(57)【要約】【課題】光信号を受信して電気信号へ変換する受光素子と、受光素子に流れる電流に応じて電圧信号を出力するＩＶ変換回路とを備えた受光回路を提供する。【解決手段】光信号の受信強度に応じた電流が流れる受光素子２と、受光素子２に流れる電流に応じた電圧を電圧信号として出力する第１ＩＶ変換回路３と、第１ＩＶ変換回路３に流れる電流が所定電流より大きいときに、増加電流に応じた電圧を出力する第２ＩＶ変換回路５と、第２ＩＶ変換回路５から信号出力があるときに、第１ＩＶ変換回路３の出力と第２ＩＶ変換回路５の出力とを論理和するＯＲ回路７１の出力を、第１ＩＶ変換回路３から第２ＩＶ変換回路５へ抑止回路７１によって切り替える切替回路７とを備えた。【選択図】図１
2008258722.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号の受信強度に応じた電流が流れる受光素子と、
前記受光素子に流れる電流に応じた電圧を電圧信号として出力する第１ＩＶ変換回路と、
前記第１ＩＶ変換回路に流れる電流が所定電流より大きいときに、増加電流に応じた電圧を出力する第２ＩＶ変換回路と、
前記第２ＩＶ変換回路から信号出力があるときに、第１ＩＶ変換回路から前記第２ＩＶ変換回路へ信号出力を切り替える切替回路と
を備えたことを特徴とする受光回路。
【請求項２】
前記第１ＩＶ変換回路は、
前記受光素子に流れる電流に応じて電圧信号を出力する第１ＩＶ変換抵抗を備え、
前記第２ＩＶ変換回路は、
前記第１ＩＶ変換抵抗の電圧信号が所定電圧より高くなることで、前記受光素子に前記増加電流を供給するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に流れる増加電流分に応じた電圧信号を出力する第２ＩＶ変換抵抗と
を備えたことを特徴とする請求項１記載の受光回路。
【請求項３】
前記第２ＩＶ変換回路は、
前記第１ＩＶ変換回路に流れる電流が所定電流より大きいときに、前記受光素子に電流を供給することで、前記第１ＩＶ変換回路に流れる電流を所定電流に固定し、前記受光素子に供給した電流を前記増加電流とすることを特徴とする請求項１記載の受光回路。
【請求項４】
前記第２ＩＶ変換回路は、
前記第１ＩＶ変換回路にベースが接続されることで、前記第１ＩＶ変換回路に流れる電流を監視する第１トランジスタと、
前記第１トランジスタと前記受光素子との間に接続された第１抵抗と、
前記第１トランジスタに電流を供給する第２トランジスタと、
前記第２トランジスタとカレントミラー対をなす第３トランジスタと、
前記第３トランジスタに接続されることで流れる電流を電圧出力する第２抵抗と
を備えたことを特徴とする請求項１記載の受光回路。
【請求項５】
前記第１ＩＶ変換回路は、
ベースが前記受光素子に接続され、コレクタが電源に電流源を介在させて接続され、エミッタが接地された第５トランジスタと、
ベースが前記第５トランジスタのコレクタと前記電流源との間に接続され、コレクタが前記電源に接続され、エミッタが前記第２ＩＶ変換回路に接続されると共に電流源を介在させて接地された第６トランジスタと、
前記第６トランジスタのエミッタに一端が接続され、前記受光素子に他端が接続された第３抵抗と
を備えたことを特徴とする請求項１記載の受光回路。
【請求項６】
前記第１ＩＶ変換回路の出力波形を調整する調整回路が設けられ、
前記切替回路は、
前記第１ＩＶ変換回路側からの出力と前記第２ＩＶ変換回路側からの出力との論理和をとって出力信号とするＯＲ回路と、
前記第２ＩＶ変換回路から出力があるときに、前記調整回路の動作を抑止することで、前記第１ＩＶ変換回路側からの出力と前記第２ＩＶ変換回路側からの出力とを切り替える抑止回路と
を備えたことを特徴とする請求項１から５のいずれかの項に記載の受光回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号を受信して電気信号へ変換する受光素子と、受光素子に流れる電流に応じて電圧信号を出力するＩＶ変換回路とを備えた受光回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
