(57)【要約】【課題】長期間保存しても馬の背故障や凸状故障等の光学フィルム原反の変形故障が発生しない光学フィルム、それを用いた偏光板、及び該偏光板を用いた液晶表示装置の提供。【解決手段】セルロースエステルを有する光学フィルムにおいて、該光学フィルムが下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とする光学フィルム。    【化１】2008225166.tif 000045【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルロースエステルを有する光学フィルムにおいて、該光学フィルムが下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とする光学フィルム。
【化１】
2008225166.tif 000043
（式中、Ｒ1は置換基を表す。Ｒ2は水素原子または置換基を表す。Ｒ3は水素原子または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ4は水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表す。Ｒ5は水素原子または置換基を表す。Ｒ6は水素原子または置換基を表す。Ｒ7は水素原子または、炭素数１〜１０のアルキル基を表す。Ｒ8は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基または、フェニル基を表す。ｎは１〜４の整数を表す。Ａは１〜４価の基を表す。）
【請求項２】
請求項１に記載の光学フィルムが、セルロースエステルと下記一般式（Ｉ）で表される化合物から選ばれる少なくとも一種を含有する溶融物を用いて溶融流延法によって製造されることを特徴とする光学フィルムの製造方法。
【化２】
2008225166.tif 000044
（式中、Ｒ1は置換基を表す。Ｒ2は水素原子または置換基を表す。Ｒ3は水素原子または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ4は水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表す。Ｒ5は水素原子または置換基を表す。Ｒ6は水素原子または置換基を表す。Ｒ7は水素原子または、炭素数１〜１０のアルキル基を表す。Ｒ8は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基または、フェニル基を表す。ｎは１〜４の整数を表す。Ａは１〜４価の基を表す。）
【請求項３】
請求項１に記載の光学フィルム又は請求項２に記載の光学フィルムの製造方法により得られた光学フィルムを偏光子の少なくとも一方の面に有することを特徴とする偏光板。
【請求項４】
請求項３に記載の偏光板をロール状の長尺に巻取り、その後巻き状態から繰り出して偏光子と貼り合わせることを特徴とする偏光板の製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載の偏光板を液晶セルの少なくとも一方の面に用いることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項４に記載の偏光板の製造方法により得られた偏光板を液晶セルの少なくとも一方の面に用いることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学フィルム、その製造方法、偏光板、その製造方法及び液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ノートパソコンの薄型軽量化、大型画面化、高精細化の開発が進んでいる。それに伴って、液晶表示装置用の光学フィルムもますます薄膜化、広幅化、高品質化の要求が強くなってきている。
【０００３】
ところで、液晶表示装置用光学フィルムとしての偏光板保護フィルムには、一般的にセルロースエステルを用いた光学フィルムが広く使用されている。
【０００４】
これらの光学フィルムは通常巻芯に巻かれて光学フィルム原反となり、保存、輸送されている。
【０００５】
これらの光学フィルムは、これまで、専ら溶液流延法によって製造されてきた。溶液流延法とは、セルロースエステルを溶媒に溶解した溶液を流延して光学フィルム形状を得た後、溶媒を蒸発・乾燥させて光学フィルムを得るといった製膜方法である。溶液流延法で製膜した光学フィルムは平面性が高いため、これを用いてムラのない高画質な液晶ディスプレイを得ることができる。
【０００６】
しかし、溶液流延法は多量の有機溶媒を必要とし、環境負荷が大きいことも課題となっていた。光学フィルムは、その溶解特性から、環境負荷の大きいハロゲン系溶媒を用いて製膜されているため、特に溶剤使用量の削減が求められており、溶液流延製膜によって光学フィルムを増産することは困難となってきている。
【０００７】
また、光学フィルム内部に残存する溶媒を除去しなければならないため、乾燥ライン、乾燥エネルギー、及び蒸発した溶媒の回収及び再生装置等、製造ラインへの設備投資及び製造コストが膨大になっており、これらを削減することも重要な課題となっている。
【０００８】
また、一方、セルロースエステルにヒンダードフェノール酸化防止剤、ヒンダードアミン光安定剤、酸掃去剤をある添加量比で加えることによって、分光特性、機械特性の改善を図った技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。可塑剤として多価アルコールエステル系可塑剤を用いる技術（例えば、特許文献２参照）、さらに多価アルコールエステル系可塑剤を特定の構造に限定した技術（例えば、特許文献３参照）も公開されている。また、有機材料の劣化を防止する技術として、各種安定剤と亜燐酸エステル類を含有する安定剤組成物が知られている（例えば、特許文献４参照）。
【０００９】
しかし、いずれにしても光学用途の光学フィルムについては、その製造工程での溶媒使用に伴う製造負荷、設備負荷があり、また光学特性、機械特性も不十分な状態にある。
【００１０】
近年、銀塩写真用あるいは偏光子保護フィルム用として、セルロースエステルを溶融製膜する試みが行なわれているが、セルロースエステルは溶融時の粘度が非常に高い高分子であり、かつ、ガラス転移温度も高いため、セルロースエステルを溶融してダイスから押出し、冷却ドラムまたは冷却ベルト上にキャスティングしてもレべリングがし難い、光学特性、機械特性が溶液流延光学フィルムよりも低いといった課題を有していることが判明している（例えば、特許文献５及び特許文献６参照）。
【００１１】
このため、溶融製膜された光学フィルムを巻芯に巻いた光学フィルム原反の状態で長期間保存すると、馬の背故障や光学フィルム原反の巻芯部分には巻芯転写と呼ばれる故障及び巻始めるときに光学フィルムにシワが発生しやすい問題があることが判明した。
【００１２】
馬の背故障とは、馬の背中のように光学フィルム原反がＵ字型に変形し、中央部付近に２〜３ｃｍ程度のピッチで帯状の凸部ができる故障で、光学フィルムに変形が残ってしまうため、偏光板に加工すると表面が歪んで見えてしまうため問題である。今まで、馬の背故障はベース同士の動摩擦係数を低くしたり、両サイドにあるナーリング加工（エンボス加工）の高さを調節することによって発生を低減させてきた。
【００１３】
また、巻芯転写は、巻芯や光学フィルムの凹凸によって発生する光学フィルム変形故障である。
このような光学フィルムの変形があると、偏光板に加工した場合、表面が歪んで見えてしまうため問題である。
【００１４】
また液晶ディスプレイの最表面に設置する光学フィルムは、クリアハード加工やアンチグレア加工、アンチリクレクション加工が施されている。これらの加工を行うとき、光学フィルムの表面が変形していると、塗布ムラや蒸着ムラとなり、製品収率を大幅に劣化させる原因となる。
【００１５】
従来の溶液流延で作製した光学フィルムではこれらの故障は、大きな問題にならなかったが、溶融製膜で作製した光学フィルムでは、光学フィルムの平面性が低いため大きな問題となることが分かった。
【００１６】
特に、近年、大型画面化に伴って、光学フィルム原反の幅は広く、巻長は長くすることが要望されている。
【００１７】
そのため、光学フィルム原反は幅広となり、光学フィルム原反荷重は増加する傾向にあり、これらの故障がより発生しやすい状況のため、改良が望まれている。
【特許文献１】特開２００３−１９２９２０号公報
【特許文献２】特開２００３−１２８２３号公報
【特許文献３】特開２００３−９６２３６号公報
【特許文献４】特開平１１−２２２４９３号公報
【特許文献５】特表平６−５０１０４０号公報
【特許文献６】特開２０００−３５２６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、上記問題を鑑みなされたものであり、本発明の目的は、長期間保存しても馬の背故障や凸状故障等の光学フィルム原反の変形故障が発生しない光学フィルム、その製造方法、偏光板、その製造方法及び液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の上記課題は、以下の構成により達成される。
【００２０】
１．セルロースエステルを有する光学フィルムにおいて、該光学フィルムが下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とする光学フィルム。
【００２１】
【化１】
2008225166.tif 000002
【００２２】
（式中、Ｒ1は置換基を表す。Ｒ2は水素原子または置換基を表す。Ｒ3は水素原子または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ4は水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表す。Ｒ5は水素原子または置換基を表す。Ｒ6は水素原子または置換基を表す。Ｒ7は水素原子または、炭素数１〜１０のアルキル基を表す。Ｒ8は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基または、フェニル基を表す。ｎは１〜４の整数を表す。Ａは１〜４価の基を表す。）
２．前記１に記載の光学フィルムが、セルロースエステルと下記一般式（Ｉ）で表される化合物から選ばれる少なくとも一種を含有する溶融物を用いて溶融流延法によって製造されることを特徴とする光学フィルムの製造方法。
【００２３】
【化２】
2008225166.tif 000003
【００２４】
（式中、Ｒ1は置換基を表す。Ｒ2は水素原子または置換基を表す。Ｒ3は水素原子または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ4は水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表す。Ｒ5は水素原子または置換基を表す。Ｒ6は水素原子または置換基を表す。Ｒ7は水素原子または、炭素数１〜１０のアルキル基を表す。Ｒ8は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基または、フェニル基を表す。ｎは１〜４の整数を表す。Ａは１〜４価の基を表す。）
３．前記１に記載の光学フィルム又は前記２に記載の光学フィルムの製造方法により得られた光学フィルムを偏光子の少なくとも一方の面に有することを特徴とする偏光板。
【００２５】
４．前記３に記載の偏光板をロール状の長尺に巻取り、その後巻き状態から繰り出して偏光子と貼り合わせることを特徴とする偏光板の製造方法。
【００２６】
５．前記３に記載の偏光板を液晶セルの少なくとも一方の面に用いることを特徴とする液晶表示装置。
【００２７】
６．前記４に記載の偏光板の製造方法により得られた偏光板を液晶セルの少なくとも一方の面に用いることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の光学フィルム、その製造方法、偏光板、その製造方法及び液晶表示装置は、長期間保存しても馬の背故障や凸状故障等の光学フィルム原反の変形故障が発生がなく優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定するものではない。
【００３０】
《一般式（１）で表される化合物》
本発明は、セルロースエステルを有してなる光学フィルムにおいて、該光学フィルムが前記一般式（１）で表される化合物を含有することが特徴である。
【００３１】
次に、詳細に本発明の一般式（１）の化合物について説明する。
【００３２】
前記一般式（１）においてＲ1は置換基を表す。Ｒ1はそれぞれ同一でも異なっていても良く、置換基としては炭素数１〜２５のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、炭素数５〜１２のシクロアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換された炭素数５〜１２のシクロアルキル基、炭素数５〜１２のシクロアルケニル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換された炭素数５〜１２のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素数７〜９のフェニルアルキル基、または基：−ＣＨ2−Ｓ−Ｘ1が挙げられる。
【００３３】
Ｘ1は炭素数１〜２５のアルキル基、炭素数５〜１２のシクロアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換された炭素数５〜１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素数７〜９のフェニルアルキル基または−（ＣＨ2）rＣＯＯ−Ｙ1を表す。
【００３４】
Ｙ1は炭素数１〜２５のアルキル基、炭素数５〜１２のシクロアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換された炭素数５〜１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素数７〜９のフェニルアルキル基を表す。
【００３５】
前記一般式（１）において、Ｒ2は水素原子または置換基を表す。
【００３６】
Ｒ2はそれぞれ同一でも異なっていても良く、置換基としては炭素数１〜２５のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、炭素数５〜１２のシクロアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換された炭素数５〜１２のシクロアルキル基、炭素数５〜１２のシクロアルケニル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換された炭素数５〜１２のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素数７〜９のフェニルアルキル基、または基：−ＣＨ2−Ｓ−Ｘ1、−（ＣＨ2）pＣＯＯ−Ｘ2または−（ＣＨ2）qＯ−Ｘ3が挙げられる。
【００３７】
Ｘ1はＲ1におけるＸ1と同一である。
【００３８】
Ｘ2は炭素数１〜２５のアルキル基、炭素数５〜１２のシクロアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換された炭素数５〜１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素数７〜９のフェニルアルキル基を表す。
【００３９】
Ｘ3は炭素数１〜２５のアルキル基、炭素数５〜１２のシクロアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換された炭素数５〜１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素数７〜９のフェニルアルキル基、炭素数１〜２５のアルカノイル基、炭素数３〜２５のアルケノイル基；酸素原子、硫黄原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素数３〜２５のアルカノイル基、炭素数６〜９のシクロアルキルカルボニル基、ベンゾイル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたベンゾイル基、テノイル基またはフロイル基を表す。
【００４０】
Ｙ2は水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表す。
【００４１】
ｐは０、１または２を表し、ｑは０ないし８の整数を表す。
【００４２】
前記一般式（１）において、Ｒ3は水素原子または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒはそれぞれ同一でも異なっていても良く、好ましくは水素原子である。
【００４３】
前記一般式（１）においてＲ4は水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表す。Ｒ4として好ましくは炭素数１〜４のアルキル基である。
【００４４】
前記一般式（１）において、Ｒ5は水素原子または置換基を表す。置換基としては炭素原子数１ないし１０のアルキル基、フェニル基、−ＣＨ2−ＣＯＯ−Ｘ4または−ＣＮが挙げられる。
【００４５】
Ｘ4は炭素原子数１ないし２５のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基で表される。
【００４６】
前記一般式（１）において、Ｒ6は水素原子または置換基を表す。置換基としては炭素原子数１ないし４のアルキル基、フェニル基、−ＣＯＯ−Ｘ5、−ＣＮまたは−ＣＯＮ（Ｘ6）（Ｘ7）が挙げられる。
【００４７】
Ｘ5は炭素原子数１ないし２５のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基で表される。
【００４８】
Ｘ6およびＸ7はそれぞれ水素原子、炭素原子数１ないし２５のアルキル基、炭素原子数２ないし２４のアルケニル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルケニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表される。
【００４９】
前記一般式（１）においてＲ7は水素原子または、炭素数１〜１０のアルキル基を表す。
【００５０】
前記一般式（１）においてＲ8は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基または、フェニル基を表す。
【００５１】
前記一般式（１）においてｎは１〜４の整数を表す。
【００５２】
前記一般式（１）においてはＡは１〜４価の基を表す。
【００５３】
ｎが１の時、Ａは基：−Ｏ−Ｚ1、−Ｎ（Ｚ2）（Ｚ3）、−ＮＨ（ＯＺ4）、−Ｏ−Ｎ＝Ｃ（Ｚ5）（Ｚ6）、−Ｓ（Ｏ）mＺ7、−ＮＨ−Ｚ8または−Ｓ−Ｚ8を表すか、あるいはＡはまた窒素原子において自由原子価をもつ未置換のまたは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された複素環基を表す。
ｍは１または２を表す。
【００５４】
Ｚ1は水素原子、炭素原子数１ないし２５のアルキル基；酸素原子、硫黄原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数３ないし２５のアルキル基、炭素原子数３ないし２４のアルケニル基、５ないし２０個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基、７ないし２０個の炭素原子を含む二環式飽和炭化水素基、１０ないし２０個の炭素原子を含む三環式飽和炭化水素基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルケニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルケニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、フェニル環において炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、テトラヒドロフルフリル基、テトラヒドロアビエチル基、炭素原子数１ないし２５のアルカノイル基、炭素原子数３ないし２５のアルケノイル基；酸素原子、硫黄原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数３ないし２５のアルカノイル基、炭素原子数６ないし９のシクロアルキルカルボニル基、ベンゾイル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたベンゾイル基、テノイル基、フロイル基または下記式IIａもしくは式IIｂを表す。
【００５５】
【化３】
2008225166.tif 000004
【００５６】
（式中、Ｔ1およびＴ2はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし２５のアルキル基、炭素原子数２ないし２４のアルケニル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルケニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、または−ＣＨ2−Ｓ−Ｘ1基を表し；
Ｔ3は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；Ｔ4は水素原子、炭素原子数１ないし２５のアルキル基、炭素原子数２ないし２４のアルケニル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルケニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、−ＣＨ2−Ｓ−Ｘ1、−（ＣＨ2）pＣＯＯ−Ｘ2または−（ＣＨ2）qＯ−Ｘ3を表し；
Ｔ5は水素原子、炭素原子数１ないし８のアルキル基、ＯＨ基で置換された炭素原子数２ないし４のアルキル基、Ｏ・、−ＯＨ、−ＮＯ、−ＣＨ2ＣＮ、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルコキシ基、炭素原子数３ないし６のアルケニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、フェニル環上炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基；炭素原子数１ないし８のアルカノイル基、炭素原子数３ないし８のアルケノイル基またはベンゾイル基を表す。ｗは０または１を表す。
【００５７】
Ｚ2は水素原子、炭素原子数１ないし２５のアルキル基、ＯＨ基で置換された炭素原子数２ないし２５のアルキル基、炭素原子数３ないし２４のアルケニル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、炭素原子数１ないし２５のアルカノイル基、炭素原子数３ないし２５のアルケノイル基；酸素原子、硫黄原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数３ないし２５のアルカノイル基、炭素原子数６ないし９のシクロアルキルカルボニル基、ベンゾイル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたベンゾイル基、テノイル基、フロイル基、基：−（ＣＨ2）pＣＯＯ−Ｘ2または式IIｂで表される基である。
【００５８】
Ｚ3は水素原子、炭素原子数１ないし２５のアルキル基、ＯＨ基で置換された炭素原子数２ないし２５のアルキル基、炭素原子数３ないし２４のアルケニル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基で表される。
【００５９】
Ｔ6は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基で表される。
【００６０】
Ｔ6として好ましくはＴ6は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基である。
【００６１】
あるいはＺ2およびＺ3は一緒になって炭素原子数３ないし６のアルキレン基、炭素原子数３ないし６のオキソアルキレン基または酸素原子、硫黄原子もしくは＞Ｎ−Ｔ6で中断された炭素原子数３ないし６のアルキレン基で表される。
【００６２】
Ｚ4は炭素原子数１ないし２５のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基で表される。
【００６３】
Ｚ5およびＺ6はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし２５のアルキル基、炭素原子数２ないし２４のアルケニル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルケニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表す。
【００６４】
Ｚ7は炭素原子数１ないし２５のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または基：−（ＣＨ2）rＣＯＯ−Ｙ1を表す。
【００６５】
Ｚ8は未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された２−ベンズオキサゾリル基または未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された２−ベンゾチアゾリル基で表される。
【００６６】
ｎが２の時、Ａは下記式IIIａ、式IIIｂ、式IIIｃ、式IIIｄ、式IIIｅまたは式IIIｆを表す。
【００６７】
【化４】
2008225166.tif 000005
【００６８】
〔式中、Ｇ1およびＧ3はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし２５のアルキル基、炭素原子数３ないし２４のアルケニル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、−（ＣＨ2）pＣＯＯ−Ｘ2基または式IIｂで表される基を表し；
Ｇ2は炭素原子数２ないし１２のアルキレン基；酸素原子、硫黄原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2中断された炭素原子数４ないし２０のアルキレン基、炭素原子数４ないし２０のアルケニレン基、炭素原子数４ないし２０のアルキニレン基、（炭素原子数１ないし４のアルキレン）−フェニレン−（炭素原子数１ないし４のアルキレン）基、２つの自由電子価をもちおよび５ないし１２個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基、２つの自由電子価をもちおよび７ないし３０個の炭素原子を含む二環式飽和炭化水素基、フェニレン基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニレン基、ナフチレン基、炭素原子数２ないし２０のアルカンジオイル基、炭素原子数４ないし２０のアルケンジオイル基またはカルボキシベンゾイル基を表し；
Ｇ4およびＧ6はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし２５のアルキル基、炭素原子数３ないし２４のアルケニル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基を表し；
Ｇ5は炭素原子数２ないし１２のアルキレン基；酸素原子、硫黄原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数４ないし２０のアルキレン基、炭素原子数４ないし２０のアルケニレン基、炭素原子数４ないし２０のアルキニレン基、（炭素原子数１ないし４のアルキレン）−フェニレン−（炭素原子数１ないし４のアルキレン）基、２つの自由電子価をもちおよび５ないし１２個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基、２つの自由電子価をもちおよび７ないし３０個の炭素原子を含む二環式飽和炭化水素基、フェニレン基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニレン基またはナフチレン基を表し；
Ｇ7は炭素原子数２ないし２０のアルキレン基；酸素原子、硫黄原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数４ないし２０のアルキレン基、炭素原子数４ないし２０のアルケニレン基、炭素原子数４ないし２０のアルキニレン基、（炭素原子数１ないし４のアルキレン）−フェニレン−（炭素原子数１ないし４のアルキレン）基、２つの自由電子価をもち、且つ、５ないし１２個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基、２つの自由電子価をもち、且つ７ないし３０個の炭素原子を含む二環式飽和炭化水素基、フェニレン基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニレン基またはナフチレン基、炭素原子数２ないし２０のアルカンジオイル基、炭素原子数４ないし２０のアルケンジオイル基、カルボキシベンゾイル基または式IVａ、式IVｂまたはIVｃで表される基である。
【００６９】
【化５】
2008225166.tif 000006
【００７０】
（式中、Ｄ1はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表し；
置換基Ｄ2はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表し；
Ｄ3およびＤ4はおのおの互いに独立して、水素原子、ＣＦ3、炭素原子数１ないし１２のアルキル基もしくはフェニル基を表すか、あるいはＤ3およびＤ4は結合している炭素原子と一緒になって無置換、もしくは炭素原子数１ないし４のアルキルで置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキリデン環を形成し得る。ｖは０または１を表す。）
Ｇ8およびＧ10はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし２５のアルキル基、炭素原子数３ないし２４のアルケニル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基を表し；
Ｇ9およびＧ11は、炭素原子数２ないし１２のアルキレン基；酸素原子、硫黄原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数４ないし２０のアルキレン基、炭素原子数４ないし２０のアルケニレン基、炭素原子数４ないし２０のアルキニレン基、（炭素原子数１ないし４のアルキレン）−フェニレン−（炭素原子数１ないし４のアルキレン）基、２つの自由電子価をもちおよび５ないし１２個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基、２つの自由電子価をもちおよび７ないし３０個の炭素原子を含む二環式飽和炭化水素基、フェニレン基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニレン基またはナフチレン基を表し；
