(57)【要約】【課題】電気光学装置用基板の生産工程における工数を削減し、生産効率を向上させることができ、電気光学装置を薄型化し、かつ画素領域を透過した光の視野角を広くすることができる電気光学装置用基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】第１基板３ａの表面に複数の微小凹部を機械的手段によって形成する工程と、前記第１基板３ａの表面をエッチングして、前記第１基板３ａを薄肉化するとともに、前記微小凹部を等方的に侵食してマイクロレンズＬを形成する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板の表面に複数の微小凹部を機械的手段によって形成する工程と、
前記第１基板の表面をエッチングして、前記第１基板を薄肉化するとともに、前記微小凹部を等方的に侵食してマイクロレンズを形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング工程の前に、前記第１基板における前記微小凹部の形成面の反対側面に第２基板を貼り合わせる工程を有し、
前記エッチング工程では、前記第１基板とともに前記第２基板の表面をエッチングして、前記第１基板とともに前記第２基板を薄肉化することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１基板は、電気光学装置における光出射側の基板であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１基板は、光透過型の電気光学装置における光入射側の基板であり、
前記微小凹部の形成工程では、前記電気光学装置における複数の画素領域に対応して微小凹部を形成し、
前記エッチング工程の後に、前記第１基板より屈折率の大きい材料を前記マイクロレンズに充填する工程を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板の表面上に略半球状の曲面を多数形成する電気光学装置用基板の製造方法が知られている。また、これらの基板表面上の曲面をマイクロレンズとして機能させ、例えば、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：液晶表示装置）のバックライトを集光し、画素領域を透過する光量を増加させる電気光学装置用基板の製造方法が知られている。
【０００３】
例えば、基板の表面上に形成したマスク層に複数のピンホールを形成し、その状態で上記の基板表面に湿式エッチングを施すことによって略半球状の凹曲面を多数形成する電気光学装置用基板の製造方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、例えば、まず基板上にレンズの母材となるレジストを均一に塗布してパターン露光を行い、基板をディップ現像し、洗浄する。さらに、ブリーチング処理を施してから基板を加熱することで略半球状の凸曲面を多数形成する電気光学装置用基板の製造方法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−２４７３３９号公報
【特許文献２】特開２０００−１９９８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の電気光学装置用基板の製造方法では、工程が複雑で工数が多いことが生産性向上の阻害要因となっていた。
特許文献１に記載された技術の場合、基板上にマスク層をパターニングする工程およびマスクパターンの除去工程が必要となることが工程削減の妨げとなっている。特許文献２に記載された技術の場合、基板上にレジストを塗布する工程、レジストにパターン露光を行う工程、レジストを除去する工程、基板を加熱する工程が必要となることが、工程削減の妨げとなっている。
【０００６】
また、例えばＬＣＤなどの電気光学装置においては、装置の薄型化が望まれている。しかし、特許文献２に記載された技術の場合、基板上に樹脂等によって別途マイクロレンズを形成し、ＬＣＤ等の電気光学装置と組み合わせて使用している。したがって、別途部材費がかかるだけでなく、電気光学装置としての薄型化にも限界があった。
【０００７】
また、例えば、上記従来のＬＣＤにおいては、画素領域を透過した光の視野角が狭いことが課題となっている。このため、基板上に、例えば散乱板等の光学フィルムを形成して視野角を調整することが行われ、基板製造時の工数を増加させていた。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、電気光学装置用基板の生産工程における工数を削減し、生産効率を向上させることができる製造方法を提供することを目的とする。また、同時に、電気光学装置を薄型化し、かつ画素領域を透過した光の視野角を広くすることができる電気光学装置用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、第１基板の表面に複数の微小凹部を機械的手段によって形成する工程と、前記第１基板の表面をエッチングして、前記第１基板を薄肉化するとともに、前記微小凹部を等方的に侵食してマイクロレンズを形成する工程と、を有することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法である。
