(57)【要約】【課題】製造誤差に対して鈍感で、使用可能な入射角範囲が広い紫外領域用の偏光素子を提供する。【解決手段】偏光素子は、第１の膜及び該第１の膜よりも屈折率が低い第２の膜が交互に積層されて構成され、１．２×λ／４＜Ｈ＜１．４×λ／４及び１．２×λ／４＜Ｌ＜１．４×λ／４を満足する第１の積層膜群２と、第１及び第２の膜が交互に積層されて構成され、０．９×λ／４＜Ｈ＜１．１×λ／４及び０．９×λ／４＜Ｌ＜１．１×λ／４を満足する第２の積層膜群３とが基板１上において積層されて構成されている。λは該偏光素子に入射する紫外光の中心波長、Ｈは第１の膜の光学的膜厚、Ｌは第２の膜の光学的膜厚である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の膜及び該第１の膜より低い屈折率を有する第２の膜が交互に積層されて構成され、
１．２×λ／４＜Ｈ＜１．４×λ／４及び１．２×λ／４＜Ｌ＜１．４×λ／４
を満足する第１の積層膜群と、
前記第１及び第２の膜が交互に積層されて構成され、
０．９×λ／４＜Ｈ＜１．１×λ／４及び０．９×λ／４＜Ｌ＜１．１×λ／４
を満足する第２の積層膜群とが基板上において積層されていることを特徴とする偏光素子。
ただし、λは該偏光素子に入射する紫外光の中心波長、Ｈは前記第１の膜の光学的膜厚、Ｌは前記第２の膜の光学的膜厚である。
【請求項２】
前記基板側から順に、前記第１の積層膜群及び前記第２の積層膜群が積層されていることを特徴とする請求項１に記載の偏光素子。
【請求項３】
前記第２の積層膜群における前記第１及び第２の膜の交互繰り返し数が、前記第１の積層膜群における前記第１及び第２の膜の交互繰り返し数以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の偏光素子。
【請求項４】
前記第１の膜の材料は、フッ化ランタン、フッ化ガドリニウム、フッ化ネオジウム、フッ化デイスプロシウム、フッ化イットリウム及びこれらの混合物又は化合物のうち１つ以上の成分を含み、
前記第２の膜の材料は、フッ化アルミニウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化ナトリウム、クライオライト、チオライト及びこれらの混合物又は化合物のうち１つ以上の成分を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の偏光ビームスプリッタ。
【請求項５】
紫外光を発する光源と、
該紫外光が入射する請求項１から４のいずれか１つに記載の偏光素子と、
該偏光素子からの紫外光を用いて被処理体を露光する光学系とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
該露光した被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、紫外波長領域での使用に好適な偏光素子に関し、さらに該偏光素子を用いた露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＡｒＦレーザ（波長１９３ｎｍ）やＦ２レーザ（１５７ｎｍ）等のエキシマレーザ(excimer laser)の開発が進むのに伴い、真空紫外光を利用した半導体露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
半導体露光装置の照明系には、一般に高ＮＡ化が求められ、高ＮＡ化を図るためには偏光を効率良く制御することができる偏光素子、例えば偏光ビームスプリッタが必要である。したがって、真空紫外光を利用した半導体露光装置においても、紫外光に対して高効率な偏光制御を行う偏光素子が求められる。
【０００４】
偏光素子の作成には、一般には、直角プリズムの斜面に誘電体膜を形成し、もう１つの直角プリズムを膜面に接着して作成する手法が用いられる。ただし、２００ｎｍ以下の短波長領域では使用できる接着剤がないため、紫外光用の偏光素子は、平板に誘電体膜を積層して作成される。
【０００５】
しかし、真空紫外領域での多層膜の作成は、屈折率や膜厚が微妙に変化することが多く、難しい。また一般に、偏光素子は、入射角に対して敏感であるため、使用できる入射角が狭く制限される。
