(57)【要約】      （修正有）【課題】フォトマスクの製造歩留まりを向上し、検査コストを抑制することができるフォトマスク欠陥判定方法を提供する。【解決手段】フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれる回路のデータが記録された回路データ１を準備し、これに基づいたレイアウトデータ２を準備する。さらにレイアウトデータ２を、ＲＥＴを用いて補償済みレイアウトデータ３に変換する。マスク製造用データ４中のそれぞれのパターンには、フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれるときに、電気的にアクティブな領域を形成するアクティブ領域対応パターンであるのか、又は、電気的にノンアクティブな領域を形成するノンアクティブ領域対応パターンであるのかに係る属性情報が付与されている。検査工程６において、フォトマスク上に形成されたパターンが欠陥を有するか否かを判定するときにはこの属性情報に応じて欠陥判定基準が変更される。【選択図】図１
2008299259.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれる回路のデータが記録された回路データを準備する回路データ準備ステップと、
該回路データに基づき展開され、当該回路を半導体基板上の複数層にわたる回路パターンとして形成するためのデータである複数層分のレイアウトデータを準備するレイアウトデータ準備ステップと、
該複数層分のレイアウトデータに対して、補償用のデータを付加した複数層分の補償済みのレイアウトデータを準備する補償済みレイアウトデータ準備ステップと、
該複数層分の補償済みのレイアウトデータに基づいて展開され、フォトマスクの製造のために用いる複数層分のマスク製造用データを準備するマスク製造用データ準備ステップと、を有し、
該複数層分のマスク製造用データに基づいてフォトマスク製造装置にて製作された複数枚のフォトマスクの欠陥を判定するフォトマスク欠陥判定方法において、
該複数層分のレイアウトデータにより形成される回路パターンの層間の接続関係が記述された接続情報テーブルに基づいて、フォトマスク上に形成されたあるパターンが、フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれときに、電気的にアクティブな領域を形成するアクティブ領域対応パターンであるのか、又は、電気的にノンアクティブな領域を形成するノンアクティブ領域対応パターンであるのかを抽出するアクティブ・ノンアクティブ領域対応パターン抽出ステップと、
該複数層分のマスク製造用データ中の全てのパターンに、アクティブ領域対応パターンか、ノンアクティブ領域対応パターンかに係る属性を付与するステップと、
該複数枚のフォトマスク上に形成されたパターンが欠陥を有するか否かを判定するときの判定基準は、当該該複数層分のマスク製造用データのパターンに付与された前記属性に応じて変更する判定基準変更ステップと、を備えることを特徴とするフォトマスク欠陥判定方法。
【請求項２】
該接続情報テーブルは、パターンが属するレイア間の接続関係を記述したテーブルであることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク欠陥判定方法。
【請求項３】
該補償済みレイアウトデータ準備工程における補償は光近接効果による補償であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のフォトマスク欠陥判定方法。
【請求項４】
該補償済みレイアウトデータ準備工程における補償は位相シフト法による補償であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のフォトマスク欠陥判定方法。
【請求項５】
該複数層分のマスク製造用データのパターンに、アクティブ領域対応パターンの種類に応じた属性を付与することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のフォトマスク欠陥判定方法。
【請求項６】
アクティブ領域対応パターンの種類が回路接続情報（回路を構成する配線および端子の信号を定義した文字情報）に基づいて決定されることを特徴とする請求項５に記載のフォトマスク欠陥判定方法。
【請求項７】
アクティブ領域対応パターンの種類に応じた属性によって、該複数枚のフォトマスク上に形成されたパターンが欠陥を有するか否かを判定するときの判定基準を変更することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載のフォトマスク欠陥判定方法。
【請求項８】
該複数層分のマスク製造用データのパターンに、ノンアクティブ領域対応パターンの種類に応じた属性を付与することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のフォトマスク欠陥判定方法。
