(57)【要約】センサの集光エリアのサイズを構成設定し、それによりそのシステムにおける感度制約ノイズの源泉を減らすことで、漏洩及び空気散乱光を減らすことができる。その集光エリアのサイズを調整することで、漏洩深紫外光及び空気散乱深紫外光を減らすことができる。サーボによって、時間遅延積分センサにより集光される照明スポットの位置を、制御することができる。
2021501886.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集光エリアを有する時間遅延積分センサを備え、その集光エリア内に複数個のゾーンがあり、それらゾーンのうち一部分のみが活性化され、残りのゾーンには波形が印加されないシステムであり、
照明スポットの位置を制御するサーボを備え、その照明スポット内の光が前記時間遅延積分センサにより集光されるシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、
前記時間遅延積分センサが電荷結合デバイスであるシステム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、
前記サーボがビームステアリング整形モジュールサーボであるシステム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、更に、
前記サーボと電子通信する校正システムを備え、
その校正システムが前記サーボの位置の自動校正を実行するシステム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、更に、
前記照明スポットをもたらす暗視野光源を備えるシステム。
【請求項６】
請求項１に記載のシステムであって、
前記集光エリアが８３μｍ以下の幅であるシステム。
【請求項７】
請求項６に記載のシステムであって、
前記集光エリアが６４画素〜１２８画素であるシステム。
【請求項８】
請求項６に記載のシステムであって、
前記集光エリアが４０画素〜１２８画素であるシステム。
【請求項９】
請求項１に記載のシステムであって、
その空気散乱深紫外光が１．１ｐｐｂ未満に低減されるシステム。
【請求項１０】
請求項１に記載のシステムであって、
前記時間遅延積分センサ及び前記サーボが検査システムの一部分であるシステム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のシステムであって、
前記検査システムが、ウェハを保持するよう構成されたチャックを有するシステム。
【請求項１２】
集光エリアを有する時間遅延積分センサを用いウェハをイメージングするステップを有する方法であり、
その集光エリア内に複数個のゾーンがあり、それらゾーンのうち一部分のみが活性化され、残りのゾーンには波形が印加されない方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、更に、
前記時間遅延積分センサにより集光される照明スポットを、サーボを用い位置決めするステップを、有する方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の方法であって、
前記集光エリアが８３μｍ以下の幅である方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記集光エリアが６４画素〜１２８画素である方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法であって、
前記集光エリアが４０画素〜１２８画素である方法。
【請求項１７】
請求項１２に記載の方法であって、
その空気散乱深紫外光が１．１ｐｐｂ未満に低減される方法。
【請求項１８】
請求項１２に記載の方法であって、
前記イメージングが暗視野照明を伴う方法。
【請求項１９】
複数個のゾーンを伴う集光エリアを有する時間遅延積分センサを備え、その時間遅延積分センサのうち少なくとも一部分が遮られるため、それらゾーンのうち第１部分でしか受光されないシステムであり、
照明スポットの位置を制御するサーボを備え、その照明スポット内の光が前記時間遅延積分センサにより集光されるシステム。
【請求項２０】
請求項１９に記載のシステムであって、
