(57)【要約】【課題】被処理基板のベベル部の均一な処理が可能で、且つ被処理基板の表面又は裏面状態によらない均一な裏面洗浄ができる基板処理装置及び基板保持回転機構を提供すること。【解決手段】基板保持回転機構１０を備えると共に、該基板保持回転機構１０で保持され回転する被処理基板Ｗの表面を処理する処理機構を備えた基板処理装置であって、基板保持回転機構１０は、同一の回転円板１１に被処理基板Ｗの外周を保持する少なくとも３個の回転ローラ１２を備え、該回転ローラ１２を所定方向に回転させる第１歯車１５、中間歯車１６、及び固定の第２歯車２０を有する回転駆動機構を備えた。【選択図】図２
2008010750.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持回転機構を備えると共に、該基板保持回転機構で保持され回転する被処理基板の表面を処理する処理機構を備えた基板処理装置であって、
前記基板保持回転機構は、同一の回転円盤に取付けられ前記被処理基板の外周を保持する少なくとも３個の回転ローラと、該回転ローラを所定方向に回転させる回転駆動機構を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記回転駆動機構は、前記回転ローラに一体に設けられた第１歯車と、前記回転円盤に取付けられた１個又は複数個の中間歯車と、固定した第２歯車を備え、前記回転円盤の回転により、前記第２歯車に噛合する前記中間歯車が回転し、その回転力が第１歯車に伝達されるようになっていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板処理装置において、
前記回転ローラを前記被処理基板の外周に当接及び該外周から離間させる当接・離間機構を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置において、
前記回転円盤を通して被処理基板の該回転円盤と対向する面にエッチング液、洗浄液、純水、不活性ガスを独立して供給できるエッチング液供給機構、洗浄液供給機構、純水供給機構、不活性ガス供給機構の少なくとも１つを備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置において、
前記被処理基板の前記回転円盤の反対側面にエッチング液、洗浄液、純水、不活性ガスを独立して供給でき、且つ供給位置を被処理基板の半径方向に変えることができるエッチング液供給機構、洗浄液供給機構、純水供給機構、不活性ガス供給機構の少なくとも１つを備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
被処理基板の外周を保持する少なくとも３個の回転ローラと、該回転ローラを取付た１個の回転円盤と、該回転円盤の回転に連係して前記回転ローラを所定方向に回転させる回転駆動機構とを備えたことを特徴とする基板保持回転機構。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板を処理する基板処理装置及び該基板処理装置に用いる基板保持回転機構に関し、特に被処理基板のベベル部の処理に薬液等の液体を用いるのに好適な基板処理装置及び基板保持回転機構に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程において、ウエハ端部の膜のエッチングを行うベベルエッチング工程がある。通常のベベルエッチング工程では、表面ベベル部のエッチングと同時に、裏面の膜全体のエッチング（或いは洗浄）を行う。ベベル部のウエットエッチング処理は、ウエハの回転方式に着目すると大きく分けて二つのタイプに分けることができる。先ず一つは、ウエハの外周部の少なくとも三ヶ所を保持し、該保持した保持部材ごとウエハを回転させるスピンチャック回転方式である。もう一つは、ウエハの外周部を少なくとも三個のローラで所保持し、該ローラを回転させることによりウエハを回転させるローラ回転方式である。
【０００３】
