(57)【要約】【課題】流体の浸入による腐食や、流体の圧力による損傷を防止して、計測できる流体、流量の範囲を広げた半導体センサを提供する。【解決手段】本発明に係る半導体センサ１は、半導体基板２と、該半導体基板に配された感圧部３と、前記感圧部の少なくとも一部に配された貫通孔４と、前記感圧部の両面にそれぞれ配された第一保護層６及び第二保護層７と、前記貫通孔の内側面に配された第三保護層８と、を少なくとも備えたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、該半導体基板に配された感圧部と、
前記感圧部の少なくとも一部に配された貫通孔と、
前記感圧部の両面にそれぞれ配された第一保護層及び第二保護層と、
前記貫通孔の内側面に配された第三保護層と、を少なくとも備えたことを特徴とする半導体センサ。
【請求項２】
前記第一乃至第三保護層は、連続体であることを特徴とする請求項１に記載の半導体センサ。
【請求項３】
前記第三保護層は、少なくとも、その表面が、前記貫通孔を通過する流体との親和性の高い性質を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体センサ。
【請求項４】
前記第三保護層は、少なくとも、その表面が、前記貫通孔を通過する流体との親和性の低い性質を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体センサ。
【請求項５】
半導体基板に感圧部を形成する工程と、
前記半導体基板に電極部を形成する工程と、
前記感圧部の両面に、それぞれ第一保護層及び第二保護層を形成する工程と、
前記感圧部の少なくとも一部に貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の内側面に第三保護層を形成する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする半導体センサの製造方法。
【請求項６】
半導体基板に感圧部を形成する工程と、
前記半導体基板に電極部を形成する工程と、
前記感圧部の少なくとも一部に貫通孔を形成する工程と、
前記感圧部の両面にそれぞれ配する第一保護層と第二保護層、及び、前記貫通孔の内側面に第三保護層を、同一の物質を用いて形成する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする半導体センサの製造方法。
【請求項７】
前記第二保護層の一部を除去し、前記電極部を露出する工程を、さらに備えたことを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体センサの製造方法。
【請求項８】
前記貫通孔を形成する工程は、異方性ドライエッチング法を用いることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の半導体センサの製造方法。
【請求項９】
前記貫通孔を形成する工程と、前記電極部を露出する工程とを、同一プロセスで行うことを特徴とする請求項８に記載の半導体センサの製造方法。
【請求項１０】
前記半導体基板の前記第一保護層が配された側に、第四保護層を形成する工程を、さらに備えたことを特徴とする請求項５乃至請求項９のいずれか一項に記載の半導体センサの製造方法。
【請求項１１】
前記半導体基板の前記第一保護層が配された側に、保護基板を貼り合わせる工程を、さらに備えたことを特徴とする請求項５乃至請求項９のいずれか一項に記載の半導体センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体センサ及びその製造方法に係る。より詳細には、優れた耐食性や耐久性を備え、汎用性に富む半導体センサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
工業計測の分野において、流体の流量を測定する方法として、流体を導く管の途中にオリフィス板を設け、このオリフィス前後の圧力差を検出することにより流量を求める差圧式流量測定法が広く用いられている。
【０００３】
図５に一例を示す。この図において５１は上流側の流路、５２は下流側の流路であり、これらはオリフィス部５３を介して接続されている。また、５４は差圧測定用の圧力センサであり、この圧カセンサ５４には、上流側及び下流側の流路からそれぞれ圧力導入管５８が接続されている。このような構造において、流体が上流側から下流側へ流れると、流体はオリフィス部で抵抗を受け、上流側と下流側で圧力差が生じる。また、この圧力差と流量にはベルヌイの定理で知られるように、一定の関係が有り、この圧力差を圧カセンサ５４で検知することにより、流体の流量を計測することができる。
