(57)【要約】【課題】段差構造など異なる深さの凹部を有する構造を形成する場合に、工程数を増やすことなく精度の高いパターン形成を行う。【解決手段】基板１０上のレジスト膜１２をパターニングして第１の開口部１３ａと、第１の開口部１３ａより開口幅が狭い複数の第２の開口部１３ｂを形成する。次に垂直異方性エッチングを行い、第１の開口部１３ａに第１の凹部１４ａを形成すると共に、第２の開口部１３ｂのそれぞれに対応して複数の凹部１４ｂを形成する。次に等方性エッチングを行い、複数の第２の開口部１３ｂに形成された複数の凹部１４ｂの側壁を除去し、第２の凹部１７を形成する。第１の開口部１３ａの開口幅と第２の開口部１３ｂの開口幅は、第１の開口部１３ａが第１の凹部１４ａの深さに達する間に、複数の第２の開口部１３ｂが第２の凹部１７の深さに達するエッチングレート差が生じるように設定される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の凹部と前記第１の凹部よりも深さの浅い第２の凹部を形成するパターン形成方法であって、
前記基板表面をレジスト膜で被覆する第１の工程と、
前記レジスト膜をパターニングし、前記第１の凹部に対応する第１の開口部を形成すると共に、前記第２の凹部に対応する領域に前記第１の開口部より開口幅が狭い複数の第２の開口部を形成する第２の工程と、
垂直異方性エッチングを行い、前記第１の開口部に前記第１の凹部を形成すると共に、前記複数の第２の開口部のそれぞれに対応して複数の凹部を形成する第３の工程と、
等方性エッチングを行い、前記複数の第２の開口部に形成された前記複数の凹部の側壁を除去し、前記第２の凹部を形成する第４の工程と、
残りのレジスト膜を除去する第５の工程とを有し、
前記第１の開口部の開口幅と前記第２の開口部の開口幅は、前記第３の工程において前記第１の開口部が前記第１の凹部の深さに達する間に、前記複数の第２の開口部が前記第２の凹部の深さに達するエッチングレート差が生じるように設定されることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記複数の第２の開口部は等間隔で形成されることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記第１の凹部と前記第２の凹部は段差形状を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記第２の工程において、各々の第２の開口部は前記第１の開口部を中心として同心円状に配置され、
前記第１の凹部の周囲に前記第２の凹部が配置された段差形状が形成されることを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
段差形状を含む構造体を有する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
基板表面をレジスト膜で被覆する第１の工程と、
前記レジスト膜をパターニングし、第１の凹部に対応する第１の開口部を形成すると共に、前記第１の開口部を中心として同心円状に前記第１の開口部より開口幅が狭い複数の第２の開口部を形成する第２の工程と、
垂直異方性エッチングを行い、前記第１の開口部に前記第１の凹部を形成すると共に、前記複数の第２の開口部のそれぞれに対応して複数の凹部を形成する第３の工程と、
等方性エッチングを行い、前記複数の第２の開口部に形成された前記複数の凹部の側壁を除去し、前記第１の凹部の周囲に前記第１の凹部よりも深さの浅い第２の凹部が配置された段差形状を形成する第４の工程と、
残りのレジスト膜を除去する第５の工程とを有し、
前記第１の開口部の開口幅と前記第２の開口部の開口幅は、前記第３の工程において前記第１の開口部が前記第１の凹部の深さに達する間に、前記複数の第２の開口部が前記第２の凹部の深さに達するエッチングレート差が生じるように設定されることを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライエッチングによるパターン形成方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液滴吐出ヘッドをはじめ、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）や半導体分野などのマイクロデバイスは、配線や電極等の構成要素、凹部、貫通孔等が形成された複数の基板を貼り合わせることによって構成されているものも多い。
