(57)【要約】【課題】厚く且つ重いガラス板、および、ポリイミド系フィルムやフッ素系フィルム等の高価なプラスチックフィルムを使用しない太陽電池用基板およびその製造方法、並びに、それを用いた太陽電池および太陽電池モジュールを提供する事。【解決手段】透明絶縁性基材上に凹凸形状を有する光線硬化型樹脂を積層するための第１の工程と、前記凹凸形状を有する光線硬化型樹脂上にアモルファス透明電極前駆体を積層することにより、未露光基板を作製するための第２の工程と、前記未露光基板の前記アモルファス透明電極前駆体側から露光することにより、前記凹凸形状を有する光線硬化型樹脂を硬化させて光閉込層を形成し、且つ、前記アモルファス透明電極前駆体を結晶化させて透明電極を形成するための第３の工程を有することを特徴とする太陽電池用基板の製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁性基材上に凹凸形状を有する光線硬化型樹脂を積層するための第１の工程と、
前記凹凸形状を有する光線硬化型樹脂上にアモルファス透明電極前駆体を積層することにより、未露光基板を作製するための第２の工程と、
前記未露光基板の前記アモルファス透明電極前駆体側から露光することにより、前記凹凸形状を有する光線硬化型樹脂を硬化させて光閉込層を形成し、且つ、前記アモルファス透明電極前駆体を結晶化させて透明電極を形成するための第３の工程を有することを特徴とする太陽電池用基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽電池用基板の製造方法を用いてなる太陽電池用基板。
【請求項３】
前記透明絶縁性基材が、少なくとも１層以上の透光性プラスチックフィルムよりなる耐候性フィルムであることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池用基板。
【請求項４】
前記透明絶縁性基材が、少なくとも１層以上の透光性プラスチックフィルムよりなる水蒸気バリア性フィルムであることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の太陽電池用基板。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の太陽電池用基板の透明電極上に、薄膜シリコン層、裏面電極を順次形成したことを特徴とする太陽電池。
【請求項６】
前記裏面電極上に保護シートを積層したことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項７】
前記保護シートが、耐候性プラスチックフィルムと粘着層を積層して成ることを特徴とする請求項６に記載の太陽電池モジュール。
【請求項８】
前記耐候性プラスチックフィルムが、少なくとも１層以上の水蒸気バリア層を有することを特徴とする請求項７に記載の太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池セル外部（入射光側）に設置される光閉込機能を有する太陽電池用基板およびその製造方法に関するもので、更に詳しくは、該太陽電池用基板に設けられた透明電極と光閉込層およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
なお、本明細書に記載されている「ａ−Ｓｉ」とは「アモルファスシリコン」の略語であり、また、「ＰＥＴ」とは「ポリエチレンテレフタレート」の略語であり、また、「ＩＴＯ」とは「インジウムと錫の複合酸化物」を意味し、また、「ｓｃｃｍ」とは「ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｃ／ｍｉｎ」の略語であり、１０１３ｈＰａ下かつ２５℃下における流量（ｃｃ／ｍｉｎ）を意味する、
【背景技術】
【０００３】
太陽光を使用する太陽電池は、資源の枯渇（原油可採年数；約３０年、天然ガス可採年数；約４０年、ウラン可採年数；約４５年）が危惧されている化石燃料を使用しなくても良い発電システムとして注目されている。
【０００４】
従来、太陽電池の構造としては、ガラス板上に、ＳｎＯ２やＩＴＯやＺｎＯからなる透明電極、光電変換機能を有する発電層、裏面電極層がこの順序で積層された構造が周知となっている。（例えば、特許文献１参照）
【０００５】
しかし、ガラス板は耐光性、防湿性に優れている反面、割れ易いので、強度を維持するために最低２ｍｍ以上の厚さを確保せねばならず、その結果、太陽電池が厚く且つ重くなってしまっている。
【０００６】
一方、太陽電池は、屋根や屋上などへ設置される事が頻繁に行われ、設置作業性の改善等のため、薄型化および軽量化の要望が強くなっている。
【０００７】
該要望に対して、ガラス板に替わりプラスチックフィルムを用いた太陽電池の作製が試みられている。（例えば、特許文献２参照）
【０００８】
プラスチックフィルムを用いた太陽電池の製造方法としては、熱ＣＶＤ法またはスパッタ法を用いてプラスチックフィルム上に透明電極を形成し、その後、プラズマＣＶＤ法を用いて該透明電極上にａ−Ｓｉ半導体層を形成し、その後、スパッタ法または蒸着法を用いて該透明電極上に裏面電極を形成する方法が汎用されている。
【０００９】
この時、透明電極の透明性や導電性を十分に発現するために、透明電極材料を結晶化させる必要がある。
【００１０】
透明電極材料を結晶化させるために、プラスチックフィルムの温度を、透明電極材料の少なくとも結晶化温度以上にする試みが行われている。
【００１１】
十分な結晶化度を得るためには、透明電極としてＳｎＯ２を用いた場合は、プラスチックフィルムを２５０℃以上に加熱しなければならず、また、透明電極としてＩＴＯを用いた場合は、プラスチックフィルムを２６０℃温度まで加熱しなければならず、また、透明電極としてＺｎＯを用いた場合は、プラスチックフィルムを２４０℃以上に加熱しなければならない。
【００１２】
使用できるプラスチックフィルムとしては、耐熱性に秀でたポリイミド系フィルムやフッ素系フィルムといった物に限定されてしまい、その例として、ポリイミド系フィルムを用いた方法が提案されている。（例えば、特許文献３参照）
【００１３】
【特許文献１】特許第３７４６７１１号公報
【特許文献２】特開２００３−２４９６７０号公報