【００１０】
このように微小凹部が形成された第１基板の表面にエッチング処理を施すことによって、第１基板表面にマスク層や樹脂層を形成することなく、マイクロレンズを形成することができる。加えて、マイクロレンズの形成と同時に基板の薄肉化を図ることができるので、従来の複雑かつ工数の多い工程を、単純で工数の少ない工程に置き換えることができる。
よって、本発明の製造方法によれば、電気光学装置用基板の生産工程における工数を削減し、生産効率を向上させることができる。また、第１基板の薄肉化を図ることで電気光学装置の薄型化を実現することができる。
【００１１】
また、本発明は、前記エッチング工程の前に、前記第１基板における前記微小凹部の形成面の反対側面に第２基板を貼り合わせる工程を有し、前記エッチング工程では、前記第１基板とともに前記第２基板の表面をエッチングして、前記第１基板とともに前記第２基板を薄肉化することを特徴とする上記の電気光学装置用基板の製造方法である。
【００１２】
このように製造することで、貼り合わせ前の各基板の厚さを、微小凹部の形成工程および第１、第２基板の貼り合わせ工程において各基板に働く機械的な応力に十分耐えうる厚さに設定することができる。同時に、貼り合わせ後の両基板の表面をエッチングすることで、第２基板の薄肉化を第１基板の薄肉化およびマイクロレンズの形成と並行して進行させることができる。また、両基板の接合後に、液晶装置に要求される機械的強度を維持することができる必要最小限の厚さまで、両基板を薄肉化することができる。すなわち、後工程で要求される各基板の機械的強度を別々に考慮する必要がない。
【００１３】
したがって、本発明の製造方法によれば、上述の効果に加え、貼り合わせ前の各基板に必要な厚さを確保して第１、第２基板の損傷を防止することができる。よって、製品の歩留りを向上させ、生産効率を向上させることができる。また、第２基板の薄肉化を第１基板の薄肉化およびマイクロレンズの形成と並行して進行させることができるので、生産工程における工数をより削減させ、より生産効率を向上させることができる。さらに、必要最小限の厚さまで両基板を薄肉化することができるので、電気光学装置を薄型化することが可能となる。
【００１４】
また、本発明は、前記第１基板は、電気光学装置における光出射側の基板であることを特徴とする上記の電気光学装置用基板の製造方法である。
このように製造することで、第１基板に形成されたマイクロレンズを、凹レンズとして機能させることができる。
【００１５】
したがって、本発明の製造方法によれば上述の効果に加え、第２基板側からマイクロレンズに入射した光を第１基板のマイクロレンズによって拡散し、第１基板外部に射出することができるので、第１基板から出射する光の視野角を広くすることができる。
【００１６】
また、本発明は、前記第１基板は、光透過型の電気光学装置における光入射側の基板であり、前記微小凹部の形成工程では、前記電気光学装置における複数の画素領域に対応して微小凹部を形成し、前記エッチング工程の後に、前記第１基板より屈折率の大きい材料を前記マイクロレンズに充填する工程を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置用基板の製造方法である。
【００１７】
このように製造することで、各画素領域に対応したマイクロレンズを形成することができる。また、第１基板より屈折率の大きい材料を該マイクロレンズに充填することで、各画素領域に対応させた凸レンズを形成することができる。そして、第１基板に入射した光を、該凸レンズによって集光し、各画素領域を透過させることができる。
したがって、本発明の製造方法によれば上述の効果に加え、第１基板に入射した光を集光し、各画素領域を透過させることができるので、電気光学装置外部に射出される光量を増加させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。本実施の形態では電気光学装置として、光透過型（非発光型）の液晶装置を例に挙げて説明する。特に、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を画素スイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に挙げて説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。
【００１９】
（液晶装置）