【請求項９】
ノンアクティブ領域対応パターンの種類に応じた属性によって、該複数枚のフォトマスク上に形成されたパターンが欠陥を有するか否かを判定するときの判定基準を変更することを特徴とする請求項８に記載のフォトマスク欠陥判定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクを用いてＬＳＩを作製する場合に用いられるフォトマスクの欠陥部が、ＬＳＩを作成する際に、不良となる致命的な要因となるか否かを判定するフォトマスク欠陥判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー技術において用いられるフォトマスクは、近年のＬＳＩの高集積化、高機能化に伴い、高密度化、微細化が進んでいる。ガラス基板上に４倍から５倍体の回路パターンが電子ビーム用の描画装置で焼き付けられたフォトマスクは、露光装置にて縮小投影され、シリコン等のウエハ上に回路パターンを形成する。近年のＬＳＩの高集積化、高機能化に伴い、例えば一つのＬＳＩに製造に用いられるフォトマスクの枚数は５０枚〜７０枚に及ぶ場合がある。このように多数のフォトマスクによって、ＬＳＩ等の回路パターンが形成されるものであるので、フォトマスク一枚一枚に形成された回路パターンの全てにおいて、加工精度に対する要求が満たされている必要がある。このため、フォトマスクの検査には、多大な労力とコストがかかり、他の一般製造製品に比べて検査コストが高く、一説にはフォトマスクの検査コストは製造原価の半分程度に相当するとも言われている。
【０００３】
ＬＳＩは、機能、論理設計、回路設計、レイアウト設計等を経て、フォトマスクパターン作製用の図形データ（以下、設計パターンデータとも言う）を作製し、これを用いてフォトマスクを作製した後、フォトマスクのパターンをウエハ上に縮小投影露光等により転写して、半導体素子作製のプロセスを行うという数々の工程を経て作製されるものである。
【０００４】
フォトマスクは、一般には、設計パターンデータを用い、これを変換して電子ビーム露光装置あるいはエキシマ波長等のフォト露光装置にて、フォトマスク用基板（フォトマスクブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジストに露光描画を行い、現像、エッチング工程等を経て、作製される。作製されたフォトマスクは、欠陥検査装置にて検査され、抽出した欠陥部は欠陥修正装置にて修正されるのが一般的である。
【０００５】
欠陥検査装置によるフォトマスクの検査は、設計パターンデータ、あるいはこれから作成された描画用パターンデータないし検査用パターンデータとの比較、あるいは、マスク内の共通パターン同士の比較であり、検出された不一致箇所を欠陥としている。なお、欠陥検出は、装置側で決められた所定の欠陥検出感度で行われ、通常は、検出された欠陥のサイズでもって、欠陥検出感度を定義している。欠陥修正装置は、レーザ、イオンビーム等による残部欠陥除去、集束イオンビームアシストＣＶＤによる欠損欠陥修正等を行なうものであるが、欠陥部を完全に修正することは難しく、再度の欠陥検査装置による検査において、欠陥として検出されることがある。
【０００６】
近年のＩＣの高集積化、高機能化に伴い、フォトマスクのパターンの高密度化、微細化が進み、作製されたフォトマスクの欠陥検査装置による欠陥検出レベルも一段と厳しいものになってきている。ウエハ上の９０ｎｍ〜４５ｎｍルールに対応したフォトマスクの場合、欠陥検査装置により検出された欠陥全てを、決められた所定の欠陥検出レベルでＯＫとなるように修正することが難しくなってきている。この決められた所定の欠陥検出レベルで良品となるフォトマスクを作製するには、歩留まりの面で問題となっている。また、前述したようにフォトマスクの検査コストは、フォトマスクの製造コストにおいて非常に大きなウエイトを占めるものであるので、これをできる限り効率的に行いたいという要請がある。
【０００７】
例えば特許文献１（特開２００２−２５８４６３号公報）には、所定の検査機により、フォトマスクのパターンとマスク描画データとを比較することにより、フォトマスクのパターンの欠陥部を検出するフォトマスクパターン欠陥検査方法であって、描画データである図形パターンデータと、図形パターンデータの描画位置情報である図形パターンデータ配置情報とを含み、且つ、描画データである図形パターンデータにＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）補正が施されている、マスク描画データから、フォトマスクパターンの検査により、本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い微細図形パターンで、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパターン等の微細図形パターンを、予め抽出しておき、フォトマスクパターンの検査に際し、前記本来欠陥部として検出されるべきでない微細