(57)【要約】【課題】はんだ付けに際してはんだ部分にボイド発生の少ないＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストに関するものであり、さらにこのＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストはＡｕメッキしてある基板をはんだ付けするために特に有効なＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストを提供する。【解決手段】Ｇｅ：１０．５〜１５．５質量％を含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる組成を有するガスアトマイズＡｕ−Ｇｅ合金粉末を８０〜９８質量％含有し、残部がノンハロゲンフラックスからなり、前記ノンハロゲンフラックスは、水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤、イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤および低粘性溶剤を含有する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｇｅ：１０．５〜１５．５質量％を含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる組成を有するガスアトマイズＡｕ−Ｇｅ合金粉末を８０〜９５質量％含有し、残部がノンハロゲンフラックスからなることを特徴とするＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト。
【請求項２】
前記ノンハロゲンフラックスは、水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤、イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤および低粘性溶剤を含有するノンハロゲンフラックスであることを特徴とする請求項１記載のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト。
【請求項３】
前記ノンハロゲンフラックスは、水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤、イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤および低粘性溶剤を含有し、さらにチキソ剤を含有するノンハロゲンフラックスであることを特徴とする請求項１記載のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト。
【請求項４】
前記ノンハロゲンフラックスは、フラックス全体質量に対して、水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤：５〜６０質量％、イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤：１０〜６０質量％、低粘性溶剤：２０〜７０質量％を含有するノンハロゲンフラックスであることを特徴とする請求項１記載のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト。
【請求項５】
前記ノンハロゲンフラックスは、フラックス全体質量に対して、水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤：５〜６０質量％、イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤：１０〜６０質量％、低粘性溶剤：２０〜７０質量％を含有し、さらにチキソ剤：２５質量％以下含有するノンハロゲンフラックスであることを特徴とする請求項１記載のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト。
【請求項６】
前記水酸基を４〜６個有する糖類は、エリトリトール、フルクトース、ガラクトース、グルコース、マンノース、ソルビトール、ラクトース、スクロース、キシリトール、ヘキシトール、マルチトール、ラクチトール、リビトールおよびマンニトールからなる群より選ばれた１種の化合物または２種以上の混合物であり、
前記イソボルニル基を有する化合物を含む高粘性溶剤は、イソボルニルシクロヘキサノールまたはイソボルニルフェノールのいずれか一方またはその双方であり、
前記低粘性溶剤は、アルカンジオール、アルキレングリコール、炭化水素、テルペンおよびエーテルからなる群より選ばれた種または２種以上を含むことを特徴とする請求項１、２、３、４または５記載のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト。
【請求項７】
前記低粘性溶剤が、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，４−ブタンジオール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、テトラデカン、ａ−テルピネオール、ジベンジルエーテル、ｐ−ドデシルフェノール、２−ノニルフェノールおよび２−フェノキシエタノールからなる群より選ばれた１種または２種以上含むことを特徴とする請求項２〜６記載のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト。
【請求項８】
