(57)【要約】  リソグラフィ装置内でオブジェクトを保持するための様々なバール設計が記載される。リソグラフィ装置は、照明システム、第１の支持構造、第２の支持構造、及び投影システムを含む。照明システムは放射を受け取り、パターン付き放射を形成するパターニングデバイスに向けて、放射を誘導するように設計される。第１の構造は、パターニングデバイスを第１の支持構造上で支持するように設計される。第２の支持構造（４０２）は複数のバール（４０６）を有し、複数のバール上で基板（４０８）を支持するように設計される。複数のバールの各々の頂部表面のトポグラフィは実質的に平坦ではないため、基板と複数のバールの各々との間の接触面積は減少することになる。投影システムは、パターン付き放射を受け取り、パターン付き放射を基板に向けて誘導するように設計される。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
放射を受け取り、パターン付き放射を形成するように構成されたパターニングデバイスに向けて、前記放射を誘導するように構成された、照明システムと、
前記パターニングデバイスを第１の支持構造上で支持するように構成された、第１の支持構造と、
複数のバールを有し、前記複数のバール上で基板を支持するように構成された、第２の支持構造であって、前記複数のバールの各々の頂部表面のトポグラフィは、前記基板と前記複数のバールの各々との間の接触面積を少なくとも５０％減少させるものである、第２の支持構造と、
前記パターン付き放射を受け取り、前記パターン付き放射を前記基板に向けて誘導するように構成された、投影システムと、
を備える、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記複数のバールのうちの１つ以上は、傾斜部によって囲まれた中央の実質的に平坦な部分を含む、頂部表面トポグラフィを有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記中央の実質的に平坦な部分は１μｍから２００μｍの間の直径を有する、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記傾斜部は、中央部の実質的に平坦な部分から半径方向に、７５μｍから１７５μｍの間の距離で延在する、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記傾斜部は、５０ｎｍから１０００ｎｍの間の高さを有する、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記複数のバールのうちの１つ以上は、丸みのある表面を含む頂部表面トポグラフィを有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記複数のバールのうちの１つ以上は、中央の非アブレート部から放射状に延在するアブレート部によって囲まれた中央の非アブレート部を含む、頂部表面トポグラフィを有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
リソグラフィ装置内で使用される基板サポートであって、
ベース構造と、
前記ベース構造の頂部表面の上に延在する複数のバールであって、前記複数のバールの各々の頂部表面のトポグラフィは、前記複数のバール上に配置された基板と前記複数のバールの各々との間の接触面積を少なくとも５０％減少させる、複数のバールと、
を備える、基板サポート。
【請求項９】
前記複数のバールのうちの１つ以上は、傾斜部によって囲まれた中央の実質的に平坦な部分を含む、頂部表面トポグラフィを有する、請求項８に記載の基板サポート。
【請求項１０】
前記中央の実質的に平坦な部分は１μｍから２００μｍの間の直径を有する、請求項９に記載の基板サポート。
【請求項１１】
前記傾斜部は、中央部の実質的に平坦な部分から半径方向に、７５μｍから１７５μｍの間の距離で延在する、請求項９に記載の基板サポート。
【請求項１２】
前記傾斜部は、５０ｎｍから１０００ｎｍの間の高さを有する、請求項１１に記載の基板サポート。
【請求項１３】
前記複数のバールのうちの１つ以上は、丸みのある表面を含む頂部表面トポグラフィを有する、請求項８に記載の基板サポート。
【請求項１４】
前記複数のバールのうちの１つ以上は、中央の非アブレート部から放射状に延在するアブレート部によって囲まれた中央の非アブレート部を含む、頂部表面トポグラフィを有する、請求項８に記載の基板サポート。
【請求項１５】
リソグラフィ装置であって、
放射を受け取り、パターン付き放射を形成するように構成されたパターニングデバイスに向けて、前記放射を誘導するように構成された、照明システムと、
前記パターニングデバイスを第１の支持構造上で支持するように構成された、第１の支持構造と、
前記基板を支持するように構成された、第２の支持構造と、
前記パターン付き放射を受け取り、前記パターン付き放射を前記基板に向けて誘導するように構成された、投影システムと、
を備え、
前記第１の支持構造及び前記第２の支持構造のうちの１つ又は両方は複数のバールを含み、前記複数のバールの各々の頂部表面のトポグラフィは、前記パターニングデバイスと前記第１の支持構造上の前記複数のバールの各々との間、及び、前記基板と前記第２の支持構造上の前記複数のバールの各々との間の、接触面積を少なくとも５０％減少させるものである、
リソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記複数のバールのうちの１つ以上は、傾斜部によって囲まれた中央の実質的に平坦な部分を含む、頂部表面トポグラフィを有する、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
前記中央の実質的に平坦な部分は１μｍから２００μｍの間の直径を有する、請求項１６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１８】
前記傾斜部は、中央部の実質的に平坦な部分から半径方向に、７５μｍから１７５μｍの間の距離で延在する、請求項１６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１９】
前記傾斜部は、５０ｎｍから１０００ｎｍの間の高さを有する、請求項１８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２０】
前記複数のバールのうちの１つ以上は、丸みのある表面を含む頂部表面トポグラフィを有する、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本願は、２０１７年１０月２７日出願の米国仮出願第６２／５７８，１２６号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本開示は、リソグラフィ装置内の支持構造上のバール付きフィーチャに関し、バール付きフィーチャは、オブジェクトと支持構造との間の接触抵抗を減少させるように設計される。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、基板のターゲット部分上に所望のパターンを付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。その環境において、パターニングデバイスは、代替としてマスク又はレチクルと呼ばれ、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成するために使用可能であり、このパターンは、放射感応性材料（レジスト）の層を有する基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、一部、１つ、又はいくつかのダイを含む）上に結像することができる。一般に、単一の基板は、連続して露光される近接するターゲット部分のネットワークを含むことになる。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体を一気にターゲット部分上に露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、所与の方向（「スキャン」方向）に対して平行又は逆平行に基板を同期的にスキャンしながら、この所与の方向のビームを介してパターンをスキャンすることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板上にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  リソグラフィは、ＩＣ及びその他のデバイス及び／又は構造を製造する際の主要なステップの１つとして広く認識されている。しかし、リソグラフィを使用して製造される特徴の寸法がより微細になると共に、リソグラフィは小型ＩＣ又はその他のデバイス、及び／又は構造の製造を可能にするためのより決定的なファクタになってきている。
