(57)【要約】【課題】  ウェットエッチングによる残渣の発生を減少させる。【解決手段】  基部２とこの基部２を中心に放射状に延出する複数の検出腕部３と、隣り合う該検出腕部３，３，３の端部と連結する複数の励振腕部４，４，４とを備えるｎ回対称性を有する圧電材料からなる圧電片１０であって、前記基部２と前記検出腕部３とで形成される入隅部Ｃと、前記検出腕部３と前記励振腕部４とで形成される入隅部Ｃとが穿孔により形成されることを特徴とする。【選択図】      図１
2008010786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と該基部を中心に放射状に延出する複数の検出腕部と、隣り合う該検出腕部の端部と連結する複数の励振腕部とを備えるｎ回対称性を有する圧電材料からなる圧電片であって、
前記基部と前記検出腕部とで形成される入隅部と、前記検出腕部と前記励振腕部とで形成される入隅部とが穿孔により形成されることを特徴とする圧電片。
【請求項２】
基部と該基部の一方から延出する励振腕部と該基部の他方から延出する検出腕部とを備えるｎ回対称性を有する圧電材料からなる圧電片であって、
前記基部と前記励振腕部とで形成される入隅部と、前記基部と前記検出腕部とで形成される入隅部とが穿孔により形成されることを特徴とする圧電片。
【請求項３】
基部と該基部を中心に放射状に延出する複数の検出腕部と、隣り合う該検出腕部の端部と連結する複数の励振腕部とを備えるｎ回対称性を有する圧電材料からなる圧電片を形成する圧電片形成方法であって、
結晶育成装置により育成された結晶体を整形し、前記結晶体の主面において前記振動片の前記基部と前記検出腕部とで形成される入隅部となる部分と、前記検出腕部と前記励振腕部とで形成される入隅部となる部分とを穿孔する穿孔工程と、
穿孔された前記結晶体を該結晶体の主面と平行にスライスして板状体に整形する板状体整形工程と、
前記板状体において前記穿孔した部分が前記圧電片の前記入隅部となるように前記板状体に前記圧電片を形成する圧電片形成工程と、
を備えることを特徴とする圧電片形成方法。
【請求項４】
基部と該基部を中心に放射状に延出する複数の検出腕部と、隣り合う該検出腕部の端部と連結する複数の励振腕部とを備えるｎ回対称性を有する圧電材料からなる圧電片を形成する圧電片形成方法であって、
結晶育成装置により育成された結晶体の主面と平行又は所定の角度でスライスして板状体に整形する板状体整形工程と、
前記板状体の主面において前記基部と前記検出腕部とで形成される入隅部となる部分と、前記検出腕部と前記励振腕部とで形成される入隅部となる部分とを穿孔する穿孔工程と、
前記板状体において前記穿孔した部分が前記圧電片の前記入隅部となるように前記板状体に前記圧電片を形成する圧電片形成工程と、
を備えることを特徴とする圧電片形成方法。
【請求項５】
基部と該基部の一方から延出する励振腕部と該基部の他方から延出する検出腕部とを備えるｎ回対称性を有する圧電材料からなる圧電片を形成する圧電片形成方法であって、
結晶育成装置により育成された結晶体を整形し、前記結晶体の主面において前記基部と前記励振腕部とで形成される入隅部となる部分と、前記基部と前記検出腕部とで形成される入隅部となる部分とを穿孔する穿孔工程と、
穿孔された前記結晶体を該結晶体の主面と平行にスライスして板状体に整形する板状体整形工程と、
前記板状体において前記穿孔した部分が前記圧電片の前記入隅部となるように前記板状体に前記圧電片を形成する圧電片形成工程と、
を備えることを特徴とする圧電片形成方法。
【請求項６】
基部と該基部の一方から延出する励振腕部と該基部の他方から延出する検出腕部とを備えるｎ回対称性を有する圧電材料からなる圧電片を形成する圧電片形成方法であって、
結晶育成装置により育成された結晶体の主面と平行又は所定の角度でスライスして板状体に整形する板状体整形工程と、
前記結晶体の主面において前記基部と前記励振腕部とで形成される入隅部となる部分と、前記基部と前記検出腕部とで形成される入隅部となる部分とを穿孔する穿孔工程と、
前記板状体において前記穿孔した部分が前記圧電片の前記入隅部となるように前記板状体に前記圧電片を形成する圧電片形成工程と、
