(57)【要約】【課題】平面型画像表示装置で、蛍光面の高圧印加部分の端面の電界集中を緩和し放電発生を防止する。【解決手段】ガラス基板上に複数の信号配線及び電子源を備えた背面基板１と、ガラス基板上に蛍光体層１５、ＢＭ膜１６及びメタルバック１７を備えた前面基板２と、これら背面基板１と前面基板２間に介挿された枠体３とを備えた平面型画像表示装置であって、前記メタルバック１７の周縁１７１を覆って高抵抗膜１８を配置した。【選択図】図３
2008010405.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数の走査信号配線と、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線と、この画像信号配線と前記走査信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記走査信号配線と前記画像信号配線の各交差部近傍に設けられた電子源とを備えた背面基板と、
前記電子源に対応して設けられた蛍光体層及び前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速するための加速電極を有し前記背面基板と所定の間隔をもって対向する前面基板と、
前記背面基板と前記前面基板との間で表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持する枠体と、
前記枠体と前記前面基板及び背面基板とをそれぞれ封止領域で気密封着する封着部材とを備えた画像表示装置であって、
前記加速電極の周縁を覆って、前記枠体と所定の間隔を隔てて配置された高抵抗膜を備えたことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記高抵抗膜は前記加速電極の周縁の全周を覆って配置されてなることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記高抵抗膜を前記枠体の内側面で前記背面基板及び前面基板からそれぞれ離隔した部位に更に配置したことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記高抵抗膜は１０10Ω／□〜１０14Ω／□の抵抗値を有することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記高抵抗膜の前記延在長さは前記加速電極の終端から３〜１０ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記高抵抗膜は絶縁性の高抵抗酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記絶縁性の高抵抗酸化物はＦｅ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3の何れかを主成分として含むことを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記高抵抗膜は１〜２０重量％の水ガラスを含むことを特徴とする請求項７に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記高抵抗膜は水ガラスとＦｅ2Ｏ3又は水ガラスとＣｒ2Ｏ3の比が１：４〜１：１０の範囲で混合してなることを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記高抵抗膜は導電性フリットガラスから構成されてなることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記高抵抗膜は酸化バナジウムを主成分とする導電性フリットガラスから構成されてなることを特徴とする請求項１０に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
前記高抵抗膜は酸化リン、酸化アンチモン、酸化バリウムを更に含む導電性フリットガラスから構成されてなることを特徴とする請求項１１に記載の画像表示装置。
【請求項１３】
前記高抵抗膜は酸化ケイ素或いは酸化アルミニウムをフィラーとして含むことを特徴とする請求項１０に記載の画像表示装置。
【請求項１４】
前記高抵抗膜は、表面の凹凸の平均粗さＲａが０．１μｍ〜５μｍであることを特徴とする請求項１０に記載の画像表示装置。
【請求項１５】
一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数の走査信号配線と、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線と、この画像信号配線と前記走査信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記走査信号配線と前記画像信号配線の各交差部近傍に設けられた電子源とを備えた背面基板と、
