(57)【要約】【課題】  新たな専用の計測手段を必要とせず、平面形状の確実に正確な計測を可能にする方法を確立する。【解決手段】  ＸＹ平面上を移動するステージ、該ステージの位置を計測する為のレーザ干渉計、該干渉計から照射されるレーザを反射する為該ステージに固定された平面ミラー、該ステージに搭載されたウエハ上のマーク位置を計測できるスコープとを有する装置に適用される前記平面ミラーの形状計測方法であって、前記スコープで計測可能なマークがＸＹ各方向に等間隔で並んでいるウエハを用い、ＸＹステージを計測対象平面ミラーに沿って移動しながら、該平面ミラーの形状を計測するとき、ウエハチャックに把持したウエハ上のマークをスコープで位置計測して、レーザ干渉計による平面ミラー形状計測データを校正する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を保持し且つ第１方向および該第１方向に直交する第２方向に移動するステージと、該ステージに配された第１平面ミラーと、該第１平面ミラーの該第１方向における位置を計測する第１レーザ干渉計と、該ステージに配された第２平面ミラーと、該第２平面ミラーの該第２方向における位置を計測する第２レーザ干渉計と、該ステージに固定された、該第１方向および該第２方向に平行な基準面に配されたマークの位置を計測するスコープとを有する装置における該第２平面ミラーの形状を計測する方法であって、
該ステージを該第１方向に移動させながら、該第２レーザ干渉計により該第２平面ミラーの該第２方向における位置を該第１方向における複数の計測箇所で計測する第１計測ステップと、
前記第１計測ステップと並行して、該基準面に該第１方向に沿って配列されたマークの該第２方向における位置を計測する第２計測ステップと、
前記第１計測ステップで計測された該第２平面ミラーの該第２方向における位置と、前記第２計測ステップで計測された該マークの該第２方向における位置とに基づき、該第２平面ミラーの形状を算出する算出ステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
該装置は、該第１平面ミラーの該第１方向における位置を計測する第３レーザ干渉計と、該第２平面ミラーの該第２方向における位置を計測する第４レーザ干渉計とを有し、
前記第１計測ステップにおいて、該第１レーザ干渉計の出力と該第３レーザ干渉計の出力に基づき、該第１方向および該第２方向に平行な面内における該ステージの回転角を一定に保ち、且つ該第４レーザ干渉計の出力に基づき、該第２方向における該ステージの位置を一定に保つ、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該第４レーザ干渉計は、該第４レーザ干渉計から該第２平面ミラーに至るレーザ光軸の延長線が該スコープによる計測箇所を通るように、配されている、
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第1計測ステップは、該第1方向における前記第２レーザ干渉計と前記第４レーザ干渉計との間隔Ｄを整数ｍで除した値Ｄ／ｍを該複数の計測箇所の間隔として該第２レーザ干渉計により該第２平面ミラーの該第２方向における位置を計測し、
前記第２計測ステップは、該複数の計測箇所のうち連続する少なくともｍ個の計測箇所に対応する該マークの該第２方向における位置を計測し、
前記算出ステップは、該少なくともｍ個の計測箇所において計測された該第２平面ミラーの該第２方向における位置と、該少なくともｍ個の計測箇所に対応して計測された該マークの該第２方向における位置とに基づき、該複数の計測箇所において計測された該第２平面ミラーの該第２方向における位置を補正し、該補正された該第２平面ミラーの該第２方向における位置に基づき、該第２平面ミラーの形状を算出する、
ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
該マークの計測箇所の間隔は、該値Ｄ／ｍ又は該値Ｄ／ｍの整数分の一である、ことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
該基準面は、該ステージにより該試料の代わりに保持された基板の表面である、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
該基準面は、該ステージにより保持された試料の外側に位置するように該ステージに設けられた板の表面である、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
