(57)【要約】【課題】書き込み単位（例えばページ単位）未満のデータの書き換えを行う場合であっても、高速の書き込みが可能な不揮発性メモリおよびその書き換え方法を提供する。【解決手段】ページ単位よりもサイズが小さい書き換え用のデータを、コントローラ２１０のバッファメモリＡ２１４からフラッシュメモリ２２０のページバッファ２２４の一部分に転送する。次にメモリセルアレイ２２１の所定のアドレスに記録されたページ単位のデータをセンスアンプ２２３に読み出す。センスアンプ２２３に読み出されたページ単位のデータのうち、書き換えを行わない部分のデータをページバッファ２２４の他の部分に転送する。最後にページバッファ２２４に格納されたページ単位のデータを、メモリセルアレイ２２１に書き込む。【選択図】図３
2008300018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に書換え可能な複数の不揮発性のメモリセルが配列され、ページ単位でのデータの読み出しおよび書き込みが可能、かつデータの読み出しおよび書き込みの最小単位が前記ページ単位であるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの各ビット線に接続され、前記メモリセルアレイに書き込まれるページ単位のデータが一時的に保持されるページバッファと、
前記メモリセルアレイの各ビット線に接続され、前記メモリセルアレイから読み出されたページ単位のデータの信号を増幅するセンスアンプとを具備し、
前記センスアンプから前記ページバッファへのデータの転送は、全体でページ単位を構成する複数の部分領域単位で選択的に行うことが可能なことを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項２】
前記センスアンプに格納されたデータを前記部分領域単位で前記ページバッファに転送するセレクトゲートを更に具備したことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ。
【請求項３】
前記複数の部分領域のサイズが全て同じであることを特徴とする請求項１または２に記載の不揮発性メモリ。
【請求項４】
前記部分領域のサイズが、５１２バイトをセクターの単位として、１セクター以上かつ２セクター未満であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の不揮発性メモリ。
【請求項５】
電気的に書換え可能な複数の不揮発性のメモリセルが配列され、ページ単位でのデータの読み出しおよび書き込みが可能、かつデータの読み出しおよび書き込みの最小単位が前記ページ単位であるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの各ビット線に接続され、前記メモリセルアレイに書き込まれるページ単位のデータが一時的に保持されるページバッファと、
前記メモリセルアレイの各ビット線に接続され、前記メモリセルアレイから読み出されたページ単位のデータの信号を増幅するセンスアンプとを具備した不揮発性メモリの書き換え方法であって、
ページ単位よりもサイズが小さい書き換え用のデータを前記不揮発性メモリの外部から転送して前記ページバッファの一部分に格納する第１のステップと、
前記メモリセルアレイの所定のアドレスに記録されたページ単位のデータを前記メモリセルアレイから前記センスアンプに読み出す第２のステップと、
前記センスアンプに読み出されたページ単位のデータのうち、書き換えを行わない部分のデータを前記ページバッファの他の部分に格納する第３のステップと、
前記ページバッファに格納されたページ単位のデータを、前記メモリセルアレイに書き込む第４のステップとを含むことを特徴とする不揮発性メモリの書き換え方法。
【請求項６】
前記第３のステップと前記第４のステップの間に、前記第３のステップで前記ページバッファに格納された、前記書き換えを行わない部分のデータを、前記不揮発性メモリの外部に読み出す第５のステップを更に含むことを特徴とする請求項５に記載の不揮発性メモリの書き換え方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリおよびその書き換え方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体の不揮発性メモリであるフラッシュメモリを搭載したメモリーカードは、デジタルカメラや携帯電話をホスト機器とした記憶媒体としてその市場を拡大している。そして半導体のプロセスルールの進化に伴い、メモリーカードの容量は増加している。メモリーカードの容量の増加は、もちろんメモリーカードに搭載されている不揮発性メモリであるフラッシュメモリの容量の増加によるところが大きい。
