(57)【要約】【課題】        レーザスクライブ処理では、被割断基板に対して熱変化を与えることで成立するプロセスであり、被割断基板への吸熱と被割断基板からの放熱のバランスが変化することは望ましくない。被割断基板の板厚が薄くなると、被割断基板を保持するテーブル側への熱伝導がしやすくなる。【解決手段】    装置の被割断基板吸着テーブルに、被割断基板の板厚に対して２倍以下の直径孔、若しくは横断幅を持つ溝を設ける。  さらには、板厚と同等かそれ以下、あるいは、板厚の半分かそれ以下の場合、より好ましい。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被割断基板を割断する割断工程に先立ち、被割断基板に対しレーザ光を被割断基板の割断予定線に沿って相対的に移動させることにより割断予定線の始端から終端に向かうスクライブ線を形成するレーザスクライブ装置において、スクライブ処理をおこなうテーブル表面上の被割断基板吸着プレートに、被割断基板の板厚に対して２倍以下の直径の吸引孔を備えたことを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項２】
スクライブ処理をおこなうテーブル表面上の被割断基板吸着プレートに、被割断基板の板厚、あるいは板厚以下の直径の吸引孔を備えたことを特徴とする請求項１に記載のレーザスクライブ装置。
【請求項３】
スクライブ処理をおこなうテーブル表面上の被割断基板吸着プレートに、被割断基板の板厚に対して１／２あるいは、板厚に対して１／２以下の直径の吸引孔を備えたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のレーザスクライブ装置。
【請求項４】
被割断基板を割断する割断工程に先立ち、被割断基板に対しレーザ光を被割断基板の割断予定線に沿って相対的に移動させることにより割断予定線の始端から終端に向かうスクライブ線を形成するレーザスクライブ装置において、スクライブ処理をおこなうテーブル表面上の被割断基板吸着プレートに、被割断基板の板厚に対して２倍以下の横断幅を持つ溝を備えたことを特徴とするレーザスクライブ装置。
【請求項５】
スクライブ処理をおこなうテーブル表面上の被割断基板吸着プレートに、被割断基板の板厚、あるいは板厚以下の横断幅を持つ溝を備えたことを特徴とする請求項４に記載のレーザスクライブ装置。
【請求項６】
スクライブ処理をおこなうテーブル表面上の被割断基板吸着プレートに、被割断基板の板厚に対して１／２あるいは、板厚に対して１／２以下の横断幅を持つ溝を備えたことを特徴とする請求項４または請求項５に記載のレーザスクライブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を用いて、ガラス板、セラミック板などの脆性材料製板を被割断基板として切断するための方法およびその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
被割断基板を割断する割断工程に先立ち、被割断基板に対しレーザ光を被割断基板の割断予定線に沿って相対的に移動させることにより割断予定線の始端から終端に向かうスクライブ線を形成するレーザスクライブ装置において、従来のレーザスクライブ切断装置では平板に溝が彫り込まれたテーブルや多数の支持ピンで支持する方式が採用されてきた。しかし、これらの手法では比較的厚い基板、つまり板厚０.５ｍｍ以上のガラス板に対しては有効であった。
【０００３】
背景技術として、下記の様に、特開２００２−０４７０２５号では、基板の前記切断位置に対応する位置の両側の少なくとも５ｍｍ以下の範囲の部分の熱伝導率を３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下にするとしている。また、多数ピンで支持する場合、支持部材のうち少なくとも上記基板母材の切断位置の下方に設けられた支持部材の基板母材と接触する部分の面積が４ｍｍ2以下とすることが、切断面に歪みが生じるなどの切断不良の発生率を低減する効果をいっそう向上させることができる点で好ましい。と記載されている。
【０００４】
