(57)【要約】【課題】本発明の目的は、従来から用いられている正孔輸送分子で現在達成されている正孔移動度より速い移動度を持つ感光体が得られるような新たな分子の発見と、同物質の合成方法を提供することである。【解決手段】本発明の非対称アリールアミン化合物を含む画像形成部材は、基材と、基材上に配置した電荷発生層と、電荷発生層上に配置した電荷輸送層とを含み、電荷輸送層が、銅触媒存在下で、第１のアリールアミンをブロモヨードアリールまたはクロロヨードアリール化合物と縮合させて、置換中間体を生成する工程と、パラジウム触媒存在下で、置換中間体に第２のアリールアミンを加え、反応させる工程と、を含む方法によって得られる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材上に配置した電荷発生層と、
前記電荷発生層上に配置した電荷輸送層と、を含む画像形成部材であって、
前記電荷輸送層は、次の構造式を持つ化合物を含み、
【化１】
2008217007.tif 000007
式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、およびＡｒ４はそれぞれ、約６〜約３０の炭素を含む芳香族炭化水素基、あるいは、窒素、酸素、イオウ、またはケイ素原子を含むヘテロアリール基であり、
Ａｒ５は、約６〜約３０の炭素を含む二価芳香族炭化水素基、あるいは、窒素、酸素、イオウ、またはケイ素原子を含むヘテロアリーレン基であり、
Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つは、長さに０〜２の炭素を含むアルキル基またはヘテロアルキル基を含み、
Ｒ３およびＲ４の少なくとも１つは、長さに４以上の炭素を含むアルキル基またはヘテロアルキル基を含み、
ｘ、ｙ、ｊ、およびｋは、０〜５の整数であることを特徴とする画像形成部材。
【請求項２】
請求項１に記載の画像形成部材であって、
前記Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、およびＡｒ４はそれぞれ、フェニル、ビフェニル、ナフチル、フルオレニル、およびアントリルから成る群より選ばれることを特徴とする画像形成部材。
【請求項３】
請求項１に記載の画像形成部材であって、
前記Ａｒ５は、次の構造式で示されるもの、およびそれらの混合物から成る群より選ばれ、
【化２】
2008217007.tif 000008
式中、Ｒは、水素原子または１〜約１２の炭素を含む炭化水素基であり、
Ｒ’は、１〜約１２の炭素を含む炭化水素基であり、
ｎは１〜約６の整数であることを特徴とする画像形成部材。
【請求項４】
非対称アリールアミン化合物の製造方法であって、
（ａ）銅触媒存在下で、第１のアリールアミンを、ブロモヨードアリールまたはクロロヨードアリール化合物と縮合させて、置換中間体を生成する工程と、
（ｂ）パラジウム触媒存在下で、前記置換中間体に第２のアリールアミンを加え、反応させる工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書は一般に、多層型感光体デバイスなどの画像形成部材に組み込まれる正孔輸送分子（ＨＴＭ）として有用な新規化合物と、同物質を製造するための改良された化学的方法に関する。より詳細には、本発明の実施の形態は、感光体の“正孔移動度”、あるいはその電荷輸送層（ＣＴＬ）を横断する電荷の移動性を高めるために用いられる非対称アリールアミン化合物に関する。更に本発明の実施の形態は、ウルマン反応とブッフバルト反応とを直列に組み合わせて用いた、これらのアリールアミン化合物を合成するための改良された化学的方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層型感光体に用いられる光発生層は、例えば、塗膜を形成するポリマー系バインダ中に分散させた無機光導電性粒子または有機光導電性粒子を含むことができる。無機または有機光導電性材料は、連続した均質な光発生層として形成される。
【０００３】
光が当たると、発生した電荷は感光体を通って移動する。電荷の移動は電荷輸送層によって促進される。電荷輸送層を通過する電荷の速度は、どのくらい速くこの装置が稼働できるかに直接影響する。装置速度（ｐｐｍ）を所望の速さまで上げるには、感光体の電荷移動度も大きくしなければならない。すなわち、これらの層を通る電荷の輸送性を上げれば感光体性能は向上する。
【０００４】
移動度を高めるため、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンなどの従来の正孔輸送分子が一般に電荷輸送層に加えられる。しかし、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンなどの従来の分子では、良好な移動度が得られるとはいえ、より高速の装置に十分な高い移動度を得ることができない。電子写真の進歩に伴い、更に装置速度を上げ、また現存する感光体の正孔移動度を向上させる装置的方法がより必要になってきている。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第３，１２１，００６号明細書
【特許文献２】米国特許第５，７０９，９７４号明細書
【特許文献３】米国特許第５，８９１，５９４号明細書
【特許文献４】米国特許第４，２６５，９９０号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２００６／１１１５８８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、従来から用いられている正孔輸送分子で現在達成されている正孔移動度より速い移動度を持つ感光体が得られるような新たな分子の発見と、同物質の合成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
ある実施の形態では、基材と、基材上に配置した電荷発生層と、電荷発生層上に配置した電荷輸送層とを含み、電荷輸送層が、銅触媒存在下で、第１のアリールアミンをブロモヨードアリールまたはクロロヨードアリール化合物と縮合させて、置換中間体を生成する工程と、パラジウム触媒存在下で、置換中間体に第２のアリールアミンを加え、反応させる工程と、を含む方法によって得られた非対称アリールアミン化合物を含む画像形成部材が挙げられている。
【０００８】
