(57)【要約】【課題】ポリシリコンＴＦＴやＳｉＯ２ゲート絶縁膜等を高圧下で容易に蒸気処理することができる蒸気処理装置及び蒸気処理方法を提供する。【解決手段】所定の圧力Ｐで被処理物２１を処理するための圧力容器１１と、圧力容器１１内を温度の異なる少なくとも２つの温度領域に制御するための温度制御手段１２とを備えるものであって、圧力容器１１が、所定の温度Ｔ１に設定されて所定の蒸気圧Ｐの下で被処理物２１を処理するための第１領域１３と、第１領域１３よりも低い温度Ｔ２に設定されて前記蒸気圧Ｐと同じ圧力Ｐの下で飽和蒸気を発生させるための第２領域１４とを有するように構成して、上記課題を解決した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の圧力で被処理物を処理するための圧力容器と、当該圧力容器内を温度の異なる少なくとも２つの温度領域に制御するための温度制御手段とを備える蒸気処理装置であって、
前記圧力容器が、所定の温度に設定されて所定の蒸気圧下で前記被処理物を処理するための第１領域と、当該第１領域よりも低い温度に設定されて前記蒸気圧と同じ圧力下で飽和蒸気を発生させるための第２領域とを有することを特徴とする蒸気処理装置。
【請求項２】
前記温度制御手段が、前記第１領域の温度を制御する第１温度制御装置と、前記第２領域の温度を制御する第２温度制御装置とを有することを特徴とする請求項１に記載の蒸気処理装置。
【請求項３】
前記圧力容器が少なくとも２つの圧力容器からなり、当該少なくとも２つの圧力容器が連結管を介して接続され、それぞれの圧力容器のうちの１つが前記第２領域となることを特徴とする請求項１又は２に記載の蒸気処理装置。
【請求項４】
半導体装置の蒸気処理装置であって、前記蒸気が水蒸気であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の蒸気処理装置。
【請求項５】
所定の圧力に保持された少なくとも２つの温度領域を有する圧力容器内での被処理物の蒸気処理方法であって、
前記２つの温度領域が、所定の温度と所定の蒸気圧に設定された第１領域と、当該第１領域よりも低い温度に設定されて前記蒸気圧と同じ圧力下で飽和蒸気を発生させるための第２領域とを有し、前記被処理物が前記第１領域内で処理されることを特徴とする蒸気処理方法。
【請求項６】
半導体装置の蒸気処理方法であって、前記蒸気が水蒸気であることを特徴とする請求項５に記載の蒸気処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイに用いられるポリシリコンＴＦＴを構成するポリシリコン膜やＭＯＳＦＥＴを構成するＳｉＯ２ゲート絶縁膜等を所定の圧力下で水蒸気処理等するための蒸気処理装置及び蒸気処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリシリコン薄膜トランジスタ（以下、ポリシリコンＴＦＴという。）は、アクティブマトリクス駆動型の液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等を構成するスイッチング素子又は回路素子として広く使用されている。また、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）は、良好な半導体特性を有する半導体素子であるため、広く電子デバイスを構成する素子として用いられている。
【０００３】
