(57)【要約】【課題】ガラス基板などの高温に耐えられない基板上にて駆動する、高輝度無機ＥＬ素子を提供することを目的とする。また、より簡易で生産性の高い表示装置の作製技術を提供する。【解決手段】透光性の第１の電極層を有する透光性の第１の基板と、少なくとも第２の電極層を有する第２の基板とを、紫外線等で硬化する樹脂にて接合し、無機ＥＬ発光素子形成し、表示装置を作製する。発光層は第１の電極層を有する透光性の第１の基板と、第２の電極層を有する第２の基板との間に狭持され、第１の電極層側でも第２の電極層側に形成されていても良い。【選択図】図１
2008010418.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に第１の誘電体層を形成し、
前記第１の誘電体層上に発光層を形成し、
前記発光層の上に未硬化の樹脂でなる接着層を形成し、
第２の基板上に第２の電極層を形成し、
前記第２の電極層と前記接着層とを接触させたのち、前記接着層を硬化して発光素子を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に第１の誘電体層を形成し、
前記第１の誘電体層上に発光層を形成し、
前記発光層の上に第２の誘電体層を形成し、
前記第２の誘電体層上に未硬化の樹脂でなる接着層を形成し、
第２の基板上に第２の電極層を形成し、
前記第２の電極層と前記接着層とを接触させたのち、前記接着層を硬化して発光素子を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の誘電体層上に発光層を形成後、加熱処理することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
第１の基板上に第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に発光材料を含む未硬化の樹脂でなる接着層を形成し、
第２の基板上に第２の電極層を形成し、
前記第２の電極層と前記接着層とを接触させたのち、前記接着層を硬化して発光素子を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１及至請求項４のいずれか一において、
前記接着層に導電性材料を混合することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１及至請求項４のいずれか一において、
前記接着層に誘電体材料を混合することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記誘電体材料は、シアノエチルセルロース系樹脂、チタン酸バリウム又はチタン酸ストロンチウムであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記接着層を滴下法により滴下することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記接着層を紫外線によって硬化することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
第１の電極層と、第２の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に発光層と、誘電体層及び接着層を有し、
前記第１の電極層上に前記発光層が設けられ、
前記発光層上に前記接着層が設けられ、
前記接着層上に前記第２の電極層が設けられ、
前記誘電体層は、前記第１の電極層又は前記第２の電極層と接することを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
第１の電極層と、第２の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に接着層を有し、
前記第１の電極層上に、発光材料を含む前記接着層が設けられ、
前記接着層上に前記第２の電極層が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記発光層は、発光材料の粒子とバインダとを含み、
前記発光材料の粒子を前記バインダ中に分散させた構成であることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ガラス基板上に薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」ともいう。）を集積化してなる液晶表示装置やエレクトロルミネセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置の開発が進んでいる。これらの表示装置は、いずれもガラス基板上に薄膜形成技術を用いて薄膜トランジスタを作り込み、その薄膜トランジスタで構成された様々な回路上に表示素子として液晶素子や発光素子（エレクトロルミネセンス（以下、「ＥＬ」ともいう。）素子）を形成して表示装置として機能させる。
【０００３】
エレクトロルミネセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者は無機ＥＬ素子と呼ばれている。
【０００４】
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有するものであり、簡易な方法で素子を作製できるため広く研究されている。
【０００５】
一方、薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、さらにそれを電極で挟んだ構造が一般的で、誘電体層と発光層は、抵抗加熱法や電子ビーム（ＥＢ）法、スパッタ法などによって真空蒸着により成膜される。蛍光体は通常ＺｎＳに、ＣｕあるいはＭｎ等を添加したものが用いられており、所望する発光色などによって添加物の量や元素を変化させる。
【０００６】
このようにして作製される薄膜型無機ＥＬ素子において、優れた安定性、高い発光効率、高輝度を得るためには一般的に、発光層成膜後、高温度での熱処理を行って結晶性を向上させる方法がとられている。特に、高輝度、高色純度を実現できる青色材料として知られているチオアルミネート系蛍光体などでは、発光層成膜後の熱アニールとして５００〜９００（℃）と非常に高い温度でアニールをおこなうことで本来の性能を発揮することができる（例えば、特許文献１参照。）。しかし、このような高温処理を行う場合、耐熱性の低いガラスなどの基板を用いることはできず、素子作製のプロセスが限定されてしまう。
【特許文献１】特表２００５−５２０９２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は、ガラス基板などの高温に耐えられない基板上にて駆動する、高輝度無機ＥＬ素子を提供することを目的とする。また、より簡易で生産性の高い表示装置の作製技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
また、本発明を用いて、表示装置を作製することができる。本発明を用いることのできる表示装置には、エレクトロルミネセンスと呼ばれる発光を発現する層を、電極間に介在させた発光素子と薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ともいう）とが接続された発光表示装置（単に発光装置ともいう）などがある。ＥＬ素子とは少なくともエレクトロルミネセンスが得られる材料を含み電流を流すことにより発光する素子を含む。
【０００９】
本発明は、透光性の第１の電極層を有する透光性の第１の基板と、少なくとも第２の電極層を有する第２の基板とを、紫外線等で硬化する樹脂にて接合し、無機ＥＬ発光素子を形成することを特徴とする。発光層は第１の電極層を有する透光性の第１の基板と、第２の電極層を有する第２の基板との間に挟持され、第１の電極層側でも第２の電極層側に形成されていても良い。第１の電極層側に発光層が形成される場合、発光層は第１の電極層と樹脂との間に設けられ、第２の電極層側に発光層が形成される場合、発光層は第２の電極層と樹脂との間に設けられる構造となる。
【００１０】
本発明の表示装置の作製方法の一は、第１の基板上に形成した第１の電極層上に、第１の誘電体層を形成し、第１の誘電体層上に発光層を形成し、発光層の上に未硬化の樹脂でなる接着層を形成し、接着層と第２の電極層を有する第２の基板の第２の電極とを接触させたのち接着層を硬化して発光素子を形成する。
【００１１】
本発明の表示装置の作製方法の一は、第１の基板上に形成した第１の電極層上に、第１の誘電体層を形成し、第１の誘電体層上に発光層を形成し、発光層の上に第２の誘電体層を形成し、第２の誘電体層上に未硬化の樹脂でなる接着層を形成し、接着層と第２の電極層を有する第２の基板の第２の電極とを接触させたのち接着層を硬化して発光素子を形成する。
【００１２】
本発明の表示装置の作製方法の一は、第１の基板上に形成した第１の電極層上に硬化接着機能を有する樹脂に粒子状の発光材料を分散させたものを付着させ接着層を形成し、接着層と第２の電極層を有する第２の基板の第２の電極とを接触させたのち接着層を硬化して発光素子を形成する。
【００１３】
本発明の表示装置の作製方法の一は、第１の基板上に形成した第１の電極層上に、発光材料をバインダを含む溶液に分散し発光材料及びバインダを含む溶液作製し、溶液を第１の電極層上に付着させ焼成し発光材料及びバインダを含む発光層を形成し、発光層の上に硬化接着機能を有する樹脂を付着させ接着層を形成し、接着層と第２の電極層を有する第２の基板の第２の電極とを接触させたのち接着層を硬化して発光素子を形成する。
【００１４】
硬化接着機能を有する樹脂は、エポキシ樹脂など単体の樹脂でもよく、場合に応じて高誘電体材料や導電性材料を混ぜてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明を用いることによって、高温処理をする基板と、高温処理をしない基板とを別々に作製し、最終的にひとつの表示装置にすることが可能となる。よって、高温処理をすることができない基板上で駆動する高輝度な無機ＥＬ表示装置を作製することができる。
【００１６】
本発明では、第１の基板と第２の基板とを別々に処理することが可能なため、装置作製の方法に選択肢が増え、生産性の向上につながる。また、接着層に発光材料、高誘電体材料、導電性材料を分散させることで、接着以外の機能を持たせることができ、工程を簡略化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００１８】
（実施の形態１）
本実施の形態における発光素子の作製方法を、図１を用いて詳細に説明する。
【００１９】
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分類される。前者は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有し、後者は、蛍光材料の薄膜からなる発光層を有している点に違いがある。しかし、そのメカニズムは共通しており、高電界で加速された電子による母体材料又は発光中心の衝突励起により発光が得られる。本実施の形態では、薄膜型無機ＥＬ素子の作製方法を説明する。
【００２０】
図１（Ａ）から（Ｃ）は本発明を用いて発光素子を作製する方法を示している。図１（Ａ）の構造１８は第１の基板１１と第１の電極１２と第１の誘電体層１３と発光層１４を有する。なお、発光層１４の形成工程には、発光材料を含む層の形成工程に加えて、当該発光材料を含む層の熱処理工程が含まれていてもよい。該熱処理工程は４００℃以上で行うことが好ましい。
【００２１】
図１（Ｂ）に示すように、前記構造１８の発光層１４の上に接着樹脂を付着し、接着層１５を形成する。
【００２２】
ここで接着樹脂とは、紫外線などの光のエネルギーによって硬化する樹脂や、熱エネルギーによって硬化するエポキシ樹脂を用いることができる。そのほか、ビスフェノールＡ型液状樹脂、ビスフェノールＡ型固形樹脂、含ブロムエポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡＤ型樹脂、フェノール型樹脂、クレゾール型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス型エポキシ樹脂、グリシジルエステル樹脂、グリシジルアミン系樹脂、複素環式エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等を用いることができる。なお、接着樹脂の厚さは、０．５μｍ以上５５０μｍ以下で形成することが好ましい。
【００２３】
また、接着樹脂の付着の方法として、滴下法、ディスペンサ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法などの方法を用いることができる。
【００２４】
この接着樹脂は単体材料でもよく、必要に応じて高誘電体材料を混ぜてもよい。
【００２５】
さらに、第２の電極１６と第２の基板１７とを有する構造１９を別に用意し、第２の電極１６と接着層１５を接触させる。接触後、前記接着層１５を硬化する。
【００２６】
本発明に適応される接着樹脂の硬化方法としては、接着樹脂の種類に応じて、紫外線の照射や加熱などの手段を用いることができる。
【００２７】
以上により、図１（Ｃ）に示した発光素子を作製することができる。本発明を用いることで、前記構造１８と前記構造１９は全く別のプロセスで作製することが可能である。よって、それぞれの構造を作製するプロセスの条件を最適化することにより、高品質な表示装置を作製することができる。
【００２８】
例えば、発光層１４の輝度向上を目的として高温加熱処理を行う場合、発光層１４が設けられる第１の基板１１に加熱温度に耐えられる石英基板、セラミック基板などを用い、高温の加熱処理を行わない第２の基板１７に安価で透光性の高いガラス基板を用いることができる。換言すると、第１の基板１１よりも耐熱性の低い基板を第２の基板１７として用いることができる。
【００２９】
また、接着樹脂に高誘電体材料を混ぜることで接着層１５は誘電体層としての機能も兼ねることができるので、真空蒸着による成膜プロセスを減らすことができ、プロセスの簡略化にもつながる。
【００３０】
（実施の形態２）
本発明を用いて作製する発光素子の他の構造例を、図２を用いて説明する。
【００３１】
なお、本発明の発光層で用いることのできる発光材料は、母体材料と発光中心となる不純物元素とで構成される。不純物元素を変化させることで、様々な発光色のルミネセンスを得ることができる。発光材料の作製方法としては、固相方法や液相方法（共沈法）などの様々な方法を用いることができる。また噴霧熱分解法、複分解法、プレカーサーの熱分解反応による方法、逆ミセル法やこれらの方法と高温焼成を組み合わせた方法、凍結乾燥法などの液相法なども用いることができる。
【００３２】
固相方法は、母体材料及び不純物元素を秤量し、乳鉢で混合、電気炉で加熱、焼成を行い反応させる方法により、母体材料に不純物元素を含有させる。焼成温度は、７００〜１５００℃が好ましい。温度が低すぎる場合は固体反応が進まず、温度が高すぎる場合は母体材料が分解してしまうからである。なお、粉末状態で焼成を行ってもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましい。比較的高温での焼成を必要とするが、簡単な方法であるため、生産性がよく大量生産に適している。
【００３３】
液相方法（共沈法）は、母体材料及び不純物元素を溶液中で反応させ、乾燥させた後、焼成を行う方法である。発光材料の粒子が均一に分布し、粒径が小さく低い焼成温度でも反応を進ませることができる。
【００３４】
