(57)【要約】【課題】Ｈｉｇｈ−ｋ材は絶縁膜の抵抗値が小さいため、共通電極部または個別電極部での電圧降下が著しく大きくなって静電アクチュエータが正常に駆動しないという課題がある。そこで、Ｈｉｇｈ−ｋ材の抵抗値に対する個別電極または共通電極の抵抗値の関係を明らかにしてＨｉｇｈ−ｋ材の使用を可能にした静電アクチュエータ等を提供する。【解決手段】共通電極である振動板５と、この振動板に対向する電極（個別電極６）と、前記振動板の前記電極に対する電極側対向面に形成された絶縁膜７と、前記振動板を静電気力により変位させる駆動手段２０とを有する静電アクチュエータにおいて、前記絶縁膜が酸化シリコンよりも比誘電率の高い高誘電率膜からなり、前記振動板または前記電極の抵抗値と前記絶縁膜の抵抗値との比を一定値以下にすることにより、前記駆動手段によりアクチュエータ部に印加される電圧を入力電圧の９５％以上にする。【選択図】図２
2008273005.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通電極である振動板と、この振動板に対向する電極と、前記振動板の前記電極に対す
る電極側対向面に形成された絶縁膜と、前記振動板を静電気力により変位させる駆動手段
とを有する静電アクチュエータにおいて、
前記絶縁膜が酸化シリコンよりも比誘電率の高い高誘電率膜からなり、前記振動板また
は前記電極の抵抗値と前記絶縁膜の抵抗値との比を一定値以下にすることにより、前記駆
動手段によりアクチュエータ部に印加される電圧を入力電圧の９５％以上にすることを特
徴とする静電アクチュエータ。
【請求項２】
前記電極の厚みを大きくすることにより、前記電極の抵抗値を減少させることを特徴と
する請求項１記載の静電アクチュエータ。
【請求項３】
前記電極を低抵抗材料で形成することにより、前記電極の抵抗値を減少させることを特
徴とする請求項１または２記載の静電アクチュエータ。
【請求項４】
前記共通電極の端子部面積を大きくすることにより、前記振動板の抵抗値を減少させる
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の静電アクチュエータ。
【請求項５】
前記共通電極の端子部を低抵抗材料で形成することにより、前記振動板の抵抗値を減少
させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の静電アクチュエータ。
【請求項６】
液体流路中に設けられる吐出室の底部で形成される振動板を静電気力により変位させて
ノズル孔より液滴を吐出させる液滴吐出ヘッドにおいて、請求項１乃至５のいずれかに記
載の静電アクチュエータを備えることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項７】
請求項６記載の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェットヘッド等に用いられる静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド
及び液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液滴を吐出するための液滴吐出ヘッドとして、例えばインクジェット記録装置に搭載さ
れるインクジェットヘッドが知られている。インクジェットヘッドは、一般に、インク滴
を吐出するための複数のノズル孔が形成されたノズル基板と、このノズル基板に接合され
ノズル基板との間で上記ノズル孔に連通する吐出室、リザーバ等のインク流路が形成され
たキャビティ基板とを備え、駆動部により吐出室に圧力を加えることによりインク滴を選
択されたノズル孔より吐出するように構成されている。駆動手段としては、静電気力を利
用する方式や、圧電素子による圧電方式、発熱素子を利用する方式等がある。ここでは、
液滴を吐出させるために静電気力を利用する駆動方式を「静電アクチュエータ」と称する
ものとする。
【０００３】
インクジェットヘッドに用いられる静電アクチュエータは、一方の共通電極である振動
板と、これに対向して電極（個別電極）が配置され、両電極間に駆動手段によりパルス電
圧を印加することで静電気力を発生させ、これによって振動板を変位させることでインク
ジェットヘッドを駆動するようになっている。
一方、振動板には、静電アクチュエータの駆動時における絶縁破壊や短絡が生じるのを
防ぐために電極に対する対向面（電極側対向面）に絶縁膜を形成するのが一般的である。
【０００４】
ところで、インクジェット記録装置の性能を表す指標として、画質、印刷速度がある。
