(57)【要約】【課題】本発明は画素領域を駆動するための信号線及び電源線の損傷を防止する有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による有機電界発光表示装置は、少なくとも画素領域を含む素子基板と、前記画素領域を含んで前記素子基板の少なくとも一部の領域と重畳されるように配置された封止基板と、前記素子基板と前記封止基板の間に配置されて前記素子基板と前記封止基板の間の領域を封止する封止材と、一側端は前記封止材によって封止される封止領域内に位置して他の側端は前記封止領域の外部に位置するように前記素子基板上に形成された少なくとも一つの導線と、前記導線上に形成された第１保護膜と、前記導線と交差されるように配置される前記封止基板の一側端と重畳されるように前記第１保護膜上に形成された第２保護膜とを含む。【選択図】図４
2008123983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも画素領域を含む素子基板と、
前記画素領域を含んで前記素子基板の少なくとも一部の領域と重畳されるように配置された封止基板と、
前記素子基板と前記封止基板の間に配置されて前記素子基板と前記封止基板の間の領域を封止する封止材と、
一側端は前記封止材によって封止される封止領域内に位置して他の側端は前記封止領域の外部に位置するように前記素子基板上に形成された少なくとも一つの導線と、
前記導線上に形成された第１保護膜と、
前記導線と交差されるように配置される前記封止基板の一側端と重畳されるように前記第１保護膜上に形成された第２保護膜と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第１保護膜は少なくとも一つの無機膜からなり、前記第２保護膜は少なくとも一つの有機膜からなることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記第１保護膜は、前記画素領域に含まれた絶縁膜の中の少なくとも一つの無機絶縁膜材料から形成されたことを特徴とする請求項２記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記第１保護膜は、前記画素領域の層間絶縁膜材料及び無機平坦化膜材料の中の少なくとも一つから形成されたことを特徴とする請求項３記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記第２保護膜は、前記画素領域に含まれた絶縁膜の中の少なくとも一つの有機絶縁膜材料から形成されたことを特徴とする請求項２記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記第２保護膜は、前記画素領域の有機平坦化膜、画素定義膜及び画素の間のスペーサの中の少なくとも一つを成す材料から形成されたことを特徴とする請求項５記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記第２保護膜は、前記画素領域の有機平坦化膜、画素定義膜及び画素の間のスペーサの中の少なくとも二つの絶縁膜の積層構造で形成されたことを特徴とする請求項５記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記第２保護膜は、アクリル及びポリイミドの中の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項５記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記第２保護膜は、前記封止材と重畳されないように形成されたことを特徴とする請求項２記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記第２保護膜の高さは、前記封止材の高さより低いか同じに設定されることを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記第２保護膜は、自分と重畳される前記封止基板の一側端を基準に３００μｍ以内の領域に形成されたことを特徴とする請求項２記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記封止領域外部の前記素子基板上には、前記画素領域にデータ信号を供給するためのデータ駆動部が実装されて、前記画素領域と前記データ駆動部の間には複数のデータ線が形成されることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記導線が、前記データ線であることを特徴とする請求項１２記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第２保護膜は、前記封止材と前記データ駆動部の間に形成されたことを特徴とする請求項１２記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記第２保護膜は、少なくとも二つの有機絶縁膜の積層構造で形成されて、前記第２保護膜に含まれた有機絶縁膜の中の少なくとも一つは前記導線と重畳されないように前記導線の間の領域に配置されたことを特徴とする請求項２記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
画素領域が定義された素子基板上に複数のデータ線を形成する段階と、
前記データ線上に少なくとも一つの無機絶縁膜を形成して第１保護膜を形成する段階と、
前記第１保護膜の一部の領域上に前記データ線と交差されるように少なくとも一つの第２保護膜を形成する段階と、
前記画素領域を含んで前記素子基板上の少なくとも一部の領域を封止基板で封止する段階と、
前記封止基板のスクライビングラインに沿って前記封止基板をスクライビングする段階とを含み、