前記サーボがビームステアリング整形モジュールサーボであるシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件開示はイメージングの改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
（関連出願への相互参照）
本願は、２０１７年１１月３日付米国仮特許出願第６２／５８１，４５５号に基づき優先権を主張するものであるので、ここにその開示内容を参照により本願に繰り入れるものとする。
【０００３】
半導体製造業界の発展につれ、かつてなく強い要求が歩留まり管理に、またとりわけ計量及び検査システムにのしかかっている。限界寸法が小さくなっているのにウェハサイズが大きくなっている。短時間で高歩留まり高付加価値生産を達成せよと市場が業界を駆り立てている。そのため、歩留まり問題を察知してからそれを正すまでの合計時間を縮めることが、半導体製造業者にとり投資収益率の決め手となっている。
【０００４】
半導体デバイス、例えば論理デバイス及び記憶デバイスを製造する際には、通常、多数の製造プロセスを用い半導体ウェハを処理することで、それら半導体デバイスに備わる様々なフィーチャ（外形特徴）及び複数の階層が形成される。例えばリソグラフィなる半導体製造プロセスにおいては、半導体ウェハ上に配置されたフォトレジストに、レティクルからパターンが転写される。半導体製造プロセスの更なる例としては、これに限られるものではないが化学機械研磨（ＣＭＰ）、エッチング、堆積、イオンインプランテーション等がある。複数個の半導体デバイスを、ある配列をなして単一の半導体ウェハ上に作成した後、個別の半導体デバイスに分離させるとよい。
【０００５】
検査を用いるのは、ウェハ上の半導体デバイスにおける欠陥や、ブランクな未パターン化ウェハ上の欠陥を、見つけるためである。偽陽性（フォールスポジティブ）、或いは偽カウントは、どのような検査状況でも望まれない。検査システムでの偽カウントを発生させうる源泉は複数個ある。そのなかには、そのシステム内の検出器に係る電子ノイズや、注目標本以外の源泉からの光子又は輻射粒子に係る外部ノイズが含まれよう。検査システムの文脈における偽カウントは、標本に関連していない信号が１個又は複数個の検出器により検出され、それがその標本の特性に不正確に関連付けられたときに、発生する。
【０００６】
不要輻射があると、垂直クロック電圧が印加されたエリア全体に亘り時間遅延積分（ＴＤＩ）センサから信号がもたらされる。これは、ウェハが走査される際に光像と同期して動く光電子像が、集まった光電荷により組成される領域である。漏洩光及び空気散乱深紫外（ＤＵＶ）光のどちらも、ウェハ上の欠陥に発し所望信号をもたらす照明プロファイルのそれより広いフットプリントを、その像面内で呈する。ウェハ平面より上方、例えば５０〜２００μｍの距離のところの空気が照明されることで、散乱が引き起こされうる。空気散乱光及び散乱漏洩光には、その成像面に対し直角なｚ方向に沿い像面から遠く離れている平面に発する傾向がある。そうした点は成像面内の焦点に持ち込まれないので広がりがちである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１５／０１４４７９８号
【特許文献２】米国特許出願公開第２００３／０２２３０５８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そのため、不要な漏洩及び空気散乱光を減らす技術が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１実施形態ではシステムが提供される。本システムは時間遅延積分センサ及びサーボを有する。時間遅延積分センサは、複数個のゾーンを含む集光エリアを有する。それらゾーンのうち一部分（フラクション）のみが活性化され、残りのゾーンには波形が印加されない。サーボは照明スポットの位置を制御する。その照明スポット内の光が時間遅延積分センサにより集光される。時間遅延積分センサを電荷結合デバイスとしてもよい。サーボをビームステアリング整形モジュールサーボとしてもよい。
【００１０】
本システムは、更に、そのサーボと電子通信する校正システムを、有するものとすることができる。その校正システムにより、サーボの位置の自動校正を実行することができる。