前記電子源に対応して設けられた蛍光体層及び前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速するための加速電極を有し前記背面基板と所定の間隔をもって対向する前面基板と、
前記背面基板と前記前面基板との間で表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持する枠体と、
前記枠体と前記前面基板及び背面基板とをそれぞれ封止領域で気密封着する封着部材とを備えた画像表示装置の製造方法であって、
前記加速電極の周縁を通して前記枠体方向に延在し、前記枠体と所定の間隔を隔てて配置された高抵抗膜を、遷移金属酸化物を用いてスパッタリングにより形成することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自発光型フラットパネル型画像表示装置に係り、特に薄膜型電子源をマトリクス状に配列した画像表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マトリクス状に配置した電子源を有する自発光型フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の一つとして、微少で集積可能な冷陰極を利用する電界放出型画像表示装置（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）や電子放出型画像表示装置が知られている。これらの冷陰極には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源、金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の電子源などがある。
【０００３】
一般的な自発光型ＦＰＤは、上記のような電子源をガラス板からなる背面基板上に備えた背面パネルと、蛍光体層及びこの蛍光体層に前記電子源から放出される電子を射突させるための電界を形成する陽極をガラス板からなる前面基板上に備えた前面パネルと、両パネルの対向する内部空間を所定の間隔に保持する枠体とを備え、前記両パネルと枠体で形成される表示空間を真空状態に保持する構成とし、この表示パネルに駆動回路を組み合わせて構成される。
【０００４】
又、前記背面パネルの前記背面基板上には、一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設されて前記他方向に走査信号が順次印加される複数の走査信号配線を有し、更にこの背面基板上には、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線を備えている。加えて前記走査信号配線と画像信号配線の各交差部付近に上記の電子源がそれぞれ設けられ、走査信号配線と電子源とは給電電極で接続され、走査信号配線から電子源に電流が供給される構成が一般的である。
【０００５】
更に、前記個々の電子源は対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の単位画素で一つの画素（カラー画素、ピクセル）が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素（サブピクセル）とも呼ばれる。
【０００６】
上述の構成に加え、前述したような画像表示装置では、背面パネルと前面パネル間の前記枠体で囲繞された表示領域内に複数の間隔保持部材（スペーサ）が配置固定され、前記両パネル間の間隔を前記枠体と協働して所定間隔に保持している。このスペーサは、一般にはガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。
【０００７】
又、封止枠となる枠体は背面基板と前面基板との間で各々の内周縁にフリットガラスなどの封着部材で固着され、この固着部が気密封着され封止領域となっている。両基板と枠体とで形成される表示領域内部の真空度は、例えば１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒ程度である。
【０００８】
枠体と両基板との封止領域には、背面基板に形成された走査信号配線につながる走査信号配線引出端子や画像信号配線につながる画像信号配線引出端子がそれぞれ貫通する。
【特許文献１】特開２００２−７５２５４号公報
【特許文献２】特開２００２−１００３１３号公報
【特許文献３】特開２００４−３６３０７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のような自発光型の画像表示装置に関し、特許文献１では前記枠体の両基板との当接面に電極を設けると共に前記当接面に接する側壁側面に高抵抗膜を配置した構成が開示されている。又、特許文献２では放電防止のために表示領域外に抵抗値の異なる２種類の抵抗膜を順次配置する構成が開示されている。
【００１０】