を備えることを特徴とする圧電片形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に用いられる圧電片及び圧電片形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器、例えば、携帯情報端末装置等の移動体通信機は、単なる通話機能に加えて様々な付加的機能が組み込まれつつも小型化が進んでいる。これに伴いこの移動体通信機に用いられる電子部品もさらなる小型化が求められている。ここで、電子部品の一例として角速度センサ素子について説明する。この角速度センサ素子においては、水晶振動素子と比較して電極の数が多く、多軸化が進むと小型の圧電片に多くの電極を配置することとなる（例えば、特許文献１参照）。この角速度センサ素子に用いる圧電片を人工水晶から形成する場合、圧電片は、例えば、圧電ウェハにプロテクト膜を形成し、その上にレジスト膜を形成し、圧電片の外形となるマスクを重ねて露光し、ウェットエッチングを行って形成される。さらには、圧電ウェハは、育成された結晶体をランバート加工し、薄く切断して厚さを均一にするために厚み研磨を行い、その後、ポリッシュ、ライトエッチング等の整形が行われて形成される。
【０００３】
例えば、図７に示すように、圧電片１００を、基部２とこの基部２から放射状に延出する複数の検出腕部３と隣り合う検出腕部３の端部と接続する励振腕部４とで構成した場合、前記に示す工程でこの圧電片を形成すると、検出腕部３と励振腕部４とで形成される入隅部Ｃに残渣Ｎが生じ、基部２と検出腕部３とで形成される入隅部Ｃにも残渣Ｎが生じる。また基部、励振腕部、検出腕部、のそれぞれに、非対称な残渣Ｎが生じる。
この残渣Ｎは、検出腕部３の側面と励振腕部４の側面とを入隅部Ｃでつなぐように生じ、基部２の側面と検出腕部３の側面とを入隅部Ｃでつなぐように生じる。
なお、この圧電片１００の所定の部位に励振電極、検出電極等が設けられると慣性センサ素子となる。
【特許文献１】特開２００６−１７５３８号公報（段落００１１〜００３５、図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、圧電ウェハから圧電片１００をウェットエッチングで形成する場合、エッチングの異方性による影響で結晶面のエッチングレートが異なることにより、圧電片１００の外形が圧電ウェハの主面に対して直角方向にかたどられずに残渣Ｎが生じ、圧電片１００の外形形状（形状）は、非対称となる。
このような残渣Ｎは、圧電片１００の形状が鋭角になる部分に多く形成されることがあり、振動バランスの悪化によるスプリアスモードとの結合、温度特性の悪化、Ｑ値の低下等の振動特性を悪化させる原因となっていた。
【０００５】
そこで、本発明では、前記した問題を解決し、残渣の発生を減少させる圧電片及び圧電片形成方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するため、本発明は、基部と該基部を中心に放射状に延出する複数の検出腕部と、隣り合う該検出腕部の端部と連結する複数の励振腕部とを備えるｎ回対称性を有する圧電材料からなる圧電片であって、前記基部と前記検出腕部とで形成される入隅部と、前記検出腕部と前記励振腕部とで形成される入隅部とが穿孔により形成されることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明は、基部と該基部の一方から延出する励振腕部と該基部の他方から延出する検出腕部とを備えるｎ回対称性を有する圧電材料からなる圧電片であって、前記基部と前記励振腕部とで形成される入隅部と、前記基部と前記検出腕部とで形成される入隅部とが穿孔により形成されることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明は、基部と該基部を中心に放射状に延出する複数の検出腕部と、隣り合う該検出腕部の端部と連結する複数の励振腕部とを備えるｎ回対称性を有する圧電材料からなる圧電片を形成する圧電片形成方法であって、結晶育成装置により育成された結晶体を整形し、前記結晶体の主面において前記振動片の前記基部と前記検出腕部とで形成される入隅部となる部分と、前記検出腕部と前記励振腕部とで形成される入隅部となる部分とを穿孔する穿孔工程と、穿孔された前記結晶体を該結晶体の主面と平行にスライスして板状体に整形する板状体整形工程と、前記板状体において前記穿孔した部分が前記圧電片の前記入隅部となるように前記板状体に前記圧電片を形成する圧電片形成工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、基部と該基部を中心に放射状に延出する複数の検出腕部と、隣り合う該検出腕部の端部と連結する複数の励振腕部とを備えるｎ回対称性を有する圧電材料からなる圧電片を形成する圧電片形成方法であって、結晶育成装置により育成された結晶体の主面と平行又は所定の角度でスライスして板状体に整形する板状体整形工程と、前記板状体の主面において前記基部と前記検出腕部とで形成される入隅部となる部分と、前記検出腕部と前記励振腕部とで形成される入隅部となる部分とを穿孔する穿孔工程と、前記板状体において前記穿孔した部分が前記圧電片の前記入隅部となるように前記板状体に前記圧電片を形成する圧電片形成工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、基部と該基部の一方から延出する励振腕部と該基部の他方から延出する検出腕部とを備えるｎ回対称性を有する圧電材料からなる圧電片を形成する圧電片形成方法であって、結晶育成装置により育成された結晶体を整形し、前記結晶体の主面において前記基部と前記励振腕部とで形成される入隅部となる部分と、前記基部と前記検出腕部とで形成される入隅部となる部分とを穿孔する穿孔工程と、穿孔された前記結晶体を該結晶体の主面と平行にスライスして板状体に整形する板状体整形工程と、前記板状体において前記穿孔した部分が前記圧電片の前記入隅部となるように前記板状体に前記圧電片を形成する圧電片形成工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、基部と該基部の一方から延出する励振腕部と該基部の他方から延出する検出腕部とを備えるｎ回対称性を有する圧電材料からなる圧電片を形成する圧電片形成方法であって、結晶育成装置により育成された結晶体の主面と平行又は所定の角度でスライスして板状体に整形する板状体整形工程と、前記結晶体の主面において前記基部と前記励振腕部とで形成される入隅部となる部分と、前記基部と前記検出腕部とで形成される入隅部となる部分とを穿孔する穿孔工程と、前記板状体において前記穿孔した部分が前記圧電片の前記入隅部となるように前記板状体に前記圧電片を形成する圧電片形成工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
このような圧電片によれば、エッチング前に圧電片の入隅部を穿孔したことで、この入隅部に生じる残渣を従来よりも減少させることができる。
また、このような圧電片形成方法によれば、圧電片を形成する前に入隅部となる部分を穿孔することにより、従来よりも入隅部に生じる残渣を減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、本発明を実施するための最良の形態（以下、「実施形態」という。）について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、ｎ回対称性（例えば、ｎ＝３、６等）を有する圧電材料を３回対称性を有する水晶として説明する。
【００１４】
（第一の実施形態）
図１は本発明の第一の実施形態に係る圧電片の一例を示す平面図である。図２は、結晶体の一例を示す斜視図である。図３は図２におけるＡ矢視方向から見た結晶体を穿孔した状態を示す平面図である。図４は、整形した結晶体を板状体にした状態を示す図である。図５は、板状体に圧電片を形成した状態の一例を示す図である。
【００１５】
図１に示すように、本発明の第一の実施形態に係る圧電片１０は、基部２と該基部２を中心に放射状に延出する複数の検出腕部３と、隣り合う該検出腕部３，３の端部と連結する複数の励振腕部４とを備えている。
このように構成される圧電片１０は、基部２と検出腕部３とで入隅部Ｃが形成され、検出腕部３と励振腕部４とで入隅部Ｃが形成される。
【００１６】
ここで、入隅部Ｃとは、凹んで形成されるコーナー部分（角部分）をいう。
この入隅部Ｃは、穿孔により設けられる。穿孔には、例えば、超音波加工等の従来周知の穿孔手段が用いられる。
