(57)【要約】【課題】劣化が防止された配線およびその製造方法、ならびに素子間の配線の劣化が防止された回路装置を提供することである。【解決手段】複数の温度センサＴＳ１〜ＴＳ８は、複数の螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９により電気的に接続されている。螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９は、結晶シリコン膜１０３、第１の回旋層１０４、第２の回旋層１０５および金属配線Ｗ１〜Ｗ９から構成される。第２の回旋層１０５の格子定数は、第１の回旋層１０４の格子定数に比べて小さい。この格子定数の差に起因して、第１の回旋層１０４および第２の回旋層１０５が結晶シリコン膜１０３および金属配線Ｗ１〜Ｗ９とともに螺旋状に巻回されている。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の格子定数を有する第１の層と、
前記第１の格子定数と異なる第２の格子定数を有する第２の層と、
配線層とを順に備え、
前記第１の層、前記第２の層および前記配線層は、屈曲部または湾曲部を有する線状に形成され、
前記第１の格子定数と前記第２の格子定数との差に起因して前記第１および第２の層が前記配線層とともに螺旋状に巻回されたことを特徴とする配線。
【請求項２】
前記第１および第２の層ならびに前記配線層を封止する弾性材料からなる被覆層をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の配線。
【請求項３】
複数の素子と、
前記複数の素子を電気的に接続する複数の配線とを備え、
前記複数の配線の各々は、
第１の格子定数を有する第１の層と、
前記第１の格子定数と異なる第２の格子定数を有する第２の層と、
配線層とを順に備え、
前記第１の層、前記第２の層および前記配線層は、屈曲部または湾曲部を有する線状に形成され、
前記第１の格子定数と前記第２の格子定数との差に起因して前記第１および第２の層が前記配線層とともに螺旋状に巻回されたことを特徴とする回路装置。
【請求項４】
前記複数の素子と前記複数の配線とを封止する弾性材料からなる被覆層をさらに備えることを特徴とする請求項３記載の回路装置。
【請求項５】
基板上に支持層、第１の格子定数を有する第１の層、および前記第１の格子定数と異なる第２の格子定数を有する第２の層を順に備える積層構造を形成する工程と、
前記第２の層上に互いに離間するように第１および第２の電極を形成する工程と、
前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に接続するようように、前記第２の層上に屈曲部または湾曲部を有する線状の配線層を形成する工程と、
前記第１の電極下、前記第２の電極下および前記配線層下の領域を除いて前記第２の層、前記第１の層および前記支持層を除去する工程と、
前記第１の電極下および前記第２の電極下の領域を除いて前記配線層下の領域の前記支持層を除去することにより、前記第１の層が前記第１の電極下および前記第２の電極下の領域の前記支持層により支持された状態で、前記第１の格子定数と前記第２の格子定数との差に起因して前記第１の層および前記第２の層を前記配線層とともに螺旋状に巻回させる工程と、
前記第１の電極下および前記第２の電極下の領域の前記支持層を除去することにより前記第１の層から前記基板を取り外す工程とを備えたことを特徴とする配線の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電極間の配線およびその製造方法、ならびに回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ロボット工学の発達に伴い、産業ロボット、医療ロボットおよび介護ロボット等の種々のロボットの性能が格段に向上している。これらのロボットには、複数の電子部品が搭載されている。
【０００３】
例えば、特許文献１記載の圧力感知センサを備えたロボットにおいては、複数の皮膚センサがロボット本体に設けられている。複数の皮膚センサはそれぞれコントローラに接続されており、障害物等が皮膚センサに接触した際に、検知信号をコントローラに出力する。コントローラは、皮膚センサからの検知信号に基づいてロボットの動作を制御することができる。これにより、機動性の高い動作が可能となる。
【特許文献１】特開２００４−３４２５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ロボットの性能は、センサ数を増加することにより向上させることができる。例えば、ロボットの手に多数のセンサを設けた場合、手の感度を十分に高めることができ、より繊細な動作が可能となる。
