(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素部における電位の変動を抑制し、消費電力を低減する。【解決手段】電気光学装置は、画素部（７００）毎に設けられた第１電極（９）及び第２電極（２１）と、画像信号供給回路（６、１０１、７）と、画素スイッチング素子（３０）と、走査線駆動回路（１０４）とを備える。更に、走査線（１１）に夫々対応して設けられ、対応する走査線に沿って配列された画素部に設けられた第２電極のグループ毎に共通に夫々電気的に接続された複数の共通配線（５１０）と、画素スイッチング素子がオン状態とされるタイミングと同時、又は該オン状態とされるタイミングよりも遅いタイミングで、第２電極が対をなす第１電極と異なる極性となるように、複数の共通配線の各々に対して個別に、共通電位信号を極性反転させつつ供給する共通電位供給回路（９１０）とを備える。【選択図】図２
2008180761.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を挟持する一対の第１及び第２基板と、
前記第１基板上の表示領域で互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、
前記第１基板上の前記交差に対応する画素部毎に設けられた第１電極と、
前記第１基板上の前記画素部毎に設けられ、前記第１電極と対をなす第２電極と、
前記データ線に、画像信号を、基準電位に対して極性反転させつつ供給する画像信号供給回路と、
前記第１基板上の前記画素部毎に設けられ、前記データ線から前記第１電極へ供給される前記画像信号をスイッチング制御するための画素スイッチング素子と、
前記走査線に、前記画素スイッチング素子をオフ状態からオン状態に切り換える走査信号を供給する走査線駆動回路と、
前記走査線に夫々対応して設けられ、前記対応する走査線に沿って配列された画素部に設けられた第２電極のグループ毎に共通に夫々電気的に接続された複数の共通配線と、
前記画素スイッチング素子がオン状態とされるタイミングと同時、又は該オン状態とされるタイミングよりも遅いタイミングで、前記第２電極が前記対をなす第１電極と異なる極性となるように、前記複数の共通配線の各々に対して個別に、共通電位信号を、前記基準電位に対して極性反転させつつ供給する共通電位供給回路と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記共通電位供給回路は、前記走査信号に応じて前記共通電位信号を極性反転させる第１の極性反転回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画像信号供給回路は、
前記画像信号を供給する画像信号線と、
該画像信号線を介して供給される前記画像信号をサンプリング信号に応じてサンプリングすることによって前記画像信号を前記データ線に供給すると共に、前記データ線への前記画像信号の供給に先行する期間のうちプリチャージ期間に、プリチャージ信号線を介して供給され前記データ線をプリチャージするためのプリチャージ信号を、前記プリチャージ期間を規定するプリチャージ期間選択信号に応じて前記データ線に供給する複数のサンプリング用スイッチング素子を含むサンプリング回路と、
前記サンプリング信号を前記複数のサンプリング用スイッチング素子の各々に供給するデータ線駆動回路と
を備え、
前記共通電位供給回路は、前記サンプリング用スイッチング素子がオン状態とされるタイミングと同時、又は該オン状態とされるタイミングよりも遅いタイミングで、前記複数の共通配線の各々に対して個別に、前記共通電位信号を、前記基準電位に対して極性反転させつつ供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記共通電位供給回路は、前記走査信号及び前記プリチャージ期間選択信号に応じて前記共通電位信号を極性反転させる第２の極性反転回路を含むことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなる電子機器。
【請求項６】
電気光学物質を挟持する一対の第１及び第２基板と、前記第１基板上の表示領域で互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、前記第１基板上の前記交差に対応する画素部毎に設けられた第１電極と、前記第１基板上の前記画素部毎に設けられ、前記第１電極と対をなす第２電極と、前記データ線に画像信号を供給する画像信号供給回路と、前記第１基板上の前記画素部毎に設けられ、前記データ線から前記第１電極へ供給される前記画像信号をスイッチング制御するための画素スイッチング素子と、前記走査線に、前記画素スイッチング素子をオフ状態からオン状態に切り換える走査信号を供給する走査線駆動回路と、前記走査線に夫々対応して設けられ、前記対応する走査線に沿って配列された画素部に設けられた第２電極のグループ毎に共通に夫々電気的に接続された複数の共通配線と、前記複数の共通配線の各々に共通電位信号を供給する共通電位供給回路とを備えた電気光学装置を駆動する電気光学装置の駆動方法であって、
前記画像信号を、基準電位に対して極性反転させつつ前記データ線に供給する工程と、
前記共通電位信号を、前記画素スイッチング素子がオン状態とされるタイミングと同時、又は該オン状態とされるタイミングよりも遅いタイミングで、前記第２電極が前記対をなす第１電極と異なる極性となるように、前記基準電位に対して極性反転させつつ前記複数の共通配線の各々に対して個別に供給する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその駆動方法、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置によれば、一対の素子基板及び対向基板間に、電気光学物質の一例である液晶が挟持されることにより構成される。素子基板上における複数の画素が配列されてなる画素領域には、走査線及びデータ線の交差に対応して画素電極を含む画素部が形成されることにより、複数の画素部がマトリクス状に平面配列される。そして、各画素部には、画素スイッチング素子として、例えば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下適宜、「ＴＦＴ」と称する）が含まれる。電気光学装置の駆動時、各画素部において、走査線より走査信号が供給されることにより画素スイッチング素子がオン状態となると、データ線より画素スイッチング素子を介して画素電極に画像信号が供給される。
【０００３】
他方、対向基板において素子基板と対向する側には、典型的には、画素領域の概ね全体に、複数の画素部に共通に対向電極がベタ状に形成される。電気光学装置の駆動時、対向電極は所定電位に維持され、各画素部では、画素電極及び対向電極間の電位差に基づく印加電圧が液晶に印加される。この際、例えば、画像信号は、基準電位に対して、正極性及び負極性のいずれかに極性反転されて画素電極に供給されると共に、対向電極の電位は、画像信号の極性反転に同期して基準電位に対して極性反転されて、画像信号の電位と異なる極性となるように駆動される。尚、本明細書ではこのような駆動方法を、反転駆動の一種である「コモン振り駆動」と称して説明することもある。
【０００４】
より具体的には、このようなコモン振り駆動によれば、走査線に沿って配列された同一行の画素電極を同一極性の電位で、且つ相隣接する行の画素電極を互いに異なる極性の電位で駆動しつつ、係る電位極性を行毎にフレーム又はフィールド周期（即ち１垂直期間周期或いは１垂直走査周期）で反転させる、所謂「ライン反転駆動」が行われる。或いは画素領域の複数の画素部において夫々、画素電極を同一極性の電位で駆動しつつ、係る電位極性を１垂直期間周期で反転させる、所謂「面反転駆動」が行われることもある。この面反転駆動においても、ライン反転駆動と同様に、例えば行毎に、画素電極の電位が線順次に極性反転されることとなる。
【０００５】
このようなコモン振り駆動に関して、例えば特許文献１では、対向電極を走査線に平行に分割し、該平行に分割された対向電極毎に電位を制御する技術が提案されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平５−２４１１２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したようなコモン振り駆動によれば、対向電極の電位の極性反転のタイミングと、各画素部における画素電極の電位の極性反転のタイミングとは互いに異なり、一般的には、対向電極の電位の極性反転が行われた後に、各画素部における画素電極の電位の極性反転が行われる。このため、対向電極の電位の極性反転が行われる際、各画素部では、対向電極の電位変動に伴い、液晶による容量カップリングによって、画素電極の電位も変動してしまうおそれがある。よって、各画素部では、画素スイッチング素子における、ソース−ドレイン間耐圧特性、オフ電流特性等の素子特性を高める必要がある。言い換えれば、画素スイッチング素子を駆動する駆動電圧を高める必要がある。この結果、当該電気光学装置を駆動する際の消費電力が増大してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
【０００８】
また、上述した特許文献１による技術では、対向基板側に、走査線に平行に分割された電極や該電極の電位を制御するための制御回路を設ける必要がある。更に、対向電極の電位の極性反転は、データ線の電位をリセットするリセット期間に行われており、該リセット期間を設ける必要がある。
