(57)【要約】【課題】荷電ビーム描画装置を用いた描画スループットの高いフォトマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】フォトマスク製造方法は、照射電荷量とフォトマスクパターンの寸法精度との第１の関係を求める工程(S101)と、第１の関係に基づいて、与えられた寸法精度から照射電荷量を決定する工程(S102)と、決定された照射電荷量に基づいて、該照射電荷量で所望の寸法のレジストパターンが形成されるレジストを選択する工程(S103)と、描画パターン毎に、荷電ビーム描画装置の描画条件と選択されたレジストを照射電荷量で描画するのに必要な描画時間との第２の関係を求める工程(S104)と、描画時間に対して与えられた条件と第２の関係に基づいて、描画パターン毎に、描画条件を決定する工程(S105)とを含む。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電ビーム描画装置を用いてフォトマスク材の上に塗布したレジストに荷電ビームを照射することにより、所望のパターンのフォトマスクを形成するフォトマスク製造方法において、
照射電荷量とフォトマスクパターンの寸法精度との第１の関係を求める工程と、
前記第１の関係に基づいて、与えられた寸法精度から照射電荷量を決定する工程と、
決定された前記照射電荷量に基づいて、該照射電荷量で所望の寸法のレジストパターンが形成されるレジストを選択する工程と、
描画パターン毎に、前記荷電ビーム描画装置の描画条件と選択された前記レジストを前記照射電荷量で描画するのに必要な描画時間との第２の関係を求める工程と、
描画時間に対して与えられた条件と前記第２の関係に基づいて、前記描画パターン毎に、前記描画条件を決定する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスク製造方法。
【請求項２】
荷電ビーム描画装置を用いてフォトマスク材の上に塗布したレジストに荷電ビームを照射することにより、所望のパターンのフォトマスクを形成するフォトマスク製造方法において、
レジスト中での酸拡散径に対する照射電荷量の比と、フォトマスクパターンの寸法精度との第１の関係を求める工程と、
前記第１の関係に基づいて、与えられた寸法精度からレジスト中での酸拡散径に対する照射電荷量の比を決定する工程と、
決定された前記比を満たす照射電荷量及び酸拡散径に基づいて、該照射電荷量で所望の寸法のレジストパターンが形成され、且つ該酸拡散径を有しているレジストを選択する工程と、
描画パターン毎に、前記荷電ビーム描画装置の描画条件と選択された前記レジストを前記照射電荷量で描画するのに必要な描画時間との第２の関係を求める工程と、
描画時間に対して与えられた条件と前記第２の関係に基づいて、前記描画パターン毎に、前記描画条件を決定する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスク製造方法。
【請求項３】
前記描画条件を決定する工程において、描画するパターン毎の前記必要な描画時間の合計が最小となるように前記描画条件を決定する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスク製造方法。
【請求項４】
前記描画条件は、電流密度、最大ショットサイズ、描画多重度のいずれかを含んでいる
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のフォトマスク製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４に記載されたフォトマスク製造方法によって製造されたフォトマスクを用いて半導体装置を製造する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電ビーム描画装置を用いたフォトマスクの製造方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子製造に用いられるフォトマスク基板上に半導体回路パターンを形成するために、荷電ビーム描画装置、特に、電子ビーム描画装置を用いて基板上に塗布された感光剤を露光し、露光後の基板に対して現像、エッチング等のプロセス処理を施すことにより基板上に所望の回路パターンを形成する方法が広く用いられている。
【０００３】