赤外線などを利用した光通信には、例えば、特許文献１に記載されている電流−電圧変換器のように、光信号に応じた電流を流す受光素子と、この受光素子に流れる電流に応じた電圧を出力する電流電圧変換回路とを備えた受光回路が使用されている。
【０００３】
受光素子は、光信号の光量の度合いに応じた電流を流すので、遠距離から受信した光信号より、近距離または接近した距離から受信した光信号の方が、より大きな電流が受光素子を流れる。
【特許文献１】特開平９−９８０３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図４に示すように、従来の受光回路から出力される電圧波形は、遠距離での受信波形Ｗ１（点線）、近距離での受信波形Ｗ２（実線）のようになる。これらの受信波形Ｗ１，Ｗ２からもわかるように、従来の受光回路から出力される電圧波形は、尾を引くような波形となり、入力する光信号の強度が高ければ高いほど、尾を引く時間が長くなると共に、電圧レベルも高くなる傾向にある。
【０００５】
一方、光通信は、高速化が進んでいる。例えばＩｒＤＡ（Infrared Data Association）規格では、ＳＩＲ（最大通信速度１１５．２Ｋｂｐｓ）や、ＭＩＲ（最大通信速度１．１５２Ｍｂｐｓ）以外にも、ＦＩＲ（最大通信速度が４Ｍｂｐｓ）、更にはＶＦＩＲ（最大通信速度１６Ｍｂｐｓ）が策定されており、大容量となる画像データや音声データを通信データとして送受信するためには、高速な規格を採用することが必須である。
【０００６】
しかし、通信速度が高速であればあるほど、光信号のパルスの間隔が短くなるので、上述したように、通信相手と接近して通信する場合には、尾を引く時間が長くなることで、次のパルスと重なり、誤動作の原因となってしまい高速化の阻害要因となってしまう。
【０００７】
携帯電話装置などにも光通信機能が搭載されているように、益々、携帯電話装置同士で画像データや音声データなどの大容量のデータが通信データとして送受信される機会が増えてくるものと思われる。従って、大容量のデータを短時間に通信するためには、通信距離に関わりなく高速に通信可能な受光回路が望まれている。
【０００８】
そこで本発明は、近距離や、接近した距離で通信する場合でも、高速で通信することが可能な受光回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の受光回路は、光信号の受信強度に応じた電流が流れる受光素子と、前記受光素子に流れる電流に応じた電圧を出力する第１ＩＶ変換回路と、前記第１ＩＶ変換回路に流れる電流が所定電流より大きいときに、増加電流に応じた電圧を出力する第２ＩＶ変換回路と、前記第２ＩＶ変換回路から信号出力があるときに、第１ＩＶ変換回路から前記第２ＩＶ変換回路へ信号出力を切り替える切替回路とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、第１ＩＶ変換回路に流れる電流が所定電流より大きいときに、切替回路によって出力を切り替えられた第２ＩＶ変換回路が過大に流れる増加電流に応じた電圧を出力するので、第２ＩＶ変換回路での電流から電圧に変換する度合いを、第１ＩＶ変換回路より抑えることができる。よって、近距離や、接近した距離で通信する場合でも、高速で通信することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本願の第１の発明は、光信号の受信強度に応じた電流が流れる受光素子と、受光素子に流れる電流に応じた電圧を電圧信号として出力する第１ＩＶ変換回路と、第１ＩＶ変換回路に流れる電流が所定電流より大きいときに、増加電流に応じた電圧を出力する第２ＩＶ変換回路と、第２ＩＶ変換回路から信号出力があるときに、第１ＩＶ変換回路から第２ＩＶ変換回路へ信号出力を切り替える切替回路とを備えたことを特徴としたものである。
【００１２】
