【事件の表示】
　上記当事者間の登録第５４５１８２１号商標の商標登録無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　登録第５４５１８２１号の指定商品中、第９類「電気通信機械器具，電子応用機械器具及びその部品，電池，配電用又は制御用の機械器具」についての登録を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
第１　本件商標
　登録第５４５１８２１号商標（以下「本件商標」という。）は、「ＩＧＺＯ」の文字を標準文字で表してなり、平成２３年６月２４日に登録出願、第９類「電気アイロン，電気式ヘアカーラー，電気通信機械器具，電子応用機械器具及びその部品，電池，電線及びケーブル，配電用又は制御用の機械器具」を指定商品として、同年１０月２５日に登録査定され、同年１１月１８日に設定登録されたものである。
　　
第２　請求人の主張
　請求人は、結論同旨の審決を求め、その理由を要旨次のように述べ、証拠方法として甲第１号証ないし甲第２５号証（枝番を含む。）を提出した。
１　本件商標の商標法第３条第１項第３号該当性について
（１）「ＩＧＺＯ」の語のエレクトロニクス業界における語義について
　「ＩＧＺＯ」の語は、「インジウムＩｎ―ガリウムＧａ―亜鉛Ｚｎ―酸素Ｏ」、「酸化インジウム・ガリウム・亜鉛」を意味する語である（甲第２号証の１及び２）。
　１９９６年以降に公開・公表された「ＩＧＺＯ」なる語を含む特許の中で最も古い特開２０００−２６１１９（出願日：１９９８年７月９日）によれば、その実施例１ないし３において、「ＩＧＺＯ薄膜を作製した。得られた膜を蛍光Ｘ線により分析した結果、その組成は、Ｉｎ９９Ｇａ１０１Ｚｎ９７Ｏ３９６であった」、「Ｉｎ９８Ｇａ１００Ｚｎ９８Ｏ３９５であった」、「Ｉｎ９６Ｇａ１００Ｚｎ９９Ｏ３９３であった」と記載されている（甲第３号証）。ＩｎとＧａとＺｎとＯの組成比に若干の違いはあるものの全てＩＧＺＯ薄膜として記載されている。「ＩＧＺＯ」の語は、エレクトロニクス業界の研究者の間で、上記原材料名を表す端的な略称として、遅くとも１９９８年までに使用され始めた語である。
　その後、「ＩＧＺＯ」の語は、本件商標の出願日前から現在に至るまで、エレクトロニクス分野において、９５社（筆頭出願人の数のみ。延べ数ではない）の企業により、既に公開されている公報だけで、１，４０１件もの特許公報等の「明細書」又は「特許請求の範囲」に使用されている（甲第４号証及び甲第５号証）。
　ＩＧＺＯに関する特許発明の実用化・製品化については、２０１０年２月３日発行の日経産業新聞によれば、「日本発の新型酸化物半導体／実用化へ韓台リード／有機ＥＬや３Ｄテレビに」のタイトルで報道されている。２０１０年１月に開催された透明アモルファス酸化物半導体国際ワークショップ（ＴＡＯＳ２０１０）において、ＩＧＺＯに関する研究内容を紹介した企業として、日本企業では、シャープ、ＮＥＣ、ＮＥＣ液晶テクノロジー、日立製作所、キャノン、凸版印刷、大日本印刷、日鉱金属、三井金属、豊島製作所が、韓国企業ではサムスン電子、サムスンモバイルディスプレー、ＬＧディスプレーが、台湾企業では、友達光電が挙げられ、有機ＥＬや３Ｄテレビヘの実用化が迫っていること、今後、実用化競争に拍車がかかるのは間違いない旨、報道されている（甲第２号証の２）。
　このように、「ＩＧＺＯ」の語は、本件商標の出願日前から、エレクトロニクス業界において、需要者・取引者に普通に用いられている原材料名であり、また、現在に至るまで非常に広く注目されている原材料名である。
（２）ＩＧＺＯに関する特許ライセンス及び請求人と被請求人との関係について
　被請求人の２０１２年５月２９日付けのＮｅｗｓ　Ｒｅｌｅａｓｅに掲載されているように、もともと、ＩＧＺＯに関する特許は、東京工業大学の細野秀雄教授らが、請求人である独立行政法人科学技術振興機構（略称「ＪＳＴ」）の創造科学技術推進事業のプロジェクトにおいて発明したものであり、東京工業大学などの出願を含め数十の特許群から構成され、独立行政法人科学技術振興機構が一括でライセンスを実施しているものである。２００４年同教授らは、薄膜トランジスタに用いると、従来の液晶パネルで採用されているアモルファスシリコンに比べて電子移動度が１桁高いことを見出し、同年１１月には科学雑誌「Ｎａｔｕｒｅ（ネイチャー）」で成果発表している（甲第６号証）。
　被請求人が、請求人と、ＩＧＺＯを用いた薄幕トランジスタに関する特許のライセンス契約を２０１２年１月２０日に締結し、ＩＧＺＯを採用した液晶パネルの本格的な生産に移行した旨を発表しているように（甲第６号証）、被請求人は、ＩＧＺＯを原材料として用いた薄膜トランジスタを、独立行政法人科学技術振興機構からの特許ライセンスにより、生産しているライセンシーの一つである。
（３）「ＩＧＺＯ」の語の具体的使用例について
ア　「ＩＧＺＯ」の語の特許公報等における具体的使用例について
　１９９６年（平成８年）から本件商標の出願日前に公開・公表された４４６件の特許公報等は、富士フィルム株式会社の１０９件を筆頭に、株式会社半導体エネルギー研究所７８件、キヤノン株式会社３３件、ソニー株式会社２４件、エルジーイノテツクカンパニーリミテッド２０件など計５３社の企業によって出願されている（甲第７号証の２）。
　これらの公報を調べたところ、「ＩＧＺＯ」の語は、「インジウムガリウム亜鉛酸化物（インジウムガリウム亜鉛複合酸化物）（インジウム―ガリウム―亜鉛酸化物）（酸化インジウム―酸化ガリウム―酸化亜鉛）」（甲第８号証の１ないし１０）、「酸化インジウムガリウム亜鉛」（甲第８号証の１１ないし１４）、「Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むイオンが蒸着されたＩＧＺＯ層」（甲第８号証の１５）、「インジウム、ガリウム、Ｚｎ、酸素」（甲第８号証の１６）、「インジウム亜鉛ガリウム酸素」（甲第８号証の１７）、「Ｉｎ―Ｇａ―Ｚｎ―Ｏ系（複合）酸化物」（甲第８号証の１８ないし２０）、「ＩｎＧａＺｎＯ（ＩｎＧａ−ＺｎＯ）（Ｉｎ―Ｇａ―Ｚｎ―Ｏ）」（甲第８号証の２１ないし３１）、「Ｉｎｄｉｕｍ　Ｇａｌｌｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ」（甲第８号証の３２ないし３６）、「酸化物半導体又は酸化物等の例」（甲第８号証の３７ないし４９）を意味する語として使用されており、元素の名称を羅列するか、元素の名称をカタカナ表記にするのか英文表記にするのか、元素記号を羅列するか、元素記号をハイフン（−）で結合するか否か、酸素部分を「酸化物」と表示するのか「酸化」と表示するのか等の表記上の違いはあっても、同一物質名を意味する語であることは、エレクトロニクス業界の需要者・取引者にとって、明らかである。そして、酸化物半導体、酸化物等の例として、単に「ＩＧＺＯ」と記載されていることからも、「ＩＧＺＯ」の語が、いかなる物質であり、いかなる原材料であるのか、エレクトロニクス業界の需要者・取引者において明確に認識されているからに他ならない。
　そして、エレクトロニクス業界において頻繁に使用されているこの原材料名を、文書に表記したり、また学会等で発表するにあたり、元素の名称等の羅列では冗長な記載となってしまうこともあって、元素記号の頭文字をとって端的に表した「ＩＧＺＯ」の表記で、エレクトロニクス業界の需要者・取引者に上記物質名として認識され、使用されているのである。
　したがって、９５社の企業において、既に公開されている公報だけでも１，４０１件ものエレクトロニクス分野の明細書・特許請求の範囲で使用されている「ＩＧＺＯ」なる語は、（インジウム（Ｉｎｄｉｕｍ、Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａｌｌｉｕｍ、Ｇａ）、亜鉛（Ｚｉｎｃ、Ｚｎ）、酸素（Ｏｘｉｄｅ、Ｏ）から構成される酸化物（酸化インジウム・ガリウム・亜鉛）」を意味する明確な語であり、本件商標の出願日前から現在に至るまで、エレクトロニクス分野の各種商品の原材料名として普通に使用されている語であることに疑いの余地はない。
イ　各種新聞記事における具体的使用例
（ア）日本経済新聞
　２０１０年５月２８日発行には、「液晶材料を動かす薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）用半導体材料」に関して、「『透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ）ワークショップ』が開かれた。発表内容の中心は東工大の細野秀雄教授が１９９５年に国際会議で紹介した世界初のＴＡＯＳである酸化インジウム・ガリウム・亜鉛（ＩＧＺＯ）だった。ＩＧＺＯは現在の液晶用ＴＦＴに使うアモルファスシリコンに比べて電子の動きの指標である電子移動度が１ケタ大きい。液晶テレビをさらに大画面にしたり臨場感を高めたり、本格的な３Ｄテレビを実現できる」旨、掲載されている（甲第９号証）。
