(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、温度や輝度に応じた有機ＥＬ素子の発光輝度の劣化に対して、良好な映像表示を実現する。【解決手段】表示駆動開始から所定期間（例えば２時間）、輝度レベルを強制的に低下させる輝度低減制御を行う（Ｆ１００〜Ｆ１０７）。そして所定期間を経過したら輝度低減制御を終了させ、輝度情報及び温度情報に基づいて調整値を算出し、映像信号の輝度レベルを調整するコントラスト調整、ホワイトバランス調整、焼き付き防止調整としての輝度調整制御を継続的に行う。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子として用いた複数の画素が配列されて成り、入力される映像信号に基づいて上記各画素を駆動して映像表示を行う表示部と、
上記表示部に供給する映像信号の輝度レベルを調整するレベル調整部と、
上記表示部の表示駆動開始から所定期間において、上記表示部に供給する映像信号の輝度レベルが低下していくように、上記レベル調整部に段階的に映像信号の輝度レベルを低下させる輝度低減制御を行う制御演算部と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
上記制御演算部は、上記輝度低減制御として、上記表示部の全画素についての映像信号の輝度レベルを一律に低減させていく制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
上記制御演算部は、上記輝度低減制御として、映像信号の輝度レベルが、上記所定期間経過時点で表示駆動開始時点より１割低下するように制御することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
上記制御演算部は、上記輝度低減制御として、映像信号の輝度レベルが、上記表示部の画素の発光色毎に、上記所定期間経過時点で表示駆動開始時点よりそれぞれ所定比率低下するように制御することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
上記表示駆動開始から所定期間経過時点とは、表示駆動開始から約２時間経過時点であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
上記各画素のそれぞれの発光輝度の情報を検出する輝度情報検出部と、
上記各画素のそれぞれの温度の情報を検出する温度情報検出部と、
をさらに備え、
上記制御演算部は、上記表示駆動開始から所定期間を経過した後は、上記輝度低減制御を終了し、上記輝度情報検出部からの情報と上記温度情報検出部からの情報を用いて調整値を算出し、該調整値に基づいて上記レベル調整部に輝度レベル調整を実行させる輝度調整制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
上記制御演算部は、上記輝度調整制御として、上記輝度情報検出部からの情報と上記温度情報検出部からの情報を用いてコントラスト調整値を算出し、該コントラスト調整値に基づいて、上記レベル調整部に輝度レベル調整を実行させることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
上記制御演算部は、上記輝度調整制御として、上記輝度情報検出部からの情報と上記温度情報検出部からの情報を用いてホワイトバランス調整値を算出し、該ホワイトバランス調整値に基づいて、上記レベル調整部に輝度レベル調整を実行させることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
上記制御演算部は、上記輝度調整制御として、上記輝度情報検出部からの情報と上記温度情報検出部からの情報を用いて焼き付き防止の調整値を算出し、該焼き付き防止の調整値に基づいて、上記レベル調整部に輝度レベル調整を実行させることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
上記輝度情報検出部は、
上記表示部に供給する映像信号の各画素の輝度情報を記憶する第１のメモリ部と、
上記表示部の各画素の発光光量を検出する受光センサと、
上記受光センサで得られる各画素の光量を、各画素の輝度情報として記憶する第２のメモリ部とを有し、
上記制御演算部は、上記第１のメモリ部に記憶された輝度情報と、上記第２のメモリ部に記憶された輝度情報を用いて画素の発光輝度変化情報を検出し、該発光輝度変化情報と、上記温度検出部で検出される温度情報を用いて上記調整値を算出することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１１】
上記受光センサは、各画素の漏れ光の光量を検出するようにされ、上記第２のメモリ部は、上記受光センサで得られる各画素の漏れ光の光量を、各画素の輝度情報として記憶するとともに、
上記制御演算部は、上記第１のメモリ部に記憶された輝度情報に対して係数演算して得た値と、上記第２のメモリ部に記憶された輝度情報を用いて画素の発光輝度変化情報を検出することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
上記温度情報検出部は、
上記表示部の各画素のそれぞれの温度の情報を検出する温度センサと、
上記温度センサで得られる各画素の温度を、各画素の温度情報として記憶する第３のメモリ部とを有し
上記制御演算部は、上記第３のメモリ部に記憶された温度情報を用いて画素の温度変化情報を検出し、検出された温度変化情報と、上記発光輝度変化情報を用いて上記調整値を算出することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１３】
上記受光センサは、表示面平面方向に見て、隣接する画素の各発光素子の間の領域に配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１４】
上記温度センサは、各画素の発光素子の光取り出し方向と逆側の基板上に配置されていることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１５】
有機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子として用いた複数の画素が配列されて成り、入力される映像信号に基づいて上記各画素を駆動して映像表示を行う表示部を有する表示装置の表示駆動方法として、
上記表示部の表示駆動開始から所定期間において、上記表示部に供給する映像信号の輝度レベルを段階的に低下させるステップと、
上記表示駆動開始から所定期間を経過した後において、上記表示部の画素の輝度情報と上記表示部の画素の温度情報を用いて調整値を算出し、該調整値に基づいて上記表示部に供給する映像信号の輝度レベルを調整するステップと、
を有することを特徴とする表示駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（Electroluminescence ）素子（以下、有機ＥＬ素子）を発光体として用いた画素が配列された表示部を有する表示装置、及びその表示駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】特開２００３−３２３１５２号公報
【特許文献２】特開２００３−１５７０５０号公報
【０００３】
従来より、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザ・ダイオード（ＬＤ）、有機発光素子などの自発光素子を用いた表示装置（ディスプレイ）の開発がなされている。
この種の表示装置は、一般に、自発光素子をマトリクス状に複数個配置して画面部（表示パネル）が構成され、各素子を映像信号に応じて選択的に発光させることにより、映像表示が行われる。
例えばテレビジョン受像機、コンピュータ用モニタディスプレイ、携帯情報端末等においてこれらの表示装置が利用され、情報システムの進展に伴い、ユーザインターフェースとしての表示装置の重要性は大きくなっている。特には、目に優しく、高精細な画面で見やすく、かつ動画が遅れなしにくっきりと綺麗に見える高解像度、高速応答のディスプレイが要求されている。
【０００４】
自発光素子を用いた表示装置は、例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）のようなバックライトが不要なため、薄型、軽量化を実現でき、消費電力の面でも有利といわれている。
特に有機化合物を発光材料とする有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬディスプレイは、視野角が広く、コントラストが高く、視認性に優れている。また、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度も速く、更に振動に強く、使用温度範囲も広いなどの特徴があり、次世代の表示素子として注目されている。
【０００５】
有機ＥＬ素子は、例えば、駆動用基板の上に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極が順に積層された構造を有している。このような有機ＥＬ素子では、発光層で発生した光は、ディスプレイのタイプにより、駆動用基板の側から取り出される場合もあるが、第２電極の側から取り出される場合もある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
