(57)【要約】【課題】スループットを低下させることなく基板表面の周縁部から不要物を良好にエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供する。【解決手段】スピンベース１５から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持する。基板Ｗの上方に対向部材５が対向位置に配置された状態で、複数のガス吐出口５０２およびガス供給路５７から基板表面Ｗｆと対向部材５の下面５０１との間の空間ＳＰに窒素ガスが供給され、基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に押圧される。第１ノズル３を供給位置Ｐ３１に位置決めして第１ノズル３から薬液を回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給するとともに、第２ノズル４を供給位置Ｐ４１に位置決めして第２ノズル４から薬液を基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給する。基板Ｗの表面周縁部ＴＲの複数箇所に薬液が供給されるため、薄膜のエッチング除去に要する時間が短縮される。【選択図】図１
2008080288.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、
前記回転部材に上方に向けて突設され、基板の裏面に当接して基板を前記回転部材から離間させて支持する少なくとも３個以上の支持部材と、
前記支持部材に支持された基板の上面に対向する対向面を有し、前記対向面に設けられたガス吐出口から前記対向面と基板の上面との間に形成される空間にガスを供給することによって基板を前記支持部材に押圧させる対向部材と、
前記支持部材に支持された基板の上面周縁部の第１供給位置に処理液を供給し、基板の上面周縁部を洗浄する第１ノズルと、
前記第１供給位置とは異なる位置であって、前記支持部材に支持された基板の上面周縁部の第２供給位置に前記第１ノズルから供給される処理液と同一種類の処理液を供給して基板の上面周縁部を洗浄する少なくとも１本以上の第２ノズルと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１および第２供給位置の基板の周端面からの径方向の距離が同一であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１および第２供給位置の基板の周端面からの径方向の距離が互いに異なることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、前記回転部材に上方に向けて突設され、基板の裏面に当接して基板を前記回転部材から離間させて支持する少なくとも３個以上の支持部材と、前記支持部材に支持された基板の上面に対向する対向面を有し、前記対向面に設けられたガス吐出口から前記対向面と基板の上面との間に形成される空間にガスを供給することによって基板を前記支持部材に押圧させる対向部材と、を備えた基板処理装置における基板処理方法であって、
前記支持部材に支持された基板の上面周縁部の第１供給位置に向けて第１ノズルから処理液を供給し、基板の上面周縁部に存在する不要物をエッチングして基板の上面周縁部から除去する第１エッチング工程と、
前記第１供給位置とは異なる位置であって、前記支持部材に支持された基板の上面周縁部の第２供給位置に向けて前記第１ノズルから供給される処理液と同一種類の処理液を少なくとも１本以上の第２ノズルから供給し、基板の上面周縁部に存在する不要物をエッチングして基板の上面周縁部から除去する第２エッチング工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に薬液やリンス液などの処理液を供給して基板に所定の処理を行う基板処理装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ等の基板に対して一連の処理を施す製造プロセスにおいては、基板の表面に各種薄膜を形成するために成膜工程が実行される。この成膜工程では基板の裏面あるいは基板表面の周縁部にも成膜されることがある。しかしながら、一般的には基板において成膜が必要なのは基板表面の中央部の回路形成領域のみであり、基板の裏面あるいは基板表面の周縁部に成膜されてしまうと、次のような問題が起こることがある。すなわち、成膜工程の後工程において、基板表面の周縁部に形成された薄膜が他の装置との接触により剥がれたりすることがある。そして、剥がれた薄膜が基板表面の中央部の回路形成領域や基板処理装置に付着することが原因となって製造品の歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラブルを引き起こすことがある。
【０００３】
そこで、基板の裏面および基板表面の周縁部に形成された薄膜を除去するために、例えば特許文献１に記載された装置が提案されている。この装置では、スピンベースから上方に突出して設けられ、基板の下面周縁部に当接しつつ基板を支持する支持部に対し、表面に薄膜が形成された基板が上方に向けて水平に保持される。そして、基板の上面に配置された雰囲気遮断板から基板の上面に向けて雰囲気遮断板と基板の上面との間に形成される空間に不活性ガスを供給することにより、基板を支持部に押圧させて基板をスピンベースに保持させた状態で基板を回転させる。そして、雰囲気遮断板の周縁部に設けられた貫通孔にノズルを挿入して、そのノズルから回転している基板の上面周縁部に向けて処理液として薬液を供給する。これにより、基板の上面周縁部に付着している不要物がエッチング除去される。また、回転している基板の裏面に対して処理液として薬液を供給する。これにより、薬液が基板裏面全体に広がって基板裏面の不要物がエッチング除去される。このようにして、基板裏面および基板表面の周縁部のみにおいて薄膜がエッチング除去される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−４１４４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような構成の装置においては、基板上面と雰囲気遮断板との間には不活性ガスが供給されているため、基板の上面周縁部に供給された薬液は不活性ガスによってその温度が低下しやすく、また、基板にかかる遠心力によって基板表面からすぐに排出される。したがって、同じ薬液を基板の裏面および基板の上面周縁部に供給した際、基板の裏面のエッチングレートに比べ、基板の上面周縁部のエッチングレートが低くなる。その結果、基板の上面周縁部の不要物のエッチング除去には長い処理時間を要していた。
【０００６】