前記第２保護膜と前記封止基板のスクライビングラインがお互いに重畳されるように形成されることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２保護膜が少なくとも一つの有機絶縁膜を含むように形成されることを特徴とする請求項１６記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記画素領域に複数の画素を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１６記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１保護膜は、前記画素領域に含まれた無機絶縁膜材料の中の少なくとも一つの材料を利用して、前記画素を形成する工程段階において前記画素とともに形成されることを特徴とする請求項１８記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第２保護膜は、前記画素領域に含まれた有機絶縁膜材料の中の少なくとも一つの材料を利用して、前記画素を形成する工程段階において前記画素とともに形成されることを特徴とする請求項１８記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第２保護膜は、前記画素領域の有機平坦化膜、画素定義膜及び有機スペーサを形成する工程において、これらのうち少なくとも一つを成す絶縁膜材料の積層構造で形成されることを特徴とする請求項２０記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記素子基板上の少なくとも一部の領域を封止する段階において、前記封止基板のスクライビングラインの内側領域の端に沿って塗布された封止材を利用して前記素子基板と前記封止基板の間の領域を封止することを特徴とする請求項１６記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記封止材は、前記第１保護膜と重畳されるように前記第１保護膜上に形成されることを特徴とする請求項２２記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第２保護膜は、前記封止材と重畳されないように前記封止材による封止領域外部に形成されることを特徴とする請求項２２記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第２保護膜は、前記封止基板のスクライビング公差領域に形成されることを特徴とする請求項２４記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記スクライビング公差領域は、前記封止基板のスクライビングラインから３００μｍ以内の領域に設定されたことを特徴とする請求項２５記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記第２保護膜の高さは、前記封止材の高さより低いか同じに形成されることを特徴とする請求項２２記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記第２保護膜は少なくとも二つの有機絶縁膜を積層して形成され、前記第２保護膜に含まれた有機絶縁膜の中の少なくとも一つは前記データ線と重畳されないように前記データ線の間の領域に形成されることを特徴とする請求項１６記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、特に、画素領域を駆動させるための信号線及び電源線の損傷を防止する有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管に比べて重さが軽くて体積の小さな各種平板表示装置が開発されており、特に、発光効率、輝度及び視野角がすぐれて応答速度の速い有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）が注目されている。有機電界発光表示装置は自発発光素子である有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ；ＯＬＥＤ）を利用したもので、有機発光ダイオードは、アノード電極及びカソード電極と、これらの間に配置されてアノード電極及びカソード電極から供給された正孔及び電子が再結合することで励起子（Ｅｘｃｉｔｏｎ）が生成されて発光する有機発光層を含む。
【０００３】
図１は、一般的な有機電界発光表示装置を示す斜視図である。
図１を参照すれば、有機電界発光表示装置１００は、画素領域１４０及び走査駆動部１５０などが形成される素子基板１１０と、少なくとも画素領域１４０を封止するように素子基板１１０の上部に位置された封止基板１２０と、封止基板１２０による封止領域外部の素子基板１１０上に実装されたデータ駆動部１６０を含む。
【０００４】
画素領域１４０は、素子基板１１０上に形成された複数の画素１４５を含む。それぞれの画素１４５は、走査線Ｓとデータ線Ｄの交差領域に位置し、これらのうちそれぞれいずれか一つと接続されており、少なくとも有機発光ダイオードを含む。このような画素１４５は自分と接続された走査線Ｓから走査信号が供給される時にデータ線Ｄから供給されるデータ信号に対応する輝度の光を生成する。これによって、画素領域１４０は映像を表示する。
【０００５】
ここで、画素１４５は有機発光ダイオードの有機発光層などを含むので、酸素及び水気が浸透した時に、簡単に劣化しうる。したがって、画素１４５が形成された画素領域１４０は酸素及び水気の浸透から保護されるように封止されなければならない。これに関する詳細な説明は後述する。
【０００６】