これらの指標を高める手段の一つとして、インクジェットヘッドのノズル密度を向上させ
ることである。静電駆動方式のインクジェットヘッドにおいて、ノズル密度を向上させる
と、ひとつの静電アクチュエータで発生させることができる圧力が減少してしまう。その
ため、静電アクチュエータの単位面積当たりに発生させる圧力を向上させることが必要に
なる。その手段として、絶縁膜に酸化シリコン（ＳｉＯ2）よりも比誘電率の高いＨｉｇ
ｈ−ｋ材（高誘電率ゲート絶縁膜）を用いた静電アクチュエータが提案されている（例え
ば、特許文献１参照）。
Ｈｉｇｈ−ｋ材の特徴としては、比誘電率が従来のＳｉＯ2に比べて上がる一方、絶縁
膜の抵抗値が減少してしまうという課題がある。絶縁膜の抵抗値が減少すると、共通電極
部または個別電極部での電圧降下が著しく大きくなるため、静電アクチュエータが正常に
駆動しないという課題がある。
【０００５】
また、特許文献２には個別電極及び共通電極を形成する材料の抵抗率をある値以下にす
ることが開示され、特許文献３には個別電極の電極部と端子部との間に設けられる引き出
し部分の材料を個別電極の電極部よりも抵抗値が低い金属材料で形成することが開示され
ている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２７１１８３号公報
【特許文献２】特開平８−１１８６２６号公報
【特許文献３】特開２００４−３５８８６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の特許文献１では、絶縁膜としてＨｉｇｈ−ｋ材を使用するものであるが、Ｈｉｇ
ｈ−ｋ材は絶縁膜の抵抗値が小さいため、共通電極部または個別電極部での電圧降下が著
しく大きくなって静電アクチュエータが正常に駆動しないという課題がある。
一方、特許文献２及び特許文献３は個別電極または共通電極単独での低抵抗化を目的と
したものであり、Ｈｉｇｈ−ｋ材の抵抗値との関係については何も開示されてない。
液滴吐出ヘッドの高密度化に伴って、Ｈｉｇｈ−ｋ材を絶縁膜に使用する場合は、Ｈｉ
ｇｈ−ｋ材の抵抗値に対する個別電極または共通電極の抵抗値の関係が静電アクチュエー
タを正常に駆動するうえで極めて重要になる。
【０００８】
本発明は、上記のような課題に鑑み、Ｈｉｇｈ−ｋ材の抵抗値に対する個別電極または
共通電極の抵抗値の関係を明らかにしてＨｉｇｈ−ｋ材の使用を可能にした静電アクチュ
エータを提供することを目的とする。また、かかる静電アクチュエータを備えることによ
り、高密度化・吐出特性の向上に資する液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供すること
を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため、本発明に係る静電アクチュエータは、共通電極である振動板
と、この振動板に対向する電極と、前記振動板の前記電極に対する電極側対向面に形成さ
れた絶縁膜と、前記振動板を静電気力により変位させる駆動手段とを有する静電アクチュ
エータにおいて、前記絶縁膜が酸化シリコンよりも比誘電率の高い高誘電率膜からなり、
前記振動板または前記電極の抵抗値と前記絶縁膜の抵抗値との比を一定値以下にすること
により、前記駆動手段によりアクチュエータ部に印加される電圧を入力電圧の９５％以上
にすることを特徴とする。
【００１０】
本発明では、振動板またはこれに対向する電極の抵抗値と絶縁膜の抵抗値との比を一定
値以下にすることである。これによって、アクチュエータ部に印加される電圧が入力電圧
の９５％以上である場合に、Ｈｉｇｈ−ｋ材を絶縁膜として使用可能である。なお、振動
板またはこれに対向する電極の抵抗値と絶縁膜の抵抗値との比はＨｉｇｈ−ｋ材の種類に
よって変化する。したがって、アクチュエータ部に印加される電圧が入力電圧の９５％以
上となるＨｉｇｈ−ｋ材を選定することになる。
【００１１】
また、振動板またはこれに対向する電極の抵抗値は、大きさや使用材料によって変化す
る。したがって、電極の厚みを大きくすることにより、または、電極を低抵抗材料で形成
することにより、電極の抵抗値を減少させる。
【００１２】
また、共通電極の端子部面積を大きくすることにより、または、共通電極の端子部を低
抵抗材料で形成することにより、振動板の抵抗値を減少させる。
【００１３】
本発明に係る液滴吐出ヘッドは、液体流路中に設けられる吐出室の底部で形成される振
動板を静電気力により変位させてノズル孔より液滴を吐出させる液滴吐出ヘッドにおいて
、上記のいずれかの静電アクチュエータを備えることを特徴とする。
