(57)【要約】【課題】従来よりも生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】バッチ式縦型ホットウォールＬＰＣＶＤ装置を用いて、複数の製品用ウェハに対して、同時に成膜処理を施す場合において、複数枚のウェハをウェハ表面に垂直な方向に積層して保持するボート２内部のうち、温度が均一となる製品処理領域に複数の製品用ウェハを装填し、製品処理領域の隣の領域に製品処理領域の温度を均一に保持するためのサイドダミーウェハ１ｂを装填した状態で、複数の製品用ウェハに対して、同時に成膜処理を施した後、製品用ウェハを別の製品用ウェハに交換するが、サイドダミーウェハ１ｂについては、ボート２から取り出さず、ボート２とサイドダミーウェハ１ｂとを引き離すように、サイドダミーウェハ１ｂをボート２内で動かした後、サイドダミーウェハ１ｂを再びボート２に載せる。【選択図】図３
2008010721.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体基板（１）を基板表面に垂直な方向で積層して保持する保持手段（２）と、前記保持手段に保持された半導体基板を加熱する加熱手段（４）とを備える半導体装置の製造装置を用いて、
前記保持手段内部のうち、温度が均一となる製品処理領域（２ａ）に複数の製品用半導体基板（１ａ）を装填し、前記製品処理領域の隣の領域（２ｂ、２ｃ）に前記製品処理領域の温度を均一に保持するための温度調整用半導体基板（１ｂ）を装填した状態で、前記加熱手段により、前記複数の製品用半導体基板を同時に加熱する基板処理工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記基板処理工程を実施した後、前記製品用半導体基板を前記保持手段から降ろし、別の製品用半導体基板を前記保持手段に保持させる工程と、
前記基板処理工程を実施した後、前記保持手段の前記温度調整用半導体基板と接触する部分と、前記温度調整用半導体基板とを引き離すように、前記温度調整用半導体基板を前記保持手段内で動かした後、前記温度調整用半導体基板を前記保持手段に保持させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記温度調整用半導体基板（１ｂ）を前記保持手段（２）内で動かすときでは、前記温度調整用半導体基板を持ち上げた後、前記温度調整用半導体基板を下げる動作を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記温度調整用半導体基板（１ｂ）を前記保持手段（２）内で動かすときでは、前記温度調整用半導体基板を持ち上げた後、前記温度調整用半導体基板を回転させ、前記温度調整用半導体基板を下げる動作を行うことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
複数の半導体基板（１）を基板表面に垂直な方向で積層して保持する保持手段（２）と、
前記保持手段に保持された半導体基板を加熱する加熱手段（４）と、
前記保持手段と前記半導体基板（１）が収容される半導体基板移送用の収容器（１１、１２）との間で、前記半導体基板（１）を移載する移載手段（８、９、１０）とを備え、
前記保持手段内部のうち、温度が均一となる製品処理領域（２ａ）に複数の製品用半導体基板（１ａ）を装填し、前記製品処理領域の隣の領域（２ｂ、２ｃ）に前記製品処理領域の温度を均一に保持するための温度調整用半導体基板（１ｂ）を装填した状態で、前記加熱手段により、前記複数の製品用半導体基板を同時に加熱して基板処理を施す半導体装置の製造装置であって、
前記基板処理後に、前記保持手段の前記温度調整用半導体基板と接触する部分と、前記温度調整用半導体基板とを引き離すように、前記温度調整用半導体基板を前記保持手段内で動かした後、前記温度調整用半導体基板を前記保持手段に保持させる引き離し手段を備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項５】
前記移載手段（８、９、１０）が、前記引き離し手段として機能することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】
前記引き離し手段は、前記保持手段（２）内で、前記温度調整用半導体基板（１ｂ）を持ち上げた後、前記温度調整用半導体基板を下げる動作をするようになっていることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項７】
