(57)【要約】      （修正有）【課題】導電層と樹脂基板との接着力を維持することで、導電層と樹脂基板との剥離を抑制することが可能な配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】未硬化の樹脂基板２１と、表面が凹凸状の押圧部材２２を準備する工程と、樹脂基板２１の一主面に、押圧部材２２の表面を押圧し、樹脂基板２１の一主面に凹凸２３を形成する工程と、樹脂基板２１に対し押圧部材２２を押圧した状態で、樹脂基板２１に熱を加えて、樹脂基板２１を硬化する工程と、押圧部材２２を樹脂基板２１の一主面から取り除く工程と、樹脂基板２１の一主面に形成された前記凹凸２３に沿って導電層３を形成する工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。【選択図】図３
2008300382.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未硬化の樹脂基板と、表面が凹凸状の押圧部材を準備する工程と、
前記樹脂基板の一主面に、前記押圧部材の表面を押圧し、前記樹脂基板の一主面に凹凸を形成する工程と、
前記樹脂基板に対し前記押圧部材を押圧した状態で、前記樹脂基板に熱を加えて、前記樹脂基板を硬化する工程と、
前記押圧部材を前記樹脂基板の一主面から取り除く工程と、
前記樹脂基板の一主面に形成された前記凹凸に沿って導電層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記樹脂基板の一主面に凹凸を形成する工程は、前記樹脂基板に熱を加えて、前記樹脂基板の一主面を溶かし、前記樹脂基板の一主面を前記押圧部材の表面に接着させることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の配線基板の製造方法において、
前記押圧部材は、エッチングされて前記樹脂基板の一主面から除去されるとともに、前記樹脂基板の一主面が露出されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記樹脂基板の一主面に形成される前記凹凸の最大高さ（Ｒｚ）は、０．２μｍ以上、３．０μｍ以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記押圧部材を前記樹脂基板に向って押圧する圧力は、０．５ＭＰａ以上、５．０ＭＰａ以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記樹脂基板を硬化させる熱の温度は、１６０℃以上、２５０℃以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項２に記載の配線基板の製造方法において、
前記樹脂基板の一主面を溶かす熱の温度は、１００℃以上、１５０℃以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記押圧部材は、酸化亜鉛から成るとともに、前記樹脂基板は、熱硬化性樹脂から成ることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記樹脂基板の一主面には、前記導電層が形成された配線領域と、前記凹凸が露出した露出領域が存在し、
さらに、前記配線領域及び前記露出領域にかけて絶縁層を形成する工程を、備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体素子を実装する、樹脂基板を備えた配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子を実装することが可能な配線基板が知られている。近年では、電子部品の小型軽量化を目的として、配線基板の配線パターンを微細にすることが求められている。かかる配線基板は、樹脂基板と、樹脂基板の一主面及び他主面に形成される導電層と、を含んで構成されている。
【０００３】
配線パターンとしての導電層を微細にすると、樹脂基板と導電層との接触面積が小さくなり、両者の接着力が低下して、導電層が樹脂基板から剥離しやすくなる。そこで、配線パターンとしての導電層を微細にするために、硬化した樹脂基板の一主面及び他主面に対して、例えば過マンガン酸と炭酸ナトリウムとの混合液を浸透し、樹脂基板の一主面及び他主面を溶かして凹凸を形成し、さらにその凹凸上に導電層を形成することで、両者の接着力を保つ方法がある（下記特許文献１参照）。
【０００４】
なお、過マンガン酸と炭酸ナトリウムとの混合液を浸透する方法で凹凸を形成すると、その凹凸の最大高さ（Ｒｚ）は、３．０μｍより大きく、例えば５μｍ程度となる。
