(57)【要約】【課題】基板の被処理面に形成する膜の膜厚を均一にすることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を保持する支柱２１２と、ウエハ２００を収容する処理室と、前記処理室に収容されるウエハ２００の被処理面に対して平行方向に所望の処理ガスを供給するガス供給孔２４８ａ，２４８ｂと、前記処理室に収容されるウエハ２００の被処理面に対向して配置される調整板３００と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、を備える。前記処理ガスの供給方向と直行する方向において、ウエハ２００の被処理面と調整板３００の中心部３３０との間隔が、ウエハ２００の被処理面と調整板３００の周縁部３１０，中途部３２０との間隔より狭い。【選択図】図６
2008258595.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板及び前記基板保持ユニットを収容する処理室と、
前記基板の被処理面に対して平行方向に所望の処理ガスを供給する供給ユニットと、
前記処理室に収容される前記基板の被処理面に対向して配置される部材と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
を備え、
前記処理ガスの供給方向と直行する方向において、前記処理室に収容される前記基板の被処理面と前記部材の中心部との間隔が、前記処理室に収容される前記基板の被処理面と前記部材の中心部以外の部位との間隔より狭い基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、前記部材は円形であって、前記基板の被処理面との間隔が前記中心部と前記基板の被処理面との間隔より広い間隔を有する環状の周縁部と、前記周縁部から前記中心部にかけて前記基板の被処理面との間隔が狭くなる環状の中途部から構成される基板処理装置。
【請求項３】
基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板及び前記基板保持ユニットを収容する処理室と、
前記基板の被処理面に対して平行方向に所望の処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
前記処理室に収容される前記基板の被処理面に対向して配置される部材と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
を備え、
前記部材は、環状の部位である周縁部と、当該周縁部からは独立して複数の貫通孔を有する円板状の部位である中心部を有し、
前記周縁部と前記中心部は径方向に延在する直線状の部位である複数の連結部により接続される基板処理装置。
【請求項４】
請求項１又は３に記載の基板処理装置であって、前記処理室は
アウターチューブと、
前記アウターチューブの内部に設置され、複数の基板が基板保持ユニットにより保持され収容される少なくとも下端側が開放したインナーチューブとを備え、
前記ガス供給ユニットは、前記複数枚の基板の積層方向に延在するように前記インナーチューブの内部に立設された複数のガス噴出口を有するガスノズルを有し、
さらに前記処理室は、前記基板を挟んで、前記ガスノズルに対向した位置であって、前記インナーチューブに設けられた複数の排気口を有する基板処理装置であって、
１枚の基板に対して１枚の前記部材が前記基板の被処理面と対向して設けられる基板処理装置。
【請求項５】
請求項１又は３に記載の基板処理装置であって、複数の基板が基板保持ユニットより保持され前記処理室内に収容され、前記排気ユニットは前記処理室の下部に接続される基板処理装置であって、
前記部材は前記処理室の下側に配置される基板に対して前記基板の被処理面と対向して設けられる基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置に関し、特に基板の被処理面に膜を形成する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板処理装置の一例として、基板を処理室に収容してその基板を回転させながら基板の被処理面に向けて所望の処理ガスを供給し、その被処理面に膜を形成する装置が知られている。当該装置においては、基板の被処理面に対して平行な方向に所望の処理ガスを供給するガス供給手段が設けられており、そのガス供給手段から基板の被処理面に向けて処理ガスを供給するようになっている。
なお、これらの先行技術文献としては、特許文献１、２および３が挙げられる。
【特許文献１】特願２００７−１６５３８８号公報
【特許文献２】特開２０００−１８２９７９号公報
【特許文献３】特開平１１−１０２９０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この場合において、基板の中心部で膜の膜厚が減少し、基板の被処理面に形成される膜の膜厚がその被処理面全体にわたり均一にならないときがあった。すなわちＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等の基板処理装置においては、処理ガスをウエハに対して水平に流す構造に構成されているが、排気口が下端部に配置されているノーマルフロー方式の処理室では、ガスノズルがプロセスチューブ内に配管されている関係上、ウエハピッチに対してウエハとプロセスチューブとの空間が広くなってしまうため、処理ガスの殆どがウエハとプロセスチューブとの間から抜け出してしまい、特にボートのトップ側（上端側）において、ウエハ中心への処理ガスの供給が不足し、面内膜厚分布は周辺部が厚く、中央部が薄くなるという問題点があった。
また、処理室に設けられたガス供給手段である基板の積層方向に延材する複数のガス噴出口を備えたガスノズルと、このガスノズルに対向した位置に設けられた複数の排気孔を有する特願２００７−１６５３８８号公報に記載されたようなサイドフロー方式の処理室においては図４に模式的に示したように、ウエハ７０１ごとにガス供給口７００、および排気口７０４が対向して配置されている。このため、ウエハ７０１を回転させないでガスを供給した場合には図４（ａ）のようにウエハ７０１中心から僅かに排気口７０４側にずれた位置で最も膜厚が薄くなり、そしてウエハを回転させると、図４（ｂ）のようにＷ型の膜厚分布となってしまい、均一性を向上させるためにはウエハ７０１の端のみならず、中心部でもガス消費を促進させる必要がある。ここで、図５に、サイドフロー方式の処理室において、成膜条件として温度２２０℃、相流量１５ｓｌｍでウエハ７０１を回転させてガスを供給した場合の膜厚分布実験データを示した。