図形パターン箇所については、欠陥としないことを特徴とするフォトマスクパターン欠陥検査方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−２５８４６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１記載の方法によれば、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ）と呼ばれる光近接効果補正が施されているマスク描画データから、フォトマスクパターンの検査により、本来欠陥部として検出されるべきでないのに欠陥部として検出されることが多い微細図形パターンで、ＯＰＣ補正された箇所以外の、テグパターン等の微細図形パターンを、予め抽出しておくのみであるので、特許文献１記載の方法では、欠陥としない基準というのが、かならずしも半導体基板上に形成される回路に基づくものではなく、本来欠陥部として検出されるべきでないパターンを選択する基準が最適ではなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は以上のような課題を解決するためのもので、請求項１に係る発明は、フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれる回路のデータが記録された回路データを準備する回路データ準備ステップと、該回路データに基づき展開され、当該回路を半導体基板上の複数層にわたる回路パターンとして形成するためのデータである複数層分のレイアウトデータを準備するレイアウトデータ準備ステップと、該複数層分のレイアウトデータに対して、補償用のデータを付加した複数層分の補償済みのレイアウトデータを準備する補償済みレイアウトデータ準備ステップと、該複数層分の補償済みのレイアウトデータに基づいて展開され、フォトマスクの製造のために用いる複数層分のマスク製造用データを準備するマスク製造用データ準備ステップと、を有し、該複数層分のマスク製造用データに基づいてフォトマスク製造装置にて製作された複数枚のフォトマスクの欠陥を判定するフォトマスク欠陥判定方法において、該複数層分のレイアウトデータにより形成される回路パターンの層間の接続関係が記述された接続情報テーブルに基づいて、フォトマスク上に形成されたあるパターンが、フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれときに、電気的にアクティブな領域を形成するアクティブ領域対応パターンであるのか、又は、電気的にノンアクティブな領域を形成するノンアクティブ領域対応パターンであるのかを抽出するアクティブ・ノンアクティブ領域対応パターン抽出ステップと、該複数層分のマスク製造用データ中の全てのパターンに、アクティブ領域対応パターンか、ノンアクティブ領域対応パターンかに係る属性を付与するステップと、該複数枚のフォトマスク上に形成されたパターンが欠陥を有するか否かを判定するときの判定基準は、当該該複数層分のマスク製造用データのパターンに付与された前記属性に応じて変更する判定基準変更ステップと、を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載のフォトマスク欠陥判定方法において、該接続情報テーブルは、パターンが属するレイア間の接続関係を記述したテーブルであることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載のフォトマスク欠陥判定方法において、該補償済みレイアウトデータ準備工程における補償は光近接効果による補償であることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載のフォトマスク欠陥判定方法において、該補償済みレイアウトデータ準備工程における補償は位相シフト法による補償であることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項５に係る発明は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のフォトマスク欠陥判定方法において、該複数層分のマスク製造用データのパターンに、アクティブ領域対応パターンの種類に応じた属性を付与することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項６に係る発明は、請求項５に記載のフォトマスク欠陥判定方法において、アクティブ領域対応パターンの種類が回路接続情報（回路を構成する配線および端子の信号を定義した文字情報）に基づいて決定されることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項７に係る発明は、請求項５又は請求項６に記載のフォトマスク欠陥判定方法において、アクティブ領域対応パターンの種類に応じた属性によって、該複数枚のフォトマスク上に形成されたパターンが欠陥を有するか否かを判定するときの判定基準を変更することを特徴とする。
