(57)【要約】      （修正有）【課題】一括樹脂封止した複数の半導体装置を個片化する工程で発生するリードダレを抑え、短絡を防止するとともに、電気抵抗の増大を抑え、またリードダレの目視的に管理を提供する。【解決手段】デバイス領域４の複数の配線３（リード部）は、デバイス領域４どうしを連結している被切断領域５の近傍部から被切断領域５に近づくにしたがって徐々に幅が狭まるように形成する。つまり、配線３の延出部の外形寸法から算出される断面形状と、ダイシング後の配線の切断面（つまり狭幅部３ａの切断面）の形状とを比較することで、ダレの発生の有無、ダレ量を把握できる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載するためのチップ搭載部とその外周側に少なくとも配置された複数のリード部とを有するデバイス領域を複数、被切断領域で連結して配列した半導体チップ支持体であって、前記デバイス領域の複数のリード部は前記被切断領域内まで延びるとともに、前記被切断領域の近傍部から前記被切断領域に近づくにしたがって徐々に幅が狭まっている半導体チップ支持体。
【請求項２】
複数のデバイス領域および被切断領域は基板に設けられており、各デバイス領域の複数のリード部はチップ搭載部内あるいはチップ搭載部外に半導体チップのための接続端子を有するように配置されている請求項１記載の半導体チップ支持体。
【請求項３】
被切断領域は、各デバイス領域のチップ搭載部と複数のリード部とを外枠部に対して連結する連結部を有しており、各デバイス領域の複数のリード部はチップ搭載部に一端が対向するように配置されている請求項１記載の半導体チップ支持体。
【請求項４】
各デバイス領域の複数のリード部は被切断領域との境界部において千鳥配置となるように形成されている請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体チップ支持体。
【請求項５】
各デバイス領域の複数のリード部は、その厚み方向に沿って次第に幅狭まる断面形状を有し、その幅狭部が隣り合うリード部間で互いに逆向きになるように形成されている請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体チップ支持体。
【請求項６】
各デバイス領域の複数のリード部は、その一部に広幅部があるときに、被切断領域との境界部での互いの間隔が均等になるように屈曲されている請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体チップ支持体。
【請求項７】
被切断領域に、デバイス領域から延びた複数のリード部が連続するバス配線が形成されており、前記バス配線は、デバイス領域内の複数のリード部と同等あるいはより狭い配線幅を有する請求項２記載の半導体チップ支持体。
【請求項８】
複数のデバイス領域のリード部の接続端子を露出させて基板面を覆う保護膜が形成されており、前記複数のデバイス領域を囲んだ最外周の被切断領域のさらに外周の端材領域に、デバイス領域のリード部が前記被切断領域との境界部におけるのと同一の形状で延出されるとともに、延出されたリード部の上面および両側面を露出させる凹部が前記保護膜に形成されている請求項２記載の半導体チップ支持体。
【請求項９】
請求項１記載の半導体チップ支持体を準備する工程と、
前記半導体チップ支持体の複数のデバイス領域のそれぞれに半導体チップを搭載するとともに、各デバイス領域の複数のリード部と半導体チップに形成された複数の電極とを電気的に接続する工程と、
前記半導体チップが搭載された複数のデバイス領域と被切断領域とを封止樹脂によって一括で封止する工程と、
樹脂封止後の半導体チップ支持体の被切断領域を切除して前記デバイス領域ごとに形成された半導体装置に分割する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体チップ支持体を準備する工程と、
前記半導体チップ支持体の複数のデバイス領域のそれぞれに半導体チップを搭載するとともに、各デバイス領域の複数のリード部と半導体チップに形成された複数の電極とを電気的に接続する工程と、
前記半導体チップが搭載された複数のデバイス領域と被切断領域とを封止樹脂によって一括で封止する工程と、
樹脂封止後の半導体チップ支持体の被切断領域を切除して前記デバイス領域ごとに形成された半導体装置に分割する工程と、
前記半導体チップ支持体の端材領域の凹部内で露出しているリード部の外形を計測する工程と、