【特許文献３】特許第３４９０９０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかし、ポリイミド系フィルムやフッ素系フィルムは非常に高価であり、そのために、太陽電池の製造コストを上昇させるという問題を抱えている。
【００１５】
本発明の課題は、厚く且つ重いガラス板、および、ポリイミド系フィルムやフッ素系フィルム等の高価なプラスチックフィルムを使用しない太陽電池用基板およびその製造方法、並びに、それを用いた太陽電池および太陽電池モジュールを提供する事である。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項１に記載の発明は、透明絶縁性基材上に凹凸形状を有する光線硬化型樹脂を積層するための第１の工程と、
前記凹凸形状を有する光線硬化型樹脂上にアモルファス透明電極前駆体を積層することにより、未露光基板を作製するための第２の工程と、
前記未露光基板の前記アモルファス透明電極前駆体側から露光することにより、前記凹凸形状を有する光線硬化型樹脂を硬化させて光閉込層を形成し、且つ、前記アモルファス透明電極前駆体を結晶化させて透明電極を形成するための第３の工程を有することを特徴とする太陽電池用基板の製造方法である。
【００１７】
アモルファス透明電極前駆体に、その基礎吸収端波長よりも短い波長の光を露光すると、（高温処理しなくても）アモルファス透明電極前駆体が十分に結晶化して、高透明性および低抵抗値を有する透明電極となる。
【００１８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の太陽電池用基板の製造方法を用いてなる太陽電池用基板である。
【００１９】
透明絶縁性基材は、太陽電池への水分侵入の防止の役割、および、太陽電池を外力から保護する役割を果たす。
【００２０】
凹凸形状（光閉込層）は、太陽電池への入射光を乱反射させ、ａ−Ｓｉ半導体層内における前記入射光の光路長を増加させる役割、および、太陽電池から散逸しようとする光を太陽電池内に閉じ込める役割を果たす。
【００２１】
光線硬化型樹脂は、アモルファス透明電極前駆体を結晶化させるために使用した光線を吸収し、光線が透明絶縁性基材に波及することを抑制し、その結果、光線による透明絶縁性基材の劣化を防止させるという役割を有する。
【００２２】
アモルファス透明電極前駆体は、透明電極を形成するための材料となる。
【００２３】
透明電極は、光がａ−Ｓｉ半導体に入射した際に生成する正孔を捕獲する役割を有する。
【００２４】
請求項３に記載の発明は、前記透明絶縁性基材が、少なくとも１層以上の透光性プラスチックフィルムよりなる耐候性フィルムであることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池用基板である。
【００２５】
耐候性フィルムは、大気中の汚染物質から太陽電池を保護する役割を果たす。
【００２６】
請求項４に記載の発明は、前記透明絶縁性基材が、少なくとも１層以上の透光性プラスチックフィルムよりなる水蒸気バリア性フィルムであることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の太陽電池用基板である。
【００２７】
水蒸気バリア性フィルムは、雨や湿気から太陽電池を保護する役割を果たす。
【００２８】
請求項５に記載の発明は、請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の太陽電池用基板の透明電極上に、薄膜シリコン層、裏面電極を順次形成したことを特徴とする太陽電池である。
【００２９】
薄膜シリコン層は、太陽電池に入射した光をエネルギー源として、正孔とキャリア電子を発生させる役割を果たす。
【００３０】
裏面電極は、光がａ−Ｓｉ半導体に入射した際に生成するキャリア電子を捕獲する役割を有する。
【００３１】
請求項６に記載の発明は、前記裏面電極上に保護シートを積層したことを特徴とする太陽電池モジュールである。
【００３２】
保護シートは、大気中の汚染物質、雨および湿気から太陽電池を保護する役割を果たす。
【００３３】
請求項７に記載の発明は、前記保護シートが、耐候性プラスチックフィルムと粘着層を積層して成ることを特徴とする請求項６に記載の太陽電池モジュールである。
【００３４】
粘着層は、保護シートを太陽電池に接着する役割を果たす。
【００３５】
請求項８に記載の発明は、前記耐候性プラスチックフィルムが、少なくとも１層以上の水蒸気バリア層を有することを特徴とする請求項７に記載の太陽電池モジュールである。
【００３６】
水蒸気バリア層は、ａ−Ｓｉ半導体層のＳｉ−Ｈ結合部分へのＨ２Ｏアタックを防止する役割を果たす。
【００３７】
Ｓｉ−Ｈ結合部分へＨ２Ｏがアタックすると、Ｓｉ−Ｈ結合からＨが脱離し、その結果、発電効率が低下してしまう。
【発明の効果】
【００３８】
請求項１に記載の発明は、透明絶縁性基材上に凹凸形状を有する光線硬化型樹脂を積層するための第１の工程と、
前記凹凸形状を有する光線硬化型樹脂上にアモルファス透明電極前駆体を積層することにより、未露光基板を作製するための第２の工程と、
前記未露光基板の前記アモルファス透明電極前駆体側から露光することにより、前記凹凸形状を有する光線硬化型樹脂を硬化させて光閉込層を形成し、且つ、前記アモルファス透明電極前駆体を結晶化させて透明電極を形成するための第３の工程を有することを特徴とする太陽電池用基板の製造方法である。
【００３９】
このような製造方法を用いることにより、厚く且つ重いガラス板、および、ポリイミド系フィルムやフッ素系フィルム等の高価な耐熱性プラスチックフィルムを使用せずに太陽電池用基板を得る事ができる。
【００４０】
また、このような製造方法を用いることにより、アモルファス透明電極前駆体を結晶化させて高い結晶性を有する透明電極を形成する工程と、凹凸形状を有する光線硬化型樹脂を硬化させて光閉込層を形成する工程を同時に行うことができる。
【００４１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の太陽電池用基板の製造方法を用いてなる太陽電池用基板である。
【００４２】
このような太陽電池用基板を用いることにより、薄く軽く安価な太陽電池を製造することができる。
