(57)【要約】【課題】位相差フィルムを短時間で製造することに寄与できる製造装置を提供する。【解決手段】製造装置は、位相差フィルムを形成するための材料の成膜種を供給する供給部を有する供給源と、基板を保持しながら移動可能であり、供給部からの成膜種が供給可能な位置を含む所定領域内で基板の表面を第１方向に移動させる基板保持部材とを備える。第１方向と交差する第２方向に関して、供給部は基板の表面よりも大きい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に位相差フィルムを形成する製造装置であって、
前記位相差フィルムを形成するための成膜種を供給する供給部を有する供給源と、
前記基板を保持しながら移動可能であり、前記供給部からの前記成膜種が供給可能な位置を含む所定領域内で前記基板の表面を第１方向に移動させる基板保持部材と、を備え、
前記第１方向と交差する第２方向に関して、前記供給部は前記基板の表面よりも大きい製造装置。
【請求項２】
前記基板の表面に前記成膜種を斜め方向から供給する請求項１記載の製造装置。
【請求項３】
前記供給部は、前記第１方向に関して複数配置される請求項１又は２記載の製造装置。
【請求項４】
前記材料は、無機材料を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の製造装置。
【請求項５】
前記供給源は、前記成膜種を供給するためにスパッタされるターゲット材料を含む請求項１〜４のいずれか一項記載の製造装置。
【請求項６】
前記供給源は、前記基板の表面と対向可能な開口と、前記開口に接続され、前記ターゲット材料が配置される空間とを有し、
前記供給部は、前記開口を含む請求項５記載の製造装置。
【請求項７】
前記ターゲット材料は、前記空間に配置され、第１面を有する第１ターゲット材料と、前記第１面と対向する第２面を有する第２ターゲット材料とを含み、
前記供給源は、前記第１面と前記第２面との間にプラズマを生成する請求項６記載の製造装置。
【請求項８】
前記位相差フィルムのリタデーションを調整するために、製造条件を設定する制御装置を備えた請求項１〜７のいずれか一項記載の製造装置。
【請求項９】
基板の表面に位相差フィルムを形成する製造方法であって、
前記位相差フィルムを形成するための成膜種を生成する動作と、
前記成膜種が供給可能な位置を含む所定領域内で前記基板の表面を第１方向に移動させつつ、前記基板の表面に前記成膜種を供給する動作と、を含み、
前記第１方向と交差する第２方向に関して、前記成膜種を供給する供給部は前記基板の表面よりも大きい製造方法。
【請求項１０】
製造条件を調整して、前記位相差フィルムのリタデーションを調整する請求項９記載の製造方法。
【請求項１１】
前記位相差フィルムは無機材料の複数の射方柱によって形成され、
前記製造条件を調整して、前記射方柱の構造を調整することによって、前記リタデーションを調整する請求項１０記載の製造方法。
【請求項１２】
前記位相差フィルムは無機材料の酸化物の複数の斜め方向に成長した柱状物質によって形成され、
前記製造条件を調整して、前記柱状物質の化学量論比を調整することによって、前記リタデーションを調整する請求項１０記載の製造方法。
【請求項１３】
前記製造条件は、前記基板の表面に対する前記成膜種の入射角度条件を含む請求項１０〜１２のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項１４】
前記製造条件は、前記成膜種が供給される前記基板の温度条件、圧力条件、及び前記基板の表面と前記供給部との距離条件の少なくとも一つを含む請求項１０〜１３のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項１５】
前記製造条件は、少なくとも前記基板の表面と前記供給部との間の酸素濃度条件を含む請求項１０〜１４のいずれか一項記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位相差フィルムの製造装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学フィルムの一つとして位相差フィルムが知られている。位相差フィルムは、例えば液晶装置の光学補償を行うために使用される。下記特許文献１には、蒸着法を用いて位相差フィルムを製造する技術の一例が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−１２３３２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
蒸着法等の手法を用いて位相差フィルムを製造する場合、未だ十分な量産性が得られていないのが現状である。そのため、所望の位相差フィルムを短時間で製造できる技術の案出が望まれる。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、位相差フィルムを短時間で製造することに寄与できる製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。
【０００６】
本発明の第１の観点によると、基板の表面に位相差フィルムを形成する製造装置であって、前記位相差フィルムを形成するための材料の成膜種を供給する供給部を有する供給源と、前記基板を保持しながら移動可能であり、前記供給部からの前記成膜種が供給可能な位置を含む所定領域内で前記基板の表面を第１方向に移動させる基板保持部材と、を備え、前記第１方向と交差する第２方向に関して、前記供給部は前記基板の表面よりも大きい製造装置が提供される。
【０００７】
本発明の第１の観点によれば、基板の表面を第１方向に移動しつつその基板の表面に成膜種を供給することによって位相差フィルムを製造する場合において、第１方向と交差する第２方向に関する供給部の大きさを前記基板の表面の大きさよりも大きくすることで、所望の厚みを有する位相差フィルムを短時間で製造できる。また、均一な厚みを有する位相差フィルムを製造できる。
【０００８】
本発明の製造装置において、前記基板の表面に前記成膜種を斜め方向から供給する構成を採用できる。これによれば、基板の表面に射方柱（カラム、柱状構造体）を含む位相差フィルムを製造でき、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。
【０００９】
本発明の製造装置において、前記供給部は、前記第１方向に関して複数配置される構成を採用できる。これによれば、例えば第１の供給部から供給された成膜種に基づいて基板に形成された膜の上に、第２の供給部から供給された成膜種に基づいて膜を形成できる。すなわち、基板の表面で膜を積み重ねることができる。したがって、所望の厚みを有する位相差フィルムを短時間で製造できる。
【００１０】
本発明の製造装置において、前記材料は、無機材料を含む構成を採用できる。これによれば、無機材料からなる位相差フィルムを製造できる。これにより、耐熱性、耐光性、耐久性に優れた位相差フィルムを製造できる。
【００１１】
本発明の製造装置において、前記供給源は、前記成膜種を供給するためにスパッタされるターゲット材料を含む構成を採用できる。すなわち、本発明はスパッタ法（斜めスパッタ法）に適用でき、スパッタ法を用いて所望の厚みを有する位相差フィルムを短時間で製造できる。また、スパッタ法を用いることにより、基板と位相差フィルムとの密着性を高めることができ、パーティクルの発生を抑制できる。
【００１２】
本発明の製造装置において、前記供給源は、前記基板の表面と対向可能な開口と、前記開口に接続され、前記ターゲット材料が配置される空間とを有し、前記供給部は、前記開口を含む構成を採用できる。これによれば、ターゲット材料が配置される空間に接続された開口の大きさ（第２方向の大きさ）を調整することによって、均一で所望の厚みを有する位相差フィルムを短時間で製造できる。
