(57)【要約】      （修正有）【課題】気相堆積法による蛍光体層を有する放射線画像変換パネルであって、感度および鮮鋭性が良好な放射線画像変換パネルを提供する。【解決手段】放射線画像変換パネルは、基板と輝尽性蛍光体層とこれらを覆う保護層を有す。輝尽性蛍光体層は、気相堆積法で形成される柱状結晶からなり、柱径が異なる柱状結晶が混在した状態とする。電子顕微鏡写真（Ａ）に見られるように、大きな柱径の柱状結晶の間に小さい柱径の柱状結晶を混在させ、大きな柱径の柱状結晶の間を柱径の小さい柱状結晶が埋めたような状態とする。柱径分布（Ｂ）は、電子顕微鏡写真上で柱状結晶の平均柱径を計測し、相対度数で示したもので、平均柱径の分布が、２つのピークを有している。【選択図】図９
2008014892.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相堆積法によって形成された蛍光体層を有する放射線画像変換パネルであって、
前記蛍光体層が、柱状結晶からなるものであり、かつ、この柱状結晶の柱径分布が２以上のピークを有することを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項２】
前記柱径分布のピークの内、最も柱径の大きなピークの柱径をＲとした際に、それ以外のピークの柱径ｒが、
０．４Ｒ≦ｒ≦０．８Ｒ
である請求項１に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項３】
前記柱径分布の変動係数が０．０５〜０．３である請求項１または２に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項４】
前記蛍光体層が、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体からなるものである請求項１〜３のいずれかに記載の放射線画像変換パネル。
【請求項５】
２以上の異なる径の凸部を形成してなる凹凸状で、かつ、前記凸部の最大径をＲ、その他の凸部の径をｒとした際に「０．４Ｒ≦ｒ≦０．８Ｒ」を満たす基板に、気相堆積法によって蛍光体層を形成することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空蒸着等の気相堆積法によって形成された輝尽性蛍光体層などの蛍光体層を有し、かつ、感度および鮮鋭性に優れた放射線画像変換パネル、および、この放射線画像変換パネルの製造に好適な製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギーの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギーに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。
【０００３】
一例として、この輝尽性蛍光体の膜（輝尽性蛍光体層  以下、蛍光体層とする）を有する放射線画像変換パネル（以下、変換パネルとする（輝尽性蛍光体パネル（シート）とも呼ばれている））を利用する、放射線画像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム社製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography)等として実用化されている。
このシステムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、変換パネル（蛍光体層）に被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、変換パネルを励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴなどの表示装置や、写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線画像として出力する。
【０００４】
変換パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末をバインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスや樹脂製のパネル状の支持体（基板）に塗布し、乾燥することによって、作製される。
これに対し、後述する各特許文献に示されるように、真空蒸着やスパッタリング等の気相堆積法（真空成膜法）によって、基板に蛍光体層を形成してなる変換パネルも知られている。気相堆積法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという、優れた特性を有している。
【０００５】
気相堆積法によって形成される蛍光体層は、蛍光体の柱状結晶で形成される柱状結晶構造を有する場合が多い。また、気相堆積法による蛍光体層を有する変換パネルでは、特性を向上するために、様々な検討／提案が行なわれている。
【０００６】
例えば、特許文献１には、気相堆積法で形成された柱状結晶からなる蛍光体層を有する変換パネルの製造において、蛍光体層の形成中における基板の温度を適正に制御することにより、柱径が好適で、かつ略均一な蛍光体層を形成でき、これにより高画質な変換パネルを得られることが開示されている。
特許文献２には、同様の変換パネルにおいて、蛍光体層の表面１００μｍ2当たりの柱状結晶の本数を、５０〜４０００本とすることにより、輝尽発光特性（発光強度）に優れ、かつ、高い鮮鋭性を有する変換パネルが開示されている。
また、特許文献３には、同様の変換パネルにおいて、柱状結晶の変動係数を５０％以下、好ましくは４０％以下とすることにより、高感度で、かつ、輝尽発光光の輝度ムラの少ない変換パネルが開示されている。また、特許文献４にも、同様の変換パネルにおいて、柱状結晶の変動係数を０．０５〜０．３とすることが開示されている。
さらに、特許文献５には、同様の変換パネルにおいて、多数の凸部を有する凹凸状の基板を用いることにより、この凸部のみから柱状結晶を成長させて、互いに光学的に独立した柱状結晶からなる鮮鋭性の高い変換パネルが開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３０２４９８号公報
【特許文献２】特開２００４−２３３０６７号公報
