(57)【要約】【課題】レイアウトパターンに対して光近接効果補正を行う際、少ない演算量で評価点を適正な位置に決定する。【解決手段】本発明によるレイアウトパターン補正装置は、レイアウトパターンのエッジを複数のセグメントに分割するセグメント生成手段（１１）と、評価優先度情報を含む評価条件情報（９）を記憶する記憶装置（５）と、評価優先度情報を用いて、各セグメントに評価点を設定する評価点設定手段（１２、１３）と、設定された前記設定点における歪量を光学シミュレーションによって算出し、算出された歪量に基づいてレイアウトパターンを補正するパターン補正手段（１３、１４）とを具備する。評価点設定手段（１２、１３）は、複数の候補評価点のうちから対象候補評価点を評価優先度情報に基づいて順次に選択し、選択された対象候補評価点が評価点として適正であると判断された場合に、選択された対象候補評価点を評価点として決定する。【選択図】図８
2008065246.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レイアウトパターンのエッジを複数のセグメントに分割するセグメント生成手段と、
前記複数のセグメントに規定される複数の候補評価点のそれぞれについて、評価点として選択される優先度を規定する評価優先度情報を含む評価条件情報を記憶する記憶装置と、
前記評価優先度情報を用いて、前記複数のセグメントのそれぞれについて評価点を設定する評価点設定手段と、
設定された前記設定点における、予測仕上がりパターンの所望の設計パターンからの歪量を光学シミュレーションによって算出し、算出された前記歪量に基づいて前記レイアウトパターンを補正するように構成されたパターン補正手段
とを具備し、
前記評価点設定手段は、複数の候補評価点のうちから対象候補評価点を前記評価優先度情報に基づいて一つずつ順次に選択し、選択された前記対象候補評価点が前記評価点として適正であると光学シミュレーションによって判断された場合に、選択された前記対象候補評価点を前記評価点として決定する
レイアウトパターン補正装置。
【請求項２】
請求項１に記載のレイアウトパターン補正装置であって、
前記評価優先度情報は、前記複数のセグメントの種類毎に用意され、
前記評価点設定手段は、前記複数のセグメントのそれぞれの種類を判断し、判断された種類に対応する前記評価優先度情報を用いて前記対象候補評価点を選択する
レイアウトパターン補正装置。
【請求項３】
請求項２に記載のレイアウトパターン補正装置であって、
前記評価条件情報は、更に、前記対象候補評価点が前記評価点として適正か判断するための評価点設定閾値を含み、
前記評価点設定手段は、光学シミュレーションによって算出された、選択された前記対象候補評価点における歪量が、前記評価点設定閾値によって規定された条件を満足するとき、選択された前記対象候補評価点が前記評価点として適正であると判断し、
前記評価点設定閾値は、前記複数のセグメントの種類毎に用意されており、
前記評価点設定手段は、前記複数のセグメントのそれぞれの種類に対応する前記評価優先度情報を用いて、前記対象候補評価点が前記評価点として適正であるかを判断する
レイアウトパターン補正装置。
【請求項４】
請求項２に記載のレイアウトパターン補正装置であって、
前記複数のセグメントの種類として、レイアウトパターンの、内角が１８０度を超えるような頂点に隣接するセグメントであるインナーコーナセグメントが定義され、
前記インナーコーナセグメントに対して用意されている前記評価優先度情報では、前記頂点から最も離れた候補評価点に最も高い優先度が規定されている
レイアウトパターン補正装置。
【請求項５】
請求項２に記載のレイアウトパターン補正装置であって、
前記複数のセグメントの種類として、レイアウトパターンの、内角が１８０度よりも小さい頂点に隣接するセグメントであるアウターコーナセグメントが定義され、
前記アウターコーナセグメントに対して用意されている前記評価優先度情報では、前記頂点から最も離れた候補評価点に最も高い優先度が規定されている
レイアウトパターン補正装置。
【請求項６】
請求項２に記載のレイアウトパターン補正装置であって、
前記複数のセグメントの種類として、平行に対向する２本のセグメントに挟まれたセグメントであって、レイアウトパターンの、所定の距離よりも近い距離にある２つの頂点の間に位置するセグメントであるラインエンドセグメントが定義され、
前記ラインエンドセグメントに対して用意されている前記評価優先度情報では、前記２つの頂点から同じ距離にある候補評価点に最も高い優先度が規定されている
