(57)【要約】【課題】漏れ電流およびＥＳＲが小さいニオブ固体電解コンデンサを提供する。【解決手段】この固体電解コンデンサでは、エポキシ樹脂などを含む樹脂組成物からなる直方体状の外装体１の内部にコンデンサ素子１０が埋設されており、コンデンサ素子１０は、陽極１１と、陽極１１上に形成されたニオブ酸化物層１２と、ニオブ酸化物層１２上に形成された陰極１３とを備え、陽極リード１１ａ上には、陽極端子１４の一端が接続されており、陰極１３上には、第３導電層１５を介して陰極端子１６の一端が接続されている。そして、陽極１１とニオブ酸化物層１２との界面付近には、イオウを含む第１界面領域Ａが形成されており、また、ニオブ酸化物層１２の陰極１３側の界面付近には、イオウを含む第２界面領域Ｂが形成されている。【選択図】図１
2008010684.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニオブを含む陽極と、
前記陽極上に形成されたニオブ酸化物層と、
前記ニオブ酸化物層上に形成された陰極と、
前記陰極上に形成された外装体とを備え、
前記ニオブ酸化物層と前記陽極との界面付近には、イオウを含む第１界面領域が形成されている、固体電解コンデンサ。
【請求項２】
前記ニオブ酸化物層の前記陰極との界面付近には、イオウを含む第２界面領域が形成されている、請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記第１界面領域および前記第２界面領域の少なくとも一方のイオウの濃度は、２ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲である、請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
ニオブを含む陽極上にイオウを含む表面層を形成する工程と、
前記表面層を有する前記陽極を水溶液中で陽極酸化することにより前記陽極上にニオブ酸化物層を形成する工程と、
前記ニオブ酸化物層上に陰極を形成する工程と、
前記陰極上に外装体を形成する工程とを備える、固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記表面層を形成する工程は、イオウを含む溶融塩中で前記陽極を電解処理する工程を含む、請求項４に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、固体電解コンデンサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ニオブ酸化物を誘電体層として用いるニオブ固体電解コンデンサが知られている。このニオブ固体電解コンデンサは、一般に、ニオブからなる陽極を陽極酸化することにより、陽極表面にニオブ酸化物層を形成し、さらにニオブ酸化物層上に陰極を形成したコンデンサ素子をエポキシ樹脂などでモールドすることにより形成される。また、この固体電解コンデンサは、リフローハンダ付けなどにより各種電子機器のプリント基板などに表面実装される。
【０００３】
しかしながら、ニオブ酸化物は、他の固体電解コンデンサで用いられるタンタル酸化物やアルミニウム酸化物などと比較して熱の影響を受けやすく、そのため、ニオブ固体電解コンデンサでは、リフロー工程などにより静電容量が変化しやすいという問題があった。
【０００４】
これに対して、近年、窒素を含むニオブ酸化物を誘電体層として用いるニオブ固体電解コンデンサが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−３２９９０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の窒素を含むニオブ酸化物を誘電体層として用いる固体電解コンデンサにおいては、リフロー工程などの熱処理後に漏れ電流が増加するとともに、１００ｋＨｚ付近の高周波領域における等価直列抵抗（ＥＳＲ）が大きくなるという問題点があった。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、
この発明の１つの目的は、漏れ電流およびＥＳＲが小さいニオブ固体電解コンデンサを提供することである。
【０００７】