【０００６】
このため、できるだけ単純な多層膜構成を有し、かつ使用できる入射角が広い偏光素子が望まれている。
【０００７】
特許文献１は、入射光（偏光ビームスプリッタで分岐する光）の中心波長をλとしたときに、高屈折率膜及び低屈折率膜の光学的膜厚が所定の条件を満たすようにそれぞれ構成された第１及び第２の積層膜群を設けた偏光ビームスプリッタを開示している。
【特許文献１】特開平０８−１４６２１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１にて開示された膜構成によって、製造誤差に敏感なより低波長領域での偏光ビームスプリッタを作成すると、製造誤差の影響により所望の特性が得られない可能性が高い。したがって、製造誤差に対してより鈍感な膜構成が必要である。
【０００９】
本発明は、製造誤差に対して鈍感で、使用可能な入射角範囲が広い紫外領域用の偏光素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一側面としての偏光素子は、第１の膜及び該第１の膜よりも屈折率が低い第２の膜が交互に積層されて構成され、１．２×λ／４＜Ｈ＜１．４×λ／４及び１．２×λ／４＜Ｌ＜１．４×λ／４を満足する第１の積層膜群と、第１及び第２の膜が交互に積層されて構成され、０．９×λ／４＜Ｈ＜１．１×λ／４及び０．９×λ／４＜Ｌ＜１．１×λ／４を満足する第２の積層膜群とが基板上において積層されていることを特徴とする。ただし、λは該偏光素子に入射する紫外光の中心波長、Ｈは第１の膜の光学的膜厚、Ｌは第２の膜の光学的膜厚である。
【００１１】
また、紫外光を発する光源と、該紫外光が入射する上記偏光素子と、該偏光素子からの特定の偏光方向を有する紫外光を用いて被処理体を露光する光学系とを有する露光装置も本発明の他の側面を構成する。
【００１２】
さらに、上記露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、該露光した被処理体を現像するステップとを有するデバイス製造方法も、本発明の他の側面を構成する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の偏光素子によれば、単純な多層膜構成を有し、製造誤差に対して鈍感で、使用可能な入射角範囲が広い紫外領域用の偏光素子を実現することができる。したがって、該偏光素子を用いれば、紫外光を用いる高ＮＡの露光装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の好ましい実施例について図面を参照しながら説明する。
【００１５】
まず、本発明の実施例である偏光ビームスプリッタ（偏光素子）に共通する事項について説明する。
【００１６】
Ａ．実施例の偏光ビームスプリッタは、高屈折率を有する第１の膜（以下、高屈折率材ともいう）と、該第１の膜よりも低い低屈折率を有する第２の膜（以下、低屈折率材ともいう）とを基板上に交互に積層することによって構成された偏光素子である。該偏光素子は、第１及び第２の膜の積層膜群であって、
１．２×λ／４＜Ｈ＜１．４×λ／４及び１．２×λ／４＜Ｌ＜１．４×λ／４
…（１）
を満足する第１の積層膜群と、第１及び第２の膜の積層膜群であって、
０．９×λ／４＜Ｈ＜１．１×λ／４及び０．９×λ／４＜Ｌ＜１．１×λ／４
…（２）
を満足する第２の積層膜群とを含む。ここで、λは該偏光ビームスプリッタに入射する（偏光ビームスプリッタによって分離される）紫外光の中心波長、Ｈは第１の膜の光学的膜厚、Ｌは第２の膜の光学的膜厚である。上記（１），（２）から、第１の積層膜群を構成する第１及び第２の膜の光学的膜厚（構成膜厚）は、第２の積層膜群を構成する第１及び第２の膜の光学的膜厚（構成膜厚）よりも厚い。
【００１７】
このような膜構成を採用することにより、製造誤差に対して鈍感で、かつ広い入射角（例えば、±３度）で使用できる偏光ビームスプリッタを作成することができる。
【００１８】
Ｂ．ここで、好ましくは、基板側から順に、第１の積層膜及び第２の積層膜群を積層するとよい。この理由については後述する。
【００１９】