【特許文献１】特開２００２−１２４７５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上述した特許文献１に記載の配線基板の製造方法では、混合液の濃度を均一にすることが難しく、樹脂基板の一主面及び他主面の溶ける領域が疎らになって、凹凸の形成されにくい領域が発生することがある。また、この製造方法では、凹凸の最大高さを小さく抑えることも難しい。そのため、凹凸の少ない領域に導電層を形成すると、導電層と樹脂基板との接着力を大きくすることができず、導電層が樹脂基板から剥離しやすい。また、凹凸の最大高さが大きい領域に導電層を形成しても、導電層と樹脂基板との間に隙間が出来やすく、この場合も導電層が樹脂基板から剥離しやすい。そして、両者の剥離が起きると、配線基板の電気的接続が不安定になってしまうという問題がある。
【０００６】
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、導電層と樹脂基板との接着力を維持することで、導電層と樹脂基板との剥離を抑制することが可能な配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明の配線基板の製造方法は、未硬化の樹脂基板と、表面が凹凸状の押圧部材を準備する工程と、前記樹脂基板の一主面に、前記押圧部材の表面を押圧し、前記樹脂基板の一主面に凹凸を形成する工程と、前記樹脂基板に対し前記押圧部材を押圧した状態で、前記樹脂基板に熱を加えて、前記樹脂基板を硬化する工程と、前記押圧部材を前記樹脂基板の一主面から取り除く工程と、前記樹脂基板の一主面に形成された前記凹凸に沿って導電層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記樹脂基板の一主面に凹凸を形成する工程が、前記樹脂基板に熱を加えて、前記樹脂基板の一主面を溶かし、前記樹脂基板の一主面を前記押圧部材の表面に接着させることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記押圧部材が、エッチングされて前記樹脂基板の一主面から除去されるとともに、前記樹脂基板の一主面が露出されることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記樹脂基板の一主面に形成される前記凹凸の最大高さ（Ｒｚ）が、０．２μｍ以上、３．０μｍ以下であることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記押圧部材を前記樹脂基板に向って押圧する圧力が、０．５ＭＰａ以上、５．０ＭＰａ以下であることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記樹脂基板を硬化させる熱の温度が、１６０℃以上、２５０℃以下であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記樹脂基板の一主面を溶かす熱の温度が、１００℃以上、１５０℃以下であることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記押圧部材が、酸化亜鉛から成るとともに、前記樹脂基板が、熱硬化性樹脂から成ることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記樹脂基板の一主面に、前記導電層が形成された配線領域と、前記凹凸が露出した露出領域が存在し、さらに、前記配線領域及び前記露出領域にかけて絶縁層を形成する工程を、備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、導電層と樹脂基板との剥離を抑制し、配線基板の電気的接続を安定に維持することが可能な配線基板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明にかかる配線基板の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。かかる配線基板は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。
【００１８】
図１は本実施形態に係る配線基板の平面図、図２は本実施形態に係る配線基板の断面図である。
【００１９】
本実施形態に係る配線基板１は、コア基板２と、コア基板２の一主面及び他主面に形成される導電層３と、絶縁層４と、を含んで構成されている。なお、配線基板１には、半田等のバンプ５を介してＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子６が実装される。
【００２０】
コア基板２は、例えばガラス繊維、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂又は全芳香族ポリアミド樹脂等を縦横に織り込んだ基材Ｆに、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたシートを積層して固化することによって作製される。なかでもポリパレフェにレンベンズビスオキサゾール樹脂を使用することが望ましい。ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂は、熱膨張率が低く、このような低熱膨張樹脂を使用することによって、コア基板２自体の熱膨張を抑制することができる。
