(57)【要約】【課題】光の取り出し効率を向上させることができる上、半導体多層膜に接する電極の変質を防ぐことができる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板(10)と、基板(10)上に形成された金属接合層(11)と、金属接合層(11)上に配置された、凹部(12a)を有する金属層(12)と、凹部(12a)内に形成された電極(13)と、電極(13)に接し、かつ凹部(12a)内に形成された半導体多層膜(14)と、半導体多層膜(14)の側面と凹部(12a)との間に配置された電気絶縁膜(15)とを含み、凹部(12a)は、半導体多層膜(14)の光出射側に向かって広がっており、半導体多層膜(14)の側面は、凹部(12a)の内壁に沿って形成されており、金属接合層(11)と金属層(12)との間に介在する金属拡散防止層(17)を含む半導体発光装置(1)とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された金属接合層と、前記金属接合層上に配置された、凹部を有する金属層と、前記凹部内に形成された電極と、前記電極に接し、かつ前記凹部内に形成された半導体多層膜と、前記半導体多層膜の側面と前記凹部との間に配置された電気絶縁膜とを含む半導体発光装置であって、
前記凹部は、前記半導体多層膜の光出射側に向かって広がっており、
前記半導体多層膜の側面は、前記凹部の内壁に沿って形成されており、
前記金属接合層と前記金属層との間に介在する金属拡散防止層を含むことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記金属層の厚みが５μｍ以上である請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記金属層の厚みが５０μｍ以下である請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記金属層は、庇部を含み、
前記庇部と前記金属接合層との間には、空隙が形成されている請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記金属層は、庇部を含み、
前記庇部と前記金属接合層との間には、空隙が形成されており、
前記庇部における前記空隙とは反対側に位置する表面は、前記電気絶縁膜で覆われている請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記庇部は、幅が５μｍ以上である請求項４又は５に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記電気絶縁膜は、複数の電気絶縁薄膜から構成された多層膜であり、
それぞれの前記電気絶縁薄膜の屈折率をｎとし、前記半導体多層膜の発光波長をλとしたときに、それぞれの前記電気絶縁薄膜の膜厚がλ／４ｎである請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記金属拡散防止層は、Ｎｉを含む請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記電極は、Ａｇ及びＲｈから選ばれる少なくとも１つを含む請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記半導体多層膜の光出射面には、凹凸が形成されている請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記凹凸は、周期性を有している請求項１０に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記凹凸は、フォトニック結晶を構成している請求項１１に記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
i)結晶成長用基板上に半導体多層膜を形成する工程と、
ii)前記半導体多層膜を錐台状にエッチングする工程と、
iii)前記半導体多層膜の頂面の一部、前記半導体多層膜の側面及び前記結晶成長用基板を覆うようにして電気絶縁膜を形成する工程と、
iv)前記半導体多層膜の頂面のうち前記電気絶縁膜で覆われていない領域に電極を形成する工程と、
v)前記電気絶縁膜及び前記電極を覆うようにして金属層を形成する工程と、
vi)前記金属層を覆うようにして金属拡散防止層を形成する工程と、
