(57)【要約】【課題】構成部品への堆積物の付着の抑制を確実に行うことができるターボ分子ポンプを提供する。【解決手段】チャンバ１１からデポ付着要因ガスを排出するターボ分子ポンプ１８は、排気流に沿う回転軸３６を有するロータ３７と、該ロータ３７を収容するケース３８と、該ロータ３７から回転軸３６に対して垂直に突出する複数の回転翼３９と、ケース３８から回転軸３６に対して垂直に突出する複数の静止翼４０とを備え、複数の回転翼３９は複数の回転翼群４１に分割されると共に、複数の静止翼４０は複数の静止翼群４２に分割され、各回転翼群４１及び各静止翼群４２は回転軸３６に沿って交互に配され、排気流に関して最下流側に位置する回転翼群４１よりも上流側において開口するガス供給口４３はアルゴン分子を含むデポ付着抑制ガスを供給する。【選択図】図２
2008248754.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を施す処理室から堆積物付着要因ガスを排出するターボ分子ポンプであって、
排気流に沿う回転軸を有する回転体と、該回転体を収容する筒状体と、該回転体から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の回転翼と、前記筒状体における前記回転体との対向面から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の静止翼とを備え、前記複数の回転翼は複数の回転翼群に分割されると共に、前記複数の静止翼は複数の静止翼群に分割され、各前記回転翼群及び各前記静止翼群は前記回転軸に沿って交互に配されるターボ分子ポンプにおいて、
前記排気流に関して最下流側に位置する前記回転翼群よりも上流側において開口するガス供給口を有し、該ガス供給口は分子量の大きい気体分子を含む堆積物付着抑制ガスを供給することを特徴とするターボ分子ポンプ。
【請求項２】
前記分子量はアルゴンの原子量以上であることを特徴とする請求項１記載のターボ分子ポンプ。
【請求項３】
前記堆積物付着抑制ガスは高温に加熱されていることを特徴とする請求項１又は２記載のターボ分子ポンプ。
【請求項４】
前記ガス供給口は前記堆積物付着抑制ガスに加えクリーニングガスを供給することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のターボ分子ポンプ。
【請求項５】
前記クリーニングガスは、オゾン、アンモニア、三弗化塩素からなる群から選択された少なくとも１つからなることを特徴とする請求項４記載のターボ分子ポンプ。
【請求項６】
基板に処理を施す処理室から堆積物付着要因ガスを排出するターボ分子ポンプであって、
排気流に沿う回転軸を有する回転体と、該回転体を収容する筒状体と、該回転体から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の回転翼と、前記筒状体における前記回転体との対向面から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の静止翼とを備え、前記複数の回転翼は複数の回転翼群に分割されると共に、前記複数の静止翼は複数の静止翼群に分割され、各前記回転翼群及び各前記静止翼群は前記回転軸に沿って交互に配されるターボ分子ポンプにおいて、
前記排気流に関して前記複数の回転翼群よりも下流側において排気管と連通し、前記排気流に関して最下流側に位置する前記回転翼群及び前記排気管の間において開口するガス供給口を有し、該ガス供給口は高温ガスを供給することを特徴とするターボ分子ポンプ。
【請求項７】
基板に処理を施す処理室と、該処理室から堆積物付着要因ガスを排出するターボ分子ポンプとを備える基板処理装置において、
前記ターボ分子ポンプは、排気流に沿う回転軸を有する回転体と、該回転体を収容する筒状体と、該回転体から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の回転翼と、前記筒状体における前記回転体との対向面から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の静止翼とを有し、前記複数の回転翼は複数の回転翼群に分割されると共に、前記複数の静止翼は複数の静止翼群に分割され、各前記回転翼群及び各前記静止翼群は前記回転軸に沿って交互に配され、
前記ターボ分子ポンプは、さらに、前記排気流に関して最下流側に位置する前記回転翼群よりも上流側において開口するガス供給口を有し、該ガス供給口は分子量の大きい気体分子を含む堆積物付着抑制ガスを供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
基板に処理を施す処理室と、該処理室から堆積物付着要因ガスを排出するターボ分子ポンプとを備える基板処理装置において、
前記ターボ分子ポンプは、排気流に沿う回転軸を有する回転体と、該回転体を収容する筒状体と、該回転体から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の回転翼と、前記筒状体における前記回転体との対向面から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の静止翼とを有し、前記複数の回転翼は複数の回転翼群に分割されると共に、前記複数の静止翼は複数の静止翼群に分割され、各前記回転翼群及び各前記静止翼群は前記回転軸に沿って交互に配され、
前記ターボ分子ポンプは、さらに、前記排気流に関して前記複数の回転翼群よりも下流側において排気管と連通し、前記排気流に関して最下流側に位置する前記回転翼群及び前記排気管の間において開口するガス供給口を有し、該ガス供給口は高温ガスを供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
基板に処理を施す処理室と開閉弁を介して接続され、前記処理室から堆積物付着要因ガスを排出するターボ分子ポンプであって、排気流に沿う回転軸を有する回転体と、該回転体を収容する筒状体と、該回転体から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の回転翼と、前記筒状体における前記回転体との対向面から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の静止翼とを備え、前記複数の回転翼は複数の回転翼群に分割されると共に、前記複数の静止翼は複数の静止翼群に分割され、各前記回転翼群及び各前記静止翼群は前記回転軸に沿って交互に配されるターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法であって、
