(57)【要約】【課題】テクスチャーを有し、且つ、高生産性にて加工することができる透明電極付き基板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】透明絶縁性基材上に、外力により塑性変形する透明絶縁性樹脂を塗布することにより、テクスチャー前駆体を形成するための第１の工程と、前記テクスチャー前駆体に、凹凸パターン転写用スタンパの凹凸面を圧接することにより、前記テクスチャー前駆体に凹凸パターンを形成するための第２の工程と、前記凹凸パターンを硬化させることにより、テクスチャーを形成するための第３の工程を有し、前記第２の工程が、大気圧よりも低い圧力下で行われることを特徴とするテクスチャー形成板の製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁性基材上に、外力により塑性変形する透明絶縁性樹脂を塗布することにより、テクスチャー前駆体を形成するための第１の工程と、
前記テクスチャー前駆体に、凹凸パターン転写用スタンパの凹凸面を圧接することにより、前記テクスチャー前駆体に凹凸パターンを形成するための第２の工程と、
前記凹凸パターンを硬化させることにより、テクスチャーを形成するための第３の工程を有し、
前記第２の工程が、大気圧よりも低い圧力下で行われることを特徴とするテクスチャー形成板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のテクスチャー形成板の製造方法により成るテクスチャー形成板。
【請求項３】
前記テクスチャー形成板のテクスチャー上に透明電極を積層したことを特徴とする透明電極付き基板。
【請求項４】
前記透明電極が酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）からなることを特徴とする請求項３に記載の透明電極付き基板。
【請求項５】
請求項３または請求項４のいずれかに記載の透明電極付き基板の透明電極上に、薄膜シリコン層、裏面電極を順次形成したことを特徴とする太陽電池。
【請求項６】
前記薄膜シリコン層と前記裏面電極の間に、酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）からなる金属拡散防止層を設けたことを特徴とする請求項５に記載の太陽電池。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の太陽電池の裏面電極上に保護シートを積層したことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項８】
前記保護シートが、耐候性基材と粘着層を積層して成ることを特徴とする請求項７に記載の太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池セル外部（入射光側）に設置される、レーリー散乱を用いた光閉込機能を有するテクスチャー（ｔｅｘｔｕｒｅ）形成板およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
なお、本明細書に記載されている「テクスチャー」とは、電子顕微鏡で輪郭の確認できる「微細凹凸」の業界用語である。
また、本明細書に記載されている「ａ−Ｓｉ」とは「アモルファスシリコン」の略語であり、また、「ＰＥＴ」とは「ポリエチレンテレフタレート」の略語であり、また、「ＴＣＯ」とは「透光性導電酸化物」の略語であり、また、「ｓｃｃｍ」とは「ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｃ／ｍｉｎ」の略語であり１０１３ｈＰａ下かつ２５℃下における流量（ｃｃ／ｍｉｎ）を意味し、また、「ＩＴＯ」とは「インジウムと錫の複合酸化物」を意味する。
【背景技術】
【０００３】
太陽光を使用する太陽電池は、資源の枯渇（原油可採年数；約３０年、天然ガス可採年数；約４０年、ウラン可採年数；約４５年）が危惧されている化石燃料を使用しなくても良い発電システムとして注目されている。
【０００４】
太陽電池の最大の課題は、光−電気変換効率向上である。
太陽電池の光−電気変換効率は一般に約１０〜１５％程度である。
【０００５】
太陽電池の光−電気変換層に入射する光には、発電に寄与できる光と、一旦、光−電気変換層に入射したものの発電に寄与する事なく光−電気変換層外部に散逸してしまう光があり、光−電気変換層に入射した光の利用効率の点では、なお十分ではないという問題を抱えている。
【０００６】
光−電気変換層に効率よく光を吸収させる方法の例として、透光性および絶縁性を有する基板、ＴＣＯからなる透明電極、光−電気変換層、および、裏面電極をこの順序で積層した太陽電池において、透明電極表面を化学的にエッチング処理することにより、透明電極にテクスチャーを形成する方法が開示されている。（特許文献１参照）
【０００７】
テクスチャーは、光−電気変換層への入射光を乱反射させ、光−電気変換層内における前記入射光の光路長を増加させ、その結果、太陽電池の光−電気変換効率を向上させる役割を果たす。
【０００８】
また、テクスチャーを用いて光−電気変換層への入射光を乱反射させると、光−電気変換層内から光−電気変換層外に向かう光の、光−電気変換層界面に対する入射角が大きくなるので、光−電気変換層界面において、光−電気変換層外に向かう光が全反射され、光−電気変換層外へ散逸する光の割合を減少させ、その結果、太陽電池の光−電気変換効率が向上する。
【０００９】
また、光−電気変換層に効率良く光を吸収させる方法の他例として、透光性および絶縁性を有する基板、ＴＣＯからなる第１の透明電極、光−電気変換層、ＴＣＯからなる第２の透明電極、および、裏面電極をこの順序で積層した太陽電池において、第１の透明電極表面を、酸性水溶液などを用いて化学的にエッチング処理することにより、第１の透明電極にテクスチャーを形成する方法が開示されている。（特許文献２参照）
【００１０】
【特許文献１】特開昭６１−２８８４７３号公報
【特許文献２】特開２００３−１１５５９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、化学的エッチング処理は、エッチング条件（例えば、エッチング液温度および液濃度、エッチング圧力および時間など）の管理が難しく、品質安定性が危惧され、また、処理後にエッチング液除去工程、乾燥工程を必要とするため工程が複雑であり、更に、ＴＣＯはエッチング性が低いためにエッチングに長時間を要し生産性が低いという問題を抱えている。
【００１２】
