(57)【要約】【課題】非破壊試験により半導体レーザのＥＳＤ耐性を検査することができる工程を含む半導体レーザ生産物の製造方法を提供する。【解決手段】まず、ＤＦＢレーザＬＤを製造する（工程Ｓ１０１）。ＤＦＢレーザＬＤは、端面Ｅ１及び端面Ｅ２を有する半導体レーザチップＣＰと、端面Ｅ１上に設けられた高反射膜Ｃ１と、端面Ｅ２上に設けられた低反射膜Ｃ２とを備える。次に、ＤＦＢレーザＬＤに電流を供給することによって高反射膜Ｃ１から出射されるレーザ光Ｌ２のパワーＰ１〜Ｐｋを測定する（工程Ｓ１０７）。その後、スロープ効率Ｅ１〜Ｅｋを算出する（工程Ｓ１０８）。続いて、スロープ効率Ｅ１〜Ｅｋに基づいてＤＦＢレーザＬＤを選別する（工程Ｓ１０９）。工程Ｓ１０９では、スロープ効率Ｅ１〜Ｅｋが所定の閾値Ｅｔｈ以下の場合にＤＦＢレーザＬＤが良品であると判断して、半導体レーザ生産物を得る。【選択図】図２
2008010642.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端面及び他端面を有する半導体レーザチップと、前記一端面上に設けられ第１の反射率を有する第１の保護膜と、前記他端面上に設けられ前記第１の反射率よりも小さい第２の反射率を有する第２の保護膜とを備える分布帰還型の半導体レーザを製造する工程と、
前記半導体レーザに電流を供給することによって前記第１の保護膜から出射されるレーザ光の光出力を測定する工程と、
前記レーザ光の光出力に基づいて前記半導体レーザを選別する工程と、
を含み、
前記半導体レーザを選別する工程では、前記レーザ光の光出力が所定の閾値以下の場合に前記半導体レーザが良品であると判断して、半導体レーザ生産物を得る、半導体レーザ生産物の製造方法。
【請求項２】
前記所定の閾値は、予め求められた前記半導体レーザの静電耐圧と前記レーザ光の光出力との相関関係から得られる、請求項１に記載の半導体レーザ生産物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ生産物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザの静電放電（ＥＳＤ：electrostatic discharge）耐性の検査は、通常、ＥＳＤ試験によって行われる（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−９４１２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＥＳＤ試験では、半導体レーザに徐々に電圧を印加していき、当該半導体レーザが破壊する電圧を静電耐圧（ＥＳＤ耐圧ともいう。）とする。つまり、ＥＳＤ試験は破壊試験である。このため、非破壊試験により半導体レーザのＥＳＤ耐性を検査する方法の確立が望まれている。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みて為されたものであり、非破壊試験により半導体レーザのＥＳＤ耐性を検査することができる工程を含む半導体レーザ生産物の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述の課題を解決するため、本発明の半導体レーザ生産物の製造方法は、一端面及び他端面を有する半導体レーザチップと、前記一端面上に設けられ第１の反射率を有する第１の保護膜と、前記他端面上に設けられ前記第１の反射率よりも小さい第２の反射率を有する第２の保護膜とを備える分布帰還型の半導体レーザを製造する工程と、前記半導体レーザに電流を供給することによって前記第１の保護膜から出射されるレーザ光の光出力を測定する工程と、前記レーザ光の光出力に基づいて前記半導体レーザを選別する工程とを含み、前記半導体レーザを選別する工程では、前記レーザ光の光出力が所定の閾値以下の場合に前記半導体レーザが良品であると判断して、半導体レーザ生産物を得る。
