(57)【要約】【課題】実際のデバイス構造で、完全な短絡に至らない、薄膜キャパシタ中の不良箇所を検出し位置を特定することができるキャパシタの検査方法及び検査装置を提供する。【解決手段】レーザ光１１を照射、走査し、キャパシタ１５各部を局所加熱しながら、各照射領域に対応して、キャパシタ電極に交流電圧を印加して薄膜キャパシタのキャパシタンスを測定し、各照射領域間で測定したキャパシタンスを比較する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャパシタの各部領域を順次にレーザ光で照射し、該照射した領域を局所的に加熱するステップと、
前記レーザ光照射中に、前記キャパシタの電極間に交流電圧を印加してキャパシタンスを測定し、各照射領域に対応したキャパシタンスの測定値を得るステップと、
前記各照射領域に対応したキャパシタンスの測定値を、各照射領域間で相互に比較するステップと、を有することを特徴とするキャパシタの検査方法。
【請求項２】
予め、レーザ光の照射なしでキャパシタンスの周波数依存性を測定し、前記照射領域に対応したキャパシタンスの測定値を測定するための周波数を決定するステップを更に有する、請求項１に記載のキャパシタの検査方法。
【請求項３】
前記各照射領域に対応したキャパシタンスの測定値を得るステップでは、周波数可変の交流電源を用いてキャパシタの電極間に複数の周波数の交流電圧を印加し、前記各照射領域間で相互に比較するステップでは、各測定周波数毎に各照射領域間で比較する、請求項１又は２に記載のキャパシタの検査方法。
【請求項４】
前記レーザ光の照射を断続的に行う、請求項１〜３の何れか一に記載のキャパシタの検査方法。
【請求項５】
前記測定されたキャパシタンスを各照射領域間で相互に比較するステップでは、キャパシタンスの測定値又は該測定値の差異を、輝度情報又は色情報に変換して表示する、請求項１〜４の何れか一に記載のキャパシタの検査方法。
【請求項６】
被検査キャパシタの一部領域を照射可能なレーザ光を発生する光源と、
前記キャパシタの各領域を前記レーザ光で走査する走査手段と、
前記レーザ光の走査に対応してキャパシタの電極間に交流電圧を印加する電圧印加手段と、
前記印加した交流電圧に従って、前記キャパシタのキャパシタンスを前記走査領域に対応して測定する測定手段と、を有することを特徴とするキャパシタの検査装置。
【請求項７】
前記電圧印加手段は、可変周波数の交流電圧を発生する、請求項６に記載のキャパシタの検査装置。
【請求項８】
前記光源は、各照射領域へのレーザ光の照射を断続的に行う、請求項６又は７に記載のキャパシタの検査装置。
【請求項９】
前記測定手段が測定したキャパシタンスの測定値又はその測定値間の差異を、輝度情報又は色情報に変換して、測定周波数と共に表示する表示手段を更に有する、請求項６〜８の何れか一に記載のキャパシタの検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャパシタの検査方法及び装置に関し、特に、半導体デバイス中に、或いは、実装部品として使用される薄膜キャパシタの故障箇所を特定するために好適に使用されるキャパシタの検査方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体装置の高速化、高周波化に伴い、半導体装置の同時スイッチングに起因したノイズの回路内への伝播を抑制するデカップリング素子の役割がますます重要になってきている。特に、デカップリング素子に使用するキャパシタにおいては、半導体装置の高集積化に伴う単位面積当たりのキャパシタンスの増大と同時に、電圧変動に対して速やかな電荷補償を実現するために半導体装置までの配線や素子自体のインダクタンス成分をできるだけ小さくすることが求められている。このような背景のもと、従来のチップ部品と比較して、薄型化や集積化に優れる薄膜キャパシタが開発されている。このような薄膜キャパシタは、一般に電極層と誘電体層とが交互に積層され、所望のパターンに加工された形態をとり、キャパシタンスを確保するためにパターン面積が１ｍｍ２以上の大面積になる場合がある。
【０００３】
