(57)【要約】【課題】生産性を向上することができる磁気センサの製造方法及び磁気センサを提供すること。【解決手段】一対のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを搭載する搭載部ｅ１〜ｅ３を複数有するリードフレーム１０に対して、各搭載部ｅ１〜ｅ３に一対のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを接着剤５０を介して配置して、リードフレーム１０とバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ及び磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを接着する接着工程と、一対のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとが搭載された搭載部ｅ１〜ｅ３毎にリードフレーム１０を分割する分割工程と、接着工程において、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃとリードフレーム１０とを仮止部材４０にて仮止めする仮止工程とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部材に接着固定されるバイアス磁石及びセンサチップを有する磁気センサの製造方法であって、
一対の前記バイアス磁石と前記センサチップとを搭載する搭載部を複数有する支持部材に対して、各搭載部に一対の前記バイアス磁石と前記センサチップとを接着剤を介して配置して、前記支持部材と前記バイアス磁石及び前記センサチップとを接着する接着工程と、
一対の前記バイアス磁石と前記センサチップとが搭載された前記搭載部毎に前記支持部材を分割する分割工程と、
前記接着工程において、前記バイアス磁石と前記支持部材とを仮止部材にて仮止めする仮止工程と、
を備えることを特徴とする磁気センサの製造方法。
【請求項２】
前記仮止部材は、磁性体からなり、前記支持部材を挟んで少なくとも前記バイアス磁石に対向する位置に配置されることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項３】
前記バイアス磁石と前記センサチップとは、一つの側面同士が対向するように前記搭載部に配置されるものであり、前記仮止部材は、磁性体からなり、前記バイアス磁石の前記センサチップと対向する側とは反対側の側面を配置する予定の位置で、前記支持部材における前記バイアス磁石が配置される側と同一側に配置されることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項４】
前記仮止部材は、磁性体からなり、複数の前記搭載部に配置される前記バイアス磁石間の間隔に対応した幅を有し、当該バイアス磁石を配置する予定の位置の間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項５】
前記仮止部材は、磁性体からなり、前記バイアス磁石の形状に対応する穴部を備え、前記バイアス磁石は、前記穴部に配置された状態で前記各搭載部に前記接着剤を介して配置されることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項６】
前記接着剤は加熱硬化型の接着剤であり、前記接着工程は当該接着剤を加熱する加熱工程を含み、前記仮止部材は前記バイアス磁石の形状に対応する穴部を備えるものであり、前記搭載部に配置された前記バイアス磁石は、前記加熱工程前から前記仮止部材にて前記穴部に配置された状態で前記支持部材に圧着されることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項７】
支持部材に接着固定されるバイアス磁石及びセンサチップを有する磁気センサであって、
前記支持部材は、一対の前記バイアス磁石と前記センサチップとを搭載する搭載部を複数有し、前記搭載部及び前記バイアス磁石の少なくとも一方は、当該搭載部と当該バイアス磁石との位置関係を保持する保持部を有するものであり、
前記各搭載部に一対の前記バイアス磁石と前記センサチップとを接着剤を介して配置して、前記支持部材と前記バイアス磁石及び前記センサチップとを接着する接着工程と、
一対の前記バイアス磁石と前記センサチップとが搭載された前記搭載部毎に前記支持部材を分割する分割工程と、
を備えることを特徴とする磁気センサの製造方法。
【請求項８】
前記保持部は、前記搭載部に設けられる穴部と、前記バイアス磁石に設けられる前記穴部に対応する突部であることを特徴とする請求項７に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項９】
前記保持部は、前記バイアス磁石に設けられる穴部と、前記搭載部に設けられる前記穴部に対応する突部であることを特徴とする請求項７に記載の磁気センサの製造方法。
【請求項１０】
支持部材に接着固定されるバイアス磁石とセンサチップとを有する磁気センサであって、
前記支持部材及び前記バイアス磁石の少なくとも一方は、当該搭載部と当該バイアス磁石との位置関係を保持する保持部を有することを特徴とする磁気センサ。
【請求項１１】
前記保持部は、前記支持部材に設けられる穴部と、前記バイアス磁石に設けられる前記穴部に対応する突部であることを特徴とする請求項１０に記載の磁気センサ。
【請求項１２】
前記保持部は、前記バイアス磁石に設けられる穴部と、前記支持部材に設けられる前記穴部に対応する突部であることを特徴とする請求項１０に記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサの製造方法及び磁気センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気センサの一例として特許文献１に示すものがあった。
【０００３】
特許文献１に示す磁気センサは、磁気抵抗素子対を備えるセンサチップと磁気抵抗素子対にバイアス磁界を付与するバイアス磁石とが、支持部材に装着された状態で一体にモールド樹脂成形されている。そして、センサチップの近傍にて着磁ロータが回転するときにバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を磁気抵抗素子対の抵抗値の変化として感知して着磁ロータの回転態様を検出するものである。
【特許文献１】特開２００６−３２２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
