(57)【要約】【課題】カバーガラスを用いることなく樹脂層の上面を平坦面とすることが可能なマイクロレンズアレイ基板の製造方法、光変調装置の製造方法及び光変調装置を提供すること。【解決手段】マザー基板４１に、複数の凹部２６を有する凹部群領域を複数形成する凹部形成工程と、マザー基板４１上に、凹部２６を充填する樹脂層４４を設けてレンズ部２７を形成する充填層形成工程と、マザー基板４１を前記凹部群領域ごとに切断する切断工程とを備え、前記凹部群領域が、隣り合う他の前記凹部群領域と接している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面状に配置された複数のレンズ部を有するマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記基板に、複数の凹部を有する凹部群領域を複数形成する凹部形成工程と、
前記基板上に、前記凹部を充填する充填層を設けて前記レンズ部を形成する充填層形成工程と、
前記基板を前記凹部群領域ごとに切断する切断工程とを備え、
前記凹部群領域が、隣り合う他の前記凹部群領域と接していることを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項２】
前記凹部形成工程で、前記複数の凹部群領域を、平面状に配置することを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項３】
前記凹部形成工程で、前記複数の凹部を有して前記複数の凹部群領域の少なくとも１つと接するダミー凹部群領域を、前記基板の縁部に形成することを特徴とする請求項１または２に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項４】
前記充填層形成工程で、樹脂材料を前記基板上に塗布して、硬化することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項５】
前記充填層形成工程で、スピンコーティング法を用いて樹脂材料を塗布することを特徴とする請求項４に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項６】
前記充填層形成工程で、シート状の樹脂材料を前記基板に押し付けて接合することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項７】
前記凹部形成工程で、前記基板の縁部にアライメントマークを形成することを特徴とする請求項１または２に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項８】
液晶層と、該液晶層を介して対向配置された一対の基板とを有し、
該一方の基板が、複数のレンズ部を有する光変調装置の製造方法であって、
マザー基板に、複数の凹部を有する凹部群領域を複数形成する凹部形成工程と、
前記凹部内を充填する充填層を設けて前記レンズ部を形成する樹脂層形成工程と、
前記マザー基板を前記凹部群領域ごとに切断して前記一方の基板を形成する切断工程とを備え、
前記凹部群領域が、隣り合う他の前記凹部群領域と接していることを特徴とする光変調装置の製造方法。
【請求項９】
液晶層と、該液晶層を介して対向配置された一対の基板とを有し、
該一方の基板が、複数のレンズ部を有する光変調装置の製造方法であって、
前記複数のレンズ部が、前記一方の基板の全面に形成されていることを特徴とする光変調装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロレンズアレイ基板の製造方法、光変調装置の製造方法及び光変調装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プロジェクタはホームユースへの用途が拡大している。そのため、プロジェクタの光変調装置には、安価、長寿命かつ高い光利用効率で高コントラストな画像を得ることが望まれている。このような光変調装置としては、例えば液晶装置が用いられている。液晶装置には、その画像表示領域内に、データ線や走査線、容量線などの各種配線や、薄膜トランジスタや薄膜ダイオードなどの各種電子素子が設けられている。そのため、各画素において、画像表示に寄与する光が透過または反射できる領域は、各種配線や電子素子などの存在によって制限されてしまう。
【０００３】
そこで、各種配線などによって制限される光量の低減を図るために、液晶装置に入射した光を遮光膜の内側である画素の開口領域に集光させるマイクロレンズアレイなどの集光素子が提供されている。このマイクロレンズアレイは、光源からの照明光を画素単位で開口領域に向けて集光する。そして、マイクロレンズアレイで集光された照明光は、効率よく画素の開口領域を透過することができる。したがって、マイクロレンズアレイを用いることで、遮光膜による光量損失が少なくなり、光利用効率の向上が図れる。
