(57)【要約】【課題】アドレス放電の際に発光セルが誤って選択されるのを防止して、サステイン放電時の誤放電の発生を防止出来るプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】前面ガラス基板１の背面側に対向する側に、複数の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）とこの行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を被覆する誘電体層が設けられ、背面ガラス基板４の正面側に、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）と交差する部分の放電空間にそれぞれ放電セルＣ１を形成する複数の列電極Ｄ１と、放線空間を各放電セルＣ１毎に仕切る隔壁６が設けられて、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を被覆する誘電体層と隔壁６との間に隙間ｒ１が形成され、隔壁６の誘電体層との間の隙間ｒ１に対向する部分に、アドレス放電の際に行電極Ｙ１に印加される電圧と同じ大きさの電圧が印加される電界遮断電極Ｅが配置されている。【選択図】図８
2008123908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板が放電空間を介して互いに対向され、この一対の基板のうちの一方の基板の他方の基板に対向する側に、行方向に延び列方向に並設されてそれぞれ表示ラインを形成する複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層が設けられ、他方の基板の一方の基板に対向する側に、列方向に延び行方向に並設されて行電極対と交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の列電極と、放線空間を各単位発光領域毎に仕切る隔壁が設けられて、行電極対を被覆する誘電体層と隔壁との間に隙間が形成されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記隔壁の誘電体層との間の隙間に対向する部分に、所要の大きさの電圧が印加自在な電界遮断電極が配置されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記誘電体層の隔壁に対向する位置に誘電体層から隔壁側に突出して隔壁に当接される嵩上げ誘電体層が形成され、前記隙間が、隔壁の誘電体層に対向する面の嵩上げ誘電体層が当接されていない部分と誘電体層との間に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記隔壁が行方向に延びる横壁と列方向に延びる縦壁を備えた略格子形状を有し、電界遮断電極が、隔壁の各横壁毎に配置されて、それぞれ横壁の誘電体層に対向する面上を行方向に延びる幹部とこの幹部から縦壁上を列方向に延びる枝部を有し、隣接する電界遮断電極の同じ縦壁上をそれぞれ他方の電界遮断電極側に延びる枝部の先端部が互いに所要の間隔を空けて対向されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記嵩上げ誘電体層が行方向に延びる横部分と列方向に延びる縦部分を備えた略格子形状を有し、この嵩上げ誘電体層の縦部分の隣接する電界遮断電極の枝部の先端部間の間隔に対向する部分に、行方向の幅が嵩上げ誘電体層の縦部分の他の部分の行方向の幅よりも小さい切り欠き部が形成されており、この切り欠き部が、行電極対の互いに対になっている行電極間の放電ギャップに行方向において対向する位置に位置されている請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記各電界遮断電極毎に、それぞれ電圧供給端子が設けられている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記隔壁の奇数行目の横壁に配置された電界遮断電極と偶数行目の横壁に配置された電界遮断電極とに、それぞれ別個に電圧供給端子が設けられている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、行電極対の一方の行電極と列電極に電圧が印加されてこの行電極と列電極の間で放電が発生されるときに、電界遮断電極に、一方の行電極に印加される電圧とほぼ同じ大きさの電圧が印加されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項８】
前記請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、行電極対の一方の行電極と列電極に電圧が印加されてこの行電極と列電極の間で放電が発生されるときに、各電界遮断電極の電圧供給端子に、それぞれ個別に一方の行電極に印加される電圧とほぼ同じ大きさの電圧が印加されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項９】