しかし、金属は、熱伝導率が大きいため、保持材料として不適切と記載されている。固定溝方式では、パネルレイアウトが変化すると、吸着プレートを交換する必要がある。ピン支持方式では、平面度を得られにくく製作が難しい。また被割断基板に傷が着く恐れがある。作業環境の観点からも、作業者がけがをする恐れがあると云った問題がある。ピン先端の面積は一意的に４ｍｍ2以下と記載されているが、実際には、板厚によって最適値が異なる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−０４７０２５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
最近の傾向として、被割断基板が０.５ｍｍよりも薄い基板、例えば、０.４ｍｍ、０.３ｍｍ、０.２ｍｍ以下の被割断基板を加工すると、種々の新たな問題が顕著化してきている。その中でも、吸着溝や孔、ピンなど、被割断基板と接触する部分の材質の変化、つまりは熱伝導率の違いにより、レーザスクライブ処理の可否や、スクライブ処理後に成される分断後の品質の低下を引き起こすことが分かった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
レーザスクライブ処理では、被割断基板に対して熱変化を与えることで成立するプロセスであり、被割断基板への吸熱と被割断基板からの放熱のバランスが変化することは望ましくない。被割断基板の板厚が薄くなると、被割断基板を保持するテーブル側への熱伝導がしやすくなる。従い、スクライブ予定線直下のテーブル状態に変化があると、熱バランスが崩れやすくなる。
【０００８】
種々実験を行った結果、被割断基板の板厚に対して２倍以下の直径孔、若しくは横断幅を持つ溝であれば、被割断基板の分断後の品質はさほど悪化しない。さらに、被割断基板の板厚と同等の直径若しくは横断幅を持つ溝であれば、被割断基板の分断後の品質はより向上する。さらに、被割断基板の板厚の１／２以下の直径の孔、若しくは横断幅を持つ溝であれば、被割断基板の分断後の品質はより向上し、より好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
従来のレーザスクライブ装置では、吸着力を高めるため、吸着のための孔や溝を大きめに配置していた。この方法では、テーブル上に配置する被割断基板の大きさが変わり、吸着孔すべてが被割断基板で覆われなくなると、吸着孔の負圧部分が大気に開放されてしまし、被割断基板を吸着できなくなる。
【００１０】
吸着孔を微細孔にすることにより、吸着テーブル上すべてを被割断基板で覆われない場合でも、吸着孔が大きい場合と比較して、吸着孔から流れる空気の流量が減る。これにより、テーブルに対して被割断基板が小さくても、被割断基板がずれない様な吸着力を保つことが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
レーザースクライブ装置について図１を用いて説明する。
【００１２】
レーザースクライブ装置１は、本体部２、制御盤ボックス３０、テーブル部４、アライメント部５、スクライブヘッド部６の各ユニットから構成される。
【００１３】
本体部２は、本体フレーム２１、サブフレーム２１１、カバー２１２などを含む部材にて構成され、制御盤ボックス３０、操作部３１、テーブル部４、アライメント部５、スクライブヘッド部６を含み、それぞれ配置されている。
【００１４】
次に、図２に示す様に、本体部２には、メンテナンス用カバーフレーム２２が付随する。このメンテナンス用カバーフレーム２２は、装置内部と装置外部とを区分けするカバー２２２やフレームなどの部材から構成される。
【００１５】
このメンテナンス用カバーフレーム２２は、一部が装置の外装カバーであり、一部は装置外装カバーとオーバーラップした形で構成されている。そのメンテナンス時の状態を図３に示す。
【００１６】
装置稼働時、メンテナンス用カバーフレーム２２は、装置設置面積を最小状態にすることを考慮に入れ、符号２２４で示す様に装置外装カバーと重なり合う様に配置されている。
【００１７】
装置メンテナンス時、メンテナンス用カバーフレーム２２は、装置外装カバーとオーバーラップする部分２２５が最小になる様に配置され、装置内部に作業者が入って作業をすることが可能となる様に、設計されている。