また、エッチング除去対象とされる薄膜の中には、薬液に対して難溶性を示す種類の薄膜がある。例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）、シリコン酸化膜よりも比誘電率が高い絶縁膜（Ｈｉｇｈ―ｋ膜）は、薬液に対して難溶性を示すため、高いエッチングレートを実現することが難しい。したがって、上記の装置において、特にＳｉＮ膜やＨｉｇｈ―ｋ膜というような、薬液に対して難溶性を示す種類の薄膜をエッチングする場合には、基板の上面周縁部のエッチング除去により長い処理時間を要していた。
【０００７】
また、ポリシリコン膜（ｐｏｌｉ―Ｓｉ膜）、銅膜（Ｃｕ膜）の場合には、薬液が吐出される部位のエッチングレートに比べ、それ以外の薬液が接液する部位のエッチングレートが低くなるという問題があり、特に基板の端面から内側に向かってエッチング除去される幅（以下「周縁エッチング幅」という）が広い場合には、薄膜の一部がエッチングされずに残る恐れがあった。
【０００８】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、スループットを低下させることなく基板表面の周縁部を良好に洗浄することができる基板処理装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、回転部材に上方に向けて突設され、基板の裏面に当接して基板を回転部材から離間させて支持する少なくとも３個以上の支持部材と、支持部材に支持された基板の上面に対向する対向面を有し、対向面に設けられたガス吐出口から対向面と基板の上面との間に形成される空間にガスを供給することによって基板を支持部材に押圧させる対向部材と、支持部材に支持された基板の上面周縁部の第１供給位置に処理液を供給し、基板の上面周縁部を洗浄する第１ノズルと、第１供給位置とは異なる位置であって、支持部材に支持された基板の上面周縁部の第２供給位置に第１ノズルから供給される処理液と同一種類の処理液を供給して基板の上面周縁部を洗浄する少なくとも１本以上の第２ノズルと、を備えることを特徴とする基板処理装置である。
【００１０】
この構成によれば、回転部材に設けられた支持部材に基板が支持される。支持部材に支持された基板の上方には対向部材が配置され、対向部材の基板の上面に対向する対向面に設けられたガス吐出口から対向面と基板の上面との間に形成される空間にガスが供給され、基板は支持部材に押圧される。そして、支持部材に支持された基板の上面周縁部の第１供給位置に対し、第１ノズルから処理液が供給される。また、第１供給位置とは異なる位置であって、支持部材に支持された基板の上面周縁部の第２供給位置に対し、第１ノズルから供給される処理液と同一種類の処理液が少なくとも１本以上の第２ノズルから供給される。これにより、基板の上面周縁部において複数箇所に処理液が供給されることによって基板の上面周縁部が洗浄される。
【００１１】
このように、対向面と基板の上面との間に形成される空間にガスが供給されることにより、基板の上面周縁部の１箇所に処理液が供給されるだけでは基板の上面周縁部が良好に洗浄されない場合であっても、基板の上面周縁部の複数箇所に処理液が供給されることにより、短時間で洗浄される。したがって、装置のスループットを低下させることなく基板表面の周縁部を良好に洗浄することができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、第１および第２供給位置の基板の周端面からの径方向の距離が同一であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
【００１３】
この構成によれば、基板の周端面からの径方向の距離が同一である第１および第２供給位置に向けて第１および第２ノズルから同一種類の処理液が供給される。このように、処理液が基板の上面周縁部の複数箇所に供給されることによって、基板の上面周縁部を短時間で洗浄することができる。したがって、長い洗浄時間を要する上面周縁部を洗浄する場合であっても、短時間で洗浄することができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、第１および第２供給位置の基板の周端面からの径方向の距離が互いに異なることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
【００１５】
この構成によれば、基板の周端面からの径方向の距離が互いに異なる第１および第２供給位置に向けて第１および第２ノズルから同一種類の処理液が供給される。このように、基板の周端面からの径方向の距離が異なる位置に処理液が供給されることによって、処理液が吐出される位置の洗浄効率に比べ、それ以外の処理液が接液する位置の洗浄効率が低くなる場合であっても、上面周縁部の洗浄される対象部分において洗浄が不十分な箇所が発生することなく、良好に洗浄される。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、鉛直軸回りに回転自在に設けられた回転部材と、前記回転部材に上方に向けて突設され、基板の裏面に当接して基板を前記回転部材から離間させて支持する少なくとも３個以上の支持部材と、前記支持部材に支持された基板の上面に対向する対向面を有し、前記対向面に設けられたガス吐出口から前記対向面と基板の上面との間に形成される空間にガスを供給することによって基板を前記支持部材に押圧させる対向部材と、を備えた基板処理装置における基板処理方法であって、支持部材に支持された基板の上面周縁部の第１供給位置に向けて第１ノズルから処理液を供給し、基板の上面周縁部に存在する不要物をエッチングして基板の上面周縁部から除去する第１エッチング工程と、第１供給位置とは異なる位置であって、支持部材に支持された基板の上面周縁部の第２供給位置に向けて第１ノズルから供給される処理液と同一種類の処理液を少なくとも１本以上の第２ノズルから供給し、基板の上面周縁部に存在する不要物をエッチングして基板の上面周縁部から除去する第２エッチング工程と、を備えることを特徴とする基板処理方法である。
【００１７】
この方法により、請求項１記載の発明と同様な効果を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜第１実施形態＞
図１はこの発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。また、図２は図１の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の略円形基板Ｗの表面Ｗｆの周縁部を洗浄する装置、具体的には基板Ｗの表面Ｗｆの周縁部に存在する薄膜（不要物）または該周縁部および基板裏面Ｗｂに存在する薄膜をエッチング除去する装置である。処理対象となっている基板Ｗには、ＳｉＮ膜又はＨｉｇｈ―ｋ膜等の薬液に対して難溶性を示す薄膜が基板表面Ｗｆまたは表裏面Ｗｆ，Ｗｂに形成されている。そこで、基板表面Ｗｆのみに薄膜が形成されている場合には、基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲ（処理領域）に薬液および純水やＤＩＷなどのリンス液（以下、薬液およびリンス液を総称して「処理液」という）を供給して周縁部ＴＲから薄膜をエッチング除去するとともに、基板裏面Ｗｂに処理液を供給して裏面Ｗｂを洗浄する。また、基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂに薄膜が形成されている場合には、表面周縁部ＴＲおよび裏面Ｗｂに処理液を供給して表面周縁部ＴＲおよび裏面Ｗｂから薄膜をエッチング除去する。なお、この実施形態では、基板表面Ｗｆとはデバイスパターンが形成されるデバイス形成面をいう。