【０００４】
このようなマイクロレンズアレイを形成する方法として、いわゆる２Ｐ法が知られている。これは、例えば複数の半球状の凹部を有するガラス基板に未硬化の光硬化性樹脂を供給して平滑な透明基板（カバーガラス）を接合し、押圧、密着させた後、樹脂を硬化させる方法である。
ところが、液晶装置の小型に伴って画素サイズが小さくなるにしたがって、マイクロレンズアレイの配列ピッチを小さくする必要がある。そして、配列ピッチを小さくするにしたがって、カバーガラスを研磨などによって薄くする必要が生じるが、カバーガラスを薄くすると平面精度や平坦性が低下して光学特性が劣化するため、加工上の限界がある。
そこで、カバーガラスを用いないマイクロレンズアレイの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。これは、ガラス基板上に複数の半球状の凹部が形成された第１樹脂層を設け、第１樹脂層上に凹部を充填する第２樹脂層を形成した後にカバーガラスで第２樹脂層の上面を平坦化し、カバーガラスを除去する方法である。
【特許文献１】特開２００４−１２９４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来のマイクロレンズアレイ基板の製造方法においても、以下の課題が残されている。すなわち、一般的に樹脂には硬化収縮があるため、熱硬化や紫外線硬化に限らず、凹部の形状が変化するという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたもので、カバーガラスを用いることなく樹脂層の上面を平坦面とすることが可能なマイクロレンズアレイ基板の製造方法、光変調装置の製造方法及び光変調装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかるマイクロレンズアレイ基板の製造方法は、平面状に配置された複数のレンズ部を有するマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、前記基板に、複数の凹部を有する凹部群領域を複数形成する凹部形成工程と、前記基板上に、前記凹部を充填する充填層を設けて前記レンズ部を形成する充填層形成工程と、前記基板を前記凹部群領域ごとに切断する切断工程とを備え、前記凹部群領域が、隣り合う他の前記凹部群領域と接していることを特徴とする。
【０００８】
この発明では、凹部群領域を互いに隣接して形成することにより、樹脂層の上面の平坦性が向上する。これにより、樹脂層の形成後に樹脂層の上面を平坦化するためのカバーガラスを設ける必要がなくなる。すなわち、凹部群領域が互いに接することで、隣接する２つの凹部群領域をそれぞれ構成する複数の凹部の形成間隔が短くなる。そのため、隣り合う凹部群領域の間に、凹部の非形成領域による段差が発生することを抑制する。そして、樹脂層形成工程において基板上に樹脂層を形成するとき、凹部群領域の縁部に凹部の非形成領域による段差がないため、各凹部群領域の中央部と縁部の間において上面に形成される樹脂層の体積の変化量が小さくなる。したがって、樹脂層の上面に段差に起因した段差が発生することを防止して樹脂層の上面の平坦性を向上させることができる。
【０００９】
また、本発明におけるマイクロレンズアレイの製造方法は、前記凹部形成工程で、前記複数の凹部群領域を、平面状に配置することが好ましい。
この発明では、凹部群領域を平面状に配置することで、充填層の上面の平坦性をより向上させることができる。
【００１０】
また、本発明におけるマイクロレンズアレイの製造方法は、前記凹部形成工程で、前記複数の凹部を有して前記複数の凹部群領域の少なくとも１つと接するダミー凹部群領域を、前記基板の縁部に形成することが好ましい。
この発明では、ダミー凹部群領域を基板の縁部に形成することで、基板の縁部の近傍に形成された凹部群領域において、充填層の上面の平坦性を向上させることができる。
【００１１】
また、本発明におけるマイクロレンズアレイの製造方法は、前記充填層形成工程で、樹脂材料を前記基板上に塗布して、硬化することとしてもよい。
この発明では、基板上に樹脂材料を塗布してこれを硬化することにより、充填層を形成する。
【００１２】
また、本発明におけるマイクロレンズアレイの製造方法は、前記充填層形成工程で、スピンコーティング法を用いて樹脂材料を塗布することとしてもよい。
この発明では、スピンコーティング法によって樹脂材料を塗布、硬化することにより、上面が高い平坦性を有する充填層を形成する。
【００１３】
また、本発明におけるマイクロレンズアレイの製造方法は、前記充填層形成工程で、シート状の樹脂材料を前記基板に押し付けて接合することとしてもよい。
この発明では、シート状の樹脂材料を凹部に接合させることで、凹部内に樹脂材料を充填する。
【００１４】
また、本発明におけるマイクロレンズアレイの製造方法は、前記凹部形成工程で、前記基板の縁部にアライメントマークを形成することが好ましい。