【０００３】
例えば特許文献１にも開示されている通り、基板に凹部を形成する際は、単に１つのマスクの開口にあわせて円筒状の凹部を設けるだけでなく、種々のキャビティ、位置決め用基準孔、基板同士を貼り合わせるときの接着剤逃げ等のため、内壁に段差を有する凹部を形成することが必要な場合がある。内壁に段差を有する凹部は、エッチング法によって、まず一番直径が小さく深い凹部を形成し、続いてその凹部の開口部より直径の大きいマスクを使用してより浅い凹部を形成することを繰り返すことによって得ることができる。
【０００４】
基板に凹部を設ける方法としては種々の微細加工技術が用いられるが、近年、より寸法精度よく加工するためにドライエッチング法が広く用いられるようになってきている。特許文献２には、インクジェットヘッドをドライエッチング法を使用して形成した事例が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−１５３３６９号公報
【特許文献２】特開平９−２４８９１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ドライエッチング法による加工は、結晶面にかかわらず所望の方向に高精度な加工を行うことができるという利点があり、基板に内壁に段差を有する凹部を形成するのに適している。しかしながら、段差ごとに段差形状を形成するためのレジスト膜を形成する工程と基板を加工するためのエッチング工程が必要となり、工程数が増加しこれにともなって製造コストも増加するという問題がある。
【０００６】
本発明は、段差構造など異なる深さの凹部を有する構造を形成する場合に、工程数を増やすことなく精度の高いパターン形成を行うことができるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るパターン形成方法は、基板上に、第１の凹部と前記第１の凹部よりも深さの浅い第２の凹部を形成するパターン形成方法であって、前記基板表面をレジスト膜で被覆する第１の工程と、前記レジスト膜をパターニングし、前記第１の凹部に対応する第１の開口部を形成すると共に、前記第２の凹部に対応する領域に前記第１の開口部より開口幅が狭い複数の第２の開口部を形成する第２の工程と、垂直異方性エッチングを行い、前記第１の開口部に前記第１の凹部を形成すると共に、前記複数の第２の開口部のそれぞれに対応して複数の凹部を形成する第３の工程と、等方性エッチングを行い、前記複数の第２の開口部に形成された前記複数の凹部間の側壁を除去し、前記第２の凹部を形成する第４の工程と、残りのレジスト膜を除去する第５の工程とを有し、前記第１の開口部の開口幅と前記第２の開口部の開口幅は、前記第３の工程において前記第１の開口部が前記第１の凹部の深さに達する間に、前記複数の第２の開口部が前記第２の凹部の深さに達するエッチングレート差が生じるように設定されることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、レジスト膜の開口幅によりエッチングレートに差が生じることを利用して、一度の垂直異方性エッチングで異なる深さの凹部が形成されるようにした。さらに、深さの浅い凹部については、レジスト膜を開口しなかった部分が側壁として残るので、後工程で等方性エッチングによってそれらの壁を除去するようにした。これにより、エッチングの回数を削減して深さの異なる凹部を形成することが可能になる。さらに、レジスト膜の形成も一度でよい。
このように、エッチング工程、レジスト膜形成工程共に回数を増やすことなく、深さの異なる凹部を形成することができるので、製造プロセスを簡略化し、製造コストを低減して、精度の高い加工を行うことができる。
また、レジスト膜形成工程の削減にともない汚染の可能性が低減され品質の向上も可能となる。
【０００９】
また、前記複数の第２の開口部は等間隔で形成されることが望ましい。これにより第２の開口部に対応して形成された複数の凹部間の側壁もそれぞれ等しい厚さで形成されるので、第４の工程で、等方性エッチングによりこれらの側壁を除去する際に効率よく行うことができる。
【００１０】
なお、本発明によるパターン形成方法は、前記第１の凹部と前記第２の凹部によって段差形状が形成される場合などに特に好適に利用できる。