【００１８】
次に、制御盤ボックス３０には、制御用機器と呼ばれる機器として、数値演算装置（いわゆるパソコンやＰＬＣ、シーケンサ、ＮＣコントローラなど）、ブレーカ、リレー、モータアンプ、変圧器、直流電源装置、ノイズフィルタ、信号入力ユニット、信号出力ユニット、Ａ／Ｄ変換ユニット、モータ位置決めユニット、信号カウンタ、タイマー等を含む機器が接続され、収納されている。これらの機器は装置内機器レイアウト上の都合により、適宜制御盤外に配置される場合がある。
【００１９】
操作部３１は、図２に示す様に、レーザスクライブ装置１のカバー２１２に情報表示部、情報入力部として構成され設置されている。
【００２０】
情報入力部は、情報入力手段としてキーボード３３２、操作ＳＷ（マウス）などを含む機器にて構成される。
【００２１】
情報表示部は、情報出力手段をも兼ね、情報表示器３３１や表示ランプなどを含む機器にて構成される。
【００２２】
情報入力部のキーボード３３２はレーザスクライブ装置１の数値演算装置と接続され、オペレータからの動作指令や設定値を入力したり、登録する役割を持つ。
【００２３】
情報出力部は、情報入力部と同様、情報表示部が兼ね、レーザスクライブ装置１の数値演算装置と接続され、オペレータに装置や装置内の機器の状態や情報を伝える役割を持つ。
情報出力手段は上記の他に、ブザーやスピーカ、表示メーターなどが適宜使用可能である。
【００２４】
テーブル部４３は、図１及び図４に示す様に、被割断基板１０を載置するテーブル本体部４３を移動させるステージ部４３−aとを含む部材にて構成される。ステージ部４３−aは、水平方向（図１に矢印で示す、Ｘ（左右）４１１・Ｙ（前後）４１３方向）に移動可能なように、ＸＹ２軸直交した駆動部４１と、鉛直方向を中心軸にして水平方向（図１の矢印に示すθ方向）に回転可能なように、θ軸回転部４１５とを含み、ステージ部４３−ａと本体フレーム２１に取り付けられている。
【００２５】
ステージ部４３−aには、図５に示す様に、巻取カバー４２が設置される場合がある。この巻取カバー４２は、ステージ部４３−aの１軸に付き２つ取り付けられる。それぞれの巻取カバー４２は、ステージ部４３−aの動作に合わせて伸縮可能で、外部からステージ内部への異物の混入を防ぐ役割を持つ。
【００２６】
テーブル本体部４３は、吸着テーブル４３１と中間プレートを含む。吸着テーブル４３１はＸＹ方向に平坦で、被割断基板１０が載置可能な形状をしている。
【００２７】
吸着テーブル４３１には、被割断基板１０と接する部分の一部に、吸着溝と呼ばれる溝や、吸着孔孔と呼ばれる孔が設けられ、真空気室４３４や図示しない配管ホースや配管継手などを介して真空ポンプへ連通されている。吸着テーブル４３１に載置された被割断基板１０は、吸着溝や吸着孔を負圧にすることで吸着テーブル４３１と密着し、吸着テーブル４３１が高速で移動しても位置ずれを起こすことがなくなる。
【００２８】
吸着テーブル４３１とテーブル本体部４３との間に図示しないが、中間プレートが配備され、複数のネジや留め具を介して取り付けられる。中間プレートのネジや留め具は、吸着テーブル４３１の水平度や平坦度調整のために用いられる。
【００２９】
吸着テーブル４３１は、吸着サブテーブルと呼ばれる部材を設ける場合がある。
【００３０】
吸着サブテーブル４４０は、被割断基板１０と吸着テーブル４３１との間に配置され、吸着テーブル４３１に取り付けられる。
【００３１】
吸着サブテーブル４４０は被割断基板１０の一部だけが接触する形状をしている。
【００３２】
吸着サブテーブル４４０が被割断基板１０を支持する位置は、被割断基板１０の外周部又は四隅などが例示でき、さらには、場合により被割断基板１０の中央部又はそれ以外の場所も例示できる。
【００３３】
また、吸着テーブル４３１には、図示しない排気パンが設置されている。
排気パンには、配管チューブ、ミストセパレータなどを介してブロワなどの負圧吸引装置に連通されている。スクライブヘッド６内のノズルから噴射されるミストは、排気パンを通じて回収し、吸着テーブル上にミストが残らない様に構成されている。
【００３４】