該装置は、該ステージに保持された試料を露光する露光装置である、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
基板を保持し且つ第１方向および該第１方向に直交する第２方向に移動するステージと、前記ステージに配された第１平面ミラーと、前記第１平面ミラーの該第１方向における位置を計測する第１レーザ干渉計と、前記ステージに配された第２平面ミラーと、前記第２平面ミラーの該第２方向における位置を計測する第２レーザ干渉計と、前記ステージに固定された、該第１方向および該第２方向に平行な基準面に配されたマークの位置を計測するスコープとを有し、前記ステージに保持された基板を露光する露光装置であって、
前記ステージを該第１方向に移動させながら、前記第２レーザ干渉計により前記第２平面ミラーの該第２方向における位置を該第１方向における複数の計測箇所で計測する第１の計測を行い、
該第１の計測と並行して、該基準面に該第１方向に沿って配列されたマークの該第２方向における位置を計測する第２の計測を行い、
該第１の計測で計測された前記第２平面ミラーの該第２方向における位置と、該第２の計測で計測された該マークの該第２方向における位置とに基づき、前記第２平面ミラーの形状を算出する、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
該露光された基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面ミラーの形状を計測する方法、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。当該平面ミラーは、例えば、基板を露光する露光装置における該基板を保持し且つ移動するステージに、該ステージの位置をレーザ干渉計で計測するために配されたものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等、微小パターンを有するデバイスを製造するための露光装置として、いわゆるステッパとスキャナが知られている。ステッパは、レチクル面上の電子回路パターンをウエハ面上に順にステップアンドリピートして投影露光する露光装置である。スキャナは、同様に、レチクル面上の電子回路パターンをウエハ面上に順にステップアンドスキャンして投影露光する露光装置である。このような露光装置において、レチクルステージやウエハステージの位置をレーザ干渉計測する為、これらの移動ステージには平面ミラーが搭載される。本発明は、このような平面ミラーの形状を計測する方法に関する。
【０００３】
平面ミラーの形状計測方法は、精密工学会や日本機械学会の論文で発表されている。例えば非特許文献１では、逐次２点法、逐次３点法、混合法、合成法など、これまでに学会等で発表された色々な方法を紹介している。この中でよく用いられる方法が合成法である。
【０００４】
合成法についての最近の研究には非特許文献２がある。これは、図５に示すように、間隔Ｄで固定された２つのレーザ干渉計１０１、１０２に対し、Ｄを整数ｍで除したＤ／ｍのピッチで平面ミラーを移動させながらレーザ干渉計で反射面までの距離を同時に計測する。図６に示すように、真の平面ミラーの形状１０３は計測対象箇所１〜１５で計測され、間隔Ｄのピッチで計測したｍ＝３組の系列１０４、１０５、１０６に分離できる。なお、非特許文献２で詳しく述べているように、逐次２点法で求めた各系列の形状は十分に正確であることが知られている。
【０００５】
そして、距離Ｄの平面形状が直線的であると予想される範囲Ｄの部分を設定して、この間を計測した値が移動距離の１次式で表されることを根拠に、ｍ組の逐次２点法の計測結果を合成する。このとき、予め予測した距離Ｄの平面形状が実際と一致していれば、平面ミラーの形状は正確に計測できる。例えば、図７の計測対象箇所４、５、６が直線であると予想できるならば、図６記載の系列１０４、１０５、１０６を合成して、平面ミラーの形状１０７(図７)が得られる。
しかし、予測した部分４、５、６の形状が直線上に並んでいない場合、図７に示すように、計測した平面ミラー形状１０７と真の平面ミラー形状１０３には、相互の傾きや並進だけでは合わせられない違いが生じる。その場合、図８のように周期Ｄで繰り返される形状誤差１０８が発生するという問題を抱えていた。
【０００６】
このような問題を解決するための技術は、最近の特許公報では特許文献１と特許文献２に記載されている。特許文献１はフィゾー干渉計等で計測した連続的な形状データと、平行に取り付けられた２つのレーザ干渉計を用いて計測した離散的な形状データを合成する方法を提案している。また、特許文献２は、計測範囲を少しずつ重ねながらフィゾー干渉計で平面ミラー全面の形状を計測する方法を提案している。これら特許公報の方法は、非特許文献２の合成法を改良した方法と言える。しかし、平面ミラーの形状計測に別途計測手段としてフィゾー干渉計を用いたため、それを取り付ける空間を確保しなければならないという新たな問題を抱えてしまった。