【０００６】
第１の保護膜から出射されるレーザ光の光出力は、半導体レーザのＥＳＤ耐性に応じて敏感に変化する。例えば、ＥＳＤ耐性の低い半導体レーザでは、第１の保護膜から出射されるレーザ光の光出力が大きくなる。本発明の半導体レーザ生産物の製造方法では、上述のように第１の保護膜から出射されるレーザ光の光出力を用いるので、非破壊試験により半導体レーザのＥＳＤ耐性を検査することができる。この検査によって、良品の半導体レーザを半導体レーザ生産物として得ることができる。
【０００７】
前記所定の閾値は、予め求められた前記半導体レーザの静電耐圧と前記レーザ光の光出力との相関関係から得られることが好ましい。静電耐圧は、例えば、ヒューマンボディモデル（ＨＢＭ）の「ＭＩＬ規格に従う静電放電試験法における耐圧」として表される。
【０００８】
この場合、予め求められた相関関係を用いて、所望の静電耐圧以上となるような所定の閾値を決定することができる。よって、ＥＳＤ耐性の良好な半導体レーザをより正確に選別することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、非破壊試験により半導体レーザのＥＳＤ耐性を検査することができる工程を含む半導体レーザ生産物の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
【００１１】
図１は、分布帰還型の半導体レーザ（以下、「ＤＦＢレーザ」という。）の一例を模式的に示す図である。図１に示されるＤＦＢレーザＬＤは、一方の端面Ｅ１及び他方の端面Ｅ２を有する半導体レーザチップＣＰと、端面Ｅ１上に設けられた高反射膜Ｃ１（第１の保護膜）と、端面Ｅ２上に設けられた低反射膜Ｃ２（第２の保護膜）とを備える。高反射膜Ｃ１は第１の反射率ｎ１を有する。低反射膜Ｃ２は、第１の反射率ｎ１よりも小さい第２の反射率ｎ２を有する。高反射膜Ｃ１の反射率ｎ１は８０％以上であることが好ましい。低反射膜Ｃ２の反射率ｎ２は１％以下であることが好ましい。
【００１２】
半導体レーザチップＣＰは、第１のクラッドＣＬ１と、第２のクラッドＣＬ２と、クラッドＣＬ１とクラッドＣＬ２との間に設けられ表面に回折格子ＤＧが形成された活性層ＡＬとを備える。活性層ＡＬに電流が注入されると、低反射膜Ｃ２からレーザ光Ｌ１が出射される。一方、高反射膜Ｃ１からもレーザ光Ｌ２が出射される。レーザ光Ｌ２のパワー（光出力）はレーザ光Ｌ１のパワーに比べて格段に小さい。ＤＦＢレーザＬＤは、光ファイバ通信用光源として用いることができる。低反射膜Ｃ２は例えば光ファイバに光学的に結合される。この場合、レーザ光Ｌ１は当該光ファイバに入射される。高反射膜Ｃ１は例えばモニタＰＤ（モニタフォトダイオード）に光学的に結合される。この場合、レーザ光Ｌ２は当該モニタＰＤに入射される。モニタＰＤは、レーザ光Ｌ２の光出力の検出に用いられる。一実施例において、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の発振波長は１．３μｍである。
【００１３】
クラッドＣＬ１，ＣＬ２は、例えばＩｎＰ系材料からなる。活性層ＡＬは、バルク構造を有していてもよいし、量子井戸構造を有していてもよい。活性層ＡＬは、それぞれ互いに組成が異なるIII−Ｖ族化合物半導体材料からなる井戸層及び障壁層を有することが好ましい。そのようなIII−Ｖ族化合物半導体材料としては、例えばＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓ等が挙げられる。高反射膜Ｃ１及び低反射膜Ｃ２の材料としては、例えばα−Ｓｉ（アモルファスシリコン），Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２等を用いることができる。