【０００５】
ロボットの所定の領域に多数のセンサを設ける場合、複数のセンサは、例えば、金属配線により電気的に接続される。それにより、複数のセンサから出力される複数の検知信号を効率的に処理することが可能となる。
【０００６】
ところで、例えばロボットの関節部等に複数のセンサを設ける場合、複数のセンサを連結する金属配線は頻繁に湾曲する。そのため、複数のセンサが金属配線により連結されている場合には、金属配線が疲労により劣化し、破断する。それにより、ロボットが故障する。
【０００７】
本発明の目的は、劣化が防止された配線およびその製造方法、ならびに素子間の配線の劣化が防止された回路装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る配線は、第１の格子定数を有する第１の層と、第１の格子定数と異なる第２の格子定数を有する第２の層と、配線層とを順に備え、第１の層、第２の層および配線層は、屈曲部または湾曲部を有する線状に形成され、第１の格子定数と第２の格子定数との差に起因して第１および第２の層が配線層とともに螺旋状に巻回されたものである。
【０００９】
この配線においては、第１の層の格子定数と第２の層の格子定数とが異なっている。この格子定数の差に起因して、第１の層および第２の層が配線層とともに螺旋状に巻回されている。そのため、この配線は伸縮性に優れており、頻繁に屈曲された場合にも、劣化および破断することが防止される。
【００１０】
また、配線層が第１および第２の層によって補強されているので、配線層の劣化を防止することができる。それにより、配線の信頼性を向上させることができる。
【００１１】
（２）配線は、第１および第２の層ならびに配線層を封止する弾性材料からなる被覆層をさらに備えてもよい。
【００１２】
この場合、配線の伸縮性が阻害されることなく、被覆層により配線が外的影響から保護される。しがたって、配線の劣化および破断を確実に防止することができる。また、被覆層により配線を封止することにより、配線の強度を向上させることができる。
【００１３】
第１および第２の層は、半導体材料からなってもよい。この場合、配線を容易に製造することができる。
【００１４】
（３）第２の発明に係る回路装置は、複数の素子と、複数の素子を電気的に接続する複数の配線とを備え、複数の配線の各々は、第１の格子定数を有する第１の層と、第１の格子定数と異なる第２の格子定数を有する第２の層と、配線層とを順に備え、第１の層、第２の層および配線層は、屈曲部または湾曲部を有する線状に形成され、第１の格子定数と第２の格子定数との差に起因して第１および第２の層が配線層とともに螺旋状に巻回されたものである。
【００１５】
この回路装置においては、複数の素子が第１の発明に係る配線と同様の配線によって電気的に接続されている。したがって、回路装置が頻繁に屈曲する環境において用いられた場合にも、素子間の配線が劣化および破断することが防止される。
【００１６】
（４）回路装置は、複数の素子と複数の配線とを封止する弾性材料からなる被覆層をさらに備えてもよい。
【００１７】
この場合、配線の伸縮性が阻害されることなく、被覆層により素子および配線が外的影響から保護される。しがたって、素子の劣化ならびに配線の劣化および破断を確実に防止することができる。また、被覆層により配線を封止することにより、配線の強度を向上させることができる。これらの結果、回路装置の信頼性を向上させることができる。
【００１８】
（５）第３の発明に係る配線の製造方法は、基板上に支持層、第１の格子定数を有する第１の層、および第１の格子定数と異なる第２の格子定数を有する第２の層を順に備える積層構造を形成する工程と、第２の層上に互いに離間するように第１および第２の電極を形成する工程と、第１の電極と第２の電極とを電気的に接続するようように、第２の層上に屈曲部または湾曲部を有する線状の配線層を形成する工程と、第１の電極下、第２の電極下および配線層下の領域を除いて第２の層、第１の層および支持層を除去する工程と、第１の電極下および第２の電極下の領域を除いて配線層下の領域の支持層を除去することにより、第１の層が第１の電極下および第２の電極下の領域の支持層により支持された状態で、第１の格子定数と第２の格子定数との差に起因して第１の層および第２の層を配線層とともに螺旋状に巻回させる工程と、第１の電極下および第２の電極下の領域の支持層を除去することにより第１の層から基板を取り外す工程とを備えたものである。
