(57)【要約】  【課題】  レーザ光源に対するフィードバック制御を従来より適切に行うことができる光ピックアップ装置を提供する。  【解決手段】  光ピックアップ装置１０は、光ディスクから情報を読み出すためのレーザ光を出射する半導体レーザ１１と、レーザ光を透過及び反射することによって分離するハーフミラー１３と、光ディスクに到達する前のレーザ光からハーフミラー１３によって分離されたレーザ光を半導体レーザ１１のフィードバック制御のために検出するＬＤ光量検出用光電素子１４と、光ディスクによって反射されたレーザ光を検出する検出光電素子１９とを備え、検出光電素子１９は、検出光電素子１９自身によって反射されてハーフミラー１３によって反射されたレーザ光の光軸１０ａがＬＤ光量検出用光電素子１４の受光部から外れるように、光ディスクによって反射されたレーザ光を最大に検出することができる状態に対して傾けられていることを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクから情報を読み出すためのレーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光を透過及び反射することによって分離するビームスプリッタと、前記光ディスクに到達する前の前記レーザ光から前記ビームスプリッタによって分離されたレーザ光を前記レーザ光源のフィードバック制御のために検出するフロントモニタと、前記光ディスクによって反射された前記レーザ光を検出する光検出器とを備え、
前記フロントモニタは、受光部を有し、
前記光検出器は、前記光検出器自身によって反射されて前記ビームスプリッタによって透過又は反射された前記レーザ光の光軸が前記受光部から外れるように、前記光ディスクによって反射された前記レーザ光を最大に検出することができる状態に対して傾けられていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記フロントモニタは、前記受光部を保護する半透明の保護層を有し、
前記光検出器は、前記光軸が前記保護層から外れるように、前記状態に対して傾けられていることを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記光検出器に到達する前記レーザ光は、トラッキングエラーを検出するための３ビーム方式における３ビームであり、
前記状態に対する前記光検出器の傾きの回転軸は、前記３ビームの全てが通る平面上の方向であって、前記レーザ光に略直交する方向に延在していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクから情報を読み出す光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光ピックアップ装置として、光ディスクから情報を読み出すためのレーザ光を出射する半導体レーザと、半導体レーザのフィードバック制御のために半導体レーザから出射されたレーザ光を検出するモニター用受光素子とを備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、図９に示すように、図示していない光ディスクから情報を読み出すためのレーザ光を出射するレーザ光源としての半導体レーザ１１１と、半導体レーザ１１１によって出射されたレーザ光を３ビームに分けるグレーティング１１２と、グレーティング１１２によって３ビームに分けられたレーザ光を透過及び反射することによって分離するハーフミラー１１３と、光ディスクに到達する前のレーザ光からハーフミラー１１３の透過によって分離されたレーザ光を半導体レーザ１１１のフィードバック制御のために検出するＬＤ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）光量検出用光電素子１１４と、光ディスクに到達する前のレーザ光からハーフミラー１１３の反射によって分離されたレーザ光を透過する１／４波長板１１５と、１／４波長板１１５によって透過されたレーザ光を平行光にするコリメータレンズ１１６と、コリメータレンズ１１６によって平行光にされたレーザ光を立ち上げる立ち上げミラー１１７と、立ち上げミラー１１７によって立ち上げられたレーザ光を光ディスクの記録面に集光する対物レンズ１１８と、光ディスクによって反射されたレーザ光を検出する検出光電素子１１９と、ハーフミラー１１３及び検出光電素子１１９の間に配置されたセンサーレンズ１２０とを備えた光ピックアップ装置１１０が知られている。
【０００４】
なお、光ディスクの記録面で反射したレーザ光は、再び対物レンズ１１８によって透過され、立ち上げミラー１１７によって反射され、コリメータレンズ１１６、１／４波長板１１５によって透過された後、ハーフミラー１１３、センサーレンズ１２０によって透過されて検出光電素子１１９に入射する。
【０００５】
そして、検出光電素子１１９は、光ディスクによって反射されたレーザ光を最大に検出することができる状態に配置されている。