前記引き離し手段は、前記保持手段（２）内で、前記温度調整用半導体基板（１ｂ）を持ち上げた後、前記温度調整用半導体基板を回転させ、前記温度調整用半導体基板を下げる動作をするようになっていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数枚の半導体基板に対して熱処理や成膜処理等の基板処理を同時に施す半導体装置の製造方法およびこの製造方法の実施に使用可能な半導体装置の製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
複数枚の半導体基板（以下、ウェハと呼ぶ）に対して熱処理や成膜処理等の基板処理を同時に施す半導体装置の製造装置として、例えば、半導体装置の製造工程における成膜処理工程で用いられるＣＶＤ装置や、熱拡散工程やアニール工程等で用いられる熱処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような半導体装置の製造装置は、基板処理時にウェハを保持する手段であって、ウェハ同士に所定間隔を設けて、複数枚のウェハをウェハ表面に垂直な方向に積層するウェハ保持手段（以下、ボートと呼ぶ）を備えている。
【０００４】
そして、基板処理時では、ボート内での製品用ウェハの温度等の処理条件を均一にするため、ボート内のうち、製品処理領域の隣の領域に、処理条件調整用ウェハ（以下、サイドダミーウェハと呼ぶ）が装填された状態で、基板処理がなされる。なお、このサイドダミーウェハとしては、例えば、シリコン等の製品用ウェハと同一材料で構成されたものが用いられる。
【特許文献１】特開２００５−１１６７３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、半導体装置の製造工程における成膜処理工程では、上記したボート内に製品用ウェハとサイドダミーウェハとを装填した状態で、成膜処理がなされることで、製品用ウェハ上に薄膜が形成される。そして、成膜処理後、ウェハ移載手段により、製品用ウェハをボートから取りはずされ、ウェハ搬送用のカセットへ移載される。製品用ウェハは、カセットに保持された状態で、次工程へ移送される。
【０００６】
このとき、サイドダミーウェハはボートから取り出して次工程へ送る必要はなく、ボートに装填した状態で、新しい製品用ウェハをボートに装填して成膜処理を連続して施すことができるが、この場合、図４に示すように、ボート２のサイドダミーウェハ１ｂを保持する保持部２２において、ボート２とサイドダミーウェハ１ｂ間に生成物３１が形成され、ボート２とサイドダミーウェハ１ｂが固着し、サイドダミーウェハ１ｂをボート２から取り出せなくなる。なお、図４は、ボート２にサイドダミーウェハ１ｂが装填されているときのボート２のサイドダミーウェハ１ｂを保持している部分の断面図である。そして、サイドダミーウェハを無理に取り出そうとすると、サイドダミーウェハの破損、ＬＰＣＶＤ装置へのダメージが発生し、生産性を著しく落とすという問題が発生する。
【０００７】
このため、成膜処理後では、製品用ウェハと同様に、サイドダミーウェハもウェハ移載手段により、ボートからはずされ、サイドダミー用カセットへ移載される。そして、次回の成膜処理前に、サイドダミーウェハは、ウェハ移載手段により、サイドダミー用カセットからボートへ移載される。このようにして、再び、成膜処理がなされる。従来の半導体装置の製造装置では、このような動作制御がなされていた。
【０００８】
なお、成膜処理後に、サイドダミーウェハをサイドダミー用カセットに移載するのは、複数回連続して成膜処理を施した場合、サイドダミーウェハが熱膨張することで、ボートに対するサイドダミーウェハの位置にズレが生じ、サイドダミーウェハがボートから落ちてしまうので、これを防止する等の理由による。すなわち、一旦、サイドダミー用カセットにサイドダミーウェハを収容して、再び、ウェハ移載手段でサイドダミーウェハを支持することで、ウェハ移載手段に対するサイドダミーウェハの支持位置を正規の位置に直し、サイドダミーウェハのボートに対する位置を直すことができるからである。
【０００９】
一方、半導体装置の製造工程における熱拡散工程やアニール工程等の熱処理工程においても、成膜処理工程と同様に、上記したボート内に製品用ウェハとサイドダミーウェハとを装填した状態で、複数の製品用ウェハに対して熱処理が施された後、ウェハ移載手段により、製品用ウェハは、ボートから取りはずされ、ウェハ搬送用のカセットへ移載される。
