(57)【要約】【課題】高密度記録化を図りつつ、双方向記録再生が可能で、しかも、記録再生時におけるスペーシングロスの発生を回避し得る磁気記録媒体を提供する。【解決手段】複数のカラム５をそれぞれ有すると共に磁化容易軸が相反する方向（矢印Ａ１，Ａ２の方向）に傾いている第１磁性層３および第２磁性層４が非磁性支持体２の上にこの順で形成され、両磁性層３，４は、各カラム５における基端部側のそれぞれの一部で構成された初期成長部３ａ，４ａと、各カラム５における先端部側のそれぞれの他の一部で構成された後期成長部３ｂ，４ｂとを備え、初期成長部３ａ，４ａは各カラム５が非磁性支持体２の厚み方向に成長することで形成され、後期成長部３ｂ，４ｂは各カラム５が非磁性支持体２の長手方向に沿って傾斜しつつ側面視円弧状となるように成長することで形成されている。【選択図】図１
2008065917.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のカラムをそれぞれ有すると共に磁化容易軸が相反する方向に傾いている第１の金属薄膜磁性層および第２の金属薄膜磁性層が非磁性支持体の上にこの順で形成され、
前記両金属薄膜磁性層は、前記各カラムにおける基端部側のそれぞれの一部で構成された初期成長部と、前記各カラムにおける先端部側のそれぞれの他の一部で構成された後期成長部とを備え、
前記初期成長部は前記各カラムが前記非磁性支持体の厚み方向に成長することで形成され、
前記後期成長部は前記各カラムが前記非磁性支持体の長手方向に沿って傾斜しつつ側面視円弧状となるように成長することで形成されている磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第２の金属薄膜磁性層の厚みに対する前記第１の金属薄膜磁性層の厚みの比が０．６０以上２．１０以下の範囲内となるように形成されている請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記両金属薄膜磁性層は、前記後期成長部の厚みに対する前記初期成長部の厚みの比が０．０８以上０．１５以下の範囲内となるように形成されている請求項１または２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
非磁性支持体を周面に添わせて走行させつつ冷却する回転冷却ドラムと、金属材料を収容するるつぼと、当該るつぼ内の前記金属材料に向けて電子ビームを照射して蒸発させる電子銃と、前記回転冷却ドラムの周面に沿って配設されて前記非磁性支持体に前記金属材料を蒸着させる蒸着領域を規定するマスクとを備え、前記蒸着領域内において前記非磁性支持体に前記金属材料を蒸着させる蒸着処理を２回に亘って実行することで、複数のカラムをそれぞれ有すると共に磁化容易軸が相反する方向に傾いている第１の金属薄膜磁性層および第２の金属薄膜磁性層を当該非磁性支持体の上にこの順で形成して磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体製造装置であって、
前記蒸着領域における蒸着開始点側に酸素ガスを供給する酸素ガス供給部を備え、前記蒸着処理時において、前記酸素ガス供給部から前記蒸着開始点側に前記酸素ガスを供給することで前記各カラムを前記非磁性支持体の厚み方向に成長させて当該各カラムにおける基端部側のそれぞれの一部で構成された初期成長部を形成すると共に、前記蒸着開始点から前記蒸着領域における蒸着終了点までの間において前記各カラムを当該非磁性支持体の長手方向に沿って傾斜させつつ側面視円弧状となるように成長させて当該各カラムにおける先端部側のそれぞれの他の一部で構成された後期成長部を形成する磁気記録媒体製造装置。
【請求項５】
複数のカラムをそれぞれ有すると共に磁化容易軸が相反する方向に傾いている第１の金属薄膜磁性層および第２の金属薄膜磁性層を非磁性支持体の上にこの順で形成して磁気記録媒体を製造する際に、回転冷却ドラムの周面に沿って前記非磁性支持体を走行させると共に、当該回転冷却ドラムの周面に規定した蒸着領域内において蒸発させた金属材料を当該非磁性支持体に蒸着させる蒸着処理を２回に亘って実行することで前記両金属薄膜磁性層を順次形成する磁気記録媒体製造方法であって、
前記蒸着処理時において、前記蒸着領域における蒸着開始点側に酸素ガスを供給することで前記各カラムを前記非磁性支持体の厚み方向に成長させて当該各カラムにおける基端部側のそれぞれの一部で構成された初期成長部を形成すると共に、前記蒸着開始点から蒸着終了点までの間において当該各カラムを当該非磁性支持体の長手方向に沿って傾斜させつつ側面視円弧状となるように成長させて当該各カラムにおける先端部側のそれぞれの他の一部で構成された後期成長部を形成する磁気記録媒体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁化容易軸が相反する方向に傾いている第１の金属薄膜磁性層および第２の金属薄膜磁性層が非磁性支持体の上にこの順で形成された磁気記録媒体、並びに、その磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体製造方法および磁気記録媒体製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
記録データのサイズアップに伴い、今日の情報媒体では、高密度記録化が重要な課題となっている。この場合、バックアップメディアとして市場に流通している磁気テープの多くは、いわゆる塗布型の磁気記録媒体であって、磁性粉を結合するためのバインダー（樹脂材料）が磁性層中に含まれている分だけ飽和磁化量が小さくなっている。また、バインダーを含んでいる分だけ、磁性層を薄厚とするのが困難であるため、その巻き径が大きくなっている。したがって、塗布型の磁気記録媒体では、一層の高密度記録化を図るのが困難であると共に、カートリッジケース内の限られた収容空間内に長尺の磁気記録媒体を収容するのが困難となっている。
【０００３】
一方、バインダーを含ませることなく磁性層を形成した磁気記録媒体として、非磁性支持体上に真空中で磁性体を蒸着させて磁性層を形成した蒸着型の磁気記録媒体が知られている。この蒸着型の磁気記録媒体では、磁性層を構成するカラム（磁性体の結晶粒の集合体）が非磁性支持体に対して傾いて成長することに起因して、磁性層の磁化容易軸が磁気記録媒体における主面の長手方向の一方に所定の角度で傾斜している。したがって、蒸着型の磁気記録媒体では、テープ走行方向の相違によって磁化特性が相違すると共に出力信号の信号レベルに大きな差異が生じるため、双方向記録再生が困難となっている。このため、この課題を解決すべく、各種の構成の蒸着型磁気記録媒体が提案されている。
【０００４】
例えば、特開平１１−３２８６４５号公報には、非磁性支持体の一方の面に第１の磁性層および第２の磁性層がこの順で形成されたテープ状の磁気記録媒体が開示されている。この場合、両磁性層は、真空蒸着法等の薄膜形成手法によってコバルト（Ｃｏ）を主成分とする金属材料で薄膜状に形成されている。また、この磁気記録媒体では、非磁性支持体に対して金属材料を斜めから蒸着させて（非磁性支持体に対してカラムを斜めに成長させて）両磁性層を形成する際に、第１の磁性層の磁化容易軸を磁気記録媒体における主面の長手方向の一方に所定の角度で傾斜させると共に、第２の磁性層の磁化容易軸を磁気記録媒体における主面の長手方向の他方に所定の角度で傾斜させることで、両磁性層における磁化容易軸が同一方向とはならないように両磁性層が形成されている。したがって、この磁気記録媒体では、両磁性層の磁化容易軸が相反する方向に傾いた状態となる結果、テープ走行方向の相違による磁化特性の相違や出力信号の信号レベルの差異が生じ難くなっている。これにより、この磁気記録媒体では、双方向記録再生が可能となっている。
【特許文献１】特開平１１−３２８６４５号公報（第３−７頁、第１，４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、従来の磁気記録媒体には、以下の問題点がある。すなわち、従来の磁気記録媒体では、非磁性支持体に対して金属材料を斜めから蒸着させることで両磁性層が形成されている。この場合、図８に示すように、この種の磁気記録媒体に使用される非磁性支持体２ｘ（一例として、高分子フィルム）における磁性層の形成面（同図における上面）には、テープ走行時における摺動抵抗を軽減し得る程度の大きさの凹凸をテープ表面（磁性層または、その上の保護層の表面）に生じさせるために、極く小さな凹部Ｚ１ａｘおよび凸部Ｚ１ｂｘが形成されている。これにより、磁性層等の形成時において、非磁性支持体２ｘの凹部Ｚ１ａｘおよび凸部Ｚ１ｂｘと同程度の大きさの凹部および凸部からなる凹凸をテープ表面に形成しようとしている。なお、以下の説明において、従来の磁気記録媒体に関する構成要素については符号の末尾に「ｘ」を付して説明する。また、非磁性支持体としては、磁性層が形成される面とは反対側の面（バックコート層の形成面）に、例えばフィラーを混入させた樹脂材料の層が形成されて、磁気記録媒体の製造時における非磁性支持体の走行性（バックコート層の形成が完了するまでの間の磁気記録媒体の走行性）を向上させるための凹凸が形成されているものがある。このような非磁性支持体を硬巻きしたときには、そのバックコート層の形成面に形成されている凹凸の凸部が磁性層の形成面に転写されて磁性層の形成面に凹凸が生じることがある。
【０００６】
このように凹凸が生じた非磁性支持体２ｘに対して金属材料を斜めから蒸着した場合には、同図に示すように、非磁性支持体２ｘにおける凹部Ｚ１ａｘの一部（金属材料の蒸着時における凹部Ｚ１ａｘの下流側の斜面：凸部Ｚ１ｂｘの上流側の斜面）に金属材料が付着し難くなることに起因して、カラムの成長過程において（第１磁性層３ｘの形成過程において）凹部Ｚ１ａｘよりも深い凹部Ｚ２ａｘ、および凸部Ｚ１ｂｘよりも高い凸部Ｚ２ｂｘが第１磁性層３ｘに形成されることとなる。また、凹部Ｚ２ａｘおよび凸部Ｚ２ｂｘが生じた部位に金属材料が斜めから蒸着される結果、同図に破線で示すように、第１磁性層３ｘの表面には、凹部Ｚ２ａｘよりもさらに深い凹部Ｚ３ａｘ、および凸部Ｚ２ｂｘよりもさらに高い凸部Ｚ３ｂｘが形成される。このため、第１磁性層３ｘの表面に大きな凹凸が生じた状態となる。したがって、このような状態の第１磁性層３ｘの上に金属材料を斜めから蒸着して第２磁性層（図示せず）を形成したときには、第１磁性層３ｘの表面に形成された凹部Ｚ３ａｘよりも一層深い凹部、および第１磁性層３ｘの表面に形成された凸部Ｚ３ｂｘよりも一層高い凸部が第２磁性層に形成され、第２磁性層の表面に大きな凹凸が生じた状態となる。
【０００７】
このため、従来の磁気記録媒体では、第２磁性層の表面に大きな凹凸が生じることに起因して、記録データの記録再生時において、記録再生用磁気ヘッドと第２磁性層の表面との間に大きなスペーシングロスが生じる。したがって、従来の磁気記録媒体には、両磁性層の磁化特性が悪化すると共に、磁気的信号の読み取り時における出力信号の信号レベルが大きく低下するという問題点がある。