本発明に用いることのできる母体材料としては、硫化物、酸化物、窒化物を用いることができる。硫化物としては、例えば、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）、硫化イットリウム（Ｙ２Ｓ３）、硫化ガリウム（Ｇａ２Ｓ３）、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）、硫化バリウム（ＢａＳ）等を用いることができる。また、酸化物としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）等を用いることができる。また、窒化物としては、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）等を用いることができる。さらに、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）等も用いることができ、硫化カルシウム−ガリウム（ＣａＧａ２Ｓ４）、硫化ストロンチウム−ガリウム（ＳｒＧａ２Ｓ４）、硫化バリウム−ガリウム（ＢａＧａ２Ｓ４）、等の３元系の混晶であってもよい。
【００３５】
本発明において発光材料の中の不純物元素には、少なくとも２種類の材料が含まれる。第一の不純物元素は、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ケイ素（Ｓｉ）等を用いることができる。第二の不純物元素は、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等を用いることができる。
【００３６】
母体材料として、上述した材料を用い、発光中心として、上記第一の不純物元素及び第二の不純物元素のみで構成された発光材料を用いることができる。これらはドナー−アクセプター再結合による発光である。
【００３７】
発光材料の中の不純物元素として第一の不純物元素及び第三の不純物元素を用いて、２種類の材料を含むようにしてもよい。第三の不純物元素は、例えば、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等を用いることができる。
【００３８】
発光材料の中の不純物元素として第一の不純物元素及び第二の不純物元素の他に、さらに第三の不純物元素を用いて、３種類の材料を含むようにしてもよい。これらの不純物の濃度は、母体材料に対して０．０１〜１０ｍｏｌ％であればよく、好ましくは０．１〜５ｍｏｌ％の範囲である。
【００３９】
また、固相反応を利用する場合の不純物元素として、第一の不純物元素と第二の不純物元素、あるいは第二の不純物元素と第三の不純物元素で構成される化合物を組み合わせて用いてもよい。この場合、不純物元素が拡散されやすく、固相反応が進みやすくなるため、均一な発光材料を得ることができる。さらに、余分な不純物元素が入らないため、純度の高い発光材料が得ることができる。第一の不純物元素と第二の不純物元素で構成される化合物としては、例えば、フッ化銅（ＣｕＦ２）、塩化銅（ＣｕＣｌ）、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、臭化銅（ＣｕＢｒ）、窒化銅（Ｃｕ３Ｎ）、リン化銅（Ｃｕ３Ｐ）、フッ化銀（ＡｇＦ）、塩化銀（ＡｇＣｌ）、ヨウ化銀（ＡｇＩ）、臭化銀（ＡｇＢｒ）、塩化金（ＡｕＣｌ３）、臭化金（ＡｕＢｒ３）、塩化白金（ＰｔＣｌ２）等を用いることができる。また、第二の不純物元素と第三の不純物元素で構成される化合物としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、塩化リチウム（ＬｉＣｌ）、ヨウ化リチウム（ＬｉＩ）、臭化銅（ＬｉＢｒ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）等のハロゲン化アルカリ、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アンチモン化アルミニウム（ＡｌＳｂ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）等を用いることができる。
【００４０】
このようにして得られた発光材料は、ドナー−アクセプターペアの再結合による発光が得られ、電気伝導性の高い発光材料となる。３種類の材料を含むような発光材料を用いた発光層は、高電界により加速されたホットエレクトロンを必要とすることなく、発光することが可能である。つまり、発光素子に高電圧を印加する必要がなくなるため、低駆動電圧で動作可能な発光素子を得ることができる。また、低駆動電圧で発光可能なため、消費電力も低減された発光素子を得ることができる。
【００４１】
さらに、ドナー−アクセプター再結合によらない発光材料として、例えば、母体材料として、上述した材料を用い、発光中心として、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、サマリウム（Ｓｍ）、テルビウム（Ｔｂ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）などを用いることができる。これらの発光材料による発光は、金属イオンの内殻電子遷移を利用したものである。なお、これらの発光材料には、金属単体のみならず、電荷補償のため、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素が添加されていてもよい。
【００４２】
実施の形態１及び本実施の形態で示した発光層（発光層１４及び２４）は、上記発光材料を含む層であり、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）法等の真空蒸着法、スパッタリング法等の物理気相成長法（ＰＶＤ）、有機金属ＣＶＤ法、ハイドライド輸送減圧ＣＶＤ法等の化学気相成長法（ＣＶＤ）、原子層エピタキシ法（ＡＬＥ）等を用いて形成することができる。
【００４３】
また実施の形態１及び本実施の形態で示した誘電体層（誘電体層１３及び２３ａ，２３ｂ）は、特に限定されることはないが、絶縁耐圧が高く、緻密な膜質であることが好ましく、さらには、誘電率が高いことが好ましい。例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等やこれらの混合膜又は２種以上の積層膜を用いることができる。これらの誘電体層は、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等により成膜することができる。
【００４４】
図２（Ａ）の構造２８ａは第１の基板２１と第１の電極２２と第１の誘電体層２３ａと発光層２４と第２の誘電体層２３ｂを有する構造である。構造２８ａの第２の誘電体層２３ｂの上に接着樹脂を付着し、接着層２５を形成する。
【００４５】
ここで、本発明における接着樹脂の付着方法の一例として滴下法を図１０を用いて説明する。図１０は、本発明に適用できる接着樹脂の滴下装置の一態様であり、８０は滴下制御回路、８１はＣＣＤなどの撮像手段、８３はマーカー、８２はヘッドである。滴下制御回路８０により、滴下ヘッド８２のノズルより接着樹脂を基板８４へ滴下する。基板８４には、液状の接着樹脂を含む組成物８５の領域を決定するための、枠体８６を形成する。その枠体８６によって囲まれた領域に液状の接着樹脂を含む組成物８５を滴下し、接着層が形成される。
【００４６】
さらに、第２の電極２６と第２の基板２７とを有する構造２９ａを別に用意し、第２の電極２６と接着層２５を接触させる。接触後、接着樹脂の種類に応じて、紫外線の照射や加熱などの手段で前記接着樹脂を硬化する。
【００４７】
以上により、図２（Ａ）に示した発光素子を作製することができる。
【００４８】
この他、図２（Ｂ）のように、第１の基板２１と第１の電極２２と第１の誘電体層２３ａと発光層２４を有する構造２８ｂと、第２の誘電体層２３ｂと第２の電極２６と第２の基板２７とを有する構造２９ｂとを接着層２５にて接着することも可能である。
【００４９】
このように本発明を用いることで、構造２８ａと構造２９ａ及び構造２８ｂと構造２９ｂは全く別のプロセスで作製することが可能である。よって、それぞれの構造を作製するプロセスを最適化することにより、より高品質な表示装置を作製することができる。
【００５０】
（実施の形態３）
本発明を用いて作製可能な発光素子を、図３を用いて説明する。なお、本実施の形態では、分散型無機ＥＬ素子の作製方法を説明する。
【００５１】
図３（Ａ）の構造３０は第１の基板３１と第１の電極３２を有する構造である。
【００５２】
前記構造３０の第１の電極３２の上に発光材料３３を接着樹脂３４に分散させたもの付着し、接着層４０ａを作製する。
【００５３】
なお、ここで使用する発光材料３３は、実施の形態２で示した発光材料を粒子状に加工したものを使用する。粒子状への加工は、乳鉢等で粉砕してもよいし、粉砕器などの装置を用いて行うことができる。発光材料の作製方法によって、十分に所望の大きさの粒子が得られる場合は、さらなる加工処理は行わなくともよい。粒径は、０．１μｍ以上５０μｍ以下（より好ましくは１０μｍ以下）とすればよい。発光材料の形状は、粒状、柱状、針状、板状などどのような形状でも良く、複数の発光材料の粒子同士が凝集し、単体として集合体を形成してもよい。
【００５４】
さらに、第２の電極３５と第２の基板３６とを有する構造３９を別に用意し、第２の電極３５と接着層４０ａを接触させる。接触後、接着樹脂の種類に応じて、紫外線の照射や加熱などの手段で前記接着樹脂を硬化する。
【００５５】
以上により、図３（Ａ）に示した発光素子を作製することができる。この方法を用いることで、接着層に発光層としての機能をもたせることができ、プロセスを簡略化することができる。
【００５６】
この他、図３（Ｂ）のように、発光材料３３を接着樹脂と高誘電体材料とを混ぜた材料３８に分散したものを接着層４０ｂとすることもできる。
【００５７】
ここで、高誘電体材料とは、有機材料や無機材料を用いることができ、有機材料及び無機材料の混合材料を用いてもよい。有機材料としては、シアノエチルセルロース系樹脂のような極性が強く、高誘電率のポリマーがよく、無機材料としてはチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）やチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）などの高誘電率の微粒子を用いるのがよい。
【００５８】
また、図３（Ｃ）のように、発光材料３３を高誘電率材料と溶剤との混合物からなるバインダ３７に分散し、第１の電極３２の上に付着し乾燥して発光層４０ｃを作製し、前記発光層４０ｃの上に接着樹脂３４を付着し接着層を形成し、前記接着層と第２の電極３５を接触させ前記接着層を硬化することで発光素子を作製することもできる。
【００５９】
ここで本発明に用いることのできるバインダとしては、有機材料や無機材料を用いることができ、有機材料及び無機材料の混合材料を用いてもよい。有機材料としては、シアノエチルセルロース系樹脂のように、比較的誘電率の高いポリマーや、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン系樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ化ビニリデンなどの樹脂を用いることができる。また、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）などの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を用いてもよい。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、アリール基）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどのビニル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、オキサゾール樹脂（ポリベンゾオキサゾール）等の樹脂材料を用いてもよい。また、光感光性樹脂を用いることもでき、例えば光硬化性を有する光感光性樹脂などを用いることができる。これらの樹脂に、ＢａＴｉＯ３やＳｒＴｉＯ３などの高誘電率の微粒子を適度に混合して誘電率を調整することもできる。
【００６０】
バインダに含まれる無機材料としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮＯ）または酸化アルミニウム、酸化チタン（ＴｉＯ２）、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＫＮｂＯ３、ＰｂＮｂＯ３、Ｔａ２Ｏ３、ＢａＴａ２Ｏ６、ＬｉＴａＯ３、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＺｎＳ、その他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。有機材料に、誘電率の高い無機材料を含ませる（添加等によって）ことによって、発光材料及びバインダよりなる発光層の誘電率をより制御することができ、より誘電率を大きくすることができる。
【００６１】
本発明のバインダに用いることのできる溶剤としては、バインダ材料が溶解し、発光層を形成する方法（各種ウエットプロセス）及び所望の膜厚に適した粘度の溶液を作製できるような溶媒を適宜選択すればよい。有機溶媒等を用いることができ、例えばバインダとしてシロキサン樹脂を用いる場合は、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡともいう）、３−メトシキ−３メチル−１−ブタノール（ＭＭＢともいう）などを用いることができる。
【００６２】
本発明を用いることによって、高温処理をする基板と、高温処理をしない基板とを別々に作製し、最終的に一体型の本実施の形態の表示装置を作製することが可能となる。よって、高温処理をすることができないガラス基板上で駆動する高輝度な無機ＥＬ表示装置を作製することができる。
【００６３】
本発明では、第１の基板と第２の基板とを別々に処理することが可能なため、装置作製の方法に選択肢が増え、生産性の向上につながる。また、接着層に発光材料、高誘電体材料、導電性材料を分散させることで、接着以外の機能を持たせることができ、工程を簡略化することができる。
【００６４】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の発光素子を有する表示装置の一構成例に関して図面を用いて説明する。より具体的には、表示装置の構成がパッシブマトリクス型の場合に関して示す。
【００６５】
なお、薄膜型無機ＥＬと分散型無機ＥＬとで構造に違いがあるが、どちらも電界発光するという点では同じであるので、これらの発光機構に関わる部分を電界発光層とする。この電界発光層は例えば、薄膜型無機ＥＬで言えば発光層と誘電体層からなり、分散型無機ＥＬでいえば、バインダに粒子状の発光材料を分散させた材料を焼成し形成された発光層と誘電体層とからなる。
【００６６】
表示装置の上面図を図４（Ａ）に、図４（Ａ）における線Ａ−Ｂの断面図を図４（Ｂ）に示す。また、図４（Ａ）には、第２の基板７５５は省略され図示されていないが、図４（Ｂ）で示すようにそれぞれ設けられている。
【００６７】