【００１０】
このとき、サイドダミーウェハをボートから取り外すことなく、複数回加熱処理を施すと、上記と同様に、サイドダミーウェハが熱膨張することで、ボートに対するサイドダミーウェハの位置にズレが生じてしまうので、サイドダミーウェハも、ウェハ移載手段により、ボートからはずされ、サイドダミー用カセットへ移載される。そして、次回の熱処理前に、サイドダミーウェハは、ウェハ移載手段により、サイドダミー用カセットからボートへ移載される。このようにして、再び、熱処理がなされる。
【００１１】
しかし、上記したように、製品用ウェハの成膜処理もしくは熱処理の完了ごとに、サイドダミーウェハをボートの外へ取り出し、次の成膜処理もしくは熱処理前に、再び、サイドダミーウェハをボートへ戻すという動作がなされている間は、成膜処理、熱処理等の基板処理ができない。言い換えると、これらの動作も１回の基板処理に含まれるため、１回の基板処理にかかる時間が長くなり、生産性が悪かった。
【００１２】
本発明は、上記点に鑑み、従来よりも生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の製造方法では、基板処理工程を実施した後、製品用半導体基板を保持手段から降ろし、別の製品用半導体基板を保持手段に保持させる工程と、基板処理工程を実施した後、保持手段の温度調整用半導体基板と接触する部分と、温度調整用半導体基板とを引き離すように、温度調整用半導体基板を保持手段内で動かした後、温度調整用半導体基板を保持手段に保持させる工程とを有することを特徴としている。
【００１４】
本発明では、このように、製品用半導体基板への基板処理が完了したとき、温度調整用半導体基板を保持手段の外へ取り出すことなく、温度調整用半導体基板を保持手段内で動かすようにしているので、温度調整用半導体基板を保持手段の外へ取り出して、再び、保持手段へ戻す場合と比較して、１回の製品処理にかかる時間を短縮できる。
【００１５】
なお、製品用半導体基板を交換する工程と、温度調整用半導体基板を動かす工程は、どちらを先に行っても良い。
【００１６】
具体的には、温度調整用半導体基板（１ｂ）を保持手段（２）内で動かすときでは、例えば、温度調整用半導体基板を持ち上げた後、温度調整用半導体基板を下げる動作を行うことができる。また、例えば、温度調整用半導体基板を持ち上げた後、温度調整用半導体基板を回転させ、温度調整用半導体基板を下げる動作を行うこともできる。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造装置は、基板処理後に、保持手段の温度調整用半導体基板と接触する部分と、温度調整用半導体基板とを引き離すように、温度調整用半導体基板を保持手段内で動かした後、温度調整用半導体基板を保持手段に保持させる引き離し手段を備えることを特徴としている。
【００１８】
この装置を用いることで、本発明に係る半導体装置の製造方法を実施できる。例えば、化学的気相成長法によって、複数の半導体ウェハ上に薄膜を同時に形成する半導体製造装置（ＣＶＤ装置）に、本発明を適用できる。
【００１９】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１実施形態）
本実施形態では、半導体装置の製造装置としての化学的気相成長法による複数ウェハ同時成膜装置（以下、バッチ式ＣＶＤ装置と呼ぶ）に本発明を適用した例を説明する。図１に、本発明の第１実施形態におけるバッチ式ＣＶＤ装置の概略構成を示す。
【００２１】
本実施形態のバッチ式ＣＶＤ装置は、縦型ホットウォールＬＰ（減圧式）ＣＶＤ装置であり、図１に示すように、成膜処理時に用いられ、複数のウェハ１を保持する保持手段としてのボート２と、内部にボート２を収容し、ボート２に保持されたウェハ１に対して成膜処理するための処理室としての炉体３と、炉体３の周囲に配置され、ボート２に保持されたウェハ１を加熱する加熱手段としてのヒータ４と、炉体１の内部に成膜用の原料ガスを導入するガス導入管５と、炉体１の内部からガスを外部に排気するガス排気管６と、ガス排気管６に接続され、炉体１の内部からガスを排気するためのポンプ７と、ウェハを移載する移載手段としてのウェハ移載機８とを主に備えている。
【００２２】
ここで、ボート２は、縦型であり、ウェハ１同士に所定間隔を設けて、複数枚のウェハ１を鉛直方向（図中上下方向）に積層した状態で、複数枚のウェハ１を保持する。ボート２にウェハ１が保持された状態のとき、複数枚のウェハ１は、ウェハ表面に垂直な方向に積層された状態となる。
