(57)【要約】【課題】低コストにてマスクを得るマスクの製造方法を提供し、安価なマスクを用いることで低コストなものを得る配線パターンの製造方法を提供し、安価なマスクを用いることで低コストなものを得るプラズマディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】透光性基板５の少なくとも一方の面に撥液処理を施す。そして、透光性基板５における撥液処理面６上に、液滴吐出法を用いて所望の形状に遮光材料を配する。そして、遮光材料を焼成し、透光性基板５上に遮光パターンＭＰを形成する。【選択図】図３
2008010353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板の少なくとも一方の面に撥液処理を施す工程と、
前記透光性基板における撥液処理面上に、液滴吐出法を用いて所望の形状に遮光材料を配する工程と、
該遮光材料を焼成し、前記透光性基板上に遮光パターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２】
透光性基板の少なくとも一方の面に撥液処理を施し、前記透光性基板の撥液処理面上に、液滴吐出法を用いて遮光材料を配置し、該遮光材料を焼成することで前記透光性基板上に遮光パターンを形成するマスク形成工程と、
基体の一方の面側に撥液処理を施す工程と、
前記マスクを介して、前記基体の撥液処理面に光照射を行い、前記撥液処理面の一部を親液化し親液領域を形成する工程と、
前記親液領域に、液滴吐出法を用いて導電性機能液を配置する工程と、
該導電性機能液を焼成し、配線パターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とする配線パターンの製造方法。
【請求項３】
前記配線パターンを絶縁膜で覆う工程と、該絶縁膜に前記撥液処理を施す工程と、前記マスク形成工程で形成したマスクを用いて、前記絶縁膜の撥液処理面に前記親液領域を形成する工程と、該親液領域に他の配線パターンを形成する工程とを繰り返すことにより、配線パターンの積層構造を形成することを特徴とする請求項２に記載の配線パターンの製造方法。
【請求項４】
前記マスク形成工程では、光照射を受けて親液化を促進する光触媒を、前記遮光パターンの間に該遮光パターンの高さ以上になるように配設する工程を備え、前記基体の撥液処理面に前記光触媒を接触させるようにして前記マスクを配置し、光照射を行うことにより前記親液領域を形成することを特徴とする請求項２又は３に記載の配線パターンの製造方法。
【請求項５】
互いに対向して配置される一対の基板と、一方の基板に設けられたアドレス線と、他方の基板に設けられたバス電極とを備えたプラズマディスプレイの製造方法において、
透光性基板の少なくとも一方の面に撥液処理を施し、前記透光性基板の撥液処理面上に、液滴吐出法を用いて遮光材料を配置し、該遮光材料を焼成することで前記透光性基板上に遮光パターンを形成するマスク形成工程と、
前記一対の基板の少なくとも一方における、一方の面側に撥液処理を施す工程と、
前記マスクを介して、前記基板の撥液処理面に光照射を行い、前記撥液処理面の一部を親液化し親液領域を形成する工程と、
液滴吐出法を用いて、前記親液領域に導電性機能液を配置する工程と、
該導電性機能液を焼成し、前記アドレス配線及びバス電極の少なくとも一方を形成する工程と、を備えたことを特徴とするプラズマディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクの製造方法、配線パターンの製造方法、及びプラズマディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上にパターン（配線パターン）を形成する方法としては、一般にスクリーン印刷法、スパッタ法、蒸着法等が用いられている。これらの方法は、いずれもマスクを用いることで所望の形状に配線形成材料を塗布あるいは付着させることでパターンを形成している。
【０００３】