有機ＥＬ素子においては、発光に伴う発熱などによって各有機層の劣化が生じ、発光輝度が低下し、発光自体が不安定になるなどの経時的劣化の問題が存在している。
また有機ＥＬ素子は発光ダイオード特性を示し、温度上昇に伴ってデバイスに流れる電流は比例して大きくなるため、結果的に発光輝度と劣化は比例関係にあり、そのために発光駆動が劣化を促進することにもなる。つまり温度と輝度が、輝度劣化を促進させる要因となっている。
【０００７】
その対策として、上記特許文献１には、電流量と発光輝度との比例関係を利用して、温度上昇による輝度劣化を、流れる電流量を抑制することで解決する手法が記載されているが、電流抑制のために発光輝度を低下させ、良好な表示を提供できない場合があるという問題が残されている。
【０００８】
また、同様に周囲の温度変化に応じて表示輝度をコントロールする手法が上記特許文献２に記載されている。この手法はデータ配線を定電流で供給し、走査配線に供給される駆動電圧を調整する。そして表示画面の近傍に温度検出手段を設置し、周囲温度の変化に応じて走査配線に供給する電圧レベルを制御するものである。
しかしながら、この手法においては温度検出手段を設置する必要上、余分に設置箇所を確保する制限があり、表示エリアを抑制して周辺額縁を広げる必要性がある。
また、表示エリア中央部などでは、温度検出手段を設置するスペースを確保することが非常に難しく、高解像の表示デバイスを実現できる見込みが低いものである。
また、電圧制御のみの輝度コントロールをモニタリングする手段を持たないため、補正結果として滑らかな階調表示を提供することが難しい。
【０００９】
そこで本発明は、有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、有機ＥＬ素子の発光輝度の劣化に対して、有効な表示駆動を行い、良好な映像表示を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子として用いた複数の画素が配列されて成り、入力される映像信号に基づいて上記各画素を駆動して映像表示を行う表示部と、上記表示部に供給する映像信号の輝度レベルを調整するレベル調整部と、上記表示部の表示駆動開始から所定期間において、上記表示部に供給する映像信号の輝度レベルが低下していくように、上記レベル調整部に段階的に映像信号の輝度レベルを低下させる輝度低減制御を行う制御演算部とを備える。
また上記制御演算部は、上記輝度低減制御として、上記表示部の全画素についての映像信号の輝度レベルを一律に低減させていく制御を行う。
また上記制御演算部は、上記輝度低減制御として、映像信号の輝度レベルが、上記所定期間経過時点で表示駆動開始時点より１割低下するように制御する。
また、上記制御演算部は、上記輝度低減制御として、映像信号の輝度レベルが、上記表示部の画素の発光色毎に、上記所定期間経過時点で表示駆動開始時点よりそれぞれ所定比率低下するように制御する。
また上記表示駆動開始から所定期間経過時点とは、表示駆動開始から約２時間経過時点であるとする。
【００１１】
また、上記各画素のそれぞれの発光輝度の情報を検出する輝度情報検出部と、上記各画素のそれぞれの温度の情報を検出する温度情報検出部とをさらに備える。そして上記制御演算部は、上記表示駆動開始から所定期間を経過した後は、上記輝度低減制御を終了し、上記輝度情報検出部からの情報と上記温度情報検出部からの情報を用いて調整値を算出し、該調整値に基づいて上記レベル調整部に輝度レベル調整を実行させる輝度調整制御を行うようにする。
また上記制御演算部は、上記輝度調整制御として、上記輝度情報検出部からの情報と上記温度情報検出部からの情報を用いてコントラスト調整値を算出し、該コントラスト調整値に基づいて、上記レベル調整部に輝度レベル調整を実行させる。
また上記制御演算部は、上記輝度調整制御として、上記輝度情報検出部からの情報と上記温度情報検出部からの情報を用いてホワイトバランス調整値を算出し、該ホワイトバランス調整値に基づいて、上記レベル調整部に輝度レベル調整を実行させる。
また上記制御演算部は、上記輝度調整制御として、上記輝度情報検出部からの情報と上記温度情報検出部からの情報を用いて焼き付き防止の調整値を算出し、該焼き付き防止の調整値に基づいて、上記レベル調整部に輝度レベル調整を実行させる。
【００１２】
また上記輝度情報検出部は、上記表示部に供給する映像信号の各画素の輝度情報を記憶する第１のメモリ部と、上記表示部の各画素の発光光量を検出する受光センサと、上記受光センサで得られる各画素の光量を、各画素の輝度情報として記憶する第２のメモリ部とを有するようにする。そして上記制御演算部は、上記第１のメモリ部に記憶された輝度情報と、上記第２のメモリ部に記憶された輝度情報を用いて画素の発光輝度変化情報を検出し、該発光輝度変化情報と、上記温度検出部で検出される温度情報を用いて上記調整値を算出する。
また上記受光センサは、各画素の漏れ光の光量を検出するようにされ、上記第２のメモリ部は、上記受光センサで得られる各画素の漏れ光の光量を、各画素の輝度情報として記憶する。この場合、上記制御演算部は、上記第１のメモリ部に記憶された輝度情報に対して係数演算して得た値と、上記第２のメモリ部に記憶された輝度情報を用いて画素の発光輝度変化情報を検出する。
また上記受光センサは、表示面平面方向に見て、隣接する画素の各発光素子の間の領域に配置されている。
また上記温度情報検出部は、上記表示部の各画素のそれぞれの温度の情報を検出する温度センサと、上記温度センサで得られる各画素の温度を、各画素の温度情報として記憶する第３のメモリ部とを有する。そして上記制御演算部は、上記第３のメモリ部に記憶された温度情報を用いて画素の温度変化情報を検出し、検出された温度変化情報と、上記発光輝度変化情報を用いて上記調整値を算出する。
また上記温度センサは、各画素の発光素子の光取り出し方向と逆側の基板上に配置されている。
【００１３】
本発明の表示駆動方法は、有機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子として用いた複数の画素が配列されて成り、入力される映像信号に基づいて上記各画素を駆動して映像表示を行う表示部を有する表示装置の表示駆動方法である。そして上記表示部の表示駆動開始から所定期間において、上記表示部に供給する映像信号の輝度レベルを段階的に低下させるステップと、上記表示駆動開始から所定期間を経過した後において、上記表示部の画素の輝度情報と上記表示部の画素の温度情報を用いて調整値を算出し、該調整値に基づいて上記表示部に供給する映像信号の輝度レベルを調整するステップとを有する。
【００１４】
即ち本発明では、まず表示駆動開始から所定期間（例えば２時間）、輝度レベルを強制的に低下させる輝度低減制御を行うようにする。
そして所定期間を経過したら輝度低減制御を終了させ、輝度情報及び温度情報に基づいて調整値を算出し、映像信号の輝度レベルを調整する輝度調整制御を行う。
有機ＥＬ素子では、駆動開始から初期の段階は、発光輝度劣化が非常に不安定に進行し、これが例えば２時間程度を経過すると、安定的に輝度変化が進行する。そこで本発明では、まず不安定に進行する初期の段階において、強制的に輝度劣化を進行させる。そして所定比率まで強制的に輝度を劣化させた後、安定的に輝度変化が進行する期間は、輝度情報と温度情報を用いた輝度調整制御を継続的に行う。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、駆動開始から初期の期間として通常発光輝度劣化が非常に不安定に進行する期間に強制的に輝度を低下させていくことで、表示画面上で擬似的に安定した輝度変化を進行させる。またその後の輝度劣化が安定的に進行する期間では、上記の強制的な輝度低下により例えば所定比率まで輝度を低下させた状態から、輝度情報と温度情報を用いたフィードバック制御によりコントラスト調整やホワイトバランス調整を行うことで、調整動作が安定化される。特に有機ＥＬ素子では温度条件、輝度条件に応じて輝度劣化が進行するため、これらに応じた調整が安定的に行われることで、良好な画面表示を実現できる。
また、輝度情報検出部では、受光センサを、表示面平面方向に見て、隣接する画素の各発光素子の間の領域に配置し、各画素の漏れ光を検出するようにし、また温度情報検出部の温度センサは、各画素の発光素子の光取り出し方向と逆側の基板上に配置されるようにする。これにより、各画素についての輝度情報と温度情報を得ることができるとともに、表示エリアに受光センサや温度センサの設置のための余分なエリアを用意する必要がなく表示エリアを有効に利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を以下の順序で説明する。
［１．有機ＥＬ素子を用いた表示パネル構成例］
［２．画素構造］
［３．表示装置の構成例］
［４．初期強制輝度低減処理］
［５．コントラスト調整処理］
［６．ホワイトバランス調整処理］
［７．焼き付き防止及びホワイトバランス調整処理］
【００１７】
［１．有機ＥＬ素子を用いた表示パネル構成例］
まず本実施の形態の表示装置に採用できる、有機ＥＬ素子を用いた表示パネルの構成例を図１，図２で説明する。