Ｃ．また、第１の積層膜群における第１及び第２の膜の繰り返し数は、７〜１０回が好ましい。一方、第２の積層膜群における第１及び第２の膜の繰り返し数は、５〜１０回程度であることが好ましい。特に、本実施例の偏光ビームスプリッタを透過型偏光ビームスプリッタとして使用する場合に、上記交互繰り返し数（層数）が多いと、入射した光の吸収が大きくなってしまうからである。さらに言えば、後述するシミュレーション結果より、第２の積層膜群における第１及び第２の膜の交互繰り返し数は、第１の積層膜群における第１及び第２の膜の交互繰り返し数以下であるとよりよい。
【００２０】
なお、各積層膜群では、第１及び第２の膜は互いに同じ光学的膜厚を有する。ただし、上記条件（１），（２）で示すように、第１の積層膜群における第１及び第２の膜と、第２の積層膜群における第１及び第２の膜とでは、光学的膜厚が互いに異なる。
【００２１】
Ｄ．さらに、これら第１及び第２の積層膜群とは別に、１〜５層からなる調整層を設けてもよい。これにより、偏光ビームスプリッタの光学特性を整えることができる。なお、調整層は、第１及び第２の積層膜群のうち基板から遠い側の積層膜群上に最終層として設けてもよいし、基板のすぐ上に設けてもよい。また、第１の積層膜群と第２の積層膜群との間に配置してもよい。
【００２２】
Ｅ．第１の膜の材料としては、フッ化ランタン、フッ化ガドリニウム、フッ化ネオジウム、フッ化デイスプロシウム、フッ化イットリウム及びこれらの混合物又は化合物のうち１つ以上の成分を含むことが好ましい。
【００２３】
また、第２の膜の材料としては、フッ化アルミニウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化ナトリウム、クライオライト、チオライト及びこれらの混合物又は化合物のうち１つ以上の成分を含むことが好ましい。
【００２４】
本発明の実施例において満たすべき条件は、上記Ａであり、他の事項Ｂ〜Ｅは必ずしも満足されなくてもよい。
【００２５】
実施例の偏光ビームスプリッタの概略構成を図１に示す。１は基板、２は第１の積層膜群、３は第２の積層膜群である。４は調整層である。
【００２６】
以下、より具体的な実施例（シミュレーション例）について説明する。
【実施例１】
【００２７】
実施例１では、基板１として屈折率１．５のＣａＦ２を、高屈折率材として屈折１．６８のＬａＦ３を、低屈折率材として屈折率１．３９のＡｌＦ３を用いた。
【００２８】
基板側に配置された第１の積層膜群２において、ＬａＦ３の光学的膜厚Ｈを、１．３０×λ／４とした。また、ＡｌＦ３の光学的膜厚Ｌを、１．３５×λ／４とした。そして、これらＬａＦ３とＡｌＦ３との交互積層を１０回繰り返した。
【００２９】
一方、第２の積層膜群３において、ＬａＦ３の光学的膜厚Ｈを、１．０４×λ／４とした。また、ＡｌＦ３の光学的膜厚Ｌを、１．０８×λ／４とした。そして、これらＬａＦ３とＡｌＦ３との交互積層を７回繰り返した。
【００３０】
最終層の調整層４として、第２の積層膜群側から順に、ＬａＦ３（Ｈ＝１．３０×λ／４）、ＡｌＦ３（Ｌ＝１．１４×λ／４）及びＬａＦ３（Ｈ＝１．５４×λ／４）の３層を設けた。
【００３１】
λは、１９３ｎｍである。
【００３２】
本実施例の偏光ビームスプリッタの膜構成を図２に模式的に示す。また、図２の左欄は膜の材料を、右欄は光学的膜厚をそれぞれ示す。ここでの第２の積層膜群側（調整層側）の媒質は空気（大気）である。
【００３３】
また、本実施例の偏光ビームスプリッタの透過率と波長との関係のシミュレーション結果を図３に示す。さらに、透過率と入射角との関係のシミュレーション結果を図４に示す。図３及び図４において、ＴｓはＳ偏光に対する透過率を、ＴｐはＰ偏光に対する透過率をそれぞれ示す。
【００３４】
これらの図から、１９３ｎｍの波長領域において、ブリュースター角に等しい入射角５８度を中心として±３度の角度でＴｐが９０％以上、Ｔｓが１０％以下の良好な特性が得られていることが分かる。
【００３５】
さらに、反射率と入射角との関係のシミュレーション結果を図５に示す。ＲｓはＳ偏光に対する反射率を、ＲｐはＰ偏光に対する反射率をそれぞれ示す。
【００３６】
図５から、反射型の偏光ビームスプリッタとして使用しても、高効率で偏光分離を行えることが分かる。
【００３７】
