(57)【要約】【課題】ラッピングガイドの幅を基準として浮上面位置が決定されて成る薄膜磁気ヘッドにおいて、ライト磁極のネックハイトやギャップデプスを正確かつ簡単に測定することのできる薄膜磁気ヘッドのネックハイト／ギャップデプス測定方法を提供する。【解決手段】ラッピングガイドの後端の設計上の位置に対して第一所定距離ｅだけずれた位置に第一基準マーカー２８を形成し、ラッピングガイド８４の後端８４ａの実際の位置と第一基準マーカー２８との間の距離ｆと、第一所定距離ｅとの差（ｆ−ｅ）を算出し、ネック始端の設計上の位置に対して第二所定距離ｇだけずれた位置に、第二基準マーカー４４を形成し、ネック始端８０ｃの実際の位置と第二基準マーカー４４との間の距離ｈと、第二所定距離ｇとの差（ｈ−ｇ）を算出し、（ｆ−ｅ）と、（ｈ−ｇ）とを、設計上のネックハイトに足し込むことで、実際のネックハイトを算出する。【選択図】図１１
2008217956.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラッピングガイドを形成するステップと、
前記ラッピングガイドの形成後に、ラッピングガイドの後端の設計上の位置に対して、前後方向に第一所定距離だけずれた位置に、第一基準マーカーを形成するステップと、
前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、
該計測した距離と前記第一所定距離との差であるラッピングガイド位置ずれ量を算出するステップと、
垂直磁気記録用のライト主磁極を形成するステップと、
前記ライト主磁極上の、磁極端のネック部とヨーク部との境界であるネック始端の設計上の位置に対して、前後方向に第二所定距離だけずれた位置に、第二基準マーカーを形成するステップと、
前記ネック始端の実際の位置と、前記第二基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、
該計測した距離と前記第二所定距離との差であるネック始端位置ずれ量を算出するステップと、
前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ネック始端位置ずれ量とを、設計上のネックハイトに足し込むことで、前記ライト主磁極の実際のネックハイトを算出するステップとを含むことを特徴とする垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法。
【請求項２】
ラッピングガイドを形成するステップと、
前記ラッピングガイドの形成後に、ラッピングガイドの後端の設計上の位置に対して、前後方向に第一所定距離だけずれた位置に、第一基準マーカーを形成するステップと、
前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、
該計測した距離と前記第一所定距離との差であるラッピングガイド位置ずれ量を表す、ラッピングガイド位置ずれデータを、記憶部に記憶するステップと、
垂直磁気記録用のライト主磁極を形成するステップと、
前記ライト主磁極上の、磁極端のネック部とヨーク部との境界であるネック始端の設計上の位置に対して、前後方向に第二所定距離だけずれた位置に、第二基準マーカーを形成するステップと、
前記ネック始端の実際の位置と、前記第二基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、
該計測した距離と前記第二所定距離との差であるネック始端位置ずれ量を表す、ネック始端位置ずれデータを、記憶部に記憶するステップと、
前記ラッピングガイド位置ずれデータが表す前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ネック始端位置ずれデータが表すネック始端位置ずれ量とを、設計上のネックハイトに足し込むことで、前記ライト主磁極の実際のネックハイトを算出するステップとを含むことを特徴とする垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法。
【請求項３】
前記第一基準マーカーの設計上の形成位置に対する実際の形成位置の前後方向の位置ずれ量と、前記第二基準マーカーの設計上の形成位置に対する実際の形成位置の前後方向の位置ずれ量との差である基準マーカー位置ずれ量を計測するステップを含み、
前記ライト主磁極のネックハイトを算出するステップにおいて、前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ネック始端位置ずれ量と、前記基準マーカー位置ずれ量とを、前記設計上のネックハイトに足し込むことで、前記ライト主磁極の実際のネックハイトを算出することを特徴とする請求項１または２記載の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法。
【請求項４】
前記第一基準マーカーを形成するステップと同プロセスで、第一オーバーレイマーカーを形成し、
前記第二基準マーカーを形成するステップと同プロセスで、第二オーバーレイマーカーを形成し、
前記基準マーカー位置ずれ量を、前記第一オーバーレイマーカーと前記第二オーバーレイマーカーとの位置ずれ量を計測することで求めることを特徴とする請求項３記載の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法。
【請求項５】
前記第一オーバーレイマーカーの形成層よりも下層に、基準オーバーレイマーカーを形成するステップと、
前記基準オーバーレイマーカーに対する前記第一オーバーレイマーカーの前後方向の位置ずれ量である第一オーバーレイマーカー位置ずれ量を計測するステップと、
前記基準オーバーレイマーカーに対する前記第二オーバーレイマーカーの前後方向の位置ずれ量である第二オーバーレイマーカー位置ずれ量を計測するステップとを含み、
前記基準マーカー位置ずれ量を、前記第一オーバーレイマーカー位置ずれ量と前記第二オーバーレイマーカー位置ずれ量との差を取ることで求めることを特徴とする請求項４記載の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法。
【請求項６】
ラッピングガイドを形成するステップと、
前記ラッピングガイドの形成後に、ラッピングガイドの後端の設計上の位置に対して、前後方向に第一所定距離だけずれた位置に、第一基準マーカーを形成するステップと、
前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、
該計測した距離と前記第一所定距離との差であるラッピングガイド位置ずれ量を算出するステップと、
水平磁気記録用のライト磁極のギャップ層を形成するステップと、
前記ギャップ層上に、エイペックス部を有する絶縁層を形成するステップと、
前記エイペックス部のゼロスロートの設計上の位置に対して、前後方向に第二所定距離だけずれた位置に、第二基準マーカーを形成するステップと、
前記ゼロスロートの実際の位置と、前記第二基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、
該計測した距離と前記第二所定距離との差であるゼロスロート位置ずれ量を算出するステップと、
前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ゼロスロート位置ずれ量とを、設計上のギャップデプスに足し込むことで、前記ライト磁極の実際のギャップデプスを算出するステップとを含むことを特徴とする水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、浮上面をラッピングにより形成する際、ラッピングガイドの前後方向（浮上面に垂直な方向）の幅を基準として浮上面位置が決定されて成る垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドにおいて、ライト主磁極の、浮上面に露出する前端部からネック始端までの距離であるネックハイトを測定するネックハイト測定方法に関する。
また、本発明は、浮上面をラッピングにより形成する際、ラッピングガイドの前後方向（浮上面に垂直な方向）の幅を基準として浮上面位置が決定されて成る水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドにおいて、ライト磁極の、浮上面に露出する前端部からゼロスロートまでの距離であるギャップデプスを測定するギャップデプス測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッドを製造する際には、図１４（ａ）に示すように、アルチックから成るウエハー基板７０上に、多層の薄膜から成る多数の薄膜磁気ヘッドの素子部（リード素子およびライト磁極等）を、縦横に規則正しく並べて一括して形成する。次いで、図１４（ｂ）に示すように、その素子の配列の各列を、棒状の加工ブロックであるローバー７２に切断した後、そのローバー７２の単位で一括して浮上面をラッピングにより形成する。その後、ローバー７２を各素子部毎に切断分離して、図１４（ｃ）に示すような個片のスライダー７４に加工する。
【０００３】
図７は、水平磁気記録用の薄膜磁気ヘッドを前後方向の断面で切断した断面図である。なお、本願において、薄膜磁気ヘッドの、浮上面に垂直な方向を前後方向と呼ぶ。ここで、薄膜磁気ヘッドの浮上面側を前側とし、その反対側を後側とする。
前記ラッピングの際には、図７に示すように、ＣＩＰ型のリード素子（ＭＲ素子）２２の前後方向ａ（浮上面４８に垂直な方向）の幅（ＭＲハイト）ｂを検出して、その幅ｂが所定値となるよう、ラッピング量を調節することで、浮上面４８の前後方向の位置ｃが決定される。すなわち、浮上面４８の前後方向の位置ｃは、リード素子２２の後端２２ａを基準として設定されることになる。このラッピングの工程における、リード素子２２のＭＲハイトｂの検出は、リード素子２２に接続されたリード用の電極端子（図示せず）の電気抵抗や出力を検出することにより行われる。つまり、リード素子２２をいわゆるレジスタンスラッピングガイド（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  Ｌａｐｐｉｎｇ  Ｇｕｉｄｅ：ＲＬＧとも呼ばれる）として用いる。
【０００４】
さて、水平磁気記録用の薄膜磁気ヘッドにおいて、ライト磁極のライト特性を左右する要因の一つとして、ギャップデプスがある。ギャップデプスとは、ライト磁極の上部磁極４６の、浮上面４８に露出する前端部４６ａから、ゼロスロート４２までの距離ｄのことである。
上部磁極４６は、下部磁極３４上に形成されたギャップ層３８と、ギャップ層３８上の、浮上面４８から所定距離離れた箇所より、後方に向かって次第に膜厚となるよう、前端部４０ａが傾斜して形成された絶縁層４０との上層に形成される。そのギャップ層３８と絶縁層４０との境界部分における、傾斜（エイペックス）４０ａが立ち上がる箇所４２を、ゼロスロートという。
なお、上部磁極４６は、ほぼゼロスロート４２を挟んで前端部４６ａ側が、コア幅が狭幅かつ等幅のティップ部に形成され、後端側は、そのゼロスロート４２の近傍から後端部に向かって次第に拡幅するヨーク部に形成される。
【０００５】
ギャップデプスｄは、浮上面４８（前端部４６ａ）からゼロスロート４２までの距離であるから、前記ラッピングにより決定された浮上面４８の前後方向の位置ｃに影響される。すなわち、浮上面４８の位置ｃが、ゼロスロート４２に対してより前方であれば、ギャップデプスｄは大きくなり、後方であれば、ギャップデプスｄは小さくなる。
【０００６】
さて、ギャップデプスｄは、ライト磁極のライト特性に大きな影響を与えることが知られている。
しかしながら、浮上面位置ｃは、ギャップデプスｄやゼロスロート４２の位置を基準に設定されるわけではなく、前述の通り、リード素子２２の前後方向の幅（ＭＲハイト）ｂを基準に設定されるものである。したがって、リード素子２２の後端２２ａに対して、ゼロスロート４２の前後方向の相対位置が、設計上の理想的な位置からずれて形成されてしまうと、ギャップデプスｄが設計上の理想値から外れてしまい、ライト特性に悪影響が出る。
