(57)【要約】      （修正有）【課題】主磁極層の先端部の磁区を制御により、磁気記録能力を確保しつつ、ＰＥが抑制された薄膜磁気ヘッドを得る。【解決手段】主磁極層、及び前記主磁極層と平面視で重なり、磁気的に接続する補助ヨーク層を備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記主磁極層のフレア部は、ポールストレート部からハイト方向奥側に向かって少なくとも第１、第２フレア部を有し、各フレア部は、磁束をポールストレート部に向かって段階的に絞り込む形状に形成され、前記主磁極層の第１フレア部の第１フレア角は、第２フレア部の第２フレア角以下に形成され、前記補助ヨーク層のフレア角は、前記第１フレア角以上第２フレア角以下に形成され、前記ポールストレート部の媒体対向面から第１フレア部のハイト方向奥側端までの第１フレア部の長さｈが、主磁極層の飽和磁束密度をＢｓとすると、下記条件式を満足することを特徴とする薄膜記録ヘッド。＜条件式＞  ｈ×Ｂｓ＜0.000008[m・T]【選択図】図４
2008299911.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体との対向面に露出するポールストレート部と、該ポールストレート部からハイト方向奥側に向かってトラック幅方向に広がるフレア部と、該フレア部のハイト方向奥側端が接続する基部とを有する主磁極層、及び前記記録媒体との対向面側から同ハイト方向奥側に向かってトラック幅方向に広がるフレア部と、該フレア部のハイト方向奥側端が接続する基部を有し、前記主磁極層と平面視では重なり合い、磁気的に接続する補助ヨーク層を備えた薄膜磁気ヘッドであって、
前記主磁極層のフレア部は、前記ポールストレート部からハイト方向奥側に向かって少なくとも第１、第２フレア部を有し、各フレア部は、磁束を前記基部からポールストレート部に向かって段階的に絞り込む形状に形成され、
前記補助ヨーク層のフレア部は、前記主磁極層のフレア部よりもハイト方向奥側に位置し、
前記主磁極層の第１フレア部の第１フレア角は、第２フレア部の第２フレア角より小さく形成され、前記第２フレア角は９０゜より小さく形成され、前記補助ヨーク層のフレア角は、前記第１フレア角以上第２フレア角以下に形成され、
前記ポールストレート部の記録媒体対向面から第１フレア部のハイト方向奥側端までの第１フレア部の長さｈが、下記条件式を満足することを特徴とする薄膜記録ヘッド。
＜条件式＞  ｈ×Ｂｓ＜0.000008[m・T]
ただし、Ｂｓは主磁極層の飽和磁束密度である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録媒体に磁界を与えて記録動作する薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の薄膜磁気ヘッド、例えば垂直磁気記録ヘッドは、周知のように、記録媒体との対向面で非磁性層を間に挟んで積層した主磁極層及びリターンパス層と、この主磁極層及びリターンパス層に記録磁界を与えるコイル層とを有している。記録媒体との対向面に露出する主磁極層の面積はリターンパス層の同面積よりも十分小さく、主磁極層とリターンパス層はハイト方向奥側で磁気的に接続されている。主磁極層は、記録媒体に対して強い記録磁界を局所的に印加できるように、記録媒体との対向面に露出するポールストレート部と、該ポールストレート部のハイト方向奥側に接するフレア部とを有している。コイル層を通電すると、主磁極層とリターンパス層の間に記録磁界が誘導され、この記録磁界は主磁極層の媒体対向面に露出する先端面から記録媒体のハード膜に垂直に入射し、同記録媒体のソフト膜を通ってリターンパス層に戻る。これにより、主磁極層との対向部分で磁気記録がなされる。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドでは、ヨークとなる主磁極層がハイト方向に大きな磁化成分を持つ磁区構造をとった場合、ヨーク磁区が主磁極先端に転写されて、磁極残留磁化が大きくなる。薄膜磁気ヘッドでは主磁極層のヨーク形状で磁化を絞り込むが、磁化の絞込みに関しては、フレア部のフレア角度は４５°が最も効率がよいとされている。したがって従来は通常、１５゜〜４５°の範囲内において、サイドフリンジとの兼ね合いで、フレア部のフレア角度を決めていた。さらにフレア部を２段階とした場合は、２段階目のフレア角度を１段階目のフレア角度よりも緩く（大きく）することで磁化の絞込みを制御していた。