もう一つの実施の形態では、銅触媒存在下で、第１のアリールアミンをブロモヨードアリールまたはクロロヨードアリール化合物と縮合させて、置換中間体を生成する工程と、パラジウム触媒存在下で、置換中間体に第２のアリールアミンを加え、反応させる工程と、を含む方法によって得られた、非対称アリールアミン化合物の製造方法を提示する。更に別の実施の形態では、上記の方法で得られた生成物を提示する。
【０００９】
別の実施の形態では、銅触媒存在下で、第１のアリールアミンをブロモヨードアリールまたはクロロヨードアリール化合物と縮合させて、置換中間体を生成する工程と、パラジウム触媒存在下で、置換中間体と第２のアリールアミンとを反応させる工程と、を含む方法によって得られた、非対称アリールアミン化合物の製造方法で得られた生成物が挙げられている。このとき、ウルマン縮合反応とブッフバルト反応とを直列に組み合わせて行い、非対称アリールアミン化合物は、テトラ（アリール）ビフェニルジアミン系またはテトラ（アリール）ターフェニルジアミン系分子である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
アリールアミン化合物の非対称性は、一方の端を最小限に置換し、もう一方の端を柔軟性のない（rigid）および／または芳香族基で置換することによって生じる。最小限に置換された末端は分子を柔軟にし、もう一方の端は分子相互作用を向上させる。この非対称性により、正孔輸送分子は、柔軟性のない端によって移動度が良くなるだけでなく、最小限に置換された端によって被覆性も良くなる。
【００１１】
更に、実施の形態には、２つの炭素−窒素結合を形成するため、ウルマン縮合反応とブッフバルト反応とを直列に組み合わせた方法で製造した生成物も含まれる。ブッフバルト化学反応では、このような結合の形成に、一般にパラジウム系触媒が広く使えることが認められている。本明細書は、この方法を非対称アリールアミン化合物の効率的な製造に応用するものである。より詳細には、以下に示すように、銅触媒存在下での、アリールアミンとブロモヨードアリールまたはクロロヨードアリール前駆物質とのウルマン縮合によって臭素または塩素置換中間体を生成し、次に、パラジウムの結合した（ligated）触媒の存在下で、異なるアリールアミンを臭素または塩素置換中間体と反応させる、ブッフバルト反応を行う。
【００１２】
ウルマン反応：
【化１】
2008217007.tif 000002
【００１３】
ブッフバルト反応：
【化２】
2008217007.tif 000003
【００１４】
この反応スキーム中、アリールアミンは、所望の最終生成物に応じて、適当であればどのようなアリールアミンであっても良い。つまり、例えば、上記の反応スキームにおいて、Ａｒ１は、公知の置換または非置換芳香族成分、あるいは２〜約１５の共役結合または縮合ベンゼン環を含む置換または非置換アリール基のいずれでも良く、例えば、フェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリルなどである（但し、これらに限定しない）。Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、およびＡｒ４上の置換基は、水素、ハロゲン、１〜約２０の炭素原子を含むアルキル基、１〜約２０の炭素原子を含む炭化水素ラジカル、必要に応じて１つ以上のアルキル基で置換されたアリール基、ヘテロ原子（酸素、窒素、イオウなど）を含み、１〜約２０の炭素原子を含むアルキル基、ヘテロ原子（酸素、窒素、イオウなどの）を含み、１〜約２０の炭素原子を含む炭化水素ラジカル、ヘテロ原子（酸素、窒素、イオウなど）を含み、必要に応じて１つ以上のアルキル基で置換されたアリール基、等から適当に選ぶことができる。Ｘはブロモまたはクロロを示し、ｎは、０、１、２、または３などの適当な整数のいずれでも良く、ＡとＢは異なっていても良い。
【００１５】
本発明の実施の形態において、中間体は、例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノ−４−ブロモビフェニル、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノ−４−クロロビフェニル、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−アミノ−４−ブロモビフェニル、Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−４−アミノ−４−ブロモビフェニル、Ｎ，Ｎ−ビス（４−エチルフェニル）−４−アミノ−４−クロロビフェニル、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）−４−アミノ−４’−ブロモ−ｐ−ターフェニル、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノ−４’−ブロモ−ｐ−ターフェニル、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−アミノ−４’−クロロ−ｐ−ターフェニル、Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−４−アミノ−４’−クロロ−ｐ−ターフェニル、Ｎ，Ｎ−ビス（フェニル）−４−アミノ−４’−ブロモ−ｐ−ターフェニル、等のいずれでも良い。ここに挙げた置換中間体は一部である。
【００１６】
直列型合成手順によって、感光体で使用するための、電子写真品質のテトラ（アリール）ビフェニルジアミン系またはテトラ（アリール）ターフェニルジアミン系正孔輸送分子を選択的に製造することができる。この合成法は、バッチ式または連続式で行うことができ、従来の正孔輸送分子製造法より多くの点で優れている。バッチ式では、次の試料との反応を始める前に、異なる開始材料の試料をそれぞれ生成物が得られるまで反応させる。連続式では、反応を開始した後であっても開始材料を連続的に反応に加え、生成物を生成させながら反応を進めることができる。いずれの場合も、新たな直列型合成手順によって、以前よりも少ない工程と低いコストで所望とする非対称アリールアミン化合物を製造できる。更にこの手順では、より高い収率と純度で非対称アリールアミン化合物が製造可能である。また、本件に記載のウルマン−ブッフバルト合成手順によって製造された新たな正孔輸送分子は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンなどの従来から用いられている正孔輸送分子で現在達成できるよりも感光体の正孔移動度を速くすることができる。本件に記載の非対称アリールアミン化合物を用いた感光体の少なくとも１つに関する電気的評価では、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンを用いた感光体の５倍の速さの移動度が示された。