【０００７】
リード素子２２の後端２２ａに対して、ゼロスロート４２の前後方向の相対位置が、設計上の理想的な位置からずれてしまう要因としては、薄膜の積層過程における層間の位置ずれや、リード素子２２がエッチング等のプロセス加工で収縮等の変形をして、後端２２ａの位置が変わってしまうことが挙げられる。
【０００８】
このような要因から、ギャップデプスｄが設計上の理想値から外れてしまう場合がある。そこで、従来、サンプリングによる破壊試験を行ってギャップデプスｄを計測して、その結果を、その後に製造される薄膜磁気ヘッドの積層工程にフィードバックして、薄膜の積層位置等の微調節を行っている。
【０００９】
この破壊試験は、図１４（ｄ）に示すように、浮上面加工後のローバー７２から切り出した個片のスライダー７４の中から、適宜サンプリング検体を選出し、その検体のスライダー７４ａを、前後方向の断面で切断する。そして、切断面を手作業で研磨し、その研磨面をＳＥＭで観察して、浮上面とゼロスロートとの間の距離、すなわちギャップデプスを計測する。
【００１０】
この他に、ギャップデプスを正確に構成するための薄膜磁気ヘッドの製造方法が、特許文献１に開示されている。
特許文献１に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法は、浮上面のラッピング加工時に外観から観察可能な加工モニタを形成し、加工モニタとエイペックス位置（ゼロスロート位置）との相対的な位置を予め計測して算出しておき、その加工モニタの位置を基準として浮上面のラッピング加工を行って浮上面位置を微調節することで、ギャップデプスを正確に形成しようとする技術である。
【００１１】
具体的には、図１５に示すように、ウエハー基板上に並べられて形成される前記素子部に平行に並べて、複数の加工モニタ１６を形成する。加工モニタ１６は、チタンを蒸着したチタン膜が、ライト磁極のコイル形成工程において同時に所定形状に形成されて成る（特許文献１  段落００１６参照）。
加工モニタ１６は、加工ブロック（ローバー）１２となる横一列に並んだ素子群の両端に設ける（特許文献１  段落００１４参照）。
【００１２】
そして、エイペックス部（ゼロスロート）が露出している状態で（ライト磁極の上部磁極の積層工程を行う前に）、各素子のエイペックス部を結ぶ直線と、前記両端の加工モニタ１６の各基準位置を結んだ直線とを検出しておく（特許文献１  段落００１７，００１８参照）。
そして、ラッピング加工時には、加工モニタ１６の前記基準位置からの幅を検出して、その幅、および、予め測定した、加工モニタ１６の各基準位置を結んだ直線と各素子のエイペックス部を結ぶ直線との距離から、エイペックス位置を算出して特定し、浮上面からエイペックス位置（ゼロスロート）までの距離、すなわちギャップデプスが、理想値となるよう、ラッピング量（浮上面の前後方向の位置）を調節する（特許文献１  段落００１９−００２２参照）。
【００１３】
なお、特許文献１には、加工モニタ１６の基準位置は、形成後にエッチングの影響などにより変化するため、各素子の近傍に形成したラップマーク１８の重心位置を基準としてその変化量を求める技術も提案されている（特許文献１  段落００２０参照）。
【００１４】
【特許文献１】特開平９−５４９１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
前記破壊試験によるギャップデプスの測定（図１４（ｄ）参照）には、前記手作業の作業ばらつきが発生しやすく、また、加工に非常に多くの工数が掛かるため多数のサンプリング試験を行うことが実際上困難であるという課題がある。
【００１６】
また、特許文献１に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、浮上面形成のためのラッピング加工において、ライト磁極のギャップデプスは最適に加工できたとしても、リード素子の幅（ＭＲハイト）については何らの検出も行っていないため、リード素子のＭＲハイトのばらつきが多く発生し、その結果リード素子の特性がばらつくなどの問題が生じるものと考えられる。
【００１７】
本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、ラッピングガイドの前後方向（浮上面に垂直な方向）の幅を基準として浮上面位置が決定されて成る水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドにおいて、ライト磁極のギャップデプスを、ラッピングガイドのエッチング工程等における収縮等の影響を受けることなく、正確かつ簡単に測定することを可能とする、水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法を提供することにある。さらに、そのギャップデプス測定方法を用いた水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
また、同様に、ラッピングガイドの前後方向の幅を基準として浮上面位置が決定されて成る垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドにおいて、ライト特性に影響を与える、ライト主磁極のネックハイトを、ラッピングガイドの収縮等の影響を受けることなく、正確かつ簡単に測定することを可能とする、垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法を提供することにある。さらに、そのネックハイト測定方法を用いた垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係る水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、ラッピングガイドを形成するステップと、前記ラッピングガイドの形成後に、ラッピングガイドの後端の設計上の位置に対して、前後方向に第一所定距離だけずれた位置に、第一基準マーカーを形成するステップと、前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、該計測した距離と前記第一所定距離との差であるラッピングガイド位置ずれ量を算出するステップと、水平磁気記録用のライト磁極のギャップ層を形成するステップと、前記ギャップ層上に、エイペックス部を有する絶縁層を形成するステップと、前記エイペックス部のゼロスロートの設計上の位置に対して、前後方向に第二所定距離だけずれた位置に、第二基準マーカーを形成するステップと、前記ゼロスロートの実際の位置と、前記第二基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、該計測した距離と前記第二所定距離との差であるゼロスロート位置ずれ量を算出するステップと、前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ゼロスロート位置ずれ量とを、設計上のギャップデプスに足し込むことで、前記ライト磁極の実際のギャップデプスを算出するステップとを含むことを特徴とする。
また、ラッピングガイドを形成するステップと、前記ラッピングガイドの形成後に、ラッピングガイドの後端の設計上の位置に対して、前後方向に第一所定距離だけずれた位置に、第一基準マーカーを形成するステップと、前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、該計測した距離と前記第一所定距離との差であるラッピングガイド位置ずれ量を表す、ラッピングガイド位置ずれデータを、記憶部に記憶するステップと、水平磁気記録用のライト磁極のギャップ層を形成するステップと、前記ギャップ層上に、エイペックス部を有する絶縁層を形成するステップと、前記エイペックス部のゼロスロートの設計上の位置に対して、前後方向に第二所定距離だけずれた位置に、第二基準マーカーを形成するステップと、前記ゼロスロートの実際の位置と、前記第二基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、該計測した距離と前記第二所定距離との差であるゼロスロート位置ずれ量を表す、ゼロスロート位置ずれデータを、記憶部に記憶するステップと、前記ラッピングガイド位置ずれデータが表す前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ゼロスロート位置ずれデータが表すゼロスロート位置ずれ量とを、設計上のギャップデプスに足し込むことで、前記ライト磁極の実際のギャップデプスを算出するステップとを含むことを特徴とする。
これによれば、まず、ラッピングガイドのエッチング工程等における収縮等の影響による、ラッピングガイド後端の位置ずれ量を、第一基準マーカーを基準として計測する。その後の工程で、ギャップ層上に絶縁層を形成した後、ゼロスロートの形成位置ずれ量を、第二基準マーカーを基準として計測する。浮上面位置は前述の通りラッピングガイド後端を基準として定まるから、設計上のギャップデプスにこれらの位置ずれ量を足し合わせることで、実際のギャップデプスを計測することができる。
【００１９】
さらに、前記第一基準マーカーの設計上の形成位置に対する実際の形成位置の前後方向の位置ずれ量と、前記第二基準マーカーの設計上の形成位置に対する実際の形成位置の前後方向の位置ずれ量との差である基準マーカー位置ずれ量を計測するステップを含み、前記ライト磁極のギャップデプスを算出するステップにおいて、前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ゼロスロート位置ずれ量と、前記基準マーカー位置ずれ量とを、前記設計上のギャップデプスに足し込むことで、前記ライト磁極の実際のギャップデプスを算出することを特徴とする。
これによれば、第一基準マーカーおよび第二基準マーカーの形成位置ずれをも吸収することができ、より正確なギャップデプスを計測することができる。
【００２０】
さらに、前記第一基準マーカーと前記第二基準マーカーとは、前後方向の形成位置が設計上一致するよう設定されていることを特徴とする。
【００２１】
さらに、前記第一基準マーカーは、前記ラッピングガイドの後端の設計上の位置に対して、後方にずれた位置に形成し、前記第二基準マーカーは、前記ゼロスロートの設計上の位置に対して、前方にずれた位置に形成することを特徴とする。
これによれば、第一基準マーカーとラッピングガイド後端との間の距離、および、第二基準マーカーとゼロスロートとの間の距離を、小さく抑えることができ、各間の距離の計測誤差を小さく抑えることができる。
【００２２】
また、前記第一基準マーカーを形成するステップと同プロセスで、第一オーバーレイマーカーを形成し、前記第二基準マーカーを形成するステップと同プロセスで、第二オーバーレイマーカーを形成し、前記基準マーカー位置ずれ量を、前記第一オーバーレイマーカーと前記第二オーバーレイマーカーとの位置ずれ量を計測することで求めることを特徴とする。
これによれば、基準マーカー位置ずれ量を精度良く求めることができる。
【００２３】
さらに、前記第一オーバーレイマーカーの形成層よりも下層に、基準オーバーレイマーカーを形成するステップと、前記基準オーバーレイマーカーに対する前記第一オーバーレイマーカーの前後方向の位置ずれ量である第一オーバーレイマーカー位置ずれ量を計測するステップと、前記基準オーバーレイマーカーに対する前記第二オーバーレイマーカーの前後方向の位置ずれ量である第二オーバーレイマーカー位置ずれ量を計測するステップとを含み、前記基準マーカー位置ずれ量を、前記第一オーバーレイマーカー位置ずれ量と前記第二オーバーレイマーカー位置ずれ量との差を取ることで求めることを特徴とする。
【００２４】
