(57)【要約】【課題】電源配線の電圧降下に起因する表示むらを抑制し、色の異なる画素毎に電圧の印加を可能として発光特性の異なる画素間の発光効率を最適化して高画質の表示を実現する。【解決手段】１行目（Ｘ１）では副画素Ｂの電源配線Ｌｖのみとバイパス配線Ｌｂを接続し、２行目（Ｘ２）では副画素Ｒの電源配線Ｌｖのみとバイパス配線Ｌｂを接続し、３行目（Ｘ３）では副画素Ｇの電源配線Ｌｖのみとバイパス配線Ｌｂを接続する。以降、この繰り返しとする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる色を発光する複数の有機ＥＬ素子を１カラー画素の副画素としてマトリクス配置した表示領域を有する絶縁性基板と、前記表示領域を覆って設置される透明な封止基板とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記表示領域には、
一方向に延在し、該一方向と交差する他方向に並設された複数の走査信号配線と、
前記他方向に延在して前記一方向に並設される複数のデータ信号配線と、
前記複数の副画素に接続されて表示のための電流を供給する複数の電源配線とを有し、
前記走査信号配線と前記データ信号配線との交差部に前記副画素が配置されており、
かつ、前記一方向に延在し、前記他方向に並設された複数の電源バイパス配線を有し、
前記電源バイパス配線の一又は二以上は、一色の副画素に接続された電源配線同士を接続する配線であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記画素は、赤色、緑色、青色の副画素からなり、
前記バイパス配線は、前記赤色の副画素のみに接続されたバイパス配線、緑色の副画素のみに接続されたバイパス配線、又は青色の副画素の副画素のみに接続されたバイパス配線を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記画素は、白色の副画素を有し、
前記バイパス配線として、前記白色の副画素のみに接続されたバイパス配線を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記バイパス配線は、前記走査信号配線の間に設けられていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記電源バイパス配線と前記電源配線の交差部に、当該電源バイパス配線と当該電源配線の一方又は双方に形成された接続パターンを有し、
前記電源バイパス配線と前記電源配線の何れか又は双方の配線幅が前記接続パターンの幅と同等又はそれ以上であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記接続パターンは、前記電源バイパス配線と前記電源配線の接続に寄与しない接続パターンを含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記接続パターンにコンタクトホールを有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記接続パターンは、前記副画素のマトリクス上の斜め直線方向で前記コンタクトホールを有しない接続パターンを有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
請求項１において、
前記電源バイパス配線と前記電源配線との間に層間絶縁層を有し、該層間絶縁層に設けたコンタクトホールを通して接続されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記電源バイパス配線は、前記走査信号配線と同層であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子を用いた有機ＥＬ表示装置に係り、特に画素に電流を供給する電源配線の電圧低下に起因する輝度不均一を改善した有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置（以下、有機ＥＬディスプレイとも称する）は電流駆動であり、電源配線に複数の画素が並列に接続される。そのため、電源配線との接続位置により電圧が異なってしまい、表示面内での輝度の不均一を招く。有機ＥＬ表示装置の画面サイズが大型化すれば、それに伴って電源配線に流れる電流が大きくなり、場所による画素間の電圧降下が大きく、したがって輝度のばらつきによる表示むらも大きくなる。
【０００３】