【００１３】
本発明の製造装置において、前記ターゲット材料は、前記空間に配置され、第１面を有する第１ターゲット材料と、前記第１面と対向する第２面を有する第２ターゲット材料とを含み、前記供給源は、前記第１面と前記第２面との間にプラズマを生成する構成を採用できる。これによれば、開口から発射されるスパッタ成膜種の密度を高めることができる。したがって、均一で所望の厚みを有する位相差フィルムを短時間で製造できる。
【００１４】
本発明の製造装置において、前記位相差フィルムのリタデーションを調整するために、製造条件を設定する制御装置を備えた構成を採用できる。すなわち、本発明者は、位相差フィルムを製造する際の製造条件を調整することによって、位相差フィルムのリタデーションを調整できることを見出した。したがって、製造条件を最適に設定することで、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。
【００１５】
本発明の第２の観点によると、基板の表面に位相差フィルムを形成する製造方法であって、前記位相差フィルムを形成するための材料の成膜種を生成する動作と、前記成膜種が供給可能な位置を含む所定領域内で前記基板の表面を第１方向に移動させつつ、前記基板の表面に前記成膜種を供給する動作と、を含み、前記第１方向と交差する第２方向に関して、前記成膜種を供給する供給部は前記基板の表面よりも大きい製造方法が提供される。
【００１６】
本発明の第２の観点によれば、基板の表面を第１方向に移動しつつその基板の表面に成膜種を供給することによって位相差フィルムを製造する場合において、第１方向と交差する第２方向に関する供給部の大きさを前記基板の表面の大きさよりも大きくすることで、所望の厚みを有する位相差フィルムを短時間で製造できる。また、均一な厚みを有する位相差フィルムを製造できる。
【００１７】
本発明の製造方法において、製造条件を調整して、前記位相差フィルムのリタデーションを調整する構成を採用できる。すなわち、本発明者は、位相差フィルムを製造する際の製造条件を調整することによって、位相差フィルムのリタデーションを調整できることを見出した。したがって、製造条件を調整することで、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。
【００１８】
本発明の製造方法において、前記位相差フィルムは無機材料の複数の射方柱によって形成され、前記製造条件を調整して、前記射方柱の構造を調整することによって、前記リタデーションを調整する構成を採用できる。すなわち、本発明者は、製造条件を調整することによって、無機材料の射方柱の構造を調整でき、無機材料の射方柱の構造を調整することによって、位相差フィルムのリタデーションを調整できることを見出した。したがって、射方柱の構造を調整することによって、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。
【００１９】
本発明の製造方法において、前記位相差フィルムは無機材料の酸化物の複数の斜め方向に成長した柱状物質によって形成され、前記製造条件を調整して、前記柱状物質の化学量論比を調整することによって、前記リタデーションを調整する構成を採用できる。すなわち、本発明者は、製造条件を調整することによって、無機材料の酸化物の射方柱の化学量論比を調整でき、無機材料の酸化物の射方柱の化学量論比を調整することによって、位相差フィルムのリタデーションを調整できることを見出した。したがって、射方柱の化学量論比を調整することによって、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。
【００２０】
本発明の製造方法において、前記製造条件は、前記基板の表面に対する前記成膜種の入射角度条件を含む構成を採用できる。すなわち、本発明者は、基板の表面に対する成膜種の入射角度条件を調整することによって、基板に形成される斜方柱の傾斜角度を調整でき、その射方柱の傾斜角度を調整することによって、位相差フィルムのリタデーションを調整できることを見出した。したがって、基板の表面に対する成膜種の入射角度条件を調整することによって、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。
【００２１】
本発明の製造方法において、前記製造条件は、前記成膜種が供給される前記基板の温度条件、圧力条件、及び前記基板の表面と前記供給部との距離条件の少なくとも一つを含む構成を採用できる。すなわち、本発明者は、成膜種が供給される基板の温度条件、圧力条件、及び基板の表面と供給部との距離条件の少なくとも一つを調整することによって、基板に形成される射方柱の高さ、射方柱の幅、及び射方柱同士の間隔の少なくとも一つを調整でき、その射方柱の高さ、射方柱の幅、及び射方柱同士の間隔の少なくとも一つを調整することによって、位相差フィルムのリタデーションを調整できることを見出した。したがって、成膜種が供給される基板の温度条件、圧力条件、及び基板の表面と供給部との距離条件の少なくとも一つを調整することによって、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。
【００２２】
本発明の製造方法において、前記製造条件は、少なくとも前記基板の表面と前記供給部との間の酸素濃度条件を含む構成を採用できる。すなわち、本発明者は、基板の表面と供給部との間の酸素濃度条件を調整することによって、基板に形成される斜方柱の化学量論比を調整でき、その射方柱の化学量論比を調整することによって、位相差フィルムのリタデーションを調整できることを見出した。したがって、基板の表面と供給部との間の酸素濃度条件を調整することによって、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。また、酸素濃度条件を調整することによって、基板に形成される斜方柱の構造を調整することもできる。
【００２３】
なお、上述のリタデーション（リタデーション値）Ｒ’は、Ｒ’＝（ｎｔ−ｎｐ）×ｄで表される。ここで、ｎｔは位相差フィルムの厚み方向の屈折率、ｎｐは位相差フィルムの面内平均屈折率、ｄは位相差フィルムの厚みである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。また、以下の説明においては、ＹＺ平面内において、Ｙ軸に対してＺ軸に向かって所定角度θ１だけ傾斜した方向を適宜、Ｕ軸方向、と称する。したがって、ＸＵ平面内において、Ｘ軸とＵ軸とは直交する。また、物体（基板など）がＵ軸方向に移動するとき、その移動成分は、Ｙ軸方向への移動成分とＺ軸方向への移動成分とを含む。したがって、物体（基板など）がＵ軸方向へ移動した場合、必然的に（実質的に）、Ｙ軸方向へも移動することとなる。
【００２５】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る液晶装置（液晶表示装置）１を模式的に示す断面図である。図１において、液晶装置１は、アレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）２と、アレイ基板２と対向するように配置された対向基板（カラーフィルタ基板）３と、アレイ基板２と対向基板３との間に配置された液晶層４と、アレイ基板２に設けられた第１配向膜５と、アレイ基板２に設けられた第１偏光膜６と、対向基板３に設けられた第２配向膜７と、対向基板３に設けられた第２偏光膜８とを備えている。また、液晶装置１は、アレイ基板２に設けられた第１位相差フィルム９と、対向基板３に設けられた第２位相差フィルム１０と、対向基板３に設けられた反射防止膜１１とを備えている。
【００２６】