また、前記第一および第二基準マーカーの少なくとも一方を、フォトリソグラフィ法によりフォトレジストで形成することを特徴とする。
これによれば、フォトリソグラフィ法により、基準マーカーを位置精度よく形成することができ、したがって基準マーカーを基準とした各位置ずれ量を正確に計測することができる。
【００２５】
また、前記第一基準マーカーを、前後方向に線対称の形状に形成し、前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーの前後方向の中心位置との間の、前後方向の距離を計測することを特徴とする。
これによれば、第一基準マーカーを前後方向に線対称に形成するから、第一基準マーカーが加工プロセス上で収縮等をしても、基準となる第一基準マーカーの前後方向の中心位置は変わらないから、ラッピングガイド後端の位置ずれを正確に計測することができる。
【００２６】
また、前記第一基準マーカーを、前記ラッピングガイドの、前後方向に沿った中心線上に形成することを特徴とする。
これによれば、前記ラッピングガイド位置ずれ量を計測する際、第一基準マーカーとラッピングガイド後端との直線距離を計測すればよいから、計測を容易かつ正確に行うことができる。
【００２７】
また、前記第二基準マーカーを、前後方向に線対称の形状に形成し、前記ゼロスロートの実際の位置と、前記第二基準マーカーの前後方向の中心位置との間の、前後方向の距離を計測することを特徴とする。
これによれば、第二基準マーカーを前後方向に線対称に形成するから、第二基準マーカーが加工プロセス上で収縮等をしても、基準となる第二基準マーカーの前後方向の中心位置は変わらないから、ゼロスロートの位置ずれを正確に計測することができる。
【００２８】
また、前記第二基準マーカーを、前記ライト磁極の、前後方向に沿った中心線上に形成することを特徴とする。
これによれば、前記ゼロスロート位置ずれ量を計測する際、第二基準マーカーとゼロスロートとの直線距離を計測すればよいから、計測を容易かつ正確に行うことができる。
【００２９】
また、前記ラッピングガイドとして、水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのＣＩＰ型のリード素子を用いることを特徴とする。
これによれば、ＭＲハイトを正確に設定することができる。
【００３０】
また、本発明に係る水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、付記１〜１２のうちのいずれか一項記載の水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法を実行し、該水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法で算出されたギャップデプスの値が、前記設計上のギャップデプスと異なる場合には、浮上面のラッピング工程において、浮上面の角度を、ギャップデプスが設計上の値に近づくように調節することを特徴とする。
これによれば、ライト磁極の実際のギャップデプスを、設計上の値に近い長さに形成することができる。
【００３１】
また、本発明に係る垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、ラッピングガイドを形成するステップと、前記ラッピングガイドの形成後に、ラッピングガイドの後端の設計上の位置に対して、前後方向に第一所定距離だけずれた位置に、第一基準マーカーを形成するステップと、前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、該計測した距離と前記第一所定距離との差であるラッピングガイド位置ずれ量を算出するステップと、垂直磁気記録用のライト主磁極を形成するステップと、前記ライト主磁極上の、磁極端のネック部とヨーク部との境界であるネック始端の設計上の位置に対して、前後方向に第二所定距離だけずれた位置に、第二基準マーカーを形成するステップと、前記ネック始端の実際の位置と、前記第二基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、該計測した距離と前記第二所定距離との差であるネック始端位置ずれ量を算出するステップと、前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ネック始端位置ずれ量とを、設計上のネックハイトに足し込むことで、前記ライト主磁極の実際のネックハイトを算出するステップとを含むことを特徴とする。
また、ラッピングガイドを形成するステップと、前記ラッピングガイドの形成後に、ラッピングガイドの後端の設計上の位置に対して、前後方向に第一所定距離だけずれた位置に、第一基準マーカーを形成するステップと、前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、該計測した距離と前記第一所定距離との差であるラッピングガイド位置ずれ量を表す、ラッピングガイド位置ずれデータを、記憶部に記憶するステップと、垂直磁気記録用のライト主磁極を形成するステップと、前記ライト主磁極上の、磁極端のネック部とヨーク部との境界であるネック始端の設計上の位置に対して、前後方向に第二所定距離だけずれた位置に、第二基準マーカーを形成するステップと、前記ネック始端の実際の位置と、前記第二基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、該計測した距離と前記第二所定距離との差であるネック始端位置ずれ量を表す、ネック始端位置ずれデータを、記憶部に記憶するステップと、前記ラッピングガイド位置ずれデータが表す前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ネック始端位置ずれデータが表すネック始端位置ずれ量とを、設計上のネックハイトに足し込むことで、前記ライト主磁極の実際のネックハイトを算出するステップとを含むことを特徴とする。
これによれば、まず、ラッピングガイドのエッチング工程等における収縮等の影響による、ラッピングガイド後端の位置ずれ量を、第一基準マーカーを基準として計測する。その後の工程で、ライト主磁極を形成した後、ネック始端の形成位置ずれ量を、第二基準マーカーを基準として計測する。浮上面位置はラッピングガイド後端を基準として定まるから、設計上のネックハイトにこれらの位置ずれ量を足し合わせることで、実際のネックハイトを計測することができる。
【００３２】
さらに、前記第一基準マーカーの設計上の形成位置に対する実際の形成位置の前後方向の位置ずれ量と、前記第二基準マーカーの設計上の形成位置に対する実際の形成位置の前後方向の位置ずれ量との差である基準マーカー位置ずれ量を計測するステップを含み、前記ライト主磁極のネックハイトを算出するステップにおいて、前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ネック始端位置ずれ量と、前記基準マーカー位置ずれ量とを、前記設計上のネックハイトに足し込むことで、前記ライト主磁極の実際のネックハイトを算出することを特徴とする。
これによれば、第一基準マーカーおよび第二基準マーカーの形成位置ずれをも吸収することができ、より正確なネックハイトを計測することができる。
【００３３】
また、前記第一基準マーカーを形成するステップと同プロセスで、第一オーバーレイマーカーを形成し、前記第二基準マーカーを形成するステップと同プロセスで、第二オーバーレイマーカーを形成し、前記基準マーカー位置ずれ量を、前記第一オーバーレイマーカーと前記第二オーバーレイマーカーとの位置ずれ量を計測することで求めることを特徴とする。
これによれば、基準マーカー位置ずれ量を精度良く求めることができる。
【００３４】
さらに、前記第一オーバーレイマーカーの形成層よりも下層に、基準オーバーレイマーカーを形成するステップと、前記基準オーバーレイマーカーに対する前記第一オーバーレイマーカーの前後方向の位置ずれ量である第一オーバーレイマーカー位置ずれ量を計測するステップと、前記基準オーバーレイマーカーに対する前記第二オーバーレイマーカーの前後方向の位置ずれ量である第二オーバーレイマーカー位置ずれ量を計測するステップとを含み、前記基準マーカー位置ずれ量を、前記第一オーバーレイマーカー位置ずれ量と前記第二オーバーレイマーカー位置ずれ量との差を取ることで求めることを特徴とする。
【００３５】
また、前記第一および第二基準マーカーの少なくとも一方を、フォトリソグラフィ法によりフォトレジストで形成することを特徴とする。
これによれば、フォトリソグラフィ法により、基準マーカーを位置精度よく形成することができ、したがって基準マーカーを基準とした各位置ずれ量を正確に計測することができる。
【００３６】
また、前記第一基準マーカーを、前後方向に線対称の形状に形成し、前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーの前後方向の中心位置との間の、前後方向の距離を計測することを特徴とする。
これによれば、第一基準マーカーを前後方向に線対称に形成するから、第一基準マーカーが加工プロセス上で収縮等をしても、基準となる第一基準マーカーの前後方向の中心位置は変わらないから、ラッピングガイド後端の位置ずれを正確に計測することができる。
【００３７】
また、前記第一基準マーカーを、前記ラッピングガイドの、前後方向に沿った中心線上に形成することを特徴とする。
これによれば、前記ラッピングガイド位置ずれ量を計測する際、第一基準マーカーとラッピングガイド後端との直線距離を計測すればよいから、計測を容易かつ正確に行うことができる。
【００３８】
また、前記第二基準マーカーを、前後方向に線対称の形状に形成し、前記ネック始端の実際の位置と、前記第二基準マーカーの前後方向の中心位置との間の、前後方向の距離を計測することを特徴とする。
これによれば、第二基準マーカーを前後方向に線対称に形成するから、第二基準マーカーが加工プロセス上で収縮等をしても、基準となる第二基準マーカーの前後方向の中心位置は変わらないから、ネック始端の位置ずれを正確に計測することができる。
【００３９】
また、前記第二基準マーカーを、前記ライト磁極の、前後方向に沿った中心線上に形成することを特徴とする。
これによれば、前記ネック始端位置ずれ量を計測する際、第二基準マーカーとネック始端との直線距離を計測すればよいから、計測を容易かつ正確に行うことができる。
【００４０】
また、本発明に係る垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、付記１４〜２２のうちのいずれか一項記載の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法を実行し、該垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法で算出されたネックハイトの値が、前記設計上のネックハイトと異なる場合には、浮上面のラッピング工程において、浮上面の角度を、ネックハイトが設計上の値に近づくように調節することを特徴とする。
これによれば、ライト主磁極の実際のネックハイトを、設計上の値に近い長さに形成することができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明に係る水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法によれば、ラッピングガイドの前後方向（浮上面に垂直な方向）の幅を基準として浮上面位置が決定されて成る水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドにおいて、ライト磁極のギャップデプスを、ラッピングガイドのエッチング工程等における収縮等の影響を受けることなく、正確かつ簡単に測定することができる。また、本発明に係る垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法によれば、同様に、ライト主磁極のネックハイトを、ラッピングガイドの収縮等の影響を受けることなく、正確かつ簡単に測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