例えば、前記第２の工程において、各々の第２の開口部を前記第１の開口部を中心として同心円状に配置し、前記第１の凹部の周囲に前記第２の凹部が配置された段差形状を形成する場合などは様々な分野での利用が考えられる。
【００１１】
本発明による液滴吐出ヘッドの製造方法は、段差形状を含む構造体を有する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、基板表面をレジスト膜で被覆する第１の工程と、前記レジスト膜をパターニングし、第１の凹部に対応する第１の開口部を形成すると共に、前記第１の開口部を中心として同心円状に前記第１の開口部より開口幅が狭い複数の第２の開口部を形成する第２の工程と、垂直異方性エッチングを行い、前記第１の開口部に前記第１の凹部を形成すると共に、前記複数の第２の開口部のそれぞれに対応して複数の凹部を形成する第３の工程と、等方性エッチングを行い、前記複数の第２の開口部に形成された前記複数の凹部の側壁を除去し、前記第１の凹部の周囲に前記第１の凹部よりも深さの浅い第２の凹部が配置された段差形状を形成する第４の工程と、残りのレジスト膜を除去する第５の工程とを有し、前記第１の開口部の開口幅と前記第２の開口部の開口幅は、前記第３の工程において前記第１の開口部が前記第１の凹部の深さに達する間に、前記複数の第２の開口部が前記第２の凹部の深さに達するエッチングレート差が生じるように設定されることを特徴とする。
本発明によれば、レジスト膜の開口幅によりエッチングレートに差が生じることを利用して、一度の垂直異方性エッチングで段差形状を含む構造体が形成されるようにした。さらに、深さの浅い凹部については、レジスト膜を開口しなかった部分が側壁として残るので、後工程で等方性エッチングによってそれらの壁を除去するようにした。これにより、エッチングの回数を削減して段差形状を含む構造体を形成することが可能になる。さらに、レジスト膜の形成も一度でよい。
このように、本発明によれば、エッチング工程、レジスト膜形成工程共に回数を増やすことなく段差形状を含む構造体を形成することができるので、製造プロセスを簡略化し、製造コストを低減して、精度の高い加工を行うことができる。
また、レジスト膜形成工程の削減にともない汚染の可能性が低減され品質の向上も可能となる。
なお、液滴吐出ヘッドにおいては、例えば、流路形成基板とノズルプレートを貼り合わせるための位置決め基準孔に接着剤逃げのための段差構造を設ける必要がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る微細構造の形成方法を示す工程図である。
まず、基板１０の表面をレジスト膜１２により覆う。次に、図１（Ａ）に示すようにレジスト膜１２に開口部を設けパターニングする。このときの平面図を図２に示す。
図１（Ａ）および図２に示すように、レジスト膜１２には、円形開口部（第１の開口部）１３ａと円形開口部１３ａの外側に、円形開口部１３ａを中心としてほぼ同心円状に配置された複数の輪状開口部（第２の開口部）１３ｂを設ける。なお、同時にレジスト膜１２に開口部１３ｃを設けてもよい。円形開口部１３ａの直径は例えば１００μｍから５００μｍであり、輪状開口部１３ｂの輪の幅は、円形開口部１３ａの直径よりはるかに小さく例えば０．１μｍから５μｍである。開口部１３ｃの大きさは、後のエッチングにおいて必要な効果が得られる大きさとする。基板１０の材料は、シリコン基板などエッチング法によって好適に加工可能なものであれば特に限定されない。
【００１３】
レジスト膜１２は、例えばフォトリソグラフィー法により得ることができる。具体的には、基板１０上にレジスト材料を塗布した後、開口部の形状に対応したフォトマスクを介してこのレジスト材料をｉ線、紫外線、電子線等により露光・現像することによって形成することができる。レジスト材料は、スピン塗布法、スキャン塗布法、スプレー塗布法、スキージ塗布法等、公知の方法を用いて基板１０表面に塗布することができる。
【００１４】
続いて、図１（Ｂ）に示すように、レジスト膜１２をマスクとしてエッチング法により、基板１０に第１の凹部１４ａおよび複数の凹部１４ｂを形成する。エッチング法は、精度の良い加工が可能な反応性ガスによるドライエッチングを使用する。
【００１５】
第１の凹部１４ａは円形開口部１３ａに対応し、凹部１４ｂは輪状開口部１３ｂに対応して形成される。ここで、第１の凹部１４ａおよび凹部１４ｂの深さは、円形開口部１３ａの開口幅と輪状開口部１３ｂの開口幅によって決定される。これは、マイクロローディング効果により、開口幅によってエッチングレートが決定されるからである。
