(57)【要約】【課題】垂直磁気記録媒体において、軟磁性下地層に起因する媒体ノイズを増加させることなく、軟磁性下地層に挿入される非磁性層の膜厚制御が容易で、かつ軟磁性下地層の耐食性を向上する。【解決手段】垂直磁気記録媒体は、基板１１上に密着層１２が形成され、密着層上に軟磁性下地層１３が形成され、軟磁性下地層上にシード層１４及び中間層１５が形成され、中間層上に垂直記録層１６が形成されている。軟磁性下地層１３は第一軟磁性層１３１及び第二軟磁性層１３３と、第一軟磁性層１３１及び第二軟磁性層１３３の間に配置された反強磁性結合層１３２とを有し、第一軟磁性層１３１及び第二軟磁性層１３３はＦｅを主成分とした合金から形成され、反強磁性結合層１３３はＲｕ−Ｆｅ合金から形成されてなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜７５ａｔ％である。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に軟磁性下地層を介して垂直記録層が形成された垂直磁気記録媒体において、
前記軟磁性下地層はＦｅを主成分とする第一軟磁性層と、Ｆｅを主成分とする第二軟磁性層と、前記第一軟磁性層及び第二軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層とを有し、
前記反強磁性結合層はＲｕ−Ｆｅ合金からなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜７５ａｔ％であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記反強磁性結合層のＦｅの含有率が５０ａｔ％〜７５ａｔ％であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第一及び第二軟磁性層は、非晶質であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第一及び第二軟磁性層は微結晶質であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
基板上に軟磁性下地層を介して垂直記録層が形成された垂直磁気記録媒体において、
前記軟磁性下地層はＦｅを主成分とする第一の軟磁性層と、Ｆｅを主成分とする第二の軟磁性層と、前記第一の軟磁性層及び第二の軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層とを有し、
前記反強磁性結合層はＲｕ−Ｆｅ−Ｃｒ合金からなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜７５ａｔ％であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記反強磁性結合層のＣｒの含有率が５ａｔ％〜１０ａｔ％であることを特徴とする請求項５記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
基板上に軟磁性下地層を介して垂直記録層が形成された垂直磁気記録媒体において、
前記軟磁性下地層はＦｅを主成分とする第一の軟磁性層と、Ｆｅを主成分とする第二の軟磁性層と、前記第一の軟磁性層及び第二の軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層とを有し、
