(57)【要約】      （修正有）【課題】電鋳型を分割することなく複数の厚さの異なる部品を製造でき、各部品の底面に電極を有する電鋳型とその製造方法の提供。【解決手段】導電層２と前記導電層上に形成されている多層の樹脂と、前記多層の樹脂間に挟まれている中間導電膜５ａと、前記樹脂によりそれぞれ側壁を囲まれた複数のキャビティーを有し、前記複数のキャビティーは、前記多層の樹脂の全層に渡る深さの第１のキャビティーＣ１と、前記多層の樹脂の一部の層に渡る深さの第２のキャビティーＣ２と、前記多層の樹脂毎に階段状の構造を持つスイッチングキャビティーＳとからなり、前記第１のキャビティーＣ１の底面には前記導電層２が露出し、前記第２のキャビティーＣ２の底面には前記中間導電膜５ａが露出し、前記スイッチングキャビティーＳの底面には前記導電層２が露出するとともに、前記階段状構造の前記樹脂の各層の上に前記中間導電膜５ａが露出している電鋳型１０１とした。【選択図】図１
2008208431.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電体と
前記導電体上に形成されている多層の樹脂と、
前記多層の樹脂間に挟まれている中間導電膜と、
前記樹脂によりそれぞれ側壁を囲まれた複数のキャビティーを有し、
前記複数のキャビティーは、前記多層の樹脂の全層に渡る深さの第１のキャビティーと、前記多層の樹脂の一部の層に渡る深さの第２のキャビティーと、前記多層の樹脂毎に階段状の構造を持つ第３のキャビティーとからなり、
前記第１のキャビティーの底面には前記導電体が露出し、前記第２のキャビティーの底面には前記中間導電膜が露出し、前記第３のキャビティーの底面には前記導電体が露出するとともに、前記階段状構造の前記樹脂の各層の上に前記中間導電膜が露出していることを特徴とする電鋳型。
【請求項２】
前記第２のキャビティーを複数備え、前記第３のキャビティーに露出している前記中間導電膜が、複数の前記第２のキャビティー底面に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電鋳型。
【請求項３】
前記第１のキャビティー及び前記第２のキャビティーが、それぞれ複数配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電鋳型。
【請求項４】
前記樹脂は少なくとも３層以上であり、前記第２のキャビティーの深さが少なくとも２種類以上であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の電鋳型。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の電鋳型を製造する方法であって、
導電体上に第１フォトレジストを形成する第１フォトレジスト形成工程と、
前記第１フォトレジストに可溶部と不溶部を形成する第１露光工程と、
前記第１露光工程で形成された前記不溶部上に中間導電膜を形成する中間導電膜形成工程と、
前記第１フォトレジストおよび前記中間導電膜上に第２フォトレジストを形成する第２フォトレジスト形成工程と、
前記第２フォトレジスト、および／または、前記第１フォトレジストに可溶部と不溶部を形成する第２露光工程と、
前記第１露光工程および前記第２露光工程によって形成された前記可溶部を除去する現像工程からなることを特徴とする電鋳型の製造方法。
【請求項６】
前記第１フォトレジストの厚さが、形成する部品の最大の厚さと最小の厚さの差であることを特徴とする請求項５に記載の電鋳型の製造方法。
【請求項７】
前記現像工程を実施する前に、前記中間導電膜形成工程と、前記第２フォトレジスト形成工程と、前記第２露光工程を複数回繰り返して実施することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の電鋳型の製造方法。
【請求項８】
請求項１から４のいずれか１項に記載の電鋳型を用いて電鋳部品を作製する電鋳部品の製造方法であって、
前記電鋳型に電鋳を行う電鋳工程と、
