(57)【要約】【課題】外部から半導体装置用キャリアに作用する振動等に起因した半導体装置の端子のソケット本体のコンタクト端子群に対する相対的な位置決め精度の低下を回避できること。【解決手段】半導体装置ＤＶ１がキャリア１０のデバイス収容部１０Ａ内におけるデバイス受け１０Ｂに移動可能に支持される状態でキャリア１０がソケット２０に向けて搬送された後、デバイス受け渡し機構およびコンタクト端子群を有するソケット２０におけるデバイス受け台２２が、デバイス収容部１０Ａ内における半導体装置ＤＶ１のリード端子のコンタクト端子に対する位置決めを行うとともに、そのリード端子がコンタクト端子の接点部に対しキャリア１０のフラップ部１２Ａおよび１２Ｂの押圧突起部１２Ｅを介して押圧されるもの。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置が通過する開口部および該半導体装置の端子が露出する間隙を有し、該半導体装置が着脱可能に配される半導体装置収容部と、
前記半導体装置収容部内に形成され、前記半導体装置を移動可能に支持する半導体装置受けと、
前記半導体装置収容部の開口部の周縁に回動可能に支持され、前記半導体装置受けに支持される前記半導体装置に対し所定の隙間をもって該開口部を選択的に覆うフラップ部と、
を具備して構成される半導体装置用キャリア。
【請求項２】
前記フラップ部は、押圧力が作用される被押圧面を有し、該被押圧面に所定の押圧力が作用される場合、前記半導体装置収容部内に配される前記半導体装置は、該フラップ部の押圧突起部により押圧されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用キャリア。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置用キャリアが着脱可能に搭載されるキャリア搭載部と、
前記キャリア搭載部に配され、前記半導体装置用キャリアにおける間隙を通じて露出する半導体装置の端子に電気的に接続される接点部を有する接続端子部と、
前記半導体装置用キャリアが前記キャリア搭載部に近接した場合、半導体装置受けにより押圧された状態で、前記半導体装置を受け止め、半導体装置用キャリアにおける間隙を通じて露出する前記半導体装置の端子を前記接続端子部の接点部に対し位置決めする半導体装置受け台を昇降動可能に有するとともに、該半導体装置受け台を一方向に付勢する弾性部材を有する受け渡し機構と、
を具備して構成される半導体装置用キャリアを着脱可能に備えるソケット。
【請求項４】
前記受け渡し機構における半導体装置受け台は、前記半導体装置用キャリアの半導体装置受けにより下方に向けて前記弾性部材の付勢力に抗して押圧される場合、前記半導体装置の端子を前記接続端子部の接点部に対し位置決めすることを特徴とする請求項３記載の半導体装置用キャリアを着脱可能に備えるソケット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置を着脱可能に収容する半導体装置用キャリア、および、それを着脱可能に備えるソケットに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器などに実装される半導体装置は、実装される以前の段階で例えば、検査ステーションにおいて種々の試験が行われその潜在的欠陥が除去される。このような試験に供される半導体装置用ソケットは、一般に、ＩＣソケットと称される。そのようなＩＣソケットにおいては、数多くの半導体装置を同時に効率よく試験を行なうために検査ステーションに配置されるソケット本体に対し着脱可能とされ、１個の半導体装置が搭載されるキャリアが実用に供されている。そのキャリアは、例えば、特許文献２にも示されるように、ストレージステーションから検査ステーションへ搬送されるトレイ上に複数個縦横に配置される。
【０００３】
キャリアは、例えば、特許文献１および特許文献２にも示されるように、試験される半導体装置が着脱可能に収容される収容部と、収容部の周縁を形成する外殻部に回動可能に支持され、その半導体装置を選択的に保持するラッチ機構とを備えて構成されている。
【０００４】
その収容部には、キャリア内の半導体装置の端子のソケット本体におけるコンタクト端子に対する相対的な位置決めのための内壁部が形成されている。例えば、半導体装置がＳＯＰ型（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）パッケージ（電子情報技術産業協会規格：ＥＩＡＪ  ＥＤ−７３０３Ａ参照）の場合、その内壁部は、その配列される複数本のリード端子部のうちの最端に位置するリード端子に当接し位置規制するものとされる。上述のラッチ機構は、収容部内の半導体装置の位置ずれ、および、外部への飛び出しを防止するために一対のラッチを備えている。
【０００５】
検査ステーションに配置されるソケット本体は、例えば、特許文献１にも示されるように、半導体装置が搭載されるキャリアが選択的に装着されるキャリア装着部と、キャリア装着部の周辺に配され、そのキャリアに装着された半導体装置の端子を所定のテストボードに電気的に接続するコンタクト端子群とを備えるものとされる。
【０００６】
このような構成において、先ず、ストレージステーションにおいて試験される半導体装置がそれぞれ、トレイ上に配置される複数個のキャリアごとに搭載された後、次に、そのトレイが検査ステーションへ搬送される。そして、トレイとともに複数個のキャリアがソケット本体のキャリア装着部に対し装着された後、所定の試験が行なわれることとなる。
【０００７】
【特許文献１】特公平７−６３０８１号公報
【特許文献２】特許第３２９４９７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のようなトレイとともにキャリアが搬送される場合、キャリア内の半導体装置が例えば、ＳＯＰ型のパッケージの半導体装置の場合、その内壁部により、最端に位置するリード端子が位置決めされる構造においては、そのリード端子が搬送中にキャリアに作用される振動等により折れ曲がり、それによって、各リード端子のソケット本体のコンタクト端子群を構成するコンタクト端子の接点に対する相対的な位置決め精度が悪化する虞がある。
【０００９】
このような場合、ラッチ機構におけるラッチの半導体装置に対する押圧力をより高めることも考えられる。しかしながら、ラッチの押圧力をより高めることにより、却って、各リード端子の折れ曲がりに繋がる虞があるので一定の限界がある。
