(57)【要約】【課題】駆動用トランジスタとスイッチ用トランジスタとの間での繋ぎ込みをより確実にすると共に歩留まりも向上させ、表示装置の応答性を高めることが可能な表示装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】画素電極を含む有機ＥＬ発光デバイスと、第１及び第２のトランジスタとで構成される表示装置において、第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極は、第２のトランジスタのゲート電極と同一平面上に形成されてなることで解決できる。【選択図】図１
2008300612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極を含む有機ＥＬ発光デバイスと、第１及び第２のトランジスタとで構成される表示装置において、
前記第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極は、第２のトランジスタのゲート電極と同一平面上に形成されてなること
を特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極と、第２のトランジスタのゲート電極とはゲート絶縁層によって覆われ、
第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極とが、前記ゲート絶縁層の同一平面上に形成されてなること
を特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極とが、ゲート絶縁層の同一平面上で電気的に接続されていること
を特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
第１のトランジスタのソース電極及とドレイン電極との間に形成された有機ＴＦＴ層の材料と、第２のトランジスタのソース電極及とドレイン電極との間に形成された有機ＴＦＴ層の材料とは異なる材料であること
を特徴とする請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
基板上に第１の一対の電極と下部電極とを形成する工程と、
前記第１の一対の電極の表面にバンク層を設けた後、前記第１の一対の電極で形成された空間に印刷法を用いて第１の有機ＴＦＴ材料を塗布する工程と、
前記第１の一対の電極と前記下部電極とをゲート絶縁層で覆う工程と、
前記ゲート絶縁層の同一平面上、かつ、前記第１の一対の電極と前記下部電極のそれぞれに対向する位置に上部電極と第２の一対の電極を各々配置する工程と、
前記第２の一対の電極の表面にバンク層を設けた後、前記第２の一対の電極で形成された空間に印刷法を用いて第２の有機ＴＦＴ材料を塗布する工程と、から構成されること
を特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
上部電極と、第２の一対の電極の一方が電気的に接続されていること
を特徴とする請求項５記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
第１の一対の電極との間に形成された有機ＴＦＴ層の材料と、第２の一対の電極との間に形成された有機ＴＦＴ層の材料とは異なる材料であること
を特徴とする請求項６記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものであり、特に有機ＥＬディスプレイに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイの構成要素である有機ＥＬデバイスは、一般的に「有機ＥＬ発光デバイス」と、それを駆動するための「トランジスタ」（ＴＦＴ／Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を有する構成である。一般的なトランジスタは、発光素子を駆動するための「駆動用トランジスタ」と、駆動用トランジスタをＯＮ／ＯＦＦするための「スイッチ用トランジスタ」とを有する。
【０００３】