前記電鋳工程で形成した不要な電鋳物を除去する研磨工程からなり、
前記研磨工程は、さらに電鋳を行った前記電鋳型を分離・分割することなく前記電鋳型に形成された部品の厚さを制御し、厚さの異なる部品を得ることを特徴とする電鋳部品の製造方法。
【請求項９】
前記電鋳工程において、前記中間導電膜に前記電鋳物が接触した際に電流密度を一定にする電流密度調整工程が含まれていることを特徴とする請求項８に記載の電鋳部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電鋳法で使用される電鋳型とその製造方法、および、その電鋳型を用いた電鋳部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電鋳法は、大量生産に適しており、様々な部品製造に用いられている。たとえば、原型の形状を転写された樹脂表面に導電性膜を堆積し、時計用の針が作製されている（例えば、特許文献１参照。）。原型の樹脂への転写方法としては、加熱プレス成型法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。加熱プレス成型法は、樹脂をガラス転位点以上の温度に加熱して軟化させておき、原型を押しつけることによって、樹脂に原型の形状を転写する方法である。加熱プレス成型法では、原型の形状を樹脂にナノメートルオーダーの寸法精度で転写することができる。
【０００３】
また、近年、微小な形状を有する部品や金型を製造するための型としてシリコンプロセスを用いた型が利用されている。シリコンプロセスを用いた電鋳法の型の作製方法として、半導体露光装置で用いられている紫外光でレジストパターンを電鋳型として用いる方法（ＵＶ−ＬＩＧＡ法）が知られている（例えば、特許文献２参照。）。ＵＶ−ＬＩＧＡ法で作製される電鋳法の型は、型の側壁に電極が無く、型の底面から電鋳物が析出するため、高アスペクト比の構造を電鋳法で作製しても、電鋳物の内部に気泡や欠陥がない良好な部品を形成することができる。また、特許文献２で述べられているように、一枚のマスクに複数の部品形状を形成することで、さまざまな種類の部品を一度に作製することができ、多品種少量生産に適した製造方法である。
【特許文献１】特開昭５２−６０２４１号公報
【特許文献２】特開２００６−６４５７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１では、形状が転写された樹脂（以下、転写樹脂型）の電鋳を行う面（以下、電鋳面）のすべてに電極を形成して電鋳型を得ている。したがって、電鋳を行うと電鋳型の電極が形成されている全面に電鋳物が析出するため、時計用の針を取り出すには、不要な部分を取り除く必要があった。また、アスペクト比の高い電鋳部品を作製する際に、型側面および型底面から同時に電鋳が行われると、型側面のうち、型底面と逆側、すなわち型の上面部分に電界が集中しやすく、型側面のうち型上面側の電鋳速度が大きくなる。したがって、型上面部分では型側面から析出した電鋳物がつながってしまい、電鋳物の内部に隙間ができてしまう。したがって、電鋳部品の強度や型転写性が低下する問題があった。
【０００５】
特許文献２では、電鋳型の底面にだけ電極を形成できるため、電鋳物の内部に隙間の無い電鋳部品を製造できる。しかし、特許文献２では、さまざまな種類の部品を一度に電鋳できるが、厚さが同じフォトレジストを型としているため、異なる厚さの部品を得るためには、同じ厚さの部品同士を一区画に集約し、区画毎に研磨量を異ならせることによって、それぞれ所定の厚さを得る必要があり、研磨前に区画毎に電鋳型を分割する工程が必要となる問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、電鋳型を分割することなく複数の厚さの異なる部品を製造でき、各部品の底面に電極を有する電鋳型とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、導電体と、前記導電体上に