この発明では、他の基板と貼り合せる際の位置合わせが容易になる。
【００１５】
また、本発明における光変調装置の製造方法は、液晶層と、該液晶層を介して対向配置された一対の基板とを有し、該一方の基板が、複数のレンズ部を有する光変調装置の製造方法であって、マザー基板に、複数の凹部を有する凹部群領域を複数形成する凹部形成工程と、前記凹部内を充填する充填層を設けて前記レンズ部を形成する樹脂層形成工程と、前記マザー基板を前記凹部群領域ごとに切断して前記一方の基板を形成する切断工程とを備え、前記凹部群領域が、隣り合う他の前記凹部群領域と接していることを特徴とする。
この発明では、上述と同様に、凹部群領域を互いに隣接して形成することにより、充填層の上面の平坦性が向上する。
【００１６】
また、本発明における光変調装置は、液晶層と、該液晶層を介して対向配置された一対の基板とを有し、該一方の基板が、複数のレンズ部を有する光変調装置の製造方法であって、前記複数のレンズ部が、前記一方の基板の全面に形成されていることを特徴とする。
この発明では、上述と同様に、レンズ部を一方の基板の全面に形成することで、カバーガラスを用いることなくレンズ部を形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明におけるマイクロレンズアレイ基板の製造方法、光変調装置の製造方法及び光変調装置の一実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図１は、光変調装置を示す断面図である。
【００１８】
［光変調装置］
本実施形態における光変調装置１は、例えばプロジェクタに設けられるライトバルブであって、図１に示すように、対向基板（一方の基板、マイクロレンズアレイ基板）１１と素子基板（他方の基板）１２とを備えており、シール材１３で対向基板１１と素子基板１２とを貼り合せている。また、光変調装置１は、対向基板１１、素子基板１２及びシール材１３で区画された領域に封止された液晶層１４を有している。
【００１９】
対向基板１１は、基板本体２１と、基板本体２１の内側（液晶層１４側）の表面に形成されたレンズ層２２、遮光膜２３、対向電極２４及び配向膜２５とを備えている。
基板本体２１は、例えばガラスなどの透光性材料で構成されている。そして、基板本体２１の内側（液晶層１４側）の表面の全面には、複数の凹部２６が設けられている。この凹部２６は、半球状を有しており、基板本体２１の面内で平面状に配置されている。ここで、凹部２６の深さは、例えば１０μｍとなっている。
【００２０】
レンズ層２２は、基板本体２１に形成された凹部２６を充填するように設けられており、凹部２６を充填する凸部によって形成されたレンズ部２７を複数有している。そして、レンズ層２２は、例えば熱硬化樹脂材料など基板本体２１と異なる透光性材料で構成されており、基板本体２１よりも高い屈折率を有している。また、レンズ層２２は、その内側の表面が平坦面となっている。ここで、レンズ層２２の層厚は、例えば数１０μｍとなっている。
【００２１】
レンズ部２７は、基板本体２１の凹部２６を充填しているため、基板本体２１の内側の表面の全面に設けられている。そして、レンズ部２７は、外側（液晶層１４から離間する側）に向けて突出する半球状を有している。ここで、レンズ部２７の高さは、レンズ部２７が凹部２６を充填していることから凹部２６の深さと同等となっている。
また、複数のレンズ部２７のうちシール材１３によって囲まれる領域と平面視で重なる一部は、平面状に配置された複数の画素のそれぞれと対応して設けられている。そして、レンズ部２７は、外側から入射する光を集光して画素に向かわせることで、光利用効率を向上させる集光手段として機能する。
【００２２】
遮光膜２３は、レンズ層２２の内側の表面のうち平面視で画素の縁部と重なる領域に形成されており、画素を縁取っている。
対向電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）などの透光性の導電材料で構成されており、レンズ層２２及び遮光膜２３の内側の表面に設けられている。
配向膜２５は、例えばＳｉＯ２やＳｉＯなどのシリコン酸化物やＡｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＩＴＯなどの金属酸化物のような無機材料で構成されている。そして、配向膜２５は、対向電極２４の内側の表面から液晶層１４側に向けて金属酸化物の結晶を柱状に成長させ、この柱状構造体が例えば対向基板１１の法線方向に対して斜方に傾斜するように形成されている。この配向膜２５により、非選択電圧印加時の液晶分子を所定方向に配向規制することができる。また、液晶分子にプレチルトを与えることができる。なお、配向膜２５は、例えばポリイミド膜などの透光性の有機膜にラビング処理などの所定の配向処理を施した構成としてもよい。
