(57)【要約】【課題】簡便かつ短時間で液晶を注入することができる液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子を提供すること。【解決手段】本発明にかかる液晶表示素子１２０の製造方法は、対向するＴＦＴアレイ基板１２２及び対向基板１２３が、一部に注入口１３５を有するシール剤１２４によって貼り合わされ、注入口１３５において、一対の基板１２２、１２３それぞれに設けられ、対向配置された上電極１３６及び下電極１３７を有する空セル１０５を形成する工程を有する。そして、一対の電極１３６、１３７により空セル１０５に電圧を印加する工程と、電圧が印加された空セル１０５に注入口１３５から液晶１０７を注入する工程とを有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示素子製造用の空セルの内部に負の誘電率異方性を有する液晶を注入して液晶表示素子を製造する液晶表示素子の製造方法において、
対向する一対の基板が、一部に注入口を有するシール剤によって貼り合わされ、前記注入口において、前記一対の基板それぞれに設けられ、対向配置された一対の電極を有する空セルを形成する工程と、
前記一対の電極により前記空セルに電圧を印加する工程と、
前記電圧が印加された空セルに前記注入口から液晶を注入する工程とを有する液晶表示素子の製造方法。
【請求項２】
前記液晶を注入する工程では、複数の前記空セルが整列したスティックの形態で各空セルに液晶を注入し、
前記スティックが有する複数の前記空セルの前記注入口に形成された電極は前記各空セル間において接続されている請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。
【請求項３】
対向する一対の基板と、
前記一対の基板間に設けられた負の誘電率異方性を有する液晶と、
一部に前記液晶の注入口を有し、前記一対の基板を貼り合わせるシール剤と、
前記注入口において、前記一対の基板それぞれに設けられ、対向配置された一対の電極と、
前記一対の電極間に形成され、前記注入口を封止する封止剤とを有する液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの利点を有することから、テレビや携帯端末機器などの表示装置として幅広く用いられている。このような液晶表示装置に用いられる液晶表示素子は、一般的に、電極や配向膜などが形成された２枚のガラス基板をスペーサによって所定間隔に維持した状態でシール剤によって貼り合わせた空セル内に液晶を注入した構成を有している。
【０００３】
液晶表示装置に用いられている液晶の表示方式は、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）方式、ＴＮ（Twisted Nematic）方式、ＩＰＳ（In-place Switching）方式等がある。また、最近では、ＶＡ（Vertical Alignment；Vertically Aligned）方式も採用されている。ＶＡ方式には、負の誘電率異方性（Δε＜０）を持つ液晶組成物が用いられる。従って、電圧が印加されていないとき、液晶分子は基板面に対して垂直に配向している。そして、一対の基板によって形成されるセルの外側に偏光板をクロスニコル配置することにより、黒表示を得ることができる。クロスニコル配置とは、両基板の外側に配置されるそれぞれの偏光板の吸収軸が直交する配置である。このため、ＶＡ方式の液晶表示装置は、コントラスト比が高いという特徴がある。さらに、ＶＡ方式の液晶表示装置は、応答時間が短く、視野角が広いという特徴がある。
【０００４】
しかし、ＶＡ方式の場合、例えばＴＮ方式と比較して、液晶注入に時間がかかるという問題が生じる。空セル内に液晶を注入する一般的な方法としては、真空注入法が広く知られている。真空注入法では、例えば、真空チャンバ内に液晶を貯留した液晶ボートと複数の空セルとを配置する。そして、真空チャンバ内を真空排気して減圧し、空セルの間隙内及び液晶を脱気する。その後、空セルの下端の注入口を液晶ボート内の液晶に接触させる。そして、真空チャンバ内を大気圧に戻すと、毛細管現象と空セル内外の圧力差により、液晶ボート内の液晶が空セル内に吸い上げられる。これにより、液晶を複数の空セル内に同時に注入することができる。
【０００５】
