(57)【要約】【課題】ＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる、液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔが設けられ且つ液晶層５０を挟持する一対の基板１０，２０と、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚さを透過表示領域Ｔよりも小さくする液晶層厚調整層２４と、を有し、液晶層５０の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置１００である。液晶層厚調整層２４は、反射表示領域Ｒ側から透過表示領域Ｔ側へ傾斜する傾斜部７０を備え、一方の基板１０には、信号線６ａと、信号線６ａに電気的に接続されたスイッチング素子３０と、スイッチング素子３０に電気的に接続された画素電極１５と、が設けられ、画素電極１５には、平面視した状態で傾斜部７０に重なる領域にスリットＳが形成され、スリットＳの形状の少なくとも一部分に沿って信号線６ａの一部が突出する。【選択図】図３
2008209858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射表示領域及び透過表示領域が設けられ且つ液晶層を挟持する一対の基板と、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層と、を有し、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、
前記液晶層厚調整層は、前記反射表示領域側から前記透過表示領域側へ傾斜する傾斜部を備え、
前記一対の基板のうち一方の基板には、信号線と、該信号線に電気的に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、が設けられ、
該画素電極には、平面視した状態で前記傾斜部に重なる領域にスリットが形成され、
前記スリットの形状の少なくとも一部分に沿うように、前記信号線の一部が突出していることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記スリットが屈曲部を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記信号線に前記画素電極の端部が重なっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記信号線が、前記スイッチング素子と電気的に接続されたソース線であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記信号線が、前記スイッチング素子と電気的に接続された走査線であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記スリットは、前記画素電極における前記スイッチング素子が設けられた側と反対側の端縁に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
平面視した状態で前記スリットに重なる遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特に液晶テレビジョン等に代表される液晶装置の分野においては、近年、動画の画質向上を目的として応答速度の速いＯＣＢ（Optical Compensated Bend）モードの液晶装置が脚光を浴びている。ＯＣＢモードにおいて、初期状態では液晶が２枚の基板間でスプレイ状に開いたスプレイ配向となっており、表示動作時には液晶が弓なりに曲がった状態（ベンド配向）になっている必要がある。すなわち、表示動作時にベンド配向の曲がりの度合いで透過率を変調することで高速応答性を実現している。
【０００３】
このようにＯＣＢモードの液晶装置の場合、電源遮断時に液晶はスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値電圧以上の電圧を液晶に印加することによって初期のスプレイ配向から表示動作時のベンド配向に液晶の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。そこで特許文献１には、画素電極との間に生じさせた横電界を用いて、液晶の初期配向転移を促進する技術が開示されている。
ところで、例えば携帯電話機や携帯情報端末等の携帯用電子機器（電子機器）の表示部には半透過反射型の液晶装置が用いられており、このような液晶装置においても上述したようなＯＣＢモードが採用されている。