【０００５】
[0005]  パターン印刷の限界の理論的な推定値は式（１）に示すようなレイリーの解像基準によって得られる。
【数１】
2021500596.tif 000003
但し、λは使用される放射の波長、ＮＡはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数、ｋ１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷される特徴のフィーチャサイズ（又は、限界寸法）である。式（１）から、特徴の印刷可能な最小サイズの縮小は３つの方法で達成できることが分かる。すなわち、露光波長λの短縮によるもの、開口数ＮＡの増加によるもの、又はｋ１の値の減少によるものである。
【０００６】
[0006]  露光波長を短くするため、したがって、最小印刷可能サイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。考えられる放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、又は電子蓄積リングによって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。
【０００７】
[0007]  しかしながら、このような放射源により生成される放射はＥＵＶ放射のみではなく、赤外線（ＩＲ）放射及び深紫外線（ＤＵＶ）放射を含む他の波長も放出され得る。ＤＵＶ放射は、コントラストの損失をもたらす可能性があるため、リソグラフィシステムに害を及ぼす可能性がある。更に、不要なＩＲ放射は、システム内のコンポーネントに熱損傷を与える可能性がある。したがって、伝搬される放射内のＥＵＶの割合を増加させ、ＤＵＶ及びＩＲ放射などのＥＵＶ以外の不要な放射を低減又は除去するためのスペクトル純度フィルタを用いることが知られている。
【０００８】
[0008]  ＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置は、リソグラフィ動作の間、ＥＵＶ放射ビームパス又は少なくともその実質的な部分を真空中に保たなければならないことが必要であり得る。リソグラフィ装置のこうした真空領域において、支持構造は、リソグラフィ装置内のパターニングデバイス及び／又は基板などのオブジェクトを支持するために使用可能である。
【０００９】
[0009]  支持構造とオブジェクトとの間のインターフェースは、支持構造及びオブジェクトのいずれか又は両方上の接触ポイントにおいて、摩耗を受けることになる。更に、オブジェクトと支持構造との間の静的摩耗及び／又はファンデルワールス力は、オブジェクト内に局部ディストーションを生じさせる可能性があり、オブジェクトがより強力に支持構造に付着する。これらのディストーションは、リソグラフィプロセスの様々な段階中にオーバーレイエラー及び他の異常な結像効果を生じさせる可能性がある。
【発明の概要】
【００１０】
[0010]  したがって、ウェーハテーブル又はマスクテーブル上にそれぞれ支持されている基板又はパターニングデバイスのより高い平坦性を達成することが求められている。一実施形態によれば、リソグラフィ装置は、照明システム、第１の支持構造、第２の支持構造、及び投影システムを含む。照明システムは放射を受け取り、パターン付き放射を形成するパターニングデバイスに向けて、放射を誘導するように設計される。第１の構造は、パターニングデバイスを第１の支持構造上で支持するように設計される。第２の支持構造は複数のバールを有し、複数のバール上で基板を支持するように設計される。複数のバールの各々の頂部表面のトポグラフィは実質的に平坦ではないため、基板と複数のバールの各々との間の接触面積は減少することになる。投影システムは、パターン付き放射を受け取り、パターン付き放射を基板に向けて誘導するように設計される。
【００１１】
[0011]  別の実施形態において、リソグラフィ装置内で使用される基板サポートは、複数のバールがベース構造の頂部表面の上に延在するベース構造を含む。複数のバールの各々の頂部表面のトポグラフィは実質的に平坦ではないため、複数のバール上に配置された基板と複数のバールの各々との間の接触面積は減少することになる。
【００１２】
[0012]  更に別の実施形態において、リソグラフィ装置は、照明システム、第１の支持構造、第２の支持構造、及び投影システムを含む。照明システムは放射を受け取り、パターン付き放射を形成するパターニングデバイスに向けて、放射を誘導するように設計される。第１の支持構造は、パターニングデバイスを支持するように設計される。第２の支持構造は基板を支持するように設計される。投影システムは、パターン付き放射を受け取り、パターン付き放射を基板に向けて誘導するように設計される。第１の支持構造及び第２の支持構造のうちの１つ又は両方は複数のバールを含み、複数のバールの各々の頂部表面のトポグラフィは実質的に平坦ではない。
【００１３】
[0013]  本発明の更なる特徴及び利点、並びに本発明の様々な実施形態の構造及び動作を、添付の図面を参照しながら下記で詳細に説明する。本発明は、本明細書で説明する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。こうした実施形態は、本明細書では例示的な目的でのみ提示される。当業者であれば、本明細書に含まれる教示に基づいて追加の実施形態が明らかとなろう。
【００１４】
[0014]  本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を例示するものであり、説明と共に、更に本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成及び使用できるようにする働きをするものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】[0015]一実施形態に従った、反射型リソグラフィ装置を示す概略図である。
【図１Ｂ】[0016]一実施形態に従った、透過型リソグラフィ装置を示す概略図である。
【図２】[0017]一実施形態に従った、反射型リソグラフィ装置を示すより詳細な概略図である。
【図３】[0018]一実施形態に従った、リソグラフィセルを示す概略図である。
【図４】[0019]一実施形態に従った、オブジェクトを支持する構造を示す概略図である。
【図５Ａ】[0020]一実施形態に従った、バールの異なるビューを示す図である。
【図５Ｂ】[0020]一実施形態に従った、バールの異なるビューを示す図である。
【図６】[0021]一実施形態に従った、バールを示す図である。
【図７Ａ】[0022]一実施形態に従った、バールの異なるビューを示す図である。
【図７Ｂ】[0022]一実施形態に従った、バールの異なるビューを示す図である。
【図７Ｃ】[0022]一実施形態に従った、バールの異なるビューを示す図である。
【図８】[0023]一実施形態に従った、バールがその表面トポグラフィを変更する前後の、基板と基板サポートとの間の静止摩擦の係数を示すデータのグラフである。
【図９】[0024]一実施形態に従った、支持構造全体にわたる複数のバールを示す図である。
【図１０】[0025]一実施形態に従った、異なるバール設計を使用してオブジェクトを支持する構造を示す概略図である。
【図１１】[0026]一実施形態に従った、バールを製造する例示の方法を示す図である。
【００１６】
