(57)【要約】【課題】操作が容易であり、かつ、生産性が高いメッキ装置を提供する。【解決手段】このメッキ装置１０は、半導体ウエハＷの処理面にメッキを施すためのメッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄと、半導体ウエハＷの両面を洗浄できる洗浄ユニット２２ａ，２２ｂと、メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄでメッキが施された半導体ウエハＷを洗浄ユニット２２ａ，２２ｂへ搬送する搬送ロボットＴＲと、メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄで使用されるメッキ液の微量成分を管理するための微量成分管理部３と、メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄ、洗浄ユニット２２ａ，２２ｂ、および搬送ロボットＴＲが内部に収容されたエンクロージャ３０と、メッキ装置１０全体を制御するシステムコントローラ１５５とを備えている。【選択図】 図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理面に複数の微細な孔または溝が形成され、この孔または溝を覆うようにバリア層およびシード層が順に形成されたほぼ円形の半導体ウエハの上記処理面にメッキを施すためのメッキ装置であって、
処理対象の半導体ウエハを収容可能なカセットを載置するためのカセットステージであって、このカセットステージにおけるカセットの載置位置を規制するためのカセットガイド、および上記カセットステージ上の所定の位置におけるカセットの有無を検知するためのカセット検知センサを備えたカセットステージと、
半導体ウエハに接触可能なカソード電極を備えこのカソード電極が接触された半導体ウエハとともに回転可能なカソードリング、およびメッキ液を収容可能で内部にアノード電極が配置されたメッキ槽を備えた複数のメッキ処理ユニットと、
排液口が形成され内部で半導体ウエハの洗浄を行うためのカップ、このカップ内で半導体ウエハを保持するためのウエハ保持部、このウエハ保持部に保持された半導体ウエハを回転するためのウエハ回転機構、および上記ウエハ保持部に保持された半導体ウエハの表面に後処理薬液を含む洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルを備え、上記カップに内部の空気を排気するための排気機構が接続された複数の洗浄ユニットと、
半導体ウエハをほぼ水平に保持できる伸縮可能なアーム、このアームを上下動する上下動機構、およびこのアームに保持された半導体ウエハをほぼ水平な面内で回転する水平回転機構を備え、上記メッキ処理ユニットでメッキ処理が施された半導体ウエハを上記洗浄ユニットに搬送するウエハ搬送機構と、
上記洗浄ユニットで使用される後処理薬液を収容する後処理薬液タンク、この後処理薬液タンクを内部に収容するためのタンクエンクロージャ、および上記後処理薬液タンクから漏出した後処理薬液を受けるためのバットを備え、上記タンクエンクロージャに内部を排気するための排気管が接続された後処理薬液供給部と、
上記メッキ処理ユニットで使用されるメッキ液の特定の微量成分について分析するために当該メッキ液を収容可能な分析カップ、およびこの分析カップ内に配置された白金回転電極を備えた微量成分分析部と、
上記メッキ処理ユニット、上記洗浄ユニット、および上記ウエハ搬送機構を含むウエハ処理部が内部に収容されたエンクロージャであって、内部を外部環境と隔絶するための隔壁および上記ウエハ処理部を支持するフレームを備え、上部にフィルタが設けられており、半導体ウエハまたは半導体ウエハを収容可能なカセットの搬入および搬出を行うための搬入／搬出口、純水配管を挿通するための純水配管挿通口、圧縮空気配管を挿通するための圧縮空気配管挿通口、上記エンクロージャの下部に形成され内部を排気するための排気用開口、ならびに上記エンクロージャ内を排気するための排気配管を接続するための排気配管接続口が形成され、上記フィルタを介して内部に導入された空気が上記排気用開口および上記排気配管接続口に接続された排気配管から排出されるように構成されたエンクロージャと、
複数のプリント基板、中央演算処理装置、半導体および磁性体からなる記録媒体を有し少なくとも一部を高級言語で記述したメッキ装置制御プログラムが格納された記憶装置、シリアルポート、英文字入力用キーおよび数字入力用キーを含むキーボード、ならびにディスプレイを備えて、上記メッキ装置全体を制御するシステムコントローラとを備えたことを特徴とするメッキ装置。
【請求項２】
上記メッキ槽の上端部と上記カソードリングの上記メッキ槽に対向する部分とは相補形状に形成されており、
上記メッキ槽の上端と上記カソードリングとの干渉を回避した状態で、上記カソード電極が接触された処理対象の半導体ウエハの下面位置と、上記メッキ槽の上端位置とをほぼ一致するまで近接可能であることを特徴とする請求項１記載メッキ装置。
【請求項３】
上記メッキ槽の上方に配置可能で、処理対象の半導体ウエハを保持して上記メッキ槽に収容されたメッキ液に当該半導体ウエハを接触可能なウエハ保持機構と、
上記メッキ槽の底よりも低い高さ位置にほぼ水平に配置され上記ウエハ保持機構に結合された回動軸を含み、上記ウエハ保持機構を上記回動軸のまわりに回動させて、上記ウエハ保持機構を上記メッキ槽の上方と上記メッキ槽の上方から退避した位置との間で移動させることが可能な退避機構をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。
【請求項４】
上記メッキ槽内で、上記アノード電極より高い高さ位置に配置された樹脂からなるメッシュ部材と、
処理対象の半導体ウエハを保持して、当該半導体ウエハを、上記メッキ槽に満たされたメッキ液に接触するメッキ処理位置に配置可能なウエハ保持機構とをさらに備え、
上記メッキ処理位置における半導体ウエハと上記メッシュ部材との間隔が０．５ｍｍないし３０ｍｍであることを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。
【請求項５】
上記メッキ槽の底に形成されたメッキ液導入口から導入されたメッキ液を、上記メッキ槽内に分散させるシャワーヘッドと、
上記メッキ槽内で上記シャワーヘッドより高い高さ位置に配置された樹脂からなるメッシュ部材とをさらに備え、
上記アノード電極が、メッシュ状の形状を有しており、上記シャワーヘッドと上記メッシュ部材との間の高さ位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。
【請求項６】
メッキ処理時に、上記カソード電極にカソード洗浄液を供給して当該カソード電極を洗浄するカソード洗浄液供給機構をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。
【請求項７】
上記メッキ装置においてメッキ液の侵入が制限されている制限領域であって、液体の入口および出口を有する制限領域に液体を供給する液体供給機構と、上記制限領域の出口から出てきた液体の導電率を測定可能な導電率計とをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。
【請求項８】
上記メッキ槽の周囲に配置され、このメッキ槽から溢れたメッキ液を回収する回収槽と、
この回収槽の周囲に配置され、メッキ処理時に処理対象の半導体ウエハに接触された上記カソード電極を洗浄するためのカソード洗浄液を回収するカソード洗浄液回収槽とをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。
【請求項９】
上記アノード電極と上記カソード電極との間に電圧を印加するためのメッキ電源をさらに備え、
上記アノード電極および上記カソード電極と上記メッキ電源との導通経路がアースから絶縁されていることを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。
【請求項１０】
上記メッキ処理ユニットは、処理対象の半導体ウエハを保持するウエハ保持機構と、
上記カソード電極に電気接続された第１の導電経路を有し、上記ウエハ保持機構に結合された第１の回転軸と、
上記ウエハ保持機構に保持された半導体ウエハを上記第１の回転軸のまわりに回転させるための回転駆動機構と、
第２の導電経路を有する第２の回転軸と、
上記第１の回転軸と上記第２の回転軸との間で回転駆動力を伝え、かつ、上記第１および第２の導電経路の間に導電経路を形成する回転力伝達機構と、
上記第２の回転軸の一端に取り付けられ、上記第２の導電経路に電気接続された回転接続用コネクタとをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。
【請求項１１】
上記メッキ処理ユニットは、処理対象のウエハに供給する処理流体を流すための流体流路が内部に形成された処理流体供給部材と、
ロータおよびステータを備え、上記ロータと上記ステータとの間に摺動部を有するロータリジョイントであって、上記処理流体供給部材に介装され、上記流体流路の一部をなす主流路、およびこの主流路から分岐したリーク流路を有し、上記摺動部が上記リーク流路に配置されたロータリジョイントとをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。
【請求項１２】
上記カソードリングは、このカソードリング内に配置され、メッキ電源に接続される第１導電性部材と、
上記カソードリング内に配置され、上記カソード電極に電気接続された第２導電性部材と、
上記第１導電性部材と上記第２導電性部材との間に配置され、弾性を有して上記第１および第２導電性部材に弾性的に接触することにより、上記第１導電性部材と上記第２導電性部材との間を電気接続する第３導電性部材とを備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。
【請求項１３】
上記カソード電極は、半導体ウエハの周縁部に接触可能であり、
上記カソードリングは、上記カソード電極を支持するリング状の支持体と、
上記支持体内に配置され、上記カソード電極とメッキ電源との間の導通経路を形成する導電性部材と、
上記支持体と上記導電性部材との間に介装されて、上記支持体内部にメッキ液が侵入しないようにシールするシール部材とを備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。
【請求項１４】
上記メッキ処理ユニットは、上記カソードリングを支持するスピンベースをさらに備えており、
上記カソードリングは、上記スピンベースに対してこのカソードリングを所定の位置に固定するための位置決め部材をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。
【請求項１５】
上記カソード電極は半導体ウエハの周縁部に接触可能であり、
上記カソードリングは、半導体ウエハに当接して半導体ウエハを保持するための当接部をさらに備えており、
上記当接部は、硬質部材で形成されており、半導体ウエハの周縁部をシール可能なシール面を備えていることを特徴とする請求項１記載のメッキ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハなどの基板に銅メッキを施すためのメッキ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の一方表面にメッキ処理を施すことがある。ウエハにメッキをするためのメッキ装置は、複雑な工程を実施することが要求され、また、メッキによる膜の要求品質（たとえば、膜厚の均一性）は高い。半導体ウエハに微細な孔や溝が形成されており、これらの微細な孔や溝を埋めて銅メッキすることが要求される場合もある。
【０００３】
半導体ウエハに銅メッキを施すためのメッキ装置は、たとえば、下記特許文献１に開示されている。
【特許文献１】米国特許第6,261,433 B1号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、従来のメッキ装置は、いずれも、メッキによる膜の品質、操作の容易性、生産性等について満足のいくものではなかった。
そこで、この発明の目的は、良好にメッキできるメッキ装置を提供することである。
この発明の他の目的は、操作が容易なメッキ装置を提供することである。
この発明のさらに他の目的は、生産性が高いメッキ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するための請求項１記載の発明は、処理面に複数の微細な孔または溝が形成され、この孔または溝を覆うようにバリア層およびシード層が順に形成されたほぼ円形の半導体ウエハ（Ｗ）の上記処理面にメッキを施すためのメッキ装置（１０）であって、処理対象の半導体ウエハを収容可能なカセット（Ｃ）を載置するためのカセットステージ（１６）であって、このカセットステージにおけるカセットの載置位置を規制するためのカセットガイド（５１）、および上記カセットステージ上の所定の位置におけるカセットの有無を検知するためのカセット検知センサ（５２）を備えたカセットステージと、半導体ウエハに接触可能なカソード電極（８３）を備えこのカソード電極が接触された半導体ウエハとともに回転可能なカソードリング（８０）、およびメッキ液を収容可能で内部にアノード電極（７６）が配置されたメッキ槽（６１ａ〜６１ｄ）を備えた複数のメッキ処理ユニット（２０ａ〜２０ｄ）と、排液口（１０５ａ）が形成され内部で半導体ウエハの洗浄を行うためのカップ（１０１）、このカップ内で半導体ウエハを保持するためのウエハ保持部（１０２）、このウエハ保持部に保持された半導体ウエハを回転するためのウエハ回転機構（１０３）、および上記ウエハ保持部に保持された半導体ウエハの表面に後処理薬液を含む洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル（１０２ｄ，１０７）を備え、上記カップに内部の空気を排気するための排気機構が接続された複数の洗浄ユニット（２２ａ，２２ｂ）と、半導体ウエハをほぼ水平に保持できる伸縮可能なアーム（４１，４２）、このアームを上下動する上下動機構（２４）、およびこのアームに保持された半導体ウエハをほぼ水平な面内で回転する水平回転機構（２５）を備え、上記メッキ処理ユニットでメッキ処理が施された半導体ウエハを上記洗浄ユニットに搬送するウエハ搬送機構（ＴＲ）と、上記洗浄ユニットで使用される後処理薬液を収容する後処理薬液タンク（２９０）、この後処理薬液タンクを内部に収容するためのタンクエンクロージャ（２９１）、および上記後処理薬液タンクから漏出した後処理薬液を受けるためのバット（２９２）を備え、上記タンクエンクロージャに内部を排気するための排気管（２９７）が接続された後処理薬液供給部（４）と、上記メッキ処理ユニットで使用されるメッキ液の特定の微量成分について分析するために当該メッキ液を収容可能な分析カップ（３３６）、およびこの分析カップ内に配置された白金回転電極（３０８）を備えた微量成分分析部（３）と、上記メッキ処理ユニット、上記洗浄ユニット、および上記ウエハ搬送機構を含むウエハ処理部（１）が内部に収容されたエンクロージャ（３０）であって、内部を外部環境と隔絶するための隔壁および上記ウエハ処理部を支持するフレーム（３７）を備え、上部にフィルタ（３１）が設けられており、半導体ウエハまたは半導体ウエハを収容可能なカセットの搬入および搬出を行うための搬入／搬出口（Ｗｈ）、純水配管（３２）を挿通するための純水配管挿通口（３２ｈ）、圧縮空気配管（３３）を挿通するための圧縮空気配管挿通口（３３ｈ）、上記エンクロージャの下部に形成され内部を排気するための排気用開口（３６）、ならびに上記エンクロージャ内を排気するための排気配管（３４，３５）を接続するための排気配管接続口（３４ｈ，３５ｈ）が形成され、上記フィルタを介して内部に導入された空気が上記排気用開口および上記排気配管接続口に接続された排気配管から排出されるように構成されたエンクロージャと、複数のプリント基板（１５５Ｐ）、中央演算処理装置（１５５Ｃ）、半導体および磁性体からなる記録媒体を有し少なくとも一部を高級言語で記述したメッキ装置制御プログラムが格納された記憶装置（１５５Ｍ）、シリアルポート（２８０，２８１）、英文字入力用キーおよび数字入力用キーを含むキーボード（１５７）、ならびにディスプレイ（１５６）を備えて、上記メッキ装置全体を制御するシステムコントローラ（１５５）とを備えたことを特徴とするメッキ装置である。
【０００６】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、１台のメッキ装置により、メッキ処理ユニットによるメッキ処理および洗浄ユニットによる洗浄処理を実施できる。
カセットステージ上に載置されたカセットには、未処理の半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）ならびにメッキ処理および洗浄処理が施されたウエハを収容することができる。
【０００７】
カセットガイドにより、カセットをカセットステージ上の所定の位置に容易に載置できる。これにより、システムコントローラの記憶装置に予め記憶されたカセットの位置情報に基づき、ウエハ搬送機構のアームが、カセットステージに載置されたカセットにアクセスして、ウエハの搬入／搬出を行うことが可能となる。また、カセット検知センサによりカセットステージ上のカセットの有無を検知できるので、カセットが載置されていないカセットステージにカセットが載置されているものとして、ウエハ搬送機構のアームがアクセスする事態を回避できる。
【０００８】
メッキ処理ユニットでは、カソード電極が接触されたウエハを、メッキ槽に収容されたメッキ液に接触させ、カソード電極とアノード電極との間に通電することにより、当該ウエハに電解メッキにより金属（たとえば、銅）膜を形成できる。
洗浄ユニットでは、たとえば、後処理薬液によりウエハの表面に付着している汚染物を除去して、ウエハを清浄にできる。この際、ウエハ保持部に保持されたウエハを、ウエハ回転機構により回転させながら、洗浄液供給ノズルから当該ウエハに向かって洗浄液を供給することにより、ウエハを均一に洗浄することができる。ウエハの洗浄の際に生じる洗浄液のミスト等は、カップに接続された排気機構によりメッキ装置の外部に排出できる。
【０００９】
洗浄液は、後処理薬液以外に純水を含んでいてもよい。この場合、洗浄液供給ノズルは、後処理薬液を供給するためのものと純水を供給するためのものとを含んでいてもよい。
ウエハ搬送機構は、メッキ処理ユニットから洗浄ユニットにウエハを搬送できるので、ウエハに対してメッキ処理と洗浄処理とを連続して実施できる。ウエハ搬送機構は、カセットステージに載置されたカセットとメッキ処理ユニットや洗浄ユニットとの間でウエハを搬送可能なものであってもよい。この場合、カセットに収容された未処理のウエハは、システムコントローラの制御により、たとえば、ウエハ搬送機構によりメッキ処理ユニットおよび洗浄ユニットに順次搬送され、メッキ処理と洗浄処理とが自動的に連続して施された後、再び、カセットに収容されるものとすることができる。
【００１０】
後処理薬液供給部において、後処理薬液タンク内に収容された後処理薬液の残量が少なくなった場合、この後処理薬液タンクを充分な量の後処理薬液が収容された後処理薬液タンクと交換することができる。後処理薬液タンクはタンクエンクロージャ内に収容されているので、上記の後処理薬液タンクの交換作業時などに、後処理薬液が飛散してもタンクエンクロージャ外に後処理薬液が広がりにくい。さらに、タンクエンクロージャに排気管が接続されていることにより、タンクエンクロージャ内で発生した後処理薬液の蒸気やミストをメッキ装置の外部に排出できる。
【００１１】
バットの容積は、後処理薬液タンクの容積（後処理薬液タンクが複数個備えられている場合は、複数の後処理薬液タンクの容積の和）と同等以上であることが好ましい。この場合、後処理薬液タンク内の後処理薬液が全量漏出しても、これらの後処理薬液はすべてバット内に受けられる。
微量成分分析部において、白金回転電極を用いて分析カップに収容されたメッキ液のＣＶＳ(Cyclic Voltammetric Stripping)分析、またはＣＰＶＳ(Cyclic Pulse Voltammetric Stripping)分析を行うことができる。メッキ液が、微量成分としてメッキを促進する添加剤（以下、「促進剤」という。）やメッキを抑制する添加剤（以下、「抑制剤」という。）を含んでいる場合、ＣＶＳ分析やＣＰＶＳ分析により、促進剤や抑制剤の定量分析を行うことができる。
【００１２】
分析の結果、促進剤や抑制剤の濃度が所定の濃度範囲の下限より低い場合は、促進剤または抑制剤を含む適当な量の補充液をメッキ液に補充して、促進剤や抑制剤の濃度が所定の濃度範囲に入るようにすることができる。このように促進剤や抑制剤の濃度が適正にされたメッキ液を用いて、ウエハに良好にメッキを施すことができる。
ウエハ処理部は、エンクロージャ内に収容されているので、外部環境から隔絶された清浄な雰囲気中で、メッキ処理や洗浄処理などの処理を行うことができる。排気配管を介してエンクロージャ内を排気することにより、エンクロージャ内を負圧（減圧状態）とし、外部の空気がフィルタにより異物を除去されてエンクロージャ内部に取り込まれるようにすることができる。
【００１３】
また、エンクロージャ外部の空気を、ファンによりフィルタを介してエンクロージャ内部に押し込み、排気用開口から排出されるようにすることもできる。これにより、エンクロージャ内では、清浄な空気のダウンフローが生じる。
エンクロージャに形成された純水配管挿通口を挿通して配設された純水配管により、ウエハ処理部に純水を供給できる。純水は、たとえば、洗浄ユニットにおける洗浄などに使用することができる。メッキ処理ユニットや洗浄ユニットなどで使用される駆動部の一部は、エア駆動によるものとすることができ、これらの駆動部を駆動するための圧縮空気は、エンクロージャに形成された圧縮空気配管挿通口を挿通して配設された圧縮空気配管により供給できる。
【００１４】
このメッキ装置の動作は、システムコントローラの記憶装置に格納されたメッキ装置制御プログラムにより制御することができ、たとえば、未処理のウエハに対してメッキ処理および洗浄処理を連続して自動的に実行することができる。ディスプレイは、メッキ装置の状態（ウエハの処理状況等）を表示させることができるものであってもよい。キーボードは、それを用いて操作者がウエハの処理条件等を入力できるものであってもよい。以上のことから、このようなメッキ装置は操作が容易であり、かつ、生産性が高い。
【００１５】
請求項２記載の発明は、上記メッキ槽の上端部と上記カソードリングの上記メッキ槽に対向する部分とは相補形状に形成されており、上記メッキ槽の上端と上記カソードリングとの干渉を回避した状態で、上記カソード電極が接触された処理対象の半導体ウエハの下面位置と、上記メッキ槽の上端位置とをほぼ一致するまで近接可能であることを特徴とする請求項１記載メッキ装置である。
【００１６】
この発明によれば、メッキ槽の上端部とカソードリングのメッキ槽に対向する部分（下部）とが相補形状にされていることにより、メッキ槽の上端部とカソードリングとが干渉しないように、カソード電極が接触されたウエハを、メッキ槽に満たされメッキ槽の縁から盛り上がったメッキ液に接触させることができる。
さらに、カソード電極が接触されたウエハの下面位置は、メッキ槽上端位置にほぼ一致させることができるので、メッキ処理時におけるウエハ下面とメッキ槽上端との間隙を狭く（たとえば、０．３ｍｍ〜１．０ｍｍ）することができる。この場合、メッキ槽内にメッキ液が供給され続けていると、ウエハ下面近傍におけるメッキ液の流れは、ウエハ下面に沿ってウエハ周縁部まで流れる層流となり、メッキ槽上端とウエハ下面との間隙からメッキ槽外へと流れ出す。
【００１７】
ウエハとメッキ液との間に気泡が入っていた場合でも、このような気泡はメッキ液とともにメッキ槽外へと流される。メッキ液がウエハ下面に沿ってウエハ周縁部まで流れる層流となること、およびウエハ下面に気泡が存在しないことにより、メッキによる膜は均一となる。
請求項３記載の発明は、上記メッキ槽の上方に配置可能で、処理対象の半導体ウエハを保持して上記メッキ槽に収容されたメッキ液に当該半導体ウエハを接触可能なウエハ保持機構（７４ａ〜７４ｄ）と、上記メッキ槽の底よりも低い高さ位置にほぼ水平に配置され上記ウエハ保持機構に結合された回動軸（２２３）を含み、上記ウエハ保持機構を上記回動軸のまわりに回動させて、上記ウエハ保持機構を上記メッキ槽の上方と上記メッキ槽の上方から退避した位置との間で移動させることが可能な退避機構（２２２ａ，４４ａ）をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置である。
【００１８】
この発明によれば、退避機構によりウエハ保持機構を、メッキ処理時にはメッキ槽の上方に配置し、メンテナンス時等にはメッキ槽の上方から退避した位置にすることができる。
カソードリングは、ウエハ保持機構の一部をなすものであってもよい。
請求項４記載の発明は、上記メッキ槽内で、上記アノード電極より高い高さ位置に配置された樹脂からなるメッシュ部材（４９）と、処理対象の半導体ウエハを保持して、当該半導体ウエハを、上記メッキ槽に満たされたメッキ液に接触するメッキ処理位置に配置可能なウエハ保持機構（７４ａ〜７４ｄ）とをさらに備え、上記メッキ処理位置における半導体ウエハと上記メッシュ部材との間隔が０．５ｍｍないし３０ｍｍであることを特徴とする請求項１記載のメッキ装置である。
【００１９】
この発明によれば、メッキ処理時に、アノード電極とウエハ保持機構に保持されたウエハとの間にメッシュ部材が存在することになり、アノードとウエハとの間の抵抗値はウエハの処理面の抵抗値に比して大きくなる。これにより、ウエハとメッキ液との界面をまたいでウエハに流れる電流の大きさが、ウエハ各部で均一になる。したがって、メッキによる膜の厚さはほぼ均一になる。
【００２０】
また、メッキ槽の底に連通接続された配管等により、メッキ槽にメッキ液が導入されるようになっている場合、メッキ液はメッキ槽中を下方から上方へと流れる。この際、メッキ液中の異物はメッシュ部材により除去できる。また、メッキ槽の下方から上昇してきたメッキ液は、メッシュ部材により整流されてほぼ均一な上昇流となる。
さらに、処理位置におけるウエハとメッシュ部材との間隔が０．５ｍｍないし３０ｍｍと近接していることにより、メッキ液に接触されたウエハが回転されたときに、ウエハに引きずられて動くメッキ液の領域が狭く規制される。これにより、メッキに対して好ましくない渦の発生が抑えられ、メッキによる膜の厚さを均一にできる。
【００２１】
請求項５記載の発明は、上記メッキ槽の底に形成されたメッキ液導入口（５４）から導入されたメッキ液を、上記メッキ槽内に分散させるシャワーヘッド（７５）と、上記メッキ槽内で上記シャワーヘッドより高い高さ位置に配置された樹脂からなるメッシュ部材（４９）とをさらに備え、上記アノード電極が、メッシュ状の形状を有しており、上記シャワーヘッドと上記メッシュ部材との間の高さ位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載のメッキ装置である。
【００２２】
この発明によれば、シャワーヘッドにより、メッキ槽内に様々な方向（角度）にメッキ液を分散させて導入することができる。また、メッキ液はメッキ槽の底に形成されたメッキ液導入口からメッキ槽内に導入されるので、メッキ液はメッキ槽内で下方から上方へと向かう上昇流となって流れる。アノード電極はメッシュ状であるので、メッキ液はアノード電極を通過して上昇することができる。
【００２３】
メッキ液はさらに上昇して、アノード電極より高い高さ位置に配置されたメッシュ部材を通過して上方へと流れる。この際、メッキ液は整流され、均一な上昇流となる。したがって、このようなメッキ液にウエハを接触させてメッキすることにより、メッキによる膜の均一性を向上させることができる。
請求項６記載の発明は、メッキ処理時に、上記カソード電極にカソード洗浄液を供給して当該カソード電極を洗浄するカソード洗浄液供給機構（８１）をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置である。
【００２４】
この発明によれば、カソード電極にカソード洗浄液を供給して洗浄し、カソード電極が清浄な状態でメッキ処理をすることができる。
請求項７記載の発明は、上記メッキ装置においてメッキ液の侵入が制限されている制限領域（８０ｆ）であって、液体の入口および出口を有する制限領域に液体を供給する液体供給機構（８１）と、上記制限領域の出口から出てきた液体の導電率を測定可能な導電率計（２１２）とをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置である。
【００２５】
メッキ液は、通常、制限領域に侵入しないように規制されているものとすることができる。この発明によれば、何らかの理由により制限領域にメッキ液が侵入すると、このメッキ液は液体供給機構により供給された液体とともに流されて、導電率計に至る。液体供給機構により供給される液体の導電率とメッキ液の導電率とが異なる場合、導電率計で測定される導電率により、制限領域、すなわち、メッキ液が通常侵入しないようにされている領域にメッキ液が侵入したことを知ることができる。
【００２６】
制限領域は、たとえば、カソードリングにおいて、メッキ液の侵入が制限されている領域であってもよい。また、制限領域は、出口および入口を有する孔の内部であってもよく、表面を液体が流れることができる平面的な領域であってもよい。
請求項８記載の発明は、上記メッキ槽の周囲に配置され、このメッキ槽から溢れたメッキ液を回収する回収槽（６２ａ〜６２ｄ）と、この回収槽の周囲に配置され、メッキ処理時に処理対象の半導体ウエハに接触された上記カソード電極を洗浄するためのカソード洗浄液を回収するカソード洗浄液回収槽（２１０）とをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置である。
【００２７】
この発明によれば、回収槽およびカソード洗浄液回収槽により、メッキ液とカソード洗浄液とを分別して回収できる。
請求項９記載の発明は、上記アノード電極と上記カソード電極との間に電圧を印加するためのメッキ電源（８２）をさらに備え、上記アノード電極および上記カソード電極と上記メッキ電源との導通経路がアースから絶縁されていることを特徴とする請求項１記載のメッキ装置である。