図１に示すように、表示パネルは、画素（画素回路）１０がｍ行×ｎ列のマトリクス状に配列された画素アレイ部２０、水平セレクタ１１、ドライブスキャナ１２、ライトスキャナ１３、第１ＡＺスキャナ１４、第２ＡＺスキャナ１５を備える。
また水平セレクタ１１により選択され、輝度情報に応じた映像信号を画素１０に対する入力信号として供給する信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・が、画素アレイ部２０に対して列方向に配されている。信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・は、画素アレイ部２０においてマトリクス配置された画素１０の列数分だけ配される。
また画素アレイ部２０に対して、行方向に走査線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・、走査線ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・、走査線ＡＺＬ１−１，ＡＺＬ１−２・・・、走査線ＡＺＬ２−１，ＡＺＬ２−２・・・、が配されている。これらの走査線はそれぞれ、画素アレイ部２０においてマトリクス配置された画素１０の行数分だけ配される。
走査線ＷＳＬ（ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・）はライトスキャナ１３により選択駆動される。
走査線ＤＳＬ（ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・）はドライブスキャナ１２により選択駆動される。
走査線ＡＺＬ１（ＡＺＬ１−１，ＡＺＬ１−２・・・）は第１ＡＺスキャナ１４により選択駆動される。
走査線ＡＺＬ２（ＡＺＬ２−１，ＡＺＬ２−２・・・）は第２ＡＺスキャナ１５により選択駆動される。
ドライブスキャナ１２、ライトスキャナ１３、第１ＡＺスキャナ１４、第２ＡＺスキャナ１５は、それぞれ入力されるスタートパルスｓｐとクロックｃｋを基準として、設定された所定のタイミングで各走査線に選択パルスを与える。
【００１８】
図２に画素１０の構成例を示している。なお、図２では簡略化のため、信号線ＤＴＬと走査線ＷＳＬ，ＤＳＬ，ＡＺＬ１，ＡＺＬ２が交差する部分に配される１つの画素回路１０のみを示している。
この画素１０は、発光素子である有機ＥＬ素子１と、１個の保持容量Ｃ１と、サンプリングトランジスタＴ１、ドライブトランジスタＴ５、スイッチングトランジスタＴ３、第１の検知トランジスタＴ４、第２の検知トランジスタＴ２からなる５個のｎチャネル薄膜トランジスタとで構成されている。
【００１９】
保持容量Ｃ１は、一方の端子がドライブトランジスタＴ５のソースに接続され、他方の端子が同じくドライブトランジスタＴ５のゲートに接続されている。図では、ドライブトランジスタＴ５のソースノードをノードＮｄ１、ドライブトランジスタＴ５のゲートノードをノードＮｄ２として示している。従って、保持容量Ｃ１はノードＮｄ１とノードＮｄ２の間に接続されていることになる。
画素１０の発光素子は例えばダイオード構造の有機ＥＬ素子１とされ、アノードとカソードを備えている。有機ＥＬ素子１のアノードはドライブトランジスタＴ５のソース（ノードＮｄ１）に接続され、カソードは所定のカソード電位Ｖｃａｔに接続されている。
【００２０】
第１の検知トランジスタＴ４は、そのソースが第１の固定電位Ｖｓｓに接続され、そのドレインがドライブトランジスタＴ５のソース（ノードＮｄ１）に接続され、ゲートが走査線ＡＺＬ１に接続されている。
第２の検知トランジスタＴ２は、そのソースが第２の固定電位Ｖｏｆｓに接続され、そのドレインがドライブトランジスタＴ５のゲート（ノードＮｄ２）に接続され、そのゲートは走査線ＡＺＬ２に接続されている。
サンプリングトランジスタＴ１は、その一端が信号線ＤＴＬに接続され、他端がドライブトランジスタＴ５のゲート（ノードＮｄ２）に接続され、そのゲートが走査線ＷＳＬに接続されている。
スイッチングトランジスタＴ３は、そのドレインが電源電位Ｖｃｃに接続され、そのソースがドライブトランジスタＴ５のドレインに接続され、そのゲートが走査線ＤＳＬに接続されている。
【００２１】
サンプリングトランジスタＴ１は走査線ＷＳＬによって選択されたときに動作し、信号線ＤＴＬからの入力信号ＶｓｉｇをサンプリングしてノードＮｄ２を介し保持容量Ｃ１に保持させる。
ドライブトランジスタＴ５は、保持容量Ｃ１に保持された信号電位に応じて有機ＥＬ素子１を電流駆動する。
スイッチングトランジスタＴ３は走査線ＤＳＬによって選択されたときに導通して電源電位ＶｃｃからドライブトランジスタＴ５に電流を供給する。
第１，第２の検知トランジスタＴ４，Ｔ２は、それぞれ走査線ＡＺＬ１，ＡＺＬ２によって所定のタイミングで選択されることで導通される。この第１、第２の検知トランジスタＴ４，Ｔ２のオン／オフは、有機ＥＬ素子１の電流駆動に先立ってドライブトランジスタＴ５の閾値電圧Ｖｔｈを検知し、あらかじめその影響をキャンセルする為に該検知した閾値電圧を保持容量Ｃ１に保持する動作（閾値検出動作）に関連して実行される。
【００２２】
この画素１０の正常な動作を保証する為の条件として、固定電位Ｖｓｓは、固定電位ＶｏｆｓからドライブトランジスタＴ５の閾値電圧Ｖｔｈを差し引いたレベルよりも低く設定されている。すなわち、Ｖｓｓ＜Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈである。
また固定電位Ｖｓｓは、有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｅｌと、カソード電位Ｖｃａｔの和より小さく設定されている（Ｖｓｓ＜Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔ）。
また固定電位Ｖｏｆｓは、ドライブトランジスタＴ５の閾値電圧Ｖｔｈと、有機ＥＬ素子１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌと、カソード電圧Ｖｃａｔの和よりも小さく設定されている（Ｖｏｆｓ＜Ｖｔｈ＋Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔ）。
例えば固定電位Ｖｏｆｓはグランド電位、固定電位Ｖｓｓは負電位とされ、上記各条件を満たすようにされる。
【００２３】
［２．画素構造］
本例では、上記のように構成される画素１０のそれぞれにおいて、各画素１０の発光輝度を検出する受光センサと、各画素１０の温度を検出する温度センサが配置される。
図３，図４に、画素１０の層構造を、駆動構成（上記図２の各トランジスタＴ１〜Ｔ５、容量Ｃ１、及び各種走査線や層間配線等）を省略した状態で示す。
図３，図４のそれぞれに示すように、画素１０の層構造としては支持基板３５、陽極３４、発光素子３３、陰極３２、光透明基板３１、対向支持基板３０を有する。
【００２４】
図３は、対向支持基板３０側から表示光を取り出す上面発光方式の場合の構造を示している。
支持基板３５は石英ガラスのような透明基板や、シリコン基板などが適時選択されて用いられる。なお支持基板３５はアクティブマトリックス方式ならびにパッシブマトリクス方式の両方の方式において適用可能である。
この支持基板３５上において、陽極３４と陰極３２に挟まれる形で有機ＥＬ層としての発光素子３３が設けられる。陽極３４，発光素子３３、陰極３２により図２に示した有機ＥＬ素子１が構成される。
発光素子３３が、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に発光するものであって、上記図１に示したように、発光素子３３を有する画素１０が、表示パネル上に配列される。
陽極３４，発光素子３３，陰極３２から成る有機ＥＬ素子１の上には、光透明基板３１が形成され、さらにその上に対向支持基板３０が形成されている。
【００２５】
この図３の場合、発光素子３３からの表示光ＭＬは矢印で示す方向から取り出される。即ち発光素子３３からの表示光は、陰極３２，光透明基板３１，対向支持基板３０を通過して取り出される。つまり対向支持基板３０側が表示パネル前面側となる。このため陰極３２，光透明基板３１，対向支持基板３０は光透過材料が用いられる。
【００２６】
ここで、対向支持基板３０には、支持基板３５上に配線されている各種走査線の対向箇所に、受光センサ３６が積層されている。この受光センサ３６は、アモルファスシリコン半導体などの高感度受光センサであり、受光量に応じて電気信号を発生させることができるものであればよい。
そしてこの受光センサ３６は、破線矢印で示すように発光素子３３で発光される光の漏れ光ＭＬが入射され、入射光量に応じた電気信号を発生させる。つまり受光センサ３６は、表示面平面方向に見て、隣接する画素１０の各発光素子３３の間の領域に配置されている。
このように漏れ光ＭＬを検知する位置に配置されることで、受光センサ３６が表示光ＭＬを遮蔽しないようにされ、かつ各画素１０のそれぞれの発光光量を検知できるようにしている。
【００２７】
一方、支持基板３５側には、発光素子３３に対応する領域に温度センサ３７が配置される。即ちこの温度センサ３７は、各画素１０の発光素子３３の光取り出し方向と逆側の基板（この場合支持基板３５）上に配置されている。そして各温度センサ３７は、それぞれ画素１０の温度に応じた電気信号を発生させる。