Ｇ12は水素原子、炭素原子数１ないし２５のアルキル基、炭素原子数３ないし２４のアルケニル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基を表し；
置換基Ｄ1はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表し；
置換基Ｄ2はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表し；
Ｄ3およびＤ4はおのおの互いに独立して、水素原子、ＣＦ3、炭素原子数１ないし１２のアルキル基もしくはフェニル基を表すか、あるいはＤ3およびＤ4は結合している炭素原子と一緒になって未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキルで置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキリデン環を形成し；ｔは１または２を表す。〕
ｎが３の時、Ａは下記の式Ｖａ、式Ｖｂまたは式Ｖｃを表す。
【００７１】
【化６】
2008225166.tif 000007
【００７２】
（式中、Ｅ1は炭素原子数３ないし７のアルカントリイル基を表し；Ｅ2およびＥ3は炭素原子数２ないし８のアルキレン基を表す。）
ｎが４の時、Ａは下記の式VI基を表す。
【００７３】
【化７】
2008225166.tif 000008
【００７４】
（式中、Ｅ4は炭素原子数４ないし１０のアルカンテトライル基または酸素原子で中断された炭素原子数４ないし１０のアルカンテトライル基を表す。）
以下に、一般式（１）の化合物について、さらに詳細に説明する。
【００７５】
２５個までの、好ましくは１８個までの、最も好ましくは１０個までの炭素原子のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、第二ブチル基、イソブチル基、第三ブチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ペンチル基、第三ペンチル基、イソペンチル基、１−メチルペンチル基、１，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘプチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基、１−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、１，１，３−トリメチルヘキシル基、１，１，３，３−テトラメチルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、１−メチルウンデシル基、ドデシル基、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルヘキシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、エイコシル基またはドコシル基である。
【００７６】
Ｒ1およびＲ2の好ましい意味の１つは、枝分かれした炭素原子数１ないし１０のアルキル基、より特別には炭素原子数１ないし５のアルキル基、代表的にはメチル基、第三ブチル基および第三ペンチル基である。
【００７７】
Ｒ4の好ましい意味の１つは炭素原子数１ないし４のアルキル基、特にメチル基が好ましい。
【００７８】
Ｙ2の好ましい意味の１つは炭素原子数１ないし４のアルキル基、特にメチル基が好ましい
Ｚ1およびＺ2の好ましい意味の１つは炭素原子数１ないし１８のアルキル基である。
【００７９】
Ｚ7の好ましい基としては炭素原子数１ないし１８のアルキル基であり、特に炭素素原子数１ないし１０のアルキル基が好ましい。
【００８０】
Ｔ1、Ｔ2およびＴ4の好ましい基としては炭素原子数１ないし４のアルキル基、特に好ましくはメチル基および第三ブチル基である。
【００８１】
Ｔ5の好ましい意味の１つは炭素原子数１ないし４のアルキル基、特にメチル基が好ましい。
【００８２】
Ｔ6の好ましい基としては炭素原子数１ないし４のアルキル基である。
【００８３】
酸素原子、硫黄原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数２ないし２５のアルキレン基としては、ＣＨ3−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−、ＣＨ3−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−、（ＣＨ3）2ＣＨ−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2−、ＣＨ3−Ｓ−ＣＨ2ＣＨ2−、ＣＨ3−ＮＨ−ＣＨ2ＣＨ2−、ＣＨ3−Ｎ（ＣＨ3）−ＣＨ2ＣＨ2−、ＣＨ3−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−、ＣＨ3−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−）2Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−、ＣＨ3−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−）3Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−またはＣＨ3−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−）4Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−である。
【００８４】
酸素原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数３ないし２５のアルキル基が好ましくおよび酸素原子で中断された炭素原子数３ないし１０のアルキル基がより好ましい。
【００８５】
また、炭素原子数１ないし５のアルキル−（ＯＣＨ2ＣＨ2）1-10および炭素原子数１ないし５のアルキル−（ＯＣＨ2ＣＨ2）1-2−が特に好ましい。
【００８６】
−ＯＨ基で置換された炭素原子数２ないし２５のアルキル基、特に−ＯＨ基で置換された炭素原子数２ないし４のアルキル基は代表的には２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシブチル基または４−ヒドロキシブチル基である。
【００８７】
炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基は代表的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ペントキシ基、イソペントキシ基、ヘキソキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基またはオクタデシルオキシ基である。炭素原子数６ないし１２のアルコキシ基は特にヘプチルオキシ基およびオクチルオキシ基が好ましい。
【００８８】
２４個までの、好ましい１８個までの炭素原子をもつアルケニル基は、代表的にはビニル基、プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、イソブテニル基、３−メチル−２−ブテニル基、ｎ−２−オクテニル基、ｎ−２−ドデセニル基、イソドデセニル基、ｎ−２−オクタデセニル基またはｎ−４−オクタデセニル基である。
【００８９】
１位の炭素原子が飽和されているアルケニル基が好ましい。炭素原子数３ないし１８のアルケニル基が特に好ましい。
【００９０】
無置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、代表的にはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基、２−もしくは４−メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、トリメチルシクロヘキシル基または第三ブチルシクロヘキシル基である。未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、さらに特にシクロヘキシル基が好ましい。
【００９１】
Ｒ1の好ましい基としては、シクロヘキシル基である。
【００９２】
５ないし１２個の炭素原子を有するシクロアルコキシ基としては、例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロデシルオキシ基またはシクロドデシルオキシ基である。シクロペンチルオキシ基およびシクロヘキシルオキシ基が特に好ましい。
【００９３】
５ないし２０個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基は代表的には、無置換または炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基またはシクロアルキル基部分で炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された（炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル）−（炭素原子数１ないし４のアルキル）基であり代表的にはシクロヘキシルメチル基、メチルシクロヘキシルメチル基またはジメチルシクロヘキシルメチル基である。
【００９４】
７ないし２０個の炭素原子を含む二環式飽和炭化水素基としては、代表的には下記のｅｘ−１〜ｅｘ−６である。
【００９５】
【化８】
2008225166.tif 000009
【００９６】
１０ないし２０個の炭素原子を含む三環式飽和炭化水素基としては代表的には下記のｅｘ−７、ｅｘ−８である。
【００９７】
【化９】
2008225166.tif 000010
【００９８】
無置換もしくは炭素原子１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルケニル基は、例えばシクロヘキセ−２−エニル基、シクロヘプテ−３−エニル基、４−第三ブチルシクロヘキセ−２−エニルである。中でも、シクロヘキセニル基が好ましい。
【００９９】
炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基は代表的には、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、第三ブチルフェニル基、ジ第三ブチルフェニル基またはメチル−ジ−第三ブチルフェニル基である。
【０１００】
無置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキリデン環としては、代表的には、下記のｅｘ−９，ｅｘ−１０である。
【０１０１】
【化１０】
2008225166.tif 000011
【０１０２】
炭素原子数は、５ないし８のシクロアルキリデン環が好ましい。
【０１０３】
また、無置換またはフェニル基において、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基は、例えばベンジル基、フェネチル基、３−フェニルプロピル基、α−メチルベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、メチルベンジル基、ジメチルベンジル基、トリメチルベンジル基および第三ブチルベンジル基である。
【０１０４】
２５個までの炭素原子を含むアルカノイル基はメタノイル基、エタノイル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基、オクタノイル基、ノナノイル基、デカノイル基、ウンデカノイル基、ドデカノイル基、トリデカノイル基、テトラデカノイル基、ペンタデカノイル基、ヘキサデカノイル基、オクタデカノイル基、ノナデカノイル基またはエイコサノイル基であってよい。炭素原子数１ないし１８のアルカノイル基が好ましい意味である。
【０１０５】
酸素原子、硫黄原子または基：＞Ｎ−Ｙ2を有する炭素原子数３ないし２５個のアルカノイル基は、代表的には−ＣＯ−ＣＨ2ＣＨ2−Ｓ−（炭素原子数１ないし１０のアルキル）基、−ＣＯ−ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−（炭素原子数１ないし１０のアルキル）基および−ＣＯ−ＣＨ2ＣＨ2−Ｎ（Ｙ2）−（炭素原子数１ないし１０のアルキル）基である。
【０１０６】
酸素原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2を有する炭素原子数３ないし２５のアルカノイル基が好ましい。
【０１０７】
３ないし２５個の炭素原子のアルケノイル基は代表的にはアクリロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、イソクロトノイル基およびオレオイル基である。炭素原子数３ないし１８のアルケノイル基が好ましい。
【０１０８】
炭素原子数６ないし９のシクロアルキルカルボニル基は、例えば、シクロペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、シクロヘプチルカルボニル基またはシクロオクチルカルボニル基である。
【０１０９】
炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたベンゾイル基は代表的にはメチルベンゾイル基または第三ブチルベンゾイル基である。
【０１１０】
窒素原子において自由原子価をもつ、無置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換した複素環基のとしては下記のｅｘ−１１〜ｅｘ−２６で表される複素環基である。
【０１１１】
【化１１】
2008225166.tif 000012
【０１１２】
５ないし７員複素単環式基および９ないし１０員複素二環式基が好ましい。
【０１１３】
特に好ましいヘテロ原子は窒素原子である。
【０１１４】
好ましい基としては、無置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された１−ピロリル基、未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された１−ピラゾリル基、未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された１−イミダゾリル基、１−トリアゾリル基、未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された１−ベンズイミダゾリル基または１−ベンゾトリアゾリル基である。
【０１１５】
Ｚ8としては、代表的には下記のｅｘ−２７〜ｅｘ−３０で表される基である。
【０１１６】
【化１２】
2008225166.tif 000013
【０１１７】
２０個までの、好ましくは１２個までのもしくは６個までの炭素原子を含むアルキレン基は、代表的にはエチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、２，２−ジメチルトリメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、トリメチルヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基またはドデカメチレン基である。
【０１１８】
Ｇ2、Ｇ5、Ｇ7、Ｇ9およびＧ11の好ましい意味の一つは炭素原子数２ないし８のアルキレン基である。
【０１１９】
酸素原子、硫黄原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数４ないし２０のアルキレン基は、代表的には−ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−Ｓ−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−ＮＨ−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−ＮＨ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−ＮＨ−ＣＨ2−ＣＨ2−、−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−ＮＨ−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）6−ＮＨ−（ＣＨ2）6−、−ＣＨ2ＣＨ2−Ｎ（ＣＨ3）−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−Ｎ（ＣＨ3）−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−）2Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−）3Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−）4Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−ＮＨ−ＣＨ2ＣＨ2−ＮＨ−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−ＮＨ−ＣＨ2ＣＨ2−ＮＨ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−または−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−ＮＨ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−ＮＨ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−である。酸素原子または＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数４ないし２０のアルキレン基が好ましく、−ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−および−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−は特に好ましい。
【０１２０】
−Ｎ（Ｚ2）（Ｚ3）の好ましい基としては、モルホリノ基である。
【０１２１】
＞Ｎ−Ｔ6で中断された炭素原子数３ないし６のアルキレン基は代表的には、−ＣＨ2ＣＨ2−Ｎ（ＣＨ3）−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−Ｎ（ＣＨ3）−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−である。
【０１２２】
炭素原子数３ないし６のオキソアルキレン基は代表的には−ＣＯ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−である。
【０１２３】
炭素原子数４ないし２０のアルケニレン基は代表的には２−ブト−１，４−エニレン基、３−ペント−１，５−エニレン基または２−ヘキシ−１，６−エニレン基である。
【０１２４】
炭素原子数４ないし２０のアルキニレン基は代表的には、２−ブチニレン基（−ＣＨ2−Ｃ＝Ｃ−ＣＨ2−）、２−ペンチニレン基、２−ヘキシニレン基、３−ヘキシニレン基、３−ヘプチニレン基、２−デシニレン基、４−デシニレン基または８−オクタデシニレン基である。
【０１２５】
（炭素原子数１ないし４のアルキレン）フェニレン−（炭素原子数１ないし４のアルキレン）基としては、代表的には、下記の基が挙げられる。
【０１２６】
【化１３】
2008225166.tif 000014
【０１２７】
２個の自由電子価をもち、５ないし１２個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基としては、代表的には、下記の基が挙げられる。
【０１２８】
【化１４】
2008225166.tif 000015
【０１２９】
および、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基もしくはシクロオクチレン基のような炭素原子数５ないし１２のシクロアルキレン基である。
【０１３０】
２個の自由電子価をもち、７ないし３０個の炭素原子を含む二環式飽和炭化水素基としては、代表的には、下記の基が挙げられる。
【０１３１】
【化１５】
2008225166.tif 000016
【０１３２】
炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニレン基は代表的にはメチルフェニレン基または第三ブチルフェニレン基である。
【０１３３】
炭素原子数２ないし２０のアルカンジオイル基は代表的には、エタンジオイル基、プロパンジオイル基、ブタンジオイル基、ペンタンジオイル基、ヘキサンジオイル基、ヘプタンジオイル基、オクタンジオイル基、ノナンジオイル基またはデカンジオイル基である。
【０１３４】
炭素原子数２ないし１０のアルカンジオイル基が好ましい。
【０１３５】
炭素原子数４ないし２０のアルケンジオイル基は代表的には、マレオイル基、フマロイル基、シトラコノイル基またはメサコノイル基である。
【０１３６】
炭素原子数３ないし７のアルカントリイル基としては、代表的には、下記の基が挙げられる。
【０１３７】
【化１６】
2008225166.tif 000017
【０１３８】
炭素原子数４ないし１０のアルカンテトライル基または酸素原子を有する炭素原子数４ないし１０のアルカンテトライル基としては、代表的には、下記の基が挙げられる。
【０１３９】
【化１７】
2008225166.tif 000018
【０１４０】
一般式（１）において、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は好ましくは水素原子である。
【０１４１】
変数ｎは好ましくは１または２である。
【０１４２】
好ましい式Ｉで表される化合物は、式中、置換基Ｒ1はおのおの互いに独立して、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数２ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、または−ＣＨ2−Ｓ−Ｘ1基を表す。
【０１４３】
置換基Ｒ2はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数２ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、または基：−ＣＨ2−Ｓ−Ｘ1、−（ＣＨ2）pＣＯＯ−Ｘ2または−（ＣＨ2）qＯ−Ｘ3を表す。
【０１４４】
置換基Ｒ3はおのおの互いに独立して、水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；
Ｒ4は水素原子または炭素原子数１ないし８のアルキル基を表し；
Ｒ5は水素原子、炭素原子数１ないし１０のアルキル基またはフェニル基を表し；
Ｒ6は水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基またはフェニル基を表し；
Ｒ7は水素原子または炭素原子数１ないし１０のアルキル基を表し；
Ｒ8は水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基またはフェニル基を表し；
Ｘ1は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または−（ＣＨ2）rＣＯＯ−Ｙ1を表し；
Ｘ2は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表し；
Ｘ3は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、炭素原子数１ないし１８のアルカノイル基、炭素原子数３ないし１８のアルケノイル基を表す。
【０１４５】
酸素原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数３ないし１８のアルカノイル基、炭素原子数６ないし９のシクロアルキルカルボニル基、ベンゾイル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたベンゾイル基、テノイル基またはフロイル基を表す。
【０１４６】
Ｙ1は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表す。
【０１４７】
Ｙ2は水素原子または炭素原子数１ないし８のアルキル基を表す。
【０１４８】
ｐは０、１または２を表し、ｑは０ないし８の整数を表す。
【０１４９】
ｒは１または２を表す。
【０１５０】
ｎは１ないし４の整数を表し、そしてｎが１を表すとき、Ａは基：−Ｏ−Ｚ1、−Ｎ（Ｚ2）（Ｚ3）、−ＮＨ（ＯＺ4）、−Ｏ−Ｎ＝Ｃ（Ｚ5）（Ｚ6）、−Ｓ（Ｏ）mＺ7、−ＮＨ−Ｚ8または−Ｓ−Ｚ8を表すか、あるいはＡはまた窒素原子において自由原子価をもつ未置換のまたは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された複素環基を表し；
Ｚ1は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基；酸素原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数３ないし１８のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、フェニル環において炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、テトラヒドロフルフリル基、テトラヒドロアビエチル基、炭素原子数１ないし１８のアルカノイル基、炭素原子数３ないし１８のアルケノイル基；酸素原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数３ないし１８のアルカノイル基、炭素原子数６ないし９のシクロアルキルカルボニル基、ベンゾイル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたベンゾイル基、テノイル基、フロイル基または式IIａもしくは式IIｂで表される基を表し；Ｚ2は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、ＯＨ基で置換された炭素原子数２ないし１８のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、炭素原子数１ないし１８のアルカノイル基、炭素原子数３ないし１８のアルケノイル基；酸素原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数３ないし１８のアルカノイル基、炭素原子数６ないし９のシクロアルキルカルボニル基、ベンゾイル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたベンゾイル基、テノイル基、フロイル基、基：−（ＣＨ2）pＣＯＯ−Ｘ2または式IIｂで表される基を表す。
【０１５１】
Ｚ3は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、ＯＨ基で置換された炭素原子数２ないし１８のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基を表す。
【０１５２】
あるいはＺ2およびＺ3は一緒になって炭素原子数３ないし６のアルキレン基、炭素原子数３ないし６のオキソアルキレン基または酸素原子もしくは＞Ｎ−Ｔ6で中断された炭素原子数３ないし６のアルキレン基を表す。
【０１５３】
Ｚ4は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表す。
【０１５４】
Ｚ5およびＺ6はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数２ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表す。
【０１５５】
あるいはＺ5およびＺ6は結合している炭素原子と一緒になって、無置換もしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキリデン環を形成し；Ｚ7は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または−（ＣＨ2）rＣＯＯ−Ｙ1基を表す。
【０１５６】
Ｚ8は無置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された２−ベンズオキサゾリル基または未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された２−ベンゾチアゾリル基を表す。
【０１５７】
Ｔ1およびＴ2はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数２ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、または基：−ＣＨ2−Ｓ−Ｘ1を表す。
【０１５８】
Ｔ3は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し、Ｔ4は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数２ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、−ＣＨ2−Ｓ−Ｘ1、−（ＣＨ2）pＣＯＯ−Ｘ2または−（ＣＨ2）qＯ−Ｘ3基を表す。
【０１５９】
Ｔ5は水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基、−ＯＨ、炭素原子数６ないし１２のアルコキシ基、炭素原子数５ないし８のシクロアルコキシ基、アリル基、ベンジル基またはアセチル基を表す。
【０１６０】
Ｔ6は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表す。
【０１６１】
ｍは１または２を表し、ｗは０または１を表し、ｎが２を表すとき；Ａは式IIIａ、IIIｂ、IIIｃ、IIIｄ、IIIｅまたはIIIｆで表される基を表す。
【０１６２】