通常、特許文献１に示すような磁気センサを製造する場合、一対のセンサチップとバイアス磁石とを搭載する搭載部を複数有する支持部材に対して、各搭載部に一対のセンサチップとバイアス磁石とを接着剤を介して搭載する搭載工程と、その接着剤が硬化した後に搭載部毎に分割する分割工程とを備えるものである。
【０００５】
しかしながら、このような磁気センサの製造方法の場合、接着剤が硬化するまでの間にバイアス磁石同士が磁気的な干渉によってずれる可能性がある。
【０００６】
また、バイアス磁石のずれを抑制するために、バイアス磁石同士の間隔を大きくして、バイアス磁石同士の磁気的な干渉を小さくすることも考えられる。ところが、バイアス磁石同士の間隔を大きくすると支持部材の不要な部分が多くなるという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、生産性を向上することができる磁気センサの製造方法及び磁気センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために請求項１に記載の磁気センサの製造方法は、支持部材に接着固定されるバイアス磁石及びセンサチップを有する磁気センサの製造方法であって、一対のバイアス磁石とセンサチップとを搭載する搭載部を複数有する支持部材に対して、各搭載部に一対のバイアス磁石とセンサチップとを接着剤を介して配置して、支持部材とバイアス磁石及びセンサチップとを接着する接着工程と、一対のバイアス磁石とセンサチップとが搭載された搭載部毎に支持部材を分割する分割工程と、接着工程においてバイアス磁石と支持部材とを仮止部材にて仮止めする仮止工程とを備えることを特徴とするものである。
【０００９】
このように、接着工程においてバイアス磁石と支持部材とを仮止部材にて仮止めすることによって、隣接するバイアス磁石同士の磁気的な干渉によってバイアス磁石がずれることを抑制することができる。したがって、各搭載部の間隔を小さくすることができるので、支持部材の不要部分を少なくすることができ生産性を向上することができる。
【００１０】
また、請求項２に示すように、仮止部材は、磁性体からなり、支持部材を挟んで少なくともバイアス磁石に対向する位置に配置されることを特徴とするようにしてもよい。
【００１１】
このようにすることによって、バイアス磁石と磁性体からなる仮止部材とが引き合いバイアス磁石を仮止することができる。
【００１２】
また、請求項３に示すように、バイアス磁石とセンサチップとは、一つの側面同士が対向するように搭載部に配置されるものであり、仮止部材は、磁性体からなり、バイアス磁石のセンサチップと対向する側とは反対側の側面を配置する予定の位置で、支持部材におけるバイアス磁石が配置される側と同一側に配置されるようにしてもよい。
【００１３】
このようにすることによっても、バイアス磁石と磁性体からなる仮止部材とが引き合いバイアス磁石を仮止めすることができる。また、支持部材におけるバイアス磁石が配置される側と同一側に配置することによって容易にバイアス磁石を仮止することができる。
【００１４】
また、請求項４に示すように、仮止部材は、磁性体からなり、複数の搭載部に配置されるバイアス磁石間の間隔に対応した幅を有し、バイアス磁石を配置する予定の位置の間に配置されるようにしてもよい。
【００１５】
このようにすることによって、バイアス磁石と磁性体からなる仮止部材とが引き合いバイアス磁石を仮止することができると共に、バイアス磁石のずれをより一層抑制することができる。
【００１６】
また、請求項５に示すように、仮止部材は、磁性体からなり、バイアス磁石の形状に対応する穴部を備え、バイアス磁石は、穴部に配置された状態で各搭載部に接着剤を介して配置されるようにしてもよい。
【００１７】
このようにすることによって、容易にバイアス磁石を仮止することができると共に、バイアス磁石のずれをより一層抑制することができる。
【００１８】
また、請求項６に示すように、接着剤は加熱硬化型の接着剤であり、接着工程は接着剤を加熱する加熱工程を含み、仮止部材はバイアス磁石の形状に対応する穴部を備えるものであり、搭載部に配置されたバイアス磁石は、加熱工程前から仮止部材にて穴部に配置された状態で支持部材に圧着されるようにしてもよい。
【００１９】
このように、加熱硬化型の接着剤の場合、室温では粘性が高く、加熱することによって粘性が下がるものである。よって、バイアス磁石は、接着剤を介して支持部材に配置した時点では、隣接するバイアス磁石との磁気的な干渉に耐えることができるのでずれにくい。しかし、その接着剤を加熱していくと接着剤の粘性が下がり、バイアス磁石は、隣接するバイアス磁石との磁気的な干渉に負けてずれる可能性がある。そこで、請求項６に示すようにすることによって、容易にバイアス磁石を仮止することができると共に、バイアス磁石のずれをより一層抑制することができる。
【００２０】
上記目的を達成するために請求項７に記載の磁気センサの製造方法は、支持部材に接着固定されるバイアス磁石及びセンサチップを有する磁気センサであって、支持部材は、一対のバイアス磁石とセンサチップとを搭載する搭載部を複数有し、搭載部及びバイアス磁石の少なくとも一方は、搭載部とバイアス磁石との位置関係を保持する保持部を有するものであり、各搭載部に一対のバイアス磁石とセンサチップとを接着剤を介して配置して、支持部材とバイアス磁石及びセンサチップとを接着する接着工程と、一対のバイアス磁石とセンサチップとが搭載された搭載部毎に支持部材を分割する分割工程とを備えることを特徴とするものである。
【００２１】
このように、搭載部及びバイアス磁石の少なくとも一方は、搭載部とバイアス磁石との位置関係を保持する保持部を有することによって、隣接するバイアス磁石同士の磁気的な干渉によってバイアス磁石がずれることを抑制することができる。したがって、各搭載部の間隔を小さくすることができるので、支持部材の不要部分を少なくすることができ生産性を向上することができる。
【００２２】
また、保持部は、請求項８に示すように、搭載部に設けられる穴部と、バイアス磁石に設けられる穴部に対応する突部としてもよいし、請求項９に示すように、バイアス磁石に設けられる穴部と、搭載部に設けられる穴部に対応する突部としてもよい。
【００２３】
上記目的を達成するために請求項１０に記載の磁気センサは、支持部材に接着固定されるバイアス磁石とセンサチップとを有する磁気センサであって、支持部材及びバイアス磁石の少なくとも一方は、搭載部とバイアス磁石との位置関係を保持する保持部を有することを特徴とするものである。
【００２４】
このようにすることによって、複数の一対のバイアス磁石とセンサチップとを支持部材に接着して、その支持部材を一対のバイアス磁石とセンサチップ毎に分割する場合でも、隣接するバイアス磁石同士の磁気的な干渉によってバイアス磁石がずれることを抑制することができる。したがって、各搭載部の間隔を小さくすることができるので、支持部材の不要部分を少なくすることができ生産性を向上することができる。