【００１６】
マイクロローディング効果とは、エッチングマスクの開口寸法が小さくなるに従い、エッチャントが開口部に入りにくくなり、結果としてエッチングレートが遅くなり、広い開口部と狭い開口部でエッチングレートに差を生じる効果のことをいう。
【００１７】
よって、本実施形態のように、輪状開口部１３ｂの開口幅（輪の幅）を円形開口部１３ａの開口幅（直径）に比べて極端に小さくすることにより、図１（Ｂ）に示すように、凹部１４ｂの深さＨｂを第１の凹部１４ａの深さＨａより浅くすることができる。レジスト膜１２の開口部１３ｃに対応して形成される凹部１４ｃについては、開口部１３ｃの面積を円形開口部１３ａと同程度とすれば、凹部１４ｃの深さを第１の凹部１４ａの深さと同程度に形成することができる。
【００１８】
反応性ガスによる垂直異方性エッチングは、反応性ガスを基板１０が設置されているチャンバ内に導入することによりおこなわれる。反応性ガスとしては、例えば、フッ素系ガス、塩素および臭素のうちの少なくとも１種を含有するハロゲン系ガス等が挙げられる。基板１０がシリコン単結晶で構成される場合には、ＳＦ6、Ｃ4Ｆ8、ＣＢｒＦ3、ＣＦ4／Ｏ2、Ｃｌ2、ＳＦ6／Ｎ2／Ａｒ、ＢＣｌ2／Ｃｌ2／Ａｒガスを用いるのが好ましく、特に、ＳＦ6およびＣ4Ｆ8ガスのうちのいずれかを単独で、またはこれらの混合ガスを用いるのが好ましく、これにより効率よく加工を行うことができる。
【００１９】
次に、反応性ガスをプラズマ化して再度ドライエッチングをおこなう。反応性ガスをプラズマ化することにより等方性エッチングが可能となる。等方性エッチングを行うことにより、凹部１４ｂの側壁１６がエッチングにより除去され、図１（Ｃ）に示すように、第２の凹部１７が形成され、段差形状を有する凹部１５を形成することができる。このとき、図１（Ａ）に示すように、輪状開口部１３ｂを等間隔に形成しておくことにより、側壁１６の除去を効率よく行うことができる。また、側壁１６はできるだけ薄いほうが除去しやすいので、輪状開口部１３ｂは密に設けた方がよい。
【００２０】
反応性ガスをプラズマ化しておこなう等方性ドライエッチングは、チャンバと、チャンバ内に反応性ガスを導入するための第１の導入バルブと、基板１０を冷却する冷却媒体ガスを導入するための第２の導入バルブと、チャンバ内に対向するように設けられた一対の電極と、一方の電極側に設置された基板１０を冷却媒体ガスが通過可能な連通孔を通じて冷却する冷却板と、基板１０を固定するための設置台とを備えたドライエッチング装置を用いておこなうことができる。第２の導入バルブから導入した冷却媒体ガスを基板１０の加工する側と反対側から吹き付けて冷却板および冷却媒体ガスの温度を伝えて冷却し、かつ、プラズマ発生用ガスを一対の電極間に充たした状態で、この電極間に高周波電圧を印加する。これにより、電極間でプラズマが発生し、生じたイオンや電子が形成されたレジスト膜１２の開口部を介して基板１０に衝突することにより、凹部１４ｂの側壁１６をこの等方性プラズマエッチングにより除去することができる。この等方性プラズマエッチングにＩＣＰドライエッチング装置を使用してもよい。
【００２１】
本実施形態では、垂直異方性エッチングと等方性プラズマエッチングで同一の反応性ガスを使用しているが、本発明は同一の反応性ガスを使用する場合に限られず異なる種類の反応性ガスを使用してもよい。
【００２２】
冷却媒体ガスとしては、冷却効率に優れ、プラズマの発生に影響を与えないようなものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、ヘリウム、アルゴン、窒素などの不活性ガス等が挙げられ、これらの中でも、ヘリウムを主成分とするのが好ましい。ヘリウムは、特に冷却効果に優れるものであることから冷却媒体ガスとして好適に用いられる。
【００２３】
また、冷却板の温度すなわち冷却媒体ガスの温度は、−２０〜６０℃程度であるのが好ましく、−１０〜１０℃程度であるのがより好ましい。これにより、基板１０を冷却して適切な温度を維持することができるようになる。
【００２４】