チキソ剤は脂肪酸アミドであることを特徴とする請求項３または５記載のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、はんだ付けに際してはんだ部分および接合界面にボイドが少なくかつリフロー後に洗浄する必要のないＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストに関するものであり、さらにこのＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストはＡｕメッキしてある基板をはんだ付けするために特に有効なＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストに関するものである。
【従来の技術】
【０００２】
一般に、Ｇｅ：１〜５０質量％を含有し、残部がＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成並びに粒径：１００μｍ以下を有するＡｕ−Ｇｅ合金粉末はＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストの原料粉末として使用されることは知られており、このＡｕ−Ｇｅ合金粉末を８０〜９５質量％含有し、残部がパラフィンワックス、流動パラフィン、テトラリンからなるＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストが知られている。このＡｕ−Ｇｅ合金粉末はガスアトマイズ法よりも回転電極法で製造することが好ましいとされている（特許文献１参照）、さらにＡｕ−Ｇｅ合金粉末を８０〜９５質量％含有し、残部が通常のロジン、活性剤、溶剤および増粘剤からなるフラックスからなるＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストも知られている。このＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストはＧａＡｓ光素子、ＧａＡｓ高周波素子、熱伝素子などの半導体素子と基板との接合、微細かつ高気密性が要求されるＳＡＷフィルター、水晶発振子などのパッケージ封止などに使用されており、特に高融点接合が可能な部分のはんだ付けに使用されている。
【０００３】
近年、パッケージサイズの小型化が急速に進んでおり、パッケージ封止されるパッケージのサイズは縦：１．６ｍｍ、横：１．０ｍｍの寸法まで小型化され、さらに小型化されようとしている。前記パッケージサイズが縦：１．６ｍｍ、横：１．０ｍｍのパッケージに設けられている蓋接合部の枠の幅は１００〜２５０μｍと狭く、かかる狭い幅の枠に前記Ａｕ−Ｇｅ合金はんだペーストを塗布し、その上に蓋を載せて加熱し、パッケージの封止を行うのであるが、パッケージサイズの小型化が進むにつれて、パッケージの枠の幅もますます狭くなる。このように狭い枠にろう付けして高気密性が要求されるＳＡＷフィルター、水晶発振子などのパッケージの封止を行う場合に、従来より小さな粒径の合金粉末が必要になってきている。しかし、小さな粒径の合金粉末を用いた場合ははんだ接合部にボイドが多く発生し、ボイドの発生により気密性能が低下し、はんだ付けに対する信頼性が低下する。特に、２５μｍを越える大きなボイドの発生は小型パッケージの気密性能を低下させる最大の原因の一つになっている。
さらに、近年、ろう付け部分を洗浄することが困難な部品のろう付けには腐食性のないノンハロゲンフラックス（たとえば、千住金属製のデルタラックス５２７Ｎなど）を使用してろう付けすることが知られており、このノンハロゲンフラックスを使用してろう付けした場合、ろう付け部分の洗浄工程を省略できることから特に洗浄が難しい電子部品などのろう付けに広く使用されるようになってきた。
【特許文献１】特開平３−１５５４９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記従来のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストを用いてろう付けすると、ろう付け部に２５μｍを越える大きなボイドの発生が見られ、かかる大きなボイドの発生は前述のような小型パッケージの信頼できる封止を行うことができない。そのために、２５μｍを越える大きなボイドの発生がなくかつボイド発生数の一層少ないＡｕ−Ｇｅ合金粉末を含むペーストが求められていた。
さらに、ろう付け部分の洗浄を省略できるＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストが求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、ボイド発生数が一層少なくかつ２５μｍを越える大きなボイド発生することがなく、さらにろう付け部分の洗浄を省略することができるＡｕ−Ｇｅ合金ペーストを得るべく研究を行った。その結果、
（イ）Ｇｅ：１０．５〜１５．５質量％を含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる組成を有するＡｕ−Ｇｅ合金粉末を市販のノンハロゲンフラックスに混合せしめて得られたはんだペーストは、そのはんだペーストを使用してろう付けした場合に、そのろう付け部に２５μｍを越える大きなボイドの発生がなくなり、かつ従来のＡｕ−Ｇｅ合金ハンダペーストに比べてボイド発生数が一段と少なくなり、さらにろう付け部分の洗浄を省略することができる
（ロ）前記特許文献１には、はんだペーストに使用するＡｕ−Ｇｅ合金粉末はガスアトマイズ粉末よりも回転電極法で製造した粉末であるほうが好ましいと記載されているが、Ａｕ−Ｇｅ二元系状態図の共晶点（Ｇｅ：１２．５質量％）近傍のＧｅ：１０．５〜１５．５質量％を含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる組成を有するＡｕ−Ｇｅ合金粉末は、これを通常のノンハロゲンフラックスと混合してＡｕ−Ｇｅ合金ハンダペーストにする場合には回転電極法で製造した粉末よりもガスアトマイズ粉末であることが好ましい、という研究結果が得られたのである。