図１は、液晶装置１の全体構成を示す図である。図１に示すように、液晶装置１は、対向して配置されたＴＦＴアレイ基板（第２基板）２と対向基板（第１基板）３とがシール材４によって貼り合わされている。また、これらＴＦＴアレイ基板２、対向基板３及びシール材４によって区画された領域内には液晶層５が形成されている。
【００２０】
シール材４の一部には液晶を注入する注入口４ａが設けられており、当該注入口４ａは封止材４ｂにより封止されている。シール材４の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）６が形成されている。周辺見切り６の内側の領域は、光を変調する光変調領域７になっている。光変調領域７には、複数の画素領域８がマトリクス状に設けられている。各画素領域８の周囲には、遮光部材であるブラックマトリクス９が格子状に設けられている
【００２１】
ＴＦＴアレイ基板２の周縁部は、対向基板３から張り出した張出領域になっている。この張出領域のうち図中左辺側及び右辺側には、走査信号を生成する走査線駆動回路１１が形成されている。図中上辺側には、左右の走査線駆動回路１１の間を接続する配線１３が引き回されている。図中下辺側には、データ信号を生成するデータ線駆動回路１２と、外部の回路等に接続するための接続端子１４とが形成されている。走査線駆動回路１１と接続端子１４との間の領域には、両者を接続する配線１５が形成されている。対向基板３の各角部には、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３との間で電気的に接続するための基板間導通材１７が設けられている。
【００２２】
図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面構成図である。図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板２は、例えばガラスや石英等の透光性の高い材料から形成された基材２ａを備えている。この基材２ａの液晶側には画素電極２１と、当該画素電極２１に電気信号を供給するＴＦＴ（図示せず）が設けられている。基材２ａと画素電極２１の間には、平面視格子状に配置され、画素電極２１以外の部分の光を遮るための膜であるブラックマトリクス９と、ブラックマトリクス９を覆う透明樹脂層２０が形成されている。また、画素電極２１及びＴＦＴを覆うように配向膜２３が形成されている。
【００２３】
画素電極２１は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明な導電材料によって形成されている。ＴＦＴは、画素電極２１に電気的に接続されており、図示しない走査線及びデータ線が接続されている。ＴＦＴアレイ基板２の外側（液晶層５とは反対側）の面には、偏光板２４が貼付されている。
【００２４】
対向基板３は、ＴＦＴアレイ基板２と同様に、例えばガラスや石英等の透光性の高い材料から形成された基材３ａを主体として構成されている。基材３ａの内側（液晶層５側）表面にはブラックマトリクス１９および透明樹脂層３０が形成されている。透明樹脂層３０の内側表面には共通電極３１が形成されており、共通電極３１上には配向膜３３が形成されている。共通電極３１は、画素電極２１と同様、例えばＩＴＯ等の透明な導電材料によって形成されている。また、基材３ａの外側には、偏光板３４が貼り付けられている。
【００２５】
液晶層５は、例えばフッ素系液晶化合物や非フッ素系液晶化合物等の液晶分子によって構成されており、ＴＦＴアレイ基板２側の配向膜２３と対向基板３側の配向膜３３との双方に接するように両基板に挟持されている。液晶分子の配向は、非選択電圧を印加したときに所定の方向に向くように、配向膜２３及び配向膜３３によって規制されている。
【００２６】
ＴＦＴアレイ基板２の図示下部に設けられたバックライト４０は、図示しない電力供給回路に接続された、例えばＬＥＤなどの光源４１を備えている。また、光源４１の光をＴＦＴアレイ基板２の下部に導入する、例えばアクリルなどの透明な導光板４２を備えている。導光板４２の下部には導光板４２に導入された光を、導光板４２のＴＦＴアレイ基板２側表面に向けて反射する反射膜４３が設けられている。
したがって、光源４１より発せられ、反射膜４３で反射された光はＴＦＴアレイ基板２側から入射し、液晶層５及び画素電極２１を透過して対向基板３側から出射される。
【００２７】
（液晶装置用基板の製造方法）
次に、本実施の形態における液晶装置１に用いられる基板の製造方法について説明する。
（微小凹部形成工程）
まず、基材２ａの表面に微小凹部を形成する。微小凹部の形成は、押圧装置を用いて行う。
図３は押圧装置５０の概略斜視図である。図３に示すように、押圧装置５０には光出射側の対向基板３を構成する基材３ａを載置するための載置台５１が備えられている。載置台５１の図示上側に押圧装置本体５２が配置されている。載置台５１には基材３ａを載置台５１上に係止するための基板係止手段（図示せず）が設けられている。押圧装置本体５２には駆動装置（図示せず）に基端側が連結された棒状のシャフト５３が備えられている。シャフト５３の先端側にはシャフト５３に略垂直な矩形の押圧板５４が設けられている。押圧板５４の図示下面側には、微小な針５５がシャフト５３の軸方向と平行に多数配設されている。なお複数の針５５は、互いに均等な距離を開けて整列配置されていてもよく、ランダムに配置されていてもよい。