【特許文献１】特開平９−２７５０７２号公報
【特許文献２】特許第３５２５５１２号公報
【非特許文献１】ソフトウェアデータムを用いた形状評価、精密工学会誌、Ｖｏｌ．６１、Ｎｏ．８、ｐｐ．１０５９−１０６３  （１９９５）
【非特許文献２】合成法による形状測定に関する研究、日本機械学会論文集Ｃ、６２巻、５９７号、ｐｐ．２０２５−２０３０  （１９９６−５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
平面ミラーの計測方法には、フィゾー干渉計のような専用の計測器を用いる場合と、非特許文献２の合成法のように、専用の計測器を用いない場合があった。前者は、計測が正確だが、計測工程は煩雑であり、また、専用の計測器を取り付ける空間を確保しなければならないという問題がある。後者は、計測工程が単純だが、計測精度が前者に劣る。
本発明は、以上の背景を考慮してなされたもので、例えば、新たな専用の計測器を用いずに、平面ミラーの形状を高精度に計測することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明の方法は、試料を保持し且つ第１方向および該第１方向に直交する第２方向に移動するステージと、該ステージに配された第１平面ミラーと、該第１平面ミラーの該第１方向における位置を計測する第１レーザ干渉計と、該ステージに配された第２平面ミラーと、該第２平面ミラーの該第２方向における位置を計測する第２レーザ干渉計と、該ステージに固定された、該第１方向および該第２方向に平行な基準面に配されたマークの位置を計測するスコープとを有する装置における該第２平面ミラーの形状を計測する方法であって、該ステージを該第１方向に移動させながら、該第２レーザ干渉計により該第２平面ミラーの該第２方向における位置を該第１方向における複数の計測箇所で計測する第１計測ステップと、前記第１計測ステップと並行して、該基準面に該第１方向に沿って配列されたマークの該第２方向における位置を計測する第２計測ステップと、前記第１計測ステップで計測された該第２平面ミラーの該第２方向における位置と、前記第２計測ステップで計測された該マークの該第２方向における位置とに基づき、該第２平面ミラーの形状を算出する算出ステップと、を有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の露光装置は、基板を保持し且つ第１方向および該第１方向に直交する第２方向に移動するステージと、前記ステージに配された第１平面ミラーと、前記第１平面ミラーの該第１方向における位置を計測する第１レーザ干渉計と、前記ステージに配された第２平面ミラーと、前記第２平面ミラーの該第２方向における位置を計測する第２レーザ干渉計と、前記ステージに固定された、該第１方向および該第２方向に平行な基準面に配されたマークの位置を計測するスコープとを有し、前記ステージに保持された基板を露光する露光装置であって、前記ステージを該第１方向に移動させながら、前記第２レーザ干渉計により前記第２平面ミラーの該第２方向における位置を該第１方向における複数の計測箇所で計測する第１の計測を行い、該第１の計測と並行して、該基準面に該第１方向に沿って配列されたマークの該第２方向における位置を計測する第２の計測を行い、該第１の計測で計測された前記第２平面ミラーの該第２方向における位置と、該第２の計測で計測された該マークの該第２方向における位置とに基づき、前記第２平面ミラーの形状を算出する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、例えば、専用の計測器を用いずに、平面ミラーの形状を高精度に計測することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
初めに本発明の原理を本発明の実施の形態を例にして述べる。本発明の好ましい実施の形態では、露光装置に備えられているアライメントスコープを用い非特許文献２の合成法で問題となる各系列の相対位置を、平面ミラーの任意位置における範囲１０９（図１参照）について計測する。こうすれば、特許文献１が提案しているフィゾー干渉計のような専用の計測器を取り付けずに済むため、取り付けスペースを心配する必要がない。なお、計測範囲１０９の距離は、レーザ干渉計１０１と１０２（図５参照）の間の距離のうち、各系列の計測箇所が連続して少なくとも１つずつ入る距離である。そして、レーザ干渉計１０１又は１０２は、例えば、レーザ干渉計１０１と１０２との間隔Ｄを系列数（整数ｍ）で除した値Ｄ／ｍを系列数ｍに対応する複数の計測箇所の間隔として前記平面ミラーの位置を計測する。