また、マスクを用いる別のパターンの形成方法として、基板上に濡れ性変化層を設け、マスクを介して紫外線等のエネルギを付与することで濡れ性の高い領域と低い領域を形成し、これらの領域に塗液を塗り分けることでパターンを形成することが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−７１４７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記特許文献１で使用されるマスクは、透光性を有するマスク基板と、上述したパターン形成方法、例えばスパッタ法を用いることで前記マスク基板上に形成された、マスクパターンとから構成されている。しかしながら、スパッタ法によるマスクパターンの形成工程は、パターニング時に原版用のマスクが必要となる。一般的に、原版用マスクは非常に高価なものであるため、マスクの製造コストを十分に低減することができなかった。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、低コストにてマスクを得る、マスクの製造方法を提供し、安価なマスクを用いることで低コスト化が図られた、配線パターンの製造方法を提供することを目的とする。また、安価なマスクを用いることで低コスト化が図られた、プラズマディスプレイの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のマスクの製造方法は、透光性基板の少なくとも一方の面に撥液処理を施す工程と、前記透光性基板における撥液処理面上に、液滴吐出法を用いて所望の形状に遮光材料を配する工程と、該遮光材料を焼成し、前記透光性基板上に遮光パターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
本発明のマスクの製造方法によれば、液滴吐出法により遮光パターンを所望の位置に形成しているので、例えば遮光材料をパターニングする際にパターン形状に対応した原版用マスクが不要となり、マスクの製造コストを低減できる。特に配線パターン形成用のマスクのような多品種少量生産のマスクを製造する際に本発明を適用すれば、このマスクを用いて形成される配線パターン等を低コストで形成することができる。
【０００８】
本発明の配線パターンの製造方法は、透光性基板の少なくとも一方の面に撥液処理を施し、前記透光性基板の撥液処理面上に、液滴吐出法を用いて遮光材料を配置し、該遮光材料を焼成することで前記透光性基板上に遮光パターンを形成するマスク形成工程と、基体の一方の面側に撥液処理を施す工程と、前記マスクを介して、前記基体の撥液処理面に光照射を行い、前記撥液処理面の一部を親液化し親液領域を形成する工程と、前記親液領域に、液滴吐出法を用いて導電性機能液を配置する工程と、該導電性機能液を焼成し、配線パターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の配線パターンの製造方法によれば、液滴吐出法により遮光パターンを所望の位置に形成しているので、従来のように遮光材料のパターニング時に別途必要となるパターン形状に応じたマスクが不要となり、マスクの製造コストを低減している。よって、低コストのマスクを用いることで、低コストの配線パターンを製造できる。特に多品種かつ少量生産のマスクを用いて配線パターンを形成する場合に本発明を適用すれば、より低コストにて配線パターンを製造することができる。
【００１０】
ところで、小さい幅の配線パターンを形成する場合に用いるマスクの遮光パターンは、液滴吐出法により吐出された液滴の吐出径よりも幅を小さくできないものの、吐出径よりも小さい間隔で配置することはできる。このように液滴の吐出径よりも小さい間隔で配置された遮光パターン間を透過した光は、撥液処理面に吐出径よりも小さい幅の親液領域を形成できる。
【００１１】
よって、液滴の吐出径が親液領域の幅よりも大きい場合でも、前記親液領域に配置された導電性機能液は、該親液領域の周辺が撥液領域となっているので、前記親液領域内に良好に濡れ拡がり、液滴の径よりも小さい幅の配線パターンを形成できる。
【００１２】
上記配線パターンの製造方法において、前記配線パターンを絶縁膜で覆う工程と、該絶縁膜に前記撥液処理を施す工程と、前記マスク形成工程で形成したマスクを用いて、前記絶縁膜の撥液処理面に前記親液領域を形成する工程と、該親液領域に他の配線パターンを形成する工程とを繰り返すことにより、配線パターンの積層構造を形成することを特徴とするのが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、微細な配線パターンを積層して高集積化が可能な構造を、低コストにて提供することができる。
【００１４】
上記配線パターンの製造方法において、前記マスク形成工程では、光照射を受けて親液化を促進する光触媒を、前記遮光パターンの間に該遮光パターンの高さ以上になるように配設する工程を備え、前記基体の撥液処理面に前記光触媒を接触させるようにして前記マスクを配置し、光照射を行うことにより前記親液領域を形成するのが好ましい。
【００１５】
このようにすれば、光照射時に撥液処理面に接触した光触媒材料による光触媒効果によって親液化処理が促進され、撥液パターンを確実かつ短時間で形成することができる。
【００１６】
本発明のプラズマディスプレイの製造方法は、互いに対向して配置される一対の基板と、一方の基板に設けられたアドレス線と、他方の基板に設けられたバス電極とを備えたプラズマディスプレイの製造方法において、透光性基板の少なくとも一方の面に撥液処理を施し、前記透光性基板の撥液処理面上に、液滴吐出法を用いて遮光材料を配置し、該遮光材料を焼成することで前記透光性基板上に遮光パターンを形成するマスク形成工程と、前記一対の基板の少なくとも一方における、一方の面側に撥液処理を施す工程と、前記マスクを介して、前記基板の撥液処理面に光照射を行い、前記撥液処理面の一部を親液化し親液領域を形成する工程と、液滴吐出法を用いて、前記親液領域に導電性機能液を配置する工程と、該導電性機能液を焼成し、前記アドレス配線及びバス電極の少なくとも一方を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１７】
本発明のプラズマディスプレイの製造方法によれば、液滴吐出法により遮光パターンを所望の位置に配置形成することでコストの低減が図られたマスクを用いて、アドレス電極及びバス電極の少なくとも一方を製造しているので、該アドレス電極及びバス電極を備えるプラズマディスプレイを低コストにて提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る実施形態について説明する。
【００１９】
はじめに、マスクの製造方法の一実施形態について説明する。なお、本実施形態によって得られるマスクは、後述する配線パターンの製造方法、及びプラズマディスプレイの製造方法に用いられるものである。
【００２０】
図１〜図３は、本実施形態のマスクの製造工程の概略を示す図である。なお、本発明に係るマスクの製造方法は、特に多品種かつ少量生産のものを製造する場合に効果的である。
【００２１】
はじめに、マスクの基材としてガラス基板（透光性基板）５を用意し、図１に示すように、ガラス基板５における一方の面に撥液処理を施す。図１に示すように、本実施形態においては、ガラス基板５に撥液性を付与する方法として、有機分子などからなる自己組織化膜（自己組織化単分子膜：ＳＡＭ（Self Assembled Monolayer)）６を形成した。なお、自己組織化膜を形成する前に、ガラス基板５の表面に紫外線照射や溶媒により洗浄するなどの前処理を施すことが好ましい。
【００２２】
ここで、上記自己組織化膜とは、ガラス基板５の表層原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は単分子を配向させて形成されているので、膜厚が極めて薄く、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置することにより、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性を付与することができる。
【００２３】
高い配向性を有し、上記の自己組織化膜を好適に形成する化合物として、フルオロアルキルシラン（以下、ＦＡＳと称する）が挙げられ、具体的には、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。使用に際しては、一つの化合物を単独で用いるのも好ましいが、２種以上の化合物を組み合わせて使用してもよい。
【００２４】
ＦＡＳは、一般に構造式Ｒｎ−Ｓｉ−Ｘ（４−ｎ）で表される。ここで、ｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）yの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでも良いし、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、ガラス基板５の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合でガラス基板５と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ３）等のフルオロ基を有するため、ガラス基板５の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い、撥液性が高い）表面に改質する。
【００２５】
上述した自己組織化膜を形成する方法としては、上記の自己組織化膜の原料となる化合物が気相であっても液相であってもよい。前記化合物が気相である場合は、前記化合物とガラス基板５とを同一の密閉容器中に収容し、室温の場合は２〜３日程度放置することでガラス基板５上に自己組織化膜が形成される。また、前記密閉容器全体を１００℃に維持することにより、ガラス基板５上に自己組織化膜が形成される時間を３時間程度まで短縮することもできる。一方、前記化合物が液相である場合は、例えば、前記化合物を含む溶液中にガラス基板５を浸し、洗浄、乾燥することによりガラス基板５上に自己組織化膜を得ることができる。