【００２８】
図４は、支持基板３５側から表示光を取り出すボトム発光方式の場合の構造を示している。
この場合も支持基板３５上において、陽極３４と陰極３２に挟まれる形で有機ＥＬ層としての発光素子３３が設けられ、さらに光透明基板３１、対向支持基板３０が形成されていることは同様である。
ただし、この場合、発光素子３３からの表示光ＭＬは矢印で示すように、陽極３４，支持基板３５を透過して取り出される。つまり支持基板３５側が表示パネル前面側となる。このため、陽極３４，支持基板３５は光透過材料が用いられる。この場合、陰極３２や対向支持基板３０は光透過材料である必要はない。
【００２９】
そしてこの場合、陽極３４と同層に受光センサ３６が積層される。この受光センサ３６により漏れ光ＳＬの光量に応じた電気信号が取り出される。この場合も、受光センサ３６は、表示面平面方向に見て、隣接する画素１０の各発光素子３３の間の領域に配置されている。そしてこのように漏れ光ＭＬを検知する位置に配置されることで、受光センサ３６が表示光ＭＬを遮蔽しないようにされ、かつ各画素１０のそれぞれの発光光量を検知できるようにしている。
【００３０】
また、対向支持基板３０側には、発光素子３３に対応する領域に温度センサ３７が配置される。即ちこの場合も、温度センサ３７は、各画素１０の発光素子３３の光取り出し方向と逆側の基板（この場合対向支持基板３０）上に配置されている。そして各温度センサ３７は、それぞれ画素１０の温度に応じた電気信号を発生させる。
【００３１】
例えばこの図３又は図４のような構造とすることで、各画素１０に対応して受光センサ３６及び温度センサ３７を配置でき、しかもそれらは表示光ＭＬを遮断しないようにされる。さらに、このように受光センサ３６、温度センサ３７を配置すれば、表示エリアに受光センサ３６や温度センサ３７の設置のための余分なエリアを用意する必要がなく、表示エリアを有効に利用することができる。
また、ここで受光センサ３６による漏れ光ＳＬの光量のモニタリングに関しては、本来の発光強度の２０％以下の光漏れ量のみを検出する制限を設けることで、他の光散乱漏れ光量をモニタリングすることを防止する。
【００３２】
図５に画面平面方向にみた画素と受光センサ３６の配置関係を模式的に示す。図５においては、図１のようにマトリクス状に配置される画素１０の一部を示しているが、例えばスキャン方向（図１の信号線ＤＴＬの配線方向）に、同一色の画素が並ぶ構成とされる。即ち画素１０Ｒ−１、１０Ｒ−２、１０Ｒ−３・・・としてのＲ画素の列、画素１０Ｇ−１、１０Ｇ−２、１０Ｇ−３・・・としてのＧ画素の列、画素１０Ｂ−１、１０Ｂ−２、１０Ｂ−３・・・としてのＢ画素の列が形成される。このような各色の画素列が、画面全体にわたって順次形成されている。
そして破線で囲って示すように、隣り合ったＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素で、１つのカラー画素ＣＧが形成される。
【００３３】
受光センサ３６は、図示のように、同一発光色の画素の間となる位置に形成されるものとなる。上記のように受光センサ３６は各画素１０の発光素子の漏れ光ＳＬを検出するものとなるが、１つの受光センサ３６はその両側の画素１０の漏れ光ＳＬが入射される。
例えば画素１０Ｒ−２と画素１０Ｒ−３の間に配置された受光センサ３６Ａに注目してみると、この受光センサ３６Ａには、破線で示すように画素１０Ｒ−２と画素１０Ｒ−３の両方からの漏れ光ＳＬが入射されてしまう。
例えばこの受光センサ３６Ａが、画素１０Ｒ−２に対して設けられているとした場合、次のようにして画素１０Ｒ−２の発光輝度の情報を得ることができる。
【００３４】
まず各画素１０は信号ＤＴＬで供給される信号に応じた輝度で発光されることになるが、各画素１０についての信号値は既知の値であり、例えば図１の水平セレクタ１１から取り出すことができる。そこで受光センサ３６で検出された光量に応じた電気信号について、その隣接画素に対する信号値を用いて演算することで、１つの画素の発光輝度の情報として取り出すことができる。
例えば画素１０Ｒ−２に供給された信号値を「ａ」、画素１０Ｒ−３に供給された信号値を「ｂ」とし、受光センサ３６Ａで得られた電気信号値を「ｃ」とした場合、
ｃ×（ａ／（ａ＋ｂ））
の演算により、画素１０Ｒ−２の発光輝度の情報を得ることができる。
【００３５】
［３．表示装置の構成例］
実施の形態の表示装置の要部の構成例を図６に示す。
本例の表示装置は、パネルモジュール４０、レベル調整部４２、メモリ部４３、Ａ／Ｄ変換器４４、４５、メモリ部４６，４７、制御演算部５０を備える。
【００３６】
パネルモジュール４０は、図１〜図５により説明してきた構成の表示パネルを有し、入力される映像信号に基づいて映像表示を行う。
レベル調整部４２は、映像入力部４１からの入力映像信号に対して、制御演算部５０の制御に従って輝度レベル調整を行う。例えば所定の画素に対応する輝度レベルの増減や全画素に対する一律の輝度レベルの増減を行う。
【００３７】
メモリ部４３は、レベル調整部４２を介してパネルモジュール４０に供給される映像信号、つまり画面を構成する全画素の輝度レベルを記憶する。入力映像信号は、一旦メモリ部４３に記憶された後、読み出されてパネルモジュール４０に供給される。
このメモリ部４３には、映像信号の数フレーム分の記憶領域を有し、現在のフレームから過去に数フレームにわたって、各フレームの全画素についての輝度レベルを記憶する。
後述する制御演算部５０の処理として、発光輝度変化量の検出が行われるが、その際、受光センサ３６で検出される輝度情報と、その輝度情報が得られた際の輝度信号値における輝度情報の比較が行われる。つまり入力映像信号における輝度レベルと、実際に検出された輝度レベルの比較が行われるが、そのためには受光センサ３６によって得られる輝度情報が制御演算部５０に読み込まれる際に、その比較対象となる入力映像信号の輝度情報が保持されていなければならない。このためにメモリ部４３において、入力映像信号のパネルモジュール４０への供給タイミングから、比較処理のタイミングまでの時間差を考慮して、現在より数フレーム期間の輝度レベルが記憶されることとなる。実際に何フレーム期間を記憶できるようにするかは、映像信号入力から発光輝度変化量検出処理までの時間差に応じて設定されればよい。
【００３８】
Ａ／Ｄ変換器４４は、上記のように各画素１０についての設けられている各受光センサ３６で得られる電気信号をデジタルデータ値に変換する。
そしてＡ／Ｄ変換器４４でデジタルデータ化された各画素１０の輝度情報は、メモリ部４６に記憶される。例えばメモリ部４６は１フレーム分の各画素１０の輝度情報を記憶する。メモリ部４６に記憶された輝度情報は、制御演算部５０によって読み出され、後述する発光輝度変化量の検出処理に用いられる。
なお、上記のように受光センサ３６は、各画素１０についての漏れ光ＳＬの光量に応じた電気信号を出力するが、受光センサ３６自体の出力は、隣接画素からの漏れ光成分も含んでいる。このため図５で説明した隣接画素からの漏れ光成分をキャンセルする演算が行われ、その演算結果としての電気信号値がＡ／Ｄ変換器４４でデジタルデータ化されるものとすればよい。
【００３９】
Ａ／Ｄ変換器４５は、上記のように各画素１０について設けられている各温度センサ３７で得られる温度情報の信号をデジタルデータ値に変換する。
そしてＡ／Ｄ変換器４５でデジタルデータ化された各画素１０の温度情報は、メモリ部４６に記憶される。例えばメモリ部４６は２フレーム分の各画素１０の温度情報を記憶する。メモリ部４６に記憶された輝度情報は、制御演算部５０によって読み出され、後述する温度変化量の検出処理に用いられる。２フレーム分の各画素の温度情報を記憶するのは、時間的な温度変化を判定するためである。なお、従って２フレームに限らず、３フレーム以上の期間で各画素１０の温度情報を記憶できるようにしてもよい。
【００４０】
制御演算部５０は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）を備えたマイクロコンピュータ、或いはＤＳＰ（Digital Signal Processor）などにより形成することができる。
この制御演算部５０は、所定の演算処理及びレベル調整部４２に対する輝度レベル調整の制御処理として、初期強制輝度低減機能、コントラスト調整機能、ホワイトバランス調整機能、焼き付き防止調整機能を実現する処理を行う。
【００４１】
初期強制輝度低減機能とは、パネルモジュール４０を表示駆動開始してから所定期間（例えば２時間）において、パネルモジュール４０に供給する映像信号の輝度レベルが低下していくように、レベル調整部４２に段階的に映像信号の輝度レベルを低下させる輝度低減制御を行う機能である。
例えば制御演算部５０は、輝度低減制御として、パネルモジュール４０の全画素についての映像信号の輝度レベルを初期２時間の間に一律に低減させていき、例えば映像信号の輝度レベルが、初期２時間の経過時点で表示駆動開始時点より１割低下するように制御する。
或いは制御演算部５０は、輝度低減制御として、映像信号の輝度レベルが、パネルモジュール４０の画素の発光色毎に、初期２時間の経過時点で表示駆動開始時点よりそれぞれ所定比率低下するように制御する。
【００４２】
コントラスト調整機能とは、上記初期２時間に輝度低減制御が行われた後において実行する輝度調整制御の実行機能の１つである。
