(57)【要約】【課題】効率よく解析対象物からの電磁界の影響を解析するシミュレーションプログラムを提供する。【解決手段】まず、解析対象物を囲む閉曲面上における電磁界分布を求める（Ｓ１０４）。次いで、閉曲面上における電磁界分布を波源として、解析対象物に対して閉曲面より外側にある観測面における電界分布を求める（Ｓ１０６）。そして、観測面における電界分布に基づき、観測面上において特定点を決定する（Ｓ１０８）。続いて、閉曲面の一部を複数の領域に分割する（Ｓ１１０）。そして、閉曲面上の電磁界分布に基づき、各領域における電磁界分布を求め、各領域について、領域における電磁界分布を波源として、特定点における電界を求める（Ｓ１１２）。最後に、上記で求めた、特定点の電界値に基づき、各領域について特定点における電磁界寄与度を求める（Ｓ１１４）。【選択図】図３
2008209123.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
演算処理部を有するコンピュータに、電波源を有する解析対象物から特定点へ放射される電磁波の影響を解析するシミュレーションプログラムであって、
前記演算処理部は、前記解析対象物を囲む閉曲面上における第１の電磁界分布を求めるステップと、
前記演算処理部は、前記閉曲面上における前記第１の電磁界分布を波源として、前記解析対象物に対して前記閉曲面より外側にある観測面における電界分布を求めるステップと、
前記演算処理部は、前記観測面における前記電界分布に基づき、前記観測面上において前記特定点を決定するステップと、
前記演算処理部は、前記閉曲面の一部を複数の領域に分割し、前記第１の電磁界分布に基づき、各前記領域における第２の電磁界分布を求めるステップと、
前記演算処理部は、各前記領域について、前記領域における前記第２の電磁界分布を波源として、前記特定点における電界を求めるステップと、
前記演算処理部は、各前記領域について、前記特定点における、前記第１の電磁界分布を波源とする電界値に対する前記第２の電磁界分布を波源とする電界値の割合を示す電磁界寄与度を求めるステップとを備える、シミュレーションプログラム。
【請求項２】
前記特定点は、前記観測面における前記電界分布において、極大値をとる点である、請求項１記載のシミュレーションプログラム。
【請求項３】
前記閉曲面が多面体のとき、前記閉曲面の一部は、前記多面体の面のうち前記観測面に最も近い面である、請求項１記載のシミュレーションプログラム。
【請求項４】
前記第２の電磁界分布を求めるステップは、前記閉曲面の一部を複数の領域に均等に分割する、請求項１記載のシミュレーションプログラム。
【請求項５】
前記第２の電磁界分布を求めるステップは、前記電波源を、前記電波源と位置関係が対応するように前記閉曲面の一部に投影し、前記投影された電波源を中心とするように、前記閉曲面の一部を分割する、請求項１記載のシミュレーションプログラム。
【請求項６】
前記特定点における電界を求めるステップは、
前記投影された電波源を中心とする領域を広げるステップと、
前記広げた領域における前記第２の電磁界分布を波源とする前記特定点の電界を求めるステップと、
前記広げた領域が前記閉曲面の一部の全領域を含むまで、前記領域を広げるステップと、前記特定点の電界を求めるステップとを繰り返すステップとを含む、請求項５記載のシミュレーションプログラム。
【請求項７】
前記演算処理部は、前記閉曲面上の各前記領域を前記解析対象物に投影し、前記領域の前記電磁界寄与度を、前記投影された領域に含まれる前記電波源の電磁界寄与度とするステップをさらに備える、請求項１記載のシミュレーションプログラム。
【請求項８】
前記第２の電磁界分布を求めるステップは、
前記閉曲面の一部を複数の第１の領域に分割するステップと、
前記閉曲面の一部を前記第１の領域とは異なる、複数の第２の領域に分割するステップとを含み、
前記演算処理部は、各前記第１の領域および各前記第２の領域について、前記特定点における電界を求めるステップと、前記電磁界寄与度を求めるステップとを繰り返すステップをさらに備える、請求項１記載のシミュレーションプログラム。
【請求項９】
前記観測面における電界分布を求めるステップは、前記第１の電磁界分布を用いて等価定理により前記観測面における電界分布を求め、
前記特定点における電界を求めるステップは、前記第２の電界分布を用いて等価定理により前記特定点における電界を求める、請求項１記載のシミュレーションプログラム。
【請求項１０】
請求項１記載のシミュレーションプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１１】
電波源を有する解析対象物から特定点へ放射される電磁波の影響を解析するシミュレーション装置であって、
前記解析対象物を囲む閉曲面上における第１の電磁界分布を求める手段と、
前記閉曲面上における前記第１の電磁界分布を波源として、前記解析対象物に対して前記閉曲面より外側にある観測面における電界分布を求める手段と、
前記観測面における前記電界分布に基づき、前記観測面上において前記特定点を決定する手段と、
前記閉曲面の一部を複数の領域に分割し、前記第１の電磁界分布に基づき、各前記領域における第２の電磁界分布を求める手段と、
各前記領域について、前記領域における前記第２の電磁界分布を波源として、前記特定点における電界を求める手段と、
各前記領域について、前記特定点における、前記第１の電磁界分布を波源とする電界値に対する前記第２の電磁界分布を波源とする電界値の割合を示す電磁界寄与度を求める手段とを備える、シミュレーション装置。
【請求項１２】
電波源を有する解析対象物から特定点へ放射される電磁波の影響を解析するシミュレーション方法であって、
前記解析対象物を囲む閉曲面上における第１の電磁界分布を求めるステップと、
前記閉曲面上における前記第１の電磁界分布を波源として、前記解析対象物に対して前記閉曲面より外側にある観測面における電界分布を求めるステップと、
前記観測面における前記電界分布に基づき、前記観測面上において前記特定点を決定するステップと、
前記閉曲面の一部を複数の領域に分割し、前記第１の電磁界分布に基づき、各前記領域における第２の電磁界分布を求めるステップと、
各前記領域について、前記領域における前記第２の電磁界分布を波源として、前記特定点における電界を求めるステップと、