【０００４】
また、図６に小型化されたフローセンサを示す（例えば、特許文献１参照）。この図においては、上流側の流路５１と下流側の流路５２を、ダイアフラム中央部に貫通孔を有するピエゾ抵抗型圧カセンサ５３を介して接続されている。このような構造において、上流側から下流側へ流体が流れると、ダイアフラムに圧力差が生じ、これを検出することによって、流量を計測することができる。このような構造のため、従来のフローセンサにおける圧力導入部が不要となり、コストの低減及び小型化が可能となる。また、特許文献２に記載のフローセンサにおいては、当センサを流体から保護する目的で保護膜を成膜している。
【０００５】
しかしながら、図６に示す小型化されたフローセンサ及び特許文献２に記載されたフローセンサにおいて、以下に示すような問題がある。
まず、回路部及びダイアフラムの保護膜を各々の工程で成膜した場合、これらの膜の界面より媒体が侵入し、チップを腐食する可能性がある。また、ダイアフラムが流体の圧力によって損傷を受ける可能性がある。また、ダイアフラムの貫通孔を流体が流れるため、その孔径の大きさに対して上限があり、流体の流量が制限される。また、流量が微量である場合、その圧力差が小さいため、フローセンサでの検出が困難となる。
【０００６】
また、上述したようなフローセンサを製造する際、薄肉部であるダイアフラム上に貫通孔を形成する必要がある。その加工の際に、マイクロドリルやレーザーを用いると、ダイアフラムの割れや加工精度の悪化、さらに加工に時間がかかるといったことが懸念される。
さらに保護膜を形成した場合、電極部を露出させるための保護膜の開口と、ダイアフラムの貫通孔形成と２段階のプロセスが必要となる。また、ドライエッチング等で貫通孔形成を行った場合、貫通孔形成後にエッチング因子であるプラズマがダイアフラム裏面や基板にダメージを与えるといった問題が発生する。
【特許文献１】特開昭６３−２３６９２３号公報
【特許文献２】ＵＳ６，２５３，６０５Ｂ１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、流体の浸入による腐食や、流体の圧力による損傷を防止して、計測できる流体、流量の範囲を広げた半導体センサを提供することを第一の目的とする。
また、本発明は、流体の浸入による腐食や、流体の圧力による損傷を防止して、計測できる流体、流量の範囲を広げた半導体センサを、簡単なプロセスで、ダイヤフラムや基板へダメージを与えることなく、加工精度良く製造できる製造方法を提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に記載の半導体センサは、半導体基板と、該半導体基板に配された感圧部と、前記感圧部の少なくとも一部に配された貫通孔と、前記感圧部の両面にそれぞれ配された第一保護層及び第二保護層と、前記貫通孔の内側面に配された第三保護層と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の半導体センサは、請求項１において前記第一乃至第三保護層は、連続体であることを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の半導体センサは、請求項１において、前記第三保護層は、少なくとも、その表面が、前記貫通孔を通過する流体との親和性の高い性質を有することを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の半導体センサは、請求項１において、前記第三保護層は、少なくとも、その表面が、前記貫通孔を通過する流体との親和性の低い性質を有することを特徴とする。
本発明の請求項５に記載の半導体センサの製造方法は、半導体基板に感圧部を形成する工程と、前記半導体基板に電極部を形成する工程と、前記感圧部の両面に、それぞれ第一保護層及び第二保護層を形成する工程と、前記感圧部の少なくとも一部に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内側面に第三保護層を形成する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