【００１９】
この製造方法により製造された配線においては、第１の層の格子定数と第２の層の格子定数とが異なっている。この格子定数の差に起因して、第１の層および第２の層が配線層とともに螺旋状に巻回されている。そのため、この配線は伸縮性に優れており、頻繁に屈曲された場合にも、劣化および破断することが防止される。
【００２０】
また、配線層が第１および第２の層によって補強されているので、配線層の劣化を防止することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、配線は、第１の層、第２の層および配線層からなり、螺旋状に巻回されている。そのため、配線は伸縮性に優れており、頻繁に屈曲された場合にも、劣化および破断することが防止される。
【００２２】
また、配線層が第１および第２の層によって補強されているので、配線層の劣化を防止することができる。それにより、配線の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態に係る回路装置および配線の一例として、温度センサユニットおよび温度センサ間の配線について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する温度センサユニットは、例えば、ロボットの人工皮膚として用いることができる。
【００２４】
（１）温度センサユニットの製造方法
図１〜図１１は、温度センサユニットの製造方法を説明するための図である。なお、図１〜図６および図８〜図１１において、（ａ）は（ｂ）に示すＡ−Ａ線における模式的断面図であり、（ｂ）は平面図である。図１〜図６および図８〜図１１には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【００２５】
まず、図１に示すように、ＳＯＩ（Silicon On Insulator：絶縁体上半導体構造）基板１０００を用意する。ＳＯＩ基板１０００は、結晶シリコン基板１０１、埋め込み酸化膜１０２および結晶シリコン膜１０３を有する。埋め込み酸化膜１０２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなり、厚さは、例えば２００ｎｍ〜１μｍである。結晶シリコン膜１０３の厚さは、例えば、２０ｎｍである。
【００２６】
次に、図２に示すように、結晶シリコン膜１０３上に、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）からなる第１の回旋層１０４、シリコン（Ｓｉ）からなる第２の回旋層１０５、ＳｉＧｅからなる支持層１０６、およびＳｉからなる集積回路層１０７を順にエピタキシャル成長させる。なお、第２の回旋層１０５の格子定数は、第１の回旋層１０４の格子定数に比べて小さい。
【００２７】
これら第１および第２の回旋層１０４，１０５、支持層１０６ならびに集積回路層１０７は、ＭＢＥ法（分子線エピタキシャル成長法）、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学的気相成長法）、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等のエピタキシャル成長技術を用いて形成される。第１の回旋層１０４の厚さは、例えば２０ｎｍであり、第２の回旋層１０５の厚さは、例えば１００ｎｍであり、支持層１０６の厚さは、例えば２０ｎｍである。
【００２８】
次に、図３に示すように、集積回路層１０７に複数の温度センサＴＳ１〜ＴＳ８を形成し、その後、温度センサＴＳ１〜ＴＳ８が形成される領域を除く集積回路層１０７および温度センサＴＳ１〜ＴＳ８が形成される領域の下の領域を除く支持層１０６をエッチングにより除去する。なお、温度センサＴＳ１〜ＴＳ８は、例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor：相補型金属酸化物半導体）からなる。
【００２９】
次に、図４に示すように、温度センサＴＳ１〜ＴＳ８の上面および側面、支持層１０６の側面、ならびに第２の回旋層１０５上に蒸着またはスパッタリングにより略Ｌ字状の金属配線Ｗ１〜Ｗ９を形成する。金属配線Ｗ１〜Ｗ９は、温度センサＴＳ１〜ＴＳ８の電極間を電気的に接続しており、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン合金（例えば、ＴｉＡｕ）、クロム合金（例えば、ＣｒＡｕ）等からなる。
【００３０】
