(57)【要約】【課題】低コストで切断加工ができ、炭化物がほとんど生じないので、洗浄などの工程を必要とすることなく製造することができるパッケージ部品の製造方法を提供すること。【解決手段】部品実装がされた基板３１に対してさらに他の電子部品３２を接合し、樹脂により覆ったパッケージ部品の製造方法であって、複数のパッケージ部品に対応した大きさの基板３１に前記他の電子部品３２を接合し、前記樹脂３６により覆った後で、切断加工により個々の部品に対応する個片に分離する切断工程において、前記加工対象であるワークを空冷または水冷のステージ４１上に配置し、該ステージ上で冷却しながらレーザ光を照射し、少なくとも前記レーザ光照射箇所に不活性ガスを当てつつ切断加工する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電子部品を実装し、樹脂により覆ったパッケージ部品の製造方法であって、
複数のパッケージ部品に対応した大きさの基板に前記電子部品を実装し、前記樹脂により前記電子部品を覆った後で、切断加工により個々の部品に対応する個片に分離する切断工程において、
前記加工対象であるワークを気冷または液冷のステージ上に配置し、
該ステージ上で冷却しながらレーザ光を照射し、
少なくとも前記レーザ光照射箇所に不活性ガスを当てつつ切断加工する
ことを特徴とするパッケージ部品の製造方法。
【請求項２】
前記レーザ光がＹＡＧレーザの高調波であることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ部品の製造方法。
【請求項３】
前記ワークの少なくとも前記レーザ光照射箇所に対して、斜め上から不活性ガスを当てつつ加工することを特徴とする請求項１または２に記載のパッケージ部品の製造方法。
【請求項４】
前記ステージ内部には冷却液が循環されることにより、該ステージ上に載置された前記ワークが加工中に冷却されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のパッケージ部品の製造方法。
【請求項５】
前記ステージのワーク載置面に通気孔を設け、前記ワークを吸着することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のパッケージ部品の製造方法。
【請求項６】
前記ステージに着脱される着脱部材を有し、該着脱部材が切断加工後の前記ワークを吸着保持することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のパッケージ部品の製造方法。
【請求項７】
前記ワークであるパッケージ部品の前記基板側から前記レーザ光を照射し、該レーザ光を完全に貫通させずに前記樹脂を僅かな厚みで残すようにしたことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のパッケージ部品の製造方法。
【請求項８】
前記複数のパッケージ部品に対応した大きさのワークに対して、縦横の切断ラインの各ライン毎に、該ラインに沿って前記レーザ光を照射する場合に、前記縦横の切断ラインの位置に関して、順不同に前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のパッケージ部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に電子部品を接合し、樹脂により覆ったパッケージ部品を製造する方法の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、配線基板にＩＣなどの部品を実装し、該基板に圧電振動子などの他の電子部品を接合して、樹脂で覆うようにした圧電発振器などの電子部品モジュールであるパッケージ部品が数多く使用されている。
このようなパッケージ部品の製造工程では、大きな基板に多数のＩＣを実装し、個々のＩＣに対応して圧電振動子を該基板に接合した後で、全体に樹脂を適用し、樹脂硬化後に、ダイシングなどにより個々の部品に切断分離するようにしている。
このようにパッケージ部品を製造する上で、切断工程をダイシングにより行う例としては特許文献１（段落番号００２５参照）、特許文献２（段落番号００３１参照）等がある。
【０００３】
しかしながら、ダイシングによる切断工程には、以下のような問題がある。
すなわち、切断作業は静電気の発生を予防したり、切りカス（切り粉）を流すために、通常水をかけながら行う必要があり、この時の水分が、後で製品の品質を低下させるおそれがある。
また、ダイシングによる刃は作業により刃こぼれ劣化を生じるので、刃を交換するために高いコストを要する。
さらには、全体の設備が大掛かりで設備費も高い。