【００２６】
自己組織化膜を形成する以外に、ガラス基板５に撥液性を付与する手段として、常圧又は真圧中でプラズマ照射する方法が挙げられる。プラズマ照射に用いるガス種は、ガラス基板５の表面材質を考慮して種々選択できる。例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等のフルオロカーボン系ガスを処理ガスとして用いることができる。この場合、ガラス基板５の表面に、撥液性のフッ化重合膜を形成することができる。プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。
【００２７】
続いて、撥液処理が施されたガラス基板５の自己組織化膜６上に液滴吐出法（インクジェット法）によってマスクパターンを構成するための遮光性を有した機能インク（遮光材料）７を配置する。この機能インク７としては導電性微粒子を分散媒に分散した分散液からなるものである。本実施形態では、導電性微粒子として、例えば、銀、銅、クロム、及びニッケル等を含有する金属微粒子が用いられる。これらの導電性微粒子の分散性を向上させるために、表面に有機物などをコーティングしてもよい。
【００２８】
また、分散媒としては、上記導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されないが、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物を挙げることができる。
【００２９】
ところで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００３０】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。
【００３１】
本実施形態では、図２に示すように、インクジェット装置（液滴吐出装置）のインクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）Ｈからガラス基板５に対して機能インク７を吐出（滴下）する。このようなインクジェット装置を用いることで、所望の位置に機能インク７を配置でき、マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることなく、ガラス基板５上に所望のパターンを形成することができる。
【００３２】
ところで、図２に示すように、ガラス基板５上に吐出された機能インク７によって描画されるパターンは、インクジェットヘッドＨから吐出された液滴７ａの吐出径Ｂ（例えば、５０μｍ）と同等以上になってしまい、吐出径Ｂより格段に幅を小さくすることができない。しかしながら、インクジェットヘッドＨの位置を制御することで吐出径Ｂよりも小さい間隔Ａ（例えば、４０μｍ）で機能インク７を吐出し、パターンを描画することは可能である。
【００３３】
（焼成工程）
続いて、ガラス基板５上に機能インク７を配置した後、例えばガラス基板５に対し熱処理を施し、機能インク７を焼成する。
【００３４】
熱処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば大気中クリーンオーブンにて１５０℃〜２００℃で１０〜２０分間の焼成工程を行う。なお、例えば、有機銀化合物の有機分を除去するには、約２００℃で焼成することが必要である。以上の工程により吐出工程後の機能インク７は、図３に示すマスクパターン（遮光パターン）ＭＰに変換する。
【００３５】
このようにして形成されたマスクパターンＭＰは、吐出径Ｂよりも小さい間隔Ａで配置されたものとなる。
【００３６】
続いて、ガラス基板５上に形成された前記マスクパターンＭＰの間に、前記マスクパターンＭＰの高さ以上、より好ましくは前記マスクパターンＭＰの高さと同等になるように光触媒２０を配置する。この光触媒２０は、後述の光照射を受けて親液化処理を促進する材料から構成されるものであって、例えば二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫等を挙げることができ、これらから１種または２種以上を混合して用いることもできる。
【００３７】
これら光触媒２０のうち、特に二酸化チタンがバンドギャップエネルギーが高く、化学的に安定で毒性もなく、入手も容易であることから本実施形態にて使用した。二酸化チタンからなる光触媒２０は、四塩化チタン等のチタンの無機塩、もしくはテトラエトキシチタン等の有機チタン化合物をガラス基板５上で加水分解及び脱水縮合し、次いで焼成することによって形成できる。以上の工程によってマスクＭが製造される。