本発明の請求項６に記載の半導体センサの製造方法は、半導体基板に感圧部を形成する工程と、前記半導体基板に電極部を形成する工程と、前記感圧部の少なくとも一部に貫通孔を形成する工程と、前記感圧部の両面にそれぞれ配する第一保護層と第二保護層、及び、前記貫通孔の内側面に第三保護層を、同一の物質を用いて形成する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の請求項７に記載の半導体センサの製造方法は、請求項５又は６において、前記第二保護層の一部を除去し、前記電極部を露出する工程を、さらに備えたことを特徴とする。
本発明の請求項８に記載の半導体センサの製造方法は、請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、前記貫通孔を形成する工程は、異方性ドライエッチング法を用いることを特徴とする。
本発明の請求項９に記載の半導体センサの製造方法は、請求項８において、前記貫通孔を形成する工程と、前記電極部を露出する工程とを、同一プロセスで行うことを特徴とする。
本発明の請求項１０に記載の半導体センサの製造方法は、請求項５乃至請求項９のいずれか一項において、前記半導体基板の前記第一保護層が配された側に、第四保護層を形成する工程を、さらに備えたことを特徴とする。
本発明の請求項１１に記載の半導体センサの製造方法は、請求項５乃至請求項９のいずれか一項において、前記半導体基板の前記第一保護層が配された側に、保護基板を貼り合わせる工程を、さらに備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明（請求項１）では、第一乃至第三の保護層を備えることで、流体による腐食や、流体の圧力による損傷を防止することができる。これにより、計測する流体、流量の範囲を広げた半導体センサを提供することができる。
本発明（請求項５）によれば、第一乃至第三保護層を形成することで、回路やダイアフラムが流体によって腐食されたり、流体の圧力によって損傷されるのを防止して、計測できる流体、流量の範囲を広げることが可能な、第一の半導体センサの製造方法を提供することができる。
また、本発明（請求項６）によれば、第一乃至第三保護層を、同一の物質を用いて形成することで、第一乃至第三保護層を連続体として形成することができ、上記効果をより確実なものとすることができる第二の半導体センサの製造方法が得られる。
何れの製造方法においても、第一乃至第三保護層を形成するという、極めて簡単なプロセスを備えるだけで前記効果が達成される利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係る半導体センサの一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１２】
図１は、本発明に係る半導体センサ１の一例を示す断面図である。
図１に例示した半導体センサ１は、ピエゾ抵抗型フローセンサであり、上流側流路１１と、圧力センサ１０と、下側側流路１２と、から構成される場合である。なお、以下では、図１の構成例について詳細に説明するが、前述した本発明の作用・効果は、流路の上下を逆転させた構成例（すなわち、図１において右側から左側へ進む方向の流れをもち（Ｐ０とＰ１の矢印が逆向き）、１２が上流側流路、１１が下流側流路をそれぞれなす構成例）においても有効である。
圧力センサ１０は、例えばシリコン基板等からなる半導体基板２と、半導体基板２に配された感圧部３（ダイアフラムとも言う。）と、感圧部３の少なくとも一部に配された貫通孔４と、感圧部３の表面に配された４つのｐ型抵抗体（ピエゾ抵抗素子）Ｒ１〜Ｒ４（図ではＲ１，Ｒ２の２つのみ記載）とから構成されている。
【００１３】
そして本発明の半導体センサ１は、前記感圧部３の両面にそれぞれ配された第一保護層６及び第二保護層７と、前記貫通孔４の内側面に配された第三保護層８と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
第一乃至第三保護層６〜８を形成することにより、アルミ配線等からなる回路（図示略）や感圧部３が流体Ｆによって腐食されたり、流体Ｆの圧力によって損傷されるのを防止することができる。これにより、半導体センサ１において計測できる流体、流量の範囲を広げることができる。また、流体Ｆが水等の導電性の物質であった場合、回路面や感圧部３との接触による短絡やリーク電流を防ぐことが可能である。
【００１４】
