(57)【要約】【課題】不良素子の位置を容易に特定することができるマーキング方法を提供する。【解決手段】所定配列された複数の光電変換素子１３ａを有する撮像装置の不良解析用の指標を形成するためのマーキング方法であって、複数の光電変換素子１３ａのうち一部の光電変換素子１３ａの受光面の表面形状をその他の光電変換素子１３ａの受光面の表面形状と異ならせ、その形状を不良解析用の指標２０とした。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定配列された複数の受光素子を有する撮像装置の不良解析用の指標を形成するためのマーキング方法であって、
前記複数の受光素子のうち一部の受光素子の受光面の表面形状をその他の受光素子の受光面の表面形状と異ならせ、その形状を前記不良解析用の指標とすることを特徴とするマーキング方法。
【請求項２】
前記受光素子の受光面に受光光束を集光させるマイクロレンズが前記受光素子の受光面に対向配置されていることを特徴とする請求項１記載のマーキング方法。
【請求項３】
前記指標はスタンパを用いて形成されることを特徴とする請求項１又は２記載のマーキング方法。
【請求項４】
前記指標はフォトリソグラフィで形成されることを特徴とする請求項１又は２記載のマーキング方法。
【請求項５】
前記指標は前記所定配列された複数の受光素子のうちの有効な画像信号を生成する領域の少なくとも一部に、予め定められたＮ画素おき（Ｎは２以上の自然数）に配置されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のマーキング方法。
【請求項６】
前記指標は前記所定配列された複数の受光素子のうちの有効な画像信号を生成する領域の少なくとも一部に、前記指標と異なる形状の他の指標を予め定められたＮのＭ乗画素おき（Ｍは２以上の自然数）に配置することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のマーキング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はマーキング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、固体撮像装置の不良解析法として、その受光面を光学顕微鏡で検査する方法が知られている。
【０００３】
この種の検査方法では、観察者は受光面の周辺回路部分からメタル層の特徴的なパターンを見つけ出し、このパターンを固体撮像装置の受光面における撮像素子（以下素子という）の位置を特定するための指標として利用する。メタル層の特徴的なパターンを指標として利用することによって、不良素子の位置を効率良く特定することができる。
【０００４】
また、素子の異常出力から、不良素子の位置を特定する方法もある。この方法によれば、観察者はメタル層の特徴的なパターンの位置を指標とすることで、不良素子の位置を光学顕微鏡で迅速に見つけ出すことができる。
【０００５】
ところで、固体撮像素子は近年ますます微細化しており、その不良解析には分解能が高い電子顕微鏡を用いることが考えられる。
【特許文献１】特開２００３−２３２７４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、電子顕微鏡では試料の表面段差しか検出できないため、表面下に設けられたメタル層のパターンを見つけ出すことができない。したがって、電子顕微鏡では光学顕微鏡のように簡単に不良素子の位置を特定することはできない。また、視野の狭い電子顕微鏡では、試料の移動を細かく繰り返しながら、膨大な数の素子を全て数えなければならず、不良素子の位置の特定は事実上不可能であった。
【０００７】
この発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その課題は不良素子の位置を容易に特定することができるマーキング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため請求項１記載の発明は、所定配列された複数の受光素子を有する撮像装置の不良解析用の指標を形成するためのマーキング方法であって、前記複数の受光素子のうち一部の受光素子の受光面の表面形状をその他の受光素子の受光面の表面形状と異ならせ、その形状を前記不良解析用の指標とすることを特徴とする。
【０００９】
請求項２記載の発明は、請求項１記載のマーキング方法において、前記受光素子の受光面に受光光束を集光させるマイクロレンズが前記受光素子の受光面に対向配置されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載のマーキング方法において、前記指標はスタンパを用いて形成されることを特徴とする。
【００１１】
請求項４記載の発明は、請求項１又は２記載のマーキング方法において、前記指標はフォトリソグラフィで形成されることを特徴とする。
【００１２】
請求項５記載の発明は、請求項１〜４のいずれか１項記載のマーキング方法において、前記指標は前記所定配列された複数の受光素子のうちの有効な画像信号を生成する領域の少なくとも一部に、予め定められたＮ画素おき（Ｎは２以上の自然数）に配置されることを特徴とする。
【００１３】
