(57)【要約】【課題】液晶パネル基板の周辺部を活用するために、トランスファー材とブラックマトリックスを完全に重ね、トランスファー材によるＴＦＴ基板とＣＦ基板との間の導電性を確保しながら、基板の切断が少しずれて、ブラックマトリックスを切断してしまうことによる製造歩留まりの低下を低減し得る構造を持つ液晶パネルを提供することを目的とする。【解決手段】画素がマトリックス状に配置されたＴＦＴ基板と、カラーフィルターが配置されたＣＦ基板との間に液晶を狭持し、周辺をシール材でシールしてなる液晶パネルにおいて、シール材をＣＦ基板のＢＭに完全に重なるように配置し、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とを電気的に接続するために、スペーサの表面に導電皮膜を設けた導電性スペーサを含有するトランスファー材をシール材の外側に隣接してＢＭに完全に重なるように配置し、ＢＭをトランスファー材が配置されている部分だけ外側に突出するように構成する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを含む画素がマトリックス状に配置されたＴＦＴ基板と、
カラーフィルターが配置された基板（以下「ＣＦ基板」ともいう）との間に液晶を狭持し、周辺をシール材でシールしてなる液晶パネルにおいて、
前記シール材は前記ＣＦ基板のブラックマトリックス（以下「ＢＭ」ともいう）に完全に重なるように配置されて、
前記ＴＦＴ基板と前記ＣＦ基板とを電気的に接続するために、スペーサの表面に導電皮膜を設けた導電性スペーサを含有する柱状のトランスファー材は前記シール材の外側に隣接してＢＭに完全に重なるように配置されて、
前記ＢＭは前記トランスファー材が配置されている領域だけ、前記トランスファー材が配置されていない領域より外側に突出していることを特徴とする液晶パネル。
【請求項２】
薄膜トランジスタを含む画素がマトリックス状に配置されたＴＦＴ基板と、
カラーフィルターが配置された基板（以下「ＣＦ基板」ともいう）との間に液晶を狭持し、周辺をシール材でシールしてなる液晶パネルの製造方法であって、
複数の液晶パネルを取り出すためのマザーガラス基板に各液晶パネルを形成する工程において、
各液晶パネルの周辺をシールするための前記シール材を前記ＣＦ基板のＢＭに完全に重なるように配置する工程と、
前記ＴＦＴ基板と前記ＣＦ基板とを電気的に接続するために、スペーサの表面に導電皮膜を設けた導電性スペーサを含有する柱状のトランスファー材を前記シール材の外側に隣接してＢＭに完全に重なるように配置する工程と、
前記ＢＭは前記トランスファー材が配置されている領域だけ外側に突出させ、それ以外の領域は、マザーガラス基板から各液晶パネルを取り出すための切断線から離して配置する工程と、を有することを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置用の液晶パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）−ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ
ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）パネルはデスクトップ型パソコンのモニターや、ノート型パソコンの表示デバイスとして広く使用されている。今後は、ＴＦＴ−ＬＣＤについて、表示デバイスとして求められる性能を満たす点以外に、製品コストを低減する観点から、より大きなマザーグラスを使用することによる生産性の向上や、部材の共通化等による量産効果による製造コストの低減が、重要となる。
【０００３】
したがって、生産性の向上に不可欠である、１枚のマザーガラスから複数のＬＣＤパネルを生産するという所謂多面取りにおいて、何枚のＬＣＤパネルをレイアウトできるかということは、生産量に直接的に関係する重要なパラメータである。より多くの枚数のパネルを配置できれば、量産効果が上がり、パネルの価格を低減できるからである。
【０００４】
