(57)【要約】【課題】高密度のピエゾアクチュエータのクロストークを防止することができるインクジェット記録ヘッドを得る。【解決手段】振動板４８の幅を圧力室５０の幅よりも広く形成し、下部電極５２の下部以外の領域において、振動板４８を除去し、各圧電素子４６毎で振動板４８を分断している。これにより、各圧電素子４６の振動板４８が独立した状態となるため、圧電素子４６の電歪動作時に圧電素子４６間の相互干渉（クロストーク）がなくなる。【選択図】図８
2008155461.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を吐出する複数のノズルと、
各前記ノズルと繋がり、液体が充填される圧力室と、
前記圧力室の一部を構成する振動板と、
前記振動板を間に置いて前記圧力室と反対側に配置され、前記圧力室へ流路を介して供給する液体をプールする液体プール室と、
前記振動板の表面に形成され、該振動板を変位させる圧電素子の一方の極性となる下部電極と、
前記圧電素子の上面に設けられ、他方の極性となる上部電極と、
を備え、
隣り合う前記圧力室の間にある振動板は分断されていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項２】
液滴を吐出する複数のノズルと、
各前記ノズルと繋がり、液体が充填される圧力室と、
前記圧力室の一部を構成する振動板と、
前記振動板を間に置いて前記圧力室と反対側に配置され、前記圧力室へ流路を介して供給する液体をプールする液体プール室と、
前記振動板の表面に形成され、該振動板を変位させる圧電素子の一方の極性となる下部電極と、
前記圧電素子の上面に設けられ、他方の極性となる上部電極と、
を備え、
隣り合う前記圧力室の間にある振動板は薄膜化されていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項３】
分断された前記振動板又は薄膜化されて区画された振動板と前記下部電極は同じ面積であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項４】
前記圧電素子の電歪作動部は、平面視にて前記圧力室の内側にあることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクなどの液滴を吐出する液滴吐出ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、主走査方向に往復移動する液滴吐出ヘッドとしてのインクジェット記録ヘッド（以下、単に「記録ヘッド」という場合がある）の複数のノズルから選択的にインク滴を吐出し、副走査方向に搬送されて来る記録紙等の記録媒体に文字や画像等を印刷するインクジェット記録装置は知られている。
【０００３】
そして、次世代の記録ヘッドとして１２００ｄｐｉ、さらには２４００ｄｐｉの高解像度のピエゾ（圧電素子）タイプの低コスト記録ヘッドを開発していく課程において、プリンタの印字品質・印字速度などの向上の要求に応えるため、ピエゾアクチュエータの小型高密度化、低電圧作動化、高速応答化を図るための研究が進められている。
【０００４】
この中で、下部電極をパターニングしてアドレス配線とするピエゾアクチュエータの構成において、ピエゾアクチュエータにおける各ビット間のクロストーク（干渉）が問題となるが、そのためにはアクチュエータの振動板となる基板の肉厚を薄くすることが重要である。しかし、基板全体を薄くすると、基板の強度が低下するという相反する関係がある。
【０００５】
また、ピエゾアクチュエータの高密度化により、同一基板面上に設けられた複数の圧電／電歪作動部間の干渉や基板剛性の影響が増大し、変位効率が低くなり、その経時劣化、素子間ばらつきが大きくなる。
【０００６】
例えば、特許文献１では、下部電極の幅が圧力室の幅より狭く形成され、また、圧電素子の幅が下部電極の幅より大きく形成されることで、圧電素子の印刷ばらつきや焼成による圧電素子の収縮等による変形特性の影響を小さくし、下部電極の幅を正確に形成することで変形特性を均一にしているが、下部電極をアドレス配線とする構成では適用できない。
【特許文献１】特開平７−１４８９２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は、このような問題点に鑑み、高密度のピエゾアクチュエータのクロストークを防止することができる液滴吐出ヘッドを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、液滴吐出ヘッドにおいて、液滴を吐出する複数のノズルと、各前記ノズルと繋がり、液体が充填される圧力室と、前記圧力室の一部を構成する振動板と、前記振動板を間に置いて前記圧力室と反対側に配置され、前記圧力室へ流路を介して供給する液体をプールする液体プール室と、前記振動板の表面に形成され、該振動板を変位させる圧電素子の一方の極性となる下部電極と、前記圧電素子の上面に設けられ、他方の極性となる上部電極と、を備え、前記下部電極が前記圧力室の幅よりも広く形成され、該下部電極の下部以外の領域において、隣り合う前記圧力室の間にある振動板は分断されていることを特徴とする。
【０００９】
請求項１に記載の発明では、振動板を間に置いて圧力室と反対側に液体プール室を設けることで、圧力室を互いに近接して配設することができるので、圧力室毎に設けられるノズルを高密度に配設することができる。
【００１０】
ここで、隣り合う圧力室の間にある振動板を分断することで、各圧電素子で振動板が独立した状態となるため、圧電素子の電歪動作時に圧電素子間の相互干渉（クロストーク）がなくなる。また、振動板によって圧力室の一部を構成し、振動板を圧力室の幅よりも広く形成する。これにより、振動板は圧力室の周縁部で保持されることとなり、圧電素子の変形における強度は確保される。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、液滴を吐出する複数のノズルと、各前記ノズルと繋がり、液体が充填される圧力室と、前記圧力室の一部を構成する振動板と、前記振動板を間に置いて前記圧力室と反対側に配置され、前記圧力室へ流路を介して供給する液体をプールする液体プール室と、前記振動板の表面に形成され、該振動板を変位させる圧電素子の一方の極性となる下部電極と、前記圧電素子の上面に設けられ、他方の極性となる上部電極と、を備え、隣り合う前記圧力室の間にある振動板は薄膜化されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項２に記載の発明では、隣り合う圧力室の間にある振動板を薄膜化することで、圧電素子の電歪動作時に隣接する圧電素子間の間で生じる互いに引張り合う力が軽減される。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、分断された前記振動板又は薄膜化されて区画された振動板と前記下部電極は同じ面積であることを特徴とする。