ＶＡ方式の場合、液晶分子を基板に対して垂直に配列するために、垂直配向膜を使用する。垂直配向膜は、垂直配向制御を行うため、配向膜の側鎖が垂直方向に飛び出す形で形成される。このため、図６に示されるように、垂直配向膜３の側鎖２と液晶分子１との間に立体障害が生じると考えられる。図６は、垂直配向膜３と液晶分子１との関係を示す概念図である。このように、垂直配向膜３の垂直方向に延びた側鎖２と、無印加時に垂直方向に配向する液晶分子１とが互いに接触し、液晶注入の妨害になり、液晶注入に時間がかかると考えられる。
【０００６】
そこで、ＶＡ方式における液晶注入の時間を短縮する方法が、例えば特許文献１及び特許文献２に記載されている。これは、空セル内に設けられた電極（例えば、表示電極）に電圧を印加し、水平配向させた液晶分子を空セル内に注入する方法である。これにより、液晶注入時間を短縮することが可能となる。
【特許文献１】特開平５−３３３３０２号公報
【特許文献２】特開平１１−１９０８３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１及び特許文献２に記載の技術では、各空セル内に設けられた電極全てに対して、外部の電極を接続させている。つまり、各表示電極ごとに外部の電極を接続しなければならず、効率が悪く、迂遠である。なお、一般的に液晶注入時間を短縮する方法として、加温注入方式（液晶の粘度を下げる）が知られているが、液晶成分の変化等が発生するので好ましくない。
【０００８】
本発明は、上記の問題を鑑みるためになされたものであり、簡便かつ短時間で液晶を注入することができる液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明にかかる液晶表示素子の製造方法は、液晶表示素子製造用の空セルの内部に負の誘電率異方性を有する液晶を注入して液晶表示素子を製造する液晶表示素子の製造方法において、対向する一対の基板が、一部に注入口を有するシール剤によって貼り合わされ、前記注入口において、前記一対の基板それぞれに設けられ、対向配置された一対の電極を有する空セルを形成する工程と、前記一対の電極により前記空セルに電圧を印加する工程と、前記電圧が印加された空セルに前記注入口から液晶を注入する工程とを有する方法である。これにより、簡便かつ短時間で液晶を注入することができる。
【００１０】
また、上記の液晶表示素子の製造方法において、前記液晶を注入する工程では、複数の前記空セルが整列したスティックの形態で各空セルに液晶を注入し、前記スティックが有する複数の前記空セルの前記注入口に形成された電極は前記各空セル間において接続されていてもよい。これにより、作業効率が向上する。
【００１１】
他方、本発明にかかる液晶表示素子は、対向する一対の基板と、前記一対の基板間に設けられた負の誘電率異方性を有する液晶と、一部に前記液晶の注入口を有し、前記一対の基板を貼り合わせるシール剤と、前記注入口において、前記一対の基板それぞれに設けられ、対向配置された一対の電極と、前記一対の電極間に形成され、前記注入口を封止する封止剤とを有するものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、簡便かつ短時間で液晶を注入することができる液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
実施の形態．
まず、本実施の形態にかかる液晶表示素子１２０を有する液晶表示装置１３３について図１、図２を用いて説明する。図１は、液晶表示装置１３３の構成を示す断面図である。図２は、液晶表示装置１３３の液晶セル１３４の構成を示す平面図である。ここでは、液晶表示装置１３３の一例として、ＶＡ（Vertical Alignment；Vertically Aligned）方式のアクティブマトリクス駆動の液晶表示装置について説明する。
【００１４】
図１に示すように、液晶表示装置１３３は、液晶表示素子（液晶表示パネル）１２０、バックライトユニット１２１、駆動回路（不図示）等を備えるものである。液晶表示素子１２０は、液晶セル１３４の外側に後述する偏光板１３２等を貼付したものである。液晶セル１３４は、ＴＦＴアレイ基板１２２と、ＴＦＴアレイ基板１２２に対向して配置される対向基板１２３とを外周縁にて、シール剤１２４を用いて貼り合わせられている。また、基板間には、スペーサ（不図示）が配置され、所定間隔に維持されている。なお、真空注入法によって液晶を注入する場合、図２に示すように、シール剤１２４の一部が開口され、液晶の注入口１３５が形成される。
【００１５】
