(57)【要約】    【課題】ポリ塩化ビフェニル除去性能の低下が発生することを防止し得る排ガス処理装置を提供することを課題としている。    【解決手段】前記課題を解決すべく、活性炭が用いられており、ポリ塩化ビフェニルが含有される被処理ガスが前記活性炭に接触されて前記被処理ガスからポリ塩化ビフェニルが除去される排ガス処理装置であって、前記ポリ塩化ビフェニルに塩素数５以上のビフェニル成分が含有されている被処理ガスからのポリ塩化ビフェニル除去に用いられ、前記活性炭の細孔容積が０．５５ｍｌ／ｇ以上であることを特徴とする排ガス処理装置を提供する。【選択図】  図１
2008080197.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性炭が用いられており、ポリ塩化ビフェニルが含有される被処理ガスが前記活性炭に接触されて前記被処理ガスからポリ塩化ビフェニルが除去される排ガス処理装置であって、
前記ポリ塩化ビフェニルに塩素数５以上のビフェニル成分が含有されている被処理ガスからのポリ塩化ビフェニル除去に用いられ、前記活性炭の細孔容積が０．５５ｍｌ／ｇ以上であることを特徴とする排ガス処理装置。
【請求項２】
細孔容積が０．５５ｍｌ／ｇ以上の活性炭と、細孔直径の分布曲線のピーク値が１０〜２０Åにあり且つ細孔容積が０．５４ｍｌ／ｇ以下である活性炭との２種類の活性炭が用いられており、被処理ガスが細孔容積が０．５５ｍｌ／ｇ以上の活性炭に接触された後に、細孔直径の分布曲線のピーク値が１０〜２０Åにあり且つ細孔容積が０．５４ｍｌ／ｇ以下である活性炭に接触されることにより、細孔容積が０．５５ｍｌ／ｇ以上の活性炭でポリ塩化ビフェニルが除去された後の被処理ガス中に残留するポリ塩化ビフェニルをさらに細孔直径の分布曲線のピーク値が１０〜２０Åにあり且つ細孔容積が０．５４ｍｌ／ｇ以下である活性炭により除去させるべく、前記２種類の活性炭が配置されている請求項１記載の排ガス処理装置。
【請求項３】
前記被処理ガスが、ポリ塩化ビフェニルにより汚染された汚染物が真空雰囲気下で加熱状態にされて前記汚染物から揮発除去されたポリ塩化ビフェニルを含んでいる請求項１または２記載の排ガス処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリ塩化ビフェニルが含有される被処理ガスからのポリ塩化ビフェニル除去に用いられる排ガス処理装置に関し、より詳しくは、ポリ塩化ビフェニルが含有される被処理ガスが活性炭に接触されて被処理ガスからポリ塩化ビフェニルが除去される排ガス処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ポリ塩化ビフェニル（以下「ＰＣＢ」ともいう）は、優れた電気絶縁性を有することからコンデンサやトランスなどの電気機器用絶縁油などに、過去においては、多く用いられている。
近年、その有害性が認められるようになりその使用は禁止され、ＰＣＢが使用された電気機器は回収され、これら電気機器からＰＣＢが除去され、除去されたＰＣＢが分解処理されるなどしている。
【０００３】
この電気機器からのＰＣＢの除去においては、例えば、電気機器を解体し、解体された解体物を洗浄した後に、さらに真空加熱処理を実施する方法などが一般に採用されている。このＰＣＢ除去作業は、ＰＣＢの周囲への飛散を防止すべく閉鎖された室内で実施され、しかも、この室内をわずかに負圧状態に維持して行われたりしている。
【０００４】
このＰＣＢ除去作業が行われる室内からの排気や、真空加熱処理における排気、さらには、解体物の洗浄を行う洗浄装置の排気などによるＰＣＢを含む排ガスについては、例えば、オイルスクラバーを通過させた後に、さらに、活性炭フィルターを通過させるなどして、排ガスが定められた基準値以下のＰＣＢ濃度となるまでオイルや活性炭でＰＣＢが除去されて大気放出されたりしている。