この発明のもう１つの目的は、漏れ電流およびＥＳＲが小さい固体電解コンデンサの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の第１の局面による固体電解コンデンサは、ニオブを含む陽極と、陽極上に形成されたニオブ酸化物層と、ニオブ酸化物層上に形成された陰極と、陰極上に形成された外装体とを備え、ニオブ酸化物層と陽極との界面付近には、イオウを含む第１界面領域が形成されている。
【０００９】
上記第１の局面による固体電解コンデンサにおいて、好ましくは、ニオブ酸化物層の陰極との界面付近には、イオウを含む第２界面領域が形成されている。
【００１０】
上記第１の局面による固体電解コンデンサにおいて、好ましくは、第１界面領域および第２界面領域の少なくとも一方のイオウの濃度は、２ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲である。
【００１１】
また、この発明の第２の局面による固体電解コンデンサの製造方法は、ニオブを含む陽極上にイオウを含む表面層を形成する工程と、表面層を有する陽極を水溶液中で陽極酸化することにより陽極上にニオブ酸化物層を形成する工程と、ニオブ酸化物層上に陰極を形成する工程と、陰極上に外装体を形成する工程とを備える。
【００１２】
上記第２の局面による固体電解コンデンサの製造方法において、好ましくは、表面層を形成する工程は、イオウを含む溶融塩中で陽極を電解処理する工程を含む。
【００１３】
この第１の局面による固体電解コンデンサ素子では、上記のように、陽極とニオブ酸化物層との界面付近には、イオウを含む第１界面領域が形成されているので、リフロー工程などの熱処理の際に陽極とニオブ酸化物層との間に熱応力が作用した場合であっても、その応力を緩和することができる。これにより、ニオブ酸化物層中に亀裂が生じにくくなるとともに、陽極とニオブ酸化物層とが剥離しにくくなる。その結果、漏れ電流およびＥＳＲを低減することが可能なニオブ固体電解コンデンサを容易に得ることができる。
【００１４】
ここで、陽極とニオブ酸化物層との界面付近に含まれるイオウは、少なくともニオブ酸化物層中に含まれていればよいが、好ましくは、ニオブ酸化物層および陽極の両方に含まれており、これにより、陽極とニオブ酸化物層との密着性がさらに向上する。
【００１５】
また、このニオブ酸化物層の陰極との界面付近にイオウが含まれている場合には、ニオブ酸化物層上に形成される陰極とニオブ酸化物層との間に熱応力が作用した場合であっても、その応力を緩和することができる。これにより、ニオブ酸化物層中に亀裂が生じにくくなるとともに、陰極とニオブ酸化物層とが剥離しにくくなる。その結果、さらに、漏れ電流およびＥＳＲを低減することができる。
【００１６】
なお、第１界面領域または第２界面領域に含まれるイオウの濃度が小さい場合には、それぞれの領域において上記の応力緩和の効果が小さくなる。また、イオウの濃度が大きい場合には、ニオブ酸化物層中に亀裂が生じやすくなるので、それぞれの領域において漏れ電流が増加しやすくなる。従って、第１界面領域および第２界面領域のいずれか一方の領域において、イオウの濃度は２ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲が好ましく、第１界面領域および第２界面領域のイオウの濃度がともに上記範囲であることがより好ましい。なお、上記のイオウの濃度は、第１界面領域および第２界面領域のイオウの最大濃度で規定され、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）法などにより測定することができる。
【００１７】
また、この発明の第２の局面による固体電解コンデンサの製造方法では、上記のように、陽極の表面にイオウを含む表面層を形成した後で陽極酸化を行うことにより、ニオブ酸化物層を形成しているので、陽極とニオブ酸化物層との界面付近に容易にイオウを含ませることができる。これにより、リフロー工程などの熱処理の際に陽極とニオブ酸化物層との間に熱応力が作用した場合であっても、その応力を緩和することができる。これにより、ニオブ酸化物層中に亀裂が生じにくくなるとともに、陽極とニオブ酸化物層とが剥離しにくくなる。その結果、漏れ電流およびＥＳＲを低減することが可能なニオブ固体電解コンデンサを容易に製造することができる。
【００１８】