前記請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、行電極対の一方の行電極と列電極に電圧が印加されてこの行電極と列電極間で放電が発生されるときに、隔壁の奇数行目の横壁に配置された電界遮断電極と偶数行目の横壁に配置された電界遮断電極の電圧供給端子に、それぞれ個別に一方の行電極に印加される電圧とほぼ同じ大きさの電圧が印加されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、面放電方式交流型プラズマディスプレイパネルのパネル構造およびその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は従来のプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）のパネル構造を模式的に示す正面図であり、図２は図１のＶ１−Ｖ１線における断面図であり、図３は図１のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【０００３】
この図１ないし３に示される従来のＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の背面に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１の行方向（図１の左右方向）に延びるように平行に並設されている。
【０００４】
そして、各行電極Ｘ，Ｙは、それぞれ、行方向に互いに所要の間隔を開けて平行に延びるバス電極Ｘａ，Ｙａと、このバス電極Ｘａ，Ｙａに基端側の縁部を接続されて互いに放電ギャップｇを介して対向される透明電極Ｘｂ，Ｙｂとによって構成されている。
【０００５】
前面ガラス基板１の背面には、さらに、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層２が形成されており、この誘電体層２の背面に、互いに隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに位置するバス電極Ｘａ，Ｙａおよびその間の領域に対向する位置に、誘電体層２の背面から突出する嵩上げ誘電体層３が行方向に延びるように形成されている。
【０００６】
そして、この誘電体層２と嵩上げ誘電体層３の背面側には、ＭｇＯからなる図示しない保護層が形成されている。
【０００７】
一方、前面ガラス基板１と平行に対向される背面ガラス基板４の表示側の面上には、列電極Ｄが、行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるとともに行方向に等間隔に並設されている。
【０００８】
背面ガラス基板４の表示側の面上には、さらに、列電極Ｄを被覆する列電極保護層５が形成され、この列電極保護層５上に、隔壁６が誘電体材料によって形成されている。
【０００９】
この隔壁６は、嵩上げ誘電体層３に対向する位置において行方向に延びる複数の横壁６Ａと各列電極Ｄの間に対向する位置において列方向に延びる縦壁６Ｂとによって略格子形状に成形されており、この隔壁６によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間の放電空間が、各行電極対（Ｘ，Ｙ）において対になっている透明電極ＸｂとＹｂに対向する部分毎に区画されて、それぞれ方形の放電セルＣが形成されている。
【００１０】
そして、隔壁６の横壁６Ａの先端面が嵩上げ誘電体層３（正確には嵩上げ誘電体層３を被覆している保護層）に当接されていて、図２に示されるように列方向において隣接する放電セルＣの間がそれぞれ閉じられているが、縦壁６Ｂの先端面は、嵩上げ誘電体層３が横壁６Ａに当接されていることによって誘電体層２（正確には誘電体層２を被覆する保護層）には当接されず、図３に示されるようにその間に隙間ｒが形成されている。
【００１１】
各放電セルＣ内には、放電セルＣ毎に色分けされた赤，緑，青の蛍光体層７がそれぞれ形成されており、さらに、キセノンを含む放電ガスが封入されている。
【００１２】
このＰＤＰにおける画像形成は、各放電セルＣを初期化するリセット放電の後、各行電極Ｙと列電極Ｄの間で選択的にアドレス放電が発生されて、パネル面に、発光セル（対向している部分の誘電体層２に壁電荷が形成されている放電セルＣ）と非発光セル（対向している部分の誘電体層２の壁電荷が消去されている放電セルＣ）とが映像信号の画像データに対応して分布され、この後、各発光セル内において行電極対（Ｘ，Ｙ）の行電極ＸとＹ間でサステイン放電が発生されて各発光セルの赤，緑，青の蛍光体層７が発光することにより行われる。
【００１３】
このようなＰＤＰの画像形成駆動時において、アドレス放電発生のために列電極Ｄと行電極Ｙ間に電圧が印加される際に放電空間内に形成される電界の状態は、以下の様になる。
【００１４】
