(57)【要約】【課題】本発明の課題は、可撓性であって、かつ保存安定性の高い薄膜電子デバイスおよびその製造方法を提供するものである。【解決手段】ガスバリア性を有する可撓性基板、該基板上に形成した半導体素子、および該半導体素子と相対するように重ねられたガスバリア性を有する可撓性封止板を有する薄膜電子デバイスであって、前記半導体素子と前記封止板間に、前記素子面を覆うように設置された、接着剤層を有し、該接着剤層が該接着剤層の体積率で１０％〜９０％の気泡を有することを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスバリア性を有する可撓性基板、該基板上に形成した半導体素子、および該半導体素子と相対するように重ねられたガスバリア性を有する可撓性封止板を有する薄膜電子デバイスであって、前記半導体素子と前記封止板間に、前記素子面を覆うように設置された接着剤層を有し、該接着剤層が該接着剤層の体積率で１０％〜９０％の気泡を有することを特徴とする薄膜電子デバイス。
【請求項２】
前記接着剤層が該接着剤層の体積率で２０％〜８０％の気泡を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜電子デバイス。
【請求項３】
前記接着剤層が該接着剤層の体積率で３０％〜７０％の気泡を有することを特徴とする請求項２に記載の薄膜電子デバイス。
【請求項４】
前記気泡の平均粒径が０．１μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の薄膜電子デバイス。
【請求項５】
前記気泡が不活性気体を内包することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の薄膜電子デバイス。
【請求項６】
少なくとも、ガスバリア性を有する可撓性基板の上に、半導体素子を形成する工程、接着剤中に不活性気体の気泡を形成する工程、前記可撓性基板の半導体素子を有する面とガスバリア性を有する可撓性封止板を相対させ、前記可撓性基板の半導体素子を有する面とガスバリア性を有する可撓性封止板との間に前記気泡が形成された接着剤を封入する工程を有することを特徴とする薄膜電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記気泡を前記接着剤の体積率で１０％〜９０％有することを特徴とする請求項６に記載の薄膜電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記気泡の平均粒径が０．１μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の薄膜電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記接着剤中に不活性気体の気泡を形成する工程が、少なくとも前記接着剤に光起泡性発泡剤もしくは熱起泡性発泡剤を混合する工程、及び光照射もしくは加熱工程を有することを特徴とする請求項６〜請求項８のいずれか１項に記載の薄膜電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜電子デバイスおよびその製造方法に関する。特に、可撓性基板を用いた薄膜電子デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子を用いた種々の薄膜電子デバイスが知られている。液晶やエレクトロルミネッセンス（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）技術等の進歩により、平面薄型画像表示装置（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＰＤ）が実用化されている。特に、電流を通じることによって励起され発光する薄膜材料を用いた有機電界発光素子（以後、「有機ＥＬ素子」と記載する場合がある）は、低電圧で高輝度の発光が得られるために、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、ＴＶモニター、あるいは一般照明を含む広い分野で、デバイスの薄型化、軽量化、小型化、および省電力のなどが期待されている。
【０００３】
一方、プラスチックフィルムなどの可撓性基板にもちいた電子ディスプレイが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。該プラスチックフィルムとしてポリクロロトリフルオロエチレン樹脂が電気絶縁性の点から好ましい材料として開示されている。
【０００４】
有機電界発光素子の重要な問題点の一つは、水分や酸素に極めて弱く、具体的には、金属電極と有機層との界面が水分の影響で変質したり、電極が剥離したり、金属電極が酸化して高抵抗化したり、有機材料自体が水分により変質したりというような現象が起こる。これにより、駆動電圧の上昇、ダークスポット（非発光欠陥）の発生及び成長または発光輝度の減少等が発生し、十分な信頼性を保てない問題があった。
特にプラスチックフィルなどの可撓性基板は、ガラス基板に比較して水分や酸素に対するバリア性が劣るため、その対策が重要な課題であった。
【０００５】
例えば、金属箔の片面もしくは両面に絶縁層を設けた可撓性基板が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。あるいは、可撓性基板を用いた電子ディスプレイの上に可撓性封止板をラミネートし間に熱硬化樹脂を封入して固めることが提案されている（例えば、特許文献３参照。）。熱硬化樹脂の代わりに光硬化樹脂を封入し、ＵＶ光照射により硬化させることも提案されている（例えば、特許文献４参照。）。いずれの樹脂層も接着力を高めバリア性を高めるために気泡の混入を避けるために封入液の脱泡の厳密に行うことを肝要としていた。
【０００６】
しかしながら、可撓性基板と可撓性封止板の間に接着剤を封入して硬化させることは得られるラミネート体の剛性を高め、本来意図した電子デバイスも可撓性の特徴を失わせてしまう。さらに、このようなラミネート体の取扱中に接着剤層および該接着剤層と隣接する層との間に剥離や亀裂を生じ、デバイスを損傷させる問題が生じる。