【特許文献３】特開２００５−９８７１６号公報
【特許文献４】欧州特許第１３５９２０４号公報
【特許文献５】特開２００４−３９５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記各特許文献に開示される変換パネルによれば、良好な感度、輝尽発光特性、鮮鋭性等を有する変換パネルを得ることができる。
しかしながら、変換パネルに要求される特性、特に、感度や鮮鋭性に対する要求は、近年、より厳しいものになっており、より優れた感度や鮮鋭性を有する変換パネルの出現が望まれている。
【０００９】
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決することにあり、気相堆積法によって形成された柱状結晶からなる蛍光体層を有する放射線画像変換パネルであって、優れた感度を有し、かつ、鮮鋭性の高い放射線画像変換パネル、および、この放射線画像変換パネルの製造に好適な製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の放射線画像変換パネルは、気相堆積法によって形成された蛍光体層を有する放射線画像変換パネルであって、前記蛍光体層が、柱状結晶からなるものであり、かつ、この柱状結晶の柱径分布が２以上のピークを有することを特徴とする放射線画像変換パネルを提供する。
【００１１】
このような本発明の放射線画像変換パネルにおいて、前記柱径分布のピークの内、最も柱径の大きなピークの柱径をＲとした際に、それ以外のピークの柱径ｒが、「０．４Ｒ≦ｒ≦０．８Ｒ」であるが好ましく、また、前記柱径分布の変動係数が０．０５〜０．３であるのが好ましく、さらに、前記蛍光体層が、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体からなるものであるのが好ましい。
【００１２】
また、本発明の放射線画像変換パネルの製造方法は、２以上の異なる径の凸部を形成してなる凹凸状で、かつ、前記凸部の最大径をＲ、その他の凸部の径をｒとした際に「０．４Ｒ≦ｒ≦０．８Ｒ」を満たす基板に、気相堆積法によって蛍光体層を形成することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
上記構成を有する本発明の放射線画像変換パネルは、互いに異なる２種以上の柱径の柱状結晶が混在する構成を有し、これにより、感度が高く、かつ、鮮鋭性も良好（鮮鋭度の高い再生画像が得られる）な放射線画像変換パネルを得ることができる。
また、本発明の放射線画像変換パネルの製造方法によれば、このような優れた特性を有する放射線画像変換パネルを安定して製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の放射線画像変換パネル、および、この放射線画像変換パネルの製造方法について、添付の図面に示される好適実施例を基に詳細に説明する。
【００１５】
図１に、本発明の放射線画像変換パネルの一例の概念図を示す。
本発明の放射線画像変換パネル１０（以下、変換パネル１０とする）は、基板１２と、蛍光体層１４と、蛍光体層１４を全面的に覆って封止する保護層２０とを有する。また、図示例においては、好ましい態様として、接着層１８によって、蛍光体層１４と保護層２０とが接着されている。
【００１６】
なお、本発明の放射線画像変換パネルは、上記構成に限定はされず、蛍光体層１４が、気相堆積法によって形成さた柱状結晶構造を有し、かつ、柱状結晶の柱径分布が後述する条件を満たすものであれば、各種の構成が利用可能である。
例えば、蛍光体層１４が十分な耐湿性を有するのであれば、接着層１８および保護層２０を有さなくてもよく、また、接着層１８によって保護層２０と蛍光体層１４とを接着せずに、基板１２（あるいは後述する枠体３２）と保護層２０とを接着するのみで、保護層２０で蛍光体層１４を覆って封止してもよい。
【００１７】
本発明の変換パネル１０において、基板１２には、特に限定はななく、公知の放射線画像変換パネルで用いられている各種のものが利用可能である。
一例として、セルロースアセテート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカーボネートなどから形成されるプラスチック板やプラスチックシート（フィルム）；  石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、耐熱ガラス（パイレックスTM等）などから形成されるガラス板やガラスシート；  アルミニウム、鉄、銅、クロムなどの金属類から形成される金属板や金属シート；  このような金属板等の表面に金属酸化物層等の被覆層を形成してなる板やシート；  等が例示される。
また、基板１２は、表面に、保護層（基板１２の基体を保護する保護層）、輝尽発光光の反射層あるいはさらに反射層の保護層などを有してもよい。この際には、蛍光体層１４は、これらの層の上に形成される。
【００１８】
なお、後に詳述するが、本発明の製造方法では、２以上の異なる径の円柱状の凸部を多数有する凹凸状の表面を有し、かつ、最大の凸部の径をＲ、その他の凸部の径をｒとした際に「０．４Ｒ≦ｒ≦０．８Ｒ」を満たす基板１２を用いる。
図１に示す変換パネル１０は、この本発明の製造方法によって作製したもので、基板１２として、２つの径の異なる凸部が全面的に形成された凹凸状の表面を有する基板１２を用いている。
【００１９】
本発明の変換パネル１０において、蛍光体層１４は、真空蒸着等の気相堆積法によって形成されたもので、基本的に、互いに独立する柱状結晶によって形成される、柱状結晶構造を有する。
【００２０】
なお、図１に示す変換パネル１０においては、基板１２の表面から柱状結晶が成長しているが、本発明は、これに限定はされない。
例えば、真空蒸着で形成される蛍光体層、特に輝尽性蛍光体からなる蛍光体層、中でも特に後述するアルカリハライド系輝尽性蛍光体からなる蛍光体層は、蛍光体層１４の形成条件（成膜条件）に応じて、当初は結晶が球状に成長して、その後、結晶が球状から柱状に成長して柱状結晶となる場合も多い。この場合には、本発明の変換パネル１０は、基板１２の表面に球状結晶が凝集してなる球状結晶層を有し、その上に柱状結晶層を有する構成であってもよい。