vii)基板と前記金属拡散防止層とを金属接合層を介して接合する工程と、
viii)前記結晶成長用基板を除去する工程とを含む半導体発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記i)工程における前記結晶成長用基板の表面の一部には、凹凸が形成されており、
前記i)工程において、前記凹凸を覆うようにして前記半導体多層膜を形成する請求項１３に記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮに代表される窒化物系半導体を用いることにより、紫外光から青色、緑色の波長帯を有する高輝度の発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザなどの発光素子が実用化されている。今後、ＬＥＤが長寿命であるという特徴を活かし、赤、緑、青の３色の光を混合して白色光を発する白色ＬＥＤ、または青色光で蛍光材を励起して発光する白色ＬＥＤを用いた照明用光源の市場拡大が予想されている。
【０００３】
従来、このようなＧａＮ系窒化物半導体の結晶成長にはサファイア基板が一般的に用いられてきた。ところがサファイア基板は絶縁性であるために発光ダイオードを片面電極構造にする必要があり、発光ダイオードの直列抵抗の増加や製造プロセスの複雑化といった課題があった。また、サファイア基板は放熱性が悪く、高出力化に限界があるといった課題もあった。
【０００４】
このような課題を解決するために、エピタキシャル成長させた窒化物半導体層を接合層に接合した後にサファイア基板を除去する基板転写技術が提案されている。この基板転写の一方法として、例えば非特許文献１のように、サファイア基板が透明であることを利用して、サファイア基板裏面からのレーザビーム照射によって界面近傍のＧａＮを分解して窒化物半導体層をサファイア基板から分離するＬＬＯ（レーザリフトオフ：Laser Lift-Off）法が提案されている。前記接合層を導電層とすることで両面電極構造の発光素子が実現でき、発光ダイオードの直列抵抗低減が実現される。このような構造では、光出射面と対向する側の電極に、発光素子の発光波長に対して高反射率を有する金属電極を用いて、光出射面の反対側に発せられた光を光出射面方向へ反射させることで、光の取り出し効率の向上も同時に実現できる。
【０００５】
さらに、特許文献１のように、窒化物半導体層の側面を光出射面に対して傾斜させ、その側面に接する形で反射膜を設けた発光素子も提案されている。この構成では、反射膜に向かって発せられた光を光出射面方向へ反射させることができ、光の取り出し効率のさらなる向上が可能となる。
【特許文献１】特開２００５-２５９７６８号公報
【非特許文献１】T.Ueda et al, Phys. Stat. Sol. 0, No.7 pp.2219-2222 (2003)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に示すような構成では、窒化物半導体層を接合層に接合する際、接合層の金属（例えばＡｕ−Ｓｎ）が拡散して、この金属が窒化物半導体層に接する電極まで到達する可能性がある。接合層の金属が上記電極まで到達すると、この電極が変質するため、窒化物半導体層に電流を注入することができなくなるおそれがある。
【０００７】
本発明は、光の取り出し効率を向上させることができる上、半導体多層膜に接する電極の変質を防ぐことができる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体発光装置は、基板と、前記基板上に形成された金属接合層と、前記金属接合層上に配置された、凹部を有する金属層と、前記凹部内に形成された電極と、前記電極に接し、かつ前記凹部内に形成された半導体多層膜と、前記半導体多層膜の側面と前記凹部との間に配置された電気絶縁膜とを含む半導体発光装置であって、
前記凹部は、前記半導体多層膜の光出射側に向かって広がっており、
前記半導体多層膜の側面は、前記凹部の内壁に沿って形成されており、
前記金属接合層と前記金属層との間に介在する金属拡散防止層を含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明の半導体発光装置の製造方法は、
i)結晶成長用基板上に半導体多層膜を形成する工程と、
ii)前記半導体多層膜を錐台状にエッチングする工程と、