走査駆動部１５０は、外部から供給されるクロック信号、スタートパルス、出力イネーブル信号などの走査制御信号によって駆動されて走査信号を生成する。走査駆動部１５０で生成された走査信号は走査線Ｓを通じて画素領域１４０に供給される。画素領域１４０に少なくとも一つのトランジスタが形成される場合、このような走査駆動部１５０は、これと共に素子基板１１０上に形成されて画素領域１４０とともに封止されるか、あるいはチップの形態で封止領域外部に実装させることができる。
【０００７】
封止基板１２０は、画素領域１４０と重畳されるように素子基板１１０の上部に配置されて少なくとも画素領域１４０を封止する。この時、封止基板１２０の端にはエポキシ樹脂、またはフリットなどの封止材１３０が形成されて、これによって素子基板１１０と封止基板１２０が合着され、これらの間の内部領域が封止される。このような封止基板１２０はデータ駆動部１６０などがチップの形態で実装される場合、データ駆動部１６０が実装される領域などとは重畳されないようにスクライビングされる。
【０００８】
データ駆動部１６０は外部から供給されるデータ及び制御信号に対応してデータ信号を生成する。データ駆動部１６０で生成されたデータ信号はデータ線Ｄを通じて画素領域１４０に供給される。このようなデータ駆動部１６０は一般的に封止工程が遂行された後に、封止領域以外の素子基板１１０上に実装されるが、素子基板１１０上に画素１４０とともに形成されて封止領域内部に位置することもできる。
【０００９】
前述の一般的な有機電界発光表示装置１００において、データ線Ｄはデータ駆動部１６０から画素領域１４０に含まれた画素１４５にまで連結されるように形成されるので、データ線Ｄの少なくとも一部の領域は封止基板１２０及び封止材１３０による封止領域の外部にも形成される。
このようなデータ線Ｄを保護するために従来ではデータ線Ｄの上部に少なくとも一つの無機絶縁膜を形成してデータ線Ｄを保護した。
【００１０】
例えば、従来では図２に示されたようにデータ線２２０の上部に少なくとも一つの無機絶縁膜２３０、２４０を形成し、データ線２２０へ水気が浸透することを防止してデータ線２２０の腐食を防止した。
【００１１】
図２は、図１のＡ部分を示す要部の断面図である。図２では、データ線とこれらの保護膜を示し、それ以外の配線や絶縁膜などの図示は省略する。
【００１２】
図２を参照すれと、データ線２２０の上部には少なくとも一つの無機絶縁膜２３０、２４０が形成される。
【００１３】
無機絶縁膜２３０、２４０は、画素１４５の層間絶縁膜２３０、または無機平坦化膜２４０などで形成される。すなわち、無機絶縁膜２３０、２４０は画素領域１４０が形成される時に一緒に形成される。
【００１４】
このような無機絶縁膜２３０、２４０はデータ線２２０を保護する。ただし、無機絶縁膜２３０、２４０は封止材１３０と少なくとも一部が重畳されるように形成されるものであり、無機物質のみで形成されなければならない。
【００１５】
これは無機絶縁膜２３０、２４０に有機物質が含まれる場合、有機物質を通じて酸素及び水気などが封止領域内部に浸透することがあるので、これを防止するためである。
しかし、画素領域内で形成される無機絶縁膜２３０、２４０のみでデータ線２２０を保護するには限界があった。
【００１６】
特に、封止基板１２０をスクライビングする時、データ線２２０の上部に無機絶縁膜２３０、２４０のみで形成されている場合には、データ線２２０を効果的に保護することができなかった。
【００１７】
より具体的には、無機絶縁膜２３０、２４０は外部衝撃によって割れなどが発生しやすい。例えば、封止基板１２０をスクライビングした後、分離する過程で加えられる外部衝撃によって無機絶縁膜２３０、２４０に割れなどが発生しやすい。この場合、高温、高湿信頼性テストなどを遂行する時、割れた無機絶縁膜２３０、２４０の隙間に水が浸透してデータ線２２０が腐食され得る。これによって、データ線２２０の一部が断線して有機電界発光表示装置１００に不良が発生するようになる。
【００１８】
また、このような損傷はデータ線２２０に限られることではなく、画素領域１４０及び走査駆動部１５０に電源を供給する電源線や走査駆動部１５０で走査制御信号を供給する信号線も同様に封止基板１２０のスクライビングライン下部に位置して損傷を被ることがあり得る。
【００１９】
図３ａないし図３ｄは、図１に示された有機電界発光表示装置の製造方法を示す図面である。
図３ａないし図３ｄを参照すれば、図１に示された有機電界発光表示装置１００を製造するためには、まず、素子基板１１０上に画素１４５、走査線Ｓ及びデータ線Ｄと、走査駆動部１５０を形成する（図３ａ）。
【００２０】
その後、封止材１３０が塗布された封止基板１２０を素子基板１１０上に配置させた後に、封止工程を遂行する。この時、封止材１３０は封止基板１２０のスクライビングライン３１０の内側領域の端に沿って塗布され、少なくとも画素領域１４０を封止するように形成される（図３ｂ）。
その後、スクライビングライン３１０に沿って封止基板１２０のスクライビング工程を遂行して封止領域を除いた一部１２０−１を分離する（図３ｃ）。
【００２１】
その後、封止領域以外が露出した素子基板１１０上にデータ線Ｄの一側端と連結されるようにデータ駆動部１６０を実装する（図３ｄ）。
【００２２】
前述の有機電界発光表示装置１００の製造工程においては、図３ｃに示されたように封止基板の一領域１２０−１を分離する時、分離される基板１２０−１とデータ線２２０上部の無機絶縁膜２３０、２４０が衝突して無機絶縁膜２３０、２４０が割れるなどの損傷が発生しうる。これによって、無機絶縁膜２３０、２４０がデータ線２４０のような信号線及び電源線を効果的に保護することができず、高温、高湿信頼性テストでデータ線２４０などの信号線または電源線の一部が断線されるなどの不良が発生し得る。
【特許文献１】特許第３４８１２３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
