(57)【要約】【課題】本発明は、誤り訂正符号を採用している記憶媒体再生装置において、急速に増加する不良セルに対する耐性を確保できるようにする。【解決手段】たとえば、判定部１１は、記憶媒体２０から読み出されたデータの、符号誤りを含むことがある再生データ２２を誤り訂正符号復号部１２に、再生データ２２の確からしさを示す付帯情報２３を消失符号設定部１３に、それぞれ出力する。誤り訂正符号復号部１２は、再生データ２２中の符号誤りを検出・訂正した後に再生結果２４として外部に出力する。一方、誤り訂正符号復号部１２は、付帯情報２３に応じた消失情報２７が消失符号設定部１３から供給されることにより、それ以降の復号化の機会に、再生データ２２に対して、消失情報２７に応じた消失訂正と符号誤り訂正とを実行する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶媒体より読み出された再生データの、符号消失を訂正する能力および符号誤りを訂正する能力を有する誤り訂正符号復号部と、
前記誤り訂正符号復号部によって訂正処理された、前記符号誤りが発生した符号の履歴を記憶する誤り訂正履歴記憶部と、
前記記憶媒体より読み出された再生データの、符号の確からしさを示す付帯情報を判定する判定部と、
前記判定部で判定された前記付帯情報および前記誤り訂正履歴記憶部に記憶された前記履歴に応じて、前記誤り訂正符号復号部での、前記符号消失を訂正する能力と前記符号誤りを訂正する能力とを制御するための消失情報を設定する設定部と
を具備したことを特徴とする再生装置。
【請求項２】
前記付帯情報は、前記再生データの符号が、符号を判別するためのしきい値の近傍の値であったかどうかを示す情報であることを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項３】
記憶媒体より読み出された再生データの、符号消失を訂正する能力および符号誤りを訂正する能力を有する誤り訂正符号復号部と、
前記誤り訂正符号復号部によって訂正処理された、前記符号誤りが発生した符号の履歴を記憶する誤り訂正履歴記憶部と、
前記誤り訂正履歴記憶部に記憶された前記履歴をもとに、前記誤り訂正符号復号部での、前記符号消失を訂正する能力と前記符号誤りを訂正する能力とを制御するための訂正モードを選択する選択部と
を具備したことを特徴とする再生装置。
【請求項４】
前記符号消失を訂正する能力および前記符号誤りを訂正する能力は、符号の最小自由距離を“ｄmin ”、誤り訂正可能な符号数を“ｔ”、消失訂正可能な符号数を“ｓ”とすると、“２ｔ＋ｓ＋１≦ｄmin ”を満足することを特徴とする請求項１または３に記載の再生装置。
【請求項５】
前記記憶媒体は、経年劣化によって不良セルが累積されていくＮＡＮＤ型フラッシュメモリであることを特徴とする請求項１または３に記載の再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は再生装置に関するもので、たとえば、誤り訂正符号（ＥＣＣ）を採用している記憶媒体再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのような記憶媒体においては、経年劣化などによって不良セルが累積されていく性質がある。不良セルの累積は、符号誤りを増長させる。この問題を改善する方法として、誤り訂正符号を用いた再生装置が知られている。誤り訂正符号は、数ビットからなる再生データのうちの不良セルの位置（欠陥ビット）を判断し、訂正処理を行うものである。
【０００３】
しかしながら、誤り訂正符号に常に高い訂正能力を持たせようとすると、許容できる不良セルの個数が多くなる結果、処理（演算量）が複雑化する。通常は、再生データの重要度および／または装置の処理能力などに応じて、許容できる不良セルの個数、つまり、誤り訂正能力が決められている。そのため、許容できる不良セルの個数を「２」とした場合、３ビット以上の誤りが発生した場合には、発生した誤りを訂正できない。
【０００４】
また、消失訂正符号により、誤り訂正処理を行う再生装置が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。消失訂正符号は、数ビットの再生データのうちの無効なデータを、残りの正常なデータを用いて復元するものである。ところが、この提案の場合には、急速な不良セル（誤り）の増加に対する耐性が弱いという問題があった。