製造されたフォトマスクに要求される精度の１つとして、現像、エッチング等のプロセスの影響を受けない狭い範囲での寸法精度であるローカルＣＤ(Critical Dimension)精度が挙げられる。ローカルＣＤ精度とは、プロセスの処理の不安定性の影響を受けない狭い領域での寸法精度再現性のことである。これまでローカルＣＤ精度劣化の要因は、ビームのぼけ、描画装置のビーム照射位置誤差等に起因するパターンエッジラフネスに起因するものであると認識され、描画装置の改良によりローカルＣＤ精度の改善がなされてきた。しかしながら、描画装置の性能改善が進むに従い描画装置以外の原因によるパターンエッジラフネスの劣化が観測されるようになってきた。
【０００４】
ローカルＣＤ精度の劣化要因の１つにショットノイズと呼ばれる現象がある。これは照射した荷電ビーム位置のパターンエッジ部における確率的な偏在によりパターンエッジ部にラフネスが発生し、有限な幅をもつＲＯＩ(Region Of Interest)にて測定を行った場合には、検出されるＣＤ精度に限界が生じるというものである。
【０００５】
一般的に用いられる化学増幅型レジストを用いて電子ビーム描画装置を使用した場合、ローカルＣＤ精度の限界は、使用したレジストの酸拡散径、ビーム分解能、入射電子数（照射電荷量）、測定ＲＯＩ幅により決定されるとの研究がある（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００６】
半導体デバイスの微細化、高精度化が進みフォトマスクに要求される精度が厳しくなって上記の限界に近づくに従い、要求される精度を達成するためにはショットノイズによるローカルＣＤ精度の劣化成分を低減する以外に方法がなくなってきている。特に描画装置の改良が進みビーム分解能が十分に改善されている状態では、ショットノイズによるローカルＣＤ精度の劣化を改善するためには、レジストの感度を低下させて所望のパターンを形成するために必要な入射電子数を増やす、あるいは、レジストの酸拡散径を小さくすることが必須となる。
【０００７】
このうち、レジストの感度はレジストを構成する成分比の調整で比較的容易に調整できるため、レジストを低感度化することはローカルＣＤ精度を向上するための最も効率の良い手法であると言える。
【０００８】
異なる感度を有する複数のレジストを用いることにより、所望のパターン寸法を形成するのに必要な照射電荷量を変化させた場合に得られるローカルＣＤ精度を実験的に求めることができる。
【０００９】
その結果、照射電荷量Ｄの平方根の逆数（即ち、Ｄ−１／２）と、ローカルＣＤ精度とは、非特許文献１に示された結果から予測されるとおり比例関係にあり、照射電荷量Ｄを増加（同時にレジスト感度を低下）させるほど、ローカルＣＤ精度は改善されていることがわかる。
【００１０】
このようにローカルＣＤ精度を改善するためにはレジストを低感度化して照射電荷量を増加させることが有効な手段であるが、照射電荷量が増加すると描画時の電子ビーム照射時間が増大し、描画スループットの低下を引き起こすという問題が生じる。
【００１１】
これに対して、描画装置の電流密度を高く設定し、一定時間内に照射できる電荷量を増やして、レジストの低感度化によるスループットの低下を抑制するという手段が考えられる。しかし、この場合、空間電荷効果（ビーム分解能の悪化）、レジストヒーティング（熱による化学的組成の変化）の影響による精度の劣化が予測される。
【００１２】
従って、可変成型ビーム方式を使用している場合には最大ショットサイズの縮小、あるいは、描画多重度の増加という施策を、ラスタービーム方式の場合でもショットサイクルの遅延などの施策を行う必要があり、いずれも描画時間を増大させることとなり問題であった。
【非特許文献１】Ming L. Yu,他,“Exploring the fundamental limit of CD control :shot noise and CD uniformity improvement through resist thickness”,Proceedngs of SPIE Vol. 5853,p.42-51
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、荷電ビーム描画装置を用いた描画スループットの高いフォトマスクの製造方法、及び生産性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この発明の第１の態様に係るフォトマスク製造方法は、荷電ビーム描画装置を用いてフォトマスク材の上に塗布したレジストに荷電ビームを照射することにより、所望のパターンのフォトマスクを形成するフォトマスク製造方法において、照射電荷量とフォトマスクパターンの寸法精度との第１の関係を求める工程と、前記第１の関係に基づいて、与えられた寸法精度から照射電荷量を決定する工程と、決定された前記照射電荷量に基づいて、該照射電荷量で所望の寸法のレジストパターンが形成されるレジストを選択する工程と、描画パターン毎に、前記荷電ビーム描画装置の描画条件と選択された前記レジストを前記照射電荷量で描画するのに必要な描画時間との第２の関係を求める工程と、描画時間に対して与えられた条件と前記第２の関係に基づいて、前記描画パターン毎に、前記描画条件を決定する工程とを含む。