【０００８】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、高密度記録化を図りつつ、双方向記録再生が可能で、しかも、記録再生時におけるスペーシングロスの発生を回避し得る磁気記録媒体、磁気記録媒体製造装置および磁気記録媒体製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、本発明に係る磁気記録媒体は、複数のカラムをそれぞれ有すると共に磁化容易軸が相反する方向に傾いている第１の金属薄膜磁性層および第２の金属薄膜磁性層が非磁性支持体の上にこの順で形成され、前記両金属薄膜磁性層は、前記各カラムにおける基端部側のそれぞれの一部で構成された初期成長部と、前記各カラムにおける先端部側のそれぞれの他の一部で構成された後期成長部とを備え、前記初期成長部は前記各カラムが前記非磁性支持体の厚み方向に成長することで形成され、前記後期成長部は前記各カラムが前記非磁性支持体の長手方向に沿って傾斜しつつ側面視円弧状となるように成長することで形成されている。なお、本発明における「厚み方向」は、非磁性支持体の法線方向のみを意味するものではなく、非磁性支持体の法線方向に対して１０°程度までの範囲内で傾斜している各方向がこれに含まれるものとする。
【００１０】
また、本発明に係る磁気記録媒体は、前記第２の金属薄膜磁性層の厚みに対する前記第１の金属薄膜磁性層の厚みの比が０．６０以上２．１０以下の範囲内となるように（前記第１の金属薄膜磁性層の厚みに対する前記第２の金属薄膜磁性層の厚みの比が（０．４８以上１．６７以下の範囲内となるように）形成されている。
【００１１】
さらに、本発明に係る磁気記録媒体は、前記両金属薄膜磁性層は、前記後期成長部の厚みに対する前記初期成長部の厚みの比が０．０８以上０．１５以下の範囲内となるように（前記初期成長部の厚みに対する前記後期成長部の厚みの比が６．６７以上１２．５０以下の範囲内となるように）形成されている。
【００１２】
また、本発明に係る磁気記録媒体製造装置は、非磁性支持体を周面に添わせて走行させつつ冷却する回転冷却ドラムと、金属材料を収容するるつぼと、当該るつぼ内の前記金属材料に向けて電子ビームを照射して蒸発させる電子銃と、前記回転冷却ドラムの周面に沿って配設されて前記非磁性支持体に前記金属材料を蒸着させる蒸着領域を規定するマスクとを備え、前記蒸着領域内において前記非磁性支持体に前記金属材料を蒸着させる蒸着処理を２回に亘って実行することで、複数のカラムをそれぞれ有すると共に磁化容易軸が相反する方向に傾いている第１の金属薄膜磁性層および第２の金属薄膜磁性層を当該非磁性支持体の上にこの順で形成して磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体製造装置であって、前記蒸着領域における蒸着開始点側に酸素ガスを供給する酸素ガス供給部を備え、前記蒸着処理時において、前記酸素ガス供給部から前記蒸着開始点側に前記酸素ガスを供給することで前記各カラムを前記非磁性支持体の厚み方向に成長させて当該各カラムにおける基端部側のそれぞれの一部で構成された初期成長部を形成すると共に、前記蒸着開始点から前記蒸着領域における蒸着終了点までの間において前記各カラムを当該非磁性支持体の長手方向に沿って傾斜させつつ側面視円弧状となるように成長させて当該各カラムにおける先端部側のそれぞれの他の一部で構成された後期成長部を形成する。
【００１３】
また、本発明に係る磁気記録媒体製造方法は、複数のカラムをそれぞれ有すると共に磁化容易軸が相反する方向に傾いている第１の金属薄膜磁性層および第２の金属薄膜磁性層を非磁性支持体の上にこの順で形成して磁気記録媒体を製造する際に、回転冷却ドラムの周面に沿って前記非磁性支持体を走行させると共に、当該回転冷却ドラムの周面に規定した蒸着領域内において蒸発させた金属材料を当該非磁性支持体に蒸着させる蒸着処理を２回に亘って実行することで前記両金属薄膜磁性層を順次形成する磁気記録媒体製造方法であって、前記蒸着処理時において、前記蒸着領域における蒸着開始点側に酸素ガスを供給することで前記各カラムを前記非磁性支持体の厚み方向に成長させて当該各カラムにおける基端部側のそれぞれの一部で構成された初期成長部を形成すると共に、前記蒸着開始点から蒸着終了点までの間において当該各カラムを当該非磁性支持体の長手方向に沿って傾斜させつつ側面視円弧状となるように成長させて当該各カラムにおける先端部側のそれぞれの他の一部で構成された後期成長部を形成する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る磁気記録媒体によれば、各カラムが非磁性支持体の厚み方向に成長した部位（カラムにおける基端部側の部位）で形成された初期成長部と、各カラムが非磁性支持体の長手方向に沿って傾斜しつつ側面視円弧状となるように成長した部位（カラムにおける先端部側の部位）で形成された後期成長部とをそれぞれ有する第１の金属薄膜磁性層および第２の金属薄膜磁性層を備えたことにより、第１の金属薄膜磁性層に対する初期成長部の形成によって所望の平坦性を有する第１の金属薄膜磁性層を形成することができると共に、第１の金属薄膜磁性層が所望の平坦性を有することで、その上に形成する第２の金属薄膜磁性層についても平坦性が悪化する事態を回避することができる。また、第１の金属薄膜磁性層に対する初期成長部の形成によって吸収し得なかった極く小さな凹凸が第１の金属薄膜磁性層の表面に存在していたとしても、第２の金属薄膜磁性層に対する初期成長部の形成によって所望の平坦性を有する第２の金属薄膜磁性層を形成することができる。したがって、従来の製造方法に従って製造した磁気記録媒体とは異なり、摺動抵抗を軽減し得る程度の極く小さな凹凸（非磁性支持体の表面に予め形成された凹凸と同程度の大きさの凹凸）を存在させつつ、スペーシングロスの発生を回避し得る程度に磁気記録媒体全体としての平坦性を十分に向上させることができる結果、記録再生時におけるテープ走行性の悪化を回避しつつ、順方向走行時における出力信号の信号レベルおよび逆方向走行時における出力信号の信号レベルの双方を十分に高めることができる。
【００１５】
また、本発明に係る磁気記録媒体によれば、第２の金属薄膜磁性層の厚みに対する第１の金属薄膜磁性層の厚みの比が０．６０以上２．１０以下の範囲内となるように形成したことにより、双方向記録再生時における順方向走行時および逆方向走行時の双方において、磁気ヘッドからの出力信号の信号レベルをほぼ同レベルとすることができる。したがって、順方向走行時および逆方向走行時における記録・再生条件を大きく異ならせることなく記録データの再生が可能となるため、記録・再生制御が容易となる分だけ、記録再生装置の製造コストを十分に低減することができる。
【００１６】
さらに、本発明に係る磁気記録媒体によれば、後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．０８以上０．１５以下の範囲内となるように第１の金属薄膜磁性層および第２の金属薄膜磁性層を形成したことにより、保磁力が十分に高い磁気記録媒体を提供することができる。これにより、高密度記録化のためにデータ記録トラックの幅を狭くしたり、データ記録トラック上における１ビット長を短くしたりした場合（トラック幅方向、トラック長方向における隣接ビットの影響が顕著となる状態）であっても記録データの正常な読み出しが可能な程度に磁化状態を十分に維持することができる。
【００１７】
また、本発明に係る磁気記録媒体製造装置および磁気記録媒体製造方法によれば、蒸着領域における蒸着開始点側に酸素ガスを供給することで各カラムを非磁性支持体の厚み方向に成長させて各カラムにおける基端部側のそれぞれの一部で構成された初期成長部を形成すると共に、蒸着開始点から蒸着終了点までの間において各カラムを非磁性支持体の長手方向に沿って傾斜させつつ側面視円弧状となるように成長させて各カラムにおける先端部側のそれぞれの他の一部で構成された後期成長部を形成して第１の金属薄膜磁性層および第２の金属薄膜磁性層を順次形成することにより、後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が所望の範囲内の磁気記録媒体、すなわち、所望の平坦性を有する磁気記録媒体を確実かつ容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る磁気記録媒体、磁気記録媒体製造装置および磁気記録媒体製造方法の最良の形態について説明する。
【００１９】
最初に、本発明における磁気記録媒体の一例である磁気テープ１の構成について、図面を参照して説明する。
【００２０】
図１に示す磁気テープ１は、第１磁性層３、第２磁性層４および保護層６が非磁性支持体２の一方の面（同図における上面）にこの順で形成されると共に、バックコート層８が非磁性支持体２の他方の面（同図における下面）に形成されている。また、保護層６の表面には潤滑剤７が塗布されている。非磁性支持体２は、後述する両磁性層３，４の形成処理時や保護層６の形成処理時に加わる熱に耐え得る非磁性材料（一例として、高分子材料）でフィルム状に形成されている。具体的には、一例として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド、ポリアミドイミドおよびポリイミド等の各種高分子材料で形成されている。この場合、この磁気テープ１では、一例として、厚み４．７μｍのポリエチレン−２，６−ナフタレート（ＰＥＮ）フィルムで非磁性支持体２が構成されている。
【００２１】
また、非磁性支持体２の表面（磁性層３，４の形成面）には、後述するように、両磁性層３，４および保護層６の表面に摺動抵抗軽減用の凹凸を生じさせるための極く小さな凹凸が形成されている。また、非磁性支持体２の裏面（磁性層３，４の形成面とは反対側の面：バックコート層８の形成面）には、磁気記録媒体の製造時において非磁性支持体２の走行性（バックコート層８の形成が完了するまでの間の走行性）を向上させるための凹凸が形成されている。したがって、このような非磁性支持体２を硬巻きしたときには、非磁性支持体２の裏面に形成されている凹凸における凸部が表面（磁性層の形成面）に転写されて表面に凹凸が生じることもある。
【００２２】
第１磁性層３は、本発明における第１の金属薄膜磁性層に相当し、後述するように、非磁性支持体２の一方の面に真空中において強磁性金属材料９（図２参照）を斜め蒸着法によって蒸着させることで複数のカラム５が形成されて構成されている。この場合、強磁性金属材料９は、本発明における金属材料に相当し、良好な磁気的特性が得られると共に材料原価が比較的安価であり、しかも無害であることから、一例として、Ｃｏ（コバルト）、または、Ｃｏを主成分として含有するＣｏ含有合金が使用されている。なお、記録データの記録再生に適した磁気的特性を有する磁性層を形成するためには、強磁性金属材料９内に含まれるすべての金属元素を基準としたＣｏの割合（含有率）が、６０原子％以上であるのが好ましく、さらには８０原子％以上、特に９０原子％以上であるのが好ましい。この場合、強磁性金属材料９としてＣｏ含有合金を使用するときには、ＣｏおよびＮｉを主成分とする合金、または、Ｃｏ、ＮｉおよびＣｒを主成分とする合金を使用するのが好ましく、これらの合金におけるＣｏ以外の各元素の含有率については、磁性層に要求される磁気的特性や耐食性に応じて適宜選択することができる。
