(57)【要約】      （修正有）【課題】エッチング工程における、過度のエッチングを防止するため、エッチングレジストパターン形成用のフォトマスクパターンの補正方法を提供すること。特に、ラインとランド間に相当する直線と円弧パターン間の補正方法を提供すること。【解決手段】ＣＡＤで設計された輪郭のパターンデータを入力データとして、これを指定の微小線分に分割し、対向する最小スペースに応じた補正値でパターンを太らせた後、直線と円弧の部分に関してのみ、さらに補正を加える。ＣＡＤで設計されたパターンデータの中で直線と円弧が対向する部分でかつスペースが指定された寸法以下のデータのみをピックアップし、この部分の補正データ１に関して、さらに配線のみを太らせる補正を行いフォトマスクの作製用のデータとすることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＡＤで設計されたパターンデータを入力データとして、これを輪郭のデータへ変換処理した後、指定の微小線分に分割し、対向する最小スペースに応じた補正値でパターンを太らせ、ＣＡＤで設計されたパターンデータの中で直線と円弧が対向する部分でかつスペースが指定した寸法以下のデータのみを取り出し、この部分には、さらに配線のみを太らせる補正を行うパターンデータの補正方法。
【請求項２】
請求項１記載のパターンデータの補正方法において、上記円弧と直線が対向した部分の最小のスペースが５０μｍ以下である請求項１記載のパターンデータの補正方法。
【請求項３】
請求項１または２記載のパターンデータの補正方法において、スペースに応じた補正を行った直線部分の補正データについて、円弧と対向を始めることによって発生する２つの変曲点と最もスペースが狭い部分の補正点を指定寸法円弧側に移動させた３点を直線もしくは指定径をもった円弧で結ぶことによって、配線を太らせることを特徴とするパターンデータの補正方法。
【請求項４】
請求項１，２，３何れか記載のパターンデータの補正方法において、配線を太らせることにより、補正後の最小スペースが指定した寸法値以下になった場合、円弧の部分を削ることによって、上記記載の最小スペースを保持するパターンデータの補正方法。
【請求項５】
請求項４記載のパターンデータ補正方法において、最小スペースが３μｍ以上であることを特徴とするパターンデータの補正方法。
【請求項６】
請求項１〜５何れか記載のパターンデータ補正方法により作製したデータを使用して作製したフォトマスク。
【請求項７】
請求項６記載のフォトマスクを使用して作製した回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板，半導体パッケージ基板およびその導体パターンデータの補正方法、フォトマスクおよび回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板、半導体パッケージ基板などの回路基板のパターンは、一般に、エッチングによって形成される。ＣＡＤで設計されたデータを使用して、フォトマスクを作製し、エッチングを行うと、オーバーエッチングが入りパターンが設計値よりも細くなってしまう。このため、一般的にパターンを太らせる補正を行ったデータを使用してフォトマスクを作製している。
【０００３】
補正方法は、さまざまな方法がある。単純な場合、一律に全てのパターンを指定した寸法値で太らせることが行われている。近年、配線の微細化が進み、一律の補正では対応できなくなってきている。そのため、一部の配線のみに異なる補正値を指定する方法もとられている（特許文献１）。
【０００４】
さらに配線の微細化が進むと、これらの補正値では対応できず、例えば、スペースごとに補正値を指定する方法などもある。スペースごとに補正値を指定する場合、スペースが狭いとエッチング液が入りづらくエッチングされにくいので、スペースが狭いほどパターンを太らせる補正値を小さくする。
【０００５】
しかしながら、長い距離でスペースが一定である直線と直線の補正においては、上記記載のスペースをパラメータとした補正方法が適応できても、回路基板において通常存在するランドやパッド部分に相当する円弧と直線の場合、急激にスペースの変化が発生するため、上記補正を行った場合、直線に相当するシグナルパターンがオーバーエッチングとなり、急激な細りが発生するという問題点があった。
【０００６】
特許文献は以下の通り。