【００１０】
以上の問題点を考慮し、本発明は、半導体装置用キャリア、および、それを着脱可能に備えるソケットであって、外部から半導体装置用キャリアに作用する振動等に起因した半導体装置の端子のソケット本体のコンタクト端子群に対する相対的な位置決め精度の低下を回避できる半導体装置用キャリア、および、それを着脱可能に備えるソケットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置用キャリアは、半導体装置が通過する開口部および半導体装置の端子が露出する間隙を有し、半導体装置が着脱可能に配される半導体装置収容部と、半導体装置収容部内に形成され、半導体装置を移動可能に支持する半導体装置受けと、半導体装置収容部の開口部の周縁に回動可能に支持され、半導体装置受けに支持される半導体装置に対し所定の隙間をもって開口部を選択的に覆うフラップ部と、を備えて構成される。
【００１２】
また、本発明に係る半導体装置用キャリアを着脱可能に備えるソケットは、上述の半導体装置用キャリアが着脱可能に搭載されるキャリア搭載部と、キャリア搭載部に配され、半導体装置用キャリアにおける間隙を通じて露出する半導体装置の端子に電気的に接続される接点部を有する接続端子部と、半導体装置用キャリアがキャリア搭載部に近接した場合、半導体装置受けにより押圧された状態で、半導体装置を受け止め、半導体装置用キャリアにおける間隙を通じて露出する半導体装置の端子を接続端子部の接点部に対し位置決めする半導体装置受け台を昇降動可能に有するとともに、半導体装置受け台を一方向に付勢する弾性部材を有する受け渡し機構と、を備えて構成される。
【発明の効果】
【００１３】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る半導体装置用キャリア、および、それを着脱可能に備えるソケットによれば、半導体装置受けが、半導体装置収容部内に形成され半導体装置を移動可能に支持し、また、受け渡し機構が、半導体装置用キャリアがキャリア搭載部に近接した場合、半導体装置受けにより押圧された状態で、半導体装置を受け止め、半導体装置用キャリアにおける間隙を通じて露出する半導体装置の端子を接続端子部の接点部に対し位置決めする半導体装置受け台を昇降動可能に有するとともに、半導体装置受け台を一方向に付勢する弾性部材を有するので例えば、キャリアの搬送中において作用される振動等に起因した半導体装置の端子の曲がりが回避され、かつ、半導体装置受け台がその状態にある半導体装置の端子の位置決めを行なうので外部から半導体装置用キャリアに作用する振動等に起因した半導体装置の端子のソケット本体のコンタクト端子群に対する相対的な位置決め精度の低下を回避できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図２は、一連の検査ラインにおけるデバイス着脱ステージに配される本発明に係る半導体装置用キャリアの一例の外観とともに、テストステージに配されるソケットの一例の外観を模式的に示す。図２においては、複数のキャリアおよびソケットのうちの一つのキャリアおよびソケットが代表的に示されている。
【００１５】
検査ラインにおけるデバイス着脱ステージＳＴ１においては、一対の着脱動作用ピンＪＰがそのステージにおけるキャリア載置面ＰＳに対し略垂直になるように設けられている。一対の着脱動作用ピンＪＰは、半導体装置ＤＶ１がキャリア１０におけるデバイス収容部１０Ａに対して着脱可能な状態とするように、キャリア載置面ＰＳに配される後述のキャリア１０における一対のフラップ部１２Ａおよび１２Ｂを保持するものとされる。その際、例えば、ハンドラー（不図示）により保持され搬送される半導体装置ＤＶ１（図１（Ａ）参照）が、図示が省略されるデバイスストレージ部に通じる搬送経路Ｒ１に沿ってキャリア１０のデバイス収容部１０Ａに対して装着される。半導体装置ＤＶ１は、例えば、ＳＯＰ型の外郭部（パッケージ）（電子情報技術産業協会規格：ＥＩＡＪ  ＥＤ−７３０３Ａ参照）を有する半導体装置とされる。
【００１６】
一対の着脱動作用ピンＪＰは、略円形断面を有し、キャリア１０の丸い孔１０ＨＡおよび１０ＨＢに対応した距離をもって互いに離隔するとともに、斜めに相対向して設けられている。各着脱動作用ピンＪＰにおけるキャリア載置面ＰＳから突出した長さは、図２に示されるように、着脱動作用ピンＪＰの先端部分近傍がキャリア１０を貫通しフラップ部１２Ａおよび１２Ｂを互いに離隔する方向に突き上げた状態で係合し保持できる長さに設定されている。
【００１７】
キャリア１０は、例えば、樹脂材料で成形されており、図３乃至図５に示されるように、互いに向かい合う平坦な被押圧面部１０Ｋおよび当接面部１０Ｔを有している。後述するように被押圧面部１０Ｋの内側は、その中央部にフラップ部１２Ａおよび１２Ｂをそれぞれ収容する凹部１０ＲＡおよび１０ＲＢが形成されている。これにより、半導体装置ＤＶ１が上方からデバイス収容部１０Ａに対し装着可能とされる。
【００１８】
凹部１０ＲＡと凹部１０ＲＢとの境界部分には、被押圧面部１０Ｋと一体に形成される突起部１０Ｐが所定の間隔をもって向かい合うように形成されている。双方の突起部１０Ｐの間隔は、半導体装置ＤＶ１の長辺の長さよりも若干大に設定されている。
【００１９】
当接面部１０Ｔは、デバイス着脱ステージＳＴ１において、キャリア載置面ＰＳに当接し、また、テストステージＳＴ２において、ソケット４０のキャリア搭載面２０ＦＳ（図２および図６参照）に当接する。
【００２０】
キャリア１０は、その外周部の４つの角うちの３つの角にそれぞれ、切欠部１０ＣＨを有している。各切欠部１０ＣＨは、後述するソケット４０のキャリア搭載面２０ＦＳにおけるガイドポール２０Ｐの外周に係合される。キャリア１０の内側には、図５に示されるように、デバイス収容部１０Ａを有している。デバイス収容部１０Ａは、互いに向かい合う一方の内壁１０ＷＡおよび１０ＷＢと、その内壁１０ＷＡおよび１０ＷＢの両端をそれぞれ連結する他方の一対の内壁（不図示）とにより囲まれて形成されている。デバイス収容部１０Ａの中央部には、装着される半導体装置ＤＶ１を受け止め支持する細長いデバイス受け１０Ｂが向かい合う他方の一対の内壁に跨って形成されている。なお、デバイス受け１０Ｂは、後述するように、デバイス受け渡し機構の一部を構成する。
【００２１】