さらに、上記の陽極酸化により、ニオブ酸化物層の表面付近（陰極との界面側）には、イオウを含む第２界面領域を形成することができる。これにより、ニオブ酸化物層上に形成される陰極とニオブ酸化物層との間に熱応力が作用した場合であっても、その応力を緩和することができるので、ニオブ酸化物層中に亀裂が生じにくくなるとともに、陰極とニオブ酸化物層とが剥離しにくくなる。その結果、さらに、漏れ電流およびＥＳＲを低減することができる。
【００１９】
なお、イオウを含む表面層は、イオウを含む溶融塩中でニオブを含む陽極を電解処理することにより容易に形成することができる。これにより、陽極上に密着性よくイオウを含む表面層を形成することができるので、さらに、陽極とニオブ酸化物層との間の密着性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を実施の形態に基づいて説明するが、本発明は以下の実施形態に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能なものである。
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態による固体電解コンデンサの構造を説明するための断面図である。
【００２２】
本発明の一実施形態による固体電解コンデンサでは、図１に示すように、エポキシ樹脂などを含む樹脂組成物からなる直方体状の外装体１の内部にコンデンサ素子１０が埋設されている。
【００２３】
コンデンサ素子１０は、陽極１１と、陽極１１上に形成されたニオブ酸化物層１２と、ニオブ酸化物層１２上に形成された陰極１３とを備えており、ニオブ酸化物層１２は、いわゆる誘電体層として機能する。
【００２４】
陽極１１は、ニオブなどからなる陽極リード１１ａと、ニオブ粉末やニオブ合金粉末を焼結することにより形成された多孔質焼結体からなる基体１１ｂとを備えており、陽極リード１１ａの一部は、基体１１ｂ中に埋設されている。また、基体１１ｂから露出した陽極リード１１ａ上には、陽極端子１４の一端が接続されており、陽極端子１４の他端は、外装体１から露出している。
【００２５】
陰極１３は、ニオブ酸化物層１２上に形成されたポリピロール、ポリチオフェンまたはポリアニリンなどからなる導電性高分子層１３ａと、導電性高分子層１３ａ上に形成されたカーボン粒子を含む第１導電層１３ｂと、第１導電層１３ｂ上に形成された銀粒子を含む第２導電層１３ｃとを有している。なお、導電性高分子層１３ａは、いわゆる電解質層として機能する。
【００２６】
陰極１３上には、銀粒子を含む第３導電層１５を介して陰極端子１６の一端が接続されており、陰極端子１６の他端は、外装体１から露出している。
【００２７】
図２は、本発明の一実施形態による固体電解コンデンサのニオブ酸化物層付近の構造を説明するための拡大断面図である。
【００２８】
本発明の一実施形態による固体電解コンデンサでは、図２に示すように、陽極１１とニオブ酸化物層１２との界面付近には、イオウを含む第１界面領域Ａが形成されている。また、ニオブ酸化物層１２の陰極１３側の界面付近には、イオウを含む第２界面領域Ｂが形成されている。このように、本発明の一実施形態による固体電解コンデンサが構成されている。
【００２９】
図３〜図６は、本発明の一実施形態による固体電解コンデンサの形成プロセスを説明するための断面図である。図３〜図６を参照して、次に、上記のような構造を有する本発明の上記実施形態による固体電解コンデンサの製造方法について説明する。
【００３０】
まず、図３に示すように、陽極リード１１ａの一端を埋設したニオブ粉末やニオブ合金粉末の成形体を真空中で焼結することにより、陽極リード１１ａと多孔質焼結体からなる基体１１ｂとを備える陽極１１が形成される。
【００３１】
次に、図４に示すように、イオウを含む溶融塩中で陽極１１が陽極となるように電解処理（硫化処理）することにより、陽極１１の周囲を覆うイオウを含む表面層１１ｃが形成される。
【００３２】
その後、図５に示すように、表面層１１ｃが形成された陽極１１を水溶液中で陽極酸化することにより、陽極１１の周囲を覆うニオブ酸化物層１２が形成される。このとき、図２を参照して、陽極１１とニオブ酸化物層１２との界面付近には、イオウを含む第１界面領域Ａが形成されるとともに、ニオブ酸化物層１２の表面付近（陰極１３が形成される側）には、イオウを含む第２界面領域Ｂが形成される。
【００３３】