【０００５】
このようなＰＣＢを含有する排ガス（被処理ガス）からＰＣＢを除去する排ガス処理装置においては、ＰＣＢ除去性能に優れたものが求められている。
特許文献１には、排ガス処理装置に用いられる活性炭について、ダイオキシンなどの有機ハロゲン化物に対する吸着性能に優れた活性炭が記載されている。
しかし、従来、ＰＣＢ除去のための活性炭については殆ど検討されていない。
また、ＰＣＢを含んだ被処理ガスから活性炭を用いてＰＣＢを除去する場合においては、含まれるＰＣＢの量が同等の被処理ガスであっても、活性炭に接触させた後の処理済ガスに含有されるＰＣＢ量が異なる場合がある。
すなわち、従来の排ガス処理装置は、被処理ガスによってはＰＣＢ除去性能が低下する場合があり、このＰＣＢ除去性能の低下によって処理済ガスのＰＣＢ濃度が基準値を上回ってしまい、大気中に放出できなくなるおそれを有している。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１４３４９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、ポリ塩化ビフェニル除去性能の低下が発生することを防止し得る排ガス処理装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、ポリ塩化ビフェニルが含有される被処理ガスが活性炭に接触されて被処理ガスからポリ塩化ビフェニルが除去される排ガス処理装置のポリ塩化ビフェニル除去性能の低下とその抑制方法について鋭意検討を行った結果、従来の排ガス処理装置における活性炭は、塩素数５以上のビフェニル成分を被処理ガスから除去する性能が低いこと、ならびに、そのためにポリ塩化ビフェニルに塩素数５以上のビフェニル成分が多く含まれているほどポリ塩化ビフェニル除去性能を低下させるおそれがあることを見出した。
【０００９】
また、所定の細孔容積を有する活性炭がこの塩素数５以上のビフェニル成分を被処理ガス中から除去する性能において優れていることを見出し、本発明の完成に到ったのである。
【００１０】
すなわち、本発明は、前記課題を解決すべく、活性炭が用いられており、ポリ塩化ビフェニルが含有される被処理ガスが前記活性炭に接触されて前記被処理ガスからポリ塩化ビフェニルが除去される排ガス処理装置であって、前記ポリ塩化ビフェニルに塩素数５以上のビフェニル成分が含有されている被処理ガスからのポリ塩化ビフェニル除去に用いられ、前記活性炭の細孔容積が０．５５ｍｌ／ｇ以上であることを特徴とする排ガス処理装置を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明においては、ポリ塩化ビフェニルが含有される被処理ガスが接触される活性炭が排ガス処理装置に用いられており、しかも、細孔容積が０．５５ｍｌ／ｇ以上の活性炭がこの排ガス処理装置に用いられている。
この細孔容積が０．５５ｍｌ／ｇ以上の活性炭は、従来の排ガス処理装置に用いられている活性炭に比べて塩素数５以上のビフェニル成分を除去する性能に優れている。
したがって、本発明によれば、被処理ガスに塩素数５以上のビフェニル成分がより多く含まれる場合においてもポリ塩化ビフェニルの除去性能が低下することを抑制させ得る。
すなわち、本発明によれば、排ガス処理装置においてポリ塩化ビフェニル除去性能の低下が発生することを防止させ得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、本発明の好ましい実施の形態について、ＰＣＢにより汚染された汚染物が真空加熱装置により真空雰囲気下で加熱状態にされて前記汚染物から揮発除去されたポリ塩化ビフェニルを含む被処理ガスの処理に用いられる排ガス処理装置を例に説明する。
【００１３】