[0027]  本発明の特徴及び利点は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことで更に明白になろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。ある要素が最初に出現する図面は、対応する参照番号の左端の１つ又は複数の数字によって示される。他に示されない限り、本開示を通じて提供される図面は縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
[0028]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される１つ又は複数の実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される１つ又は複数の実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。
【００１８】
[0029]  詳述される１つ以上の実施形態、及び本明細書における「１つの実施形態」、「一実施形態」、「例示の実施形態」などの言い回しは、詳述される１つ以上の実施形態は特定の機構、構造、又は特徴を含むことができるが、あらゆる実施形態が必ずしも特定の機構、構造、又は特徴を含む訳ではないことを示す。更に、こうした語句は必ずしも同じ実施形態を言い表してはいない。更に、特定の機構、構造、又は特徴が一実施形態に関連して説明されるとき、明示的に示されているか否かに関わらず、こうした機構、構造、又は特徴を他の実施形態に関連して達成することは当業者の知識の範囲内にあることを理解されよう。
【００１９】
[0030]  このような実施形態を詳述する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示の環境を提示することが有用であろう。
【００２０】
[0031]  例示の反射型及び透過型のリソグラフィシステム
[0032]  図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、本発明の実施形態が実施可能なリソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’の概略図である。リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’は各々、放射ビームＢ（例えば、深紫外線又は極端紫外線放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ、及び、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された、基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴを含む。リソグラフィ装置１００及び１００’は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば、１つ以上のダイを含む）Ｃ上に投影するように構成された、投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００において、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型である。リソグラフィ装置１００’において、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。
【００２１】
[0033]  照明システムＩＬは、放射ビームＢを誘導、整形、又は制御するための、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁、静電、又は他のタイプの光学コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合わせなどの、様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００２２】
[0034]  支持構造ＭＴは、基準フレームに関連したパターニングデバイスＭＡの配向、リソグラフィ装置１００及び１００’のうちの少なくとも１つの設計、並びに、パターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かなどの他の条件に依存した様式で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電、又は他のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴはフレーム又はテーブルとすることができ、例えば、必要に応じて固定式又は可動式とすることができる。センサを使用することによって、支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが、例えば投影システムＰＳに対して、所望の位置にあることを保証することができる。
【００２３】
[0035]  「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作成するように、放射ビームＢの断面にパターンを付与するために使用可能な、任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されるパターンは、集積回路を形成するためにターゲット部分Ｃ内に作成されているデバイス内の特定の機能層に対応可能である。
【００２４】
[0036]  パターニングデバイスＭＡは、透過型（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’の場合）又は反射型（図１Ａのリソグラフィ装置１００の場合）とすることができる。パターニングデバイスＭＡの例には、レチクル、マスク、プログラム可能ミラーアレイ、及び、プログラム可能ＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは良く知られており、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、ハーフトーン型（attenuated）位相シフト、並びに様々なハイブリッドマスク型などの、マスク型を含む。プログラム可能ミラーアレイの一例は小型ミラーのマトリックス配置を採用し、その各々が、入射する放射ビームが異なる方向に反射するように個々に傾斜可能である。傾斜したミラーは、小型ミラーのマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付与する。
【００２５】
[0037]  「投影システム」ＰＳという用語は、使用される露光放射に適切な、或いは、基板Ｗ上の液浸液の使用又は真空の使用などの他のファクタに適切な、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁、及び静電の光学システム、又はそれらの任意の組み合わせを含む、任意のタイプの投影システムを包含することができる。他のガスは放射又は電子を多く吸収し過ぎる可能性があるため、真空環境がＥＵＶ又は電子ビーム放射に使用可能である。したがって真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビームパス全体に提供可能である。
【００２６】
[0038]  リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は、２つ又はそれ以上のマスクテーブル）を有するタイプとすることができる。こうした「マルチステージ」マシンにおいて、追加の基板テーブルＷＴが平行して使用可能であるか、又は、１つ以上の他の基板テーブルＷＴが露光に使用されている間に、予備工程を１つ以上のテーブル上で実施可能である。いくつかの状況において、追加のテーブルは基板テーブルＷＴでなくてよい。
【００２７】