図４（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置は、第１の基板７５０、第１の方向に延びた第１の電極層７５１ａ、第１の電極層７５１ｂ、第１の電極層７５１ｃ、第１の電極層７５１ａ、第１の電極層７５１ｂ、第１の電極層７５１ｃを覆って設けられた接着層７５２、電界発光層７５３、第１の方向と垂直な第２の方向に延びた第２の電極層７５４ａ、第２の電極層７５４ｂ、第２の電極層７５４ｃと第２の基板７５５を有している。第１の電極層７５１ａ、第１の電極層７５１ｂ、第１の電極層７５１ｃと第２の電極層７５４ａ、第２の電極層７５４ｂ、第２の電極層７５４ｃとの間に接着層７５２と電界発光層７５３が設けられている。電界発光層７５３と第２の電極層７５４ａ、第２の電極層７５４ｂ、第２の電極層７５４ｃは、第２の基板上に形成されていて、接着層７５２によって第１の基板の電極層側と第２の基板の電界発光層側が接着している。なお、隣接する各々のメモリセル間において横方向への電界の影響が懸念される場合は、各発光素子に設けられた電界発光層７５３を分離してもよい。
【００６８】
図４（Ｃ）は、図４（Ｂ）の変形例であり、第１の基板７５０、第１の電極層７５１ａ、第１の電極層７５１ｂ、第１の電極層７５１ｃ、接着層７５２、電界発光層７５３、第２の電極層７５４ａ、第２の電極層７５４ｂ、第２の電極層７５４ｃ、第２の基板７５５を有している。図４（Ｃ）の第１の電極層７５１ａ、第１の電極層７５１ｂ、第１の電極層７５１ｃのように、第１の電極層は、テーパーを有する形状でもよく、曲率半径が連続的に変化する形状でもよい。第１の電極層７５１ａ、第１の電極層７５１ｂ、第１の電極層７５１ｃのような形状は、液滴吐出法などを用いて形成することができる。このような曲率を有する曲面であると、電極角部での電界集中によるショートを防止する効果が得られる。
【００６９】
また、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように第１の電極層の端部を覆うように隔壁（絶縁層）を形成してもよい。隔壁（絶縁層）は、他の記憶素子間を隔てる壁のような役目を果たす。図５（Ａ）、（Ｂ）は、第１の電極層の端部を隔壁（絶縁層）で覆う点を除いて図４（Ｂ）（Ｃ）に示した構造と同様である。また、図５（Ａ）、（Ｂ）に示す断面図に対応する上面図は、図４（Ａ）である。
【００７０】
図５（Ａ）に示す発光素子の一例は、隔壁となる隔壁（絶縁層）７７６が、第１の電極層７５１ａ、第１の電極層７５１ｂ、第１の電極層７５１ｃの端部を覆うようにテーパーを有する形状で形成されている。第１の基板７５０上に設けられた第１の電極層７５１ａ、第１の電極層７５１ｂ、第１の電極層７５１ｃの端部に、隔壁（絶縁層）７７６を形成し、第１の電極層７５１ａ、第１の電極層７５１ｂ、第１の電極層７５１ｃの上に接着樹脂を付着し、第１の接着層７７２ａ、第１の接着層７７２ｂ、第１の接着層７７２ｃを形成し、電界発光層７５３、第２の電極層７５４ａ（図４（Ａ）に図示されている）、第２の電極層７５４ｂ、第２の電極層７５４ｃ（図４（Ａ）に図示されている）を有する第２の基板７５５と接触し接着樹脂を硬化することで作製される。
【００７１】
図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の変形例であり、発光素子の隔壁（絶縁層）７７６が曲率を有し、その曲率半径が連続的に変化する形状である。第１の基板７５０上に設けられた第１の電極層７５１ａ、第１の電極層７５１ｂ、第１の電極層７５１ｃの端部に、隔壁（絶縁層）７７６を形成し、第１の電極層７５１ａ、第１の電極層７５１ｂ、第１の電極層７５１ｃの上に接着樹脂を付着し、第１の接着層７５２、電界発光層７５３、第２の電極層７５４ａ（図４（Ａ）に図示されている）、第２の電極層７５４ｂ、第２の電極層７５４ｃ（図４（Ａ）に図示されている）を有する第２の基板７５５と接触し、接着樹脂を硬化することで作製される。
【００７２】
また、隔壁はその形状が底部に対して頂部の外端が外側に出ている逆テーパー形状を有していてもよい。
【００７３】
第１の基板７５０、第２の基板７５５としては、ガラス基板や可撓性基板の他、石英基板、シリコン基板、金属基板、ステンレス基板等を用いることができる。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等からなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる）、繊維質な材料からなる紙、基材フィルム（ポリエステル、ポリアミド、無機蒸着フィルム、紙類等）などを用いることもできる。また、この他にも、Ｓｉ等の半導体基板上に形成された電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の上部や、ガラス等の基板上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の上部に発光素子を設けることができる。
【００７４】
本実施の形態で示した第１の電極層、第２の電極層、発光材料、発光層、接着層の材料および形成方法は、上記実施の形態１乃至３で示した材料および形成方法のいずれかを用いて同様に行うことができる。
【００７５】
本発明を用いることによって、高温処理をする基板と、高温処理をしない基板とを別々に作製し、最終的に一体型の本実施の形態の表示装置を作製することが可能となる。よって、高温処理をすることができないガラス基板上で駆動する高輝度な無機ＥＬ表示装置を作製することができる。
【００７６】
本発明では、第１の基板と第２の基板とを別々に処理することが可能なため、装置作製の方法に選択肢が増え、生産性の向上につながる。また、接着層に発光材料、高誘電体材料、導電性材料を分散させることで、接着以外の機能を持たせることができ、工程を簡略化することができる。
【００７７】
（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態４とは異なる構成を有する表示装置について説明する。具体的には、表示装置の構成がアクティブマトリクス型の場合に関して示す。
【００７８】
表示装置の上面図を図６（Ａ）に、図６（Ａ）における線Ｅ−Ｆの断面図を図６（Ｂ）に示す。また、図６（Ａ）には、電界発光層３１２、第２の電極層３１３及び第２の基板３１４は省略され図示されていないが、図６（Ｂ）で示すようにそれぞれ設けられている。
【００７９】
第１の方向に延びた第１の配線と、第１の方向と垂直な第２の方向に延びた第２の配線とがマトリクス状に設けられている。また、第１の配線はトランジスタ３１０ａ及びトランジスタ３１０ｂのソース電極又はドレイン電極に接続されており、第２の配線はトランジスタ３１０ａ及びトランジスタ３１０ｂのゲート電極に接続されている。さらに、第１の配線と接続されていないトランジスタ３１０ａ及びトランジスタ３１０ｂのソース電極またはドレイン電極に、それぞれ第１の電極層３０６ａ及び第１の電極層３０６ｂが接続されている。第１の電極層３０６ａ及び第１の電極層３０６ｂの上に接着層３１６ａ及び接着層３１６ｂが形成され、電界発光層３１２、第２の電極層３１３を有する第２の基板３１４と接着することで発光素子３１５ａ、発光素子３１５ｂが形成されている。隣接する各々の発光素子の間に隔壁（絶縁層）３０７を設けて、前記隔壁３０７上に空間を設け、前記隔壁３０７と電界発光層３１２が直接接触するのを防いでいる。また、トランジスタ３１０ａ、トランジスタ３１０ｂとして、薄膜トランジスタを用いている（図６（Ｂ）参照。）。
【００８０】
図６（Ｂ）の発光素子は基板３００上に設けられており、絶縁層３０１ａ、絶縁層３０１ｂ、絶縁層３０８、絶縁層３０９、絶縁層３１１、トランジスタ３１０ａを構成する半導体層３０４ａ、ゲート電極層３０２ａ、ソース電極層又はドレイン電極層を兼ねる配線３０５ａ、トランジスタ３１０ｂを構成する半導体層３０４ｂ、ゲート電極層３０２ｂを有している。第１の電極層３０６ａ及び第１の電極層３０６ｂの上に接着層３１６ａ及び接着層３１６ｂが形成され、電界発光層３１２、第２の電極層３１３を有する第２の基板３１４と接触し発光素子を形成している。
【００８１】
なお、電界発光層３１２に直流の電流を流したい場合は、接着樹脂に導電性材料を混ぜて、接着層３１６ａおよび接着層３１６ｂに導電性を持たせることもできる。導電性材料としては、導電性高分子などの有機材料でもよく、金属微粒子などの無機材料でもよい。例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ等の金属、Ｃｄ、Ｚｎの金属硫化物、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｂａなどの酸化物、ハロゲン化銀の微粒子又は分散性ナノ粒子などを用いることができる。
【００８２】
また、図１１に示すように、単結晶半導体基板３５０上に設けられた電界効果トランジスタ３６０ａ、電界効果トランジスタ３６０ｂに発光素子３６５ａ、発光素子３６５ｂが接続されていてもよい。ここでは、電界効果トランジスタ３６０ａ及び電界効果トランジスタ３６０ｂのソース電極層又はドレイン電極層３５５ａ〜３５５ｄを覆うように絶縁層３７０を設け、絶縁層３７０上に第１の電極層３５６ａ、第１の電極層３５６ｂ、隔壁（絶縁層）３６７を形成し、その上に接着層３７１と電界発光層３６２ａ、電界発光層３６２ｂ、第２の電極層３６３で発光素子３６５ａ、発光素子３６５ｂを構成する。電界発光層３６２ａ、電界発光層３６２ｂのように電界発光層は各発光素子のみに、マスク等を用いて選択的に設けてもよい。また、図１１に示す表示装置は、素子分離領域３６８、絶縁層３６９、絶縁層３６１、第２の基板３６４も有している。第１の電極層３５６ａ、第１の電極層３５６ｂ、隔壁３６７上に接着層３７１が形成され、その上に電界発光層３６２ａ、電界発光層３６２ｂと第２の電極層３６３を有する第２の基板３６４が接着されている。
【００８３】
なお、接着層は図６（Ｂ）のように各発光素子の部分だけに選択的に作製することもできるし、図１１のように発光素子間を区切ることなく連続的に作製することもできる。図６（Ｂ）のように作製する場合には、液滴吐出法、スクリーン印刷法、ディスペンス法などを用いるのがよい。
【００８４】
本発明を用いて作製された表示装置は、第１の基板３５０と第２の基板３６４を全く別のプロセスで作製可能であるため、それぞれのプロセスを最適化することによって高品質な表示装置を作製可能である。
【００８５】
図１１のように、絶縁層３７０を設けて発光素子を形成することによって第１の電極層を自由に配置することができる。つまり、図６（Ｂ）の構成では、トランジスタ３１０ａ、トランジスタ３１０ｂのソース電極層又はドレイン電極層を避けた領域に発光素子３１５ａ、発光素子３１５ｂを設ける必要があったが、上記構成とすることによって、例えば、トランジスタ３１０ａ、トランジスタ３１０ｂの上方に発光素子３１５ａ、発光素子３１５ｂを形成することが可能となる。その結果、本発明を用いて作製される表示装置をより高集積化することが可能となる。
【００８６】
トランジスタ３１０ａ、トランジスタ３１０ｂはスイッチング素子として機能し得るものであれば、どのような構成で設けてもよい。半導体層も非晶質半導体、結晶性半導体、多結晶半導体、微結晶半導体など様々な半導体を用いることができ、有機化合物を用いて有機トランジスタを形成してもよい。図６（Ａ）では、絶縁性を有する基板上にプレーナ型の薄膜トランジスタを設けた例を示しているが、スタガ型や逆スタガ型等の構造でトランジスタを形成することも可能である。
【００８７】
本発明を用いることによって、高温処理をする基板と、高温処理をしない基板とを別々に作製し、最終的に一体型の本実施の形態の表示装置を作製することが可能となる。よって、高温処理をすることができないガラス基板上で駆動する高輝度な無機ＥＬ表示装置を作製することができる。
【００８８】
本発明では、第１の基板と第２の基板とを別々に処理することが可能なため、装置作製の方法に選択肢が増え、生産性の向上につながる。また、接着層に発光材料、高誘電体材料、導電性材料を分散させることで、接着以外の機能を持たせることができ、工程を簡略化することができる。
【００８９】
（実施の形態６）
本実施の形態における表示装置の作製方法を、図７、図８、図１６、図１７を用いて詳細に説明する。
【００９０】
図１６（Ａ）は本発明に係る表示パネルの構成を示す上面図であり、絶縁表面を有する基板２７００上に画素２７０２をマトリクス上に配列させた画素部２７０１、走査線側入力端子２７０３、信号線側入力端子２７０４が形成されている。画素数は種々の規格に従って設ければ良く、ＸＧＡであってＲＧＢを用いたフルカラー表示であれば１０２４×７６８×３（ＲＧＢ）、ＵＸＧＡであってＲＧＢを用いたフルカラー表示であれば１６００×１２００×３（ＲＧＢ）、フルスペックハイビジョンに対応させ、ＲＧＢを用いたフルカラー表示であれば１９２０×１０８０×３（ＲＧＢ）とすれば良い。
【００９１】
画素２７０２は、走査線側入力端子２７０３から延在する走査線と、信号線側入力端子２７０４から延在する信号線とが交差することで、マトリクス状に配設される。画素２７０２のそれぞれには、スイッチング素子とそれに接続する画素電極層が備えられている。スイッチング素子の代表的な一例はＴＦＴであり、ＴＦＴのゲート電極層側が走査線と、ソース若しくはドレイン側が信号線と接続されることにより、個々の画素を外部から入力する信号によって独立して制御可能としている。
【００９２】
図１６（Ａ）は、走査線及び信号線へ入力する信号を、外付けの駆動回路により制御する表示パネルの構成を示しているが、図１７（Ａ）に示すように、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりドライバＩＣ２７５１を基板２７００上に実装しても良い。また他の実装形態として、図１７（Ｂ）に示すようなＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式を用いてもよい。ドライバＩＣは単結晶半導体基板に形成されたものでも良いし、ガラス基板上にＴＦＴで回路を形成したものであっても良い。図１７において、ドライバＩＣ２７５１は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）２７５０と接続している。
【００９３】
また、画素に設けるＴＦＴを結晶性を有する半導体で形成する場合には、図１６（Ｂ）に示すように走査線側駆動回路３７０２を基板３７００上に形成することもできる。図１６（Ｂ）において、画素部３７０１は、信号線側入力端子３７０４と接続した図１６（Ａ）と同様に外付けの駆動回路により制御する。画素に設けるＴＦＴを移動度の高い、多結晶（微結晶）半導体、単結晶半導体などで形成する場合は、図１６（Ｃ）は、画素部４７０１、走査線駆動回路４７０２と、信号線駆動回路４７０４を基板４７００上に一体形成することもできる。
【００９４】
図７において絶縁表面を有する第１の基板１００の上に下地膜として、スパッタリング法、ＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、減圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ法）、またはプラズマＣＶＤ法等のＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などにより窒化酸化珪素膜を用いて下地膜１０１ａを１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１５０ｎｍ）形成し、酸化窒化珪素膜を用いて下地膜１０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）積層する。又はアクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）などの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を用いてもよい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどのビニル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いてもよい。また、ベンゾシクロブテン、パリレン、フッ化アリレンエーテル、ポリイミドなどの有機材料、水溶性ホモポリマーと水溶性共重合体を含む組成物材料等を用いてもよい。また、オキサゾール樹脂を用いることもでき、例えば光硬化型ポリベンゾオキサゾールなどを用いることができる。
