(57)【要約】【課題】強誘電体メモリはアクセス速度が速く、書き換え回数が多い反面、耐ストレス特性（耐熱ストレス特性や耐応力ストレス特性）は劣る。ヒューズメモリは耐ストレス特性が高くデータ保持能力は優れている反面、１回しか書き換えができない。不揮発性メモリを搭載する半導体装置、ＩＣカードにおいて、不揮発性メモリに要求される基本性能を低下させることなく、初期データを確実に保持させることができるようにする。【解決手段】第１の不揮発性メモリ１と、第１の不揮発性メモリ１よりも耐ストレス特性が高く初期データを格納している第２の不揮発性メモリ２と、第２の不揮発性メモリ２から初期データを読み出し、読み出された初期データを第１の不揮発性メモリ１にコピーして初期化する初期化制御部３とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の不揮発性メモリと、
前記第１の不揮発性メモリよりも耐ストレス特性が高く初期データを格納している第２の不揮発性メモリと、
前記第２の不揮発性メモリから前記初期データを読み出し、読み出された前記初期データを前記第１の不揮発性メモリにコピーして初期化する初期化制御部とを備えた半導体装置。
【請求項２】
前記初期化制御部は、前記第２の不揮発性メモリの所定のアドレスから前記初期データを読み出すリード部と、読み出された前記初期データを前記第１の不揮発性メモリの所定のアドレスに書き込むライト部を有している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
初期化の許可／禁止を示す初期化許可フラグを有し、前記初期データのコピーによる前記第１の不揮発性メモリの初期化が未了の状態では搭載機能の一部が無効化されかつ前記初期化許可フラグが許可状態とされ、前記初期化制御部は、前記初期データのコピーによる前記第１の不揮発性メモリの初期化完了に伴って前記初期化許可フラグを禁止状態へ移行させる請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記初期化許可フラグが禁止状態へ移行された場合は、前記第２の不揮発性メモリの一部またはすべてのアドレスへのアクセスを禁止する請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の不揮発性メモリは、前記初期データに対して転送先アドレス情報を対にして格納しており、前記第２の不揮発性メモリから読み出された前記初期データは、前記転送先アドレス情報で指定された前記第１の不揮発性メモリのアドレスに転送格納される請求項１から請求項４までのいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記初期化制御部は、さらに、前記リード部によって前記第２の不揮発性メモリから読み出された前記初期データに対して演算処理を行い、その処理結果を前記ライト部に渡すデータ処理部を備えている請求項２から請求項５までのいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれかに記載の半導体装置と、
リーダライタと通信を行う送受信回路と、
前記送受信回路が受信したコマンドに従って前記半導体装置における前記初期化制御部を制御して、前記第２の不揮発性メモリから前記初期データを読み出させ、読み出された前記初期データを前記第１の不揮発性メモリにコピーして書き込み初期化を行わせる制御回路とを備えたＩＣカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性メモリを有する半導体装置、ＩＣカードにかかわり、特に不揮発性メモリのデータ初期化を確実に行うための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性メモリは電源が供給されなくてもデータを保持できるため、多くのＬＳＩに搭載されている。この場合、ＬＳＩ製造者が必要な初期データを不揮発性メモリに格納した上で、ＬＳＩを出荷する。例えば、ＬＳＩ製造時の製品管理情報や良品判定時の各種情報や機種固有情報等の各種データを初期データとして不揮発性メモリに記憶させておく。これは、出荷後の不良発生時におけるメンテナンス処理を容易にするためである（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