前記リード部の計測値を基に、分割された半導体装置の側面に露出したリード部の切断面を評価する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ支持体およびそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化及び高機能化に対応するために、半導体部品（装置）の高密度実装がますます強く要求されるようになってきている。そのため半導体部品について、小型化及び薄型化が急速に進展しつつあり、生産性向上を図る種々の工夫がなされている（特許文献１、２、３）。
【０００３】
たとえば、複数の装置領域（デバイス領域）を設けたリードフレームを用い、各装置領域に半導体チップを搭載し、電気的に接続した後、前記複数の装置領域を一括に樹脂封止し、ダイシングによって個片に切断することにより、ＱＦＮ（Quad Flat Non leaded package）形態の半導体装置が製造されている。リードフレームでなく、回路形成された基板（配線基板）を用いて形成されるＢＧＡなどの半導体装置もある。
【０００４】
上記のタイプの半導体装置では、リード部の切断面が装置側面に露出することとなる。
ところが、ダイシング工程では、金属よりなるリード部と封止樹脂等との一体化物をダイシングブレードなどで切断するので、切断時の摩擦（ダイシング応力）によって、リード部の切断面の外周にその金属成分がこびりつくダレと呼ばれる現象が発生する（以下、リードダレと言う）。このリードダレは、リードの材料に、低硬度の銅または銅合金を用いた場合により顕著に現れる。
【０００５】
ＱＦＮにおいてリードダレが実装面から突出すると、リード自体の実装面の平坦度が悪化して、実装基板への接続強度が低下し、基板実装性が不安定になってしまう。半田めっきが施されている場合にはめっき膜はダレをより起こしやすい。ＱＦＮ、ＢＧＡとも、リードダレによって短絡が起こることもある。
【０００６】
これに対処するべく、ダイシングにより切断されるリード部の切断部分の厚みを他の部分よりも薄くすることにより、切断面の面積を小さくして、リードダレの絶対量を低減し、短絡を防ぐようにしたものもある。
【特許文献１】特開２００２−２４６５３０公報
【特許文献２】特開２００３−２３１３４公報
【特許文献３】特開２００５−５７０６７公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記したようにリード部の切断部分の厚みを他の部分よりも薄くすると、リードダレの発生を抑え、短絡を防止できるものの、電気抵抗が増大するという問題がある。
一方、リード部の切断面とリードダレとはほぼ同一平面をなすため、リードダレを目視的に認識して管理することは困難であるという問題がある。
【０００８】
本発明は、リードダレを抑え、電気抵抗の増大も抑えることを目的とする。またリードダレを目視的に管理できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の半導体チップ支持体は、半導体チップを搭載するためのチップ搭載部とその外周側に少なくとも配置された複数のリード部とを有するデバイス領域を複数、被切断領域で連結して配列した半導体チップ支持体であって、前記デバイス領域の複数のリード部は前記被切断領域内まで延びるとともに、前記被切断領域の近傍部から前記被切断領域に近づくにしたがって徐々に幅が狭まっていることを特徴とする。これによれば、リード部の幅を狭めることで切断面の面積が小さくなり、リードダレを抑えられるだけでなく、そのリード部の幅を被切断領域の近傍でのみしかも徐々に狭めているため、電気抵抗の増大を抑えることができる。
【００１０】
複数のデバイス領域および被切断領域は基板に設けられており、各デバイス領域の複数のリード部はチップ搭載部内あるいはチップ搭載部外に半導体チップのための接続端子を有するように配置されている、いわゆる配線基板であってよい。
【００１１】
被切断領域は、各デバイス領域のチップ搭載部と複数のリード部とを外枠部に対して連結する連結部を有しており、各デバイス領域の複数のリード部はチップ搭載部に一端が対向するように配置されている、いわゆるリードフレームであってよい。
【００１２】