【００１１】
本システムは、更に、照明スポットをもたらす暗視野光源を、有するものとすることができる。
【００１２】
集光エリアを８３μｍ以下の幅としてもよい。集光エリアを６４画素〜１２８画素、或いは４０画素〜１２８画素としてもよい。
【００１３】
空気散乱深紫外光は１．１ｐｐｂ未満に低減されうる。
【００１４】
時間遅延積分センサ及びサーボを検査システムの一部分としてもよい。その検査システムが、ウェハを保持するよう構成されたチャックを有していてもよい。
【００１５】
第２実施形態では方法が提供される。本方法では、集光エリアを有する時間遅延積分センサを用いウェハがイメージングされる。その集光エリア内には複数個のゾーンがある。それらゾーンのうち第１部分のみが活性化される。残りのゾーンには波形が印加されない。
【００１６】
本方法にて、時間遅延積分センサにより集光される照明スポットを、サーボを用い位置決めすることもできる。
【００１７】
集光エリアを８３μｍ以下の幅としてもよい。集光エリアを６４画素〜１２８画素、或いは４０画素〜１２８画素としてもよい。
【００１８】
空気散乱深紫外光は１．１ｐｐｂ未満に低減されうる。
【００１９】
イメージングを暗視野照明込みにすることができる。
【００２０】
第３実施形態ではシステムが提供される。本システムは、複数個のゾーンを伴う集光エリアを有する時間遅延積分センサと、照明スポットの位置を制御するサーボとを有する。その時間遅延積分センサのうち少なくとも一部分が遮られるため、それらゾーンのうち第１部分でしか受光されない。その照明スポット内の光が時間遅延積分センサにより集光される。サーボをビームステアリング整形モジュールサーボとしてもよい。
【００２１】
本件開示の性質及び目的についてのより遺漏なき理解のためには、後掲の詳細記述と併せ、以下の添付図面を参照すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】物面から離れた面に発する漏洩又は散乱光がどのようにしてイメージセンサ平面内に大きなボケ画像をもたらすかを示す模式的レイトレースである。
【図２】本件開示に係るシステムのブロック図である。
【図３】空気散乱像及びプロファイルを示す図である。
【図４】標準ヘイズ（霞）プロファイルの前方漏洩光像を描いた図であり、上の像は正常コントラストのもの、下の像は前方散乱ペデスタルを示すためウインドウアップしたものである。
【図５】本件開示に係る実施形態のフローチャートである。
【図６】本件開示に係るＴＤＩセンサの例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
特定の諸実施形態の態で特許請求の範囲記載の主題を説明するが、本願中で説明される諸利益及び諸特徴が皆は提供されない諸実施形態を含め、他の諸実施形態もまた本件開示の技術的範囲内とする。様々な構造的、論理的、処理ステップ的及び電子的変更が、本件開示の技術的範囲から離隔することなくなされうる。従って、本件開示の技術的範囲は専ら別項の特許請求の範囲への参照によって定まる。
【００２４】
漏洩及び空気散乱光は、その集光エリアのサイズを構成設定することで、約２〜４オーダの倍数にて低減することができる。その低減比は、広めのＴＤＩ集光エリアで以て漏洩光から得られる光の量を、狭めなＴＤＩ集光エリアでのそれと比べたものである。これにより、ミュー粒子及びＸ線から集まる高エネルギ輻射の量も低減される。この輻射は、漏洩及び空気散乱ＤＵＶ光には寄与しないが、不要な偽欠陥として現れる。その漏洩及び散乱ＤＵＶ光を減らすことで、図１に見られるように、そのシステムにおける感度制約ノイズの源泉を減らすことができる。半導体製造業者にとり重要な仕様である高速での総システム感度の観点からすると、どのようなノイズ低減であれ有益である。本願開示の諸実施形態は、ウェハのパターニング後検査にも未パターニング検査にも適用することができる。
【００２５】
従来は知られていなかったが、狭めのＴＤＩ集光エリアを用いることで漏洩光が低減されよう。その代わりに、ＴＤＩ照明スポットのドリフトに鑑み大きな像面内マージンが用いられていた。これに対処すべく照明及び集光を設計することができる。サーボループにより、照明パッチを周期的且つ自動的に再整列させてドリフトマージンを減らすことができる。