その為には、規格等で既に仕様が決まってしまっている画素エリア以外のスペースである周辺スペースを、いかに縮小できるかが重要な技術的な課題である。
【０００５】
従来のＴＦＴ−ＬＣＤパネルの周辺には図１に示されているようにＣＦ（Ｃｏｌｏｒ
Ｆｉｌｔｅｒ）基板とＴＦＴ基板とを組み合わせるためのシール材と、ＣＦ基板側の電位をＴＦＴ基板側から印加するために必要なＣＦ基板に設置されている電極とＴＦＴ基板に設置されている電極とを三次元的に接続するトランスファー材とが存在する。
【０００６】
図１は従来のＴＦＴ−ＬＣＤパネルの周辺におけるＣＦ基板のブラックマトリックス（以下「ＢＭ」ともいう）と、該シール材と、トランスファー材との配置関係を示す部分平面図である。
図１において、１０１はシール材であり、１０２はＢＭであり、１０３はマザーガラスを切断する切断線であり、１０４はトランスファー材であり、１０５乃至１０７はＣＦ基板の着色部である。
【０００７】
図２は、図１のＡ−Ａ切断線断面図である。
図２において、２０１はＣＦ基板であり、２０２はＴＦＴ基板であり、２０３は配線である。
【０００８】
従来のＴＦＴ−ＬＣＤパネルにおいては、図１、図２に示されているようにシール材１０１とトランスファー材１０４はＢＭ１０２の外側に配置されている。
【０００９】
また、一般的には、トランスファー材には微小な粒子の表面を導電膜でコーティングした導電性ボールをＵＶ硬化型シール材等のバインディング材に充填したものを用いて基板上に塗布する。該バインディング材は導電性を有していないので、導電性ボールが該ＵＶ硬化型シール材等が硬化したときに、導電性ボールの高さが、約５〜２０％程度つぶれるような直径とすることでトランスファー材としての安定した導電性が得られる。
【００１０】
周辺スペースを削減するためには、図１と図２に示されているようにＵＶ硬化型シール材１０１とトランスファー材１０４をＣＦ基板のＢＭ１０２の外側に配置するのではなく、ＢＭ１０２の下側に重ねて、切断線１０３をＢＭ１０２の近くに配置すれば、周辺スペースの削減が可能となる。図に示す。
【００１１】
図３はシール材１０１とトランスファー材１０４をＣＦ基板のＢＭ１０２の外側に配置するのではなく、ＢＭ１０２の下側に重ねて配置した場合の部分平面図である。
【００１２】
図４は図３のＢ−Ｂ切断線断面図である。
図４において、４０１はトランスファー材１０４の中に、ＢＭ１０２と重なる領域と重ならない領域とが存在している部分である。
【００１３】
図３、図４に示されているように、ＢＭ１０２が部分的にトランスファー材１０４と重なる場合、確かに、周辺スペースの削減が可能となるが、トランスファー材１０４の中に、ＢＭ１０２と重なる領域と重ならない領域とができ、重なる領域と重ならない領域において、トランスファー材１０４の厚みに差異が生じてしまう。その結果、トランスファー材１０４に含有される導電性ボールの一部が全くつぶれず、ＣＦ基板および／またはＴＦＴ基板と電気的接触できないか、電気的な接触が不十分となる。その為に、トランスファー材１０４全体の導電性が下がってしまう。図に基づいて説明する。
【００１４】
図５は図４の一部である４０１の拡大断面図である。
図５において、５０１は導電性ボールであり、Ｄ１はトランスファー材１０４とＢＭ１０２とが重なっている領域であり、Ｄ２はトランスファー材１０４とＢＭ１０２とが重なっていない領域であり、Ｈ１は領域Ｄ１におけるトランスファー材１０４の厚みであり、Ｈ２は領域Ｄ２におけるトランスファー材１０４の厚みである。
【００１５】
Ｈ１はトランスファー材１０４とＢＭ１０２とが重なっている為に、ＢＭ１０２の厚み分だけＨ２より小さくなる。その結果、領域Ｄ１に存在する導電性ボール５０１はつぶれても、領域Ｄ２に存在する導電性ボール５０１はほとんどつぶれない。トランスファー材１０４は、トランスファー材１０４を構成するバインディング材自体は導電性を有せず、導電性ボール５０１が接続対象である基板の間でつぶれ、導電性ボール５０１が両基板に電気的に接続することによって、両基板を電気的に接続するものであり、導電性ボール５０１がほとんどつぶれない領域Ｄ２においては、ＣＦ基板２０１とＴＦＴ基板２０２との間における導電性は著しく低下する。