【００１６】
また、請求項８に係る発明は、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のフォトマスク欠陥判定方法において、該複数層分のマスク製造用データのパターンに、ノンアクティブ領域対応パターンの種類に応じた属性を付与することを特徴とする。
【００１７】
また、請求項９に係る発明は、請求項８に記載のフォトマスク欠陥判定方法において、ノンアクティブ領域対応パターンの種類に応じた属性によって、該複数枚のフォトマスク上に形成されたパターンが欠陥を有するか否かを判定するときの判定基準を変更することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、フォトマスク上のパターンの欠陥を判定するときにおいて、当該パターンが電気的にアクティブな領域を形成するためのパターンであるのか、電気的にノンアクティブな領域を形成するためのパターンであるのかに係る属性情報に基づいて、欠陥を判定するときに判定基準を変更するので、従来の技術に比べてより適切な判定基準に基づいて欠陥の判定を行うことができる。そして、このような本発明の欠陥の判定によれば、ノンアクティブな領域を形成するためのパターンに対して不必要に厳格な欠陥判定基準が設定されないので、フォトマスクを作製する上での歩留まりの向上や、フォトマスクの検査コストの抑制といった効果を期待することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。図１に、本発明の実施の形態に係るフォトマスクの欠陥判定方法をフォトマスク製造のフローと関連させて説明するための図である。図１において、１は回路データ、２はレイアウトデータ、３は補償済みデータファイル、４はマスク製造用データ、５はマスク製造工程、６はマスク検査工程、７は接続情報テーブル、１０は回路、１１は回路用パターン、１２はダミーパターン、１３は補償パターンをそれぞれ示している。回路データ１、レイアウトデータ２、補償済みデータファイル３、マスク製造用データ４、マスク製造工程５のそれぞれの右横に描かれた図は、それぞれのファイルや工程を概念的に表現したものであり、単なるイメージであり具体的な回路構成、回路パターンを示すものではない。
【００２０】
以下、フォトマスク製造のフローを順々に追いつつ、本発明の実施の形態に係るフォトマスクの欠陥判定方法につき説明する。回路データ１は、ＡＳＩＣ等のＬＳＩの回路に係る設計データであり、例えば、１０に示されるような回路の集合体である。なお、本明細書においては、回路データ１を回路１０に示されるような論理回路を例にとり説明しているが、さらにもう一段下層の段階であるトランジスタなどの回路構成素子（部品）で表現されたものを、回路データと称してもよい。
【００２１】
上記のような回路データ１の情報に基づき展開されたものが、レイアウトデータ２であり、レイアウトデータ２は回路構成素子や配線の半導体基板上での平面的な配置と共に、積層方向の垂直的な接続関係をも示すものとなっている。すなわち、このようなレイアウトデータ２は、設計されたＬＳＩを半導体基板上に作り込む際の回路パターンが、複数層にわたって階層的に示されたものとなる。すなわち、レイアウトデータ２は、積層方向のそれぞれのレイアが定義された複数のデータと、積層方向の垂直的な接続関係が定義された接続情報テーブル７とからなる構造となっている。積層方向の一つ一つの層を、レイア１、レイア２、レイア３、・・・のように示すとすると、接続情報テーブル７のデータ構造は、「レイア１とレイア３とは、レイア２で接続されている」といった情報を含むものとなる。
【００２２】
回路データ１の情報に基づきレイアウトデータ２を展開する段階で、回路構成素子（部品）や配線を示す回路用パターン１１の他に、ダミーパターン１２を付加する。このダミーパターン１２は、その付加する目的によっていくつかの種類のものが存在する。
【００２３】
例えば、ある仕様のＬＳＩから、別の仕様のＬＳＩへの設計変更を容易とするために設けられ、ある仕様のＬＳＩとしてＬＳＩを製造するときにおいては用いられることのないダミーパターンがあり、このようなダミーパターン（ダミーのゲートパターン）はダミートランジスタ等の回路構成パターンからなる。また、電源ライン等のパターンの周囲に発生する磁場を抑制するために、当該電源ライン等の両脇に沿うように設けられるシールド用のダミーパターンがある。このような種々の目的のために、回路用パターン１１には、ダミーパターン１２が付加され、このダミーパターン１２も含めた情報がレイアウトデータ２に記録されている。
【００２４】