また、このように球状に結晶が成長する場合には、蛍光体層１４の形成条件によっては、柱状結晶が成長する前に、球状結晶が基板１２の面方向に融着して塊状（ドメイン）となり、このドメインから結晶が柱状に成長して柱状結晶となる場合も多い。この場合には、本発明の変換パネル１０は、基板１２の表面に球状結晶が凝集してなる球状結晶層を有し、その上に前記ドメインからなるドメイン層を有し、このドメイン層の上に柱状結晶層を有する構成であってもよい。
【００２１】
前述のように、蛍光体層１４は、互いに独立した柱状結晶で形成される。ここで、本発明の変換パネル１０においては、蛍光体層１４を形成する柱状結晶の柱径分布が、２以上のピーク（分布の変化が上昇から下降に転ずる点）を有する。
図示例の変換パネル１０は、図２の蛍光体層２８の表面（基板１２と逆側の面）の模式図に示すように、基本的に、互いに柱径の異なる２種の柱状結晶で形成され、図３に模式的に示すように、柱径分布は２つのピークを有している。
【００２２】
真空蒸着等の気相堆積法による蛍光体層、特に、輝尽性蛍光体からなる蛍光体層は、柱状結晶から形成される柱状結晶構造を有する場合が多い。
ここで、気相堆積法で形成される、柱状結晶からなる蛍光体層の柱径分布は、正規分布であり、従って、１つのピークしか有していない。また、前記特許文献１、特許文献３、および特許文献４にも示されるように、従来の変換パネルでは、蛍光体層を形成する柱状結晶の柱径は均一であるのが好ましく、すなわち柱径分布は可能な限り少ない方が好ましいと考えられており、できるだけ柱径分布を持たせないように蛍光体層を作製している。
しかしながら、本発明者は、鋭意検討の結果、柱状結晶からなる蛍光体層は、均一な柱径の柱状結晶で形成される構成、すなわち柱径分布が１つのピークしか有さない状態より、２以上の異なる柱径の柱状結晶が混在する構成、すなわち柱径分布が２以上のピークを有する状態の方が、優れた感度および鮮鋭性（鮮鋭度の高い再生画像）が得られることを見いだした。
【００２３】
柱径分布が２以上のピークを有することによって、変換パネル１０の感度および鮮鋭性が向上する理由は、明らかでは無い。本発明者の検討によれば、このような柱径分布を有することで、２以上の互いに柱径が異なる柱状結晶が混在して、大きな柱径の柱状結晶の間に、小さい柱径の柱状結晶が存在する構成となり、その結果、大きな柱径の柱状結晶によって優れた感度が得られ、かつ、この大きな柱径の柱状結晶の間を柱径の小さい柱状結晶が埋めたような状態となることで、優れた鮮鋭性が得られると推測される。
【００２４】
なお、本発明の変換パネル１０において、蛍光体層１４を形成する柱状結晶の柱径を直接測定することは、非常に困難である。そのため、本発明においては、一例として、作製した蛍光体層１４の表面の電子顕微鏡写真を撮影し、この電子顕微鏡写真上で柱状結晶の柱径を計測して、柱径分布を得ればよい。
また、蛍光体層１４の全面で柱径を測定して柱径分布を得るのが好ましいのは、もちろんであるが、必ずしも、その必要はなく、蛍光体層１４の表面の任意の４〜５箇所で、１０００〜１０００００μｍ2程度の面積の電子顕微鏡写真を撮影して、柱径を測定することで、蛍光体層１４全面の柱径分布を適正に知見することができる。
柱径分布のピッチ（柱径の刻み幅）にも特に限定はないが、大きすぎると適正な柱径分布が得られず、逆に、小さすぎるとノイズ等の影響が大きくなる可能性が生じるので、一例として、０．１μｍピッチで柱径分布を得て、ピークの数を知見するのが好ましい。
なお、柱状結晶の形状（上面（膜の表面側）から見た形状＝基板１２の面方向の形状）は、必ずしも真円には成らないので、この際には、長径と短径（最長の対角線と最短の対角線）を計り、両者の平均を柱状結晶の柱径（平均柱径＝（長径＋短径）／２）と見なせばよい。
【００２５】
本発明の変換パネル１０において、蛍光体層１４の柱状結晶の柱径（前記平均柱径）には、特に限定はないが、３〜１５μｍが好ましい。
ここで、本発明においては、柱状結晶の柱径分布において、最大の柱径のピークの柱径をＲ、それ以外のピークの柱径をｒとした際に、式「０．４Ｒ≦ｒ≦０．８Ｒ」を満たすのが好ましい。
このような構成を有することにより、柱の独立柱状性（柱間の空隙）を維持し、高柱充填充填による高PSL感度を得られる、等の点で好ましい結果を得ることができる。
【００２６】
また、蛍光体層１４の柱状結晶の柱径分布の変動係数にも、特に限定はないが、０．０５〜０．３、特に、０．０５〜０．２とするのが好ましい。
このような構成を有することにより、柱の独立柱状性（柱間の空隙）を維持し、高柱充填充填による高PSL感度を得すくなる、の点で好ましい結果を得ることができる。
【００２７】
なお、本発明の変換パネル１０において、柱径分布のピークの数には、特に限定はなく、２以上であればよい。
但し、ピークの数があまり多いと、柱径分布がピークを１つしか有さない通常の変換パネルと同様になってしまい、本発明の効果が十分に得られない場合があり、柱の独立柱状性（柱間の空隙）を維持した状態で、柱充填を制御しにくくなる、等の不都合が生じる可能性が有るので、ピークの数は、１５以下とするのが好ましく、特に、２〜５とするのが好ましい。
【００２８】
ここで、本発明においては、ピークに挟まれた谷（分布の変化が下降から上昇に転ずる点）と、この谷を挟む２つのピークとにおいて、谷の高さ（頻度）が、低い方のピークの高さの９９％以下となるピーク（谷と、この谷を挟む２つのピークとの関係）を、１以上有するのが好ましい。すなわち、図３で例示すれば、谷と、この谷を挟む２つのピークとにおいて、谷の高さｈ２が、低い方のピークの高さｈ１の９９％以下となるのが好ましい。言い換えれば、本発明の変換パネル１０は、自身の高さに対して９９％以下の高さの谷が隣り合わせているピークを、２以上有するのが好ましい。
このような構成を有することにより、柱径分布が２以上のピークを有することで優れた感度および鮮鋭性を得られるという本発明の効果を、より確実かつ安定して発現することができ、好ましい。
【００２９】
蛍光体層１４を形成する柱状結晶の形状にも、特に限定はなく、どのような形状であってもよいが、真円に近い形状が好ましく、好ましくは、四角形以上の多角形状、特に、五角形以上の多角形状が好ましい。
さらに、蛍光体層１４を形成する柱状結晶の長径と短径との比Ｒ（長径／短径＝Ｒ）の平均が、式「１＜Ｒ＜２」を満たすのが好ましく、特に、「１＜Ｒ＜１．５」を満たすのが好ましい。
【００３０】
