(57)【要約】【課題】出射光の軸が設計した方向からずれにくく、高い歩留まりで製造できる窒化物系半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】ステムに付設されたチップ搭載部に、サブマウントを介して窒化物系半導体レーザ素子を搭載した窒化物系半導体レーザ装置であって、サブマウントは、チップ搭載部に設けられた第１凹部に嵌装され、接合剤で固着されている窒化物系半導体レーザ装置に関する。また、上述のサブマウントは、第１凹部の底面に形成された第２凹部に配置された接合剤で固着されている窒化物系半導体レーザ装置に関する。【選択図】図１
2008258546.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステムに付設されたチップ搭載部に、サブマウントを介して窒化物系半導体レーザ素子を搭載した窒化物系半導体レーザ装置であって、
前記サブマウントは、前記チップ搭載部に設けられた第１凹部に嵌装され、接合剤で固着されていることを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記サブマウントは、前記第１凹部の底面に形成された第２凹部に配置された接合剤で固着されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体レーザ装置。
【請求項３】
接合剤はハンダであることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化物系半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はステムに窒化物系半導体レーザ素子が付設された窒化物系半導体レーザ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ素子は、単色性が良く、強い光が放射されるので、レーザ出射光を集光したときのスポットサイズを小さくすることができる。そのため、光ディスクや光磁気ディスクなどの光が照射され、記録および再生が行われる記録メディアの駆動装置における光ピックアップに設けられる光源として用いられる。
【０００３】
特に、波長が短く、光出力が得られる窒化物系半導体レーザ素子は、ＤＶＤなどの高密度記録メディアの駆動装置として用いられるよう、赤色半導体レーザ素子に代わる光ピックアップ素子として開発が行われている。
【０００４】
このような窒化物系半導体レーザ素子を搭載した装置が、特許文献１に提示されている。図３は、従来技術に基づく窒化物系半導体レーザ装置の断面模式図である。図４は、従来技術に基づく窒化物系半導体レーザ装置の斜視模式図である。なお、特許文献１で示されている窒化物系半導体レーザ装置は、図３および図４に該当するものである。
【０００５】
図３に示す窒化物系半導体レーザ装置は、以下のように形成される。まず、ｎ型基板１上にＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：有機金属気相成長）法などで窒化物系半導体積層部２を形成し、さらにｎ電極３およびｐ電極４を形成し、窒化物系半導体レーザ素子１０３を作製する。そして、窒化物系半導体レーザ素子１０３のｎ電極３は、ハンダ１０７を介してサブマウント１０２にダイボンディング法で接合される。
【０００６】
ここで、ダイボンディング法の概略について説明する。まず、サブマウント１０２の表面上にハンダ１０７を塗布して、ハンダ１０７の融点より若干高い温度まで加熱させてハンダ１０７を溶かした後、窒化物系半導体レーザ素子１０３をｎ電極３がサブマウント１０２側になるように載せる。そして、該温度を１分程度保持しながら、適当な荷重を加えることによって、ｎ電極３とハンダ１０７とをなじませる。これにより、ｎ電極３の最表面のＡｕ層がハンダ１０７中に溶解して、該Ａｕとハンダ材料との合金が形成される。同様にダイボンディング法によって、該サブマウント１０２は、ハンダ１０６を介してチップ搭載部３０１に接合され、固着される。
【０００７】
図４に示すように、チップ搭載部３０１は、ステム１００に付設されステム１００に突出するように形成されている。ステム１００は、チップ搭載部３０１とピン１０５ａとピン１０５ｂとを備える。ピン１０５ａとチップ搭載部１０１とは、電気的に接続されており、サブマウント１０２とチップ搭載部３０１とはハンダ１０６を介して電気的に接続されている。図４に示すとおり、サブマウント１０２は、チップ搭載部３０１の表面上に固定される。そして、図４に示すように、ピン１０５ｂとｐ電極４とはワイヤ１０４を介して電気的に接続されている。
【０００８】