各前記領域について、前記特定点における、前記第１の電磁界分布を波源とする電界値に対する前記第２の電磁界分布を波源とする電界値の割合を示す電磁界寄与度を求めるステップとを備える、シミュレーション方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電波源の遠方電磁界への寄与度を解析する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器においては回路の高密度化・信号の高速化に伴い、電子機器から放射される電磁波によって周辺機器が誤作動を引き起こす等のＥＭＣ（Electromagnetic Compatibility）問題が深刻化している。このため、電子機器から放射される放射ノイズのレベルをＶＣＣＩ（Voluntary Control Council for Interference by Information Technology Equipment:情報処理装置等電波障害自主規制協議会）等の規制値以下に抑えるように義務付けられており、規格を満たすようにノイズ対策を施すには、その原因となる箇所を特定することが重要である。
【０００３】
たとえば、特許文献１では、電波源となる電子機器等（解析対象物）の大きさと比較して十分に短い距離（通常、波長／２π程度以下（以下、「近傍」と呼ぶ））における電磁界の情報を用いて、解析対象物の表面の電流分布を算出する装置が提案されている。また、特許文献２では、解析対象物の有する全電流から遠方電磁界を算出した結果と、該解析対象物の個々の電流による遠方電磁界を算出した結果との割合から、個々の電流が遠方電磁界へ与える影響を算出する方法が提案されている。
【特許文献１】特開平１１−１４６７１号公報
【特許文献２】特開２００２−２７７５００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記ＶＣＣＩ等の規格においては、電子機器の大きさに対して十分に離れた（たとえば、３ｍや１０ｍ（以下、「遠方」と呼ぶ））点における電磁界を評価することが多いため、解析対象物の近傍への電磁界の影響（電磁界寄与度）ではなく、遠方への電磁界寄与度を評価する必要がある。
【０００５】
特許文献１で提案される、近傍電磁界を測定した結果から解析対象物上の電流分布を算出する装置の場合、得られた電流分布から、電流値が大きいものは近傍への電磁界寄与度が大きく、電流値が小さいものは電磁界寄与度が小さいとして、各電流の近傍への電磁界寄与度を判定することは可能である。しかし、近傍への電磁界寄与度の大きさと、遠方への電磁界寄与度の大きさは必ずしも相関を持つわけではないため、同様の装置のみを用いて遠方への電磁界寄与度を判定することはできない。
【０００６】
また、特許文献２で提案される、解析対象物の個々の電流（電流素）による遠方電磁界を算出する場合は、各電流の遠方への電磁界寄与度を判定することが可能である。しかし、たとえば、２つの互いに逆位相となる電流が近接しており、近傍においては各電流による電磁界寄与度が大きいが、遠方においては、各電流により発生する電磁界が打ち消しあうため、実際には遠方電磁界への電磁界寄与度が小さいと判断できる電流についても、遠方への電磁界寄与度は大きいと判断されてしまう。
【０００７】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであって、その目的は、効率よく解析対象物からの電磁界の影響を解析するシミュレーションプログラムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの局面に従うと、演算処理部を有するコンピュータに、電波源を有する解析対象物から特定点へ放射される電磁波の影響を解析するシミュレーションプログラムであって、演算処理部は、解析対象物を囲む閉曲面上における第１の電磁界分布を求めるステップと、演算処理部は、閉曲面上における第１の電磁界分布を波源として、解析対象物に対して閉曲面より外側にある観測面における電界分布を求めるステップと、演算処理部は、観測面における電界分布に基づき、観測面上において特定点を決定するステップと、演算処理部は、閉曲面の一部を複数の領域に分割し、第１の電磁界分布に基づき、各領域における第２の電磁界分布を求めるステップと、演算処理部は、各領域について、領域における第２の電磁界分布を波源として、特定点における電界を求めるステップと、演算処理部は、各領域について、特定点における、第１の電磁界分布を波源とする電界値に対する第２の電磁界分布を波源とする電界値の割合を示す電磁界寄与度を求めるステップとを備える。
【０００９】
好ましくは、特定点は、観測面における電界分布において、極大値をとる点である。
好ましくは、閉曲面が多面体のとき、閉曲面の一部は、多面体の面のうち観測面に最も近い面である。
【００１０】
好ましくは、第２の電磁界分布を求めるステップは、閉曲面の一部を複数の領域に均等に分割する。
【００１１】
好ましくは、第２の電磁界分布を求めるステップは、電波源を、電波源と位置関係が対応するように閉曲面の一部に投影し、投影された電波源を中心とするように、閉曲面の一部を分割する。
【００１２】
好ましくは、特定点における電界を求めるステップは、投影された電波源を中心とする領域を広げるステップと、広げた領域における第２の電磁界分布を波源とする特定点の電界を求めるステップと、広げた領域が閉曲面の一部の全領域を含むまで、領域を広げるステップと、特定点の電界を求めるステップとを繰り返すステップとを含む。
【００１３】
好ましくは、演算処理部は、閉曲面上の各領域を解析対象物に投影し、領域の電磁界寄与度を、投影された領域に含まれる電波源の電磁界寄与度とするステップをさらに備える。
【００１４】
好ましくは、第２の電磁界分布を求めるステップは、閉曲面の一部を複数の第１の領域に分割するステップと、閉曲面の一部を第１の領域とは異なる、複数の第２の領域に分割するステップとを含み、演算処理部は、各第１の領域および各第２の領域について、特定点における電界を求めるステップと、電磁界寄与度を求めるステップとを繰り返すステップをさらに備える。
【００１５】
好ましくは、観測面における電界分布を求めるステップは、第１の電磁界分布を用いて等価定理により観測面における電界分布を求め、特定点における電界を求めるステップは、第２の電界分布を用いて等価定理により特定点における電界を求める。
【００１６】
好ましくは、上記シミュレーションプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。
【００１７】
本発明の他の局面に従うと、電波源を有する解析対象物から特定点へ放射される電磁波の影響を解析するシミュレーション装置であって、解析対象物を囲む閉曲面上における第１の電磁界分布を求める手段と、閉曲面上における第１の電磁界分布を波源として、解析対象物に対して閉曲面より外側にある観測面における電界分布を求める手段と、観測面における電界分布に基づき、観測面上において特定点を決定する手段と、閉曲面の一部を複数の領域に分割し、第１の電磁界分布に基づき、各領域における第２の電磁界分布を求める手段と、各領域について、領域における第２の電磁界分布を波源として、特定点における電界を求める手段と、各領域について、特定点における、第１の電磁界分布を波源とする電界値に対する第２の電磁界分布を波源とする電界値の割合を示す電磁界寄与度を求める手段とを備える。