【００１７】
本件の更なる実施の形態によれば、一般的に、少なくとも基材層と、基材上に配置された画像形成層と、必要に応じて画像形成層上に配置されたオーバーコート層とを含む電子写真用画像形成部材が提示される。この画像形成部材は、画像形成層として電荷輸送層と電荷発生層とを含んでいる。画像形成部材は、電子写真の画像形成工程で使用することができる。この工程ではまず、導電層上に光導電性絶縁層を含む電子写真用プレート、ドラム、ベルトなど（画像形成部材または感光体）の表面を、均一に静電気的に荷電する。次にこの画像形成部材を光などの活性化電磁放射のパターンに露光する。この放射は光導電性絶縁層の照射された部分の電荷を選択的に消失させ、その跡に静電潜像を残す。次に、光導電性絶縁層の表面に反対極性に荷電した粒子を置くことで、この静電潜像を現像して可視画像を生成する。得られた可視画像を、次に、画像形成部材から直接的または間接的に（転写部材または他の部材などにより）、透明体や紙などの被印刷体へ転写する。この画像形成工程を、再使用可能な画像形成部材を用いて何度も繰り返す。
【００１８】
感光体を用いた電子写真用画像形成装置などの典型的な静電写真複写装置では、コピーすべき原画の光画像を静電潜像の形で画像形成部材上に記録し、続いて現像剤混合物を塗布してこの潜像を可視像化する。その中にトナー粒子を含む現像剤を静電潜像に接触させて、電荷保持面を持つ静電写真用画像形成部材上の画像を現像する。現像されたトナー画像は、次に、転写部材を経て画像を受け取る、紙などのコピー用被印刷体へ転写することができる。
【００１９】
あるいは現像された画像を、転写部材を経てベルトやドラムなどの別の中間転写装置へ転写しても良い。次にこの画像を、別の転写部材によって紙へ転写することができる。トナー粒子は熱および／または圧力によって紙へ定着または融着する。最終的に画像を受ける媒体は紙に限らない。布、ポリマーまたは金属の導電性または非導電性シートなど、様々な被印刷体が可能である。また、シートや曲面など様々な形状にも印刷できる。画像形成部材へ転写した後のトナーは、熱および／または圧力下、高圧ローラや定着要素で定着することができる。
【００２０】
図１に画像形成部材の実施の形態を図示する。基材３２は必要に応じて導電層３０を備えている。更に、導電層３０の上に必要に応じて下引き層３４を、また下引き層３４の上に必要に応じて接着層３６を塗布しても良い。電荷発生層３８は接着層３６と電荷輸送層４０との間に図示されている。必要に応じて設ける接地ストリップ層４１は、電荷発生層３８と電荷輸送層４０を導電層３０に適切に接触させる。画像形成部材を好ましく平らにするため、基材３２の電気的活性層の反対側に抗カール裏塗り層３３を塗布する。画像形成部材の他の層として、例えば、摩耗や摩損を防ぐため、電荷輸送層４０の直上に必要に応じてオーバーコート層４２を加えても良い。
【００２１】
基材３２上の導電性接地面３０は一般に薄い金属の層、例えば、厚さ１０ｎｍのチタンコーティングであり、これは真空蒸着やスパッタリング法により基材上に配置することができる。３４、３６、３８、４０、および４２の層は、基材３２の導電性接地面３０の面の上に、１種類以上の溶媒を含む溶液の湿潤コーティング層としてそれぞれ、また順次堆積させる。それぞれの層は、次のコーティング層を堆積する前に完全に乾燥させる。更に、画像形成部材の曲がりを調整して整えるため、基材３２の反対側に抗カール裏塗り層３３も溶液塗布する。
【００２２】
本件で図示した実施の形態は、基材と、基材上に配置した電荷発生層と、電荷発生層上に配置した少なくとも１つの電荷輸送層とを含む画像形成部材である。電荷輸送層は、ウルマン縮合とそれに続くブッフバルト反応とから成る直列型合成によって得られた非対称アリールアミン化合物を含んでいる。ある実施の形態において、非対称アリールアミン化合物は、テトラ（アリール）ビフェニルジアミン系アリールアミン分子である。更に別の実施の形態では、アリールアミン化合物は、テトラ（アリール）ターフェニルジアミン系アリールアミン分子である。
【００２３】
実施の形態において、電荷輸送層は、次の構造を持つ化合物を含んでいる。
【化３】
2008217007.tif 000004
式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、およびＡｒ４はそれぞれ、約６〜約３０の炭素を含む芳香族炭化水素基、あるいは、窒素、酸素、イオウ、またはケイ素原子を含むヘテロアリール基であり、Ａｒ５は、約６〜約３０の炭素を含む二価芳香族炭化水素基、あるいは、窒素、酸素、イオウ、またはケイ素原子を含むヘテロアリーレン基であり、Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つは、長さに０〜２の炭素を含むアルキル基またはヘテロアルキル基を含み、Ｒ３およびＲ４の少なくとも１つは、長さに４以上の炭素を含むアルキル基またはヘテロアルキル基を含み、ｘ、ｙ、ｊ、およびｋは、０〜５の整数である。
【００２４】
一部の実施の形態においては、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、およびＡｒ４はそれぞれ、フェニル、ビフェニル、ナフチル、フルオレニル、およびアントリルから成る群より選ばれる。更に別の実施の形態では、Ａｒ５は次の構造式で示されるもの、およびそれらの混合物から成る群より選ばれる。
【化４】
2008217007.tif 000005
式中、Ｒは、水素原子または１〜約１２の炭素を含む炭化水素基であり、Ｒ’は、１〜約１２の炭素を含む炭化水素基であり、ｎは１〜約６の整数である。
【００２５】
別の実施の形態では、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、およびＡｒ４は、フェニル、ビフェニル、またはナフチル基より選ばれ、Ａｒ５は、ビフェニルまたはターフェニル基であり、Ｒ１およびＲ２は、水素、メチル、またはエチル基であり、Ｒ３およびＲ４は、ブチル、ペンチル、またはヘキシル基であり、ｘ、ｙ、ｊ、およびｋは、０〜３である。
【００２６】
更に別の実施の形態では、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、およびＡｒ４はフェニル基であり、Ａｒ５はビフェニルまたはターフェニル基であり、Ｒ１およびＲ２はメチル基であり、Ｒ３およびＲ４はｎ−ブチル基であり、ｘ、ｙ、ｊ、およびｋは１である。
【００２７】
