(57)【要約】【課題】積層された複数の半導体素子が内蔵された半導体装置を小型化する。【解決手段】半導体装置１０Ａは、第１アイランド１６に固着された第１半導体素子１２と、第２アイランド１８に固着された第２半導体素子１４とを具備し、第１アイランド１６、第１半導体素子１２、第２アイランド１８、第２半導体素子１４とが重畳して配置されている。更に、第１半導体素子１２は第１アイランド１６の上面に配置され、第２半導体素子１４は第２アイランド１８の下面に配置されている。【選択図】図１
2008300672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層して配置される複数の半導体素子と、前記半導体素子と電気に接続されて外部に一部が露出するリードとを有する半導体装置であり、
第１アイランドと、前記第１アイランドに固着された第１半導体素子と、前記第１アイランドから連続して外部に露出する第１リードと、
第２アイランドと、前記第２アイランドに固着された第２半導体素子と、前記第２アイランドから連続して外部に露出する第２リードと、を備え、
前記第１アイランド、前記第１半導体素子、前記第２アイランドおよび前記第２半導体素子が重畳するように配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１アイランドおよび前記第２アイランドは、同じ向きに第１主面および第２主面を有し、
前記第１半導体素子は、前記第１アイランドの前記第１主面に固着され、
前記第２半導体素子は、前記第２アイランドの前記第２主面に固着されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記リードは、外部に露出する露出部と、前記半導体素子と電気的に接続されると共に前記露出部とは異なる平面上に位置する接続部と、前記接続部と前記露出部とを連続させる連続部とを含み、
前記両半導体素子が前記両アイランドに固着される面の方向は、前記接続部が突出する方向と逆であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記リードは、外部に露出する露出部と、前記半導体素子と電気的に接続されると共に前記露出部とは異なる平面上に位置する接続部と、前記接続部と前記露出部とを連続させる連続部とを含み、
前記両半導体素子が前記両アイランドに固着される面の方向は、前記接続部が突出する方向と同じであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１アイランドと同一平面上に前記接続部を有し、前記第１アイランドに固着された前記第１半導体素子と接続手段を経由して電気的に接続された第３のリードと、
前記第２アイランドと同一平面上に前記接続部を有し、前記第２アイランドに固着された前記第２半導体素子と接続手段を経由して電気的に接続された第４のリードと、を有し、
前記第３リードの前記接続部と、前記第４リードの前記接続部とが部分的に重畳することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記両半導体素子および前記両リードを一体的に被覆し、相対向する平坦面を外面に有する封止樹脂を有し、
前記リードの前記露出部の主面は、前記封止樹脂の前記平坦面と同一平面上に位置することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１リードが外部に導出する方向とは対向した方向に、前記第２リードが外部に導出されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に、積層して配置される複数の半導体素子を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、リードフレームを用いた半導体装置は、アイランドと、アイランドの周囲にその一端が設けられたリードが複数本配置される。そして、このアイランドの上面には、半導体素子が固着され、この半導体素子のボンディングパッドとリードとが金属細線にて接続される（例えば、特許文献１）。更には、リードの端部が露出するように、アイランド、リード、半導体素子および金属細線が絶縁性樹脂により封止される。ここで、リードに於いて、絶縁性樹脂に封止された部分はインナーリードと称され、絶縁性樹脂から露出された部分はアウターリードと称されている。そして、このアウターリードが必要により折り曲げられて、前記リードの他端は、半田等により、プリント基板等に実装される。