【００１４】
図２は、実施形態に係る半導体レーザ生産物の製造方法を示すフローチャートである。本実施形態に係る半導体レーザ生産物の製造方法は、例えば、図２に示されるように工程Ｓ１０１〜工程Ｓ１１１を経ることによって実施される。
【００１５】
（ＤＦＢレーザの製造）
工程Ｓ１０１では、ｎ個のＤＦＢレーザＬＤを製造する。ｎは自然数である。具体的には、例えば、まずｎ個の半導体レーザチップＣＰを作製する。続いて、各半導体レーザチップＣＰの端面Ｅ１上に高反射膜Ｃ１を形成し、端面Ｅ２上に低反射膜Ｃ２を形成する。
【００１６】
（スロープ効率の所定の閾値の算出）
図３は、ＤＦＢレーザのＥＳＤ耐性を検査する検査装置の一例を模式的に示す図である。図３に示される検査装置ＩＮは、ＤＦＢレーザＬＤに電流を供給するための電源ＰＳと、高反射膜Ｃ１から出射されるレーザ光Ｌ２を検出するフォトダイオードＰＤと、電源ＰＳ及びフォトダイオードＰＤに電気的に接続されたコンピュータＣＭとを備える。
【００１７】
電源ＰＳは、プローブＰＢ１，ＰＢ２を有している。プローブＰＢ１はクラッドＣＬ１に接触している。プローブＰＢ２はクラッドＣＬ２に接触している。電源ＰＳは、ＤＦＢレーザＬＤに電流値Ｉの順方向（ｐ側からｎ側）の電流を供給する。例えば、プローブＰＢ１がプラス端子、プローブＰＢ２がマイナス端子の場合、クラッドＣＬ１はｐ型、クラッドＣＬ２はｎ型となる。電源ＰＳは、電流値Ｉに基づく信号ＳＧ２を生成する。信号ＳＧ２は、コンピュータＣＭに入力され蓄積される。フォトダイオードＰＤは、レーザ光Ｌ２を検出すると、レーザ光Ｌ２の出力に基づく信号ＳＧ１を生成する。信号ＳＧ１は、コンピュータＣＭに入力され蓄積される。
【００１８】
工程Ｓ１０２では、ｎ個のＤＦＢレーザＬＤの中からサンプリングされたｍ個のＤＦＢレーザＬＤの高反射膜Ｃ１から出射されるレーザ光Ｌ２をフォトダイオードＰＤによって検出する。これにより、レーザ光Ｌ２のパワー（光出力）Ｐ１〜Ｐｍをそれぞれ測定する。ｍはｎよりも小さい自然数である。
【００１９】
工程Ｓ１０３では、測定されたパワーＰ１〜Ｐｍからレーザ光Ｌ２のスロープ効率Ｅ１〜Ｅｍ（レーザ光の出力に基づく値）をそれぞれ算出する。スロープ効率Ｅは、レーザ光Ｌ２のパワーをＰ、ＤＦＢレーザＬＤに供給される電流値をＩ、ＤＦＢレーザＬＤの閾値電流をＩｔｈとすると、下記式（１）で表される。
Ｅ＝Ｐ／（Ｉ−Ｉｔｈ）  …  （１）
【００２０】
工程Ｓ１０４では、ｍ個のＤＦＢレーザＬＤの静電耐圧Ｖ１〜Ｖｍを測定する。静電耐圧Ｖ１〜Ｖｍは、ＥＳＤ試験によって測定される。ｍ個のＤＦＢレーザＬＤに徐々に電圧を印加していき、ｍ個のＤＦＢレーザＬＤが破壊する電圧をそれぞれ静電耐圧Ｖ１〜Ｖｍとする。本実施形態において、静電耐圧としては、ヒューマンボディモデル（ＨＢＭ）の「ＭＩＬ規格に従う静電放電試験法における耐圧」を用いる。
【００２１】
工程Ｓ１０５では、工程Ｓ１０３において算出されたスロープ効率Ｅ１〜Ｅｍと、工程Ｓ１０４において測定された静電耐圧Ｖ１〜Ｖｍとの相関関係を求める。
【００２２】
図４は、スロープ効率と静電耐圧との相関関係の一例を示すグラフである。横軸はスロープ効率Ｅを示す。縦軸は静電耐圧Ｖを示す。スロープ効率Ｅと静電耐圧ＶとはチャートＣＨに示される相関関係を有する。スロープ効率Ｅが大きくなるに連れて静電耐圧Ｖは徐々に小さくなる。
【００２３】
工程Ｓ１０６では、例えば図４に示されるチャートＣＨを用いて、所望の静電耐圧Ｖｔｈに対応するスロープ効率の所定の閾値Ｅｔｈを算出する。所望の静電耐圧Ｖｔｈは、要求されるＤＦＢレーザＬＤの信頼性の程度によって決定される。一実施例において、所望の静電耐圧Ｖｔｈは０．３ｋＶであり、スロープ効率の所定の閾値Ｅｔｈは０．０３Ｗ／Ａである。
【００２４】