また更に別の実施の形態では、Ａｒ１およびＡｒ２はフェニル基であり、Ａｒ３およびＡｒ４は、フェニル、ビフェニル、またはナフチル基であり、Ａｒ５はビフェニル基であり、Ｒ１およびＲ２は、水素またはメチル基であり、Ｒ３およびＲ４は、水素またはブチル基であり、ｘ、ｙ、ｊ、およびｋは０〜２である。
【００２８】
更に別の実施の形態では、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、およびＡｒ４はフェニル基であり、Ａｒ５はターフェニル基であり、Ｒ１およびＲ２はメチル基であり、Ｒ３およびＲ４はブチルまたはペンチル基であり、ｘ、ｙ、ｊ、およびｋは０〜２である。
【００２９】
具体的な実施の形態において、この化合物は、Ｎ，Ｎ’−テトラ（アリール）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン系分子、または、Ｎ，Ｎ’−テトラ（アリール）−１，１’−ターフェニル−４，４’−ジアミン系分子である。実施の形態において、この化合物は、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−トリル−Ｎ’，Ｎ’−ジ−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ビフェニル−Ｎ’，Ｎ’−ジ−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−１−ナフタレン−Ｎ’，Ｎ’−ジ−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−２−ナフタレン−Ｎ’，Ｎ’−ジ−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）−Ｎ’，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノ−ｐ−ターフェニル、およびそれらの混合物から成る群より選ばれる。
【００３０】
一般に、電荷発生層の厚さは、他の層の厚さや電荷発生層中に含まれる光発生体材料または顔料の量など、多くの要因によって決まる。従ってこの層の厚さは、例えば、顔料の含有量が約３０〜約７５容量％の場合、例えば約０．０５〜約５μｍまたは約０．２５〜約２μｍとすることができる。実施の形態でのこの層の最大厚さは、主に感光性、電気的性質、および機械的考慮などの要因によって決まる。電荷発生層バインダ樹脂の含有量は適当な様々な量、例えば、約１〜約５０重量％または約１〜約１０重量％であり、バインダ樹脂は、ポリビニルブチラール、ポリビニルカルバゾール、ポリエステル類、ポリカーボネート類、ポリ塩化ビニル、ポリアクリラート類およびメタクリラート類、塩化ビニルと酢酸ビニルとの共重合体、フェノキシ樹脂、ポリウレタン類、ポリビニルアルコール、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン、等の数多くの公知のポリマーから選ばれる。
【００３１】
画像形成部材に用いられる基材層の代表的な例は、不透明またはほぼ透明で、必要な機械的性質を備えた適当な材料から成るものである。つまり、基材は、市販のポリマーであるＭＹＬＡＲ、ＭＹＬＡＲ含有チタンなどの無機または有機ポリマー系材料を含む絶縁性材料の層、酸化インジウムスズなどの半導体表面層を備えた、またはその上にアルミニウムを配置した有機または無機材料の層、あるいは、アルミニウム、アルミニウム化ポリエチレンテレフタラート、チタン化ポリエチレン、クロム、ニッケル、真鍮などの導電性材料から成るものである。基材は、可撓性、シームレス、または堅牢で、例えば、板状、円筒形ドラム、スクロール、エンドレス可撓性ベルトなど、多くの様々な形状とすることができる。ある実施の形態において、基材はシームレス可撓性ベルトの形をしている。抗カール裏塗り層は基材の裏側に塗布する。
【００３２】
基材層の厚さは経済的考慮など多くの要因によって決まる。このためこの層は相当な厚さ、例えば３，０００μｍ以上から、部材に悪影響を与えない程度に最少の厚さとすることができる。実施の形態において、この層の厚さは約７５〜約３００μｍである。
【００３３】
更に、一部の実施の形態では、基材の上に公知の下引き層などの下引き層を加えている。下引き層としては、適当なフェノール樹脂、フェノール化合物、フェノール樹脂とフェノール化合物との混合物、酸化チタン、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２のような酸化ケイ素混合物が挙げられる。
【００３４】
実施の形態において、下引き層には更にバインダ成分を加えても良い。バインダ成分の例としては、ポリアミド類、塩化ビニル類、酢酸ビニル類、フェノール樹脂、ポリウレタン類、アミノプラスト類、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ポリイミド類、ポリエチレン類、ポリプロピレン類、ポリカーボネート類、ポリスチレン類、アクリル樹脂、スチレン−アクリル酸共重合体、メタクリル樹脂、塩化ビニリデン類、ポリビニルアセタール類、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール類、ポリエステル類、ポリビニルブチラール類、ニトロセルロース類、エチルセルロース類、カゼイン類、ゼラチン類、ポリグルタミン酸類、澱粉類、酢酸澱粉類、アミノ澱粉類、ポリアクリル酸類、ポリアクリルアミド類、ジルコニウムキレート化合物、チタンキレート化合物、チタンアルコキシド化合物、有機チタン化合物、シランカップリング剤、およびそれらの組み合わせが挙げられる（但し、これらに限定しない）。実施の形態において、バインダ成分は、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、尿素−ホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミン−ホルムアルデヒド樹脂、グリコールウリル（glycoluril）−ホルムアルデヒド樹脂、アクリル樹脂、スチレン−アクリル酸共重合体、およびそれらの混合物から成る群より選ばれるものを含んでいる。
【００３５】
実施の形態では、下引き層に必要に応じて光散乱粒子を加えることができる。様々な実施の形態において、光散乱粒子は、バインダとは異なる屈折率を持ち、約０．８μｍ以上の数平均粒径を持つものである。様々な実施の形態において、光散乱粒子は無定形シリカ（Ｐ−１００、エスプリ・ケミカル社（Espirit Chemical Co.）より市販）である。様々な実施の形態において、光散乱粒子の含有量は下引き層の全重量の約０〜約１０重量％である。