前記開閉弁を閉弁すると共に、前記排気流に関して最下流側に位置する前記回転翼群よりも上流側から分子量の大きい気体分子を含む堆積物付着抑制ガスを供給する供給ステップと、
前記開閉弁を開弁すると共に、前記基板に前記処理を施す処理ステップとを有することを特徴とする堆積物付着抑制方法。
【請求項１０】
前記供給ステップに先立って、前記ターボ分子ポンプ内における堆積物の付着状況を検査する検査ステップと、
該検査の結果に応じて前記供給ステップを実行するか否かを判別する判別ステップとをさらに有することを特徴とする請求項９記載の堆積物付着抑制方法。
【請求項１１】
前記処理ステップでは、前記排気流に関して最下流側に位置する前記回転翼群よりも上流側から前記堆積物付着抑制ガスを供給することを特徴とする請求項９又は１０記載の堆積物付着抑制方法。
【請求項１２】
基板に処理を施す処理室と開閉弁を介して接続され、前記処理室から堆積物付着要因ガスを排出するターボ分子ポンプであって、排気流に沿う回転軸を有する回転体と、該回転体を収容する筒状体と、該回転体から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の回転翼と、前記筒状体における前記回転体との対向面から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の静止翼とを備え、前記複数の回転翼は複数の回転翼群に分割されると共に、前記複数の静止翼は複数の静止翼群に分割され、各前記回転翼群及び各前記静止翼群は前記回転軸に沿って交互に配され、前記排気流に関して前記複数の回転翼群よりも下流側において排気管と連通するターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法であって、
前記開閉弁を閉弁すると共に、前記排気流に関して最下流側に位置する前記回転翼群及び前記排気管の間から高温ガスを供給する供給ステップと、
前記開閉弁を開弁すると共に、前記基板に前記処理を施す処理ステップとを有することを特徴とする堆積物付着抑制方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ターボ分子ポンプ、基板処理装置、及びターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法に関し、特に、堆積物付着要因ガスを排出するターボ分子ポンプに関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、半導体デバイス用のウエハにプラズマ処理を施す基板処理装置は、基板を収容して所定の処理を施す処理室（以下、「チャンバ」という。）を備える。この基板処理装置では、プラズマ処理がエッチング処理である場合、チャンバ内に処理ガスとして、例えば、ＣＦ系ガスが導入され、該ＣＦ系ガスから発生したプラズマがエッチング処理に用いられる。このエッチング処理の際、プラズマがウエハの被エッチング膜と反応するが、一部未反応の処理ガスが存在する。また、プラズマ及び被エッチング膜の反応によって反応生成物が発生することがあり、該発生した反応生成物は気化して未反応の処理ガスと混交することがある。
【０００３】
エッチング処理後、未反応の処理ガス単独又は気化した反応生成物が混交した未反応の処理ガス（以下、両者を含めて「デポ付着要因ガス」という。）がチャンバ内から排出されるが、この排出にはチャンバに接続されたターボ分子ポンプ（Turbo Molecular Pump）が用いられる。
【０００４】
図８は、従来のターボ分子ポンプの構成を概略的に示す断面図である。なお、図８では、チャンバからの排気が図中上方から下方へ向けて流れる。
【０００５】
図８において、ターボ分子ポンプ８０は、回転軸が排気流の方向に沿うように配置された回転体であるロータ８１と、該ロータ８１を収容する円筒状のケース８２とを有する。ロータ８１からは回転軸に対して垂直に複数のブレード状のロータ翼８３が突出し、また、ケース８２の内周面からはロータ８１に向けて上記回転軸に対して複数のブレード状のステータ翼８４が垂直に突出する。これらのロータ翼８３及びステータ翼８４はタービンを構成する。そして、ロータ８１がインダクションモータによって高速回転する際、ターボ分子ポンプ８０はタービン上流のガスをタービンの下流へと高速で導く。タービンの下流へ導かれたガスは、排気管８５を介して外部へ排出される。
【０００６】
ところで、ターボ分子ポンプ８０におけるタービンと排気管８５の間の空間（以下、「下部空間」という。）ＬＳにはタービンによってガスが継続的に送り込まれる。また、排気管８５の容積は下部空間ＬＳの容積よりも小さいため、タービンによって下部空間ＬＳへ送り込まれたガスは、該下部空間ＬＳに留まる。その結果、下部空間ＬＳの圧力は高くなる。ここで、ターボ分子ポンプ８０が排出するガスはデポ付着要因ガスであるが、下部空間ＬＳの圧力がデポ付着要因ガス中の処理ガス等の飽和蒸気圧を超えると、処理ガスの成分が液化し且つ反応生成物が凝固して下部空間ＬＳに面するロータ８１等の表面にデポ（堆積物）となって付着する。該デポはターボ分子ポンプ８０の排気効率を低下させ、また、最悪の場合にはターボ分子ポンプ８０の固着を引き起こすため、デポの付着を抑制する必要がある。
【０００７】
従来、デポの付着を抑制するターボ分子ポンプとして、該ターボ分子ポンプ内に回転を利用して渦電流を発生する加熱装置を設け、発生した渦電流に起因するジュール熱を各構成部品に伝達するものが開発されている（例えば、特許文献１参照。）。このターボ分子ポンプでは、各構成部品の温度を上昇させて各構成部品の表面に到達した反応生成物や処理ガスを気化させることによってデポの付着を抑制する。
【特許文献１】特開平９−３２７９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、加熱装置からの熱伝達によって各構成部品の温度を上昇させる場合、以下の問題が生ずる。
１．構成部品全体が加熱されるため、構成部品の熱膨張量が大きくなり、構成部品の破損を招く虞がある。
２．一旦構成部品にデポが付着すると、デポは断熱層を形成するため、デポの表面温度を上昇させることができず、デポの表面にさらに新たなデポが付着するのを抑制することができない。
３．加熱装置と物理的に接続されてない構成部品の温度を上昇させることができないので、全ての構成部品にデポが付着するのを抑制することができる訳ではない。
【０００９】
すなわち、加熱装置からの熱伝達では、構成部品へのデポの付着の抑制を確実に行うことができない。
【００１０】