本発明の液滴吐出ヘッドは、上記のいずれかの静電アクチュエータを備えたものである
ので、高密度化（多ノズル化）、小型化、及び吐出特性に優れた液滴吐出ヘッドを実現す
ることができる。
【００１４】
本発明に係る液滴吐出装置は、上記の液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴とする。
これにより、小型で高速、高繊細な印刷が可能なインクジェットプリンタ等の液滴吐出
装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を適用した静電アクチュエータを備える液滴吐出ヘッドの実施形態を図面
に基づいて説明する。ここでは、液滴吐出ヘッドの一例として、ノズル基板の表面に設け
られたノズル孔からインク滴を吐出するフェイス吐出型の静電駆動方式のインクジェット
ヘッドについて図１から図４を参照して説明する。なお、本発明は、以下の図に示す構造
、形状に限定されるものではなく、吐出室とリザーバ部が別々の基板に設けられた４枚の
基板を積層した４層構造のものや、基板の端部に設けられたノズル孔からインク滴を吐出
するエッジ吐出型の液滴吐出ヘッドにも同様に適用することができるものである。
【００１６】
図１は本発明の実施形態に係るインクジェットヘッドの概略構成を分解して示す分解斜
視図であり、一部を断面で表してある。図２は組立状態における図１の右半分の概略構成
を示すインクジェットヘッドの断面図、図３は図２のＡ−Ａ拡大断面図、図４は図２のイ
ンクジェットヘッドの上面図である。
本実施形態に示すインクジェットヘッド１０は、図１〜図４に示すように、複数枚（こ
こでは３枚）の基板１、２、３を貼り合わせて構成される積層構造体となっており、複数
のノズル孔１１が所定のピッチで設けられたノズル基板１と、各ノズル孔１１に対して独
立にインク流路が形成されたキャビティ基板２と、各インク流路に設けられた吐出室１２
の底部をなす振動板５に対向して個別電極６が配置された電極基板３とを貼り合わせるこ
とで構成されている。
【００１７】
ここで、振動板５はエッチングストップ技術を用いて厚み精度を出すために、振動板５
と同じ厚み（例えば、０．８μｍ）をもつ高濃度ボロン拡散層により形成されている。振
動板５の幅は約２６μｍとなっている。そして、この振動板５の下面すなわち個別電極６
と対向する対向面（電極側対向面）には絶縁膜７が、酸化シリコン（ＳｉＯ2）よりも比
誘電率の高い高誘電率膜で形成されている。
【００１８】
酸化シリコンよりも比誘電率の高い誘電材料、すなわちいわゆるＨｉｇｈ−ｋ材と呼ば
れる高誘電率材料としては、例えば酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａ
ｌ2Ｏ3、アルミナ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ3）、窒化ハ
フニウムシリケート（ＨｆＳｉＮ）、酸窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯＮ）、窒
化アルミ（ＡｌＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化セリウム（ＣｅＯ2）、酸化チ
タン（ＴｉＯ2）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、ジルコニウムシリケート（ＺｒＳｉＯ
）、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ）、ジルコニウムアルミネート（ＺｒＡｌＯ）、
窒素添加ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌＯＮ）、及びこれらの複合膜（例えば、ハフ
ニウムアルミネート（ＨｆｘＡｌｙＯｚ））、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）
等の強誘電体を挙げることができる。その中でも膜の低温成膜性、膜の均質性、プロセス
適応性等を考慮した場合、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3、アルミナ）、酸化ハフニウム（
ＨｆＯ2）、窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＮ）、酸窒化ハフニウムシリケート（
ＨｆＳｉＯＮ）、ハフニウムアルミネート（ＨｆｘＡｌｙＯｚ）を使用することが望まし
い。
【００１９】
個別電極６は、例えば硼珪酸系のガラス基板の表面にエッチングにより区画形成された