デバイス受け１０Ｂの両脇には、それぞれ、開口部１０Ｃが形成されている。これにより、キャリア１０のデバイス収容部１０Ａは、開口部１０Ｃを通じて当接面部１０Ｔの内側に形成される開口端に連通している。
【００２２】
樹脂で成形されるフラップ部１２Ａおよび１２Ｂは、互いに同一の構造を有するのでフラップ部１２Ａについて説明し、一方、フラップ１２Ｂについての説明を省略する。
【００２３】
フラップ部１２Ａは、支持軸１６に回動可能に支持される基端部と、押圧突起部１２Ｅ（図１（Ｂ）参照）を先端部の一部に有する押圧部とを含んで構成されている。
【００２４】
上述の基端部の内部に形成される孔を貫通する支持軸１６の両端は、凹部１０ＲＡを形成する相対向する壁部に跨って支持されている。支持軸１６における中央部分には、フラップ部１２Ａの先端部がデバイス収容部１０Ａに近接する方向にフラップ部１２Ａを付勢するねじりコイルばね１４が巻装されている。ねじりコイルばね１４の一端は、図３および図５に示されるように、フラップ部１２Ａの基端部の切欠部の周縁に係止される。一方、ねじりコイルばね１４の他端は、上述の凹部１０ＲＡの底部に係止されている。
【００２５】
上述の押圧部は、フラップ部１２Ａの先端部がデバイス収容部１０Ａに近接する位置にある場合、凹部１０ＲＡおよびデバイス受け１０Ｂに載置された半導体装置ＤＶ１の外郭部の外周面の一部および一方のリード端子群を覆うものとされる。
【００２６】
押圧突起部１２Ｅは、その基端部に連なって一体に形成され半導体装置ＤＶ１における二つのリード端子群のうちの一方のリード端子群全体を押圧するものとされる。
【００２７】
また、押圧突起部１２Ｅは、図１（Ｂ）に部分的に拡大されて示されるように、端部に形成される階段状部１０Ｓの一方の最端に突出して形成されている。階段状部１０Ｓの形状は、フラップ部１２Ａの先端部がデバイス収容部１０Ａに近接する位置にある場合、デバイス収容部１０Ａにおけるデバイス受け１０Ｂに載置された半導体装置ＤＶ１の外郭部の外周面および一方のリード端子群との相互間に所定の隙間ＣＬ１があるように形成されている。なお、フラップ１２Ｂについても同様にフラップ部１２Ｂの先端部がデバイス収容部１０Ａに近接する位置にある場合、デバイス収容部１０Ａにおけるデバイス受け１０Ｂに載置された半導体装置ＤＶ１の外郭部の外周面および他方のリード端子群との相互間に所定の隙間ＣＬ１があるように形成されている。
【００２８】
これにより、押圧部の押圧突起部１２Ｅは、ねじりコイルばね１４により付勢されてフラップ部１２Ａの先端部がデバイス収容部１０Ａに近接する位置にある場合、図１（Ｂ）に部分的に拡大されて示されるように、内壁１０ＷＡを越えてデバイス収容部１０Ａ内に侵入するものとされる。その際、フラップ部１２Ａおよび１２Ｂの押圧突起部１２Ｅと内壁１０ＷＡの表面との間には、それぞれ、所定の隙間が形成されている。
【００２９】
押圧部における押圧突起部１２Ｅに相対向する表面には、後述するハンドラーにより押圧される平坦な被押圧面１２ｆｆが形成されている。フラップ部１２Ａおよび１２Ｂにおける被押圧面１２ｆｆは、図１（Ａ）に示されるように、フラップ部１２Ａおよび１２Ｂの先端部がデバイス収容部１０Ａに近接する位置にある場合、キャリア１０の平坦な被押圧面部１０Ｋと共通の平面ＰＦ上にあるように形成されている。
【００３０】
キャリア１０におけるデバイス収容部１０Ａの周辺には、図３に示されるように、上述の着脱動作用ピンＪＰが挿入される孔１０ＨＡおよび１０ＨＢが２箇所に形成されている。孔１０ＨＡおよび１０ＨＢは、デバイス収容部１０Ａを挟んでそれぞれ、斜めに相対向して形成されている。
【００３１】
このようなキャリア１０においては、フラップ部１２Ａおよび１２Ｂの押圧突起部１２Ｅを介してデバイス収容部１０Ａ内に配される半導体装置ＤＶ１のリード端子が押圧され得る構成なので半導体装置の種類ごとに生産設備としての押圧装置を多種類備える必要がなく、押圧装置の標準化および共用化が図れることとなる。
【００３２】
上述のテストステージに配されるソケット２０は、図６および図７に示されるように、所謂、テストボードと呼称される所定のプリント配線基板ＰＢ上に配置されている。
【００３３】
ソケット２０は、その上部に上述のキャリア１０が選択的に搭載される平坦なキャリア搭載面２０ＦＳを有している。キャリア搭載面２０ＦＳは、プリント配線基板ＰＢの表面に対し略平行となるように形成されている。キャリア搭載面２０ＦＳにおける４箇所の角のうちの３箇所には、キャリア１０の切欠部１０ＣＨに係合され、キャリア１０をキャリア搭載面２０ＦＳに対し案内しつつ位置決めするガイドポール２０Ｐが設けられている。ガイドポール２０Ｐは、略矩形状の断面形状を有している。
【００３４】
キャリア搭載面２０ＦＳにおける略中央部には、デバイス受け渡し機構およびコンタクト端子群が設けられている。
【００３５】
コンタクト端子群は、上述の半導体装置ＤＶ１のリード端子群に対応して設けられている。即ち、そのコンタクト端子群は、図６に示される中心線Ｃを対称軸として対称的な２列からなるコンタクト端子群とされる。各列のコンタクト端子群は、２種類のコンタクト端子２４ａｉおよび２６ａｉ（ｉ＝１〜ｎ，ｎは正の整数）から構成されている。
【００３６】
図７に示されるように、コンタクト端子２６ａｉおよび２４ａｉは、それぞれ、順次、コンタクト端子列における一方の最端の位置から所定の間隔をもって交互に配置されている。コンタクト端子２６ａｉおよび２４ａｉ相互間は、所定の厚みの隔壁により仕切られている。
【００３７】
コンタクト端子２４ａｉは、ソケット２０のキャリア搭載面２０ＦＳに開口するスリット２０Ｓｉ（ｉ＝１〜ｎ，ｎは正の整数）内に圧入される固定部と、半導体装置ＤＶ１のリード端子に電気的に接続される接点部と、弾性変位可能とされその接点部と固定部とを連結する可動片部とを含んで構成されている。その接点部は、可動片部の端部に対し上方に向けて屈曲して形成されている。その固定部には、上述のプリント配線基板の導体に半田付け固定される端子部が形成されている。
【００３８】