また、デポの付着速度は処理ガスの種類によって異なるため、構成部品へのデポの付着の抑制を確実に行うことができない場合、ターボ分子ポンプの交換時期の設定が困難であり、ターボ分子ポンプ、引いては基板処理装置を安定して運用することができない。
【００１１】
本発明の目的は、構成部品への堆積物の付着の抑制を確実に行うことができるターボ分子ポンプ、基板処理装置及びターボ分子ポンプのデポ付着抑制方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、請求項１記載のターボ分子ポンプは、基板に処理を施す処理室から堆積物付着要因ガスを排出するターボ分子ポンプであって、排気流に沿う回転軸を有する回転体と、該回転体を収容する筒状体と、該回転体から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の回転翼と、前記筒状体における前記回転体との対向面から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の静止翼とを備え、前記複数の回転翼は複数の回転翼群に分割されると共に、前記複数の静止翼は複数の静止翼群に分割され、各前記回転翼群及び各前記静止翼群は前記回転軸に沿って交互に配されるターボ分子ポンプにおいて、前記排気流に関して最下流側に位置する前記回転翼群よりも上流側において開口するガス供給口を有し、該ガス供給口は分子量の大きい気体分子を含む堆積物付着抑制ガスを供給することを特徴とする。
【００１３】
請求項２記載のターボ分子ポンプは、請求項１記載のターボ分子ポンプにおいて、前記分子量はアルゴンの原子量以上であることを特徴とする。
【００１４】
請求項３記載のターボ分子ポンプは、請求項１又は２記載のターボ分子ポンプにおいて、前記堆積物付着抑制ガスは高温に加熱されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項４記載のターボ分子ポンプは、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のターボ分子ポンプにおいて、前記ガス供給口は、前記堆積物付着抑制ガスに加えクリーニングガスを供給することを特徴とする。
【００１６】
請求項５記載のターボ分子ポンプは、請求項４記載のターボ分子ポンプにおいて、前記クリーニングガスは、オゾン、アンモニア、三弗化塩素からなる群から選択された少なくとも１つからなることを特徴とする。
【００１７】
上記目的を達成するために、請求項６記載のターボ分子ポンプは、基板に処理を施す処理室から堆積物付着要因ガスを排出するターボ分子ポンプであって、排気流に沿う回転軸を有する回転体と、該回転体を収容する筒状体と、該回転体から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の回転翼と、前記筒状体における前記回転体との対向面から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の静止翼とを備え、前記複数の回転翼は複数の回転翼群に分割されると共に、前記複数の静止翼は複数の静止翼群に分割され、各前記回転翼群及び各前記静止翼群は前記回転軸に沿って交互に配されるターボ分子ポンプにおいて、前記排気流に関して前記複数の回転翼群よりも下流側において排気管と連通し、前記排気流に関して最下流側に位置する前記回転翼群及び前記排気管の間において開口するガス供給口を有し、該ガス供給口は高温ガスを供給することを特徴とする。
【００１８】
上記目的を達成するために、請求項７記載の基板処理装置は、基板に処理を施す処理室と、該処理室から堆積物付着要因ガスを排出するターボ分子ポンプとを備える基板処理装置において、前記ターボ分子ポンプは、排気流に沿う回転軸を有する回転体と、該回転体を収容する筒状体と、該回転体から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の回転翼と、前記筒状体における前記回転体との対向面から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の静止翼とを有し、前記複数の回転翼は複数の回転翼群に分割されると共に、前記複数の静止翼は複数の静止翼群に分割され、各前記回転翼群及び各前記静止翼群は前記回転軸に沿って交互に配され、前記ターボ分子ポンプは、さらに、前記排気流に関して最下流側に位置する前記回転翼群よりも上流側において開口するガス供給口を有し、該ガス供給口は分子量の大きい気体分子を含む堆積物付着抑制ガスを供給することを特徴とする。
【００１９】
上記目的を達成するために、請求項８記載の基板処理装置は、基板に処理を施す処理室と、該処理室から堆積物付着要因ガスを排出するターボ分子ポンプとを備える基板処理装置において、前記ターボ分子ポンプは、排気流に沿う回転軸を有する回転体と、該回転体を収容する筒状体と、該回転体から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の回転翼と、前記筒状体における前記回転体との対向面から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の静止翼とを有し、前記複数の回転翼は複数の回転翼群に分割されると共に、前記複数の静止翼は複数の静止翼群に分割され、各前記回転翼群及び各前記静止翼群は前記回転軸に沿って交互に配され、前記ターボ分子ポンプは、さらに、前記排気流に関して前記複数の回転翼群よりも下流側において排気管と連通し、前記排気流に関して最下流側に位置する前記回転翼群及び前記排気管の間において開口するガス供給口を有し、該ガス供給口は高温ガスを供給することを特徴とする。
【００２０】
上記目的を達成するために、請求項９記載のターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法は、基板に処理を施す処理室と開閉弁を介して接続され、前記処理室から堆積物付着要因ガスを排出するターボ分子ポンプであって、排気流に沿う回転軸を有する回転体と、該回転体を収容する筒状体と、該回転体から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の回転翼と、前記筒状体における前記回転体との対向面から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の静止翼とを備え、前記複数の回転翼は複数の回転翼群に分割されると共に、前記複数の静止翼は複数の静止翼群に分割され、各前記回転翼群及び各前記静止翼群は前記回転軸に沿って交互に配されるターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法であって、前記開閉弁を閉弁すると共に、前記排気流に関して最下流側に位置する前記回転翼群よりも上流側から分子量の大きい気体分子を含む堆積物付着抑制ガスを供給する供給ステップと、前記開閉弁を開弁すると共に、前記基板に前記処理を施す処理ステップとを有することを特徴とする。