図１２は、有機ＥＬ表示装置の画素配列例を説明する表示領域の要部平面図である。また、図１３は、図１２のから隣接する２画素を取り出して示す拡大図である。なお、カラー表示の場合、１つのカラー画素（ピクセル）は複数の原色を表示する複数の副画像（サブピクセル）から構成され、例えば図１２におけるＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）で示した単位画素が副画素で、これらの副画素の発光部をｐｒ、ｐｇ、ｐｂで示す。なお、説明の都合上、特に副画素と表記する必要がある場合を除いて、単に画素と称する場合がある。図１２において、Ｘ１、Ｘ２、・・・は行、Ｙ１、Ｙ２、・・・は列を示す。
【０００４】
図１２、図１３では、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色ストライプ配列のアクティブマトリクス構成とした有機ＥＬ表示装置である。一般的に、一つの副画素は電源供給線である電源配線Ｌｖと、映像信号を供給するデータ信号配線Ｌｄと、データ書き込みする行を選択するための走査信号配線Ｌｓと、薄膜トランジスタやデータ保持容量で構成した画素回路ｐｃと、有機ＥＬ発光層からなる発光部ｐＬ（図１２では、画素回路ｐｃと発光部ｐＬとをまとめて表記）とで構成される。発光部ｐＬは、Ｒの副画素の発光部ｐｒ、Ｇの副画素の発光部ｐｇ、Ｂの副画素の発光部ｐｂの何れかになる。
【０００５】
前記表示むらを改善する手段として、隣接する電源配線間を繋ぐ方法が特許文献１、特許文献２．特許文献３に記載のものが知られている。特許文献１は、電源配線と交差する電源バイパス配線を設け、全ての電源配線を接続することで電圧降下を抑制する構成を開示する。また特許文献２は、遮光用のブラックマトリクスを抵抗の低い材料で形成し、全ての電源配線に接続させることで電圧降下を抑制する発明を開示する。そして、特許文献３では、電源バイパス配線を特定の画素のみに配置することで電圧降下を抑制しつつ画素の開口率低下を抑えている。特許文献３には明記されていないが、色の異なる画素毎に電圧をかけることを示唆している。
【０００６】
図１４は、電源バイパス配線を有する従来の有機ＥＬ表示装置の構成例を説明する表示領域の要部平面図である。また、図１５は、図１４から隣接する２画素を取り出して示す拡大図である。図１４、図１５は特許文献１に開示の有機ＥＬ表示装置であり、行と列、副画素の配列は図１２と同じである。この構成例では、隣接する電源配線Ｌｖ同士を電源バイパス配線Ｌｂで接続し、網目状の電源供給構造としている。
【特許文献１】特開２０００−２４２１９６号公報
【特許文献２】特開２００１−１００６５４号公報
【特許文献３】特開２００４−３５６０５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１、特許文献２に開示の発明では、色の異なる画素毎に電源電圧を印加することができない。特許文献３には、色の異なる画素毎に異なる電源電圧を印加するための具体的な手段は明示されていない。特許文献３の発明では、開口率は上がるが、画素サイズが等しくないため、開口率が小さい画素が暗く見える恐れがあり、開口率を等しくしようとすれば隣接する画素で中心がずれてしまうため、映像信号側の補正が必要となる。
【０００８】
本発明の目的は、電源配線の電圧降下に起因する表示むらを抑制し、色の異なる画素毎に電圧の印加を可能として発光特性の異なる画素間の発光効率を最適化して高画質の表示を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、異なる色を発光する複数の有機ＥＬ素子を１カラー画素の副画素をマトリクス配置した表示領域を有する絶縁性基板と、前記表示領域を覆って設置される透明な封止基板とを有し、前記副画素からなるカラー画素の発光を前記封止基板側から出射する構成である。しかし、本発明は、カラー画素の発光を前記絶縁性基板側から出射する構成とした有機ＥＬ表示装置にも同様に適用できるものである。本発明の代表的な特徴点は、以下に記述するのとおりである。
【００１０】
本発明では、前記表示領域には、一方向に延在し、該一方向と交叉する他方向に並設された複数の走査信号配線と、前記他方向に延在して前記一方向に並設される複数のデータ信号配線と、前記複数の副画素に接続されて表示のための電流を供給する複数の電源配線とを有し、
前記走査信号配線と前記データ信号配線の交差部に前記副画素が配置されており、
かつ、前記一方向に延在し、前記他方向に並設された複数の電源バイパス配線を有し、
前記電源バイパス配線の一または二以上は、前記電源配線のうちの一色の副画素に接続された電源配線のみに接続されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明では、前記１カラー画素を赤色、緑色、青色の副画素を有し、前記バイパス配線として前記赤色の副画素のみに接続されたバイパス配線、緑色の副画素のみに接続されたバイパス配線、又は青色の副画素の副画素のみに接続されたバイパス配線を有するものとすることができる。
