(57)【要約】【課題】ＯＣＢモードにおいてベンド転移核の発生をより容易にし、開口率を低下させることなくスプレイ配向状態からベンド配向状態へと迅速且つ均一に転移させることを可能とした液晶装置及び電子機器を提供する。【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０上に、一方向に延在する複数のデータ線６ａと、データ線６ａの延在方向に交差する方向に延在する複数の走査線３ａと、隣り合うデータ線６ａと隣り合う走査線３ａとによって囲まれた領域に配置された複数の画素電極９と、を備え、走査線３ａの延在方向に隣り合う画素電極９がデータ線６ａの延在方向に互いの位置をずらして配置され、走査線３ａが画素電極９の配置に沿って曲折する曲折部７を有し、曲折部７が画素電極９の少なくとも１つの角部に対向して配置されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで挟持された液晶層と、を備え、前記液晶層の液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示又は光変調を行う液晶装置であって、
互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、複数の画素電極と、を備え、
複数の前記画素電極は、複数の前記画素電極のうち隣り合う前記画素電極が、互いの位置をずらして配置されるように配列されており、前記データ線又は前記走査線のいずれか一方の配線が、前記画素電極のずれに沿って曲折する曲折部を有し、
前記画素電極が、前記曲折部に対向する少なくとも１つの角部を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記画素電極の少なくとも一辺の両側に設けられた２つの角部に、前記曲折部が対向配置されていることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
【請求項３】
前記走査線が前記曲折部を有し、
前記曲折部に、前記画素電極の一辺に沿って延長された延長部が設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶装置。
【請求項４】
前記データ線又は前記走査線のうち前記曲折部を有する配線は、他方の配線と交差する部分を除き、他方の配線上に重なる位置を避けた位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶テレビジョンや液晶プロジェクタに代表される液晶装置の分野では、静止画はもとより動画の画質向上が求められている。動画の画質向上のためには、液晶装置の応答速度を高くすることが不可欠である。近年では、応答速度の速いＯＣＢ（Optical Compensated Bend）モードの液晶装置が注目されている。
【０００３】
ＯＣＢモードの液晶装置は、初期状態と表示動作状態とで液晶分子の配向が変化するようになっている。初期状態では液晶分子の配向が２枚の基板間でスプレイ状に開くように規制される（スプレイ配向）。表示動作状態では液晶分子の配向が２枚の基板間で弓なりに曲がるように規制される（ベンド配向）。
【０００４】
ＯＣＢモードの液晶装置で画像表示や光変調を行う場合には、ベンド配向の状態で駆動電圧を印加する。ベンド配向の状態では、電圧を印加したときに液晶分子の配向が切り替わる時間がＴＮモードやＳＴＮモードの場合に比べて短くなるので、液晶層の光透過率を短時間で変化させることができ、高速応答が可能となる。
【０００５】
ＯＣＢモードの液晶装置では、液晶分子の配向をスプレイ配向からベンド配向に変化させる際、ある閾値電圧以上の電圧を液晶層に印加する必要がある（初期転移操作）。ベンド転移核を生じさせるには、まず、転移の核（以下、ベンド転移核）となる部分を発生させた後、転移を周囲に伝播させていく必要がある。一般的なアクティブマトリクス型の画素構造では、走査線やデータ線は直線状で互いに交差しており、走査線及びデータ線により区画された領域に画素電極が配置されている。このような構成の場合、ベンド転移核の発生が不確実であるとともに液晶分子全体がベンド転移するのに要する時間が長いという問題がある。このように、初期転移操作が不十分な場合には、スプレイ配向からベンド配向への変化が不十分となり、配向不良による表示不良が生じる場合がある。
【０００６】
液晶分子の初期転移を円滑にするため、ベンド転移核を確実に発生させる構成が開示されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。特許文献１においては画素電極の周辺に凸部を形成してベンド転移核の発生を促しており、特許文献２においては画素電極の縁に複数の突起部を設けて櫛歯状にすることでベンド転移核の発生を促している。