【００２１】
請求項１０記載のターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法は、請求項９記載の堆積物付着抑制方法において、前記供給ステップに先立って、前記ターボ分子ポンプ内における堆積物の付着状況を検査する検査ステップと、該検査の結果に応じて前記供給ステップを実行するか否かを判別する判別ステップとをさらに有することを特徴とする。
【００２２】
請求項１１記載のターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法は、請求項９又は１０記載の堆積物付着抑制方法において、前記処理ステップでは、前記排気流に関して最下流側に位置する前記回転翼群よりも上流側から前記堆積物付着抑制ガスを供給することを特徴とする。
【００２３】
上記目的を達成するために、請求項１２記載のターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法は、基板に処理を施す処理室と開閉弁を介して接続され、前記処理室から堆積物付着要因ガスを排出するターボ分子ポンプであって、排気流に沿う回転軸を有する回転体と、該回転体を収容する筒状体と、該回転体から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の回転翼と、前記筒状体における前記回転体との対向面から前記回転軸に対して垂直に突出する複数のブレード状の静止翼とを備え、前記複数の回転翼は複数の回転翼群に分割されると共に、前記複数の静止翼は複数の静止翼群に分割され、各前記回転翼群及び各前記静止翼群は前記回転軸に沿って交互に配され、前記排気流に関して前記複数の回転翼群よりも下流側において排気管と連通するターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法であって、前記開閉弁を閉弁すると共に、前記排気流に関して最下流側に位置する前記回転翼群及び前記排気管の間から高温ガスを供給する供給ステップと、前記開閉弁を開弁すると共に、前記基板に前記処理を施す処理ステップとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
請求項１記載のターボ分子ポンプ及び請求項７記載の基板処理装置によれば、排気流に関して最下流側に位置する回転翼群よりも上流側において開口するガス供給口が分子量の大きい気体分子を含む堆積物付着抑制ガスを供給する。該供給された堆積物付着抑制ガス中の分子量の大きい気体分子は排気流に沿って流れて回転翼に接触する。回転翼は高速回転しているので、該回転翼及び上記分子量の大きい気体分子が接触した際に摩擦熱が発生し、該摩擦熱によって堆積物付着抑制ガスが加熱される。加熱された堆積物付着抑制ガスは上記回転翼群よりも下流側の空間に面する全ての構成部品に接触するので、該全ての構成部品を加熱する。その結果、上記空間に面する全ての構成部品に堆積物が付着するのを抑制することができる。また、加熱された堆積物付着抑制ガスは構成部品の表面に接触するので、構成部品の表面のみが加熱される。これにより、構成部品の熱膨張を抑制することができ、もって、構成部品の破損を防止することができる。さらに、構成部品の表面に堆積物が付着した場合、加熱された堆積物付着抑制ガスは付着した堆積物に接触するので、該堆積物を直接加熱することができ、もって、堆積物を気化させて除去することができる。以上より、構成部品への堆積物の付着の抑制を確実に行うことができる。また、これにより、ターボ分子ポンプの交換時期の設定を容易に行うことができ、もって、ターボ分子ポンプ、引いては基板処理装置を安定して運用することができる。
【００２５】
請求項２記載のターボ分子ポンプによれば、堆積物付着抑制ガスに含まれる気体分子の分子量はアルゴンの原子量以上であるため、回転翼及び該気体分子の接触の際に発生する摩擦熱を大きくすることができ、もって、堆積物付着抑制ガスを確実に加熱することができる。
【００２６】
請求項３記載のターボ分子ポンプによれば、堆積物付着抑制ガスは高温に加熱されているので、回転翼及び気体分子の接触に起因する摩擦熱のみによって加熱される場合に比べて確実に堆積物付着抑制ガスの温度は上昇する。その結果、堆積物付着抑制ガスが接触する構成部品の表面の温度を確実に上昇させることができる。
【００２７】
請求項４記載のターボ分子ポンプによれば、ガス供給口は堆積物付着抑制ガスに加えクリーニングガスを供給するので、構成部品の表面に堆積物が付着した場合、該堆積物を確実に除去することができる。
【００２８】
請求項６記載のターボ分子ポンプ及び請求項８記載の基板処理装置によれば、排気流に関して最下流側に位置する回転翼群及び排気管の間において開口するガス供給口が高温ガスを供給する。該供給された高温ガスは上記回転翼群及び排気管の間の空間に面する全ての構成部品に接触するので、該全ての構成部品を加熱する。その結果、上記空間に面する全ての構成部品に堆積物が付着するのを抑制することができる。また、高温ガスは構成部品の表面に接触するので、構成部品の表面のみが加熱される。これにより、構成部品の熱膨張を抑制することができ、もって、構成部品の破損を防止することができる。さらに、構成部品の表面に堆積物が付着した場合、高温ガスは付着した堆積物に接触するので、該堆積物を直接加熱することができ、もって、堆積物を気化させて除去することができる。以上より、構成部品への堆積物の付着の抑制を確実に行うことができる。また、これにより、ターボ分子ポンプの交換時期の設定を容易に行うことができ、もって、ターボ分子ポンプ、引いては基板処理装置を安定して運用することができる。
【００２９】
請求項９記載のターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法によれば、基板に処理を施す前に、開閉弁が閉弁され、排気流に関して最下流側に位置する回転翼群よりも上流側から分子量の大きい気体分子を含む堆積物付着抑制ガスが供給される。このとき、供給された堆積物付着抑制ガス中に含まれる分子量の大きい気体分子及び回転翼が接触して摩擦熱が発生し、該摩擦熱によって堆積物付着抑制ガスが加熱される。加熱された堆積物付着抑制ガスは上記回転翼群よりも下流側の空間に面する構成部品に接触して該構成部品を加熱する。その結果、基板に処理を施す迄に構成部品の温度を上昇させることができ、基板に処理を施す際に堆積物付着要因ガスがターボ分子ポンプ内を流れても、構成部品への堆積物の付着の抑制を確実に行うことができる。