【００１５】
この発明の第２の態様に係るフォトマスク製造方法は、荷電ビーム描画装置を用いてフォトマスク材の上に塗布したレジストに荷電ビームを照射することにより、所望のパターンのフォトマスクを形成するフォトマスク製造方法において、レジスト中での酸拡散径に対する照射電荷量の比と、フォトマスクパターンの寸法精度との第１の関係を求める工程と、前記第１の関係に基づいて、与えられた寸法精度からレジスト中での酸拡散径に対する照射電荷量の比を決定する工程と、決定された前記比を満たす照射電荷量及び酸拡散径に基づいて、該照射電荷量で所望の寸法のレジストパターンが形成され、且つ該酸拡散径を有しているレジストを選択する工程と、描画パターン毎に、前記荷電ビーム描画装置の描画条件と選択された前記レジストを前記照射電荷量で描画するのに必要な描画時間との第２の関係を求める工程と、描画時間に対して与えられた条件と前記第２の関係に基づいて、前記描画パターン毎に、前記描画条件を決定する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、荷電ビーム描画装置を用いた描画スループットの高いフォトマスクの製造方法、及び生産性の高い半導体装置の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図面において、対応する部分には対応する符号を付し、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で示している。
【００１８】
(第１の実施形態)
本発明の第１の実施形態に関わるフォトマスク製造方法を図１乃至図５、及び図６のフローチャートを用いて説明する。
【００１９】
本実施形態においては、照射電荷量とフォトマスクパターンの寸法精度との関係をあらかじめ求め、その関係に基づいて、与えられたマスクパターンの寸法精度から適切な照射電荷量を決定する。
【００２０】
一般にフォトマスクの製造においては、石英製のマスクブランクスの表面にＣｒ等の遮光膜が形成されており、その上に塗布されたレジストに荷電ビームでパターンを描き、現像、エッチング等のプロセス処理を経て、遮光膜上に所望のパターンを形成する。
【００２１】
本実施形態に係るフォトマスク製造方法においては、可変成型方式の電子ビーム描画装置を使用する。まず、この電子ビーム描画装置を用いて、異なる感度を有する複数のレジストを用いることにより、所望のパターン寸法を形成するのに必要な照射電荷量Ｄを変化させた場合に得られるローカルＣＤ精度を実験的に求める（図６のステップＳ１０１）。
【００２２】
ここで、照射電荷量Ｄとは単位面積当たりに照射される電荷量である。レジストの感度は、現像等のプロセスを施した後に所望の寸法のレジストパターンを形成するのに必要な照射電荷量Ｄで定義される。ローカルＣＤ精度は、現像、エッチング等のプロセスの影響を受けない狭い範囲でのフォトマスクに要求される寸法精度であり、ここでは、ＣＤのばらつきを示すＣＤの標準偏差σの３倍である３σを用いる。
【００２３】
本実施形態においては、所望のパターン寸法が形成されるために必要十分な感度を有するレジストを選択できるように複数の感度のレジストを用意してある。これら複数のレジストはその成分物質の含有量が異なるものでもよいし、成分物質自体が異なるものでもよい。
【００２４】
図１は、上でのべた実験によって求められたローカルＣＤ精度（３σ）と照射電荷量Ｄの関係（第１の関係）を示したグラフである。図１から、照射電荷量Ｄの平方根の逆数（即ち、Ｄ−１／２）と、ローカルＣＤ精度（３σ）とがほぼ比例関係にあることがわかる。
【００２５】
従って、製造するフォトマスクに要求されるローカルＣＤ精度が図１の中のＷ０である場合、この精度を達成するために必要十分なレジストへの照射電荷量はＤ０となるので、照射電荷量はＤ０と決定される（ステップＳ１０２）。よって、照射電荷量Ｄ０で所望のパターン寸法が形成される感度を有するレジストを選択することとなる（ステップＳ１０３）。
【００２６】
なお、本実施形態においては、ローカルＣＤ精度と照射電荷量の関係は予め実験的に取得したものを使用しているが、理論的な予測に基づくもの、実験的に取得したデータに対して数学的な処理を施して得られたものを使用してもよい。