【００１４】
請求項３に記載の発明では、分断された振動板又は薄膜化されて区画された振動板と下部電極を同じ面積とすることで、下部電極をドライエッチングする工程で振動板をドライエッチングすることができ、別途振動板を薄膜化するなどの工程を必要としない。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記圧電素子の電歪作動部は、平面視にて前記圧力室の内側にあることを特徴とする。
【００１６】
請求項４に記載の発明では、圧電素子の電歪作動部を、平面視にて圧力室の内側に設けるようにすることで、圧電素子を効率よく変位させることができると共に、繰り返し動作の中で変位の低下、圧電素子間のばらつきを抑制でき、圧電素子が本来有する特性を安定的に発揮することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、上記構成としたので、高密度のピエゾアクチュエータのクロストークを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の最良な実施の形態について、図面に示す実施例を基に詳細に説明する。なお、液滴吐出装置としてはインクジェット記録装置１０を例に採って説明する。したがって、液体はインク１１０とし、液滴吐出ヘッドはインクジェット記録ヘッド３２として説明をする。また、記録媒体は記録用紙Ｐとして説明をする。
【００１９】
インクジェット記録装置１０は、図１で示すように、記録用紙Ｐを送り出す用紙供給部１２と、記録用紙Ｐの姿勢を制御するレジ調整部１４と、インク滴を吐出して記録用紙Ｐに画像形成する記録ヘッド部１６及び記録ヘッド部１６のメンテナンスを行うメンテナンス部１８を備える記録部２０と、記録部２０で画像形成された記録用紙Ｐを排出する排出部２２とから基本的に構成されている。
【００２０】
用紙供給部１２は、記録用紙Ｐが積層されてストックされているストッカー２４と、ストッカー２４から１枚ずつ取り出してレジ調整部１４に搬送する搬送装置２６とから構成されている。レジ調整部１４は、ループ形成部２８と、記録用紙Ｐの姿勢を制御するガイド部材２９とを有しており、記録用紙Ｐは、この部分を通過することによって、そのコシを利用してスキューが矯正されるとともに、搬送タイミングが制御されて記録部２０に供給される。そして、排出部２２は、記録部２０で画像が形成された記録用紙Ｐを、排紙ベルト２３を介してトレイ２５に収納する。
【００２１】
記録ヘッド部１６とメンテナンス部１８の間には、記録用紙Ｐが搬送される用紙搬送路２７が構成されている（用紙搬送方向を矢印ＰＦで示す）。用紙搬送路２７は、スターホイール１７と搬送ロール１９とを有し、このスターホイール１７と搬送ロール１９とで記録用紙Ｐを挟持しつつ連続的に（停止することなく）搬送する。そして、この記録用紙Ｐに対して、記録ヘッド部１６からインク滴が吐出され、記録用紙Ｐに画像が形成される。メンテナンス部１８は、インクジェット記録ユニット３０に対して対向配置されるメンテナンス装置２１を有しており、インクジェット記録ヘッド３２（図２参照）に対するキャッピングや、ワイピング、更には、ダミージェットやバキューム等の処理を行う。
【００２２】
図２で示すように、各インクジェット記録ユニット３０は、矢印ＰＦで示す用紙搬送方向と直交する方向に配置された支持部材３４を備えており、この支持部材３４に複数のインクジェット記録ヘッド３２が取り付けられている。インクジェット記録ヘッド３２には、マトリックス状に複数のノズル５６が形成されており、記録用紙Ｐの幅方向には、インクジェット記録ユニット３０全体として一定のピッチでノズル５６が並設されている。
【００２３】
そして、用紙搬送路２７を連続的に搬送される記録用紙Ｐに対し、ノズル５６からインク滴を吐出することで、記録用紙Ｐ上に画像が記録される。なお、インクジェット記録ユニット３０は、例えば、いわゆるフルカラーの画像を記録するために、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）の各色に対応して、少なくとも４つ配置されている。
【００２４】
図３で示すように、それぞれのインクジェット記録ユニット３０のノズル５６による印字領域幅は、このインクジェット記録装置１０での画像記録が想定される記録用紙Ｐの用紙最大幅ＰＷよりも長くされており、インクジェット記録ユニット３０を紙幅方向に移動させることなく、記録用紙Ｐの全幅にわたる画像記録が可能とされている。
【００２５】
ここで、印字領域幅とは、記録用紙Ｐの両端から印字しないマージンを引いた記録領域のうち最大のものが基本となるが、一般的には印字対象となる用紙最大幅ＰＷよりも大きくとっている。これは、記録用紙Ｐが搬送方向に対して所定角度傾斜して（スキューして）搬送されるおそれがあるためと、縁無し印字の要望が高いためである。
【００２６】
以上のような構成のインクジェット記録装置１０において、次にインクジェット記録ヘッド３２について詳細に説明する。なお、図４はインクジェット記録ヘッド３２の全体構成を示す概略平面図であり、図５は図４のＸ−Ｘ線断面図である。また、図６は、インクジェット記録ヘッド３２として切断される前の天板４０を示す概略平面図である。
【００２７】
図４及び図５に示すように、インクジェット記録ヘッド３２には、インクタンク（図示省略）と連通するインク供給ポート３６が設けられており、そのインク供給ポート３６から注入されたインク１１０は、インクプール室３８に貯留される。
【００２８】
インクプール室３８は天板４０と隔壁４２とによって、その容積が規定されており、インク供給ポート３６は、天板４０の所定箇所に複数、列状に穿設されている。また、列をなすインク供給ポート３６の間で、天板４０よりも内側のインクプール室３８内には、圧力波を緩和する樹脂膜製エアダンパー４４（後述する感光性ドライフィルム９６）が設けられている。
【００２９】
天板４０の材質は、例えばガラス、セラミックス、シリコン、樹脂等、インクジェット記録ヘッド３２の支持体になり得る強度を有する絶縁体であれば何でもよい。また、天板４０には、後述する駆動ＩＣ６０へ通電するための金属配線９０が設けられている。この金属配線９０は、樹脂膜９２で被覆保護されており、インク１１０による侵食が防止されるようになっている。
【００３０】
隔壁４２は樹脂（後述する感光性ドライフィルム９８）で成形され、インクプール室３８を矩形状に仕切っている。また、インクプール室３８は、圧電素子４６と、その圧電素子４６によって上下方向に撓み変形させられる振動板４８を介して、圧力室５０と上下に分離されている。つまり、圧電素子４６及び振動板４８が、インクプール室３８と圧力室５０との間に配置される構成とされ、インクプール室３８と圧力室５０とが同一水平面上に存在しないように構成されている。