【００２１】
また、コア基板２は基材を用いずに樹脂から作製することもできる。かかる樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂又はポリフェニレンエーテル樹脂等を用いることができる。
【００２２】
コア基板２には、コア基板２を上下方向に貫通するスルーホール７が形成されている。かかるスルーホール７の内壁面には、導電性を有する銅めっき等からなるスルーホール導体８が形成されている。また、スルーホール７には、コア基板２の平坦性を良好にするために絶縁性の樹脂からなる絶縁体９が充填されている。なお、スルーホール導体８は、コア基板２の主面又は他主面に形成された導電層３同士を電気的に接続している。また、絶縁体９をスルーホール７に充填することによって、スルーホール７の直上又は直下に後述するビア導体１０を形成することができ、配線基板１の小型化に寄与することができる。
【００２３】
さらに、コア基板２の一主面及び他主面には、凹凸が形成されている。かかる凹凸は、一主面が凹凸状の基板、例えば酸化亜鉛から成る基板をコア基板２の一主面及び他主面に貼り合わせて、押圧することで形成することができる。また、コア基板２の一主面及び他主面は、ＪＩＳＢ０６０１−２００１に準ずる最大高さ（Ｒｚ）が、０．２μｍ以上、３．０μｍ以下に設定されていることが好ましい。
【００２４】
かかる最大高さ（Ｒｚ）を０．２μｍ以上にすることで、コア基板２の一主面及び他主面と、導電層３との接触面積を十分に大きくすることができ、両者の接着力を維持することができる。その結果、導電層３がコア基板２から剥離するのを効果的に抑制することができる。一方、凹凸の最大高さ（Ｒｚ）が、３．０μｍを超えると、導電層３とコア基板２との間に隙間が出来やすく、かえって導電層３がコア基板２から剥離しやすくなってしまう。そのため、凹凸の最大高さ（Ｒｚ）を３．０μｍ以下にすることで、導電層３とコア基板２との間に隙間が出来るのを抑制しつつ、両者の接触面積を大きくすることで、両者の接着力を効果的に維持することができる。
【００２５】
導電層３は、所定の電気信号を伝達する機能を備えたライン状の信号線路３ａと、半導体素子６に接続される電源電位を共通の電位、例えばアース電位にする機能を備えた平板状のグランド層３ｂとを含んでいる。また、信号線路３ａは、グランド層３ｂに対して、絶縁層４を介して対向するように配置されている。また、導電層３は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料からなる。
【００２６】
絶縁層４は、フィルム層４ａと接着層４ｂとを上下に積層して形成されている。また、絶縁層４には、その上下方向を貫くビア導体１０が形成されている。かかるビア導体１０は、上下位置の異なる導電層３同士を電気的に接続するためのものである。かかるビア導体１０は、コア基板２の一主面側から配線基板１の一主面側（コア基板２の他主面側から配線基板１の他主面側）に向けて幅広な逆テーパー状に形成されており、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料からなる。
【００２７】
フィルム層４ａは、絶縁層４の厚み寸法を所定の値に近づけ、平坦性を確保するために、精密に厚さが制御されている。また、フィルム層４ａは、印加される温度や圧力によってフィルム層４ａの厚み寸法が変化するのを防止するために、耐熱性と硬さに優れた特性の材料であることが望ましい。この様な特性を有するフィルム層４ａとしては、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂のうち少なくともいずれか一つを用いることができる。なお、フィルム層４ａは、フィルム層４ａの強度を保持するために、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂とポリイミド樹脂の混合樹脂であることが望ましい。また、フィルム層４ａの厚み寸法は、例えば１μｍから１０μｍとなるように設定されている。
【００２８】
また、フィルム層４ａの一主面であって、導電層３が形成される表面には、コア基板２と同様の凹凸が形成されている。なお、かかる凹凸は、コア基板２に形成される凹凸と同様の理由より、最大高さ（Ｒｚ）が、０．２μｍ以上、３．０μｍ以下に設定されていることが好ましい。
【００２９】
接着層４ｂは、フィルム層４ａをコア基板２又は導電層３に対して固着させるためのものであって、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂等の接着剤が使用される。なお、かかる接着剤は、硬化後に接着層４ｂとなる。熱硬化性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂のうち少なくともいずれか一つを使用することができる。熱可塑性樹脂としては、半田リフロー時の加熱に耐える耐熱性を有する必要があることから、構成する材料の軟化温度が２００℃以上であることが望ましく、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂又はポリフェニレンエーテル樹脂等を使用することができる。