したがって、本発明の主な目的は、基板の被処理面に形成する膜の膜厚を均一にすることができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するため本発明者がその課題の原因について検討したところ、ガス供給手段から単に処理ガスを供給するという構成では、処理ガスの流速や濃度等が基板の中心部に向かうにつれて減衰し、基板の被処理面に到達する処理ガスの供給量が中心部と中心部以外の部位とで異なり、中心部で処理ガスの供給量が少なく、側縁部等の中心部以外の部位で処理ガスの供給量が多くなるといった傾向があることを見出した。
【０００５】
そこで本発明の一態様によれば、
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板及び前記基板保持手段を収容する処理室と、
前記処理室に収容される前記基板の被処理面に対して平行方向に所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室に収容される前記基板の被処理面に対向して配置される部材と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
を備え、
前記処理ガスの供給方向と直行する方向において、前記処理室に収容される前記基板の被処理面と前記部材の中心部との間隔が、前記処理室に収容される前記基板の被処理面と前記部材の中心部以外の部位との間隔より狭い基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一態様によれば、処理ガスの供給方向と直行する方向において、処理室に収容される基板の被処理面に対し、部材の中心部との間隔がその部材の中心部以外の部位との間隔より狭いから、ガス供給手段から供給された処理ガスは、その部材の中心部に対応する位置で集束して凝縮された状態となる。その結果、当該部材の中心部に対応する位置で処理ガスの流速や濃度等が減衰するのが抑えられ、基板の中心部と中心部以外の部位との各位置で処理ガスの供給量に変動が少なくなり、基板の被処理面に形成する膜の膜厚をその被処理面全体にわたり均一とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施例について説明する。
本実施例に係る基板処理装置は、半導体装置（ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ））の製造に使用される半導体製造装置の一例として構成されているものである。
下記の説明では、基板処理装置の一例として、基板に対し熱処理等をおこなう縦型の装置を使用した場合について述べる。
【実施例１】
【０００８】
図１に示す通り、基板処理装置１０１では、基板の一例となるウエハ２００を収納したカセット１１０が使用されており、ウエハ２００はシリコン等の材料から構成されている。基板処理装置１０１は筐体１１１を備えており、筐体１１１の内部にはカセットステージ１１４が設置されている。カセット１１０はカセットステージ１１４上に工場内搬送装置（図示略）によって搬入されたり、カセットステージ１１４上から搬出されるようになっている。
【０００９】
カセットステージ１１４は、工場内搬送装置によって、カセット１１０内のウエハ２００が垂直姿勢を保持しかつカセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ１１４は、カセット１１０を筐体１１１の後方に右回り縦方向９０°回転し、カセット１１０内のウエハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が筐体１１１の後方を向くように動作可能となるよう構成されている。
【００１０】
筐体１１１内の前後方向の略中央部にはカセット棚１０５が設置されており、カセット棚１０５は複数段複数列にて複数個のカセット１１０を保管するように構成されている。カセット棚１０５にはウエハ移載機構１２５の搬送対象となるカセット１１０が収納される移載棚１２３が設けられている。
【００１１】
カセットステージ１１４の上方には予備カセット棚１０７が設けられ、予備的にカセット１１０を保管するように構成されている。
【００１２】
カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間には、カセット搬送装置１１８が設置されている。カセット搬送装置１１８は、カセット１１０を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ１１８ａと、搬送機構としてのカセット搬送機構１１８ｂとで構成されている。カセット搬送装置１１８はカセットエレベータ１１８ａとカセット搬送機構１１８ｂとの連続動作により、カセットステージ１１４とカセット棚１０５と予備カセット棚１０７との間で、カセット１１０を搬送するように構成されている。
【００１３】
カセット棚１０５の後方には、ウエハ移載機構１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとで構成されている。ウエハ移載装置１２５ａにはウエハ２００をピックアップするためのツイーザ１２５ｃが設けられている。ウエハ移載装置１２５はウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの連続動作により、ツイーザ１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ウエハ２００をボート２１７に対して装填（チャージング）したり、ボート２１７から脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００１４】
筐体１１１の後部上方には、ウエハ２００を熱処理する処理炉２０２が設けられており、処理炉２０２の下端部が炉口シャッタ１４７により開閉されるように構成されている。
【００１５】
処理炉２０２の下方には処理炉２０２に対しボート２１７を昇降させるボートエレベータ１１５が設けられている。ボートエレベータ１１５の昇降台にはアーム１２８が連結されており、アーム１２８にはシールキャップ２１９が水平に据え付けられている。シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持するとともに、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
【００１６】
ボート２１７は複数の保持部材を備えており、複数枚（例えば５０〜１５０枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
【００１７】
カセット棚１０５の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するクリーンユニット１３４ａが設置されている。クリーンユニット１３４ａは供給ファン及び防塵フィルタで構成されており、クリーンエアを筐体１１１の内部に流通させるように構成されている。
