(57)【要約】【課題】各モジュール／ユニットの間の構成関係や因果関係に基づいて順序を設定し、効率的に校正や診断を行う。【解決手段】計測装置１００のコントローラ１１０は、モジュール／ユニット間で校正・診断項目の前提となる事項（因果関係）を考慮して最適な順序を設定する。また、各モジュール／ユニットのうち、同時に校正・診断の処理を行っても互いに影響が無いモジュール／ユニット同士については、校正・診断を並列に実行するように順序を設定する。この最適な順序に従って校正・診断の順次処理および並行処理を行い、校正・診断処理を効率化する。【選択図】図１
2008304404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
校正または診断の対象となる複数のモジュールまたはユニットと、
前記複数のモジュールまたはユニットの校正または診断に関する情報を記憶する情報データベースと、
前記情報データベースに記憶された情報に基づいて、前記複数のモジュールまたはユニットに対して校正または診断を行う順序を設定するコントローラと、
前記コントローラにより設定された順序に従って、前記複数のモジュールまたはユニットに対して校正または診断を行う実行手段とを備えたことを特徴とする計測装置。
【請求項２】
校正または診断の対象となる複数のモジュールまたはユニットと、
前記複数のモジュールまたはユニットの構成に関する構成情報を記憶する構成データベースと、
前記複数のモジュールまたはユニットに対する校正または診断の制限に関する制限情報を記憶する制限データベースと、
前記複数のモジュールまたはユニットの校正または診断の順序に関する判断基準を定めた評価パラメータ記憶する基準データベースと、
前記構成情報、前記制限情報および前記評価パラメータの少なくとも１つに基づいて、前記複数のモジュールまたはユニットに対して校正または診断を行う順序を設定するコントローラと、
前記コントローラにより設定された順序に従って、前記複数のモジュールまたはユニットに対して校正または診断を行う実行手段とを備えたことを特徴とする計測装置。
【請求項３】
請求項２に記載の計測装置において、
前記コントローラは、
前記構成情報または前記制限情報を参照して、前記複数のモジュールまたはユニットのうち、互いに並列に校正または診断を行うことがそれぞれのモジュールまたはユニットの動作の阻害条件とならないモジュールまたはユニットを検出する検出手段と、
前記検出手段により検出されたモジュールまたはユニットに対する校正または診断を並列に行うように順序を設定する並列設定手段とを有することを特徴とする計測装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の計測装置において、
前記評価データベースに記憶された評価パラメータには、
前記複数のモジュールまたはユニットのそれぞれに対する校正または診断の実行時間の評価を示すパラメータと、
前記複数のモジュールまたはユニットのそれぞれに対する校正または診断で達成可能な精度の評価を示すパラメータと、
前記複数のモジュールまたはユニットのそれぞれに対する校正または診断の優先度の評価を示すパラメータとが含まれていることを特徴とする計測装置。
【請求項５】
請求項４に記載の計測装置において、
前記評価パラメータには、前記実行時間、精度、優先度の各パラメータに対して、校正または診断の順序を設定するための優先順位が付加されていることを特徴とする計測装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のモジュールやユニットを備えた計測装置に係り、特に、各モジュールやユニットに対して校正または診断を行う構成に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の計測装置として、例えば半導体デバイス等の被試験対象（以下、ＤＵＴと称する。）を試験するための複数のモジュールやユニットを備えた半導体試験装置がある。従来の半導体試験装置には、その各モジュールやユニットに対して校正・診断等を行う自己診断の機能が付属している。この自己診断の機能は装置内のコントローラにより実行され、コントローラは装置内の各モジュール、ユニットに対して校正・診断用の信号を出力し、この信号に応じて各モジュール、ユニットから出力された出力信号を期待値データ等と比較する。この比較した結果によって出力信号の電圧値の誤差を調整して校正を行い、また、正常か否かの診断を行っている。