　さらに、２０１０年３月２７日発行には、「日本発、液晶パネルの新材料―富士フィルム、研究で先行（技術ウオツチ）終」とのタイトルで、「薄型テレビなどに使う液晶パネルの新材料、酸化インジウム・ガリウム・亜鉛（ＩＧＺＯ）の研究開発が熱を帯びてきた」、「日鉱金属はＩＧＺＯ薄膜の製法改善に力を入れている。（中略）大画面液晶テレビの製造に対応できる長さ２・６５メートルの板状の巨大材料も作った」、「三井金属も同様のＩＧＺＯ材料の開発を急ぐ。（中略）日本、韓国、台湾の薄膜製品の製造拠点で実用化を目指している」、「『ＩＧＺＯ薄膜はシリコン薄膜より低温・低真空で作れ、製造コストも下げられる可能性がある』と日鉱金属の熊原主任技師は期待する。ＩＧＺＯはもともと東工大の研究者が生み出した。家電やゲーム機のメーカーが相次ぎ３Ｄ対応の製品拡充に動くなか、日本発の技術を次世代ディスプレイの国際標準にしようと材料メーカーの挑戦が続く」旨、掲載されている（甲第１０号証）。国際標準とは、製品のサイズや性能評価などの国際的な基準をいうが、国際標準を目指すほど、ＩＧＺＯが注目を浴びている原材料であることがわかる。
　２０１０年１１月９日付けの日本経済新聞では、「サムスンが酸化物半導体ＴＦＴの７０型液晶、２４０Ｈｚで４Ｋ×２Ｋ対応」とのタイトルで、「酸化物半導体ＴＦＴは、超高精細の液晶パネルや大型有機ＥＬパネルなどに向け開発が進む駆動素子の一つ。最も有望視されているアモルファス酸化物半導体材料は、ＩＧＺＯ（Ｉｎ―Ｇａ―Ｚｎ―Ｏ）である」旨、掲載されている（甲第１１号証）。
　２０１１年３月２日発行には、「新製品・技術◇日立、ＩＣタグ生産コスト１０分の１、携帯端末の電池不要に」のタイトルで、「日立製作所は電子荷札（ＩＣクグ）などに使うＲＦＩＤ（無線自動識別）チップを安価に作製する技術を開発した。（中略）開発したチップは、東京工業大学の細野秀雄教授らが発見した透明な半導体の酸化インジウム・ガリウム・亜鉛（ＩＧＺＯ）を使う。（中略）ＩＧＺＯは液晶テレビ向けＴＦＴにも使え、すでに韓国のサムスン展示などが開発し製品の発売も近いとされる」旨、掲載されている（甲第１２号証）。
　２０１１年５月２０日発行には、「ムラを抑えて高画質化、ソニーが新方式の有機ＥＬパネル開発」のタイトルで、ソニーがＩＧＺＯを用いて有機ＥＬパネルを試作開発の記事が掲載されている（甲第１３号証）。
（イ）日経産業新聞
　２０１０年１０月１９日発行には、「半導体・液晶材料に注力／アルバック／製造装置と組み売り込む」のタイトルで、「半導体製造装置大手のアルバックが電子部品や液晶パネルに使うマテリアル事業の拡大に乗り出している。（中略）超材料研究所が担うのは新材料の開発だ。取り扱うのは透明電極に使用する酸化インジウムすず（ＩＴＯ）や酸化インジウム・ガリウム・亜鉛（ＩＧＺＯ）などの液晶パネル向けのターゲット材から、アルミやモリブデン、タンタルなどの金属材料まで幅広い」旨、掲載されている（甲第１４号証）。
　２０１０年１２月６日発行には、「様々な基板に電源回路形成／富士通研が新技術」のタイトルで、「富士通研究所は様々な基板に電源回路に使うパワー半導体を作製できる技術を開発した。酸化インジウム・ガリウム・亜鉛（ＩＧＺＯ）を使い特殊な膜でコーティングすることで高電圧に耐えられるようにした」旨、掲載されている（甲第１５号証）。
　２０１１年３月２日発行には、「ＩＣタグ生産コスト１／１０。日立、半導体を低温作製」のタイトルで、「日立製作所は、電子荷札（ＩＣタグ）などに使うＲＦＩＤ（無線自動識別）チップを安価に作製する技術を開発した。（中略）電池を使わない小型の電子ペーパーなど携帯端末に利用を見込む。開発したチップは、東京工業大学の細野秀雄教授らが発見した透明な半導体の酸化インジウム・ガリウム・亜鉛（ＩＧＺＯ）を使う。（中略）ＩＧＺＯは液晶テレビ向けＴＦＴにも使え、すでに韓国のサムスン電子などが開発し製品の発売も近いとされる。日立はＲＦＩＤチップに利用して液晶などと組み合わせれば、無線で電力を供給する電子ペーパーなどに実現できると期待する」旨、掲載されている（甲第１６号証）。
（ウ）朝日新聞
　２０１１年４月２２日発行には、「中小型パネルに生産移行　シャープ、スマホ需要に照準【大阪】」のタイトルで、「シャープは２１日、スマートフォンなどに使う中小型液晶パネルの材料として酸化物半導体（ＩＧＺＯ）を世界で初めて実用化すると発表した。（中略）ＩＧＺＯは、一般的な材料のアモルファスシリコンに比べ、画素を細かくしたり電力消費を抑えたりすることができる」旨、掲載されており、ＩＧＺＯが中小型液晶パネルの材料としての酸化物半導体である旨記載されていることがわかる（甲第１７号証）。
　２０１３年５月２３日発行には、「ＩＧＺＯは半導体の材料に従来のシリコンではなく、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）の酸化物（Ｏ）を使う。東京工業大の細野秀雄教授（材料科学）が、２００４年にこの材料で薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を初めて試作し、英科学誌ネイチャーに発表したのが先駆けだ」、「細野さんへの研究資金は、文部科学省系の独立行政法人科学技術振興機構（ＪＳＴ）から支出された」、「ＩＧＺＯの基礎研究に使われた研究資金は１億円程度という」、「ＩＧＺＯの基本特許を持つＪＳＴは、数億円とされるライセンス契約を結べば世界のどの企業にも提供する方針だ」旨、掲載されている（甲第１８号証）。
ウ　一般雑誌における具体的使用例
　日経エレクトロニクス２００８年５月５日号によれば、９４頁に、「主成分がインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）から成るアモルファス酸化物半導体（ＩＧＺＯ）を用いて作製したＴＦＴ（ＩＧＺＯ　ＴＦＴ）をアクティブ・マトリクス型のディスプレイに適用し、各種の特性を調べた。（中略）我々が開発中の、ＩＧＺＯ　ＴＦＴを用いた有機ＥＬパネルについても紹介する。」と記載されている。また、１０３頁には、「２００７年１２月に札幌で開かれた「１４ｔｈ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｗｏｒｋｓｈｏｐｓ（ＩＤＷ‘０７）」で我々はＩＧＺＯ　ＴＦＴを用いた４型有機ＥＬパネルを発表した（９３頁の写真）。（中略）現在、我々はＩＧＺＯ　ＴＦＴを適用したさらに大きな寸法のパネルを開発中である。」とも記載されている（甲第１９号証の１）。
　日経マイクロデバイス２００９年４月号において、「酸化物半導体ＴＦＴを見極める基礎技術は確立、応用開拓が実用化のカギ」のタイトルで、５４頁に、「『高移動度』、『高信頼性』、『透明性』、『低温成膜』−。ＦＰＤを駆動するＴＦＴの材料として、現在のアモルファスＳｉにはない多くの特徴持つ材料がＩｎＧａＺｎＯ（ＩＧＺＯ）など酸化物半導体だ。誰もが高い潜在能力を認める、期待の新材料である」旨、掲載されており、酸化物半導体の実用化に向けて、従来からの材料であるアモルファスＳｉに代えて、アモルファス系のＩＧＺＯについて各研究機関の実験値等を用いて、第一線で酸化物半導体を研究する５人の討論会を元にした記事が掲載されている（甲第１９号証の２）。
エ　学術雑誌における具体的使用例
　学術雑誌の抄録中に「ＩＧＺＯ」の文字を含む科学技術文献は、１９８１年以降２０１１年６月２３日までに公表されたものだけでも、２２８件に上る（甲第２０号証）。我が国だけでなく、アメリカ合衆国、インド、イギリス、オランダ、韓国、ドイツ等、世界各国において、ＩＧＺＯに関連する科学技術文献が報告されていることがわかる。
オ　学会・研究発表会等における具体的使用例
　２０１１年５月２０日発行の日本経済新聞において、「ソニーは輝度ムラを軽減して高画質化した有機ＥＬパネルを開発、ディスプレイ関連で世界最大の学会「４９ｔｈ　ＳＩＤ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，　Ｓｅｍｉｎａｒ＆Ｅｘｈｉｂｉｔｉｏｎ（Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｗｅｅｋ　２０１１）」（ＳＩＤ２０１１）で発表した。（中略）（１）ガラス基板上に酸化物半導体ＩＧＺＯ、ゲート絶縁膜、ゲート電極を成膜語ドライ・エッチング法でパターン加工する」旨、掲載されている（甲第１３号証）。
　さらに、２０１０年３月２７日発行の日本経済新聞において、「先頭を走るのは富士フィルムだ。今月、東海大学（神奈川県平塚市）で開いた酸化物半導体関連の学会の発表会では、１１件中５件が同社の成果。ＩＧＺＯにかける意気込みを示した」と掲載されている（甲第１０号証）。
カ　製造メーカー・大学等における具体的使用例