レイアウトパターン補正装置。
【請求項７】
セグメント生成手段と、記憶装置と、評価点設定手段と、シミュレーション手段と、パターン補正手段とを備えるレイアウトパターン補正装置によってレイアウトパターンを補正するレイアウトパターン補正方法であって、
前記セグメント生成手段が、レイアウトパターンのエッジを複数のセグメントに分割するステップと、
前記評価点設定手段が、前記複数のセグメントのそれぞれについて評価点を設定するステップと、
前記シミュレーション手段が、設定された前記設定点における、予測仕上がりパターンの所望の設計パターンからの歪量を光学シミュレーションによって算出するステップと、
前記パターン補正手段が、算出された前記歪量に基づいて前記レイアウトパターンを補正するステップ
とを具備し、
前記評価点を設定するステップは、
前記評価点設定手段が、前記複数のセグメントに規定される複数の候補評価点のそれぞれについて、評価点として選択される優先度を規定する評価優先度情報を前記記憶装置から取得するステップと、
前記評価点設定手段が、複数の候補評価点のうちから対象候補評価点を前記評価優先度情報に基づいて一つずつ順次に選択し、選択された前記対象候補評価点が前記評価点として適正であると光学シミュレーションによって判断された場合に、選択された前記対象候補評価点を前記評価点として決定するステップ
とを備える
レイアウトパターン補正方法。
【請求項８】
レイアウトパターンのエッジを複数のセグメントに分割するステップと、
前記複数のセグメントのそれぞれについて評価点を設定するステップと、
設定された前記設定点における、予測仕上がりパターンの所望の設計パターンからの歪量を光学シミュレーションによって算出するステップと、
算出された前記歪量に基づいて前記レイアウトパターンを補正するステップ
とをコンピュータに実行させるレイアウトパターン補正用プログラムであって、
前記評価点を設定するステップが、
前記複数のセグメントに規定される複数の候補評価点のそれぞれについて、評価点として選択される優先度を規定する評価優先度情報を前記記憶装置から取得するステップと、
複数の候補評価点のうちから対象候補評価点を前記評価優先度情報に基づいて一つずつ順次に選択し、選択された前記対象候補評価点が前記評価点として適正であると光学シミュレーションによって判断された場合に、選択された前記対象候補評価点を前記評価点として決定するステップ
とを備える
レイアウトパターン補正用プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、及びプログラムに関し、特に、レイアウトパターンに対し、光近接効果補正（ＯＰＣ：optical proximity effect correction）を行うための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積度が高いＬＳＩ（large scale integrated circuit）のリソグラフィー工程における重要な技術の一つが、光近接効果補正である。光近接効果補正とは、光近接効果によるパターン転写の忠実度の低下を防ぐために、ＬＳＩのレイアウト設計、及びマスクデータ設計の段階で、レイアウトパターンやマスクデータを補正する技術のことである。光近接効果補正は、ＬＳＩの微細加工技術の進展に伴い、ますます重要になってきている。
【０００３】
光近接効果補正を行うための一つの手法が、モデルベースＯＰＣである。モデルベースＯＰＣとは、例えば、特開２００３−３４４９８５号公報に開示されているように、半導体ウェハの上に形成されるパターンの形状をシミュレーションし、そのシミュレーションの結果に基づいてレイアウトパターンを補正する技術である。
【０００４】
図１は、一般的なモデルベースＯＰＣの手順を示すフローチャートである。まず、処理対象のレイアウトパターン１００が処理対象として与えられると、レイアウトパターンからエッジが抽出され、抽出されたエッジがセグメント（エッジ単位）に分割される（ステップＳ１０１）。続いて、シミュレーションによって仕上がりパターンが予測される（ステップＳ１０２）。仕上がりパターンのシミュレーションでは、規定の手順によってセグメントに評価点（シミュレーションポイント）が設定され、その評価点についてのみシミュレーションが行われることが一般的である。最も典型的には、セグメントの中心点が、評価点として定義される。このような手法がとられるのは、処理時間を短くするためである。パターンのエッジ上の全ての点についてシミュレーションを行うことは、処理時間を商業的に許容できない程度に増大させる。