【００２６】
図２は実施形態のシステム１００のブロック図である。本システム１００はチャック１０６を有しており、ウェハ１０７その他のワークピースを保持するようそれが構成されている。チャック１０６を、一軸、二軸又は三軸運動又は回動するよう構成してもよい。チャック１０６を、例えばＺ軸周りで旋回するよう構成してもよい。
【００２７】
本システム１００は、ウェハ１０７の表面から受光するセンサ１０１も有している。センサ１０１を、例えば、集光エリア１１０を有する時間遅延積分（ＴＤＩ）センサとしてもよい。そのＴＤＩセンサを電荷結合デバイス（ＣＣＤ）としてもよい。
【００２８】
センサ１０１の集光エリア１１０は、漏洩深紫外光及び空気散乱深紫外光を減らせるように構成することができる。空気散乱の場合、２５６画素幅から１２８画素幅に移行することで、不要漏洩光を４４％減らすことができる。具体的には、その集光エリアに亘り、空気散乱の１．８ｐｐｂから空気散乱による１．１ｐｐｂへの降下とすることができる。ウェハ粗さ低減に伴いウェハが益々低散乱となり、それにつれ空気散乱が目立つようになっているため、感度向上の観点からはそれを低減させるやり方が有益である。
【００２９】
前方散乱光の場合、２５６画素幅から１２８画素幅へと移行することで、不要漏洩光を４６％減らすことができる。これにより、その集光エリアに亘り、２６ｐｐｂから１４ｐｐｂへの降下とすることができる。例えばウェハ粗さが３０ｐｐｂであれば、２５６画素幅での空気散乱光は、不可避なウェハ散乱とほとんど同じとなる。不要漏洩光が２倍程も減ることは、より小さな欠陥を検出可能となる点で有益である。
【００３０】
照明光学系を改変することで活性領域を更に狭くし、幅比変化に比例した倍率でそれら源泉双方を低減させてもよい。これは更なる２倍以上の低減となろう。集光エリア１１０の面積、例えば図２の集光エリア１１０内のハッチング付面積は、特定寸法までは変化又は減少させることができる。図上はセンサ１０１の中央にあるが、集光エリア１１０は縁に位置していてもよい。
【００３１】
光源１０８例えば暗視野光源によって、破線で表されたセンサ１０１により集光される照明スポットを、ウェハ１０７上にもたらすことができる。サーボ１０９によりその照明スポットの位置を制御することができる。サーボ１０９は、例えばビームステアリング整形モジュール（ＢＳＳ）サーボとすればよい。そうしたサーボを、輻射ビームその他の粒子ビームを操るシステムの一部としてもよい。サーボ部分とは、周期的にビーム位置がＴＤＩセンサ上で計測され、調整がそのＢＢＳを組成する光学素子に対し施され、それによりそのＴＤＩの所望部分上に照明スポットがセンタリングされるフィードバック系のことである。これは開マスクエリアの中央、或いはそのＴＤＩの電気的活性部分の中央とすることができる。一例としては、サーボ１０９により、照明パッチを周期的且つ自動的に再整列させてドリフトマージンを減らすことができる。これによって、確と、センサ１０１の活性領域により照明が収集されるようにすることができる。
【００３２】
サーボ１０９により照明スポットの位置を制御することができ、また、それを用いることで、そのスポットのドリフトであり、約１日又はそれ以上の周期で経時的に生じる傾向があるドリフトを、正確に制御することができる。フィードバックループを用い位置を補正してもよい。例えば、ウェハ上又は校正チップ上の照明スポットのフレームモード像を撮ることで、その照明スポット位置のドリフトを追跡して補正することができる。
【００３３】
一例としては、集光エリア１１０を８３μｍ以下の幅（例．ｘ方向又はｙ方向）とする。集光エリア１１０を６４画素〜１２８画素、或いは４０画素〜１２８画素としてもよい。３２画素寸法、更には１６画素寸法の集光エリア１１０も可能である。
【００３４】
集光エリア１１０を調整することで、漏洩深紫外光及び空気散乱深紫外光を低減することができる。
【００３５】
集光エリア１１０は、様々な技術を用い構成して、空気散乱及び漏洩光を減らせるものにすることができる。一例としては、光学マスクをセンサ１０１又はその内部に付加することで不要領域が遮断され、光照明領域のみが残される。これにより、ミュー粒子及びＸ線誘起性の光電子が減ることはないが、漏洩及び空気散乱光は阻止されよう。
