(57)【要約】【課題】配線基板上に複数の電子部品が搭載され、これら電子部品が絶縁樹脂成形体で覆われ、この絶縁樹脂成形体の表面にアース電位が与えられるシールド層が形成された構造を有する、電子部品装置について、低背化・小型化を図るとともに、シールド層にアース電位を確実に導通させ得る構造を提供する。【解決手段】配線基板２上に搭載される複数の電子部品８〜１０のうち、最大の高さ方向寸法を有する高背電子部品８の上面に導体面２１を形成する。この導体面２１は、アース電位を有する接続用導電ランド４（Ａ）に接続された端子電極１９と電気的に接続されるとともに、シールド層２３と導通するように、絶縁樹脂成形体２２から露出している。【選択図】図１
2008258478.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上方主面上に複数の接続用導電ランドが形成された、配線基板と、
各々が有する端子電極が対応の前記接続用導電ランドにそれぞれ接続された状態で前記配線基板の前記上方主面上に搭載された、複数の電子部品と、
前記電子部品を覆うように、フィラーを含む絶縁樹脂を成形することによって形成された、絶縁樹脂成形体と、
アース電位に導通されるべきものであって、前記絶縁樹脂成形体の表面を覆うように形成されかつ導体からなる、シールド層と
を備え、
前記複数の電子部品のうち、最大の高さ方向寸法を有する高背電子部品には、その少なくとも上面の少なくとも一部において、導体面が形成されており、前記導体面は、アース電位を有する前記接続用導電ランドに接続された前記端子電極と、前記高背電子部品に備える導体を介して、電気的に接続されるとともに、前記シールド層と電気的に導通するように、その少なくとも一部が前記絶縁樹脂成形体から露出しており、
前記高背電子部品の上面は、前記絶縁樹脂成形体の上面と実質的に同じ高さに位置するか、前記絶縁樹脂成形体の上面より前記フィラーの径以下の寸法分だけ低く位置する、
電子部品装置。
【請求項２】
前記シールド層は、前記高背電子部品の上面の中央部に接するとともに、前記高背電子部品の上面の周縁部に対しては、前記絶縁樹脂成形体の一部を介在させながら、前記フィラーの径以下の寸法分の距離を隔てた状態で位置している、請求項１に記載の電子部品装置。
【請求項３】
上方主面上に複数の接続用導電ランドが形成された、配線基板を用意する工程と、
前記配線基板上に搭載されるべき複数の電子部品を用意する工程と、
前記電子部品の各々の端子電極が対応の前記接続用導電ランドにそれぞれ接続された状態となるように、前記配線基板の前記上方主面上に複数の電子部品を搭載する工程と、
前記配線基板上の前記電子部品を取り囲むキャビティを形成するように金型を配置し、前記金型によって規定されるキャビティ内で、フィラーを含む絶縁樹脂をトランスファ成形することによって、前記電子部品を覆うように絶縁樹脂成形体を形成する工程と、
前記絶縁樹脂成形体の表面を覆うように、導体からなるシールド層を形成する工程と
を備え、
前記複数の電子部品のうち、最大の高さ方向寸法を有する高背電子部品には、その少なくとも上面の少なくとも一部において、導体面が形成されており、
前記絶縁樹脂成形体を形成する工程において、前記導体面は、その少なくとも一部が前記絶縁樹脂成形体から露出され、
前記シールド層を形成する工程において、前記シールド層は、前記導体面と露出部分を介して電気的に導通するように形成される、
電子部品装置の製造方法。
【請求項４】
上方主面上に複数の接続用導電ランドが形成された、配線基板を用意する工程と、
前記配線基板上に搭載されるべき複数の電子部品を用意する工程と、
前記電子部品の各々の端子電極が対応の前記接続用導電ランドにそれぞれ接続された状態となるように、前記配線基板の前記上方主面上に複数の電子部品を搭載する工程と、
前記配線基板上の前記電子部品を取り囲むキャビティを形成するように金型を配置し、前記金型によって規定されるキャビティ内で、フィラーを含む絶縁樹脂をトランスファ成形することによって、前記電子部品を覆うように絶縁樹脂成形体を形成する工程と、
前記絶縁樹脂成形体の表面を覆うように、導体からなるシールド層を形成する工程と
を備え、
前記複数の電子部品のうち、最大の高さ方向寸法を有する高背電子部品には、その少なくとも上面の少なくとも一部において、導体面が形成されており、
前記絶縁樹脂成形体を形成する工程において、前記高背電子部品の上面は、前記金型と接するか、前記金型との間に前記フィラーの径以下の寸法の間隔を規定する隙間を形成するように配置され、それによって、前記導体面は、その少なくとも一部が前記絶縁樹脂成形体から露出され、