【０００５】
続いて、予測された仕上がりパターンの、所望の設計パターンに対する歪量（deviation）が測定され（ステップＳ１０３）、更に、測定された歪量が、所定の基準範囲にあるかが判定される（ステップＳ１０４）。測定された歪量が、所定の基準範囲内である場合、処理は終了する。
【０００６】
一方、歪量が基準範囲に入らない場合には、セグメントの移動量が計算される（ステップＳ１０５）。セグメントの移動量は、仕上がりパターンの設計パターンに対する歪量が小さくなるように決定される。更に、計算されたセグメントの移動量に応じてレイアウトパターンが暫定的に補正される（ステップＳ１０６）。補正されたレイアウトパターンについて、再度にステップＳ１０３〜Ｓ１０５の処理が行われる。ステップＳ１０３〜Ｓ１０５の処理は、仕上がりパターンの歪量が、上記の所定の基準範囲に入るまで繰り返して行われる。これにより、仕上がりパターンの歪量が基準範囲に入るような補正後レイアウトパターン１００Ａが生成される。
【０００７】
モデルベースＯＰＣは、光学シミュレーションの結果に基づいてレイアウトパターンの補正を行うため、補正の精度が高いという利点がある。このような観点から、近年のＬＳＩの製造では、モデルベースＯＰＣがしばしば採用される。
【０００８】
上述のモデルベースＯＰＣの一つの問題は、評価点以外の点において、仕上がりパターンの設計パターンに対する歪量が大きくなり得ることである。一般的なモデルベースＯＰＣでは、評価点以外の点についてシミュレーションが行われないため、評価点以外の点について歪量が所望の範囲内にあることは保証されない。このため、評価点の位置が、実際に半導体ウェハに形成されるパターンの良さに大きな影響を及ぼす。評価点を適正な位置に設定すれば、所望の設計パターンに近いパターンを半導体ウェハに形成することができる。しかしながら、評価点が不適正な位置に決定されると、不適正なパターンが半導体ウェハに形成される。
【０００９】
図２は、評価点の位置と仕上がりパターンの関係を説明する図である。図２において、記号Ａ〜Ｅは、頂点１０６に隣接するセグメント１０７に設定された評価点を示しており、破線１０１〜１０５は、それぞれ、評価点Ａ〜Ｅにおいて歪量が０であるようにＯＰＣを行うことによって得られた仕上がりパターンの形状を示している。評価点Ａ、Ｂのように、頂点１０６に過剰に近い位置に評価点が決定されると、レイアウトパターンよりも内側に食い込んだ仕上がりパターンが形成され、仕上がりパターンが過剰に細くなってしまう。一方、評価点Ｅのように、頂点１０６から評価点が過剰に離れていると、仕上がりパターンが過剰に太くなってしまう。図２の例では、評価点Ｄが最もよい形状の仕上がりパターンを与える。
【００１０】
このような問題を解決する一つの方法は、人手により、評価点を適正な位置に決定する
ことである。経験を有する技術者によれば、仕上がりパターンの設計パターンに対する歪量が小さくなるように評価点を適正な位置に決定することは、ある程度は可能である。しかしながら、複雑な形状のレイアウトパターンに対して評価点の位置を人手によって適正に決定することは困難である。例えば、エッチング補正処理によって得られたレイアウトパターンは、エッチング後に所望の形状のパターンを得るために複雑な形状を有しており、しかし、このようなレイアウトパターンに対してＯＰＣを行う場合には、人手による評価点の検討には限界がある。
【００１１】
米国特許出願公開ＵＳ２００４／０１０２９４５は、上述の問題を解決するための技術を開示している。この公報に記載された技術では、レイアウトパターンにおけるクリティカルなセグメント（critical segment）が選択され、そのクリティカルなセグメントについて、「詳細なシミュレーション」（dense simulation）が行われる。「詳細なシミュレーション」では、クリティカルなセグメントのそれぞれに複数の評価点が定義され、その複数の評価点のそれぞれについてシミュレーションが行われて仕上がりパターンの設計パターンに対する歪量が算出される。算出された歪量に基づいて、クリティカルなセグメントのそれぞれについて、複数の評価点のうちから使用される評価点が選択され、選択された評価点を用いて、モデルベースＯＰＣの処理が行われる。
【特許文献１】特開２００３−３４４９８５号公報