【特許文献１】特開２００１−２９６５１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された技術では、画素電極の所定位置に転移核を形成するために高い電圧が必要となる。そのため、上記電子機器に用いられる小容量の電源では、電界強度が不足して転移核を十分かつ均一に生じさせることができず、表示不良や所望の高速応答性が得られないといった問題がある。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、ＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる、液晶装置、及び電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶装置は、反射表示領域及び透過表示領域が設けられ且つ液晶層を挟持する一対の基板と、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層と、を有し、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、前記液晶層厚調整層は、前記反射表示領域側から前記透過表示領域側へ傾斜する傾斜部を備え、前記一対の基板のうち一方の基板には、信号線と、該信号線に電気的に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、が設けられ、該画素電極には、平面視した状態で前記傾斜部に重なる領域にスリットが形成され、前記スリットの形状の少なくとも一部分に沿うように、前記信号線の一部が突出していることを特徴とする。
【０００７】
本発明の液晶装置によれば、信号線に電圧を印加することで、画素電極のスリット形成領域の近傍にて、前記信号線と画素電極との間で生じた電界を初期転移操作に用いることができる。また、液晶分子が傾斜配向することで配向の乱れ易い液晶層厚調整層の傾斜部に前記スリットを設けているので、上記電界により液晶層中にディスクリネーションを容易に発生させることができる。よって、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、ＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことが可能となる。
【０００８】
また、上記液晶装置においては、前記スリットが屈曲部を有するのが好ましい。
このようにすれば、屈曲部を有することで画素電極と信号線との間で電界が様々な方向に生じ、屈曲部によって転移核の発生をさらに確実なものとすることができ、初期転移の均一性、高速性をさらに高めることができる。
【０００９】
また、上記液晶装置においては、前記信号線に前記画素電極の端部が重なっているのが好ましい。
このようにすれば、画素電極の端部上の液晶分子も配向させることができ、画素電極上の広範囲にて初期転移を生じさせることができる。
【００１０】
また、上記液晶装置においては、前記信号線が、前記スイッチング素子と電気的に接続されたソース線であるのが好ましい。
このようにすれば、初期転移操作時に、例えば、ソース線にのみ画像信号を入力することで、ソース線と画素電極との間に電界を生じさせることができ、これによって初期配向転移を生じさせることができる。
【００１１】
あるいは、上記液晶装置においては、前記信号線が、前記スイッチング素子と電気的に接続された走査線であってもよい。
このようにすれば、走査線（ゲート線）には初期配向転移動作時のみならず表示動作時にも他の信号配線に比して高い電圧が印加されるので、上述した電界もそれに応じて強くなり、より確実にディスクリネーションを発生させることができる。
このとき、前記スリットは、前記画素電極における前記スイッチング素子が設けられた側と反対側の端縁に形成されているのが望ましい。
これによれば、スイッチング素子の直上は画素電極との間で電界が生じにくいものの、スイッチング素子が設けられた側と反対の端縁側からスリットを形成することで、前記スイッチング素子が画素電極で覆われた構造となる。これによって、スリットの形成領域が上記初期配向転移をなす電界発生部として有効利用することができる。
【００１２】
また、上記液晶装置においては、平面視した状態で前記スリットに重なる遮光膜が形成されているのが好ましい。
このようにすれば、初期転移操作が完了した後の表示動作時において、スリットの形成領域の周辺にディスクリネーションが残っても、そのディスクリネーションに起因する光漏れを防止することができる。したがって、表示品質の低下を最小限に抑えることができる。
【００１３】