次に、図６に示すように、重合などによりニオブ酸化物層１２上に導電性高分子層１３ａが形成される。このとき、導電性高分子層１３ａは、ニオブ酸化物層１３の周囲を覆うとともに、基体１１ｂの表面および内部の凹部を埋めるように形成される。また、カーボン粒子を含むカーボンペーストを導電性高分子層１３ａの周囲を覆うように塗布、乾燥することにより、導電性高分子層１３ａ上にカーボン粒子を含む第１導電層１３ｂが形成される。さらに、銀粒子を含む銀ペーストを第１導電層１３ｂの周囲を覆うように塗布、乾燥することにより、第１導電層１３ｂ上に銀粒子を含む第２導電層１３ｃが形成される。これにより、ニオブ酸化物層１２上に導電性高分子層１３ａ、第１導電層１３ｂおよび第２導電層１３ｃからなる陰極１３が形成され、コンデンサ素子１０が作製される。
【００３４】
次に、図１に示すように、溶接により、基体１１ｂから露出した陽極リード１１ａ上に陽極端子１４が接続される。また、銀粒子を含む銀ペーストを介して陰極１３と陰極端子１６とを密着させた状態で乾燥することにより、陰極１３と陰極端子１６との間に銀粒子を含む第３導電層１５が形成されるとともに、陰極１３と陰極端子１６とは第３導電層１５を介して接続される。最後に、陽極端子１４および陰極端子１６が接続されたコンデンサ素子１０をエポキシ樹脂など含む樹脂組成物で埋設し、この樹脂組成物を熱硬化することにより、コンデンサ素子１０を埋設する外装体１が形成される。このコンデンサ素子１０を外装体１で覆うモールド工程は、トランスファー成形などによって行うことができる。以上の方法により、本発明の一実施形態による固体電解コンデンサが作製される。
【００３５】
この実施形態による固体電解コンデンサでは、陽極１１とニオブ酸化物層１２との界面付近にはイオウを含む第１界面領域Ａが形成されているので、リフロー工程などの熱処理の際に陽極１１とニオブ酸化物層１２との間に熱応力が作用した場合であっても、その応力を緩和することができる。これにより、ニオブ酸化物層１２中に亀裂が生じにくくなるとともに、陽極１１とニオブ酸化物層１２とが剥離しにくくなる。その結果、漏れ電流およびＥＳＲを低減することができる。
【００３６】
また、この固体電解コンデンサでは、イオウを含む第１界面領域Ａは、陽極１１とニオブ酸化物層１２との両方に跨って形成されている。即ち、イオウは、ニオブ酸化物層１２および陽極１１の両方に含まれているので、陽極とニオブ酸化物層との密着性がさらに向上する。
【００３７】
また、この固体電解コンデンサでは、ニオブ酸化物層１２の陰極１３との界面付近にイオウを含む第２界面領域Ｂが形成されているので、陰極１３とニオブ酸化物層１２との間に熱応力が作用した場合であっても、その応力を緩和することができる。これにより、ニオブ酸化物層１２中に亀裂が生じにくくなるとともに、陰極１３とニオブ酸化物層１２とが剥離しにくくなる。その結果、さらに、漏れ電流およびＥＳＲを低減することができる。
【００３８】
また、この実施形態による固体電解コンデンサの製造方法では、上記のように、陽極１１の表面にイオウを含む表面層１１ｃを形成した後で陽極酸化を行うことにより、ニオブ酸化物層１２を形成しているので、陽極１１とニオブ酸化物層１２との界面付近の第１界面領域Ａに容易にイオウを含ませることができる。これにより、リフロー工程などの熱処理の際に陽極１１とニオブ酸化物層１２との間に熱応力が作用した場合であっても、その応力を緩和することができる。これにより、ニオブ酸化物層１２中に亀裂が生じにくくなるとともに、陽極１１とニオブ酸化物層１２とが剥離しにくくなる。その結果、漏れ電流およびＥＳＲを低減することができる。
【００３９】
さらに、上記の陽極酸化により、ニオブ酸化物層１２の表面付近（陰極１３との界面側）には、イオウを含む第２界面領域を形成することができる。これにより、ニオブ酸化物層１２上に形成される陰極１３とニオブ酸化物層１２との間に熱応力が作用した場合であっても、その応力を緩和することができるので、ニオブ酸化物層１２中に亀裂が生じにくくなるとともに、陰極１３とニオブ酸化物層１２とが剥離しにくくなる。その結果、さらに、漏れ電流およびＥＳＲを低減することができる。
【００４０】
また、イオウを含む表面層１１ｃは、イオウを含む溶融塩中でニオブを含む陽極１１が陽極となるように電解処理することにより容易に形成することができる。これにより、陽極上に密着性よくイオウを含む表面層を形成することができるので、さらに、陽極とニオブ酸化物層との間の密着性を向上させることができる。
【００４１】
次に、上記実施形態に基づいて固体電解コンデンサを作製し、評価を行った。