【特許文献１】特開２００２−２５０９４２号公報
【特許文献２】特開２００２−３５７８０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記した特許文献１，２では、画素電極の形状が複雑なためにパターニングが困難となり歩留まりが低下する。さらに、電極形状が複雑化することで開口率が低下してしまったり、上記した凸部や突起部からラビングスジが発生して配向不良が生じるといった問題が生じる虞があった。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＯＣＢモードにおいてベンド転移核の発生をより容易にし、開口率を低下させることなくスプレイ配向状態からベンド配向状態へと迅速且つ均一に転移させることを可能とした液晶装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の液晶装置は、上記課題を解決するために、対向配置された第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで挟持された液晶層と、を備え、前記液晶層の液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示又は光変調を行う液晶装置であって、互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、複数の画素電極と、を備え、複数の前記画素電極は、複数の前記画素電極のうち隣り合う前記画素電極が、互いの位置をずらして配置されるように配列されており、前記データ線又は前記走査線のいずれか一方の配線が、前記画素電極のずれに沿って曲折する曲折部を有し、前記画素電極が、前記曲折部に対向する少なくとも１つの角部を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の液晶装置によれば、例えば、データ線の延在方向において隣り合う画素電極が、データ線の延在方向に交差する方向（走査線の延在方向）に位置をずらして配置される。または、走査線の延在方向において隣り合う画素電極が、データ線の延在方向に交差する方向（データ線の延在方向）に位置をずらして配置されることになる。データ線及び走査線は画素電極の配置に沿って形成されることから、走査線或いはデータ線のいずれか一方が画素電極の少なくとも１つの角部（詳細には角部を構成する隣り合う２辺）に沿って曲折することになる。すなわち、画素電極の形状（配置）に沿って曲折することによって形成される、走査線或いはデータ線の曲折部が、画素電極の少なくとも１つの角部に対向することになる。
【００１１】
詳細には、走査線の曲折部が画素電極の角部に対向している場合、データ線（画素電極）及び曲折部を有する走査線に異なる電圧を印加すると、画素電極と走査線の曲折部との間に横電界が生じる。つまり、画素電極の角部を構成する隣り合う２辺に対してそれぞれ対向する走査線との間で、異なる方向の横電界が生じる。すると、各横電界に応じて異なる方向にツイストする液晶分子同士がぶつかり合い、ディスクリネーションラインができ、これがベンド転移核発生ポイントとなる。
【００１２】
一方、データ線の曲折部が画素電極の角部に対向している場合、曲折部を有するデータ線及び走査線に異なる電圧を印加するとともに、隣り合うデータ線同士にも異なる電圧を印加することによって、画素電極とデータ線の曲折部との間に横電界が生じる。この横電界により先に述べたような液晶分子の配向不良が生じて、ディスクリネーションラインができ、これがベンド転移核発生ポイントとなる。
【００１３】
したがって、データ線或いは走査線の曲折部近傍における液晶分子を核（ベンド転移核）として、当該液晶分子の周りにベンド配向が伝播することになる。したがって、曲折しないデータ線或いは走査線に初期転移操作の電圧を印加する場合に比べて、ベンド転移核を確実に発生させることができ液晶分子全体をより迅速にベンド配向に転移させることができる。これにより、液晶層の光透過率を短時間で変化させることができ、高速応答が可能となるので残像等が発生することもなく良好な表示を行うことができる。
【００１４】
また、画素電極の形状が複雑化しないので、ラビングスジの発生に伴う配向不良やパターニングによる歩留まりの低下を防止することができる。さらに、このような画素電極の配置に沿ってデータ線及び走査線が形成されることから、開口率が低下する虞もなく良好な表示を行うことができる。