前記シールド層を形成する工程において、前記シールド層は、前記導体面と露出部分を介して電気的に導通するように形成される、
電子部品装置の製造方法。
【請求項５】
上方主面上に複数の接続用導電ランドが形成された、配線基板を用意する工程と、
前記配線基板上に搭載されるべき複数の電子部品を用意する工程と、
前記電子部品の各々の端子電極が対応の前記接続用導電ランドにそれぞれ接続された状態となるように、前記配線基板の前記上方主面上に複数の電子部品を搭載する工程と、
前記配線基板上の前記電子部品を取り囲むキャビティを形成するように金型を配置し、前記金型によって規定されるキャビティ内で、フィラーを含む絶縁樹脂をトランスファ成形することによって、前記電子部品を覆うように絶縁樹脂成形体を形成する工程と、
前記絶縁樹脂成形体の表面を覆うように、導体からなるシールド層を形成する工程と
を備え、
前記複数の電子部品のうち、最大の高さ方向寸法を有する高背電子部品には、その少なくとも上面の少なくとも一部において、導体面が形成されており、
前記高背電子部品の上面に接するように配置されるべき離型フィルムを用意する工程をさらに備え、
前記絶縁樹脂成形体を形成する工程は、前記高背電子部品の上面と前記金型との間に前記離型フィルムを配置した状態で、前記絶縁樹脂をトランスファ成形する工程を含み、
前記絶縁樹脂成形体を形成する工程の後、前記金型および前記離型フィルムを除去し、それによって、前記導体面の少なくとも一部を前記絶縁樹脂成形体から露出させる工程をさらに備え、
前記シールド層を形成する工程において、前記シールド層は、前記導体面と露出部分を介して電気的に導通するように形成される、
電子部品装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子部品装置およびその製造方法に関するもので、特に、配線基板上に複数の電子部品が搭載され、これら電子部品が絶縁樹脂成形体で覆われ、この絶縁樹脂成形体の表面にアース電位が与えられるシールド層が形成された構造を有する、電子部品装置、およびこのような電子部品装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、コードレス電話等の移動体通信機器において用いられる高周波モジュールのような電子部品装置では、不要な電磁波の吸収および放射を防ぐため、シールド層を形成することが行なわれている。シールド層は、アース電位と電気的に導通されるが、このような導通状態を得るための構造として、たとえば、特開平８−２３６６９２号公報（特許文献１）および特開２００１−２４４６８８号公報（特許文献２）に記載されたものがある。
【０００３】
特許文献１では、配線基板に設けられた凹部に半導体チップおよび受動チップ部品を搭載し、これら半導体チップおよび受動チップ部品を樹脂で封止した構造の電子部品装置が記載されている。半導体チップは、凹部の底面に対してフェイスダウンの姿勢で搭載され、受動チップ部品は、その高さ方向寸法を大きくするため、直立姿勢で搭載されている。これによって、半導体チップの裏面および受動チップ部品の一方電極が、凹部の上方開口に向くようにされる。そして、半導体チップの裏面および受動チップ部品の一方電極が露出する高さまで絶縁樹脂が凹部内に充填され、その上に、シールド層となる導電性樹脂が充填される。後者の導電性樹脂は、半導体チップの裏面および受動チップ部品の一方電極に接触し、これらと電気的に導通する状態となる。
【０００４】
上述した電子部品装置において、導電性樹脂からなるシールド層を接地するため、受動チップ部品が用いられる場合、受動チップ部品の少なくとも１つについては、これをジャンパー素子と呼ばれる抵抗値が非常に低い抵抗器として機能するチップ部品で構成しながら、前述のように、これを直立姿勢で搭載しなければならない。そのため、このジャンパー素子といった部品およびそれを搭載するためのスペースが必要となり、その分、電子部品装置の小型化および低コスト化にとって不利な結果を招く。また、通常姿勢で実装されるべきチップ部品の実装と、直立姿勢で実装されるべきジャンパー素子のようなチップ部品の実装とを混在させて、実装工程を実施しなければならないため、実装工程が複雑化するという問題も招く。
【０００５】