【実施例１】
【００４３】
以下、本発明に係る水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法を実施するための最良の形態（実施例１）を、図７に示す薄膜磁気ヘッドを製造する製造工程に沿って説明する。図１〜図３は、水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドを製造する製造工程を説明する説明図であり、製造工程上の水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドの側断面図である。なお、図１〜図３において、破線で示した「浮上切断面」は、最終的な薄膜磁気ヘッドの製品の状態における浮上面の位置を示し、「製品として残る側」は、薄膜磁気ヘッドの製品となる部分を示し、「切断して無くなる側」は、浮上面形成のためのラッピング工程（後述）でラッピングされて、製品として採用されない部分を示す。
【００４４】
図１（ａ）で示す、アルチック上に絶縁膜としてのアルミナ膜がスパッタリングされて成るウエハー基板１９上に、図１（ｂ）に示すようにリードヘッドの下部シールド層２０を湿式めっきにて形成する。具体的には、ウエハー基板１９の上面全面にめっき給電層をスパッタリングにより形成し、その上層に下部シールド層２０の形状に抜かれたフォトレジスト層を形成し、めっき給電層に給電して下部シールド層２０を電解めっきで形成し、フォトレジスト層を除去し、さらにフォトレジスト層が除去されて露出しためっき給電層をミリングで除去する。
下部シールド層２０の材質は、特に限定されるものではないが、ニッケル−鉄系の磁性材料が用いられる。下部シールド層２０の厚さは、数μｍに設けられる。
【００４５】
続いて、下部シールド層２０上を含むウエハー基板１９の上面全面に、アルミナ層２１をスパッタし、表面を研磨することで、図１（ｃ）に示すように、アルミナ層２１と下部シールド層２０とを平坦化する。この平坦化によれば、後工程で形成する配線等の位置精度や形状精度を高めることができる。
【００４６】
続いて、アルミナ層２１と下部シールド層２０との上層に、ＣＩＰ型の磁気抵抗効果素子層を、まずは全面に積層する。そして、磁気抵抗効果素子層の、リード素子２２として残す部分の上にレジスト層を形成し、そのレジスト層から露出した磁気抵抗効果素子層をイオンビームエッチング等で取り除く。これにより、図１（ｄ）に示すようなＣＩＰ型のリード素子２２を形成する。
【００４７】
続いて、リード素子２２の両側（図７中の手前側と奥側）に、ハードバイアス膜（図示せず）を形成し、また、リード素子２２の後方には、図４（ａ）（前後方向断面図）および図４（ｂ）（積層方向上方から見た図）に示すように、絶縁膜２６を設ける。
【００４８】
絶縁膜２６の形成後、図４（ａ），（ｂ）に示すように、その絶縁膜２６上に、フォトリソグラフィ法により、フォトレジストから成る第一基準マーカー２８を形成する。第一基準マーカー２８は、例えば外形の二辺が前後方向に平行となるよう配置された長方形等の、前後方向に線対称な形状に形成する。また、第一基準マーカー２８は、その前後方向の中心位置２８ａが、リード素子の後端の設計上の位置２３から、後方に第一所定距離ｅだけずれた位置となるよう、配設される。また、第一基準マーカー２８は、図４（ｂ）に示すように、リード素子２２の、前後方向に沿った中心線（コアの中心線）ｌ上に形成される。なお、図４（ｂ）中の３７は、ハードバイアス膜を表している。
ここで、リード素子の後端の設計上の位置２３は、例えば、リード素子２２を形成する際の前記レジスト層の後端部の設計上の位置（設計上の理想位置）を採用できる。
【００４９】
また、第一基準マーカー２８を形成するステップと同プロセスで、すなわち前記フォトレジストにより、層間位置ずれを検出するための第一オーバーレイマーカーを、ウエハー基板１９上（絶縁膜２６上）の、薄膜磁気ヘッドの形成箇所でない箇所に形成する。
このオーバーレイマーカーについては、後に詳述する。
【００５０】
続いて、ウエハー基板１９を上方から撮像して、リード素子２２の後端２２ａの実際の位置と、第一基準マーカー２８の前後方向の中心位置２８ａとの間の、前後方向の距離ｆを計測する。これは、ウエハー基板１９を上方から撮像するカメラ等の撮像手段と、撮像手段に連繋され、撮像手段で撮像された画像情報を画像処理する画像処理手段を有する制御部（コンピュータ）とを備えた画像処理装置により行う。この画像処理装置を用い、ウエハー基板１９を撮像手段により上方から撮影した画像情報に基づいて、制御部の画像処理手段が、リード素子２２の後端２２ａの位置と、第一基準マーカー２８の前後方向の中心位置２８ａを画像認識して特定し、両者間の距離ｆを計測する処理を行う。
【００５１】
さらに制御部は、その計測した距離ｆと前記第一所定距離ｅとの差であるリード素子位置ずれ量（ｆ−ｅ）を算出し、そのリード素子位置ずれ量を表すリード素子位置ずれデータを、制御部の記憶部に記憶する処理を実行する。なお、第一所定距離ｅの値を示すデータは、予め制御部の記憶部に記憶されている。
このリード素子位置ずれ量（ｆ−ｅ）は、リード素子の後端２２ａの実際の位置の、設計上の理想位置２３からの前後方向のずれ量を表している。
【００５２】
また、リード素子位置ずれ量（リード素子位置ずれデータ）は、リード素子の後端２２ａの実際の位置が前方にずれたのか後方にずれたのかを表す情報を含む。これは、例えば、ずれ量を表す数値の正負の符号で表現できる。
本実施例１では、リード素子の後端２２ａが、その設計上の理想位置よりも前方にずれて形成されてときは、リード素子位置ずれ量（ｆ−ｅ）が正の値を取り、後方にずれて形成されたときは負の値を取るよう定義されている。
【００５３】
続いて、フォトレジストから成る第一基準マーカー２８および第一オーバーレイマーカーを、溶剤で除去する。
【００５４】
続いて、図２（ｅ）に示すように、アルミナ層２１と下部シールド層２０との上層に、リード素子２２と電気的に接続する配線２４を形成する。具体的には、アルミナ層２１と下部シールド層２０との上層に、配線２４の形状に抜かれたフォトレジスト層を形成し、スパッタを施して配線２４を形成し、続いて、溶剤により、フォトレジスト層、およびスパッタで付着した不要箇所のメタルを除去する。
【００５５】
次に、図２（ｆ）に示すように、リード素子２２、絶縁膜２６、およびハードバイアス膜（図示せず）上に、上部シールド層３０を形成する。次に、上部シールド層３０上に絶縁膜３２を形成する。さらに、絶縁膜３２上に、ライトヘッドの下部磁極３４の底部３４ａを形成する。
なお、上部シールド層３０および下部磁極３４の底部３４ａを形成する方法、ならびに、上部シールド層３０および下部磁極３４の底部３４ａの材質は、下部シールド層２０と同様であるため説明を省略する。
【００５６】
続いて、下部磁極３４の底部３４ａ上を含むウエハー基板１９の上面全面に、アルミナ層３１をスパッタし、表面を研磨することで、図２（ｇ）に示すように、アルミナ層３１と下部磁極３４の底部３４ａとを平坦化する。この平坦化によれば、後工程で形成するコイル等の位置精度や形状精度を高めることができる。
【００５７】
続いて、図２（ｈ）に示すように、下部磁極底部３４ａ上に絶縁膜３３、下部磁極３４の下部磁極前端部３４ｂ、およびバックギャップ３５を形成するとともに、絶縁膜３３上に、バックギャップ３５を取り巻くように第一コイル３６ａを形成する。続いて、その表面全面に、アルミナ層４１をスパッタし、表面を研磨することで平坦化する。
次に、図３（ｉ）に示すように、第一コイル３６ａの上層にアルミナ膜３９をスパッタし、さらに、下部磁極３４の下部磁極前端部３４ｂおよびバックギャップ３５をさらに積み上げて形成するとともに、バックギャップ３５を取り巻くように第二コイル３６ｂを形成する。続いて、その表面全面に、アルミナ層４１をスパッタし、表面を研磨することで平坦化する。
【００５８】
次に、下部磁極前端部３４ｂ上から、第二コイル３６ｂ上にわたって、絶縁体から成るギャップ層３８（図７参照）をスパッタする。
さらに、ギャップ層３８上の、浮上面から所定距離離れた箇所より、後方に向かって次第に膜厚となるよう、前端部４０ａが傾斜して形成された絶縁層４０を設ける（図３（ｊ）参照）。
【００５９】
絶縁層４０の形成後、図５（ａ），（ｂ）に示すように、ギャップ層３８上に、フォトリソグラフィ法により、フォトレジストから成る第二基準マーカー４４を形成する。第二基準マーカー４４は、例えば外形の二辺が前後方向に平行となるよう配置された長方形等の、前後方向に線対称な形状に形成する。また、第二基準マーカー４４は、その前後方向の中心位置４４ａが、ゼロスロートの設計上の位置４３から、前方に第二所定距離ｇだけずれ、かつ、前後方向の位置が第一基準マーカー２８と設計上一致する位置となるよう、配設される。また、第二基準マーカー４４は、図５に示すように、ライトヘッドの、前後方向に沿った中心線（コアの中心線）ｌ上に形成される。
【００６０】
また、第二基準マーカー４４を形成するステップと同プロセスで、すなわち前記フォトレジストにより、層間位置ずれを検出するための第二オーバーレイマーカーを、ウエハー基板１９上（絶縁膜２６上）の、薄膜磁気ヘッドの形成箇所でない箇所に形成する。
このオーバーレイマーカーについては、後に詳述する。
【００６１】
続いて、ウエハー基板１９を上方から撮像して、ゼロスロート４２の実際の位置と、第二基準マーカー４４の前後方向の中心位置４４ａとの間の、前後方向の距離ｈを計測する。これは、前記画像処理装置により行う。すなわち、ウエハー基板１９を前記撮像手段により上方から撮影した画像情報に基づいて、制御部の画像処理手段が、ゼロスロート４２の位置と、第二基準マーカー４４の前後方向の中心位置４４ａを画像認識して特定し、両者間の距離ｈを計測する処理を行う。
【００６２】
さらに制御部は、その計測した距離ｈと前記第二所定距離ｇとの差であるゼロスロート位置ずれ量（ｈ−ｇ）を算出し、そのゼロスロート位置ずれ量を表すゼロスロート位置ずれデータを、制御部の記憶部に記憶する処理を実行する。なお、第二所定距離ｇの値を示すデータは、予め制御部の記憶部に記憶されている。
このゼロスロート位置ずれ量（ｈ−ｇ）は、ゼロスロート４２の実際の位置の、設計上の理想位置４３からの前後方向のずれ量を表している。
【００６３】
また、ゼロスロート位置ずれ量（ゼロスロート位置ずれデータ）は、ゼロスロート４２の実際の位置が前方にずれたのか後方にずれたのかを表す情報を含む。これは、例えば、ずれ量を表す数値の正負の符号で表現できる。
本実施例１では、ゼロスロート４２が、その設計上の理想位置よりも後方にずれて形成されてとき、ゼロスロート位置ずれ量（ｈ−ｇ）が正の値を取り、前方にずれて形成されたとき負の値を取るよう定義される。
【００６４】
さて、前記画像処理装置の制御部は、さらに、第一基準マーカー２８と第二基準マーカー４４との相対的な前後方向の位置ずれ量である基準マーカー位置ずれ量を求める。
第一基準マーカー２８は既に除去されているため、第一基準マーカー２８と第二基準マーカー４４との位置ずれを直接的に計測することはできない。そこで、基準マーカー位置ずれ量の計測にはオーバーレイマーカーを用いる。
【００６５】
オーバーレイマーカーは、従来より、薄膜磁気ヘッドの製造工程で積層される各層の間のオーバーレイ位置ずれを計測するために、ウエハー基板１９上の所定位置に形成される。オーバーレイマーカーは、積層する各層に、その層と同一の積層構造体やレジスト層により形成され、相対的な位置ずれ量を計測する対象の各層の積層後に、対応する層の各オーバーレイマーカー間の位置ずれを計測することで、その位置ずれ量を求めるものである。
