(57)【要約】【課題】１枚の半導体ウエハで、半導体ウエハの表裏両面に付着している金属不純物を収集することを目的とする。【解決手段】基板面に処理液を滴下し、処理液を回収することにより、基板面に付着している不純物を収集する基板処理装置であって、基板の第１の面を上方に向けて基板が載置される固定部と、基板に処理液を滴下する滴下部と、基板の第１の面を吸着し、基板を上方から保持する保持部と、保持部を垂直面で回転し、基板の第１の面に対する裏面を上方に向ける回転部と、を備える。【選択図】図１
2008258305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板面に処理液を滴下し、前記処理液を回収することにより、前記基板面に付着している不純物を収集する基板処理装置であって、
前記基板の第１の面を上方に向けて前記基板が載置される固定部と、
前記基板に処理液を滴下する滴下部と、
前記基板の第１の面を吸着し、前記基板を上方から保持する保持部と、
前記保持部を垂直面で回転し、前記基板の第１の面に対する裏面を上方に向ける回転部と、を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記回転部は、伸縮可能に構成され、その先端部で前記保持部を固定するとともに、前記保持部を前記滴下部直下の第１の位置と前記滴下部直下から退行した第２の位置との間で水平方向に移動するアーム部と、
前記アーム部の伸縮方向に平行な中心軸の周りに前記アーム部を回転可能な駆動部と、を更に備える請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記固定部は、前記基板の裏面を吸着することにより前記基板を固定し、
前記基板の裏面を吸着させた状態で前記固定部を傾斜させる傾斜部を更に備える請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板面に処理液を滴下し、前記処理液を回収することにより、前記基板面に付着している不純物を収集する基板処理方法であって、
前記基板の第１の面を上方に向けて前記基板を固定部に載置する工程と、
前記基板の第１の面を保持部で吸着させ、前記基板を上方から保持する工程と
前記保持部を垂直面で回転し、前記基板の第１の面に対する裏面を上方に向ける工程と、を備える基板処理方法。
【請求項５】
前記載置する工程は、前記基板の裏面を前記固定部で吸着させることにより前記基板を固定し、
前記基板の裏面を吸着させた状態で前記固定部を傾斜させる工程を更に備える請求項４に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハに付着している金属不純物は、半導体素子の電気的特性を劣化させ、半導体素子の信頼性に影響を及ぼしている。そのため、半導体ウエハに付着している金属不純物を測定し、半導体ウエハの金属汚染の状態を把握する試みがされている。
【特許文献１】特開２００４−３４７５４３号公報
【特許文献２】特開２００４−１４００５４号公報
【特許文献３】特開平９−２９８２２９号公報
【特許文献４】特開平３−５２２２６号公報
【特許文献５】特許第３１１６８７１号公報
【特許文献６】特開２００２−１７０８０５号公報
【特許文献７】特開平９−２９８１７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来、半導体ウエハに付着している金属不純物を測定するため、半導体ウエハの片面に対してのみ処理を行い、半導体ウエハに付着している金属不純物を収集している。したがって、半導体ウエハの表裏両面の金属不純物を収集するためには、半導体ウエハのサンプルを２枚用意する必要があった。本発明は、１枚の半導体ウエハで、半導体ウエハの表裏両面に付着している金属不純物を収集することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は前記課題を解決するために、以下の手段を採用した。すなわち、本発明の基板処理装置は、基板面に処理液を滴下し、前記処理液を回収することにより、前記基板面に付着している不純物を収集する基板処理装置であって、
前記基板の第１の面を上方に向けて前記基板が載置される固定部と、
前記基板に処理液を滴下する滴下部と、
前記基板の第１の面を吸着し、前記基板を上方から保持する保持部と、