【００１８】
本発明のさらに他の局面に従うと、電波源を有する解析対象物から特定点へ放射される電磁波の影響を解析するシミュレーション方法であって、解析対象物を囲む閉曲面上における第１の電磁界分布を求めるステップと、閉曲面上における第１の電磁界分布を波源として、解析対象物に対して閉曲面より外側にある観測面における電界分布を求めるステップと、観測面における電界分布に基づき、観測面上において特定点を決定するステップと、閉曲面の一部を複数の領域に分割し、第１の電磁界分布に基づき、各領域における第２の電磁界分布を求めるステップと、各領域について、領域における第２の電磁界分布を波源として、特定点における電界を求めるステップと、各領域について、特定点における、第１の電磁界分布を波源とする電界値に対する第２の電磁界分布を波源とする電界値の割合を示す電磁界寄与度を求めるステップとを備える。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、効率よく解析対象物からの電磁界の影響を解析することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについては詳細な説明は繰り返さない。
【００２１】
［実施の形態１］
以下の説明で明らかになるように、本実施の形態に係るシミュレーションプログラムは、解析対象物から放射される電磁波が遠方電磁界に与える影響を解析し、解析対象物のどの領域から放射される電磁波が、遠方電磁界に強く影響を与えているかを特定する。これにより、ノイズ対策に費やす手間を削減することができる。
【００２２】
（１．  本発明のシステム構成）
図１は、本発明に係るシミュレーションプログラムを実行するコンピュータ１００の構成をブロック図形式で示す図である。
【００２３】
図１を参照して、コンピュータ１００の構成について説明する。
コンピュータ１００は、コンピュータ本体１０２と、バス１０５を介してコンピュータ本体１０２と接続される、フレキシブルディスク（Flexible Disk、以下「ＦＤ」と呼ぶ）１１６に情報を読み書きするためのＦＤドライブ１０６と、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc Read-Only Memory）１１８等の光ディスク上の情報を読み込むための光ディスクドライブ１０８と、外部とデータの授受を行なうための通信インターフェイス１２８と、表示装置としてのモニタ１０４と、入力装置としてのキーボード１１０およびマウス１１２とを備える。コンピュータ本体１０２は、バス１０５に接続されたＣＰＵ（Central Processing Unit）１２０と、ＲＯＭ（Read Only Memory）およびＲＡＭ（Random Access Memory）を含むメモリ１２２と、直接アクセスメモリ装置、たとえば、ハードディスク１２４を含む。
【００２４】
ハードディスク１２４は、電波源を含む電子機器等（たとえば、回路素子を実装するプリント基板（回路基板））の解析対象物や解析対象物を構成する媒質の誘電率等の物理的性質を表現するパラメータ等が格納された回路・基板ＣＡＤデータ２００と、電磁界解析を実行するプログラム２０２と、電磁界寄与度を算出するプログラム２０３と、電磁界解析するための条件が格納された解析条件２０４と、解析対象物の解析モデルを格納するための解析モデル２０５と、解析結果を格納するための解析結果２０６と、電磁界寄与度を格納するための電磁界寄与度２０７とを含む。
【００２５】
ここで、たとえば、回路・基板ＣＡＤデータ２００および解析条件２０４については、通信インターフェイス１２８を介して、外部のデータベースから供給されてもよい。また、電磁界解析を実行するプログラム２０２および電磁界寄与度を算出するプログラム２０３は、ＦＤ１１６、またはＣＤ−ＲＯＭ１１８等の記憶媒体によって供給されてもよいし、他のコンピュータにより通信回線を経由して供給されてもよい。また、電磁界解析については、通信インターフェイス１２８を介して、外部のコンピュータに実行させ、その結果をハードディスク１２４に格納させてもよい。
【００２６】
演算処理装置として機能するＣＰＵ１２０は、メモリ１２２をワーキングメモリとして、上述した各プログラムに対応した処理を実行する。
【００２７】
なお、ＣＤ−ＲＯＭ１１８は、コンピュータ本体に対してインストールされるプログラム等の情報を記録可能な媒体であれば、他の媒体、たとえば、ＤＶＤ−ＲＯＭ（Digital Versatile Disc）やメモリーカードなどでもよく、その場合は、コンピュータ本体１０２には、これらの媒体を読み取ることが可能なドライブ装置が設けられる。また、バス１０５には、カセット形式の磁気テープを着脱自在に装着してアクセスする磁気テープ装置が接続されていてもよい。
【００２８】
本発明に係るシミュレーションプログラムは、上述の通り、ＣＰＵ１２０により実行されるソフトウェアである。一般的に、こうしたソフトウェアは、ＣＤ−ＲＯＭ１１８、ＦＤ１１６等の記憶媒体に格納されて流通し、ＣＤ−ＲＯＭドライブ１０８またはＦＤドライブ１０６等により記憶媒体から読み取られてハードディスク１２４に一旦格納される。または、コンピュータ１００がネットワークに接続されている場合には、ネットワーク上のサーバから一旦ハードディスク１２４にコピーされる。そうしてさらにハードディスク１２４からメモリ１２２中のＲＡＭに読み出されてＣＰＵ１２０により実行される。なお、ネットワーク接続されている場合には、ハードディスク１２４に格納することなくＲＡＭに直接ロードして実行するようにしてもよい。
【００２９】
図１に示したコンピュータのハードウェア自体およびその動作原理は一般的なものである。したがって、本発明の機能を実現するに当り本質的な部分は、ＦＤ１１６、ＣＤ−ＲＯＭ１１８、ハードディスク１２４等の記憶媒体に記憶されたソフトウェアである。
【００３０】
図２は、ＣＰＵ１２０の機能的構成を示すブロック図である。
図２を参照して、ＣＰＵ１２０の機能的構成を説明する。
【００３１】
ＣＰＵ１２０は、電磁界解析を実行するプログラム２０２に従い電磁界解析を行なう電磁界解析部２１０と、電磁界寄与度を算出するプログラム２０３に従い電磁界解析部２１０の解析結果から電磁界寄与度を算出する電磁界寄与度算出部２２０と、電磁界解析部２１０および電磁界寄与度算出部２２０の制御を行なう解析制御部２４０とから構成される。
【００３２】
電磁界解析部２１０は、解析対象の解析モデルを作成するモデル作成部２１２と、ＦＤＴＤ（Finite Difference Time Domain）法を実行するＦＤＴＤ実行部２１４とを含む。
【００３３】