一方、コンタクト端子２６ａｉは、ソケット２０のキャリア搭載面２０ＦＳに開口するスリット２０Ｓｉ（ｉ＝１〜ｎ，ｎは正の整数）内に圧入される固定部と、半導体装置ＤＶ１のリード端子に電気的に接続される接点部と、弾性変位可能とされその接点部と固定部とを連結する可動片部とを含んで構成されている。その接点部は、可動片部の端部に対し上方に向けて屈曲して形成されている。その固定部には、上述のプリント配線基板の導体に半田付け固定される端子部が形成されている。なお、コンタクト端子２６ａｉにおける固定部の端子部の位置は、コンタクト端子２４ａｉにおける固定部の端子部の位置に比して図６に示される中心線Ｃに対しより離隔した位置に設定されている。これにより、コンタクト端子２６ａｉおよび２４ａｉにおける固定部の端子部が千鳥掛け状に配置されることとなる。
【００３９】
各列のコンタクト端子群相互間に配されるデバイス受け渡し機構は、凹部２０Ａ内に昇降動可能に支持され、受け渡される半導体装置ＤＶ１のリード端子のコンタクト端子２６ａｉおよび２４ａｉにおける接点部に対する相対的な位置決めを行なうデバイス受け台２２と、凹部２０Ａ内の底部とデバイス受け台２２との間に配されデバイス受け台２２を上方に向けて付勢する弾性部材としてのリターンスプリング２８と、を主な要素として含んで構成されている。
【００４０】
デバイス受け台２２は、後述する凹部２２Ａの底部がキャリア搭載面２０ＦＳに対し略平行となるようにソケット２０に設けられている。
【００４１】
デバイス受け台２２は、半導体装置ＤＶ１が上述のキャリア１０のデバイス受け１０Ｂ
を介して受け渡される場合、デバイス受け１０Ｂ全体が挿入される角溝形の断面形状を有する凹部２２Ａと、凹部２２Ａの周縁に形成され受け渡される半導体装置ＤＶ１のパッケージの下端部を受け止め支持し、各リード端子の各コンタクト端子２６ａｉおよび２４ａｉの接点部に対する位置決めを行なう台座部とを含んで構成される。
【００４２】
台座部の下端部は、凹部２２Ａを形成する内壁部に摺動可能に支持されている。また、台座部の下端部に一体に形成される一対の爪部（不図示）が、それぞれ、ソケット２０の凹部２０Ａの周縁に対応して形成される段差部に係止されている。これにより、デバイス受け台２２は、図７に示されるように、リターンスプリング２８の付勢力により付勢され、かつ、一対の爪部が段差部に係止される。これにより、所定の高さに、例えば、台座部の最上端位置が各コンタクト端子２６ａｉおよび２４ａｉの接点部の最上端位置よりも高くなるように設定されることとなる。
【００４３】
また、凹部２２Ａの底部がデバイス受け１０Ｂにより押圧される場合、台座部は、半導体装置ＤＶ１のパッケージの下端部を受け止め支持しつつ、その初期位置から所定量だけリターンスプリング２８の付勢力に抗して下降せしめられる。一方、デバイス受け１０Ｂに作用される押圧力が除去される場合、リターンスプリング２８の付勢力により、台座部は、上述の初期位置に戻される。
【００４４】
従って、上述のデバイス受け渡し機構は、デバイス受け台２２と、リターンスプリング２８と、および、キャリア１０のデバイス受け１０Ｂとにより形成されることとなる。
【００４５】
斯かる構成において、図２に示されるデバイス着脱ステージＳＴ１において、デバイス用ハンドラー（不図示）により保持され搬送される半導体装置ＤＶ１を、図示が省略されるデバイスストレージ部に通じる搬送経路Ｒ１に沿ってキャリア１０のデバイス収容部１０Ａに対して装着するにあたっては、先ず、図８（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）に示されるように、一対の着脱動作用ピンＪＰの先端がそれぞれ、キャリア１０の孔１０ＨＡおよび１０ＨＢに位置合わされ挿入されるように、キャリア１０が、一対の着脱動作用ピンＪＰに対し真上となる位置から下降せしめられ、キャリア載置面ＰＳ上に載置される。これにより、一対のフラップ部１２Ａおよび１２Ｂは、それぞれ、ねじりコイルばね１４の付勢力に抗して互いに離隔する方向に所定角度だけ突き上げられて回動された後、着脱動作用ピンＪＰの外周部に係合される。従って、図９（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）に示されるように、一対のフラップ部１２Ａおよび１２Ｂの先端部の相互間には、所定の隙間が形成される。
【００４６】
次に、図９（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）に示されるように、デバイス用ハンドラーにより、上方から下降せしめられる半導体装置ＤＶ１がその隙間を通過しデバイス収容部１０Ａのデバイス受け１０Ｂ上に装着されることとなる。
【００４７】
続いて、半導体装置ＤＶ１が装着されたキャリア１０が、キャリア用ハンドラー（不図示）によって着脱動作用ピンＪＰから離隔され、図１（Ａ）に示されるように、一対のフラップ部１２Ａおよび１２Ｂが半導体装置ＤＶ１の上方を覆う状態で図２に示される搬送経路Ｒ２に沿ってテストステージＳＴ２に向けて搬送され、図１１に示されるように、キャリア１０がソケット２０の真上となる所定の位置に配される。これにより、搬送中、半導体装置ＤＶ１の不所望な飛び出しが一対のフラップ部１２Ａおよび１２Ｂによって回避される。また、図１に部分的に拡大されて示されるように、半導体装置ＤＶ１の外郭部の外周部およびその外周部から突出するリード端子と一対のフラップ部１２Ａおよび１２Ｂの階段状部１０Ｓとの間には、所定の隙間ＣＬ１が形成される。即ち、半導体装置ＤＶ１のパッケージは、デバイス受け１０Ｂに対して移動可能に支持されるので振動等によりリード端子に対し不所望な力が作用する虞もない。
【００４８】
続いて、図１２（Ａ）に示されるように、キャリア用ハンドラーによって位置合わせされたキャリア１０の各切欠部１０ＣＨがガイドポール２０Ｐに案内されながら下降せしめられ、その当接面部１０Ｔがキャリア搭載面２０ＦＳに近接される。
【００４９】
その際、図１２（Ｂ）に拡大されて示されるように、デバイス受け１０Ｂがデバイス受け台２２の凹部２２Ａ内に挿入されるとともに、半導体装置ＤＶ１のパッケージの下端面が凹部２２Ａの開口端周縁に形成される台座部に当接される。これにより、デバイス受け１０Ｂ上で半導体装置ＤＶ１の位置が微調整されるので半導体装置ＤＶ１のリード端子のコンタクト端子２４ａｉおよび２６ａｉの接点部に対する相対的な位置決めが精度よくなされることとなる。
【００５０】
なお、この時点においては、押圧突起部１２Ｅの端面とリード端子との間、および、デバイス受け１０Ｂの下面と凹部２２Ａの底面部との間には、それぞれ、所定の隙間ＣＬ１、ＣＬ３が形成される。また、コンタクト端子２４ａｉ，および、２６ａｉの接点部とリード端子との間にも、隙間ＣＬ２が形成されている。