また、ＩＣカードに搭載されるＬＳＩにおいては、ＬＳＩやＩＣカードの輸送時の盗難などによる不正使用を防止するために、輸送鍵を使用する（例えば、特許文献２参照）。ＬＳＩ製造時にこの輸送鍵の情報を初期データとして不揮発性メモリに格納した上で、ＬＳＩを出荷する。
【０００４】
上記の他にも、ＬＳＩの機能を設定するためのコンフィギュレーション情報等の初期データがＬＳＩ製造者により不揮発性メモリに格納される。
【特許文献１】特開２０００−２５９６０２号公報（第３−４頁、第１図）
【特許文献２】特開２００４−１０２６３５号公報（第４−７頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
不揮発性メモリには強誘電体メモリやＥＥＰＲＯＭ、ヒューズメモリ、マスクＲＯＭ等、様々な種類があり、それぞれに長所、短所がある。例えば、強誘電体メモリはアクセス速度が速く、書き換え回数が多いという長所がある反面、耐ストレス特性（耐熱ストレス特性や耐応力ストレス特性）は他の不揮発性メモリと比較すると劣るという短所がある。また例えば、ヒューズメモリは耐ストレス特性が高くデータ保持能力は優れている反面、１回しか書き換えができない。
【０００６】
ＬＳＩは、最終製品形態になるまでの工程において何らかのストレスが加えられることがある。例えば、基板実装時においては、ＬＳＩパッケージを基板にはんだ付けするためのリフロー工程で約２５０℃の熱ストレスが加えられる。しかし、不揮発性メモリとして強誘電体メモリを使用した場合には、工程中の熱ストレスにより初期データが破壊されることがある。一方、耐ストレス特性の高いヒューズメモリやＥＥＰＲＯＭでは、アクセス速度や書き換え回数といった基本性能が要求仕様を満たせない。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みて創作したものであり、不揮発性メモリを搭載する半導体装置、ＩＣカードにおいて、不揮発性メモリに要求される基本性能を低下させることなく、初期データを確実に保持させることができるようにすることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による半導体装置は、
第１の不揮発性メモリと、
前記第１の不揮発性メモリよりも耐ストレス特性が高く初期データを格納している第２の不揮発性メモリと、
前記第２の不揮発性メモリから前記初期データを読み出し、読み出された前記初期データを前記第１の不揮発性メモリにコピーして初期化する初期化制御部とを備えたものである。
【０００９】
この構成において、第２の不揮発性メモリは耐ストレス特性（耐熱ストレス特性／耐応力ストレス特性）が高い。初期の段階では、耐ストレス特性の高い第２の不揮発性メモリに初期データを格納しておく。そして、ＬＳＩ出荷後において熱ストレスや応力ストレスが印加されたときでも、第２の不揮発性メモリに保持されている初期データは、第２の不揮発性メモリは耐ストレス特性が高いので、そのまま確実に保持される。熱ストレスや応力ストレスが印加された後においては、第２の不揮発性メモリから初期データを読み出して第１の不揮発性メモリにコピーする。第１の不揮発性メモリは耐ストレス特性は比較的低いものの、アクセス速度・書き換え回数等の性能に優れている。前記の熱ストレスや応力ストレスが印加されたときには、第１の不揮発性メモリには初期データがなく、熱ストレスや応力ストレスが印加されたのちに、第２の不揮発性メモリから第１の不揮発性メモリへ初期データがコピーされる。コピー後は、熱ストレスや応力ストレスの印加はないので、初期データは第１の不揮発性メモリにおいて確実に保持される。そして、第１の不揮発性メモリはアクセス速度・書き換え回数等の性能に優れている。したがって、全体として、不揮発性メモリの性能を損なうことなく、初期データを確実に保持することが可能となる。
【００１０】
上記構成の半導体装置において、前記初期化制御部は、前記第２の不揮発性メモリの所定のアドレスから前記初期データを読み出すリード部と、読み出された前記初期データを前記第１の不揮発性メモリの所定のアドレスに書き込むライト部を有しているものとする。
【００１１】