特許文献１に開示されているようなスピンチャック回転方式の利点としては、回転速度が０〜３０００ｍｉｎ-1程度まで自在に選べるため、ベベル部の処理液のコントロールに遠心力を利用できることが挙げられる。但し、ウエハを保持する部分はそのままではエッチング処理が均一に行われないため、回転処理中に保持部の持ち替えなどの手段を講じる必要があった。
【０００４】
それに対して特許文献２に開示されているような、ローラ回転方式ではウエハを保持するローラ自身が回転するため、ベベル部の処理が均一に行われる利点がある。但し、ローラ回転方式ではウエハの回転速度は、
ウエハの回転速度  ＝｛（回転保持部材の直径）／（ウエハの直径）｝×回転保持部材の回転速度
の式で表されるため、ウエハの回転速度を上げるには、回転保持部材の直径を大きくするか、回転保持部材の回転速度を大きくしなければならない。しかし回転保持部材の直径を大きくすると装置全体が大きくなり、また回転保持部材の回転速度を大きくするとウエハの保持が不安定となり、接触部での磨耗も生じ、さらに回転保持部材に付着した液が回転保持部材から飛び散りウエハの上に飛散する現象があり、実質のウエハの回転速度は最大でも１５０ｍｉｎ-1程度であった。
【０００５】
この程度の回転速度であると、ベベル部の処理液のコントロールに遠心力を用いることは期待できず、ウエハの裏面から液を供給した場合、ウエハの表面の状態が親水性の場合は容易に液が表面に廻り込んでしまい、液の回り込み幅が表面ベベル部の処理領域以上になってしまうことがあった。また、ウエハの裏面の状態が疎水性の場合はウエハ下面に均一に液を広げることが困難であった。
【０００６】
更に特許文献３では、ベベル部の処理幅を均一にする手段として、ベベル部上方に基板と対向する部材を配置し、その部材と基板の間に処理液を挟み込む手法が開示されているが、その部材は処理液と接触しており、さらに言えば処理液を介してウエハと接触している。
【特許文献１】特開２００１−１５６０３９号公報
【特許文献２】特開２００３−１２４１８０号公報
【特許文献３】特開２００５−１１６９４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、被処理基板のベベル部の均一な処理が可能で、且つ被処理基板の表面又は裏面状態によらない均一な裏面洗浄ができる基板処理装置及び基板保持回転機構を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため請求項１に記載の発明は、基板保持回転機構を備えると共に、該基板保持回転機構で保持され回転する被処理基板の表面を処理する処理機構を備えた基板処理装置であって、前記基板保持回転機構は、同一の回転円盤に取付けられ前記被処理基板の外周を保持する少なくとも３個の回転ローラと、該回転ローラを所定方向に回転させる回転駆動機構を備えたことを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記回転駆動機構は、前記回転ローラに一体に設けられた第１歯車と、前記回転円盤に取付けられた１個又は複数個の中間歯車と、固定した第２歯車を備え、前記回転円盤の回転により、前記第２歯車に噛合する前記中間歯車が回転し、その回転力が第１歯車に伝達されるようになっていることを特徴とする。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の基板処理装置において、前記回転ローラを前記被処理基板の外周に当接及び該外周から離間させる当接・離間機構を備えていることを特徴とする。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記回転円盤を通して被処理基板の該回転円盤と対向する面にエッチング液、洗浄液、純水、不活性ガスを独立して供給できるエッチング液供給機構、洗浄液供給機構、純水供給機構、不活性ガス供給機構の少なくとも１つを備えていることを特徴とする。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記被処理基板の前記回転円盤の反対側面にエッチング液、洗浄液、純水、不活性ガスを独立して供給でき、且つ供給位置を被処理基板の半径方向に変えることができるエッチング液供給機構、洗浄液供給機構、純水供給機構、不活性ガス供給機構の少なくとも１つを備えていることを特徴とする。