　ＪＸ日鉱日石金属株式会社のＨＰの「Ｓｕｓｔａｉｎａｂｉｌｉｔｙ　Ｒｅｐｏｒｔ」において、「２０１０年版」では「ＩＧＺＯターゲットを展示」と記載され、「２０１１年版」及び「２０１２年版」では「ＩＧＺＯ」について「インジウム・ガリウム・亜鉛・酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｇａｌｌｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）。ＦＰＤなどに使われる透明導電材料の一種」との用語説明がなされている（甲第２１号証の１ないし３）。また、そのＨＰの「ＣＳＲ活動トピックス」では、２０１１年１０月２６日開催のフラットパネルディスプレイの総合展示会「ＰＦＤ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　２０１１」に酸化物半導体としての使用がパネル各社で検討されている「ＩＧＺＯターゲット」を紹介したことが記載されている（甲第２１号証の４）。さらに、２０１２年６月１９日開催の台北世界貿易中心において、フラットパネルディスプレイに関する展示会「Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｔａｉｗａｎ　２０１２」が開催され、次世代フラットパネルディスプレイ用透明酸化物半導体材料として今後多いに期待されているＩＧＺＯスパッタリングターゲットが出展されたことが記載されている（甲第２１号証の５）。
　豊島製作所マテリアルズシステム事業部のＨＰにおいて、「技術情報一覧」の中に「ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯｘ）」の項目の中で、「電気特性、光透過率など、ＴＡＯＳの優れた特徴を生かして、カラー電子ペーパー、大画面液晶ディスプレイヘの研究が進められています。ＴＡＯＳの中でも、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯｘ）は最も注目されている材料です」と記載されている（甲第２１号証の６）。
　半導体製造装置大手のアルバックのＨＰにおいて、ＩＧＺＯの定義の他、「ＩＧＺＯはディスプレイの表示を制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の材料として注目されており、現在、世界中のディスプレイメーカーが、このＩＧＺＯによるディスプレイや有機ＥＬの開発にしのぎを削っています」と掲載されている（甲第２１号証の７）。
　また、東京工業大学の「研究成果詳細」に関するＨＰでは、ＩＧＺＯの定義の他、「特に、２００９年頃からは、ＩＧＺＯ　ＴＦＴ（薄膜トランジスター）を搭載した高解像度・３次元・大型液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイの試作・展示が国内外の国際会議や展示会で目立つようになりました」と掲載されている（甲第２号証の１）。
（４）本件商標が自他商品識別力を有するか否かについて
　上記したとおり、特許公報、全国紙の新聞記事、一般雑誌、学術雑誌、学会・研究発表会、製造メーカー、大学等において、「ＩＧＺＯ」なる語は、エレクトロニクス業界において、「インジウム（Ｉｎｄｉｕｍ、Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａｌｌｉｕｍ、Ｇａ）、亜鉛（Ｚｉｎｃ、Ｚｎ）、酸素（Ｏｘｉｄｅ、Ｏ）から構成される酸化物（酸化インジウム・ガリウム・亜鉛）」を意味する語として、本件商標の出願日前から現在に至るまで、普通に用いられていることが明らかである。
　ＩＧＺＯは、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパー（甲第２号証の１）、モバイル機器、高精細ノートＰＣ、高精細液晶モニター（甲第６号証）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、液晶テレビ、３Ｄテレビ、大型ディスプレー、薄型大画面テレビ（甲第９号証）、液晶パネル、有機ＥＬパネル（甲第１１号証）、電子荷札（ＩＣタグ）、ＲＦＩＤ（無線自動識別）チップ、携帯端末、液晶テレビ向けＴＦＴ（甲第１２号証及び甲第１６号証）、電子部品（甲第１４号証）、電源回路（甲第１５号証）、スマートフォン、中小型液晶パネル（甲第１７号証）等、エレクトロニクス分野の各種商品の原材料として、本件商標の出願日前から現在に至るまで、取引上、普通に使用されている原材料名である。
　したがって、「ＩＧＺＯ」の語を、ＩＧＺＯを原材料とする本件審判の請求に係る指定商品「電気通信機械器具，電子応用機械器具及びその部品，電池，配電用又は制御用の機械器」（以下「請求に係る指定商品」）に使用しても、需要者・取引者は、「インジウム［Ｉｎｄｉｕｍ、Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａｌｌｉｕｍ、Ｇａ）、亜鉛（Ｚｉｎｃ、Ｚｎ）、酸素（Ｏｘｉｄｅ、Ｏ）から構成される酸化物（酸化インジウム・ガリウム・亜鉛）」を意味する語として、その商品の原材料を認識するにすぎない。そして、本件商標は、標準文字により表された商標であるから、普通に用いられる方法で表示する標章のみからなる商標に該当する。
　よって、本件商標は、商標法第３条第１項第３号に違反して登録されたものである。
２　本件商標の商標法第４条第１項第１６号該当性について
　上記のとおり、「ＩＧＺＯ」の語は、エレクトロニクス業界において、「インジウム（Ｉｎｄｉｕｍ、Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａｌｌｉｕｍ、Ｇａ）、亜鉛（Ｚｉｎｃ、Ｚｎ）、酸素（Ｏｘｉｄｅ、Ｏ）から構成される酸化物（酸化インジウム・ガリウム・亜鉛）」を意味する原材料名であると需要者・取引者に認識されているため、本件商標を、ＩＧＺＯを原材料とする商品以外の請求に係る指定商品に使用すると、その商品の品質を誤認するおそれがある。
　よって、本件商標は、商標法第４条第１項第１６号に違反して登録されたものである。
３　本件商標の商標法第４条第１項第７号該当性について
（１）エレクトロニクス業界の学会関係者・企業関係者における混乱について
　「ＩＧＺＯ」の語は、上記したとおり、遅くとも１９９８年までに使用が開始され、遅くとも２０１１年５月までには、エレクトロニクス業界において、原材料名であると需要者・取引者に認識されていた語である。
　しかし、その後、本件商標が、被請求人により、商標登録を受けたことにより、エレクトロニクス業界、特にディスプレイや部品の分野においては、ＩＧＺＯに関する研究会や、ＩＧＺＯと表示した学会発表や展示会ができなくなるのではないかと危惧している学会関係者及び企業関係者は少なくない。ＩＧＺＯに関する特許の一ライセンシーにすぎない被請求人が、原材料名である「ＩＧＺＯ」の語を独占排他権たる商標権として登録したことにより、エレクトロニクス業界の被請求人以外の企業関係者や学会関係者に、「ＩＧＺＯ」の語の使用を躊躇させる結果を招いている。請求人は、ＩＧＺＯに関する特許発明のライセンス管理の一括管理を行っていることから、本件商標が登録されたことについて、学会関係者及び企業関係者から頻繁に苦情が持ち込まれ、その対応に追われている状況にある。
　ある語が一旦商標登録されると、否が応にもその権利の存在を意識せざるを得なくなることは商標登録制度が採用されている以上必然といえ、学会やエレクトロニクス業界を中心に一般の人々が強い警戒心を抱くことに疑義はない。単に商品の原材料名を表したにすぎない商標の場合、商標法上は、商標法第２６条に「商標権の効力が及ばない範囲」の規定があるため、その旨説明したとしても、商標法第２６条に基づく主張は、訴訟等において初めてその主張が判断されるのであるから、そもそも争いに巻き込まれたくない者にとっては、「ＩＧＺＯ」の語が商標登録されたと知っただけで、多大な費用と時間をかけざるを得ない「争い」を避けるために、「ＩＧＺＯ」の語の使用を避けるべきかどうかを考えることは当然である。
　しかし、「ＩＧＺＯ」の語が、原材料名としてエレクトロニクス業界の学会関係者・企業関係者に定着し、ＩＧＺＯに代替する端的な言葉がないがゆえに、当該分野の学会関係者・研究者・企業関係者等に混乱が生じつつある。
（２）被請求人における「ＩＧＺＯ」の語の使用
　被請求人は、本件商標の出願日のわずか３日前の２０１１年６月２１日に特許出願を行い、２０１３年１月１１日に特許を受けた特許第５１７６００３号において、特許請求の範囲の請求項１６には「前記酸化物半導体層は、ＩＧＺＯから形成されている請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置。」、明細書【００５７】には「酸化物半導体層７ａは、例えば厚さが３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体（ＩＧＺＯ）膜から形成されている。なお、ＩＧＺＯ膜の代わりに、他の酸化物半導体膜を用いて酸化物半導体層を形成してもよい」等と記載している（甲第２２号証）。