【００３６】
一例としては、その光学マスクを、ＴＤＩセンサの所望活性エリアに整列した切り抜き／切り欠きを有する金属箔と、することができる。別例としては、それを、ＴＤＩを保護するガラスカバープレート上の金属堆積物とすることもできよう。その金属堆積物によりＴＤＩ上の不要エリアが覆い隠されよう。
【００３７】
別例としては、センサ１０１の不要エリアが、照明領域外領域から光電荷を集めないことで阻害される。例えば、センサ１０１の諸部分を不活性化すればよい。ある具体例によれば、用途の違いに応じ集光エリア１１０を変化させることで柔軟性を提供することができる。暗視野欠陥検出を用いる例では、狭い照明が用いられＴＤＩの有効幅が狭められる。４個のチャネルのうち３個がイメージングされる。４個目のチャネルを、明視野光が漏洩光を圧倒するとみられ漏洩光が問題とならない明視野チャネルとすればよい。
【００３８】
センサ１０１の集光エリア１１０を、クロック回路を用い変化させることができ、それによりセンサ１０１のゾーン制御を行うことができる。これは図６中に子細に描かれている。センサ１０１の一部分たりうるＴＤＩセンサ３０１の有効幅を、垂直クロック波形のゾーンスイッチングを通じ制御することができる。
【００３９】
ＴＤＩセンサ３０１は１個又は複数個のＴＤＩ読出しレジスタ３０４を有している。そのＴＤＩ積分及びクロッキングの方向が、矢印３０３により描かれている。この例における画像掃引は左から右への掃引である。電気スイッチ３０２を、個々のゾーンＡ〜Ｄに関し用いることができる。ＴＤＩセンサ３０１と共にＴＤＩ垂直クロック波形発生器３００が稼働しており、それにより電圧を発生させて掃引を引き起こすことができる。
【００４０】
ゾーンＡ〜Ｄをオンに切り替えることで、ＴＤＩセンサ幅全体を活性化させることができる。ＴＤＩセンサの半分であればゾーンを２個だけ、例えばＣ及びＤだけ活性化させればよい。その場合はＡ及びＢに波形が印加されない。ＴＤＩセンサの１／４であればゾーンを１個だけ、例えばＤだけオンに切り替えればよい。活性化されたゾーンがＴＤＩ読出しレジスタ３０４の近くにあるとよい。
【００４１】
ＴＤＩセンサ３０１のゾーンＡ〜Ｄの電気的スイッチングにより、有効ＴＤＩセンサ幅を減らすことができ、更に漏洩散乱光を減らすこと及び高エネルギ粒子を阻止すること双方ができる。高エネルギ粒子からの外れを少なくすることも、それら粒子が偽欠陥を発生させうるので有益である。
【００４２】
照明視野を極力狭くする努力は従来なかった。漏洩及び散乱光例えばＤＵＶ光を減らすことで、感度を制約するノイズの源泉を減らすことができる。これにより、高速での総システム感度が改善される。
【００４３】
翻って図２のシステム１００では、センサ１０１及びサーボ１０９が検査システムの一部とされている。スポットを周期的にフレームモードでイメージングすることで、スポットシフトを検出することができる。そうすれば、どのようなシフトであれサーボ１０９を用い補正することができる。
【００４４】
本システム１００はコントローラ１０２と通信する。例えば、コントローラ１０２が本システム１００のセンサ１０１、サーボ１０９及び／又は他の諸部材と通信することができる。コントローラ１０２は、プロセッサ１０３と、そのプロセッサ１０３と電子通信する電子データ格納ユニット１０４と、そのプロセッサ１０３と電子通信する通信ポート１０５とを、有するものとすることができる。お察しの通り、コントローラ１０２は、実際、ハードウェア、ソフトウェア及びファームウェアのどのような組合せで実施してもよい。また、その機能であり本願記載のものを、単一ユニットで実行しても複数個の異なる部材間で分かち合ってもよいし、それら部材それぞれが翻ってハードウェア、ソフトウェア及びファームウェアのどのような組合せで実施されてもよい。コントローラ１０２に様々な方法及び機能を実行・実施させるためのプログラムコード又は命令は、コントローラ可読格納媒体内、例えば電子データ格納ユニット１０４内メモリ、コントローラ１０２内メモリ、コントローラ１０２外メモリ、或いはその組合せに格納すればよい。
【００４５】
コントローラ１０２は、センサ１０１及びサーボ１０９と電子通信することで、情報を受け取りウェハ１０７の画像を生成するよう、且つサーボ１０９の位置の自動校正を実行するよう、描かれている。コントローラ１０２を２個用い、それらの機能を別々に扱うこともできる。