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、被処理基板の外周を保持する少なくとも３個の回転ローラと、該回転ローラを取付けた１個の回転円盤と、該回転円盤の回転に連係して前記回転ローラを所定方向に回転させる回転駆動機構とを備えたことを特徴とする基板保持回転機構にある。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載の発明によれば、基板保持回転機構は、同一の回転円盤に取付けられ前記被処理基板の外周を保持する少なくとも３個の回転ローラと、該回転ローラを所定方向に回転させる回転駆動機構を備えているので、被処理基板は回転ローラにより回転しながら保持され、スピンチャック回転方式のように回転処理中に保持部の持ち替えなどの手段を講じる必要がない。また、被処理基板は回転ローラに保持された状態で回転円盤の回転と伴に回転するので、スピンチャック回転方式と同様、回転速度が０〜３０００ｍｉｎ-1程度まで自在に選べるため、ベベル部の処理液のコントロールに遠心力を利用できる。よって、被処理基板のベベル部の均一な処理が可能であると共に被処理基板の表面又は裏面状態によらない均一な裏面洗浄ができる基板処理装置を提供できる。
【００１５】
請求項２に記載の発明によれば、回転駆動機構は、回転ローラに一体に設けられた第１歯車と、回転円盤に取付けられた１個又は複数個の中間歯車と、固定した第２歯車を備え、回転円盤の回転により、固定した第２歯車に噛合する中間歯車が回転し、その回転力が第１歯車に伝達されるようになっているので、回転円盤の回転に連係して回転ローラが回転するから、被処理基板の保持部は移動し、処理液がベベル部に均一に供給され、ベベル部を均一に処理することができる。なお、回転円盤の回転に連係しているので、回転円盤だけの駆動源だけでローラーの駆動源は不要となり、回転制御がシンプルとなり処理装置の製品コストを低減できる。
【００１６】
請求項３に記載の発明によれば、回転ローラを被処理基板の外周に当接及び該外周から離間させる当接・離間機構を備えているので、被処理基板の回転ローラへの装着、取り出しを自動的に行うことが容易になる。
【００１７】
請求項４に記載の発明によれば、回転円盤を通して被処理基板の該回転円盤と対向する面にエッチング液、洗浄液、純水、不活性ガスを独立して供給できるエッチング液供給機構、洗浄液供給機構、純水供給機構、不活性ガス供給機構の少なくとも１つを備えているので、被処理基板の回転による遠心力を利用してエッチング液、洗浄液、純水、不活性ガスを制御しながら、均一なエッチング処理、洗浄処理、乾燥処理の少なくとも一つの処理を行うことができる。
【００１８】
請求項５に記載の発明によれば、被処理基板の回転円盤の反対側面にエッチング液、洗浄液、純水、不活性ガスを独立して供給でき、且つ供給位置を被処理基板の半径方向に変えることができるエッチング液供給機構、洗浄液供給機構、純水供給機構、不活性ガス供給機構の少なくとも１つを備えているので、被処理基板の回転による遠心力を利用してエッチング液、洗浄液、純水、不活性ガスを制御しながら、均一なエッチング処理、洗浄処理、乾燥処理の少なくとも一つの処理を行うことができる。
【００１９】
請求項６に記載の発明によれば、基板保持回転機構は、被処理基板の外周を保持する少なくとも３個の回転ローラと、該回転ローラを取付た１個の回転円盤と、該回転円盤の回転に連係して回転ローラを所定方向に回転させる回転駆動機構とを備えているので、被処理基板はその保持部が移動しながら保持され、且つ回転円盤の回転と伴に回転するから、ベベル部の保持部に処理液が供給されないとうことがなく、スピンチャック回転方式と同様、回転速度が０〜３０００ｍｉｎ-1程度まで自在に選べるため、ベベル部の処理液のコントロールに遠心力を利用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本願発明の実施の形態例を図面に基づいて説明する。