Ｇ1およびＧ3はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、基：−（ＣＨ2）pＣＯＯ−Ｘ2または式IIｂで表される基を表す。Ｇ2は炭素原子数２ないし１２のアルキレン基；酸素原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数４ないし１２のアルキレン基、炭素原子数４ないし１２のアルケニレン基、炭素原子数４ないし１２のアルキニレン基、（炭素原子数１ないし４のアルキレン）−フェニレン−（炭素原子数１ないし４のアルキレン）基、２つの自由電子価をもちおよび５ないし１２個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基、フェニレン基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニレン基またはナフチレン基、炭素原子数２ないし１８のアルカンジオイル基、炭素原子数４ないし１８のアルケンジオイル基またはカルボキシベンゾイル基を表し；Ｇ4およびＧ6はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基を表し；Ｇ5は炭素原子数２ないし１２のアルキレン基；酸素原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数４ないし１２のアルキレン基、炭素原子数４ないし１２のアルケニレン基、炭素原子数４ないし１２のアルキニレン基、（炭素原子数１ないし４のアルキレン）−フェニレン−（炭素原子数１ないし４のアルキレン）基、２つの自由電子価をもちおよび５ないし１２個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基、フェニレン基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニレン基またはナフチレン基を表す。
【０１６３】
Ｇ7は炭素原子数２ないし１２のアルキレン基；酸素原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数４ないし１２のアルキレン基、炭素原子数４ないし１２のアルケニレン基、炭素原子数４ないし１２のアルキニレン基、（炭素原子数１ないし４のアルキレン）−フェニレン−（炭素原子数１ないし４のアルキレン）基、２つの自由電子価をもちおよび５ないし１２個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基、フェニレン基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニレン基またはナフチレン基、炭素原子数２ないし１８のアルカンジオイル基、炭素原子数４ないし１８のアルケンジオイル基、カルボキシベンゾイル基を表す。
【０１６４】
Ｇ8およびＧ10はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基を表す。
【０１６５】
Ｇ9およびＧ11は、炭素原子数２ないし１２のアルキレン基；酸素原子もしくは＞Ｎ−Ｙ2で中断された炭素原子数４ないし１２のアルキレン基、炭素原子数４ないし１２のアルケニレン基、炭素原子数４ないし１２のアルキニレン基、（炭素原子数１ないし４のアルキレン）−フェニレン−（炭素原子数１ないし４のアルキレン）基、２つの自由電子価をもちおよび５ないし１２個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基、フェニレン基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニレン基またはナフチレン基を表し；  Ｇ12は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基を表す。
【０１６６】
ならびにｔは１または２を表す、化合物である。
【０１６７】
同様に好ましいのは、式中、置換基Ｒ1はおのおの互いに独立して、炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数２ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、または基：−ＣＨ2−Ｓ−Ｘ1を表し、置換基Ｒ2はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数２ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、または基：−ＣＨ2−Ｓ−Ｘ1、−（ＣＨ2）pＣＯＯ−Ｘ2または−（ＣＨ2）qＯ−Ｘ3を表し；置換基Ｒ3は水素原子を表し；Ｒ4は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；Ｒ5は水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基またはフェニル基を表し；Ｒ6は水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基またはフェニル基を表し；Ｒ7は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；Ｒ8は水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基またはフェニル基を表す。
【０１６８】
Ｘ1は炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または−（ＣＨ2）rＣＯＯ−Ｙ1を表し；Ｘ2は炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表し；Ｘ3は炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、炭素原子数１ないし１０のアルカノイル基、炭素原子数３ないし１８のアルケノイル基、酸素原子で中断された炭素原子数３ないし１８のアルカノイル基；またはベンゾイル基を表し、Ｙ1は炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表し；ｐは０、１または２を表し、ｑは０ないし８の整数を表し；ｒは１または２を表し；ｎは１ないし４の整数を表し、そしてｎが１を表すとき、Ａは基：−Ｏ−Ｚ1、−Ｎ（Ｚ2）（Ｚ3）、−ＮＨ（ＯＺ4）、−Ｏ−Ｎ＝Ｃ（Ｚ5）（Ｚ6）、−Ｓ（Ｏ）mＺ7、−ＮＨ−Ｚ8または−Ｓ−Ｚ8を表すか、あるいはＡはまた窒素原子において自由原子価をもつ未置換のまたは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された複素環基を表す。
【０１６９】
Ｚ1は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、酸素原子で中断された炭素原子数３ないし１８のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、テトラヒドロフルフリル基、炭素原子数１ないし１０のアルカノイル基、炭素原子数３ないし１８のアルケノイル基、酸素原子で中断された炭素原子数３ないし１８のアルカノイル基；ベンゾイル基または式IIａもしくは式IIｂで表される基を表す。
【０１７０】
Ｚ2は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、ＯＨ基で置換された炭素原子数２ないし１０のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、炭素原子数１ないし１０のアルカノイル基、炭素原子数３ないし１８のアルケノイル基アルケノイル基、酸素原子で中断された炭素原子数３ないし１８のアルカノイル基；
ベンゾイル基、基：−（ＣＨ2）pＣＯＯ−Ｘ2または式IIｂで表される基を表し；
Ｚ3は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、ＯＨ基で置換された炭素原子数２ないし１０のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基を表すか、あるいはＺ2およびＺ3は一緒になって炭素原子数３ないし６のアルキレン基、炭素原子数３ないし６のオキソアルキレン基または酸素原子で中断された炭素原子数３ないし６のアルキレン基を表し；
Ｚ4は炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表し；
Ｚ5およびＺ6はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数２ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、フェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表すか、あるいはＺ5およびＺ6は結合している炭素原子と一緒になって炭素原子数５ないし８のシクロアルキリデン環を形成する。
【０１７１】
Ｚ7は炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または−（ＣＨ2）−ＣＯＯ−Ｙ1基を表す。
【０１７２】
Ｚ8は無置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された２−ベンズオキサゾリル基または未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された２−ベンゾチアゾリル基を表し；
Ｔ1およびＴ2はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数２ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、または−ＣＨ2−Ｓ−Ｘ1基を表す。
【０１７３】
Ｔ3は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表す。
【０１７４】
Ｔ4は水素原子、炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数２ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルケニル基、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、−ＣＨ2−Ｓ−Ｘ1、−（ＣＨ2）pＣＯＯ−Ｘ2または−（ＣＨ2）qＯ−Ｘ3を表す。
【０１７５】
Ｔ5は水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基、−ＯＨ、炭素原子数６ないし１２のアルコキシ基、炭素原子数５ないし８のシクロアルコキシ基、アリル基、ベンジル基またはアセチル基を表し；ｍは１または２を表し；ｗは０または１を表し；ｎが２を表すとき；Ａは式IIIａ、式IIIｂ、式IIIｃ、式IIIｄ、式IIIｅまたは式IIIｆで表される基を表す。
【０１７６】
Ｇ1およびＧ3はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、−（ＣＨ2）pＣＯＯ−Ｘ2基または式IIｂで表される基を表し、Ｇ2は炭素原子数２ないし１０のアルキレン基、酸素原子で中断された炭素原子数４ないし１２のアルキレン基、炭素原子数４ないし１０のアルケニレン基、炭素原子数４ないし１０のアルキニレン基、（炭素原子数１ないし４のアルキレン）−フェニレン−（炭素原子数１ないし４のアルキレン）基、２つの自由電子価をもちおよび５ないし１０個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基、フェニレン基、炭素原子数２ないし１０のアルカンジオイル基、炭素原子数４ないし１０のアルケンジオイル基またはカルボキシベンゾイル基を表し；Ｇ4およびＧ6はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基を表す。
【０１７７】
Ｇ5は炭素原子数２ないし１０のアルキレン基、酸素原子で中断された炭素原子数４ないし１２のアルキレン基、炭素原子数４ないし１０のアルケニレン基、炭素原子数４ないし１０のアルキニレン基、（炭素原子数１ないし４のアルキレン）−フェニレン−（炭素原子数１ないし４のアルキレン）基、２つの自由電子価をもちおよび５ないし１０個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基またはフェニレン基を表し、Ｇ7は炭素原子数２ないし１０のアルキレン基、酸素原子で中断された炭素原子数４ないし１２のアルキレン基、炭素原子数４ないし１０のアルケニレン基、炭素原子数４ないし１０のアルキニレン基、（炭素原子数１ないし４のアルキレン）−フェニレン−（炭素原子数１ないし４のアルキレン）基、２つの自由電子価をもちおよび５ないし１０個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基、フェニレン基、炭素原子数２ないし１０のアルカンジオイル基、炭素原子数４ないし１０のアルケンジオイル基またはカルボキシベンゾイル基を表す。
【０１７８】
Ｇ8およびＧ10はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基を表す。
【０１７９】
Ｇ9およびＧ11は、炭素原子数２ないし１０のアルキレン基、酸素原子で中断された炭素原子数４ないし１２のアルキレン基、炭素原子数４ないし１０のアルケニレン基、炭素原子数４ないし１０のアルキニレン基、（炭素原子数１ないし４のアルキレン）−フェニレン−（炭素原子数１ないし４のアルキレン）基、２つの自由電子価をもちおよび５ないし１０個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基またはフェニレン基を表し；Ｇ12は水素原子、炭素原子数１ないし１０のアルキル基、炭素原子数３ないし１８のアルケニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基を表し；ならびにｔは１または２を表す、式Ｉで表される化合物である。
式中、ｎが１であり；Ａが式：−Ｎ（Ｚ2）（Ｚ3）で表される基を表し；
Ｚ2が水素原子を表し、およびＺ3は水素原子、炭素原子数１ないし２５のアルキル基、ＯＨ基で置換された炭素原子数２ないし２５のアルキル基、炭素原子数３ないし２４のアルケニル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基を表す、式Ｉの化合物もまた好ましい。
【０１８０】
他の好ましい式Ｉの化合物は式中、ｎが１であり、Ａが−Ｏ−Ｚ1で表される基を表す。
【０１８１】
Ｚ1が酸素原子で中断された炭素原子数１ないし２５のアルキル基または式IIａで表される基を表し；およびｗが１を表す化合物である。
【０１８２】
さらに好ましい本発明の実例は式中、置換基Ｒ1は同じでありおよび炭素原子数１ないし５のアルキル基または炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基を表し、置換基Ｒ2は同じでありおよび炭素原子数１ないし５のアルキル基を表し；置換基Ｒ3は水素原子を表しおよびＲ4は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表す、化合物である。
【０１８３】
特に好ましい式Ｉの化合物は、式中、置換基Ｒ1は同じでありおよび炭素原子数１ないし５のアルキル基または炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基を表し、置換基Ｒ2は同じでありおよび炭素原子数１ないし５のアルキル基を表し；置換基Ｒ3は水素原子を表しおよびＲ4は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は水素原子を表し；ｎが１または２を表し、およびｎが１を表すとき、Ａは基：−Ｏ−Ｚ1、−Ｎ（Ｚ2）（Ｚ3）、−ＮＨ（ＯＺ4）、−Ｏ−Ｎ＝Ｃ（Ｚ5）（Ｚ6）、−Ｓ（Ｏ）mＺ7、−ＮＨ−Ｚ8または−Ｓ−Ｚ8を表すか、あるいはＡはまた窒素原子において自由原子価をもつ未置換のまたは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された複素環基を表す。
【０１８４】
Ｚ1は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、酸素原子で中断された炭素原子数３ないし１０のアルキル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、テトラヒドロフルフリル基あるいは式IIａまたは式IIｂで表される基を表す。
【０１８５】
Ｚ2は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、−ＯＨ基で置換された炭素原子数２ないし４のアルキル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、−（ＣＨ2）−ＣＯＯ−Ｘ2基または式IIｂで表される基を表す。
【０１８６】
Ｚ3は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、−ＯＨ基で置換された炭素原子数２ないし４のアルキル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基を表すか；
あるいはＺ2およびＺ3は一緒になって炭素原子数３ないし６のオキソアルキレン基または酸素原子で中断された炭素原子数３ないし６のアルキレン基を表し；Ｚ4は炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表し；
Ｚ5およびＺ6は結合している炭素原子と一緒になって、炭素原子数５ないし８のシクロアルキリデン環を形成し；Ｚ7は炭素原子数１ないし１０のアルキル基を表し；Ｚ8は未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された２−ベンズオキサゾリル基または未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された２−ベンゾチアゾリル基を表し；
Ｔ1、Ｔ2、Ｔ3およびＴ4はおのおの互いに独立しては水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；
Ｔ5は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表す。
【０１８７】
Ｘ2は炭素原子数１ないし１０のアルキル基を表し；ｍは１または２を表し；ｐは１を表し；ｗは０または１を表し；ならびにｎが２を表すとき；
Ａは式IIIａ、式IIIｂ、式IIIｃまたは式IIIｆを表し；Ｇ1およびＧ3はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIｂで表される基を表し；
Ｇ2は炭素原子数２ないし８のアルキレン基、２つの自由電子価をもちおよび１０個の炭素原子を含む単環式飽和炭化水素基を表し；
Ｇ7は炭素原子数２ないし８のアルキレン基または酸素原子で中断された炭素原子数４ないし１２のアルキレン基を表し；
Ｇ12は炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基または式IIbで表される基を表す。
【０１８８】
以下に一般式（１）で表される化合物を具体的に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１８９】
【化１８】
2008225166.tif 000019
【０１９０】
【化１９】
2008225166.tif 000020
【０１９１】
【化２０】
2008225166.tif 000021
【０１９２】
【化２１】
2008225166.tif 000022
【０１９３】
【化２２】
2008225166.tif 000023
【０１９４】
【化２３】
2008225166.tif 000024
【０１９５】
【化２４】
2008225166.tif 000025
【０１９６】
【化２５】
2008225166.tif 000026
【０１９７】
【化２６】
2008225166.tif 000027
【０１９８】
【化２７】
2008225166.tif 000028
【０１９９】
【化２８】
2008225166.tif 000029
【０２００】
【化２９】
2008225166.tif 000030
【０２０１】
一般式（１）で表される化合物は後述のセルロースエステルに対して０．１〜１０質量％添加することが好ましく、さらに０．２〜５質量％添加することが好ましく、さらに０．５〜２質量％添加することが好ましい。
【０２０２】
《セルロースエステル》
次に、本発明に用いられるセルロースエステルについて詳述する。
【０２０３】
本発明の光学フィルムは、溶液流延法、または溶融流延法により製造される。
【０２０４】
溶液流延法は、セルロースエステルを溶媒中に溶解した溶液（ドープ）を支持体上に流延し、溶媒を蒸発させて光学フィルムを形成する。
【０２０５】
本発明の請求項２に記載の光学フィルムの溶融流延法では、セルロースエステルを加熱により溶融したもの（メルト）を支持体上に流延して光学フィルムを形成する。
【０２０６】
溶融流延法は光学フィルム製造時の有機溶媒使用量を、大幅に少なくすることができるため、従来の有機溶媒を多量に使用する溶液流延法に比較して、環境適性が大幅に向上したフィルムが得られるため、溶融流延法により、光学フィルムを製造することが好ましい。
【０２０７】
本発明における溶融流延とは、実質的に溶媒を用いずにセルロースエステルを流動性を示す温度まで加熱溶融しこれを用いて製膜する方法であり、例えば流動性のセルロースエステルをダイスから押し出して製膜する方法である。
【０２０８】
なお溶融セルロースエステルを調製する過程の一部で溶媒を使用してもよいが、フィルム状に成形を行う溶融製膜プロセスにおいては実質的に溶媒を用いずに成形加工する。
【０２０９】
光学フィルムを構成するセルロースエステルとしては、溶融製膜可能なセルロースエステルであれば特に限定はされず、例えば芳香族カルボン酸エステル等も用いられるが、光学特性等の得られる光学フィルムの特性を鑑みると、セルロースの低級脂肪酸エステルを使用するのが好ましい。
【０２１０】
本発明においてセルロースの低級脂肪酸エステルにおける低級脂肪酸とは炭素原子数が５以下の脂肪酸を意味し、例えばセルロースアセテート、セルロースプロピオネート、セルロースブチレート、セルロースピバレート等がセルロースの低級脂肪酸エステルの好ましいものとして挙げられる。
【０２１１】
炭素原子数が６以上の脂肪酸で置換されたセルロースエステルでは、溶融製膜性は良好であるものの、得られる光学フィルムの力学特性が低く、実質的に光学フィルムとして用いることが難しいためである。
【０２１２】
力学特性と溶融製膜性の双方を両立させるために、セルロースアセテートプロピオネートやセルロースアセテートブチレート等のように混合脂肪酸エステルを用いてもよい。
【０２１３】
本発明において、光学フィルムを構成するセルロースエステルは、炭素数２以上の脂肪族アシル基を有するセルロースエステルであり、かつ、セルロースエステルのアシル基総炭素数が６．２〜７．５であるセルロースエステルである。
【０２１４】
セルロースエステルのアシル基総炭素数は、好ましくは、６．５〜７．２であり、さらに好ましくは６．７〜７．１である。
【０２１５】
ただし、アシル基総炭素数は、セルロースエステル中の各アシル基の置換度と炭素数の積の総和である。さらに、脂肪族アシル基の炭素数は、セルロース合成の生産性、コストの観点から、２〜６が好ましい。
【０２１６】
なお、アシル基で置換されていない部分は通常水酸基として存在している。これらは公知の方法で合成することができる。
【０２１７】
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ペンタネート基、ヘキサネート基等が挙げられ、セルロースエステルとしては、セルロースプロピオネート、セルロースブチレート、セルロースペンタネート等が挙げられる。
【０２１８】
また、上述の側鎖炭素数を満たせば、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートペンタネート等のように混合脂肪酸エステルでもよい。
【０２１９】
この中でも、特にセルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレートが好ましい。
【０２２０】
なお溶液流延製膜で一般に用いられているセルロースエステルであるトリアセチルセルロース、ジアセチルセルロースについては、側鎖炭素数の条件を満たさないため、本発明には含まない。
【０２２１】
一般に、セルロースエステルのアシル基の総置換度に対し、セルロースエステルフィルムの機械物性及びケン化性と、セルロースエステルの溶融製膜性は、トレードオフの関係にある。
【０２２２】
例えば、セルロースアセテートプロピオネートにおいて、アシル基の総置換度を上げると機械物性が低下し、溶融製膜性が向上するため、両立は困難である。本発明では、セルロースエステルのアシル基総炭素数を６．２〜７．２とすることで、光学フィルム機械物性、ケン化性、溶融製膜性を両立できることを見出した。この機構の詳細は不明であるが、アシル基の炭素数により、光学フィルム機械物性、ケン化性、溶融製膜性への影響が異なるためと推測される。
【０２２３】
すなわち、同置換度の場合、アセチル基よりもプロピオニル基、ブチリル基といった長鎖のアシル基の方が、より疎水性となり、溶融製膜性を向上させる。
【０２２４】
従って、同じ溶融製膜性を達成する場合、プロピオニル基、ブチリル基の置換度はアセチル基よりも低置換度でよく、そのため機械物性、ケン化性の低下が抑えられると推測される。
【０２２５】
本発明で用いられるセルロースエステルは、重量平均分子量Ｍｗ／数平均分子量Ｍｎ比が１．０〜５．５のものが用いられ、特に好ましくは１．４〜５．０であり、さらに好ましくは２．０〜３．０である。また、Ｍｗは１０万〜５０万、中でも１５万〜３０万のものが好ましく用いられる。
【０２２６】
セルロースエステルの平均分子量及び分子量分布は、高速液体クロマトグラフィーを用いて公知の方法で測定することができる。これを用いて数平均分子量、重量平均分子量を算出する。測定条件は以下の通りである。
【０２２７】
溶媒：テトヒドロフラン
装置：ＨＬＣ−８２２０（東ソー（株）製）
カラム：ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｍ（東ソー（株）製）
カラム温度：４０℃
試料温度：０．１質量％
注入量：１０μｌ
流量：０．６ｍｌ／ｍｉｎ
校正曲線：
標準ポリスチレン：ＰＳ−１（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ社製）Ｍｗ＝２，５６０，０００〜５８０までの９サンプルによる校正曲線を使用した。
【０２２８】
本発明で用いられるセルロースエステルの原料セルロースは、木材パルプでも綿花リンターでもよく、木材パルプは針葉樹でも広葉樹でもよいが、針葉樹の方がより好ましい。
【０２２９】
製膜の際の、剥離性の点からは綿花リンターが好ましく用いられる。
【０２３０】
これらから作られたセルロースエステルは適宜混合して、あるいは単独で使用することができる。
【０２３１】
例えば、綿花リンター由来セルロースエステル：木材パルプ（針葉樹）由来セルロースエステル：木材パルプ（広葉樹）由来セルロースエステルの比率が１００：０：０、９０：１０：０、８５：１５：０、５０：５０：０、２０：８０：０、１０：９０：０、０：１００：０、０：０：１００、８０：１０：１０、８５：０：１５、４０：３０：３０で用いることができる。
【０２３２】
セルロースエステルは、例えば、原料セルロースの水酸基を無水酢酸、無水プロピオン酸及び／または無水酪酸を用いて常法によりアセチル基、プロピオニル基及び／またはブチル基を上記の範囲内に置換することで得られる。
【０２３３】
このようなセルロースエステルの合成方法は、特に限定はないが、例えば、特開平１０−４５８０４号あるいは特表平６−５０１０４０号に記載の方法を参考にして合成することができる。
【０２３４】
アセチル基、プロピオニル基、ブチル基等のアシル基の置換度は、ＡＳＴＭ−Ｄ８１７−９６に準じて測定することができる。
【０２３５】
また、工業的にはセルロースエステルは硫酸を触媒として合成されているが、この硫酸は完全には除去されておらず、残留する硫酸が溶融製膜時に各種の分解反応を引き起こし、得られる光学フィルムの品質に影響を与えるため、本発明に用いられるセルロースエステル中の残留硫酸含有量は、硫黄元素換算で０．１〜４０ｐｐｍの範囲であることが本発明の効果をより奏する点で好ましい。
【０２３６】
これらは塩の形で含有していると考えられる。
【０２３７】
これは洗浄回数が増えることが樹脂に影響を与えているのかもしれないがよく分かっていない。
【０２３８】
さらに０．１〜３０ｐｐｍの範囲が好ましい。残留硫酸含有量は、同様にＡＳＴＭ−Ｄ８１７−９６により測定することができる。
【０２３９】
また、その他の残留酸（酢酸等）を含めたトータル残留酸量は１０００ｐｐｍ以下が好
ましく、５００ｐｐｍ以下がさらに好ましく、１００ｐｐｍ以下がより好ましい。
【０２４０】
合成したセルロースエステルの洗浄を、溶液流延法に用いられる場合に比べて、さらに十分に行うことによって、残留酸含有量を上記の範囲とすることができ、溶融流延法によって光学フィルムを製造する際に、リップ部への付着が軽減され、平面性に優れる光学フィルムが得られ、寸法変化、機械強度、透明性、耐透湿性、後述するＲｔ値、Ｒｏ値が良好な光学フィルムを得ることができる。
【０２４１】
また、セルロースエステルの洗浄は、水に加えて、メタノール、エタノールのような貧溶媒、あるいは結果として貧溶媒であれば貧溶媒と良溶媒の混合溶媒を用いることができ残留酸以外の無機物、低分子の有機不純物を除去することができる。
【０２４２】
さらに、セルロースエステルの洗浄は、ヒンダードアミン、亜リン酸エステルといった酸化防止剤の存在下で行うことが好ましく、セルロースエステルの耐熱性、製膜安定性が向上する。
【０２４３】
また、セルロースエステルの耐熱性、機械物性、光学物性等を向上させるため、セルロースエステルの良溶媒に溶解後、貧溶媒中に再沈殿させ、セルロースエステルの低分子量成分、その他不純物を除去することができる。この時、前述のセルロースエステルの洗浄同様に、酸化防止剤の存在下で行うことが好ましい。
【０２４４】
さらに、セルロースエステルの再沈殿処理の後、別のポリマーあるいは低分子化合物を添加してもよい。
【０２４５】
また、本発明に好ましく用いられるセルロースエステルは光学フィルムにした時の輝点異物が少ないので好ましい。
【０２４６】
輝点異物とは、２枚の偏光板を直交に配置し（クロスニコル）、この間に光学フィルムを配置して、一方の面から光源の光を当てて、もう一方の面から光学フィルムを観察した時に、光源の光が漏れて見える点のことである。
【０２４７】
このとき評価に用いる偏光板は輝点異物がない保護フィルムで構成されたものであることが望ましく、偏光子の保護にガラス板を使用したものが好ましく用いられる。
【０２４８】