【００３０】
請求項１０記載のターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法によれば、堆積物付着抑制ガスの供給に先立って、ターボ分子ポンプ内における堆積物の付着状況が検査され、該検査の結果に応じて堆積物付着抑制ガスを供給するか否かが判別される。これにより、堆積物付着抑制ガスを無駄に供給するのを防止することができ、さらに、ターボ分子ポンプの下流に配置される除害装置を流れる堆積物付着抑制ガスの流量を削減することができるので、該除害装置の寿命を延長することができる。
【００３１】
請求項１１記載のターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法によれば、基板に処理を施す際にも、排気流に関して最下流側に位置する回転翼群よりも上流側から堆積物付着抑制ガスが供給される。これにより、基板に処理を施す際に堆積物付着要因ガスが流れている間においても構成部品を加熱することができると共に、堆積物付着要因ガスを堆積物付着抑制ガスによって希釈することができる。その結果、構成部品への堆積物の付着の抑制をより確実に行うことができる。
【００３２】
請求項１２記載のターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法によれば、基板に処理を施す前に、開閉弁が閉弁され、排気流に関して最下流側に位置する回転翼群及び排気管の間から高温ガスが供給される。該供給された高温ガスは上記回転翼群及び排気管の間の空間に面する構成部品に接触して該構成部品を加熱する。その結果、基板に処理を施す迄に構成部品の温度を上昇させることができ、基板に処理を施す際に堆積物付着要因ガスが流れても、構成部品への堆積物の付着の抑制を確実に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００３４】
まず、本発明の第１の実施の形態について説明する。
【００３５】
図１は、本実施の形態に係るターボ分子ポンプを備える基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。
【００３６】
図１において、半導体デバイス用のウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗに反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching）（以下、「ＲＩＥ」という。）処理を施す基板処理装置１０は、金属、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼からなる、大小２つの円筒が重ねられた形状を呈するチャンバ１１（処理室）を備える。
【００３７】
該チャンバ１１内には、直径が例えば３００ｍｍのウエハＷを載置し、該載置されたウエハＷと共にチャンバ１１内を上下降するウエハステージとしての下部電極１２と、上下降する下部電極１２の側部を覆う円筒状のカバー１３とが配置され、チャンバ１１の側壁と、下部電極１２の側部又はカバー１３とにより、チャンバ１１内のガスをチャンバ１１の外へ排出する流路として機能する排気路１４が形成される。
【００３８】
該排気路１４の途中には、該排気路１４を上流側部１４ａと下流側部１４ｂに分ける環状の排気プレート１５が配置され、下流側部１４ｂは、連通管としての排気マニホールド１６及び可変式スライドバルブである自動圧力制御（Adaptive Pressure Control）（以下、「ＡＰＣ」という。）バルブ１７（開閉弁）を介して真空引き用の排気ポンプとしてのターボ分子ポンプ１８に連通し、該ターボ分子ポンプ１８の下流側には排気管１９を介してドライポンプ、さらには除害装置（いずれも図示しない）が接続される。なお、ＡＰＣバルブ１７はバタフライバルブであってもよい。
【００３９】
下部電極１２には下部高周波電源２０が下部整合器２１を介して接続されており、下部高周波電源２０は、高周波電力を下部電極１２に供給する。また、下部整合器２１は、下部電極１２からの高周波電力の反射を低減して該高周波電力の下部電極１２への供給効率を最大にする。
【００４０】
また、下部電極１２の上部には、載置されたウエハＷを囲うようにフォーカスリング２２が配置される。フォーカスリング２２は、下部電極１２上方の空間である処理空間Ｓで発生したプラズマをウエハＷ上に収束する。
【００４１】
下部電極１２の下方には、該下部電極１２の下部から下方に向けて延設された支持部材２３が配置されている。該支持部材２３は下部電極１２を支持して下部電極１２を昇降させる。また、支持部材２３は、その周囲をベローズカバー２４によって覆われてチャンバ１１内の雰囲気から遮断される。
【００４２】
チャンバ１１の天井部には、処理空間Ｓに処理ガスを供給するシャワーヘッド２５が配置されている。シャワーヘッド２５は、処理空間Ｓに面した多数の通気孔２６を有する円板状の上部電極板２７と、該上部電極板２７を着脱可能に釣支する円柱状のクーリングプレート２８と、該クーリングプレート２８上に載置される円板状の蓋体２９とを有する。
【００４３】
上部電極板２７には、上部高周波電源３０が上部整合器３１を介して接続されており、上部高周波電源３０は、高周波電力を上部電極板２７に供給する。
【００４４】
クーリングプレート２８の内部にはバッファ室３２が設けられ、このバッファ室３２には処理ガス導入管３３が連通する。処理ガス導入管３３の途中にはバルブ３４が配置され、さらに、バルブ３４の上流にはフィルタ３５が配置されている。また、バッファ室３２には、例えば、処理ガス導入管３３から四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４），酸素ガス（Ｏ２），アルゴンガス（Ａｒ）及び四フッ化炭素（ＣＦ４）の単独、又は組み合わせからなる処理ガスが導入され、該導入された処理ガスは通気孔２６を介して処理空間Ｓに供給される。
【００４５】
この基板処理装置１０では、処理ガスが処理空間Ｓに供給されると共に、下部電極１２及び上部電極板２７から処理空間Ｓに高周波電力が供給される。このとき、処理ガスから高密度のプラズマが発生する。該プラズマは、フォーカスリング２２によってウエハＷの表面に収束され、ウエハＷの表面にＲＩＥ処理を施す。
【００４６】