形成されている多層の樹脂と、前記多層の樹脂間に挟まれている中間導電膜と、前記樹脂によりそれぞれ側壁を囲まれた複数のキャビティーを有し、前記複数のキャビティーは、前記多層の樹脂の全層に渡る深さの第１のキャビティーと、前記多層の樹脂の一部の層に渡る深さの第２のキャビティーと、前記多層の樹脂毎に階段状の構造を持つ第３のキャビティーとからなり、前記第１のキャビティーの底面には前記導電体が露出し、前記第２のキャビティーの底面には前記中間導電膜が露出し、前記第３のキャビティーの底面には前記導電体が露出するとともに、前記階段状構造の前記樹脂の各層の上に前記中間導電膜が露出している電鋳型とした。
【０００８】
また、本発明は、前記第２のキャビティーを複数備え、前記第３のキャビティーに露出している前記中間導電膜が、複数の前記第２のキャビティー底面に接続されている電鋳型とした。
【０００９】
また、本発明は、前記第１のキャビティー及び前記第２のキャビティーが、それぞれ複数配置されている電鋳型とした。
【００１０】
また、本発明は、前記樹脂は少なくとも３層以上であり、前記第２のキャビティーの深さが少なくとも２種類以上である電鋳型とした。
【００１１】
さらに、本発明は、上記の電鋳型を製造する方法であって、導電体上に第１フォトレジストを形成する第１フォトレジスト形成工程と、前記第１フォトレジストに可溶部と不溶部を形成する第１露光工程と、前記第１露光工程で形成された前記不溶部上に中間導電膜を形成する中間導電膜形成工程と、前記第１フォトレジストおよび前記中間導電膜上に第２フォトレジストを形成する第２フォトレジスト形成工程と、前記第２フォトレジスト、および／または、前記第１フォトレジストに可溶部と不溶部を形成する第２露光工程と、前記第１露光工程および前記第２露光工程によって形成された前記可溶部を除去する現像工程からなる電鋳型の製造方法とした。
【００１２】
また、本発明は、前記第１フォトレジストの厚さが、形成する部品の最大の厚さと最小の厚さの差である電鋳型の製造方法とした。
【００１３】
また、本発明は、前記現像工程を実施する前に、前記中間導電膜形成工程と、前記第２フォトレジスト形成工程と、前記第２露光工程を複数回繰り返して実施する電鋳型の製造方法とした。
【００１４】
さらに、本発明は、上記の電鋳型を用いて電鋳部品を作製する電鋳部品の製造方法であって、前記電鋳型に電鋳を行う電鋳工程と、前記電鋳工程で形成した不要な電鋳物を除去する研磨工程からなり、前記研磨工程は、さらに電鋳を行った前記電鋳型を分離・分割することなく前記電鋳型に形成された部品の厚さを制御し、厚さの異なる部品を得る電鋳部品の製造方法とした。
【００１５】
また、本発明は、前記電鋳工程において、前記中間導電膜に前記電鋳物が接触した際に電流密度を一定にする電流密度調整工程が含まれている電鋳部品の製造方法とした。
【発明の効果】
【００１６】
本発明では、平滑な第１フォトレジストおよび中間導電膜上に第２フォトレジストを塗布するため、第２フォトレジストの厚さ制御が容易であり、厚さの異なる部品のそれぞれの厚さを第１フォトレジストおよび第２フォトレジストの厚さで規定することが容易となり、一つの電鋳型内に厚さの異なる部品のキャビティーを形成することができる。また、導電層が深いキャビティーおよび階段状キャビティー内で露出し、第１フォトレジスト上に中間導電膜を設け、その上に浅いキャビティーを形成し、階段状キャビティーの段差上にも中間導電膜を配置することで、浅いキャビティー内の底部からだけ電鋳物を成長させることができる。したがって、厚さが異なり、かつ、内部に隙間がない部品を、電鋳型を分割することなく一度の研磨工程で形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明を実施するにあたっての最良の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明に係る電鋳型とその製造方法の例を説明する図であり、厚さが異なる二種類の部品を電鋳法にて製造するための電鋳型の例を示す。
