(57)【要約】【課題】  空気界面のチルト角を任意に制御可能な光学異方体の構成部材として有用な重合液晶組成物を提供する。【解決手段】  重合性液晶化合物及び重合開始剤を含有する重合性液晶組成物を基板に塗布して配向させた状態で硬化させることによる光学異方体の製造方法において、該重合性液晶化合物中に存在するスペーサー基の炭素原子数を増減し基板に塗布した重合性液晶組成物のチルト角を任意の角度に設定することによる、空気界面において任意のチルト角を有する光学異方体の製造方法を提供する。本願発明の製造方法は、空気界面におけるチルト角を制御できることから様々な光学特性を有する光学異方体の製造方法として有用である。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
重合性液晶化合物及び重合開始剤を含有する重合性液晶組成物を基板に塗布して配向させた状態で硬化させることによる光学異方体の製造方法において、該重合性液晶化合物中に存在するスペーサー基の炭素原子数を増減し基板に塗布した重合性液晶組成物の空気界面のチルト角を任意の角度に設定することによる、空気界面において任意のチルト角を有する光学異方体の製造方法。
【請求項２】
該重合性液晶化合物のスペーサー基の炭素原子数が０〜５であり、該重合性液晶化合物及び重合開始剤からなる重合性液晶組成物を構成した場合における空気界面のチルト角が０から４５°である請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
該重合性液晶化合物のスペーサー基の炭素原子数が５〜１８であり、該重合性液晶化合物及び重合開始剤からなる重合性液晶組成物を構成した場合における空気界面のチルト角が４５から９０°である請求項１記載の製造方法。
【請求項４】
重合性液晶組成物が一般式（I）
【化１】
2008134530.tif 000024
（式中、Pは反応性官能基を表し、Spは炭素原子数０〜１８のスペーサー基を表し、MGはメソゲン基又はメソゲン性支持基を表し、R1は、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜２５のアルキル基を表すが、該アルキル基は１つ以上のハロゲン原子又はCNにより置換されていても良く、この基中に存在する１つのCH2基又は隣接していない２つ以上のCH2基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、-O-、-S-、-NH-、-N(CH3)-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-SCO-、-COS-又は-C≡C-により置き換えられていても良く、あるいはR1は一般式（I-a）
【化２】
2008134530.tif 000025
（式中、Pは反応性官能基を表し、Spは炭素原子数０〜１８のスペーサー基を表す。）で表される構造を表す。）で表される化合物を含有する請求項１から３の何れかに記載の光学異方体の製造方法。
【請求項５】
一般式（I）において、Spはアルキレン基を表すが、該アルキレン基は１つ以上のハロゲン原子又はCNにより置換されていても良く、この基中に存在する１つのCH2基又は隣接していない２つ以上のCH2基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、-O-、-S-、-NH-、-N(CH3)-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-SCO-、-COS-又は-C≡C-により置き換えられていても良く、MGが一般式（I-b）
【化３】
2008134530.tif 000026
（式中、A1、A2及びA3はそれぞれ独立的に、1,4-フェニレン基、1,4-シクロヘキシレン基、1,4-シクロヘキセニル基、テトラヒドロピラン-2,5-ジイル基、1,3-ジオキサン-2,5-ジイル基、テトラヒドロチオピラン-2,5-ジイル基、1,4-ビシクロ(2,2,2)オクチレン基、デカヒドロナフタレン-2,6-ジイル基、ピリジン-2,5-ジイル基、ピリミジン-2,5-ジイル基、ピラジン-2,5-ジイル基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル基、2,6-ナフチレン基、フェナントレン-2,7-ジイル基、9,10-ジヒドロフェナントレン-2,7-ジイル基、1,2,3,4,4a,9,10a-オクタヒドロフェナントレン2,7-ジイル基、フルオレン2,7-ジイル基を表し、該1,4-フェニレン基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル基、2,6-ナフチレン基、フェナントレン-2,7-ジイル基、9,10-ジヒドロフェナントレン-2,7-ジイル基、1,2,3,4,4a,9,10a-オクタヒドロフェナントレン2,7-ジイル基及びフルオレン2,7-ジイル基は置換基として１個以上のF、Cl、CF3、OCF3、シアノ基、炭素原子数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカノイルオキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケノイル基、アルケノイルオキシ基を有していても良く、Z0、Z1、Z2及びZ3はそれぞれ独立して、-COO-、-OCO-、-CH2 