【００２３】
素子基板１２は、基板本体３１と、基板本体３１の内側（液晶層１４側）の表面に形成された画素電極３２及び配向膜３３とを備えている。
基板本体３１は、基板本体２１と同様に、例えばガラスなどの透光性材料で構成されている。
画素電極３２は、例えばＩＴＯなどの透光性の導電材料によって構成されており、基板本体３１上にマトリックス状に複数配置されている。そして、画素電極３２は、それぞれが平面視で複数のレンズ部２７のうちのシール材１３で囲まれる領域と平面視で重なる一部とそれぞれ重なる領域に配置されている。
また、画素電極３２は、これを駆動するＴＦＴ素子（図示略）に接続されている。このＴＦＴ素子は、基板本体３１上に画素電極３２のそれぞれと対応するように複数配置されており、平面視で液晶層１４を介して遮光膜２３と重なる領域に配置されている。また、ＴＦＴ素子は、基板本体３１上に部分的に形成された非晶質ポリシリコン膜または非晶質ポリシリコン膜を結晶化させたポリシリコン膜から形成されている。
【００２４】
配向膜３３は、配向膜２５と同様に、例えばＳｉＯ２やＳｉＯなどのシリコン酸化物やＡｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＩＴＯなどの金属酸化物などによって構成されており、柱状構造体が例えば素子基板１２の法線方向に対して斜方に傾斜するように形成されている。なお、配向膜３３は、例えばポリイミド膜などの透光性の有機膜にラビング処理などの所定の配向処理を施した構成としてもよい。
【００２５】
また、基板本体３１の内側の表面のうち平面視でシール材１３の形成領域の内側となる領域には、各画素電極３２やＴＦＴ素子を接続するデータ線（図示略）や走査線（図示略）などの各種信号線が形成されている。
ここで、データ線は、光変調装置１の外部に設けられた駆動回路（図示略）から供給される画像信号を各画素に供給する信号線である。また、走査線は、光変調装置１の外部に設けられた駆動回路（図示略）から供給される走査信号を各画素に供給する信号線である。そして、光変調装置１は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子が走査信号の入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線から供給される画像信号が所定のタイミングで画素電極３２に書き込まれる構成となっている。なお、画素電極３２を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号は、対向電極２４と画素電極３２との間で一定期間保持される。
これらデータ線及び走査線は、平面視で遮光膜２３と重なる領域に形成されている。そして、ＴＦＴ素子やデータ線、走査線によって画素が区画され、平面視で遮光膜２３と重ならない領域によって画素が形成され、遮光膜２３と重なる領域によって画素の境界領域が形成される。また、これら画素によって画像表示領域が形成される。
【００２６】
［光変調装置の製造方法］
次に、以上のような構成の光変調装置１の製造方法について、図２及び図３を参照しながら説明する。ここで、図２は光変調装置の製造方法を示す工程図、図３はマザー基板を示す平面図である。なお、図３において、凹部群領域にはハッチングを施している。また、本実施形態では対向基板１１の形成工程に特徴があるため、この点を中心に説明する。
【００２７】
最初に、マザー基板（基板）４１に複数の凹部２６を形成する凹部形成工程を行う。
まず、例えばガラスなどの透光性材料で構成されたマザー基板４１の表面にレジスト層４２を形成する（図２（ａ））。ここで、マザー基板４１は、切り分けることによって対向基板１１を構成する基板本体２１が複数形成されるマザー基板である。また、マザー基板４１には、切り分けることによって各対向基板１１の基板本体２１を構成する凹部群領域４１ａが複数形成されている（図３参照）。また、マザー基板４１のうち凹部群領域４１ａが形成されない縁部には、ダミー凹部群領域４１ｂが複数形成されている。
凹部群領域４１ａは、平面視で対向基板１１と同様の矩形状を有しており、マトリックス状に配置されている。そして、凹部群領域４１ａは、隣り合う凹部群領域４１ａとの間で互いに接するように形成されている。また、ダミー凹部群領域４１ｂは、隣り合う凹部群領域４１ａまたはダミー凹部群領域４１ｂとの間で互いに接するように形成されている。
【００２８】
この後、マスクによるステッパ露光を用いたフォトリソグラフィ技術によって各凹部群領域４１ａ及び各ダミー凹部群領域４１ｂの形成領域を露光してレジスト層４２を貫通する貫通孔である初期孔４３を形成する（図２（ｂ））。ここで、初期孔４３は、各凹部群領域４１ａ及び各ダミー凹部群領域４１ｂにおいて、それぞれ所定の間隔で複数形成されている。