前記反強磁性結合層はＲｕ−Ｆｅ−Ｃｏ合金からなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜７５ａｔ％であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記反強磁性結合層のＣｏの含有率が５ａｔ％〜１０ａｔ％であることを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に係り、特に高密度磁気記録に好適な垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータのみならず家庭用の電気製品にも小型で大容量の磁気ディスク装置が搭載されるなど、磁気記録装置の大容量化の要求は強く、記録密度の向上が求められている。これまで、磁気ヘッドや磁気記録媒体などの開発が精力的に行われてきた中、記録方式の主流が面内磁気記録方式から垂直磁気記録方式へ移行し、さらなる記録密度向上が可能になった。垂直磁気記録媒体においては、軟磁性下地層を有する二層垂直磁気記録媒体とすることで、磁気ヘッドからの記録磁界の効率を上げることができ、記録膜の保磁力増加に対応可能なことが知られている。
【０００３】
軟磁性下地層は磁気ヘッドからの記録磁界を環流させる役割を果たすため、記録層と比較して、飽和磁束密度（Ｂｓ）の高い軟磁性材料を形成する必要があり、そのため軟磁性下地層起因のノイズが問題となってきた。このノイズの主な原因は軟磁性層に生成された磁壁からの漏洩磁場によるもので、これまで磁壁の生成を抑制する方法や漏洩磁場を減少させる方法が検討されてきた。
【０００４】
たとえば特許文献１および特許文献２に開示されているように、軟磁性下地層と基板との間に硬磁性ピンニング層を設け、軟磁性下地層の磁化を一方向に揃える方法や、特許文献３に開示されているように、磁気スピンの方向をそろえた反強磁性との交換結合により軟磁性下地層の磁壁移動を抑止する方法が提案されている。また、特許文献４に開示されているように、軟磁性下地層を非磁性層で互いに分離された二層以上の軟磁性層で構成し、非磁性膜にＲｕを用いることで、二層の軟磁性下地層を反強磁性的に交換結合させる方法が提案されている。この積層された軟磁性層の磁化を逆向きにする方法は、磁壁からの漏洩磁場が発生しにくいため、磁区制御層が無くてもスパイクノイズや記録磁化の減磁の抑制が可能であり、浮遊磁界耐性も向上する。特許文献５には、反強磁性結合している二層の非晶質軟磁性層の磁気モーメントを等しくすることにより、層間で磁束が環流するためにスパイクノイズおよび再生信号の振幅変調の抑制に大きな効果があること、第一非晶質軟磁性層および第二非晶質軟磁性層の半径方向に一軸異方性を付与し、保磁力を小さくすることで、浮遊磁界耐性の向上に効果があることが記載されている。また、特許文献５には、非磁性層をＣｏ系の強磁性層で挟んだサンドイッチ構造とするか、あるいは非磁性層にＲｕＣｏ、ＲｕＦｅを用いることにより、非晶質軟磁性層間に働く反強磁性結合を強くできることが記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−１２９９４６号公報
【特許文献２】特開平１１−１９１２１７号公報
【特許文献３】特開平６−１０３５５４号公報
【特許文献４】特開２００１−１５５３２１号公報
【特許文献５】特開２００５−３０２２３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のとおり、軟磁性下地層に用いる材料は、高Ｂｓで、ディスク基板の半径或いは周方向に一軸異方性が付与されており、表面平坦性に優れていれば特に限定するものではなく、これまではＣｏ或いはＦｅを主成分とした非晶質合金が用いられてきた。しかしながら最近になって、垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層が腐食するという問題が浮上し、特にＣｏ合金を用いた場合に腐食が起こりやすくなることが明らかになってきた。Ｃｏ合金は耐食性に優れていないばかりでなく、水溶液環境中において非常に卑な電位を持つために、近接する中間層との間においてガルバニック腐食（異種金属間腐食）を生じる。中間層としてよく知られているＲｕまたはＲｕ合金は貴金属であるために非常に電位が高く、両者の電位差は１．０Ｖ程度にも達するため、Ｃｏ合金の腐食がガルバニック腐食により、単体の腐食よりも非常に加速されるのである。これに対しＦｅ系合金は、耐食性はＣｏ合金とさほど変わらないものの電位が比較的高く、Ｒｕと隣接してもガルバニック腐食はほとんど起こらない。