本願の第１の発明においては、受光素子が光信号を受光すると、光信号の受信強度に応じた電流が流れる。第１ＩＶ変換回路は、この受光素子に流れる電流に応じた電圧を出力する。送信側との距離が遠い場合には、この第１ＩＶ変換回路によって変換された電圧信号が出力信号として出力される。送信側との距離が接近した場合には、受光素子に過大な電流が流れることで、第１ＩＶ変換回路にも、所定電流より相当大きい電流が流れようとする。第２ＩＶ変換回路は、第１ＩＶ変換回路に流れる電流が所定電流より大きいときに、過大に流れる増加電流に応じた電圧を出力するので、第２ＩＶ変換回路での電流から電圧に変換する度合いを、第１ＩＶ変換回路より抑えることができる。そして、切替回路が、第１ＩＶ変換回路から第２ＩＶ変換回路へ信号出力を切り替えることで、受光素子が有する寄生容量の影響が少ない信号を、出力信号として後段の回路へ出力することができる。
【００１３】
本願の第２の発明は、第１ＩＶ変換回路は、受光素子に流れる電流に応じて電圧信号を出力する第１ＩＶ変換抵抗を備え、第２ＩＶ変換回路は、第１ＩＶ変換抵抗の電圧信号が所定電圧より高くなることで、受光素子に増加電流を供給するスイッチング素子と、スイッチング素子に流れる増加電流分に応じた電圧信号を出力する第２ＩＶ変換抵抗を備えたことを特徴としたものである。
【００１４】
本願の第２の発明においては、受光素子に流れる電流は、第１ＩＶ変換抵抗を介して供給される。受光素子に流れる電流、すなわち第１ＩＶ変換抵抗に流れる電流が所定電流より大きくなるときは、第１ＩＶ変換抵抗の電圧が所定電圧より高くなる。第１ＩＶ変換抵抗の電圧信号が所定電圧より高くなることで、第２ＩＶ変換回路のスイッチング素子が、受光素子に増加電流を供給し始める。そして、第２ＩＶ変換抵抗が増加電流分を電圧に変換して電圧信号として出力する。このように、遠方と通信する際に受光素子に流れる電流と比較して、過大に電流が流れる近距離通信では、増加電流分を電圧に変換することで、第２ＩＶ変換抵抗を第１ＩＶ変換抵抗より抵抗値を低いものとすることができる。従って、受光素子の寄生容量の影響を受けにくい。
【００１５】
本願の第３の発明は、第２ＩＶ変換回路は、第１ＩＶ変換回路に流れる電流が所定電流より大きいときに、受光素子に電流を供給することで、第１ＩＶ変換回路に流れる電流を所定電流に固定し、受光素子に供給した電流を増加電流とすることを特徴としたものである。
【００１６】
本願の第３の発明においては、第２ＩＶ変換回路が、第１ＩＶ変換回路に流れる電流が所定電流より大きいときに、受光素子に電流を供給して、第１ＩＶ変換回路に流れる電流を所定電流に固定することで、受光素子に供給する電流を増加電流とするので、送信側と接近した距離で通信するときに受光素子に過大な電流が流れても、第２ＩＶ変換回路で増加電流分を電圧変換することができる。
【００１７】
本願の第４の発明は、第２ＩＶ変換回路は、第１ＩＶ変換回路にベースが接続されることで、第１ＩＶ変換回路に流れる電流を監視する第１トランジスタと、第１トランジスタと受光素子との間に接続された第３抵抗と、第１トランジスタに電流を供給する第２トランジスタと、第２トランジスタとカレントミラー対をなす第３トランジスタと、第３トランジスタに接続されることで流れる電流を電圧出力する第４抵抗とを備えたことを特徴としたものである。
【００１８】
本願の第４の発明においては、本発明の受光回路においては、第２ＩＶ変換回路を、上記構成とすることができる。また、受光素子に供給される電流は、第１抵抗を介して供給されることになるので、過大な増加電流が流れることで、第１抵抗の抵抗値を低いものとすることができる。従って、受光素子の寄生容量の影響を受けにくい。
【００１９】
本願の第５の発明は、第１ＩＶ変換回路は、ベースが受光素子に接続され、コレクタが電源に電流源を介在させて接続され、エミッタが接地された第５トランジスタと、ベースが第５トランジスタのコレクタと電流源との間に接続され、コレクタが電源に接続され、エミッタが第２ＩＶ変換回路に接続されると共に電流源を介在させて接地された第６トランジスタと、第６トランジスタのエミッタに一端が接続され、受光素子に他端が接続された第３抵抗とを備えたことを特徴としたものである。