このとき、マザー基板４１の縁部のうちダミー凹部群領域４１ｂが形成されていない領域と対応するレジスト層４２の複数箇所に、後述するアライメントマーク４１ｃを形成するためのアライメントマーク初期孔（図示略）を初期孔４３と同時に形成する。
【００２９】
次に、初期孔４３が形成されたレジスト層４２を用いてマザー基板４１にエッチング処理を施す。ここでは、レジスト層４２が形成された上面にウェットエッチング処理を施す。ウェットエッチング処理を施すと、マザー基板４１の表面のうち初期孔４３の形成箇所がエッチャントに対して露出しているため、初期孔４３の形成箇所からマザー基板４１がエッチングされる。そして、初期孔４３と同数の凹部２６が形成される（図２（ｃ））。また、凹部２６と同様に、アライメントマーク初期孔の形成箇所からマザー基板４１がエッチングされることで、図３に示すように、マザー基板４１にアライメントマーク４１ｃが形成される。その後、レジスト層４２を除去する（図２（ｄ））。
これにより、凹部群領域４１ａとダミー凹部群領域４１ｂとのそれぞれに複数の凹部２６が形成される。したがって、マザー基板４１のほぼ全面に凹部２６が形成されることとなる。
ここで、エッチャントとしては、フッ酸などが挙げられる。なお、ウェットエッチングに限らず、ドライエッチングなどを用いてもよい。
【００３０】
続いて、凹部２６内に樹脂を充填する樹脂層形成工程（充填層形成工程）を行う。凹部２６が形成されたマザー基板４１の上面に液体状の熱硬化樹脂材料を滴下し、スピンコーティング法を用いて塗布する（図２（ｅ））。このとき、凹部２６がマザー基板４１のほぼ全面に形成されており、隣り合う２つの凹部群領域４１ａが接していると共に、ダミー凹部群領域４１ｂとこれと隣り合う凹部群領域４１ａとが接している。このため、隣り合う凹部群領域４１ａの間や凹部群領域４１ａとダミー凹部群領域４１ｂとの間に凹部２６の非形成領域による段差が発生しない。そして、マザー基板４１に凹部２６の非形成領域による段差が形成されないため、凹部群領域４１ａの中央部と縁部とにおいて上面に塗布される熱硬化樹脂材料の体積の差が小さくなる。したがって、塗布した熱硬化樹脂材料の上面が平坦化される。
【００３１】
次に、熱硬化樹脂材料が塗布されたマザー基板４１を加熱し、熱硬化樹脂材料を硬化する。このとき、凹部群領域４１ａの中央部と縁部とにおいて上面に塗布された熱硬化樹脂材料の体積差が小さいため、熱硬化樹脂材料に硬化収縮が発生しても、この収縮の影響が軽減される。これにより、マザー基板４１の凹部２６を充填する樹脂層（充填層）４４が形成される。この樹脂層４４によってレンズ層２２が構成される。この後、レンズ層２２の上面に、遮光膜２３及び対向電極２４を形成する。
【００３２】
一方、マザー基板４１と同様に、例えばガラスなどの透光性材料で構成されたマザー基板（図示略）の表面に、画素電極３２や配向膜３３、ＴＦＴ素子、データ線（図示略）や走査線（図示略）などの各種信号線を形成する。ここで、このマザー基板は、切り分けることによって素子基板１２を構成する基板本体３１が複数形成されるマザー基板である。
【００３３】
続いて、マザー基板４１と画素電極３２などが形成されたマザー基板とをシール材１３を用いて貼り合せる。ここでは、マザー基板４１に形成された各凹部群領域４１ａの内側にシール材１３を塗布し、マザー基板４１に形成されたアライメントマーク４１ｃと画素電極３２などが形成されたマザー基板に形成されたアライメントマーク（図示略）とを用いて位置合わせを行いながら、マザー基板４１と画素電極３２などが形成されたマザー基板とを貼り合せて液晶層１４を封入する。
その後、マザー基板４１と画素電極３２などが形成されたマザー基板とを同時に切断する切断工程を行う。ここでは、ダイシングによってマザー基板４１と画素電極３２などが形成されたマザー基板とを同時に切断する。以上のようにして、図１に示すような光変調装置１を複数製造する。
【００３４】
［電子機器］
そして、上述した光変調装置１は、例えば図４に示すようなプロジェクタ１００のライトバルブとして用いられる。ここで、図４は、プロジェクタの概略構成図である。
このプロジェクタ１００は、図４に示すように、光源１０１と、ダイクロイックミラー１０２、１０３と、本発明の液晶装置１からなる赤色光用光変調手段１０４、緑色光用光変調手段１０５及び青色光用光変調手段１０６と、導光手段１０７と、反射ミラー１１０〜１１２と、クロスダイクロイックプリズム１１３と、投射レンズ１１４とを備えている。そして、プロジェクタ１００から出射したカラー画像光は、スクリーン１１５上に投影される。
【００３５】
光源１０１は、メタルハライドなどのランプ１０１ａと、ランプ１０１ａの光を反射するリフレクタ１０１ｂとを備えている。
ダイクロイックミラー１０２は、光源１０１からの白色光に含まれる赤色光を透過させると共に、緑色光と青色光とを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１０３は、ダイクロイックミラー１０２で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。