iii)前記半導体多層膜の頂面の一部、前記半導体多層膜の側面及び前記結晶成長用基板を覆うようにして電気絶縁膜を形成する工程と、
iv)前記半導体多層膜の頂面のうち前記電気絶縁膜で覆われていない領域に電極を形成する工程と、
v)前記電気絶縁膜及び前記電極を覆うようにして金属層を形成する工程と、
vi)前記金属層を覆うようにして金属拡散防止層を形成する工程と、
vii)基板と前記金属拡散防止層とを金属接合層を介して接合する工程と、
viii)前記結晶成長用基板を除去する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体発光装置及びその製造方法によれば、光の取り出し効率を向上させることができる上、半導体多層膜に接する電極の変質を防ぐことができる半導体発光装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の半導体発光装置は、基板と、前記基板上に形成された金属接合層と、前記金属接合層上に配置された、凹部を有する金属層と、前記凹部内に形成された電極と、前記電極に接し、かつ前記凹部内に形成された半導体多層膜と、前記半導体多層膜の側面と前記凹部との間に配置された電気絶縁膜とを含む。
【００１２】
上記基板は特に限定されないが、本発明の半導体発光装置の放熱性を向上させるためには、Ｓｉ基板やＣｕＷ基板等の熱伝導性が高い基板を使用するのが好ましい。上記基板の厚みは、例えば１００〜８００μｍ程度である。
【００１３】
上記金属接合層の構成材料は、上記基板に上記金属層を固定することができる限り特に限定されないが、例えばＡｕ−ＳｎやＡｇ合金等が使用できる。上記金属接合層の厚みは、例えば５００〜１０００ｎｍ程度である。
【００１４】
上記金属層は上記半導体多層膜を収容するための凹部を含む。本発明の半導体発光装置の放熱性を向上させるためには、上記金属層の構成材料は、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ等の熱伝導性の良い金属が好ましい。また、上記列挙した金属は反射率が高いため、上記半導体多層膜からの光を光出射側へ効率良く反射することができる。これにより、本発明の半導体発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。
【００１５】
上記電極は、上記金属層の凹部の例えば底部に形成されている。そして、例えば上記半導体多層膜の光出射面に別途配置された対をなす他方の電極とともに、上記半導体多層膜に電流を注入する役割を果たす。上記電極の厚みは、例えば５０〜４００ｎｍ程度である。また、上記電極が上記凹部の底部に形成されている場合、上記電極はＡｇ及びＲｈから選ばれる少なくとも１つを含むことが好ましい。光出射面の反対側となる上記電極側へ発せられた光を光出射面側へ反射させることできるため、光の取り出し効率の向上が可能となるからである。望ましくは、上記電極のうち上記半導体多層膜に接する側がＡｇ薄膜またはＲｈ薄膜である場合に光の反射効果が大きくなり、光の取り出し効率が向上する。
【００１６】
上記半導体多層膜は、特に限定されないが、青色光源または紫外光源に適用する場合は、窒化物系半導体多層膜を用いるのが好ましい。具体的な例は後述する。
【００１７】
上記電気絶縁膜は、上記半導体多層膜と上記金属層とを電気的に絶縁できる限り特に限定されないが、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等の無機絶縁材や、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）等の有機絶縁材が使用できる。上記電気絶縁膜の厚みは、例えば１００〜６００ｎｍ程度である。
【００１８】
上記金属層に形成された上記凹部は、上記半導体多層膜の光出射側に向かって広がっている。この構成により、上記凹部の内壁に向かって上記半導体多層膜から発せられた光を光出射側へ反射させることができ、光の取り出し効率の向上が可能となる。
【００１９】
上記半導体多層膜の側面は、上記凹部の内壁に沿って形成されている。この構成により、上記半導体多層膜の側面と上記内壁とが近接するため、上記半導体多層膜から発せられた熱を上記金属層へ速やかに放散させることができる。
【００２０】