【００１８】
筐体１１１の左側端部には、クリーンエアを供給するクリーンユニット１３４ｂが設置されている。クリーンユニット１３４ｂも供給ファン及び防塵フィルタで構成されており、クリーンエアをウエハ移載装置１２５ａやボート２１７等の近傍を流通させるように構成されている。当該クリーンエアは、ウエハ移載装置１２５ａやボート２１７等の近傍を流通した後に、筐体１１１の外部に排気されるようになっている。
【００１９】
続いて、基板処理装置１０１の主な動作について説明する。
【００２０】
工場内搬送装置（図示略）によってカセット１１０がカセットステージ１１４上に搬入されると、カセット１１０は、ウエハ２００がカセットステージ１１４の上で垂直姿勢を保持し、カセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。その後、カセット１１０は、カセットステージ１１４によって、カセット１１０内のウエハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が筐体１１１の後方を向くように、筐体１１１の後方に右周り縦方向９０°回転させられる。
【００２１】
その後、カセット１１０は、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７の指定された棚位置へカセット搬送装置１１８によって自動的に搬送され受け渡され、一時的に保管された後、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７からカセット搬送装置１１８によって移載棚１２３に移載されるか、もしくは直接移載棚１２３に搬送される。
【００２２】
カセット１１０が移載棚１２３に移載されると、ウエハ２００はカセット１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはカセット１１０に戻り、後続のウエハ１１０をボート２１７に装填する。
【００２３】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、処理炉２０２の下端部を閉じていた炉口シャッタが開き、処理炉２０２の下端部が開放される。その後、ウエハ２００群を保持したボート２１７がボートエレベータ１１５の上昇動作により処理炉２０２内に搬入（ローディング）され、処理炉２０２の下部がシールキャップ２１９により閉塞される。
【００２４】
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に対し任意の熱処理が実施される。その熱処理後は、上述の逆の手順で、ウエハ２００およびカセット１１０が筐体１１１の外部に搬出される。
【００２５】
図２及び図３に示す通り、処理炉２０２には加熱手段として機能するヒータ２０７が設けられている。ヒータ２０７の内側には、基板の一例となるウエハ２００を処理する反応管２０３が設けられている。反応管２０３の下端には、気密部材であるＯリング２２０を介してステンレス等で構成されたマニホールド２０９が設けられている。マニホールド２０９の下端開口は、Ｏリング２２０を介して蓋体としてのシールキャップ２１９により気密に閉塞されている。処理炉２０２では、少なくとも、反応管２０３、マニホールド２０９及びシールキャップ２１９により処理室２０１が形成されている。
【００２６】
シールキャップ２１９には、複数枚のウエハ２００を保持可能なボート２１７を支持するボート支持台２１８が設けられている。ボート２１７はボート支持台２１８に固定された底板２１０とその上方に配置された天板２１１とを有しており、底板２１０と天板２１１との間に複数の支柱２１２が架設された構成を有している。底板２１０と天板２１１との間には、複数枚のウエハ２００と調整板３００とが水平姿勢を保持した状態で一定の間隔をあけながら交互に積層されている。
【００２７】
図６に示す通り、支柱２１２にはウエハ２００を挿入可能な程度の切欠き２１３が形成されており、ウエハ２００が切欠き２１３に対し挿入されボート２１７に保持されている。
調整板３００は支柱２１２に対し固定されている。調整板３００は支柱２１２に沿って摺動自在に支承され、更にその高さ位置を変更することができるようになっている。
なお、調整板３００に対し複数本のピンを立設してその上方に配置されたウエハ２００を当該ピンにより支持するような構成としてもよい。
【００２８】
本実施例１では、１枚のウエハ２００につき１枚の調整板３００が設けられており、調整板３００がウエハ２００の表面（被処理面）に対向する位置であってウエハ２００の上方の位置に配置されている。
【００２９】
図６及び図８に示す通り、調整板３００は円形を呈した板状の部材であり、主には周縁部３１０、中途部３２０及び中心部３３０の３つの部位で構成されている。周縁部３１０、中途部３２０及び中心部３３０の各上面は同一平面上に存在しており、調整板３００は上面が平坦となっている。
【００３０】
周縁部３１０は一定の厚みを有した環状の部位であり、支柱２１２を貫通させた状態で支柱２１２に摺動自在に固定されている。周縁部３１０はウエハ２００の周縁部より外側に（反応管２０３の内壁に向けて）突出しており、調整板３００の直径はウエハ２００の直径より最大で３０ｍｍ大きくなっている。中途部３２０は周縁部３１０から中心部３３０にかけて厚みが比例的に増加する環状の部位である。中心部３３０は一定の厚さを有した円柱状の部位であり、調整板３００の各部位のうち最も厚くなっている。
【００３１】
調整板３００とその下方に配置されたウエハ２００とでは、中心部３３０とウエハ２００の表面との間隔が、周縁部３１０，中途部３２０とウエハ２００の表面との間隔より狭くなっている。詳しくは、中途部３２０とウエハ２００の表面との間隔が周縁部３１０から中心部３３０にかけて徐々に狭くなっており、中心部３３０とウエハ２００の表面との間隔が最も狭くなっている。
【００３２】
以上の処理炉２０２では、バッチ処理される複数枚のウエハ２００がボート２１７に対し多段に積層された状態において、ボート２１７がボート支持体２１８で支持されながら処理室２０１に挿入され、ヒータ２０７が処理室２０１に挿入されたウエハ２００を所定の温度に加熱するようになっている。
【００３３】
なお、本実施例１では、調整板３００は、中心部３３０とウエハ２００の表面との間隔が中心部３３０以外の部位（周縁部３１０，中途部３２０等）とウエハ２００の表面との間隔より狭い部材であればよく、例えば、一定の厚さを有した板状の部材であって、周縁部３１０から中心部３３０にわたり屈曲又は湾曲して上方から下方に凸状を呈するような部材であってもよい。
【００３４】