アレイ基板２は、基材、及び基材の−Ｚ側の面（液晶層４側の面）に形成された画素電極を含む。また、アレイ基板２は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、蓄積コンデンサ、及び画素に電気信号等を供給する配線等を含む。また、アレイ基板２は、基材上に形成された種々の金属膜、絶縁膜、半導体層、及び不純物層等を含む。
【００２７】
第１配向膜５は、アレイ基板２の−Ｚ側の面（液晶層側４の面）に配置されている。第１位相差フィルム９は、アレイ基板２のうち、第１配向膜５が配置された面とは反対側の面、すなわち＋Ｚ側の面（液晶層４と反対側の面）に配置されている。第１偏光膜６は、第１位相差フィルム９の＋Ｚ側の面に配置されている。
【００２８】
対向基板３は、基材、及び基材の＋Ｚ側の面（液晶層４側の面）に形成された共通電極を含む。また、対向基板３は、ブラックマトリクス、及び保護膜等を含む。
【００２９】
第２配向膜７は、対向基板３の＋Ｚ側の面（液晶層４側の面）に配置されている。第２位相差フィルム１０は、対向基板３のうち、第２配向膜７が配置された面とは反対側の面、すなわち−Ｚ側の面（液晶層４と反対側の面）に配置されている。反射防止膜１１は、第２位相差フィルム１０の−Ｚ側の面に配置されている。第２偏光膜８は、反射防止膜１１の−Ｚ側の面に配置されている。
【００３０】
基材は、透明基板であって、例えば石英等の硝材で形成される。なお、基材は、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂で形成することもできる。
【００３１】
画素電極及び共通電極は、透明電極であって、例えばインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）で形成される。なお、画素電極及び共通電極は、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）等で形成することもできる。
【００３２】
第１配向膜５及び第２配向膜７は、液晶層４を挟むように配置されている。第１配向膜５及び第２配向膜７は、ＳｉＯｘ（ＳｉＯ２、ＳｉＯなど）等の珪素酸化物、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯ等の金属酸化物等を含む無機材料で形成可能である。
【００３３】
液晶層４は、液晶分子を含む。液晶分子は、ネマチック液晶、スメクチック液晶など、配向可能なものであればいかなる液晶分子でも構わない。
【００３４】
第１偏光膜６及び第２偏光膜８は、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等で形成可能である。
【００３５】
第１位相差フィルム９及び第２位相差フィルム１０は、無機材料の酸化物で形成されている。無機材料としては、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、及びハフニウム（Ｈｆ）等が上げられる。第１位相差フィルム９及び第２位相差フィルム１０は、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２で形成可能である。
【００３６】
次に、第１実施形態に係る位相差フィルム９、１０の製造装置１２について説明する。図２は、第１実施形態に係る製造装置１２の一例を示す概略構成図である。以下の説明においては、製造装置１２が、上述の対向基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する場合を例にして説明する。
【００３７】
また、以下の説明においては、製造装置１２が、無機材料の酸化物の位相差フィルム１０、具体的には二酸化珪素（ＳｉＯ２）の位相差フィルム１０を基板３の表面に形成する場合を例にして説明する。
【００３８】
図２において、製造装置１２は、位相差フィルム１０を形成するための材料の成膜種ｐｆを基板３に供給する供給部１３、２０を有する供給源１４と、基板３を保持しながら移動可能であり、供給部１３、２０からの成膜種ｐｆが供給可能な位置を含む所定領域内で基板３の表面をＵ軸方向に移動させる基板保持部材１５と、製造装置１２全体の動作を制御する制御装置１６とを備えている。
【００３９】
本実施形態においては、製造装置１２は、スパッタ法に基づいて、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する。製造装置１２は、ターゲット材料Ｔにイオン粒子ｐｓを照射して、ターゲット材料Ｔより位相差フィルム１０を形成するためのスパッタ成膜種ｐｆを生成して、そのスパッタ成膜種ｐｆを基板３の表面に供給可能なスパッタ装置１７を含む。本実施形態においては、供給源１４は、スパッタ装置１７の少なくとも一部、及びスパッタ成膜種ｐｆを供給するためにスパッタされるターゲット材料Ｔを含む。ターゲット材料Ｔは、無機材料を含む。本実施形態においては、ターゲット材料Ｔは、無機材料の酸化物を含む。本実施形態においては、ターゲット材料Ｔとして、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を用いる。
【００４０】
また、製造装置１２は、チャンバ（成膜室）１８を備える。スパッタ装置１７の少なくとも一部、及び基板保持部材１５のそれぞれは、チャンバ１８の内側に配置されている。製造装置１２は、チャンバ１８の内側において、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する。また、製造装置１２は、そのチャンバ１８内の環境を調整する空調ユニット１９を備える。
【００４１】
また、製造装置１２は、ターゲット材料Ｔと基板３との間に配置され、ターゲット材料Ｔからのスパッタ成膜種ｐｆの少なくとも一部が通過可能な開口２０を有する仕切部材２１を備えている。仕切部材２１は、チャンバ１８内の空間を第１空間２２と第２空間２３とに仕切る。開口２０は、第１空間２２及び第２空間２３のそれぞれに接続される。ターゲット材料Ｔは、第１空間２２に配置され、基板３（基板保持部材１５）は、第２空間２３に配置される。開口２０は、ターゲット材料Ｔの上面１３、及び位相差フィルム１０が形成される基板３の表面のそれぞれと対向可能である。
【００４２】
スパッタ装置１７は、ＲＦスパッタ装置を含み、高周波電源２４と、高周波電源２４に接続され、ターゲット材料Ｔを保持可能な電極２５とを有する。本実施形態においては、ターゲット材料Ｔは、直方体状である。製造装置１２は、チャンバ１８内におけるターゲット材料Ｔの上面１３の近傍、すなわち、ターゲット材料Ｔの＋Ｚ側の所定領域において、プラズマを発生させる。電極２５は、プラズマが発生したプラズマ発生領域ＰＵと対向するターゲット材料Ｔの上面１３とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、ターゲット材料Ｔを保持する。なお、スパッタ装置としては、高周波電源を用いたＲＦスパッタ装置のみならず、ターゲット材料により、ＤＣ電源やＤＣ電源のパルス放電モードを用いることもできる。
【００４３】
空調ユニット１９は、チャンバ１８の内側の空間の温度、湿度、及び圧力を調整可能である。空調ユニット１９は、真空システムを含み、チャンバ１８の内側の空間を減圧状態にしたり、真空状態にすることができる。また、空調ユニット１９は、プラズマ発生領域ＰＵに、アルゴンガス（Ａｒガス）及び酸素ガス（Ｏ２ガス）の少なくとも一方を放電用ガスとして供給可能である。
【００４４】
制御装置１６は、空調ユニット１９を用いて、プラズマ発生領域ＰＵに放電用ガスを供給することによって、その放電用ガスに基づくイオン粒子ｐｓを生成する。スパッタ装置１７を含む製造装置１２は、生成したイオン粒子ｐｓをターゲット材料Ｔに照射して、ターゲット材料Ｔより、位相差フィルム１０を形成するためのスパッタ成膜種ｐｆを放出させる。開口２０と対向するターゲット材料Ｔの上面１３は、スパッタされることによって、基板３の表面に向けてスパッタ成膜種ｐｆを放出可能（供給可能）である。