工程Ｓ１０２〜工程Ｓ１０６を実施することによって、スロープ効率の所定の閾値Ｅｔｈが算出される。ｍ個のＤＦＢレーザＬＤは、スロープ効率の所定の閾値Ｅｔｈを算出するためにサンプリングされたものである。
【００２５】
（光出力の測定）
工程Ｓ１０７では、残りのｋ（＝ｎ−ｍ）個のＤＦＢレーザＬＤの高反射膜Ｃ１から出射されるレーザ光Ｌ２をフォトダイオードＰＤによって検出する。これにより、レーザ光Ｌ２のパワーＰ１〜Ｐｋをそれぞれ測定する。
【００２６】
（スロープ効率の算出）
工程Ｓ１０８では、測定されたパワーＰ１〜Ｐｋからレーザ光Ｌ２のスロープ効率Ｅ１〜Ｅｋをそれぞれ算出する。スロープ効率Ｅ１〜Ｅｋは、上記式（１）を用いて算出される。
【００２７】
（ＤＦＢレーザの選別）
工程Ｓ１０９では、工程Ｓ１０８において得られたスロープ効率Ｅ１〜Ｅｋに基づいてＤＦＢレーザＬＤを選別する。工程Ｓ１０９では、スロープ効率Ｅ１〜Ｅｋが所定の閾値Ｅｔｈ以下か否かを判断する。スロープ効率Ｅ１〜Ｅｋが所定の閾値Ｅｔｈ以下の場合には、ＤＦＢレーザＬＤが良品であると判断して、工程Ｓ１１０を行う。工程Ｓ１１０では、例えば良品のＤＦＢレーザＬＤを基体上に搭載すると共に基体に電気的に接続する等の実装を行う。このようにして、良品のＤＦＢレーザＬＤすなわち半導体レーザ生産物が得られる。一方、スロープ効率Ｅ１〜Ｅｋが所定の閾値Ｅｔｈを超える場合には、ＤＦＢレーザＬＤが不良品であると判断して、工程Ｓ１１１を行う。工程Ｓ１１１では、例えば不良品のＤＦＢレーザＬＤを製造ラインから除去する。
【００２８】
以上説明したように、本実施形態の半導体レーザ生産物の製造方法は、ＤＦＢレーザＬＤを製造する工程と、レーザ光Ｌ２のパワーＰ１〜Ｐｋを測定する工程と、スロープ効率Ｅ１〜Ｅｋに基づいてＤＦＢレーザＬＤを選別する工程とを含む。ＤＦＢレーザＬＤを選別する工程では、スロープ効率Ｅ１〜Ｅｋが所定の閾値Ｅｔｈ以下の場合にＤＦＢレーザＬＤが良品であると判断して、半導体レーザ生産物を得る。
【００２９】
高反射膜Ｃ１から出射されるレーザ光Ｌ２のスロープ効率Ｅは、ＤＦＢレーザＬＤのＥＳＤ耐性に応じて敏感に変化する。例えば、ＥＳＤ耐性の低いＤＦＢレーザＬＤでは、高反射膜Ｃ１から出射されるレーザ光Ｌ２のスロープ効率Ｅが大きくなる。これは、ＤＦＢレーザＬＤでは、半導体レーザチップＣＰの端面Ｅ１における光子密度の個体間のバラツキが端面Ｅ２におけるバラツキよりも大きいことが一因と考えられる。端面Ｅ１における光子密度が高いと高反射膜Ｃ１が加熱されて破壊され易くなるので、ＥＳＤ耐性が低くなる。
【００３０】
本実施形態に係る半導体レーザ生産物の製造方法では、上述のように高反射膜Ｃ１から出射されるレーザ光Ｌ２のスロープ効率Ｅを用いるので、非破壊試験によりＤＦＢレーザＬＤのＥＳＤ耐性を検査することができる。この検査によって、ｋ個のＤＦＢレーザＬＤの中から良品のＤＦＢレーザＬＤすなわち半導体レーザ生産物を選別することができる。非破壊試験を行うと、検査されたＤＦＢレーザＬＤそのものを製品として出荷することができるので、ＤＦＢレーザＬＤの製造歩留まりを向上させることができる。
【００３１】
また、所定の閾値Ｅｔｈは、予め求められたＤＦＢレーザＬＤの静電耐圧Ｖ１〜Ｖｍとレーザ光Ｌ２のスロープ効率Ｅ１〜Ｅｍとの相関関係を示すチャートＣＨから得られる。この場合、チャートＣＨを用いて、所望の静電耐圧Ｖｔｈ以上となるような所定の閾値Ｅｔｈを決定することができる。よって、ＥＳＤ耐性の良好なＤＦＢレーザＬＤをより正確に選別することができる。
【００３２】
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、それぞれ高反射膜側から見たＤＦＢレーザのＳＥＭ写真である。図５（ａ）及び図５（ｂ）に示されるＳＥＭ写真では、それぞれ領域Ｒ１及び領域Ｒ２内に活性層の端面が示されている。領域Ｒ１内には正常な活性層が示されているが、領域Ｒ２内には異常な活性層が示されている。異常な活性層では、高反射膜側の端面からのレーザ光Ｌ２のスポット形状に対応する変質領域が形成されていることが分かる。