【００２３】
また、第１磁性層３は、上記の各カラム５における基端部側（非磁性支持体２側）のそれぞれの一部で構成された初期成長部３ａと、各カラム５における先端部側（保護層６側）のそれぞれの他の一部で構成された後期成長部３ｂとが非磁性支持体２側からこの順で連続的に形成されて構成されている。この場合、初期成長部３ａは、後述するように第１磁性層３の平坦性を向上させる効果（第１磁性層３の平坦性が悪化するのを回避する効果）を有する下地層としても機能する部位であって、非磁性支持体２に対する強磁性金属材料９の蒸着工程（第１磁性層３の形成工程）における初期段階において、非磁性支持体２の厚み方向（略垂直方向）にカラム５を直線状に成長させた部位で構成されている。なお、上記の「厚み方向（略垂直方向）」には、非磁性支持体２の法線に対する傾斜角度が０°〜１０°程度までの方向、すなわち、非磁性支持体２の表面に対する傾斜角度θ１が９０°〜８０°程度までの方向がこれに含まれる。この場合、出願人は、非磁性支持体２の表面に対する傾斜角度θ１が８０°を下回ると、第１磁性層３の平坦性が悪化するのを確認している。
【００２４】
この初期成長部３ａは、後述するように、第１磁性層３の形成処理時において、非磁性支持体２に対して強磁性金属材料９を蒸着させる蒸着領域Ａ（図２参照）における蒸着開始点Ｐｓの近傍に設けられた開始点側酸素供給部１８から酸素ガスを供給することで、蒸発した強磁性金属材料９と酸素ガスとが蒸着開始点Ｐｓにおいて十分に混合された状態で非磁性支持体２の表面に付着するため、カラム５が非磁性支持体２の厚み方向（略垂直方向）に対して直線状に成長するようにして形成される。また、初期成長部３ａは、酸素供給管２０ａから供給された酸素ガスと強磁性金属材料９とが混合されて付着することで、Ｃｏ−Ｏを主体として形成される。この場合、初期成長部３ａにおける酸素含有量は、５０〜６０原子％程度であるのが好ましい。
【００２５】
また、初期成長部３ａの厚みは、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であるのが好ましい。この場合、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内の厚みであれば、カラム５の基端部側（初期成長部３ａを構成する部位）を十分に細かく、かつ均一に成長させることができる。したがって、初期成長部３ａに続いて成長するカラム５の先端部側（後期成長部３ｂを構成する部位）についても十分に細かくかつ均一に成長させることができる。さらに、初期成長部３ａの厚みを３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内とすることで、この初期成長部３ａに続いて形成される後期成長部３ｂにおいて、結晶磁気異方性の発現の元となるＣｏ（六方晶）におけるｃ軸方向がカラム５内で揃い易くなる。これにより、後期成長部３ｂが十分に高い保磁力と十分に高い残留磁化を有することとなり、結果として、十分に高いＣ／Ｎを得ることが可能となる。また、初期成長部３ａの厚みを３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内とすることで、非磁性支持体２の表面に凹凸が存在する場合であっても、第１磁性層３の平坦性を悪化させることなく、非磁性支持体２の凹凸と同程度の大きさの凹凸を第１磁性層３の表面に形成することができる。
【００２６】
これに対して、初期成長部３ａの厚みを３ｎｍ未満とした場合には、カラム５の基端部側を均一で細かく成長させるのが困難となる。したがって、初期成長部３ａに続いて成長するカラム５の先端部側についても均一で細かく成長させるのが困難となるおそれがある。さらに、初期成長部３ａの厚みを３ｎｍ未満とした場合には、後期成長部３ｂにおいて、結晶磁気異方性の発現の元となるＣｏ（六方晶）におけるｃ軸方向がカラム５内において不揃いとなるおそれがある。したがって、後期成長部３ｂが有する保磁力と残留磁化とが低下する結果、高いＣ／Ｎを得るのが困難となるおそれがある。また、初期成長部３ａの厚みを３ｎｍ未満とした場合には、非磁性支持体２の表面に凹凸が存在する場合において、その凹凸よりも大きな凹凸が第１磁性層３の表面に形成されるおそれがある。
【００２７】
一方、初期成長部３ａの厚みを５０ｎｍを超える厚みとした場合には、第１磁性層３の平面方向および厚み方向の両方向に向かってカラム５が大きく成長し過ぎて初期成長部３ａと後期成長部３ｂとの境界部位が大きく凹凸するおそれがあり、結果として、後期成長部３ｂの表面、すなわち、第１磁性層３の表面に大きな凹凸が生じるおそれがある。また、初期成長部３ａの厚みを５０ｎｍを超える厚みとした場合には、第１磁性層３の厚みが厚くなり過ぎることに起因して磁気テープ１の巻き径が太くなり過ぎるおそれがある。なお、この磁気テープ１では、一例として、第１磁性層３における初期成長部３ａの厚みが７ｎｍであるものとする。
【００２８】
後期成長部３ｂは、非磁性支持体２に対する強磁性金属材料９の蒸着工程（第１磁性層３の形成工程）において初期成長部３ａに対して連続的にカラム５を成長させることで形成される部位、すなわち、各カラム５の先端部側のそれぞれの一部で構成されている。具体的には、強磁性金属材料９の蒸着工程における初期段階で非磁性支持体２上に成長したカラム５（初期成長部３ａを構成する部位）を非磁性支持体２の長手方向に沿って傾斜させつつ側面視円弧状となるように成長させた部位で構成されている。なお、従来の磁気記録媒体における第１磁性層３ｘは、この後期成長部３ｂのみで形成されているのと同様の構成となっている。
【００２９】
この場合、この磁気テープ１では、後述するように、非磁性支持体２を回転冷却ドラム１５（図２参照）の周面に沿わせて走行させつつ強磁性金属材料９を蒸着させることで第１磁性層３が形成されている。したがって、非磁性支持体２に対して強磁性金属材料９を蒸着させる蒸着領域Ａの蒸着開始点Ｐｓよりも蒸着終了点Ｐｅ側において形成される部位（カラム５における後期成長部３ｂを構成する部位における基端部側）の傾斜角度θ２ａが１０°〜６０°程度となると共に、蒸着領域Ａの蒸着終了点Ｐｅ側において形成される部位（カラム５における後期成長部３ｂを構成する部位における先端部側）の傾斜角度θ２ｂが３０°〜９０°程度となり、カラム５における後期成長部３ｂを構成する部位が側面視円弧状となる。
【００３０】
この後期成長部３ｂは、Ｃｏを主体として形成され、前述した初期成長部３ａと比較して酸素含有量が少なくなっている。この場合、後期成長部３ｂにおける酸素含有量は、２０〜５０原子％程度であるのが好ましい。また、後期成長部３ｂの厚みは、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内であるのが好ましい。この範囲内の厚みであれば、カラム５における初期成長部３ａを構成する部位（基端部側）に続いて後期成長部３ｂを構成する部位（先端部側）についても十分に細かく、かつ均一に成長させることができると共に、後期成長部３ｂの表面（すなわち、第１磁性層３の表面）の平坦性を十分に向上させることができる。これにより、記録再生時における磁気ヘッドとの間のスペーシングロスを低減することができ、結果として、十分に高いＣ／Ｎを得ることが可能となる。
【００３１】
これに対して、後期成長部３ｂの厚みを１０ｎｍ未満とした場合には、後期成長部３ｂの保磁力および残留磁化を十分なレベルとするのが困難となるおそれがある。一方、後期成長部３ｂの厚みを３００ｎｍを超える厚みとした場合には、カラム５における後期成長部３ｂを構成する部位（先端部側）が第１磁性層３の平面方向および厚み方向の両方向に向かって大きく成長し過ぎる結果、後期成長部３ｂの平坦性が悪化して記録再生時に生じるスペーシングロスが増大するため、結果として、高いＣ／Ｎを得るのが困難となるおそれがある。なお、この磁気テープ１では、一例として、第１磁性層３における後期成長部３ｂの厚みが６８ｎｍであるものとする。
【００３２】
このように、第１磁性層３内に初期成長部３ａを形成した構成を採用する場合においては、初期成長部３ａの形成による上記の各種効果を得られる十分な厚みと、後期成長部３ｂの形成による上記の各種効果を得られる十分な厚みとの組み合わせを考慮して、後期成長部３ｂの厚みを初期成長部３ａの厚みよりも厚くするのが好ましい。具体的には、後期成長部３ｂの厚みに対する初期成長部３ａの厚みの比が０．０８以上０．１５以下の範囲内（この例では、０．１０）となるように初期成長部３ａおよび後期成長部３ｂの厚みを規定して形成するのが好ましい。なお、後期成長部３ｂの厚みに対する初期成長部３ａの厚みの比と磁気テープ１の記録再生特性との関係については、後に詳細に説明する。
【００３３】
第２磁性層４は、本発明における第２の金属薄膜磁性層に相当し、図１に示すように、非磁性支持体２上に形成された第１磁性層３上に真空中において強磁性金属材料９（図２参照）を斜め蒸着法によって蒸着させることで複数のカラム５が形成されて構成されている。なお、第２磁性層４を形成するのに使用する強磁性金属材料９については、上記の第１磁性層３を形成するのに使用する強磁性金属材料９と同様であるため、その説明を省略する。
【００３４】
また、第２磁性層４は、上記の各カラム５における基端部側（非磁性支持体２側）のそれぞれの一部で構成された初期成長部４ａと、各カラム５における先端部側（保護層６側）のそれぞれの他の一部で構成された後期成長部４ｂとが非磁性支持体２側から第１磁性層３の上にこの順で連続的に形成されて構成されている。この場合、初期成長部４ａは、前述した第１磁性層３における初期成長部３ａと同様にして、後述するように第２磁性層４の平坦性を向上させる効果（第２磁性層４の平坦性が悪化するのを回避する効果）を有する下地層としても機能する部位であって、強磁性金属材料９の蒸着工程（第２磁性層４の形成工程）における初期段階において、非磁性支持体２の厚み方向（略垂直方向）にカラム５を直線状に成長させた部位で構成されている。
【００３５】
なお、上記の「厚み方向（略垂直方向）」には、非磁性支持体２の法線に対する傾斜角度が０°〜１０°程度までの方向、すなわち、非磁性支持体２の表面に対する傾斜角度θ１が９０°〜８０°程度までの方向がこれに含まれる。この場合、出願人は、非磁性支持体２の表面に対する傾斜角度θが８０°を下回ると、第２磁性層４の平坦性が悪化するのを確認している。
【００３６】