本発明の課題は、テクスチャーを有し、且つ、高生産性にて加工することができる透明電極付き基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１に記載の発明は、透明絶縁性基材上に、外力により塑性変形する透明絶縁性樹脂を塗布することにより、テクスチャー前駆体を形成するための第１の工程と、
前記テクスチャー前駆体に、凹凸パターン転写用スタンパの凹凸面を圧接することにより、前記テクスチャー前駆体に凹凸パターンを形成するための第２の工程と、
前記凹凸パターンを硬化させることにより、テクスチャーを形成するための第３の工程を有し、
前記第２の工程が、大気圧よりも低い圧力下で行われることを特徴とするテクスチャー形成板の製造方法である。
【００１４】
第２の工程を大気圧よりも低い圧力のもとで行うと、凹凸パターンと凹凸パターン転写用スタンパの圧接境界面に空気が入り込まず、凹凸パターンは異常突起の無い規則性正しい形状となる。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のテクスチャー形成板の製造方法により成るテクスチャー形成板である。
【００１６】
透明絶縁性基材は、太陽電池への水分侵入防止の役割、および、太陽電池を外力から保護する役割を果たす。
【００１７】
塑性変形する透明絶縁性樹脂は、凹凸パターン転写用スタンパの凹凸面を再現する役割を果たす。
【００１８】
テクスチャーは、太陽電池への入射光を乱反射させ、ａ−Ｓｉ半導体層内における前記入射光の光路長を増加させる役割、および、太陽電池から散逸しようとする光を太陽電池内に閉じ込める役割を果たす。
【００１９】
請求項３に記載の発明は、前記テクスチャー形成板のテクスチャー上に透明電極を積層したことを特徴とする透明電極付き基板である。
【００２０】
透明電極は、光がａ−Ｓｉ半導体に入射した際に生成する正孔を捕獲する役割を有する。
【００２１】
請求項４に記載の発明は、前記透明電極が酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）からなることを特徴とする請求項３に記載の透明電極付き基板である。
【００２２】
透明電極の材料として酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）を用いると、導電性の優れた透明電極を常温（２５℃）下において成膜できる。
【００２３】
請求項５に記載の発明は、請求項３または請求項４のいずれかに記載の透明電極付き基板の透明電極上に、薄膜シリコン層、裏面電極を順次形成したことを特徴とする太陽電池である。
【００２４】
薄膜シリコン層は、太陽電池に入射した光をエネルギー源として、正孔とキャリア電子を発生させる役割を果たす。
【００２５】
裏面電極は、光がａ−Ｓｉ半導体に入射した際に生成するキャリア電子を捕獲する役割を有する。
【００２６】
請求項６に記載の発明は、前記薄膜シリコン層と前記裏面電極の間に、酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）からなる金属拡散防止層を設けたことを特徴とする請求項５に記載の太陽電池である。
【００２７】
金属拡散防止層は、薄膜シリコン層への裏面電極構成材料の拡散を防止する役割を有する。
【００２８】
透明電極の材料として酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）を用いると、導電性の優れた金属拡散防止層を常温（２５℃）下において成膜できる。
【００２９】
請求項７に記載の発明は、請求項５または請求項６に記載の太陽電池の裏面電極上に保護シートを積層したことを特徴とする太陽電池モジュールである。
【００３０】
保護シートは、大気中の汚染物質、雨および湿気から太陽電池を保護する役割を果たす。
【００３１】
請求項８に記載の発明は、前記保護シートが、耐候性基材と粘着層を積層して成ることを特徴とする請求項７に記載の太陽電池モジュールである。
【００３２】
耐候性基材は、大気中の汚染物質から太陽電池を保護する役割を果たす。
粘着層は、保護シートを太陽電池に接着する役割を果たす。
【発明の効果】
【００３３】
請求項１に記載の発明は、透明絶縁性基材上に、外力により塑性変形する透明絶縁性樹脂を塗布することにより、テクスチャー前駆体を形成するための第１の工程と、
前記テクスチャー前駆体に、凹凸パターン転写用スタンパの凹凸面を圧接することにより、前記テクスチャー前駆体に凹凸パターンを形成するための第２の工程と、
前記凹凸パターンを硬化させることにより、テクスチャーを形成するための第３の工程を有し、
前記第２の工程が、大気圧よりも低い圧力下で行われることを特徴とするテクスチャー形成板の製造方法である。
【００３４】
このような製造方法を用いることにより、凹凸パターンにおける異常突起が無くなり、テクスチャー形成板に対する透明電極の付着力を向上させることができる。
【００３５】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のテクスチャー形成板の製造方法により成るテクスチャー形成板である。
【００３６】
このようなテクスチャー形成板を用いることにより、太陽電池を形成した場合、透明電極、薄膜シリコン層、金属拡散防止層などへの異常突起の貫通を防止でき、その結果、透明電極と裏面電極の短絡を回避することが可能となる。
【００３７】
請求項３に記載の発明は、前記テクスチャー形成板のテクスチャー上に透明電極を積層したことを特徴とする透明電極付き基板である。
【００３８】
透明電極を積層することにより、テクスチャー形成板を太陽電池の構成部品として用いることができる。
【００３９】
請求項４に記載の発明は、前記透明電極が酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）からなることを特徴とする請求項３に記載の透明電極付き基板である。
【００４０】
透明電極の材料として酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）を用いることにより、透明絶縁性基材として、耐熱性が低いプラスチックフィルム、化学強化ガラスおよび物理強化ガラスを用いることができる。
【００４１】
請求項５に記載の発明は、請求項３または請求項４のいずれかに記載の透明電極付き基板の透明電極上に、薄膜シリコン層、裏面電極を順次形成したことを特徴とする太陽電池である。
【００４２】