【００１９】
図１（ａ）は、導電体である導電層２が形成された基板１上に第１フォトレジスト３を堆積する第１フォトレジスト堆積工程を説明する図である。図１（ａ）に示すように、基板１上に導電層２を形成した後、第１フォトレジスト３を堆積する。基板１の厚さは、数１０μｍから数ｍｍであり、後述する電鋳工程において電鋳型１０１の強度が保てる厚さであれば良い。導電層２の厚さは、数１０ｎｍから数μｍであり、後述する電鋳工程において導通がとれる厚さであれば良い。第１フォトレジスト３の厚さは、数μｍから数ｍｍであり、作製する各部品の厚い部品と薄い部品のそれぞれの厚さの差とほぼ同じである。
【００２０】
基板１の材料は、ガラスやシリコンなどのシリコンプロセスで一般的に用いられる材料や、ステンレススチールやアルミニウム（Ａｌ）などの金属材料を用いる。また、導電層２の材料は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）などである。導電層２と基板１との間には、導電層２の密着力を強くするためのアンカーメタル（図示しない）としてクロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）などを形成しても良い。なお、基板１の材料が金属の場合には、基板１自体が導電体となるため、導電層２は必ずしも必要ではない。第１フォトレジスト３は、ネガ型のフォトレジストを用いる。第１フォトレジスト３は、化学増幅型のフォトレジストでも良い。高アスペクト比な構造を作製する場合、第１フォトレジスト３は、エポキシ系の樹脂をベースとする化学増幅型のフォトレジストを用いるのが望ましい。
【００２１】
導電層２の形成方法は、スパッタ法や真空蒸着法などである。第１フォトレジスト３の堆積方法は、スピンコート、ディップコート、スプレーコートや、シート状のフォトレジストフィルムを基板１に貼り付けても良い。また、シート状のフォトレジストフィルムを複数枚重ね合わせて所望の厚さの第１フォトレジスト３としても良い。
【００２２】
図１（ｂ）は、不溶部３ａと可溶部３ｂとを形成する第１露光工程を説明する図である。第１フォトレジスト３を堆積した後、図１（ｂ）に示すように、マスク１０を通して露光光９９９を第１フォトレジスト３に照射し、不溶部３ａと可溶部３ｂを形成する。不溶部３ａと可溶部３ｂとを形成するために、紫外光をフォトマスクを通して露光する。また、第１フォトレジスト３が化学増幅型の場合、露光した後にＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）を行う。
【００２３】
次に、図１（ｃ）は、第１フォトレジスト３の上に中間導電膜５ａを形成する中間導電膜形成工程を説明する図である。図１（ｂ）で説明した第１フォトレジスト３の露光工程後、第１フォトレジスト３の現像を行わずに中間導電膜５ａを形成する。中間導電膜５ａの厚さは、数ｎｍ〜数μｍであり、後述する電鋳工程において導通がとれる厚さであれば良い。中間導電膜５ａの材料は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などであり、中間導電膜５ａと不溶部３ａとの間に中間導電膜５ａの密着力を強くするためのアンカーメタル（図示しない）としてクロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）などを形成しても良い。また、中間導電膜５ａの堆積方法は、スパッタ法や真空蒸着法などの気相堆積法や、無電解メッキなどのウエット法を用い、リフトオフ法やエッチングなどの方法によってパターニングする。
【００２４】