【００６６】
さて、本実施例１においては、前記第一オーバーレイマーカーの形成層（すなわち第一基準マーカー２８の形成層）よりも下層に、基準オーバーレイマーカーを形成しておく。基準オーバーレイマーカーは、例えば、図６に示すような、正方形状の広幅の開口部６０ａを有する構造体（例えばメタルにより構成される）に設けられる。
【００６７】
そして、第一基準マーカー２８の形成時に同時に形成される第一オーバーレイマーカー６２は、基準オーバーレイマーカーの開口部６０ａよりも小さな正方形状の構造体に設けられ、開口部６０ａの中央部に収まる狙いの配置で形成される。
そして、前記画像処理装置の制御部は、基準オーバーレイマーカー６０の開口部６０ａの形状の重心位置と、内部の第一オーバーレイマーカー６２の重心位置とのずれ量を検出することで、基準オーバーレイマーカー６０に対する第一オーバーレイマーカー６２の前後方向の位置ずれ量である第一オーバーレイマーカー位置ずれ量を計測する。そして、その第一オーバーレイマーカー位置ずれ量を表す第一オーバーレイマーカー位置ずれデータを、記憶部に記憶する処理を実行する。
その後、前述したとおり、第一オーバーレイマーカーは除去される。
【００６８】
その後工程で第二基準マーカー４４と同時に形成される第二オーバーレイマーカーも、基準オーバーレイマーカーの開口部６０ａの中央部に収まるよう、正方形状の構造体に設けられる。すなわち、第一オーバーレイマーカー６２と全く同じ形状および配置とする狙いで形成される。
そして、前記画像処理装置の制御部は、第一オーバーレイマーカー６２の計測時と同様、基準オーバーレイマーカー６０の開口部６０ａの形状の重心位置と、内部の第二オーバーレイマーカーの重心位置とのずれ量を検出することで、基準オーバーレイマーカーに対する第二オーバーレイマーカーの前後方向の位置ずれ量である第二オーバーレイマーカー位置ずれ量を計測する。そして、その第二オーバーレイマーカー位置ずれ量を表す第二オーバーレイマーカー位置ずれデータを、記憶部に記憶する処理を実行する。
【００６９】
そして、制御部は、第一オーバーレイマーカー位置ずれデータが表す第一オーバーレイマーカー位置ずれ量と、第二オーバーレイマーカー位置ずれデータが表す第二オーバーレイマーカー位置ずれ量との差を取ることで、第一オーバーレイマーカーと第二オーバーレイマーカーとの相対的な位置ずれ量を求める。そして、この求めた第一オーバーレイマーカーと第二オーバーレイマーカーとの相対的な位置ずれ量を、第一基準マーカー２８と第二基準マーカー４４との相対的な位置ずれ量である基準マーカー位置ずれ量とする。
これは、第一オーバーレイマーカーおよび第二オーバーレーマーカーは、それぞれ第一基準マーカー２８および第二基準マーカー４４と同プロセスで形成されたものであるから、第一オーバーレイマーカーと第二オーバーレーマーカーとの位置ずれ量は、基準マーカー位置ずれ量と精度良くほぼ一致するためである。
そして、制御部は、この基準マーカー位置ずれ量ｉを表す基準マーカー位置ずれデータを記憶部に記憶する処理を実行する。
【００７０】
基準マーカー位置ずれ量ｉ（基準マーカー位置ずれデータ）は、第一基準マーカー２８と第二基準マーカー４４とが、相対的に前後方向のいずれかにずれているのかを表す情報を含む。これは、例えば、ずれ量を表す数値の正負の符号で表現できる。
本実施例１では、第一基準マーカー２８が第二基準マーカー４４に対して前方にずれた場合に、ｉが正の値を取り、後方にずれた場合には負の値を取るよう定義される。
【００７１】
続いて、フォトレジストから成る第二基準マーカー４４および第二オーバーレイマーカーを、溶剤で除去する。
【００７２】
続いて、ギャップ層３８、絶縁層４０、およびバックギャップ３５上に、上部磁極４６を形成する（図３（ｋ）および図７参照）。なお、本願において、下部磁極３４、バックギャップ３５、および上部磁極４６から成る磁極を、ライト磁極５０（図７参照）と呼ぶ。
さらに、上部磁極４６上に保護層（図示せず）を積層し、外部接続端子等を設ける等の工程を踏んで、ウエハー基板１９上に、スライダーの積層構造が完成する。
【００７３】
その後は、従来技術と同様、図１４（ａ）〜（ｃ）に示すように、前記リード素子２２および前記ライト磁極５０を含む各素子が縦横に規則正しく並べて並べられたウエハー基板７０を、棒状の加工ブロックであるローバー７２に切断する。さらに、そのローバー７２の単位で一括して浮上面をラッピングにより形成し、その後、各素子部毎に切断分離して、個片のスライダー７４に加工する。
【００７４】
前記ラッピングの際には、従来の技術で説明した通り、リード素子（ＭＲ素子）２２の前後方向ａ（浮上面４８に垂直な方向）の幅（ＭＲハイト）ｂを検出して、その幅ｂが所定値となるよう、ラッピング量を調節することで、前後方向ａの浮上面位置ｃが決定される。すなわち、浮上面４８の前後方向の位置ｃは、リード素子２２の後端２２ａを基準として設定されることになる。このラッピングの工程における、リード素子２２のＭＲハイトｂの検出は、リード素子２２に接続されたリード用の電極端子（図示せず）の電気抵抗や出力を検出することにより行われる。つまり、リード素子２２をいわゆるレジスタンスラッピングガイド（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  Ｌａｐｐｉｎｇ  Ｇｕｉｄｅ：ＲＬＧとも呼ばれる）として用いる。
【００７５】
さて、前記画像処理装置の制御部は、ギャップデプスの設計上の理想値に、記憶されたリード素子位置ずれデータで表されるリード素子位置ずれ量（ｆ−ｅ）と、記憶されたゼロスロート位置ずれデータで表されるゼロスロート位置ずれ量（ｈ−ｇ）と、基準マーカー位置ずれデータで表される基準マーカー位置ずれ量ｉとを足し合わせることで、実際のギャップデプスを算出する処理を行う。すなわち、制御部は、以下の式を計算することで、実際のギャップデプスを算出する。なお、ギャップデプスの設計上の理想値を、ＩＧＤで表す。
実際のギャップデプス  ＝  ＩＧＤ＋（ｆ−ｅ）＋（ｈ−ｇ）＋ｉ
なお、この式は、（ｆ−ｅ）、（ｈ−ｇ）、ｉの各値の正負を、上述のように定義したときに成り立つ式であって、本発明はこれに限定されるものではなく、言うまでもないが、正負関係を逆転させた場合には、対応する符号の正負を反転させる等の変更を加えることで同等の式を得ることができる。
【００７６】
浮上面位置は、実際のリード素子の後端を基準に定められる。また、ギャップデプスは、その浮上面位置からゼロスロートまでの距離であるから、ギャップデプスの理想値ＩＧＤに、リード素子後端の、前後方向の理想値からの位置ずれ量（リード素子位置ずれ量）（ｆ−ｅ）と、ゼロスロートの、前後方向の理想値からの位置ずれ量（ゼロスロート位置ずれ量）（ｈ−ｇ）とを足し合わせることで実際のギャップデプスを求めることができる。
この際、第一基準マーカー２８と第二基準マーカー４４の形成位置の誤差もあるため、さらに基準マーカー位置ずれ量ｉを足しこむことで、その誤差も打ち消して、正確なギャップデプスを求めることができるのである。
【００７７】
このようにして求められたギャップデプスは、その後に製造される薄膜磁気ヘッドの積層工程にフィードバックされる。すなわち、測定されたギャップデプスが、設計上のギャップデプスと異なっていた場合には、その後の製造ロットにおいて、ギャップデプスが設計上の値に近づくように、薄膜の積層位置等の微調節を行う。
【００７８】
なお、測定されたギャップデプスの用法は、後の製造ロットへのフィードバックに限定されるものではない。例えば、浮上面４８のラッピング加工前に実施例１に係るギャップデプス測定方法でギャップデプスの算出を行い、算出されたギャップデプスの値が、設計上のギャップデプスと異なる場合には、浮上面４８のラッピング工程において、図８に示すように、リード素子２２の位置を中心とした浮上面４８の角度θを、ギャップデプスｄが設計上の値に近づくように調節する（例えばローバー７２のラッピング加工時の角度姿勢を調節する）のに用いることもできる。すなわち、θ＝０°と仮定されて実施例１に係るギャップデプス測定方法で算出されたギャップデプスが、設計上のギャップデプスより小さい場合には、浮上面４８の加工角度θを図８の＋（プラス）側に振り、設計上のギャップデプスより大きい場合には、加工角度θを図８の−（マイナス）側に振ることにより、リード素子２２のＭＲハイトを変えることなく、実際のギャップデプスｄを調節することができる。
【００７９】
なお、本実施例１においては、リード素子の後端２２ａとゼロスロート４２との前後方向の間に、第一および第二基準マーカー２８，４４を形成するよう構成した。これは、第一基準マーカーとリード素子後端との間の距離、および、第二基準マーカーとゼロスロートとの間の距離を、小さく抑えて、各距離の計測をより正確に行えるようにすることを目的とするものであるが、本発明はこれに限定されず、第一および第二基準マーカーを、別の箇所に形成しても良い。
また、本実施例１においては、前記各距離の計測がしやすいように、第一および第二基準マーカーを、コアの中心線ｌ上に形成したが、本願発明はこれに限定されるものではなく。中心線ｌを外れる位置であっても、それぞれの前後方向の距離を測定できるものであれば良い。
また、第一および第二基準マーカーを、プロセスによる変形によってその中心位置が移動しないよう、前後方向に線対称の形状に形成したが、必ずしもこの構成に限定する必要もない。
【００８０】
さらに、基準マーカー位置ずれ量ｉを用いて第一基準マーカー２８と第二基準マーカー４４の形成位置の誤差を打ち消す構成が最も好ましいが、本願発明はこれに限定されるものではない。
エッチングの状態により変動するリード素子の後端２２ａの位置や、ゼロスロートの位置に比較して、第一基準マーカー２８と第二基準マーカー４４は、フォトリソグラフィ法により正確な位置に形成できることから、基準マーカー位置ずれ量ｉは用いなくても、ある程度正確なギャップデプスを求めることは可能であるから、基準マーカー位置ずれ量ｉを足しこむ構成は必ずしも採用しなくてもよい。
また、第一基準マーカーと第二基準マーカーとを、その前後方向の位置が設計上一致するよう形成する必要はなく、各基準マーカーを任意の箇所に形成してよい。
【００８１】
また、本実施例１においては、ＣＩＰ型のリード素子２２をラッピングガイド（レジスタンスラッピングガイド）として利用したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば薄膜磁気ヘッドの素子の形成位置とは離間した所定箇所に、レジスタンスラッピングガイドを設けても良い。
【実施例２】
【００８２】
次に、本発明に係る垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法を実施するための最良の形態（実施例２）を説明する。
【００８３】
図９は、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドを前後方向の断面で切断した断面図である。また、図１０は、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドのライト主磁極８０を、積層方向上方から見た説明図である。
図１０に示すように、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドのライト主磁極８０は、浮上面４８側の前端部が、コア幅が狭幅かつ等幅のネック部８０ａに形成され、後端部側が、ネック部８０ａから後方に向かって次第に拡幅するヨーク部８０ｂに形成される。本願においては、ネック部８０ａとヨーク部８０ｂとの境界を、ネック始端８０ｃと呼ぶ。ネックハイトとは、ネック始端８０ｃと浮上面４８との距離のことであり、言い換えれば、浮上面４８形成後のネック部８０ａの長さのことである。
【００８４】