このＲＩＥ処理の際、プラズマがウエハＷの被エッチング膜と反応するが、一部未反応の処理ガスが存在する。また、プラズマ及び被エッチング膜の反応によって反応生成物が発生することがある。常温であれば、該反応生成物は堆積物としてチャンバ１１内の各構成部品に付着するが、プラズマは高温であるため、該反応生成物は気化して未反応の処理ガスと混交することがある。そして、未反応の処理ガス単独又は気化した反応生成物が混交した未反応の処理ガス（以下、両者を含めて「デポ付着要因ガス」という。）（堆積物付着要因ガス）は、排気路１４、排気マニホールド１６及びＡＰＣバルブ１７を介してターボ分子ポンプ１８によって排出される。
【００４７】
図２は、図１におけるターボ分子ポンプの構成を概略的に示す断面図である。
【００４８】
図２において、ターボ分子ポンプ１８は、回転軸３６が排気流の方向（図中上下方向）に沿うように配置された回転体であるロータ３７と、該ロータ３７を収容する円筒状のケース３８と、該ロータ３７から回転軸３６に対して垂直に突出する複数のブレード状の回転翼３９と、ケース３８におけるロータ３７との対向面３８ａから回転軸３６に対して垂直に突出する複数のブレード状の静止翼４０とを備える。
【００４９】
複数の回転翼３９は複数の回転翼群４１に分割されると共に、複数の静止翼４０は複数の静止翼群４２に分割される。各回転翼群４１では、複数の回転翼３９が回転軸３６に対して垂直な同一平面内においてロータ３７から放射状に突出すると共に、各回転翼３９はロータ３７の回転方向に沿って等間隔に配置される。また、各静止翼群４２では、複数の静止翼４０が回転軸３６に対して垂直な同一平面内においてケース３８の対向面３８ａから回転軸３６に向けて突出すると共に、各静止翼４０はロータ３７の回転方向に沿って等間隔に配置される。そして、各回転翼群４１及び各静止翼群４２は回転軸３６に沿って交互に配される。このターボ分子ポンプ１８では各回転翼群４１及び各静止翼群４２がタービンＴを構成する。
【００５０】
また、ターボ分子ポンプ１８はインダクションモータ（図示しない）を内蔵し、該インダクションモータはロータ３７を回転軸３６周りに高速回転（１００００ｒｐｍ以上）させる。このとき、タービンＴの図中上方及び同下方の間に圧力差が生じ、該圧力差によってガスを図中上方から同下方へ高速で導く。したがって、排気流は図中上方から同下方へ流れる。以下、図中上方を「上流側」と称し、図中下方を「下流側」と称する。
【００５１】
タービンＴの下流側にはガスが送り込まれる下部空間ＬＳ（回転翼群よりも下流側の空間）が存在し、該下部空間ＬＳは排気管１９と連通する。タービンＴによって下部空間ＬＳに送り込まれたガスは排気管１９を介してドライポンプ及び除害装置へ流入する。
【００５２】
ここで、上述したように、ロータ３７が高速回転すると、下部空間ＬＳの圧力は高くなるため、デポ付着要因ガス中の反応生成物や処理ガスの成分が液化、凝固して下部空間ＬＳに面するターボ分子ポンプ１８の構成部品にデポ（堆積物）として付着する虞がある。
【００５３】
本実施の形態のターボ分子ポンプ１８では、これに対応して、下部空間ＬＳに面する全ての構成部品を加熱する構成を備える。すなわち、ターボ分子ポンプ１８は、ロータ３７において、排気流に関して最下流側に位置する回転翼群４１よりも上流側、具体的には、下流側から２番目の回転翼群４１及び３番目の回転翼群４１の間において開口する複数のガス供給口４３を有する。そして、該ガス供給口４３は分子量の大きい気体分子、例えばアルゴン（Ａｒ）分子を含むデポ付着抑制ガス（堆積物付着抑制ガス）を供給する。なお、各ガス供給口４３は、回転軸３６に対して垂直な同一平面がロータ３７の表面と交わる円周に沿って等間隔で配置されている。
【００５４】
各ガス供給口４３から供給されたデポ付着抑制ガス中のアルゴン分子は、排気流に沿って流れて、図３に示すように、図中白抜き矢印に沿って高速回転する各回転翼３９や静止している各静止翼４０との接触を繰り返す。特に、高速回転する各回転翼３９との接触の際、アルゴン分子は各回転翼３９等と摩擦して摩擦熱が発生する。該摩擦熱はデポ付着抑制ガスを加熱する。該加熱されたデポ付着抑制ガスはそのまま下部空間ＬＳへと送り込まれ、下部空間ＬＳに面する全ての構成部品を加熱する。
【００５５】
図２に戻り、ターボ分子ポンプ１８は下部空間ＬＳに向けてレーザ光Ｌを出射するレーザ発振器４４と、照射されたレーザ光Ｌを受光する検出器４５とを有する。レーザ発振器４４から出射されたレーザ光Ｌは、図４に示すように、下部空間ＬＳに面する構成部品の表面における反射を繰り返して検出器４５に入射するが、このとき、下部空間ＬＳに面する構成部品の表面にデポが付着していると、該デポはレーザ光Ｌのエネルギーを吸収するため、レーザ光Ｌのパワーが低下する。したがって、検出器４５が検出したレーザ光Ｌのパワーを計測することによってデポの付着状況を検査することができる。
【００５６】
ここで、レーザ光Ｌの反射効率を高めるために、各構成部品の表面を反射率の高い物質で被覆するのが好ましい。反射率の高い物質としては、例えば、炭酸マグネシウム、銀、酸化バリウム、酸化アルミ、エナメル、琺瑯が該当する。また、反射率を高めるためには各構成部品の表面を、アルミ電解研磨面、白色塗料面、白紙（奉書、吸取紙、ケント紙、鳥の子紙）で構成してもよい。
【００５７】
また、レーザ発振器４４が高出力でレーザ光Ｌを出射する際に、ＡＰＣバルブ１７を閉弁してタービンＴの上流側からの排気流を遮断しつつ、下部空間ＬＳに酸素ガスを供給してもよい。このとき、酸素ガスはオゾンガスに変化し、該オゾンガスは還元によって構成部品の表面に付着したデポを分解して除去することができる。
【００５８】
本実施の形態に係るターボ分子ポンプ１８によれば、排気流に関して最下流側に位置する回転翼群４１よりも上流側において開口するガス供給口４３がアルゴン分子を含むデポ付着抑制ガスを供給する。該供給されたデポ付着抑制ガス中のアルゴン分子は排気流に沿って流れて回転翼３９に接触する。回転翼３９は高速回転しているので、該回転翼３９及びデポ付着抑制ガス中に含まれるアルゴン分子が接触した際に摩擦熱が発生し、該摩擦熱によってデポ付着抑制ガスが加熱される。加熱されたデポ付着抑制ガスは下部空間ＬＳに面する全ての構成部品に接触するので、該全ての構成部品を加熱する。その結果、下部空間ＬＳに面する全ての構成部品にデポが付着するのを抑制することができる。
【００５９】
また、加熱されたデポ付着抑制ガスは構成部品の表面に接触するので、構成部品の表面のみが加熱される。これにより、構成部品の熱膨張を抑制することができ、もって、構成部品の破損を防止することができる。
【００６０】
さらに、構成部品の表面にデポが付着した場合、加熱されたデポ付着抑制ガスは付着したデポに接触するので、該デポを直接加熱することができ、もって、デポを気化させて除去することができる。
【００６１】
以上より、構成部品へのデポの付着の抑制を確実に行うことができる。また、これにより、ターボ分子ポンプ１８の交換時期の設定を容易に行うことができ、もって、ターボ分子ポンプ１８、引いては基板処理装置１０を安定して運用することができる。