有機ＥＬデバイスの代表的な構造の例として、駆動用トランジスタと有機ＥＬ発光デバイスとを積層させる構造があり、このような有機ＥＬデバイスは、「トップエミッション型有機ＥＬデバイス」と称され、発光層からの光を、基板と反対側の封止膜を通して取り出す構成になっている。そして特許文献１に記載の内容のように、従来の有機ＥＬデバイスの構造は、駆動用トランジスタのゲート電極１４３と電源線１０３とがコンタクトホールを介して接続されているのが現状である。
【０００４】
なお、特許文献１の場合、駆動用トランジスタのゲート電極１４３と電源線１０３とがコンタクトホールを介して接続されている内容の開示に止まっているが、実質上、電源線１０３は、駆動用トランジスタをＯＮ／ＯＦＦするためのスイッチ用トランジスタのソース電極（又はドレイン電極）に接続される構造になっている。
【特許文献１】特開２００３−２４９３７５号公報（図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の有機ＥＬデバイスの構成では、コンタクトホールを介する、駆動用トランジスタとスイッチ用トランジスタとの電気的な接続（繋ぎ込み）は困難なことがあり、特に高解像度のアクティブ型の有機ＥＬディスプレイにおいては歩留まりを下げる要因の１つとなっている。
【０００６】
本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、駆動用トランジスタとスイッチ用トランジスタとの間での繋ぎ込みをより確実にすると共に歩留まりも向上させ、表示装置の応答性を高めることが可能な表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明の表示装置は、画素電極を含む有機ＥＬ発光デバイスと、第１及び第２のトランジスタとで構成される表示装置において、前記第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極は、第２のトランジスタのゲート電極と同一平面上に形成されてなることを特徴とするものである。
【０００８】
このとき、第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極と、第２のトランジスタのゲート電極とはゲート絶縁層によって覆われ、第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極とが、前記ゲート絶縁層の同一平面上に形成されてなることが好ましい。また、第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極とが、ゲート絶縁層の同一平面上で電気的に接続されていることが好適である。更に、第１のトランジスタのソース電極及とドレイン電極との間に形成された有機ＴＦＴ層の材料と、第２のトランジスタのソース電極及とドレイン電極との間に形成された有機ＴＦＴ層の材料とは異なる材料であると良い。
【０００９】
また、本発明の表示装置の製造方法は、基板上に第１の一対の電極と下部電極とを形成する工程と、前記第１の一対の電極の表面にバンク層を設けた後、前記第１の一対の電極で形成された空間に印刷法を用いて第１の有機ＴＦＴ材料を塗布する工程と、前記第１の一対の電極と前記下部電極とをゲート絶縁層で覆う工程と、前記ゲート絶縁層の同一平面上、かつ、前記第１の一対の電極と前記下部電極のそれぞれに対向する位置に上部電極と第２の一対の電極を各々配置する工程と、前記第２の一対の電極の表面にバンク層を設けた後、前記第２の一対の電極で形成された空間に印刷法を用いて第２の有機ＴＦＴ材料を塗布する工程と、から構成されることを特徴とするものである。
【００１０】
このとき、上部電極と、第２の一対の電極の一方が電気的に接続されていると好適である。また、第１の一対の電極との間に形成された有機ＴＦＴ層の材料と、第２の一対の電極との間に形成された有機ＴＦＴ層の材料とは異なる材料であると良い。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように本発明によれば、第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極とを同一平面上に形成すると共に、第１のトランジスタのゲート電極を、第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極を電気的に接続することで、駆動用トランジスタとスイッチ用トランジスタとの間での繋ぎ込みをより確実にすると共に歩留まりも向上させ、表示装置の応答性を高めることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の実施の形態に係る表示装置（有機ＴＦＴデバイスを含む有機ＥＬディスプレイ）について添付図面を参照しながら説明する。なお、図面において実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