【０００９】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、容量カップリングに起因する画素部における電位の変動を抑制でき、消費電力の低減を可能とする電気光学装置及びその駆動方法並びに該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、電気光学物質を挟持する一対の第１及び第２基板と、前記第１基板上の表示領域で互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、前記第１基板上の前記交差に対応する画素部毎に設けられた第１電極と、前記第１基板上の前記画素部毎に設けられ、前記第１電極と対をなす第２電極と、前記データ線に、画像信号を、基準電位に対して極性反転させつつ供給する画像信号供給回路と、前記第１基板上の前記画素部毎に設けられ、前記データ線から前記第１電極へ供給される前記画像信号をスイッチング制御するための画素スイッチング素子と、前記走査線に、前記画素スイッチング素子をオフ状態からオン状態に切り換える走査信号を供給する走査線駆動回路と、前記走査線に夫々対応して設けられ、前記対応する走査線に沿って配列された画素部に設けられた第２電極のグループ毎に共通に夫々電気的に接続された複数の共通配線と、前記画素スイッチング素子がオン状態とされるタイミングと同時、又は該オン状態とされるタイミングよりも遅いタイミングで、前記第２電極が前記対をなす第１電極と異なる極性となるように、前記複数の共通配線の各々に対して個別に、共通電位信号を、前記基準電位に対して極性反転させつつ供給する共通電位供給回路とを備える。
【００１１】
本発明の電気光学装置において、一対の第１及び第２基板は、例えば液晶である電気光学物質を介して、互いに対向配置される。第１基板における第２基板と対向する側の表示領域には、複数の走査線及び複数のデータ線が互いに交差するように設けられ、該交差に対応して複数の画素部が、例えばマトリクス状に配列される。各画素部には、第１電極が設けられると共にデータ線から第１電極へ供給される画像信号をスイッチング制御するための画素スイッチング素子が設けられる。画素スイッチング素子は、例えばＴＦＴである。画素スイッチング素子は、走査線駆動回路から供給される走査信号によってオン状態及びオフ状態が切り換えられる。第１電極は、画像信号供給回路から画像信号がデータ線及び画素スイッチング素子を介して供給されることで、所定電位となる。
【００１２】
更に、各画素部には、第１電極と対をなす第２電極が設けられる。各第２電極は、第１基板上に設けられる。即ち、第１電極及び第２電極は、互いに同一の基板上に設けられる。
【００１３】
第１基板上には、複数の共通配線が、複数の走査線に夫々対応して設けられる。共通配線は、典型的には、各走査線に対応して１本ずつ、該対応する走査線に沿って設けられる。各共通配線は、対応する走査線に沿って配列された画素部に設けられた第２電極のグループ毎に共通に電気的に接続される。即ち、各共通配線は、例えば、マトリクス状に配列された複数の画素部毎に設けられることでマトリクス状に配列された複数の第２電極のうち対応する走査線に沿って配列された同一行の第２電極の各々に電気的に接続される。複数の第２電極は、同一行毎に、共通電位供給回路から共通電位信号が共通配線を介して供給されることで、所定電位となる。
【００１４】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、各画素部において、電気光学物質には、画像信号に応じた、第１電極及び第２電極の電位差に相当する印加電圧が印加されることにより、画像表示が行われる。ここで、本発明では、第１電極及び第２電極は、いずれも第１基板上に形成されるため、第１電極及び第２電極間の電位差に起因して、基板面に対して並行方向（即ち、基板面に沿った方向）の電界、所謂「横電界」によって、電気光学物質に対して、画像信号に応じた印加電圧が印加される。第１電極及び第２電極間には、これら電極間に挟持される例えば液晶である電気光学物質において、例えば液晶保持容量等の保持容量が形成される。
【００１５】
この際、本発明では、画像信号は、画像信号供給回路によって所定周期で基準電位に対して高位側の正極性と低位側の負極性とで極性反転されつつデータ線へ供給され、更に画素スイッチング素子を介して第１電極へ供給される。より具体的には、本発明では、走査線に沿って配列された同一行の第１電極を同一極性の電位で、且つ相隣接する行の第１電極を互いに異なる極性の電位で駆動する、所謂「ライン反転駆動」が行われる。或いは表示領域の複数の画素部において夫々、第１電極を同一極性の電位で駆動しつつ、係る電位極性を１垂直期間周期で反転させる、所謂「面反転駆動」が行われることもある。この面反転駆動においても、ライン反転駆動と同様に、例えば行毎に、第１電極の電位が線順次に極性反転されることとなる。
【００１６】
本発明では特に、共通電位供給回路は、画素スイッチング素子がオン状態とされるタイミングと同時、又は該オン状態とされるタイミングよりも遅い或いは後のタイミングで、第２電極が当該第２電極と対をなす第１電極と異なる極性となるように、複数の共通配線の各々に対して個別に、共通電位信号を、基準電位に対して極性反転させつつ供給する。よって、各画素部において、第２電極がオン状態とされた画素スイッチング素子を介してデータ線に電気的に接続された状態となったタイミングと同時又はその後のタイミングで、第２電極に供給される共通電位信号は、第２電極の電位が第１電極と異なる電位となるように、基準電位に対して正極性及び負極性のいずれかに極性反転される。従って、各画素部おいて、第２電極の電位の変動に伴い、電気光学物質における保持容量による容量カップリングによって、第１電極の電位も変動してしまうことを低減或いは防止できる。このため、画素スイッチング素子として、ソース−ドレイン間耐圧特性、オフ電流特性等の素子特性が比較的低いトランジスタを用いることが可能となる。
【００１７】
即ち、仮に、上述したようなコモン振り駆動で一般的に行われるのと同様に、画素スイッチング素子がオン状態とされるタイミングよりも早い或いは前のタイミングで、第２電極が当該第２電極と対をなす第１電極と異なる極性となるように、共通電位信号を、基準電位に対して極性反転させつつ第２電極に供給する場合には、第２電極の電位の変動に伴い、電気光学物質における保持容量による容量カップリングによって、第１電極の電位が変動してしまうおそれがある。よって、画素スイッチング素子のソース−ドレイン間の電圧は、例えば、画像信号の電位の基準電位に対する振幅の２倍程度に大きくなってしまうおそれがあるため、画素スイッチング素子としては、ソース−ドレイン間耐圧が画像信号の電位の基準電位に対する振幅の２倍以上のトランジスタを用いる必要がある。しかるに本発明では特に、上述したように、画素スイッチング素子がオン状態とされるタイミングと同時、又は該オン状態とされるタイミングよりも遅いタイミングで、第２電極が当該第２電極と対をなす第１電極と異なる極性となるように、共通電位信号を、基準電位に対して極性反転させつつ第２電極に供給するので、第１電極の電位が変動してしまうことを低減或いは防止できる。即ち、第２電極の電位が極性反転されるタイミングでは、該第２電極と対をなす第１電極は、オン状態とされた画素スイッチング素子を介してデータ線に電気的に接続されており、データ線から供給される画像信号の電位に維持される。よって、第１電極は、第２電極の電位の変動に伴う、容量カップリングに起因した電位の変動を殆ど或いは全く生じない。このため、画素スイッチング素子として、ソース−ドレイン間耐圧特性等の素子特性が比較的低いトランジスタを用いることが可能となる。この結果、画素スイッチング素子をオフ状態からオン状態に切り換える走査信号の電位を低下させることができる。即ち、走査信号を供給する走査線駆動回路の駆動電圧を低下させることができる。よって、当該電気光学装置を駆動する際の消費電力を低減することが可能となる。
【００１８】
更に、走査信号の電位を低下させることができるので、画素スイッチング素子として、高速なトランジスタを用いることが可能となり、トランジスタを製造する製造コストも低減可能である。
【００１９】
加えて、本発明では特に、第１電極及び第２電極は、いずれも第１基板上に設けられているので、走査線駆動回路、画像信号供給回路、共通電位供給回路等の制御回路を第１基板上に設けることで、第１基板及び第２基板間の電気的な導通をとる必要がない。よって、当該電気光学装置を製造する製造コストを低減できる。
【００２０】
尚、本発明では特に、上述したように、共通電位信号を基準電位に対して極性反転させるタイミングを、画素スイッチング素子がオン状態とされるタイミングと同時、又は該オン状態とされるタイミングよりも遅いタイミングとするので、例えばデータ線の電位をリセットするリセット期間などの特定期間を設定する必要がない。
【００２１】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記共通電位供給回路は、前記走査信号に応じて前記共通電位信号を極性反転させる第１の極性反転回路を含む。
【００２２】