【００２５】
また、保持部は、請求項１１に示すように、支持部材に設けられる穴部と、バイアス磁石に設けられる穴部に対応する突部としてもよいし、請求項１２に示すように、保持部は、バイアス磁石に設けられる穴部と、支持部材に設けられる穴部に対応する突部としてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
【００２７】
（第１の実施の形態）
まず、第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態における磁気センサの製造工程中の概略構成を示す平面図である。図２は、図１のII−II断面図である。図３は、図１のIII−III断面図である。図４は、図１のIV−IV断面図である。図５（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態における磁気センサの製造方法を示す工程別平面図である。
【００２８】
本実施の形態における磁気センサの製造方法は、バイアス磁石によって磁気検出素子にバイアス磁界を付与して、検出対象が動作するときにバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化によって検出対象の動作を検出する磁気センサ（例えば、車両の車軸と共に回転する円盤形状の着磁ロータの回転を検出する磁気センサ）の製造方法である。
【００２９】
図１、図３、図４などにおいて、符号１０は、本発明の請求項における支持部材に相当するものであり、破線で示す複数の搭載部（本実施の形態では、ｅ１〜ｅ３の３つ）を有するリードフレームである。搭載部ｅ１〜ｅ３は、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとが接着剤５０にて固定された後に分割される領域である。換言すると、搭載部ｅ１〜ｅ３は、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを支持する支持部材として必要なエリアである。
【００３０】
なお、各搭載部ｅ１〜ｅ３に一対のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとが搭載され個片とされ（例えば、搭載部ｅ１にバイアス磁石２０ａと磁気検出素子３０ａが搭載されたもの）、ワイヤボンディングや樹脂モールドなどの工程を経て磁気センサのセンサ部をなすものである。
【００３１】
図１又は図２などにおいて、符号２０ａ〜２０ｃは、Ｎ極、Ｓ極に着磁されたバイアス磁石であり、各磁気検出素子３０ａ〜３０ｃにバイアス磁界を付与している。また、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃは、図１及び図２に示すように、例えば直方体からなり、リードフレーム１０の搭載部ｅ１〜ｅ３に接着剤５０を介して搭載される。
【００３２】
磁気検出素子３０ａ〜３０ｃは、磁気を検出するための磁気抵抗素子をパターンニングした基板を含むセンサチップである。また、磁気検出素子３０ａ〜３０ｃは、図１、図３及び図４に示すように、リードフレーム１０の搭載部ｅ１〜ｅ３におけるバイアス磁石２０ａ〜２０ｃが搭載される面と同一面に、互いの一つの側面同士が対向するようにバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと所定間隔隔てた位置に接着剤５０を介して接着（固定）される。つまり、各搭載部ｅ１〜ｅ３には、一対のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃが接着剤５０を介して搭載される。なお、接着剤５０は、特に限定されるものではないが、本実施の形態においては、熱硬化型の接着剤を用いた場合を例として説明する。
【００３３】
図１乃至図４において、符号４０は、本発明の請求項における仮止部材に相当するものであり、平板状の磁性体であり、リードフレーム１０とバイアス磁石２０ａ〜２０ｃとを仮止めするものである。この仮止部材４０は、リードフレーム１０に対して取り外し可能に取り付けられるものである。
【００３４】
ここで、図５に基づいて、本実施の形態における磁気センサの製造方法に関して説明する。
【００３５】
まず、図５（ａ）に示すように、リードフレーム１０に対して仮止部材４０を取り付ける。この場合、ただ単に、仮止部材４０の上側にリードフレーム１０を乗せるだけでもよい。
【００３６】
次に、図５（ｂ）に示すように、仮止部材４０が取り付けられたリードフレーム１０の搭載部ｅ１〜ｅ３に接着剤５０（図５（ｂ）では図示せず）を介してバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを配置する。そして、搭載部ｅ１〜ｅ３に接着剤５０（図５（ｂ）では図示せず）を介してバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを配置した状態で接着剤５０を加熱することによって硬化させて、搭載部ｅ１〜ｅ３とバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ及び磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを接着する（仮止工程、接着工程）。
【００３７】
ここで、仮止部材４０を用いてない場合を考える。搭載部ｅ１〜ｅ３にバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ及び磁気検出素子３０ａ〜３０ｃを配置した状態では、隣接するバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ同士（例えば、バイアス磁石２０ａとバイアス磁石２０ｂ）に磁気的な干渉（引力や斥力）が生じる。このとき、接着剤５０は、熱硬化型であり加熱されるまではある程度の粘性を有する状態である。したがって、接着剤５０にある程度の粘性があるため、隣接するバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ同士に磁気的な干渉が生じたとしても、その磁気的な干渉に耐えることができるのでずれにくい（バイアス磁石２０ａ〜２０ｃが位置ずれしにくい）。
【００３８】