【０００４】
図７(Ａ）、（Ｂ）に、従来の２段階のフレア部となる第１フレア部２１０Ｂ及び第２フレア部２１０Ｃを有する主磁極層２１０を平面視した図を示した。同図において、Ｘ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向、Ｚ方向は薄膜磁気ヘッドを構成する各層の積層方向及び記録媒体の移動方向で定義される。ポールストレート部２１０Ａに続く第１フレア部２１０Ｂのフレア角は２０°〜４５°とする。ここで、ヨーク部である基部２１０Ｄが、図７（Ａ）のように還流磁区となった場合は、基部２１０Ｄの磁化ハイト方向成分が大きいので、主磁極先端２１０ａに大きな磁界がかかり、大きなＰＥ（ポールイレージャー(PoleErasure)）が発生する。一方、基部２１０Ｄが図７（Ｂ）のように横縞磁区となった場合は、ヨーク部の磁区の磁化ハイト方向成分が小さいので、主磁極先端２１０ａにかかる磁界は小さく、ＰＥが小さい。このようにヨーク形状／磁気異方性を制御できていない場合は、主磁極先端２１０ａに付加としてかかる実効的な磁化（白抜きの矢印）の差が大きく、ＰＥの発生が抑制できなかった。
【０００５】
そこで従来、主磁極層のトラック幅方向の幅を広く、例えば、幅／ハイト方向の長さの比、を１以上に設定することで磁区構造を制御するものが提案されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００６-１５５８６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし従来例では、第１フレア部が接続された第２フレア部のフレア角が９０゜に設定されているので、実質的に第２フレア部が存在しない。しかも、補助ヨーク層（補助磁極層）に関しては考慮されていない。かかる従来のように、第２フレア部のフレア角を９０゜に設定し、基部の幅を広く設定すると、磁束を効率よく主磁極先端部に絞り込むことができず、磁気記録能力が低いという問題があった。
【０００７】
本発明は、前記従来の課題に鑑みてなされたもので、主磁極層の先端部の磁区を制御することで、磁気記録能力を確保しつつ、ＰＥが抑制された薄膜磁気ヘッドを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
かかる課題を解決する本発明は、記録媒体との対向面に露出するポールストレート部と、該ポールストレート部からハイト方向奥側に向かってトラック幅方向に広がるフレア部と、該フレア部のハイト方向奥側端が接続する基部とを有する主磁極層、及び前記記録媒体との対向面側から同ハイト方向奥側に向かってトラック幅方向に広がるフレア部と、該フレア部のハイト方向奥側端が接続する基部を有し、前記主磁極層と平面視では重なり合い、磁気的に接続する補助ヨーク層を備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記主磁極層のフレア部は、前記ポールストレート部からハイト方向奥側に向かって少なくとも第１、第２フレア部を有し、各フレア部は、磁束を前記基部からポールストレート部に向かって段階的に絞り込む形状に形成され、前記補助ヨーク層のフレア部は、前記主磁極層のフレア部よりもハイト方向奥側に位置し、前記主磁極層の第１フレア部の第１フレア角は、第２フレア部の第２フレア角より小さく形成され、前記第２フレア角は９０゜より小さく形成され、前記補助ヨーク層のフレア角は、前記第１フレア角以上第２フレア角以下に形成され、前記ポールストレート部の記録媒体対向面から第１フレア部のハイト方向奥側端までの第１フレア部の長さｈが、主磁極層の飽和磁束密度をＢｓとすると、下記条件式を満足することを特徴とする。
＜条件式＞  ｈ×Ｂｓ＜0.000008[m・T]