蛍光体層１４を形成する柱状結晶の長径／短径の比Ｒが大きいと、蛍光体層１４における蛍光体の充填率が不十分になってしまう場合が有り、その結果、十分な基板１２と蛍光体層１４との密着力が得られない場合が有る。
これに対し、長径／短径の比Ｒが小さいと、充填率が向上し、その結果、Ｘ線吸収能力が向上して、高画質な放射線画像を得ることができる。さらに充填率が高くなることにより、あらゆる方向に対して応力緩和し易くなるため、基板１２と蛍光体層１４との密着力が向上する。
特に、蛍光体層１４を表面から見た際に、五角形以上の柱状結晶が３０％以上存在すると、高画質の放射線画像を得ることができ、かつ、優れた基板１２と蛍光体層１４との密着力を得ることができる。
【００３１】
なお、このような四角形以上、好ましくは五角形以上の多角形状を有し、さらに、平均長径と平均短径との比Ｒを満たす柱状結晶からなる蛍光体層１４は、蛍光体層１４を形成する基板１２の表面を十分に清浄化して、かつ、基板表面をプラズマ洗浄するなど、十分な親水性を有する状態として、さらに、蛍光体層１４の形成中（成膜中）に、基板１２の温度すなわち蛍光体層１４の温度をコントロールする、あるいは、蛍光体層１４の蒸着温度をコントロールすることにより、形成することができる。たとえば、多角形柱を得るには、基板１２表面の凹凸パターンを多角形にする、基板１２の温度を１００℃以上に制御し、かつ蒸着時に真空度を０．１〜３Paの間で制御するなどがある。
【００３２】
本発明の変換パネルにおいて、蛍光体層１４の層厚には、特に限定は無いが、１００〜１５００μｍ、特に、５００〜１０００μｍが好ましい。
蛍光体層１４の厚さを、上記範囲とすることにより、画像鮮鋭度等の点で好ましい。
【００３３】
ここで、本発明の変換パネル１０において、蛍光体層１４が蛍光体と付活剤とを有する輝尽性蛍光体で有る場合には、蛍光体層１４の全てを輝尽性蛍光体で形成してもよいが、好ましくは、下部に実質的に付活剤を含有しない母体領域を形成し、その上に付活剤を含有する輝尽性蛍光体からなる領域を形成するのが好ましい。一例として、輝尽性蛍光体が、付活剤としてＥｕを含有するＣｓＢｒ：Ｅｕである場合には、母体領域は実質的にＣｓＢｒのみから形成され、輝尽性蛍光体からなる領域はＣｓＢｒ：Ｅｕから形成される。なお、付活剤を実質的に含まないとは、付活剤が１．０×１０-6ｐｐｍ以下であることをいい、好ましくは全く含まないことをいう。
母体領域も、応力緩和層として作用するので、このような構成とすることにより、蛍光体層１４と基板１２との密着性を、より良好にすることができる。
【００３４】
本発明において、蛍光体層１４を形成する蛍光体には、特に限定はなく、放射線画像変換パネルに用いられている公知の各種の蛍光体が、各種、利用可能である。
特に、本発明の効果が発現し易い等の点で、蛍光体と付活剤（賦活剤：activator)とを含有する輝尽性蛍光体は、好適であり、中でも特に、特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式「ＭIＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ''3：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体が好適に利用される。
（上記式において、ＭI は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭIIは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭIIIは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０＜ｃ≦０．２である。）
その中でも、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が特に良好に得られる等の点で、ＭIが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００３５】
また、これ以外にも、米国特許第３，８５９，５２７号明細書、特開昭５５−１２１４２号、同５５−１２１４４号、同５５−１２１４５号、同５６−１１６７７７号、同５８−６９２８１号、同５８−２０６６７８号、同５９−３８２７８号、同５９−７５２００号等の各公報に開示される各種の輝尽性蛍光体も、好適に利用可能である。
【００３６】
なお、本発明は、輝尽性蛍光体の蛍光体層を有する変換パネル１０に限定されず、例えば、沃化セシウムなどの蛍光体の柱状結晶からなる蛍光体層を有する放射線シンチレータパネル等、蛍光体の柱状結晶からなる蛍光体層を有する各種の放射線画像変換パネルに、好適に利用可能である。
【００３７】
本発明の変換パネル１０において、蛍光体層１４は、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)等の各種の気相堆積法（真空成膜法）で形成される。
中でも、生産性等の点で真空蒸着によって蛍光体層１４を形成するのが好ましい。
【００３８】
また、蛍光体として輝尽性蛍光体を用いる場合には、蛍光体の成膜材料と付活剤の成膜材料とを独立して加熱／蒸発する、二元（多元）の真空蒸着により、蛍光体層１４を形成するのが好ましい。
例えば、輝尽性蛍光体として前記ＣｓＢｒ：Ｅｕを用いる場合であれば、蛍光体の成膜材料として臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を、付活剤の成膜材料として臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒx（ｘは、通常、２〜３であるが、２が好ましい））を用いる二元の真空蒸着を行なうのが好ましい。
【００３９】
また、蛍光体層１４を真空蒸着で形成する際に、真空蒸着における加熱方法には、特に限定はなく、例えば、電子銃等を用いる電子線加熱、または、抵抗加熱で形成されたものでもよい。さらに、多元の真空蒸着を利用する場合には、全ての材料を同様の同じ加熱手段（例えば、電子線加熱）で加熱蒸発してもよく、あるいは、蛍光体の材料は電子線加熱で、微量である付活剤の材料は抵抗加熱で、それぞれ加熱蒸発して形成されてもよい。
【００４０】
また、蛍光体層１１４の形成条件（成膜条件）にも、特に限定はなく、用いる気相堆積法の種類、使用する成膜材料、加熱手段等に応じて、適宜、決定すればよい。