この態様によれば、例えば、第１の極性反転回路は、複数の走査線毎に１つずつ設けられたフリップフロップ回路として構成され、該フリップフロップ回路のワード線に走査信号が供給され、該フリップフロップ回路の出力線が共通配線に電気的に接続される。よって、共通電位信号を基準電位に対して極性反転させるタイミングを、確実に、画素スイッチング素子がオン状態とされるタイミングと同時、又は該オン状態とされるタイミングよりも遅いタイミングとすることができる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画像信号供給回路は、前記画像信号を供給する画像信号線と、該画像信号線を介して供給される前記画像信号をサンプリングすることによって前記画像信号を前記データ線に供給すると共に、前記データ線への前記画像信号の供給に先行する期間のうちプリチャージ期間に、プリチャージ信号線を介して供給されると共に前記データ線をプリチャージするためのプリチャージ信号を、前記プリチャージ期間を規定するプリチャージ期間選択信号に応じて前記データ線に供給する複数のサンプリング用スイッチング素子を含むサンプリング回路を備え、前記共通電位供給回路は、前記サンプリング用スイッチング素子がオン状態とされるタイミングと同時、又は該オン状態とされるタイミングよりも遅いタイミングで、前記複数の共通配線の各々に対して個別に、前記共通電位信号を、前記基準電位に対して極性反転させつつ供給する。
【００２４】
この態様によれば、共通電位供給回路は、サンプリング用スイッチング素子がオン状態とされるタイミングと同時、又は該オン状態とされるタイミングよりも遅いタイミングで、複数の共通配線の各々に対して個別に、共通電位信号を、基準電位に対して極性反転させつつ第２電極に供給するので、データ線の電位が変動してしまうことを低減或いは防止できる。即ち、第２電極の電位が極性反転されるタイミングでは、各データ線は、オン状態とされたサンプリング用スイッチング素子を介してプリチャージ信号線に電気的に接続されており、プリチャージ信号線から供給されるプリチャージ信号の電位に維持される。よって、データ線は、第２電極の電位の変動に伴う、容量カップリングに起因した電位の変動を殆ど或いは全く生じない。このため、サンプリング用スイッチング素子として、ソース−ドレイン間耐圧特性等の素子特性が比較的低いトランジスタを用いることが可能となる。この結果、サンプリング用スイッチング素子をオフ状態からオン状態に切り換えるサンプリング信号の電位を低下させることができる。即ち、サンプリング信号を供給するデータ線駆動回路の駆動電圧を低下させることができる。よって、当該電気光学装置を駆動する際の消費電力をより一層低減することが可能となる。
【００２５】
尚、画像信号線は、プリチャージ信号線と兼用されてもよい。即ち、画像信号線を介してプリチャージ信号が供給されるように構成してもよい。
【００２６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記共通電位供給回路は、前記走査信号及び前記プリチャージ期間選択信号に応じて前記共通電位信号を極性反転させる第２の極性反転回路を含む。
【００２７】
この態様によれば、例えば、第２の極性反転回路は、複数の走査線毎に１つずつ設けられたフリップフロップ回路として構成され、該フリップフロップ回路のワード線に走査信号及びプリチャージ期間選択信号の論理積として生成された論理信号が供給され、該フリップフロップ回路の出力線が共通配線に電気的に接続される。よって、共通電位信号を基準電位に対して極性反転させるタイミングを、確実に、画素スイッチング素子がオン状態とされるタイミングと同時、又は該オン状態とされるタイミングよりも遅いタイミングであって、サンプリング用スイッチング素子がオン状態とされるタイミングと同時、又は該オン状態とされるタイミングよりも遅いタイミングとすることができる。
【００２８】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、各種態様を含む）を具備してなる。
【００２９】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、消費電力が低減された、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００３０】
本発明に係る電気光学装置の駆動方法は上記課題を解決するために、電気光学物質を挟持する一対の第１及び第２基板と、前記第１基板上の表示領域で互いに交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、前記第１基板上の前記交差に対応する画素部毎に設けられた第１電極と、前記第１基板上の前記画素部毎に設けられ、前記第１電極と対をなす第２電極と、前記データ線に画像信号を供給する画像信号供給回路と、前記第１基板上の前記画素部毎に設けられ、前記データ線から前記第１電極へ供給される前記画像信号をスイッチング制御するための画素スイッチング素子と、前記走査線に、前記画素スイッチング素子をオフ状態からオン状態に切り換える走査信号を供給する走査線駆動回路と、前記走査線に夫々対応して設けられ、前記対応する走査線に沿って配列された画素部に設けられた第２電極のグループ毎に共通に夫々電気的に接続された複数の共通配線と、前記複数の共通配線の各々に共通電位信号を供給する共通電位供給回路とを備えた電気光学装置を駆動する電気光学装置の駆動方法であって、前記画像信号を、基準電位に対して極性反転させつつ前記データ線に供給する工程と、前記共通電位信号を、前記画素スイッチング素子がオン状態とされるタイミングと同時、又は該オン状態とされるタイミングよりも遅いタイミングで、前記第２電極が前記対をなす第１電極と異なる極性となるように、前記基準電位に対して極性反転させつつ前記複数の共通配線の各々に対して個別に供給する工程とを含む。
【００３１】
本発明の電気光学装置の駆動方法によれば、上述した本発明の電気光学装置と同様に、各画素部おいて、第２電極の電位の変動に伴い、電気光学物質における保持容量による容量カップリングによって、第１電極の電位も変動してしまうことを低減或いは防止できる。このため、画素スイッチング素子として、ソース−ドレイン間耐圧特性、オフ電流特性等の素子特性が比較的低いトランジスタを用いることが可能となる。この結果、画素スイッチング素子をオフ状態からオン状態に切り換える走査信号の電位を低下させることができる。即ち、走査信号を供給する走査線駆動回路の駆動電圧を低下させることができる。よって、当該電気光学装置を駆動する際の消費電力を低減することが可能となる。
【００３２】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例であるＩＰＳ（In−Plane Switching）駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００３４】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図８を参照して説明する。
【００３５】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１を参照して説明する。
【００３６】
図１は、ＴＦＴアレイ基板の上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図である。
【００３７】
図１において、本実施形態に係る液晶装置では、本発明に係る「第１基板」の一例としてのＴＦＴアレイ基板１０と、本発明に係る「第２基板」の一例としての対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に本発明に係る「電気光学物質」の一例としての液晶層が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素部が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。尚、画像表示領域１０ａは、本発明に係る「表示領域」の一例である。
【００３８】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００３９】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４０】
尚、後に詳細に説明するが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線、共通配線等の配線の上層側に画素電極及び共通電極が設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、格子状の遮光膜が形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に挟持された液晶層に含まれる液晶分子は、液晶装置の動作時に、画素電極及び共通電極間に生じた横電界によって駆動される。
【００４１】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、後述する共通電位供給回路９１０が設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらの回路の他、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００４２】
次に、本実施形態に係る液晶装置の要部の電気的な構成について、図２を参照して説明する。
【００４３】
図２は、本実施形態に係る液晶装置の要部の電気的な構成を示すブロック図である。
【００４４】
図２において、本実施形態に係る液晶装置は、そのＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、プリチャージ回路６１０、サンプリング回路７、共通電位供給回路９１０等の駆動回路が形成されている。尚、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７は、後述する画像信号線６と共に、本発明に係る「画像信号供給回路」の一例を構成する。
【００４５】