【００１３】
図１の（ａ）は、本発明の実施の形態に係る表示装置の構造を示す概略図（断面図）であり、図１の（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る有機ＴＦＴデバイスにおける断面Ａでの概略図（上面図）、（ｃ）本発明の実施の形態に係る有機ＴＦＴデバイスにおける断面Ｂでの概略図（上面図）を示すものである。
【００１４】
＜＜トランジスタデバイスの構成＞＞
図１（ａ）〜図１（ｃ）において、トランジスタデバイス１０は、第１のトランジスタ（例えば、スイッチング用ＴＦＴ）と第２のトランジスタ（例えば、駆動用ＴＦＴ）とで構成される。
【００１５】
第１のトランジスタは、ゲート電極４ｓが上層に構成されるトップゲート型トランジスタであり、第２のトランジスタは、ゲート電極４ｄが下層に構成されるボトムゲート型トランジスタであり、本発明のトランジスタデバイス１０は、トップゲート型トランジスタとボトムゲート型トランジスタとが組み合わされたことに特徴を有する。
【００１６】
このトランジスタデバイス１０は、基板１上に第１のトランジスタのソース電極２ｓ及びドレイン電極３ｓと、第２のトランジスタのゲート電極４ｄを設けており、第１のトランジスタのソース電極２ｓ及びドレイン電極３ｓの夫々の表面にはバンク層５ｓを形成している。また、トランジスタデバイス１０は、第１のトランジスタのソース電極２ｓと、ソース電極２ｓと同一平面においてギャップＧで離間して配置されたドレイン電極３ｓとの間には両極を電気的に接続する有機ＴＦＴ層６ｓとを備え、更に、第１のトランジスタのソース電極２ｓ及びドレイン電極３ｓと、第２のトランジスタのゲート電極４ｄとを覆うようにゲート絶縁層７を設けている。なお、バンク層５ｓは、インクジェット法などの印刷工法によってソース電極２ｓとドレイン電極３ｓとの間のギャップＧ（チャネル領域）に有機ＴＦＴ材料を塗布する際、隣り合うチャネル領域に当該有機ＴＦＴ材料が漏れることを防止する役割をなす。後述するバンク層５ｄについても同様な役割をなす。
【００１７】
また、トランジスタデバイス１０は、ゲート絶縁層７表面のうち、第１のトランジスタのソース電極２ｓ及びドレイン電極３ｓに対向する位置に第１のトランジスタのゲート電極４ｓを形成すると共に、第１のトランジスタのゲート電極４ｄに対向する位置に第２のソース電極２ｄ及びドレイン電極３ｄを形成し、更に、第２のトランジスタのソース電極２ｄと、ソース電極２ｄと同一平面においてギャップＧで離間して配置されたドレイン電極３ｄとの間には両極を電気的に接続する有機ＴＦＴ層６ｄとを備え、第１のトランジスタのゲート電極４ｓと、第２のトランジスタのソース２ｄとドレイン電極３ｄとを覆うようにオーバーコート層８を設けている。
【００１８】
このとき、図１（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層７の表面に形成された第１のトランジスタのゲート電極４ｓは、第２のトランジスタのソース電極２ｄ（或いは、ドレイン電極３ｄ）と電気的に接続されている（コンタクト部を介した電極間の接続。）。
【００１９】
なお、第１と第２のトランジスタとは、それぞれ異なる役割をなすために、各々の電極間に形成される有機ＴＦＴ材料（後の有機ＴＦＴ層６ｓ，６ｄ）は異なる材料であり、例えば、第１のトランジスタにおける有機ＴＦＴ材料６ｓは、フルオレン−チオフェンコポリマー（Ｆ８Ｔ２），オリゴチオフェン（Ｏｌｉｇｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ），ペンタセン（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ），ルブレン（ｒｕｂｒｅｎ）であり、第２のトランジスタにおける有機ＴＦＴ材料６ｄは、テトラベンゾポルフィリンが適している。特に、第１のトランジスタにおける有機ＴＦＴ材料のルブレンは、共役π結合が多く、第２のトランジスタにおける有機ＴＦＴ材料のテトラベンゾポルフィリンは、下の界面の結晶が同一平面上に並ぶという特性を有することから、有機ＴＦＴ材料６ｓ，６ｄの組み合わせとしては、有機ＴＦＴ材料６ｓはルブレン、有機ＴＦＴ材料６ｓはテトラベンゾポルフィリンが好ましい。