【０００３】
以下の特許文献１に記載された半導体試験装置内の自己診断装置では、診断プログラムチャートに各試験装置Ａ〜Ｚが有する診断プログラム「あ」〜「わ」の情報が記憶されており、全試験装置の稼働率／故障率の累積登録データベースに試験装置毎の最新稼働率テーブル及び診断プログラム毎の累計故障率テーブルが記憶されている。ホストコンピュータは、試験装置毎の最新稼働率、診断プログラム毎の累計故障率に基づいて、診断プログラムチャートを変更して対象診断プログラムレジスタを作成する。そして、対象診断プログラムレジスタ及び試験装置毎の対象空き時間のデータを基にして各診断プログラムの中から優先度の高い順に選択が行われて診断候補リストが作成される。この診断候補リストに従った順に各診断プログラムが実行される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、従来の計測装置では、以下のようにして装置内の各モジュールやユニットに対して校正・診断を行っていた。図１０は、計測装置の一例である従来の半導体試験装置２００の構成を示す説明図である。この半導体試験装置２００はコントローラ２１０、実行処理記憶装置２２０およびデータベース２３０を備えている。このうちコントローラ２１０は、装置内の各モジュールやユニットの校正や診断を行うものである。また実行処理記憶装置２２０は、既に校正・診断等の処理が実行されたモジュールやユニットに関する情報を記憶する。データベース２３０には、予め設定された各モジュールやユニットに対して校正・診断を行う順序のデータが記憶される。
【０００５】
図１１は、校正・診断プロセスのフローチャートである。このプロセスではまず、モジュール／ユニットＰ１に対して、例えば温度特性や環境特性等の項目Ａ，Ｂの校正を行う校正プロセス「ＣＡＬ  Ａ」，「ＣＡＬ  Ｂ」を実行し、その校正結果表示プロセス「ＣＡＬ  Ａ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」，「ＣＡＬ  Ｂ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」で校正の結果をディスプレイ等によってユーザに表示する。
【０００６】
また、モジュール／ユニットＰ２に対して、項目Ｃの校正を行う校正プロセス「ＣＡＬ  Ｃ」を実行し、その校正結果表示プロセス「ＣＡＬ  Ｃ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」で校正の結果をディスプレイ等によってユーザに表示する。その後に、モジュール／ユニットＰ３に対しても項目Ｄの校正を同様の順序の校正プロセス「ＣＡＬ  Ｄ」、校正結果表示プロセス「ＣＡＬ  Ｄ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」で実行する。
【０００７】
次に、モジュール／ユニットＰ１に対して、例えば試験パターンや入力信号等の項目Ａ、Ｂの診断を行う診断プロセス「ＤＩＡＧ  Ａ／Ｂ」を実行し、その診断結果表示プロセス「ＤＩＡＧ  Ａ／Ｂ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」で診断の結果をディスプレイ等によってユーザに表示する。また、モジュール／ユニットＰ２に対して、項目Ｃの診断を同様の順序の診断プロセス「ＤＩＡＧ  Ｃ」、診断結果表示プロセス「ＤＩＡＧ  Ｃ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」で実行する。モジュール／ユニットＰ３に対しても項目Ｄ、Ｅの診断を同様の順序の診断プロセス「ＤＩＡＧ  Ｄ，ＤＩＡＧ  Ｅ」、診断結果表示プロセス「ＤＩＡＧ  Ｄ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」，「ＤＩＡＧ  Ｅ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」で実行する。