各デバイス領域の複数のリード部は被切断領域との境界部において千鳥配置となるように形成されているのが好ましい。また各デバイス領域の複数のリード部は、その厚み方向に沿って次第に幅狭まる断面形状を有し、その幅狭部が隣り合うリード部間で互いに逆向きになるように形成されているのが好ましい。また各デバイス領域の複数のリード部は、その一部に広幅部があるときに、被切断領域との境界部での互いの間隔が均等になるように屈曲されているのが好ましい。
【００１３】
配線基板にあっては、被切断領域に、デバイス領域から延びた複数のリード部が連続するバス配線が形成されており、前記バス配線が、デバイス領域内の複数のリード部と同等あるいはより狭い配線幅を有するのが好ましい。
【００１４】
また、複数のデバイス領域のリード部の接続端子を露出させて基板面を覆う保護膜が形成されており、前記複数のデバイス領域を囲んだ最外周の被切断領域のさらに外周の端材領域に、デバイス領域のリード部が前記被切断領域との境界部におけるのと同一の形状で延出されるとともに、延出されたリード部の上面および両側面を露出させる凹部が前記保護膜に形成されているのが好ましい。
【００１５】
本発明の半導体装置の製造方法は、上記の半導体チップ支持体を準備する工程と、前記半導体チップ支持体の複数のデバイス領域のそれぞれに半導体チップを搭載するとともに、各デバイス領域の複数のリード部と半導体チップに形成された複数の電極とを電気的に接続する工程と、前記半導体チップが搭載された複数のデバイス領域と被切断領域とを封止樹脂によって一括で封止する工程と、樹脂封止後の半導体チップ支持体の被切断領域を切除して前記デバイス領域ごとに形成された半導体装置に分割する工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
端材領域にリード部が延出され、そのリード部の上面および両側面を露出させる凹部が形成されている半導体チップ支持体を準備する場合は、前記端材領域の凹部内で露出しているリード部の外形を計測する工程と、前記リード部の計測値を基に、分割された半導体装置の側面に露出したリード部の切断面を評価する工程とをさらに有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の半導体チップ支持体は、リード部の幅を被切断領域の近傍でのみしかも徐々に狭めたことにより、リードダレを抑え、ショートを確実に防止し、歩留まりを向上できるだけでなく、電気抵抗の増大を抑え、断線を防止することが可能となる。
【００１８】
また、切り離される端材領域に、リード部を延出し、そのリード部の上面および両側面を露出させる凹部を形成したことにより、ダレ量を容易に目視的に観察して管理することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。
まず、本発明の一実施形態の半導体チップ支持体である配線基板を用いて樹脂封止型半導体装置を製造する方法について説明する。
【００２０】
図１（ａ）に示す配線基板１を準備する。配線基板１は、半導体素子を搭載するためのダイパッド２と、半導体チップと電気的導通をとるための複数の配線３（リード部）とを有するデバイス領域４を複数、被切断領域５で連結して配列している。被切断領域５は、複数のデバイス領域４の各々および全体を囲む格子状である。
【００２１】
配線３は、ダイパッド２の周囲に内部接続端子（電極パッド；図示せず）を有し、外部接続端子（図示せず）を基板裏面に有するもので、ここでは積層構造としている。基板両面には、配線３の内部接続端子および外部接続端子を露出させて覆う保護膜６を形成している。配線基板１については後段で詳述する。
【００２２】
この配線基板１について、図１（ｂ）に示すように各デバイス領域４のダイパッド２に銀ペースト７などの固着材を配置し、その上に、図１（ｃ）に示すように半導体チップ８を搭載し、次に、図１（ｄ）に示すように各デバイス領域４の半導体チップ８の複数の電極と内部接続端子とを金属細線９により電気的に接続する。
【００２３】
その後に、図２（ａ）に示すように、複数のデバイス領域４よりも一回り大きい封止領域を、モールド金型の１つのキャビティで覆ってモールドする一括成型法にて樹脂封止部１０を形成して封止し、図２（ｂ）に示すように、基板裏面の電極端子上に半田ボール１１などの外部接続用電極を搭載する。
【００２４】
この半田ボール１１を搭載した樹脂封止体を、図２（ｃ）に示すように、樹脂面をダイシングテープ１２に貼付けて固定したうえで、基板裏面側から被切断領域５にダイシングブレード１３をあててダイシングすることにより、被切断領域５を切除して、図２（ｄ）に示すような、個片の半導体装置１４に分割する。
