(57)【要約】  【解決手段】  電子アセンブリを封入する方法は、複数の非導電性粒子を、電子アセンブリの１つ以上の構成要素を担持する基板上に配置することと、反応性パリレンモノマーを蒸気形態で複数の非導電性粒子の間の介在空間に導入することと、反応性パリレンモノマーからの非導電性粒子の介在空間にパリレン結合剤を形成することと、を含む。  【選択図】図１
2021501471.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子アセンブリ（１０）を封入する方法であって、
複数の非導電性粒子（１７、２７、３７）を、前記電子アセンブリ（１０）の１つ以上の構成要素を担持する基板（１４、２４、３４、４４、５４）上に配置することと、
反応性パリレンモノマーを蒸気形態で前記複数の前記非導電性粒子（１７、２７、３７）の間の介在空間に導入することと、
前記反応性パリレンモノマーからの前記非導電性粒子（１７、２７、３７）の前記介在空間にパリレン結合剤（１８、２８、３８）を形成することと、を特徴とし、
任意選択的に、前記非導電性粒子（１７、２７、３７）が、ＡＳＴＭ  Ｄ  １８２９に従って２３℃で測定された１０１２Ω＊ｃｍ超の電気抵抗率を有する、方法。
【請求項２】
前記非導電性粒子（１７、２７、３７）が、六方晶窒化ホウ素、窒化ケイ素、又は上記のうちの少なくとも１つを含む組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記非導電性粒子（１７、２７、３７）が、不規則的な形状を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記非導電性粒子（１７、２７、３７）が、第１の規則的な形状及び第１の平均直径を有する第１の粒子を有する第１の粉末と、第２の規則的な形状及び第２の平均直径を有する第２の粒子を有する第２の粉末と、を含み、前記第１の規則的な形状が、前記第２の規則的な形状とは異なるか、前記第１の平均直径が、前記第２の平均直径とは異なるか、又はこれらの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記パリレン結合剤（１８、２８、３８）に対する前記非導電性粒子（１７、２７、３７）の体積比が、約７０：３０〜約９９．９９：０．０１である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記非導電性粒子（１７、２７、３７）及び前記パリレン結合剤（１８、２８、３８）から形成された封止構造物（１７、１９、２０、３０、４９）上にヒートシンク（１１）を配置することを更に特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
封入された電子アセンブリ（１０）であって、
剛性又は可撓性基板（１４、２４、３４、４４、５４）と、
前記基板（１４、２４、３４、４４、５４）上に配置された１つ以上の構成要素と、
封止構造物（１７、１９、２０、３０、４９）であって、複数の非導電性粒子（１７、２７、３７）と、前記複数の非導電性粒子（１７、２７、３７）を互いに、前記基板（１４、２４、３４、４４、５４）に、及び前記基板（１４、２４、３４、４４、５４）上に配置された前記１つ以上の構成要素に係止する、パリレン結合剤（１８、２８、３８）と、を含む、封止構造物（１７、１９、２０、３０、４９）と、を特徴とし、
任意選択的に、前記１つ以上の構成要素が、ワイヤボンド（１５）、チップ（１６）、表面（４１）実装デバイス（ＳＭＤ）、感知デバイス、付加製造によって作製された導電性及び単離構造、又は上記のうちの少なくとも１つを含む組み合わせを含む、封入された電子アセンブリ（１０）。
【請求項８】
前記非導電性粒子（１７、２７、３７）が、連続網状組織を形成する、請求項７に記載の封入された電子アセンブリ（１０）。
【請求項９】
前記非導電性粒子（１７、２７、３７）が、六方晶窒化ホウ素、窒化ケイ素、又は上記のうちの少なくとも１つを含む組み合わせを含み、
前記パリレン結合剤（１８、２８、３８）が、フッ素化ポリ−パラ−キシリレンを含み、
前記パリレン結合剤（１８、２８、３８）に対する前記非導電性粒子（１７、２７、３７）の体積比が、約７０：３０〜約９９．９９：０．０１である、請求項７に記載の封入された電子アセンブリ（１０）。
【請求項１０】
前記基板（１４、２４、３４、４４、５４）に対向する前記封止構造物（１７、１９、２０、３０、４９）上に配置されたヒートシンク（１１）、パッケージ基部（１２、４２）であって、前記基板（１４、２４、３４、４４、５４）が、前記パッケージ基部（１２、４２）上に配置される、パッケージ基部（１２、４２）、又はこれらの組み合わせを更に特徴とする、請求項７に記載の封入された電子アセンブリ（１０）。