凹部２２内に、電極材料としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）や銅（ｃｕ）、クロム（Ｃｒ
）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）等の良導体をスパッタし、そのスパ
ッタ膜をパターニングすることで形成される。また、電極基板３には不図示のインクタン
クに接続されるインク供給口１８が形成される。インク供給口１８は下記のリザーバ１４
に連通する貫通孔により形成される。
キャビティ基板２は、例えば結晶面方位が（１１０）の単結晶のシリコン基板からなり
、シリコン基板の異方性ウェットエッチングにより吐出室１２（底壁が振動板５）となる
凹部１３と、リザーバ（共通インク室）１４となる凹部１５が形成される。
ノズル基板１は、例えば単結晶のシリコン基板からなり、シリコン基板のドライエッチ
ングにより同心状２段の穴径をもつノズル孔１１と、上記リザーバ１４と各吐出室１２と
を連通するための細溝状の供給口１６が形成される。さらに、リザーバ１４に対応する位
置にはウェットエッチングによりダイヤフラム部１７が形成される。なお、供給口１６は
キャビティ基板２のリザーバ１４と各吐出室１２間の隔壁上に形成してもよい。
【００２０】
そして、上記の電極基板３とキャビティ基板２は陽極接合され、さらにキャビティ基板
２の上にノズル基板１が接着により接合される。また、振動板５と個別電極６間のギャッ
プＧの開放端部をエポキシ系接着剤等の封止材１９により気密に封止する。さらに、図２
、図４に模式的に示すように、ドライバＩＣ等の駆動手段２０を搭載したＦＰＣを導電性
接着剤により各個別電極６の端子部６ａと、キャビティ基板２上に設けられた金属製の共
通電極端子部２１に配線接続する。また、共通電極端子部２１の面積を大きくすることに
より振動板５の抵抗値を下げることができる。以上のようにしてインクジェットヘッド１
０が完成する。
【００２１】
このインクジェットヘッド１０における静電アクチュエータ４は、共通電極の振動板５
と、この振動板５の下面（電極側対向面）に形成された高誘電率膜からなる絶縁膜７と、
振動板５にギャップＧを介して対向配置された個別電極６と、振動板５を静電気力により
変位させる駆動手段２０とにより構成されている。ギャップＧの距離は例えば１１０ｎｍ
で設計されている。
したがって、任意のノズル孔１１よりインク滴を吐出させるためには、そのノズル孔１
１に対応する静電アクチュエータ４を以下のように駆動する。
駆動手段２０により当該個別電極６と共通電極である振動板５間にパルス電圧を印加す
ると、これによって発生する静電気力により振動板５が個別電極６側に引き寄せられて吸
着し、吐出室１２内に負圧を発生させ、リザーバ１４内のインクを吸引し、インクの振動
（メニスカス振動）を発生させる。このインクの振動が最大となった時点で、電圧を解除
すると、振動板５は離脱して、その時の振動板５の復元力によりインクを当該ノズル孔１
１から押出し、インク滴を吐出する。
【００２２】
このように、静電アクチュエータ４によるインクジェットヘッド１０は電圧を印加する
と、振動板５及び個別電極６に帯電した電荷を静電エネルギーに変換して、それを放出す
ることによりインク滴を吐出するので、静電エネルギーが大きいほど、吐出速度を速くす
ることができる。
ここで、静電エネルギーＵは、式（１）で表される。ここに、Ｖａは静電アクチュエー
タ部に印加される電圧、Ｖは排除体積、ε0は真空の誘電率、εは絶縁膜７の比誘電率、
ｔｓは絶縁膜７の厚み、Ｇはギャップ量である。
【００２３】
【数１】
2008273005.tif 000003
【００２４】
式（１）から、絶縁膜７の比誘電率εを大きくすると、静電エネルギーＵが増加するこ
とがわかる。そこで、本実施形態では、比誘電率が大きいＨｉｇｈ−ｋ材を絶縁膜７の材
料として適用する。しかしながら、Ｈｉｇｈ−ｋ材は従来のＳｉＯ2に比べて絶縁膜とし
ての抵抗値が小さいため、共通電極である振動板部や個別電極部における電圧降下が大き
くなり、静電アクチュエータ４に印加される電圧が小さくなってしまう。図５に静電アク
チュエータの駆動回路を示す。
図５において、静電アクチュエータ４に印加される電圧Ｖａは、式（２）で表される。
ここに、Ｅは入力電圧、Ｒsegはセグメントの抵抗値、Ｒｉは個別電極の抵抗値、Ｒcomは
共通電極（振動板）の抵抗値、Ｒａは絶縁膜の抵抗値、Ｎは駆動アクチュエータの数であ
る。
式（２）より、共通電極部及び個別電極部の抵抗値を絶縁膜の抵抗値に対する比をある
値以下にすることにより、静電アクチュエータ４に印加される電圧Ｖａを入力電圧Ｅに近