[0039]  図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯからの放射ビームを受け取る。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザであるとき、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置１００、１００’は別々の物理エンティティとすることができる。こうした場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００又は１００’の一部を形成するものとは見なされず、放射ビームＢは、例えば、好適な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含む、ビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）を用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の場合、放射源ＳＯは、例えば放射源ＳＯが水銀ランプのとき、リソグラフィ装置１００、１００’の一体部分とすることができる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ぶことができる。
【００２８】
[0040]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するための、アジャスタＡＤ（図１Ｂ）を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれ「σ−ｏｕｔｅｒ」及び「σ−ｉｎｎｅｒ」と呼ばれる）は調整可能である。加えて、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの、様々な他のコンポーネント（図１Ｂ）を備えることができる。イルミネータＩＬは、放射ビームＢがその断面内に所望の均一性及び強度分布を有するように調節するために使用可能である。
【００２９】
[0041]  図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付与される。リソグラフィ装置１００において、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢを合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、静電容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴを正確に（例えば、放射ビームＢのパス内に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢのパスに対して正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせ可能である。
【００３０】
[0042]  図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されるパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射し、パターニングデバイスによってパターン付与される。放射ビームＢはマスクＭＡをトラバースして、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。投影システムは、照明システム瞳ＩＰＵと共役な瞳ＰＰＵを有する。放射の部分は、照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布から発散し、マスクパターンにおける回折によって影響を受けることなくマスクパターンをトラバースし、照明システム瞳ＩＰＵにおいて強度分布の像を作成する。
【００３１】
[0043]  第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を用いて、
基板テーブルＷＴを正確に（例えば、放射ビームＢのパス内に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１Ｂには図示せず）を使用して、マスクＭＡを（例えば、マスクライブラリからの機械的取り出し後、又はスキャン中に）放射ビームＢのパスに対して正確に位置決めすることができる。
【００３２】
[0044]  一般に、マスクテーブルＭＴの動きは、第１のポジショナＰＭの一部を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて了解可能である。同様に、基板テーブルＷＴの動きは、第２のポジショナＰＷの一部を形成する、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して了解可能である。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続可能であるか、又は固定可能である。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせ可能である。基板アライメントマークは（図に示されるように）専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置可能である（スクライブラインアライメントマークと呼ばれる）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供される状況では、マスクアライメントマークはダイの間に配置可能である。
【００３３】
[0045]  マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは真空チャンバ内に存在可能であり、真空内ロボットＩＶＲを使用して、真空チャンバ内外でマスクなどのパターニングデバイスを移動させることができる。代替として、マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空チャンバ外部にあるとき、真空内ロボットＩＶＲと同様に、真空外ロボットを様々な移送動作に使用することができる。真空内及び真空外の両方のロボットは、転写ステーションの固定キネマティックマウントへの任意のペイロード（例えば、マスク）の平滑転写について較正する必要がある。
【００３４】
[0046]  リソグラフィ装置１００及び１００’は、下記のモードのうちの少なくとも１つで使用可能である。
【００３５】
[0047]  １．  ステップモードにおいて、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、放射ビームＢに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に一度に投影される間、本質的に静的に維持される（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃが露光できるように、Ｘ及び／又はＹ方向にシフトされる。
【００３６】
[0048]  ２．  スキャンモードにおいて、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される間、同期的にスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに関連して、基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって決定可能である。
【００３７】
[0049]  ３．  別のモードにおいて、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、プログラム可能パターニングデバイスを保持しながら実質的に静的に維持され、基板テーブルＷＴは、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される間、移動又はスキャンされる。パルス放射源ＳＯが採用可能であり、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各動きの後、又は、スキャン中、連続する放射パルスの間、必要に応じて更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用する、マスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。
【００３８】
[0050]  説明した使用モード又は完全に異なる使用モードに関する組み合わせ及び／又は変形も、採用可能である。
【００３９】