【００１６】
この問題に対応するためには、図６に示されているように、トランスファー材１０４を完全にＢＭ１０２の下に重ねて配置すれば、図７と図８に示されているように、領域D8におけるトランスファー材１０４の厚みは均一となり、導電性ボール５０１は一様につぶれるので、ＣＦ基板２０１とＴＦＴ基板２０２との間における導電性の問題は生じない。
【００１７】
ここで、図６はトランスファー材１０４を完全にＢＭ１０２の下に重ねて配置した場合の部分平面図である。
図６において、１０３は基板の切断線であり、６０３は切断線が少しシフトしてしまった場合のシフト切断線であり、１０１はシール材であり、１０２はＢＭである。
また、図７は図６のＣ−Ｃ切断線断面図である。
図８は図７の部分４０１の拡大断面図である。
図８において、D８はトランスファー材１０４が完全にＢＭ１０２の下に重ねて配置されている領域である。
【００１８】
しかしながら、トランスファー材１０４を完全にＢＭ１０２の下に重ねて配置すると、切断線１０３がＢＭ１０２に接近してしまい、切断する際に、切断線１０３が少しでもシフトすると、ＢＭ１０２を切断してしまうことになる。ＢＭ１０２を部分的に切断するような場合には品質的な問題は生じないが、ＢＭ１０２を長い領域に渡って切断すると品質的に影響を及ぼす場合があり、製造工程の歩留まりを低下させる要因となる。
【００１９】
【特許文献１】特開２００２−３６５６６１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
そこで、本発明は、液晶パネル基板の周辺部を有効に活用するために、トランスファー材とＢＭを完全に重ねて、トランスファー材によるＴＦＴ基板とＣＦ基板との間の導電性を確保するとともに、基板を切断する際に切断線が少しずれて、ＢＭを切断してしまうことによる製造歩留まりの低下を低減し得る構造を有する液晶パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
請求項１に記載の発明は薄膜トランジスタを含む画素がマトリックス状に配置されたＴＦＴ基板と、カラーフィルターが配置された基板（以下「ＣＦ基板」ともいう）との間に液晶を狭持し、周辺をシール材でシールしてなる液晶パネルであって、
前記シール材は前記ＣＦ基板のＢＭに完全に重なるように配置されて、
前記ＴＦＴ基板と前記ＣＦ基板とを電気的に接続するために、スペーサの表面に導電皮膜を設けた導電性スペーサを含有する柱状のトランスファー材は前記シール材の外側に隣接してＢＭに完全に重なるように配置されて、
前記ＢＭは前記トランスファー材が配置されている部分だけ外側に突出していることを特徴とする。
【００２２】
請求項２に記載の発明は薄膜トランジスタを含む画素がマトリックス状に配置されたＴＦＴ基板と、カラーフィルターが配置されたＣＦ基板との間に液晶を狭持し、周辺をシール材でシールしてなる液晶パネルの製造方法であって、
複数の液晶パネルを取り出すためのマザーガラス基板に各液晶パネルを形成する工程において、
各液晶パネルの周辺をシールするための前記シール材を前記ＣＦ基板のＢＭに完全に重なるように配置する工程と、
前記ＴＦＴ基板と前記ＣＦ基板とを電気的に接続するために、スペーサの表面に導電皮膜を設けた導電性スペーサを含有する柱状のトランスファー材を前記シール材の外側に隣接してＢＭに完全に重なるように配置する工程と、
前記ＢＭを前記トランスファー材が配置されている部分だけ外側に突出させ、それ以外の部分は、マザーガラス基板から各液晶パネルを取り出すための切断線から離して配置する工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、液晶パネル基板の周辺部を有効に活用するために、トランスファー材とＢＭを完全に重ねてトランスファー材によるＴＦＴ基板とＣＦ基板との間の導電性を確保できるとともに、従来の方法でトランスファー材とＢＭを完全に重ねることによって生じてしまう「基板を切断する際に切断線が少しずれて、ＢＭを切断してしまう」という問題も発生せず、製造歩留まりの低下も防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図を参照しつつ、発明を実施するための形態につき説明する。