ここで、前述したように、第１の積層膜群の構成膜厚を第２の積層膜群の構成膜厚よりも厚くし、構成膜厚がより厚い第１の積層膜群の第２の積層膜群よりも基板側に配置することがよい理由について説明する。
【００３８】
図６には、第１の積層膜群２′の構成膜厚を第２の積層膜群３′の構成膜厚よりも薄くした偏光ビームスプリッタを示す。すなわち、第１の積層膜群２′を、ＬａＦ３（Ｈ＝１．０４×λ／４）とＡｌＦ３（Ｌ＝１．０８×λ／４）とで構成し、第２の積層膜群３′を、ＬａＦ３（Ｈ＝１．３０×λ／４）とＡｌＦ３（Ｌ＝１．３５×λ／４）とで構成した例である。調整層４は図２に示した本実施例の偏光ビームスプリッタと同じである。
【００３９】
図７には、本実施例の偏光ビームスプリッタにおける入射角５７°での透過率のシミュレーション結果を示す。Ｘ軸は膜厚、Ｙ軸は透過率を示す。また、波長は１９３ｎｍである。一方、図８には、図６に示した膜構成を有する偏光ビームスプリッタにおける入射角５７°での透過率としたシミュレーション結果を示す。Ｘ軸は膜厚、Ｙ軸は透過率を示す。Ｘ軸は膜の厚さ、Ｙ軸は透過率を示す。
【００４０】
図７と図８を比較すると、基本的には同様な特性が得られているが、図７に対して図８の方が、大気側に近い膜厚領域におけるＴｓ特性の膜厚に対する変化が大きい。これは、図７に示す本実施例の偏光ビームスプリッタの方が、製造誤差に対して敏感であることを意味する。つまり、本実施例の偏光ビームスプリッタは、製造誤差に対してより強い膜構成を有する。
【実施例２】
【００４１】
１５７ｎｍ（Ｆ２レーザ）を入射光とする場合ついても、実施例１と同様の膜構成を採用すれば、ブリュースター角±３度の入射角で使用できる偏光ビームスプリッタを実現できる。図９には、その膜構成を本発明の実施例２として示す。
【００４２】
図９では、屈折率１．５５の基板（ＣａＦ２）を用い、高屈折率材として屈折率１．７５のＧｄＦ３を用い、低屈折率材として屈折率１．４１のＡｌＦ３を用いた。
【００４３】
基板側の第１の積層膜群２において、ＧｄＦ３（Ｈ＝１．３０×λ／４）とＡｌＦ３（Ｌ＝１．３３×λ／４）との交互積層を１０回繰り返した。また、第２の積層膜群３において、ＧｄＦ３（Ｈ＝０．９６×λ／４）とＡｌＦ３（Ｌ＝０．９８×λ／４）との交互積層を１０回繰り返した。
【００４４】
さらに、最終層の調整層４として、第２の積層膜群側から順に、ＧｄＦ３（Ｈ＝１．３０×λ／４）、ＡｌＦ３（Ｌ＝１．２０×λ／４）及びＧｄＦ３（Ｈ＝１．２７×λ／４）の３層を設けた。
【００４５】
図１０に、本実施例の偏光ビームスプリッタにおける透過率と入射角との関係のシミュレーション結果を示す。図１０より、１５７ｎｍの波長領域において、ブリュースター角に等しい入射角５８度を中心として±３度の角度で、Ｔｐが９０％以上、Ｔｓが１０％以下の良好な特性が得られていることが分かる。
【００４６】
以上説明したように、上記各実施例によれば、２００ｎｍ以下の真空紫外領域において、製造誤差に鈍感で、ブリュースター角±３度の入射角で使用できる特性の高い偏光ビームスプリッタを実現できる。
【実施例３】
【００４７】
本発明の実施例３として、上記実施例１，２で説明した偏光ビームスプリッタを利用した露光装置について、図１１を用いて説明する。
【００４８】
露光装置は、例えば、ステップ・アンド・リピート方式やステップ・アンド・スキャン方式でレチクル２００に形成された回路パターンを被処理体４００に露光する投影露光装置である。露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施例ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる）を例に説明する。
【００４９】
ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、レチクルに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してレチクルパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。また、「ステップ・アンド・リピート方式」とは、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【００５０】