【特許文献２】米国特許出願公開ＵＳ２００４／０１０２９４５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、米国特許出願公開ＵＳ２００４／０１０２９４５に開示されている技術は、複数の評価点のそれぞれについてシミュレーションが行われるため、処理時間が長大になるという課題が生じる。処理時間の長大化は、ＴＡＴ（turn around time）を増大させ、また、コストを増大させるため好ましくない。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決するために、本発明は、以下に述べられる手段を採用する。その手段を構成する技術的事項の記述には、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］の記載との対応関係を明らかにするために、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号・符号が付加されている。但し、付加された番号・符号は、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲を限定的に解釈するために用いてはならない。
【００１４】
本発明によるレイアウトパターン補正装置は、レイアウトパターン（２２）のエッジ（２４）を複数のセグメント（２６）に分割するセグメント生成手段（１１）と、複数のセグメント（２６）に規定される複数の候補評価点（３１）のそれぞれについて、評価点（２７）として選択される優先度を規定する評価優先度情報を含む評価条件情報（９）を記憶する記憶装置（５）と、評価優先度情報を用いて、複数のセグメント（２６）のそれぞれについて評価点（２８）を設定する評価点設定手段（１２、１３）と、設定された前記設定点（２８）における、予測仕上がりパターンの所望の設計パターンからの歪量を光学シミュレーションによって算出し、算出された歪量に基づいてレイアウトパターン（２２）を補正するように構成されたパターン補正手段（１３、１４）とを具備する。評価点設定手段（１２、１３）は、複数の候補評価点のうちから対象候補評価点を評価優先度情報に基づいて一つずつ順次に選択し、選択された対象候補評価点が評価点として適正であると光学シミュレーションによって判断された場合に、選択された対象候補評価点を評価点として決定する。
【００１５】
このようなレイアウトパターン補正装置では、候補評価点が評価優先度情報に基づいて順次に選択され、評価点として適正な候補評価点が発見された段階で候補評価点を選択するための光学シミュレーションを中断ことができる。その一方で、複数の候補評価点から光学シミュレーションによって評価点を選択していることにより、評価点の周囲のレイアウトパターンの形状を考慮して適切に評価点を選択し、適正な形状のレイアウトパターンを生成することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、少ない演算量によって評価点を適正な位置に決定し、これにより、処理時間を短くしながら適正な形状のレイアウトパターンを生成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下では、用語の定義が与えられた後、本発明の一実施形態のレイアウトパターン補正装置の構成、及び、それを用いたモデルベースＯＰＣの手順が説明される。
【００１８】
１．用語の定義
（設計パターン、レイアウトパターン、予測仕上がりパターン）
図３を参照して、設計パターンとは、半導体ウェハ上に形成されることが望まれるパターンであり、レイアウトパターンとは、リソグラフィー工程で使用されるマスクの形成に使用されるパターンである。本実施形態では、モデルベースＯＰＣが、このレイアウトパターンに対して行われる。図３では、設計パターンが符号２１によって参照され、レイアウトパターンが符号２２によって参照されている。設計パターン２１と、レイアウトパターン２２とは、必ずしも一致しない。これは、設計パターン２１に対して、他の補正処理、例えば、エッチング補正処理を行うことによって得られたレイアウトパターン２２に対してモデルベースＯＰＣが行われる場合があるためである。
【００１９】
図４を参照して、予測仕上がりパターンとは、あるレイアウトパターンが使用されたときに半導体ウェハに形成されることが予想されるパターンである。図４では、予測仕上がりパターンが符号２３によって参照されている。モデルベースＯＰＣは、予測仕上がりパターン２３の形状が、設計パターン２１に近くなるように行われる。
【００２０】
（エッジ、セグメント、評価点、歪量）
図５Ａを参照して、エッジとは、レイアウトパターンの隣接する頂点を結ぶ線分をいう。図５Ａでは、エッジが符号２４によって参照され、頂点が符号２５によって参照されている。