【０００６】
この発明は、かかる研究結果にもとづいてなされたものであって、
（１）Ｇｅ：１０．５〜１５．５質量％を含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる組成を有するガスアトマイズＡｕ−Ｇｅ合金粉末を８０〜９５質量％含有し、残部がノンハロゲンフラックスからなるＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト、に特徴を有するものである。
【０００７】
この発明のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストに含まれるノンハロゲンフラックスは、先に述べた市販のノンハロゲンフラックスであってもよい。しかし、水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤、イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤および低粘性溶剤を含有し、さらに必要に応じてチキソ剤を含有するノンハロゲンフラックスであることが一層好ましい。
【０００８】
したがって、この発明は、
（２）前記ノンハロゲンフラックスは、水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤、イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤および低粘性溶剤を含有するノンハロゲンフラックスである前記（１）記載のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト、
（３）前記ノンハロゲンフラックスは、水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤、イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤および低粘性溶剤を含有し、さらにチキソ剤を含有するノンハロゲンフラックスである前記（１）記載のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト、に特徴を有するものである。
【０００９】
前記ノンハロゲンフラックスに含まれる水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤、イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤、低粘性溶剤、さらに必要に応じて含有するチキソ剤の配合割合は、具体的には、水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤：５〜６０質量％、イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤：１０〜６０質量％、低粘性溶剤：２０〜７０質量％、チキソ剤：２５質量％以下であることが好ましい。したがって、この発明は、
（４）前記ノンハロゲンフラックスは、水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤：５〜６０質量％、イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤：１０〜６０質量％、低粘性溶剤：２０〜７０質量％を含有するノンハロゲンフラックスである前記（１）記載のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト、
（５）前記ノンハロゲンフラックスは、水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤：５〜６０質量％、イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤：１０〜６０質量％、低粘性溶剤：２０〜７０質量％を含有し、さらにチキソ剤：２５質量％以下含有するノンハロゲンフラックスである前記（１）記載のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト、に特徴を有するものである。
【００１０】
前記水酸基を４〜６個有する糖類は、具体的には、エリトリトール、フルクトース、ガラクトース、グルコース、マンノース、ソルビトール、ラクトース、スクロース、キシリトール、ヘキシトール、マルチトール、ラクチトール、リビトールおよびマンニトールからなる群より選ばれた１種の化合物または２種以上の混合物であることが好ましく、
前記イソボルニル基を有する化合物を含む高粘性溶剤は、具体的には、イソボルニルシクロヘキサノールまたはイソボルニルフェノールのいずれか一方またはその双方であることが好ましく、
前記低粘性溶剤は、アルカンジオール、アルキレングリコール、炭化水素、テルペンおよびエーテルからなる群より選ばれた種または２種以上を含むことが好ましい。したがって、この発明は、
（６）前記水酸基を４〜６個有する糖類は、エリトリトール、フルクトース、ガラクトース、グルコース、マンノース、ソルビトール、ラクトース、スクロース、キシリトール、ヘキシトール、マルチトール、ラクチトール、リビトールおよびマンニトールからなる群より選ばれた１種の化合物または２種以上の混合物であり、