【００４３】
請求項３に記載の発明は、前記透明絶縁性基材が、少なくとも１層以上の透光性プラスチックフィルムよりなる耐候性フィルムであることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池用基板である。
【００４４】
透明絶縁性基材を、少なくとも１層以上の透光性プラスチックフィルムよりなる耐候性フィルムとすることにより、太陽電池の劣化を抑制することができる。
【００４５】
請求項４に記載の発明は、前記透明絶縁性基材が、少なくとも１層以上の透光性プラスチックフィルムよりなる水蒸気バリア性フィルムであることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の太陽電池用基板である。
【００４６】
透明絶縁性基材を、少なくとも１層以上の透光性プラスチックフィルムよりなる水蒸気バリア性フィルムとすることにより、太陽電池の劣化および発電効率低下を抑制することができる。
【００４７】
請求項５に記載の発明は、請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の太陽電池用基板の透明電極上に、薄膜シリコン層、裏面電極を順次形成したことを特徴とする太陽電池である。
【００４８】
請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の太陽電池用基板の透明電極上に薄膜シリコン層、裏面電極をこの順に形成することにより、薄く軽く安価な太陽電池を得る事ができる。
【００４９】
請求項６に記載の発明は、前記裏面電極上に保護シートを積層したことを特徴とする太陽電池モジュールである。
【００５０】
保護シートを太陽電池の裏面電極上に設けることにより、太陽電池の劣化を抑制することができる。
【００５１】
請求項７に記載の発明は、前記保護シートが、耐候性プラスチックフィルムと粘着層を積層して成ることを特徴とする請求項６に記載の太陽電池モジュールである。
【００５２】
保護シートを、耐候性プラスチックフィルムと粘着層が積層された構成とすることにより、耐候性プラスチックフィルムを太陽電池に圧着することができる。
【００５３】
請求項８に記載の発明は、前記耐候性プラスチックフィルムが、少なくとも１層以上の水蒸気バリア層を有することを特徴とする請求項７に記載の太陽電池モジュールである。
【００５４】
水蒸気バリア層を設けることにより、太陽電池の劣化および発電効率低下を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５５】
以下、本発明の図１、図２、図３、および、図４を基に、本発明の太陽電池用基板、太陽電池、および、太陽電池モジュールの製造方法を説明する。
【００５６】
（凹凸形状転写用スタンパの作製）
まず、スタンパ用基板１００上に、フォトレジスト２００を塗布する。（図１（ａ）参照）
【００５７】
スタンパ用基板１００の材料は、寸法安定性および低熱膨張性を有していれば、不透明もしくは透明のいずれであっても良く、例えば、アルミニウム、ガラス、水晶、銅、真鍮、鋼、マグネシウム、カドミウム、銀、金、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、および、ポリカーボネート、若しくは、上記材料からなる複合材料を用いることができ、光学用部品製造工程中に化学的不活性、かつ、安価という観点から、ガラスが好ましい。
【００５８】
フォトレジスト２００として使用することができる材料は、電離放射線で露光することにより架橋もしくは高分子量のポリマーを形成し、かつ、溶媒への溶解性が減少する組成物であれば特に限定されないが、解像度の観点から、ナフトキノンジアジド−ノボラツク系ポジ型レジストが好ましい。
【００５９】
ナフトキノンジアジド−ノボラツク系ポジ型レジスト（フォトレジスト２００）とガラス板（スタンパ用基板１００）との密着性を向上させるため、ガラス板（スタンパ用基板１００）表面にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）によりベーパー処理を施しても良い。
【００６０】
スタンパ用基板１００上へのフォトレジスト２００の塗布方法としては、ロールコート法、カーテンフローコート法、スクリーン印刷法、スプレーコーター法、スピンコート法などを用いることができるが、ｎｍレベルのフォトレジスト２００薄膜の膜厚を均一にできるという観点から、スピンコート法が好ましい。
【００６１】
次に、活性線および光学系マスクを用いて、回折限界にてフォトレジスト２００を露光することにより、ポジ型のフォトレジスト２００を可溶化処理する。（図１（ｂ）参照）
【００６２】
活性線の光源としては、ＨｅＣｄレーザー、エキシマレーザー、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キセノンランプ、Ｘ線、電子線等を用いることができるが、フォトレジスト２００としてナフトキノンジアジド−ノボラツク系ポジ型レジストを用いた場合は、解像度の観点から、ＨｅＣｄレーザーが好ましい。
【００６３】
露光方法としては、光学系マスクをフォトレジスト２００上に密着させた後に活性線を照射する方法の他、縮小投影露光装置またはミラー式投影露光装置等を使用する方法を用いることができるが、解像度の観点から、光学系マスクをフォトレジスト２００上に密着させた後に活性線を照射する方法が好ましい。
【００６４】
次に、現像液を用いて、可溶化処理したフォトレジスト２００´を除去（現像）する。（図１（ｃ）参照）
【００６５】
現像液としては、ケイ酸ナトリウム系、燐酸ナトリウム系あるいはこれらの緩衝液や水酸化第４アルキルアンモニウム等のアルカリ溶液を用いることができ、中でも、現像カブリが起こり難いテトラメチルアンモニウム水溶液が好ましい。
【００６６】
除去（現像）方法としては、スプレー法や浸漬法を用いることができるが、連続生産性の観点からスプレー法が好ましい。
【００６７】
現像液には現像均一性を上げるため界面活性剤を添加しても良い。
