(57)【要約】【課題】ＩＣチップをＡＣＦによって固定した場合に、バンプ間の絶縁性を高めることができるＩＣチップを提供する。【解決手段】ＩＣチップ１２の底面に千鳥状に配置されたバンプ１４において、第１列のバンプ１４と第２列のバンプ１４との間に間隙を設け、この間隙ＡがＡＣＦ１８に含まれる導電性粒子２０の直径の２倍以上である。【選択図】      図１
2008258494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップ本体の底面に複数のバンプが形成されたＩＣチップであって、異方性導電膜によって前記バンプのそれぞれが端子に接続されるＩＣチップおいて、
前記複数のバンプが横方向に一直線状に配列され、縦方向に少なくとも２列配列され、かつ、第１の列において隣接する前記バンプの間に第２の列の前記バンプが配置された千鳥状配置であり、
前記第１の列のバンプと前記第２の列のバンプの間に間隙が形成され、
前記間隙が前記異方性導電膜に含まれる導電性粒子の直径の２倍以上である、
ＩＣチップ。
【請求項２】
前記間隙が６μｍ以上である、
請求項１記載のＩＣチップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置等に取り付けられるＩＣチップに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の液晶パネルの表面には、ソースドライバーやゲートドライバーの機能を果たすＩＣチップが取り付けられている。この接続方法は、液晶パネルを構成するガラス基板上に千鳥状に端子が配置され、ＩＣチップの底面にも千鳥状にバンプが配置され、バンプと端子を異方性導電膜（以下、ＡＣＦという）によって物理的、かつ、電気的に接続している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−２９３５２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
図６はＩＣチップ１００のＩＣチップ本体１０４の底面を拡大した図面であり、バンプ１０２が千鳥状に配列されている。
【０００４】
このような従来のＩＣチップ１００において、各バンプ１０２の間にＡＣＦの導電性粒子が存在して絶縁性が低くなるという問題点があった。
【０００５】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、ＩＣチップをＡＣＦによって固定した場合に、バンプ間の絶縁性を高めることができるＩＣチップを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、ＩＣチップ本体の底面に複数のバンプが形成されたＩＣチップであって、異方性導電膜によって前記バンプのそれぞれが端子に接続されるＩＣチップおいて、
前記複数のバンプが横方向に一直線状に配列され、縦方向に少なくとも２列配列され、かつ、第１の列において隣接する前記バンプの間に第２の列の前記バンプが配置された千鳥状配置であり、前記第１の列のバンプと前記第２の列のバンプの間に間隙が形成され、前記間隙が前記異方性導電膜に含まれる導電性粒子の直径の２倍以上である、ＩＣチップである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ＡＣＦによって固定しても、ＩＣチップのバンプ間の絶縁性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の一実施形態のＩＣチップ１０について図１〜図５に基づいて説明する。
【０００９】
（１）ＩＣチップ１０の構成
本実施形態のＩＣチップ１０は、液晶パネルに取り付けられるドライバーＩＣであって、図１に示すように図１及び図２に示すように、ＩＣチップ本体１２は直方体状であって、その底面に複数のバンプ１４が設けられている。即ち、ＩＣチップ本体１２の底面において、一方の側辺に沿って千鳥状のバンプ１４ａ、ｂが配列され、他方の側辺に沿って１列にバンプ１４ｃが配置されている。この千鳥状に配置されたバンプ１４については後から詳しく説明する。
【００１０】
液晶パネルのガラス基板２２上にも、このＩＣチップ１０のバンプ１４の配置に対応するように端子１６が設けられている。例えば、前記した千鳥状のバンプ１４ａ、ｂに対応して、図２に示すように千鳥状に端子１６が配置されている。
【００１１】
（２）バンプ１４の配置
次に、千鳥状に配置されたバンプ１４ａ、ｂ、ｃについて詳しく説明する。
【００１２】
これらバンプ１４ａ、ｂは、横方向に沿って１列に配置され、縦方向に２列配置されている。そして、第１列において隣接するバンプ１４ａ，１４ａの間に第２列のバンプ１４ｂが配置されている。さらに、第１列のバンプ１４ａと第２列のバンプ１４ｂとの間には間隙Ａが設けられている。この間隙Ａとしては、後から説明するようにＡＣＦ１８に含まれる導電性粒子２０の直径の２倍に設定されている。
【００１３】
ＩＣチップ１０のバンプ１４ａ、ｂ、ｃと、端子１６とはＡＣＦ１８によって固定される。
【００１４】
（３）間隙Ａを設けた理由
上記のように第１列のバンプ１４ａと第２列のバンプ１４ｂとの間隙Ａを導電性粒子２０の直径の２倍にした理由について説明する。
【００１５】
背景技術で説明したように、千鳥状に配置されたバンプ１０２においては、各バンプ１０２，１０２間の絶縁性が低くなるという問題点があった。この理由について色々な実験を重ねた結果、第１列のバンプ１０２と第２列のバンプ１０２の間隙が０か若しくは小さいと、導電性粒子２０の移動量が少なくバンプ１０２，１０２間を絶縁し難いことが判明した。
【００１６】
その状態について図４に基づいて説明する。
【００１７】
図４（ａ）はＡＣＦ１８によってＩＣチップ１０，１００を仮付け状態した底面図であり、（ｂ）は本実施形態のＩＣチップ１０を本圧着した状態の底面図であり、（ｃ）は従来のＩＣチップ１００を本圧着した状態の底面図である。
【００１８】
この図が示すように仮付け状態において導電性粒子２０が存在し、本圧着をすると、従来のＩＣチップ１００では、導電性粒子２０の移動量が少なく、バンプ１０２間を電気的に接続する状態が起こる。一方、本実施形態のＩＣチップ１０であると、間隙Ａが存在するため、導電性粒子２０の移動量が大きく、バンプ１４ａ、ｂの間を導通させたりすることがない。
【００１９】
図５が、間隙Ａを横軸に、縦軸に導電性粒子２０の移動量を表したものであり、Ａが０〜２μｍの間は従来のＩＣチップ１００を示し、６μｍ以上が本実施形態のＩＣチップ１０を示している。尚、導電性粒子の直径は３μｍとする。
【００２０】
このグラフが示すように、４μｍ以上間隙Ａが存在すると導電性粒子の移動量が８０μｍ近くになり、絶縁性を確保することができる。そのため、絶縁性の安全を見て導電性粒子２０の直径の２倍（６μｍ）以上、バンプ１４の間を離すと、移動量が確実に大きくなり、その絶縁性を確保することができる。
【００２１】
以上のように本実施形態のＩＣチップ１０であると、ＡＣＦ１８によってＩＣチップ１０を端子１６に固定した場合でも、各バンプ１４の間の絶縁性を確実に確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】（ａ）はＩＣチップの底面図であり、（ｂ）はその一部拡大図である。
【図２】端子の拡大平面図である。
【図３】ＩＣチップを端子に取り付けようとする状態の縦断面図である。
【図４】本実施形態と従来のＩＣチップを仮付け状態から本圧着した状態を示す説明図である。
【図５】導電性粒子の移動量と間隙Ａとの関係を示したグラフである。
【図６】従来のＩＣチップの底面図である。
【符号の説明】
【００２３】
１０  ＩＣチップ
１２  ＩＣチップ本体
１４  バンプ
１６  端子
１８  ＡＣＦ
２０  導電性粒子
【図１】
2008258494.tif 000003
【図２】
2008258494.tif 000004
【図３】
2008258494.tif 000005
【図４】
2008258494.tif 000006
【図５】
2008258494.tif 000007
【図６】
2008258494.tif 000008