【特許文献１】特開２００６−２３６５３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記の問題点を解決すべくなされたもので、誤り訂正符号が許容できる不良セルの個数を維持しつつ、急速に増加する不良セルに対する耐性を十分に確保することが可能な再生装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明の一態様によれば、記憶媒体より読み出された再生データの、符号消失を訂正する能力および符号誤りを訂正する能力を有する誤り訂正符号復号部と、前記誤り訂正符号復号部によって訂正処理された、前記符号誤りが発生した符号の履歴を記憶する誤り訂正履歴記憶部と、前記記憶媒体より読み出された再生データの、符号の確からしさを示す付帯情報を判定する判定部と、前記判定部で判定された前記付帯情報および前記誤り訂正履歴記憶部に記憶された前記履歴に応じて、前記誤り訂正符号復号部での、前記符号消失を訂正する能力と前記符号誤りを訂正する能力とを制御するための消失情報を設定する設定部とを具備したことを特徴とする再生装置が提供される。
【０００７】
また、本願発明の一態様によれば、記憶媒体より読み出された再生データの、符号消失を訂正する能力および符号誤りを訂正する能力を有する誤り訂正符号復号部と、前記誤り訂正符号復号部によって訂正処理された、前記符号誤りが発生した符号の履歴を記憶する誤り訂正履歴記憶部と、前記誤り訂正履歴記憶部に記憶された前記履歴をもとに、前記誤り訂正符号復号部での、前記符号消失を訂正する能力と前記符号誤りを訂正する能力とを制御するための訂正モードを選択する選択部とを具備したことを特徴とする再生装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
上記の構成により、誤り訂正符号が許容できる不良セルの個数を維持しつつ、急速に増加する不良セルに対する耐性を十分に確保することが可能な再生装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的なものであり、各図面の寸法および比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面の相互間においても、互いの寸法の関係および／または比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。特に、以下に示すいくつかの実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置などによって、本発明の技術思想が特定されるものではない。この発明の技術思想は、その要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１０】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態にしたがった、記憶媒体再生装置の構成例を示すものである。
【００１１】
図１に示すように、記憶媒体再生装置１０は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリなどの記憶媒体２０に記憶されているデータを読み出し値（たとえば、アナログ電圧値）２１として読み出す。記憶媒体再生装置１０は、記憶媒体２０より数ビット単位で読み出した読み出し値２１を判定部１１に取り込む。判定部１１は、記憶媒体２０より読み出した読み出し値２１から符号誤りを含むことがある再生データ２２を判定し、誤り訂正符号復号部１２に出力する。たとえば、判定部１１は、読み出し値２１の各ビットのアナログ電圧値が、しきい値よりも小さい場合には“０”を、大きい場合には“１”を、それぞれ再生データ２２として判定する。また、判定部１１は、再生データ２２の確からしさ（曖昧さ）を示す付帯情報２３を生成して、消失符号設定部１３に出力する。付帯情報２３とは、再生データ２２を構成する各ビットの符号が、しきい値の近傍の値であったかどうかを示す情報であって、一般に、読み出し値２１としきい値との距離（差異）が小さい場合は、そうでない場合に比べて確からしさが低い（曖昧さが高い）。
【００１２】
なお、しきい値をわずかに変更した場合に、判定の結果が異なる符号は確からしさが低いので、それを付帯情報として用いることも可能である。
【００１３】
誤り訂正符号復号部１２は、符号消失を訂正する能力および符号誤りを訂正する能力を有するものであって、たとえば、誤り訂正符号を用いて、再生データ２２中の符号誤り（欠陥ビット）を検出・訂正（復号化）した後に、それを再生結果２４として外部に出力する。誤り訂正符号復号部１２は、符号誤りを検出した場合には、符号誤り位置データ２５を誤り訂正発生履歴記憶部１４に出力する。
【００１４】