従って、可撓性電子デバイスの可撓性を維持してかつ保存環境における安定性を高めることが望まれた。
【特許文献１】特開平５−１１６２５４号公報
【特許文献２】特開２００３−２８２２５７号公報
【特許文献３】特開２００１−１５５８５３号公報
【特許文献４】特開平５−１８２７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、可撓性であって、かつ保存安定性の高い薄膜電子デバイスおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の上記課題は、下記の手段によって解決された。
＜１＞  ガスバリア性を有する可撓性基板、該基板上に形成した半導体素子、および該半導体素子と相対するように重ねられたガスバリア性を有する可撓性封止板を有する薄膜電子デバイスであって、前記半導体素子と前記封止板間に、前記素子面を覆うように設置された接着剤層を有し、該接着剤層が該接着剤層の体積率で１０％〜９０％の気泡を有することを特徴とする薄膜電子デバイス。
＜２＞  前記接着剤層が該接着剤層の体積率で２０％〜８０％の気泡を有することを特徴とする＜１＞に記載の薄膜電子デバイス。
＜３＞  前記接着剤層が該接着剤層の体積率で３０％〜７０％の気泡を有することを特徴とする＜２＞に記載の薄膜電子デバイス。
＜４＞  前記気泡の平均粒径が０．１μｍ〜１００μｍであることを特徴とする＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の薄膜電子デバイス。
＜５＞  前記気泡が不活性気体を内包することを特徴とする＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の薄膜電子デバイス。
＜６＞  少なくとも、ガスバリア性を有する可撓性基板の上に、半導体素子を形成する工程、接着剤中に不活性気体の気泡を形成する工程、前記可撓性基板の半導体素子を有する面とガスバリア性を有する可撓性封止板を相対させ、前記可撓性基板の半導体素子を有する面とガスバリア性を有する可撓性封止板との間に前記気泡が形成された接着剤を封入する工程を有することを特徴とする薄膜電子デバイスの製造方法。
＜７＞  前記気泡を前記接着剤の体積率で１０％〜９０％有することを特徴とする＜６＞に記載の薄膜電子デバイスの製造方法。
＜８＞  前記気泡の平均粒径が０．１μｍ〜１００μｍであることを特徴とする＜６＞または＜７＞に記載の薄膜電子デバイスの製造方法。
＜９＞  前記接着剤中に不活性気体の気泡を形成する工程が、少なくとも前記接着剤に光起泡性発泡剤もしくは熱起泡性発泡剤を混合する工程、及び光照射もしくは加熱工程を有することを特徴とする＜６＞〜＜８＞のいずれか１項に記載の薄膜電子デバイスの製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、可撓性であって、かつ保存安定性の高い薄膜電子デバイスおよびその製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の薄膜電子デバイスは、ガスバリア性を有する可撓性基板、該基板上に形成した半導体素子、および該半導体素子と相対するように重ねられたガスバリア性を有する可撓性封止板を有し、さらに前記半導体素子と前記封止板間で、前記素子面を覆うように設置された接着剤層を有し、該接着剤層が該接着剤層の体積率で１０％〜９０％の気泡を有する。該接着剤層が該接着剤層の体積率で１０％〜９０％の気泡を有する結果、本発明の薄膜電子デバイスは、柔軟性にすぐれ、かつ折り曲げなどの薄膜電子デバイスは物理的変形に対しても亀裂や層界面での剥離などの故障発生が改善される。さらに、接着剤が紫外線などの光硬化樹脂の場合、硬化のための光が気泡を伝播しながら接着剤層全体に照射されるので、接着剤層全体が均一に硬化され、接着剤層の強度が高くなる。
以下に、１）接着剤層、２）可撓性基板、３）半導体素子、及び４）封止基板について説明する。
【００１１】
１．接着剤層
本発明に於ける接着剤層は、ガスバリア性を有する可撓性基板上に形成された半導体素子、および該半導体素子と相対するように重ねられたガスバリア性を有する可撓性封止板の間に配置され、前記半導体素子の全面を覆っている。
好ましくは、前記半導体素子の上部電極上に電気的絶縁層を有し、該電気的絶縁層と前記可撓性封止板との間に配置される。
【００１２】
１）接着剤
本発明における接着剤としては、光硬化樹脂タイプや熱硬化樹脂が用いられる。
光硬化樹脂タイプのものは、モノマー、オリゴマー、光開始剤と添加剤（充填剤、密着付与剤など）などで構成されている。樹脂としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂などが挙げられる。
熱硬化樹脂タイプのものは、架橋反応が温度によって進み，ポリマ同士が３次元的に結合し合って動かなくなる。樹脂としてはエポキシ樹脂やフェノール樹脂、ポリイミドなどが挙げられる。
【００１３】
２）気泡
本発明に於いては、該接着剤層に接着剤層の体積率で１０％〜９０％の気泡を含有する。好ましくは、該接着剤層の体積率で２０％〜８０％、より好ましくは３０％〜７０％の気泡を含有する。
好ましくは、前記気泡の平均粒径が０．１μｍ〜１００μｍである。
好ましくは、前記気泡が不活性気体であり、具体的には窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、等である。
【００１４】
３）気泡作成方法
（１）不活性気体の混合分散方法
薄膜電子デバイスと反応しにくい不活性気体（乾燥窒素や乾燥ＣＯ２、希ガスなど）を接着剤中に分散する方法としては、気体と液体である接着剤を撹拌によって混合する方法や、気体を液体である接着剤に直接吹き込む方法などが挙げられる。
（２）発泡剤の使用による気泡作成方法