ここで、本発明の変換パネル１０においては、前述した各種の輝尽性蛍光体、特にアルカリハライド系輝尽性蛍光体、中でも特に前記一般式「ＣｓＸ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体、その中でも特にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層１４を真空蒸着によって形成する場合には、一旦、系内を高い真空度に排気した後、アルゴンガスや窒素ガス等を系内に導入して、０．０１〜３Ｐａ程度の真空度（以下、便宜的に中真空とする）とし、この中真空下で抵抗加熱等によって成膜材料を加熱して真空蒸着を行うのが好ましい。
前述のように、本発明の変換パネル１０の蛍光体層１４は、互いに独立した柱状結晶によって形成されるが、このような中真空下で成膜して得られる蛍光体層１４、特に、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ等のアルカリハライド系の蛍光体層１４は、特に良好な柱状の結晶構造を有し、輝尽発光特性や画像の鮮鋭性等の点で好ましい。
【００４１】
ここで、前述のような、柱状結晶の柱径分布が２以上のピークを有する蛍光体層１４は、２以上の異なる径の円柱状の凸部を形成してなる凹凸状の表面を有し、かつ、この前記凸部の最大径をＲ、その他の凸部の径をｒとした際に「０．４Ｒ≦ｒ≦０．８Ｒ」を満たす基板１２を用いて、この基板１２に真空蒸着等の気相堆積法によって蛍光体層を形成する、本発明の製造方法で安定して作製できる。
また、より確実に蛍光体層１４を形成する柱状結晶の柱径分布が２ピーク以上となり、かつ、より好適に柱径分布が２ピーク以上であることの効果を得られる等の点で、基板１２の凸部は、目的とする柱径分布に応じた径の凸部がパターン化された状態で形成されるのが好ましく、特に、各径の凸部が、所定の順番で、かつ所定の間隔（ピッチ）で配列された状態で形成されるのが好ましい。
さらに、前述のように、蛍光体層１４の柱径分布のピークの数は、１５以下であるのが好ましいので、基板１２に形成される凸部の径も１５種以下、特に、２〜５種であるのが好ましい。
【００４２】
互いに独立した柱状結晶を好適に作成するために、多数の凸部を有する基板を用いて、気相堆積法で蛍光体層を形成する技術が知られている。このような蛍光体層の形成では、一般的に、結晶は凸部から優先的に成長し、その結果、好適に、互いに独立した柱状結晶を形成することができる。
例えば、本件出願人による前記特許文献５（特開２００４−３９５５号公報）には、表面に多数の凸部を有する基板（支持体）を用い、この凸部を起点に成長させた柱状結晶のみからなる、互いの界面が明確で光学的に独立した柱状結晶で形成される蛍光体層を有することにより、非常に優れた鮮鋭性を有する変換パネルが開示されている。
【００４３】
ここで、このような凸部から成長した柱状結晶の柱径は、基本的に、凸部の径に依存し、蛍光体層の形成条件が同じであれば、小さな径の凸部から成長した柱状結晶の径が、大きな径の凸部から成長した柱状結晶よりも大きな径となることは、ほとんど無い。
従って、目的とする柱径分布に応じて、互いに径が異なる２種以上の凸部がパターン化して形成された凹凸状の基板１２を用いることにより、柱径分布が２以上のピークを有する蛍光体層１４を、好適に作製できる。さらに、凸部の最大径Ｒと、その他の凸部の径ｒとが「０．４Ｒ≦ｒ≦０．８Ｒ」を満たすことにより、大きな径の柱状結晶と小さな径の柱状結晶とのバランスも、好適にできる。
なお、本発明において、凸部の径には、特に限定は無いが、凸部の径が大きすぎると、凸部から成長する柱状結晶が、凸部の径に依存せず、凸部に細い柱状結晶が複数本できてしまうため、凸部から成長する柱状結晶が、凸部の径に依存する範囲で、適宜、決定される。
【００４４】
なお、凸部を円柱ではなく、角柱、好ましくは四角柱以上の多角柱状として、サイズ（上面のサイズ）の異なる凸部をパターンニングして形成した基板を用いても、同様に、柱径分布が２以上のピークを有する蛍光体層１４を作製できる。
なお、この際において、凸部の柱径Ｒおよびｒは、対角線（正多角形ではない場合は、最長と最短の平均）とすればよい。
【００４５】
あるいは、異なる柱径（サイズ）の凸部を形成するのではなく、同じ柱径の凸部を形成した凹凸状の基板を用いる蛍光体層の形成において、凸部の柱径、凸部のピッチ（中心の間隔）、凸部の間隔、凸部の高さ、凸部の柱径とピッチとの比等を、互いに調整することによって、柱径分布が２以上のピークを有する蛍光体層１４を作製することもできる。
ここで、このように凸部のサイズやピッチ、凸部の高さ等を調整して柱径分布が２以上のピークを有する蛍光体層１４を作製する場合には、凸部の高さが極めて重要であり、凸部の高さを０．８μｍ以下とする必要がある。
【００４６】
前述のように、基板１２の表面に凸部を有することにより、この凸部が起点となって柱状結晶が成長する。ここで、この凸部の高さが高いほど、柱状結晶の成長の選択性が高くなり、基板１２に形成した凸部が０．８μｍ超、特に１μｍ以上であると、この凸部のみから結晶が成長する。その結果、特許文献５に示されるように、凸部を起点とする同じ柱径の柱状結晶が、密に形成される。
これに対し、凸部の高さを０．８μｍ以下とすることにより、凸部に対する柱状結晶の選択性が低くなり、凸部以外の基板表面（凹部）からも柱状結晶が成長する。しかしながら、やはり、柱状結晶の成長の選択性は、凸部の方が高いので、柱状結晶は凸部が優先的に成長する。そのため、凸部を起点に成長する柱状結晶は、凸部以外の基板表面から成長する柱状結晶よりも柱径が太くなる。その結果、凸部から成長した柱状結晶と、それ以外の基板表面から成長した柱状結晶とで柱径が異なる、柱径分布が２以上のピークを有する蛍光体層１４を作製することができる。
【００４７】
但し、あまりに凸部の高さが低いと、凸部を有さない基板と同様になってしまうので、凸部の高さは、０．１μｍ以上とする必要がある。
【００４８】
基板１２に、このような凸部（凹凸）を形成する方法には、特に限定はなく、公知の各種の加工方法が利用可能である。
一例として、半導体製造などに用いられているフォトリソグラフィ技術を利用して、フォトレジストで形成する凸部に応じたパターンを形成し、フォトレジストをマスクとするエッチング等によって、基板１２に目的とする凸部パターン（凹凸パターン）を形成する方法が好適に例示される。