前記第一乃至第三保護層６〜８は、例えば、シリコン酸化物等の絶縁体からなり、その厚さは、特に限定されるものではないが、例えば０．１〜１．０μｍとすることが好ましい。なお、第二保護層７には開口部７ａが形成されており、該開口部７ａから電極部５が露出している。
また、前記第一乃至第三保護層６〜８は、連続体であることが好ましい。ここで、「連続体」とは、つなぎ目（界面）が無いことをいう。第一乃至第三保護層６〜８を連続体とすることで、第一乃至第三保護層６〜８の界面からの流体Ｆの侵入、及びそれに起因する回路や感圧部３の腐食、短絡やリーク電流の発生をより確実に防止することができる。
【００１５】
また、前記第三保護層８は、少なくとも、その表面が、前記貫通孔４を通過する流体Ｆとの親和性の高い性質を有することが好ましい。
第三保護層８を、流体Ｆと親和性の高い性質を有するものとすることで、流体Ｆが貫通孔４を通過する際の摩擦を低減し、流体Ｆを流れやすくすることが可能となる。例えば流体Ｆが水やメタノールなどの極性の高い物質である場合、第三保護層８を、シリコン酸化膜などの極性の高い物質から構成する。このような構造をとることにより、流体Ｆの貫通孔４通過時の抵抗を減少させ、流体Ｆの流量を増加することが可能となる。
【００１６】
また、前記第三保護層８は、少なくとも、その表面が、前記貫通孔４を通過する流体Ｆとの親和性の低い性質を有するものであってもよい。
第三保護層８を、流体Ｆと親和性の低い性質を有するものとすることで、流体Ｆが貫通孔４を通過する際の摩擦を増加し、流体Ｆを流れにくくすることが可能となる。例えば流体Ｆが有機溶媒などの極性の低い物質である場合、第三保護層８を、シリコン酸化膜などの極性の高い物質から構成する。このような構造をとることにより、流体Ｆの流量が微量であっても貫通孔４を通過する際の抵抗が大きいため、上流側と下流側の圧力差が大きくなり、検出が可能となる。すなわち、半導体センサ１の感度が増加する。
【００１７】
感圧部３は、略円板状のｎ型シリコン単結晶によって構成され、その中央部がエッチング等の手法により取り除かれ、厚さが非常に薄くなった薄肉部が形成されており、薄肉部の中心部に、流体Ｆが通過する貫通孔４が形成されている。
【００１８】
ｐ型抵抗体（ピエゾ抵抗素子）Ｒ１〜Ｒ４は、感圧部３の圧力変動を検出する検出回路（ストレンゲージ）を構成するものであり、いわゆるホイットストーンブリッジ回路を構成するよう互いが接続されている。また、各抵抗体は、例えばシリコン基板中にボロンなどの拡散源を注入することによって形成することができる。
【００１９】
また、半導体基板２には、配線部（図示せず）が設けられている。この配線部は、例えばシリコン基板中にボロン（ｐ型抵抗体よりも高濃度のもの）などの拡散源を注入することによって形成することができる。そして、この配線部の一端部は、ｐ型抵抗体Ｒ１〜Ｒ４と電気的に接続され、他端部は、半導体基板２上に例えばアルミニウムなどによって形成された電極パッド５と電気的に接続されている。
【００２０】
以上のような構造を有する半導体圧力センサ１では、流体Ｆが図１に矢印で示すように上流側流路１１から下側側流路１２へ向って流れると、感圧部３に形成された貫通孔４がオリフィスとして機能し、上流側の圧力Ｐ０と、下流側の圧力Ｐ１との間に、貫通孔４の内径等の条件に応じた圧力差（Ｐ０−Ｐ１）が生じる。
この上流側と下流側との圧力差によって感圧部３が撓む（変形する）と、各ｐ型抵抗体Ｒ１〜Ｒ４に応力が発生する。このとき、感圧部３の変形量に応じて各ｐ型抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値が変化するため、この抵抗値の変化を電気信号として取り出すことによって、圧力差（Ｐ０−Ｐ１）を検出することができる。この圧力差は、流量と一定の関係があるので、この圧力差から流体Ｆの流量が求められる。
【００２１】
次に、このような半導体センサ１の製造方法について説明する。
本発明の半導体センサ１の製造方法（第一実施形態）は、半導体基板２に感圧部３を形成する工程と、半導体基板２に電極部５を形成する工程と、感圧部３の両面に、それぞれ第一保護層６及び第二保護層７を形成する工程と、感圧部３の少なくとも一部に貫通孔４を形成する工程と、貫通孔４の内側面に第三保護層８を形成する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