次に、特許文献２には、配線基板と、配線基板上に搭載された電子部品と、電子部品を覆うように絶縁樹脂を成形することによって形成された絶縁樹脂成形体と、絶縁樹脂成形体の表面を覆うように形成されたシールド層としての金属膜とを基本的構成として備える、電子部品装置が記載されている。この電子部品装置において、シールド層となる金属膜にアース電位を与えるため、絶縁樹脂成形体に導通穴を設け、この導通穴を、電子部品のアース電位側の端子電極にまで到達させ、それによって、シールド層となる金属膜をアース電位に導通させるようにしている。
【０００６】
しかしながら、特許文献２に記載の電子部品装置では、配線基板上に搭載される複数の電子部品のうち、最大の高さ方向寸法を有する電子部品の上面上にさらに所定の厚みがもたらされるように絶縁樹脂成形体が形成されるので、電子部品装置の小型化にとって不利である。また、絶縁樹脂成形体には導通穴が設けられるため、このような導通穴が絶縁樹脂成形体の成形時に形成される場合には、複雑な形状の金型が必要となる。他方、絶縁樹脂成形体の成形後に導通穴を形成するための工程が実施される場合には、このような導通穴形成のための工程が必要となり、工程数の増加を招き、いずれにしても、生産性にとって不利である。また、特許文献２に記載の技術では、電子部品の端子電極と導通穴との位置ずれの問題に遭遇することもある。さらに、絶縁樹脂成形体に導通穴が設けられているため、絶縁樹脂成形体における内部応力が大きくなるという問題に遭遇することもある。
【特許文献１】特開平８−２３６６９２号公報
【特許文献２】特開２００１−２４４６８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、電子部品装置およびその製造方法を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、上方主面上に複数の接続用導電ランドが形成された、配線基板と、各々が有する端子電極が対応の接続用導電ランドにそれぞれ接続された状態で配線基板の上方主面上に搭載された、複数の電子部品と、電子部品を覆うように、フィラーを含む絶縁樹脂を成形することによって形成された、絶縁樹脂成形体と、アース電位に導通されるべきものであって、絶縁樹脂成形体の表面を覆うように形成されかつ導体からなる、シールド層とを備える、電子部品装置にまず向けられる。
【０００９】
この発明に係る電子部品装置は、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００１０】
すなわち、複数の電子部品のうち、最大の高さ方向寸法を有する高背電子部品には、その少なくとも上面の少なくとも一部において、導体面が形成されており、この導体面は、アース電位を有する接続用導電ランドに接続された端子電極と、高背電子部品に備える導体を介して、電気的に接続されるとともに、シールド層と電気的に導通するように、その少なくとも一部が絶縁樹脂成形体から露出している。そして、高背電子部品の上面は、絶縁樹脂成形体の上面と実質的に同じ高さに位置するか、絶縁樹脂成形体の上面よりフィラーの径以下の寸法分だけ低く位置している。
【００１１】
この発明に係る電子部品装置の特定的な実施態様では、シールド層は、高背電子部品の上面の中央部に接するとともに、高背電子部品の上面の周縁部に対しては、絶縁樹脂成形体の一部を介在させながら、フィラーの径以下の寸法分の距離を隔てた状態で位置している。
【００１２】
この発明は、また、上述のような電子部品装置を製造する方法にも向けられる。
【００１３】
この発明に係る電子部品装置の製造方法は、上方主面上に複数の接続用導電ランドが形成された、配線基板を用意する工程と、配線基板上に搭載されるべき複数の電子部品を用意する工程と、電子部品の各々の端子電極が対応の接続用導電ランドにそれぞれ接続された状態となるように、配線基板の上方主面上に複数の電子部品を搭載する工程と、配線基板上の電子部品を取り囲むキャビティを形成するように金型を配置し、金型によって規定されるキャビティ内で、フィラーを含む絶縁樹脂をトランスファ成形することによって、電子部品を覆うように絶縁樹脂成形体を形成する工程と、絶縁樹脂成形体の表面を覆うように、導体からなるシールド層を形成する工程とを備えている。上述の複数の電子部品のうち、最大の高さ方向寸法を有する高背電子部品には、その少なくとも上面の少なくとも一部において、導体面が形成されている。
【００１４】
以上のような基本的な構成に加えて、この発明に係る電子部品装置の製造方法は、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００１５】