【０００３】
フラッシュメモリは物理ページ単位で書き込みを行い、複数の物理ページからなる物理ブロック単位で消去を行う。またフラッシュメモリは、書き込み済みの物理ページにはデータを上書きすることができないので、データを書き換える際に、一度物理ブロック単位でデータを消去した後に書き込みを行う必要がある（特許文献１の「背景技術」参照）。
【０００４】
従って、消去単位である物理ブロック未満のデータを書き換える際には、同じ物理ブロックにある、書き換え対象のデータ以外のデータを併せて物理ブロック単位で書き換え処理を行う必要がある。つまりそのことは、書き換え対象のデータ以外のデータをコピーするのに要する時間が、物理ブロック未満のデータの書き込みをする時の性能に影響することを意味する。
【０００５】
上述した特徴を持つフラッシュメモリは、容量の増加に伴い、一度に書き込みが行われるデータの書き込みの最小単位や、一度に消去が行えるデータの消去の最小単位のサイズも大きくなる。以下に、容量の増加に伴い、データの書き込みの最小単位や消去の最小単位のサイズが大きくなる理由を簡単に説明する。
【０００６】
データの書き込みの最小単位やデータの消去の最小単位のサイズを固定にしたままフラッシュメモリの容量を増加させた場合には、相対的にフラッシュメモリチップに含まれるデータの書き込み単位の数や、データの消去単位の数が増加することになる。このことは、データの書き込みや消去に必要な周辺回路の数が増加する、つまりフラッシュメモリチップにおける周辺回路の面積占有率が上がることを意味する。結果としてフラッシュメモリのプロセスルールを微細化しても、微細化に見合うフラッシュメモリの容量の増加が見込めなくなる。従って、フラッシュメモリのプロセスルールの微細化に伴いデータの書き込みの最小単位やデータの消去の最小単位のサイズを大きくすることは必然である。
【０００７】
しかしながら、メモリーカードを取り扱うホスト機器がメモリーカードに対して行うデータの書き込みや読み出しの単位は、メモリーカードの容量にあわせて変化することなく従来のままである。一般的には、セクターと呼ばれる単位でデータの書き込みや読み出しが行われ、そのサイズは５１２Ｂであり、フラッシュメモリへの書き込みの最小単位である物理ページよりも小さい。
【０００８】
そのため、ホスト機器から物理ページ単位よりも小さなサイズの書き込み用データがフラッシュメモリに転送される場合には、データの一部分をフラッシュメモリに記憶されたデータで書き換える必要が生ずる。この場合、書き込み単位である物理ページの中に、データの書き換えを行う部分と、もとのデータのコピーを行う部分とが混在することになる。
【特許文献１】特開２００６−７３１４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
一般的に、フラッシュメモリは物理ページ単位のデータを書き込むために、物理ページと同一サイズのページバッファを有している。ホスト機器からフラッシュメモリに対してデータの書き込みを指示する際には、ページバッファに書き込みデータを転送したうえで、物理ページ単位でメモリセルアレイに書き込みを行う。またフラッシュメモリからデータを読み出す際にも、データをメモリセルアレイから物理ページ単位でページバッファに転送し、その後、そのデータを順次ホスト機器へと出力する。
【００１０】
従って、フラッシメモリに物理ページよりも小さなサイズのデータを書き込む際には、物理ページ単位のデータのうち、書き込みのためホスト機器から転送されるデータ以外の部分にフラッシュメモリに記憶されたデータをコピーする必要がある。データのコピーを行うためには、まずコピー対象のデータをフラッシメモリから読み出す必要があるが、上述したように従来のフラッシメモリは、データを物理ページ単位でページバッファへ読み出すように構成されている。従って、既にホスト機器からページバッファに転送済みのデータがあっても、フラッシメモリから読み出されたデータによって上書きされるため、改めてデータの転送を行う必要があり、書き込み処理に要する時間が長くなるという問題があった。
【００１１】
本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、不揮発性メモリに所定の書き込み単位（例えばページ単位）未満のデータの書き込みを行う場合であっても、高速の書き込みが可能な不揮発性メモリおよびその書き換え方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために本発明に係る不揮発性メモリは、