[0051]  更なる実施形態において、リソグラフィ装置１００は、ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ放射のビームを生成するように構成された、極端紫外線（ＥＵＶ）源を含む。一般に、ＥＵＶ源は放射システム内に構成され、対応する照明システムは、ＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調節するように構成される。
【００４０】
[0052]  図２は、ソースコレクタ装置ＳＯと、照明システムＩＬと、投影システムＰＳとを備えるリソグラフィ装置１００をより詳細に示す。ソースコレクタ装置ＳＯは、ソースコレクタ装置ＳＯの閉鎖構造２２０内に真空環境を維持できるように構築され、配置される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、放電生成プラズマ源によって形成されてもよい。ＥＵＶ放射は、超高温プラズマ２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射が放出される、例えばキセノンガス、リチウム蒸気、又はスズ蒸気などの気体又は蒸気によって生成されてもよい。超高温プラズマ２１０は、例えば少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生じる放電によって生成される。放射を効率的に生成するには、キセノン、リチウム、スズ蒸気、又はその他の適切な気体又は蒸気の、例えば１０Ｐａの分圧が必要である場合がある。ある実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するために励起したスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供される。
【００４１】
[0053]  高温プラズマ２１０によって放出された放射は、ソースチャンバ２１１から、ソースチャンバ２１１内の開口内、又はその裏側に位置する任意選択のガスバリア又は汚染物質トラップ２３０（場合によっては汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介してコレクタチャンバ２１２内に送られる。汚染物質トラップ２３０はチャネル構造を含んでもよい。汚染物質トラップ２３０はまた、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。本明細書で示される汚染物質トラップ又は汚染物質バリア２３０は更に、少なくとも当技術分野で既知のチャネル構造を含む。
【００４２】
[0054]  コレクタチャンバ２１２は、いわゆる斜入射型コレクタであってもよい放射コレクタＣＯを含んでもよい。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１と、下流放射コレクタ側２５２とを有する。コレクタＣＯを横切る放射は、格子スペクトルフィルタ２４０から反射して、仮想光源点ＩＦで合焦することができる。仮想光源点ＩＦは一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタ装置は、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０内の開口２１９に、又はその近傍に位置するように配置される。仮想光源点ＩＦは放射放出プラズマ２１０の像である。格子スペクトルフィルタ２４０は、特に赤外線（ＩＲ）放射を抑制するために使用される。
【００４３】
[0055]  この後、放射は照明システムＩＬを横断する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２２１の所望の角度分布を与えると共にパターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２２及びファセット瞳ミラーデバイス２２４を含むことができる。支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２２１が反射されると、パターン付きビーム２２６が形成され、このパターン付きビーム２２６は、投影システムＰＳにより、反射要素２２８、２３０を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。
【００４４】
[0056]  一般に、照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＳには、図示するよりも多くの要素が存在し得る。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意に存在し得る。更に、図示するよりも多くのミラーが存在する場合があり、例えば投影システムＰＳには、図２に示すものに対して１つから６つの追加の反射要素が存在することがある。
【００４５】
[0057]  図２に示すようなコレクタ光学部品ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４及び２５５を有する入れ子状のコレクタとして示される。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４及び２５５は、光軸Ｏを中心として軸方向に対称に配置され、このタイプのコレクタ光学部品ＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて用いることが好ましい。
【００４６】
[0058]  例示のリソグラフィセル
[0059]  図３は、時にはリソセル又はクラスタとも呼ばれる、リソグラフィセル３００を示す。リソグラフィ装置１００又は１００’は、リソグラフィセル３００の一部を形成することができる。リソグラフィセル３００は、基板上で露光前及び露光後プロセスを実行するための装置も含むことができる。従来、これらには、レジスト層を堆積させるためのスピンコータＳＣ、露光されたレジストを現像するためのデベロッパＤＥ、冷却プレートＣＨ、及びベークプレートＢＫが含まれる。基板ハンドラ又はロボットＲＯは、入力／出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板をピックアップし、それらを異なる処理装置間で移動させ、その後、リソグラフィ装置のローディングベイＬＢまで送達する。これらのデバイスは、しばしば集合的にトラックと呼ばれ、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にあり、トラック制御ユニットＴＣＵ自体は監視制御ユニットＳＣＳによって制御され、監視制御ユニットＳＣＳはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、スループット及び処理効率を最大にするために、異なる装置が動作可能である。
【００４７】
[0060]  例示の支持構造
[0061]  図４は、一実施形態に従った例示の支持構造４０２を示す。支持構造４０２は、リソグラフィ装置内に配置されたオブジェクト４０８を支持するためにリソグラフィ装置内で使用される、任意のタイプの支持構造とすることができる。例えば、支持構造４０２は、オブジェクト４０８を保持するように設計された静電又は真空のクランプとすることができ、オブジェクト４０８はパターニングデバイス（時には、レチクルと呼ばれる）である。別の例では、支持構造４０２は１つ以上のオブジェクト４０８を保持するように設計されたウェーハテーブルとすることができ、オブジェクトはシリコンウェーハなどのウェーハである。
【００４８】
[0062]  支持構造４０２は、ベース構造４０４と、ベース構造４０４の上に延在する複数のバール４０６とを含む。バール４０６は、シリコン／炭化ケイ素（Ｓｉ／ＳｉＣ）、又は任意の既知のセラミック又はガラス材料から作ることができる。バール４０６はＸ−Ｙ面に沿って円形の断面を有し得るが、本発明の範囲又は趣旨を逸脱することなく、他の断面形状も同様に可能である。バール４０６は、各バール間に約２ｍｍから約３ｍｍの間のピッチを有し、ベース構造４０４全体にわたって配置可能である。バール４０６の各々は、約２００μｍから約５００μｍの間の直径を有し得、総高さは約１０μｍから約１５０μｍである。