【０００３】
またアイランドに複数のチップを積層して成るスタック型の半導体装置も実現されている。これは、親チップの上に、親チップよりもサイズの小さい子チップが積層されるものであり、親チップも子チップも金属細線にて電気的に接続される。
【特許文献１】特開２００７−５５６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述した様な構成の半導体装置は、昨今の軽薄短小の技術により小型化が可能になっている。しかし、子チップの上面は、親チップの上面よりも、アイランドの表面からより高い位置に配置される。従って、子チップの上面に金属細線を接続すると、金属細線の頂部がより高くなり、半導体装置の厚み、つまりパッケージの厚みがより厚くなる問題があった。
【０００５】
更に、半導体装置の内部にて半導体素子を横方向に並べて配置することも可能であるが、内蔵される半導体素子が多くなると、半導体装置が大型化してしまう問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、複数のチップが積層して配置された小型の半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体装置は、積層して配置される複数の半導体素子と、前記半導体素子と電気に接続されて外部に一部が露出するリードとを有する半導体装置であり、第１アイランドと、前記第１アイランドに固着された第１半導体素子と、前記第１アイランドから連続して外部に露出する第１リードと、第２アイランドと、前記第２アイランドに固着された第２半導体素子と、前記第２アイランドから連続して外部に露出する第２リードと、を備え、前記第１アイランド、前記第１半導体素子、前記第２アイランドおよび前記第２半導体素子が重畳するように配置されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、複数のアイランドおよび半導体素子が重畳して配置されているので、複数の半導体素子が積層される半導体装置をより小型にすることができる。
【０００９】
更に、本発明によれば、第１半導体素子および第２半導体素子が実装される面の方向を逆にすることにより、両半導体素子が実装される第１アイランドおよび第２アイランドの距離を短くすることができる（図２参照）。従って、半導体装置の厚みを薄くすることができると共に、一方の半導体素子から発生した熱を、第１アイランドおよび第２アイランドの両方を経由して良好に外部に放出させることができる。
【００１０】
更に、図５を参照して、本発明によれば、第１アイランドの上面に第１半導体素子を実装し、第２アイランドの上面に第２半導体素子を実装している。即ち、両半導体素子が共に、アイランドの上面に実装されている。このことにより、半導体装置を組み立てる製造工程にて、半導体素子が実装されたリードフレームを反転させる必要が無いので、製造工程を簡素化できると共に、歩溜まりを向上させることができる。
【００１１】
更にまた、図６を参照して、両半導体素子が両アイランドの下面に実装された場合は、リードの傾斜部により形成される空間に半導体素子を収納させることができるので、半導体装置を更に小型なものにすることができる。
【００１２】
更に、図７を参照して、本発明によれば、複数のアイランドおよび半導体素子に加えて、リードの接続部も重畳して配置されるので、上記半導体装置を更に小型にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１から図７を参照して、本実施の形態の半導体装置の構成を説明する。図１乃至図４は半導体装置１０Ａを示す図である。図５乃至図７はそれぞれが他の形態の半導体装置の構造を示す図である。
【００１４】
先ず、図１から図４を参照して、本実施の形態の基本形である半導体装置１０Ａの構成を説明する。図１（Ａ）は半導体装置１０Ａの斜視図であり、図１（Ｂ）は半導体装置１０Ａを上方から見た平面図であり、図１（Ｃ）は半導体装置１０Ａを下方から見た平面図である。そして、図２の各図は半導体装置１０Ａの断面図であり、図３および図４は半導体装置１０Ａを構成するリードの一部分を抜き出して示した斜視図である。