【特許文献１】特開平１０−１３５２９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、このような従来技術では、予め決まった順序で各モジュール／ユニットに対して校正・診断を行っており、この順序は、各モジュール／ユニットの間での機能や処理項目の因果関係を考慮したものではない。このため実際の校正・診断のプロセスでは、全ての処理項目を１つずつ順番に行っており、必ずしも各モジュール／ユニットについて最適な順序で校正・診断が行われているとは言えず、結果的に校正・診断全体に要する時間が長くなるという問題があった。
【０００９】
そこで本発明は、各モジュール／ユニットの間の構成関係や因果関係に基づいて順序を設定し、効率的に校正や診断を行うことが可能な計測装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以上のような課題を達成するために、本発明に係る計測装置は、校正または診断の対象となる複数のモジュールまたはユニットと、前記複数のモジュールまたはユニットの校正または診断に関する情報を記憶する情報データベースと、前記情報データベースに記憶された情報に基づいて、前記複数のモジュールまたはユニットに対して校正または診断を行う順序を設定するコントローラと、前記コントローラにより設定された順序に従って、前記複数のモジュールまたはユニットに対して校正または診断を行う実行手段とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
このような構成により、複数のモジュールまたはユニットの校正または診断に関する情報に基づいて、例えば複数のモジュールまたはユニットの間の構成関係や因果関係を考慮した最適な順序を設定することができる。そして、この設定した順序に従って複数のモジュールまたはユニットに対して校正または診断を効率的に行うことが可能となる。
【００１２】
また、本発明に係る他の計測装置は、校正または診断の対象となる複数のモジュールまたはユニットと、前記複数のモジュールまたはユニットの構成に関する構成情報を記憶する構成データベースと、前記複数のモジュールまたはユニットに対する校正または診断の制限に関する制限情報を記憶する制限データベースと、前記複数のモジュールまたはユニットの校正または診断の順序に関する判断基準を定めた評価パラメータ記憶する基準データベースと、前記構成情報、前記制限情報および前記評価パラメータの少なくとも１つに基づいて、前記複数のモジュールまたはユニットに対して校正または診断を行う順序を設定するコントローラと、前記コントローラにより設定された順序に従って、前記複数のモジュールまたはユニットに対して校正または診断を行う実行手段とを備えたことを特徴とする。
【００１３】
例えば、あるモジュールまたはユニットの校正・診断項目を実行するためには、その前提として他のモジュールまたはユニットの校正・診断項目が完了していなければならないという制約がある場合、このような制約を因果関係として捉え、その因果関係に則って校正・診断項目の順序が最適に設定される。また、複数の校正・診断項目の中で、ある項目を優先する旨の評価パラメータが定められている場合、優先度の高い項目から順に校正・診断が行われるように順序が設定される。これにより、複数ある項目の相互因果関係を考慮して校正・診断の順序を最適に設定したり、あるいは、評価パラメータから校正・診断の最適な順序を設定することにより、全体として自己診断に要する時間を短縮することができる。
【００１４】
また、上述の計測装置において、前記コントローラは、前記構成情報または前記制限情報を参照して、前記複数のモジュールまたはユニットのうち、互いに並列に校正または診断を行うことがそれぞれのモジュールまたはユニットの動作の阻害条件とならないモジュールまたはユニットを検出する検出手段と、前記検出手段により検出されたモジュールまたはユニットに対する校正または診断を並列に行うように順序を設定する並列設定手段とを有するものでも良い。
【００１５】