これらのポリシリコンＴＦＴのスイッチング特性やＭＯＳＦＥＴの半導体特性をより向上させるため、ポリシリコンＴＦＴを構成するポリシリコン膜や、ＭＯＳＦＥＴを構成するＳｉＯ２ゲート絶縁膜を高圧の水蒸気雰囲気下で熱処理することが提案されている（例えば特許文献１，２を参照）。一般的な半導体薄膜の熱処理は８００℃〜１０００℃程度であり、アニール処理でも４００℃程度であるのに対し、特許文献１，２で提案された高圧の水蒸気雰囲気下での熱処理は、例えば５気圧〜４０気圧程度の飽和蒸気圧下で、約１５０℃〜２５０℃程度の低い温度で処理することができるという利点があると共に、特性向上の効果もあって近年注目されている。
【０００４】
こうした高圧の水蒸気雰囲気下での熱処理は、図４（Ａ）に示すように、圧力容器１０１内に、水１０２と、ポリシリコン膜又はＳｉＯ２ゲート絶縁膜を有する素子１０３を入れ、その後に圧力容器１０１内の温度を加熱装置１０４により上げると水１０２が水蒸気になって圧力が上がる。圧力容器１０１内の圧力は、水１０２の飽和蒸気圧曲線に基づき圧力容器１０１内の温度を上げれば高くなり、例えば１５０℃では５気圧、２００℃では１３気圧、２５０℃では４０気圧程度となり、温度をさらに上げればさらに高圧にすることもできる。
【特許文献１】特開平８−５５８５８号公報
【特許文献２】特開平１１−９７４３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図４（Ａ）に示す処理装置１００では、飽和蒸気圧を利用して圧力容器１０１内の温度を上げて高圧にしているが、ポリシリコン膜やＳｉＯ２ゲート絶縁膜の熱処理において、２５０℃程度の温度で処理したい場合には、圧力が４０気圧にまで達してしまう。そのため、半導体装置に対する蒸気処理としては比較的低い温度（例えば２５０℃程度）で処理する場合であっても、所定の圧力に耐えうる圧力容器１０１を採用しなければならないという問題がある。
【０００６】
一方、本発明者の検討によれば、ポリシリコン膜やＳｉＯ２ゲート絶縁膜の水蒸気処理は、例えば２５０℃程度の温度で熱処理できれば圧力はそれほど高い必要はなく、したがって、その水蒸気雰囲気は飽和蒸気雰囲気（２５０℃で圧力４０気圧程度）でなくてもよく、１０気圧程度であればよいことがわかっている。そこで、本発明者は、図４（Ｂ）に示すように、例えば２５０℃のときに圧力が飽和蒸気圧（４０気圧程度）より小さい１０気圧程度になる少量の水１０２を圧力容器１０１内に入れ、その圧力容器１０１内の温度を加熱装置１０４により２５０℃に上げて水１０２を全て気化させることにより、２５０℃・１０気圧程度の雰囲気下での水蒸気処理を試みた。しかしながら、この方法では、水の量が直接圧力を規定するため、圧力容器の容積を考慮し、内部に投入する水の量を正確に計量しなければならない等の煩雑さがあった。
【０００７】
また、圧力容器内の圧力をモニターしながら圧力をアクティブ制御することも可能であるが、制御機構が複雑であるという問題もあった。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、ポリシリコン膜やＳｉＯ２ゲート絶縁膜等を高圧下で容易に蒸気処理することができる蒸気処理装置及び蒸気処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための本発明の蒸気処理装置は、所定の圧力で被処理物を処理するための圧力容器と、当該圧力容器内を温度の異なる少なくとも２つの温度領域に制御するための温度制御手段とを備える蒸気処理装置であって、前記圧力容器が、所定の温度に設定されて所定の蒸気圧下で前記被処理物を処理するための第１領域と、当該第１領域よりも低い温度に設定されて前記蒸気圧と同じ圧力下で飽和蒸気を発生させるための第２領域とを有することを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、先ず、第２領域に液化物（例えば水）を投入し、その液化物が蒸発して所定の飽和蒸気圧となる温度にまで第２領域を昇温させる。第１領域は、第２領域と同じ圧力容器内にあるので、前記の飽和蒸気圧と同じ圧力であり、しかも第１領域の温度を第２領域の温度よりも高い温度に設定すれば、第１領域では、第１領域の設定温度における飽和蒸気圧の仮想値よりもかなり低い圧力下で、所望の高い温度条件で蒸気処理できる。