電気的に書換え可能な複数の不揮発性のメモリセルが配列され、ページ単位でのデータの読み出しおよび書き込みが可能、かつデータの読み出しおよび書き込みの最小単位が前記ページ単位であるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの各ビット線に接続され、前記メモリセルアレイに書き込まれるページ単位のデータが一時的に保持されるページバッファと、
前記メモリセルアレイの各ビット線に接続され、前記メモリセルアレイから読み出されたページ単位のデータの信号を増幅するセンスアンプとを具備し、
前記センスアンプから前記ページバッファへのデータの転送は、全体でページ単位を構成する複数の部分領域単位で選択的に行うことが可能なことを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る不揮発性メモリは、前記センスアンプに格納されたデータを前記部分領域単位で前記ページバッファに転送するセレクトゲートを更に具備することが好ましい。
【００１４】
また本発明に係る不揮発性メモリは、前記複数の部分領域のサイズが全て同じであり、更に前記部分領域のサイズが、５１２バイトをセクターの単位として、１セクター以上かつ２セクター未満であることが好ましい。
【００１５】
また、上記課題を解決する本発明に係る不揮発性メモリの書き換え方法は、
電気的に書換え可能な複数の不揮発性のメモリセルが配列され、ページ単位でのデータの読み出しおよび書き込みが可能、かつデータの読み出しおよび書き込みの最小単位が前記ページ単位であるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの各ビット線に接続され、前記メモリセルアレイに書き込まれるページ単位のデータが一時的に保持されるページバッファと、
前記メモリセルアレイの各ビット線に接続され、前記メモリセルアレイから読み出されたページ単位のデータの信号を増幅するセンスアンプとを具備した不揮発性メモリの書き換え方法であって、
ページ単位よりもサイズが小さい書き換え用のデータを前記不揮発性メモリの外部から転送して前記ページバッファの一部分に格納する第１のステップと、
前記メモリセルアレイの所定のアドレスに記録されたページ単位のデータを前記メモリセルアレイから前記センスアンプに読み出す第２のステップと、
前記センスアンプに読み出されたページ単位のデータのうち、書き換えを行わない部分のデータを前記ページバッファの他の部分に格納する第３のステップと、
前記ページバッファに格納されたページ単位のデータを、前記メモリセルアレイに書き込む第４のステップとを含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る不揮発性メモリの書き換え方法は、前記第３のステップと前記第４のステップの間に、前記第３のステップで前記ページバッファに格納された、前記書き換えを行わない部分のデータを、前記不揮発性メモリの外部に読み出す第５のステップを更に含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、不揮発性メモリに書き込みを行うデータサイズが物理ページ単位よりも小さく、部分的に書き換えを行う必要がある場合においても、不揮発性メモリに転送済みのデータを再転送することなく書き込みができる。結果、小さなデータの書き込み処理時間を短縮することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１に、本発明に係る不揮発性メモリを記録媒体として使用したメモリーカードと、このメモリーカードに接続されたホストの構成を示す。メモリーカード２００はコントローラ２１０と不揮発性メモリであるフラッシュメモリ２２０で構成されている。ホスト１００はメモリーカード２００に対してデータの書き込みや読み出しを行う。図中、細い矢印はコマンド等の制御信号を転送する配線を示し、太い矢印はデータを転送する配線を示す。以後も同様とする。
【００１９】
図２にコントローラ２１０の構成を示す。コントローラ２１０は、マイクロプロセシングユニット（以降、ＭＰＵと表記）２１１、論物変換テーブル２１２、消去ブロックテーブル２１３、バッファメモリＡ２１４、バッファメモリＢ２１５、およびセレクタ２１６，２１７を含む。
【００２０】