　また、２０１２年１２月６日付けの日本経済新聞における被請求人の広告において、「ＩＧＺＯ」が「薄膜トランジスタ」に用いられる原材料である旨、説明されている（甲第２３号証）。さらに、被請求人のＨＰにおいて、「ＩＧＺＯって何？」と題して、大きく「革新的な未来へと導く、透明な結晶性酸化物半導体。」と記載した後、「ＩＧＺＯは、シャープが世界で初めて量産化に成功した、人の手によって創り出された透明な酸化物半導体。Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｏ（酸素）により構成され、今までの半導体ではできなかったことを可能にする、革新的なテクノロジーです。その能力は多岐に渡り、これからの暮らしを劇的に進化させる大きな可能性を秘めています」と掲載している（甲第２４号証）。
　さらに、被請求人ＨＰの一般需要者向けの「液晶ディスプレイ」のカタログでは、「ＩＧＺＯ技術搭載」、「ＩＧＺＯとは、酸化物半導体の技術。インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）で構成された半導体をＴＦＴ（薄膜トランジスタ）に用いることで、高精細で明るい表示を可能にしました」と記載されている（甲第２５号証）
　したがって、甲第６号証の被請求人のＮｅｗｓ　Ｒｅｌｅａｓｅによる「ＪＳＴとのライセンス契約について」とともに、上記被請求人の特許公報、広告、ＨＰの記載から、被請求人が、「ＩＧＺＯ」の語を、明確に「原材料名」として使用していることがわかる。
（３）本件商標の公序良俗に反するおそれがあるか否かについて
　ＩＧＺＯに関する特許は、請求人の事業プロジェクトにおいて、東京工業大学の細野秀雄教授らによって発明されたものであり、請求人により一括して特許ライセンスの実施がなされているものである。被請求人は、ＩＧＺＯに関する特許の数あるライセンシーの中の１社であり、また、被請求人もＩＧＺＯを利用した特許発明の「特許請求の範囲」に「ＩＧＺＯ」の語を使用しているのであるから、ＩＧＺＯが学会において公開され、多くの企業によって特許公報等において公開され、また、エレクトロニクス業界において、「ＩＧＺＯ」の語を原材料の一般名称として使用する者があることを、本件商標の出願時及び査定時において充分に認識していたといえる。
　被請求人は、上記事情を充分認識し、自ら原材料名として使用しているにもかかわらず、本件商標を出願し、登録して、被請求人のみが独占排他的にこれを使用するということは、今まで平穏に「ＩＧＺＯ」を使用してきたエレクトロニクス業界の多くの企業関係者及び学会関係者に大きな困惑を生じさせているのであるから、社会の一般的道徳観念に反し、社会公共の利益に反するものであり、到底許されるものではない。したがって、公序良俗に反するおそれがある。そして、本件商標の登録が無効にされない限り、上述した当該分野における混乱が解消されることはない。
　よって、本件商標は、商標法第４条第１項第７号に違反して登録されたものである。
４　むすび
　したがって、本件商標は、その指定商品中、請求に係る指定商品に使用するときは、商標法第３条第１項第３号、同法第４条第１項第１６号及び同項第７号に違反して登録されたものであるから、同法第４６条第１項第１号により、無効とされるべきものである。
　　
第３　被請求人の主張
　被請求人は、本件審判請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とするとの審決を求めると答弁し、その理由を要旨次のように述べ、証拠方法として乙第１号証ないし乙第３３号証を提出した。
１　はじめに
　請求人は、本件商標は、その指定商品のうち、請求に係る指定商品について、商標法第３条第１項第３号、同法第４条第１項第１６号及び同項第７号に該当することを理由に無効とすべきと主張している。
　しかし、そもそも、請求人は、本件無効の審判請求をできる主体には該当しない。
　また、請求人に請求人適格が認められるとしても、請求人が主張する無効理由はいずれも認められない。
２　請求人適格について
（１）商標法第４６条の請求主体
　知財高裁平成２２年３月２９日判決（乙第１号証）によれば、商標法第４６条に基づき商標登録無効審判請求をする資格を有するのは、同条の解釈としても、審判の結果について法律上の利害関係を有する者に限られるとされており、請求人は、次のとおり審判の結果について法律上の利害関係を有する者ということはできない。
（２）請求人の沿革
　請求人は、２つの組織が母体となって設立されている。その一つである日本科学技術情報センター（ＪＩＣＳＴ）は、わが国における科学技術情報に関する中枢的機関として内外の科学技術情報を迅速かつ適確に提供する事を目的に１９５７年８月に設立され、もう一つの新技術開発事業団（ＪＲＤＣ）は、海外技術への依存から脱却し、わが国の大学や国立研究所等の優れた研究成果を発掘し、その企業化を図ることを目的に１９６１年７月に設立され、その後の業務追加を受け、１９８９年に新技術事業団と名称を変更している。その後、両組織は、科学技術振興のための基盤整備を総合的かつ効率的に行うとともに、「科学技術基本法」に位置づけられた施策を強力に推進することを目指して、１９９６年１０月に統合し、請求人が設立された。そして、請求人は、２００３年１０月には、独立行政法人として改組し、現在の独立行政法人科学技術振興機構（ＪＳＴ）となっている（乙第２号証）。
　このように、請求人は、わが国における科学技術情報に関する中枢的機関として内外の科学技術情報を迅速かつ的確に提供する事を目的に設立された組織（ＪＩＣＳＴ）と海外技術への依存から脱却し、わが国の大学や国立研究所等の優れた研究成果を発掘し、その企業化を図ることを目的とした組織（ＪＲＤＣ）を基礎とする公的な組織である。
（３）請求人の目的等
　請求人の存在の法的根拠となる、独立行政法人科学技術振興機構法によれば、請求人の目的等は、科学技術の振興を図ることを目的としており、その目的のために、（ア）新技術の創出に資することとなる科学技術に関する基礎研究、（イ）基盤的研究開発、（ウ）新技術の企業化開発等の業務及び（エ）我が国における科学技術情報に関する中枢的機関としての科学技術情報の流通に関する業務（オ）その他の科学技術の振興のための基盤の整備に関する業務を行うこととされ、その業務範囲は、主として研究開発に関するものであり、請求人自身が新技術を使用した商品を製造したり販売したりすることは業務範囲外である。すなわち、請求人は、基本的には研究開発のための機関であるといえる。
　このように、請求人白身は、製品を製造する訳でもないし、販売を行う訳でもない。したがって、請求人が、本件商標を業として使用することはあり得ないので、請求人には審判の結果について法律上の利害関係はない。
（４）請求人の役員等
　請求人の役員には、一部、民間の製造業者出身者もいるようであるが、ほとんどは、請求人の前身組織に在籍をしていた者や大学の研究者となっている（乙第４号証）。また、請求人の構成員に、民間の製造業者などが存在するとの資料は発見できなかった。
　以上のとおり、請求人の役員や構成員についても、審判の結果について法律上の利害関係があるということはできない。
（５）小括
　請求人は、業界団体ではなく、純粋な研究開発を目的とした公的な組織であるので、その構成員や会員に民間の製造業者は含まれていないから、本件無効の審判請求をするにつき利害関係を有さないので、請求人適格を有するとは認められない。
３　商標法第３条第１項第３号該当性について
　仮に、請求人にその適格が認められるとしても、次のとおり本件商標は商標法第３条第１項第３号には該当しない。
（１）「ＩＧＺＯ」は、指定商品のいずれの「原材料」でもないこと
　商標法第３条第１項第３号は、商品の「原材料」について、登録を認めない旨を定めた規定である。そして、指定商品の「品質」等を間接的に表示する商標は、該規定に該当しない（商標審査基準）。すなわち、指定商品の部品・構成品等の原材料に使用されるものであっても、その指定商品の直接的かつ具体的な原材料名でなければ登録が認められるべきである。
　しかし、「ＩＧＺＯ」は、本件商標の指定商品中の請求に係る指定商品の直接的な「原材料」ではない。
（２）「ＩＧＺＯ」と指定商品との関係
　液晶ディスプレイのＴＦＴの分野の一部の研究者において、「ＩＧＺＯ」は、「インジウムＩｎ―ガリウムＧａ―亜鉛Ｚｎ―酸素Ｏ」、「酸化インジウム・ガリウム・亜鉛」を意味する語として使用されていることがある。そして、「インジウムＩｎ―ガリウムＧａ―亜鉛Ｚｎ―酸素Ｏ」は、液晶ディスプレイの製造過程で使用される物質（酸化物半導体）の一つであり、「ＩＧＺＯ」は、その略称の一つである。また、「インジウムＩｎ―ガリウムＧａ―亜鉛Ｚｎ―酸素Ｏ」は、液晶ディスプレイの製造過程で使用されるが、チャネル材料の一種として使用されるものにすぎず、液晶ディスプレイ自体にもごく微量に含まれているだけである。
　また、指定商品との関係では、例えば、電気通信機械器具である携帯電話機の部品である液晶ディスプレイについて、そのディスプレイ部分に用いられるガラスやプラスチック基板上に酸化物半導体薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するに際し、その製造過程でチャネル材料の一種として用いられる素材にすぎない。