したがって、本発明の目的は封止基板のスクライビングライン下部に位置する信号線及び電源線の上部に油／無機保護膜を形成して信号線及び電源線を保護することは勿論、封止領域内部で酸素及び水気が浸透することを防止する有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
前記目的を果たすために、本発明の第１側面は少なくとも画素領域を含む素子基板と、前記画素領域を含んで前記素子基板の少なくとも一部の領域と重畳されるように配置された封止基板と、前記素子基板と前記封止基板の間に配置されて前記素子基板と前記封止基板の間の領域を封止する封止材と、一側端は前記封止材によって封止される封止領域内に位置して他の側端は前記封止領域の外部に位置するように前記素子基板上に形成された少なくとも一つの導線と、前記導線上に形成された第１保護膜と、前記導線と交差されるように配置される前記封止基板の一側端と重畳されるように前記第１保護膜上に形成された第２保護膜とを含む有機電界発光表示装置を提供する。
【００２５】
望ましく、前記第１保護膜は少なくとも一つの無機膜からなり、前記第２保護膜は少なくとも一つの有機膜からなる。前記第１保護膜は前記画素領域に含まれた絶縁膜の中の少なくとも一つの無機絶縁膜材料から形成される。前記第１保護膜は前記画素領域の層間絶縁膜材料及び無機平坦化膜材料の中の少なくとも一つから形成される。
【００２６】
前記第２保護膜は前記画素領域に含まれた絶縁膜の中の少なくとも一つの有機絶縁膜材料から形成される。
【００２７】
前記第２保護膜は前記画素領域の有機平坦化膜、画素定義膜、及び画素の間のスペーサの中の少なくとも一つを成す材料から形成される。
【００２８】
前記第２保護膜は前記画素領域の有機平坦化膜、画素定義膜、及び画素の間のスペーサの中の少なくとも二つの絶縁膜の積層構造で形成される。
【００２９】
前記第２保護膜はアクリル、及びポリイミドの中の少なくとも一つを含む。
【００３０】
前記第２保護膜は前記封止材と重畳されないように形成される。
【００３１】
前記第２保護膜の高さは前記封止材の高さより低いか同じに設定される。
【００３２】
前記第２保護膜は自分と重畳される前記封止基板の一側端を基準に３００μｍ以内の領域に形成される。
【００３３】
前記封止領域外部の前記素子基板上には前記画素領域にデータ信号を供給するためのデータ駆動部が実装されて、前記画素領域と前記データ駆動部の間には複数のデータ線が形成される。
【００３４】
前記導線が前記データ線であることを特徴とする。前記第２保護膜は前記封止材と前記データ駆動部の間に形成される。
【００３５】
前記第２保護膜は少なくとも二つの有機絶縁膜の積層構造で形成されて、前記第２保護膜に含まれた有機絶縁膜の中の少なくとも一つは前記導線と重畳されないように前記導線の間の領域に配置される。
【００３６】
本発明の第２側面は、画素領域が定義された素子基板上に複数のデータ線を形成する段階と、前記データ線上に少なくとも一つの無機絶縁膜を形成して第１保護膜を形成する段階と、前記第１保護膜の一部の領域上に前記データ線と交差されるように少なくとも一つの第２保護膜を形成する段階と、前記画素領域を含んで前記素子基板上の少なくとも一部の領域を封止基板で封止する段階と、前記封止基板のスクライビングラインに沿って前記封止基板をスクライビングする段階を含み、前記第２保護膜と前記封止基板のスクライビングラインがお互いに重畳されるように形成されることを特徴とする。
【００３７】
望ましくは、前記第２保護膜は少なくとも一つの有機絶縁膜を含むように形成される。前記画素領域に複数の画素を形成する段階をさらに含む。前記第１保護膜は前記画素領域に含まれた無機絶縁膜材料の中の少なくとも一つの材料を利用して、前記画素を形成する工程段階において前記画素とともに形成する。前記第２保護膜は前記画素領域に含まれた有機絶縁膜材料の中の少なくとも一つの材料を利用して、前記画素を形成する工程段階において前記画素とともに形成される。
【００３８】
前記第２保護膜は前記画素領域の有機平坦化膜、画素定義膜及び有機スペーサを形成する工程において、これらのうち少なくとも一つを成す絶縁膜材料の積層構造で形成する。
【００３９】
前記素子基板上の少なくとも一部の領域を封止する段階において、前記封止基板のスクライビングライン内側領域の端に沿って塗布された封止材を利用して前記素子基板と前記封止基板の間の領域を封止する。
【００４０】
前記封止材は前記第１保護膜と重畳されるように前記第１保護膜上に形成される。
【００４１】
前記第２保護膜は前記封止材と重畳されないように前記封止材による封止領域外部に形成される。
【００４２】
前記第２保護膜は前記封止基板のスクライビング公差領域に形成される。
【００４３】
前記スクライビング公差領域は前記封止基板のスクライビングラインから３００μｍ以内の領域に設定される。
【００４４】
前記第２保護膜の高さは前記封止材の高さより低いか同じに形成される。前記第２保護膜は少なくとも二つの有機絶縁膜を積層して形成され、前記第２保護膜に含まれた有機絶縁膜の中の少なくとも一つは前記データ線と重畳されないように前記データ線の間の領域に形成される。
【発明の効果】
【００４５】
上述したように、本発明による有機電界発光表示装置によれば、データ線のように封止領域内部から封止領域外部まで形成される電源線、及び／または信号線などの導線上部に無機絶縁膜でなる第１保護膜を形成するので、導線を水気の浸透などから保護して断線などの導線の欠陥を防止することができる。
【００４６】
また、割れが発生しやすい第１保護膜上に少なくとも一つの有機絶縁膜でなる第２保護膜を形成するので、封止基板のスクライビング工程などで外部衝撃による第１保護膜の割れを防止して第１保護膜がその機能を完全に果たすことができる。これによって、データ線などの導線がより効果的に保護されて断線などの欠陥が防止されて有機電界発光表示装置の不良を防止することができる。
【００４７】