【００３１】
したがって、圧力室５０を互いに接近させた状態に配置することが可能であり、ノズル５６をマトリックス状に高密度に配設することが可能となっている。
【００３２】
振動板４８は、Ｐｌａｓｍａ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（Ｐ−ＣＶＤ）法により、ゲルマニウム（Ｇｅ）が添加されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）の上下に、不純物が何も添加されていないＳｉＯ２膜が積層されて構成された３層構造とされ、少なくとも上下方向に弾性を有し、圧電素子４６に通電されると（電圧が印加されると）、上下方向に撓み変形する（変位する）構成になっているが、この他にも振動板としてシリコンとシリコン酸化膜の積層膜などを採用してもよい。この場合、ＳＯＩウエハをベース基板として用いて振動板を作製する。なお、振動板４８の厚さは、安定した剛性を得るために、１μｍ以上２０μｍ以下（１μｍ〜２０μｍ）とされている。
【００３３】
また、圧電素子４６は、圧力室５０毎に振動板４８の上面に接着されている。圧電素子４６の下面には一方の極性となる第２電極としての下部電極５２が配置され、圧電素子４６の上面には他方の極性となる第１電極としての上部電極５４が配置されている。そして、上部電極５４、圧電素子４６及び下部電極５２は、保護膜としての低透水性絶縁膜（以下「ＳｉＯｘ膜」という）８０で被覆保護されている。圧電素子４６を被覆保護しているＳｉＯｘ膜８０は、水分透過性が低くなる条件で着膜するため、水分が圧電素子４６の内部に侵入して信頼性不良となること（圧電体としてのＰＺＴ膜６５内の酸素を還元することにより生ずる圧電特性の劣化）を防止できる。
【００３４】
更に、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０の上面は、樹脂膜８２で被覆保護されている。これにより、インク１１０による侵食の耐性が確保されるようになっている。また、金属配線８６も、樹脂保護膜８８で被覆保護され、インク１１０による侵食が防止されるようになっている。
【００３５】
また、圧電素子４６の上方は、樹脂膜８２で被覆保護され、樹脂保護膜８８が被覆されない構成になっている。樹脂膜８２は、柔軟性がある樹脂層であるため、このような構成により、圧電素子４６（振動板４８）の変位阻害が防止されるようになっている（上下方向に好適に撓み変形可能とされている）。つまり、圧電素子４６上方の樹脂層は、薄い方がより変位阻害の抑制効果が高くなるので、樹脂保護膜８８を被覆しないようにしている。さらに、樹脂保護膜８８の上面には、圧電素子４６に対面するようにして、圧力波を緩和する樹脂膜製エアダンパー４４（後述する感光性ドライフィルム９６）が設けられている。
【００３６】
一方、駆動ＩＣ６０は、隔壁４２で規定されたインクプール室３８の外側で、かつ天板４０と振動板４８との間に配置されており、振動板４８や天板４０から露出しない（突出しない）構成とされている。したがって、インクジェット記録ヘッド３２の小型化が実現可能となっている。
【００３７】
また、その駆動ＩＣ６０の周囲は樹脂材５８で封止されている。この駆動ＩＣ６０を封止する樹脂材５８の注入口４０Ｂは、図６で示す、製造段階における天板４０において、各インクジェット記録ヘッド３２を仕切るように格子状に複数個穿設されており、後述する圧電素子基板７０の形成後、樹脂材５８によって封止された（閉塞された）注入口４０Ｂに沿って天板４０を切断することにより、マトリックス状のノズル５６（図４参照）を有するインクジェット記録ヘッド３２が１度に複数個製造される構成になっている。
【００３８】
また、この駆動ＩＣ６０の下面には、図５、図７で示すように、複数のバンプ６２がマトリックス状に所定高さ突設されており、振動板４８上に圧電素子４６が形成された圧電素子基板７０の金属配線８６にフリップチップ実装されるようになっている。したがって、圧電素子４６に対する高密度接続が容易に実現可能であり、駆動ＩＣ６０の高さの低減を図ることができる（薄くすることができる）。これによっても、インクジェット記録ヘッド３２の小型化が実現可能となっている。
【００３９】
また、図４において、駆動ＩＣ６０の外側には、バンプ６４が設けられている。このバンプ６４は、天板４０に設けられる金属配線９０と、圧電素子基板７０に設けられる金属配線８６とを接続しており、当然ながら、圧電素子基板７０に実装された駆動ＩＣ６０の高さよりも高くなるように設けられている。
【００４０】
したがって、インクジェット記録装置１０の本体側から天板４０の金属配線９０に通電され、その天板４０の金属配線９０からバンプ６４を経て金属配線８６に通電されて、そこから駆動ＩＣ６０に通電される構成である。そして、その駆動ＩＣ６０により、所定のタイミングで圧電素子４６に電圧が印加され、振動板４８が上下方向に撓み変形することにより、圧力室５０内に充填されたインク１１０が加圧されて、ノズル５６からインク滴が吐出する構成である。
【００４１】
インク滴を吐出するノズル５６は、圧力室５０毎に１つずつ、その所定位置に設けられている。圧力室５０とインクプール室３８とは、圧電素子４６を回避するとともに、振動板４８を貫通するインク流路６６と、圧力室５０から図５において水平方向へ向かって延設された連通路１１５とが連通することによって接続されている。
【００４２】
ところで、図８（Ａ）は圧電素子４６、振動板４８及び圧力室５０の関係を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の断面図である。本実施形態では、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、圧電素子４６を略直方体状とし、下部電極５２及び振動板４８の幅を圧力室５０の幅よりも広く形成して、隣接する圧力室５０の間で下部電極５２の下部以外の領域において、振動板４８を除去している。
【００４３】
つまり、下部電極５２と振動板４８の面積を同じにし、下部電極５２及び振動板４８の外縁部と圧力室５０の周縁部をオーバーラップさせ、このオーバーラップさせる幅Ｗｏを、圧力室５０の幅Ｗｐの５０分の１（Ｗｐ／５０）以上としている。
【００４４】
また、圧電素子４６の電歪作動部４６Ａ（電歪効果により変形する領域；図８（Ａ）のハッチング部）が、平面視にて圧力室５０の内側となるようにし、圧電素子４６の端面と圧力室５０の内壁面との距離ＷｑがＷｐ／５０以上となるようにしている。
【００４５】
そして、下部電極５２の電極部５２Ａからは個々に金属配線８７が接続されており、該金属配線８７によって下部電極５２がＧＮＤ接続されるようになっている。