【００３６】
赤色光用光変調手段１０４は、ダイクロイックミラー１０２を透過した赤色光が入射され、入射した赤色光を所定の画像信号に基づいて変調する構成となっている。また、緑色光用光変調手段１０５は、ダイクロイックミラー１０３で反射された緑色光が入射され、入射した緑色光を所定の画像信号に基づいて変調する構成となっている。そして、青色光用光変調手段１０６は、ダイクロイックミラー１０３を透過した青色光が入射され、入射した青色光を所定の画像信号に基づいて変調する構成となっている。
【００３７】
導光手段１０７は、入射レンズ１０７ａとリレーレンズ１０７ｂと出射レンズ１０７ｃとによって構成されており、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。
反射ミラー１１０は、ダイクロイックミラー１０２を透過した赤色光を赤色光用光変調手段１０４に向けて反射する構成となっている。また、反射ミラー１１１は、ダイクロイックミラー１０３及び入射レンズ１０７ａを透過した青色光をリレーレンズ１０７ｂに向けて反射する構成となっている。また、反射ミラー１１２は、リレーレンズ１０７ｂを出射した青色光を出射レンズ１０７ｃに向けて反射する構成となっている。
【００３８】
クロスダイクロイックプリズム１１３は、４つの直角プリズムを貼り合わせることによって構成されており、その界面には赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これら誘電体多層膜により３つの色の光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。
投射レンズ１１４は、クロスダイクロイックプリズム１１３によって合成されたカラー画像を拡大してスクリーン１１５上に投影する構成となっている。
【００３９】
以上のような対向基板１１の製造方法、光変調装置１の製造方法及び光変調装置１によれば、凹部群領域４１ａを互いに隣接して形成することにより、樹脂層４４の上面の平坦性が向上する。これにより、熱硬化樹脂材料の塗布後に樹脂層４４の上面を平坦化するためのカバーガラスを設ける必要がなくなる。
ここで、凹部群領域４１ａを平面状に配置すると共に、マザー基板４１の縁部にダミー凹部群領域４１ｂを配置することで、樹脂層４４の上面の平坦性をより向上させることができる。
また、アライメントマーク４１ｃを形成することにより、マザー基板４１と切り分けることによって素子基板１２となるマザー基板とを貼り合せる際の位置合わせが容易になる。
【００４０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、凹部が形成されたマザー基板上にスピンコーティング法を用いて樹脂層を形成しているが、シート状の熱硬化樹脂材料をマザー基板に対して熱圧着させるなど、他の方法により樹脂層を形成してもよい。
また、熱硬化樹脂材料を用いているが、紫外線硬化樹脂など、他のエネルギーを与えることによって硬化する樹脂材料を用いてもよく、無機材料を用いてもよい。
そして、凹部群領域をマトリックス状に配置しているが、他の配置であってもよい。また、凹部群領域において樹脂層の上面の平坦性が維持されれば、ダミー凹部群領域を配置しなくてもよい。
さらに、マザー基板にアライメントマークを形成しているが、マザー基板上に形成される遮光膜などを用いてアライメントマークを形成してもよい。また、アライメントマークを形成しなくてもよい。
【００４１】
また、両マザー基板を貼り合せた後に切り分けることによって光変調装置を製造しているが、両マザー基板をそれぞれ切り分けた後にここの基板を貼り合せることによって光変調装置を製造してもよい。
そして、マイクロレンズアレイ基板が、光変調装置の一方の基板を構成しているが、他の装置の光学部材として用いられてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の光変調装置を示す断面図である。
【図２】光変調装置の製造方法を示す工程図である。
【図３】マザー基板を示す平面図である。
【図４】光変調装置を備えるプロジェクタを示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  光変調装置、１１  対向基板（一方の基板、マイクロレンズアレイ基板）、１２  素子基板（他方の基板）、１４  液晶層、２６  凹部、２７  レンズ部、４１  マザー基板（基板）、４１ａ  凹部群領域、４１ｂ  ダミー凹部群領域、４１ｃ  アライメントマーク、４４  樹脂層（充填層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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