図１は、真空加熱装置で揮発除去されたポリ塩化ビフェニルを含む被処理ガスの処理のフローを示すブロック図であり、１は、真空加熱装置、２は、排ガス処理装置を表している。
まず、ＰＣＢにより汚染された汚染物からＰＣＢが揮発除去される真空加熱装置１について説明する。
この真空加熱装置１は、ＰＣＢ汚染物を収容する真空加熱炉３と、該真空加熱炉３からの脱気を行う真空ポンプ５とを備えている。
この真空加熱炉３は、内部に被処理物を収容するスペースが形成されており、しかも、真空ポンプ５により脱気された場合に、この収容スペースを真空状態に維持させ得るシール性能が備えられている。また、この真空加熱炉３には、内部に収容されている収容物を加熱するための加熱手段が備えられている。
この真空加熱装置１には、この真空加熱炉３内のＰＣＢ汚染物から揮発除去されたＰＣＢが真空ポンプ５の真空ポンプオイルに溶解されてしまうことを防止すべく、オイルスクラバー４がさらに備えられており、真空ポンプ５が、このオイルスクラバー４を介して真空加熱炉３内を脱気すべく形成されている。
【００１４】
次いで、本実施形態の排ガス処理装置２について説明する。
本実施形態の排ガス処理装置２は、前記真空加熱装置１の真空ポンプ５から排出される排ガス（被処理ガス）を冷却する冷却コンデンサー６と冷却後の排ガスから凝縮液を除去させるミストセパレータ７と、該ミストセパレータ７通過後の排ガスを通過させるオイルスクラバー８と、該オイルスクラバー８通過後の排ガスを通過させるミストエリミネータ９とを有している。
【００１５】
さらに本実施形態の排ガス処理装置２には、このミストエリミネータ９通過後の排ガスを通過させるべく、活性炭が装填された第一カートリッジ１０と、同じく活性炭が装填された第二カートリッジ１１との２個の活性炭カートリッジが用いられている。
この２個の活性炭カートリッジは、排ガスを２個のカートリッジの内の第一カートリッジ１０にまず通過させて、第一カートリッジ１０中の活性炭に排ガスを接触させて排ガス中に含まれているポリ塩化ビフェニルを第一カートリッジ１０中の活性炭に吸着させて除去させた後に、この第一カートリッジ１０通過後の排ガスを、さらに、第二カートリッジ１１を通過させて、この第二カートリッジ１１中の活性炭に第一カートリッジ１０通過後の排ガスに残留しているポリ塩化ビフェニルを吸着させてさらに除去させるべく、第一カートリッジ１０と第二カートリッジ１１とが、排ガスの流通流路の上流側と下流側とに直列に配置されている。
【００１６】
そして、この上流側の第一カートリッジ１０には、細孔容積が０．５５ｍｌ／ｇ以上の活性炭が装填されており、下流側の第二カートリッジ１１には、細孔直径の分布曲線のピーク値が１０〜２０Åにあり且つ細孔容積が０．５４ｍｌ／ｇ以下の活性炭が装填されている。
【００１７】
なお、活性炭の細孔直径や細孔容積については、細孔分布測定装置である（株）島津製作所製ＡＳＡＰ２４００（Ｎ2吸着法）を用い、比表面積と細孔分布を測定し、比表面積をＢＥＴ法により計算し、細孔分布をＣＩ法により計算することで求めることができる。
【００１８】
上記の上流側の第一カートリッジ１０に装填される活性炭としては、上記細孔容積を有するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、椰子ガラ活性炭破砕物や、炭素質材料を微粉砕し、バインダーを用いて造粒した造粒炭を用いることもできる。
この造粒炭としては、例えば、炭素質材料を適度な粒度に微粉砕し、コールタール、コールタールピッチなどの石炭又は石油系、澱粉、カルボキシメチルセルロース、糖類などのセルロース系有機物、フェノール樹脂などのバインダーを添加して混練、成型し、乾留、賦活を行うことによって造粒した造粒炭を使用することができる。
【００１９】
また、第二カートリッジ１１に装填される活性炭としても、例えば、椰子ガラ活性炭破砕物や、炭素質材料を微粉砕し、バインダーを用いて造粒した造粒炭を用いることができる。