【００２８】
図３に示すように、上述の押圧装置５０によって、基材３ａの表面に複数の微小凹部Ｄを形成する。まず、載置台５１上に基板３ａを載置し、基板係止手段によって基材３ａを載置台５１上に固定する。次に、押圧板５４を基材３ａの上部に位置決めする。次いで、押圧装置５０の駆動装置を起動してシャフト５３を軸方向図示下向きに延出させ、押圧板５４の下面に配設された微小な針５５の先端を基材３ａの表面に接触させる。
【００２９】
そのまま、予め定められた押圧力によって針５５の先端を基材３ａに圧入する。これにより、光出射側の対向基板３を構成する基材３ａの表面に例えば等間隔の微小凹部Ｄが複数形成される。このとき、押圧力、針５５の形状等を適宜調整することで、微小凹部Ｄの形状を調整することができる。
また、微小凹部Ｄの間隔が極めて小さいために押圧板５４の下面に所望の間隔で針５５を配設することが困難な場合がある。このような場合は、適当な間隔で針５５が配設された押圧板５４を用い、押圧装置５０の駆動装置によって押圧板５４を基材３ａと平行方向に微小送りさせ、押圧するという工程を繰り返すことにより、所望の間隔の微小凹部Ｄを得ることができる。
【００３０】
（基板貼り合わせ工程）
次に、基材３ａの微小凹部Ｄ形成面の反対側の面に、例えば、成膜工程、リソグラフィ工程等によって、図２に示すブラックマトリクス１９、透明樹脂層３０、共通電極３１、配向膜３３等を形成する。基材２ａの内側面にも、ブラックマトリクス９、透明樹脂層２０、画素電極２１、配向膜２３等を形成する。その後、各基材２ａ，３ａに形成された配向膜２３，３３を対向配置させ、シール材４および図示しないスペーサーを介して両基材２ａ，３ａを接合する。さらに、シール材４の注入口４ａから液晶を注入し、その注入口４ａを封止材４ｂにより封止する。
（エッチング工程）
次に、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３のエッチング処理を行う。
基板貼り合わせ工程において接合した各基材２ａ，３ａに、例えば弗化水素酸を含む水溶液をエッチング液として用いる湿式エッチングを施す。
図４はエッチング処理における基材３ａおよび微小凹部Ｄの侵食過程を示す概略拡大断面図である。図中、二点鎖線は時間の経過とともにエッチング液によって侵食される基材３ａの一定時間経過毎の表面を示している。
【００３１】
図４に示すように、エッチング開始当初、基材３ａ表面に微小凹部Ｄが上述の機械的手段によって形成されている。ここで、エッチング前の基材３ａの厚さＴｏは、例えば約０．５ｍｍである。この状態で基材３ａをエッチング液に浸漬して表面を侵食させていく。
一定時間経過後、基材３ａの表面は均一に侵食され、厚さＴｏが減少するとともに、微小凹部Ｄも等方的に侵食され略半球状の凹曲面であるマイクロレンズＬ１を形成する。このとき、基材３ａに約１００μｍ以上のエッチングを施すことによって、微小凹部Ｄは略半球状の凹曲面となる。さらに一定時間経過後、基材３ａの表面はさらに侵食され、さらに厚さＴｏが減少するとともに、マイクロレンズＬ１の略半球状の凹曲面もさらに侵食され、曲率半径Ｒ１が徐々に拡大していく。
このように、微小凹部Ｄを時間の経過とともに等方的に侵食させて、微小凹部Ｄと略同一の中心線Ｃを有する略半球状の凹曲面からなるマイクロレンズＬを形成することができる。このとき、微小凹部Ｄの形状、例えば深さ、面積等を予め調整しておくことによって、一定時間後に形成されるマイクロレンズＬの形状、寸法を調整することができる。
【００３２】
図５は接合後に上述のエッチング処理を施した基材２ａ，３ａの断面図である。図中、エッチング前の各基材２ａ，３ａの表面を二点鎖線で示す。
図５に示すように、対向基板３の基材３ａのエッチング処理と同時に、ＴＦＴアレイ基板２の基材２ａの表面もエッチング液に浸漬し、時間の経過とともに侵食させて薄肉化を進行させる。
これにより、接合当初、例えば約０．５ｍｍであった基材２ａおよび３ａの厚さＴｏを、上述のエッチング処理によって、約０．２ｍｍ程度の厚さＴまで薄肉化させることができる。また、このとき、図４に示すように、微小凹部Ｄは曲率半径Ｒが５〜１０μｍ程度の略半球状の凹曲面からなるマイクロレンズＬとなる。なおマイクロレンズＬ内の空気の屈折率は、基材３ａを構成するガラス材料等の屈折率より小さい。したがってこのマイクロレンズＬは、ＴＦＴアレイ基板２側から入射し画素電極２１を透過した光Ｂに対して、凹レンズとして機能させることができる。
【００３３】