【００２７】
次に、上で選択されたレジストを使用した場合において、描画するパターン毎に、最適な描画条件を決定する。
【００２８】
一般的には描画装置の描画条件の１つである電流密度を増加させると、単位時間内に照射できる電荷量が増加するため描画時間が短くなる。しかし、電流密度を変化させると、空間電荷効果によるビーム分解能、即ち、ビームのボケ量Ｒが変化する。ビーム分解能、即ち、ビームのボケ量Ｒは１ショット内の電流に比例し、１ショット内の電流は最大ショットサイズ（断面積）と電流密度の積である。
【００２９】
そのため、精度（ビーム分解能）を維持するためには１ショット内の電流が規定値以下となるように最大ショットサイズを制限する必要が生じる。このため、図２に示すように電流密度を増加させると最大ショットサイズが小さくなる傾向がある。
【００３０】
最大ショットサイズが小さくなると、同一パターンを形成するために必要なショット数が増加するため描画時間は増大することになる。図３は最大ショットサイズと与えられたパターンを形成するために必要なショット数の関係を図示したものである。
【００３１】
図３からわかるように、パターンの種類によりショット数の増大傾向が異なっている。例えば、パターン内に含まれる図形が最大ショットサイズよりも十分に小さいサイズであれば、最大ショットサイズが小さくなってもショット数は増加しない（パターン１）。ただし、最大ショットサイズが極端に小さくなった場合は、全てのパターンにおいてショット数は当然増加する。
【００３２】
一方、パターン内に含まれる図形が最大ショットサイズよりも十分に大きい場合には、ショット数は最大ショットサイズ面積（最大ショットサイズの２乗）に反比例して増加することとなる（パターン３）。パターン２は、パターン１とパターン３の中間のケースで、例えば、最大ショットサイズに反比例してショット数が増加する場合などが考えられる。
【００３３】
図３に示された最大ショットサイズとショット数の関係と、図２に示された電流密度と最大ショットサイズの関係とから、電流密度とショット数の関係を導くことができる。さらに各パターンの描画時間は以下の式（１）で表現できる。
【００３４】
描画時間＝１ショットに要する時間  ×  ショット数
＝（ビーム照射時間＋整定時間）×  ショット数            （１）
１ショットに要する時間は、ビーム照射時間と整定時間の和で表現できる。ビーム照射時間は、ビームを実際に照射している時間であり、ステップＳ１０２で決定された照射電荷量を与えられた電流密度で照射するのにかかる時間であり、電流密度には反比例する。また（ショット）整定時間は、各ショット毎にビームを照射するための準備動作に必要なオフセットタイムであり固定値である。さらに、ショット数は、一般には、１つのパターンを描画するのに位置を変えたショットが必要となることによって増えるが、同じ位置で、例えばビーム照射時間を半分にして２ショット描画する等の描画多重度を持たせた描画を行うことによっても増加する。
【００３５】
式（１）に従って、各パターン毎に、特定の電流密度で描画した際に１ショットに要する時間を算出してショット数に掛けることにより、その電流密度での描画時間が算出できる。よって、上で導いた電流密度とショット数の関係と式（１）とから、図４に示すように、各パターン毎の電流密度と描画時間との関係（第２の関係）を求めることができる（ステップＳ１０４）。
【００３６】
図４に示されるように、描画するパターンに依存して、電流密度を増加するに従って描画時間を低減できる場合（パターン１）、描画時間を最小にする電流密度の値が存在する場合（パターン２）、電流密度の増加に伴い描画時間が増大する場合（パターン３）が存在することが分かる。
【００３７】
従って、図４で示される関係に基づいて、パターン１の場合は、描画装置の性能として可能な限り電流密度を高く設定し、パターン２の場合は、最も描画時間が短縮できる電流密度であるＪ２０に電流密度を設定し、パターン３の場合は、描画装置の性能として可能な限り電流密度を低く設定する。このことによりパターン毎の描画時間の合計が最小となるように最適化することが可能となる。
【００３８】
また、例えば、各パターン毎の描画時間をＴ０以下にしたいという条件が与えられた場合には、図５に示されるように、パターン１の場合は、電流密度をＪ１以上に、パターン２の場合は、電流密度をＪ２１とＪ２２の間に、パターン３の場合は、電流密度をＪ３以下になるように設定してもよい（ステップＳ１０５）。
【００３９】