モデル作成部２１２は、回路・基板ＣＡＤデータ２００から、解析対象物（たとえば、回路基板）の形状情報と電磁界解析に必要な、誘電率、透磁率、導電率の物性値を抽出し、解析条件２０４で与えられる条件（セルサイズ、必要とする精度、解析時間、メモリ、記憶容量など）に従って、解析対象物を囲む閉曲面の内部（以下、「解析空間」と呼ぶ）における解析モデルを作成する。そして、作成した解析モデルをハードディスク１２４内の解析モデル２０５に書き込む。ＦＤＴＤ法によって電磁界解析をする場合は、解析空間を、解析条件で与えられたセルサイズで分割し、各セルに対し満たされる物質に応じて物性値を与えた解析モデルを作成する。
【００３４】
ここで、「解析空間」とは、たとえば、ＦＤＴＤ法等によって電磁界解析を行なう場合、予め与えられた所定の精度で解析を行なえる空間のうち、解析対象物を含む最小の空間のことをいう。所定の精度は、解析対象物や、必要とする精度などによって異なり、また、解析を行なえる空間は、解析時間、メモリの容量、記憶領域の容量によって異なる。
【００３５】
なお、本実施の形態では、解析空間を直方体とする。つまり、解析対象物を囲む閉曲面は直方体の表面となる。
【００３６】
ＦＤＴＤ実行部２１４は、解析モデル２０５を読み込み、解析条件２０４（ＦＤＴＤのタイムステップ等）に従って、閉曲面上の電磁界分布について、ＦＤＴＤ法により解析する（ＦＤＴＤ法については後述する）。そして、解析した結果を解析結果２０６に書き込む。なお、本実施の形態では、ＦＤＴＤ法による電磁界解析によって求められた閉曲面上の各点における電磁界の時間波形から、電磁界分布（対象周波数の振幅および位相）をフーリエ変換等の処理により求める。
【００３７】
電磁界寄与度算出部２２０は、閉曲面の一部を複数の領域に分割する。そして、解析対象物に対して閉曲面の外側にある特定点における、各分割領域の電磁界分布から与えられる影響（電磁界寄与度）を算出し、電磁界寄与度２０７に格納する。
【００３８】
ここで、「電磁界寄与度」とは、特定点における、閉曲面上の電磁界分布から与えられる電界の値と分割領域の電磁界分布から与えられる電界の値との割合のことをいう。
【００３９】
なお、上記説明では、ＦＤＴＤ法等の解析方法によって閉曲面上の電磁界分布を求めているが、電磁界プローブ等の磁界測定装置を用いて解析対象物を囲む閉曲面上の各点における電界および磁界の振幅と位相を観測し、観測した結果を解析結果２０６に格納してもよい。この場合、「解析空間」は、磁界測定装置で測定可能な空間である。
【００４０】
次に、ＦＤＴＤ法について簡単に説明する。
ＦＤＴＤ法は、マクスウェルの電磁界方程式を差分化することによって数値計算する方法である。まず、解析領域を格子で分割し、格子の各辺の中心に電界、各面の中心に磁界を配置する、いわゆるＹｅｅ格子という構造を取る。そして、マクスウェルの方程式を差分化すると、電界・磁界は、空間的に半セル、時間的に半タイムステップずらした位置に配置される。ここで、求めたい未知電界、未知磁界と隣接する１タイムステップ前の既知電界、既知磁界の間に働く関係式を電磁気学に基づくマクスウェル方程式から導くと次の式（１）および式（２）のようになる。
【００４１】
【数１】
2008209123.tif 000003
【００４２】
なお、式中で太字は、当該変数がベクトルであることを示す。
式（１）はｎタイムステップの電界Ｅ（ベクトル）、式（２）は（ｎ＋１／２）タイムステップの磁界Ｈ（ベクトル）についての関係式である。ただし、Δtem，μ，ε，σは、それぞれ、タイムステップ、透磁率、誘電率、導電率とする。
【００４３】
これらをもとに未知電界、未知磁界をあるタイムステップΔtemを単位に更新していくことで、解析領域全体の電磁界挙動を時間領域で求めることができる。
【００４４】
なお、ＦＤＴＤ法におけるタイムステップΔｔemは、セルのサイズに対し、次の式（３）に示すＣｏｕｒａｎｔ安定条件を満たす必要がある。
【００４５】
【数２】
2008209123.tif 000004
【００４６】
ただし、ｃは光速、Δｘ，Δｙ，Δｚはセルの各辺の長さを示す。
タイムステップΔｔemが式（３）を満たさない場合は、算出された値が発散されてしまうことが一般に知られている。
【００４７】
このように、ＦＤＴＤ法では解析領域内の未知電界、未知磁界を陽解法により逐次的に計算することで時間領域電磁界応答について解析できる。
【００４８】
（２．  本発明に係るシミュレーションプログラム）
（２．１  解析処理の概要）
本発明は、解析対象物から放射される電磁波が特定点に与える影響を解析する。ここでは、特定点を含む空間について電磁界解析を実行するのではなく、解析対象物の近傍について電磁界解析（または測定）を行ない、これにより求めた電磁界分布を等価定理に適用して、特定点での電界を求める。このように電磁界解析を実行することで、解析にかかる時間やハードウェア資源等を少なくすることができる。
【００４９】
さらに、解析対象物の近傍を複数の領域に分割し、分割領域での電磁界分布を等価定理に適用して特定点の電界を求める。これにより、特定点に対する、解析対象物近傍の電磁界分布による電界の値と分割領域の電磁界分布による電界の値との割合（電磁界寄与度）を求める。以上のようにして求めた電磁界寄与度に基づいて、ＥＭＣ問題の原因となる電波源を効率的に判定することができる。
【００５０】
以下に、解析処理の手順について簡単に述べる。
具体的には、まず、解析対象物を囲む閉曲面上の電磁界分布を求める。
【００５１】
そして、閉曲面上の電磁界分布を等価定理に適用して、解析対象物から所定の距離（たとえば、電磁妨害波規格で定められた距離）にある面（以下、観測面と呼ぶ）における電界分布を求める。
【００５２】
観測面における電界分布により、所定の値（たとえば、電磁妨害波規格で定められた規制値）より大きな値をとる点については放射ノイズのレベルを下げる必要があることが分かる。
【００５３】
そこで、そのような点を特定点とし、閉曲面上のどの領域から電磁波の影響を強く受けているかについて解析する。
【００５４】
なお、本実施の形態では、閉曲面のうち観測面と最も近い面（以下、解析面と呼ぶ）における電磁界分布が特定点に電磁波の影響を強く与えていると考える。そして、解析面を複数の領域に分割し、分割領域ごとに、分割領域の電磁界分布を等価定理に適用して、特定点の電界を求める。
【００５５】
これにより、各分割領域について、特定点における、閉曲面上の電磁界分布から求めた電界の値と分割領域の電磁界分布から求めた電界の値との割合を示す電磁界寄与度を算出する。算出した電磁界寄与度の値により、どの領域からの電磁波が特定点に強く影響を与えているかが分かる。
【００５６】
なお、解析対象物と解析面は、十分に近い距離にあるため、解析面における電磁界分布は、解析対象物上の電磁界分布と等しいと考えることができる。したがって、特定点に強く影響を与える分割領域に対応する、解析対象物の領域が放射ノイズのレベルを下げるべく対策が必要な箇所として容易に特定できる。