【００２３】
ボート２は、エレベータ機構により、炉体３の内部とおよび炉体３の下方の位置との間を図中の矢印のように、上昇および下降するようになっている。ボート２は、例えば、成膜処理時では、上昇して、炉体３の内部に挿入され、成膜処理が終了したとき、炉体３の下方に下降して、炉体３の外に出される。
【００２４】
また、ボート２が炉体３に収容され、成膜処理が実施されているとき、炉体３の内部において、温度やガス流れ等の成膜処理条件が均一な領域と不均一な領域とが存在する。このため、ボート２のうち、成膜処理条件が均一となる領域（以下、製品処理領域と呼ぶ）２ａに、製品となる製品用ウェハ１ａが保持され、その領域２ａの上下両隣に位置し、成膜処理条件が不均一となる領域２ｂ、２ｃ（以下、上部サイドダミー領域２ｂ、下部サイドダミー領域２ｃと呼ぶ）に、温度調整用半導体基板としてのサイドダミーウェハ１ｂが保持される。
【００２５】
例えば、ボート２のうち、製品処理領域２ａには製品用ウェハ１ａが１５０枚保持され、上部サイドダミー領域２ｂ、下部サイドダミー領域２ｃには、それぞれ、サイドダミーウェハ１ｂが７枚、１０枚保持される。なお、ボート２における製品処理領域２ａと、サイドダミー領域２ｂ、２ｃとは、炉体３の内部温度を測定することで判断され、例えば、設定温度よりも低い領域を、サイドダミー領域とする。
【００２６】
図２にボートの部分拡大斜視図を示す。図２に示すように、複数の支柱２１を備えており、この支柱２１には、ウェハ１を保持する保持部としての溝２２が設けられている。この溝２２に、ウェハ１が挿入されることで、ウェハ１が保持される。図２に示すように、例えば、支柱が４本の場合では、ウェハ１は４カ所で保持されることとなる。
【００２７】
また、図１に示すように、ウェハ移載機８には、ウェハ１を直接支えるウェハ載置具としてのツイーザ９が設けられている。ウェハ移載機８およびツイーザ９の動きは、ウェハ移載機コントローラ１０によって、プログラム制御されるようになっている。基本的には、ウェハ移載機８が、図中に示す矢印のように、鉛直方向（図中上下方向）と水平方向（図中左右方向）に可動し、ボート２の高さ方向に沿って移動したり、成膜処理前もしくは成膜処理後の製品用ウェハ１ａが複数収容される収容器としての製品用カセット１１およびサイドダミーウェハ１ｂが収容されるサイドダミーウェハ用カセット１２と、ボート２との間を移動したりする。このウェハ移載機８の動作によって、ツイーザ９が動作する。なお、ツイーザ９に対して、ウェハ移載機８とは独立して、鉛直方向および左右方向の可動機構を設けても良い。
【００２８】
次に、上記した構成のＬＰＣＶＤ装置を用いた成膜処理について説明する。  
【００２９】
まず、ボート２に製品用ウェハ１ａとサイドダミーウェハ１ｂを装填する（図１参照）。このとき、炉体３の下方にボート２を位置させた状態で、製品用カセット１１からボート２の製品処理領域２ａに、製品用ウェハ１ａをウェハ移載機８により移載すると共に、サイドダミーウェハ用カセット１２からボート２の上部、下部サイドダミー領域２ｂ、２ｃに、サイドダミーウェハ１ｂをウェハ移載機８により移載する。そして、ボート２を上昇させて、ボート２を炉体３の内部に挿入する。
【００３０】
その後、製品用ウェハ１ａに対して成膜処理を施す。具体的には、炉体３の内部をポンプ５により減圧し、ヒータ４により、炉体３の内部の製品用ウェハ１ａを加熱すると共に、成膜用ガスをガス導入管５から炉体３の内部に一定時間導入する。このとき、上部、下部サイドダミー領域２ｂ、２ｃにサイドダミーウェハ１ｂが装填されているため、ボート２の製品処理領域２ａ内では、温度やガス流れ（ガス流量、ガス濃度）等の処理条件が均一となる。この結果、複数の製品用ウェハ１ａ上に所望の薄膜が同時に形成される。
【００３１】
成膜処理後、ボート２を炉体３から下降させ、ウェハ移載機８により、製品用ウェハ１ａをボート２から取り出し、製品用カセット１１に製品用ウェハ１ａを移載する。その後、製品用ウェハ１ａは、製品用カセット１１ごと次の工程へ移送される。このようにして、１回の成膜処理が完了する。
【００３２】
そして、別の製品用カセット１１から別の製品用ウェハ１ａをボート２に移載して、次の成膜処理を実施する。このようにして、上記した成膜処理を繰り返し実施する。
【００３３】