【００４５】
仕切部材２１は、電極２５によって保持されるターゲット材料Ｔと、基板保持部材１５によって保持される基板３との間に配置されている。ターゲット材料Ｔからのスパッタ成膜種ｐｆの少なくとも一部は、仕切部材２１の開口２０を通過可能である。開口２０は、基板３に対するスパッタ成膜種ｐｆの供給領域を規定する。
【００４６】
基板保持部材１５は、ターゲット材料Ｔ（開口２０）からのスパッタ成膜種ｐｆが供給可能な位置に基板３の表面を配置可能であるとともに、そのスパッタ成膜種ｐｆが供給可能な位置を含む所定領域内で基板３の表面をＵ軸方向に移動可能である。基板保持部材１５は、位相差フィルム１０が形成される基板３の表面とＸＵ平面とがほぼ平行となるように、基板３を保持する。
【００４７】
製造装置１２は、基板保持部材１５を移動可能な駆動装置（不図示）を備える。制御装置１６は、駆動装置を制御して、基板３を保持した基板保持部材１５を少なくともＵ軸方向に移動可能である。また、本実施形態においては、制御装置１６は、駆動装置を制御して、基板３を保持した基板保持部材１５を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向にも移動可能（微動可能）である。
【００４８】
製造装置１２は、基板保持部材１５に保持されている基板３の温度を調整可能な温度調整装置２６を備えている。温度調整装置２６は、基板保持部材１５に保持されている基板３を加熱可能な加熱装置、及び基板保持部材１５に保持されている基板３を冷却可能な冷却装置を有する。加熱装置は、例えば基板保持部材１５の内部に配置された電熱線等のヒータ部材を含む。冷却装置は、例えば基板保持部材１５の内部に配置された冷媒が流れる流路形成部材を含む。加熱装置及び冷却装置を含む温度調整装置２６は、基板３の裏面と対向する基板保持部材１５の保持面の温度を調整し、その基板保持部材１５の保持面を介して、基板保持部材１５に保持された基板３を所望の温度に調整可能である。
【００４９】
図３は、基板３、開口２０、及びターゲット材料Ｔの関係を説明するための模式図である。図３に示すように、本実施形態においては、基板３の表面は長方形状である。また、本実施形態においては、ＸＹ平面内におけるターゲット材料Ｔの上面１３の形状は、Ｘ軸方向に長い長方形状（スリット状）である。また、ＸＹ平面内における開口２０の形状も、Ｘ軸方向に長いスリット状である。そして、基板３の表面の移動方向（Ｕ軸方向）と交差するＸ軸方向に関して、ターゲット材料Ｔの上面１３、及び開口２０は、基板３の表面よりも大きい（長い）。なお、Ｙ軸方向（Ｕ軸方向）に関しては、ターゲット材料Ｔの上面１３、及び開口２０は、基板３の表面よりも小さい（短い）。
【００５０】
次に、上述の構成を有する製造装置１２を用いて、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する方法について説明する。
【００５１】
まず、成膜処理されるべき基板３が、チャンバ１８内に搬送される。チャンバ１８内に搬送された基板３は、基板保持部材１５に保持される。基板３がチャンバ１８内に搬送されたされた後、制御装置１６は、空調ユニット１９を使って、チャンバ１８内を真空状態に調整する。
【００５２】
そして、制御装置１６は、温度調整装置２６の加熱装置を用いて、基板保持部材１５に保持されている基板３を、例えば２５０℃〜３００℃に加熱し、基板３の表面に付着している物理吸着水や化学吸着水を除去する脱水処理、及び基板３の表面に付着しているガスを除去する脱ガス処理の少なくとも一方を実行する。
【００５３】
制御装置１６は、温度調整装置２６の加熱装置による加熱処理を実行した後、スパッタリングによる基板３の温度上昇を抑制するため、温度調整装置２６の冷却装置を用いて、基板保持部材１５に保持されている基板３を所定の温度（例えば２３℃程度の室温）に調整する。なお、このとき、制御装置１６は、基板３を所定の温度（室温）に調整するために、加熱装置と冷却装置とを並行して作動させてもよい。
【００５４】
制御装置１６は、基板３を所定の温度に調整した後、ターゲット材料Ｔをスパッタする。すなわち、制御装置１６は、チャンバ１８内に、アルゴンガス及び酸素ガスの少なくとも一方を含む放電用ガスを、単位時間当たり所定量で供給するとともに、空調ユニット１９を用いて、チャンバ１８内を所定の圧力（例えば１〜１０Ｐａ）に調整する。そして、制御装置１６は、高周波電源２４より、ターゲット材料Ｔを保持している電極２５に電力を供給し、チャンバ１８内におけるターゲット材料Ｔの上面１３の近傍の所定領域において、プラズマを発生させる。
【００５５】
プラズマ発生領域ＰＵに放電用ガスが供給されることによって、その放電用ガスに基づくイオン粒子ｐｓが生成される。生成されたイオン粒子ｐｓは、ターゲット材料Ｔの上面１３に照射される。ターゲット材料Ｔの上面１３にイオン粒子ｐｓが照射されることによって、そのターゲット材料Ｔの上面１３より位相差フィルム１０を形成するためのスパッタ成膜種ｐｆが生成される。ターゲット材料Ｔより生成され、そのターゲット材料Ｔから放出されたスパッタ成膜種ｐｆの少なくとも一部は、仕切部材２１の開口２０を通過する。
【００５６】
制御装置１６は、基板保持部材１５の駆動装置を制御して、ターゲット材料Ｔからのスパッタ成膜種ｐｆが供給可能な位置に基板３を配置する。具体的には、制御装置１６は、開口２０と対向する位置に基板３を配置する。仕切部材２１の開口２０を通過したスパッタ成膜種ｐｆは、第２空間２３に配置されている基板保持部材１５に保持されている基板３の表面に供給される。
【００５７】
そして、本実施形態においては、制御装置１６は、スパッタ成膜種ｐｆが供給可能な位置を含む第２空間２３の所定領域内で、基板保持部材１５に保持された基板３の表面をＵ軸方向に移動させつつ、基板３の表面にスパッタ成膜種ｐｆを供給する。
【００５８】
上述のように、Ｕ軸方向は、ＹＺ平面内においてＹ軸に対して所定角度θ１だけ傾斜した方向である。ターゲット材料Ｔから放出され、開口２０を通過したスパッタ成膜種ｐｆは、所定角度θ１に応じて、基板３の表面に斜め方向から入射する。本実施形態においては、所定角度（ターゲット材料Ｔの上面と基板３の表面とがなす角度）θ１は、５度〜８５度、好ましくは約４５度に設定される。
【００５９】
基板３の表面をＵ軸方向に移動しつつ、開口２０を介したスパッタ成膜種ｐｆを基板３の表面に斜め方向から連続的に供給することによって、基板３の表面に、スパッタ成膜種ｐｆに基づく無機材料からなる位相差フィルム１０が形成される。すなわち、本実施形態においては、製造装置１２は、斜めスパッタ法に基づいて、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する。
【００６０】
本実施形態においては、基板３の表面の移動方向（Ｕ軸方向）と交差するＸ軸方向に関するターゲット材料Ｔの上面１３の大きさ及び開口２０の大きさを、基板３の表面の大きさよりも大きくしているので、基板３をＵ軸方向へ１回のみ移動するだけで、基板３の表面のほぼ全域にスパッタ成膜種ｐｆを供給できる。したがって、所望の厚みを有する位相差フィルム１０を短時間で製造できる。また、均一な厚みを有する位相差フィルム１０を製造できる。
【００６１】
なお、基板３の表面にスパッタ成膜種ｐｆを供給しつつ、基板３の表面をＵ軸方向に複数回移動してもよい。複数回移動することによって、スパッタ成膜種ｐｆに基づく膜を積み重ねることができるので、厚みが厚い位相差フィルム１０を製造できる。
【００６２】
本実施形態においては、基板３の表面にスパッタ成膜種ｐｆを斜め方向から入射させており、基板３の表面において、位相差フィルム１０は、無機材料の酸化物の複数の射方柱（カラム、柱状構造体）によって形成される。