【００１９】
この基板処理装置は、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック１と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）の中央部に向けて処理液を供給する下面処理ノズル２と、基板表面側からスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面周縁部ＴＲに薬液を供給する第１ノズル３と、基板表面側からスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面周縁部ＴＲに薬液を供給する第２ノズル４と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向配置された対向部材５とを備えている。
【００２０】
スピンチャック１は中空の回転支軸１１がモータを含むチャック回転機構１３の回転軸に連結されており、チャック回転機構１３の駆動により回転中心Ａ０を中心に回転可能となっている。この回転支軸１１の上端部にはスピンベース１５が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット８からの動作指令に応じてチャック回転機構１３を駆動させることによりスピンベース１５が回転中心Ａ０を中心に回転する。このように、この実施形態では、スピンベース１５が本発明の「回転部材」として機能する。
【００２１】
中空の回転支軸１１には処理液供給管２１が挿通されており、その上端に下面処理ノズル２が結合されている。処理液供給管２１は薬液供給ユニット１６およびＤＩＷ供給ユニット１７と接続されており、薬液またはリンス液としてＤＩＷが選択的に供給される。また、回転支軸１１の内壁面と処理液供給管２１の外壁面の隙間は、環状のガス供給路２３を形成している。このガス供給路２３はガス供給ユニット１８と接続されており、基板裏面Ｗｂと該基板裏面Ｗｂに対向するスピンベース１５の上面とに挟まれた空間に窒素ガスを供給できる。なお、この実施形態では、ガス供給ユニット１８から窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを吐出するように構成してもよい。
【００２２】
図３はスピンベース１５を上方から見た平面図である。スピンベース１５の中心部には開口が設けられている。また、スピンベース１５の周縁部付近には複数個（この実施形態では１２個）の第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２と、複数個（この実施形態では１２個）の第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２が本発明の「支持部材」として、鉛直方向に昇降自在に設けられている。第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２は回転中心Ａ０を中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１５から上方に向けて突設されているとともに、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２が円周方向に沿って各第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２の間に位置するように、回転中心Ａ０を中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１５から上方に向けて突設されている。つまり、第１および第２支持ピンからなる一対の支持ピンが円周方向に沿って回転中心Ａ０を中心として放射状に１２対、スピンベース１５の周縁部に上方に向けて設けられている。
【００２３】
第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２および第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２の各々は基板裏面Ｗｂと当接することによって、スピンベース１５から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持可能となっている。これらのうち、周方向に沿って１つ置きに配置された１２個の第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２は第１支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板裏面Ｗｂから離間してその支持を解除するように動作する。一方で、残る１２個の第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２は第２支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板裏面Ｗｂから離間してその支持を解除するように動作する。なお、基板Ｗを水平に支持するためには、各支持ピン群が有する支持ピンの個数は少なくとも３個以上であればよいが、各支持ピン群が有する支持ピンの個数を１２個とすることで安定して基板Ｗを支持できる。
【００２４】
図４は支持ピンの構成を示す部分拡大図である。なお、支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２の各々はいずれも同一構成を有しているため、ここでは１つの支持ピンＦ１の構成についてのみ図面を参照しつつ説明する。支持ピンＦ１は、基板Ｗの下面に離当接可能な当接部６１と、当接部６１を昇降可能に支持する可動ロッド６２と、この可動ロッド６２を昇降させるモータ等を含む昇降駆動部６３と、可動ロッド６２を取り囲むように設けられ可動ロッド６２と昇降駆動部６３とを外部雰囲気から遮断するベローズ６４とを有している。ベローズ６４は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）より形成され、薬液等により基板Ｗを処理する際に、ステンレス鋼（ＳＵＳ）またはアルミニウム等から形成される可動ロッド６２を保護する。また、当接部６１は耐薬性を考慮して、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）で形成されるのが好ましい。ベローズ６４の上端部は当接部６１の下面側に固着される一方、ベローズ６４の下端部はスピンベース１５の上面側に固着されている。