計測装置において、例えば２つのモジュールまたはユニットの構成上、これらが相互に信号（例えば試験信号）をやりとりする関係にない場合、両者の校正・診断を並列的に実行することができる場合がある。すなわち、互いに並列に校正または診断を行うことがそれぞれのモジュールまたはユニットの動作の阻害条件とならない２つのモジュールまたはユニットについては、両者の間に校正・診断の因果関係が成立しないと考えられる。本発明では、このような因果関係を持たない校正・診断項目を並列的に実行することで、全体として校正・診断に要する時間を短縮化することができる。
【００１６】
上述の計測装置において、前記評価データベースに記憶された評価パラメータには、前記複数のモジュールまたはユニットのそれぞれに対する校正または診断の実行時間の評価を示すパラメータと、前記複数のモジュールまたはユニットのそれぞれに対する校正または診断で達成可能な精度の評価を示すパラメータと、前記複数のモジュールまたはユニットのそれぞれに対する校正または診断の優先度の評価を示すパラメータとが含まれていても良い。
【００１７】
この場合、計測装置のユーザが校正・診断の実行時間を短縮化することに重点を置いて評価パラメータを決めることもできるし、あるいは、校正・診断の精度に重点を置いて評価パラメータを決めることもできる。あるいは、特定のモジュールまたはユニットの校正・診断を優先するように評価パラメータを決めることもできる。いずれにしても、本発明では評価パラメータで決められた判断基準に基づいて校正・診断項目の順序を設定できることから、ユーザの意思を反映した上で校正・診断を実行することができる。
【００１８】
上述の計測装置において、前記評価パラメータには、前記実行時間、精度、優先度の各パラメータに対して、校正または診断の順序を設定するための優先順位が付加されていてもよい。
【００１９】
この場合、評価パラメータの中でも優先順位の高い判断基準（実行時間、精度、特定のモジュールまたはユニットに対する優先度）を考慮して校正・診断の順序を決めることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、各モジュール／ユニットの間の構成関係や因果関係に基づいて順序を設定し、効率的に校正や診断を行うことが可能となるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
〔第１実施形態〕
図１は、計測装置１００の構成を示す説明図である。計測装置１００は、その構成要素として複数のモジュールまたはユニット（モジュール／ユニット群１４０）を備えている。モジュール／ユニット群１４０には、例えば計測装置１００の電源部や計測信号の入力部、信号の伝送部、信号の記憶部等（図中のブロック要素Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３・・・）が含まれる。
【００２２】
計測装置１００の自己診断機能はコントローラ１１０により実行される。コントローラ１１０は、上記のモジュール／ユニット群１４０を動作させるための制御機能を有するものである。コントローラ１１０は、モジュール／ユニット群１４０に指令情報を出力し、最適な順序に従ってモジュール／ユニット群１４０に含まれる各モジュール／ユニットに対して校正・診断を行う。校正の処理では、例えば校正・診断用の信号を対象のモジュール／ユニットに印加し、この信号に応じて出力された信号を基準値と比較して、その間の電圧値等の誤差を調整したり、正常または異常の判定を行ったりする。このため、コントローラ１１０は、実行手段としての機能を有する。
【００２３】
また、計測装置１００には実行処理記憶装置１２０が設けられている。この実行処理記憶装置１２０には、モジュール／ユニット群１４０の中で既に校正・診断の処理が実行されたものに関する情報（校正・診断完了情報）や、校正・診断の処理が現在実行中のもの、あるいは未だ実行されていないものに関する情報（校正・診断進行情報）が記憶される。また校正・診断完了情報および校正・診断進行情報は、コントローラ１１０によって順次更新される。
【００２４】