【００３８】
本実施形態によれば、インクジェット法によりマスクパターンＭＰを所望の位置に配置形成できるので、遮光材料をパターニングする際のパターン形状に応じたマスクが不要となり、マスクの製造コストを低減することができる。また、特に多品種かつ少量生産のものを製造する場合に本発明を適用すると、上記マスクＭがよりコストの低いものとなるので、後述するように該マスクＭを用いて低コストな配線パターンを製造することができる。
【００３９】
続いて、配線パターンの製造方法に係る一実施形態について説明する。本実施形態では、後述するようにインクジェットヘッドＨから吐出される液滴よりも狭い幅の配線パターンを形成する場合について説明するが、本発明に係る配線パターンの製造方法は任意の幅の配線パターンを形成する際に適用することができる。
【００４０】
本実施形態は、上記マスクの製造方法により得られたマスクＭを用い、撥液処理が施された基体上に光照射を行うことで撥液領域に親液パターンを形成し、インクジェット法（液滴吐出法）によって基体上に配線パターンを形成するものである。したがって、上記マスクＭを形成する工程についての説明は省略する。本発明において基体とは、基板のみならず基板上に設けられた絶縁層も含んでいる。
【００４１】
配線パターンを形成する配線形成用基板（基体）１００を用意する。本実施形態では、配線形成用基板１００としてガラス基板を用いた。
【００４２】
図４に示すように、前記配線形成用基板１００の一方面側に、上記マスクの製造工程と同様にＦＡＳによる撥液処理を行う。これにより、配線形成用基板１００には自己組織化膜（撥液処理面）１０６が形成される。なお、他の撥液処理としては、フッ素官能基導入シリコーン、フッ素樹脂、あるいはフッ素系シランカップリング剤等を配線形成用基板１００上に形成してもよい。
【００４３】
このようにして自己組織化膜１０６を形成した後、前記マスクＭを用いて自己組織化膜１０６に光（紫外線）照射を行い、親液領域を形成する。
【００４４】
具体的には図５に示すように、マスクＭにおける、マスクパターンＭＰ及び光触媒２０が形成された側を配線形成用基板１００に対向させるように配置する。このとき、上述したように光触媒２０はマスクパターンＭＰの高さ以上になるように配置されているので、光触媒２０は、配線形成用基板１００の面に接触した状態となる。このような状態にて、前記マスクＭを介して配線形成用基板１００に紫外線（ＵＶ）を照射する。
【００４５】
図６は、前記自己組織化膜１０６が形成された配線形成用基板１００に対し、紫外光を照射する紫外線照射装置２００を示す模式図である。
【００４６】
図６に示すように、紫外線照射装置２００は、所定の波長を有する紫外光（ＵＶ）を射出可能な紫外線射出部２１１と、ガラス基板５を支持するステージ２１２とを備えている。紫外線射出部２１１から射出された紫外光はステージ２１２に支持されたマスクＭ、及び配線形成用基板１００に照射される。
【００４７】
ステージ２１２にはステージ駆動部２１３が設けられており、このステージ駆動部２１３により配線形成用基板１００を支持したステージ２１２を所定方向に走査可能となっている。紫外線照射装置２００は、所定方向に配線形成用基板１００を走査しつつ紫外線射出部２１１から紫外光を射出することにより、配線形成用基板１００に対して紫外光を照射する。配線形成用基板１００が小さい場合は、配線形成用基板１００を走査せずに紫外光を照射してもよい。もちろん、紫外線射出部２１１を移動しつつ配線形成用基板１００に紫外光を照射してもよい。
【００４８】
紫外線照射の条件の一例としては、波長２５４ｎｍ、ランプ強度１５ｍＷ／ｃｍ２のランプであれば、１７ｍｍ程度は離し、全面均一に紫外線が照射するようにガラス基板５を４ｍｍ／ｓｅｃでランプの下を３往復させる。
【００４９】
ここで、紫外線照射装置２００は、図５に示したようにマスクＭを介して、配線形成用基板１００の表面に紫外光が照射されるようになっている。紫外光は、遮光性を有するマスクパターンＭＰにより遮断され、マスクパターンＭＰ間に設けられた光触媒２０を透過し、前記自己組織化膜１０６に照射される。マスクＭを光が透過する際には、前記マスクパターンＭＰの側面部がセルフアライン的に機能する。また、光が透過する領域においては、配線形成基板１００上に形成された自己組織化膜１０６に光触媒２０が接触しているので、該接触面では光触媒効果によって親液処理が促進される。また、光触媒効果については、必ずしも自己組織化膜１０６に光触媒２０を接触させる必要はなく、親液処理が促進される。
【００５０】