本発明の電子機器は、上記液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の電子機器によれば、低電圧、かつ短時間でＯＣＢモードの初期配向転移を行うことのできる液晶装置を備えているので、表示品位に優れたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施の形態に限定されるものではない。また以下の説明で参照する各図面においては、各構成要素を見易くするために各部の縮尺等を適宜変更して表示している。さらに本明細書では、液晶装置の各構成部材における液晶層側を内側と呼び、その反対側を外側と呼ぶことにする。また、画像表示の最小単位を「サブ画素」と呼び、各色カラーフィルタを備えた複数のサブ画素の集合を「画素」と呼ぶこととする。また、サブ画素の平面領域において、液晶装置の表示面側から入射する光を利用した表示が可能な領域を「反射表示領域」と呼び、液晶装置の背面側（前記表示面と反対側）から入射する光を利用した表示が可能な領域を「透過表示領域」と呼ぶ。さらに、「非選択電圧印加時」及び「選択電圧印加時」とは、それぞれ「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧近傍である時」及び「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧に比べて十分高い時」を意味しているものとする。
【００１６】
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施の形態の液晶装置について、図１から図４を参照して説明する。本実施形態の液晶装置は、画素スイッチング素子としてＴＦＴ素子を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置である。
【００１７】
図１（ａ）は本実施形態の液晶装置１００を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う側面断面図である。
液晶装置１００は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、素子基板（一方の基板）１０と、素子基板１０に対向配置された対向基板（他方の基板）２０と、素子基板１０及び対向基板２０に挟持された液晶層５０とを備えている。液晶層５０としては、誘電率異方性が正の液晶材料を用いた。
【００１８】
また、液晶装置１００は、素子基板１０及び対向基板２０をシール材５２によって貼り合わせており、液晶層５０をシール材５２で区画された領域内に封止している。シール材５２の内周に沿って周辺見切５３が形成されており、周辺見切５３で囲まれた平面視（対向基板２０側から素子基板１０を見た状態）で矩形状の領域を画像表示領域１０ａとしている。
【００１９】
また、液晶装置１００は、シール材５２の外側領域に設けられたデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４と、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４と導通する接続端子１０２と、走査線駆動回路１０４を接続する配線１０５とを備えている。
【００２０】
液晶装置１００の画像表示領域１０ａには、図２に示すように、複数のサブ画素領域が平面視マトリクス状に配列されている。各々のサブ画素領域に対応して、画素電極１５と、画素電極１５をスイッチング制御するＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）３０とが設けられている。画像表示領域１０ａにはまた、複数のデータ線６ａと走査線３ａとが格子状に延びて形成されている。すなわち、前記サブ画素領域は、前記データ線６ａ及び走査線３ａによって囲まれた領域に対応している。
【００２１】
ＴＦＴ３０のソースにデータ線６ａが電気的に接続されており、ゲートには走査線３ａが電気的に接続されている。ＴＦＴ３０のドレインは画素電極１５と電気的に接続されている。データ線６ａはデータ線駆動回路１０１に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各サブ画素領域に供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０４に接続されており、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各サブ画素領域に供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０４は、走査線３ａに対して、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００２２】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された後述する共通電極との間で一定期間保持される。
ここで、保持された画像信号Ｓ１〜Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７が接続されている。蓄積容量１７は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００２３】