また上記構成の半導体装置において、初期化の許可／禁止を示す初期化許可フラグを有し、前記初期データのコピーによる前記第１の不揮発性メモリの初期化が未了の状態では搭載機能の一部が無効化されかつ前記初期化許可フラグが許可状態とされ、前記初期化制御部は、前記初期データのコピーによる前記第１の不揮発性メモリの初期化完了に伴って前記初期化許可フラグを禁止状態へ移行させるという態様がある。
【００１２】
この構成においては、第１の不揮発性メモリが初期化を経ていない状態では、半導体装置に搭載されている機能の一部が無効状態のままとなっている。機能の一部が無効状態のままであると、その機能が使えないので、第１の不揮発性メモリの初期化に向けての動機付けが働く。その機能を有効化するには、第１の不揮発性メモリの初期化が必須とされているからである。第１の不揮発性メモリの初期化をうながすのであるが、このときは初期化許可フラグは禁止状態ではなく許可状態であるので、第１の不揮発性メモリの初期化が可能である。すなわち、初期化制御部による第１の不揮発性メモリの初期化が完了するまでは初期化許可フラグを許可状態にしておき、機能の一部が無効状態となっていることを通じて、第１の不揮発性メモリの初期化をうながし、第１の不揮発性メモリの初期化を確実化することが可能となる。
【００１３】
そして上記の構成において、前記初期化許可フラグが禁止状態へ移行された場合は、前記第２の不揮発性メモリの一部またはすべてのアドレスへのアクセスを禁止するという態様がある。
【００１４】
この場合、アクセス禁止の第２の不揮発性メモリのアドレスにおいて、秘匿性の高い初期データを格納しておくものとする。初期化制御部により第１の不揮発性メモリを初期化した後は、秘匿性の高い初期データを格納している第２の不揮発性メモリのアドレスへのアクセスを禁止するので、秘匿性の高い初期データの暴露を防ぐことが可能となる。
【００１５】
また上記構成の半導体装置において、前記第２の不揮発性メモリは、前記初期データに対して転送先アドレス情報を対にして格納しており、前記第２の不揮発性メモリから読み出された前記初期データは、前記転送先アドレス情報で指定された前記第１の不揮発性メモリのアドレスに転送格納されるという態様がある。
【００１６】
これによると、初期データの格納先アドレスを可変とすることが可能となるため、第１の不揮発性メモリの初期データのフォーマットが変更になった場合でも、容易に対応することが可能となる。
【００１７】
また上記構成の半導体装置において、前記初期化制御部は、さらに、前記リード部によって前記第２の不揮発性メモリから読み出された前記初期データに対して演算処理を行い、その処理結果を前記ライト部に渡すデータ処理部を備えているという態様がある。
【００１８】
これによると、第２の不揮発性メモリに格納しておく初期データを暗号化しておき、その暗号化された初期データをデータ処理部で復号化した上で第１の不揮発性メモリにコピーすれば、第２の不揮発性メモリにおいて初期データを暗号化状態でより安全に保持させることが可能となる。また、例えば輸送鍵のように輸送先にて照合した後、変更するような初期データについては、初期データの変更と格納を同時に行うことができるため、より効率的に第１の不揮発性メモリの初期化を行うことが可能である。
【００１９】
本発明によるＩＣカードは、
上記のいずれかの半導体装置と、
リーダライタと通信を行う送受信回路と、
前記送受信回路が受信したコマンドに従って前記半導体装置における前記初期化制御部を制御して、前記第２の不揮発性メモリから前記初期データを読み出させ、読み出された前記初期データを前記第１の不揮発性メモリにコピーして書き込み初期化を行わせる制御回路とを備えたものである。
【００２０】
これによると、不揮発性メモリを備えたＩＣカードにおいて、ＩＣカードの製造工程中において熱ストレスや応力ストレスが印加される工程までは、耐ストレス特性の高い第２の不揮発性メモリに初期データを格納しておき、ストレスが印加された後は、耐ストレス特性は比較的低いものの、アクセス速度・書き換え回数等の性能に優れた第１の不揮発性メモリに初期データをコピーすることで、不揮発性メモリの性能を損なうことなく、不揮発性メモリに格納される初期データを確実に保持することが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように本発明によると、不揮発性メモリに要求される基本性能を損なうことなく、不揮発性メモリに格納される初期データを確実に保持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明にかかわる半導体装置、ＩＣカードの実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における半導体装置Ａの構成を示すブロック図である。半導体装置Ａは、第１の不揮発性メモリ１、第２の不揮発性メモリ２、初期化制御部３、ＣＰＵ４、読み出し専用メモリ５およびこれらを互いにつなぐバス６を備えている。
