(57)【要約】【課題】不揮発性メモリのアクセス動作を制御することで、動作時の最大電流値を超える事態を抑制して、常に安定した動作を確保できるディスク記憶装置を提供することにある。【解決手段】ディスク媒体１０及びフラッシュメモリ２２を有するディスクドライブ１において、ディスクコントローラ２０は、フラッシュメモリ２２のアクセスに伴うブロックイレース処理のタイミングを、ディスク媒体１０のアクセスに伴うシーク動作のタイミングとは異なるように制御する。【選択図】      図１
2008300021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク媒体上にデータのリード動作又はライト動作を実行するためのヘッドと、
前記ヘッドを前記ディスク媒体上の目標位置に位置決めする位置決め動作を実行するためのヘッド位置決め手段と、
データのライト動作時に、ブロック単位に記憶データを消去するブロックイレース処理を実行する機能を含む不揮発性メモリと、
前記位置決め動作時に、前記ヘッド位置決め手段に印加する電流値が所定の上限値を超える期間を除いて、前記ブロックイレース処理を実行するように制御する制御手段と
を具備したことを特徴とするディスク記憶装置。
【請求項２】
前記制御手段は、
前記不揮発性メモリのライト動作時において、前記ブロックイレース処理の対象ブロックを決定した後に、前記位置決め動作が開始される場合には、前記位置決め動作の開始時と終了時に前記ヘッド位置決め手段に電流を印加する期間を除く前記位置決め動作の実行期間内に、前記ブロックイレース処理を実行するように制御することを特徴とする請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項３】
前記制御手段は、
前記不揮発性メモリのライト動作時において、前記位置決め動作時で、前記ヘッド位置決め手段に印加する電流値が最大値になる期間では、前記ブロックイレース処理の実行を停止し、当該期間を除く前記位置決め動作の実行期間内に、前記ブロックイレース処理を実行するように制御することを特徴とする請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項４】
前記制御手段は、
前記不揮発性メモリのライト動作時において、前記ブロックイレース処理の対象ブロックを決定した後に、前記位置決め動作が開始されるまでの時間が、前記ブロックイレース処理の完了可能時間以上であれば、前記ブロックイレース処理を実行するように制御することを特徴とする請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項５】
前記制御手段は、
前記不揮発性メモリのライト動作時において、前記ブロックイレース処理の対象ブロックを決定した後に、前記位置決め動作が開始される場合には前記ブロックイレース処理を実行せずに、前記位置決め動作が終了した後に前記ブロックイレース処理を実行するように制御することを特徴とする請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項６】
前記制御手段は、
前記不揮発性メモリのライト動作時において、前記ブロックイレース処理の対象ブロックを決定した後に、前記位置決め動作が開始から終了までの時間が前記ブロックイレース処理の完了可能時間より短時間の場合には、前記位置決め動作が終了した後に前記ブロックイレース処理を実行するように制御することを特徴とする請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項７】
前記制御手段は、
前記不揮発性メモリのライト動作時において、前記ブロックイレース処理の対象ブロックを決定した後に、前記位置決め動作が開始される前に前記ブロックイレース処理を開始し、前記位置決め動作が開始されたときに前記ブロックイレース処理を中断し、前記位置決め動作による前記ヘッドの加速期間の終了後に前記ブロックイレース処理を再開するように制御することを特徴とする請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項８】