発泡剤を使用して気泡を作成する場合、発泡剤としては薄膜電子デバイスと反応しない不活性な気体が発生するものを選ぶ必要がある。また、発泡温度としては、電子デバイスへのダメージを低減することを考慮すると、なるべく低温で発泡した方が望ましい。無機発泡剤としては、炭酸カルシウムや炭酸マグネシウムなどのＣＯ２を発生する発泡剤を用いることができる。有機発泡剤としては、ベンゼンスルホヒドラジン系、アゾニトリル化合物系、アゾカルボン酸系、ジアゾアセトアミド系、ニトロソ化合物系などがあり、それぞれ加熱によりＮ２を発生する。また、有機発泡剤としてフッ素化炭素化合物の溶剤を用い、接着剤に混合してから加熱して発泡する方法もある。
【００１５】
２．可撓性基板
本発明における可撓性基板は、ガスバリア性および水あるいは蒸気バリア性を有し、半導体素子を水分や酸素などから保護することが出来る基板である。
基板の素材自体がバリア性を有する場合は、特にバリア層を有する必要はないが、基板がバリア性に欠ける場合は、基板の片面あるいは両面にバリア層を有することが好ましい。
【００１６】
また、本発明における可撓性基板は、電気絶縁性が求められる場合、絶縁性層を有することが好ましい。絶縁性層は基板と半導体素子の電極との間に配置されるのが好ましい。
【００１７】
１）基材
可撓性特性を有する基材の具体的例として、例えば、アルミ箔、亜鉛箔、および鉛箔などの金属箔、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカ−ボネ−ト、ポリエ−テルスルホン、ポリアリレ−ト、アリルジグリコ−ルカ−ボネ−ト、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、およびポリ（クロロトリフルオロエチレン）等のプラスチック材料等が挙げられる。プラスチック材料は、無色透明であっても、着色していても、黒色あるいは不透明であっても良い。
本発明に用いられる基材は、好ましくは、金属箔もしくはプラスチック材料である。
【００１８】
金属箔は、基材自体が十分なバリア性を有するので、通常、バリア層を特に設ける必要はないが、薄膜作成の過程でピンホールを生じる場合があり、その場合はバリア層を少なくとも片面に有することが好ましい。また、金属箔は光不透過性であり、光透過性を必要としない基板に用いることができる。
【００１９】
プラスチック材料を基材として用いた場合は、基材自体の水分や酸素に対するバリア性が十分ではないので、バリア層を設けるのが好ましい。
【００２０】
基材の厚みは、１０μｍ以上１ｍｍ以下が好ましく。より好ましくは、１００μｍ以上７００μｍ以下である。厚過ぎるとフレキシブル性が無くなる点で好ましくなく、薄過ぎると取り扱いが困難になる点で好ましくない。
【００２１】
基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、半導体素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、前記形状としては、フィルム状である。
【００２２】
２）バリア層
特にプラスチック材料を基材として用いた場合は、上記のように、バリア層を設けるのが好ましい。バリア層としては、ケイ素化合物、金属もしくは金属酸化物を含む層が好ましい。また、ケイ素化合物としては、ＳｉＮ，ＳｉＯＮやＳｉＯ２が挙げられる。金属もしくは金属酸化物としては、アルミニウム、亜鉛、鉛などの金属、およびこれらの金属酸化物を用いることが出来る。特に好ましくは、アルミナである。
【００２３】
バリア層の厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましく。より好ましくは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。厚過ぎるとフレキシブル性が無くなる点で好ましくなく、薄過ぎると十分な水や酸素などの外気の不透過性が得られなくなるので好ましくない。
【００２４】
３）絶縁層
本発明における可撓性基板には、必要に応じて半導体素子の電極と面する側に絶縁層を設けることができる。絶縁層の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。該絶縁層は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
本発明における絶縁層の厚みは、０．０１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく。より好ましくは、０．０５μｍ以上１μｍ以下である。厚過ぎるとフレキシブル性が無くなる点で好ましくなく、薄過ぎると十分な絶縁性が得られなくなるので好ましくない。
【００２５】
本発明における基板には、さらに必要に応じて、ハ−ドコ−ト層、およびアンダ−コ−ト層などを設けてもよい。
【００２６】
３．半導体素子
本発明における半導体素子は、特に限定されるものではなく、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、光電変換素子、又は有機トランジスタ等である。好ましくは、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子である。
【００２７】
（有機ＥＬ素子）
本発明における有機ＥＬ素子は、発光層の他に、正孔輸送層、電子輸送層、ブロック層、電子注入層、および正孔注入層などの従来知られている有機化合物層を有しても良い。
【００２８】
以下、詳細に説明する。
１）層構成
＜電極＞
本発明の有機ＥＬ素子の一対の電極は、一方は基板に面した下部電極であり、もう一方は背面電極となる。
＜有機化合物層の構成＞
前記有機化合物層の層構成としては、特に制限はなく、有機ＥＬ素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記下部電極上に又は前記背面電極上に形成されるのが好ましい。この場合、有機化合物層は、前記下部電極又は前記背面電極上の前面又は一面に形成される。
有機化合物層の形状、大きさ、および厚み等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００２９】
具体的な層構成として、下記が挙げられるが本発明はこれらの構成に限定されるものではない。
・陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極、