すなわち、絶縁樹脂成形体を形成する工程において、最大の高さ方向寸法を有する高背電子部品の上面に形成された導体面は、その少なくとも一部が絶縁樹脂成形体から露出され、シールド層を形成する工程において、シールド層は、導体面と露出部分を介して電気的に導通するように形成される。
【００１６】
この発明に係る電子部品装置の製造方法のより特定的な第１の実施態様では、絶縁樹脂成形体を形成する工程において、高背電子部品の上面は、金型と接するか、金型との間にフィラーの径以下の寸法の間隔を規定する隙間を形成するように配置され、それによって、高背電子部品の上面に形成された導体面は、その少なくとも一部が絶縁樹脂成形体から露出される。
【００１７】
この発明に係る電子部品装置の製造方法のより特定的な第２の実施態様では、高背電子部品の上面に接するように配置されるべき離型フィルムを用意する工程をさらに備え、絶縁樹脂成形体を形成する工程は、高背電子部品の上面と金型との間に離型フィルムを配置した状態で、絶縁樹脂をトランスファ成形する工程を含み、絶縁樹脂成形体を形成する工程の後、金型および離型フィルムを除去し、それによって、高背電子部品の上面に形成された導体面の少なくとも一部を絶縁樹脂成形体から露出させる工程をさらに備える。
【発明の効果】
【００１８】
この発明に係る電子部品装置によれば、その高さ方向寸法を、配線基板上に搭載される最大の高さ方向寸法を有する高背電子部品が与える高さ方向寸法とほぼ同じ程度のものとすることができるので、電子部品装置の低背化を図ることができる。
【００１９】
なお、ここでの高背電子部品の最大の高さ寸法は、電子部品を定位置、すなわち電子部品の最大面積を有する面が配線基板に対向するように配置された際の、高背電子部品の厚み方向の高さを示す。また、この発明における高背電子部品は、電子部品として単に導通機能しか有さないようなジャンパー素子等ではなく、それ自体が積極的に特性を発現させるものである。
【００２０】
また、この発明に係る電子部品装置によれば、当該電子部品装置において本来必要とされる高背電子部品を利用して、その上面に形成された導体面とシールド層とを電気的に導通するようにしているため、たとえば、特許文献１に記載のもののように、単にシールド層とモジュール端子電極とをそれ自体が特性を発現せず、単に導通機能しか有さないジャンパー素子のようなチップ部品を別途用い、これを実装する必要がないため、電子部品装置の小型化を図ることができる。
【００２１】
また、特許文献１に記載のもののように、チップ部品を直立姿勢で搭載するようなことをしなくても、高背電子部品の上面に形成された導体面とシールド層との接触面積を安定して確保することができ、シールド層に対する導通性に優れたものとすることができる。
【００２２】
また、特許文献２に記載のものに比べて、絶縁樹脂成形体の体積を小さくすることができるため、絶縁樹脂の量を低減できるばかりでなく、絶縁樹脂成形体内の応力を小さくすることができ、その結果、信頼性の高い電子部品装置とすることができる。
【００２３】
この発明に係る電子部品装置の製造方法によれば、絶縁樹脂成形体を形成する工程において、高背電子部品の上面に形成された導体面の少なくとも一部が絶縁樹脂成形体から露出されるので、絶縁樹脂成形体の厚みを極力薄くすることができ、樹脂硬化時の収縮によって発生する内部応力を低減することができ、その結果、信頼性の高い電子部品装置を得ることができる。
【００２４】
特に、この発明に係る電子部品装置の製造方法の第１の実施態様によれば、絶縁樹脂成形体を形成する工程において、高背電子部品の上面が、金型と接するか、金型との間にフィラーの径以下の寸法の間隔を規定する隙間を形成するように配置されるので、低背化かつ小型化が図られた電子部品装置を容易に得ることができる。
【００２５】
この場合、シールド層が、高背電子部品の上面の中央部に接するとともに、高背電子部品の上面の周縁部に対しては、絶縁樹脂成形体の一部を介在させながら、フィラーの径以下の寸法分の距離を隔てた状態で位置するように形成されると、シールド層の材料となる導体が高背電子部品の上面の中央部に溜まるような状態となるため、高背電子部品の上面に形成された導体面とシールド層との間で確実な電気的な導通状態を得ることができる。
【００２６】
この発明に係る電子部品装置の製造方法の第２の実施態様によれば、離型フィルムを用いるので、高背電子部品の上面に形成された導体面が絶縁樹脂成形体から露出した状態を容易かつ確実に得ることができ、また、より低背化が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