請求項３または請求項４のいずれかに記載の透明電極付き基板の透明電極上に薄膜シリコン層、裏面電極をこの順に形成することにより、光−電気変換効率および生産性が高い太陽電池を得る事ができる。
【００４３】
請求項６に記載の発明は、前記薄膜シリコン層と前記裏面電極の間に、酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）からなる金属拡散防止層を設けたことを特徴とする請求項５に記載の太陽電池である。
【００４４】
薄膜シリコン層と前記裏面電極の間に金属拡散防止層を設けることにより、光−電気変換効率が安定した太陽電池を得る事ができる。
【００４５】
また、金属拡散防止層の材料として酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）を用いることにより、透明絶縁性基材として、耐熱性が低いプラスチックフィルム、化学強化ガラスおよび物理強化ガラスを用いることができる。
【００４６】
請求項７に記載の発明は、請求項５または請求項６に記載の太陽電池の裏面電極上に保護シートを積層したことを特徴とする太陽電池モジュールである。
【００４７】
保護シートを太陽電池の裏面電極上に設けることにより、太陽電池の劣化を抑制することができる。
【００４８】
請求項８に記載の発明は、前記保護シートが、耐候性基材と粘着層を積層して成ることを特徴とする請求項７に記載の太陽電池モジュールである。
【００４９】
保護シートを、耐候性基材と粘着層が積層された構成とすることにより、耐候性基材を太陽電池に圧着することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
以下、本発明の図１、図２、図３、図４、および、図５を基に、本発明のテクスチャー形成板、並びに、それを用いた透明電極付き基板、太陽電池および太陽電池モジュールの製造方法を説明する。
【００５１】
（凹凸パターン転写用スタンパの作製）
まず、スタンパ用基板１００上に、フォトレジスト２００を塗布する。（図１（ａ）参照）
【００５２】
スタンパ用基板１００の材料は、寸法安定性および低熱膨張性を有していれば、不透明もしくは透明のいずれであっても良く、例えば、アルミニウム、ガラス、水晶、銅、真鍮、鋼、マグネシウム、カドミウム、銀、金、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、および、ポリカーボネート、若しくは、上記材料からなる複合材料を用いることができ、光学用部品製造工程中に化学的不活性、かつ、安価という観点から、ガラスが好ましい。
【００５３】
フォトレジスト２００として使用することができる材料は、電離放射線で露光することにより架橋もしくは高分子量のポリマーを形成し、かつ、溶媒への溶解性が減少する組成物であれば特に限定されないが、解像度の観点から、ナフトキノンジアジド−ノボラツク系ポジ型レジストが好ましい。
【００５４】
ナフトキノンジアジド−ノボラツク系ポジ型レジスト（フォトレジスト２００）とガラス板（スタンパ用基板１００）との密着性を向上させるため、ガラス板（スタンパ用基板１００）表面にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）によりベーパー処理を施しても良い。
【００５５】
スタンパ用基板１００上へのフォトレジスト２００の塗布方法としては、ロールコート法、カーテンフローコート法、スクリーン印刷法、スプレーコーター法、スピンコート法などを用いることができるが、ｎｍレベルのフォトレジスト２００薄膜の膜厚を均一にできるという観点から、スピンコート法が好ましい。
【００５６】
次に、活性線および光学系マスクを用いて、回折限界にてフォトレジスト２００を露光することにより、ポジ型のフォトレジスト２００を可溶化処理する。（図１（ｂ）参照）
【００５７】
活性線の光源としては、ＨｅＣｄレーザー、エキシマレーザー、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キセノンランプ、Ｘ線、電子線等を用いることができるが、フォトレジスト２００としてナフトキノンジアジド−ノボラツク系ポジ型レジストを用いた場合は、解像度の観点から、ＨｅＣｄレーザーが好ましい。
【００５８】
露光方法としては、光学系マスクをフォトレジスト２００上に密着させた後に活性線を照射する方法の他、縮小投影露光装置またはミラー式投影露光装置等を使用する方法を用いることができるが、解像度の観点から、光学系マスクをフォトレジスト２００上に密着させた後に活性線を照射する方法が好ましい。
【００５９】
次に、現像液を用いて、可溶化処理したフォトレジスト２００´を除去（現像）する。（図１（ｃ）参照）
【００６０】
現像液としては、ケイ酸ナトリウム系、燐酸ナトリウム系あるいはこれらの緩衝液や水酸化第４アルキルアンモニウム等のアルカリ溶液を用いることができ、中でも、現像カブリが起こり難いテトラメチルアンモニウム水溶液が好ましい。
【００６１】
除去（現像）方法としては、スプレー法や浸漬法を用いることができるが、連続生産性の観点からスプレー法が好ましい。
【００６２】
現像液には現像均一性を上げるため界面活性剤を添加しても良い。
添加する界面活性剤としては、現像阻害効果が少なく、現像液（アルカリ溶液）との相性の良いアニオン界面活性剤（例えば、Ｎ−アシルアミノ酸およびその塩、アルキルスルホカルボン酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸塩、Ｎ−アシルメチルタウリン塩、アルキル硫酸塩ポリオキシアルキルエーテル硫酸塩、アルキル硫酸塩ポリオキシエチレンアルキルエーテル燐酸塩、ロジン酸石鹸、ヒマシ油硫酸エステル塩、ラウリルアルコール硫酸エステル塩、アルキルフェノール型燐酸エステル、アルキル型燐酸エステル、アルキルアリルスルホン酸塩など）を用いることができる。
【００６３】
上記アニオン界面活性剤の中でも、現像液との相溶性や安定性などの観点から分子量が比較的大きく浸透性が高い、アルキルスルホカルボン酸塩が好ましい。
【００６４】
次に、フォトレジスト２００´´上に導電化層３００を形成する。（図１（ｄ）参照）
【００６５】
導電化層３００の材料としては、ニッケルや銀を用いることができるが、コストの観点から、ニッケルが好ましい。
【００６６】
形成方法としては、無電解めっき法およびスパッタ法を用いることができるが、フォトレジスト２００´´と導電化層３００の密着性の観点から、スパッタ法が好ましい。
【００６７】
次に、導電化層３００を電極にして、電鋳法を用いて、導電化層３００上に金属層４００を形成する。（図１（ｅ）参照）