【００１２】
図１は本発明を模式的に示したものである。平面ミラーの形状１０３を計測する場合、レーザ干渉計１０１あるいは１０２(図５参照)で計測箇所１０〜１２の範囲１０９の形状を計測するのと並行して、別の手段で計測箇所１０〜１２の範囲の局所的形状を計測する。こうすれば、合成法の欠点が克服される。本実施形態では、前記別の手段として露光装置に備えられているアライメントスコープを用い、基準面に配されたマークの位置をアライメントスコープで計測する。本実施形態において基準面とは、例えば、試料を保持するステージにより該試料の代わりに保持された基板の表面、又は該ステージにより保持された試料の外側に位置するように該ステージに設けられた板の表面である。
【００１３】
具体的には、予めマークの描画位置が計測してあるマーク（計測用マーク）付きプレート（板）、あるいはウエハ(試料)をステージに固定（保持）しておく。そして、露光装置に備えられているアライメントスコープあるいは投影レンズを介したアライメントスコープで、当該マークの位置を計測するのと並行して、レーザ干渉計でも平面ミラーの形状を計測する。さて、仮にプレート上に並んだｍ個のマークは、レーザ干渉計光軸と垂直で一直線上(直線状)に正確に並んでいたとする。このとき、マークをスコープで計測したｍ個の値は、レーザ干渉計で同時に計測した平面ミラーの局所的形状を示すことになる。なお、ｍ個のマークが一直線上に並んでいなくても、その位置が正確に計測されていれば、容易に補正できるので問題はない。また、予め正確な位置が計測されたマークを描画する方法としては、特開２０００−２９９２７８号公報や特開２００５−０６４２６８号公報に記載の方法を用いれば良い。
【実施例】
【００１４】
図２は本発明の一実施例に係る露光装置のＸＹステージ（移動ステージ）とその周辺部を示す。ミラー面仕上げされたステージ定盤１１０の上に静圧浮上したＸＹステージ１１１があり、その上にはウエハを把持する真空チャック１１２とＹ軸ミラー１１３とＸ軸ミラー１１４が固定されている。なお、ＸＹステージ１１１はウエハ(試料)を搭載してＸ方向(第１方向)及びこれと直交するＹ方向(第２方向)に移動可能である。移動ステージは、Ｘ方向もＹ方向もリニアモータで駆動する。ＸＹステージ１１１上には、レーザ干渉測長の為に、レーザ干渉計から照射されるレーザを反射する平面ミラー１１３、１１４が固定されている。
【００１５】
ステージのＸＹ位置とＸＹ平面に平行な面内における回転角度は、平行に並んだＸ方向の干渉計２個とＹ方向の干渉計２個の合計４個の計測値（出力）のうち３つを用いて計測制御する。なお、これらのレーザ干渉計とアライメントマークの位置を計測するスコープ１１５は、不図示の構造体に固定されている。また、Ｘ及びＹ方向各２本の干渉計１０１、１０２(図５参照)のうち、各１本は、そのレーザ光軸の延長線がスコープ１１５による計測箇所の上を通過するように配置されている。
なお、当該スコープは、投影レンズを介してアライメントマークの位置を計測するＴＴＬスコープでも構わない。
【００１６】
このような構成の半導体露光装置では、各部品の取り付け精度も厳しく管理される。しかし、取り付けの位置精度は１０μｍ、角度は１０ｐｐｍが限度であるから、そのままの状態では平面ミラーが真直でもアッベ誤差を生じる。そのため、重ね合せ露光やスコープを用いた各種検査を行い、ソフト的な調整によって見かけ上の取り付け誤差をナノメータのレベルまで低減する。本実施例も、このような調整が実施されていることを前提とする。
【００１７】
なお、以下の実施例では、Ｘ軸に平行なＹミラーの形状計測を行う例を説明するが、Ｙ軸に平行なＸミラーの場合も同様であることは言うまでもない。
第１実施例は、図３に示す計測用マーク付きウエハ１１６を使用する。ウエハ上にはＸ方向に直線状に等ピッチで並んだ（配列された）複数の計測用マーク１１７とＹ方向に並んだ計測用マーク１１８が描画されていて、両端のマーク間距離は平行な２つのレーザ干渉計の間隔Ｄｘ、Ｄｙに等しい。または、２つのレーザ干渉計の前記間隔以上であってもよい。また、レーザ干渉計の間隔Ｄｘ、Ｄｙは、マークのピッチの整数倍に等しい。マークのピッチは、レーザ干渉計による平面ミラーの形状計測箇所のピッチと等しいか、その整数分の１であることが好ましい。
【００１８】