【００９５】
また、液滴吐出法や、印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法）、スピンコート法などの塗布法、ディッピング法、ディスペンサ法などを用いることもできる。本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法を用いて下地膜１０１ａ、下地膜１０１ｂを形成する。第１の基板１００としてはガラス基板、石英基板やシリコン基板、金属基板、またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いて良い。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよいし、フィルムのような可撓性基板を用いても良い。プラスチック基板としてはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）を用いることができ、可撓性基板としてはアクリル等の合成樹脂を用いることができる。本実施の形態で作製する表示装置は、第１の基板１００を通過させて発光素子よりの光を取り出す構成であるので、第１の基板１００は透光性を有する必要がある。
【００９６】
下地膜としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素などを用いることができ、単層でも２層、３層といった積層構造でもよい。
【００９７】
次いで、下地膜上に半導体膜を形成する。半導体膜は２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１５０ｎｍ）の厚さで各種手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜すればよい。本実施の形態では、非晶質半導体膜を、レーザ結晶化し、結晶性半導体膜とするものを用いるのが好ましい。
【００９８】
半導体膜を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質半導体（以下「アモルファス半導体：ＡＳ」ともいう。）、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いはセミアモルファス（微結晶若しくはマイクロクリスタルとも呼ばれる。以下「ＳＡＳ」ともいう。）半導体などを用いることができる。
【００９９】
ＳＡＳは、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいる。ＳＡＳは、珪素を含む気体をグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成する。珪素を含む気体としては、ＳｉＨ４、その他にもＳｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などを用いることが可能である。またＦ２、ＧｅＦ４を混合させても良い。この珪素を含む気体をＨ２、又は、Ｈ２とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。また、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで安定性が増し良好なＳＡＳが得られる。また半導体膜としてフッ素系ガスより形成されるＳＡＳ層に水素系ガスより形成されるＳＡＳ層を積層してもよい。
【０１００】
非晶質半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを添加し結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、セミアモルファス半導体又は半導体膜の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。
【０１０１】
半導体膜に、結晶性半導体膜を用いる場合、その結晶性半導体膜の作製方法は、公知の方法（レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた熱結晶化法等）を用いれば良い。また、ＳＡＳである微結晶半導体をレーザ照射して結晶化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質半導体膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下５００℃で１時間加熱することによって非晶質半導体膜の含有水素濃度を１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にまで放出させる。これは水素を多く含んだ非晶質半導体膜にレーザ光を照射すると非晶質半導体膜が破壊されてしまうからである。結晶化のための加熱処理は、加熱炉、レーザ照射、若しくはランプから発する光の照射（ランプアニールともいう）などを用いることができる。加熱方法としてＧＲＴＡ（Ｇａｓ  Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）法、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ  Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）法等のＲＴＡ法がある。ＧＲＴＡとは高温のガスを用いて加熱処理を行う方法であり、ＬＲＴＡとはランプ光により加熱処理を行う方法である。
【０１０２】
また、非晶質半導体層を結晶化し、結晶性半導体層を形成する結晶化工程で、非晶質半導体層に結晶化を促進する元素（触媒元素、金属元素とも示す）を添加し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長する元素としては、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスニウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）から選ばれた一種又は複数種類を用いることができる。
【０１０３】
非晶質半導体膜への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体膜の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体膜の表面のぬれ性を改善し、非晶質半導体膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜することが望ましい。
【０１０４】
結晶化を促進する元素を結晶性半導体層から除去、又は軽減するため、結晶性半導体層に接して、不純物元素を含む半導体層を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素、ｐ型を付与する不純物元素や希ガス元素などを用いることができ、例えばリン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、ボロン（Ｂ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン）から選ばれた一種または複数種を用いることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体層に、希ガス元素を含む半導体層を形成し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）を行う。結晶性半導体層中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体層中に移動し、結晶性半導体層中の結晶化を促進する元素は除去、又は軽減される。その後、ゲッタリングシンクとなった希ガス元素を含む半導体層を除去する。
【０１０５】
レーザと、半導体膜とを相対的に走査することにより、レーザ照射を行うことができる。またレーザ照射において、ビームを精度よく重ね合わせるか、レーザ照射開始位置やレーザ照射終了位置を制御することによって、マーカーを形成することもできる。マーカーは非晶質半導体膜と同時に、基板上へ形成すればよい。
【０１０６】
レーザ照射を用いる場合、連続発振型のレーザビーム（ＣＷ（ＣＷ：ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−ｗａｖｅ）レーザビーム）やパルス発振型のレーザビーム（パルスレーザビーム）を用いることができる。ここで用いることができるレーザビームは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。このようなレーザビームの基本波、及びこれらの基本波の第２高調波から第４高調波のレーザビームを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いることができる。このレーザは、ＣＷで射出することも、パルス発振で射出することも可能である。ＣＷで射出する場合は、レーザのパワー密度を０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。そして、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。
【０１０７】
なお、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、Ａｒイオンレーザ、またはＴｉ：サファイアレーザは、連続発振をさせることが可能であり、Ｑスイッチ動作やモード同期などを行うことによって１０ＭＨｚ以上の発振周波数でパルス発振をさせることも可能である。１０ＭＨｚ以上の発振周波数でレーザビームを発振させると、半導体膜がレーザによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に照射される。従って、発振周波数が低いパルスレーザを用いる場合と異なり、半導体膜中において固液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。
【０１０８】
媒質としてセラミック（多結晶）を用いると、短時間かつ低コストで自由な形状に媒質を形成することが可能である。単結晶を用いる場合、通常、直径数ｍｍ、長さ数十ｍｍの円柱状の媒質が用いられているが、セラミックを用いる場合はさらに大きいものを作ることが可能である。
【０１０９】
発光に直接寄与する媒質中のＮｄ、Ｙｂなどのドーパントの濃度は、単結晶中でも多結晶中でも大きくは変えられないため、濃度を増加させることによるレーザの出力向上にはある程度限界がある。しかしながら、セラミックの場合、単結晶と比較して媒質の大きさを著しく大きくすることができるため大幅な出力向上が得られる。
【０１１０】
さらに、セラミックの場合では、平行六面体形状や直方体形状の媒質を容易に形成することが可能である。このような形状の媒質を用いて、発振光を媒質の内部でジグザグに進行させると、発振光路を長くとることができる。そのため、増幅が大きくなり、大出力で発振させることが可能になる。また、このような形状の媒質から射出されるレーザビームは射出時の断面形状が四角形状であるため、丸状のビームと比較すると、線状ビームに整形するのに有利である。このように射出されたレーザビームを、光学系を用いて整形することによって、短辺の長さ１ｍｍ以下、長辺の長さ数ｍｍ〜数ｍの線状ビームを容易に得ることが可能となる。また、励起光を媒質に均一に照射することにより、線状ビームは長辺方向にエネルギー分布の均一なものとなる。またさらにレーザは、半導体膜に対して入射角θ（０＜θ＜９０度）を持たせて照射させるとよい。レーザの干渉を防止することができるからである。
【０１１１】
この線状ビームを半導体膜に照射することによって、半導体膜の全面をより均一にアニールすることが可能になる。線状ビームの両端まで均一なアニールが必要な場合は、その両端にスリットを配置し、エネルギーの減衰部を遮光するなどの工夫が必要となる。
【０１１２】
このようにして得られた強度が均一な線状ビームを用いて半導体膜をアニールし、この半導体膜を用いて表示装置を作製すると、その表示装置の特性は、良好かつ均一である。
【０１１３】
また、希ガスや窒素などの不活性ガス雰囲気中でレーザ光を照射するようにしても良い。これにより、レーザ光の照射により半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密度のばらつきによって生じるしきい値のばらつきを抑えることができる。
【０１１４】
非晶質半導体膜の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。
【０１１５】
本実施の形態では、下地膜１０１ｂ上に、非晶質半導体膜を形成し、非晶質半導体膜を結晶化させることによって結晶性半導体膜を形成する。
【０１１６】
非晶質半導体膜上に形成された酸化膜を除去した後、酸素雰囲気中でのＵＶ光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を１ｎｍ〜５ｎｍ形成する。本実施の形態では、結晶化を助長する元素としてＮｉを用いる。Ｎｉ酢酸塩１０ｐｐｍを含有した水溶液をスピンコーティング法により塗布する。
【０１１７】
本実施の形態では、熱処理をＲＴＡ法により７５０℃で３分間行った後、半導体膜上に形成される酸化膜を除去し、レーザ光を照射する。非晶質半導体膜は以上の結晶化処理により結晶化し、結晶性半導体膜として形成される。
【０１１８】
金属元素を用いた結晶化を行った場合、金属元素を低減、又は除去するためにゲッタリング工程を施す。本実施の形態では、非晶質半導体膜をゲッタリングシンクとして金属元素を捕獲する。まず、結晶性半導体膜上に酸素雰囲気中でのＵＶ光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を形成する。酸化膜は加熱処理によって厚膜化することが望ましい。次いでプラズマＣＶＤ法（本実施の形態における条件３５０Ｗ、３５Ｐａ、成膜ガスＳｉＨ４（流量５ｓｃｃｍ）、Ａｒ（流量１０００ｓｃｃｍ））を用いて、非晶質半導体膜を５０ｎｍの膜厚で形成する。
【０１１９】
その後、ＲＴＡ法により７４４℃で３分間熱処理を行い、金属元素を低減、又は除去する。熱処理は窒素雰囲気下で行ってもよい。そして、ゲッタリングシンクとなっていた非晶質半導体膜、及び非晶質半導体膜上に形成された酸化膜をフッ酸等により除去し、金属元素が低減、又は除去された結晶性半導体膜を得ることができる。本実施の形態では、ゲッタリングシンクとなった非晶質半導体膜の除去をＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を用いて行う。
【０１２０】