【００５７】
ここで、等価定理について説明する。
閉曲面における点座標を（ｘｎ，ｙｎ，ｚｎ）とし、各点ｒｎ＝（ｘｎ，ｙｎ，ｚｎ）の電界（ベクトル）をＥｎ（ｒｎ）、磁界（ベクトル）をＨｎ（ｒｎ）とする。
【００５８】
同様に、観測面における点座標を（ｘｆ，ｙｆ，ｚｆ）とし、各点ｒｆ＝（ｘｆ，ｙｆ，ｚｆ）の電界（ベクトル）をＥｆ（ｒｎ）とする。
【００５９】
観測面上の、ある点における電界は、閉曲面の電界および磁界を用いて、次の式（４）で表わすことができる。ただし、Ｓは閉曲面の面積であり、φは式（５）で示される関数である。
【００６０】
【数３】
2008209123.tif 000005
【００６１】
このように、閉曲面の電磁界分布による特定点の電界は、閉曲面上の各点が与える電界を面積分することで求められる。以上が等価定理の概要である。
【００６２】
また、解析面を分割した分割領域における電磁界分布が特定点に与える電界（ベクトル）Ｅｆ’は、次の式（６）で表わされる。なお、Ｓ’は解析面の分割領域の面積である。
【００６３】
【数４】
2008209123.tif 000006
【００６４】
電磁界寄与度は、電界Ｅｆの値に対する電界Ｅｆ’の値の割合である。
（２．２  コンピュータ１００への実装）
図３は、本実施の形態に係る解析処理を示したフローチャートである。
【００６５】
図３を参照して、本発明に係る解析処理について説明する。なお、以下の解析処理は、ＣＰＵ１２０がハードディスク電磁界寄与度を算出するプログラム２０３に従って動作することにより実現される。また、以下の手順は、電磁界寄与度を算出する一例にすぎず、たとえば、ステップを入れ替えるなどしてもよい。
【００６６】
まず、ステップＳ１００において、ＣＰＵ１２０は、回路・基板ＣＡＤデータ２００および解析条件２０４を読み込む。
【００６７】
次いで、ステップＳ１０２において、ＣＰＵ１２０は、読み込んだ回路・基板ＣＡＤデータおよび解析条件から解析モデルを作成し、ハードディスク１２４の解析モデル２０５に格納する。
【００６８】
そして、ステップＳ１０４において、ＣＰＵ１２０は、解析モデル２０５を読み込み、ＦＤＴＤ法などによって閉曲面上の各点における電磁界（振幅および位相）分布を求め、解析結果２０６に格納する。上述したように、ここでは、ＦＤＴＤ法による電磁界解析によって求められた閉曲面上の各点における電磁界の時間波形から、対象周波数の振幅および位相をフーリエ変換等の処理により求める。
【００６９】
なお、実際に電磁界の解析対象物が存在する場合、ステップＳ１０４に代わって、解析対象物を囲む閉曲面上の各点について、電磁界測定値等によって電磁界分布を測定し、解析結果２０６に格納してもよい。
【００７０】
続いて、ステップＳ１０６において、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ１０４で求めた閉曲面上の電磁界分布から、上記式（４）に従って、観測面における電界分布を求める。
【００７１】
次いで、ステップＳ１０８において、ＣＰＵ１２０は、観測面の電磁界分布から、解析条件２０４に従って、特定点を決定する。解析条件２０４には、特定点を決定する際の条件が含まれる。特定点としては、たとえば、電界値がＶＣＣＩ等の規格で定められた値を超える点や電界値が最大または極大となる点とする。
【００７２】
そして、ステップＳ１１０において、ＣＰＵ１２０は、解析面を決定する。たとえば、解析面は閉曲面を構成する６つの面のうち、観測面に最も近い面を解析面とする。そして、解析面を、電磁界寄与度を判定する領域に分割する。たとえば、解析面を予め解析条件で定められた所定の数に均等に分割する。
【００７３】
続いて、ステップＳ１１２において、ＣＰＵ１２０は、上記式（６）に従って、各分割領域の電磁界分布から特定点の電界を求める。
【００７４】
最後に、ステップＳ１１４において、ＣＰＵ１２０は、特定点における、ステップＳ１０６で求めた電界に対するステップＳ１１２で求めた電界の割合である電磁界寄与度を求め、ハードディスク１２４に格納する。
【００７５】
以上のようにして、解析処理を行なう。なお、特定点が予め定められている場合は、観測面の電界分布を求め、その電界分布に基づき特定点を決定するステップは省略することができる。
【００７６】
（３．  解析例）
具体例を挙げて、本発明に係る解析手順について説明する。ただし、以下で記載されている構成、寸法、形状、その他の相対配置などは、特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００７７】
図４は、解析対象物および電波源の構成例を示す図である。
図４を参照して、解析対象物および電波源の構成について説明する。なお、以下の説明では、座標系は全て３次元直交座標系を用いる。
【００７８】
解析対象物１０は、ｙ＝３［ｍｍ］に位置するｘｚ面に平行な平面である。その大きさは、ｘ×ｚ＝１００［ｍｍ］×１００［ｍｍ］とする。解析対象物１０は、たとえば、回路基板である。
【００７９】
解析対象物１０は、アンテナ長１［ｍｍ］の微小ダイポールである電波源１２，１４，１６を含む。
【００８０】
解析対象物の中心点を原点とした場合、電波源１２は、（ｘ、ｚ）＝（−５，０）［ｍｍ］に配置され、振幅は１．０Ａである。電波源１４は、（ｘ、ｚ）＝（５，０）［ｍｍ］に配置され、振幅は−１．０Ａである。電波源１６は、（ｘ、ｚ）＝（３０，３０）［ｍｍ］に配置され、振幅は０．５Ａである。各電波源は、全て一定周波数の正弦波とし、電流の向きは全てｚ方向とする。
【００８１】
図５は、解析対象物に対する解析空間および観測面を示した図である。
図５を参照して、解析対象物に対する解析空間、観測面について説明する。
【００８２】
解析空間２０は、解析対象物１０の中心点を原点とする直方体である。その大きさは、ｘ×ｙ×ｚ＝１２０［ｍｍ］×２０［ｍｍ］×１２０［ｍｍ］とする。
【００８３】
電磁波評価の対象とする観測面３０は、ｙ＝３［ｍ］に位置するｘｚ面に平行な平面である。その大きさは、ｘ×ｚ＝３．０［ｍ］×３．０［ｍ］とする。観測面３０における電界分布により特定点が決定される。
【００８４】
解析面２２は、解析領域２０である直方体の６面のうち、観測面３０に最も近い面である。解析面２２は、電磁界寄与度の判定のために、たとえば、図５に示すように均等に９分割される。そして、たとえば、分割領域２４の電磁界分布から観測面３０上の特定点の電界を求める。
【００８５】
図６は、解析面２２における電界分布を示した図である。
図６を参照して、解析面２２における電界分布について説明する。
【００８６】
たとえば、解析空間２０の表面（閉曲面）における電界分布を、微小ダイポール（各電波源）による放射界を示す式（たとえば、次の式（７））により計算すると、図６の等高線で示すような分布を求めることができる。