計測装置１００には、自己診断の機能に関する構成としてデータベース１３０が設けられている。このデータベース１３０は、モジュール／ユニット群１４０の構成に関する構成情報や、校正・診断の制限に関する制限情報、校正・診断を行う際の前提に関する前提情報、校正・診断に関する評価パラメータ等が記憶されている。このうち構成情報には、モジュール／ユニット群１４０のうち、例えば接続関係や位置関係等の構成に関する情報が含まれている。また制限情報には、例えば設定不可能な校正・診断項目の順序や、同時に実行が不可である校正・診断項目の情報が含まれている。また前提情報には、校正・診断を行う際の前提条件（因果関係）に関する情報が含まれている。そして評価パラメータには、校正・診断の実行時間や精度、優先度等のユーザにより入力されたパラメータが含まれている。
【００２５】
図４（ａ）は、各校正・診断項目について評価パラメータを設定した例を示す。評価パラメータは、各項目（図中ＣＡＬ  Ａ，ＣＡＬ  Ｂ・・・ＤＩＡＧ  Ａ，ＤＩＡＧ  Ｂ・・・等）ごとに「実行時間」、「精度」、「優先度」、「簡易／詳細テストの別」を設定することができる。このうち「実行時間」は、校正・診断処理を実際に実行する時間の長さであり、「精度」は校正・診断をどの程度まで厳格な基準で行うべきかを定めた尺度であり、「優先度」は校正・診断項目ごとの重要性を定めたものである。また「簡易／詳細テストの別」は、各校正・診断項目の処理を簡易的に実行するか、詳細まで実行するかを定めたものである。
【００２６】
図４（ｂ）は、評価パラメータとして設定された数値の意味を示す。評価パラメータは、例えばユーザにより予め設定されており、このうち「実行時間」のパラメータは「１」〜「５」の数値に応じて「短い」〜「長い」に対応する。また、精度のパラメータは「１」〜「５」の数値に応じて「低い」〜「高い」に対応し、優先度のパラメータは「１」〜「５」、「０」の数値に応じて「高い」〜「低い」、「実施しない」に対応する。
【００２７】
続いて、コントローラ１１０が行う校正・診断項目の順序の設定について、図２に示すフローチャートを用いて説明する。
【００２８】
ステップＳ２０１：コントローラ１１０は、データベース１３０にアクセスし、各種の情報を取得する。ここでは、例えば上記の構成情報、制限情報、前提情報および評価パラメータを取得するものとする。
【００２９】
ステップＳ２０２：コントローラ１１０は、データベース１３０から取得した構成情報、制限情報を参照して、各モジュール／ユニット（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３・・・）の間の接続関係や位置関係を把握する。そしてコントローラ１１０は、互いに並列に校正または診断を行うことがそれぞれのモジュールまたはユニットの動作の阻害条件とならず、同時に校正・診断処理を行っても互いに影響が無いモジュール／ユニット同士を検出する。このため、コントローラ１１０は、検出手段としての機能を有する。
【００３０】
例えば、モジュール／ユニット群１４０に含まれるモジュール／ユニットＰ２，Ｐ３同士が互いに並列に校正または診断を行うことがそれぞれのモジュールまたはユニットの動作の阻害条件とならず、これらが同時に校正・診断処理を行っても互いに影響が無い状態であるとする。この場合には、モジュール／ユニットＰ２，Ｐ３について校正・診断処理を並列に実行可能なものとして検出する。
【００３１】
ステップＳ２０３：コントローラ１１０は、制限情報、前提情報に含まれる制限や前提を満たすようにして各モジュール／ユニットに対する校正・診断の処理の順序を設定する。例えば、同一のモジュール／ユニットに対する校正・診断の複数の処理を禁止する制限が制限情報に含まれている場合には、この制限を満たすように、同一のモジュール／ユニットに対する校正・診断の複数の処理を並列に実行しないように順序を変更する。このため、コントローラ１１０は、並列設定手段としての機能を有する。
【００３２】
また、例えば前提（制約事項）として以下のものがある場合を考える。図３は、下記の（１）〜（７）の前提を満たすように順序を設定した場合のフローチャートである。
【００３３】
（１）「モジュール／ユニットＰ１の項目Ｂの校正はモジュール／ユニットＰ１の項目Ａの校正の完了が前提」