図３は本実施形態に係る液晶装置における、図４のＡ−Ａ´線矢視による側断面図である。また、図４は、液晶装置１００の１画像表示単位を成すサブ画素の平面構成図であり、同図中では、平面視でほぼ矩形状のサブ画素領域の長軸方向、画素電極１５の長軸方向、並びにソース線６ａの延在方向をＸ軸方向、サブ画素領域の短軸方向や画素電極１５の短辺方向、走査線３ａ及び容量線３ｂの延在方向をＹ軸方向と規定している。
【００２４】
本実施形態に係る液晶装置は、図３に示すように素子基板１０と、この素子基板１０に対向配置され、観察者側に配置された対向基板２０と、基板１０，２０間に挟持された液晶層５０と、設けられ対向基板２０側から入射した光を反射するとともに、前記素子基板１０側からの光を透過させることで透過表示をなし、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の層厚を透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の層厚よりも小さくするための液晶層厚調整層２４とを備えている。
【００２５】
また、液晶装置１００は、前記素子基板１０の外面側（パネル背面側）に配設されたバックライト（照明装置）６０を備えている。このバックライト６０としては、光源、リフレクタ、導光板などを有する公知の照明装置を用いることができる。このバックライトは、透過表示領域Ｔにおける表示光をなすものである。すなわち、本実施形態に係る液晶装置１００は、いわゆるマルチギャップ方式の半透過反射型液晶装置である。
【００２６】
前記素子基板１０と対向基板２０との間には、詳細については後述するＯＣＢモードで動作する液晶層５０が挟持されている。よって、本実施形態に係る液晶装置１００は、その動作時に液晶分子がベンド配向を呈し、高速応答動作を可能とし、動画表示品質に優れたものとなっている（図５参照）。なお、図３は、基板１０，２０間でベンド配向を呈する液晶分子５１の配向状態を概念的に示したものであり、実際の配向状態とは必ずしも一致しない。
【００２７】
前記素子基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等からなる透明な基板本体１１を基体としてなり、基板本体１１の内面側（液晶層５０側）に、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、これら走査線３ａと容量線３ｂとを覆って絶縁薄膜４１が形成されている。絶縁薄膜４１を介して走査線３ａと対向する位置に平面視矩形状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層４５が形成されており、また、半導体層４５上に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂとドレイン電極４４とが形成されている。そして、これら半導体層４５、ソース電極６ｂ、及びドレイン電極４４を覆うようにして層間絶縁膜１２が形成されている。層間絶縁膜１２を貫通してドレイン電極４４に達するコンタクトホール１４が形成されている。層間絶縁膜１２上には画素電極１５が形成されており、前記コンタクトホール１４を介して層間絶縁膜１２上の画素電極１５と前記ドレイン電極４４（ＴＦＴ３０）とが電気的に接続されている。
【００２８】
前記素子基板１０の内側には、表面に凹凸を有する樹脂層１６が設けられている。この樹脂層１６は、画像表示単位となるドット領域の長手方向の一方端部に形成されている。その樹脂層１６の表面には、ＡｌやＡｇ等の高反射率の金属材料からなる反射電極部（反射膜）１５ｒが形成されている。またドット領域の長手方向の残部には、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなる透明電極部１５ｔが形成されている。これら反射電極部１５ｒおよび透明電極部１５ｔが導通接続されて、前記画素電極１５が形成されている。そして、反射電極部１５ｒの形成領域が反射表示領域Ｒであり、透明電極部１５ｔの形成領域が透過表示領域Ｔとなっている。
【００２９】
画素電極１５及び層間絶縁膜１２を覆って、ポリイミド等からなる配向膜１８が形成されている。配向膜１８は、図３に概念的に示す液晶分子５１を膜面に略水平に配向させる水平配向膜であり、図４に示す画素電極１５の短辺方向（Ｙ軸方向）に沿ってラビング処理されている（ラビング方向１８ａ）。
【００３０】
一方の前記対向基板２０も、ガラスや石英、プラスチック等からなる透明な基板本体２１を基体として構成されている。その基板本体２１の内面側（液晶層５０側）には、サブ画素の周囲を縁取る遮光膜２３が形成されており、遮光膜２３上に、サブ画素毎に異なる色光を透過するカラーフィルタを備えたＣＦ層２２が形成されている。なお、ＣＦ層２２は、素子基板１０側に形成することもできる。
【００３１】
前記ＣＦ層２２上には、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極２５が基板本体２１の略全面に形成されており、共通電極２５の表面には、ポリイミド等からなる配向膜２９が形成されている。配向膜２９も液晶分子５１を膜面に略水平に配向させる水平配向膜であり、表面にラビング処理を施されている。配向膜２９は、素子基板１０側の配向膜１８のラビング方向（配向規制方向）１８ａと平行な方向（２９ａ）にラビング処理されており、液晶層５０の厚さ方向の中央に対して液晶分子５１の配向が上下対称となっている。