【００２０】
本願の第５の発明においては、第１ＩＶ変換回路を、上記構成とすることができる。
【００２１】
本願の第６の発明は、第１ＩＶ変換回路の出力波形を調整する調整回路が設けられ、切替回路は、第１ＩＶ変換回路側からの出力と第２ＩＶ変換回路側からの出力との論理和をとって出力信号とするＯＲ回路と、第２ＩＶ変換回路から出力があるときに、調整回路の動作を抑止することで、第１ＩＶ変換回路側からの出力と第２ＩＶ変換回路側からの出力とを切り替える抑止回路とを備えたことを特徴としたものである。
【００２２】
本願の第６の発明においては、切替回路には、第２ＩＶ変換回路から出力があるときに、調整回路の動作を抑止することで、第１ＩＶ変換回路側からの出力と第２ＩＶ変換回路側からの出力を切り替える抑止回路が設けられているので、出力信号がＯＲ回路から出力される。
【００２３】
（実施の形態）
本発明の実施の形態に係る受光回路を、図１から図３に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る受光回路を示す図である。図２は、送信側が遠距離にあるときの受信波形を示す図であり、（Ａ）は受光素子に流れる電流波形を示す図、（Ｂ）は第１ＩＶ変換回路の出力電圧波形を示す図である。図３は、送信側が近距離または接近した距離にあるときの受信波形を示す図であり、（Ａ）は受光素子に流れる電流波形を示す図、（Ｂ）は第１ＩＶ変換回路の出力電圧波形を示す図、（Ｃ）は第２ＩＶ変換回路の出力電圧波形を示す図である。
【００２４】
図１に示すように、受光回路１は、光信号を受光する受光素子２と、第１ＩＶ変換回路３と、第１調整回路４と、第２ＩＶ変換回路５と、第２調整回路６と、切替回路７とを備えている。
【００２５】
受光素子２は、例えば、光信号の受信信号に応じた電流が流れるフォトダイオードである。
【００２６】
第１ＩＶ変換回路３は、トランジスタＱ１，Ｑ２と、抵抗Ｒ１とを備えている。
【００２７】
トランジスタＱ１（第５トランジスタ）は、ベースが受光素子２に接続され、コレクタが電源に電流源３１を介在させて接続され、エミッタが接地されたｎｐｎ型のトランジスタである。
【００２８】
トランジスタＱ２（第６トランジスタ）は、ベースがトランジスタＱ１のコレクタと電流源３１との間に接続され、コレクタが電源線に接続され、エミッタが第２ＩＶ変換回路５に接続されると共に電流源３２を介在させて接地されたｎｐｎ型のトランジスタである。
【００２９】
抵抗Ｒ１（第３抵抗）は、トランジスタＱ２のエミッタに一端が接続され、受光素子２に他端が接続された第１ＩＶ変換抵抗である。トランジスタＱ２のエミッタに接続された抵抗Ｒ１の一端が、第１ＩＶ変換回路３の出力端Ｏｕｔ１となる。抵抗Ｒ１としては数十ｋΩのものが使用できるが、本実施の形態では、約３０ｋΩを使用している。
【００３０】
第１調整回路４は、コンデンサ８を介在させて第１ＩＶ変換回路３の出力端に接続された増幅器４１と、増幅器４１からの出力を波形成形する第１比較器４２とを備えている。増幅器４１は、第１ＩＶ変換回路３の出力端からの信号を所定倍に増幅する演算増幅器である。本実施の形態では、増幅器４１として、増幅率が４０ｄＢのものを使用している。第１比較器４２は、比較される一方の入力端子に増幅器４１の出力が接続され、他方の入力端子に基準電圧Ｖrefを発生する直流電圧源が接続されている。
【００３１】
第２ＩＶ変換回路５は、トランジスタＱ３〜Ｑ５と、抵抗Ｒ２，Ｒ３とを備えている。トランジスタＱ３（第１トランジスタ）は、第１ＩＶ変換回路に流れる電流を監視するｎｐｎ型トランジスタであり、ベースが第１ＩＶ変換回路３のトランジスタＱ２のエミッタに接続され、エミッタが抵抗Ｒ２の一端に接続され、コレクタがトランジスタＱ４のコレクタとベースとに接続されている。
【００３２】
トランジスタＱ４（第２トランジスタ）は、トランジスタＱ３に電流を供給するｐｎｐ型トランジスタであり、エミッタが電源線に接続され、コレクタがトランジスタＱ３のコレクタに接続され、そのベースはトランジスタＱ５のベースに接続されている。