この初期成長部４ａは、前述した第１磁性層３の初期成長部３ａと同様にして、強磁性金属材料９を蒸着させる蒸着領域Ａにおける蒸着開始点Ｐｓ（図２参照）の近傍に設けられた開始点側酸素供給部１８から酸素ガスを供給することで、蒸発した強磁性金属材料９と酸素ガスとが蒸着開始点Ｐｓにおいて十分に混合された状態で第１磁性層３の表面に付着するため、カラム５が非磁性支持体２の厚み方向（略垂直方向）に対して直線状に成長するようにして形成される。また、初期成長部４ａは、酸素供給管２０ａから供給された酸素ガスと強磁性金属材料９とが混合された状態で付着することで、Ｃｏ−Ｏを主体として形成される。この場合、初期成長部４ａにおける酸素含有量は、５０〜６０原子％程度であるのが好ましい。また、初期成長部４ａの厚みは、前述した初期成長部３ａの厚みと同様の理由により、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であるのが好ましい。なお、この磁気テープ１では、一例として、第２磁性層４における初期成長部４ａの厚みが７ｎｍであるものとする。
【００３７】
後期成長部４ｂは、第１磁性層３における後期成長部３ｂと同様にして、強磁性金属材料９の蒸着工程（第２磁性層４の形成工程）において初期成長部４ａに対して連続的にカラム５を成長させることで形成される部位、すなわち、各カラム５の先端部側のそれぞれの一部で構成されている。具体的には、強磁性金属材料９の蒸着工程における初期段階で第１磁性層３上に成長したカラム５（初期成長部４ａを構成する部位）を非磁性支持体２の長手方向に沿って傾斜させつつ側面視円弧状となるように成長させた部位で構成されている。なお、この後期成長部４ｂについても、後期成長部３ｂと同様にして、カラム５の基端部側の傾斜角度θ２ａが１０°〜６０°程度となり、カラム５の先端部側の傾斜角度θ２ｂが３０°〜９０°程度となると共に、カラム５における後期成長部４ｂを構成する部位が側面視円弧状となる。また、従来の磁気記録媒体における第２磁性層は、この後期成長部４ｂのみで形成されているのと同様の構成となっている。
【００３８】
この後期成長部４ｂは、Ｃｏを主体として形成され、前述した初期成長部４ａと比較して酸素含有量が少なくなっている。この場合、後期成長部４ｂにおける酸素含有量は、２０〜５０原子％程度であるのが好ましい。また、後期成長部４ｂの厚みは、前述した第１磁性層３における後期成長部３ｂの厚みと同様の理由により、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内であるのが好ましい。なお、この磁気テープ１では、一例として、第２磁性層４における後期成長部４ｂの厚みが６５ｎｍであるものとする。
【００３９】
このように、第２磁性層４内に初期成長部４ａを形成した構成を採用する場合においては、初期成長部４ａの形成による上記の各種効果を得られる十分な厚みと、後期成長部４ｂの形成による上記の各種効果を得られる十分な厚みとの組み合わせを考慮して、後期成長部４ｂの厚みを初期成長部４ａの厚みよりも厚くするのが好ましい。具体的には、後期成長部４ｂの厚みに対する初期成長部４ａの厚みの比が０．０８以上０．１５以下の範囲内（この例では、０．１１）となるように初期成長部４ａおよび後期成長部４ｂの厚みを規定して形成するのが好ましい。なお、後期成長部４ｂの厚みに対する初期成長部４ａの厚みの比と磁気テープ１の記録再生特性との関係については、後に詳細に説明する。
【００４０】
この磁気テープ１では、図１に示すように、第１磁性層３における各カラム５の後期成長部３ｂを構成している部位と、第２磁性層４における各カラム５の後期成長部４ｂを構成している部位とが非磁性支持体２の厚み方向（法線方向）に対して相反する方向に傾くように第１磁性層３および第２磁性層４が形成されている。したがって、この磁気テープ１では、第１磁性層３の磁化容易軸の方向（同図に矢印Ａ１で示す方向）と、第２磁性層４の磁化容易軸の方向（同図に矢印Ａ２で示す方向）とが相反する方向に傾いており、後述するように、磁気テープ１に対する双方向記録時における磁化特性の相違や出力信号の信号レベルの差異が生じ難くなっている。また、この磁気テープ１では、第２磁性層４の厚みに対するの第１磁性層３の厚みの比が０．６０以上２．１０以下の範囲内（この例では、１．０４）となるように第１磁性層３および第２磁性層４が形成されている。これにより、磁気テープ１に対する双方向記録時における出力信号の信号レベルの差異が十分に小さくなっている。
【００４１】
保護層６は、上記の両磁性層３，４の酸化を防止すると共に両磁性層３，４の摩耗を阻止するための薄膜であって、一例として、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon ）で形成されている。潤滑剤７としては、一例として、フッ素を含む潤滑剤、炭化水素系のエステル、または、これらの混合物が使用される。バックコート層８は、結合剤樹脂（バインダ）と無機化合物および／またはカーボンブラックとを有機溶媒に混合分散させたバックコート層用塗料を塗布して硬化させることにより、厚みが０．１μｍ〜０．７μｍ程度となるように形成されている。この場合、結合剤樹脂としては、塩化ビニル系共重合体、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂およびポリエステル樹脂を単独または混合して用いることができる。カーボンブラックとしては、ファーネスカーボンブラック、サーマルカーボンブラック等を用いることができ、無機化合物としては、炭酸カルシウム、アルミナ、α−酸化鉄等を用いることができる。さらに、有機溶剤としては、ケトン系や芳香族炭化水素系の溶剤（例えば、メチルエチルケトン、トルエンおよびシクロヘキサノンなど）を用いることができる。
【００４２】
次に、上記の磁気テープ１を製造可能に構成された磁気テープ製造装置１０の構成、および磁気テープ１の製造方法について、図面を参照して説明する。
【００４３】
図２に示す磁気テープ製造装置（以下、「製造装置」ともいう）１０は、本発明に係る磁気記録媒体製造装置に相当し、繰り出しロール１３、巻き取りロール１４、回転冷却ドラム１５、るつぼ１６、電子銃１７、開始点側酸素供給部１８および終了点側酸素供給部１９が真空槽１１内に収容されて上記の両磁性層３，４を形成可能に構成されている。また、真空槽１１には、内部空間Ｓの気体を排気して真空状態を維持するための真空ポンプ１２が取り付けられている。
【００４４】
繰り出しロール１３は、第１磁性層３または第２磁性層４が形成される非磁性支持体２を巻回したロールを回転させることで非磁性支持体２を回転冷却ドラム１５側に向けて繰り出す。巻き取りロール１４は、第１磁性層３または第２磁性層４が形成された非磁性支持体２をロール状に巻き取る。回転冷却ドラム１５は、繰り出しロール１３から繰り出された非磁性支持体２をその周面に添わせて走行させつつ冷却する。なお、実際には、繰り出しロール１３と回転冷却ドラム１５との間や回転冷却ドラム１５と巻き取りロール１４との間にガイドローラ等が存在するが、本発明についての理解を容易とするために、これらについての図示および説明を省略する。
【００４５】
るつぼ１６は、一例として、ＭｇＯ等で形成され、図示しない材料供給装置によって定期的に供給される強磁性金属材料９（この例では、Ｃｏ）を収容する。このるつぼ１６は、電子銃１７から出力される電子ビーム１７ａの照射により蒸発した強磁性金属材料９を回転冷却ドラム１５の周面に添って走行している非磁性支持体２の表面に斜めから蒸着させるように定置されている。電子銃１７は、るつぼ１６内の強磁性金属材料９を蒸発させるための電子ビーム１７ａを出力する。
【００４６】
開始点側酸素供給部１８は、酸素混合チャンバ１８ａ、マスク１８ｂおよび酸素供給管２０ａを備えて非磁性支持体２の走行方向における上流側に配設されている。酸素混合チャンバ１８ａは、回転冷却ドラム１５の周面に沿って走行させられている非磁性支持体２の幅方向（図２の紙面の奥行き方向）における長さが非磁性支持体２の幅よりも僅かに長い箱体に形成されて、その開口面を回転冷却ドラム１５の周面（すなわち、非磁性支持体２の表面）に向けて配設されている。また、酸素混合チャンバ１８ａの幅（非磁性支持体２の走行方向に沿った開口長）は、第１磁性層３や第２磁性層４に形成すべき初期成長部３ａ，４ａの厚み、回転冷却ドラム１５の直径、および非磁性支持体２の走行速度等の諸条件に応じて規定されている。
【００４７】
また、酸素混合チャンバ１８ａ内に配設されている酸素供給管２０ａは、蒸着領域Ａの蒸着開始点Ｐｓ側に酸素ガスを供給する。酸素供給管２０ａは、非磁性支持体２の幅方向に沿って複数の酸素ガス供給口（一例として、円形孔やスリット）が形成されて構成されている。この場合、出願人は、蒸着開始点Ｐｓの近傍に酸素混合チャンバ１８ａを配設し、るつぼ１６から蒸発した強磁性金属材料９と酸素供給管２０ａから供給される酸素ガスとを酸素混合チャンバ１８ａ内において混合して強磁性金属材料９の蒸発成分を酸素ガス中に散乱させることにより、非磁性支持体２の上に成長するカラム５が非磁性支持体２に対してその厚み方向（法線方向：略垂直方向）に対して直線状に成長して上記の初期成長部３ａ，４ａが形成されるのを見い出した。
【００４８】
マスク１８ｂは、るつぼ１６から蒸発した強磁性金属材料９の非磁性支持体２に対する付着を阻止することで（非磁性支持体２を覆うことで）蒸着領域Ａの蒸着開始点Ｐｓを規定する。また、マスク１８ｂは、回転冷却ドラム１５に対する配設位置を調整されることで、非磁性支持体２に対して強磁性金属材料９を付着させる角度（非磁性支持体２の法線方向とるつぼ１６が存在する方向とのなす角度）の最大角度を規定する。
【００４９】
終了点側酸素供給部１９は、マスク１９ａおよび酸素供給管２０ｂを備えて非磁性支持体２の走行方向における下流側に配設されている。マスク１９ａは、るつぼ１６から蒸発した強磁性金属材料９の非磁性支持体２に対する付着を阻止することで（非磁性支持体２を覆うことで）蒸着領域Ａの蒸着終了点Ｐｅを規定する。このマスク１９ａは、回転冷却ドラム１５に対する配設位置を調整されることで、非磁性支持体２に対して強磁性金属材料９を付着させる角度（非磁性支持体２の法線方向とるつぼ１６が存在する方向とのなす角度）の最小角度を規定する。
【００５０】
酸素供給管２０ｂは、マスク１９ａと回転冷却ドラム１５との間に配設されて、上記の蒸着領域Ａにおける蒸着終了点Ｐｅ側に配設されている。また、酸素供給管２０ｂは、非磁性支持体２の幅方向に沿って複数の酸素ガス供給口（一例として、円形孔やスリット）が形成されて構成されている。この場合、終了点側酸素供給部１９において供給する酸素ガスは、形成する第１磁性層３や第２磁性層４の飽和磁束密度、保磁力および電磁変換特性の向上を図る目的で導入されている。
【００５１】