【００４６】
以上のような構成のインクジェット記録ヘッド３２において、次に、その製造工程について、図９〜図１２を基に詳細に説明する。図９で示すように、このインクジェット記録ヘッド３２は、流路基板としてのシリコン基板７２の上面に圧電素子基板７０を作製し、そして、シリコン基板７２の下面にノズルプレート７４（ノズルフィルム６８）を接合（貼着）することによって製造される。
【００４７】
図１０−１（Ａ）で示すように、まず、シリコン基板７２を用意する。そして、図１０−１（Ｂ）で示すように、Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ（ＲＩＥ）法により、そのシリコン基板７２の圧力室５０となる領域に開口部７２Ａを形成する。具体的には、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング、ＲＩＥ法によるエッチング、酸素プラズマによるレジスト剥離である。
【００４８】
次いで、図１０−１（Ｃ）で示すように、ＲＩＥ法により、そのシリコン基板７２の連通路１１５となる領域に溝部７２Ｂを形成する。具体的には、上記と同様に、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング、ＲＩＥ法によるエッチング、酸素プラズマによるレジスト剥離である。これにより、圧力室５０と連通路１１５とからなる多段構造が形成される。
【００４９】
その後、図１０−１（Ｄ）で示すように、連通路１１５を構成する開口部７２Ａと、圧力室５０を構成する溝部７２Ｂに、スクリーン印刷法により、ガラスペースト７６を充填する（埋め込む）。スクリーン印刷法を用いると、深い開口部７２Ａや溝部７２Ｂでも確実にガラスペースト７６を埋め込むことができるので好ましい。
【００５０】
また、このガラスペースト７６は、熱膨張係数が、１×１０−６／℃〜６×１０−６／℃であり、軟化点は、５５０℃〜９００℃である。この範囲のガラスペースト７６を使用することで、ガラスペースト７６にクラックや剥離が発生するのを防止でき、更には、圧電素子４６や振動板４８となる膜に形状歪みが発生するのを防止できる。
【００５１】
ガラスペースト７６を充填後、シリコン基板７２を、例えば８００℃で１０分間、加熱処理する。このガラスペースト７６の硬化熱処理に使用する温度は、後述する圧電素子４６の成膜温度（例えば５５０℃）や振動板４８の成膜温度（例えば７００℃）よりも高い温度である。これにより、振動板４８及び圧電素子４６の成膜工程において、ガラスペースト７６に高温耐性ができる。
【００５２】
つまり、少なくともガラスペースト７６を硬化熱処理した温度までは、後工程で使用可能となるので、後工程での使用温度の許容範囲が広がる。その後、シリコン基板７２の上面（表面）を研磨して余剰ガラスペースト７６を除去し、その上面（表面）を平坦化する。これにより、圧力室５０及び連通路１１５となる領域上にも薄膜等を精度よく形成することが可能となる。
【００５３】
次に、図１０−２（Ｅ）で示すように、シリコン基板７２の上面（表面）に、スパッタ法により、ゲルマニウム（Ｇｅ）膜７８（膜厚１μｍ）を成膜する。このＧｅ膜７８は、後工程でガラスペースト７６をフッ化水素（ＨＦ）溶液でエッチング除去するときに、振動板４８（ＳｉＯ２膜）が一緒にエッチングされないように保護するエッチングストッパー層として機能する。なお、このＧｅ膜７８は、蒸着やＣＶＤ法でも成膜できる。また、エッチングストッパー層としては、シリコン（Ｓｉ）膜も使用できる。
【００５４】
そして、図１０−２（Ｆ）で示すように、そのＧｅ膜７８の上面に振動板４８の一部となる薄膜、即ち不純物が何も添加されていないＳｉＯ２膜（膜厚０．４μｍ）をＰ−ＣＶＤ法により成膜し、次いで、振動板４８の一部となる薄膜、即ちＧｅが添加されたＳｉＯ２膜（膜厚９．２μｍ）をＰ−ＣＶＤ法により成膜し、更に、振動板４８の一部となる薄膜、即ち不純物が何も添加されていないＳｉＯ２膜（膜厚０．４μｍ）をＰ−ＣＶＤ法により成膜する。
【００５５】
具体的には、酸素（Ｏ２）及びシリコン（Ｓｉ）原料を含むガス、例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、シラン（ＳｉＨ４）の何れかを含むガスに、アルコキシド系のガスであるテトラメチルゲルマニウム（ＴＭＧｅ）を添加することにより成膜する。なお、このとき、Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜の厚さが、振動板４８全体の厚さの１／２以上となるようにする。
【００５６】
こうして、ＳｉＯ２膜を連続して成膜したら、窒素（Ｎ２）雰囲気下で１時間、これ以降の工程における最高温度よりも高い温度、例えば７００℃でアニール（熱処理）する。７００℃でアニールすると、振動板４８の応力値が数十ＭＰａ増加するが、一度アニールすることにより、それ以上に応力（ストレス）が変化しないようにできる。なお、アニール温度は７００℃に限定されるものではなく、６００℃以上１１００℃以下（６００℃〜１１００℃）であればよい。
【００５７】
ＳｉＯ２膜を成膜してアニールし、３層構造の振動板４８を形成したら、図１０−２（Ｇ）で示すように、スパッタ法により、例えば厚み０．５μｍ程度のＩｒとＴｉとの積層膜６３、即ち下部電極５２を振動板４８の上面に成膜する。そして、図１０−２（Ｈ）で示すように、下部電極５２の上面に、圧電素子４６の材料であるＰＺＴ膜６５と、上部電極５４となるＩｒ膜６７を順にスパッタ法で積層（成膜）し、図１０−２（Ｉ）で示すように、圧電素子４６（ＰＺＴ膜６５）及び上部電極５４（Ｉｒ膜６７）をパターニングする。
【００５８】
具体的には、ＰＺＴ膜スパッタ（膜厚５μｍ）、Ｉｒ膜スパッタ（膜厚０．５μｍ）、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング（Ｃｌ２系又はＦ系のガスを用いたドライエッチング）、酸素プラズマによるレジスト剥離である。下部及び上部の電極材料としては、圧電体であるＰＺＴ材料との親和性が高く、耐熱性がある、例えばＩｒ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｔａ、ＰｔＯ２、ＴａＯ４、ＩｒＯ２等が挙げられる。また、ＰＺＴ膜６５の成膜温度は５５０℃であり、ＰＺＴ膜６５の積層（成膜）には、ＡＤ法、ゾルゲル法等も用いることが可能である。
【００５９】
次に、図１０−３（Ｊ）で示すように、振動板４８の上面に積層された下部電極５２をパターニングする。具体的には、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング、ＲＩＥ法による（Ｃｌ２系のガスを用いた）ドライエッチング、酸素プラズマによるレジスト剥離である。なお、このとき、振動板４８を、圧電素子４６毎に分離させる。