よって、図７に示すように、紫外線が照射された領域における自己組織化膜１０６は、撥液性が低下することで親液化され、親液パターン（親液領域）１０８となり、一方、紫外線が照射されない自己組織化膜１０６は、撥液性を維持することで撥液パターン１０７となる。すなわち、配線形成用基板１００の面上には、親液パターン１０８と撥液パターン１０７とが形成される。
【００５１】
前記親液パターン１０８は、マスクパターンＭＰ間を透過した紫外線が照射された領域に対応するものである。よって、親液パターン１０８の幅は、隣接するマスクパターンＭＰ間の間隔となっている。すなわち、マスクパターンＭＰは、図２に示したようにインクジェットヘッドＨから吐出される吐出径よりも小さい間隔Ａで配置されていることから、前記親液パターン１０８の幅（図２中に示す間隔Ａ）がインクジェットヘッドＨから吐出される液滴径よりも小さくなる。
【００５２】
続いて、図８に示すように、配線形成用基板１００の前記親液パターン１０８にインクジェットヘッド（図示せず）から導電性インク（導電性機能液）５０を吐出する。なお、インク配置工程を開始する前に、前記マスクＭは配線形成用基板１００上から取り外しておく。
【００５３】
このような導電性インク５０としては、例えば有機銀化合物を用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いたものを用いた。このとき、液滴が吐出される配線パターン形成予定領域としての親液パターン１０８は周囲が撥液性を示す撥液パターン１０７に囲まれているので、吐出された液滴の径が親液パターン１０８の幅よりも大きい場合でも、親液パターン１０８の長さ方向に良好に濡れ拡がり、良好に親液パターン１０８内に位置させられる。
【００５４】
そして、前記導電性インク５０に熱処理を施し焼成することにより、図９に示すように配線パターン４０を形成できる。焼成工程としては、上述したマスクＭの製造工程中にて行われる処理と同じであることから、説明を省略する。
【００５５】
本実施形態に係る配線パターン４０の製造方法によれば、インクジェット法によりマスクパターンＭＰを所望の位置に形成しているので、従来のように遮光材料のパターニング時に別途必要となるパターン形状に対応する、一般に非常に高価である原版用マスクが不要となり、マスクＭの製造コストが低減されている。よって、このような低コストのマスクＭを用いることで、配線パターン４０を低コストにて製造できる。
【００５６】
よって、マスクの製造コストに大きく影響を与える原版用マスクを不要にすることで、特に、上記マスクＭが多品種かつ少量生産のものである場合には製造コストを大幅に低減できる。したがって、このようなマスクＭを用いることで、配線パターン４０をより低コストにて製造することができる。
【００５７】
また、マスクパターンＭＰは、液滴７ａの吐出径よりも小さい間隔で配置されているので、該マスクパターンＭＰ間を透過した紫外線によって、液滴７ａの吐出径よりも小さい幅の親液パターン１０８を形成できる。よって、このような親液パターン１０８を備えた上記マスクＭを用いることで、導電性インク５０の液滴の径よりも小さい幅の配線パターン４０を低コストにて製造することができる。
【００５８】
なお、本発明の配線パターンの製造方法を用いて、図１０に示すような配線パターンの積層構造７０を形成するようにしてもよい。
【００５９】
この場合、前記配線形成用基板１００に配線パターン４０を形成した後、配線パターン４０を絶縁膜６０で覆う工程と、該絶縁膜６０に撥液処理を施す工程と、上記マスクＭを用いて、前記絶縁膜の撥液処理面に親液パターン（親液領域）１０８´を形成する工程と、該親液パターン１０８´に他の配線パターン４０´を形成する工程と、を繰り返すことで配線パターンの積層構造７０を形成することができる。なお、図１０では配線パターン４０、４０´が２層積層された場合を示しているが、本発明の配線パターンの製造方法は、３層以上の配線パターンが積層された構造にも適応することができる。
【００６０】
続いて、プラズマディスプレイの製造方法の一実施形態によって得られたプラズマディスプレイについて図面を参照しながら説明する。
【００６１】
図１１は、プラズマディスプレイ５００を示す分解斜視図である。このプラズマディスプレイ５００は、互いに対向して配置されたガラス基板（一方の基板）５０１とガラス基板（他方の基板）５０２と、これらの間に形成された放電表示部５１０とから概略構成されている。
【００６２】