【００４６】
コントローラ１０２は、１個又は複数個のプロセッサ１０３と、１個又は複数個の電子データ格納ユニット１０４とを、有するものとすることができる。各プロセッサ１０３が、電子データ格納ユニット１０４のうち１個と電子通信するのでも複数個と電子通信するのでもよい。ある実施形態では１個又は複数個のプロセッサ１０３が可通信結合される。この場合、その１個又は複数個のプロセッサ１０３にて、センサ１０１が受け取った読み値を受け取り、その読み値をコントローラ１０２の電子データ格納ユニット１０４内に格納すればよい。コントローラ１０２を、本システム自体の一部としてもよいし、本システムとは別体にしても（例．スタンドアロン制御ユニットとし又は集中品質制御ユニット内のものとしても）よい。
【００４７】
コントローラ１０２を、本システム１００の構成諸部材にどのような好適要領にて（例．１個又は複数個の伝送媒体、例えば有線及び／又は無線伝送媒体を含むそれを介し）結合させてもよく、それにより、本システム１００により生成された出力例えばセンサ１０１からの出力をコントローラ１０２が受け取れるようにすることができる。コントローラ１０２を、その出力を用い多数の機能を実行するよう構成してもよい。例えば、ウェハ１０７の検査を実行するようコントローラ１０２を構成してもよい。また例えば、出力をレビューすることなくその出力を電子データ格納ユニット１０４その他の格納媒体に送るよう、コントローラ１０２を構成してもよい。コントローラ１０２は本願記載の如く更に構成されうる。
【００４８】
コントローラ１０２、他の１個又は複数個のシステム或いは他の１個又は複数個のサブシステムであり本願記載のものは、パーソナルコンピュータシステム、イメージコンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、ネットワーク機器、インターネット機器その他の装置を初め、様々な形態を採りうる。一般に、語「コントローラ」は、記憶媒体から得た命令を実行するプロセッサを１個又は複数個有するデバイス全てが包括されるよう、広く定義することができる。その又はそれらのサブシステム又はシステムが、本件技術分野にて既知な何れの好適プロセッサを有するのでもよく、例えば並列プロセッサを有していてもよい。加えて、その又はそれらのサブシステム又はシステムが高速処理プラットフォーム及びソフトウェアを有するのでもよく、またそれがスタンドアロンであってもネットワーク接続ツールであってもよい。
【００４９】
本システム内に複数個のサブシステムがある場合、それら異なるサブシステム同士を結合させることで、画像、データ、情報、命令等々をそれらサブシステム間で送れるようにするとよい。例えば、あるサブシステムを１個又は複数個の付加的サブシステムに結合させてもよく、それをどのような好適伝送媒体で行ってもよく、それに本件技術分野で既知な何れの好適有線及び／又は無線伝送媒体が含まれていてもよい。そうしたサブシステムのうち２個以上を共有型のコンピュータ可読格納媒体（図示せず）によって実質的に結合させてもよい。
【００５０】
コントローラ１０２が、本システム１００のセンサ１０１その他の部材と電子通信してもよい。コントローラ１０２を、本願記載の諸実施形態のうち何れに従い構成してもよい。コントローラ１０２を、また、センサ１０１の出力を用い、或いは他の源泉からの画像又はデータを用い、他の諸機能又は付加的諸ステップを実行するよう構成してもよい。
【００５１】
付加的実施形態は、コントローラ上で実行可能なプログラム命令が格納された非一時的コンピュータ可読媒体、特に本願開示の如く照明スポットを位置決めするコンピュータ実施方法を実行するためのそれに関する。とりわけ、図２に示すように、コントローラ１０２を、電子データ格納ユニット１０４内メモリやその他の電子データ格納媒体を有し、そのコントローラ１０２上で実行可能なプログラム命令が入っている非一時的コンピュータ可読媒体を伴うものにすることができる。そのコンピュータ実施方法に、本願記載の何れの方法（群）の何れのステップ（群）を含めてもよい。例えば、図５のステップのうち一部又は全部を実行するよう、コントローラ１０２にプログラミングしてもよい。電子データ格納ユニット１０４内のメモリ又はその他の電子データ格納媒体たる格納媒体を、例えば磁気又は光ディスク、磁気テープその他、本件技術分野にて既知で好適な何れの非一時的コンピュータ可読媒体としてもよい。
