２２】
また、第１の基板１０は、４つの発光素子１２０ａに対向した位置に後述する共通の発光側開口が形成され、４つの受光素子１２１ａに対向した位置に後述する共通の受光側開口が形成されている。なお、共通する発光側開口と受光側開口は、それぞれ４つの発光側開口と４つの受光側開口でもよい。
【００２３】
（第２の基板）
第２の基板１１は、例えば、厚みが１ｍｍのガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成された基材と、この基材の下面（第２の面）に形成され、各種の電子部品や電源回路部品等が電気的に接続された導電性パターンとを有する。
【００２４】
また、第２の基板１１は、第１の基板１０の発光側開口および受光側開口に対応した位置に発光側開口および受光側開口が形成されている。なお、発光側開口と受光側開口は、４つの発光側開口と４つの受光側開口としてもよい。
【００２５】
（光導波路）
光導波路１３は、図１（ｂ）、（ｃ）に示すように、例えば、全体の厚みが０．２ｍｍであり、５０×５０μｍの断面矩形状を有する４本のコア１３１と、これらのコア１３１の周囲に形成されてコア１３１より屈折率が小さいクラッド１３２とで構成される。
【００２６】
（光導波路の製造法）
次に、光導波路１３の製造方法の一例について説明する。光導波路１３は、例えば、一般によく用いられるフォトリソグラフィ法やＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を利用した方法で作製可能である。特に、本出願人が既に提案した特開２００４−２９５０７号公報等に記載されている鋳型を用いた作製工程により効率的に製造することができる。以下に、その作製工程を説明する。
【００２７】
まず、４本のコア１３１に対応する凸部が形成された原盤を、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて作製する。次に、原盤の凸部が形成された面に、例えば、５００〜７０００ｍＰａ・ｓ程度の粘度で、紫外領域や可視領域において光透過性を有する硬化性樹脂、例えば、分子中にメチルシロキサン基、エチルシロキサン基、フェニルシロキサン基を含む硬化性オルガノポリシロキサンの層を塗布等により設け、その後、硬化させて硬化層を構成する。次に、硬化層を原盤から剥離し、凸部に対応する凹部を有した鋳型を作製する。
【００２８】
次に、鋳型に、この鋳型との密着性に優れる樹脂、例えば、脂環式アクリル樹脂フィルム、脂環式オレフィン樹脂フィルム、三酢酸セルロースフィルム、フッ素樹脂フィルム等からなるクラッド用フィルム基材を密着させる。次に、鋳型の凹部に、例えば、紫外線硬化性又は熱硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物、エポキシ系、ポリイミド系、アクリル系の紫外線硬化性樹脂等からなる硬化性樹脂を充填する。次に、凹部内の硬化性樹脂を硬化させてコア１３１とした後、鋳型を剥離する。これにより、クラッド用フィルム基材上に４本のコア１３１が残される。
【００２９】
次に、クラッド用フィルム基材のコア１３１が形成された面側にコア１３１を覆うようにクラッド１３２を設ける。クラッド１３２として、例えば、フィルム、クラッド用硬化性樹脂を塗布して硬化させた層、高分子材料の溶剤溶液を塗布し乾燥してなる高分子膜等が挙げられる。
【００３０】
最後に、光導波路のコア１３１が露出する面をダイサーによって所定の角度に切削して光路変換面を形成する。更にコア１３１に平行にダイサーで切り出すことにより、クラッド用フィルム基材及びクラッド層をクラッド１３２とした光導波路１３が完成する。
【００３１】
図２は、図１（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【００３２】
（第１の光モジュール）
第１の光モジュール１２Ａは、中継基板１２９と、中継基板１２９の下面に実装された上述の発光素子アレイ１２０と、中継基板１２９の上面に実装された制御部１２７Ａとを備える。
【００３３】
中継基板１２９は、絶縁性材料からなる基材を有し、基材の下面である取付面１２９ａには、端子１２４が形成されている。端子１２４は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）等の半田ボール（導電性ボール）１２５によって第１の基板１０の端子１１０に電気的に接続される。また、制御部１２７Ａがワイヤ１２６によって端子１２４に接続される。
【００３４】