（２）「モジュール／ユニットＰ２の項目Ｃの校正はモジュール／ユニットＰ１の項目Ａ，Ｂの校正の完了が前提」
（３）「モジュール／ユニットＰ３の項目Ｄの校正はモジュール／ユニットＰ２の項目Ｃの校正の完了が前提」
（４）「モジュール／ユニットＰ１の項目Ａ，Ｂの診断はモジュール／ユニットＰ１の項目Ａ，Ｂの校正の完了が前提」
（５）「モジュール／ユニットＰ２の項目Ｃの診断はモジュール／ユニットＰ２の項目Ｃの校正の完了が前提」
（６）「モジュール／ユニットＰ３の項目Ｄの診断はモジュール／ユニットＰ２の項目Ｃとモジュール／ユニットＰ３の項目Ｄの校正の完了が前提」
（７）「モジュール／ユニットＰ３の項目Ｅの診断はモジュール／ユニットＰ３の項目Ｄの校正の完了が前提」
【００３４】
更にコントローラ１１０は、例えば、ステップＳ２０２においてモジュール／ユニットＰ２，Ｐ３を校正・診断の処理を並列に実行可能なモジュール／ユニットとして検出した場合には、図３の校正・診断プロセスのフローに示すように、これらのモジュール／ユニットＰ２，Ｐ３に対する校正・診断の処理を並列して実行するように順序を設定する。
【００３５】
ステップＳ２０４：そしてコントローラ１１０は、ステップＳ２０３において設定した最適な順序に従って各モジュール／ユニットに対して校正・診断の処理を行う。
【００３６】
例えば、図３に示されているように、コントローラ１１０はモジュール／ユニットＰ１に対して、例えば温度特性や環境特性等の項目Ａの校正を行う校正プロセス「ＣＡＬ  Ａ」を実行し、その後、項目Ｂの校正を行う校正プロセス「ＣＡＬ  Ｂ」と並列して、校正結果表示プロセス「ＣＡＬ  Ａ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」を実行し校正の結果をディスプレイ等によってユーザに表示する。
【００３７】
また、モジュール／ユニットＰ２に対して、項目Ｃの校正を行う校正プロセス「ＣＡＬ  Ｃ」と並列して、校正結果表示プロセス「ＣＡＬ  Ｂ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」を実行し、校正の結果をディスプレイ等によってユーザに表示する。その後、モジュール／ユニットＰ１に対して、項目Ａ，Ｂの診断を行う診断プロセス「ＤＩＡＧ  Ａ／Ｂ」と並列して、校正結果表示プロセス「ＣＡＬ  Ｃ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」を実行し校正の結果をディスプレイ等によってユーザに表示する。
【００３８】
次にコントローラ１１０は、診断結果表示プロセス「ＤＩＡＧ  Ａ／Ｂ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」を実行し、診断の結果をディスプレイ等によってユーザに表示するとともに、モジュール／ユニットＰ２，Ｐ３に対する校正・診断の処理を並列して実行する。
【００３９】
このとき、コントローラ１１０はモジュール／ユニットＰ２，Ｐ３の校正・診断の処理を並列して実行するように順序を設定しているため、モジュール／ユニットＰ２に対して項目Ｃの診断を行う診断プロセス「ＤＩＡＧ  Ｃ」と並列して、モジュール／ユニットＰ３に対して項目Ｄの校正を行う校正プロセス「ＣＡＬ  Ｄ」を実行する。
【００４０】
そしてコントローラ１１０は、診断結果表示プロセス「ＤＩＡＧ  Ｃ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」を実行し、診断の結果をディスプレイ等によってユーザに表示する。その後、コントローラ１１０は、モジュール／ユニットＰ３に対して項目Ｄの診断を行う診断プロセス「ＤＩＡＧ  Ｄ」と並列して、校正結果表示プロセス「ＣＡＬ  Ｄ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」を実行し、校正の結果をディスプレイ等によってユーザに表示する。
【００４１】