【００２８】
この発明によれば、アノード電極およびカソード電極とメッキ電源との導通経路がアースに接続されていないことにより、メッキ装置において不所望の部分に電流が流れたり、アノード電極およびカソード電極とメッキ電源との間に流れる電流にノイズが入ったりすることを回避できる。
請求項１０記載の発明は、上記メッキ処理ユニットは、処理対象の半導体ウエハを保持するウエハ保持機構（７４ａ〜７４ｄ）と、上記カソード電極に電気接続された第１の導電経路（１９８）を有し、上記ウエハ保持機構に結合された第１の回転軸（７７）と、上記ウエハ保持機構に保持された半導体ウエハを上記第１の回転軸のまわりに回転させるための回転駆動機構（４５）と、第２の導電経路（１９４）を有する第２の回転軸（１９４）と、上記第１の回転軸と上記第２の回転軸との間で回転駆動力を伝え、かつ、上記第１および第２の導電経路の間に導電経路を形成する回転力伝達機構（１９３，１９５，１９６）と、上記第２の回転軸の一端に取り付けられ、上記第２の導電経路に電気接続された回転接続用コネクタ（１９７）とをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置である。
【００２９】
この発明によれば、回転接続用コネクタから、第２の導電経路、回転力伝達機構、および第１の導電経路を経てカソード電極に至る導電経路が形成される。これにより、回転接続用コネクタに接続された非回転系にあるメッキ電源等とカソード電極との間に導電経路を形成することができる。
回転力伝達機構により、第１の回転軸の回転数に対して第２の回転軸の回転数を低くなるようにすることができる。これにより、回転接続用コネクタが低い回転数で回転するようにして、回転接続用コネクタにかかる負荷を軽くし、回転接続用コネクタの寿命を長くすることができる。
【００３０】
請求項１１記載の発明は、上記メッキ処理ユニットは、処理対象のウエハに供給する処理流体を流すための流体流路（８１ｃ）が内部に形成された処理流体供給部材（２０３，８１ｂ）と、ロータ（２４４）およびステータ（２４３）を備え、上記ロータと上記ステータとの間に摺動部を有するロータリジョイント（１９１）であって、上記処理流体供給部材に介装され、上記流体流路の一部をなす主流路（２７０）、およびこの主流路から分岐したリーク流路（２７１）を有し、上記摺動部が上記リーク流路に配置されたロータリジョイントとをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置である。
【００３１】
この発明によれば、たとえば、処理対象のウエハが処理流体供給部材の一部とともに回転されている場合でも、ロータリジョイントを介して、非回転系にある処理流体の供給源から処理対象のウエハに処理流体を供給できる。摺動部がリーク流路に配置されていることにより、摺動部で発生したパーティクルを、リーク流路を介してロータリジョイントの外部に排出できる。これにより、摺動部で発生したパーティクルが処理対象のウエハに供給されないようにすることができる。
【００３２】
請求項１２記載の発明は、上記カソードリングは、このカソードリング内に配置され、メッキ電源（８２）に接続される第１導電性部材（８０ｃ）と、上記カソードリング内に配置され、上記カソード電極に電気接続された第２導電性部材（８０ｄ）と、上記第１導電性部材と上記第２導電性部材との間に配置され、弾性を有して上記第１および第２導電性部材に弾性的に接触することにより、上記第１導電性部材と上記第２導電性部材との間を電気接続する第３導電性部材（８０ｅ）とを備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置である。
【００３３】
この発明によれば、第３導電性部材が第１および第２導電性部材に弾性的に接触していることにより、カソードリングがたわんだ場合でも、第１導電性部材と第２導電性部材との間の電気的接続は維持され、メッキ電源とカソード電極との間に電流を流すことができる。
請求項１３記載の発明は、上記カソード電極は、半導体ウエハの周縁部に接触可能であり、上記カソードリングは、上記カソード電極を支持するリング状の支持体（８０ｂ，８０ｕ）と、上記支持体内に配置され、上記カソード電極とメッキ電源（８２）との間の導通経路を形成する導電性部材（８０ｄ，８０ｅ，８０ｃ）と、上記支持体と上記導電性部材との間に介装されて、上記支持体内部にメッキ液が侵入しないようにシールするシール部材（８０ｒ）とを備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置である。
【００３４】
この発明によれば、メッキ電源から導電性部材を経てカソード電極に至る導通経路を形成でき、メッキ電源によりカソード電極が接触されたウエハに通電して、ウエハに電解メッキを施すことができる。
また、シール部材により、支持体内部にメッキ液が侵入することを防止して、支持体内部を清浄に保つことができる。
【００３５】
請求項１４記載の発明は、上記メッキ処理ユニットは、上記カソードリングを支持するスピンベース（７８）をさらに備えており、上記カソードリングは、上記スピンベースに対してこのカソードリングを所定の位置に固定するための位置決め部材（７８ｊ，７９ｊ）をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のメッキ装置である。
この発明によれば、位置決め部材により、カソードリングをスピンベースに対して所定の位置に容易に固定できる。ここで、所定の位置とは、たとえば、カソードリングの中心軸とスピンベースによる回転の回転軸とがほぼ一致するような位置とすることができる。これにより、カソードリングをスピンベースとともに良好に回転させることができる。
【００３６】
請求項１５記載の発明は、上記カソード電極は半導体ウエハの周縁部に接触可能であり、上記カソードリングは、半導体ウエハに当接して半導体ウエハを保持するための当接部（８０ａ）をさらに備えており、上記当接部は、硬質部材で形成されており、半導体ウエハの周縁部をシール可能なシール面（８０ｓ）を備えていることを特徴とする請求項１記載のメッキ装置である。
【００３７】
この発明によれば、シール面によりウエハ周縁部をシールして、ウエハに対するメッキ液の接触領域を制限できる。
当接部は硬質部材で形成されているので、当接部およびその周辺部を小型化できる。
メッキ装置（１０）は、メッキ液を収容可能な円筒状の側壁（３６１）を有するメッキ槽（６１ａ〜６１ｄ）と、処理対象であるほぼ円形の基板（Ｗ）をほぼ水平に保持する基板保持機構（７４ａ〜７４ｄ）と、この基板保持機構に備えられ、この基板保持機構に保持された基板に接触可能なカソード電極（８３）を有し、上記メッキ槽の内径にほぼ等しい内径を有して当該基板下面周縁部をシールするためのカソードリング（８０）と、このカソードリングとともに上記基板保持機構に保持された基板を回転させるための回転駆動機構（４５）とを備え、上記メッキ槽の上端部と上記カソードリングの上記メッキ槽に対向する部分とは、相補形状で、上記メッキ槽の上端部と上記カソードリングとの干渉を回避した状態で、上記基板保持機構に保持された基板の下面位置を上記メッキ槽上端位置にほぼ一致するまで近接可能に形成されていてもよい。
【００３８】
この構成によれば、メッキ槽にメッキ液を収容し、基板保持機構により処理対象の基板をほぼ水平に保持して、基板の下面にメッキ液を接触させることができる。基板は、カソードリングの内径より大きな径を有するものとすることができる。この場合、カソードリングにより基板下面周縁部をシールできる。また、カソードリングの内径はメッキ槽の内径にほぼ等しいので、カソードリングからの基板の露出面は、メッキ槽の内径にほぼ等しい円形の領域となり、メッキ処理時には、基板のこの露出面がメッキ液に接触される。
【００３９】
基板の下面にメッキ液が接触した状態で、カソード電極を介して基板に通電することにより、基板の下面に電解メッキを施すことができる。この際、回転駆動機構により基板を回転させることにより、基板をメッキ液に対して相対的に移動させることができるので、メッキの均一性を高くすることができる。
メッキ液は、たとえば、メッキ槽の底に接続された配管を介してメッキ槽内に導入されるようになっていてもよい。この場合、メッキ処理は、メッキ槽内にメッキ液を供給し続け、メッキ液をメッキ槽の上端（縁）から溢れさせながら行うものとすることができる。これにより、メッキ液の表面はメッキ槽の縁からわずかに（たとえば、２．５ｍｍ程度）盛り上がった状態となる。メッキ槽の上端部とカソードリングのメッキ槽に対向する部分（下部）とが相補形状にされていることにより、メッキ槽の上端とカソードリングとが干渉しないように、基板保持機構に保持された基板をメッキ槽の縁から盛り上がったメッキ液に接触させることができる。
【００４０】
さらに、基板保持機構に保持された基板の下面位置は、メッキ槽上端位置にほぼ一致させることができるので、メッキ処理時における基板下面とメッキ槽上端との間隙を狭く（たとえば、０．３ｍｍ〜１．０ｍｍ）することができる。この場合、メッキ槽内にメッキ液が供給され続けていると、基板下面近傍におけるメッキ液の流れは、基板下面に沿って基板周縁部まで流れる層流となり、メッキ槽上端と基板下面との間隙からメッキ槽外へと流れ出す。
【００４１】
基板とメッキ液との間に気泡が入っていた場合でも、このような気泡はメッキ液とともにメッキ槽外へと流される。メッキ液が基板下面に沿って基板周縁部まで流れる層流となること、および基板下面に気泡が存在しないことにより、メッキによる膜は均一となる。すなわち、このようなメッキ装置により、良好にメッキできる。
このメッキ装置は、上記メッキ槽の中心軸と上記カソードリングの回転軸とをほぼ一致させるための第１調整機構（２３０，２３１，２３３，２３５，２３８Ａ，２３８Ｂ）をさらに備えていてもよい。
【００４２】
この構成によれば、第１調整機構によりメッキ槽の中心軸とカソードリングの回転軸とをほぼ一致させることができる。これにより、カソードリングの回転軸と中心軸とが一致している場合、カソードリングがメッキ槽の上端とわずかな間隙をあけて配置されても、メッキ槽とカソードリングとが干渉しないようようにすることができる。この状態は、回転駆動機構により基板が回転されても維持される。
【００４３】
上記メッキ槽は、その上端がほぼ同一平面上にのるものであってもよく、この場合、このメッキ装置は、このメッキ槽の上端がほぼ水平な面にのるように調整するための第２調整機構（２３８Ａ，２３８Ｂ）をさらに備えていてもよい。
この構成によれば、第２調整機構によりメッキ槽上端をほぼ水平な面にのるようにすることができる。したがって、基板保持機構によりほぼ水平に保持された基板と、メッキ槽の上端とがほぼ一定の間隔をあけて近接された状態とすることができる。これにより、基板とメッキ槽の上端とを、接触させることなく、全周に渡って充分狭い間隔で近接させることができる。
【００４４】
また、メッキ槽上端がほぼ水平な面にのる状態で、メッキ槽の底に連通接続された配管等により、メッキ槽にメッキ液が供給され続けると、メッキ液はメッキ槽上端から周方向に渡ってほぼ均等に溢れ出す。これにより、基板下面の露出面に全面にメッキ液を接触させることができる。
このメッキ装置は、上記メッキ槽の底よりも低い高さ位置にほぼ水平に配置され上記基板保持機構に結合された回動軸（２２３）を含み、上記基板保持機構を上記回動軸のまわりに回動させて、上記基板保持機構を上記メッキ槽の上方と上記メッキ槽の上方から退避した位置との間で移動させることが可能な退避機構（２２２ａ，４４ａ）をさらに備えていてもよい。
【００４５】
この構成によれば、退避機構により基板保持機構を、メッキ処理時にはメッキ槽の上方に配置し、メンテナンス時等にはメッキ槽の上方から退避した位置にすることができる。
このメッキ装置は、メッキ処理時に、上記カソードリングが有するカソード電極にカソード洗浄液を供給して当該カソード電極を洗浄するカソード洗浄液供給機構（８１）をさらに備えていてもよい。
【００４６】
カソード電極は、たとえば、基板周縁部に接触し、基板周縁部がカソードリングでシールされた状態では、カソード電極にメッキ液が接触しないものとすることができるが、カソードリングのシール不良により、カソード電極にメッキ液が至ることもある。さらに、カソードリングによるシールが良好であっても、メッキ処理終了後、基板からカソードリングを離すと、基板の露出面などに残っていたメッキ液が、基板とカソードリングとの間隙に引き込まれ、カソード電極に接触することがある。
【００４７】
この構成によれば、このようにしてメッキ液が付着したカソード電極に、カソード洗浄液供給機構によりカソード洗浄液を供給して洗浄できる。これにより、カソード電極を清浄な状態に保つことができ、基板に良好に通電して電解メッキできる。
メッキ装置（１０）は、メッキ液を収容して処理対象の基板（Ｗ）に対してメッキを施すためのメッキ槽（６１ａ〜６１ｄ）と、このメッキ槽の上方に配置可能で、当該基板をほぼ水平に保持して上記メッキ槽に収容されたメッキ液に当該基板を接触可能な基板保持機構（７４ａ〜７４ｄ）と、上記メッキ槽の底よりも低い高さ位置にほぼ水平に配置され上記基板保持機構に結合された回動軸（２２３）を含み、上記基板保持機構を上記回動軸のまわり回動させて、上記基板保持機構を上記メッキ槽の上方と上記メッキ槽の上方から退避した位置との間で移動させることが可能な退避機構（２２２ａ，４４ａ）とを備えていてもよい。
【００４８】
この構成によれば、基板保持機構に保持された基板を、メッキ槽に収容されたメッキ液に接触させてメッキを施すことができる。また、退避機構により基板保持機構を、メッキ処理時にはメッキ槽の上方に配置し、メンテナンス時等にはメッキ槽の上方から退避した位置にすることができる。
上記メッキ槽は、円筒状の側壁（３６１）を備えていてもよく、この場合、上記基板保持機構は、回転軸のまわりに回転可能で、上記メッキ槽の内径にほぼ等しい内径を有して処理対象の基板下面周縁部をシールするためのカソードリング（８０）を備えていてもよく、この場合、このカソードリングは、上記基板保持機構に保持された基板に接触可能なカソード電極（８３）を備えていてもよく、この場合、このメッキ装置は、上記メッキ槽の中心軸と上記カソードリングの回転軸とを一致させるための第１調整機構（２３０，２３１，２３３，２３５，２３８Ａ，２３８Ｂ）をさらに備えていてもよい。
【００４９】
この構成によれば、基板保持機構に基板が保持された状態では、基板下面は、カソードリングにより周縁部が覆われて、内方の円形の領域がカソードリングから露出される。基板下面のこの露出部を、メッキ槽に収容されたメッキ液を接触させ、カソードリングに備えられたカソード電極により、基板に通電して電解メッキを施すことができる。
カソードリングの回転軸と中心軸とが一致している場合、第１調整機構によりメッキ槽の中心軸とカソードリングの回転軸とを一致させると、メッキ槽とカソードリングとを、全周に渡って干渉を回避した状態で近接させることができる。
【００５０】
上記メッキ槽は、その上端がほぼ同一平面上にのるものであってもよく、この場合、このメッキ装置は、上記メッキ槽の上端がほぼ水平な面にのるように調整するための第２調整機構（２３８Ａ，２３８Ｂ）をさらに備えていてもよい。
この構成によれば、第２調整機構によりメッキ槽上端をほぼ水平な面にのるようにすることができる。したがって、基板保持機構によりほぼ水平に保持された基板と、メッキ槽の上端とを接触させることなく近接させて、カソードリングからの基板の露出面を、メッキ槽に収容された（満たされた）メッキ液に接触させることができる。
【００５１】
上記メッキ槽は、円筒状の側壁（３６１）を備えていてもよく、この場合、上記基板保持機構は、回転軸のまわりに回転可能で、上記メッキ槽の内径にほぼ等しい内径を有して処理対象の基板下面周縁部をシールするためのカソードリング（８０）を備えていてもよく、この場合、このカソードリングは、処理対象の基板に接触可能なカソード電極（８３）を備えていてもよく、この場合、このメッキ装置は、メッキ処理時に、上記カソード電極にカソード洗浄液を供給して当該カソード電極を洗浄可能なカソード洗浄液供給機構（８１）をさらに備えていてもよい。
【００５２】
この構成によれば、カソード電極により基板に通電して基板に電解メッキを施すことができる。カソードリングにより、メッキ処理時にはカソード電極がメッキ液に接しないようにすることができるが、何らかの理由によりメッキ液がカソード電極まで至った場合、カソード洗浄液供給機構によりカソード電極を洗浄できる。これにより、カソード電極を清浄に保ち、カソード電極を良好に基板に接触させて電解メッキできる。
【００５３】
メッキ装置（１０）は、メッキ液を収容可能なメッキ槽（６１ａ〜６１ｄ）と、このメッキ槽内に収容されたアノード電極（７６）と、上記メッキ槽内で、上記アノード電極より高い高さ位置に配置された樹脂からなるメッシュ部材（４９）と、処理対象の基板（Ｗ）を保持して、当該基板を上記メッキ槽に満たされたメッキ液に接触するメッキ処理位置に配置可能な基板保持機構（７４ａ〜７４ｄ）とを備え、上記メッキ処理位置における基板と上記メッシュ部材との間隔が、０．５ｍｍないし３０ｍｍであってもよい。
【００５４】
この構成によれば、アノード電極によりメッキ液に通電して、メッキ液に接触された基板に電解メッキを施すことができる。この際、アノード電極と基板との間にメッシュ部材が存在することになる。メッシュ部材は樹脂からなるので、メッシュ部材の存在により、アノード電極と基板との間の抵抗値は大きくなる。
このメッキ装置は、基板周縁部に接触可能なカソード電極を備えていてもよい。この場合、アノード電極からメッキ液中を経て基板周縁部に接触されたカソード電極に至る導電経路において、基板中心部を通る経路と、基板中心部は通らず基板周縁部近傍を通る経路とで、抵抗値はほぼ同じになる。なぜなら、メッシュ部材によりメッキ液が収容されたメッキ槽中の抵抗値が大きくなっていることにより、基板中心部と基板周縁部（カソード電極）との間の抵抗値は、アノード電極から基板に至る経路の抵抗値に対して極めて小さくなっているからである。
【００５５】
メッキによる膜の成長速度は、基板とメッキ液との界面をまたいで流れる電流の大きさにほぼ比例する。上述のように、基板中心部を通る経路と、基板中心部は通らず基板周縁部近傍を通る経路とで、抵抗値がほぼ同じである場合、基板の各部においてメッキ液との間でほぼ均一に電流が流れる。これにより、メッキによる膜の成長速度は基板の各部でほぼ均一になる。したがって、メッキによる膜の厚さはほぼ均一になる。
【００５６】
メッシュ部材は、平面視において、メッキ槽内のほぼ全域に渡って存在していることが好ましい。これにより、メッキ槽中における鉛直方向の抵抗値を、水平面内方向にずれた位置で均一にできる。
また、メッキ槽の底に連通接続された配管等により、メッキ槽にメッキ液が導入されるようになっている場合、メッキ液はメッキ槽中を下方から上方へと流れる。この際、メッキ液中の異物はメッシュ部材により除去できる。また、メッキ槽の下方から上昇してきたメッキ液は、メッシュ部材により整流されてほぼ均一な上昇流となる。
【００５７】
さらに、このメッキ装置は、基板保持機構に保持された基板を回転させるための回転駆動機構をさらに備えていてもよい。この場合、処理位置における基板とメッシュ部材との間隔が０．５ｍｍないし３０ｍｍと近接していることにより、メッキ液に接触された基板が回転されたときに、基板に引きずられて動くメッキ液の領域が狭く規制される。これにより、メッキに対して好ましくない渦の発生が抑えられ、メッキによる膜の厚さを均一にできる。
【００５８】
処理位置における基板とメッシュ部材との間隔は、０．５ｍｍないし２０ｍｍとすることが好ましい。
メッシュ部材は、複数枚備えられていてもよく、この場合、この複数枚のメッシュ部材が鉛直方向に積層されていてもよい。メッシュ部材を積層することにより、メッシュ部材の鉛直方向の厚さを大きくすることができる。これにより、上述のアノード電極と基板との間の抵抗値を大きくする効果、異物を除去する効果、およびメッキ液を整流する効果が大きくなる。よって、基板下面近傍におけるメッキ液の流れは、基板下面に沿って基板周縁部まで流れる層流となる。
【００５９】
メッキ液を収容可能なメッキ槽（６１ａ〜６１ｄ）と、このメッキ槽の底に形成されたメッキ液導入口（５４）から導入されたメッキ液を上記メッキ槽内に分散させるシャワーヘッド（７５）と、上記メッキ槽内で上記シャワーヘッドより高い高さ位置に配置されたメッシュ状のアノード電極（７６）と、上記メッキ槽内で上記アノード電極より高い高さ位置に配置された樹脂からなるメッシュ部材（４９）とを含むことを特徴とするメッキカップ（５６ａ〜５６ｄ）を用いて、メッキを行うことができる。
【００６０】
この構成によれば、シャワーヘッドにより、メッキ槽内に様々な方向（角度）にメッキ液を分散させて導入することができる。また、メッキ液はメッキ槽の底に形成されたメッキ液導入口からメッキ槽内に導入されるので、メッキ液はメッキ槽内で下方から上方へと向かう上昇流となって流れる。アノード電極はメッシュ状であるので、メッキ液はアノード電極を通過して上昇することができる。
【００６１】
メッキ液はさらに上昇して、アノード電極より高い高さ位置に配置されたメッシュ部材を通過して上方へと流れる。この際、メッキ液は整流され、均一な上昇流となる。
このようなメッキカップを用いて、メッキ液導入口からメッキ液を導入し、メッキ槽の上端（縁）からメッキ液を溢れさせながら、メッキ液の表面に処理対象の基板を接触させてメッキを施すことができる。メッキ液は均一な上昇流となって基板表面に供給されることから、基板に均一にメッキすることができる。
【００６２】
メッシュ部材により、メッキ液中の異物を除去することもできる。以上の効果により、このメッキカップを用いて良好にメッキできる。
上記メッキカップには、上記メッシュ部材は複数枚備えられていてもよく、この場合、この複数枚のメッシュ部材は積層されていてもよい。
メッシュ部材を積層することにより、メッシュ部材の鉛直方向の厚さを大きくすることができる。これにより、メッキ液を整流する効果および異物を除去する効果が大きくなる。
【００６３】
メッキ装置（１０）は、処理対象の基板（Ｗ）に接触可能なカソード電極（８３）と、このカソード電極にカソード洗浄液を供給して当該カソード電極を洗浄するカソード洗浄液供給機構（８１）とを備えていてもよい。
この構成によれば、カソード電極により基板に通電して基板に電解メッキを施すことができる。カソード電極がメッキ液で汚れた場合、カソード洗浄液供給機構によりカソード電極を洗浄できる。これにより、カソード電極を清浄に保ち、カソード電極を良好に基板に接触させて電解メッキできる。
【００６４】
このメッキ装置は、上記カソード洗浄液供給機構により供給されるカソード洗浄液の流路において、上記カソード電極よりも下流側に配置され、カソード洗浄液の導電率を測定可能な導電率計（２１２）をさらに備えていてもよい。
この構成によれば、導電率計は、カソード洗浄液の流路においてカソード電極よりも下流側に配置されているので、導電率計によりカソード電極近傍を流れたカソード洗浄液の導電率を測定できる。
【００６５】
このメッキ装置は、通常、カソード洗浄液の流路にメッキ液が侵入しない構造を有するものとすることができる。メッキ処理は、カソード電極にカソード洗浄液を供給し、導電率計によりカソード電極近傍を流れたカソード洗浄液の導電率を測定しながら行うことができる。ここで、カソード洗浄液の導電率とメッキ液の導電率とは異なるので、カソード洗浄液にメッキ液が混入すると、導電率計で測定されるカソード洗浄液の導電率は変化する。これにより、カソード洗浄液の流路にメッキ液が侵入したことを知ることができ、たとえば、カソード電極がメッキ液に汚染されたままメッキ処理が継続される事態を回避できる。
【００６６】
カソード洗浄液は、たとえば、純水とすることができる。この場合、カソード洗浄液にわずかな量のメッキ液が混入するだけでも、導電率計で測定される導電率は大きく上昇する。
このメッキ装置は、上記カソード洗浄液供給機構により供給されたカソード洗浄液を回収するカソード洗浄液回収槽（２１０）をさらに備えていてもよい。
【００６７】
この構成によれば、カソード洗浄液を回収するための専用のカソード洗浄液回収槽が設けられていることにより、カソード洗浄液をメッキ槽等で用いられるメッキ液等と分離して回収できる。
メッキ液を用いて処理対象の基板（Ｗ）にメッキするメッキ装置（１０）は、このメッキ装置においてメッキ液の侵入が制限されている制限領域（８０ｆ）であって、液体の入口および出口を有する制限領域に液体を供給する液体供給機構（８１）と、上記制限領域の出口から出てきた液体の導電率を測定可能な導電率計（２１２）とを備えていてもよい。
【００６８】
メッキ液は、通常、制限領域に侵入しないように規制されているものとすることができる。この構成によれば、何らかの理由により制限領域にメッキ液が侵入すると、このメッキ液は液体供給機構により供給された液体とともに流されて、導電率計に至る。液体供給機構により供給される液体の導電率とメッキ液の導電率とが異なる場合、導電率計で測定される導電率により、制限領域、すなわち、メッキ液が通常侵入しないようにされている領域にメッキ液が侵入したことを知ることができる。
【００６９】
制限領域は、貫通した孔の内部であってもよく、表面を液体が流れることができる平面的な領域であってもよい。
上記液体供給機構は、メッキ処理時に液体を供給可能であってもよい。
この構成によれば、メッキ処理中に、メッキ液が制限領域に侵入したことを知ることができる。メッキ液が制限領域に侵入する状態では、メッキ処理が良好に行えないような場合には、メッキ処理を中断等することができる。
【００７０】
このメッキ装置は、上記液体供給機構により供給された液体を回収する液体回収槽（２１０）をさらに備えていてもよい。
この構成によれば、液体供給機構により供給された液体を回収するための専用の液体回収槽が設けられていることにより、当該液体をメッキ液等と分離して回収できる。
メッキ装置（１０）は、処理対象の基板（Ｗ）にメッキ処理を施すためのメッキ液を収容可能なメッキ槽（６１ａ〜６１ｄ）と、メッキ処理時に当該基板に接触可能なカソード電極（８３）と、上記メッキ槽の周囲に配置され、上記メッキ槽から溢れたメッキ液を回収する回収槽（６２ａ〜６２ｄ）と、この回収槽の周囲に配置され、上記カソード電極を洗浄するためのカソード洗浄液を回収するカソード洗浄液回収槽（２１０）とを備えていてもよい。
【００７１】
この構成によれば、メッキ槽にメッキ液を供給し、メッキ液をメッキ槽から回収槽へと溢れさせながら、メッキ槽に満たされたメッキ液の表面に処理対象の基板を接触させてメッキすることができる。この場合、メッキ液はメッキ槽の上端（縁）から盛り上がるので、このようなメッキ液の表面に処理対象の基板を容易に接触させることができる。また、カソード電極を基板に接触させることにより、基板に通電して電解メッキを施すことができる。
【００７２】
さらに、回収槽とは別に設けられたカソード洗浄液回収槽により、メッキ槽等で用いられるメッキ液等と分離して、カソード電極を洗浄した後のカソード洗浄液を回収できる。これにより、メッキ液にカソード洗浄液が混入しないようにすることができ、メッキ液を再利用に適したものとすることができる。この場合、たとえば、メッキ液をメッキ槽と回収槽との間で循環させながら、基板にメッキできる。
【００７３】
このメッキ装置は、上記カソード電極を洗浄するためのカソード洗浄液の流路において、上記カソード電極よりも下流側に配置され、カソード洗浄液の導電率を測定可能な導電率計（２１２）をさらに備えていてもよい。
この構成によれば、導電率計は、カソード洗浄液の流路においてカソード電極よりも下流側に配置されているので、導電率計によりカソード電極近傍を流れたカソード洗浄液の導電率を測定できる。
【００７４】
このメッキ装置は、通常、カソード洗浄液の流路にメッキ液が侵入しない構造を有するものとすることができる。カソード電極はカソード洗浄液の流路に配置されているので、メッキ液は通常カソード電極に接触しない。
メッキ処理は、カソード電極にカソード洗浄液を供給し、導電率計によりカソード電極近傍を流れたカソード洗浄液の導電率を測定しながら行うことができる。ここで、カソード洗浄液の導電率とメッキ液の導電率とは異なるので、カソード洗浄液にメッキ液が混入すると、導電率計で測定されるカソード洗浄液の導電率は変化する。これにより、カソード洗浄液の流路にメッキ液が侵入したことを知ることができ、たとえば、カソード電極がメッキ液に汚染されたままメッキ処理が継続される事態を回避できる。
【００７５】
このメッキ装置は、上記カソード電極にカソード洗浄液を供給して当該カソード電極を洗浄するカソード洗浄液供給機構（８１）をさらに備えていてもよい。
この構成によれば、カソード洗浄液供給機構により、自動的にカソード洗浄液をカソード電極に供給できる。したがって、このようなメッキ装置は操作が容易である。
メッキ装置（１０）は、メッキ液に通電するためのアノード電極（７６）と、処理対象の基板（Ｗ）に通電するためのカソード電極（８３）と、上記アノード電極とカソード電極との間に電圧を印加するためのメッキ電源（８２）とを備え、上記アノード電極およびカソード電極と上記メッキ電源との導通経路がアースから絶縁されていてもよい。
【００７６】
この構成によれば、メッキ液にアノード電極を接触させ、処理対象の基板にカソード電極を接触させ、メッキ液に処理対象の基板を接触させた状態で、メッキ電源によりアノード電極とカソード電極との間に電圧を印加することにより、基板に電解メッキを施すことができる。これにより、目的金属の陽イオン（たとえば銅イオン）を含むメッキ液の当該目的金属を基板に被着させることができる。
【００７７】
アノード電極およびカソード電極とメッキ電源との導通経路がアースに接続されていないことにより、メッキ装置において不所望の部分に電流が流れたり、アノード電極およびカソード電極とメッキ電源との間に流れる電流にノイズが入ることを回避できる。
このメッキ装置は、回転軸（７７）を備え、処理対象の基板（Ｗ）を保持するための基板保持機構（７４ａ〜７４ｄ）と、この基板保持機構に保持された基板を上記回転軸のまわりに回転させるための回転駆動機構（４５）と、上記回転軸内に配設され上記回転駆動機構の回転力により上記回転軸とともに回転され、上記カソード電極に電気接続され上記回転軸と電気的に絶縁された導線（１９８）とを備えていてもよく、この場合、上記カソード電極が、上記基板保持機構に備えられており、上記基板保持機構に保持された基板に接触可能であってもよい。