上記薄膜キャパシタの検査方法として、一般には、キャパシタ電極に電気的な接続を行い、一定温度環境下でリーク電流測定やキャパシタンス測定が行われている。この方法は、キャパシタ全体としての良否判定を可能とするものである。しかし、薄膜キャパシタの不良には、工程途中のゴミやリソグラフィーの不具合、誘電体や電極材料自体の不均一さなど様々な原因が考えられるため、従来の検査方法では、たとえ不良箇所の存在自体を見つけても、その不良場所や発生原因を特定することができない。従って、キャパシタの不良の特定が、大面積のキャパシタなどでは特に、不良をなくするための具体的なプロセス改善へと結びつかない問題がある。このような背景のもと、局所領域におけるキャパシタの評価やその結果と、キャパシタ不良とを結びつける検査方法の実現が望まれている。
【０００４】
局所領域のキャパシタ評価方法として、特許文献１には、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）でキャパシタ電極に溝を形成しキャパシタを分割した後に、ＳＰＭのカンチレバーを測定プローブとして用いる方法が記載されている。また、特許文献２では、レーザ光を照射して微小領域の非線形誘電率の温度係数を測定する装置が記載されている。レーザ光を局所加熱に利用した検査方法は、半導体装置の配線の検査方法として利用されている。また、配線の一部に電圧源と測定器を接続して、レーザ光照射にタイミングを合わせて配線の測定を行う方法や装置が特許文献３〜６に記載されている。
【特許文献１】特開２００４−１３４６５９号公報
【特許文献２】特開平８−７５８０５号公報（図３）
【特許文献３】特開平８−１６００９５号公報（図１）
【特許文献４】特開平９−２５７８８２号公報
【特許文献５】特開平１０−５０７８４号公報
【特許文献６】特開２００４−１９１２８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記各特許文献に記載された検査方法及び装置を薄膜キャパシタの検査に適用するにはいくつかの問題がある。
【０００６】
特許文献１に記載されたＳＰＭを利用する方法は、電極を分割しなければならないという問題点がある。ＳＰＭのカンチレバー自体は微小なエリアでしかコンタクトしないが、キャパシタ電極上は同電位になるため、カンチレバーのコンタクトだけではキャパシタ全体を測定することになる。このため、測定位置を限定するためには電極を分割することが不可欠となる。このように電極を分割することによって、測定対象が既に実際のキャパシタ構造とは異なる上に、分割された境界領域に存在する不良を検出することはできず、更には、分割する際に実際のデバイス作製工程では生じ得ない新たな不良を引き起こす可能性もある。従って、この方法では、薄膜キャパシタの作製工程で形成される不良箇所を同定することは、実際上は困難である。カンチレバーに導電性を持たせて、誘電体層へ直接コンタクトする方法も考えられるが、これは実際の電極／誘電体界面の状態を再現できず、目的とするキャパシタの評価ができない。
【０００７】
特許文献２では、レーザ光による局所加熱を併用することで、測定結果に局所領域の情報を含めている。しかしながら、この文献に記載されている方法及び装置は、誘電体層の物性値測定に関するものであり、測定結果がデバイスとして不良か否かという判断に関しては記載も示唆もされておらず、本発明が目的とする薄膜キャパシタの検査には利用できない。
【０００８】
特許文献３〜６には、例えば図５に示すように、半導体デバイス内の配線３３の両端に定電圧源３２から定電圧を印加しておき、半導体デバイスの表面側から局所的にレーザ光３１で加熱し、配線３３を流れる電流変化を検出器３４で測定することで、配線の短絡や配線内の不良箇所を検出する方法が記載されている。しかし、これらの文献には、配線の試験方法や検査装置が記載されているに過ぎず、薄膜キャパシタの検査やその判定方法に関しては記載も示唆もない。
【０００９】
本発明者らは、上記特許文献３〜６に記載されている方法を、薄膜キャパシタの検査に適用した実験を行った。その結果、上記方法は、完全な短絡状態になるような薄膜キャパシタの不良は検出可能であるが、実際には完全に短絡に至らない不良が薄膜キャパシタに数多くあり、そのような不良の検出ができない問題があった。また、数Ｖ以上の高い印加電圧を必要とするため、不良箇所にレーザが照射された際に流れる電流で薄膜キャパシタが絶縁破壊してしまい、その後には別の不良箇所が検出できない。従って、この技術は、本発明が目的とする薄膜キャパシタの検査には適用できない。