図４においては、金属配線Ｗ１により温度センサＴＳ１と温度センサＴＳ５とが接続され、金属配線Ｗ２により温度センサＴＳ１と温度センサＴＳ２とが接続され、金属配線Ｗ３により温度センサＴＳ２と温度センサＴＳ３とが接続されている。また、金属配線Ｗ４により温度センサＴＳ３と温度センサＴＳ６とが接続され、金属配線Ｗ５により温度センサＴＳ３と温度センサＴＳ４とが接続され、金属配線Ｗ６により温度センサＴＳ２と温度センサＴＳ８とが接続されている。さらに、金属配線Ｗ７により温度センサＴＳ２と温度センサＴＳ７とが接続され、金属配線Ｗ８により温度センサＴＳ４と温度センサＴＳ７とが接続され、金属配線Ｗ９により温度センサＴＳ３と温度センサＴＳ５とが接続されている。
【００３１】
次に、図５に示すように、温度センサＴＳ１〜ＴＳ８および金属配線Ｗ１〜Ｗ９の下の領域を除いて、結晶シリコン膜１０３、第１の回旋層１０４および第２の回旋層１０５をエッチングにより除去する。それにより、金属配線Ｗ１〜Ｗ９の下の領域を除いて埋め込み酸化膜１０２が露出する。
【００３２】
その後、図６に示すように、温度センサＴＳ１〜ＴＳ８の下の領域を除いて、埋め込み酸化膜１０２をエッチングにより除去する。それにより、温度センサＴＳ１〜ＴＳ８の下の領域を除いて金属配線Ｗ１〜Ｗ９が結晶シリコン基板１０１から自由な状態になる。
【００３３】
ここで、上述したように、第２の回旋層１０５の格子定数は、第１の回旋層１０４の格子定数に比べて小さい。そのため、第１の回旋層１０４と第２の回旋層１０５との境界面において格子定数の差に起因して歪が発生する。それにより、第１の回旋層１０４および第２の回旋層１０５は、上記境界面の歪みを緩和するように変形する。また、結晶シリコン膜１０３は、第１の回旋層１０４とともに変形する。以下、図６および図７を用いて詳細に説明する。
【００３４】
図７は、結晶シリコン膜１０３ならびに第１および第２の回旋層１０４，１０５の変形過程を説明するための図である。なお、図７においては、一例として、温度センサＴＳ１と温度センサＴＳ５との間の結晶シリコン膜１０３ならびに第１および第２の回旋層１０４，１０５の変形について説明する。
【００３５】
また、図７においては、第１および第２の回旋層１０４，１０５は図示しておらず、結晶シリコン膜１０３および第２の回旋層１０５の上面に形成されている金属配線Ｗ１を図示している。
【００３６】
図６に示すように、温度センサＴＳ１〜ＴＳ８の下の領域を除く埋め込み酸化膜１０２を除去した場合、結晶シリコン膜１０３ならびに第１および第２の回旋層１０４，１０５は、温度センサＴＳ１〜ＴＳ８の下の領域において埋め込み酸化膜１０２と支持層１０６とによって支持される。この埋め込み酸化膜１０２と支持層１０６とによって支持されている領域においては、結晶シリコン膜１０３ならびに第１および第２の回旋層１０４，１０５の変形が防止される。
【００３７】
この場合、例えば、温度センサＴＳ１と温度センサＴＳ５との間において、略Ｌ字形状の結晶シリコン膜１０３、第１の回旋層１０４および第２の回旋層１０５は、図７（ａ）〜図７（ｃ）に順に示すように、温度センサＴＳ１，ＴＳ５の下の領域を固定端として回旋し、金属配線Ｗ１を巻き込みながら矢印の方向に向かって螺旋状に巻回される。そして最終的に、図７（ｄ）および図８に示すように、結晶シリコン膜１０３、第１の回旋層１０４、第２の回旋層１０５および金属配線Ｗ１からなる直線状の螺旋配線Ｈ１となる。この螺旋配線Ｈ１は、一端部から中心部まで右回りの螺旋構造を有し、他端部から中心部まで左回りの螺旋構造を有する。
【００３８】
金属配線Ｗ２〜Ｗ９が形成されている領域（図６参照）においても同様の変形が生じ、図８に示すように螺旋配線Ｈ２〜Ｈ９が形成される。
【００３９】
次に、図９に示すように、エラストマー１０８により、結晶シリコン基板１０１上で埋め込み酸化膜１０２、螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９（結晶シリコン膜１０３、第１の回旋層１０４、第２の回旋層１０５、および金属配線Ｗ１〜Ｗ９）、支持層１０６および温度センサＴＳ１〜ＴＳ８を封止する。エラストマー１０８としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂またはシリコン樹脂等を用いることができる。本実施の形態においては、ＰＤＭＳ(ポリジメチルシロキサン：polydimethylsiloxane)樹脂を用いる。
【００４０】
次に、図１０に示すように、エッチングにより結晶シリコン基板１０１および埋め込み酸化膜１０２を除去する。その後、図１１に示すように、エラストマー１０８により、結晶シリコン膜１０３の下方側を封止する。これにより、温度センサユニット１００が完成する。