【００１５】
図１（Ａ）を参照して、半導体装置１０Ａは、略立方体形状または略直方体形状の外形形状を有し、上面と下面は互いに平行な平坦面であり、側面は上部の方が下部よりも内側に向かって傾斜する傾斜面と成っている。そして、内蔵された半導体素子と電気的に接続された複数のリードの端部が、全体を一体的に封止する封止樹脂２３の側面の下部から、外部に突出している。これらのリードは、封止樹脂２３の対向する２つの側辺から外部に突出している。また、外部に露出するリードの下面と、封止樹脂２３の下面とは、同一平面上に位置している。半導体装置１０Ａの実装は、露出するリードに付着させた半田クリーム（不図示）を半田に加熱溶融させるリフロー工程で行われる。
【００１６】
図１の各図を参照して、半導体装置１０Ａの概略的構成は、第１アイランド１６の上面に固着された第１半導体素子１２と、第２アイランド１８の下面に固着された第２半導体素子１４と、各半導体素子と電気的に接続されて外部に導出されるリードと、これらを被覆して一体的に支持する封止樹脂２３とを含む構成となっている。更に、第１アイランド１６、第２アイランド１８、第１半導体素子１２および第２半導体素子１４は、半導体装置１０Ａの厚み方向に重畳するように配置されている。
【００１７】
図１（Ｂ）を参照して、半導体装置１０Ａを上方から見た平面的な構成を説明すると、半導体装置１０Ａの中央部付近に、略四角形形状の第１アイランド１６が配置されている。そして、紙面上に於いて第１アイランド１６の下側側辺から、２つのリード２０Ｇ、２０Ｆが連続して外部に導出されている。これらの２つのリード２０Ｇ、２０Ｆは、第１半導体素子１２の裏面電極（例えばＭＯＳＦＥＴのドレイン電極）と電気的に接続されたものでも良いし、接続されていないものでも良い。
【００１８】
更に、第１アイランドの左側に接近して２つのリード２０Ｄ、２０Ｈが配置されている。紙面上に於けるリード２０Ｄの下部はボンディング部２２であり、この部分が金属細線３０Ａを経由して第１半導体素子１２の電極３２と接続されている。また、リード２０Ｈの上部はボンディング部２４であり、この部分が２本の金属細線３０Ｂ、３０Ｃを経由して第１半導体素子１２の２つの電極３２に接続される。
【００１９】
金属細線３０Ａ等は、上記したように、第１半導体素子１２の電極３２とリード２０Ｄのボンディング部２２等とを電気的に接続する接続手段として機能している。金属細線３０Ａ等は、直径が数十μｍ程度の金またはアルミニウム等の金属材料から成る。ここで、この接続手段としては金属細線以外も採用可能であり、一例として、所定の形状に成形した一枚の金属板を接続手段として採用することができる。
【００２０】
例えば、第１半導体素子１２がＭＯＳＦＥＴである場合は、第１半導体素子１２の上面に設けた１つのゲート電極（制御電極：ここでは電極３２）が、金属細線３０Ａを経由してリード２０Ｄのボンディング部２２と接続される。更に、ソース電極（主電極）である２つの他の電極３２は、２つの金属細線３０Ｂ、３０Ｃを経由して、リード２０Ｈのボンディング部２４と接続される。ＭＯＳＦＥＴのソース電極は、比較的大きな電流が通過する主電極であるので、制御電極であるゲート電極よりも多数本の金属細線を使用してリードと接続することにより、金属細線の電気抵抗を引き下げてオン抵抗を小さくすることができる。なお、第１半導体素子１２の裏面は、例えばドレイン電極（主電極）として第１アイランド１６の上面に電気的に接続される。更に、リード２０Ｈのボンディング部２４を、リード２０Ｄのボンディング部２２よりも長く（面積を大きく）することにより、金属細線の接続を容易にすることができる。
【００２１】
封止樹脂２３は、各半導体素子およびリードフレームを被覆すると共に、これらを一体的に支持する機能を有する。封止樹脂２３の樹脂材料は、トランスファーモールドにより形成される熱硬化型樹脂（例えばエポキシ樹脂）や、インジェクションモールドにより形成される熱可塑性樹脂（例えばアクリル樹脂）が採用される。また、熱抵抗の低下等を目的として、酸化金属等のフィラーが充填された樹脂材料が、封止樹脂２３として採用されても良い。ここでは、封止樹脂２３は、リード、アイランド、半導体素子および金属細線を一体的に被覆している。更に、各リードの端部は、封止樹脂２３から外部に露出しており、この部分が外部接続用の端子として機能している。