次にコントローラ１１０は、モジュール／ユニットＰ３に対して項目Ｅの診断を行う診断プロセス「ＤＩＡＧ  Ｅ」と並列して、診断結果表示プロセス「ＤＩＡＧ  Ｄ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」を実行し、診断の結果をディスプレイ等によってユーザに表示する。その後、診断結果表示プロセス「ＤＩＡＧ  Ｅ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ」を実行し、診断の結果をディスプレイ等によってユーザに表示する。このようにして、図３の校正・診断プロセスのフローに示すように、最適な順序に従って各モジュール／ユニットに対して校正・診断の処理を行う。
【００４２】
なおコントローラ１１０は、上記のステップＳ２０３で評価パラメータを参照してもよい。この場合、各評価パラメータの数値に応じて各モジュール／ユニットに対する校正・診断の処理の順序を設定することができる。例えば、図３の校正・診断プロセスのフローに示すように、「ＣＡＬ  Ａ」、「ＣＡＬ  Ｂ」等の優先度が「１」となっている場合には、これらの処理を優先して実行するように順序を設定することができる。
【００４３】
あるいは、順序決定の評価パラメータを「実行時間」とすると、コントローラ１１０はデータベース１３０や実行処理記憶装置１２０の各種情報と合わせて、実行時間が最適（最短）となるように順次処理および並行処理の順序を設定する。このような評価パラメータは、ユーザが任意に設定することができ、設定された内容はデータベース１３０に記憶される。
【００４４】
次に図５は、各評価パラメータに対して付加された優先順位を示す説明図である。図５に示すように、各パラメータに対して優先順位が付加されている場合、コントローラ１１０はこれらの優先順位の数値を把握して、各パラメータの数値に応じて順序を設定することができる。
【００４５】
また図６は、各評価パラメータに対して付加された重み付け値を示す説明図である。図６に示すように、各パラメータに対して重み付け値が付加されている場合、コントローラ１１０は、以下に示す評価関数Ｆの式を用いて、評価関数の数値の大きさに応じて各パラメータの数値を優先し順序を変更する。
Ｆ（校正・診断処理）＝Σ（重み付け値×パラメータ）
この式に各パラメータの数値を代入して算出すると、Ｆ（ＣＡＬ  Ａ）＝１０，Ｆ（ＣＡＬ  Ｂ）＝６等となり、これらの評価関数の数値を把握して、各パラメータの数値に応じて順序を設定することができる。
【００４６】
以上のように計測装置１００の自己診断においては、同時に処理を行っても互いに影響が無いモジュール／ユニット同士に対して校正・診断の処理を並列に実行する。また、モジュール／ユニットに対して校正・診断を行っている間に他の校正・診断の結果をディスプレイ等によってユーザに表示することにより、各モジュール／ユニットの間の構成関係や因果関係を考慮した最適な順序で実行するので、予めユーザ等により設定された固定の順序で実行する場合と比較して、効率的に校正・診断を行うことが可能となる。特に、互いに影響が無いモジュール／ユニット同士に対する校正・診断の処理を並列に実行するので、校正・診断の項目やモジュール／ユニットが多くなっていくことに伴ってより効率的に行うことが可能となる。
【００４７】
この点、従来技術では、図１１の校正・診断プロセスのフローに示すように、モジュール／ユニットＰ１，Ｐ２，Ｐ３に対する校正・診断の処理時間が３６分と長時間である。これに対し、第１実施形態の計測装置１００では図３の校正・診断プロセスのフローに示すように、処理時間が例えば２６分に短縮されており、効率的に校正・診断を行うことが可能である。
【００４８】
〔第２実施形態〕
図７は、本発明を半導体試験装置１５０に適用した場合の構成を示す説明図である。この半導体試験装置１５０では、第１実施形態における計測装置１００のモジュール／ユニット群１４０の代わりにモジュール／ユニット群１５４を備えている。モジュール／ユニット群１５４には、各モジュール／ユニットとしてＰＭＵ（ＤＣ印加／測定部）１・・・ＰＭＵｍ，ＰＥ（ピンエレクトロニクス部）１・・・ＰＥｎ，ＰＧ（パターン生成部）、ＦＭ（フェイルメモリ部）等が含まれている。
【００４９】