なお、以下においては、誘電体層２および保護層，列電極保護層５，蛍光体層７の存在は、隔壁６に対してそれぞれの厚さが薄く後述するような電界への影響が小さいので、無視して説明を行う。
【００１５】
すなわち、放電セルＣの中央部においては、図４に模式的に示されるように、アドレス放電を行う行電極Ｙの透明電極Ｙｂと列電極Ｄ間には、誘電体層２および保護層，列電極保護層５，蛍光体層７以外のＰＤＰの構造物は存在せず、この間が放電ガスによって充満されている。
【００１６】
このため、アドレス放電発生のために行電極Ｙにスキャン・パルスが印加され列電極Ｄにデータ・パルスが印加されて、行電極Ｙと列電極Ｄ間の電位差がＶになったときに、この放電セルＣの中央部において形成される電界の強さＦｇ１は、平行板型電極の空間における電界とほぼ同様に、
Ｆｇ１=Ｖ／ｄ    …（１）
ｄ：行電極Ｙと列電極Ｄの間隔
の式によって求められる。
【００１７】
これに対し、行方向に隣接する放電セルＣ間の仕切り部分は、図５に模式的に示されるように、行電極Ｙの透明電極Ｙｂと列電極Ｄ間に隔壁６の縦壁６Ｂが存在し、この縦壁６Ｂと行電極Ｙ（正確には誘電体層２を被覆する保護層）との間に放電ガスが充満された隙間ｒが形成された構造になっており、この隙間ｒ内に形成される電界の強さＦｇ２は、次式によって求められる。
【００１８】
すなわち、行電極Ｙと列電極Ｄの間隔ｄは
ｄ=ｄｇ+ｄε    …（２）
ｄｇ：隙間ｒの間隔
ｄε：縦壁６Ｂの厚さ
の式によって求められ、行電極Ｙと列電極Ｄ間の電位差Ｖは、
Ｖ=Ｖｇ+Ｖε    …（３）
Ｖｇ：隙間ｒ部分の電位差
Ｖε：縦壁６Ｂ部分の電位差
の式によって表される。
【００１９】
ここで、一般に、直列接続された静電容量ではそれぞれに蓄積される電荷が互いに等しくなるために、
Ｃｇ・Ｖｇ=Ｃε・Ｖε    …（４）
Ｃｇ：隙間ｒの静電容量
Ｃε：縦壁６Ｂの静電容量
の関係が成り立つ。
【００２０】
そして、この静電容量Ｃｇと Ｃεは、それぞれ
Ｃｇ=ε0・Ｓ／ｄｇ          …（５）
Ｃε=ε0・εｒ・Ｓ／ｄε    …（６）
ε0 ：放電ガスの誘電率
εｒ：縦壁６Ｂの比誘電率
の式によって求められる。
【００２１】
従って、隙間ｒ内に形成される電界の強さＦｇ２は、上記の式（２）〜（６）から、
Ｆｇ２= Ｖｇ／ｄｇ 
= εｒＶ／（ｄ＋ｄｇ（εｒ−１））    …（７）
の式によって求められる。
【００２２】
上記式（１）と（７）から、放電セルＣの中央部における電界強度Ｆｇ１と隙間ｒ内の電界強度Ｆｇ２の比は、
Ｆｇ２／Ｆｇ１＝εr／（１＋（ｄｇ／ｄ）（εr−１））    （８）
となる。
【００２３】
この式（８）において、隙間ｒの間隔ｄｇは嵩上げ誘電体層３の厚さ（２０μｍ以下）とほぼ同じで、行電極Ｙと列電極Ｄの間隔ｄとの比（ｄｇ／ｄ）は約０．２であり、縦壁６Ｂの比誘電率εrは約５であるので、
Ｆｇ２／Ｆｇ１≒２．８    …（９）
となる。
【００２４】
以上のように、アドレス放電時において、隔壁６の縦壁６Ｂと誘電体層２との間の隙間ｒ内における電界強度は、放電セルＣの中央部における電界強度に比べて約２．８倍と著しく大きくなってしまう。
【００２５】
このため、従来のＰＤＰでは、発光セルとして選択される放電セルＣ内でアドレス放電が発生される際に、この放電セルＣと行方向に隣接する他の放電セルＣとの間の仕切り部分の隙間ｒ内に高電界が発生し、この高電界によって、隣接する非発光セルとなるべき放電セルＣ内の誘電体層２に壁電荷が形成（または、壁電荷が消去）されて、発光セルとして選択されてしまい、サステイン放電発生時に誤放電が発生する虞が生じる。
【００２６】
特に、近年のＰＤＰの高精細化により放電セルＣ間のピッチが縮小されてゆくに従って、この問題は大きくなっている。
【００２７】
そして、上記のようなアドレス放電時に行方向に隣接する放電セルＣ間の仕切り部分の隙間に発生する高電界による誤放電の発生の問題は、例えば、図６に示されるような、隣接する行電極対の互いに背中合わせに位置する行電極がバス電極を共用する構成のＰＤＰにおいて、さらに大きくなってくる。
【００２８】
すなわち、図６のＰＤＰは、隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の背中合わせに位置する行電極Ｘ１とＹ１がバス電極Ｋａを共用していて、バス電極Ｋａとこのバス電極Ｋａの等間隔位置に接続されて列方向の一方側に突出する複数の透明電極Ｘ１ｂとによって行電極Ｘ１が構成され、バス電極Ｋａとこのバス電極Ｋａの等間隔位置に接続されて列方向の他方側に突出する複数の透明電極Ｙ１ｂとによって行電極Ｙ１が構成されており、背面ガラス基板上に等間隔に配置される列電極Ｄ１は、隔壁６の縦壁６Ｂに対向する位置において列方向に延びる本体部Ｄ１ａと、行電極Ｙ１に対向する部分においてくの字状に屈曲して本体部Ｄ１ａから行方向の一方の側に張り出すことにより透明電極Ｙ１ｂに対向される張出部Ｄ１ｂとから構成されている。
【００２９】