【００２２】
図１（Ｃ）を参照して、第２アイランド１８の下面の中央部には、第２半導体素子１４が固着されており、この第２半導体素子１４の上面に設けられた電極は、金属細線３１Ａ等を経由してリード２０Ａ等と電気的に接続される。具体的には、紙面上に於けるリード２０Ａの下部はボンディング部２６であり、リード２０Ｅの上部はボンディング部２８である。そして、リード２０Ａのボンディング部２６の上面は金属細線３１Ａを経由して、第２半導体素子１４の電極３６と電気的に接続される。一方、リード２０Ｅのボンディング部２８は、２本の金属細線３１Ｂ、３１Ｃを経由して、第２半導体素子１４の電極３６と接続される。
【００２３】
第２半導体素子１４としては、第１半導体素子と同様に各種半導体デバイスが採用可能である。ここで、第２半導体素子１４がＭＯＳＦＥＴの場合は、上面のゲート電極が１本の金属細線３１Ａを経由して、リード２０Ａのボンディング部２６と接続される。そして、第２半導体素子１４の他の２つのソース電極（電極３２）は、２本の金属細線３１Ｂ、３１Ｃを経由して、リード２０Ｅのボンディング部２８と接続される。
【００２４】
更に、紙面上における第２アイランド１８の上方の側辺からは、２つのリード２０Ｃ、２０Ｂが外部に到るまで導出している。
【００２５】
第１アイランド１６と第２アイランド１８とは、両者の外縁が重畳するように（即ち両者が完全に又は殆ど重畳するように）配置されても良いし、一部が重畳されるように配置されても良い。更に、第１半導体素子および第２半導体素子も、両者の外縁が重畳するように配置されても良いし、両者の一部分が配置されるように重畳されても良い。
【００２６】
上記両半導体素子の組合せとしては、ＩＣ同士、ディスクリートのトランジスタ同士、ディスクリートのトランジスタとＩＣとの組合せ等が考えられる。ここで、ディスクリートのトランジスタとしては、例えば、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、バイポーラ型トランジスタ等が考えられる。更には、これらにダイオードが半導体素子として採用されても良い。
【００２７】
図１（Ｂ）および図１（Ｃ）を参照して、密なハッチングが施されているリードおよびランド（第１リードフレーム）は第１半導体素子１２の実装と接続に寄与する部位である。一方、粗なハッチングが施されているリードおよびランド（第２リードフレーム）は第２半導体素子１４の実装と接続に寄与する部位である。図１（Ｂ）を参照して、この第１リードフレームは、第１アイランド１６およびリード２０Ｄ、２０Ｈを含み、これらは同一平面上に位置している。また、図１（Ｃ）を参照して、第２リードフレームは、第２アイランド１８およびリード２０Ａ、２０Ｅを含み、これらは同一平面上に位置している。そして、図１（Ａ）を参照して、第１半導体素子１２に接続される第１リードフレームは、第２半導体素子１４に接続される第２リードフレームよりも上方に位置している。
【００２８】
ここで、上述した第１リードフレームは図３に示され、第２リードフレームは図４に示されている。
【００２９】
ここで、製造工程では、上記した第１リードフレームと第２リードフレームとは別途用意される。即ち、半導体製造工程では、半導体素子をアイランドに固着させるダイボンディング工程と、半導体素子と導電部材とを金属細線で接続するワイヤボンディング工程が必要とされる。本形態では、第１リードフレームと第２リードフレームとで、個別にダイボンディング工程およびワイヤボンディング工程が行われ、その後に両者が重畳されて樹脂封止が行われる。この様にすることで、１つのパッケージ内に複数の半導体素子およびアイランドが積層された半導体装置を、比較的シンプルな工程にて製造することができる。
【００３０】
次に、図２の各断面図を参照して、半導体装置１０Ａの断面的な構成を説明する。ここで、図２（Ａ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ’線に於ける断面図であり、図２（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図である。
【００３１】