【００１１】
したがって、本発明の蒸気処理装置を構成する第１領域は、所定の温度に設定されて所定の蒸気圧下で前記被処理物を処理するための領域として作用し、第２領域は、第１領域よりも低い温度に設定されて前記蒸気圧と同じ圧力下で飽和蒸気を発生させるための領域として作用するので、従来例である図４（Ａ）に示すような、比較的低い温度（例えば２５０℃程度）で処理する場合でも所定の圧力（例えば４０気圧程度）に耐えうる圧力容器を採用しなければならないという問題を解消できる。また、従来例である図４（Ｂ）に示すような、内部に投入する水の量を正確に計量しなければならない等の煩雑さを解消できると共に、圧力容器内の圧力をモニターしながら圧力をアクティブ制御するという複雑な制御機構も不要となる。
【００１２】
本発明の蒸気処理装置において、前記温度制御手段が、前記第１領域の温度を制御する第１温度制御装置と、前記第２領域の温度を制御する第２温度制御装置とを有することを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、圧力容器内を温度の異なる少なくとも２つの温度領域に制御するための温度制御手段が、第１領域の温度を制御する第１温度制御装置と、第２領域の温度を制御する第２温度制御装置とで少なくとも構成されるので、第２領域はあまり所定の圧力（飽和蒸気圧）とはならないように所定の温度に設定でき、一方、第１領域は第２領域の温度よりも高い処理温度に設定することができる。その結果、ポリシリコン膜やＳｉＯ２ゲート絶縁膜等の特性を向上させることが可能な処理条件の下で蒸気処理することができる。
【００１４】
本発明の蒸気処理装置において、前記圧力容器が少なくとも２つの圧力容器からなり、当該少なくとも２つの圧力容器が連結管を介して接続され、それぞれの圧力容器のうちの１つが前記第２領域となることを特徴とする。
【００１５】
本発明を構成する圧力容器は、少なくとも第１領域と第２領域を有していればその形態は特に限定されず、１つの単一形態からなる圧力容器内に第１領域と第２領域を有するものであってもよいし、上記本発明のように、例えば２つの圧力容器からなり、その２つの圧力容器がそれぞれ第１領域と第２領域を構成し、両者が連結管を介して接続され、結果として同じ圧力雰囲気になる２容器一体型の圧力容器であってもよい。
【００１６】
本発明の蒸気処理装置において、半導体装置の蒸気処理装置であって、前記蒸気が水蒸気であることを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば、ポリシリコン膜やＳｉＯ２ゲート絶縁膜等を高圧下で容易に水蒸気処理することができる蒸気処理装置として、好ましく用いることができる。
【００１８】
上記課題を解決するための本発明の蒸気処理方法は、所定の圧力に保持された少なくとも２つの温度領域を有する圧力容器内での被処理物の蒸気処理方法であって、前記２つの温度領域が、所定の温度と所定の蒸気圧に設定された第１領域と、当該第１領域よりも低い温度に設定されて前記蒸気圧と同じ圧力下で飽和蒸気を発生させるための第２領域とを有し、前記被処理物が前記第１領域内で処理されることを特徴とする。
【００１９】