あるいは、基板１２の表面をサンドブラスト処理して、凹凸パターンを形成する方法も、利用可能である。
【００４９】
また、柱状結晶の柱径分布が２以上のピークを有する蛍光体層１４の形成方法としては、基板１２に温度分布を設けて蛍光体層１４を形成する方法も、利用可能である。
一般的に、基板温度が高い方が、太い柱径の柱状結晶が成長する。そのため、例えば、基板が点状の高温部および／または低温部を有する状態で、蛍光体層を形成することにより、柱状結晶の柱径分布が２以上のピークを有する蛍光体層１４を形成できる。
基板１２に温度分布を持たせる方法としては、各種の方法が利用可能である。一例として、真空蒸着装置などの蛍光体層の形成装置の基板ホルダに、基板の裏面に接触して、基板を加熱あるいは放熱する温度調整手段を設け、基板の裏面、もしくは、ホルダの基板との接触面に凹凸を設けて、ホルダと基板との接触を点接触とすることにより、基板１２に温度分布を持たせる方法が例示される。
【００５０】
このようにして、基板１２上に蛍光体層１４を形成したら、必要に応じて、アニーリング（熱処理）を行なう。
また、基板１２への蛍光体層１４の形成に先立ち、プラズマ洗浄等によって基板１２の表面を清浄化するのも好ましい。
【００５１】
図示例の変換パネル１０は、好ましい態様として、蛍光体層１４の表面を全面的に覆って、蛍光体層１４を密閉的に封止する保護層２０を有する。
【００５２】
気相堆積法で形成した蛍光体層、特に、前述のアルカリハライド系の輝尽性蛍光体は、吸湿性が高く、吸湿によって容易に劣化してしまう。
そのため、本発明の変換パネル１０においては、蛍光体層の吸湿を防止するために、図１に示すように、防湿性（非水分透過性）を有する保護層２０で、蛍光体層１４を全面的に覆って、密閉して封止するのが好ましい。
【００５３】
保護層２０は、十分な防湿性を有するものであれば、各種のものが利用可能であり、特に限定はない。
一例として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、ＳｉＯ2膜と、ＳｉＯ2およびＰＶＡ（ポリビニルアルコール）のハイブリット層と、ＳｉＯ2膜との３層を形成してなる保護層２０が例示される。なお、このＳｉＯ2膜／ＳｉＯ2およびＰＶＡのハイブリット層／ＳｉＯ2膜の３層を形成した保護層２０において、例えば、ＳｉＯ2膜は、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ2とＰＶＡとのハイブリット層は、ＰＶＡとＳｉＯ2の比率が１：１となるようにゾルゲル法を用いて、それぞれ形成すればよい。
これ以外にも、ガラス板（フィルム）、ポリエチレンテレフタレートやポリカーボネート等の樹脂フィルム、樹脂フィルムにＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣなどの無機物質を堆積したフィルム等も好ましく例示される。
【００５４】
本発明の変換パネル１０においては、蛍光体層１４を保護層２０で全面的に覆って、蛍光体層１４の全周を囲んで接着層１８によって保護層２０と基板１２とを接着することにより、保護層２０で蛍光体層１４を全面的に覆って、密閉して封止すればよい。
しかしながら、基板１２と保護層２０のみならず、図１に示すように、柱状結晶層２８の表面にも接着層１８を設け、保護層２０を柱状結晶層２８にも接着するのが、より好ましい。このような構成とすることにより、保護層２０の浮き等を防止して、より機械的強度に優れた耐久性の高い変換パネル１０を得ることができる。
【００５５】
保護層２０を接着する接着層１８には、特に限定は無いく、十分な接着力を有するものが、各種、利用可能である。但し、図示例のように、柱状結晶層２８の表面にも接着層１８を設ける場合には、接着層１８は、輝尽発光光および励起光を十分に透過する光学特性を有するものを用いる必要が有る。
【００５６】
また、本発明においては、図４および図５に模式的に示すように、基板１２の表面に、蛍光体層１４を面方向（基板１２の面方向）に囲む枠体３２（例えば、四角筒状の枠体）を有し、この枠体３２（あるいはさらに蛍光体層１４）に保護膜２０を接着して、蛍光体層１４を全面的に密閉して封止してなる（放射線像）変換パネル３０も好ましい。
【００５７】
この変換パネル３０を製造する際には、まず、基板１２に枠体３２を固定する。ここで、図示例においては、好ましい態様として、基板１２の表面に溝１２ａを形成し、この溝１２ａに枠体３２を挿入して、基板１２に枠体３２を固定する。このような構成を有することにより、枠体３２の位置制度を向上できると共に、枠体３２の位置決め作業等をより容易にでき、好ましい。
なお、本発明は、これに限定はされず、溝１２ａを設けずに基板１２に枠体３２を固定してもよいのは、もちろんである。また、枠体３２の固定方法も、接着剤を用いる方法、ハンダを用いる方法、溝１２ａを有する場合には溝１２ａに嵌合する方法等、基板１２および枠体３２の材料や形状に応じた、各種の方法が利用可能である。
【００５８】
次いで、マスキングを行なって、真空蒸着等の気相堆積法によって、枠体３２で囲まれた領域内に、前述のようにして蛍光体層１４を形成する。
蛍光体層１４の形成が終了したら、必要に応じてアニーリングを行なった後、枠体３２の上に接着層１８を形成し、枠体３２および蛍光体層１４を保護層２０で覆って、熱ラミネーション等によって保護層２０を枠体３２に接着することにより、枠体２４と保護層２０とで、蛍光体層１４を全面的に覆って、密閉して封止して、変換パネル３０とする。ここで接着層１８は、枠体３２の上面のみに設けて、枠体３２と保護層２０のみを接着してもよいが、図示例のように、蛍光体層１４の表面にも接着層１８を設け、蛍光体層１４と保護層２０も、接着層１８で接着するのが好ましいのは、先の例と同様である。
このような枠体３２を設け、この枠体３２に保護層２０を接着することにより、保護層２０による封止時に、蛍光体層１４の表面と保護層２０の接着面とを略同一平面状にすることができるので、保護層２０による封止を、より容易かつ両結晶層にダメージを与えることなく行なうことが可能になる。
【００５９】
以上、本発明の放射線画像変換パネルおよび放射線画像変換パネルの製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいのは、もちろんである。
【実施例】