また、液晶の注入口１３５には、対向して電極が形成されている。具体的には、対向基板１２３側に上電極１３６、ＴＦＴアレイ基板１２２側に下電極１３７が形成されている。つまり、注入口１３５において、一対の電極（上電極１３６及び下電極１３７）は、一対の基板（対向基板１２３及びＴＦＴアレイ基板１２２）それぞれに設けられ、対向配置されている。なお、上電極１３６及び下電極１３７は、対向基板１２３及びＴＦＴアレイ基板１２２において、液晶の注入口１３５の略全体に形成されている。そして、上電極１３６は、注入口１３５から右側の端部まで延設されている。一方、下電極１３７は、注入口１３５から右側及び左側の端部まで延設されている。また、注入口１３５外に形成された上電極１３６及び下電極１３７は、シール剤１２４と重なっている。つまり、上電極１３６及び下電極１３７において、基板の端部まで引き出された部分では、シール剤１２４を介在させて、上電極１３６及び下電極１３７が重なっている。
【００１６】
そして、注入口１３５から液晶を注入し、ＴＦＴアレイ基板１２２と対向基板１２３との間に液晶層１２５を形成した後、封止剤１３８によって液晶の注入口１３５を封止する。つまり、上電極１３６と下電極１３７との間に封止剤１３８が形成されている。なお、ここでの液晶層１２５は、ＶＡ方式に用いられるため、負の誘電率異方性（Δε＜０）を持つ液晶組成物が用いられる。この液晶組成物は、無電圧印加時には、液晶分子の長軸が垂直方向に配列する。そして、電圧印加時には、電圧に応じて液晶分子の長軸が傾斜し、水平配列する。ＴＦＴアレイ基板１２２は、スイッチング素子としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１２６を有する。そして、シール剤１２４で囲まれる領域にて、１画素ごとに画素電極１２７が配置される。バックライトユニット１２１は、液晶表示素子１２０の反視認側に配置され、液晶表示素子１２０の背面側から光を照射する。そして、ＴＦＴアレイ基板１２２の端部には、駆動回路（不図示）が設けられる。これにより、外部からの各種信号が供給される。それらの信号に応じて、ＴＦＴ１２６のＯＮ、ＯＦＦが制御され、ＴＦＴ１２６がＯＮ状態のとき、画素電極１２７に表示電圧が印加される。
【００１７】
対向基板１２３は、カラーフィルタ層及び対向電極１２８を有している。カラーフィルタ層は、例えばブラックマトリクス（ＢＭ）層１２９と、赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）の着色層１３０とを有している。対向電極１２８は、対向基板１２３の液晶層１２５側に配置され、液晶層１２５に信号電位を供給するための共通電位を与える。そして、対向基板１２３と対向電極１２８との間にて、画素電極１２７及びＴＦＴ１２６に対向する領域に、カラーフィルタ層が形成されており、このカラーフィルタ層を用いてカラー表示が行われる。
【００１８】
また、ＴＦＴアレイ基板１２２および対向基板１２３の液晶層１２５側の表面には、液晶を配向させるための配向膜１３１が形成されている。ここでの配向膜１３１は、液晶分子を垂直方向に配向させるため、側鎖が垂直方向に飛び出す形で形成される。そして、ＴＦＴアレイ基板１２２と対向基板１２３の外側に、それぞれ偏光板１３２が貼付される。これらの偏光板１３２をクロスニコル配置することにより、黒表示を得ることができる。クロスニコル配置とは、ＴＦＴアレイ基板１２２及び対向基板１２３の外側に配置されるそれぞれの偏光板１３２の吸収軸が直交する配置である。液晶表示装置１３３は、以上のように構成されている。また、上記の構成は、一例であり、これ以外の構成でもよい。
【００１９】
画素電極１２７と対向電極１２８との間の電界によって、液晶が駆動される。すなわち、基板間の液晶の配向方向が変化する。これにより、液晶層１２５を通過する光の偏光状態が変化する。すなわち、偏光板１３２を通過して直線偏光となった光は液晶層１２５によって、偏光状態が変化する。具体的には、バックライトユニット１２１からの光及び外部から入射した外光は、偏光板１３２によって直線偏光になる。そして、この直線偏光が液晶層１２５を通過することによって、偏光状態が変化する。
【００２０】
従って、偏光状態によって、対向基板１２３側の偏光板１３２を通過する光量が変化する。すなわち、バックライトユニット１２１から液晶表示素子１２０を透過する透過光のうち、視認側の偏光板１３２を通過する光の光量が変化する。液晶の配向方向は、印加される表示電圧によって変化する。従って、表示電圧を制御することによって、視認側の偏光板１３２を通過する光量を変化させることができる。すなわち、画素毎に表示電圧を変えることによって、所望の画像を表示することができる。
【００２１】