一方、磁気テープ１の製造に際しては、製造装置１０を用いて、図３に示すように、非磁性支持体２の上に第１磁性層３を形成した後に、図４に示すように、形成した第１磁性層３の上に第２磁性層４を形成する。つまり、非磁性支持体２の上に強磁性金属材料９を蒸着させる蒸着処理を２回に亘って実行することで、第１磁性層３および第２磁性層４を非磁性支持体２の上にこの順で形成する。
【００５２】
具体的には、まず、第１磁性層３を形成する非磁性支持体２を巻回した原反を繰り出しロール１３にセットして回転冷却ドラム１５の周面に沿わせると共に、先端部を巻き取りロール１４に固定する。次いで、真空ポンプ１２を作動させて真空槽１１内を１０−３Ｐａ程度の圧力となるように真空引きした後に、繰り出しロール１３、巻き取りロール１４および回転冷却ドラム１５を回転させて回転冷却ドラム１５の周面に沿って非磁性支持体２を走行させる。続いて、るつぼ１６内の強磁性金属材料９に向けて電子銃１７から電子ビーム１７ａを照射することで強磁性金属材料９を蒸発させると共に、酸素供給管２０ａ，２０ｂからの酸素ガスの供給を開始する。この際に、電子銃１７は、非磁性支持体２の幅方向に沿って電子ビーム１７ａを所定のピッチで走査（往復動）させる。これにより、るつぼ１６内において強磁性金属材料９が加熱されて蒸発する。
【００５３】
この際に、るつぼ１６から蒸発した強磁性金属材料９のうちの蒸着開始点Ｐｓ付近に飛来した強磁性金属材料９の多くは、酸素供給管２０ａから供給された酸素ガスと酸素混合チャンバ１８ａ内において混合される。この際に、酸素ガスと混合された強磁性金属材料９は、酸素ガスと衝突することで、その移動方向が様々に変化させられる結果、回転冷却ドラム１５の周面を走行している非磁性支持体２の上に降り積もるようにして付着する。これにより、第１磁性層３を構成する各カラム５の基端部側が非磁性支持体２上に成長し、第１磁性層３における初期成長部３ａの形成が進行する。
【００５４】
この場合、従来の一般的な斜め蒸着法によって強磁性金属材料９を非磁性支持体２に付着させたときには、非磁性支持体２の表面に極く小さな凹凸が存在するときに、その凸部（図８における凸部Ｚ１ｂｘ）における非磁性支持体２の走行方向の上流側に強磁性金属材料９が付着し難く、凸部における走行方向の下流側にのみ強磁性金属材料９が付着する。したがって、従来の斜め蒸着法では、前述したように、非磁性支持体２に極く小さな凹凸が存在する場合において、その凸部の大きさが誇張（巨大化）されて第１磁性層３の表面に現れることとなり、結果として、第１磁性層３の平坦性が悪化する傾向がある。
【００５５】
これに対して、蒸着開始点Ｐｓの近傍において酸素ガスと混合した状態で非磁性支持体２に強磁性金属材料９を付着させるこの製造装置１０では、るつぼ１６から飛来した強磁性金属材料９が酸素混合チャンバ１８ａ内において酸素ガスと混合されることでるつぼ１６からの飛来方向とは無関係な向きで非磁性支持体２に付着することとなる。したがって、強磁性金属材料９が非磁性支持体２の厚み方向（法線方向：略垂直方向）に付着し、カラム５の基端部側が直線状に成長して非磁性支持体２上に初期成長部３ａが形成される。したがって、非磁性支持体２の表面に極く小さな凹凸が存在したとしても、その凸部における非磁性支持体２の走行方向の上流側および下流側の双方に対して強磁性金属材料９が同様に付着する結果、初期成長部３ａの形成過程において非磁性支持体２の凹凸よりも大きな凹凸が形成される事態が回避され、非磁性支持体２の凹凸と同程度の大きさの凹凸が第１磁性層３の表面に形成される。
【００５６】
なお、本明細書における蒸着開始点Ｐｓとは、るつぼ１６の位置と回転冷却ドラム１５の位置との関係に基づいて規定される幾何学的な意味での蒸着開始点であり、実際には、酸素混合チャンバ１８ａの大きさ、酸素供給管２０ａから送り出される酸素ガスの量、および強磁性金属材料９の蒸発量などに応じて図２に示す蒸着開始点Ｐｓよりも上流側から非磁性支持体２に対する強磁性金属材料９の蒸着が始まることもある。
【００５７】
一方、開始点側酸素供給部１８の部位で初期成長部３ａが形成された非磁性支持体２は、回転冷却ドラム１５の周面に沿って走行してマスク１８ｂ，１９ａの間に移動する。この際に、るつぼ１６から蒸発して飛来した強磁性金属材料９が上記の初期成長部３ａ（カラム５の基端部）の上に付着する結果、非磁性支持体２が蒸着終了点Ｐｅまで移動するまでの間においてカラム５が基端部側（初期成長部３ａを構成する部位）に続いて連続して成長して初期成長部３ａの上に後期成長部３ｂが形成される。この場合、非磁性支持体２がマスク１８ｂから露出した直後からマスク１９ａによって覆われるまでの間において非磁性支持体２に対するるつぼ１６の相対的な存在方向（強磁性金属材料９が飛来する方向）が逐次変化する結果、図３に示すように、カラム５の先端部側（後期成長部３ｂを構成する部位）が非磁性支持体２の走行方向に対して下流側に傾斜しつつ側面視円弧状に成長する。なお、同図では、非磁性支持体２が矢印Ｒ１の向きに走行している状態を表している。
【００５８】
また、非磁性支持体２上に初期成長部３ａを形成することで、非磁性支持体２の表面に凹凸が存在する場合であっても、初期成長部３ａの形成過程において、強磁性金属材料９およびその酸化物で凹凸が覆われて凹凸の度合い（大きさ）が十分に小さくなる。したがって、この初期成長部３ａの上に形成される後期成長部３ｂの形成時において非磁性支持体２の表面に存在する凹凸よりも大きな凹凸が形成される事態が回避され、結果として、非磁性支持体２の表面に存在する凹凸と同程度の大きさの凹凸が後期成長部３ｂの表面、すなわち、第１磁性層３の表面に形成される。これにより、所望の平坦性を有する第１磁性層３が非磁性支持体２の上に形成される。この後期成長部３ｂの厚みは、マスク１９ａの位置、非磁性支持体２の走行速度、強磁性金属材料９の蒸発量を適宜調整することで所望の厚みとすることができる。
【００５９】
なお、上記の蒸着終了点Ｐｅは、前述した蒸着開始点Ｐｓと同様に幾何学的な意味での蒸着終了点であり、実際には、非磁性支持体２のテープ走行速度および強磁性金属材料９の蒸発量やマスク１９ａの裏側に強磁性金属材料９が回り込むことに起因して、図２に示す蒸着終了点Ｐｅよりも下流側まで非磁性支持体２に対する強磁性金属材料９の蒸着が続くこともある。
【００６０】
この後、初期成長部３ａおよび後期成長部３ｂの形成が完了した（第１磁性層３の形成が完了した）非磁性支持体２は、回転冷却ドラム１５の周面から離脱して巻き取りロール１４に巻き取られる。これにより、本発明における２回の蒸着処理のうちの１回目が完了する。
【００６１】
続いて、第１磁性層３の形成が完了した非磁性支持体２が巻回された原反を繰り出しロール１３にセットして回転冷却ドラム１５の周面に沿わせると共に、先端部を巻き取りロール１４に固定する。次いで、真空ポンプ１２を作動させて真空槽１１内を真空状態とした後に、繰り出しロール１３、巻き取りロール１４および回転冷却ドラム１５を回転させて回転冷却ドラム１５の周面に沿って非磁性支持体２を走行させる。この際には、前述した第１磁性層３の形成処理時とは逆方向に非磁性支持体２が走行させられる。続いて、るつぼ１６内の強磁性金属材料９に向けて電子銃１７から電子ビーム１７ａを照射することで強磁性金属材料９を蒸発させると共に、酸素供給管２０ａ，２０ｂからの酸素ガスの供給を開始する。
【００６２】
この際には、前述した初期成長部３ａおよび後期成長部３ｂの形成プロセスと同様にして、図４に示すように、第１磁性層３の上に初期成長部４ａおよび後期成長部４ｂが形成される。なお、同図では、非磁性支持体２が矢印Ｒ２の向きに走行している状態を表している。この際に、前述した初期成長部３ａと同様にして、第２磁性層４の形成処理における初期段階（酸素混合チャンバ１８ａの近傍）において第１磁性層３の上に初期成長部４ａを形成することで、第１磁性層３の表面に凹凸が存在する場合であっても、初期成長部４ａの形成過程において、強磁性金属材料９およびその酸化物で凹凸が覆われて凹凸の度合い（大きさ）が十分に小さくなる。したがって、この初期成長部４ａの上に形成される後期成長部４ｂの形成時において第１磁性層３の凹凸よりも大きな凹凸が形成される事態が回避され、結果として、第１磁性層３の凹凸と同程度の大きさの凹凸が後期成長部４ｂの表面、すなわち、第２磁性層４の表面に形成される。これにより、所望の平坦性を有する第２磁性層４が第１磁性層３の上に形成される。この後、初期成長部４ａおよび後期成長部４ｂの形成が完了した（第２磁性層４の形成が完了した）非磁性支持体２は、回転冷却ドラム１５の周面から離脱して巻き取りロール１４に巻き取られる。これにより、本発明における２回の蒸着処理のうちの２回目が完了する。
【００６３】
この後、図５に示すように、保護層形成装置（図示せず）を用いて第２磁性層４の表面にＤＬＣを付着させることで保護層６を形成する。次いで、非磁性支持体２の裏面側にバックコート層用塗料を塗布して乾燥させることによってバックコート層８を形成すると共に、保護層６の表面に潤滑剤７を塗布する。以上により、磁気テープ１の一連の製造工程が完了し、図１に示すように、磁気テープ１が完成する。なお、テープカートリッジに収容される最終製品物としての磁気テープは、潤滑剤７の塗布が完了した非磁性支持体２を所定のテープ幅に裁断することで製造されるが、本発明についての理解を容易とするために、これらの工程についての図示および説明を省略する。
【００６４】
次いで、初期成長部３ａ，４ａの有無、第２磁性層４の厚みに対する第１磁性層３の厚みの比、および後期成長部３ｂ，４ｂの厚みに対する初期成長部３ａ，４ａの厚みの比と、磁気テープの記録再生特性との関係について、実施例および比較例を参照して具体的に説明する。
【００６５】
まず、上記の製造装置１０を用いて、図６，７に示す実施例１〜１７の磁気テープと比較例１〜３の磁気テープとをそれぞれ製造した。この場合、各磁気テープの製造方法については、基本的には上記の磁気テープ１と同様とした。なお、第１磁性層や第２磁性層を形成する際に酸素供給管２０ａ，２０ｂから供給する酸素ガスの量については、図７に示す量とする。この場合、同図では、比較例１における第１磁性層の形成時に蒸着終了点Ｐｅ側の酸素供給管２０ｂから供給する酸素ガスの量を基準とし、この供給量に対する割合で第１磁性層の初期成長部を形成する際に酸素供給管２０ａから供給する酸素ガスの供給量、第１磁性層の後期成長部を形成する際に酸素供給管２０ｂから供給する酸素ガスの供給量、第２磁性層の初期成長部を形成する際に酸素供給管２０ａから供給する酸素ガスの供給量、および第２磁性層の後期成長部を形成する際に酸素供給管２０ｂから供給する酸素ガスの供給量をそれぞれ示している。
【００６６】
［実施例１］