CH2-、-OCH2-、-CH2O-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2CH2COO-、-CH2CH2OCO-、-COO CH2CH2-、-OCOCH2CH2-、-CONH-、-NHCO-又は単結合を表し、nは０、１又は２を表す。）で表される構造を表し、Pが一般式（I-c）、一般式（I-d）又は一般式（I-e）
【化４】
2008134530.tif 000027
（式中、R21、R22、R23、R31、R32、R33、R41、R42及びR43はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、nは０又は１を表す。）で表される置換基を表す請求項４記載の光学異方体の製造方法。
【請求項６】
重合性液晶組成物が一般式（II）
【化５】
2008134530.tif 000028
（式中、mは０又は１を表し、W1及びW2はそれぞれ独立的に単結合、-O-、-COO-又は-OCO-を表し、Y1及びY2はそれぞれ独立的に-COO-又は-OCO-を表し、r及びsはそれぞれ独立的に０〜１８の整数を表すが、式中に存在する1,4−フェニレン基は炭素原子数１〜７のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、シアノ基、又はハロゲン原子で一つ以上置換されていても良い。）で表される化合物を含有する請求項５記載の光学異方体の製造方法。
【請求項７】
重合性液晶組成物が一般式（III）
【化６】
2008134530.tif 000029
（式中、Z1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表し、Z2は水素原子又はメチル基を表し、tは０又は1を表し、A、B及びCはそれぞれ独立的に、1,4−フェニレン基、隣接しないCH基が窒素で置換された1,4−フェニレン基、1,4−シクロヘキシレン基、１つ又は隣接しない２つのCH2基が酸素又は硫黄原子で置換された1,4−シクロヘキシレン基、1,4−シクロヘキセニレン基を表すが、式中に存在する1,4−フェニレン基は炭素原子数１〜７のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、シアノ基又はハロゲン原子で一つ以上置換されていても良く、Y3及びY4はそれぞれ独立的に単結合、-CH2CH2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C≡C-、-CH=CH-、-CF=CF-、-（CH2）4-、-CH2CH2CH2O-、-OCH2CH2CH2-、-CH=CHCH2CH2-、-CH2CH2CH=CH-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2CH2COO-、-CH2CH2OCO-、-COO CH2CH2-又は-OCOCH2CH2-を表し、Y5は単結合、-O-、-COO-、-OCO-又は-CH=CHCOO-を表す。）で表される化合物を含有する請求項５記載の光学異方体の製造方法。
【請求項８】
重合性液晶組成物が一般式（IV）
【化７】
2008134530.tif 000030
（式中、Z3は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表し、Z4は水素原子又はメチル基を表し、W3は単結合、-O-、-COO-又は-OCO-を表し、vは０〜１８の整数を表し、uは０又は１を表し、D、E及びFはそれぞれ独立的に、1,4−フェニレン基、隣接しないCH基が窒素で置換された1,4−フェニレン基、1,4−シクロヘキシレン基、１つ又は隣接しない２つのCH2基が酸素又は硫黄原子で置換された1,4−シクロヘキシレン基、1,4−シクロヘキセニレン基を表すが、式中に存在する1,4−フェニレン基は炭素原子数１〜７のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、シアノ基又はハロゲン原子で一つ以上置換されていても良く、Y6及びY7はそれぞれ独立的に単結合、-CH2CH2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C≡C-、-CH=CH-、-CF=CF-、-（CH2）4-、-CH2CH2CH2O-、-OCH2CH2CH2-、-CH=CHCH2CH2-、-CH2CH2CH=CH-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2CH2COO-、-CH2CH2OCO-、-COO CH2CH2-又は-OCOCH2CH2-を表し、Y8は単結合、-O-、-COO-、-OCO-又は-CH=CHCOO-を表す。）で表される化合物を含有する請求項５記載の光学異方体の製造方法。