この発明によれば、先ず、第２領域に液化物（例えば水）を投入し、その液化物が蒸発して所定の飽和蒸気圧となる温度にまで第２領域を昇温させる。第１領域は、第２領域と同じ圧力容器内にあるので、前記の飽和蒸気圧と同じ圧力であり、しかも第１領域の温度を第２領域の温度よりも高い温度に設定することにより、第１領域の圧力を、第１領域の設定温度における飽和蒸気圧の仮想値よりもかなり低い圧力下で所望の高い温度条件で蒸気処理することができる。その結果、ポリシリコン膜やＳｉＯ２ゲート絶縁膜等の特性を向上させることが可能な処理条件の下で蒸気処理することができる。
【００２０】
本発明の蒸気処理方法において、半導体装置の蒸気処理方法であって、前記蒸気が水蒸気であることを特徴とする。
【００２１】
この発明によれば、ポリシリコン膜やＳｉＯ２ゲート絶縁膜等を高圧下で容易に水蒸気処理することができる蒸気処理方法として、好ましく用いることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の蒸気処理装置及び蒸気処理方法によれば、第１領域では、第１領域の設定温度における飽和蒸気圧の仮想値よりもかなり低い圧力下で、所望の高い温度条件で蒸気処理できるので、従来例である図４（Ａ）に示すような、比較的低い温度（例えば２５０℃程度）で処理する場合でも所定の圧力（例えば４０気圧程度）に耐えうる圧力容器を採用しなければならないという問題を解消できると共に、従来例である図４（Ｂ）に示すような、内部に投入する水の量を正確に計量しなければならない等の煩雑さを解消できる。さらに、圧力容器内の圧力をモニターしながら圧力をアクティブ制御するという複雑な制御機構も不要となる。その結果、ポリシリコン膜やＳｉＯ２ゲート絶縁膜等の特性を向上させることが可能な、高圧蒸気雰囲気下で所望の温度で熱処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の蒸気処理装置及び蒸気処理方法について図面を参照しつつ説明する。なお、本発明は、その技術的特徴を有する範囲において、以下の説明及び図面に限定されるものではない。
【００２４】
（蒸気処理装置）
図１は、本発明の蒸気処理装置の一例を示す断面構成図であり、図２は、本発明の蒸気処理装置の他の一例を示す断面構成図である。本発明の蒸気処理装置（１Ａ，１Ｂ）は、所定の圧力Ｐで被処理物２１を処理するための圧力容器１１と、圧力容器１１内を温度の異なる少なくとも２つの温度領域に制御するための温度制御手段１２とを備えるものであって、圧力容器１１が、所定の温度Ｔ１に設定されて所定の蒸気圧Ｐの下で被処理物２１を処理するための第１領域１３と、第１領域１３の温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２に設定されて前記蒸気圧Ｐと同じ圧力Ｐの下で飽和蒸気を発生させるための第２領域１４とを有する。
【００２５】
圧力容器１１は、所定の圧力Ｐで被処理物２１を処理するための容器であり、被処理物２１を処理するための第１領域１３と、飽和蒸気を発生させるための第２領域１４とを有している。圧力容器１１の形態としては種々の形態を挙げることができるが、例えば図１に示すように、２つの圧力容器１１Ａ，１１Ｂからなり、その２つの圧力容器１１Ａ，１１Ｂがそれぞれ第１領域１３と第２領域１４を構成し、両者が連結管１５を介して接続され、結果として同じ圧力雰囲気になる１つの圧力容器１１を構成してなるものや、図２に示すように、１つの単一形態からなる圧力容器１１内に第１領域１３と第２領域１４を有する圧力容器１１を有するものを例示できる。
【００２６】
なお、図１の蒸気処理装置１Ａでは、２つの圧力容器１１Ａ，１１Ｂを連結管１５で繋いだ形態を示しているが、さらに１又は２以上の圧力容器を第２領域１４を有する圧力容器に連結管を介して繋いだ形態であってもよい。
【００２７】