走査線駆動回路１０４には、外部回路から外部回路接続端子１０２（図１参照）を介してＹクロック信号（及び反転Ｙクロック信号）、Ｙスタートパルス信号等の各種制御信号が供給される。走査線駆動回路１０４は、これらの信号に基づいて走査信号Ｇ１、・・・、Ｇｍをこの順に順次生成して走査線１１に出力する。尚、後述するように、走査線１１は、走査線１１ａ及び１１ｂから構成されている。
【００４６】
データ線駆動回路１０１には、外部回路から外部回路接続端子１０２を介してＸクロック信号（及び反転Ｘクロック信号）、Ｘスタートパルス信号等の各種制御信号が供給される。データ線駆動回路１０１は、Ｘスタートパルス信号が入力されると、Ｘクロック信号に基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、・・・、Ｓｎを順次生成して出力する。
【００４７】
プリチャージ回路６１０は、データ線駆動回路１０１から出力されるサンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）の各々に対応して設けられた、ｎ個のプリチャージスイッチ６１１からなる。プリチャージスイッチ６１１は、ＮＡＮＤ回路６１１ａ及びインバータ６１１ｂを含んでいる。ＮＡＮＤ回路６１１ａには、サンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）及びプリチャージタイミング信号ＮＲＧが入力され、インバータ６１１ｂを介して、出力信号として、サンプリング信号Ｓｉ又はプリチャージタイミング信号ＮＲＧがサンプリング回路７に出力される。ここで、サンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）は画像信号ＶＩＤのデータ書き込み期間を規定するためのタイミング信号であり、プリチャージタイミング信号ＮＲＧは、本発明に係る「プリチャージ期間選択信号」の一例であり、上記データ書き込み期間に先立つプリチャージ期間を規定するためのタイミング信号である。プリチャージタイミング信号ＮＲＧは、外部回路から外部回路接続端子１０２及びプリチャージタイミング信号供給線６１２を介して、プリチャージ回路６１０に供給される。
【００４８】
サンプリング回路７は、データ線６ａ毎に設けられた複数のサンプリングスイッチ７ｓを備えている。各サンプリングスイッチ７ｓは、本発明に係る「サンプリング用スイッチング素子」の一例であり、Ｎチャネル型のＴＦＴから構成されている。尚、各サンプリングスイッチ７ｓは、Ｐチャネル型のＴＦＴ或いは相補型のＴＦＴから構成されてもよい。各サンプリングスイッチ７ｓは、ソースが画像信号線６に電気的に接続され、ドレインがデータ線６ａに電気的に接続され、ゲートがプリチャージ回路６１０の出力線に電気的に接続されている。液晶装置の動作時には、サンプリング回路７に、シリアル−パラレル展開或いはシリアル−パラレル変換された、即ち相展開された２相（或いは２系列）の画像信号ＶＩＤ１及びＶＩＤ２が２本の画像信号線６を介して供給される。尚、画像信号の相展開数（即ち、シリアル−パラレル展開される画像信号の系列数）に関しては、本実施形態では、説明の簡単のため、２相としたが、２相に限られるものでなく、例えば、６相、９相、１２相、２４相、４８相、９６相・・・など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給されるよう構成してもよい。また、シリアル−パラレル展開しないで、データ線６ａに対して線順次に供給されるように構成してもよい。そして、各サンプリングスイッチ７ｓは、データ線駆動回路１０１からプリチャージ回路６１０を介して供給されるサンプリング信号Ｓｉにより順次閉じられる（即ち、オン状態とされる）。即ち、画像信号ＶＩＤをデータ線６ａ毎にサンプリング信号Ｓｉに応じてサンプリングして、複数のデータ線６ａにデータ信号として夫々印加する。他方、このようなデータ線６ａに対するデータ信号の供給に先立って、ビデオプリチャージが行われるように構成されている。具体的には、ビデオプリチャージの際、各サンプリングスイッチ７ｓには、画像信号線６を介してプリチャージ電位を有するプリチャージ信号が供給され、プリチャージタイミング信号供給線６１２からプリチャージ回路６１０を介して供給されるプリチャージタイミング信号ＮＲＧにより各サンプリングスイッチ７ｓは閉じられる。即ち、プリチャージタイミング信号ＮＲＧによって規定されるプリチャージ期間に、各サンプリングスイッチ７ｓはオン状態とされ、複数のデータ線６ａにプリチャージ信号を印加するように構成されている。このように、本実施形態では、画像信号線６は、プリチャージ期間において、プリチャージ信号を供給するプリチャージ信号線としても機能する。
【００４９】
共通電位供給回路９１０は、各走査線１１に対応して設けられた共通配線５１０に対して個別に共通電位信号Ｖｃｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）を供給する。共通電位供給回路９１０は、共通配線５１０毎に設けられたスイッチ回路９１１を含んでいる。共通電位供給回路９１０の構成については後に詳細に説明する。
【００５０】
図２において、本実施形態に係る液晶装置には、更に、そのＴＦＴアレイ基板の中央を占める画像表示領域１０ａに、マトリクス状に配列された複数の画素部７００が設けられている。
【００５１】
画素部７００は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０、液晶素子７２及び蓄積容量７０を備えている。
【００５２】
ＴＦＴ３０は、本発明に係る「画素スイッチング素子」の一例であり、ソースがデータ線６ａに電気的に接続され、ゲートが走査線１１に電気的に接続され、ドレインが後述する液晶素子７２の画素電極９ａに電気的に接続されている。画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）によってオン状態及びオフ状態が切り換えられる。尚、後述するように、本実施形態では、画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、２つのゲート電極を有している、即ちダブルゲート構造を有している。
【００５３】
液晶素子７２は、画素電極９ａ、共通電極２１並びに画素電極９ａ及び共通電極２１間に位置する液晶から構成されている。画素電極９ａは、本発明に係る「第１電極」の一例であり、ＴＦＴ３０を介してデータ線６ａに電気的に接続されている。共通電極２１は、本発明に係る「第２電極」の一例であり、共通配線５１０に電気的に接続されている。尚、画素電極９ａ及び共通電極２１は、上述したように、いずれもＴＦＴアレイ基板１０上に設けられている。液晶装置の動作時には、データ線６ａ及びＴＦＴ３０を介して供給された画像信号の電位を有する画素電極９ａと、共通配線５１０を介して供給された共通電位信号の電位を有する共通電極２１との間には、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に沿った横電界が生じる。液晶は、当該横電界に応じて駆動されることによって、即ち、当該横電界に応じて分子集合の配向や秩序が変化することによって、光を変調し、階調表示を可能とする。
【００５４】
蓄積容量７０は、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、液晶素子７２と並列に付加されている。蓄積容量７０を構成する一方の電極は、画素電極９ａに電気的に接続され、他方の電極は、共通電極２１に電気的に接続されている。
【００５５】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の具体的な構成について、図３から図６を参照して説明する。
【００５６】
図３及び図４は、本実施形態に係る液晶装置の複数の画素部を示す平面図である。図３及び図４は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図３）と上層部分（図４）とを分かって図示している。図５は、図３及び図４を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。図６は、図４のＢ−Ｂ´断面図である。尚、図５及び図６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図３では、液晶層５０及び対向基板２０側の構成を省略してある。図４では、層間絶縁膜４４より下層側の構成を省略してある。
【００５７】
図３において、データ線６ａ及び走査線１１（即ち、走査線１１ａ及び１１ｂ）が互いに交差するように設けられている。即ち、走査線１１ａ及び１１ｂは、それぞれ、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線１１ａ或いは１１ｂと交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線１１ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の各々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００５８】
図３及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ、ゲート電極３ａ及び３ｂを含んで構成されている。
【００５９】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６０】