制御部１２７Ａは、発光素子を駆動する駆動回路を内蔵し、導電性を有した接着剤等によって中継基板１２９に接合される。
【００３５】
発光素子アレイ１２０の発光素子１２０ａは、光信号を出力する光出力面（光学面）１２０ｂと反対側に実装面を有する面型発光素子を用いる。面型発光素子として、例えば、面型発光ダイオードや面発光レーザ等を用いることができるが、本実施の形態では、面発光レーザを用いる。この面発光レーザを用いた面発光レーザアレイは、例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型下部反射鏡層、活性層、電流狭窄層、ｐ型上部反射鏡層、ｐ型コンタクト層、ｐ側電極を形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板の裏面にｎ側電極を形成したものであり、活性層、電流狭窄層、ｐ型上部反射鏡層、ｐ型コンタクト層、およびｐ側電極は、発光素子１２０ａ毎に形成されている。
【００３６】
第１の基板１０の発光側開口１０ａと第２の基板１１の発光側開口１１ａは、光路変換面１３３Ａが露出するように貫通穴を構成しており、発光素子アレイ１２０と光導波路１３との間、および光路変換面１３３Ａから第２の基板１１の発光側開口１１ａに渡り、光学樹脂１４によって充填されている。光学樹脂１４は、例えば、光信号２の波長を透過する特性と光導波路１３のコア１３１の屈折率よりも小さい、望ましくは光導波路１３のクラッド１３２と同じ屈折率とを有し、かつ、可視光線、紫外線、電子線、放射線等のエネルギー線を照射して硬化するエネルギー線硬化型樹脂を用いることができる。本実施の形態では、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型樹脂を用いる。
【００３７】
（第２の光モジュール）
第２の光モジュール１２Ｂは、第１の光モジュール１２Ａと同様の中継基板１２９と、中継基板１２９の下面に実装された上述の受光素子アレイ１２１と、中継基板１２９の上面に実装された制御部１２７Ｂとを備える。
【００３８】
制御部１２７Ｂは、４つの受光素子１２１ａが出力する電気信号を増幅する増幅回路と、増幅回路の出力信号を画像信号等に変換する信号処理回路とを内蔵し、導電性を有した接着剤等によって中継基板１２９に接合される。
【００３９】
受光素子アレイ１２１の受光素子１２１ａは、光信号を入力する光入力面（光学面）１２１ｂと反対側に実装面を有する面型受光素子を用いる。面型受光素子として、例えば、面型のフォトダイオード等を用いることができる。本実施の形態では、高速応答性に優れたＧａＡｓ系のＰＩＮフォトダイオードを用いる。このＰＩＮフォトダイオードを用いた受光素子アレイ１２１は、例えば、ＧａＡｓ基板上に、ＰＩＮ接合されたＰ層、Ｉ層およびＮ層と、Ｐ層に接続されたｐ側電極と、Ｎ層に形成されたｎ側電極とを備え、Ｐ層、Ｉ層、Ｎ層、ｐ側電極およびｎ側電極は、受光素子１２１ａ毎に形成されている。
【００４０】
第１の基板１０の受光側開口１０ｂと第２の基板１１の発光側開口１１ｂは、光路変換面１３３Ｂが露出するように貫通穴を構成しており、受光素子アレイ１２１と光導波路１３との間、および光路変換面１３３Ｂから第２の基板１１の受光側開口１１ｂに渡り、第１の光モジュール１２Ａと同様の光学樹脂１４によって充填されている。
【００４１】
（光モジュールの実装方法）
図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃは、第１の光モジュールの第１の基板への実装方法を示し、図３Ａ（ａ１）、図３Ｂ（ｂ）、（ｃ）、図３Ｃ（ｄ）〜（ｆ）は、要部断面図、図３Ａ（ａ２）は、図３Ａ（ａ１）に対応する平面図である。
【００４２】
まず、図３Ａ（ａ１）、（ａ２）に示すように、発光側開口１０ａ、受光側開口１０ｂ等が形成された第１の基板１０と、発光側開口１１ａ、受光側開口１１ｂ等が形成された第２の基板１１との間に光導波路１３を配置したプリント基板１００を用意する。
【００４３】
第１の基板１０の発光側開口１０ａと第２の基板１１の発光側開口１１ａは、図３Ａ（ａ２）に示すように、光導波路１３の幅よりも若干大きく形成されている。
【００４４】
次に、図３Ｂ（ｂ）に示すように、ディスペンサニードル５０から未硬化状態の光学樹脂１４を第１の基板１０の発光側開口１０ａを含む領域に塗布する。
【００４５】