【００５１】
続いて、図１３（Ａ）に示されるように、キャリア用ハンドラーのチャック部ＭＨが、キャリア１０の平坦な被押圧面部１０Ｋおよび一対のフラップ部１２Ａおよび１２Ｂの被押圧面１２ｆｆに当接し押圧する。これにより、キャリア１０の当接面１０Ｔがキャリア搭載面２０ＦＳに対しさらに近接されるとともに、デバイス受け１０Ｂの下面がリターンスプリング２８の付勢力に抗して凹部２２Ａの底面部に当接せしめられ、所定量、押圧される。
【００５２】
その際、押圧突起部１２Ｅの端面がリード端子に当接し、キャリア１０の当接面１０Ｔとキャリア搭載面２０ＦＳとの間の隙間ＣＬ５がより小さくなる。また、半導体装置ＤＶ１のパッケージの下端面とデバイス受け１０Ｂの上面との間に隙間ＣＬ４が形成される。
【００５３】
そして、図１４（Ａ），（Ｂ）に示されるように、キャリア用ハンドラーのチャック部ＭＨがキャリア１０の平坦な被押圧面部１０Ｋおよび一対のフラップ部１２Ａおよび１２Ｂの被押圧面１２ｆｆに当接した状態でさらに押圧することにより、リード端子がコンタクト端子２４ａｉおよび２６ａｉの接点部に当接した後、リターンスプリング２８の付勢力に抗して所定量、押圧される。その際、キャリア１０の当接面１０Ｔとキャリア搭載面２０ＦＳとが所定の圧力で互いに当接する。これにより、半導体装置ＤＶ１のリード端子がコンタクト端子２４ａｉおよび２６ａｉに対し電気的に接続されることとなる。従って、半導体装置ＤＶ１についての試験が開始し得る状態となる。
【００５４】
また、キャリア１０の当接面１０Ｔが常にキャリア載置面ＰＳあるいはキャリア搭載面２０ＦＳと向かい合っている状態なので試験が開始し得る状態まで、キャリア１０を上下反転させる等の工程を必要としないため、試験開始までの工程効率を高めることができる。
【００５５】
図１５（Ａ）、および、図１６は、それぞれ、上述の一連の検査ラインにおけるデバイス着脱ステージに配される本発明に係る半導体装置用キャリアの他の一例の外観とともに、テストステージに配されるソケットの他の一例の外観を示す。
【００５６】
図３、および、図６に示される例においては、ＳＯＰ型パッケージ形式の半導体装置ＤＶ１を試験するために使用されるキャリア１０およびソケット２０であるが、一方、図１５（Ａ）、および、図１６は、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型の外郭部（パッケージ）（電子情報技術産業協会規格：ＥＩＡＪ  ＥＤ−７３０３Ａ参照）を有する半導体装置ＤＶ２を試験するために使用されるキャリア３０およびソケット４０である。半導体装置ＤＶ２は、バンプ形成面に複数個のバンプＢａｉ（ｉ＝１〜ｎ，ｎは正の整数）を有している（図２０（Ｂ）参照）。半田ボールにより形成される半球状の各バンプＢａｉは、所定の相互間隔、例えば、約０．２〜０．５ｍｍの相互間隔で配列されている。
【００５７】
なお、図１８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）および図１７においては、図２において、同一とされる構成要素について同一の符号を付して示し、その重複説明を省略する。
【００５８】
図１５（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）において、キャリア３０は、例えば、樹脂材料で成形されており、図１５（Ｂ）に示されるように、互いに向かい合う平坦な被押圧面部３０Ｋおよび当接面部３０Ｔを有している。後述するように被押圧面部３０Ｋの内側は、その中央部にフラップ部３２Ａおよび３２Ｂをそれぞれ収容する凹部３０ＲＡおよび３０ＲＢが形成されている。凹部３０ＲＡと凹部３０ＲＢとの境界部分には、被押圧面部３０Ｋと一体に形成される突起部３０Ｐが所定の間隔をもって向かい合うように形成されている。双方の突起部３０Ｐの間隔は、半導体装置ＤＶ２の長辺の長さよりも若干大に設定されている。
【００５９】
当接面部３０Ｔは、上述のデバイス着脱ステージＳＴ１において、キャリア載置面ＰＳに当接し、また、上述のテストステージＳＴ２において、ソケット４０のキャリア搭載面４０ＦＳ（図１７参照）に当接する。
【００６０】
キャリア３０は、その外周部の４つの角うちの３つの角にそれぞれ、切欠部３０ＣＨを有している。各切欠部３０ＣＨは、後述するソケット４０のキャリア搭載面４０ＦＳにおけるガイドポール４０Ｐの外周に係合される。キャリア３０の内側には、図１５（Ｃ）に示されるように、デバイス収容部３０Ａを有している。デバイス収容部３０Ａは、互いに向かい合う一方の内壁３０ＷＡおよび３０ＷＢと、その内壁３０ＷＡおよび３０ＷＢの両端をそれぞれ連結する他方の一対の内壁（不図示）とにより囲まれて形成されている。デバイス収容部３０Ａを形成する内周縁の斜面（案内面）に連なる下端部には、装着される半導体装置ＤＶ２における外郭部のバンプ群の周縁を受け止め支持するデバイス受け３０Ｂがその内側に向けて突出形成されている（図２０（Ｂ）参照）。上述のデバイス収容部３０Ａを形成する内周縁の斜面に連なる下端部の内周面とデバイス受け３０Ｂに支持される半導体装置ＤＶ２における外郭部の外周面との間には、所定の隙間ΔＣＬが形成されている。
【００６１】
なお、デバイス受け３０Ｂは、後述するように、デバイス受け渡し機構の一部を構成する。
【００６２】
デバイス受け３０Ｂの下方には、開口部３０Ｃが形成されている。これにより、キャリア３０のデバイス収容部３０Ａは、開口部３０Ｃを通じて当接面部３０Ｔの開口端に連通している。
【００６３】
樹脂で成形されるフラップ部３２Ａおよび３２Ｂは、互いに同一の構造を有するのでフラップ部３２Ａについて説明し、一方、フラップ３２Ｂについての説明を省略する。
【００６４】
フラップ部３２Ａは、支持軸３６に回動可能に支持される基端部と、押圧突起部３２Ｅ（図２０（Ｂ）参照）を先端部の一部に有する押圧部とを含んで構成されている。
【００６５】
上述の基端部の内部に形成される孔を貫通する支持軸３６の両端は、凹部３０ＲＡを形成する相対向する壁部に跨って支持されている。支持軸３６における中央部分には、フラップ部３２Ａの先端部がデバイス収容部３０Ａに近接する方向にフラップ部３２Ａを付勢するねじりコイルばね３４が巻装されている。ねじりコイルばね３４の一端は、図１５（Ｃ）に示されるように、フラップ部３２Ａの基端部の切欠部の周縁に係止され、一方、ねじりコイルばね３４の他端は、上述の凹部３０ＲＡの底部に係止されている。