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基部に横縞磁区が形成されるとともに、フレア部によって段階的に磁束が集中されるので、ポールストレート部の先端部に付加としてかかる実効的な磁化が小さくなり、ＰＥが抑制される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
添付の図面を参照して、本発明を説明する。各図において、Ｘ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向、Ｚ方向は薄膜磁気ヘッドＭＨを構成する各層の積層方向であって、記録媒体Ｍの移動方向として定義される。
【００１１】
図１は、本発明の一実施形態による薄膜磁気ヘッドＭＨの積層構造をトラック幅方向から見て示す部分断面図である。薄膜磁気ヘッドＭＨは、スライダ１００のトレーリング側断面に薄膜を積層してなる再生部Ｒと記録部Ｗを有し、記録媒体Ｍに垂直磁界Φを与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させることで記録動作する。記録媒体Ｍは、残留磁化の高いハード膜Ｍａを媒体表面側に、磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂをハード膜Ｍａよりも内側に有している。この記録媒体Ｍは、例えば円形ディスクであり、その円中心を回転軸心として、スピンドルモータによって回転させられる。スライダ１００はＡｌ2Ｏ3・ＴｉＣなどの非磁性材で形成されており、スライダ１００の対向面Ｆが記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１００が記録媒体Ｍの表面から浮上する。
【００１２】
スライダ１００のトレーリング側端面１００ｂには、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2などの無機材料による非磁性絶縁層１０１が形成され、この非磁性絶縁層１０１の上に、再生部Ｒが形成されている。再生部Ｒは、下部シールド層１０２と、上部シールド層１０５と、この下部シールド層１０２及び上部シールド層１０５の間を埋める無機絶縁層（ギャップ絶縁層）１０４と、この無機絶縁層１０４内に位置する再生素子１０３とを有している。再生素子１０３は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子である。
【００１３】
上部シールド層１０５の上には、コイル絶縁下地層１０６を介して、導電性材料により下層コイル１０７が形成されている。下層コイル１０７は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。下層コイル１０７の周囲には、非磁性絶縁層１０８が形成されている。
【００１４】
非磁性絶縁層１０８の上には、主磁極層１１０と、該主磁極層１１０に平面視で重なり合い磁気的に接続された補助ヨーク層１０９が形成されている。補助ヨーク層１０９は、主磁極層１１０よりも磁束飽和密度の低い磁性材料からなり、磁気的に主磁極層１１０に接続し、主磁極層１１０に磁束を導く機能を有する。主磁極層１１０は、平坦化された補助ヨーク層１０９と非磁性絶縁層１０８の上に、メッキ下地層を介して、Ｎｉ-Ｆｅ、Ｃｏ-Ｆｅ、Ｎｉ-Ｆｅ-Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い強磁性材料で形成されている。主磁極層１１０の周囲には絶縁材料層１１１が形成され、主磁極層１１０の上には非磁性層である磁気ギャップ層１１３が形成されている。絶縁材料層１１１及び磁気ギャップ層１１３は、例えばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ-Ｓｉ-Ｏなどの非磁性絶縁材料からなる。本実施の形態では、主磁極層１１０の下に補助ヨーク層１０９を配置しているが、主磁極層１１０の上に補助ヨーク層１０９を配置してもよい。
【００１５】
磁気ギャップ層１１３上には、コイル絶縁下地層１１４を介して上層コイル１１５が形成されている。上層コイル１１５は下層コイル１０７と同様に、導電性材料によって複数本形成されている。上層コイル１１５は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。