　このように、酸化物半導体の一種である「ＩＧＺＯ」は、指定商品の部品の一つにすぎない液晶ディスプレイの製造過程で使用されるものであるが、このようなものを、指定商品との関係で、直接の「原材料」ということはできない。
ア　指定商品との関係
　本件の請求に係る指定商品の「電気通信機械器具」には、「携帯電話機」が含まれており、「携帯電話機」は、国内外の多数の業者から多様な機種、機能を有したものが製造販売されているが、典型的なものとしては、液晶ディスプレイのほか、スピーカー、入力キー、アンテナ、メモリ、ＣＰＵ、ベースバンドＬＳＩ、無線回路、電池、マイクなどの多数の部品から成り立っている。
　また、「電子応用機械器具及びその部品，電池，配電用又は制御用の機械器具」についても、液晶ディスプレイが含まれる商品もあるが、少なくとも液晶ディスプレイのみからなる商品はない。
　したがって、請求に係る指定商品のいずれについても、液晶ディスプレイ自体は、その部品の一つにすぎなく、その指定商品に液晶ディスプレイが必ず含まれる部品であるということもできない。
イ　液晶ディスプレイの製造工程
　液晶ディスプレイの製造工程では、ガラス基盤に電極、絶縁膜や保護膜などの加工を施していく中の半導体膜形成の工程において、微量の「インジウムＩｎ―ガリウムＧａ―亜鉛Ｚｎ―酸素Ｏ」が使用される。
　これにより、完成した液晶ディスプレイのトランジスタ部分の断面図は、乙第５号証３０頁図１のとおり、（（ａ）ａ−ＳｉＴＦＴ）は、「インジウムＩｎ―ガリウムＧａ―亜鉛Ｚｎ―酸素Ｏ」のものではないが、「インジウムＩｎ―ガリウムＧａ―亜鉛Ｚｎ―酸素Ｏ」を使用した場合は、「ａ−Ｓｉ」がそのまま「インジウムＩｎ―ガリウムＧａ―亜鉛Ｚｎ―酸素Ｏ」に置き換わる。
　このように、「インジウムＩｎ―ガリウムＧａ―亜鉛Ｚｎ―酸素Ｏ」は、液晶ディスプレイの電極部分の限られた領域にごくわずかに使用されるにすぎないものである。
　したがって、「インジウムＩｎ―ガリウムＧａ―亜鉛Ｚｎ―酸素Ｏ」が指定商品の直接の原材料ということはいえるものではなく、ましてや、その酸化物半導体の略称の一つである「ＩＧＺＯ」が、指定商品の直接の原材料ということは到底いえるものではない。換言すれば、指定商品との関係では、その部品・構成品等に使用されるかも知れないし、使用されないかも知れない「間接」の、さらに当該部品・構成品等のごく一部の領域に使用されるにすぎないという意味で、そのまた「間接」というような遠い関係にあるにすぎない。
（３）商標法第３条第１項第３号の趣旨
　同条に該当する商標について登録を認めていないのは、そのような商標では自他商品を識別することができないことと、特定人に独占させることが適切ではないからとされている。
ア　自他商品識別力
　本件商標「ＩＧＺＯ」には、十分な自他商品識別力がある。
　被請求人は、酸化物半導体を採用した中小型液晶パネルを世界で初めて実用化し（乙第６号証）、被請求人が初めて実用化に成功した新技術として各種メディアで紹介され、本件商標は、被請求人が独自に開発した商品を推称する語として、自他商品識別力機能を発揮していたというべきである。なお、査定時点においては、被請求人を含めわずか数社のみの新しい技術として、広く一般的に普遍化した技術でなかったことからすると、本件商標は指定商品の分野で通常一般的に用いられるような用語ではなかった。
　商標法第３条第３項第３号は、記述的商標等について先願主義・登録主義を貫徹して直ちに商標登録を認めることには弊害はあるものの、使用による識別力を獲得するときには、同条第２項による商標登録を認めるのがその趣旨である。すなわち、指定商品との関係における市場において、識別力を発揮する商標であれば、これを登録するというのが商標法の規定である。本件商標の査定時において「ＩＧＺＯ」は、一部の専門的な技術的知識を有する者には、知られていたかもしれないが、一般に知られていた表示ではない。また、査定後、被請求人の販売活動と広告宣伝活動によって、「ＩＧＺＯ」の自他商品識別力は、「イグゾー」の称呼と相まって、市場においてさらに浸透している。
イ　元素名等の登録例
　実際に、元素名自体が登録された事例として、「ＩＮＤＩＵＭ」（国際登録第１０７２７１３号）、「ＭＡＧＮＥＳＩＵＭ」（国際登録第８３７９４１号）、「ダイヤモンド／ＤＩＡＭＯＮＤ」（登録４１９６９３５号）、「ＮｅｏＴｉｔａｎｉｕｍ」（登録第５０２２９７８号）、「Ｓｕｐｅｒアモルファス」（登録第５０９８４２０号）、「ＺＩＲＫＯＮ」（登録第４８３９４０３号）、「ＰＬＡＴＩＮＵＭ」（登録第１５５８１３０号）等、多数存在している（乙第７号証ないし乙第１８号証及び乙第２０号証ないし乙第２２号証）。
　このように、指定商品の直接の原材料でない場合には、登録を受けることができ、本件商標も指定商品の直接の原材料ではないので、商標法第３条第１項第３号に該当しない。
　上記以外にも、多数の元素名が指定商品との関係で、直接の原材料ではないと見なされ、自他商品識別力を有すると認められ、多数登録されている（乙第２３号証ないし乙第３３号証）。
ウ　独占適応性
（ア）液晶ディスプレイのＴＦＴの分野の一部の研究者において、「ＩＧＺＯ」は、「インジウムＩｎ―ガリウムＧａ―亜鉛Ｚｎ―酸素Ｏ」、「酸化インジウム・ガリウム・亜鉛」を意味する略称のーつとして使用されていることがある。そして、「インジウムＩｎ―ガリウムＧａ―亜鉛Ｚｎ―酸素Ｏ」は、液晶ディスプレイの製造過程で使用される物質（酸化物半導体）の一つである。しかし、「インジウムＩｎ―ガリウムＧａ―亜鉛Ｚｎ―酸素Ｏ」、「酸化インジウム・ガリウム・亜鉛」は、請求人が指摘するように「ＩＧＺＯ」以外にも多数の表記の仕方がある（甲第８号証）。そして、本件商標の登録が維持されたとしても、被請求人以外の者は「ＩＧＺＯ」以外の表記を使用することができ、これまでもそのように表記してきた。
　また、本件で無効審決が求められているのは、「電気通信機械器具、電子応用機械器具及びその部品、電池、配電用又は制御用の機械器具」についてであり、上記のとおり「ＩＧＺＯ」は、上記各指定商品の原材料となるものではない。
　したがって、本件商標は、指定商品との関係で、特定人に独占させたとしても不都合はない。
（イ）商標は、あくまで指定商品との関係で、商品に付された標章が当該商品に接する取引業者や需要者にどのように認識されるかという観点から論じられるのが基本である。
　そうであれば、本件についても「第９類　電気通信機械器具，電子応用機械器具及びその部品，電池，配電用又は制御用の機械器具」の指定商品に属する商品上に商品名として「ＩＧＺＯ」と表示されたときに、「ＩＧＺＯ」というブランド名を見聞きして、一般に商品に接する者が、既述の酸化物表示から、そのような酸化物を使用した原材料や素材表示として、これを当該酸化物名の酸化物を指すものなどと理解するものはまずいない。
　さらに、これらの商品のどこかの部位や部材に、どこかは不明ではあるものの、「インジウムＩｎ―ガリウムＧａ―亜鉛Ｚｎ一酸素Ｏ」、「酸化インジウム・ガリウム・亜鉛」を意味する語としての頭文字をとった略称である「ＩＧＺＯ」という酸化物半導体を使用した商品であると認識する者もまず存在しないと思料される。
　これを別の側面からいえば、原材料や素材表示を示すのに、記述的に表示せずに商品に大きくブランドとして表示するものはいないし、そのような表示をするのが取引実情であるというようなこともない。
　さらに、商標法第３条第１項第３号の識別の判断主体からみても、本件指定商品に接する需要者として、最終消費者だけでなく、これら商品の取引者を広く含めるとしても、前記のように認識しないといえる。
　請求人は、多数の明細書中の記載や論文等を引用しているが、そのような主張は、研究者や進歩性や発明における当業者と商標法における需要者（取引者を含む）を混交するものであって、該規定の適用にあたって、研究者や当業者が使用しており、将来的にも当該使用に支障が出るなどという理由で、間接のそのまた間接的な原材料を使用しているかもしれない指定商品についての登録商標についてまで、独占適応性がないなどという名目で安易に無効を認めることは、登録制度自体を不安定なものにする。また、該規定の適用を独占適応性の名のもとに判断基準の恣意化を招来してしまう。
エ　小括
　以上のとおり、本件商標は、いずれの指定商品との関係でも直接の原材料ではないので、登録は維持されるべきものと思料する。
（４）請求人の主張について
ア　「ＩＧＺＯ」のエレクトロニクス業界における語義
　請求人は、「既に公開されている公報だけで、１，４０１件もの特許公報等の『明細書』又は『特許請求の範囲』に「ＩＧＺＯ」が使用されているとするリスト（甲第４号証及び甲第５号証）」があると主張している。