図３及び図５に示すように、ゲート電極３ａは、走査線１１ａの一部として形成されており、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。走査線１１ａは、Ｘ方向に沿って延びる本線部分と共に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´のうち該本線部分が重ならない領域と重なるようにＹ方向に沿って延在する部分を有している。このような走査線１１ａのうちチャネル領域１ａ´と重なる部分がゲート電極３ａとして機能する。ゲート電極３ａ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２（より具体的には、２層の絶縁膜２ａ及び２ｂ）によって絶縁されている。
【００６１】
ゲート電極３ｂは、走査線１１ｂの一部として形成されている。走査線１１ｂは、Ｘ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされた本線部と、該本線部からＹ方向に沿って延在する延在部を有している。このような走査線１１ｂのうちチャネル領域１ａ´と重なる部分がゲート電極３ｂとして機能する。走査線１１ｂは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅに対向する領域を含むように形成されている。走査線１１ｂ及び半導体層１ａ間は、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。
【００６２】
このように、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、半導体層１ａよりもゲート絶縁膜２を介して上層側に形成された走査線１１ａの一部として構成されるゲート電極３ａと、半導体層１ａよりも下地絶縁膜１２を介して下層側に形成された走査線１１ｂの一部として構成されるゲート電極３ｂとを有している。即ち、ＴＦＴ３０は、ダブルゲート構造を有している。よって、仮に半導体層１ａよりも上層側又は下層側の一方だけにゲート電極が形成される場合と比較して、ＴＦＴ３０のオン電流を大きくすることができる。
【００６３】
走査線１１ｂは、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料からなる。走査線１１ｂは、半導体層１ａよりも下層側に、半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに対向する領域を含むように配置されている。よって、走査線１１ｂによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を殆ど或いは完全に遮光できる。即ち、走査線１１ｂは、走査信号を供給する配線として機能すると共に戻り光に対するＴＦＴ３０の遮光膜として機能することが可能である。
【００６４】
図３及び図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。
【００６５】
蓄積容量７０は、下部容量電極７１及び上部容量電極３００が誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００６６】
上部容量電極３００は、各走査線１１に沿った画素部の蓄積容量７０のグループ毎に共通に設けられており、各走査線１１に沿って延びるように形成されている。上部容量電極３００は、画像表示領域１０ａ（図１参照）内からその周囲に延設され、後述する共通配線５１０と図示しないコンタクトホールを介して電気的に接続された共通電位側容量電極である。上部容量電極３００は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。上部容量電極３００は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。
【００６７】
下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９に電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３を介して高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共にコンタクトホール８４を介して中継層９３に電気的に接続されている。更に、中継層９３は、コンタクトホール８５を介して中継層９４に電気的に接続され、この中継層９４は、コンタクトホール８６を介して画素電極９に電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９３及び９４と共に高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９間の電気的な接続を中継する。下部容量電極７１は、導電性のポリシリコンから形成されている。よって、蓄積容量７０は、所謂ＭＩＳ（Metal−Insulator−Semiconductor）構造を有している。
【００６８】
誘電体膜７５ａは、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００６９】
尚、下部容量電極７１を、上部容量電極３００と同様に金属膜から形成してもよい。即ち、蓄積容量７０を、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜の３層構造を有する、所謂ＭＩＭ（Metal−Insulator−Metal）構造を有するように形成してもよい。
【００７０】
図３及び図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造における層間絶縁膜４１及び４２間には、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て部分的に絶縁膜６１が介在している。
【００７１】
データ線６ａは、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄに、層間絶縁膜４１、絶縁膜６１及び層間絶縁膜４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００７２】
中継層９３は、層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａと同層に形成されている。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。
【００７３】
図４及び図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａ及び中継層９３よりも層間絶縁膜４３を介して上層側には、中継層９４及び共通配線５１０が設けられている。
【００７４】
共通配線５１０は、各走査線１１に対応して１本ずつ、該対応する走査線１１に沿って（即ちＸ方向に沿って）設けられている。各共通配線５１０は、Ｘ方向に沿って延びる本線部５１０ｘと本線部５１０ｘから画素毎にＹ方向に沿って延設された複数の延設部５１０ｙを有している。各共通配線５１０は、対応する走査線１１に沿って配列された同一行の画素部に設けられた共通電極２１のグループ毎に共通に電気的に接続されている。各共通配線５１０は、共通電極２１の各々に、層間絶縁膜４４に開孔されたコンタクトホール８７を介して電気的に接続されている。共通配線５１０は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。
【００７５】
中継層９４は、層間絶縁膜４３上において共通配線５１０と同層に形成されている。共通配線５１０及び中継層９４は、データ線６ａ及び中継層９３と同様に、互いに同一工程で形成できる。
【００７６】
図４及び図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の中継層９４及び共通配線５１０よりも層間絶縁膜４４を介して上層側には、画素電極９及び共通電極２１が設けられている。
【００７７】
画素電極９は、画素毎に設けられており、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜から形成されている。画素電極９は、Ｙ方向に延びるように形成されている。画素電極９は、層間絶縁膜４４に開孔されたコンタクトホール８６を介して中継層９４に電気的に接続されている。よって、画素電極９は、下部容量電極７１、コンタクトホール８３、８４、８５及び８６、並びに中継層９３及び９４を介して半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【００７８】
共通電極２１は、画素電極９に対応して、画素毎に設けられている。共通電極２１は、画素電極９と同層に、ＩＴＯ等の透明導電膜から形成されている。共通電極２１は、後述する遮光膜２３で規定された領域、より具体的には、各画素において実質的に光を透過させることが可能な開口領域を各画素間で互いに隔てる非開口領域に、Ｙ方向に延びるように形成されている。共通電極２１は、層間絶縁膜４４に開孔されたコンタクトホール８７を介して共通配線５１０に電気的に接続されている。
【００７９】
図６において、共通電極２１及び画素電極９は、層間絶縁膜４４上において同層に形成されている。共通電極２１及び画素電極９の上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。
【００８０】