【００８７】
【数５】
2008209123.tif 000007
【００８８】
符号２６，２７，２８に示すように、それぞれ波源１２，１４，１６を解析面２２に投影した位置とほぼ同位置で電界が極大となっていることが確認できる。
【００８９】
図７は、観測面３０における電界分布を示した図である。
図７を参照して、観測面３０における電界分布について説明する。
【００９０】
たとえば、観測面３０の電界分布を微小ダイポール（各電波源）による放射界を示す式により計算すると、図７の等高線で示すような分布を求めることができる。
【００９１】
観測面３０では、符号３４に示すように、ｙ軸上、つまり面の中心で電界が極大（８９．９ｄＢｕＶ／ｍ）となっている。図６の解析面２２では電界の極大点が３点（符号２６，２７，２８）あるのに対し、観測面３０では電界の極大点が１点しかないことが分かる。
【００９２】
これは、図４に示したように、電波源１２と電波源１４とが互いに同形状で、かつ、逆位相であるために、観測面においては、両者による電磁界が互いに打ち消しあう。これにより、電波源１６による電磁界に対して十分に小さい値となり、ほぼ電波源１６による電磁界のみが現れていると考えられる。
【００９３】
このことを確認するため、解析対象物１０に電波源１６のみを配置し、その他の条件は同様とした場合における、解析面および観測面について説明する。
【００９４】
図８は、電波源１６のみを配置した場合の解析面２２における電界分布を示した図である。
【００９５】
電波源１６のみを配置した場合に理論式で解析面２２の電界分布を計算すると、図８に示すような分布となる。図６の解析面２２では極大点が３つあるのに対し、図８の解析面２２では、符号２８に示す極大点１つだけである。
【００９６】
図９は、電波源１６のみを配置した場合の観測面３０における電界分布を示した図である。
【００９７】
電波源１６のみを配置した場合に理論式で観測面２０の電界分布を計算すると、図９に示すような分布となる。図９の観測面３０は、図７の観測面３０で示したのと同様に、面の中心で電界が極大（８９．９ｄＢｕＶ／ｍ）となる。つまり、図７と図９とで示される観測面３０の電界分布は類似した結果となっていることが分かる。
【００９８】
これらの結果から、図４で示す電波源については、解析面２２では電波源１２，１４，１６の影響が大きく出ているが、観測面３０では電波源１６による影響が大きいことが確認できる。
【００９９】
図１０は、等価定理により求めた観測面３０の電界分布を示した図である。
観測面３０の電界分布を、閉曲面上の電磁界分布を用い、式（４）に従って等価定理により求めると、図１０の等高線で示すような分布となる。図１０において、符号３５で示す点が電界の極大点（９０．０ｄＢｕＶ／ｍ）となる。このように、微小ダイポール（各電波源）による放射界を示す式で求めた図７の電界分布と、等価定理で求めた図１０の電界分布は類似した結果であることがわかる。また、絶対値に関しては、最大値となる点で、誤差０．１ｄＢ程度の精度が得られていることが確認できる。
【０１００】
図１１は、解析面２２を電磁界寄与度の判定のために分割した図である。
図１１を参照して、解析面２２の分割について説明する。
【０１０１】
解析面２２は、たとえば、図１１で示すように９分割される。解析面２２において、ｘ方向の範囲がｘｍｉｎからｘｍａｘで、ｘｍｉｎ＝（−１）×ｘｍａｘである。ｚ方向の範囲がｚｍｉｎからｚｍａｘで、ｚｍｉｎ＝（−１）×ｚｍａｘである。
【０１０２】
ここで、領域４０１は（ｘｍｉｎ≦ｘ＜ｘｍｉｎ／３，ｚｍｉｎ≦ｚ＜ｚｍｉｎ／３）の範囲、領域４０２は（ｘｍｉｎ／３≦ｘ＜ｘｍａｘ／３，ｚｍｉｎ≦ｚ＜ｚｍｉｎ／３）の範囲、領域４０３は（ｘｍａｘ／３≦ｘ＜ｘｍａｘ，ｚｍｉｎ≦ｚ＜ｚｍｉｎ／３）の範囲、領域４０４は（ｘｍｉｎ≦ｘ＜ｘｍｉｎ／３，ｚｍｉｎ／３≦ｚ＜ｚｍａｘ／３）の範囲、領域４０５は（ｘｍｉｎ／３≦ｘ＜ｘｍａｘ／３，ｚｍｉｎ／３≦ｚ＜ｚｍａｘ／３）の範囲、領域４０６は（ｘｍａｘ／３≦ｘ＜ｘｍａｘ，ｚｍｉｎ／３≦ｚ＜ｚｍａｘ／３）の範囲、領域４０７は（ｘｍｉｎ≦ｘ＜ｘｍｉｎ／３，ｚｍａｘ／３≦ｚ＜ｚｍａｘ）の範囲、領域４０８は（ｘｍｉｎ／３≦ｘ＜ｘｍａｘ／３，ｚｍａｘ／３≦ｚ＜ｚｍａｘ）の範囲、領域４０９は（ｘｍａｘ／３≦ｘ＜ｘｍａｘ，ｚｍａｘ／３≦ｚ＜ｚｍａｘ）の範囲である。
【０１０３】
領域４０１〜４０９の電磁界分布は、解析面２２の電磁界分布より分かる。そして、領域４０１〜４０９のそれぞれについて、式（６）に従って等価定理により特定点での電界値を求める。これにより、電磁界寄与度を求めることができる。
【０１０４】
図１２は、電磁界寄与度を表わした表５００を示す図である。
図１２に示すように、表５００では、領域名と電磁界寄与度とが対応付けて示されている。ここで、領域４０９は、電磁界寄与度が４２．６％で最大となっている。領域４０５の電磁界寄与度は２番目に小さく、領域４０９の２０分の１以下であることが分かる。
【０１０５】
領域４０９は、解析対象物１０への投影範囲内に電波源１６を含む。領域４０５は、解析対象物１０への投影範囲内に電波源１２および１４を含む。このことから、特定点への電磁界寄与度が最も大きい電波源は電波源１６であり、電波源１２および１４による電磁界寄与度は電波源１６による電磁界寄与度に対して十分に小さいことが判定できる。
【０１０６】
したがって、特定点の電界を低減する必要がある場合には、電磁界寄与度の低い領域はノイズ対策の優先度を低くする、もしくはノイズ対策の対象から除外する一方で、電磁界寄与度が高い領域へのノイズ対策を優先することができる。これにより、無駄な対策工数を削減することができる。
【０１０７】
なお、解析面を分割する際、分割数を多くすれば各分割領域が小さくなるため、特定点に影響を与える波源の位置を特定しやすくなる。しかし、２つの近接する電波源により電磁界寄与度が低減するような領域は狭くなり、対策の対象から排除できる領域も狭くなるため、対策工数の手間が増えることになる。このため、分割数は、解析対象物や必要とする精度に応じて設定される。
【０１０８】
また、図４で示したように電波源が解析対象物上に配置されていた場合、図１１のように、解析面を均等に分割すれば、一つの分割領域に２つの電波源が含まれる。このため、両者による電界は互いに打ち消しあい、この分割領域の電磁界寄与度は小さくなる。
【０１０９】
しかしながら、領域の分割方法によっては、２つの電波源が近傍にあったとしても、一つの分割領域に２つの電波源が含まれないことがある。このような場合、２つの近傍電波源による電界の打ち消しあいは考慮されないため、各分割領域について電磁界寄与度が正確に求められない。
【０１１０】