【００３２】
前記カラーフィルタ２２は、ドット領域内で色度の異なる２種類の領域に区画されている構成とすることが好ましい。具体例を挙げると、透過表示領域Ｔの平面領域に対応して第１の色材領域が設けられ、反射表示領域Ｒの平面領域に対応して第２の色材領域が設けられており、第１の色材領域の色度が、第２の色材領域の色度より大きいものとされている構成を採用できる。また、反射表示領域Ｒの一部に非着色領域を設ける構成としてもよい。このような構成とすることで、カラーフィルタを表示光が１回のみ透過する透過表示領域Ｔと、２回透過する反射表示領域Ｒとの間で表示光の色度が異なるのを防止でき、反射表示と透過表示の見映えを揃えて表示品質を向上させることができる。
【００３３】
反射膜１６の形成領域に対応するカラーフィルタ２２の表面には、液晶層厚調整層２４が形成されている。半透過反射型の液晶装置では、反射表示領域Ｒへの入射光は液晶層５０を２回透過するが、透過表示領域Ｔへの入射光は液晶層５０を１回しか透過しない。これにより反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層５０のリタデーションが異なると、光透過率に差異を生じて均一な画像表示が得られないことになる。そこで液晶層厚調整層２４を設けることにより、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の層厚（例えば２μｍ程度）が、透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の層厚（例えば４μｍ程度）の半分程度に設定されて、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔにおける液晶層５０のリタデーションが略同一に設定されている。このように、液晶層厚調整層２４によりマルチギャップ構造が実現されて、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔにおいて均一な画像表示を得ることができるようになっている。
【００３４】
反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界領域には、液晶層厚調整層２４の傾斜部７０が形成されている。これにより、反射表示領域Ｒから透過表示領域Ｔにかけて液晶層５０の層厚が連続的に変化するようになっている。この傾斜部の傾斜角は１０°〜３０°程度である。一般に液晶層厚調整層２４の傾斜部７０では、液晶分子の配向状態が乱れやすく、表示品質が低下しやすい。そこで第１実施形態の液晶装置は、傾斜部７０を透過表示領域Ｔに配置することにより、反射表示を重視した構成になっている。
【００３５】
この液晶層厚調整層２４の構成材料として、アクリル樹脂等の電気絶縁性および感光性を有する材料を採用することが望ましい。感光性材料を採用することにより、フォトリソグラフィを用いたパターニングが可能になり、液晶層厚調整層２４を精度よく形成することができる。この液晶層厚調整層２４は、素子基板１０に設けてもよく、また素子基板１０および対向基板２０の両方に設けてもよい。
【００３６】
図４に示すように、矩形状の画素電極１５の長手方向（図示Ｘ軸方向）に沿って上述したソース線６ａが配置され、画素電極１５の短辺方向（Ｙ軸方向）に沿って走査線３ａが配置されており、走査線３ａの画素電極１５側に隣接して、当該走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂが配置されている。ソース線６ａと走査線３ａとの交点付近における前記走査線３ａ上に、ボトムゲート型のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されている。
【００３７】
ＴＦＴ３０は、島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層４５と、半導体層４５と一部平面的に重なるように配置されたソース電極６ｂ及びドレイン電極４４とを備えている。走査線３ａは半導体層４５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。
【００３８】
ＴＦＴ３０は、そのドレイン電極４４が画素電極１５側に延びた位置でコンタクトホール１４を介して画素電極１５と電気的に接続されている。そして、画素電極１５の略中央部であって、サブ画素の一隅部には、素子基板１０と対向基板２０との間隔を規制する柱状スペーサ５９が立設されている。
【００３９】