【０００７】
前述のとおり、軟磁性下地層起因のノイズを解消するという点で、二層の軟磁性層をＲｕ非磁性層で分離させ、反強磁性的に交換結合させる方法は非常に有効である。軟磁性層の交換結合を最大にするＲｕ非磁性層の最適膜厚は、軟磁性層の材料によって異なる。軟磁性層にＣｏ合金を用いた場合には、Ｒｕの最適膜厚は１ｎｍ前後であるが、Ｆｅ合金の材料を用いた場合には、最適膜厚は0.4ｎｍ程度と非常に薄い。さらに、軟磁性層にＦｅ合金の材料を用いた場合には、後述するように交換結合磁界のＲｕ膜厚依存性もＣｏ合金を用いた場合に比べ大きいため、膜厚マージンが狭く、量産を考慮するとその制御が難しい。
【０００８】
そこで本発明は、軟磁性下地層の交換結合磁界を低下させることなく、軟磁性下地層に挿入される非磁性層の膜厚制御が容易で、かつ軟磁性下地層の耐食性にも優れた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明に係わる垂直磁気記録媒体は、基板と、基板上に形成された密着層と、密着層上に形成された軟磁性下地層と、軟磁性下地層上形成されたにシード層及び中間層と、中間層上に形成された垂直記録層とを有し、軟磁性下地層が第一軟磁性層及び第二軟磁性層と、第一軟磁性層と第二軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層とを有し、軟磁性層はＦｅを主成分とした合金から形成され、反強磁性結合層はＲｕ−Ｆｅ合金から形成されてなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜７５ａｔ％であることを特徴とする。
前記反強磁性結合層であるＲｕ−Ｆｅ合金に、Ｃｒ或いはＣｏを添加することができる。Ｃｒの添加はターゲットの耐食性に効果があり、一方Ｃｏの添加は、軟磁性下地層の磁気特性（高Ｈｅｘ、高Ｈｓ）に効果がある。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、軟磁性下地層の交換結合磁界を低下させることなく、軟磁性下地層に挿入される非磁性層の膜厚制御が容易で、かつ軟磁性下地層の耐食性にも優れた垂直磁気記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
垂直磁気記録媒体を、ANELVA製スパッタ装置（C3010）を用いて作製した。このスパッタ装置は１０個のプロセスチャンバと１個の基板導入チャンバから構成され、それぞれのチャンバは独立に排気されている。全てのチャンバの排気能力は６×１０−６Ｐａ以下である。
【００１２】
本発明の垂直磁気記録媒体は、基板上に密着層が形成され、密着層上に軟磁性下地層が形成され、軟磁性下地層上に中間層が形成され、中間層上に垂直記録層が形成されている。
【００１３】
基板はガラス基板、ＮｉＰめっき膜をコーティングしたＡｌ合金基板、シリコンなどのセラミックス基板、さらにテクスチャ加工により表面に同心円状の溝が形成された基板を用いることができる。
【００１４】
密着層の材料としては、基板とその上に形成される軟磁性下地層との密着性が良く、表面平坦性に優れていれば特に限定するものではないが、Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｃｏ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｂの少なくとも二種以上の金属を含む合金で構成することが好ましい。より具体的には、ＡｌＴｉ，ＮｉＴａ，ＡｌＴａ，ＣｒＴｉ，ＣｏＴｉ，ＮｉＴａＺｒ，ＮｉＣｒＺｒ，ＣｒＴｉＡｌ，ＣｒＴｉＴａ，ＣｏＴｉＮｉ，ＣｏＴｉＡｌ等を用いることができる。
【００１５】