　しかし、上記のとおり、「ＩＧＺＯ」の語は、「ＩＧＺＯ薄膜」の製造過程で使用されるチャネル材料の一種であるが、指定商品の「原材料」ではない。また、特許公報等において、「指定商品」との関係で、その原材料名として記載されているとはいえなく、これらのリストには、「指定商品」との関係については何ら述べられておらず、これらのリストをもって、「エレクトロニクス業界の研究者の間で、指定商品の原材料名を示す端的な略称として使用されている」ということもできない。
イ　ＩＧＺＯに関する特許ライセンス等
　請求人は、被請求人が酸化物半導体（「ＩＧＺＯ」）を用いた薄膜トランジスタに関する特許のライセンス契約を締結した旨を主張している。
　しかし、請求人の主張する事実が、商標法第３条第１項第３号の主張においてどのような法的意味や主張をしているのかは不明である。
ウ　具体的使用例
　請求人は、特許公報等、新聞記事や一般雑誌などにおける具体的使用例を挙げて、本件商標が「原材料」に該当する旨を主張している。
　しかし、甲第４号証及び甲第５号証は、上記のとおり、「指定商品」との関係で、その原材料名として記載されているとはいえない。また、これらのリストには、「指定商品」との関係については、何ら述べられておらず、これらのリストをもって、「エレクトロニクス業界の研究者の間で、指定商品の原材料名を示す端的な略称として使用されている」ということもできない。
　また、甲第７号証及び甲第８号証では、当該酸化物半導体の名称の一つとして、「ＩＧＺＯ」が使用されていることは分かるが、指定商品との関係で原材料として使用しているかどうかは分からない。
（５）小括
　以上のとおり、本件商標は、指定商品との関係で原材料となるものではない。また、本件商標には、自他識別力があるとともに、特定人の独占にも適応するので、商標法第３条第１項第３号にあたる理由はない。
４　商標法第４条第１項第１６号該当性について
　「ＩＧＺＯ」は、指定商品との関係で原材料となるものではない。したがって、指定商品に使用したとしても品質を誤認するおそれはない。
　付言するに、指定商品の商品上に表わされたブランドの「ＩＧＺＯ」という表示を見聞きして、品質を誤認するという立論の前提として、当該商品に接する需要者が、当該商品のどこかに使用されているか否かは不明であっても、使用されていると仮定すれば、商品のどこの部位か部材かは不明であっても、「ＩＧＺＯ」の略称名を表わす酸化物半導体の何たるかを理解し、これが指定商品に使われていると指定商品の品質を誤認するという過程がなければならないが、「ＩＧＺＯ」は、指定商品の関係で直接の原材料となるものではないので品質を誤認するおそれはない。
５　商標法第４条第１項第７号該当性について
　商標法第４条第１項第７号に該当する商標とは、その構成自体がきょう激、卑わい、差別的若しくは他人に不快な印象を与えるような文字又は図形であるような公序良俗に反するものが典型とされている（商標審査基準）。しかし、本件商標は、「ＩＧＺＯ」からなる語であり、これ自体が公序良俗に反することはあり得ない。
　つぎに、商標の取得経過に問題がある場合、例えば、外国で知られた商標を関係のない者が我が国で登録を行う場合などには、公序良俗としての国際信義に反することなどを理由に該当することが認められることがある。しかし、単に、普通名称でもないものを被請求人が出願し登録を受けたとしても、社会公共の利益に反し、又は社会の一般的道徳観念に反するようなことはなく、同条項に該当しないことは明らかである。
　なお、請求人は、本件商標の存在により、エレクトロニクス分野において、「ＩＧＺＯ」の使用の可否について混乱が生じているなどと主張しているが、本件商標の登録査定時において、「ＩＧＺＯ」は、他人が独占して使用していたものでもないので、同条項には該当しない。
６　まとめ
　以上のとおり、請求人の主張する理由はいずれも根拠がない。
　　　
第４　当審の判断
１　本案前の申立（利害関係）について
　被請求人は、請求人が本件審判を請求することにつき利害関係を有さないから、本件審判の請求は却下されるべきである旨主張しているので、その点について検討する。
　商標法第４６条（商標登録の無効の審判）の立法趣旨は、過誤による商標登録を存続させておくことは、本来権利として存続することができないものに排他独占的な権利の行使を認める結果となるので、妥当でないから、審判請求を待って審理し、当該登録を無効とすることにある（工業所有権法（産業財産権法）逐条解説参照）。
　請求人は、本件商標の指定商品の製造や販売をする者ではなく、その事業者団体でもない。しかし、本件商標を構成する「ＩＧＺＯ」に関係する技術の特許を有し、その実施許諾等を行っている者であるから、当該標章の独占的使用の可否に関して充分な関係を有するといえる。
　そして、本件において、商標法第３条第１項第３号該当を無効理由の一として挙げているところ、商標法第３条第１項は、自他商品・役務の識別力という商標の本質的機能に関わり、商標の登録に際して商標の一般的、普遍的な適格性を問題とする条項であり、いわば公共の利益に関わるというべきものである。しかして、この条項の各号に該当し本来登録がされるべきでないものが登録商標として存在し、これをもって商標権の行使がされるときには、直接かつ具体的な不利益を受ける者が存在するといわなければならないから、このような場合、請求人を本件審判の請求をすることについて法律上の利益を有する者と認め、本件商標が前記の登録無効理由に該当するか否かの実体判断をするのが、商標法の定める商標登録の無効の審判制度の趣旨に合致するというべきである。
　したがって、本件審判の請求は、違法として却下されるべきものではない。
　そこで、本案に入り審理し、以下のとおり判断する。
２　商標法第３条第１項第３号該当性について
（１）請求人提出の証拠によれば、以下の事実が認められる。
ア　「東京工業大学　総務部評価・広報課」のウェブサイト（甲第２号証の１）には、「研究成果詳細」の項に、「高性能の薄膜トランジスターに関する特許のライセンス契約をサムスン電子と締結・・・」として、研究の内容等の概要の欄に、「細野教授自身がリーダーを務めたＪＳＴ創造科学技術推進事業（ＥＲＡＴＯ）および戦略的創造研究推進事業　発展研究（ＡＲＡＴＯ−ＳＯＲＳＴ）で、ＴＡＯＳの一つであるＩＧＺＯ（インジウムＩｎーガリウムＧａー亜鉛Ｚｎー酸素Ｏ）を使ったＴＦＴを室温で作製し、２００４年に英国科学雑誌『Ｎａｔｕｒｅ』で発表しました。」との記載、「この論文が契機となって、国内外のディスプレイメーカーなどが相次いで応用研究を開始し、サムスン電子株式会社を始めとした多くの企業から、ＩＧＺＯ　ＴＦＴを用いた高解像度・３次元・大型液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイなどの試作品が発表されていました。」との記載がある。
イ　２０１０年２月３日付けの日経産業新聞（甲第２号証の２）には、「日本発の新型酸化物半導体」の見出しの下、「１月２５日と２６日、東工大のすずかけ台キャンパス（横浜市）で『透明アモルファス酸化物半導体国際ワークショップ（ＴＡＯＳ２０１０）』が開かれた。」との記載、「発表内容の中心となったのが細野教授が１９９５年に国際会議で初めて紹介した『酸化インジウム・ガリウム・亜鉛（ＩＧＺＯ）』と呼ぶ新型酸化物半導体。」との記載、「太陽電池にも」の見出しの下、「サムソン電子ＬＣＤ事業部の前副社長・・・は講演で『ＩＧＺＯはディスプレー以外に太陽電池や電源を切っても情報が消えない不揮発性メモリー、紫外線センサーなど幅広い分野で使える』と話した。今後、実用化競争に拍車がかかるのは間違いない。」との記載がある。　
ウ　本件商標の登録査定日以前の発行に係る公開特許公報及び公表特許公報（甲第３号証、甲第８号証の１ないし４９）には、その記載中に、「ＩＧＺＯ薄膜」、「インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）」、「インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）」、「ＩＧＺＯ（インジウム、ガリウム、Ｚｎ、酸素）」、「ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系複合酸化物）」、「Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎの酸化物（ＩＧＺＯ）」、「ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）」、「ＩＧＺＯ（ＩｎＧａ−ＺｎＯ）」、「Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ（ＩＧＺＯ）」、「ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｇａｌｌｉｕｍ　ｚｉｎｃ　ｏｘｉｄｅ）」、「酸化物半導体（ＺｕＯ、ＩＧＺＯ、ＩＺＯ、ＺＴＯなど）が挙げられる。」、「ＩＧＺＯはよく知られているようにアモルファス酸化物半導体であり、Ｉｎ（インジウム）−Ｇａ（ガリウム）−Ｚｎ（亜鉛）−Ｏ（酸素）の組成で構成された半導体である。」等の記載がある。