制御演算部５０は、輝度調整制御として、輝度情報と温度情報を用いてコントラスト調整値を算出し、そのコントラスト調整値に基づいて、レベル調整部４２に輝度レベル調整を実行させる。
ホワイトバランス調整機能も、上記初期２時間に輝度低減制御が行われた後において実行する輝度調整制御の実行機能の１つである。
制御演算部５０は、輝度調整制御として、輝度情報と温度情報を用いてホワイトバランス調整値を算出し、そのホワイトバランス調整値に基づいて、レベル調整部４２に輝度レベル調整を実行させる。
焼き付き防止調整機能も、上記初期２時間に輝度低減制御が行われた後において実行する輝度調整制御の実行機能の１つである。
制御演算部５０は、輝度調整制御として、輝度情報を用いて焼き付き防止ホワイトバランス調整値を算出し、その焼き付き防止調整値に基づいて、レベル調整部４２に輝度レベル調整を実行させる。例えば上記ホワイトバランス調整とともに焼き付き防止のための輝度レベル調整制御を実行する。
【００４３】
なお、この図６ではマイクロコンピュータ等で制御演算部５０が形成されるとして示しているが、例えばレベル調整部４２、メモリ部４３，４６，４７、Ａ／Ｄ変換器４４，４５を含む一点鎖線で囲った範囲を、１つのマイクロコンピュータ、或いは映像処理ＤＳＰなどにより構成することもできる。
【００４４】
図７には、制御演算部５０が上記各機能を実現するための機能構成を示している。図７において制御演算部５０内に示す構成は、ソフトウエアにより実現されればよい。もちろん、制御演算部５０がマイクロコンピュータ等で形成されるのは一例であり、図７の構成をハードウエアで実現する構成も想定される。
【００４５】
図７に示すように制御演算部５０には、係数乗算処理部５１、発光輝度変化検知部５２、温度変化検出演算部５３、規格化処理部５４、低減輝度演算部５５、輝度制御部５６、電圧演算部５７、調整値演算部５８、相対輝度劣化検知部５９が設けられる。
【００４６】
係数乗算処理部５１は、メモリ部４３に記憶された入力映像信号の各画素の輝度レベルに対して係数乗算を行って発光輝度変化検知部５２に供給する。
発光輝度変化検知部５２は、係数乗算処理部５１を介して供給される入力映像信号の各画素の輝度レベルと、メモリ部４６から読み出される各画素の実際の発光輝度のレベルを比較し、発光輝度の変化量を検出する。
発光輝度の変化量は、実際に画素に与えられる信号値（輝度レベル）と、その画素で実際に発光された輝度レベルの差分（又は割合）である。発光輝度変化検知部５２で発光輝度変化量を求めるには、入力映像信号における輝度レベルと、実際に発光された輝度レベルを比較すればよい。但し上述のように、各画素１０の発光光量は、受光センサ３６が漏れ光ＳＬを受光することで検出される。従ってメモリ部４３に記憶された入力映像信号の各画素１０に対する輝度レベルと、メモリ部４６に記憶された各画素１０で検出された輝度レベルをそのまま比較することは適切ではない。
そこで係数乗算処理部５１では、メモリ部４３から読み出される輝度レベルについて、例えば２０％乗算を行うようにする。これは、受光センサ３６で検出される漏れ光ＳＬが発光素子３３の表示光ＭＬに対して２０％程度である場合に、メモリ部４３から読み出される輝度レベルの値を、漏れ光ＳＬの光量レベルに合わせ込む処理となる。このように係数乗算処理部５１で係数乗算することで、発光輝度変化検知部５２で適切に発光輝度変化量を検出できるようにする。
【００４７】
温度変化検出演算部５３は、メモリ部４７から読み出される各画素の温度情報を読み出し、温度変化を検出する。
なお、メモリ部４７では、例えば２フレーム期間の温度情報を記憶するとしたが、その場合、メモリ部４７に記憶された２フレーム期間の温度情報を各画素１０について差分演算することで、各画素１０のフレーム単位での温度変化を検出できる。但し、温度変化は必ずしも毎フレーム単位で検出しなくてもよく、例えば温度変化検出演算部５３が、数秒、数分などの所定期間単位でメモリ部４７の情報を取り込んで保存し、数秒〜数分のうちの所定期間単位で温度変化を検出するようにしてもよい。
【００４８】
規格化処理部５４は、発光輝度変化検知部５２で検出された発光輝度変化量と、温度変化検出演算部５３で得た温度変化の情報を用いて、規格化された制御パラメータを生成する。
図８に発光輝度と有機ＥＬ素子１に対する印加電圧の関係の温度依存性を示す。有機ＥＬ素子１は、印加される駆動電圧に応じた電流量によって発光輝度が変化するが、それ自体が図示するように温度依存性を有する。例えば駆動電圧Ｖ１が印加された場合を例にすると、画素温度が３０°Ｃ、４５°Ｃ、６０°Ｃの場合、それぞれ発光輝度はＬ１，Ｌ２，Ｌ３として異なる輝度となる。
このように有機ＥＬ素子１の発光輝度は温度依存性があるが、すると発光輝度変化検知部５２で求められる発光輝度変化量だけでは、本来の発光輝度のズレ量（画素１０に与えられる映像信号値としての輝度と、有機ＥＬ素子の劣化を伴った実際の発光輝度のズレ）が正確な値とならない可能性がある。
そこで規格化処理部５４では、温度変化の情報を用いて発光輝度変化量を、現在の温度状況において補正すべき発光輝度のズレ量となるように規格化した制御パラメータを算出する。
【００４９】
低減輝度演算部５５は、上記した初期強制輝度低減機能を実行する際に、段階的に低減させる輝度レベルを算出する。例えば２時間の期間で輝度が１割低下されるように段階的な輝度低減制御量を算出する。
なおこの輝度低減制御量を適正に算出するためには、実際の発光輝度の情報をモニタリングして算出する制御量を調整する必要があるため、規格化処理部５４で規格化された発光輝度変化量の制御パラメータが入力される。
【００５０】
電圧演算部５７は、上記したコントラスト調整機能、ホワイトバランス調整機能、焼き付き防止調整機能を実行する際に、規格化処理部５４から供給される数値を電圧値として処理する。
電圧演算部５７で処理された電圧値、例えば発光輝度変化量に相当する電圧値は、調整値算出部に供給される。
調整値演算部５８は、電圧演算部５７から供給される電圧に対して差分演算、除算演算、所定の条件式との比較演算などを行い、コントラスト調整、ホワイトバランス調整、焼き付き防止調整のための調整値を算出する。
【００５１】
輝度制御部５６は、レベル調整部４２に対して輝度調整のための制御値、例えば入力映像信号の各画素の輝度レベルに対して与える係数等を出力し、レベル調整部４２の輝度レベル調整動作を実行させる。
この輝度制御部５６は、初期強制輝度低減機能を実行する際には、低減輝度演算部５５で算出された輝度低減制御量に基づいた制御値に基づいてレベル調整部４２を制御する。またコントラスト調整、ホワイトバランス調整、焼き付き防止調整を実行する際には、調整値算出部５８で算出された調整値に基づいてレベル調整部４２を制御する。
【００５２】
相対輝度劣化検知部５９は、特に焼き付き防止調整のために用いる相対輝度劣化の値を検出する。相対輝度劣化とは、例えば或るフレームとその前フレームでの輝度劣化の変化量であり、例えば発光輝度変化量の変化量としてとらえることができる。
この相対輝度劣化は、規格化処理部５４で上記のように温度特性に応じて規格化され、焼き付き防止のための制御パラメータとされる。
【００５３】
［４．初期強制輝度低減処理］
上述のように本例では、まず駆動開始からの初期２時間において、初期強制輝度低減処理を実行する。この処理について図９〜図１３を用いて説明する。
まず図１０により、初期強制輝度低減処理を実行する意味を説明する。図１０では表示駆動時間の進行にともなう有機ＥＬ素子１の輝度劣化の特性を示している。ここでは、駆動開始時点の輝度レベルを１．０として、駆動開始後の輝度レベルの劣化を駆動開始時点に対する相対輝度として示している。
【００５４】
有機ＥＬ素子１では、駆動開始時点からの初期の所定期間Ｔｘは、輝度劣化が非常に不安定に進行する。この所定期間Ｔｘとは、例えば通常、駆動開始から２時間程度の期間である。この所定期間Ｔｘでの輝度劣化は、図に特性Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３として示すように全く不定であり、劣化特性の予測は困難である（不安定輝度推移期間）。
一方、駆動開始から所定期間Ｔｘをすぎると、特性Ｃ４として示すように、長期的に安定して輝度劣化が進行する（安定輝度変化期間）。
このような劣化特性に対して、駆動初期の急激で不安定な輝度変化によるコントラスト変化やホワイトバランス変化を防ぐことと、その後の安定した輝度劣化が進行する期間で、適切にコントラスト変化やホワイトバランス変化に対応することが求められる。
特に、駆動初期の所定期間Ｔｘにおいて、安定的に輝度劣化を進行させるようにすると、所定期間Ｔｘの経過後において、適切な調整が実行しやすいものとなる。
そこで本例では、輝度推移が不安定とされる所定期間Ｔｘにおいて、強制的に輝度レベルを低減制御し、所定の相対輝度まで安定した劣化が進行するようにする。
そして所定期間Ｔｘを経過した後は、その所定の相対輝度を起点としてコントラスト調整やホワイトバランス調整を実行し、長期的に安定した適切な画面表示を実現させるものである。
【００５５】
初期強制輝度低減処理としては、例えば図１１のように実行する。
所定期間Ｔｘを駆動開始から２時間とする。そして駆動開始から２時間後に、相対輝度が１割低下されているように制御するものとする。