い値に確保することが可能となる。
【００２５】
【数２】
2008273005.tif 000004
【００２６】
一般に、Ｒseg＜＜Ｒｉであるため、Ｒsegの抵抗値は無視して考える。式（２）よりア
クチュエータ部の電圧を確保するためには、Ｒｉ／ＲａとＲcom／Ｒａの値を小さくする
ことが必要である。
絶縁膜の種類が変わるとＲａの値が変化するため、各絶縁膜においてＲｉ、Ｒcomの値
を調整してＶａの値を確保する。
Ｒｉ、Ｒcomの値を減少させる手段としては、
（ａ）電極の材料を低抵抗材料に変更する
（ｂ）電極の厚みを大きくする
という手段が挙げられる。
（ａ）については、低抵抗材料としてＡｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｃｒ等の金属材料やＩＴＯ等
の無機化合物を用いることである。
（ｂ）に関しては、抵抗値ｒは一般に
ｒ＝ρＬ／Ｓ                （３）
と表せる。ここに、ρは比抵抗［Ωｍ］、Ｌは抵抗長さ［ｍ］、Ｓは抵抗の断面積［ｍ2
］である。
【００２７】
図６に、静電アクチュエータの従来構造と本実施形態の構造を比較した模式図を示す。
ここでは例えば個別電極の厚みを増すことによりＲｉの値を減少させる。これによって、
絶縁膜にＨｉｇｈ−ｋ材を適用してもアクチュエータ部の電圧を確保することが可能とな
り、ノズル密度の高密度化が可能となる。
【００２８】
図７は、絶縁膜抵抗値と電圧印加率の関係を示したグラフと表である。電圧印加率は次
式により計算した値である。また、絶縁膜の厚みは８０ｎｍとしている。
電圧印加率＝（アクチュエータに印加される電圧）÷（入力電圧）×１００［％］
図７から、従来のＳｉＯ2に代えてＨｉｇｈ−ｋ材を適用しただけの構造では電圧印加
率が著しく低い値となり、適用が困難である。
【００２９】
図８は、電圧印加率と個別電極の抵抗値の関係を示したグラフと表である。縦軸はアク
チュエータ（Ａｃｔ）に印加される電圧の割合、すなわち上記の電圧印加率である。横軸
は従来の個別電極の抵抗値を１としたときの個別電極の抵抗値の比である。また、共通電
極（振動板）の抵抗値は従来と同じとしており、Ｈｉｇｈ−ｋ材はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）
の場合である。
したがって、絶縁膜にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を適用する場合、電圧印加率を９５％以上
確保するためには、個別電極の抵抗値の比が０．１３以下、すなわち個別電極の大きさ（
厚み）を１／０．１３＝約７．７倍以上にする必要がある。
【００３０】
図９は、共通電極（振動板）の抵抗値を従来の１／４にしたときの電圧印加率と個別電
極の抵抗値の関係を示したグラフと表である。縦軸はアクチュエータ（Ａｃｔ）に印加さ
れる電圧の割合、すなわち上記の電圧印加率である。横軸は従来の個別電極の抵抗値を１
としたときの個別電極の抵抗値の比である。また、Ｈｉｇｈ−ｋ材はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3
）の場合である。
さらに、共通電極の抵抗値を例えば従来の１／４にした場合、電圧印加率を９５％以上
確保するためには、個別電極の抵抗値の比が約０．２０以下、すなわち大きさ（厚み）を
１／０．２０＝約５倍以上にすればよい。例えば、個別電極がＩＴＯの場合は厚みを５０
０ｎｍ以上とすればよく、ＡｌやＣｕ等の良導体の場合はさらに薄くすることが可能であ
る。
【００３１】
以下に、Ｈｉｇｈ−ｋ材の絶縁膜を適用する際の手順を示す。
（１）Ｈｉｇｈ−ｋ材の各絶縁膜について、膜厚と抵抗値Ｒａの関係を調査する。
（２）シリコン基板上に上記絶縁膜を成膜し、その絶縁膜の抵抗値Ｒａを測定する。
（３）上記抵抗値Ｒａの測定値に基づいて、図８のグラフを作成し、電圧印加率が９５％
以上となる領域に必要なＲｉ、Ｒcomの値があるかを調査する。
（４）ガラス基板上に個別電極を成膜し、個別電極の抵抗値Ｒｉ（または厚み）を測定す
る。
（５）個別電極の抵抗値Ｒｉが既定値よりも大きい場合は再度成膜する。小さい場合は、
共通電極の抵抗値Ｒcomを測定する。
（６）共通電極、個別電極の値が図８において、電圧印加率が９５％以上となる領域にあ
るかを調査する。
（７）（６）にて目標達成していれば、アクチュエータ部の諸元を決定する。
【００３２】
以上のように、絶縁膜の抵抗値に比べて個別電極の抵抗値を十分に小さくすることによ
り、個別電極部での電圧降下が減少してアクチュエータを正常に駆動することができる。