このようにして、窒化物系半導体レーザ素子１０３がステム１００に設置され、窒化物系半導体レーザ装置が完成する。この窒化物系半導体レーザ装置に対して、窒素ガス封入のために、キャップ（図示していない）がステム１００に施される。
【特許文献１】特開２００３−１０１１１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の技術で示されるような窒化物系半導体レーザ装置においては、チップ搭載部３０１の表面上にハンダ３０６を置き、さらにハンダ３０６の上にサブマウント１０２を置いて、加熱によりハンダ３０６を溶解させて接着するダイボンディング法を採用している。
【００１０】
しかし、加熱によりハンダ３０６を溶解させて接着している際、サブマウント１０２がチップ搭載部３０１に対して傾斜しそのまま接着してしまい、サブマウント１０２がチップ搭載部３０１に対して傾斜した状態で接合してしまう現象が発生することがある。そのため、窒化物系半導体レーザ素子の出射光の軸がずれてしまい、その結果、窒化物系半導体レーザ装置の光学特性に変動が生じ、窒化物系半導体レーザ装置の歩留まりが低下するという大きな問題が生じる。
【００１１】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、本発明は、高い歩留まりで製造できる窒化物系半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、ステムに付設されたチップ搭載部に、サブマウントを介して窒化物系半導体レーザ素子を搭載した半導体レーザ装置であって、サブマウントは、チップ搭載部に設けられた第１凹部に嵌装され、接合剤で固着されている窒化物系半導体レーザ装置に関する。
【００１３】
また、本発明において、サブマウントは、第１凹部の底面に形成された第２凹部に配置された接合剤で固着されていることが好ましい。
【００１４】
また、本発明において、接合剤はハンダであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によるに窒化物系半導体レーザ装置よれば、サブマウントはステムに付設されたのチップ搭載部の第１凹部にガイドされ、嵌装されるので、サブマウントとステムとは所望の正確な位置に固定され、固着する。そのため、窒化物系半導体レーザ素子の出射光はステムに対して設計通り所望の方向に発生し、光学特性の変動がないので、歩留まりの高い窒化物系半導体レーザ装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本願の図面において、同一の符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。また、図面における長さ、大きさ、幅などの寸法関係は、図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法を表してはいない。
【００１７】
図１（Ａ）は、本発明による窒化物系半導体レーザ装置の一形態を示した断面模式図である。図１（Ｂ）は、本発明におけるチップ搭載部の平面模式図である。まず、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に基づいて説明する。
【００１８】
本発明の窒化物系半導体レーザ装置において、窒化物系半導体レーザ素子１０３が、ｎ電極３をサブマウント１０２に対向させた状態でハンダ１０７を介してサブマウント１０２上に固着されている。該サブマウント１０２はサブマウント側を支持基体であるチップ搭載部１０１に対向させた状態でハンダ１０６を介してチップ搭載部１０１に固着されている。チップ搭載部１０１は、サブマウント１０２の搭載位置をガイドするための第１凹部１０８を備える。また、図１に図示されていないが、チップ搭載部１０１は、上述の図４で示したように、ステムに付設されている。窒化物系半導体レーザ素子１０３は、基板１、窒化物系半導体積層部２、ｎ電極３およびｐ電極４を備える。
【００１９】
また、図１（Ａ）に示す窒化物系半導体レーザ装置は、ジャンクションアップ方式で窒化物系半導体レーザ素子１０３をサブマウント１０２に搭載しているが、本発明の窒化物系半導体レーザ装置は、ジャンクションダウン方式で搭載した構造であってもよい。なお、ジャンクションアップ方式とは、窒化物系半導体レーザ素子１０３の基板１側の電極をサブマウント１０２に対向させて、窒化物系半導体レーザ素子１０３をサブマウント１０２に積載してなる構成をいう。ジャンクションダウン方式とは、窒化物系半導体レーザ素子１０３の窒化物系半導体積層部２側の電極をサブマウント１０２対向させて、窒化物系半導体レーザ素子１０３をサブマウント１０２に積載してなる構成をいう。