【００３３】
図６は、レーザ光の進行方向における半導体レーザチップの位置と光子密度との関係の光学シミュレーション例を示すグラフである。横軸は、レーザ光の進行方向における半導体レーザチップの規格化された位置を示す。一実施例において、レーザ光の進行方向における半導体レーザチップの長さは３００μｍである。縦軸は、光子密度（ｍ−３）を示す。横軸の０は高反射膜側の端面の位置を示す。横軸の１は低反射膜側の端面の位置を示す。シミュレーション条件は以下の通りである。なお、κは結合係数を表し、Ｌは光共振器長を表す。一般に、回折格子の凹部が深くなるに連れてκが大きくなる。
・電流値：１００ｍＡ
・高反射膜の反射率：０．８３
・低反射膜の反射率：０
・κＬ：１．４
【００３４】
図６に示されるグラフから、高反射膜側の端面における光子密度のバラツキは、低反射膜側の端面における光子密度のバラツキよりも顕著に大きいことが分かる。また、高反射膜側の端面における光子密度は、低反射膜側の端面における光子密度と比較して大きいことが分かる。これは、高反射膜側の端面における回折格子の位相のバラツキに起因すると考えられる。
【００３５】
図７は、高反射膜から出射されるレーザ光のスロープ効率とＤＦＢレーザの静電耐圧との相関関係の具体例を示すグラフである。横軸は、高反射膜から出射されるレーザ光のスロープ効率（Ｗ／Ａ）を示す。縦軸は、ＤＦＢレーザの静電耐圧（ｋＶ）を示す。グラフ中、プロットＤ１は、３１個のＤＦＢレーザ（κ＝３９ｃｍ−１）についての実験結果を示す。プロットＤ２は、２６個のＤＦＢレーザ（κ＝５１ｃｍ−１）についての実験結果を示す。図７に示されるグラフから、スロープ効率が大きくなるに連れて静電耐圧が小さくなる傾向にあることが分かる。統計処理を用いて、プロットＤ１及びプロットＤ２からスロープ効率と静電耐圧との相関関係を示すチャートをそれぞれ得ることができる。なお、高反射膜から出射されるレーザ光のスロープ効率とＤＦＢレーザの静電耐圧との相関関係は、ＤＦＢレーザの結合係数κには依存せず、端面における光子密度に依存するものである。よって、種々の結合係数κを有するＤＦＢレーザを抽出し、抽出されたＤＦＢレーザを用いて上記相関関係を求めることができる。あるいは、高反射膜から出射されるレーザ光のスロープ効率の代わりに、高反射膜から出射されるレーザ光強度から、高反射膜側の端面における光子密度を見積もって、その光子密度とＤＦＢレーザの静電耐圧との相関関係を求めてもよい。
【００３６】
図８は、高反射膜側又は低反射膜側の端面におけるレーザ光の位相と、高反射膜側又は低反射膜側の端面における光子密度との関係の光学シミュレーション例を示すグラフである。横軸は、高反射膜側又は低反射膜側の端面におけるレーザ光の位相（π）を示す。この位相は、高反射膜側又は低反射膜側の端面における回折格子の位相に対応する。縦軸は、高反射膜側又は低反射膜側の端面における光子密度（×１０２２ｍ−３）を示す。シミュレーション条件は以下の通りである。
・電流値：１００ｍＡ
・高反射膜の反射率：０．８３
・低反射膜の反射率：０
・Ｌ：２５０μｍ
【００３７】
図８に示されるグラフ中、プロットＤ１０〜Ｄ１２は、高反射膜側の端面における位相及び光子密度を示す。プロットＤ１０〜Ｄ１２は、それぞれκが５６ｃｍ−１，４８ｃｍ−１，４０ｃｍ−１の実験結果を示す。プロットＤ２０〜Ｄ２２は、低反射膜側の端面における位相及び光子密度を示す。図８に示されるグラフから、κが大きくなるに連れて高反射膜側の端面における光子密度が高くなる傾向にあることが分かる。
【００３８】