ソース電極６ｂは、半導体層４５と反対側の端部でソース線６ａと接続されている。ドレイン電極４４は半導体層４５と反対側の端部で平面視略矩形状の容量電極４０と接続されている。容量電極４０は容量線３ｂの平面領域内に配置されており、容量電極４０と容量線３ｂとを電極とする蓄積容量１７（図２参照）を構成している。容量電極４０の平面領域内に形成された画素コンタクトホール１４を介して画素電極１５と容量電極４０とが電気的に接続されることで、ＴＦＴ３０のドレインと画素電極１５とが導通している。
【００４０】
前記画素電極１５の、前記反射表示領域Ｒと前記透過表示領域Ｔとの間に設けられた前記液晶層厚調整層２４の傾斜部７０に平面視重なる領域にスリットＳが形成されている。このスリットＳは、図４に示すようにソース線６ａ側の短縁側に形成されており、当該スリットＳ内には、前記ソース線６ａが前記スリット形状に沿って形成されている。なお、本実施形態では、スリット形状の全部にソース線６ａが沿う構造となっているが、スリット形状の少なくとも一部分に沿うようにソース線６ａを形成してもよい。
【００４１】
具体的に本実施形態では、前記スリットＳは、平面ジグザグ形状からなり屈曲部を複数有したものとなっている。また、前記ソース線６ａには、一部が分岐された分岐部６ｃが形成されている。分岐部６ｃはスリットＳの形状に沿って形成され、この分岐部６ｃの幅がスリットＳの幅よりも大きく設定され、これに伴って前記分岐部６ｃ上に画素電極１５の端部が配置される。
【００４２】
図３に示したように、素子基板１０、対向基板２０の外側には、それぞれ偏光板３６，３７が設けられている。これらの偏光板３６，３７は、特定方向に振動する直線偏光のみを透過させるものである。偏光板３６の透過軸及び偏光板３７の透過軸は、相互に略直交するように配置されるとともに、配向膜１８，２９のラビング方向と略４５°で交差する向きに配置されている。
さらに、偏光板３６及び／又は偏光板３７の内側には、光学補償フィルムを配置することもできる。光学補償フィルムを配置することにより、液晶装置を正面視ないし斜視した場合の液晶層の位相差を補償することが可能になり、光漏れを減少させてコントラストを増加させることができる。光学補償フィルムとして、屈折率異方性が負のディスコティック液晶等をハイブリッド配向させてなる負の一軸性媒体を使用することができる。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶等をハイブリッド配向させてなる正の一軸性媒体を使用することも可能である。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせて使用することも可能である。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体を使用してもよい。
【００４３】
図５は、ＯＣＢモードの液晶装置における液晶の配向状態の説明図である。ＯＣＢモードの液晶装置では、その初期状態（非動作時）において、図５（ｂ）に示すように液晶分子５１がスプレイ状に開いた配向状態（スプレイ配向）になっており、表示動作時には、図５（ａ）に示すように液晶分子５１が弓なりに曲がった配向状態（ベンド配向）になっている。そして、表示動作時にベンド配向の曲がりの度合いで透過率を変調することにより、表示動作の高速応答性を実現し得るようになっている。
【００４４】
上述したように、ＯＣＢモードの液晶装置の場合、電源遮断時の液晶はスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値電圧以上の電圧を液晶に印加することによって、図５（ｂ）に示す初期のスプレイ配向から、図５（ａ）に示す表示動作時のベンド配向に液晶の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。ここで、初期転移が十分になされないと表示不良が生じたり、所望の高速応答性が得られなかったりする。
【００４５】
液晶層５０の初期転移操作としては、ソース線３ａにのみパルス電圧を印加する方法を用いることができる。このとき、ソース線３ａと画素電極１５との間に電界Ｅが形成され、図３に示したようにスリットＳの形成位置付近でディスクリネーションが発生し、初期転移核を形成する。そして、この初期転移核において開始したスプレイ配向からベンド配向への配向転移が周囲に進行し、サブ画素全体での液晶層５０の初期配向転移が行われる。
【００４６】
また、本実施形態では、走査線３ａの延在方向（図４中Ｙ軸方向）に沿ってスリットＳを形成する一方、配向膜１８，２９のラビング方向１８ａ，２９ａを、上記Ｙ軸方向に平行な方向としている。すなわち、図４に示したように、前記スリットＳは、スリットＳとソース線６ａ（分岐部６ｃ）との間に形成される電界Ｅの主方向（図４参照）が液晶分子５１の初期配向方向（Ｙ軸方向）に対し交差するように形成されている。このような構成にすることで、初期転移操作によって、スリットＳ近傍の液晶分子が強制的に電界方向に配向し、その結果ラビングによりＹ軸方向に規制されている液晶領域と上記電界Ｅ方向に配向した液晶領域との境界にディスクリネーションが発生し、そのディスクリネーションが初期転移核をなすようになる。