一方、ダイシングによらずに、レーザ光を照射してワークを切断する手法も提案されている（特許文献３参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−５４７８４号公報
【特許文献２】特開２００６−２３８２１０号公報
【特許文献３】特開２０００−２７７５５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献３の技術では、レーザ加工面に付着した炭化物などを除去するために化学研磨するための研磨液を用いており、その後純水による洗浄工程を必要とし、工程が多いという欠点がある。
【０００６】
本発明は、以上の課題を解決するためになされたもので、低コストで切断加工ができ、炭化物がほとんど生じないので、洗浄などの工程を必要とすることなく製造することができるパッケージ部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的を達成するために、本発明に係るパッケージ部品の製造方法は、基板に電子部品を実装し、樹脂により覆ったパッケージ部品の製造方法であって、複数のパッケージ部品に対応した大きさの基板に前記電子部品を実装し、前記樹脂により前記電子部品を覆った後で、切断加工により個々の部品に対応する個片に分離する切断工程において、前記加工対象であるワークを気冷または液冷のステージ上に配置し、該ステージ上で冷却しながらレーザ光を照射し、少なくとも前記レーザ光照射箇所に不活性ガスを当てつつ切断加工することを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、ダイシングによらずにレーザ光で切断するので、ダイシングのように切り粉が出ないから、それを洗浄する必要がない。
ダイシングの装置ほど大規模な設備にならないし、刃の交換も不要であるからコストも安く済む。
しかも、切断工程でワークをステージ上に配置して冷却しながら加工するので、切断の熱による製品の劣化や故障を防止することができる。
さらに、レーザ光照射箇所に不活性ガスを当てつつ切断加工するので、レーザの熱によりスス等の酸化物を飛ばすことができ、このような酸化物が付着することがないから、研磨液で炭化物を流す必要もなく、純水による洗浄工程も不要となる。
かくして、本発明によれば、低コストで切断加工ができ、炭化物がほとんど生じないので、洗浄などの工程を必要とすることなく製造することができるパッケージ部品の製造方法を提供することができるものである。
【０００９】
また、本発明の他の構成では、前記レーザ光がＹＡＧレーザの高調波であることを特徴とする。
この構成によれば、狭い領域にエネルギーを短時間に集中できるので、製品に悪影響を与える熱の発生を極力抑制することができる。
【００１０】
また、本発明の他の構成では、前記ワークの少なくとも前記レーザ光照射箇所に対して、斜め上から不活性ガスを当てつつ加工することを特徴とする。
この構成によれば、前記レーザ光照射箇所に対して、斜め上から不活性ガスを当てるので、ワークの位置ずれを防いで、切断の際に生じるススなどを適切に飛散させることができる。
【００１１】
また、本発明の他の構成では、前記ステージ内部には冷却液が循環されることにより、該ステージ上に載置された前記ワークが加工中に冷却されることを特徴とする。
この構成によれば、ステージにセットするだけで、該ワークを加工中に確実に冷却することができ、チャンバーなどを不要とするので、設備が大掛かりにならず、コストを低減できる。
【００１２】
また、本発明の他の構成では、前記ステージのワーク載置面に通気孔を設け、前記ワークを吸着することを特徴とする。
この構成によれば、ススを飛散させるだけでなく、吸引除去するので、ススを確実に除くことができる。
【００１３】
また、本発明の他の構成では、前記ステージに着脱される着脱部材を有し、該着脱部材が切断加工後の前記ワークを吸着保持することを特徴とする。
この構成によれば、切断後のワークを吸着保持できるので、その後の工程における移載作業などが容易となる。
【００１４】
また、本発明の他の構成では、前記ワークであるパッケージ部品の前記基板側から前記レーザ光を照射し、該レーザ光を完全に貫通させずに前記樹脂を僅かな厚みで残すようにしたことを特徴とする。
この構成によれば、樹脂材料を僅かな厚みで残すことで、所謂チョコレートブレークを実現できる。
【００１５】
また、本発明の他の構成では、前記複数のパッケージ部品に対応した大きさのワークに対して、縦横の切断ラインの各ライン毎に、該ラインに沿って前記レーザ光を照射する場合に、前記縦横の切断ラインの位置に関して、順不同に前記レーザ光を照射することを特徴とする。