第一乃至第三保護層６〜８を形成することで、回路や感圧部３が流体Ｆによって腐食されたり、流体Ｆの圧力によって損傷されるのを防止して、計測できる流体、流量の範囲を広げた半導体センサ１を製造することができる。この製造方法において、第一乃至第三保護層を形成するという、極めて簡単なプロセスを備えるだけで前記効果が達成される。
【００２２】
図２及び３は、本発明に係る半導体センサ１の製造方法（第一実施形態）を、工程順に示す模式的な断面図である。
まず、シリコン基板からなる半導体基板２を用意し、その一面側に、マスクをパターン形成するとともに、熱拡散法を用いて半導体基板２内にボロンを選択的に導入することにより、図２（ａ）に示すように、半導体基板２の表面にｐ型抵抗体Ｒ１〜Ｒ４（図ではＲ１，Ｒ２  の２つのみ記載）を形成する。
【００２３】
また、反応性ガスを用いたイオンエッチング法（ＲＩＥ法）や（ＣＦ４−Ｏ２）ガスを用いたプラズマエッチング法などのいわゆるドライエッチング法、あるいはＫＯＨなどのエッチング液を用いたウェットエッチング法により、半導体基板２の一部を薄く加工することにより、図２（ｂ）に示すように、圧力を検知するための感圧部３を形成する。
さらに、半導体基板２の一面側にアルミニウム等により電極部５を形成する。
【００２４】
次に、図２（ｃ）に示すように、感圧部３を含む半導体基板２の両面に、ＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜からなる第一保護層６及び第二保護層７を形成する。
【００２５】
次に、フォトリソグラフィー法を用いて半導体基板２の一面側からエッチングすることにより、感圧部３の少なくとも一部に貫通孔４を形成する。
具体的には、以下のようなプロセスにより、貫通孔４の形成及び電極部５の露出を行う。
【００２６】
まず、図２（ｄ）に示すように、第二保護層７上にドライエッチング用のマスク２０をパターン形成する。このマスク２０には、貫通孔３及び電極部５に対応する部分に開口部２０ａが配されている。
マスク２０はドライエッチング用の保護マスクであり、例えばレジスト等を使用することができる。また、マスク２０のパターニングを行う際は、第二保護層７を侵食しない方法を選択しなければならない。
【００２７】
次に、図２（ｅ）に示すように、半導体基板２の前記第一保護層６が配された側に、第四保護層９を形成する。なお、この工程はマスク形成前であってもよい。
後述するように、ドライエッチングにより貫通孔４を形成する場合、貫通孔形成後にエッチング因子であるプラズマが感圧部３の裏面や半導体基板２にダメージを与えるといった問題が発生する。そこで、半導体基板２の裏面に第四保護層９を形成することにより、エッチング因子による感圧部裏面へのダメージを防ぐことが可能となる。この第四保護層９には例えばシリコン酸化膜を用いると、加工終了後に除去する必要がなくなる。この場合、第四保護層９は第二保護層７を兼ねるものであってもよい。
【００２８】
なお、第四保護層９を形成する代わりに、図３（ｃ）に示すように、半導体基板２の第一保護層６が配された側に、保護基板１３を貼り合わせてもよい。保護基板１３を貼り合わせることにより、エッチング因子による半導体基板２ヘのダメージを防ぐことが可能である。
【００２９】
次に、図２（ｆ）に示すように、ドライエッチングを行い、感圧部３に貫通孔４を形成する。また、第二保護層７の一部を除去し、電極部５を露出する。ドライエッチングとしては、異方性ドライエッチング法を用いることが好ましい。第二保護層７がシリコン酸化膜からなる場合、ドライエッチングにはＳＦＸ系のガス等が利用できる。
【００３０】
また、貫通孔４を形成する際に異方性ドライエッチングを用いることにより、貫通孔４を感圧部３表面に対し垂直に形成することが可能である。この場合、エッチングガスとしてＳＦＸ＋ＣＦ４系のガスを利用することができる。
【００３１】
なお、前記貫通孔３を形成する工程と、前記電極部５を露出する工程とを、同一プロセスで行うことが好ましい。ドライエッチングプロセスを用いることにより、電極部５の露出と貫通孔４の形成を同一プロセスで行うことができ、工程を簡略化することができる。
感圧部３はシリコンからなっており、上記ドライエッチング工程と同様にＳＦＸ系のガスでエッチングできる。よって、第二保護層７及び感圧部３のエッチングを同一プロセスで行うことができる。また、電極部５上の第二保護層７をエッチングした後は、電極部５をなすアルミニウム等の金属がエッチングのマスクとなるため、感圧部３のエッチングを行っている際も、電極部５がエッチングされることを防ぐことができる。