ところが、接着剤５０は、硬化させるために加熱すると粘性が下がった後に硬化する。したがって、この接着剤５０の粘性が下がった状態では、隣接するバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ同士の磁気的な干渉によってずれる可能性がある。すなわち、隣接するバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ同士の磁気的な干渉によって、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃが平面方向に位置ずれする可能性がある。
【００３９】
また、隣接するバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ同士の磁気的な干渉を抑制するために、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃ同士の間隔を大きくすることも考えられる。しかしながら、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃ同士の間隔を大きくするためには、搭載部ｅ１〜ｅ３の間隔を大きくする必要があり、リードフレーム１０の不要な部分が多くなるという問題がある。
【００４０】
そこで、本実施の形態においては、接着工程において、搭載部ｅ１〜ｅ３に接着剤５０を介してバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを配置する前に、リードフレーム１０に仮止部材４０を取り付けている。
【００４１】
このようにすることによって、搭載部ｅ１〜ｅ３に接着剤５０を介してバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを配置した時点で、仮止部材４０とバイアス磁石２０ａ〜２０ｃとが引き合い、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃを仮止めすることができる（仮止工程）。すなわち、磁性体からなる仮止部材４０を設けてバイアス磁石２０ａ〜２０ｃに対してリードフレーム１０に圧着する方向に力を作用させることによって、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃが磁気的な干渉によって平面方向にずれるのを抑制して仮止めする。
【００４２】
そして、接着剤５０が硬化して搭載部ｅ１〜ｅ３にバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとが固定されると、図５（ｃ）に示すように、リードフレーム１０を各搭載部ｅ１〜ｅ３に分割して個片とする（分離工程）。
【００４３】
上述のように、接着工程においてバイアス磁石２０ａ〜２０ｃとリードフレーム１０とを仮止部材４０にて仮止めすることによって、隣接するバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ同士の磁気的な干渉によってバイアス磁石２０ａ〜２０ｃがずれることを抑制することができる。したがって、各搭載部ｅ１〜ｅ３の間隔を小さくすることができるので、リードフレーム１０の不要部分を少なくすることができ生産性を向上することができる。
【００４４】
なお、本実施の形態においては、搭載部ｅ１〜ｅ３にバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ及び磁気検出素子３０ａ〜３０ｃを配置する前に、リードフレーム１０に仮止部材４０と取り付ける例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。接着剤５０を加熱する前に、すなわち接着剤５０の粘性が小さくなる前にリードフレーム１０に仮止部材４０を取り付けてバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを仮止めしておけば本発明の目的を達成できるものである。
【００４５】
また、本実施の形態においては、仮止部材４０は、リードフレーム１０の平面積よりも広い平面積を有して、リードフレーム１０の平面（裏面）を全体的にカバーするように配置する例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、少なくともバイアス磁石２０ａ〜２０ｃに対応する位置に配置しておけば本発明の目的は達成できるものである。
【００４６】
また、本実施の形態においては、仮止部材４０をリードフレーム１０に取り付ける例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、仮止部材４０は、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃをリードフレーム１０方向に引き寄せて仮止めすることができるようにリードフレーム１０に対向して配置されていれば本発明の目的は達成できるものである。例えば、仮止部材４０とリードフレーム１０とは離間していてもよい。
【００４７】
また、本実施の形態においては、搭載部が一方向に並ぶように設けられたリードフレームを用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、搭載部が二方向に並ぶように、すなわち搭載部が２次元的に並ぶように設けられたリードフレームを用いるようにしてもよい。
【００４８】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図６は、本発明の第２の実施の形態における磁気センサの製造工程中の概略構成を示す平面図である。図７は、図６のVII−VII断面図である。
【００４９】
第２の実施の形態における磁気センサの製造方法は、上述の第１の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第２の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と異なる点は仮止部材の形状及び配置場所である。
【００５０】
本実施の形態における仮止部材４１は、磁性体からなり、複数のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと接触可能な程度の長さであり、リードフレーム１０に搭載可能な程度の大きさである。つまり、仮止部材４１は、複数のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃに共通に用いるものであり、一つの仮止部材４１にて複数のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを仮止するものである。
【００５１】