アライメント部５は、カメラ部５２、カメラ駆動部５５にて構成されている。カメラ部５２は、撮像カメラ５２１、レンズ、照明などを含む機器にて構成される。撮像カメラ５２１としては、ＣＣＤカメラ、ＣＭＯＳカメラなどが使用される。
【００３５】
撮像カメラ５２１は、被割断基板１０上の一部のマーク若しくは被割断基板１０の姿勢や外郭部を観察する機能がある。撮像カメラ５２１と画像処理部とは信号ケーブルを介して接続されており、撮像カメラ５２１で観察された画像が画像処理部へ伝送される。画像処理部へ伝送された画像は、適宜、情報表示器３３１に出力される。
【００３６】
レンズは、被割断基板１０上の一部のマーク若しくは被割断基板１０の外郭部の像を撮像カメラ５２１上に結像させる役目を持つ。
【００３７】
照明は、被割断基板１０上の一部のマーク若しくは被割断基板１０の外郭部を明るくし、撮像カメラ５２１で観察しやすい明るさにする役目を持つ。照明は、ＬＥＤ光源、ハロゲン光源、メタルハライド光源、白色電球、蛍光灯などを含み、明るさを調節する調光手段を配備する場合もある。
【００３８】
カメラ駆動部５５は、カメラ固定部、ステージ部などを含む部材にて構成される。画像処理部は、パソコンに搭載して使用する画像処理ボードや汎用の画像処理装置などを含む機器にて構成される。
【００３９】
スクライブヘッド部６は、図６に示す様に、イニシエータ部６１、レーザ加熱部７そしてミスト冷却部８にて構成される。
【００４０】
イニシエータ部６１は、スクライブホイール６５、ホイールヘッド部６３にて構成される。ホイールヘッド部６３には、ピン６４を介して、スクライブホイール６５が取り付けられている。ピン６４は円筒状をしているため、スクライブホイール６５はホイールヘッド６５内で落下や位置擦れを起こさない様に、回転可能になっている。
【００４１】
ホイールヘッド部６３には、スクライブホイール６５が被割断基板１０のなす平面方向（ＸＹ方向）に対して鉛直方向（当該装置の場合のＺ方向６２１）に移動可能な様に、Ｚ軸位置決め機構６２２が配置されている。
【００４２】
レーザ加熱部は、レーザ発振器７１、ミラー部７３、レンズ部７５、レーザ制御部７７にて構成される。レーザ発振器７１は本体フレーム２１に取り付けられている。レーザ発振器７１には炭酸ガスレーザ（ＣＯ、ＣＯ２レーザ）が使用される。レーザ発振器７１から出射されたビームはミラーやレンズを介して、被割断基板１０に照射される。ミラー部７３は、レーザ発振器７１から出射されたレーザビームの方向を変えるために、適宜の枚数が用いられる。レンズは少なくとも１つ以上を用い、レーザ発振器７１から出射されたビームを被割断基板１０に対して効率良く加熱できるような形状をしている。
【００４３】
レンズを使用する替わりに、反射面が平面でないミラーを使用することで、レンズを使用した場合と同様に、被割断基板１０に対して効率良く加熱することが可能である。ミラーは、レーザを効率良く反射する材料を使用することが望ましく、金属（銅やアルミ、シリコンなど）の上に金属（金や銀、銅、アルミなど）や誘電体多層膜がコーティングされたものが使用される。
【００４４】
ミラー部７３は、ミラーホルダー７５１とミラー７５２を含み、自然冷却だけでなく、適宜冷却して使用する場合もある。ミラー７３２を冷却する手段としては、ミラー７３やミラーホルダーに多数のフィンを接触させて冷却する空冷方式、ミラー７３やミラーホルダーに接触させて所定の温度の水や流体を循環させるユニットにて冷却する水冷方式等がある。
【００４５】
レンズ部７５は、レンズホルダー７５１、レンズ７５２を含み、レンズは、レーザ７１を効率良く透過する材料を使用することが望ましく、炭酸ガスレーザの場合、ＺｎＳｅ（セレン化亜鉛）やＧｅ（ゲルマニウム）が使用される。レンズは、自然冷却だけでなく、適宜冷やして使用する場合もある。
【００４６】
レーザ制御部７７は、所望のレーザ出力となるように、レーザ発振器７１もしくはレーザ発振器７１と接続されたアンプユニットに対して、パワー制御用の電気信号を出力する。アンプユニットは、レーザ発振器７１に内蔵される場合と、レーザ発振器７１とは隔てて設置される場合とがある。レーザ発振器７１と隔てて設置されたアンプユニットは、適宜スクライブ装置１内部に設置される。パワー制御用の電気信号には、高周波パルスの電圧や直流電流などが使用される。