対向基板２０上におけるＴＦＴアレイ基板１０と対向する側には、非開口領域を規定する遮光膜２３が、対向基板２０上で平面的に見て、格子状に設けられている。また、対向基板２０上におけるＴＦＴアレイ基板１０と対向する側の表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。
【００８１】
ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、液晶層５０が挟持されている。液晶層５０に含まれる液晶分子は、本実施形態に係る液晶装置の動作時に、共通電極２１及び画素電極９に生じた横電界によって駆動される。
【００８２】
尚、本実施形態では、共通電極２１及び画素電極９をＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造における同層に形成し、ＩＰＳ駆動方式の液晶装置として構成したが、例えば、共通電極２１及び画素電極９をＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造における互いに異なる層に形成し、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）駆動方式の液晶装置として構成してもよい。
【００８３】
以上に説明した画素部の構成は、図３及び図４に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、本実施形態に係る液晶装置では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００８４】
次に、本実施形態において特徴的である共通電位供給回路の構成について、図２に加えて図７及び図８を参照して詳細に説明する。
【００８５】
図７は、本実施形態における共通電位供給回路に含まれるスイッチ回路の等価回路図である。図８は、本実施形態におけるスイッチ回路に含まれるインバータの回路図である。
【００８６】
図２において、共通配線５１０は、ｍ本の走査線の各々に対応して１本ずつ設けられており、Ｘ方向に沿ってそれぞれ形成されている。共通電位供給回路９１０は、共通配線５１０毎に１つずつ設けられた、ｍ個のスイッチ回路９１１を備えている。
【００８７】
図７に示すように、スイッチ回路９１１は、本発明に係る「第１の極性反転回路」の一例であり、Ｎチャネル型のＴＦＴ９１２及び９１３並びにインバータ９１４及び９１５を含むフリップフロップ回路として構成されている。スイッチ回路９１１のワード線９１６は、対応する走査線１１に電気的に接続されている。即ち、ＴＦＴ９１２及び９１３のゲートには、ワード線９１６を介して走査信号Ｇｉが供給されるように構成されている。ＴＦＴ９１２のソースには、１フレーム期間毎に基準電位よりも高い高定電位ＶｃＨと基準電位よりも低い低定電位ＶｃＬとで極性反転される共通電位Ｖｃｏｍが供給され、ＴＦＴ９１３のソースには、共通電位Ｖｃｏｍが基準電位に対して反転された反転共通電位Ｖｃｏｍｂが供給されるように構成されている。スイッチ回路９１１の出力線９１７は、共通配線５１０に電気的に接続されている。
【００８８】
図８に示すように、インバータ９１４は、Ｐチャネル型のＴＦＴ９１４ｐ及びＮチャネル型のＴＦＴ９１４ｎから構成されている。ＴＦＴ９１４ｐのソースには、高定電位ＶｃＨを有する電源信号が供給され、ＴＦＴ９１４ｎのソースには、低定電位ＶｃＬを有する電源信号が供給されるように構成されている。インバータ９１５は、インバータ９１４と同様に構成されている。
【００８９】
即ち、スイッチ回路９１１は、走査信号Ｇｉに応じて高定電位ＶｃＨと低定電位ＶｃＬとで極性反転される共通電位信号Ｖｃｉを、共通配線５１０に対して供給するように構成されている。言い換えれば、共通電位供給回路９１０は、各共通配線５１０に対して個別に、走査信号Ｇｉに応じて共通電位信号Ｖｃｉを極性反転させつつ供給するように構成されている。
【００９０】
次に、本実施形態に係る液晶装置の動作について、図２に加えて図９を参照して説明する。
【００９１】
図９は、本実施形態における共通電位信号の極性反転タイミングを示すタイミングチャートである。
【００９２】
図９において、本実施形態では、画像信号ＶＩＤ（即ち、画像信号ＶＩＤ１及びＶＩＤ２）は、１フレーム期間（或いは１垂直期間又は１垂直走査期間）毎に基準電位に対して高位側の正極性（図中「＋」で示す）と低位側の負極性（図中「−」で示す）とで極性反転されつつデータ線６ａへ供給され、更にＴＦＴ３０を介して画素電極９へ供給される。即ち、本実施形態では、画像表示領域１０ａの複数の画素部７００において夫々、画素電極９を同一極性の電位で駆動しつつ、係る電位極性を１フレーム期間周期で反転させる、所謂「面反転駆動」が行われる。
【００９３】
本実施形態では特に、共通電位供給回路９１０は、ＴＦＴ３０がオン状態とされるタイミングと同時のタイミングで、共通電極２１が当該共通電極２１と対をなす画素電極９と異なる極性となるように、複数の共通配線５１０の各々に対して個別に、共通電位信号Ｖｃｉを、基準電位に対して極性反転させつつ供給する。即ち、スイッチ回路９１１は、走査信号Ｇｉに応じて高定電位ＶｃＨと低定電位ＶｃＬとで極性反転される共通電位信号Ｖｃｉを、共通配線５１０に対して供給する。
【００９４】
より具体的には、図９に示すように、例えば、走査信号Ｇ１が供給される走査線１１に対応する共通配線５１０に供給される共通電位信号Ｖｃ１の電位は、走査線１１に走査信号Ｇ１が供給されるタイミングで、高定電位ＶｃＨから低定電位ＶｃＬへ或いは低定電位ＶｃＬから高定電位ＶｃＨへ切り換えられる（即ち、基準電位に対して極性反転される）。同様に、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝２、・・・、ｍ）が供給される走査線１１に対応する共通配線５１０に供給される共通電位信号Ｖｃｉ（但し、ｉ＝２、・・・、ｍ）の電位は、走査線１１に走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝２、・・・、ｍ）が供給されるタイミングで、高定電位ＶｃＨから低定電位ＶｃＬへ或いは低定電位ＶｃＬから高定電位ＶｃＨへ切り換えられる。
【００９５】
よって、各画素部７００において、画素電極９がオン状態とされたＴＦＴ３０を介してデータ線６ａに電気的に接続された状態となったタイミングと同時のタイミングで、共通電極２１に供給される共通電位信号Ｖｃｉは、共通電極２１の電位が画素電極９と異なる電位となるように、基準電位に対して正極性及び負極性のいずれかに極性反転される。従って、各画素部７００おいて、共通電極２１の電位の変動に伴い、液晶素子７２における保持容量による容量カップリングによって、画素電極９の電位も変動してしまうことを低減或いは好ましくは防止できる。このため、画素スイッチング用のＴＦＴ３０として、ソース−ドレイン間耐圧特性、オフ電流特性等の素子特性が比較的低いＴＦＴを用いることが可能となる。
【００９６】
即ち、仮に、上述したようなコモン振り駆動で一般的に行われるのと同様に、ＴＦＴ３０がオン状態とされるタイミングよりも早い或いは前のタイミングで、共通電極２１が当該共通電極２１と対をなす画素電極９と異なる極性となるように、共通電位信号Ｖｃｉを、基準電位に対して極性反転させつつ共通電極２１に供給する場合には、共通電極２１の電位の変動に伴い、液晶素子７２における保持容量による容量カップリングによって、画素電極９の電位が変動してしまうおそれがある。よって、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のソース−ドレイン間の電圧は、例えば、画像信号ＶＩＤの電位の基準電位に対する振幅の２倍程度に大きくなってしまうおそれがあるため、ＴＦＴ３０としては、ソース−ドレイン間耐圧が画像信号ＶＩＤの電位の基準電位に対する振幅の２倍以上のＴＦＴを用いる必要がある。しかるに本実施形態では特に、上述したように、ＴＦＴ３０がオン状態とされるタイミングと同時のタイミングで、共通電極２１が当該共通電極２１と対をなす画素電極９と異なる極性となるように、共通電位信号Ｖｃｉを、基準電位に対して極性反転させつつ共通電極２１に供給するので、画素電極９の電位が変動してしまうことを低減或いは防止できる。即ち、共通電極２１の電位が極性反転されるタイミングでは、該共通電極２１と対をなす画素電極９は、オン状態とされたＴＦＴ３０を介してデータ線６ａに電気的に接続されており、データ線６ａから供給される画像信号ＶＩＤの電位に維持される。よって、画素電極９は、共通電極２１の電位の変動に伴う、容量カップリングに起因した電位の変動を殆ど或いは全く生じない。このため、ＴＦＴ３０として、ソース−ドレイン間耐圧特性等の素子特性が比較的低いトランジスタを用いることが可能となる。この結果、画素スイッチング素子としてのＴＦＴ３０をオフ状態からオン状態に切り換える走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）の電位を低下させることができる。即ち、走査信号Ｇｉを供給する走査線駆動回路１０４の駆動電圧を低下させることができる。よって、本実施形態に係る液晶装置を駆動する際の消費電力を低減することが可能となる。
【００９７】
更に、走査信号Ｇｉの電位を低下させることができるので、ＴＦＴ３０として、高速なＴＦＴを用いることが可能となり、ＴＦＴ３０を製造する製造コストも低減可能である。
【００９８】
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る液晶装置について、図２及び図６に加えて図１０を参照して説明する。
【００９９】
図１０は、第２実施形態における図９と同趣旨のタイミングチャートである。尚、図１０において、図１から図９に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【０１００】