前記制御手段は、
前記ブロックイレース処理を停止、中断または実行しないときには、前記不揮発性メモリのライト動作を禁止するように制御することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のディスク記憶装置。
【請求項９】
前記制御手段は、
前記ブロックイレース処理を停止、中断または実行しないときには、前記不揮発性メモリのリード動作を禁止するように制御することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のディスク記憶装置。
【請求項１０】
ディスク媒体上にデータのリード動作又はライト動作を実行するためのヘッドと、前記ヘッドを前記ディスク媒体上の目標位置に位置決めする位置決め動作を実行するためのヘッド位置決め手段と、データのライト動作時に、ブロック単位に記憶データを消去するブロックイレース処理を実行する機能を含む不揮発性メモリとを有するディスク記憶装置に適用するメモリ制御方法であって、
前記不揮発性メモリのライト動作時に、前記ブロックイレース処理の対象ブロックを決定するステップと、
前記位置決め動作時に、前記ヘッド位置決め手段に印加する電流値が所定の上限値を超える期間を除いて前記ブロックイレース処理を実行するように制御するステップと
を有する手順を実行することを特徴とするメモリ制御方法。
【請求項１１】
前記制御ステップは、
前記不揮発性メモリのライト動作時において、前記位置決め動作時で、前記ヘッド位置決め手段に印加する電流値が最大値になる期間では、前記ブロックイレース処理の実行を停止し、当該期間を除く前記位置決め動作の実行期間内に、前記ブロックイレース処理を実行するように制御することを特徴とする請求項１０に記載のメモリ制御方法。
【請求項１２】
前記制御ステップは、
前記不揮発性メモリのライト動作時において、前記ブロックイレース処理の対象ブロックを決定した後に、前記位置決め動作が開始されるまでの時間が、前記ブロックイレース処理の完了可能時間以上であれば、前記ブロックイレース処理を実行するように制御することを特徴とする請求項１０に記載のメモリ制御方法。
【請求項１３】
前記制御ステップは、
前記不揮発性メモリのライト動作時において、前記ブロックイレース処理の対象ブロックを決定した後に、前記位置決め動作が開始される場合には前記ブロックイレース処理を実行せずに、前記位置決め動作が終了した後に前記ブロックイレース処理を実行するように制御することを特徴とする請求項１０に記載のメモリ制御方法。
【請求項１４】
前記制御ステップは、
前記不揮発性メモリのライト動作時において、前記ブロックイレース処理の対象ブロックを決定した後に、前記位置決め動作が開始から終了までの時間が前記ブロックイレース処理の完了可能時間より短時間の場合には、前記位置決め動作が終了した後に前記ブロックイレース処理を実行するように制御することを特徴とする請求項１０に記載のメモリ制御方法。
【請求項１５】
前記制御ステップは、
前記不揮発性メモリのライト動作時において、前記ブロックイレース処理の対象ブロックを決定した後に、前記位置決め動作が開始される前に前記ブロックイレース処理を開始し、前記位置決め動作が開始されたときに前記ブロックイレース処理を中断し、前記位置決め動作による前記ヘッドの加速期間の終了後に前記ブロックイレース処理を再開するように制御することを特徴とする請求項１０に記載のメモリ制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスク媒体と共に、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリを搭載したディスク記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクドライブ（以下、単にディスクドライブと表記する）には、データ記録媒体として、磁気記録媒体であるディスク媒体と共に、ユーザデータを記憶するためのフラッシュメモリを搭載したディスクドライブが注目されている（例えば、特許文献１を参照）。このようなディスクドライブは、ハイブリッド型ディスクドライブとも呼ばれている。