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極。
【００３０】
以下に各層について詳細に説明する。
２）正孔輸送層
本発明に用いられる正孔輸送層は正孔輸送材を含む。前記正孔輸送材としては正孔を輸送する機能、もしくは陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているもので有れば特に制限されることはなく用いることが出来る。本発明に用いられる正孔輸送材としては、低分子正孔輸送材、および高分子正孔輸送材のいずれも用いることができる。
本発明に用いられる正孔輸送材の具体例として、例えば以下の材料を挙げることができる。
【００３１】
カルバゾ−ル誘導体、トリアゾ−ル誘導体、オキサゾ−ル誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、イミダゾ−ル誘導体、ポリアリ−ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリ−ルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾ−ル）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマ−、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマ−、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、及びポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。
これらは、単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３２】
正孔輸送層の厚みとしては、１０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、２０ｎｍ〜８０ｎｍがより好ましい。前記厚みが、２００ｎｍを越えると駆動電圧が上昇することがあり、１０ｎｍ未満であると該発光素子が短絡することがあるので好ましくない。
【００３３】
３）正孔注入層
本発明おいては、正孔輸送層と陽極の間に正孔注入層を設けることができる。
正孔注入層とは、陽極から正孔輸送層に正孔を注入しやすくする層であり、具体的には前記正孔輸送材の中でイオン化ポテンシャルの小さな材料が好適用いられる。例えばフタロシアニン化合物、ポルフィリン化合物、スターバースト型トリアリールアミン化合物等を挙げることができ、好適に用いることができる。
正孔注入層の膜厚は、１ｎｍ〜３０ｎｍが好ましい。
【００３４】
４）発光層
本発明に用いられる発光層は、少なくとも一種の発光材料を含み、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ホスト材を含んでもよい。
本発明に用いられる発光材料としては特に限定されることはなく、蛍光発光材料または燐光発光材料のいずれも用いることができる。発光効率の点から燐光発光材料が好ましい。
【００３５】
蛍光発光材料としては、例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリデン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、及びポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。これらは１種または２種以上を混合して用いることができる。
【００３６】
燐光発光材料としては特に限定されることはないが、オルトメタル化金属錯体、又はポルフィリン金属錯体が好ましい。
【００３７】
上記オルトメタル化金属錯体とは、例えば山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」１５０頁〜２３２頁、裳華房社（１９８２年発行）やＨ．Ｙｅｒｓｉｎ著「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｉｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」、７１頁〜７７頁、１３５頁〜１４６頁、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社（１９８７年発行）等に記載されている化合物群の総称である。該オルトメタル化金属錯体を発光材料として発光層に用いることは、高輝度で発光効率に優れる点で有利である。
【００３８】
上記オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては、種々のものがあり、上記文献にも記載されているが、その中でも好ましい配位子としては、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、及び２−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有してもよい。また、上記オルトメタル化金属錯体は、上記配位子のほかに、他の配位子を有していてもよい。
【００３９】
本発明で用いるオルトメタル化金属錯体は、Ｉｎｏｒｇ  Ｃｈｅｍ．，１９９１年，３０号，１６８５頁、同１９８８年，２７号，３４６４頁、同１９９４年，３３号，５４５頁、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ，１９９１年，１８１号，２４５頁、Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，１９８７年，３３５号，２９３頁、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９８５年，１０７号，１４３１頁等、種々の公知の手法で合成することができる。
上記オルトメタル化錯体の中でも、三重項励起子から発光する化合物が本発明においては発光効率向上の観点から好適に使用することができる。