【００７８】
この構成によれば、基板保持機構に保持された基板をメッキ液に接触させ、この状態で回転駆動機構により当該基板を回転させることより、メッキ液と基板とを相対的に移動させることができる。これにより、基板に対して均一にメッキできる。
回転軸は、金属等の導体からなるものであってもよい。導線は回転軸と電気的に絶縁されているので、回転軸が導体からなる場合であっても、導線を流れる電流が回転軸や導体からなり回転軸に接触している部材に流れることはない。また、回転軸を介して、導線を流れる電流にノイズが入ることもないので、カソード電極を介して処理対象の基板に所定の大きさの電流を流すことができる。
【００７９】
このメッキ装置は、処理対象である基板の周縁部に接触可能で、上記カソード電極を備えたカソードリング（８０）と、このカソードリングを支持するスピンベース（７８）と、上記カソードリングと上記スピンベースとの間に介装された絶縁体（７８ｉ）とをさらに備えていてもよい。
この構成によれば、スピンベースが金属等の導体からなる場合であっても、絶縁体によりカソード電極とメッキ電源との間の導通経路をスピンベースから絶縁させることができる。このため、カソード電極とメッキ電源との間の導通経路を流れる電流が、スピンベースや導体からなりスピンベースに接触している部材に流れることはない。また、スピンベースを介して、カソード電極とメッキ電源との間の導通経路を流れる電流にノイズが入ることもないので、カソード電極を介して処理対象の基板に所定の大きさの電流を流すことができる。
【００８０】
このメッキ装置は、上記カソード電極と上記メッキ電源との間を液体状の金属を介して電気接続する回転接続用コネクタ（１９７）をさらに備えていてもよい。
この構成によれば、カソード電極が基板保持機構とともに回転された場合でも、回転接続用コネクタにより、非回転系にあるメッキ電源とカソード電極との間の電気接続を維持できる。
【００８１】
液体状の金属は、たとえば、水銀（Ｈｇ）とすることができる。
メッキ装置（１０）は、処理対象の基板（Ｗ）を保持するための基板保持機構（７４ａ〜７４ｄ）と、この基板保持機構に保持された基板に接触可能なカソード電極（８３）と、このカソード電極に電気接続された第１の導電経路（１９８）を有し、上記基板保持機構に結合された第１の回転軸（７７）と、上記基板保持機構に保持された基板を上記第１の回転軸まわりに回転させるための回転駆動機構（４５）と、第２の導電経路（１９４）を有する第２の回転軸（１９４）と、上記第１の回転軸と上記第２の回転軸との間で回転駆動力を伝え、かつ、上記第１および第２の導電経路の間に導電経路を形成する回転力伝達機構（１９３，１９５，１９６）と、上記第２の回転軸の一端に取り付けられ、上記第２の導電経路に電気接続された回転接続用コネクタ（１９７）とを含んでもよい。
【００８２】
この構成によれば、回転接続用コネクタから、第２の導電経路、回転力伝達機構、および第１の導電経路を経てカソード電極に至る導電経路が形成される。これにより、回転接続用コネクタに接続された非回転系にあるメッキ電源等とカソード電極との間に導電経路を形成することができる。
回転力伝達機構により、第１の回転軸の回転数に対して第２の回転軸の回転数が低くなるようにすることができる。これにより、回転接続用コネクタが低い回転数で回転するようにして、回転接続用コネクタにかかる負荷を軽くし、回転接続用コネクタの寿命を長くすることができる。回転駆動機構は第１の回転軸に結合されていてもよく、第２の回転軸に結合されていてもよい。
【００８３】
回転接続用コネクタは、摺動タイプのもの（スリップリング）であってもよいが、無摺動タイプのものであることが好ましい。回転接続用コネクタが無摺動タイプのものである場合、回転接続用コネクタに接続された非回転系にあるメッキ電源とカソード電極との間に流れる電流に入るノイズを少なくすることができる。
上記回転力伝達機構は、たとえば、上記第１の回転軸に取り付けられ少なくとも一部が導電性を有する第１のプーリと、上記第２の回転軸に取り付けられ少なくとも一部が導電性を有する第２のプーリと、上記第１および第２のプーリの間に張設され少なくとも一部が導電性を有するベルトとを含んでいてもよい。
【００８４】
メッキ装置（１０）は、処理対象の基板（Ｗ）に供給する処理流体を流すための流体流路（８１ｃ）が内部に形成された処理流体供給部材（２０３，８１ｂ）と、ロータ（２４４）およびステータ（２４３）を備え、上記ロータと上記ステータとの間に摺動部を有するロータリジョイント（１９１）であって、上記処理流体供給部材に介装され、上記流体流路の一部をなす主流路（２７０）、およびこの主流路から分岐したリーク流路（２７１）を有し、上記摺動部が上記リーク流路に配置されたロータリジョイントとを備えていてもよい。
【００８５】
この構成によれば、たとえば、処理対象の基板が処理流体供給部材の一部とともに回転されている場合でも、ロータリジョイントを介して、非回転系にある処理流体の供給源から処理対象の基板に処理流体を供給できる。ロータリジョイントの主流路は流体流路の一部をなしているので、処理流体は主流路を流れる。
この際、主流路内の圧力よりリーク流路内の圧力が低くなるようにすることにより、主流路内を流れる処理流体の一部はリーク流路へと流れる。摺動部がリーク流路に配置されていることにより、摺動部で発生したパーティクルを、リーク流路を介してロータリジョイントの外部に排出できる。これにより、摺動部で発生したパーティクルが処理対象の基板に供給されないようにすることができる。
【００８６】
このメッキ装置は、ほぼ鉛直方向に沿って配置可能な支軸（８１ｂ）を有し、処理対象の基板を保持するための基板保持機構（７４ａ〜７４ｄ）をさらに備えていてもよく、この場合、上記流体流路は上記支軸内に形成されていてもよく、この場合、上記ロータリジョイントは上記支軸の一端に取り付けられていてもよい。
この構成によれば、支軸がほぼ鉛直方向に沿って配置された状態で、支軸のまわりに基板保持機構を回転させることにより、基板保持機構に保持された処理対象の基板を回転させることができる。この際、支軸の一端（上端）に取り付けられたロータリジョイントを介して、非回転系にある処理流体の供給源から、支軸の内部に形成された流体流路に処理流体を流すことができる。
【００８７】
処理対象である基板（Ｗ）の周縁部に接触可能なカソード電極（８３）を有するカソードリング（８０）であって、このカソードリング内に配置され、メッキ電源（８２）に接続される第１導電性部材（８０ｃ）と、上記カソードリング内に配置され、上記カソード電極に電気接続された第２導電性部材（８０ｄ）と、上記第１導電性部材と上記第２導電性部材との間に配置され、弾性を有して上記第１および第２導電性部材に弾性的に接触することにより、上記第１導電性部材と上記第２導電性部材との間を電気接続する第３導電性部材（８０ｅ）とを備えたことを特徴とするカソードリング（８０）を用いて、メッキを行ってもよい。
【００８８】
この構成によれば、第３導電性部材が第１および第２導電性部材に弾性的に接触していることにより、カソードリングがたわんだ場合でも、第１導電性部材と第２導電性部材との間の電気的接続は維持され、メッキ電源とカソード電極との間に電流を流すことができる。したがって、このカソードリングを用いて基板に良好にメッキできる。
第３導電性部材は、たとえば、コイルばねとすることができる。
【００８９】
リング状の支持体（８０ｂ，８０ｕ）と、この支持体に備えられ、処理対象である基板（Ｗ）の周縁部に接触可能なカソード電極（８３）と、上記支持体内に配置され、上記カソード電極とメッキ電源（８２）との間の導通経路を形成する導電性部材（８０ｄ，８０ｅ，８０ｃ）と、上記支持体と上記導電性部材との間に介装されて、上記支持体と上記導電性部材との間をシールして、上記支持体内部へのメッキ液の侵入を防止するシール部材（８０ｒ）とを備えたことを特徴とするカソードリング（８０）を用いて、メッキを行ってもよい。
【００９０】
この構成によれば、メッキ電源から導電性部材を経てカソード電極に至る導通経路を形成でき、メッキ電源によりカソード電極が接触された基板に通電して、基板に電解メッキを施すことができる。
また、シール部材により、支持体内部にメッキ液が侵入することを防止して、支持体内部を清浄に保つことができる。
【００９１】
処理対象である基板（Ｗ）の周縁部に接触可能なカソード電極（８３）を備えたカソードリング（８０）であって、このカソードリングを支持して回転するスピンベース（７８）に対してこのカソードリングを所定の位置に固定するための位置決め部材（７８ｊ，７９ｊ）を備えたことを特徴とするカソードリング（８０）を用いて、メッキを行ってもよい。
【００９２】
この構成によれば、位置決め部材により、カソードリングをスピンベースに対して所定の位置に容易に固定できる。ここで、所定の位置とは、たとえば、カソードリングの中心軸とスピンベースによる回転の回転軸とがほぼ一致するような位置とすることができる。これにより、カソードリングをスピンベースとともに良好に回転させることができる。
処理対象である基板（Ｗ）の周縁部に接触可能なカソード電極（８３）と、当該基板に当接して当該基板を保持するための当接部（８０ａ）とを備えたカソードリング（８０）であって、上記当接部が、硬質部材で形成されており、当該基板の周縁部をシール可能なシール面（８０ｓ）を備えていることを特徴とするカソードリングを用いて、メッキを行ってもよい。
【００９３】
この構成によれば、シール面により基板周縁部をシールして、基板に対するメッキ液の接触領域を制限できる。
当接部は硬質部材で形成されているので、当接部およびその周辺部を小型化できる。すなわち、当接部が硬質部材で形成されていない場合、当接部とは別に当接部を支持する部材を基板側とは反対側から回り込ませた構成としなければならず、当接部およびその周辺部が大型化する。その結果、基板のメッキ液に接触する面積が小さくなる。また、メッキ槽の縁からメッキ液を溢れさせながら、このメッキ槽に満たされたメッキ液に、当接部が当接した基板を接触させる際、当接部を支持する部材によりメッキ液の滞留が生じ、メッキ処理の均一性が悪くなるという問題があった。
【００９４】
上記構成のカソードリングによれば、当接部とは別に当接部を支持する部材を設ける必要はなく、上記の問題を解消できる。
硬質部材としては、たとえば、硬質塩化ビニル、硬質フッ素樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。シール面は、研磨処理されていることが好ましい。これにより、基板の処理面との密着性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００９５】
以下では、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るメッキ装置１０の構成を示すブロック図である。
このメッキ装置１０は、メッキ液を用いて半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面にメッキ処理を施したり、メッキ後のウエハの周縁部をエッチング（いわゆる、ベベルエッチング）するためのウエハ処理部１、メッキ液に銅イオンを供給するための銅供給源を備えてメッキ液の主成分濃度を管理する主成分管理部２、メッキ液の微量成分を管理するための微量成分管理部３、およびメッキ後の後処理に用いる後処理薬液をウエハ処理部１に供給するための後処理薬液供給部４を備えている。このメッキ装置１０は、クリーンルーム内に設置されて使用される。
【００９６】
ウエハ処理部１で使用されるメッキ液は、支持電解質としての硫酸、目的金属である銅のイオン、酸化還元剤としての鉄、および水を主成分として含んでおり、塩素、メッキを促進する添加剤（ブライトナ）、メッキを抑制する添加剤（サプレッサ）などを微量成分として含んでいる。
ウエハ処理部１と主成分管理部２との間には、これらの間でメッキ液を双方向に移送するための２本のメッキ液移送管Ｐ１２ａ，Ｐ１２ｂが配設されている。同様に、ウエハ処理部１と微量成分管理部３との間には、これらの間でメッキ液を双方向に移送するためのサンプリング管３２２および補充管３２４が配設されている。また、ウエハ処理部１と後処理薬液供給部４との間には、後処理薬液供給部４からウエハ処理部１へ後処理薬液を送るための後処理薬液配管Ｐ１４が配設されている。
【００９７】
ウエハ処理部１は、メッキ装置１０全体を制御するためのシステムコントローラを備えている。ウエハ処理部１と、主成分管理部２、微量成分管理部３、および後処理薬液供給部４とは、それぞれ信号線Ｌ１２，Ｌ１３，Ｌ１４で接続されており、ウエハ処理部１に備えられたシステムコントローラにより、主成分管理部２、微量成分管理部３、および後処理薬液供給部４の動作が制御されるようになっている。
【００９８】
微量成分管理部３は、サンプリング管３２２を介して、ウエハ処理部１で用いられているメッキ液を微量成分管理部３内へと移送（サンプリング）できる。微量成分管理部３は分析カップを備えており、この分析カップによりウエハ処理部１から移送されたメッキ液の少なくとも１種類の微量成分に関して、ＣＶＳ(Cyclic Voltammetric Stripping)分析できる。
【００９９】
微量成分管理部３は、微量成分管理コントローラを備えており、この微量成分管理コントローラにより、ＣＶＳ分析の結果に基づいて、ウエハ処理部１内のメッキ液の当該微量成分が所定の濃度範囲になるように補充するべき微量成分の量を演算により求めることができる。さらに、微量成分管理コントローラの制御により、求められた量の当該微量成分を補充管３２４を介してウエハ処理部１内のメッキ液に補充できる。
【０１００】
後処理薬液供給部４は、後処理薬液を収容する薬液タンクと、この薬液タンクに収容された後処理薬液をウエハ処理部１に供給する薬液供給手段とを含んでいる。後処理薬液は、たとえば、ベベルエッチングを行う際に用いるエッチング液や洗浄液などである。
図２は、ウエハ処理部１の図解的な平面図である。
ウエハ処理部１は、ウエハＷの表面にメッキにより銅薄膜を形成し、その後このウエハＷ周縁部の銅薄膜をエッチングにより除去し、さらにウエハＷ全面を洗浄処理するための装置である。
【０１０１】
水平方向に沿う直線状の第１搬送路１４に沿って、ウエハ搬入／搬出部１９が配置されている。ウエハ搬入／搬出部１９には、処理対象のウエハＷを収容することができるカセットＣを各１個ずつ載置することができる複数（この実施形態では４つ）のカセットステージ１６が、第１搬送路１４に沿って配列されている。ウエハＷは、たとえば、ほぼ円形の形状を有し、処理面（メッキを施す面）に多くの微細な孔または溝を有し、その上にバリア層と銅からなるシード層とが形成されたものとすることができる。
【０１０２】
一方、第１搬送路１４に直交する水平方向に沿って、直線状の第２搬送路１５が設けられている。この第２搬送路１５は、この実施形態では、第１搬送路１４のほぼ中間位置から延びている。第２搬送路１５の一方の側方には、第２搬送路１５に沿って配列された４つのメッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄを備えたメッキ処理部１２が配置されている。各メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄは、ウエハＷ表面に銅メッキを施すことができる。
【０１０３】
また、第２搬送路１５の他方の側方には、第２搬送路１５に沿って配列された２つのベベルエッチングユニット２１ａ，２１ｂおよび２つの洗浄ユニット（スピン洗浄ユニット）２２ａ，２２ｂを備えた後処理部１３が配置されている。ベベルエッチングユニット２１ａ，２１ｂは、ウエハＷ周縁部にエッチング処理を施すことができ、洗浄ユニット２２ａ，２２ｂはウエハＷの両面を洗浄できる。第１搬送路１４および第２搬送路１５はＴ字状の搬送路を形成していて、このＴ字状の搬送路には、１台の搬送ロボットＴＲが配置されている。搬送ロボットＴＲは、第２搬送路１５に沿って配設された搬送ガイドレール１７と搬送ガイドレール１７に沿って移動可能なロボット本体１８とを備えている。搬送ロボットＴＲの動作は、搬送コントローラ２９により制御されるようになっている。
【０１０４】
ロボット本体１８は、第１搬送路１４に沿ってウエハＷを搬送することができるとともに、第２搬送路１５に沿ってウエハＷを搬送することができる。したがって、ロボット本体１８は、カセットステージ１６に載置されたカセットＣにアクセスしてウエハＷの出し入れを行うことができるとともに、メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄ、ベベルエッチングユニット２１ａ，２１ｂ、および洗浄ユニット２２ａ，２２ｂにアクセスしてウエハＷの出し入れを行うことができる。
【０１０５】
ウエハＷの基本的な搬送経路および処理手順は、以下の通りである。先ず、未処理のウエハＷが、ロボット本体１８によりカセットＣから搬出され、メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄのいずれかの前まで搬送されて、当該メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄに搬入され、メッキ処理が施される。次に、メッキ処理済みウエハＷが、ロボット本体１８により、当該メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄから搬出され、ベベルエッチングユニット２１ａ，２１ｂのいずれかに搬入されて、ベベルエッチング処理が施される。
【０１０６】
続いて、ベベルエッチング処理済みのウエハＷが、ロボット本体１８により当該ベベルエッチングユニット２１ａ，２１ｂから搬出され、第２搬送路１５に沿って搬送され、洗浄ユニット２２ａ，２２ｂのいずれかに搬入されて洗浄処理が施される。
さらに、洗浄処理済みのウエハＷが、ロボット本体１８により、当該洗浄ユニット２２ａ，２２ｂから搬出され、第２搬送路１５を第１搬送路１４に向かって搬送される。第１搬送路１４に達すると、ロボット本体１８は、この搬送路１４に沿って移動することにより、カセットステージ１６のいずれかに載置されたカセットＣの前に移動し、当該カセットＣにウエハＷを搬入する。
【０１０７】
図３は、ウエハ処理部１のエンクロージャ３０の構造を示す図解的な斜視図である。
エンクロージャ３０は、内部を外部環境と隔絶するための複数の隔壁（境界面）により、外形がほぼ直方体に形成されている。エンクロージャ３０内で、第２搬送路１５とメッキ処理部１２との間、および第２搬送路１５と後処理部１３との間は、それぞれ隔壁が設けられており、ウエハＷの受け渡しを行うとき以外は、この隔壁により第２搬送路１５が配された空間とメッキ処理部１２内の空間および後処理部１３内の空間との間は遮られている。
【０１０８】
エンクロージャ３０上部の隔壁には、空気中の異物を除去するフィルタ３１が取り付けられている。フィルタ３１は、カセットステージ１６、第１搬送路１４、および第２搬送路１５の上方に配置された第１フィルタ３１ａと、後処理部１３の上方に配置された第２フィルタ３１ｂとを含んでいる。第１フィルタ３１ａの上方には、図示しないファンが取り付けられており、エンクロージャ３０外部の空気をエンクロージャ３０内に押し込むようにされている。
【０１０９】
第１搬送路１４のカセットステージ１６側は、隔壁で区画されている。この隔壁には、ウエハ搬入／搬出口Ｗｈが形成されており、第１搬送路１４側からカセットステージ１６上に載置されたカセットＣに対して、ウエハＷの搬入および搬出を行うことができるようになっている。
エンクロージャ３０において、第２搬送路１５の下方に位置する部分には、第２搬送路１５の長さ方向に沿って延びる複数のスリット状の開口３６が形成されている。第２搬送路１５が配された空間は、エンクロージャ３０およびその内部の隔壁で仕切られているので、第１フィルタ３１ａを介してエンクロージャ３０内に空気が押し込まれると、第２搬送路１５が配された空間は陽圧となり、内部の空気は開口３６からエンクロージャ３０外部へと排出される。これにより、第２搬送路１５が配された空間内部では、上方から下方に向かって流れる空気の流れ（ダウンフロー）が生じる。
【０１１０】
第２搬送路１５が配された空間内では、薬液等は使用されないので、この空間を通過することによって空気は汚れない。このため、第２搬送路１５が配された空間内の空気は、開口３６からエンクロージャ３０周辺に排出されるようになっている。
エンクロージャ３０のカセットステージ１６側とは反対側の側面において、メッキ処理部１２を囲んでいる隔壁の下部、および後処理部１３を囲んでいる隔壁の下部には、それぞれ排気口３４ｈ，３５ｈが形成されている。排気口３４ｈ，３５ｈには、それぞれ排気配管３４，３５の一端が接続されており、排気配管３４，３５の他端は、工場内の排気設備配管に接続されている。こうして、メッキ処理部１２内および後処理部１３内でメッキ液や後処理薬液に曝された可能性のある空気を、クリーンルーム外に強制排気することができる。
【０１１１】
後処理部１３内の空気が排気口３５ｈから強制排気されることにより、後処理部１３内は負圧となり、空気は、第２フィルタ３１ｂを介して後処理部１３内に吸い込まれ、後処理部１３の空間内をダウンフローとなって流れる。
排気口３５ｈが形成されている隔壁において排気口３５ｈの近傍には、純水配管挿通口３２ｈおよび圧縮空気配管挿通口３３ｈが形成されている。純水配管挿通口３２ｈおよび圧縮空気配管挿通口３３ｈを介して、ウエハ処理部１内で使用する純水および圧縮空気を供給するための純水配管３２および圧縮空気配管３３をそれぞれ挿通できるようになっている。
【０１１２】
また、エンクロージャ３０の下部周縁部には、鉄製の骨材を組み合わせてなるフレーム３７が設けられており、フレーム３７によりウエハ処理部１全体が支えられている。フレーム３７には、フレーム３７を構成する骨材の長さ方向に適当な間隔をあけて、複数のジャッキボルト３８が取り付けられている。ジャッキボルト３８により、フレーム３７は、ウエハ処理部１が配置されたクリーンルームの床から、一定の間隔をあけて支持されるようになっている。
【０１１３】
図４は、ジャッキボルト３８およびフレーム３７を示す図解的な断面図である。
フレーム３７は、側方に開いた断面コの字形の骨材を有しており、この骨材はほぼ水平で平行な２つの板状部を含んでいる。下方の板状部である被支持板３７ａには、内ねじが形成されている。ジャッキボルト３８は、周面に外ねじが形成されたボルト部３８ｂと、ボルト部３８ｂの下端にほぼ垂直に固定されたほぼ円板状のベース円板３８ａと、ボルト部３８ｂに外嵌されたロックナット３８ｃとを含んでいる。
【０１１４】
ボルト部３８ｂは、被支持板３７ａに形成された内ねじに嵌め合わされて、被支持板３７ａをほぼ垂直に貫通している。ロックナット３８ｃは、被支持板３７ａの下方から被支持板３７ａに向かって締め付けられている。ボルト部３８ｂの長さ方向に関して、被支持板３７ａを貫通する位置を変更することにより、ベース円板３８ａと被支持板３７ａとの間隔、すなわち、クリーンルームの床からのフレーム３７の高さを変更可能である。
【０１１５】
フレーム３７の高さを調整するときは、ロックナット３８ｃを緩め（ロックナット３８ｃをボルト部３８ｂに対して回転させ、被支持板３７ａから離れるようにし）、ベース円板３８ａを適当な方向に回転させる。これにより、ボルト部３８ｂも回転され、ボルト部３８ｂの長さ方向に関して被支持板３７ａを貫通する位置が変化し、クリーンルームの床からのフレーム３７の高さを調整できる。調整後、ロックナット３８ｃを被支持板３７ａに向かって締め付けることにより、ボルト部３８ｂが被支持板３７ａに対して動かないようにすることができる。
【０１１６】
フレーム３７に取り付けられた複数のジャッキボルト３８は、いずれも図４に示す構造を有している。したがって、フレーム３７の同一直線状にない少なくとも３箇所に設けられたジャッキボルト３８に関して、ボルト部３８ｂの長さ方向に関して被支持板３７ａを貫通する位置を調製することにより、ウエハ処理部１の水平調整が可能である。
図５は、ロボット本体１８の構造を説明するための図であり、図５（ａ）はその図解的な平面図であり、図５（ｂ）はその図解的な側面図であり、図５（ｃ）はその図解的な正面図である。
【０１１７】
ロボット本体１８は、基台部２３と、この基台部２３に取り付けられた垂直多関節アーム２４と、垂直多関節アーム２４に取り付けられた回転駆動機構２５と、この回転駆動機構２５によって鉛直方向に沿う回転軸線Ｖ０まわりに回転駆動される基板保持部２６とを有している（図５（ａ）には、基板保持部２６のみを示している。）。
基板保持部２６は、上部に平坦部を有する本体部４０と、この本体部４０の平坦部上に設けられた一対の進退アーム４１，４２とを備えている。この一対の進退アーム４１，４２を水平方向に進退させるための進退駆動機構（図示せず）は、本体部４０に内蔵されている。
【０１１８】
進退アーム４１，４２は、それぞれ、第１アーム部４１ａ，４２ａ、第２アーム部４１ｂ，４２ｂおよび基板保持ハンド（エフェクタ）４１ｃ，４２ｃを備えている。本体部４０は、平面視においてほぼ円形であり、その周縁部近傍に第１アーム部４１ａ，４２ａが鉛直方向に沿う回転軸線まわりにそれぞれ回転可能に取り付けられている。これらの第１アーム部４１ａ，４２ａは、本体部４０内の進退駆動機構によって、回転軸線まわりに回転駆動される。
【０１１９】
進退アーム４１，４２は、いわゆるスカラーロボットを形成しており、第１アーム部４１ａ，４２ａの回動に連動して、第２アーム部４１ｂ，４２ｂが、鉛直方向に沿う回転軸線まわりにそれぞれ回転する。これにより、進退アーム４１，４２は第１および第２アーム部４１ａ，４２ａ；４１ｂ，４２ｂを屈伸させて、基板保持ハンド４１ｃ，４２ｃを進退させる。
【０１２０】
進退アーム４１，４２は、収縮状態において、基板保持ハンド４１ｃ，４２ｃを上下に重なり合った位置に保持する（図５（ａ））。そのため、一方の進退アーム４１の基板保持ハンド４１ｃは、他方の進退アーム４２の基板保持ハンド４２ｃとの干渉を避けることができるように、屈曲形状に形成されている（図５（ｂ））。
垂直多関節アーム２４の第１アーム２４ａは、基台部２３に対して、水平方向に沿う回転軸線Ｈ１まわりの回動が可能であるように取り付けられている。そして、第１アーム２４ａの他端に、第２アーム２４ｂの一端が水平な回転軸線Ｈ２まわりの回動が可能であるように取り付けられている。さらに、第２アーム２４ｂの他端には、回転駆動機構２５が、水平な回転軸線Ｈ３まわりに回動が可能であるように取り付けられている。回転軸線Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３は互いに平行である。
【０１２１】
基台部２３には、第１アーム２４ａを回転させるためのモータ２７が設けられており、第１アーム２４ａと第２アーム２４ｂとの連結部には、第２アーム２４ｂを回転駆動するためのモータ２８が設けられている。モータ２８は、モータ２７と同期して回転するようになっており、第２アーム２４ｂには、モータ２８からの駆動力を回転駆動機構２５側に伝達するための駆動力伝達機構（図示せず）が内蔵されている。これによって、回転駆動機構２５は、第１アーム２４ａおよび第２アーム２４ｂが回動されたときでも、基板保持部２６を常に同じ姿勢（たとえば、ウエハＷを水平に保持できる姿勢）に保持するようになっている。
【０１２２】
回転駆動機構２５にはモータ（図示せず）が内蔵されていて、このモータからの駆動力を得て、回転駆動機構２５は、基板保持部２６を鉛直方向に沿う回転軸線Ｖ０まわりに回転駆動する。
このような構成によって、搬送ロボットＴＲは、基板保持ハンド４１ｃ，４２ｃを、図５（ｃ）において斜線を付して示す範囲で水平方向および鉛直方向に移動させることができる。
【０１２３】
ロボット本体１８がカセットステージ１６（図２参照）に載置されたカセットＣにアクセスするときには、搬送コントローラ２９によって、ロボット本体１８は、搬送ガイドレール１７の第１搬送路１４側の端部に移動される。この状態で、垂直多関節アーム２４の働きによって、基板保持部２６をカセットステージ１６のカセットＣに対向させることができる。すなわち、基台部２３が搬送ガイドレール１７上に位置したまま、基板保持部２６は第１搬送路１４に沿って移動できる。
【０１２４】
そして、回転駆動機構２５の働きにより、進退アーム４１，４２を当該カセットＣに対向させ、図示しない進退駆動機構によって、進退アーム４１，４２を当該カセットＣにアクセスさせれば、カセットＣに対するウエハＷの搬入／搬出を行うことができる。カセットＣと進退アーム４１，４２との間のウエハＷの受け渡しの際には、垂直多関節アーム２４の働きによって、基板保持部２６が若干量だけ昇降される。
【０１２５】
ロボット本体１８が、メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄ、ベベルエッチングユニット２１ａ，２１ｂ、および洗浄ユニット２２ａ，２２ｂ（いずれも図２参照）のいずれかにアクセスするときには、ロボット本体１８は、図示しない移動機構によって、搬送ガイドレール１７上を該当するユニットの前まで移動される。この状態で、垂直多関節アーム２４の働きによって、基板保持部２６が当該ユニットの基板搬入／搬出口に対応する高さへと昇降され、かつ、回転駆動機構２５による基板保持部２６の回転によって、進退アーム４１，４２が当該ユニットに対向させられる。
【０１２６】
そして、この状態で、進退駆動機構によって、進退アーム４１，４２を当該ユニットにアクセスさせることによって、ウエハＷの搬入／搬出が行われる。当該ユニットと進退アーム４１，４２との間のウエハＷの受け渡しの際には、垂直多関節アーム２４の働きによって、基板保持部２６が若干量だけ昇降される。
以上のような構成により、１台のロボット本体ＴＲで、カセットＣ、メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄ、ベベルエッチングユニット２１ａ，２１ｂ、および洗浄ユニット２２ａ，２２ｂに対して、ウエハＷのアクセスを行うことが可能となっている。
【０１２７】
メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄでメッキ処理が施された後、ベベルエッチングユニット２１ａ，２１ｂでベベルエッチング処理が施されるまでのウエハＷ（以下、「全面メッキウエハ」という。）は、ウエハＷ周縁部にもメッキによる銅膜が形成されている。したがって、全面メッキウエハを保持した基板保持ハンド４１ｃ，４２ｃは、銅に汚染される。このため、基板保持ハンド４１ｃおよび基板保持ハンド４２ｃの一方は、全面メッキウエハを保持するために専用に用いられることが好ましい。これにより、基板保持ハンド４１ｃまたは基板保持ハンド４２ｃを介して、銅汚染が広がらないようにすることができる。
【０１２８】
図６（ａ）は、カセットＣが載置されたカセットステージ１６の図解的な平面図であり、図６（ｂ）は、その図解的な側面図である。
カセットステージ１６は、カセットＣを載置するための平板状のカセットベース５０を備えている。カセットベース５０は、平面視において、ほぼ正方形の形状を有している。カセットＣは、平面視において、カセットベース５０より小さなほぼ正方形の形状を有しており、その一辺側にウエハ出し入れ用開口Ｃｅが形成されている。
【０１２９】
カセットベース５０の一方表面（上面）には、平面視においてカセットＣの４つの角部にほぼ対応する位置に、それぞれカセットガイド５１が設けられており、カセットガイド５１にカセットＣの角部が接するように配することにより、カセットＣをカセットベース５０上の所定の位置に取り付けることができるようになっている。カセットＣは、カセットベース５０上の所定の位置に取り付けられたとき、ウエハ出し入れ用開口Ｃｅが第１搬送路１４側を向くようになっている（図２参照）。
【０１３０】
また、カセットベース５０の上記一方表面には、一対の対辺（ウエハ出し入れ用開口Ｃｅ側の辺を含まない対辺）の中点近傍に、発光素子５２ａおよび受光素子５２ｂがそれぞれ取り付けられている。発光素子５２ａおよび受光素子５２ｂは、透過型フォトセンサ５２をなす。カセットＣがカセットベース５０上にないときは、発光素子５２ａから発せられた光は、受光素子５２ｂで受光され、カセットＣがカセットベース５０上にあるときは、発光素子５２ａから発せられた光は、カセットＣに遮られて受光素子５２ｂに届かない。これにより、カセットベース５０上のカセットＣの有無を判定できるようになっている。
【０１３１】
図７は、メッキ処理部１２の構成を示す図解的な正面図である。
このメッキ処理部１２は、ウエハＷにメッキ処理を施すための複数（この実施形態では４つ）のメッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄと、メッキ液を収容することができるメッキ液収容槽５５とを含んでいる。メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄは、それぞれ、メッキ液を収容するメッキカップ５６ａ〜５６ｄと、メッキカップ５６ａ〜５６ｄの上方にそれぞれ配置可能なウエハ保持回転機構（処理ヘッド）７４ａ〜７４ｄを備えている。
【０１３２】
メッキ液収容槽５５は、メッキカップ５６ａ〜５６ｄよりもはるかに大量（たとえば、メッキカップ５６ａ〜５６ｄの収容総量の２０倍）のメッキ液を収容できるようになっている。メッキ液収容槽５５に大量のメッキ液を蓄えておくことにより、メッキ処理部１２で使用するメッキ液の総量を多くすることができる。これによって、メッキ処理に伴うメッキ液組成の変化を少なくすることができる。
【０１３３】
メッキ液収容槽５５の底面には、主成分管理部２へとメッキ液を送るためのメッキ液移送管Ｐ１２ａが連通接続されている。メッキ液収容槽５５の上方からは、主成分管理部２から送られてきたメッキ液をメッキ液収容槽５５内に導入するためのメッキ液移送管Ｐ１２ｂ、微量成分管理部３へとメッキ液を送るためのサンプリング管３２２、および微量成分管理部３とメッキ液収容槽５５との間でメッキ液を双方向に移送するための補充管３２４が、メッキ液収容槽５５内に導かれている。メッキ液移送管Ｐ１２ｂ、サンプリング管３２２、および補充管３２４は、メッキ液収容槽５５内のメッキ液中に没する深さまで延設されている。
【０１３４】
メッキカップ５６ａ〜５６ｄは、メッキ液収容槽５５より高い位置に配置されている。メッキ液収容槽５５の底面からは送液配管５７が延びており、送液配管５７は、４つの送液分岐配管５８ａ〜５８ｄに分岐している。送液分岐配管５８ａ〜５８ｄは上方に延びて、それぞれメッキカップ５６ａ〜５６ｄの底面中央部に連通接続されている。
送液分岐配管５８ａ〜５８ｄには下方から上方に向かう順に、それぞれ、ポンプＰ１〜Ｐ４、フィルタ５９ａ〜５９ｄ、および流量計６０ａ〜６０ｄが介装されている。ポンプＰ１〜Ｐ４により、メッキ液収容槽５５からそれぞれメッキカップ５６ａ〜５６ｄへとメッキ液を送液できる。ポンプＰ１〜Ｐ４の動作は、システムコントローラ１５５によって制御される。フィルタ５９ａ〜５９ｄは、メッキ液中のパーティクル（異物）を除去することができる。流量計６０ａ〜６０ｄからはメッキ液の流量を示す信号が出力され、この信号はシステムコントローラ１５５に入力されるようになっている。
【０１３５】
メッキカップ５６ａ〜５６ｄは、それぞれ内方に配置された円筒状のメッキ槽６１ａ〜６１ｄ（液溜まり部）、およびメッキ槽６１ａ〜６１ｄの周囲に配された回収槽６２ａ〜６２ｄを含んでいる。送液分岐配管５８ａ〜５８ｄは、それぞれメッキ槽６１ａ〜６１ｄに連通接続されており、回収槽６２ａ〜６２ｄの下部からは、それぞれリターン分岐配管６３ａ〜６３ｄが延びている。リターン分岐配管６３ａ〜６３ｄはリターン配管６４に連通接続されており、リターン配管６４はメッキ液収容槽５５内に延設されている。
【０１３６】
以上のような構成により、たとえば、ポンプＰ１を作動させることにより、メッキ液はメッキ液収容槽５５から送液配管５７および送液分岐配管５８ａを介して、メッキ槽６１ａに送液される。メッキ液はメッキ槽６１ａの上端から溢れ出て、重力の作用により回収槽６２ａから、リターン分岐配管６３ａおよびリターン配管６４を経て、メッキ液収容槽５５へと戻される。すなわち、メッキ液はメッキ液収容槽５５とメッキカップ５６ａとの間で循環される。
【０１３７】
同様に、ポンプＰ２，Ｐ３，またはＰ４を作動させることにより、メッキ液をメッキ液収容槽５５とメッキカップ５６ｂ，５６ｃ，または５６ｄとの間で循環させることができる。メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄのいずれかでメッキ処理が行われるときは、そのメッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄのメッキカップ５６ａ〜５６ｄと、メッキ液収容槽５５との間でメッキ液が循環される。このように、メッキ液収容槽５５は４つのメッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄに共通に使用される。
【０１３８】
送液分岐配管５８ａにおいてポンプＰ１とフィルタ５９ａとの間には、バイパス配管６５の一端が連通接続されている。バイパス配管６５の他端は、メッキ液収容槽５５内に導かれている。バイパス配管６５には、特定の波長の光に対するメッキ液の吸光度を測定する吸光度計６６Ａ，６６Ｂが介装されている。吸光度計６６Ａは、メッキ液中の銅濃度を求めるためのものであり、吸光度計６６Ｂは、メッキ液中の鉄濃度を求めるためのものである。
【０１３９】
ポンプＰ１が作動され、メッキ液がメッキ液収容槽５５とメッキカップ５６ａとの間で循環されているときは、フィルタ５９ａによる圧力損失のため送液分岐配管５８ａを流れるメッキ液の一部はバイパス配管６５へと流れる。すなわち、バイパス配管６５に専用のポンプを介装しなくても、バイパス配管６５にメッキ液を流すことができる。
吸光度計６６Ａ，６６Ｂは、透明な材質でできたセル６７Ａ，６７Ｂ、ならびにセル６７Ａ，６７Ｂを挟んで対向配置された発光部６８Ａ，６８Ｂおよび受光部６９Ａ，６９Ｂをそれぞれ含んでいる。発光部６８Ａ，６８Ｂは、それぞれ銅および鉄の吸収スペクトルに対応した特定の波長（たとえば、銅の場合７８０ｎｍ）の光を発することができ、受光部６９Ａ，６９Ｂは発光部６８Ａ，６８Ｂから発せられセル６７Ａ，６７Ｂ内のメッキ液を透過した光の強度を測定できる。この光の強度からメッキ液の吸光度が求められる。吸光度計６６Ａ，６６Ｂからは吸光度を示す信号が出力され、これらの信号はシステムコントローラ１５５に入力される。
【０１４０】
メッキ液収容槽５５の側面には、温度センサ７０および電磁導電率計７１が取り付けられている。温度センサ７０および電磁導電率計７１は、メッキ液収容槽５５内にメッキ液が収容されたときのメッキ液の液面高さより低い位置に取り付けられている。温度センサ７０および電磁導電率計７１の検出部は、メッキ液収容槽５５内に突出しており、それぞれ、メッキ液の液温および導電率を測定できるようになっている。温度センサ７０および電磁導電率計７１の出力信号は、システムコントローラ１５５に入力される。
【０１４１】
メッキ液に関して、特定の波長の光に対する吸光度がわかれば銅濃度および鉄濃度がわかる。以下、メッキ液の吸光度から銅濃度を求める方法を説明する。
メッキ液の銅濃度を求めるために、予め、銅濃度と吸光度との関係を調べておく。先ず、銅濃度の異なる複数のサンプルメッキ液をそれぞれ調整して用意する。サンプルメッキ液を調整する際、銅は硫酸銅として添加する。各サンプルメッキ液の銅以外の成分およびその濃度については、実際にメッキ時に用いられる所定の組成のメッキ液と同等とする。このようなサンプルメッキ液の吸光度を吸光度計６６Ａにより測定する。これにより、図８に示すようにサンプルメッキ液の銅濃度と測定された吸光度との関係（銅検量線）が得られる。
【０１４２】
銅濃度が未知のメッキ液の銅濃度を求めるときは、吸光度計６６Ａにより吸光度を測定する。測定された吸光度および銅検量線から銅濃度が求まる。
同様の方法により、サンプルメッキ液の鉄濃度と測定された吸光度との関係（鉄検量線）、および吸光度計６６Ｂにより測定された吸光度から鉄濃度を求めることができる。
システムコントローラ１５５は、銅検量線および鉄検量線のデータが記憶された記憶装置を備えている。システムコントローラ１５５は、吸光度計６６Ａの出力信号と銅検量線のデータから銅濃度を求めることができ、吸光度計６６Ｂの出力信号と鉄検量線のデータから鉄濃度を求めることができる。
【０１４３】
メッキ液収容槽５５の上部には、超音波式レベル計７２が取り付けられている。超音波式レベル計７２は、メッキ液収容槽５５内のメッキ液の液面高さを検知することができる。超音波式レベル計７２の出力信号は、システムコントローラ１５５に入力される。超音波式レベル計７２の代わりに、静電容量式のレベル計が取り付けられていてもよい。
メッキ液収容槽５５、送液配管５７、送液分岐配管５８ａ〜５８ｄ、リターン分岐配管６３ａ〜６３ｄ、リターン配管６４などは、ウエハ処理部１のエンクロージャ３０や隔壁でほぼ気密に囲まれた配管室７３内に配置されている。配管室７３には排気口３２が形成されており、排気口３２には排気配管３４が接続されている。排気配管３４の他端は、工場の排気設備配管（図示せず。）に接続されている。この排気設備配管を介して排気することにより、配管室７３内は負圧となり、メッキ処理部１２内でメッキ液などに曝された可能性のある空気を、クリーンルーム外に強制排気することができる。
【０１４４】
図９は、メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄの共通の構造を示す図解的な断面図であり、メッキ処理時の状態を示している。ウエハ保持回転機構７４ａ〜７４ｄは、ほぼ水平方向に沿って延びる柱状の反転ベース１８１に支持されている。反転ベース１８１の一端には反転駆動部４３が結合されている。
反転駆動部４３は、鉛直方向に延びた柱状の上下ベース１８２、上下ベース１８２に取り付けられ上下ベース１８２にほぼ垂直で反転ベース１８１にほぼ平行な回転軸を有するロータリアクチュエータ１８３、ロータリアクチュエータ１８３の回転軸に取り付けられた歯付きプーリ１８４、ロータリアクチュエータ１８３の軸に平行で上下ベース１８２に回転自在に支持された軸に取り付けられた歯付きプーリ１８５、ならびにロータリアクチュエータ１８３の回転力を伝達するために歯付きプーリ１８４と歯付きプーリ１８５との間に張設されたタイミングベルト１８６を備えている。
【０１４５】
ロータリアクチュエータ１８３は、たとえば、エア駆動によるものとすることができる。反転ベース１８１は、歯付きプーリ１８５の軸の近傍に、歯付きプーリ１８５にほぼ垂直に取り付けられている。ロータリアクチュエータ１８３の回転駆動力により、反転ベース１８１および反転ベース１８１に支持されたウエハ保持回転機構７４ａ〜７４ｄを、図９に矢印ａで示すようにほぼ水平な軸まわりに回動（反転）させることができる。これにより、ウエハ保持回転機構７４ａ〜７４ｄに保持されたウエハＷを、上方に向けたり下方のメッキカップ５６ａ〜５６ｄ側に向けることができる。
【０１４６】
上下ベース１８２には昇降機構４４が結合されている。昇降機構４４は、ほぼ鉛直方向に沿って延びた柱状のガイド４４ａと、ガイド４４ａからガイド４４ａの長さ方向に対してほぼ垂直に延びた支持部材４４ｂと、支持部材４４ｂに取り付けられほぼ鉛直方向に沿う回転軸を有する第１モータ４４ｃと、第１モータ４４ｃの回転軸と同軸に取り付けられたボールねじ４４ｄとを備えている。第１モータ４４ｃはボールねじ４４ｄの下方に配置されている。第１モータ４４ｃは、たとえば、サーボモータとすることができる。
【０１４７】
上下ベース１８２の下端近傍には、ボールねじ４４ｄに螺合する内ねじが形成された支持部材１８２ａが設けられている。ガイド４４ａは、上下ベース１８２がボールねじ４４ｄの軸まわりに回転しないように規制して上下ベース１８２を上下方向に案内する。
このような構成により、第１モータ４４ｃを回転させて上下ベース１８２を上下方向に移動させることができる。したがって、上下ベース１８２に結合された反転ベース１８１および反転ベース１８１に支持されたウエハ保持回転機構７４ａ〜７４ｄを、鉛直方向（図９に矢印ｂで示す。）に昇降させることが可能となっている。
【０１４８】
ウエハ保持回転機構７４ａ〜７４ｄは、回転管７７および回転管７７の一方端に垂直に取り付けられた円板状のスピンベース７８を備えている。
図１０は、回転管７７の近傍を拡大して示す図解的な断面図である。図９および図１０を参照して、回転管７７は、ベアリング１８１ｂを介してその軸のまわりに回転自在に反転ベース１８１に支持されている。
【０１４９】
スピンベース７８の回転管７７側とは反対側の面において、中心部と周縁部との間には、複数のウエハ受け渡しピン８４が立設されている。スピンベース７８の回転管７７側とは反対側の面の周縁部には、複数（たとえば４本）の支柱７９が立設されており、支柱７９の先端には、環状のカソードリング８０が取り付けられている。支柱７９の長さは、ウエハ受け渡しピン８４の長さより長い。
【０１５０】
カソードリング８０は、カソードリング８０の中心側に突出した当接部８０ａを有している。当接部８０ａの内径は、ウエハＷの径よりわずかに小さい。また、カソードリング８０は、支柱７９が取り付けられている側とは反対側に突出した突出部８０ｐを有している。
回転管７７と同軸状に、サセプタ８１が配備されている。サセプタ８１は、回転管７７内に挿通された支軸８１ｂ、および支軸８１ｂの一端（カソードリング８０側）に垂直に取り付けられた円板状のウエハ裏面押圧板８１ａを含んでいる。支軸８１ｂは、ボールスプライン１９０により、支軸８１ｂの回転管７７の軸方向移動を許容した状態で、回転管７７と軸が一致するように支持されている。
【０１５１】
ウエハ裏面押圧板８１ａは複数の支柱７９に取り囲まれるように配置されている。ウエハ裏面押圧板８１ａの径は、ウエハＷの径よりわずかに小さい。支軸８１ｂのウエハ裏面押圧板８１ａ側とは反対側の端部は、回転管７７から突出している。
サセプタ８１には、サセプタ移動機構４６が結合されている。サセプタ移動機構４６は、反転ベース１８１に取り付けられ、支軸８１ｂとほぼ平行に延びるピストンを有するエアシリンダ４６ａと、エアシリンダ４６ａのピストンと支軸８１ｂとを結合する伝達部材４６ｂとを含んでいる。伝達部材４６ｂは、支軸８１ｂのウエハ裏面押圧板８１ａ側とは反対側の端部近傍で、回転管７７から突出した部分に固定されている。エアシリンダ４６ａを駆動させることにより、サセプタ８１を回転管７７の中心軸に沿って移動させることができる。
【０１５２】
ウエハ裏面押圧板８１ａには、ウエハ受け渡しピン８４に対応する位置に穴が形成されており、回転管７７に対するサセプタ８１の移動に伴って、ウエハ受け渡しピン８４がウエハ裏面押圧板８１ａの穴を貫通できるようになっている。以上のような構成により、カソードリング８０の当接部８０ａとウエハ裏面押圧板８１ａとによりウエハＷを挟持できる。
【０１５３】
回転管７７には、回転管７７をその軸のまわりに回転させるための回転駆動機構４５が結合されている。回転駆動機構４５は、反転ベース１８１に取り付けられ回転管７７の軸にほぼ平行な回転軸を有する第２モータ４５ａ、第２モータ４５ａの回転軸に取り付けられた歯付きプーリ４５ｂ、回転管７７の外周に設けられた歯付きプーリ４５ｃ、および第２モータ４５ａの回転力を伝達するために歯付きプーリ４５ｂと歯付きプーリ４５ｃとの間に張設されたタイミングベルト４５ｄを備えている。歯付きプーリ４５ｂ，４５ｃおよびタイミングベルト４５ｄは、反転ベース１８１に設けられたカバー１８１ｃ（図９では図示を省略）内に収容されている。
【０１５４】
第２モータ４５ａの回転駆動力により、回転管７７をその軸のまわり（図９に矢印ｃで示す。）に回転させることができる。第２モータ４５ａは、たとえば、サーボモータとすることができる。回転管７７の回転は、ボールスプライン１９０を介して支軸８１ｂに伝達されるようになっていて、回転管７７およびサセプタ８１は一体的に回転するようになっている。したがって、カソードリング８０の当接部８０ａとウエハ裏面押圧板８１ａとにより挟持されたウエハＷを回転させることができる。
【０１５５】
メッキ処理時には、このようにして挟持されたウエハＷが下方に向けられた状態で、昇降機構４４によりウエハ保持回転機構７４ａ〜７４ｄが下降されて、ウエハＷの下面がメッキ槽６１ａ〜６１ｄに満たされたメッキ液に接触される。
支軸８１ｂのウエハ裏面押圧板８１ａが設けられていない側の端部には、ロータリジョイント１９１が取り付けられている。ロータリジョイント１９１には、供給配管２０３およびリーク配管２０４の一端が接続されている。供給配管２０３の他端は、カソード洗浄液配管２０１と窒素ガス配管２０２とに分岐している。
【０１５６】
カソード洗浄液配管２０１にはカソード洗浄液供給源が接続されており、窒素ガス配管２０２には窒素ガス供給源が接続されている。カソード洗浄液配管２０１にはバルブ２０１Ｖが介装されており、バルブ２０１Ｖを開くことにより、ロータリジョイント１９１にカソード洗浄液を導入できるようになっている。カソード洗浄液は、たとえば、純水であってもよい。この場合、カソード洗浄液（純水）は、エンクロージャ３０に形成された純水供給配管挿通口３２ｈに挿通された純水配管３２（図３参照）を介して、カソード洗浄液配管２０１に導入できる。
【０１５７】
窒素ガス配管２０２にはバルブ２０２Ｖが介装されており、バルブ２０２Ｖを開くことにより、ロータリジョイント１９１に窒素ガスを導入できるようになっている。
支軸８１ｂ内には、支軸８１ｂの中心軸に沿って延びる１本の流体流路８１ｃが形成されている。ウエハ裏面押圧板８１ａ内には、流体流路８１ｃと連通され、ウエハ裏面押圧板８１ａの中心部から周縁部に向かって延びる複数本の流体流路８１ｄが形成されている。流体流路８１ｄは、ウエハ裏面押圧板８１ａの周縁部で開口している。
【０１５８】
ロータリジョイント１９１により、サセプタ８１が回転しているときでも、非回転系にあるカソード洗浄液供給源や窒素ガス供給源から、カソード洗浄液や窒素ガスなどの処理流体を流体流路８１ｃ，８１ｄに導入できる。
供給配管２０３から導入されたカソード洗浄液の一部は、リーク配管２０４を介して排出されるように構成されている。ロータリージョイント１９１内の摺動部で生じるパーティクルは、カソード洗浄液とともにリーク配管２０４へ流し出され、流体流路８１ｃ，８１ｄへ流れないようになっている。
【０１５９】
図１１は、ロータリジョイント１９１の図解的な断面図である。ロータリジョイント１９１は、供給配管２０３およびリーク配管２０４に接続されるステータ２４３と、サセプタ８１の支軸８１ｂに接続されるロータ２４４とを備えている。
ステータ２４３は、ボディ２４７、ボディ２４７から突出した内筒部２４５、およびボディ２４７から突出し内筒部２４５の周囲に内筒部２４５と同軸に配された外筒部２４６を含んでいる。ボディ２４７、内筒部２４５、および外筒部２４６は、一体に形成されている。ボディ２４７において、内筒部２４５および外筒部２４６が延びる方向と直交する方向に、供給配管２０３を接続するための継ぎ手２４８、およびリーク配管２０４を接続するための継ぎ手２４９が設けられている。継ぎ手２４８および継ぎ手２４９からは、ボディ２４７の内方に、それぞれ処理流体供給孔２５６およびリークポート２５７が延びている。
【０１６０】
ロータ２４４は、支軸８１ｂを接続するための継ぎ手２５１、および継ぎ手２５１に接続された支軸８１ｂと同軸に延びる円筒部２５０を備えている。ロータ２４４の中心軸に沿って、貫通孔２６２が形成されている。継ぎ手２５１は、外ねじが形成された接続用配管２５８およびフランジ２６０を含んでいる。支軸８１ｂの端部内面には内ねじが形成されていて、接続用配管２５８の外ねじに締め込むことができるようになっている。締め込まれた支軸８１ｂの端部は、フランジ２６０によって位置が規制される。支軸８１ｂとフランジ２６０との間には、フッ素樹脂製のパッキン２６１が介装される。
【０１６１】
円筒部２５０は、ボディ２４７の内筒部２４５と外筒部２４６との間の環状空間に、内筒部２４５および外筒部２４６と同軸に嵌入されている。処理流体供給孔２５６、内筒部２４５の内部空間２４５ａ、およびロータ２４４の貫通孔２６２は連通しており、供給配管２０３から供給された処理流体（カソード洗浄液または窒素ガス）を支軸８１ｂに形成された流体流路８１ｃへと導く主流路２７０を形成している。
【０１６２】
内筒部２４５と円筒部２５０との間には第１間隙２５２が形成されており、外筒部２４６と円筒部２５０との間には第２間隙２５３が形成されている。第１間隙２５２の幅（内筒部２４５と円筒部２５０との間隔）は、たとえば０．１ｍｍ程度であるが、円筒部２５０の先端近傍でこれより広くなっている。第２間隙２５３の幅（外筒部２４６と円筒部２５０との間隔）は、数ｍｍである。
【０１６３】
主流路２７０と第１間隙２５２とは、内筒部２４５先端近傍の第１連通部２５４で連通しており、第１間隙２５２と第２間隙２５３とは、円筒部２５０先端近傍の第２連通部２５５で連通している。また、第２連通部２５５の一部にはリークポート２５７が連通している。第１間隙２５２、第２間隙２５３の一部、およびリークポート２５７は、リーク流路２７１を形成しており、主流路２７０とリーク配管２０４とは、リーク流路２７１を介して連通している。
【０１６４】
第２間隙２５３には、第２連通部２５５に近い側から順に、第１スペーサ２６３、密閉リング２６４、第２スペーサ２６５、Ｃリング２６６、２つのベアリング２６７、第３スペーサ２６８が配置されている。Ｃリング２６６以外は、いずれも閉じたリング状の形状を有しており、円筒部２５０を取り巻いている。密閉リング２６４は、第１スペーサ２６３および第２スペーサ２６５に挟持されて、外筒部２４６に対して軸方向の位置が固定されている。
【０１６５】
第１スペーサ２６３および第２スペーサ２６５は、外筒部２４６に接触しているが、円筒部２５０には接触していない。ベアリング２６７は、円筒部２５０に対して軸方向の位置が固定されており、円筒部２５０と外筒部２４６との間を回転自在に支持している。Ｃリング２６６は、円筒部２５０の所定位置に設けられた浅い溝に嵌合している。
密閉リング２６４は、第２連通部２５５に向かって開いた断面コ字形のフッ素樹脂製の圧接部材（リップ部）２６４ａ、圧接部材２６４ａ内に配されたコイルばね（つる巻きばね）２６４ｂ、および圧接部材２６４ａの開放方向の一部を覆う押さえ部材２６４ｃを含んでいる。圧接部材２６４ａは、コイルばね２６４ｂの弾力により、コイルばね２６４ｂを中心として外方に向かって付勢されており、外筒部２４６および円筒部２５０に接触している。コイルばね２６４ｂは、使用するカソード洗浄液に対する耐性を有する材料で構成されている。押さえ部材２６４ｃは、コイルばね２６４ｂを圧接部材２６４ａから外れないように押さえている。
【０１６６】
外筒部２４６の先端近傍の外面には、外ねじが形成されている。外筒部２４６の外側には、この外ねじに対応する内ねじを有する固定用リング２６９が締められている。固定用リング２６９は、ロータ２４４側の端部に、内方に向かって突き出したつば２６９ａを備えている。つば２６９ａは、第３スペーサ２６８とフランジ２６０との間に延びている。
ステータ２４３とロータ２４４とを嵌め合わせてロータリジョイント１９１を組み立てる際、固定用リング２６９を外筒部２４６に締め込むことにより、つば２６９ａで第３スペーサ２６８を第２間隙２５３の奥側（第２連通部２５５側）に押し込むことができる。これにより、Ｃリング２６６、ベアリング２６７、および第３スペーサ２６８を軸方向の所定の位置まで導くことができる。
【０１６７】
リーク配管２０４のロータリジョイント１９１側とは反対側の端部は、通常大気圧にされており、主流路２７０に流れる処理流体には通常圧力がかけられているので、主流路２７０を流れる処理流体の一部は、より圧力の低いリーク流路２７１へと流れる。リーク流路２７１を流れる処理流体（特にカソード洗浄液）の一部は、第２連通部２５５から第２間隙２５３に至るが、密閉リング２６４に移動を阻まれて、ベアリング２６７の方に漏れることはない。
【０１６８】
支軸８１ｂが回転すると、ロータ２４４も回転する。ロータ２４４は、ステータ２４３とは、密閉リング２６４およびベアリング２６７を介して支持されているので、ステータ２４３に対して自由に回転できる。ロータ２４４の回転により、圧接部材２６４ａは、外筒部２４６および円筒部２５０の一方又は双方と擦れる。フッ素樹脂で形成された圧接部材２６４ａは良好な耐摩耗性を有するが、わずかにパーティクルが発生（発塵）する。
【０１６９】
リーク流路２７１では、処理流体は第１間隙２５２からリークポート２５７へ向かって流れるので、密閉リング２６４の部分で発生したパーティクルは、処理流体（特にカソード洗浄液）とともに、リーク流路２７１を経てリーク配管２０４へと排出される。したがって、主流路２７０を流れる処理流体にパーティクルが混入することはない。
リーク配管２０４のロータリジョイント１９１側とは反対側の端部には、エゼクタが取り付けられていてもよい。この場合、主流路２７０からリーク流路２７１へ流入する処理流体の流量が少ないときは、エゼクタによりリークポート２５７側を負圧にして、強制的に流量を大きくしてもよい。これにより、主流路２７０側が大気圧に近い場合でも、リーク流路２７１を流れる処理流体の流量を大きくすることができる。
【０１７０】
このように、リークポート２５７側の圧力を調整することにより、リーク流路２７１を流れる処理流体の流量を調整し、密閉リング２６４で発生したパーティクルを主流路２７０側へ移動し難くすることができる。また、第１間隙２５２の幅が５０μｍと狭く設定されていることによっても、パーティクルは主流路２７０の方へ移動し難くなっている。
第１間隙２５２の幅が狭いことによって、この部分に存在する処理流体には、大きな圧力損失が生じる。したがって、主流路２７０を流れる処理流体の流量を大きくするために、主流路２７０の処理流体に大きな圧力をかけた場合でも、密閉リング２６４には大きな圧力（負荷）がかからない。したがって、密閉リング２６４の耐用期間は長くなる。処理流体がカソード洗浄液の場合、第２間隙２５３に存在するカソード洗浄液は、密閉リング２６４の潤滑および冷却の役割も果たす。これによっても、密閉リング２６４の耐用期間は長くなる。
【０１７１】
リーク流路２７１を流れる処理流体は、少ない流量でパーティクルを外部へ流し出すことが可能である。第１間隙２５２の幅を狭くすることで、第１間隙２５２に流れる処理流体の流量を少なくし、カソード洗浄液等の処理流体の消費量を低減することができる。
内筒部２４５と外筒部２４６とは、ボディ２４７に一体に形成されているので、内筒部２４５と外筒部２４６との間隔は、正確に所定の値に保たれる。円筒部２５０は、外筒部２４６に対して、密閉リング２６４および２つのベアリング２６７によって３カ所で支持されているので、円筒部２５０と外筒部２４６との間隔、すなわち第２間隙２５３の幅も、正確に所定の値に保たれる。したがって、円筒部２５０と内筒部２４５との間隔、すなわち第１間隙２５２の幅も正確に所定の値に保たれ、円筒部２５０と内筒部２４５とが接触することはない。
【０１７２】
リーク流路２７１やリークポート２５７は複数形成されていてもよい。
図１２は、メッキ処理時のウエハＷ近傍の図解的な断面図である。図１３は、カソードリング８０の図解的な平面図（スピンベース７８側から見た図）である。図１３（ａ）は、カソードリング８０の全体を示す図解的な平面図であり、図１３（ｂ）は、その図解的な断面図であり、図１３（ｃ）は、そのカソードリング８０の内周側の一部を拡大して示す図解的な平面図である。
【０１７３】
図１２および図１３を参照して、カソードリング８０の構造を説明する。カソードリング８０は、スピンベース７８側に近い側から遠い側に向かって順に配置されたアッパーリング８０ｕ、導通板８０ｃ、およびベースリング８０ｂを含んでいる。アッパーリング８０ｕ、導通板８０ｃ、およびベースリング８０ｂは、いずれもリング状である。ベースリング８０ｂは、硬質部材よりなる。導通板８０ｃは、アッパーリング８０ｕとベースリング８０ｂとにより包み込まれて（カバーされて）いる。アッパーリング８０ｕとベースリング８０ｂとは、導通板８０ｃの外周側および導通板８０ｃのスピンベース７８とは反対側の面近傍の内周側で対向（近接）している。
【０１７４】
導通板８０ｃは導電性を有している。また、導通板８０ｃは、アッパーリング８０ｕやベースリング８０ｂに比して大きな強度を有しており、導通板８０ｃによりカソードリング８０全体の強度が大きくされている。