このようにして得られた半導体膜に対して、薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングを行ってもよい。この不純物元素のドーピングは、結晶化工程の前の非晶質半導体膜に行ってもよい。非晶質半導体膜の状態で不純物元素をドーピングすると、その後の結晶化のための加熱処理によって、不純物の活性化も行うことができる。また、ドーピングの際に生じる欠陥等も改善することができる。
【０１２１】
次に結晶性半導体膜を、所望な形状にエッチング加工し、半導体層を形成する。
【０１２２】
エッチング加工は、プラズマエッチング（ドライエッチング）又はウエットエッチングのどちらを採用しても良いが、大面積基板を処理するにはプラズマエッチングが適している。エッチングガスとしては、ＣＦ４、ＮＦ３などのフッ素系、又はＣｌ２、ＢＣｌ３などの塩素系のガスを用い、ＨｅやＡｒなどの不活性ガスを適宜加えても良い。また、大気圧放電のエッチング加工を適用すれば、局所的な放電加工も可能であり、基板の全面にマスク層を形成する必要はない。
【０１２３】
本発明において、配線層若しくは電極層を形成する導電層や、所定のパターンを形成するためのマスク層などを、液滴吐出法のような選択的にパターンを形成できる方法により形成してもよい。液滴吐出（噴出）法（その方式によっては、インクジェット法とも呼ばれる。）は、特定の目的に調合された組成物の液滴を選択的に吐出（噴出）して所定のパターン（導電層や絶縁層など）を形成することができる。この際、被形成領域にぬれ性や密着性を制御する処理を行ってもよい。また、パターンが転写、または描写できる方法、例えば印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法）、ディスペンサ法なども用いることができる。
【０１２４】
本実施の形態において、用いるマスクは、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる。また、ベンゾシクロブテン、パリレン、フッ化アリレンエーテル、透光性を有するポリイミドなどの有機材料、シロキサン系ポリマー等の重合によってできた化合物材料、水溶性ホモポリマーと水溶性共重合体を含む組成物材料等を用いることもできる。或いは、感光剤を含む市販のレジスト材料を用いてもよく、例えば、代表的なポジ型レジストである、ノボラック樹脂と感光剤であるナフトキノンジアジド化合物、ネガ型レジストであるベース樹脂、ジフェニルシランジオール及び酸発生剤などを用いてもよい。液滴吐出法を用いる場合、いずれの材料を用いるとしても、その表面張力と粘度は、溶媒の濃度を調整するか、界面活性剤等を加えることにより適宜調整する。
【０１２５】
半導体層を覆うゲート絶縁層１０７を形成する。ゲート絶縁層はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法などを用い、厚さを１０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。ゲート絶縁層としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素に代表される珪素の酸化物材料又は窒化物材料等の公知の材料で形成すればよく、積層でも単層でもよい。また、絶縁層は窒化珪素膜、酸化珪素膜、窒化珪素膜の３層の積層、酸化窒化珪素膜の単層、２層からなる積層でも良い。
【０１２６】
次いで、ゲート絶縁層１０７上にゲート電極層を形成する。ゲート電極層は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等の手法により形成することができる。ゲート電極層はタンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）から選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。また、ゲート電極層としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、ゲート電極層は単層でも積層でもよい。
【０１２７】
本実施の形態ではゲート電極層をテーパー形状を有する様に形成するが、本発明はそれに限定されず、ゲート電極層を積層構造にして、一層のみがテーパー形状を有し、他方は異方性エッチングによって垂直な側面を有していてもよい。本実施の形態のように、テーパー角度も積層するゲート電極層間で異なっていても良いし、同一でもよい。テーパー形状を有することによって、その上に積層する膜の被覆性が向上し、欠陥が軽減されるので信頼性が向上する。
【０１２８】
ゲート電極層を形成する際のエッチング工程によって、ゲート絶縁層１０７は多少エッチングされ、膜厚が減る（いわゆる膜減り）ことがある。
【０１２９】
半導体層に不純物元素を添加し、不純物領域を形成する。不純物領域は、その濃度を制御することにより高濃度不純物領域及び低濃度不純物領域とすることができる。低濃度不純物領域を有する薄膜トランジスタを、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔ  ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ）構造と呼ぶ。また低濃度不純物領域は、ゲート電極と重なるように形成することができ、このような薄膜トランジスタを、ＧＯＬＤ（Ｇａｔｅ  Ｏｖｅｒｌａｐｐｅｄ  ＬＤＤ）構造と呼ぶ。また薄膜トランジスタの極性は、不純物領域にリン（Ｐ）等を用いることによりｎ型とする。ｐ型とする場合は、ボロン（Ｂ）等を添加すればよい。
【０１３０】
本実施の形態では、不純物領域がゲート絶縁層を介してゲート電極層と重なる領域をＬｏｖ領域と示し、不純物領域がゲート絶縁層を介してゲート電極層と重ならない領域をＬｏｆｆ領域と示す。図７では、不純物領域においてハッチングと白地で示されているが、これは、白地部分に不純物元素が添加されていないということを示すのではなく、この領域の不純物元素の濃度分布がマスクやドーピング条件を反映していることを直感的に理解できるようにしたためである。なお、このことは本明細書の他の図面においても同様である。
【０１３１】
不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、又はレーザ光の照射を行ってもよい。活性化と同時にゲート絶縁層へのプラズマダメージやゲート絶縁層と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。
【０１３２】
次いで、ゲート電極層、ゲート絶縁層を覆う第１の層間絶縁層を形成する。本実施の形態では、絶縁膜１６７と絶縁膜１６８との積層構造とする。絶縁膜１６７及び絶縁膜１６８は、スパッタ法、またはプラズマＣＶＤを用いた窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、酸化珪素膜などを用いることができ、他の珪素を含む絶縁膜を単層または３層以上の積層構造として用いても良い。
【０１３３】
さらに、窒素雰囲気中で、３００〜５５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、半導体層を水素化する工程を行う。好ましくは、４００〜５００℃で行う。この工程は層間絶縁層である絶縁膜１６７に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。本実施の形態では、４１０度（℃）で加熱処理を行う。
【０１３４】
絶縁膜１６７、絶縁膜１６８としては他に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮＯ）または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素（ＣＮ）、ポリシラザン、その他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。また、シロキサンを含む材料を用いてもよい。また、有機絶縁性材料を用いてもよく、有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテンを用いることができる。また、オキサゾール樹脂を用いることもでき、例えば光硬化型ポリベンゾオキサゾールなどを用いることができる。
【０１３５】
次いで、レジストからなるマスクを用いて絶縁膜１６７、絶縁膜１６８、ゲート絶縁層１０７に半導体層に達するコンタクトホール（開口）を形成する。開口を覆うように導電膜を形成し、導電膜をエッチングして各ソース領域又はドレイン領域の一部とそれぞれ電気的に接続するソース電極層又はドレイン電極層を形成する。ソース電極層又はドレイン電極層は、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、蒸着法等により導電膜を成膜した後、所望の形状にエッチングして形成することができる。また、液滴吐出法、印刷法、ディスペンサ法、電界メッキ法等により、所定の場所に選択的に導電層を形成することができる。更にはリフロー法、ダマシン法を用いても良い。ソース電極層又はドレイン電極層の材料は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｂａ等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物を用いて形成する。また、これらの積層構造としても良い。
【０１３６】
以上の工程で周辺駆動回路領域２０４にＬｏｖ領域にｐ型不純物領域を有するｐチャネル型薄膜トランジスタである薄膜トランジスタ２８５、Ｌｏｖ領域にｎチャネル型不純物領域を有するｎチャネル型薄膜トランジスタである薄膜トランジスタ２７５を、画素領域２０６にＬｏｆｆ領域にｎ型不純物領域を有するマルチチャネル型のｎチャネル型薄膜トランジスタである薄膜トランジスタ２６５、Ｌｏｖ領域にｐ型不純物領域を有するｐチャネル型薄膜トランジスタである薄膜トランジスタ２５５を有するアクティブマトリクス基板を作製することができる。
【０１３７】
本実施の形態に限定されず、薄膜トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、周辺駆動回路領域の薄膜トランジスタも、シングルゲート構造、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【０１３８】
次に第２の層間絶縁層として絶縁膜１８１を形成する。図７において、スクライブによる切り離しのための切り離し領域２０１、ＦＰＣの貼り付け部である外部端子接続領域２０２、第２の基板１９５上の第２の電極層１８９と第１の基板上の接続配線２１０とを接合する接続領域２０５、周辺部の引き回し配線領域である配線領域２０３、周辺駆動回路領域２０４、画素領域２０６である。接続領域２０５には、接続配線２１０と第２の電極層１８９と電気的に接合するための、導電性フィラー２１１が設けられている。配線領域２０３には配線１７９ａ、配線１７９ｂが設けられ、外部端子接続領域２０２には、外部端子と接続する端子電極層１７８が設けられている。
【０１３９】
絶縁膜１８１としては酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒素を含む酸化アルミニウム（酸化窒化アルミニウムともいう）（ＡｌＯＮ）、酸素を含む窒化酸化アルミニウム（窒化酸化アルミニウムともいう）（ＡｌＮＯ）、酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜（ＣＮ）、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、アルミナ膜、その他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。また、シロキサン樹脂を用いてもよい。また、有機絶縁性材料を用いてもよく、有機材料としては、感光性、非感光性どちらでも良く、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、ポリシラザン、低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）材料を用いることができる。また、オキサゾール樹脂を用いることもでき、例えば光硬化型ポリベンゾオキサゾールなどを用いることができる。平坦化のために設ける層間絶縁層としては、耐熱性および絶縁性が高く、且つ、平坦化率の高いものが要求されるので、絶縁膜１８１の形成方法としては、スピンコート法で代表される塗布法を用いると好ましい。
【０１４０】
絶縁膜１８１は、その他ディップ法、スプレー塗布、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター、ＣＶＤ法、蒸着法等によって形成することができる。液滴吐出法により絶縁膜１８１を形成してもよい。液滴吐出法を用いた場合には材料液を節約することができる。また、液滴吐出法のようにパターンが転写、または描写できる方法、例えば印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法）、ディスペンサ法なども用いることができる。
【０１４１】
画素領域２０６の絶縁膜１８１に微細な開口、つまりコンタクトホールを形成する。
【０１４２】
次に、ソース電極層又はドレイン電極層と接するように、第１の電極層１８５（画素電極層ともいう。）を形成する。第１の電極層１８５は陽極、または陰極として機能し、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、またはＭｏから選ばれた元素、または窒化チタン、ＴｉＳｉＸＮＹ、ＷＳｉＸ、窒化タングステン、ＷＳｉＸＮＹ、ＮｂＮなどの前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を総膜厚１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で用いればよい。
【０１４３】
本実施の形態では、表示素子として発光素子を用い、発光素子からの光を第１の電極層１８５側から取り出す構造のため、第１の電極層１８５が透光性を有する。第１の電極層１８５として、透明導電膜を形成し、所望の形状にエッチングすることで第１の電極層１８５を形成する。
【０１４４】
本発明においては、透光性電極層である第１の電極層１８５に、具体的には透光性を有する導電性材料からなる透明導電膜を用いればよく、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いることができる。勿論、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）なども用いることができる。
【０１４５】
また、透光性を有さない金属膜のような材料であっても膜厚を薄く（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度の厚さ）して光を透過可能な状態としておくことで、第１の電極層１８５から光を放射することが可能となる。また、第１の電極層１８５に用いることのできる金属薄膜としては、チタン、タングステン、ニッケル、金、白金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、およびそれらの合金からなる導電膜などを用いることができる。
【０１４６】
第１の電極層１８５は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、印刷法、ディスペンサ法または液滴吐出法などを用いて形成することができる。本実施の形態では、第１の電極層１８５として、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物を用いてスパッタリング法によって作製する。第１の電極層１８５は、好ましくは総膜厚１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で用いればよい。