図２に示す通り、処理室２０１には、複数種類（本実施例１では２種類）の処理ガスを供給する供給経路としての２本のガス供給管２３２ａ，２３２ｂが接続されている。
【００３５】
ガス供給管２３２ａには上流方向（基端部）から順に液体用のマスフローコントローラ２４０、気化器２４２及びバルブ２４３ａが設けられている。
【００３６】
ガス供給管２３２ａの先端部にはノズル２３３ａが連結されている。ノズル２３３ａは、処理室２０１を構成している反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間で、反応管２０３の内壁に沿った上下方向に延在している。ノズル２３３ａの側面には処理ガスを供給する多数のガス供給孔２４８ａが設けられている。
【００３７】
ガス供給孔２４８ａは、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。特に、ガス供給孔２４８ａは図６に示す通りに調整板３００とその下方のウエハ２００との間の空間部に対応する高さ位置に配置されており、当該空間部に向けて開口している。
【００３８】
更にガス供給管２３２ａにはキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２３４ａが接続されている。キャリアガス供給管２３４ａには、上流方向から順にマスフローコントローラ２４１ｂとバルブ２４３ｃとが設けられている。
【００３９】
一方、ガス供給管２３２ｂには上流方向から順にマスフローコントローラ２４１ａとバルブ２４３ｂとが設けられている。
【００４０】
ガス供給管２３２ｂの先端部にもノズル２３３ｂが連結されている。ノズル２３３ｂも、ノズル２３３ａと同様に、処理室２０１を構成している反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間で、反応管２０３の内壁に沿って上下方向に延在している。ノズル２３３ｂの側面には、処理ガスを供給する多数のガス供給孔２４８ｂが設けられている。
【００４１】
ガス供給孔２４８ｂも、ガス供給孔２４８ａと同様に、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。ガス供給孔２４８ｂも図６に示す通りに調整板３００とその下方のウエハ２００との間の空間部に対応する高さ位置に配置されており、当該空間部に向けて開口している。
【００４２】
更にガス供給管２３２ｂにはキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２３４ｂが連結されている。キャリアガス供給管２３４ｂには上流方向から順にマスフローコントローラ２４１ｃとバルブ２４３ｄとが設けられている。
【００４３】
上記構成に係る一例として、ガス供給管２３２ａには液体原料が処理ガスとして導入されるようになっており、バルブ２４３ａが開いた状態で液体原料がガス供給管２３２ａに流入すると、当該液体原料は液体用のマスフローコントローラ２４０に流量制御されながら気化器２４２に至り、気化器２４２で気化され、その気化ガスがノズル２３３ａを介して処理室２０１内に供給されるようになっている。
【００４４】
他方、ガス供給管２３２ｂには気体原料が処理ガスとして導入されるようになっており、バルブ２４３ｂが開いた状態で気体原料がガス供給管２３２ｂに流入すると、当該気体原料はマスフローコントローラ２４１ａに流量調整されながらガス供給管２３２ｂを流通し、最終的にノズル２３３ｂを介して処理室２０１に供給されるようになっている。
【００４５】
処理室２０１にはバルブ２４３ｅを介してガスを排気するガス排気管２３１が接続されている。ガス排気管２３１には真空ポンプ２４６が接続されており、真空ポンプ２４６の作動で処理室２０１内を真空排気することができるようになっている。バルブ２４３ｅは開閉動作により処理室２０１の真空排気の起動とその停止とをすることができるのに加えて、その弁開度が調節可能であって処理室２０１の内部の圧力調整をも可能とする開閉弁である。
【００４６】
反応管２０３内の中央部にはボート２１７が設けられている。ボート２１７は、ボートエレベータ機構（図示略）により反応管２０３に対し昇降（出入り）することができるようになっている。ボート２１７を支持するボート支持台２１８の下端部には、処理の均一性を向上するためにボート２１７を回転させるボート回転機構２６７が設けられている。ボート回転機構２６７を駆動させることにより、ボート支持台２１８に支持されたボート２１７を回転させることができるようになっている。
【００４７】
以上の液体用のマスフローコントローラ２４０、マスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂ，２４１ｃ、バルブ２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｄ，２４３ｅ、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、ボートエレベータ機構等の各部材は、制御部としてのコントローラ２８０に接続されている。
【００４８】
コントローラ２８０は、液体マスフローコントローラ２４０の流量調整、マスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂ，２４１ｃの流量調整、バルブ２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｄの開閉動作、バルブ２４３ｅの開閉及び圧力調整動作、ヒータ２０７の温度調整、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節、ボートエレベータ１１５の昇降動作等を制御するようになっている。
以上の基板処理装置の実施例の説明では、ガス供給管２３２ａ、２３２ｂのノズル２３３ａ、２３３ｂがウエハ２００の積層方向に配列され、処理室２０１の下端部にガス排気管２３１が設けられたノーマルフロー型の基板処理装置について詳述したが、特願２００７−１６５３８８に開示され、また図４に模式的に例示したような排気口７０４がウエハを挟んでガス供給口７００と対向する位置に設けられたサイドフロー型の基板処装置でも、同様に適用できる。
【００４９】
次に、ＡＬＤ法を用いた成膜処理例について、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一つである、ＴＥＭＡＨとＯ３とを用いたＨｆＯ２膜を形成する例を基に説明する。
【００５０】