【００２４】
第１の不揮発性メモリ１は、例えばアクセス速度が速く、書き換え回数が多い強誘電体メモリである。これに対して、第２の不揮発性メモリ２は、例えば耐ストレス特性（耐熱ストレス特性／耐応力ストレス特性）が高いワンタイムライトメモリであるヒューズメモリである。初期データは、初期には耐ストレス特性が高い第２の不揮発性メモリ２に格納されている。初期には、第１の不揮発性メモリ１には初期データは格納されていない。第１の不揮発性メモリ１には、初期化の許可／禁止を示す初期化許可フラグが所定のアドレスに格納されている。初期化許可フラグは、所定のビットで表される値である。初期化許可フラグは、電源が切断された場合においても保持される。
【００２５】
初期化制御部３は、リードアドレス発生部３１、リード部３２、ライトアドレス発生部３３、ライト部３４および初期化許可フラグ判定部３５を備え、ＣＰＵ４からの初期化信号ＩＮＩＴを受けて第１の不揮発性メモリ１の初期化動作を開始するように構成されている。この初期化動作は、第２の不揮発性メモリ２から初期データを読み出して第１の不揮発性メモリ１へコピーすることである。リードアドレス発生部３１は、第２の不揮発性メモリ２における初期データが格納されているアドレスを順次発生する。ライトアドレス発生部３３は、初期データを第１の不揮発性メモリ１に格納するアドレスを順次発生する。リード部３２は、リードアドレス発生部３１が発生したアドレスにおいて第２の不揮発性メモリ２から初期データを読み出す。ライト部３４は、読み出された初期データをライトアドレス発生部３３が発生したアドレスにおいて第１の不揮発性メモリ１に書き込む。
【００２６】
初期化許可フラグ判定部３５は、第１の不揮発性メモリ１から初期化許可フラグを読み出し、その初期化許可フラグが許可状態であるか禁止状態であるかを判定し、許可状態のときに初期化許可信号ＥＮを生成してリード部３２およびライト部３４に出力する。初期化許可フラグの値があらかじめ決められた値と一致する場合に禁止状態にあると判定し、一致しない場合に許可状態にあると判定する。
【００２７】
次に、上記のように構成された本実施の形態の半導体装置Ａの動作を説明する。
【００２８】
ＣＰＵ４は、読み出し専用メモリ５に格納されているプログラムを実行するとともに、第１の不揮発性メモリ１および第２の不揮発性メモリ２に適宜アクセスする。また、ＣＰＵ４は、実行プログラムに応じて初期化信号ＩＮＩＴを出力する。初期化制御部３は、初期化信号ＩＮＩＴを受けると、第１の不揮発性メモリ１の初期化動作を開始する。この初期化制御部３の動作を図２のフローチャートを用いて以下に説明する。前提として、この初期化動作のときまでに、熱ストレスや応力ストレスが印加されているとする。ただし、第１の不揮発性メモリ１の初期化は未了であるとする。電源が投入されＣＰＵ４から初期化信号ＩＮＩＴを受けると、初期化制御部３はステップＳ１１からの処理を開始する。
【００２９】
まず、ステップＳ１１において、初期化制御部３のリード部３２はバス６を介して第１の不揮発性メモリ１から初期化許可フラグを読み出し、初期化許可フラグ判定部３５に渡す。
【００３０】
次いでステップＳ１２において、初期化許可フラグ判定部３５は初期化許可フラグを判定する。禁止状態にあると判定した場合には、初期化動作を終了する。一方、許可状態にあると判定した場合には、初期化許可信号ＥＮを生成してリード部３２およびライト部３４に出力し、ステップＳ１３に進む。
【００３１】
ステップＳ１３において、何番目の初期データのコピーを行うかを示す変数Ｎを初期値の１に設定する。
【００３２】
次いでステップＳ１４において、リードアドレス発生部３１は第２の不揮発性メモリ２においてＮ番目の初期データが格納されているアドレスを発生し、そのリードアドレスにおいてリード部３２は第２の不揮発性メモリ２から初期データを読み出す。
【００３３】