【００６３】
図４は、位相差フィルム１０の近傍を模式的に示す拡大図、図５は、図４を更に拡大した図である。図４及び図５に示すように、本実施形態においては、位相差フィルム１０は、無機材料の酸化物からなる複数の射方柱（カラム、柱状構造体）１０Ａを含む。射方柱１０Ａを含む位相差フィルム１０の表面の形状は、左右非対称である。
【００６４】
本実施形態においては、位相差フィルム１０が所望のリタデーションを有するように、射方柱１０Ａの構造が調整（最適化）されている。
【００６５】
なお、リタデーション（リタデーション値）Ｒ’は、例えば特開平１０−１２３３２３号公報に記載されているように、Ｒ’＝（ｎｔ−ｎｐ）×ｄで表される。ここで、ｎｔは位相差フィルムの厚み方向の屈折率、ｎｐは位相差フィルムの面内平均屈折率、ｄは位相差フィルムの厚みである。
【００６６】
具体的には、位相差フィルム１０が所望のリタデーションを有するように、射方柱１０Ａの高さＨ、射方柱の幅（太さ）Ｄ、射方柱の傾斜角度θｃ、及び射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌの少なくとも一つが調整（最適化）されている。
【００６７】
なお、高さＨは、複数の射方柱１０Ａの高さの平均値（平均高さ）であり、幅Ｄは、複数の射方柱１０Ａの幅の平均値（平均幅）であり、傾斜角度θｃは、複数の射方柱１０Ａの傾斜角度の平均値（平均傾斜角度）であり、間隔Ｌは、射方柱１０Ａ同士の複数の間隔の平均値（平均間隔）である。また、本実施形態においては、射方柱１０Ａの高さＨは、位相差フィルム１０の厚みに相当する。また、射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌは、互いに隣り合う射方柱１０Ａの上端（頂点部分）同士の間隔を意味する。
【００６８】
本発明者は、無機材料の射方柱１０Ａの構造を調整することによって、位相差フィルム１０のリタデーションを調整できることを見出した。また本発明者は、位相差フィルム１０を製造するときの製造条件を調整することによって、無機材料の射方柱１０Ａの構造を調整できることを見出した。すなわち、本発明者は、位相差フィルム１０を製造するときの製造条件を調整することによって、位相差フィルム１０のリタデーションを調整できることを見出した。
【００６９】
製造条件は、スパッタ成膜種ｐｆが供給される基板３の温度条件、圧力条件、及び基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との距離条件の少なくとも一つを含む。スパッタ成膜種ｐｆが供給される基板３の温度条件、圧力条件、及び基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との距離条件の少なくとも一つを調整することによって、基板３に形成される射方柱１０Ａの高さＨ、射方柱１０Ａの幅Ｄ、及び射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌの少なくとも一つを調整できる。そして、その射方柱１０Ａの高さＨ、射方柱１０Ａの幅Ｄ、及び射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌの少なくとも一つを調整することによって、位相差フィルム１０のリタデーションを調整できる。
【００７０】
基板３の温度条件は、基板３の表面の温度に関する条件を含み、温度調整装置２６によって調整可能である。また、基板３の温度条件は、チャンバ１８内の温度（基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との間の温度）に関する条件を含み、空調ユニット１９によって調整可能である。また、基板３の圧力条件は、チャンバ１８内の圧力（基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との間の圧力）に関する条件を含み、空調ユニット１９によって調整可能である。また、基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との距離に関する条件は、例えば基板保持部材１５の駆動装置によって調整可能である。
【００７１】
また、製造条件は、ターゲット材料Ｔに供給する電力に関する条件、基板３にスパッタ成膜種ｐｆを供給する時間に関する条件も含む。電力に関する条件、時間に関する条件を調整することによっても、基板３に形成される射方柱１０Ａの高さＨ、射方柱１０Ａの幅Ｄ、及び射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌの少なくとも一つを調整できる。
【００７２】
例えば、上述の製造条件を調整して、射方柱１０Ａの高さＨを高くすることによって、位相差フィルム１０のリタデーションを大きくすることができる。また、射方柱１０Ａの幅Ｄを小さくしたり、射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌを小さくすることによって、位相差フィルム１０のリタデーションを大きくすることができる。また、射方柱１０Ａの高さＨを低くしたり、射方柱１０Ａの幅Ｄを大きくしたり、射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌを大きくすることによって、位相差フィルム１０のリタデーションを大きくすることができる。
【００７３】
なお、上述の温度条件、圧力条件、距離条件、電力条件、及び時間条件のそれぞれに応じて、射方柱１０Ａの高さＨ、射方柱１０Ａの幅Ｄ、及び射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌは、様々に変化する。所望のリタデーションを得るための製造条件は、実験又はシミュレーションによって求めることができる。制御装置１６は、位相差フィルム１０のリタデーションを調整するために、実験又はシミュレーションによって求めた製造条件を設定し、その設定した製造条件に基づいて、位相差フィルム１０を形成する。
【００７４】
また、製造条件は、基板３の表面に対するスパッタ成膜種ｐｆの入射角度条件を含む。基板３の表面に対するスパッタ成膜種ｐｆの入射角度条件を調整することによって、基板３に形成される射方柱１０Ａの傾斜角度θｃを調整できる。そして、その射方柱１０Ａの傾斜角度θｃを調整することによって、位相差フィルム１０のリタデーションを調整できる。入射角度条件は、水平面（ＸＹ平面）に対する基板３の表面の所定角度θ１に関する条件を含み、基板保持部材１５及びその基板保持部材１５を移動する駆動装置によって調整可能である。
【００７５】
すなわち、基板３の表面に入射するスパッタ成膜種ｐｆの入射角度は、所定角度θ１に応じて変化し、射方柱１０Ａの傾斜角度θｃは、入射角度に応じて変化する。すなわち、射方柱１０Ａの傾斜角度θｃは、所定角度θ１に応じて変化する。そのため、所定角度θ１は、射方柱１０Ａの傾斜角度θｃの目標値に応じて設定される。所定角度θ１を調整して、基板３の表面に入射するスパッタ成膜種ｐｆの入射角度を調整することによって、射方柱１０Ａの傾斜角度θｃを調整することができる。
【００７６】
例えば、入射角度条件を調整して、射方柱１０Ａの傾斜角度θｃを小さくすることによって、位相差フィルム１０のリタデーションを大きくすることができる。また、射方柱１０Ａの傾斜角度θｃを大きくすることによって、位相差フィルム１０のリタデーションを小さくすることができる。
【００７７】