添加する界面活性剤としては、現像阻害効果が少なく、現像液（アルカリ溶液）との相性の良いアニオン界面活性剤（例えば、Ｎ−アシルアミノ酸およびその塩、アルキルスルホカルボン酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸塩、Ｎ−アシルメチルタウリン塩、アルキル硫酸塩ポリオキシアルキルエーテル硫酸塩、アルキル硫酸塩ポリオキシエチレンアルキルエーテル燐酸塩、ロジン酸石鹸、ヒマシ油硫酸エステル塩、ラウリルアルコール硫酸エステル塩、アルキルフェノール型燐酸エステル、アルキル型燐酸エステル、アルキルアリルスルホン酸塩など）を用いることができる。
【００６８】
上記アニオン界面活性剤の中でも、現像液との相溶性や安定性などの観点から分子量が比較的大きく浸透性が高い、アルキルスルホカルボン酸塩が好ましい。
【００６９】
次に、フォトレジスト２００´´上に導電化層３００を形成する。（図１（ｄ）参照）
【００７０】
導電化層３００の材料としては、ニッケルや銀を用いることができるが、コストの観点から、ニッケルが好ましい。
【００７１】
形成方法としては、無電解めっき法およびスパッタ法を用いることができるが、フォトレジスト２００´´と導電化層３００の密着性の観点から、スパッタ法が好ましい。
【００７２】
次に、導電化層３００を電極にして、電鋳法を用いて、導電化層３００上に金属層４００を形成する。（図１（ｅ）参照）
【００７３】
金属層４００の材料としては、ニッケルや銅を用いることができるが、光学用部品製造工程中の寸法安定性という観点から、ニッケルが好ましい。
【００７４】
次に、スタンパ用基板１００およびフォトレジスト２００´´を剥離することにより、凹凸形状転写用スタンパ５００を得る。（図１（ｆ）参照）
【００７５】
（太陽電池用基板の作製）
まず、透明絶縁性基材１の一方の面に光線硬化型樹脂２を積層する。（図２（ａ）参照）
【００７６】
透明絶縁性基材１の材料としては、ポリイミド系フィルムやフッ素系フィルム等の高価な耐熱性プラスチックフィルム以外であって、透明絶縁性を有するプラスチックフィルムであれば特に限定されず、例えば、ポリカーボネートフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリサルホンフィルム、ポリアクリロニトリルフィルム、アクリル樹脂フィルム、セルロースアセテートフィルム、ガラス繊維強化ポリエステルフィルム、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネートフィルム、および、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムやポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム等のポリエステル系フィルムや、ビニルアルコール／エチレン共重合体（ＥＶＯＨ）フィルム、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）フィルム等のポリビニル系フィルムを用いることができるが、中でも、太陽電池に耐候性を付与できるという観点から耐候性ポリエチレンテレフタレートフィルムを用いることが好ましく、更に、これらの材料に無機酸化物などを積層することにより、水蒸気バリア性を付与することがより好ましい。
【００７７】
光線硬化型樹脂２の材料としては、透明電極材料の基礎吸収端波長よりも短い波長の光で硬化する透明な樹脂であれば特に限定されず、例えば、γ線硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂を用いることができ、硬化による体積収縮が極めて少ないという観点から、紫外線硬化型樹脂が好ましい。
【００７８】
紫外線硬化型樹脂としては、ポリイミド系樹脂やフッ素系樹脂等の高価な樹脂以外であって、紫外線を照射することにより硬化する樹脂であれば特に限定されず、例えば、アクリル系、エポキシ変性アクリレート系、ポリウレタン系、ポリエステル系樹脂のプレポリマーに、粘度あるいは架橋密度を調整するための多官能または単官能のモノマー、光反応開始剤および増感剤を添加した樹脂を用いることができる。
【００７９】
粘度を調整するためのモノマーとしては、ポリエステル、ラウリルメタクリレート等の多官能性（メタ）アクリレート化合物や、２−エチルヘキシルアクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート等のヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等の単官能性（メタ）アクリレート化合物や、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリメタクリレート等のヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコールジアクリレート等の二官能性（メタ）アクリレート化合物や、ペンタエリストールトリ（メタ）アクリレート等の三官能性（メタ）アクリレート化合物を用いることができるが、中でも、光閉込層に十分な硬度を付与できるという観点から、多官能性（メタ）アクリレート化合物が好ましい。
【００８０】
粘度を調整するためのモノマーの配合量は、紫外線硬化型樹脂の総重量に対して、１〜１０重量％の範囲から選択することができるが、４〜７重量％が好ましい。
【００８１】
架橋密度を調整するためのモノマーとしては、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、紫外線により架橋密度を向上させることが可能なモノマーであれば特に限定されず、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジグリシジルエーテル（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ソルビトールテトラグリシジルエーテルテトラ（メタ）アクリレートなどを用いることができる。
【００８２】
架橋密度を調整するためのモノマーの配合量は、紫外線硬化型樹脂の総重量に対して、１〜１０重量％の範囲から選択することができるが、４〜７重量％が好ましい。
【００８３】