また、第一カートリッジ１０において説明したものと同様に、この造粒炭としては、例えば、炭素質材料を適度な粒度に微粉砕し、コールタール、コールタールピッチなどの石炭又は石油系、澱粉、カルボキシメチルセルロース、糖類などのセルロース系有機物、フェノール樹脂などのバインダーを添加して混練、成型し、乾留、賦活を行うことによって造粒した造粒炭を使用することができる。
【００２０】
この造粒炭の製造方法については、特に限定されるものではないが、成型工程において、Ｚ型二軸方式のニーダーなどで微粉砕した原料とバインダーを十分混練し、１８０ｋｇ／ｃｍ2以上の圧力で成型することにより成型物をむらなく得ることができる。
また、成型装置としては、ロールプレス式、ディスク型ペレッター式、リング型ペレッター式、押し出し式などの成型装置が使用可能である。活性炭（造粒炭）の形状は、特に限定されるものではなく、円柱状、円筒状、球状、円盤状など目的に応じて適宜決めればよい。実用的には粒径１〜２０ｍｍの粒状で使用するのが好ましいが、直径２〜１１ｍｍの円柱状で使用するのが取扱いの点で望ましい。円柱状で使用する場合高さ／直径＝１〜３が好ましい。
【００２１】
また、第一、第二の各カートリッジには、上記のような活性炭が４００〜５００ｋｇ／ｍ3の嵩密度となるように装填されていることが好ましい。
【００２２】
次いで、ＰＣＢ含有絶縁油が用いられたトランスが解体された解体物がノルマルパラフィンなどの洗浄液を用いた洗浄装置に導入されて洗浄された後の解体物に残留するＰＣＢを真空加熱装置１で揮発除去した場合に発生する排ガスを上記のような排ガス処理装置２で処理する方法について説明する。
【００２３】
まず、トランス解体物から真空加熱装置１を用いてＰＣＢを揮発除去する真空加熱処理方法について説明する。
【００２４】
この真空加熱装置１の真空加熱炉３にトランス解体物を導入し、真空加熱炉３内を窒素ガスなどの不燃性のガスによりパージする。
その後、真空加熱炉３の加熱手段によりによりトランス解体物を加熱するとともに、真空ポンプ５により真空加熱炉３内の窒素ガスを脱気して真空加熱炉３内を真空雰囲気とさせる。
このとき、通常、炉内を１５０〜２３０℃の温度、１０００Ｐａ以下とすることができ、作業の安全性、ＰＣＢの除去効率などの点からは、例えば、１７０〜２００℃、２００Ｐａ以下の条件とさせることが好ましい。なお、上記温度は炉内の解体物が上記温度となるように制御することが更に好ましい。
【００２５】
なお、トランスには、特に他の機器に比べ、「カネクロール（ＫＣ−５００）：鐘淵化学工業製」などと呼ばれる塩素数が５のビフェニル（５塩化ビフェニル）を主成分とするＰＣＢや「カネクロール（ＫＣ−６００）：鐘淵化学工業製」などと呼ばれる塩素数が６のビフェニル（６塩化ビフェニル）または７のビフェニル（７塩化ビフェニル）を主成分とするＰＣＢ、または「カネクロール（ＫＣ−１０００）：鐘淵化学工業製」と呼ばれるＫＣ−５００とトリクロロベンゼンとが混合されたものが多く用いられており、トランス解体物にも塩素数５および塩素数５を超えるビフェニル成分が多く含有されている。
また、解体物の洗浄には、洗浄液としてノルマルパラフィンなどが用いられることから、この真空加熱処理によって生じる真空ポンプ５からの排ガスには、塩素数５以上のビフェニル成分とノルマルパラフィン、さらには、オイルスクラバー４のオイルや真空ポンプオイルなどが含有されることとなる。
【００２６】
次いで、この塩素数５以上のビフェニル成分とノルマルパラフィンなどが含有された排ガス（被処理ガス）を排ガス処理装置２で処理する方法について説明する。
まず、この真空ポンプ５から排出された排ガスは、ミストセパレータ７によりＰＣＢ、ノルマルパラフィン、オイルスクラバー４のオイルならびに真空ポンプ５オイルなどのミスト分を除去する。なお、このミストセパレータ７では、通常、オイルスクラバー４のオイルを主として除去させる。