そして、本発明の半導体発光装置は、上記構成に加え、上記金属接合層と上記金属層との間に介在する金属拡散防止層を含む。この構成により、上記金属層と上記金属接合層とを接合する際、上記金属接合層からの金属の拡散を防止できる。これにより、上記凹部内に形成された電極の変質を防止できる。上記金属拡散防止層は、例えばＮｉ、Ｃｒ等を含む金属層であればよい。特に、Ｎｉ薄膜を含む金属多層膜であれば、上記金属接合層からの金属の拡散をより確実に防止することができる。また、上記金属接合層からの金属の拡散を更に確実に防止するには、上記金属拡散防止層の厚みは１００ｎｍ以上であればよい。なお、上記金属層と上記金属接合層との接合を容易に行うためには、上記金属拡散防止層のうち上記金属接合層と接する最上層が、厚さ１００ｎｍ以上のＡｕ薄膜であればよい。具体的には、上記金属拡散防止層を、例えば膜厚５０ｎｍ/１００ｎｍ/１５０ｎｍのＣｒ/Ｎｉ/Ａｕ薄膜とすればよい。
【００２１】
本発明の半導体発光装置では、上記金属層の厚みが５μｍ以上であることが好ましい。上記電極の変質をより確実に防止できる上、上記半導体多層膜から発せられた熱をより速やかに放散できるからである。また、上記金属層の厚みが５μｍ以上であると、本発明の半導体発光装置の機械的強度を向上させることができる。なお、上記金属層の厚みが５０μｍを超えると、上記半導体多層膜から発せられた熱が篭りやすくなるため、上記金属層の厚みは５０μｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、参照する図面においては、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の符号で示し、重複する説明を省略する場合がある。
【００２３】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体発光装置の断面図である。図１に示すように、半導体発光装置１は、基板１０と、基板１０上に形成された金属接合層１１と、金属接合層１１上に配置された、凹部１２ａを有する金属層１２と、凹部１２ａの底面に形成されたｐ側電極１３と、ｐ側電極１３に接し、かつ凹部１２ａ内に形成された半導体多層膜１４と、半導体多層膜１４の側面と凹部１２ａとの間に配置された電気絶縁膜１５とを含む。
【００２４】
半導体多層膜１４は、ｐ側電極１３側から順にｐ型ＧａＮ層１４ａ、活性層１４ｂ及びｎ型ＧａＮ層１４ｃが積層されて形成されている。そして、ｎ型ＧａＮ層１４ｃの表面の一部には、ｎ側電極１６が設けられている。ｐ型ＧａＮ層１４ａ及びｎ型ＧａＮ層１４ｃの厚みは、いずれも２００ｎｍ程度であればよい。活性層１４ｂは、例えばノンドープのＩｎＧａＮからなる量子井戸層とＧａＮからなる障壁層とが所定の周期で交互に積層されて形成されている。活性層１４ｂの厚みは、５０〜１５０ｎｍ程度であればよい。なお、半導体多層膜１４の光出射面（即ち、ｎ型ＧａＮ層１４ｃの表面）の面積は、例えば４００μｍ×４００μｍ程度であればよい。
【００２５】
金属層１２に形成された凹部１２ａは、半導体多層膜１４の光出射側に向かって広がっている。この構成により、凹部１２ａの内壁に向かって半導体多層膜１４から発せられた光を光出射側へ反射させることができ、光の取り出し効率の向上が可能となる。なお、凹部１２ａの内壁と、凹部１２ａの底面とがなす角度θは、３０〜６０°程度であればよい。
【００２６】
半導体多層膜１４の側面は、凹部１２ａの内壁に沿って形成されている。この構成により、半導体多層膜１４の側面と上記内壁とが近接するため、半導体多層膜１４から発せられた熱を金属層１２へ速やかに放散させることができる。なお、金属層１２の厚みＴが５μｍ以上であると、半導体多層膜１４から発せられた熱をより速やかに放散できる。
【００２７】
そして、半導体発光装置１は、上記構成に加え、金属接合層１１と金属層１２との間に介在する金属拡散防止層１７を含む。この構成により、金属層１２と金属接合層１１とを接合する際、金属接合層１１からの金属の拡散を防止できる。これにより、凹部１２ａ内に形成されたｐ側電極１３の変質を防止できる。
【００２８】
ｐ側電極１３の材料としては、ｐ型ＧａＮ層１４ａと良好なオーミック接触を維持することができ、且つ、半導体多層膜１４の発光波長に対して十分に大きな反射率を有するものが望ましく、そのような材料として、例えばＡｇやＲｈを含む金属により構成することができる。ｎ側電極１６の材料としては、例えばＴｉ／ＡｌやＴｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ等からなる金属材料が使用できる。
【００２９】