エ　各種新聞における「ＩＧＺＯ」の使用例
（ア）２０１０年５月２８日付けの日本経済新聞電子版セレクション（甲第９号証）には、「日本発の最先端材料、先に韓国企業が使うジレンマ」の見出しの下、「発表内容の中心は東工大の細野秀雄教授が１９９５年に国際会議で紹介した世界初のＴＡＯＳである酸化インジウム・ガリウム・亜鉛（ＩＧＺＯ）だった。ＩＧＺＯは現在の液晶用ＴＦＴに使うアモルファスシリコンに比べて電子の動きの指標である電子移動度が１ケタ大きい。液晶テレビをさらに大画面にしたり臨場感を高めたり、本格的な３Ｄテレビを実現できる。・・・サムスン電子は０７年のＳＩＤではＩＧＺＯーＴＦＴを使った大型ディスプレーを紹介した。」との記載がある。
（イ）２０１０年３月２７日付けの日本経済新聞（甲第１０号証）には、「日本発、液晶パネルの新材料−富士フイルム、研究で先行（技術ウオッチ）終」の見出しの下、「薄型テレビなどに使う液晶パネルの新材料、酸化インジウム・ガリウム・亜鉛（ＩＧＺＯ）の研究開発が熱を帯びてきた。」との記載、「日鉱金属はＩＧＺＯ薄膜の製法改善に力を入れている。・・・。大画面液晶テレビの製造に対応できる長さ２・６５メートルの板状の巨大材料も作った。三井金属も同様のＩＧＺＯ材料の開発を急ぐ。・・・日本、韓国、台湾の薄膜製品の製造拠点で実用化を目指している。『ＩＧＺＯ薄膜はシリコン薄膜より低温・低真空で作れ、製造コストも下げられる可能性がある』と日鉱金属の熊原主任技師は期待する。ＩＧＺＯはもともと東工大の研究者が生み出した。家電やゲーム機のメーカーが相次ぎ３Ｄ対応の製品拡充に動くなか、日本発の技術を次世代ディスプレーの国際標準にしようと材料メーカーの挑戦が続く。」との記載がある。
（ウ）２０１０年１１月９日の日本経済新聞電子版セクション（甲第１１号証）には、「サムスンが酸化物半導体ＴＦＴの７０型液晶、２４０Ｈｚで４Ｋ×２Ｋ対応」の見出しの下、「酸化物半導体ＴＦＴは、超高精細の液晶パネルや大型有機ＥＬパネルなどに向け開発が進む駆動素子の一つ。最も有望視されているアモルファス酸化物半導体材料は、ＩＧＺＯ（Ｉｎ―Ｇａ―Ｚｎ―Ｏ）である。」との記載がある。
（エ）２０１１年３月１日の日本経済新聞電子版ＭＯＬニュース（甲第１２号証）には、「新製品・技術◇日立、ＩＣタグ生産コスト１０分の１　携帯端末の電池不要に」の見出しの下、「日立製作所は電子荷札（ＩＣタグ）などに使うＲＦＩＤ（無線自動識別）チップを安価に作製する技術を開発した。・・・。開発したチップは、東京工業大学の細野秀雄教授らが発見した透明な半導体の酸化インジウム・ガリウム・亜鉛（ＩＧＺＯ）を使う。・・・。ＩＧＺＯは液晶テレビ向けＴＦＴにも使え、すでに韓国のサムスン電子などが開発し製品の発売も近いとされる。」との記載がある。
（オ）２０１１年５月２０日の日本経済新聞電子版セクション（甲第１３号証）には、「ムラを抑えて高画質化、ソニーが新方式の有機ＥＬパネル開発」の見出し下、「ソニーは輝度ムラを低減して高画質化した有機ＥＬパネルを開発、ディスプレイ関連で世界最大の学会『４９ｔｈ　ＳＩＤ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，Ｓｅｍｉｎａｒ＆Ｅｘｈｉｂｉｔｉｏｎ（Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｗｅｅｋ　２０１１）』（ＳＩＤ　２０１１）で発表した。」との記載、「ガラス基板上に酸化物半導体ＩＧＺＯ、ゲート絶縁膜、ゲート電極を成膜後ドライ・エッチング法でパターン加工する。」との記載がある。
（カ）２０１０年１０月１９日付けの日経産業新聞（甲第１４号証）には、「半導体・液晶材料に注力」の見出しの下、「半導体製造装置大手のアルバックが電子部品や液晶パネルに使うマテリアル事業の拡大に乗り出している。・・・。超材料研究所が担うのは新材料の開発だ。取り扱うのは透明電極に使用する酸化インジウムすず（ＩＴＯ）や酸化インジウム・ガリウム・亜鉛（ＩＧＺＯ）などの液晶パネル向けのターゲット材から、アルミやモリブデン、タンタルなどの金属材料まで幅広い。」との記載がある。
（キ）２０１０年１２月６日付けの日経産業新聞（甲第１５号証）には、「様々な基板に電源回路形成／富士通研が新技術」の見出しの下、「富士通研究所は様々な基板に電源回路に使うパワー半導体を作製できる技術を開発した。酸化インジウム・ガリウム・亜鉛（ＩＧＺＯ）を使い特殊な膜でコーティングすることで高電圧に耐えられるようにした。・・・ＩＧＺＯで作製した回路の上にポリマーで膜を作ることで耐圧性能を向上した。」との記載がある。
（ク）２０１１年３月２日付けの日経産業新聞（甲第１６号証）には、「日立、半導体を低温作製」の見出しの下、「日立製作所は電子荷札（ＩＣタグ）などに使うＲＦＩＤ（無線自動識別）チップを安価に作製する技術を開発した。・・・。電池を使わない小型の電子ペーパーなど携帯端末に利用を見込む。」との記載及び「携帯端末、電池不要に」の見出しの下、「開発したチップは、東京工業大学の細野秀雄教授らが発見した透明な半導体の酸化インジウム・ガリウム・亜鉛（ＩＧＺＯ）を使う。・・・。ＩＧＺＯは液晶テレビ向けＴＦＴにも使え、すでに韓国のサムスン電子などが開発し製品の発売も近いとされる。日立はＲＦＩＤチップに利用して液晶などと組み合わせれば、無線で電力を供給する電子ペーパーなどに実現できると期待する。」との記載がある。
（ケ）２０１１年４月２２日付けの朝日新聞（甲第１７号証）には、「中小型パネルに生産移行　シャープ、スマホ需要に照準【大阪】」の見出しの下、「シャープは２１日、スマートフォンなどに使う中小型液晶パネルの材料として酸化物半導体（ＩＧＺＯ）を世界で初めて実用化すると発表した。・・・ＩＧＺＯは、一般的な材料のアモルファスシリコンに比べ、画素を細かくしたり電力消費を抑えたりすることができる。」との記載がある。
オ　２００８年５月５日発行の雑誌「ＮＩＫＫＥＩ　ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ」（甲第１９号証の１）には、「酸化物ＴＦＴでディスプレイ開発／有機ＥＬテレビの有力候補に」と題するＪａｎｇ　Ｙｅｏｎ　Ｋｗｏｎ氏の論文が掲載され、「主成分がインジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），酸素（Ｏ）から成るアモルファス酸化物半導体（ＩＧＺＯ）を用いて作製したＴＦＴ（ＩＧＺＯ　ＴＦＴ）をアクティブ・マトリクス型のディスプレイに適用し、各種の特性を調べた。・・・我々が開発中の，ＩＧＺＯ　ＴＦＴを用いた有機ＥＬパネルについても紹介する。」との記載、また、雑誌「ＮＩＫＫＥＩ　ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳ」（２００９年４月号：甲第１９号証の２）には、「酸化物半導体ＴＦＴを見極める／基礎技術は確立，応用開拓が実用化のカギ」と題する討論に関する記事において、「『高移動度』，『高信頼度』，『透明性』，『低温成膜』−。ＦＰＤを駆動するＴＦＴの材料として，現在のアモルファスＳｉにはない多くの特徴を持つ材料がＩｎＧａＺｎＯ（ＩＧＺＯ）など酸化物半導体だ。誰もが高い潜在能力を認める，期待の新材料である。」との記載、さらに、アモルファスＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）を使ったＴＦＴの構造が図にて掲載され、「アモルファスＩＧＺＯを用いたフレキシブル電子ペーパー」の写真が掲載されている。
カ　ＪＸ日鉱日石金属株式会社の「サステナビリティリポート２０１０」（甲第２１号証の１）には、「主な展示会への出展（２００９年度）」として、日鉱金属グループ関係先の欄の「日鉱金属（株）」の活動内容の欄に「『ＦＰＤ　ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　２００９』に、ＩＴＯターゲット、ＩＧＺＯターゲットを展示（１０月）」との記載、また、「同リポート２０１１」（甲第２１号証の２）には、用語集の「ＩＧＺＯ」の欄に、「インジウム・ガリウム・亜鉛・酸化物（Ｉｎｄｅｕｍ　Ｇａｌｌｉｕｍ　Ｏｘｉｄｅ）。ＦＰＤなどに使われる透明導電材料の一種」との記載がある。さらに、同社のウェブサイト「ＣＳＲ活動」（甲第２１号証の４）には、「ＣＳＲ活動トピックス」として、「『ＦＰＤ　ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　２０１１』に出展【ＪＸ日鉱日石金属】」（２０１１／１０／２６〜２８）の見出しの下、「本展示会には、次世代のスーパーハイビジョン液晶テレビやプラズマディスプレイパネル、タッチパネル、有機ＥＬパネルなど各種パネルディスプレイをはじめとして、検査装置、部材、設計支援、応用製品などのディスプレイ関連業界の各社２７４社が参加しました。今回当社は、・・・酸化物半導体としての使用がパネル各社で検討されている『ＩＧＺＯターゲット』・・・なども併せて紹介し、高い技術力をアピールしました。」との記載がある。