また、本発明者は、基板３に形成される斜方柱１０Ａの化学量論比を調整することによって、位相差フィルム１０のリタデーションを調整できることを見出した。また、本発明者は、位相差フィルム１０を製造するときの、チャンバ１８内の酸素濃度条件、少なくとも基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との間の酸素濃度条件を調整することによって、基板３に形成される斜方柱１０Ａの化学量論比を調整できることを見出した。すなわち、本発明者は、位相差フィルム１０を製造するときの酸素濃度条件を含む製造条件を調整することによって、位相差フィルム１０のリタデーションを調整できることを見出した。酸素濃度条件は、チャンバ１８内の酸素の分圧に関する条件を含む。チャンバ１８内の酸素濃度（酸素分圧）は、空調ユニット１９によって調整可能である。
【００７８】
例えば、ターゲット材料Ｔの組成が既知であっても、実際に基板３の表面に形成される位相差フィルム１０の組成が変化する可能性がある。すなわち、本実施形態においては、ターゲット材料ＴはＳｉＯ２であるが、そのターゲット材料Ｔの組成が既知であっても、例えばチャンバ１８内のガス雰囲気等を含む製造条件によっては、実際に基板３の表面に形成される位相差フィルム１０の組成は、ＳｉＯ２になるとは限らず、ＳｉＯｘ（Ｘは２以外の数値）となる可能性がある。
【００７９】
本実施形態においては、チャンバ１８内のガス雰囲気を積極的に変化させて、実際に基板３の表面に形成される位相差フィルム１０の組成（珪素と酸素との化学量論比）を調整することによって、形成される位相差フィルム１０のリタデーションを調整する。本実施形態においては、組成ＳｉＯｘの位相差フィルム１０を基板３に形成する場合において、そのＸの値を、１＜Ｘ＜２の範囲で変化させる。特に、１．５≦Ｘ＜２．０の範囲で変化させる。
【００８０】
例えば、空調ユニット１９を用いてチャンバ１８内の酸素濃度を高めた状態で、基板３の表面にスパッタ成膜種ｐｆを供給することによって、基板３の表面に形成される位相差フィルム１０の酸素成分の比（化学量論比）を高めることができる。この場合、位相差フィルム１０のリタデーションは小さくなる。一方、空調ユニット１９を用いてチャンバ１８内の酸素濃度を低下させた状態で、基板３の表面にスパッタ成膜種ｐｆを供給することによって、基板３の表面に形成される位相差フィルム１０の酸素成分の比（化学量論比）を低下させることができる。この場合、位相差フィルム１０のリタデーションは大きくなる。
【００８１】
なお、スパッタ成膜種ｐｆが供給される基板３の温度条件、圧力条件、基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との距離条件、電力条件、時間条件、及びターゲット材料Ｔの組成の少なくとも一つを調整することによっても、上述のＸの値を変化させることができる。
【００８２】
このように、スパッタ成膜種ｐｆが供給される基板３の温度条件、圧力条件、基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との距離条件、電力条件、時間条件、入射角度条件、及び酸素濃度条件の少なくとも一つを調整することによって、所望の光学特性（リタデーション）を有する位相差フィルムを製造できる。
【００８３】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板３の表面をＹ軸方向に移動しつつその基板３の表面にスパッタ成膜種ｐｆを供給することによって位相差フィルム１０を製造する場合において、Ｙ軸方向と交差するＸ軸方向に関するターゲット材料Ｔの上面１３の大きさ及び開口２０の大きさを基板３の表面の大きさよりも大きくすることで、所望の厚みを有する位相差フィルム１０を短時間で製造できる。したがって、生産性を向上できる。また、均一な厚みを有する位相差フィルム１０を製造できる。
【００８４】
また、製造条件を最適に設定することで、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。
【００８５】
また、位相差フィルム１０を無機材料で形成することで、位相差フィルム１０の長寿命化に寄与できる。例えば、従来のように、位相差フィルムを有機材料で形成した場合、その有機材料で形成された位相差フィルムは、使用環境、使用時間等により劣化しやすい。また、有機材料で形成された位相差フィルムを有する液晶装置を、例えばプロジェクタのライトバルブとして用いる場合、そのライトバルブには高い照度の光が照射されるので、劣化しやすい。本実施形態においては、位相差フィルム１０を無機材料で形成しているので、耐熱性及び耐光性を向上することができ、長寿命で高い信頼性を有する位相差フィルム１０、あるいはその位相差フィルム１０を有する液晶装置を提供できる。
【００８６】
また、本実施形態においては、ターゲット材料Ｔ（プラズマ発生領域ＰＵ）と基板３との間には、仕切部材２１が配置されているので、基板３がプラズマに晒されるのを抑制することができ、プラズマの影響が基板３側に及ぶのを抑制することができる。Ｘ軸方向に関する開口２０の大きさは基板３の表面の大きさよりも大きいものの、Ｙ軸方向（Ｕ軸方向）に関する大きさは小さいので、開口２０を介してプラズマの一部が基板３側に漏れるのを抑え、基板３に及ぼされるプラズマの影響を最小限に抑えることができる。
【００８７】
なお、本実施形態においては、位相差フィルム１０がＳｉＯ２で形成される場合を例にして説明したが、上述のように、位相差フィルム１０は、例えばＡｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２で形成可能である。ターゲット材料Ｔは、形成しようとする位相差フィルム１０に応じて適宜選択される。
【００８８】
なお、本実施形態においては、基板３の表面が長方形状である場合を例にして説明したが、もちろん、円形状等、他の形状であってもよい。
【００８９】
なお、第１空間２２で発生したプラズマにより生成される荷電粒子が第２空間２３に進入することを抑制するために、開口２０に、荷電粒子を捕捉するための捕捉部材を配置してもよい。捕捉部材としては、例えば、荷電粒子を捕捉可能であるとともに、スパッタ成膜種ｐｆを通過可能な金属製のメッシュが上げられる。メッシュは、アルミニウム等の非磁性金属によって形成されている。メッシュは、接地（アース）される。これにより、第１空間２２の荷電粒子が、基板３が配置されている第２空間２３に進入することを抑制できる。
【００９０】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００９１】
図６は、第２実施形態に係る製造装置１２Ａを示す図である。製造装置１２Ａは、スパッタ装置１７Ａを含む。本実施形態の製造装置１２Ａは、位相差フィルム１０を形成するための材料の成膜種ｐｆを基板３に供給する供給部を複数備える。本実施形態の供給部は、Ｙ軸方向（又はＵ軸方向）に関して複数配置されたターゲット材料Ｔ１、Ｔ２、及び仕切部材２１Ａに形成された開口２０Ａ、２０Ｂを含む。本実施形態においては、供給部は、Ｙ軸方向に関して配置された第１ターゲット材料Ｔ１、第２ターゲット材料Ｔ２、及びＹ軸方向に関して配置された第１開口２０Ａ、第２開口２０Ｂを含む。
【００９２】
本実施形態においては、第１ターゲット材料Ｔ１は、第２ターゲット材料Ｔ２の＋Ｙ側に配置され、第１開口２０Ａは、第２開口２０Ｂの＋Ｙ側に配置されている。
【００９３】
第１ターゲット材料Ｔ１は、第１電極２５Ａに保持されており、イオン粒子ｐｓが照射されることによってスパッタ成膜種ｐｆを放出可能な上面１３Ａを有する。上面１３Ａから放出されたスパッタ成膜種ｐｆは、第１ターゲット材料Ｔ１に対応するように配置されている第１開口２０Ａを介して、基板３が配置されている第２空間２３に供給される。
【００９４】
第２ターゲット材料Ｔ２は、第２電極２５Ｂに保持されており、イオン粒子ｐｓが照射されることによってスパッタ成膜種ｐｆを放出可能な上面１３Ｂを有する。上面１３Ｂから放出されたスパッタ成膜種ｐｆは、第２ターゲット材料Ｔ２に対応するように配置されている第２開口２０Ｂを介して、基板３が配置されている第２空間２３に供給される。