【００４１】
（２）効果
以上のように、本実施の形態においては、各温度センサＴＳ１〜ＴＳ８は、螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９によって電気的に接続されている。螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９は螺旋構造を有するので伸縮性に優れている。したがって、例えば、温度センサユニット１００がロボットの関節部等の皮膚として用いられる場合、すなわち当該温度センサユニット１００が頻繁に屈曲する場合においても、螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９（金属配線Ｗ１〜Ｗ９）が劣化および破断することを防止することができる。
【００４２】
また、螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９は、金属配線Ｗ１〜Ｗ９が結晶シリコン膜１０３、第１の回旋層１０４および第２の回旋層１０５によって巻き込まれるように形成されている。したがって、金属配線Ｗ１〜Ｗ９が結晶シリコン膜１０３、第１の回旋層１０４および第２の回旋層１０５によって保護されるので、金属配線Ｗ１〜Ｗ９の劣化および破断を十分に防止することができる。
【００４３】
また、螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９は、エラストマー１０８により封止されている。この場合、螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９の伸縮性が阻害されることなく、エラストマー１０８により螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９が外的影響から保護される。したがって、螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９（金属配線Ｗ１〜Ｗ９）の劣化および破断を確実に防止することができる。
【００４４】
また、螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９がエラストマー１０８により封止されることにより、螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９の強度が向上する。それにより、螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９（金属配線Ｗ１〜Ｗ９）の劣化および破断をより確実に防止することができる。
【００４５】
これらの結果、温度センサユニット１００の信頼性を向上させることができる。
【００４６】
（３）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００４７】
上記実施の形態においては、第１の回旋層１０４が第１の層に相当し、第２の回旋層１０５が第２の層に相当し、金属配線Ｗ１〜Ｗ９が配線層に相当し、Ｌ字状が屈曲部または湾曲部を有する線状に相当し、エラストマー１０８が被覆層に相当し、温度センサＴＳ１〜ＴＳ８が素子または第１および第２の電極に相当し、結晶シリコン基板１０１が基板に相当し、埋め込み酸化膜１０２が支持層に相当する。
【００４８】
（４）他の実施の形態
上記実施の形態では、温度センサＴＳ１〜ＴＳ８間を接続する配線について説明したが、本発明に係る配線は、圧力センサ等の他のセンサ間を接続する配線、回路素子間を接続する配線、センサと信号処理回路とを接続する配線、または端子間を接続する配線等の種々の配線として用いることができる。
【００４９】
また、上記実施の形態においては、螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９は、結晶シリコン膜１０３、第１の回旋層１０４、第２の回旋層１０５および金属配線Ｗ１〜Ｗ９から構成されているが、螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９が結晶シリコン膜１０３を含まなくてもよい。
【００５０】
また、上記実施の形態においては、第２の回旋層１０５の格子定数が第１の回旋層１０４の格子定数より小さくなるように設定されているが、第１の回旋層１０４および第２の回旋層１０５が螺旋状に巻回されるのであればよく、第１の回旋層１０４の格子定数が第２の回旋層１０５の格子定数より小さく設定されてもよい。