当接部８０ａはベースリング８０ｂに設けられており、硬質部材よりなる。硬質部材としては、たとえば、硬質塩化ビニル、硬質フッ素樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。当接部８０ａは、ウエハ裏面押圧板８１ａ周縁部に対向してウエハＷに接触するシール面８０ｓを有している。シール面８０ｓは研磨処理されている。ベースリング８０ｂに当接部８０ａが設けられていることにより、ベースリング８０ｂの内径は、アッパーリング８０ｕの内径よりもわずかに小さくなっている。
【０１７５】
ウエハ裏面押圧板８１ａの周縁部で当接部８０ａに対向する部分には、当接部８０ａ側にわずかに突出した環状の凸部８１ｅが設けられている。凸部８１ｅは、軟質部材、たとえば、シリコンゴム系のＯリングやフッ素樹脂等で被覆したコイルばね等で形成されている。図１２に示すメッキ処理時の状態において、ウエハＷは、凸部８１ｅと当接部８０ａとにより、ほぼ水平な姿勢で保持されるようになっている。
【０１７６】
この状態で、当接部８０ａのメッキ槽６１ａ〜６１ｄに対向する面（シール面８０ｓとは反対側の面）は、カソードリング８０の中心側から外側に向かって下向きに傾斜した傾斜面８０ｇとなっている。すなわち、当接部８０ａはカソードリング８０本体から内方に向かって先細りになるような形状で突出しており、ウエハＷに対して、当接部８０ａの突出方向とほぼ直交するカソードリング８０の中心軸方向に力を加えることができるようになっている。当接部８０ａを含むベースリング８０ｂが硬質部材からなることにより、このような構造が実現可能となっている。
【０１７７】
これにより、当接部８０ａおよびその周辺部の小型化を図ることができ、当接部８０ａの内径を大きくすることができるので、メッキ処理の有効面積、すなわち、ウエハＷのメッキ液に接触する面積を大きくすることができる。
ベースリング８０ｂには、ベースリング８０ｂを径方向に貫通する複数の孔が形成されている。これらの孔は、カソードリング８０の内周側で、アッパーリング８０ｕとベースリング８０ｂとの間隙と連通して、ほぼ同一平面に沿って延びる流体流路８０ｆを構成している。流体流路８０ｆは、カソードリング８０の中心部側に開口している。
【０１７８】
メッキ処理時のウエハ裏面押圧板８１ａおよびカソードリング８０の配置において、流体流路８０ｆは流体流路８１ｄより低い位置にある。アッパーリング８０ｕの内周側の端部には多数の切り欠き８０ｋ（図１３（ｃ）参照）が設けられていて、メッキ処理時にウエハ裏面押圧板８１ａの周縁部に開口する流体流路８１ｄから流れ出したカソード洗浄液を、流体流路８０ｆに導くことができるようになっている。
【０１７９】
流体流路８０ｆ（アッパーリング８０ｕとベースリング８０ｂとの間隙）内には、カソード電極８３が配置されている。したがって、メッキ処理時にカソード電極８３をカソード洗浄液で洗浄できる。カソード電極８３は、シール面８０ｓとほぼ同じ面内で、カソードリング８０の中心に対して当接部８０ａより外方側に配置されている。
図１４は、カソード電極８３の形状を示す図解的な平面図（図１４（ａ）（ｂ）および断面図（図１４（ｃ））である。図１４（ａ）はカソード電極８３全体を示す図であり、図１４（ｂ）はその一部を拡大して示す図である。
【０１８０】
カソード電極８３は、厚さ０．１ｍｍ程度のステンレス系のばね鋼からなり、表面に白金メッキが施されている。これにより、カソード電極８３の表面に酸化被膜が形成されることを防止できるとともに、カソード電極８３に逆電界が印加された場合でも、カソード電極８３が溶解しないようにされている。白金メッキによる膜は、薄すぎると摩耗により寿命が短くなる。一方、カソード電極８３はウエハＷに接触する際ばね動作するが、白金メッキによる膜が厚すぎると、ばね動作時にこの膜がひび割れする。これらを考慮して、白金メッキによる膜の厚さは、０．０１μｍ〜２μｍ程度にされている。
【０１８１】
カソード電極８３は、アッパーリング８０ｕの内径よりわずかに大きな内径を有するリング状部８３ｒと、リング状部８３ｒにその周方向に沿ってほぼ一定の間隔をあけて設けられ、リング状部８３ｒの中心側に向かって延びた多数の櫛歯状の接触部８３ｃとを有している。接触部８３ｃは、カソードリング８０においてウエハ裏面押圧板８１ａ側に引き起こされるように（図１２参照）、５度ないし６０度の角度θで屈曲されている。
【０１８２】
カソード電極８３がカソードリング８０に取り付けられた状態で、接触部８３ｃの先端は、アッパーリング８０ｕとベースリング８０ｂとの間から、アッパーリング８０ｕの内周側に突出している（図１２および図１３（ｃ）参照）。接触部８３ｃの屈曲角度は、アッパーリング８０ｕにより規制されている（図１２参照）。
図１２を参照して、メッキ処理の際、当接部８０ａは、ウエハＷの一方表面において、周縁部からわずかに内方の領域に接触するようにされる。ウエハＷが当接部８０ａとウエハ裏面押圧板８１ａとにより挟持された状態で、カソード電極８３は、ウエハＷの当接部８０ａが接触している側の面において、周縁部近傍に弾性的に接触されるようになっている。すなわち、接触部８３ｃは、一定レベルの接点圧力を有してウエハＷに接触することができる。
【０１８３】
ベースリング８０ｂとアッパーリング８０ｕとの対向部で、導通板８０ｃのスピンベース７８側とは反対側の面に隣接する位置には、導電性を有しカソードリング８０と同軸のリング状に形成された電極押さえ８０ｄが配置されている。電極押さえ８０ｄには周方向に溝が形成されており、この溝の内部には電極押さえ８０ｄと同軸のリング状に形成されたコイルばね８０ｅが収容されている。
【０１８４】
カソード電極８３は、電極押さえ８０ｄに固定されて電気接続されており、電極押さえ８０ｄと導通板８０ｃとは、コイルばね８０ｅにより弾性的に接触し電気接続されている。これにより、ウエハ裏面押圧板８１ａに押されてベースリング８０ｂがたわんだりして、ベースリング８０ｂとアッパーリング８０ｕとの間に多少の変位が生じた場合でも、電極押さえ８０ｄと導通板８０ｃとの電気的接続が維持されるようになっている。これにより、基板に良好にメッキを施すことができる。
【０１８５】
支柱７９は導電性を有しており、アッパーリング８０ｕを貫通して導通板８０ｃに電気接続されている。支柱７９は、カソードリング８０の周方向に等間隔に設けられているのではなく、カソードリング８０の中心に対してほぼ１８０度離れた位置に２本ずつ設けられている（図１３（ａ）参照）。これにより、隣接する支柱７９の間隔が広い部分を通して、ウエハ裏面押圧板８１ａとカソードリング８０との間にウエハＷを容易に挿入できるようになっている。
【０１８６】
支柱７９とアッパーリング８０ｕとの間（支柱７９の周囲）、導通板８０ｃの外周部でアッパーリング８０ｕとベースリング８０ｂとの間、アッパーリング８０ｕと電極押さえ８０ｄとの間（電極押さえ８０ｄの内周側）、およびベースリング８０ｂと電極押さえ８０ｄとの間（電極押さえ８０ｄの外周側）には、Ｏリング８０ｒが介装されている。これにより、カソードリング８０（ベースリング８０ｂおよびアッパーリング８０ｕ）内部にメッキ液が染み込まないようになっている。カソードリング８０内部を清浄に保つことができる。
【０１８７】
支柱７９の導通板８０ｃ側とは反対側の端部には、導電性を有する連結部材７９ｊが取り付けられている。１つの連結部材７９ｊに対して、近接した２つの支柱７９が結合されている（図１３（ａ）参照）。連結部材７９ｊには、位置決め穴７９ｈが形成されている。
スピンベース７８および回転管７７の内部には、導線１９８が配設されている。導線１９８は、たとえば、被覆導線とすることができ、スピンベース７８や回転管７７から電気的に絶縁されている。スピンベース７８のカソードリング８０側の面の周縁部には、絶縁板７８ｉを介して導電性を有する連結部材７８ｊが取り付けられている。連結部材７８ｊには、連結部材７９ｊの位置決め穴７９ｈに対応する部分に、位置決めピン７８ｐが設けられている。導線１９８は、絶縁板７８ｉを貫通する導通スタッド７８ｓを介して、連結部材７８ｊに電気接続されており、連結部材７８ｊと連結部材７８ｊとは連結されている。
【０１８８】
以上のような構成により、カソード電極８３と導線１９８とは電気接続されている。また、絶縁板７８ｉにより、スピンベース７８や回転管７７が金属からなる場合であっても、メッキ電源８２とカソード電極８３との間の導通経路を流れる電流が、スピンベース７８や回転管７７に流れることはない。
連結部材７８ｊと連結部材７９ｊとは、位置決め穴７９ｈに位置決めピン７８ｐが挿入された状態で連結されている。これにより、カソードリング８０はスピンベース７８に対する所定の位置に固定されている。この状態で、カソードリング８０の中心軸とスピンベース中心軸（回転軸）とはほぼ一致しており、カソードリングをスピンベースとともに良好に回転させることができる。また、スピンベース７８に対するカソードリング８０の位置は、カソードリング８０およびスピンベース７８が高速回転されてもずれすることはない。
【０１８９】
連結部材７８ｊ，７９ｊの連結を解除することにより、カソードリング８０をスピンベース７８から取り外して洗浄できる。この際、Ｏリング８０ｒにより、洗浄液がカソードリング８０の内部に入り込まないようになっているので、カソードリング８０を分解せずそのまま洗浄液に浸漬して洗うことができる。カソードリング８０をスピンベース７８から取り外した場合、支柱７９はカソードリング８０の取っ手として機能する。
【０１９０】
カソードリング８０をスピンベース７８に取り付ける際は、位置決め穴７９ｈに位置決めピン７８ｐが挿入されるように、連結部材７８ｊ，７８ｊを連結することにより、カソードリング８０をスピンベース７８に対する所定の位置に容易に固定できる。
図９および図１０を参照して、メッキ電源８２と導線１９８との間には、電気接続機構１９２が介装されており、カソードリング８０とともに回転する導線１９８と、非回転系にあるメッキ電源８２との間で通電できるようになっている。
【０１９１】
電気接続機構１９２は、回転管７７の外周において、回転管７７のスピンベース７８側とは反対側の端部近傍に取り付けられた導電性を有するプーリ１９３と、回転管７７と平行に反転ベース１８１に回転自在に取り付けられた導電性を有する回転軸１９４と、回転軸１９４に嵌められた導電性を有するプーリ１９５と、プーリ１９３とプーリ１９５との間に張設された導電性を有するベルト１９６と、回転軸１９４の先端に取り付けられた回転接続用コネクタ１９７とを含んでいる。
【０１９２】
回転軸１９４の回転接続用コネクタ１９７側とは反対側の端部は、反転ベース１８１上に取り付けられたベアリングボックス２００により、回転自在に支持されている。回転軸１９４のベアリングボックス２００側の端部近傍は、ベアリングボックス２００により周囲から絶縁されている。
プーリ１９３は、回転管７７から絶縁されている。プーリ１９３，１９５は、たとえば、ベルト１９６との接触面に金メッキが施されたものとすることができ、ベルト１９６は、たとえば、表面に金メッキが施されたスチールベルトとすることができる。これらの場合、プーリ１９３とプーリ１９５との間の電気抵抗を小さくすることができる。
【０１９３】
ベルト１９６により、プーリ１９３とプーリ１９５とは機械的に接続されており、回転駆動機構４５により回転管７７が回転されると、この回転駆動力はプーリ１９３、ベルト１９６、およびプーリ１９５を介して回転軸１９４に伝えられ、回転軸１９４が回転する。回転管７７および回転軸１９４が回転しているときでも、ベルト１９６を介してプーリ１９３，１９５間の電気的な接続は維持される。
【０１９４】
回転接続用コネクタ１９７は、非回転系と回転系とを電気接続することができ、非回転系側の端子１９７ａと回転系側の端子１９７ｂとを備えている。回転接続用コネクタ１９７は無摺動タイプ、すなわち、固体同士の摺動が生じないものであり、非回転系側の端子１９７ａと回転系側の端子１９７ｂとの間は、たとえば、水銀（Ｈｇ）により電気接続されている。このため、端子１９７ａ，１９７ｂ間でのノイズの発生は少なく導通は安定しており、回転接続用コネクタ１９７は長寿命である。
【０１９５】
導線１９８（図１２参照）はプーリ１９３に電気接続されている。プーリ１９３と回転管７７とは、電気的に絶縁されている。また、プーリ１９５と回転軸１９４とは電気接続されており、回転軸１９４と回転接続用コネクタ１９７の回転系側の端子１９７ｂとは電気接続されている。回転接続用コネクタ１９７の非回転系側の端子１９７ａは、導線１９９Ａによりメッキ電源８２に電気接続されている。
【０１９６】
以上の構成により、カソード電極８３とメッキ電源８２との間には、電極押さえ８０ｄ、コイルばね８０ｅ、導通板８０ｃ、支柱７９、連結部材７９ｊ，７８ｊ、導通スタッド７８ｓ、導線１９８、プーリ１９３、ベルト１９６、プーリ１９５、回転軸１９４、回転接続用コネクタ１９７、および導線１９９Ａを介した導通経路が形成されている。したがって、カソードリング８０とウエハ裏面押圧板８１ａとに挟持されたウエハＷの処理面に通電できる。
【０１９７】
また、回転駆動機構４５によりウエハＷが回転されているときでも、電気接続機構１９２により、カソード電極８３とメッキ電源８２との間は、電気接続が維持される。ここで、ベルト１９６が充分大きな張力でプーリ１９３，１９５に張設されていると、ベルト１９６とプーリ１９３，１９５とを無摺動で接触させることができる。また、回転接続用コネクタ１９７も無摺動タイプであるので、メッキ電源８２とカソード電極８３との間に、摺動部が存在しないようにできる。したがって、メッキ電源８２とカソード電極８３との間で、いわゆるブラシノイズ等、摺動に起因するノイズの発生の少ない良好な電気的導通を達成できる。
【０１９８】
また、ロータリジョイント１９１および回転接続用コネクタ１９７は、それぞれ、支軸８１ｂおよび回転軸１９４の端部に取り付けられているので、交換が容易である。すなわち、支軸８１ｂや回転管７７にロータリジョイント１９１および回転接続用コネクタ１９７の双方を取り付けた場合のように、ロータリジョイント１９１および回転接続用コネクタ１９７の一方を取り外し又は取り付けの際、他方が干渉することはない。
【０１９９】
さらに、ロータリジョイント１９１および回転接続用コネクタ１９７が、それぞれ、支軸８１ｂおよび回転軸１９４の端部に取り付けられていることにより、支軸８１ｂ（回転管７７）および回転軸１９４を短くすることができる。したがって、支軸８１ｂが延びる方向に関して、ウエハ保持回転機構７４ａ〜７４ｄの長さを短くすることができ、ウエハ保持回転機構７４ａ〜７４ｄの反転時の回転半径を小さくすることができる。
【０２００】
さらに、プーリ１９３の径とプーリ１９５の径とを適当な比にすることにより、回転管７７が高速回転されても、回転軸１９４が充分低い回転数で回転するようにすることができる。これにより、回転接続用コネクタ１９７にかかる負荷を軽くして、回転接続用コネクタ１９７の寿命を長くすることができる。
ベルト１９６を廃し、プーリ１９３とプーリ１９６とを直接つきあわせた構成とすることによっても、同様の効果を奏することができる。また、プーリ１９３，１９６の代わりに導電性の歯車を設け、それらの歯車が噛み合うようにしても同様の効果が得られる。
【０２０１】
カソード電極８３からメッキ電源８２に至る導通経路を構成する部材は、他の金属製の部品、金属製ビス、金属製のベアリングなどから絶縁されており、アースから確実に絶縁されている。これにより、不所望の部分に電流が流れたり、カソード電極８３とメッキ電源８２との間に流れる電流にノイズが入ったりすることを回避できる。
メッキ電源８２、反転駆動部４３（ロータリアクチュエータ１８３）、昇降機構４４（第１モータ４４ｃ）、回転駆動機構４５（第２モータ４５ａ）、およびサセプタ移動機構４６（エアシリンダ４６ａ）の動作、ならびにバルブ２０１Ｖ，２０２Ｖの開閉は、システムコントローラ１５５により制御される。
【０２０２】
次に、メッキカップ５６ａ〜５６ｄの構成を説明する。図９および図１２を参照して、メッキ槽６１ａ〜６１ｄは、ウエハＷの外径にほぼ等しい内径を有する円筒状の側壁３６１を有している。メッキ槽６１ａ〜６１ｄの上端は、ほぼ同一平面上にのる。メッキ槽６１ａ〜６１ｄの底面中央部には、メッキ液導入口５４が形成されており、このメッキ液導入口５４を介して、送液分岐配管５８ａ〜５８ｄが、メッキ槽６１ａ〜６１ｄ内にわずかに突出するように連通接続されている。送液分岐配管５８ａ〜５８ｄのメッキ槽６１ａ〜６１ｄ内の端部には、半球状で多数の穴が形成されたシャワーヘッド７５が取り付けられている。シャワーヘッド７５により、メッキ液はメッキ槽６１ａ〜６１ｄ内に様々な方向（角度）に分散されて導入される。
【０２０３】
メッキ液回収槽６２ａ〜６２ｄの底部には、メッキ液排出口５３が形成されており、リターン分岐配管６３ａ〜６３ｄは、このメッキ液排出口５３を介してメッキ液回収槽６２ａ〜６２ｄに連通接続されている。
メッキ液回収槽６２ａ〜６２ｄの周囲には、カソード電極８３を洗浄した後のカソード洗浄液を回収するカソード洗浄液回収槽２１０が配置されている。すなわち、メッキカップ６５ａ〜５６ｄは、内方から外方に向かって、メッキ槽６１ａ〜６１ｄ、メッキ液回収槽６２ａ〜６２ｄ、およびカソード洗浄液回収槽２１０が配置されてなる３重構造を有している。これにより、カソード洗浄液をメッキ液と分離して回収できるようになっている。
【０２０４】
メッキ槽６１ａ〜６１ｄ内で、メッキ槽６１ａ〜６１ｄ上端近傍には、積層されて３次元フィルタを構成する複数（３枚ないし３００枚程度）のフッ素樹脂製（たとえば、４フッ化エチレン重合体（テフロン（登録商標）））製のメッシュ部材４９が配置されている。メッシュ部材４９の目開きは、たとえば、０．５ｍｍないし５ｍｍ程度とすることができる。メッシュ部材４９により、メッキ液中の異物を除去できる。
【０２０５】
メッシュ部材４９の平面形状は、メッキ槽６１ａ〜６１ｄの内径にほぼ等しい外径を有する円形である。積層された複数のメッシュ部材４９は、平面視においてメッキ槽６１ａ〜６１ｄ内のほぼ全域に渡って存在している。メッキ槽６１ａ〜６１ｄの下方から上昇してきたメッキ液は、メッシュ部材４９により整流されてほぼ均一な上昇流となる。
メッシュ部材が積層されていることにより、メッキ液中の異物を除去する効果、およびメッキ液を整流する効果が大きくされている。
【０２０６】
メッキ槽６１ａ〜６１ｄ内で、メッキ槽６１ａ〜６１ｄの深さ方向に関して下からおよそ４分の１のところ（シャワーヘッド７５とメッシュ部材４９との間）には、メッシュ状のアノード電極７６が配置されている。アノード電極７６は、チタンからなるメッシュ部材の表面に酸化イリジウムが被覆されてなり、メッキ液に対して不溶性である。アノード電極７６がメッシュ状であることにより、メッキ液の流れはアノード電極７６によりほとんど妨げられない
アノード電極７６の平面形状は、メッキ槽６１ａ〜６１ｄの内径にほぼ等しい外径を有する円形であり、アノード電極７６は、平面視においてメッキ槽６１ａ〜６１ｄ内のほぼ全域に渡って存在している。アノード電極７６は、導線１９９Ｂにより、メッキ電源８２に接続されている。
【０２０７】
アノード電極７６からメッキ電源８２に至る導通経路を構成する部材も、他の金属製の部品などから絶縁されており、アースから確実に絶縁されている。これにより、不所望の部分に電流が流れたり、アノード電極７６とメッキ電源８２との間に流れる電流にノイズが入ったりすることを回避できる。
図１５は、メッキ槽６１ａ〜６１ｄ中の電気的等価回路を示す図解図である。図１５を参照して、メッシュ部材４９がメッキの均一性に与える影響について説明する。
【０２０８】
メッキ液のアノード電極７６とメッシュ部材４９との間の抵抗をＲL、メッシュ部材４９が配置された部分の鉛直方向の抵抗をＲP、ウエハＷの処理面に形成されたシード層の中心部と周縁部との間の抵抗をｒSとする。ここで、カソード電極８３とアノード電極７６との間に電圧Ｖが印加されたとする。
アノード電極７６の中心部からウエハＷの中心部へと鉛直方向に流れる電流の大きさをｉCとし、アノード電極７６周縁部からウエハＷの周縁部へと鉛直方向に流れる電流の大きさをｉEとすると、Ｖ＝ｉE（ＲL＋ＲP）＝ｉC（ＲL＋ＲP＋ｒS）となる。すなわち、アノード電極７６周縁部からウエハＷの周縁部へと鉛直方向に流れる電流の大きさをｉEは、アノード電極７６の中心部からウエハＷの中心部へと鉛直方向に流れる電流の大きさをｉCより小さくなる。
【０２０９】
メッシュ部材４９は絶縁体からなるので、メッシュ部材４９が配置された部分では、電流はメッシュ部材４９の空隙を満たすメッキ液中のみを流れることができる。このため、メッシュ部材４９が配置された部分の抵抗は、メッシュ部材４９が配置されていなかった場合と比べて大きくなる。たとえば、メッシュ部材４９が配置された部分における固体部分の体積比が５０％の場合、抵抗ＲPは２倍程度になる。これにより、シード層の中心部と周縁部との間の抵抗をｒSは、メッシュ部材４９が配置されている部分を含むメッキ液中の抵抗値ＲL＋ＲPと比べて小さくなる（ｒS≪ＲL＋ＲP）。
【０２１０】
したがって、アノード電極７６の中心部からウエハＷの中心部へと鉛直方向に流れる電流の大きさｉCと、アノード電極７６周縁部からウエハＷの周縁部へと鉛直方向に流れる電流の大きさｉEとの差は小さくなる（ｉE≒ｉC）。メッキによる膜の成長速度は、メッキ液とウエハＷとの界面をまたいで流れる電流の大きさに比例するので、ウエハＷの中心部と周縁部とでメッキによる膜の厚さの差は小さくなる。すなわち、メッキ液中にメッシュ部材４９を配置することにより、メッキによる膜の厚さの均一性が向上する。膜厚の均一性は、メッシュ部材４９による導電経路の抵抗値の増大とともに、反比例的に向上する。
【０２１１】
図１２を参照して、メッキ槽６１ａ〜６１ｄの上端近傍は、外周側を切り欠いて肉厚が薄くされている。メッキ槽６１ａ〜６１ｄ上端は、メッキ槽６１ａ〜６１ｄの中心側から外側に向かって下向きに傾斜した傾斜面６１ｉとなっており、傾斜面６１ｉは、カソードリング８０に備えられた当接部８０ａの傾斜面８０ｇとほぼ平行に対向できるようになっている。また、メッキ槽６１ａ〜６１ｄの上端近傍の外周側は、カソードリング８０の突出部８０ｐとの干渉を回避可能な凹湾曲面に形成されている。
【０２１２】
以上のように、メッキ槽６１ａ〜６１ｄの上端と、カソードリング８０（ベースリング８０ｂ）においてメッキ槽６１ａ〜６１ｄに対向する部分とは、相補的な形状を有している。これにより、メッキ処理時にメッキ槽６１ａ〜６１ｄとカソードリング８０との干渉を回避しつつ、ウエハＷの下面位置とメッキ槽６１ａ〜６１ｄ上端位置とがほぼ一致するまで、ウエハＷとメッキ槽６１ａ〜６１ｄとを近接可能になっている。すなわち、メッキ槽６１ａ〜６１ｄ上端とウエハＷとの距離を、ほぼ０ｍｍから一定の範囲内で任意に調整可能である。
【０２１３】
また、当接部８０ａが、カソードリング８０の内方に向かう先細り形状となっていることにより、ウエハＷの下面と傾斜面８０ｇとのなす角は鈍角となっている。これにより、メッキ液は、当接部８０ａ近傍で滞留することなくメッキ槽６１ａ〜６１ｄ外に流れ出すことができる。以上のことから、ウエハＷ下面全面に渡って、ウエハＷ中心部から外周側へと流れるメッキ液の流れを実現でき、メッキの均一性を向上させることができる。
【０２１４】
当接部８０ａが硬質部材からなるものでない場合、当接部８０ａを下方（シール面８０ｓとは反対側）から支持する部材（以下、「当接部支持部材」という。）が必要となる。この場合、当接部支持部材とメッキ槽６１ａ〜６１ｄの上端とが干渉するため、ウエハＷをメッキ槽６１ａ〜６１ｄの上端に一定の距離以上近付けることができず、上述のようなメッキ液の流れを実現することができず、均一なメッキができなかった。
【０２１５】
また、メッキ処理時に、当接部支持部材によりメッキ液が滞留する部分が生ずる。メッキ処理が終了した後、メッキ液はこのような滞留部に残存し、ウエハＷを汚染する。この実施形態では、当接部８０ａおよびベースリング８０ｂが硬質部材からなることにより、これらの問題が解消されている。
メッキ処理時には、カソードリング８０の突出部８０ｐが回収槽６２ａ〜６２ｄ上部に挿入された状態となる。
【０２１６】
ウエハＷがメッキ液に接触された状態では、メッキ液の流れを考慮して、ウエハＷとメッシュ部材４９との間隔は０．５ｍｍ〜３０ｍｍ（好ましくは、０．５ｍｍないし２０ｍｍ）になるように調整される。具体的には、ウエハＷとメッシュ部材４９との間隔を上記のように狭くすることにより、ウエハＷが回転されたときに、メッキ液がウエハＷに引きずられて動く領域が狭く規制され、メッキに対して好ましくない渦の発生を抑え、メッキによる膜の厚さを均一にできる。
【０２１７】
図１６は、メッキカップ５６ａ〜５６ｄの図解的な平面図である。図９および図１６を参照して、カソード洗浄液回収槽２１０は、平面視において概略正方形の形状を有している。カソード洗浄液回収槽２１０内で、１対の対角近傍には、カソード洗浄液回収槽２１０内に純水を供給する純水供給ノズル２０５、およびカソード洗浄液回収槽２１０内の液体を滞留させる液貯め容器２１１が設けられている。カソードリング８０に形成された流体流路８０ｆ（図１２参照）を経て、カソード洗浄液回収槽２１０に回収されたカソード洗浄液は、純水供給ノズル２０５から供給された純水に流されて、液貯め容器２１１内に流入するようになっている。
【０２１８】
純水供給ノズル２０５を廃し、カソード洗浄液のみがカソード洗浄液回収槽２１０を流れて、液貯め容器２１１内に流れ込むようにされてもよい。
カソード洗浄液回収槽２１０内で、１対の対角（近傍に、純水供給ノズル２０５および液貯め容器２１１が配置されていない対角）近傍には、排気管２１５が連通接続されている。
【０２１９】
図１７は、純水供給ノズル２０５近傍を示す図解的な断面図である。純水供給ノズル２０５は、カソード洗浄液回収槽２１０の底２１０ａから立設されており、純水供給ノズル２０５において底２１０ａから一定の高さ位置に、側方に向かって開いた２つの開口２０５ａ，２０５ｂが形成されている。開口２０５ａ，２０５ｂは、互いにほぼ反対方向に向かって開いている。
【０２２０】
底２１０ａには、純水供給ノズル２０５に連通接続された純水配管２０６が取り付けられており、純水供給ノズル２０５に純水を供給できるようになっている。純水は、純水供給ノズル２０５の開口２０５ａ，２０５ｂから、２つの排気管２１５側に向かってそれぞれ吐出されるようになっている（図１６参照）。
図１８は、液貯め容器２１１近傍の図解的な断面図である。液貯め容器２１１は、底２１０ａの下部に取り付けられている。底２１０ａには、排液口２１０ｂが形成されており、底２１０ａ上面において排液口２１０ｂの周囲には、高さの低い環状突起２０７が設けられている。カソード洗浄液回収槽２１０内の液体は、液面が環状突起２０７より高くなると、排液口２１０ｂから液貯め容器２１１内に流入するようになっている。
【０２２１】
液貯め容器２１１の内部には、導電率計２１２が挿入されており、これにより、液貯め容器２１１内に貯められた液体の導電率を測定できるようになっている。導電率計２１２の出力信号は、システムコントローラ１５５に入力される（図９参照）。
液貯め容器２１１の側壁上端近傍からは、オーバーフロー配管２１３が延びており、液貯め容器２１１の底からは、ドレイン配管２１４が延びている。メッキ処理時には、ドレイン配管２１４の流路は閉じられ、カソード洗浄液回収槽２１０に流れ込んだ液体（カソード洗浄液等）は、液貯め容器２１１を満たし、オーバーフロー配管２１３から排出される。メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄを使用しないときなどは、ドレイン配管２１４の流路を開いて、液貯め容器２１１内の液体を抜き出せる（ドレインできる）。
【０２２２】
また、底２１０ａの下部には、外容器２０８が取り付けられている。液貯め容器２１１や、オーバーフロー配管２１３およびドレイン配管２１４の液貯め容器２１１との接続部近傍は、外容器２０８内に収容されている。
図１９は、排気管２１５とカソード洗浄液回収槽２１０との接続部近傍を示す図解的な断面図である。排気管２１５は、底２１０ａを貫通してカソード洗浄液回収槽２１０内に導かれている。排気管２１５の先端には、フード２０９が取り付けられている。フード２０９の一部（上部側方）には開口が形成されているが、排気管２１５の開口の上方はフード２０９で覆われている。これにより、カソード洗浄液等の液体が排気管２１５に入り難くされている。
【０２２３】
排気管２１５を介して、メッキカップ５６ａ〜５６ｄ内の気体を排出できるようになっている。これにより、メッキカップ５６ａ〜５６ｄ内でメッキ液に曝された可能性のある空気は、カソード洗浄液回収槽２１０および排気管２１５を介して外部に排出できる。
次に、メッキ処理部１２によりメッキ処理を行う手順について説明する。図９を参照して、先ず、システムコントローラ１５５により反転駆動部４３が制御されて、ウエハ保持回転機構７４ａ〜７４ｄのいずれか（以下、ウエハ保持回転機構７４ａとする。）のウエハ裏面押圧板８１ａが上方を向くようにされる。また、システムコントローラ１５５によりサセプタ移動機構４６が制御されて、ウエハ裏面押圧板８１ａが回転管７７側に移動され、ウエハ受け渡しピン８４がウエハ裏面押圧板８１ａを貫通して、このウエハ裏面押圧板８１ａから突出した状態にされる。この状態が図２０に示されている。
【０２２４】
スピンベース７８は、その周方向に関して支柱７９の間隔が広い部分（図１３参照）が、第２搬送路１５に対向するように回転角度位置が調整され、第２モータ４５ａの保持トルクにより、その回転角度位置が維持される。
一方、搬送ロボットＴＲの進退アーム４１または進退アーム４２（図５参照）により、カセットＣから未処理のウエハＷが取り出される。このウエハＷは、搬送ロボットＴＲにより、支柱７９の間を通して搬入されて（図１３参照）、ウエハＷの中心が回転管７７の中心軸上にのるように、ウエハＷがウエハ受け渡しピン８４の上に載置される。この状態で、ウエハＷの処理面は上方に向けられている。
【０２２５】
そして、システムコントローラ１５５によりサセプタ移動機構４６が制御されて、ウエハ裏面押圧板８１ａが回転管７７から離れるように移動（上昇）される。これにより、ウエハ裏面押圧板８１ａの凸部８１ｅはウエハＷの下面（裏面）周縁部を押圧し、ウエハＷ上面周縁部はカソードリング８０の当接部８０ａに押しつけられる。すなわち、ウエハ裏面押圧板８１ａと当接部８０ａとの間にウエハＷが挟持される。
【０２２６】
この際、軟質部材からなる凸部８１ｅが弾性変形するとともに、当接部８０ａがウエハＷ周縁部に全周に渡って密着する。すなわち、ウエハＷ上面周縁部は当接部８０ａのシール面８０ｓでシールされる。これにより、ウエハＷおよびカソードリング８０に対してメッキ液が接触する領域が制限されるようになる。同時に、カソード電極８３がウエハＷ周縁部近傍の上面（処理面）に付勢されて接触する。