【００６０】
次に、図１０−３（Ｋ）で示すように、表面に露出している上部電極５４の上面、圧電素子４６の端面、下部電極５２の上面及び振動板４８の端面に保護膜として低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を積層する。
【００６１】
なお、ここでは保護膜としてＳｉＯｘ膜８０（シリコン酸化膜）を用いたが、ＳｉＮｘ膜（シリコン窒化膜）、ＳｉＯｘＮｙ膜等であってもよい。また、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）や、Ｔａ、Ｔｉ等の金属膜、ＴａＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化膜、樹脂膜等でもよく、更にはそれらの単層膜ではなく、それらを組み合わせた複数層膜にしてもよい。酸化膜、窒化膜、ＳＯＧ、金属膜、金属酸化膜は、絶縁性、耐湿性、膜層間の段差抑制（緩和）に優れ、中でも酸化膜、窒化膜、ＳＯＧ、金属膜は、耐薬品（インク）性においても優れる。また、樹脂膜も段差抑制に優れ、酸化膜、窒化膜、ＳＯＧは、ＳｉＯ２膜８２に添加されたＧｅ（不純物）の拡散防止にも優れる。
【００６２】
そして、図１０−３（Ｌ）で示すように、ドライエッチング加工によって、インクプール室３８と圧力室５０から図５において水平方向へ向かって延設された連通路１１５とを繋げるインク流路６６を構成するインク供給口８３を形成し、更に、図１０−３（Ｍ）で示すように、ドライエッチング加工によって、圧電素子４６と金属配線８６（図５参照）を接続するための開口８４（コンタクト孔）を形成する。なお、図示しないが、下部電極５２の上にも開口８５（図８参照）が形成される。
【００６３】
次いで、図１０−４（Ｎ）で示すように、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０の上面に、耐インク性と柔軟性を有する樹脂膜８２、例えばポリイミド系、ポリアミド系、エポキシ系、ポリウレタン系、シリコン系等の樹脂膜を積層する。
【００６４】
そして、図１０−４（Ｏ）で示すように、開口８４内の上部電極５４と樹脂膜８２の上面に金属膜を積層し、金属配線８６をパターニングする。具体的には、スパッタ法にてＡｌ膜（厚さ１μｍ）を着膜する、ホトリソグラフィー法でレジストを形成する、塩素系のガスを用いたＲＩＥ法にてＡｌ膜をエッチングする、酸素プラズマにてレジスト膜を剥離する、という加工を行い、上部電極５４と金属配線８６（Ａｌ膜）とを接合する。なお、図示しないが、開口８５内の下部電極５２とＳｉＯｘ膜８０の上面に金属膜を積層し、金属配線８７をパターニングして、下部電極５２と金属配線８７を接続する。
【００６５】
そして更に、図１０−４（Ｐ）で示すように、金属配線８６及び樹脂膜８２の上面に樹脂保護膜８８をパターニングする。具体的には、ＳｉＯｘ膜に樹脂保護膜８８を構成する感光性樹脂を塗布し、露光・現像することでパターンを形成し、最後にキュアする。このとき、樹脂保護膜８８にインク流路６６を形成しておく。また、樹脂保護膜８８を構成する感光性樹脂は、ポリイミド系、ポリアミド系、エポキシ系、ポリウレタン系、シリコーン系等、耐インク性を有していればよい。
【００６６】
また、このとき、圧電素子４６の上方で、金属配線８６がパターニングされていない部位には、樹脂保護膜８８を積層しないようにする（樹脂膜８２のみが積層されるようにする）。
【００６７】
ここで、圧電素子４６の上方（樹脂膜８２の上面）に樹脂保護膜８８を積層しないのは、振動板４８（圧電素子４６）の変位（上下方向の撓み変形）が阻害されるのを防止するためである。また、圧電素子４６の上部電極５４から引き出す（上部電極５４に接続される）金属配線８６が樹脂製の保護膜８８で被覆されると、その樹脂保護膜８８は、金属配線８６が積層される樹脂膜８２と同種の樹脂材料で構成されているため、金属配線８６を被覆するそれらの接合力が強固になり、界面からのインク１１０の侵入による金属配線８６の腐食を防止することができる。
【００６８】
なお、この樹脂保護膜８８は、隔壁４２（感光性ドライフィルム９８）とも同種の樹脂材料となっているため、この隔壁４２（感光性ドライフィルム９８）に対する接合力も強固になっている。したがって、その界面からのインク１１０の侵入がより一層防止される構成である。また、このように、同種の樹脂材料で構成されると、それらの熱膨張率が略等しくなるので、熱応力の発生が少なくて済む利点もある。
【００６９】
図１０−５（Ｑ）で示すように、樹脂保護膜８８の上面に、マトリックス状に配置された各圧電素子４６に対面するように感光性ドライフィルム９６（例えば、日立化成工業株式会社製Ｒａｙｔｅｃ  ＦＲ−５０２５：２５μｍ厚）を露光・現像によりパターニングする（架設する）。この感光性ドライフィルム９６が圧力波を緩和するエアダンパー４４となる。
【００７０】
次に、図１０−５（Ｒ）で示すように、金属配線８６にバンプ６２を介して駆動ＩＣ６０をフリップチップ実装する。このとき、駆動ＩＣ６０は、予め半導体ウエハプロセスの終りに実施されるグラインド工程にて、所定の厚さ（７０μｍ〜３００μｍ）に加工されている。駆動ＩＣ６０が厚すぎると、図５に示す隔壁４２のパターニングやバンプ６４の形成が困難になったりする。
【００７１】
駆動ＩＣ６０を金属配線８６にフリップチップ実装するためのバンプ６２の形成方法には、電界メッキ、無電界メッキ、ボールバンプ、スクリーン印刷等が適用できる。こうして、圧電素子基板７０が製造される。
【００７２】
次に、図１１−１（Ａ）で示すように、樹脂保護膜８８が積層されず、金属配線８６が露出している箇所にメッキ法等でバンプ６４を形成する。このバンプ６４を駆動ＩＣ６０側の金属配線９０（図５参照）と電気的に接続するため、図１１−１（Ｂ）に示す感光性ドライフィルム９８（隔壁４２）よりもその高さが高くなるように形成される。
【００７３】
そして、図１１−１（Ｂ）で示すように、樹脂保護膜８８に感光性ドライフィルム９８（１００μｍ厚）を積層して露光・現像によりパターニングする。この感光性ドライフィルム９８がインクプール室３８を規定する隔壁４２となる。なお、隔壁４２は、感光性ドライフィルム９８に限定されるものではなく、樹脂塗布膜（例えば、化薬マイクロケム社のＳＵ−８レジスト）としてもよい。このときには、スプレー塗布装置にて塗布し、露光・現像をすればよい。
【００７４】
隔壁４２とバンプ６４が形成された後、図１１−２（Ｃ）で示すように、駆動ＩＣ６０周りに封止用樹脂材５８（例えば、エポキシ樹脂）を注入する。このように樹脂材５８を注入して駆動ＩＣ６０を封止すると、駆動ＩＣ６０を水分等の外部環境から保護できるとともに、圧電素子基板７０と天板４０との接着強度を向上させることができ、更には、後工程でのダメージ、例えば、できあがった圧電素子基板７０をダイシングによってインクジェット記録ヘッド３２に分割する際の水や研削片によるダメージを回避することができる。