したがって、本実施の形態によれば、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板２から入射し、画素電極２１を透過した光Ｂを、対向基板３側の外表面に形成されたマイクロレンズＬによって散乱して出射することができる。よって、散乱板等の光学的フィルムを形成することなく、視野角の広い光Ｂを出射することができるので、光学的フィルムを形成する工程を省略することができる。
このとき、大きさの異なるマイクロレンズを複数形成することで、光路・視野角等の制御が可能となる。これにより、例えば、大きさの異なる複数のマイクロレンズによって光の散乱が不規則になるため、マイクロレンズによって散乱された出射光同士の干渉を防ぐことができる。これにより、干渉縞の発生を防止することができる。
【００３４】
また、対向基板３側の表面に、マスク層や樹脂層を形成することなく、マイクロレンズＬを形成することができる。加えて、マイクロレンズＬの形成と同時にＴＦＴアレイ基板２および対向基板３の薄肉化を図ることができる。
したがって、従来のマスク層の形成、パターニング露光、エッチング、マスク層の除去といった工程を別々に複数回繰り返すような従来の製造方法と比較して、液晶装置１の製造工程における工数を削減することができる。よって、液晶装置１の生産効率を向上させることができる。
【００３５】
尚、本実施形態では、液晶装置からの出射光を散乱させるためマイクロレンズを利用する。そのため、複数のマイクロレンズが整列配置されている必要はなく、ランダムに配置されていてもよい。また、複数のマイクロレンズが同形状である必要はなく、厳密に半球状に形成されていなくてもよい。
【００３６】
また、液晶装置１に求められる仕様にかかわらず、接合前の各基材２ａ，３ａの厚さを、各基材２ａ，３ａの接合時や微小凹部Ｄ形成時に各基材２ａ，３ａに作用する機械的な応力に十分耐えうる厚さＴｏに設定することができる。したがって、接合時や微小凹部Ｄ形成時の各基材２ａ，３ａの損傷を防止することができる。よって、液晶装置１の歩留まりを向上させ、生産効率を向上させることができる。
加えて、各基材２ａ，３ａの接合後に液晶装置１に要求される機械的強度を維持することができる必要最小限の厚さＴまで、各基材２ａ，３ａを薄肉化することができる。したがって、ＴＦＴアレイ基板２および対向基板３の体積および厚さを低減させ、液晶装置１を薄型化することができる。
また、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３を貼り合わせた後に、微小凹部Ｄを形成し、その後エッチング処理を行う順序でも良い。
【００３７】
（第２の実施の形態）
次に、この発明の第２の実施の形態について、図１〜４を援用し、図６を用いて説明する。
図６は、第１の実施の形態における図５に相当する断面図である。図５に示す第１実施形態では、液晶装置１における光出射側の基板３にマイクロレンズＬを形成したが、図６に示す第２実施形態では、液晶装置１における光入射側の基板２にマイクロレンズＬ２を形成する点で相違している。その他の構成は第１の実施の形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００３８】
（微小凹部形成工程）
図３に示した微小凹部Ｄ形成工程において、光出射側の対向基板（第２基板）３の基材３ａの表面ではなく、光入射側のＴＦＴアレイ基板（第１基板）２の基材２ａの表面に微小凹部Ｄを形成する。このとき、押圧装置５０の押圧板５４の針５５の配置、送りを調整し、微小凹部Ｄを画素電極２１および画素領域８に対応した位置に形成する。また、押圧板５４の基材２ａに対する押圧力を、形成するマイクロレンズＬ２が画素電極２１および画素領域８に対応するように調整する。その他の工程は第１の実施の形態と同様である。
【００３９】
（基板貼り合わせ工程）
次に、基材２ａの微小凹部Ｄ形成面の反対側の面に、例えば、成膜工程、リソグラフィ工程等によって、ブラックマトリクス９、透明樹脂層２０、基板電極２１、配向膜２３等を形成する。基材３ａの内側面にもブラックマトリクス１９、透明樹脂層３０、共通電極３１、配向膜３３等を形成する。その後、各基材２ａ，３ａに形成された配向膜２３，３３を対向配置させ、シール材４および図示しないスペーサーを介して両基材２ａ，３ａを接合する。さらに、シール材４の注入口４ａから液晶を注入し、その注入口４ａを封止材４ｂにより封止する。
【００４０】
（エッチング工程）
図４に示したエッチング処理により、図６に示す基材２ａ表面に画素電極２１及び画素領域８に対応したマイクロレンズＬ２を形成することができる。また、微小凹部Ｄ形成時に、例えば押圧力を大きく設定することで、図６に示すように、形成されるマイクロレンズＬ２の曲率半径Ｒ２を大きくすることができる。その他の工程は第１の実施の形態と同様である。
【００４１】
このとき、図６に示すように、第１の実施の形態と同様に、ＴＦＴアレイ基板２の基材２ａのエッチング処理と同時に、対向基板３の基材３ａの表面もエッチング液に浸漬し、時間の経過とともに侵食させて薄肉化を進行させる。