半導体試験装置１５０に適用した場合、コントローラ１５１および実行処理記憶装置１５２は、例えば装置内のテスタコントロールユニット内に設けられている。またデータベース１５３は、半導体試験装置１５０に接続されたワークステーション内に構築することができる。なお、これらコントローラ１５１、実行処理記憶装置１５２およびデータベース１５３は、第１実施形態におけるコントローラ１１０、実行処理記憶装置１２０、データベース１３０と基本的に同様であるため、ここでは重複した説明を省略する。
【００５０】
半導体試験装置１５０においても、ユーザがキーボードやマウス等を操作して各実行時間、精度、優先度等の評価パラメータの数値を設定してデータベース１５３に記憶させることができる。そしてコントローラ１５１は、構成情報、制限情報を参照して、モジュール／ユニット群１５４に含まれるＰＭＵ１，ＰＥ１，ＰＧ，ＦＭ等の中から同時に処理を行っても互いに影響が無いモジュール／ユニット同士を検出する。
【００５１】
そしてコントローラ１５１は、構成情報、制限情報、前提情報、評価パラメータに基づいて各モジュール／ユニット（ＰＭＵ１，ＰＥ１，ＰＧ，ＦＭ等）に対して校正・診断を行うための最適な順序を設定する。このときコントローラ１５１は、校正・診断項目が互いに因果関係を持たないモジュール／ユニット同士の校正・診断を並列に実行するように順序を設定する。
【００５２】
例えば、ＰＥ１，ＰＧ，ＰＭＵ２・・・等のモジュール／ユニット同士が並列に校正・診断を実行可能なものであるとする。この場合、図８の校正・診断プロセスのフローに示すように、コントローラ１５１はＰＥ１とＰＧ，ＰＭＵ２・・・等のモジュール／ユニット同士に対する校正・診断の処理を並列して実行するように順序を設定する。その他、第１実施形態と同様に評価パラメータを参照して順序を設定することもできる。なおコントローラ１５１は、最後に全てのモジュール／ユニット（ＰＭＵ１，・・・ＰＭＵｍ，ＰＥ１，・・・ＰＥｎ，ＰＧ，ＦＭ等）の校正・診断結果を表示する処理「ＤＩＡＧ  ＡＬＬ  ＲＥＳＵＬＴ／ＤＩＳＰ．」を実行して校正・診断処理プロセスを終了する。
【００５３】
〔他の実施の形態〕
上述の実施の形態において、図９に示すように、データベース１３０，１５３に加えて過去の校正・診断の処理での実行時間、実行結果の履歴、校正・診断の各処理と各モジュール／ユニットの相関情報を記憶したデータベース１６０を追加してもよい。この場合には、構成情報、制限情報、前提情報、評価パラメータに加えて、これらの過去の校正・診断の処理での実行時間、実行結果の履歴、校正・診断の各処理と各モジュール／ユニットの相関情報に基づいて、各モジュール／ユニットに対して校正・診断を行うための最適な順序を設定する。このような構成により、校正・診断の実行時間、実行結果の履歴等の情報を処理の回数毎に蓄積していき、より最適な順序を設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】計測装置の構成を示す説明図である。
【図２】校正・診断項目の順序を設定する手順を示すフローチャートである。
【図３】校正・診断プロセスのフローを示す説明図である。
【図４】評価パラメータの例を示す説明図である。
【図５】評価パラメータに優先順位を付加した例を示す説明図である。
【図６】評価パラメータに重み付け値を付加した例を示す説明図である。
【図７】半導体試験装置の構成を示す説明図である。
【図８】校正・診断プロセスのフローを示す説明図である。
【図９】他の実施形態の計測装置または半導体試験装置のデータベースの構成を示す説明図である。
【図１０】従来技術の構成を示す説明図である。
【図１１】従来技術の校正・診断プロセスのフローを示す説明図である。
【符号の説明】
【００５５】
１００    計測装置
１５０    半導体試験装置
１１０，１５１，２１０    コントローラ
１２０，１５２，２２０    実行処理記憶装置
１３０，１５３，１６０，２３０    データベース
１４０，１５４，２４０    モジュール／ユニット群
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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