この種の画像表示装置では、前記放電対策は必須である。しかしながら、従来この対策のために前記表示領域を含め両基板の内表面の汚れや損傷を発生させる恐れがあり、このことは表示品位の劣化を招くと共に長寿命化に支障を来たす問題の発生を内包している。
【００１１】
本発明の目的は、前述の問題を解決して表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明は、前面基板に設けられた加速電極の周縁に接して前記枠体方向に延在し、前記枠体と所定の間隔を有して配置された高抵抗膜を備えたことを特徴とする。
【００１３】
又、本発明は、前記加速電極に連なる前記高抵抗膜に加え、前記枠体の内側面に第２の高抵抗膜を配置したことを特徴とする。
【００１４】
更に、本発明は、前記高抵抗膜の形成において、この高抵抗膜を構成する材料に最適な形成方法を用いることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
加速電極の周縁に接して高抵抗膜を配置したことにより、この高抵抗膜が高圧電位緩和層となって蛍光面の高圧印加部分の端面の電界集中が緩和され、放電発生を抑制でき、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を可能にした。
【００１６】
又、枠体の内側面に第２の高抵抗膜を配置したことにより、放電発生を更に抑制でき、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を可能にした。
【００１７】
更に、加速電極の周縁の全周を覆って単一の高抵抗膜を配置したことにより、作業工程も簡便で、蛍光面の汚れ、損傷の発生も抑制でき、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を可能にした。
【００１８】
更に又、前記高抵抗膜の形成において、この高抵抗膜を構成する材料に最適な形成方法を用いることにより、特性の優れた膜を効率的に形成でき、原価的にも優れたものとした。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１（ａ）乃至図４は、本発明による画像表示装置の第1の実施例を説明する模式図で、図１（ａ）は前面基板側から見た平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図、図２は図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った平面図、図３は図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図、図４は図１（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【００２１】
これら図１（ａ）乃至図４において、参照符号１は背面基板、２は前面基板、３は枠体、４は排気管、５は封着部材、６は空間、７は貫通孔、８は映像信号配線、９は走査信号配線、１０は電子源、１１は接続電極、１２はスペーサ、１３は接着部材、１５は蛍光体層、１６は遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）膜、１７は金属薄膜からなるメタルバック（加速電極）、１８は高抵抗膜である。
【００２２】
これら両基板１、２は厚さ数ｍｍ、例えば１〜１０ｍｍ程度のガラス板から構成され、両基板共に略矩形状を呈し、所定の間隔を隔てて配置されている。参照符号３は枠状を呈する枠体を示し、この枠体３は例えばフリットガラスの燒結体或いはガラス板等から構成され、単体で若しくは複数部材の組み合わせで略矩形状とされ、前記両基板１、２間に介挿されている。
【００２３】
この枠体３は、前記両基板１、２間の周縁部に介挿され、両端面が両基板１、２と気密接合されている。この枠体３の厚さは数ｍｍ〜数十ｍｍ、その高さは両基板１、２間の前記間隔に略等しい寸法に設定されている。参照符号４は排気管で、この排気管４は前記背面基板１に固着されている。５は封着部材で、この封着部材５は例えばフリットガラスから構成され、前記枠体３と両基板１、２間を接合して気密封着している。
【００２４】
前記枠体３と両基板１、２及び封着部材５で囲まれた空間６は前記排気管４を介して排気され、例えば１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒの真空度を保持している。又、前記排気管４は前述のように前記背面基板１の外表面に取り付けられ、この背面基板１を貫通して穿設された貫通孔７に連通しており、排気完了後前記排気管４は封止される。
【００２５】
参照符号８は映像信号配線で、この映像信号配線８は後述するような金属材料を用い、前記背面基板１の内面に一方向（Ｙ方向）に延在し他方向（Ｘ方向）に並設されている。この映像信号配線８は前記空間６から枠体３と背面基板１との封止領域を気密に貫通し、背面基板１の端面まで延長している。この映像信号配線８は前記封止領域より外側先端部分を映像信号配線引出端子８１としている。