図２（Ａ）を参照して、第１アイランド１６およびボンディング部２４は、封止樹脂２３の内部の上部に於いて同一平面上に位置している。第１アイランド１６の上面には、半田等の導電性固着剤を介して第１半導体素子１２が固着される。ここで、第１半導体素子１２の裏面が導通を必要としないものであれば、第１半導体素子１２の裏面は、エポキシ樹脂等の絶縁性接着剤を介して、第１アイランド１６の上面に固着されても良い。そして、第１半導体素子１２の上面に設けられた電極は、金属細線３０Ｂを経由してボンディング部２４の上面と接続されている。
【００３２】
一方、第２アイランド１８およびボンディング部２８は、封止樹脂２３の内部の下部に於いて、同一平面上に位置している。第２アイランド１８、ボンディング部２８および第２半導体素子１４の関連構成は、第１アイランド１６、ボンディング部２４および第１半導体素子１２と同様であり、上下方向の向きが逆になるのみである。
【００３３】
具体的には、第２アイランド１８の下面には第２半導体素子１４が固着剤を介して固着される。そして、第２半導体素子１４の下面に設けられた電極は、金属細線３１Ｂを経由してボンディング部２８の下面と接続される。
【００３４】
図２（Ｂ）を参照して、リード２０Ｃは、第１アイランド１６と連続して外側に向かって下方に傾斜する傾斜部４０（連続部）と、封止樹脂２３から外部に露出して且つ下面が封止樹脂２３の下面と同一平面上に位置する露出部４２とから成る。この構成は、他のリードに関しても同様である。ここでは、第２アイランド１８に第２半導体素子１４が固着される方向（ここでは下方向）に、傾斜部４０が突出するように形成されている。なお、傾斜部４０は、直線的な形状でも良いし、曲線的な形状でも良い。傾斜部４０は、金型を使用した打ち抜き加工により所定形状に成形される。
【００３５】
本形態では、第１半導体素子１２、第１アイランド１６、第２半導体素子１４および第２アイランドが重畳するように配置されている。このことにより、多数の半導体素子がパッケージ内に積層された半導体装置を小型化することができる。
【００３６】
更に、図２（Ａ）を参照すると、第１半導体素子１２は第１アイランド１６の上面に実装され、第２半導体素子１４は第２アイランド１８の下面に実装されている。このことにより、第１アイランド１６の下面と第２アイランド１８の上面とを極めて接近させることができる。従って、半導体素子およびアイランドの積層に必要とされる厚さを短くすることができるので、半導体装置１０Ａをより薄型化することができる。
【００３７】
更に、封止樹脂２３の内部にて第１アイランド１６と第２アイランド１８とが極めて接近しているので、一方の半導体素子から発生した熱を、両方のアイランドを経由して外部に放出させることができる。例えば、第１半導体素子１２から発生した熱を、第１アイランド１６および第２アイランド１８を経由して（最終的には両アイランドから外部に導出するリードを経由して）外部に放出させることができる。
【００３８】
次に、図５から図７を参照して、他の形態の半導体装置１０Ｂの構成を説明する。図５は他の半導体装置１０Ｂを示す図であり、図６は他の半導体装置１０Ｃを示す図であり、図７は他の半導体装置１０Ｄを示す図である。これらの図に示された他の半導体装置の構成は、基本的には上述した半導体装置１０Ａと同様であり、相違する部分を中心に以下説明する。
【００３９】
図５に他の形態の半導体装置１０Ｂの構成を示す。ここで、図５（Ａ）は図１（Ａ）に示したＡ−Ａ’線に於ける断面図に相当し、図５（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図に相当している。
【００４０】
図５（Ａ）および図５（Ｂ）を参照して、上述した半導体装置１０Ａと半導体装置１０Ｂとの相違点は、半導体素子がアイランドに実装される向きにある。ここでは、両半導体素子がアイランドの上面に固着されている。即ち、第１アイランド１６の上面に第１半導体素子１２が固着され、更に第２アイランド１８の上面にも第２半導体素子１４が固着されている。
【００４１】
図５（Ｂ）を参照して、両半導体素子が固着される向きを更に説明すると、第１半導体素子１２および第２半導体素子がアイランドに固着される方向は、リード２０Ｃの傾斜部４０が厚み方向に延在（突出）する方向と逆である。
【００４２】