【特許文献１】特開２００１−１３４６２７公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、エッチング工程で発生する円弧と直線が対向する部分の直線部の細りを低減し、精度の高いシグナルパターンを形成可能なパターンデータの補正方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明において、上記の課題を達成するために、まず請求項１では、ＣＡＤで設計されたパターンデータを入力データとして、これを輪郭のデータへ変換処理した後、指定の微小線分に分割し、対向する最小スペースに応じた補正値でパターンを太らせ、ＣＡＤで設計されたパターンデータの中で直線と円弧が対向する部分でかつスペースが指定した寸法以下のデータのみを取り出し、この部分には、さらに配線のみを太らせる補正を行うパターンデータの補正方法としたものである。
【０００９】
請求項２は、請求項１記載のパターンデータの補正方法において、上記円弧と直線が対向した部分の最小のスペースが５０μｍ以下である請求項１記載のパターンデータの補正方法としたものである。
【００１０】
請求項３は、請求項１または２記載のパターンデータの補正方法において、スペースに応じた補正を行った直線部分の補正データについて、円弧と対向を始めることによって発生する２つの変曲点と最もスペースが狭い部分の補正点を指定寸法円弧側に移動させた３点を直線もしくは指定径をもった円弧で結ぶことによって、配線を太らせることを特徴とするパターンデータの補正方法としたものである。
【００１１】
請求項４は、請求項１，２，３何れか記載のパターンデータの補正方法において、配線を太らせることにより、補正後の最小スペースが指定した寸法値以下になった場合、円弧の部分を削ることによって、上記記載の最小スペースを保持するパターンデータの補正方法としたものである。
【００１２】
請求項５は、請求項４記載のパターンデータ補正方法において、最小スペースが３μｍ以上であることを特徴とするパターンデータの補正方法としたものである。
【００１３】
請求項６は、請求項１〜５何れか記載のパターンデータ補正方法により作製したデータを使用して作製したフォトマスクとしたものである。
【００１４】
請求項７は、請求項６記載のフォトマスクを使用して作製した回路基板としたものである。
【発明の効果】
【００１５】
エッチング工程で発生する円弧と直線が対向する部分の直線部の細りを低減し、精度の高いシグナルパターンを形成可能なパターンデータの補正方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
ＣＡＤで設計されたデータは、シグナルライン、電源やグランドのプレーン、パッドやランドなどにより構成されている。このうち、特に精度が要求される直線のシグナルラインと円または円弧で構成されることが多いパッドやランドに本発明の補正を用いた場合について、図１に基づいて説明する。
【００１７】
図１（ａ）に補正を入れる前のパターンデータを示す。このパターンにおいては、シグナルラインに相当する直線パターン１とパッドやランドに相当する円パターン２により構成されている。この図１（ａ）に、スペースに応じた補正を適用すると例えば、図１（ｂ）に示したようになる。これからわかるように、スペースが急激に変化する円弧と直線が対向した部分の直線部には、くぼみが発生する。ここで、くぼみが発生し始める２つの変曲点をそれぞれ変曲点Ａ  ３、変曲点Ｂ  ４、最大にくぼみが発生している点Ｃ  ５とする。この補正データを使用してフォトマスクを作製し、エッチングによりパターン形成を行った場合、このくぼみがそのままパターンに反映されてしまう。特に、円弧と直線部のスペースが狭い場合にはそのくぼみの発生が顕著に現れる。
【００１８】
そこで、補正前のパターン（図１（ａ））において、円弧と直線部が対向した部分のスペースが指定寸法以下の時、好ましくは５０μｍ以下の時には、本発明による補正方法が有用である。本発明では、このくぼみを小さくする方法として、図１（ｂ）の補正に加えて、直線部分の補正をさらに行う。図１（ｂ）において、最もくぼみが大きい点Ｃ  ５を円弧側の中心に向かって指定寸法移動させた点をＤ  ６とする。くぼみが発生し始める２つの変曲点Ａ  ３と変曲点Ｂ  ４をそれぞれ点Ｄ  ６とを直線に結ぶ。この補正により、図１（ｂ）の補正と比較して、直線パターン部のくぼみが小さい補正パターンを作成することができる。点Ａ  ３、点Ｄ  ６、点Ｂ  ４の３点を円弧で結ぶことにより、補正パターンとすることもできる。
【００１９】
そのほかにも、変曲点Ａ  ３と変曲点Ｂ  ４を直線で結び、これをこの直線を円弧と遠ざかる方向に指定寸法分移動させる補正、または、単にこの２点を直線で結ぶ補正も本発明において適用することができる。