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法の一つであるＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法は、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる少なくとも２種類の原料となる処理ガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子単位で基板上に吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。このとき、膜厚の制御は、処理ガスを供給するサイクル数で行う（例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、２０サイクル行う）。
【００５１】
ＡＬＤ法では、例えばＨｆＯ２膜を形成する場合、ＴＥＭＡＨ（Ｈｆ［ＮＣＨ３Ｃ２Ｈ５］４：テトラキスメチルエチルアミノハフニウム）とＯ３（オゾン）とを用いて１８０〜２５０℃の低温で高品質の成膜が可能である。
【００５２】
始めに、上述したようにウエハ２００をボート２１７に装填し、ボート２１７を処理室２０１に搬入してボート駆動機構２６７により回転させ、ウエハ２００を回転させたら、後述する４つのステップを順次実行する（下記では、キャリアガスとして不活性ガスの１種であるＮ２を用いている。）。
【００５３】
（ステップ１）
真空ポンプ２４６を作動させた状態において、ガス供給管２３２ａにＴＥＭＡＨを流入させかつキャリアガス供給管２３４ａとキャリアガス供給管２３４ｂとにそれぞれキャリアガスを流入させる。この状態で、ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａと、キャリアガス供給管２３４ａのバルブ２４３ｃと、キャリアガス供給管２３４ｂのバルブ２４３ｄと、ガス排気管２３１のバルブ２４３ｅとを、開ける。
【００５４】
キャリアガス供給管２３４ａから流入したキャリアガスは、マスフローコントローラ２４１ｂに流量調整されながらキャリアガス供給管２３４ａを流通し、ガス供給管２３２ａとキャリアガス供給管２３４ａとの連結部に至る。
【００５５】
ガス供給管２３２ａから流入した液体のＴＥＭＡＨは、マスフローコントローラ２４０に流量調整されながら気化部２４０で気化され、ガス供給管２３２ａとキャリアガス供給管２３４ａとの連結部に至る。
【００５６】
その後、ＴＥＭＡＨの気化ガスは、キャリアガスと合流して当該キャリアガスと混合された状態でノズル２３３ａから処理室２０１に供給される。
【００５７】
詳しくは、ＴＥＭＡＨの気化ガスは、図６に示す通り、ノズル２３３ａのガス供給孔２４８ａから流出する（噴射される）と、調整板３００とその下方のウエハ２００との間の空間部においてウエハ２００の表面とほぼ平行な方向に流通しながらウエハ２００の表面上を通過する。
この場合に、ＴＥＭＡＨの気化ガスは、当該空間部において、ノズル２３３ａに対向した周縁部３１０に対応する位置では拡散しながら流通し、ガス排気管２３１から排気される。また、中心部３３０ではＴＥＭＡＨの気化ガスが拡散しながら流通し、拡散したＴＥＭＡＨの気化ガスの少なくとも一部は中途部３２０を流通して最終的にガス排気管２３１から排気される。
【００５８】
一方、キャリアガス供給管２３４ｂから流入したキャリアガスは、マスフローコントローラ２４１ｃに流量調整されながらキャリアガス供給管２３４ｂとガス供給管２３２ｂとを流通し、ノズル２３３ｂから処理室２０１に供給され、最終的にガス排気管２３１から排気される。
【００５９】
このとき、ステップ１では、バルブ２４３ｅを適正に調整して処理室２０１内の圧力を一定範囲内の最適な値に維持する。液体用のマスフローコントローラ２４０で制御するＴＥＭＡＨの供給量は０．０１〜０．１ｇ／ｍｉｎである。ＴＥＭＡＨの気化ガスをウエハ２００に晒す時間は３０〜１８０秒間である。このときのヒータ２０７の温度は、ウエハ２００の温度が１８０〜２５０℃の範囲内の最適な値になるよう設定してある。
【００６０】
以上のステップ１では、上記の通りにＴＥＭＡＨの気化ガスを処理ガスとして処理室２０１内に供給することで、ＴＥＭＡＨがウエハ２００上の下地膜等の表面部分と表面反応（化学吸着）する。
【００６１】
（ステップ２）
ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａを閉めてＴＥＭＡＨの気化ガスの供給を停止するとともに、キャリアガス供給管２３４ａのバルブ２４３ｃとキャリアガス供給管２３４ｂのバルブ２４３ｄとを閉じてキャリアガスの供給も停止する。
このとき、ガス排気管２３１のバルブ２４３ｅは開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を２０Ｐａ以下となるまで排気し、処理室２０１等に残留したＴＥＭＡＨの気化ガスを処理室２０１内から排除する。
【００６２】
なお、ステップ２では、キャリアガス供給管２３４ａのバルブ２４３ｃとキャリアガス供給管２３４ｂのバルブ２４３ｄとの両方又は片方を開けたままとしてキャリアガスを処理室２０１に供給し続けてもよく、この場合、処理室２０１等に残留したＴＥＭＡＨの気化ガスを処理室２０１から排除する効果が更に高まる。
【００６３】
（ステップ３）
ガス供給管２３２ｂにＯ３を流入させかつキャリアガス供給管２３４ａとキャリアガス供給管２３４ｂとにそれぞれキャリアガスを流入させる。この状態で、ガス供給管２３２ｂのバルブ２４３ｂと、キャリアガス供給管２３４ｂのバルブ２４３ｄと、キャリアガス供給管２３４ａのバルブ２４３ｃとを、開ける。
【００６４】
キャリアガス供給管２３４ｂから流入したキャリアガスは、マスフローコントローラ２４１ｃに流量調整されながらキャリアガス供給管２３４ｂを流通し、ガス供給管２３２ｂとキャリアガス供給管２３４ｂとの連結部に至る。
【００６５】
ガス供給管２３２ｂから流入したＯ３は、マスフローコントローラ２４１ａに流量調整されながらガス供給管２３２ｂを流通し、ガス供給管２３２ｂとキャリアガス供給管２３４ｂとの連結部に至る。
【００６６】
その後、Ｏ３は、キャリアガスと合流して当該キャリアガスと混合された状態でノズル２３３ｂから処理室２０１に供給される。
【００６７】
詳しくは、Ｏ３は、ステップ１におけるＴＥＭＡＨの気化ガスの流通と同様に、ノズル２３３ｂのガス供給孔２４８ｂから流出する（噴射される）と、調整板３００とその下方のウエハ２００との間の空間部においてウエハ２００の表面とほぼ平行な方向に流通しながらウエハ２００の表面上を通過する。
この場合に、Ｏ３は、当該空間部において、ノズル２３３ｂに対向した周縁部３１０に対応する位置では拡散しながら流通し、ガス排気管２３１から排気される。また、中心部３３０ではＯ３は拡散しながら流通し、拡散したＯ３の少なくとも一部は中途部３２０を流通して最終的にガス排気管２３１から排気される。
【００６８】
一方、キャリアガス供給管２３４ａから流入したキャリアガスは、マスフローコントローラ２４１ｂに流量調整されながらキャリアガス供給管２３４ａとガス供給管２３２ａとを流通し、ノズル２３３ａから処理室２０１に供給され、最終的にガス排気管２３１から排気される。