【００６２】
このターボ分子ポンプ１８では、タービンＴの途中からデポ付着抑制ガスを供給するので、該デポ付着抑制ガスがチャンバ１１内へ逆流することがなく、ＲＩＥ処理に影響を与えることがない。また、アルゴン分子との接触によって回転翼３９も摩擦熱によって加熱されるが、タービンＴの途中からデポ付着抑制ガスを供給するので、ターボ分子ポンプ１８が有する全ての回転翼３９が加熱される訳ではなく、全ての回転翼３９が熱膨張によって破損し、タービンＴが損壊するリスクを回避することができる。
【００６３】
上述したターボ分子ポンプ１８では、デポ付着抑制ガスに含まれる分子量の大きい気体分子はアルゴン分子であったが、含まれる気体分子の分子量はアルゴンの原子量以上であればよく、これにより、回転翼３９及び該気体分子の接触の際に発生する摩擦熱を大きくすることができ、もって、デポ付着抑制ガスを確実に加熱することができる。ここで用いられる気体分子としては、例えば、クリプトン分子やキセノン分子が該当する。
【００６４】
また、上述したターボ分子ポンプ１８において、デポ付着抑制ガスを高温に加熱して供給してもよく、これにより、回転翼３９及びアルゴン分子の接触に起因する摩擦熱のみによって加熱される場合に比べて確実にデポ付着抑制ガスの温度は上昇する。その結果、デポ付着抑制ガスが接触する構成部品の表面の温度を確実に上昇させることができる。
【００６５】
さらに、ガス供給口４３はデポ付着抑制ガスに加えクリーニングガスを供給してもよく、これにより、構成部品の表面にデポが付着した場合、該デポをクリーニングガスの洗浄効果によって確実に除去することができる。ここで、クリーニングガスは、例えば、オゾン、アンモニアや三弗化塩素が該当する。
【００６６】
また、ターボ分子ポンプ１８においてタービンＴの上流側から高温ガスをさらに供給してもよい。これにより、構成部品の表面の温度を確実に上昇させることができるだけでなく、デポ付着要因ガスを希釈することができ、もって、構成部品へのデポの付着の抑制を確実に行うことができる。
【００６７】
上述したターボ分子ポンプ１８では、ガス供給口４３からデポ付着抑制ガスとしてアルゴン分子を含むガスを供給したが、アルゴン分子を含まない窒素ガスからなる高温ガスをガス供給口４３から供給してもよい。このとき、供給された高温ガスは下部空間ＬＳに面する全ての構成部品に接触するので、下部空間ＬＳに面する全ての構成部品にデポが付着するのを抑制することができる。
【００６８】
また、上述したターボ分子ポンプ１８では、ガス供給口４３がロータ３７に設けられたが、ガス供給口４３をケース３８の対向面３８ａに開口するように設けてもよい。
【００６９】
次に、本発明の第１の実施の形態に係るターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法について説明する。
【００７０】
図５は、本実施の形態に係るターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法としてのデポ付着抑制処理のフローチャートである。
【００７１】
図５において、まず、チャンバ１１においてウエハＷの搬出入を行うために、ＡＰＣバルブ１７を閉弁してチャンバ１１及びターボ分子ポンプ１８の連通を遮断し（ステップＳ５１）、レーザ発振器４４から下部空間ＬＳに向けてレーザ光Ｌを照射し、下部空間ＬＳに面する構成部品の表面に付着したデポ量を測定する（堆積物の付着状況を検査する）（ステップＳ５２）（検査ステップ）。
【００７２】
次いで、ステップＳ５３では、測定されたデポ量が所定量より多いか否かを判別し（判別ステップ）、該判別の結果、測定されたデポ量が所定量以下の場合には、そのままステップＳ５５に進み、測定されたデポ量が所定量より多い場合には、ターボ分子ポンプ１８においてロータ３７のガス供給口４３からデポ付着抑制ガスを供給する（ステップＳ５４）（供給ステップ）。
【００７３】
次いで、ＡＰＣバルブ１７を開弁し、チャンバ１１内においてウエハＷにＲＩＥ処理を施し（ステップＳ５５）（処理ステップ）、本処理を終了する。
【００７４】
図５の処理によれば、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す前に、ＡＰＣバルブ１７が閉弁され、ターボ分子ポンプ１８においてロータ３７のガス供給口４３からデポ付着抑制ガスが供給される。このとき、供給されたデポ付着抑制ガス中に含まれるアルゴン分子及び回転翼３９が接触した際に摩擦熱が発生し、該摩擦熱によってデポ付着抑制ガスが加熱される。加熱されたデポ付着抑制ガスは下部空間ＬＳに面する構成部品に接触して該構成部品を加熱する。その結果、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す迄に構成部品の温度を上昇させることができ、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す際にデポ付着要因ガスがターボ分子ポンプ１８内を流れても、構成部品へのデポの付着の抑制を確実に行うことができる。
【００７５】
また、図５の処理では、デポ付着抑制ガスの供給に先立って、下部空間ＬＳに面する構成部品の表面に付着したデポ量が測定され、該測定の結果に応じてデポ付着抑制ガスを供給するか否かが判別される。これにより、デポ付着抑制ガスを無駄に供給するのを防止することができ、さらに、ターボ分子ポンプ１８の下流に排気管１９を介して配置される除害装置のフィルタを流れるデポ付着抑制ガスの流量を削減することができるので、該除害装置の寿命を延長することができる。
【００７６】
上述した図５の処理では、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す際にガス供給口４３からデポ付着抑制ガスを供給しないが、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す際にガス供給口４３からデポ付着抑制ガスを供給してもよい。これにより、デポ付着要因ガスがターボ分子ポンプ１８内を流れている間においても構成部品を加熱することができると共に、デポ付着要因ガスをデポ付着抑制ガスによって希釈することができる。その結果、構成部品へのデポの付着の抑制をより確実に行うことができる。
【００７７】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【００７８】
本実施の形態は、その構成、作用が上述した第１の実施の形態と基本的に同じであり、ロータ３７におけるガス供給口の開口位置及び該ガス供給口から供給されるガスが異なるのみであるので、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