キ　「ＵＬＶＡＣ　ＲＥＰＯＲＴ　２０１２」の「技術特集１」（甲第２１号証の７）には、「次世代ディスプレイに貢献するＩＧＺＯ技術」の見出しの下、「ＩＧＺＯはディスプレイの表示を制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の材料として注目されており、現在、世界中のディスプレイメーカーが、このＩＧＺＯによるディスプレイの開発にしのぎを削っています。」との記載、「ＩＧＺＯの特長」として、「ＩＧＺＯはインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を混ぜ合わせたアモルファス酸化物半導体で、２００４年に東京工業大学の・・・ＩＧＺＯは従来のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に比べ電子移動度が２０倍以上と高いため、ＴＦＴの性能を向上させ、その結果ＴＦＴを小型化できます。・・・・このＩＧＺＯを液晶ディスプレイのみならず、有機ＥＬにも応用しようと、研究開発を進めています。」との記載がある。
ク　２０１２年５月２９日付けの被請求人のニュースリリース（甲第６号証）には、「シャープとＪＳＴが酸化物半導体に関するライセンス契約を締結」の見出しの下、「シャープは、科学技術振興機構（・・・以下ＪＳＴ）」と酸化物半導体（ＩＧＺＯ）を用いた薄膜トランジスタに関する特許のライセンス契約を本年１月２０日に締結しました・・・シャープでは、このＩＧＺＯを採用した高性能な液晶パネルを株式会社半導体エネルギー研究所（・・・）と共同開発。・・・高精細化と低消費電力化が図れるため、モバイル機器や高精細ノートＰＣ、高精細液晶モニターなどの幅広いアプリケーション向けに供給し、新しい商品市場の創造に貢献してまいります。」との記載がある。
ケ　特許第５１７６００３号公報（甲第２２号証）には、「出願日　平成２３年６月２１日」、「特許権者　シャープ株式会社」、「【発明の名称】半導体装置およびその製造方法」とするものであって、「【請求項１６】前記酸化物半導体層は、ＩＧＺＯから形成されている請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置」との記載がある。
コ　２０１２年（平成２４年）１２月６日付けの日本経済新聞の被請求人の新聞広告（甲第２３号証）には、右下に「ＩＧＺＯを用いた薄膜トランジスタを（株）半導体エネルギー研究所と共同開発。」との記載、また、同人のカタログ２０１３−２（甲第２５号証）には、「ＩＧＺＯ技術搭載」と記載、さらに２枚目の左下に、「ＩＧＺＯとは、酸化物半導体の技術。インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）で構成された半導体をＴＦＴ（薄膜トランジスタ）に用いることで、高精細で明るい表示を可能にしました。」との記載がある。
（２）以上からすると、「ＩＧＺＯ」は、「Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）及びＯ（酸素）の複合物からなる酸化物の略語であって、１９９５年に東京工業大学の細野教授が国際会議において、「『酸化インジウム・ガリウム・亜鉛（ＩＧＺＯ）』と呼ぶ新型酸化物半導体」として紹介され、２００４年に英国科学雑誌「Ｎａｔｕｒｅ」に発表した論文が契機となって、国内ディスプレイメーカーなどが応用研究を始め、幅広い分野での開発が行われていることが認められる。
　そして、本件商標の登録査定時前において、「ＩＧＺＯ」は、国内外の多くのディスプレイメーカーにより、例えば、高解像度・３次元・大型液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、（甲第２号証の１）、モバイル機器、高精細ノートＰＣ、高精細液晶モニター（甲第６号証）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、液晶テレビ（甲第１０号証）、３Ｄテレビ、大型ディスプレー、（甲第９号証）、液晶パネル、大型有機ＥＬパネル（甲第１１号証）、電子荷札（ＩＣタグ）に使用されるＲＦＩＤ（無線自動識別）チップ（甲第１２号証及び甲第１６号証）、電源回路の半導体（甲第１５号証）、スマートフォン用中小型液晶パネル（甲第１７号証）等の各種商品に使用し実用化するための研究開発が進められているものと認められる。
　そうとすると、「ＩＧＺＯ」の文字は、本件商標の登録査定時前において、研究者など一部の限定された者にとどまらず、液晶ディスプレイや半導体の分野のエレクトロニクス業界において、上記酸化物を表すものとして、広く知られていたといえるものである。
（３）本件商標の指定商品において、電子応用機械器具及びその部品には、半導体素子や電源回路の半導体等が含まれ、また、電気通信機械器具には、前記液晶ディスプレイ・パネル等が含まれる。
　さらに、電池や配電用又は制御用の機械器具には、蓄電池や蓄電器等が含まれるものであって、これらの関連商品として、蓄電状況を表示するモニターや停電時に視認しやすい液晶パネルを有した商品がある。
　そして、上記商品は、事業者間での取引に供される機械器具の部品、或いは関連商品といえ、最終消費者ではない事業者が需要者（取引者を含む。）となる商品が多々含まれるものである。
（４）小括
　以上を総合してみれば、本件商標の登録査定時において、本件商標を構成する「ＩＧＺＯ」は、上記商品を構成する原材料の一を示すものとして使用され、少なくとも上記（３）の商品に係る事業者（取引者・需要者）の間において認識されていたといい得るものである。
　してみれば、標準文字で表された本件商標「ＩＧＺＯ」は、これを請求に係る指定商品に使用した場合、その商品の原材料を表したものと認識されるというのが相当であるから、自他商品の識別標識としての機能を果たし得ないものであるというのが相当である。
　したがって、本件商標は、その指定商品中、請求に係る指定商品について、商標法第３条第１項第３号に該当すると判断されるものである。
３　被請求人の主張について
（１）被請求人は、元素名等の登録例（及び審査例）を挙げて、本件商標も商標法第３条第１項第３号に該当するとの理由をもって無効とされるべきものではない旨主張している。
　しかし、登録要件を具備するものであるか否かは、当該商標毎に個別具体的に判断されるべきものと解されるから、本件商標とは構成を異にする商標の登録例をもって、直ちに本件商標の登録要件の具備が是認されるものとはいえない上、本件商標については、証拠に照らし、上記のとおり判断するのが相当であるから、被請求人の主張は採用できない。
（２）被請求人は、多数の明細書中の記載や論文等を引用する請求人の主張が、研究者や進歩性や発明における当業者と商標法における需要者（取引者を含む。）を混交するものであり、商標法第３条第１項第３号の適用にあたって、研究者や当業者が使用しており、将来的にも当該使用に支障が出るなどという理由で、間接のそのまた間接的な原材料を使用しているかもしれない指定商品についての登録商標まで、独占適応性がないなどという名目で安易に無効を認めることは、登録制度自体を不安定なものにし、また、同第３号の適用を独占適応性の名のもとに判断基準の恣意化を招来してしまうと主張する。
　確かに、独占適応性の名目のもとに恣意的な判断がなされることは避けるべきものである。
　しかしながら、被請求人を含め、現に指定商品に関わる事業者が「ＩＧＺＯ」を既成の酸化物名として普通に認識しているといえ、それを原材料とした場合に、当該商品の品質を表す蓋然性が高いものというべきである。また、商標法第３条第１項第３号は、指定商品の品質、用途を表すものとして取引者、需要者に認識される表示態様の商標につき、そのことゆえに商標登録を受けることができないとしたものであって、同号を適用する時点において、当該表示態様が、商品の品質、用途を表すものとして現実に使用されていることは必ずしも必要でないものと解すべきである（最高裁昭和５４年４月１０日・第３小法廷判決・判例時報９２７号２３３頁及び東京高裁平成１３年（行ケ）第２０７号判決参照。）とされている。
　上記のとおり、本件商標を構成する「ＩＧＺＯ」は、既成の酸化物の名称（略語）として普通に認識されるものであって、現在も将来的にも事業者がその自由な使用を欲する標章というべきであるから、独占に適さないとされたとしても、それをもって、名目として独占適応性がないとの恣意的な判断であるとはいえない。
　したがって、登録要件の具備に係る上記２の判断は、被請求人の主張によって左右され得ないというべきである。
４　結語
　以上のとおり、本件商標は、その指定商品中、結論掲記の指定商品について、商標法第３条第１項第３号に該当するものと認められるから、請求人の主張する他の無効理由について論及するまでもなく、同法第４６条第１項第１号に基づき、その登録を無効とすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。