【００６８】
金属層４００の材料としては、ニッケルや銅を用いることができるが、光学用部品製造工程中の寸法安定性という観点から、ニッケルが好ましい。
【００６９】
次に、スタンパ用基板１００およびフォトレジスト２００´´を剥離することにより、凹凸パターン転写用スタンパ５００を得る。（図１（ｆ）参照）
【００７０】
（テクスチャー形成板の作製）
まず、透明絶縁性基材１の一方の面に透明絶縁性樹脂２（テクスチャー前駆体）を積層する。（図２（ａ）参照）
【００７１】
透明絶縁性基材１の材料としては、透明絶縁性を有するプラスチックフィルム、ガラス基体などが挙げられるが、特に限定されない。
【００７２】
透明絶縁性基材１として透明絶縁性を有するプラスチックフィルムを用いる場合、例えば、ポリカーボネートフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリサルホンフィルム、ポリアクリロニトリルフィルム、アクリル樹脂フィルム、セルロースアセテートフィルム、ガラス繊維強化ポリエステルフィルム、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネートフィルム、および、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムやポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム等のポリエステル系フィルムや、ビニルアルコール／エチレン共重合体（ＥＶＯＨ）フィルム、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）フィルム等のポリビニル系フィルムを用いることができるが、中でも、太陽電池に耐候性を付与できるという観点から耐候性ポリエチレンテレフタレートフィルムを用いることが好ましく、更に、これらの材料に無機酸化物などを積層することにより、水蒸気バリア性を付与することがより好ましい。
【００７３】
透明絶縁性基材１としてガラス基体を用いる場合、例えば、ソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、ボレートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス、その他、所望のガラスに風冷または液冷処理などをして成る物理強化ガラス、若しくは、所望のガラスにイオン交換処理などをして成る化学強化ガラス、または結晶化ガラス等を用いることができるが、氷などの外来飛来物から太陽電池を保護する能力に優れているという観点から、化学強化ガラスが好ましい。
【００７４】
化学強化ガラスとしては、ＳｉＯ２（６５〜７０％）、Ａｌ２Ｏ３（１０〜１５％）、Ｌｉ２Ｏ（５〜１０％）、Ｎａ２Ｏ（５〜１０％）、ＺｒＯ２（１０〜１５％）の組成（重量％）のガラス板を、Ｎａ＋および／またはＫ＋を含有する処理浴でイオン交換処理した物を用いることができる。
【００７５】
透明絶縁性樹脂２の材料としては、耐熱性を有する電離放射線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂またはキャスト樹脂を用いることができるが、テクスチャー形成に際して透明絶縁性基材１に熱負荷を掛けなくて済むという観点から、電離放射線硬化型樹脂が好ましい。
【００７６】
電離放射線硬化型樹脂としては、耐熱性を有し、かつ、電離放射線照射により硬化する樹脂であれば特に制限はないが、例えば、γ線硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂を用いることができ、硬化による体積収縮が極めて少ないという観点から、紫外線硬化型樹脂が好ましい。
【００７７】
紫外線硬化型樹脂としては、ポリイミド樹脂（ガラス転移点（Ｔｇ）；約２６０℃）やアラミド樹脂（ガラス転移点（Ｔｇ）；約３５５℃）のプレポリマーに、粘度あるいは架橋密度を調整するための多官能または単官能のモノマー、光反応開始剤および増感剤を添加した樹脂を用いることができる。
【００７８】
粘度を調整するためのモノマーとしては、ポリエステル、ラウリルメタクリレート等の多官能性（メタ）アクリレート化合物や、２−エチルヘキシルアクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート等のヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等の単官能性（メタ）アクリレート化合物や、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリメタクリレート等のヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコールジアクリレート等の二官能性（メタ）アクリレート化合物や、ペンタエリストールトリ（メタ）アクリレート等の三官能性（メタ）アクリレート化合物を用いることができるが、中でも、光閉込層に十分な硬度を付与できるという観点から、多官能性（メタ）アクリレート化合物が好ましい。
【００７９】
粘度を調整するためのモノマーの配合量は、紫外線硬化型樹脂の総重量に対して、１〜１０重量％の範囲から選択することができるが、４〜７重量％が好ましい。
【００８０】
架橋密度を調整するためのモノマーとしては、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、紫外線により架橋密度を向上させることが可能なモノマーであれば特に限定されず、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジグリシジルエーテル（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ソルビトールテトラグリシジルエーテルテトラ（メタ）アクリレートなどを用いることができる。
【００８１】
架橋密度を調整するためのモノマーの配合量は、紫外線硬化型樹脂の総重量に対して、１〜１０重量％の範囲から選択することができるが、４〜７重量％が好ましい。
【００８２】
光反応開始剤としては、紫外線のエネルギーによりフリーラジカルを発生する化合物であって、エポキシ変性アクリレート系、ポリウレタン系、ポリエステル系樹脂のプレポリマーと相溶性があり、溶剤に可溶な樹脂であれば特に限定されるものでなく、例えば、ベンゾイン、ベンゾフェノン、または、それらのエステル等のカルボニル化合物、および、ジフェニルジサルファイド等のイオウ化合物、或いは、アセトフェノン誘導体、アントラキノン誘導体などを用いることができる。