軟磁性層下地層は、飽和磁束密度（Ｂｓ）が少なくとも１テスラ以上で、ディスク基板の半径方向に一軸異方性が付与されており、ヘッド走行方向に測定した保磁力が１．６ｋＡ／ｍ以下であることが望ましい。具体的には、Ｆｅを主成分とし、これにＣｏ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ、Ｍｏ等を添加した非晶質合金あるいは微結晶質合金を用いると上記特性が得られやすい。その膜厚は１００ｎｍ以下で用いることによりスパイクノイズを抑制でき、かつ浮遊磁界耐性を向上することができる。
【００１６】
軟磁性下地層のノイズをより低減するために、軟磁性下地層に非磁性層を挿入し、この非磁性層を介して上下の軟磁性層を反強磁性的に結合させる。非磁性層の上側の軟磁性層と下側の軟磁性層の磁気モーメントを等しくすると両層の間で磁束が還流し、両層の磁区状態がより安定化されるので好ましい。非磁性層の材料としてはＲｕＦｅ、或いはＲｕＦｅＸ（ＸはＣｒ，Ｃｏ）を用いることが望ましい。
【００１７】
軟磁性下地層に一軸異方性を確実に付与するために、磁界中冷却工程を行うことが望ましい。磁界は基板半径方向に印加することが望ましく、軟磁性層の半径方向の磁化が飽和する必要があり、磁界の大きさは少なくともディスク基板上で４ｋＡ／ｍ以上であれば良い。冷却温度は、理想的には室温まで冷却することが望ましいが、媒体製造プロセス時間の短縮を考慮すると６０〜１００゜Ｃ程度まで下げるのが現実的である。また、冷却工程の導入箇所は、媒体形成プロセスにより必ずしも軟磁性層形成後である必要はなく、シード層、中間層或いは記録層を形成した後であっても良い。
【００１８】
中間層としては、Ｒｕ単体か、Ｒｕを主成分とした六方稠密構造(ｈｃｐ)や面心立方構造（ｆｃｃ）の合金、或いはグラニュラ構造を有する合金を用いることができる。また、中間層は単層膜でもよいが、結晶構造の異なる材料を用いた積層膜でもよい。さらに、中間層の結晶配向を向上するために、軟磁性下地層の上にシード層（結晶配向層）を形成するのがより望ましい。
【００１９】
垂直記録層としては、少なくともＣｏとＰｔを含む合金を用いることができる。またＣｏＣｒＰｔを主成分とし、それに酸化物を添加したグラニュラ構造を有する合金、具体的にはＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２，ＣｏＣｒＰｔ−ＭｇＯ，ＣｏＣｒＰｔ−ＴａＯx，ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯxなどを用いることができる。上記酸化物グラニュラ層を第一記録層とし、その上に酸化物を含まないＣｏＣｒを主成分とした第二記録層を形成した積層構造を用いることもできる。さらに、 (Ｃｏ／Ｐｄ)多層膜，(ＣｏＢ／Ｐｄ)多層膜，（Ｃｏ／Ｐｔ）多層膜，(ＣｏＢ／Ｐｔ)多層膜等の人工格子膜を用いることができる。
【００２０】
垂直記録層の保護層としては、カーボンを主体とする厚さ２ｎｍ以上、６ｎｍ以下の膜を形成し、さらにパーフルオロアルキルポリエーテル等の潤滑層を用いることが好ましい。これにより信頼性の高い垂直記録媒体が得られる。
【００２１】
媒体の記録再生特性はスピンスタンドによって評価した。評価に用いたヘッドは、記録用のＴＳ（Ｔｒａｉｌｌｉｎｇ  ｓｈｉｅｌｄ）型ライタと再生用のスピンバルブ型リーダを併せ持つ複合型ヘッドである。リーダのシールド間距離は５０ｎｍ、トラック幅は１２０ｎｍである。書き込み電流は４０ｍAに設定した。スキュー角を０度として、０．０１４ｓｅｃ／ｒｅｖ（４２００ｒｐｍ）で円板の半径２３ｍｍを測定した。媒体Ｓ／Ｎは線記録密度１８．８ｋｆｃ／ｍｍ（１ｍｍ当たり１８．８キロフラックスチェンジ）の信号を記録したときの再生出力と積分ノイズの比として求めた。記録トラック幅を示すＭＣＷは６．２６ｋｆｃ／ｍｍで信号を両サイド書いた後、中心部に３．７６ｋｆｃ／ｍｍの信号を重ね書きし、左右に残った信号のオフトラックプロファイルから算出した。
【００２２】