【請求項１１】
前記ヒートシンク（１１）が、前記パッケージ基部（１２、４２）に連結されている、請求項１０に記載の封入された電子アセンブリ（１０）。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれか一項に記載の封入された電子アセンブリ（１０）を含む、ダウンホールツール（４０）。
【請求項１３】
前記封止構造物（１７、１９、２０、３０、４９）が、前記基板（１４、２４、３４、４４、５４）と対向する湾曲面（４１）に連結され、任意選択的に、前記湾曲面（４１）が、押出物（４８）を有し、任意選択的に、前記湾曲面（４１）が、前記ダウンホールツール（４０）の内壁である、請求項１２に記載のダウンホールツール（４０）。
【請求項１４】
前記封入された電子アセンブリ（１０）の前記基板（１４、２４、３４、４４、５４）が、前記ダウンホールツール（４０）のセグメント上又は前記ダウンホールツール（４０）内のキャビティ（５２）上に配置されている、請求項１２に記載のダウンホールツール（４０）。
【請求項１５】
前記非導電性粒子（１７、２７、３７）と、前記パリレン結合剤（１８、２８、３８）と、を含む、前記封止構造物（１７、１９、２０、３０、４９）が、前記ダウンホールツール（４０）の前記セグメント又は前記ダウンホールツール（４０）内の前記キャビティ（５２）に拡張されて、前記封入された電子アセンブリ（１０）を前記ダウンホールツール（４０）の前記セグメント又はキャビティ（５２）に係止する、請求項１４に記載のダウンホールツール（４０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、２０１７年１０月３０日に出願された米国特許出願第１５／７９６９２８号の利益を主張する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
ダウンホール電子機器は、適切な機能及び信頼性を維持するために、多くの場合、腐食性化学物質、異物、並びに高圧及び高温環境から保護する必要がある。したがって、これらの電子機器は、多くの場合、封入されている。一般的な封入方法としては、エポキシ封入、転写成形、グローブトップ、又はダム及び充填が挙げられる。マルチチップモジュール電子構成要素の場合、チップ及びワイヤボンドは、接着剤を使用してハウジングに溶接又は別様に取り付けられた蓋を有するハウジング内に配置することができる。ダウンホール電子機器には封入が不可欠であるため、代替的な封入方法が常に求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
電子アセンブリを封入する方法は、複数の非導電性粒子を、電子アセンブリの１つ以上の構成要素を担持する基板上に配置することと、反応性パリレンモノマーを蒸気形態で複数の非導電性粒子の間の介在空間に導入することと、反応性パリレンモノマーからの非導電性粒子の介在空間にパリレン結合剤を形成することと、を含む。
【０００４】
封入された電子アセンブリは、基板と、基板上に配置された１つ以上の構成要素と、封止構造物であって、複数の非導電性粒子と、複数の非導電性粒子を互いに、基板に、及び基板上に配置された１つ以上の構成要素に係止する、パリレン結合剤と、を含む、封止構造物と、を含む。
【０００５】
封入された電子アセンブリを含むダウンホールツールも開示される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
以下の説明は、いかなる方法でも限定的であると見なされるべきではない。添付図面を参照すると、同様の要素は、番号付けされたものである。
【０００７】
【図１】図１は、本開示の一実施形態による、例示的な封止構造物の一部分の断面図を示す。
【０００８】
【図２】図２は、本開示の別の実施形態による、例示的な封止構造物の一部分の断面図を示す。
【０００９】
【図３】図３は、本開示の一実施形態による、封入された電子アセンブリの断面図を示す。
【００１０】
【図４】図４は、本開示の一実施形態による、内部に組み込まれた封入された電子アセンブリを有するダウンホールツールの一部分の断面図を示す。
【００１１】
【図５】図５は、本開示の別の実施形態による、内部に組み込まれた封入された電子アセンブリを有するダウンホールツールの一部分の断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