【００１２】
また、本発明では、前記１カラー画素が白色の副画素を有し、前記バイパス配線が前記白色の副画素のみに接続されたバイパス配線を有するものとすることができる。
【００１３】
そして、本発明では、表示領域内の電源配線とバイパス配線のコンタクト部が連続することに起因するスジ状のムラを対策するため以下の工夫を施す。（１）前記バイパス配線を前記走査信号配線に各一本ずつ設ける。（２）前記電源バイパス配線と前記電源配線の交差部に、当該電源バイパス配線と当該電源配線の一方又は双方に形成された接続パターンを設け、前記電源バイパス配線と前記電源配線の何れか又は双方の配線幅を前記接続パターンの幅と同等又はそれ以上とする。（３）前記接続パターンに、前記電源バイパス配線と前記電源配線の接続に寄与しないダミーの接続パターンを設ける。（４）前記副画素のマトリクス上の斜め直線方向で前記接続パターンを５画素以上連続させない。
【００１４】
なお、本発明は、上記各構成及び後述する実施の形態に記載される構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、配線面積が増えることで配線抵抗が低減し、電圧効果も抑えられるため、輝度の均一性が向上する。また、電源配線が配線の途中で接続されるのでスメアの発生が抑えられる。同色の画素（副画素）毎に専用のバイパス配線を設けることで、異なる色の画素毎に異なる電源電圧を供給可能である。さらに、電源配線とバイパス配線の接続点（コンタクト）の配置を適正化することで、当該コンタクトでの斜め方向の反射むらを目立たなくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の最良の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する表示領域の要部平面図である。また、図２は、図１から隣接する２画素を取り出して示す拡大図である。図１において、１行目（Ｘ１）では副画素Ｂの電源配線Ｌｖのみとバイパス配線Ｌｂが接続し、２行目（Ｘ２）では副画素Ｒの電源配線Ｌｖのみとバイパス配線Ｌｂが接続し、３行目（Ｘ３）では副画素Ｇの電源配線Ｌｖのみとバイパス配線Ｌｂが接続し、以降この繰り返しとなる。これにより、各色の副画素に異なる電源電圧を供給可能となる。
【００１８】
図２の左側は電源配線Ｌｖとバイパス配線Ｌｂが接続した（コンタクトｃｔのある）副画素、右側は電源配線Ｌｖとバイパス配線Ｌｂが接続しない（コンタクトｃｔのない）副画素である。コンタクトｃｔの部分の幅（面積）は、プロセスマージンを考慮して、最小の配線幅よりも広くする必要がある。これは、電源配線Ｌｖとバイパス配線Ｌｂの両方に言えることである。
【００１９】
実施例１の構成により、赤色、緑色、青色の副画素のそれぞれ毎に電源供給できるため、各色の発光効率に合わせて電流量を調整して色バランスを適正化して高品質の表示画像を得ることができる。
【実施例２】
【００２０】
図３は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例２を説明する隣接する２画素を取り出して示す拡大図である。実施例１の構成では、コンタクトｃｔのある画素ではコンタクトのパターン幅が増加した分、反射率が増え、図１の斜め方向（１行１列横方向）に反射率の高い画素が連続するため、斜め方向に縞が見えることがある。実施例２の構成は、このような縞の発生を抑制するようにしたものである。
【００２１】
実施例２では、電源配線Ｌｖとバイパス配線Ｌｂの幅をコンタクトｃｔの幅と同等、又はそれ以上に大きくして、コンタクトｃｔのある画素と無い画素とで反射率がほぼ等しくなるようにした。図３では、電源配線Ｌｖとバイパス配線Ｌｂの両方の幅を広くしたが、何れか一方の幅のみを大きくすることでも上記の縞の発生を抑制する効果があるが、観察者側から遠い配線層を選択するよりも近い配線層の幅を広くした方が大きな改善効果が期待できる。
【実施例３】
【００２２】
図４は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例３を説明する隣接する２画素を取り出して示す拡大図である。実施例３も実施例２と同様に、斜め方向の縞の発生を抑制する構成である。実施例３は、図４にＡで囲んだ部分に示すように、コンタクトｃｔの無い画素もコンタクトｃｔのある画素と同じ配線パターンとした。この構成でも、電源配線Ｌｖとバイパス配線Ｌｂの何れか一方についてのみ同じパターンとすることができ、観察者側から遠い配線層を選択するよりも近い配線層について同じパターンとする方が大きな改善効果を期待できる。
【実施例４】
【００２３】