【００２１】
一方、図５Ｂに示されているように、セグメントとは、エッジを分割することによって得られる線分をいう。エッジが充分に短い場合には、エッジが分割されずにセグメントとして使用されることも可能である。エッジが分割される点は、分割点と呼ばれる。図５Ｂでは、セグメントが符号２６によって、分割点が符号２７によって参照されている。
【００２２】
評価点とは、各セグメントに定義される点であり、予測仕上がりパターンを予測するための光学シミュレーションの対象となる点である。図４Ｂでは、評価点は符号２８によって参照されている。演算量を減らすために、光学シミュレーションでは、レイアウトパターンの全体についてシミュレーションが行われるのではなく、評価点についてのみ行われる。
【００２３】
図４を再度に参照して、ある評価点における歪量は、当該評価点における設計パターンと予測仕上がりパターンとの差分として定義される。詳細には、ある評価点における歪量は、設計パターン２１上の当該評価点に対応する点２９ａと、予測仕上がりパターン上の当該評価点に対応する点２９ｂの距離として定義される。本実施形態のモデルベースＯＰＣでは、各評価点における歪量が所定の基準値以下に収まるように、レイアウトパターン２２が補正される。
【００２４】
（セグメントの種類）
本実施形態では、セグメントの種類として、下記の４種類：「インナーコーナ」、「アウターコーナ」、「ラインエンド」、「通常セグメント」が定義される。図６Ａに示されているように、インナーコーナセグメント２６ａとは、レイアウトパターンの、内角が１８０度を超えるような頂点（典型的には、内角が２７０度である頂点）に隣接するセグメントである。一方、図６Ｂに示されているように、アウターコーナセグメント２６ｂとは、レイアウトパターンの、内角が１８０度未満である頂点に隣接するセグメントである。
【００２５】
また、図６Ｃに示されているように、ラインエンドセグメント２６ｃとは、ライン状のレイアウトパターンの先端に位置するセグメントであり、平行に対向する２本のセグメントに挟まれたセグメントであって、レイアウトパターンの、所定の距離よりも近い距離にある２つの頂点の間に位置するセグメントが、ラインエンドセグメントに分類される。ラインエンドセグメントは、アウターコーナセグメントにも分類され得るが、上述の条件を満足するセグメントは、アウターコーナセグメントではなく、ラインエンドセグメントに分類される。
【００２６】
通常セグメントとは、上記の「インナーコーナ」、「アウターコーナ」、「ラインエンド」のいずれにも該当しないセグメントである。後述されるように、本実施形態では、評価点の位置が、セグメントの種類に応じて、そして、対象のセグメントの周囲におけるレイアウトパターンの形状に応じて適切に選択され、これにより、適正な形状のレイアウトパターンが生成される。
【００２７】
２．レイアウトパターン補正装置の構成
図７は、本発明の一実施形態におけるレイアウトパターン補正装置１の構成を示すブロック図である。レイアウトパターン補正装置１は、キーボード、マウスのような入力装置２と、表示装置、プリンタのような出力装置３と、主記憶として使用されるメモリ４と、ＨＤＤ（hard disc drive）のような外部記憶装置５と、ＣＰＵ６とを備えている。
【００２８】
外部記憶装置５は、モデルベースＯＰＣを行うための様々なデータを記憶する。第１に、外部記憶装置５には、所望の設計パターンと、モデルベースＯＰＣ処理の対象のレイアウトパターンとを含んで構成されるレイアウト情報８が用意される。レイアウト情報８は、典型的には、レイアウトツールによって生成される。設計パターンとレイアウトパターンとが一致する場合には、レイアウト情報８は、そのいずれか一方のみで構成されていてもよい。
【００２９】
更に、外部記憶装置５には、モデルベースＯＰＣを行うためのコンピュータプログラムであるモデルベースＯＰＣツール７がインストールされている。モデルベースＯＰＣツール７は、セグメント生成モジュール１１と、評価点設定モジュール１２と、シミュレーションツール１３と、パターン補正モジュール１４とを備えている。
【００３０】
セグメント生成モジュール１１は、レイアウトパターンのエッジを分割することによって、セグメントを生成する。
【００３１】
評価点設定モジュール１２は、各セグメントに評価点を設定する。評価点の設定には、外部記憶装置５に用意されている評価条件情報９が使用される。評価条件情報９の内容、及び評価点の設定の詳細については後述される。
【００３２】