電子アセンブリを封入するために、非導電性粒子及びパリレン結合剤を使用する封入方法が開示される。特に、非導電性粒子は、保護される構成要素を担持する基板上に配置される。蒸気形態の反応性パリレンモノマーは、次いで、非導電性粒子を実質的に貫通して、これらの粒子を互いに並びに基板及び基板上の構成要素に係止するパリレン結合剤を形成する。
【００１３】
本明細書に開示される封入方法並びに封入されたアセンブリは、当該技術分野において一般的に知られているものよりも多くの利益を提供する。本明細書に開示される封入方法は、ほとんどのエポキシ系封入剤とは対照的に、ハロゲンを放出しない。加えて、非導電性粒子及びパリレン結合剤から形成される封止構造物は、可撓性であり、低い弾性率を有する。したがって、機械的力が封止構造物に加えられると、力は、保護される構成要素には伝わらない。更に、封止構造物は優れた熱安定性を有し、エポキシ封入剤の大部分よりも高い３５０℃まで安定であり得る。更に、非導電性粒子及びパリレン結合剤から形成される封止構造物は、ガス充填気密包装と比較して優れた熱伝導率及び優れた電気的絶縁を提供する。更なる有利な特徴として、マルチチップモジュールパッケージで通常使用される蓋は、本明細書に開示される方法において必須ではない。この封入剤はまた、ヒートシンク及び／又はシャーシのための熱結合界面も提供する。
【００１４】
本明細書で使用するとき、非導電性粒子は、ＡＳＴＭ  Ｄ  １８２９に従って２３℃で測定された１０１２Ω＊ｃｍ超の電気抵抗率を有する粒子を指す。非導電性粒子は、優れた熱伝導率、例えば、ＡＳＴＭ  Ｃ４０８に従って２３℃で測定された１５Ｗ／ｍ−Ｋ以上の熱伝導率を有することができる。非導電性粒子の例示的な材料としては、六方晶窒化ホウ素、窒化ケイ素、又は上記のうちの少なくとも１つを含む組み合わせが挙げられる。
【００１５】
非導電性粒子は、約０．５マイクロメートル〜約１５マイクロメートルの平均直径を有し得る。本明細書で使用するとき、「平均直径」は、数平均粒径に基づく平均最大寸法を意味し、高解像度電子又は原子力顕微鏡技術によって測定することができる。粒子のサイズの選択は、電子アセンブリの最小の特徴のサイズに依存し得る。例えば、２０μｍのボンドワイヤは、２５０μｍのボンドワイヤよりも小さい粒子を必要とする。非導電性粒子の形状は、特に限定されない。一実施形態では、非導電性粒子は、不規則的な形状を有する。不規則的な形状の粒子は、反応性パリレンモノマー蒸気が粉末床内により深く浸透することを可能にする。高度に秩序化された矩形又は球状の粒子は、反応性パリレンモノマー蒸気が浸透するための、より小さい数及びサイズの隙間を有する。代替的に、非導電性粒子は、２つ以上の規則的な形状を有する粒子、例えば、球形形状を有する粒子と矩形形状を有する粒子との組み合わせであってもよい。粒子はまた、これらの粒子が規則的又は不規則的な形状を有するかどうかにかかわらず、異なる平均直径を有する粒子の組み合わせであってもよい。例えば、非導電性粒子は、第１の平均直径を有する第１の粒子を含む第１の粉末と、第２の平均直径を有する第２の粒子を含む第２の粉末との組み合わせであってもよく、第２の平均直径に対する第１の平均直径の比は、約１０：１〜約１．５：１であり、反応性パリレンモノマー蒸気の浸透を促進する。
【００１６】
非導電性粒子は、保護される様々な構成要素を担持する基板上に配置することができる。配置方法は、特に限定されない。基板上に粒子を分配する任意の既知の方法を使用することができる。任意選択的に、基板は、非導電性粒子が基板上に配置される前に、プライマで処理される。例示的なプライマとしては、Ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｉｎｃ．からＳＩＬＱＵＥＳＴ  Ａ−１７４として市販されている、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランなどのシランが挙げられる。プライマは、使用されるプライマの組成に応じて、液体又は蒸気として基板に塗布することができる。
【００１７】
非導電性粒子は、基板上に層を形成することができる。非導電性粒子層の例示的な厚さは、約０．１ミリメートル〜約２ミリメートル、好ましくは約０．５ミリメートル〜約１ミリメートルである。
【００１８】
パリレン結合剤は、フッ素化ポリ−パラ−キシリレンであり得る。一実施形態において、フッ素化ポリ−パラ−キシリレンは、式（１）の繰り返し単位を含む。
【化１】
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式（２）の繰り返し単位を有するパリレン結合剤もまた、使用することができる。