そこで、解析面２２の分割方法を変えて、各分割領域について電磁界寄与度を求める。このように分割方法を変え、それぞれの分割方法において電磁界寄与度を求めることにより本願発明の効果を得ることができる。なお、分割方法を変えても、一つの分割領域に含まれないような場合は、２つの電波源は近接していないとして扱う。
【０１１１】
図１３は、解析面２２に投影された電波源の配置例を示した図である。
図１３を参照して、電波源の配置例について説明する。
【０１１２】
図１３に示すように、解析面２２には、解析対象物１０の電波源を投影した電波源候補点１１，１３，１５が存在する。電波源候補点１１は（ｘ，ｚ）＝（−２５，０）、電波源点１３は（ｘ，ｚ）＝（−１５，０）、電波源候補点１５は（ｘ，ｚ）＝（３０，３０）に配置されている。
【０１１３】
このような場合、図１１で示すように解析面２２を均等に分割すると、電波源候補点１１は領域４０４に含まれ、電波源候補点１３は領域４０５に含まれる。つまり、２つの近接する電波源候補点１１，１３は、一つの分割領域に含まれない。
【０１１４】
図１４は、解析面２２を電磁界寄与度の判定のために分割した、図１１とは異なる図である。
【０１１５】
図１４に示すように、解析面２２はｘ＝ｘｍａｘ×（２／３），ｘ＝０，ｘ＝ｘｍｉｎ×（２／３），ｚ＝ｚｍａｘ×（２／３），ｚ＝０，ｚ＝ｚｍｉｎ×（２／３）で分割され、１６個の領域に分ける。つまり、解析面２２は、図１１に示す分割領域の一辺の長さの半分だけずらして分割される。
【０１１６】
たとえば、領域４１０は（ｘｍｉｎ×（２／３）≦ｘ＜０，ｚｍｉｎ×（２／３）≦ｚ＜０）の範囲、領域４１１は（０≦ｘ＜ｘｍａｘ×（２／３），ｚｍｉｎ×（２／３）≦ｚ＜０）の範囲、領域４１２は（ｘｍｉｎ×（２／３）≦ｘ＜０，０≦ｚ＜ｚｍａｘ×（２／３））の範囲、領域４１３は（０≦ｘ＜ｘｍａｘ×（２／３），０≦ｚ＜ｚｍａｘ×（２／３））の範囲となる。
【０１１７】
これらの分割領域に対して、電磁界寄与度を算出する。なお、図１３のようにして解析面２２を均等に分割した場合と、図１４のようにして解析面２２を分割した場合とでは、各分割領域の面積は異なる。このため、電磁界寄与度を判定する場合は、面積（たとえば、計算グリッド数）で正規化する。
【０１１８】
図１５は、図１３および１４で示す分割方法により解析面２２を分割した図である。
図１５を参照して、解析面２２の分割領域における電磁界寄与度の判定について説明する。
【０１１９】
図１３および１４で示す方法により解析面２２を分割すると、図１５で示すように、解析面２２を３６分割することとなる。
【０１２０】
たとえば、領域４２０は（ｘｍｉｎ／３≦ｘ＜０，ｚｍｉｎ／３≦ｚ＜０）の範囲、領域４２１は（０≦ｘ＜ｘｍａｘ／３，ｚｍｉｎ／３≦ｚ＜０）の範囲、領域４２２は（ｘｍｉｎ／３≦ｘ＜０，０≦ｚ＜ｚｍａｘ／３）の範囲、領域４２３は（０≦ｘ＜ｘｍａｘ×／３，０≦ｚ＜ｚｍａｘ／３）の範囲となる。
【０１２１】
図１３で示す方法により分割した領域における電磁界寄与度と、図１４で示す方法により分割した領域における電磁界寄与度とから、それぞれの領域が重なっている領域で、小さい方の値を示す電磁界寄与度を、その領域における電磁界寄与度とする。
【０１２２】
たとえば、領域４２０は、領域４１０と領域４０５とが重なっている領域である。そこで、領域４１０と領域４０５における電磁界寄与度を比較し、小さい方の値を領域４２０の電磁界寄与度とする。
【０１２３】
そして、図３のステップＳ１１０〜１１４を、異なる分割方法で分割された領域について繰り返し行ない、電磁界寄与度を算出することで、より正確に解析処理を実行できる。
【０１２４】
上述したように、本実施の形態に係るシミュレーションプログラムは、解析対象物から放射される電磁波が遠方電磁界に与える影響を解析し、解析対象物のどの領域から放射される電磁波が、遠方電磁界に強く影響を与えているかを特定する。これにより、解析対象物において、電波源の位置などが正確にわかっていない場合であっても、遠方電磁界に強く影響を与える領域がわかるため、ノイズ対策に費やす手間を削減することができる。
【０１２５】
［実施の形態２］
本実施の形態に係るシミュレーションプログラムは、解析対象物の電波源の位置および特定点の位置が予め与えられている場合に、各電波源について特定点への影響を解析する。これにより、ノイズ対策が必要な電波源を効率的に特定することができる。
【０１２６】
図１６は、本実施の形態に係る解析処理を示したフローチャートである。
図１６を参照して、コンピュータ１００において実行されるシミュレーションプログラムの手順について説明する。なお、以下で説明する手順は、各電波源について特定点への影響を解析する処理の一具体例にすぎず、たとえば、ステップの順番を入れ替えるなどしてもよい。
【０１２７】
まず、ステップＳ２００において、ＣＰＵ１２０は、回路・基板ＣＡＤデータ２００および解析条件２０４を読み込み、メモリ１２２上に展開する。ここでは、解析対象物の情報、電波源や特定点の位置等が読み込まれる。
【０１２８】
次いで、ステップＳ２０２において、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ２００で読み込んだデータをもとに、解析モデルを作成し、ハードディスク１２４の解析モデル２０５に書き込む。
【０１２９】
そして、ステップＳ２０４において、ＣＰＵ１２０は、解析モデル２０５を読み込み、ＦＤＴＤ法によって閉曲面上の各点における電磁界（振幅および位相）分布を求め、解析結果２０６に格納する。ここでは、図３のステップＳ１０４と同様にして電磁界解析を行なう。
【０１３０】
なお、実際に電磁界の解析対象物が存在する場合、ステップＳ２０４に代わって、解析対象物を囲む閉曲面上の各点について、電磁界測定値等によって電磁界分布を測定し、解析結果２０６に格納してもよい。
【０１３１】
さらに、ステップＳ２０５において、ＣＰＵ１２０は、閉曲面上の電磁界分布から、上記式（４）に従って、特定点の電界を求め、解析結果２０６に格納する。
【０１３２】
続いて、ステップＳ２０６において、ＣＰＵ１２０は、解析面を決定する。たとえば、解析面は閉曲面を構成する６つの面のうち、特定点に最も近い面を選択する。
【０１３３】
次いで、ステップＳ２０８において、ＣＰＵ１２０は、電波源数についての変数ｎを１にセットする。
【０１３４】
そして、ステップＳ２１０において、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ２０６で決定した解析面について、電波源ｎと位置が対応するように解析面上に投影された電波源候補点ｎを中心とするように領域を分割する。たとえば、電波源候補点ｎを原点として、解析面を予め決められた数の領域にメッシュ分割する。
【０１３５】
続いて、ステップＳ２１２において、ＣＰＵ１２０は、特定点への電磁界寄与度を算出するための判定領域について初期化する。なお、初期判定領域は、電波源候補点ｎとする。
【０１３６】