金属層１２は、庇部１２ｂを含む。そして、この庇部１２ｂと金属接合層１１との間には、空隙が形成されている。この空隙が存在することによって、後述する半導体発光装置１のダイシング工程における衝撃を緩和させることができる。これにより、半導体発光装置１の製造工程における歩留まり向上が期待できる。上記空隙の間隔は０．５〜２μｍ程度である。空隙の間隔が０．５μｍより小さい場合には、ダイシングの圧力が半導体多層膜１４に伝わり、半導体多層膜１４が破壊される可能性がある。一方、空隙の間隔が２μｍより大きい場合には、上記空隙上方に位置する金属層１２がダイシングの圧力に耐えられず、衝撃が半導体多層膜１４に伝わり、半導体多層膜１４が破壊される可能性がある。
【００３０】
金属層１２の庇部１２ｂは、幅Ｗが５μｍ以上であることが好ましい。半導体多層膜１４から発せられる熱を、その側面から庇部１２ｂを経由して放熱できるため、半導体発光装置１の放熱性が向上するからである。また、庇部１２ｂにおける上記空隙とは反対側に位置する表面１２１ｂは、凹部１２ａの内壁から連続的に形成された電気絶縁膜１５で覆われている。これにより、後述する結晶成長用基板の除去工程において、電気絶縁膜１５により金属層１２を保護することができるため、金属層１２の劣化を防ぐことができる。
【００３１】
電気絶縁膜１５は、複数の電気絶縁薄膜から構成された多層膜であってもよい。この場合、それぞれの上記電気絶縁薄膜の屈折率をｎとし、半導体多層膜１４の発光波長をλとしたときに、それぞれの上記電気絶縁薄膜の膜厚がλ／４ｎであることが好ましい。この構成では、電気絶縁膜１５が、いわゆるDBR(Distributed Bragg Reflector)ミラーとなるため、半導体多層膜１４からの光を電気絶縁膜１５によって光出射側に反射することができる。これにより、光の取り出し効率を向上させることができる。
【００３２】
ｎ型ＧａＮ層１４ｃの表面には、凹凸１４１ｃが形成されている。これにより、光の取り出し効率を向上させることができる。光の取り出し効率をより向上させるには、凹凸１４１ｃがいわゆるフォトニック結晶を形成する周期条件及び深さで形成されていることが望ましい。例えば、凹凸１４１ｃの周期が０．５μｍで、凹凸１４１ｃの凸部が円柱状であり、その凸部の高さが１５０ｎｍであればよい。
【００３３】
次に、上述した半導体発光装置１の好適な製造方法について、図２及び図３を参照しながら説明する。図２及び図３は、上記製造方法を工程別に示す断面図である。
【００３４】
まず、図２Ａに示すように、例えばＳｉ（１１１）基板等の結晶成長用基板２０上に半導体多層膜１４を形成する。使用する結晶成長用基板２０の表面には、予めフォトリソグラフィー法等により凹凸２０ａを形成しておくとよい。この凹凸２０ａを覆うようにして、半導体多層膜１４を形成すると、凹凸２０ａがｎ型ＧａＮ層１４ｃの表面に転写されて凹凸１４１ｃ（図１参照）が形成される。半導体多層膜１４の形成方法は特に限定されないが、例えば、結晶成長用基板２０上に８０ｎｍ程度の厚みでノンドープのＡｌＮバッファ層（図示せず）を形成した後、ｎ型ＧａＮ層１４ｃ、活性層１４ｂ及びｐ型ＧａＮ層１４ａを、この順にＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長：Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法やＭＢＥ（分子線エピタキシャル成長：Molecular Beam Epitaxy）法などの結晶成長法によって形成すればよい。また、半導体多層膜１４の構造については、結晶成長用基板２０上で結晶性を向上させるため、ＡｌＮ／ＧａＮや異なる組成を有するＡｌＧａＮによる周期構造が、前記ＡｌＮバッファ層上に形成されていてもよい。結晶成長用基板２０は、良好なＧａＮ結晶をその上に形成できる限りは、いかなる面方位でもよい。
【００３５】
次に、図２Ｂに示すように、前記ＡｌＮバッファ層及び半導体多層膜１４を錐台状にエッチングして半導体多層膜１４に側壁１４ｄを形成する。このエッチングは、ｐ型ＧａＮ層１４ａ上にマスク材料を選択的に形成した後に、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング：Reactive Ion Etching）法によるドライエッチングにより行うことができる。このドライエッチングにおいて、エッチング条件（例えばエッチングレート）を選択することで、側壁１４ｄを結晶成長用基板２０に対して３０〜６０°に傾斜させることができる。