【００５２】
それらプログラム命令は、就中、手続きベース技術、要素ベース技術及び／又はオブジェクト指向技術を初め、様々なやり方の何れで実施してもよい。例えば、それらプログラム命令を、ＡｃｔｉｖｅＸ（登録商標）コントロール、Ｃ＋＋オブジェクト、ＪａｖａＢｅａｎｓ（登録商標）、Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ（登録商標）ＦｏｕｎｄａｔｉｏｎＣｌａｓｓｅｓ（ＭＦＣ）、ＳＳＥ（ストリーミングＳＩＭＤエクステンション）その他のテクノロジ又は方法論を随意使用して実施すればよい。
【００５３】
また、実施形態に係るコントローラ１０２を、システム１００の様々な部材又はサブシステムの何れに、本件技術分野で既知な何れの要領にて可通信結合させてもよい。更に、コントローラ１０２を、伝送媒体例えば有線及び／又は区間を有するそれにより、他システムからのデータ又は情報（例．検査システム例えばレビューツールからの検査結果、リモートデータベース内のデザインデータ等）を受信及び／又は獲得するよう、構成してもよい。この要領で、その伝送媒体を、コントローラ１０２と、本システム１００の他サブシステム又はシステム１００外システムとの間で、データリンクとして働かせればよい。
【００５４】
幾つかの実施形態では、本願開示のシステム１００及び方法の様々なステップ、機能及び／又は動作が、電子回路、論理ゲート、マルチプレクサ、プログラマブル論理デバイス、ＡＳＩＣ、アナログ又はディジタルコントローラ／スイッチ、マイクロコントローラ、並びに情報処理システムのうち、１個又は複数個により実行される。方法例えば本願記載のそれらを実施するプログラム命令を、キャリア媒体上で伝送し又はその上に格納してもよい。そのキャリア媒体の一例は格納媒体、例えばリードオンリメモリ、ランダムアクセスメモリ、磁気ディスク、光ディスク、不揮発性メモリ、固体メモリ、磁気テープ等であろう。キャリア媒体の一例は伝送媒体、例えばワイヤ、ケーブル又は無線伝送リンクであろう。例えば、本件開示の随所に記載されている様々なステップを、単一のコントローラ１０２（又はコンピュータシステム）で実行してもよいし、それに代え複数個のコントローラ１０２（又は複数個のコンピュータシステム）で実行してもよい。更に、本システム１００の様々なサブシステムが１個又は複数個の情報処理又は論理システムを有していてもよい。したがって、上掲の記載は本件開示に対する限定としてではなく、単なる例証として解されるべきである。
【００５５】
図３は空気散乱像及びプロファイルである。この画像にはウェハやステージが含まれていない。上の画像の高さは２５６画素である。その画像の中央にある白ヘイズは空気からの散乱である。結果は、２５６画素幅では１．８ｐｐｂ、１２８画素幅では１．１ｐｐｂであることを示している。別の技術を用いた場合、２５６画素幅では１５．６ｐｐｂ、１２８画素幅では１１ｐｐｂという結果となる。光源が源泉平面から遠い場合、非常に大きなボケ画像が像面内に生じることとなろう。通常、在来型のカメラで画像を作成する際にその画像のボケ部分を遮ろうとすると、その画像の所望コンテンツ又はフィーチャのうち幾ばくかも遮られることとなろう。狭照明によるＴＤＩ画像は、どの時点でもイメージング対象物の比較的細いストリップのみが照明される点で異なっている。照明外領域内にボケエリアがある場合、それらを遮ること及び漏洩散乱光を減らすことができる。
【００５６】
図４には、標準ヘイズプロファイルの前方漏洩光像が描かれている。上の像は正常コントラストであり、下の像は前方散乱ペデスタルを示すべくウインドウアップされている。その径方向平均値にも、やはりそのペデスタルからの前方漏洩光が示されている。結果は、標準ヘイズウェハでは２００ｐｐｂであり、そこから２５６画素幅では２５．９ｐｐｂ、１２８画素幅では１４．１ｐｐｂの漏洩光が送り出されることを示している。
【００５７】