【００１５】
また、画素電極の少なくとも一辺の両側に設けられた２つの角部に、曲折部が対向配置されていることも好ましい。
このような構成によれば、画素電極の少なくとも２つの角部にデータ線或いは走査線の曲折部が対向しているので、ベンド転移核の発生ポイントを増やすことができる。したがって、各画素電極に対向する少なくとも２つの曲折部近傍の液晶分子を中心に、周りにベンド配向がより伝播し易くなる。したがって、液晶分子全体をより一層ベンド配向に転移し易くなる。
【００１６】
また、前記走査線が前記曲折部を有し、前記曲折部に、前記画素電極の一辺に沿って延長された延長部が設けられていることも好ましい。
このような構成によれば、走査線が曲折部を有し、曲折部に、前記画素電極の一辺に沿って延長された延長部を設けているので、この延長部により走査線を介して隣り合う画素電極のうち、曲折部が対向していない画素電極の角部においてもベンド転移核の発生ポイントとすることができる。したがって、隣り合う２本の走査線とそれぞれの延長部によって、画素電極の全ての角部がベンド転移核の発生ポイントになる。したがって、画素領域におけるベンド転移核の発生ポイントが増加するとともに、各ベンド転移核の発生ポイントを中心にしてその周りにベンド配向がより一層伝播し易くなる。したがって、液晶分子全体をより一層ベンド配向に転移し易くなる。
【００１７】
また、前記データ線又は前記走査線のうち前記曲折部を有する配線は、他方の配線と交差する部分を除き、他方の配線上に重なる位置を避けた位置に配置されていることも好ましい。
このような構成によれば、走査線及びデータ線の各々の延在方向において互いに重なる面積を少なくすることができるので、データ線と走査線との間で寄生容量が発生することを防止することができる。これにより、画質の低下を防止することができる。
【００１８】
本発明の電子機器は、上記のような液晶装置を備えていることを特徴とする。
上記した液晶装置を備えているので、ＯＣＢモードにおいてベンド転移核の発生をより容易にし、開口率を低下させることなくスプレイ配向状態からベンド配向状態へと画素全体を迅速且つ均一に転移させることを可能とした電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２０】
［第１実施形態］
以下、本発明に係る液晶装置の第１実施形態について説明する。
本実施形態では、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）を画素スイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス方式のＯＣＢモード液晶装置の例を挙げて説明する。
【００２１】
図１（ａ）は本実施形態の液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図、図１（ｂ）は（ａ）図のＨ−Ｈ’線に沿う断面図、図２は同液晶装置の等価回路図、図３は液晶装置の画素領域における部分断面構成図である。
なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０（第１基板）と対向基板２０（第２基板）とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、正の誘電率異方性を有する液晶から構成されており、後述するように初期状態ではスプレイ配向、表示動作時にはベンド配向を呈するものとなっている。シール材５２の形成領域の内側の領域に、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）５３が形成されている。シール材５２の外側の周辺回路領域には、データ線駆動回路１０１および外部回路実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間を接続するための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０の角部においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。また、図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の内側には画素電極９が形成されていて、ＴＦＴアレイ基板１０に対向配置された対向基板２０の内側には共通電極２１が形成されている。
【００２３】