図１乃至図３は本発明に係る基板処理装置の基板保持回転機構の構成例を示す図である。図１は平面図、図２は図１のＡ−Ｏ−Ｂ断面図である。図３は基板保持回転機構の回転ローラ当接・離間機構の構成例を示す図で、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は（ａ）のＡ矢視図である。基板保持回転機構１０は回転円盤１１に回転自在に取り付けた４個の回転ローラ１２を備えている。回転ローラ１２は外周部に被処理基板Ｗの外周部が当接する溝１２ａが形成され、支軸１３に回転自在に支持されている。
【００２１】
回転円盤１１は主軸１４の上端に固定され、主軸１４は図示しない駆動機構により回転されるようになっており、これにより回転円盤１１は矢印Ｃに示す方向に回転する。回転ローラ１２と一体に第１歯車１５が設けられている。１６は該第１歯車に噛み合う歯１６ａを有する中間歯車１６であり、該中間歯車１６は支軸１９を介して軸受１８に回転自在に支持されている。また、軸受１８はブラケット１７を介して回転円盤１１に取り付けられている。これにより中間歯車１６は回転円盤１１に回転自在に支持されていることになる。主軸１４の外周に該主軸１４とは独立して固定された第２歯車２０が配置されており、該第２歯車に中間歯車１６の歯１６ｂが噛み合っている。
【００２２】
図示しない駆動機構で主軸１４を回転すると、第２歯車２０に噛み合う歯１６ｂを備えた中間歯車１６が回転し、その回転力を第１歯車１５に伝え、該第１歯車と一体になっている回転ローラ１２が矢印Ｄ方向に回転する。この第１歯車１５、中間歯車１６及び第２歯車２０からなるローラ回転機構は、ここでは４個設けられており、主軸１４の回転により４個の回転ローラ１２が矢印Ｄ方向に連係して回転する。これにより、４個の回転ローラ１２の溝１２ａに外周を挟持された被処理基板Ｗが矢印Ｅ方向に回転する。即ち、被処理基板Ｗは４個の回転ローラ１２で回転させられながら、回転円盤１１の回転により回転することになる。これにより基板保持回転機構１０は、スピンチャック回転方式の基板保持機能とローラ回転方式の基板保持機能を兼ね備えたものとなる。
【００２３】
図３は回転ローラ１２の溝１２ａを被処理基板Ｗの外周部に当接及び該外周部から離間させる回転ローラ当接・離間機構の構成を示す図である。第１歯車１５の支軸１３の下端は水平方向に屈曲して垂直に立設する回動軸２１に連結されている。該回動軸２１はブラケット１７に取り付けられた回動機構２２により所定角度θ°回動できるようになっている（図３（ａ）参照）。図１に示すように、４個の回転ローラ１２で被処理基板Ｗの外周部を保持した状態で、図３（ａ）一点鎖線で示すように、回動機構２２により回動軸２１を所定角度θ°回動させると、回転ローラ１２は被処理基板Ｗの外周から略半径方向外側（回転円盤１１の略半径方向外側）に移動し、回転ローラ１２の溝１２ａは被処理基板Ｗの外周部から離間する。
【００２４】
従って、被処理基板Ｗの処理が終了し、図２の状態にある被処理基板Ｗを基板の端部をつかむチャック手段を有するロボットハンド等の基板受渡手段で端部を保持した状態で、４個の回転ローラ１２を被処理基板Ｗの外側に移動させることにより、回転ローラ１２の溝１２ａは被処理基板Ｗの外周部から離間し、被処理基板Ｗを基板受渡手段に受け渡す。反対に基板受渡手段で端部を保持された未処理の被処理基板Ｗを図２に示す状態に位置させ、該被処理基板Ｗの外周から離れた位置にある回転ローラ１２（図３（ａ）の一点鎖線の位置にある回転ローラ１２を参照）を被処理基板Ｗ側に移動させ、該回転ローラ１２の溝１２ａが被処理基板Ｗの外周に当接することにより、４個の回転ローラ１２で被処理基板Ｗを保持する。
【００２５】