【００３６】
実施の形態において、下引き層には様々な着色料を加えても良い。様々な実施の形態において、下引き層は、アゾ顔料、キノリン顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、チオインジゴ顔料、ビスベンズイミダゾール顔料、フタロシアニン顔料、キナクリドン顔料、キノリン顔料、レーキ顔料、アゾレーキ顔料、アントラキノン顔料、オキサジン顔料、ジオキサジン顔料、トリフェニルメタン顔料、アズレニウム染料、スクアリウム（squalium）染料、ピリリウム（pyrylium）染料、トリアリル（triallyl）メタン染料、キサンテン染料、チアジン染料、およびシアニン染料など（但し、これらに限定しない）の有機顔料および有機染料を含むことができる。様々な実施の形態において、下引き層は、無定形ケイ素、無定形セレン、テルル、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、硫化アンチモン、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛、硫化亜鉛、およびそれらの組み合わせなどの無機材料を含んでいても良い。
【００３７】
実施の形態において、下引き層の厚さは約０．１〜３０μｍとすることができる。
【００３８】
本件の光導電性画像形成部材は、実施の形態において、順に、支持基材と、下引き層と、接着層と、電荷発生層と、電荷輸送層とを含むことができる。例えば、接着層は、例えば、約７５，０００のＭｗと、約４万のＭｎとを持つポリエステルを含むことができる。
【００３９】
実施の形態において、光導電性画像形成部材は更に、約７万のＭｗと、約３５，０００のＭｎとを持つポリエステルから成る接着層を含んでいる。接着層は、適当な材料、例えば適当な塗膜形成ポリマーを含むことができる。典型的な接着層材料としては、例えば、コポリエステル樹脂、ポリアリーレート類、ポリウレタン類、樹脂混合物などが挙げられる（但し、これらに限定しない）。実施の形態において、接着層被覆用溶液の調製には、適当な溶媒を用いることができる。典型的な溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、ジクロロメタン、１，１，２−トリクロロエタン、モノクロロベンゼン、およびそれらの混合物などが挙げられる（但し、これらに限定しない）。
【００４０】
実施の形態において、電荷輸送層は電荷輸送成分とバインダとを含んでいる。電荷輸送層の厚さは約１０〜約５０μmとすることができる。ポリマーバインダ材料の具体例としては、ポリカーボネート類、ポリアリーレート類、アクリラートポリマー類、ビニルポリマー類、セルロースポリマー類、ポリエステル類、ポリシロキサン類、ポリアミド類、ポリウレタン類、ポリシクロオレフィン類、エポキシ樹脂、およびそれらのランダムまたは交互共重合体が挙げられる。実施の形態において、電気的に不活性なバインダは、例えば約２万〜約１０万の分子量、より詳細には約５万〜約１０万の分子量（Ｍｗ）を持つポリカーボネート樹脂を含むものである。ポリカーボネート類の例は、ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレン）カーボネート（別名、ビスフェノールＡポリカーボネート）、ポリ（４，４’−シクロヘキシリジンジフェニレン）カーボネート（別名、ビスフェノールＺポリカーボネート）、ポリ（４，４’−イソプロピリデン−３，３’−ジメチルジフェニル）カーボネート（別名、ビスフェノールＣポリカーボネート）などである。実施の形態において、正孔輸送層などの電荷輸送層の厚さは約１０〜約５５μｍとすることができる。実施の形態において、電気的に不活性なバインダは、約２万〜約１０万、または約５万〜約１０万の分子量を持つポリカーボネート樹脂からなるものが選ばれる。一般に、輸送層は、約１０〜約７５重量％の電荷輸送材料、または約３５〜約５０重量％のこの材料を含んでいる。
【００４１】
実施の形態において、電荷輸送層の少なくとも１つは約１〜約７層から成るものである。例えば、 実施の形態において、少なくとも１つの電荷輸送層はトップ電荷輸送層とボトム電荷輸送層とを含み、ボトム層は、電荷発生層とトップ層との間に置かれている。
【００４２】
画像形成装置１０の実施の形態の概略的な構造を図２に示す。画像形成装置１０には、その上に静電潜像を受けるための電荷保持面を備えた、円筒形感光体ドラムなどの画像形成部材１１が取り付けられている。画像形成部材１１の周囲には、画像形成部材１１上の残留静電電荷を除くための固定した放射光源１２と、必要に応じて、画像形成部材１１上に残留するトナーを除去するためのクリーニングブレード１３と、画像形成部材１１を帯電させるための荷電体ローラなどの荷電要素１４と、画像信号に基づいて画像形成部材１１を露光するための露光レーザ光学系１５と、電荷保持面に現像剤材料を塗布して画像形成部材１１に現像画像を作るための現像要素１６と、画像形成部材１１から紙などのコピー用被印刷体１８へトナー画像を転写するための転写ローラなどの転写要素１７と、がこの順で配置されている。更にこの画像形成装置１０は、転写要素１７からコピー用被印刷体１８へ転写されたトナー画像を定着するためのフューザ／定着ロールなどの定着要素１９も備えている。
【００４３】
露光レーザ光学系１５は、デジタル処理した画像信号に基づいてレーザ光を放射するためのレーザダイオード（例えば、発振波長７８０ｎｍ）と、放射レーザ光を偏光するための多面鏡と、レーザ光を均一な速度と所定の大きさで伝播させるためのレンズ系とを備えている。
【実施例】
【００４４】
＜テトラ（アリール）ビフェニルジアミン類の調製＞
＜４−ブロモ−４’−ヨードビフェニル＞
撹拌機と温度計とアルゴン流入口と還流冷却管とを取り付けた１リットルの３つ口丸底フラスコに、氷酢酸（５００ｍｌ）と、４−ブロモビフェニル（１５５．２ｇ）と、水（７６ｍｌ）と、過ヨウ素酸（２６．４ｇ）と、濃硫酸（３８ｍｌ）と、ヨウ素（７２ｇ）とを入れた。得られた混合物を１０５℃で２時間加熱した。この間にヨウ素の色はほぼ、または完全に消失した。混合物を室温まで放冷して濾過した。得られた固体をイソプロピルアルコール（５００ｍｌ）に加えて沸騰するまで加熱し、放冷して得られた固体を濾過し、５００ｍｌのメタノールで洗った。固体を風乾後、減圧下（８０℃／１５ｍｍＨｇ）で乾燥した。白色固体の４−ブロモ−４’−ヨードビフェニルの収率は８０％以上であった。ＨＰＬＣおよび１Ｈ−ＮＭＲで構造と純度を確認した。
【００４５】