第２実施形態に係る液晶装置は、上述した第１実施形態に係る液晶装置が所謂「面反転駆動」が行われるように構成されているのに代えて、所謂「ライン反転駆動」が行われるように構成されている点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。
【０１０１】
図１０において、本実施形態では、画像信号ＶＩＤ（即ち、画像信号ＶＩＤ１及びＶＩＤ２）は、１水平期間（或いは１水平走査期間又は１Ｈ期間）毎に基準電位に対して高位側の正極性（図中「＋」で示す）と低位側の負極性（図中「−」で示す）とで極性反転されつつデータ線６ａへ供給され、更にＴＦＴ３０を介して画素電極９へ供給される。即ち、本実施形態では、走査線１１に沿って配列された同一行の画素電極９を同一極性の電位で、且つ相隣接する行の画素電極９を互いに異なる極性の電位で駆動する、所謂「ライン反転駆動」が行われる。ここで、画像信号ＶＩＤが１水平期間毎に極性反転されるのに対応して、共通電位Ｖｃｏｍ（及び反転共通電位Ｖｃｏｍｂ）は、１水平期間毎に基準電位に対して極性反転されるように構成されている。
【０１０２】
本実施形態に係る液晶装置によれば、上述した第１実施形態に係る液晶装置と同様に、スイッチ回路９１１は、走査信号Ｇｉに応じて高定電位ＶｃＨと低定電位ＶｃＬとで極性反転される共通電位信号Ｖｃｉを、共通配線５１０に対して供給する。より具体的には、図１０に示すように、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）が供給される走査線１１に対応する共通配線５１０に供給される共通電位信号Ｖｃｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）の電位は、走査線１１に走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）が供給されるタイミングで、高定電位ＶｃＨから低定電位ＶｃＬへ或いは低定電位ＶｃＬから高定電位ＶｃＨへ切り換えられる。
【０１０３】
よって、各画素部７００において、画素電極９がオン状態とされたＴＦＴ３０を介してデータ線６ａに電気的に接続された状態となったタイミングと同時のタイミングで、共通電極２１に供給される共通電位信号Ｖｃｉは、共通電極２１の電位が画素電極９と異なる電位となるように、基準電位に対して正極性及び負極性のいずれかに極性反転される。従って、各画素部７００おいて、共通電極２１の電位の変動に伴い、液晶素子７２における保持容量による容量カップリングによって、画素電極９の電位も変動してしまうことを低減或いは好ましくは防止できる。
【０１０４】
＜第３実施形態＞
第３実施形態に係る液晶装置について、図１１から図１４を参照して説明する。
【０１０５】
先ず、第３実施形態に係る液晶装置の構成について、図１１及び図１２を参照して説明する。
【０１０６】
図１１は、第３実施形態における図２と同趣旨のブロック図である。図１２は、第３実施形態におけるスイッチ回路の等価回路図である。
【０１０７】
図１１において、第３実施形態に係る液晶装置は、上述した第１実施形態における共通電位供給回路９１０（図２参照）に代えて共通電位供給回路９２０を備える点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。
【０１０８】
図１１において、共通配線５１０は、ｍ本の走査線の各々に対応して１本ずつ設けられており、Ｘ方向に沿ってそれぞれ形成されている。共通電位供給回路９２０は、共通配線５１０毎に１つずつ設けられた、ｍ個のスイッチ回路９２１を備えている。
【０１０９】
図１２に示すように、スイッチ回路９２１は、Ｎチャネル型のＴＦＴ９２２ｎ及び９２３ｎ並びにインバータ９２４及び９２５を含むフリップフロップ回路として構成されている。スイッチ回路９２１のワード線９２６における入力側にはＮＡＮＤ回路９２７及びインバータ９２８が直列に電気的に接続されている。ＮＡＮＤ回路９２７には、走査信号Ｇｉ及びプリチャージタイミング信号ＮＲＧが入力され、インバータ９２８を介して、走査信号Ｇｉ及びプリチャージタイミング信号ＮＲＧの論理積として生成されたゲート信号がワード線９２６に供給される。即ち、ＴＦＴ９２２ｎ及び９２３ｎのゲートには、ワード線９２６を介して走査信号Ｇｉ及びプリチャージタイミング信号ＮＲＧの論理積として生成されたゲート信号が供給されるように構成されている。
【０１１０】
インバータ９２４及びインバータ９２５は、図７を参照して上述した第１実施形態におけるインバータ９１４と同様に構成されている。
【０１１１】
尚、図１１に示すように、共通電位供給回路９２０（即ち、ｍ個のスイッチ回路９２１）には、プリチャージタイミング信号ＮＲＧがプリチャージタイミング信号供給線６１２から分岐された分岐配線９２を介して供給される。
【０１１２】
即ち、スイッチ回路９２１は、走査信号Ｇｉ及びプリチャージタイミング信号ＮＲＧの論理積として生成されたゲート信号に応じて高定電位ＶｃＨと低定電位ＶｃＬとで極性反転される共通電位信号Ｖｃｉを、共通配線５１０に対して供給するように構成されている。言い換えれば、共通電位供給回路９１０は、各共通配線５１０に対して個別に、走査信号Ｇｉ及びプリチャージタイミング信号ＮＲＧの論理積として生成されたゲート信号に応じて、共通電位信号Ｖｃｉを極性反転させつつ供給するように構成されている。
【０１１３】
尚、図１３に変形例として示すように、スイッチ回路９２１は、Ｎチャネル型のＴＦＴ９２２ｎ及び９２３ｎ（図１２参照）に代えて、Ｐチャネル型のＴＦＴ９２２ｐ及びＴＦＴ９２３ｐが設けられ、インバータ９２８（図１２参照）が設けられない構成としてもよい。ここに図１３は、変形例における図１２と同趣旨の等価回路図である。この場合にも、共通電位供給回路９１０は、各共通配線５１０に対して個別に、走査信号Ｇｉ及びプリチャージタイミング信号ＮＲＧの論理積として生成されたゲート信号に応じて、共通電位信号Ｖｃｉを極性反転させつつ供給することができる。更に、スイッチ回路９２１を、インバータ９２８を設けない分だけ、簡易な構成とすることができる。
【０１１４】
次に、本実施形態に係る液晶装置の動作について、図１１に加えて図１４を参照して説明する。
【０１１５】
図１４は、第３実施形態における共通電位信号の極性反転タイミングを示すタイミングチャートである。
【０１１６】
図１４において、本実施形態では、上述した第１実施形態と同様に、画像信号ＶＩＤ（即ち、画像信号ＶＩＤ１及びＶＩＤ２）は、１フレーム期間（或いは１垂直期間又は１垂直走査期間）毎に基準電位に対して高位側の正極性（図中「＋」で示す）と低位側の負極性（図中「−」で示す）とで極性反転されつつデータ線６ａへ供給され、更にＴＦＴ３０を介して画素電極９へ供給される。即ち、所謂「面反転駆動」が行われる。
【０１１７】
本実施形態では特に、共通電位供給回路９２０は、ＴＦＴ３０がオン状態とされるタイミングよりも遅いタイミングで、共通電極２１が当該共通電極２１と対をなす画素電極９と異なる極性となるように、複数の共通配線５１０の各々に対して個別に、共通電位信号Ｖｃｉを、基準電位に対して極性反転させつつ供給する。即ち、スイッチ回路９２１は、走査信号Ｇｉ及びプリチャージタイミング信号ＮＲＧの論理積として生成されたゲート信号に応じて高定電位ＶｃＨと低定電位ＶｃＬとで極性反転される共通電位信号Ｖｃｉを、共通配線５１０に対して供給する。
【０１１８】
より具体的には、図１４に示すように、走査信号Ｇ１が供給される走査線１１に対応する共通配線５１０に供給される共通電位信号Ｖｃ１の電位は、走査線１１に走査信号Ｇ１が供給された状態で共通電位供給回路９２０にプリチャージタイミング信号ＮＲＧが供給されるタイミングで、高定電位ＶｃＨから低定電位ＶｃＬへ或いは低定電位ＶｃＬから高定電位ＶｃＨへ切り換えられる。同様に、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝２、・・・、ｍ）が供給される走査線１１に対応する共通配線５１０に供給される共通電位信号Ｖｃｉ（但し、ｉ＝２、・・・、ｍ）の電位は、走査線１１に走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝２、・・・、ｍ）が供給された状態で共通電位供給回路９２０にプリチャージタイミング信号ＮＲＧ供給されるタイミングで、高定電位ＶｃＨから低定電位ＶｃＬへ或いは低定電位ＶｃＬから高定電位ＶｃＨへ切り換えられる。
【０１１９】
尚、プリチャージタイミング信号ＮＲＧは、上述したように、データ書き込み期間に先立つプリチャージ期間を規定するためのタイミング信号であり、図１４に示すように、各走査線１１に走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）が供給されるタイミングよりも所定時間だけ遅れたタイミングでプリチャージタイミング信号供給線６１２に供給される。
【０１２０】
よって、各画素部７００において、画素電極９がオン状態とされたＴＦＴ３０を介してデータ線６ａに電気的に接続された状態となったタイミングよりも遅いタイミングで、共通電極２１に供給される共通電位信号Ｖｃｉは、共通電極２１の電位が画素電極９と異なる電位となるように、基準電位に対して正極性及び負極性のいずれかに極性反転される。従って、各画素部７００おいて、共通電極２１の電位の変動に伴い、液晶素子７２における保持容量による容量カップリングによって、画素電極９の電位も変動してしまうことを低減或いは好ましくは防止できる。このため、画素スイッチング用のＴＦＴ３０として、ソース−ドレイン間耐圧特性、オフ電流特性等の素子特性が比較的低いＴＦＴを用いることが可能となる。