図１０に示すように、ネックハイトｊは、浮上面４８からネック始端８０ｃまでの距離であるから、ラッピングにより決定された浮上面４８の前後方向の位置ｃに影響される。すなわち、浮上面４８の位置ｃが、ネック始端８０ｃに対してより前方であれば、ネックハイトｊは大きくなり、後方であれば、ネックハイトｊは小さくなる。
【００８５】
垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドにおいては、ネックハイトｊがライト主磁極８０のライト特性に大きな影響を与えることが知られている。
本実施例２は、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドにおいて、サンプリングによる破壊試験（図１４（ｄ）参照）を行うことなく、ネックハイトｊを測定することを可能とする、本発明に係る垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法の一実施例である。
【００８６】
以下、実施例２に係る垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法を、製造する製造工程に沿って説明する。なお、本実施例２において、実施例１と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する場合がある。
【００８７】
まず、ウエハー基板１９（図９には図示せず）上に、リードヘッドの下部シールド層２０を湿式めっきにて形成する。続いて、下部シールド層２０の表面を研磨することで、下部シールド層２０を平坦化する。
続いて、下部シールド層２０の上層に、ＴＭＲ素子またはＣＰＰ型のＧＭＲ素子から成るリード素子８２を形成する。
続いて、リード素子８２の両側（図７中の手前側と奥側）に、ハードバイアス膜（図示せず）を形成し、また、リード素子８２の後方には、絶縁膜２６を設ける。
【００８８】
続いて、スライダー７４の形成箇所から外れた箇所の絶縁膜２６上に、浮上切断面にまたがるレジスタンスラッピングガイドを形成する。「スライダー７４の形成箇所から外れた箇所」としては、例えば、図１４（ｂ）のローバー７２における各スライダー７４間の切りしろに対応する箇所７２ａが挙げられる。レジスタンスラッピングガイドの構成例を、図１１に示す。図１１は、レジスタンスラッピングガイド８４の前後方向の断面の断面図を示している。
【００８９】
レジスタンスラッピングガイド８４は、後工程の浮上面４８を形成するためのラッピング工程において、その電気抵抗を検出してラッピング量を調節するのに用いられる。すなわち、ラッピングによってレジスタンスラッピングガイド８４が研磨されてその幅が狭くなるにしたがって、レジスタンスラッピングガイド８４の電気抵抗が大きくなるため、その電気抵抗が所定の値となったときにラッピングを停止することで、ラッピング量を調節することができるのである。
なお、実施例１においてはレジスタンスラッピングガイドとしてＣＩＰ型のリード素子２２を用いたが、実施例２においては、リード素子８２がＴＭＲ素子またはＣＰＰ型のＧＭＲ素子から成り、レジスタンスラッピングガイドとして使用できないために、別途レジスタンスラッピングガイド８４を設けている。
【００９０】
レジスタンスラッピングガイド８４の形成後、図１１に示すように、絶縁膜２６上に、フォトリソグラフィ法により、フォトレジストから成る第一基準マーカー２８を形成する。第一基準マーカー２８は、その前後方向の中心位置２８ａが、レジスタンスラッピングガイド８４の後端の設計上の位置８６から、後方に第一所定距離ｅだけずれた位置となるよう、配設される。また、第一基準マーカー２８は、レジスタンスラッピングガイド８４の、前後方向に沿った中心線上に形成される。
【００９１】
また、第一基準マーカー２８を形成するステップと同プロセスで、すなわち前記フォトレジストにより、層間位置ずれを検出するための第一オーバーレイマーカーを、ウエハー基板１９上（絶縁膜２６上）の、薄膜磁気ヘッドの形成箇所でない箇所に形成する。
【００９２】
続いて、実施例１で説明した画像処理装置により、ウエハー基板１９を上方から撮像して、レジスタンスラッピングガイド８４の後端８４ａの実際の位置と、第一基準マーカー２８の前後方向の中心位置２８ａとの間の、前後方向の距離ｆを計測する。画像処理装置の構成については実施例１と同じであるため説明を省略する。この画像処理装置を用い、ウエハー基板１９を撮像手段により上方から撮影した画像情報に基づいて、制御部の画像処理手段が、レジスタンスラッピングガイド８４の後端８４ａの位置と、第一基準マーカー２８の前後方向の中心位置２８ａを画像認識して特定し、両者間の距離ｆを計測する処理を行う。
【００９３】
さらに制御部は、その計測した距離ｆと前記第一所定距離ｅとの差であるラッピングガイド位置ずれ量（ｆ−ｅ）を算出し、そのラッピングガイド位置ずれ量を表すラッピングガイド位置ずれデータを、制御部の記憶部に記憶する処理を実行する。なお、第一所定距離ｅの値を示すデータは、予め制御部の記憶部に記憶されている。
このラッピングガイド位置ずれ量（ｆ−ｅ）は、レジスタンスラッピングガイド８４の後端８４ａの実際の位置の、設計上の理想位置２３からの前後方向のずれ量を表している。
【００９４】
また、ラッピングガイド位置ずれ量（ラッピングガイド位置ずれデータ）は、ラッピングガイドの後端８４ａの実際の位置が前方にずれたのか後方にずれたのかを表す情報を含む。これは、例えば、ずれ量を表す数値の正負の符号で表現できる。
本実施例２では、ラッピングガイドの後端８４ａが、その設計上の理想位置よりも前方にずれて形成されてときは、ラッピングガイド位置ずれ量（ｆ−ｅ）が正の値を取り、後方にずれて形成されたときは負の値を取るよう定義されている。
【００９５】
続いて、フォトレジストから成る第一基準マーカー２８および第一オーバーレイマーカーを、溶剤で除去する。
【００９６】
次に、図９に示すように、リード素子８２、絶縁膜２６、およびハードバイアス膜（図示せず）上に、上部シールド層３０を形成する。
次に、上部シールド層３０上に絶縁膜３２を形成する。
さらに、絶縁膜３２上に、ライトヘッドのシールド層８８を形成する。
【００９７】
続いて、シールド層８８上に絶縁膜３３を形成するとともに、絶縁膜３３上に第一コイル３６ａを形成する。続いて、その表面全面に、アルミナ層４１をスパッタし、表面を研磨することで平坦化する。次に、第一コイル３６ａの上層にアルミナ膜３９をスパッタする。
【００９８】
続いて、アルミナ膜３９上に、ライト主磁極８０を形成する。まず、フォトリソグラフィを用いためっき盛り上げにより、ネック部８０ａおよびヨーク部８０ｂの基本形状を形成し、その後、側面のスリミングや上面の研磨（ＣＭＰ）等の工程を経て、ライト主磁極８０が形成される。
【００９９】
ライト主磁極８０の形成後、図１２に示すように、ライト主磁極８０上に、フォトリソグラフィ法により、フォトレジストから成る第二基準マーカー４４を形成する。第二基準マーカー４４は、例えば外形の二辺が前後方向に平行となるよう配置された長方形等の、前後方向に線対称な形状に形成する。また、第二基準マーカー４４は、その前後方向の中心位置４４ａが、ネック始端８０ｃの設計上の位置９０から、前方に第二所定距離ｇだけずれた位置となるよう、配設される。また、第二基準マーカー４４は、図５に示すように、ライトヘッドの、前後方向に沿った中心線（コアの中心線）ｌ上に形成される。
【０１００】
また、第二基準マーカー４４を形成するステップと同プロセスで、すなわち前記フォトレジストにより、層間位置ずれを検出するための第二オーバーレイマーカーを、ウエハー基板１９上（絶縁膜２６上）の、薄膜磁気ヘッドの形成箇所でない箇所に形成する。
【０１０１】
続いて、ウエハー基板１９を上方から撮像して、ネック始端８０ｃの実際の位置と、第二基準マーカー４４の前後方向の中心位置４４ａとの間の、前後方向の距離ｈを計測する。これは、前記画像処理装置により行う。すなわち、ウエハー基板１９を前記撮像手段により上方から撮影した画像情報に基づいて、制御部の画像処理手段が、ネック始端８０ｃの位置と、第二基準マーカー４４の前後方向の中心位置４４ａを画像認識して特定し、両者間の距離ｈを計測する処理を行う。
【０１０２】
さらに制御部は、その計測した距離ｈと前記第二所定距離ｇとの差であるネック始端位置ずれ量（ｈ−ｇ）を算出し、そのネック始端位置ずれ量を表すネック始端位置ずれデータを、制御部の記憶部に記憶する処理を実行する。なお、第二所定距離ｇの値を示すデータは、予め制御部の記憶部に記憶されている。
このネック始端位置ずれ量（ｈ−ｇ）は、ネック始端８０ｃの実際の位置の、設計上の理想位置４３からの前後方向のずれ量を表している。
【０１０３】
また、ネック始端位置ずれ量（ネック始端位置ずれデータ）は、ネック始端８０ｃの実際の位置が前方にずれたのか後方にずれたのかを表す情報を含む。これは、例えば、ずれ量を表す数値の正負の符号で表現できる。
本実施例２では、ネック始端８０ｃが、その設計上の理想位置よりも後方にずれて形成されてとき、ネック始端位置ずれ量（ｈ−ｇ）が正の値を取り、前方にずれて形成されたとき負の値を取るよう定義される。
【０１０４】
さて、前記画像処理装置の制御部は、さらに、前記第一基準マーカーの設計上の形成位置に対する実際の形成位置の前後方向の位置ずれ量と、前記第二基準マーカーの設計上の形成位置に対する実際の形成位置の前後方向の位置ずれ量との差である基準マーカー位置ずれ量を求める。
この方法は、オーバーレイマーカーを用いた実施例１における方法と同じである。すなわち、基準オーバーレイマーカーに対する、第一オーバーレイマーカーの位置ずれ量と、第二オーバーレイマーカーの位置ずれ量との差分をとることで、基準マーカー位置ずれ量
を求める。
なお、実施例２においては、第一基準マーカー２８と第二基準マーカー４４との設計上の前後方向の形成位置は、一致するよう設定されていない点で、実施例１と異なるが、基準マーカー位置ずれ量を求める方法は同じである。
【０１０５】
続いて、フォトレジストから成る第二基準マーカー４４および第二オーバーレイマーカーを、溶剤で除去する。
【０１０６】
続いて、ライト主磁極８０の後端側にバックギャップ９２を積み上げて形成するとともに、ライト主磁極８０上にアルミナ膜を形成し、さらにアルミナ膜上に、バックギャップ９２を取り巻くように第二コイル３６ｂを形成する。また、ライト主磁極８０の先端部の上方には、ライト主磁極８０と離間させて、トレーリングシールド９４を形成する。さらに、第二コイル３６ｂの上層にアルミナ膜を形成するとともに、さらにその上層に、バックギャップ９２およびトレーリングシールド９４に連結するリターンヨーク９６を形成する。
【０１０７】
さらに、リターンヨーク９６上に保護層（図示せず）を積層し、外部接続端子等を設ける等の工程を踏んで、ウエハー基板１９上に、スライダーの積層構造が完成する。
その後のウエハー基板の切断方法等は、実施例１と同様である。
【０１０８】
浮上面のラッピングの際には、実施例１と同様、レジスタンスラッピングガイド８４の前後方向（浮上面４８に垂直な方向）の幅を検出して、その幅が所定値となるよう、ラッピング量を調節することで、前後方向の浮上面位置ｃが決定される。すなわち、浮上面４８の前後方向の位置ｃは、レジスタンスラッピングガイド８４の後端８４ａを基準として設定されることになる。このラッピングの工程における、レジスタンスラッピングガイド８４の幅の検出は、レジスタンスラッピングガイド８４の電気抵抗や出力を検出することにより行われる。
【０１０９】
なお、本実施例２においては、レジスタンスラッピングガイド８４をリード素子８２と同一層にのみ設ける構成を採用したが、本発明はこれに限定されない。
例えば、レジスタンスラッピングガイドを、ライト主磁極８０と同層、または、ライト主磁極８０に隣接する層に設けてもよい。これによれば、浮上面４８のラッピングの際、ライト主磁極８０とレジスタンスラッピングガイドとの積層方向の距離が小さいため、ネックハイトをより正確に形成することが可能となる。
【０１１０】