【０１４７】
第１の電極層１８５は、その表面が平坦化されるように、ＣＭＰ法、ポリビニルアルコール系の多孔質体で拭浄し、研磨しても良い。またＣＭＰ法を用いた研磨後に、第１の電極層１８５の表面に紫外線照射、酸素プラズマ処理などを行ってもよい。
【０１４８】
第１の電極層１８５を形成後、加熱処理を行ってもよい。この加熱処理により、第１の電極層１８５中に含まれる水分は放出される。よって、第１の電極層１８５は脱ガスなどを生じないため、第１の電極層上に水分によって劣化しやすい発光材料を形成しても、発光材料は劣化せず、信頼性の高い表示装置を作製することができる。
【０１４９】
次に、第１の電極層１８５の端部、ソース電極層又はドレイン電極層を覆う絶縁層１８６（隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を形成する。
【０１５０】
絶縁層１８６としては酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素などを用いることができ、単層でも２層、３層といった積層構造でもよい。また、絶縁層１８６の他の材料として、窒化アルミニウム、酸素含有量が窒素含有量よりも多い酸化窒化アルミニウム、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素、ポリシラザン、その他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。シロキサンを含む材料を用いてもよい。また、有機絶縁性材料を用いてもよく、有機材料としては、感光性、非感光性どちらでも良く、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、ポリシラザンを用いることができる。また、オキサゾール樹脂を用いることもでき、例えば光硬化型ポリベンゾオキサゾールなどを用いることができる。
【０１５１】
絶縁層１８６は、スパッタリング法、ＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、減圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ法）、またはプラズマＣＶＤ法等のＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、また、選択的にパターンを形成できる液滴吐出法や、パターンが転写または描写できる印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法）、ディスペンサ法、その他スピンコート法などの塗布法、ディッピング法などを用いることもできる。
【０１５２】
所望の形状に加工するエッチング加工は、プラズマエッチング（ドライエッチング）又はウエットエッチングのどちらを採用しても良い。大面積基板を処理するにはプラズマエッチングが適している。エッチングガスとしては、ＣＦ４、ＮＦ３などのフッ素系のガス、又はＣｌ２、ＢＣｌ３などの塩素系のガスを用い、ＨｅやＡｒなどの不活性ガスを適宜加えても良い。また、大気圧放電のエッチング加工を適用すれば、局所的な放電加工も可能であり、基板の全面にマスク層を形成する必要はない。
【０１５３】
前記第１の電極層１８５上に接着樹脂を付着し、接着層１９３を形成する。また、前記接続領域２０５にある接続配線２１０上に導電性フィラー２１１を付着する。
【０１５４】
ここで、接着樹脂に導電性材料を混ぜて、接着層１９３に導電性を持たせることもできる。導電性材料としては、導電性高分子などの有機材料でもよく、金属微粒子などの無機材料でもよい。例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ等の金属、Ｃｄ、Ｚｎの金属硫化物、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｂａなどの酸化物、ハロゲン化銀の微粒子又は分散性ナノ粒子などを用いることができる。
【０１５５】
その他、図７のように前記第１の基板１００と前記第２の基板１９５とを固着するためのシール材１９２を用意することもある。その際、シール材１９２としては、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。例えば、ビスフェノールＡ型液状樹脂、ビスフェノールＡ型固形樹脂、含ブロムエポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡＤ型樹脂、フェノール型樹脂、クレゾール型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス型エポキシ樹脂、グリシジルエステル樹脂、グリシジルアミン系樹脂、複素環式エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。
【０１５６】
ついで、第２の基板１９５上に第２の電極層１８９を形成し、前記第２の電極層１８９上に電界発光層１８８を形成したものを別に用意する。なお、図７では一画素しか図示していないが、本実施の形態ではＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した電界電極層を作り分けている。電界発光層１８８は、実施の形態１で示したように作製すればよい。
【０１５７】
前記第２の電極層１８９としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金や化合物ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、または窒化カルシウムを用いればよい。
【０１５８】
前記第２の電極層１８９と接着層１９３を接触させたのち、硬化する。こうして第１の電極層１８５、接着層１９３、電界発光層１８８、及び第２の電極層１８９からなる発光素子１９０が形成される（図７（Ｂ）参照。）。
【０１５９】
図７に示した本実施の形態の表示装置において、発光素子１９０から発した光は、第１の電極層１８５側から、図７（Ｂ）中の矢印の方向に透過して射出される。
【０１６０】
図８に、本実施の形態で作製する図７の表示装置において、ソース電極層又はドレイン電極層と第１の電極層が直接接して電気的な接続を行うのではなく、配線層を介して接続する例を示す。図８の表示装置において、発光素子を駆動する薄膜トランジスタのソース電極層又はドレイン電極層と、第１の電極層１８５とは配線層１９９を介して電気的に接続している。また、図８では、配線層１９９の上に第１の電極層１８５が一部積層するように接続しているが、先に第１の電極層１８５を形成し、その第１の電極層１８５上に接するように配線層１９９を形成する構成でもよい。
【０１６１】
本実施の形態では、外部端子接続領域２０２において、端子電極層１７８に異方性導電層１９６によってＦＰＣ１９４を接続し、外部と電気的に接続する構造とする。また表示装置の上面図である図７（Ａ）で示すように、本実施の形態において作製される表示装置は信号線駆動回路を有する周辺駆動回路領域２０４、周辺駆動回路領域２０９のほかに、走査線駆動回路を有する周辺駆動回路領域２０７、周辺駆動回路領域２０８が設けられている。
【０１６２】
本実施の形態では、上記のような回路で形成するが、本発明はこれに限定されず、周辺駆動回路としてＩＣチップを前述したＣＯＧ方式やＴＡＢ方式によって実装したものでもよい。また、ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路は複数であっても単数であっても良い。
【０１６３】
また、本発明の表示装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、表示装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。
【０１６４】
本実施の形態を用いることで、第１の基板と第２の基板とは別々のプロセスで作製することができるので、それぞれの基板上に作製する膜の作製条件を最適化することが可能となる。よって、より高品質な表示装置を作製することができる。
【０１６５】
また、接着樹脂に高誘電体材料を混ぜることで誘電体層としての機能も兼ねることができるので、真空蒸着による成膜プロセスを減らすことができ、プロセスの簡略化にもつながる。
【０１６６】
（実施の形態７）
本発明を適用して発光素子を有する表示装置を形成することができるが、該発光素子から発せられる光は、下面放射、上面放射、両面放射のいずれかを行う。本実施の形態では、両面射出型、上面射出型の例を、図９及び図１９を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態５で作製した表示装置において、第２の層間絶縁層（絶縁膜１８１）を形成しない例を示す。よって、同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
【０１６７】
図９に示す表示装置は、第１の基板１６００、薄膜トランジスタ１６５５、薄膜トランジスタ１６６５、薄膜トランジスタ１６７５、薄膜トランジスタ１６８５、第１の電極層１６１７、接着層１６２２、電界発光層１６１９、第２の電極層１６２０、シール材１６３２、絶縁膜１６０１ａ、絶縁膜１６０１ｂ、ゲート絶縁層１６１０、絶縁膜１６１１、絶縁膜１６１２、絶縁層１６１４、第２の基板１６２５、接続配線層１６９２、導電性フィラー１６９１、配線層１６３３、端子電極層１６８１、異方性導電層１６８２、ＦＰＣ１６８３によって構成されている。表示装置は、外部端子接続領域２３２、接続領域２３５、封止領域２３３、周辺駆動回路領域２３４、画素領域２３６を有している。
【０１６８】
図９の表示装置は、両面放射型であり、矢印の方向に第１の基板１６００側からも、第２の基板１６２５側からも光を放射する構造である。よって、第１の電極層１６１７及び第２の電極層１６２０として透光性電極層を用いる。
【０１６９】
本実施の形態においては、透光性電極層である第１の電極層１６１７及び第２の電極層１６２０に、具体的には透光性を有する導電性材料からなる透明導電膜を用いればよく、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いることができる。勿論、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）なども用いることができる。
【０１７０】
また、透光性を有さない金属膜のような材料であっても膜厚を薄く（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度の厚さ）して光を透過可能な状態としておくことで、第１の電極層１６１７及び第２の電極層１６２０から光を放射することが可能となる。また、第１の電極層１６１７及び第２の電極層１６２０に用いることのできる金属薄膜としては、チタン、タングステン、ニッケル、金、白金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、およびそれらの合金からなる導電膜などを用いることができる。
【０１７１】
以上のように、図９の表示装置は、発光素子１６０５より放射される光が、第１の電極層１６１７及び第２の電極層１６２０両方を通過して、両面から光を放射する構成となる。
【０１７２】
図１９の表示装置は、矢印の方向に上面射出する構造である。図１９に示す表示装置は、第１の基板１３００、薄膜トランジスタ１３５５、薄膜トランジスタ１３６５、薄膜トランジスタ１３７５、薄膜トランジスタ１３８５、配線層１３２４、第１の電極層１３１７、電界発光層１３１９、接着層１３２２、第２の電極層１３２０、シール材１３３２、絶縁膜１３０１ａ、絶縁膜１３０１ｂ、ゲート絶縁層１３１０、絶縁膜１３１１、絶縁膜１３１２、絶縁膜１３１４、第２の基板１３２５、配線層１３３３、接続配線層１３９２、導電性フィラー１３９１、端子電極層１３８１、異方性導電層１３８２、ＦＰＣ１３８３によって構成されている。
【０１７３】
図９及び図１９における表示装置において、端子電極層に積層していた絶縁層はエッチングによって除去されている。このように端子電極層の周囲に透湿性を有する絶縁層を設けない構造であると信頼性がより向上する。図１９において表示装置は、外部端子接続領域２３２、接続領域２３５、封止領域２３３、周辺駆動回路領域２３４、画素領域２３６を有している。図１９の表示装置は、前述の図９で示した両面射出型の表示装置において、第１の電極層１３１７の下に、反射性を有する金属層である配線層１３２４を形成する。配線層１３２４の上に透明導電膜である第１の電極層１３１７を形成する。配線層１３２４としては、反射性を有すればよいので、チタン、タングステン、ニッケル、金、白金、銀、銅、タンタル、モリブデン、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、およびそれらの合金からなる導電膜などを用いればよい。好ましくは、可視光の領域で反射性が高い物質を用いることがよく、本実施の形態では、窒化チタン膜を用いる。また、第１の電極層１３１７にも導電膜を用いてもよく、その場合、反射性を有する配線層１３２４は設けなくてもよい。
【０１７４】
第１の電極層１３１７及び第２の電極層１３２０に、具体的には透光性を有する導電性材料からなる透明導電膜を用いればよく、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いることができる。勿論、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）なども用いることができる。
【０１７５】
また、透光性を有さない金属膜のような材料であっても膜厚を薄く（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度の厚さ）して光を透過可能な状態としておくことで、第２の電極層１３２０から光を放射することが可能となる。また、第２の電極層１３２０に用いることのできる金属薄膜としては、チタン、タングステン、ニッケル、金、白金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、およびそれらの合金からなる導電膜などを用いることができる。
【０１７６】
発光素子を用いて形成する表示装置の画素は、単純マトリクス方式、若しくはアクティブマトリクス方式で駆動することができる。また、デジタル駆動、アナログ駆動どちらでも適用可能である。
【０１７７】
第２の基板にカラーフィルタ（着色層）を形成してもよい。カラーフィルタ（着色層）は、蒸着法や液滴吐出法によって形成することができ、カラーフィルタ（着色層）を用いると、高精細な表示を行うこともできる。カラーフィルタ（着色層）により、鋭いピークを有する発光スペクトルを得ることができるからである。
【０１７８】
単色の発光を示す材料を形成し、カラーフィルタや色変換層を組み合わせることによりフルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタ（着色層）や色変換層は、例えば第２の基板（封止基板）に形成し、基板へ張り合わせればよい。
【０１７９】
もちろん単色発光の表示を行ってもよい。例えば、単色発光を用いてエリアカラータイプの表示装置を形成してもよい。エリアカラータイプは、パッシブマトリクス型の表示部が適しており、主に文字や記号を表示することができる。