【００４０】
また、ポルフィリン金属錯体の中ではポルフィリン白金錯体が好ましい。
燐光発光材料は１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。また、蛍光発光材料と燐光発光材料を同時に用いてもよい。
【００４１】
ホスト材とは、その励起状態から、蛍光発光材料または燐光発光材料へエネルギー移動を起こし、その結果、蛍光発光材料または燐光発光材料を発光させる機能を有する材料のことである。
【００４２】
ホスト材としては、励起子エネルギーを発光材料にエネルギー移動させることのできる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的にはカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾ−ル）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、及びポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。これらの化合物は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
ホスト材の発光層における含有量としては０質量％〜９９．９質量％が好ましく、さらに好ましくは０質量％〜９９．０質量％である。
【００４３】
５）ブロック層
本発明においては、発光層と電子輸送層との間にブロック層を設けることができる。ブロック層とは発光層で生成した励起子の拡散抑制する層であり、また正孔が陰極側に突き抜けることを抑制する層である。
【００４４】
ブロック層に用いられる材料は、電子輸送層より電子を受け取り、発光層にわたす事のできる材料で有れば特に限定されることはなく、一般的な電子輸送材を用いることができる。例えば以下の材料を挙げることができる。トリアゾ−ル誘導体、オキサゾ−ル誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマ−、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマ−、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、及びポリフルオレン誘導体等の高分子化合物を挙げることができる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４５】
６）電子輸送層
本発明においては電子輸送材を含む電子輸送層を設けることができる。
電子輸送材としては電子を輸送する機能、もしくは陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているもので有れば制限されることはなく、前記ブロック層の説明時に挙げた電子輸送材を好適に用いることができる。
前記電子輸送層の厚みとしては、１０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、２０ｎｍ〜８０ｎｍがより好ましい。
【００４６】
前記厚みが、２００ｎｍを越えると駆動電圧が上昇することがあり、１０ｎｍ未満であると該発光素子が短絡することがあり好ましくない。
【００４７】
７）電子注入層
本発明おいては、電子輸送層と陰極の間に電子注入層を設けることができる。
電子注入層とは、陰極から電子輸送層に電子を注入しやすくする層であり、具体的にはフッ化リチウム、塩化リチウム、臭化リチウム等のリチウム塩、フッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属塩、酸化リチウム、酸化アルミニウム、酸化インジウム、又は酸化マグネシウム等の絶縁性金属酸化物等を好適に用いることができる。
電子注入層の膜厚は０．１ｎｍ〜５ｎｍが好ましい。
【００４８】
８）有機化合物層の形成方法
前記有機化合物層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、ディッピング、スピンコ−ト法、ディップコ−ト法、キャスト法、ダイコ−ト法、ロ−ルコ−ト法、バ−コ−ト法、又はグラビアコ−ト法等の湿式製膜法いずれによっても好適に製膜することができる。
中でも発光効率、耐久性の点から乾式法が好ましい。
【００４９】
次に、本発明の有機ＥＬ素子に用いられる電極について説明する。
【００５０】
９）陽極
本発明に用いられる陽極としては、通常、前記有機化合物層に正孔を供給する陽極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。
【００５１】
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられ、仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料が好ましい。具体例としては、アンチモンやフッ素等をド−プした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の半導性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。  
【００５２】
陽極は例えば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などの中から前記材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、該陽極の形成は、直流あるいは高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレ−ティング法等に従って行うことができる。また陽極の材料として有機導電性化合物を選択する場合には湿式製膜法に従って行うことができる。
【００５３】
陽極の前記発光素子における形成位置としては、特に制限はなく、該発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、該陽極は、前記基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【００５４】