【００９５】
基板保持部材１５は、第２空間２３において、第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２（第１、第２開口２０Ａ、２０Ｂ）からのスパッタ成膜種ｐｆが供給可能な位置に基板３の表面を配置可能であるとともに、そのスパッタ成膜種ｐｆが供給可能な位置を含む所定領域内で基板３の表面をＵ軸方向に移動可能である。
【００９６】
ＸＹ平面内における第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２の上面１３Ａ、１３Ｂの形状は、Ｘ軸方向に長い長方形状（スリット状）である。また、ＸＹ平面内における第１、第２開口２０Ａ、２０Ｂの形状も、Ｘ軸方向に長いスリット状である。基板３の表面の移動方向（Ｕ軸方向）と交差するＸ軸方向に関して、第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２の上面１３Ａ、１３Ｂ、及び第１、第２開口２０Ａ、２０Ｂは、基板３の表面よりも大きい（長い）。なお、Ｙ軸方向（Ｕ軸方向）に関しては、第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２の上面１３Ａ、１３Ｂ、及び第１、第２開口２０Ａ、２０Ｂは、基板３の表面よりも小さい（短い）。
【００９７】
制御装置１６は、第１、第２開口２０Ａ、２０Ｂを介したスパッタ成膜種ｐｆが供給可能な位置を含む第２空間２３の所定領域内で、基板保持部材１５に保持された基板３の表面をＵ軸方向に移動させつつ、基板３の表面にスパッタ成膜種ｐｆを供給する。
【００９８】
例えば、基板３の表面が第１開口２０Ａと対向した後、第２開口２０Ｂと対向するように、基板３を−Ｙ方向に移動することによって、基板３の表面には、まず、第１ターゲット材料Ｔ１からのスパッタ成膜種ｐｆに基づく膜が形成され、その後、その膜の上に、第２ターゲット材料Ｔ２からのスパッタ成膜種ｐｆに基づく膜が形成される。一方、基板３の表面が第２開口２０Ｂと対向した後、第１開口２０Ａと対向するように、基板３を＋Ｙ方向に移動することによって、基板３の表面には、まず、第２ターゲット材料Ｔ２からのスパッタ成膜種ｐｆに基づく膜が形成され、その後、その膜の上に、第１ターゲット材料Ｔ１からのスパッタ成膜種ｐｆに基づく膜が形成される。
【００９９】
上述の第１実施形態と同様、本実施形態においても、製造条件を調整して、基板３に形成される斜方柱１０Ａを調整することによって、リタデーションを調整できる。
【０１００】
このように、本実施形態によれば、第１ターゲット材料Ｔ１（第１開口２０Ａ）及び第２ターゲット材料Ｔ２（第２開口２０Ｂ）の一方から供給されたスパッタ成膜種ｐｆに基づいて基板３に形成された膜の上に、他方から供給されたスパッタ成膜種ｐｆに基づいて膜を形成できる。すなわち、基板３の表面で膜を積み重ねることができる。したがって、所望の厚みを有する位相差フィルム１０を短時間で製造できる。
【０１０１】
また、第１開口２０Ａを介して基板３に供給されるスパッタ成膜種と第２開口２０Ｂを介して基板３に供給されるスパッタ成膜種とは同じ材料（物質）であってもよいし、異なる材料（物質）であってもよい。同じ材料であれば、その材料で形成される膜の厚みを厚くすることができる。異なる材料であれば、第１の材料からなる膜の上に、第２の材料からなる膜を形成できる。例えば、図１に示したように、位相差フィルム１０の上に反射防止膜１１を形成することができる。
【０１０２】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。図７は、第３実施形態に係る製造装置１２Ｂを示す概略構成図である。
【０１０３】
製造装置１２Ｂは、スパッタ装置を含み、ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２が配置される第１空間２２Ｂと、基板３を保持する基板保持部材１５が配置される第２空間２３Ｂとを有する。第１ターゲット材料Ｔ１は第１面Ｔａ１を有し、第２ターゲット材料Ｔ２は第２面Ｔａ２を有する。製造装置１２Ｂは、第１ターゲット材料Ｔ１を支持する第１電極２５Ａと、第２ターゲット材料Ｔ２を支持する第２電極２５Ｂとを有する。製造装置１２Ｂは、第１面Ｔａ１と第２面Ｔａ２とが対向するように、第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２を第１、第２電極２５Ａ、２５Ｂで保持する。すなわち、本実施形態においては、製造装置１２Ｂは、２つのターゲット材料Ｔ１、Ｔ２を対向するように配置した対向ターゲット型のスパッタ装置を含む。
【０１０４】
第１電極２５Ａには、高周波電源２４Ａが接続され、第２電極２５Ｂには高周波電源２４Ｂが接続されている。また、第１電極２５Ａには第１冷却機構３０が接続され、第２電極２５Ｂには第２冷却機構３１が接続されている。スパッタ装置を含む製造装置１２Ｂは、第１面Ｔａ１と第２面Ｔａ２との間にプラズマ発生領域ＰＵを生成する。なお、スパッタ装置としては、高周波電源のみならず、ＤＣ電源を用いることもできる。
【０１０５】
製造装置１２Ｂは、第１空間２２Ｂのプラズマ発生領域ＰＵに、放電用ガスとしてアルゴンガスを供給する第１ガス供給装置２７と、第２空間２３Ｂに、反応ガスとして酸素ガスを供給する第２ガス供給装置２８とを備える。また、製造装置１２Ｂは、第２空間２３Ｂの圧力、真空度を調整可能な真空システムを含む圧力調整装置２９を備える。第１ガス供給装置２７は、第１ターゲット材料Ｔ１の第１面Ｔａ１と第２ターゲット材料Ｔ２の第２面Ｔａ２との間の第１空間２２ＢにＡｒガスを供給可能である。第２ガス供給装置２８は、第２空間２３Ｂにおいて、基板３の表面の近傍に、Ｏ２ガスをシート状に供給可能である。
【０１０６】
また、製造装置１２Ｂは、第１空間２２Ｂと第２空間２３Ｂとの間に配置され、第１空間２２Ｂと第２空間２３Ｂとを接続するように形成された開口３２を有する。本実施形態においては、第１空間２２Ｂは、第１電極２５Ａと第２電極２５Ｂとの間の空間を含み、第２空間２３Ｂは、空間形成部材３３の内側の空間を含む。第１、第２電極２５Ａ、２５Ｂと空間形成部材３３との間には、第１空間２２Ｂと第２空間２３Ｂとを接続する通路を形成する通路形成部材３４が配置される。通路形成部材３４で形成される通路は、Ｕ軸方向とほぼ平行である。開口３２は、空間形成部材３３と通路形成部材３４との接続部に形成される。
【０１０７】
本実施形態においては、基板保持部材１５は、基板３の表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、且つ基板３の表面が−Ｚ側を向くように、基板３を保持する。開口３２は、基板保持部材１５に保持された基板３の表面と対向可能である。基板保持部材１５は、不図示の駆動装置により、第２空間２３Ｂにおいて、基板３を保持した状態で、開口３２と対向する位置を含む第２空間２３Ｂの所定領域内で、Ｙ軸方向に移動可能である。本実施形態においては、通路形成部材３４で形成される流路と、基板保持部材１５に保持される基板３の表面とは所定角度θ１だけ傾斜している。
【０１０８】
製造装置１２Ｂは、第１ガス供給装置２７よりプラズマ発生領域ＰＵに放電用ガス（アルゴンガス）を供給することによって、その放電用ガスに基づくイオン粒子を生成する。製造装置１２Ｂは、生成したイオン粒子ｐｓを第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２に照射して、第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２より、位相差フィルム１０を形成するためのスパッタ成膜種ｐｆを放出させる。第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２より放出されたスパッタ成膜種ｐｆは、通路形成部材３４によって形成された通路を通過し、その通路の上端に形成された開口３２を介して、基板３の表面に供給される。