図５は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例４を説明する表示領域の要部平面図である。実施例４も実施例２、３と同様に、斜め方向の縞の発生を抑制する構成である。実施例４では、１行目（Ｘ１）ではＢの電源配線Ｌｖとバイパス配線Ｌｂとのコンタクトｃｔを３個に１個の割合で間引いた。すなわち、１行目（Ｘ１）で２個連続したコンタクトｃｔの間に位置する２行目（Ｘ２）のコンタクトｃｔを間引く（コンタクトｃｔが無い状態とする）。２行目（ｒ２）で２個連続したコンタクトｃｔの間に位置する３行目（Ｘ３）のコンタクトｃｔを間引く（コンタクトｃｔが無い状態とする）。
【００２４】
以降、これを繰り返し、斜め方向（１行１列隣の方向）や隣接方向（横方向あるいは縦方向）に３個以上コンタクトｃｔが連続しないように配置する。図５では、３個以上コンタクトｃｔが連続しないように間引いたが、４個以上コンタクトｃｔが連続しないように間引くことでも同様の効果がある。ただし、連続する数が多くなればなるほど、斜め方向の縞が見える恐れが強くなるので、図５のような間引き方が最も効果がある。
【実施例５】
【００２５】
図６は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例５を説明する表示領域の要部平面図である。実施例５も実施例２〜４と同様に、斜め方向の縞の発生を抑制する構成である。実施例５では、１行目（Ｘ１）と２行目（Ｘ２）および３行目（Ｘ３）の３組のバイパス配線Ｌｂでは、上から順にＧＲＢの電源配線Ｌｖに接続し、その次の４行目（Ｘ４）と５行目（Ｘ５）および６行目（Ｘ６）の３組のバイパス配線Ｌｂでは、上から順にＧＢＲの電源配線Ｌｖに接続する。
【００２６】
このように、２種類以上の接続の組み合わせを繰り返し配列することで、斜め方向（１行１列隣の方向）のコンタクトの連続性がくずされ、斜め方向の縞の発生を抑制できる。
【００２７】
また、隣接する行のバイパス配線Ｌｂが同じ色の副画素の電源配線Ｌｖと接続するような方法も考えられるが、この方法では２行連続で接続した後に４行連続で接続なしとなり、輝度の均一性が劣化する恐れがあるため、図６に示した配置がより適している。
【実施例６】
【００２８】
図７は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例６を説明する表示領域の要部平面図である。前記のフルカラーを３色で表現する場合は副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの順序をＲ、Ｂ、Ｇと変えても、斜め方向（１行１列隣の方向）にコンタクトｃｔが連続してしまうが、フルカラーを４色以上で表現する場合は斜め方向にコンタクトが３個以上連続しないような組み合わせが可能となる。実施例６では、フルカラーを４色（Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗ）で表現し、横方向にＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗの順で配列する。この場合、電源配線Ｌｖとバイパス配線Ｌｂの接続を上から順にＲ、Ｇ、Ｗ、Ｂのようにすれば、斜め方向（１行１列隣の方向）にはコンタクトは３個以上連続しない。これにより、斜め方向の縞は見え難くなる。
【実施例７】
【００２９】
図８は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例７を説明する表示領域の要部平面図である。また、図９は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例７を説明する隣接する４画素を取り出して示す拡大図である。実施例７では、フルカラーを４色（Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの副画素）で表現し、副画素ＲＧＢＷを２行２列に配列して１カラー画素とした。この場合も、１行に１色の電源配線Ｌｖのみをバイパス配線Ｌｂで接続することで、発光部ｐＬの減少を抑えつつ輝度の不均一性を改善することが可能である。実施例７に示したＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗ配置の場合、バイパス配線Ｌｂは上から順にＲ、Ｂ、Ｗ、Ｇの電源配線Ｌｖと接続する。この構成により、コンタクトｃｔが斜め方向に３個以上連続しないため、斜め方向の縞が見え難くなる。
【００３０】
以上説明した実施例２と実施例３は配線パターンを工夫したものであり、実施例４と実施例５はコンタクトの配向位置箇所を工夫したものである。このような配線パターンの工夫とコンタクトの配向位置箇所の工夫とを組み合わせることで、斜め方向の縞をさらに見え難くすることができる。
【００３１】