なお、前記陽極のパタ−ニングは、フォトリソグラフィ−などによる化学的エッチングにより行ってもよいし、レ−ザ−などによる物理的エッチングにより行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法により行ってもよい。
【００５５】
陽極の厚みとしては、前記材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５０μｍであり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
陽極の抵抗値としては、１０３Ω／□以下が好ましく、１０２Ω／□以下がより好ましい。
陽極は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。
【００５６】
陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シ−エムシ−刊（１９９９年）に詳述があり、これらを本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯまたはＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で製膜した陽極が好ましい。
【００５７】
１０）陰極
本発明に用いることの出来る陰極としては、通常、前記有機化合物層に電子を注入する陰極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。
【００５８】
陰極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられ、仕事関数が４．５ｅＶ以下のものが好ましい。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、またはＣｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、およびイッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【００５９】
これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ度類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、又はアルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属との合金若しくは混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【００６０】
陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されていて、これらを本発明に適用することができる。
【００６１】
陰極の形成法は、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などの中から前記材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。
例えば、前記陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【００６２】
陰極のパタ−ニングは、フォトリソグラフィ−などによる化学的エッチングにより行ってもよいし、レ−ザ−などによる物理的エッチングにより行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法により行ってもよい。
【００６３】
陰極の有機ＥＬ素子における形成位置としては、特に制限はなく、該発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、有機化合物層上に形成されるのが好ましい。
この場合、該陰極は、前記有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【００６４】
１１）封止層
本発明の有機ＥＬ素子は、封止層を有するのが好ましい。本発明に用いられる封止層は、無機封止層および有機封止層の複合層が好ましく、背面電極の上に設けられ、発光素子が水分や酸素等のガスの侵入によって劣化するのを防止する層である。無機封止層および有機封止層の複合層が特に好ましい。
【００６５】
《無機封止層》
本発明に用いられる無機封止層は、背面電極の上に設けられる絶縁層であって、かつ発光素子が水分や酸素等のガスの侵入によって劣化するのを防止する層である。
本発明に用いられる無機封止層の素材としては、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化珪素、および炭化珪素が好ましく用いられる。
本発明に用いられる無機封止層は、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、スパッタリング法もしくは蒸着法により形成することが出来る。
【００６６】
本発明に用いられる無機封止層の厚みは、０．０１μｍ〜１０μｍが好ましい。０．０１μｍより薄いと絶縁機能および水分やガス防止機能が不十分となるため好ましくない。
また、１０μｍより厚いと製膜に時間がかかり、工程上好ましくない。また膜応力が大きくなる場合があり、膜剥がれ等が生じ好ましくない。さらに厚い膜を得るには製膜を複数回繰り返すことにより可能である。
【００６７】
《有機封止層》
本発明における有機ＥＬ素子は無機封止層と有機封止層の二層の封止層で発光層を含む有機化合物層が水分や酸素などのガス成分による影響から封止されていることを特徴とする。
本発明における有機封止層は、無機封止層の上に積層され、無機封止層のピンホールなどの欠陥を補い、封止をより完全なものにする機能を有する。さらに、フレキシブルな有機ＥＬ素子として折り曲げられたときの応力を緩和して素子へのに亀裂発生を防止する機能を有する。
【００６８】
＜素材＞