次に、図１（ｄ）は、中間導電膜５ａの上に第２フォトレジスト６を堆積する第２フォトレジスト堆積工程を説明する図である。第２フォトレジスト６の厚さは、数μｍから数ｍｍであり、作製する部品のうち薄い部品の厚さとほぼ同じである。あるいは、第２フォトレジスト６の厚さは、作製する部品のうち薄い部品の厚さに加えて、後述する研磨工程で、第２フォトレジスト６が除去される分を加えた厚さとしてもよい。第２フォトレジスト６は、ネガ型でもポジ型でもよい。また、第２フォトレジスト６は、化学増幅型のフォトレジストでも良い。高アスペクト比な構造を作製する場合、第２フォトレジスト６は、エポキシ系の樹脂をベースとする化学増幅型のフォトレジストを用いるのが望ましい。なお、第２フォトレジスト６の材料は、後述する現像工程で同一の現像液で現像できるため、第１フォトレジスト３と同じである方が望ましいが、第１フォトレジスト３と別の材料であっても良い。
【００２５】
第２フォトレジスト６の堆積方法は、スピンコート、ディップコート、スプレーコートや、シート状のフォトレジストフィルムを貼り付けても良い。また、シート状のフォトレジストフィルムを複数枚重ね合わせて所望の厚さの第２フォトレジスト６としても良い。
【００２６】
次に、図１（ｅ）は、不溶部６ａと可溶部６ｂおよび不溶部３ｃとを形成する第２露光工程を説明する図である。不溶部６ａと可溶部６ｂ、および、不溶部３ｃとを形成するために、紫外光をフォトマスクを通して露光する。また、第２フォトレジスト６が化学増幅型の場合、露光した後にＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）を行う。フォトマスクＰ１は、第２フォトレジスト６の一部と図１（ｂ）で説明した第１露光工程で露光されなかった可溶部３ｂを覆うように位置あわせする。フォトマスクＰ２は、第２フォトレジスト６の一部と中間導電膜５ａを覆うように位置あわせする。また、フォトマスクＰ３は、フォトレジスト６の一部と中間導電膜５ａの一部および不溶部３ｂとを覆うように位置あわせする。
【００２７】
次に、図１（ｆ）は、可溶部３ｂおよび６ｂを除去する現像工程を説明する図である。現像は、第１フォトレジスト３および第２フォトレジスト６を現像液中に基板を漬けて実施する。現像工程によって、第１のキャビティーＣ１、第２のキャビティーＣ２、および第３のキャビティーであるスイッチングキャビティーＳが形成された電鋳型１０１が得られる。
【００２８】
次に、上記製造方法で作製された電鋳型１０１を用いて電鋳部品を製造する手順について、図２および図３を参照して説明する。
【００２９】
図２は、電鋳型１０１を用いた電鋳工程を説明する図である。電鋳槽２１内に電鋳液２２が満たされており、その電鋳液２２に、電鋳型１０１と電極２３が浸されている。電鋳液２２は、析出させる金属によって異なるが、たとえば、ニッケルを析出させる場合、スルファミン酸ニッケル水和塩を含む水溶液を使用する。また、電極２３の材料は、析出させたい金属とほぼ同一の材料であり、ニッケルを析出させる場合は、ニッケルとし、ニッケル板や、チタンバスケットにニッケルボールを入れたものを電極２３として用いる。なお、本発明の製造方法で析出する材料はニッケルに限定されるわけではない。銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、スズ（Ｓｎ）等、電鋳可能な材料すべてに適用可能である。電鋳型１０１の導電層２は、電源Ｖに接続されている。電源Ｖの電圧によって、導電層２を通して電子が供給されることによって、導電層２から徐々に金属が析出する。析出した金属は、基板１の厚さ方向に成長する。
【００３０】
図３は、電鋳型１０１を用いて電鋳部品１００を作製する工程を説明する図である。図２で説明した電鋳工程によって、図３（ａ）に示すように導電層２から電鋳物１００ａが析出する。すなわち、表面に導電層２が露出している第１のキャビティーＣ１とスイッチングキャビティーＳ内に、電鋳物１００ａが析出する。このとき、中間導電膜５ａには電流が流れないため、中間導電膜５ａ上の第２のキャビティーＣ２には電鋳物１００ａは析出しない。
【００３１】
次に、図３（ｂ）は、第１フォトレジスト３の不溶部３ａおよび３ｃの厚さだけ電鋳物１００ａが成長した状態を示す図である。このときまでは、中間導電膜５ａには、電流が流れないため、中間導電膜５ａ上の第２のキャビティーＣ２には電鋳物１００ａは析出しない。