【０１８０】
本発明を用いることで、第１の基板と第２の基板は全く別のプロセスで作製することが可能である。よって、それぞれの構造を作製するプロセスを最適化することにより、高品質な表示装置を作製することができる。
【０１８１】
また、接着樹脂に高誘電体材料を混ぜることで誘電体層としての機能も兼ねることができるので、真空蒸着による成膜プロセスを減らすことができ、プロセスの簡略化にもつながる。
【０１８２】
（実施の形態８）
本発明によって形成される表示装置によって、テレビジョン装置を完成させることができる。図１８はテレビジョン装置（本実施の形態ではＥＬテレビジョン装置）の主要な構成を示すブロック図を示している。表示パネルには、図１６（Ａ）で示すような構成として画素部のみが形成されて走査線側駆動回路と信号線側駆動回路とが、図１７（Ｂ）のようなＴＡＢ方式により実装される場合と、図１７（Ａ）のようなＣＯＧ方式により実装される場合と、図１６（Ｂ）に示すようにＳＡＳでＴＦＴを形成し、画素部と走査線側駆動回路を基板上に一体形成し信号線側駆動回路を別途ドライバＩＣとして実装する場合、また図１６（Ｃ）のように画素部と信号線側駆動回路と走査線側駆動回路を基板上に一体形成する場合などがあるが、どのような形態としても良い。
【０１８３】
その他の外部回路の構成として、映像信号の入力側では、チューナ８５４で受信した信号のうち、映像信号を増幅する映像信号増幅回路８５５と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路８５６と、その映像信号をドライバＩＣの入力仕様に変換するためのコントロール回路８５７などからなっている。コントロール回路８５７は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路８５８を設け、入力デジタル信号をｍ個に分割して供給する構成としても良い。
【０１８４】
チューナ８５４で受信した信号のうち、音声信号は、音声信号増幅回路８５９に送られ、その出力は音声信号処理回路８６０を経てスピーカー８６３に供給される。制御回路８６１は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部８６２から受け、チューナ８５４や音声信号処理回路８６０に信号を送出する。
【０１８５】
表示モジュールを、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、筐体に組みこんで、テレビジョン装置を完成させることができる。ＦＰＣまで取り付けられた表示パネルのことを一般的にはＥＬ表示モジュールともいう。よってＥＬ表示モジュールを用いると、ＥＬテレビジョン装置を完成することができる。表示モジュールにより主画面２００３が形成され、その他付属設備としてスピーカー部２００９、操作スイッチなどが備えられている。このように、本発明によりテレビジョン装置を完成させることができる。
【０１８６】
また、位相差板や偏光板を用いて、外部から入射する光の反射光を遮断するようにしてもよい。また上面放射型の表示装置ならば、隔壁となる絶縁層を着色しブラックマトリクスとして用いてもよい。この隔壁は液滴吐出法などによっても形成することができ、顔料系の黒色樹脂や、ポリイミドなどの樹脂材料に、カーボンブラック等を混合させてもよく、その積層でもよい。液滴吐出法によって、異なった材料を同領域に複数回吐出し、隔壁を形成してもよい。位相差板、位相差板としてはλ／４板、又はλ／２板を用い、光を制御できるように設計すればよい。構成としては、順にＴＦＴ素子基板、発光素子、封止基板（封止材）、位相差板、位相差板（λ／４板、λ／２板）、偏光板となり、発光素子から放射された光は、これらを通過し偏光板側より外部に放射される。偏光板、位相差板などは積層してもよい。この位相差板や偏光板は光が放射される側に設置すればよく、両面放射される両面放射型の表示装置であれば両方に設置することもできる。また、偏光板の外側に反射防止膜を有していても良い。これにより、より高精細で精密な画像を表示することができる。
【０１８７】
図１２（Ａ）に示すように、筐体２００１に表示素子を利用した表示用パネル２００２が組みこまれ、受信機２００５により一般のテレビ放送の受信をはじめ、モデム２００４を介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、又は受信者間同士）の情報通信をすることもできる。テレビジョン装置の操作は、筐体に組みこまれたスイッチ又は別体のリモコン操作機２００６により行うことが可能であり、このリモコン装置にも出力する情報を表示する表示部２００７が設けられていても良い。
【０１８８】
また、テレビジョン装置にも、主画面２００３の他にサブ画面２００８を第２の表示用パネルで形成し、チャネルや音量などを表示する構成が付加されていても良い。この構成において、主画面２００３を視野角の優れたＥＬ表示用パネルで形成し、サブ画面を低消費電力で表示可能な液晶表示用パネルで形成しても良い。また、低消費電力化を優先させるためには、主画面２００３を液晶表示用パネルで形成し、サブ画面をＥＬ表示用パネルで形成し、サブ画面は点滅可能とする構成としても良い。本発明を用いると、このような大型基板を用いて、多くのＴＦＴや電子部品を用いても、信頼性の高い表示装置とすることができる。
【０１８９】
図１２（Ｂ）は例えば２０〜８０インチの大型の表示部を有するテレビジョン装置であり、筐体２０１０、操作部であるキーボード部２０１２、表示部２０１１、スピーカー部２０１３等を含む。本発明は、表示部２０１１の作製に適用される。図１２（Ｂ）の表示部は、湾曲可能な物質を用いているので、表示部が湾曲したテレビジョン装置となっている。このように表示部の形状を自由に設計することができるので、所望な形状のテレビジョン装置を作製することができる。
【０１９０】
本発明により、簡略な工程で表示装置を形成できるため、コストダウンも達成できる。よって本発明を用いたテレビジョン装置では、大画面の表示部を有しても低いコストで形成できる。よって高性能、高信頼性のテレビジョン装置を歩留まりよく作製することができる。
【０１９１】
勿論、本発明はテレビジョン装置に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など大面積の表示媒体としても様々な用途に適用することができる。
【０１９２】
本実施の形態は、実施の形態１乃至７とそれぞれと組み合わせて用いることが可能である。
【０１９３】
（実施の形態９）
本実施の形態を図１３を用いて説明する。本実施の形態は、実施の形態４乃至８で作製する表示装置を有するパネルを用いたモジュールの例を示す。
【０１９４】
図１３（Ａ）に示す情報端末のモジュールは、プリント配線基板９８６に、コントローラ９０１、中央処理装置（ＣＰＵ）９０２、メモリ９１１、電源回路９０３、音声処理回路９２９及び送受信回路９０４や、その他、抵抗、バッファ、容量素子等の素子が実装されている。また、パネル９００がフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）９０８を介してプリント配線基板９８６に接続されている。
【０１９５】
パネル９００には、発光素子が各画素に設けられた画素部９０５と、前記画素部９０５が有する画素を選択する第１の走査線駆動回路９０６ａ、第２の走査線駆動回路９０６ｂと、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路９０７とが設けられている。
【０１９６】
プリント配線基板９８６に備えられたインターフェース（Ｉ／Ｆ）部９０９を介して、各種制御信号の入出力が行われる。また、アンテナとの間の信号の送受信を行なうためのアンテナ用ポート９１０が、プリント配線基板９８６に設けられている。
【０１９７】
なお、本実施の形態ではパネル９００にプリント配線基板９８６がＦＰＣ９０８を介して接続されているが、必ずしもこの構成に限定されない。ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式を用い、コントローラ９０１、音声処理回路９２９、メモリ９１１、ＣＰＵ９０２または電源回路９０３をパネル９００に直接実装させるようにしても良い。また、プリント配線基板９８６には、容量素子、バッファ等の各種素子が設けられ、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍ったりすることを防いでいる。
【０１９８】
図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）に示したモジュールのブロック図を示す。このモジュールは、メモリ９１１としてＶＲＡＭ９３２、ＤＲＡＭ９２５、フラッシュメモリ９２６などが含まれている。ＶＲＡＭ９３２にはパネルに表示する画像のデータが、ＤＲＡＭ９２５には画像データまたは音声データが、フラッシュメモリには各種プログラムが記憶されている。
【０１９９】
電源回路９０３では、パネル９００、コントローラ９０１、ＣＰＵ９０２、音声処理回路９２９、メモリ９１１、送受信回路９０４に与える電源電圧が生成される。またパネルの仕様によっては、電源回路９０３に電流源が備えられている場合もある。
【０２００】
ＣＰＵ９０２は、制御信号生成回路９２０、デコーダ９２１、レジスタ９２２、演算回路９２３、ＲＡＭ９２４、ＣＰＵ用のインターフェース９３５などを有している。インターフェース９３５を介してＣＰＵ９０２に入力された各種信号は、一旦レジスタ９２２に保持された後、演算回路９２３、デコーダ９２１などに入力される。演算回路９２３では、入力された信号に基づき演算を行ない、各種命令を送る場所を指定する。一方デコーダ９２１に入力された信号はデコードされ、制御信号生成回路９２０に入力される。制御信号生成回路９２０は入力された信号に基づき、各種命令を含む信号を生成し、演算回路９２３において指定された場所、具体的にはメモリ９１１、送受信回路９０４、音声処理回路９２９、コントローラ９０１などに送る。
【０２０１】
メモリ９１１、送受信回路９０４、音声処理回路９２９、コントローラ９０１は、それぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に説明する。
【０２０２】
入力手段９３０から入力された信号は、インターフェース９０９を介してプリント配線基板９８６に実装されたＣＰＵ９０２に送られる。制御信号生成回路９２０は、ポインティングデバイスやキーボードなどの入力手段９３０から送られてきた信号に従い、ＶＲＡＭ９３２に格納してある画像データを所定のフォーマットに変換し、コントローラ９０１に送付する。
【０２０３】
コントローラ９０１は、パネルの仕様に合わせてＣＰＵ９０２から送られてきた画像データを含む信号にデータ処理を施し、パネル９００に供給する。またコントローラ９０１は、電源回路９０３から入力された電源電圧やＣＰＵ９０２から入力された各種信号をもとに、Ｈｓｙｎｃ信号、Ｖｓｙｎｃ信号、クロック信号ＣＬＫ、交流電圧（ＡＣ  Ｃｏｎｔ）、切り替え信号Ｌ／Ｒを生成し、パネル９００に供給する。
【０２０４】
送受信回路９０４では、アンテナ９３３において電波として送受信される信号が処理されており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（Ｌｏｗ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいる。送受信回路９０４において送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、ＣＰＵ９０２からの命令に従って、音声処理回路９２９に送られる。
【０２０５】
ＣＰＵ９０２の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は、音声処理回路９２９において音声信号に復調され、スピーカー９２８に送られる。またマイク９２７から送られてきた音声信号は、音声処理回路９２９において変調され、ＣＰＵ９０２からの命令に従って、送受信回路９０４に送られる。
【０２０６】
コントローラ９０１、ＣＰＵ９０２、電源回路９０３、音声処理回路９２９、メモリ９１１を、本実施の形態のパッケージとして実装することができる。本実施の形態は、アイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（Ｌｏｗ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路以外であれば、どのような回路にも応用することができる。
【０２０７】
（実施の形態１０）
本実施の形態を図１４を用いて説明する。図１４は、この実施の形態９で作製するモジュールを含む無線を用いた持ち運び可能な小型電話機（携帯電話）の一態様を示している。パネル９００はハウジング９８１に脱着自在に組み込んでモジュール９９９と容易に組み合わせられるようにしている。ハウジング９８１は組み入れる電子機器に合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０２０８】
パネル９００を固定したハウジング９８１はプリント配線基板９８６に嵌着されモジュールとして組み立てられる。プリント配線基板９８６には、パッケージングされた複数の半導体装置が実装されている。プリント配線基板９８６に実装される複数の半導体装置は、コントローラ、中央処理ユニット（ＣＰＵ、Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、メモリ、電源回路、抵抗、バッファ、容量素子等のいずれかの機能を有する。さらに、マイクロフォン９９４及びスピーカー９９５を含む音声処理回路、送受信回路などの信号処理回路９９３が備えられている。パネル９００はＦＰＣ９０８を介してプリント配線基板９８６に接続される。
【０２０９】
このようなモジュール９９９、ハウジング９８１、プリント配線基板９８６、入力手段９９８、バッテリー９９７は筐体９９６に収納される。パネル９００の画素部は筐体９９６に形成された開口窓から視認できように配置されている。
【０２１０】
図１４で示す筐体９９６は、電話機の外観形状を一例として示している。しかしながら、本実施の形態に係る電子機器は、その機能や用途に応じてさまざまな態様に変容し得る。以下に示す実施の形態で、その態様の一例を説明する。
【０２１１】
（実施の形態１１）
本発明に係る電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、携帯電話装置（単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図１５を参照して説明する。
【０２１２】
図１５（Ａ）に示す携帯情報端末機器は、本体９２０１、表示部９２０２等を含んでいる。表示部９２０２は、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、より消費電力の低く、高画質及び高信頼性の携帯情報端末機器を提供することができる。
【０２１３】
図１５（Ｂ）に示すデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、表示部９７０２等を含んでいる。表示部９７０１は本発明の表示装置を適用することができる。その結果、より消費電力の低く、高画質及び高信頼性のデジタルビデオカメラを提供することができる。
【０２１４】