前記保持部を垂直面で回転し、前記基板の第１の面に対する裏面を上方に向ける回転部と、を備える。
【０００５】
本発明の基板処理装置によれば、保持部が基板の第１の面を吸着し、基板上方から保持する。回転部により、保持部は垂直面で回転し、基板の第１の面に対する裏面は上方に向けられる。すなわち、基板の裏表を反転させることが可能となる。したがって、基板を交換する必要なしに、基板面に処理液を滴下し、処理液を回収することにより、基板の表面及び裏面に付着する不純物を収集することが可能となる。その結果、基板に付着している不純物の収集を効率よく行うことが可能となる。
【０００６】
また、本発明の基板処理装置は、前記回転部が、伸縮可能に構成され、その先端部で前記保持部を固定するとともに、前記保持部を前記滴下部直下の第１の位置と前記滴下部直下から退行した第２の位置との間で水平方向に移動するアーム部と、前記アーム部の伸縮方向に平行な中心軸の周りに前記アーム部を回転可能な駆動部と、を更に備えてもよい。本発明の基板処理装置によれば、アーム部が保持部を水平方向に移動させる。したがって、基板面に処理液を滴下する場合、保持部を滴下部直下から退行した位置に移動させることが可能となる。
【０００７】
また、本発明の基板処理装置は、
前記固定部が、前記基板の裏面を吸着することにより前記基板を固定し、
前記基板の裏面を吸着させた状態で前記固定部を傾斜させる傾斜部を更に備えてもよい。本発明の基板処理装置によれば、固定部に基板の裏面を吸着させた状態で、固定部を傾斜させることにより、基板面に滴下される処理液を回収することが可能となる。
【０００８】
本発明の基板処理方法は、
基板面に処理液を滴下し、前記処理液を回収することにより、前記基板面に付着している不純物を収集する基板処理方法であって、
前記基板の第１の面を上方に向けて前記基板を固定部に載置する工程と、
前記基板の第１の面を保持部で吸着させ、前記基板を上方から保持する工程と
前記保持部を垂直面で回転し、前記基板の第１の面に対する裏面を上方に向ける工程と、を備える。
【０００９】
本発明の基板処理方法によれば、基板の第１の面を保持部で吸着し、基板を上方から保持する。保持部は垂直面で回転し、基板の第１の面に対する裏面は上方に向けられる。すなわち、基板の裏表を反転させることが可能となる。したがって、基板を交換する必要なしに、基板面に処理液を滴下し、処理液を回収することにより、基板の表面及び裏面に付着する不純物を収集することが可能となる。その結果、基板に付着している不純物の収集を効率よく行うことが可能となる。
【００１０】
また、本発明の基板処理方法は、
前記載置する工程が、前記基板の裏面を前記固定部で吸着させることにより前記基板を固定し、
前記基板の裏面を吸着させた状態で前記固定部を傾斜させる工程を更に備えてもよい。本発明の基板処理方法によれば、基板の裏面を固定部で吸着させた状態で、固定部を傾斜させることにより、基板面に滴下される処理液を回収することが可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、１枚の半導体ウエハで、半導体ウエハの表裏両面に付着している金属不純物を収集することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。以下の実施形態の構成は例示であり、本発明は実施形態の構成には限定されない。
【００１３】
〈第１実施形態〉
図１は、本発明の第１実施形態に係る処理装置１の斜視図である。図１に示す処理装置１は、アーム部２と、アーム部２を回転させる駆動部３と、ノズル部４と、半導体ウエハ５を設置するためのウエハ設置台６（本発明の固定部に相当）と、ウエハ設置台６を移動及び傾斜させるステージ７（本発明の傾斜部に相当）とが設けられている。アーム部２の根本部分は駆動部３と連結されており、アーム部２の先端部分には薬液滴下部８及び複数のバキューム部９（本発明の保持部に相当）が設けられている。ノズル部４の先端部分には薬液滴下部１０が設けられている。図１では、アーム部２の３箇所にバキューム部９が設けられているが、アーム部２にバキューム部９を設ける位置及びバキューム部９の数は任意であり、本発明はこれに限定されない。例えば、バキューム部９を等間隔でアーム部２に設けてもよいし、アーム部２の４箇所にバキューム部９を設けてもよい。
【００１４】