【００６６】
上述の押圧部は、フラップ部３２Ａの先端部がデバイス収容部３０Ａに近接する位置にある場合、凹部３０ＲＡおよびデバイス受け３０Ｂに載置された半導体装置ＤＶ２の外郭部の外周面の一部を覆うものとされる。
【００６７】
その押圧部の先端部における押圧突起部３２Ｅは、その基端部に連なって一体に形成され半導体装置ＤＶ２における上面の一部を押圧するものとされる。また、押圧突起部３２Ｅは、図２０（Ｂ）に部分的に拡大されて示されるように、最端部に鉤状に突出して形成されている。押圧突起部３２Ｅの先端には、平坦面が形成されている。押圧突起部３２Ｅの平坦面は、フラップ部３２Ａの先端部がデバイス収容部３０Ａに近接する位置にある場合、デバイス収容部３０Ａにおけるデバイス受け３０Ｂに載置された半導体装置ＤＶ２の外郭部の外周面との相互間に所定の隙間ＣＬ１があるように形成されている。なお、フラップ３２Ｂの押圧突起部３２Ｅの平坦面についても同様に、フラップ部３２Ｂの先端部がデバイス収容部３０Ａに近接する位置にある場合、デバイス収容部３０Ａにおけるデバイス受け３０Ｂに載置された半導体装置ＤＶ２の外郭部の上面との相互間に所定の隙間ＣＬ１があるように形成されている。
【００６８】
従って、上述したように、デバイス収容部３０Ａを形成する内周縁の斜面に連なる下端部の内周面とデバイス受け３０Ｂに支持される半導体装置ＤＶ２の外郭部の外周面との間には、所定の隙間ΔＣＬが形成されているので半導体装置ＤＶ２は、デバイス受け３０Ｂ上で移動可能とされる。
【００６９】
また、押圧部の押圧突起部３２Ｅは、ねじりコイルばね３４により付勢されてフラップ部３２Ａの先端部がデバイス収容部３０Ａに近接する位置にある場合、図２０（Ａ），および、（Ｂ）に示されるように、内壁３０ＷＡを越えてデバイス収容部３０Ａ内に侵入するものとされる。その際、フラップ部３２Ａおよび３２Ｂの押圧突起部３２Ｅと内壁３０ＷＡの表面との間には、それぞれ、所定の隙間が形成されている。
【００７０】
押圧部における押圧突起部３２Ｅに相対向する表面には、後述するハンドラーにより押圧される平坦な被押圧面３２ｆｆが形成されている。フラップ部３２Ａおよび３２Ｂにおける被押圧面３２ｆｆは、図２０（Ａ）に示されるように、フラップ部３２Ａおよび３２Ｂの先端部がデバイス収容部３０Ａに近接する位置にある場合、キャリア３０の平坦な被押圧面部３０Ｋと共通の平面ＰＦ上にあるように形成されている。
【００７１】
キャリア３０におけるデバイス収容部３０Ａの周辺には、図１５（Ａ）に示されるように、上述の着脱動作用ピンＪＰが挿入される孔３０ＨＡおよび３０ＨＢが２箇所に形成されている。孔３０ＨＡおよび３０ＨＢは、デバイス収容部３０Ａを挟んでそれぞれ、斜めに相対向して形成されている。
【００７２】
上述のテストステージに配されるソケット４０は、図１６および図１７に示されるように、所謂、テストボードと呼称される所定のプリント配線基板ＰＢ上に配置されている。
【００７３】
ソケット４０は、その上部に上述のキャリア３０が選択的に搭載される平坦なキャリア搭載面４０ＦＳを有している。キャリア搭載面４０ＦＳは、プリント配線基板ＰＢの表面に略平行となるように形成されている。キャリア搭載面４０ＦＳにおける４箇所の角のうちの３箇所には、ガイドポール４０Ｐが設けられている。ガイドポール４０Ｐは、キャリア３０の切欠部３０ＣＨに係合され、キャリア３０をキャリア搭載面４０ＦＳに対し案内しつつ位置決めするものとされる。また、ガイドポール４０Ｐは、略矩形状の断面形状を有している。
【００７４】
キャリア搭載面４０ＦＳにおける略中央部には、デバイス受け渡し機構およびコンタクトピン群が設けられている。
【００７５】
コンタクトピン群は、上述の半導体装置ＤＶ２のバンプ端子群に対応して設けられている。即ち、そのコンタクトピン群は、例えば、所謂、バンプ端子群に対応した配列の複数本のプローブピンで構成されている。コンタクトピン群を構成するそのコンタクトピン４４ａｉは、ソケット４０のキャリア搭載面４０ＦＳに開口する貫通孔内に挿入されるスリーブ部と、そのスリーブ内に変位可能に支持され半導体装置ＤＶ２のバンプに電気的に接続される第１の接点部と、そのスリーブ内に変位可能に支持されプリント配線基板ＰＢの導体に電気的に接続される第２の接点部と、そのスリーブ部内に配され第１の接点部および第２の接点部を互いに離隔する方向に付勢するコイルスプリングとを含んで構成されている。コンタクトピン４４ａｉは、その中心軸線がキャリア搭載面４０ＦＳに対して略垂直になるように配置されている。
【００７６】
各コンタクトピン４４ａｉの第１の接点部に関連して配されるデバイス受け渡し機構は、昇降動可能に支持され、受け渡される半導体装置ＤＶ２のバンプの第１の接点部に対する相対的な位置決めを行なうデバイス受け台４２と、ソケット４０の中央部に形成される凹部４０Ａ内の底部とデバイス受け台４２の下端面との間に配されデバイス受け台４２を上方に向けて付勢する弾性部材としてのリターンスプリング４８と、を主な要素として含んで構成されている。
【００７７】
デバイス受け台４２は、受け渡される半導体装置ＤＶ２の各バンプＢａｉを個別に受け止め支持し、各バンプＢａｉの各コンタクトピン４４ａｉの第１の接点部に対する位置決めを行なう台座部を備えて構成される。
【００７８】
デバイス受け台４２は、図１７に示されるように、その台座部の上面がキャリア搭載面４０ＦＳに対し略平行となるように設けられている。
【００７９】
図１６に示されるように、略十字状に形成されるデバイス受け台４２において、その台座部の上面部には、半導体装置ＤＶ２の各バンプＢａｉを個別に受け止めて位置決めを行なうための所定の深さを有する窪み４２Ｇｉ（ｉ＝１〜ｎ，ｎは正の整数）がバンプＢａｉの配列に対応して所定の間隔で形成されている。また、各窪み４２Ｇｉを形成する壁部の底部には、コンタクトピン４４ａｉの第１の接点部の先端部が所定の隙間をもって挿入される細孔が形成されている。なお、窪み４２Ｇｉの深さは、図２２（Ｂ）に部分的に拡大されて示されるように、受け渡される半導体装置ＤＶ２の各バンプＢａｉ全体が収容され、かつ、コンタクトピン４４ａｉの第１の接点部の先端部がその球面に対し所定の隙間をもって対向するように設定されている。
【００８０】
デバイス受け台４２の一方の両端には、それぞれ、ソケット４０の孔（不図示）を貫通する脚部（不図示）が一体に形成されている。その各脚部は、孔の周縁に係止される爪部を先端部に有している。