また、有機膜である第２保護膜を封止材と重畳されないように封止材による封止領域の外部に位置させることは勿論、第２保護膜の高さが封止材の高さより低いか同じく設定されるので、効果的に封止を行うことができる。したがって、封止領域内部に酸素及び水が浸透することが防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、当業者が本発明を容易に実施できる望ましい実施例を添付された図４ないし図１０を参照して詳しく説明する。
【００４９】
図４は、本発明の一実施例による有機電界発光表示装置を示す斜視図である。そして、図５は図４のＢ部分を示す要部の断面図である。図５ではデータ線とこれらの保護膜を示し、それ以外の配線や絶縁膜などの図示は省略する。
【００５０】
図４及び図５を参照すれと、有機電界発光表示装置４００は少なくとも画素領域４４０を含む素子基板４１０と、画素領域４４０を含んで素子基板４１０の少なくとも一部の領域と重畳されるように配置された封止基板４２０と、素子基板４１０と封止基板４２０の間に配置されて素子基板４１０と封止基板４２０の間の領域を封止する封止材４３０と、封止領域内部の画素領域４４０から封止領域外部のデータ駆動部４６０に至るまで素子基板４１０上に形成されたデータ線Ｄなどの少なくとも一つの導線５１０と、導線５１０上に形成された第１保護膜５２０と、導線５１０と交差されるように配置される封止基板４２０の一側端と重畳されるように第１保護膜５２０上に形成された第２保護膜４７０を含む。
【００５１】
より具体的には、素子基板４１０には走査線Ｓ、及びデータ線Ｄの交差領域に位置した複数の画素４４５を含む画素領域４４０と、走査線Ｓに走査信号を供給するための走査駆動部４５０が形成されており、データ線Ｄにデータ信号を供給するためのデータ駆動部４６０が実装される。
【００５２】
ここで、それぞれの画素４４５は自分に供給される電流量に相応する光を生成する有機発光ダイオードを含む。このような画素４４５は自分と接続された走査線Ｓに走査信号が供給される時データ線Ｄから供給されるデータ信号に対応する輝度の光を生成する。これによって、画素領域４４０は映像を表示する。
【００５３】
ただし、画素４４５は有機発光ダイオードの有機発光層などを含むから酸素及び水気が浸透した時には、簡単に劣化しうる。これを防止するために、画素４４５が形成された画素領域４４０は一般的に封止基板４２０と封止材４３０によって封止される。すなわち、画素領域４４０は封止領域内に位置する。
【００５４】
走査駆動部４５０は外部からパッド部（図示せず）などを通じて供給されるクロック信号、スタートパルス、出力イネーブル信号などの走査制御信号によって駆動され走査信号を生成する。走査駆動部４５０で生成された走査信号は、走査線Ｓを通じて画素領域４４０に供給される。画素領域４４０にトランジスタが形成される場合、このような走査駆動部４５０は、これらのトランジスタとともに素子基板４１０上に形成されて画素領域４４０とともに封止されるか、あるいはチップの形態で封止領域の外部に実装させることができる。
【００５５】
データ駆動部４６０は、外部からパッド部などを通じて供給されるデータ及びデータ駆動制御信号によって駆動されてデータ信号を生成する。データ駆動部４６０で生成されたデータ信号は、データ線Ｄを通じて画素領域４４０に供給される。このようなデータ駆動部４６０は一般的にチップの形態で封止領域外部の素子基板４１０上に実装されるが、画素領域４４０とともに素子基板４１０上に形成されて封止領域内部に配置されることも可能である。
【００５６】
封止基板４２０は、少なくとも画素領域４４０を含んで素子基板４１０の一部の領域と重畳されるように配置されて、封止材４３０とともに画素領域４４０などを封止する。データ駆動部４６０などがチップの形態で実装される場合、このような封止基板４２０は、データ駆動部４６０が実装される領域とは重畳されないようにスクライビングされる。
【００５７】
封止材４３０は素子基板４１０に対向する封止基板４２０の一面端に沿って塗布されて素子基板４１０と封止基板４２０を合着させることで、封止領域内部に酸素及び水気などが浸透することを防止する。これによって、画素領域４４０が保護される。ここで、封止材４３０としてエポキシ樹脂、またはフリットなどが利用されうる。
【００５８】
前述した有機電界発光表示装置４００においては、素子基板４１０上には封止領域内部から封止領域外部に至るまで少なくとも一つの導線５１０が形成される。すなわち、導線５１０の一側端は封止材４３０によって封止される封止領域内に位置して、他の側端は封止領域の外部に位置するように素子基板４１０上に形成される。
【００５９】
特に、データ駆動部４６０がチップの形態で封止領域外部に実装される場合、画素領域４４０とデータ駆動部４６０の間に形成されるデータ線Ｄなどがこのような導線５１０に含まれる。
また、封止領域内に位置した画素領域４４０及び走査駆動部４５０などは封止領域外部から電源及び／または走査制御信号などの供給を受けるから、このような電源及び／または走査制御信号などの供給手段（図示せず）と画素領域４４０及び走査駆動部４５０の間にはそれぞれ図示されていない少なくとも一つの電源線及び／または信号線が形成される。したがって、導線５１０にはこのような画素領域４４０及び走査駆動部４５０の電源線及び／または信号線なども含まれることができる。便宜上、以下では導線５１０がデータ線Ｄである場合を仮定する。
【００６０】
このようなデータ線Ｄなどの導線５１０は、一般的に金属などの導電性物質で形成されるから、導線５１０に水気が浸透する場合に腐食されうる。このような腐食が断線につながると、有機電界発光表示装置４００の不良が発生し得る。
【００６１】
これを防止するために、データ線（Ｄ、５１０）の上部には水などの浸透を防止するための無機保護膜が形成されることが望ましく、工程の便宜上このような無機保護膜は画素領域４４０に含まれた絶縁膜、例えば、層間絶縁膜及び／または無機平坦化膜などの絶縁膜物質で形成されることがより望ましい。