光反応開始剤としては、紫外線のエネルギーによりフリーラジカルを発生する化合物であって、エポキシ変性アクリレート系、ポリウレタン系、ポリエステル系樹脂のプレポリマーと相溶性があり、溶剤に可溶な樹脂であれば特に限定されるものでなく、例えば、ベンゾイン、ベンゾフェノン、または、それらのエステル等のカルボニル化合物、および、ジフェニルジサルファイド等のイオウ化合物、或いは、アセトフェノン誘導体、アントラキノン誘導体などを用いることができる。
【００８４】
光反応開始剤の配合量は、紫外線硬化型樹脂の総重量に対して、１〜９重量％の範囲から選択することができるが、３〜５重量％が好ましい。
【００８５】
増感剤としては、４−ジメチルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸エステル、アルコキシアセトフェノン、ベンジルジメチルケタール、ベンゾフェノンおよびベンゾフェノン誘導体、ベンゾイル安息香酸アルキル、ビス（４−ジアルキルアミノフェニル）ケトン、ベンジルおよびベンジル誘導体、ベンゾインおよびベンゾイン誘導体、ベンゾインアルキルエーテル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、チオキサントンおよびチオキサントン誘導体、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェノイルフォスフィンオキシド等を用いることができる。
【００８６】
増感剤の配合量は、紫外線硬化型樹脂の総重量に対して、０．２〜２．４重量％の範囲から選択することができるが、１．０〜１．７重量％が好ましい。
【００８７】
光線硬化型樹脂２の積層方法としては、光線硬化型樹脂２を溶剤に溶解した溶解液を、透明絶縁性基材１上へ塗布する方法を用いることができる。
【００８８】
塗布する方法としては、ドクターブレード法、ダイコ−ト法、グラビアコート法、ロッドコート法、リバースロールコート法、スプレーコート法、オフセットグラビアコート法、キスコート法などの任意の積層方法を用いることができるが、中でも、光線硬化型樹脂２の厚み精度に優れたグラビアコート法、リバースロールコート法、オフセットグラビアコート法が好ましい。
【００８９】
溶剤としては、沸点が適当である有機溶剤であれば特に限定されず、例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンを用いることができるが、中でも、溶解性に優れたメチルエチルケトン（ＭＥＫ）が好ましい。
【００９０】
次に、光線硬化型樹脂２に凹凸形状転写用スタンパ５００を押圧し、光閉込層パターン２´を形成する。（図２（ｂ）参照）
【００９１】
次に、凹凸形状転写用スタンパ５００を除去する。（図２（ｃ）参照）
【００９２】
次に、光閉込層パターン２´を乾燥して溶剤を除去することにより、光閉込層前駆体２´´を形成する。（図２（ｄ）参照）
【００９３】
乾燥方法としては、熱風乾燥機、蒸気乾燥機、赤外線乾燥機および遠赤外線乾燥機などを用いて溶剤を加熱蒸発させる方法を用いることができる。
【００９４】
乾燥温度としては、透明絶縁性基材１のガラス転移点よりも低い温度であって、溶剤沸点よりも１０〜１００℃高い温度が好ましく、溶剤沸点よりも５０〜９０℃高い温度であれば更に好ましい。
【００９５】
乾燥温度が透明絶縁性基材１のガラス転移点よりも低い温度であって、溶剤沸点よりも５０℃以上低い温度、特に、溶剤沸点よりも１０℃以上低い温度であると、乾燥効率が悪く、また、乾燥温度が溶剤沸点よりも９０℃以上高い温度、特に、溶剤沸点よりも１００℃以上高い温度であると、光閉込層前駆体２´´にクラックが発生し易くなる。
【００９６】
次に、光閉込層前駆体２´´上に、アモルファス透明電極前駆体３を積層する。（図２（ｅ）参照）
【００９７】
アモルファス透明電極前駆体３の材料としては、結晶化した状態において、良導体であって、かつ、太陽や白色蛍光灯等からの光を太陽電池ユニット内に効率よく吸収させるために光の透過率が７０％以上である透明性を有する物であれば特に制限は無く、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯｘ（０．８≦ｘ＜１）、ＳｎＯ２等を用いることができるが、低抵抗かつ透明性が高いという観点から、ＩＴＯが好ましい。
【００９８】
アモルファス透明電極前駆体３の積層方法としては、スパッタ法、電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法などを用いることができるが、中でも、製膜条件によってアモルファス透明電極前駆体３の応力値を比較的容易に制御することができるという観点から、スパッタ法が好ましい。
【００９９】
アモルファス透明電極前駆体３の厚さは、１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲から選択することができるが、２０〜２００ｎｍが好ましい。
【０１００】
アモルファス透明電極前駆体３の厚さが、２００ｎｍを超えると、特に、３００ｎｍを超えると、透明電極３´にクラック等が入りやすくなる。
【０１０１】
また、アモルファス透明電極前駆体３の厚さが、２０ｎｍ未満であると、特に、１０ｎｍ未満であると、透明電極３´が連続皮膜と成らず（島状となり）、良好な導電性（表面抵抗が１０３Ω／□以下）を示さないことが懸念される。
【０１０２】
次に、アモルファス透明電極前駆体３側から、アモルファス透明電極前駆体３および光閉込層前駆体２´´に光線を照射して、透明電極３´および光閉込層２´´´を同時に形成することにより、太陽電池用基板を得る。（図２（ｆ）参照）
【０１０３】
光線としては、アモルファス透明電極前駆体３の基礎吸収端波長よりも短い波長の光線であれば特に限定されず、例えば、γ線、紫外線、電子線などを用いることができるが、光閉込層２´´´の強度を高くする事ができるという観点から、紫外線が好ましい。
【０１０４】
紫外線源としては、例えば、エキシマレーザー、水銀ランプ、メタルハライドランプ、紫外線レーザー、ＬＥＤ等を用いることができ、中でも、大気中の酸素に吸収されることが無く強い光線が得られるという観点からＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）が好ましい。
【０１０５】
（太陽電池の作製）