【００７９】
図６は、本実施の形態に係るターボ分子ポンプの構成を概略的に示す断面図である。
【００８０】
図６において、ターボ分子ポンプ１８は、ロータ３７において、排気流に関して最下流側に位置する回転翼群４１及び排気管１９の間において開口する、具体的には、下部空間ＬＳに向けて開口する複数のガス供給口４６を有する。そして、該ガス供給口４６は高温の窒素ガスからなる高温ガスを供給する。なお、各ガス供給口４６は、ガス供給口４３と同様に、回転軸３６に対して垂直な同一平面がロータ３７の表面と交わる円周に沿って等間隔で配置されている。
【００８１】
本実施の形態に係るターボ分子ポンプ１８によれば、下部空間ＬＳに向けて開口するガス供給口４６が高温ガスを供給する。該供給された高温ガスは下部空間ＬＳに面する全ての構成部品に接触するので、該全ての構成部品を加熱する。その結果、下部空間ＬＳに面する全ての構成部品にデポが付着するのを抑制することができる。
【００８２】
また、高温ガスは構成部品の表面に接触するので、構成部品の表面のみが加熱される。これにより、構成部品の熱膨張を抑制することができ、もって、構成部品の破損を防止することができる。
【００８３】
さらに、構成部品の表面にデポが付着した場合、高温ガスは付着したデポに接触するので、該デポを直接加熱することができ、もって、デポを気化させて除去することができる。
【００８４】
以上より、構成部品へのデポの付着の抑制を確実に行うことができる。
【００８５】
上述したターボ分子ポンプ１８では、高温ガスを高温の窒素ガスによって構成したが、高温ガスを高温の不活性ガス、例えば、ネオンガスやヘリウムガスによって構成してもよい。
【００８６】
次に、本発明の第２の実施の形態に係るターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法について説明する。
【００８７】
図７は、本実施の形態に係るターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法としてのデポ付着抑制処理のフローチャートである。
【００８８】
図７において、まず、チャンバ１１においてウエハＷの搬出入を行うために、ＡＰＣバルブ１７を閉弁してチャンバ１１及びターボ分子ポンプ１８の連通を遮断し（ステップＳ７１）、レーザ発振器４４から下部空間ＬＳに向けてレーザ光Ｌを照射し、下部空間ＬＳに面する構成部品の表面に付着したデポ量を測定する（ステップＳ７２）。
【００８９】
次いで、ステップＳ７３では、測定されたデポ量が所定量より多いか否かを判別し、該判別の結果、測定されたデポ量が所定量以下の場合には、そのままステップＳ７５に進み、測定されたデポ量が所定量より多い場合には、ターボ分子ポンプ１８においてロータ３７のガス供給口４６から高温ガスを供給する（ステップＳ７４）（供給ステップ）。
【００９０】
次いで、ＡＰＣバルブ１７を開弁し、チャンバ１１内においてウエハＷにＲＩＥ処理を施し（ステップＳ７５）（処理ステップ）、本処理を終了する。
【００９１】
図７のＲＩＥ処理によれば、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す前に、ＡＰＣバルブ１７が閉弁され、ガス供給口４６から下部空間ＬＳに向けて高温ガスが供給される。該供給された高温ガスは下部空間ＬＳに面する構成部品に接触して該構成部品を加熱する。その結果、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す迄に構成部品の温度を上昇させることができ、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す際にデポ付着要因ガスが流れても、構成部品へのデポの付着の抑制を確実に行うことができる。
【００９２】
上述した図７の処理では、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す際にガス供給口４６から高温ガスを供給しないが、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す際にガス供給口４６から高温ガスを供給してもよい。これにより、デポ付着要因ガスがターボ分子ポンプ１８内を流れている間においても構成部品を加熱することができると共に、デポ付着要因ガスを高温ガスによって希釈することができる。その結果、構成部品へのデポの付着の抑制をより確実に行うことができる。
【００９３】
なお、上述した第１の実施の形態及び第２の実施の形態を組み合わせてもよい、すなわち、ロータ３７がガス供給口４３及び４６を有してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るターボ分子ポンプを備える基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図１におけるターボ分子ポンプの構成を概略的に示す断面図である。
【図３】デポ付着抑制ガス中のアルゴン分子と、回転翼又は静止翼との接触を説明するための図である。
【図４】図２のターボ分子ポンプにおける下部空間において反射されるレーザ光を示す図である。
【図５】本実施の形態に係るターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法としてのデポ付着抑制処理のフローチャートである。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るターボ分子ポンプの構成を概略的に示す断面図である。
【図７】本実施の形態に係るターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法としてのデポ付着抑制処理のフローチャートである。
【図８】従来のターボ分子ポンプの構成を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００９５】
Ｗ  ウエハ
１０  基板処理装置
１１  チャンバ
１７  ＡＰＣバルブ
１８  ターボ分子ポンプ
３６  回転軸
３７  ロータ
３８  ケース
３９  回転翼
４０  静止翼
４１  回転翼群
４２  静止翼群
４３，４６  ガス供給口
４４  レーザ発振器
４５  検出器
【図１】
2008248754.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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