誤り訂正発生履歴記憶部１４は、符号誤りが発生した符号の履歴を記憶するためのものであって、たとえば、誤り訂正符号復号部１２からの符号誤り位置データ２５にもとづいた、誤り発生履歴データ２６を消失符号設定部１３に出力する。
【００１５】
消失符号設定部１３は、誤り訂正発生履歴記憶部１４より出力される誤り発生履歴データ２６に応じて消失情報２７を生成し、それを誤り訂正符号復号部１２に出力する。消失情報２７とは、たとえば、誤り発生履歴データ２６と付帯情報２３とをもとに生成される、消失符号位置および符号数などの情報である。消失符号設定部１３は、誤り訂正符号復号部１２において、それ以降の復号化の機会に、再生データ２２に対して、消失情報２７に応じた消失訂正と符号誤り訂正とを実行させる。
【００１６】
ここで、一般に、誤り訂正符号の復号化は、符号誤りの個数が多いほど、演算量が大きくなる。すなわち、最小自由距離が“ｄmin ”の復号化を施した場合、誤り訂正可能な符号数“ｔ”は、“２ｔ＋１≦ｄmin ”で与えられる（たとえば、インターネット＜URL:http://imailab-www.iis.u-tokyo.ac.jp/Material/coding_intro.pdf＞参照）。これにより、符号語間の最小ハミング距離が“１１”の符号の場合、５ビットの符号誤りまで許容される。
【００１７】
これに対し、訂正可能な消失（“０”か“１”かはわからないが、その位置は既知である符号）の個数（符号数）“ｓ”は、“２ｔ＋ｓ＋１≦ｄmin ”の関係を満たす。つまり、最小自由距離が“１１”の符号では、４ビットの符号誤り訂正と２ビットの消失訂正、もしくは、２ビットの符号誤り訂正と６ビットの消失訂正とが可能であり、最大で１０ビットの消失訂正を実現できる。
【００１８】
消失訂正を組み合わせた場合と比較して、符号誤り訂正のみを行う場合は、許容できる不良ビット数が小さい。したがって、記憶媒体２０が、使用回数および／または使用時間にしたがって符号誤りの発生頻度が累積的に増加する性質を持っている場合には、上述したように、誤り発生履歴データ２６に応じて消失情報２７を設定することで、許容できる不良ビット数を維持しつつ、訂正（復号化）に要する演算量を削減できるという効果を奏する。
【００１９】
図２は、上記した構成における判定部１１での動作を示すものである。ここでは、記憶媒体２０より読み出される読み出し値２１を０〜１．０Ｖのアナログ電圧値とし、しきい値を０．５Ｖとした場合について説明する。
【００２０】
たとえば、読み出し値２１の各ビットのアナログ電圧値が、しきい値（０．５Ｖ）よりも小さい場合には再生データ２２として“０”が、大きい場合には再生データ２２として“１”が、それぞれ誤り訂正符号復号部１２に出力される。
【００２１】
一方、付帯情報２３としては、アナログ電圧値としきい値との距離が小さい場合（たとえば、０．４〜０．６Ｖ）には、確からしさが低いことを示す“０（消失）”が、そうでない場合（たとえば、〜０．４Ｖ，０．６Ｖ〜）には“１”が、それぞれ消失符号設定部１３に出力される。
【００２２】
図３は、上記した構成における誤り訂正符号復号部１２での誤り訂正処理にかかる動作を示すものである。なお、同図（ａ）は、３ビット−２ワードの符号語に対し、１ワード当たり１ビット（１ｂｉｔ／ｗｏｒｄ）の符号誤り訂正を行った場合の例であり、同図（ｂ）は、３ビット−４ワードの符号語に対し、１ワード当たり２ビット（２ｂｉｔ／ｗｏｒｄ）の符号誤り訂正を行った場合の例である。
【００２３】
同図（ａ）に示すように、たとえば、読み取り値２１として“０００，１１１”が考えられる場合に、再生データ２２である“１００”に符号誤りがあったとしても、その符号誤りを誤り訂正符号により“０００”と正しく訂正することが可能である。もちろん、“１００”以外の符号誤りの場合にも、１ワード当たり１ビットの符号誤りについては同様に訂正が可能である。
【００２４】
一方、同図（ｂ）に示すように、たとえば、読み取り値２１として“０００，０１１，１０１，１１０”が考えられる場合に、再生データ２２である“１００”に符号誤りがあったとすると、その符号誤りが“０００”なのか、“１０１”なのか、“１１０”なのかが判断できず、誤り訂正符号では“０００”と正しく訂正することが不可能である。ただし、３ビットのうちの最も左のビットが無効（消失）とわかっている場合には、復号化は可能である。
【００２５】
図４は、上記した構成における誤り訂正符号復号部１２での消失訂正処理にかかる動作を示すものである。なお、同図（ａ），（ｂ）は、３ビット−４ワードの符号語に対し、１ワード当たり１ビット（１ｂｉｔ／ｗｏｒｄ）の消失訂正を行った場合の例である。
【００２６】