次に、透明電極３´上に、ｐ型ａ−Ｓｉ層４、ｉ型ａ−Ｓｉ層５、ｎ型ａ−Ｓｉ層６を順次積層して成る薄膜シリコン層を形成する。（図３（ａ）（ｂ）（ｃ）参照）
【０１０６】
ｐ型ａ−Ｓｉ層４の形成方法としては、ＳｉＨ４とＣＨ４とＢ２Ｈ６から成る混合ガスを原料ガスとして用いたＣＶＤ法を用いる事ができる。
【０１０７】
ｐ型ａ−Ｓｉ層４におけるホウ素のドープ量は、１０１８〜１０２２原子／ｃｍ３の範囲から選択することができるが、１０１９〜１０２１原子／ｃｍ３が好ましい。
【０１０８】
ホウ素のドープ量が１０２１原子／ｃｍ３を超えると、特に１０２２原子／ｃｍ３を超えると電気伝導度が低下してしまい、ホウ素のドープ量が１０１９原子／ｃｍ３未満であると、特に１０１８原子／ｃｍ３未満であると波長５００ｎｍ以下の光線の吸収係数が低くなってしまう。
【０１０９】
ｐ型ａ−Ｓｉ層４の厚さは、０．０２〜０．０６μｍの範囲から選択することができるが、０．０３〜０．０５μｍが好ましい。
【０１１０】
ｐ型ａ−Ｓｉ層４の厚さが、０．０５μｍを超えると、特に、０．０６μｍを超えると、ｐ型ａ−Ｓｉ層４における電気抵抗が高くなるためにエネルギー変換効率が低下してしまう。
【０１１１】
また、ｐ型ａ−Ｓｉ層４の厚さが、０．０３μｍ未満であると、特に、０．０２μｍ未満であると、透明電極３´表面の凹凸によってｐ型ａ−Ｓｉ層４に機械的および電気的な欠陥が発生し、開放端電圧の低下や短絡による歩留まりの低下が懸念される。
【０１１２】
ｉ型ａ−Ｓｉ層５の形成方法としては、ＳｉＨ４とＣＨ４とＢ２Ｈ６から成る混合ガスを原料ガスとしたＣＶＤ法を用いる事ができる。
【０１１３】
ｉ型ａ−Ｓｉ層５の厚さは、０．２〜０．６μｍの範囲から選択することができるが、０．３〜０．５μｍが好ましい。
【０１１４】
ｉ型ａ−Ｓｉ層５の厚さが、０．５μｍを超えると、特に、０．６μｍを超えると、ｉ型ａ−Ｓｉ層５が光劣化し易くなる。
【０１１５】
また、ｉ型ａ−Ｓｉ層５の厚さが、０．３μｍ未満であると、特に、０．２μｍ未満であると、光電変換効率が低下してしまう。
【０１１６】
ｎ型ａ−Ｓｉ層６の形成方法としては、ＳｉＨ４とＨ２およびＰＨ３から成る混合ガスを原料ガスとしたＣＶＤ法を用いる事ができる。
【０１１７】
ｎ型ａ−Ｓｉ層６の厚さは、０．０１〜０．０５μｍの範囲から選択することができるが、０．３〜０．５μｍが好ましい。
【０１１８】
ｎ型ａ−Ｓｉ層６の厚さが、０．０４μｍを超えると、特に、０．０５μｍを超えると、ｎ型ａ−Ｓｉ層６における電気抵抗が高くなるためにエネルギー変換効率が低下してしまう。
【０１１９】
また、ｎ型ａ−Ｓｉ層６の厚さが、０．０２μｍ未満であると、特に、０．０１μｍ未満であると、ｉ型ａ−Ｓｉ層５表面の凹凸によってｎ型ａ−Ｓｉ層６に機械的および電気的な欠陥が発生し、開放端電圧の低下や短絡による歩留まりの低下が懸念される。
【０１２０】
ｎ型ａ−Ｓｉ層６における燐のドープ量は、１０１４〜１０１８原子／ｃｍ３の範囲から選択することができるが、１０１５〜１０１７原子／ｃｍ３が好ましい。
【０１２１】
燐のドープ量が１０１７原子／ｃｍ３を超えると、特に、１０１８原子／ｃｍ３を超えると、ｎ型ａ−Ｓｉ層６の欠陥が増えるために正孔のμτ（電子の移動度（μ）と寿命（τ）との積）が小さくなり、絶対感度が著しく低下してしまう。
【０１２２】
また、燐のドープ量が１０１５原子／ｃｍ３未満であると、特に１０１４原子／ｃｍ３未満であると波長６００ｎｍ以上の光線の吸収係数が低くなってしまう。
【０１２３】
次に、ｎ型ａ−Ｓｉ層６上に、裏面電極７を形成する。（図３（ｄ）参照）
【０１２４】
裏面電極７の材料としては、光反射率が高い良導体であれば特に限定されず、例えば、銀、銅、アルミニウムを用いることができるが、薄膜シリコン層を透過した長波長（波長７００ｎｍ以上）の光の反射率が高いという観点から、銀が好ましい。
【０１２５】
裏面電極７の積層方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法を用いることができるが、表面鏡面性（平滑性）に優れた裏面電極７が形成できるという観点から、スパッタ法が好ましい。
【０１２６】
裏面電極７の厚さは、２２０ｎｍ〜３３０ｎｍの範囲から選択することができるが、２４０〜３１０ｎｍが好ましい。
【０１２７】
（太陽電池モジュールの作製）
まず、保護材８上に粘着層９を積層する。（図４（ａ）参照）
【０１２８】
保護材８の材料としては、ポリイミド系フィルムやフッ素系フィルム等の高価な耐熱性プラスチックフィルム以外であって、耐加水分解性、耐熱性、防湿性、酸素バリア性、物理的強度を有する材料であれば特に限定されず、例えば、エチレンビニルアルコール共重合樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリロニトリル、および、プラスチックフィルム上にアルミニウム箔やアルミニウム蒸着膜を積層した材料、或いは、プラスチックフィルム上に塩化ビニリデンやエチレンビニルアルコール共重合樹脂を積層した材料、または、プラスチックフィルム上に酸化珪素や酸化アルミニウム等の無機酸化物を積層した材料や、アルミニウム、銅、鉄などの金属箔を用いることができるが、中でも、耐候性ポリエチレンテレフタレートに無機酸化物などを積層した材料が好ましい。
【０１２９】
粘着層９の材料としては、保護材８を太陽電池に固定できる材料であれば特に限定されず、例えば、ポリアクリル酸エステル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニル系粘着剤などを用いることができるが、カールが発生し難く、かつ、断裁加工したときに抜刃への粘着剤付着が起こり難いという観点からポリアクリル酸エステル系粘着剤が好ましい。
【０１３０】
ポリアクリル酸エステル系粘着剤を用いる場合、アクリル酸エステルモノマーは、粘着剤組成物中に固形分として３０〜８０重量％好ましくは４０〜７０重量％含まれることが好ましい。
【０１３１】
６０重量％未満では、特に、５０重量％未満では保護材８との接着力が充分でなく、７０重量％を越えると、特に、８０重量％を超えると粘着剤としての凝集力が不足する。
【０１３２】