本発明における有機封止層は、フッ素樹脂を含有するものを使用できる。本発明におけるフッ素樹脂としては、フルオロエチレンポリマーおよびそれと他のコモノマ−とを含む共重合体、あるいは共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体が好ましく、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン及びジクロロジフルオロエチレン、およびこれらを有する子ポリマーが好ましい。特に好ましくは、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）であり、市販のフレキシブルシートをそのまま用いることができる。例えば、日東電工（株）製のニトフロンシートを挙げることができる。
有機封止層の厚みは特に限定されることはないが、１０μｍ以上１ｍｍ以下が好ましい。
これよりも薄いと、水分侵入を防止する機能が薄れることになり好ましくない。また、これよりも厚いと、電界発光素子自体の厚みが厚くなり、有機ＥＬ素子の特徴である薄膜性を損なうことになる。
【００６９】
（無機ＥＬ素子）
本発明における無機電界発光素子としては、従来公知のものを用いることができる。
例えば、本発明に用いられる無機電界発光素子は、電極間に配置した高誘電率を有する酸化物からなる第１及び第２絶縁膜、それら絶縁膜の間に狭持された硫化物からなる発光層等の機能層を含む。絶縁層としては、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、等の材料を用いることができる。発光層としては、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）、バリウムチオアルミネート（ＢａＡｌ２Ｓ４）、等の材料を発光層の母体材料に用い、発光中心としてマンガン（Ｍｎ）、等の遷移金属元素やユーロピウム（Ｅｕ）、セリウム（Ｃｅ）、テルビウム（Ｔｂ）、等の希土類元素を微量含有したものを用いることができる。
【００７０】
（光電変換素子）
本発明における光電変換素子としては、従来公知のものを用いることができる。
例えば、本発明に用いられる光電変換素子は、電極間にｐｎ接合またはｐｉｎ接合した半導体層、Ｘ線照射により電荷を発生するＸ線フォトコンダクタ層等の機能層を含み、光検出器、太陽電池、Ｘ線検出器等に利用できる。それぞれの用途により適宜材料を選択するが、アモロファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、多結晶シリコン、アモロファスセレン（ａ−Ｓｅ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、沃化鉛（ＰｂＩ２）、またはＢｉ１２（Ｇｅ，Ｓｉ）Ｏ２０、等を用いることができる。これらは、必要に応じて不純物をドープして伝導型を制御することができる。
【００７１】
（有機トランジスタ）
本発明における有機トランジスタ素子としては、従来公知のものを用いることができる。
例えば、本発明に用いられる有機トランジスタ素子は、ゲート電極上に絶縁層を挟んで配置したソースとドレイン電極の上に、有機物からなる活性層を設ける。ゲートやソース、ドレイン電極しては、ＭｏやＣｒ、ＩＴＯなどを用いることができる。また、絶縁層としては、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、等の材料を用いることができる。さらに、活性層としては、有機材料であるペンタセンやピレン等の材料を用いることができる。
【００７２】
４．封止基板
本発明の薄膜電子デバイスは、ガスバリア性を有する可撓性封止基板を有する。本発明におけるガスバリア性を有する可撓性封止基板は、本発明の薄膜電子デバイスの一方の面側より水やガスの浸透を防止し、薄膜電子デバイスの性能劣化を防止する機能を有する。
本発明におけるガスバリア性を有する可撓性封止基板は、先に説明した本発明のガスバリア性を有する可撓性基板と同様の材料を用いることができる。
【００７３】
５．製造方法
本発明の薄膜電子デバイスは、少なくとも、ガスバリア性を有する可撓性基板の上に、半導体素子を形成する工程、接着剤中に不活性気体の気泡を形成する工程、前記可撓性基板の半導体素子を有する面とガスバリア性を有する可撓性封止板を相対させ、前記可撓性基板の半導体素子を有する面とガスバリア性を有する可撓性封止板との間に前記気泡が形成された接着剤を封入する工程を有する製造方法により製造される。
【００７４】
本発明に於ける製造方法においては、得られる薄膜電子デバイスの接着剤層が該接着剤層の体積率で好ましくは常温・常圧で１０％〜９０％の気泡を含有するように製造条件が選ばれる。また、本発明に於ける製造方法によって得られる気泡の平均粒径は、好ましくは常温・常圧で０．１μｍ〜１００μｍである。
【００７５】
本発明に於ける製造方法においては、気泡は接着剤に予め気泡を分散させる方法、もしくは起泡剤を混合して、接着剤層を形成後に光照射もしくは加熱により発泡させる方法により気泡を形成することができる。
【００７６】
気泡は接着剤に予め気泡を分散させる方法としては、熱可塑性接着剤を加温して流動性とした状態で不活性気体を巻き込みながら固液界面を攪拌擾乱させて分散を行うことにより形成することができる。気泡の混入率および気泡サイズは、加熱温度の調整により熱可塑性接着剤の粘度の調整、不活性気体の流量調整、攪拌条件の調整によりコントロールされる。
【００７７】
起泡剤を混合して、接着剤層を形成後に光照射もしくは加熱により発泡させる方法は、気泡の混入率および気泡サイズを制御しやすい点で本発明に好ましく用いられる。
本方法は、少なくとも前記接着剤に光もしくは熱起泡性発泡剤を混合する工程、該発泡剤を含有する接着剤を前記可撓性基板の半導体素子を有する面とガスバリア性を有する可撓性封止板との間に封入する工程、及び光照射もしくは加熱により該接着剤層を発泡させる工程を有する。本発明に於いては、該発泡剤を含有する接着剤を前記可撓性基板の半導体素子を有する面、もしくはガスバリア性を有する可撓性封止板の少なくとも一方の面に塗布する工程、該塗布後、前記可撓性封止板もしくは前記可撓性基板の半導体素子を有する面をラミネートする工程、及び光照射もしくは加熱により該接着剤層を発泡させる工程を有する製造方法であっても良い。前記光照射もしくは加熱により該接着剤層を発泡させる工程は、ラミネート体を形成後に行っても、前記接着剤を塗布後、ラミネートする前に行っても良い。気泡が逃げず、所定の気泡率と気泡サイズで気泡を形成する点から、ラミネート体を形成後に発泡工程を行うのが好ましい。