【化２】
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パリレン結合剤は、式（１）、（２）、又はこれらの組み合わせの、１０超、２０超、５０超又は１００超の繰り返し単位を有することができる。
【００１９】
任意選択的にフッ素化されたポリ−パラ−キシリレンは、熱分解堆積プロセスによって、非導電性粒子間の介在空間内に堆積させることができる。このようなプロセスは、前駆体の気化から始まる。例示的な前駆体としては、オクタフルオロ［２．２］パラシクロファン、ＢｒＣＦ２−Ｃ６Ｈ４−ＣＦ２Ｂｒ、及び［２，２］パラシクロファンが挙げられるが、これらに限定されない。前駆体を蒸発させる温度は、約５０℃超であるが２５０℃未満であり得る。
【００２０】
気化した前駆体は、熱分解により開裂されて、反応性プロピレンモノマー蒸気を形成することができる。熱分解は通常、約６００℃〜約７００℃、具体的には６５０℃〜約７００℃の温度で行われる。反応性モノマー蒸気は、ジラジカル、ジフラールパラキシリレンであり、ＣＦ２−Ｃ６Ｈ４−ＣＦ２、ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２、又はこれらの組み合わせの式を有し得る。
【００２１】
次いで、反応性モノマー蒸気は、堆積チャンバに移送され、この堆積チャンバは、非導電性粒子の表面上で凝縮して、非導電性粒子間の介在空間内にフッ素化ポリ−パラ−キシリレン結合剤を形成する。堆積は、室温、例えば、約１８℃〜約３０℃で行うことができる。堆積チャンバの圧力は、約０．８Ｔｏｒｒ以下、０．１Ｔｏｒｒ未満、又は０．０５Ｔｏｒｒ未満、例えば約５Ｐａ（０．０３７５Ｔｏｒｒ）であり得る。
【００２２】
パリレン結合剤に対する非導電性電力粒子の体積比は、約７０：３０〜約９９．９９：０．０１、又は約８０：２０〜約９９：１、又は約９０：１０〜約９９：１である。この比は、堆積時間及び非導電性粒子の粒径を調整することによって調整することができる。一実施形態では、非導電性粒子の粉末床への奥深くにあるほど、封止構造物内のパリレン結合剤は少なくなる。したがって、パリレン結合剤に対する非導電性粒子の体積比は、勾配であり得、一般に、基板に近接する内側部分から、基板から離れる外側部分に向かって増加し得る。しかしながら、堆積中にわずかなテーピングにより、完全にコーティングされた粒子の数を増加させ、封入剤内のパリレン結合剤の量を増加させることができる。
【００２３】
非導電性粒子及びパリレン結合剤は、封止構造物を形成する。封止構造物は、約０．１ミリメートル〜約２ミリメートル、又は約０．５ミリメートル〜約１ミリメートルの厚さを有し得る。このプロセスを繰り返して、封止構造物の厚さを調整することができる。したがって、一実施形態では、方法は、非導電性粉末及びパリレン結合剤から形成された封止構造物上に、第２の非導電性粉末を配置することと、第２の反応性パリレンモノマーを蒸気形態で第２の粒子間の第２の介在空間に導入することと、第２の反応性パリレンモノマーからの第２の粒子の第２の介在空間に第２のパリレン結合剤を形成することと、を更に含む。
【００２４】
特定の実施形態では、封止構造物は、多数の隣接する非導電性粒子が、封止構造物全体にわたって互いに接触しているか、又は互いに接合されている連続網状組織であり得る、非導電性粒子の網状組織を有する。非導電性粒子がパリレン結合剤によって接合される場合、非導電性粒子間のパリレン結合剤の平均厚さは、０〜約２５μｍである。この範囲内では、非導電性粒子間のパリレン結合剤の平均厚さは、０〜約１２μｍ又は０〜約５μｍであることが可能である。
【００２５】
結合は、典型的には、隣接する粒子上のパリレンの連続フィルムによって引き起こされる。粒子間のパリレンの厚さは、０〜全厚の堆積、例えば、２５μｍの範囲であり得る。封止構造物は、完全に封入された非導電性粒子、部分的に封入された非導電性粒子、又はこれらの組み合わせを含むことができる。
【００２６】
特定の他の実施形態では、網状組織は、いくつかの隣接する非導電性粒子が直接隣接する粒子を越えて互いに接合される、部分的に連続的な網状組織であってもよく、その結果、連続性は、直接隣接する非導電性粒子を越えて延在して、部分的に連続した網状組織を確立する。連続性の程度によっては、部分的に連続した網状組織は、局所的に連続していると表現することもできる。例えば、網状組織の部分的連続性が、直接非導電性粒子の小さなクラスタにのみ延在する場合、網状組織は、例えば、約２〜約５０個未満の粒径、より具体的には約２〜約３０の粒径、又は約２〜約２０の粒径に延在する場合、網状組織は局所的に連続的であると言える。理論に拘束されるものではないが、非導電性粒子の連続的又は部分的に連続的な網状組織を有する封止構造物は、同じ非導電性粒子の不連続網状組織を有する封止構造物と比較して、より良好な熱伝達特性を有することができると考えられる。