【０００３】
フラッシュメモリは、不揮発性の半導体メモリであり、ブロック単位での書換え可能なフラッシュＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）とも呼ばれている。
【０００４】
このようなディスクドライブは、相対的に大容量のディスク媒体と、高速アクセス可能なフラッシュメモリの双方の特徴を発揮できるため、パーソナルコンピュータなどのホストシステムの外部記憶装置として有用である。
【特許文献１】特開平１０−４０１７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ユーザデータを記憶するためのフラッシュメモリを搭載したディスクドライブは、パーソナルコンピュータなどのホストシステムの外部記憶装置として有用である。しかしながら、フラッシュメモリは、データを書き込むライト動作の直前に、ブロックイレース処理と呼ぶブロック単位のデータ消去動作が必要である。ブロックイレース処理は、所定の電流を印加する必要がある。
【０００６】
ところで、特に小型のディスクドライブでは、電源容量が制限されているため、ドライブの動作時に印加する最大電流値には上限がある。このため、ディスク媒体とフラッシュメモリの双方のアクセス動作を無制限に実行すると、最大電流値を超える可能性がある。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、特に電源容量が制限されている場合でも、不揮発性メモリのアクセス動作を制御することで、動作時の最大電流値を超える事態を抑制して、常に安定した動作を確保できるディスク記憶装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の観点は、ハイブリッド型ディスクドライブにおいて、不揮発性メモリのブロックイレース処理を、ディスク媒体のアクセス動作に必要なヘッドの位置決め動作のタイミングとは異なるタイミングで実行するディスク記憶装置である。
【０００９】
本発明の観点に従ったディスク記憶装置は、ディスク媒体上にデータのリード動作又はライト動作を実行するためのヘッドと、前記ヘッドを前記ディスク媒体上の目標位置に位置決めする位置決め動作を実行するためのヘッド位置決め手段と、データのライト動作時に、ブロック単位に記憶データを消去するブロックイレース処理を実行する機能を含む不揮発性メモリと、前記位置決め動作時に、前記ヘッド位置決め手段に印加する電流値が所定の上限値を超える期間を除いて、前記ブロックイレース処理を実行するように制御する制御手段とを備えた構成である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、特に電源容量が制限されている場合でも、不揮発性メモリのアクセス動作を制御することで、動作時の最大電流値を超える事態を抑制して、常に安定した動作を確保できるディスク記憶装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下図面を参照して、本発明の各実施形態を説明する。
【００１２】
［ディスクドライブの構成］
図１は、各実施形態に関するディスクドライブの構成を示すブロック図である。
【００１３】
ディスクドライブ１は、ハイブリッド型ディスクドライブとも呼ばれるドライブであり、ユーザデータのデータ記録媒体として、磁気記録媒体であるディスク媒体１０と、フラッシュメモリ２２とを有する。フラッシュメモリ２２は、不揮発性の半導体メモリであり、ブロック単位での書換え可能なフラッシュＥＥＰＲＯＭである。なお、ディスクドライブ１は、ユーザデータを記憶するためのフラッシュメモリ２２以外に、マイクロプロセッサ（ＣＰＵ）１９によりアクセスされて、各種の制御情報などを記憶するフラッシュメモリ（便宜的にフラッシュＲＯＭと表記する）２１を有する。
【００１４】