【請求項９】
重合性液晶組成物がベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体又はシクロヘキサン誘導体を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基、直鎖のアルコキシ基又は置換ベンゾイルオキシ基がその側鎖として放射状に置換した構造である円盤状液晶化合物を含有する請求項１から３の何れかに記載の光学異方体の製造方法。
【請求項１０】
円盤状液晶化合物が一般式（V）で表される請求項９記載の光学異方体の製造方法。
【化８】
2008134530.tif 000031
（式中、R5はそれぞれ独立して一般式（V-a）
【化９】
2008134530.tif 000032
（式中、R6及びR7はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表し、スペーサー基Spは炭素原子数１〜１７のアルキレン基を表し、Pは一般式（V-b）、一般式（V-c）又は一般式（V-d）で表される置換基
【化１０】
2008134530.tif 000033
（式中、R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87、R88及びR89はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、nは０又は１を表す。）を表す。）で表される置換基を表す。）
【請求項１１】
光学異方体を構成する重合性液晶化合物のスペーサー基の炭素原子数を増減することによる、光学異方体の空気界面チルト角の制御方法。
【請求項１２】
該重合性液晶化合物のスペーサー基の炭素原子数が０〜５であり、該重合性液晶化合物及び重合開始剤からなる重合性液晶組成物を構成した場合における空気界面のチルト角が０から４５°である請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
該重合性液晶化合物のスペーサー基の炭素原子数が５〜１８であり、該重合性液晶化合物及び重合開始剤からなる重合性液晶組成物を構成した場合における空気界面のチルト角が４５から９０°である請求項１１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、液晶ディスプレイ等の光学補償に用いられる光学異方体において、液晶分子の空気界面のチルト角を任意に設定できる製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
重合性液晶組成物は光学異方体の構成部材として有用であり、光学異方体は例えば位相差フィルムとして種々の液晶ディスプレイに応用されている。位相差フィルムは、重合性液晶組成物を基板に塗布して、配向膜等により重合性液晶組成物を配向させた状態で活性エネルギー線を照射して重合性液晶組成物を硬化することにより得られる。しかし、重合性液晶組成物を基板に塗布した場合、空気界面においてある程度のチルト角を有し、ある特定の位相差フィルムに要求される光学特性を満たすためにはチルト角を制御することが求められていた。
該チルト角を減じる方法として、界面活性剤や重合可能な界面活性剤を重合性液晶組成物中に添加する方法が提案されている（特許文献１、２及び３参照）。
【０００３】
一方、薄型・軽量化やコスト低減を目的として、液晶ディスプレイの液晶セル内に位相差フィルムを組み込む方式が注目されているが、この場合、当該フィルム中の不純物が液晶に対して悪影響を及ぼし易い問題がある。
重合性液晶組成物に界面活性剤を含有させた場合、該チルト角を減じる目的は達成できるが、界面活性剤は微量の添加により該チルト角は大きく減少するため、該チルト角の微妙な制御が困難であった。又、位相差フィルムを液晶セル内に組み込んだ場合、界面活性剤は化学構造上、極性が高い部分を有していることから界面活性剤の混入により液晶の電圧保持率を低下させてしまう問題があった。更に、界面活性剤として長鎖パーフルオロアルキルスルホン酸アミド誘導体を用いた場合（特許文献３参照）には当該化合物は環境毒性の点で懸念があることから液晶ディスプレイとしての応用には問題があった。
【０００４】
以上のことより、液晶ディスプレイの電圧保持率を悪化させることなく、光学異方体を作製した場合に表面のチルト角を容易に制御可能な光学異方体の製造方法の開発が望まれていた。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１０５３１５号公報