本実施形態における描画時間の算出においては、電流密度、整定時間、描画多重度等を考慮して計算したが、その他にも描画装置の定期的な調整時間等の描画時間に寄与するパラメータを含めた計算をすることも可能である。また、本実施形態においては個々のパターンに対して最適な電流密度を算出する方法を示したが、例えばパターン被覆率、最小寸法等のパラメータを基準にして複数のパターンの平均的なデータを元に電流密度を設定することも可能である。
【００４０】
また、本実施形態においては、描画時間に対して最適化する荷電ビーム描画装置の描画条件として電流密度を例にとって説明したが、図２の関係を用いて、最適化する描画条件を最大ショットサイズとしてもかまわない。また、他の描画条件を固定して、描画多重度等を描画時間に対して最適化する描画条件としてもよい。
【００４１】
(第２の実施形態)
本発明の第２の実施形態に関わるフォトマスク製造方法を図７、図８、及び図９のフローチャートを用いて説明する。
【００４２】
本実施形態においては、使用するレジストの特性として感度のみでなくレジスト中の酸の拡散径も考慮に入れる。即ち、レジスト中での酸拡散径に対する照射電荷量の比とフォトマスクパターンの寸法精度との関係をあらかじめ求め、その関係に基づいて、与えられたマスクパターンの寸法精度からレジスト中での酸拡散径に対する照射電荷量の適切な比を決定する。
【００４３】
非特許文献１の報告によると、描画装置のビーム分解能がレジスト中の酸拡散径に比べて十分に小さい場合には、ショットノイズによるローカルＣＤ精度（３σ）は酸拡散径ｒの平方根にも比例することが示唆されている。また、先に述べたように、ローカルＣＤ精度は、照射電荷量Ｄの平方根の逆数（即ち、Ｄ−１／２）とも比例関係にある。実際、実験によってローカルＣＤ精度と、酸拡散径に対する照射電荷量の比との関係（第１の関係）を求めると（図９のステップＳ２０１）、図７に示すように、ローカルＣＤ精度が（ｒ／Ｄ）の平方根と比例するグラフとなる。
【００４４】
従って、製造するフォトマスクに要求されるローカルＣＤ精度が図７の中のＷ０であった場合、この精度を達成するために必要十分な照射電荷量Ｄと酸拡散径ｒの比が決定される（ステップＳ２０２）。図７の場合、例えばその比を満たす関係として、レジストへの照射電荷量はＤ０、レジスト中での酸拡散径はｒ０となる。よって、照射電荷量Ｄ０で所望のパターン寸法が形成され、かつ、酸の拡散径がｒ０であるレジストを選択することとなる（ステップＳ２０３）。
【００４５】
なお、本実施形態においては、ローカルＣＤ精度と照射電荷量及び酸拡散径との関係は予め実験的に取得したものを使用しているが、理論的な予測に基づくもの、実験的に取得したデータに対して数学的な処理を施して得られたものを使用してもよい。
【００４６】
次に第１の実施形態と同様に、上で選択されたレジストを使用した場合において、描画するパターン毎に、最適な描画条件を決定する。
【００４７】
この際、空間電荷効果によるビーム分解能、即ち、ビームのボケ量Ｒに関しては、使用するレジスト中での酸拡散径に対してビーム分解能が十分に小さい範囲内で許容されるため、酸拡散径に応じて最大ショットサイズの許容幅が存在することとなる。図８は酸拡散径に応じてビームボケ量の許容値を変化させた場合について電流密度と最大ショットサイズの関係を図示したものである。第１の実施形態でも述べたように、ビームボケ量Ｒは１ショット内の電流に比例し、１ショット内の電流は最大ショットサイズ（断面積）と電流密度の積である。
【００４８】
図８のパターン１は酸の拡散径の大きなレジストを選択した場合の例である。この場合、酸の拡散径の大きさに応じてビームのボケ量Ｒ、即ち、最大ショットサイズ（断面積）と電流密度の積が大きくても許容されるため、電流密度が高くなっても最大ショットサイズを大きくできることを示している。
【００４９】
他方、パターン２は酸の拡散径の小さなレジストを選択した場合の例であり、ビームのボケ量Ｒは小さく抑えなければならないため、パターン１に比較して使用できる最大ショットサイズは小さくなる。
【００５０】
図８に示されるように、ステップＳ２０３で選択したレジストに依存して電流密度と最大ショットサイズの関係が求められるので。この関係と、図３に示した最大ショットサイズと与えられたパターンを形成するために必要なショット数の関係及び式（１）とから、図４に示したような各パターン毎の電流密度と描画時間との関係（第２の関係）を求めることができる（ステップＳ２０４）。
【００５１】
ステップＳ２０４で求めた各パターン毎の電流密度と描画時間との関係に基づいて、第１の実施形態と同様に、パターン毎に描画時間が最小となるような電流密度を選択することができる。このことによりパターン毎の描画時間の合計が最小となるように最適化することが可能となる。