＜Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノ−４’−ブロモビフェニル＞
撹拌機と温度計とアルゴン流入口と還流冷却管とを取り付けた５００ｍｌの３つ口丸底フラスコに、ジ−ｐ−トリルアミン（５１．７ｇ）と、４−ブロモ−４’−ヨードビフェニル（７９．９ｇ）と、水酸化カリウムペレット（８８ｇ）と、酸化銅（Ｉ）（７．５ｇ）と、トリデカン（２５ｍｌ）と、トルエン（２５ ｍｌ）とを入れ、１８０〜２００℃で一晩加熱した。混合物を放冷して塩酸（２５０ｍｌ）を加え、生成した沈殿物を１時間以上撹拌した。固体を濾過して集め、トルエンに溶解して、暖めながら（８０℃）Ｆｉｌｔｒｏｌ−Ｆ−２４とＣＧ−２０（Ａｌ２Ｏ３）との混合物で処理した。熱いうちに濾過して吸収剤を除き、ロータリーエバポレータにかけてトルエンを除いた。所望の化合物は、球状部間（bulb-to-bulb）蒸留（沸点約２２０℃、５ｍｍＨｇ）後、メタノールから再結晶させて精製することができる。Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノ−４’−ブロモビフェニルの収率は約５０％であった。ＨＰＬＣおよび１Ｈ−ＮＭＲで構造と純度を確認した。
【００４６】
＜Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−トリル−Ｎ’，Ｎ’−ジ−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミン（試料１A）＞
アルゴン気流中、２５０ｍｌの丸底フラスコに酢酸パラジウム（６５ｍｇ）とＣｙｔｏｐ−２１６（６５ｍｇ）とを入れ、トルエン（５ｍｌ）を加えて室温で３０分間撹拌した。これに、順に、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノ−４’−ブロモビフェニル（５ｇ）と、３−メチルジフェニルアミン（２．４５ｇ）と、ナトリウム＝ｔｅｒｔ−ペントキシド（１．４１ｇ）と、トルエン（２０ｍｌ）とを加えた。得られた混合物を加熱して静かに一晩還流させた。この時点でＨＰＬＣ分析を行い、開始物質の消失を確認した。混合物をロータリーエバポレータにかけてトルエンを除いた。乾燥粉末を２質量当量のＡｌ２Ｏ３と混合し、３質量当量のＡｌ２Ｏ３を入れておいたカラムに加えた。吸収剤床の上端に砂を加えた。ヘプタンを還流させてカラムを溶出した。放冷すると生成物が沈殿し、これを集めてイソプロパノール（約２５ｍｌ）中で４時間以上沸騰させた。得られた固体を濾過によって集め、一晩乾燥させた（８０℃／１５ｍｍＨｇ）。収率は約６２％であった。
【００４７】
＜Ｎ−フェニル−Ｎ−ビフェニル−Ｎ’，Ｎ’−ジ−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミン（試料１B）＞
１２０ｍｇの酢酸パラジウム（Ｐｄ（ＯＡｃ）２、分子量２２４．５１）と、１２０ｍｇのＣｙｔｏｐ−２１６とをトルエン（１０ｍｌ）に加え、室温で１時間撹拌した。これに、順に、１５ｍｌのアニリン（ｄ１．０２２、分子量９３．１３）と、１２．５ｇの４−ブロモビフェニル（分子量２３３．１０）と、７ｇのナトリウム＝ｔ−ペントキシド（分子量１１０．１３）と、更に１０ｍｌのトルエンとを加えた。得られた混合物を１００〜１１０℃で４〜６時間加熱した。混合物を室温まで冷やして２０ｍｌのトルエンで希釈し、濾過して不溶物を除き、１０〜２０ｇのＣＧ−２０（Ａｌ２Ｏ３）を加えた。得られたスラリーを約８０℃に加熱し、熱いうちに濾過した。ロータリーエバポレータにかけてトルエンを除き、残分を約１５０ｍｌのイソプロパノールから再結晶させた。放冷して生じた固体を吸引濾過し、約１００ｍｌのイソプロパノールで更に洗って一晩乾燥させた（８０℃／１５ｍｍＨｇ）。収量は８．９ｇ、純度は９９％以上であった。
【００４８】
アルゴン気流中、２５０ｍｌの丸底フラスコに酢酸パラジウム（６５ｍｇ）とＣｙｔｏｐ−２１６（６５ｍｇ）とを入れ、トルエン（５ｍｌ）を加えて室温で３０分間撹拌した。これに、順に、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノ−４’−ブロモビフェニル（５ｇ）と、Ｎ−フェニル−４−アミノビフェニル（３．２ｇ）と、ナトリウム＝ｔｅｒｔ−ペントキシド（１．４１ｇ）と、トルエン（２０ｍｌ）とを加えた。得られた混合物を加熱して静かに一晩還流させた。この時点でＨＰＬＣ分析を行い、開始物質の消失を確認した。混合物をロータリーエバポレータにかけてトルエンを除いた。乾燥粉末を２質量当量のＡｌ２Ｏ３と混合し、３質量当量のＡｌ２Ｏ３を入れておいたカラムに加えた。吸収剤床の上端に砂を加えた。ヘプタンを還流させてカラムを溶出した。放冷すると生成物が沈殿し、これを集めてイソプロパノール（約２５ｍｌ）中で４時間以上沸騰させた。得られた固体を濾過によって集め、一晩乾燥させた（８０℃／１５ｍｍＨｇ）。収率は約５１％であった。
【００４９】
＜Ｎ−フェニル−Ｎ−１−ナフタレン−Ｎ’，Ｎ’−ジ−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミン（試料１C）＞
アルゴン気流中、２５０ｍｌの丸底フラスコに酢酸パラジウム（６５ｍｇ）とＣｙｔｏｐ−２１６（６５ｍｇ）とを入れ、トルエン（５ｍｌ）を加えて室温で３０分間撹拌した。これに、順に、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノ−４’−ブロモビフェニル（５ｇ）と、Ｎ−フェニル−１−アミノナフタレン（２．８ｇ）と、ナトリウム＝ｔｅｒｔ−ペントキシド（１．４１ｇ）と、トルエン（２０ｍｌ）とを加えた。生成した混合物を加熱して静かに一晩還流させた。この時点でＨＰＬＣ分析を行い、開始物質の消失を確認した。混合物をロータリーエバポレータにかけてトルエンを除いた。乾燥粉末を２質量当量のＡｌ２Ｏ３と混合し、３質量当量のＡｌ２Ｏ３を入れておいたカラムに加えた。吸収剤床の上端に砂を加えた。ヘプタンを還流させてカラムを溶出した。放冷すると生成物が沈殿し、これを集めてイソプロパノール（約２５ｍｌ）中で４時間以上沸騰させた。得られた固体を濾過によって集め、一晩乾燥させた（８０℃／１５ｍｍＨｇ）。収率は約６５％であった。
【００５０】
＜Ｎ−フェニル−Ｎ−２−ナフタレン−Ｎ’，Ｎ’−ジ−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミン（試料１D）＞