さて、Ｙミラーの形状計測手順について述べる。まず、ＸＹステージ１１１にマーク付きウエハ(計測用基板)１１６を載置する。ウエハ１１６は、ウエハチャックで把持する。このウエハ１１６をＸ方向に並んだ（配列された）マークがスコープで計測可能な位置にくるように、ステージ位置のＹ座標を一定の状態に保ったまま、Ｘ方向の端から端までステージ１１１を移動する。このとき、ステージのωｚ回転角を一定に保ったままＸ方向の位置を制御するため、Ｘ方向のレーザ干渉計を用いる。一方、Ｙ方向のレーザ干渉計は、投影レンズ光軸と交差するレーザ干渉計の計測値でステージのＹ座標を制御し、残りのレーザ干渉計で、Ｙ軸ミラーまでの距離を計測する。
【００１９】
こうして、順次、各計測箇所におけるＹミラーまでの距離、すなわちＹミラーの形状を計測する。そして、この距離計測時にウエハ上のマークがスコープ計測可能な位置にきたら、マーク位置の計測も行う。Ｙミラーで反射する平行な２つの干渉計の間隔と等しい範囲で等ピッチで並んでいるマーク１１７を順次計測すると、アライメントスコープのマーク計測値（位置計測結果）はＹミラーの局所的形状を示す。そこで、レーザ干渉計で計測した値（距離計測結果）とアライメントスコープのマーク計測値を用いた合成法によってＹミラーの形状計測を行う。
【００２０】
合成法においては、例えば、各計測箇所の距離計測値をその計測箇所に対応するマーク計測値を用いて補正する。対応するマーク計測値がなければ、その両側または全部のマーク計測値を用いて、補間による補正値を算出する。または、逆に、計測箇所を補間等でマーク位置へ移動して距離計測値の補正値を算出しても良い。補正した距離計測値からｍ(本実施例では３)組の補正距離計測結果を算出し、これらを合成することにより平面ミラーの形状データを得ることができる。
【００２１】
第２実施例は、第１実施例で用いたマーク付きウエハの代わりに、マーク付きプレート１１９をステージに備え付けておき、第１実施例と同様の手順で計測する。
第３実施例は、第１実施例と第２実施例で用いたアライメントスコープの代わりに、投影レンズを介してアライメントマークを計測する方法である。
【００２２】
上述の実施例によれば、ステージ平面ミラーの形状をスコープとレーザ干渉計だけで計測できるので、自己診断機能によってステージ格子を正確な状態に保つことが出来、半導体露光装置のマッチング精度を高精度な状態に維持できる。
【００２３】
なお、上述の実施例においては、Ｘ及びＹの各方向に２本ずつのレーザ干渉計を有する場合について説明した。しかし、レーザ干渉計は１本ずつであっても良い。この場合、例えば、Ｙ方向用の２本のレーザ干渉計の一方でステージのＹ座標を制御する代わりに、他方のレーザ干渉計の計測値を計測用マークの計測値で補正するようにすればよい。また、上述においては、本発明を露光装置のウエハステージ(ＸＹステージ)に適用して例について説明した。しかし、本発明は、スキャナのレチクルステージの、走査方向と平行な反射面を有する平面ミラーにも好適に適用することができる。
【００２４】
［露光装置の実施例］
以下、本発明の平面ミラーの形状計測方法が適用される例示的な露光装置を説明する。露光装置は図９に示すように、照明系ユニット９０１、レチクルを搭載したレチクルステージ９０２、投影光学系９０３、ウエハを搭載したウエハステージ９０４を有する。９０５は露光装置本体である。露光装置は、レチクルに形成された回路パターンをウエハに投影露光するものであり、ステップアンドリピート投影露光方式またはステップアンドスキャン投影露光方式であってもよい。
【００２５】
照明系ユニット９０１は回路パターンが形成されたレチクルを照明し、光源部と照明光学系とを有する。光源部は、例えば、光源としてレーザを使用する。レーザは、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ、波長約１５３ｎｍのＦ２エキシマレーザなどを使用することができる。但し、レーザの種類はエキシマレーザに限定されず、例えば、ＹＡＧレーザを使用してもよいし、そのレーザの個数も限定されない。光源にレーザが使用される場合、レーザ光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザ光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部に使用可能な光源はレーザに限定されるものではなく、一または複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００２６】
照明光学系はマスクを照明する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレータ、絞り等を含む。