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されてなり、複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。前記（ガラス）基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、それらアドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成され、さらに誘電体層５１９上においてアドレス電極５１１、５１１間に位置して各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。なお、隔壁５１５においてはその長手方向の所定位置においてアドレス電極５１１と直交する方向にも所定の間隔で仕切られており（図示略）、基本的にはアドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁により仕切られる長方形状の領域が形成され、これら長方形状の領域に対応するように放電室５１６が形成され、これら長方形状の領域が３つ対になって１画素が構成される。また、隔壁５１５で区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００６３】
次に、前記ガラス基板５０２側には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数のＩＴＯからなる透明表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されるとともに、高抵抗のＩＴＯを補うために金属からなるバス電極５１２ａが形成されている。また、これらを覆って誘電体層５１３が形成され、さらにＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。そして、前記基板５０１とガラス基板５０２の基板２が、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされ、基板５０１と隔壁５１５とガラス基板５０２側に形成されている保護膜５１４とで囲まれる空間部分を排気して希ガスを封入することで放電室５１６が形成されている。なお、ガラス基板５０２側に形成される表示電極５１２は各放電室５１６に対して２本ずつ配置されるように形成されている。 前記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続され、各電極に通電することで必要な位置の放電表示部５１０において蛍光体５１７を励起発光させて、カラー表示ができるようになっている。
【００６４】
本実施形態に係るプラズマディスプレイの製造方法では、特に前記ガラス基板５０１側に設けられた前記アドレス電極５１１と、前記ガラス基板５０２側に設けられた前記バス電極５１２ａとを上述した配線パターンの製造方法によって形成している。
【００６５】
すなわち、これらアドレス電極５１１やバス電極５１２ａは、上述したマスクＭを用いてガラス基板５０１，５０２上に形成した親液パターンに導電性インクを吐出し、焼成することで形成される。したがって、前記導電性インクの吐出径よりも小さい幅のアドレス電極５１１及びバス電極５１２ａを低コストで製造でき、これらアドレス電極５１１及びバス電極５１２ａを備えたプラズマディスプレイ５００も低コストにて提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】一実施形態に係るマスクの製造方法の工程を説明する図である。
【図２】図１に続くマスクの製造方法の工程を説明する図である。
【図３】図２に続くマスクの製造方法の工程を説明する図である。
【図４】配線形成用基板を撥液化処理する工程を示す図である。
【図５】配線形成用基板に親液パターンを形成する工程を説明する図である。
【図６】紫外線照射装置の概略構成を示す模式図である。
【図７】配線形成用基板上に形成された親液パターンを示す図である。
【図８】親液パターンに導電性インクを配置した状態を示す図である。
【図９】配線形成基板上に形成された配線パターンを示す図である。
【図１０】配線パターンの積層構造を示す図である。
【図１１】実施形態に係る製造方法より得たプラズマディスプレイの斜視図である。
【符号の説明】
【００６７】
Ｍ…マスク、Ｐ…ガラス基板（透光性基板）、Ａ…機能インク（遮光材料）、ＭＰ…マスクパターン（遮光パターン）、２０…光触媒、３０…親液パターン、４０…配線パターン、５０…導電性インク（導電性機能液）、５００…プラズマディスプレイ、５１１…アドレス電極、５１２ａ…バス電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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