【００２５】
図３に上述の配線基板１の一部、すなわち、積層構造の配線層の１層の一部を拡大図示する。被切断領域５に、デバイス領域４どうしを分離する方向に延びる共通母線、いわゆるバスライン１６が形成されている。バスライン１６はたとえば、上述の内部接続端子および外部接続端子にメッキを施すために使用される。
【００２６】
デバイス領域４の複数の配線３は、このバスライン１６に連続するように被切断領域５内まで延出されている。複数の配線３にはそれぞれ、被切断領域５の近傍部から連結領域まで、徐々に幅が狭まる狭幅部３ａが設けられており、被切断領域５内の延出部は一定幅である。
【００２７】
被切断領域５はたとえば幅１００〜９００μｍであり、バスライン１６はたとえば幅３０〜８０μｍである。配線３はたとえば幅３０〜６０μｍであり、互いの間隔は４５〜１５０μｍであり、狭幅部３ａの端部（最も幅狭い部分）は幅１０〜３０μｍ程度である。
【００２８】
配線３、バスライン１６の材料としては、樹脂を基材とする場合は主に銅（端子部分にＮｉ／Ａｕめっき）が用いられ、セラミックを基材とする場合はＴａが主に用いられる。以下に述べる本発明の効果は銅を主体とする場合に特に大きい。
【００２９】
ダイシングの際には、バスライン１６上を上述のダイシングブレード１３が通り、被切断領域５は切除され、配線３も切断ライン１７で、つまり狭幅部３ａの端部で切断されることとなる。このため、配線３が被切断領域５内まで一定幅の場合に比べて、ダイシングブレード１３との接触面積は小さく、摩擦により発生するダレ（リードダレ）は抑制される。
【００３０】
図４は個片化された半導体装置の斜視図である。
上述のバスライン１６およびそれに連続する複数の配線３が１層の配線層にのみ形成された配線基板１、たとえば図１（ａ）における上から第１層の配線層にのみ形成された配線基板１を用いて製造された半導体装置を示している。
【００３１】
ダイシングの際に切断された配線３の切断面は、装置側面に、実装面の端辺に沿う方向に一列に並んで露出している。配線３の切断面、つまり狭幅部３ａの切断面の形状は四角形である。
【００３２】
上述のように配線３が狭幅部３ａの端部で切断されることから、図示するようにダレ１８が発生したとしても絶対量は抑えられ、１０〜２０μｍ程度であったとしても、上述の例では狭幅部３ａの切断面間の距離が最大で約９０μｍと十分であるため、ダレ１８に起因するショートを防ぐことができる。
【００３３】
また、狭幅部３ａは被切断領域５の近傍部分のみとしているので、配線３の電気抵抗増大は最小限に抑えることができ、半導体装置の信頼性を損なわない。さらに、幅狭部３ａは被切断領域５に近づくにつれ徐々に狭まる形状であるため、階段状に狭まる形状と比べても、配線３の電気抵抗増大をより抑えられるだけでなく、ダイシングブレードに対する応力に耐性を持つこととなり、断線などの不良を抑制することができる。
【００３４】
よって、半導体装置の信頼性、品質が向上するとともに、ショート不良が無くなる分、生産性が向上する。
図５は個片化された他の半導体装置の斜視図である。
【００３５】
上述のバスライン１６およびそれに連続する複数の配線３が２層の配線層に形成された配線基板１、たとえば図１（ａ）における上から第１層と第２層の配線層に形成された配線基板１を用いて製造された半導体装置を示している。
【００３６】
ダイシングの際に切断された配線３の切断面は装置側面に千鳥配置となって露出している。言い換えると、このような配置となるように各層の配線３が形成されている。切断された複数の配線３にそれぞれ、被切断領域５の近傍部から徐々に幅が狭まる狭幅部３ａが設けられているのは同様である。配線３の切断面、つまり狭幅部３ａの切断面の形状は四角形である。
【００３７】
千鳥配置としたことで、図４に示した半導体装置に比べて、実装面の端辺に沿う方向の配線間距離が同一であれば、実際の切断面間距離をより広げられ、ダレ１８量がより多い場合も短絡を確実に防止できる。基板部の厚さはおよそ０．２ｍｍ〜０．４５ｍｍとし、上下の配線距離が０．１ｍｍの距離を確保できる。配線３をそのままの幅で適用すれば、電気抵抗を増大させることはない。
【００３８】
図６は個片化された更に他の半導体装置の斜視図である。
上述のバスライン１６およびそれに連続する複数の配線３が１層の配線層にのみ形成された配線基板１、たとえば図１（ａ）における上から第１層の配線層にのみ形成された配線基板１を用いて製造された半導体装置を示している。