媒体の耐食性の評価は以下の手順で行った。まず、温度６０゜Ｃ、相対湿度９０％以上の高温多湿状態の条件下にサンプルを９６時間放置する。次に、Optical Surface Analyzerを用いて半径１４ｍｍから２５ｍｍまでの範囲内における腐食点の数をカウントし、以下のようにランク付けした。カウント数が３０未満のものをＡ、３０以上８０未満のものをＢ、８０以上のものをＣとして評価した。実用的にはＢ以上のランクが望ましい。
【００２３】
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明する。
＜実施例１＞
図１に、実施例１の垂直磁気記録媒体の層構成を示す。基板１１には表面に同心円状の溝が形成された厚さ０．６３５ｍｍ、直径６５ｍｍ（２．５インチ型）のガラスディスク基板を用い、スパッタリング法により密着層１２、軟磁性下地層１３、結晶配向層１４、中間層１５、垂直記録層１６、保護層１７を順次形成し、潤滑剤１８を塗布した。図２に、実施例１で用いたターゲット組成とＡｒガス圧および膜厚を示す。
【００２４】
基板１１上に密着層１２であるＡｌＴｉを１０ｎｍ、その上に第一軟磁性層１３１であるＦｅＣｏＴａＺｒを３０ｎｍ、反強磁性結合層１３２であるＲｕＦｅを０．２〜１．２ｎｍ、第二軟磁性層１３３であるＦｅＣｏＴａＺｒを３０ｎｍ、を順に形成し、基板１１を約８０°Ｃ以下まで磁界中冷却した。さらにシード層１４であるＮｉＴａを２ｎｍ、中間層１５であるＲｕを二層に分けて（下半分をガス圧１Ｐａ、スパッタ速度４ｎｍ／ｓ、上半分をガス圧５．５Ｐａ、スパッタ速度１．５ｎｍ／ｓ）、１６ｎｍ形成した。さらに第一記録層１６１であるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２を１４ｎｍ、第二記録層１６２であるＣｏＣｒＰｔを７ｎｍ積層して記録層１６を形成し、その上に保護層１７であるカーボン層を５ｎｍ形成した。その後、パーフルオロアルキルポリエーテル系の材料をフルオルカーボン材で希釈した潤滑剤１８を塗布し、表面にバニッシュをかけて実施例１である垂直記録媒体を作製した。スパッタガスとしてはＡｒを使用し、磁気記録層を形成する際には酸素を２０ｍＰａの分圧で添加した。保護層１７を形成する時は、製膜時のＡｒ圧力０．６Ｐａに対し窒素を５０ｍＰａの分圧で添加した。
【００２５】
上記実施例１による垂直記録媒体の軟磁性下地層１３の磁気特性について試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いて評価した。垂直記録媒体の半径２３ｍｍの位置を中心として８ｍｍ角に切断したサンプルの、径方向および周方向の磁化曲線を測定した。その代表的な結果を図２に示す。図３（ａ）に示す、基板の半径方向に磁界を印加して測定した磁化曲線は、ゼロ磁界を含むある範囲で安定なレベルを有するステップ状の形状をしている。これは軟磁性下地層の磁化容易軸が径方向を向いていることを示しており、この安定なレベルの磁界範囲で、第一軟磁性層１３１と第二軟磁性層１３３が反強磁性的に結合していることを示している。この安定なレベルから遷移する磁界を交換結合磁界Ｈｅｘとして定義する。実際の測定結果である図３（ａ）の磁化曲線では、勾配の極大値である図中のＨｅｘ＋およびＨｅｘ−は、Ｙ軸を中心に概ね対称で、その大きさはほぼ等しく、これらの平均の値を軟磁性下地層の交換結合磁界Hexとする。一方、図３（ｂ）に示す、基板の周方向に磁界を印加して測定した磁化曲線は、原点から飽和磁場付近まで単調に変化している。この飽和磁界をＨｓと定義し、Ｈｅｘと同様に、図中のＨｓ＋とＨｓ−との平均とした。
【００２６】