前述したような複数の層のレイアウトデータ２のそれぞれに対して、補償用のデータを付加したものが、補償済みレイアウトデータ３である。最先端の露光装置では、ＡｒＦの光源（波長：１９３ｎｍ）を用いて線幅９０ｎｍの露光が行われており、今後同様の光源を用いての線幅６５ｎｍの露光も検討されている。このように光源波長の半分以下の線幅の露光を行う上では、何らかの補償が必要となり、このためにフォトマスクには、ＲＥＴ（Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）とよばれる解像力を向上させるための技術が組み込まれている。ＲＥＴには、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔ：光近接効果補正）などの方法がよく知られている。レイアウトデータ２に対して、このような補償を施したデータである補償済みレイアウトデータ３は、例えば、回路用パターン１１とダミーパターン１２に対して、さらに１３に示される補償パターンが付加されたようなイメージのものとなる。
【００２５】
次の段階では、さらにこの複数層分の補償済みレイアウトデータ３に基づいて展開されて、フォトマスクの製造のために用いるデータである複数層分のマスク製造用データ４を準備する。そして、マスク製造工程５において、フォトマスク製造装置には、このマスク製造用データ４が適用されて、電子ビーム露光装置あるいはエキシマ波長等のフォト露光装置にて、フォトマスク用基板（フォトマスクブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジストに露光描画が行われる。上記のように露光描画されたフォトマスク用基板は、さらに、現像、エッチング工程等を経て完成する。
【００２６】
検査工程６においては、欠陥検査装置による完成したフォトマスクの検査が行われる。欠陥検査装置による検査は、フォトマスク上に形成されたパターンと、設計パターンデータ、あるいはこれから作成された描画用パターンデータないし検査用パターンデータとの比較によって行われるなどの種々の方法があるが、本発明の実施の形態においては、一例として、フォトマスク上に形成されたパターンとマスク製造用データ４とを比較して検出された不一致を欠陥とする場合で説明する。
【００２７】
この検査工程６においては、フォトマスク上に形成されたパターンとマスク製造用データ４とを比較するが、マスク製造用データ４には、欠陥の判定基準を決定するためのパターン毎のプロパティ（属性情報とも言う）が設けられている。このようなプロパティは、フォトマスク上に形成された当該パターンが、フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれときに、電気的にアクティブな領域に対応するアクティブ領域対応パターンであるのか、又は、電気的にノンアクティブな領域に対応するノンアクティブ領域対応パターンであるのか、に基づいて設定されている。フォトマスク上のあるパターンが、アクティブ領域対応パターンであるのか、ノンアクティブ領域対応パターンであるのかは、レイア間の接続関係に係る情報が定義された接続情報テーブル７に基づいて行われ、マスク製造用データ４のパターンのそれぞれにプロパティとして設定される。
【００２８】
検査工程５における欠陥の判定基準の設定は、上述のように設定されたプロパティに基づいて行われる。すなわち、マスク製造用データ４のパターンのプロパティが、アクティブ領域対応パターンのプロパティを有している場合とノンアクティブ領域対応パターンのプロパティを有している場合に応じて、欠陥の判定基準の設定を変更する。
【００２９】
検査工程６において、フォトマスク上に形成されたパターンとマスク製造用データ４とを比較して不一致を検出したとき、マスク製造用データ４のパターンのプロパティを参照して、アクティブ領域対応パターンのプロパティを有していれば、当該アクティブ領域対応パターンは、ＬＳＩを形成する電気回路を半導体基板上に形成するためのパターンであり特に重要なパターンであるので、検査の段階では厳格な判定基準が設けられる。これに対して、不一致を検出し、マスク製造用データ４のパターンのプロパティを参照して、ノンアクティブ領域対応パターンのプロパティであることが判定されれば、当該ノンアクティブ領域対応パターンは、前述したようなダミーパターンや補償用パターンであり、最終的に製造されたＬＳＩで電気回路を形成するためのパターンではないので、判定基準は厳格としないようにする。
【００３０】
本発明においては、このようにフォトマスク上のパターンの欠陥を判定するときにおいて、当該パターンが電気的にアクティブな領域を形成するためのパターンであるのか、電気的にノンアクティブな領域を形成するためのパターンであるのかに係る属性情報に基づいて、欠陥を判定するときに判定基準を変更するので、従来の技術に比べてより適切な判定基準に基づいて欠陥の判定を行うことができる。そして、このような本発明の欠陥の判定によれば、ノンアクティブな領域を形成するためのパターンに対して不必要に厳格な欠陥判定基準が設定されないので、フォトマスクを作製する上での歩留まりの向上や、フォトマスクの検査コストの抑制といった効果を期待することができる。
【００３１】