【００１０】
上記のように、従来の検査方法及び装置では、実際のデバイス構造とは異なる状態で検査することや、薄膜キャパシタ以外の検査技術を流用することなどのために、検出できるキャパシタの不良状態には大きな制限があった。
【００１１】
本発明は、上記従来技術の問題に鑑み、キャパシタについて新たな局所領域検査方法を提供することで、従来技術における上記制限を緩和することを目的とする。すなわち、本発明の目的は、薄膜キャパシタ内の故障箇所の推定と製造プロセスの改善とを容易にするために、実際のデバイスで用いられる構造のまま薄膜キャパシタを破壊することなく検査し、従来は実質的に検出不可能であった不良箇所を同定するキャパシタの検査方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明のキャパシタの検査方法は、キャパシタの各部領域を順次にレーザ光で照射し、該照射した領域を局所的に加熱するステップと、
前記レーザ光照射中に、前記キャパシタの電極間に交流電圧を印加してキャパシタンスを測定し、各照射領域に対応したキャパシタンスの測定値を得るステップと、
前記各照射領域に対応したキャパシタンスの測定値を、各照射領域間で相互に比較するステップと、を有することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明のキャパシタの検査装置は、被検査キャパシタの一部領域を照射可能なレーザ光を発生する光源と、
前記キャパシタの各領域を前記レーザ光で走査する走査手段と、
前記レーザ光の走査に対応してキャパシタの電極間に交流電圧を印加する電圧印加手段と、
前記印加した交流電圧に従って、前記キャパシタのキャパシタンスを前記走査領域に対応して測定する測定手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るキャパシタの検査方法及び装置によれば、レーザ光を利用したキャパシタの局所加熱に対応してキャパシタに交流電圧を印加し、そのキャパシタンス測定を可能とした。このため、従来の検査方法では検出不可能であった、完全な短絡状態には至らない不良状態を検出し、その位置を特定することが可能になる。また、キャパシタへの印加電圧を低電圧とすることで、検査中のキャパシタの絶縁破壊の発生を抑制することができる。従って、複数の不良箇所を有するキャパシタについても、それら複数の不具合を特定することが可能になる。また、検査中のキャパシタの破壊を抑制できるので、作製工程中でも使用できる効果がある。
【００１５】
本発明の検査方法では、予め、レーザ光の照射なしでキャパシタンスの周波数依存性を測定し、前記照射領域に対応してキャパシタンスを測定するための交流電圧の周波数を決定するステップを更に有してもよい。
【００１６】
また、前記各照射領域に対応したキャパシタンスの測定値を得るステップでは、周波数可変の交流電源を用いてキャパシタの電極間に複数の周波数の交流電圧を印加し、前記各照射領域間で相互に比較するステップでは、各測定周波数毎に各照射領域間で比較してもよい。
【００１７】
更に、各照射領域におけるレーザ光の照射は断続的に行ってもよい。
【００１８】
更に、前記測定されたキャパシタンスを各照射領域間で相互に比較するステップでは、キャパシタンスの測定値又は該測定値の差異を、輝度情報又は色情報に変換して表示してもよい。
【００１９】
本発明のキャパシタの検査装置では、前記電圧印加手段は、可変周波数の交流電圧を発生してもよい。
【００２０】
また、前記光源は、レーザ光の各照射領域への照射を断続的に行ってもよい。
【００２１】