圧力容器１１は、図１及び図２に示すように、本体容器１１１と蓋部材１１２とからなる、従来公知の一般的な圧力チャンバーと同様の円筒形態からなるものを例示できる。本体容器１１１と蓋部材１１２とは、それぞれに設けられたフランジ部１１３，１１４の外周に等間隔で設けられた複数のクランプ部材１１５で強固に封止されている。本発明においては、従来のような４０気圧又はそれを超える圧力に対して安全設計された圧力容器である必要はないが、余裕をみて最大２５気圧程度までの圧力に対して安全設計された圧力容器が好ましく用いられる。
【００２８】
図１に示す圧力容器１１Ａ，１１Ｂの連結管１５は、圧力容器１１Ａ，１１Ｂそれぞれに設けられたフランジ部１１６，１１７と、連結管１５のフランジ部１５１，１５２とを合わせ、そのフランジ部の外周に等間隔で設けられた複数のクランプ部材１５３で強固に封止されている。
【００２９】
図１及び図２に示す圧力容器１１の第２領域１４側の底部には、水等の液化物２２を排出するための弁付き排出口（図示しない）を設けてもよいが、この排出口は必ずしも設けなくてもよい。また、第２領域１４側の側壁等には、必須ではないが、水等の液化物２２を供給するための供給装置（図示しない）を設けてもよい。こうした供給装置を設ければ、圧力容器１１内に被処理物２１を入れて圧力容器１１を密閉した後であっても、圧力容器１１内に所定量の液化物２２（例えば水）を投入することができる。液化物２２（例えば水）は、図１及び図２に示すように、圧力容器１１の底部に貯めておいてもよいし、液化物２２を貯めるための受け皿（図示しない）等を設け、その受け皿の中に液化物２２を貯めておいてもよい。
【００３０】
また、圧力容器１１の第１領域１３と第２領域１４には、各領域での温度を検知するための温度センサー（図示しない）が設けられている。同様に、圧力容器１１の第１領域１３と第２領域１４の両方又は一方には、内部の圧力Ｐを検知するための圧力センサー（図示しない）が設けられている。なお、この段落及び前段落で説明した各部材（弁付き排出口、供給装置、受け皿、温度センサー、圧力センサー）は、高圧下で使用される圧力容器の機能を阻害しない態様で圧力容器に設けられる。
【００３１】
圧力容器１１の周りには、圧力容器内を少なくとも２つの温度領域に制御する温度制御手段１２が設けられている。温度領域とは、図１及び図２においては、第１領域１３と第２領域１４の２つの温度領域を指し、それらの各領域の温度制御手段１２としては、第１領域１３の温度を所望の蒸気処理温度Ｔ１に制御する第１温度制御装置１２Ａと、第２領域１４をあまり所定の圧力（飽和蒸気圧）とはならない所定の温度Ｔ２に制御する第２温度制御装置１２Ｂとが設けられる。この温度制御手段１２によれば、ポリシリコン膜やＳｉＯ２ゲート絶縁膜等の特性を向上させることが可能な処理条件の下で蒸気処理することができる。
【００３２】
各温度制御装置１２Ａ，１２Ｂは特に限定されないが、例えば、発熱体１２１とその発熱体１２１の発熱量を制御するコントローラ（図示しない）とにより構成される。第１温度制御装置１２Ａを構成する発熱体１２１は、第１領域１３の温度Ｔ１を制御可能なように圧力容器１１の外周に配置され、第２温度制御装置１２Ｂを構成する発熱体１２１は、第２領域１４の温度Ｔ２を制御可能なように圧力容器１１の外周に配置されている。
【００３３】
なお、図１に示すように、複数の圧力容器を連結管１５で繋いだ場合には、連結管１５内の温度が各領域の温度以下にならないように、温度制御装置１２Ｃで制御する必要がある。
【００３４】
被処理物２１は、圧力容器１１内の第１領域１３に載置される。被処理物２１の載置態様は特に限定されないが、被処理物２１の形状や処理数量によって専用の載置台２１１（図１，２を参照）等が用いられる。そうした専用の載置台等は、圧力容器１１の底面又は側壁に溶接やネジ止め等によって固定されている。