したがって、様々なＨｉｇｈ−ｋ材からなる絶縁膜の利用が可能となり、インクジェット
ヘッドの高密度化が可能となる。
その一方、絶縁膜の抵抗値が高いものに関しては、個別電極及び共通電極の抵抗値を減
少させる必要がなく、インクジェットヘッドの小型化が可能となる。
【００３３】
また、絶縁膜７が前述したアルミナ等のＨｉｇｈ−ｋ材で形成されているので、比誘電
率が酸化シリコンの約３．８に対し７．９程度と大きいため、前記特許文献１に示すよう
に静電アクチュエータの発生圧力を高めることが可能となる。したがって、振動板５の面
積を小さくしてもインク滴の吐出に必要なパワーを得ることが可能となる。このため、イ
ンクジェットヘッド１０において振動板５の幅を小さくして、吐出室１２のピッチ、すな
わちノズルのピッチを小さくすることにより解像度を上げることができ、より高精細な印
刷を高速で行うことのできるインクジェットヘッド１０を得ることができる。さらに振動
板５の長さを短くすることにより、インク流路における応答性を向上して駆動周波数を上
げることができ、より高速の印刷を行うことが可能となる。さらに、絶縁膜７の比誘電率
を全体として２倍にすれば、絶縁膜７の厚さを２倍にしてもほぼ同じ発生圧力が得られる
ため、静電アクチュエータにおけるＴＤＤＢ（Time Depend Dielectric Breakdown、長時
間の絶縁破壊強度）、ＴＺＤＢ（Time Zero Dielectric Breakdown、瞬間における絶縁破
壊強度）等の耐絶縁破壊強度をほぼ２倍にすることが可能である。
【００３４】
上記実施形態では、静電アクチュエータおよびインクジェットヘッドについて述べたが
、本発明は上記の実施形態に限定されるものでなく、本発明の思想の範囲内で種々変更す
ることができる。例えば、本発明の静電アクチュエータは、光スイッチやミラーデバイス
、マイクロポンプ、レーザプリンタのレーザ操作ミラーの駆動部などにも利用することが
できる。また、ノズル孔より吐出される液状材料を変更することにより、インクジェット
プリンタのほか、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機ＥＬ表示装置の発光部
分の形成、遺伝子検査等に用いられる生体分子溶液のマイクロアレイの製造など様々な用
途の液滴吐出装置として利用することができる。
【００３５】
例えば、図１０は本発明のインクジェットヘッドを備えるインクジェットプリンタの概
要を示すものである。
このインクジェットプリンタ５００は、記録紙５０１を副走査方向Ｙに向けて搬送する
プラテン５０２と、このプラテン５０２にインクノズル面が対峙しているインクジェット
ヘッド１０と、このインクジェットヘッド１０を主走査方向Ｘに向けて往復移動させるた
めのキャリッジ５０３と、インクジェットヘッド１０の各インクノズルにインクを供給す
るインクタンク５０４とを有している。
したがって、高解像度、高速駆動の小型インクジェットプリンタを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施形態に係るインクジェットヘッドの概略構成を示す分解斜視図。
【図２】組立状態における図２の右半分の概略構成を示すインクジェットヘッドの断面図。
【図３】図２のＡ−Ａ拡大断面図。
【図４】図２のインクジェットヘッドの上面図。
【図５】静電アクチュエータの駆動回路図。
【図６】静電アクチュエータの従来構造と本実施形態の構造を比較した模式図。
【図７】絶縁膜抵抗値と電圧印加率の関係を示したグラフと表。
【図８】電圧印加率と個別電極の抵抗値の関係を示したグラフと表。
【図９】共通電極の抵抗値を従来の１／４にしたときの電圧印加率と個別電極の抵抗値の関係を示したグラフと表。
【図１０】本発明のインクジェットヘッドを適用したインクジェットプリンタの一例を示す概略斜視図。
【符号の説明】
【００３７】
１  ノズル基板、２  キャビティ基板、３  電極基板、４  静電アクチュエータ、５  
振動板、６  個別電極、７  絶縁膜、１０  インクジェットヘッド、１１  ノズル孔、１
２  吐出室、１４  リザーバ、１６  供給口、１７  ダイヤフラム部、１８  インク供給
口、１９  封止材、２０  駆動手段、２１  共通電極端子部、２２  凹部。
【図１】
2008273005.tif 000005
【図２】
2008273005.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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