次いで、ステップＳ２１４において、ＣＰＵ１２０は、判定領域の電界（分布）を波源とする、特定点における電界を式（６）に従って計算する。そして、ステップＳ２０４で求めた閉曲面上の電磁界分布を波源とする電界値と判定領域の電磁界分布を波源とする電界値とから電磁界寄与度を算出する。
【０１３７】
そして、ステップＳ２１６において、ＣＰＵ１２０は、現在の判定領域が解析面の全ての領域を含むかどうかを判定する。
【０１３８】
含まないと判断すれば（ステップＳ２１６において、ＮＯ）、ステップＳ２１７において、ＣＰＵ１２０は、判定領域を広げ、ステップＳ２１４の処理に戻る。たとえば、解析面がメッシュ分割されている場合は、電波源候補点ｎを中心とした領域を１グリッド分広げる。
【０１３９】
一方、含むと判断すれば（ステップＳ２１６において、ＹＥＳ）、ステップＳ２１８において、各判定領域で求めた電磁界寄与度のうち、最も小さいものを、電波源ｎの電磁界寄与度とする。
【０１４０】
続いて、ステップＳ２２０において、ＣＰＵ１２０は、変数ｎが電波源数と等しいかどうかを判定する。
【０１４１】
変数ｎが電波源数と等しくなければ（ステップＳ２２０において、ＮＯ）、ステップＳ２２２において、ＣＰＵ１２０は、変数ｎに１を加えて更新し、ステップＳ２１０の処理に戻る。
【０１４２】
一方、変数ｎが電波源数と等しければ（ステップＳ２２０において、ＹＥＳ）、解析処理を終了する。
【０１４３】
以上のような処理により、特定点に対する各電波源の電磁界寄与度を算出する。これにより、その大きさから対策の対象とするかどうかについて判定することができる。
【０１４４】
以下に、具体例を挙げて上記処理についてさらに説明する。
図１７は、解析面をメッシュ分割した図である。
【０１４５】
図１７を参照して、解析面２２の分割について説明する。
解析面２２は、電波源との位置関係が対応するように投影された電波源候補点４２，４４，４６を含む。たとえば、電波源４４を原点としてメッシュ分割すると、たとえば、図１７に示すように解析面２２は分割される。
【０１４６】
図１８は、解析面の判定領域を説明するための図である。
図１８を参照して、判定領域を広げる処理手順について説明する。なお、以下の説明では、電波源候補点４４について電磁界寄与度を求める処理について示す。
【０１４７】
図１８（ａ）に示すように、初期判定領域は、電波源候補点４４である。電波源候補点４４の電界を波源として特定点の電界を求める。これにより、初期判定領域の電磁界寄与度を算出する。
【０１４８】
次いで、図１８（ｂ）に示すように、判定領域を、図１８（ａ）の初期判定領域から１グリット分広げた領域５０とする。そして、領域５０の電磁界分布を波源として特定点の電界を求める。これにより、領域５０の電磁界寄与度を算出する。
【０１４９】
続いて、図１８（ｃ）に示すように、判定領域を、領域５０から１グリット分広げた領域５２とする。そして、領域５２の電磁界分布を波源として特定点の電界を求める。
【０１５０】
さらに、図１８（ｄ）に示すように、判定領域を、領域５２から１グリット分広げた領域５４とする。同様にして、電磁界寄与度を求める。このような処理を、判定領域が解析面の全領域を含むまで繰り返す。
【０１５１】
ここで、図１８（ｃ）に示すように、領域５２は、電波源候補点４２および４４を含む。これらに対応する電波源が互いに同形状で、かつ、逆位相であれば、電波源候補点４２および４４による電磁界は互いに打ち消しあうため、特定点における領域５２の電磁界による影響は非常に小さくなると考えられる。そこで、特定点に対する、電波源候補点４４による電磁界寄与度を各判定領域の電磁界寄与度のうちの最も小さいものとする。これにより、電波源候補点４４に対応する電波源、または、電波源候補点４４の近傍に存在する電波源による特定点への影響は小さいと考えることができる。
【０１５２】
以上で説明したように、本実施の形態に係るシミュレーションプログラムは、解析対象物の電波源の位置および特定点の位置が予め与えられている場合に、各電波源について特定点への影響を解析する。これにより、ノイズ対策が必要な電波源を効率的に特定することができる。
【０１５３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【０１５４】
【図１】本発明に係るシミュレーションプログラムを実行するコンピュータ１００の構成をブロック図形式で示す図である。
【図２】ＣＰＵ１２０の機能的構成を示すブロック図である。
【図３】本実施の形態に係る解析処理を示したフローチャートである。
【図４】解析対象物および電波源の構成例を示す図である。
【図５】解析対象物に対する解析空間および観測面を示した図である。
【図６】解析面２２における電界分布を示した図である。
【図７】観測面３０における電界分布を示した図である。
【図８】電波源１６のみを配置した場合の解析面２２における電界分布を示した図である。
【図９】電波源１６のみを配置した場合の観測面３０における電界分布を示した図である。
【図１０】等価定理により求めた観測面３０の電界分布を示した図である。
【図１１】解析面２２を電磁界寄与度の判定のために分割した図である。
【図１２】電磁界寄与度を表わした表５００を示す図である。
【図１３】解析面２２に投影された電波源の配置例を示した図である。
【図１４】解析面２２を電磁界寄与度の判定のために分割した、図１１とは異なる図である。
【図１５】図１３および１４で示す分割方法により解析面２２を分割した図である。
【図１６】本実施の形態に係る解析処理を示したフローチャートである。
【図１７】解析面をメッシュ分割した図である。
【図１８】解析面の判定領域を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１５５】
１０  解析対象物、１２，１４，１６  電波源、２０  解析空間、２２  解析面、２４  分割領域、３０  観測面、１００  コンピュータ、１０２  コンピュータ本体、１０４  モニタ、１０５  バス、１０６  ＦＤドライブ、１０８  光ディスクドライブ、１１０  キーボード、１１２  マウス、１１６  ＦＤ、１１８  ＣＤ−ＲＯＭ、１２０  ＣＰＵ、１２２  メモリ、１２４  ハードディスク、１２８  通信インターフェイス、２００  回路・基板ＣＡＤデータ、２０２  電磁界解析を実行するプログラム、２０３  電磁界寄与度を算出するプログラム、２０４  解析条件、２０５  解析モデル、２０６  解析結果、２０７  電磁界寄与度、２１０  電磁界解析部、２１２  モデル作成部、２１４  ＦＤＴＤ実行部、２２０  電磁界寄与度算出部、２４０  解析制御部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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