【００３５】
被処理物２１としては、ポリシリコン膜やＳｉＯ２ゲート絶縁膜等を有する素子等を好ましく挙げることができるが、それ以外のものであっても構わない。図３は、ポリシリコン膜とＳｉＯ２ゲート絶縁膜を有するポリシリコンＴＦＴの一例を示す模式断面図である。ポリシリコン膜やＳｉＯ２ゲート絶縁膜等を蒸気処理する場合には、液化物２２として水が用いられ、その水が水蒸気となって被処理物が水蒸気処理される。
【００３６】
なお、図３に示すポリシリコンＴＦＴ３９は、プラスチック基板３０と、プラスチック基板３０上の全面に必要に応じて形成された酸素プラズマ耐性のある無機層３１と、無機層３１上の少なくともＴＦＴ素子部に形成された下地層３２と、下地層３２上に形成されたポリシリコン膜３３（ソース側拡散層３３ｓ、チャネル層３３ｃ及びドレイン側拡散層３３ｄ）と、そのポリシリコン膜３３上に形成されたＳｉＯ２ゲート絶縁膜３４と、ＳｉＯ２ゲート絶縁膜３４上に、又はＳｉＯ２ゲート絶縁膜３４のコンタクトホールを介して形成された電極３５（ソース電極３５ｓ、ゲート電極３５ｇ及びドレイン電極３５ｄ）とを有している。なお、符号２７は、素子全体を覆う酸化シリコン等からなる保護層３７である。
【００３７】
また、図３に示すポリシリコンＴＦＴ３９は、トップゲート・トップコンタクト構造からなる素子形態であるが、こうした例に限定されず、ボトムゲート・トップコンタクト構造からなる素子形態であってもよいし、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造、トップゲート・ボトムコンタクト構造からなる素子形態であってもよい。本発明の処理装置は、図３に示すポリシリコンＴＦＴ３９の製造工程に適用でき、その工程の何れかのタイミングで用いてもよいが、通常は、ポリシリコン膜３３を形成した後及び／又はＳｉＯ２ゲート絶縁膜３４を形成した後に用いることが好ましい。
【００３８】
（蒸気処理方法）
次に、本発明の蒸気処理装置を用いた蒸気処理方法を説明する。本発明の蒸気処理方法は、所定の圧力Ｐに保持された少なくとも２つの温度領域１３，１４を有する圧力容器１１内での被処理物２１の蒸気処理方法であって、２つの温度領域１３，１４が、所定の温度Ｔ１と所定の蒸気圧Ｐに設定された第１領域１３と、その第１領域１３よりも低い温度Ｔ２に設定されて前記蒸気圧Ｐと同じ圧力Ｐの下で飽和蒸気を発生させるための第２領域１４とを有し、被処理物２１が第１領域１３内で処理されることを特徴とする方法である。
【００３９】
先ず、蓋部材１１２を開けて圧力容器１１を開放し、第１領域１３内の載置台２１１に被処理物２１を載置すると共に、第２領域１４に液化物２２として水を入れる。次に、蓋部材１１２を閉じて圧力容器１１を密閉した後、水が蒸発して所定の飽和水蒸気圧Ｐ（例えば１０気圧）となる温度Ｔ２（例えば１８０℃）にまで第２領域１４と第１領域１３を昇温させる。このとき、第１領域１３は、第２領域１４と同じ圧力容器１１内にあるので、飽和水蒸気圧Ｐと同じ圧力Ｐ（例えば１０気圧）である。次に、第１領域１３の温度Ｔ１を第２領域１４の温度Ｔ２（例えば１８０℃）よりも高い温度Ｔ１（例えば２５０℃）に設定する。こうすることにより、第１領域１３では、第１領域１３の設定温度Ｔ１（２５０℃）における飽和水蒸気圧の仮想値（４０気圧）よりもかなり低い蒸気圧（１０気圧）の下で、所望の高い処理温度Ｔ１（２５０℃）で水蒸気処理することができる。
【００４０】
第２領域１４に入れる液化物２２は、通常、水が用いられるが、他の媒体であっても構わない。水以外の他の媒体としては、例えばエタノールなどのアルコール類、アセトンなどのケトン類、等の有機溶媒を挙げることができる。本発明においては、液化物２２の量は特に限定されず、第２領域１４を所定の温度Ｔ２に設定してその温度Ｔ２における飽和蒸気圧Ｐになった後であっても、第２領域１４内の液化物２２が残っている程度の量を入れておくことが好ましい。