輝点異物はセルロースエステルに含まれる未酢化もしくは低酢化度のセルロースがその原因の１つと考えられ、輝点異物の少ないセルロースエステルを用いる（置換度の分散の小さいセルロースエステルを用いる）ことと、溶融したセルロースエステルを濾過すること、あるいはセルロースエステルの合成後期の過程や沈殿物を得る過程の少なくともいずれかにおいて、一度溶液状態として同様に濾過工程を経由して輝点異物を除去することもできる。
【０２４９】
溶融樹脂は粘度が高いため、後者の方法の方が効率がよい。
【０２５０】
光学フィルム膜厚が薄くなるほど単位面積当たりの輝点異物数は少なくなり、光学フィルムに含れるセルロースエステルの含有量が少なくなるほど輝点異物は少なくなる傾向があるが、輝点異物は、輝点の直径０．０１ｍｍ以上が２００個／ｃｍ2以下であることが好ましく、１００個／ｃｍ2以下であることがより好ましく、５０個／ｃｍ2以下であることがさらに好ましく、３０個／ｃｍ2以下であることがさらにより好ましく、１０個／ｃｍ2以下であることがさらに好ましいが、皆無であることが最も好ましい。
【０２５１】
また、０．００５〜０．０１ｍｍ以下の輝点についても２００個／ｃｍ2以下であることが好ましく、１００個／ｃｍ2以下であることがより好ましく、５０個／ｃｍ2以下であることがさらにより好ましく、３０個／ｃｍ2以下であることがさらに好ましく、１０個／ｃｍ2以下であることがさらに好ましいが、皆無であることが最も好ましい。
【０２５２】
輝点異物を溶融濾過によって除去する場合、セルロースエステルを単独で溶融させたものを濾過するよりも可塑剤、劣化防止剤、酸化防止剤等を添加混合したセルロースエステル組成物を濾過することが輝点異物の除去効率が高く好ましい。
【０２５３】
もちろん、セルロースエステルの合成の際に溶媒に溶解させて濾過により低減させてもよい。紫外線吸収剤、その他の添加物も適宜混合したものを濾過することができる。
【０２５４】
濾過はセルロースエステルを含む溶融物の粘度が１００００Ｐ以下で濾過されることが好ましく、５０００Ｐ以下がより好ましく、１０００Ｐ以下がさらに好ましく、５００Ｐ以下であることがさらにより好ましい。
【０２５５】
濾材としては、ガラス繊維、セルロース繊維、濾紙、四フッ化エチレン樹脂等の弗素樹脂等従来公知のものが好ましく用いられるが、特にセラミックス、金属等が好ましく用いられる。絶対濾過精度としては５０μｍ以下のものが好ましく用いられ、３０μｍ以下のものがより好ましく、１０μｍ以下のものがさらにより好ましく、５μｍ以下のものがさらに好ましく用いられる。
【０２５６】
これらは適宜組み合わせて使用することもできる。濾材はサーフェースタイプでもデプスタイプでも用いることができるが、デプスタイプの方が比較的目詰まりしにくく好ましく用いられる。
【０２５７】
別の実施態様では、原料のセルロースエステルは少なくとも一度溶媒に溶解させた後、溶媒を乾燥させたセルロースエステルを用いてもよい。その際には可塑剤、紫外線吸収剤、劣化防止剤、酸化防止剤及びマット剤の少なくとも１つ以上と共に溶媒に溶解させた後、乾燥させたセルロースエステルを用いる。
【０２５８】
溶媒としては、メチレンクロライド、酢酸メチル、ジオキソラン等の溶液流延法で用いられる良溶媒を用いることができ、同時にメタノール、エタノール、ブタノール等の貧溶媒を用いてもよい。溶解の過程で−２０℃以下に冷却したり、８０℃以上に加熱したりしてもよい。このようなセルロースエステルを用いると、溶融状態にした時の各添加物を均一にしやすく、光学特性を均一にできることがある。
【０２５９】
本発明の偏光板保護フィルムはセルロースエステル以外の高分子成分を適宜混合したものでもよい。混合される高分子成分はセルロースエステルと相溶性に優れるものが好ましく、光学フィルムにした時の透過率が８０％以上、さらに好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９２％以上であることが好ましい。
【０２６０】
《添加剤》
本発明の光学フィルムにおいては、セルロースエステルに前記一般式（１）の化合物の他、種々の添加剤を添加することができる。
【０２６１】
《酸化防止剤》
セルロースエステルは高温下では熱だけでなく酸素によっても分解が促進されるため、本発明の光学フィルムにおいては劣化防止剤として酸化防止剤を含有することが好ましい。
【０２６２】
本発明において有用な酸化防止剤としては、酸素による溶融成形材料の劣化を抑制する化合物であれば制限なく用いることができるが、中でも有用な酸化防止剤としては、フェノール系化合物、ヒンダードアミン系化合物、リン系化合物、イオウ系化合物、耐熱加工安定剤、酸素スカベンジャー等が挙げられ、これらの中でも、特にフェノール系化合物、ヒンダードアミン系化合物、リン系化合物、ラクトン系化合物、アクリレート基及びフェノール性水酸基を有する化合物が好ましい。
【０２６３】
これらの酸化防止剤を配合することにより、透明性、耐熱性等を低下させることなく、溶融成型時の熱や熱酸化劣化等による成形体の着色や強度低下を防止できる。これらの酸化防止剤は、それぞれ単独で、或いは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０２６４】
これらの酸化防止剤を配合することにより、透明性、耐熱性等を低下させることなく、溶融成型時の熱や熱酸化劣化等による成形体の着色や強度低下を防止できる。
【０２６５】
これらの酸化防止剤は、それぞれ単独で、或いは２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合量は、本発明の目的を損なわない範囲で適宜選択されるが、本発明に係るセルロースエステルの質量に対して、０．０１質量％以上１０質量％以下が好ましく、より好ましくは０．１質量％以上５．０質量％以下であり、更に好ましくは０．２質量％以上２．０質量％以下である。
【０２６６】
（フェノール系酸化防止剤）
フェノール系酸化防止剤は既知の化合物であり、パラ−ｔ−ブチルフェノール、パラ−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール等のアルキル基置換フェノールの他、例えば、米国特許第４，８３９，４０５号明細書の第１２〜１４欄に記載の、２，６−ジアルキルフェノール誘導体化合物、所謂ヒンダードフェノール系化合物が挙げられるが、これらの中で、ヒンダードフェノール系化合物が好ましい。
【０２６７】
ヒンダードフェノールフェノール系化合物の具体例としては、ｎ−オクタデシル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオネート、ｎ−オクタデシル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−アセテート、ｎ−オクタデシル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート、ｎ−ヘキシル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルベンゾエート、ｎ−ドデシル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルベンゾエート、ネオ−ドデシル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ドデシルβ（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、エチルα−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）イソブチレート、オクタデシルα−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）イソブチレート、オクタデシルα−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２−（ｎ−オクチルチオ）エチル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンゾエート、２−（ｎ−オクチルチオ）エチル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−フェニルアセテート、２−（ｎ−オクタデシルチオ）エチル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルアセテート、２−（ｎ−オクタデシルチオ）エチル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンゾエート、２−（２−ヒドロキシエチルチオ）エチル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート、ジエチルグリコールビス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−フェニル）プロピオネート、２−（ｎ−オクタデシルチオ）エチル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ステアルアミドＮ，Ｎ−ビス−［エチレン３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ｎ−ブチルイミノＮ，Ｎ−ビス−［エチレン３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２−（２−ステアロイルオキシエチルチオ）エチル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート、２−（２−ステアロイルオキシエチルチオ）エチル７−（３−メチル−５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）ヘプタノエート、１，２−プロピレングリコールビス−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、エチレングリコールビス−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ネオペンチルグリコールビス−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、エチレングリコールビス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルアセテート）、グリセリン−ｌ−ｎ−オクタデカノエート−２，３−ビス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルアセテート）、ペンタエリスリトールテトラキス−［３−（３′，５′−ジ−ｔ−ブチル−４′−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，１，１−トリメチロールエタン−トリス−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ソルビトールヘキサ−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒ���ロキシフェニル）プロピオネート］、２−ヒドロキシエチル７−（３−メチル−５−ｔブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２−ステアロイルオキシエチル７−（３−メチル−５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）ヘプタノエート、１，６−ｎ−ヘキサンジオール−ビス［（３′，５′−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ペンタエリスリトールテトラキス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメート）が含まれる。上記タイプのフェノール化合物は、例えば、チバスペシャルティケミカルズから、”ＩＲＧＡＮＯＸ１０７６”及び”ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０”という商品名で市販されている。
【０２６８】
その他のヒンダードアミン化合物（ＨＡＬＳ）としては、例えば、米国特許第４，６１９，９５６号明細書の第５〜１１欄及び米国特許第４，８３９，４０５号明細書の第３〜５欄に記載されているように、２，２，６，６−テトラアルキルピペリジン化合物、またはそれらの酸付加塩もしくはそれらと金属化合物との錯体が好ましい。
【０２６９】
市販品としては、ＬＡ５２（旭電化社製）も挙げることができる。
【０２７０】
（リン系酸化防止剤）
本発明において有用なリン系酸化防止剤として、ホスファイト系化合物、及びホスホナイト系化合物が挙げられる。ホスファイト系化合物の具体例としては、トリフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ジノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）ホスファイト、１０−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイド、６−［３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロポキシ］−２，４，８，１０−テトラ−ｔ−ブチルジベンズ［ｄ，ｆ］［１．３．２］ジオキサホスフェピン、トリデシルホスファイト等のモノホスファイト系化合物；４，４′−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェニル−ジ−トリデシルホスファイト）、４，４′−イソプロピリデン−ビス（フェニル−ジ−アルキル（Ｃ１２〜Ｃ１５）ホスファイト）等のジホスファイト系化合物；等が挙げられる。上記タイプのホスファイト系化合物は、例えば、住友化学工業株式会社から、”ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＧＰ”、旭電化工業株式会社からＡＤＫ  ＳＴＡＢ  ＰＥＰ−２４Ｇ”、”ＡＤＫ  ＳＴＡＢ  ＰＥＰ−３６”、”ＡＤＫ  ＳＴＡＢ  ３０１０”、”ＡＤＫ  ＳＴＡＢ  ＨＰ−１０”及び”ＡＤＫ  ＳＴＡＢ  ２１１２”という商品名で市販されている。
【０２７１】
ホスホナイト系化合物の具体例としては、ジメチル−フェニルホスホナイト、ジ−ｔ−ブチル−フェニルホスホナイト、ジフェニル−フェニルホスホナイト、ジ−（４−ペンチル−フェニル）−フェニルホスホナイト、ジ−（２−ｔ−ブチル−フェニル）−フェニルホスホナイト、ジ−（２−メチル−３−ペンチル−フェニル）−フェニルホスホナイト、ジ−（２−メチル−４−オクチル−フェニル）−フェニルホスホナイト、ジ−（３−ブチル−４−メチル−フェニル）−フェニルホスホナイト、ジ−（３−ヘキシル−４−エチル−フェニル）−フェニルホスホナイト、ジ−（２，４，６−トリメチルフェニル）−フェニルホスホナイト、ジ−（２，３−ジメチル−４−エチル−フェニル）−フェニルホスホナイト、ジ−（２，６−ジエチル−３−ブチルフェニル）−フェニルホスホナイト、ジ−（２，３−ジプロピル−５−ブチルフェニル）−フェニルホスホナイト、ジ−（２，４，６−トリ−ｔ−ブチルフェニル）−フェニルホスホナイト、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）ビフェニル−４−イル−ホスホナイト、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−４’−（ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェノキシ）ホスフィノ）ビフェニル−４−イル−ホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−フェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，５−ジ−ｔ−ブチル−フェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−フェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，３，４−トリメチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，３−ジメチル−５−エチル−フェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，３−ジメチル−４−プロピルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，３−ジメチル−５−ｔ−ブチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，５−ジメチル−４−ｔ−ブチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，３−ジエチル−５−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，６−ジエチル−４−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４，５−トリエチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，６−ジエチル−４−プロピルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，５−ジエチル−６−ブチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，３−ジエチル−５−ｔ−ブチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，５−ジエチル−６−ｔ−ブチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，３−ジプロピル−５−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，６−ジプロピル−４−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，６−ジプロピル−５−エチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，３−ジプロピル−６−ブチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，６−ジプロピル−５−ブチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，３−ジブチル−４−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，５−ジブチル−３−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，６−ジブチル−４−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−３−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，５−ジ−ｔ−ブチル−３−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，５−ジ−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−３−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，３−ジブチル−４−エチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジブチル−３−エチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，５−ジブチル−４−エチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−３−エチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−エチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−６−エチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，５−ジ−ｔ−ブチル−３−エチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，５−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，５−ジ−ｔ−ブチル−６−エチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−３−エチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−５−エチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，３，４−トリブチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４，６−トリ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト等が挙げられる。上記タイプのリン系化合物は、例えば、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社から”ＩＲＧＡＦＯＳ  ���−ＥＰＱ”、堺化学工業株式会社から“ＧＳＹ−Ｐ１０１”という商品名で市販されている。
【０２７２】
本発明において有用なリン系酸化防止剤として、ホスホナイト系化合物が好ましく、中でも、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−フェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイト等の４，４′−ビフェニレンジホスホナイト化合物が好ましく、特に好ましいものはテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスホナイトである。
【０２７３】
（ラクトン系化合物）
本発明において有用な酸化防止剤の一つとして、ラクトン系化合物が好ましい。
ラクトン系化合物としては、特開平７−２３３１６０号、特開平７−２４７２７８号記載の化合物が好ましく、下記、一般式（２）で表されるラクトン系化合物を含有することが特に好ましい。
【０２７４】
【化３０】
2008225166.tif 000031
【０２７５】
前記一般式（２）において、Ｒ22〜Ｒ26はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表し、Ｒ22〜Ｒ26で表される置換基は、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリフルオロメチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基等）、アシルアミノ基（例えば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、２−プロペニル基、３−ブテニル基、１−メチル−３−プロペニル基、３−ペンテニル基、１−メチル−３−ブテニル基、４−ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等）、アルキニル基（例えば、プロパルギル基等）、複素環基（例えば、ピリジル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イミダゾリル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基等）、アリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基等）、アルキルスルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基等）、アリールスルフィニル基（例えば、フェニルスルフィニル基等）、ホスホノ基、アシル基（例えば、アセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、スルホンアミド基（例えば、メタンスルホンアミド基、ベンゼンスルホンアミド基等）、シアノ基、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、複素環オキシ基、シロキシ基、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等）、スルホン酸基、スルホン酸の塩、アミノカルボニルオキシ基、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基等）、アニリノ基（例えば、フェニルアミノ基、クロロフェニルアミノ基、トルイジノ基、アニシジノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、イミド基、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、���ルコキシカルボニルアミノ基（例えば、メトキシカルボニルアミノ基、フェノキシカルボニルアミノ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェノキシカルボニル基等）、複素環チオ基、チオウレイド基、カルボキシル基、カルボン酸の塩、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基等の各基が挙げられる。これらの置換基は同様の置換基によって更に置換されていてもよい。
【０２７６】
前記一般式（２）において、ｎは１または２を表す。
【０２７７】
前記一般式（２）において、ｎが１であるとき、Ｒ21は置換基を表し、ｎが２であるとき、Ｒ21は２価の連結基を表す。
【０２７８】
Ｒ21が置換基を表すとき、置換基としては、前記一般式（２）のＲ22〜Ｒ26が表す置換基と同様な基を挙げることができる。Ｒ61は２価の連結基を表すとき、２価の連結基として例えば、置換基を有しても良いアルキレン基、置換基を有しても良いアリーレン基、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、或いはこれらの連結基の組み合わせを挙げることができる。
【０２７９】
前記一般式（２）において、ｎは１が好ましい。
【０２８０】
次に、本発明における前記一般式（２）で表される化合物の具体例を示すが、本発明は  以下の具体例によって限定されるものではない。
【０２８１】
【化３１】
2008225166.tif 000032
【０２８２】
【化３２】
2008225166.tif 000033
【０２８３】
【化３３】
2008225166.tif 000034
【０２８４】
【化３４】
2008225166.tif 000035
【０２８５】
【化３５】
2008225166.tif 000036
【０２８６】
【化３６】
2008225166.tif 000037
【０２８７】
【化３７】
2008225166.tif 000038
【０２８８】
（その他の添加剤）
本発明の光学フィルムには、セルロースエステルと本発明の化合物、酸化防止剤の他に、可塑剤、安定化剤、滑り剤、マット剤、フィラー、無機高分子、有機高分子、染料、顔料、蛍光体、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤、二色性色素、屈折率調整剤、リターデーション制御剤、ガス透過抑制剤、抗菌剤、導電性付与剤、生分解性付与剤、ゲル化防止剤、粘度調整剤等の各種の機能を有する添加剤を所望により添加しても良い。
【０２８９】
本発明のセルロースエステルは２００〜２５０℃といった高温下で溶融して製膜されるため、従来の溶液留延製膜に比べてセルロースエステルの分解・劣化が起きやすいプロセスであるため、上記の添加剤の中でも安定化剤を光学フィルム形成材料中に添加されることが好ましい。
【０２９０】
安定化剤としては、例えば、酸捕捉剤、ヒンダードアミン光安定剤、紫外線吸収剤、過酸化物分解剤、ラジカル捕捉剤、金属不活性化剤、などが挙げられるが、これらに限定されない。
【０２９１】
これらは、特開平３−１９９２０１号公報、特開平５−１９０７０７３号公報、特開平５−１９４７８９号公報、特開平５−２７１４７１号公報、特開平６−１０７８５４号公報などに記載がある。これらの中から選ばれる少なくとも１種を、光学フィルム形成材料中に含むことが好ましい。
【０２９２】
また、偏光子保護フィルム、位相差フィルム等として本発明の光学フィルムを用いる場合、偏光子が紫外線に対して弱いため、少なくとも偏光子に対して光が入射する側の光学フィルムには紫外線吸収剤を含有していることが好ましい。
【０２９３】
また、本発明の光学フィルムを位相差フィルムとして用いる場合には、リターデーションを調節するための添加剤を含有させることができる。リターデーションを調節するために添加する化合物は、欧州特許９１１，６５６Ａ２号明細書に記載されているようなリターデーション制御剤を使用することもできる。
【０２９４】
また、加熱溶融時の粘度制御や光学フィルム加工後の光学フィルム物性を調整するために、有機高分子または無機高分子を光学フィルムに添加することもできる。
【０２９５】
セルロースエステル樹脂にこれらの添加剤を添加する際は、それらを含めた総量が、セルロース樹脂の質量に対して１〜３０質量％であることが好ましい。１質量％以下では溶融製膜性が低下し、３０質量％以上では得られる光学フィルムの力学特性や保存安定性などが確保できなくなることがあるためである。
【０２９６】
《酸捕捉剤》
セルロースエステルは溶融製膜が行われるような高温環境下では酸によっても分解が促進されるため、本発明の光学フィルムにおいては安定化剤として酸捕捉剤を含有することが好ましい。
【０２９７】
本発明において有用な酸捕捉剤としては、酸と反応して酸を不活性化する化合物であれば制限なく用いることができるが、中でも米国特許第４，１３７，２０１号明細書に記載されているような、エポキシ基を有する化合物が好ましい。
【０２９８】
このような酸捕捉剤としてのエポキシ化合物は当該技術分野において既知であり、種々のポリグリコールのジグリシジルエーテル、特にポリグリコール１モル当たりに約８〜４０モルのエチレンオキシド等の縮合によって誘導されるポリグリコール、グリセロールのジグリシジルエーテル等、金属エポキシ化合物（例えば、塩化ビニルポリマー組成物において、及び塩化ビニルポリマー組成物と共に、従来から利用されているもの）、エポキシ化エーテル縮合生成物、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル（即ち、４，４′−ジヒドロキシジフェニルジメチルメタン）、エポキシ化不飽和脂肪酸エステル（特に、２〜２２個の炭素原子の脂肪酸の４〜２個程度の炭素原子のアルキルのエステル（例えば、ブチルエポキシステアレート）等）、及び種々のエポキシ化長鎖脂肪酸トリグリセリド等（例えば、エポキシ化大豆油、エポキシ化亜麻仁油等）の組成物によって代表され例示され得るエポキシ化植物油及び他の不飽和天然油（これらはときとしてエポキシ化天然グリセリドまたは不飽和脂肪酸と称され、これらの脂肪酸は一般に１２〜２２個の炭素原子を含有している）が含まれる。また、市販のエポキシ基含有エポキシド樹脂化合物として、ＥＰＯＮ  ８１５Ｃ、及び下記一般式（３）の他のエポキシ化エーテルオリゴマー縮合生成物も好ましく用いることができる。