これにより、第１の実施の形態と同様に接合当初、例えば約０．５ｍｍであった基材２ａおよび３ａの厚さＴｏを、上述のエッチング処理によって、約０．２ｍｍ程度の厚さＴまで薄肉化させることができる。また、このとき、図６に示すように、微小凹部Ｄは各画素電極２１に対応したマイクロレンズＬ２となる。
また、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３を貼り合わせた後に、微小凹部Ｄを形成し、その後エッチング処理を行う順序でも良い。
【００４２】
（透明材料充填工程）
次に、エッチング工程によって形成されたマイクロレンズＬ２に、基材２ａの構成材料よりも屈折率の高い透明材料、例えばポリエステル等の透明な樹脂２５を充填する。
これにより、図６に示すように、マイクロレンズＬ２をＴＦＴアレイ基板２の外側から入射する光Ｂに対して凸レンズとして機能させることができる。したがって、図５においてブラックマトリクス９によって遮光されて対向基板３の外部に出射されることのなかった光Ｂを、マイクロレンズＬ２によって集光させてブラックマトリクス９，１９の間を透過させ、対向基板３の外部に出射させることができる。
【００４３】
したがって、この実施の形態によれば、ＴＦＴアレイ基板２に入射した光Ｂを、各画素電極２１および各画素領域８に対応する凸レンズであるマイクロレンズＬ２によって集光し、画素領域８を透過する光を増加させることができるので、液晶装置１の外部に出射される光量を増加させることができる。その際、液晶装置１から広角度に光が出射されるので、液晶装置の視野角を拡大することができる。また、ＴＦＴアレイ基板２の表面に、マスク層や樹脂層を形成することなく、マイクロレンズＬ２を形成することができる。加えて、マイクロレンズの形成と同時にＴＦＴアレイ基板２および対向基板３の薄肉化を図ることができる。
したがって、第１の実施の形態と同様に、従来の製造方法と比較して、液晶装置１の製造工程における工数を削減することができる。よって、液晶装置１の生産効率を向上させることができる。
また、第１の実施の形態と同様に、各基材２ａ，３ａの接合後に薄肉化するので、接合時や微小凹部Ｄ形成時の各基材２ａ，３ａの損傷を防止することができる。よって、液晶装置１の歩留まりを向上させ、生産効率を向上させることができる。加えて、ＴＦＴアレイ基板２および対向基板３の体積および厚さを低減させ、液晶装置１を薄型化することができる。
なお、上述した第２の実施の形態は、透過型の液晶装置を例にして説明したが、半透過反射型の液晶装置であってもよい。
【００４４】
図７は、第２の実施の形態に係る液晶装置の変形例１の断面図である。図７に示す第２の実施の形態の変形例１のように、光入射側のＴＦＴアレイ基板２だけでなく光出射側の対向基板３側の外側に出射光を散乱するために第１実施形態と同様のマイクロレンズＬを形成しても良い。
このように製造することで、第１の実施形態と第２の実施形態を併せた効果が得られる上に、両基板２，３のマイクロレンズＬ，Ｌ２を同時に形成させることで工数を必要以上に増加させることがない。
【００４５】
図８は、第２の実施の形態に係る液晶装置の変形例２の断面図である。図８に示す第２の実施形態の変形例２のように、基板貼り合わせ工程の前に、ＴＦＴアレイ基板２側に微小凹部Ｄ形成工程、エッチング工程、透明材料２５充填工程を経てマイクロレンズＬ２を形成することもできる。この場合、透明材料２５上に、ブラックマトリクス９、透明樹脂層２０、画素電極２１、配向膜２３等を形成する。また、別途、対向基板３側にもマイクロレンズＬを形成し、ブラックマトリクス１９、透明樹脂層３０、画素電極２１、配向膜２３等を形成しておいてもよい。次いで両基材２ａ，３ａを貼り合わせれば、変形例２の液晶装置１が完成する。
このように製造することで、貼り合わせ工程において、各々異なるマイクロレンズＬ，Ｌ２が形成された対向基板３とＴＦＴアレイ基板２の組み合わせを自由に変更することができるので、例えば、各マイクロレンズＬ，Ｌ２の寸法を適宜変更して、最適なマイクロレンズＬ，Ｌ２の組み合わせを検討する上で都合が良い。
【００４６】
尚、上述の実施の形態では電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明において、「電気光学装置」とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。
すなわち、本方法発明は電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置等の光透過型（非発光型）の電気光学装置のほか、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を用いる有機ＥＬ装置、無機ＥＬを用いる無機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等の発光型の電気光学装置に適用することが可能である。さらには、電気泳動ディスプレイ装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＥＰＤ）、フィールドエミッションディスプレイ装置（電界放出表示装置：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）等に用いてもよい。