【００４７】
次にチラー７１４について述べる。レーザ発振器７１やアンプユニットは、自然冷却以外に、強制的に冷却を必要とする場合が多い。レーザ発振器７１を冷却する手段として、レーザ発振器７１筐体の一部に多数の放熱フィンを取り付けた空冷方式が例示できる。空冷方式の場合、送風機を併用して冷却効率を上げるものがある。レーザを冷却する手段として、空冷方式の他に水冷方式が上げられる。水冷方式は、レーザー発振器７１の筐体の温度を、外部から供給した冷水に熱を伝え、外部に放出する方式である。冷媒として、水以外にエチレングリコールを含む溶液や、油類などを含む方式も広義で含み、水冷方式と呼ぶものとする。
【００４８】
図１あるいは、図４あるいは図６に示す様に、ミスト冷却部は、水供給部８１、エア供給部、ノズル８３とからなる。水供給部８１は、本体フレーム２１上の貯水タンク若しくは装置外部から供給される水を所定の圧力で送り出す、加圧ポンプやレギュレータなどの圧力調整手段と、送液チューブにて構成される。エア供給部は、装置外部のブロア２６から供給されるエアを所定の圧力で送り出す、加圧ポンプやレギュレータなどの圧力調整手段と、配管チューブにて構成される。ノズル８３は、水供給部より送られた水と、エア供給部８２より送られたエアを混合して霧状にして、被割断基板１０に噴射される構造になっている。ノズル８３は少なくとも１つ以上用いられ、複数使用する場合は、複数の水供給部が適宜配置される。
【００４９】
ミスト吸引部８５は、吸引ノズル８５１、配管ホース、ミストセパレータ８５２、排気ファンにて構成される。吸引ノズル８５１はスクライブヘッド６内に配置され、配管ホースを通じて、ミストセパレータ、排気ファンと連通されている。ミストセパレータや排気ファンは、スクライブ装置本体２内の本体フレーム２１上若しくはスクライブ装置外部に配置される。ミストセパレータは、排気エア中の水分を分離し、排気ファンの腐食を防止する役割がある。排気ファンは、吸引ノズル８５１先端部分を負圧にし、かつ所定の流量のエアを吸引するために用いられる。排気ファンには、軸流ファン、遠心ファン、斜流ファンなどが用いられるが、真空ポンプを用いることも出来る。
【００５０】
ミスト噴霧領域の制限機構について述べる。ミスト冷却部のノズル８３から供給されるミストは、被割断基板１０に直接噴霧されるだけでなく、所定の形状で所定の面積を持った開口部を設けた板を通過させて噴霧することもできる。該板を通過させると、ミストの噴霧エリアは、直接噴霧する場合よりも狭くすることができる。
【００５１】
次に、ビーム照射位置の変更について述べる。ミラー、レンズの内、少なくとも一つは、位置を変えることが可能で、ビーム入射方向をＺ方向とした場合に、Ｚ方向と直交する１軸もしくは２軸方向（いわゆるＸ方向及び／又はＹ方向）に位置変更が可能なように配置されている。ミラー及び／又はレンズの位置を変更することにより、被割断基板１０に照射されるレーザビームの照射位置を変更することができる。Ｘ方向及び／又はＹ方向の位置変更手段として、図示していない直動式アクチュエータが上げられ、シリンダや回転モータとボールネジ、リニアモータなどで構成される。この直動式アクチュエータは、制御用機器と接続されていて、適宜位置決めが可能である。
【００５２】
また、ビーム形状については、レンズの内、少なくとも一つは、位置を変えることが可能で、被割断基板１０との距離が変更可能なように配置されている。レンズの位置を変えることにより、被割断基板１０に照射されるレーザビームの寸法が変化する。レンズの位置変更手段として、直動式アクチュエータが上げられ、シリンダや回転モータとボールネジ、リニアモータなどで構成される。この直動式アクチュエータは、制御用機器と接続されていて、適宜位置決めが可能である。
【００５３】