次に、液晶注入装置の構成について図３を用いて説明する。図３は液晶注入装置１００の構成の一例を示す図である。図３に示すように、液晶注入装置１００は、真空チャンバ１０１、キャリア１０２、アーム１０３などを備える。本実施の形態においては、空セル１０５が整列されているスティック１０４の各空セル１０５を被注入対象とし、複数の空セル１０５に対して同時に液晶を注入する。図３においては、２つの空セル１０５を有するスティック１０４が配置される例について図示している。また、それぞれの空セル１０５の注入口１３５は図３中下端に設けられている。
【００２２】
なお、空セル１０５とは、ＴＦＴアレイ基板１２２と対向基板１２３とをスペーサによって所定間隔に維持した状態でシール剤１２４によって貼り合わせたものである。空セル１０５内に液晶を注入し、偏光板１３２や駆動回路、バックライトユニット１２１などを設けることにより液晶表示装置１３３が形成される。また、それぞれの空セル１０５の注入口１３５には、上電極１３６及び下電極１３７が対向配置されている。そして、これらの電極は、スティック１０４の外側まで引き出されている。これらの電極に外部から電圧を印加することにより、それぞれの空セル１０５の注入口１３５近傍に電圧が印加される。なお、スティック１０４の詳細については、後述する。
【００２３】
真空チャンバ１０１は、内部を真空排気し減圧状態とするために図示しない真空ポンプが真空バルブを介して接続されている。また、真空チャンバ１０１の内部を大気圧に戻す際に供給されるＮ２ガス源がＮ２導入バルブ（不図示）を介して接続されている。
【００２４】
真空チャンバ１０１内には、スティック１０４及び液晶ボート１０６が配置される。液晶ボート１０６には凹部が設けられており、凹部内に液晶１０７が貯留されている。液晶ボート１０６としては、例えば、ＡｌやＣｕ、ステンレス鋼などの金属製のものを用いることができる。なお、液晶ボート１０６には、内部に貯留した液晶１０７を吸い上げるヤーン（不図示）が設けられていてもよい。ヤーンとしては、例えば、グラスファイバなどの繊維材料を撚ったものを用いることができる。
【００２５】
キャリア１０２は、スティック１０４を固定・保持する。アーム１０３は、図示しない移動機構を有している。アーム１０３を駆動し、スティック１０４を保持したキャリア１０２を下降させることにより、スティック１０４が有する複数の空セル１０５の注入口１３５を液晶１０７に接触させることができる。なお、液晶ボート１０６内に液晶を吸い上げるヤーンを設けた場合には、空セル１０５の注入口１３５はヤーン上で液晶と接触する。液晶注入装置１００は、上記のように構成されている。
【００２６】
次に、本実施の形態にかかる液晶表示素子１２０の製造方法を有する液晶表示装置１３３の製造方法を図４を用いて説明する。ここでは、一例として上記の液晶表示装置１３３の製造方法について説明する。この製造方法により、液晶表示素子１２０製造用の空セル１０５の内部に負の誘電率異方性を有する液晶を注入する。図４は、本実施の形態にかかる液晶表示装置１３３の製造方法を説明するフローチャートである。
【００２７】
図４に示すように、まず、ＴＦＴアレイ基板１２２となるマザー基板上にＴＦＴ１２６、画素電極１２７などを、一方、対向基板１２３となるマザー基板上に対向電極１２８などを形成する（ステップＳ１）。なお、マザー基板上には、これらのパターンがマトリクス状に形成されている。また、画素電極１２７の形成と同一工程で下電極１３７、対向電極１２８の形成と同一工程で上電極１３６を形成する。これにより、後述するステップＳ４の工程で形成される空セル１０５の注入口１３５において、一対のマザー基板それぞれに設けられ、対向配置された上電極１３６及び下電極１３７が形成される。具体的には、まず画素電極１２７となるＩＴＯ膜をＴＦＴアレイ基板１２２となるマザー基板上に成膜する。そして、写真製版工程、エッチング工程を経て、画素電極１２７、下電極１３７をパターニングする。また、下電極１３７は、マトリクス状に形成されたパターンの水平列において、隣接する空セル１０５の注入口１３５まで延設されている。つまり、水平列の複数の空セル１０５の注入口１３５に形成された下電極１３７は、各空セル１０５間において接続されている。なお、この水平列の複数の空セル１０５が後述する１つのスティック１０４を形成する。そして、水平列の左端の空セル１０５の注入口１３５からマザー基板の左端に向けて下電極１３７が延設されている。
【００２８】