コントローラ２１０はホスト１００とのインターフェースを管理するとともに、フラッシュメモリ２２０の制御を行う。これらの管理や制御は、ＭＰＵ２１１が中心となって行う。論物変換テーブル２１２は揮発性のメモリで構成され、ホスト１００が指定するアドレス（以降、論理アドレスと表記）とフラッシュメモリ２２０のアドレス（以降、物理アドレスと表記）との対応関係を記憶する。消去ブロックテーブル２１３は揮発性のメモリで構成され、フラッシュメモリ２２０の消去済みで書き込み可能な物理ブロックの情報を記憶する。ＭＰＵ２１１は、論物変換テーブル２１２と消去ブロックテーブル２１３を用いてフラッシュメモリ２２０に書き込まれるデータの管理を行う。
【００２１】
バッファメモリＡ２１４とバッファメモリＢ２１５は、ホスト１００とフラッシュメモリ２２０間を転送されるデータを一時的に格納する。ＭＰＵ２１１は、ホスト１００との間のデータ転送において、セレクタ２１６を制御することでバッファメモリＡ２１４とバッファメモリＢ２１５を選択的に切替えながら使用する。同様にＭＰＵ２１１は、フラッシュメモリ２２０との間のデータ転送においてセレクタ２１７を制御することで、バッファメモリＡ２１４とバッファメモリＢ２１５とを選択的に切替えながら使用する。
【００２２】
またＭＰＵ２１１は、フラッシュメモリ２２０に対してデータの書き込みや読み出しを行う際に誤り訂正符号を付加したり、誤りの訂正を行ったりする。更にＭＰＵ２１１は、フラッシュメモリ２２０の物理ブロック毎のウェアレベリング（書き込み回数の平滑化）も行う。
【００２３】
図３に本発明の実施の形態に係るフラッシュメモリ２２０の構成を示す。フラッシュメモリ２２０は、メモリセルアレイ２２１、ワードラインドライバー２２２、センスアンプ２２３、ページバッファ２２４および制御回路２２５を含む。メモリセルアレイ２２１は電気的に書換え可能な複数の不揮発性のメモリセルが配列されて構成されている。またメモリセルアレイ２２１は消去単位である複数の物理ブロックからなり、物理ブロックは書き込み単位である複数の物理ページからなる。物理ページは書き込みの最小単位でもある。ここでは物理ページのサイズは２Ｋバイト＋６４バイトとする。６４バイトは管理情報を書き込む領域であり、実際にデータを書き込む領域は物理ページ当たり２Ｋバイトである。
【００２４】
メモリセルアレイ２２１の容量は、物理ページがＰａｇｅ０〜Ｐａｇｅ６５５３５の６５５３６個で１Ｇビット（１２８Ｍバイト＝２Ｋバイト×６５５３６）になる。
【００２５】
メモリセルアレイ２２１は、横方向にワード線が延び、縦方向にビット線が延びるマトリックス構造をとっている。横方向のワード線を駆動するのがワードラインドライバー２２２である。ワードラインドライバー２２２は、書き込みの最小単位である物理ページのそれぞれを独立して駆動することが可能であるが、その構成からわかるように１本のワードラインを分割して駆動することは出来ない。
【００２６】
メモリセルアレイ２２１の各ビット線にはセンスアンプ２２３とページバッファ２２４が繋がっている。センスアンプ２２３は直接ビット線と接続され、メモリセルアレイ２２１の各ビット線から読み出されたデータの信号を増幅する。ページバッファ２２４はカラムゲート２２６およびセレクトゲート２２７を介してビット線に接続され、メモリセルアレイ２２１から読み出された、もしくはメモリセルアレイ２２１に書き込まれる物理ページ単位のデータを一時的に保存する。
【００２７】
制御回路２２５はフラッシュメモリ２２０内部の制御を行う。制御回路２２５は、データを読み出す際にセンスアンプ活性化信号（ＳＡ）でセンスアンプ２２３を活性化する。また制御回路２２５は、データを書き込む際にはカラムゲート制御信号（ＣＧ）でカラムゲート２２６をオープンして、ページバッファ２２４のデータをメモリセルアレイ２２１のビット線に伝達する。
【００２８】
データ読み出し時におけるセンスアンプ２２３からページバッファ２２４へのデータの伝達は、４個に分割されたセレクトゲート２２７によって選択的に行われる。制御回路２２５は、データを読み出す際には、セレクトゲート信号（ＳＧ０〜ＳＧ３）によってセレクトゲート２２７の４個のゲートのうち必要なゲートを選択的にオープンにして、センスアンプ２２３のデータをページバッファに伝達する。
【００２９】
ページバッファ２２４は、セレクトゲート２２７の各ゲートに対応して４つの部分領域に分割されており、各領域は５１２バイト＋１６バイトのサイズである。１６バイトは管理情報を書き込む領域であり、実際にデータを書き込む領域は５１２バイトである。これはホスト１００が取り扱うデータの単位（セクター）に合わせている。
【００３０】