次に、本発明の実施の形態に係るフォトマスクの欠陥判定方法において、フォトマスク上のパターンのプロパティを決定するための概念について説明する。図２乃至図８は、本発明の実施の形態に係るマスク製造用データ４で定義されたフォトマスク上のパターンの一部を示す図である。以下の説明においては、このフォトマスク上のパターンの一部に基づいて、どのようにパターンのプロパティを決定するかについて順を追って説明する。
【００３２】
図２は、マスク製造用データ４で定義されているフォトマスク上の原パターンを示している。次に、この原パターンのそれぞれ一つ一つにナンバーを付す。この様子が図３に示されている。図示の例では、フォトマスク上の原パターンに対して、（１）乃至（１７）のナンバーが付されている。
【００３３】
次に、接続情報テーブルに基づいて、着目しているフォトマスクと他のフォトマスクとの接続関係を算出する。この様子が図４に示されている。図4において、黒の塗りつぶしで表現されたパターンが着目しているフォトマスク上のパターンであり、それ以外の網目等で塗りつぶされたパターンは、他のフォトマスクによって形成されるパターンである。接続情報テーブルは、前述したようにレイアＡとレイアＢとがレイアＣとで接続されているといったことが定義されている。これによって、黒の塗りつぶしで表現されたパターンが、その他のフォトマスク上のどのパターンと電気的に接続されているかが判定される。
【００３４】
具体的には、図９に示す接続情報テーブルの定義２でＰＯＬＹレイアとＭＥＴＡＬ１レイアがＣＯＮＴ２の接続レイアで電気的に接続されることが記述されており、その結果図４の（Ａ）の部分が電気的に接続されている。
【００３５】
定義３ではＭＥＴＡＬ１レイアとＭＥＴＡＬ２レイアがＶＩＡ１の接続レイアで電気的に接続されていることが記述されており、その結果図４の（Ｂ１）、（Ｂ２）（Ｂ３）の部分が電気的に接続されていることを示している。以下同様にこのような各々の電気的な接続関係を決めると図６に示される接続関係が抽出できる。
【００３６】
次に、ＬＳＩチップの入力端子（Ｉｎｐｕｔ）、出力端子（Ｏｕｔｐｕｔ）、電源ライン（Ｖｃｃ）が、全てのフォトマスクのどのパターンによって形成された配線と接続されるのかを算出する。実際のマスク製造用のソフトウエアにおいては、ＬＳＩチップの入力端子（Ｉｎｐｕｔ）、出力端子（Ｏｕｔｐｕｔ）、電源ライン（Ｖｃｃ）に係る情報は、パッド情報として定義されている。これによれば、位置情報を含んだ「Ｉｎｐｕｔ」、「Ｏｕｔｐｕｔ」、「Ｖｃｃ」等のテキスト情報が図５に示すようにフォトマスクのパターンと重なるようになっている。これによって、どのパターンによって形成される配線が入力端子（Ｉｎｐｕｔ）、出力端子（Ｏｕｔｐｕｔ）、電源ライン（Ｖｃｃ）に接続されるのかが分かる。
【００３７】
なお、パターンがアクティブであるかノンアクティブであるかを判別する方法として、パッド情報と接続情報テーブルを元に判別する以外の方法には、ＬＥＦ（Ｌａｙｏｕｔ  Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｆｏｒｍａｔ）、ＤＥＦ（Ｄｅｓｉｇｎ  Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｆｏｒｍａｔ）とフォトマスクパターンを関連づけることによって、判別する方法もある。
【００３８】
以上のような一連の処理によって、図６に示すように、入力端子（Ｉｎｐｕｔ）、出力端子（Ｏｕｔｐｕｔ）、電源ライン（Ｖｃｃ）に対して電気的に接続されている配線とその配線と接続された回路構成素子を形成するフォトマスクのパターンが明らかとなる。すなわち、フォトマスク上に形成されたパターンが、フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれるときに、電気的にアクティブな領域を形成するアクティブ領域対応パターンであるのか、又は、電気的にノンアクティブな領域を形成するノンアクティブ領域対応パターンであるのかを判定することができる。
【００３９】
この判定に基づいて、フォトマスク上に形成されたパターンの一つ一つに対して、アクティブ領域対応パターン、ノンアクティブ領域対応パターンのいずれかのプロパティが付与される。図７に示されるパターンは、フォトマスク上に形成されたパターンのうちアクティブ領域対応パターンのプロパティが付与されたものであり、図８に示されるパターンは、フォトマスク上に形成されたパターンのうちノンアクティブ領域対応パターンのプロパティが付与されたものである。
【００４０】
以上の実施形態においては、フォトマスク上のパターンの欠陥を判定するときにおいて、当該パターンが電気的にアクティブな領域を形成するためのパターンであるのか、電気的にノンアクティブな領域を形成するためのパターンであるのかに係る属性情報に基づいて、欠陥を判定するときに判定基準を変更するものである。すなわち、判定基準は、アクティブ領域対応パターンであるのか、ノンアクティブ領域対応パターンであるのかの２通りに応じて変更するので、判定基準は２段階しか有しないものである。これに対して、３段階以上に欠陥判定基準を変更することも考えられる。