この様に、両半導体素子を各々のアイランドの上面に固着することにより、製造工程にて半導体素子が実装されたアイランドを表裏逆にする必要が無くなるので、製造工程を簡素化できると共に歩溜まりを向上される。
【００４３】
図６（Ａ）および図６（Ｂ）を参照して、ここでは、両半導体素子がアイランドの下面に固着されている。即ち、第１半導体素子１２は第１アイランド１６の下面に実装され、第２半導体素子１４は第２アイランド１８の下面に固着されている。図６（Ｂ）を参照すると、両半導体素子はリードの傾斜部により囲まれる空間に収納される。従って、この構成により、重畳された半導体素子が収納される半導体装置１０Ｃの厚みを更に薄くすることが可能となる。更にこの事項を換言すると、ここでは両半導体素子が両アイランドの固着される向きは、リードの傾斜部が突出する方向と同じである。
【００４４】
なお、図示は省略するが、第１半導体素子１２が第１アイランド１６の下面に実装され、第２半導体素子１４が第２アイランド１８の上面に固着されても良い。
【００４５】
図７を参照して、他の形態の半導体装置１０Ｄの構成を説明する。図７（Ａ）は半導体装置１０Ｄの平面図であり、図７（Ｂ）は半導体装置１０Ｄの断面図である。
【００４６】
図７（Ａ）および図７（Ｂ）を参照して、半導体装置１０Ｄの構成の特徴は、リードの接続部同士が部分的に重畳することにある。
【００４７】
半導体装置１０Ｄの概略的構成を説明すると、第１半導体素子１２が固着された第１アイランド１６と、第２半導体素子１４が固着された第２アイランド１８とが重畳して配置されている。そして、第１アイランド１６の左側側辺から２つのリード２０Ａ、２０Ｃが外部に導出されている。更に、第２アイランド１８の左側側辺から２つのリード２０Ｂ、２０Ｄが外部に導出されている。
【００４８】
また、第１半導体素子の上面の電極は、金属細線３０Ａを経由して、リード２０Ｈの接続部Ａ１（ボンディング部）の上面と接続されている。そして、第１半導体素子の上面の他の電極は、金属細線３０Ｄを経由して、リード２０Ｆの接続部Ａ３と接続される。更に、不図示ではあるが、第２半導体素子の電極のそれぞれは、金属細線３０Ｂ、金属細線３０Ｃを経由して、リード２０Ｇの接続部Ａ２、リード２０Ｅの接続部Ａ４に接続される。
【００４９】
図７（Ａ）を参照すると、半導体装置１０Ｄの右側には複数のリード２０Ｈ等が配置されており、リード２０Ｈの接続部Ａ１と、リード２０Ｇの接続部Ａ２が部分的に重畳している。ここでは、第１半導体素子１２と電気的に接続される接続部Ａ１が、第２半導体素子１４と接続される接続部Ａ３よりも上方に位置して、両者が部分的に重畳されている。
【００５０】
この様にリードの接続部を互いに部分的に重畳させることにより、多数のリードが半導体装置１０Ｄに内蔵された場合でも、平面的に各リードの接続部を離間させる必要がないので、半導体装置１０Ｄの平面的な大きさを小さくすることができる。
【００５１】
ここで、図７（Ｂ）を参照すると、第１アイランド１６の上面に第１半導体素子１２が固着され、第２アイランド１８の下面に第２半導体素子１４が固着されているが、両半導体素子は各アイランドの他の面に固着されても良い。即ち、第１半導体素子１２が第１アイランド１６の下面に固着されても良いし、第２半導体素子１４が第２アイランド１８の上面に固着されても良い。
【００５２】
図８から図１０を参照して、次に、上記した構成の半導体装置１０Ａの製造方法を説明する。本実施の形態では、２つのリードフレーム（図８に示すリードフレーム５０および図９に示すリードフレーム６０）に個別にダイボンディングおよびワイヤボンディングを行い、両者を積層させた後に樹脂封止を行って、半導体装置を製造している。
【００５３】
図８を参照して、リードフレーム５０の構成を説明する。図８（Ａ）はリードフレーム５０を部分的に示す平面図であり、図８（Ｂ）はユニット５２を拡大して示した斜視図である。
【００５４】
図８（Ａ）を参照して、リードフレーム５０は銅などの金属から成り、厚みが０．５ｍｍ程度の一枚の導電箔を加工（エッチング加工やパンチング加工）して所定の形状に成形されたものである。ここでは、リードフレーム５０は、概略的に短冊形形状を有している。リードフレーム５０の四方の側辺には額縁形状に外枠５４が設けられており、この外枠５４の内側に格子状に連結部５８が延在している。
【００５５】