更に、前記測定手段が測定したキャパシタンスの測定値又はその測定値間の差異を輝度情報又は色情報に変換し、測定周波数と共に表示する表示手段を更に有してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の理解を容易にするために、本発明の実施形態の説明に先立って、本発明の原理を説明する。本発明者らは、完全な短絡には至らない数々の不良箇所の原因を調査した結果、測定されたキャパシタンスが、特定の周波数以下で誘電体材料が本来的に与えるキャパシタンスとは異なる異常値を示すこと、及び、その異常値を示す周波数はキャパシタの共振周波数よりも低い周波数範囲にあることを発見した。これは、誘電体結晶の本来のキャパシタンスの起源となるイオン分極や電子分極とは別の緩和時間や遅い分極が存在するためと考えられる。その原因は、必ずしも明らかになってはいないが、不純物や格子欠陥に起因して、誘電体材料内に電気双極子が形成されているためと考えられる。このように、誘電体材料とは本来的に起源が異なる分極は、その分極値の温度依存性が、誘電体材料の本来的なキャパシタンスの温度依存性とは異なる。従って、キャパシタ内の不良箇所のみを加熱して薄膜キャパシタのキャパシタンスを測定すれば、正常箇所が加熱されたときとは異なる測定値が得られる。そこで、薄膜キャパシタの各領域にレーザ光を走査し、各照射領域のレーザ照射に対応してキャパシタのキャパシタンスを適当な周波数で測定し、キャパシタ中の不良箇所を特定することとした。
【００２３】
上記キャパシタンスの測定においては、交流電圧を印加し不良原因となっている分極の交流電界に対する応答を測定する。一般には、印加電圧の振幅は１Ｖ以下であり、絶縁体であるキャパシタの容量膜に数Ｖ以上の直流電圧を印加する場合と比較して、キャパシタへの負荷が小さく、測定中に容量膜を絶縁破壊させることを抑制できる。従って、薄膜キャパシタに複数の不良箇所が存在する場合でも、先に走査される不良箇所でキャパシタを絶縁破壊させることが抑制されるために、引き続き残りの領域を走査し別の不良箇所を検出することが可能となる。また、測定キャパシタの破壊が抑制できるため、例えばキャパシタ形成後でカバー膜形成前のような製品の作製工程途中でも測定でき、素子の選別や短時間での工程不具合のフィードバックが可能となる。
【００２４】
予め、レーザ光照射なしで薄膜キャパシタのキャパシタンスの周波数依存性を測定し不良箇所のキャパシタンス異常が観察される周波数領域を同定しておくことが好ましい。この方法は、その後に不良箇所を特定するためのキャパシタンス測定を単一の周波数で実施することを可能にし、測定時間の短縮に効果がある。不良箇所のキャパシタンスが、薄膜キャパシタ全体のキャパシタンスに対して影響が大きい場合には、その異常な特性がレーザ光の照射なしでも薄膜キャパシタ全体の特性として観察可能となる。このような場合には、予め薄膜キャパシタ全体のキャパシタンスを測定し、異常が観察される周波数領域を同定し、測定周波数を予め決定することが可能となる。
【００２５】
レーザ光を照射しながら各照射領域のキャパシタンスを複数の周波数で測定する方法は、レーザ光照射なしで測定された薄膜キャパシタのキャパシタンス測定から不良箇所を特定するための適当な周波数領域が明確に決定できない場合に有効である。不良箇所のキャパシタンスが、薄膜キャパシタ全体のキャパシタンスに対して影響が大きくない場合でも、不良箇所がレーザ光で加熱されることで正常領域との相違がより明確になる場合が多いためである。更に、レーザ光を断続的に照射することは、各照射領域で複数の周波数でキャパシタンスを測定する場合に、照射領域が過熱され測定ごとに照射領域の温度が変化することを抑制できる点で効果がある。
【００２６】
また、いずれの方法でも、レーザ光照射領域の位置情報と測定値とを対応させ、その測定値を輝度情報や色情報に変換して表示させることは、不良箇所を視覚的に検出しやすくできる点で有効である。
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の原理を説明するための図である。キャパシタ１５は、上部電極１２、誘電体１３、及び、下部電極１４から成り、レーザ光１１によって各領域が順次に走査される。符号１６はキャパシタ１５内の不良領域、符号１７はキャパシタ１５内の正常領域を示す。キャパシタンス測定器１８は、上部電極１２と下部電極１４との間に可変周波数の交流電源を印加し、レーザ光１１の照射領域に対応して、キャパシタ１５のキャパシタンスを測定する。
【００２８】