この構成によれば、レーザ光の照射領域をランダムに変更することで、１箇所への熱の集中を確実に防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は、本発明が適用されるパッケージ部品の一例としての電子部品モジュールであり、より具体的には、圧電発振器を形成するために加工されるワーク３０を示している。
先ず、このワーク３０について説明する。
ワーク３０は、集積回路チップ３２が実装された基板３１に、圧電振動子１０が接合され、樹脂３６により覆ったものである。
【００１７】
まず、圧電振動子１０について説明する。
圧電振動子１０は、収容容器としての絶縁性のパッケージ１１内に圧電振動片１３を収容し、蓋体１２により封止して形成されている。
この実施形態では、パッケージ１１は、例えば、矩形状の箱体となるように形成されており、上記内部空間Ｓ１が圧電振動片１３を収容するための収容空間とされている。
また、このパッケージ１１の底部を構成するセラミック基板上に電極部２３を形成して、例えば、導電性接着剤２８を塗布し、その上に圧電振動片１３の基端付近を載置して、加熱することにより該導電性接着剤２８を硬化させて接合している。
【００１８】
ここで、本実施形態では、箱状のパッケージを形成して、圧電振動片１３を収容するようにしているが、例えば、絶縁基体として、１枚のセラミック製基板を用意し、この１枚の基板に、電極部を形成して圧電振動片１３を接合し、厚みの薄い箱状のリッドないしは蓋体をかぶせて封止して、全体として圧電振動片１３を収容するためのパッケージを構成するようにしてもよい。
【００１９】
パッケージ１１の電極部２３は、実際にはパッケージ１１の幅方向端部にそれぞれひとつずつ一対設けられている。
この電極部２３は、パッケージ１１に設けた導電スルーホール（図示せず）などにより、該パッケージ１１底面において外部に露出した接続端子部としての実装端子２５と接続されている。この電極部２３は、外部から印加される駆動電圧を、圧電振動片１３に供給するものである。
【００２０】
圧電振動片１３は、例えば水晶で形成されており、水晶以外にもタンタル酸リチウム，ニオブ酸リチウム等の圧電材料を利用することができる。本実施形態の場合、圧電振動片１３は、例えば、水晶を矩形にカットして形成した水晶振動片や、音叉型の水晶振動片を用いることができる。
【００２１】
次に、圧電振動子１０と接合される基板側の構造を説明する。
圧電振動子１０の底面の上記した実装端子２５に対して、導電性の金属ボール２４を用いて、基板３１を接続するようにしている。
基板３１は、多数のパッケージ部品、すなわち電子部品モジュール（圧電発振器）を同時に形成できる大きさである。
そして、基板３１の一方の面には、集積回路チップ３２がダイボンディングされているとともに、該集積回路チップ３２は、基板３１表面の電極パッド３３に対してワイヤボンディングされている。
基板３１の他方の面には、外部基板実装用の外部実装端子が形成されている。
【００２２】
また、基板３１の表面に形成された電極パッド３３を利用して、上記したように、圧電振動子１０が球形の銅の表面を半田メッキした金属ボール２４を用いて接続されている。なお、金属ボール２４は、圧電振動子１０と基板３１との間に集積回路チップ３２を収容するのに十分な空間を確保する支持部として機能する。この金属ボール２４は例えば金バンプである。
かくして、集積回路チップ３２は、電極パッド３３および金属ボール２４を介して、圧電振動子１０の実装端子（接続端子）２５と電気的に接続されている。集積回路チップは半導体チップであり、例えば、圧電振動子の温度補償回路等を備えている。
さらに、基板３１に多数の圧電振動子１０を接合した状態で、樹脂３６により覆われている。
【００２３】
（パッケージ部品の製造方法）
次に、このようなワーク１０を形成し、さらにこれを切断加工してパッケージ部品を製造する方法の実施形態を説明する。
図２は、パッケージ部品の製造方法の実施形態の一例を示すフローチャートである。
図２において、先ず、パッケージ１１と基板３１側とは別々に形成される。
【００２４】
圧電振動片１３の収容容器であるパッケージ１１は、例えば、絶縁材料として、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを用いて、内部に収容空間Ｓ１を設けるようにしたものである。
すなわち、パッケージ１１は、セラミックグリーンシート製の複数の基板を積層し、一部の基板の内側の材料を除去してキャビティを形成した状態で焼結されることにより形成される（ＳＴ１１）。
また、パッケージ１１内部および底面などに設けられる電極部や端子は、例えば、グリーンシートの成形後に、タングステンメタライズ等の導電ペーストを必要箇所に塗布し、焼結後に金メッキすることなどにより形成する。