次に、図３Ｂ（ｃ）に示すように、第１のモジュール１２Ａを実装し、図３Ｃ（ｄ）に示すように、ハンダボール１２５によって第１のモジュール１２Ａを第１の基板１０に電気的に接続し、紫外線光源５１から出射した紫外線を、第２の基板１１の下面（第２の面）側から発光側開口１１ａを通して光学樹脂１４に照射し、光学樹脂１４を硬化させる。
【００４６】
光学樹脂１４が硬化した後、図３Ｃ（ｅ）に示すように、ディスペンサニードル５０から未硬化状態の光学樹脂１４を第２の基板１１の発光側開口１１ａに塗布する。続いて図３Ｃ（ｆ）に示すように、紫外線光源５１から第２の基板１１の発光側開口１１ａを通して光学樹脂１４に紫外線を照射し、第２の基板１１側の光学樹脂１４を硬化させる。
【００４７】
なお、以上の説明では、第１の光モジュール１２Ａについて説明したが、第２の光モジュール１２Ｂの第１の基板１０への実装も同様に行われる。
【００４８】
（第１の実施の形態の動作）
以下に、本発明の第１の実施の形態に関する光電子回路基板の動作について図１および図２を参照して説明する。
【００４９】
ここでは、一例として、画像信号を第１の光モジュール１２Ａから第２の光モジュール１２Ｂに送信する場合について説明する。第１の光モジュール１２Ａの制御部１２７Ａの駆動回路は、画像信号に基づいて駆動信号を発光素子アレイ１２０の発光素子１２０ａに送信する。発光素子１２０ａは、駆動信号に基づいて光信号２を発光側開口１０ａを介して光導波路３の光路変換面１３３Ａに向けて送信する。このとき、発光素子１２０ａのｐ型電極とｎ型電極間に駆動信号の電圧が印加され、発光層の発光領域から例えば、波長８５０ｎｍのレーザ光を光信号２として出力する。
【００５０】
光路変換面１３３Ａは、発光素子１２０ａから送信された光信号２の光路を変換し、光導波路１３のコア１３１に光信号２を伝播させる。コア１３１に伝播した光信号２は、光路変換面１３３Ｂによって光路が変換され、受光側開口１０ｂを通過して第２の光モジュール１２Ｂの受光素子アレイ１２１によって受光される。受光素子１２１ａは、受光した光信号２を電気信号に変換して制御部１２７Ｂに出力する。
【００５１】
制御部１２７Ｂの増幅器は、変換された電気信号を増幅し、信号処理回路は、増幅器からの信号を処理して画像信号を生成し、第１又は第２の基板１０、１１上の所定の電子部品に出力する。
【００５２】
［第２の実施の形態］
図４Ａおよび図４Ｂは、本発明の第２の実施の形態に係る第１の光モジュールの第１の基板への実装方法を示す要部断面図である。
【００５３】
第１の実施の形態では、アレイ１２０，１２１側および光路変換面１３３Ａ，１３３Ｂ側を同一の光学樹脂１４によって封止したが、本実施の形態では、アレイ１２０，１２１側を光学樹脂１４によって封止し、光路変換面１３３Ａ，１３３Ｂ側に透光性を有する透明樹脂１５を配置したものであり、他は第１の実施の形態と同様に構成されている。
【００５４】
透明樹脂１５は、第１の基板１０側の光学樹脂１４を硬化させるためのエネルギー線を透過する特性と光導波路１３のコア１３１の屈折率よりも小さい、望ましくは光導波路１３のクラッド１３２と同じ屈折率とを有する樹脂ならば、例えば、安価な熱硬化性樹脂等を用いることができる。
【００５５】
このように構成された第２の実施の形態において、第１の光モジュール１２Ａを第１の基板１０Ａに実装するには、まず、発光側開口１０ａ、受光側開口１０ｂ等が形成された第１の基板１０と、発光側開口１１ａ、受光側開口１１ｂ等が形成された第２の基板１１との間に光導波路１３を配置したプリント基板１００を用意する。
【００５６】
次に、図４Ａ（ａ）に示すように、透明樹脂１５として、例えば、熱硬化性樹脂を第２の基板１１の発光側開口１１ａに充填して光路変換面１３３Ａを封止し、熱硬化性樹脂を加熱して硬化させる。
【００５７】
次に、図４Ａ（ｂ）に示すように、ディスペンサニードル５０から未硬化状態の光学樹脂１４を第１の基板１０の発光側開口１０ａを含む領域に塗布する。
【００５８】
次に、図４Ａ（ｃ）に示すように、第１のモジュール１２Ａを実装し、図４Ｂ（ｄ）に示すように、ハンダボール１２５によって第１のモジュール１２Ａを第１の基板１０に電気的に接続し、紫外線光源５１から第２の基板１１の発光側開口１１ａに配置した透明樹脂１５を通して第１の基板１０側の光学樹脂１４に紫外線を照射し、光学樹脂１４を硬化させる。
【００５９】
なお、以上の説明では、第１の光モジュール１２Ａについて説明したが、第２の光モジュール１２Ｂの第１の基板１０への実装も同様に行われる。
【００６０】
［第３の実施の形態］
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る第１の光モジュールの第１の基板への実装方法を示す要部断面図である。