【００２０】
本発明において用語は、一般的には以下の意味に使用する。但し、本発明の目的の範囲においてこの意味に限定されるものではない。
【００２１】
「窒化物系半導体レーザ素子」とは、ｎ型の基板１とこの基板１の上面に形成された窒化物系半導体積層部２と、基板１において、窒化物系半導体積層部２が形成された面とは反対の面上に形成されたｎ電極４と、窒化物系半導体２上に形成されたｐ電極４とを備えるものを意味する。本発明において、窒化物系半導体レーザ素子１０３は、適宜公知のものを用いることが可能である。
【００２２】
基板１は、Ｇａ、ＡｌおよびＩｎ等から選択される少なくとも１つの元素と窒素元素との化合物からなるものである。基板１は、ＧａＮからなるものが好ましい。また、基板１は、例えばＳｉ、Ｏ、Ｃｌ、Ｓなどの不純物を含有していてもよい。
【００２３】
窒化物系半導体積層部２は、基板１がＧａＮである場合にその表面上に、例えば基板１側から順にＧａＮバッファ層、ｎ−ＧａＮコンタクト層、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層、ｎ−ＧａＮガイド層、ＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層、ｐ−ＡｌＧａＮ蒸発防止層、ｐ−ＧａＮガイド層、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層およびｐ−ＧａＮコンタクト層が積層されることにより構成される。
【００２４】
ｐ電極３およびｎ電極４は、例えばパラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）およびアルミニウム（Ａｌ）など通常用いられる金属から適宜選ばれる金属からなる積層体を用いることができる。具体的には、ｐ電極３は、窒化物系半導体積層部２側からパラジウム／モリブデン／金という３層からなる積層構造からなるものを採用できる。そして、ｎ電極は、基板１側からチタン／アルミニウム／モリブデン／金という積層構造からなるものを採用できる。
【００２５】
「ステム」とは、チップ搭載部１０１が付設され、外部の電極と電気的に接続するためのピンを備えられたものを示す。チップ搭載部１０１には窒化物系半導体レーザ素子１０３が搭載され、該ピンと窒化物系半導体レーザ素子１０３とが電気的に接続される。ステムには、銅または鉄を主体とする金属または、表面に金属膜がめっき形成されたものを用いることができる。このめっき形成される金属膜としては、ニッケル（Ｎｉ）膜と金（Ａｕ）膜との積層膜を用いることができる。なお、チップ搭載部１０１における第１凹部１０８および、図１には図示されない本発明における第２凹部については、後に詳述する。
【００２６】
「サブマウント」とは、窒化物系半導体レーザ素子１０３を積載するための部品を意味している。サブマウント１０２を構成する材料として、一般的に知られている放熱材料を用いることができる。例えば、サブマウント１０２を構成する材料として、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ＣｕＷ、ＢｅＯ、鉄（Ｆｅ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、シリコン（Ｓｉ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、立方晶窒化硼素（ｃｕｂｉｃ  Ｂｏｒｏｎ  Ｎｉｔｒｉｄｅ：ｃＢＮ）、ＣｕＭｏ、ダイヤモンドなどを用いることができる。
【００２７】
「接合剤」とは、サブマウントと窒化物系半導体レーザ素子との接合、および窒化物系半導体レーザ装置とチップ搭載部との接合、固着などに用いられるものを意味する。接合剤には、ハンダを用いることができる。ハンダの材料としては、インジウム（Ｉｎ）、ＩｎＰｂ、ＩｎＳｎ、ＩｎＡｇ、ＩｎＡｇＰｂなどのＩｎを含む合金、あるいは、スズ（Ｓｎ）、ＳｎＰｂ、ＳｎＳｂ、ＳｎＡｇ、ＳｎＡｇＰｂ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＰｂＳｂなどのＳｎを含む合金、あるいは、Ａｇ、金（Ａｕ）、Ｃｕなどの粉末を混入したエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などが挙げられる。これらの材料の融点はおおむね１００℃〜２３５℃程度である。また、より融点の高いハンダの材料の例としては、ＡｕＳｉ、ＡｕＳｎ、ＡｕＧａ、ＡｕＧｅ、ＡｕＳｂ、ＡｕＮｉ、ＡｕＩｎ、ＡｕＡｇＳｎなどのＡｕを含む合金などが挙げられる。これらの材料の融点は２８０℃程度、あるいはそれ以上である。