【００４７】
上述したようにスリットＳは、屈曲部を複数有したものとなっているので、画素電極１５との間で電界が様々な方向に生じることができる。よって、屈曲部により転移核の発生をさらに確実なものとすることができ、初期転移の均一性、高速性をさらに高めることができる。
【００４８】
本実施形態に係る液晶装置１００は、前記分岐部６ｃ上に画素電極１５の端部が配置される構造となっているので、画素電極１５の端部上の液晶分子５１も配向させることができ、画素電極１５上の広範囲にて初期転移を生じさせることができる。
【００４９】
また、本実施形態に係る液晶装置１００は、画素電極１５とソース線６ａとの間に斜め電界Ｅが形成されたとき、電界Ｅの形成領域近傍の液晶は周辺の液晶層５０に対し、ねじれて配向した状態となる。ＯＣＢモードで動作する液晶層では、ツイスト配向のエネルギ（キブスエネルギ）状態は、図５に示すスプレイ配向におけるエネルギ状態とベンド配向状態におけるエネルギ状態の中間に位置するため、ツイスト配向からベンド配向への配向転移が極めて容易になる。
【００５０】
さらに、本実施形態では、上述したように、液晶分子５１の配向が乱れやすい、液晶層厚調整層２４の傾斜部７０に前記スリットＳを形成しているので、スリットＳ内に配置された分岐部６ｃと画素電極１５との間に生じた電界Ｅによって液晶分子５１を容易に配向させることができる。
【００５１】
以上、本実施形態の液晶装置１００によれば、ソース線６ａに電圧を印加することで、画素電極１５のスリットＳの形成領域の近傍にて、前記ソース線６ａと画素電極１５との間で生じた電界を初期転移操作に用いることができる。また、液晶分子５１が傾斜配向することで配向の乱れ易い液晶層厚調整層２４の傾斜部７０にスリットＳを設けているので、上記電界Ｅにより液晶層５０中にディスクリネーションを容易に発生させることができる。よって、このディスクリネーションを転移核として初期転移が周囲に伝播しやすくなるので、ＯＣＢモードの初期配向転移を低電圧で迅速に行うことができる。
【００５２】
（第２の実施形態）
次に、本発明の液晶装置の第２の実施形態について、図面を参照して説明する。第２の実施形態に係る液晶装置は、上記第１の実施形態に係る液晶装置１００と同様、ＴＦＴアクティブマトリクス方式の半透過反射型液晶装置であり、その特徴とするところは、スリット内に信号線としてのゲート線が形成される点にある。なお、それ以外の基本的な構成については、上記実施形態の液晶装置と同様であるため、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略若しくは簡略する。
【００５３】
図６は、液晶装置２００の１画像表示単位を成すサブ画素の平面構成図であり、図７は図６のＡ−Ａ´線矢視による側断面図である。
図６に示すように、本実施形態では、液晶層厚調整層の傾斜部と平面視重なる領域にスリットＳが形成され、このスリット形状に沿って、ＴＦＴ３０に接続される走査線３ａが形成されている。なお、本実施形態では、スリット形状の全部に走査線３ａが沿う構造となっているが、スリット形状の少なくとも一部分に沿って走査線３ａを形成してもよい。
【００５４】
具体的に本実施形態では、前記スリットＳは、平面視ジグザグ形状からなり屈曲部を複数有したものとなっている。また、前記走査線３ａはスリット形状に沿う部分にて、その幅がスリットＳの幅よりも大きく設定されている。これにより、前記分岐部６ｃ上には、画素電極１５の端部が配置される。
【００５５】
前記スリットＳは、画素電極１５における前記ＴＦＴ３０が設けられた側と反対の端縁側から形成され、これにより画素電極１５が前記ＴＦＴ３０を覆った構造となっている。一般に、ＴＦＴ３０の直上は画素電極１５との間に電界を生じにくいため、上述したようにＴＦＴ３０が設けられた側と反対の端縁側からスリットＳを形成することで、スリットＳの形成領域の全域を電界発生部として有効利用している。
【００５６】
また、上記実施形態と同様に複数の屈曲部を有したものとなっている。これにより、画素電極１５との間で電界が様々な方向に生じることができ、転移核の発生をさらに確実なものとし、初期転移の均一性、高速性をさらに高めるようになっている。
【００５７】
本実施形態に係る液晶装置２００では、図７に示すように反射電極部１５ｒに設けられたコンタクトホール１４を介してドレイン電極４４と画素電極１５とが導通されている。よって、前記反射電極部１５ｒの背面に容量線３ｂが隠された構成となっているので、容量線３ｂの存在に起因する開口率の低下を防止することができる。
【００５８】
本実施形態に係る液晶装置２００における初期転移操作としては、ソース線６ａにバイアス電圧を印加した状態で、走査線３ａに所定のパルス電圧を印加する方法を用いることができる。このとき、走査線３ａと画素電極１５との間に電界Ｅ´が形成され、図６に示したようにスリットＳの形成位置付近でディスクリネーションが発生し、初期転移核を形成する。そして、この初期転移核において開始したスプレイ配向からベンド配向への配向転移が周囲に進行し、サブ画素全体での液晶層５０の初期配向転移が行われる。