【００６９】
このとき、ステップ３では、バルブ２４３ｅを適正に調整して処理室２０１内の圧力を一定範囲内の最適な値に維持する。ウエハ２００をＯ３に晒す時間は１０〜１２０秒間である。このときのウエハ２００の温度がステップ１のＴＥＭＡＨの気化ガスの供給時と同じく１８０〜２５０℃の範囲内の最適な温度となるよう、ヒータ２０７の温度を設定する。
【００７０】
以上のステップ３では、上記の通りにＯ３を処理ガスとして処理室２０１に供給することで、ウエハ２００の表面に化学吸着したＴＥＭＡＨとＯ３とを反応させ、ウエハ２００上にＨｆＯ２膜を形成する。
【００７１】
（ステップ４）
成膜後、ガス供給管２３２ｂのバルブ２４３ｂを閉めてＯ３の供給を停止するとともに、キャリアガス供給管２３４ｂのバルブ２４３ｄとキャリアガス供給管２３４ａのバルブ２４３ｃとを閉じてキャリアガスの供給も停止する。このとき、ガス排気管２３１のバルブ２４３ｅは開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１等に残留したＯ３であって成膜に寄与した後のガスを排除する。
【００７２】
なお、ステップ４でも、キャリアガス供給管２３４ｂのバルブ２４３ｄとキャリアガス供給管２３４ａのバルブ２４３ｃとの両方又は片方を開けたままとしてキャリアガスを処理室２０１に供給し続けてもよく、この場合、処理室２０１等に残留したＯ３であって成膜に寄与した後のガスを処理室２０１から排除する効果が更に高まる。
【００７３】
以後、上述したステップ１〜４を１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返すことにより、ウエハ２００上に所定膜厚のＨｆＯ２膜を形成することができる。
【００７４】
なお、本実施例１では、ＴＥＭＡＨとＯ３とを用いたＨｆＯ２膜を形成する成膜例について説明したが、ＴＥＭＡＨとＯ３との少なくとも一方を変更することにより（処理ガスの種類を変更することにより）、ＨｆＯ２膜以外の他種の膜を形成することができる。
【００７５】
以上の実施例１によれば、処理ガスの供給方向と直行する上下方向において調整板３００の中心部３３０に対応する位置の厚さが中途部３２０に対応する位置の厚さより厚く、それに従って調整板３００とウエハ２００の表面との間隔も狭くなっているから、ステップ２やステップ４に相当する処理ガスの供給ステップにおいて、ガス供給孔２４８ａ、２４８ｂから流出した処理ガスが、中心部３３０に対応する位置から中途部３２０に対応する位置にわたり拡散して流通する。
【００７６】
以上の実施例１の説明では、ノーマルフロー型の基板処理装置について詳述したが、ノーマルフロー型の基板処理装置では、ガス供給管２３２ａ、２３２ｂのノズル２３３ａ、２３３ｂがウエハ２００の積層方向に配置され、処理室２０１の下端部にガス排気管２３１が設けられるため、処理室上部領域で消費されなかったガスが下部領域に過剰供給され、ローディング効果が生じてしまう。よって、特に、下部領域にのみ実施例１の調整板３００を設けると、面内均一性向上に有効である。
【００７７】
また、反応管２０３の直径が３８０〜４４０ｍｍでウエハ２００の直径が３００ｍｍである場合、調整板３００を配置可能な空間許容量として、調整板３００の直径をウエハ２００の直径より最大で３０ｍｍまでしか大きくすることができないという物理的な制約があるため、調整板３００の直径をウエハ２００の直径より最大で３０ｍｍ大きくしている。
【００７８】
例えば、ウエハ２００に対し酸化処理（実施例１参照）や窒化処理等の熱処理を行って膜を形成する場合にはウエハ２００の周縁から約１０ｍｍ内側の領域で膜厚が変動し、ウエハ２００に対しプラズマを用いて膜を形成する場合にはウエハ２００の周縁から約３０ｍｍ内側の領域で膜厚が変動するという化学的な制約があるため、調整板３００の直径をウエハ２００の直径より最大で３０ｍｍ程度大きくしている。
【００７９】
なお、調整板３００の直径がこれら物理的な制約や化学的な制約に基づく値を上回ると、ウエハ２００の搬送やウエハ２００に形成する膜の膜厚が不均一となる可能性がある。
ここで、調整板３００の他の形状としては、図７Ａに例示したように所定厚みの円盤状の基部の下面に所定の円柱状突起を形成した調整板３００’、又は図７Ｂに例示したような下側に向けて突出する円錐台形状の調整板３００”を用いることも有効である。
ここで、サイドフロー型の処理室に、実施例１の調整板３００を適用する場合、ウエハ２００の周縁部によりガスを消費させ、調整板３００の下側に凸の中心部を設けることでウエ３００の中心部へのガス流入量を減少させることにより、ウエハ３００に形成される膜厚の均一性を向上させることができる。
なお、サイドフロー型の処理室の下側に凸となる中心部のウエハ３００上の位置を適宜調整することで、ウエハ３００中途部の一番膜厚が薄くなる箇所に、ちょうどウエハ３００中心部から抜けたガスが通るようにして、ウエハ３００中心部へのガス流入防止、及びウエハ３００中途部へのガス供給量増加を図ることができる。
【実施例２】
【００８０】
実施例２は主には実施例１と下記の点で異なっており、それ以外は実施例１とほぼ同様となっている。
【００８１】
本実施例２では、実施例１の調整板３００に代えて、図９の調整板４００が設けられている。調整板４００は処理ガスを消費可能な誘電体で構成された等しい厚みの平板状の部材である。調整板４００は主には、ほぼ環状を呈した周縁部４１０と、ほぼ円形状を呈した中心部４２０とを有しており、周縁部４１０と中心部４２０との間に直線状を呈した中途部４３０が架け渡された構成を有している。
【００８２】
周縁部４１０と中心部４２０との間の部位であって中途部４３０同士の間の部位は空洞となっている（紙面の表面から裏面にかけて貫通している。）。中心部４２０には複数の貫通孔４２５が形成されている。
【００８３】
以上の本実施例２では、周縁部４１０、中途部４３０及び中心部４２０の各部位で表面積が異なり、処理ガスが流通した際にはその消費量も異なるようになっている。そのため、調整板３００に代えて調整板４００を設ければ、ウエハ２００の表面に形成する膜の膜厚をウエハ２００の表面の各部ごとに調整することができる。
また、サイドフロー型の処理室に、上記実施例２に記載の調整板３００を用いた場合には、環状のウエハ２００周縁部および貫通孔付き円板である中心部で、ガス消費を促進させることにより、膜厚均一性が向上される。
【実施例３】
【００８４】
実施例３も主には実施例１と下記の点で異なっており、それ以外は実施例１とほぼ同様となっている。
【００８５】