【００２７】
非導電性粒子の間の全ての空間がパリレン結合剤によって充填されるわけではないことが理解される。一実施形態では、非導電性粒子間の無充填空間の体積は、それぞれ封止構造物の総体積に基づいて、約０．１％〜約２０％、約０．５％〜約１０％、又は約０．１％〜約５％である。
【００２８】
図１及び図２は、例示的な封止構造物の一部分の断面図を示す。これらの図に示されるように、封止構造物（２０、３０）は、非導電性粒子（２７、３７）及びパリレン結合剤（２８、３８）を含む。パリレン結合剤（２８、３８）は、非導電性粒子（２７、３７）の表面上に、並びに基板（２４、３４）の表面上にフィルムを形成する。封止構造物（２０、３０）内には、充填されていない空隙（２５、３５）が存在する。
【００２９】
封入された電子アセンブリが、本開示の図に示されている。図に示されるように、封入された電子アセンブリ（１０）は、基板（１４）と、基板（１４）上に配置された１つ以上の構成要素（１５、１６）と、封止構造物（１９）であって、複数の非導電性粒子（１７）と、複数の非導電性粒子（１７）を、基板（１４）に、基板（１４）に配置された電気又は電子構成要素（１５、１６）に互いに係止する、パリレン結合剤（１８）と、を含む、封止構造物（１９）と、を含む。
【００３０】
封止構造物は、それぞれ封止構造物の総体積に基づいて、約７０〜約９９．９体積％の非導電性粒子及び約３０〜約０．１体積％のパリレン結合剤を含み得る。封止構造物はまた、それぞれ封止構造物の総体積に基づいて、約８０〜約９９体積％の非導電性粒子及び約２０〜約１体積％のパリレン結合剤を含み得る。一実施形態では、封止構造物は、それぞれ封止構造物の総体積に基づいて、約９０〜約９９体積％の非導電性粒子と、約１０〜約１体積％のパリレン結合剤とを含む。封止構造物は、非導電性粒子以外の固体粒子を含まなくてもよい。一実施形態では、封止構造物は、六方晶窒化ホウ素、窒化ケイ素、又はこれらの組み合わせ以外の固体粒子を含まない。
【００３１】
基板は、特に限定されない。ダウンホール用途に使用される電子アセンブリの場合、基板は、セラミック基板などの硬質基板、又はポリイミド基板などの可撓性基板であってもよい。基板（１４）上に開示される例示的な構成要素は、チップ（１６）及びワイヤボンド（１５）を含む。表面実装デバイス（ＳＭＤ）、感知デバイス、付加製造（例えば、マイクロ分配）によって作製された導電性及び単離構造などの他の構成要素（図示せず）も含まれ得る。
【００３２】
封入された電子アセンブリ（１０）はまた、ハウジングなどのパッケージ基部（１２）を含むことができる。ハウジングは、セラミック、金属、若しくは金属合金を主成分として含む、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、又はセラミック、又は金属ベースのハウジングなどの高温ポリマーベースであってもよい。基板（１４）は、パッケージ基部（１２）上に配置される。パッケージ基部は、平坦であってもよく、又は湾曲した構造を有してもよい。パッケージ基部（１２）は、封止構造物（１９）と共に基板に優れた保護、並びに基板上に配置された構成要素を提供する。
【００３３】
ワイヤボンド及びその他の脆い構成要素を有さない封入領域は、ヒートシンク、シャーシなどの圧縮可能な熱界面として使用することができる。図に示される例示的な実施形態では、電子アセンブリ（１０）は、基板（２４）に対向する封止構造物（１９）の表面上に配置されたヒートシンク（１１）を更に含む。締結手段（１３）は、ヒートシンク（１１）をパッケージ基部（１２）に連結するために使用することができる。ヒートシンクに加えて、この封入構造物に準拠することで、非平坦面、粗面、及び湾曲面への取り付けも可能にする。
【００３４】
マルチチップモジュールなどの様々な電子アセンブリは、本明細書に開示される方法を使用して封入することができる。封入された電子アセンブリは、電子デバイスに組み込むことができる。封入された電子アセンブリを含むダウンホールツールも開示される。このようなダウンホールツールとしては、ワイヤライン、穿孔中ロギング（logging-while-drilling、ＬＷＤ）、又は穿孔中測定（measurement-while-drilling、ＭＷＤ）ツールで使用されるメモリ／コントローラ／プロセッサの記録などの、穿孔用及び監視用装置に使用されるものが挙げられる。封入された電子アセンブリはまた、コイル状チューブ、有線穿孔パイプ、スリックラインなどの様々な搬送機構を有する様々な他の種類のツールにも使用することができる。