【００７５】
次に、図１１−２（Ｄ）で示すように、隔壁４２、バンプ６４及び封止用樹脂材５８上に樹脂膜９２（例えば、富士フイルムアーチ社製の感光性ポリイミド  Ｄｕｒｉｍｉｄｅ７３２０）を積層してパターニングする。そして、図１１−３（Ｅ）に示すように、樹脂膜９２の表面をエッチングし、図１１−４（Ｆ）で示すように、樹脂膜９２の凹部に金属配線９０を積層してパターニングする。具体的には、スパッタ法にてＡｌ膜（厚さ１μｍ）を着膜する、ホトリソグラフィー法でレジストを形成する、塩素系のガスを用いたＲＩＥ法にてＡｌ膜をエッチングする、酸素プラズマにてレジスト膜を剥離する、という加工である。
【００７６】
そして、図１１−４（Ｇ）に示すように、樹脂膜９２及び金属配線９０にガラス板を支持体とする天板４０を熱圧着（例えば３５０℃、２ｋｇ／ｃｍ２で２０分間）により結合（接合）させる。なお、この天板４０には、予めインクタンク（図示省略）と連通するインク供給ポート３６を所定箇所に形成しておく。具体的には、ホトリソグラフィー法で感光性ドライフィルムのレジストをパターニングし、このレジストをマスクとしてサンドブラスト処理を行って開口を形成した後、そのレジストを酸素プラズマにて剥離する。
【００７７】
次に、図１２−１（Ａ）で示すように、シリコン基板７２に充填した（埋め込んだ）ガラスペースト７６を、ＨＦを含む溶解液によって選択的にエッチング除去する。このとき、振動板４８は、Ｇｅ膜７８によりＨＦ溶液から保護されるため、エッチングされることはない。つまり、このＧｅ膜７８は、上記したように、ガラスペースト７６をＨＦ溶液でエッチング除去する際に、振動板４８が一緒にエッチング除去されてしまうのを防止するエッチングストッパー層として機能する。
【００７８】
なお、ここではガラスペースト７６の除去に、ＨＦを含んだ液体を用いたが、ガラスペースト７６の除去には、ＨＦを含んだガスや蒸気を使用してもよい。エッチング液を狭い入口から供給する場合には、被エッチング材（この場合はガラスペースト７６）をエッチングした際に発生する気泡が抜けなかったり、新しいエッチング液との置換ができなかったりするため、エッチングの進行が阻害されることがある。ガスや蒸気を用いると、このような不具合は起きないため、上記のような場合には、ガスや蒸気とした方が好ましい。
【００７９】
Ｇｅ膜７８の溶解液、例えば６０℃に加熱した過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を圧力室５０側から供給して、Ｇｅ膜７８の一部をエッチングして除去する。この段階で圧力室５０及び連通路１１５が完成する。こうして、Ｇｅ膜７８をエッチング除去したら、耐ＨＦ保護用レジスト８８をアセトンによって除去する。なお、圧力室５０及び連通路１１５を形成した部位以外では、Ｇｅ膜７８が残ったままとなるが、特に問題はない。
【００８０】
そして、シリコン基板７２の下面にノズルプレート７４を貼着する。すなわち、図１２−２（Ｂ）で示すように、ノズル５６となる開口６８Ａが形成されたノズルフィルム６８をシリコン基板７２の下面に貼り付ける。
【００８１】
これにより、インクジェット記録ヘッド３２が完成し、図５で示すように、インクプール室３８や圧力室５０内にインク１１０が充填可能とされる。なお、この製造方法は、一例であって、可能な場合、各工程の順番が前後しても良い。
【００８２】
例えば、本実施形態では、図１１−４（Ｇ）において、樹脂膜９２及び金属配線９０に天板４０を結合（接合）させた後、図１２−１（Ａ）において、シリコン基板７２のガラスペースト７６を除去したが、天板４０の接合前に、ガラスペースト７６を除去しても良い。
また、本実施形態では、シリコン基板７２をＲＩＥで開口してガラスペースト７６を埋め込み、その後に以後の工程を行っているが、先に圧電素子４６周辺の機能部を作製した後にシリコン基板７２の裏面から開口して圧力室５０を形成する方法でも作製可能である。
【００８３】
このようにして製造されるインクジェット記録ヘッド３２を備えたインクジェット記録装置１０において、次に、その作用を説明する。まず、インクジェット記録装置１０に印刷を指令する電気信号が送られると、ストッカー２４から記録用紙Ｐが１枚ピックアップされ、搬送装置２６により搬送される。
【００８４】
一方、インクジェット記録ユニット３０では、すでにインクタンクからインク供給ポートを介してインクジェット記録ヘッド３２のインクプール室３８にインク１１０が注入（充填）され、インクプール室３８に充填されたインク１１０は、インク供給路１１４を経て圧力室５０へ供給（充填）されている。そして、このとき、ノズル５６の先端（吐出口）では、インク１１０の表面が圧力室５０側に僅かに凹んだメニスカスが形成されている。
【００８５】
そして、記録用紙Ｐを搬送しながら、複数のノズル５６から選択的にインク滴を吐出することにより、記録用紙Ｐに、画像データに基づく画像の一部を記録する。すなわち、駆動ＩＣ６０により、所定のタイミングで、所定の圧電素子４６に電圧を印加し、振動板４８を上下方向に撓み変形させて（面外振動させて）、圧力室５０内のインク１１０を加圧し、所定のノズル５６からインク滴として吐出させる。こうして、記録用紙Ｐに、画像データに基づく画像が完全に記録されたら、排紙ベルト２３により記録用紙Ｐをトレイ２５に排出する。これにより、記録用紙Ｐへの印刷処理（画像記録）が完了する。
【００８６】
ここで、このインクジェット記録ヘッド３２は、インクプール室３８が、振動板４８（圧電素子４６）を間に置いて圧力室５０の反対側（上側）に設けられている。換言すれば、インクプール室３８と圧力室５０の間に振動板４８（圧電素子４６）が配置され、インクプール室３８と圧力室５０が同一水平面上に存在しないように構成されている。
【００８７】
このように、インクプール室３８と圧力室５０が同一水平面上に存在しないようにすることで、圧力室５０を互いに近接して配設することができるので、圧力室５０毎に設けられるノズル５６を高密度に配設することができる。
【００８８】
また、インクプール室３８内に隔離室１１２を設け、該隔離室１１２によって圧電素子４６をインク１１０から隔離することで、圧電素子４６にはインク１１０による拘束力が負荷されない。このため、該拘束力によって圧電素子４６の撓み変形が阻害されることはない。また、隔離室１１２によって圧電素子４６をインク１１０から隔離することで、圧電素子４６をインク侵食から保護することができる。
【００８９】
一方、圧電素子４６の撓み変形によって圧力室５０が加圧され、圧力室５０と連通するノズル５６からインク滴としてインク１１０が吐出されるとき、インク流路６６を介してインクプール室３８内へ伝達されるインク１１０の圧力波は、隔離室１１２に設けられたエアダンパー４４によって緩和される。