【０２２７】
また、システムコントローラ１５５により、反転駆動部４３が制御されてウエハＷが下方を向くようにウエハ保持回転機構７４ａが反転される。そして、システムコントローラ１５５の制御によりポンプＰ１が作動されて、メッキ槽６１ａにメッキ液が１０リットル／ｍｉｎ程度で送られる（図７参照）。これにより、メッキ槽６１ａはメッキ液で満たされ、メッキ液はメッキ槽６１ａの縁からわずかに盛り上がって回収槽６２ａへと溢れる。
【０２２８】
続いて、システムコントローラ１５５により昇降機構４４が制御されて、ウエハ保持回転機構７４ａが下降される。ウエハＷの下面とメッキ液の液面との間隔が数ｍｍになると、システムコントローラ１５５によりメッキ電源８２が制御されて、アノード電極７６とカソード電極８３との間に第１の電圧が印加されるとともに、ウエハ保持回転機構７４ａの下降速度が小さく（たとえば、５０ｍｍ／ｓｅｃないし０．１ｍｍ／ｓｅｃ程度）される。
【０２２９】
これにより、ウエハＷの下面はゆっくりとメッキ槽６１ａに満たされたメッキ液の表面に接触され、ウエハＷ下面のうち、当接部８０ａのシール面８０ｓにシールされた部分より内方の領域は、全面に渡ってメッキ液に接触した状態となる。すなわち、ウエハＷ下面をメッキ液にゆっくり接触させることにより、ウエハＷとメッキ液の液面との間の空気が抜け易くすることができる。
【０２３０】
これで、ウエハＷの接液が完了し、システムコントローラ１５５により昇降機構４４が制御されて、ウエハ保持回転機構７４ａの下降が停止される。以上の工程において、ウエハＷの接液が始まってから完全に接液し終わるまでの時間は、ウエハＷ下面に形成されたシードがメッキ液にほとんど溶解しないような時間とされる。ウエハＷの接液が完了した状態で、メッキ槽６１ａの上端とウエハＷの処理面との間隔は、たとえば、０．３ｍｍないし１ｍｍ程度であり、カソードリング８０は、メッキ槽６１ａ上端の周囲に嵌合的に配置されている。
【０２３１】
メッキ槽６１ａの上端とウエハＷの処理面とが上記のように近接されていることにより、ウエハＷの処理面において中心部から当接部８０ａが当接している部分の直近に至るまでメッキ液が接触する。これにより、メッキによる膜の厚さの均一性が向上する。メッキ液は、ウエハＷとの界面近傍ではウエハＷの中心部から周縁部へと向かって層流となって流れ、メッキ槽６１ａ上端とウエハＷとの間隙からメッキ液回収槽６２ａへと流れる。
【０２３２】
この際、ウエハＷとメッキ液との間に気泡が入っていた場合でも、このような気泡はメッキ液とともにメッキ槽６１ａ外へと流される。ウエハＷの下面と傾斜面８０ｇとのなす角が鈍角となっている（図１２参照）ことによっても、このような気泡は、メッキ槽６１ａ外に容易に排出される。メッキ液がウエハＷ下面近傍で層流となること、およびウエハＷ下面に気泡が存在しないことにより、メッキによる膜は均一となる。
【０２３３】
次に、システムコントローラ１５５により、回転駆動機構４５が制御されて、ウエハＷが、低い回転速度（たとえば、１０ｒｐｍないし１００ｒｐｍ）で回転され、メッキ電源８２が制御されて、アノード電極７６とカソード電極８３との間に、数分間、メッキ時の電圧である第２の電圧が印加される。第２の電圧は、アノード電極７６とカソード電極８３との間に、所定の電流パターンにしたがって通電されるように設定されている。さらに、システムコントローラ１５５の制御により、バルブ２０１Ｖが開かれて、流体流路８１ｃ，８１ｄにカソード洗浄液が導入される。
【０２３４】
アノード電極７６とカソード電極８３との間に第２の電圧が印加されることにより、カソード電極８３に接続されたウエハＷ下面とメッキ液との界面では、メッキ液中の銅イオンに電子が与えられて、ウエハＷ下面に銅原子が被着する。すなわち、ウエハＷ下面に銅メッキが施される。ウエハＷが回転されることにより、メッキ液とウエハＷとを相対的に移動させることができるので、ウエハＷに対するメッキの均一性は向上する。
【０２３５】
ウエハＷの径形がメッキ槽６１ａの内径にほぼ等しく、アノード電極７６が平面視においてメッキ槽６１ａ内のほぼ全域に渡って存在していることにより、アノード電極７６とウエハＷ下面に形成されたシード層との間には、ほぼ均一な電界が形成される。これにより、メッキによる銅膜の膜厚は均一となる。
メッキ液中で、酸化還元剤としての鉄イオンは、２価および３価の鉄イオンとして存在している。３価の鉄イオンは、主成分管理部２（図１参照）に収容された銅供給源（銅管）から電子を奪って銅イオンを溶出させ、自らは２価の鉄イオンとなる。一方、２価の鉄イオンは、アノード電極７６に電子を与えて３価の鉄イオンとなる。
【０２３６】
この実施形態のように、アノード電極７６をメッシュ状とすることにより、アノード電極７６の表面積を充分大きく（たとえば、被メッキ面積の２倍ないし１０倍）することができ、また、シャワーヘッド７５によりアノード電極７６全体に充分早い流れのメッキ液をあてることができる。これにより、アノード電極７６に充分な量の２価の鉄イオンを供給でき、２価の鉄イオンがアノード電極７６に電子を与えて３価の鉄イオンとなる反応を促進できる。
【０２３７】
こうして、鉄イオンは、サイクリックに酸化還元を繰り返し、メッキ液とアノード電極７６との間の電子の移動量、およびカソード電極８３（ウエハＷ下面）とメッキ液との間の電子の移動量はほぼ収支する。
このため、酸化還元剤を用いなかった場合に発生する活性な酸素の泡は生じない。これにより、メッキ液の添加剤の酸化による分解を遅らせることができ、また、酸素の泡がウエハＷ下面に付着して、ウエハＷ表面（下面）に形成された微細な孔や溝を埋めてメッキできなくなる事態を回避できる。
【０２３８】
メッキ液とウエハＷとの界面近傍では、回転するウエハＷに引きずられてメッキ液に遠心力が与えられるが、カソードリング８０の突出部８０ｐにより、メッキ液は確実に回収槽６２ａ内に導かれる。
流体流路８１ｃ，８１ｄに導入されたカソード洗浄液は、ウエハ裏面押圧板８１ａ周縁部の開口から流れ出し、流体流路８０ｆを経てカソード洗浄液回収槽２１０へと導かれる（図１２参照）。これにより、カソード電極８３はカソード洗浄液で洗浄される。この際、カソード洗浄液はウエハＷ周縁部を流れるが、ロータリジョイント１９１の摺動部で発生するパーティクルが流体流路８１ｃ，８１ｄに導入されないようになっていることから、このようなパーティクルがウエハＷに付着することはない。
【０２３９】
ウエハＷおよび当接部８０ａに対して、メッキ液とカソード電極８３とは反対側にある。すなわち、カソード電極８３は、ウエハＷにおいて、溶接部８０ａによりメッキ液の接触が制限されている領域に接触している。したがって、ウエハＷ周縁部が当接部８０ａのシール面８０ｓにより充分にシールされている場合は、メッキ液はカソード電極８３へと流れることはない。一方、ウエハＷと当接部８０ａとのシールが不充分である場合、メッキ液はウエハＷと当接部８０ａとの隙間を流れ、カソード電極８３に至る。
【０２４０】
メッキ液がウエハＷと当接部８０ａとの間から漏れた状態のままメッキ処理が継続されると、ウエハＷ下面において、本来メッキがされない領域にまでメッキされてしまう。その影響を受けて、ウエハＷ下面のメッキを施す所定の領域において、メッキによる膜の厚さが当接部８０ａ近傍で他の部分と比べて薄くなる。したがって、ウエハＷに不均一なメッキがされる。また、通電中のカソード電極８３にメッキ液が接触したままになっていると、カソード電極８３はメッキされ、ウエハＷに良好に通電できなくなる。
【０２４１】
しかし、カソード電極８３に至ったメッキ液はカソード洗浄液によって洗い流され、カソード電極８３は清浄な状態が保たれる。そして、メッキ液を含むカソード洗浄液は、カソード洗浄液回収槽２１０から液貯め容器２１１へと流れ込む。
カソード洗浄液の導電率と、メッキ液が混入したカソード洗浄液の導電率は異なる。たとえば、カソード洗浄液が純水の場合、カソード洗浄液の導電率はメッキ液がわずかに混入するだけで大きく上昇する。このため、導電率計２１２により測定される導電率に関して、適当な判定レベルを設けておくことにより、システムコントローラ１５５は、導電率計２１２の出力信号に基づき、メッキ液がウエハＷと当接部８０ａとの間から漏出したと判定することができる。
【０２４２】
メッキ液が漏出したと判定された場合、システムコントローラ１５５の制御により、自動的にメッキ処理ユニット２０ａの運転が一時停止され、作業者（オペレータ）にその旨が知らされるようにされる。これにより、ウエハＷに不均一なメッキがされ続けること、すなわち、不良品が発生し続けること、およびカソード電極８３がメッキされ続けることを回避できる。
【０２４３】
カソード洗浄液（液体）は、メッキ液の侵入が制限（規制）されている領域であって、カソード電極８３以外の領域に供給されるように構成されていてもよい。この場合でも、メッキ液がウエハＷと当接部８０ａとの間から漏出し、当該液体の流路に侵入すると、その旨を導電率計２１２の出力信号により知ることができる。
所定時間ウエハＷへのメッキが継続された後、システムコントローラ１５５により、メッキ電源８２が制御されてアノード電極７６とカソード電極８３との間の通電が停止され、昇降機構４４が制御されて、ウエハＷ下面がメッキ槽６１ａに満たされたメッキ液の液面から数ｍｍ離れた状態とされる。
【０２４４】
さらに、システムコントローラ１５５により回転駆動機構４５が制御されて、ウエハＷが、やや高速（たとえば、２００ｒｐｍないし１０００ｒｐｍ）で数十秒間回転される。これにより、ウエハＷ下面のメッキ液は側方へと振り切られる。この際も、ウエハＷ下面のメッキ液は、突出部８０ｐにより回収槽６２ａ〜６２ｄ内に導かれる。この工程で、ウエハＷのメッキ面は完全に乾燥しないようにされ、液膜が存在する状態にされる。これにより、ウエハＷ搬送中にメッキ面が腐食されないようにすることができる。
【０２４５】
また、メッキ電源８２による通電の終了と同時に、システムコントローラ１５５の制御により、バルブ２０１Ｖが閉じられるとともにバルブ２０２Ｖが開かれる。これにより、流体流路８１ｃ，８１ｄ内に残留しているカソード洗浄液は、窒素ガスによりパージされ、流体流路８０ｆ内のカソード洗浄液は遠心力により側方へと抜き出される。リーク配管２０４内に残留しているカソード洗浄液は、図示しないエゼクタにより吸引して排出することとしてもよい。
【０２４６】
続いて、システムコントローラ１５５により、回転駆動機構４５が制御されてウエハＷの回転が停止され、昇降機構４４が制御されてウエハ保持回転機構７４ａが所期位置まで上昇され、反転駆動部４３が制御されてウエハＷ側が上方を向くようにウエハ保持回転機構７４ａが反転される。スピンベース７８は、その周方向に関して支柱７９の間隔が広い部分が、第２搬送路１５に対向するように回転角度位置が調整され、第２モータ４５ａの保持トルクにより、その回転角度位置が維持される。
【０２４７】
その後、システムコントローラ１５５により、サセプタ移動機構４６が制御されてウエハ裏面押圧板８１ａが回転管７７側に移動（下降）され、ウエハＷの挟持が解除される。この際、カソード電極８３の弾性力により、ウエハＷはシール面８０ｓからスムーズに離され、ウエハＷは、図２０に示すようにウエハ受け渡しピン８４に支持された状態となる。また、流体流路８０ｆ中にカソード洗浄液が存在しない状態にされていることにより、ウエハＷ上面（メッキ面）にカソード洗浄液が落ちることはない。
【０２４８】
当接部８０ａからウエハＷが離されると、ウエハＷのメッキ面に残っているメッキ液はシール面８０ｓとウエハＷとの間に引き込まれ、カソード電極８３の接触部８３ｃはメッキ液に汚染される。接触部８３ｃ周辺に付着したメッキ液は、次のウエハＷのメッキ処理前およびメッキ処理中にカソード洗浄液で洗浄できる。これにより、接触部８３ｃ周辺が清浄な状態でメッキできる。
【０２４９】
そして、搬送ロボットＴＲの進退アーム４２または進退アーム４１により処理済みのウエハＷが、支柱７９の間から搬出されて、１枚のウエハＷのメッキ処理が終了する。
メッキ処理は、４つのポンプＰ１〜Ｐ４を同時に作動させてメッキカップ５６ａ〜５６ｄで同時に行ってもよく、ポンプＰ１〜Ｐ４の一部のみ作動させて対応するメッキカップ５６ａ〜５６ｄのいずれかで行ってもよい。
【０２５０】
図２１は、メッキ処理ユニット２０ａの図解的な側面図である。図２１を参照して、メッキ処理ユニット２０ａのメンテナンス時の操作について説明する。メッキ処理ユニット２０ｂ〜２０ｄも同様の構造を有しており、同様にしてメンテナンスを行うことができる。
メッキ処理ユニット２０ａに対して第２搬送路１５（図２参照）とは反対側には、エンクロージャ３０の隔壁の一部をなす外装カバー２２０が取り付けられている。外装カバー２２０は、エンクロージャ３０から着脱自在であり、メッキ処理ユニット２０ａのメンテナンスを行うときは、外装カバー２２０を外すことができる。
【０２５１】
昇降機構４４に備えられたガイド４４ａの一方端（ガイド４４ａが鉛直方向に沿って配されているときの下方端）は、ウエハ処理部１のフレーム２２２ａにヒンジ結合されている。これにより、第２搬送路１５が延びる方向とほぼ平行でほぼ水平な回動軸２２３のまわりに、ガイド４４ａを回動できるようになっている。回動軸２２３は、メッキカップ５６ａより低い位置で、メッキカップ５６ａより外装カバー２２０側にある。
【０２５２】
ガイド４４ａは、固定ねじ２２４により、ウエハ処理部１のフレーム２２２ｂに固定できるようになっている。固定ねじ２２４による固定位置は、回動軸２２３より高い位置にある。ガイド４４ａが固定ねじ２２４でフレーム２２２ｂに固定された状態で、上下ベース１８２は鉛直方向に沿う向きになり、ウエハ保持回転機構７４ａはメッキカップ５６ａの上方に配置される。この状態で、メッキ処理が行うことができる。
【０２５３】
また、ガイド４４ａは、フレーム２２２ｂに回動が規制されて、メッキカップ５６ａ側に倒れないようになっている。すなわち、ガイド４４ａは鉛直方向に沿う状態から、メッキカップ５６ａとは反対側にのみ回動させることができる。
ガイド４４ａにおいて回動軸２２３近傍には、ガスダンパ２２５の一方端が回動自在に結合されている。ガスダンパ２２５の他方端は、ウエハ処理部１のフレーム２２２ｃに回動自在に結合されている。フレーム２２２ｃとガスダンパ２２５との結合部は、フレーム２２２ａとガスダンパ２２５との結合部や回動軸２２３より低い位置にある。ガスダンパ２２５はシリンダおよびピストンを備えており、シリンダに封入されたガスの圧力により、ピストンがシリンダ内に押し込まれる向きの力に抗することができる。ガイド４４ａには、ガスダンパ２２５のピストン側の端部が取り付けられており、フレーム２２２ｃには、ガスダンパ２２５のシリンダ側の端部が取り付けられている。
【０２５４】
昇降機構４４において、ガイド４４ａがほぼ鉛直方向に沿う状態で、支持部材４４ｂは外装カバー２２０側に突出している。ウエハ保持回転機構７４ａや昇降機構４４を、ガイド４４ａが鉛直方向に沿う向きから、回動軸２２３のまわりにほぼ９０度回動させると、支持部材４４ｂの先端がウエハ処理部１のフレームに設けられたストッパ２２７に当たり、それ以上回動できないようになっている。この状態で、ガイド４４ａはほぼ水平になる。ストッパ２２７において支持部材４４ｂが当たる部分には、ラバーが張り付けられており、支持部材４４ｂが当たるときの衝撃を緩和できるようになっている。
【０２５５】
メッキ処理ユニット２０ａのメンテナンスを行うときは、メッキ処理動作が停止された状態で、まず、外装カバー２２０を外す。これにより、作業者は、外装カバー２２０が取り付けられていた側から作業できるようになる。続いて、固定ねじ２２４を外し、ガイド４４ａが回動軸２２３のまわりに回動するように、ウエハ保持回転機構７４ａをゆっくりと手前側に倒す。
【０２５６】
この際、ガスダンパ２２５は、ピストンがシリンダ内に押し込まれるようになっている。したがって、ガスダンパの弾力により、作業者は少ない力でウエハ保持回転機構７４ａを倒すことができる。また、ガスダンパ２２５の弾力により、作業者が操作を誤り、ウエハ保持回転機構７４ａを倒す途中で手を離しても、ウエハ保持回転機構７４ａが急激に倒れることはない。
【０２５７】
ガイド４４ａがほぼ水平になった状態で、支持部材４４ｂがストッパ２２７に当たり、ウエハ保持回転機構７４ａをそれ以上動かすことができなくなる。この状態で、ウエハ保持回転機構７４ａはウエハ処理部１の側方に突出した状態となり、メッキカップ５６ａの上方は開放される。この状態が、図２１に２点鎖線で示されている。これにより、作業者は、メンテナンスの目的箇所へのアクセスが容易となり、メンテナンスを容易に行うことができる。
【０２５８】
次に、メッキカップ５６ａ〜５６ｄのメンテナンスについて説明する。メッキ処理は、カソードリング８０の回転軸（中心軸）とメッキ槽６１ａ〜６１ｄの中心軸とがほぼ一致する状態で行わなければならない。メッキ処理時において、カソードリング８０はメッキ槽６１ａ〜６１ｄ上端の周囲にわずかな間隙をあけて配置されるので、カソードリング８０の回転軸（中心軸）がメッキ槽６１ａ〜６１ｄの中心軸からずれると、メッキ槽６１ａ〜６１ｄとカソードリング８０とが干渉（接触）してしまうからである（図１２参照）。カソードリング８０の回転軸（中心軸）とメッキ槽６１ａ〜６１ｄの中心軸とを一致させるためには、メッキカップ５６ａ〜５６ｄの位置および姿勢を調整する。
【０２５９】
また、メッキ槽６１ａ〜６１ｄの上端がほぼ水平な面にのっていなければ、メッキ液がメッキ槽６１ａ〜６１ｄの縁から全周に渡って盛り上がった状態で、メッキ液にウエハＷを接触させることができない。また、このような場合、ウエハ保持回転機構７４ａ〜７４ｄにより、ほぼ水平に保持されたウエハＷと、メッキ槽６１ａ〜６１ｄの上端とが、ほぼ一定の間隔をあけて近接された状態とすることができない。
【０２６０】
したがって、メッキ槽６１ａ〜６１ｄの上端が水平でない場合は、水平になるように調整しなければならない。
図２２は、メッキカップ５６ａの図解的な側面図である。図２２を参照して、メッキカップ５６ａの位置や姿勢を調整したり、メッキ槽６１ａの上端がほぼ水平な面にのるように調整する方法を説明する。メッキカップ５６ｂ〜５６ｄも同様の構造を有しており、同様の方法により調整できる。
【０２６１】
メッキカップ５６ａの下部（底）には、平板状の第１ベース板２３０が一体に取り付けられている。第１ベース板２３０は、平面視においてメッキカップ５６ａの底面よりわずかに大きく、メッキカップ５６ａ底部に対して側方へ突出している。第１ベース板２３０の下部（メッキカップ５６ａ側とは反対側）には、平面視において第１ベース板２３０よりわずかに大きな平板状の第２ベース板２３１が取り付けられている。第２ベース板２３１は、ウエハ処理部１のフレーム２３６に取り付けられている。
【０２６２】
第１ベース板２３０および第２ベース板２３１には、これらを厚さ方向に貫通する穴が設けられており、送液分岐配管５８ａおよびリターン分岐配管６３ａは、これらの穴を挿通されている。送液分岐配管５８ａおよびリターン分岐配管６３ａは、樹脂（たとえば、フッ素樹脂）製の継ぎ手２３９を介して、メッキカップ５６ａに接続されている。継ぎ手２３９により、メッキカップ５６ａに対する送液分岐配管５８ａおよびリターン分岐配管６３ａの着脱が容易になっている。
【０２６３】
第１ベース板２３０の周縁部の少なくとも３箇所に、第１ベース板２３０を厚さ方向に貫通する固定穴２３３が形成されている。第２ベース板２３１には、固定穴２３３にほぼ対応する位置に、内ねじ２３４が形成されている。固定穴２３３には、外ねじが形成された固定ねじ２３５が挿通されており、固定ねじ２３５は第２ベース板２３１に形成された内ねじ２３４に締め付けられている。これにより、第１ベース板２３０は第２ベース板２３１に固定されている。
【０２６４】
固定穴２３３の内径は、固定ねじ２３５の外径より大きい。たとえば、固定穴２３３の内径は１０ｍｍ程度であり、固定ねじ２３５の外径は６ｍｍ程度である。この場合、第１ベース板２３０は、第１ベース板２３０の面内の任意の方向に４ｍｍ程度移動できる。上記の場合、固定ねじ２３５のねじ頭と第１ベース板２３０との間には、たとえば、外径１８ｍｍのワッシャ２３７が介装されて、固定ねじ２３５のねじ頭が固定穴２３３の中に落ち込まないようにされる。
【０２６５】
固定ねじ２３５を緩めることにより、第１ベース板２３０を第１ベース板２３０の面内の任意の方向に動かして、メッキ槽６１ａの水平方向の位置を調整できる。
第２ベース板２３１は、その周縁部に互いに間隔をあけて設けられた少なくとも３対の押しねじ２３８Ａおよび引きねじ２３８Ｂにより、フレーム２３６に固定されている。それぞれの対の押しねじ２３８Ａおよび引きねじ２３８Ｂを調整して、その押しねじ２３８Ａおよび引きねじ２３８Ｂが設けられた位置における第２ベース板２３１のフレーム２３６からの高さを調整できる。これにより、第２ベース板２３１の傾きを調整できる。したがって、メッキカップ５６ａの姿勢を調整できる。
【０２６６】
通常、水平に調整された第２ベース板２３１に第１ベース板２３０を密接させて取り付けると、メッキ槽６１ａの上端がほぼ水平な面にのるように調整されている。したがって、メッキ槽６１ａの上端がほぼ水平な面にのるように調整するには、先ず、メッキ槽６１ａが取り外された状態で、たとえば、第２ベース板２３１の上に水準器をのせ、第２ベース板２３１を水平に調整すればよい。その後、第２ベース板２３１に第１ベース板２３０を密着させて取り付けると、メッキ槽６１ａの上端はほぼ水平な面にのる。
【０２６７】
このとき、固定ねじ２３５は緩くしめられた状態にする。続いて、ウエハ保持回転機構７４ａを下降させ、カソードリング８０がメッキ槽６１ａ上端の周囲に嵌るように、第２ベース板２３１に対して第１ベース板２３０を移動させて、メッキ槽６１ａの水平方向の位置を調整する。
通常、ウエハ保持回転機構７４ａとメッキカップ５６ａとが対向された状態で、カソードリング８０の回転軸（中心軸）とメッキ槽６１ａの中心軸とは、ほぼ平行になるように調整されている。したがって、上記の方法でメッキ槽６１ａの位置を合わせることにより、メッキ槽６１ａの中心軸とカソードリング８０の回転軸（中心軸）とをほぼ一致させることができる。このようにして、メッキ槽６１の位置が適正に調整されると、固定ねじ２３５を強く締め付けてメッキ槽６１ａの位置を固定する。
【０２６８】
以上のようにして調整されたメッキカップ５６ａ（メッキ槽６１ａ）を用いて、メッキ槽６１ａの上端とカソードリング８０およびウエハ保持回転機構７４ａに保持されたウエハＷとを、干渉を回避した状態で充分狭い間隔で近接させることができる。このようなメッキ槽６１ａの縁からは、全周に渡ってメッキ液が盛り上がった状態とすることができ、ウエハ保持回転機構７４ａに保持されたウエハＷの下面を、容易にほぼ全面に渡ってメッキ液に接触させることができる。
【０２６９】
図２３は、ベベルエッチングユニット２１ａ，２１ｂの共通の構成を示す図解的な断面図である。
ほぼ円筒状のカップ８５内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック８６が備えられている。スピンチャック８６は、ウエハＷの周縁部に接触することなく、ウエハＷの底面中央部のみを吸着することにより、ウエハＷを保持できるようになっている。スピンチャック８６は鉛直方向に沿って配された回転軸８７を有しており、回転軸８７には回転駆動機構８８からの回転駆動力が伝達されるようになっている。また、スピンチャック８６には、このスピンチャック８６を昇降させる昇降機構８９が結合されていて、スピンチャック８６の上部をカップ８５内に収容された状態と、カップ８５の上端より高い状態とにできるようになっている。
【０２７０】
カップ８５は、同軸に配された３つのカップ８５ａ〜８５ｃを含んでいる。それぞれのカップ８５ａ〜８５ｃの上端は、最も外側のカップ８５ａが最も高く、中間のカップ８５ｂが最も低い。最も内側のカップ８５ｃの上端には、平板状で平面視において環状の処理液案内板８５ｄが結合されている。処理液案内板８５ｄの外側の端部は、屈曲してカップ８５ａとカップ８５ｂとの間に挿入されている。
【０２７１】
カップ８５ａおよびカップ８５ｂを側壁として、上方に開いた開口部を有する処理液回収槽９７が形成されており、カップ８５ｂおよびカップ８５ｃを側壁として、排気槽９８が形成されている。処理液回収槽９７の底部の一部には排液口９７ａが形成されており、排気槽９８の底部の一部には、排気口９８ａが形成されている。
カップ８５の上方には、リンスノズル９０が配置されている。リンスノズル９０にはリンス液配管９１が連通接続されており、リンス液配管９１にはリンス液供給源９２が接続されている。リンス液配管９１にはバルブ９１Ｖが介装されており、バルブ９１Ｖを開くことによりリンスノズル９０からリンス液を吐出して、スピンチャック８６に保持されたウエハＷの上面にリンス液を供給できるようになっている。
【０２７２】
処理液案内板８５ｄを下方から貫通して、リンスノズル９９が配されている。リンスノズル９９にはリンス液配管１００が連通接続されており、リンス液配管１００にはリンス液供給源９２が接続されている。リンス液配管１００にはバルブ１００Ｖが介装されており、バルブ１００Ｖを開くことによりリンスノズル９９からリンス液を吐出して、スピンチャック８６に保持されたウエハＷの下面にリンス液を供給できるようになっている。
【０２７３】
リンス液は、たとえば、純水であってもよい。この場合、リンス液（純水）は、エンクロージャ３０に形成された純水供給配管挿通口３２ｈに挿通された純水配管３２（図３参照）を介して、リンス液配管９１，１００に導入できる。
また、カップ８５の上方には、エッチング処理管９３がほぼ鉛直方向に沿って設けられている。エッチング処理管９３下端近傍のカップ８５中心側には、スピンチャック８６に保持されたウエハＷの表面に沿う水平方向に延びる溝９４が形成されており、このウエハＷの周縁部を溝９４内に挿入できるようになっている。溝９４の内部空間とエッチング処理管９３の内部空間とは連通している。
【０２７４】
エッチング処理管９３には移動機構９５が結合されている。この移動機構９５により、エッチング処理管９３を上下方向およびカップ８５の径方向に移動させることができる。これにより、エッチング処理管９３を、ウエハＷの周縁部が溝９４に挿入された処理位置および処理位置から退避してウエハＷから離れた退避位置との間で移動させることができる。また、エッチング処理管９３を、カップ８５を回避してカップ８５の側方へ退避させることもできる。
【０２７５】
エッチング処理管９３は、後処理薬液配管Ｐ１４を介して、後処理薬液供給部４（図１参照）に配されエッチング液が収容されたエッチング液供給源９６に接続されている。エッチング処理管９３とエッチング液供給源９６との間の後処理薬液配管Ｐ１４には、バルブ９３Ｖが介装されており、バルブ９３Ｖを開くことにより、溝９４の内部空間にエッチング液を送ることができるようになっている。また、バルブ９３Ｖにより、エッチング液の流量調整をすることもできる。エッチング液は、たとえば、硫酸、過酸化水素水、および水の混合溶液とすることができる。
【０２７６】
回転駆動機構８８、昇降機構８９、および移動機構９５の動作、ならびにバルブ９１Ｖ，１００Ｖ，９３Ｖの開閉は、システムコントローラ１５５により制御される。
ベベルエッチングユニット２１ａ，２１ｂによりウエハＷの周縁部をエッチングするときは、先ず、システムコントローラ１５５により移動機構９５が制御されて、エッチング処理管９３が退避位置に退避される。
【０２７７】
続いて、システムコントローラ１５５により昇降機構８９が制御されてスピンチャック８６が上昇されて、スピンチャック８６の上部がカップ８５の上端より高くされる。そして、搬送ロボットＴＲの進退アーム４１または進退アーム４２（図５参照）により、メッキ処理部１２でメッキ処理が施されたウエハＷが搬入されて、ウエハＷの中心が回転軸８７の中心軸上にのるようにウエハＷがスピンチャック８６に吸着保持される。ウエハＷは、メッキ処理が施された面が上方に向けられて保持される。
【０２７８】
その後、システムコントローラ１５５により昇降機構８９が制御されてスピンチャック８６が下降される。これにより、スピンチャック８６に保持されたウエハＷは側方がカップ８５ａに囲まれた状態となる。そして、システムコントローラ１５５により回転駆動機構８８が制御されて、スピンチャック８６に保持されたウエハＷが回転される。ウエハＷの回転数は、たとえば、５００ｒｐｍ程度とされる。
【０２７９】
この状態で、システムコントローラ１５５の制御により、バルブ９１Ｖ，１００Ｖが開かれる。これにより、リンスノズル９０，９９からウエハＷの上面および下面にリンス液が供給される。リンス液は、遠心力によりウエハＷの周縁部へと拡がりウエハＷの上側表面のほぼ全面および下側表面のスピンチャック８６が接している部分を除く領域を流れる。このようにして、ウエハＷが洗浄される。
【０２８０】
リンス液は、ウエハＷの遠心力により側方へと振り切られて、カップ８５ａの内側面や処理液案内板８５ｄの上面を伝って、処理液回収槽９７内へと流れ落ちる。リンス液は、さらに、排液口９７ａから図外の回収タンクへと導かれる。また、図外の排気装置により、排気口９８ａからカップ８５内の気体が排気される。これにより、リンス液のミスト等もカップ８５外に飛散しないようになっている。
【０２８１】
一定時間、このようなリンス処理が施された後、システムコントローラ１５５の制御により、バルブ９１Ｖ，１００Ｖが閉じられる。ウエハＷの回転は継続され、これにより、ウエハＷに残ったリンス液の大部分は振り切られる。
次に、システムコントローラ１５５により移動機構９５が制御されて、エッチング処理管９３が処理位置に移動される。これにより、図２３に示すようにウエハＷの周縁部が溝９４に挿入された状態となる。このときのウエハＷの回転数は、たとえば、５００ｒｐｍ程度とすることができる。そして、システムコントローラ１５５の制御により、バルブ９３Ｖが開かれる。エッチング液の流量は、たとえば、２０ｍｌ／ｍｉｎとすることができる。これにより、エッチング液供給源９６から溝９４内にエッチング液が供給される。エッチング液は溝９４から溢れて流れ、溝９４内はエッチング液でほぼ満たされた状態となる。
【０２８２】
ウエハＷの周縁部は溝９４内に挿入されているので、ウエハＷ表面の銅薄膜のうち周縁部のものはエッチング液に溶解される。ウエハＷは回転しているので、ウエハＷの周縁部とエッチング処理管９３による処理位置との相対変位が生じ、その結果、ウエハＷ周縁部は全周にわたってエッチングされる。エッチング幅は、ウエハＷの溝９４への挿入深さで決まるので、正確に所望のエッチング幅でエッチングできる。