駆動部３が駆動することにより、アーム部２はアーム部２の長手方向に伸びる中心線Ａ
を軸として回転する。また、駆動部３が駆動することにより、アーム部２は中心線Ａと平行な方向（水平方向）に伸縮する。したがって、駆動部３は、アーム部２の伸縮方向に平行な中心軸の周りにアーム部２を回転させることができる。バキューム部９は、管状になっており、アーム部２の内部及び駆動部３の内部を通り吸引ポンプ１１と繋がっている。
【００１５】
バキューム部９の端部は開口されており、吸引ポンプ１１が駆動することによってバキューム部９の先端に半導体ウエハ５を吸着させることができる。吸引ポンプ１１の駆動が停止（すなわち、吸引ポンプ１１の吸引が停止）するまで、バキューム部９の先端に吸着した半導体ウエハ５は、バキューム部９の先端に固定された状態となる。
【００１６】
バキューム部９は、フッ素樹脂を材料として用いることができるが、金属以外の他の材料を用いることも可能である。また、金属材料にフッ素樹脂などの樹脂をコーティングした材料を用いて、バキューム部９を作製してもよい。
【００１７】
薬液滴下部８から分解回収液であるフッ酸が半導体ウエハ５に滴下される。半導体ウエハ５にフッ酸が滴下されると、フッ酸は半導体ウエハ５を分解し、半導体ウエハ５に付着している金属がフッ酸に溶解する。
【００１８】
ステージ７とウエハ設置台６とは支持部１２を介して連結されており、支持部１２を上下方向に移動させることにより、ウエハ設置台６を上下方向に移動させることができる。ウエハ設置台６には、半導体ウエハ５の表面が上方向を向くように、かつ、略水平で半導体ウエハ５が設置（載置）される。支持部１２を傾斜させることにより、ウエハ設置台６を傾斜させることができる。ウエハ設置台６が傾斜することにより、ウエハ設置台６に設置された半導体ウエハ５は傾斜する。ここで、表面（本発明の第１の面に相当）とは、半導体ウエハ５の一方の面をいい、裏面とは、表面と反対側の面をいう。すなわち、表面、裏面は、半導体ウエハ５のいずれかの面を呼ぶ呼称にすぎない。
【００１９】
図２に、本発明の第１実施形態に係る処理方法のフローチャートを示す。まず、半導体ウエハ５の表面に分解回収液であるフッ酸を滴下する（Ｓ１０１）。半導体ウエハ５は、その表面が上方向に向くようにウエハ設置台６に設置されている。アーム部２の先端部分に設けられた薬液滴下部８からフッ酸を滴下することにより、半導体ウエハ５の表面にフッ酸が滴下される。
【００２０】
次に、半導体ウエハ５の表面に滴下したフッ酸を回収する（Ｓ１０２）。この場合、半導体ウエハ５の表面に滴下されたフッ酸をスポイトによって回収してもよい。また、半導体ウエハ５を設置したウエハ設置台６を傾けることにより半導体ウエハ５を傾けさせ、半導体ウエハ５の表面に滴下されたフッ酸を回収してもよい。半導体ウエハ５を傾けることにより、半導体ウエハ５の表面に滴下されたフッ酸を回収する場合、回収容器をウエハ設置台６の横に配置しておけばよい。
【００２１】
そして、バキューム部９の先端に半導体ウエハ５の表面を吸着させる（Ｓ１０３）。具体的には、ステージ７を駆動させ、ウエハ設置台６と連結された支持部１２を伸ばすことにより、ウエハ設置台６を上方向に移動させる。ウエハ設置台６に設置された半導体ウエハ５がバキューム部９の先端に接触したら、支持部１２の伸長を停止する。そして、吸引ポンプ１１を駆動し、バキューム部９の開口された先端から吸引を行うことにより、半導体ウエハ５の表面をバキューム部９に吸着させる。すなわち、半導体ウエハ５は、上方からバキューム部９により保持される。図３に、半導体ウエハ５の表面をバキューム部９に吸着させた場合の処理装置１の斜視図を示す。
【００２２】
図２の説明に戻る。吸引ポンプ１１を駆動させた状態で、ウエハ設置台６と連結された
支持部１２を縮めることにより、ウエハ設置台６を下方向に移動させる。そして、駆動部３を駆動させ、アーム部２を１８０度回転させる（Ｓ１０４）。駆動部３を駆動させ、アーム部２が回転することにより、図１に示す中心線Ａと直交する垂直面上でバキューム部９は回転する。アーム部２を１８０度回転させた場合、半導体ウエハ５の裏面が上方向を向いた状態となる。図４に、アーム部２を１８０度回転させた場合の処理装置１の斜視図を示す。
【００２３】