その場合、図１１のように２時間を時間Ｔａ（例えば２０分）で６区切りし、各区切りの中間の時間において、それぞれ所定の相対輝度Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄとなるように制御する。結果として図のように、例えば直線的な輝度劣化を強制的に実行させて、全画素について２時間で１割の輝度低減を実現する。
【００５６】
図９により初期強制輝度低減処理のための制御演算部５０の処理を示す。
入力映像信号をパネルモジュール４０に供給し、表示駆動を開始させた時点から、制御演算部５０は図９の処理を行う。
まず最初にステップＦ１００で、初期輝度数値判別処理を行う。この場合、メモリ部４３から入力映像信号の全画素のそれぞれの輝度レベルを取り込む。メモリ部４３から読み出された各画素の輝度レベルの情報は、係数乗算処理部５１を介して発光輝度変化検知部５２に取り込まれる。この輝度レベルの情報は規格化処理部５４において初期輝度数値として処理される。そして、この初期輝度数値は、低減輝度演算部５５において、以降の低減輝度量の算出の基準値とされる。
ステップＦ１０１では、最初の輝度レベル制御を行う。即ち、低減輝度演算部５５は、初期輝度数値から、２時間後の輝度を１割低減させることを目的とし、初回の輝度低減量を算出する。例えば１割に相当する輝度レベル低減量を、２時間の期間の輝度制御実行回数で除算して初回の輝度低減量を決定する。そしてその輝度低減量を輝度制御部５６に与える。
輝度制御部５６は、レベル調整部４２に対して、入力映像信号の全画素についての輝度レベルを、上記輝度低減量だけ低下させるように制御する。これにより、初回の輝度低減が行われる。
【００５７】
ステップＦ１００，Ｆ１０１で初期輝度数値判別処理及び初回の輝度レベル制御を行ったら、制御演算部５０では、以降、例えば２時間経過するまでの期間、ステップＦ１０２〜Ｆ１０７の処理が繰り返し実行される。
まずステップＦ１０２では、メモリ部４３からの各画素への入力される信号値としての輝度レベルの読出と、メモリ部４６からの、受光センサ３６で検出された信号に基づく各画素で発光された輝度情報の読出が行われる。
メモリ部４６からの輝度情報は、発光輝度変化検知部５２に取り込まれる。またそのタイミングに合わせて（つまりフレーム一致をとって）、メモリ部４３からの各画素に与える輝度レベルの情報が、係数乗算処理部５１を介して発光輝度変化検知部５２に取り込まれる。
ステップＦ１０３で、発光輝度変化検知部５２は、各メモリ部４３，４６から読み込んだ各画素の輝度情報を比較し、発光輝度の変化量を求める。この発光輝度変化量は、各画素１０に与えられる輝度レベルと、各画素１０の実際の発光輝度の差となるが、この場合、レベル調整部４２で入力映像信号に与えられた輝度低減量で輝度レベルが低下させられていることに対して、画素１０で発光している輝度レベルの差分となるため、低減させた輝度レベルに対して、それに応じた本来の発光輝度のズレ量を表すことになる。つまり、不安定な輝度劣化状況により、実際の制御目的としての低減輝度が実現されているかはわからないが、ここで発光輝度変化量は、制御目的としての輝度と実際の輝度の差分となる。
【００５８】
この発光輝度変化量は、ステップＦ１０４で、規格化処理部５４で温度情報とあわせて規格化され、制御パラメータとして低減輝度演算部５５に供給される。
なお、各画素１０の温度情報は、逐次（例えば毎フレーム期間毎、或いは所定時間間隔毎）でメモリ部４７から温度変化検出演算部５３に取り込まれており、規格化処理部５４は温度変化検出演算部５３からの温度変化の情報を用いて制御パラメータを算出する。
【００５９】
ステップＦ１０５では、低減輝度演算部５５が、低下させる輝度レベルを算出する。つまり、安定して表示輝度が低下されていくように、規格化処理部５４からの制御パラメータを用いて、低減させる輝度レベル量を調整する。例えば２時間で１割輝度を低減させていくためには、１制御ステップでの輝度低減量は固定的に算出されるが、初期の不安定な輝度劣化により、実際には固定的に入力映像信号の輝度レベルを低減させても、表示画像においてその通りの輝度低減が実行されない。そこで、輝度低減量を、上記のように発光輝度変化量や温度情報の要素を内包した制御パラメータにより調整する。
ステップＦ１０６では、輝度制御部５６が、低減輝度演算部５５で算出された輝度低減量に基づいて、レベル調整部４２に輝度レベル低下を実行させる。
ステップＦ１０７では、所定期間Ｔｘとしての２時間が経過したか否かによりこの初期強制輝度低減処理の終了を判断する。２時間が経過するまでは、ステップＦ１０２からＦ１０６の処理を繰り返すことになり、２時間を経過した時点で初期強制輝度低減処理を終了させる。
【００６０】
以上の処理により、図１１に示したように輝度が強制的に低減されていき、例えば２時間経過時点で、全画素１０が初期の輝度レベルより１割低下された状態で表示が行われていることになる。
つまり駆動開始の２時間という、劣化進行が不安定な期間に、安定的に輝度低下を実行させる。そしてこのように１割の輝度低下が安定進行させ、その状態を起点として、輝度劣化が安定に推移する期間、以下に述べる各種調整を実行することで、好適な表示を実現する。
【００６１】
なお、以上の処理では、全画素１０に対して同様に輝度低下を進行させるものとしたが、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素でそれぞれ異なるように輝度低下を進行させても良い。
有機ＥＬ素子１の輝度劣化の状況は、発光色によっても異なる。例えば図１２には、特性τＲ、τＧ、τＢとして、各色の画素の輝度劣化がそれぞれ異なるように進行した様子を示している。
初期の所定期間Ｔｘとしての不安定輝度推移期間では、各色の画素毎に輝度劣化が異なるように進行し、結果として、期間Ｔｘを経過した時点で、相対輝度が各色で異なる値となっている。
所定期間Ｔｘを経過し、安定輝度変化期間となると、各色の画素の輝度劣化は、ほぼ同様に推移する。
このような状況を考え、特に後述するホワイトバランス調整を考慮すると、ＲＧＢ各色の画素毎に、異なる割合で初期強制輝度低減を実行させることも好適である。
【００６２】
図１３に各色毎に異なるように輝度制御する例を示している。初期の所定期間Ｔｘにおける曲線ＬR、ＬG、ＬBは強制制御する輝度レベルである。
例えば初期の２時間において、Ｒ画素については５％、Ｇ画素については８％、Ｂ画素については１２％の輝度低下が実行されるようにする。
実行する処理については上記図９の処理を、それぞれＲＧＢ各画素に対して並列的に行えばよい。
このようにすることで、各色の画素毎に初期２時間経過時点で表示輝度を、或る目的の輝度に制御する。そしてその後、安定輝度変化期間においては、２時間経過時点で強制制御された発光輝度を起点として、ホワイトバランス調整を行うことで、安定したホワイトバランス調整を実現できる。
【００６３】
［５．コントラスト調整処理］
続いて、コントラスト調整処理を図１４で説明する。この処理は駆動開始から初期の所定期間Ｔｘの初期強制輝度低減処理を終えた後に実行される。このコントラスト調整を実行する期間は、有機ＥＬ素子１の輝度劣化は安定して推移する期間である。
【００６４】
制御演算部５０は、図１４のステップＦ２０１〜Ｆ２０６の処理を、継続的に繰り返し実行する。
制御演算部５０は、ステップＦ２０１では、１フレーム内の高輝度画素と低輝度画素の輝度情報を取得する。
この場合、発光輝度変化検知部５２が、メモリ部４６からの、受光センサ３６で検出された信号に基づく各画素で発光された輝度情報を取り込み、またそのタイミングに合わせて処理対象となっているフレームについて、メモリ部４３からの各画素へ入力した信号値としての輝度レベルを係数乗算処理部５１を介して取り込む。
そして発光輝度変化検知部５２は、各メモリ４３，４６から取り込まれた１フレームの各画素の輝度情報のうちで、高輝度画素と低輝度画素の輝度情報を抽出する。高輝度画素とは、処理対象としている１フレームの中で、最も輝度レベルの高い画素である。また低輝度画素と、同じく１フレームの中で最も輝度レベルが低い画素となる。
ここでは、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素それぞれにおいて、高輝度画素と低輝度画素を抽出する。つまり１フレームにおいて６個の画素の輝度情報を処理対象として抽出する。
【００６５】
ステップＦ２０２では発光輝度変化検知部５２は、抽出した６個の画素のそれぞれ、つまりＲ画素の高輝度画素と低輝度画素、Ｇ画素の高輝度画素と低輝度画素、Ｂ画素の高輝度画素と低輝度画素それぞれについて、発光輝度変化量を算出する。つまり、これら各画素について、それぞれメモリ部４３から読み出された輝度レベルと、メモリ部４３から読み出された輝度レベルを比較演算して発光輝度変化量を算出する。
これにより、抽出した６個の画素のそれぞれについて、信号値として与えられる輝度レベルに対する実際の発光輝度レベルの差、つまり有機ＥＬ素子１の輝度劣化に伴って生ずる差が、発光輝度変化量として求められる。
【００６６】
これらの６個の各画素の発光輝度変化量は、ステップＦ２０３で、規格化処理部５４で温度情報とあわせて規格化され、制御パラメータとして電圧演算部５７に供給される。