このミストセパレータ７通過後の排ガスをさらにオイルスクラバー８に通過させて排ガス中のＰＣＢをオイルに吸着させて排ガスからＰＣＢを除去させる。
このオイルスクラバー８通過後の排ガスには、オイルスクラバー８で使用されたオイルミストが含有されることから、さらに、ミストエリミネータ９を通過させてこのオイルミストを除去させる。
【００２７】
さらに、このミストエリミネータ９通過後の排ガスを第一カートリッジ１０に通過させて、第一カートリッジ１０内に装填されている活性炭に排ガス中に残留しているＰＣＢを吸着させ、さらに、第二カートリッジ１１に第一カートリッジ１０通過後の排ガスを導入して第二カートリッジ１１内の活性炭にＰＣＢを吸着させて排ガスからＰＣＢを除去させて排ガス中のＰＣＢ含有量を所定量以下、例えば１００μｇ／ｍ3以下のＰＣＢ濃度として気中に放出させる。
【００２８】
上記に例示の真空加熱処理においては、上流側に細孔容積が０．５５ｍｌ／ｇ以上の活性炭を装填させた第一カートリッジ１０が配されているために、ＰＣＢに塩素数５以上のビフェニル成分が多く含まれている場合であっても、この活性炭でＰＣＢを吸着除去させることができる。
また、本実施形態においては、特に、塩素数５以上のビフェニル成分よりも塩素数５未満のビフェニル成分に対して優れた吸着性能を発揮する、細孔直径の分布曲線のピーク値が１０〜２０Åにあり且つ細孔容積が０．５４ｍｌ／ｇ以下の活性炭が、下流側の第二カートリッジ１１に装填されていることから、この第一カートリッジ１０と第二カートリッジ１１とを連続的に被処理ガスが通過した後のＰＣＢ濃度をよりいっそう低減させることができる。
【００２９】
なお、本実施形態においては、塩素数５〜７の塩化ビフェニルを主成分とするＰＣＢが多く用いられているトランスの解体物を１７０〜２００℃、２００Ｐａ以下で処理を実施させていることから、真空加熱処理作業を安全でしかもＰＣＢの除去効率に優れたものとさせることができる反面、真空ポンプ５からの排ガス、すなわち、被処理ガス中に、例えば、１００μｇ／ｍ3以上の高濃度にＰＣＢを含有させることとなる。
このＰＣＢを高濃度に含有する被処理ガスは、活性炭カートリッジに導入される際には、通常、常温、常圧となっており、しかも、上記に示したように、塩素数５以上のビフェニル成分が多く含まれることから、凝集体を形成させやすい状態になっている。
【００３０】
したがって、本実施形態に例示したように、第一カートリッジ１０が第二カートリッジ１１よりも上流側に配されていることにより、第二カートリッジ１１を第一カートリッジ１０よりも上流側に配した場合に比べて、活性炭の使用期間を長期化させ得る。
すなわち、第二カートリッジ１１を第一カートリッジ１０よりも上流側に配した場合においては、ＰＣＢの凝集体によって第二カートリッジ１１に装填されている活性炭が早期に吸着性能を低下させやすくなるが、本実施形態の排ガス処理装置２においては、０．５５ｍｌ／ｇ以上の大きな細孔容積を有する活性炭が上流側に配されていることから、例えＰＣＢが凝集体を形成している場合でも吸着性能を低下させにくい。
したがって、本実施形態に例示したように、細孔容積が０．５５ｍｌ／ｇ以上の活性炭が装填されているカートリッジを上流側に配し、細孔直径の分布曲線のピーク値が１０〜２０Åにあり且つ細孔容積が０．５４ｍｌ／ｇ以下の活性炭が装填されているカートリッジを下流側に配することにより、真空加熱処理の効率を高め得るとともに活性炭カートリッジの長寿命化を図ることができる。
【００３１】
なお、本実施形態においては、上記のような排ガス処理装置２を上記のごとく用いる場合を例に説明したが、本発明においては、上記のような排ガス処理装置２ならびに排ガス処理方法に限定するものではない。
【実施例】
【００３２】