【００２５】
次に、パッケージ１１の電極部２３上に導電性接着剤２８を塗布する。導電性接着剤２８は、接合力を発揮する接着剤成分としての合成樹脂剤に、銀製の細粒等の導電性の粒子を含有させたものが使用でき、シリコーン系、エポキシ系またはポリイミド系導電性接着剤等を利用することができる。
あるいは、導電性接着剤を使用しない場合には、金バンプなどの金属バンプを利用して接合するようにしてもよい。
そして、塗布された導電性接着剤２８の上から、圧電振動片１３の基部（端部）を載置し、軽く荷重を加えた後で、加熱し、当該導電性接着剤２８を硬化させる。これにより、圧電振動片１３が接合される（ＳＴ１２）。
次いで、パッケージ１１に対して蓋体１２をロウ付けするなどして接合することにより、圧電振動子１０が完成される（ＳＴ１３）。
【００２６】
また、これとは別に図１の基板３１側が準備される。
すなわち、基板３１は、例えば、比較的柔軟なポリイミド基板や、硬いガラスエポキシ基板、セラミック基板などで形成されており、多数のパッケージ部品、すなわち電子部品モジュール（圧電発振器）を同時に形成できるようにされている。つまり、ひとつの基板３１が、製造工程において同時に形成されるパッケージ部品の製品の個数に対応した大きさとなるようにする。
このような基板３１の表面や裏面は、当該基板の種類と目的に応じて導電パターンが形成されている。
そして、基板３１には、所定間隔で離間されて配置されたダイパッド（図示せず）があり、当該ダイパッドに対して、集積回路チップ３２がダイボンディングされる。さらに、各集積回路チップ３２の制御端子などが、基板３１表面の電極パッド３３に対して、ワイヤボンディングにより接続される（ＳＴ２１）。
【００２７】
次に、基板３１の電極パッド３３上に、金属ボール２４が配置され（基板３１側、もしくは圧電振動子１０側にプリフォームする場合を含む。）、該金属ボール２４を介して圧電振動子１０が接合される（ＳＴ３１）。
次に、基板３１に多数の圧電振動子１０を接合した状態で、樹脂３６を適用する。この樹脂３６は、例えば、半導体チップの封止用の合成樹脂が使用され、例えばエポキシなどがポッティングなどの手法により適用される（ＳＴ３２）。
【００２８】
続いて、図１の矢印Ｄで示す箇所について切断工程を実施し、個々のパッケージ部品である電子部品モジュール（圧電発振器）を分離する（ＳＴ３３）。
図３は、切断工程を説明するための説明図である。
図において、切断工程は基本的には、特別の真空チャンバー等を必要とせずに、常温、常圧下で行うことができる。
【００２９】
図３において、載（物）置台であるステージ４１上に、図１で説明したワーク３０を載置する。
このワーク３０の図１で説明した矢印Ｄに沿って切断をするために、レーザモジュール４４からレーザ光Ｂが照射される。そして、少なくとも、レーザ光Ｂが照射されている間、当該照射箇所に、不活性ガス噴射手段４３から不活性ガスが噴射されるようになっている。
【００３０】
ここで、ステージ４１は、レーザ光Ｂにより容易に損傷しない水平なステージ面４２を備えており、該ステージ面（載置面）４２上にワーク３０が配置されるようになっている。なお、ワーク３０は必要により、所定の治具を介して、ステージ４１上に固定されるようにしてもよい。
また、例えばステージ４１の少なくともステージ面４２を熱伝導性のよい金属などにより形成するとともに、当該ステージ面４２に接するようにステージ４１の内部に配管を引き回し、該配管を往き管４３と戻り管４４に接続している。この往き管４３に外部から冷却液を供給し、戻り管４４から回収するようにして、液冷式（水冷式）のステージ４１とすることができる。これにより、レーザ光Ｂが照射されたワーク３０が必要以上に昇温することを防止して、ワーク３０が熱により損傷することを防止することができる。
なお、冷却液でなく、冷却気体を供給するようにして、気冷式（空冷式）ステージ４１としてもよい。
【００３１】
レーザ発振手段であるレーザモジュール４４は、この実施形態では、例えばＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）（ＹＶＯ?）レーザによるレーザ光Ｂを生成するものを用いている。
具体的には、レーザモジュール４４には、例えば、ＹＡＧ結晶でなるＹＡＧレーザロッドと、このＹＡＧレーザロッドに励起ソースとなる光を供給するクリプトンランプやレーザダイオードバーでなる励起源と、この励起源に駆動電圧を供給する電源を含む制御手段等（図示せず）を有している。
【００３２】