【００３０】
接着剤は、フィルム層４ａに被着した状態で、コア基板２及び導電層３に対して貼り合わされる。そして、接着剤を、例えば加熱プレス装置を用いて加熱しながら加圧した後、冷却することによって硬化する。また、接着層４ｂは、厚み寸法が例えば１μｍから１０μｍとなるように設定されている。
【００３１】
なお、半導体素子６には、絶縁層４の熱膨張率と近似する材料が使用され、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等を用いることができる。なお、半導体素子６の厚み寸法は、例えば０．１ｍｍから１ｍｍのものを使用することができる。
【００３２】
以下に、上述した配線基板１の製造方法について図３乃至図５を用いて説明する。
【００３３】
まず、未硬化の樹脂基板２１と、表面が凹凸状の押圧部材２２を準備する。かかる樹脂基板２１は、本実施の形態に係るコア基板２を構成するものである。
【００３４】
樹脂基板２１は、基材に熱硬化性樹脂を含浸させたシートを複数層積層したものである。かかる樹脂基板２１の一主面及び他主面は、平坦に形成されている。その平坦な表面の最大高さ（Ｒｚ）が、例えば０．１μｍ以下のものをいう。このように、一主面が平坦な樹脂基板２１を使用することで、後述するように、表面の最大高さ（Ｒｚ）が大きい押圧部材２２の凹凸を、樹脂基板２１の一主面に転写することができる。
【００３５】
押圧部材２２は、板体であって、銅箔２２ａの表面に無電界めっき法を用いて、凹凸を有するめっき層２２ｂを形成したものである。押圧部材２２の具体的な製造方法は、まず、硝酸亜鉛と純水とを混合した混合水を用意し、その混合水にジメチルアミノボランからなる添加物を添加して、水溶液を準備する。このとき、水溶液の濃度は、亜鉛濃度で例えば０．０３ｍｏｌ％から０．０５ｍｏｌ％であって、ジメチルアミノボランは、０．００５重量％から０．０２重量％添加されている。次に、この水溶液を例えば６５℃から９５℃に加熱し、銅箔２２ａを例えば１５分から１２０分浸漬することで、銅箔２２ａの表面に凹凸を有する酸化亜鉛からなるめっき層２２ｂを形成することができる。めっき層２２ｂは、上記した条件にて、時間をかけて膜成長することで、銅箔２２ａの表面に均一に凹凸を形成することができる。このようにして、表面が凹凸状の押圧部材２２を作製することができる。
【００３６】
かかる凹凸は、最大高さ（Ｒｚ）が、０．２μｍ以上、３．０μｍ以下に設定されている。なお、添加物は、ジメチルアミノボランに代えて、例えばホウ酸水素ナトリウム等の硝酸亜鉛を還元して金属を析出させる還元剤を用いることができる。
【００３７】
また、準備する押圧部材２２は、樹脂基板２１の全面に凹凸２３を形成するために、樹脂基板２１を完全に覆ってしまう大きさのものであることが好ましい。
【００３８】
次に、図３（ａ）に示すように、樹脂基板２１に対して押圧部材２２を対向配置する。
【００３９】
そして、図３（ｂ）に示すように、樹脂基板２１の一主面に、押圧部材２２の一主面を貼り合わせて、下記の条件（温度条件、圧力条件）にて、押圧部材２２を樹脂基板２１に向って押圧し、樹脂基板２１の一主面に凹凸を形成する。
【００４０】
温度条件は、具体的には、樹脂基板２１の一主面に対し押圧部材２２の凹凸側であるめっき層２２ｂを貼り合わせ、樹脂基板２１及び押圧部材２２に、１００℃以上、１５０℃以下の熱を加えることが好ましい。樹脂基板２１及び押圧部材２２に、１００℃以上の熱を印可することで、樹脂基板２１の表面を溶かし、樹脂基板２１を押圧部材２２の凹凸に沿って接着させることができる。一方、樹脂基板２１及び押圧部材２２に、１５０℃を超える熱を加えると、樹脂基板２１の樹脂が硬化し始めるため、押圧部材２２を樹脂押圧部材２２に密着した状態で接着させることができない。そのため、樹脂基板２１及び押圧部材２２に１５０℃以下の熱を加えることで、樹脂基板２１と押圧部材２２との接着段階で、両者が接着する前に、樹脂押圧部材２２が硬化するのを抑制することができる。
【００４１】
また、圧力条件は、押圧部材２２を樹脂基板２１に向って、０．５ＭＰａ以上、５．０ＭＰａ以下の圧力を、樹脂基板２１の一主面全面に対し均一となるように押圧することが好ましい。なお、この条件を、真空雰囲気下で、例えば５分から１５分維持することで、樹脂基板２１と押圧部材２２とを密着させることができる。上記温度条件にて、圧力条件を０．５ＭＰａ以上とすることで、樹脂基板２１と押圧部材２２との間の隙間を十分に少なくして両者を密着させることができる。また、圧力条件を５．０ＭＰａ以下にすることで、押圧部材２２と樹脂基板２１との間から、樹脂基板２１の一部が樹脂基板２１の端部に向って流れ出るのを抑制することができる。
【００４２】