【００８３】
光反応開始剤の配合量は、紫外線硬化型樹脂の総重量に対して、１〜９重量％の範囲から選択することができるが、３〜５重量％が好ましい。
【００８４】
増感剤としては、４−ジメチルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸エステル、アルコキシアセトフェノン、ベンジルジメチルケタール、ベンゾフェノンおよびベンゾフェノン誘導体、ベンゾイル安息香酸アルキル、ビス（４−ジアルキルアミノフェニル）ケトン、ベンジルおよびベンジル誘導体、ベンゾインおよびベンゾイン誘導体、ベンゾインアルキルエーテル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、チオキサントンおよびチオキサントン誘導体、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェノイルフォスフィンオキシド等を用いることができる。
【００８５】
増感剤の配合量は、紫外線硬化型樹脂の総重量に対して、０．２〜２．４重量％の範囲から選択することができるが、１．０〜１．７重量％が好ましい。
【００８６】
熱硬化型樹脂としては、ポリイミド樹脂（ガラス転移点（Ｔｇ）；約２６０℃）やアラミド樹脂（ガラス転移点（Ｔｇ）；約３５５℃）を主成分として、架橋剤、重合開始剤等の硬化剤、または、重合促進剤を添加した樹脂を用いることができるが、硬化温度が低いという観点から、ポリイミド樹脂を主成分とした樹脂が好ましい。
【００８７】
キャスト樹脂としては、１つ以上の脂肪族イソシアネートプレポリマーと、１つ以上のポリエーテルポリオールとを含む反応性混合樹脂を主成分として、（透明絶縁性基材１と透明絶縁性樹脂２との接着を促進するための）接着促進剤、硬化反応促進用触媒を添加した樹脂を用いることができる。
【００８８】
接着促進剤としては、シラン、アミノシラン等を用いることができるが、接着反応速度が速いという観点から、アミノシランが好ましい。
【００８９】
硬化反応促進用触媒としては、ジブチル錫ジラウレートを用いる事ができる。
【００９０】
透明絶縁性樹脂２の積層方法としては、透明絶縁性樹脂２を溶剤に溶解した溶解液を、透明絶縁性基材１上へ塗布する方法を用いることができる。
【００９１】
例えば、透明絶縁性樹脂２の材料として紫外線硬化型樹脂（電離放射線硬化型ポリイミド樹脂）を用いた場合）溶剤を用いて紫外線硬化型ポリイミド樹脂を希釈したペーストを生成し、該ペーストをドクターブレード法、ロッドコート法、リバースロールコート法、スプレーコート法、オフセットグラビアコート法、キスコート法、ダイコート法、スピンコート法、スクリーン印刷法、バーコート法、グラビアコート法、ディップコート法などによって透明絶縁性基材１上に塗工し、その後、乾燥する方法を用いることがきるが、該ペースト（高価）使用量歩留の観点から、ディップコート法が好ましい。
【００９２】
溶剤としては、沸点が適当である有機溶剤であれば特に限定されず、例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等を用いることができるが、例えば、紫外線硬化型ポリイミド樹脂を溶解する場合は、溶解性の観点から、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）が好ましい。
【００９３】
次に、大気圧よりも低い圧力下において、透明絶縁性樹脂２（テクスチャー前駆体）に凹凸パターン転写用スタンパ５００を押圧し、凹凸パターン２´を形成する。（図２（ｂ）参照）
【００９４】
押圧するための圧力は、１×１０−３〜１×１０−１Ｐａの範囲から選択することができるが、５×１０−３〜５×１０−２Ｐａが好ましい。
【００９５】
圧力が、５×１０−２Ｐａを超えると、特に、１×１０−１を超えると、凹凸パターンと凹凸パターン転写用スタンパの圧接境界面の脱気が不十分となり、また、圧力が、５×１０−３Ｐａ未満であると、特に、１×１０−３未満であると、脱気効果に対して脱気時間が掛かり過ぎ、生産性が悪くなってしまう。
【００９６】
次に、凹凸パターン転写用スタンパ５００を除去する。（図２（ｃ）参照）
【００９７】
（透明電極付き基板の作製）
次に、凹凸パターン２´上に、透明電極３を形成する。（図２（ｄ）参照）
【００９８】
透明電極３の材料としては、良導体であって、かつ、太陽や白色蛍光灯等からの光を太陽電池ユニット内に効率よく吸収させるために光の透過率が７０％以上である透明性を有する物であれば特に制限は無く、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）（酸化インジウムスズ）、ＣｄＯ、ＺｎＯｘ（０．８≦ｘ＜１）、酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）、ＳｎＯ２およびＣｄ２ＳｎＯ４等の金属酸化物や、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属を極めて薄く半透明状に成膜した金属薄膜等を用いることができるが、低温成膜が可能であり透明絶縁性基材１への熱負荷を低減できるという観点から、酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）が好ましい。
【００９９】
透明電極３の材料として酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）を用いた場合、透明電極の厚さは、１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲から選択することができるが、２０〜２００ｎｍが好ましい。
【０１００】
２００ｎｍを超えると、特に、３００ｎｍを超えると、透明電極にクラック等が入りやすくなり、また、２０ｎｍ未満であると、特に、１０ｎｍ未満であると、透明電極が連続皮膜と成らず（島状となり）、良好な導電性（表面抵抗が１０３Ω／□以下）を示さないことが懸念される。
【０１０１】
透明電極３の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、および、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＤＣ（直流）スパッタ法などを用いることができるが、低温成膜を目的として、透明電極３の材料として酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）を用いる場合は、酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）焼成ターゲットおよびＡｒスパッタガスを用いる低温におけるＤＣ（直流）スパッタ法が好ましい。