ここで、サイドダミーウェハ１ｂの取り扱いについて説明する。成膜処理後において、製品用ウェハ１ａをボート２から取り出すが、サイドダミーウェハ１ｂについては、ボート２から取り出さず、ボート２のサイドダミーウェハ１ｂと接触している部分と、サイドダミーウェハ１ｂとを引き離すように、サイドダミーウェハ１ｂをボート２内で動かした後、サイドダミーウェハ１ｂを再びボート２に載せる。これを、例えば、ボート２に装填されている製品用ウェハ１ａを別の製品用ウェハ１ａに交換する前に行う。
【００３４】
図３（ａ）〜（ｅ）に、このときのツイーザ９およびサイドダミーウェハ１ｂの動きを説明するための断面図を示す。
【００３５】
具体的には、図３（ａ）に示すように、ウェハ移載機８を移動させて、ツイーザ９をサイドダミーウェハ１ｂの下に位置させる。
【００３６】
続いて、図３（ｂ）に示すように、ウェハ移載機８を上方向に移動させることで、ツイーザ９をサイドダミーウェハ１ｂに接触させる。
【００３７】
続いて、図３（ｃ）に示すように、ウェハ移載機８を水平方向に移動させず、上方向にわずかに移動させることで、サイドダミーウェハ１ｂをツイーザ９によりその場ですくい上げる。このとき、ボート２の溝２２は、サイドダミーウェハ１ｂを持ち上げることができるクリアランスを有している。例えば、１つの溝２２の上下方向での長さが４．５ｍｍであり、サイドダミーウェハ１ｂの厚さが０．６２５ｍｍのとき、サイドダミーウェハ１ｂを１〜２ｍｍ上昇させる。
【００３８】
なお、サイドダミーウェハ１ｂの熱膨張により、ボート２におけるサイドダミーウェハ１ｂの位置がずれる場合があるので、サイドダミーウェハ１ｂを持ち上げただけで、ボート２に対するサイドダミーウェハ１ｂの位置合わせができるように、ツイーザ９のウェハ保持面に、位置合わせ用の溝を設けておくことが好ましい。これにより、サイドダミーウェハ１ｂをツイーザ９により持ち上げた際、サイドダミーウェハ１ｂを位置合わせ用溝に沿って、ツイーザ９の保持面上を移動させて（例えば、センタリングさせて）、サイドダミーウェハ１ｂを正規の位置に戻すことができる。
【００３９】
続いて、図３（ｄ）に示すように、ウェハ移載機８を下方向に移動させ、ツイーザ９を下方向に移動させることで、ただちにサイドダミーウェハ１ｂをボート２に戻す。
【００４０】
続いて、図３（ｅ）に示すように、ツイーザ９がサイドダミーウェハ１ｂを離すように、さらに、ウェハ移載機８を下方向に移動させた後、ウェハ移載機８を原位置に戻す。
【００４１】
このようにしてサイドダミーウェハ１ｂとボート２とをわずかに離間させる工程を、成膜処理が１回終了するごとに実施する。これにより、サイドダミーウェハ１ｂとボート２との固着を防止できる。
【００４２】
なお、上記したウェハ移載機８の動作は、成膜処理が完了するたびに、サイドダミーウェハ１ｂをボート２からサイドダミー用カセット１２に移載し、次の成膜処理前に、再び、サイドダミーウェハ１ｂをサイドダミー用カセット１２からボート２に移載するという従来のサイドダミーウェハ１ｂの取り扱い制御プログラムを変更することで、実施可能である。すなわち、（１）ツイーザ９をサイドダミーウェハ１ｂの下に位置させ、（２）ツイーザ９によりサイドダミーウェハ１ｂをすくい上げ、（３）そのままツイーザ９を水平方向に移動させることで、サイドダミーウェハ１ｂをボート２からカセット１１へ移載し、再び、（４）ツイーザ９にサイドダミーウェハ１ｂを載せて、カセット１１から取り出し、サイドダミーウェハ１ｂをボート２の溝２２の位置まで移動させ、（５）ツイーザ９を下に移動させてボート２にサイドダミーウェハ１ｂを保持させ、（６）ツイーザ９を原位置に戻すというサイドダミーウェハ１ｂの取り扱い制御に対して、（３）、（４）を省略する変更を行う。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態では、製品用ウェハ１ａへの成膜処理が完了したとき、サイドダミーウェハ１ｂをボート２の外へ取り出すことなく、サイドダミーウェハ１ｂとボート２とを離間させるように、サイドダミーウェハ１ｂをボート２内で、わずかに動かしているので、従来のように、サイドダミーウェハ１ｂをボート２の外へ取り出して、再び、ボート２へ戻す場合と比較して、サイドダミーウェハ１ｂを炉外のカセット１１へ移送し、さらに再びボート２へ挿入することが不要となるので、１回の製品処理にかかる時間を短縮できる。この結果、ＬＰＣＶＤ装置のスループットを改善できる。
【００４４】
なお、ある程度、サイドダミーウェハ１ｂに生成物が生成したときに、サイドダミーウェハ１ｂを交換する。このとき、上記した（１）〜（６）の制御を実施する。