【００４１】
以上のように、第１領域１３は、所定の温度Ｔ１（例えば２５０℃）に設定されて所定の蒸気圧Ｐ（例えば１０気圧）の下で被処理物２１を蒸気処理するための領域として作用し、第２領域１４は、第１領域１３よりも低い温度Ｔ２（例えば１８０℃）に設定されて前記蒸気圧Ｐと同じ圧力Ｐ（例えば１０気圧）の下で飽和蒸気を発生させるための領域として作用する。
【００４２】
本発明の蒸気処理方法は、特に、ポリシリコン膜やＳｉＯ２ゲート絶縁膜等のように、高圧蒸気雰囲気下で所望の温度で熱処理することにより絶縁膜の特性及び絶縁膜／半導体界面の特性を向上させることができる素子の蒸気処理に好ましく用いられ、通常は、ポリシリコンＴＦＴの場合には、ポリシリコン形成後に行うことが好ましく、ＭＯＳＦＥＴの場合にはＳｉＯ２ゲート絶縁膜を形成した後に行うことが好ましい。また、蒸気処理をポリシリコンＴＦＴ素子やＭＯＳＦＥＴ素子の形成後に行うことによっても、良好なトランジスタ回路を形成することができる。さらに、本発明の蒸気処理を太陽電池のパッシベーション絶縁膜の形成後に行うことにより、太陽電池の絶縁膜／半導体界面の特性を向上させ、効率の高い太陽電池回路を製造することが可能である。また、本発明の蒸気処理は、ガラス等のシリコン酸化物基板内に含まれる欠陥をも減少することができ、電子デバイスの作製に適した絶縁物基体を実現することも可能である。
【００４３】
本発明の蒸気処理装置１は、従来例である図４（Ａ）に示すような、比較的低い温度（例えば２５０℃程度）での処理の場合でも所定の圧力（例えば４０気圧程度）に耐えうる圧力容器を採用しなければならないという問題を解消できる。また、従来例である図４（Ｂ）に示すような、内部に投入する水の量を正確に計量しなければならない等の煩雑さを解消できると共に、圧力容器内の圧力をモニターしながら圧力をアクティブ制御するという複雑な制御機構も不要となる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の蒸気処理装置の一例を示す断面構成図である。
【図２】本発明の蒸気処理装置の他の一例を示す断面構成図である。
【図３】ポリシリコン膜とＳｉＯ２ゲート絶縁膜を含むポリシリコンＴＦＴの一例を示す模式断面図である。
【図４】従来の水蒸気処理装置の例を示す断面構成図である。
【符号の説明】
【００４５】
１Ａ，１Ｂ  蒸気処理装置
１１，１１Ａ，１１Ｂ  圧力容器
１２  温度制御手段
１２Ａ  第１温度制御装置
１２Ｂ  第２温度制御装置
１３  第１領域
１４  第２領域
１５  連結管
２１  被処理物
２２  液化物
１１１  本体容器
１１２  蓋部材
１１３，１１４，１１６，１１７，１５１，１５２  フランジ部
１１５，１５３  クランプ部材
１２１  発熱体
２１１  載置台
３０  プラスチック基板
３１  無機層
３２  下地層
３３  ポリシリコン膜
３３ｓ  ソース側拡散層
３３ｃ  チャネル層
３３ｄ  ドレイン側拡散層
３４  ＳｉＯ２ゲート絶縁膜
３５ｓ  ソース電極
３５ｇ  ゲート電極
３５ｄ  ドレイン電極
３７  保護層
３９  ポリシリコンＴＦＴ
Ｐ  圧力（蒸気圧、飽和蒸気圧）
Ｔ１  第１領域の温度（高温）
Ｔ２  第２領域の温度（低い温度）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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