図に示すように、たとえば、読み取り値２１として“０００，０１１，１０１，１１０”が考えられる場合に、再生データ２２である“１Ｘ１”の、３ビットのうちの真ん中のビットが無効（Ｘ＝消失）とわかっているとすると、その消失を誤り訂正符号により“１０１”と正しく訂正することが可能である。もちろん、“１Ｘ１”以外の消失の場合にも、１ワード当たり１ビットの消失については同様に訂正が可能である。
【００２７】
すなわち、消失訂正については、“ｄmin （最小自由距離）−１個”の訂正処理が可能である。また、先にも述べたように、“２ｔ＋ｓ＋１≦ｄmin ”の関係を満たせば、ｓ個の消失訂正とｔ個の符号誤り訂正とが可能である。なお、同じ符号であれば、訂正可能な符号誤りの符号数“ｔ”は、訂正可能な消失の符号数“ｓ”の、およそ２倍（２ｔ≒ｓ）となる。
【００２８】
上記したように、誤り訂正符号を採用した再生装置において、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリなどの記憶媒体２０の初期不良を含む経年劣化対策として、再び符号誤りが発生する確率が高い不良セルを、以降の読み出し動作時には「消失」とみなして復号化を行うようにしている。すなわち、符号誤りが発生した不良セルは再び符号誤りが発生する確率が高いので、符号誤り訂正と消失訂正とを実行するようにしている。これにより、符号誤り訂正のみを行う場合に対して、許容できる不良セルの個数を２倍程度にまで拡大し得る。したがって、誤り訂正符号が許容できる不良セルの個数を維持しつつ、急速に増加する不良セルに対する耐性を十分に確保することが可能となるものである。
【００２９】
特に、本実施形態の構成によれば、さらに、不良セルが少ない時には訂正処理に要する演算量を削減できるという効果をも奏する。
【００３０】
［第２の実施形態］
図５は、本発明の第２の実施形態にしたがった、記憶媒体再生装置の構成例を示すものである。なお、図１と同一部分には同一符号を付して、詳しい説明は割愛する。
【００３１】
図５に示すように、記憶媒体再生装置１０’は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリなどの記憶媒体２０に記憶されているデータを読み出し値（たとえば、アナログ電圧値）２１として読み出す。記憶媒体再生装置１０’は、記憶媒体２０より数ビット単位で読み出した読み出し値２１を判定部１１に取り込む。判定部１１は、記憶媒体２０より読み出した読み出し値２１から符号誤りを含むことがある再生データ２２を判定し、誤り訂正符号復号部１２に出力する。たとえば、判定部１１は、読み出し値２１の各ビットのアナログ電圧値が、しきい値よりも小さい場合には“０”を、大きい場合には“１”を、再生データ２２として判定する。
【００３２】
誤り訂正符号復号部１２は、符号消失を訂正する能力および符号誤りを訂正する能力を有するものであって、たとえば、誤り訂正符号を用いて、再生データ２２中の符号誤り（欠陥ビット）を検出・訂正（復号化）した後に、それを再生結果２４として外部に出力する。誤り訂正符号復号部１２は、符号誤りを検出した場合には、符号誤り位置データ２５を誤り訂正発生履歴記憶部１４’に出力する。
【００３３】
誤り訂正発生履歴記憶部１４’は、符号誤りが発生した符号の履歴を記憶するためのものであって、たとえば、誤り訂正符号復号部１２からの符号誤り位置データ２５にもとづいた、誤り発生履歴データ２６を訂正モード設定部３１に出力する。
【００３４】
訂正モード設定部３１は、誤り訂正発生履歴記憶部１４’より出力される誤り発生履歴データ２６に応じて訂正モード３２を選択し、それを誤り訂正符号復号部１２に出力する。訂正モード３２とは、たとえば、誤り発生履歴データ２６をもとに決定される、消失符号位置および符号数などに応じた訂正処理のための動作モードである。訂正モード設定部３１は、誤り訂正符号復号部１２において、それ以降の復号化の機会に、再生データ２２に対して、訂正モード３２に応じた消失訂正と符号誤り訂正とを実行させる。
【００３５】
図６は、上記した訂正モード設定部３１の構成例（フォーマットの一例）を示すものである。ここでは、たとえば２５５バイトを１単位とし、訂正モード３２として１５（０〜１４）の動作モードを備えるとともに、最大で８バイトの符号誤りを訂正できるように構成した場合を例に説明する。また、訂正可能な符号の位置（アドレス）は、１バイトで表現できるように構成されている。
【００３６】
本実施形態の場合、２回続けて符号誤りとなった不良セルは、それ以降、「消失」として扱われる。
【００３７】