【００２０】
また、トランジスタデバイス１０は、第２のトランジスタのソース電極２ｄ及びドレイン電極３ｄの夫々の表面にバンク層５ｄを形成しており、第２のトランジスタのソース電極２ｄと、ソース電極２ｄと同一平面においてギャップＧで離間して配置されたドレイン電極３ｄとの間には両極を電気的に接続する有機ＴＦＴ層６ｄとを備え、更に、第１のトランジスタのゲート電極４ｓと、第２のトランジスタのソース電極２ｄとドレイン電極３ｄを覆うようにオーバーコート層８を設けている。そして、オーバーコート層８の表面に平坦化膜層９が形成されている。
【００２１】
以下に、このトランジスタデバイス１０の構成部材について説明する。
【００２２】
＜基板＞
基板１としては、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。更に、フレキシブル基板を用いてもよい。このトランジスタ素子を有機ＥＬディスプレイ用に用いる場合には、フレキシブル基板が好ましい。具体的な材料としては、ＰＥＴフィルム（ＰＥＴ：Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ），ＰＥＮフィルム（ＰＥＮ：Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）が挙げられる。
【００２３】
＜ゲート電極＞
ゲート電極４は、基板１或いはゲート絶縁層７の上に設けられる。なお、ゲート電極４の材質は特に限定されないが、例えばＣｒ膜（５ｎｍ以下）とＡｕ膜（１００ｎｍ程度）の積層膜や、Ｔｉ膜（５ｎｍ以下）とＡｕ膜（１００ｎｍ程度）の積層膜より構成される。Ｃｒ膜やＴｉ膜は主に接着膜として作用するが、酸化し難いＴｉ膜を用いるとより好ましい場合がある。
【００２４】
＜ゲート絶縁層＞
ゲート絶縁層７は、第１のトランジスタのソース電極２ｓとドレイン電極３ｓ及び第２のトランジスタのゲート電極４ｄを覆うように設けられている。このゲート絶縁層７は、通常用いられる絶縁層、例えばポリマー絶縁層等（具体的には、ポリイミド系，アクリル系，サイクロテン系，ポリスチレン系のいずれかの材料）で構成できる。
【００２５】
＜ソース電極及びドレイン電極＞
第１のトランジスタのソース電極２ｓ及びドレイン電極３ｓは基板１上に形成される一方、第２のトランジスタのソース電極２ｄ及びドレイン電極３ｄは前述したゲート絶縁層７上表面に形成される。そして、各電極間はギャップＧで離間されている（第１と第２のトランジスタでギャップＧは異なっていても良い。）。なお、ソース電極２ｓ，２ｄ及びドレイン電極３ｓ，３ｄとしては、アルミニウム，クロム，モリブデンクロム，チタン，金，銀，銅等の導電性金属、或いは、ポリチオフェン誘導体等の有機導電体を用いることができる。特に光の反射率が高いという特性を有する銀を用いると好適である。
【００２６】
＜有機ＴＦＴ層＞
有機ＴＦＴ層６は、ソース電極２ｓ，２ｄとドレイン電極３ｓ，３ｄとの間にわたって形成されており、それぞれのソース電極２とドレイン電極３とを電気的に接続している。有機ＴＦＴ層６は多結晶体からなり、ソース電極２ｓ，２ｄとドレイン電極３ｓ，３ｄとの間のギャップＧ上に形成され、ソース電極２ｓ，２ｄからドレイン電極３ｓ，３ｄにわたる電気的特性に優れる。
【００２７】
なお、有機ＴＦＴ層６を構成する有機ＴＦＴ材料としては、フルオレン−チオフェンコポリマー（Ｆ８Ｔ２），テトラベンゾポルフィリン（ｔｅｔｒａｂｅｎｚｏｐｏｒｐｈｙｒｉｎ），オリゴチオフェン（Ｏｌｉｇｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ），ペンタセン（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ），ルブレン（ｒｕｂｒｅｎ）等を用いることができる。特にボトムゲート電極（チャネルが形成された基板を下側としたときに、チャネルの下側に配置されたゲート電極）の場合には、特にテトラベンゾポルフィリンが使用されることがある。