【００２８】
以下、実施の形態を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２９】
＜第１実施形態＞
図１（Ａ）、図１（Ｂ）および図４を参照して本発明による窒化物系半導体レーザ装置の第１実施形態を説明する。チップ搭載部１０１は、図４における説明で上述したとおり、ステムに付設されている。チップ搭載部１０１は、第１凹部１０８を備え、第１凹部１０８の底面に設置される接合剤としてのハンダ１０６でサブマウント１０２を介して、窒化物系半導体レーザ素子１０３と、電気的に接続され固着されている。ここで、第１凹部１０８の底面とは、図１（Ａ）に示すようにサブマウント１０２の底面と固着される面を示す。第１凹部１０８は、サブマウント１０２が嵌装され固着される凹部のことを示す。第１凹部１０８は、ステムに付設されたチップ搭載部１０１における所望の位置にサブマウント１０２を固着するために設けられる。
【００３０】
窒化物系半導体レーザ装置は、窒化物系半導体レーザ素子１０３とサブマウント１０２とステムとを備え、窒化物系半導体レーザ素子１０３は、ｎ電極３を下にして、サブマウント１０２の表面にハンダ１０７を介して積載・固着されている。そして、窒化物系半導体レーザ装置において、サブマウント１０２は、ステムに付設されたチップ搭載部１０１に接合剤としてのハンダ１０６で固着されている。
【００３１】
図１（Ａ）に示す窒化物系半導体レーザ装置は、以下のように形成される。
まず、公知の方法で、窒化物系半導体レーザ素子１０３を形成する。そして、窒化物系半導体レーザ素子１０３とサブマウント１０２とをダイボンディング法によってハンダ１０７を介して固定する。ここで、ダイボンディング法とは、一般的には以下のような工程である。すなわち、上述のサブマウント１０２における窒化物系半導体レーザ素子１０３との接続表面にハンダ１０６を設けておく。そして、窒化物系半導体レーザ素子１０３をハンダ１０７上の所定の位置に配置してから、サブマウント１０２をハンダ１０７の融点より高い温度に加熱する。この状態で、窒化物系半導体レーザ素子１０３を押圧部材であるコレットによりサブマウント１０２へ押圧する。この結果、ハンダ１０７と窒化物系半導体レーザ素子１０３およびサブマウント１０２の表面とがなじみ、ｎ電極３の最表面のＡｕなどからなる層は、ハンダ１０７中に溶解して、ハンダとＡｕなどの合金が形成される。その後、ハンダ１０７を冷却固化させる。このようにして、窒化物系半導体レーザ素子１０３とサブマウント１０２とが熱伝導性よく接着される。
【００３２】
次に、ステムに突出するように形成されたチップ搭載部１０１の表面上に、当該サブマウント１０２を固着する。この固着の際に、チップ搭載部１０１における第１凹部１０８の表面にあらかじめハンダ１０６を配置する。そして、第１凹部１０８の底面に対して、サブマウント１０２の窒化物系半導体レーザ素子１０３を接着してない面を向けて、サブマウント１０２を第１凹部１０８に嵌装する。そして、上述のダイボンディング法で同様にして、チップ搭載部１０１とサブマウント１０２とをハンダ１０６を介して固着する。
【００３３】
最後に、ｐ電極４と電気的に接続されたワイヤ１０４を、ステムにおけるピンと接続することで窒化物系半導体レーザ装置を完成する。
【００３４】
第１凹部１０８によって、サブマウント１０２を所望の位置に固着することができるため、窒化物系半導体レーザ素子１０３の予め設計した出射光の軸がずれることを防止することができる。
【００３５】
つまり、第１凹部１０８にサブマウント１０２を嵌装した状態で、ダイボンディング法にてチップ搭載部１０１とサブマウント１０２とを固着するために、ステムにおける所望の位置にサブマウント１０２が組み込まれる。したがって、ハンダ１０６が溶解したときのチップ搭載部１０１に対するサブマウント１０２の位置は、垂直方向のずれおよび水平方向のずれが発生しにくい。すると窒化物系半導体レーザ素子１０３の出射光の方向がステムや端面に対して法線方向になり、まっすぐ光を取り出すことができる。これにより、光軸ずれは発生せず、光学的特性の歩留まり、ひいては、窒化物系半導体レーザ素子の歩留まりが向上する。
【００３６】
また、第１凹部１０８によって、所望の正確な位置に簡単に窒化物系半導体レーザ素子１０３をサブマウント１０２を介して設置することができる。したがって、チップ搭載部１０１とサブマウント１０２との位置合わせを簡便にかつ正確に行なうことができるため、製造工程がより簡便化される。
【００３７】