図２の等価回路図に示すように、液晶装置の表示領域を構成すべくマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９がそれぞれ形成されている。また、その画素電極９の側方には、当該画素電極９への通電制御を行う画素スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０が形成されている。ＴＦＴ素子３０のソースには、データ線６ａが電気的に接続されている。各データ線６ａには画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給される。なお画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、各データ線６ａに対してこの順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給してもよい。
【００２４】
ＴＦＴ素子３０のゲートには、走査線３ａが電気的に接続されている。走査線３ａには、所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｎが供給される。なお、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｎは、各走査線３ａに対してこの順に線順次で印加される。また、ＴＦＴ素子３０のドレインには、画素電極９が電気的に接続されている。そして、走査線３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｎにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオン状態にすると、データ線６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれる。
【００２５】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極９と容量線３ｂとの間に蓄積容量７０が形成され、液晶容量と並列に接続されている。このように、液晶に電圧が印加されると、その電圧レベルにより液晶分子のベンド配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
【００２６】
以上、等価回路図を用いて画像表示を行う際の動作として説明したが、ＯＣＢモードの液晶装置１００として後述する初期転移のための電圧印加動作を行う際にも、画像表示動作の場合と同様、データ線に初期転移用信号を、走査線に走査信号を供給し、表示領域内の複数の画素を駆動する。
【００２７】
図３（ａ），（ｂ）は、液晶装置１００の画素領域における部分断面構成図である。ここで、図３（ａ）は電圧が印加されていない初期状態における液晶分子５１の状態を示す図であり、図３（ｂ）は電圧印加時の液晶分子５１の配向状態を示す図である。図４（ａ）は図３（ｂ）に続く液晶分子５１の配向状態を示す図であり、図４（ａ）は図４（ｂ）に続く液晶分子５１の配向状態を示す図である。なお、ＴＦＴアレイ基板１０では、説明に必要な構成を図示していることからＴＦＴ素子の図示を省略している。
【００２８】
図３（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置された対向基板２０と、これらの間に挟持された液晶層５０とを主体として構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａ上の内側に、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料からなる画素電極９と、シリコン酸化物等からなる配向膜１６とが順に積層されている。画素電極９には図示略のＴＦＴ素子３０が電気的に接続されている。また、配向膜１６には所定方向にラビング処理が施されている。また、画素領域Ｐ１の周辺部を囲む画素間領域に対応する対向基板２０側には、図示しない遮光層が設けられていて、この画素間領域は液晶装置の非表示領域Ｐ２として機能するようになっている。そして、基板本体１０Ａの外側には、光学補償板１７と偏光板１４とが順に積層されている。
【００２９】
一方、対向基板２０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａを基体としてなり、その内側にＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極２１と、シリコン酸化物等からなる配向膜２２とが順に積層されている。配向膜２２には、上記配向膜１６のラビング方向と平行で且つ逆の方向にラビング処理が施されている。そして、基板本体２０Ａの外側には、偏光板２４が配設されている。
【００３０】