露光装置は、照明装置１００と、レチクル２００を載置する図示しないレチクルステージと、投影光学系３００と、被処理体４００を載置するウェハステージ５００と、制御部６００とを有する。
【００５１】
照明装置１００は、転写用の回路パターンが形成されたレチクル２００を照明し、光源部１１０と、照明光学系１２０とを有する。
【００５２】
光源部１１０は、例えば、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザや波長約１５７ｎｍのＦ２レーザが使用される。
【００５３】
照明光学系１２０は、光源部１１０から射出した紫外光を用いて被照明面（レチクル２００）を照明する光学系である。本実施例の照明光学系１２０は、ランダム位相板１２１と、実施例１又は２で説明した偏光ビームスプリッタ１２１と、マイクロレンズアレイ１２３と、内面反射部材１２４と、光学素子１２５ａ及び１２５ｂと、コンデンサーレンズ１２６とを有する。さらに、照明光学系１２０は、変倍リレー光学系１２７と、偏光分離膜１２８と、ハエの目レンズ１２９と、コンデンサーレンズ１３０と、ハーフミラー１３１と、センサー１３２と、リレー光学系１３３とを有する。
【００５４】
偏光ビームスプリッタ１２１は、光源部射出されたレーザのうち、特定の偏光光成分を分離する。１２２の位相板によって、さらにその偏光を回転させたり整えたりすることで、高NA化を図ることができる。
【００５５】
マイクロレンズアレイ（以下、ＭＬＡと称する）１２３は、レンズ作用を有する複数の要素がアレイ状に基板と一体で形成され、光源部１１０から出射した光束を用いて多数の２次元光源を形成する。内面反射部材１２４は、ＭＬＡ１２３から射出された光を反射し、内面反射部材１２４の射出面で均一な分布の光にする。
【００５６】
光学素子１２５ａ及び１２５ｂは、計算機ホログラム（以下、ＣＧＨと称する）等の回折光学素子又はマイクロレンズアレイ（ＭＬＡ）等の屈折光学素子である。光学素子１２５ａ及び１２５ｂは、複数のＣＧＨ及び／又は複数のＭＬＡが切り換え可能に配置されている。ＭＬＡは、フィールドタイプの六角形状のマイクロレンズが並んだもの（六角ＭＬＡ）又は円形状のマイクロレンズが並んだもの（円ＭＬＡ）が使用される。ＣＧＨは、任意の形状の有効光源を形成することが可能であり、輪帯形状、四重極形状及びダイポール形状等が形成可能である。すなわち、光学素子１２５ａ及び１２５ｂは、瞳面における有効光源の形状を規定する機能を有する。
【００５７】
コンデンサーレンズ１２６は、ＣＧＨ又はＭＬＡのフーリエ像を位置Ａに形成する。コンデンサーレンズ１２６は、光学素子１２５ａ及び１２５ｂが六角ＭＬＡの場合には、位置Ａに六角形の照度分布を、光学素子１２５ａ及び１２５ｂが円ＭＬＡの場合には、位置Ａに均一な円形の照度分布を形成する。
【００５８】
変倍リレー光学系１２７は、位置Ａに形成された照度分布をハエの目レンズ１２９の入射面に投影する。
【００５９】
偏光分離膜１２８は、光路に対して傾けて挿脱可能に配置される。偏光分離膜１２８は、平行平面板に成膜され、一般に、平行平面板に対してＰ偏光の光を透過し、Ｓ偏光の光を反射する。
【００６０】
ハエの目レンズ１２９は、照明光学系１２０の瞳位置に、複数の２次光源を形成する。コンデンサーレンズ１３０は、ハエの目レンズ１２９が形成した２次光源からの光を、位置Ｂに重畳的に重ね合わせることにより、均一な光分布を形成する。なお、位置Ｂには、被照明面の照明領域を制御する図示しない可変絞りが配置されている。また、コンデンサーレンズ１３０は、後述するように、ハーフミラー１３１で反射された光の一部を反射し、センサー１３２に入射させる機能も有する。
【００６１】
ハーフミラー１３１は、光源部１１０から射出された光（露光光）の一部を分岐（反射）する。
【００６２】
センサー１３２は、被処理体４００上の露光量をモニターする露光量センサーである。これにより、被処理体４００への露光を行いながら、露光量をモニターすることができる。また、後述するウェハステージ５００の上には、被処理体４００面上の照度を計測する照度計５１０が設けられている。センサー１３２の検出する露光量と、被処理体４００面上の照度の関係は、投影光学系３００の透過率変化等によって変化する。このため、定期的に照度計５１０を光路に配置し、照度計５１０が検出する照度と、センサー１３２が検出する露光量を関係付け、後述する制御部６００に格納する。