第１磁性層における初期成長部の厚みが４ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが２９ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが６ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが５１ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが３３ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが５７ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が０．５８となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１４となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１２となった。
【００６７】
［実施例２］
第１磁性層における初期成長部の厚みが４ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが２８ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが５ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが４７ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが３２ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが５２ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が０．６２となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１４となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１１となった。
【００６８】
［実施例３］
第１磁性層における初期成長部の厚みが４ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが３１ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが５ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが４２ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが３５ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが４７ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が０．７４となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１３となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１２となった。
【００６９】
［実施例４］
第１磁性層における初期成長部の厚みが５ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが５０ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが４ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが５０ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが５５ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが５４ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．０２となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１０となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．０８となった。
【００７０】
［実施例５］（前述した磁気テープ１）
第１磁性層における初期成長部の厚みが７ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが６８ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが７ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが６５ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが７５ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが７２ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．０４となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１０となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１１となった。
【００７１】
［実施例６］
第１磁性層における初期成長部の厚みが５ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが３８ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが５ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが３５ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが４３ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが４０ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．０８となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１３となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１４となった。
【００７２】
［実施例７］
第１磁性層における初期成長部の厚みが５ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが４８ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが３ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが４３ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが５３ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが４６ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．１５となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１０となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．０７となった。
【００７３】
［実施例８］
第１磁性層における初期成長部の厚みが３ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが４４ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが４ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが２９ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが４７ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが３３ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．４２となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．０７となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１４となった。
【００７４】
［実施例９］
第１磁性層における初期成長部の厚みが４ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが３１ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが３ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが２１ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが３５ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが２４ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．４６となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１３となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１４となった。
【００７５】
［実施例１０］
第１磁性層における初期成長部の厚みが５ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが４７ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが４ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが２９ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが５２ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが３３ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．５８となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１１となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１４となった。
【００７６】
［実施例１１］