ＹＡＧレーザロッドはＹＡＧ結晶で形成されるため、上記励起源から光を供給されるとネオジウムイオンが励起され、励起されたネオジウムイオンは波長１０６４ｎｍ（ナノメートル）（基本波）のレーザ光を生成する。このレーザ光は全反射ミラーと出射ミラーとの間でそれぞれ反射されてＹＡＧレーザロッドに戻され、増幅される。
このようなポンピングの結果、十分な出力となったレーザ光は出力ミラーが設定したきわめて低い透過率に応じてレーザ光となって射出される。
【００３３】
また、上記波長１０６４ｎｍのレーザ光は、ＫＤＰ、ＫＴＰなどの非線形結晶でなる図示しない光学手段を通すことにより、ＹＡＧレーザの第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）などの高調波とされて発振される。
なお、レーザ光Ｂは、レーザモジュール４４からの射出の際にマスクを用いて、光ビームのビーム径をしぼるようにすることもできる。また、レーザモジュール４４から射出されたレーザ光は、図示しないポリゴンミラーなどを用いることで、図１の矢印Ｄに沿って紙面奥行き方向に容易に走査させることで、切断ビームを振ることができる。
【００３４】
不活性ガス噴射手段４３は、好ましくは、ワーク３０の切断加工中に、少なくともレーザ光Ｂの照射箇所に対して、図示のように、斜め上から不活性ガスを当てるようになっている。
不活性ガス噴射手段４３は、不活性ガスの供給手段に接続されており、不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスを用いることができる。これにより、加工中の酸化を適切に防止し、ステージ面４２に押さえつける方向から風を与えるので、ワーク３０の位置ずれを防いで、切断の際に生じるススなどを適切に飛散させることができる。
このようにして、ワーク３０を適切に切断分離することにより、パッケージ部品としての圧電デバイスである圧電発振器（電子部品モジュール）を製造することができる。
【００３５】
本実施形態は以上のように構成されており、ダイシングによらずにレーザ光Ｂで切断するので、ダイシングのように切り粉が出ないから、それを洗浄する必要がない。
ダイシングの装置ほど大規模な設備にならないし、刃の交換も不要であるからコストも安く済む。
しかも、切断工程でワーク３０をステージ４１上に配置して冷却しながら加工するので、切断の熱による製品の劣化や故障を防止することができる。
特に、レーザ光Ｂとしては、炭酸ガスレーザを用いると、樹脂３６に吸収される吸収率が高くなる関係で、有害な発熱を生じる弊害がある。
このため、レーザ光Ｂとしては、炭酸ガスレーザを用いない方が好ましく、レーザの種類としてＹＡＧレーザもしくは、その高調波であると、狭い領域にエネルギーを短時間に集中できるので、製品に悪影響を与える熱の発生を極力抑制することができる。
さらに、レーザ光照射箇所に不活性ガスを当てつつ切断加工するので、レーザの熱によりスス等の酸化物を飛ばすことができ、このような酸化物が付着することがないから、研磨液で炭化物を流す必要もなく、純水による洗浄工程も不要となる。
【００３６】
図４は第２の実施形態の要部として、切断工程の説明図を示しており、図３の実施形態と同一の符号を付した箇所は共通する構成であるから、以下、相違点を中心に説明する。
この実施形態において、図３と相違するのは、ステージの構成である。
図４において、本実施形態のステージ４１−１は、切断加工による熱で生じるススがワーク３０に付着した場合に、そのようなパッケージ部品が製品として出荷され、ユーザ側の基板に実装される際に導通不良を生じることを特に防止する構成とされている。
【００３７】
すなわち、ステージ４１−１は、ステージ面４２の裏側、すなわちワーク３０の載置領域の裏側に空間４８が形成され、該空間４８とステージ面とは、例えば、等間隔で複数もしくは多数形成した排気孔である貫通孔４６により連通されている。そして、空間４８は排気管４７と接続されている。
本実施形態は以上のように構成されており、第１の実施形態と同様の作用効果を発揮する他、排気孔４６および排気管４７を介して、切断加工の際の熱により生じた酸化物、スス等を排出することができる。特に、ワーク３０の外部実装端子３４がステージ面４２と相対する状態で切断を行う場合に、排気孔４６および排気管４７を介してスス等が排出されるため、外部実装端子３４の表面にスス等が固着してしまうことを防止できる。
【００３８】
図５は第３の実施形態の要部として、切断工程の説明図を示しており、図３の実施形態と同一の符号を付した箇所は共通する構成であるから、以下、相違点を中心に説明する。
この実施形態において、図３と相違するのは、ステージの構成である。
【００３９】
ステージ４１−２の内側には、空間４８が形成されている。
空間４８の中には複数のパイプ４５が、起立しており、各パイプ４５は負圧によりワーク３０を吸着することができる。