【００１６】
前記下層コイル１０７と上層コイル１１５とは、ソレノイド状になるように、それぞれの図示Ｘ方向（トラック幅方向）における図示されていない端部同士が電気的に接続され、主磁極層１１０または補助ヨーク層１０９を捲回している。コイル層（磁界発生手段）の形状は特にソレノイド形状に限定されるものではなく、例えばスパイラル形状でもよい。
【００１７】
上層コイル１１５の周囲には非磁性絶縁層１１６が形成され、この非磁性絶縁層１１６の上から磁気ギャップ層１１３上にかけて、パーマロイなどの強磁性材料によりリターンパス層（補助磁極層）１１８が形成されている。リターンパス層１１８は、対向面Ｆに露出する先端面１１８ａを有し、この対向面Ｆでギャップ間隔をあけて主磁極層１１０と対向している。リターンパス層１１８のハイト方向の奥側端部は、主磁極層１１０と接続する接続部１１８ｂである。磁気ギャップ層１１３上であって対向面Ｆから所定距離離れた位置には、無機または有機材料によってスロートハイト決め層１１７が形成されている。この対向面Ｆからスロートハイト決め層１１７の前端縁までの距離により、薄膜磁気ヘッドＭＨのスロートハイトが規定される。リターンパス層１１８は、非磁性絶縁材料からなる保護層１１９で覆われている。
【００１８】
この薄膜磁気ヘッドＭＨは、主磁極層１１０及び補助ヨーク層１０９に特徴を有するものである。以下、図２及び図３を参照して、主磁極層１１０及び補助ヨーク層１０９の形状、配置等について説明する。
【００１９】
主磁極層１１０は、図２に示されているように、記録媒体Ｍとの対向面Ｆ側から順に、ポールストレート部１１０Ａ、第１フレア部１１０Ｂ、第２フレア部１１０Ｃ及び基部１１０Ｄを有している。最終段階のフレア部である第２フレア部１１０Ｃは、励磁の際、基部１１０Ｄに発生する磁区構造がトラック方向に向くように磁束を整えるための領域であり、第１フレア部１１０Ｂは、基部１１０Ｄ、第２フレア部１１０Ｃからポールストレート部１１０Ａに向かって記録磁界を絞り込むための領域である。第１フレア部１１０Ｂは、ポールストレート部１１０Ａからハイト方向奥側に向かって第１フレア角α１でトラック幅方向の寸法が広がって第２フレア部１１０Ｃに接続している。第２フレア部１１０Ｃは、第１フレア部１１０Ｂからハイト方向奥側（基部１１０Ｄ）に向かって第２フレア角α２でトラック幅方向の寸法が広がって基部１１０Ｄに接続している。ここで、α１＜α２である。
【００２０】
第２フレア角α２は、図３に示したように、９０゜より小さいと磁界強度を増加させることができるが、６０゜を超えるとポールイレーズ（ＰＥ）が発生してしまう。そのため、記録能力を確保するためには、第２フレア角α２は、６０゜〜８０゜が好ましく、より好ましくは６０゜〜７０゜がよい。なお、図３において、横軸は第２フレア角α２[deg]、縦軸は磁界強度[Oe(=103/4π・A/m)]である。
【００２１】
ポールストレート部１１０Ａは、記録媒体Ｍとの対向面Ｆに露出する主磁極先端１１０ａを構成し、トラック幅方向の寸法が所定の書き込みトラック幅Ｔｗで形成され、ハイト方向の寸法が所定のネックハイトＮｈで形成されている。このポールストレート部１１０Ａは、その全長に渡って一様に、記録媒体Ｍとの対向面Ｆから見た断面形状が非磁性絶縁層１０８側で幅狭になる台形形状(ベベル形状)をなしている。このポールストレート部１１０Ａのベベル形状化により、スキュー角を付与したときの書き込みトラック幅Ｔｗを、断面形状を矩形状とした場合（ベベル形状化されていない場合）よりも小さくすることができる。
【００２２】
第１フレア部１１０Ｂは、記録媒体Ｍとの対向面Ｆ側から見た断面形状が非磁性絶縁層１０８側で幅狭になる台形形状に形成されている。第１フレア部１１０Ｂの台形形状は、ポールストレート部１１０Ａとの接続部では該ポールストレート部１１０Ａの断面形状に一致し、ポールストレート部１１０Ａからハイト方向奥側に向かって該台形の長底辺の長さと短底辺の長さの比が１に近づくように徐々に変形して、第２フレア部１１０Ｃに接続している。第２フレア部１１０Ｃの基部１１０Ｄとの接続部における断面形状は、該基部１１０Ｄの断面形状と一致し、矩形状（長底辺の長さと短底辺の長さの比が１に等しい状態）となっている。このように第１フレア部１１０Ｂから基部１１０Ｄまでトラック幅方向の寸法を広げることにより、磁区を適切に制御できる。そして、磁区制御によりＰＥを抑制できる主磁極構造となっている。