投影光学系９０３は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子を少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）を使用することができる。また、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等も使用することができる。
レチクルステージ９０２およびウエハステージ９０４は、例えばリニアモータによって移動可能である。ステップアンドスキャン投影露光方式の場合には、それぞれのステージは同期して移動する。また、レチクルのパターンをウエハ上に位置合わせするためにウエハステージおよびレチクルステージの少なくともいずれかに別途アクチュエータを備える。
このような露光装置は、半導体集積回路等の半導体デバイスや、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド等の微細なパターンが形成されたデバイスの製造に利用され得る。
【００２７】
［デバイスの製造の実施例］
次に、上述の露光装置を利用した微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造プロセスを説明する。
図１０は半導体デバイスの製造のフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスク（原版またはレチクルともいう）を製作する。
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクを設置した露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程である。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００２８】
上記ステップ４のウエハプロセスは、ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップステップを有する。また、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置を用いて、回路パターンを有するマスクを介し、レジスト処理ステップ後のウエハを露光する露光ステップを有する。さらに、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップを有する。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施例に係る平面ミラー形状計測を説明する図である。
【図２】本発明の一実施例に係る露光装置のＸＹステージとその周辺部の構成を示す図である。
【図３】本発明の第１実施例に係るマーク付きウエハの平面図である。
【図４】本発明の第２実施例に係る平面ミラー形状計測用プレートの平面図である。
【図５】従来の平面ミラー形状計測を説明する図である。
【図６】従来の合成法による平面ミラー形状計測結果を説明する図である。
【図７】従来の合成法によって生じる形状計測誤差を説明する図である。
【図８】従来の合成法によって生じる形状計測誤差の周期性を説明する図である。
【図９】本発明の一実施例に係る露光装置の構成を示す図である。
【図１０】デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【符号の説明】
【００３０】
１〜１５  平面ミラーの等ピッチな計測箇所
１０１、１０２  レーザ干渉計
１０３  真の平面ミラー形状
１０４  逐次法で計測した平面ミラーの形状系列１
１０５  逐次法で計測した平面ミラーの形状系列２
１０６  逐次法で計測した平面ミラーの形状系列３
１０７  合成時の誤差に影響された平面ミラーの計測形状
１０８  従来の合成法による平面ミラーの計測誤差
１０９  別途手段で平面ミラーの局所的形状を計測する範囲
１１０  ステージ定盤
１１１  ＸＹステージ
１１２  ウエハチャック
１１３  Ｙ軸ミラー
１１４  Ｘ軸ミラー
１１５  アライメントスコープ
１１６  マーク付きウエハ
１１７  Ｙ軸ミラーの局所的形状を計測するマーク
１１８  Ｘ軸ミラーの局所的形状を計測するマーク
１１９  マーク付きプレート
９０１  照明系ユニット
９０２  レチクルステージ
９０３  投影光学系
９０４  ウエハステージ
９０５  露光装置本体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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