【００４２】
（実験１）
実験１の固体電解コンデンサでは、基体１１ｂは、約２μｍの平均粒径を有するニオブ粒子を焼結することにより形成した。
【００４３】
また、第１界面領域Ａおよび第２界面領域Ｂを含むニオブ酸化物層１２は、次のようにして形成した。まず、陽極１１とカーボン電極とを約７００℃で溶融した硫化リチウム−硫化ナトリウム−硫化カリウム（溶融Ｌｉ２Ｓ−Ｎａ２Ｓ−Ｋ２Ｓ）に浸漬した。そして、陽極１１とカーボン電極との間に陽極１１が陽極となるように約３．５Ｖの定電圧で約３０分間電解処理（硫化処理）を行った。ここで、溶融Ｌｉ２Ｓ−Ｎａ２Ｓ−Ｋ２Ｓは、本発明の「イオウを含む溶融塩」の一例である。これにより、イオウを含む表面層１１ｃを陽極１１上に形成した。次に、上記電解処理の後、陽極１１を約６０℃に保持した約０．１重量％の硝酸水溶液中において約１６Ｖの定電圧で約１０時間陽極酸化を行った。これにより、陽極１１上にニオブ酸化物層１２を形成した。このとき、陽極１１とニオブ酸化物層１２との界面付近には、第１界面領域Ａが形成されるとともに、ニオブ酸化物層１２の表面付近（陰極１３が形成される側）には、第２界面領域Ｂが形成される。
【００４４】
また、導電性高分子層１３ａには、重合等で形成したポリピロールを用いた。また、外装体１は、エポキシ樹脂によりコンデンサ素子１０を埋設し、これを硬化することにより形成した。
【００４５】
（実験２）
実験２の固体電解コンデンサは、陽極に対して上記の硫化処理を行わずに、直接、硝酸水溶液中で陽極酸化を行う以外は、実験１と同様に固体電解コンデンサを作製した。即ち、実験２の固体電解コンデンサでは、陽極およびニオブ酸化物層中にはイオウは含まれておらず、陽極上にはニオブ酸化物層が直接形成されている。
【００４６】
（実験３）
実験３の固体電解コンデンサは、陽極に対して上記の硫化処理を行う代わりに陽極を窒素ガス中で約３００℃、約５分間加熱処理（窒化処理）する以外は、実験１と同様に固体電解コンデンサを作製した。即ち、実験３の固体電解コンデンサでは、陽極およびニオブ酸化物層中にはイオウの代わりに窒素が含まれている。
【００４７】
（評価）
まず、上記実験１で作製した固体電解コンデンサのニオブ酸化物層１２について、厚さ方向の組成分析を行った。図７は、実験１で作製したニオブ酸化物層２３のエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）法による測定結果を示す図である。なお、測定は、導電性高分子層１４を形成する前に行った。図７において、縦軸は元素の存在比（ａｔ％）を示し、横軸はニオブ酸化物層の表面からの深さを示す。
【００４８】
図７より、ニオブ酸化物層１２の表面から約４０ｎｍ以上の深さの領域（ｉ）には酸素がほとんど存在しておらず、領域（ｉ）は陽極１１として機能すると考えられる。また、酸素の存在している表面から約４０ｎｍの深さまでの領域（ｉｉ）はニオブ酸化物層１２であり、誘電体層として機能すると考えられる。
【００４９】
また、領域（ｉｉ）と、領域（ｉ）の領域（ｉｉ）側の界面付近とにはイオウが含まれており、特に、領域（ｉ）および（ｉｉ）に跨る界面付近の領域（ｉｉｉ）と領域（ｉｉ）の表面付近の領域（ｉｖ）とには、それぞれ、他の領域よりも高濃度（最大約１０ａｔ％）のイオウが含まれていた。なお、領域（ｉｉ）における平均イオウ濃度は、約２．５ａｔ％であった。これらの領域（ｉｉｉ）および（ｉｖ）は、それぞれ、上記実施形態の第１界面領域Ａおよび第２界面領域Ｂに相当すると考えられる。
【００５０】
次に、上記各実験で作製した固体電解コンデンサに対して、約２４０℃、約５分の熱処理を行った後、陽極端子および陰極端子間に約５Ｖの定電圧を印加し、約２０秒後の漏れ電流を測定した。さらに、約１００ｋＨｚの周波数におけるＥＳＲをＬＣＲメータを用いて測定した。結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
2008010684.tif 000003
【００５２】
表１に示すように、実験１の固体電解コンデンサは、他の固体電解コンデンサと比較して漏れ電流およびＥＳＲが十分低減されていることがわかった。
【００５３】
なお、上記のように、実験１の固体電解コンデンサでは、ニオブ酸化物層１２の第１界面領域Ａと第２界面領域Ｂとの間の領域にも約２．５ａｔ％のイオウが存在していた。これにより、陽極１１および陰極１３とのそれぞれの界面領域だけでなく、ニオブ酸化物層１２の内部においても亀裂が生じにくくなっていると考えられ、漏れ電流が効果的に低減されていると考えられる。