図１は、この発明の第１の実施形態による電子部品装置１の内部構造を断面で示す正面図である。図示した電子部品装置１は、高周波モジュールを構成するものである。
【００２８】
電子部品装置１は、たとえばエポキシ樹脂のような有機材料またはセラミックをもって構成される配線基板２を備えている。配線基板２の上方主面３上には、複数の接続用導電ランド４が形成され、下方主面５上には、複数のモジュール端子電極６が形成されている。複数の接続用導電ランド４のうち、接続用導電ランド４（Ａ）はアース電位とされ、また、複数のモジュール端子電極６のうち、モジュール端子電極６（Ａ）がアース電位とされる。これらアース電位とされた接続用導電ランド４（Ａ）とモジュール端子電極６（Ａ）とは、配線基板２を厚み方向に貫通するビア導体７によって互いに電気的に接続されている。
【００２９】
配線基板２の上方主面３上には、複数の電子部品８、９および１０が搭載される。電子部品８の詳細については、図２をも参照して後述する。電子部品９は、たとえばコンデンサまたはインダクタのような受動チップ部品であり、その両端に端子電極１１が形成されている。電子部品９は、端子電極１１がはんだ１２を介して対応の接続用導電ランド４にそれぞれ接続された状態で配線基板２の上方主面３上に搭載される。電子部品１０は、たとえばＩＣチップであり、その下面には、バンプ態様の複数の端子電極１３が形成されている。電子部品１０は、端子電極１３が対応の接続用導電ランド４にそれぞれ接続された状態で配線基板２の上方主面３上に搭載される。図示しないが、配線基板２の上方主面３上には、ワイヤー実装される電子部品が搭載されてもよい。
【００３０】
電子部品８は、複数の電子部品８〜１０のうち、最大の高さ方向寸法を有する「高背電子部品」である。この高背電子部品８の内部構造の詳細が図２に示されている。
【００３１】
図２を主として参照して、高背電子部品８は、たとえば弾性表面波フィルタを構成するもので、弾性表面波素子１４が搭載されたキャビティ付きセラミックパッケージ１５が、半田封止部１６を介して、金属リッド１７で封止された構造を有している。セラミックパッケージ１５の下面上には、端子電極１８および１９が設けられている。金属リッド１７は、セラミックパッケージ１５に設けられた導体２０を介して端子電極１８に電気的に接続されている。
【００３２】
高背電子部品８を構成する弾性表面波フィルタは、たとえば、平面寸法が２．５ｍｍ×２．０ｍｍであって、高さ方向寸法が０．６ｍｍであったり、平面寸法が２．０ｍｍ×１．６ｍｍであって、高さ方向寸法が０．６ｍｍであったりする。したがって、このような弾性表面波フィルタを構成する高背電子部品８は、通常、受動チップ部品を構成する電子部品９やＩＣチップを構成する電子部品１０に比べて高さ方向寸法が大きい。
【００３３】
なお、水晶振動子を用いたフィルタにあっても、図２に示した高背電子部品８と実質的に同様の構造を有している。この場合、弾性表面波素子１４が水晶振動子に置き換えられる。
【００３４】
再び図１を参照して、高背電子部品８は、端子電極１８が前述したアース電位の接続用導電ランド４（Ａ）に接続され、端子電極２０が他の接続用導電ランド４に接続された状態で配線基板２の上方主面３上に搭載される。したがって、金属リッド１７は、端子電極１８および導体２０を介してアース電位に導通され、この金属リッド１７によって与えられる高背電子部品８の上面が、アース電位に導通する導体面２１とされる。
【００３５】
電子部品装置１は、電子部品８〜１０を覆うように、絶縁樹脂を成形することによって形成された絶縁樹脂成形体２２を備えている。絶縁樹脂成形体２２を構成する絶縁樹脂としては、たとえばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などが用いられる。また、絶縁樹脂は、たとえばシリカ系材料からなるフィラーを含んでいる。フィラーとしては、好ましくは、約２０〜７５μｍの径を有するものが用いられる。なお、ここで言う「径」とは、フィラーの中心を通るようにカットした際に現れる直径のうち、最短のものを言う。
【００３６】