【００２５】
上記した構成を有する支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２では、昇降駆動部６３が制御ユニット８からの駆動信号に基づき図示省略する駆動連結部を介して可動ロッド６２を１〜数ｍｍのストロークで駆動させることにより、次のように基板Ｗを支持する。すなわち、昇降駆動部６３を駆動させない状態では、所定の高さ位置（基板処理位置）で基板Ｗを支持するように支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２の各々はコイルばね等の付勢手段（図示せず）によって上向きに付勢されており、基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群と、支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群との両方の支持ピン群により支持される。一方で、支持ピンＳ１〜Ｓ１２を付勢力に抗して下降駆動させると、支持ピンＳ１〜Ｓ１２の当接部６１は基板裏面Ｗｂから離間して基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群のみにより支持される。また、支持ピンＦ１〜Ｆ１２を付勢力に抗して下降駆動させると、支持ピンＦ１〜Ｆ１２の当接部６１は基板裏面Ｗｂから離間して基板Ｗは支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群のみにより支持される。
【００２６】
図１に戻って説明を続ける。スピンチャック１の上方には、支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に支持された基板Ｗに対向する円盤状の対向部材５が水平に配設されている。対向部材５はスピンチャック１の回転支軸１１と同軸上に配置された回転支軸５１の下端部に一体回転可能に取り付けられている。この回転支軸５１には対向部材回転機構５３が連結されており、制御ユニット８からの動作指令に応じて対向部材回転機構５３のモータを駆動させることで対向部材５を回転中心Ａ０を中心に回転させる。制御ユニット８は対向部材回転機構５３をチャック回転機構１３と同期するように制御することで、スピンチャック１と同じ回転方向および同じ回転速度で対向部材５を回転駆動できる。
【００２７】
また、対向部材５は対向部材昇降機構５５と接続され、対向部材昇降機構５５の昇降駆動用アクチュエータ（例えばエアシリンダーなど）を作動させることで、対向部材５をスピンベース１５に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。具体的には、制御ユニット８は対向部材昇降機構５５を駆動させることで、基板処理装置に対して基板Ｗが搬入出される際には、スピンチャック１から上方に十分に離れた離間位置に対向部材５を上昇させる。その一方で、基板Ｗに対してエッチング処理などの所定の処理を施す際には、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆのごく近傍に設定された対向位置まで対向部材５を下降させる。これにより、対向部材５の下面５０１（本発明の対向面に相当する）と基板表面Ｗｆとが近接した状態で対向配置される。
【００２８】
対向部材５の中心の開口および回転支軸５１の中空部は、ガス供給路５７を形成している。ガス供給路５７はガス供給ユニット１８と接続されており、基板表面Ｗｆと対向部材５の下面５０１とに挟まれた空間ＳＰに窒素ガスを供給可能となっている。
【００２９】
図５は対向部材５の底面図である。対向部材５の下面５０１の平面サイズは基板Ｗの直径と同等以上の大きさに形成されている。このため、対向部材５が対向位置に配置されると基板表面全体を覆って基板表面Ｗｆ上の雰囲気を外部雰囲気から遮断可能となっている。また、対向部材５の周縁部には対向部材５を上下方向（鉛直軸方向）に貫通する、略円筒状の内部空間を有するノズル挿入孔５Ａ，５Ｂが形成されており、第１および第２ノズル３，４を個別に挿入可能となっている。ノズル挿入孔５Ａとノズル挿入孔５Ｂは回転中心Ａ０に対して対称位置に同一形状に形成されている。一方で、第１ノズル３と第２ノズル４は同一のノズル外径を有している。このため、両ノズル３，４をそれぞれノズル挿入孔５Ａ，５Ｂのいずれにも挿入可能となっている。
【００３０】
また、対向部材５の下面５０１には複数のガス吐出口５０２が形成されている。複数のガス吐出口５０２はスピンチャック１に保持される基板Ｗの表面中央部、つまり表面周縁部ＴＲより径方向内側の非処理領域ＮＴＲに対向する位置に、回転中心Ａ０を中心とする円周に沿って等角度間隔に形成されている。これらのガス吐出口５０２は対向部材５の内部に形成されたガス流通空間５０３（図１）に連通しており、ガス流通空間５０３に窒素ガスが供給されると、複数のガス吐出口５０２を介して窒素ガスが空間ＳＰに供給される。
【００３１】
そして、対向部材５が対向位置に位置決めされた状態で、複数のガス吐出口５０２およびガス供給路５７から空間ＳＰに窒素ガスが供給されると、空間ＳＰの内部圧力を高めて基板Ｗをその裏面Ｗｂに当接する支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に押圧する。これによって、制御ユニット８の動作指令に応じてスピンベース１５が回転すると、基板裏面Ｗｂと支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２との間に発生する摩擦力によって基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に支持されながらスピンベース１５とともに回転する。なお、空間ＳＰに供給された窒素ガスは基板Ｗの径方向外側へと流れていく。
【００３２】
図１に戻って説明を続ける。第１ノズル３は薬液供給ユニット１６およびＤＩＷ供給ユニット１７と接続されており、制御ユニット８からの動作指令に応じて薬液供給ユニット１６またはＤＩＷ供給ユニット１７から薬液（本発明の「処理液」に相当）またはリンス液（本発明の「処理液」に相当）としてＤＩＷが第１ノズル３に選択的に供給される。薬液としては、薄膜（不要物）のエッチングに適した薬液、例えばフッ酸、塩酸過水（塩酸＋過酸化水素水）等が用いられる。この実施形態では、薬液に対して難溶性を示す薄膜を基板Ｗからエッチング除去するため、比較的高濃度の薬液が準備される。例えば薬液としてフッ酸を用いる場合には、フッ酸の原液あるいは比較的高濃度のフッ酸水溶液が準備される。
【００３３】