【０１０２】
（太陽電池の作製）
次に、透明電極３上に、ｐ型ａ−Ｓｉ層４、ｉ型ａ−Ｓｉ層５、ｎ型ａ−Ｓｉ層６を順次積層して成る薄膜シリコン層を形成する。（図３（ａ）（ｂ）（ｃ）参照）
【０１０３】
ｐ型ａ−Ｓｉ層４の形成方法としては、ＳｉＨ４とＣＨ４とＢ２Ｈ６から成る混合ガスを原料ガスとして用いたＣＶＤ法を用いる事ができる。
【０１０４】
ｐ型ａ−Ｓｉ層４におけるホウ素のドープ量は、１０１８〜１０２２原子／ｃｍ３の範囲から選択することができるが、１０１９〜１０２１原子／ｃｍ３が好ましい。
【０１０５】
ホウ素のドープ量が１０２１原子／ｃｍ３を超えると、特に１０２２原子／ｃｍ３を超えると電気伝導度が低下してしまい、ホウ素のドープ量が１０１９原子／ｃｍ３未満であると、特に１０１８原子／ｃｍ３未満であると波長５００ｎｍ以下の光線の吸収係数が低くなってしまう。
【０１０６】
ｐ型ａ−Ｓｉ層４の厚さは、０．０２〜０．０６μｍの範囲から選択することができるが、０．０３〜０．０５μｍが好ましい。
【０１０７】
ｐ型ａ−Ｓｉ層４の厚さが、０．０５μｍを超えると、特に、０．０６μｍを超えると、ｐ型ａ−Ｓｉ層４における電気抵抗が高くなるためにエネルギー変換効率が低下してしまう。
【０１０８】
また、ｐ型ａ−Ｓｉ層４の厚さが、０．０３μｍ未満であると、特に、０．０２μｍ未満であると、透明電極３´表面の凹凸によってｐ型ａ−Ｓｉ層４に機械的および電気的な欠陥が発生し、開放端電圧の低下や短絡による歩留まりの低下が懸念される。
【０１０９】
ｉ型ａ−Ｓｉ層５の形成方法としては、ＳｉＨ４とＣＨ４とＢ２Ｈ６から成る混合ガスを原料ガスとしたＣＶＤ法を用いる事ができる。
【０１１０】
ｉ型ａ−Ｓｉ層５の厚さは、０．２〜０．６μｍの範囲から選択することができるが、０．３〜０．５μｍが好ましい。
【０１１１】
ｉ型ａ−Ｓｉ層５の厚さが、０．５μｍを超えると、特に、０．６μｍを超えると、ｉ型ａ−Ｓｉ層５が光劣化し易くなる。
【０１１２】
また、ｉ型ａ−Ｓｉ層５の厚さが、０．３μｍ未満であると、特に、０．２μｍ未満であると、光−電気変換効率が低下してしまう。
【０１１３】
ｎ型ａ−Ｓｉ層６の形成方法としては、ＳｉＨ４とＨ２およびＰＨ３から成る混合ガスを原料ガスとしたＣＶＤ法を用いる事ができる。
【０１１４】
ｎ型ａ−Ｓｉ層６の厚さは、０．０１〜０．０５μｍの範囲から選択することができるが、０．３〜０．５μｍが好ましい。
【０１１５】
ｎ型ａ−Ｓｉ層６の厚さが、０．０４μｍを超えると、特に、０．０５μｍを超えると、ｎ型ａ−Ｓｉ層６における電気抵抗が高くなるためにエネルギー変換効率が低下してしまう。
【０１１６】
また、ｎ型ａ−Ｓｉ層６の厚さが、０．０２μｍ未満であると、特に、０．０１μｍ未満であると、ｉ型ａ−Ｓｉ層５表面の凹凸によってｎ型ａ−Ｓｉ層６に機械的および電気的な欠陥が発生し、開放端電圧の低下や短絡による歩留まりの低下が懸念される。
【０１１７】
ｎ型ａ−Ｓｉ層６における燐のドープ量は、１０１４〜１０１８原子／ｃｍ３の範囲から選択することができるが、１０１５〜１０１７原子／ｃｍ３が好ましい。
【０１１８】
燐のドープ量が１０１７原子／ｃｍ３を超えると、特に、１０１８原子／ｃｍ３を超えると、ｎ型ａ−Ｓｉ層６の欠陥が増えるために正孔のμτ（電子の移動度（μ）と寿命（τ）との積）が小さくなり、絶対感度が著しく低下してしまう。
【０１１９】
また、燐のドープ量が１０１５原子／ｃｍ３未満であると、特に１０１４原子／ｃｍ３未満であると波長６００ｎｍ以上の光線の吸収係数が低くなってしまう。
【０１２０】
次に、ｎ型ａ−Ｓｉ層６上に、金属拡散防止層７を形成する。（図４（ａ）参照）
【０１２１】
金属拡散防止層７の材料としては、低温成膜が可能であり透明絶縁性基材１への熱負荷を低減できるという観点から、酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）が好ましい。
【０１２２】
金属拡散防止層７の厚さは、１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲から選択することができるが、２０〜２００ｎｍが好ましい。
【０１２３】
２００ｎｍを超えると、特に、３００ｎｍを超えると、金属拡散防止層７にクラック等が入りやすくなり、また、２０ｎｍ未満であると、特に、１０ｎｍ未満であると、金属拡散防止層７が連続皮膜と成らず（島状となり）、良好な導電性（表面抵抗が１０３Ω／□以下）を示さないことが懸念される。
【０１２４】
金属拡散防止層７の形成方法としては、低温成膜を目的として、酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）焼成ターゲットおよびＡｒスパッタガスを用いる室温におけるＤＣ（直流）スパッタ法が好ましい。
【０１２５】
次に、金属拡散防止層７上に、裏面電極８を形成することにより、太陽電池を得る。（図４（ｂ）参照）
【０１２６】
裏面電極８の材料としては、光反射率が高い良導体であれば特に限定されず、例えば、銀、銅、アルミニウムを用いることができるが、薄膜シリコン層を透過した長波長（波長７００ｎｍ以上）の光の反射率が高いという観点から、銀が好ましい。
【０１２７】
裏面電極８の積層方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法を用いることができるが、表面鏡面性（平滑性）に優れた裏面電極７が形成できるという観点から、スパッタ法が好ましい。
【０１２８】
裏面電極８の厚さは、２２０ｎｍ〜３３０ｎｍの範囲から選択することができるが、２４０〜３１０ｎｍが好ましい。
【０１２９】
（太陽電池モジュールの作製）
まず、保護材９上に粘着層１０を積層する。（図５（ａ）参照）
【０１３０】
保護材９の材料としては、耐加水分解性、耐熱性、水蒸気その他のガスバリヤー性、物理的強度（耐擦傷性、突き刺し強度など）を有する材料であれば特に限定されず、例えば、エチレンビニルアルコール共重合樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリロニトリル、および、プラスチックフィルム上にアルミニウム箔やアルミニウム蒸着膜を積層した材料、或いは、プラスチックフィルム上に塩化ビニリデンやエチレンビニルアルコール共重合樹脂を積層した材料、または、プラスチックフィルム上に酸化珪素や酸化アルミニウム等の無機酸化物を積層した材料や、アルミニウム、銅、鉄などの金属箔や、ガラス繊維強化ポリエステルフィルム、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネートフィルムを用いることができるが、中でも、耐候性ポリエチレンテレフタレートに無機酸化物などを積層した材料が好ましい。