これにより、結晶体Ｋ１（図２参照）に微少な貫通孔Ｈ（図３参照）を穿孔することができる。なお、設ける貫通孔Ｈの大きさにより、機械的な手段で穿孔を行っても良い。例えば、ドリル等を用いることができる。この穿孔によって圧電片１０の入隅部Ｃに生じる残渣Ｎを減らすことができるようになっている。なお、結晶体Ｋ１は、例えば、Ｚ板ａｓ−ｇｒｏｗｎ人工水晶からなる。
【００１７】
これは、従来は、ウェットエッチングを行うと、この入隅部Cでエッチングレートの異なる結晶面で残渣Ｎが連結することとなり、残渣Ｎが多く生じていたが、基部２と検出腕部３とで形成される入隅部Ｃと、検出腕部３と励振腕部４とで形成される入隅部Ｃとを穿孔したことにより、圧電片１０のウェットエッチングで形成される部分において、従来よりも入隅部Cに生じる残渣Ｎを減少させることができる。
【００１８】
このように、本発明の第一の実施形態に係る圧電片１０を構成したので、ウェットエッチング前に入隅部Ｃを穿孔したことで、この入隅部Ｃに生じる残渣Ｎを減少させることができる。
具体的には、圧電片１０の入隅部Ｃとなる部分を穿孔した状態でウェットエッチングを行うと、エッチングレートの早い厚み方向が先に侵食されると、その侵食された部分が穿孔した部分にまで達し、残渣Ｎが、検出腕部３の側面と励振腕部４の側面とにつながらずに生じることとなり、また、基部２の側面と検出腕部３の側面とにつながらずに生じることとなる。この状態でウェットエッチングを続けると、基部２の側面に生じる残渣Ｎ、検出腕部３の側面に生じる残渣Ｎ、励振腕部４の側面に生じる残渣Ｎは、それぞれが隣り合う残渣に影響されずに侵食されることとなり、従来のように入隅部Ｃで侵食しきれなかった残渣Ｎを減少させることができる。
【００１９】
次に、本発明の第一の実施形態に係る圧電片１０の圧電片形成方法について説明する。
【００２０】
（穿孔工程）
結晶育成装置（図示せず）により育成された結晶体を整形（図２参照）し、前記結晶体の主面において基部２と検出腕部３とで形成される入隅部Ｃとなる部分と、検出腕部３と励振腕部４とで形成される入隅部Ｃとなる部分とを穿孔する。
ここで、結晶育成装置（図示せず）によって形成された結晶体は、Ｚ板ａｓ−ｇｒｏｗｎ人工水晶であって、育成した状態ではその表面が波打つように不均一となっている（図示せず）。この不均一な状態をランバート加工により均一な表面となる結晶体Ｋ１（図２参照）に整形する。
この結晶体Ｋ１に、例えば、最終的に設ける圧電片１０の形状を記し、入隅部Ｃとなる部分を穿孔する（図３参照）。
【００２１】
（板状体整形工程）
穿孔された結晶体Ｋ１を該結晶体Ｋ１の主面と平行にスライスして板状体Ｋ２（図４参照）に整形する。
ここで、穿孔が完了した後に、結晶体Ｋ１の主面と平行にスライス（切断）する。このスライスによって、結晶体Ｋ１から所定の厚さの複数の板状体Ｋ２を整形し、圧電ウェハとする。なお、スライスした後に、厚みを均一にするために厚み研磨、ポリッシュ、ライトエッチングを行って、表面が滑らかな状態の板状体Ｋ２にする。
【００２２】
（圧電片形成工程）
板状体Ｋ２において穿孔した貫通孔Ｈ（図３及び図４参照）が圧電片１０の入隅部Ｃとなるように板状体Ｋ２に圧電片１０を形成する（図５参照）。
ここで、板状体Ｋ２にプロテクト膜（図示せず）を形成し、このプロテクト膜の上にレジスト（図示せず）を形成する。この状態で、穿孔した貫通孔Ｈが圧電片１０の入隅部Ｃとなるように圧電片１０の形状を記したマスクを重ねて露光装置（図示せず）により当該板状体Ｋ２を露光させる。その後、板状体Ｋ２を現像し、露出する金属膜（プロテクト膜）をエッチングして除去し、板状体Ｋ２をウェットエッチングする。これにより圧電片１０の形状が板状体Ｋ２に設けられることとなる。
【００２３】
このとき、他の部分より残渣Ｎが多く生じる圧電片１０の入隅部Ｃが穿孔されているので、圧電片１０の入隅部Ｃとなる部分を穿孔した状態でウェットエッチングを行うと、エッチングレートの早い厚み方向が先に侵食され、その侵食された部分が穿孔した部分にまで達し、残渣Ｎが、検出腕部３の側面と励振腕部４の側面とにつながらずに生じることとなり、また、基部２の側面と検出腕部３の側面とにつながらずに生じることとなる。この状態でウェットエッチングを続けると、基部２の側面に生じる残渣Ｎ、検出腕部３の側面に生じる残渣Ｎ、励振腕部４の側面に生じる残渣Ｎは、それぞれが隣り合う残渣に影響されずに侵食されることとなり、従来のように入隅部Ｃで侵食しきれなかった残渣Ｎを減少させることができる。