【００２６】
参照符号９は走査信号配線で、この走査信号配線９は後述するような金属材料を用い、前記映像信号配線８上でこれと交差する前記他方向（Ｘ方向）に延在し前記一方向（Ｙ方向）に並設されている。この走査信号配線９は前記空間６から枠体３と背面基板１との封止領域を気密に貫通し、背面基板１の端面近傍まで延長している。この走査信号配線９はその前記封止領域より外側先端部分を走査信号配線引出端子９１としている。
【００２７】
参照符号１０は例えば特許文献３に開示された電子源の一種のＭＩＭ型の電子源で、この電子源１０は前記走査信号配線９と映像信号配線８の各交差部近傍に設けられている。又、この電子源１０は前記走査信号配線９と接続電極１１で接続されている。又、前記映像信号配線８と前記走査信号配線９間には層間絶縁膜ＩＮＳが配置されている。
【００２８】
ここで、前記映像信号配線８は例えばＡｌ（アルミニウム）膜、走査信号配線９は例えばＣｒ／Ａｌ／Ｃｒ膜、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ膜等が用いられる。又、前記配線引出端子８１、９１はそれぞれ信号配線の両端に設けられているが、何れか一端のみに設けても良い。
【００２９】
次に、参照符号１２はスペーサであり、このスペーサ１２はガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。このスペーサ１２は１０8〜１０9Ω・ｃｍ程度の比抵抗で、全体として抵抗値の偏在の少ない構成となっている。そして、スペーサ１２は前記枠体３と略平行で走査信号配線９上に１本おきに直立配置され、接着部材１３で両基板１、２と接着固定している。又、スペーサ１２の基板との接着固定は一端側のみでも良く、更にその配置は通常、複数の画素毎に画素の動作を妨げない位置に設置される。更に又、走査信号配線９上に数本おきに配置することも可能である。
【００３０】
このスペーサ１２の寸法は基板寸法、枠体の高さ、基板素材、スペーサの配置間隔、スペーサ素材等により設定されるが、一般的には高さは前述した枠体と略同一寸法、厚さは数十μｍ〜数ｍｍ以下である。スペーサの長さは２０ｍｍ乃至１０００ｍｍ程度、更にはそれ以上の長尺も可能であるが、好ましくは８０ｍｍ乃至３００ｍｍ程度が実用的な値となる。
【００３１】
このスペーサ１２の一端側が固定された前面基板２の内面には、赤色、緑色、青色用の蛍光体層１５が遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）膜１６で区画された窓部に配置され、これらを覆うように金属薄膜からなるメタルバック（加速電極）１７が例えば蒸着方法で設けられて蛍光面を形成している。動作時この蛍光面には３ｋＶ〜２０ｋＶ程度の陽極電圧が印加される。メタルバック１７は前面基板２と反対側、つまり背面基板１側への発光を前面基板２側へ向け反射させ、発光の取り出し効率を上げる為の光反射膜であると共に蛍光体粒子の表面の帯電を防ぐ機能も合わせ持っている。
【００３２】
前記蛍光体としては、例えば赤色用としてＹ2Ｏ3：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕを、又、緑色用としてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂ、更に、青色用としてＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ等を用いることができる。この蛍光体層１５は蛍光体粒子の平均粒径は例えば４μｍ〜９μｍ、膜厚は例えば１０μｍ〜２０μｍ程度となっている。
【００３３】
次に、参照符号１８で示す高抵抗膜は、前記メタルバック１７の周縁１７１の全周を覆い前記枠体３方向へ延在し、その終端１８１が前記枠体３と一定の間隔Ｓ１を隔てて非接触として配置されている。一方、この高抵抗膜１８の始端１８２は前述のように前記メタルバック１７の周縁１７１の全周と重畳してこれを覆って配置され、高圧電位緩和層として作用している。
【００３４】
この高抵抗膜１８は、前記メタルバック１７の周縁１７１を覆って前記枠体３方向へ延在しているが、前記メタルバック１７の周縁１７１から前記高抵抗膜１８の終端１８１までの長さＬ１は３ｍｍ〜１０ｍｍ程度が必要で、この長さが３ｍｍ未満では高圧電位緩和効果が期待できず、又１０ｍｍを超えると表示領域が狭くなり、周辺領域が広くなる。好ましくは４ｍｍ〜８ｍｍ程度である。又、膜厚は３μｍ〜２０μｍが必要で、特に５μｍ〜１０μｍが好ましい。これが３μｍ未満では膜の消滅の可能性があり、２０μｍを超えると高圧電位緩和効果が期待できない。
【００３５】
この高抵抗膜１８は、酸化鉄、酸化クロム等の絶縁性の高抵抗酸化物と水ガラス等の無機バインダで構成されている。酸化鉄としては陰極線管等で使用実績のある例えばＦｅ2Ｏ3が、又、酸化クロムとしては例えばＣｒ2Ｏ3が推奨される。この構成では前記酸化鉄、酸化クロム等は粒径が０．１μｍ〜１０μｍのものを用いる。特に、１０μｍを超えると電位緩和効果が小さい問題があり、好ましくは０．５μｍ〜３μｍ程度である。