シミュレーションツール１３は、光学シミュレーションを行い、これにより、各評価点における歪量を算出するためのものである。パターン補正モジュール１４は、シミュレーション結果に応じてセグメントを移動させることにより、レイアウトパターンを補正する。
【００３３】
評価条件情報９は、候補評価点位置情報と、評価優先度情報と、評価点選択閾値とで構成されている。候補評価点位置情報は、セグメントの種類毎に、候補評価点の位置を指定する情報である。ここで候補評価点とは、それから評価点が選択される点のことであり、図６Ａ〜６Ｃに示されているように、各セグメントには複数の候補評価点が定義される。図６Ａ〜６Ｃでは、候補評価点は符号３１によって参照されている。定義された候補評価点から、光学シミュレーションが行われる評価点が選択される。候補評価点位置情報は、この候補評価点の位置を決定するために使用される。本実施形態では、各セグメントに５つの候補評価点が定義される。
【００３４】
評価優先度情報は、候補評価点から評価点を選択する優先度を指定する情報であり、セグメントの種類毎に用意されている。図８には評価優先度情報の内容の例が図示されており、図８の表における数値は、優先度を示している。図８に示されている例では、インターコーナセグメント、及びアウターコーナセグメントについては、頂点から最も離れた候補評価点Ｅに最も高い優先度が与えられている。図８に示されている評価優先度情報は単なる一例であり、評価優先度情報の内容は、図８に示されている内容に限定されない。
【００３５】
評価点選択閾値は、各候補評価点が、レイアウトパターンの補正に使用される評価点として適切であるかを判断するために使用される閾値である。後述されるように、光学シミュレーションによって得られた、ある候補評価点における歪量が評価点選択閾値よりも小さい場合、その候補評価点が評価点として設定される。評価優先度情報と同様に、評価点選択閾値も、セグメントの種類毎に用意されている。
【００３６】
３．モデルベースＯＰＣの手順
本実施形態のモデルベースＯＰＣの手順の主たる特徴の一つは、候補評価点が評価優先度情報に基づいて一つずつ順次に選択され、選択された候補評価点が適正であると光学シミュレーションによって判断された場合に、その候補評価点がモデルベースＯＰＣに使用される評価点として選択されることである。本実施形態のモデルベースＯＰＣの手順では、評価点として適正な候補評価点が発見された段階で候補評価点を選択するための光学シミュレーションが停止される。上述の米国特許出願公開ＵＳ２００４／０１０２９４５のように、全ての候補評価点について光学シミュレーションは行われない。従って、本実施形態のモデルベースＯＰＣの手順は、少ない演算量で低減させることができる。
【００３７】
その一方で、本実施形態のモデルベースＯＰＣは、複数の候補評価点から光学シミュレーションによって評価点を選択していることにより、評価点の周囲のレイアウトパターンの形状を考慮して適切に評価点を選択し、適正な形状のレイアウトパターンを生成することができる。
【００３８】
このように、本実施形態のモデルベースＯＰＣは、演算量を低減させながら、評価点を適正な位置に決定することができる。以下では、本実施形態のモデルベースＯＰＣの具体的な手順を説明する。
【００３９】
図９は、本実施形態においてモデルベースＯＰＣが行われる手順を示すフローチャートである。まず、セグメント生成モジュール１１によって、セグメントが生成される（ステップＳ０１）。より具体的には、レイアウト情報８に含まれているレイアウトパターンが読み込まれ、更に、レイアウトパターンのエッジを分割することによってセグメントが生成される。
【００４０】
続いて、評価点設定モジュール１２により、各セグメントに対して評価点が設定される（ステップＳ０２）。評価点の設定は、下記の手順で行われる。
【００４１】
まず、各セグメントが「インナーコーナ」、「アウターコーナ」、「ラインエンド」、「通常セグメント」のどの種類に分類されるかが判断される（ステップＳ２１）。この判断は、対象セグメントと、それに隣接するセグメントとの位置関係に基づいて判断される。
【００４２】
続いて、評価条件情報９に基づいて、各セグメントに複数の候補評価点が定義される（ステップＳ２２）。候補評価点とは、将来、その中から評価点が選択される一組の点である。本実施形態では、５つの候補評価点が各セグメントに定義される。候補評価点の数は５以外であることが可能である。
【００４３】
続いて、各セグメントのそれぞれについて、評価条件情報９の評価優先度情報に従って、５つの候補評価点から１つの候補評価点が選択される（ステップＳ２３）。以下では、選択された候補評価点を対象候補評価点と呼ぶ。