パワーメータ７２は、レーザスクライブ装置１の内部に設置されている。パワーメータ７２は、本体部２筐体とレーザ受光部７０と温度センサ部と制御部とを含む。レーザ受光部７０はレーザを受光し、温度センサ部にて電気信号が出力され、制御ボード７７にて増幅処理やフィルタ処理がなされる。レーザ部７のレーザ発振器から出射されたレーザビームは、被割断基板１０に照射されない時に、パワーメータヘッド部のレーザ受光部に照射される。レーザ発振器から出射されたビームが被割断基板１０に照射されるか、パワーメータに照射されるかは、ミラーの位置や角度を変更することで選択可能である。ミラーの位置や角度を変更する手段として、直動式アクチュエータ、回転式アクチュエータが上げられる。このアクチュエータは制御用機器７７と接続されていて、適宜位置決めが可能である。パワーメータ７２で計測された計測値は、電気信号に変換して出力され、制御ボード７７に入力される。照射されるレーザビームのパワーに応じて、パワーメータ７２から電気信号が出力されるので、制御用機器側でレーザビームのパワーを計測することが出来る。
【００５４】
パワーメータ用チラー７２６について述べる。パワーメータ７２のヘッドには、冷却が不要なものと、冷却が必要なものとがある。パワーメータ７２のヘッドを冷却する手段として、パワーメータ７２のヘッド筐体の一部に多数の放熱フィンを取り付けた空冷方式が例示できる。空冷方式の場合、送風機を併用して冷却効率を上げるものがある。また、パワーメータ７２のヘッドを冷却する手段として、空冷方式の他に水冷方式が上げられる。水冷方式は、パワーメータ７２のヘッド筐体の温度を、外部から供給した冷水に熱を伝え、外部に放出する方式をからなる。冷媒として、水以外にエチレングリコールを含む溶液や、油類などを含む方式も広義で含み、いずれの水冷方式を用いても良い。水冷方式の場合、冷水供給源がレーザ発振器の冷却用とパワーメータ７２のヘッド部の冷却用とが独立している場合と、共通の場合とがある。
【００５５】
基板変位センサ６６は、スクライブヘッド６内部に設置されており、スクライブヘッド６と被割断基板１０との距離を測定することができる。基板変位センサ６６には、接触式または非接触式のものが使用される。基板変位センサ６６で計測された計測値は、電気信号に変換して出力され、制御盤ボックス３０内の制御用機器に入力される。スクライブヘッド６と被割断基板１０との距離に応じて、基板変位センサから電気信号が出力されるので、制御用機器側で距離を計測することが出来る。
【００５６】
基板表面温度センサ７８１は、スクライブ装置１の内部に設置されている。基板表面温度センサ７８１を用いて、スクライブ装置１中の被割断基板１０の表面温度を測定することができる。基板表面温度センサ７８１で計測された計測値は、電気信号に変換して出力され、制御盤ボックス３０内の制御用機器に入力される。
【００５７】
観察カメラ部について述べる。スクライブ装置１内やスクライブヘッド６内には、観察カメラが設置されている場合がある。観察カメラ部は、カメラ部、カメラ駆動部にて構成されている。カメラ部は、撮像カメラ、レンズ、照明などを含む機器にて構成される。撮像カメラには、ＣＣＤカメラ、ＣＭＯＳカメラなどが用いられる。また、カメラ部は、被観察物上の一部若しくは全部の模様や姿勢や外郭部を観察する機能がある。カメラ部と画像処理部とは信号ケーブルを介して接続されており、撮像カメラで観察された画像が画像処理部へ伝送される。画像処理部へ伝送された画像は、適宜、情報表示部に出力される。レンズは、被割断基板１０上の一部のマーク若しくは被割断基板１０の外郭部の像を撮像カメラ上に結像させる役目を持つ。その場合の照明は、被割断基板１０上の一部のマーク若しくは被割断基板１０の外郭部を明るくし、撮像カメラで観察しやすい明るさにする役目を持つ。照明は、ＬＥＤ光源、ハロゲン光源、メタルハライド光源、白色電球、蛍光灯などを含み、明るさを調節する調光手段を持つ場合もある。
【００５８】
レーザスクライブ装置１には、局所クリーンユニットと呼ばれるクリーンエア供給手段が設置される場合がある。また、必要に応じて、装置内の空気を外部に排出する排気ブロワが設置される。
【００５９】
次に、上記装置を用いて、被割断基板１０にレーザスクライブ処理をおこなう方法について説明する。
【００６０】
被割断基板１０としては、携帯用情報端末やパソコン用モニタ、薄型ＴＶなどの、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に使用されるガラス板等を例示できる。
【００６１】
ＦＰＤ用ガラス板は、マザーガラスと呼ばれる大型の基板サイズで各種製造工程を通った後、最終製品のサイズのパネル単位に切り出される。ガラス板の材料として、ソーダライムガラスや無アルカリガラスと呼ばれる材料等が例示できる。