【００４１】
具体的には、アクティブ領域対応パターンにはいくつかの種類があるので、その中での重要度によって欠陥判定基準を変更したり、また、ノンアクティブ領域対応パターンにもいくつかの種類があるので、その中での重要度によって欠陥判定基準を変更したりするようにする。
【００４２】
アクティブ領域対応パターンの種類について説明する。フォトマスク上のアクティブ領域対応パターンは、半導体基板上に電気の導通される構成を作り込むためのパターンであり、最も重要なのは回路構成素子を形成するためのアクティブ領域対応パターンであり、次に重要となるのが、半導体基板上に配線を形成するためのアクティブ領域対応パターンである。配線の中にも重要度があり、最も重要なのは、高速性を要求されるクリティカルラインであるクロックラインであり、次に信号用ライン、次に電源ライン、最後にグランドラインの順となる。
【００４３】
フォトマスク上のアクティブ領域対応パターンのそれぞれに対して、「回路構成素子のプロパティ」、「クロックラインのプロパティ」、「信号用ラインのプロパティ」、「電源ラインのプロパティ」、「グランドラインのプロパティ」をそれぞれ付与しておき、検査工程５における欠陥の判定基準の設定では、上述のように設定されたプロパティに基づいて、欠陥の判定基準の設定を変更する。すなわち、アクティブ領域対応パターンの中でも、「回路構成素子のプロパティ」、「クロックラインのプロパティ」、「信号用ラインのプロパティ」、「電源ラインのプロパティ」、「グランドラインのプロパティ」の順で、欠陥判定の基準を緩くするように設定する。
【００４４】
フォトマスクのそれぞれのパターンデータに対して、前記のようなアクティブ領域対応パターンの重要度に応じたプロパティを設定・付加するには、回路データ１の情報に基づきレイアウトデータ２を展開する段階が適当である。
【００４５】
次に、ノンアクティブ領域対応パターンの種類について説明する。ノンアクティブ領域対応パターンは、基本的に電気の導通がなされない構成要素を形成するためのパターンであり、前述したとおり、リソグラフィーのための補償用のパターン（ＲＥＴによる補償用パターン）とダミーパターンの２種類が存在する。ＲＥＴにおける補償用のパターンとしては、前述したＯＰＣのためのパターンの他には、位相シフト法のためのパターンなどがある。また、ダミーパターンには、下記に示すようないくつかの種類のものが存在する。リソグラフィーのための補償用のパターンは、通常のダミーパターンより重要度は上である。
【００４６】
前述したように、回路データ１の情報に基づいて、レイアウトデータ２を展開する段階で、回路構成素子（部品）や配線を示す回路用パターンには、ダミーパターンが付加される。このダミーパターンは、その付加する目的によっていくつかの種類のものが存在する。ダミーパターンを設ける目的により、その重要度は異なってくるので、ダミーパターンの重要度に応じて、欠陥を判定するときに判定基準を変更することが考えられる。
【００４７】
なお、フォトマスクのそれぞれのパターンデータに対して、ダミーパターンの重要度に応じたプロパティを設定・付加するには、回路データ１の情報に基づきレイアウトデータ２を展開する段階が適当である。
【００４８】
以下、ダミーパターンを設ける目的について説明する。例えば、ある仕様のＬＳＩから、別の仕様のＬＳＩへの設計変更を容易とするために設けられ、ある仕様のＬＳＩとしてＬＳＩを製造するときにおいては用いられることのないダミーパターンがあり、このようなダミーパターンはダミートランジスタ等の回路構成パターンからなる。このようなダミーパターンを、ダミー回路形成用ダミーパターンと称することとする。
【００４９】
また、電源ライン等のパターンの周囲に発生する磁場を抑制するために、当該電源ライン等の両脇に沿うように設けられるシールド用のダミーパターンがある。このようなダミーパターンを、シールド用ダミーパターンと称することとする。
【００５０】
多層配線層を有する半導体で、配線層を、溝を金属で埋め込む方法で形成する手法を採用する場合、埋め込んだ金属を溝内部だけに残し、不要な金属を化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）法で取り除くが、この際配線パターンの面内均一性による研磨速度の違いから生じる最終的な配線膜厚の変動を抑制することが重要な要素の一つとなっている。この目的のために、通常配線層にダミーパターンを配置するという手法が採用されている。ここでのダミーパターンは、配線パターンと同様に、かつ同じ方法で、配線パターンが疎な領域に擬似配線パターンとして形成されるものである。このようなダミーパターンを、ＣＭＰ対応ダミーパターンと称することとする。
【００５１】
また、他のダミーパターンの例としては、回路構成素子の静電破壊を防止するために、当該回路構成素子を取り囲むように設けられたダミーパターンがある。このようなダミーパターンを、静電破壊防止用ダミーパターンと称することとする。