【特許文献１】特開２０００−２１０１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の光ピックアップ装置１１０においては、検出光電素子１１９に入射したレーザ光が検出光電素子１１９によって反射されるという問題がある。
【０００７】
例えば、検出光電素子１１９としてシリコンフォトディテクタが用いられている場合には、検出光電素子１１９でのレーザ光の反射率は約２５％である。更に、検出光電素子１１９に回路が組み込まれ、その回路内での光電効果の防止のためにＡｌコートが施されている場合には、Ａｌコートの部分でのレーザ光の反射率は約８０％である。
【０００８】
したがって、従来の光ピックアップ装置１１０においては、光ディスクに到達する前のレーザ光からハーフミラー１１３の透過によって分離されたレーザ光だけではなく、検出光電素子１１９によって反射されてハーフミラー１１３によって反射されたレーザ光もＬＤ光量検出用光電素子１１４に入射してしまうので、半導体レーザ１１１に対するフィードバック制御を適切に行うことができないという問題がある。
【０００９】
例えば、従来の光ピックアップ装置１１０は、光ディスクの有無によってＬＤ光量検出用光電素子１１４での検出値に影響が出たり、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ±Ｒ、ＤＶＤ±ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷなど、光ディスクの種類によってＬＤ光量検出用光電素子１１４での検出値に影響が出たりするので、半導体レーザ１１１に対するフィードバック制御を適切に行うことができない。
【００１０】
本発明は、従来の問題を解決するためになされたもので、レーザ光源に対するフィードバック制御を従来より適切に行うことができる光ピックアップ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の光ピックアップ装置は、光ディスクから情報を読み出すためのレーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光を透過及び反射することによって分離するビームスプリッタと、前記光ディスクに到達する前の前記レーザ光から前記ビームスプリッタによって分離されたレーザ光を前記レーザ光源のフィードバック制御のために検出するフロントモニタと、前記光ディスクによって反射された前記レーザ光を検出する光検出器とを備え、前記フロントモニタは、受光部を有し、前記光検出器は、前記光検出器自身によって反射されて前記ビームスプリッタによって透過又は反射された前記レーザ光の光軸が前記受光部から外れるように、前記光ディスクによって反射された前記レーザ光を最大に検出することができる状態に対して傾けられていることを特徴とする。
【００１２】
この構成により、本発明の光ピックアップ装置は、光検出器によって反射されたレーザ光をフロントモニタが検出することを従来より抑えることができるので、レーザ光源に対するフィードバック制御を従来より適切に行うことができる。
【００１３】
本発明の光ピックアップ装置の前記フロントモニタは、前記受光部を保護する半透明の保護層を有し、前記光検出器は、前記光軸が前記保護層から外れるように、前記状態に対して傾けられていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の光ピックアップ装置の前記光検出器に到達する前記レーザ光は、トラッキングエラーを検出するための３ビーム方式における３ビームであり、前記状態に対する前記光検出器の傾きの回転軸は、前記３ビームの全てが通る平面上の方向であって、前記レーザ光に略直交する方向に延在していることが好ましい。
【００１５】
この構成により、本発明の光ピックアップ装置は、光検出器への３ビームの入射位置の間隔が光検出器の傾きによらず一定であるので、光検出器における３ビームの受光部分の間隔を変更せずに光検出器の傾きを調整するだけでレーザ光源に対するフィードバック制御の調整を行うことができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、レーザ光源に対するフィードバック制御を従来より適切に行うことができる光ピックアップ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
まず、本実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成について説明する。
【００１９】
図１に示すように、本実施の形態に係る光ピックアップ装置１０は、図示していない光ディスクから情報を読み出すためのレーザ光を出射するレーザ光源としての半導体レーザ１１と、半導体レーザ１１によって出射されたレーザ光を３ビームに分けるグレーティング１２と、グレーティング１２によって３ビームに分けられたレーザ光を透過及び反射することによって分離するビームスプリッタとしてのハーフミラー１３と、光ディスクに到達する前のレーザ光からハーフミラー１３の透過によって分離されたレーザ光を半導体レーザ１１のフィードバック制御のために検出するフロントモニタとしてのＬＤ光量検出用光電素子１４と、光ディスクに到達する前のレーザ光からハーフミラー１３の反射によって分離されたレーザ光を透過する１／４波長板１５と、１／４波長板１５によって透過されたレーザ光を平行光にするコリメータレンズ１６と、コリメータレンズ１６によって平行光にされたレーザ光を立ち上げる立ち上げミラー１７と、立ち上げミラー１７によって立ち上げられたレーザ光を光ディスクの記録面に集光する対物レンズ１８と、光ディスクによって反射されたレーザ光を検出する光検出器としての検出光電素子１９と、ハーフミラー１３及び検出光電素子１９の間に配置されたセンサーレンズ２０とを備えている。