次に、樹脂基板２１を硬化させて、樹脂基板２１と押圧部材２２とを固定するために、樹脂基板２１及び押圧部材２２に、１６０℃以上、２５０℃以下の熱を加えることが好ましい。なお、熱を加える時間は、例えば４０分から９０分に設定されていれば、両者を十分に接着して固定することができる。
【００４３】
ここで、樹脂基板２１及び押圧部材２２に、１６０℃以上の熱を加えることで、樹脂基板２１を硬化させることができ、両者を固定することができる。また、樹脂基板２１及び押圧部材２２に、２５０℃を超える熱を加えると、樹脂基板２１及び押圧部材２２の熱膨張率の差が大きくなって、両者が剥離するおそれがある。そのため、樹脂基板２１及び押圧部材２２に、２５０℃以下の熱を加えることで、両者が剥離するのを抑制することができる。
【００４４】
次に、図３（ｃ）に示すように、押圧部材２２を樹脂基板２１の一主面から取り除く。
【００４５】
固定した押圧部材２２及び樹脂基板２１を、エッチング液に、例えば１分から５分浸すことで、樹脂基板２１から押圧部材２２を溶解除去する。押圧部材２２は、エッチングされて樹脂基板２１の一主面から除去されるとともに、樹脂基板２１の一主面が露出される。その結果、樹脂基板２１の一主面には、貼り合わせた押圧部材２２の一主面が転写されて、凹凸２３が形成される。ここで、エッチング液は、例えば、塩化第２鉄、塩化銅、塩酸、硫酸又は硝酸などの強酸又は弱酸水溶液であって、濃度は、例えば５％から２０％のものを用いることができる。
【００４６】
また、樹脂基板２１の他主面にも上述した工程を得て、凹凸２３を形成することができる。なお、樹脂基板２１は、厚み寸法が例えば０．３ｍｍから１．５ｍｍに設定されている。
【００４７】
ここで、過マンガン酸を主成分とする混合液を用いて、基板表面を溶かして、凹凸を形成する方法について説明し、本実施形態に係る発明と比較する。
【００４８】
基板表面を溶かし凹凸を形成する方法について説明する。基板には、基板を構成する材料が分離して、密になっている領域、粗になっている領域があるため、基板表面を溶かすと、基板表面に溶けにくい領域と、溶けやすい領域が発生してしまう。そのため、基板表面を溶かす方法では、基板表面に凹凸が疎らに形成されるとともに、基板表面の全面に凹凸を形成しようとすると、凹凸の最大高さを小さく抑えることが難しい。したがって、この基板表面の凹凸が小さい領域に導電層が形成されると、両者の接着力を良好に維持することが難しい。また、基板表面の凹凸が大きい領域に導電層が形成されると、両者の間に隙間が形成されやすく、両者が剥離しやすくなってしまう。また、基板表面を溶かす方法に用いられる混合液は、ペーハー（ｐH）が、例えば１３から１４のアルカリ性であって、例えば７０℃から８０℃に加熱して用いられる。樹脂は、酸性に耐性を有しているがアルカリ性に弱いため、基板表面に凹凸が形成されるものの、基板を構成する樹脂自体の強度が低下してしまい、基板が破壊されやすくなってしまう。このため、樹脂表面に凹凸が形成されアンカー効果が期待できる場合であっても、樹脂の強度が低下することから、樹脂の凸部が破壊され、樹脂と導電層を接着するアンカー効果が発揮されず、両者の接着力を良好に維持することができない。
【００４９】
一方、本実施形態に係る発明によれば、樹脂基板２１の凹凸２３は、押圧部材２２上に膜成長した凹凸を転写したものであるから、基板表面を溶かす方法に比べて、樹脂基板２１の一主面及び他主面に一様に凹凸２３を形成することができる。そのため、本実施形態に係る発明によれば、凹凸の形成されにくい領域が発生するのを低減することができる。また、本実施形態に係る発明によれば、樹脂基板２１の凹凸２３は、転写されたものであるから、基板の溶けやすい領域と溶けにくい領域に左右されることなく、凹凸２３を形成することができるため、凹凸の最大高さを小さく抑えることができる。したがって、本実施形態に係る樹脂基板２１の一主面に、導電層３を形成した場合、樹脂基板２１の一主面の全面に凹凸２３が形成されているため、樹脂基板２１と導電層３との接着力を良好に維持することができる。また、凹凸２３の最大高さを小さく抑えることができるため、両者の間に隙間が形成されにくく、両者が剥離するのを効果的に抑制することができる。また、本実施形態に使用されるエッチング液は、ペーハー（ｐH）が、例えば２から４の酸性であって、例えば２０℃から３０℃に加熱して用いられる。したがって、エッチング液が酸性であるため、樹脂基板の強度が低下して、樹脂基板が破壊されるような問題も生じない。このため、樹脂表面に凹凸が形成された場合でも、樹脂強度が低下することがなく、樹脂の凸部が破壊され難いことから、樹脂と導電層を接着するアンカー効果が発揮され、両者の接着力を良好に維持することができる。
【００５０】
次に、樹脂基板２１には、図３（ｄ）に示すように、従来周知のドリル加工などによって、上下方向に貫通するスルーホール７を形成する。そして、図３（ｅ）に示すように、無電解めっきなどにより、樹脂基板２１の表面に導電層３を構成する材料を被着させ、めっき３’を形成するとともに、スルーホール７の内壁面にスルーホール導体８を形成する。スルーホール７は、樹脂基板２１に複数個以上形成され、その直径が例えば０．１ｍｍから１ｍｍに設定されている。