図２は、図１の方法で測定されるキャパシタの、正常領域と不良領域のキャパシタンスの周波数依存性の特徴を示したグラフである。同図（ａ）は正常領域にレーザ光を照射したときのキャパシタンスの変化を示し、同図（ｂ）は不良領域にレーザ光を照射したときのキャパシタンスの変化を示す。これらの図では、横軸に周波数を、縦軸に単位面積当たりのキャパシタンスを示した。図に示した記号は、雰囲気温度がＴで、測定周波数がｆのときに測定された正常領域及び不良領域の単位面積あたりのキャパシタンスをそれぞれＣｎ（Ｔ，ｆ）、Ｃａ（Ｔ，ｆ）としている。ΔＴは、レーザ光照射により雰囲気温度Ｔから上昇する、キャパシタの照射領域の温度上昇分である。同図に示すように、正常領域の照射では、その照射領域の温度変化ΔＴに依存して、各測定周波数でキャパシタンスが均一に上昇しているが、不良領域では、特定の測定周波数で大きなキャパシタンスの上昇が観測される。
【００２９】
検査する薄膜キャパシタに不良領域が存在する場合には、この薄膜キャパシタ１５は、等価回路的には正常領域１７と不良領域１６の並列なキャパシタとみなすことができる。正常領域及び不良領域の電極面積をそれぞれＳｎ、Ｓａとし、図２で示した記号を用いると、雰囲気温度Ｔにおいてレーザ光を照射しないときに測定周波数ｆで測定されるキャパシタンスＣ０は、下式（１）に示す通りである。
[数１]
Ｃ０（Ｔ，ｆ）＝Ｃｎ（Ｔ，ｆ）・Ｓｎ＋Ｃａ（Ｔ，ｆ）・Ｓａ              （１）
【００３０】
上記薄膜キャパシタ上を、例えばアルゴンイオンレーザなどのレーザ光を、順次照射位置を変えながら照射する。レーザ光の照射面積が薄膜キャパシタの全面積よりも充分に小さいレーザ照射装置を用いる。このようにすると、レーザ光照射領域のみで温度上昇ΔＴが発生する。レーザ光照射領域の面積をδＳとすると、レーザ光照射領域が全て正常領域の場合と全て不良領域の場合のそれぞれで測定キャパシタンスＣ１は式（２）、式（３）となり、その差分ΔＣは式（４）のようになる。
[数２]
C1(T,f)＝Cn(T, f)・(Sn−δS)＋Cn(T＋ΔT,f)・δS＋Ca(T,f)・Sa            （２）
C1(T,f)＝Cn(T,f)・Sn＋Ca(T,f)・(Sa−δS)＋Ca(T＋ΔT,f)・δS            （３）
ΔC(T,f)＝{Cn(T＋ΔT,f)−Cn(T,f)＋Ca(T,f)−Ca(T＋ΔT,f)}・δS          （４）
【００３１】
不良原因の分極と、正常部の誘電体材料本来の分極の起源は異なるために、それらのキャパシタンスの温度依存性が異なる。このため、適当な周波数ｆ０を選べば、
[数３]
Cn(T＋ΔＴ，f0)−Cn(Ｔ，f0)≠Ca(T＋ΔＴ,f0)−Ca(Ｔ，f0)              （５）
であり、ΔＣ（Ｔ，f0）≠０となる。従って、レーザ光１１によって、各照射領域を順次に走査し、その都度キャパシタ１５のキャパシタンスを測定し、比較を行うことで、不良領域１６と正常領域１７の判別ができる。この正常領域１７と不良領域１６のキャパシタンスの温度変化の差異は、不良領域が完全に短絡に近い状態ではなくても、不良原因と関係した分極や熱励起されるキャリアが存在すれば発現するので、従来の定電圧源を用いた直流的な測定では検出できなかった欠陥を検知できる。
【００３２】
上記検査方法を実現可能な検査装置の例について説明する。図３は本発明の一実施形態に係る検査装置の構成を示すブロック図である。検査装置２０は、検査を行う薄膜キャパシタが形成された試料２２が搭載される試料台２３を有する。試料２２中のキャパシタは、電極と接続した検査用のパッドを設けておき、パッケージを介して外部の配線と接続される。レーザ光２１はレーザ発生部２６で発生し、レーザ走査部２５で照射位置を走査し、顕微鏡部２４で適当な絞りで試料２２の各領域にレーザ光２１を照射することができる。キャパシタへの交流電圧の印加、キャパシタンスの測定は、周波数可変の電圧源と測定・解析機能とを有するインピーダンス・アナライザー２７を用いる。レーザ発生、走査、及びキャパシタンス測定、データ処理、及び、表示などの制御は、コンピュータを用いたデータ処理、システム制御部２８で行う。
【００３３】