【特許文献２】特開２００３−１０５０３０号公報
【特許文献３】特開２０００−９８１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本願発明の目的は、重合性液晶組成物を基板に塗布した場合、空気界面におけるチルト角を自由に制御された光学異方体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために鋭意検討した結果、重合性液晶化合物のスペーサー基の炭素原子数を制御することによって空気界面のチルト角が制御された光学異方体の製造方法の確立し本願発明の完成に至った。本願発明は、重合性液晶化合物及び重合開始剤を含有する重合性液晶組成物を基板に塗布して配向させた状態で硬化させることによる光学異方体の製造方法において、該重合性液晶化合物中に存在するスペーサー基の炭素原子数を増減し基板に塗布した重合性液晶組成物の空気界面のチルト角を任意の角度に設定することによる、空気界面において任意のチルト角を有する光学異方体の製造方法を提供し、併せて、光学異方体を構成する重合性液晶化合物のスペーサー基の炭素原子数を増減することによる、光学異方体の空気界面チルト角の制御方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本願発明の製造方法は、空気界面におけるチルト角を制御できることから様々な光学特性を有する光学異方体の製造方法として有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に本願発明による重合性液晶組成物を硬化して得る光学異方体の製造方法の最良の形態について説明する。本願発明の空気界面のチルト角が制御された光学異方体の製造方法は、重合性液晶化合物のスペーサー基の炭素原子数を制御された重合性液晶組成物を基板に塗布して配向させた状態で活性エネルギー線を照射して得ることが好ましく、空気界面のチルト角が０〜４５°である光学異方体の製造方法は、界面活性剤等の空気界面のチルト角を変化させる添加剤を含まない重合性液晶組成物において、重合性液晶化合物のスペーサー基の炭素原子数が０〜５である重合性液晶組成物を基板に塗布して配向させた状態で活性エネルギー線を照射して得ること、又、該チルト角が４５〜９０°である光学異方体の製造方法は、界面活性剤等の空気界面のチルト角を変化させる添加剤を含まない重合性液晶組成物において、該炭素原子数が５〜１８である重合性液晶組成物を基板に塗布して配向させた状態で活性エネルギー線を照射して得ることがさらに好ましい。又、該活性エネルギー線は、紫外線であることが好ましい。ここで空気界面のチルト角とは、棒状重合性液晶化合物では、空気界面における棒状分子の長軸と空気界面とのなす角を、円盤状重合性液晶化合物では、円盤状構造単位の面と空気界面とのなす角を表す。
【００１０】
重合性液晶化合物は単独で使用しても、複数の化合物を同時に用いても良い。複数の化合物を用いる場合には、空気界面のチルト角は、複数の化合物のスペーサー基の炭素原子数の平均によって決定される。ここで、１つの化合物中にスペーサー基がｎ個ある場合、該化合物のスペーサー基の炭素原子数は全スペーサー基の炭素原子数をnで割った数とし、Ｎ個の化合物を用いる場合のスペーサー基の炭素原子数の平均とは、各化合物中のスペーサー基の炭素原子数に各重量％を掛けた合計数をＮで割った数とする。
【００１１】
以上に述べた重合性液晶組成物中に含有する重合性液晶化合物については、特に制限はなく使用することができ、該重合性液晶組成物を有機溶媒などに溶かした溶液の状態で使用してもよい。好適な有機溶媒として例えばトルエン、キシレン、クメンなどのアルキル置換ベンゼンやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ブチル、シクロヘキサノン等を挙げることができる。さらにこれらの溶媒にジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン、N-メチルピロリジノン、メチルエチルケトン、酢酸エチル等を添加しても良い。重合性液晶化合物として棒状重合性液晶化合物又は円盤状重合性液晶化合物を使用することが好ましく、棒状重合性液晶化合物が特に好ましい。
棒状重合性液晶化合物は、一般式（I）
【００１２】
【化１】
2008134530.tif 000002
【００１３】
（式中、Pは反応性官能基を表し、Spは炭素原子数０〜１８のスペーサー基を表し、MGはメソゲン基又はメソゲン性支持基を表し、R1は、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜２５のアルキル基を表すが、該アルキル基は１つ以上のハロゲン原子又はCNにより置換されていても良く、この基中に存在する１つのCH2基又は隣接していない２つ以上のCH2基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、-O-、-S-、-NH-、-N(CH3)-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-SCO-、-COS-又は-C≡C-により置き換えられていても良く、あるいはR1は一般式（I-a）