上記構成の基板保持回転機構１０において、被処理基板Ｗの回転数は主軸１４の回転数、第１歯車１５、中間歯車１６及び第２歯車２０のギア比、回転ローラ１２の溝１２ａの直径により決定される。主軸１４がＮｍｉｎ-1で回転している状態で回転ローラ１２の回転による被処理基板Ｗの回転数がｎｍｉｎ-1であれば、本基板保持回転機構１０の系外から観察した場合、被処理基板Ｗの回転数は（Ｎ＋ｎ）ｍｉｎ-1となる。第１歯車１５、中間歯車１６及び第２歯車２０のギア比、回転ローラ１２の直径を変更することにより、被処理基板Ｗの回転数を任意に設定できる。なお、中間歯車１６は回転ローラ１２を矢印Ｄ方向に回転できるのであれば、１個に限らず複数個でもよい。また、回転ローラ１２は必ず矢印Ｄ方向に回転する必要はなく、矢印Ｄとは反対方向にｎｍｉｎ-1の回転数で回転してもよい。この場合、本基板保持回転機構１０の系外から観察した場合、被処理基板Ｗは（Ｎ−ｎ）ｍｉｎ-1で回転することになる。
【００２６】
主軸１４の中心部は１本の流体導入路３０が設けられ、該流体導入路３０は回転円盤１１の上面中心部に設けられた流体供給口３２に連通している。主軸１４の中心部近傍には複数本（ここでは３本）の流体導入路３１が設けられ、各流体導入路３１は回転円盤１１の上面に開口する薬液供給口３３、純水供給口３４、不活性ガス供給口３５にそれぞれ連通している。流体導入路３１や複数本の流体導入路３１には図示しないロータリージョイントを介して流体が供給されるようになっている。なお、薬液供給口３３、純水供給口３４、不活性ガス供給口３５は、被処理基板Ｗの外周から所定寸法（例えば２ｍｍ）内側の位置に開口しており、被処理基板Ｗの回転方向とは反対側に薬液供給口３３、純水供給口３４、不活性ガス供給口３５の順で配列されている。
【００２７】
被処理基板Ｗの表面は回転円盤１１に対向して４個の回転ローラ１２で保持されている。主軸１４の回転時に回転円盤１１の薬液供給口３３からエッチング用薬液を被処理基板Ｗのベベル部に供給する。被処理基板Ｗは回転円盤１１に対してｎ（３０〜１００）ｍｉｎ-1で回転しているため、被処理基板Ｗのベベル部が均一にエッチングされる。このエッチング後は純水供給口３４から純水を供給して洗浄し、更に不活性ガス供給口３５から不活性ガスを供給してエッチング部を乾燥する。この一連の処理中は、回転円盤１１の中心部に設けた流体供給口３２から不活性ガスが供給され、被処理基板Ｗと回転円盤１１の間の間隙を通って、外周側へと流れる。被処理基板Ｗの表面（下面）と回転円盤１１の間の間隔は例えば１〜５ｍｍに設定する。
【００２８】
図４は被処理基板Ｗの裏面（上面）側を処理する薬液供給ノズル、純水供給ノズル、不活性ガス供給ノズルを示す図で、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は側面図である。２３は先端部に薬液供給ノズル３６と純水供給ノズル３７が取り付けられた薬液・純水供給ノズル旋回アームであり、該薬液・純水供給ノズル旋回アーム２３は回動軸２４に連結されている。図示しない駆動機構により回動軸２４を回動させることにより、矢印Ｆに示すように薬液供給ノズル３６と純水供給ノズル３７が被処理基板Ｗの中心を横切って旋回揺動するようになっている。２５は先端部に不活性ガス供給ノズル３８が取り付けられた不活性ガス供給ノズル旋回アームであり、不活性ガス供給ノズル旋回アーム２５は、回動軸２６に連結されている。図示しない駆動機構により回動軸２６を回動させることにより、矢印Ｇに示すように不活性ガス供給ノズル３８が被処理基板Ｗの中心を横切って旋回揺動するようになっている。
【００２９】
被処理基板Ｗの裏面（上面）側を処理する際に、被処理基板Ｗの中心にのみ薬液や純水を供給すると、中心のみ過剰に洗浄されるため、ここでは、薬液・純水供給ノズル旋回アーム２３を旋回揺動させ、薬液供給ノズル３６と純水供給ノズル３７を被処理基板Ｗの中心を横切って旋回揺動させている。これにより薬液供給ノズル３６と純水供給ノズル３７は、被処理基板Ｗの中心から外周へ、また外周から中心へ更に複数回の往復動を行うことができるから、被処理基板Ｗの裏面が均一に洗浄される。この洗浄処理は、表面（下面）のベベル部の処理と同時に行う。この際被処理基板は、上記のように被処理基板Ｗは（Ｎ＋ｎ）ｍｉｎ-1（例えば１０００ｍｉｎ-1以上）の高速で回転しているため、大きな遠心力がかかり、被処理基板Ｗの裏面（上面）の状態に係らず薬液や純水は均一に広がる。更に遠心力が大きいため、裏面の液が表面のベベル側に回り込むことがない。