【００３２】
図３（ｃ）は、第２フォトレジスト６の不溶部６ａまでの厚さの途中まで電鋳物１００ａが成長した状態を示す図である。図３（ｂ）で説明した状態から、電鋳物１００ａが第１フォトレジスト３の厚さ以上に成長すると、スイッチングキャビティーＳ内では電鋳物１００ａが厚さ方向に加えて横方向にも成長し、電鋳物１００ａが中間導電膜５ａに接触する。中間導電膜５ａに電鋳物１００ａが接触することで、中間導電膜５ａにも電流が流れるため、中間導電膜５ａ上にも電鋳物１００ａが析出し始め、第２のキャビティーＣ２内にも電鋳物１００ａが第２のキャビティーＣ２の底面から成長し始める。
【００３３】
電鋳物１００ａが中間導電膜５ａに接触したとき、電鋳する面積が増え、定電圧電源の場合には、電流値が大きくなり、定電流電源の場合には、電圧値が上昇する。電鋳物１００ａのヤング率や応力や硬さなどの物性値は、電流密度の影響を大きく受けるため、電鋳物１００ａのこれらの物性値が不安定となる可能性がある。そこで、電鋳物１００ａの物性値を安定させるために、電鋳物１００ａが中間導電膜５ａに接触した瞬間に、電流密度が一定となるように電源の電圧や電流を変化させる電流密度調整工程を施しても良い。
【００３４】
次に、図３（ｄ）は、電鋳物１００ａを所望の厚さまで析出させた状態を示す図である。このとき、図３（ｄ）に示すように、第１のキャビティーＣ１、第２のキャビティーＣ２、および、スイッチングキャビティーＳにおける電鋳物１００ａそれぞれの表面の相対的な高さは、ほぼ同じである。なぜならば、第１のキャビティーＣ１およびスイッチングキャビティーＳ内の電鋳物が、第２のキャビティーＣ２の底面近傍まで成長したときから、第２のキャビティーＣ２内の電鋳物１００ａが成長し始めるためである。したがって、電鋳型１０１表面からの電鋳物１００ａの飛び出し量ｄ１を小さくすることができる。
【００３５】
次に、図３（ｅ）は、各キャビティーそれぞれの電鋳物１００ａの相対的な高さを揃える研磨工程を説明する図である。電鋳物１００ａを所望の高さまで析出させた後、研磨工程によって各キャビティーそれぞれの電鋳物１００ａの相対的な高さを揃える。研磨工程の前に、研削工程を行ってもよい。なお、電鋳工程において、電鋳物１００ａの厚さ制御が可能である場合、研磨工程を行わなくても良い。
【００３６】
次に、図３（ｆ）に示すように、電鋳型１０１から電鋳物１００ａを取り出して、互いに厚さの異なる電鋳部品ＰＡ１、ＰＡ２を得る。また、スイッチングキャビティーＳ内から取り出された電鋳物１００ａも、多段構造を有する電鋳部品ＰＡ３として利用することができる。電鋳物１００ａの取り出しは、不溶部３ａおよび不溶部６ａを有機溶剤で溶かしたり、電鋳物１００ａに基板１から分離するような力を加えて物理的に引き剥がしたりしてもよい。また、導電層２および中間導電膜５ａが電鋳物１００ａに付着している場合には、ウエットエッチングや研磨などの方法を用いて除去する。なお、部品の機能上、導電層２や中間導電膜５ａが付着していても問題がない場合には、導電層２や中間導電膜５ａは除去しなくても良い。また、導電層２や中間導電膜５ａが部品の機能上必要である場合は、導電層２や中間導電膜５ａは除去しない。
【００３７】
以上説明したように、本発明の電鋳型の製造方法によれば、平滑な１段目の第１フォトレジスト３、および中間導電膜５ａ上に２段目の第２フォトレジスト６を塗布するため、２段目の第２フォトレジスト６の厚さ制御が容易であり、厚さの異なる部品のそれぞれの厚さを第１フォトレジスト３および第２フォトレジスト６の厚さで規定することが容易となり、一つの電鋳型内に厚さの異なる部品のキャビティーを形成することができる。
【００３８】
また、導電層２が厚い部品用の第１のキャビティーＣ１およびスイッチングキャビティーＳ内で露出し、１段目の第１フォトレジスト３上に中間導電膜５ａを設け、その上に薄い部品用の第２のキャビティーＣ２を形成し、スイッチングキャビティーＳの段差上にも中間導電膜５ａを配置することで、第２のキャビティーＣ２内の底部からだけ電鋳物１００ａを成長させることができる。したがって、厚さが異なり、かつ、内部に隙間がない部品を、電鋳型を分割することなく一度の研磨工程で形成することができる。