さらに、ディスクドライブ１は、ディスク媒体１０を回転させるスピンドルモータ（ＳＰＭ）１１、ヘッド１２、アクチュエータ１３、及びボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１４を有する。ヘッド１２は、ディスク媒体１０に対してデータを書き込むライトヘッドと、ディスク媒体１０からデータを読出すリードヘッドとを有する。アクチュエータ１３は、ヘッド１２を搭載し、ボイスコイルモータ１４の駆動によりヘッド１２をディスク媒体１０上の半径方向（矢印）に移動させる。
【００１５】
さらに、ディスクドライブ１は、ヘッドアンプ１５、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル１６、バッファメモリ１７、モータドライバ１８、ＣＰＵ１９、及びディスクコントローラ（ＨＤＣ）２０を有する。
【００１６】
ヘッドアンプ１５は、通常では、リードアンプとライトアンプを含む。リードアンプは、ヘッド１２のリードヘッドから読出されたリード信号を増幅する。ライトアンプは、リード／ライトチャネル１６から出力されるライトデータをライト電流に変換して、ライトヘッドに出力する。リード／ライトチャネル１６は、信号処理回路であり、リードヘッドからのリード信号を処理して元のデータに復号化するリードチャネル、及びホストシステム２から送られるライトデータを符号化するライトチャネルを有する。
【００１７】
バッファメモリ１７は、通常ではＤＲＡＭ（ダイナミックＲＡＭ）であり、ディスクコントローラ２０により制御されて、リード／ライトデータを一時的に格納するメモリである。モータドライバ１８は、ボイスコイルモータ１４の駆動を制御するＶＣＭドライバ、及びＳＰＭ１１の駆動を制御するＳＰＭドライバを含む。
【００１８】
ＣＰＵ１９は、ドライブ１のメインコントローラであり、主として、ディスク媒体１０に対するリード／ライトアクセスの制御を行なう。具体的には、ＣＰＵ１９は、リード／ライトアクセスするディスク媒体１０上の目標位置を決定し、モータドライバ１８のＶＣＭドライバを介してアクチュエータ１３を移動制御することにより、ヘッド１２を目標位置に位置決めする位置決め動作を実行する。通常では、位置決め動作には、ヘッド１２を目標位置まで移動させるシーク動作と、目標位置である目標シリンダにヘッド１２を位置決めする追従動作が含まれる。
【００１９】
ディスクコントローラ２０は、ドライブ１とホストシステム２との間で、リード／ライトデータの転送を制御するインターフェースである。ディスクコントローラ２０は、ホストシステム２からのライトコマンドに基づいて、ホストシステム２から転送されたライトデータをフラッシュメモリ２２に書き込むライト動作を実行する。また、ディスクコントローラ２０は、ライトコマンドに基づいて、ディスク媒体１０に書き込むためのライトデータをバッファメモリ１７に一時的に格納し、このバッファメモリ１７からリード／ライトチャネル１６に転送する。
【００２０】
一方、ディスクコントローラ２０は、ホストシステム２からのリードコマンドに基づいて、バッファメモリ１７に格納されたデータまたはフラッシュメモリ２２から読出したデータをホストシステム２に転送するリード動作を実行する。また、ディスクコントローラ２０は、ホストシステム２からのリードコマンドに基づいて、ディスク媒体１０に対するリードアクセスを実行する。具体的には、ディスクコントローラ２０は、ディスク媒体１０から読出されて、リード／ライトチャネル１６により復号化されたデータを、バッファメモリ１７に格納する。
【００２１】
［第１の実施形態］
以下、図２、図３、及び図７のフローチャートを参照して、本実施形態に関するディスクドライブ１の動作を説明する。
【００２２】
ディスクドライブ１では、図１に示すように、アクチュエータ１３は、モータドライバ１８からＶＣＭ１４に電流が印加されることにより、ヘッド１２をディスク媒体１０の半径方向に移動させる。これにより、ヘッド１２がディスク媒体１０上の目標位置まで移動する。これをシーク動作と呼ぶ。ヘッド１２は、ディスク媒体１０上の目標位置に対して、データを書き込むライト動作、又はデータを読出すリード動作を実行する。
【００２３】