【００５１】
また、上記実施の形態においては、格子定数の異なる第１および第２の回旋層１０４，１０５をそれぞれエピタキシャル成長により形成しているが、ＳＯＩ基板１０００上に結晶シリコン膜を形成し、結晶シリコン膜内の上部領域の格子定数と結晶シリコン膜内の下部領域の格子定数とが異なるように、結晶シリコン膜内の上部領域または下部領域に不純物元素を添加してもよい。不純物元素としては、例えば、Ｂ（ホウ素）、Ｎ（窒素）、Ａｌ（アルミニウム）、またはＰ（リン）等を用いることができる。
【００５２】
また、上記実施の形態においては、第１および第２の回旋層１０４，１０５を半導体材料により形成しているが、第１の回旋層１０４の格子定数と第２の回旋層１０５の格子定数とが異なっていればよく、第１および第２の回旋層１０４，１０５は半導体材料に限定されない。例えば、第１および第２の回旋層１０４，１０５のいずれか一方または両方を絶縁材料により形成してもよい。
【００５３】
また、第１および第２の回旋層１０４，１０５を、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓ等の化合物半導体により形成してもよい。
【００５４】
また、結晶シリコン基板、酸化膜および結晶シリコン膜からなるＳＯＩ基板の代わりに、他の材料からなる積層基板を用いてもよい。例えば、ＳｉＣ（炭化シリコン）基板、酸化膜およびＳｉＣ膜からなる積層基板を用いてもよい。
【００５５】
また、積層基板の絶縁膜は酸化膜に限らず、窒化膜等の他の絶縁膜であってもよい。
【００５６】
また、上記実施の形態においては、１つの屈曲部を有する略Ｌ字形状の結晶シリコン膜１０３、第１の回旋層１０４、第２の回旋層１０５および金属配線Ｗ１〜９により螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９を形成しているが、１つの湾曲部を有するＵ字状、１つの屈曲部を有するＶ字状、２つの屈曲部を有するＷ字状等の他の線状の結晶シリコン膜１０３、第１の回旋層１０４、第２の回旋層１０５および金属配線Ｗ１〜９により螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９を形成してもよい。
【００５７】
また、上記実施の形態においては、螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９は、結晶シリコン膜１０３、第１の回旋層１０４、第２の回旋層１０５および１つの金属配線Ｗ１〜Ｗ９から構成されているが、螺旋配線Ｈ１〜Ｈ９は、結晶シリコン膜１０３、第１の回旋層１０４、第２の回旋層１０５および複数の金属配線Ｗ１〜Ｗ９から構成されてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、種々の電子部品の配線およびロボットのセンサ等に効果的に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】温度センサユニットの製造方法を説明するための図である。
【図２】温度センサユニットの製造方法を説明するための図である。
【図３】温度センサユニットの製造方法を説明するための図である。
【図４】温度センサユニットの製造方法を説明するための図である。
【図５】温度センサユニットの製造方法を説明するための図である。
【図６】温度センサユニットの製造方法を説明するための図である。
【図７】温度センサユニットの製造方法を説明するための図である。
【図８】温度センサユニットの製造方法を説明するための図である。
【図９】温度センサユニットの製造方法を説明するための図である。
【図１０】温度センサユニットの製造方法を説明するための図である。
【図１１】温度センサユニットの製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６０】
１００    温度センサユニット
１０１    結晶シリコン基板
１０２    埋め込み酸化膜
１０３    結晶シリコン膜
１０４    第１の回旋層
１０５    第２の回旋層
１０６    支持層
１０７    集積回路層
１０８    エラストマー
１０００    ＳＯＩ基板
Ｈ１〜Ｈ９    螺旋配線
ＴＳ１〜ＴＳ８    温度センサ
Ｗ１〜Ｗ９    金属配線
【図１】
2008010368.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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