一般に、符号の最小自由距離が“ｄmin ”である誤り訂正符号は、誤り訂正可能な符号数を“ｔ”、消失訂正可能な符号数を“ｓ”とすると、“２ｔ＋ｓ＋１≦ｄmin ”の関係を満足するだけの訂正能力を有することは先にも述べた通りである。そこで、図６に示した例においては、符号の最小自由距離“ｄmin ”が「１７」である場合を考え、「１５」の訂正モード（０〜１４の動作モード）３２が用意されている。たとえば、モード「２」は、２バイトの消失訂正に加えて、最大で７バイトの符号誤りが発生しても、これを訂正することが可能となっている。
【００３８】
なお、使用開始時は、誤りの履歴が存在しないことから、消失訂正可能な符号数が最小（０バイト）で、誤り訂正可能な符号数が最大（８バイト）であるモード「０」を選択する、という使用方法としてもよい。もしくは、記憶媒体２０の出荷前の試験の結果に基づいて、初期のモードを選択するという方法であってもよい。
【００３９】
ここで、たとえば出荷前の試験において、記憶媒体２０より２バイトの不良セルが検出されたと仮定し、初期のモードとして、その不良セルの２バイトを「消失」として扱うモード「２」が選択されているものとする。
【００４０】
その後、記憶媒体２０の使用を重ねるにつれ、符号誤りが繰り返し発生する不良セルの存在が、誤り訂正発生履歴記憶部１４’からの誤り発生履歴データ２６により訂正モード設定部３１に通知されたとする。たとえば、記憶媒体２０内の同一セルで連続して２回の符号誤りが発生したとする。すると、訂正モード設定部３１は、２回の符号誤りが発生した不良セルを「消失」とし、次回以降の復号化における訂正モード３２を、３バイトの消失訂正と６バイトの誤り訂正とが可能なモード「３」に変更する。
【００４１】
同様にして、訂正モード設定部３１は、頻繁に符号誤りが発生する不良セルが検出されるごとに、その不良セルを「消失」として扱い、誤り訂正符号復号部１２での動作モードを適切に変更する。
【００４２】
図７は、上記した誤り訂正発生履歴記憶部１４’の構成例（フォーマットの一例）を示すものである。ここでは、たとえば１６バイトの容量を有して構成した場合を例に説明する。なお、１６バイトの容量のうち、たとえば、１バイト（＃０）はモード番号の記憶のために割り当てられ、残りの１５バイト（＃１〜＃１５）はバイトである不良セルの位置（アドレス）の記憶のために使用される。ただし、不良セルの位置（アドレス）の記憶のために使用される１５バイト（＃１〜＃１５）は、その用法がモードごとに定められている。
【００４３】
たとえば、モード「０」の場合、１バイト（＃０）目にはモード番号「０」が、２〜９バイト（＃１〜＃８）目には前回の読み出し時に誤りが発生した不良セルの位置（アドレス）が、それぞれ記憶される。１０〜１６バイト（＃９〜＃１５）は未使用となっており、２〜９バイト（＃１〜＃８）目に記憶されている不良セルのうち、たとえば２つの不良セルにおいて、連続して２回の符号誤りが発生したとすると、その不良セル（消失符号）の各アドレスが、１５，１６バイト（＃１４，＃１５）に記憶される。これが、モード「２」の場合の例である。
【００４４】
すなわち、モード「２」の場合、１バイト（＃０）目にはモード番号「２」が、２〜８バイト（＃１〜＃７）目には前回の読み出し時に誤りが発生した不良セルの位置（アドレス）が、１５，１６バイト（＃１４，＃１５）目には「消失」となった不良セルの位置（アドレス）が、それぞれ記憶される。９〜１４バイト（＃８〜＃１３）は未使用となっており、２〜８バイト（＃１〜＃７）目に記憶されている不良セルのうち、たとえば３つの不良セルにおいて、連続して２回の符号誤りが発生したとすると、その不良セル（消失符号）の各アドレスが、１２〜１４バイト（＃１１〜＃１３）に記憶される。これが、モード「５」の場合の例である。
【００４５】
すなわち、モード「６」の場合、たとえば図７に示すように、１バイト（＃０）目にはモード番号「６」が、２〜６バイト（＃１〜＃５）目には前回の読み出し時に誤りが発生した不良セルの位置（アドレス）が、１１〜１６バイト（＃１０〜＃１５）目には「消失」となった不良セルの位置（アドレス）が、それぞれ記憶される。７〜１０バイト（＃６〜＃１３）は未使用となっている。
【００４６】
たとえば、モード「１２」の場合、１バイト（＃０）目にはモード番号「１２」が、２，３バイト（＃１，＃２）目には前回の読み出し時に誤りが発生した不良セルの位置（アドレス）が、５〜１６バイト（＃４〜＃１５）目には「消失」となった不良セルの位置（アドレス）が、それぞれ記憶される。４バイト（＃３）は未使用となっており、２，３バイト（＃１，＃２）目に記憶されている不良セルのうち、たとえば２つの不良セルにおいて、連続して２回の符号誤りが発生したとすると、その不良セル（消失符号）の各アドレスが、３，４バイト（＃２，＃３）に記憶される。これが、モード「１４」の場合の例である。