ＣＰＵ１９は、モータドライバ１８を制御して、シーク動作でのヘッド１２の速度制御を実行する。速度制御では、図２に示すように、ヘッド１２をディスク媒体１０上の静止位置から移動開始させる移動開始時３１には、ヘッド１２を加速させる。このため、ＣＰＵ１９は、移動開始時３１には、ＶＣＭ１４に対して定格の最大電流値（ピーク電流値）の電流を印加させる。
【００２４】
一方、ヘッド１２が定速期間３２を経て、ディスク媒体１０上の目標位置に接近すると、ＣＰＵ１９は、ＶＣＭ１４に対して逆方向に電流を印加して、ヘッド１２の動きにブレーキをかけて、最終的に目標位置に静止させる。このブレーキ時３３にも、ＶＣＭ１４に対して逆方向の最大電流値（ピーク電流値）の電流を印加させる。
【００２５】
なお、通常では、移動開始時３１とブレーキ時３３の電流波形は異なるが、ここでは、図２に示すように、便宜的に同一波形として示している。シーク動作は、移動距離により異なるが、平均的に数十ｍｓの時間を要する。移動開始時３１とブレーキ時３３以外の中間期間（定速期間）３２では、ＶＣＭ１４に印加される電流値は、ディスク媒体１０定点浮上時と比較してもそれほど差はなく、僅かである。
【００２６】
図３は、本実施形態に関するブロックイレース処理を、シーク動作の途中で実行した場合の電流波形を示す概念図である。ここで、ディスクコントローラ２０は、ホストシステム２から転送されたデータを、フラッシュメモリ２２に書き込むライト動作の前に、イレース処理と呼ぶ初期化を実行させる。この初期化とは、ブロックと呼ばれるデータ単位で、通常ではオール“１”を記録してクリアする処理である。このため、ブロックイレース処理と呼ぶ。
【００２７】
ブロックイレース処理では、複数ブロックを同時にイレース処理する場合もある。また、イレース処理の実行には、例えば数１０ｍＷ〜数１００ｍＷの電力が必要である。したがって、図３に示すシーク動作時の印加電流のピーク時４１，４３に、ブロックイレース処理が同時に実行されると、ディスクドライブ全体のピーク電流値が上昇して、許容範囲の最大電流値を超える事態が発生する。
【００２８】
そこで、本実施形態では、図３に示すように、シーク動作時の印加電流のピーク時４１，４３を回避して、ブロックイレース処理を実行する制御を行なう。図３は、ブロックイレース処理時４２に、フラッシュメモリ２２に印加する電流波形を示す。
【００２９】
以下、図７のフローチャートを参照して、本実施形態の制御動作の手順を説明する。
【００３０】
ディスクコントローラ２０は、ホストシステム２からフラッシュメモリ２２にデータを保存するためのライトコマンドを受信すると、ブロックイレース処理を実行すべき対象ブロックを決定する（ステップＳ１，Ｓ２）。即ち、フラッシュメモリ２２は、この対象ブロックのイレース処理が実行された後に、ホストシステム２からのデータを書き込むライト動作を実行することになる。但し、フラッシュメモリ２２は、通常では、イレース処理のブロック単位に対して、データを書き込むデータ単位は小さい。
【００３１】
ここで、ディスクコントローラ２０は、ホストシステム２からのコマンドに基づいて、ディスク媒体１０に対するリード／ライトアクセスに伴うシーク動作を実行する場合には、ブロックイレース処理を保留にする（ステップＳ３のＹＥＳ）。
【００３２】
一方、シーク動作を実行しない場合には、ディスクコントローラ２０は、決定した対象ブロックのブロックイレース処理を実行する（ステップＳ３のＮｏ，Ｓ１０）。ディスクコントローラ２０は、イレース処理されたフラッシュメモリ２２のブロックに、データを書き込むライト動作を実行する（ステップＳ１１）。
【００３３】
シーク動作を実行する場合には、ＣＰＵ１９は、モータドライバ１８を制御して、ＶＣＭ１４に駆動用の電流を印加する（ステップＳ３のＹＥＳ，Ｓ４）。シーク動作では、図３に示すように、シーク動作の開始時４１には、ヘッド１２を加速させるため、ピーク電流値（定格の最大電流値）の電流が印加される。シーク動作が定速状態になると、ＶＣＭ１４に印加される電流値は、所定の閾値以下まで低下する（ステップＳ５のＹＥＳ）。ディスクコントローラ２０は、シーク動作の開始時４１からの経過時間に基づいて、印加電流値の低下を認識し、決定した対象ブロックのブロックイレース処理を実行する（ステップＳ６）。即ち、図３に示すように、シーク動作の移動開始時（印加電流のピーク時）４１を過ぎてから、ブロックイレース処理の実行となる（定速期間４２）。ブロックイレース処理は、シーク距離により異なるが、平均的にはブレーキ時４３より以前に終了する。