図２の説明に戻る。半導体ウエハ５の裏面に分解回収溶液であるフッ酸を滴下する（Ｓ１０５）。具体的には、ノズル部４の先端に設けられた薬液滴下部１０からフッ酸を滴下する。次に、半導体ウエハ５の裏面に滴下したフッ酸を回収する（Ｓ１０６）。この場合、半導体ウエハ５の裏面に滴下されたフッ酸をスポイトによって回収してもよい。また、半導体ウエハ５を傾けさせ、半導体ウエハ５の裏面に滴下されたフッ酸を回収してもよい。すなわち、駆動部３を駆動し、アーム部２を所定角度回転させる。アーム部２に連結するバキューム部９は、半導体ウエハ５の表面を吸着している。そのため、アーム部２が所定角度回転すると、半導体ウエハ５は傾く。半導体ウエハ５を傾けることにより、半導体ウエハ５の裏面に滴下されたフッ酸を回収する。半導体ウエハ５を傾けることにより、半導体ウエハ５の表面に滴下されたフッ酸を回収する場合、回収容器をアーム部２の横に配置しておけばよい。
【００２４】
〈第２実施形態〉
図５は、本発明の第２実施形態に係る処理装置１の斜視図である。図５に示す処理装置１は、アーム部２０と、アーム部２０を回転させる駆動部２１と、ノズル部２２と、半導体ウエハ５を設置するための吸着台２３（本発明の固定部に相当）と、吸着台２３を移動及び傾斜させるステージ２４（本発明の傾斜部に相当）とが設けられている。アーム部２０の根本部分は駆動部２１と連結されており、アーム部２０にはバキューム部２５（本発明の保持部に相当）が設けられている。ノズル部２２の先端部分には薬液滴下部２６が設けられている。
【００２５】
駆動部２１が駆動することにより、アーム部２０はアーム部２０の長手方向に伸びる中心線Ｂを軸として回転する。また、駆動部２１が駆動することにより、アーム部２０は中心線Ｂと平行な方向（水平方向）に伸縮する。したがって、駆動部２１は、アーム部２０の伸縮方向に平行な中心軸の周りにアーム部２０を回転させることができる。
【００２６】
バキューム部２５は、半球体部２７とアーム部２０に連結された棒状部２８とで構成されている。棒状部２８は、菅状になっており、アーム部２０の内部及び駆動部２１の内部を通り吸引ポンプ２９と繋がっている。図６（ａ）に、バキューム部２５の断面図を示す。図６（ｂ）に、バキューム部２５を上方向に向けた場合の斜視図を示す。図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、バキューム部２５には、内周面と外周面との間に空洞３０が形成されている。吸引ポンプ２９を駆動させ、バキューム部２５の空洞３０から吸引を行うことにより、バキューム部２５に半導体ウエハ５を吸着させることができる。吸引ポンプ２９の駆動が停止（すなわち、吸引ポンプ２９の吸引が停止）するまで、バキューム部２５に吸着した半導体ウエハ５は、バキューム部２５に固定された状態となる。
【００２７】
バキューム部２５は、フッ素樹脂を材料として用いることができるが、金属以外の他の材料を用いることも可能である。また、金属材料にフッ素樹脂などの樹脂をコーティングした材料を用いて、バキューム部２５を作製してもよい。
【００２８】
図５の説明に戻る。薬液滴下部２６から分解回収液であるフッ酸が半導体ウエハ５に滴下される。半導体ウエハ５にフッ酸が滴下されると、フッ酸は半導体ウエハ５を分解し、半導体ウエハ５に付着している金属がフッ酸に溶解する。
【００２９】
ステージ２４と吸着台２３とは支持部３１を介して連結されており、支持部３１を上下方向に移動させることにより、吸着台２３を上下方向に移動させることができる。吸着台２３には、半導体ウエハ５の表面が上方向を向くように、かつ、略水平で半導体ウエハ５が設置（載置）される。表面及び裏面の意味は、第１実施形態と同様である。
【００３０】
吸着台２３は、菅状の支持部３１と連結されている。吸引ポンプ３２から出ているパイプ３３は、ステージ２４の内部を通り、支持部３１と繋がっている。図７（ａ）に、吸着台２３の断面図を示す。図７（ｂ）に、吸着台２３の斜視図を示す。図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、吸着台２３には、内周面と外周面との間に空洞３４が形成されている。吸引ポンプ３２を駆動することにより、空洞３４から吸引が行われ、吸着台２３に半導体ウエハ５を吸着させることができる。吸引ポンプ３２の駆動が停止（すなわち、吸引ポンプ３２の吸引が停止）するまで、吸着台２３に吸着した半導体ウエハ５は、吸着台２３に固定された状態となる。
【００３１】