【０１３１】
粘着層１０の材料としては、保護材８を太陽電池に固定できる材料であれば特に限定されず、例えば、ポリアクリル酸エステル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニル系粘着剤などを用いることができるが、カールが発生し難く、かつ、断裁加工したときに抜刃への粘着剤付着が起こり難いという観点からポリアクリル酸エステル系粘着剤が好ましい。
【０１３２】
ポリアクリル酸エステル系粘着剤を用いる場合、アクリル酸エステルモノマーは、粘着剤組成物中に固形分として３０〜８０重量％好ましくは４０〜７０重量％含まれることが好ましい。
【０１３３】
６０重量％未満では、特に、５０重量％未満では保護材８との接着力が充分でなく、７０重量％を越えると、特に、８０重量％を超えると粘着剤としての凝集力が不足する。
【０１３４】
また、上記粘着剤に適当な粘着性付与剤、例えば、クマロンインデン系樹脂、ロジン、ダンマル、重合ロジン、部分水添ロジン、エステルロジン、ポリテルペン系樹脂、テルペン変性体、石油系樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、フェノール系樹脂、スチレン系樹脂、キシレン系樹脂などを添加しても良く、更に必要に応じて老化防止剤、軟化剤なども添加することができる。
【０１３５】
溶剤としては、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、セロソルブ、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸プロピル等を用いることができるが、中でも、溶解性と揮発除去性の良好な酢酸エチルが好ましい。
【０１３６】
積層方法としては、グラビアコート法、バーコート法、リバースコート法、ロールコート法などを用いることができ、粘着剤の種類、塗布量、粘度などを考慮した上で適宜選定することができる。
【０１３７】
最後に、粘着層１０と裏面電極８を圧着することにより、太陽電池モジュールを得る。（図５（ｃ）参照）
【実施例】
【０１３８】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
【０１３９】
また、下記実施例にて作製された太陽電池の評価は、ＪＩＳ  Ｃ８９３４に基づき、模擬太陽光（スペクトル：ＡＭ１．５、照射強度：１００ｍＷ／ｃｍ２）を用いて、照射温度：２５℃の条件下で実施した。
【０１４０】
（凹凸パターン転写用スタンパの作製）
まず、ガラス板（コーニング社製、１７３７（商品名））表面を島田理化社製の自動洗浄装置で洗浄し、その後、このガラス板をベーパーオーブン内にて、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）（東京応化工業社製、ＯＡＰ（商品名））蒸気を用いて、９０℃下において２分間ベーパー処理を行った。
【０１４１】
次に、フォトレジスト（ポジ型フォトレジスト）（東京応化工業社製、ＯＦＰＲ−８００（商品名））を、湯浅社製のスピンコーターを用いて、前記ガラス板のベーパー処理面上に、４０００ｒｐｍ３０秒間のスピンコート条件にて、膜厚が３±１μｍの範囲になるように塗布し、その後、ＤＡＩＴＯＲＯＮ社製のクリーンオーブン内で９０℃下において５０分間プリベークした。
【０１４２】
次に、レーザー干渉露光装置を用いて、光閉込層を形成する為のパターンを有する光学系マスク（ＮＡ（開口数）０．９０）を介して、前記プリベークしたフォトレジストに、三方向より入射角度４０度にて波長４４２ｎｍのＨｅＣｄレーザーを照射することにより、フォトレジストを露光した。
【０１４３】
次に、０．３％のテトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、２５℃下において６０秒間現像処理を行い、その後、超純水でリンス処理を２５秒間行い、その後、乾燥した。
【０１４４】
次に、ＤＣ平行平板型マグネトロンスパッタリング装置（Ｖａ−ｒｉａｎ社製、ＸＭ−８（商品名））内において、スパッタリングターゲットとしてＮｉターゲット、スパッタガスとして圧力０．３ＰａのＡｒガスを用いて、初期真空度５×１０−３Ｐａにて、ＲＦパワー３００Ｗの条件で、Ｎｉをスパッタすることにより、フォトレジスト上に厚さが６００ÅのＮｉ導電化層を形成した。
【０１４５】
次に、以下の様なＮｉ鍍金液を生成した。
スルファルミ酸ニッケル・４水塩・・・５００ｇ／Ｌ
硼酸・・・・・・・・・・・・・・・・３７ｇ／Ｌ
ｐＨ・・・・・・・・・・・・・・・・３．８
【０１４６】
次に、４０℃に保温した上記Ｎｉ鍍金液に、前記Ｎｉ導電化層を浸漬し、通電電流時間積分値３００ＡＨの条件にて鍍金を行うことにより、前記Ｎｉ導電化層上に厚さ３００μｍのニッケル鍍金膜を形成した。
【０１４７】
最後に、ガラス板（スタンパ用基板）およびフォトレジストを剥離することにより、凹凸パターン転写用スタンパを得た。
【０１４８】
（テクスチャー形成板の作製）
まず、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）を用いて紫外線硬化型アクリル（日本化薬社製（商品名；カヤノバＦＯＰ１７００））モノマーを固形分４５質量％に希釈したペーストを、グラビアコート法を用いて、厚さ３ｍｍの化学強化ガラス（ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）上に膜厚３±１μｍになるように塗布し、その後、６０℃にて予備乾燥した。
【０１４９】
次に、１．０×１０−２Ｐａ下において、塗布面に、１ＭＰａの圧力をかけて１分間前記凹凸パターン転写用スタンパを圧接した後に凹凸パターン転写用スタンパを剥離することにより、高低差２００〜４００ｎｍ、凸部と凸部の間隔３００〜９００ｎｍ、中心線平均粗さ（Ｒａ）０．５〜１．５μｍの規則性正しい凹凸形状を有するテクスチャーを形成した。
【０１５０】
次に、スパッタ装置（徳田製作所株式会社製（商品名；「ＴＯＫＵＤＡ  ＣＦＳ−１０  ＥＰ−７０」、直径５インチの酸化インジウム亜鉛（２ＺｎＯ・Ｉｎ２Ｏ３）焼成ターゲット、および、スパッタガスとしてＡｒガス（流量４０ｓｃｃｍ）（圧力０．３１Ｐａ）を用いて、２５℃下のもと、スパツタパワー４Ｗ／ｃｍ２の条件で、テクスチャー上に厚さ１５０ｎｍの透明電極を形成することにより、透明電極付き基板を得た。