【００８１】
これにより、デバイス受け台４２は、リターンスプリング４８により上方に向けて付勢されるもとで、その爪部が孔の周縁に係止されることにより位置規制され、所定の高さに設定されることとなる。
【００８２】
また、図６および図７に示されるように、デバイス受け台４２の他方の両端には、それぞれ、キャリア３０のデバイス受け３０Ｂに選択的に係合するフランジ部４２Ｅが形成されている。
【００８３】
従って、デバイス受け台４２は、その各脚部および上述の孔により案内されながら所定のストロークで昇降動可能にソケット４０に支持されることとなる。
【００８４】
また、デバイス受け台４２のフランジ部４２Ｅがキャリア３０のデバイス受け３０Ｂにより押圧される場合、その台座部は、半導体装置ＤＶ２の外郭部の下端面部を受け止め支持しつつ、その初期位置から所定量だけリターンスプリング４８の付勢力に抗して下降せしめられ、一方、デバイス受け台４２のフランジ部４２Ｅに作用される押圧力が除去される場合、リターンスプリング４８の付勢力により、その台座部は、上述の初期位置に戻される。
【００８５】
従って、上述のデバイス受け渡し機構は、デバイス受け台４２と、リターンスプリング４８と、および、キャリア３０のデバイス受け３０Ｂとにより形成されることとなる。
【００８６】
斯かる構成において、図２に示されるデバイス着脱ステージＳＴ１において、デバイス用ハンドラー（不図示）により保持され搬送される半導体装置ＤＶ２を、図示が省略されるデバイスストレージ部に通じる搬送経路Ｒ１に沿ってキャリア３０のデバイス収容部３０Ａに対して装着するにあたっては、先ず、図１８（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）に示されるように、一対の着脱動作用ピンＪＰの先端がそれぞれ、キャリア３０の孔３０ＨＡおよび３０ＨＢに位置合わされ挿入されるように、キャリア３０が、一対の着脱動作用ピンＪＰに対し真上となる位置から下降せしめられ、キャリア載置面ＰＳ上に載置される。これにより、一対のフラップ３２Ａおよび３２Ｂは、それぞれ、ねじりコイルばね３４の付勢力に抗して互いに離隔する方向に所定角度だけ突き上げられて回動された後、着脱動作用ピンＪＰの外周部に係合される。従って、図９（Ｂ）、および（Ｃ）に示されるように、一対のフラップ３２Ａおよび３２Ｂの先端部の相互間には、所定の隙間が形成される。
【００８７】
次に、図９（Ｃ）、および、（Ｄ）に示されるように、デバイス用ハンドラーにより、上方から下降せしめられる半導体装置ＤＶ２がその隙間を通過しデバイス収容部３０Ａのデバイス受け３０Ｂに装着されることとなる。
【００８８】
その際、図２０に部分的に拡大されて示されるように、半導体装置ＤＶ２の外郭部の外周部と一対のフラップ３２Ａおよび３２Ｂの押圧突起部３２Ｅとの間には、所定の隙間ＣＬ１が形成される。また、半導体装置ＤＶ２の外郭部の外周部とデバイス受け３０Ｂに連なる部分との間に所定の隙間ΔＣＬが形成される。即ち、半導体装置ＤＶ２の外郭部は、デバイス受け３０Ｂに対して移動可能に支持されることとなる。
【００８９】
続いて、半導体装置ＤＶ２が装着されたキャリア３０が、キャリア用ハンドラー（不図示）によって着脱動作用ピンＪＰから離隔される。その際、図１９および図２１に示されるように、一対のフラップ３２Ａおよび３２Ｂが半導体装置ＤＶ２の上方を覆う状態で図２に示される搬送経路Ｒ２に沿ってテストステージＳＴ２に向けて搬送され、キャリア３０がソケット４０の真上となる所定の位置に配される。
【００９０】
これにより、搬送中、半導体装置ＤＶ２の不所望な飛び出しが一対のフラップ３２Ａおよび３２Ｂによって回避される。
【００９１】
続いて、図２２（Ａ）に示されるように、キャリア用ハンドラーによって位置合わせされたキャリア３０の各切欠部３０ＣＨがガイドポール４０Ｐに案内されながら下降せしめられ、その当接面部３０Ｔがキャリア搭載面４０ＦＳに近接される。
【００９２】
その際、図２２（Ｂ）に拡大されて示されるように、キャリア３０のデバイス受け３０Ｂの下方に形成される開口部３０Ｃ内に、デバイス受け台４２が挿入されるとともに、半導体装置ＤＶ２の外郭部の下端面がその台座部の上面に当接される。これにより、半導体装置ＤＶ２の各バンプＢａｉが、それぞれ、窪み４２Ｇｉに挿入される。従って、デバイス受け３０Ｂ上で半導体装置ＤＶ２の位置が微調整されるので半導体装置ＤＶ２のバンプＢａｉのコンタクトピン４４ａｉの第１の接点部に対する相対的な位置決めが精度よくなされることとなる。
【００９３】
なお、図２２（Ｂ）に拡大されて示されるように、この時点においては、押圧突起部３２Ｅの端面とその外郭部の上面との間、および、デバイス受け３０Ｂに連なる壁部と外郭部の外周面との間には、それぞれ、所定の隙間ＣＬ１、ΔＣＬが形成される。また、コンタクトピン４４ａｉの第１の接点部とバンプＢａｉとの間にも、隙間が形成されている。
【００９４】
続いて、図２３（Ａ）に示されるように、キャリア用ハンドラーのチャック部が、キャリア４０の平坦な被押圧面部３０Ｋおよび一対のフラップ３２Ａおよび３２Ｂの被押圧面３２ｆｆに当接し押圧する。これにより、キャリア３０の当接面３０Ｔがキャリア搭載面４０ＦＳに対しさらに近接されるとともに、デバイス受け３０Ｂの下面がリターンスプリング２８の付勢力に抗してデバイス受け台４２のフランジ部４２Ｅに当接せしめられ、所定量、押圧される。
【００９５】
その際、押圧突起部３２Ｅの端面が上述のパッケージの上面に当接し、キャリア３０の当接面３０Ｔとキャリア搭載面４０ＦＳとの間の隙間がより小さくなる。また、図２３（Ｂ）に示されるように、上述の隙間ΔＣＬが維持されながら、半導体装置ＤＶ２の外郭部の下端面とデバイス受け３０Ｂの上面との間に隙間ＣＬ２が形成される。
【００９６】
そして、図２４（Ａ），（Ｂ）に示されるように、キャリア用ハンドラーのチャック部がキャリア３０の平坦な被押圧面部３０Ｋおよび一対のフラップ３２Ａおよび３２Ｂの被押圧面３２ｆｆに当接した状態でさらに押圧する。これにより、各バンプＢａｉがコンタクトピン４４ａｉの第１の接点部に当接した後、リターンスプリング４８の付勢力に抗して所定量、押圧される。その際、キャリア３０の当接面３０Ｔとキャリア搭載面４０ＦＳとが所定の圧力で互いに当接する。これにより、半導体装置ＤＶ２のバンプＢａｉがコンタクトピン４４ａｉに対し電気的に接続されることとなる。従って、半導体装置ＤＶ２についての試験が開始し得る状態となる。