他の部分は、図１ないし４のＰＤＰとほぼ同様であり、バス電極Ｋａに対向する位置に形成された嵩上げ誘電体層が隔壁６の横壁６Ａに当接されることによって、縦壁６Ｂと行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を被覆する誘電体層との間に隙間が形成されている。
【００３０】
この図６に示されるような構成のＰＤＰにおいては、バス電極Ｋａにスキャン・パルスが印加され列電極Ｄ１にデータ・パルスが印加されて、放電セルＣａ内においてこの放電セルＣａを選択するためのアドレス放電が行電極Ｙ１と列電極Ｄ１間で発生される際に、前述したように、この放電セルＣａの図において左側に隣接する放電セルＣｂとの間の仕切り部分Ｐ１の隙間内に高電界が形成されて、この高電界によって放電セルＣｂが誤って選択されてしまう虞がある。
【００３１】
そして、さらに、放電セルＣａの図において下側に隣接する放電セルＣｃとこの放電セルＣｃの左側に位置する放電セルＣｄとの間の仕切り部分Ｐ２の隙間内においても、アドレス放電を発生する行電極Ｙ１と背中合わせに位置してバス電極Ｋａを共用している行電極Ｘ１と列電極Ｄ１により高電界が形成されて、放電セルＣｃと放電セルＣｄも誤って選択されてしまう虞がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３２】
この発明は、上記のような従来のＰＤＰが有する問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
第１の発明（請求項１に記載の発明）によるＰＤＰは、上記目的を達成するために、一対の基板が放電空間を介して互いに対向され、この一対の基板のうちの一方の基板の他方の基板に対向する側に、行方向に延び列方向に並設されてそれぞれ表示ラインを形成する複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層が設けられ、他方の基板の一方の基板に対向する側に、列方向に延び行方向に並設されて行電極対と交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の列電極と、放線空間を各単位発光領域毎に仕切る隔壁が設けられて、行電極対を被覆する誘電体層と隔壁との間に隙間が形成されているＰＤＰにおいて、前記隔壁の誘電体層との間の隙間に対向する部分に、所要の大きさの電圧が印加自在な電界遮断電極が配置されていることを特徴としている。
【００３４】
第２の発明（請求項７に記載の発明）によるＰＤＰの駆動方法は、前記目的を達成するために、第１の発明に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、行電極対の一方の行電極と列電極に電圧が印加されてこの行電極と列電極の間で放電が発生されるときに、電界遮断電極に、一方の行電極に印加される電圧とほぼ同じ大きさの電圧が印加されることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
この発明は、前面ガラス基板と背面ガラス基板が放電空間を介して互いに対向され、前面ガラス基板の背面ガラス基板に対向する側に、行方向に延び列方向に並設されてそれぞれ表示ラインを形成する複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層が設けられ、背面ガラス基板の前面ガラス基板に対向する側に、列方向に延び行方向に並設されて行電極対と交差する部分の放電空間にそれぞれ放電セルを形成する複数の列電極と、放線空間を各放電セル毎に仕切る隔壁が設けられて、行電極対を被覆する誘電体層と隔壁との間に隙間が形成されているＰＤＰにおいて、隔壁の誘電体層との間の隙間に対向する部分に、所要の大きさの電圧が印加自在な電界遮断電極が配置されているＰＤＰ、および、このＰＤＰにおいて、行電極対の一方の行電極と列電極に電圧が印加されてこの行電極と列電極の間でアドレス放電が発生されるときに、電界遮断電極に、一方の行電極に印加される電圧とほぼ同じ大きさの電圧が印加されるＰＤＰの駆動方法を最良の実施形態としている。
【００３６】
この実施形態のＰＤＰによれば、サステイン放電を発生させる放電セルを選択するためのアドレス放電が行電極対の一方の行電極と列電極間で発生される際に、行電極対のアドレス放電を発生させる側の行電極と列電極に電圧が印加されてこの行電極と列電極の間でアドレス放電が発生されるときに、放線空間を各放電セル毎に仕切る隔壁上に配置された電界遮断電極に任意の大きさの電圧、例えば、電界遮断電極に、行電極との間の電位差が行電極と列電極との間の電位差よりも小さくなるような大きさの電圧が印加されることによって、行電極対を被覆する誘電体層と隔壁との間の隙間内に形成される電界の強さを電界遮断電極が形成されていない従来のＰＤＰよりも小さくすることが出来、これによって、従来のＰＤＰのようにアドレス放電時に放電セルの仕切り部分の隙間内に形成される高電界によって発光セルとして選択される放電セルに隣接する他の非発光セルとなるべき放電セルが発光セルとして誤って選択されるのが防止されて、サステイン放電の誤放電が発生するのを防止することが出来る。