図１０は、本発明の有機ＥＬ表示装置の画素構造例を説明する模式図であり、図１０の（ａ）は平面図、図１０の（ｂ）は図１０の（ａ）のＡ―Ａ'線に沿った断面図である。この有機ＥＬ表示装置は、ガラス基板ＳＵＢの内面の下層に走査信号配線Ｌｓが形成されている。なお、走査信号配線Ｌｓの下層（ガラス基板ＳＵＢの内表面）には下地層として酸化シリコン（ＳｉＯ）と窒化シリコン（ＳｉＮ）膜が成膜されているが、図示は省略した。走査信号配線Ｌｓには第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１のゲート電極ＧＴ１が形成されている。細部の構造は省略した。
【００３２】
走査信号配線Ｌｓと同層にバイパス配線Ｌｂ、および第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２のゲート電極ＧＴ２が形成されている。走査信号配線Ｌｓ、ゲート電極ＧＴ１、ゲート電極ＧＴ２を覆ってゲート絶縁膜ＧＩが形成され、薄膜トランジスタ部分にシリコン半導体層をパターニングした能動層ＳＩが形成されている。図１０の（ｂ）に第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２の能動層ＳＩを示した。能動層ＳＩを覆って層間絶縁層ＩＳが形成されている。
【００３３】
層間絶縁層ＩＳにコンタクトホールが開けられ、電源配線Ｌｖがこのコンタクトホールを通して第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２のソース（又はドレイン）に接続して前記走査信号配線Ｌｓおよびバイパス配線Ｌｂと交差（ここでは、直交）して形成されている。さらに、その上にパシベーション膜ＰＡＳが形成されている。パシベーション膜ＰＡＳと層間絶縁層ＩＳを貫通して第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２のドレイン（又はソース）に至るコンタクトホールが開けられ、このコンタクトホールを通して当該ドレイン（又はソース）に接続した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの一方の電極（ここでは陽極）ＡＤが形成されている。
【００３４】
陽極ＡＤの上層に有機ＥＬ素子を構成する複数の有機材料層が積層され、その上にて他方の電極である陰極ＣＤが図示しない複数の画素に共通に形成されている。この陰極ＣＤは表示領域外で接地等に接続されている。陰極ＣＤの上層には保護膜（図示せず）が形成され、その上層又は上方には図示しない封止缶（通常はガラス基板）が設置される。
【００３５】
この画素（カラーの副画素）は第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１で選択され、データ信号配線Ｌｄからの表示データを保持容量Ｃｓに蓄積する。保持容量Ｃに蓄積された表示データは第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２の導通することで、電源配線Ｌｖから当該表示データの大きさに基づいた電流が陽極ＡＤから有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給される。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは流れる電流に応じた輝度で発光する。
【００３６】
電源配線Ｌｖは、前記実施例の何れかで説明した態様でバイパス配線Ｌｂとコンタクトされている。コンタクト部分を符号ｃｔで示した。なお、特に、有機ＥＬ材料層を塗布で形成する場合には、有機ＥＬ素子の周縁に絶縁材のバンクが形成され、このバンク内に電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層からなる有機ＥＬ材料層が積層される。なお、ホール輸送層の上にホール注入層が設けられる場合もある。
【００３７】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光を陰極ＣＤから封止缶側、すなわち図１０（ｂ）の上側に出射させるトップエミッション型では、陽極ＡＤをアルミニウム等の金属からなる反射電極とし、陰極ＣＤをＩＴＯ等の透明導電膜で形成する。この場合は、画素のボトム側、すなわち陽極ＡＤのガラス基板ＳＵＢ側は表示光の通過を考慮する必要はないので、余裕を持って画素回路や配線をレイアウトできる。例えば、図１０（ａ）に示した第１、第２の薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２や前記した各配線、図示しない保持容量配線などの全部あるいは一部を陽極ＡＤの下側に配置することができる。
【００３８】