【００３６】
この高抵抗膜１８の無機バインダとして同じく陰極線管等で使用実績のある水ガラスを用いるケースでは、水ガラスは１重量％〜２０重量％で、好ましくは３重量％〜１０重量％程度である。又、水ガラスとＦｅ2Ｏ3の組み合わせ、又は水ガラスとＣｒ2Ｏ3の組み合わせでは、混合比は水ガラス：Ｆｅ2Ｏ3は１：４〜１：１０、水ガラス：Ｃｒ2Ｏ3は同じく１：４〜１：１０が好ましい。
【００３７】
高抵抗膜１８の形成は、前記材料の混合溶液をスポンジ、刷毛、筆等公知の治具を用いて当該部位に塗布し、乾燥して完成させる。完成後の抵抗値は１０10Ω／□〜１０14Ω／□で、前記メタルバック１７の形成された蛍光面の抵抗の１ｍΩ／□〜１０2Ω／□に比べ格段に異なる高抵抗膜となっている。
【００３８】
前記高抵抗膜１８としては、前述した酸化鉄、酸化クロム等の絶縁性の高抵抗酸化物と水ガラス等の無機バインダの組み合わせの他に、導電性フリットガラス膜によるもの、遷移金属酸化物のスパッタ膜或は遷移金属と酸素の組合せによるスパッタ膜等で構成されるもの、更にはＢＭ膜を延長して構成するもの等が可能である。
【００３９】
前記高抵抗膜１８を導電性フリットガラス膜とする構成では、酸化バナジウムを主成分とするガラス粉末を含む導電性フリットガラスを用いる。膜形成はガラスペーストをスプレーコーティングにより吹き付け、焼成して形成する方法等を用いることが可能である。
【００４０】
この導電性フリットガラスとしては、前記酸化バナジウムに加え、酸化リン、酸化アンチモン、酸化バリウム等を含み、更にフィラーとして酸化ケイ素或は酸化アルミニウムを含む組成が好ましい。組成的には、酸化バナジウムが４０ｗｔ％〜４５ｗｔ％、酸化リンが１５ｗｔ％〜２５ｗｔ％、酸化アンチモンが５ｗｔ％〜２０ｗｔ％、酸化バリウムが５ｗｔ％〜２０ｗｔ％が好適である。一方、前記フィラーは、フィラーが抵抗値調整機能を持つことから、フィラー含有量を増やせば抵抗値が増大する。フィラーは前記ガラスペーストの１０ｗｔ％〜２０ｗｔ％が最適である。
【００４１】
この導電性フリットガラスを用いる構成では、膜表面の凹凸が平均粗さＲａで０．１μｍ〜５μｍが必要で、特に１μｍ〜３μｍが好ましい。Ｒａが０．１μｍ未満では高圧電位緩和効果が期待できない恐れが有り、又、５μｍを超えると欠けによる異物発生の恐れがあり、前述した０．１μｍ〜５μｍが望ましい。抵抗値はパネルの熱工程を経た後では１０10Ω／□〜１０14Ω／□で、前記メタルバック１７の形成された蛍光面の抵抗の１ｍΩ／□〜１０2Ω／□に比べ格段に異なる高抵抗膜となっている。
【００４２】
一方、前記高抵抗膜１８を遷移金属酸化物のスパッタ膜或は遷移金属と酸素の組合せによる反応性スパッタ膜とする構成では、例えば酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）等からなるターゲットを用い、スパッタリングにより成膜して前記高抵抗膜１８を配置する。膜厚は２０ｎｍ〜４００ｎｍ程度とし、抵抗値はパネルの熱工程を経た後では１０10Ω／□〜１０14Ω／□で、前記メタルバック１７の形成された蛍光面の抵抗の１ｍΩ／□〜１０2Ω／□に比べ格段に異なる高抵抗膜となっている。
【００４３】
更にＢＭ膜の延長による構成では、ＢＭ膜を酸化クロムとクロムの積層構造とし、下側、すなわちパネル面側の酸化クロムの成膜範囲を上側のクロムの成膜範囲よりも例えば４ｍｍ〜８ｍｍ程度拡大し、露呈した酸化クロム膜領域を電界緩和層とする。膜厚の一例として、酸化クロム膜が４０ｎｍ、クロム膜が２００ｎｍ程度の構造が用いられる。抵抗値はパネルの熱工程を経た後では１０10Ω／□〜１０14Ω／□で、前記メタルバック１７の形成された蛍光面の抵抗の１ｍΩ／□〜１０2Ω／□に比べ格段に異なる高抵抗膜となっている。
【００４４】
図５は、表示領域内の電界分布を等電位線で模式的に示した図で、上記実施例１では、前記高低抗膜１８の配置により高圧電位緩和がなされ、前記メタルバック１７の終端１７１付近の電界が実線の等電位線１９で模式的に示すように滑らかとなり、その結果放電発生回数が激減し、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を得ることができた。なお、図５の点線で示す等電位線２０は高低抗膜１８を配置しない構成時のものである。
【実施例２】
【００４５】
図６は、本発明の画像表示装置の他の実施例を示す模式断面図で、前記図３に対応しており、かつ前述した図と同一部分には同一記号を付してある。
【００４６】
図６において、参照符号２８は高抵抗膜で、この高抵抗膜２８は枠体３の全周に亘ってその内側面３１に両基板１、２と非接触の状態で配置されている。この高抵抗膜２８は蛍光面側に配置された前記高抵抗膜１８と同一組成のもので形成され完成後の抵抗値も同一とされている。膜厚も実施例１と同様な寸法内に設定される。
【００４７】