【００６２】
まず被割断基板１０を吸着テーブルに載置し、吸着させる。
【００６３】
被割断基板１０の表面にアライメントマークが配置されていない場合、被割断基板１０の外形基準でアライメントを行う方法を選択することができる。被割断基板１０の外形基準の方法としては、テーブル部４３に刻印された目印や線を参考に作業者が位置を調整する方法や、テーブル部４３上に位置決め基準となる突起を配置してガラス板をそれに沿わせる方法などが挙げられる。
【００６４】
被割断基板１０表面にアライメントマークが配置されている場合、吸着テーブル４３１に対して被割断基板１０が多少ずれた状態で載置されていても構わない。
【００６５】
アライメントマークをアライメントカメラにて読み取り、被割断基板１０のずれ量を制御盤ボックス３０の数値演算装置にて演算する。数値演算装置は、被割断基板１０のずれ量とテーブルの位置情報を元に、被割断基板１０の姿勢を正すための補正演算を行う。被割断基板１０を載置したテーブル４１は、被割断基板１０の厚み測定位置へ移動し、スクライブヘッド部６と被割断基板１０の表面との距離を測定する。制御装置は測定した距離情報を元に、イニシエータ６１の高さを調節する。
【００６６】
テーブル部４３はスクライブ処理開始位置へ所定の速度で移動する。テーブル部４３の移動中に、イニシエータ６１によって被割断基板１０の端面の表面部に極めて小さな亀裂が形成される。この小さな亀裂が、レーザスクライブ処理の開始点となる。
【００６７】
レーザ発振器７からスクライブヘッド６に対してレーザビームが照射される。レーザビームはスクライブヘッド６内のレンズにてスクライブ処理に最適なビーム形状に成形され、被割断基板１０の表面に照射される。被割断基板１０は、レーザが照射されつつ所定の速度で移動しているので、スクライブ予定線１１１に対して連続的に加熱される。この時、被割断基板１０表面には圧縮応力が生じる。
【００６８】
被割断基板１０は、レーザで加熱された直後、ミスト冷却部８のノズル８３からミストが噴霧され、冷却される。この時、被割断基板１０の表面には引張応力が生じる。
【００６９】
上記で述べた、加熱と冷却のサイクルにより、被割断基板１０表面には圧縮と引張の応力変化が起きる。この圧縮と引張の応力変化は被割断基板１０の移動に伴って、連続的に行われる。
このとき、イニシエータ６１にて形成した被割断基板１０の端面の表面部の小さな亀裂が連続的に拡がる。この連続した亀裂がスクライブ線１１２である。尚、このスクライブ線１１２は通常目視では認識できない。
【００７０】
事前に登録したスクライブ処理条件情報に基づき、被割断基板１０基板上の所定の位置に対して、スクライブ処理を行う。必要に応じて、被割断基板１０の姿勢を変え、スクライブ処理を行う。上記動作を必要回数繰り返すことにより、格子状にスクライブ線を形成する。
【００７１】
被割断基板１０基板を装置外に取り出し、次にスクライブ処理する被割断基板１０をテーブルに載置する。
【００７２】
被割断基板１０からなる貼合せ基板は片面ずつスクライブ処理する必要があるので、第１面をスクライブ処理した後、被割断基板１０を表裏反転し、第２面をスクライブヘッド６側に向けて載置する。スクライブ装置１に反転機構が付属している場合は、被割断基板１０を反転機構で反転させた後、テーブル部４３に載置する。スクライブ処理処理が完了した被割断基板１０基板は、スクライブ線に沿って必要な外力を加えて割断され、短冊化もしくは個片化される。
【００７３】
尚、短冊化とは、複数のパネルが列状に連なった状態であることを意味し、個片化とは、複数のパネルがそれぞれ個々に分離されている状態を意味する。
【００７４】
スクライブ線１１２に沿って曲げ応力が作用することで、亀裂が拡がり、被割断基板１０基板が割断される。
【実施例】
【００７５】
〔実施例１〕