【０１０９】
また、本実施形態においては、製造装置１２Ｂは、第１空間２２Ｂに発生したプラズマにより生成される荷電粒子を捕捉して、基板３に荷電粒子ｐｋが供給されるのを抑制する捕捉装置３５を備えている。本実施形態においては、捕捉装置３５は、磁力で荷電粒子ｐｋを捕集する磁界生成装置を含む。本実施形態においては、磁界生成装置は、永久磁石を含む。永久磁石は、第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２の上端側（基板３に近い側）及び下端側（基板３から遠い側）のそれぞれにおいて、互いに対向するように配置されている。互いに対向する永久磁石どうしの間には、磁界が発生する。この磁界に基づく磁力によって、第１空間２２Ｂに発生したプラズマにより生成される荷電粒子ｐ３を捕捉することができる。
【０１１０】
次に、上述の構成を有する製造装置１２Ｂを用いて、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する方法について説明する。
【０１１１】
まず、上述の第１実施形態と同様、制御装置１６は、基板保持部材１５にロードされた基板３に対して、温度調整装置２６を用いて、脱水処理及び脱ガス処理の少なくとも一方を実行する。
【０１１２】
そして、制御装置１６は、温度調整装置２６を用いて、基板保持部材１５に保持されている基板３を所定の温度（例えば２３度程度の室温）に調整した後、第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２をスパッタリングする。制御装置１６は、第１ターゲット材料Ｔ１の第１面Ｔａ１と第２ターゲット材料Ｔ２の第２面Ｔａ２との間の第１空間２２ＢにＡｒガスを供給するとともに、基板３の表面の近傍にＯ２ガスをシート状に供給する。本実施形態においては、Ａｒガスの流れの方向とＯ２ガスの流れの方向とが鋭角となるように、Ａｒガスがほぼ−Ｕ側から供給され、Ｏ２ガスが−Ｙ側から供給される。これにより、第２空間２３Ｂ内のガスの流れ（特に開口３２の近傍の流れ）に乱れが生じるのを抑制することができる。なお、スパッタリング中、上述の第１実施形態と同様、第２空間２３Ｂは、所定の圧力（例えば０．１〜１０Ｐａ）に調整される。
【０１１３】
プラズマ発生領域ＰＵに放電用ガスが供給されることによって、その放電用ガスに基づくイオン粒子ｐｓが生成される。生成したイオン粒子ｐｓは、第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２に照射され、その第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２より、位相差フィルム１０を形成するためのスパッタ成膜種ｐｆが放出される。
【０１１４】
第１，第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２より放出されたスパッタ成膜種ｐｆは、通路形成部材３４の通路を通過し、開口３２を介して、第２空間２３Ｂ内に供給される。通路におけるスパッタ成膜種ｐｆの進行方向は、通路の形状に応じて、基板３の表面に対して所定角度θ１となる。
【０１１５】
制御装置１６は、基板保持部材１５を用いて、第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２からのスパッタ成膜種ｐｆが供給可能な位置に基板３を配置しており、開口３２から第２空間２３Ｂ内に供給されたスパッタ成膜種ｐｆは、基板３の表面に供給される。
【０１１６】
本実施形態においては、第１、第２ターゲット部材Ｔ１、Ｔ２と開口３２との間に、永久磁石等の捕捉装置３５が配置されており、プラズマにより生成される電子、イオン状物質等の荷電粒子ｐｋは、基板３に供給される前に、捕捉装置３５で捕捉される。
【０１１７】
制御装置１６は、基板保持部材１５を用いて基板３をＹ軸方向に移動しつつ、スパッタ成膜種ｐｆを基板３の表面に供給する。開口３２を介したスパッタ成膜種ｐｆは、Ｙ軸方向に移動する基板３の表面に連続的に供給される。
【０１１８】
本実施形態においては、２つのターゲット材料Ｔ１、Ｔ２が対向するように配置され、第１、第２面Ｔａ１、Ｔａ２は、基板３の表面に対して所定角度θ１だけ傾斜している。また、ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２より放出されたスパッタ成膜種ｐｆが通過する通路形成部材３４の通路も、基板３の表面に対して所定角度θ１だけ傾斜している。したがって、ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２から放射状に放出されたスパッタ成膜種ｐｆは、第１ターゲット材料Ｔ１の第１面Ｔａ１と第２ターゲット材料Ｔ２の第２面Ｔａ２との間の第１空間２２Ｂ、及び通路形成部材３４の通路に沿って、基板３の表面に向かって、その基板３の表面に対して傾め方向から入射可能なように進行する。
【０１１９】
したがって、開口３２を通過したスパッタ粒子ｐｆは、基板３の表面に対して所定角度θ１に応じた角度だけ傾斜した方向から、その基板３の表面に供給される。すなわち、基板３の表面には、所定角度θ１に応じた入射角でスパッタ成膜種ｐｆが供給される。これにより、基板３の表面には、所望の角度で傾くように形成された複数の射方柱（カラム、柱状構造体）１０Ａを含む位相差フィルム１０が形成される。
【０１２０】
本実施形態においては、基板３の表面の移動方向（Ｙ軸方向）と交差するＸ軸方向に関する開口３２の大きさは、基板３の表面の大きさよりも大きい。したがって、基板３をＹ軸方向へ１回のみ移動するだけで、基板３の表面のほぼ全域にスパッタ成膜種ｐｆを供給できる。したがって、所望の厚みを有する位相差フィルム１０を短時間で製造できる。また、均一な厚みを有する位相差フィルム１０を製造できる。
【０１２１】
なお、基板３の表面にスパッタ成膜種ｐｆを供給しつつ、基板３の表面をＹ軸方向に複数回移動してもよい。複数回移動することによって、スパッタ成膜種ｐｆに基づく膜を積み重ねることができるので、厚みが厚い位相差フィルム１０を製造できる。また、製造装置１２Ｂを直列に複数配置して、各製造装置１２Ｂを用いた成膜動作を実行することによって、厚みが厚い位相差フィルム１０を高速で製造できる。
【０１２２】
上述の第１実施形態と同様、本実施形態においても、製造条件を調整して、基板３に形成される斜方柱１０Ａを調整することによって、リタデーションを調整できる。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の一例を示す断面図である。
【図２】第１実施形態に係る製造装置の一例を示す概略構成図である。
【図３】基板、開口、及びターゲット材料の関係を示す模式図である。
【図４】位相差フィルムの近傍を模式的に示す拡大図である。
【図５】図４を拡大した図である。
【図６】第２実施形態に係る製造装置の一例を示す概略構成図である。
【図７】第３実施形態に係る製造装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【０１２４】
３…基板、１０…位相差フィルム、１０Ａ…斜方柱、１２…製造装置、１３…上面、１５…基板保持部材、１６…制御装置、１７…スパッタ装置、１９…空調ユニット、２０…開口、２２…第１空間、２３…第２空間、３６…開口、３７…蒸着源、３８…空間、Ｔ…ターゲット材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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