【００２４】
このように、本発明の第一の実施形態に係る圧電片１０の圧電片形成方法を構成したので、入隅部Ｃに生じる残渣Ｎを減少させることができる。
【００２５】
このように形成される本発明の第一の実施形態に係る圧電片１０の励振腕部４に励振用電極（図示せず）を形成し検出腕部３に検出用電極（図示せず）を形成して、例えば、慣性センサ素子に用いれば、圧電片１０の形状が入隅部Ｃの部分で残渣Ｎによらず対称性を有しているので、残渣Ｎによる圧電片１０の形状の非対称性による振動バランスの悪化を防ぐことでスプリアスモードとの結合を防ぎ、温度特性が改善され、Ｑ値を増加させる等の振動特性を良好にさせる慣性センサ素子とすることができる。
【００２６】
なお、変形例として、板状体整形工程を行った後に穿孔工程を行って、その後、ウェットエッチングを行う圧電片形成工程を行っても良い。
この場合、結晶体Ｋ１を所定の角度でスライスして板状体Ｋ２を形成しても良い。
このようにすれば、各種振動モードに対応する圧電片を形成することができる。
このように構成しても、入隅部を穿孔しているので、第一の実施形態と同様の効果を奏する。
【００２７】
（第二の実施形態）
次に、本発明の第二の実施形態に係る圧電片２０について説明する。
図６は本発明の第二の実施形態に係る圧電片の一例を示す平面図である。
【００２８】
本発明の実施形態に係る圧電片２０は、基部２と該基部２の一方から延出する励振腕部４と該基部２の他方から延出する検出腕部３とを備えて構成されている点で第一の実施形態と異なる。
【００２９】
例えば、音叉型構造の圧電片の場合は、基部の一方の端部から延出する励振腕部と、この励振腕部と平行に当該基部の他方の端部から延出する検出腕部とから構成される。
また、例えば、Ｈ型構造の圧電片の場合は、基部の両端部から平行に延出する一対の励振腕部と、この励振腕部と反対側に当該基部の他方の両端部から延出する一対の検出腕部とから構成される。本実施形態では、圧電片２０がＨ型構造である場合について説明する。
【００３０】
このように、Ｈ型構造となる圧電片２０は、基部２と励振腕部４とで入隅部Ｃが形成され、基部２と検出腕部３とで入隅部Ｃが形成される。なお、このＨ型構造の圧電片２０の場合、この圧電片２０を支持する支持部Ｓが設けられるため、この支持部Ｓと基部２とでも入隅部Ｃが形成されることとなる。
【００３１】
なお、前記のとおり、入隅部Ｃとは、凹んで形成されるコーナー部分（角部分）をいう。
この入隅部Ｃは、穿孔により設けられる。穿孔には、例えば、超音波加工等の従来周知の穿孔手段が用いられる。これにより、ランバート加工された結晶体に微少な貫通孔を穿孔することができる。なお、設ける貫通孔の大きさにより、機械的な手段で穿孔を行っても良い。例えば、ドリル等を用いることができる。この穿孔によって圧電片２０の入隅部Ｃに生じる残渣Ｎを減らすことができるようになっている。
【００３２】
これは、基部２と検出腕部３とで形成される入隅部Ｃと、基部２と励振腕部４とで形成される入隅部Ｃとを穿孔したことにより、圧電片２０の入隅部Ｃとなる部分を穿孔した状態でウェットエッチングを行うと、エッチングレートの早い厚み方向が先に侵食され、その侵食された部分が穿孔した部分にまで達し、残渣Ｎが、基部２の側面と検出腕部３の側面とにつながらずに生じることとなり、また、基部２の側面と検出腕部３の側面とにつながらずに生じることとなる。この状態でウェットエッチングを続けると、基部２の側面に生じる残渣Ｎ、検出腕部３の側面に生じる残渣Ｎ、励振腕部４の側面に生じる残渣Ｎは、それぞれが隣り合う残渣に影響されずに侵食されることとなり、従来のように入隅部Ｃで侵食しきれなかった残渣Ｎを減少させることができる。
【００３３】
このように、本発明の第二の実施形態に係る圧電片２０を構成したので、エッチング前に入隅部Ｃを穿孔したことで、この入隅部Ｃに生じる残渣Ｎを減少させることができる。
【００３４】
次に、本発明の第二の実施形態に係る圧電片２０の圧電片形成方法について説明する。
本発明の第二の実施形態に係る圧電片２０の圧電片形成方法は、第一の実施形態と同様に、穿孔工程、板状体整形工程、圧電片形成工程とからなる。