また、第１凹部１０８の大きさについて、長手方向、短手方向および深さの観点から説明する。第１凹部の長手方向および短手方向の長さは、それぞれ、サブマウント１０２の長手方向および短手方向の長さの１．１〜１．３倍であることが好ましい。第１凹部の長手方向および短手方向の長さが、それぞれ、サブマウント１０２の長手方向および短手方向の長さの１．１倍未満の場合には、サブマウント１０２を嵌装しにくく、１．３倍を超える場合には、サブマウント１０２を第１凹部に嵌装し、ハンダ１０６が溶解したときの垂直方向のずれおよび水平方向のずれが発生しないとの効果が得られない虞があるためである。また、第１凹部１０８の深さは、２０〜８０μｍであることが好ましい。該深さが、２０μｍ未満の場合には、サブマウント１０２を嵌装しても、サブマウント１０２がチップ搭載部１０１からずれる虞があり、該深さが８０μｍを超える場合、窒化物系半導体レーザ素子１０３の発光点の位置がずれてしまう虞があるためである。
【００３８】
＜第２実施形態＞
図２（Ａ）は、本発明による窒化物系半導体レーザ装置の一形態を示した断面模式図である。図２（Ｂ）は、本発明におけるチップ搭載部の平面模式図である。図２（Ａ）および図２（Ｂ）を参照して本発明による窒化物系半導体レーザ装置の第２実施形態を説明する。
【００３９】
チップ搭載部２０１は、図４における説明で上述したとおり、ステムに付設される。チップ搭載部２０１は、第１凹部２０８と第１凹部２０８の底面に形成された第２凹部２０９とを備え、第２凹部２０９の底面に設置される接合剤としてのハンダ２０６で窒化物系半導体レーザ素子１０３を積載したサブマウント１０２と、電気的に接続されている。図２（Ａ）に示すように、第１凹部２０８は、上述したものと同様のものでサブマウント１０２が嵌装され固着される凹部のことを示し、第２凹部２０９はサブマウント２０２を固着するためのハンダ２０９を配置するための凹部を示す。第１凹部２０８によってサブマウント１０２は、嵌装され、さらに第２凹部２０９が設けられているためハンダ２０６が第１凹部２０８の所望の位置特に好ましくは中央からずれることなく位置する。
【００４０】
窒化物系半導体レーザ装置は、窒化物系半導体レーザ素子１０３とサブマウント２０２とステムとを備え、窒化物系半導体レーザ素子１０３は、ｎ電極３を下にして、サブマウント１０２の表面にハンダ１０７を用いて固定・積載されている。そして、窒化物系半導体レーザ装置において、サブマウント１０２は、ステムに付設されたチップ搭載部２０１に接合剤としてのハンダ２０６で固着されている。
【００４１】
図２（Ａ）に示す窒化物系半導体レーザ装置は、以下のように形成される。
まず、公知の方法で、窒化物系半導体レーザ素子１０３を形成する。そして、窒化物系半導体レーザ素子１０３とサブマウント１０２とを上述したダイボンディング法によってハンダ１０７を介して固定する。
【００４２】
次に、ステムに突出するように形成されたチップ搭載部２０１の表面上に、当該サブマウント１０２を固着する。この固着の際に、チップ搭載部２０１における第２凹部２０９の表面にあらかじめハンダ２０６を配置する。そして、第１凹部２０８に、サブマウント１０２の窒化物系半導体レーザ素子１０３を接着してない面を向けて、サブマウント１０２を第１凹部２０８に嵌装する。そして、上述のダイボンディング法と同様にして、チップ搭載部２０１とサブマウント１０２とをハンダ２０６を介して固着する。
【００４３】
最後に、ｐ電極４と電気的に接続されたワイヤ１０４を、ステムにおけるピンと接続することで窒化物系半導体レーザ装置を完成する。
【００４４】
第１凹部２０８によって、サブマウント１０２を所望の位置に固着することができるため、窒化物系半導体レーザ素子１０３の出射光の軸がずれることを防止することができる。
【００４５】
また、第１凹部２０８によって、所望の正確な位置に簡単に窒化物系半導体レーザ素子１０３をサブマウント１０２を介して設置することができる。したがって、チップ搭載部２０１とサブマウント１０２との位置合わせを簡便にかつ正確に行なうことができるため、製造工程がより簡便化される。
【００４６】
本実施の形態では、さらに、第２凹部２０９が設けられているためハンダ２０６が第１凹部２０８の中央からずれることなく位置する。したがって、ダイボンディング法によってハンダ２０６が溶解したとき、チップ搭載部２０１に対するサブマウント１０２の位置は、垂直方向および水平方向にサブマウント１０２の固着位置のずれが発生しにくい。すると窒化物系半導体レーザ素子１０３の出射光の方向がステムや端面に対して法線方向になり、まっすぐ光を取り出すことができる。これにより、光軸ずれは発生せず、光学的特性の歩留まり、ひいては、窒化物系半導体レーザ素子の歩留まりが向上する。
【００４７】