請求項６記載の発明は、請求項１〜５のいずれか１項記載のマーキング方法において、前記指標は前記所定配列された複数の受光素子のうちの有効な画像信号を生成する領域の少なくとも一部に、前記指標と異なる形状の他の指標を予め定められたＮのＭ乗画素おき（Ｍは２以上の自然数）に配置することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば不良素子の位置を容易に特定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１はこの発明の一実施形態に係るマーキング方法によって不良解析用の指標が形成された撮像装置の平面図、図２は図１のＡ部の拡大図、図３は図２のIII―III´線に沿う断面を示す概念図、図４はスタンパを用いて受光面の表面形状を変化させた後のＡ部の拡大図、図５は図４のＶ―Ｖ´の線に沿う断面を示す概念図である。
【００１７】
撮像装置１１は複数の光電変換素子（受光素子）１３ａとマイクロレンズ層１４と基板１０とを有する。基板１０の表面に形成されたマイクロレンズ層１４にはマイクロレンズ１４ａが形成されている。
【００１８】
光電変換素子１３ａとマイクロレンズ１４ａは撮像装置１１にマトリックス状に配列されている。マイクロレンズ１４ａと光電変換素子１３ａの受光面とは相対する。マイクロレンズ１４ａは画素単位で受光光束を光電変換素子１３ａの受光面に集光させ、光電変換素子１３ａの受光効率を高める。
【００１９】
光電変換素子１３ａは受光光束を画素単位で光電変換して画像信号を生成する。
【００２０】
撮像装置１１の受光面は有効画素領域１３と外周域（図１の斜線部分）１５とに区画されている。有効画素領域１３では有効な画像信号が生成されるが、外周域１５では有効な画像信号は生成されない。
【００２１】
外周域１５には図示しないが、オプチカルブラック領域、周辺回路が設けられている。オプチカルブラック領域には遮光状態の光電変換素子１３ａが配置され、暗黒の基準信号レベルが得られる。また、周辺回路は画像信号を読み出すための回路であり、垂直読出し回路、水平読出し回路等を有する。
【００２２】
次に、不良解析用の指標を形成するためのマーキング方法を説明する。
【００２３】
マーキング（指標を形成すること）はスタンパ（図示せず）を用いて有効画素領域１３内の複数のマイクロレンズ１４ａのうちのいくつかを一度に破壊することによって行われる。破壊されたマイクロレンズ１４ａの形状は破壊されないマイクロレンズ１４ａの形状と異なるので（図４，５参照）、破壊されたマイクロレンズ１４ａを不良解析用の指標２０，２１とすることができる。この指標２０，２１はマイクロレンズ層１４の表面の凹凸（段差）であるため（図５参照）、指標２０を電子顕微鏡（図示せず）で検出することができる。
【００２４】
指標２０，２１は有効画素領域１３内の全領域に所定の規則性をもって配置されるため、指標２０，２１によって撮像装置１１の受光面上の不良素子の位置を特定することができる。指標２０は、例えば図４に示すように３画素おき（３画素に１個）に形成される。しかし、それに限らず、指標２０はＮ画素おき（Ｎは２以上の自然数）に形成すればよい。また、指標２１は有効画素領域１３内の全領域にＮのＭ（Ｍは２以上の自然数）乗画素おき（例えば１００画素おき、１０００画素おき、１００００画素おき等）に形成される。図４では、指標２０，２１が有効画素領域１３内の全領域にグリッド状に形成されている。なお、指標２１を形成するスタンパの押印部のパターンは指標２０だけを形成するときのスタンパの押印部のパターンと相違する。
【００２５】
この実施形態によれば、有効画素領域１３中の指標２０，２１を電子顕微鏡で見つけ出すことができるので、指標２０，２１の位置を利用して電子顕微鏡の視野内で不良素子の位置を容易に特定することができる。また、一様に並ぶマイクロレンズ１４ａに対して異なる配置の指標２０，２１は視覚的に目立つため、顕微鏡観察において不良素子を見つけ易い。更に、指標２１を用いて大まかに不良素子の位置を特定し、指標２０を用いて細かく不良素子の位置を特定するようにすれば、より効率的に不良素子の位置を特定することができる。その結果、画像不良の原因究明を効率よく行うことができる。
【００２６】
なお、図示しないが、指標の形成方法として、上記実施形態のようにスタンパを用いて有効画素領域１３内のマイクロレンズ１４ａを破壊することによって指標２０，２１を形成する代わりに、フォトリソグラフィ（ＩＣ製造で各種の材料薄膜を形状加工するため、パターンを形成する方法）を採用してもよい。
【００２７】
フォトリソグラフィを用いて指標を形成しても上記実施形態と同様の効果を奏する。
【００２８】
また、上記実施形態では人間が顕微鏡観察によって指標を見つける場合を前提として説明したが、例えば顕微鏡で取得した画像を画像処理することによって指標を見つけるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１はこの発明の一実施形態に係るマーキング方法によって不良解析用の指標が形成された撮像装置の平面図である。
【図２】図２は図１のＡ部の拡大図である。
【図３】図３は図２のIII―III´線に沿う断面を示す概念図である。
【図４】図４はスタンパを用いて受光面の表面形状を変化させた後のＡ部の拡大図である。
【図５】図５は図４のＶ―Ｖ´線に沿う断面を示す概念図である。
【符号の説明】
【００３０】
１１：撮像装置、１３：有効画素領域、１３ａ：光電変換素子（受光素子）、１４ａ：マイクロレンズ、２０，２１：指標。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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