【００３９】
ダイシングの際に切断された配線３の切断面は、装置側面に、実装面の端辺に沿う方向に一列に並んで露出している。切断された複数の配線３にそれぞれ、被切断領域５の近傍部から連結領域まで、徐々に幅が狭まる狭幅部３ａが設けられているのは同様である。
【００４０】
この半導体装置の特徴は、配線３の切断面、つまり狭幅部３ａの切断面の形状が三角形である点である。厚み方向（実装面と交わる方向、図中の上下方向）に沿って次第に幅狭まる三角形であり、かつ、その頂部が隣り合う切断面で互いに逆向き（上向き、下向き）である。
【００４１】
このような三角形の断面を持つようにしたことで、四角形の断面を持つ図４の半導体装置に比べて、実装面の端辺に沿う方向の配線間距離が同一であれば、実際の切断面間距離をより広げられ、したがってダレ１８量がより多い場合も短絡を確実に防止できる。
【００４２】
頂角が６０度以下の二等辺三角形とすれば、切断面間距離をより広く確保できる。しかし厚み方向に沿って次第に幅が狭まる形状であれば、三角形に限らず、台形等であってもよい。このような形状はエッチングによって容易に得られる。
【００４３】
次に、本発明の他の実施形態の半導体チップ支持体であるリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する方法について説明する。
図７（ａ）に示すリードフレーム２１を準備する。リードフレーム２１は、銅を主体とする金属板より打ち抜かれていて、半導体素子を搭載するためのダイパッド２２と、ダイパッド２２に一端が対向するように配置された複数のリード部２３と、ダイパッド２２を支持するための吊りリード部２３′とを有するデバイス領域２４を複数、被切断領域２５（斜線を付して示している）により外枠部２６に対して連結して配列している。多数個取りのリードフレームと呼ばれるものである。
【００４４】
被切断領域２５には、デバイス領域２４どうしを分離する方向に延びる連結部２８があり、デバイス領域２４の複数のリード部２３は、この連結部２８に連続するように被切断領域２５内まで延びている。複数のリード部２３にはそれぞれ、被切断領域２５の近傍部から被切断領域２５まで、徐々に幅が狭まる狭幅部２３ａが設けられており、被切断領域２５内の延出部は一定幅である。リード部２３はたとえば幅３００〜６００μｍであり、互いの間隔は３５０〜５００μｍであり、狭幅部２３ａの端部（最も幅狭い部分）は幅１００〜３００μｍ程度である。
【００４５】
このリードフレーム２１について、先に配線基板について説明したのと同様に、図７（ｂ）に示すように各デバイス領域２４のダイパッド２２に銀ペーストなどの固着材（図示せず）を介して半導体チップ８を固着し、各デバイス領域２４の半導体チップ８の複数の電極とリード部２３の内部接続端子とを金属細線９により電気的に接続し、複数のデバイス領域２４よりも一回り大きい封止領域をモールド金型の１つのキャビティで覆ってモールドする一括成型法にて樹脂封止部１０を形成して封止する。
【００４６】
この樹脂封止体を、図２（ｃ）に示すように、樹脂面をダイシングテープ１２に貼付けて固定したうえで、基板裏面側から被切断領域２５にダイシングブレード１３をあててダイシングすることにより、被切断領域２５を切除して、図２（ｄ）に示すような、個片の半導体装置２７に分割する。
【００４７】
ダイシングの際には、上述の連結部２８上をダイシングブレード１３が通り、被切断領域２５は切除され、リード部２３も切断ライン２９で、つまり狭幅部２３ａの端部で切断されることとなる。このため、リード部２３が全体に一定幅の場合に比べて、ダイシングブレード１３との接触面積は小さく、摩擦により発生するリードダレは抑制される。
【００４８】
図８（ａ）（ｂ）は個片化された半導体装置の斜視図およびその一部拡大図である。
樹脂封止形で、かつ面実装形の小形半導体パッケージ、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）である。
【００４９】
複数のリード部２３の裏面が樹脂モールドによって形成された樹脂封止部１０の実装面の周縁部に並んで露出するとともに（ペリフェラル形）、ダイシングの際に切断されたリード部２３の切断面が、装置側面、つまり樹脂封止部１０の側面に、実装面の端辺に沿う方向に一列に並んで露出している。リード部２３の切断面、つまり狭幅部２３ａの切断面の形状は四角形である。
【００５０】