次に実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３３】
（活性炭カートリッジの作製）
細孔容積が０．６５ｍｌ／ｇの活性炭である北炭化成工業社製、商品名「Ｇ−ＡＣ」をガラス管内に４００ｍｍの区間、嵩密度が４５９ｋｇ／ｍ3となるように充填して活性炭カートリッジ１とした。
同様に、細孔直径の分布曲線のピーク値が１０〜２０Åであり、しかも、細孔容積が０．５３ｍｌ／ｇの活性炭である日本エンバイロケミカルズ、商品名「粒状白鷺  ＰＲＡＣ−１」を活性炭カートリッジ試料１において用いたものと同じガラス管内に４００ｍｍの区間、嵩密度が４３６ｋｇ／ｍ3となるように充填して活性炭カートリッジ２とした。
【００３４】
（被処理ガスの調整）
５塩化ビフェニル成分を主成分とするＰＣＢ含有絶縁油「ＫＣ−５００」が含浸された木片に空気を接触させて、該木片との接触後の空気を被処理ガスとして用いた。
この、ガラス管からの被処理ガスを吸着管（ＳＰＥＬＣＯ製「ＯＲＢＯ−６０」）を利用してサンプリングをおこなった。具体的には吸着管内にはグラスウールとフロリジル及びウレタンからなる吸着部が設けられ、この吸着管にガラスウール側からフロリジル側への流通方向となるように上記の被処理ガスを流通させて、このガラスウールにＰＣＢの凝集体を吸着させ後段のフロリジル及びウレタンに残りのＰＣＢのほとんどを吸着させたものをガスクロマトグラフ−質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）にて塩素数２〜６のビフェニル成分に分けて分析したところ、ガラスウールに吸着されたＰＣＢとフロリジル及びウレタンに吸着されたＰＣＢとは、表１に示す分布を示した。
【００３５】
【表１】
2008080197.tif 000003
【００３６】
（活性炭カートリッジによるＰＣＢ除去率の測定）
上記活性炭カートリッジ１及び２に上記被処理ガスを０．３５〜０．４０ｍ／ｓの流速となるように通過させて、約３６０時間後にこの活性炭カートリッジ通過後の気中のＰＣＢ濃度を先の吸着管とガスクロマトグラフ−質量分析計とを用いて測定した。
得られたＰＣＢ濃度をＸ（μｇ／ｍ3）とし、先の表１に示されている初期値をＸ0（μｇ／ｍ3）として下記式にて各模擬カートリッジによるＰＣＢ除去率を求めた。
ＰＣＢ除去率（％）＝｛（Ｘ0−Ｘ）／Ｘ0｝×１００（％）
結果を、表２に示す。
【００３７】
【表２】
2008080197.tif 000004
【００３８】
上記表２に示されるように、細孔容積が０．５５ｍｌ／ｇ以上の活性炭である「Ｇ−ＡＣ」を用いた活性炭カートリッジ１の方が、活性炭カートリッジ２に比べて塩素数５以上のビフェニル成分に対して充分な吸着能を有していることが分かる。
なお、表２からは、塩素数が２、３のビフェニル成分の内、ガラスウールに対して吸着されない成分の除去率が活性炭カートリッジ１では劣っているようにも見受けられるが、これは、初期時点から塩素数２、３のビフェニルに対する吸着性能が低いことを示しているものではなく、初期時点に於いては活性炭カートリッジ１も充分な吸着性能を有するが、時間の経過と共に、塩素数２、３のビフェニルに対する吸着能が飽和したためであると思われる。
【００３９】
（実施例１〜４、比較例１）
（活性炭カートリッジの配置）
上記活性炭カートリッジ１、または、活性炭カートリッジ１および２を用いて、表３に示す配置１〜配置３で排ガス処理装置に３個の活性炭カートリッジを直列に配列して実施例１〜３とした。
また、活性炭カートリッジ２のみを３個直列に配列して比較例１とした。
【００４０】
【表３】
2008080197.tif 000005
【００４１】
（シミュレート１）
このように配置された活性炭カートリッジに対して、表１の割合で各塩素数の塩化ビフェニル成分を含む被処理ガスを０．３５〜０．４０ｍ／ｓの流速で通過させた場合の活性炭カートリッジ通過後の気中のＰＣＢ濃度を表２に示すＰＣＢ除去率を元にシミュレートした。