なお、各画素１０の温度情報は、逐次（例えば毎フレーム期間毎、或いは所定時間間隔毎）でメモリ部４７から温度変化検出演算部５３に取り込まれていることは、上述した初期強制輝度低減処理の場合と同様である。即ち、駆動開始後、継続的に温度変化検出演算部５３は、温度変化の検出動作を行っており、規格化処理部５４に温度変化の情報を提供している。
【００６７】
ステップＦ２０４では、電圧演算部５７が、６個の各画素の制御パラメータとして温度特性で補正された発光輝度変化量に応じた電圧値を発生させ、調整値演算部５８に供給する。
そしてステップＦ２０５では、調整値演算部５８が、比較演算により輝度調整値を算出する。比較演算は、高輝度画素の発光輝度変化量に応じた電圧値Ｌｈと低輝度画素の発光輝度変化量に応じた電圧値Ｌｌを除算し、Ｌｈ／Ｌｌ＝Ｃとする。そしてＣ値が所定の一定値になるように、輝度調整値を求める。
例えばＣ値としての一定値を「２」と設定したとする。
高輝度画素の発光輝度変化量が１１０％とされ、これについて電圧値Ｌｈ＝４．０Ｖであったとする。また低輝度画素の発光輝度変化量が１０５％とされ、これについて電圧値Ｌｌ＝１．５Ｖであったとする。
この場合、４．０／１．５＝２．６６・・となり、Ｃ値が一定値「２」とはならない。ここで例えば、高輝度画素について１．０Ｖに相当する輝度低下を反映させると、上記比較演算結果は３．０／１．５＝２となり、Ｃ値を一定値とすることができる。この場合、高輝度画素の電圧値Ｌｈを１．０Ｖ低下させるように輝度レベルの調整値を算出することになる。
このような調整値の算出をＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素のそれぞれに対して行ったら、ステップＦ２０６で、輝度調整部５６が、入力映像信号における該当する画素の輝度レベルが、その調整値に基づいて変化されるようにレベル調整部４２を制御する。
【００６８】
つまり、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素のそれぞれについて、高輝度画素と低輝度画素の輝度比が一定に保たれるように制御する。これにより有機ＥＬ素子１の輝度劣化と温度状況に応じた輝度変化分を入力映像信号に反映させることになり、劣化状況、温度状況に対応して迅速かつ適切にコントラスト制御を実現できる。特に高輝度画素と低輝度画素の輝度比が一定であれば、人間の視覚ではコントラストが変化してしまうことが内容に認識されるため、上記制御により、表示上、一定のコントラスト維持が行われ、滑らかな均一した表示を提供できるものとなる。
【００６９】
なお、上記一定値Ｃの値を「２」としたのは一例である。また、Ｃ値を固定値とする以外に、実際の輝度レベルに応じてＣ値を適応的に変化させてもよい。例えば表示画面上で白となる高輝度画素と黒となる低輝度画素が１フレーム内に存在しない場合など、或るフレーム内での高輝度画素と低輝度画素の輝度比率は小さくなることが想定される。そのため、上記Ｃ値をフレーム内の高輝度画素と低輝度画素の輝度値に応じて変化させることが好ましい場合もある。
【００７０】
また高輝度画素と低輝度画素の輝度比率がＣ値となるように調整するわけであるが、その場合、上記例のように高輝度画素の輝度制御を行う場合だけでなく、低輝度画素の輝度制御を行って輝度比率がＣ値となるようにしてもよいし、高輝度画素と低輝度画素の両方の輝度制御を行って輝度比率がＣ値となるようにしてもよい。
【００７１】
ところで、パネルモジュール４０で表示出力される映像としては動画の場合と静止画の場合があるが、例えば発光輝度変化検知部５２で、或るフレームＮの電圧出力値をＶ１Ｎ、前のフレーム（Ｎ−１）の電圧出力値Ｖ１(N-1)とを認識させ、かつその二つの電圧出力値の差分Ｖ１Ｎ−Ｖ１(N-1)を、フレーム（Ｎ−１）の電圧出力値Ｖ１(N-1) で除算したときの演算値が７０％以上になった場合は動画として判別できるようにする。
そして静止画と判別した場合は、検出される輝度レベルの数値に対して、１００倍乗算させた数値を用いて上記処理をおこなうことで、前後のフレームでの微妙な発光輝度変化量に基づく演算を容易化でき、静止画においても好適にコントラスト調整を行うことができる。この点は、後述するホワイトバランス調整処理の場合も同様である。
【００７２】
［６．ホワイトバランス調整処理］
次にホワイトバランス調整処理を図１５で説明する。この処理も駆動開始から初期の所定期間Ｔｘの初期強制輝度低減処理を終えた後に実行される。即ち輝度劣化が安定して推移する期間に、制御演算部５０は、図１５のステップＦ３０１〜Ｆ３０６の処理を、継続的に繰り返し実行する。
なお、このホワイトバランス調整処理に先立って行われる初期強制輝度低減処理としては、図１１で説明したように全画素一律の輝度低減制御を行ってもよいが、図１３で述べたように、発光色毎に異なる所定割合への輝度低減処理を行うことも好適である。
【００７３】
制御演算部５０は、ステップＦ３０１では、１フレーム内の各画素の輝度情報を取得する。即ち発光輝度変化検知部５２が、メモリ部４６からの、受光センサ３６で検出された信号に基づく各画素で発光された輝度情報を取り込み、またそのタイミングに合わせて処理対象となっているフレームについて、メモリ部４３からの各画素へ入力した信号値としての輝度レベルを係数乗算処理部５１を介して取り込む。
【００７４】
ステップＦ３０２では発光輝度変化検知部５２は、各画素のそれぞれについて、発光輝度変化量を算出する。つまり各画素について、それぞれメモリ部４３から読み出された輝度レベルと、メモリ部４３から読み出された輝度レベルを比較演算して発光輝度変化量を算出する。
これにより、各画素のそれぞれについて、信号値として与えられる輝度レベルに対する実際の発光輝度レベルの差、つまり有機ＥＬ素子１の輝度劣化に伴って生ずる差が、発光輝度変化量として求められる。
【００７５】
各画素の発光輝度変化量は、ステップＦ３０３で、規格化処理部５４で温度情報とあわせて規格化され、制御パラメータとして電圧演算部５７に供給される。
ステップＦ３０４では、電圧演算部５７が、各画素の制御パラメータとして温度特性で補正された発光輝度変化量に応じた電圧値を発生させ、調整値演算部５８に供給する。
そしてステップＦ３０５では、調整値演算部５８が、ホワイトバランス比率を維持するための、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素についての各輝度レベル調整値を算出する。
【００７６】
本例では、ホワイトバランス調整のための調整値算出のために、ホワイトバランス割合比率として以下のＸ、Ｙ、Ｚを用いる。
Ｘ＝ＶLR／（ＶLR＋ＶLG＋ＶLB）
Ｙ＝ＶLG／（ＶLR＋ＶLG＋ＶLB）
Ｚ＝ＶLB／（ＶLR＋ＶLG＋ＶLB）
である。ＶLRはＲ画素についての発光輝度変化量に応じた電圧値、ＶLGはＧ画素についての発光輝度変化量に応じた電圧値、ＶLBはＢ画素についての発光輝度変化量に応じた電圧値である。
そしてホワイトバランス割合比率として、例えばＸ，Ｙ，Ｚの数値はそれぞれ、１／４、５／８、１／８と設定する。
【００７７】
電圧演算部５７では、ＲＧＢ各画素の発光輝度変化量ＬR、ＬG、ＬBについて、１／４、５／８、１／８のホワイトバランス割合比率を反映させた電圧値を出力する。
例えばＲ画素についての発光輝度変化量ＬR が２．５％であり、電圧値ＶLRが２．５Ｖとして調整値演算部５８に供給されたとする。またＧ画素の発光輝度変化量ＬGが３％であり、電圧値ＶLGが３．０Ｖとして調整値演算部５８に供給され、さらにＢ画素についての発光輝度変化量ＬBが４%であり、電圧値ＶLBが４．０Ｖとして調整値演算部５８に供給されたとする。
調整値演算部５８は、これら電圧値ＶLR、ＶLG、ＶLBのそれぞれの電圧値の大小を比較する。そして比較結果に基づいて調整値を求める。
この場合、Ｘ：Ｙ：Ｚ＝１／４：５／８：１／８が満たされる場合に、電圧値ＶLR＝ＶLG＝ＶLBとなるように電圧演算部５７が各電圧値を発生させるものとしている。
【００７８】
例えば上記のように電圧値ＶLR＝２．５Ｖ、電圧値ＶLG＝３．０Ｖ、電圧値ＶLB＝４．０Ｖとされた場合、発光輝度変化量が一番小さいものはＲ画素の発光輝度変化量ＬRと認識することができる。そしてこの場合にホワイトバランス割合比率を維持するためには、Ｇ画素について電圧値ＶLG＝３．０Ｖが２．５Ｖとなるようにし、Ｂ画素について電圧値ＶLB＝４．０Ｖが２．５Ｖとなるようにすればよいため、Ｇ画素の輝度を０．５Ｖ分低減させる調整値を算出し、Ｂ画素の輝度を１．５Ｖ分低減させる調整値を求めればよい。
【００７９】
このように調整値を算出したら、ステップＦ３０６で、輝度調整部５６が、入力映像信号における各色の画素の輝度レベルが、各調整値に基づいて変化されるようにレベル調整部４２を制御する。
【００８０】
以上のステップＦ３０１〜Ｆ３０６の処理を繰り返すことにより、温度状況や有機ＥＬ素子１の輝度劣化状況に対応して、迅速かつ適切にホワイトバランス調整を行うことができる。
なお、輝度劣化の特性は、図１６（ａ）（ｂ）に例示するように、温度によって異なる。温度変化検出演算部５３によって検出される温度変化の情報を用いて制御パラメータが生成されることで、これらの輝度劣化の実際の状況を踏まえた調整が行われることになる。
【００８１】
［７．焼き付き防止及びホワイトバランス調整処理］
次に、焼き付き防止のための調整とホワイトバランス調整を同時に行う場合の処理例を図１７、図１８で説明する。この処理も駆動開始から初期の所定期間Ｔｘの初期強制輝度低減処理を終えた後に実行される。即ち輝度劣化が安定して推移する期間に、制御演算部５０は、図１６のステップＦ４０１〜Ｆ４０９の処理を、継続的に繰り返し実行する。