アルゴン気流中、２５０ｍｌの丸底フラスコに酢酸パラジウム（６５ｍｇ）とＣｙｔｏｐ−２１６（６５ｍｇ）とを入れ、トルエン（５ｍｌ）を加えて室温で３０分間撹拌した。これに、順に、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノ−４’−ブロモビフェニル（５ｇ）と、Ｎ−フェニル−２−アミノナフタレン（２．８ｇ）と、ナトリウム＝ｔｅｒｔ−ペントキシド（１．４１ｇ）と、トルエン（２０ｍｌ）とを加えた。生成した混合物を加熱して静かに一晩還流させた。この時点でＨＰＬＣ分析を行い、開始物質の消失を確認した。混合物をロータリーエバポレータにかけてトルエンを除いた。乾燥粉末を２質量当量のＡｌ２Ｏ３と混合し、３質量当量のＡｌ２Ｏ３を入れておいたカラムに加えた。吸収剤床の上端に砂を加えた。ヘプタンを還流させてカラムを溶出した。放冷すると生成物が沈殿し、これを集めてイソプロパノール（約２５ｍｌ）中で４時間以上沸騰させた。得られた固体を濾過によって集め、一晩乾燥させた（８０℃／１５ｍｍＨｇ）。収率は約５９％であった。
【００５１】
＜４−ブロモ−ｐ−ターフェニル＞
撹拌機と還流冷却管と乾燥管とを取り付けた５００ｍｌの３つ口丸底フラスコに、ｐ−ターフェニル（４０ｇ、１７３．６ｍｍｏｌ）と、酢酸（３００ｍｌ）と、ヨウ素（３０ｍｇ）と、臭素（２８．８ｍｌ、５６３．２ｍｍｏｌ）とを入れた。反応物を加熱して５時間還流させた後、反応物を室温まで放冷した。白色の固体沈殿物を集め、エタノールで洗って、４１．６ｇ（７８％）の４−ブロモ−ｐ−ターフェニルを得た。
【００５２】
＜４−ブロモ−４’−ヨード−ｐ−ターフェニル＞
４−ブロモ−ｐ−ターフェニル（２７ｇ）と、ヨウ素（１０．５３ｇ）と、水（２０ｇ）と、濃硫酸（１１．５ｇ）と、酢酸（１６０ｍｌ）とを、１００℃に熱した５００ｍｌの３つ口フラスコに入れ、撹拌器で２０時間撹拌した。約６０℃まで放冷した後、沈殿物を濾過して集め、酢酸で洗った。固体濾過物を再びイソプロパノール中に６０℃で３０分間分散させ、濾過により集めて乾燥させた。昇華によって純粋な４−ブロモ−４’−ヨード−ｐ−ターフェニル（２３ｇ）が得られた。
【００５３】
＜Ｎ，Ｎ−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）アミン＞
アルゴン気流中、撹拌機と還流冷却管と温度計とを取り付けた５００ｍｌの３つ口丸底フラスコに、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン（２８ｍｌ）と４−ブチルアニリン（６２ｇ、４１５．４ｍｍｏｌ）とを入れ、次に、塩化カルシウム（１２．８ｇ、１１５．３ｍｍｏｌ）と塩化アルミニウム（１５．４ｇ、１１５．４９ｍｍｏｌ）とを加えた。得られた混合物を２１５℃で一晩加熱した。反応物を室温まで冷やしてトルエンを加え、次にこれを２５０ｍｌの水に注ぎ入れて３０分間撹拌した。水層を除き、有機層を、５％塩酸で洗い、次に飽和重炭酸ナトリウム水溶液、次に水で洗った。有機層を集めて乾燥（ＭｇＳＯ４）し、減圧下で濃縮した。クーゲルロール蒸留によって過剰の１，２，３，４−テトラヒドロナフタレンを除き、このジ−４−ブチルフェニルアミンを直接、次の工程に用いた。
【００５４】
＜Ｎ，Ｎ−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）−４−アミノ−４’−ブロモ−ｐ−ターフェニル＞
４−ブロモ−４’−ヨード−ｐ−ターフェニル（２１．７５ｇ）と、ジ−４−ブチルフェニルアミン（１５．５ｇ）と、水酸化カリウムフレーク（１８．０ｇ）と、塩化銅（Ｉ）（０．１５ｇ）と、１，１０−フェナントロリン一水和物（０．３ｇ）と、３５ｍｌのトルエン−キシレン（２：５Ｖ／Ｖ）との混合物を、ディーン・スタークトラップと撹拌機とを取り付けた３つ口フラスコに入れた。混合物を加熱し、アルゴン気流中で十分に撹拌しながら１５時間、穏やかに還流させた。混合物を約６０℃まで放冷し、トルエンと水を加えて反応を止めた。有機相を取り出し、Ｆｉｌｔｒｏｌ−２４で、次にアルミナで処理した。減圧蒸留によりジ−ｎ−ブチルフェニルアミン−ｐ−ブロモターフェニルが得られた。
【００５５】
＜Ｎ，Ｎ−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）−Ｎ’，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノ−ｐ−ターフェニル（試料２）＞
アルゴン気流中、２５０ｍｌの丸底フラスコに、酢酸パラジウム（１１ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）と、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．０１ｇ）と、５ｍｌのトルエンとを入れた。この混合物を室温で３０分間撹拌した。ジ−ｎ−ブチルフェニルアミン−ｐ−ブロモターフェニル（３．０ｇ、５．１ｍｍｏｌ）と、ジフェニルアミン（１．２１ｇ、６．１ｍｍｏｌ）と、ナトリウム＝ｔ−ブトキシド（１．５ｇ、１５．３ｍｍｏｌ）とを加え、反応物を１００℃に加熱して一晩撹拌した。反応物を放冷し、減圧下でトルエンを除いた。残留物を１００ｍｌの水に入れ、これを２時間撹拌した。濾過して固体を集めた後、１００ｍｌのトルエンに溶解し、３ｇのＦｉｌｔｒｏｌ−２４およびアルミナを加えた。この混合物を１００℃に加熱した後、濾過した。減圧下でトルエンを除いた。乾燥粉末を２質量当量のＡｌ２Ｏ３と混合し、３質量当量のＡｌ２Ｏ３を入れておいたカラムに加えた。吸収剤床の上端に砂を加えた。ヘプタンを還流させてカラムを溶出した。放冷すると生成物が沈殿し、これを濾過によって集めて一晩真空乾燥させると、２．２ｇ（６５％）の生成物が得られた。
【００５６】
＜デバイスの調製＞
光導電体を次のように調製した。厚さ３．５ミル（８８．９μｍ）の二軸延伸ポリエチレンナフタレート基材（ＫＡＬＥＤＥＸ（登録商標）２０００）上に厚さ０．０２μｍのチタン層を被覆（コータデバイス）したものを準備した。その上に、５０ｇの３−アミノプロピルトリエトキシシランと、４１．２ｇの水と、１５ｇの酢酸と、６８４．８ｇの変性アルコールと、２００ｇのヘプタンとを含む溶液を、グラビアアプリケータを用いて塗布した。次にこの層を、コータの強制換気乾燥機中、１３５℃で約５分間乾燥させた。得られた障壁層の乾燥厚さは５００オングストロームであった。次に、グラビアアプリケータを用いて、障壁層の上に、テトラヒドロフラン／モノクロロベンゼン／ジクロロメタン（容量比６０：３０：１０）の混合物に溶液の全重量の０．２重量％のコポリエステル接着剤（ＡＲＤＥＬ  Ｄ１００（登録商標）、Toyota Hsutsu Inc.製）を加えた接着剤溶液を塗布し、接着層を調製した。次に、接着層をコータの強制換気乾燥機中、１３５℃で約５分間乾燥させた。得られた接着層の乾燥厚さは２００オングストロームであった。