この半導体装置２７でも、先に図４の半導体装置について説明したのと同様の効果が得られる。すなわち、図示するように狭幅部２３ａの切断面でダレ１８が発生したとしても絶対量は抑えられ、またその狭幅部２３ａの切断面間の距離が十分であるため、ダレ１８に起因するショートを防ぐことができる。
【００５１】
また、狭幅部２３ａは被切断領域２５の近傍部分のみとしたため、電気抵抗増大は最小限に抑えることができ、半導体装置の信頼性を損なわない。さらに、幅狭部２３aは被切断領域５に近づくにつれ徐々に狭まる形状であるため、階段状に狭まる形状と比べても、電気抵抗増大をより抑えられる。
【００５２】
よって、半導体装置の信頼性、品質が向上するとともに、ショート不良が無くなる分、生産性が向上する。
図９（ａ）（ｂ）は個片化された半導体装置の斜視図およびその一部拡大図である。
【００５３】
複数のリード部２３の裏面が樹脂モールドによって形成された樹脂封止部１０の実装面の周縁部に並んで露出するとともに、ダイシングの際に切断されたリード部２３の切断面が、装置側面、つまり樹脂封止部１０の側面に、千鳥配置となって露出している。リード部２３の切断面、つまり狭幅部２３ａの切断面の形状は四角形である。
【００５４】
これは、図示したように、隣り合う一方のリード部２３にはその厚み方向における下部に幅狭部２３ａを配置し、もう一方のリード部２３にはその厚み方向における上部に幅狭部２３ａを配置することで、実現している。
【００５５】
千鳥配置としたことで、図８に示した半導体装置に比べて、実装面の端辺に沿う方向のリード部間距離が同一であれば、実際の切断面間距離をより広げられ、したがってダレ１８量がより多い場合も短絡を確実に防止できる。
【００５６】
図１０（ａ）（ｂ）は個片化された半導体装置の斜視図およびその一部拡大図である。
複数のリード部２３の裏面が樹脂モールドによって形成された樹脂封止部１０の実装面の周縁部に並んで露出するとともに、ダイシングの際に切断されたリード部２３の切断面が、装置側面、つまり樹脂封止部１０の側面に、実装面の端辺に沿う方向に一列に並んで露出している。
【００５７】
先に図６を用いて説明した半導体装置と同様に、リード部２３の切断面、つまり狭幅部２３ａの切断面の形状は三角形である。リード部２３の厚み方向（実装面と交わる方向、図中の上下方向）に沿って次第に幅狭まる三角形であり、かつ、その頂部が隣り合う切断面で互いに逆向き（上向き、下向き）である。
【００５８】
このような三角形の断面を持つようにしたことで、四角形の切断面を持つ図８の半導体装置と比べて、実装面の端辺に沿う方向のリード部間距離が同一であれば、実際の切断面間距離をより広げられ、したがってダレ１８量がより多い場合も短絡を確実に防止できる。
【００５９】
図１１（ａ）は、配線基板１の変形例を示す一部拡大平面図である。
隣り合うデバイス領域４どうしを分離する方向に延びたバスライン１６は、配線３の幅（幅狭部３ａの幅）よりも細い幅、もしくは同等の幅となるように形成されている。
【００６０】
これは、図１１（ｂ）に誇張して図示したように、各配線３のバスライン１６への接続部分は丸みを帯びるとともに、バスライン１６に近づくほど広がることが多いためである。バスライン１６が広いと、切断ライン１７に近い部位では配線幅が不安定となり、配線間距離（切断面間距離）が狭くなってしまう。
【００６１】
バスライン１６を上述の幅とすることにより、配線３を配線幅が安定した領域で切断すること、配線間距離（切断面間距離）を一定とすることが可能となる。これにより、ダレが発生した場合もショートを防ぐことができる。バスライン１６が狭いことで、当然ながら、導体材料が低減できる。
【００６２】
図１２は、配線基板１の他の変形例を示す一部拡大平面図である。
デバイス領域４の複数の配線３の一部にランド部３０のような広幅部があるときに、隣の配線３をランド部３０に沿うように屈曲させることで、切断ライン１７での配線間隔をほぼ均等にしている。配線３をランド部３０との間も均等間隔となるように形成すると、切断ライン１７での配線間距離（切断面間距離）が極端に狭い部分ができてしまうので、それを回避している。このように配線間距離を一定にすることで、ダレが発生した場合も、ショートを確実に防ぐことができる。
【００６３】
図１３は、配線基板１の他の変形例を示す一部拡大斜視図である。