例えば、セレクトゲート制御信号ＳＧ０によってセレクトゲート２２７の１番目のゲートをオープンにすることで、先頭の部分領域に対応するデータＳ０がセンスアンプ２２３からページバッファ２２４に転送される。第２〜第４の部分領域に対しても、同様にセレクトゲート２２７の２番目〜４番目のゲートをオープンにすることで、各部分領域に対応するデータがセンスアンプ２２３からページバッファ２２４に転送される。
【００３１】
次に、図４のタイミングチャートを参照して、フラッシメモリ２２０のデータを書き換える際の動作について説明する。図４において（Ａ）はコントローラ２１０のバッファメモリＡ２１４からページバッファ２２４へのデータの流れ、（Ｂ）はページバッファ２２４からバッファメモリＡ２１４へのデータの流れ、（Ｃ）はコントローラ２１０のＭＰＵ２１１から制御回路２２５へのコマンドの流れ、（Ｄ）はビジー信号を示す。また（Ｅ）はページバッファ２２４の部分領域に保持されるデータＳ０〜Ｓ３の様子を示し、ハッチング部分はデータが無効であることを表している。
【００３２】
最初に、ホスト１００がメモリーカード２００にデータの書き込みを指示し、書き込みデータをメモリーカード２００に転送する。それに応じて、コントローラ２１０は書き込みデータをバッファメモリＡ２１４に一時的に格納していく。本実施の形態では、３セクター分のデータＳ０〜Ｓ２をメモリーカード２００に書き込むこととする。
【００３３】
バッファメモリＡ２１４に書き換え用のデータが格納されると、図４（Ｃ）に示すように、コントローラ２１０のＭＰＵ２１１は、時間ｔ４０１でフラッシュメモリ２２０に対してＴｒａｎｓコマンドを発行する。この段階では、ページバッファ２２４には有効なデータが格納されていない。そして、図４（Ａ）に示すように、コントローラ２１０のバッファメモリＡ２１４からフラッシュメモリ２２０のページバッファ２２４へデータの転送が開始される。
【００３４】
時間ｔ４０１から時間ｔ４０２の区間Ｐ１において、３セクター分のデータＳ０，Ｓ１，Ｓ２が順次転送される。ページバッファ２２４の第１〜第３の分割領域には順次有効なデータ、すなわちホスト１００からの書き込み用データＳ０〜Ｓ２が格納されていく。
【００３５】
ホスト１００からの書き込みデータの転送が終了した段階で、コントローラ２１０は、ホスト１００から転送されたデータ（Ｓ０〜Ｓ２）をフラッシュメモリ２２０に書き込む必要がある。しかし、バッファメモリＡ２１４に格納されたデータは書き込み単位（物理ページ）には達していないので、ホスト１００からの書き込みデータ以外の部分のデータをコピーする必要がある。そのために、図４（Ｃ）に示すように、時間ｔ４０２でコントローラ２１０は、フラッシュメモリ２２０に対してＰａｒｔｉａｌ  Ｒｅａｄコマンドを発行する。
【００３６】
Ｐａｒｔｉａｌ  Ｒｅａｄコマンドとは、メモリセルアレイ２２１からセンスアンプ２２３を使用して読み出したデータの全てをページバッファ２２４に転送するのではなく、データのうち任意に選択されたセクターのみのデータを転送するコマンドである。本実施の形態では、センスアンプ２２３からページバッファ２２４へデータを部分領域毎に転送するセレクトゲート２２７を設けているため、任意の選択されたセクターのみのデータの転送ができる。このためコントローラ２１０は、書き換えのためホスト１００から転送されたデータ（Ｓ０〜Ｓ２）に対応する物理ページのアドレスを指定すると共に、このアドレスから読み出された物理ページ分のデータのうち１セクター分のデータＳ３のみをセンスアンプ２２３からページバッファ２２４に転送するコマンドを発行する。
【００３７】
そうすることで、フラッシュメモリ２２０では、時間ｔ４０２から時間ｔ４０３の区間Ｐ２に示すビジー期間を経て、時間ｔ４０３で１セクター分のデータＳ３をページバッファ２２４に転送する。その結果、ページバッファ２２４に、ホスト１００からの書き込みデータＳ０〜Ｓ２と、メモリセルアレイ２２１からの読み出しデータＳ３が混在した状態で格納される。
【００３８】
ここで、比較のため従来のデータ書き換え方法について説明する。従来のフラッシュメモリは、１セクター分のデータＳ３のみを読み出してページバッファ２２４に転送する機能がなく、ページ単位のデータしか転送できなかった。このため、データＳ３を含むページ単位のデータをメモリセルアレイ２２０から読み出してページバッファ２２４に転送する。その場合、既にページバッファ２２４に保持されているホスト１００からの書き込みデータＳ０〜Ｓ２にメモリセルアレイ２２１から読み出されたデータが上書きされる。その結果、ホスト１００からの書き込みデータＳ０〜Ｓ２は消去され、これらのデータをフラッシュメモリ１０２に書き込むためには、再度データＳ０〜Ｓ２をコントローラ２１０からフラッシュメモリ２２０に転送する必要があった。