【００３５】
封入された電子アセンブリを組み込む方法は、限定されない。図４及び図５は、内部に組み込まれた封入された電子アセンブリを有するダウンホールツールの一部分の断面図を示す。図４では、パッケージ基部（４２）と、基板（４４）と、電子構成要素（４５、４６、４７）と、封止構造物（４９）とを含む封入された電子アセンブリは、機械的手段（４３）を介してダウンホールツール（４０）の表面（４１）へ達する。例示的な表面としては、ダウンホールツールの内部壁が挙げられる。封止構造物は可撓性であるため、封入された電子アセンブリは、湾曲面に取り付けることができる。表面は、粗面であってもよく、及び／又は押出物（４８）を含むことができる。
【００３６】
ダウンホールツールのセグメント又はダウンホールツール内のキャビティは、封入された電子アセンブリのパッケージ基部として機能することができる。図５では、本明細書に記載の基板５４と、基板上に配置された電子構成要素（５５、５６、５７）と、封入構造物（５９）とを含む封入された電子アセンブリは、ダウンホール（５０）のキャビティ（５２）上に配置されている。図５に示すように、非導電性粒子及びパリレン結合剤を含む封入材は、封入された電子アセンブリをツールに係止する。封入された電子アセンブリをツールに連結するために、別個の機械的手段を使用することもできる。
【００３７】
本開示の様々な実施形態が記載される。
【００３８】
実施形態１．電子アセンブリを封入する方法であって、複数の非導電性粒子を、電子アセンブリの１つ以上の構成要素を担持する基板上に配置することと、反応性パリレンモノマーを蒸気形態で複数の非導電性粒子の間の介在空間に導入することと、反応性パリレンモノマーからの非導電性粒子の介在空間にパリレン結合剤を形成することと、を含む。
【００３９】
実施形態２．非導電性粒子が、ＡＳＴＭ  Ｄ  １８２９に従って２３℃において測定された１０１２Ω＊ｃｍ超の電気抵抗率を有する、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。
【００４０】
実施形態３．非導電性粒子が、六方晶窒化ホウ素、窒化ケイ素、又は上記のうちの少なくとも１つを含む組み合わせを含む、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。
【００４１】
実施形態４．非導電性粒子が、不規則的な形状を有する、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。代替的に、非導電性粒子は、第１の規則的な形状及び第１の平均直径を有する第１の粒子を有する第１の粉末と、第２の規則的な形状及び第２の平均直径を有する第２の粒子を有する第２の粉末と、を含み、第１の規則的な形状は、第２の規則的な形状とは異なるか、第１の平均直径は、第２の平均直径とは異なるか、又はこれらの組み合わせである。
【００４２】
実施形態５．非導電性粒子が、約０．５マイクロメートル〜約１５マイクロメートルの平均直径を有する、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。
【００４３】
実施形態６．非導電性粒子が、連続網状組織を形成する、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。
【００４４】
実施形態７．パリレン結合剤が、次式の繰り返し単位
【化３】
2021501471.tif 000005
又はこれらの組み合わせを有するポリパラ−キシリレンを含む、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。
【００４５】
実施形態８．パリレン結合剤に対する非導電性粒子の体積比が、約７０：３０〜約９９．９９：０．０１である、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。
【００４６】
実施形態９．非導電性粒子及びパリレン結合剤が、約０．１ミリメートル〜約２ミリメートルの厚さを有する封止構造物を形成する、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。
【００４７】