【００３４】
ＣＰＵ１９は、シーク動作時に、ヘッド１２がディスク媒体１０上の目標位置に接近すると、ＶＣＭ１４に対して逆方向の電流（ブレーキ電流４３）を印加する（ステップＳ７のＹＥＳ）。これにより、ヘッド１２の動きにブレーキをかけて、最終的に目標位置に静止させる（ステップＳ８）。
【００３５】
ディスクコントローラ２０は、イレース処理されたフラッシュメモリ２２のブロックに、データを書き込むライト動作を実行する（ステップＳ９）。また、目標位置に位置決めされたヘッド１２により、データを書き込むライト動作又はデータを読出すリード動作を実行する。
【００３６】
以上のように本実施形態によれば、フラッシュメモリ２２に対するデータのライト動作時に、シーク動作が実行される場合には、フラッシュメモリ２２のブロックイレース処理を、シーク動作の開始時４１であるピーク電流値（定格の最大電流値）の印加が終了するまで保留にする。そして、シーク動作のブレーキ時４３の開始前に、ブロックイレース処理を終了させる。
【００３７】
このような制御により、シーク動作時のピーク電流印加のタイミングと、ブロックイレース処理時の電流印加のタイミングとが一致することを回避することができる。従って、ディスクドライブ全体の印加電流値が許容範囲の最大電流値を超えるような事態の発生を防止することができる。これにより、特に電源容量が制限されている小型のディスクドライブ１において、ディスク媒体１０とフラッシュメモリ２２に対するアクセス時に、消費電力を抑制できるため、常に安定した動作を実現することができる。
【００３８】
なお、一般的には、ヘッド１２のシーク動作時間と比較して、ブロックイレース処理は短時間で終了するため、図３に示すように、シーク動作開始時４１とブレーキ時４３の中間期間４２にブロックイレース処理の実行が可能である。このため、ディスクドライブ１の動作効率の点で、ブロックイレース処理を一時的に保留しても、それほどの効率低下はない。
【００３９】
［第２の実施形態］
図４及び図５は、第２の実施形態に関するブロックイレース処理を実行した場合に、フラッシュメモリ２２に印加する電流波形を示す概念図である。即ち、図４は、ブロックイレース処理をシーク動作の開始前に実行する場合の図である。図５は、ブロックイレース処理をシーク動作の終了後に実行する場合の図である。
【００４０】
以下、図８のフローチャートを参照して、本実施形態の制御動作の手順を説明する。
【００４１】
ディスクコントローラ２０は、ホストシステム２からフラッシュメモリ２２にデータを保存するためのライトコマンドを受信すると、ブロックイレース処理を実行すべき対象ブロックを決定する（ステップＳ２１，Ｓ２２）。
【００４２】
ここで、ディスクコントローラ２０は、図４に示す時点６１で、前述のシーク動作を開始する時点（ピーク電流印加時６３）までの時間を計算する（ステップＳ２３）。ディスクコントローラ２０は、算出した時間がブロックイレース処理に要する時間より長く、シーク動作が開始する前に、ブロックイレース処理が完了可能であるか否かを判定する（ステップＳ２４）。
【００４３】
完了可能であれば、ディスクコントローラ２０は、シーク動作の開始時点（６３）の前に、ブロックイレース処理（電流印加時６２）を実行する（ステップＳ２４のＹＥＳ，Ｓ２５）。一方、シーク動作の開始までの時間が短時間の場合には、ディスクコントローラ２０は、ブロックイレース処理を保留にする（ステップＳ２４のＮＯ）。
【００４４】
ＣＰＵ１９は、モータドライバ１８を制御して、ＶＣＭ１４に駆動用の電流を印加して、シーク動作を開始させる（ステップＳ２６）。この開始時６３には、ヘッド１２を加速させるため、ピーク電流値（定格の最大電流値）の電流が印加される。
【００４５】