【００４９】
[0063]  オブジェクト４０８はバール４０６の頂部と接触し、印加される真空圧又は印加される静電力のいずれかによって、バール４０６に引き寄せられる。したがって、バール４０６の頂部表面の表面トポグラフィは、オブジェクト４０８と支持構造４０２との間の接触表面積を表す。バール４０６が実質的に平坦な頂部表面トポグラフィを有する場合、オブジェクト４０８は、測定される静止摩擦係数によって概ね数値化可能なファンデルワールス力を介して、バール４０６に強く付着し過ぎる可能性がある。一例では、実質的に平坦な表面とは、１０ｎｍ未満のラフネス（Ｒａ）を有する表面である。バール４０６へのオブジェクト４０８の付着によって、オブジェクト４０８の平坦さに局所的なディストーションが生じる可能性があり、リソグラフィ動作を実行するときのエラーにつながる。一実施形態によれば、バール４０６の頂部表面トポグラフィは、接触表面積を、少なくとも７５％、少なくとも５０％、又は少なくとも２５％減少させるように、制御可能に変更される。基板支持構造及びパターニングデバイス支持構造の両方を含む典型的なリソグラフィ装置において、支持構造の各々は、接触表面積を、少なくとも７５％、少なくとも５０％、又は少なくとも２５％減少させる頂部表面トポグラフィを有する、バールを含むことができる。
【００５０】
[0064]  一実施形態によれば、バール４０６の頂部表面トポグラフィへの変更は、オブジェクト４０８が支持構造４０２にクランプされた後にオブジェクト４０８のスリップを減少させるために実行される。例えば、バール４０６の頂部表面トポグラフィに丸みがある場合、オブジェクト４０８をクランプする圧力が、バール４０６の頂部表面周辺のオブジェクト４０８をわずかに変形させ、リソグラフィプロセスの間、オブジェクト４０８のスリップに対してより大きな抵抗を提供する。一実施形態において、バール４０６からオブジェクト４０８を除去するとき、オブジェクト４０８は弾性的に元の形状に戻る。
【００５１】
[0065]  例示のバール設計
[0066]  図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ、一実施形態に従った、頂部表面上の接触表面積を減少させるように設計されたバール５０２の、側面図及びトップダウン図である。バール５０２の頂部表面は、バール５０２の中央部５０４から外縁部へと放射状に広がる傾斜部５０６によって囲まれた、中央部５０４を含む。
【００５２】
[0067]  図５Ａの点線は、傾斜表面５０６が形成される前の、バール５０２の元の平坦な頂部表面トポグラフィを示す。一実施形態によれば、傾斜表面５０６の形成によって、頂部表面上の接触表面積は中央部５０４の面積のみに減少する。したがって、バール５０２の頂部上の接触面積は、元の平坦な頂部トポグラフィに比べて、少なくとも７５％、少なくとも５０％、又は少なくとも２５％減少する。
【００５３】
[0068]  一実施形態によれば、中央部５０４の直径ｄ１は約１μｍから約２００μｍの間である。一実施形態によれば、傾斜部５０６は中央部５０４から半径方向に、７５μｍから１７５μｍの間の距離で延在する。傾斜部５０６は、約５０ｎｍから約１０００ｎｍの間の高さｈ１を有し得る。バール５０２の総高さｈ２は、約１０μｍから約１５０μｍの間とすることができる。
【００５４】
[0069]  傾斜部５０６は、レーザアブレーション技法を使用して形成可能であり、この技法でレーザは、各パス上の材料をエッチングで除去するために、バール５０２の頂部表面全体にわたって１つ以上のパスを作る。一例では、レーザアブレーションは、バール５０２の中央部５０４から外縁部へと放射状に広がる同心円状のリングのセットとして進行する。レーザアブレーションリングは、バール５０２の外縁部に向かって外側に移動する際に、約２０μｍの増分で増加することができる。レーザのスキャン速さは、バール５０２の外縁部に向かって移動する際に、徐々に減少することができる。一実施形態によれば、バール５０２の表面全体にわたる１つのレーザアブレーションパスは、およそ１００ｎｍの高さを有する傾斜部５０６を形成する。バール５０２の表面全体にわたる１０のレーザアブレーションパスの後、傾斜部５０６はおよそ１μｍの高さを有することができる。中央部５０４は、バール５０２の頂部表面の実質的に平坦な部分と見なすことができ、これは傾斜部５０６を形成するときにアブレートされないためである。
【００５５】
[0070]  図６は、別の実施形態に従い、バール６０２の頂部表面上の接触表面積を減少させるように設計されたバール６０２の側面図を示す。バール６０２は、丸みのあるトポグラフィを伴う頂部表面６０４を有する。図６の点線は、丸みのある表面６０４の形成前の、バール６０２の元の平坦な頂部表面トポグラフィを示す。丸みのある表面６０４の形成によって、接触面積は元の平坦な頂部トポグラフィに比べて、少なくとも７５％、少なくとも５０％、又は少なくとも２５％減少する。
【００５６】
[0071]  一実施形態によれば、丸みのある表面６０４の高さｈ１は約５０ｎｍから約１０００ｎｍの間である。バール６０２の総高さｈ２は、約１０μｍから約１５０μｍの間とすることができる。丸みのある表面６０４は、約０．０１５ｍから約０．３０５ｍの間の曲率半径を有することができる。
【００５７】
[0072]  一実施形態において、バール６０２の頂部表面トポグラフィは、図５Ａに示されたバール５０２の頂部表面トポグラフィと同様のトポグラフィを形成するようにレーザアブレートされる。レーザアブレーションの後、頂部表面は、粗い縁部にわたって滑らかになるように、及び丸みのある表面６０４を形成するように、更に研磨される。別の実施形態において、バール６０２の頂部表面トポグラフィは、表面を予めレーザアブレーションすることなく、丸みのある表面６０４を形成するように研磨される。研磨は、数例を挙げると、ピッチ研磨、カーペット研磨、ウォータジェット研磨、及び精密ビーズブラスティングなどの、既知の工業技法を使用して実行可能である。
【００５８】
[0073]  図７Ａ及び図７Ｂは、それぞれ、別の実施形態に従い、バール７０２の頂部表面上の接触表面積を減少させるように設計された、バール７０２の側面図及びトップダウン図を示す。バール７０２の頂部表面は、中央アイランド７０４から放射状に広がるが、バール７０２の外縁部の端までは延在しない、アブレート部７０６によって囲まれた中央アイランド７０４を含む。中央アイランド７０４は、アブレートされないがアブレート部７０６によって囲まれた、バール７０２の頂部表面の任意の部分として画定することができる。これにより、バール７０２の頂部表面内に凹型の「ドーナツ」形状が形成され得る。図７Ａの点線は、アブレート部７０６の形成前の、バール７０２の元の平坦な頂部表面トポグラフィを示す。アブレート部７０６の形成によって、接触面積は元の平坦な頂部トポグラフィに比べて、少なくとも７５％、少なくとも５０％、又は少なくとも２５％減少する。図７Ｃは、一実施形態に従った、中央アイランド７０４からバール７０２の外縁までのより滑らかな遷移を生成するための、丸みのあるアブレート部７０６を有するバール７０２の側面図を示す。
【００５９】
[0074]  一実施形態によれば、中央アイランド７０４の直径ｄ１は約１μｍから約２００μｍの間である。一実施形態によれば、アブレート部７０６は中央アイランド７０４から半径方向に、約５０μｍから約１５０μｍの間の距離で延在する。アブレート部７０６は、約５０ｎｍから約１０００ｎｍの間の高さｈ１を有し得る。バール７０２の総高さｈ２は、約１０μｍから約１５０μｍの間とすることができる。
【００６０】
[0075]  バール７０２の頂部表面トポグラフィは、バール７０２の頂部表面からオブジェクトを除去するためのより良好な接触プロファイルを提供することができる。オブジェクトがバールから除去されるとき、経時的にバールの頂部表面を摩耗させる可能性があり、それによって接触面積を増加させ、上述の付着問題を発生させる可能性がある。バール７０２の外周周辺にリップを含めることによって、頂部表面上に配置されたオブジェクトを除去するときの接触表面上の摩耗が低減される。
【００６１】