実施形態１０．非導電性粒子及びパリレン結合剤から形成された封止構造物上に、第２の非導電性粒子を配置することと、第２の反応性パリレンモノマーを蒸気形態で第２の非導電性粒子の間の第２の介在空間に導入することと、第２の反応性パリレンモノマーからの第２の粒子の第２の介在空間に第２のパリレン結合剤を形成することと、を更に含む、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。
【００４８】
実施形態１１．非導電性粒子及びパリレン結合剤から形成された封止構造物上にヒートシンクを配置することを更に含む、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。
【００４９】
実施形態１２．電子構成要素がマルチチップモジュールである、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。
【００５０】
実施形態１３．剛性又は可撓性基板と、基板上に配置された１つ以上の構成要素と、封止構造物であって、複数の非導電性粒子と、複数の非導電性粒子を、基板に、及び基板上に配置された１つ以上の構成要素に互いに係止する、パリレン結合剤と、を含む封止構造物と、を含む、封入された電子アセンブリ。
【００５１】
実施形態１４．非導電性粒子が、連続網状組織を形成する、先行する実施形態のいずれかに記載の封入された電子アセンブリ。
【００５２】
実施形態１５．非導電性粒子が、六方晶窒化ホウ素、窒化ケイ素、又は上記のうちの少なくとも１つを含む組み合わせを含み、パリレン結合剤が、ポリ−パラ−キシリレンを含み、パリレン結合剤に対する非導電性粒子の体積比が、約７０：３０〜約９９．９９：０．０１である、先行する実施形態のいずれかに記載の封入された電子アセンブリ。
【００５３】
実施形態１６．１つ以上の構成要素が、ワイヤボンド、チップ、表面実装デバイス（ＳＭＤ）、感知デバイス、付加製造によって作製された導電性及び単離構造、又は上記のうちの少なくとも１つを含む組み合わせを含む、先行する実施形態のいずれかに記載の封入された電子アセンブリ。
【００５４】
実施形態１７．基板に対向する封止構造物上に配置されたヒートシンクを更に含む、先行する実施形態のいずれかに記載の封入された電子アセンブリ。
【００５５】
実施形態１８．パッケージ基部を更に含み、基板がパッケージ基部上に配置される、先行する実施形態のいずれかに記載の封入された電子アセンブリ。
【００５６】
実施形態１９．ヒートシンクがパッケージ基部に連結される、先行する実施形態のいずれかに記載の封入された電子アセンブリ。
【００５７】
実施形態２０．封入された電子アセンブリがマルチチップモジュールである、先行する実施形態のいずれかに記載の封入された電子アセンブリ。
【００５８】
実施形態２１．本実施形態のいずれかの封入された電子アセンブリを含むダウンホールツール。
【００５９】
実施形態２２．封止構造物が、基板に対向する湾曲面に連結されている、先行する実施形態のいずれかに記載のダウンホールツール。湾曲面は、押出物を有することができる。湾曲面は、ダウンホールツールの内壁であってもよい。
【００６０】
実施形態２３．ダウンホールツールのセグメント又はダウンホールツール内のキャビティに、封入された電子アセンブリの基板が配置される、先行する実施形態のいずれかに記載のダウンホールツール。非導電性粒子とパリレン結合剤とを含む封止構造物は、ダウンホールツールのセグメント又はダウンホールツール内のキャビティに拡張されて、封入された電子アセンブリをダウンホールツールのセグメント又はキャビティに係止することができる。
【００６１】
本明細書に開示される全ての範囲は、端点を含み、端点は、互いに独立して組み合わせ可能である。本明細書で使用するとき、「組み合わせ（combination）」は、ブレンド、混合物、合金、反応生成物などを含む。全ての参考文献は、参照により本明細書に組み込まれる。
【００６２】
「ａ」及び「ａｎ」及び「ｔｈｅ」という用語、並びに同様の指示対象の使用は、本明細書に別途記載のない限り、又は文脈と明確に矛盾しない限り、単数及び複数の両方を網羅するものと解釈されるべきである。「又は（or）」は、「及び／又は（and/or）」を意味する。量に関連して使用される「約（about）」という修飾語は、記述された値を含み、文脈によって指示される意味を有する（例えば、特定の量の測定に関連する誤差の程度を含む）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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