【００４４】
評価優先度情報はセグメントの種類毎に用意されており、候補評価点から対象候補評価点が選択される順序は、セグメントの種類に応じて決定される。これは、セグメントに応じて最適に評価点の位置を決定し、最終的に半導体ウェハに形成されるパターンの形状と設計パターンとの一致度を向上させるために有効である。
【００４５】
例えば、図６Ａに示されているインナーコーナセグメント２６ａについては、図８に示されているように、候補評価点Ｅに最も高い優先度が与えられている。従って、１回目の評価点の設定では、候補評価点Ｅが対象候補評価点として選択される。他の種類のセグメントについても同様に、評価優先度情報に従って評価点が設定される。
【００４６】
どの候補評価点に高い優先度を与えるかは、評価点が設定される位置に影響を与えるから、優先度はセグメントの種類に応じて適切に決定されることが好ましい。一実施形態では、インナーコーナセグメント及びアウターコーナセグメントについては、頂点から最も離れた候補評価点Ｅに最も高い優先度が与えられ、一方、ラインエンドセグメント及び通常セグメントについては、セグメントの中央に位置する候補評価点Ｃに最も高い優先度が与えられている。発明者の経験によれば、優先度をこのように与えることにより、半導体ウェハに形成されるパターンの形状と設計パターンとの一致度を向上させることができる。
【００４７】
続いて、シミュレーションツール１３によって、各対象候補評価点に対して光学シミュレーションが行われ、これにより、各対象候補評価点における歪量が算出される（ステップＳ２４）。上述のように、各対象候補評価点における歪量とは、当該対象候補評価点における設計パターンと予測仕上がりパターンとの差分として定義されることに留意されたい。
【００４８】
続いて、評価点設定モジュール１２により、ステップＳ２２において選択された対象候補評価点のそれぞれが評価点として適正であるか否かが、各対象候補評価点における歪量に基づいて判定される（ステップＳ２５）。具体的には、或る対象候補評価点における歪量が評価点選択閾値よりも小さい場合、当該対象候補評価点は、ＯＰＣに使用される評価点として適正であると判断される。
【００４９】
評価優先度情報と同様に、評価点選択閾値もセグメントの種類毎に用意されており、セグメントの種類に応じた評価点選択閾値を用いて対象候補評価点の適正さが判断される。これは、セグメントの種類に応じて適正に評価点を選択することを可能にする。
【００５０】
ステップＳ０４において、対象候補評価点が評価点として適正でないと判断されたセグメントについては、再度に対象候補評価点が選択される（ステップＳ２３）。２回目の対象候補評価点の選択では、評価優先度情報によって次に優先度が高いと指定されている候補評価点が、対象候補評価点として選択される。選択された対象候補評価点における歪量が再度に光学シミュレーションによって算出され（ステップＳ２４）、更に、算出された歪量に基づいて新たに選択された対象候補評価点が適正であるか否かが判断される（ステップＳ２５）。
【００５１】
ステップＳ２３〜Ｓ２５の過程は、全てのセグメントに適正な評価点が設定されるまで、繰り返して行われる。歪量が評価点選択閾値よりも小さくなるような適正な評価点を候補評価点から選択できない場合には、所定の候補評価点が評価点として選択される。典型的には、最も優先度が高い候補評価点が評価点として選択される。
【００５２】
評価点が設定されると、パターン補正モジュール１４により、エラー判定処理が行われる（ステップＳ０３）。具体的には、設定された各評価点における歪量が、所定の基準値よりも小さいかが判断される。一回目のエラー判定処理では、ステップＳ２４において算出された歪量が、各評価点における歪量として使用される。ステップＳ０３において評価点における歪量の判断に使用される基準値は、上述の評価点選択閾値とは異なる値であり、基準値は、評価点選択閾値よりも小さい。
【００５３】
歪量が所定の基準値よりも大きい評価点が存在する場合、レイアウトパターンが補正される（ステップＳ０４）。レイアウトパターンの補正は、当該評価点が設けられたセグメントを移動させることによって行われる。セグメントが移動される距離は、当該評価点における歪量に応じて決定される。
【００５４】
レイアウトパターンが補正された後、再び、各評価点における歪量が光学シミュレーションによって算出され（ステップＳ０５）、再度にエラー判定処理（ステップＳ０４）が行われる。ステップＳ０５における光学シミュレーションは、シミュレーションツール１３によって行われる。