【００６２】
例えば、データ線（Ｄ、５１０）の上部には画素領域４４０の層間絶縁膜を成す物質であるＳｉＮｘなどの窒化膜、及び／またはＳｉＯ２などの酸化膜で形成された第１無機絶縁膜５２０ａと、画素領域４４０の無機平坦化膜を成す物質であるＳｉＮｘなどの窒化膜で形成された第２無機絶縁膜５２０ｂの積層構造を持つ第１保護膜５２０を形成することができる。
【００６３】
すなわち、第１保護膜５２０は無機物質で形成されてデータ線（Ｄ、５１０）と接するように位置することで、データ線（Ｄ、５１０）に水などが浸透することを防止する機能を有する。ここで、第１保護膜５２０は水などの浸透を防止する無機物質で形成されるため、封止材４３０と重畳されるように配置させることができる。
【００６４】
ただし、外部衝撃によって割れなどがよく発生する無機膜の特性のせいで、後述する封止基板４２０のスクライビング後の分離工程などで第１保護膜５２０に割れなどの損傷が発生し得る。この場合、割れた第１保護膜５２０の隙間に水気が浸透してデータ線Ｄ、５１０が腐食し得る。
【００６５】
これを防止するために、本発明では無機物質からなる第１保護膜５２０の上部に有機物質でなる第２保護膜４７０を形成する。
【００６６】
第２保護膜４７０はデータ線（Ｄ、５１０）と交差される封止基板４２０の一側端と重畳されるように第１保護膜５２０上に形成される。
【００６７】
このような第２保護膜４７０は、封止基板４２０のスクライビング後に遂行される分離工程などにおいて、分離される封止基板４２０の一部の領域と第１保護膜５２０との直接的な衝突を防止する。また、第２保護膜４７０を可撓性有機物質で形成することで、衝突による衝撃を緩和させて第１保護膜５２０が割れることを防止する。このようにするために、第２保護膜４７０は封止基板４２０のスクライビング公差領域内に形成されるが、これに関する詳細な説明は後述する。
【００６８】
このように第２保護膜４７０が封止基板４２０のスクライビング公差領域内に位置するので、スクライビング後に、第２保護膜４７０は封止基板４２０の一側端と重畳するように位置して、自分と重畳される封止基板４２０の一側端を基準に３００μｍ以内の領域に位置する。
ただし、第２保護膜４７０は水などが浸透可能な有機物質からなるので、封止材４３０とは重畳されないように封止領域の外部に位置する。すなわち、第２保護膜４７０は封止材４３０とデータ駆動部４６０の間の領域にデータ線Ｄ、５１０と交差されるように形成される。また、第２保護膜４７０の高さが封止材４３０の高さより高く設定される場合、封止が十分に行えないこともあるので第２保護膜４７０の高さは封止材４３０の高さよりも低いか同じに設定されることが望ましい。
【００６９】
このような第２保護膜４７０は、第１保護膜５２０を効果的に保護するために少なくとも１μｍ以上の厚さで形成されることが望ましく、工程の便宜上画素領域４４０に含まれた有機絶縁膜材料、例えば有機平坦化膜、有機画素定義膜、及び／または画素４４５の間の有機スペーサの中から少なくとも一つを含む材料などにより形成されることがより望ましい。
【００７０】
例えば、第２保護膜４７０を、アクリルなどの有機平坦化膜材料で形成された第１有機絶縁膜４７０ａと、ポリイミドなどの画素定義膜材料で形成された第２有機絶縁膜４７０ｂの積層構造で形成することができる。また、画素領域４４０内に有機絶縁物質からなるスペーサが形成される場合、第２保護膜４７０は第２有機絶縁膜４７０ｂ上に位置して画素領域４４０の有機スペーサ材料から形成された第３有機絶縁膜４７０ｃをさらに含むことができる。また、第２保護膜４７０を、これらのうちいずれか一つの材料からなる単層構造で形成することも可能であり、有機平坦化膜、有機画素定義膜及び／または画素４４５の間の有機スペーサ以外の他の有機絶縁物質で形成することもできる。
【００７１】
このように、本発明の実施例による有機電界発光表示装置４００によれば、封止領域内部の画素領域４４０から封止領域外部のデータ駆動部４６０まで形成されるデータ線（Ｄ、５１０）の上部に少なくとも一つの無機絶縁膜からなる第１保護膜５２０を形成することで、データ線（Ｄ、５１０）の腐食を防止することができる。これによって、データ線（Ｄ、５１０）が断線されるなどの欠陥が防止されて有機電界発光表示装置４００の不良を防止することができる。
【００７２】
また、本発明では割れが発生しやすい第１保護膜５２０上に少なくとも一つの有機絶縁膜からなる第２保護膜４７０を形成することで、外部衝撃による第１保護膜５２０の割れを防止して第１保護膜５２０がその機能を完全に果たすことができるようにする。すなわち、第２保護膜４７０を形成することによってデータ線（Ｄ、５１０）がより効果的に保護されて、これによってデータ線（Ｄ、５１０）の欠陥を防止して有機電界発光表示装置４００の不良を防止することができる。
【００７３】
また、有機膜である第２保護膜４７０は、封止材４３０と重畳されないように封止材４３０による封止領域の外部に位置することはもちろん、第２保護膜４７０の高さが封止材４３０の高さより低いか同じに設定されることで、効果的に封止を遂行することができる。したがって、封止領域内部に酸素及び水が浸透することが防止される。
【００７４】
一方、図４及び図５には示されなかったが、封止領域から封止領域外部まで形成される画素領域４４０及び走査駆動部４５０の電源線及び／または信号線上にも第１及び第２保護膜５２０、４７０を形成することで、画素領域４４０及び走査駆動部４５０の電源線及び／または信号線も保護することができる。
【００７５】
また、図４及び図５ではデータ駆動部４６０を封止領域の外部に実装した場合を示したが、データ駆動部４６０が封止領域の内部に形成される場合にも、データ駆動部４６０の電源線及び／または信号線上に第１及び第２保護膜５２０、４７０を形成して、データ駆動部４６０の電源線及び／または信号線を保護することができる。