【００２３】
補助ヨーク層１０９は、ハイト方向前側端である先端部１０９Ａが第２フレア部１１０Ｃと重なっていて、この先端部１０９Ａからハイト方向後側に向かって、フレア角βでトラック幅方向の寸法が広がったフレア部１０９Ｂが形成され、フレア部１０９Ｂのハイト方向後側端部が基部（ヨーク部）１０９Ｃに接続している。この補助ヨーク層１０９のフレア角βは、第２フレア角α２以上が好ましい。この実施形態では、α１＝４０゜、α２＝β＝７０゜にしてある。また、補助ヨーク層１０９の基部１０９Ｃの幅は、主磁極層１１０Ｄの幅よりも広い方が好ましい。
【００２４】
なお、補助ヨーク層１０９のフレア部１０９Ｂ及び主磁極層１１０の第１、第２フレア部１１０Ｂ、１１０Ｃは、トレーリング側及びリーディング側から見てトラック幅方向中心線に対して左右対称に形成されている。
【００２５】
次に、本実施形態の主磁極層１１０に発生する磁区構造の実施例について図４（Ａ）及び（Ｂ）を参照して説明する説明する。同図において、破線は磁区の境界（磁壁）を表し、磁区内の矢印は磁化成分を表している。白抜き矢印は、主磁極先端１１０ａに付加される実効的な磁化成分を表している。
【００２６】
図４（Ａ）に示した実施例では、基部１１０Ｄにおいて縦方向に磁区制御された磁化成分が、第２フレア部１１０Ｃの形状によって規制された磁区に沿って横方向に制御され、この横方向に制御された磁化成分が第１フレア部１１０Ｂの磁区において絞られる。そうして第１フレア部１１０Ｂの磁区によって絞られた磁化成分が、ポールストレート部１１０Ａの縦方向磁区において縦方向に制御される。このように本実施形態では、基部１１０Ｄの磁化成分が縦方向であっても、第２フレア部１１０Ｃの横方向磁区によって横方向に制御されるので、主磁極先端１１０ａから出る実効的な磁化成分が白抜き矢印で示すように小さくなり、ＰＥが抑制される。
【００２７】
一方、図４（Ｂ）に示した実施例では、基部１１０Ｄにおいて横方向に磁区制御されるので、主磁極先端１１０ａから出る実効的な磁化成分が白抜き矢印で示すように小さくなり、ＰＥが抑制される。
【００２８】
以上の通り本実施形態の主磁極層１１０によれば、基部１１０Ｄの磁区制御にかかわらず主磁極先端１１０ａから出る実効的な磁化成分が小さくなり、ＰＥが抑制される。
【００２９】
次に、図４（Ａ）に示したように基部１１０Ｄに横縞磁区を作るための条件について、以下説明する。
主磁極層１１０のハイト方向の長さをＨ、基部１１０Ｄの幅（トラック幅方向の幅）をＷとすると、長さＨと主幅Ｗが次の条件式１を満足することが必要である。
＜条件式１＞  Ｈ≦Ｗ
好ましくは、２×Ｈ≦Ｗ
とする。
【００３０】
しかし、このような形状としても、主磁極先端１１０ａ近くの磁区は、第２フレア部１１０Ｃのフレア角度α２で決まってしまう。そこで、第２フレア部１１０Ｃの第２フレア角α２が条件式２、
＜条件式２＞  ６０°≦α２
を満足するように設定する。条件式２を満足すると、基部１１０Ｄが環流磁区構造（図４（Ａ））、横縞磁区構造（図４（Ｂ））のいずれの磁区構造になっても、主磁極先端１１０ａに付加としてかかる実効的な磁化(白抜き矢印)が同様となる（図４（Ａ）、（Ｂ））。
【００３１】
主磁極層１１０の磁化の大きさは、おおよそ、第１フレア部１１０Ｂの長さｈと飽和磁束密度Ｂｓとの積、ｈ×Ｂｓ  で決まるため、条件式３、
＜条件式３＞  ｈ×Ｂｓ＜0.000008[m・T]
を満足するように第１フレア部１１０Ｃの長さｈを制限する。この条件式３を満足することで、磁極先端１１０ａより漏れる磁界を低減できる。
なお、飽和磁束密度Ｂｓは、薄膜磁気ヘッドの主磁極層に使用される一般的な材料の飽和磁束密度Ｂｓである、２．１〜２．３Ｔとしてある。
【００３２】
以上の条件式１、２及び３を満足する本発明の薄膜磁気ヘッドの実施例と、条件式３を満足しない比較例とについて、ＰＥ特性を検証した結果を、さらに図５及び図６を参照して具体的に説明する。