次いでステップＳ１５において、ライトアドレス発生部３３は第１の不揮発性メモリ１においてＮ番目の初期データを格納するアドレスを発生し、そのライトアドレスにおいてライト部３４はステップＳ１４で読み出した初期データを第１の不揮発性メモリ１に書き込む。
【００３４】
次いでステップＳ１６において、必要な初期データのコピーが完了したかを判定し、完了していないときはステップＳ１７に進み、完了したときはステップＳ１８に進む。
【００３５】
必要な初期データのコピーが完了していないときにステップＳ１７に進むと、変数Ｎをインクリメント（＋１）し、ステップＳ１４に戻る。必要な初期データのコピーが完了するまで、変数Ｎをインクリメントしながら、ステップＳ１４〜Ｓ１７を繰り返す。
【００３６】
必要な初期データのコピーを完了してステップＳ１８に進むと、初期化許可フラグの状態を禁止状態に変更し、初期化動作を終了する。
【００３７】
以上のように本実施の形態によれば、ストレスがかかる工程までは、書き換え回数は少ないが耐ストレス性の高い第２の不揮発性メモリ２に初期データを格納しておき、ストレスが印加された後は、耐ストレス特性は比較的低いものの、アクセス速度が速く書き換え回数の多い第１の不揮発性メモリ１に初期データをコピーすることで、不揮発性メモリに要求される基本性能を満足しつつ、初期データを確実に保持することが可能となる。
【００３８】
本実施の形態の変形の態様として、次のように構成してもよい。
【００３９】
（１）初期データのコピーによる第１の不揮発性メモリ１の初期化が未了の状態では、搭載機能の一部が無効化されかつ初期化許可フラグが許可状態とされているものとする。搭載機能の一部を無効化については、具体的には、読み出し専用メモリ５のアクセス可能な領域を限定することで、読み出し専用メモリ５に格納されているライブラリ関数やデバイスドライバの使用を禁止する。機能の一部が無効状態のままであると、その機能が使えないので、第１の不揮発性メモリ１を初期化するように動機付けが働く。読み出し専用メモリ５に格納されているライブラリ関数やデバイスドライバを有効にするためには、第１の不揮発性メモリ１の初期化を行うことが必須となる。これにより、第１の不揮発性メモリ１の初期化をうながすのであるが、このときは初期化許可フラグは禁止状態ではなく許可状態であるので、第１の不揮発性メモリ１の初期化が可能である。すなわち、初期化制御部３による第１の不揮発性メモリ１の初期化が完了するまでは初期化許可フラグを許可状態にしておき、機能の一部が無効状態となっていることを通じて、第１の不揮発性メモリ１の初期化をうながし、第１の不揮発性メモリ１の初期化を確実化することが可能となる。なお、第１の不揮発性メモリ１の初期化完了に伴って初期化許可フラグは禁止状態へ移行される。
【００４０】
（２）第２の不揮発性メモリ２において、秘匿性の高い初期データを格納しておくものとする。第１の不揮発性メモリ１の初期化完了に伴って初期化許可フラグが禁止状態へ移行された場合は、秘匿性の高い初期データを格納している第２の不揮発性メモリ２の一部またはすべてのアドレスへのアクセスを禁止する。これにより、秘匿性の高い初期データが暴露される可能性を低減することが可能となる。
【００４１】
（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２における半導体装置での第２の不揮発性メモリ２に格納する初期データのフォーマットを示す。このフォーマットは、初期データと、その初期データを格納するアドレス情報とを対にしている。そして、本実施の形態の半導体装置Ａは、第２の不揮発性メモリ２に格納されているアドレス情報に基づいて第１の不揮発性メモリ１における初期データの格納先を決定するように構成されている。本実施の形態の半導体装置Ａの構成は、実施の形態１の場合の図１の構成と同じである。
【００４２】
図４は、図３に示す初期データのフォーマットに基づいて初期データのコピーを行う場合のフローチャートである。図２に示すフローチャートと異なる点は、ステップＳ１４，Ｓ１５の代わりに、それぞれステップＳ１４ａ，Ｓ１５ａを有することである。同じ点は説明を省略して異なる点を中心に説明する。
【００４３】
ステップＳ１４ａにおいては、リード部３２は、リードアドレス発生部３１によるリードアドレスで第２の不揮発性メモリ２をアクセスし、初期データとともにその初期データの格納先アドレスを読み出す。
【００４４】