【００６０】
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないのは言うまでもない。
【００６１】
［実施例１］
付活剤の成膜材料として臭化ユーロピウムを、蛍光体の成膜材料として臭化セシウムを、それぞれ用いる二元の真空蒸着によって、図１に示す蛍光体層１４を有する変換パネル１０を作製した。
【００６２】
面積４５０×４５０ｍｍのアルミニウム製の板（厚さ１０ｍｍ）を用意した。
このアルミニウム板の表面（蛍光体層の形成面）の全面に、図６（Ａ）に示すように、５μｍ間隔の格子の交点を中心として、柱径が３．５μｍで高さが０．５μｍの円柱状の凸部を形成して、基板１２とした。なお、凸部（凹凸）は、フォトリソグラフィによって形成した。
【００６３】
この基板１２を真空蒸着装置の基板ホルダにセットし、また、所定位置に各成膜材料をセットし、さらに、成膜領域が基板１２の中央の４３０×４３０ｍｍとなるように基板１２の表面をマスキングした。なお、基板ホルダは、基板を裏面（蛍光体層の非形成面）から加熱する加熱ヒータを有する。
なお、両成膜材料共に、加熱は、タンタル製のルツボと出力６ｋＷのＤＣ電源とを用いる抵抗加熱装置で行った。なお、ルツボの設置位置の上部には、ルツボから蒸発した成膜材料を遮蔽するシャッタが設置されている。また、蛍光体の成膜材料を収容したルツボには、温度測定手段を設けた。
【００６４】
基板を基板ホルダにセットした後、真空チャンバを閉塞し、排気を開始した。排気は、ディフュージョンポンプおよびクライオコイルを用いた。なお、シャッタは閉塞状態となっている。
真空度が８×１０-4Ｐａとなった時点で、真空チャンバ内にアルゴンガスを導入して真空度を２．６Ｐａとし、次いで、ＤＣ電源を駆動してルツボに通電して、成膜材料を溶解した。なお、臭化セシウムの溶解は６７０℃で行った。また、臭化ユーロピウムは、臭化ユーロピウムが溶解する温度まで電力を上げて、完全に溶解した後、臭化ユーロピウムが蒸発しない温度まで投与電力を落した。なお、臭化ユーロピウムの溶解のための投与電力は、予め行なった臭化ユーロピウムの溶融実験に応じて制御した。
【００６５】
成膜材料の溶解を開始して６０分が経過した時点で、臭化セシウムを充填したルツボに対応するシャッタのみを開放して、基板１２の表面に蛍光体層１４（母体領域）の蒸着を開始した（すなわち、臭化セシウムの蒸発温度は６７０℃）。
シャッタの開放と同時に、加熱ヒータによって基板１２を１６０℃に加熱した。また、ルツボに印加する電力は、臭化セシウムの基板１２への蒸着速度が６μｍ／分となるように調整した。
【００６６】
層厚が５０μｍとなった時点で、一旦、シャッタを閉塞して、アルゴンガスの導入量を調整して真空チャンバ内の圧力（Ａｒガス圧）を０．８Ｐａとし、また、予め調べた、蛍光体層におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が０．００１：１となる電力まで、臭化ユーロピウム（そのルツボ）への投与電力を上昇した。
次いで、臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムを充填したルツボに対応するシャッタを開放して、蛍光体層１４の形成を再開（輝尽性蛍光体の蒸着を開始）した。
【００６７】
蛍光体層１４の層厚が７００μｍとなった時点で、ＤＣ電源を停止してルツボへの通電を停止し、蛍光体層１４の形成を終了した。
次いで、真空チャンバ内が大気圧なるまで乾燥した空気を導入し、大気開放状態で状態で放置して蛍光体層の冷却を行い、冷却を終了した後、基板１２（変換パネル１０）を基板ホルダから取り外して真空チャンバから取り出し、窒素雰囲気下で２００℃で２時間のアニーリングを行なって、変換パネルを作製した。
【００６８】
得られた変換パネルについて、図７に模式的に示すように、基板１２（蛍光体層の形成領域）を縦横に４等分した角部近傍の交点の４点、および、中央の交点（基板中心）を中心に、５０×６０μｍの電子顕微鏡写真を撮影した。撮影した５枚の写真の柱状結晶の柱径（長径と短径との平均柱径）を測定して、柱径分布を得た。柱径分布は、０．１μｍピッチ（間隔）で作成し、また、最も高いピークを１とする相対度数で示した。
この変換パネルの電子顕微鏡写真（顕微鏡写真の画像データをプリント出力した画像）の１枚を図８（Ａ）に、柱径分布を図８（Ｂ）に、それぞれ示す。図８（Ｂ）に示すように、この変換パネルの蛍光体層を形成する柱状結晶の柱径分布は、２つのピークを有している。
【００６９】
［実施例２］
基板１２に形成した凸部の高さを０．８μｍとした以外は、実施例１と全く同様にして変換パネルを作製した。
作製した変換パネルについて、実施例１と全く同様にして柱径分布を得た。この変換パネルの電子顕微鏡写真の１枚を図９（Ａ）に、柱径分布を図９（Ｂ）に、それぞれ示す。図９（Ｂ）に示すように、この変換パネルの蛍光体層を形成する柱状結晶の柱径分布は、２つのピークを有している。
【００７０】
［実施例３］
実施例１と同様のアルミニウム板に、図６（Ｂ）に示すように、５μｍ間隔の格子の交点を中心とする柱径（直径）が３．５μｍで高さが１μｍの円柱状の凸部、および、格子の中心を中心とする柱径が２．５μｍで高さが１μｍの円柱状の凸部を形成した。
なお、凸部の形成は、実施例１と同様に行なった。
【００７１】
この柱径の異なる２種の凸部を形成した基板１２を用いた以外は、実施例１と全く同様にして変換パネルを作製した。
作製した変換パネルについて、実施例１と全く同様にして柱径分布を得た。この変換パネルの電子顕微鏡写真の１枚を図１０（Ａ）に、柱径分布を図１０（Ｂ）に、それぞれ示す。図１０（Ｂ）に示すように、この変換パネルの蛍光体層を形成する柱状結晶の柱径分布は、２つのピークを有している。
【００７２】
［比較例１］
実施例１で用いた面積４５０×４５０ｍｍのアルミニウム板を、そのまま基板として用いた（すなわち、基板表面に凸部無し）以外は、実施例１と全く同様にして変換パネルを作製した。
作製した変換パネルについて、実施例１と全く同様にして柱径分布を得た。この変換パネルの電子顕微鏡写真の１枚を図１１（Ａ）に、柱径分布を図１１（Ｂ）に、それぞれ示す。図１１（Ｂ）に示すように、この変換パネルの蛍光体層を形成する柱状結晶の柱径分布は、１のピークしか有していない。
【００７３】
［比較例２］