【００４７】
すなわち、モード「１４」の場合、１バイト（＃０）目にはモード番号「１４」が、２バイト（＃１）目には前回の読み出し時に誤りが発生した不良セルの位置（アドレス）が、３〜１６バイト（＃２〜＃１５）目には「消失」となった不良セルの位置（アドレス）が、それぞれ記憶される。
【００４８】
本実施形態においては、２バイト（＃１）目に記憶されている不良セルに連続して２回の符号誤りが発生したとすると、たとえば、モード「１４」を選択した状態のまま、記憶媒体再生装置１０’より警告信号が発せられる。これにより、周辺部での誤動作を回避できる。
【００４９】
上述したように、本実施形態の構成によれば、誤り訂正符号の復号化の際の履歴に応じて消失符号を設定するとともに、動作モードを適切に変更することで、より多くの不良セルに対応できる。具体的には、モード「０」で固定的に使用した場合には８バイト分の不良セルしか許容できない。これに対し、順次、モードを最適化して、たとえばモード「１４」で訂正処理を行うようにした場合には１５バイト分の不良セルを許容できるようになる。
【００５０】
なお、上記した記憶媒体再生装置１０，１０’において、一般に、誤り訂正符号で訂正（許容）できる消失符号数および誤り訂正符号数には限界がある。この限界を超える消失符号または誤り訂正符号の復号化を実行すると、誤った再生結果を出力することになる。そこで、上記した第１の実施形態に示した記憶媒体再生装置１０の場合においても、たとえば、誤り訂正符号が許容できる消失符号数および誤り訂正符号数を超えて復号化を実行する場合には警告信号を出力させるようにする。これにより、第２の実施形態に示した記憶媒体再生装置１０’の場合と同様に、周辺部での誤動作を回避できるという効果を奏する。
【００５１】
また、上記した各実施形態においては、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリなどの記憶媒体のための記憶媒体再生装置に適用した場合について説明したが、これに限らず、たとえば誤り訂正符号を採用する各種の再生装置に適用することが可能である。
【００５２】
また、記憶媒体としても、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに限定されないことはもちろんである。
【００５３】
さらには、記憶媒体に記憶されているデータをアナログ電圧値として読み出す場合のものに限らず、電流信号またはデジタル信号として読み出すものであってもよい。
【００５４】
その他、本願発明は、上記（各）実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。さらに、上記（各）実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。たとえば、（各）実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題（の少なくとも１つ）が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果（の少なくとも１つ）が得られる場合には、その構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１の実施形態にしたがった記憶媒体再生装置の構成例を示すブロック図。
【図２】図１に示した記憶媒体再生装置における、判定部の動作を説明するために示す図。
【図３】図１に示した記憶媒体再生装置における、誤り訂正符号復号部での誤り訂正処理にかかる動作を説明するために示す図。
【図４】図１に示した記憶媒体再生装置における、誤り訂正符号復号部での消失訂正処理にかかる動作を説明するために示す図。
【図５】本発明の第２の実施形態にしたがった記憶媒体再生装置の構成例を示すブロック図。
【図６】図５に示した記憶媒体再生装置における、訂正モード設定部の構成例を示す図。
【図７】図５に示した記憶媒体再生装置における、誤り訂正発生履歴記憶部の構成例を示す図。
【符号の説明】
【００５６】
１０，１０’…記憶媒体再生装置、１１…判定部、１２…誤り訂正符号復号部、１３…消失符号設定部、１４，１４’…誤り訂正発生履歴記憶部、２０…記憶媒体、２１…読み出し値、２２…再生データ、２３…付帯情報、２５…符号誤り位置データ、２６…誤り発生履歴データ、２７…消失情報、３１…訂正モード設定部、３２…訂正モード。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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