第１ノズル３は水平方向に延びるノズルアーム３１の一方端に取り付けられている。また、ノズルアーム３１の他方端は第１ノズル移動機構３３に接続されている。第１ノズル移動機構３３は第１ノズル３を水平方向に所定の回動軸回りに揺動させるとともに、第１ノズル３を昇降させることができる。このため、制御ユニット８からの動作指令に応じて第１ノズル移動機構３３が駆動されることで、第１ノズル３を対向部材５のノズル挿入孔５Ａ（または５Ｂ）に挿入して表面周縁部ＴＲに薬液またはＤＩＷを供給可能な供給位置Ｐ３１（本発明の「第１供給位置」に相当）と、基板Ｗから離れた待機位置Ｐ３２とに移動させることができる。
【００３４】
また、第２ノズル４も薬液供給ユニット１６およびＤＩＷ供給ユニット１７と接続されており、制御ユニット８からの動作指令に応じて薬液供給ユニット１６またはＤＩＷ供給ユニット１７から薬液（本発明の「処理液」に相当）またはリンス液（本発明の「処理液」に相当）としてＤＩＷが第２ノズル４に選択的に供給される。第２ノズル４は、第１ノズル３から供給される薬液と同一種類の薬液を表面周縁部ＴＲに供給する。例えば、第１ノズル３から薬液としてフッ酸が表面周縁部ＴＲに供給される場合には、第２ノズル４からも同程度の濃度のフッ酸が表面周縁部ＴＲに供給される。つまり、第１ノズル３および第２ノズル４から同一種類の薬液を供給することで、薬液に対して難溶性を示す薄膜に対してスループットを低下させることなく、基板Ｗから薄膜をエッチング除去することが可能となっている。なお、リンス液に用いられる液としては、ＤＩＷの他、炭酸水、水素水、希薄濃度（例えば１ｐｐｍ程度）のアンモニア水および希薄濃度の塩酸などであってもよい。
【００３５】
第２ノズル４を駆動する第２ノズル移動機構４３は第１ノズル移動機構３３と同様な構成を有している。すなわち、第２ノズル移動機構４３はノズルアーム４１の先端に取り付けられた第２ノズル４を水平方向に所定の回動軸回りに揺動させるとともに、第２ノズル４を昇降させることができる。このため、制御ユニット８からの動作指令に応じて第２ノズル移動機構４３が駆動されることで、第２ノズル４を対向部材５のノズル挿入孔５Ｂ（または５Ａ）に挿入して表面周縁部ＴＲに薬液またはＤＩＷを供給可能な供給位置Ｐ４１（本発明の「第２供給位置」に相当）と、基板Ｗから離れた待機位置Ｐ４２とに移動させることができる。
【００３６】
ここで、ノズル挿入孔５Ａとノズル挿入孔５Ｂは回転中心Ａ０に対して対称位置に形成されており、平面視で回転中心Ａ０から供給位置Ｐ３１に延びる方向と回転中心Ａ０から供給位置Ｐ４１に延びる方向とが形成する角度は１８０°となっている。
【００３７】
上記の構成により、制御ユニット８が薬液供給ユニット１６、ＤＩＷ供給ユニット１７を制御しながら第１および第２ノズル移動機構３３，４３を駆動させることで、供給位置Ｐ３１に位置決めした第１ノズル３から回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに薬液を供給しつつ、第２ノズル４を供給位置Ｐ４１に位置決めして基板Ｗの表面周縁部ＴＲに薬液を供給する。
【００３８】
次に、第１および第２ノズル３，４および対向部材５に設けられたノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの構成について説明する。なお、両ノズル３，４は同一に構成されている。また、両ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂは対向部材５に同一形状で、しかも回転中心Ａ０に対して対称位置に形成されている。このため、第１ノズル３およびノズル挿入孔５Ａの構成のみを図６を参照しつつ説明する。
【００３９】
図６は第１ノズル３および対向部材５に設けられたノズル挿入孔５Ａの構成を示す図である。第１ノズル３は対向部材５に設けられたノズル挿入孔５Ａの形状に合わせて略円筒状に形成され、ノズル挿入孔５Ａに挿入されることで、第１ノズル３の先端側が表面周縁部ＴＲ（図１）に対向して配置される。第１ノズル３の内部には液供給路３０１が形成されており、液供給路３０１の先端部（下端部）が第１ノズル３の吐出口３０１ａを構成している。第１ノズル３のノズル外径は必要以上にノズル挿入孔５Ａの孔径を大きくすることのないように、例えばφ５〜６ｍｍ程度に形成される。第１ノズル３は、略円筒状に形成されたノズル胴部の断面積がノズル先端側と後端側で異なるように構成されている。具体的には、ノズル先端側の胴部３０２の断面積がノズル後端側の胴部３０３の断面積より小さくなるように構成されており、ノズル先端側の胴部３０２とノズル後端側の胴部３０３との間に段差面３０４が形成されている。すなわち、ノズル先端側の胴部３０２の外周面（側面）とノズル後端側の胴部３０３の外周面（側面）は段差面３０４を介して結合されている。段差面３０４はノズル先端側の胴部３０２を取り囲むように、しかもスピンチャック１に保持された基板表面Ｗｆに略平行に形成されている。
【００４０】
ノズル挿入孔５Ａの内壁には第１ノズル３の段差面３０４と当接可能な円環状の当接面５０４が形成されている。そして、第１ノズル３がノズル挿入孔５Ａに挿入されると、段差面３０４と当接面５０４とが当接することで、第１ノズル３が供給位置Ｐ３１に位置決めされる。第１ノズル３が供給位置Ｐ３１に位置決めされた状態で、第１ノズル３の吐出口３０１ａ周囲の先端面は対向部材５の対向面５０１と面一になっている。当接面５０４は対向部材５の対向面５０１と略平行に、つまり基板表面Ｗｆと略平行に形成されており、第１ノズル３の段差面３０４と面接触するようになっている。このため、第１ノズル３を供給位置Ｐ３１に位置決めする際に、第１ノズル３が対向部材５に当接して位置固定され、第１ノズル３を安定して位置決めすることができる。
【００４１】
第１ノズル３の吐出口３０１ａは基板Ｗの径方向外側に向けて開口しており、吐出口３０１ａから薬液またはＤＩＷを表面周縁部ＴＲに吐出可能になっている。液供給路３０１はノズル後端部において薬液供給ユニット１６およびＤＩＷ供給ユニット１７に接続されており、薬液またはＤＩＷを選択的に吐出可能になっている。このため、薬液供給ユニット１６から薬液が液供給路３０１に圧送されると、第１ノズル３から薬液が基板Ｗの径方向外側に向けて吐出される。これにより、表面周縁部ＴＲに供給された薬液は基板Ｗの径方向外側に向かって流れ、基板外に排出される。したがって、薬液の供給位置よりも径方向内側の非処理領域ＮＴＲには薬液は供給されず、基板Ｗの端面から内側に向かって一定の幅（周縁エッチング幅）で薄膜がエッチング除去される。また、ＤＩＷ供給ユニット１７からＤＩＷが液供給路３０１に圧送されると、第１ノズル３からＤＩＷが基板Ｗの径方向外側に向けて吐出される。これにより、表面周縁部ＴＲに供給された薬液がＤＩＷで洗い流される。また、第２ノズル４の吐出口についても第１ノズル３と同様にして基板Ｗの径方向外側に向けて開口しており、該吐出口から表面周縁部ＴＲに薬液またはＤＩＷを吐出可能となっている。
【００４２】