【０２８３】
ウエハＷの遠心力により側方へと振り切られたエッチング液は、リンス液と同様、一旦回収槽９７に回収された後、排液口９７ａを介して図外の回収タンクに導かれる。また、この間も、排気口９８ａからの排気は継続され、エッチング液のミストがカップ８５外に飛散しないようにされる。
このように一定時間（たとえば、数十秒間）エッチング液を流して、ウエハＷ周縁部の銅薄膜のエッチングを継続した後、システムコントローラ１５５はバルブ９３Ｖを閉じるように制御して、溝９４内へのエッチング液の供給を停止する。これにより、溝９４内にはエッチング液が存在しない状態となり、ウエハＷ周縁部のエッチング処理は終了する。
【０２８４】
その後、再び、システムコントローラ１５５の制御により、バルブ９１Ｖ，１００Ｖが開かれ、ウエハＷ表面にリンス液が供給される。これにより、ウエハＷ周縁部に残っていたエッチング液がリンス液により除去される。この間、システムコントローラ１５５により移動機構９５が制御されて、エッチング処理管９３が退避位置に移動される。
一定時間（たとえば、１分程度）、リンス液の供給が継続された後、システムコントローラ１５５の制御によりバルブ９１Ｖ，１００Ｖが閉じられてリンス液の供給が停止される。そして、システムコントローラ１５５により回転駆動機構８８が制御されてスピンチャック８６が一定時間高速回転（たとえば、１０００ｒｐｍ程度で数十秒間）されて、ウエハＷの振り切り乾燥が行われた後、スピンチャック８６の回転が停止される。
【０２８５】
続いて、システムコントローラ１５５により昇降機構８９が制御されて、スピンチャック８６に保持されたウエハＷが、カップ８５の上端より高くなるように、スピンチャック８６が上方に移動され、ウエハＷの吸着保持が解除される。
そして、搬送ロボットＴＲの進退アーム４２または進退アーム４１により処理済みのウエハＷが搬出されて、１枚のウエハＷの周縁部のエッチング処理が終了する。処理済みのウエハＷは周縁部に銅薄膜が存在しないので、以後の工程で基板保持ハンド４１，４２ｃ（図５（ａ）参照）により周縁部を把持されても基板保持ハンド４１ｃ、４２ｃに銅が付着することはない。
【０２８６】
この実施形態では、カップ８５が固定されスピンチャック８６が昇降機構８９により昇降されるように構成されているが、スピンチャック８６とカップ８５とが上下方向に相対的に移動できればよく、たとえば、スピンチャック８６が上下方向に固定されカップ８５が昇降されるように構成されていてもよい。この場合でも、スピンチャック８６の上端をカップ８５の上端より高くすることができ、進退アーム４１または進退アーム４２によるウエハＷの搬入／搬出を行うことができる。
【０２８７】
図２４は、洗浄ユニット２２ａ，２２ｂの共通の構成を示す図解的な断面図である。
ほぼ円筒状のカップ１０１内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック１０２が備えられている。スピンチャック１０２は、鉛直方向に沿って配された回転軸１０２ａおよびその上端に垂直に取り付けられた円板状のスピンベース１０２ｂを有しており、スピンベース１０２ｂの上面周縁部近傍には、複数のチャックピン１０２ｅが周方向に間隔をあけて立設されている。チャックピン１０２ｅは、ウエハＷの下面周縁部を支持しつつ、ウエハＷの端面（周面）に当接し、他のチャックピン１０２ｅと協働してウエハＷを挟持できるようになっている。
【０２８８】
スピンチャック１０２の回転軸１０２ａには、回転駆動機構１０３からの回転駆動力が伝達されるようになっている。また、スピンチャック１０２には、このスピンチャック１０２を昇降させる昇降機構１０４が結合されていて、スピンチャック１０２の上部をカップ１０１内に収容された状態と、カップ１０１の上端より高い状態とにできるようになっている。
【０２８９】
カップ１０１は、同軸に配された３つのカップ１０１ａ〜１０１ｃを含んでいる。それぞれのカップ１０１ａ〜１０１ｃの上端は、最も外側のカップ１０１ａが最も高く、中間のカップ１０１ｂが最も低い。最も内側のカップ１０１ｃの上端には、平板状で平面視において環状の処理液案内板１０１ｄが結合されている。処理液案内板１０１ｄの外側の端部は、屈曲してカップ１０１ａとカップ１０１ｂとの間に挿入されている。
【０２９０】
カップ１０１ａおよびカップ１０１ｂを側壁として、上方に開いた開口部を有する処理液回収槽１０５が形成されており、カップ１０１ｂおよびカップ１０１ｃを側壁として、排気槽１０６が形成されている。処理液回収槽１０５の底部の一部には排液口１０５ａが形成されており、排気槽１０６の底部の一部には、排気口１０６ａが形成されている。
カップ１０１の上方には、ノズル１０７が配置されている。ノズル１０７は、バルブ１０７Ｖを介してリンス液供給源に連通接続されており、バルブ１０７Ｖを開くことにより、ノズル１０７からスピンチャック１０２に保持されたウエハＷに向けて、リンス液を吐出することができるようになっている。
【０２９１】
回転軸１０２ａの内部には、回転軸１０２ａを軸方向に貫通する処理液供給路１０２ｃが形成されており、回転軸１０２の上端は開口して処理液吐出口１０２ｄとなっている。処理液供給路１０２ｃには、後処理薬液配管Ｐ１４を介して、後処理薬液供給部４（図１参照）に配された洗浄液供給源から洗浄液を導入できるようになっており、また、リンス液供給源からリンス液を導入できるようになっている。
【０２９２】
洗浄液は、たとえば、硫酸、過酸化水素水、および水の混合溶液とすることができる。リンス液は、たとえば、純水であってもよい。この場合、リンス液（純水）は、エンクロージャ３０に形成された純水供給配管挿通口３２ｈに挿通された純水配管３２（図３参照）を介して、処理液供給路１０２ｃやノズル１０７に導入できる。
処理液供給路１０２ｃと洗浄液供給源との間には、バルブ１０８Ｖが介装されており、処理液供給路１０２ｃとリンス液供給源との間には、バルブ１０９Ｖが介装されている。バルブ１０９Ｖを閉じ、バルブ１０８Ｖを開くことにより、処理液吐出口１０２ｄから洗浄液を吐出させることができ、バルブ１０８Ｖを閉じ、バルブ１０９Ｖを開くことにより、処理液吐出口１０２ｄからリンス液を吐出させることができる。このようにして、スピンチャック１０２に保持されたウエハＷの下面中心部に、洗浄液またはリンス液を供給できる。
【０２９３】
回転駆動機構１０３および昇降機構１０４の動作、ならびにバルブ１０７Ｖ，１０８Ｖ，１０９Ｖの開閉は、システムコントローラ１５５により制御される。
洗浄ユニット２２ａ，２２ｂによりウエハＷを洗浄するときは、先ず、システムコントローラ１５５により昇降機構１０４が制御されてスピンチャック１０２が上昇されて、スピンチャック１０２の上部がカップ１０１の上端より高くされる。そして、搬送ロボットＴＲの進退アーム４１または進退アーム４２（図５参照）により、ベベルエッチングユニット２１ａまたは２１ｂでベベルエッチング処理が施されたウエハＷが搬入されて、ウエハＷの中心が回転軸１０２ａの中心軸上にのるように、ウエハＷがチャックピン１０２ｅによりメカニカルに保持される。
【０２９４】
その後、システムコントローラ１５５により昇降機構１０４が制御されて、スピンチャック１０２が下降される。これにより、スピンチャック１０２に保持されたウエハＷは側方がカップ１０１ａに囲まれた状態となる。そして、システムコントローラ１５５により回転駆動機構１０３が制御されて、スピンチャック１０２に保持されたウエハＷが回転される。ウエハＷの回転数は、たとえば、５００ｒｐｍ程度とされる。また、図外の排気装置により、排気口１０６ａからカップ１０１内の気体が排気される。
【０２９５】
この状態で、システムコントローラ１５５の制御により、バルブ１０７Ｖ，１０８Ｖが開かれる。これにより、ウエハＷに向けて、ノズル１０７からはリンス液が吐出され、処理液吐出口１０２ｄからは洗浄液が吐出される。ウエハＷ表面に供給されたリンス液および洗浄液は、それぞれ遠心力によりウエハＷの周縁部へと拡がるように流れる。このようにして、ウエハＷ下面全面が洗浄される。
【０２９６】
リンス液および洗浄液は、ウエハＷの遠心力により側方へと振り切られて、カップ１０１ａの内側面や処理液案内板１０１ｄの上面を伝って、処理液回収槽１０５内へと流れ落ちる。これらの液は、さらに、排液口１０５ａから図外の回収タンクへと導かれる。また、カップ１０１内の気体が排気されていることから、洗浄液のミストなども排気口１０６ａから排気され、カップ１０１外に飛散することはない。
【０２９７】
一定時間、このような処理が施された後、システムコントローラ１５５の制御により、バルブ１０８Ｖが閉じられ、バルブ１０９Ｖが開かれる。これにより、処理液吐出口１０２ｄからウエハＷ下面に向けてリンス液が吐出される。ノズル１０７からのウエハＷ上面へのリンス液の吐出は継続される。これにより、ウエハ下面の洗浄液が洗い流される。一定時間（たとえば、１分間程度）、このような処理が継続された後、システムコントローラ１５５の制御により、バルブ１０７Ｖ、１０９Ｖが閉じられ、ウエハＷへのリンス液の供給が停止される。
【０２９８】
続いて、システムコントローラ１５５により、回転駆動機構１０３が制御されて、スピンチャック１０２に保持されたウエハＷが、たとえば、２０００ｒｐｍ程度で高速回転される。これにより、ウエハＷに残ったリンス液の大部分は振り切られて、ウエハＷが乾燥される。一定時間（たとえば数十秒間）ウエハＷの高速回転が継続された後、システムコントローラ１５５により回転駆動機構１０３が制御されて、ウエハＷの回転が停止される。
【０２９９】
次に、システムコントローラ１５５により、昇降機構１０４が制御されて、スピンチャック１０２に保持されたウエハＷが、カップ１０１の上端より高くなるように、スピンチャック１０２が上方に移動され、チャックピン１０２ｅによるウエハＷの保持が解除される。
そして、搬送ロボットＴＲの進退アーム４２または進退アーム４１により処理済みのウエハＷが搬出されて、１枚のウエハＷの洗浄処理が終了する。
【０３００】
この実施形態では、カップ１０１が固定されスピンチャック１０２が昇降機構１０４により昇降されるように構成されているが、スピンチャック１０２とカップ１０１とが上下方向に相対的に移動できればよく、たとえば、スピンチャック１０２が上下方向に固定されカップ１０１が昇降されるように構成されていてもよい。この場合でも、スピンベース１０２ｂをカップ１０１の上端より高くすることができ、進退アーム４１または進退アーム４２によるウエハＷの搬入／搬出を行うことができる。
【０３０１】
図２５は、ウエハ処理部１の制御系統の構成を示すブロック図である。
システムコントローラ１５５はウエハ処理部１に備えられており、システムコントローラ１５５により、ウエハ処理部１、主成分管理部２、微量成分管理部３、および後処理薬液供給部４を制御して、メッキ装置１０全体を統括的に管理できる。具体的には、システムコントローラ１５５は、各部の状態を監視し、各部に適切な制御指令やデータを送り、各部のデータを取り込むことができる。
【０３０２】
システムコントローラ１５５のハードウェアは、１０ＭＩＰＳ(Million Instructions per second)以上の処理能力を有する中央演算処理装置（ＣＰＵ ； Central Processing Unit）１５５Ｃと、１０Ｍｂｙｔｅ以上の記憶容量を有する半導体メモリおよび１Ｍｂｙｔｅ以上の記憶容量を有する磁性体メモリを含む記憶装置１５５Ｍと、ＲＳ−２３２Ｃ規格のシリアルポート２８０と、ＲＳ−４８５規格のシリアルポート２８１と、複数のプリント基板１５５Ｐとを備えている。磁性体メモリは、たとえば、ハードディスクドライブ(HDD)に備えられたハードディスク(HD)や、フレキシブルディスクドライブ(FDD)に着脱されるフレキシブルディスク(FD)とすることができる。
【０３０３】
システムコントローラ１５５で用いられるソフトウェアは、オペレーティングシステムと、少なくとも一部が高級言語で記述されたアプリケーションプログラムとを含んでおり、これらのプログラムは記憶装置１５５Ｍに格納されている。アプリケーションプログラムには、たとえば、メッキ処理、ベベルエッチング処理、洗浄処理などを実行するためのもの（レシピ）が含まれる。
【０３０４】
システムコントローラ１５５には、カラーディスプレイ１５６、キーボード１５７、およびポインティングデバイス（たとえば、マウス）１５６ｐが接続されており、作業者との間で情報の入出力をできるようになっている。また、システムコントローラ１５５には、警報音発生装置１５８が接続されている。所定の場合、たとえば、導電率計２１２（図９参照）の出力信号に基づきメッキ液の漏れが発生したと判断されたときや、メッキ液に銅イオンを供給する銅供給源（銅管）の残量が所定量以下になったときには、警報音が発せられるとともに、警報に関連した情報がカラーディスプレイ１５６に表示されるようになっている。
【０３０５】
システムコントローラ１５５は、搬送コントローラ２９（図２参照）、主成分管理部２、および微量成分管理部３と、ＲＳ−２３２Ｃ規格のシリアルポート２８０を介してケーブル接続されている。また、システムコントローラ１５５は、パルス列による入出力用のケーブルを介してモータコントローラ１５９に接続されており、アナログ信号用のケーブルを介してポンプコントローラ１６０、流量計６０ａ〜６０ｄ、および吸光度計６６Ａ，６６Ｂに接続されている。
【０３０６】
これにより、システムコントローラ１５５は、モータコントローラ１５９を介して、たとえば、回転駆動機構４５，８８，１０３（図９，２３，２４参照）などに備えられたモータを制御可能であり、ポンプコントローラ１６０を介して、たとえば、メッキ処理部１２のポンプＰ１〜Ｐ４（図７参照）の動作を制御可能である。
流量計６０ａ〜６０ｄ（図７参照）からの流量を示す信号は、アナログ信号としてシステムコントローラ１５５に入力される。また、システムコントローラ１５５は、アナログ信号により吸光度計６６Ａ，６６Ｂの動作（たとえば、発光部６８Ａ，６８Ｂの発光）を制御し、受光部６９Ａ，６９Ｂから出力されるアナログ信号を受け取るようになっている。
【０３０７】
システムコントローラ１５５は、さらに、ＲＳ−４８５規格のシリアルポート２８１を介して、主成分管理部２、後処理薬液供給部４、およびシリアル／パラレル変換器１６１ａ，１６１ｂにケーブル接続されている。シリアル／パラレル変換器１６１ａ，１６１ｂは、図２５では２つのみ示しているが、より多くのものが接続されていてもよい。
各シリアル／パラレル変換器１６１ａ，１６１ｂには、パラレルケーブルを介して、電磁弁１６２ａ，１６２ｂやセンサ１６３ａ，１６３ｂ（たとえば、温度センサ７０、電磁導電率計７１、超音波式レベル計７２（図７参照））などが接続されている。電磁弁１６２ａ，１６２ｂは、たとえば、エア弁からなるバルブ（たとえば、バルブ９１Ｖ，１００Ｖ（図２３参照），１０７Ｖ（図２４参照））を制御することができる。
【０３０８】
図２６は、主成分管理部２の構成を示す図解図である。
主成分管理部２は、メッキ液中に銅イオンを供給するための少なくとも１つ（この実施形態では２つ）の銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂ、これらのうち使用されていない銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂに置換液を供給するためのバッファ槽１１１、およびバッファ槽１１１に置換液の元となる置換原液を供給する置換原液供給部１１２を含んでいる。
【０３０９】
銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂ内には、銅供給源である銅管１４６が収容されており、ウエハ処理部１のメッキ液収容槽５５との間でメッキ液を循環させることにより、メッキにより失われる銅イオンをメッキ液に補充することができる。また、メッキ液収容槽５５との間でメッキ液が循環されていない銅溶解タンク１１０ａ（１１０ｂ）内を置換液で満たされた状態にすることにより、銅管１４６の表面状態を良好に保つことができる。これにより、メッキ液収容槽５５と銅溶解タンク１１０ａ（１１０ｂ）との間でメッキ液の循環が開始されたとき、銅管１４６から良好に銅イオンが溶出するようにできる。
【０３１０】
銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂは、有底円筒状の外形および密閉構造を有しており、その軸がほぼ垂直方向に沿うように設置されている。銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂは、重量計１５４ａ，１５４ｂにそれぞれ載せられており、銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂおよびその内容物を含む全重量を計量できるようになっている。
銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂは、いずれも、銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂの側壁を構成する外管１１６ａ，１１６ｂ、および外管１１６ａ，１１６ｂ内に配設された内管１１７ａ，１１７ｂを備えており、内管１１７ａ，１１７ｂの内部空間は、外管１１６ａ，１１６ｂと内管１１７ａ，１１７ｂとの間の空間（以下、「環状空間１４５」という。）と銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂの下部で連通している。銅管１４６は、環状空間１４５内に収容されている。
【０３１１】
バッファ槽１１１は、配管が接続された複数の配管口を有する蓋１２０を備えており、ほぼ密閉された状態とされている。バッファ槽１１１の上部と下部とは、バッファ槽１１１の外部に鉛直方向に沿って配設されたバイパス管１２５により連通接続されている。バイパス管１２５側方の所定の高さ位置には、その高さ位置におけるバイパス管１２５内部の液体の有無を検知する定量確認センサ１２６が取り付けられている。
【０３１２】
バッファ槽１１１とバイパス管１２５との間で、液体（たとえば、置換液）は自由に行き来できるようになっており、これにより、バッファ槽１１１内の液面とバイパス管１２５内の液面とは、ほぼ同じ高さ位置になる。したがって、定量確認センサ１２６により、所定の高さ位置におけるバッファ槽１１１内の液体の有無を知ることができる。
バッファ槽１１１の底部には、配管口を介して循環配管１１８の一端が連通接続されている。循環配管１１８の他端は、分岐点Ｂ１で、循環分岐配管１２１，１２２に分岐している。循環分岐配管１２１は、さらに、循環分岐配管１２１ａ，１２１ｂに分岐しており、循環分岐配管１２２は、さらに、循環分岐配管１２２ａ，１２２ｂに分岐している。
【０３１３】
循環分岐配管１２１ａ，１２１ｂは、それぞれ、銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂの上方から内管１１７ａ，１１７ｂに接続されている。循環分岐配管１２２ａ，１２２ｂは、それぞれ、銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂ内に配設された排液管１４９ａ，１４９ｂに連通接続されている。循環分岐配管１２１ａ，１２１ｂには、それぞれ、バルブＡＶ３−２，ＡＶ４−２が介装されている。循環分岐配管１２２ａ，１２２ｂには、それぞれ、バルブＡＶ３−３，ＡＶ４−３が介装されている。
【０３１４】
環状空間１４５には、循環分岐配管１１９ａ，１１９ｂが連通接続されている。循環分岐配管１１９ａ，１１９ｂには、それぞれ、バルブＡＶ３−１，ＡＶ４−１が介装されている。循環分岐配管１１９ａ，１１９ｂは循環配管１１９の一端側に接続されており、循環配管１１９の他端側は、分岐点Ｂ２で循環分岐配管１１９ｄ，１１９ｅに分岐している。
【０３１５】
バルブＡＶ３−１，ＡＶ３−２，ＡＶ３−３，ＡＶ４−１，ＡＶ４−２，ＡＶ４−３は、銅溶解タンク内流路切り換え部１５３に集約されている。
循環分岐配管１１９ｄは、蓋１２０に形成された配管口を挿通されて（蓋１２０を貫通して）、バッファ槽１１１内に延設されている。循環分岐配管１１９ｄには、バルブＡＶ２−２が介装されている。
【０３１６】
循環配管１１８の途中には、分岐点Ｂ３において、流路切り換え用配管１１５の一端が連通接続されている。流路切り換え用配管１１５の他端側には、バルブＡＶ１−４が介装されている。バルブＡＶ１−４を開くことにより、流路切り換え用配管１１５の他端側から、排液できるようになっている。また、流路切り換え用配管１１５には、それぞれバルブＡＶ１−３，ＡＶ１−２を介してメッキ液移送管Ｐ１２ａ，Ｐ１２ｂが連通接続されている。
【０３１７】
循環配管１１８には、バッファ槽１１１と分岐点Ｂ３との間にバルブＡＶ１−１が介装されており、分岐点Ｂ３と分岐点Ｂ１との間には、分岐点Ｂ３から分岐点Ｂ１に向かう順に、バルブＡＶ１−５、ポンプＰ５，流量計１２３が介装されている。また、循環配管１１８のバッファ槽１１１に近接した部分（バッファ槽１１１と分岐点Ｂ３との間）の側方には、空確認センサ１２７が取り付けられている。空確認センサ１２７は、その高さ位置における循環配管１１８内の液体の有無を検知できる。これにより、バッファ槽１１１内が空であるか否かを知ることができるようになっている。
【０３１８】
バルブＡＶ１−１，ＡＶ１−２，ＡＶ１−３，ＡＶ１−４，ＡＶ１−５は、入口側主流路切り換え部１１３に集約されている。
循環分岐配管１１９ｅは、分岐点Ｂ４においてメッキ液移送管Ｐ１２ｂの途中に連通接続されている。循環分岐配管１１９ｅにはバルブＡＶ２−１が介装されている。バルブＡＶ２−１，ＡＶ２−２は、出口側主流路切り換え部１１４に集約されている。
【０３１９】
入口側主流路切り換え部１１３、銅溶解タンク内流路切り換え部１５３、および出口側主流路切り換え部１１４により、メッキ液の流路を切り換えることができる。
置換原液供給部１１２は、置換原液を収容する置換原液タンク１２８、および所定量の置換原液を計量する計量カップ１２９を備えている。置換原液は、たとえば、濃硫酸とすることができる。計量カップ１２９は蓋１２９ａを有して、ほぼ密閉されている。また、計量カップ１２９の底部は逆円錐形の形状を有しており、計量カップ１２９の底面中央部には排液口が形成されている。すなわち、計量カップ１２９の底面は、この排液口に向かって下り傾斜がつけられている。置換原液タンク１２８内底部と計量カップ１２９の上部との間には、置換原液移送管１３０が配設されている。置換原液移送管１３０には、バルブＡＶ６−３が介装されている。
【０３２０】
置換原液供給部１１２とバッファ槽１１１とは、置換原液供給配管１２４で接続されている。置換原液供給配管１２４は、蓋１２９ａを貫通して計量カップ１２９の上部まで延設されている。計量カップ１２９底部の中央部（排液口）には、置換原液移送管１３１の一端が連通接続されている。置換原液移送管１３１の他端は、分岐点Ｂ５で置換原液供給管１２４に連通接続されている。置換原液供給配管１２４には、分岐点Ｂ５と計量カップ１２９との間において、バルブＡＶ６−１が介装されている。置換原液移送管１３１には、バルブＡＶ６−２が介装されている。
【０３２１】
また、計量カップ１２９には、蓋１２９ａを貫通してリーク管１３２が連通接続されている。計量カップ１２９の外部で、リーク管１３２にはバルブＡＶ６−４が介装されている。バルブＡＶ６−４を開くことにより、計量カップ内を大気圧にできる。
計量カップ１２９側方の所定の高さ位置には、その高さ位置における計量カップ１２９内部の液体の有無を検知する定量確認センサ１３３が取り付けられている。また、置換原液移送管１３１の計量カップ１２９に近接した部分の側方には、空確認センサ１３４が取り付けられている。空確認センサ１３４は、その高さ位置における置換原液移送管１３１内の液体の有無を検知できる。これにより、計量カップ１２９内が空であるか否かを知ることができるようになっている。
【０３２２】
バッファ槽１１１には、蓋１２０を貫通して純水供給配管１３５が連通接続されており、図外の純水供給源からバッファ槽１１１に純水を供給できるようになっている。純水供給配管１３５には、バルブＡＶ７−１が介装されている。
バッファ槽１１１には、さらに、蓋１２０を貫通して給排気管１３６が導入されている。給排気管１３６のバッファ槽１１１外の端部には、エアポンプ１３７が接続されている。給排気管１３６には、三方バルブＡＶ８−３が介装されている。三方バルブＡＶ８−３により、バッファ槽１１１とエアポンプ１３７とが流通するようにしたり、バッファ槽１１１と大気とが流通するようにしたりすることができる。
【０３２３】
エアポンプ１３７は排気管１３８および給気管１３９を備えており、給排気管１３６は排気管１３８および給気管１３９に連通接続されている。排気管１３８には三方バルブＡＶ８−１が介装されており、給気管１３９には三方バルブＡＶ８−２が介装されている。三方バルブＡＶ８−１，ＡＶ８−２，ＡＶ８−３は、エア弁とすることができ、エアポンプ１３７とともに加圧／減圧部１６４に集約されている。
【０３２４】
三方バルブＡＶ８−１を大気とエアポンプ１３７とが流通するようにし、三方バルブＡＶ８−２をエアポンプ１３７と給排気管１３６とが流通するようにして、エアポンプ１３７を作動させることにより、バッファ槽１１１内に空気を供給（給気）できる。また、三方バルブＡＶ８−１を給排気管１３６とエアポンプ１３７とが流通するようにし、三方バルブＡＶ８−２をエアポンプ１３７と大気とが流通するようにして、エアポンプ１３７を作動させることにより、バッファ槽１１１内の気体を排出（排気）できる。
【０３２５】
入口側主流路切り換え部１１３、出口側主流路切り換え部１１４、銅溶解タンク内流路切り換え部１５３、置換原液供給部１１２、および加圧／減圧部１６４の各バルブ、ならびにバルブＡＶ７−１の開閉や、ポンプＰ５、エアポンプ１３７の動作は、シリアル／パラレル変換器１６５を介して、ウエハ処理部１のシステムコントローラ１５５により制御される。定量確認センサ１２６，１３３、空確認センサ１２７，１３４、流量計１２３、および重量計１５４ａ，１５４ｂの出力信号は、シリアル／パラレル変換器１６５を介して、ウエハ処理部１のシステムコントローラ１５５に入力される。
【０３２６】
以下、図２６を参照して、メッキ処理部１２でメッキ処理を行うときの主成分管理部２の動作について説明する。
メッキ処理に先立って、システムコントローラ１５５により、いずれの銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂを使用するかが決定される。銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂは、内部の銅管１４６の重量が最も小さいものが使用され、他のものは予備（リザーブ）とされ使用されない。
【０３２７】
システムコントローラ１５５の記憶装置１５５Ｍには、予め、各銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂの正味の重量およびこれらの内部にメッキ液等が満たされたときの重量のデータが入力されており、システムコントローラ１５５は、各重量計１５４ａ，１５４ｂの出力信号に基づいて、各銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂ内の銅管１４６の重量を計算する。
【０３２８】
その結果、たとえば、銅溶解タンク１１０ａ内の銅管１４６が、最も重量が小さく、かつ、その重量が一定時間メッキ液に銅イオンを供給するのに充分な重量であると判断されたとする。この場合、システムコントローラ１５５は、メッキ処理部１２と銅溶解タンク１１０ａとの間でメッキ液を循環させる流路を形成するように制御する。具体的には、バルブＡＶ１−３，ＡＶ１−５，ＡＶ３−２，ＡＶ３−１，ＡＶ２−１が開かれ、他のバルブは閉じられる。
【０３２９】
この状態で、システムコントローラ１５５の制御により、ポンプＰ５が作動される。これにより、メッキ液は、メッキ処理部１２から銅溶解タンク１１０ａ内に送られ、銅溶解タンク１１０ａ内で銅管１４６の内表面および外表面近傍を通って、再びメッキ処理部１２へと戻される。銅溶解タンク１１０ａ内では、メッキ液中の３価の鉄イオンが銅管１４６から電子を奪い取って２価の鉄イオンに還元される。電子を奪われた銅管１４６からは銅イオンがメッキ液中に溶出する。
【０３３０】
このようにして、メッキ処理中にウエハＷの下面で銅イオンが失われる一方で、銅管１４６から銅イオンが補われる。また、アノード電極７６近傍で２価の鉄イオンが３価の鉄イオンに酸化される一方で、銅管１４６近傍で３価の鉄イオンが２価の鉄イオンに還元される。
メッキ液中の銅イオンならびに２価および３価の鉄イオンの濃度が、所定の濃度からずれると、ウエハＷ表面に形成された微細な孔や溝の埋め込み性が悪くなり良好なメッキができなくなる。したがって、メッキ液中の銅イオンならびに２価および３価の鉄イオンの濃度を所定の値（所定の濃度範囲内）に保つ必要がある。すなわち、ウエハＷの下面で失われる銅イオンの量と、銅管１４６から溶出する銅イオンの量とがほぼ同じになるようにし、アノード電極７６近傍で生じる２価の鉄イオンの量と、銅管１４６近傍で生じる３価の鉄イオンの量とがほぼ同じになるようにしなければならない。
【０３３１】
メッキによるメッキ液中の銅イオンの消費速度は、各メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄの稼働状態によって決まる。また、銅溶解タンク１１０ａ内において、銅管１４６のメッキ液中への溶出速度は、メッキ液に接する銅管１４６の表面積、銅管１４６近傍を流れるメッキ液の流速、およびメッキ液中の３価の鉄イオン濃度によって決まる。
銅管１４６の表面のうち、外周面および内周面が大部分を占める。銅管１４６は、溶解が進行すると、肉厚が薄くなり長さが短くなるが、長さの変化率は無視できるほど小さい。したがって、外周面および内周面の面積（銅管１４６の表面積）は、銅管１４６の溶解が進行しても、銅管１４６が完全に溶解する直前までほぼ一定とみなせる。銅管１４６が完全に溶解する直前であるか否かは、重量計１５４ａの出力信号より求めることができる。また、銅管１４６近傍を流れるメッキ液の流速は、銅溶解タンク１１０ａに流入するメッキ液の流量で代用することができる。
【０３３２】