【００９０】
ところで、本形態では、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、振動板４８の幅を圧力室５０の幅よりも広く形成し、下部電極５２の下部以外の領域において、振動板４８を除去し、各圧電素子４６毎で振動板４８を分断している。これにより、各圧電素子４６の振動板４８が独立した状態となるため、圧電素子４６の電歪動作時に圧電素子４６間の相互干渉（クロストーク）がなくなる。
【００９１】
ここで、振動板４８の除去においては、下部電極５２と振動板４８の面積が同じであるため、下部電極５２をドライエッチングする工程に続いて振動板４８をドライエッチングすることで振動板４８を除去できる。このため、振動板４８を除去するための専用の工程を必要としない。なお、下部電極５２と振動板４８の面積は必ずしも同じである必要はなく、下部電極５２の面積を振動板４８よりも小さくしても良い。
【００９２】
また、下部電極５２及び振動板４８の幅を圧力室５０の幅よりも広く形成して、振動板４８及び下部電極５２の外縁部と圧力室５０の周縁部とをオーバーラップさせ、このオーバーラップの幅Ｗｏを、圧力室５０の幅Ｗｐの５０分の１（Ｗｐ／５０）以上とすることで、圧力室５０の周縁部で下部電極５２及び振動板４８は確実に保持されることとなり、圧電素子４６の変形における強度を確保するようにしている。
【００９３】
さらに、圧電素子４６の電歪作動部４６Ａ（図８（Ａ）のハッチング部）が、平面視にて圧力室５０の内側となるようにしている。図１３（Ａ）に示すように、圧電素子４６の電歪作動部４６Ａが圧力室５０よりも大きい場合、圧電素子４６の電歪作動部４６Ａが変位する際、該電歪作動部４６Ａの周縁部が圧力室５０の周縁部によって拘束されるため、圧電素子４６を効率よく変位させることができない。
【００９４】
これに対して、図１３（Ｂ）に示すように、圧電素子４６の電歪作動部４６Ａが圧力室５０の内側となるようにする。具体的には、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、圧電素子４６の電歪作動部４６Ａの端面と圧力室５０の内壁面との距離ＷｑがＷｐ／５０以上となるようにしている。
【００９５】
これにより、図１３（Ａ）の場合と比較すると、圧電素子４６の電歪作動部４６Ａを効率よく変位させることができると共に、繰り返し動作の中で圧電素子４６の変位の低下、圧電素子４６間のばらつきを抑制でき、圧電素子４６が本来有する特性を安定的に発揮することができる。
【００９６】
なお、ここでは、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、下部電極５２の下部以外の領域において、振動板４８を除去したが、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、下部電極５２の下部の振動板４８（厚膜部４８Ａ）の肉厚に対して、下部電極５２の下部以外の領域の振動板４８（薄膜部４８Ｂ）の肉厚を薄膜化しても良い。
【００９７】
具体的には、振動板４８の薄膜部４８Ｂの厚さを厚膜部４８Ａの厚さの２／３以下にする。そして、振動板４８の厚膜部４８Ａ及び下部電極５２の外縁部と圧力室５０の周縁部をオーバーラップさせ、このオーバーラップさせる幅Ｗｏを、圧力室５０の幅Ｗｐの５０分の１（Ｗｐ／５０）以上としている。
【００９８】
前述したように、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、下部電極５２の下部以外の領域において、振動板４８を除去し、各圧電素子４６で振動板４８を分断させることで、隣接する圧電素子４６の電歪作動部４６Ａが同時に作動しても互いに干渉（クロストーク）することはないが、振動板４８を分断（除去）することで、圧電素子４６の強度（剛性）は低下してしまう。
【００９９】
このため、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、各圧電素子４６で振動板４８を完全に分断するのではなく、振動板４８を途中まで削り込み、薄膜部４８Ｂとすることで、隣接する圧電素子４６の電歪作動部４６Ａが同時に作動しても互いに干渉することはなく、また、振動板４８の強度（剛性）を維持することができる。
【０１００】
一方、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように（なお、ここでは下部電極は図示していない）、上部電極５４の電極部５４Ａは、平面視にて圧力室５０の外側となっており、該電極部５４Ａは変形しない。このため、圧電素子４６を効率よく変形させるには、電極部５４Ａと圧力室５０内に位置する電歪作動部４６Ａ（図１５（Ａ）のハッチング部）との連結力が小さい方がよい。
【０１０１】
従って、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、電極部５４Ａと電歪作動部４６Ａ（図１５（Ａ）のハッチング部）との間に幅狭部４７を設け、電極部５４Ａと電歪作動部４６Ａとの連結力を小さくして、電歪作動部４６Ａを変形しやすくする。但し、この場合、圧電素子４６の強度上の問題もあり、幅狭部４７の幅を細くし過ぎると、その分、寿命は短くなってしまう。
【０１０２】
なお、上記実施例のインクジェット記録装置１０では、ブラック、イエロー、マゼンタ、シアンの各色のインクジェット記録ユニット３０から画像データに基づいて選択的にインク滴が吐出されてフルカラーの画像が記録紙Ｐに記録されるようになっているが、本発明におけるインクジェット記録は、記録紙Ｐ上への文字や画像の記録に限定されるものではない。
【０１０３】
すなわち、記録媒体は紙に限定されるものでなく、また、吐出する液体もインクに限定されるものではない。例えば、高分子フィルムやガラス上にインクを吐出してディスプレイ用カラーフィルターを作成したり、溶接状態の半田を基板上に吐出して部品実装用のバンプを形成するなど、工業的に用いられる液滴噴射装置全般に対して、本発明に係るインクジェット記録ヘッド３２を適用することができる。
【０１０４】
また、上記実施例のインクジェット記録装置１０では、紙幅対応のいわゆるＦｕｌｌ  Ｗｉｄｔｈ  Ａｒｒａｙ（ＦＷＡ）の例で説明したが、これに限定されず、主走査機構と副走査機構を有するＰａｒｔｉａｌ  Ｗｉｄｔｈ  Ａｒｒａｙ（ＰＷＡ）であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録装置を示す概略正面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドの配列を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドの印字領域の幅と記録媒体の幅との関係を示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドの概略平面図である。