前記イソボルニル基を有する化合物を含む高粘性溶剤は、イソボルニルシクロヘキサノールまたはイソボルニルフェノールのいずれか一方またはその双方であり、
前記低粘性溶剤は、アルカンジオール、アルキレングリコール、炭化水素、テルペンおよびエーテルからなる群より選ばれた種または２種以上を含む前記（２）、（３）、（４）または（５）記載のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト、に特徴を有するものである。
【００１１】
前記低粘性溶剤は、アルカンジオール、アルキレングリコール、炭化水素、テルペンおよびエーテルの内でも、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，４−ブタンジオール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、テトラデカン、ａ−テルピネオール、ジベンジルエーテル、ｐ−ドデシルフェノール、２−ノニルフェノールおよび２−フェノキシエタノールであることが好ましい。したがって、この発明は、
（７）前記低粘性溶剤は、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，４−ブタンジオール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、テトラデカン、ａ−テルピネオール、ジベンジルエーテル、ｐ−ドデシルフェノール、２−ノニルフェノールおよび２−フェノキシエタノールからなる群より選ばれた１種または２種以上含む前記（２）〜（６）記載のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト、に特徴を有するものである。
【００１２】
前記チキソ剤は脂肪酸アミドであることが好ましい。したがって、この発明は、
（８）チキソ剤は脂肪酸アミドである前記（３）または（５）記載のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペースト、に特徴を有するものである。
【００１３】
この発明のＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストで使用するＡｕ−Ｇｅ合金粉末は、Ｇｅ：１０．５〜１５．５質量％を含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる組成を有するＡｕ−Ｇｅ合金を溶解して得られた溶湯を温度：６００℃〜１０００℃に保持し、機械撹拌しながらまたは機械撹拌したのちこの撹拌された溶湯を圧力：３００〜８００ｋＰａで加圧しながら噴射圧力：５０００〜８０００ｋＰａの圧力で直径：１〜２ｍｍを有する小径ノズルからノズルギャップ：０．３ｍｍ以下で不活性ガスを噴射して製造する。前記撹拌は機械撹拌であることが好ましく、機械撹拌の内でもプロペラ撹拌が一層好ましい。前記機械撹拌に電磁撹拌のような電気的撹拌を併用してもよい。機械撹拌の回転速度は特に限定されるものではないが、６０〜１００ｒ．ｐ．ｍで３〜１０分間プロペラ撹拌することが好ましい。
この発明のはんだペースト用Ａｕ−Ｇｅ合金粉末の製造方法において、Ａｕ−Ｇｅ合金溶湯を機械撹拌すると、Ｇｅ相の偏析がほとんどないＡｕ−Ｇｅ合金溶湯が得られ、この撹拌して得られたＡｕ−Ｇｅ合金溶湯をアトマイズし、得られたアトマイズ粉末をふるい分級および風力分級することにより粒径が１５〜６０μｍＡｕ−Ｇｅ合金粉末が得られ、かかるＡｕ−Ｇｅ合金粉末と前記ノンハロゲンフラックスとで構成されるはんだペーストを用いてろう付けすると、ろう付け部に発生するボイドの数は減少し、特に２５μｍを越える大きなボイドの発生は見られなくなり、さらにろう付け部を洗浄する工程を省くことができる。
【００１４】
この発明のはんだペースト用Ａｕ−Ｇｅ合金粉末に含まれるＧｅの含有量を１０．５〜１５．５質量％に限定したのは、この種のはんだペーストはＡｕメッキコーティングされた基板上にはんだ付けするのが通常の使用方法であり、このような使用方法がなされた場合、Ａｕ−Ｇｅ合金粉末に含まれるＧｅの含有量が１０．５質量％未満ではＡｕメッキコーティングのＡｕがろう付け金属のＡｕ−Ｇｅ合金を溶食してＡｕ濃度が増加し、組成が変わることで融点が高くなって融液粘性が高くなり、ペースト溶融中に発生したガスが基板近傍にトラップされるので好ましくなく、一方、Ｇｅの含有量が１５．５質量％を越えると、２５μｍを越える大きなボイドが発生するようになるので好ましくないからである。
【００１５】
前記ノンハロゲンフラックスに含まれる「水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤」はフラックスの濡れ性を向上させる成分である。還元性固体活性剤に含まれる糖類を水酸基を４〜６個有するものとしたのは、水酸基の数が４個未満であると活性力が不足して濡れ性が低下するので好ましくなく、一方、水酸基の数が６個を越えると、分子量が大きくなって、化合物の沸点が高くなりすぎてしまい、はんだ付け終了後において残渣が生じてしまうので好ましくないという理由によるものである。水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤の添加量はフラックス全体量１００質量％に対して５〜６０質量％含有することが好ましい。その理由は、水酸基を４〜６個有する糖類を含む還元性固体活性剤の添加量が５質量％未満では活性力不足となって濡れ性が低下するので好ましくなく、一方、還元性固体活性剤を６０質量％を超えて含有すると、Ａｕ−Ｇｅ合金粉末とフラックスを混合して得られたＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストの扱いが難しくなり、また、残渣が発生するようになるので好ましくないことによるものである。