このため、システムコントローラ１５５は、ポンプＰ５の送液量を、メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄの稼働状態、および鉄イオン濃度を表す吸光度計６６Ｂの出力信号に基づいて決定する。ポンプＰ５の送液量は、流量計１２３の出力信号がシステムコントローラ１５５にフィードバックされることにより、所定の流量になるように調整される。このような制御により、メッキ液に対する銅イオンの消費量と供給量とを収支させ、メッキ液中の銅イオンの濃度をほぼ一定に保つことができる。
【０３３３】
銅溶解タンク１１０ａ内の銅管１４６の溶解が極端に進行すると、銅管１４６の表面積は急激に小さくなり、メッキ液に対して一定の割合で銅イオンを供給するのが困難になる。そこで、このような事態を回避するため、銅溶解タンク１１０ａ内の銅管１４６の重量が、所定の重量（たとえば、所期の重量の２０％ないし３０％）になると、銅溶解タンク１１０ａへのメッキ液の通液が停止され、銅溶解タンク１１０ｂにメッキ液の通液が開始される。
【０３３４】
具体的には、以下のような手順により、システムコントローラ１５５は、重量計１５４ａの信号に基づき、銅溶解タンク１１０ａ内の銅管１４６の重量が上記所定の重量以下になったと判定すると、バルブＡＶ４−１，ＡＶ４−２を開き、バルブＡＶ３−１，ＡＶ３−２を閉じるように制御する。これにより、メッキ液は、メッキ処理部１２と銅溶解タンク１１０ｂとの間を循環するようになる。銅溶解タンク１１０ｂに充分な重量の銅管１４６が収容されていると、メッキ液に安定して銅イオンを供給することができる。
【０３３５】
このように、２つの銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂを主成分管理部２に接続して使用することにより、メッキ液に常時過不足なく銅イオンを供給することができる。これにより、ウエハＷ表面に形成された微細な孔または溝を埋めて良好に銅メッキすることができる。
銅溶解タンク１１０ａ、１１０ｂ内には、銅管１４６の代わりに、板状の銅やメッシュ状の銅が銅供給源として収容されていてもよい。
【０３３６】
次に、メッキ処理部１２でのメッキ処理が終了したときの主成分管理部２の動作について説明する。メッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄでメッキ処理が行われていないときに、メッキ液収容槽５５と銅溶解タンク１１０ａまたは１１０ｂとの間でメッキ液を循環させると、メッキ液中の銅イオンの濃度は適正な濃度範囲を超えて上昇する。これは、メッキ液中の銅イオンが消費されないにもかかわらず、銅管１４６からメッキ液に銅イオンが供給されるからである。
【０３３７】
また、メッキ液の循環を停止すると、銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂ内の銅管１４６の表面が不可逆的に変質し、再度、メッキ液を循環させてメッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄでメッキ処理を行ったとき、ウエハＷ表面に形成された微細な孔や溝を良好に埋めてメッキできなくなる。
そこで、メッキ処理部１２でのメッキ処理が終了したときは、銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂ内のメッキ液を置換液に置換し、メッキ液の銅イオン濃度の上昇および銅管１４６表面の変質を防ぐようにされる。以下、置換する対象を銅溶解タンク１１０ａとする。
【０３３８】
上述の銅管１４６表面の変質は、数時間以内に起こる場合がある。一方、メッキ処理部１２で一旦メッキ処理を終了した場合でも、生産計画の変更等により、すぐにメッキ処理を再開する場合がある。この場合、銅溶解タンク１１０ａ内のメッキ液が置換液に置換されていると、再び銅溶解タンク１１０ａ内をメッキ液に置換しなければならない。銅溶解タンク１１０ａ内をメッキ液に置換するための操作は、たとえば５分ないし１０分程度の時間を要し、生産性が低下する。このため、銅溶解タンク１１０ａ内のメッキ液は、メッキ処理部１２におけるメッキ処理が終了してから、たとえば、２〜３時間の待機時間が経過した後に、置換液に置換される。
【０３３９】
メッキ処理部１２でメッキ処理が終了した後、すぐにメッキ処理を再開する可能性が低い場合などは、メッキ処理が終了した直後に、銅溶解タンク１１０ａ内のメッキ液を置換液に置換することとしてもよい。
先ず、システムコントローラ１５５の制御により、ポンプＰ５が停止され、主成分管理部２のすべてのバルブが閉じられる。続いて、システムコントローラ１５５により加圧／減圧部１６４が制御されて、バッファ槽１１１内に給気される。これによりバッファ槽１１１内は加圧される。
【０３４０】
次に、システムコントローラ１５５の制御により、バルブＡＶ２−２，ＡＶ３−１，ＡＶ３−２，ＡＶ１−５，ＡＶ１−２が開かれる。これにより、バッファ槽１１１内の加圧された空気が環状空間１４５内に導入されて、銅溶解タンク１１０ａ内のメッキ液が押し出され、メッキ処理部１２のメッキ液収容槽５５内に送られる。
システムコントローラ１５５は、重量計１５４ａの出力信号に基づき、銅溶解タンク１１０ａ内のメッキ液の重量を算出し、銅溶解タンク１１０ａ内にメッキ液がほぼなくなったと判断されるまで、上記の状態を維持するように制御する。銅溶解タンク１１０ａ内にメッキ液がほぼなくなったと判断されると、システムコントローラ１５５は、バルブＡＶ３−３を一定時間開くように制御する。これにより、銅溶解タンク１１０ａの底部に残っていたメッキ液のほぼ全量が、排液管１４９ａを介して押し出される。
【０３４１】
次に、システムコントローラ１５５の制御により、バルブＡＶ７−１が開かれて、バッファ槽１１１内に純水が導入される。バッファ槽１１１内の液面が上昇し、定量確認センサ１２６の出力信号により、バッファ槽１１１内の純水の液面が所定の高さ位置に達したと判断されると、システムコントローラ１５５の制御により、バルブＡＶ７−１が閉じられる。これにより、バッファ槽１１１内に所定量の純水が収容された状態となる。
【０３４２】
続いて、システムコントローラ１５５の制御により、三方バルブＡＶ８−１，ＡＶ８−２，ＡＶ８−３を除く主成分管理部２のすべてのバルブが閉じられ、加圧／減圧部１６４がバッファ槽１１１内を排気するようにされる。これにより、バッファ槽１１１内は減圧状態となる。続いて、システムコントローラ１５５の制御により、バルブＡＶ６−１，ＡＶ６−３が開かれる。これにより、計量カップ１２９内も減圧状態となり、置換原液タンク１２８内の置換原液が、置換原液移送管１３０を介して計量カップ１２９内へと吸い上げられる。
【０３４３】
この間、システムコントローラ１５５により、定量確認センサ１３３の出力信号がモニタされて、計量カップ１２９内の置換原液の液面が所定の高さ以上になったか否かが判断される。置換原液の液面が所定の高さ以上になったと判断されると、システムコントローラ１５５の制御により、バルブＡＶ６−３，ＡＶ６−１が閉じられる。以上の操作により、所定量の置換原液が計量カップ１２９内に採取される。
【０３４４】
そして、システムコントローラ１５５の制御により、バルブＡＶ６−２，ＡＶ６−４が開かれる。これにより、計量カップ１２９内は大気圧にされるので、計量カップ１２９内の置換原液は、置換原液移送管１３１および置換原液供給配管１２４を介して、より圧力の低いバッファ槽１１１内へと移送され、バッファ槽１１１内の純水と混合される。
計量カップ１２９の底部が置換原液移送管１３１（排液口）に向かって下り傾斜がつけられていることにより、計量カップ１２９内の置換原液は、ほぼ完全に計量カップ１２９から抜き出される。システムコントローラ１５５により、空確認センサ１３４に出力信号に基づいて、計量カップ１２９内が空であると判断されると、バルブＡＶ６−２，ＡＶ６−４が閉じるように制御される。
【０３４５】
以上の操作により、バッファ槽１１１内に所定の組成および濃度の置換液（たとえば、１０％硫酸水溶液）が得られる。
続いて、システムコントローラ１５５によりバルブＡＶ８−３が制御され、バッファ槽１１１と大気とが流通するようにされる。これにより、バッファ槽１１１内は大気圧になる。その後、システムコントローラ１５５の制御により、バルブＡＶ１−１，ＡＶ１−５，ＡＶ３−２，ＡＶ３−１，ＡＶ２−２が開かれ、ポンプＰ５が作動される。この際、ポンプＰ５は、所定の時間のみ作動されるか、または、重量計１５４ａの出力信号に基づき、銅溶解タンク１１０ａ内が置換液で満たされたと判断されるまで作動される。
【０３４６】
その後、システムコントローラ１５５の制御により、ポンプＰ５が停止され、主成分管理部２内のすべてのバルブが閉じられる。そして、システムコントローラ１５５の制御により、バルブＡＶ１−１，ＡＶ１−４が開かれて、バッファ槽１１１内に残った置換液が排出される。以上の操作により、銅溶解タンク１１０ａ内のメッキ液が置換液に置換される。
【０３４７】
これにより、メッキ液中の銅イオン濃度は上昇することはない。また、銅管１４６の表面が変質することもないので、メッキ処理部１２と銅溶解タンク１１０ａ（１１０ｂ）との間で、再度メッキ液を循環させてメッキ処理ユニット２０ａ〜２０ｄでメッキを行う際は、ウエハＷ表面に形成された微細な孔や溝を埋めて良好にメッキできる。硫酸はメッキ液の支持電解質であるので、置換液が硫酸水溶液である場合、多少の置換液がメッキ液に混入しても悪影響を及ぼさない。
【０３４８】
上述の置換液への置換操作において、銅溶解タンク１１０ａ内のメッキ液を抜き取った後、置換液を導入する前に、銅溶解タンク１１０ａに対して純水を導入および排出するようにしてもよい。これにより銅溶解タンク１１０ａ内は純水で洗浄されるので、置換液に混入するメッキ液の量を少なくできる。銅溶解タンク１１０ａ内に純水を導入するには、純水供給源からバッファ槽１１１内に純水のみ導入して（純水導入の後、置換原液を導入せず）、置換液を銅溶解タンク１１０ａ内に導入するときと同様の操作を行えばよい。
【０３４９】
内部を置換液で満たされた銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂ内を、再びメッキ液に置換する際は、以下の手順に従う。先ず、銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂ内のメッキ液を置換液で置換する際にメッキ液を抜き出すときと同様の手順に従い、銅溶解タンク１１０ａ，１１０ｂから置換液を抜き出す。ただし、この操作が行われるときは、システムコントローラ１５５の制御により、バルブＡＶ１−２が閉じられバルブＡＶ１−４が開かれて、抜き出された置換液は排出される。
【０３５０】
その後、システムコントローラ１５５の制御により、主成分管理部２内のすべてのバルブが閉じられた後、たとえば、バルブＡＶ１−２，ＡＶ１−５，ＡＶ３−２，ＡＶ３−１，ＡＶ２−１が開かれる。これにより、銅溶解タンク１１０ａ内にメッキ液が導入される。
次に、微量成分管理部３の構成および機能について説明する。図２７は、微量成分管理部３に備えられた分析カップの構造を示す図解図である。
【０３５１】
微量成分管理部３はサンプリング容器３１９を備えており、サンプリング容器３１９と分析カップ３３６との間には、メッキ液移送管３３０が配設されている。ウエハ処理部１に備えられたメッキ液収容槽５５（図７参照）内のメッキ液は、サンプリング管３２２を介してサンプリング容器３１９に移送された後、所定の量が計量されてメッキ液移送管３３０を介して分析カップ３３６に移送されるようになっている。分析カップ３３６の容積は、５０ｍｌ〜２００ｍｌ程度である。
【０３５２】
分析カップ３３６の上部は開放されている。メッキ液移送管３３０の分析カップ３３６側の端部には、ノズル３３０Ｎが接続されている。ノズル３３０Ｎは、分析カップ３３６の上部に配置されており、ノズル３３０Ｎを介してサンプリング容器３０５から移送されてきたメッキ液を分析カップ３３６内に供給できる。
微量成分管理部３では、メッキを促進する添加剤（以下、「促進剤」という。）、メッキを抑制する添加剤（以下、「抑制剤」という。）、および分析対象のメッキ液を希釈するために用いられるベース液が使用される。微量成分管理部３は、分析用の試薬としての促進剤、抑制剤、およびベース液を収容し、分析カップ３３６に供給する試薬供給部３１３を備えている。
【０３５３】
試薬供給部３１３と分析カップ３３６との間には、促進剤移送管３５１、抑制剤移送管３５２、およびベース液移送管３５３が配設されている。促進剤移送管３５１、抑制剤移送管３５２、およびベース液移送管３５３の分析カップ３３６側の端部には、ノズル３５１Ｎ，３５２Ｎ，３５３Ｎがそれぞれ接続されている。ノズル３５１Ｎ，３５２Ｎ，３５３Ｎは、分析カップ３３６の上部に配置されており、ノズル３５１Ｎ，３５２Ｎ，３５３Ｎを介して、それぞれ、促進剤、抑制剤、およびベース液を分析カップ３３６内に供給できる。
【０３５４】
さらに、純水供給源から分析カップ３３６に、純水配管３５６が延設されている。純水配管３５６にはバルブ３５６Ｖが介装されている。純水配管３５６には、分析カップ３３６の上部に配置されたノズル３５６Ｎが接続されており、バルブ３５６Ｖを開くことにより、ノズル３５６Ｎを介して分析カップ３３６内に純水を供給できる。
ノズル３３０Ｎ，３５１Ｎ，３５２Ｎ，３５３Ｎ，３５６Ｎは、いずれも分析カップ３３６に収容された液体に接触しない高さ位置に配置されている。ノズル３３０Ｎ，３５１Ｎ，３５２Ｎ，３５３Ｎ，３５６Ｎの開口径はいずれも０．１ｍｍないし１ｍｍである。これにより、微少量のメッキ液、促進剤、抑制剤、ベース液、および純水を分析カップ３３６内に滴下できる。
【０３５５】
分析カップ３３６の下部は下方に向かって細くなる漏斗状の形状を有している。分析カップ３３６の最も低い部分には排液口３３６ｈが形成されている。すなわち、分析カップ３３６の底部は、排液口３３６ｈに向かって下り傾斜がつけられている。この排液口３３６ｈには排出管３４４が連通接続されており、排出管３４４にはバルブ３４４Ｖが介装されている。バルブ３４４Ｖを開くことにより、分析カップ３３６内の液体を抜き出すことができる。分析カップ３３６の底部に排液口３３６ｈ（排出管３４４）に向かう下り傾斜がつけられていることにより、分析カップ３３６内の液体をほぼ完全に抜き出すことができる。
【０３５６】
分析カップ３３６内には、回転電極３０８、対極３０９、および参照電極３１０が挿入されている。対極３０９および参照電極３１０は、いずれも棒状の形状を有しており、ほぼ鉛直方向に沿うように配置されている。
回転電極３０８は白金（Ｐｔ）からなり、絶縁材料からなる円柱状の棒体３０８ａの一方端面から露出するように設けられている。回転電極３０８の露出部は鏡面仕上げされている。棒体３０８ａは、回転電極３０８が取り付けられている側が下方に向けられて、鉛直方向に沿うように配置されている。棒体３０８ａは、図示しない保持部材により、棒体３０８ａの中心軸のまわりに回転自在に保持されている。
【０３５７】
棒体３０８ａの内部には、棒体３０８ａの中心軸に沿って導電部材３０８ｂが挿通されている。導電部材３０８ｂの一方端は、回転電極３０８に電気接続されている。導電部材３０８ｂの他方端は、棒体３０８ａから突出しており、この突出部には回転接続用コネクタ３１２が取り付けられている。回転接続用コネクタ３１２の回転系側の端子は導電部材３０８ｂに電気接続されており、回転接続用コネクタ３１２の非回転系側の端子は、導線を介してポテンショスタット１７２に電気接続されている。
【０３５８】
棒体３０８ａの回転接続用コネクタ３１２が取り付けられている側の端部近傍には、プーリ３１５が嵌められている。プーリ３１５の側方には、モータ３１６の回転軸に嵌められたプーリ３１７が配置されており、プーリ３１５とプーリ３１７との間には、ベルト３１８が張設されている。モータ３１６を駆動することにより、回転電極３０８を棒体３０８ａの中心軸のまわりに回転させることができる。
【０３５９】
対極３０９は銅からなり、導線を介してポテンショスタット１７２に電気接続されている。
参照電極３１０は、外部ガラス管３１０ａ、外部ガラス管３１０ａ内に配置された内部ガラス管３１０ｂ、および内部ガラス管３１０ｂ内に配置された銀塩化銀電極３１０ｃを備えている。内部ガラス管３１０ｂの内部と外部ガラス管３１０ａの外部とは、わずかに流通するようになっている。銀塩化銀電極３１０ｃは、導線を介してポテンショスタット１７２および微量成分管理コントローラ１６９に電気接続されている。
【０３６０】
ポテンショスタット１７２には、微量成分管理コントローラ１６９によって設定された掃引電圧が与えられるようになっている。ポテンショスタット１７２は、参照電極３１０と作用電極としての回転電極３０８との間の電圧がこの掃引電圧と等しくなるように、対極３０９と回転電極３０８との間に流れる電流の大きさを調整し、このときの電流値を表す電圧（信号）を微量成分管理コントローラ１６９に与える。
【０３６１】
バルブ３５６Ｖ，３４４Ｖの開閉や、モータ３１６の動作は微量成分管理コントローラ１６９により制御される。
この分析カップ３３６により、メッキ液中の促進剤や抑制剤の濃度を測定できる。以下、ＣＶＳ分析により、メッキ液中の促進剤又は抑制剤の濃度を測定する方法について説明する。
【０３６２】
先ず、メッキ液移送管３３０を介して、サンプリング容器３１９から分析カップ３３６へと所定量のメッキ液が移送される。そして、微量成分管理コントローラ１６９により、モータ３１６が制御されて、回転電極３０８が棒体３０８ａの軸のまわりに回転される。
続いて、微量成分管理コントローラ１６９によりポテンショスタット１７２が制御され、掃引電圧が一定の周期で変動するようにされる。これにより、回転電極３０８（作用電極）に対する銅メッキおよびこの銅の剥離（ストリッピング）がサイクリックに生じる。回転電極３０８の銅が剥離される際に回転電極３０８に流れる電流は、メッキ液中の促進剤や抑制剤の濃度と相関がある。このため、回転電極３０８に流れる電流をモニタすることにより、微量成分管理コントローラ１６９は促進剤または抑制剤の濃度を求めることができる。
【０３６３】
分析中必要により、所定量の促進剤、抑制剤、およびベース液が、適時分析カップ３３６内のメッキ液に添加される。
ＣＶＳ分析終了後、微量成分管理コントローラ１６９は、求められた促進剤濃度または抑制剤濃度に基づいて、メッキ処理部１２内のメッキ液の促進剤または抑制剤が所定の濃度範囲になるように補充するべき促進剤または抑制剤の量を演算により求める。微量成分管理部３は、メッキ処理部１２に備えられたメッキ液収容槽５５に、促進剤および抑制剤を補充するための図示しない補充部を備えている。微量成分管理コントローラ１６９は、補充部を制御して、求められた量の抑制剤または促進剤を補充管３２４を介してメッキ液収容槽５５内のメッキ液に補充する。
【０３６４】
微量成分管理部３には、補充部が備えられていなくてもよい。この場合、作業者が、手作業により必要量の補充液をメッキ液収容槽５５内に収容されたメッキ液に補充することとしてもよい。
次に、後処理薬液供給部４の構成および機能について説明する。図２８は、後処理薬液供給部４の構造を示す図解的な斜視図である。
【０３６５】
後処理薬液供給部４は、ベベルエッチングユニット２１ａ，２１ｂや洗浄ユニット２２ａ，２２ｂで使用されるエッチング液や洗浄液などの後処理薬液を収容する後処理薬液タンク２９０、および後処理薬液タンク２９０を内部に収容するためのタンクエンクロージャ２９１を備えている。この実施形態では、ベベルエッチングユニット２１ａ，２１ｂで使用されるエッチング液と、洗浄ユニット２２ａ，２２ｂで使用される洗浄液とは同じものとして、後処理薬液タンク２９０は１つのみ示しているが、複数種類の後処理薬液が用いられる場合は、複数の後処理薬液タンク２９０が備えられていてもよい。
【０３６６】
タンクエンクロージャ２９１は、上部に蓋２９３が設けられており、正面に扉２９４が設けられている。蓋２９３または扉２９４を開けて、後処理薬液タンク２９０の出し入れなどの作業を行うことができる。蓋２９３および扉２９４を閉じた状態で、タンクエンクロージャ２９１はほぼ密閉された状態となる。
タンクエンクロージャ２９１内の底部にはバット２９２が配置されており、後処理薬液タンク２９０はバット２９２内に置かれている。バット２９２の容積は、後処理薬液タンク２９０の容積（後処理薬液タンク２９０が複数ある場合は、すべての後処理薬液タンク２９０の容積の合計）より大きくされており、後処理薬液タンク２９０内のすべての後処理薬液が漏出しても、これらの後処理薬液の全量をバット２９２で受けられるようになっている。
【０３６７】
タンクエンクロージャ２９１の背面には、排気接続口２９５および後処理薬液配管挿通口２９６が形成されている。排気接続口２９５には、図外の排気設備に接続された排気管２９７が接続されており、タンクエンクロージャ２９１内の空気を排気できるようになっている。タンクエンクロージャ２９１がほぼ密閉された状態で、排気管２９７を介して排気することにより、タンクエンクロージャ２９１内を負圧に保つことができる。
【０３６８】
後処理薬液配管挿通口２９６には、短い管状の保護管２９８が挿通されており、保護管２９８には後処理薬液配管Ｐ１４が挿通されている。すなわち、後処理薬液配管挿通口２９６には二重の配管が挿通されている。
後処理薬液配管Ｐ１４は、後処理薬液タンク２９０内の底部とベベルエッチングユニット２１ａ，２１ｂおよび洗浄ユニット２２ａ，２２ｂとの間に配設されている。後処理薬液配管Ｐ１４に介装されたバルブ９３Ｖ（図２３参照）およびバルブ１０８Ｖ（図２４参照）は、後処理薬液供給部４に設けられている（図２８では、図示を省略）。バルブ９３Ｖ，１０８Ｖを開き、図示しないポンプを作動させることにより、後処理薬液タンク２９０内の後処理薬液（エッチング液、洗浄液）を、ベベルエッチングユニット２１ａ，２１ｂまたは洗浄ユニット２２ａ，２２ｂに供給できる。
【０３６９】
図２９は、主成分管理部２、微量成分管理部３、および後処理薬液供給部４の制御系統の構成を示すブロック図である。
主成分管理部２は、シリアル／パラレル変換器１６５および操作パネル１６６を備えている。ウエハ処理部１に備えられたシステムコントローラ１５５は、ＲＳ−４８５規格のシリアルポートを介して、シリアル／パラレル変換器１６５とケーブル接続されており、ＲＳ−２３２Ｃ規格のシリアルポートを介して操作パネル１６６とケーブル接続されている。
【０３７０】
シリアル／パラレル変換器１６５には、電磁弁１６７やセンサ１６８（たとえば、定量確認センサ１２６，１３３、空確認センサ１２７，１３４、重量計１５４ａ，１５４ｂ（図２６参照））などがパラレル接続されている。電磁弁１６７は、たとえば、エア弁からなるバルブ（たとえば、バルブＡＶ１−１など（図２６参照））を制御することができる。また、操作パネル１６６により、作業者は主成分管理部２に関する情報を入出力することができる。
【０３７１】
微量成分管理部３は、微量成分管理コントローラ１６９を備えており、ウエハ処理部１に備えられたシステムコントローラ１５５によらない制御もできるようになっている。微量成分管理コントローラ１６９とシステムコントローラ１５５とは、ＲＳ−２３２Ｃ規格のシリアルポートを介してケーブル接続されている。
微量成分管理コントローラ１６９には、ディスプレイ１７０、キーボード１７１、警報音発生装置４００、ポテンショスタット（電源）１７２、シリンジポンプ１７３、シリアル／パラレル変換器１７４などが接続されている。ディスプレイ１７０およびキーボード１７１により、微量成分管理コントローラ１６９と作業者との間で、情報の入出力をできるようになっている。
【０３７２】
メッキ液中の微量成分の濃度を測定する際、シリンジポンプ１７３により、分析カップ３３６に収容されたメッキ液に、分析用の試薬等を滴下することができる。また、シリンジポンプ１７３により、メッキ処理部１２内のメッキ液に補充すべき量の微量成分を含む補充液を計量できる。
シリアル／パラレル変換器１７４には、パラレルケーブルを介して電磁弁１７５やセンサ１７６（たとえば、試薬等を計量する容器に備えられた液面センサ）が接続されている。電磁弁１７５は、たとえば、エア弁からなるバルブを制御することができる。シリアル／パラレル変換器１７４は、微量成分管理コントローラ１６９からのシリアル信号をパラレル変換して、電磁弁１７５等に出力し、センサ１７６からのパラレル信号をシリアル変換して、微量成分管理コントローラ１６９に出力する。
【０３７３】
後処理薬液供給部４は、シリアル／パラレル変換器１７７を備えている。ウエハ処理部１に備えられたシステムコントローラ１５５は、ＲＳ−４８５規格のシリアルポートを介して、シリアル／パラレル変換器１７７とケーブル接続されている。シリアル／パラレル変換器１７７には、パラレルケーブルを介して電磁弁１７８およびセンサ１７９などが接続されている。電磁弁１７８は、たとえば、エア弁からなるバルブ（たとえば、バルブ９３Ｖ（図２３参照），１０８Ｖ（図２４参照））を制御することができる。センサ１７９は、後処理薬液タンク２９０に取り付けられた液面センサ、排気管２９７内の排気圧を測定するための排気圧センサ、バット２９２内に設けられ後処理薬液等の漏出を検知する漏液検知センサなどを含んでいる。
【０３７４】
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０３７５】
【図１】本発明の一実施形態に係るメッキ装置の構成を示すブロック図である。
【図２】ウエハ処理部の図解的な平面図である。
【図３】ウエハ処理部のエンクロージャの構造を示す図解的な斜視図である。
【図４】エンクロージャに備えられたジャッキボルトおよびフレームを示す図解的な断面図である。
【図５】ウエハ処理部に備えられたロボット本体の構造を説明するための図である。
【図６】カセットが取り付けられたカセットステージの図解的な平面図および側面図である。
【図７】メッキ処理部の構成を示す図解的な正面図である。
【図８】サンプルメッキ液の銅濃度と測定された吸光度との関係を示す図である。
【図９】メッキ処理ユニットの構造を示す図解的な断面図である。
【図１０】回転管の近傍を拡大して示す図解的な断面図である。
【図１１】ロータリジョイントの図解的な断面図である。
【図１２】メッキ処理時のウエハ近傍の図解的な断面図である。
【図１３】カソードリングの図解的な平面図および断面図である。
【図１４】カソード電極の形状を示す図解的な平面図および断面図である。
【図１５】メッキ槽中の電気的等価回路を示す図解図である。
【図１６】メッキカップの図解的な平面図である。
【図１７】純水供給ノズル近傍を示す図解的な断面図である。
【図１８】液貯め容器近傍の図解的な断面図である。
【図１９】排気管とカソード洗浄液回収槽との接続部近傍を示す図解的な断面図である。
【図２０】スピンベースが上方に向けられた状態のメッキ処理ユニットの図解的な断面図である。
【図２１】メッキ処理ユニットの図解的な側面図である。
【図２２】メッキカップの図解的な側面図である。
【図２３】ベベルエッチングユニットの構成を示す図解的な断面図である。
【図２４】洗浄ユニットの構成を示す図解的な断面図である。
【図２５】ウエハ処理部の制御系統の構成を示すブロック図である。
【図２６】主成分管理部の構成を示す図解図である。
【図２７】微量成分管理部に備えられた分析カップの構造を示す図解図である。
【図２８】後処理薬液供給部の構造を示す図解的な斜視図である。
【図２９】主成分管理部、微量成分管理部、および後処理薬液供給部の制御系統の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【０３７６】
１  ウエハ処理部
３  微量成分管理部
４  後処理薬液供給部
１０  メッキ装置
１２  メッキ処理部
１６  カセットステージ
１８  ロボット本体
２０ａ〜２０ｄ  メッキ処理ユニット
２１ａ，２１ｂ  ベベルエッチングユニット
２２ａ，２２ｂ  洗浄ユニット
２４  垂直多関節アーム
２５  回転駆動機構
２７，２８  モータ
３０  エンクロージャ
３１  フィルタ
３２  純水配管
３２ｈ  純水配管挿通口
３３  圧縮空気配管
３３ｈ  圧縮空気配管挿通口
３４，３５  排気配管
３４ｈ，３５ｈ  排気口
３６  開口
３７  フレーム
４１，４２  進退アーム
４４ａ  ガイド
４５  回転駆動機構
４６  サセプタ移動機構
４９  メッシュ部材
５１  カセットガイド
５２  透過型フォトセンサ
５４  メッキ液導入口
５６ａ〜５６ｄ  メッキカップ
６１ａ〜６１ｄ  メッキ槽
６２ａ〜６２ｄ  回収槽
７４ａ〜７４ｄ  ウエハ保持回転機構
７５  シャワーヘッド
７６  アノード電極
７７  回転管
７８  スピンベース
７８ｉ  絶縁板
７８ｊ，７９ｊ  連結部材
８０  カソードリング
８０ａ  当接部
８０ｂ  ベースリング
８０ｃ  導通板
８０ｄ  電極押さえ
８０ｅ  コイルばね
８０ｒ  Ｏリング
８０ｓ  シール面
８０ｕ  アッパーリング
８１  サセプタ
８１ａ  ウエハ裏面押圧板
８１ｂ  支軸
８１ｃ，８１ｄ  流体流路
８２  メッキ電源
８３  カソード電極
１０１  カップ
１０２  スピンチャック
１０２ｄ  処理液吐出口
１０３  回転駆動機構
１０５ａ  排液口
１０７  ノズル
１５５  システムコントローラ
１５５Ｃ  中央演算処理装置
１５５Ｍ  記憶装置
１５５Ｐ  プリント基板
１５６  カラーディスプレイ
１５７  キーボード
１９１  ロータリジョイント
１９２  電気接続機構
１９３，１９５  プーリ
１９４  回転軸
１９６  ベルト
１９７  回転接続用コネクタ
１９８  導線
２０３  供給配管
２１０  カソード洗浄液回収槽
２１２  導電率計
２２２ａ  フレーム
２２３  回動軸
２３０  第１ベース板
２３１  第２ベース板
２３３  固定穴
２３５  固定ねじ
２３８Ａ  押しねじ
２３８Ｂ  引きねじ
２４３  ステータ
２４４  ロータ
２６４  密閉リング
２７０  主流路
２７１  リーク流路
２８０，２８１  シリアルポート
２９０  後処理薬液タンク
２９２  バット
２９１  タンクエンクロージャ
２９７  排気管
３０８  回転電極
３３６  分析カップ
３６１  側壁
Ｃ  カセット
Ｌ１３  信号線（シリアルライン）
ＴＲ  搬送ロボット
Ｗ  半導体ウエハ
Ｗｈ  ウエハ搬入／搬出口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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