【００３３】
トランジスタＱ５（第３トランジスタ）は、トランジスタＱ４とカレントミラー対をなすｐｎｐ型トランジスタであり、エミッタが電源線と接続され、コレクタが抵抗Ｒ３の一端と接続されている。
【００３４】
抵抗Ｒ２（第１抵抗）は、トランジスタＱ３のエミッタに一端が接続され、受光素子２に他端が接続されている。抵抗Ｒ２としては、数百Ω程度のものが使用できるが、本実施の形態では、１００Ωとしている。
【００３５】
抵抗Ｒ３（第２抵抗）は、トランジスタＱ５に一端が接続され、他端が接地された第２ＩＶ変換抵抗である。トランジスタＱ５のコレクタに接続された抵抗Ｒ３の一端が、第２ＩＶ変換回路５の出力端Ｏｕｔ２となる。本実施の形態では、抵抗Ｒ３として、５ＫΩ〜１０ＫΩ程度のものが使用できる。
【００３６】
第２調整回路６は、第２比較器６１を備え、抵抗Ｒ３の一端に、一方の入力端子が接続され、基準電圧Ｖrefを発生する直流電圧源が他方の入力端子に接続されている。なお、本実施の形態では、第２調整回路６として第２比較器６１のみを備えているが、第２ＩＶ変換回路５と第２比較器６１との間に、電気的な条件を良好にするためにバッファを設けるようにしてもよい。
【００３７】
切替回路７は、ＯＲ回路７１と、抑止回路７２とを備えている。ＯＲ回路７１は、第１調整回路４からの出力が一方の入力端子に接続され、第２調整回路６からの出力が他方の入力端子に接続されている。抑止回路７２は、第２調整回路６からの出力があるときに、第１調整回路４の第１比較器４２の動作を抑止する。この抑止回路７２は、例えば、第２調整回路６からのパルスを積分する積分回路とすることができ、その積分回路の出力によって第１比較器４２へのバイアス電圧を遮断するように構成することで、第１比較器４２の動作を抑止することが可能である。
【００３８】
以上のように構成される本発明の実施の形態に係る受信回路の動作を図１に基づいて説明する。
【００３９】
まず、受光素子２が光信号を受信していないときは、受光素子２にはほとんど電流が流れない。従って、抵抗Ｒ１にほとんど電流が流れないため、第１ＩＶ変換回路３の出力端Ｏｕｔ１の出力電圧は、約０．７ＶとなるトランジスタＱ１のベース電圧ＶBEが出力される。
【００４０】
受光素子２が光信号を受信すると、受光素子２に、その光信号の受信強度に応じた電流が流れる。送信側が遠距離にあるときには、光信号は微弱である。例えば、数ナノアンペア〜数マイクロアンペア程度である。受光素子２には、抵抗Ｒ１を介してトランジスタＱ２から電流Ｉpdが供給される。つまり、抵抗Ｒ１に流れる電流Ｉ1＝受光素子２に流れる電流Ｉpdであるので、第１ＩＶ変換回路３の出力端Ｏｕｔ１の出力電圧ＶOut1は、抵抗Ｒ１の抵抗値×電流Ｉ1（電流ＩPd）＋トランジスタＱ１のベース電圧ＶBEとなる（図２（Ａ）および同図（Ｂ）参照）。例えば、抵抗Ｒ１が３０ｋΩ、電流ＩPdが１００ｎＡとすると、パルスの振幅は３ｍＶである。
【００４１】
第１ＩＶ変換回路３からの出力は、増幅器４１によって増幅され、第１比較器４２によって波形整形され、ＯＲ回路７１を介して出力される。
【００４２】
送信側が近距離または非常に接近した距離にあるときには、光信号は過大な信号強度となる。この場合には、受光素子２に流れる電流は、数マイクロアンペアから数ミリアンペア程度と、過大なものとなり、図３（Ａ）に示されるような尾を引いた波形となる。
【００４３】
出力端Ｏｕｔ１に接続される第２ＩＶ変換回路５のトランジスタＱ３のベースに、抵抗Ｒ１の抵抗値×電流Ｉ1＋トランジスタＱ１のベース電圧ＶBEがトランジスタＱ５のベース電圧ＶBEより大きい電圧が印加されると、トランジスタＱ３がオンとなる。トランジスタＱ３がオンとなることで、トランジスタＱ４から増加電流Ｉαが流れ始め、受光素子２には、抵抗Ｒ１に流れる電流Ｉ1＋増加電流Ｉαが流れる。
【００４４】