凸部を形成する格子の間隔を３μｍとし、凸部の柱径を２．５μｍとし、凸部の高さを１μｍとした以外は、実施例１と全く同様にして変換パネルを作製した。
作製した変換パネルについて、実施例１と全く同様にして柱径分布を得た。この変換パネルの電子顕微鏡写真の１枚を図１２（Ａ）に、柱径分布を図１２（Ｂ）に、それぞれ示す。図１２（Ｂ）に示すように、この変換パネルの蛍光体層を形成する柱状結晶の柱径分布は、１のピークしか有していない。
【００７４】
このようにして得られた実施例１〜３、ならびに、比較例１および２の変換パネルについて、感度（ＰＳＬ感度（輝尽発光量(Photostimulated Luminescence)）、鮮鋭性（ＭＴＦ）、およびＤＱＥ（Detective Quantum Efficiency 検出粒子効率）を測定した。
【００７５】
［感度］
変換パネル１０を遮光性のカセッテに収容して、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を約１ｍＲ照射した。
Ｘ線照射後、暗室でカセッテから変換パネルを取り出し、半導体レーザ光（波長６６０ｎｍ：１０ｍＷ）を励起光として蛍光体層に照射し、蛍光体層が発する輝尽発光光を測定した。なお、輝尽発光光の測定は、励起光カットフィルタ（ＨＯＹＡ（株）製  Ｂ４１０）を通して励起光と輝尽発光光とを分離して、光電子増倍管を用いて輝尽発光光を測定することで行なった。
感度の評価は、比較例１のＰＳＬ感度を１００とする相対評価で行なった。
【００７６】
［鮮鋭度］
変換パネルの表面にＭＴＦチャートを密着した状態で、遮光性のカセッテに収容して、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を約１０ｍＲ照射した。
Ｘ線照射後、暗室でカセッテから変換パネルを取り出し、放射線画像を読み取った。なお、放射線画像の読み取りは、前記ＰＳＬ感度の評価における輝尽発光光の測定と同様にして行なった。
得られた放射線画像をディスプレイに再生して、ＭＴＦを測定した。なお、ＭＴＦは、１ＬＰ／１ｍｍの相対値で評価した。
【００７７】
［ＤＱＥ］
変換パネル１０の表面にＭＴＦチャートを密着した状態で、遮光性のカセッテに収容して、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を約１ｍＲ照射した。Ｘ線照射後、暗室でカセッテから変換パネルを取り出し、放射線画像を読み取った。なお、放射線画像の読み取りは、前記ＰＳＬ感度の評価における輝尽発光光の測定と同様にして行なった。得られた放射線画像をディスプレイに再生して、鮮鋭度（ＭＴＦ）を測定した。
他方、変換パネル１０を遮光性のカセッテに収容して、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を約１ｍＲ照射した。Ｘ線照射後、暗室でカセッテから変換パネルを取り出し、先と同様にして放射線画像を読み取った。得られた放射線画像をディスプレイに再生して、粒状値（ウイナースペクトル）を測定した。
得られた鮮鋭度と粒状値から、ＤＱＥを算出した。
なお、ＤＱＥは、比較例１を１００とする、１ＬＰ／１ｍｍの時の相対値で評価した。
各測定結果を下記表１に示す。
【００７８】
【表１】
2008014892.tif 000003
【００７９】
上記表１に示されるように、蛍光体層を形成する柱状結晶の柱径分布が２つのピークを有する本発明の変換パネルは、柱径分布が１つのピークしか有さない従来の変換パネルである比較例に比して、感度、鮮鋭性、およびＤＱＥ（画質）が、共に優れたものであり、すなわち、優れた特性を有する変換パネルである。
以上の結果より、本発明の効果は、明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の放射線画像変換パネルの一例の模式図である。
【図２】図２に示す放射線画像変換パネルの蛍光体層の表面の模式図である。
【図３】図２に示す放射線画像変換パネルの蛍光体層を形成する柱状結晶の柱径分布を概念的に示す図である。
【図４】本発明の放射線画像変換パネルの別の例の模式図である。
【図５】図４に示す放射線画像変換パネルを概念的に示す斜視図である。
【図６】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の実施例に用いた基板を説明するための概念図である。
【図７】本発明の実施例における柱径分布測定方法を説明するための概念図である。
【図８】（Ａ）は、本発明の実施例の蛍光体層の顕微鏡写真の画像データをプリントとして出力した画像、（Ｂ）は、（Ａ）に示す蛍光体層を形成する柱状結晶の柱径分布である。
【図９】（Ａ）は、本発明の実施例の蛍光体層の顕微鏡写真の画像データをプリントとして出力した画像、（Ｂ）は、（Ａ）に示す蛍光体層を形成する柱状結晶の柱径分布である。
【図１０】（Ａ）は、本発明の実施例の蛍光体層の顕微鏡写真の画像データをプリントとして出力した画像、（Ｂ）は、（Ａ）に示す蛍光体層を形成する柱状結晶の柱径分布である。
【図１１】（Ａ）は、本発明の比較例の蛍光体層の顕微鏡写真の画像データをプリントとして出力した画像、（Ｂ）は、（Ａ）に示す蛍光体層を形成する柱状結晶の柱径分布である。
【図１２】（Ａ）は、本発明の比較例の蛍光体層の顕微鏡写真の画像データをプリントとして出力した画像、（Ｂ）は、（Ａ）に示す蛍光体層を形成する柱状結晶の柱径分布である。
【符号の説明】
【００８１】
１０，３０  （放射線画像）変換パネル
１２  基板
１４  蛍光体層
１８  接着層
２０  保護層
３２  枠体
【図１】
2008014892.tif 000004
【図２】
2008014892.tif 000005
【図３】
2008014892.tif 000006
【図４】
2008014892.tif 000007
【図５】
2008014892.tif 000008
【図６】
2008014892.tif 000009
【図７】
2008014892.tif 000010
【図８】
2008014892.tif 000011
【図９】
2008014892.tif 000012
【図１０】
2008014892.tif 000013
【図１１】
2008014892.tif 000014
【図１２】
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