【００６１】
本実施の形態は、第１の実施の形態と同様の構成を有するが、光学樹脂１４の充填方法が以下に説明するように第１の実施の形態とは異なる。
【００６２】
第１の実施の形態と同様に、発光側開口１０ａ、受光側開口１０ｂ等が形成された第１の基板１０と、発光側開口１１ａ、受光側開口１１ｂ等が形成された第２の基板１１との間に光導波路１３を配置したプリント基板１００を用意する。
【００６３】
次に、図５（ａ）に示すように、ディスペンサニードル５０から未硬化状態の光学樹脂１４を第２の基板１１の発光側開口１１ａを介して第１の基板１０の発光側開口１０ａに供給する。このとき、未硬化状態の光学樹脂１４は、光路変換面１３３Ａ近傍の光導波路１３の側面と発光側開口１０ａ，１１ａとの間に設けられた僅かに隙間（図３Ａ（ａ２）参照）を通して第１の基板１０の発光側開口１０ａ側に供給される。
【００６４】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１のモジュール１２Ａを実装し、図５（ｃ）に示すように、ハンダボール１２５によって第１のモジュール１２Ａを第１の基板１０に電気的に接続し、紫外線光源５１から第２の基板１１の発光側開口１１ａを通して光学樹脂１４に紫外線を照射し、光学樹脂１４を硬化させる。
【００６５】
なお、以上の説明では、第１の光モジュール１２Ａについて説明したが、第２の光モジュール１２Ｂの第１の基板１０への実装も同様に行われる。
【００６６】
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の概略の構成を示し、（ａ）は、斜視図、（ｂ）は、（ａ）のＡ―Ａ線断面図、（ｃ）は、（ａ）のＢ―Ｂ線断面図である。
【図２】図２は、図１（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る第１の光モジュールの第１の基板への実装方法を示し、（ａ１）は、要部断面図、（ａ２）は、（ａ１）に対応する平面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂ（ｂ）、（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る第１の光モジュールの第１の基板への実装方法を示す要部断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃ（ｄ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施の形態に係る第１の光モジュールの第１の基板への実装方法を示す要部断面図である。
【図４Ａ】図４Ａ（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係る第１の光モジュールの第１の基板への実装方法を示す要部断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂ（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態に係る第１の光モジュールの第１の基板への実装方法を示す要部断面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施の形態に係る第１の光モジュールの第１の基板への実装方法を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１…光電子回路基板、２…光信号、１０…第１の基板、１０ａ…発光側開口、１０ｂ…受光側開口、１１…第２の基板、１１ａ…発光側開口、１１ｂ…受光側開口、１２Ａ…第１の光モジュール、１２Ｂ…第２の光モジュール、１３…光導波路、１４…光学樹脂、１５…透明樹脂、１００…プリント基板、１１０…端子、１２０…発光素子アレイ、１２０ａ…発光素子、１２０ｂ…光出力面、１２１…受光素子アレイ、１２１ａ…受光素子、１２１ｂ…光入力面、１２２…ワイヤ、１２３…パッド、１２４…端子、１２５…ハンダボール、１２６…ワイヤ、１２７Ａ…制御部、１２７Ｂ…制御部、１２９…中継基板、１２９ａ…取付面、１３１…コア、１３２…クラッド、１３３Ａ…光路変換面、１３３Ｂ…光路変換面、２００…封止部材
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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