【００５４】
（実験４〜１１）
次に、上記の第１界面領域Ａおよび第２界面領域Ｂの最大イオウ濃度と漏れ電流およびＥＳＲとの関係について検討した。
【００５５】
実験４〜１１では、上記の硫化処理の時間を変える以外は、実験１と同様に固体電解コンデンサを形成した。各実験での硫化処理の時間を表２に示す。また、それぞれ得られたニオブ酸化物層１２に対して、実験１と同様にＥＤＸにより厚さ方向の組成分析を行い、ニオブ酸化物層１２の第１界面領域Ａおよび第２界面領域Ｂの最大イオウ濃度を測定した。さらに、実験１〜３と同様に、作製した固体電解コンデンサの漏れ電流およびＥＳＲを評価した。結果をまとめて表２に示す。なお、実験４〜１１の固体電解コンデンサでは、いずれもニオブ酸化物層１２の第１界面領域Ａおよび第２界面領域Ｂの最大イオウ濃度は同等の値であったので、表２では、それぞれ、第２界面領域Ｂの最大イオウ濃度の値を示した。
【００５６】
【表２】
2008010684.tif 000004
【００５７】
表２に示すように、実験４〜１１の固体電解コンデンサの漏れ電流およびＥＳＲは、いずれも、実験２の固体電解コンデンサよりも漏れ電流が小さく、実験２および３の固体電解コンデンサよりもＥＳＲが小さい。実験４〜１０の固体電解コンデンサでは、実験３の固体電解コンデンサよりも漏れ電流が小さく、特に、ニオブ酸化物層１２中の第１界面領域Ａおよび第２界面領域Ｂの最大イオウ濃度が約２〜２５ａｔ％である実験５〜８の固体電解コンデンサでは、漏れ電流およびＥＳＲがどちらも十分小さいことがわかった。
【００５８】
なお、上記実験では、イオウを含む溶融塩として、Ｌｉ２Ｓ−Ｎａ２Ｓ−Ｋ２Ｓを用いたが、本発明はこれに限らず、Ｌｉ２Ｓ−Ｋ２ＳおよびＬｉ２Ｓ−Ｎａ２Ｓなどを用いることができる。また、イオウを含む溶融塩中で陽極１１を電解処理（硫化処理）することによりイオウを含む表面層１１ｃを形成したが、本発明はこれに限らず、Ｈ２Ｓなどの熱分解によりニオブを含む陽極上にニオブ硫化物を含む界面層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態による固体電解コンデンサの構造を説明するための断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による固体電解コンデンサのニオブ酸化物層付近の構造を説明するための拡大断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による固体電解コンデンサの形成プロセスの第１工程を説明するための断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による固体電解コンデンサの形成プロセスの第２工程を説明するための断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による固体電解コンデンサの形成プロセスの第３工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による固体電解コンデンサの形成プロセスの第４工程を説明するための断面図である。
【図７】実験１で作製したニオブ酸化物層のエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）法による測定結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１      外装体
１０    コンデンサ素子
１１    陽極
１１ａ  陽極リード
１１ｂ  基体
１１ｃ  表面層
１２    ニオブ酸化物層
１３    陰極
１３ａ  導電性高分子層
１３ｂ  第１導電層
１３ｃ  第２導電層
１４    陽極端子
１５    第３導電層
１６    陰極端子
【図１】
2008010684.tif 000005
【図２】
2008010684.tif 000006
【図３】
2008010684.tif 000007
【図４】
2008010684.tif 000008
【図５】
2008010684.tif 000009
【図６】
2008010684.tif 000010
【図７】
2008010684.tif 000011