【００５９】
また、本実施形態では、上記実施形態と同様に、スリットＳとソース線６ａ（分岐部６ｃ）との間に形成される電界Ｅ´の主方向（図６参照）が、液晶分子５１の初期配向方向（Ｙ軸方向）に対し交差する方向になるように前記スリットＳが形成されている。これにより、初期転移操作によって、スリットＳ近傍の液晶が強制的に電界方向に配向し、その結果ラビングによりＹ軸方向に規制されている液晶領域と上記電界Ｅ方向に配向した液晶領域との境界にディスクリネーションが発生し、そのディスクリネーションが初期転移核となる。
【００６０】
本実施形態に係る液晶装置２００では、図７に示すように、液晶層厚調整層２４の傾斜部７０に平面視した状態で重なるように遮光膜２３を形成している。すなわち、前記スリットＳの形成領域が遮光膜２３によって平面視した状態で覆われたものとなっている。この構成によれば、初期転移操作が完了した後の表示動作時において、スリットＳの形成領域の周辺にディスクリネーションが残っても、そのディスクリネーションに起因する光漏れを防止することができる。したがって、表示品質の低下を最小限に抑えることができる。
【００６１】
走査線（ゲート線）３ａには初期配向転移動作時のみならず表示動作時にも他の信号配線（ソース線６ａ）に比べて高い電圧が印加されるので、上述した電界Ｅ´もそれに応じて強くなり、より確実にディスクリネーションを発生させることができる。
【００６２】
また、本実施形態においても、液晶分子５１の配向が乱れやすい、液晶層厚調整層２４の傾斜部７０に前記スリットＳを形成しているので、スリットＳ内に配置された走査線３ａと画素電極１５との間に生じた電界Ｅ´により液晶分子５１を容易に配向させることができる。
【００６３】
なお、本発明の液晶装置は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上記実施形態で説明したスリットの形状、及び信号線（走査線３ａ、ソース線６ａ）の形状は、上記実施形態に限定されず、例えば平面視、蛇腹形状等を採用しても良い。また、上記実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ３０）を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置を例示したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置に適用してもよい。
【００６４】
（電子機器）
図８は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図８に示す携帯電話１１００は、上記実施形態の液晶装置を小サイズの表示部１１０１として備え、複数の操作ボタン１１０２、受話口１１０３、及び送話口１１０４を備えて構成されている。
上記実施形態の液晶装置は、低電圧、かつ短時間でＯＣＢモードの初期転移動作を円滑に行うことができるので、表示品質に優れた液晶表示部を備えた携帯電話１１００を提供することができる。
【００６５】
上記各実施形態の液晶装置は、上記した電子機器に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても明るく、高コントラストの優れた表示品質を得ることが可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】（ａ）、（ｂ）は第一実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図である。
【図２】液晶装置の等価回路を示す図である。
【図３】液晶装置の側断面構造を示す図である。
【図４】１画素表示単位をなすサブ画素の平面構造を示す図である。
【図５】液晶分子の配向状態を示す概略図である。
【図６】第二実施形態に係る液晶装置のサブ画素の平面構造を示す図である。
【図７】第二実施形態に係る液晶装置の側断面構造を示す図である。
【図８】本発明の電子機器の一実施形態としての携帯電話の概略構成図である。
【符号の説明】
【００６７】
３ａ…走査線（信号線）、６ａ…ソース線（信号線）、１０…素子基板（一方の基板）、１５…画素電極、１５ｒ…反射電極部（反射膜）、２０…対向基板（他方の基板）、２３…遮光膜、２４…液晶層厚調整層、３０…ＴＦＴ（スイッチング素子）、５０…液晶層、７０…傾斜部、１００…液晶装置、１１００…携帯電話（電子機器）、Ｓ…スリット、Ｒ…反射表示領域、Ｔ…透過表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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