【００３９】
なお、これまでは、厚さが異なる二種類の部品を作製する電鋳型１０１とその製造方法、および、電鋳形１０１を用いた部品の作製方法について説明してきたが、図１（ｆ）で説明した現像工程前に、図１（ｃ）で説明した中間導電膜形成工程から図１（ｄ）で説明した第２フォトレジスト形成工程を複数回繰り返し行うことで、３種類以上の厚さの異なる部品を製造することができる。
【００４０】
図４は、本発明の変形例として、３種類の厚さの異なる部品を製造できる電鋳型の例を示す図である。図４に示すように、この電鋳型１０２には、電鋳型１０１に対して第２フォトレジスト６の表面上にさらに中間導電膜５ｂが形成され、この中間導電膜５ｂの上に第３のキャビティーＣ３が形成されている。これにより、第１のキャビティーＣ１に析出する電鋳物１００ａと、第２のキャビティーＣ２に析出する電鋳物１００ａと、第３のキャビティーＣ３に析出する電鋳物１００ａは、それぞれ互いに厚さの異なる３種類の厚さの電鋳部品として利用することができる。また、この電鋳型１０２のスイッチングキャビティーＳ内から取り出された電鋳物１００ａは、３段構造を有する電鋳部品として利用することができる。
【００４１】
また、図５は、本発明の他の変形例として、第１のキャビティーＣ１、第２のキャビティーＣ２およびスイッチングキャビティーＳを、それぞれ複数有する電鋳型の例を示す断面図である。図５に示す電鋳型１０３は、図１で説明した製造工程において、マスク１０およびフォトマスクＰの形状を変えるだけで形成することができる。
【００４２】
また、図６は、本発明の他の変形例として、一対の第２のキャビティーＣ２に対して一つの共通のスイッチングキャビティーＳを有する電鋳型の例を示す断面図である。図６に示すように、この電鋳型１０４は、スイッチングキャビティーＳの中間導電膜５ａが一対の第２のキャビティーＣ２のそれぞれの底面の中間導電膜５ａと接続されている。このため、一つのスイッチングキャビティーＳで複数の第２のキャビティーＣ２へ通電することができ、スイッチングキャビティーＳの型内での個数を少なくすることができ、その分、第１のキャビティーＣ１や第２のキャビティーＣ２を多く配置することができる。図６では、一つのスイッチングキャビティーＳに対して二つのキャビティーＣ２を接続した例を示しているが、二次元的に配線することで、一つのスイッチングキャビティーＳで３個以上の第２のキャビティーＣ２へ通電することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る電鋳型とその製造方法の例を説明する断面図である。
【図２】本発明に係る電鋳型を用いた電鋳工程を説明する図である。
【図３】本発明に係る電鋳型を用いて電鋳部品を作製する工程を説明する断面図である。
【図４】本発明に係る電鋳型の変形例を示す断面図である。
【図５】本発明に係る電鋳型の他の変形例を示す断面図である。
【図６】本発明に係る電鋳型の他の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１    基板
２    導電層
３    第１フォトレジスト
３ａ、３ｃ    不溶部
３ｂ    可溶部
５ａ    中間導電膜
６    第２フォトレジスト
６ａ    不溶部
６ｂ    可溶部
１０１、１０２、１０３、１０４    電鋳型
Ｃ１    第１のキャビティー
Ｃ２    第２のキャビティー
Ｓ    スイッチングキャビティー
ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３    電鋳部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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