電子部品装置１は、さらに、絶縁樹脂成形体２２の表面を覆うように形成されかつ導体からなるシールド層２３を備えている。シールド層２３は、たとえば、ニッケル、銀または銅などからなる導電性フィラーを含む導電性樹脂または塗料をスキージやスプレーガン等により塗布することによって形成される。この場合、シールド層２３の厚みとしては、導電性樹脂または塗料の抵抗値を考慮し、１０〜１００μｍ程度の範囲にすることが望ましい。また、シールド層２３は、めっきまたはスパッタリングなどの方法によって形成された、ニッケル、銀、銅または金などからなる金属膜をもって構成されてもよい。この場合、金属膜の厚みは、一般的に、数〜１０μｍ程度で十分である。
【００３７】
前述したように、高背電子部品８において、金属リッド１７によって与えられた導体面２１は、シールド層２３と電気的に導通するように、その少なくとも一部が絶縁樹脂成形体２２から露出している。そして、高背電子部品８の上面は、絶縁樹脂成形体２２の上面より寸法ｄ分だけ低く位置している。この寸法ｄが、前述した絶縁樹脂に含まれるフィラーの径以下とされる。
【００３８】
次に、図１に示した電子部品１の製造方法について、主として図３を参照しながら説明する。
【００３９】
まず、配線基板２が用意される。この配線基板２には、接続用導電ランド４、モジュール端子電極６およびビア導体７が形成されている。他方、配線基板２上に搭載されるべき複数の電子部品８〜１０が用意される。
【００４０】
そして、図３（１）に示すように、配線基板２の上方主面３上に複数の電子部品８〜１０が搭載される。このとき、電子部品８〜１０の端子電極１１、１３、１８および１９が、それぞれ、対応の接続用導電ランド４に接続される。特に、高背電子部品８について言えば、端子電極１８がアース電位の接続用導電ランド４（Ａ）に接続される。
【００４１】
次に、図３（２）に示すように、配線基板２上の電子部品８〜１０を取り囲むキャビティ２４を形成するように、トランスファ成形のための上金型２５および下金型２６が配置される。このとき、高背電子部品８の上面は、上金型２５との間にフィラーの径以下の寸法ｄ（図１参照）を間隔を規定する隙間２７を形成するようにされる。
【００４２】
次に、上金型２５および下金型２６によって規定されるキャビティ２４内で、前述した絶縁樹脂をトランスファ成形することによって、電子部品８〜１０を覆うように絶縁樹脂成形体２２が形成される。このとき、隙間２７が与える間隔は、フィラーの径以下の寸法ｄに選ばれているので、絶縁樹脂は、高背電子部品８の上面の少なくとも中央部には到達せず、したがって、高背電子部品８の上面の周縁部のみが絶縁樹脂成形体２２によって覆われた状態となる。したがって、導体面２１は、その中央部が絶縁樹脂成形体２２から露出する状態となっている。
【００４３】
一例として、径が７５μｍのシリカ系フィラーを含むエポキシ樹脂を用い、成形圧力８０ｋｇｆ／ｃｍ２、および金型温度１７５℃で成形するとき、隙間２７が与える間隔を５０μｍ以下とすることにより、平面寸法が２．０ｍｍ×１．６ｍｍの高背電子部品８の上面に露出部分を形成することができた。このとき、成形を真空中で実施したり、流動性の良好な樹脂を用いたりすると、不所望にも、高背電子部品８の上面の全域が絶縁樹脂成形体２２によって覆われることがある。このような場合には、フィラーの径を大きくしたり、フィラーの径より大幅に隙間２７の間隔を小さくしたり、成形圧力を小さくしたりするといった調整を行なえばよい。
【００４４】
次に、図３（３）に示すように、配線基板２等を含む構造物は、上金型２５および下金型２６から取り出される。なお、以上の工程は、量産の場面では、複数の電子部品装置１を分割することにより取り出すことができる集合基板の状態で実施されるのが通常である。したがって、図３（２）に示した工程を終え、上述のように、上金型２５および下金型２６から取り出された配線基板２等を含む集合状態の構造物は、個々のモジュールサイズに分割される。
【００４５】
次に、絶縁樹脂成形体２２の表面を覆うように、導体からなるシールド層２３が形成される。これによって、図１に示すような電子部品装置１が完成される。この電子部品装置１において、シールド層２３は、高背電子部品８の上面の中央部に接するとともに、高背電子部品８の上面の周縁部に対しては、絶縁樹脂成形体２２の一部を介在させながら、フィラーの径以下の寸法ｄ分の距離を隔てた状態で位置している。
【００４６】
シールド層２３の形成のため、導電性樹脂または塗料が用いられると、高背電子部品８の上面の周縁部のみを絶縁樹脂成形体２２で覆うことによって形成された凹部内に、導電性樹脂または塗料が溜まるため、シールド層２３と導体面２１との間で確実な電気的接続状態が得られる。
【００４７】