【０１２１】
更に、本実施形態では特に、上述したように、走査信号Ｇｉが供給される走査線１１に対応する共通配線５１０に供給される共通電位信号Ｖｃｉの電位は、走査線１１に走査信号Ｇｉが供給された状態で共通電位供給回路９２０にプリチャージタイミング信号ＮＲＧが供給されるタイミングと同時のタイミングで、高定電位ＶｃＨから低定電位ＶｃＬへ或いは低定電位ＶｃＬから高定電位ＶｃＨへ切り換えられる。即ち、共通電位供給回路９２０は、サンプリングスイッチング７ｓがプリチャージタイミング信号ＮＲＧによってオン状態とされるタイミングと同時のタイミングで、複数の共通配線５１０の各々に対して個別に、共通電位信号Ｖｃｉを、基準電位に対して極性反転させつつ共通配線５１０を介して共通電極２１に供給する。よって、共通電位２１の電位の変動に伴って、データ線６ａの電位が変動してしまうことを低減或いは防止できる。即ち、共通電極２１の電位が極性反転されるタイミングでは、各データ線６ａは、オン状態とされたサンプリングスイッチ７ｓを介してプリチャージ信号線としての画像信号線６に電気的に接続されており、画像信号線６から供給されるプリチャージ信号の電位に維持される。よって、データ線６ａは、共通電極２１の電位の変動に伴う、容量カップリングに起因した電位の変動を殆ど或いは全く生じない。このため、サンプリングスイッチング７ｓとして、ソース−ドレイン間耐圧特性等の素子特性が比較的低いトランジスタを用いることが可能となる。この結果、サンプリングスイッチ７ｓをオフ状態からオン状態に切り換えるサンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｎ）の電位を低下させることができる。即ち、サンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｎ）を供給するデータ線駆動回路１０１の駆動電圧を低下させることができる。よって、当該液晶装置を駆動する際の消費電力をより一層低減することが可能となる。
【０１２２】
＜第４実施形態＞
第４実施形態に係る液晶装置について、図１１及び図１２に加えて図１５を参照して説明する。
【０１２３】
図１５は、第４実施形態における図１４と同趣旨のタイミングチャートである。尚、図１５において、図１１から図１４に示した第３実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【０１２４】
第４実施形態に係る液晶装置は、上述した第３実施形態に係る液晶装置が所謂「面反転駆動」が行われるように構成されているのに代えて、所謂「ライン反転駆動」が行われるように構成されている点で、上述した第３実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第３実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。
【０１２５】
図１５において、本実施形態では、画像信号ＶＩＤ（即ち、画像信号ＶＩＤ１及びＶＩＤ２）は、１水平期間毎に基準電位に対して高位側の正極性（図中「＋」で示す）と低位側の負極性（図中「−」で示す）とで極性反転されつつデータ線６ａへ供給され、更にＴＦＴ３０を介して画素電極９へ供給される。即ち、本実施形態では、走査線１１に沿って配列された同一行の画素電極９を同一極性の電位で、且つ相隣接する行の画素電極９を互いに異なる極性の電位で駆動する、所謂「ライン反転駆動」が行われる。ここで、画像信号ＶＩＤが１水平期間毎に極性反転されるのに対応して、共通電位Ｖｃｏｍ（及び反転共通電位Ｖｃｏｍｂ）は、１水平期間毎に基準電位に対して極性反転されるように構成されている。
【０１２６】
本実施形態に係る液晶装置によれば、上述した第３実施形態に係る液晶装置と同様に、スイッチ回路９２１は、走査信号Ｇｉ及びプリチャージタイミング信号ＮＲＧの論理積として生成されたゲート信号に応じて高定電位ＶｃＨと低定電位ＶｃＬとで極性反転される共通電位信号Ｖｃｉを、共通配線５１０に対して供給する。
【０１２７】
より具体的には、図１５に示すように、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）が供給される走査線１１に対応する共通配線５１０に供給される共通電位信号Ｖｃｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）の電位は、走査線１１に走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）が供給された状態で共通電位供給回路９２０にプリチャージタイミング信号ＮＲＧが供給されるタイミングで、高定電位ＶｃＨから低定電位ＶｃＬへ或いは低定電位ＶｃＬから高定電位ＶｃＨへ切り換えられる。
【０１２８】
よって、各画素部７００において、画素電極９がオン状態とされたＴＦＴ３０を介してデータ線６ａに電気的に接続された状態となったタイミングよりも遅いタイミングで、共通電極２１に供給される共通電位信号Ｖｃｉは、共通電極２１の電位が画素電極９と異なる電位となるように、基準電位に対して正極性及び負極性のいずれかに極性反転される。従って、各画素部７００おいて、共通電極２１の電位の変動に伴い、液晶素子７２における保持容量による容量カップリングによって、画素電極９の電位も変動してしまうことを低減或いは好ましくは防止できる。
【０１２９】
更に、本実施形態では特に、上述した第３実施形態と同様に、走査信号Ｇｉが供給される走査線１１に対応する共通配線５１０に供給される共通電位信号Ｖｃｉの電位は、走査線１１に走査信号Ｇｉが供給された状態で共通電位供給回路９２０にプリチャージタイミング信号ＮＲＧが供給されるタイミングと同時のタイミングで、高定電位ＶｃＨから低定電位ＶｃＬへ或いは低定電位ＶｃＬから高定電位ＶｃＨへ切り換えられる。よって、共通電位２１の電位の変動に伴って、データ線６ａの電位が変動してしまうことを低減或いは防止できる。
【０１３０】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【０１３１】
先ず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。ここに図１６は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。図１６に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１３２】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１３３】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１３４】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１３５】
尚、図１６を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１３６】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１３７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】第１実施形態に係る液晶装置の要部の電気的な構成を示すブロック図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の画素部（上層部分）を示す平面図である。
【図４】第１実施形態に係る液晶装置の画素部（下層部分）を示す平面図である。
【図５】図３及び図４を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。
【図６】図４のＢ−Ｂ´断面図である。
【図７】第１実施形態における共通電位供給回路に含まれるスイッチ回路の等価回路図である。
【図８】第１実施形態におけるスイッチ回路に含まれるインバータの回路図である。
【図９】第１実施形態における共通電位信号の極性反転タイミングを示すタイミングチャートである。
【図１０】第２実施形態における図９と同趣旨のタイミングチャートである。
【図１１】第３実施形態における図２と同趣旨のブロック図である。
【図１２】第３実施形態におけるスイッチ回路の等価回路図である。
【図１３】変形例における図１２と同趣旨の等価回路図である。
【図１４】第３実施形態における共通電位信号の極性反転タイミングを示すタイミングチャートである。
【図１５】第４実施形態における図１４と同趣旨のタイミングチャートである。
【図１６】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１３９】
６…画像信号線、６ａ…データ線、７…サンプリング回路、７ｓ…サンプリングスイッチ、９…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１…走査線、２０…対向基板、２１…共通電極、５０…液晶層、７０…蓄積容量、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、５１０…共通配線、６１０…プリチャージ回路、６１２…プリチャージタイミング信号供給線、７００…画素部、９１０…共通電位供給回路、９１１…スイッチ回路
【図１】
2008180761.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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