そして、この仮止部材４１を用いて磁気センサを製造する場合、まず、リードフレーム１０の所定位置に対して仮止部材４１を取り付ける。この所定位置とは、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃを配置する側であり、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃの磁気検出素子３０ａ〜３０ｃと対向する側とは反対側の側面を配置する予定の位置である。この場合、ただ単に、リードフレーム１０の上側の所定位置に仮止部材４１を乗せるだけでもよい。
【００５２】
次に、仮止部材４１が取り付けられたリードフレーム１０の搭載部ｅ１〜ｅ３に接着剤５０（図６では図示せず）を介してバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを配置する。そして、搭載部ｅ１〜ｅ３に接着剤５０を介してバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを配置した状態で接着剤５０を加熱することによって硬化させて、搭載部ｅ１〜ｅ３とバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ及び磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを接着する（仮止工程、接着工程）。
【００５３】
このように搭載部ｅ１〜ｅ３に接着剤５０を介してバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを配置した時点で、仮止部材４１とバイアス磁石２０ａ〜２０ｃとが引き合い、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃを仮止めすることができる（仮止工程）。すなわち、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃの磁気検出素子３０ａ〜３０ｃと対向する側とは反対側の側面を配置する予定の位置に仮止部材４１を配置するので、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃは適切に位置決めされて仮止めされることとなる。
【００５４】
そして、接着剤５０が硬化して搭載部ｅ１〜ｅ３にバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとが固定されると、リードフレーム１０を各搭載部ｅ１〜ｅ３に分割して個片とする（分離工程）。
【００５５】
なお、接着剤５０を加熱する前に、すなわち接着剤５０の粘性が小さくなる前にリードフレーム１０に仮止部材４１を取り付けてバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを仮止めしておいても本発明の目的を達成できるものである。
【００５６】
このようにすることによっても、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁性体からなる仮止部材４１とが引き合いバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを仮止することができる。また、リードフレーム１０におけるバイアス磁石２０ａ〜２０ｃが配置される側と同一側に配置することによって容易にバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを仮止することができる。
【００５７】
なお、本実施の形態においては、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃに共通の仮止部材４１を用いる例を示したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各バイアス磁石２０ａ〜２０ｃに対して一つの仮止部材を配置するようにしても本発明の目的は達成できるものである。
【００５８】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。図８は、本発明の第３の実施の形態における磁気センサの製造工程中の概略構成を示す平面図である。図９は、図８のIX−IX断面図である。
【００５９】
第３の実施の形態における磁気センサの製造方法は、上述の第１の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第３の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と異なる点は仮止部材の形状及び配置場所である。
【００６０】
本実施の形態における仮止部材４２は、磁性体からなり、複数の搭載部ｅ１〜ｅ３に配置されるバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ間の間隔に対応した幅を有するものである。つまり、仮止部材４２は、二つのバイアス磁石（例えば、２０ａと２０ｂ）に共通に用いるものであり、一つの仮止部材４２にて二つのバイアス磁石（例えば、２０ａと２０ｂ）を仮止するものである。
【００６１】
そして、この仮止部材４２を用いて磁気センサを製造する場合、まず、リードフレーム１０の所定位置に対して仮止部材４２を取り付ける。この所定位置とは、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃを配置する予定の位置の間である。この場合、ただ単に、リードフレーム１０の所定位置に仮止部材４２を乗せるだけでもよい。
【００６２】
次に、仮止部材４２が取り付けられたリードフレーム１０の搭載部ｅ１〜ｅ３に接着剤５０（図８では図示せず）を介してバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを配置する。そして、搭載部ｅ１〜ｅ３に接着剤５０を介してバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを配置した状態で接着剤５０を加熱することによって硬化させて、搭載部ｅ１〜ｅ３とバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ及び磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを接着する（仮止工程、接着工程）。
【００６３】