更に、外枠５４を厚み方向に貫通して、ガイドホール５６が設けられている。このガイドホール５６は、各工程に於いて、搬送や位置決めに使用される。また、図８（Ａ）に示すリードフレーム５０に設けたガイドホール５６と、図９（Ａ）に示したリードフレーム６０のガイドホール６６とを重畳させることにより、各リードフレームに含まれるユニットを正確に位置合わせすることができる。
【００５６】
図８（Ｂ）を参照して、連結部５８の内側にユニット５２が設けられている。ユニット５２とは１つの半導体装置を構成する要素単位である。ここでは、１つのユニット５２が、図１（Ｂ）にて密なハッチングが施された部分に対応している。具体的には、紙面上にて奥の方の連結部５８から、３本のリード（リード２０Ｈ、リード２０Ｇ、リード２０Ｆ）が内側に延在している。リード２０Ｇおよびリード２０Ｆは、第１アイランド１６に連続している。また、リード２０Ｄの先端部にはボンディング部２２が設けられている。そして、紙面上にて手前の連結部５８から、先端部にボンディング部２４を有する１つのリード２０Ｄが内部に延在している。更に、各リードは、図２（Ｂ）に示した傾斜部４０および露出部４２を含む。また、各リードのユニット５２の内側の先端部および第１アイランド１６は、リードフレーム５０の他の部位（外枠５４や連結部５８）よりも上方にて同一平面上に位置している。
【００５７】
ここで、上記したように、本形態では、リードフレーム５０とリードフレーム６０（図９参照）とを重ね合わせて１つの半導体装置を構成する。ここで、製造される半導体装置１０Ａ（図１参照）を見ると、各リードの露出部の下面は同一平面上に位置する。このことから、リードフレーム５０の各リードと連結部５８の接合箇所にて、各リードが上方に（厚み方向に）突出するようにプレス加工が行われても良い。このことにより、リードフレーム５０に含まれるリードの端部と、リードフレーム６０に含まれるリードの端部とを、同一平面上に位置させることができる。この事項は、以下に構造を詳述するリードフレーム６０も同様でよい。
【００５８】
図９を参照して、リードフレーム６０の構成を説明する。図９（Ａ）はリードフレーム６０の平面図であり、図９（Ｂ）はユニット６２を示す斜視図である。ここで、リードフレーム６０は、図１（Ｂ）に示す粗なハッチングが施された部位となる。更に、図８に示されたリードフレーム５０と、ここで図示されたリードフレーム６０とは、ユニット６２の内部構成が異なるのみであり、他の構成は基本的には同一である。
【００５９】
図９（Ａ）を参照して、リードフレーム６０は、外枠６４から内側に格子状に連結部６８が設けられた形状である。そして、連結部６８に囲まれる１つの開口部に２つのユニット６２が配置されている。ここでも、リードフレーム６０の外枠６４を厚み方向に貫通して、ガイドホール６６が設けられている。
【００６０】
図９（Ｂ）を参照して、奥の方の連結部６８から、１つのリード２０Ｅが内側に延在しており、先端部が平坦なボンディング部２８と成っている。更に、手前側の連結部６８からは、３つのリード２０Ｃ、２０Ｂ、２０Ａが内側に延在している。２つのリード２０Ｃ、２０Ｂの先端部が第２アイランド１８に連続している。更に、リード２０Ａの先端部がボンディング部２６と成っている。
【００６１】
図８（Ｂ）および図９（Ｂ）を参照して、ユニット５２とユニット６２とはアイランドの形状と、リードが厚み方向に突出する向きが異なる。更に、図８（Ｂ）に示すユニット５２では、半導体素子が実装される方向（紙面上では上方向）にリードが突出している。一方、図９（Ｂ）に示すユニット６２では、半導体素子が実装される方向とは逆の方向（紙面上では上方向）に、リードが突出している。また、第１アイランド１６と第２アイランド１８とは、ある点を中心に１８０度回転させると同一形状となる点対称な形状となっている。
【００６２】
図１０を参照して、次に、ダイボンディングおよびワイヤボンディングの工程を説明する。この図は、両工程が終了した後のリードフレーム５０、６０のユニット５２を示す斜視図である。
【００６３】
図１０（Ａ）を参照して、リードフレーム５０のユニット５２の内部では、第１アイランド１６の上面に第１半導体素子１２が固着され、第１半導体素子１２と、ボンディング部２２、２４とが金属細線を経由して接続される。この工程は、リードフレーム５０に含まれる全てのユニット５２に対して一括して行われる。
【００６４】