次いでステップＳ１５ａにおいて、ライト部３４は、ステップＳ１４ａで読み出された第１の不揮発性メモリ１の格納先アドレスにステップＳ１４ａで読み出された初期データを書き込む。この場合、ライトアドレス発生部３３は機能を停止する。
【００４５】
本実施の形態によれば、第１の不揮発性メモリ１における初期データの格納先を可変にできるため、第１の不揮発性メモリ１の初期データのフォーマットが変更になった場合でも、容易に対応することが可能となる。
【００４６】
（実施の形態３）
図５は本発明の実施の形態３における半導体装置Ａの構成を示すブロック図である。図５において、実施の形態１の図１におけるのと同じ符号は同一構成要素を指している。本実施の形態に特有の構成は、次のとおりである。第２の不揮発性メモリ２には、暗号化された状態の初期データが格納されているものとする。初期化制御部３において、データ処理部３６が追加されている。このデータ処理部３６には、リード部３２によって第２の不揮発性メモリ２から読み出された初期データに対し所定の演算処理（論理演算、数値演算）を行い、その処理の結果をライト部３４に渡すように構成されている。ライト部３４は、データ処理部３６によって演算処理された結果としてのデータを第１の不揮発性メモリ１に書き込む。その他の構成については、実施の形態１と同様であるので、説明を省略する。
【００４７】
次に、上記のように構成された本実施の形態の半導体装置Ａの動作を説明する。
【００４８】
第２の不揮発性メモリ２に格納されている初期データをそのまま第１の不揮発性メモリ１にコピーする代わりに、読み出された初期データに対し所定のデータ処理を行った結果としてのデータを第１の不揮発性メモリ１の初期データとして格納する。例えば、第２の不揮発性メモリ２に格納されている暗号化された初期データは、データ処理部３６により復号化した上で第１の不揮発性メモリ１に格納する。第２の不揮発性メモリ２に格納しておく初期データを暗号化しておくことで、初期データをより安全な状態で保持させることが可能となる。また、例えば輸送鍵のように輸送先にて照合した後、変更するような初期データについては、初期データの変更と格納を同時に行うことができるため、より効率的に第１の不揮発性メモリの初期化を行うことが可能である。なお、データ処理部３６は、特定の初期データについてのみデータ処理を行うようにしてもよい。
【００４９】
（実施の形態４）
図６は本発明の実施の形態４におけるＩＣカードＢの構成を示すブロック図である。ＩＣカードＢは、第１の不揮発性メモリ１、第２の不揮発性メモリ２、初期化制御部３、バス６、送受信回路７および制御回路８を備えている。なお、第１の不揮発性メモリ１、第２の不揮発性メモリ２および初期化制御部３は上述したとおりである。
【００５０】
送受信回路７は、無線または有線通信により、図示しないリーダライタからコマンドを受信し、また、リーダライタに対してレスポンスを送信するものとして構成されている。制御回路８は、送受信回路７が受信したコマンドに従って適宜、第１の不揮発性メモリ１にアクセスしてデータの読み書きを行い、読み出したデータを適宜、送受信回路７に送るように構成されている。また、制御回路８は、リーダライタから受信したコマンドがカードテストコマンドである場合に、初期化信号ＩＮＩＴを生成して初期化制御部３に出力する。また、制御回路８は、初期化許可フラグ判定部３５において初期化許可フラグが許可状態にあると判定されている状態においては、カードテストコマンド以外のコマンド（例えばライトコマンドやリードコマンド）に対しては処理を行わず、さらに、初期化許可フラグが禁止状態にあると判定されている状態においては、カードテストコマンドに対しては処理を行わないように構成されている。その他の構成については、実施の形態１の場合の図１と同様であるので、同一の構成要素について同一の参照符号を付すにとどめ、詳しい説明は省略する。
【００５１】
次に、図７のフローチャートを参照しながら、ＩＣカードＢの動作について説明する。
【００５２】
まず、電源が投入されると、ステップＳ２１において、初期化制御部３のリード部３２はバス６を介して第１の不揮発性メモリ１から初期化許可フラグを読み出し、初期化許可フラグ判定部３５に渡す。
【００５３】
次いでステップＳ２２において、リーダライタから出力されたコマンドを送受信回路７によって受信する。
【００５４】