このように搭載部ｅ１〜ｅ３に接着剤５０を介してバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを配置した時点で、仮止部材４２とバイアス磁石２０ａ〜２０ｃとが引き合い、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃを仮止めすることができる（仮止工程）。すなわち、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃを配置する予定の位置の間に仮止部材４２を配置するので、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃは適切に位置決めされて仮止めされることとなる。
【００６４】
そして、接着剤５０が硬化して搭載部ｅ１〜ｅ３にバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとが固定されると、リードフレーム１０を各搭載部ｅ１〜ｅ３に分割して個片とする（分離工程）。
【００６５】
なお、接着剤５０を加熱する前に、すなわち接着剤５０の粘性が小さくなる前にリードフレーム１０に仮止部材４２を取り付けてバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを仮止めしておいても本発明の目的を達成できるものである。
【００６６】
このようにすることによって、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁性体からなる仮止部材４２とが引き合いバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを仮止することができると共に、バイアス磁石のずれをより一層抑制することができる。
【００６７】
（第４の実施の形態）
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。図１０は、本発明の第４の実施の形態における磁気センサの製造工程中の概略構成を示す平面図である。図１１は、図１０のXI−XI断面図である。
【００６８】
第４の実施の形態における磁気センサの製造方法は、上述の第１の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第４の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と異なる点は仮止部材の形状及びは位置場所である。
【００６９】
本実施の形態における仮止部材４３は、各バイアス磁石２０ａ〜２０ｃの形状に対応する穴部４３ａを備える。この穴部４３ａは、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃの数に対応しても設けられる。また、穴部４３ａは、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃをリードフレーム１０に配置する際のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ間の間隔に対応して設けられる。
【００７０】
そして、この仮止部材４３を用いて磁気センサを製造する場合、まず、図１１（ａ）に示すように、搭載部ｅ１〜ｅ３に接着剤５０を介してバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを配置する。そして、図１１（ｂ）に示すように、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃの上（バイアス磁石２０ａ〜２０ｃのリードフレーム１０と対向する側とは反対側）に仮止部材４３を配置することによってバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを仮止めする。このとき、仮止部材４３の各穴部４３ａに各バイアス磁石２０ａ〜２０ｃが配置されるようにする。そして、仮止部材４３でバイアス磁石２０ａ〜２０ｃをリードフレーム１０に圧着する。さらに、仮止部材４３でバイアス磁石２０ａ〜２０ｃをリードフレーム１０に圧着した状態で接着剤５０を加熱することによって硬化させて、搭載部ｅ１〜ｅ３とバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ及び磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを接着する（仮止工程、接着工程）。すなわち、本実施の形態においては、少なくとも接着剤５０を加熱する前から接着剤５０が硬化するまでの間は、仮止部材４３にてバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを仮止めしておく。
【００７１】
そして、接着剤５０が硬化して搭載部ｅ１〜ｅ３にバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとが固定されると、リードフレーム１０を各搭載部ｅ１〜ｅ３に分割して個片とする（分離工程）。
【００７２】
このように、加熱硬化型の接着剤５０の場合、室温では粘性が高く、加熱することによって粘性が下がるものである。よって、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃは、接着剤５０を介してリードフレーム１０に配置した時点では、隣接するバイアス磁石２０ａ〜２０ｃとの磁気的な干渉に耐えることができるのでずれにくい。したがって、本実施の形態のようにすることによっても穴部４３ａを有する仮止部材４３によってバイアス磁石２０ａ〜２０ｃをリードフレーム１０に圧着するだけで容易にバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを仮止することができる。また、本実施の形態における仮止部材４３は、各バイアス磁石２０ａ〜２０ｃの形状に対応する穴部４３ａを備え、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃ間の間隔に対応して設けられるため、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃの磁気的な干渉によるずれをより一層抑制することができる。
【００７３】
（第５の実施の形態）
次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。図１２は、本発明の第５の実施の形態における磁気センサの製造工程中の概略構成を示す断面図である。
【００７４】
第５の実施の形態における磁気センサの製造方法は、上述の第４の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第５の実施の形態において、上述の第４の実施の形態と異なる点は仮止部材を磁性体とする点である。