【００３３】
主磁極層１１０は、ハイト方向の長さＨを５[μm]、基部１１０の幅Ｗを１０[μm]に設定し、補助ヨーク層１０９は、基部１０９Ｄの幅Ｗ１を１４[μm]、媒体対向面からハイト方向奥側端までの長さＨ１を１８．５[μm]に設定し、第１フレア角α１及びフレア角βを４０゜、第２フレア角α２を７０゜に設定した。以上は、条件式１及び２を満足している。
【００３４】
次に、主磁極層１１０の飽和磁束密度Ｂｓが２．１Ｔまたは２．３Ｔとなるように主磁極層１１０の材料を選定した。そうしてそれぞれの材料により、第１フレア角α１及びフレア角βを４０゜に設定し、第１フレア部１１０Ｂの長さｈが１、２、３、４及び５[μm]の薄膜磁気ヘッドＭＨ（図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）を多数製造した。なお、第１フレア部１１０Ｂの長さｈが１、２及び３[μm]のものは条件式３を満足する本発明の実施例であり、第１フレア部１１０Ｂの長さｈが４及び５[μm]のものは条件式３を満足しない比較例である。
【００３５】
このように製造した薄膜磁気ヘッドＭＨそれぞれについてＰＥ試験を実行し、試験後の信号残存率を測定した結果を、表１及び図６に示した。
【００３６】
【表１】
2008299911.tif 000003
【００３７】
図６は、主磁極層１１０の飽和磁束密度Ｂｓが２．１Ｔ、２．３Ｔの薄膜磁気ヘッドＭＨのＰＥ発生率と第１フレア部１１０Ｂの長さｈと飽和磁束密度Ｂｓとの積（ｈ×Ｂｓ）との関係を示すグラフであって、縦軸がＰＥ発生率[％]、横軸がｈ×Ｂｓ[m・T]を表している。
【００３８】
以上の検証結果より、この薄膜磁気ヘッドＭＨは、第１フレア部１１０Ｂの長さｈが、１、２及び３[μm]の本発明の実施例の場合はＰＥが発生しないことが分かる。これらの実施例は、条件式３を満足している。しかし、第１フレア部１１０Ｂの長さｈが、４及び５[μm]の比較例の場合はＰＥが発生していることが分かる。これらの比較例は、条件式３を満足していない。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一実施形態による薄膜磁気ヘッドの積層構造を、トラック幅方向から見て示す部分断面図である。
【図２】図１の薄膜磁気ヘッドの主磁極層及び補助ヨークを示す斜視図である。
【図３】同薄膜磁気ヘッドの主磁極層の第２フレア角と磁界強度との関係をグラフで示す図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）は同薄膜磁気ヘッドの主磁極層の磁区構造を説明する、主磁極層を平面視した図である。
【図５】（Ａ）乃至（Ｅ）は、主磁極層の第１フレア部の長さを異ならせた薄膜磁気ヘッドの実施例と比較例の主磁極層及び補助ヨーク層を平面視した図である。
【図６】主磁極層の飽和磁束密度Ｂｓが２．１Ｔ、２．３Ｔの薄膜磁気ヘッドによるＰＥ発生率と第１フレア部の長さと飽和磁束密度の積との関係をグラフで示す図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）は従来の主磁極層の磁区に関する問題を説明する図である。
【符号の説明】
【００４０】
１００    スライダ
１０８    非磁性絶縁層
１０９    補助ヨーク層
１０９Ｂ  フレア部
１０９Ｃ  基部
１１０    主磁極層
１１０Ａ  ポールストレート部
１１０Ｂ  第１フレア部
１１０Ｃ  第２フレア部
１１０Ｄ  基部
１１８    リターンパス層
ｈ      第１フレア部の長さ
Ｈ      主磁極層のハイト方向長
ＭＨ    薄膜磁気ヘッド
Ｍ      記録媒体
Ｔｗ    書き込みトラック幅
Ｗ      幅（主磁極層の基部の幅）
Ｗ１    幅（補助ヨーク層の基部の幅）
α１    第１フレア角
α２    第２フレア角
β      フレア角
【図１】
2008299911.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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