支持部３１を傾斜させることにより、吸着台２３を傾斜させることができる。吸着台２３が傾斜することにより、吸着台２３に設置された半導体ウエハ５は傾斜する。吸着台２３は、フッ素樹脂を材料として用いることができるが、金属以外の他の材料を用いることも可能である。また、金属材料にフッ素樹脂などの樹脂をコーティングした材料を用いて、吸着台２３を作製してもよい。
【００３２】
図８に、本発明の第２実施形態に係る処理方法のフローチャートを示す。まず、半導体ウエハ５の表面に分解回収液であるフッ酸を滴下する（Ｓ２０１）。半導体ウエハ５は、その表面が上方向に向くように吸着台２３に設置されている。すなわち、半導体ウエハ５の裏面が吸着台２３と接するように半導体ウエハ５は設置されている。吸引ポンプ３２を駆動し、吸着台２３の空洞３４から吸引を行うことにより、半導体ウエハ５の裏面が吸着台２３に吸着される。そして、ノズル部２２の先端部分に設けられた薬液滴下部２６からフッ酸を滴下することにより、半導体ウエハ５の表面にフッ酸が滴下される。この場合、アーム部２０やバキューム部２５が、フッ酸の滴下の妨げとならないように、駆動部２１を駆動することにより、アーム部２０を縮む方向に移動させる。アーム部２０が縮む方向に移動することにより、アーム部２０及びバキューム部２５は、薬液滴下部２６の直下の位置から退行した位置（本発明の第２の位置に相当）に移動する。
【００３３】
次に、半導体ウエハ５の表面に滴下したフッ酸を回収する（Ｓ２０２）。この場合、半導体ウエハ５の表面に滴下されたフッ酸をスポイトによって回収してもよい。また、半導体ウエハ５を設置した吸着台２３を傾けることにより半導体ウエハ５を傾けさせ、半導体ウエハ５の表面に滴下されたフッ酸を回収してもよい。半導体ウエハ５を傾けることにより、半導体ウエハ５の表面に滴下されたフッ酸を回収する場合、回収容器を吸着台２３の横に配置しておけばよい。
【００３４】
そして、バキューム部２５に半導体ウエハ５の表面を吸着させる（Ｓ２０３）。具体的には、駆動部２１を駆動し、バキューム部２５が半導体ウエハ５の表面の上方に位置するように、アーム部２０を移動させる。すなわち、アーム部２０及びバキューム部２５を薬液滴下部２６の直下の位置（本発明の第１の位置に相当）に移動させる。次に、ステージ２４を駆動し、吸着台２３と連結された支持部３１を伸ばすことにより、吸着台２３を上方向に移動させる。吸着台２３に設置された半導体ウエハ５がバキューム部２５に接触したら、支持部３１の伸長を停止する。そして、吸引ポンプ３２の駆動を停止し、吸着台２３から半導体ウエハ５の裏面をはがす。次に、吸引ポンプ２９を駆動し、バキューム部２５の空洞３４から吸引を行うことにより、半導体ウエハ５の表面をバキューム部２５に吸着させる。すなわち、半導体ウエハ５は、上方からバキューム部２５により保持される。
図９に、半導体ウエハ５の表面をバキューム部２５に吸着させた場合の処理装置１の斜視図を示す。なお、図７のＳ２０３の処理において、吸引ポンプ２９を駆動し、バキューム部２５の空洞３０から吸引を行うことにより、半導体ウエハ５の表面をバキューム部２５に吸着させた後、吸引ポンプ３２の駆動を停止し、吸着台２３から半導体ウエハ５の裏面をはがしてもよい。
【００３５】
図７の説明に戻る。吸引ポンプ２９を駆動させた状態で、吸着台２３と連結された支持部３１を縮めることにより、吸着台２３を下方向に移動させる。そして、駆動部２１を駆動させ、アーム部２０を１８０度回転させる（Ｓ２０４）。駆動部２１を駆動させ、アーム部２０が回転することにより、図５に示す中心線Ｂと直交する垂直面上でバキューム部２０は回転する。アーム部２０を１８０度回転させた場合、半導体ウエハ５の裏面が上方向を向いた状態となる。図１０に、アーム部２０を１８０度回転させた場合の処理装置１の斜視図を示す。
【００３６】
図７の説明に戻る。半導体ウエハ５の裏面に分解回収溶液であるフッ酸を滴下する（Ｓ２０５）。具体的には、ノズル部２２の先端に設けられた薬液滴下部２６からフッ酸を滴下する。次に、半導体ウエハ５の裏面に滴下したフッ酸を回収する（Ｓ２０６）。この場合、半導体ウエハ５の裏面に滴下されたフッ酸をスポイトによって回収してもよい。また、半導体ウエハ５を傾けさせ、半導体ウエハ５の裏面に滴下されたフッ酸を回収してもよい。すなわち、駆動部２１を駆動し、アーム部２０を所定角度回転させる。アーム部２０に連結するバキューム部２５は、半導体ウエハ５の表面を吸着している。そのため、アーム部２０が所定角度回転すると、半導体ウエハ５は傾く。半導体ウエハ５を傾けることにより、半導体ウエハ５の裏面に滴下されたフッ酸を回収する。半導体ウエハ５を傾けることにより、半導体ウエハ５の表面に滴下されたフッ酸を回収する場合、回収容器をアーム部２０の横に配置しておけばよい。