本実施例３では、実施例１の調整板３００に代えて、図１０のリング５００が設けられている。リング５００は所定の幅（１０〜３０ｍｍ程度）を有する環状を呈した部材であって処理ガスを消費可能な誘電体で構成されており、支柱２１２に固定されている。リング５００は支柱２１２に対し摺動脱自在となっており、更にその高さ位置を変更することができるようになっている。
【００８６】
リング５００には複数本のピン５１０が立設されており、ピン５１０によりウエハ２００が支持されている。リング５００の内径はウエハ２００の直径（外径）より小さくなっており、上下方向においてリング５００の一部とウエハ２００の周縁部とが重複している。
【００８７】
以上の本実施例３では、ガス供給孔２４８ａ，２４８ｂから流出した処理ガスが、ウエハ２００の周縁部に対応する位置でリング５００により消費される。そのため、ウエハ２００の周縁部で急激に膜の膜厚が増大するのを抑えることができ、ひいてはウエハ２００の表面に形成する膜の膜厚を当該表面全体にわたり均一とすることができる。
多孔ノズルと、処理室下部領域に一つの排気口を持つ、ノーマルフローの反応炉の場合では、処理室上部領域で消費されなかったガスが下部領域に過剰供給され、ローディング効果が生じる場合があるが、このような場合には、下部領域にのみ上記実施例２−３で例示した調整板３００を設けて、ガス消費を促進させ、内面均一性の向上を図ることもできる。
これまで例示した実施例１，２及び３の何れの場合でも、調整板３００の形状、脱着は、ガス種、ガス供給量等のプロセス条件に応じて、変更される。なお、調整板３００の材質としては、実施例１では誘電体が使用可能であり、その中心部でガスを逃がす形状であれば他の材質でも適用できる。また、実施例２，３の場合には調整板３００は誘電体であることが必須の要件となる。
【００８８】
ここで本実施例３の比較例として、リング５００がない場合と、リング５００の内径がウエハ２００の直径と同じ場合とを想定することができる。この場合、プラズマを用いてウエハ２００の表面に酸化膜を形成したときのウエハ２００（直径３００ｍｍ）の位置と酸化膜の膜厚との概略的な関係は図９に示す通りとなる。
【００８９】
図１１に示す通り、リング５００がない場合（「リング無し」の曲線参照）は、リング５００の周縁から約３０ｍｍ内側の領域で膜厚が急激に増大している。リング５００の内径がウエハ２００の直径と同じ場合（「リング内径３００ｍｍ」の曲線参照）は、リング５００の周縁から約２０ｍｍ内側の領域で膜厚が急激に増大している。
【００９０】
これに対し、リング５００の内径がウエハ２００の直径より小さい場合（「リング内径２８０ｍｍ，２６０ｍｍ，２２０ｍｍ」の曲線参照）は、特にリング５００の周縁から約２０ｍｍ内側の領域で膜厚が急激に減少している。以上から、調整板３００に代えてリング５００を設けても、ウエハ２００の表面に形成する膜の膜厚を均一とすることができる。
【００９１】
なお、本実施例３では、リング５００に対し、図１２，図１３の調整リング６００が設けられてもよい。調整リング６００は処理ガスを消費可能な誘電体で構成された部材であり、主には環状を呈した円環部６１０と、円環部６１０から放射状に突出したフック部６２０とを有している。調整リング６００では、円環部６１０からフック部６２０にかけて屈曲しており、円環部６１０とフック部６２０との間に段差が形成されている。円環部６１０の外径はリング５００の内径とほぼ同じとなっており、図１３に示す通り、調整リング６００はリング５００に対し着脱自在に嵌合するようになっている。
【００９２】
以上の構成では、リング５００の内側に調整リング６００を嵌合させることで、処理ガスを消費可能な部材の内径を、調整リング６００の内径に相当させることができる。つまり、リング５００の内径が２８０ｍｍである場合に、幅１０ｍｍの調整リング６００をリング５００の内側に嵌合すれば、処理ガスを消費可能な部材の内径は調整リング６００の内径に相当することになる。
【００９３】
この場合、リング５００を単体で使用して処理ガスを消費可能な部材の内径を２８０ｍｍとしたときと、リング５００と調整リング６００とを組み合わせて処理ガスを消費可能な部材の内径を２６０ｍｍとしたときとで、ウエハ２００に形成する膜の膜厚を同時に評価することができる（図９において「リング内径２８０ｍｍ」の曲線結果と「リング内径２６０ｍｍ」の曲線結果とを同時に取得することができる。）。
【００９４】
また、ウエハ２００同士で形成される膜の膜厚に変動が生じた場合や、成膜条件の最適化を図る際にも、リング５００に対し調整リング６００を装着させることでウエハ２００に形成する膜の膜厚を調整することができるから、調整リング６００をリング５００に対する有効な治具として活用することができる。
【００９５】
以上、本発明の一実施例を説明したが、本発明の一実施形態によれば、基板を保持する基板保持手段と、前記基板及び前記基板保持手段を収容する処理室と、前記処理室に収容される前記基板の被処理面に対して平行方向に所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室に収容される前記基板の被処理面に対向して配置される部材と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、を備え、前記処理ガスの供給方向と直行する方向において、前記処理室に収容される前記基板の被処理面と前記部材の中心部との間隔が、前記処理室に収容される前記基板の被処理面と前記部材の中心部以外の部位との間隔より狭いことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００９６】
一実施例では、前記部材は、中心部と中心部以外の部位とで厚さが異なり、中心部の厚さが中心部以外の部位の厚さより厚い。
好ましくは、前記部材は、中心部と中心部以外の部位とで厚さが同じである。
【００９７】
他の実施例では、前記基板は複数存在し、これら複数の前記基板が一定の間隔をおいて前記基板保持手段に保持される。
また、前記基板処理装置は前記基板保持手段を回転させる回転手段を更に備え、
前記回転手段が前記基板保持手段に保持された前記基板を回転させる構成とすることも出来る。
【００９８】
以上の説明に関して更に以下の項目を開示する。
１．基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板及び前記基板保持ユニットを収容する処理室と、
前記基板の被処理面に対して平行方向に所望の処理ガスを供給する供給ユニットと、
前記処理室に収容される前記基板の被処理面に対向して配置される部材と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
を備え、
前記処理ガスの供給方向と直行する方向において、前記処理室に収容される前記基板の被処理面と前記部材の中心部との間隔が、前記処理室に収容される前記基板の被処理面と前記部材の中心部以外の部位との間隔より狭い基板処理装置。