【００５１】
そのあと、図４（ａ）に示すように、スルーホール７に例えばポリイミド等の樹脂を充填し、絶縁体９を形成する。さらに、図４（ｂ）に示すように、絶縁体９の直上にも、従来周知の蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等によって、導電層３を構成する材料を被着し、めっき３’を被着させる。そして、その表面にレジストを塗布し、露光現像を行った後、エッチング処理をして、図４（ｃ）に示すように、次に、樹脂基板２１の一主面に形成された凹凸２３に沿って導電層３を形成する。そのため、樹脂基板２１の一主面には、導電層３が形成された配線領域Ａと、凹凸２３が露出した露出領域Ｂが存在する。
【００５２】
次に、接着剤が被着したフィルム層４ａを準備する。接着剤は、例えばポリイミド樹脂からなり、従来周知のスピンコート法等によって、フィルム層４ａ上に被着させることができる。
【００５３】
次に、図４（ｄ）に示すように、配線領域Ａ及び露出領域Ｂにかけて、接着剤を介してフィルム層４ａを貼り合わせる。さらに、導電層３にフィルム層４を貼り合わせた状態で、例えば加熱プレス装置で熱を接着剤に印加することによって、接着剤を硬化し、フィルム層４ａを導電層３に固着する。さらに接着剤を硬化することによって、接着層４ｂを形成することができる。そして、配線領域Ａ及び露出領域Ｂにかけて、フィルム層４ａと接着層４ｂとからなる絶縁層４が形成される。
【００５４】
絶縁層４は、露出領域Ｂと接着して形成されるため、露出領域Ｂの凹凸２３に沿って接着層４ｂが固着される。そのため、絶縁層４と露出領域Ｂとの接触面積が大きくなることで、両者の接着力を良好に維持することができ、絶縁層４が樹脂基板２１から剥離するのを抑制することができる。
【００５５】
次に、図４（ｅ）に示すように、上述した樹脂基板２１に凹凸を形成した方法と同様の方法により、絶縁層４の一主面に凹凸２３を形成する。
【００５６】
次に、図５（ａ）に示すように、絶縁層４に、例えばＹＡＧレーザー装置又はＣＯ２レーザー装置を用いて、ビア孔２４を形成する。ビア孔２４は、絶縁層４の一主面に対して垂直方向から、絶縁層４の一主面に向けてレーザー光が照射されることによって形成される。さらに、図５（ｂ）に示すように、ビア孔２４に、例えば従来周知のめっき処理を施し、導電性材料を充填することによってビア導体１０を形成する。
【００５７】
次に、フィルム層４ａの一主面に対して、従来周知の蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等によって、導電層３を構成する材料を被着させる。そして、その表面にレジストを塗布し、露光現像を行った後、エッチング処理をして、図５（ｃ）に示すように、導電層３を形成する。また、絶縁層４の一主面に凹凸が形成されているため、その絶縁層４と導電層３との接触面積を大きくし、両者の接着力を良好に維持することで、両者の剥離を抑制することができる。
【００５８】
このようにして、配線基板１を作製することができる。そして、配線基板１に対してバンプ５を介して半導体素子６を実装することによって、実装構造体を作製することができる。
【００５９】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００６０】
上記実施形態では、押圧部材を板体としたが、表面が凹凸状の部材であれば、球状や多角形状のものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施形態に係る配線基板の平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る配線基板の断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明する断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明する断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１    配線基板
２    コア基板
３    導電層
３ａ  信号線路
３ｂ  グランド層
４    絶縁層
４ａ  フィルム層
４ｂ  接着層
５    バンプ
６    半導体素子
７    スルーホール
８    スルーホール導体
９    絶縁体
１０    ビア導体
２１    樹脂基板
２２    押圧部材
２３    凹凸
２４    ビア孔
Ａ    配線領域
Ｂ    露出領域
【図１】
2008300382.tif 000003
【図２】
2008300382.tif 000004
【図３】
2008300382.tif 000005
【図４】
2008300382.tif 000006
【図５】
2008300382.tif 000007