【００２０】
図２に示すように、ＬＤ光量検出用光電素子１４は、レーザ光を受光する受光部１４ａと、受光部１４ａを保護する略透明の保護層１４ｂとを有している。
【００２１】
なお、ＬＤ光量検出用光電素子１４は、図２に示すものに限られない。例えば、ＬＤ光量検出用光電素子１４は、図３に示すように半透明の保護層１４ｂを有していても良いし、図４に示すようにレンズ状の保護層１４ｂを有していても良い。
【００２２】
図１に示すように、検出光電素子１９は、検出光電素子１９自身によって反射されてハーフミラー１３によって反射されたレーザ光の光軸１０ａがＬＤ光量検出用光電素子１４の受光部１４ａ（図２参照。）から外れるように、光ディスクによって反射されたレーザ光を最大に検出することができる状態（図９参照。以下「最大出力状態」という。）に対して傾けられている。
【００２３】
なお、図３に示すようにＬＤ光量検出用光電素子１４の保護層１４ｂが半透明である場合には、保護層１４ｂに入射したレーザ光が乱反射して受光部１４ａに入射するので、検出光電素子１９（図１参照。）によって反射されてハーフミラー１３（図１参照。）によって反射されたレーザ光の光軸１０ａ（図１参照。）は、ＬＤ光量検出用光電素子１４の受光部１４ａから外れるために、ＬＤ光量検出用光電素子１４の保護層１４ｂから外れる必要がある。
【００２４】
また、図５に示すように、検出光電素子１９は、３ビームのレーザ光に対応して並べて配置された３つの受光部分１９ａ、１９ｂ、１９ｃを有しており、最大出力状態に対して回転軸１９ｄを中心として傾けられている。回転軸１９ｄは、３ビームの全てが通る平面上の方向であって、レーザ光に略直交する方向に延在している。そして、３つの受光部分１９ａ、１９ｂ、１９ｃは、回転軸１９ｄの延在方向に並べて配置されている。
【００２５】
次に、光ピックアップ装置１０の動作について説明する。
【００２６】
半導体レーザ１１がレーザ光を出射すると、半導体レーザ１１によって出射されたレーザ光は、グレーティング１２によって３ビームに分けられた後、ハーフミラー１３によって分離される。
【００２７】
ハーフミラー１３の透過によって分離されたレーザ光は、ＬＤ光量検出用光電素子１４に入射する。
【００２８】
一方、ハーフミラー１３の反射によって分離されたレーザ光は、１／４波長板１５及びコリメータレンズ１６によって透過された後、立ち上げミラー１７によって立ち上げられて、対物レンズ１８によって光ディスクの記録面に集光させられる。
【００２９】
そして、光ディスクの記録面で反射したレーザ光は、再び対物レンズ１８によって透過されて、立ち上げミラー１７によって反射される。
【００３０】
立ち上げミラー１７によって反射されたレーザ光は、再びコリメータレンズ１６、１／４波長板１５によって透過された後、ハーフミラー１３、センサーレンズ２０によって透過されて検出光電素子１９に入射する。
【００３１】
ここで、検出光電素子１９には、３ビームのレーザ光のうち信号再生用のレーザ光が受光部分１９ａに入射し、３ビームのレーザ光のうちトラッキングエラーを検出するための２つのレーザ光が受光部分１９ｂ、１９ｃに入射する。
【００３２】
そして、光ピックアップ装置１０は、検出光電素子１９の受光部分１９ｂ、１９ｃによる検出結果に基づいて対物レンズ１８を駆動してトラッキングエラーを修正しながら、検出光電素子１９の受光部分１９ａによる検出結果に基づいて信号を再生する。
【００３３】
また、光ピックアップ装置１０は、ＬＤ光量検出用光電素子１４による検出結果に基づいて、半導体レーザ１１のフィードバック制御を行う。
【００３４】
なお、検出光電素子１９に入射したレーザ光の一部は、検出光電素子１９によって反射されて、センサーレンズ２０によって透過された後、ハーフミラー１３によって反射されるが、検出光電素子１９が最大出力状態に対して回転軸１９ｄを中心として傾けられているので、ＬＤ光量検出用光電素子１４に入射しない。
【００３５】
以上に説明したように、光ピックアップ装置１０は、検出光電素子１９によって反射されてハーフミラー１３によって反射されたレーザ光の光軸１０ａがＬＤ光量検出用光電素子１４の受光部１４ａから外れるように最大出力状態に対して検出光電素子１９が回転軸１９ｄを中心として傾けられているので、検出光電素子１９によって反射されたレーザ光をＬＤ光量検出用光電素子１４が検出することを従来より抑えることができる。したがって、光ピックアップ装置１０は、半導体レーザ１１に対するフィードバック制御を従来より適切に行うことができる。
【００３６】