なお、この処理に先立って行われる初期強制輝度低減処理としては、図１１で説明したように全画素一律の輝度低減制御を行ってもよいが、図１３で述べたように、発光色毎に異なる所定割合への輝度低減処理を行うことも好適である。
【００８２】
制御演算部５０は、ステップＦ４０１では、１フレーム内の各画素の輝度情報を取得する。即ち発光輝度変化検知部５２が、メモリ部４６からの、受光センサ３６で検出された信号に基づく各画素で発光された輝度情報を取り込み、またそのタイミングに合わせて処理対象となっているフレームについて、メモリ部４３からの各画素へ入力した信号値としての輝度レベルを係数乗算処理部５１を介して取り込む。
【００８３】
ステップＦ４０２では発光輝度変化検知部５２は、各画素のそれぞれについて、発光輝度変化量を算出する。つまり各画素について、それぞれメモリ部４３から読み出された輝度レベルと、メモリ部４３から読み出された輝度レベルを比較演算して発光輝度変化量を算出する。
これにより、各画素のそれぞれについて、信号値として与えられる輝度レベルに対する実際の発光輝度レベルの差、つまり有機ＥＬ素子１の輝度劣化に伴って生ずる差が、発光輝度変化量として求められる。
【００８４】
各画素の発光輝度変化量は、ステップＦ４０３で、規格化処理部５４で温度情報とあわせて規格化され、制御パラメータとして電圧演算部５７に供給される。
ステップＦ４０４では、電圧演算部５７が、各画素の制御パラメータとして温度特性で補正された発光輝度変化量に応じた電圧値を発生させ、調整値演算部５８に供給する。
【００８５】
そしてステップＦ４０８では、調整値演算部５８が、ホワイトバランス比率を維持するための、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素についての各輝度レベル調整値を算出する。
なお、このステップＦ４０８では、ホワイトバランス調整のための調整値に、焼き付き防止のための調整要素を反映させて最終的な調整値を生成するが、まずここではホワイトバランス調整値の生成について述べる。
【００８６】
この場合も、ホワイトバランス調整のための調整値算出のために、ホワイトバランス割合比率として以下のＸ、Ｙ、Ｚを用いる。
Ｘ＝ＶLR／（ＶLR＋ＶLG＋ＶLB）
Ｙ＝ＶLG／（ＶLR＋ＶLG＋ＶLB）
Ｚ＝ＶLB／（ＶLR＋ＶLG＋ＶLB）
である。ＶLRはＲ画素についての発光輝度変化量に応じた電圧値、ＶLGはＧ画素についての発光輝度変化量に応じた電圧値、ＶLBはＢ画素についての発光輝度変化量に応じた電圧値である。
そしてホワイトバランス割合比率として、例えばＸ，Ｙ，Ｚの数値はそれぞれ、１／４、５／８、１／８と設定する。
調整値演算部５８は、これら電圧値ＶLR、ＶLG、ＶLBのそれぞれを、上記ホワイトバランス割合比率に照らし合わせて、各色の輝度レベルがホワイトバランス割合比率Ｘ：Ｙ：Ｚ＝１／４：５／８：１／８となるような調整値を求める。
【００８７】
電圧演算部５７では、ＲＧＢ各画素の発光輝度変化量ＬR、ＬG、ＬBと温度変化に基づいた電圧値ＶLR、ＶLG、ＶLBを出力するが、例えばＲ画素についての発光輝度変化量ＬR が１１０％であり、電圧値ＶLRが４．４Ｖとして調整値演算部５８に供給されたとする。またＧ画素の発光輝度変化量ＬGが１０５％であり、電圧値ＶLGが１０．５Ｖとして調整値演算部５８に供給され、さらにＢ画素については発光輝度変化がなく、電圧値ＶLBが２．０Ｖとして調整値演算部５８に供給されたとする。
調整値演算部５８は、これらの電圧値ＶLR、ＶLG、ＶLBを、設定したＸ、Ｙ、Ｚの値と相対比較を行う。
この場合、電圧値ＶLR、ＶLG、ＶLBの４．４Ｖ、１０．５Ｖ、２．０Ｖが、１／４、５／８、１／８の比率になるような調整値を求めることになる。このため電圧値ＶLR、ＶLG、ＶLBが４．０Ｖ、１０．０Ｖ、２．０Ｖとなるような調整値を求めればよい。
従って、Ｒ画素に対して、電圧値ＶLRが０．４Ｖ低下するような輝度調整値を求め、またＧ画素に対して、電圧値ＶLGが０．５Ｖ低下するような輝度調整値を求めればよい。
このようにして求めた調整値が、ホワイトバランス調整を実現する調整値となる。
【００８８】
一方でステップＦ４０５，Ｆ４０６、Ｆ４０７の処理も行われる。
ステップＦ４０５では、相対輝度劣化検知部５９で、発光輝度変化量の変化量として相対輝度劣化ΔＬを求める。つまり前後フレームでの発光輝度変化量の変化量であり、発光輝度劣化の度合いを示す値である。
この相対輝度劣化ΔＬについては、ステップＦ４０６で規格化処理部５４で温度変化に応じて規格化される。
そしてステップＦ４０７で、電圧演算部５７により規格化された相対輝度劣化ΔＬに応じた電圧値が生成され、調整値演算部５８に供給される。
【００８９】
調整値演算部５８では、２つの画素についての相対輝度劣化ΔＬの除算を行って相対輝度劣化除算係数を算出し、その算出結果に応じて焼き付き防止のための調整値を算出する。
【００９０】
例えば初期温度が３０°Ｃであって、ある期間後に或る第１の画素で温度が６０°Ｃとなり、温度変化による劣化特性分を加味して規格化された相対輝度劣化ΔＬ１が６％となったとする。また他の第２の画素で温度が４５°Ｃとなり、温度変化による劣化特性分を加味して規格化された相対輝度劣化ΔＬ２が４％となったとする。
電圧演算部５７では、第１の画素の相対輝度劣化ΔＬ１が６％のときは４．８Vの電圧値を出力し、また第２の画素の相対輝度劣化ΔＬ２が４％のときは、３．２Ｖの電圧値を出力するとする。
調整値演算部５８では、第１の画素の相対輝度劣化ΔＬ１から第２の画素の相対輝度劣化ΔＬ２を除算する。具体的には電圧値４．８Ｖから電圧値３．２Ｖを除算する。これにより１．５という相対輝度劣化除算係数を得る。
ここで調整値演算部５８は、相対輝度劣化除算係数について図１８のような情報が設定されているとする。即ち相対輝度劣化除算係数に応じた焼き付き発生の判定情報であり、例えば相対輝度劣化除算係数が１．０〜１．４の範囲は焼き付き認識無し、相対輝度劣化除算係数＝１．５のときは薄く焼き付き認識、相対輝度劣化除算係数が１．６以上で焼き付き認識と判定するものとする。
【００９１】
上記のように相対輝度劣化除算係数が１．５と算出された場合、図１８から、この相対輝度劣化除算係数が１．４となるように制御することが必要となる。つまり相対輝度劣化除算係数を０．１０減少させる調整値を求める。例えば第２の画素において電圧値が０．２３V以上、高くなるように輝度を調整すればよい。
【００９２】
調整値演算部５８では、上記したホワイトバランス調整値と、焼き付き防止のための調整値を算出し、これらを合わせて実際の調整値を生成する。
以上がステップＦ４０８の処理となる。
そしてステップＦ４０９では、調整値演算部５８で生成された調整値に基づいて、輝度調整部５６が、入力映像信号における各色の画素の輝度レベルが、各調整値に基づいて変化されるようにレベル調整部４２を制御する。
【００９３】
以上のステップＦ４０１〜Ｆ４０９の処理を繰り返すことにより、温度状況や有機ＥＬ素子１の輝度劣化状況に対応して、迅速かつ適切に焼き付き防止及びホワイトバランス調整を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の実施の形態の有機ＥＬ表示パネルの構成の説明図である。
【図２】実施の形態の画素回路の説明図である。
【図３】実施の形態の画素の層構造の説明図である。
【図４】実施の形態の画素の層構造の説明図である。
【図５】実施の形態の受光センサの配置の説明図である。
【図６】実施の形態の表示装置の要部のブロック図である。
【図７】実施の形態の表示装置の制御演算部の機能構成のブロック図である。
【図８】発光輝度と印加電圧の関係の温度依存性の説明図である。
【図９】実施の形態の初期強制輝度低減処理のフローチャートである。
【図１０】有機ＥＬ素子の輝度劣化特性の説明図である。
【図１１】実施の形態の初期強制輝度低減処理の説明図である。
【図１２】有機ＥＬ素子の発光色毎の輝度劣化特性の説明図である。
【図１３】実施の形態の発光色毎の初期強制輝度低減処理の説明図である。
【図１４】実施の形態のコントラスト調整処理のフローチャートである。
【図１５】実施の形態のホワイトバランス調整処理のフローチャートである。
【図１６】温度に応じた輝度劣化特性の説明図である。
【図１７】実施の形態の焼き付き防止及びホワイトバランス調整処理のフローチャートである。
【図１８】実施の形態の相対輝度劣化除算係数の説明図である。
【符号の説明】
【００９５】
１  有機ＥＬ素子、１０  画素  ３６  受光センサ、３７  温度センサ、４０  パネルモジュール、４２  レベル調整部、４３，４６，４７  メモリ部、５０  制御演算部、５１  係数乗算処理部、５２  発光輝度変化検知部、５３  温度変化検出演算部、５４  規格化処理部、５５  低減輝度演算部、５６  輝度制御部、５７  電圧演算部、５８  調整値演算部、５９  相対輝度劣化検知部
【図１】
2008175958.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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