第１磁性層における初期成長部の厚みが６ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが５２ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが５ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが３１ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが５８ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが３６ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．６１となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１２となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１６となった。
【００７７】
［実施例１２］
第１磁性層における初期成長部の厚みが４ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが４８ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが４ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが２８ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが５２ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが３２ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．６３となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．０８となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１４となった。
【００７８】
［実施例１３］
第１磁性層における初期成長部の厚みが７ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが４５ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが４ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが２７ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが５２ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが３１ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．６８となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１６となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１５となった。
【００７９】
［実施例１４］
第１磁性層における初期成長部の厚みが７ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが４７ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが４ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが２８ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが５４ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが３２ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．６９となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１５となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１４となった。
【００８０】
［実施例１５］
第１磁性層における初期成長部の厚みが６ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが５３ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが４ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが２７ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが５９ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが３１ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．９０となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１１となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１５となった。
【００８１】
［実施例１６］
第１磁性層における初期成長部の厚みが５ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが４９ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが３ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが２３ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが５４ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが２６ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が２．０８となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１０となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１３となった。
【００８２】
［実施例１７］
第１磁性層における初期成長部の厚みが６ｎｍで、第１磁性層における後期成長部の厚みが４９ｎｍで、第２磁性層における初期成長部の厚みが３ｎｍで、第２磁性層における後期成長部の厚みが２３ｎｍとなるように非磁性支持体２の上に第１磁性層および第２磁性層をこの順で形成した。この結果、第１磁性層の厚みが５５ｎｍとなり、第２磁性層の厚みが２６ｎｍとなり、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が２．１２となった。また、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１２となり、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１３となった。
【００８３】
［比較例１］
第１磁性層に初期成長部を形成することなく、厚み５３ｎｍの後期成長部のみで第１磁性層を形成すると共に、第２磁性層に初期成長部を形成することなく、厚み３３ｎｍの後期成長部のみで第２磁性層を形成した。この結果、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．６１となった。
【００８４】
［比較例２］
厚み５ｎｍの初期成長部の上に厚み４８ｎｍの後期成長部を形成することで厚み５３ｎｍの第１磁性層を形成すると共に、第２磁性層に初期成長部を形成することなく、厚み３２ｎｍの後期成長部のみで第２磁性層を形成した。この結果、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．６６で、第１磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１０となった。
【００８５】
［比較例３］
第１磁性層に初期成長部を形成することなく、厚み５０ｎｍの後期成長部のみで第１磁性層を形成すると共に、厚み４ｎｍの初期成長部の上に厚み３１ｎｍの後期成長部を形成することで厚み３５ｎｍの第２磁性層を形成した。この結果、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が１．４３で、第２磁性層における後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１３となった。
【００８６】
（保磁力Ｈｃの測定）
上記の各実施例および各比較例の磁気テープについて、ＶＳＭ（振動試料型磁力計）にて保磁力Ｈｃを測定した。その測定結果を図６に示す。
【００８７】
（出力の測定）
上記の各実施例および各比較例の磁気テープを順方向および逆方向に走行させ、その際に、０．１６μｍギャップ長インダクティブヘッドを搭載したドラムテスタを用いて０．４μｍの記録波長で記録を行うと共に、ＡＭＲヘッドを用いて再生し、その際の出力信号の信号レベル（ｄＢ）を測定した。その測定結果を図６に示す。なお、この例では、第２磁性層（表面側の磁性層）の形成処理時、または単一の磁性層の形成処理時において非磁性支持体を走行させた方向に向かって記録再生ヘッドが相対的に走査する方向を順方向とし、第１磁性層（非磁性支持体２側の磁性層）の形成処理時において非磁性支持体を走行させた方向に向かって記録再生ヘッドが相対的に走査する方向を逆方向としている。この場合、順方向出力（ｄＢ）および逆方向出力（ｄＢ）については、比較例１の順方向出力（ｄＢ）を０ｄＢとして表している。また、出力差（ｄＢ）については、順方向走行時において測定された出力（ｄＢ）と逆方向走行時において測定された出力（ｄＢ）との差分の絶対値を表している。
【００８８】
図６に示すように、第１磁性層および第２磁性層の双方に初期成長部が形成されていない比較例１の磁気テープ、第２磁性層に初期成長部が形成されていない比較例２の磁気テープ、並びに、第１磁性層に初期成長部が形成されていない比較例３の磁気テープでは、その保磁力Ｈｃが１３０ｋＡ／ｍ台、または１４０ｋＡ／ｍ台と非常に低くなっている。これは、第１磁性層および第２磁性層の一方または双方に初期成長部を形成していないことで、後期成長部の形成時に結晶磁気異方性の発現の元となるＣｏ（六方晶）におけるｃ軸方向がカラム５内で不揃いとなったことに起因すると考えられる。また、第１磁性層および第２磁性層の一方または双方に初期成長部を形成していないことで、磁気テープの平坦性が悪化しているため、磁気ヘッドとの間に大きなスペーシングロスが生じる結果、順方向走行時における出力（ｄＢ）および逆方向走行時における出力（ｄＢ）の双方が比較的低い値となっている。