図７は第１および第２ノズル３，４の外径とノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの孔径との関係を説明するための断面図である。ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの孔径は第１および第２ノズル３，４の外径よりも大きく形成されている。このため、ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの内部空間で第１および第２ノズル３，４を水平方向に互いに異なる位置に位置決めすることが可能となっている。ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの孔径としては、第１および第２ノズル３，４の外径に対して１〜２ｍｍ程度大きく形成することが好ましい。この場合、供給位置Ｐ３１と供給位置Ｐ４１は基板Ｗの周端面からの径方向の距離が０．２〜０．５ｍｍ程度異なるように設定することが可能となっている。なお、この実施形態では、第１ノズル３の供給位置Ｐ３１と第２ノズル４の供給位置Ｐ４１を基板Ｗの周端面からの径方向の距離が同一となるように設定されている。
【００４３】
また、対向部材５のノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの内壁には、ガス導入口５０５が開口されており、ガス導入口５０５からノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの内部空間に窒素ガスを供給可能となっている。ガス導入口５０５は対向部材５の内部に形成されたガス流通空間５０３を介してガス供給ユニット１８に連通している。したがって、ガス供給ユニット１８から窒素ガスが圧送されると、ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの内部空間に窒素ガスが供給される。これにより、第１および第２ノズル３，４が待機位置Ｐ３２、Ｐ４２に位置決めされた状態、つまり、第１および第２ノズル３，４がノズル挿入孔５Ａ，５Ｂに未挿入の状態では、ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの上下双方の開口から窒素ガスが噴出される。このため、ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂにノズルが未挿入の状態でも、処理液がノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの内壁に付着するのが防止される。
【００４４】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図８および図９を参照しつつ説明する。図８は図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。図９は薬液による薄膜のエッチング除去作用を説明するための平面図である。
【００４５】
この装置では、未処理の基板Ｗが装置内に搬入されると、制御ユニット８が装置各部を制御して該基板Ｗに対して一連の膜除去処理（薬液処理工程＋リンス工程＋乾燥工程）が実行される。ここで、基板表面Ｗfには薄膜ＴＦ（図７）が形成されている。つまり、基板表面Ｗfが薄膜形成面になっている。そこで、この実施形態では、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗが装置内に搬入される。なお、対向部材５は離間位置にあり、基板Ｗとの干渉を防止している。
【００４６】
未処理の基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に載置されると、離間位置にある対向部材５のガス吐出口５０２から窒素ガスを吐出させるとともに、ガス供給路５７から窒素ガスを吐出する（ステップ１）。次に、対向部材５を回転させて、ノズル挿入孔５Ａおよび５Ｂが所定位置となるように対向部材５を回転方向に関して位置決めする（ステップ２）。その後、対向部材５が対向位置まで降下され基板表面Ｗｆに近接配置される（ステップＳ３）。これによって、対向部材５の下面５０１と基板表面Ｗｆとに挟まれた空間ＳＰの内部圧力が高められ、基板Ｗはその下面（裏面Ｗｂ）に当接する支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に押圧されてスピンベース１５に保持される。また、基板表面Ｗｆは対向部材５の下面５０１に覆われて、基板周囲の外部雰囲気から確実に遮断される。なお、上記のように基板Ｗはすべての支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２で支持してもよいし、支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群のみにより支持してもよく、あるいは支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群のみにより支持してもよい。
【００４７】
次に、対向部材５を停止させた状態で基板Ｗを回転させる（ステップＳ４）。このとき、支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２に押圧された基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２と基板裏面Ｗｂとの間に発生する摩擦力でスピンベース１５に保持されながらスピンベース１５とともに回転する。続いて、第１ノズル３が待機位置Ｐ３２から供給位置Ｐ３１に位置決めされる（ステップＳ５）。具体的には、第１ノズル３を水平方向に沿って対向部材５のノズル挿入孔５Ａの上方位置に移動させる。そして、第１ノズル３を降下させてノズル挿入孔５Ａに挿入する。また、第１ノズル３が供給位置Ｐ３１へ位置決めされるのと同時に、第２ノズル４もまた待機位置Ｐ４２から供給位置Ｐ４１に位置決めされる（ステップＳ５）。
【００４８】
そして、基板Ｗの回転速度が所定速度（例えば６００ｒｐｍ）に達すると、回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに第１ノズル３および第２ノズル４から薬液を連続的に供給する。これにより、表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる基板端面部分から薄膜が全周にわたってエッチング除去される（ステップＳ６；第１および第２エッチング工程）。
【００４９】