【００７６】
図６ａないし図６ｅは、図４に示された有機電界発光表示装置の製造方法を示す図面である。そして、図７は図６ｄのＣ−Ｃ’線による断面図である。便宜上、図６ａないし図７を説明する際には、画素４４５のそれぞれに少なくとも一つのトランジスタが含まれる場合を仮定して説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００７７】
図６ａないし図７を参照すれと、図４に示された有機電界発光表示装置４００を製造するためには、まず、画素領域４４０が定義された素子基板４１０上に画素４４５のトランジスタ（図示せず）と、走査線Ｓ及びデータ線Ｄと、走査駆動部４５０を形成する。
ここで、画素４４５が少なくとも一つのトランジスタ（図示せず）を含む場合、走査線Ｓ及びデータ線Ｄ、５１０は、トランジスタの電極を形成する物質と同一の材料を利用して画素４４５を形成する工程が進行するうちに、画素４４５とともに形成することができる。画素４４５のトランジスタが形成されると、トランジスタ上に少なくとも一つの無機平坦化膜（図示せず）を形成する。
【００７８】
この時、走査線Ｓ及びデータ線Ｄ、５１０の安全性を確保し、これらを効果的に保護するために、走査線Ｓ及びデータ線Ｄ、５１０の上部には一般的に少なくとも一つの絶縁膜が形成されるが、このような絶縁膜を形成する時には、画素領域４４０に含まれた絶縁膜物質を利用して画素４４５とともに形成することで工程の効率を高めることができる。
【００７９】
例えば、画素領域４４０の層間絶縁膜及び／または無機平坦化膜などを形成する工程において、これらと同一の無機絶縁膜材料の積層構造でデータ線（Ｄ、５１０）の上部に図５に示されたような第１保護膜５２０を形成することができる（図６ａ）。
【００８０】
その後、画素領域４４０の無機平坦化膜上にアクリルなどからなる有機平坦化膜（図示せず）と有機発光ダイオード（図示せず）を形成すると同時に、第１保護膜５２０の一部の領域上にデータ線Ｄ、５１０と交差されるように少なくとも一つの第２保護膜４７０を形成する。
ここで、第２保護膜４７０は後述の工程で素子基板４１０の上部に配置される封止基板４２０のスクライビングラインと重畳されるようにスクライビング公差領域内に形成されて、封止基板４２０に塗布された封止材４３０と重畳されないように配置される。すなわち、第２保護膜４７０は封止される領域の外部に配置される。
【００８１】
ここで、スクライビング公差（ｔｏｌｅｒａｎｃｅ）領域とはスクライビングラインを中心に所定の間隔内にある領域で、実際にスクライビングが遂行された時にスクライビングによって影響を受ける部分、例えば、きずなどの損傷が発生し得る領域の誤差範囲を考慮して設定された領域を意味する。例えば、スクライビング公差領域はスクライビングラインから３００μｍ以内の領域に設定することができる。
【００８２】
このような第２保護膜４７０は、画素領域４４０に含まれた少なくとも一つの有機絶縁膜材料を利用して画素４４５を形成する工程で画素４４５とともに形成されることが望ましい。
例えば、第２保護膜４７０は画素領域４４０の有機平坦化膜、画素定義膜及び有機スペーサを形成する工程において、これらのうち少なくとも一つの積層構造で形成されることができる。便宜上、図６ｂでは第２保護膜４７０が有機平坦化膜、画素定義膜、及び有機スペーサの材料からなる三つの有機絶縁膜の積層構造で形成されたことを図示した。
【００８３】
しかし、本発明がこれに限定されるのではなく、第２保護膜４７０はこれらのうちいずれか一つの有機絶縁膜材料で形成された単層構造で形成されることができる。例えば、第２保護膜４７０を、画素領域４４０の有機平坦化膜を形成する工程において、有機平坦化膜材料で形成された単層の有機絶縁膜のみで形成することも可能である（図６ｂ）。
【００８４】
その後、封止材４３０が塗布された封止基板４２０を素子基板４１０上に配置させた後、封止材４３０を利用して素子基板４１０と封止基板４２０の間の領域を封止する封止工程を遂行する。この時、封止材４３０は封止基板４２０のスクライビングライン６１０の内側領域の端に沿って塗布され、少なくとも画素領域４４０を含む領域を封止するように形成される。また、封止材４３０は第１保護膜５２０と重畳されるように第１保護膜５２０上に形成されうるが、第２保護膜４７０とは重畳されないように配置される。すなわち、第２保護膜４７０は封止材４３０による封止領域の外部に位置しなければならない。そして、封止材４３０の高さは第２保護膜４７０の高さより高いか同じに形成されて封止が十分になされるようにする。この時、封止基板４２０のスクライビングライン６１０と第２保護膜４７０はお互いに重畳されるように位置する（図６ｃ）。
【００８５】
その後、封止基板４２０のスクライビングライン６１０に沿って封止基板４２０のスクライビング工程を遂行して封止領域を除いた一部４２０−１を分離する（図６ｄ）。
【００８６】
その後、素子基板４１０の封止領域以外の露出された領域上にデータ線（Ｄ、５１０）の一側端と連結されるようにデータ駆動部４６０を実装する（図６ｅ）。
【００８７】
上述の有機電界発光表示装置４００の製造工程においては、第２保護膜４７０を形成することにより、図６ｄに示す封止基板４２０の分離工程において、図７に示すように分離される封止基板の一領域４２０−１と第２保護膜４７０が衝突してデータ線（Ｄ、５１０）上に形成された第１保護膜５２０と分離される封止基板の一部の領域４２０−１が直接衝突することを防止することはもちろん、第２保護膜４７０が衝突による衝撃を緩和させて第１保護膜５２０の割れを防止する。これによって、第１保護膜５２０が水などの浸透からデータ線（Ｄ、５１０）を効果的に保護してその後の高温、高湿、信頼性テストの時はもちろん実際に使用される時にも、データ線（Ｄ、５１０）が断線されるなどの欠陥を防止する。
【００８８】