図１０（Ｂ）を参照して、リードフレーム６０の第２アイランド１８の下面には、第２半導体素子１４が実装される。更に、第２半導体素子１４の下面に設けられた各電極は、不図示の金属細線を経由して、ボンディング部２６またはボンディング部２８の下面に接続される。実際は、リードフレーム６０を上下反転させた状態で（即ち第２半導体素子１４が実装される面を上面にした状態で）、この工程は行われる。
【００６５】
上記工程が終了した後は、リードフレーム５０およびリードフレーム６０を重ね合わせて一体化させる。このことにより、結合されたリードフレームの各ユニットは、図１に示す構成となる。更に、リードフレームの各ユニットを、モールド金型に個別に収納させて樹脂封止の工程を行う。具体的には、樹脂封止の工程では、各ユニットの半導体素子、アイランド、金属細線およびリードが封止樹脂により封止される。更に、封止樹脂から露出するリードの表面にメッキ膜を被着させる工程、樹脂封止された各ユニットをリードフレームから個別に分離する工程、各ユニットの良否や電気的特性を測定する工程、捺印工程等を経て、図１に示す構成の半導体装置１０Ｂが完成する。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）および（Ｃ）は平面図である。
【図２】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の半導体装置を一部抜き出して示した図であり、（Ａ）および（Ｂ）は斜視図である。
【図４】本発明の半導体装置を一部抜き出して示した図であり、（Ａ）および（Ｂ）は斜視図である。
【図５】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。
【図６】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。
【図７】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は斜視図である。
【図９】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は斜視図である。
【図１０】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は斜視図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ            半導体装置
１２            第１半導体素子
１４            第２半導体素子
１６            第１アイランド
１８            第２アイランド
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ、２０Ｇ、２０Ｈ  リード
２２            ボンディング部
２３            封止樹脂
２４            ボンディング部
２６            ボンディング部
２８            ボンディング部
３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ      金属細線
３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃ      金属細線
３２            電極
３６            電極
４０            傾斜部
４２            露出部
５０            リードフレーム
５２            ユニット
５４            外枠
５６            ガイドホール
５８            連結部
６０            リードフレーム
６２            ユニット
６４            外枠
６６            ガイドホール
６８            連結部
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４  接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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