【００３７】
そして、実施形態のＰＤＰの駆動方法によれば、アドレス放電が発生される際に、電界遮断電極に、このアドレス放電を発生させる一方の行電極に印加される電圧とほぼ同じ大きさの電圧が印加されることによって、隣接する放電セル間の仕切り部分の隔壁と誘電体層との間の隙間内に形成される電界の強さがほぼゼロになるので、アドレス放電が発生される放電セルに隣接する他の放電セルが発光セルとして誤って選択されるのが確実に防止されるようになる。
【００３８】
そして、以上のような誤放電の発生防止効果によって、特に、画面の高精細化に対応して放電セルのピッチ間隔が小さくなるフルＨＤ等のＰＤＰにおいて、安定した高画質の画像を形成することができるようになる。
【００３９】
さらに、この実施形態のＰＤＰおよびその駆動方法によれば、例えば隣接する表示ライン間において背中合わせに位置する二つの行電極対がバス電極を共用している場合でも、アドレス放電が発生される放電セルに行方向および列方向に隣接する他の放電セルが発光セルとして誤って選択されるのを確実に防止することが出来るようになる。
【００４０】
上記実施形態のＰＤＰにおける電界遮断電極の形態としては、隔壁が行方向に延びる横壁と列方向に延びる縦壁を備えた略格子形状を有するＰＤＰにおいて、電界遮断電極が、隔壁の各横壁毎に配置されて、それぞれ横壁の誘電体層に対向する面上を行方向に延びる幹部とこの幹部から縦壁上を列方向に延びる枝部を有し、隣接する電界遮断電極の同じ縦壁上をそれぞれ他方の電界遮断電極側に延びる枝部の先端部が互いに所要の間隔を空けて対向されている形態が挙げられる。
【００４１】
そして、このような形態の電界遮断電極を有するＰＤＰにおいて、嵩上げ誘電体層が行方向に延びる横部分と列方向に延びる縦部分を備えた略格子形状を有し、この嵩上げ誘電体層の縦部分の隣接する電界遮断電極の枝部の先端部間の間隔に対向する部分に、行方向の幅が嵩上げ誘電体層の縦部分の他の部分の行方向の幅よりも小さい切り欠き部が形成されて、この切り欠き部が、行電極対の互いに対になっている行電極間の放電ギャップに行方向において対向する位置に位置されるようにするのが好ましい。
【００４２】
これによって、嵩上げ誘電体層の縦部分に形成された切り欠き部によって、行電極対の対になっている行電極間の放電ギャップの近傍に、行方向に隣接する放電セルの仕切り部分の他の部分におけるよりも強い電界が形成されて、これによって、電界遮断電極による誤放電の発生防止効果に加えて、駆動時におけるアドレス放電やサステイン放電を容易に発生させることが出来るようになる。
【００４３】
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、各電界遮断電極毎にそれぞれ電圧供給端子を設けるか、隔壁の奇数行目の横壁に配置された電界遮断電極と偶数行目の横壁に配置された電界遮断電極とにそれぞれ別個に電圧供給端子を設けるようにするのが好ましい。
【００４４】
このような構成にすることによって、電界遮断電極Ｅへの電圧の印加を安定して行うことが出来るようになる。
【実施例１】
【００４５】
図７および８は、この発明によるＰＤＰの実施形態における一実施例を示しており、図７はこの実施例のＰＤＰの前面ガラス基板の構成を示す背面図であり、図８はこのＰＤＰの背面ガラス基板の構成を示す正面図である。
【００４６】
図７において、前面ガラス基板１の背面には、図６のＰＤＰと同様に、行方向に延びる行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が列方向に並設されて、隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の互いに背中合わせに位置する行電極Ｘ１とＹ１がバス電極Ｋａを共用しており、バス電極Ｋａとこのバス電極Ｋａの等間隔位置に接続されて列方向の一方側（図７において下方側）に突出する複数の透明電極Ｘ１ｂによって行電極Ｘ１が構成され、バス電極Ｋａとこのバス電極Ｋａの透明電極Ｘ１ｂと同じ位置に接続されて列方向の他方側（図７において上方側）に突出する複数の透明電極Ｙ１ｂによって行電極Ｙ１が構成されていて、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）において、それぞれ対になっている透明電極Ｘ１ｂとＹ１ｂが互いに放電ギャップｇ１を介して対向されている。
【００４７】
この行電極対（Ｘ１，Ｙ１）は、前面ガラス基板１の背面に形成された誘電体層によって被覆されている。
【００４８】
そして、この行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を被覆する誘電体層の背面に、誘電体層から突出するとともに、バス電極Ｋａに対向する位置において行方向に帯状に延びる横部分１３ａと、行方向に隣接する透明電極Ｘ１ｂの間および透明電極Ｙ１ｂの間に対向する位置において列方向に帯状に延びる縦部分１３ｂとよって、正面形状が略格子形状の嵩上げ誘電体層１３が形成されている。