【００７５】
本実施の形態における仮止部材４４は、磁性体からなり、上述の実施の形態と同様に各バイアス磁石２０ａ〜２０ｃの形状に対応する穴部４４ａを備える。この穴部４４ａは、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃの数に対応しても設けられる。また、穴部４４ａは、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃをリードフレーム１０に配置する際のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ間の間隔に対応して設けられる。
【００７６】
そして、この仮止部材４４を用いて磁気センサを製造する場合、まず、図１２（ａ）に示すように、仮止部材４４の各穴部４４ａに各バイアス磁石２０ａ〜２０ｃを配置する。これは、仮止部材４４が磁性体からなるため、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃが仮止部材４４と引き合い穴部４４ａに配置（吸着）される。そして、図１２（ｂ）に示すように、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃが穴部４４ａに配置された仮止部材４４を接着剤５０が配置されたリードフレーム１０に配置する。これによって、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃがリードフレーム１０に接着剤５０を介して配置される。
【００７７】
次に、仮止部材４４でバイアス磁石２０ａ〜２０ｃをリードフレーム１０に圧着した状態で接着剤５０を加熱することによって硬化させて、搭載部ｅ１〜ｅ３とバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ及び磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを接着する（仮止工程、接着工程）。
【００７８】
そして、接着剤５０が硬化して搭載部ｅ１〜ｅ３にバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとが固定されると、リードフレーム１０を各搭載部ｅ１〜ｅ３に分割して個片とする（分離工程）。
【００７９】
このようにすることによって、予め仮止部材４４の穴部４４ａにバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを吸着させた後、リードフレーム１０に押し付けるだけで、すなわち、仮止部材４４に吸着したバイアス磁石２０ａ〜２０ｃをリードフレーム１０に圧着するだけで容易にバイアス磁石２０ａ〜２０ｃを仮止めすることができる。また、本実施の形態における仮止部材４４は、各バイアス磁石２０ａ〜２０ｃの形状に対応する穴部４４ａを備え、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃ間の間隔に対応して設けられるため、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃの磁気的な干渉によるずれをより一層抑制することができる。
【００８０】
（第６の実施の形態）
次に、本発明の第６の実施の形態について説明する。図１３は、本発明の第６の実施の形態における磁気センサの製造工程中の概略構成を示す拡大平面図である。図１４は、図１３のXIV−XIV断面図である。なお、リードフレーム１１は、複数の搭載部を有し、その複数の搭載部に複数のバイアス磁石が配置されるものであるが、図１３及び図１４においては、そのうちの一つのみを示している。
【００８１】
第６の実施の形態における磁気センサ及び磁気センサの製造方法は、上述の第１の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第６の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と異なる点は、バイアス磁石とリードフレームとに保持部を設けた点である。
【００８２】
本実施の形態におけるリードフレーム１１は、バイアス磁石２１ａとの位置関係を保持するフレーム側突部１１１（本発明の請求項における保持部に相当する）を有する。このフレーム側突部１１１は、例えば、円柱状、直方体状、立方体状などの形状をなすものである。また、フレーム側突部１１１は、バイアス磁石２１ａと磁気検出素子とを搭載する搭載部におけるバイアス磁石２１ａと対向する領域に設けられる。そして、フレーム側突部１１１は、バイアス磁石２１ａと対向する領域における周囲付近で互いに対向する位置に設けると好ましい。
【００８３】
また、本実施の形態におけるバイアス磁石２１ａは、フレーム側突部１１１の形状に対応する形状の磁石側穴部２１ａ１（本発明の請求項における保持部に相当する）を有する。なお、磁石側穴部２１ａ１は貫通穴であってもよい。
【００８４】
そして、上述のリードフレーム１１及びバイアス磁石２１ａを用いて磁気センサを製造する場合、まず、図１４（ａ）（ｂ）に示すように、バイアス磁石２１ａの磁石側穴部２１ａ１にリードフレーム１１のフレーム側突部１１１が挿入されるように、接着剤（図示省略）を介してバイアス磁石２１ａをリードフレーム１１（搭載部）に配置する。そして、この状態で接着剤を加熱することによって硬化させて、リードフレーム１１（搭載部）にバイアス磁石２１ａを接着する（接着工程）。なお、磁気検出素子に関しては、上述の実施の形態と同様に接着剤を介してリードフレーム１１に接着するものである。
【００８５】
そして、接着剤が硬化してリードフレーム１１（搭載部）にバイアス磁石２１ａと磁気検出素子とが固定されると、リードフレーム１１を各搭載部に分割して個片とする（分離工程）。
【００８６】
このように、リードフレーム１１（搭載部）及びバイアス磁石２１ａは、リードフレーム１１（搭載部）とバイアス磁石２１ａとの位置関係を保持するフレーム側突部１１１と磁石側穴部２１ａ１（保持部）を有することによって、隣接するバイアス磁石同士の磁気的な干渉によってバイアス磁石がずれることを抑制することができる。したがって、各搭載部の間隔を小さくすることができるので、リードフレーム１１の不要部分を少なくすることができ生産性を向上することができる。
【００８７】
（第７の実施の形態）
次に、本発明の第７の実施の形態について説明する。図１５は、本発明の第７の実施の形態における磁気センサの製造工程中の概略構成を示す拡大平面図である。図１６は、図１５のXVI−XVI断面図である。