ここで、ＴＦＴアレイ基板１０の内面における複数の画素領域を示す平面構成について図５（ａ）を参照して説明する。
図５（ａ）に示すように、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の内面上に、複数の画素電極９がデータ線６ａの延在方向に沿って配置された第１画素電極列Ｎ１（奇数段目の画素電極列）と、第１画素電極列Ｎ１に走査線３ａの延在方向で隣り合う第２画素電極列Ｎ２（偶数段目の画素電極列）と、が走査線３ａの延在方向に交互に複数設けられている。第１画素電極列Ｎ１に対して第２画素電極列Ｎ２はデータ線６ａの延在方向に所定距離だけずれて配置されている。
【００３１】
各走査線３ａは、画素電極９の配置に沿ってデータ線６ａの延在方向に曲折しながら延びている。そのため、各走査線３ａの延在方向には複数の曲折部７が設けられる。曲折部７とは、本線３を画素電極９の角部に沿って略直角に曲折された部分のことを言う。ここで曲折部７は、走査線３ａの両側に位置する画素電極９の角部にそれぞれ対向配置されている。詳述すると、曲折部７には、第１画素電極列Ｎ１における画素電極９の２つの角部に対向する第１曲折部７Ａと、第２画素電極列Ｎ２における画素電極の２つの角部に対向する第２曲折部７Ｂとがある。なお、上記曲折部７は、直角に曲折した部分に限られず、鈍角、鋭角や、曲線状に曲折した部分であっても良い。
【００３２】
ここで、走査線３ａは、自身の延在方向に沿う直線部４Ａ，４Ｂと、これら直線部４Ａと直線部４Ｂとを連結する連結部５と、から構成されており、各直線部４Ａ，４Ｂの位置がデータ線６ａの延在方向（走査線に交差する方向）において連結部５を介して交互にずれている。先に述べた第１曲折部７Ａは直線部４Ａと連結部５とによって構成され、第２曲折部７Ｂは直線部４Ｂと連結部５とによって構成されている。このように、走査線３ａの延在方向には第１曲折部７Ａと第２曲折部７Ｂとがそれぞれ２つずつ交互に存在するようになっており、対向する画素電極９の角部との間に生じる電界により液晶の配向を促す機能を有している。
【００３３】
次に、液晶装置１００のＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０との間に電圧を印加した際の液晶分子５１の配向状態の変化について図３から図５を用いて説明する。
図３は、ＯＣＢモードの液晶装置における液晶の配向状態の説明図である。ＯＣＢモードの液晶装置では、その初期状態（非動作時）において、図３（ａ）に示すように液晶分子５１の配向がスプレイ状に開いた状態（スプレイ配向）になっており、表示動作時には、図４（ｄ）に示すように液晶分子５１の配向が弓なりに曲がった状態（ベンド配向）になっている。
よって以下に、図３（ａ）から図４（ｄ）となる過程について詳しく説明する。なお、各図においては、ベンド配向への転移経過を分かり易くするため液晶分子５１の配向状態を簡略して図示している。
【００３４】
上記構成を具備した本実施形態の液晶装置１００は、画素電極９と共通電極２１との間（データ線６ａと走査線３ａとの間）に電圧が印加されない状態（あるいは非選択電圧（閾値以下の電圧）印加時）で、図３（ａ）に示したようにスプレイ配向状態（初期配向状態）となっている。そして、図５（ｂ）に示すように、画素電極９に電圧を印加したときに画素電極と走査線の電位が異なるため、画素電極９の角部とこれら角部に対向する走査線３ａの曲折部７との間に横電界Ｅが生じることになる。すなわち、画素電極９の各辺ａ，ｂに対向する走査線３ａとの間で、それぞれ画素電極９の辺ａに交差する横電界Ｅ１と辺ｂに交差する横電界Ｅ２とが生じることになる。
【００３５】
本実施形態における配向膜１６のラビング方向は、図５（ｂ）の矢印０で示す方向となっているため、液晶分子５１の初期配向状態が矢印０方向に沿う。このような初期配向状態で先に述べた条件のもと電圧が印加されると、横電界Ｅ１に沿うべく時計周りにツイストする液晶分子５１と、横電界Ｅ２に沿うべく反時計周りにツイストする液晶分子５１とが発生する。このような横電界Ｅ１，Ｅ２に沿って配向する液晶分子５１によって、画素電極９の角部とこれに対向する走査線３ａの曲折部７との近傍において配向不良に起因するディスクリネーションラインが発生する。これにより、横電界Ｅ１，Ｅ２の影響を受けて配向した液晶分子５１を核として、それらの液晶分子５１の周りにベンド配向が伝播することになる。
【００３６】
つまり、図３（ｂ）から図４（ａ）に示すように、非表示領域Ｐ２における液晶配向を起点として、画素領域Ｐ１の液晶分子５１がスプレイ配向からベンド配向へ移行するようになる。そして、図４（ｂ）に示すように、全ての液晶分子５１がベンド配向状態となる。このように、画像表示領域Ａ全体がベンド配向を維持した状態で画像表示を行うようにしている。