実施例２では、前記蛍光面側に配置された高低抗膜１８に加え枠体３の全周に亘ってその内側面３１に第２の高抵抗膜２８を配置したことにより高圧電位緩和がなされ、図５で説明した前記メタルバック１７の周縁１７１付近の等電位線１９の傾斜が前記実施例１より更に滑らかとなり、その結果放電発生回数が激減し、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を得ることができた。
【実施例３】
【００４８】
図７は本発明による画像表示装置の更に他の実施例を説明する模式平面図で、前述した図と同一部分には同一記号を付してある。図７において、メタルバック１７はコーナー部において枠体３付近まで延在し、突出部１７３が形成されている。このメタルバック１７のコーナー部の突出部１７３で、陽極電圧導入端子２１が電気的に接続されている。この陽極電圧導入端子２１は金属で形成され、背面基板１側から延びて配置されている。陽極電圧は背面基板１側から陽極電圧導入端子２１を介して前面基板２のメタルバック１７に供給される。
【００４９】
このメタルバック１７の突出部１７３は、前面基板２の高電圧供給部分であり陽極電流が集中する為、メタルバック１７の外周付近の中でも特に突出部１７３の周辺では電位が急激に変化する。本実施例３では、高抵抗膜１８はメタルバック１７の突出部１７３の外側で、この突出部１７３の外周部分を部分的に覆うように形成されている。この実施例３の構成のように、高抵抗膜１８とメタルバック１７の周縁の一部との部分的なオーバーラップ構造によって、前面基板２の高電圧供給部分の近傍での急激な電位変化を抑制することができ、上記実施例１、２と同様の効果が得られる。
【実施例４】
【００５０】
図８は、本発明による画像表示装置の更に他の実施例を説明する模式断面図で、前述した図と同一部分には同一記号を付してある。図８において、ＢＭ膜１６は前面基板２のガラス面に接する下側に配置された酸化クロムからなる下層膜１６１と、その上側に配置されたクロム膜からなる上層膜１６２の積層構造で構成されている。
【００５１】
この構成で、前記酸化クロムからなる下層膜１６１は上側に配置されたクロム膜からなる上層膜１６２より外側で、前記メタルバック１７の周縁１７１より更に枠体３側に突出して設けられており、前記周縁１７１から終端１８１までを高圧電位緩和領域とした構成である。各膜厚、突出寸法等は前述した通りである。この実施例４では高抵抗膜１８がＢＭ膜の形成工程で同時に形成でき、上記実施例と同様な効果に加え作業効率の向上が図れる。
【００５２】
以上の各実施例では、電子源にＭＩＭ型を用いた構造を例としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、前記した各種の電子源を用いた自発光型ＦＰＤに対しても同様に適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明による画像表示装置の第1の実施例を説明する模式図で、図１（ａ）は前面基板側から見た平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図である。
【図２】は、図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った模式平面図である。
【図３】は、図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った模式断面図である。
【図４】は、図１（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った模式断面図である。
【図５】は、電界分布を説明する模式図である。
【図６】は、本発明による画像表示装置の他の実施例を説明する模式断面図である。
【図７】は、本発明による画像表示装置の更に他の実施例を説明する模式平面図である。
【図８】は、本発明による画像表示装置の更に他の実施例を説明する模式断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・背面基板、２・・・前面基板、３・・・枠体、４・・・排気管、５・・・封着部材、６・・・空間、７・・・貫通孔、８・・・画像信号配線、８１・・・画像信号配線引出端子、９・・・走査信号配線、９１・・・走査信号配線引出端子、１０・・・電子源、１１・・・接続電極、１２・・・スペーサ、１３・・・接着部材、１５・・・蛍光体層、１６・・・ＢＭ膜、１７・・・メタルバック（加速電極）、１７１・・・メタルバック周縁、１７３・・・メタルバック突出部、１８、２８・・・高抵抗膜、１８１・・・高抵抗膜の終端、１８２・・・高抵抗膜の始端、１９、２０・・・等電位線、２１・・・陽極電圧導入端子、ＩＮＳ・・・絶縁膜（層間絶縁膜）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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