さて、前記画像処理装置の制御部は、ネックハイトの設計上の理想値に、記憶されたラッピングガイド位置ずれデータで表されるラッピングガイド位置ずれ量（ｆ−ｅ）と、記憶されたネック始端位置ずれデータで表されるネック始端位置ずれ量（ｈ−ｇ）と、基準マーカー位置ずれデータで表される基準マーカー位置ずれ量ｉとを足し合わせることで、実際のネックハイトを算出する処理を行う。すなわち、制御部は、以下の式を計算することで、実際のネックハイトを算出する。なお、ネックハイトの設計上の理想値を、ＩＮＨで表す。
実際のネックハイト  ＝  ＩＮＨ＋（ｆ−ｅ）＋（ｈ−ｇ）＋ｉ
なお、この式は、（ｆ−ｅ）、（ｈ−ｇ）、ｉの各値の正負を、上述のように定義したときに成り立つ式であって、本発明はこれに限定されるものではなく、言うまでもないが、正負関係を逆転させた場合には、対応する符号の正負を反転させる等の変更を加えることで同等の式を得ることができる。
【０１１１】
浮上面位置は、実際のラッピングガイドの後端を基準に定められる。また、ネックハイトは、その浮上面位置からネック始端までの距離であるから、ネックハイトの理想値ＩＮＨに、ラッピングガイド後端の、前後方向の理想値からの位置ずれ量（ラッピングガイド位置ずれ量）（ｆ−ｅ）と、ネック始端の、前後方向の理想値からの位置ずれ量（ネック始端位置ずれ量）（ｈ−ｇ）とを足し合わせることで実際のネックハイトを求めることができる。
この際、第一基準マーカー２８と第二基準マーカー４４の形成位置の誤差もあるため、さらに基準マーカー位置ずれ量ｉを足しこむことで、その誤差も打ち消して、正確なネックハイトを求めることができるのである。
【０１１２】
このようにして求められたネックハイトは、その後に製造される薄膜磁気ヘッドの積層工程にフィードバックされる。すなわち、測定されたネックハイトが、設計上のネックハイトと異なっていた場合には、その後の製造ロットにおいて、ネックハイトが設計上の値に近づくように、薄膜の積層位置等の微調節を行う。
【０１１３】
なお、測定されたネックハイトの用法は、後の製造ロットへのフィードバックに限定されるものではない。例えば、浮上面４８のラッピング加工前に実施例２に係るネックハイト測定方法でネックハイトの算出を行い、算出されたネックハイトの値が、設計上のネックハイトと異なる場合には、浮上面４８のラッピング工程において、図１３に示すように、リード素子８２の位置を中心とした浮上面４８の角度を、ネックハイトが設計上の値に近づくように調節する（例えばローバー７２のラッピング加工時の角度姿勢を調節する）のに用いることもできる。すなわち、θ＝０°と仮定されて実施例１に係るネックハイト測定方法で算出されたネックハイトが、設計上のネックハイトより小さい場合には、浮上面４８の加工角度θを図１３のプラス側に振り、設計上のネックハイトより大きい場合には、加工角度θを図１３のマイナス側に振ることにより、リード素子８２のＭＲハイトを変えることなく、ネックハイトを調節することができる。
【０１１４】
なお、本実施例２においては、前記各距離の計測がしやすいように、第一および第二基準マーカーを、コアの中心線ｌ上に形成したが、本願発明はこれに限定されるものではなく。中心線ｌを外れる位置であっても、それぞれの前後方向の距離を測定できるものであれば良い。
また、第一および第二基準マーカーを、プロセスによる変形によってその中心位置が移動しないよう、前後方向に線対称の形状に形成したが、必ずしもこの構成に限定する必要もない。
【０１１５】
さらに、基準マーカー位置ずれ量ｉを用いて第一基準マーカー２８と第二基準マーカー４４の形成位置の誤差を打ち消す構成が最も好ましいが、本願発明はこれに限定されるものではない。
エッチングの状態により変動するリード素子の後端２２ａの位置や、ネック始端の位置に比較して、第一基準マーカー２８と第二基準マーカー４４は、フォトリソグラフィ法により正確な位置に形成できることから、基準マーカー位置ずれ量ｉは用いなくても、ある程度正確なネックハイトを求めることは可能であるから、基準マーカー位置ずれ量ｉを足しこむ構成は必ずしも採用しなくてもよい。
（付記１）
ラッピングガイドを形成するステップと、
前記ラッピングガイドの形成後に、ラッピングガイドの後端の設計上の位置に対して、前後方向に第一所定距離だけずれた位置に、第一基準マーカーを形成するステップと、
前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、
該計測した距離と前記第一所定距離との差であるラッピングガイド位置ずれ量を算出するステップと、
水平磁気記録用のライト磁極のギャップ層を形成するステップと、
前記ギャップ層上に、エイペックス部を有する絶縁層を形成するステップと、
前記エイペックス部のゼロスロートの設計上の位置に対して、前後方向に第二所定距離だけずれた位置に、第二基準マーカーを形成するステップと、
前記ゼロスロートの実際の位置と、前記第二基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、
該計測した距離と前記第二所定距離との差であるゼロスロート位置ずれ量を算出するステップと、
前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ゼロスロート位置ずれ量とを、設計上のギャップデプスに足し込むことで、前記ライト磁極の実際のギャップデプスを算出するステップとを含むことを特徴とする水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法。
（付記２）
ラッピングガイドを形成するステップと、
前記ラッピングガイドの形成後に、ラッピングガイドの後端の設計上の位置に対して、前後方向に第一所定距離だけずれた位置に、第一基準マーカーを形成するステップと、
前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、
該計測した距離と前記第一所定距離との差であるラッピングガイド位置ずれ量を表す、ラッピングガイド位置ずれデータを、記憶部に記憶するステップと、
水平磁気記録用のライト磁極のギャップ層を形成するステップと、
前記ギャップ層上に、エイペックス部を有する絶縁層を形成するステップと、
前記エイペックス部のゼロスロートの設計上の位置に対して、前後方向に第二所定距離だけずれた位置に、第二基準マーカーを形成するステップと、
前記ゼロスロートの実際の位置と、前記第二基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、
該計測した距離と前記第二所定距離との差であるゼロスロート位置ずれ量を表す、ゼロスロート位置ずれデータを、記憶部に記憶するステップと、
前記ラッピングガイド位置ずれデータが表す前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ゼロスロート位置ずれデータが表すゼロスロート位置ずれ量とを、設計上のギャップデプスに足し込むことで、前記ライト磁極の実際のギャップデプスを算出するステップとを含むことを特徴とする水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法。
（付記３）
前記第一基準マーカーの設計上の形成位置に対する実際の形成位置の前後方向の位置ずれ量と、前記第二基準マーカーの設計上の形成位置に対する実際の形成位置の前後方向の位置ずれ量との差である基準マーカー位置ずれ量を計測するステップを含み、
前記ライト磁極のギャップデプスを算出するステップにおいて、前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ゼロスロート位置ずれ量と、前記基準マーカー位置ずれ量とを、前記設計上のギャップデプスに足し込むことで、前記ライト磁極の実際のギャップデプスを算出することを特徴とする付記１または２記載の水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法。
（付記４）
前記第一基準マーカーと前記第二基準マーカーとは、前後方向の形成位置が設計上一致するよう設定されていることを特徴とする付記３記載の水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法。
（付記５）
前記第一基準マーカーは、前記ラッピングガイドの後端の設計上の位置に対して、後方にずれた位置に形成し、
前記第二基準マーカーは、前記ゼロスロートの設計上の位置に対して、前方にずれた位置に形成することを特徴とする付記４記載の水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法。
（付記６）
前記第一基準マーカーを形成するステップと同プロセスで、第一オーバーレイマーカーを形成し、
前記第二基準マーカーを形成するステップと同プロセスで、第二オーバーレイマーカーを形成し、
前記基準マーカー位置ずれ量を、前記第一オーバーレイマーカーと前記第二オーバーレイマーカーとの位置ずれ量を計測することで求めることを特徴とする付記３〜５のうちのいずれか一項記載の水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法。
（付記７）
前記第一オーバーレイマーカーの形成層よりも下層に、基準オーバーレイマーカーを形成するステップと、
前記基準オーバーレイマーカーに対する前記第一オーバーレイマーカーの前後方向の位置ずれ量である第一オーバーレイマーカー位置ずれ量を計測するステップと、
前記基準オーバーレイマーカーに対する前記第二オーバーレイマーカーの前後方向の位置ずれ量である第二オーバーレイマーカー位置ずれ量を計測するステップとを含み、
前記基準マーカー位置ずれ量を、前記第一オーバーレイマーカー位置ずれ量と前記第二オーバーレイマーカー位置ずれ量との差を取ることで求めることを特徴とする付記６記載の水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法。
（付記８）
前記第一および第二基準マーカーの少なくとも一方を、フォトリソグラフィ法によりフォトレジストで形成することを特徴とする付記１〜７のうちのいずれか一項記載の水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法。
（付記９）
前記第一基準マーカーを、前後方向に線対称の形状に形成し、
前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーの前後方向の中心位置との間の、前後方向の距離を計測することを特徴とする付記１〜８のうちのいずれか一項記載の水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法。
（付記１０）
前記第二基準マーカーを、前後方向に線対称の形状に形成し、
前記ゼロスロートの実際の位置と、前記第二基準マーカーの前後方向の中心位置との間の、前後方向の距離を計測することを特徴とする付記１〜９のうちのいずれか一項記載の水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法。
（付記１１）
前記第一および第二基準マーカーを、前記ラッピングガイドの、前後方向に沿った中心線上に形成することを特徴とする付記１〜１０のうちのいずれか一項記載の水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法。
（付記１２）
前記ラッピングガイドとして、水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのＣＩＰ型のリード素子を用いることを特徴とする付記１〜１１のうちのいずれか一項記載の水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドの製造方法。
（付記１３）