【００８９】
これに対して、第１磁性層および第２磁性層の双方に初期成長部が形成されている実施例１〜１７の各磁気テープでは、その保磁力Ｈｃが最も低いものでも１５０ｋＡ／ｍ台と非常に高くなっている。これは、第１磁性層および第２磁性層の双方に初期成長部を形成したことで、後期成長部の形成時に結晶磁気異方性の発現の元となるＣｏ（六方晶）におけるｃ軸方向がカラム５内で一方向に揃っていることによる効果と考えられる。また、第１磁性層および第２磁性層の双方に初期成長部を形成したことで、磁気テープの表面が所望の平坦性を有する状態となっているため、磁気ヘッドとの間に大きなスペーシングロスが生じることなく、順方向走行時における出力（ｄＢ）および逆方向走行時における出力（ｄＢ）の双方が最低でも１．６ｄＢと比較的高い値となっている。したがって、第１磁性層および第２磁性層の双方に初期成長部を形成することで、保磁力Ｈｃが高く、しかも、出力（ｄＢ）が高い磁気テープを製造することができるのが理解できる。
【００９０】
この場合、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が０．６０を下回っている実施例１の磁気テープでは、順方向走行時における出力に対して逆方向走行時における出力が低くなり、結果として、その出力差が１．３ｄＢとなっている。また、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が２．１０を超えている実施例１７の磁気テープでは、逆方向走行時における出力に対して順方向走行時における出力が低くなり、結果として、その出力差が１．３ｄＢとなっている。これに対して、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が０．６０以上２．１０以下の範囲内となっている実施例２〜１６の各磁気テープでは、順方向走行時における出力と逆方向走行時における出力とが同程度の値となり、結果として、その出力差が１．０ｄＢ以下となっている。したがって、第２磁性層の厚みに対する第１磁性層の厚みの比が０．６０以上２．１０以下の範囲内となるように第１磁性層の厚みおよび第２磁性層の厚みをそれぞれ規定することで、順方向走行時における出力と逆方向走行時における出力との差が小さい磁気テープ、すなわち、双方向記録時に適した磁気テープを製造することができるのが理解できる。
【００９１】
また、第１磁性層および第２磁性層のいずれかにおいて後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．０８を下回っている実施例７，８の磁気テープと、第１磁性層および第２磁性層のいずれかにおいて後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．１５を超えている実施例１１，１３の磁気テープでは、その保磁力Ｈｃが１５０ｋＡ／ｍ台と僅かに低い値となっている。これに対して、第１磁性層および第２磁性層の双方において後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．０８以上０．１５以下の範囲内となっている実施例１〜３，５，６，９，１０，１４〜１７の磁気テープでは、その保磁力Ｈｃが１６０ｋＡ／ｍ台と非常に高い値となっている。この場合、実施例４，１２の磁気テープについても、その保磁力Ｈｃがほぼ１６０ｋＡ／ｍとなっており、各比較例１〜３や実施例７，８，１１，１３の磁気テープよりも十分に高い値となっている。したがって、第１磁性層および第２磁性層の双方において後期成長部の厚みに対する初期成長部の厚みの比が０．０８以上０．１５以下の範囲内となるように両磁性層３，４を形成することにより、保磁力Ｈｃが高い磁気テープを製造することができるのが理解できる。
【００９２】
この場合、上記のような厚みの比を満足する初期成長部を形成するには、開始点側酸素供給部１８（酸素供給管２０ａ）から供給する酸素ガスの量を調整すればよい。具体的には、図７に示すように、比較例１の製造に際して終了点側酸素供給部１９から供給した酸素ガスの量を基準供給量としたときに、第１磁性層の形成時において、開始点側酸素供給部１８から供給する酸素ガスの基準供給量に対する比が０．５０を下回っている実施例８の磁気テープでは、第１磁性層における後期成長部に対する初期成長部の比が０．８０を下回っている。また、第２磁性層の形成時において、開始点側酸素供給部１８から供給する酸素ガスの基準供給量に対する比が０．５０を下回っている実施例７の磁気テープでは、第２磁性層における後期成長部に対する初期成長部の比が０．８０を下回っている。
【００９３】
さらに、第１磁性層の形成時において、開始点側酸素供給部１８から供給する酸素ガスの基準供給量に対する比が１．５０を超えている実施例１３の磁気テープでは、第１磁性層における後期成長部に対する初期成長部の比が０．１５を超えている。同様にして、第２磁性層の形成時において、開始点側酸素供給部１８から供給する酸素ガスの量が比較的多い実施例１１の磁気テープでは、第２磁性層における後期成長部に対する初期成長部の比が０．１５を超えている。したがって、各磁性層３，４の形成時において開始点側酸素供給部１８から供給する酸素ガスの量を適宜調整することで、初期成長部に対する後期成長部の厚みの比を所望の範囲内として保磁力Ｈｃが十分に高い磁気テープを製造することができるのが理解できる。
【００９４】
このように、この磁気テープ１によれば、各カラム５が非磁性支持体２の厚み方向（法線方向）に成長した部位（カラム５における基端部側の部位）で形成された初期成長部３ａ，４ａと、各カラム５が非磁性支持体２の長手方向に沿って傾斜しつつ側面視円弧状となるように成長した部位（カラム５における先端部側の部位）で形成された後期成長部３ｂ，４ｂとをそれぞれ有する第１磁性層３および第２磁性層４を備えたことにより、初期成長部３ａの形成によって所望の平坦性を有する第１磁性層３を形成することができると共に、第１磁性層３が所望の平坦性を有することで、その上に形成する第２磁性層４についても平坦性が悪化する事態を回避することができる。また、第１磁性層３に対する初期成長部３ａの形成によって吸収し得なかった極く小さな凹凸が第１磁性層３の表面に存在していたとしても、初期成長部４ａの形成によって所望の平坦性を有する第２磁性層４を形成することができる。したがって、従来の製造方法に従って製造した磁気記録媒体とは異なり、摺動抵抗を軽減し得る程度の極く小さな凹凸（非磁性支持体２の表面に予め形成された凹凸と同程度の大きさの凹凸）を存在させつつ、スペーシングロスの発生を回避し得る程度に磁気テープ１全体としての平坦性を十分に向上させることができる結果、記録再生時におけるテープ走行性の悪化を回避しつつ、順方向走行時における出力信号の信号レベルおよび逆方向走行時における出力信号の信号レベルの双方を十分に高めることができる。
【００９５】
また、この磁気テープ１によれば、第２磁性層４の厚みに対する第１磁性層３の厚みの比が０．６０以上２．１０以下の範囲内となるように形成したことにより、双方向記録再生時における順方向走行時および逆方向走行時の双方において、磁気ヘッドからの出力信号の信号レベルをほぼ同レベルとすることができる。したがって、順方向走行時および逆方向走行時における記録・再生条件を大きく異ならせることなく記録データの再生が可能となるため、記録・再生制御が容易となる分だけ、記録再生装置の製造コストを十分に低減することができる。
【００９６】
さらに、この磁気テープ１によれば、後期成長部３ｂ，４ｂの厚みに対する初期成長部３ａ，４ａの厚みの比が０．０８以上０．１５以下の範囲内となるように第１磁性層３および第２磁性層４を形成したことにより、保磁力が十分に高い磁気テープ１を提供することができる。これにより、高密度記録化のためにデータ記録トラックの幅を狭くしたり、データ記録トラック上における１ビット長を短くしたりした場合（トラック幅方向、トラック長方向における隣接ビットの影響が顕著となる状態）であっても記録データの正常な読み出しが可能な程度に磁化状態を十分に維持することができる。
【００９７】
また、この磁気テープ製造装置１０、および製造装置１０による磁気テープ１の製造方法によれば、蒸着領域Ａにおける蒸着開始点Ｐｓに酸素ガスを供給することで各カラム５を非磁性支持体２の厚み方向に成長させて各カラム５における基端部側のそれぞれの一部で構成された初期成長部３ａ，４ａを形成すると共に、蒸着開始点Ｐｓから蒸着終了点Ｐｅまでの間において各カラム５を非磁性支持体２の長手方向に沿って傾斜させつつ側面視円弧状となるように成長させて各カラム５における先端部側のそれぞれの他の一部で構成された後期成長部３ｂ，４ｂを形成して第１磁性層３および第２磁性層４を順次形成することにより、後期成長部３ｂ，４ｂの厚みに対する初期成長部３ａ，４ａの厚みの比が所望の範囲内の磁気テープ１、すなわち、所望の平坦性を有する磁気テープ１を確実かつ容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】磁気テープ１の断面図である。
【図２】製造装置１０の構成を示す構成図である。
【図３】第１磁性層３が形成された状態の非磁性支持体２の断面図である。
【図４】図３における第１磁性層３の上に第２磁性層４が形成された状態の非磁性支持体２の断面図である。
【図５】図４における第２磁性層４の上に保護層６が形成された状態の非磁性支持体２の断面図である。
【図６】実施例１〜１７および比較例１〜３の各磁気テープにおける保磁力Ｈｃ、および順方向出力と逆方向出力との出力差（絶対値）について説明するための説明図である。
【図７】実施例１〜１７および比較例１〜３の各磁気テープを製造するための酸素供給量（製造条件）について説明するための説明図である。
【図８】従来の磁気記録媒体の製造に際して非磁性支持体２ｘの上に第１磁性層３ｘを形成している状態の断面図である。
【符号の説明】
【００９９】
１  磁気テープ
２  非磁性支持体
３  第１磁性層
３ａ，４ａ  初期成長部
３ｂ，４ｂ  後期成長部
４  第２磁性層
５  カラム
９  強磁性金属材料
１０  磁気テープ製造装置
１１  真空槽
１２  真空ポンプ
１５  回転冷却ドラム
１６  るつぼ
１７  電子銃
１７ａ  電子ビーム
１８  開始点側酸素供給部
１８ａ  酸素混合チャンバ
１８ｂ  マスク
１９  終了点側酸素供給部
１９ａ  マスク
２０ａ，２０ｂ  酸素供給管
Ａ  蒸着領域
Ａ１，Ａ２  磁化容易軸
Ｐｓ  蒸着開始点
Ｐｅ  蒸着終了点
Ｒ１，Ｒ２  矢印（テープ走行方向）
Ｚ１ａｘ，Ｚ２ａｘ，Ｚ３ａｘ  凹部
Ｚ１ｂｘ，Ｚ１ｂｘ，Ｚ３ｂｘ  凸部
【図１】
2008065917.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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