ディスクコントローラ２０は、シーク動作の開始時６３からの経過時間に基づいて、印加電流値の低下（シーク動作の定速期間）を認識すると、まだ未処理のブロックイレース処理がシーク動作のブレーキ時点６４までに完了可能であるか否かを判定する（ステップＳ２８のＹＥＳ，Ｓ２９）。
【００４６】
完了可能であれば、ディスクコントローラ２０は、図３に示す場合と同様に、シーク動作開始時点６３とブレーキ時点６４との中間期間で、ブロックイレース処理を実行する（ステップＳ２９のＹＥＳ，Ｓ３０）。一方、図５に示すように、シーク動作開始時７２からブレーキ時点７３までの時間が短時間の場合には、ディスクコントローラ２０は、ブロックイレース処理を保留にする（ステップＳ２９のＮＯ）。
【００４７】
ＣＰＵ１９は、ブレーキ時点７３でＶＣＭ１４に対して逆方向の電流を印加して、ヘッド１２の動きにブレーキをかけて、最終的に目標位置に静止させる（ステップＳ３１）。このシーク動作の終了後に、ディスクコントローラ２０は、まだ未処理のブロックイレース処理（電流印加時７４）を実行する（ステップＳ３２のＹＥＳ，Ｓ３３）。
【００４８】
ディスクコントローラ２０は、イレース処理されたフラッシュメモリ２２のブロックに、データを書き込むライト動作を実行する（ステップＳ３４）。また、目標位置に位置決めされたヘッド１２により、データを書き込むライト動作又はデータを読出すリード動作を実行する。
【００４９】
以上のように本実施形態の制御により、シーク動作時のピーク電流印加のタイミングと、ブロックイレース処理時の電流印加のタイミングとが一致することを回避することができる。従って、ディスクドライブ全体の印加電流値が許容範囲の最大電流値を超えるような事態の発生を防止することができる。これにより、特に電源容量が制限されている小型のディスクドライブ１において、ディスク媒体１０とフラッシュメモリ２２に対するアクセス時に、消費電力を抑制できるため、常に安定した動作を実現することができる。
【００５０】
また、本実施形態の制御では、ブロックイレース処理を実行する場合に、シーク動作の開始までの時間、あるいはシーク開始からブレーキ開始までの時間に応じて、ブロックイレース処理を実行タイミングを選択できる（図４及び図５を参照）。従って、ディスク媒体１０に対するアクセス動作の状態に応じて、最適なブロックイレース処理のタイミングを決定することが可能となる。
【００５１】
［第３の実施形態］
図６は、第３の実施形態に関するブロックイレース処理を実行した場合に、フラッシュメモリ２２に印加する電流波形を示す概念図である。即ち、本実施形態は、図６に示すように、実行しているブロックイレース処理（９１）をシーク動作の開始（９２）に応じて中断し、シーク動作の定速期間でブロックイレース処理（９３）を再開する制御である。
【００５２】
以下、図９のフローチャートを参照して、本実施形態の制御動作の手順を説明する。
【００５３】
ディスクコントローラ２０は、ホストシステム２からフラッシュメモリ２２にデータを保存するためのライトコマンドを受信すると、ブロックイレース処理を実行すべき対象ブロックを決定する（ステップＳ４１，Ｓ４２）。
【００５４】
ディスクコントローラ２０は、図６の時点９１で、決定した対象ブロックのブロックイレース処理の実行を開始する（ステップＳ４３）。ここで、ブロックイレース処理の完了前に、ホストシステム２からのコマンドに基づいて、ディスク媒体１０に対するリード／ライトアクセスに伴うシーク動作が開始される（ステップＳ４４のＹＥＳ）。この場合、ディスクコントローラ２０は、ブロックイレース処理を中断する（ステップＳ４５）。一方、シーク動作が実行されない場合には、当然ながら、ディスクコントローラ２０は、ブロックイレース処理を続行する（ステップＳ４４のＮＯ，Ｓ５１）。
【００５５】
シーク動作を開始する場合には、ＣＰＵ１９は、モータドライバ１８を制御して、ＶＣＭ１４に電流印加を開始する（ステップＳ４６）。図６に示すように、シーク動作の開始時９２には、ヘッド１２を加速させるため、ピーク電流値（定格の最大電流値）の電流が印加される。
【００５６】