最後に図１（Ｄ）に示すように、レジスト膜１２を除去することにより、基板１０に段差形状を有する凹部１５を形成することができる。レジスト膜１２の剥離は、例えば大気圧または減圧下において酸素プラズマやオゾン蒸気に晒すこと、または、レジスト膜１２を溶解し得るアセトン、アルキルベンゼンスルホン酸のようなレジスト剥離液に浸漬することにより、レジスト膜１２を液状化して行うことができる。
【００２５】
なお、段差形状を有する凹部１５の段差は１段に限らず多段とするこができる。
例えば、図３（Ａ）に示すように、レジスト膜２２に円形開口部２３ａと円形開口部２３ａを中心として同心円状に配置された複数の第１の輪状開口部２３ｂと、さらに外側に同心円状に配置された複数の第２の輪状開口部２３ｃを形成する。ここで、第１の輪状開口部２３ｂの幅は円形開口部２３ａの幅より狭く、第２の輪状開口部２３ｃの幅は第１の輪状開口部２３ｂの幅より狭く形成する。
【００２６】
次に、図３（Ｂ）に示すように垂直異方性エッチングをおこなう。上述したようにマイクロローディング効果を利用して、基板に円形開口凹部２４ａと円形開口凹部２４ａより浅い第１の輪状開口凹部２４ｂを形成することができる。さらに、レジスト膜２２により第２の輪状開口部２３ｃの幅を第１の輪状開口部２３ｂの幅より狭く形成しているので、第２の輪状開口部２３ｃについては第１の輪状開口部２３ｂよりもマイクロローディング効果が顕著となり、基板に第１の輪状開口凹部２４ｂより更に浅い第２の輪状開口凹部２４ｃを同時に形成することができる。
【００２７】
次に、反応性ガスをプラズマ化して、等方性プラズマエッチングをおこなう。等方性プラズマエッチングを使用して第１の輪状開口凹部２４ｂと第２の輪状開口凹部２４ｃの側壁を除去することにより、図３（Ｃ）に示すように、内壁に２段の段差を有する凹部２５を形成することができる。このように、簡易な方法で内壁に２段以上の段差を有する凹部を形成することができる。
【００２８】
また、本実施形態では、１段あるいは２段以上の段差形状を有する構造体を形成しているが、１つの基板上に深さの異なる複数の凹部を形成する場合であれば、段差形状に限らず本発明を適用することができる。
【００２９】
以上のように本発明によれば、１つの基板上に深さの異なる複数の凹部を形成する場合、特に１段以上の段差形状を含む微細な構造体を形成する場合に、加工精度の高いドライエッチングを用い、マイクロローディング効果を利用してレジスト膜の開口寸法を決定することにより、一度の垂直異方性エッチングで異なる深さの凹部が形成されるようにした。さらに、最も深い凹部以外の凹部については、レジスト膜を開口しない部分を薄い壁として残しておき、後工程で等方性エッチングによってそれらの壁を除去するようにした。これにより、最小限の回数のエッチングで深さの異なる複数の凹部や段差形状を含む構造体を形成することが可能になる。さらに、レジスト膜の形成も一度でよい。
このように、本発明によれば、エッチング工程、レジスト工程共に工程数を増やすことなく、深さの異なる複数の凹部や段差形状を含む構造体を形成することができるので、製造プロセスを簡略化し、製造コストを低減することができる。
また、レジスト工程の削減にともない汚染の可能性が低減され品質の向上も可能となる。
【００３０】
（液滴吐出ヘッド）
次に、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法について図面を参照して説明する。
本実施形態で製造される液滴吐出ヘッドは、図４に示されるインクジェットプリンタのインクジェットヘッド１であり、図５及び図６に示されるように、ノズルプレート３２０と、流路形成基板１００と、弾性膜５０と弾性膜５０上に設けられた圧電素子３００と、リザーバ形成基板３０と、リザーバ形成基板３０上に設けられた圧電素子３００と、リザーバ形成基板３０と、リザーバ形成基板３０上に設けられた駆動ＩＣ１２０とを備えている。
【００３１】
このようなインクジェットヘッド１は、例えば、以下のようにして製造することができる。まず、流路形成基板１００となるシリコン基板１００’に熱酸化処理などをすることによって、二酸化シリコン膜からなる弾性膜５０を形成し、続いて弾性膜５０上に絶縁体膜５５及び下電極膜６０を形成する。次に、下電極膜６０上に圧電素子３００、リード電極９０を形成した後、貫通孔１１０を完成する。そして、シリコン基板１００’の圧電素子３００が設けられている側の面とリザーバ形成基板３０とを接着剤層３５により接着する。この段階の断面図を図７（Ａ）に示す。このように、この段階では、シリコン基板１００’の一面側に、弾性膜５０、絶縁体膜５５、及びリザーバ形成基板３０が設けられている。