【図５】図４のＸ−Ｘ線断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドとして切断される前の天板を示す概略平面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドの駆動ＩＣのバンプを示す概略平面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドの圧電素子、振動板及び圧力室の関係を示す、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドを製造する全体工程の説明図である。
【図１０−１】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドのシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ａ）〜（Ｄ）を示す説明図である。
【図１０−２】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドのシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｅ）〜（Ｉ）を示す説明図である。
【図１０−３】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドのシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｊ）〜（Ｍ）を示す説明図である。
【図１０−４】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドのシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｎ）〜（Ｐ）を示す説明図である。
【図１０−５】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドのシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｑ）〜（Ｒ）を示す説明図である。
【図１１−１】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドのシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図である。
【図１１−２】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドのシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｃ）〜（Ｄ）を示す説明図である。
【図１１−３】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドのシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｅ）〜（Ｆ）を示す説明図である。
【図１１−４】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドの圧電素子基板に天板を接合する工程（Ｇ）を示す説明図である。
【図１２−１】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドのシリコン基板に圧力室を形成する工程（Ａ）を示す説明図である。
【図１２−２】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドのシリコン基板にノズルプレートを接合する工程（（Ｂ）を示す説明図である。
【図１３】（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドの圧電素子の作用を説明する断面図であり、（Ａ）は（Ｂ）の比較例を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドの圧電素子、振動板及び圧力室の関係を示す変形例であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドの圧電素子及び圧力室の関係を示す平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドの圧電素子及び圧力室の関係を示す図１５の変形例である。
【符号の説明】
【０１０６】
１０   インクジェット記録装置（液滴吐出装置）
３２   インクジェット記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）
３８   インクプール室（液体プール室）
４６   圧電素子
４６Ａ 電歪作動部
４８   振動板
４８Ｂ 薄膜部（振動板）
５０   圧力室
５２   下部電極
５４   上部電極
５６   ノズル
【図１】
2008155461.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０−１】
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【図１０−２】
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【図１０−３】
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【図１０−４】
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【図１０−５】
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【図１１−１】
2008155461.tif 000017
【図１１−２】
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【図１１−３】
2008155461.tif 000019
【図１１−４】
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【図１２−１】
2008155461.tif 000021
【図１２−２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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