【０２９９】
【化３８】
2008225166.tif 000039
【０３００】
一般式（３）において、ｎは０〜１２の整数である。
【０３０１】
用いることができるその他の酸捕捉剤としては、特開平５−１９４７８８号公報の段落８７〜１０５に記載されているものが含まれる。
【０３０２】
酸捕捉剤はセルロースエステルに対して０．１〜１０質量％添加することが好ましく、さらに０．２〜５質量％添加することが好ましく、さらに０．５〜２質量％添加することが好ましい。これらは２種以上を併用してもよい。
【０３０３】
なお酸捕捉剤は、酸掃去剤、酸捕獲剤、酸キャッチャー等と称されることもあるが、本発明においてはこれらの呼称による差異なく用いることができる。
【０３０４】
《紫外線吸収剤》
紫外線吸収剤は、偏光子や表示装置の紫外線に対する劣化防止の観点から、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れており、かつ液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましい。本発明に用いられる紫外線吸収剤としては、例えば、オキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物、トリアジン系化合物等を挙げることができるが、ベンゾフェノン系化合物や着色の少ないベンゾトリアゾール系化合物、トリアジン系化合物が好ましい。
【０３０５】
また、特開平１０−１８２６２１号、同８−３３７５７４号公報記載の紫外線吸収剤、特開平６−１４８４３０号、特開２００３−１１３３１７号公報記載の高分子紫外線吸収剤を用いてもよい。
【０３０６】
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤の具体例として、２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−（３″，４″，５″，６″−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール）、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−（２−オクチルオキシカルボニルエチル）−フェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−（１−メチル−１−フェニルエチル）−５′−（１，１，３，３，−テトラメチルブチル）−フェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（直鎖及び側鎖ドデシル）−４−メチルフェノール、オクチル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネートと２−エチルヘキシル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネートの混合物等を挙げることができるが、これらに限定されない。
【０３０７】
また、市販品として、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１７１、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）９００、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）９２８、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）３６０（いずれもチバスペシャルティケミカルズ社製）、ＬＡ３１（旭電化社製）、ＲＵＶＡ−１００（大塚化学製）が挙げられる。
【０３０８】
ベンゾフェノン系化合物の具体例として、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン、ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ−５−ベンゾイルフェニルメタン）等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【０３０９】
本発明においては、紫外線吸収剤は０．１〜５質量％添加することが好ましく、さらに０．２〜３質量％添加することが好ましく、さらに０．５〜２質量％添加することが好ましい。これらは２種以上を併用してもよい。
【０３１０】
またこれらのベンゾトリアゾール構造やトリアジン構造が、ポリマーの一部、あるいは規則的にポリマーへペンダントされていてもよく、可塑剤、酸化防止剤、酸掃去剤等の他の添加剤の分子構造の一部に導入されていてもよい。
【０３１１】
従来公知の紫外線吸収性ポリマーとしては、特に限定されないが、例えば、ＲＵＶＡ−９３（大塚化学製）を単独重合させたポリマー及びＲＵＶＡ−９３と他のモノマーとを共重合させたポリマー等が挙げられる。具体的には、ＲＵＶＡ−９３とメチルメタクリレートを３：７の比（質量比）で共重合させたＰＵＶＡ−３０Ｍ、５：５の比（質量比）で共重合させたＰＵＶＡ−５０Ｍ等が挙げられる。更には、特開２００３−１１３３１７号公報に記載のポリマー等が挙げられる。
【０３１２】
《可塑剤》
本発明に係るセルロースエステルを有してなる光学フィルムの製造においては、光学フィルム成形材料中に少なくとも１種の可塑剤を添加することが好ましい。
【０３１３】
可塑剤とは、一般的には高分子中に添加することによって脆弱性を改良したり、柔軟性を付与したりする効果のある添加剤であるが、本発明においては、セルロースエステル単独での溶融温度よりも溶融温度を低下させるため、また同じ加熱温度においてセルロース樹脂単独よりも可塑剤を含む光学フィルム構成材料の溶融粘度を低下させるために、可塑剤を添加する。また、セルロースエステルの親水性を改善し、光学フィルムの透湿度改善するためにも添加されるため透湿防止剤としての機能を有する。
【０３１４】
ここで、光学フィルム構成材料の溶融温度とは、該材料が加熱され流動性が発現された状態の温度を意味する。セルロースエステルを溶融流動させるためには、少なくともガラス転移温度よりも高い温度に加熱する必要がある。
【０３１５】
ガラス転移温度以上においては、熱量の吸収により弾性率あるいは粘度が低下し、流動性が発現される。
【０３１６】
しかしセルロースエステルでは高温下では溶融と同時に熱分解によってセルロースエステルの分子量の低下が発生し、得られる光学フィルムの力学特性等に悪影響を及ぼすことがあるため、なるべく低い温度でセルロースエステルを溶融させる必要がある。
【０３１７】
光学フィルム構成材料の溶融温度を低下させるためには、セルロースエステルのガラス転移温度よりも低い融点またはガラス転移温度をもつ可塑剤を添加することで達成することができる。
【０３１８】
本発明の光学フィルムは、可塑剤を好ましくは１〜２５質量％含有することを特徴とする光学フィルムである。
【０３１９】
１質量％よりも少ないと平面性改善の効果が認められず、２５質量％よりも多いとブリードアウトが発生しやすくなり、光学フィルムの経時安定性が低下するために好ましくない。より好ましくは可塑剤を３〜２０質量％含有する光学フィルムであり、さらに好ましくは５〜１５質量％含有する光学フィルムである。
【０３２０】
本発明においては、多価アルコールと１価のカルボン酸からなるエステル系可塑剤、多価カルボン酸と１価のアルコールからなるエステル系可塑剤はセルロースエステルと親和性が高く、好ましい。
【０３２１】
本発明において好ましく用いられるエステル系可塑剤の原料である多価アルコールの例としては、例えば以下のようなものを挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０３２２】
アドニトール、アラビトール、エチレングリコール、グレセリン、ジグリセリン、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ジブチレングリコール、１，２，４−ブタントリオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ヘキサントリオール、ガラクチトール、マンニトール、３−メチルペンタン−１，３，５−トリオール、ピナコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、ジトリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、ペンタエチスリトール、ジペンタエリスリトール、キシリトール等を挙げることができる。特に、エチレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパンが好ましい。
【０３２３】
多価アルコールエステル系の一つであるエチレングリコールエステル系の可塑剤としては、具体的には、エチレングリコールジアセテート、エチレングリコールジブチレート等のエチレングリコールアルキルエステル系の可塑剤、エチレングリコールジシクロプロピルカルボキシレート、エチレングリコールジシクロヘキルカルボキシレート等のエチレングリコールシクロアルキルエステル系の可塑剤、エチレングリコールジベンゾエート、エチレングリコールジ４−メチルベンゾエート等のエチレングリコールアリールエステル系の可塑剤が挙げられる。これらアルキレート基、シクロアルキレート基、アリレート基は、同一でもあっても異なっていてもよく、さらに置換されていてもよい。
【０３２４】
またアルキレート基、シクロアルキレート基、アリレート基のミックスでもよく、またこれら置換基同志が共有結合で結合していてもよい。
【０３２５】
さらにエチレングリコール部も置換されていてもよく、エチレングリコールエステルの部分構造が、ポリマーの一部、あるいは規則的にペンダントされていてもよく、また酸化防止剤、酸掃去剤、紫外線吸収剤等の添加剤の分子構造の一部に導入されていてもよい。
【０３２６】
多価アルコールエステル系の一つであるグリセリンエステル系の可塑剤としては、具体的にはトリアセチン、トリブチリン、グリセリンジアセテートカプリレート、グリセリンオレートプロピオネート等のグリセリンアルキルエステル、グリセリントリシクロプロピルカルボキシレート、グリセリントリシクロヘキシルカルボキシレート等のグリセリンシクロアルキルエステル、グリセリントリベンゾエート、グリセリン４−メチルベンゾエート等のグリセリンアリールエステル、ジグリセリンテトラアセチレート、ジグリセリンテトラプロピオネート、ジグリセリンアセテートトリカプリレート、ジグリセリンテトララウレート、等のジグリセリンアルキルエステル、ジグリセリンテトラシクロブチルカルボキシレート、ジグリセリンテトラシクロペンチルカルボキシレート等のジグリセリンシクロアルキルエステル、ジグリセリンテトラベンゾエート、ジグリセリン３−メチルベンゾエート等のジグリセリンアリールエステル等が挙げられる。これらアルキレート基、シクロアルキルカルボキシレート基、アリレート基は同一でもあっても異なっていてもよく、さらに置換されていてもよい。
【０３２７】
またアルキレート基、シクロアルキルカルボキシレート基、アリレート基のミックスでもよく、またこれら置換基同志が共有結合で結合していてもよい。
【０３２８】
さらにグリセリン、ジグリセリン部も置換されていてもよく、グリセリンエステル、ジグリセリンエステルの部分構造がポリマーの一部、あるいは規則的にペンダントされていてもよく、また酸化防止剤、酸掃去剤、紫外線吸収剤等の添加剤の分子構造の一部に導入されていてもよい。
【０３２９】
その他の多価アルコールエステル系の可塑剤としては、具体的には特開２００３−１２８２３号公報の段落３０〜３３記載の多価アルコールエステル系可塑剤が挙げられる。
【０３３０】
これらアルキレート基、シクロアルキルカルボキシレート基、アリレート基は、同一でもあっても異なっていてもよく、さらに置換されていてもよい。またアルキレート基、シクロアルキルカルボキシレート基、アリレート基のミックスでもよく、またこれら置換基同志が共有結合で結合していてもよい。
【０３３１】
さらに多価アルコール部も置換されていてもよく、多価アルコールの部分構造が、ポリマーの一部、あるいは規則的にペンダントされていてもよく、また酸化防止剤、酸掃去剤、紫外線吸収剤等の添加剤の分子構造の一部に導入されていてもよい。
【０３３２】
上記多価アルコールと１価のカルボン酸からなるエステル系可塑剤の中では、アルキル多価アルコールアリールエステルが好ましく、具体的には上記のエチレングリコールジベンゾエート、グリセリントリベンゾエート、ジグリセリンテトラベンゾエート、特開２００３−１２８２３号公報の段落３１記載例示化合物１６が挙げられる。
【０３３３】
多価カルボン酸エステル系の一つであるジカルボン酸エステル系の可塑剤としては、具体的には、ジドデシルマロネート（Ｃ１）、ジオクチルアジペート（Ｃ４）、ジブチルセバケート（Ｃ８）等のアルキルジカルボン酸アルキルエステル系の可塑剤、ジシクロペンチルサクシネート、ジシクロヘキシルアジーペート等のアルキルジカルボン酸シクロアルキルエステル系の可塑剤、ジフェニルサクシネート、ジ４−メチルフェニルグルタレート等のアルキルジカルボン酸アリールエステル系の可塑剤、ジヘキシル−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレート、ジデシルビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシレート等のシクロアルキルジカルボン酸アルキルエステル系の可塑剤、ジシクロヘキシル−１，２−シクロブタンジカルボキシレート、ジシクロプロピル−１，２−シクロヘキシルジカルボキシレート等のシクロアルキルジカルボン酸シクロアルキルエステル系の可塑剤、ジフェニル−１，１−シクロプロピルジカルボキシレート、ジ２−ナフチル−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレート等のシクロアルキルジカルボン酸アリールエステル系の可塑剤、ジエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エチルヘキシルフタレート等のアリールジカルボン酸アルキルエステル系の可塑剤、ジシクロプロピルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート等のアリールジカルボン酸シクロアルキルエステル系の可塑剤、ジフェニルフタレート、ジ４−メチルフェニルフタレート等のアリールジカルボン酸アリールエステル系の可塑剤が挙げられる。
【０３３４】
これらアルコキシ基、シクロアルコキシ基は、同一でもあっても異なっていてもよく、また一置換でもよく、これらの置換基はさらに置換されていてもよい。アルキル基、シクロアルキル基はミックスでもよく、またこれら置換基同志が共有結合で結合していてもよい。さらにフタル酸の芳香環も置換されていてよく、ダイマー、トリマー、テトラマー等の多量体でもよい。またフタル酸エステルの部分構造が、ポリマーの一部、あるいは規則的にポリマーへペンダントされていてもよく、酸化防止剤、酸掃去剤、紫外線吸収剤等の添加剤の分子構造の一部に導入されていてもよい。
【０３３５】
その他の多価カルボン酸エステル系の可塑剤としては、具体的にはトリドデシルトリカルバレート、トリブチル−ｍｅｓｏ−ブタン−１，２，３，４−テトラカルボキシレート等のアルキル多価カルボン酸アルキルエステル系の可塑剤、トリシクロヘキシルトリカルバレート、トリシクロプロピル−２−ヒドロキシ−１，２，３−プロパントリカルボキシレート等のアルキル多価カルボン酸シクロアルキルエステル系の可塑剤、トリフェニル２−ヒドロキシ−１，２，３−プロパントリカルボキシレート、テトラ３−メチルフェニルテトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボキシレート等のアルキル多価カルボン酸アリールエステル系の可塑剤、テトラヘキシル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボキシレート、テトラブチル−１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボキシレート等のシクロアルキル多価カルボン酸アルキルエステル系の可塑剤、テトラシクロプロピル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボキシレート、トリシクロヘキシル−１，３，５−シクロヘキシルトリカルボキシレート等のシクロアルキル多価カルボン酸シクロアルキルエステル系の可塑剤、トリフェニル−１，３，５−シクロヘキシルトリカルボキシレート、ヘキサ４−メチルフェニル−１，２，３，４，５，６−シクロヘキシルヘキサカルボキシレート等のシクロアルキル多価カルボン酸アリールエステル系の可塑剤、トリドデシルベンゼン−１，２，４−トリカルボキシレート、テトラオクチルベンゼン−１，２，４，５−テトラカルボキシレート等のアリール多価カルボン酸アルキルエステル系の可塑剤、トリシクロペンチルベンゼン−１，３，５−トリカルボキシレート、テトラシクロヘキシルベンゼン−１，２，３，５−テトラカルボキシレート等のアリール多価カルボン酸シクロアルキルエステル系の可塑剤トリフェニルベンゼン−１，３，５−テトラカルボキシレート、ヘキサ４−メチルフェニルベンゼン−１，２，３，４，５，６−ヘキサカルボキシレート等のアリール多価カルボン酸アリールエステル系の可塑剤が挙げられる。
【０３３６】
これらアルコキシ基、シクロアルコキシ基は、同一でもあっても異なっていてもよく、また１置換でもよく、これらの置換基はさらに置換されていてもよい。
【０３３７】
アルキル基、シクロアルキル基はミックスでもよく、またこれら置換基同志が共有結合で結合していてもよい。さらにフタル酸の芳香環も置換されていてよく、ダイマー、トリマー、テトラマー等の多量体でもよい。
【０３３８】
またフタル酸エステルの部分構造がポリマーの一部、あるいは規則的にポリマーへペンダントされていてもよく、酸化防止剤、酸掃去剤、紫外線吸収剤等の添加剤の分子構造の一部に導入されていてもよい。
【０３３９】
上記多価カルボン酸と１価のアルコールからなるエステル系可塑剤の中では、アルキルジカルボン酸アルキルエステルが好ましく、具体的には上記のジオクチルアジペートが挙げられる。
【０３４０】
本発明に用いられるその他の可塑剤としては、燐酸エステル系可塑剤、炭水化物エステル系可塑剤、ポリマー可塑剤等が挙げられる。
【０３４１】
燐酸エステル系の可塑剤としては、具体的には、トリアセチルホスフェート、トリブチルホスフェート等の燐酸アルキルエステル、トリシクロベンチルホスフェート、シクロヘキシルホスフェート等の燐酸シクロアルキルエステル、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジルフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリナフチルホスフェート、トリキシリルオスフェート、トリスオルト−ビフェニルホスフェート等の燐酸アリールエステルが挙げられる。
【０３４２】
これらの置換基は同一でもあっても異なっていてもよく、さらに置換されていてもよい。またアルキル基、シクロアルキル基、アリール基のミックスでもよく、また置換基同志が共有結合で結合していてもよい。
【０３４３】
また、エチレンビス（ジメチルホスフェート）、ブチレンビス（ジエチルホスフェート）等のアルキレンビス（ジアルキルホスフェート）、エチレンビス（ジフェニルホスフェート）、プロピレンビス（ジナフチルホスフェート）等のアルキレンビス（ジアリールホスフェート）、フェニレンビス（ジブチルホスフェート）、ビフェニレンビス（ジオクチルホスフェート）等のアリーレンビス（ジアルキルホスフェート）、フェニレンビス（ジフェニルホスフェート）、ナフチレンビス（ジトルイルホスフェート）等のアリーレンビス（ジアリールホスフェート）等の燐酸エステルが挙げられる。
【０３４４】
これらの置換基は同一でもあっても異なっていてもよく、さらに置換されていてもよい。またアルキル基、シクロアルキル基、アリール基のミックスでもよく、また置換基同志が共有結合で結合していてもよい。
【０３４５】
さらに燐酸エステルの部分構造が、ポリマーの一部、あるいは規則的にペンダントされていてもよく、また酸化防止剤、酸掃去剤、紫外線吸収剤等の添加剤の分子構造の一部に導入されていてもよい。上記化合物の中では、燐酸アリールエステル、アリーレンビス（ジアリールホスフェート）が好ましく、具体的にはトリフェニルホスフェート、フェニレンビス（ジフェニルホスフェート）が好ましい。
【０３４６】
次に、炭水化物エステル系可塑剤について説明する。炭水化物とは、糖類がピラノースまたはフラノース（６員環または５員環）の形態で存在する単糖類、二糖類または三糖類を意味する。炭水化物の非限定的例としては、グルコース、サッカロース、ラクトース、セロビオース、マンノース、キシロース、リボース、ガラクトース、アラビノース、フルクトース、ソルボース、セロトリオース及びラフィノース等が挙げられる。炭水化物エステルとは、炭水化物の水酸基とカルボン酸が脱水縮合してエステル化合物を形成したものを指し、詳しくは、炭水化物の脂肪族カルボン酸エステル、あるいは芳香族カルボン酸エステルを意味する。
【０３４７】
脂肪族カルボン酸として、例えば酢酸、プロピオン酸等を挙げることができ、芳香族カルボン酸として、例えば安息香酸、トルイル酸、アニス酸等を挙げることができる。炭水化物は、その種類に応じた水酸基の数を有するが、水酸基の一部とカルボン酸が反応してエステル化合物を形成しても、水酸基の全部とカルボン酸が反応してエステル化合物を形成してもよい。
【０３４８】
本発明においては、水酸基の全部とカルボン酸が反応してエステル化合物を形成するのが好ましい。
【０３４９】
炭水化物エステル系可塑剤として、具体的には、グルコースペンタアセテート、グルコースペンタプロピオネート、グルコースペンタブチレート、サッカロースオクタアセテート、サッカロースオクタベンゾエート等を好ましく挙げることができ、この内、サッカロースオクタアセテートがより好ましい。
【０３５０】
ポリマー可塑剤としては、具体的には、脂肪族炭化水素系ポリマー、脂環式炭化水素系ポリマー、ポリアクリル酸エチル、ポリメタクリル酸メチル、メタクリル酸メチルとメタクリル酸−２−ヒドロキシエチルとの共重合体（例えば、共重合比１：９９〜９９：１の間の任意の比率）等のアクリル系ポリマー、ポリビニルイソブチルエーテル、ポリＮ−ビニルピロリドン等のビニル系ポリマー、ポリスチレン、ポリ４−ヒドロキシスチレン等のスチレン系ポリマー、ポリブチレンサクシネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド等のポリエーテル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリウレア等が挙げられる。
【０３５１】
数平均分子量は１，０００〜５００，０００程度が好ましく、特に好ましくは、５，０００〜２００，０００である。１，０００以下では揮発性に問題が生じ、５００，０００を超えると可塑化能力が低下し、光学フィルムの機械的性質に悪影響を及ぼす。これらポリマー可塑剤は１種の繰り返し単位からなる単独重合体でも、複数の繰り返し構造体を有する共重合体でもよい。また、上記ポリマーを２種以上併用して用いてもよい。
【０３５２】
その他の可塑剤の添加量はセルロースエステル１００質量部に対して、通常０．１〜５０質量部、好ましくは１〜３０質量部、さらに好ましくは３〜１５質量部である。
【０３５３】
本発明の光学フィルムにおいて、多価アルコールと１価のカルボン酸からなるエステル系可塑剤、多価カルボン酸と１価のアルコールからなるエステル系可塑剤を１〜２５質量％含有することが好ましいが、それ以外の可塑剤と併用してもよい。
【０３５４】
本発明の光学フィルムにおいて、多価アルコールと１価のカルボン酸からなるエステル系可塑剤が更に好ましく、３価以上のアルコールと１価のカルボン酸からなるエステル系可塑剤がセルロースエステルに対する相溶性が高く、高添加率で添加することができる特徴があるため、他の可塑剤や添加剤を併用してもブリードアウトを発生することがなく、必要に応じて他種の可塑剤や添加剤を容易に併用することができるので最も好ましい。
【０３５５】
上記化合物は、少なくとも１種以上含有させることが好ましく、セルロースエステル樹脂の質量に対して、含有量は０．０１〜５質量％が好ましく、より好ましくは０．１〜３質量％であり、さらに好ましくは０．２〜２質量％である。
【０３５６】
上記化合物の含有量が上記範囲よりも少ないと、セルロースエステル樹脂の熱分解が生じやすく、また上記添加量の範囲よりも多いと樹脂への相溶性の観点から偏光板保護フィルムとしての透明性の低下を引き起こし、また光学フィルムが脆くなるために好ましくない。
【０３５７】
（粘度低下剤）
本発明において、溶融粘度を低減する目的として、水素結合性溶媒を添加する事ができる。
【０３５８】
水素結合性溶媒とは、Ｊ．Ｎ．イスラエルアチビリ著、「分子間力と表面力」（近藤保、大島広行訳、マグロウヒル出版、１９９１年）に記載されるように、電気的に陰性な原子（酸素、窒素、フッ素、塩素）と電気的に陰性な原子と共有結合した水素原子間に生ずる、水素原子媒介「結合」を生ずることができるような有機溶媒、すなわち、結合モーメントが大きく、かつ水素を含む結合、例えば、Ｏ−Ｈ（酸素水素結合）、Ｎ−Ｈ（窒素水素結合）、Ｆ−Ｈ（フッ素水素結合）を含むことで近接した分子同士が配列できるような有機溶媒をいう。
【０３５９】
これらは、セルロース樹脂の分子間水素結合よりもセルロースとの間で強い水素結合を形成する能力を有するもので、本発明で行う溶融流延法においては、用いるセルロース樹脂単独のガラス転移温度よりも、水素結合性溶媒の添加によりセルロース樹脂組成物の溶融温度を低下する事ができる、または同じ溶融温度においてセルロース樹脂よりも水素結合性溶媒を含むセルロース樹脂組成物の溶融粘度を低下する事ができる。
【０３６０】
水素結合性溶媒としては、例えば、アルコール類：例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、２−エチルヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、ドデカノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ヘキシルセロソルブ、グリセリン等、ケトン類：アセトン、メチルエチルケトン等、カルボン酸類：例えば蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸等、エーテル類：例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等、ピロリドン類：例えば、Ｎ−メチルピロリドン等、アミン類：例えば、トリメチルアミン、ピリジン等、等を例示することができる。
【０３６１】
これら水素結合性溶媒は、単独で、又は２種以上混合して用いることができる。
【０３６２】
これらのうちでも、アルコール、ケトン、エーテル類が好ましく、特にメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、オクタノール、ドデカノール、エチレングリコール、グリセリン、アセトン、テトラヒドロフランが好ましい。
【０３６３】
さらに、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール、グリセリン、アセトン、テトラヒドロフランのような水溶性溶媒が特に好ましい。ここで水溶性とは、水１００ｇに対する溶解度が１０ｇ以上のものをいう。
【０３６４】
（リターデーション制御剤）
本発明の光学フィルムを用いた光学用途フィルムにおいて配向膜を形成して液晶層を設け、光学フィルムと液晶層由来のリターデーションを複合化して光学補償能を付与した偏光板加工を行ってもよい。
【０３６５】
リターデーションを制御するために添加する化合物は、欧州特許第９１１，６５６Ａ２号明細書に記載されているような、二つ以上の芳香族環を有する芳香族化合物をリターデーション制御剤として使用することもできる。
【０３６６】
また２種類以上の芳香族化合物を併用してもよい。該芳香族化合物の芳香族環には、芳香族炭化水素環に加えて、芳香族性ヘテロ環を含む。
【０３６７】
芳香族性ヘテロ環であることが特に好ましく、芳香族性ヘテロ環は一般に不飽和ヘテロ環である。中でも１，３，５−トリアジン環を有する化合物が特に好ましい。
【０３６８】
（マット剤）
本発明の光学フィルムは、滑り性や光学的、機械的機能を付与するためにマット剤を添加することができる。マット剤としては、無機化合物の微粒子または有機化合物の微粒子が挙げられる。
【０３６９】
マット剤の形状は、球状、棒状、針状、層状、平板状等の形状のものが好ましく用いられる。マット剤としては、例えば、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、カオリン、タルク、焼成ケイ酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム等の金属の酸化物、リン酸塩、ケイ酸塩、炭酸塩等の無機微粒子や架橋高分子微粒子を挙げることができる。
【０３７０】
中でも、二酸化ケイ素が光学フィルムのヘイズを低くできるので好ましい。これらの微粒子は有機物により表面処理されていることが、光学フィルムのヘイズを低下できるため好ましい。
【０３７１】
表面処理は、ハロシラン類、アルコキシシラン類、シラザン、シロキサン等で行うことが好ましい。微粒子の平均粒径が大きい方が滑り性効果は大きく、反対に平均粒径の小さい方は透明性に優れる。また、微粒子の一次粒子の平均粒径は０．０１〜１．０μｍの範囲である。好ましい微粒子の一次粒子の平均粒径は５〜５０ｎｍが好ましく、さらに好ましくは、７〜１４ｎｍである。これらの微粒子は、光学フィルム表面に０．０１〜１．０μｍの凹凸を生成させるために好ましく用いられる。
【０３７２】
二酸化ケイ素の微粒子としては、日本アエロジル（株）製のアエロジル（ＡＥＲＯＳＩＬ）２００、２００Ｖ、３００、Ｒ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ２０２、Ｒ８１２、ＯＸ５０、ＴＴ６００等を挙げることができ、好ましくはアエロジル２００Ｖ、Ｒ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ２０２、Ｒ８１２である。これらの微粒子は２種以上併用してもよい。
【０３７３】