【００４９】
この嵩上げ誘電体層１３と誘電体層は、保護層によって被覆されている。
【００５０】
図８において、背面ガラス基板４の前面ガラス基板１に対向される表示側の面上には、図６のＰＤＰと同様に、この背面ガラス基板４が前面ガラス基板１に平行に対向された際に、嵩上げ誘電体層１３の縦部分１３ｂに対向する位置において列方向に延びる本体部Ｄ１ａと、行電極Ｙ１に対向する部分においてくの字状に屈曲して本体部Ｄ１ａから行方向の一方の側（図８において右側）に張り出すことにより透明電極Ｙ１ｂに対向される張出部Ｄ１ｂとから構成される複数の列電極Ｄ１が、行方向に並設されている。
【００５１】
そして、この列電極Ｄ１は、背面ガラス基板４上に形成された列電極保護層によって被覆され、この列電極保護層上に、嵩上げ誘電体層１３の横部分１３ａに対向する位置において行方向に延びる横壁６Ａと縦部分１３ｂに対向する位置において列方向に延びる縦壁６Ｂとによって、略格子形状に成形された隔壁６が形成されている。
【００５２】
この隔壁６の横壁６Ａと縦壁６Ｂのそれぞれの延長方向と直角な方向の幅は、嵩上げ誘電体層１３の横部分１３ａと縦部分１３ｂのそれぞれの延長方向と直角な方向の幅よりも大きくなるように形成されている。
【００５３】
この隔壁６上には、横壁６Ａ毎に、下記のような形状の電界遮断電極横壁Ｅが形成されている。
【００５４】
すなわち、各電界遮断電極横壁Ｅは、隔壁６の横壁６Ａ上を行方向に延びるとともにこの横壁６Ａの頂面を被覆する幹部Ｅａと、この幹部Ｅａから分岐して横壁６Ａに連結している両側の各縦壁６Ｂ上を列方向に延びる複数の枝部Ｅｂとを備えた形状に成形されている。
【００５５】
そして、この電界遮断電極横壁Ｅの各枝部Ｅｂの先端部は、縦壁６Ｂの隣接する横壁６Ａ間に位置する部分の中間位置の手前部分まで延びていて、それぞれの先端部が、隣接する他の電界遮断電極横壁Ｅの同じ縦壁６Ｂ上に形成された枝部Ｅｂの先端部と隙間ｓを介して対向されている。
【００５６】
隔壁６によって区画された放電セルＣ１内には、各放電セルＣ１毎に赤，緑，青に色分けされた図示しない蛍光体層が形成されている。
【００５７】
この図７の前面ガラス基板１と図８の背面ガラス基板４は、共に略格子形状に成形された嵩上げ誘電体層１３と隔壁６とが重なり合うように位置合わせされて、嵩上げ誘電体層１３と隔壁６が電界遮断電極横壁Ｅを介して当接された状態で、互いに平行に重ね合わされる。
【００５８】
そして、このとき、隔壁６の縦壁６Ｂのそれぞれの延長方向と直角な方向の幅が嵩上げ誘電体層１３の縦部分１３ｂのそれぞれの延長方向と直角な方向の幅よりも大きいことによって、嵩上げ誘電体層１３が当接されていない部分の縦壁６Ｂ上の電界遮断電極横壁Ｅの枝部Ｅｂと行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を被覆している誘電体層（正確には、この誘電体層を被覆している保護層）との間に隙間が形成される。
【００５９】
図９は、図８に符号Ｐ１１によって示される部分における嵩上げ誘電体層１３の縦部分１３ｂと隔壁６の縦壁６Ｂとの当接部分を模式的に示す断面図であり、この図９において、誘電体層および保護層，列電極保護層５，蛍光体層は、隔壁６に対してそれぞれの厚さが薄く後述するような電界への影響が小さいので、その図示が省略されている。
【００６０】
この図９において、嵩上げ誘電体層１３が当接されていない部分の縦壁６Ｂ上の電界遮断電極Ｅの枝部Ｅｂと行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を被覆している誘電体層（図示せず）との間に隙間ｒ１が形成されている。
【００６１】
上記ＰＤＰは、その駆動時の行電極Ｙ１の透明電極Ｙ１ｂと列電極Ｄ１の張出部Ｄ１ｂとの間でのアドレス放電発生時に、バス電極Ｋａへのスキャン・パルスの印加および列電極Ｄ１への選択的なデータ・パルスの印加と同時に、バス電極Ｋａに印加されるスキャン・パルスとほぼ同じ大きさの電圧が電界遮断電極Ｅに印加される。
【００６２】
これによって、透明電極Ｙ１ｂと電界遮断電極Ｅの枝部Ｅｂの間の電位差が無くなるため、縦壁６Ｂと行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を被覆している誘電体層との間に嵩上げ誘電体層１３によって形成される隙間ｒ１内には、アドレス放電時に電界がほとんど形成されなくなる。
【００６３】
このため、例えば図７および８において、放電セルＣ１ａを選択するためのアドレス放電がこの放電セルＣ１ａ内において行われる際に、このアドレス放電を発生させる列電極Ｄ１を挟んだ左隣の放電セルＣ１ｂとの仕切り部分Ｐ１１に位置する隙間ｒ１内に従来のＰＤＰのような高電界が形成されることなく、本来は非発光セルとなるべき放電セルＣ１ｂが誤って発光セルとして選択されるのが防止される。
【００６４】