また、上記粘着剤に適当な粘着性付与剤、例えば、クマロンインデン系樹脂、ロジン、ダンマル、重合ロジン、部分水添ロジン、エステルロジン、ポリテルペン系樹脂、テルペン変性体、石油系樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、フェノール系樹脂、スチレン系樹脂、キシレン系樹脂などを添加しても良く、更に必要に応じて老化防止剤、軟化剤なども添加することができる。
【０１３３】
溶剤としては、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、セロソルブ、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸プロピル等を用いることができるが、中でも、溶解性と揮発除去性の良好な酢酸エチルが好ましい。
【０１３４】
積層方法としては、グラビアコート法、バーコート法、リバースコート法、ロールコート法などを用いることができ、粘着剤の種類、塗布量、粘度などを考慮した上で適宜選定することができる。
【０１３５】
最後に、粘着層９と裏面電極７を圧着することにより、太陽電池モジュールを得る。（図４（ｃ）参照）
【実施例】
【０１３６】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
【０１３７】
また、下記実施例にて作製された太陽電池の評価は、ＪＩＳ  Ｃ８９３４に基づき、模擬太陽光（スペクトル：ＡＭ１．５、照射強度：１００ｍＷ／ｃｍ２）を用いて、照射温度：２５℃の条件下で実施した。
【０１３８】
＜実施例１＞
（凹凸形状転写用スタンパの作製）
まず、ガラス板（コーニング社製、１７３７（商品名））表面を島田理化社製の自動洗浄装置で洗浄し、その後、このガラス板をベーパーオーブン内にて、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）（東京応化工業社製、ＯＡＰ（商品名））蒸気を用いて、９０℃下において２分間ベーパー処理を行った。
【０１３９】
次に、フォトレジスト（ポジ型フォトレジスト）（東京応化工業社製、ＯＦＰＲ−８００（商品名））を、湯浅社製のスピンコーターを用いて、前記ガラス板のベーパー処理面上に、４０００ｒｐｍ３０秒間のスピンコート条件にて、膜厚が３±１μｍの範囲になるように塗布し、その後、ＤＡＩＴＯＲＯＮ社製のクリーンオーブン内で９０℃下において５０分間プリベークした。
【０１４０】
次に、レーザー干渉露光装置を用いて、光閉込層を形成する為のパターンを有する光学系マスク（ＮＡ（開口数）０．９０）を介して、前記プリベークしたフォトレジストに、三方向より入射角度４０度にて波長４４２ｎｍのＨｅＣｄレーザーを照射することにより、フォトレジストを露光した。
【０１４１】
次に、０．３％のテトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、２５℃下において６０秒間現像処理を行い、その後、超純水でリンス処理を２５秒間行い、その後、乾燥した。
【０１４２】
次に、ＤＣ平行平板型マグネトロンスパッタリング装置（Ｖａ−ｒｉａｎ社製、ＸＭ−８（商品名））内において、スパッタリングターゲットとしてＮｉターゲット、スパッタガスとして圧力０．３ＰａのＡｒガスを用いて、初期真空度５×１０−３Ｐａにて、ＲＦパワー３００Ｗの条件で、Ｎｉをスパッタすることにより、フォトレジスト上に厚さが６００ÅのＮｉ導電化層を形成した。
【０１４３】
次に、以下の様なＮｉ鍍金液を生成した。
スルファルミ酸ニッケル・４水塩・・・５００ｇ／Ｌ
硼酸・・・・・・・・・・・・・・・・３７ｇ／Ｌ
ｐＨ・・・・・・・・・・・・・・・・３．８
【０１４４】
次に、４０℃に保温した上記Ｎｉ鍍金液に、前記Ｎｉ導電化層を浸漬し、通電電流時間積分値３００ＡＨの条件にて鍍金を行うことにより、前記Ｎｉ導電化層上に厚さ３００μｍのニッケル鍍金膜を形成した。
【０１４５】
最後に、ガラス板（スタンパ用基板）およびフォトレジストを剥離することにより、凹凸形状転写用スタンパを得た。
【０１４６】
（太陽電池用基板の作製）
まず、厚さ２５μｍの耐候性ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製（銘柄；ＨＧ）を真空蒸着槽内に装着した後、真空蒸着槽内を５×１０−５Ｔｏｒｒになるまで排気し、蒸発源として一酸化珪素を用いた電子ビーム蒸着法を用いて、前記耐候性ＰＥＴフィルム上に厚さ２００±１０ÅのＳｉＯｘ（ｘ＝１．６〜１．７）層を形成することにより、透明絶縁性基材を得た。
【０１４７】
次に、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）を用いて紫外線硬化型アクリル（日本化薬社製（商品名；カヤノバＦＯＰ１７００））モノマーを固形分４５質量％に希釈したペーストを、グラビアコート法を用いて、前記ＳｉＯｘ上に膜厚３±１μｍになるように塗布し、その後、６０℃にて予備乾燥した。
【０１４８】
次に、塗布面に、１ＭＰａの圧力をかけて１分間前記凹凸形状転写用スタンパを圧接した後に凹凸形状転写用スタンパを剥離することにより、光閉込層パターン（光閉込層前駆体）を形成した。
【０１４９】
次に、スパッタ装置（徳田製作所株式会社製（商品名；「ＴＯＫＵＤＡ  ＣＦＳ−１０  ＥＰ−７０」、直径５インチのＩＴＯターゲット（酸化錫１０ｗｔ％）、および、スパッタガスとしてＡｒとＯ２の混合ガス（流量比Ａｒ：Ｏ２＝３４０：１）（圧力０．３１Ｐａ）を用いて、２５℃下のもと、ＲＦ出力３００Ｗ、スパッタ時間３０分の条件で、光閉込層パターン（光閉込層前駆体）上に厚さ１５０ｎｍのアモルファスＩＴＯ膜（アモルファス透明電極前駆体）を形成した。
【０１５０】
アモルファスＩＴＯ膜の構造をＸ線回折法により確認したところ、アモルファス状態であった。（図５参照）
【０１５１】
次に、ＫｒＦエキシマレーザーを用いて、アモルファスＩＴＯ膜側から、アモルファスＩＴＯ膜および光閉込層前駆体に紫外線を（波長２４８ｎｍ）照射し、透明電極および光閉込層を同時に形成することにより、太陽電池用基板を得た。
照射条件としては。照射エネルギー４０ｍＪ／ｃｍ２／ｐｕｌｓｅ、周波数２０Ｈｚ、照射時間４分間の条件を用いた。
【０１５２】
透明電極の構造をＸ線回折法により確認したところ、結晶状態であった。（図６参照）
【０１５３】