[0076]  図８は、一実施形態に従った、ウェーハテーブルの周辺の１３の異なるロケーションに配置された基板について、測定された静止摩擦係数（ＣＯＦ）を比較するデータのグラフを示す。ＣＯＦは、各異なるロケーションにおいて、バールの頂部表面トポグラフィをアブレートする前（実線）及びバールの頂部表面トポグラフィをアブレートした後（破線、図５Ａ及び図５Ｂに示される）に測定された。データを見るとわかるように、ＣＯＦは、ほぼあらゆるロケーションでバールがアブレートされた後に減少する。
【００６２】
[0077]  バール配置
[0078]  図９は、一実施形態に従った、例示の支持構造９０２のトップダウン図を示す。支持構造９０２は、リソグラフィ装置内で１つ以上の基板を支持するように設計されたウェーハテーブルとすることができるか、又は、支持構造９０２は、リソグラフィ装置内でパターニングデバイス（例えば、レチクル）を支持するように設計されたマスクテーブル又はチャックとすることができる。支持構造９０２は丸い断面を有するように示されているが、これは必須ではなく、支持構造９０２は、方形、矩形、又は六角形を含む任意の断面形状を有し得ることを理解されたい。
【００６３】
[0079]  一実施形態によれば、支持構造９０２は、支持構造９０２の頂部表面全体にわたって配置された複数のバール９０４を含む。複数のバール９０４の各々は、支持されるオブジェクトとの接触表面積を減少させるように変更される、頂部表面トポグラフィを有することができる。任意のバール９０４の頂部表面トポグラフィは、図５〜図７に示された実施形態のうちのいずれかを参照しながら考察したように変更可能である。
【００６４】
[0080]  一実施形態によれば、支持構造９０２の異なる領域内のバールは、支持構造９０２の他の領域のバールとは異なる頂部表面トポグラフィを有するように、アブレート及び／又は研磨することができる。一例において、第１の領域９０６は、図５Ａに示されたものと同様の頂部表面トポグラフィを有するバールを含み得るが、第２の領域９０８は、図７Ａに示されたものと同様の頂部表面トポグラフィを有するバールを含む。説明した頂部表面トポグラフィ実施形態のいずれも、支持構造９０２の異なる領域内のバールに使用可能であることを理解されたい。
【００６５】
[0081]  支持構造９０２の異なる領域は、例示された円形領域に限定されない。支持構造９０２は、異なるサイズ及び形状を有する任意数の異なる領域を含み得、各領域は少なくとも１つのバールを含む。異なる領域の各々は、近隣の領域のバールとは異なる頂部表面トポグラフィを伴うバールを有することによって、近隣の領域から区別することができる。
【００６６】
[0082]  図１０は、オブジェクト１００６を支持する複数のバールを伴うベース構造１００４を有する、別の支持構造１００２の側面図を示す。支持構造１００２のバールは、一実施形態に従い、オブジェクト１００６が異なる頂部表面トポグラフィを有するバール上にあるように設計可能である。
【００６７】
[0083]  一例において、オブジェクト１００６の外側部分周辺の第１の領域内にある第１の複数のバール１００８は第１の頂部表面トポグラフィを有し、オブジェクト１００６の内側部分周辺の第２の領域内にある第２の複数のバール１０１０は第２の頂部表面トポグラフィを有する。第１の頂部表面トポグラフィは図７Ａに示される頂部表面トポグラフィと同様であり得、第２の頂部表面トポグラフィは図５Ａ又は図６に示される頂部表面トポグラフィと同様であり得る。第２の領域は、オブジェクト１００６の全直径の約１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、又は９０％の直径ｄ４を有することができる。
【００６８】
[0084]  製造方法
[0085]  図１１は、一実施形態に従った、頂部表面の接触表面積を減少させる、変更された頂部表面トポグラフィを有するバールを製造するための例示の方法１１００を示す。方法１１００は、いくつかの例のように、図５Ａ又は図６に示された頂部表面トポグラフィを生成するために実行可能である。
【００６９】
[0086]  方法１１００はブロック１１０２で始まり、一実施形態に従い、バールの頂部表面がレーザを使用してアブレートされる。レーザは、バールの頂部表面上の材料を、バールの中央部からバールの外縁部に向かって外側に、半径方向に同心円状にアブレートする。レーザの速さは、中央部から外側に向かって移動するにつれて減少し得る。
【００７０】
[0087]  アブレーションに使用されるレーザは、約８００ｎｍよりも大きな波長を有する赤外線レーザとすることができる。他の例では、アブレーションに使用されるレーザは、可視光波長、又は紫外線レンジ内の波長を有することができる。複数のパスは、各パスを用いてより多くの材料をアブレートするために、バールの頂部表面全体にわたってレーザを用いて作ることができる。一例において、レーザを用いる各パスは、アブレート部の高さをおよそ１００ｎｍ減少させる。
【００７１】
[0088]  ブロック１１０４において、一実施形態に従い、任意の縁部全体にわたって更に滑らかにするように、バールの頂部表面を研磨する任意選択のステップが実行可能である。研磨は、数例を挙げると、ピッチ研磨、カーペット研磨、ウォータジェット研磨、及び精密ビーズブラスティングなどの、任意数の周知の技法を使用して実行可能である。研磨によって、バールとバールの頂部表面上で支持されるオブジェクトとの間の接触表面積を、更に減少させることができる。
【００７２】
[0089]  ブロック１１０６において、一実施形態に従い、ブロック１１０２に示されたアブレーションが、支持構造上の１つ以上の他のバールに対して繰り返される。別の例では、ブロック１１０２及び１１０４のアブレーション及び／又は研磨ステップが、支持構造上の１つ以上の他のバールに対して繰り返される。支持構造は、任意数のバールを含むことができる。
【００７３】
[0090]  一例において、３００ｍｍの直径を有する液浸ウェーハテーブルは、１１，０００を超えるバールを有することができる。例示の液浸ウェーハテーブルの各バールをアブレートするプロセスは、２時間未満で実行可能である。
【００７４】
[0091]  ブロック１１０８において、一実施形態に従い、支持構造の表面を滑らかにするための任意選択のステップが実行される。いくつかの場合、各バールのアブレーション及び／又は研磨プロセスは、支持構造の頂部表面の平坦性に影響を与える可能性がある。したがって支持構造は、支持構造の表面から余分な材料を除去するために、イオンビーム仕上げなどの技法を使用して、平坦性を向上させるためにエッチングすることができる。
【００７５】
[0092]  支持構造上の様々なバールをアブレート及び／又は研磨するプロセスは、新規に製造された支持構造上で実行される必要はないことを理解されたい。いくつかの例において、摩耗したバールを伴う使用済みの支持構造は、バールとバール上に支持されるオブジェクトとの間の接触表面積を減少させるために、説明した方法１１００を使用して修理調整することができる。このようにして、ウェーハテーブル及びレチクルクランプなどの支持構造は、それらのバールが反復使用によって過度に摩耗した後に、再使用することができる。
【００７６】
[0093]  下記の条項を使用して、更に実施形態を説明することができる。
【００７７】
１．  リソグラフィ装置であって、
放射を受け取り、パターン付き放射を形成するように構成されたパターニングデバイスに向けて、放射を誘導するように構成された、照明システムと、
パターニングデバイスを第１の支持構造上で支持するように構成された、第１の支持構造と、
複数のバールを有し、複数のバール上で基板を支持するように構成された、第２の支持構造であって、複数のバールの各々の頂部表面のトポグラフィは、基板と複数のバールの各々との間の接触面積を少なくとも５０％減少させるものである、第２の支持構造と、
パターン付き放射を受け取り、パターン付き放射を基板に向けて誘導するように構成された、投影システムと、
を備える、リソグラフィ装置。
【００７８】
２．  複数のバールのうちの１つ以上は、傾斜部によって囲まれた中央の実質的に平坦な部分を含む、頂部表面トポグラフィを有する、条項１に記載のリソグラフィ装置。
【００７９】
３．  中央の実質的に平坦な部分は１μｍから２００μｍの間の直径を有する、条項２に記載のリソグラフィ装置。
【００８０】