【００３７】
なお、画素電極９の角部と走査線３ａの曲折部７との近傍において、所望とするベンド配向に沿わない方向に生じる横電界Ｅ１，Ｅ２の影響を受けて配向している液晶分子５１が存在していても、非表示領域Ｐ２は上述したように図示されない遮光層を設けているので、画素表示に影響することはない。
【００３８】
このように、本実施形態の液晶装置１００では、第１画素電極列Ｎ１と第２画素電極列Ｎ２とを互いの画素電極９の位置がデータ線６ａの延在方向に所定距離だけ交互にずれるように配置し、非表示領域Ｐ２に形成される走査線３ａに、画素電極９の配置に沿ってクランク状に曲折する複数の曲折部７を設ける構成とした。そして、これら走査線３ａにおける複数の曲折部７を当該走査線３ａの両側に位置する画素電極９の少なくとも２つの角部に対向させることによって、電圧印加時における画素電極９と曲折部７との間で横電界Ｅを複雑に発生させることができる。ここが本実施形態の液晶装置１００におけるベンド転移核の発生ポイントとなる。
【００３９】
このようにして、各画素領域Ｐ１において複数（本実施形態においては２つ）のベンド転移核の発生ポイントを設けることにより、走査線３ａを曲折させていない従来の液晶装置に比べて、電圧印加時の画像表示領域Ａ内における液晶分子５１全体をスプレイ配向からベンド配向へ配向転移を円滑に行うことができる。したがって、液晶層の光透過率を短時間で変化させることができ、高速応答が可能となるので残像等が発生することもなく良好な表示を行うことができる。
【００４０】
［第２実施形態］
以下、本発明に係る液晶装置の第２実施形態について説明する。
以下に示す本実施形態の液晶装置の基本構成は上記第１実施形態と同様であるが、走査線３ａの曲折部にデータ線６ａに沿う延長部１８を設けた点において異なる。よって以下では、走査線３ａの構成についてのみ説明し、共通な箇所の説明は省略する。
【００４１】
本実施形態の液晶装置は、図６に示すように、走査線３ａの曲折部７にデータ線６ａの延在方向に沿う複数の延長部１８を有している。各延長部１８は、走査線３ａを介して隣り合う画素電極９の各辺に沿って延在しており、図５に示した走査線３ａの曲折部７における連結部５の両端部を所定量延長させて形成されたものである。このような延長部１８と直線部４Ａ，４Ｂによって新たな曲折部７Ｃが形成され、隣り合う走査線３ａとにより各画素電極９の全ての角部に対向する曲折部７を得ることができる。
【００４２】
このように、画素電極９の全ての角部に曲折部７が対向することによって、各画素領域Ｐ１内にベンド転移核の発生ポイントを４つに増加させることができる。したがって、電圧印加時の画像表示領域Ａ内における液晶分子５１全体をスプレイ配向からベンド配向へ配向転移をより迅速に行うことができる。
【００４３】
［第３実施形態］
以下、本発明に係る液晶装置の第３実施形態について説明する。
以下に示す本実施形態の液晶装置の基本構成は上記第１実施形態と同様であるが、画素電極の配置に沿ってデータ線６ａを曲折させた点において異なる。よって以下では、ＴＦＴアレイ基板１０上における電極構成についてのみ説明し、共通な箇所の説明は省略する。
【００４４】
本実施形態の液晶装置は、図７に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の内面上に、複数の画素電極９が走査線３ａの延在方向に沿って配置された第１画素電極行Ｌ１（奇数段目の画素電極列）と、第１画素電極行Ｌ１にデータ線６ａの延在方向で隣り合う第２画素電極行Ｌ２（偶数段目の画素電極列）と、がデータ線６ａの延在方向に交互に複数設けられている。第１画素電極行Ｌ１と第２画素電極行Ｌ２とは、走査線３ａの延在方向に所定距離だけ交互にずれて配置されている。
【００４５】
各データ線６ａは、画素電極９の配列に沿ってクランク状に曲折しながら図中のｙ方向に延びており、その延在方向に複数の曲折部８が設けられている。各曲折部８は、本線６が画素電極９の角部に沿って略直角に曲折することによって形成され、データ線６ａの両側に配置される画素電極９の角部にそれぞれ対向配置される。詳述すると、曲折部８には、第１画素電極行Ｌ１における画素電極の２つの角部に対向する第１曲折部８Ａと、第２画素電極行Ｌ２における画素電極９の２つの角部に対向する第２曲折部８Ｂとがある。
【００４６】
ここで、データ線６ａは、その延在方向に沿う直線部６Ｃ，６Ｄが連結部１５を介して走査線３ａの延在方向（データ線６ａに交差する方向）に位置を交互にずらして配置される。上記した第１曲折部８Ａは直線部６Ｃと連結部１５とによって構成され、第２曲折部８Ｂは直線部６Ｄと連結部１５とによって構成される。このように、データ線６ａの延在方向には第１曲折部８Ａと第２曲折部８Ｂとがそれぞれ２つずつ交互に存在する。