【００７８】
（本発明の薄膜電子デバイスの用途）
本発明の薄膜電子デバイスは、表示素子、ディスプレイ、標識、看板、あるいはインテリア等に好適に利用できる。特に、携帯電話用ディスプレイ、カーナビゲーションディスプレイなどに好ましく用いられる。
【実施例】
【００７９】
以下に実施例によって、本発明をより具体的に説明するが、本発明は、以下に記載する実施例によって制限されるものではない。
【００８０】
実施例１
１．有機ＥＬ素子の作製
＜可撓性基板の作製＞
基材として厚みが２００μｍのアルミ箔を用い、下記条件で絶縁層を設けて可撓性基板を作製した。
可撓性基板真空チャンバー内に導入し、ＲＦマグネトロンスパッタ（条件：基材温度５０℃）によりＳｉＯ２を０．０５μｍ製膜して形成した。
【００８１】
＜下部電極＞
この可撓性基板を真空チャンバー内に導入し、ＳｎＯ２含有率が１０質量％であるＩＴＯターゲット（インジウム：錫＝９５：５（モル比））を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタ（条件：基材温度１５０℃、酸素圧１×１０−３Ｐａ）により、透明電極としてＩＴＯ薄膜（厚み０．２μｍ）を基板の絶縁層上に形成した。ＩＴＯ薄膜の表面抵抗は１０Ω／□であった。
次に、透明電極を形成した基板を洗浄容器に入れ、ＩＰＡ洗浄した後、これにＵＶ−オゾン処理を３０分行った。
＜有機化合物層＞
この透明電極上に正孔注入層として銅フタロシアニンを真空蒸着法にて１ｎｍ／秒の速度で蒸着して０．０１μｍ設けた。
【００８２】
次にこの上に正孔輸送層を設けた。正孔輸送材としてはＮ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を真空蒸着法にて蒸着して０．３μｍの正孔輸送層を設けた。
【００８３】
この上に燐光発光材料であるトリス（２−フェニルピリジル）イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、およびホスト化合物として、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）を蒸着比５／１００で真空蒸着法で共蒸着し０．０３μｍの発光層を設けた。
その上にブロック層を設けた。ブロック層に用いる電子輸送材としてはアルミニウム（III）ビス（２−メチル−８−キノリナート）４−フェニルフェノレート（Ｂａｌｑ２）を用い、真空蒸着法にて１ｎｍ／秒の速度で蒸着して０．０１μｍのブロック層を設けた。
さらにその上に、電子輸送材としてトリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用い、真空蒸着法にて１ｎｍ／秒の速度で蒸着して０．０４μｍの電子輸送層を設けた。
【００８４】
さらにこの上に電子注入層としてＬｉＦを１ｎｍ／秒の速度で蒸着して０．００２μｍの電子注入層を設けた。
【００８５】
＜背面電極＞
さらにこの電子注入層上にパターニングしたマスク（発光面積が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、Ａｇを０．０１５μｍ蒸着し、透明背面電極を形成した。
上記下部電極及び上記背面電極より、それぞれアルミニウムのリード線を結線し、発光積層体を形成した。
【００８６】
＜無機封止層の形成＞
上記発光積層体の背面電極の上に、下記の無機封止層を設けた。
アルバック（株）製ＣＶＤ製膜装置を用い、製膜速度２００ｎｍ／分でＳｉＮ（１μｍ）／ＳｉＯＮ（３μｍ）／ＳｉＮ（１μｍ）の無機膜５μｍを製膜した。
【００８７】
＜バリア性を有する封止板の作成＞
厚み１００μｍのＰＥＮフィルムの両面にＳｉＯＮの厚み２００ｎｍよりなるバリア層を設けた。ＳｉＯＮ膜は、窒化シリコンをターゲットとして、成膜ガスをアルゴンと酸素を導入してＲＦスパッタリングにより成膜を行った。
【００８８】
＜接着剤層の形成＞
上記有機ＥＬ素子の無機封止層を有する面と上記バリア性を有する封止板を相対して重ね合わせ、その間に下記の光硬化樹脂含有接着剤層を封入した（表１参照。）。
・本発明の光硬化樹脂含有接着剤層
接着剤はエポキシ系ＵＶ硬化樹脂（ナガセケムテックス社製）とエポキシ樹脂２液混合硬化接着剤（アラルダイト：ハンツマン・アドバンスト・マテリアルズ社製）を用いた。
発泡は乾燥窒素（露点−６０℃以下）を接着剤と撹拌することで混入した。気泡の平均サイズは撹拌速度と撹拌子サイズを変えることで変化させた。
・比較の接着剤層
発泡剤なし。
その後、下記条件で紫外線を照射した。
紫外線照射条件：中心波長１７２ｎｍ、１，０００ｍＪ／ｍ２で照射。
【００８９】
【表１】
2008300292.tif 000002
【００９０】
２．性能評価
１）評価項目
《気泡の数、平均サイズの測定》
得られたサンプルについて、接着剤層に含まれる気泡の数とその平均気泡サイズを測定した。
【００９１】
−測定方法−
塗布量は重量を実測し、塗布面積で割ることにより求めた。
気泡数は、単位面積あたりの気泡数を数え、この平均数が平均膜厚をかけた単位体積あたりの気泡数とした。
また、単位面積あたりの気泡の直径を可視観測しこの平均を気泡の平均粒径とした。この平均粒径から球とみなして平均体積を求め、単位体積あたりの気泡数との積をとって気泡の容積とした。
接着剤全体の容積は平均膜厚と面積から求め、気泡の容積を接着剤全体の容積で割ったものを気泡の容積率（％）とした。
【００９２】
《フレキシブル性の評価》
−測定方法−
目視で確認できるクラック・剥離が始まる、破壊直前での曲げた状態で曲げ半径を測定した。曲げ半径が小さいほど、フレキシブル性に優れる。
【００９３】
２）評価結果本発明では比較例よりも、曲げ半径が小さくなり、よりフレキシブル性が増加したことが示された。
【００９４】
【表２】
2008300292.tif 000003