２種以上併用する場合、任意の割合で混合して使用することができる。平均粒径や材質の異なる微粒子、例えば、アエロジル２００ＶとＲ９７２Ｖを質量比で０．１：９９．９〜９９．９：０．１の範囲で使用できる。
【０３７４】
これらのマット剤の添加方法は混練する等によって行うことが好ましい。また、別の形態として予め溶媒に分散したマット剤とセルロースエステル及び／または可塑剤及び／または紫外線吸収剤を混合分散させた後、溶媒を揮発または沈殿させた固形物を得て、これをセルロースエステル溶融物の製造過程で用いることが、マット剤がセルロース樹脂中で均一に分散できる観点から好ましい。
【０３７５】
上記マット剤は、光学フィルムの機械的、電気的、光学的特性改善のために添加することもできる。
【０３７６】
なおこれらの微粒子を添加するほど、得られる光学フィルムの滑り性は向上するが、添加するほどヘイズが上昇するため、含有量は好ましくは０．００１〜５質量％が好ましく、より好ましくは０．００５〜１質量％であり、さらに好ましくは０．０１〜０．５質量％である。
【０３７７】
なお本発明の光学フィルムとしては、ヘイズ値が１．０％を超えると光学用材料として影響を与えるため、好ましくはヘイズ値は１．０％未満、より好ましくは０．５％未満である。ヘイズ値はＪＩＳ−Ｋ７１３６に基づいて測定することができる。
【０３７８】
（高分子材料）
本発明の光学フィルムはセルロースエステル以外の高分子材料やオリゴマーを適宜選択して混合してもよい。
【０３７９】
前述の高分子材料やオリゴマーはセルロースエステルと相溶性に優れるものが好ましく、光学フィルムにしたときの透過率が８０％以上、更に好ましくは９０％以上、更に好ましくは９２％以上であることが好ましい。
【０３８０】
セルロースエステル以外の高分子材料やオリゴマーの少なくとも１種以上を混合する目的は、加熱溶融時の粘度制御や光学フィルム加工後の光学フィルム物性を向上するために行う意味を含んでいる。この場合は、上述のその他添加剤として含むことができる。
【０３８１】
光学フィルム構成材料は溶融及び製膜工程において、揮発成分が少ないまたは発生しないことが求められる。
【０３８２】
これは加熱溶融時に発泡して、光学フィルム内部の欠陥や光学フィルム表面の平面性劣化を削減または回避するためである。
【０３８３】
光学フィルム構成材料が溶融されるときの揮発成分の含有量は、１質量％以下、好ましくは０．５質量％以下、さらに好ましくは０．２質量％以下、さらにより好ましくは０．１質量％以下であることが望まれる。
【０３８４】
本発明においては、示差熱重量測定装置（セイコー電子工業社製ＴＧ／ＤＴＡ２００）を用いて、３０℃から２５０℃までの加熱減量を求め、その量を揮発成分の含有量としている。
【０３８５】
用いる光学フィルム構成材料は、前記水分や前記溶媒等に代表される揮発成分を、製膜する前に、または加熱時に除去することが好ましい。
【０３８６】
除去する方法は、公知の乾燥方法が適用でき、加熱法、減圧法、加熱減圧法等の方法で行うことができ、空気中または不活性ガスとして窒素を選択した雰囲気下で行ってもよい。
【０３８７】
これらの公知の乾燥方法を行うとき、光学フィルム構成材料が分解しない温度領域で行うことが光学フィルムの品質上好ましい。
【０３８８】
製膜前に乾燥することにより、揮発成分の発生を削減することができ、樹脂単独、または樹脂と光学フィルム構成材料の内、樹脂以外の少なくとも１種以上の混合物または相溶物に分割して乾燥することもできる。乾燥温度は７０℃以上が好ましい。
【０３８９】
乾燥する材料にガラス転移温度を有する物が存在するときには、そのガラス転移温度よりも高い乾燥温度に加熱すると、材料が融着して取り扱いが困難になることがあるので、乾燥温度は、ガラス転移温度以下であることが好ましい。
【０３９０】
複数の物質がガラス転移温度を有する場合は、ガラス転移温度が低い方のガラス転移温度を基準とする。より好ましくは７０℃以上、（ガラス転移温度−５）℃以下、さらに好ましくは１１０℃以上、（ガラス転移温度−２０）℃以下である。
【０３９１】
乾燥時間は、好ましくは０．５〜２４時間、より好ましくは１〜１８時間、さらに好ましくは１．５〜１２時間である。乾燥温度が低くなりすぎると揮発成分の除去率が低くなり、また乾燥するのに時間にかかり過ぎることになる。
【０３９２】
また、乾燥工程は２段階以上にわけてもよく、例えば、乾燥工程が、材料の保管のための予備乾燥工程と、製膜する直前〜１週間前の間に行う直前乾燥工程を含むものであってもよい。
【０３９３】
《溶融流延法》
本発明の請求項２記載の光学フィルムの製造方法は溶融流延によって形成することを特徴としている。
【０３９４】
溶液流延法において用いられる溶媒（例えば塩化メチレン等）を用いずに、加熱溶融する溶融流延による成形法は、さらに詳細には、溶融押出成形法、プレス成形法、インフレーション法、射出成形法、ブロー成形法、延伸成形法等に分類できる。
【０３９５】
これらの中で、機械的強度及び表面精度等に優れる偏光板保護フィルムを得るためには、溶融押し出し法が優れている。
【０３９６】
以下、溶融押し出し法を例にとり、本発明の請求項２に記載の光学フィルムの製造方法について説明する。
【０３９７】
図１は、本発明に係る光学フィルムの製造方法を実施する装置の全体構成を示す概略フローシートであり、図２は、流延ダイから冷却ロール部分の拡大図である。
【０３９８】
図１と図２において、光学フィルムの製造方法は、セルロース樹脂等の光学フィルム材料を混合した後、押出し機１を用いて、流延ダイ４から第１冷却ロール５上に溶融押し出し、第１冷却ロール５に外接させるとともに、さらに、第２冷却ロール７、第３冷却ロール８の合計３本の冷却ロールに順に外接させて、冷却固化して光学フィルム１０とする。
【０３９９】
ついで、剥離ロール９によって剥離した光学フィルム１０を、ついで延伸装置１２により光学フィルムの両端部を把持して幅方向に延伸した後、巻取り装置１６により巻き取る。また、平面性を矯正するために溶融フィルムを第１冷却ロール５表面に挟圧するタッチロール６が設けられている。
【０４００】
このタッチロール６は表面が弾性を有し、第１冷却ロール５との間でニップを形成している。タッチロール６についての詳細は後述する。
【０４０１】
光学フィルムの製造方法において、溶融押し出しの条件は、他のポリエステル等の熱可塑性樹脂に用いられる条件と同様にして行うことができる。
【０４０２】
材料は予め乾燥させておくことが好ましい。真空または減圧乾燥機や除湿熱風乾燥機等で水分を１０００ｐｐｍ以下、好ましくは２００ｐｐｍ以下に乾燥させることが望ましい。
【０４０３】
例えば、熱風や真空または減圧下で乾燥したセルロースエステル系樹脂を押出し機１をいて、押し出し温度２００〜３００℃程度で溶融し、リーフディスクタイプのフィルター２等で濾過し、異物を除去する。
【０４０４】
供給ホッパー（図示略）から押出し機１へ導入する際は、真空下または減圧下や不活性ガス雰囲気下にして、酸化分解等を防止することが好ましい。
【０４０５】
可塑剤等の添加剤を予め混合しない場合は、押出し機の途中で練り込んでもよい。均一に添加するために、スタチックミキサー３等の混合装置を用いることが好ましい。
【０４０６】
本発明において、セルロース樹脂と、その他必要により添加される安定化剤等の添加剤は、溶融する前に混合しておくことが好ましい。セルロース樹脂と安定化剤を最初に混合することがさらに好ましい。
【０４０７】
混合は、混合機等により行ってもよく、また、前記したようにセルロース樹脂調製過程において混合してもよい。混合機を使用する場合は、Ｖ型混合機、円錐スクリュー型混合機、水平円筒型混合機、ヘンシェルミキサー、リボンミキサー等、一般的な混合機を用いることができる。
【０４０８】
上記のように光学フィルム構成材料を混合した後に、その混合物を押出し機１を用いて直接溶融して製膜するようにしてもよいが、一旦、光学フィルム構成材料をペレット化した後、該ペレットを押出し機１で溶融して製膜するようにしてもよい。
【０４０９】
また、光学フィルム構成材料が、融点の異なる複数の材料を含む場合には、融点の低い材料のみが溶融する温度で一旦、いわゆるおこし状の半溶融物を作製し、半溶融物を押出し機１に投入して製膜することも可能である。
【０４１０】
光学フィルム構成材料に熱分解しやすい材料が含まれる場合には、溶融回数を減らす目的で、ペレットを作製せずに直接製膜する方法や、上記のようなおこし状の半溶融物を作ってから製膜する方法が好ましい。
【０４１１】
押出し機１は、市場で入手可能な種々の押出し機を使用可能であるが、溶融混練押出し機が好ましく、単軸押出し機でも２軸押出し機でもよい。
【０４１２】
光学フィルム構成材料からペレットを作製せずに、直接製膜を行う場合、適当な混練度が必要であるため２軸押出し機を用いることが好ましいが、単軸押出し機でも、スクリューの形状をマドック型、ユニメルト、ダルメージ等の混練型のスクリューに変更することにより、適度の混練が得られるので、使用可能である。
【０４１３】
光学フィルム構成材料として、一旦、ペレットやおこし状の半溶融物を使用する場合は、単軸押出し機でも２軸押出し機でも使用可能である。
【０４１４】
押出し機１内及び押出した後の冷却工程は、窒素ガス等の不活性ガスで置換するか、あるいは減圧することにより、酸素の濃度を下げることが好ましい。
【０４１５】
押出し機１内の光学フィルム構成材料の溶融温度は、光学フィルム構成材料の粘度や吐出量、製造するシートの厚み等によって好ましい条件が異なるが、一般的には、光学フィルムのガラス転移温度Ｔｇに対して、Ｔｇ以上、Ｔｇ＋１３０℃以下、好ましくはＴｇ＋１０℃以上、Ｔｇ＋１２０℃以下である。押出し時の溶融粘度は、１０〜１０００００ポイズ、好ましくは１００〜１００００ポイズである。
【０４１６】
また、押出し機１内での光学フィルム構成材料の滞留時間は短い方が好ましく、５分以内、好ましくは３分以内、より好ましくは２分以内である。滞留時間は、押出し機１の種類、押出す条件にも左右されるが、材料の供給量やＬ／Ｄ、スクリュー回転数、スクリューの溝の深さ等を調整することにより短縮することが可能である。
【０４１７】
押出し機１のスクリューの形状や回転数等は、光学フィルム構成材料の粘度や吐出量等により適宜選択される。本発明において押出し機１でのせん断速度は、１／秒〜１００００／秒、好ましくは５／秒〜１０００／秒、より好ましくは１０／秒〜１００／秒である。
【０４１８】
本発明に使用できる押出し機１としては、一般的にプラスチック成形機として入手可能である。
【０４１９】
押出し機１から押し出された光学フィルム構成材料は、流延ダイ４に送られ、流延ダイ４のスリットから光学フィルム状に押し出される。流延ダイ４はシートや光学フィルムを製造するために用いられるものであれば特に限定はされない。
【０４２０】
流延ダイ４の材質としては、ハードクロム、炭化クロム、窒化クロム、炭化チタン、炭窒化チタン、窒化チタン、超鋼、セラミック（タングステンカーバイド、酸化アルミ、酸化クロム）等を溶射もしくはメッキし、表面加工としてバフ、＃１０００番手以降の砥石を用いるラッピング、＃１０００番手以上のダイヤモンド砥石を用いる平面切削（切削方向は樹脂の流れ方向に垂直な方向）、電解研磨、電解複合研磨等の加工を施したもの等が挙げられる。
【０４２１】
流延ダイ４のリップ部の好ましい材質は、流延ダイ４と同様である。またリップ部の表面精度は０．５Ｓ以下が好ましく、０．２Ｓ以下がより好ましい。
【０４２２】
この流延ダイ４のスリットは、そのギャップが調整可能なように構成されている。
【０４２３】
これを図３に示す。流延ダイ４のスリット３２を形成する一対のリップのうち、一方は剛性の低い変形しやすいフレキシブルリップ３３であり、他方は固定リップ３４である。そして、多数のヒートボルト３５が流延ダイ４の幅方向すなわちスリット３２の長さ方向に一定ピッチで配列されている。
【０４２４】
各ヒートボルト５には、埋め込み電気ヒータ３７と冷却媒体通路とを具えたブロック３６が設けられ、各ヒートボルト３５が各ブロック３６を縦に貫通している。ヒートボルト３５の基部はダイ本体３１に固定され、先端はフレキシブルリップ３３の外面に当接している。
【０４２５】
そしてブロック３６を常時空冷しながら、埋め込み電気ヒータ３７の入力を増減してブロック３６の温度を上下させ、これによりヒートボルト３５を熱伸縮させて、フレキシブルリップ３３を変位させて光学フィルムの厚さを調整する。
【０４２６】
ダイ後流の所要箇所に厚さ計を設け、これによって検出されたウェブ厚さ情報を制御装置にフィードバックし、この厚さ情報を制御装置で設定厚み情報と比較し、同装置から来る補正制御量の信号によってヒートボルトの発熱体の電力またはオン率を制御するようにすることもできる。ヒートボルトは、好ましくは、長さ２０〜４０ｃｍ、直径７〜１４ｍｍを有し、複数、例えば数十本のヒートボルトが、好ましくはピッチ２０〜４０ｍｍで配列されている。
【０４２７】
ヒートボルトの代わりに、手動で軸方向に前後動させることによりスリットギャップを調節するボルトを主体とするギャップ調節部材を設けてもよい。ギャップ調節部材によって調節されたスリットギャップは、通常２００〜１０００μｍ、好ましくは３００〜８００μｍ、より好ましくは４００〜６００μｍである。
【０４２８】
第１〜第３冷却ロールは、肉厚が２０〜３０ｍｍ程度のシームレスな鋼管製で、表面が鏡面に仕上げられている。その内部には、冷却液を流す配管が配置されており、配管を流れる冷却液によってロール上の光学フィルムから熱を吸収できるように構成されている。
【０４２９】
この第１乃至第３冷却ロールの内、第１冷却ロール５が本発明の回転支持体に相当する。
【０４３０】
一方、第１冷却ロール５に当接するタッチロール６は、表面が弾性を有し、第１冷却ロール５への押圧力によって第１冷却ロール５の表面に沿って変形し、第１ロール５との間にニップを形成する。すなわち、タッチロール６が本発明の挟圧回転体に相当する。
【０４３１】
図４に、タッチロール６の一実施形態（以下、タッチロールＡ）の概略断面を示す。図に示すように、タッチロールＡは、可撓性の金属スリーブ４１の内部に弾性ローラ４２を配したものである。
【０４３２】
金属スリーブ４１は厚さ０．３ｍｍのステンレス製であり、可撓性を有する。金属スリーブ４１が薄すぎると強度が不足し、逆に厚すぎると弾性が不足する。これらのことから、金属スリーブ４１の厚さとしては、０．１〜１．５ｍｍが好ましい。
【０４３３】
弾性ローラ４２は、軸受を介して回転自在な金属製の内筒４３の表面にゴム４４を設けてロール状としたものである。
【０４３４】
そして、タッチロールＡが第１冷却ロール５に向けて押圧されると、弾性ローラ４２が金属スリーブ４１を第１冷却ロール５に押しつけ、金属スリープ４１及び弾性ローラ４２は第１冷却ロール５の形状になじんだ形状に対応しつつ変形し、第１冷却ロールとの間にニップを形成する。金属スリーブ４１の内部で弾性ローラ４２との間に形成される空間には、冷却水４５が流される。
【０４３５】
図５、図６は挟圧回転体の別の実施形態であるタッチロールＢを示している。タッチロールＢは、可撓性を有する、シームレスなステンレス鋼管製（厚さ４ｍｍ）の外筒５１と、この外筒５１の内側に同一軸心状に配置された高剛性の金属内筒５２とから概略構成されている。外筒５１と内筒５２との間の空間５３には、冷却液５４が流される。
【０４３６】
詳しくは、タッチロールＢは、両端の回転軸５５ａ、５５ｂに外筒支持フランジ５６ａ、５６ｂが取付けられ、これら両外筒支持フランジ５６ａ、５６ｂの外周部間に薄肉金属外筒５１が取付けられている。
【０４３７】
また、一方の回転軸５５ａの軸心部に形成されて流体戻り通路５７を形成する流体排出孔５８内に、流体供給管５９が同一軸心状に配設され、この流体供給管５９が薄肉金属外筒５１内の軸心部に配置された流体軸筒６０に接続固定されている。
【０４３８】
この流体軸筒６０の両端部に内筒支持フランジ６１ａ、６１ｂがそれぞれ取付けられ、これら内筒支持フランジ６１ａ、６１ｂの外周部間から他端側外筒支持フランジ５６ｂにわたって約１５〜２０ｍｍ程度の肉厚を有する金属内筒５２が取付けられている。
【０４３９】
そしてこの金属内筒５２と薄肉金属外筒５１との間に、例えば１０ｍｍ程度の冷却液の流送空間５３が形成され、また金属内筒５２に両端部近傍には、流送空間５３と内筒支持フランジ６１ａ、６１ｂ外側の中間通路６２ａ、６２ｂとを連通する流出口５２ａ及び流入口５２ｂがそれぞれ形成されている。
【０４４０】
また、外筒５１は、ゴム弾性に近い柔軟性と可撓性、復元性をもたせるために、弾性力学の薄肉円筒理論が適用できる範囲内で薄肉化が図られている。この薄肉円筒理論で評価される可撓性は、肉厚ｔ／ロール半径ｒで表されており、ｔ／ｒが小さいほど可撓性が高まる。
【０４４１】
このタッチロールＢではｔ／ｒ≦０．０３の場合に可撓性が最適の条件となる。通常、一般的に使用されているタッチロールは、ロール径Ｒ＝２００〜５００ｍｍ（ロール半径ｒ＝Ｒ／２）、ロール有効幅Ｌ＝５００〜１６００ｍｍで、ｒ／Ｌ＜１で横長の形状である。
【０４４２】
そして図６に示すように、例えばロール径Ｒ＝３００ｍｍ、ロール有効幅Ｌ＝１２００ｍｍの場合、肉厚ｔの適正範囲は１５０×０．０３＝４．５ｍｍ以下であるが、溶融シート幅を１３００ｍｍに対して平均線圧を９８Ｎ／ｃｍで挟圧する場合、同一形状のゴムロールと比較して、外筒５１の肉厚を３ｍｍとすることで相当ばね定数も等しく、外筒５１と冷却ロールとのニップのロール回転方向のニップ幅ｋも約９ｍｍで、このゴムロールのニップ幅約１２ｍｍとほぼ近い値を示し、同じような条件下で挟圧できることが分かる。
【０４４３】
なお、このニップ幅ｋにおけるたわみ量は０．０５〜０．１ｍｍ程度である。
【０４４４】
ここで、ｔ／ｒ≦０．０３としたが、一般的なロール径Ｒ＝２００〜５００ｍｍの場合では、特に２ｍｍ≦ｔ≦５ｍｍの範囲とすると、可撓性も十分に得られ、また機械加工にる薄肉化も容易に実施でき、極めて実用的な範囲となる。肉厚が２ｍｍ以下では加工時の弾性変形で高精度な加工ができない。
【０４４５】
この２ｍｍ≦ｔ≦５ｍｍの換算値は、一般的なロール径に対して０．００８≦ｔ／ｒ≦０．０５となるが、実用にあたってはｔ／ｒ≒０．０３の条件下でロール径に比例して肉厚も大きくするとよい。例えばロール径：Ｒ＝２００ではｔ＝２〜３ｍｍ、ロール径：Ｒ＝５００ではｔ＝４〜５ｍｍの範囲で選択する。
【０４４６】
このタッチロールＡ、Ｂは不図示の付勢手段により第１冷却ロールに向けて付勢される。
【０４４７】
その付勢手段の付勢力をＦ、ニップにおける光学フィルムの、第１冷却ロール５の回転軸に沿った方向の幅Ｗを除した値Ｆ／Ｗ（線圧）は、９．８〜１４７Ｎ／ｃｍに設定される。
【０４４８】
本実施の形態によれば、タッチロールＡ、Ｂと第１冷却ロール５との間にニップが形成され、当該ニップを光学フィルムが通過する間に平面性を矯正すればよい。
【０４４９】
従って、タッチロールが剛体で構成され、第１冷却ロールとの間にニップが形成されない場合と比べて、小さい線圧で長時間かけて光学フィルムを挟圧するので、平面性をよ確実に矯正することができる。すなわち、線圧が９．８Ｎ／ｃｍよりも小さいと、ダイラインを十分に解消することができなくなる。
【０４５０】
逆に、線圧が１４７Ｎ／ｃｍよりも大きいと、光学フィルムがニップを通過しにくくなり、光学フィルムの厚さにかえってムラができてしまう。
【０４５１】
また、タッチロールＡ、Ｂの表面を金属で構成することにより、タッチロールの表面がゴムである場合よりもタッチロールＡ、Ｂの表面を平滑にすることができるので、平滑性の高い光学フィルムを得ることができる。
【０４５２】
なお、弾性ローラ４２の弾性体４４の材質としては、エチレンプロピレンゴム、ネオプレンゴム、シリコンゴム等を用いることができる。
【０４５３】
さて、タッチロール６によってダイラインを良好に解消するためには、タッチロール６が光学フィルムを挟圧するときの光学フィルムの粘度が適切な範囲であることが重要となる。
【０４５４】
また、セルロースエステルは温度による粘度の変化が比較的大きいことが知られている。
【０４５５】
従って、タッチロール６が光学フィルムを挟圧するときの粘度を適切な範囲に設定するためには、タッチロール６が光学フィルムを挟圧するときのフィルムの温度を適切な範囲に設定することが重要となる。
【０４５６】
そして光学フィルムのガラス転移温度をＴｇとしたとき、光学フィルムがタッチロール６に挟圧される直前の光学フィルムの温度Ｔを、Ｔｇ＜Ｔ＜Ｔｇ＋１１０℃を満たすように設定することが好ましい。
【０４５７】
光学フィルム温度ＴがＴｇよりも低いと光学フィルムの粘度が高すぎて、ダイラインを矯正できなくなる。
【０４５８】
逆に、光学フィルムの温度ＴがＴｇ＋１１０℃よりも高いと、光学フィルム表面とロールが均一に接着せず、やはりダイラインを矯正することができない。好ましくはＴｇ＋１０℃＜Ｔ＜Ｔｇ＋９０℃、さらに好ましくはＴｇ＋２０℃＜Ｔ＜Ｔｇ＋７０℃である。
【０４５９】
タッチロール６が光学フィルムを挟圧するときの光学フィルムの温度を適切な範囲に設定するには、流延ダイ４から押し出された溶融物が第１冷却ロール５に接触する位置Ｐ１から第１冷却ロール５とタッチロール６とのニップの、第１冷却ロール５の回転方向に沿った長さＬを調整すればよい。
【０４６０】
本発明において、第１ロール５、第２ロール６に好ましい材質は、炭素鋼、ステンレス鋼、樹脂、等が挙げられる。また、表面精度は高くすることが好ましく表面粗さとして０．３Ｓ以下、より好ましくは０．０１Ｓ以下とする。
【０４６１】
本発明においては、流延ダイ４の開口部（リップ）から第１ロール５までの部分を７０ｋＰａ以下に減圧させることにより、上記、ダイラインの矯正効果がより大きく発現することを発見した。好ましくは、減圧は５０〜７０ｋＰａである。
【０４６２】
流延ダイ４の開口部（リップ）から第１ロール５までの部分の圧力を７０ｋＰａ以下に保つ方法としては、特に制限はないが、流延ダイ４からロール周辺を耐圧部材で覆い、減圧する等の方法がある。
【０４６３】
このとき、吸引装置は、装置自体が昇華物の付着場所にならないようヒータで加熱する等の処置を施すことが好ましい。本発明では、吸引圧が小さすぎると昇華物を効果的に吸引できないため、適当な吸引圧とする必要がある。
【０４６４】
本発明において、Ｔダイ４から溶融状態のフィルム状のセルロースエステル系樹脂を、第１ロール（第１冷却ロール）５、第２冷却ロール７、及び第３冷却ロール８に順次密着させて搬送しながら冷却固化させ、未延伸の光学フィルム１０を得る。
【０４６５】
図１に示す本発明の実施形態では、第３冷却ロール８から剥離ロール９によって剥離した冷却固化された未延伸の光学フィルム１０は、ダンサーロール（フィルム張力調整ロール）１１を経て延伸機１２に導き、そこで光学フィルム１０を横方向（幅方向）に延伸する。
【０４６６】
この延伸により、光学フィルム中の分子が配向される。
【０４６７】
光学フィルムを幅方向に延伸する方法は、公知のテンター等を好ましく用いることができる。
【０４６８】
特に延伸方向を幅方向とすることで、偏光フィルムとの積層がロール形態で実施できるので好ましい。幅方向に延伸することで、セルロースエステル系樹脂からなる光学フィルムの遅相軸は幅方向になる。
【０４６９】
一方、偏光フィルムの透過軸も、通常、幅方向である。偏光フィルムの透過軸と光学フィルムの遅相軸とが平行になるように積層した偏光板を液晶表示装置に組み込むことで、液晶表示装置の表示コントラストを高くすることができるとともに、良好な視野角が得られるのである。
【０４７０】
光学フィルム構成材料のガラス転移温度Ｔｇは光学フィルムを構成する材料種及び構成する材料の比率を異ならしめることにより制御できる。光学フィルムとして位相差光学フィルムを作製する場合、Ｔｇは１２０℃以上、好ましくは１３５℃以上とすることが好ましい。
【０４７１】
液晶表示装置においては、画像の表示状態において、装置自身の温度上昇、例えば光源由来の温度上昇によって光学フィルムの温度環境が変化する。
【０４７２】
このとき光学フィルムの使用環境温度よりも光学フィルムのＴｇが低いと、延伸によって光学フィルム内部に固定された分子の配向状態に由来するリタデーション値及び光学フィルムとしての寸法形状に大きな変化を与えることとなる。
【０４７３】
光学フィルムのＴｇが高過ぎると、光学フィルム構成材料を光学フィルム化するとき温度が高くなるために加熱するエネルギー消費が高くなり、また光学フィルム化するときの材料自身の分解、それによる着色が生じることがあり、従って、Ｔｇは２５０℃以下が好ましい。
【０４７４】
また延伸工程には公知の熱固定条件、冷却、緩和処理を行ってもよく、目的とする光学光学フィルムに要求される特性を有するように適宜調整すればよい。
【０４７５】
位相フィルムの物性と液晶表示装置の視野角拡大のための位相フィルムの機能付与するために、上記延伸工程、熱固定処理は適宜選択して行われている。このような延伸工程、熱固定処理を含む場合、加熱加圧工程は、それらの延伸工程、熱固定処理の前に行うようにする。
【０４７６】
光学フィルムとして位相差フィルムを製造し、さらに偏光板保護フィルムの機能を複合させる場合、屈折率制御を行う必要が生じるが、その屈折率制御は延伸操作により行うことが可能であり、また延伸操作が好ましい方法である。以下、その延伸方法について説明する。
【０４７７】
位相差フィルムの延伸工程において、セルロース樹脂の１方向に１．０〜２．０倍及び光学フィルム面内にそれと直交する方向に１．０１〜２．５倍延伸することで、必要とされるリタデーションＲｏ及びＲｔを制御することができる。
【０４７８】
ここで、Ｒｏとは面内リタデーションを示し、面内の長手方向ＭＤの屈折率と幅方向ＴＤの屈折率との差に厚みを乗じたもの、Ｒｔとは厚み方向リタデーションを示し、面内の屈折率（長手方向ＭＤと幅方向ＴＤの平均）と厚み方向の屈折率との差に厚みを乗じたものである。
【０４７９】
延伸は、例えば光学フィルムの長手方向及びそれと光学フィルム面内で直交する方向、即ち幅方向に対して、逐次または同時に行うことができる。このとき少なくとも１方向に対しての延伸倍率が小さ過ぎると十分な位相差が得られず、大き過ぎると延伸が困難となりフィルム破断が発生してしまう場合がある。
【０４８０】
互いに直交する２軸方向に延伸することは、光学フィルムの屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｚを所定の範囲に入れるために有効な方法である。ここで、ｎｘとは長手ＭＤ方向の屈折率、ｎｙとは幅手ＴＤ方向の屈折率、ｎｚとは厚み方向の屈折率である。
【０４８１】
例えば溶融流延方向に延伸した場合、幅方向の収縮が大き過ぎると、ｎｚの値が大きくなり過ぎてしまう。この場合、光学フィルムの幅収縮を抑制、あるいは幅方向にも延伸することで改善できる。幅方向に延伸する場合、幅方向で屈折率に分布が生じることがある。
【０４８２】
この分布は、テンター法を用いた場合に現れることがあり、光学フィルムを幅方向に延伸したことで、光学フィルム中央部に収縮力が発生し、端部は固定されていることにより生じる現象で、いわゆるボーイング現象と呼ばれるものと考えられる。この場合でも、流延方向に延伸することで、ボーイング現象を抑制でき、幅方向の位相差の分布を少なくできる。
【０４８３】
互いに直行する２軸方向に延伸することにより、得られる光学フィルムの膜厚変動が減少できる。
【０４８４】
位相差フィルムの膜厚変動が大き過ぎると位相差のムラとなり、液晶ディスプレイに用いたとき着色等のムラが問題となることがある。
【０４８５】
光学フィルムの膜厚変動は、±３％、さらに±１％の範囲とすることが好ましい。
【０４８６】
以上のような目的において、互いに直交する２軸方向に延伸する方法は有効であり、互いに直交する２軸方向の延伸倍率は、それぞれ最終的には流延方向に１．０〜２．０倍、幅方向に１．０１〜２．５倍の範囲とすることが好ましく、流延方向に１．０１〜１．５倍、幅方向に１．０５〜２．０倍に範囲で行うことが必要とされるリタデーション値を得るためにより好ましい。
【０４８７】
長手方向に偏光子の吸収軸が存在する場合、幅方向に偏光子の透過軸が一致することになる。長尺状の偏光板を得るためには、位相差フィルムは、幅方向に遅相軸を得るように延伸することが好ましい。
【０４８８】
応力に対して、正の複屈折を得るセルロースエステルを用いる場合、上述の構成から、幅方向に延伸することで、位相差フィルムの遅相軸が幅方向に付与することができる。
【０４８９】
この場合、表示品質の向上のためには、位相差フィルムの遅相軸が、幅方向にあるほうが好ましく、目的とするリタデーション値を得るためには、
式、（幅方向の延伸倍率）＞（流延方向の延伸倍率）
の条件を満たすことが必要である。
【０４９０】
延伸後、光学フィルムの端部をスリッター１３により製品となる幅にスリットして裁ち落とした後、エンボスリング１４及びバックロール１５よりなるナール加工装置によりナール加工（エンボッシング加工）を光学フィルム両端部に施し、巻取り機１６によって巻き取ることにより、光学フィルム（元巻き）Ｆ中の貼り付きや、すり傷の発生を防止する。
【０４９１】
ナール加工の方法は、凸凹のパターンを側面に有する金属リングを加熱や加圧により加工することができる。なお、光学フィルム両端部のクリップの把持部分は通常、変形しており、光学フィルム製品として使用できないので、切除されて、原料として再利用される。
【０４９２】
次に、光学フィルムの巻取り工程は、円筒形巻き光学フィルムの外周面とこれの直前の移動式搬送ロールの外周面との間の最短距離を一定に保持しながら光学フィルムを巻取りロールに巻き取るものである。かつ巻取りロールの手前には、光学フィルムの表面電位を除去または低減する除電ブロア等の手段が設けられている。
【０４９３】
本発明の光学フィルムの製造に係わる巻取り機は一般的に使用されているものでよく、定テンション法、定トルク法、テーパーテンション法、内部応力一定のプログラムテンションコントロール法等の巻取り方法で巻き取ることができる。なお、偏光板保護フィルムの巻取り時の初期巻取り張力が９０．２〜３００．８Ｎ／ｍであるのが好ましい。
【０４９４】
本発明の方法における光学フィルムの巻取り工程では、温度２０〜３０℃、湿度２０〜６０％ＲＨの環境条件にて、光学フィルムを巻き取ることが本発明の効果をより奏する点で好ましい。
【０４９５】
このように、光学フィルムの巻取り工程での温度及び湿度を規定することにより、厚み方向リタデーション（Ｒｔ）の湿度変化の耐性が向上する。
【０４９６】
光学フィルムの巻取り工程における温度が上記の温度範囲であれば、巻取り工程におけるシワの発生が無く、光学フィルムの品質向上の点で好ましい。
【０４９７】
また、光学フィルムの巻取り工程における湿度が上記の範囲であれば、帯電しにくく、光学フィルムの巻品質、貼り付き故障、搬送性巻品質向上が可能で好ましい。
【０４９８】
偏光板保護フィルムをロール状に巻き取る際の、巻きコアとしては、円筒上のコアであれは、どのような材質のものであってもよいが、好ましくは中空プラスチックコアであり、プラスチック材料としては加熱処理温度にも耐える耐熱性プラスチックであればどのようなものであってもよく、フェノール樹脂、キシレン樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。
【０４９９】
またガラス繊維等の充填材により強化した熱硬化性樹脂が好ましい。例えば、中空プラスチックコア：ＦＲＰ製の外径６インチ（以下、インチは２．５４ｃｍを表す。）、内径５インチの巻きコアが用いられる。
【０５００】