（太陽電池の作製）
次に、ヒーターに（太陽電池用基板の）透明絶縁性基材面が接触する様に、太陽電池用基板をプラズマＣＶＤ装置に装着し、その後、真空ポンプを用いて成膜室内の圧力が４×１０−７Ｔｏｒｒになるまで真空排気し、その後、ヒーターを用いて太陽電池基板を１９０±１℃に加熱した。
【０１５４】
次に、成膜室内へ、原料ガスとして、シラン（ＳｉＨ４）（１．２ｓｃｃｍ）、テトラメチルシラン（（ＣＨ３）４Ｓｉ）（２ｓｃｃｍ）、水素（Ｈ２）（６００ｓｃｃｍ）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）（０．０２ｓｃｃｍ）を導入した。
【０１５５】
原料ガス導入後、圧力制御装置を用いて、成膜室内の圧力を１．０±０．１Ｔｏｒｒに制御した。
【０１５６】
次に、高周波電源からインピーダンス整合器を介して、放電電極に１００ＭＨｚ高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、透明電極上に、厚さ５ｎｍのｐ型ａ−Ｓｉ層を成膜した。
【０１５７】
次に、太陽電池基板の温度を１１０±１℃、成膜室内の圧力を５×１０−８Ｔｏｒｒとし、その後、原料ガスとして、シラン（ＳｉＨ４）（１００ｓｃｃｍ）を成膜室内に導入した。
【０１５８】
原料ガス導入後、圧力制御装置を用いて、成膜室内の圧力を７５±１ｍＴｏｒｒに制御した。
【０１５９】
次に、高周波電源からインピーダンス整合器を介して、放電電極に１００ＭＨｚ高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、ｐ型ａ−Ｓｉ層上に、厚さ３００ｎｍのｉ型ａ−Ｓｉ層を成膜した。
【０１６０】
次に、太陽電池基板の温度を１８０±１℃、成膜室内の圧力を６．８×１０−９Ｔｏｒｒとし、その後、原料ガスとして、シラン（ＳｉＨ４）（１００ｓｃｃｍ）、水素（Ｈ２）（１６００ｓｃｃｍ）、ＰＨ３（６７ｓｃｃｍ）を成膜室内に導入した。
【０１６１】
原料ガス導入後、圧力制御装置を用いて、成膜室内の圧力を７５±１ｍＴｏｒｒに制御した。
【０１６２】
次に、高周波電源からインピーダンス整合器を介して、放電電極に１００ＭＨｚ高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、ｉ型ａ−Ｓｉ層上に、厚さ５０±１ｎｍのｎ型ａ−Ｓｉ層を成膜した。
【０１６３】
最後に、ｎ型ａ−Ｓｉ層を成膜した基板とＡｇターゲットをマグネトロンスパッタ装置に装着し、成膜チャンバー内の温度を２５℃、圧力を２ｍＴｏｒｒとし、放電パワー２００ＷでＲＦ放電してＡｇターゲットをスパッタし、ｎ型ａ−Ｓｉ層上に厚さ２８０ｎｍの背面電極を形成することにより、太陽電池を得た。
【０１６４】
（太陽電池モジュールの作製）
まず、厚さ２５μｍの耐候性ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製（銘柄；ＨＧ）を真空蒸着槽内に装着した後、真空蒸着槽内を５×１０−５Ｔｏｒｒになるまで排気し、蒸発源として一酸化珪素を用いた電子ビーム蒸着法を用いて、前記耐候性ＰＥＴフィルム上に厚さ２００±１０ÅのＳｉＯｘ（ｘ＝１．６〜１．７）を蒸着することにより透明絶縁性基材を得た。
【０１６５】
次に、ポリアクリル酸エステル系粘着剤（日本カーバイド社製（商品名；ニッセツＫＰ１４０５／硬化剤ＣＫ１０２＝１００／２））を、リバースコート法を用いて、乾燥後の塗布量が３０ｇ／ｍ２になるように、蒸着面に塗工した後、１２０℃で１分間乾燥して粘着層を形成した。
【０１６６】
最後に、粘着層を裏面電極に圧着することにより、太陽電池モジュールを得た。
【０１６７】
太陽電池の特性評価を行ったところ、開放電圧は０．９５Ｖ、短絡電流は１３．３ｍＡ／ｃｍ２、形状因子は０．７５、変換効率は９．５％であり、良好な性能である事が確認できた。
【産業上の利用可能性】
【０１６８】
本発明の、太陽電池用基板およびその製造方法、並びに、それを用いた太陽電池および太陽電池モジュールは、カメラ、携帯電話、ノートパソコン、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ナビゲーションシステム、ポータブル音楽再生プレーヤーなどの携帯型小型電気機器、および、電気自動車、自動販売機、宇宙船などの電源に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１６９】
【図１】本発明の太陽電池用基板の作製に用いる凹凸形状転写用スタンパの製造方法を説明するための断面図である。
【図２】本発明の太陽電池用基板の製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明の太陽電池の製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の太陽電池モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の太陽電池用基板の製造過程で作製されたアモルファス透明電極前駆体のＸ線回折チャートである。
【図６】本発明の太陽電池用基板の透明電極のＸ線回折チャートである。
【符号の説明】
【０１７０】
１・・・・・・・透明絶縁性基材
２・・・・・・・光線硬化型樹脂
２´・・・・・・光閉込層パターン
２´´・・・・・光閉込層前駆体
２´´´・・・・光閉込層
３・・・・・・・アモルファス透明電極前駆体
３´・・・・・・透明電極
４・・・・・・・ｐ型ａ−Ｓｉ層
５・・・・・・・ｉ型ａ−Ｓｉ層
６・・・・・・・ｎ型ａ−Ｓｉ層
７・・・・・・・裏面電極
８・・・・・・・保護材
９・・・・・・・粘着層
１００・・・・・スタンパ用基板
２００・・・・・フォトレジスト
２００´・・・・可溶化処理したフォトレジスト
２００´´・・・フォトレジスト
３００・・・・・導電化層
４００・・・・・金属層
５００・・・・・凹凸形状転写用スタンパ
【図１】
2008258518.tif 000003
【図２】
2008258518.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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