複数のデバイス領域４を囲んだ最外周の被切断領域５のさらに外周に位置する端材領域（周縁部）に、デバイス領域４の複数の配線３を、被切断領域５との境界部におけるのと同一の形状で延出するとともに、配線３の延出部３ｂの上面および両側面を露出させる凹部３１を保護膜６に形成している。この凹部３１は、露出した配線３の延出部３ｂが目視的に観察できるように、たとえば９０μｍ□で、延出部３ｂの両側が窪むように設ける。
【００６４】
これにより、凹部３１内で露出している配線３の延出部３ｂのメージャースコープで外形寸法を計測し、その計測値を基に、分割後の半導体装置の側面、つまり切断ライン１７での切断面に露出した配線３の切断面を評価することができる。
【００６５】
つまり、配線３の延出部３ｂの外形寸法から算出される断面形状と、ダイシング後の配線３の切断面（つまり狭幅部３ａの切断面）の形状とを比較することで、ダレ１８の発生の有無、ダレ量を把握することができる。そしてそれより配線ショート等の不良を短時間で抽出することができる。評価結果に応じて、不良品の除去、ダイシングスピードの調整等を行なうことになる。
【００６６】
切り離される端材領域に、凹部３１、配線３の延出部３ｂを設けることで、半導体装置（製品）の側面の配線３のダレ１８を容易に管理できるもので、不良の早期発見、歩留向上に極めて有効である。
【００６７】
なお、以上の実施形態では、配線３，リード部２３の狭幅部３ａ，２３ａは、被切断領域５，２５の近傍部から連結領域まで徐々に幅が狭まるものとして説明したが、被切断領域５，２５の近傍部で階段状に狭まるもの、つまり文字通り凸形に狭まるものであっても、リードダレの発生を抑えられることは理解されよう。
【００６８】
また、半導体チップ８を配線基板１あるいはリードフレーム２１の配線３，リード部２３に対して金属細線９で接続するとして説明したが、フリップチップ接続用の配線基板に上記の構造を適用しても同様の効果が得られる。配線基板を用いる場合は半導体チップ８を搭載できる領域があればよいのであって、ダイパッドは必須ではない。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、一括樹脂封止した複数の半導体装置を個片化する工程で発生するリードダレを抑え、それに起因するショートを防ぎ、安定供給することができ、断線等の不良も防止できるので、かかる半導体装置を用いる携帯電話・ＰＤＡ等の電子機器の小型化薄型化に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の一実施形態の半導体チップ支持体である配線基板を用いて樹脂封止型の半導体装置を製造する前半工程を説明する断面図
【図２】本発明の一実施形態の半導体チップ支持体である配線基板を用いて樹脂封止型半導体装置を製造する後半工程を説明する断面図
【図３】上述の配線基板の一部拡大図
【図４】図１および図２の方法で製造された半導体装置の一例の斜視図
【図５】図１および図２の方法で製造された半導体装置の他の例の斜視図
【図６】図１および図２の方法で製造された半導体装置のさらに他の例の斜視図
【図７】本発明の他の実施形態の半導体チップ支持体であるリードフレームを用いて樹脂封止型の半導体装置を製造する工程を説明する平面図および断面図
【図８】図７の方法で製造された半導体装置の一例の斜視図
【図９】図７の方法で製造された半導体装置の他の例の斜視図
【図１０】図７の方法で製造された半導体装置のさらに他の例の斜視図
【図１１】本発明の配線基板の変形例を示す一部拡大平面図
【図１２】本発明の配線基板の他の変形例を示す一部拡大平面図
【図１３】本発明の配線基板のさらに他の変形例を示す一部拡大斜視図
【符号の説明】
【００７１】
１    配線基板
２    ダイパッド
３    配線
４    デバイス領域
５    被切断領域
６    保護膜
８    半導体チップ
９    金属細線
10    封止樹脂or樹脂封止部
13    ダイシングブレード
14    半導体装置
16    バスライン
17    切断ライン
18    ダレ
21    リードフレーム
22    ダイパッド
23    リード部
24    デバイス領域
25    被切断領域
26    外枠部
27    半導体装置
28    連結部
29    切断ライン
30    ランド部
31    凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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