図９に示すように第１ノズル３から薬液が微小領域ＳＲに供給されると、該微小領域ＳＲに対するエッチング処理が開始される。そして、微小領域ＳＲに付着した薬液によって、時間経過とともに該微小領域ＳＲから薄膜がエッチング除去されていく。しかしながら、微小領域ＳＲに付着した薬液は、ガス吐出口５０２およびガス供給路５７から供給される窒素ガスによって、温度が低下する。また、微小領域ＳＲに付着した薬液の一部は、基板Ｗにかかる遠心力によって徐々に振り切られるため、該微小領域ＳＲの薄膜のエッチングレートは徐々に低下していく。しかしながら、基板Ｗが回転方向Ｒに回転して微小領域ＳＲに第２ノズル４から再び薬液が供給されるため、微小領域ＳＲにおける薄膜のエッチングレートの低下が抑制される。さらに、基板Ｗが回転して一周すると、微小領域ＳＲにさらに新たな薬液が第１ノズル３から供給される。
【００５０】
このように本実施形態では、図９に示すように第１ノズル３および第２ノズル４によって微小領域ＳＲへの薬液の供給が繰り返し行われるため、微小領域ＳＲのエッチングレートが低下することなくエッチング処理が実行される。また、本実施形態では、第１ノズルおよび第２ノズル４が回転中心Ａ０に対して対称位置に配置されているため、微小領域ＳＲへの薬液の供給が一定の時間毎に定期的に行われ、効率的にエッチングレートの低下を抑制できる。こうして、所定時間の薬液処理が完了すると、薬液の供給が停止される。次に、第１ノズル３および第２ノズル４からＤＩＷが供給されて、表面周縁部ＴＲおよび基板Ｗの端面に対してリンス処理が実行される（ステップＳ７）。第１ノズル３および第２ノズル４から所定時間ＤＩＷを供給し、リンス処理が完了すると、ＤＩＷの供給が停止される。なお、リンス処理は第１ノズル３または第２ノズル４のいずれか一方のノズルからＤＩＷを供給することで実行されてもよいが、両ノズルからＤＩＷを供給することによってリンス処理に要する時間が短縮される。
【００５１】
リンス処理が完了した後、第１ノズル３が供給位置Ｐ３１から待機位置Ｐ３２に位置決めされる（ステップＳ８）。同様に、第２ノズル４も供給位置Ｐ４１から待機位置Ｐ４２に位置決めされる（ステップＳ８）。
【００５２】
続いて、スピンベース１５の回転数とほぼ同一の回転数で同一方向に対向部材５を回転させる（ステップＳ９）。その後、下面処理ノズル２から回転する基板Ｗの裏面Ｗbに処理液が供給され、基板裏面Ｗbに対して裏面洗浄処理が実行される（ステップＳ１０）。具体的には、下面処理ノズル２から基板裏面Ｗｂの中央部に向けて処理液として薬液とリンス液とが順次供給されることにより、裏面全体と裏面Ｗｂに連なる基板端面部分が洗浄される。このように基板Ｗとともに対向部材５を回転させることで、対向部材５に付着する処理液がプロセスに悪影響を及ぼすのを防止できる。また、基板Ｗと対向部材５との間に回転に伴う余分な気流が発生するのを抑制して基板表面Ｗｆへのミスト状の処理液の巻き込みを防止できる。
【００５３】
ここで、洗浄処理中に支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２を基板裏面Ｗｂから少なくとも１回以上、離間させることで支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２と基板裏面Ｗｂの当接部分にも処理液を回り込ませて当該部分を洗浄できる。例えば、洗浄処理途中に、支持ピンＦ１〜Ｆ１２からなる第１支持ピン群と支持ピンＳ１〜Ｓ１２からなる第２支持ピン群との両方の支持ピン群により基板Ｗを支持した状態から第１支持ピン群のみにより基板Ｗを支持した状態に切り換え、基板Ｗと第２支持ピン群との間の当接部分に処理液を回り込ませる。その後、両方の支持ピン群により基板Ｗを支持した状態に移行させた後に、第２支持ピン群のみにより基板Ｗを支持した状態に切り換え、基板Ｗと第１支持ピン群との間の当接部分に処理液を回り込ませる。これにより、基板Ｗと支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２との間の当接部分のすべてに処理液を回り込ませて裏面全体の洗浄処理を行うことができる。
【００５４】
こうして、裏面洗浄処理が完了すると、基板Ｗおよび対向部材５を高速（例えば１５００ｒｐｍ）に回転させる。これにより、基板Ｗの乾燥が実行される（ステップＳ１１）。このとき、基板表面Ｗｆへの窒素ガス供給と併せてガス供給路２３からも窒素ガスを供給して基板Ｗの表裏面に窒素ガスを供給することで、基板Ｗの乾燥処理が促進される。
【００５５】
基板Ｗの乾燥処理が終了すると、対向部材５の回転を停止させる同時に、基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１２）。そして、対向部材５が上昇された後（ステップ１３）、ガス供給路５７およびガス吐出口５０２からの窒素ガスの供給を停止する（ステップＳ１４）。これにより、基板Ｗの支持ピンＦ１〜Ｆ１２，Ｓ１〜Ｓ１２への押圧保持が解除され、処理済の基板Ｗが装置から搬出される。
【００５６】
以上のように、この実施形態によれば、基板Ｗの表面周縁部ＴＲの複数箇所に薬液が供給される。このため、薬液に対して難溶性を示し、高いエッチングレートを実現することが困難な薄膜をエッチングする場合であっても、短時間でエッチング除去することができる。
【００５７】
また、この実施形態によれば、第１および第２ノズル３，４が供給位置Ｐ３１，Ｐ４１に位置決めされる際には、第１および第２ノズル３，４は対向部材５のノズル挿入孔５Ａ，５Ｂに挿入されている。このため、エッチング処理中に処理液が飛散してノズル（第１および第２ノズル３，４）に向けて跳ね返ってくるような場合でも処理液は対向部材５の下面５０１に遮られる。これにより、ノズルに大量の処理液が付着するようなことがない。したがって、ノズル移動時においてノズルから処理液が落ちて基板Ｗあるいは基板周辺部材に付着して悪影響を及ぼすことが防止される。
【００５８】
また、この実施形態では、基板Ｗの外周端部に接触して基板Ｗを保持するチャックピン等の保持部材を設けていない。したがって、回転する基板Ｗから径方向外側に振り切られる処理液が保持部材に当たって基板表面Ｗｆへ跳ね返ることがない。また、上記保持部材は基板Ｗの外周端部付近の気流を乱す要因となり得るが、この要因が存在しないことからミスト状の処理液の基板表面Ｗｆ側への巻き込みが軽減される。さらに、この実施形態では、ガス供給路５７およびガス吐出口５０２から基板表面Ｗｆと対向部材５の下面とに挟まれた空間ＳＰに供給される窒素ガスにより表面中央部の非処理領域ＮＴＲへの薬液の入り込みが防止されている。したがって、表面周縁部ＴＲから一定の周縁エッチング幅ＥＨで全周にわたって均一に不要物をエッチング除去できる。
【００５９】
なお、上記実施形態では、基板処理装置は第１ノズル３と第２ノズル４の２本を装備しているが、ノズルの本数は２本に限定されない。第２ノズル４を２本以上装備することにより、第１ノズル３と合わせて３本以上のノズルを装備してもよく、基板Ｗの表面周縁部ＴＲの３箇所以上に薬液が供給される構成としてもよい。また、この場合に、各ノズルの処理液の供給位置が回転中心Ａ０を中心にして略等角度間隔に設けられてもよい。この構成によれば、基板Ｗの表面周縁部ＴＲにおける微小領域ＳＲへの薬液の供給が各ノズルによって一定の時間毎に行われるため、効率的にエッチングレートの低下を抑制することができる。