次に、反強磁性結合層１３２であるＲｕＦｅの膜厚を変化させて、Ｈｅｘの膜厚依存性を調べた。その結果を図４に示す。ここでＲｕＦｅのＦｅ添加量は５０ａｔ％と７０ａｔ％である。比較のために反強磁性結合層１３２にＲｕを用いたサンプルを用意し、同様に評価した。比較例の他の層構成は実施例１と同じである。ＨｅｘはＲｕＦｅ或いはＲｕの膜厚に対してピークをもつ。ＲｕＦｅのピーク値はＲｕに比較して大きく、Ｒｕが３．６４ｋＡ／ｍに対し、ＲｕＦｅ５０は４．１０ｋＡ／ｍ、ＲｕＦｅ７０は４．３８ｋＡ／ｍであった。さらにピーク値を示す膜厚は、Ｒｕの場合０．４ｎｍであるのに対し、ＲｕＦｅ５０では０．６２ｎｍ、ＲｕＦｅ７０では０．８５ｎｍとＦｅ添加量が多いほど厚い側にシフトすることが分かった。また、Ｈｅｘが３．２ｋＡ／ｍ以上となる膜厚は、Ｒｕが０．３５〜０．４５ｎｍ、ＲｕＦｅ５０が０．５５〜０．７５ｎｍ、ＲｕＦｅ７０が０．７〜１．０ｎｍとなり、Ｒｕに対してＲｕＦｅの方が、またＲｕＦｅにおいてはＦｅ添加量の多い方が膜厚マージンも広くなることが分かった。
【００２７】
そこで、ＲｕＦｅのＦｅ添加量とＨｅｘのピーク値、ＲｕＦｅの最適膜厚との関係をさらに詳しく調べた。その結果を図５に示す。Ｆｅ添加量が２５ａｔ%までは最適膜厚はＲｕの場合と殆ど変わらないが、さらにＦｅの添加量を増やすと最適膜厚は厚くなる。７５ａｔ％で０．８５ｎｍとなり、Ｒｕに比較して厚さが約２倍になることが分かった。次にＨｅｘ及びＨｓとＦｅ添加量の関係を調べた。Ｆｅ添加量とＨｅｘとの関係を図６に、Ｈｓとの関係を図７に示す。Ｈｅｘ、Ｈｓともに、ＲｕＦｅの最適膜厚と同様に、Ｆｅ添加量が２５ａｔ％までは殆ど変化しないが、３０ａｔ％を超えると増大する傾向にある。Ｈｅｘは、おおよそ７５ａｔ%で最大になり、さらにＦｅの添加量を増やしていくと、逆に減少することが分かった。一方Ｈｓは、Ｆｅ添加量が６０ａｔ％を超えたところでほぼ飽和し、その値が１００ｋＡ／ｍとＲｕの時の３倍近く大きくなることがわかった。
【００２８】
上記現象の原因を調べるため、ＸＲＤにてＲｕＦｅの結晶配向を調べた。評価には、基板上にＡｌＴｉを５ｎｍ、ＦｅＣｏＴａＺｒを３０ｎｍ、ＲｕＦｅを２０ｎｍ形成したサンプルを用いた。その結果、Ｈｅｘ、Ｈｓともに大きな値が得られたＲｕＦｅ（Ｆｅ含有量が７５ａｔ%以下）は、Ｒｕと同じｈｃｐ構造であったのに対し、Ｆｅが８０ａｔ％添加された膜は、ｈｃｐ構造とｂｃｃ構造の混層になっていることが分かった。従って、反強磁性結合層１３２に用いる膜の結晶構造はｈｃｐ構造であることが望ましいこと分かった。
【００２９】
次に、ＲｕＦｅの腐食性を調べるために、水溶液中における浸漬電位測定を行った。試験には基板上にＡｌＴｉを５ｎｍ、ＲｕＦｅを５０ｎｍ形成したサンプルを用いた。試験溶液はシュウ酸水溶液（ｐH３．１、温度２５°Ｃ）を使用し、銀塩化銀電極（KCｌ飽和）を基準とし、１０分間測定した。試料面積は１ｃｍ２とし、それ以外の面は被覆している。その結果を図８に示す。比較のために軟磁性下地層のＦｅＣｏＴａＺｒ膜の電位も調べた。Ｒｕは電位が高くおおよそ６００ｍＶであり、一方ＦｅＣｏＴａＺｒの電位は−４００ｍＶとＲｕに比較してかなり低く、両者の電位差が大きいことが分かる。つまり、この電位差によって両者間にガルバニック腐食が生じてしまう。ＲｕにＦｅを添加していくと電位は徐々に低下し、Ｆｅを添加するほどガルバニック腐食が起こりにくくなり、耐食性が向上すると予想される。
【００３０】
上記反強磁性結合層１３２のＦｅ添加量を振った媒体１−１〜１−９を用意し、ＲＷ特性、及び耐食性を評価した。その結果を図９にまとめた。比較のためにＲｕ反強磁性結合層を用いた媒体１−１０を用意した。いずれの媒体も媒体Ｓ／Ｎは同程度であったが、Ｆｅ含有量が増えるに従って、記録トラック幅を示すＭＣＷが狭くなっている事がわかった。耐食性はＦｅ含有量に依らず、いずれの媒体もＢランク以上と良好であった。腐食カウントは、Ｆｅ添加量が多くなるほど減少する傾向が見られ、５０％以上でＡランクレベルに改善された。
【００３１】
これらのことから、高い媒体Ｓ／Ｎと狭いＭＣＷを得るためには、反強磁性結合層であるＲｕＦｅのＦｅ添加量が４０ａｔ％〜７５ａｔ％、望ましくは５０ａｔ％〜７５ａｔ％が良いこと分かった。
【００３２】