４．  傾斜部は、中央部の実質的に平坦な部分から半径方向に、７５μｍから１７５μｍの間の距離で延在する、条項２に記載のリソグラフィ装置。
【００８１】
５．  傾斜部は、５０ｎｍから１０００ｎｍの間の高さを有する、条項４に記載のリソグラフィ装置。
【００８２】
６．  複数のバールのうちの１つ以上は、丸みのある表面を含む頂部表面トポグラフィを有する、条項１に記載のリソグラフィ装置。
【００８３】
７．  複数のバールのうちの１つ以上は、中央の非アブレート部から放射状に延在するアブレート部によって囲まれた中央の非アブレート部を含む、頂部表面トポグラフィを有する、条項１に記載のリソグラフィ装置。
【００８４】
８．  リソグラフィ装置内で使用される基板サポートであって、
ベース構造と、
ベース構造の頂部表面の上に延在する複数のバールであって、複数のバールの各々の頂部表面のトポグラフィは、複数のバール上に配置された基板と複数のバールの各々との間の接触面積を少なくとも５０％減少させる、複数のバールと、
を備える、基板サポート。
【００８５】
９．  複数のバールのうちの１つ以上は、傾斜部によって囲まれた中央の実質的に平坦な部分を含む、頂部表面トポグラフィを有する、条項８に記載の基板サポート。
【００８６】
１０．  中央の実質的に平坦な部分は１μｍから２００μｍの間の直径を有する、条項９に記載の基板サポート。
【００８７】
１１．  傾斜部は、中央部の実質的に平坦な部分から半径方向に、７５μｍから１７５μｍの間の距離で延在する、条項９に記載の基板サポート。
【００８８】
１２．  傾斜部は、５０ｎｍから１０００ｎｍの間の高さを有する、条項１１に記載の基板サポート。
【００８９】
１３．  複数のバールのうちの１つ以上は、丸みのある表面を含む頂部表面トポグラフィを有する、条項８に記載の基板サポート。
【００９０】
１４．  複数のバールのうちの１つ以上は、中央の非アブレート部から放射状に延在するアブレート部によって囲まれた中央の非アブレート部を含む、頂部表面トポグラフィを有する、条項８に記載の基板サポート。
【００９１】
１５．  リソグラフィ装置であって、
放射を受け取り、パターン付き放射を形成するように構成されたパターニングデバイスに向けて、放射を誘導するように構成された、照明システムと、
パターニングデバイスを第１の支持構造上で支持するように構成された、第１の支持構造と、
基板を支持するように構成された、第２の支持構造と、
パターン付き放射を受け取り、パターン付き放射を基板に向けて誘導するように構成された、投影システムと、
を備え、
第１の支持構造及び第２の支持構造のうちの１つ又は両方は複数のバールを含み、複数のバールの各々の頂部表面のトポグラフィは、パターニングデバイスと第１の支持構造上の複数のバールの各々との間、及び、基板と第２の支持構造上の複数のバールの各々との間の、接触面積を少なくとも５０％減少させるものである、
リソグラフィ装置。
【００９２】
１６．  複数のバールのうちの１つ以上は、傾斜部によって囲まれた中央の実質的に平坦な部分を含む、頂部表面トポグラフィを有する、条項１５に記載のリソグラフィ装置。
【００９３】
１７．  中央の実質的に平坦な部分は１μｍから２００μｍの間の直径を有する、条項１６に記載のリソグラフィ装置。
【００９４】
１８．  傾斜部は、中央部の実質的に平坦な部分から半径方向に、７５μｍから１７５μｍの間の距離で延在する、条項１６に記載のリソグラフィ装置。
【００９５】
１９．  傾斜部は、５０ｎｍから１０００ｎｍの間の高さを有する、条項１８に記載のリソグラフィ装置。
【００９６】
２０．  複数のバールのうちの１つ以上は、丸みのある表面を含む頂部表面トポグラフィを有する、条項１５に記載のリソグラフィ装置。
【００９７】
[0094]  最終所見
[0095]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００９８】
[0096]  光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。
【００９９】
[0097]  本明細書の言葉遣い又は用語は説明のためのもので、限定するものではなく、したがって本明細書の用語又は言葉遣いは、当業者には教示の観点から解釈されるべきことを理解されたい。
【０１００】
[0098]  本明細書で説明する実施形態において、「レンズ」及び「レンズ要素」という用語は、文脈が許せば、回折、反射、磁気、電磁、及び静電の光学コンポーネントを含む、様々なタイプの光学コンポーネントのうちのいずれか１つ又はそれらの組み合わせを指すことができる。
【０１０１】
[0099]  更に、本明細書で使用される「放射」、「ビーム」、及び「光」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外線（ＥＵＶ又は軟Ｘ線）放射（例えば、５〜２０ｎｍのレンジ内、例えば１３．５ｎｍなどの波長を有する）、又は、５ｎｍ未満で作動する硬Ｘ線、並びにイオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含む、すべてのタイプの電磁放射を包含する。一般に、約４００から約７００ｎｍの間の波長を有する放射は可視放射とみなされ、約７８０〜３０００ｎｍの間（又はそれ以上）の波長を有する放射はＩＲ放射とみなされる。ＵＶは、およそ１００〜４００ｎｍの波長を伴う放射を指す。リソグラフィの内部では、「ＵＶ」という用語は、水銀放電ランプによって生成可能な波長、Ｇ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ、及び／又はＩ線３６５ｎｍにも適用される。真空ＵＶ又はＶＵＶ（すなわち、気体によって吸収されるＵＶ）は、およそ１００〜２００ｎｍの波長を有する放射を指す。深ＵＶ（ＤＵＶ）は、一般に、１２６ｎｍから４２８ｎｍの範囲の波長を有する放射を指し、一実施形態では、エキシマレーザはリソグラフィ装置内で使用されるＤＵＶ放射を生成することができる。例えば、５〜２０ｎｍのレンジ内の波長を有する放射は、少なくとも一部が５〜２０ｎｍのレンジ内の特定の波長帯域を伴う放射に関することを理解されたい。
【０１０２】
[00100]  本明細書で使用される「基板」という用語は、一般に、後続の材料層がその上に追加される材料を示す。実施形態において、基板自体がパターン付与可能であり、頂部に付加される材料もパターン付与可能であるか、又はパターン付与せずにそのままとすることが可能である。
【０１０３】
[0100]  以上、特定の実施形態について説明したが、本発明は、記載された以外の方法で実施されてもよいことが理解されよう。この説明は、本発明を限定するものではない。    
【０１０４】
[0101]  発明の概要及び要約の項目ではなく、詳細な説明の項目は、請求項の理解のために使用されることを意図していることを理解されたい。発明の概要及び要約の項目は、発明者が想定するような本発明の１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって、本発明及び添付の請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。
【０１０５】
[0102]  本発明は、特定の機能の実施を例示する機能的構成要素及びその関係を用いて上記に記載してきた。これらの機能的構成要素の境界は、説明の便宜のために本明細書中に任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に行われる限り、代替的な境界を画定することができる。
【０１０６】
[0103]  特定の実施形態の前述の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び変更は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。
【０１０７】
[0104]  本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても制限されず、以下の特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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