さらに、バス電極Ｋａへのスキャン・パルスの印加によって、このバス電極Ｋａを共有する透明電極Ｙ１ｂと背中合わせに位置する透明電極Ｘ１ｂも電位を有することとなるため、従来のＰＤＰであれば、放電セルＣ１ａにバス電極Ｋａを挟んで列方向の下側に隣接する放電セルＣ１ｃとこの放電セルＣ１ｃの左隣の放電セルＣ１ｄとの仕切り部分Ｐ１２に位置する隙間ｒ１内に高電界が形成されてこの放電セルＣ１ｃと放電セルＣ１ｄも誤って発光セルとして選択されて誤放電が発生する虞があったが、電界遮断電極Ｅに透明電極Ｘ１ｂと同じ大きさの電圧が印加されていることによって、上記と同様の理由により、この仕切り部分Ｐ１２に位置する隙間ｒ１内に高電界が形成されることがなくなって、本来は非発光セルとなるべき放電セルＣ１ｃと放電セルＣ１ｄが誤って発光セルとして選択されるのが防止される。
【００６５】
以上のように、上記ＰＤＰは、放電空間を放電セルＣ１毎に仕切る隔壁６の誘電体層に対向する面上に電界遮断電極Ｅが形成されて駆動時のアドレス放電発生時に行電極Ｙ１に印加されるスキャン・パルスとほぼ同じ大きさの電圧が印加されることにより、従来のように行方向に隣接する放電セルＣ１間の仕切り部分に存在する隙間ｒ１内に高電界が形成されるのが防止され、発光セルとして選択される放電セルＣ１に隣接する他の放電セルＣ１が発光セルとして誤って選択されるのが防止されて、これにより、誤放電が発生するのを防止することが出来る。
【００６６】
さらに、上記ＰＤＰによれば、隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の互いに背中合わせに位置する行電極Ｘ１とＹ１がバス電極Ｋａを共用する構造のＰＤＰにおいて、アドレス放電を発生する行電極Ｙ１とバス電極Ｋａを共用している行電極Ｘ１に対向する側の放電セルＣ１についても、発光セルとして誤って選択されるのを防止することが出来、これによって、列方向に隣接する放電セルＣ１についても誤放電が発生するのを防止することが出来る。
【００６７】
そして、以上のような誤放電の発生防止効果によって、画面の高精細化に対応して放電セルＣ１のピッチ間隔が小さくなるフルＨＤ等のＰＤＰにおいて、安定した高画質の画像を形成することができるようになる。
【００６８】
図１０は、上記ＰＤＰにおいて、電界遮断電極Ｅへの電圧の印加方法の一例を示している。
【００６９】
この図１０の例では、各電界遮断電極Ｅの幹部Ｅａの一方の端部にそれぞれ電圧端子Ｔ１が設けられていて、アドレス放電時に、各電圧端子Ｔ１毎にバス電極Ｋａに印加されるスキャン・パルスとほぼ同じ大きさの電圧が印加される。
【００７０】
このように、この例の電圧印加方法によれば、各行の電界遮断電極Ｅにそれぞれ個別に電圧が印加されるようになっていることによって、電界遮断電極Ｅへの電圧の印加を安定して行うことが出来るようになる。
【００７１】
図１１は、上記ＰＤＰにおいて、電界遮断電極Ｅへの電圧の印加方法の他の例を示している。
【００７２】
この図１１の例では、奇数行目の各電界遮断電極Ｅが互いに接続されていてこの奇数行目の電界遮断電極Ｅに対して１個の電圧端子Ｔ２ｏが設けられ、偶数行目の各電界遮断電極Ｅが互いに接続されていてこの偶数行目の電界遮断電極Ｅに対して１個の電圧端子Ｔ２ｅが設けられられており、アドレス放電時に、電圧端子Ｔ２ｏとＴ２ｅに、それぞれ、バス電極Ｋａに印加されるスキャン・パルスとほぼ同じ大きさの電圧が印加される。
【００７３】
このように、この例の電圧印加方法によれば、奇数行目の電界遮断電極Ｅと偶数行目の電界遮断電極Ｅに二箇所の電圧端子Ｔ２ｏ，Ｔ２ｅからそれぞれ電圧が印加される様になっていることによって、電圧供給の信頼度が向上されるとともに、構造が簡略化されることによって製造プロセスを簡素化することが出来る。
【００７４】
図１２は、上記ＰＤＰの変形例を示す図７と同様の前面ガラス基板の背面図である。
【００７５】
この図１２の例のＰＤＰは、前面ガラス基板１の背面の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を被覆する誘電体層上に形成された略格子形状の嵩上げ誘電体層２３の縦部分２３ｂの下記のような位置に、切り欠き部２３ｂ１が形成されている。
【００７６】
すなわち、この切り欠き部２３ｂ１は、放電セルＣ１のこの放電セルＣ１内においてアドレス放電を発生させる列電極Ｄ１が配置されている側と反対側の縦部分２３ｂの側縁部（図１１の例では左側縁部）において、電界遮断電極Ｅの枝部Ｅｂ間の隙間ｓ（図８参照）に対向するとともに前面ガラス基板１側から見て透明電極Ｘ１ｂとＹ１ｂ間の放電ギャップｇ１と行方向において並ぶ位置に形成されている。
【００７７】
この例における他の部分の構成は、前述したＰＤＰの場合と同様であり、図７と同一の符号が付されている。
【００７８】
この例におけるＰＤＰは、嵩上げ誘電体層２３の縦部分１３ｂに形成された切り欠き部２３ｂ１によって、放電ギャップｇ１の近傍に、行方向に隣接する放電セルＣ１間の仕切り部分の他の部分におけるよりも強い電界が形成されて、これによって、電界遮断電極Ｅによる誤放電の発生防止に加えて、駆動時にアドレス放電やサステイン放電を容易に発生させることが出来るようになる。