以上の説明のとおり、上記実施例１の垂直磁気記録媒体によれば、軟磁性下地層起因の媒体ノイズを低減できるばかりでなく、軟磁性下地層に挿入される非磁性層の膜厚制御が容易で、ヘッドの書き滲みを抑え、かつ軟磁性下地層の耐食性を向上することができる。
【００３３】
＜実施例２＞
上記実施例１の媒体１−７と同じ層構成で、軟磁性下地層の組成が異なる媒体を作製し、実施例1と同じ手法でＲＷ特性を評価した。軟磁性下地層以外の各層の組成、膜厚及び成膜プロセスは実施例１と同じである。図１０に、各サンプル（媒体）の軟磁性層の組成と、ＲＷ特性の評価結果を図１０に示す。サンプル２−１，２−２はＦｅＣｏＴａＺｒ合金で、サンプル２−３はＦｅＣｏＴａＺｒＢ合金で、サンプル２−５，２−６はＦｅＣｏＴａＢ合金で、サンプル２−７はＦｅＣｏＴａＺｒＭｏ合金である。いずれの媒体も高い媒体Ｓ／Ｎと狭いＭＣＷが得られ、耐食性もＢランク以上と良好であることが分かった。
【００３４】
＜実施例３＞
実施例１と同じ層構成で、反強磁性結合層１３２であるＲｕＦｅにＣｒ或いはＣｏを添加した媒体を作製した。Ｃｒの添加はターゲットの耐食性に効果があり、一方Ｃｏの添加は、軟磁性下地層の磁気特性（高Ｈｅｘ、高Ｈｓ）に効果がある。反強磁性結合層以外の各層の組成、膜厚及び成膜プロセスは実施例１と同じである。図１１に、各サンプル（媒体）の反強磁性結合層の組成と、実施例１と同じ手法で評価した媒体Ｓ／ＮとＭＣＷの評価結果を示す。サンプル３−１〜３−３がＲｕＦｅＣｒ合金であり、サンプル３−４〜３−６がＲｕＦｅＣｏ合金である。いずれの場合も高い媒体Ｓ／Ｎと狭いＭＣＷが得られ、耐食性のランクもＢランク以上と良好であった。特にＣｒを添加した場合は、腐食カウントが低減する効果が見られている。これらのことから５−１０％程度のＣｒ或いはＣｏを添加しても、軟磁性下地層起因の媒体ノイズを低減できるばかりでなく、ヘッドの書き滲みを抑え、かつ耐食性に優れた高密度垂直磁気記録媒体を得ることができることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施例１の垂直磁気記録媒体の層構成を示す図である。
【図２】実施例１で用いたターゲット組成とＡｒガス圧および膜厚を示す図である。
【図３】実施例１の垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層の磁化曲線を示す図である。
【図４】実施例１の垂直磁気記録媒体の反強磁性結合層であるＲｕＦｅの膜厚と反強磁性結合磁界Ｈｅｘとの関係を示す図である。
【図５】実施例１の垂直磁気記録媒体の反強磁性結合層であるＲｕＦｅのＦｅ添加量と最適膜厚との関係を示す図である。
【図６】実施例１の垂直磁気記録媒体の反強磁性結合層であるＲｕＦｅのＦｅ添加量と反強磁性結合磁界Ｈｅｘとの関係を示す図である。
【図７】実施例１の垂直磁気記録媒体の反強磁性結合層であるＲｕＦｅのＦｅ添加量と飽和磁界Ｈｓとの関係を示す図である。
【図８】実施例１の垂直磁気記録媒体の反強磁性結合層であるＲｕＦｅのＦｅ添加量と浸漬電位との関係を示す図である。
【図９】実施例１の垂直磁気記録媒体のＲ／Ｗ特性及び耐食性を評価した結果を示す図である。
【図１０】実施例２の垂直磁気記録媒体のＲ／Ｗ特性及び耐食性を評価した結果を示す図である。
【図１１】実施例３の垂直磁気記録媒体のＲ／Ｗ特性及び耐食性を評価した結果を示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
１１…基板、１２…密着層、１３…軟磁性下地層、１４…シード層、１５…中間層、１６…垂直記録層、１７…保護層、１８…潤滑層、１３１…第一軟磁性層、１３２…反強磁性結合層、１３３…第二軟磁性層、１６１…第一記録層、１６２…第二記録層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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