ここで、第１凹部２０８の大きさは、第１実施形態において上述したとおりであることが好ましい。
【００４８】
「第１凹部２０８の長手方向の長さ／第２凹部２０９の長手方向の長さ」、および「第１凹部２０８の短手方向の長さ／第２凹部２０９の短手方向の長さ」の値は、それぞれ、１．１〜１．５倍であることが好ましい。該値が１．１倍未満の場合には、ハンダ２０６が嵌装しにくい虞があり、該値が１．５倍を超える場合には、ハンダ２０６の設置される位置がサブマウント１０２に対して不均等な位置になることによってサブマウント１０２がずれる虞があるためである。また、第２凹部２０９の深さは、１０〜３０μｍであることが好ましい。該深さが、１０μｍ未満の場合には、ハンダ２０６を嵌装しても、ハンダ２０６が第２凹部２０９からずれる虞があり、該深さが３０μｍを超える場合、ハンダ２０６の溶解した体積がサブマウント１０２を固着するのに十分確保できない虞があるためである。
【００４９】
＜第３実施形態＞
第１実施形態においては、サブマウント１０２を介して窒化物系半導体レーザ素子１０３が、チップ搭載部１０１に搭載されたが、これに代わって、チップ搭載部に、直接、接合剤としての例えばハンダを介して窒化物系半導体レーザ素子を搭載した窒化物系半導体レーザ装置を形成することができる。
【００５０】
本実施の形態においては、第１実施形態で説明した第１凹部に、窒化物系半導体レーザ素子が、サブマウントを介することなく直接チップ搭載部に嵌装され、ハンダで固着されている。このとき第１凹部の大きさは、上述したサブマウントの大きさの代わりに窒化物系半導体レーザ素子の大きさに合わせて適宜調整する。本実施の形態においても、第１凹部によって、窒化物系半導体レーザ素子を所望の位置に固着することができるため、窒化物系半導体レーザ素子の出射光の軸がずれることを防止することができる。また、第１凹部によって、所望の正確な位置に簡単に窒化物系半導体レーザ素子を設置することができるため、製造工程が簡便化される。
【００５１】
＜第４実施形態＞
第２実施形態においては、サブマウント１０２を介して窒化物系半導体レーザ素子１０３が、チップ搭載部２０１に搭載されたが、これに代わって、チップ搭載部に、直接、接合剤としての例えばハンダを介して窒化物系半導体レーザ素子を搭載した窒化物系半導体レーザ装置を形成することができる。
【００５２】
本実施の形態においては、第１実施形態で説明した第１凹部に、窒化物系半導体レーザ素子が、サブマウントを介することなく直接チップ搭載部に嵌装され、第２凹部に設置されたハンダで固着されている。このとき第１凹部の大きさは、上述したサブマウントの大きさの代わりに窒化物系半導体レーザ素子の大きさに合わせて適宜調整し、第２凹部の大きさは該第１凹部の大きさに合わせて適宜調整する。本実施の形態においても、第１凹部によって、窒化物系半導体レーザ素子を所望の位置に固着することができるため、窒化物系半導体レーザ素子の出射光の軸がずれることを防止することができる。また、第１凹部によって、所望の正確な位置に簡単に窒化物系半導体レーザ素子を設置することができるため、製造工程が簡便化される。
【００５３】
そして、第２凹部によって、ハンダ２０６のずれを防止することができる。
なお、本発明における窒化物系半導体レーザ装置について、ジャンクションアップ方式を例に説明したが、ジャンクションダウン方式であってもよい。
【００５４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】（Ａ）は、本発明による窒化物系半導体レーザ装置の一形態を示した断面模式図であり、（Ｂ）は、本発明におけるチップ搭載部の平面模式図である。
【図２】（Ａ）は、本発明による窒化物系半導体レーザ装置の一形態を示した断面模式図であり、（Ｂ）は、本発明におけるチップ搭載部の平面模式図である。
【図３】従来技術に基づく窒化物系半導体レーザ装置の断面模式図である。
【図４】従来技術に基づく窒化物系半導体レーザ装置の斜視模式図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  基板、２  窒化物系半導体積層部、３  ｎ電極、４  ｐ電極、１００  ステム、１０１，２０１，３０１  チップ搭載部、１０２  サブマウント、１０３  窒化物系半導体レーザ素子、１０４  ワイヤ、１０５ａ  ピン、１０５ｂ  ピン、１０６，１０７，２０６，３０６  ハンダ、１０８，２０８  第１凹部、２０９  第２凹部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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