【００３０】
被処理基板Ｗの裏面の処理の順序は薬液供給ノズル３６からの薬液供給による洗浄又はエッチング、その後純水供給ノズル３７からの純水供給によるリンス、更に不活性ガス供給ノズル３８からの不活性ガス供給による乾燥となる。
【００３１】
なお、基板保持回転機構１０では、被処理基板Ｗを４個の回転ローラ１２で保持する例を示したが、回転ローラ１２は４個に限定するものではなく、３個以上であればよい。また、主軸１４の回転力を回転ローラ１２に伝達する機構も歯車に限定されるものではなく、歯車とタイミングベルトの組み合わせによる伝達機構でもよい。
【００３２】
また、ローラ１２の回転機構は、図５に示すように、個々の回転ローラ１２の回転軸１２ｂを直接小型モータ３９の回転軸に連結し、主軸１４の回転と電気的に連動されて４個の回転ローラ１２を同期させて回転するようにしてもよい。また、４個の回転ローラ１２は主軸１４の回転とは連係させることなく独立に、任意の回転数で互いに同期させて回転するようにしてもよい。この場合は、小型モータ３９の回転数ｎを任意として、被処理基板Ｗの半径をＲ、回転ローラ１２の溝１２ａの回転半径をｒとし、被処理基板Ｗの回転数を主軸１４の回転Ｎに加算（Ｎ＋ｎ×（ｒ／Ｒ））又は減算（Ｎ−ｎ×（ｒ／Ｒ））した回転数に調整することが可能となる。この場合、回転ローラ当接・離間機構を、モータ３９のケーシングを電磁ソレノイド又は流体シリンダ４０のピストン４０ａに固定すると共に、電磁ソレノイド又は流体シリンダ４０はブラケット４１を介して回転円盤１１に固定した構成とする。これにより、電磁ソレノイド又は流体シリンダ４０を起動又は停止することにより、回転ローラ１２を被処理基板Ｗの半径方向外側に寸法Ｓのストローク（Ｓ＞溝１２ａの深さ）で移動させ、回転ローラ１２の溝１２ａを被処理基板Ｗの外周に当接、外周から離間させることができる。
【００３３】
なお、回転ローラ当接・離間機構も図３及び図５に示す構成のものに限定されるものではなく、基板受渡手段で保持した被処理基板Ｗを３個以上の回転ローラ１２の間に挿入し、該回転ローラ１２を被処理基板Ｗ側に移動させて溝１２ａを被処理基板Ｗの外周に当接させ、更に３個以上の回転ローラ１２で保持する処理済み被処理基板Ｗを基板受渡手段が保持したら３個以上の回転ローラ１２を被処理基板Ｗの反対側に移動させ、被処理基板Ｗの外周を溝１２ａから解放させる機構であればよい。
【００３４】
図６は上記基板保持回転機構１０を備えた基板処理装置の全体構成を示す平面図である。この基板処理装置はベース一体型の１つのフレーム５０に、被処理基板を搬送する基板搬送装置として固定式の搬送ロボット５１と、被処理基板Ｗの処理を行う基板処理ユニット５３、５３と、被処理基板Ｗを収納する基板収納カセット５４、５４を載置する基板ロードポート５５、５５と、基板処理ユニット５３、５３へ処理液を供給する処理液供給装置５６を搭載している。該基板処理ユニット５３、５３内には上記基板保持回転機構１０が配置されている。
【００３５】
基板搬送装置として、走行軸を持たない固定式の搬送ロボット５１を採用している。この搬送ロボット５１は、ドライ仕様の各々独立して動作する複数のハンド５１ａを前後、左右、上下、旋回させる動作が可能である。これにより、基板収納カセット５４、５４とこれに対向する基板処理ユニット５３、５３との間で、被処理基板Ｗを搬送し、受け渡しできるようになっている。また、基板処理ユニット５３、５３の全てが基板収納カセット５４、５４に対向して配置されているため、無駄な被処理基板Ｗの受渡しが一切必要なく、固定式の搬送ロボット５１による必要最小限の動作によって被処理基板Ｗの搬送が実現できる。
【００３６】
基板処理装置において、搬送ロボット５１のハンド５１ａで基板収納カセット５４に収納されている未処理の被処理基板Ｗの端部を保持し、基板処理ユニット５３に移送し、該基板処理ユニット５３に配置されている図１乃至図５に示す基板保持回転機構１０の４個の回転ローラ１２の間に回転円盤１１に表面を対向させて位置させる。この状態で、回転ローラ当接・離間機構を動作させて４個の回転ローラ１２の溝１２ａを被処理基板Ｗの外周に当接させて被処理基板Ｗを保持する。この状態で主軸１４を回転すると、回転ローラ１２を連係して回転し、被処理基板Ｗが主軸１４の回転数Ｎｍｉｎ-1に被処理基板Ｗ自身の回転数ｎｍｉｎ-1を加えた回転数（Ｎ＋ｎ）ｍｉｎ-1で回転する。