同様に、上電極１３６は、対向電極１２８と共にパターニングされる。また、上電極１３６は、マトリクス状に形成されたパターンの水平列において、隣接する空セル１０５の注入口１３５まで延設されている。つまり、水平列の複数の空セル１０５の注入口１３５に形成された上電極１３６は、各空セル１０５間において接続されている。そして、水平列の右端の空セル１０５の注入口１３５からマザー基板の右端に向けて上電極１３６が延設されている。なお、画素電極１２７と下電極１３７は、繋がっておらず、電気的には分断されている。同様に、対向電極１２８と上電極１３６も、繋がっておらず、電気的には分断されている。このように、画素電極１２７と下電極１３７の形成、対向電極１２８と上電極１３の形成をそれぞれ同一工程で形成するので、追加工程が不要であり、簡便である。
【００２９】
そして、それぞれの基板上に所定の方向に配向処理された配向膜１３１を形成する（ステップＳ２）。本実施の形態では、後に注入される液晶を垂直配向制御させるため、配向膜１３１には垂直配向膜を用いる。その後、ＴＦＴアレイ基板１２２上にスペーサを散布し（ステップＳ３）、シール剤１２４を塗布して両基板を接着する（ステップＳ４）。このように、対向する一対のマザー基板を、一部に注入口１３５を有するシール剤１２４によって貼り合せることにより、空セル１０５が形成される。また、２枚のマザー基板上には、複数の空セル１０５がマトリクス状に形成される。
【００３０】
そして、このマザー基板を注入口１３５が露出するように空セル１０５の水平列単位に分断する。この水平列単位に分断した形態をスティック１０４と称している。そして、水平列単位に分断されたＴＦＴアレイ基板１２２となるマザー基板の右端を切断する。なお、右端において、ＴＦＴアレイ基板１２２となるマザー基板に対向配置されている対向基板１２３となるマザー基板は切断しない。これにより、対向基板１２３となるマザー基板が露出し、当該マザー基板の右端に向けて形成されている上電極１３６も露出する。同様に、水平列単位に分断された対向基板１２３となるマザー基板の左端を切断する。これにより、ＴＦＴアレイ基板１２２となるマザー基板が露出し、当該マザー基板の左端に向けて形成されている下電極１３７も露出する。つまり、図５に示されるように、水平列単位に分断された一対のマザー基板それぞれの右端では上電極１３６、左端では下電極１３７が露出している。図５は、スティック１０４の構成を示す平面図である。図５においては、１つのスティック１０４に２つの空セル１０５が配置される例について図示している。このように、複数の空セル１０５を有するスティック１０４が形成される（ステップＳ５）。そして、スティック１０４の露出した上電極１３６及び下電極１３７に外部から電極を接続する。これにより、後述するステップＳ６の工程で、上電極１３６及び下電極１３７に電圧を印加することができる。
【００３１】
そして、このスティック１０４の空セル１０５に注入口１３５から液晶１０７を注入する（ステップＳ６）。つまり、複数の空セル１０５が整列したスティック１０４の形態で各空セル１０５に液晶を注入する。具体的には、まず、真空チャンバ１０１内にスティック１０４を配置する。また、真空チャンバ１０１内に、液晶１０７を貯留した液晶ボート１０６を、スティック１０４の空セル１０５の注入口１３５と液晶１０７とが対向するように配置する。このとき、空セル１０５の注入口１３５と、液晶１０７とは接触させない。
【００３２】
そして、真空チャンバ１０１内を真空排気し減圧状態とする。これにより、スティック１０４の空セル１０５内及び液晶１０７も脱気される。そして、上電極１３６及び下電極１３７に外部から電圧を印加する。これにより、それぞれの空セル１０５において、空セル１０５内の注入口１３５近傍に電圧が印加される。このとき印加される電圧は、５〜１０Ｖ程度である。その後、アーム１０３を移動させ、空セル１０５の注入口１３５と液晶１０７とを接触させる。そして、Ｎ２導入バルブからＮ２ガスを導入して、大気圧に戻す。上記のように、空セル１０５の注入口１３５に電圧が印加されているため、空セル１０５内に侵入した液晶１０７にも電圧が印加され、液晶１０７の長軸が傾斜する。そして、液晶分子と配向膜１３１の側鎖との立体障害が低減する。これにより、液晶１０７の注入にかかる時間を短縮することができる。なお、液晶１０７は、上電極１３６及び下電極１３７の間を通って空セル１０５内に注入される。
【００３３】