付記１〜１２のうちのいずれか一項記載の水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法を実行し、
該水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプス測定方法で算出されたギャップデプスの値が、前記設計上のギャップデプスと異なる場合には、浮上面のラッピング工程において、浮上面の角度を、ギャップデプスが設計上の値に近づくように調節することを特徴とする水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドの製造方法。
（付記１４）
ラッピングガイドを形成するステップと、
前記ラッピングガイドの形成後に、ラッピングガイドの後端の設計上の位置に対して、前後方向に第一所定距離だけずれた位置に、第一基準マーカーを形成するステップと、
前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、
該計測した距離と前記第一所定距離との差であるラッピングガイド位置ずれ量を算出するステップと、
垂直磁気記録用のライト主磁極を形成するステップと、
前記ライト主磁極上の、磁極端のネック部とヨーク部との境界であるネック始端の設計上の位置に対して、前後方向に第二所定距離だけずれた位置に、第二基準マーカーを形成するステップと、
前記ネック始端の実際の位置と、前記第二基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、
該計測した距離と前記第二所定距離との差であるネック始端位置ずれ量を算出するステップと、
前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ネック始端位置ずれ量とを、設計上のネックハイトに足し込むことで、前記ライト主磁極の実際のネックハイトを算出するステップとを含むことを特徴とする垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法。
（付記１５）
ラッピングガイドを形成するステップと、
前記ラッピングガイドの形成後に、ラッピングガイドの後端の設計上の位置に対して、前後方向に第一所定距離だけずれた位置に、第一基準マーカーを形成するステップと、
前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、
該計測した距離と前記第一所定距離との差であるラッピングガイド位置ずれ量を表す、ラッピングガイド位置ずれデータを、記憶部に記憶するステップと、
垂直磁気記録用のライト主磁極を形成するステップと、
前記ライト主磁極上の、磁極端のネック部とヨーク部との境界であるネック始端の設計上の位置に対して、前後方向に第二所定距離だけずれた位置に、第二基準マーカーを形成するステップと、
前記ネック始端の実際の位置と、前記第二基準マーカーとの間の、前後方向の距離を計測するステップと、
該計測した距離と前記第二所定距離との差であるネック始端位置ずれ量を表す、ネック始端位置ずれデータを、記憶部に記憶するステップと、
前記ラッピングガイド位置ずれデータが表す前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ネック始端位置ずれデータが表すネック始端位置ずれ量とを、設計上のネックハイトに足し込むことで、前記ライト主磁極の実際のネックハイトを算出するステップとを含むことを特徴とする垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法。
（付記１６）
前記第一基準マーカーの設計上の形成位置に対する実際の形成位置の前後方向の位置ずれ量と、前記第二基準マーカーの設計上の形成位置に対する実際の形成位置の前後方向の位置ずれ量との差である基準マーカー位置ずれ量を計測するステップを含み、
前記ライト主磁極のネックハイトを算出するステップにおいて、前記ラッピングガイド位置ずれ量と、前記ネック始端位置ずれ量と、前記基準マーカー位置ずれ量とを、前記設計上のネックハイトに足し込むことで、前記ライト主磁極の実際のネックハイトを算出することを特徴とする付記１４または１５記載の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法。
（付記１７）
前記第一基準マーカーを形成するステップと同プロセスで、第一オーバーレイマーカーを形成し、
前記第二基準マーカーを形成するステップと同プロセスで、第二オーバーレイマーカーを形成し、
前記基準マーカー位置ずれ量を、前記第一オーバーレイマーカーと前記第二オーバーレイマーカーとの位置ずれ量を計測することで求めることを特徴とする付記１６記載の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法。
（付記１８）
前記第一オーバーレイマーカーの形成層よりも下層に、基準オーバーレイマーカーを形成するステップと、
前記基準オーバーレイマーカーに対する前記第一オーバーレイマーカーの前後方向の位置ずれ量である第一オーバーレイマーカー位置ずれ量を計測するステップと、
前記基準オーバーレイマーカーに対する前記第二オーバーレイマーカーの前後方向の位置ずれ量である第二オーバーレイマーカー位置ずれ量を計測するステップとを含み、
前記基準マーカー位置ずれ量を、前記第一オーバーレイマーカー位置ずれ量と前記第二オーバーレイマーカー位置ずれ量との差を取ることで求めることを特徴とする付記１７記載の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法。
（付記１９）
前記第一および第二基準マーカーの少なくとも一方を、フォトリソグラフィ法によりフォトレジストで形成することを特徴とする付記１４〜１８のうちのいずれか一項記載の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法。
（付記２０）
前記第一基準マーカーを、前後方向に線対称の形状に形成し、
前記ラッピングガイドの後端の実際の位置と、前記第一基準マーカーの前後方向の中心位置との間の、前後方向の距離を計測することを特徴とする付記１４〜１９のうちのいずれか一項記載の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法。
（付記２１）
前記第二基準マーカーを、前後方向に線対称の形状に形成し、
前記ネック始端の実際の位置と、前記第二基準マーカーの前後方向の中心位置との間の、前後方向の距離を計測することを特徴とする付記１４〜２０のうちのいずれか一項記載の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法。
（付記２２）
前記第一および第二基準マーカーを、前記ラッピングガイドの、前後方向に沿った中心線上に形成することを特徴とする付記１４〜２１のうちのいずれか一項記載の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法。
（付記２３）
付記１４〜２２のうちのいずれか一項記載の垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法を実行し、
該垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイト測定方法で算出されたネックハイトの値が、前記設計上のネックハイトと異なる場合には、浮上面のラッピング工程において、浮上面の角度を、ネックハイトが設計上の値に近づくように調節することを特徴とする垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドを製造する製造工程を説明する説明図である。
【図２】水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドを製造する製造工程を説明する説明図である。
【図３】水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドを製造する製造工程を説明する説明図である。
【図４】第一基準マーカーと、それを用いたリード素子位置ずれ量の算出方法とを説明するための説明図である。
【図５】第二基準マーカーと、それを用いたゼロスロート位置ずれ量の算出方法とを説明するための説明図である。
【図６】オーバーレイマーカーの説明図である。
【図７】水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドの説明図である。
【図８】水平磁気記録用薄膜磁気ヘッドのギャップデプスの調節の方法を示す説明図である。
【図９】垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドの説明図である。
【図１０】垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのライト主磁極の説明図である。
【図１１】第一基準マーカーと、それを用いたラッピングガイド位置ずれ量の算出方法とを説明するための説明図である。
【図１２】第二基準マーカーと、それを用いたネック始端位置ずれ量の算出方法とを説明するための説明図である。
【図１３】垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドのネックハイトの調節の方法を示す説明図である。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、ウエハー基板からスライダーを製造する工程を説明する説明図であり、（ｄ）は、従来の破壊試験の説明図である。
【図１５】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１１７】
ａ  前後方向
ｂ  リード素子の前後方向の幅（ＭＲハイト）
ｃ  浮上面の前後方向の位置
ｄ  ギャップデプス
ｅ  第一所定距離
ｆ  ラッピングガイドの後端の実際の位置と、第一基準マーカーとの間の、前後方向の距離
ｇ  第二所定距離
ｈ  ゼロスロートまたはネック始端の実際の位置と、第二基準マーカーとの間の、前後方向の距離
ｉ  基準マーカー位置ずれ量
ｌ  コアの中心線
１９  ウエハー基板
２０  下部シールド層
２２  リード素子（ラッピングガイド）
２２ａ  リード素子（ラッピングガイド）の後端
２３  リード素子（ラッピングガイド）の後端の設計上の位置
２６  絶縁膜
２８  第一基準マーカー
２８ａ  第一基準マーカーの中心位置
３０  上部シールド層
３４  下部磁極
３５  バックギャップ
３６ａ，３６ｂ  コイル
３７  ハードバイアス膜
３８  ギャップ層
４０  絶縁層
４２  ゼロスロート
４３  ゼロスロートの設計上の位置
４４  第二基準マーカー
４４ａ  第二基準マーカーの中心位置
４６  上部磁極
４６ａ  上部磁極の前端部
４８  浮上面
５０  ライト磁極
６０  基準オーバーレイマーカー
６２  第一オーバーレイマーカー（第二オーバーレイマーカー）
８０  ライト主磁極
８０ａ  ネック部
８０ｂ  ヨーク部
８０ｃ  ネック始端
８２  リード素子
８４  レジスタンスラッピングガイド（ラッピングガイド）
８４ａ  レジスタンスラッピングガイド（ラッピングガイド）の後端
８６  レジスタンスラッピングガイド（ラッピングガイド）の後端の設計上の位置
９０  ネック始端の設計上の位置
９２  バックギャップ
９４  トレーリングシールド
９６  リターンヨーク
【図６】
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【図１５】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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