【００５２】
また例えば、各パターン毎の描画時間をＴ０以下にしたいという条件が与えられた場合にも、第１の実施形態と同様に、例えば図５に示したようにパターン１の場合は、電流密度をＪ１以上に、パターン２の場合は、電流密度をＪ２１とＪ２２の間に、パターン３の場合は、電流密度をＪ３以下になるように設定してもよい（ステップＳ２０５）。
【００５３】
本実施形態における描画時間の算出においても、電流密度、整定時間の他、描画多重度や描画装置の定期的な調整時間等の描画時間に寄与するパラメータを考慮して計算することも可能である。また、本実施形態においても個々のパターンに対して最適な電流密度を算出する方法を示したが、例えばパターン被覆率、最小寸法等のパラメータを基準にして複数のパターンの平均的なデータを元に電流密度を設定することも可能である。
【００５４】
また、本実施形態においても、描画時間に対して最適化する荷電ビーム描画装置の描画条件として電流密度を用いて説明したが、図８の関係を用いて、最適化する描画条件を最大ショットサイズとしてもかまわない。また、他の描画条件を固定して、描画多重度等を描画時間に対して最適化する描画条件としてもよい。
【００５５】
荷電ビーム描画装置によるフォトマスク製造時のパターンエッジラフネスを低減するためには、レジストの感度を低下させて所望のパターンを形成するために必要な単位面積当たりの入射荷電粒子を増やすことが必要である。しかしながら、レジスト感度の低下は、一般にパターン描画時のビーム照射時間の増大を招き、描画スループットの低下を引き起こすという問題を生じていた。
【００５６】
本発明の第１及び第２の実施形態においては、要求されるフォトマスクパターンの寸法精度を満足し、且つ所望の寸法のレジストパターンが形成されるレジストを選択する。さらに選択されたレジストにおいて描画するパターン毎に荷電ビーム描画装置の描画条件と描画スループットとの関係から、最も生産性の高い描画条件を算出する。これにより、描画時間の最小化或いは最適化が可能となる。従って、上記第１又は第２の実施形態に係るフォトマスク製造方法でフォトマスクを製造し、そのフォトマスクを用いて半導体装置を製造することにより、半導体装置の生産効率を高めることが可能となる。
【００５７】
なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。更に、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る照射電荷量とローカルＣＤ精度の関係を示した図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る電流密度と最大ショットサイズの関係を示した図。
【図３】最大ショットサイズと与えられたパターンを形成するために必要なショット数の関係を示す図。
【図４】各パターン毎の電流密度と描画時間との関係を示す図。
【図５】与えられた描画時間の条件を満足する各パターン毎の電流密度の範囲を示す図。
【図６】本発明の第１の実施形態に係るフォトマスク製造方法を示すフローチャート。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る酸拡散径に対する照射電荷量の比とローカルＣＤ精度の関係を示した図。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る電流密度と最大ショットサイズの関係を示した図。
【図９】本発明の第２の実施形態に係るフォトマスク製造方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００５９】
Ｓ１０１〜Ｓ１０５、Ｓ２０１〜Ｓ２０５…ステップ。
【図１】
2008175959.tif 000003
【図２】
2008175959.tif 000004
【図３】
2008175959.tif 000005
【図４】
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【図５】
2008175959.tif 000007
【図６】
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【図７】
2008175959.tif 000009
【図８】
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【図９】
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