【００３５】
（穿孔工程）
結晶育成装置（図示せず）により育成された結晶体を整形し、結晶体の主面において基部２と励振腕部４とで形成される入隅部Ｃとなる部分と、基部２と検出腕部４とで形成される入隅部Ｃとなる部分とを穿孔する。なお、基部２に支持部Ｓを設ける場合は、基部２と支持部Ｓとで形成される入隅部Ｃとなる部分も穿孔する。
【００３６】
ここで、結晶育成装置によって形成された結晶体は、主面がＺ面となるａｓ−ｇｒｏｗｎであって、育成した状態ではその表面が波打つように不均一となっており、この不均一な状態をランバート加工により均一にし表面を平坦に整形する。そして、例えば、最終的に設ける圧電片２０の形状を記したマスクをランバート加工された結晶体に重ね、入隅部Ｃとなる部分を穿孔する。
【００３７】
（板状体整形工程）
穿孔された結晶体を該結晶体の主面と平行にスライスして板状体に整形する。
【００３８】
（圧電片形成工程）
板状体において穿孔した部分が圧電片１０の入隅部Ｃとなるように板状体に圧電片２０を形成する。
【００３９】
このように、本発明の第二の実施形態に係る圧電片２０の圧電片形成方法を構成したので、入隅部Ｃに生じる残渣を減少させることができる。
【００４０】
このように形成される本発明の第二の実施形態に係る圧電片２０の励振腕部４に励振用電極を形成し検出腕部３に検出用電極を形成して、例えば、慣性センサ素子に用いれば、圧電片２０の形状が入隅部Ｃの部分で残渣Ｎによらず対称性を有しているので、残渣Ｎによる圧電片の形状の非対称性による振動バランスの悪化を防ぐことでスプリアスモードとの結合を防ぎ、温度特性が改善され、Ｑ値を増加させる等の振動特性を良好にさせる慣性センサ素子とすることができる。
【００４１】
なお、変形例として、板状体整形工程を行った後に穿孔工程を行い、その後、ウェットエッチングを行う圧電片形成工程を行っても良い。
この場合、結晶体を所定の角度でスライスして板状体を形成することができる。
このようにすれば、各種振動モードに対応する圧電片を形成することができる。
このように構成しても、入隅部におけるエッチングレートの異なる結晶面が穿孔により消滅しているので、第二の実施形態と同様の効果を奏する。
【００４２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態には限定されない。例えば、圧電片の形状は、三脚音叉構造の形状、王の字型構造の形状等、入隅部が形成される形状となっていれば、適宜、用いることができる。
また、圧電片の形状を形成する場合、穿孔した貫通孔を基準に圧電片の外形を画像認識装置を用いることもできる。例えば、貫通孔が設けられた板状体において、入隅部となる部分に設けられた複数の貫通孔から圧電片の外形形状を把握し、プロテクト膜、レジストを設けた後に、画像認識装置で把握させた圧電片の形状に沿っててマスクを重ね、露光させ、現像、ウェットエッチングを行うことにより圧電片の形状を形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る圧電片の一例を示す平面図である。
【図２】結晶体の一例を示す斜視図である。
【図３】図２におけるＡ矢視方向から見た結晶体を穿孔した状態を示す平面図である。
【図４】整形した結晶体を板状体にした状態を示す図である。
【図５】板状体に圧電片を形成した状態の一例を示す図である。
【図６】本発明の第二の実施形態に係る圧電片の一例を示す平面図である。
【図７】従来の圧電片の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０，２０  圧電片
２      基部
３      検出腕部
４      励振腕部
Ｃ      入隅部
Ｋ１    結晶体
Ｋ２    板状体
Ｎ      残渣
【図１】
2008010786.tif 000003
【図２】
2008010786.tif 000004
【図３】
2008010786.tif 000005
【図４】
2008010786.tif 000006
【図５】
2008010786.tif 000007
【図６】
2008010786.tif 000008
【図７】
2008010786.tif 000009