【００１４】
【化２】
2008134530.tif 000003
（式中、Pは反応性官能基を表し、Spは炭素原子数０〜１８のスペーサー基を表す。）で表される構造を表す。）で表される化合物を含有することが好ましく、一般式（I）において、Spはアルキレン基を表し、該アルキレン基は１つ以上のハロゲン原子又はCNにより置換されていても良く、この基中に存在する１つのCH2基又は隣接していない２つ以上のCH2基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、-O-、-S-、-NH-、-N(CH3)-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-SCO-、-COS-又は-C≡C-により置き換えられていても良い。）で表される構造を表し、MGが一般式（I-b）
【００１５】
【化３】
2008134530.tif 000004
（式中、A1、A2及びA3はそれぞれ独立的に、1,4-フェニレン基、1,4-シクロヘキシレン基、1,4-シクロヘキセニル基、テトラヒドロピラン-2,5-ジイル基、1,3-ジオキサン-2,5-ジイル基、テトラヒドロチオピラン-2,5-ジイル基、1,4-ビシクロ(2,2,2)オクチレン基、デカヒドロナフタレン-2,6-ジイル基、ピリジン-2,5-ジイル基、ピリミジン-2,5-ジイル基、ピラジン-2,5-ジイル基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル基、2,6-ナフチレン基、フェナントレン-2,7-ジイル基、9,10-ジヒドロフェナントレン-2,7-ジイル基、1,2,3,4,4a,9,10a-オクタヒドロフェナントレン2,7-ジイル基、フルオレン2,7-ジイル基を表し、該1,4-フェニレン基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル基、2,6-ナフチレン基、フェナントレン-2,7-ジイル基、9,10-ジヒドロフェナントレン-2,7-ジイル基、1,2,3,4,4a,9,10a-オクタヒドロフェナントレン2,7-ジイル基及びフルオレン2,7-ジイル基は置換基として１個以上のF、Cl、CF3、OCF3、シアノ基、炭素原子数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカノイルオキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケノイル基、アルケノイルオキシ基を有していても良く、Z0、Z1、Z2及びZ3はそれぞれ独立して、-COO-、-OCO-、-CH2 CH2-、-OCH2-、-CH2O-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2CH2COO-、-CH2CH2OCO-、-COO CH2CH2-、-OCOCH2CH2-、-CONH-、-NHCO-又は単結合を表し、nは０、１又は２を表す。）で表される構造を表し、Pが一般式（I-c）、一般式（I-d）又は一般式（I-e）
【００１６】
【化４】
2008134530.tif 000005
【００１７】
（式中、R21、R22、R23、R31、R32、R33、R41、R42及びR43はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、nは０又は１を表す。）で表される置換基で表される化合物を含有することがさらに好ましい。
ここで、重合性液晶組成物に含有される化合物として、より具体的には一般式（II）
【００１８】
【化５】
2008134530.tif 000006
【００１９】
（式中、mは０又は１を表し、W1及びW2はそれぞれ独立的に単結合、-O-、-COO-又は-OCO-を表し、Y1及びY2はそれぞれ独立的に-COO-又は-OCO-を表し、r及びsはそれぞれ独立的に２〜１８の整数を表すが、式中に存在する1,4−フェニレン基は炭素原子数１〜７のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、シアノ基、又はハロゲン原子で一つ以上置換されていても良い。）で表される化合物を用いると、機械的強度や耐熱性に優れた光学異方体が得られるので特に好ましい。
また、一般式（III）
【００２０】
【化６】
2008134530.tif 000007
【００２１】