一般的に、空セル１０５の注入口１３５は、狭くなっている。このため、空セル１０５の注入口１３５近傍において最も注入時間を要する。そこで、本実施の形態では、空セル１０５の注入口１３５近傍のみに上電極１３６及び下電極１３７を用いている。そして、液晶の注入口１３５近傍の液晶１０７のみに電圧を印加する。これにより、最も注入時間を要する、すなわち律速箇所であった空セル１０５の注入口１３５近傍において、液晶の進行速度を速めることで、注入時間を短縮することができるため、効率がよく生産性が向上する。さらに、空セル１０５の注入口１３５近傍のみに電圧を印加するので、低電力化になる。また、上電極１３６及び下電極１３７によって電圧が印加され、長軸が傾斜した液晶１０７は、時間の経過と共に、徐々に垂直に戻ろうとするものの、すぐに長軸が垂直になるわけではない。つまり、液晶は、空セル１０５の注入口１３５より上側の空セル１０５に侵入しても、ある程度、長軸が傾斜した状態を保つことができる。このため、空セル１０５の注入口１３５より上側の空セル１０５においても、注入時間が短縮される。
【００３４】
また、複数の空セル１０５の注入口１３５はそれぞれ均一に電圧が印加されているため、それぞれの空セル１０５の電圧のバラツキも抑制できる。このため、真空チャンバ１０１内の配置位置によらず、同時に注入される複数の空セル１０５の注入時間を略等しくすることができる。これにより、注入時間を一定に制御しても、それぞれの空セル１０５への液晶１０７の注入時間が等しいため、注入泡不良の液晶セルの発生を抑制することができる。
【００３５】
その後、注入口１３５に封止剤１３８を塗布して、封止剤１３８を硬化させることにより空セル１０５内に液晶１０７を封止する（ステップＳ７）。そして、スティック１０４を切断し、液晶セル１３４を形成する（ステップＳ８）。なお、図２に示された液晶セル１３４は、図５において、左側の空セル１０５に対応するものである。それぞれの液晶セル１３４の外側に偏光板１３２などの光学フィルムを貼り付けて（ステップＳ９）、液晶表示素子１２０が完成する。そして、駆動回路、バックライトユニット１２１などを実装する（ステップＳ１０）ことにより、液晶表示装置１３３が完成する。
【００３６】
本実施の形態にかかる液晶表示素子１２０の製造方法によれば、スティック１０４に一対の電極を外部から接続することにより、複数の空セル１０５の注入口１３５近傍に電圧を印加することができる。このため、１つの空セル１０５ごとに電極を接続する必要がなくなり簡便であり、作業効率・生産性が向上する。また、空セル１０５内に上電極１３６及び下電極１３７を形成しているため、高電圧を印加しなくても、液晶の長軸が傾き、水平配列させることができる。さらに、空セル１０５の注入口１３５に上電極１３６及び下電極１３７を形成しているため、液晶ボート１０６内の液晶１０７との距離が非常に近くなる（６〜７μｍ程度）。これにより、液晶１０７に電圧を効果的に印加することができる。
【００３７】
なお、上述の実施の形態では、単一のスティック１０４に対して、液晶を注入する場合について説明したが、これに限定されない。例えば、複数のスティック１０４をキャリア１０２によって固定・保持し、同時に液晶１０７を注入しても良い。これにより、さらに生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】実施の形態にかかる液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態にかかる液晶セルの構成を示す平面図である。
【図３】実施の形態にかかる液晶注入装置の構成を示す側面図である。
【図４】実施の形態にかかる液晶表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。
【図５】実施の形態にかかるスティックの構成を示す平面図である。
【図６】垂直配向膜と液晶分子との関係を示す概念図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  液晶分子、２  側鎖、３  垂直配向膜、
１００  液晶注入装置、１０１  真空チャンバ、１０２  キャリア、
１０３  アーム、１０４  スティック、１０５  空セル、１０６  液晶ボート、
１０７  液晶、
１２０  液晶表示素子、１２１  バックライトユニット、
１２２  ＴＦＴアレイ基板、１２３  対向基板、１２４  シール剤、
１２５  液晶層、１２６  ＴＦＴ、１２７  画素電極、１２８  対向電極、
１２９  ＢＭ層、１３０  着色層、１３１  配向膜、１３２  偏光板、
１３３  液晶表示装置、１３４  液晶セル、１３５  注入口、１３６  上電極、
１３７  下電極、１３８  封止剤 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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