【００４５】
（他の実施形態）
（１）上記した実施形態では、上記したサイドダミーウェハ１ｂをボート２内で、わずかに動かすという工程を、成膜処理が１回終了するごとに実施する場合を例として説明したが、成膜処理を複数回（製品用ウェハを入れ替えたら１回カウントする）した後に、実施しても良い。ただし、サイドダミーウェハ１ｂのボート２への固着を防止できる頻度で実施する。
【００４６】
（２）上記した実施形態では、サイドダミーウェハ１ｂとボート２との生成物による固着を防ぐためのサイドダミーウェハ１ｂの動きとして、図３（ａ）〜（ｅ）に示すように、サイドダミーウェハ１ｂを、上昇させ、下降させる動作を例として説明したが、上昇と下降の間に、回転動作を加えても良い。すなわち、図３（ｃ）に示すように、サイドダミーウェハ１ｂを持ち上げた後、その状態で、サイドダミーウェハ１ｂを回転させ、その後、図３（ｄ）に示すように、サイドダミーウェハ１ｂをボート２に戻すようにしても良い。
【００４７】
これにより、熱膨張によりサイドダミーウェハ１ｂに位置ズレが生じた場合であって、オリフラの位置とボート２の支柱２１の位置とが一致してしまったとき、サイドダミーウェハ１ｂがボート２に保持されなくなってしまうが、このように、サイドダミーウェハ１ｂを回転させ、正規の位置に戻すことで、このような事態を回避できる。
【００４８】
また、サイドダミーウェハ１ｂは、上記したように、複数箇所（図２では、４箇所）の端部がボート２によって支持され、その支持される箇所に、生成物３１が生成することから、サイドダミーウェハ１ｂを回転させ、サイドダミーウェハ１ｂとボート２の接触位置を意図的に変更することで、サイドダミーウェハ１ｂにおける生成物３１の生成箇所を変更させることができる。これにより、サイドダミーウェハ１ｂを回転させなかった場合と比較して、同じサイドダミーウェハ１ｂを長期間使用でき、サイドダミーウェハ１ｂの交換時期を遅らせることができる。
【００４９】
このようなサイドダミーウェハ１ｂを回転させる動作は、例えば、図示しないが、ツイーザ９のウェハ保持面に回転用ピンを設けておき、ツイーザ９でサイドダミーウェハ１ｂを持ち上げ、さらに、回転用ピンでもウェハを持ち上げ、回転用ピンを回転させることで実施可能である。
【００５０】
なお、サイドダミーウェハ１ｂの動きとしては、これらに限らず、サイドダミーウェハ１ｂがボート２の内部から出ない範囲であれば、他の動きであっても良い。ここでいう、ボート２の内部から出ない範囲とは、ボート２の保持部としての溝２２の中に、サイドダミーウェハ１ｂが位置する範囲を意味する。
【００５１】
（３）上記した実施形態では、１つのウェハ移載機８により、製品用ウェハ１ａと、サイドダミーウェハ１ｂとを移動させる場合を例として説明したが、製品用ウェハ１ａ用と、サイドダミーウェハ１ｂ用のウェハ移載機８を別々に設置しても良い。
【００５２】
（４）上記した実施形態では、バッチ式縦型ホットウォールＬＰＣＶＤ装置を例として説明したが、これに限らず、縦型を横型に変更した装置や、他の方式のＣＶＤ装置においても本発明を適用できる。また、ＣＶＤ装置に限らず、複数の製品用ウェハを同時に加熱処理する基板処理を実施する半導体装置の製造装置全般に、本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１実施形態におけるバッチ式縦型ホットウォールＬＰＣＶＤ装置の全体構成を示す概略図である。
【図２】図１中のボート２の部分拡大斜視図である。
【図３】成膜処理後におけるツイーザ９およびサイドダミーウェハ１ｂの動きを説明するための断面図である。
【図４】サイドダミーウェハをボートから取り出さずに連続して成膜処理を実施したときのボートのサイドダミーウェハを保持している部分の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１…ウェハ、１ａ…製品用ウェハ、１ｂ…サイドダミーウェハ、
２…ボート、３…炉体、４…ヒータ、５…ガス導入配管、６…ガス排気配管、
７…ポンプ、８…ウェハ移載機、９…ツイーザ、１０…ウェハ移載機用コントローラ。
【図１】
2008010721.tif 000003
【図２】
2008010721.tif 000004
【図３】
2008010721.tif 000005
【図４】
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