【００５５】
レイアウトパターンの補正（ステップＳ０４）と光学シミュレーション（ステップＳ０５）は、全ての評価点における歪量が基準値よりも小さくなるようなレイアウトパターンが生成されるまで繰り返して行われる。全ての評価点における歪量が基準値よりも小さくなるようなレイアウトパターンが生成されると、生成されたレイアウトパターンが補正後レイアウトパターン１０として外部記憶装置５に保存される。補正後レイアウトパターン１０が、リソグラフィー工程で使用されるマスクの作製に使用される。
【００５６】
このような手順でモデルベースＯＰＣが行われることにより、評価点を適正な位置に決定することが出来る一方で、演算量を低減させることができる。本実施形態のモデルベースＯＰＣの手順では、候補評価点が評価優先度情報に基づいて順次に選択され、評価点として適正な候補評価点が発見された段階で候補評価点を選択するための光学シミュレーションが停止される。上述の米国特許出願公開ＵＳ２００４／０１０２９４５のように、全ての候補評価点について光学シミュレーションは行われない。従って、本実施形態のモデルベースＯＰＣの手順は、少ない演算量で低減させることができる。その一方で、複数の候補評価点から光学シミュレーションによって評価点を選択していることにより、評価点の周囲のレイアウトパターンの形状を考慮して適切に評価点を選択し、適正な形状のレイアウトパターンを生成することができる。
【００５７】
その一方で、本実施形態のモデルベースＯＰＣの手順によれば、評価点の位置が、セグメントの種類に応じて、光学シミュレーションの結果に基づいて適切に決定される。このため、対象のセグメントの周囲におけるレイアウトパターンの形状に応じて評価点の位置を適切に選択し、これにより適正な形状のレイアウトパターンを生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】図１は、一般的なモデルベースＯＰＣの手順を示すフローチャートである。
【図２】図２は、評価点の位置と、仕上がりパターンとの関係を示す図である。
【図３】図３は、設計パターンとレイアウトパターンとを示す図である。
【図４】図４は、設計パターンと予測仕上がりパターンとを示しており、更に、歪量を説明する図である。
【図５Ａ】図５Ａは、レイアウトパターンのエッジを説明する図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、セグメント、分割点、及び評価点を説明する図である。
【図６Ａ】図６Ａは、インナーコーナセグメントを説明する図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、アウターコーナセグメントを説明する図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、ラインエンドセグメントを説明する図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態におけるレイアウトパターン補正装置の構成を示すブロック図である。
【図８】図８は、評価条件情報の内容を示す表である。
【図９】図９は、本発明の一実施形態におけるモデルベースＯＰＣの手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５９】
１：レイアウトパターン補正装置
２：入力装置
３：出力装置
４：メモリ
５：外部記憶装置
６：ＣＰＵ
７：モデルベースＯＰＣツール
８：レイアウト情報
９：評価条件情報
１０：補正後レイアウトパターン
１１：セグメント生成モジュール
１２：評価点設定モジュール
１３：シミュレーションツール
１４：パターン補正モジュール
２１：設計パターン
２２：レイアウトパターン
２３：予測仕上がりパターン
２４：エッジ
２５：頂点
２６：セグメント
２６ａ：インナーコーナセグメント
２６ｂ：アウターコーナセグメント
２６ｃ：ラインエンドセグメント
２７：分割点
２８：評価点
２９ａ：２９ｂ：（評価点に対応する）点
１００：レイアウトパターン
１００Ａ：補正後レイアウトパターン
１０１、１０２、１０３、１０４、１０５：（仕上がりパターンの形状を示す）破線
１０６：頂点
１０７：セグメント
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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