レーザ光２１の照射領域を試料２２上で走査する方法は、上記で示したレーザ光自体の照射領域を変化させる手段以外にも、レーザ光２１の照射位置を固定したまま試料台２３を動かす手段で行ってもよい。また、試料２２が作製工程途中で薄膜キャパシタが露出している場合には、薄膜キャパシタの電極に直接プローブ針を接触させて測定しても同様の効果が得られる。
【００３４】
不良箇所を特定する周波数ｆ０が不明な場合は、予め、図３に示した装置を用いて、レーザ光を照射しない状態で、複数の周波数でキャパシタンス測定を行えば、検査のための測定周波数を決定することに有効である。更に、レーザ光を照射して、各照射領域で行うキャパシタンス測定を複数の周波数で実施することで、キャパシタンスの周波数依存性が一層明確になり、不良領域か否かの判定がより容易になる。発明者らの検討からは、１００Ｈｚから１ＭＨｚの領域での測定が好適である。また、検査装置２０にレーザ光を断続的に照射する機構を備えれば、測定中の過熱を抑制し、より正確な測定が可能となる。
【００３５】
本発明は、キャパシタの誘電体として、強誘電体やその類似物質が用いられている場合に特に有効である。図４を参照して、強誘電体キャパシタに本発明を適用したときの原理を説明する。強誘電体材料は、相転移点でキャパシタンスが極大となり、その近傍でキャパシタンスの温度依存性が大きくなることや、相転移点が組成や応力で変化することなどの特徴を有している。実線で正常領域の周波数特性を、波線で不良領域の周波数特性を示す。特に相転移点が正常領域と不良領域とで変化する場合には、同図に示す適当な雰囲気温度Ｔ及び温度上昇ΔＴでキャパシタンスを測定する。これにより、正常領域と不良領域とで、温度変化に従うキャパシタンスの変化において勾配の符号が異なり、その差異がより敏感に検出される。従って、ゴミやリソグラフィーなどの微細加工形状に起因した不良以外にも、組成や残留応力の不均一などに起因した不良も本発明方法を用いて検出することが可能となる。
【００３６】
本発明の検査方法及び装置は、薄膜キャパシタ部品の測定に限定されず、薄膜キャパシタが用いられる半導体メモリ、例えば、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）や、強誘電体不揮発性メモリ（ＦｅＲＡＭ）などの測定にも適用可能である。個々のキャパシタは、レーザ光照射領域よりも小さいが、メモリセル・アレイと同形状の並列キャパシタのテストパターンを作製して検査することで、エッチングや平坦化工程などに起因したセルアレイ内の特定の箇所に出現する不良を本検査方法で検出することが可能となる。
【００３７】
更に、本発明の検査方法及び装置の検査対象は薄膜キャパシタに限定されず、１μｍ以上の厚さの厚膜の誘電体や電極を積層したキャパシタにおいても同様な効果が期待できる。
【００３８】
以上、本発明をその好適な実施態様に基づいて説明したが、本発明のキャパシタの検査方法及び装置は、上記実施態様の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施態様の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明方法における測定原理を説明するための模式的断面図。
【図２】キャパシタの正常領域と不良領域のキャパシタンスの周波数依存性を示すグラフ。
【図３】本発明の一実施形態に係る検査装置の構成を示すブロック図。
【図４】本発明方法の測定を強誘電体キャパシタに適用したときの強誘電体の作用を示すグラフ。
【図５】従来の薄膜キャパシタの検査方法を示すブロック図。
【符号の説明】
【００４０】
１１、２１  レーザ光
１２  上部電極
１３  誘電体
１４  下部電極
１５  薄膜キャパシタ
１６  不良領域
１７  正常領域
１８  キャパシタンス測定器
２０  検査装置
２２  試料
２３  試料台
２４  顕微鏡部
２５  レーザ走査部
２６  レーザ発生部
２７  インピーダンス・アナライザー
２８  データ処理、システム制御部
【図１】
2008175540.tif 000003
【図２】
2008175540.tif 000004
【図３】
2008175540.tif 000005
【図４】
2008175540.tif 000006
【図５】
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