これらの巻きコアへの巻き数は、１００巻き以上であることが好ましく、５００巻き以上であることがさらに好ましく、巻き厚は５ｃｍ以上であることが好ましく、光学フィルム基材の幅は８０ｃｍ以上であることが好ましく、１ｍ以上であることが特に好ましい。
【０５０１】
《光学フィルム》
本発明において光学フィルムとは、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等の各種表示装置に用いられる機能フィルムのことであり、詳しくは液晶表示装置用の偏光板保護フィルム、位相差フィルム、反射防止フィルム、輝度向上フィルム、ハードコートフィルム、防眩フィルム、帯電防止フィルム、視野角拡大等の光学補償フィルム等を含む。
【０５０２】
本発明の光学フィルムの膜の厚さは、使用目的によって異なるが、仕上がり光学フィルムとして、１０〜５００μｍが好ましい。特に、下限は２０μｍ以上、好ましくは３５μｍ以上である。上限は１５０μｍ以下、好ましくは１２０μｍ以下である。特に好ましい範囲は２５〜９０μｍである。
【０５０３】
位相差フィルムが厚いと、偏光板加工後の偏光板が厚くなり過ぎ、ノート型パソコンやモバイル型電子機器に用いる液晶表示においては、特に薄型軽量の目的に適さない。一方、位相差フィルムが薄いと、位相差フィルムとしてのリタデーションの発現が困難となり、加えて光学フィルムの透湿性が高くなり、偏光子を湿度から保護する能力が低下してしまうために好ましくない。
【０５０４】
位相差フィルムの遅相軸または進相軸が光学フィルム面内に存在し、製膜方向とのなす角度をθ１とすると、θ１は−１〜＋１°、好ましくは−０．５〜＋０．５°となるようにする。
【０５０５】
このθ１は配向角として定義でき、θ１の測定は、自動複屈折計ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ（王子計測機器社製）を用いて行うことができる。
【０５０６】
θ１が各々上記関係を満たすことは、表示画像において高い輝度を得ること、光漏れを抑制または防止することに寄与し、カラー液晶表示装置においては忠実な色再現に寄与する。
【０５０７】
位相差フィルムがマルチドメイン化されたＶＡモードに用いられるとき、位相差フィルムの配置は、位相差フィルムの進相軸がθ１として上記領域に配置することで、表示画質の向上に寄与し、偏光板及び液晶表示装置としてＭＶＡモードとしたとき、例えば図７に示される構成をとることができる。
【０５０８】
図７において、２１ａ、２１ｂは保護フィルム、２２ａ、２２ｂは位相差フィルム、２５ａ、２５ｂは偏光子、２３ａ、２３ｂはフィルムの遅相軸方向、２４ａ、２４ｂは偏光子の透過軸方向、２６ａ、２６ｂは偏光板、２７は液晶セル、２９は液晶表示装置を示している。
【０５０９】
光学フィルムの面内方向のリタデーションＲｏ分布は、５％以下に調整することが好ましく、より好ましくは２％以下であり、特に好ましくは、１．５％以下である。
【０５１０】
また、光学フィルムの厚み方向のリタデーションＲｔ分布を１０％以下に調整することが好ましいが、さらに好ましくは、２％以下であり、特に好ましくは、１．５％以下である。
【０５１１】
位相差フィルムにおいて、リタデーション値の分布変動が小さい方が好ましく、液晶表示装置に位相差フィルムを含む偏光板を用いるとき、該リタデーション分布変動が小さいことが色ムラ等を防止する観点で好ましい。
【０５１２】
位相差フィルムを、ＶＡモードまたはＴＮモードの液晶セルの表示品質の向上に適したリタデーション値を有するように調整し、特にＶＡモードとして上記のマルチドメインに分割してＭＶＡモードに好ましく用いられるようにするには、面内リタデーションＲｏを３０ｎｍよりも大きく、９５ｎｍ以下に、かつ厚み方向リタデーションＲｔを７０ｎｍよりも大きく、４００ｎｍ以下の値に調整することが求められる。
【０５１３】
上記の面内リタデーションＲｏは、２枚の偏光板がクロスニコルに配置され、偏光板の間に液晶セルが配置された、例えば図７に示す構成であるときに、表示面の法線方向から観察するときを基準にしてクロスニコル状態にあるとき、表示面の法線から斜めに観察したとき、偏光板のクロスニコル状態からのずれが生じ、これが要因となる光漏れを、主に補償する。
【０５１４】
厚さ方向のリタデーションは、上記ＴＮモードやＶＡモード、特にＭＶＡモードにおいて液晶セルが黒表示状態であるときに、同様に斜めから見たときに認められる液晶セルの複屈折を主に補償するために寄与する。
【０５１５】
図７に示すように、液晶表示装置において、液晶セルの上下に偏光板が二枚配置された構成である場合、図中の２２ａ及び２２ｂは、厚み方向リタデーションＲｔの配分を選択することができ、上記範囲を満たしかつ厚み方向リタデーションＲｔの両者の合計値が１４０ｎｍよりも大きくかつ５００ｎｍ以下にすることが好ましい。
【０５１６】
このとき２２ａ及び２２ｂの面内リタデーションＲｏ、厚み方向リタデーションＲｔが両者同じであることが、工業的な偏光板の生産性向上において好ましい。特に好ましくは面内リタデーションＲｏが３５ｎｍよりも大きくかつ６５ｎｍ以下であり、かつ厚み方向リタデーションＲｔが９０ｎｍよりも大きく１８０ｎｍ以下で、図７の構成でＭＶＡモードの液晶セルに適用することである。
【０５１７】
液晶表示装置において、一方の偏光板に例えば市販の偏光板保護フィルムとして面内リタデーションＲｏ＝０〜４ｎｍ及び厚み方向リタデーションＲｔ＝２０〜５０ｎｍで厚さ３５〜８５μｍのＴＡＣフィルムが、例えば図７の２２ｂの位置で使用されている場合、他方の偏光板に配置される偏光フィルム、例えば、図７の２２ａに配置する位相差フィルムは、面内リタデーションＲｏが３０ｎｍよりも大きく９５ｎｍ以下であり、かつ厚み方向リタデーションＲｔが１４０ｎｍよりも大きく４００ｎｍ以下であるものを使用するようにする。表示品質が向上し、かつ光学フィルムの生産面からも好ましい。
【０５１８】
《液晶表示装置》
本発明の偏光板保護フィルム（位相差フィルムを兼ねる）を含む偏光板は、通常の偏光板と比較して高い表示品質を発現させることができ、特にマルチドメイン型の液晶表示装置、より好ましくは複屈折モードによってマルチドメイン型の液晶表示装置への使用に適している。
【０５１９】
本発明の偏光板は、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モード等に用いることができ、特定の液晶モード、偏光板の配置に限定されるものではない。
【０５２０】
液晶表示装置はカラー化及び動画表示用の装置としても応用されつつあり、本発明により表示品質が改良され、コントラストの改善や偏光板の耐性が向上したことにより、疲れにくく忠実な動画像表示が可能となる。
【０５２１】
位相差フィルムを含む偏光板を少なくとも含む液晶表示装置においては、本発明の偏光板保護フィルムを含む偏光板を、液晶セルに対して、一枚配置するか、あるいは液晶セルの両側に二枚配置する。
【０５２２】
このとき偏光板に含まれる本発明の偏光板保護フィルム側が液晶表示装置の液晶セルに面するように用いることで表示品質の向上に寄与できる。図７においては２２ａ及び２２ｂのフィルムが液晶表示装置の液晶セルに面することになる。
【０５２３】
このような構成において、本発明の偏光板保護フィルムは、液晶セルを光学的に補償することができる。本発明の偏光板を液晶表示装置に用いる場合は、液晶表示装置の偏光板の内の少なくとも一つの偏光板を、本発明の偏光板とすればよい。本発明の偏光板を用いることで、表示品質が向上し、視野角特性に優れた液晶表示装置が提供できる。
【０５２４】
本発明の偏光板において、偏光子からみて本発明の偏光板保護フィルムとは反対側の面には、セルロース誘導体の偏光板保護フィルムが用いられ、汎用のＴＡＣ光学フィルム等を用いることができる。
【０５２５】
液晶セルから遠い側に位置する偏光板保護フィルムは、表示装置の品質を向上する上で、他の機能性層を配置することも可能である。
【０５２６】
例えば、反射防止、防眩、耐キズ、ゴミ付着防止、輝度向上のためにディスプレイとしての公知の機能層を構成物として含む光学フィルムや、または本発明の偏光板表面に貼付してもよいがこれらに限定されるものではない。
【０５２７】
一般に位相差フィルムでは、上述のリタデーション値としてＲｏまたはＲｔの変動が少ないことが安定した光学特性を得るために求められている。特に複屈折モードの液晶表示装置は、これらの変動が画像のムラを引き起こす原因となることがある。
【０５２８】
本発明において、光学フィルムを有する偏光板保護フィルムを、ロール状の長尺に巻き取って、巻き状態から繰り出すとは、溶液流延法または溶融流延法で形成された光学フィルムを、巻きコア（円筒状のコア）を軸として、該巻きコアの外周面に１０ｍ以上の長尺に光学フィルム巻き回して、ロール状の巻物としたのち、巻き状態から繰り出して偏光板加工に供した光学フィルムを有する偏光板保護フィルムのことをさす。
【０５２９】
ロール状の長尺に巻取り、巻き状態から繰り出した光学フィルムを用いた場合、本発明により得られる効果が大きい。
【０５３０】
本発明において製造された偏光板保護フィルムは、セルロースエステルを主体として構成されるため、セルロースエステル固有のケン化を活用してアルカリ処理工程を活用することができる。これは、偏光子を構成する樹脂がポリビニルアルコールであるとき、従来の偏光板保護フィルムと同様に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて偏光板保護フィルムと貼合することができる。
【０５３１】
このために本発明は、従来の偏光板加工方法が適用できる点で優れており、特に長尺状であるロール偏光板が得られる点で優れている。
【０５３２】
本発明により得られる製造的効果は、特に１００ｍ以上の長尺の巻物においてより顕著となり、１５００ｍ、２５００ｍ、５０００ｍとより長尺化する程、偏光板製造の製造的効果を得る。
【０５３３】
例えば、偏光板保護フィルム製造において、ロール長さは、生産性と運搬性を考慮すると、１０〜５０００ｍ、好ましくは５０〜４５００ｍであり、このときの光学フィルムの幅は、偏光子の幅や製造ラインに適した幅を選択することができる。
【０５３４】
０．５〜４．０ｍ、好ましくは０．６〜３．０ｍの幅で光学フィルムを製造してロール状に巻取り、偏光板加工に供してもよく、また、目的の倍幅以上の光学フィルムを製造してロールに巻き取った後、断裁して目的の幅のロールを得て、このようなロールを偏光板加工に用いるようにしてもよい。
【０５３５】
偏光板保護フィルム製造に際し、延伸の前及び／または後で帯電防止層、ハードコート層、易滑性層、接着層、防眩層、バリアー層等の機能性層を塗設してもよい。この際、コロナ放電処理、プラズマ処理、薬液処理等の各種表面処理を必要に応じて施すことができる。
【０５３６】
製膜工程において、カットされた光学フィルム両端のクリップ把持部分は、粉砕処理された後、あるいは必要に応じて造粒処理を行った後、同じ品種の光学フィルム用原料としてまたは異なる品種の光学フィルム用原料として再利用してもよい。
【０５３７】
前述の可塑剤、紫外線吸収剤、マット剤等の添加物濃度が異なるセルロースエステルを含む組成物を共押出しして、積層構造の光学フィルムを作製することもできる。
【０５３８】
例えば、スキン層／コア層／スキン層といった構成の光学フィルムを作ることができる。例えば、マット剤は、スキン層に多く、またはスキン層のみに入れることができる。可塑剤、紫外線吸収剤はスキン層よりもコア層に多く入れることができ、コア層のみに入れてもよい。
【０５３９】
また、コア層とスキン層で可塑剤、紫外線吸収剤の種類を変更することもでき、例えば、スキン層に低揮発性の可塑剤及び／または紫外線吸収剤を含ませ、コア層に可塑性に優れた可塑剤、あるいは紫外線吸収性に優れた紫外線吸収剤を添加することもできる。
【０５４０】
スキン層とコア層のガラス転移温度が異なっていてもよく、スキン層のガラス転移温度よりコア層のガラス転移温度が低いことが好ましい。このとき、スキンとコアの両者のガラス転移温度を測定し、これらの体積分率より算出した平均値を上記ガラス転移温度Ｔｇと定義して同様に扱うこともできる。また、溶融流延時のセルロースエステルを含む溶融物の粘度もスキン層とコア層で異なっていてもよく、スキン層の粘度＞コア層の粘度でも、コア層の粘度≧スキン層の粘度でもよい。
【０５４１】
本発明の光学フィルムは、寸度安定性が、２３℃５５％ＲＨに２４時間放置した光学フィルムの寸法を基準としたとき、８０℃９０％ＲＨにおける寸法の変動値が±２．０％未満であり、好ましくは１．０％未満であり、さらに好ましくは０．５％未満である。
【０５４２】
本発明の光学フィルムを位相差フィルムとして偏光板保護フィルムに用いる際に、位相差フィルム自身に上記の範囲以上の変動を有すると、偏光板としてのリタデーションの絶対値と配向角が当初の設定とずれるために、表示品質の向上能の減少あるいは表示品質の劣化を引き起こすことがある。
【０５４３】
本発明の光学フィルムを偏光板保護フィルムとして用いる場合、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロースエステルフィルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフィルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光子の両面に完全鹸化ポリビニルアルコール水溶液を用いて、偏光子の両面に偏光板保護フィルムを貼り合わせる方法があり、少なくとも片面に本発明の偏光板保護フィルムが偏光子に直接貼合する。
【０５４４】
上記アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号公報、同６−１１８２３２号公報に記載されているような易接着加工を施して偏光板加工を行ってもよい。
【０５４５】
偏光板は偏光子及びその両面を保護する保護フィルムで構成されており、さらに該偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成することができる。プロテクトフィルム及びセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。
【０５４６】
この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。また、セパレートフィルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶セルへ貼合する面側に用いられる。
【０５４７】
なお、偏光板の主たる構成要素である偏光子とは、一定方向の偏波面の光だけを通す素子であり、現在知られている代表的な偏光子は、ポリビニルアルコール系偏光フィルムで、これはポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素を染色させたものと二色性染料を染色させたものがある。
【０５４８】
偏光子は、ポリビニルアルコール水溶液を製膜し、これを一軸延伸させて染色するか、染色した後一軸延伸してから、好ましくはホウ素化合物で耐久性処理を行ったものが用いられている。該偏光子の面上に、本発明の偏光板保護フィルムの片面を貼り合わせて偏光板を形成する。
【０５４９】
好ましくは完全鹸化ポリビニルアルコール等を主成分とする水系の接着剤によって貼り合わせる。偏光子の膜厚は１０〜３０μｍのものが好ましく用いられる。
【実施例】
【０５５０】
以下、実施例により本発明の態様を具体的に説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
【０５５１】
《合成例》
合成例１：化合物１０１の製造（製法Ａ）
２，２’−メチレンビス［６−第三ブチル−４−メチルフェノール］モノアクリレート７．２ｇ（１８ｍｍｏｌ）をジクロロメタン７０ｍｌに溶解する。次にベンジルアミン２．１７ｍｌ（２０ｍｍｏｌ）を室温でこの溶液に滴下でゆっくりと添加する。その後混合物をさらに室温で３時間攪拌する。溶媒を取り去りそして残渣をシリカゲルを用いたクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン）にかけ、白色粉末として化合物１０１の６．６３ｇ（６６％）を得る。融点は１２４〜１２６℃である。
【０５５２】
化合物１０２、１０３、１０４はこの合成例に記載した方法に従って製造される。
【０５５３】
合成例２：化合物１０５の製造（製法Ａ）
ジクロロメタン１５０ｍｌ中の２，２’−メチレンビス［６−第三ブチル−４−メチルフェノール］モノアクリレート１６．５７ｇ（４２ｍｍｏｌ）およびベンジルアミン２．１７ｍｌ（２０ｍｍｏｌ）をマグネチックスターラーおよびコンデンサーを備えた丸底フラスコにアルゴン下で装填する。反応混合物を一夜還流しそして次に減圧ロータリーエバポレーターで濃縮する。
【０５５４】
残渣のシリカゲルを用いたクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン→ヘキサン／酢酸エチル８０：１）により白色粉末としての化合物１０５の１２．４４ｇ（６９％）を得る。融点は７０−７６℃である。化合物１０６〜１１０はこの合成例に記載した方法に従って製造される。
【０５５５】
合成例３：化合物１１１の製造（製法Ａ）
２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三アミルフェノール］モノアクリレート４．６ｇ（８．３ｍｍｏｌ）およびＮ，Ｎ’−ジベンジルエチレンジアミン１ｇ（４．１６ｍｍｏｌ）を１４０℃で４時間攪拌する。反応混合物を室温に冷却しそして粗生成物をシリカゲルを用いたクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン）にかけ、無定形の粉末として化合物１１１の５．１５ｇ（９３％）を得る。融点は１２９−１３４℃である。
【０５５６】
合成例４：化合物１１２の製造（製法Ｃ）
ａ）２，４−ジ−第三ブチル−６−［１−（３，５−ジ−第三ブチル−２−ヒドロキシフェニル）エチル］フェニル３−クロロプロピオネートの製造キシレン１００ｍｌの２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］２１．９ｇ（５０ｍｍｏｌ）および塩化３−クロロプロピル４８ｍｌ（５００ｍｍｏｌ）をマグネチックスターラー、コンデンサーおよびバブルカウンターを備えた丸底フラスコに装填する。
【０５５７】
混合物を１５時間還流する（ＨＣｌの発生）。過剰の酸塩化物およびトルエンを蒸留により除去する。アセトニトリル中での残渣の結晶化により所望のモノエステル１１２ａの１５．８ｇ（６０％）を得る。融点は１１８℃〜１２１℃である。
【０５５８】
元素分析：Ｃ％          Ｈ％    Ｃｌ％
計算値：７４．９０、９．３３、６．７０
実測値：７５．１０、９．２９、６．１３
ｂ）モルホリン１．６３ｇ（１８．７ｍｍｏｌ）を、トルエン３０ｍｌ中の化合物１１２ａ４．５ｇ（８．５ｍｍｏｌ）の攪拌される溶液に室温でおよび窒素下において滴下で添加する。反応混合物を７０℃で１時間攪拌し、室温に冷却し、ハイフロ（Ｈｙｆｌｏ）を用いてろ過し、蒸発により濃縮する。ヘキサン中の残渣の結晶化により白色粉末として化合物１１２の３．９ｇ（８０％）を得る。融点は１５０〜１５２℃である。
【０５５９】
合成例５：化合物１１３の製造（製法Ａ）
２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］モノアクリレート（ＥＰ−Ａ−５００３２３に記載された調整試料）１９．７ｇ（０．０４ｍｏｌ）およびオクチルアミン６．７２ｇ（０．０５２ｍｏｌ）の混合物を１１５℃に加熱する。このように得られた無色の溶液をこの温度で３０分間攪拌し、次にエタノール５０ｍｌを添加する。バッチを室温に冷却すると、生成物は晶出する。結晶化生成物をろ過により分離し、そして真空下で乾燥させ、白色粉末として化合物１１３の２１．９ｇ（８８％）を得る。融点は１０２−１０４℃である。化合物１１４、１１５および１１６は一般的なこの合成例に記載した方法に従って製造される。
【０５６０】
合成例６：化合物１１７の製造（製法Ａ）
２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］モノアクリレート６．４１ｇ（１３ｍｍｏｌ）、塩酸グリシンエチルエステル２ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）および塩化エチレン５０ｍｌを、温度計、スターラー、還流コンデンサーおよび滴下ロートを備えた２００ｍｌスルホン化フラスコに窒素下で装填する。次にトリエチルアミン２ｍｌ（１．４５ｇ，１４．３ｍｍｏｌ）を滴下で加える。
【０５６１】
この添加が完了したとき、混合物を５０℃に加熱してこの温度で５時間攪拌する。
【０５６２】
得られた懸濁物をヘキサン２５ｍｌで希釈し、塩類をろ過によって除去する。
【０５６３】
溶媒を減圧ロータリーエバポレーターで取り去りそして粗生成物をヘキサンから結晶化して、白色粉末として化合物１１７の３．７ｇ（４８％）を得る。融点は１２１−１２２℃である。
【０５６４】
合成例７：化合物１１８の製造（製法Ａ）
酢酸エチル４０ｍｌ中の２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］モノアクリレート６．９２ｇ（１４ｍｍｏｌ）および１，６−ジアミノヘキサン０．８９ｇ（７．７ｍｍｏｌ）を３０分間還流する。溶媒を次に蒸発により除去する。アセトニトリルからの残渣の結晶化により、白色粉末として化合物１１８の５ｇ（６５％）を得る。融点は１４８℃である。
【０５６５】
合成例８：化合物１２１の製造（製法Ｂ）
ジクロロメタン６０ｍｌ中の３−［２−オキソ−ピペリジノ］プロピオン酸（Ｄａｖｏ，Ｇ．Ｐ；  Ｇｅｌｌｍａｎ，Ｓ．Ｈ．；Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１６（３），１０５４−６２，１９９４  参照）の２．０５ｇ（１２ｍｍｏｌ）、２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］４．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）およびジシクロヘキシルカルボジイミド２．０６ｇ（１０ｍｍｏｌ）およびジメチルアミノピリジン５０ｍｇの混合物を１５時間還流する。沈澱した尿素をろ過により除去し、および溶媒を取り除く。
【０５６６】
ヘキサン／酢酸エチルの１：１の混合物からの残渣の結晶化により、白色粉末として化合物１２１の２．６ｇ（４４％）を得る。融点は２１７〜２２３℃である。
【０５６７】
合成例９：化合物１２２の製造（製法Ａ）
ジクロロエタン７０ｍｌ中の２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］モノアクリレート６．６ｇ（１３ｍｍｏｌ）、塩酸Ｏ−ベンジルヒドロキシルアミン４ｇ（２３．５ｍｍｏｌ）およびトリエチルアミン３８ｍｌ（２７ｍｍｏｌ）を６５℃で８時間還流する。反応混合物をヘキサン約１０ｍｌで希釈し、塩類をろ過により除去しおよび溶媒を減圧ロータリーエバポレーターにより留去する。メタノールからの残渣の結晶化により、白色粉末として化合物１２２の４．６ｇ（５５％）を得る。融点は１２３℃である。
【０５６８】
合成例１０：化合物２０１の製造（製法Ａ）
テトラヒドロフラン８５ｍｌ中の４−ヒドロキシ−１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン５．６５ｇ（３３ｍｍｏｌ）を窒素でブランケットされた２５０ｍｌ丸底フラスコに装填する。溶液を０℃に冷却し、ヘキサン中のブチルリチウムの１．６ｍｏｌ／Ｌ溶液５．６ｍｌ（９ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下で添加する。
【０５６９】
得られた白色懸濁物を３０分間攪拌し、そして次にテトラヒドロフラン８５ｍｌ中の２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］モノアクリレート１１．８４ｇ（３０ｍｍｏｌ）の溶液をゆっくりと滴下で添加する。
【０５７０】
黄色い溶液を３時間室温で攪拌する。
【０５７１】
反応混合物を次に蒸発により濃縮しおよび残渣を塩化アンモニウムの水性飽和溶液に注加する。酢酸エチルにより繰り返し抽出後、有機相を併せ、炭酸カリウムを用いて乾燥させそして減圧ロータリーエバポレーターで濃縮する。
【０５７２】
残渣のクロマトグラフィー（ＳｉＯ2：ヘキサン／酢酸エチル９：１→１：１）により白色粉末として化合物２０１の１１．０６ｇ（６５％）を得る。
【０５７３】
融点は１０４〜１０５℃である。化合物２０２および２０３は一般的なこの合成例に記載した方法に従って製造される。
【０５７４】
合成例１１：化合物２０４の製造（製法Ｂ）
ａ）３−オクチルオキシプロピオン酸の製造
アクリロニトリル２１．７ｍｌ（０．３３ｍｍｏｌ）をオクタノール３９．１ｇ（０．３ｍｏｌ）および水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム（水中４０％溶液）の無色の溶液に室温で２５分間かけておよびＮ2下、滴下で添加する（発熱反応：Ｔｉ４０℃）。この添加が完了したとき、反応混合物を室温でさらに２５分間攪拌する。
【０５７５】
過剰のアクリロニトリルを蒸留（減圧ロータリーエバポレーター）により除去する。
【０５７６】
得られた粗３−オクチルオキシプロピオニトリル（淡黄色液体：ＧＣ９７％）を濃塩酸１５０ｍｌおよび酢酸１５０ｍｌに溶解し、そして溶液を８５℃で３時間加熱する。
【０５７７】
混合物を冷却しそして水１００ｍｌに注加する。酢酸エチルによる抽出後、有機相を分離し、ＮａＣｌの水性飽和溶液で洗浄し、Ｎａ2ＳＯ4を用いて乾燥させおよび減圧ロータリーエバポレーターで濃縮して、無色の液体として３−オクチルオキシプロピオン酸６０ｇを得る（ＧＣ８５％→８５％収量）。
【０５７８】
元素分析：  Ｃ％          Ｈ％
計算値：６５．３１    １０．９６
実測値：６４．９４    １１．０９
ｂ）トルエン５０ｍｌ中の３−オクチルオキシプロピオン酸（合成例１１ａ参照）７．０８ｇ（３５ｍｍｏｌ）をアルゴン下でマグネチックスターラーおよびコンデンサーを備えた１００ｍｌ丸底フラスコに装填する。
【０５７９】
この溶液に塩化チオニル７．６ｍｌ（１８．５ｇ，１０５ｍｍｏｌ）を添加する。混合物を９０℃にゆっくりと加熱し（ＨＣｌおよびＳＯ2の発生）そしてこの温度で２時間攪拌する。攪拌をアルゴン流を導入しながらさらに３０分間続ける。
【０５８０】
減圧下（２０ｍｂａｒ）、過剰な塩化チオニルおよびトルエンを蒸留により除去する。残渣（塩化３−オクチルオキシプロピオニル７ｇ）をトルエン５０ｍｌに溶解しそして２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］１０．９７ｇ（２５ｍｍｏｌ）を添加する。
【０５８１】
次にトリエチルアミン４．９ｍｌ（３５ｍｍｏｌ）をこの溶液に１０℃で滴下で添加する。反応混合物をセライトを用いてろ過し、そしてろ液を減圧ロータリーエバポレーターで濃縮する。残渣をアクリロニトリル約３０ｍｌに溶解すると、化合物２０４が晶出する。生成物を吸引ろ過により集め、そして乾燥させ、白色粉末として化合物２０４の１４．０５ｇ（９０％）を得る。融点は１１４℃である。化合物２０５ないし２１４は一般的なこの合成例に記載した方法に従って製造される。
【０５８２】
合成例１２：化合物２０４の製造（製法Ｂ）
２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］６．６ｇ（１５ｍｍｏｌ）、３−オクチルオキシプロピオン酸３．８ｇ（１５ｍｍｏｌ）およびヘプタン６ｍｌをＮ2下で、温度計、スターラー、還流コンデンサーおよび滴下ロートを備えた１００ｍｌスルホン化フラスコに装填する。
【０５８３】
次にトリエチルアミン４．４ｍｌ（３１．５ｍｍｏｌ）をこの懸濁物に滴下で添加し（懸濁物は溶液中に入る）、オキシ塩化リン０．９６ｍｌ（１０．５ｍｍｏｌ）の滴下による添加（発熱反応：Ｔｉ６０℃）を続いて行う。このように得られた懸濁物を８０℃で１時間加熱する。室温に冷却後、水１０ｍｌを加える（塩類が溶解する）。有機相を分離し、水で洗浄し、Ｎａ2ＳＯ4を用いて乾燥しそして減圧ロータリーエバポレーターで濃縮する。アクリロニトリル２０ｍｌ中の残渣（約１０ｇ）の結晶化により白色粉末として化合物２０４の６．８ｇ（７３％）を得る。融点は１１４−１１５℃である。
【０５８４】
合成例１３：化合物２０４の製造（製法Ｂ）
３−オクチルオキシプロピオン酸（ＧＣ８３％）１２．１８ｇ（０．０５ｍｏｌ）、塩化チオニル４．７ｍｌ（０．０６５ｍｏｌ）および塩化ベンジルトリエチルアンモニウム０．１１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）をマグネチックスターラーおよびコンデンサーを備えた５０ｍｌ丸底フラスコに装填する。
【０５８５】
無色の溶液を室温で１０分間攪拌する（ＨＣｌ＋ＳＯ2の発生；発熱反応：Ｔｉ１２℃）。次に反応混合物をＮ2の弱流下で６５℃に加熱しそしてこの温度で４５分間攪拌する。過剰な塩化チオニルを蒸留により除去する（７０−８０℃／４０ｍｂａｒ；３０分）。
【０５８６】
得られた無色の液体（粗酸塩化物）を２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］１８ｇ（０．０４１ｍｏｌ）に添加する。
【０５８７】
混合物を１４０℃に加熱し（ＨＣｌの発生）およびこの温度で３０分間攪拌する。Ｎ2の弱流下で攪拌を１時間続ける。
【０５８８】
得られた褐色の液体を約１００℃に冷却し、そしてエタノール７０ｍｌを加える。バッチを氷浴で冷却すると、生成物が晶出する。結晶化生成物をろ過により分離しそして高真空下で乾燥させ、白色粉末として化合物２０４の２０ｇ（７８％）を得る。融点は１１５℃である。
【０５８９】
合成例１４：化合物２１５の製造（製法Ｂ）
ａ）３−（２−ブトキシエトキシ）プロピオン酸の製造
ブチルリチウムの１．６Ｎ溶液２ｍｌ（３．２ｍｍｏｌ，１０ｍｏｌ％）をテトラヒドロフラン２ｍｌ中の２−ブトキシエタノール３．８ｇ（３２ｍｍｏｌ）にＮ2下、１０℃で添加する。溶液を１０℃で５分間攪拌する。次にアクリロニトリル２．５ｍｌ（３８ｍｍｏｌ）を添加する。
【０５９０】
反応混合物を５５℃に加熱し、そしてこの温度で２．５時間攪拌する。
【０５９１】
次にさらにアクリロニトリル０．２５ｍｌ（３．８ｍｍｏｌ）を添加しそして混合物をもう１時間攪拌する。反応混合物を室温に冷却しその後、水に注加する。
【０５９２】
２ｍｏｌ／ＬＨＣｌ（２ｍｌ）で酸性にしおよびトルエンにより抽出後、有機相をＮａＣｌの水性飽和溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥しおよび減圧ロータリーエバポレーターで濃縮する。
【０５９３】
粗３−（２−ブトキシエトキシ）プロピオニトリル（４．４ｇ）を濃塩酸１５ｍｌに溶解し、そしてこの溶液を８０℃に２．５時間加熱する。得られた褐色溶液を室温で冷却し、水で希釈しそして酢酸エチルでもう一度抽出する。有機相を合わせ、ＮａＣｌの水性飽和溶液で洗浄し、ＭｇＳＯ4を用いて乾燥させ、減圧ロータリーエバポレーターで濃縮しそして高真空下で乾燥して、淡褐色液体として３−（２−ブトキシエトキシ）プロピオン酸３．２ｇ（５３％）を得る。