【００３６】
次に、図２Ｃに示すように、半導体多層膜１４の頂面の一部、半導体多層膜１４の側壁１４ｄ及び上記エッチングで露出した結晶成長用基板２０を覆うようにして、例えばプラズマＣＶＤ法により電気絶縁膜１５を形成する。続いて、電気絶縁膜１５で窓開けされたｐ型ＧａＮ層１４ａの上に、例えば蒸着法によりｐ側電極１３を形成する。
【００３７】
次に、図２Ｄに示すように、電気絶縁膜１５及びｐ側電極１３を覆うようにして、例えばめっき法等により金属層１２を形成する。めっき法を用いると、半導体多層膜１４の錐台形状に沿って金属層１２が形成されるため、得られる金属層１２の表面には段差が形成される。この段差は、図１における庇部１２ｂを構成する。続いて、金属層１２を覆うようにして、例えば蒸着法により金属拡散防止層１７を形成する。
【００３８】
次に、図３Ａに示すように、金属接合層１１を設けた基板１０を用意し、金属拡散防止層１７と金属接合層１１とが対向するように密着させて接合する。この接合は、金属拡散防止層１７と金属接合層１１とを対向させて密着させた状態で、例えば３００℃の高温下で０．５ＭＰａの圧力をかけることによって行うことができる。
【００３９】
次に、図３Ｂに示すように、結晶成長用基板２０を除去する。この際の除去方法としては、例えば、ＨＦ及びＨＮＯ3の混合液によるウェットエッチングを採用することができる。ウェットエッチングは、ＬＬＯ法よりも低コストプロセスであるため望ましい。この場合、電気絶縁膜１５を構成する材料として、例えばＢＣＢなどの樹脂を用いれば、上記混合液に耐性があるため、金属層１２の劣化を防ぐことができる。
【００４０】
次に、結晶成長用基板２０を除去した後の最表面に現われるＡｌＮバッファ層（図示せず）を、例えばＢＣｌ3ガスによるドライエッチングにより除去してｎ型ＧａＮ層１４ｃを露出させる。そして、図３Ｃに示すように、露出したｎ型ＧａＮ層１４ｃの上面の一部に、例えば蒸着法によりｎ側電極１６を形成する。
【００４１】
そして、図３Ｄに示すように、ダイシングソー３０を用いてダイシングすることにより、図１に示す半導体発光装置１が得られる。この際、庇部１２ｂと金属接合層１１との間に空隙が形成されているため、ダイシング工程における衝撃を緩和させることができる。
【００４２】
図４は、図１に示す半導体発光装置において、金属層の厚みと光出力との関係を示すグラフである。図４では、半導体発光装置に２００ｍＡの電流を注入し、１時間放置して光出力が安定した後のデータを、金属層の厚みに対してプロットした。なお、光出力の測定は、直径１８ｍｍの円形の受光装置を半導体発光装置から１０ｍｍ上方に設置して行った。
【００４３】
図４に示すように、金属層の厚みが５〜５０μｍの範囲で、光出力が最適化されていることが分かる。厚みが５μｍ未満の場合には、放熱が不十分なために光出力が低下している。一方、厚みが５０μｍを超える場合には、厚みが厚くなりすぎるために熱抵抗が無視できなくなり、その結果として光出力が低下している。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、例えば紫外発光ダイオードや半導体レーザ等に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体発光装置の断面図である。
【図２】Ａ〜Ｄは、図１に示す半導体発光装置の好適な製造方法を工程別に示す断面図である。
【図３】Ａ〜Ｄは、図１に示す半導体発光装置の好適な製造方法を工程別に示す断面図である。
【図４】図１に示す半導体発光装置において、金属層の厚みと光出力との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４６】
１  半導体発光装置
１０  基板
１１  金属接合層
１２  金属層
１２ａ  凹部
１２ｂ  庇部
１３  ｐ側電極
１４  半導体多層膜
１４ａ  ｐ型ＧａＮ層
１４ｂ  活性層
１４ｃ  ｎ型ＧａＮ層
１４ｄ  側壁
１５  電気絶縁膜
１６  ｎ側電極
１７  金属拡散防止層
２０  結晶成長用基板
２０ａ  凹凸
３０  ダイシングソー
１２１ｂ  表面
１４１ｃ  凹凸
【図１】
2008010763.tif 000003
【図２】
2008010763.tif 000004
【図３】
2008010763.tif 000005
【図４】
2008010763.tif 000006