【００３９】
なお、従来の別の方法として、最初にフラッシュメモリ２２０へのデータの転送（時間ｔ４０１〜時間ｔ４０２）を行わずに、データを読み出した後に、データをコントローラ２１０からフラッシュメモリ２２０に転送すれば、改めてデータを転送することを回避できる。しかし、そのためには物理ページ分のデータがコントローラ２１０のバッファメモリＡ２１４に揃うのを待ってからしか、フラッシュメモリ２２０へのデータの転送を開始することができない。結果として、物理ページ分のデータの待ち時間によって書き込み性能の低下が発生するため、処理を高速化するための解決策とはならない。
【００４０】
本実施の形態の説明に戻り、図４（Ｂ）に示すように、時間ｔ４０３から時間ｔ４０４の区間Ｐ３において、コントローラ２１０はフラッシュメモリ２２０のページバッファ２２４から４番目のセクターのデータＳ３をバッファメモリＡ２１４へ読み出す。これは、フラッシュメモリ２２１から読み出されたデータにビット誤りが存在するかどうかを検査して、誤りを訂正するために行われる。ここでは、誤りが発生していない場合について説明する。
【００４１】
次に、図４（Ｃ）に示すように、時間ｔ４０４でコントローラ２１０はフラッシュメモリ２２０に対してＷｒｉｔｅコマンドを発行する。フラッシュメモリ２２０の制御回路２２５はこのコマンドを受け、ページバッファ２２４に格納されているデータＳ０〜Ｓ３をメモリセルアレイ２２１に書き込む。時間ｔ４０４から時間ｔ４０５の区間Ｐ４のビジー期間を経て、時間ｔ４０５で書き込みが終了する。
【００４２】
以上のように、本発明に係る不揮発性メモリを使用すれば、ホストからの書込みデータとフラッシュメモリからの読み出しデータが混在したデータを書き込む際に、ホストからのデータを再転送する必要がないため、処理の高速化が図れる。
【００４３】
なお、本発明の本質は、ホストから転送済みのデータを保護するために、メモリセルアレイからページバッファへのデータの転送を選択的に行える機能を付加することにある。またその結果として、データの再送を行うことなく、転送済みのデータとメモリセルアレイから読み出したデータが混在するデータを単一の物理ページへ書き込む方法を提供することにある。
【００４４】
従って、上述した実施の形態では、センスアンプからページバッファへのデータの転送を選択的に行う構成について説明したが、これを特許文献１に記載されたような複数のページバッファを有する構成に適用し、一方のページバッファから他方のページバッファへ選択的にデータを転送する機能を付加しても、本発明の効果を得ることができる。
【００４５】
また、複数のページバッファを備えた構成において、個々のページバッファに格納されたデータからそれぞれ一部分を選択してメモリセルアレイにデータを書き込む機能を付加することによって、複数のページバッファに格納されたデータの各部分を併せてページ単位のデータを構成することが可能となり、上述した場合と同様に本発明の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明に係る不揮発性メモリおよびその書き換え方法は、データの高速書き込みが実現できるため、高速化が要求される半導体装置に用いた場合に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明に係る不揮発性メモリを使用したメモリーカードとホストの構成を示す図
【図２】図１のメモリーカード内のコントローラの構成を示す図
【図３】図１のメモリーカード内のフラッシュメモリの構成を示す図
【図４】本発明に係る不揮発性メモリについてデータの書き換え動作を説明するタイミングチャート
【符号の説明】
【００４８】
１００  ホスト
２００  メモリーカード
２１０  コントローラ
２２０  フラッシュメモリ
２１１  ＭＰＵ
２１２  論物変換テーブル
２１３  消去ブロックテーブル
２１４  バッファメモリＡ
２１５  バッファメモリＢ
２１６、２１７  セレクタ
２２１  メモリセルアレイ
２２２  ワードラインドライバー
２２３  センスアンプ
２２４  ページバッファ
２２５  制御回路
【図１】
2008300018.tif 000003
【図２】
2008300018.tif 000004
【図３】
2008300018.tif 000005
【図４】
2008300018.tif 000006