図８ａ及び図８ｂは、封止基板のスクライビング工程、及び洗浄工程が完了した後の図４に示された有機電界発光表示装置のＢ部分を観察した結果を示す図面である。図８ａ及び図８ｂでは、データ線と第１及び第２保護膜以外の他の構成要素の図示は省略する。
【００８９】
図８ａ及び図８ｂを参照すれと、一般的にスクライビングが完了した後に、データ駆動部４６０などが実装されていない状態で、まず、洗浄工程を通じてスクライビングによるパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）などをとり除く工程が遂行されるが、洗浄工程後に、スクライビングラインの下部に位置した第２保護膜４７０には図８ａのＥ領域のように傷などが発生する。しかし、第２保護膜４７０の下部に配置された第２保護膜４７０によって保護された第１保護膜５２０及びデータ線（Ｄ、５１０）は損傷されない。
【００９０】
より具体的には、図８ａのＥ部分に対する断面図である図８ｂに示されているように、スクライビングライン下部の第２保護膜４７０には、封止基板４２０のスクライビング工程、及び分離工程できずなどが発生して深く表面傷（ウォーム）が形成されるが、その下部の第１保護膜５２０及びデータ線Ｄ、５１０は損傷されない。したがって、その後の高温、高湿信頼性テストなどを行う時にも第１保護膜５２０がデータ線Ｄ、５１０を効果的に保護してデータ線Ｄ、５１０の断線などが防止される。
【００９１】
一方、図９及び図１０に示されたように第２絶縁膜４７０’に含まれた絶縁膜の中で一部はデータ線（Ｄ、５１０）と重畳されないようにデータ線（Ｄ、５１０）の間に配置されることも可能である。
【００９２】
図９は、本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置を示す斜視図である。そして、図１０は、図９のＦ部分を示す要部の断面図である。図９及び図１０で、図４及び図５に示された実施例と同一の部分は同一符号を割り当ててこれに対する詳細な説明は省略する。
【００９３】
図９及び図１０を参照すれと、第２保護膜４７０’に含まれた第２及び第３有機絶縁膜４７０ｂ’、４７０ｃ’は、データ線（Ｄ、５１０）と重畳されないようにデータ線（Ｄ、５１０）の間に配置されて封止基板４２０のスクライビングライン工程及び分離工程でデータ線（Ｄ、５１０）の上部に直接衝撃が加わることを防止する。
【００９４】
以上添付した図面を参照して本発明について詳細に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者であれば、多様な変形及び等価な他の実施形態が可能であるということは理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】一般的な有機電界発光表示装置を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ部分を示す要部の断面図である。
【図３ａ】図１に示された有機電界発光表示装置の製造方法を示す図面である。
【図３ｂ】図１に示された有機電界発光表示装置の製造方法を示す図面である。
【図３ｃ】図１に示された有機電界発光表示装置の製造方法を示す図面である。
【図３ｄ】図１に示された有機電界発光表示装置の製造方法を示す図面である。
【図４】本発明の一実施例による有機電界発光表示装置を示す斜視図である。
【図５】図４のＢ部分を示す要部の断面図である。
【図６ａ】図４に示された有機電界発光表示装置の製造方法を示す図面である。
【図６ｂ】図４に示された有機電界発光表示装置の製造方法を示す図面である。
【図６ｃ】図４に示された有機電界発光表示装置の製造方法を示す図面である。
【図６ｄ】図４に示された有機電界発光表示装置の製造方法を示す図面である。
【図６ｅ】図４に示された有機電界発光表示装置の製造方法を示す図面である。
【図７】図６ｄのＣ−Ｃ’線による断面図である。
【図８ａ】封止基板のスクライビングが完了した後の図４に示された有機電界発光表示装置のＢ部分を観察した結果を示す図面である。
【図８ｂ】封止基板のスクライビングが完了した後の図４に示された有機電界発光表示装置のＢ部分を観察した結果を示す図面である。
【図９】本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置を示す斜視図である。
【図１０】図９のＦ部分を示す要部の断面図である。
【符号の説明】
【００９６】
１００、４００  有機電界発光表示装置
１１０、４１０  素子基板
１２０、４２０  封止基板
１３０、４３０  封止材
１４０、４４０  画素領域
１５０、４５０  走査駆動部
１６０、４６０  データ駆動部
２２０、５１０、Ｄ  データ線
２３０、２４０、５２０  第１保護膜
４７０  第２保護膜
【図１】
2008123983.tif 000003
【図２】
2008123983.tif 000004
【図３ａ】
2008123983.tif 000005
【図３ｂ】
2008123983.tif 000006
【図３ｃ】
2008123983.tif 000007
【図３ｄ】
2008123983.tif 000008
【図４】
2008123983.tif 000009
【図５】
2008123983.tif 000010
【図６ａ】
2008123983.tif 000011
【図６ｂ】
2008123983.tif 000012
【図６ｃ】
2008123983.tif 000013
【図６ｄ】
2008123983.tif 000014
【図６ｅ】
2008123983.tif 000015
【図７】
2008123983.tif 000016
【図９】
2008123983.tif 000017
【図１０】
2008123983.tif 000018
【図８ａ】
2008123983.tif 000019
【図８ｂ】
2008123983.tif 000020