図９は、ＤＦＢレーザの静電耐圧と積算不良品率との関係の具体例を示すグラフである。横軸は、ＤＦＢレーザのＨＢＭ（Human Body Model）−ＥＳＤ耐圧（ｋＶ）を示す。縦軸は、ＤＦＢレーザの積算不良品率（％）を示す。グラフ中、プロットＤ３０は、３１個のＤＦＢレーザ（κ＝３９ｃｍ−１）についての実験結果を示す。プロットＤ３１は、２６個のＤＦＢレーザ（κ＝５１ｃｍ−１）についての実験結果を示す。図９に示されるグラフから、κが大きくなるに連れて静電耐圧が低下する傾向にあることが分かる。
【００３９】
図８及び図９より、κが大きいほど、高反射膜側の端面における光子密度が高くなる傾向にあり、これに伴ってＤＦＢレーザの静電耐圧も低下することがシュミレーションの結果からも明らかである。よって、高反射膜側の端面における光子密度を測定又は評価することにより、ＤＦＢレーザの静電耐圧を評価することができる。
【００４０】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。
【００４１】
例えば、スロープ効率に代えて、例えば、フォトダイオードＰＤからのモニタ電流値、レーザ光Ｌ２のパワーそのもの等を用いてＤＦＢレーザＬＤを選別することができる。例えばレーザ光Ｌ２のパワーを用いる場合、工程Ｓ１０８を実施しなくてもよい。また、工程Ｓ１０９では、レーザ光Ｌ２のパワーが所定の閾値以下か否かを判断する。さらに、工程Ｓ１０２〜工程Ｓ１０６では、レーザ光Ｌ２のパワーと静電耐圧との相関関係から所定の閾値を得る。
【００４２】
また、既にスロープ効率の所定の閾値Ｅｔｈが求められている場合には、工程Ｓ１０２〜工程Ｓ１０６を実施しなくてもよい。さらに、工程Ｓ１０２〜工程Ｓ１０６を実施するタイミングや順序も特に限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】分布帰還型の半導体レーザの一例を模式的に示す図である。
【図２】実施形態に係る半導体レーザ生産物の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】ＤＦＢレーザのＥＳＤ耐性を検査する検査装置の一例を模式的に示す図である。
【図４】スロープ効率と静電耐圧との相関関係の一例を示すグラフである。
【図５】高反射膜側から見たＤＦＢレーザのＳＥＭ写真である。
【図６】レーザ光の進行方向における半導体レーザチップの位置と光子密度との関係の光学シミュレーション例を示すグラフである。
【図７】高反射膜から出射されるレーザ光のスロープ効率とＤＦＢレーザの静電耐圧との相関関係の具体例を示すグラフである。
【図８】高反射膜側又は低反射膜側の端面におけるレーザ光の位相と、高反射膜側又は低反射膜側の端面における光子密度との関係の光学シミュレーション例を示すグラフである。
【図９】ＤＦＢレーザの静電耐圧と積算不良品率との関係の具体例を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４４】
Ｃ１…高反射膜（第１の保護膜）、Ｃ２…低反射膜（第２の保護膜）、ＣＰ…半導体レーザチップ、Ｅ１…端面（一端面）、Ｅ２…端面（他端面）、Ｌ１，Ｌ２…レーザ光、ＬＤ…ＤＦＢレーザ、ＰＤ…フォトダイオード。
【図１】
2008010642.tif 000003
【図２】
2008010642.tif 000004
【図３】
2008010642.tif 000005
【図４】
2008010642.tif 000006
【図５】
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【図６】
2008010642.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
2008010642.tif 000011