【００４７】
また上述の実施の形態では、ＴＦＴ素子を備えたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例にして説明したが、パッシブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用することも可能である。また本発明は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードやＶＡＮ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ−Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード等、あらゆる駆動モードの液晶装置に対して適用することが可能である。また上述の実施の形態では、光入射側にＴＦＴアレイ基板２を配置し光出射側に対向基板３を配置したが、これとは逆に、光入射側に対向基板３を配置し光出射側にＴＦＴアレイ基板２を配置してもよい。
【００４８】
また、微小凹部を形成する機械的手段として押圧装置を例に挙げて説明したが、例えばローラ表面に均等に針を配設し、基板上を回転させることによって微小凹部を形成するなど、適宜他の機械的手段を用いて微小凹部を形成してもよい。
また、微小凹部を形成する工程と、ＴＦＴアレイ基板２および対向基板３を接合する工程はどちらを先に行っても構わない。
【００４９】
（電子機器）
次に、本発明の電気光学装置用基板の製造方法を用いた電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。  
図９は、携帯電話１００の全体構成を示す斜視図である。  
携帯電話１００は、筺体１０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部１０２、画像や動画、文字等を表示する表示部１０３を有する。表示部１０３には、本発明に係る電気工学装置用基板を備えた液晶装置１が搭載される。  
このように、生産工程における工数を削減し、生産効率を向上することができる液晶装置１を備えているので、電子機器（携帯電話）１００の生産性を向上することができる。
また、薄型で、かつ画素領域を透過した光の視野角を広くすることができる液晶装置１を備えているので、薄型で視認性の高い表示部１０３を備えた電子機器（携帯電話）１００を得ることができる。
【００５０】
上述した電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの場合にも電気的接続の信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
【００５１】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】液晶装置の全体構成図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面構成図。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る押圧装置の概略斜視図。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るエッチング処理における基材および微小凹部の侵食過程を示す概略拡大断面図。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の図２に対応する断面図。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る液晶装置の図２に対応する断面図。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る液晶装置の変形例１の断面図。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る液晶装置の変形例２の断面図。
【図９】本発明の実施の形態に係る液晶装置を用いた携帯電話の構成を示す図。
【符号の説明】
【００５３】
２  ＴＦＴアレイ基板（光入射側の基板）、２ａ  基材（基板）、３  対向基板（光出射側の基板）、３ａ  基材（基板）、８  画素領域、２５  透明な樹脂（第１基板よりも屈折率の大きい材料）、５０  押圧装置（機械的手段）、Ｄ  微小凹部、Ｌ  マイクロレンズ、Ｌ１  マイクロレンズ、Ｌ２  マイクロレンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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