（式中、Z1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表し、Z2は水素原子又はメチル基を表し、tは０又は1を表し、A、B及びCはそれぞれ独立的に、1,4−フェニレン基、隣接しないCH基が窒素で置換された1,4−フェニレン基、1,4−シクロヘキシレン基、１つ又は隣接しない２つのCH2基が酸素又は硫黄原子で置換された1,4−シクロヘキシレン基、1,4−シクロヘキセニレン基を表すが、式中に存在する1,4−フェニレン基は炭素原子数１〜７のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、シアノ基又はハロゲン原子で一つ以上置換されていても良く、Y3及びY4はそれぞれ独立的に単結合、-CH2CH2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C≡C-、-CH=CH-、-CF=CF-、-（CH2）4-、-CH2CH2CH2O-、-OCH2CH2CH2-、-CH=CHCH2CH2-、-CH2CH2CH=CH-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2CH2COO-、-CH2CH2OCO-、-COO CH2CH2-又は-OCOCH2CH2-を表し、Y5は単結合、-O-、-COO-、-OCO-又は-CH=CHCOO-を表す。）で表される化合物を用いると、重合性液晶組成物の粘度低減や液晶温度範囲を室温もしくは室温付近まで低減することができるので好ましい。
また、一般式（IV）
【００２２】
【化７】
2008134530.tif 000008
【００２３】
（式中、Z3は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子１〜２０の炭化水素基を表し、Z4は水素原子又はメチル基を表し、W3はそれぞれ独立的に単結合、-O-、-COO-、-OCO-を表し、vは２〜１８の整数を表し、uは０又は１の整数を表し、D、E及びFはそれぞれ独立的に、1,4-フェニレン基、隣接しないCH基が窒素で置換された1,4-フェニレン基、1,4-シクロヘキシレン基、１つ又は隣接しない２つのCH２基が酸素又は硫黄原子で置換された1,4−シクロヘキシレン基、1,4−シクロヘキセニレン基を表し、これらのD、E及びFは、さらに炭素原子数１〜７のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、シアノ基、又はハロゲン原子で一つ以上置換されていても良く、Y6及びY7はそれぞれ独立的に単結合、-CH2CH2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C≡C-、-CH=CH-、-CF=CF-、-（CH2）4-、-CH2CH2CH2O-、-OCH2CH2CH2-、-CH=CHCH2CH2-、-CH2CH2CH=CH-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2CH2COO-、-CH2CH2OCO-、-COOCH2CH2-又は-OCOCH2CH2-を表し、Y8は単結合、-O-、-COO-、-OCO-又は-CH=CHCOO-を表す。）で表される化合物を用いると、重合性液晶組成物の粘度を大幅に増加させることなく液晶物性を調節することができるので好ましい。
一般式（I）で表される化合物の具体例を以下に挙げることができる。
【００２４】
【化８】
2008134530.tif 000009
【００２５】
（式中、j及びkはそれぞれ独立的に２〜１８の整数を表す。）
また、一般式（II）で表される化合物の具体例を以下に挙げることができる。
【００２６】
【化９】
2008134530.tif 000010
また、一般式（III）で表される化合物の具体的な例として、化合物の構造と相転移温度を以下に挙げることができる。
【００２７】
【化１０】
2008134530.tif 000011
【００２８】
【化１１】
2008134530.tif 000012
【００２９】
【化１２】
2008134530.tif 000013
【００３０】
（式中、シクロヘキサン環はトランスシクロヘキサン環を表し、数字は相転移温度を表し、Cは結晶相、Nはネマチック相、Sはスメクチック相、Iは等方性液体相をそれぞれ表す。）
また、一般式（IV）で表される化合物の具体例を以下に挙げることができる。
【００３１】
【化１３】
2008134530.tif 000014
【００３２】
（式中、X1は水素原子又はメチル基を表し、Rは炭素原子数１から２０のアルキル基表す。）
また、円盤状液晶化合物は、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体又はシクロヘキサン誘導体を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基、直鎖のアルコキシ基又は置換ベンゾイルオキシ基がその側鎖として放射状に置換した構造を有することが好ましく、一般式（V）