【０１５１】
（太陽電池の作製）
次に、ヒーターに（透明電極付き基板の）透明絶縁性基材面が接触する様に、透明電極付き基板をプラズマＣＶＤ装置に装着し、その後、真空ポンプを用いて成膜室内の圧力が４×１０−７Ｔｏｒｒになるまで真空排気し、その後、ヒーターを用いて透明電極付き基板を１９０±１℃に加熱した。
【０１５２】
次に、成膜室内へ、原料ガスとして、シラン（ＳｉＨ４）（１．２ｓｃｃｍ）、テトラメチルシラン（（ＣＨ３）４Ｓｉ）（２ｓｃｃｍ）、水素（Ｈ２）（６００ｓｃｃｍ）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）（０．０２ｓｃｃｍ）を導入した。
【０１５３】
原料ガス導入後、圧力制御装置を用いて、成膜室内の圧力を１．０±０．１Ｔｏｒｒに制御した。
【０１５４】
次に、高周波電源からインピーダンス整合器を介して、放電電極に１００ＭＨｚ高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、透明電極上に、厚さ５ｎｍのｐ型ａ−Ｓｉ層を成膜した。
【０１５５】
次に、ｐ型ａ−Ｓｉ層が形成された透明電極付き基板の温度を１１０±１℃、成膜室内の圧力を５×１０−８Ｔｏｒｒとし、その後、原料ガスとして、シラン（ＳｉＨ４）（１００ｓｃｃｍ）を成膜室内に導入した。
【０１５６】
原料ガス導入後、圧力制御装置を用いて、成膜室内の圧力を７５±１ｍＴｏｒｒに制御した。
【０１５７】
次に、高周波電源からインピーダンス整合器を介して、放電電極に１００ＭＨｚ高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、ｐ型ａ−Ｓｉ層上に、厚さ３００ｎｍのｉ型ａ−Ｓｉ層を成膜した。
【０１５８】
次に、ｉ型ａ−Ｓｉ層が形成された透明電極付き基板の温度を１８０±１℃、成膜室内の圧力を６．８×１０−９Ｔｏｒｒとし、その後、原料ガスとして、シラン（ＳｉＨ４）（１００ｓｃｃｍ）、水素（Ｈ２）（１６００ｓｃｃｍ）、ＰＨ３（６７ｓｃｃｍ）を成膜室内に導入した。
【０１５９】
原料ガス導入後、圧力制御装置を用いて、成膜室内の圧力を７５±１ｍＴｏｒｒに制御した。
【０１６０】
次に、高周波電源からインピーダンス整合器を介して、放電電極に１００ＭＨｚ高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、ｉ型ａ−Ｓｉ層上に、厚さ５０±１ｎｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を成膜した。
【０１６１】
最後に、ｎ型ａ−Ｓｉ層を成膜した基板とＡｇターゲットをマグネトロンスパッタ装置に装着し、成膜チャンバー内の温度を２５℃、圧力を２ｍＴｏｒｒとし、放電パワー２００Ｗの条件でＲＦ放電してＡｇターゲットをスパッタし、ｎ型ａ−Ｓｉ層上に厚さ２８０ｎｍの背面電極を形成することにより、太陽電池を得た。
【０１６２】
（太陽電池モジュールの作製）
まず、厚さ２５μｍの耐候性ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製（銘柄；ＨＧ）を真空蒸着槽内に装着した後、真空蒸着槽内を５×１０−５Ｔｏｒｒになるまで排気し、蒸発源として一酸化珪素を用いた電子ビーム蒸着法を用いて、前記耐候性ＰＥＴフィルム上に厚さ２００±１０ÅのＳｉＯｘ（ｘ＝１．６〜１．７）を蒸着することにより透明絶縁性基材を得た。
【０１６３】
次に、ポリアクリル酸エステル系粘着剤（日本カーバイド社製（商品名；ニッセツＫＰ１４０５／硬化剤ＣＫ１０２＝１００／２））を、リバースコート法を用いて、乾燥後の塗布量が３０ｇ／ｍ２になるように、蒸着面に塗工した後、１２０℃で１分間乾燥して粘着層を形成した。
【０１６４】
最後に、粘着層を裏面電極に圧着することにより、太陽電池モジュールを得た。
【０１６５】
太陽電池モジュールの特性評価を行ったところ、開放電圧は０．９５Ｖ、短絡電流は１３．３ｍＡ／ｃｍ２、形状因子は０．７５、変換効率は９．５％であり、良好な性能である事が確認できた。
【産業上の利用可能性】
【０１６６】
本発明の、テクスチャー形成板およびその製造方法、並びに、それを用いた透明電極付き基板、太陽電池および太陽電池モジュールは、カメラ、携帯電話、ノートパソコン、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ナビゲーションシステム、ポータブル音楽再生プレーヤーなどの携帯型小型電気機器、および、電気自動車、自動販売機、宇宙船、灯台などの電源に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１６７】
【図１】本発明のテクスチャー形成板の作製に用いる凹凸パターン転写用スタンパの製造方法を説明するための図である。
【図２】本発明のテクスチャー形成板および透明電極付き基板の製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明の太陽電池の製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の太陽電池の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の太陽電池モジュールの製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１６８】
１・・・・・・・透明絶縁性基材
２・・・・・・・透明絶縁性樹脂（テクスチャー前駆体）
２´・・・・・・凹凸パターン
３・・・・・・・透明電極
４・・・・・・・ｐ型ａ−Ｓｉ層
５・・・・・・・ｉ型ａ−Ｓｉ層
６・・・・・・・ｎ型ａ−Ｓｉ層
７・・・・・・・裏面電極
８・・・・・・・保護材
９・・・・・・・粘着層
１００・・・・・スタンパ用基板
２００・・・・・フォトレジスト
２００´・・・・可溶化処理したフォトレジスト
２００´´・・・フォトレジスト
３００・・・・・導電化層
４００・・・・・金属層
５００・・・・・凹凸パターン転写用スタンパ
【図１】
2008258517.tif 000003
【図２】
2008258517.tif 000004
【図３】
2008258517.tif 000005
【図４】
2008258517.tif 000006
【図５】
2008258517.tif 000007