【００２５】
図９は本発明の実施形態に係る液晶パネルの概略を示す部分平面図である。
図９において、１０２はＢＭであり、１０４はトランスファー材であり、１０１はシール材である。
図１０は図９のＤ−Ｄ切断線断面図である。
また、図１１は図１０の部分４０１の拡大断面図である。
図１１において、D１１はトランスファー材１０４が完全にＢＭ１０２の下に重ねて配置されている領域である。
【００２６】
本発明の実施形態に係る液晶パネルにおいては、トランスファー材１０４はＢＭ１０２と完全に重なっている。従って、ＴＦＴ基板とＣＦ基板の間にあるトランスファー材１０４の厚みは均一となり、図１１からわかるように導電性ボール５０１はＴＦＴ基板とＣＦ基板によって挟まれて圧力を受ければ一様につぶれて、ＴＦＴ基板とＣＦ基板を電気的に接続し、ＴＦＴ基板とＣＦ基板の間における導電性を損なうことはない。
【００２７】
また、図９に示されているように、ＢＭ１０２はトランスファー材１０４が設置されている領域では、トランスファー材１０４を取り囲むように、外側に向かって張り出しているが、そのほかの領域では、できる限り切断線１０３から離れるように設置されている。
【００２８】
その結果、液晶パネルをマザーガラスから切り出すための切断の際に切断線が１０３から少しずれてシフト切断線６０３になってしまった場合であっても、ＢＭ１０２はトランスファー材１０４を取り囲むように外側へ張り出している部分のＢＭだけが削られるだけですむ。この場合には、ＢＭ１０２が部分的に削られるだけであり、機能的または品質を損なうような問題は発生しにくい。したがって、本発明の実施形態に係る液晶パネルによれば、製造工程の歩留まり維持し、製造コストへの悪影響を発生させることなく、液晶パネルの周辺スペースを有効に活用することができ、表示装置に求められている狭額縁化の要請に応えられる。
【００２９】
なお、トランスファー材、シール材、ＢＭ、マザーガラスについては公知であり、その材料、製造方法等については省略する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】従来のＴＦＴ−ＬＣＤパネルの周辺におけるＣＦ基板のＢＭと、該シール材と、トランスファー材との配置関係を示す部分平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ切断線断面図である。
【図３】シール材１０１とトランスファー材１０４をＣＦ基板のＢＭ１０２の外側に配置するのではなく、ＢＭ１０２の下側に重ねて配置した場合の部分平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ切断線断面図である。
【図５】図４の一部である４０１の拡大断面図である。
【図６】トランスファー材１０４を完全にＢＭ１０２の下に重ねて配置した場合の部分平面図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ切断線断面図である。
【図８】図７の部分４０１の拡大断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る液晶パネルの概略を示す部分平面図である。
【図１０】図９のＤ−Ｄ切断線断面図である。
【図１１】図１０の部分４０１の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０１      シール材
１０２      ＢＭ
１０３      切断線
１０４      トランスファー材
１０５      ＣＦ基板の着色部
１０６      ＣＦ基板の着色部
１０７      ＣＦ基板の着色部
２０１      ＣＦ基板
２０２      ＴＦＴ基板
５０１      導電性ボール
６０３      シフト切断線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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