【００１６】
前記イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤は、高い粘性を有するのでフラックスの高い粘度化を達成させるために添加する成分であるので添加する。しかしその含有量がフラックス全体量１００質量％に対して１０質量％未満では粘度及び粘着性が不足するので好ましくなく、一方、イソボルニル基を含有する化合物を含む高粘性溶剤を６０質量％を超えて含有すると、Ａｕ−Ｇｅ合金粉末とフラックスを混合して得られたＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストが強粘性を呈してしまうため、扱いが難しくなるので好ましくないことによるものである。
【００１７】
前記低粘性溶剤は、適正な流動性が得られるように粘度調整する目的で添加する。低粘性溶剤の含有量はフラックス全体量１００質量％に対して２０質量％未満では適正な流動性が得られないので好ましくなく、一方、７０質量％を超えて含有するとはんだ付け終了後に残渣が生じるので好ましくないことによるものである。
【発明の効果】
【００１８】
この発明のＡｕ−Ｇｅ合金粉末を含むはんだペーストは直径が２５μｍを越える大きなボイドが発生することがないところから、従来のＡｕ−Ｇｅ合金粉末を含むはんだペーストに比べて一層信頼性の優れたはんだペーストを提供することができ、半導体装置の不良品発生率も減少してコストを低減することができ、さらに洗浄工程を省略できるのでコストの削減に寄与することができ、産業上優れた効果をもたらすものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
実施例１
高周波溶解炉により溶解し、得られた溶湯を８００℃に保持しながらプロペラを回転数：８０ｒｐｍで３分間回転させて溶湯を機械撹拌したのち、溶湯に圧力をかけ、高周波溶解炉の底部に設けられたノズルから溶湯を落下させ、同時にノズルの周囲にノズルギャップ：０．２ｍｍとなるように設けられたガスノズルから落下する溶湯に向かってＡｒガスを噴射させることによりガスアトマイズ粉末を作製し、このガスアトマイズ粉末を篩でふるうことにより平均粒径：３０μｍを有し、表１に示される組成を有するガスアトマイズＡｕ−Ｇｅ合金粉末Ａ〜Ｏを作製した。さらに、表１に示される成分組成を有するＡｕ−Ｇｅ合金粉末Ｐを回転電極法で作製した。
【００２０】
さらに、市販の千住金属製のデルタラックス５２７Ｎ（以下、ノンハロゲンフラックスａという）を用意した。
【００２１】
さらに、還元性固体活性剤としてエリトリトール、キシリトリトール、ソルビトール、リビトールを用意し、高粘性溶剤としてイソボルニルシクロヘキサノール：イソボルニルフェノール＝８：２の割合で混合して調整された混合剤またはイソボルニルシクロヘキサノールを用意し、低粘性溶剤としてテトラエチレングリコール、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、１，５−ペンタンジオール、テトラエチレングリコール、ａ−テルピネオール、ｐ−ドデシルフェノールを用意し、さらに、チキソ剤としてステアリン酸アミド、エルカ酸アミド、オレイン酸アミド、パルミチン酸アミドを用意し、これらを表２に示されるように配合し混合してノンハロゲンフラックスｂ〜ｈを作製した。
【００２２】
表１に示されるＡｕ−Ｇｅ合金粉末Ａ〜Ｐを表２に示されるノンハロゲンフラックスａ〜ｈに表３に示されるように割合で配合し混合することにより表３に示される本発明Ａｕ−Ｇｅ合金はんだペースト１〜１３、比較Ａｕ−Ｇｅ合金はんだペースト１〜５を作製した。
さらに、回転電極法で作製した表１に示されるＡｕ−Ｇｅ合金粉末Ｐ：９４．５質量％、パラフィンワックス：２．２質量％、流動パラフィン：３．３質量％からなる従来Ａｕ−Ｇｅ合金はんだペーストを作製し用意した。
【００２３】
次に、縦：１０ｍｍ、横：１０ｍｍ、厚さ：１ｍｍの寸法を有するＦｅ−Ｎｉ系合金（Ｎｉ：４２％，残部Ｆｅおよび不可避不純物からなる合金）からなる板を用意し、このＦｅ−Ｎｉ系合金製板の表面に厚さ：２．５μｍのＮｉメッキを施したのち厚さ：０．０３μｍのＡｕメッキし、このメッキされた板を基板として用意した。
かかる基板上に直径：６．５μｍ、厚さ：１．２ｍｍのマスクを用いて前記本発明Ａｕ−Ｇｅ合金はんだペースト１〜１３、比較Ａｕ−Ｇｅ合金はんだペースト１〜５および従来Ａｕ−Ｇｅ合金はんだペーストを印刷し、リフロー処理（プレヒート１５０℃／６０秒＋本ヒート３２０℃／６０秒）したのち、２５μｍ以上のサイズのボイド数を透過Ｘ線装置および画像処理ソフトを用いて求め、その結果を表３に示した。
さらに、はんだ付け部の残渣の有無を観察し、その結果を表３に示した。
【００２４】
【表１】
2008080361.tif 000002
【００２５】
【表２】
2008080361.tif 000003
【００２６】
【表３】
2008080361.tif 000004
【００２７】
表１〜３に示される結果から、本発明Ａｕ−Ｇｅ合金はんだペースト１〜１３は、従来Ａｕ−Ｇｅ合金はんだペーストに比べてボイドの発生数が少なく、従来Ａｕ−Ｇｅ合金はんだペーストは２５μｍを越える大きなボイドが発生するのに対し、本発明Ａｕ−Ｇｅ合金はんだペースト１〜１３は２５μｍを越えるボイドが発生することはなく、さらに残渣がないことがわかる。
しかし、この発明の条件から外れた比較Ａｕ−Ｇｅ合金はんだペースト１〜５は、ボイドが発生したり、溶融してもＡｕ−Ｇｅ合金はんだペーストに含まれるＡｕ−Ｇｅ合金粉末が未溶融となったりして好ましくないことが分かる。