【００３７】
この状態で回転円盤１１の上面に開口する薬液供給口３３、純水供給口３４、不活性ガス供給口３５からエッチング用薬液、純水、不活性ガスを供給し、被処理基板Ｗ表面（下面）のベベル部に供給してエッチング、洗浄、乾燥を行う。この処理と同時に、被処理基板Ｗの裏面を薬液供給ノズル３６からの薬液を供給して洗浄又はエッチングを行い、その後純水供給ノズル３７からの純水を供給してリンスを行い、更に不活性ガス供給ノズル３８からの不活性ガスを供給して乾燥を行う。
【００３８】
処理が終了し図２又は図５に示す状態にある被処理基板Ｗは、搬送ロボット５１のハンド５１ａで端部を保持し、回転ローラ１２を被処理基板Ｗの外側に移動することにより、被処理基板Ｗは搬送ロボット５１のハンド５１ａに渡される。処理済の被処理基板Ｗは処理済みの被処理基板Ｗを収納する基板収納カセット５４に収容する。このような動作を繰り返し未処理の被処理基板Ｗの処理を行う。
【００３９】
以上本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書、図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。なお、直接明細書及び図面に記載のない何れの形状・構造であっても、本願発明の作用・効果を奏する以上、本願発明の技術的思想の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明に係る基板処理装置の基板保持回転機構の概略構成例を示す平面図である。
【図２】本発明に係る基板処理装置の基板保持回転機構の概略構成例を示す断面図（図１のＡ−Ｏ−Ｂ断面）である。
【図３】基板保持回転機構の回転ローラ当接・離間機構の構成例を示す図で、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は（ａ）のＡ矢視図である。
【図４】本発明に係る基板処理装置の概略構成例を示す図で、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は側面図である。
【図５】本発明に係る基板処理装置の基板保持回転機構の概略構成例を示す断面図（図１のＡ−Ｏ−Ｂ断面）である。
【図６】本発明に係る基板処理装置の全体概略構成例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０      基板保持回転機構
１１      回転円盤
１２      回転ローラ
１３      支軸
１４      主軸
１５      第１歯車
１６      中間歯車
１７      ブラケット
１８      軸受
１９      支軸
２０      第２歯車
２１      回動軸
２２      回動機構
２３      薬液・純水供給ノズル旋回アーム
２４      回動軸
２５      不活性ガス供給ノズル旋回アーム
２６      回動軸
３０      流体導入路
３１      流体導入路
３２      流体供給口
３３      薬液供給口
３４      純水供給口
３５      不活性ガス供給口
３６      薬液供給ノズル
３７      純水供給ノズル
３８      不活性ガス供給ノズル
３９      小型モータ
４０      電磁ソレノイド又は流体シリンダ
４１      ブラケット
５０      フレーム
５１      搬送ロボット
５３      基板処理ユニット
５４      基板収納カセット
５５      基板ロードポート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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