２．１に記載の基板処理装置であって、前記部材は円形であって、前記基板の被処理面との間隔が前記中心部と前記基板の被処理面との間隔より広い間隔を有する環状の周縁部と、前記周縁部から前記中心部にかけて前記基板の被処理面との間隔が狭くなる環状の中途部から構成される基板処理装置。
３．１に記載の基板処理装置であって、前記部材は円形であって、前記中心部にかけて前記基板の被処理面との間隔が狭くなる環状の周縁部とから構成される基板処理装置。
４．１に記載の基板処理装置であって、前記部材は円形であって、前記中心部であって前記基板の被処理面と対向する第１の面と、前記中心部以外の部位であって前記基板の被処理面と対向する第２の面は互いに平行である基板処理装置。
５．基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板及び前記基板保持ユニットを収容する処理室と、
前記基板の被処理面に対して平行方向に所望の処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
前記処理室に収容される前記基板の被処理面に対向して配置される部材と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気ユニットと、
を備え、
前記部材は、環状の部位である周縁部と、当該周縁部からは独立して複数の貫通孔を有する円板状の部位である中心部を有し、
前記周縁部と前記中心部は径方向に延在する直線状の部位である複数の連結部により接続される基板処理装置。
６．５に記載の基板処理装置であって、前記部材は平板上である基板処理装置。
７．１又は５に記載の基板処理装置であって、前記部材の上面に基板を支持するピンを立設する基板処理装置。
８．１又は５に記載の基板処理装置であって、前記部材は前記処理室の長手方向に沿って摺動自在に構成される基板処理装置。
９．１又は５に記載の基板処理装置であって、前記部材は前記処理室内での高さ位置が変更可能に構成される基板処理装置。
１０．１又は５に記載の基板処理装置であって、前記部材は誘電体で構成される基板処理装置。
１１．１又は５に記載の基板処理装置であって、前記処理室は
アウターチューブと、
前記アウターチューブの内部に設置され、複数の基板が基板保持ユニットにより保持され収容される少なくとも下端側が開放したインナーチューブとを備え、
前記ガス供給ユニットは、前記複数枚の基板の積層方向に延在するように前記インナーチューブの内部に立設された複数のガス噴出口を有するガスノズルを有し、
さらに前記処理室は、前記基板を挟んで、前記ガスノズルに対向した位置であって、前記インナーチューブに設けられた複数の排気口を有する基板処理装置であって、
１枚の基板に対して１枚の前記部材が前記基板の被処理面と対向して設けられる基板処理装置。
１２．１又は５に記載の基板処理装置であって、複数の基板が基板保持ユニットより保持され前記処理室内に収容され、前記排気ユニットは前記処理室の下部に接続される基板処理装置であって、
前記部材は前記処理室の下側に配置される基板に対して前記基板の被処理面と対向して設けられる基板処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の実施例１に係る基板処理装置の概略的な構成を示す斜透視図である。
【図２】本発明の実施例で使用される縦型の処理炉とそれに付随する部材との概略構成図であり、特に処理炉部分を縦断面で示している。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】サイドフロー時の膜厚分布イメージ図。
【図５】サイドフロー時の膜厚実測データ図。
【図６】図２のＢ部分の拡大図である。
【図７】調整板の他の実施例を示す図。
【図８】図６のＣ−Ｃ線断面図である。
【図９】本発明の一実施例（実施例２）に係る調整板の概略的な構成を示す平面図である。
【図１０】本発明の一実施例（実施例３）の概略的な構成を示す図面である。
【図１１】本発明の一実施例（実施例３）とその比較例とにおける基板中の位置と基板の被処理面に形成される膜の膜厚との概略的な関係を示す図面である。
【図１２】本発明の一実施例（実施例３）に係る調整リングの概略的な構成を示す平面図である。
【図１３】図１２のＤ−Ｄ線断面図である。
【符号の説明】
【０１００】
１０１  基板処理装置
１０５  カセット棚
１０７  予備カセット棚
１１０  カセット
１１１  筐体
１１４  カセットステージ
１１５  ボートエレベータ
１１８  カセット搬送装置
１１８ａ  カセットエレベータ
１１８ｂ  カセット搬送機構
１２３  移載棚
１２５  ウエハ移載機構
１２５ａ  ウエハ移載装置
１２５ｂ  ウエハ移載装置エレベータ
１２５ｃ  ツイーザ
１２８  アーム
１３４ａ，１３４ｂ  クリーンユニット
１４７  炉口シャッタ
２００  ウエハ
２０２  処理炉
２０３  反応管
２０７  ヒータ
２０９  マニホールド
２１０  底板
２１１  天板
２１２  支柱
２１３  切欠き
２１７  ボート
２１８  ボート支持台
２１９  シールキャップ
２２０  Ｏリング
２３１  ガス排気管
２３２ａ，２３２ｂ  ガス供給管
２３３ａ，２３３ｂ  ノズル
２３４ａ，２３４ｂ  キャリアガス供給管
２４０  液体用のマスフローコントローラ
２４１ａ，２４１ｂ，２４１ｃ  マスフローコントローラ
２４２  気化器
２４３ａ，２４３ｂ，２４３ｃ，２４３ｄ，２４３ｅ  バルブ
２４６  真空ポンプ
２４８ａ，２４８ｂ  ガス供給孔
２６７  ボート回転機構
３００  調整板
３１０  周縁部
３２０  中途部
３３０  中心部
４００  調整板
４１０  周縁部
４２０  中心部
４３０  中途部
５００  リング
５１０  ピン
６００  調整リング
６１０  円環部
６２０  フック部
７００  ガス供給口
７０１  ウエハ
７０２  インナーチューブ
７０３  アウターチューブ
７０４  排気口
【図１】
2008258595.tif 000003
【図２】
2008258595.tif 000004
【図３】
2008258595.tif 000005
【図４】
2008258595.tif 000006
【図６】
2008258595.tif 000007
【図８】
2008258595.tif 000008
【図９】
2008258595.tif 000009
【図１０】
2008258595.tif 000010
【図１１】
2008258595.tif 000011
【図１２】
2008258595.tif 000012
【図１３】
2008258595.tif 000013
【図５】
2008258595.tif 000014
【図７】
2008258595.tif 000015