なお、検出光電素子１９によって反射されてハーフミラー１３によって反射されたレーザ光は、光軸１０ａから離れるにつれて光量が急激に落ちる。したがって、検出光電素子１９は、検出光電素子１９自身によって反射されてハーフミラー１３によって反射されたレーザ光の光軸１０ａがＬＤ光量検出用光電素子１４の受光部１４ａから外れるように最大出力状態に対して回転軸１９ｄを中心として傾けられていれば良く、検出光電素子１９自身によって反射されてハーフミラー１３によって反射されたレーザ光の全てがＬＤ光量検出用光電素子１４の受光部１４ａから外れるように最大出力状態に対して回転軸１９ｄを中心として傾けられていなくても良い。
【００３７】
光ピックアップ装置１０は、最大出力状態のときに検出光電素子１９によって反射されてハーフミラー１３によって反射されたレーザ光の全てがＬＤ光量検出用光電素子１４の受光部１４ａに到達し、検出光電素子１９が最大出力状態に対して回転軸１９ｄを中心として傾けられたときに検出光電素子１９によって反射されてハーフミラー１３によって反射されたレーザ光の少なくとも一部がＬＤ光量検出用光電素子１４の受光部１４ａから外れる構成である場合、検出光電素子１９によって反射されるレーザ光の放射角をθ°とすると、検出光電素子１９が最大出力状態に対して回転軸１９ｄを中心としてθ／２°以上傾けられることによって、検出光電素子１９によって反射されてハーフミラー１３によって反射されたレーザ光の全てをＬＤ光量検出用光電素子１４の受光部１４ａから外すことができる。
【００３８】
図２に示すように保護層１４ｂが略透明であるＬＤ光量検出用光電素子１４は、図３に示すように保護層１４ｂが半透明であるＬＤ光量検出用光電素子１４のように保護層１４ｂに入射したレーザ光が保護層１４ｂ内で乱反射して受光部１４ａに入射することがないので、保護層１４ｂに入射したレーザ光が受光部１４ａに直接入射することを防止すれば、レーザ光を受光部１４ａから外すことができる。したがって、図２に示すように保護層１４ｂが略透明であるＬＤ光量検出用光電素子１４は、図３に示すように保護層１４ｂが半透明であるＬＤ光量検出用光電素子１４と比較して、最大出力状態に対する回転軸１９ｄを中心とした検出光電素子１９の傾きを抑制することができる。
【００３９】
また、光ピックアップ装置１０は、最大出力状態に対する検出光電素子１９の傾きの回転軸１９ｄが３ビームの全てが通る平面上の方向であって、レーザ光に略直交する方向に延在しているので、検出光電素子１９への３ビームの入射位置の間隔が検出光電素子１９の傾きによらず一定である。したがって、光ピックアップ装置１０は、検出光電素子１９における３ビームの受光部分１９ａ、１９ｂ、１９ｃの間隔を変更せずに検出光電素子１９の傾きを調整するだけで半導体レーザ１１に対するフィードバック制御の調整を行うことができる。
【００４０】
なお、検出光電素子１９は、受光部分１９ａ、１９ｂ、１９ｃ同士の間隔を変更するなど、受光部分１９ａ、１９ｂ、１９ｃにおける３ビームの入射位置の間隔が変化してしまうことへの対処が行われれば、回転軸１９ｄとは異なる回転軸で傾きが調整されるようになっていても良い。
【００４１】
（第２の実施の形態）
まず、本実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成について説明する。
【００４２】
なお、本実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成のうち、第１の実施の形態に係る光ピックアップ装置１０（図１参照。）の構成と同様な構成については、光ピックアップ装置１０の構成と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４３】
図６に示すように、本実施の形態に係る光ピックアップ装置３０の構成は、第１の実施の形態に係る光ピックアップ装置１０（図１参照。）が１／４波長板１５（図１参照。）を備えておらず各構成部品の配置を変更した構成と同様である。
【００４４】
次に、光ピックアップ装置３０の動作について説明する。
【００４５】
半導体レーザ１１がレーザ光を出射すると、半導体レーザ１１によって出射されたレーザ光は、グレーティング１２によって３ビームに分けられた後、ハーフミラー１３によって分離される。
【００４６】
ハーフミラー１３の反射によって分離されたレーザ光は、ＬＤ光量検出用光電素子１４に入射する。
【００４７】
一方、ハーフミラー１３の透過によって分離されたレーザ光は、コリメータレンズ１６によって透過された後、立ち上げミラー１７によって立ち上げられて、対物レンズ１８によって光ディスク３１の記録面に集光させられる。
【００４８】
そして、光ディスク３１の記録面で反射したレーザ光は、再び対物レンズ１８によって透過されて、立ち上げミラー１７によって反射される。
【００４９】
立ち上げミラー１７によって反射されたレーザ光は、再びコリメータレンズ１６によって透過されて、ハーフミラー１３によって反射された後、センサーレンズ２０によって透過されて検出光電素子１９に入射する。
【００５０】