【００６０】
＜第２実施形態＞
図１０はこの発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図であり、図１１は第１および第２ノズル３，４のノズル挿入孔５Ａ，５Ｂに対する位置決めを説明するための断面図である。この第２実施形態にかかる基板処理装置は以下の点で第１実施形態と大きく相違している。すなわち、上記第１実施形態では、第１ノズル３の供給位置Ｐ３１と第２ノズル４の供給位置Ｐ４１を基板Ｗの周端面からの径方向の距離が同一となるように設定されていたのに対し、この第２実施形態では、第１ノズル３の供給位置Ｐ３１と第２ノズル４の供給位置Ｐ４１の基板Ｗの周端面からの径方向の距離が互いに異なるように設定されている。すなわち、ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂの内部空間で第１および第２ノズル３，４は水平方向に互いに異なる位置に位置決めされる。この実施形態では、第２ノズル４の供給位置Ｐ４１が第１ノズル３の供給位置Ｐ３１に対して基板Ｗの径方向内側に設定されており、供給位置Ｐ４１は供給位置Ｐ３１に対して、０．２〜０．５ｍｍ程度だけ基板Ｗの径方向内側に位置するように設定されている。この第２実施形態で処理対象となっている基板Ｗには、ポリシリコン膜（ｐｏｌｉ―Ｓｉ膜）、銅膜（Ｃｕ膜）等のような、薬液が吐出される部位のエッチングレートに比べ、それ以外の薬液が接液する部位のエッチングレートが低くなるような薄膜が形成されている。なお、その他の構成および動作は基本的に第１実施形態と同様である。
【００６１】
この第２実施形態では、第１ノズル３および第２ノズル４から薬液が表面周縁部ＴＲに供給される際、基板Ｗの周端面と薬液の吐出位置との間の径方向の距離が第１ノズル３から吐出される薬液と第２ノズル４から吐出される薬液とで異なる。すなわち、図１１に示すように、第２ノズル４から供給される薬液の吐出位置よりも第１ノズル３から供給される薬液の吐出位置が基板Ｗの径方向外側になっている。これにより、基板Ｗの周縁エッチング幅ＥＨは、基板Ｗの周端面と第２ノズル４の供給位置Ｐ４１との間の基板Ｗの径方向の距離になるが、第２ノズル４の供給位置Ｐ４１よりも基板Ｗの径方向外側に第１ノズル３から薬液が供給される。したがって、周縁エッチング幅ＥＨにおいて、第２ノズル４から供給された薬液によってエッチングされにくい薄膜、すなわち、供給位置Ｐ４１付近よりも基板Ｗの径方向外側の薄膜は、第１ノズル３から供給される薬液によってエッチングされる。このように、薬液が吐出される位置付近の薄膜のエッチングレートに比べ、それ以外の薬液が接液する位置の薄膜のエッチングレートが低くなる場合であっても、周縁エッチング幅ＥＨにおいて薄膜の一部が残ることなく、良好にエッチング除去される。
【００６２】
なお、上記実施形態では、基板処理装置は第１ノズル３と第２ノズル４の２本を装備しているが、ノズルの本数は２本に限定されない。第２ノズル４を２本以上装備することにより、第１ノズル３と合わせて３本以上のノズルを装備してもよく、基板Ｗの表面周縁部ＴＲの３箇所以上に薬液が供給される構成としてもよい。また、この場合、基板Ｗの周端面と各ノズルの薬液の供給位置との間の基板Ｗの径方向の距離がそれぞれ異なるように設定されてもよい。
【００６３】
＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
【００６４】
上記の実施形態では、平面視で回転中心Ａ０から第１ノズル３の供給位置Ｐ３１に延びる方向と回転中心Ａ０から第２ノズル４の供給位置Ｐ４１に延びる方向とが形成する角度を１８０°としているが、該角度はこれに限定されず、９０°、１２０°など１８０°以外の角度に設定されてもよい。
【００６５】
また、上記実施形態では、第１および第２ノズル３，４を表面周縁部ＴＲに薬液を供給可能な供給位置に位置決めする際に、対向部材５に形成されたノズル挿入孔５Ａ，５Ｂに第１および第２ノズル３，４を挿入しているが、ノズル挿入孔５Ａ，５Ｂに第１および第２ノズル３，４を挿入することは必ずしも必要でない。例えば基板Ｗの平面サイズよりも小さな平面サイズを有する対向部材を基板表面Ｗｆに対向配置して、第１および第２ノズル３，４を該対向部材の側壁に近接して配置してもよい。
【００６６】
また、対向部材５のノズル挿入孔についても、上記実施形態では、第１および第２ノズル３，４に対応して対向部材５に２つのノズル挿入孔を形成しているが、３つ以上のノズル挿入孔を形成してもよい。例えば、基板Ｗの周端面と薬液の供給位置との間の径方向の距離が異なる位置に３つ以上のノズル挿入孔を形成してもよい。この構成によれば、３つ以上のノズル挿入孔のいずれかに第１および第２ノズル３，４を適宜、挿入して処理を行うことで、周縁エッチング幅を変更することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板などを含む各種基板の表面に対してベベルエッチング処理を施す基板処理装置および基板処理方法に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。
【図３】スピンベースを上方から見た平面図である。
【図４】支持ピンの構成を示す部分拡大図である。
【図５】対向部材の底面図である。
【図６】第１ノズルおよび対向部材に設けられたノズル挿入孔の構成を示す図である。
【図７】第１および第２ノズルの外径とノズル挿入孔の孔径との関係を説明するための断面図である。
【図８】図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図９】薬液による薄膜のエッチング除去作用を説明するための平面図である。
【図１０】この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。
【図１１】第１および第２ノズルの外径とノズル挿入孔の孔径との関係を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１…スピンチャック
３…第１ノズル
４…第２ノズル
５…対向部材
５Ａ、５Ｂ…ノズル挿入孔
１５…スピンベース
１８…ガス供給ユニット
３３…第１ノズル移動機構
４３…第２ノズル移動機構
５０１…対向部材の下面
５０２…ガス吐出口
Ａ０…（基板の）回転中心
Ｆ１〜Ｆ１２…支持ピン
Ｐ３１…供給位置
Ｐ４１…供給位置
Ｒ…（基板の）回転方向
Ｓ１〜Ｓ１２…支持ピン
ＳＰ…（基板対向面と基板表面とに挟まれた）空間
ＴＲ…表面周縁部
Ｗ…基板
Ｗｂ…基板裏面
Ｗｆ…基板表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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