【００３３】
【化１４】
2008134530.tif 000015
（式中、R5はそれぞれ独立して一般式（V-a）
【００３４】
【化１５】
2008134530.tif 000016
（式中、R6及びR7はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表し、スペーサー基Spは炭素原子数１〜１７アルキレン基を表し、Pは一般式（V-b）、一般式（V-c）又は一般式（V-d）で表される置換基
【００３５】
【化１６】
2008134530.tif 000017
【００３６】
（式中、R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87、R88及びR89はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、nは０又は１を表す。）を表す。）で表される構造を有することがさらに好ましく、一般式（V）においてR8の内少なくとも一つは一般式（V-b）、一般式（V-c）又は一般式（V-d）で表される置換基によって置換されたアルコキシ基を表すことが好ましく、R8の全てが一般式（V-b）、一般式（V-c）又は一般式（V-d）で表される置換基によって置換されたアルコキシ基を表すことが特に好ましい。
更に、一般式(V-a)は具体的には一般式(V-e)
【００３７】
【化１７】
2008134530.tif 000018
【００３８】
（式中nは２〜９の整数を表す。）で表される構造を有することが特に好ましい。
また、以上の重合性液晶組成物中に酸化防止剤の他に重合禁止剤、重合開始剤、界面活性剤、又は紫外線吸収剤などの添加剤を含有しても良い。
【００３９】
本願発明の光学異方体の空気界面チルト角の制御方法は、光学異方体を構成する重合性液晶化合物のスペーサー基の炭素原子数を増減することによるものである。具体的には、重合性液晶化合物のスペーサー基の炭素原子数が０〜５である場合に、空気界面のチルト角が０から４５°に制御することが可能であり、重合性液晶化合物のスペーサー基の炭素原子数が５〜１８である場合に、空気界面のチルト角が４５から９０°に制御することが可能である。
【００４０】
重合性液晶化合物は単独で使用しても、複数の化合物を同時に用いても良い。複数の化合物を用いる場合には、空気界面のチルト角は、複数の化合物のスペーサーの炭素原子数の平均によって決定される。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例を挙げて本願発明を更に詳述するが、本願発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
式(a)の化合物50質量%
【００４２】
【化１８】
2008134530.tif 000019
式(b)の化合物50質量%
【００４３】
【化１９】
2008134530.tif 000020
からなる重合性液晶組成物（A）を調製した。Aのスペーサー基の平均炭素原子数は３．５である。重合性液晶組成物（A）98質量％に光重合開始剤Irgacure-651（チバスペシャリティケミカルズ社製）を2.0質量%添加した本発明の重合性液晶組成物（A1）を調製した。次に重合性液晶組成物（A1）を33質量%含有するキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液をポリイミド配向膜付きガラス基板にスピンコート（3000回転/分、30秒）した。スピンコートした基板に窒素雰囲気中で4mW/cm2の紫外線を120秒照射して、重合性液晶組成物（A1）を硬化させた。このようにして得られた光学異方体の位相差の入射角依存測定をした結果、空気界面におけるチルト角は約25°であった。このようにして得られた光学異方体付き基板を光学異方体の遅相軸と同方向にラビングして、ポリイミド配向膜付きガラス基板とラビング方向を直交させて6μmの間隔を保って対向してTNセルを作製した。作製したセルに化合物(c)20質量％、化合物(d)25質量％、化合物(e)20質量％、化合物(f)20質量％、化合物(g)7質量％及び化合物(h)8質量％からなる液晶(i)を注入し、印加電圧5V、フレーム時間16.6ms、パルス印加時間64μs、測定温度70℃の条件で電圧保持率を測定した結果、94.7％であった。化合物（c）〜（h）は以下に示す。
【００４４】
【化２０】
2008134530.tif 000021
【００４５】
（実施例２）
式(a)の化合物50質量%、式(c)の化合物50質量%
【００４６】
【化２１】
2008134530.tif 000022