【００７９】
上記実施例のＰＤＰは、一対の基板が放電空間を介して互いに対向され、この一対の基板のうちの一方の基板の他方の基板に対向する側に、行方向に延び列方向に並設されてそれぞれ表示ラインを形成する複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層が設けられ、他方の基板の一方の基板に対向する側に、列方向に延び行方向に並設されて行電極対と交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の列電極と、放線空間を各単位発光領域毎に仕切る隔壁が設けられて、行電極対を被覆する誘電体層と隔壁との間に隙間が形成されているＰＤＰにおいて、隔壁の誘電体層との間の隙間に対向する部分に、所要の大きさの電圧が印加自在な電界遮断電極が配置されているＰＤＰをその上位概念の実施形態としている。
【００８０】
上記実施形態のＰＤＰによれば、サステイン放電を発生させる単位発光領域を選択するためのアドレス放電が行電極対の一方の行電極と列電極間で発生される際に、行電極対のアドレス放電を発生させる側の行電極と列電極に電圧が印加されてこの行電極と列電極の間でアドレス放電が発生されるときに、放線空間を各単位発光領域毎に仕切る隔壁上に配置された電界遮断電極に任意の大きさの電圧、例えば、電界遮断電極に行電極との間の電位差が行電極と列電極との間の電位差よりも小さくなるような大きさの電圧が印加されることによって、行電極対を被覆する誘電体層と隔壁との間の隙間内に形成される電界の強さを、電界遮断電極が形成されていない従来のＰＤＰよりも小さくすることが出来、これによって、従来のＰＤＰのようにアドレス放電時に単位発光領域の仕切り部分の隙間内に形成される高電界によって発光セルとして選択される単位発光領域に隣接する他の非発光セルとなるべき単位発光領域が発光セルとして誤って選択されるのが防止されて、サステイン放電時に誤放電が発生するのを防止することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】従来例を示す正面図である。
【図２】図１のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【図３】図１のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【図４】従来例の放電セル内における電界強度を説明するための図である。
【図５】従来例の放電セル間の隙間内における電界強度を説明するための図である。
【図６】他の従来例を示す正面図である。
【図７】この発明の実施例において前面ガラス基板を背面側から見た構成を模式的に示す図である。
【図８】同実施例において背面ガラス基板を正面側から見た構成を模式的に示す図である。
【図９】同実施例において放電セルの仕切り部分の構成を示す部分断面図である。
【図１０】同実施例において電界遮断電極に接続される電圧供給端子の一形態を示す構成図である。
【図１１】同実施例において電界遮断電極に接続される電圧供給端子の他の形態を示す構成図である。
【図１２】同実施例におけるＰＤＰの変形例の前面ガラス基板を背面側から見た構成を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００８２】
１                    …前面ガラス基板（一方の基板）
２                    …誘電体層
６                    …隔壁
６Ａ                  …横壁
６Ｂ                  …縦壁
１３，２３            …嵩上げ誘電体層
１３ａ，２３ａ        …横部分
１３ｂ，２３ｂ        …縦部分
２３ｂ１              …切り欠き部
Ｃ１                  …放電セル（単位発光領域）
Ｅ                    …電界遮断電極
Ｅａ                  …幹部
Ｅｂ                  …枝部
Ｄ１                  …列電極
Ｄ１ａ                …本体部
Ｄ１ｂ                …張出部
Ｋａ                  …バス電極
Ｔ１，Ｔ２ｏ，Ｔ２ｅ  …電圧供給端子
Ｘ１，Ｙ１            …行電極
Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂ        …透明電極
ｇ１                  …放電ギャップ
ｒ１                  …隙間
ｓ                    …隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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