【０５９４】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3：δ（ｐｐｍ）０．９１（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）；１．３６（セクステット，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）；１．５７（クインテット，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ）；２．６５（ｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，２Ｈ）；３．４７（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ）；３．５６−３．６５（ｄｘｍ，４Ｈ）；３．７７（ｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，２Ｈ）；９．６（ｓ，ワイド，１Ｈ）
ｂ）塩化エチレン１０ｍｌ中のジシクロヘキシルカルボジイミド３．１ｇ（１５ｍｍｏｌ）溶液を塩化エチレン６０ｍｌ中２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］６．６ｇ（１５ｍｍｏｌ）、３−（２−ブトキシエトキシ）−プロピオン酸３．７６ｇ（１８ｍｍｏｌ）およびジメチルアミノピリジン０．１ｇ（０．８ｍｍｏｌ，５ｍｏｌ％）の溶液に窒素下、室温で添加する。
【０５９５】
反応混合物を室温で１５時間攪拌する。沈澱した尿素をろ過により除去しおよび溶媒を蒸発により除去する。アセトニトリルからの残渣の結晶化により白色粉末として化合物２１５の５ｇ（５４％）を得る。融点は８８〜９１℃である。
【０５９６】
合成例１５：化合物２１６の製造（製法Ｂ）
ａ）トルエン１００ｍｌ中の３−［３−（２−カルボキシエトキシ）プロポキシ］プロパノン酸（Ｒ．Ｖ．Ｃｈｒｉｓｔｉａｎ  ａｎｄ  Ｒ．Ｍ．Ｈｉｘｏｎ  Ｊ．Ａ．Ｃ．Ｓ．７０，１３３３（１９４８）参照）１０．０２ｇ（５５ｍｍｏｌ）を窒素下で２５０ｍｌの丸底フラスコに装填する。この懸濁物に塩化チオニル１３．２ｍｏｌ（１８０ｍｍｏｌ）を加え、混合物を９０℃にゆっくりと（４０分間かけて）加熱し（ＨＣｌ＋ＳＯ2の発生）そしてこの温度で１時間攪拌する。
【０５９７】
アルゴン流を導入しながら攪拌を９０℃でさらに４５分間続ける。過剰な塩化チオニルおよびトルエンの蒸留により、さらに直接使用される粗ビス−酸塩化物を得る。
【０５９８】
ｂ）トルエン１００ｍｌ中の合成例１５ａに記載したビス−酸塩化物（５５ｍｍｏｌ）および２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］４３．８７ｇ（０．１ｍｏｌ）をアルゴン下で３５０ｍｌのスルホン化フラスコに添加する。
【０５９９】
この溶液を１０℃に冷却しそしてトリエチルアミン１６．７ｍｌ（１２０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下で加える。
【０６００】
この添加が完了したとき（約５０分後）、混合物を７０℃に加熱し、そしてこの温度でさらに一夜攪拌する。沈澱した塩酸トリエチルアミンをろ過により除去しそしてろ液を蒸発により濃縮する。
【０６０１】
シリカゲルを用いた残渣のクロマトグラフィー（溶離液：Ｈｅｘ／ＥＥ４０：１）により無定形の粉末として化合物２１６の２１ｇ（４０％）を得る。融点は９４℃である。化合物２１７および２１８は一般的なこの合成例に記載した方法に従って製造される。
【０６０２】
合成例１６：化合物２１９の製造（製法Ｂ）
ａ）３−（２，４−ジ−第三ブチルフェノキシ）プロピオン酸の製造
アクリロニトリル６．２ｍｌ（９４ｍｍｏｌ）を２，４−ジ−第三ブチルフェノール９．７ｇ（４７ｍｍｏｌ）および水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム（水中４０％溶液）０．６ｍｌ（１．５ｍｍｏｌ）の溶液に室温、窒素下で２０分間かけて添加する。
【０６０３】
この添加が完了したとき、反応混合物を６５℃に加熱しそしてこの温度で２．５時間攪拌する。続いて過剰なアクリロニトリルを蒸留（減圧ロータリーエバポレーター）により除去する。
【０６０４】
粗３−（２，４−ジ−第三ブチルフェノキシ）プロピオニトリルを濃塩酸４０ｍｌおよび酢酸４０ｍｌに溶解しそして溶液を１００℃に１０時間加熱する。混合物を冷却し、水６０ｍｌに注加し、そしてヘキサン／酢酸エチル１：１混合物により抽出する。
【０６０５】
有機相を分離し、ＮａＣｌの水性飽和溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥させおよび減圧ロータリーエバポレーターで濃縮する。残渣の蒸留（６０℃／０．１ｍｂａｒ）により白色がかったベージュ色粉末として所望の酸１０ｇ（７７％）を得る。融点は１０５〜１０６℃である。
【０６０６】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ3：δ＝０．８９（ｔ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，２０Ｈ；−ＣＨ2−ＣＯＯＨ−），４．２７（ｔ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，２Ｈ，Ａ−Ｏ−ＣＨ2−）
ｂ）３−（２，４−ジ−第三ブチルフェノキシ）プロピオン酸１０ｇ（３６ｍｍｏｌ）、２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］１３．１ｇ（３０ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン０．２ｇ（１．６ｍｍｏｌ，５ｍｏｌ％）およびジクロロメタン１８０ｍｌをマグネチックスターラーおよびコンデンサーを備えた丸底フラスコに装填する。
【０６０７】
次にジクロエタン２０ｍｌ中のジシクロヘキシルカルボジイミド６．２ｇ（３０ｍｍｏｌ）溶液を室温でおよびＮ2下、滴下で添加する。
【０６０８】
混合物を室温で１５時間攪拌する。沈澱した尿素をろ過により除去しおよび溶媒を蒸発により取り去る。ヘキサンからの残渣の結晶化により白色粉末として化合物２１９の１０ｇ（４８％）を得る。融点は１８５℃である。
【０６０９】
化合物２２０は市販の３−フェノキシプロピオン酸および２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］から合成例１６ｂに記載した方法と同様に製造される。
【０６１０】
合成例１７：化合物２２１の製造（製法Ｂ）
ａ）３−シクロヘキシリデンアミノキシプロピオン酸の製造
シクロヘキサノンオキシム３２．８ｇ（０．２９ｍｏｌ）、エチルアクリレート２６ｇ（０．２６ｍｍｏｌ）、エタノール中ＫＯＨの２ｍｏｌ／Ｌ溶液２６ｍｌ（０．０５２ｍｏｌ）およびエタノール１５０ｍｌの混合物を６０℃で９６時間攪拌し、その後減圧ロータリーエバポレーターにより濃縮する。残渣（橙色油）をエタノール中ＫＯＨの１０％溶液１７５ｇ（０．３１ｍｏｌ）に溶解し、そして溶液を６０℃で１時間加熱する。
【０６１１】
溶媒を留去して固体残渣を水に吸収させる。濃塩酸約１５ｍｌにより酸性にしおよび酢酸エチルによる抽出後、有機相を水で洗浄し、Ｎａ2ＳＯ4を用いて乾燥させおよび減圧ロータリーエバポレーターで濃縮する。
【０６１２】
残渣の蒸留により橙色液として所望の酸１１．８ｇ（２５％）を得る。沸点は、１３５℃／０．０５ｍｂａｒである。ｂ）３−シクロヘキシリデンアミノキシプロピオン酸８．０３ｇ（３９ｍｍｏｌ）および２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］１５．３４ｇ（３５ｍｍｏｌ）から出発して合成例１６ｂに記載した手順を行い白色粉末として化合物２２１の１５．３ｇ（７２％）を得る。融点は１１８〜１２１℃（メタノール）である。化合物２２２−２２４は合成例１３（製法Ｂ）に記載された方法と同様に製造される。化合物２２５は合成例１４ｂ（製法Ｂ）に記載された方法と同様に製造される。
【０６１３】
合成例１８：化合物３０１の製造（製法Ａで得られたチオエーテルの酸化）
ａ）２−第三ブチル−６−（３−第三ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニルメチル）−４−メチルフェニル３−（オクチルチオ）プロピオネート２００ｍｌスルホン化フラスコにおいて、２，２’−メチレンビス［６−第三ブチルフェノール］モノアクリレート９．８６ｇ（２５ｍｍｏｌ）およびオクタンチオール４．０２ｇ（２７．５ｍｍｏｌ）をトルエン５０ｍｌに溶解する。
【０６１４】
次にトルエン中のカリウム第三ペンチレートの１．７ｍｏｌ／Ｌ溶液０．７５ｍｌ（１．２５ｍｍｏｌ）を室温で滴下で添加する。反応混合物を約５５℃に加熱した後、この温度で１時間攪拌する。混合物を室温に冷却しそして希塩酸（０．１ｍｏｌ／Ｌ）に注加する。
【０６１５】
酢酸エチルにより繰り返し抽出後、有機相を併せ、硫酸ナトリウムを用いて乾燥させ、減圧ロータリーエバポレーターで濃縮する。未反応のビスフェノールを除去し（２００℃／１０ｍｂａｒでバルブチューブ蒸留）、淡黄色油として所望の化合物１１．３５ｇ（８４％）を得る。
【０６１６】
ｂ）２５０ｍｌスルホン化フラスコにおいて、合成例１８ａの化合物１０．８２ｇ（２０ｍｍｏｌ）を窒素下でジクロロメタン１３０ｍｌに溶解する。次にジクロロメタン７０ｍｌ中のｍ−クロロ過安息香酸６．５９ｇ（２１ｍｍｏｌ）の溶液をこの溶液に−１５℃で滴下で添加する。
【０６１７】
反応混合物を−１５℃で３０分間攪拌しそして炭酸水素ナトリウムの水性飽和溶液に注加する。ジクロロメタンにより繰り返し抽出後、有機相を併せ、水で洗浄し、硫酸ナトリウムを用いて乾燥させそして減圧ロータリーエバポレーターで濃縮する。残渣を高真空下で乾燥させ、無色の高粘性油として化合物３０１の１１．１３ｇ（１００％）を得る。
【０６１８】
合成例１９：化合物３０２の製造（製法Ａで得られたチオエーテルの酸化）
２５０ｍｌスルホン化フラスコにおいて、合成例１８ａの化合物１０．８２ｇ（２０ｍｍｏｌ）を窒素下でジクロロメタン８０ｍｌに溶解する。ジクロロメタン１２０ｍｌ中のｍ−クロロ過安息香酸１３．８２ｇ（４２ｍｍｏｌ）の溶液をこの溶液に−１５℃で滴下で添加する。濃厚な懸濁物をさらに室温に温まるまで攪拌しそして炭酸水素ナトリウムの水性飽和溶液に注加する。
【０６１９】
ジクロロメタンにより繰り返し抽出後、有機相を併せ、水で洗浄し、硫酸ナトリウムを用いて乾燥させ、減圧ロータリーエバポレーターで濃縮する。
【０６２０】
イソプロパノールからの残渣の結晶化により、淡ベージュ色の粉末として化合物３０２の８．０５ｇ（７０％）を得る。融点は１０８〜１１３℃である。
【０６２１】
合成例２０：化合物４０１の製造（製法Ａ）
２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］モノアクリレート１２．３ｇ（０．０２５ｍｏｌ）、１，２，４−トリアゾール２．０７ｇ（０．０３ｍｏｌ）およびピリジンの数滴の混合物を１５０℃で３時間攪拌する。
【０６２２】
反応混合物を約１００℃に冷却し、イソプロパノール約３０ｍの添加後、熱時ろ過する。室温に冷却すると、化合物４０１が晶出する。
【０６２３】
結晶化生成物を吸引ろ過で集めそして乾燥させて、白色粉末として化合物４０１の９．１０ｇ（６５％）を得る。融点は１６０〜１６２℃である。
【０６２４】
化合物４０２は、反応を１５０℃の代わりに１７０℃で行うことを除いて、合成例２０に記載された方法と同様に製造される。
【０６２５】
合成例２１：化合物４０３の製造（製法Ｂ）
塩化ホスホリル０．６８ｍｌ（１．１５ｇ；７．５ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン４０ｍｌ中の２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］４．３９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、３−ベンゾトリアゾール−１−イル−プロピオン酸（Ｗｉｌｅｙ  ｅｔ  ａｌ；Ｊ．Ａ．Ｃ．Ｓ．７６，４９３３（１９５４）参照）２．５ｇ（１３ｍｍｏｌ）およびトリエチルアミン２．０２ｇ（２０ｍｍｏｌ）の無色の溶液に５０℃、Ｎ2下で滴下に添加する。反応体懸濁液を還流下で５時間攪拌する。
【０６２６】
反応混合物を室温に冷却し、塩類をろ過して除去しそして減圧ロータリーエバポレーターで濃縮する。残渣を水に注加し、酢酸エチルで２回抽出後、有機相を併せ、ＮａＣｌの水性飽和溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムを用いて乾燥させ減圧ロータリーエバポレーターで濃縮する。エタノールからの残渣の結晶化により白色粉末として化合物４０３の３．９ｇ（８０％）を得る。融点は１７４−１７８℃である。
【０６２７】
合成例２２：化合物４０４の製造（製法Ａ）
ジクロロメタン２５ｍｌ中の２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］モノアクリレート１４．７８ｇ（０．０３ｍｏｌ）、２−メルカプトベンゾチアゾール５．０２ｇ（０．０３ｍｏｌ）およびピリジンの数滴の混合物を還流下で１５時間攪拌する。反応混合物をロータリーエバポレーターで濃縮する。
【０６２８】
クロマトグラフィー（ＳｉＯ2；ヘキサン／酢酸エチル：４０：１）による精製およびアセトニトリルからの結晶化により、白色粉末として化合物４０４の７．６５ｇ（３９％）を得る。融点は１２３−１２８℃である。
【０６２９】
合成例２２ａ：化合物４０５の製造
ジクロロメタン２５ｍｌ中の２，２’−エチリデンビス［４，６−ジ−第三ブチルフェノール］モノアクリレート１４．７８ｇ（０．０３ｍｏｌ）、２−メルカプトベンゾチアゾール５．０２ｇ（０．０３ｍｏｌ）およびピリジンの数滴の混合物を還流下９０℃で１５時間攪拌する。反応混合物をロータリーエバポレーターで濃縮する。
【０６３０】
クロマトグラフィー（ＳｉＯ2；ヘキサン／酢酸エチル：４０：１）により、無定形粉末として化合物４０５の７．７ｇ（３９％）を得る。アセトニトリルからの結晶化後、融点は１２３〜１２８℃である。
【０６３１】
実施例１
〔セルロースエステルを有してなる光学フィルム１の作製〕
下記のように、セルロースエステルと各種添加剤を用いて溶融流延により光学フィルム１を作製した。
【０６３２】
セルロースエステルＣ−１（後述参照）                            １００質量部
ＴＭＰＴＢ                                                        １０質量部
ＩＲＧＡＮＯＸ−１０１０（チバスペシャルティケミカルズ社製）    ０．５質量部
テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）［１，１−ビフェニル］−４，４′−ジイルビスホスホナイト                        ０．２５質量部
例示化合物１                                                    ０．７質量部
Ｔｉｎｕｖｉｎ９２８（チバスペシャルティケミカルズ社製）        １．８質量部
セルロースエステルＣ−１を７０℃、３時間減圧下で乾燥を行い室温まで冷却した後、添加剤を混合した。
【０６３３】
【化３９】
2008225166.tif 000040
【０６３４】
以上の混合物を２軸式押し出し機を用いて２３０℃で溶融混合しペレット化した。
【０６３５】
このペレットを用いて窒素雰囲気下、２５０℃にて溶融して流延ダイ４から第１冷却ロール５上に押し出し、第１冷却ロール５とタッチロール６との間に光学フィルムを挟圧して成形した。
【０６３６】
また押出し機１中間部のホッパー開口部から、滑り剤としてシリカ粒子２００Ｖ（日本アエロジル社製）を、０．５質量部となるよう添加した。
【０６３７】
流延ダイ４のギャップの幅が光学フィルムの幅方向端部から３０ｍｍ以内では０．５ｍｍ、その他の場所では１ｍｍとなるようにヒートボルトを調整した。
【０６３８】
タッチロールとしては、タッチロールＡを使用し、その内部に冷却水として８０℃の水を流した。
【０６３９】
流延ダイ４から押し出された樹脂が第１冷却ロール５に接触する位置Ｐ１から第１冷却ロール５とタッチロール６とのニップの第１冷却ロール５回転方向上流端の位置Ｐ２までの、第１冷却ローラ５の周面に沿った長さＬを２０ｍｍに設定した。
【０６４０】
その後、タッチロール６を第１冷却ロール５から離間させ、第１冷却ロール５とタッチロール６とのニップに挟圧される直前の溶融部の温度Ｔを測定した。
【０６４１】
本実施例において、第１冷却ロール５とタッチロール６とのニップに挟圧される直前の溶融部の温度Ｔは、ニップ上流端Ｐ２よりもさらに１ｍｍ上流側の位置で、温度計（安立計器株式会社製ＨＡ−２００Ｅ）により測定した。
【０６４２】
本実施例では測定の結果、温度Ｔは１４１℃であった。タッチロール６の第１冷却ロール５に対する線圧は１４．７Ｎ／ｃｍとした。
【０６４３】
さらに、テンターに導入し、巾方向に１６０℃で１．３倍延伸した後、巾方向に３％緩和しながら３０℃まで冷却し、その後クリップから開放し、クリップ把持部を裁ち落とし、光学フィルム両端に幅１０ｍｍ、高さ５μｍのナーリング加工を施し、巻き取り張力２２０Ｎ／ｍ、テーパー４０％で巻芯に巻き取った。
【０６４４】
なお、光学フィルムは、厚さが８０μｍとなるように、押出し量及び引き取り速度を調整し、仕上がりの光学フィルム幅は、１４３０ｍｍ幅になるようにスリットし、巻き取った。巻芯の大きさは、内径１５２ｍｍ、外径１６５〜１８０ｍｍ、長さ１５５０ｍｍであった。この巻芯母材として、エポキシ樹脂をガラス繊維、カーボン繊維に含浸させたプリプレグ樹脂を用いた。
【０６４５】
巻芯表面にはエポキシ導電性樹脂をコーティングし、表面を研磨して、表面粗さＲａは０．３μｍに仕上げた。なお、巻長は２５００ｍとした。この本発明の光学フィルム原反試料を光学フィルム１とする。
【０６４６】
〔光学フィルム２〜２５の作製〕
光学フィルム１の作製において、セルロースエステルの種類、あるいは例示化合物１に代わる添加剤を表１のように変更した以外は同様にして、光学フィルム２〜２５を作製した。なお、使用したセルロースエステルＣ−１に代わるセルロースエステルの添加量は、セルロースエステルＣ−１と同じ質量部とし、また、使用した例示化合物１に代わる添加剤の添加量は、例示化合物１と同じ質量部とした。
【０６４７】
Ｃ−１：セルロースアセテートプロピオネート（アセチル基置換度１．４、プロピオニル基置換度１．３、分子量Ｍｎ＝８６，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．５）
Ｃ−２：セルロースアセテートプロピオネート（アセチル基置換度１．３、プロピオニル基置換度１．２、分子量Ｍｎ＝６６，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝３．０）
Ｃ−３：セルロースアセテートプロピオネート（アセチル基置換度１．７、プロピオニル基置換度１．０、分子量Ｍｎ＝７３，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．９）
Ｃ−４：セルロースアセテートプロピオネート（アセチル基置換度２．０、プロピオニル基置換度０．７、分子量Ｍｎ＝９１，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．４）
〔光学フィルムの評価〕
得られた光学フィルムに対して、下記方法で評価を行った。評価の結果を表１に示す。
【０６４８】
（馬の背故障、巻芯転写）
巻き取った光学フィルムをポリエチレンシートで２重に包み、図８に示すような保存方法で、２５℃、５０％の条件下で３０日間保存した。その後、箱から取り出し、ポリエチレンシートを開け、光学フィルム表面に点灯している蛍光灯の管を反射させて映し、その歪みあるいは細かい乱れを観察し、馬の背故障を下記レベルにランク分けした。
【０６４９】
Ａ：蛍光灯が真っすぐに見える
Ｂ：蛍光灯が部分的に曲がって見える
Ｃ：蛍光灯がまだらに映って見える
また、保存後の光学フィルムを巻き返して、５０μｍ以上の点状の変形、または幅手方向の帯状の変形がはっきり見える巻芯転写が、巻芯部分より何ｍまで発生しているかを測定し、下記レベルにランク分けを行った。
【０６５０】
Ａ：巻芯部分より１５ｍ未満
Ｂ：巻芯部分より１５〜３０ｍ未満
Ｃ：巻芯部分より３０〜５０ｍ未満
Ｄ：巻芯部分より５０ｍ以上
（巻始めシワ）
巻芯に原反光学フィルムを巻き取る作業を行い、巻始めでシワが発生して不良となった場合は巻芯から原反光学フィルムを取り外して、再度巻き取る作業を行った。この時の不良回数をカウントした。この作業を１０回行い平均値を求め、下記レベルにランク分けを行った。
【０６５１】
Ａ：０回以上１回未満
Ｂ：１回以上３回未満
Ｃ：３回以上５回未満
Ｄ：５回以上
【０６５２】
【表１】
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【０６５３】
表１より、本発明に係る一般式（１）で表される化合物を含有する光学フィルムＮｏ．１〜１９は、長期間保存しても馬の背故障、巻芯転写が少なく、巻始めシワ等の光学フィルム原反の変形故障が発生しにくい光学フィルムであることが分かる。つまり、光学フィルム原反の幅が広く、巻長が長いものでも故障を少なくすることができ、生産性を大幅に改良できることが判明した。
【０６５４】
実施例２
下記の組成物を調製した。
【０６５５】
（帯電防止層塗布組成物（１））
ポリメチルメタアクリレート（重量平均分子量５５万、Ｔｇ：９０℃）    ０．５部
プロピレングリコールモノメチルエーテル                                ６０部
メチルエチルケトン                                                    １６部
乳酸エチル                                                              ５部
メタノール                                                              ８部
導電性ポリマー樹脂Ｐ−１（０．１〜０．３μｍ粒子）                  ０．５部
【０６５６】
【化４０】
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【０６５７】
（ハードコート層塗布組成物（２））
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体                        ６０部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体                        ２０部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分              ２０部
ジエトキシベンゾフェノン光反応開始剤                                    ６部
シリコーン系界面活性剤                                                  １部
プロピレングリコールモノメチルエーテル                                ７５部
メチルエチルケトン                                                    ７５部
（カール防止層塗布組成物（３））
アセトン                                                              ３５部
酢酸エチル                                                            ４５部
イソプロピルアルコール                                                  ５部
ジアセチルセルロース                                                ０．５部
超微粒子シリカ２％アセトン分散液（アエロジル：２００Ｖ、日本アエロジル（株）製）                                                                    ０．１部
下記に従って、機能付与した偏光板保護フィルムを作製した。
【０６５８】
（偏光板保護フィルム）
実施例１で作製した本発明の光学フィルム１をポリエチレンシートで２重に包み、図８に示すような保存方法で２５℃、５０％ＲＨの条件下で３０日間、この後、４０℃、８０％ＲＨの条件下で保存した。その後、それぞれポリエチレンシートを外して、それぞれの原反試料から巻き出した光学フィルムの片面に、カール防止層塗布組成物（３）をウェット膜厚１３μｍとなるようにグラビアコートし、乾燥温度８０±５℃にて乾燥させた。これを試料１Ａとする。
【０６５９】
この光学フィルムのもう１方の面に帯電防止層塗布組成物（１）を２８℃、８２％ＲＨの環境下でウェット膜厚で７μｍとなるように光学フィルムの搬送速度３０ｍ／ｍｉｎで塗布幅１ｍで塗布し、次いで８０±５℃に設定された乾燥部で乾燥して乾燥膜厚で約０．２μｍの樹脂層を設け、帯電防止層付き光学フィルムを得た。これを試料１Ｂとする。
【０６６０】
さらに、この帯電防止層の上にハードコート層塗布組成物（２）をウェット膜厚で１３μｍとなるように塗設し、乾燥温度９０℃にて乾燥させた後、紫外線を１５０ｍＪ／ｍ2となるように照射して、乾燥膜厚で５μｍのクリアハードコート層を設けた。これを試料１Ｃとする。
【０６６１】
得られた本発明の光学フィルム試料１Ａ、試料１Ｂ、試料１Ｃはともにブラッシングを起こすこともなく、乾燥後の亀裂の発生も認められず、塗布性は良好であった。
【０６６２】
光学フィルム１に代えて、本発明の光学フィルム２〜１９に変更した以外は同様の方法で塗布行った。その結果、何れも良好な塗布性が確認された。
【０６６３】
比較として、比較の光学フィルム２０について、上記と同様な方法で塗布を行った。
【０６６４】
カール防止層塗布組成物（３）を塗布したものを試料２０１６Ａ、さらに帯電防止層塗布組成物（１）を塗布したものを試料２０１６Ｂ、さらにこの帯電防止層の上にハードコート層塗布組成物（２）を塗布したものを試料２０１６Ｃとした。
【０６６５】
その結果、高湿度環境で塗布したとき、試料２０１６Ａでブラッシングが起こった。また、試料２０１６Ｂでは乾燥後微細な亀裂が認められることがあり、試料２０１６Ｃでは乾燥後微細な亀裂が明確に認められた。
【０６６６】
（偏光板の作製と評価）
厚さ１２０μｍのポリビニルアルコールフィルムを沃素１質量部、沃化カリウム２質量部、ホウ酸４質量部を含む水溶液に浸漬し５０℃で４倍に延伸し偏光子を作製した。
【０６６７】
実施例１で作製した本発明の光学フィルム１〜１９及び比較の光学フィルム２０をポリエチレンシートで２重に包み、図８に示すような保存方法で２５℃、５０％ＲＨの条件下で３０日間、この後、４０℃、８０％ＲＨの条件下で保存した。その後、それぞれポリエチレンシートを外して、それぞれの原反試料から巻き出した光学フィルムを４０℃の２．５ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液で６０秒間アルカリ処理し、さらに水洗乾燥して表面をアルカリ処理した。
【０６６８】
前記偏光子の両面に、本発明の光学フィルム１〜１９、及び比較の光学フィルムの２０のアルカリ処理面を、完全鹸化型ポリビニルアルコール５％水溶液を接着剤として両面から貼合し、保護フィルムが形成された本発明の偏光板１〜１９、及び比較の偏光板の２０を作製した。
【０６６９】
得られた本発明の偏光板１〜１９は比較の偏光板の２０に対して、平面性、物理的に優れている保護フィルムで両面が保護されているため、非常に良好な偏光板の特性を有するという顕著に優れた効果を奏する。
【０６７０】
（液晶表示装置としての特性評価）
１５型ＴＦＴ型カラー液晶ディスプレーＬＡ−１５２９ＨＭ（ＮＥＣ製）の偏光板を剥がし、上記で作製した各々の偏光板を液晶セルのサイズに合わせて断裁した。液晶セルを挟むようにして、前記作製した偏光板２枚を偏光板の偏光軸が元と変わらないように互いに直交するように貼り付け、１５型ＴＦＴ型カラー液晶ディスプレーを作製し、光学フィルムの偏光板としての特性を評価したところ、本発明の偏光板１〜１９は、比較の偏光板２０に対してコントラストも高く、優れた表示性を示した。これにより、液晶ディスプレー等の画像表示装置用の偏光板として優れていることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０６７１】
【図１】本発明に係る光学フィルムの製造方法を実施する装置の１つの実施形態を示す概略フローシートである。
【図２】図１の製造装置の要部拡大フローシートである。
【図３】図３（ａ）は流延ダイの要部の外観図、図３（ｂ）は流延ダイの要部の断面図である。
【図４】挟圧回転体の第１実施形態の断面図である。
【図５】挟圧回転体の第２実施形態の回転軸に垂直な平面での断面図である。
【図６】挟圧回転体の第２実施形態の回転軸を含む平面での断面図である。
【図７】液晶表示装置の構成図の概略を示す分解斜視図である。
【図８】光学フィルム原反の保管の状態を示す図である。
【符号の説明】
【０６７２】
１  押出し機
２  フィルター
３  スタチックミキサー
４  流延ダイ
５  回転支持体（第１冷却ロール）
６  挟圧回転体（タッチロール）
７  回転支持体（第２冷却ロール）
８  回転支持体（第３冷却ロール）
９、１１、１３、１４、１５  搬送ロール
１０  光学フィルム
１６  巻取り装置
２１ａ、２１ｂ  保護フィルム
２２ａ、２２ｂ  位相差フィルム
２３ａ、２３ｂ  フィルムの遅相軸方向
２４ａ、２４ｂ  偏光子の透過軸方向
２５ａ、２５ｂ  偏光子
２６ａ、２６ｂ  偏光板
２７  液晶セル
２９  液晶表示装置
３１  ダイ本体
３２  スリット
４１  金属スリーブ
４２  弾性ローラ
４３  金属製の内筒
４４  ゴム
４５  冷却水
５１  外筒
５２  内筒
５３  空間
５４  冷却液
５５ａ、５５ｂ  回転軸
５６ａ、５６ｂ  外筒支持フランジ
６０  流体軸筒
６１ａ、６１ｂ  内筒支持フランジ
６２ａ、６２ｂ  中間通路
１１０  巻芯本体
１１７  支え板
１１８  架台
１２０  光学フィルム原反
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2008225166.tif 000050
【図６】
2008225166.tif 000051
【図７】
2008225166.tif 000052
【図８】
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