【００３２】
最後に、図３（ａ）に示すように、マスク２０及び第四保護層９を除去する（場合によっては第四保護層９は除去しなくても構わない）。これにより感圧部３に貫通孔４が形成されるとともに、第二保護層７に開口部７ａが形成され、該開口部７ａから電極部５が露出される。
【００３３】
次に、図３（ｂ）に示すように、前記貫通孔４の内側面に、ＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜からなる第三保護層８を形成する。
これにより、半導体センサ１が備える圧力センサ１０が製造される。
【００３４】
図４は、本発明に係る半導体センサ１の他の製造方法（第二実施形態）を、工程順に示す模式的な断面図である。
この半導体センサ１の製造方法（第二実施形態）は、半導体基板２に感圧部を形成する工程［図４（ａ），（ｂ）参照］と、前記半導体基板に電極部を形成する工程と、前記感圧部の少なくとも一部に貫通孔４を形成する工程［図４（ｃ）参照］と、前記感圧部の両面にそれぞれ配する第一保護層６と第二保護層７、及び、前記貫通孔４の内側面に第三保護層８を、同一の物質を用いて形成する工程［図４（ｄ）参照］と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【００３５】
特に、第一乃至第三保護層６〜８を、同一の物質を用いて一度に形成することで、第一乃至第三保護層６〜８を連続体として形成することができる。これにより、回路や感圧部３が流体Ｆによって腐食されたり、流体Ｆの圧力によって損傷されるのをより確実に防止できる半導体センサ１を製造することができる。この製造方法において、第一乃至第三保護層を形成するという、極めて簡単なプロセスを備えるだけで前記効果が達成される。
【００３６】
第一乃至第三保護層６〜８は、例えば貫通孔４の形成後にＣＶＤにより成膜可能である。また、目的の貫通孔４の孔径をＲ、感圧部３の厚さをＴとした場合、第一及び第二保護層６、７形成前の感圧部３の厚さをＴｏ、第三保護層８形成前の感圧部３の孔径をＲｏ  、感圧部３上の第一保護層６の厚さをＰ１、回路面上の第二保護層７の厚さをＰ２、貫通孔４側面の第三保護層８の厚さをＰ３としたとき、Ｔ及びＲが、Ｔ=Ｔｏ+Ｐ１+Ｐ２  、Ｒ=Ｒｏ−２Ｐ３を満たすように成膜することにより、目的の貫通孔形状が得られる。
【００３７】
以上、本発明の半導体センサ及びその製造方法について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
例えば、ストレンゲージとして機能するｐ型抵抗体の配置及び数に関しては、種々の変形例が考えられ、要は、感圧部の圧力歪を検出できれば、その配置や数はいかなるものでも構わない。
さらに、上述した実施形態においては、感圧部に１個の貫通孔を形成した場合を例にして述べたが、この貫通孔を複数個、形成しても構わず、また、感圧部の形状も略円板状に限らず、蛇腹状や同心波板状など程々の変形例が考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は、半導体センサ及びその製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明に係る半導体センサの一例を示す図。
【図２】本発明に係る半導体センサの製造方法（第一実施形態）を工程順に示す図。
【図３】図２に続く、各工程を順に示す図。
【図４】本発明に係る半導体センサの製造方法（第二実施形態）を工程順に示す図。
【図５】従来の半導体装置の一例を示す図。
【図６】従来の半導体装置の他の一例を示す図。
【符号の説明】
【００４０】
１  半導体センサ、１０  圧力センサ、１１  上流側流路、１２  下側側流路、２  半導体基板、３  感圧部、４  貫通孔、５  電極パッド、６  第一保護層、７  第二保護層、８  第三保護層、Ｒ１〜Ｒ４  ｐ型抵抗体。
【図１】
2008209385.tif 000003
【図２】
2008209385.tif 000004
【図３】
2008209385.tif 000005
【図４】
2008209385.tif 000006
【図５】
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【図６】
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