【００５７】
光発生層分散液を次のように調製した。４オンス（約１１８ｍｌ）のガラス瓶に、０．４５ｇの公知のポリカーボネート（ＬＵＰＩＬＯＮ  ２００（登録商標）（ＰＣＺ−２００）またはポリカーボネートＺ（登録商標）、重量平均分子量２万、三菱ガス化学（株）製）と、５０ｍｌのテトラヒドロフランとを入れた。この溶液に、２．４ｇのヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｖ型）と、３００ｇの直径１／８インチ（３．２ｍｍ）のステンレススチール製ショットとを加えた。次にこの混合物を８時間ボールミルにかけた。続いて、４６．１ｇのテトラヒドロフランに２．２５ｇのＰＣＺ−２００を溶解したものをヒドロキシガリウムフタロシアニン分散液に加えた。このスラリーを１０分間シェーカにかけた。その後、バードアプリケータを用いて、得られた分散液を上記の接着剤界面に塗布し、湿潤厚さで０．２５ミル（６．３５μｍ）の光発生層を形成した。後に塗布する接地ストリップ層による適当な電気的接触を図るため、障壁層と接着層とを載せた基材ウェブの一方の端に沿った幅約１０ｍｍの細長い部分を光発生層材料で塗布しないよう故意に残した。電荷発生層を、強制換気オーブン中、１３５℃で５分間乾燥し、厚さ０．４μｍの乾燥光発生層とした。
【００５８】
上記の光発生層の上に、次のように調製した電荷輸送層を被覆した。ガラス製褐色瓶に、５０重量％の供試化合物（試料１Ａ〜１Ｄ）と、５０重量％のＭＡＫＲＯＬＯＮ  ５７０５（登録商標）（約５万〜約１０万の平均分子量を持つ公知のポリカーボネート樹脂、ファルベンファブリケン・バイエル社（Farbenfabriken Bayer A.G.）より市販）を入れた。得られた混合物を次にジクロロメタンに溶解して、１５重量％の固体を含む溶液とした。この溶液を光発生層上に塗布し、乾燥（１２０℃で１分間）後の厚さが３０μｍのボトム層被覆とした。この被覆工程の間、湿度は約１５％以下であった。
【００５９】
上記の光発生層の上に、次のように調製した電荷輸送層を被覆した。ガラス製褐色瓶に、３５重量％の供試化合物（試料２）と、６５重量％のＭＡＫＲＯＬＯＮ  ５７０５（登録商標）（約５万〜約１０万の平均分子量を持つ公知のポリカーボネート樹脂、ファルベンファブリケン・バイエル社より市販）を入れた。得られた混合物を次にジクロロメタンに溶解して、１５重量％の固体を含む溶液とした。この溶液を光発生層上に塗布し、乾燥（１２０℃で１分間）後の厚さが３０μｍのボトム層被覆とした。この被覆工程の間、湿度は約１５％以下であった。
【００６０】
対照用または比較用光導電体試料は以下のように調製した。金属化ＭＹＬＡＲ基材を用意し、この基材上にＨＯＧａＰｃ／ポリ（ビスフェノールＺカーボネート）光発生層を機械塗布した。次に、光発生層の上に電荷輸送層を手で塗布した。電荷輸送溶液は、瓶中で、５ｇのＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ｍ−ＴＰＤ）正孔輸送分子と、５ｇのＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録商標）５７０５を、６０ｇのジクロロメタンに混ぜ、全ての固体が溶解するまで撹拌して調製した。電荷輸送層は、ウェブコーティング法を用い、ギャップ幅を１０ミル（２５４μｍ）とした５インチ（１２７ｍｍ）８路（pass）のアプリケータをデバイスの端から端まで引いて、厚さ約３０μｍ電荷輸送層を塗布した。被覆は、強制換気オーブン中、約１２０℃で約１分間乾燥させた。
【００６１】
＜電気的性質の試験＞
上記の感光体を、光誘導放電サイクルを得るよう設定されたスキャナで試験した。１回の荷電−消去サイクルと、次に１回の荷電−露光−消去サイクルとを、サイクルと共に光強度を徐々に強くしながら繰り返し行って、一連の光誘導放電特性曲線を作成し、これより、様々な露光強度における感光性と表面電位とを測定した。更に、表面電位を上げながら一連の荷電−消去サイクルを行い、多数の電圧−荷電密度曲線を作成して電気的特性を求めた。スキャナは、様々な表面電位で一定の電圧を印加するよう設定されたスコロトロンを備えている。このデバイスは、露光光源として７８０ｎｍの発光ダイオードを用い、一連の中性密度フィルタを調節する方法で露光強度を次第に上ながら、５００Ｖの表面電位で試験を行った。電子写真模擬実験は、環境調節した遮光チャンバ内、周囲条件（相対湿度４０％、２２℃）で行った。
【００６２】
試料１Ａ〜１Ｄおよび試料２の画像形成部材の電子写真における電気的性質は、暗所において、表面電位が約７００Ｖの初期値（Ｖｄｄｐ）に達するまでコロナ放電装置を用いてその表面を静電気的に荷電し、電位計に繋いだ容量結合プローブで１００ｍｓ後に測定することにより求めた。次に、荷電した部材を、フィルタに通したキセノンランプからの光（７８５ｎｍ、荷電後２００ｍｓ）で露光した。光放電効果によるバックグラウンド電位（Ｖｂｇ）への表面電位の低下を、露光の１００ｍｓ後に測定した。光放電特性は、Ｅ１／２およびＥ７／８値で表される。Ｅ１／２は、ＶｄｄｐからＶｄｄｐの２分の１まで光放電させるために必要な露光エネルギーであり、Ｅ７／８は、ＶｄｄｐをＶｄｄｐの８分の１に放電させるためのエネルギーである。露光工程の際に画像形成部材の光放電に用いられる光エネルギーは光度計で測定した。感光性が高いとＥ１／２およびＥ７／８値は小さくなる。消去後の残留電位（Ｖｒ）は、デバイスを更に、フィルタに通した第２のキセノンランプから放射された強度の白色光に曝した後に測定した。
【表１】
2008217007.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本明細書の実施の形態による、多層型電子写真用画像形成部材の断面図である。
【図２】本明細書の電子写真用画像形成装置の実施の形態を示す概略的な線図である。
【符号の説明】
【００６４】
１０  画像形成装置、１１  画像形成部材、１２  光源、１３  クリーニングブレード、１４  荷電要素、１５  露光レーザ光学系、１６  現像要素、１７  転写要素、１８  被印刷体、１９  定着要素、３０  導電層、３２  基材、３３  抗カール裏塗り層、３４  下引き層、３６  接着層、３８  電荷発生層、４０  電荷輸送層、４１  接地ストリップ層、４２  オーバーコート層。
【図１】
2008217007.tif 000009
【図２】
2008217007.tif 000010