上述の製造方法では、図３（２）に示すように、上金型２５は、高背電子部品８の上面に対して隙間２７を形成するように配置されたが、高背電子部品８の上面に接するように配置されてもよい。この場合には、図４に示すような構造の電子部品装置１ａが得られる。
【００４８】
なお、集合基板の状態で実施した場合における高背電子部品８は、個々に分割された配線基板上に実装される電子部品のうち最も高背の電子部品を指す。
【００４９】
また、図３（３）において、電子部品８〜１０を備えた配線基板２に絶縁樹脂成形体２２を形成した後に、集合状態の構造物を個々のモジュールに分割し、絶縁樹脂成形体２２の表面全体が覆われるようにシールド層２３を形成しているが、たとえば、集合状態の構造物を１つのキャビティで覆うことによって絶縁樹脂成形体２２を形成し、その表面にシールド層２３を形成した後に、個々のモジュールに分割してもよい。また、同じく集合状態の構造物を１つのキャビティで覆うことによって絶縁樹脂成形体２２が形成された集合状態の構造物を、絶縁樹脂成形体２２の表面から配線基板に達する位置までカットし、その後、絶縁樹脂成形体２２の表面にシールド層２３を形成してから、完全にカットして個々のモジュールに分割してもよい。
【００５０】
また、図１に示す電子部品装置１は、絶縁樹脂成形体２２の表面全体がシールド層２３によって覆われているが、用途によっては、絶縁樹脂成形体２２の表面のうち少なくとも上面が覆われるようにシールド層２３を形成してもよい。
【００５１】
図４は、この発明の第２の実施形態による電子部品装置１ａを示す図１に相当する図である。図４において、図１に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５２】
図４に示した電子部品装置１ａでは、高背電子部品８の上面は、絶縁樹脂成形体２２の上面と実質的に同じ高さに位置している。このような電子部品装置１ａは、図５を参照して説明するような方法によっても製造することができる。図５は、図３に対応する図である。図５において、図３に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５３】
まず、図３を参照して説明した製造方法の場合と同様、配線基板２および複数の電子部品８〜１０がそれぞれ用意され、図５（１）に示すように配線基板２の上方主面３上に複数の電子部品８〜１０が搭載される。
【００５４】
他方、図５（２）に示すように、高背電子部品８の上面に接するように配置されるべき離型フィルム２８が用意される。離型フィルム２８は、たとえばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＯＰＰ（２軸延伸ポリプロピレン）、ポリイミドなどの樹脂系基材の表面に離型処理が施されたものである。
【００５５】
図５（２）に示すように、上金型２５および下金型２６が配置されたとき、高背電子部品８の上面と上金型２５との間に離型フィルム２８が配置される。そして、上金型２５および下金型２６によって規定されるキャビティ２４内で、絶縁樹脂をトランスファ成形することによって、絶縁樹脂成形体２２が形成される。
【００５６】
次いで、上金型２５および下金型２６から、配線基板２等を含む構造物が取り出され、また、図５（３）に示すように、離型フィルム２８が除去される。その結果、高背電子部品８の上面に形成された導体面２１が絶縁樹脂成形体２２から露出される。
【００５７】
次に、図３を参照して説明した製造方法の場合と同様、必要に応じて、集合基板をモジュールサイズに分割する工程を実施した後、図４に示すように、絶縁樹脂成形体２２の表面を覆うように、シールド層２３が形成され、電子部品１ａが完成される。
【００５８】
なお、離型フィルム２８は高背電子部品８の上面に直接配置してから上金型２５を配置してもよいが、予め上金型２５の裏面に離型フィルム２８を取り付けておいてもよい。このような場合、絶縁樹脂をトランスファ成形した後に上金型２５の除去するのと同時に離型フィルム２８を除去することができ、工程数をより減らすことができる。
【００５９】
また、図５（２）に示すように、高背電子部品８の上面を離型フィルム２８に接触させてトランスファ成形を実施すると、厳密には、離型フィルム２８に高背電子部品８の上面がめり込んだ状態で絶縁樹脂成形体２２が形成され、結果として、絶縁樹脂成形体２２から高背電子部品８の上面が突出する場合がある。しかしながら、このように絶縁樹脂成形体２２から高背電子部品８の上面が突出したとしても、その突出度合いが１０μｍ以内であれば、その後に実施されるシールド層２３の形成に支障はない。すなわち、導電性樹脂または塗料を塗布してシールド層２３を形成するようにすれば、その厚みを容易に１０μｍ以上にできるため、高背電子部品８の上面がシールド層２３内に埋め込まれることになる。特に、シールド層２３の形成のため、スプレー法やスキージング法を用いれば、シールド層２３を平坦に形成することが容易である。