図４中、上側の像の中央には白いストリップ、即ちそのウェハで散乱された照明光が表れている。その中央にある信号がウェハに発するヘイズである。図４中で下側の像は上側の像のズームインバージョンでありハイグレインである。照明光の両側に、空気からの又は光学系に発する漏洩散乱光をなおも看取することができる。
【００５８】
図４の下側にある照明プロファイルのうち右側のグラフは、左側のグラフのズームインバージョンでありログスケールを有している。左側のチャートは上側の像全体を左から右へと横断している。
【００５９】
一例として、５１２幅ＴＤＩセンサを当初有していた検査システムを、各２５６幅のセクション２個に分割してみた。即ち、最初のＴＤＩセンサを実質的に２５６画素幅（ウェハ平面では１６６μｍ幅）とし、照明領域を６０画素幅（ウェハ平面では３９μｍ）とした。ＴＤＩセンサ幅を減らしたところ、不要な高エネルギ輻射が減った。能動ＴＤＩ幅を１２８画素即ち８３μｍにすることが計画された。しかしながら、判明したところによれば、漏洩及び空気散乱ＤＵＶ光が、全２５６画素幅に亘り空間的にかなり平坦であった。そのため、１２８画素〜６４画素未満への更なる幅低減が計画された。
【００６０】
図３及び図４の特徴及び結果は例であり、限定たる意味合いはない。
【００６１】
図５は実施形態のフローチャートである。２００では、集光エリアを有する時間遅延積分センサを用いウェハがイメージングされる。その集光エリアは、漏洩深紫外光及び空気散乱深紫外光が減るよう構成されている。そのイメージングには暗視野照明が組み込まれうる。集光エリアを得るため、その集光エリアのうち幾つかの部分が阻害されうる。２０１では、その時間遅延積分センサにより集光された照明スポットが、サーボを用い付随的に位置決めされる。
【００６２】
本願中の用語「ウェハ」は、総じて、半導体又は非半導体素材で形成された基板のことを指している。そうした半導体又は非半導体素材の例としては、これに限られるものではないが単結晶シリコン、窒化ガリウム、砒化ガリウム、燐化インジウム、サファイア及びガラスがある。そうした基板は、半導体製造設備にて広く見出され及び／又は処理されよう。
【００６３】
ウェハが、基板上に形成された１個又は複数個の層を有していてもよい。そうした層の例としては、これに限られるものではないがフォトレジスト、誘電体、導電体及び半導体があろう。そうした層については多種多様な種類が本件技術分野にて知られており、本願中の用語ウェハは、そうした層のうちどの種類を有するウェハであれ包括することを企図している。
【００６４】
ウェハ上に形成された１個又は複数個の層がパターン化されていても無パターンであってもよい。例えば、ウェハ内に複数個のダイがあり、そのダイそれぞれが可反復パターンフィーチャ又は周期構造を有していてもよい。そうした素材層の形成及び処理により、やがてはデバイス完成品がもたらされよう。ウェハ上には多種多様な種類のデバイスが形成されうるのであり、本願中の用語ウェハは、本件技術分野で既知な何れの種類のデバイスがその上に作成されるウェハであれ包括することを企図している。
【００６５】
他種ウェハを用いてもよい。例えば、そのウェハを用いＬＥＤ、ソーラセル、磁気ディスク、フラットパネル又は研磨プレートを製造してもよい。その他の物体上の欠陥も、本願開示の技術及びシステムを用い分類されうる。
【００６６】
本方法の各ステップは本願記載の如く実行されうる。それら方法に、本願記載のコントローラ及び／又は１個若しくは複数個のコンピュータサブシステム若しくはシステムにより実行可能な、他の何れのステップ（群）を含めてもよい。それらステップは１個又は複数個のコンピュータシステムにより実行することができ、またそれを本願記載の諸実施形態のうち何れに従い構成してもよい。加えて、上述の諸方法を、本願記載のシステム実施形態のうち何れにより実行してもよい。
【００６７】
１個又は複数個の具体的実施形態を基準にして本件開示を記述してきたが、ご理解頂けるように、本件開示の技術的範囲から離隔することなく本件開示の他の諸実施形態をなすこともできる。従って、本件開示は、別項の特許請求の範囲及びその合理的解釈によってのみ制限されるものと認められる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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