次いでステップＳ２３において、制御回路８は、受信したコマンドがカードテストコマンドであるか否かを判定する。カードテストコマンドの場合はステップＳ２４に進み、カードテストコマンドでない場合はステップＳ２８に進む。
【００５５】
ステップＳ２４に進むと、初期化許可フラグ判定部３５は初期化許可フラグを判定する。禁止状態にあると判定した場合には、初期化動作を終了する。一方、許可状態にあると判定した場合には、ステップＳ２５に進む。
【００５６】
ステップＳ２５において、コマンドに従った処理を実行する。
【００５７】
次いでステップＳ２６において、初期化制御部３は、第１の不揮発性メモリ１の初期化処理を実行する。この初期化処理の具体的内容は実施の形態１の場合と同様である。
【００５８】
初期化処理の完了後、ステップＳ２７において、初期化許可フラグを禁止状態にする。
【００５９】
次いでステップＳ３０において、送受信回路７からリーダライタへレスポンスを送信する。なお、ステップＳ２４で初期化許可フラグが禁止状態であるときには、レスポンス送信を行うことなく処理を終了する。
【００６０】
受信したコマンドがカードテストコマンド以外の場合でステップＳ２８に進んだときには、初期化許可フラグが禁止状態であるか否かを判断する。そして、禁止状態になっているときにはステップＳ２９に進んで、コマンドに従った処理を実行し、レスポンス送信のステップＳ３０に進む。一方、ステップＳ２８において、初期化許可フラグが許可状態であるときには、レスポンス送信を行うことなく処理を終了する。
【００６１】
以上のように本実施の形態によれば、不揮発性メモリを備えたＩＣカードＢにおいて、送受信回路７が受信したコマンドに従って第１の不揮発性メモリ１の初期化を実行するもので、カードテストと連動させての第１の不揮発性メモリ１の初期化が可能である。また、ストレスがかかる工程までは、書き換え回数は少ないが耐ストレス性の高い第２の不揮発性メモリ２に初期データを格納しておき、ストレスが印加された後は、耐ストレス特性は比較的低いものの、アクセス速度が速く書き換え回数の多い第１の不揮発性メモリ１に初期データをコピーすることで、不揮発性メモリに要求される基本性能を満足しつつ、初期データを確実に保持することが可能となる。
【００６２】
また、第１の不揮発性メモリ１が初期化されていない状態で、通常のコマンドを処理することがなくなるため、ＩＣカードＢをより安全に運用することができる。
【００６３】
なお、上記のいずれの実施の形態においても、初期化制御部３をＣＰＵ４内のソフトウェア処理として構成してもよい。この場合、ハードウェアとしての初期化制御部３は必要でなくなる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明における半導体装置は、耐ストレス性が比較的低い不揮発性メモリにおいても、確実に初期データの保持が可能であるため、特に、ＬＳＩ出荷時に初期データの格納が必要であり、かつ、最終製品形態に至るまでの工程において熱ストレスや応力ストレス等が印加される可能性のある半導体装置において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を示すブロック図
【図２】本発明の実施の形態１における半導体装置の動作を示すフローチャート
【図３】本発明の実施の形態２における半導体装置での初期データのフォーマット
【図４】本発明の実施の形態２における半導体装置の動作を示すフローチャート
【図５】本発明の実施の形態３における半導体装置の構成を示すブロック図
【図６】本発明の実施の形態４におけるＩＣカードの構成を示すブロック図
【図７】本発明の実施の形態４におけるＩＣカードの動作を示すフローチャート
【符号の説明】
【００６６】
Ａ  半導体装置
Ｂ  ＩＣカード
１  第１の不揮発性メモリ（強誘電体メモリ）
２  第２の不揮発性メモリ（ヒューズメモリ）
３  初期化制御部
４  ＣＰＵ
５  読み出し専用メモリ
６  バス
７  送受信回路
８  制御回路
３１  リードアドレス発生部
３２  リード部
３３  ライトアドレス発生部
３４  ライト部
３５  初期化許可フラグ判定部
３６  データ処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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