【００４７】
次に、本実施形態の液晶装置のＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０（走査線３ａ及びデータ線６ａ）との間に電圧を印加した際の液晶分子５１の配向状態の変化について説明する。
上記したように、画素電極９はデータ線６ａに接続されていることから、電圧印加時において画素電極９とデータ線６ａとは同電位となる。そのため、隣り合うデータ線６ａ同士に異なる電圧を印加して電位差を付与することによって、画素電極９の両側に位置する２本のデータ線６ａのうち、画素電極９と、この画素電極９に接続されていないデータ線６ａと、の間に横電界Ｅが生じることになる。
【００４８】
例えば、偶数番目のデータ線ｄ２，ｄ４…に例えば−１０Ｖを印加し、奇数番目のデータ線ｄ１，ｄ３…に例えば＋１０Ｖを印加することによって、奇数番目のデータ線ｄ１，ｄ３…に接続された画素電極９の角部とこれに対向する偶数番目のデータ線ｄ２，ｄ４の曲折部との間に横電界Ｅ１，Ｅ２が発生する。
【００４９】
このように、画素電極９の配置に沿ってデータ線６ａをクランク状に曲折して複数の曲折部８を設ける構成とした本実施形態の液晶装置においても、隣り合うデータ線６ａに異なる電圧を印加することによって、画素電極９と、この画素電極９に接続していないデータ線６ａとの間で電位差を付与することができる。よって、電圧印加時において、第１画素電極列Ｎ１の画素電極９の角部と、偶数番目のデータ線ｄ２，ｄ４…の曲折部８との間で横電界Ｅを発生させることができる。このように、データ線６ａを曲折させた場合においても、各画素領域Ｐ１において複数のベンド転移核の発生ポイントを設けることができる。したがって、電圧印加時の画像表示領域Ａ内における液晶分子５１全体をスプレイ配向からベンド配向への配向転移を円滑に行うことができる。
【００５０】
［第４実施形態］
以下、本発明に係る液晶装置の第４実施形態について説明する。
以下に示す本実施形態の液晶装置の基本構成は上記第１実施形態と同様であり、カラーフィルタの赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）に対応するサブ画素領域Ｕを一単位とする画素領域Ｐ１を画像表示領域Ａ全体にマトリクス状に配置したものである。
以下では、ＴＦＴアレイ基板１０上の構成についてのみ説明し、共通な箇所の説明は省略する。
【００５１】
本実施形態の液晶装置は、図８に示すように、画像表示領域Ａの上下方向（図中のｙ方向）において、赤色のカラーフィルタに対応するサブ画素領域Ｕが複数配置された第１サブ画素列Ｑ１、青色のカラーフィルタに対応するサブ画素領域Ｕが複数配置された第２サブ画素列Ｑ２、緑色のカラーフィルタに対応するサブ画素領域Ｕが複数配置された第３サブ画素列Ｑ３を設けている。第１サブ画素列Ｑ１、第２サブ画素列Ｑ２、及び第３サブ画素列Ｑ３は、これらを一単位として画像表示領域Ａの左右方向（図中のｘ方向）に複数配列されている。ここで偶数列の第２サブ画素列Ｑ２、第４サブ画素列Ｑ４…は、奇数列の第１サブ画素列Ｑ１、第３サブ画素列Ｑ３…に対してデータ線６ａの延在方向に所定距離だけずれるようにして配置されている。
【００５２】
本実施形態の走査線３ａは、上述したようなサブ画素領域Ｐ１（画素電極９）の配置に応じてクランク状に曲折しながらｘ方向に延在している。そして、走査線３ａの延在方向に設けられた複数の曲折部７が走査線３ａの両側に位置する各画素電極９の２つの角部に対向するように構成される。詳細には、走査線３ａを介して隣り合う画素電極９のうち、奇数列Ｑ１，Ｑ３…における画素電極９の２つの角部には第１曲折部７Ａがそれぞれ対向し、偶数列Ｑ２，Ｑ４…における画素電極９の２つの角部には第２曲折部７Ｂがそれぞれ対向することになる。よって、隣り合う２本の走査線３ａによって各画素電極９の少なくとも２つの角部がどちらか一方の走査線３ａの曲折部７に対向する構成となる。
【００５３】
このように、本実施形態の液晶装置では、サブ画素領域Ｕの配置に応じて走査線３ａを曲折することで、画素電極９の少なくとも２つの角部に曲折部７を対向させる構成とした。これにより、各サブ画素領域Ｕにおいて少なくとも２つのベンド転移核の発生ポイントを設けることができるので、各画素領域Ｐ１におけるベンド転移核の発生ポイントを一層増加させることができる。このように、画像表示領域Ａにベンド転移核の発生ポイントが均一に設けられ、且つ各ベンド転移核の発生ポイント間の間隔が狭い程、画像表示領域Ａ内における液晶分子５１全体をスプレイ配向からベンド配向へ配向転移をより円滑に行うことができる。また、ベンド転移核の発生ポイントとなる箇所は、略非表示領域Ｐ２（図３参照）内であることから、画像表示に影響を及ぼす虞はない。