【００３７】
第２実施形態では、半導体ウエハ５を設置させるために吸着台２３を用いているが、吸着台２３に替えて第１実施形態で説明したウエハ設置台６を用いてもよい。また、第２実施形態で説明した吸着台２３を第１実施形態に用いて、第１実施形態に係る処理方法を行ってもよい。
【００３８】
第１実施形態及び第２実施形態に係る処理装置１又は処理方法によれば、半導体ウエハ５の表面に付着している金属不純物を収集し、半導体ウエハ５を交換せずに、半導体ウエハ５の裏面に付着している金属不純物を収集することができる。したがって、１枚の半導体ウエハ５により、半導体ウエハ５の表面及び裏面に付着している金属不純物を収集することができる。その結果、半導体ウエハ５に付着している金属不純物の収集効率が高くなる。さらに、１枚の半導体ウエハ５により、半導体ウエハ５の表裏両面の金属汚染分析が可能となる。つまり、１枚の半導体ウエハ５により、半導体ウエハ５の裏表両面における金属汚染データの収集が可能となる。また、金属汚染分析のため２枚必要であった半導体ウエハ５を１枚にすることにより、サンプルコストを抑えることが可能となる。
【００３９】
〈変形例〉
第１実施形態及び第２実施形態では、エアーを吸引することにより半導体ウエハ５を吸着させる方法について説明した。本変形例では、エアーを吸引する代わりに静電吸着してもよい。いわゆる静電チャックを吸着台２３の半導体ウエハ５との接触面に設けてもよい。また、静電チャックをバキューム部２５の半導体ウエハ５との接触面に設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る処理装置１の斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る処理方法のフローチャートである。
【図３】半導体ウエハ５の表面をバキューム部９に吸着させた場合の処理装置１の斜視図である。
【図４】アーム部２を１８０度回転させた場合の処理装置１の斜視図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る処理装置１の斜視図である。
【図６】（ａ）は、バキューム部２５の断面図であり、（ｂ）は、バキューム部２５を上方向に向けた場合の斜視図である。
【図７】（ａ）は、吸着台２３の断面図であり、（ｂ）は、吸着台２３の斜視図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る処理方法のフローチャートである。
【図９】半導体ウエハ５の表面をバキューム部２５に吸着させた場合の処理装置１の斜視図である。
【図１０】アーム部２０を１８０度回転させた場合の処理装置１の斜視図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  処理装置
２  アーム部
３  駆動部
４  ノズル部
５  半導体ウエハ
６  ウエハ設置台
７  ステージ
８  薬液滴下部
９  バキューム部
１０  薬液滴下部
１１  吸引ポンプ
１２  支持部
２０  アーム部
２１  駆動部
２２  ノズル部
２３  吸着台
２４  ステージ
２５  バキューム部
２６  薬液滴下部
２７  半球体部
２８  棒状部
２９  吸引ポンプ
３０  空洞
３１  支持部
３２  吸引ポンプ
３３  パイプ
３４  空洞
【図１】
2008258305.tif 000003
【図２】
2008258305.tif 000004
【図３】
2008258305.tif 000005
【図４】
2008258305.tif 000006
【図５】
2008258305.tif 000007
【図６】
2008258305.tif 000008
【図７】
2008258305.tif 000009
【図８】
2008258305.tif 000010
【図９】
2008258305.tif 000011
【図１０】
2008258305.tif 000012