結果を、表４に示す。
【表４】
2008080197.tif 000006
【００４２】
上記のように、実施例１〜３では、比較例１と同等、または、それ以上に活性炭カートリッジ通過後の気中のＰＣＢ濃度が低減されていることがわかる。
しかも、上記表４においては、活性炭の吸着能力として初期性能を利用せずに、表２の結果に基づいてシミュレートされており、活性炭カートリッジ１は塩素数が２、３のビフェニル成分のうち、フロリジル吸着成分に対する吸着能が非常に低い状態を勘案して計算しているため、実施例１〜３の結果は、上記飽和前においては、上記表４以上に優れたものであると推察される。
【００４３】
（実施例４〜６、比較例２）
次いで、実際ＰＣＢ汚染物からのＰＣＢ除去に使用されている真空加熱装置の排ガスからのＰＣＢ除去について検討を行った。
【００４４】
（真空加熱装置からの排ガスの測定）
５塩化ビフェニル成分を主成分とする高濃度のＰＣＢ含有絶縁油「ＫＣ−１０００」（ＫＣ−５００とトリクロロベンゼンの混合油）に汚染されたコンデンサを処理することにより、真空加熱炉内が汚染された真空加熱装置から排出される排ガス中のビフェニル成分を先述の吸着管とガスクロマトグラフ−質量分析計とを用いて分析したところ表５の通りであった。
【００４５】
【表５】
2008080197.tif 000007
【００４６】
表よりＫＣ−１０００に汚染されたコンデンサを処理する設備からの排ガスにおいては、塩素数５以上のビフェニル成分が、塩素数２、３などビフェニル成分に比べて多量に含まれていることが分かる。
【００４７】
（活性炭カートリッジの配置）
表３に示す配置１〜配置３で排ガス処理装置に３個の活性炭カートリッジを直列に配列して上記表５に示す真空加熱装置から排出される排ガスを処理する場合を実施例４〜６とした。
また、活性炭カートリッジ２のみを３個直列に配列して上記表５に示す真空加熱装置から排出される排ガスを処理する場合を比較例２とした。
【００４８】
（シミュレート２）
真空加熱装置から排出される排ガスを０．３５〜０．４０ｍ／ｓの流速で通過させた場合の活性炭カートリッジ通過後の気中のＰＣＢ濃度を表２に示すＰＣＢ除去率を元にシミュレートした。
結果を、表６に示す。
【００４９】
【表６】
2008080197.tif 000008
【００５０】
上記のように、コンデンサを処理する設備からの実際の排ガスに対して、実施例４〜６では、比較例２と同等、または、それ以上に活性炭カートリッジ通過後の気中のＰＣＢ濃度が低減されていることがわかる。
しかも、細孔容積が０．５５ｍｌ／ｇ以上の活性炭が用いられた活性炭カートリッジ１の後段側に、細孔直径の分布曲線のピーク値が１０〜２０Åにあり且つ細孔容積が０．５４ｍｌ／ｇ以下の活性炭が用いられた活性炭カートリッジ２が配されている実施例５、６では、特にポリ塩化ビフェニル除去性能に優れたものとなっていることがわかる。
【００５１】
このように、本発明によれば、ＫＣ−５００、ＫＣ−６００、ＫＣ−１０００のように塩素数５以上のビフェニル成分を多く含むポリ塩化ビフェニルを処理した際に発生する排ガス中のＰＣＢ成分についても、１０μｇ／ｍ3を充分に下回る排ガス処理装置を提供し得ることがわかる。
また、処理対象として高濃度のＰＣＢ油含有電気機器を処理する際に発生する高濃度のＰＣＢ含有排ガスに対しても、本発明によれば、ポリ塩化ビフェニルの除去性能の低下が抑制された排ガス処理装置を提供し得ることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】被処理ガスの処理のフローを示すブロック図。
【符号の説明】
【００５３】
１：真空加熱装置、２：排ガス処理装置、１０：第一カートリッジ、１１：第二カートリッジ
【図１】
2008080197.tif 000009