【００５４】
［第５実施形態］
以下、本発明に係る液晶装置の第５実施形態について説明する。
上記した第１実施形態では、平面視において、データ線６ａが走査線３ａの連結部５と重なるようにして配置されている。このような構成の場合、データ線６ａと、画素電極９に接続されていない走査線３ａと、の間で寄生容量が発生する虞がある。寄生容量が発生すると、これが要因となって画素電極９の電圧変化を引き起こして画質の低下を招いてしまうことになる。そのため、寄生容量の発生を抑制する必要がある。よって、以下の第５実施形態においては、寄生容量の発生を抑制して画質が低下することを防止した液晶装置の構成とする。
【００５５】
以下に示す本実施形態の液晶装置の基本構成は上記第１実施形態と同様であるが、基板の面方向における走査線３ａとデータ線６ａとの重なりを最小限に抑えた構成となっている。
よって以下では、ＴＦＴアレイ基板１０上の構成についてのみ説明し、共通な箇所の説明は省略する。
【００５６】
本実施形態の液晶装置は、図９に示すように、上記第１実施形態と同様に複数の走査線３ａが画素電極９の配置に沿ってクランク状に曲折しながら図中のｘ方向に延在するよう形成されている。一方、データ線６ａは各走査線３ａの延在方向に交差する方向に延在するように複数設けられている。ここで、データ線６ａは平面的に走査線３ａの連結部５と重ならないように、各走査線３ａの連結部５に並行して延在している。
【００５７】
このように、走査線３ａとデータ線６ａとの平面的な重なりを少なくすることによって、寄生容量が発生することを防止することができる。したがって、表示むらや輝度のばらつき等が防止され画質の低下を抑えることができる。
【００５８】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記各実施形態を組み合わせても構わない。また、画素電極９の配置は適宜設定されるとともに、走査線３ａ及びデータ線６ａの曲折部７，８の形状は画素電極９の角部との間に横電界Ｅを生じさせ、ベンド転移核を確実に発生させることのできるものとする。
【００５９】
次に、本発明の電子機器を説明する。本実施形態では携帯電話を例に挙げて説明する。
図１０は、携帯電話６００の全体構成を示す斜視図である。
携帯電話６００は、筺体６０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部６０２、画像や動画、文字等を表示する表示部６０３を主体として構成されている。表示部６０３には、上記第１実施形態に係る液晶装置１００が搭載される。
【００６０】
このように、本実施形態では、初期転移操作の電圧を印加する際に液晶分子全体をベンド配向にしやすくすることができる液晶装置１００を搭載したので、表示特性が高く、応答速度の高い表示部を有する電子機器を得ることができる。
【００６１】
上記各実施の形態の液晶表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、明るく、高コントラストの表示が可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】第１実施形態に係るＴＦＴアレイ基板の平面図である。
【図２】第１実施形態に係る液晶装置の等価回路図である。
【図３】液晶装置の画素領域における部分断面構成図である。
【図４】液晶装置の画素領域における部分断面構成図である。
【図５】画素構造を示す要部拡大図である。
【図６】第２実施形態に係る液晶装置の画素構造を示す要部拡大図である。
【図７】第３実施形態に係る液晶装置の画素構造を示す要部拡大図である。
【図８】第４実施形態に係る液晶装置の画素構造を示す要部拡大図である。
【図９】第５実施形態に係る液晶装置の画素構造を示す要部拡大図である。
【図１０】携帯電話の斜視図である。
【符号の説明】
【００６３】
１００…液晶装置、３ａ…走査線、６ａ…データ線、７…曲折部、９…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、２０…対向基板（第２基板）、２１…共通電極、１８…延長部、５０…液晶層、５１…液晶分子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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