【００６３】
リレー光学系１３３は、位置Ｂの光分布をレチクル２００に描画されたパターン面に投影する。
【００６４】
このように構成された照明光学系１２０によれば、露光光路中に挿入されたハーフミラー１３１に対して、光の偏光状態による透過率の差を小さくすることが可能であり、所望の偏光照明を行うことができる。従って、特に高ＮＡの投影光学系を有する露光装置において、良好に高解像な転写を行うことができる。
【００６５】
レチクル２００は、例えば、石英により製作されており、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、図示しないレチクルステージにより支持及び駆動される。レチクル２００から発せられた回折光は、投影光学系３００を通り、被処理体４００上に投影される。レチクル２００と被処理体４００は、光学的に共役の関係に配置される。本実施例の露光装置１はスキャナーであるため、レチクル２００と被処理体４００を縮小倍率比の速度比でスキャンすることによりレチクル２００のパターンを被処理体４００上に転写する。なお、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置（ステッパーとも呼ばれる）の場合は、レチクル２００と被処理体４００を静止させた状態で露光が行われる。
【００６６】
投影光学系３００は、レチクル２００上のパターンを反映する光を被処理体４００上に投影し、開口数（ＮＡ）が０．９以上の光学系である。投影光学系３００は、レチクル２００に形成された回路パターンを被処理体４００上に１／４倍で縮小投影する。
【００６７】
投影光学系３００は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）、複数のレンズ素子とキノフォーム等の回折光学素子とを有する光学系等を使用できる。また、全ミラー型の光学系を使用することもできる。
【００６８】
色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。また、投影光学系３００は、最も被処理体側４００の最終レンズと被処理体４００との間を水やその他の高屈折率液に浸す液浸型投影光学系や、固浸型投影光学系等の開口数（ＮＡ）が１．０以上の光学系であってもよい。
【００６９】
被処理体４００は、本実施例ではウェハであるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体４００にはフォトレジストが塗布されている。
【００７０】
ウェハステージ５００は、被処理体４００を支持する。ウェハステージ５００は、例えばリニアモーターを利用してｘｙｚ方向に被処理体４００を移動させることができる。レチクル２００と被処理体４００は、同期走査され、ウェハステージ５００と図示しないレチクルステージとの位置は、レーザ干渉計等により監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。
【００７１】
ウェハステージ５００は、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられ、レチクルステージ及び投影光学系３００は、床等に載置されたベースフレーム上にダンパを介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００７２】
制御部６００は、図示しないＣＰＵ又はＭＰＵやメモリを有し、露光装置の動作を制御する。制御部６００は、照明装置１００、図示しないレチクルステージ、ウェハステージ５００と電気的に接続されている。メモリは、ＲＯＭ及びＲＡＭより構成され、露光装置を動作させるファームウェアを格納する。制御部６００は、センサー１３２及び照度計５１０から入力される露光量と照度との関係から、被処理体４００への露光量を算出し、それに基づいて露光量の制御を行う。
【００７３】