図１５（Ｃ）に示す携帯電話機は、本体９１０１、表示部９１０２等を含んでいる。表示部９１０２は、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、より消費電力の低く、高画質及び高信頼性の携帯電話機を提供することができる。
【０２１５】
図１５（Ｄ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を含んでいる。表示部９３０２は、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、より消費電力の低く、高画質及び高信頼性の携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、本発明の表示装置を適用することができる。
【０２１６】
図１５（Ｅ）に示す携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含んでいる。表示部９４０２は、本発明の表示装置を適用することができる。その結果、より消費電力の低く、高画質及び高信頼性の携帯型のコンピュータを提供することができる。
【０２１７】
また、本発明の表示装置は、照明装置として用いることもできる。本発明の発光素子を照明装置として用いる一態様を、図２０を用いて説明する。
【０２１８】
図２０は、本発明の表示装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図２０に示した液晶表示装置は、筐体５０１、液晶層５０２、バックライト５０３、筐体５０４を有し、液晶層５０２は、ドライバＩＣ５０５と接続されている。また、バックライト５０３は、本発明の表示装置が用いられおり、端子５０６により、電流が供給されている。
【０２１９】
本発明の表示装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、無機ＥＬ特有の長寿命なバックライトが得られる。また、本発明の表示装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、表示装置は薄型であるため表示装置の薄型化も可能となる。
【０２２０】
また、自動車、自転車、船などのヘッドライトとして用いることが可能である。図２１は、本発明を適用した表示装置を自動車のヘッドライトとして用いた例である。図２１（Ｂ）は図２１（Ａ）のヘッドライト１０００の部分を拡大した断面図である。図２１（Ｂ）において、光源１０１１として本発明の表示装置が用いられている。光源１０１１から出た光は、反射板１０１２により反射され、外部へ取り出される。図２１（Ｂ）に示すように、複数の光源を用いることで、より高輝度の光を得ることができる。また、図２１（Ｃ）は、円筒形状に作製した本発明の表示装置を光源として用いた例である。光源１０２１からの発光は反射板１０２２により反射され、外部へ取り出される。
【０２２１】
図２２は、本発明を適用した表示装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図２２に示す電気スタンドは、筐体２１０１と、光源２１０２を有し、光源２１０２として、本発明の表示装置が用いられている。本発明の表示装置は、高輝度の発光が可能であるため、細かい作業をする場合など、手元を明るく照らすことが可能である。
【０２２２】
図２３は、本発明を適用した表示装置を、室内の照明装置３００１として用いた例である。本発明の表示装置は大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明の表示装置は、薄型で低消費電力であるため、薄型化、低消費電力化の照明装置として用いることが可能となる。このように、本発明を適用した表示装置を、室内の照明装置３００１として用いた部屋に、図１２（Ａ）（Ｂ）で説明したような、本発明に係るテレビジョン装置を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、両装置は低消費電力であるので、電気料金を心配せずに、明るい部屋で迫力のある映像を鑑賞することができる。
【０２２３】
照明装置としては、図２１、図２２、図２３で例示したものに限られず、住宅や公共施設の照明をはじめ、様々な形態の照明装置として応用することができる。このような場合において、本発明に係る照明装置は、発光媒体が薄膜状であるので、デザインの自由度が高いので、様々な意匠を凝らした商品を市場に提供することができる。
【０２２４】
このように、本発明の表示装置により、より消費電力の低く、高画質及び高信頼性の電子機器を提供することができる。本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【０２２５】
【図１】本発明の発光素子の作製方法を説明する図。
【図２】本発明の発光素子を説明する図。
【図３】本発明の発光素子を説明する図。
【図４】本発明の表示装置を説明する図。
【図５】本発明の表示装置を説明する図。
【図６】本発明の表示装置を説明する図。
【図７】本発明の表示装置を説明する図。
【図８】本発明の表示装置を説明する図。
【図９】本発明の表示装置を説明する図。
【図１０】本発明の表示装置の作製方法を説明する図。
【図１１】本発明の表示装置を説明する図。
【図１２】本発明の表示装置を説明する図。
【図１３】本発明の表示装置を説明する図。
【図１４】本発明の表示装置を説明する図。
【図１５】本発明の表示装置を説明する図。
【図１６】本発明の表示装置を説明する図。
【図１７】本発明の表示装置を説明する図。
【図１８】本発明の表示装置を説明する図。
【図１９】本発明の表示装置を説明する図。
【図２０】本発明の電子機器を説明する図。
【図２１】本発明の照明器具を説明する図。
【図２２】本発明の照明器具を説明する図。
【図２３】本発明の照明器具を説明する図。
【符号の説明】
【０２２６】
１１    第１の基板
１２    第１の電極
１３    誘電体層
１４    発光層
１５    接着層
１６    第２の電極
１７    第２の基板
１８    構造
１９    構造
２１    第１の基板
２２    第１の電極
２３ａ    誘電体層
２３ｂ    誘電体層
２４    発光層
２５    接着層
２６    第２の電極
２７    第２の基板
２８ａ    構造
２８ｂ    構造
２９ａ    構造
２９ｂ    構造
３０    構造
３１    第１の基板
３２    第１の電極
３３    発光材料
３４    接着樹脂
３５    第２の電極
３６    第２の基板
３７    バインダ
３８    材料
３９    構造
４０ａ    接着層
４０ｂ    接着層
４０ｃ    発光層
８０    滴下制御回路
８２    滴下ヘッド
８４    基板
８５    組成物
８６    枠体
１００    第１の基板
１０１ａ    下地膜
１０１ｂ    下地膜
１０７    ゲート絶縁層
１６７    絶縁膜
１６８    絶縁膜
１７８    端子電極層
１７９ａ    配線
１７９ｂ    配線
１８１    絶縁膜
１８５    第１の電極層
１８６    絶縁層
１８８    電界発光層
１８９    第２の電極層
１９０    発光素子
１９２    シール材
１９３    接着層
１９４    ＦＰＣ
１９５    第２の基板
１９６    異方性導電層
１９９    配線層
２０１    領域
２０２    外部端子接続領域
２０３    配線領域
２０４    周辺駆動回路領域
２０５    接続領域
２０６    画素領域
２０７    周辺駆動回路領域
２０８    周辺駆動回路領域
２０９    周辺駆動回路領域
２１０    接続配線
２１１    導電性フィラー
２３２    外部端子接続領域
２３３    封止領域
２３４    周辺駆動回路領域
２３５    接続領域
２３６    画素領域
２５５    薄膜トランジスタ
２６５    薄膜トランジスタ
２７５    薄膜トランジスタ
２８５    薄膜トランジスタ
３００    基板
３０１ａ    絶縁層
３０１ｂ    絶縁層
３０２ａ    ゲート電極層
３０２ｂ    ゲート電極層
３０４ａ    半導体層
３０４ｂ    半導体層
３０５ａ    配線
３０６ａ    第１の電極層
３０６ｂ    第１の電極層
３０７    隔壁（絶縁層）
３０８    絶縁層
３０９    絶縁層
３１０ａ    トランジスタ
３１０ｂ    トランジスタ
３１１    絶縁層
３１２    電界発光層
３１３    第２の電極層
３１４    第２の基板
３１５ａ    発光素子
３１５ｂ    発光素子
３１６ａ    接着層
３１６ｂ    接着層
３５０    第１の基板
３５１    単結晶半導体基板
３５５ａ    電極層
３５５ｂ    電極層
３５５ｃ    電極層
３５５ｄ    電極層
３５６ａ    第１の電極層
３５６ｂ    第１の電極層
３６０ａ    電界効果トランジスタ
３６０ｂ    電界効果トランジスタ
３６１    絶縁層
３６２ａ    電界発光層
３６２ｂ    電界発光層
３６３    第２の電極層
３６４    第２の基板
３６５ａ    発光素子
３６５ｂ    発光素子
３６７    隔壁（絶縁層）
３６８    素子分離領域
３６９    絶縁層
３７０    絶縁層
３７１    接着層
５０１    筐体
５０２    液晶層
５０３    バックライト
５０４    筐体
５０５    ドライバＩＣ
５０６    端子
７５０    第１の基板
７５１ａ    第１の電極層
７５１ｂ    第１の電極層
７５１ｃ    第１の電極層
７５２    接着層
７５３    電界発光層
７５４ａ    第２の電極層
７５４ｂ    第２の電極層
７５４ｃ    第２の電極層
７５５    第２の基板
７７２ａ  接着層
７７２ｂ  接着層
７７２ｃ  接着層
７７６    隔壁（絶縁層）
７９５    第２の基板
８５４    チューナ
８５５    映像信号増幅回路
８５６    映像信号処理回路
８５７    コントロール回路
８５８    信号分割回路
８５９    音声信号増幅回路
８６０    音声信号処理回路
８６１    制御回路
８６２    入力部
８６３    スピーカー
９００    パネル
９０１    コントローラ
９０２    ＣＰＵ
９０３    電源回路
９０４    送受信回路
９０５    画素部
９０６ａ    走査線駆動回路
９０６ｂ    走査線駆動回路
９０７    信号線駆動回路
９０８    ＦＰＣ
９０９    インターフェース
９１０    アンテナ用ポート
９１１    メモリ
９２０    制御信号生成回路
９２１    デコーダ
９２２    レジスタ
９２３    演算回路
９２４    ＲＡＭ
９２５    ＤＲＡＭ
９２６    フラッシュメモリ
９２７    マイク
９２８    スピーカー
９２９    音声処理回路
９３０    入力手段
９０４    送受信回路
９３２    ＶＲＡＭ
９３３    アンテナ
９３５    インターフェース
９８６    プリント配線基板
９９９    モジュール
９８１    ハウジング
９８６    プリント配線基板
９９３    信号処理回路
９９４    マイクロフォン
９９５    スピーカー
９９６    筐体
９９７    バッテリー
９９８    入力手段
１０００    ヘッドライト
１０１１    光源
１０１２    反射板
１０２１    光源
１０２２    反射板
１３００    第１の基板
１３０１ａ    絶縁膜
１３０１ｂ    絶縁膜
１３１０    ゲート絶縁層
１３１１    絶縁膜
１３１２    絶縁膜
１３１４    絶縁膜
１３１７    第１の電極層
１３１９    電界発光層
１３２０    第２の電極層
１３２２    接着層
１３２４    配線層
１３２５    第２の基板
１３３２    シール材
１３３３    配線層
１３５５    薄膜トランジスタ
１３６５    薄膜トランジスタ
１３７５    薄膜トランジスタ
１３８１    端子電極層
１３８２    異方性導電層
１３８３    ＦＰＣ
１３８５    薄膜トランジスタ
１３９１    導電性フィラー
１３９２    接続配線層
１６００    第１の基板
１６０１ａ    絶縁膜
１６０１ｂ    絶縁膜
１６０５    発光素子
１６１０    ゲート絶縁層
１６１１    絶縁膜
１６１２    絶縁膜
１６１４    絶縁層
１６１７    第１の電極層
１６１９    電界発光層
１６２０    第２の電極層
１６２２    接着層
１６２５    第２の基板
１６３２    シール材
１６３３    配線層
１６５５    薄膜トランジスタ
１６６５    薄膜トランジスタ
１６７５    薄膜トランジスタ
１６８１    端子電極層
１６８２    異方性導電層
１６８３    ＦＰＣ
１６８５    薄膜トランジスタ
１６９１    導電性フィラー
１６９２    接続配線層
２００１    筐体
２００２    表示用パネル
２００３    主画面
２００４    モデム
２００５    受信機
２００６    リモコン操作機
２００７    表示部
２００８    サブ画面
２００９    スピーカー部
２０１０    筐体
２０１１    表示部
２０１２    キーボード部
２０１３    スピーカー部
２１０１    筐体
２１０２    光源
２７００    基板
２７０１    画素部
２７０２    画素
２７０３    走査線側入力端子
２７０４    信号線側入力端子
２７５０    ＦＰＣ
２７５１    ドライバＩＣ
３００１    照明装置
３７００    基板
３７０１    画素部
３７０２    走査線側駆動回路
３７０４    信号線側入力端子
４７００    基板
４７０１    画素部
４７０２    走査線駆動回路
４７０４    信号線駆動回路
９１０１    本体
９１０２    表示部
９２０１    本体
９２０２    表示部
９３０１    本体
９３０２    表示部
９４０１    本体
９４０２    表示部
９７０１    表示部
９７０２    表示部
【図１】
2008010418.tif 000003
【図２】
2008010418.tif 000004
【図３】
2008010418.tif 000005
【図４】
2008010418.tif 000006
【図５】
2008010418.tif 000007
【図６】
2008010418.tif 000008
【図７】
2008010418.tif 000009
【図８】
2008010418.tif 000010
【図９】
2008010418.tif 000011
【図１０】
2008010418.tif 000012
【図１１】
2008010418.tif 000013
【図１２】
2008010418.tif 000014
【図１３】
2008010418.tif 000015
【図１４】
2008010418.tif 000016
【図１５】
2008010418.tif 000017
【図１６】
2008010418.tif 000018
【図１７】
2008010418.tif 000019
【図１８】
2008010418.tif 000020
【図１９】
2008010418.tif 000021
【図２０】
2008010418.tif 000022
【図２１】
2008010418.tif 000023
【図２２】
2008010418.tif 000024
【図２３】
2008010418.tif 000025