【００９７】
また、キャリア１０の当接面１０Ｔが常にキャリア載置面ＰＳあるいはキャリア搭載面２０ＦＳと向かい合っている状態なので試験が開始し得る状態まで、キャリア１０を上下反転させる等の工程を必要としないため、試験開始までの工程効率を高めることができる。
【００９８】
なお、上述の例においては、本発明に係る半導体装置用キャリアの他の一例および、ソケットの他の一例がＢＧＡ型のパッケージ形式である半導体装置に適用されているが、斯かる例に限られることなく、例えば、ＬＧＡ型のパッケージ形式（電子情報技術産業協会規格：ＥＩＡＪ  ＥＤ−７３０３Ａ参照）である半導体装置に対して適用されてもよいことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】（Ａ）は、本発明に係る半導体装置用キャリアの一例を、半導体装置とともに示す断面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）の一部を拡大して示す部分断面図である。
【図２】デバイス着脱ステージに配される本発明に係る半導体装置用キャリアの一例の外観とともに、テストステージに配されるソケットの一例の外観を模式的に示す外観図である。
【図３】本発明に係る半導体装置用キャリアの一例を示す平面図である。
【図４】図３に示される例における正面図である。
【図５】図３におけるＶ−Ｖ線に沿って示される断面図である。
【図６】本発明に係るソケットの一例を示す平面図である。
【図７】図６におけるＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って示される断面図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）は、それぞれ、本発明に係る半導体装置用キャリアの一例に対する半導体装置の着脱の説明に供される平面図、正面図、断面図である。
【図９】（Ａ），（Ｂ）、および（Ｃ）は、それぞれ、本発明に係る半導体装置用キャリアの一例に対する半導体装置の着脱の説明に供される平面図、正面図、断面図である。
【図１０】本発明に係る半導体装置用キャリアの一例に半導体装置が装着された状態を示す平面図である。
【図１１】本発明に係る半導体装置用キャリアおよびソケットの一例の動作説明に供される断面図である。
【図１２】（Ａ）は、本発明に係る半導体装置用キャリアおよびソケットの一例の動作説明に供される断面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）における要部を部分的に拡大して示す部分断面図である。
【図１３】（Ａ）は、本発明に係る半導体装置用キャリアおよびソケットの一例の動作説明に供される断面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）における要部を部分的に拡大して示す部分断面図である。
【図１４】（Ａ）、および（Ｂ）は、それぞれ、本発明に係る半導体装置用キャリアおよびソケットの一例の動作説明に供される正面図、および、断面図であり、（Ｃ）は、（Ｂ）における要部を拡大して部分的に示す部分断面図である。
【図１５】（Ａ），および、（Ｂ）は、それぞれ、本発明に係る半導体装置用キャリアの他の一例を示す平面図、正面図であり、（Ｃ）は、（Ａ）におけるＸＶＣ−ＸＶＣ線に沿って示される断面図である。
【図１６】本発明に係るソケットの他の一例を示す平面図である。
【図１７】図１６におけるＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿って示される断面図である。
【図１８】（Ａ），および、（Ｂ）は、それぞれ、本発明に係る半導体装置用キャリアの他の一例に対する半導体装置の着脱の説明に供される平面図、部分断面を含む正面図であり、（Ｃ）は、（Ａ）におけるＸＶＩＩＩＣ―ＸＶＩＩＩＣ線に沿って示される断面図であり、（Ｄ）は、半導体装置が装着された状態を示す断面図である。
【図１９】本発明に係る半導体装置用キャリアの他の一例に、半導体装置が装着された状態を示す平面図である。
【図２０】（Ａ）は、本発明に係る半導体装置用キャリアの他の一例に、半導体装置が装着された状態を示す断面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）における要部を部分的に拡大して示す部分断面図である。
【図２１】本発明に係る半導体装置用キャリアおよびソケットの他の一例の動作説明に供される断面図である。
【図２２】（Ａ）は、本発明に係る半導体装置用キャリアおよびソケットの他の一例の動作説明に供される断面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）における要部を部分的に拡大して示す部分断面図である。
【図２３】（Ａ）は、本発明に係る半導体装置用キャリアおよびソケットの他の一例の動作説明に供される断面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）における要部を部分的に拡大して示す部分断面図である。
【図２４】（Ａ）は、本発明に係る半導体装置用キャリアおよびソケットの他の一例の動作説明に供される断面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）における要部を部分的に拡大して示す部分断面図である。
【符号の説明】
【０１００】
１０、３０    キャリア
１０Ａ、３０Ａ    デバイス収容部
１０Ｂ、３０Ｂ    デバイス受け
１０Ｋ、３０Ｋ    被押圧面部
１２Ａ，１２Ｂ、３２Ａ，３２Ｂ    フラップ部
１２Ｅ，３２Ｅ    押圧突起部
２０、４０    ソケット
２２、４２    デバイス受け台
２４ａｉ，２６ａｉ    コンタクト端子
２８、４８    リターンスプリング
４４ａｉ    コンタクトピン
ＤＶ１，ＤＶ２    半導体装置
【図１】
2008300291.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2008300291.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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