露光において、光源部１１０から発せられた光束は、照明光学系１２０によりレチクル２００を、例えばケーラー照明する。レチクル２００を通過してレチクルパターンを反映する光は、投影光学系３００により被処理体４００に結像される。その際、照明光学系１２０により、ハーフミラー１３１の偏光状態に起因する透過率の差を小さくすることができるため、レチクルパターンに対して最適な有効光源の形状及び偏光状態の光を形成することができる。これにより、所望の解像度を達成し、高品位な露光を被処理体４００に施すことができる。
【００７４】
また、高ＮＡの投影光学系に対しても所望の偏光状態の光を供給することが可能であるため、高いスループットで経済性良くデバイス（例えば、半導体素子、ＬＣＤ素子、ＣＣＤセンサーやＣＭＯＳセンサー等の撮像素子、薄膜磁気ヘッド）を提供することができる。
【００７５】
次に、図１２及び図１３を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
【００７６】
図１２は、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。
【００７７】
ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。
【００７８】
ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する行程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００７９】
図１３は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着等によって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。
【００８０】
ステップ１６（露光）では、露光装置１によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。
【００８１】
ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００８２】
本実施例のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００８３】
なお、以上説明した各実施例は代表的な例にすぎず、本発明の実施に際しては、各実施例に対して種々の変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の実施例である偏光ビームスプリッタの構成を示す模式図。
【図２】実施例１の偏光ビームスプリッタ（１９３ｎｍ用）の膜構成を示す図。
【図３】実施例１の偏光ビームスプリッタの波長と透過率との関係を示す図。
【図４】実施例１の偏光ビームスプリッタの入射角と透過率との関係を示す図
【図５】実施例１の偏光ビームスプリッタの入射角と反射率との関係を示す図。
【図６】実施例１とは膜構成を逆にした偏光ビームスプリッタの膜構成を示す図。
【図７】実施例１の偏光ビームスプリッタにおける入射角５７°での透過率を示す図。
【図８】図６の偏光ビームスプリッタにおける入射角５７°での透過率を示す図。
【図９】本発明の実施例２である偏光ビームスプリッタ（１５７ｎｍ用）の膜構成を示す図。
【図１０】実施例２の偏光ビームスプリッタの入射角と透過率との関係を示す図。
【図１１】本発明の実施例３である露光装置の構成を示す図。
【図１２】実施例３の露光装置を利用したデバイス製造方法を示すフローチャート。
【図１３】実施例３の露光装置を利用したデバイス製造方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００８５】
１  基板
２  第１の積層膜群
３  第２の積層膜群
４  調整層
１２２  偏光ビームスプリッタ
【図５】
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【図６】
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【図９】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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