そして、光ピックアップ装置３０は、第１の実施の形態に係る光ピックアップ装置１０と同様に、検出光電素子１９の検出結果に基づいて対物レンズ１８を駆動してトラッキングエラーを修正しながら信号を再生する。
【００５１】
また、光ピックアップ装置３０は、ＬＤ光量検出用光電素子１４による検出結果に基づいて、半導体レーザ１１のフィードバック制御を行う。
【００５２】
なお、検出光電素子１９に入射したレーザ光の一部は、検出光電素子１９によって反射されて、センサーレンズ２０によって透過された後、ハーフミラー１３によって透過されるが、検出光電素子１９が最大出力状態に対して回転軸１９ｄを中心として傾けられているので、ＬＤ光量検出用光電素子１４に入射しない。
【００５３】
以上に説明した構成及び動作によって、光ピックアップ装置３０は、第１の実施の形態に係る光ピックアップ装置１０と同様の効果を得ることができる。
【００５４】
（第３の実施の形態）
本実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成について説明する。
【００５５】
なお、本実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成のうち、第２の実施の形態に係る光ピックアップ装置３０（図６参照。）の構成と同様な構成については、光ピックアップ装置３０の構成と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００５６】
図７に示すように、本実施の形態に係る光ピックアップ装置４０の構成は、第２の実施の形態に係る光ピックアップ装置３０（図６参照。）がビームスプリッタとしてのプリズム４１をハーフミラー１３（図６参照。）に代えて備えた構成と同様である。
【００５７】
以上に説明した構成によって、光ピックアップ装置４０は、第２の実施の形態に係る光ピックアップ装置３０と同様の動作及び効果を得ることができる。
【００５８】
（第４の実施の形態）
本実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成について説明する。
【００５９】
なお、本実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成のうち、第３の実施の形態に係る光ピックアップ装置４０（図７参照。）の構成と同様な構成については、光ピックアップ装置４０の構成と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００６０】
図８に示すように、本実施の形態に係る光ピックアップ装置５０の構成は、第３の実施の形態に係る光ピックアップ装置４０（図７参照。）において、ＬＤ光量検出用光電素子１４の位置と、検出光電素子１９の角度とを変更した構成と同様である。
【００６１】
以上に説明した構成によって、光ピックアップ装置５０は、第３の実施の形態に係る光ピックアップ装置４０と同様の動作及び効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光ピックアップ装置の上面図であって、主要な構成部品のみを描いた図
【図２】図１に示す光ピックアップ装置のＬＤ光量検出用光電素子であって、保護層が略透明なものの上面図
【図３】図１に示す光ピックアップ装置のＬＤ光量検出用光電素子であって、保護層が半透明なものの上面図
【図４】図１に示す光ピックアップ装置のＬＤ光量検出用光電素子であって、保護層がレンズ状のものの上面図
【図５】図１に示す光ピックアップ装置の検出光電素子の正面図
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る光ピックアップ装置の配置図であって、主要な構成部品のみを描いた図
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る光ピックアップ装置の配置図であって、主要な構成部品のみを描いた図
【図８】本発明の第４の実施の形態に係る光ピックアップ装置の配置図であって、主要な構成部品のみを描いた図
【図９】従来の光ピックアップ装置の上面図であって、主要な構成部品のみを描いた図
【符号の説明】
【００６３】
１０  光ピックアップ装置
１０ａ  光軸
１１  半導体レーザ（レーザ光源）
１３  ハーフミラー（ビームスプリッタ）
１４  ＬＤ光量検出用光電素子（フロントモニタ）
１４ａ  受光部
１４ｂ  保護層
１９  検出光電素子（光検出器）
１９ｄ  回転軸
３０  光ピックアップ装置
３１  光ディスク
４０  光ピックアップ装置
４１  プリズム（ビームスプリッタ）
５０  光ピックアップ装置
【図１】
2008065896.tif 000003
【図２】
2008065896.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008065896.tif 000009
【図８】
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【図９】
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