空間４８は負圧にされてススなどの酸化物を排出することができるようになっている。
図６は切断後のワーク３０を上から見た状態、すなわち平面図であり、ワーク３０の下に位置するパイプ４５の開放端４５ａを破線で示している。ワーク３０は、互いに直交する複数の切断線ＴＣ（縦の切断線）およびＹＣ（横の切断線）によって個々の電子部品モジュールに個片化されている。そして、各電子部品モジュールの中央部に対応する位置に各パイプ４５の開放端４５ａを配置することにより、個片化された電子部品モジュールを吸着保持できるようになっている。
これにより、第３の実施形態も第１の実施形態と同様の作用効果を発揮できるだけでなく、切断後のワーク３０を吸着保持できるので、切断後の後の工程で、個片化された電子部品モジュールがバラバラにならず、ワーク３０の移し変え等の作業が容易となる。
【００４０】
図７および８は第４の実施形態の要部として、切断工程の様子を示している。
図７は切断工程におけるワーク３０（図１に示した状態のもの、すなわち切り離し前のもの）を上から見た状態、すなわち平面図であり、図８はその断面図である。
図７に示されているように、ワーク３０の縦横の点線に示すように、レーザ光Ｂを照射する。この場合、図１のようなステージ４１上にワーク３０を配置した場合において、基板３１を上側にして、レーザ光Ｂが照射される。
【００４１】
この場合、図８で実際よりも大きな溝幅で強調して示すように、レーザ光Ｂにより切り込まれる図１の矢印Ｄに沿った各溝６１，６２，６３に関して、各溝は貫通させることなく、少し溝底部を残すようにする。これにより、基板３１は確実に切断されるようにし、樹脂３６の一部を薄い厚みで残すようにする。
このようにすることによって、切断加工後において、ワーク３０は切り離される前の大きさで移載等の工程を取り扱うことができ、製品個片にする際には、所謂チョコレートブレークにより僅かな力で薄い樹脂の部分を折り取り、個片に分離することができるものである。その他の作用効果は第１の実施形態と同じである。
【００４２】
図９は第５の実施形態の要部として、切断工程の様子を示している。
図９は切断工程におけるワーク３０（図１に示した状態のもの、すなわち切り離し前のもの）を上から見た状態、すなわち平面図である。
そして、ワーク３０に対して縦横に表示された矢印は、切断のためのレーザ光Ｂを走査する方向を示している。
【００４３】
すなわち、図示の各矢印に沿ってレーザ光Ｂが走査されることにより、走査線に囲まれた領域が個片となる。
この場合、レーザ光Ｂは、例えば、矢印に付与した数字が示す順序になるように、レーザ光が照射される位置が、連続して、隣り合わないようにして、走査の順序を決める。
これにより、ワーク３０の一部に熱が集中することを有効に防止することができ、ワーク３０に対する熱による損傷を極力回避することができる。その他の作用効果は第１の実施形態と同じである。
【００４４】
本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、圧電振動子１０のパッケージの形状などは、図示のものに限られず、種々の形態が適用できる。本発明の製造方法の対象となるパッケージ部品は、ワークの状態で切断すべき基板と樹脂とを含む全てのパッケージ部品が含まれ、圧電発振器に限らず、ジャイロセンサなどの圧電デバイスや、その他の電子部品モジュール等種々の名称のものが対象となる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の製造方法の対象であるパッケージ部品を形成するためのワークの一例を示す概略断面図。
【図２】図１のワークを加工して得られるパッケージ部品の製造方法の一例を示すフローチャート。
【図３】図１のワークの切断工程の第１の実施形態を示す図。
【図４】図１のワークの切断工程の第２の実施形態を示す図。
【図５】図１のワークの切断工程の第３の実施形態を示す図。
【図６】図５の工程におけるワークの概略平面図。
【図７】図１のワークの切断工程の第４の実施形態におけるワークの概略平面図。
【図８】図１のワークの切断工程の第４の実施形態におけるワークの概略断面図。
【図９】図１のワークの切断工程の第５の実施形態におけるワークの概略平面図。
【符号の説明】
【００４６】
１０・・・圧電振動子、１１・・・パッケージ、１３・・・圧電振動片、２４・・・金属ボール、３０・・・ワーク、３１・・・基板、３２・・・集積回路チップ、３３・・・電極パッド、３６・・・樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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