からなる重合性液晶組成物（B）を調製した。Bのスペーサー基の平均炭素原子数は４．５である。重合性液晶組成物（B）98質量％に光重合開始剤Irgacure-651（チバスペシャリティケミカルズ社製）を2.0質量%添加した本願発明の重合性液晶組成物（B1）を調製した。次に重合性液晶組成物（B1）を33質量%含有するキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液をポリイミド配向膜付きガラス基板にスピンコート（3000回転/分、30秒）した。スピンコートした基板に窒素雰囲気中で4mW/cm2の紫外線を120秒照射して、重合性液晶組成物（B1）を硬化させた。このようにして得られた光学異方体の位相差の入射角依存測定をした結果、空気界面におけるチルト角は約40°であった。このようにして得られた光学異方体付き基板を光学異方体の遅相軸と同方向にラビングして、ポリイミド配向膜付きガラス基板とラビング方向を直交させて6μmの間隔を保って対向して作製したTNセルに液晶(B)を注入し、印加電圧5V、フレーム時間16.6ms、パルス印加時間64μs、測定温度70℃の条件で電圧保持率を測定した結果、94.8％であった。
【００４７】
（実施例３）
式(b)の化合物50質量%、式(c)の化合物50質量%からなる重合性液晶組成物（C）を調製した。Cのスペーサー基の平均炭素原子数は５である。重合性液晶組成物（C）98質量％に光重合開始剤Irgacure-651（チバスペシャリティケミカルズ社製）を2.0質量%添加した本願発明の重合性液晶組成物（C1）を調製した。次に重合性液晶組成物（C1）を33質量%含有するキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液をポリイミド配向膜付きガラス基板にスピンコート（3000回転/分、30秒）した。スピンコートした基板に窒素雰囲気中で4mW/cm2の紫外線を120秒照射して、重合性液晶組成物（C1）を硬化させた。このようにして得られた光学異方体の位相差の入射角依存測定をした結果、空気界面におけるチルト角は約65°であった。このようにして得られた光学異方体付き基板を光学異方体の遅相軸と同方向にラビングして、ポリイミド配向膜付きガラス基板とラビング方向を直交させて6μmの間隔を保って対向して作製したTNセルに液晶(B)を注入し、印加電圧5V、フレーム時間16.6ms、パルス印加時間64μs、測定温度70℃の条件で電圧保持率を測定した結果、94.7％であった。
【００４８】
（実施例４〜７）
式(a)の化合物及び式(c)の化合物の混合比を変えて重合性液晶組成物（D）〜（G）を調製した。式(a)の化合物及び式(c)の化合物の混合比を表１に示す。重合性液晶組成物（D）〜（G）98質量％に光重合開始剤Irgacure-651（チバスペシャリティケミカルズ社製）を2.0質量%添加した本願発明の重合性液晶組成物（D1）〜（G1）を調製した。次に重合性液晶組成物（D1）〜（G1）を33質量%含有するキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液をポリイミド配向膜付きガラス基板にスピンコート（3000回転/分、30秒）した。スピンコートした基板に窒素雰囲気中で4mW/cm2の紫外線を120秒照射して、重合性液晶組成物（D1）〜（G1）を硬化させた。このようにして得られた光学異方体の位相差の入射角依存測定をした結果を表１にまとめる。
【００４９】
【表１】
2008134530.tif 000023
【００５０】
（比較例１）
重合性液晶組成物（B）97.0質量％に光重合開始剤Irgacure-651（チバスペシャリティケミカルズ社製）2.0質量%、界面活性剤FC171（3M社製）を1.0質量%添加した本願発明の重合性液晶組成物（H1）を調製した。次に重合性液晶組成物（H1）を33質量%含有するキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液をポリイミド配向膜付きガラス基板にスピンコート（3000回転/分、30秒）した。スピンコートした基板に窒素雰囲気中で4mW/cm2の紫外線を120秒照射して、重合性液晶組成物（H1）を硬化させた。このようにして得られた光学異方体の位相差の入射角依存測定をした結果、空気界面におけるチルト角は約0°であった。このようにして得られた光学異方体付き基板を光学異方体の遅相軸と同方向にラビングして、ポリイミド配向膜付きガラス基板とラビング方向を直交させて6μmの間隔を保って対向して作製したTNセルに液晶(B)を注入し、印加電圧5V、フレーム時間16.6ms、パルス印加時間64μs、測定温度70℃の条件で電圧保持率を測定した結果、89.3％であった。
【００５１】
以上の実施例と比較例から、重合性液晶化合物のスペーサー基の炭素原子数を制御することにより空気界面におけるチルト角は制御でき、かつ、該重合性液晶組成物を硬化させた光学異方体を液晶セル内部に組み込んだ場合、界面活性剤を含有する重合性液晶組成物を硬化させた光学異方体と比較して、高い電圧保持率を示すことがわかり、本願発明の重合性液晶組成物は液晶セル内部に組み込む光学異方体の材料として好適である。