【００５２】
以上ノンアクティブ領域対応パターンについてまとめると、フォトマスク上のノンアクティブ領域対応パターンのそれぞれに対して、「ＲＥＴ補償用パターンのプロパティ」、「ダミー回路形成用ダミーパターンのプロパティ」、「シールド用ダミーパターンのプロパティ」、「ＣＭＰ対応ダミーパターンのプロパティ」、「静電破壊防止用ダミーパターンのプロパティ」をそれぞれ付与する。そして、検査工程５における欠陥の判定基準の設定では、上述のように設定されたプロパティに基づいて、欠陥の判定基準の設定を変更する。すなわち、ノンアクティブ領域対応パターンの中でも、「ＲＥＴ補償用パターンのプロパティ」、「ダミー回路形成用ダミーパターンのプロパティ」、「シールド用ダミーパターンのプロパティ」、「ＣＭＰ対応ダミーパターンのプロパティ」、「静電破壊防止用ダミーパターンのプロパティ」の順で、欠陥判定の基準を緩くするように設定する。
【００５３】
なお、「ＲＥＴ補償用パターンのプロパティ」の重要度は、いずれのダミーパターンのプロパティよりも高く設定するが、ダミーパターンのプロパティの中での重要度は必ずしも「ダミー回路形成用ダミーパターンのプロパティ」、「シールド用ダミーパターンのプロパティ」、「ＣＭＰ対応ダミーパターンのプロパティ」、「静電破壊防止用ダミーパターンのプロパティ」の順で低く設定するのが必ずしも最適ではなく、この例はあくまで一つの目安に過ぎない。
【００５４】
本発明においては、このようにフォトマスク上のパターンの欠陥を判定するときにおいて、アクティブ領域対応パターンの重要度に応じて付与されたプロパティ及びノンアクティブ領域対応パターンの重要度に応じて付与されたプロパティに応じて、欠陥を判定するときに判定基準を変更するので、従来の技術に比べてより適切な判定基準に基づいて欠陥の判定を行うことができる。そして、このような本発明の欠陥の判定によれば、不必要に厳格な欠陥判定基準が設定されないので、フォトマスクを作製する上での歩留まりの向上や、フォトマスクの検査コストの抑制といった効果を期待することができる。
【００５５】
なお、本実施形態においては、アクティブ領域対応パターン、ノンアクティブ領域対応パターンを区別するために、各パターンにプロパティを付与する方法によって説明したが、その他の方法−例えば、レイアウトデータのレイヤ番号やレイヤのデータタイプで区別する方法、ＣＥＬＬ名で区別する方法、別ファイルとして区別する方法−によっても本発明を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態に係るフォトマスクの欠陥判定方法をフォトマスク製造のフローと関連させて説明するための図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るマスク製造用データ４で定義されたフォトマスク上のパターンの一部を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るマスク製造用データ４で定義されたフォトマスク上のパターンの一部を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るマスク製造用データ４で定義されたフォトマスク上のパターンの一部を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態に係るマスク製造用データ４で定義されたフォトマスク上のパターンの一部を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態に係るマスク製造用データ４で定義されたフォトマスク上のパターンの一部を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態に係るマスク製造用データ４で定義されたフォトマスク上のパターンの一部を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態に係るマスク製造用データ４で定義されたフォトマスク上のパターンの一部を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態に係るマスク製造用データ４における接続情報テーブルの内容例を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１・・・回路データ、２・・・レイアウトデータ、３・・・補償済みデータファイル、４・・・マスク製造用データ、５・・・はマスク製造工程、６・・・マスク検査工程、７・・・接続情報テーブル、１０・・・回路、１１・・・回路用パターン、１２・・・ダミーパターン、１３・・・補償パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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