【００６０】
図５を参照して説明した製造方法において、離型フィルム２８は、図５（２）に示すように、上金型２５と絶縁樹脂成形体２２の上面との界面の全域にわたって延びるように配置されたが、高背電子部品８の上面と上金型２５との界面のみに配置されてもよい。
【００６１】
図１および図４にそれぞれ示した電子部品装置１および１ａにおいて、高背電子部品８は、図２に示すような構造を有し、そこに備える金属リッド１７によって、上面に導体面２１が形成されたものである。しかしながら、この発明において適用される高背電子部品は、図２に示すような構造のものに限らず、たとえば図６または図７に示すような構造のものであってもよい。
【００６２】
図６に示した電子部品３１は、たとえば弾性表面波素子のような素子３２が搭載された基板３３を備え、素子３２を覆うように金属ケース３４が基板３３に装着された構造を有している。基板３３の下面側には、端子電極３５および３６が設けられる。一方の端子電極３５は、ビア導体３７を介して金属ケース３４と電気的に接続される。
【００６３】
図６に示した電子部品３１が、高背電子部品として、たとえば図１に示した配線基板２上に搭載されるとき、端子電極３５がアース電位を有する接続用導電ランド４（Ａ）に接続される。したがって、金属ケース３４がアース電位に導通され、その上面に形成される導体面３８がアース電位とされ、この導体面３８がシールド層２３と電気的に導通される。
【００６４】
図７に示した電子部品４１は、素子４２を搭載した基板４３を備え、素子４２が絶縁樹脂成形体４４によって覆われている。また、絶縁樹脂成形体４４の表面は、導体からなるシールド層４５によって覆われる。基板４３の下面側には、端子電極４６および４７が設けられ、一方の端子電極４６は、基板４３を厚み方向に貫通するビア導体４８および基板４３の上面上に形成された導体膜４９を介してシールド層４５と電気的に接続される。
【００６５】
図７に示した電子部品４１が、高背電子部品として、たとえば図１に示した電子部品装置１において、配線基板２上に搭載されるとき、アース電位を有する接続用導電ランド４（Ａ）に端子電極４６が接続される。したがって、シールド層４５にアース電位が与えられ、その上面に形成される導体面５０がアース電位とされ、この導体面５０が、図１に示したシールド層２３と電気的に導通される。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】この発明の第１の実施形態による電子部品装置１の内部構造を断面で示す正面図である。
【図２】図１に示した電子部品８の内部構造を断面で示す正面図である。
【図３】図１に示した電子部品装置１の好ましい製造方法に備えるいくつかの工程を順次示す断面図である。
【図４】この発明の第２の実施形態による電子部品装置１ａの内部構造を断面で示す正面図である。
【図５】図４に示した電子部品装置１ａの好ましい製造方法に備えるいくつかの工程を示す断面図である。
【図６】図２に示した電子部品８に代えて高背電子部品となり得る電子部品３１の内部構造を断面で示す正面図である。
【図７】図２に示した電子部品８に代えて高背電子部品となり得る電子部品４１の内部構造を断面で示す正面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１，１ａ  電子部品装置
２  配線基板
３  上方主面
４  接続用導電ランド
５  下方主面
６  モジュール端子電極
７，３７，４８  ビア導体
８〜１０，３１，４１  電子部品
１１，１３，１８，１９，３５，３６，４６，４７  端子電極
１６  はんだ封止部
１７  金属リッド
１８  導体
２１，３８，５０  導体面
２２，４４  絶縁樹脂成形体
２３，４５  シールド層
２４  キャビティ
２５  上金型
２６  下金型
２７  隙間
２８  離型フィルム
３４  金属ケース
４９  導体膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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