一方、図１０（ｂ）の陽極ＡＤからガラス基板ＳＵＢ側に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光を出射させるボトムエミッション型では、陰極ＣＤをアルミニウム等の金属からなる反射電極とし、陽極ＡＤをＩＴＯ等の透明導電膜とする。
【００３９】
なお、図１０では、ガラス基板ＳＵＢに近い方の電極を陽極ＡＤとし、ガラス基板ＳＵＢとは遠い方の電極を陰極ＣＤとしたが、これら陽極ＡＤと陰極ＣＤの配置は逆にすることもできることはいうまでもない。また、薄膜トランジスタはガラス基板ＳＵＢにゲート電極を形成し、その上層に能動層を設けた構造としたが、これとは逆の構造とした薄膜トランジスタを用いたものも本発明の適用範囲である。なお、何れの場合にも、電源配線Ｌｖとバイパス配線Ｌｂとは層間絶縁層、あるいは他の絶縁層を介して互いに異なる層に形成され、両者はこれらの絶縁層に設けたコンタクトホールを通して接続される。
【００４０】
図１１は、本発明の有機ＥＬ表示装置の全体構成例を説明する等価回路図である。この構成は前記の実施例１に対応する。ｐｘは副画素（図１のｐｒ、ｐｇ、ｐｂに対応）を示し、３色の副画素からなるカラー画素がマトリクス配列されて表示領域ＡＲを形成している。各副画素ＰＸは第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１と第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２および保持容量Ｃｓおよび有機ＥＬ素子ＯＬＥＤで構成されている。表示領域にはデータ配線Ｌｄ、走査信号配線Ｌｓ、電源配線Ｌｖおよびバイパス配線Ｌｂが配置されている。電源配線Ｌｖは電源バス配線ＣＢにつながり、バイパス配線Ｌｂは電源バス配線ＣＢと交叉（通常は直交）配置され、図１に示したように、コンタクトｃｔで所定の副画素の位置で電源配線Ｌｖに接続している。
【００４１】
走査信号配線Ｌｓは走査配線駆動回路ＧＤＲで駆動されて行方向を選択する。選択された行に接続する複画素に接続するデータ配線にはデータ配線駆動回路ＤＤＲから表示データが供給され、所定の表示がなされる。上記した封止基板であるガラス基板ＳＵＢ２は表示領域ＡＲを覆って設置されている。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する表示領域の要部平面図である。
【図２】図１から隣接する２画素を取り出して示す拡大図である。
【図３】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例２を説明する隣接する２画素を取り出して示す拡大図である。
【図４】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例３を説明する隣接する２画素を取り出して示す拡大図である。
【図５】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例４を説明する表示領域の要部平面図である。
【図６】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例５を説明する表示領域の要部平面図である。
【図７】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例６を説明する表示領域の要部平面図である。
【図８】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例７を説明する表示領域の要部平面図である。
【図９】図８から隣接する４画素を取り出して示す拡大図である。
【図１０】本発明のトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の画素構造の一例を説明する図である。
【図１１】本発明の有機ＥＬ表示装置の全体構成例を説明する等価回路図である。
【図１２】有機ＥＬ表示装置の画素配列例を説明する表示領域の要部平面図である。
【図１３】図１２のから隣接する２画素を取り出して示す拡大図である。
【図１４】電源バイパス配線を有する従来の有機ＥＬ表示装置の構成例を説明する表示領域の要部平面図である。
【図１５】図１４のから隣接する２画素を取り出して示す拡大図である。
【符号の説明】
【００４３】
Ｘ１、Ｘ２、…・・・行、Ｙ１、Ｙ２、…・・・列、Ｌｖ・・・電源配線、Ｌｂ・・・バイパス配線、ｃｔ・・・コンタクト、Ｌｄ・・・データ信号配線、Ｌｓ・・・走査信号配線、ｐｃ・・・画素回路、ｐＬ（ｐｒ、ｐｇ、ｐｂ、ｐｗ）・・・発光部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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