【００８８】
第７の実施の形態における磁気センサ及び磁気センサの製造方法は、上述の第６の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第７の実施の形態において、上述の第６の実施の形態と異なる点は、突部をバイアス磁石に設け、穴部をリードフレームに設けた点である。
【００８９】
また、本実施の形態におけるバイアス磁石２２ａは、リードフレーム１２との位置関係を保持する磁石側突部２２ａ１（本発明の請求項における保持部に相当する）を有する。この磁石側突部２２ａ１は、例えば、円柱状、直方体状、立方体状などの形状をなすものである。また、磁石側突部２２ａ１は、周囲付近で互いに対向する位置に設けると好ましい。
【００９０】
本実施の形態におけるリードフレーム１２は、バイアス磁石２２ａの磁石側突部２２ａ１の形状に対応するフレーム側穴部１２１（本発明の請求項における保持部に相当する）を有する。なお、フレーム側穴部１２１は貫通穴であってもよい。
【００９１】
そして、上述のリードフレーム１２及びバイアス磁石２２ａを用いて磁気センサを製造する場合、まず、図１６（ａ）（ｂ）に示すように、リードフレーム１２のフレーム側穴部１２１にバイアス磁石２２ａの磁石側突部２２ａ１が挿入されるように、接着剤（図示省略）を介してバイアス磁石２２ａをリードフレーム１２（搭載部）に配置する。そして、この状態で接着剤を加熱することによって硬化させて、リードフレーム１２（搭載部）にバイアス磁石２２ａを接着する（接着工程）。なお、磁気検出素子に関しては、上述の実施の形態と同様に接着剤を介してリードフレーム１２に接着するものである。
【００９２】
そして、接着剤が硬化してリードフレーム１２（搭載部）にバイアス磁石２２ａと磁気検出素子とが固定されると、リードフレーム１２を各搭載部に分割して個片とする（分離工程）。
【００９３】
このように、リードフレーム１２（搭載部）及びバイアス磁石２２ａは、リードフレーム１２（搭載部）とバイアス磁石２２ａとの位置関係を保持するフレーム側穴部１２１と磁石側突部２２ａ１（保持部）を有することによって、隣接するバイアス磁石同士の磁気的な干渉によってバイアス磁石がずれることを抑制することができる。したがって、各搭載部の間隔を小さくすることができるので、リードフレーム１２の不要部分を少なくすることができ生産性を向上することができる。
【００９４】
なお、上述の第６及び第７の実施の形態においては、リードフレーム及びバイアス磁石の両方に保持部を設ける例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、リードフレーム及びバイアス磁石の少なくとも一方に保持部を備えれば本発明の目的は達成できるものである。例えば、リードフレームにバイアス磁石の形状（外周形状）に対応した凹部を保持部として設け、その凹部にバイアス磁石を挿入するようにしてもよい。また、リードフレームにバイアス磁石の形状（外周形状）に対応した突部を備え、その突部に囲まれた領域にバイアス磁石を挿入するようにしてもよい。
【００９５】
なお、上述の実施の形態においては、磁気検出素子とバイアス磁石とをリードフレームの同一面（同一方向の面）に搭載する例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、リードフレームの異なる面（表面と裏面）に搭載するようにしても本発明の目的は達成できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の第１の実施の形態における磁気センサの製造工程中の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のII−II断面図である。
【図３】図１のIII−III断面図である。
【図４】図１のIV−IV断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態における磁気センサの製造方法を示す工程別平面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態における磁気センサの製造工程中の概略構成を示す平面図である。
【図７】図６のVII−VII断面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態における磁気センサの製造工程中の概略構成を示す平面図である。
【図９】図８のIX−IX断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施の形態における磁気センサの製造工程中の概略構成を示す平面図である。
【図１１】図１０のXI−XI断面図である。
【図１２】本発明の第５の実施の形態における磁気センサの製造工程中の概略構成を示す断面図である。
【図１３】本発明の第６の実施の形態における磁気センサの製造工程中の概略構成を示す拡大平面図である。
【図１４】図１３のXIV−XIV断面図である。
【図１５】本発明の第７の実施の形態における磁気センサの製造工程中の概略構成を示す拡大平面図である。
【図１６】図１５のXVI−XVI断面図である。
【符号の説明】
【００９７】
１０〜１２  リードフレーム、２０ａ〜２０ｃ，２１ａ，２２ａ  バイアス磁石、３０ａ〜３０ｃ  磁気検出素子、４０〜４４  仮固定部材、ｅ１〜ｅ３  搭載部、１１１  フレーム側突部、２１ａ１  磁石側穴部、１２１  フレーム側穴部、２１ａ１  磁石側突部
【図１】
2008157639.tif 000003
【図２】
2008157639.tif 000004
【図３】
2008157639.tif 000005
【図４】
2008157639.tif 000006
【図５】
2008157639.tif 000007
【図６】
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【図７】
2008157639.tif 000009
【図８】
2008157639.tif 000010
【図９】
2008157639.tif 000011
【図１０】
2008157639.tif 000012
【図１１】
2008157639.tif 000013
【図１２】
2008157639.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
2008157639.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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