つまり、受光素子２に過大な電流Ｉpdが流れるときには、抵抗Ｒ１の抵抗値×電流Ｉ1＋トランジスタＱ１のベース電圧ＶBE＝トランジスタＱ５のベース電圧ＶBEの関係となる電流Ｉ1が抵抗Ｒ１を介して供給されることで、出力端Ｏｕｔ１はトランジスタＱ３のベース電圧ＶBEにクランプされ、抵抗Ｒ１に流れる電流Ｉ1は固定される（図３（Ｂ）参照）。例えば、受光素子２に流れる過大な電流Ｉpdとして、１ｍＡが流れるとする。その場合、抵抗Ｒ１には０．７Ｖ÷３０ｋΩ＝２３μＡが流れるので、増加電流Ｉαとして、電流Ｉpd−電流Ｉ1、つまり１ｍＡ−２３μＡで計算され、９７７μＡが流れる。
【００４５】
従って、抵抗Ｒ１の電圧が所定電圧より高くなると、受光素子に増加電流Ｉαを供給するようにトランジスタＱ３がスイッチング素子として動作して、過大な増加電流Ｉαを受光素子２へ流すことで、第２ＩＶ変換回路での電流から電圧に変換する度合いを、第１ＩＶ変換回路より抑えることができるので、抵抗Ｒ２を抵抗Ｒ１に比較して小さい抵抗値のものとすることができる。増加電流Ｉαとして９７７μＡほど流れ、抵抗Ｒ２としては１００Ωを使用しているので、増加電流Ｉαによる電圧出力を９．７７ｍＶとすることができる。従って、抵抗Ｒ２を抵抗Ｒ１と比較して小さい抵抗とすることができるので、抵抗Ｒ１より受光素子２の寄生容量の影響を受けにくい。従って、トランジスタＱ３には尾引きのない増加電流Ｉαが流れる（図３（Ｃ）参照）。
【００４６】
トランジスタＱ４に増加電流Ｉαが流れることで、カレントミラー対をトランジスタＱ４と共に構成するトランジスタＱ５に、増加電流Ｉαが流れる。そして抵抗Ｒ３に増加電流Ｉαが流れることで、尾引きのないパルス波形を第２ＩＶ変換回路５の出力端Ｏｕｔ２に出力することができる。
【００４７】
第２ＩＶ変換回路５からの出力は、第２調整回路６である第２比較器６１へ入力されることで波形整形される。波形整形された信号は、抑止回路７２にて積分され、第１調整回路４の第１比較器４２のバイアス電圧を遮断する。抑止回路７２によって第１比較器４２のバイアス電圧を遮断することで、第１比較器４２から出力が抑止されるので、第１比較器４２からの出力と、第２比較器６１の出力とを論理和するＯＲ回路７１からの出力は、第２比較器６１からの出力となる。従って、受光回路１の出力端となるＳｉｇoutから出力される信号は、第２ＩＶ変換回路５からの信号が出力されることになるので、尾引きのない電圧波形を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、近距離や、接近した距離で通信する場合でも、高速で通信することが可能な受光回路なので、光信号を受信して電気信号へ変換する受光素子と、受光素子に流れる電流に応じて電圧信号を出力するＩＶ変換回路とを備えた受光回路に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態に係る受光回路を示す図
【図２】送信側が遠距離にあるときの受信波形を示す図であり、（Ａ）は受光素子に流れる電流波形を示す図、（Ｂ）は第１ＩＶ変換回路の出力電圧波形を示す図
【図３】送信側が近距離または接近した距離にあるときの受信波形を示す図であり、（Ａ）は受光素子に流れる電流波形を示す図、（Ｂ）は第１ＩＶ変換回路の出力電圧波形を示す図、（Ｃ）は第２ＩＶ変換回路の出力電圧波形を示す図
【図４】従来の受光回路で光信号を受信したときの電圧波形を示す図
【符号の説明】
【００５０】
１  受光回路
２  受光素子
３  第１ＩＶ変換回路
４  第１調整回路
５  第２ＩＶ変換回路
６  第２調整回路
７  切替回路
８  コンデンサ
３１，３２  電流源
４１  増幅器
４２  第１比較器
６１  第２比較器
７１  ＯＲ回路
７２  抑止回路
Ｑ１〜Ｑ５  トランジスタ
Ｒ１〜Ｒ３  抵抗
【図１】
2008258722.tif 000003
【図２】
2008258722.tif 000004
【図３】
2008258722.tif 000005
【図４】
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