次に、シーク動作が定速状態になると、ＶＣＭ１４に印加される電流値は、所定の閾値以下まで低下する（ステップＳ４７のＹＥＳ）。ディスクコントローラ２０は、シーク動作の開始時９２からの経過時間に基づいて、印加電流値の低下を認識し、決定した対象ブロックのブロックイレース処理を再開する（ステップＳ４８）。即ち、図６に示すように、シーク動作の移動開始時９２を過ぎてから、シーク動作での定速期間に、ブロックイレース処理の再開となる（時点９３）。
【００５７】
ＣＰＵ１９は、ヘッド１２がディスク媒体１０上の目標位置に接近すると、ＶＣＭ１４に対して逆方向の電流（ブレーキ時点９４）を印加する（ステップＳ４９）。これにより、ヘッド１２の動きにブレーキをかけて、最終的に目標位置に静止させる。ディスクコントローラ２０は、イレース処理されたフラッシュメモリ２２のブロックに、データを書き込むライト動作を実行する（ステップＳ５０）。また、目標位置に位置決めされたヘッド１２により、データを書き込むライト動作又はデータを読出すリード動作を実行する。
【００５８】
以上のように本実施形態の制御により、シーク動作時のピーク電流印加のタイミングと、ブロックイレース処理時の電流印加のタイミングとが一致することを回避することができる。従って、ディスクドライブ全体の印加電流値が許容範囲の最大電流値を超えるような事態の発生を防止することができる。これにより、特に電源容量が制限されている小型のディスクドライブ１において、ディスク媒体１０とフラッシュメモリ２２に対するアクセス時に、消費電力を抑制できるため、常に安定した動作を実現することができる。
【００５９】
また、本実施形態の制御では、ブロックイレース処理を実行する場合に、シーク動作の開始に応じてブロックイレース処理を中断して、ピーク電流値の印加終了後に、ブロックイレース処理を再開する。従って、ディスクコントローラ２０は、ブロックイレース処理を実行する前に、そのタイミングを決定する処理は不要となる。従って、ブロックイレース処理のタイミングを決定する制御処理を効率的に行なうことが可能となる。
【００６０】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の各実施形態に関するディスクドライブの構成を示すブロック図。
【図２】第１の実施形態に関するシーク動作時の電流波形を示す概念図。
【図３】第１の実施形態に関するシーク動作時とブロックイレース処理時の電流波形を示す概念図。
【図４】第２の実施形態に関するシーク動作時とブロックイレース処理時の電流波形を示す概念図。
【図５】第２の実施形態に関するシーク動作時とブロックイレース処理時の電流波形を示す概念図。
【図６】第３の実施形態に関するシーク動作時とブロックイレース処理時の電流波形を示す概念図。
【図７】第１の実施形態に関するディスクドライブの制御動作の手順を説明するためのフローチャート。
【図８】第２の実施形態に関するディスクドライブの制御動作の手順を説明するためのフローチャート。
【図９】第３の実施形態に関するディスクドライブの制御動作の手順を説明するためのフローチャート。
【符号の説明】
【００６２】
１…ディスクドライブ、１０…ディスク媒体、１１…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、
１２…ヘッド（ライトヘッドとリードヘッド）、１３…アクチュエータ、
１４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１５…ヘッドアンプ、
１６…リード／ライトチャネル、１７…バッファメモリ、１８…モータドライバ、
１９…マイクロプロセッサ（ＣＰＵ）、２０…ディスクコントローラ（ＨＤＣ）、
２１…フラッシュＲＯＭ、２２…フラッシュメモリ。
【図１】
2008300021.tif 000003
【図２】
2008300021.tif 000004
【図３】
2008300021.tif 000005
【図４】
2008300021.tif 000006
【図５】
2008300021.tif 000007
【図６】
2008300021.tif 000008
【図７】
2008300021.tif 000009
【図８】
2008300021.tif 000010
【図９】
2008300021.tif 000011