【００２０】
これら本発明の補正により、直線パターン１と円パターン２がエッチング工程でショートが発生しないようにするため、補正データにおける最小のスペースは、パターン形成に使用するエッチングレジストの最小解像度以上とすることが好ましく、少なくとも３μｍ以上確保することが好ましい。この寸法を確保する方法として、点Ｄの位置を調整することが最も簡便な方法である。しかし、円データに相当する部分のデータを削ることによってもこの最小寸法を確保することができる。
【００２１】
これら補正データを用いて、フォトマスクを作成し、これを使用してパターン形成を行ったところ、直線性に優れた精度の高いパターン形成を行うことができる。
【実施例】
【００２２】
以下に、本発明の実施例について説明する。まず、図１（ａ）に相当する補正前のパターンデータを作成する。ここでは、直線パターン１の線幅を３０μｍ、円パターンの直径を１００μｍ、直線パターン１と円パターン２間の最小スペースを３０μｍとした。
【００２３】
次に、図１（ｂ）に相当する補正データの作成を行う。スペースに応じた補正を行うため、表１に示す補正値を適用した。すなわち、図１（ａ）のデータに対して、表１のスペースに対して、補正値の値に従ってパターンを太らせ、図１（ｂ）に示すような補正データを作成した。このデータを用いて、フォトマスクを作成してエッチングパターンを作成した例を比較例１とする。
【００２４】
さらに、比較のため補正前のパターンデータを一律に１０μｍ太らせた補正データを用いて、フォトマスクを作成してエッチングパターンを作成した例を比較例２とする。
【００２５】
次に、表１を用いたスペース補正を行った図１（ｂ）の補正データに対して、本発明による補正をさらに加える。ここでは、最もくぼみが大きい点Ｃ  ５を円弧側の中心に向かって４μｍ移動させた点をＤ  ６とした。くぼみが発生し始める２つの変曲点Ａ  ３と変曲点Ｂ  ４をそれぞれ点Ｄ  ６とを直線に結んだ。この補正データを用いて、フォトマスクを作成してエッチングパターンを作成した例を実施例１とする。実施。また、２つの変曲点Ａ  ３と変曲点Ｂ  ４をそれぞれ点Ｄ  ６とを円弧で結び、これを補正データとして、フォトマスクを作成してエッチングパターンを作成した例を実施例２とする。
【００２６】
実施例１，２、比較例１，２の補正データを用いて、クロムマスクを作成した。次に、厚さ５０μｍ厚のポリイミドの両面にＣｕ箔が貼り付けられたテープ基材を用意し、この両面に１０μｍ厚さのドライフィルムレジストをラミネータを用いて貼り合わせた。次に、その片面に露光量１００ｍＪ／ｃｍ2でクロムマスク越しに露光した後、１ｗｔ％の炭酸ナトリウムで現像を行った。その後、比重１．３６０の塩化第２鉄液でエッチングを行い、それぞれの円パターンに対向する部分の直線パターンの線幅の測定を行った。その結果を表２に示した。
【００２７】
実施例１、実施例２では、ほぼ設計値の３０μｍに近い値となったが、比較例１では線幅の細りが発生し、比較例２では、円パターンと直線パターンの最小スペース部でショートが発生した。以上の結果により、本発明による補正パターンデータの補正方法を用いて、フォトマスクを作製し、高精度のパターンを持つ回路基板を作製できることがわかった。
【００２８】
【表１】
2008134512.tif 000003
【００２９】
【表２】
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【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明の活用例としては、プリント基板、半導体パッケージ基板などの回路基板の導体パターンを形成するために必要なフォトマスクのデータを作成するためのパターンデータの補正方法であるため、特に高密度・高速用途などでパターン精度を要求される基板を作成するためのフォトマスク用データとして使用することなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の補正方法について説明した図であって、（ａ）は補正前のパターンの１例、（ｂ）はスペースに応じた補正を適用したパターンの１例、（ｃ）は本発明における円弧に対向する直線部の補正を適用したパターンの１例である。
【符号の説明】
【００３２】
１  補正前の直線パターン
２  補正前の円パターン
３  変曲点Ａ
４  変曲点Ｂ
５  点Ｃ
６  点Ｄ
【図１】
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