【００３２】
この後、シリコン基板１００’にインク室１０２と、インク供給路１０４、連通部１０３及び位置決め基準孔１０５により構成される凹部とを形成して流路形成基板１００を得た後、流路形成基板１００にノズルプレート３２０を貼り合わせる。そのため、流路形成基板１００の凹部の内部には、ノズルプレート３２０を貼り合わせるための接着剤逃げのための段差構造を設ける必要があり、ここに、本発明に係る方法が用いられる。
【００３３】
まず図７（Ｂ）に示されるように、シリコン基板１００’のリザーバ形成基板３０が貼り合わせられている側に、接着樹脂４００を介して保護基板４２０を貼り合わせる。保護基板４２０は、加工によって部分的に強度が不足した場合にも、シリコン基板１００’の加工を安定して継続するためのものである。
【００３４】
次に、図７（Ｃ）に示されるように、シリコン基板１００’表面上に、レジスト膜４２２を設ける。レジスト膜４２２は、位置決め基準孔１０５（図８（Ａ）参照。）を形成する第１の開口とインク室となるキャビティ１０２（図８（Ａ）参照。）を形成する第２の開口を有する。第１および第２の開口は、中心にある円形状の開口（第１の開口部）と円形状の開口を中心として同心円状に配置された複数の輪状の開口（第２の開口部）とから構成される。
【００３５】
１回目の垂直異方性ドライエッチングでインク流路１０２と位置決め基準孔１０５を同時に形成する。インク流路１０２と位置決め基準孔１０５は同程度のエッチングレートとなるが、同心円状に配置された複数の輪状の開口は円形状の開口に比べて極端に小さく形成しているので、マイクロローディング効果によりエッチングレートが小さくなる。したがって、エッチングがインク流路１０２と位置決め基準孔１０５の中心部の所定の底部に到達した時点で輪状部分は浅く形成されている（図７（Ａ））。
【００３６】
続いて、図８（Ｂ）に示されるように、２回目の等方性ドライエッチング法により、輪状開口部分の側壁を除去して第２の凹部４２６を形成し、図８（Ｃ）に示すように、残りのレジスト膜４２４、接着樹脂４００、及び保護基板４２０を流路形成基板１００から取り外す。こうして、位置決め基準孔１０５の内壁に段差構造を有する凹部が形成する。
【００３７】
次に、図６に示されるように流路形成基板１００にノズルプレート３２０を貼り合わせてから駆動ＩＣ１２０を実装し、コンプライアンス基板４０を接合する。さらに、駆動ＩＣ１２０と下電極膜６０及びリード電極９０の接続部６０ａ、９０ａとの間をワイヤボンディングすることにより接続配線を形成し、インクジェットヘッド１を完成する。
【００３８】
このような構成とすることにより、流路形成基板１００にノズルプレート３２０を貼り合わせる際、この第２の凹部４２６を接着剤逃げとして機能させることができる。
【００３９】
なお、本発明のパターン形成方法は、液滴吐出ヘッドに限らず種々のマイクロデバイスの製造工程に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明に係るパターン形成方法を示す工程図である。
【図２】本発明に係るパターン形成方法を示す平面図である。
【図３】本発明に係るパターン形成方法の他の例を示す工程図である。
【図４】インクジェットプリンタの概略斜視図である。
【図５】インクジェットヘッドの製造方法を説明するための図である。
【図６】インクジェットヘッドの製造方法を説明するための図である。
【図７】インクジェットヘッドの製造方法を説明するための図である。
【図８】インクジェットヘッドの製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０…基板、１２、２２、４２２…レジスト膜、１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、２３ａ、２３ｂ、２３ｃ…レジスト膜の開口、１４ａ、２４ａ…基板の円形開口凹部、１４ｂ、２４ｂ、２４ｃ…基板の輪状開口凹部、１４ｃ…基板の開口凹部、１５、２５…段差形状を有する凹部、１７，４２６…第２の凹部、１００…流路形成基板、１０２…インク室、１０５…位置決め基準孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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