被割断基板１０を割断する割断工程に先立ち、被割断基板１０に対しレーザ光からなる加熱ビーム７０を被割断基板１０のスクライブ予定線１１１に沿って相対的に移動させることによりスクライブ予定線１１１の始端から終端に向かうスクライブ線１１２を形成するレーザスクライブ装置１において、被割断基板１０を吸着テーブル４３１上にいかに安定させて、吸着させるかの課題に対し、レーザスクライブ処理では、被割断基板１０に対して熱変化をあたえることで成立する加工プロセスであり、被割断基板１０への吸熱と被割断基板１０からの放熱のバランスが変化することは望ましくない。従い、昨今の様に、被割断基板１０の板厚が薄くなると、被割断基板１０を保持するテーブル部４３側への熱伝導がし易くなる。そのような状態下で、スクライブ予定線１１１直下のテーブル部４３の状態に変化があると、熱バランスが崩れる。
【００７６】
上記熱バランスを安定的に保つために、本発明では、図５に示す様に、被割断基板１０の板厚に対して２倍以下の直径の吸引孔４４２を設けたテーブル部４３で吸着し、スクライブ処理を施した。その後、被割断基板１０の切断工程にて、切断したが、切断した後の品質は悪化せず、良好な分断被割断基板１０が得られた。
【００７７】
次に、被割断基板１０の板厚と同等かそれ以下の直径の吸引孔４４２をテーブル部４３に設けた吸引孔４４２との被割断基板１０割断結果、及び、被割断基板の板厚の１／２と同等かそれ以下の直径の吸引孔４４２をテーブル部４３に設けた吸引孔４４２との被割断基板１０の割断結果との関係を表１に示した。
〔実施例２〕
次に、被割断基板１０の板厚に対して図６に示す様に、２倍以下の横断幅の溝４４３を加工した吸着プレート４３１を準備し、あるいは、被割断基板１０の板厚と同等かそれ以下の横断幅の溝４４３を加工した吸着プレート４３１との被割断基板１０の割断結果、及び、被割断基板１０の板厚の１／２と同等かそれ以下の横断幅の溝４４３を加工した吸着プレート４３１との被割断基板１０の割断結果をもって、スクライブ処理を実施し、被割断基板１０を割断したところ被割断基板１０の品質は悪化せず、良好な割断被割断基板１０が得られた。その結果を表１に示した。
【００７８】
表１
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【産業上の利用可能性】
【００７９】
レーザスクライブ装置を用いて、被割断基板に、スクライブ処理を施す方法において、被割断基板としては、携帯用情報端末やパソコン用モニタ、薄型ＴＶなどの、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に使用されるガラス基板等に摘要できる。
【００８０】
また、ＦＰＤ用ガラス板は、マザーガラスと呼ばれる大型の基板サイズで各種製造工程を通った後、最終製品のサイズのパネル単位に切り出される。ガラス板の材料として、ソーダライムガラスや無アルカリガラスと呼ばれる材料が例示できる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本出願の「レーザスクライブ装置」の概要を示す図。
【図２】本出願の「レーザスクライブ装置の通常時の外観」を示す図。
【図３】本出願の「レーザスクライブ装置のメンテナンス時の外観」を示す図。
【図４】本出願の「スクライブヘッドの詳細」を示す図。
【図５】本出願の「レーザスクライブ装置のテーブル部の巻き取りカバー」を示す図。
【図６】本出願の「吸着テーブル」の斜視図。
【図７】本出願の「吸着テーブル」の斜視図。
【図８】本出願の「吸着テーブル」の断面図。
【符号の説明】
【００８２】
１      レーザスクライブ装置
４      テーブル部
１０    被割断基板
１１１  スクライブ予定線
１１２  スクライブ線
２      本体部
３０    制御盤ボックス
３３１  情報表示部
４３    テーブル本体部
４３−a  ステージ部
４３１  吸着プレート
４３２  吸着孔
４３４  真空気室
４４０  吸着サブテーブル
４４２  吸着孔
４４３  吸着溝
５５    カメラ駆動部
５２１  撮像カメラ
６      スクライブヘッド部
６１    イニシエータ部
７      レーザ加熱部
７１    レーザ発信器
８      ミスト冷却部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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