【００２８】
また、有機ＴＦＴ層６は、安息香酸エチル等の非水系溶媒に有機半導体材料を含む非水系溶液を塗布して、その後、乾燥させて形成することができる。この場合、凸状液滴の有機半導体溶液を乾燥させることにより、外側の溶媒がより早く乾燥し、有機半導体材料が中心から外側に向かって流れやすくなる。
【００２９】
＜バンク層＞
図１（ａ）に示すように、バンク層５ｓ，５ｄは第１のトランジスタのソース電極２ｓとドレイン電極３ｓの表面と、第２のトランジスタのソース電極２ｄとドレイン電極３ｄの表面に形成され、インクジェット法などの印刷工法によってソース電極２とドレイン電極３との間のギャップＧ（チャネル領域）に有機ＴＦＴ材料を塗布する際、他のチャネル領域に当該有機ＴＦＴ材料が漏れることを防止する役割を成している。具体的な材料としては、ポリイミド系，アクリル系，サイクロテン系，ポリスチレン系のいずれかの材料が好ましい。なお、バンク層５ｓ，５ｄはそれぞれのソース電極２とドレイン電極３の外側に形成し、チャネル領域を形成しても良い（すなわち、バンク層５ｓの場合には、基板１表面かつソース電極２ｓ及びドレイン電極３ｓの外側に、バンク層５ｄの場合には、ゲート絶縁層７表面かつソース電極２ｄ及びドレイン電極３ｄの外側に設けてもよい。）。
【００３０】
＜オーバーコート層＞
オーバーコート層８は、主に有機ＴＦＴ層６ｄの電子移動を促進させる役割と、空気中の酸素や水蒸気から有機ＴＦＴ層６ｄを保護する役割の２つをなす。
【００３１】
＜平坦化膜層＞
平坦化膜層９は、前述したオーバーコート層８を覆うように形成され、平坦化膜層９上に有機ＥＬ材料の陽極電極を構成することから、陽極電極を構成する表面は平坦となっている。平坦化膜層９の陽極電極が構成される表面が平坦になっていることで、光が反射したときの光の取り出しの向きを一定にすることも可能としている。
【００３２】
＜＜有機ＥＬ発光デバイスの構成＞＞
有機ＥＬ発光デバイスは、画素電極（図示せず）、上部電極（図示せず）および両電極に挟み込まれる有機ＥＬ発光層を含み、さらに任意の部材を有していてもよい。両電極の間には、有機ＥＬ発光層に加えて、正孔輸送層や電子輸送層などが形成されていてもよい。正孔輸送層、電子輸送層などの材質はそれぞれ適宜選択されればよく、各層の厚さは数十ｎｍ程度に適宜設定されればよい。
【００３３】
＜＜トランジスタデバイスの製造方法＞＞
次に、本実施の形態に係るトランジスタデバイス１０の製造方法について、図２〜図４を用いて説明する。
（工程１）
基板１として、ガラス基板、プラスチック基板、又は、フレキシブル基板を用意し、基板１上に第１のトランジスタのソース電極２ｓ及びドレイン電極３ｓを形成すると共に、第２のトランジスタのゲート電極４ｄを形成する（図２（ａ））。
（工程２）
図５に示すような、例えばグラビア印刷工法を利用して、ソース電極２ｓ及びドレイン電極３ｓのそれぞれの表面にバンク層５ｓを形成する（図２（ｂ））。このときのバンク層５ｓの材料としては、ポリイミド系，アクリル系，サイクロテン系，ポリスチレン系と言った絶縁性ポリマーを用いると良い。なお、基板１上かつソース電極２ｓとドレイン電極３ｓの外側にバンク層５ｓを設ける構成でもよい。以下にグラビア印刷工法に関する概要を説明する。
【００３４】
＜グラビア印刷工法＞
図５はグラビア印刷装置３０を示すものであり、グラビア印刷装置３０は、周側面をロール面３１ａとし回転軸を中心に回転可能な印刷ロール（版）３１と、印刷ロール３１に対向して配置されると共に回転軸を中心に回転する圧胴ロール３２と、回転軸を中心に回転しインクを印刷ロール３１に供給する供給ロール３３と、供給ロール３３に供給されたインクを一定量に制御するドクター３４とで構成される。本実施の形態のグラビア印刷装置３において、（フィルム）被処理基板３５は、印刷ロール３１と圧胴ロール３２との間を通過し一方向に進むようになされている。
【００３５】
以下、具体的にグラビア印刷工法によるバンク層を形成する方法を説明する。まず、印刷ロール３１，圧胴ロール３２，及び，樹脂材料（バンク層の構成材料）が貯蔵されたタンク（符号なし）内に配置された供給ロール３３をそれぞれ回転させることで、印刷ロール３１のロール面３１ａ上に樹脂材料を供給する。このとき、樹脂材料はドクター３４によって一定供給量にすることが望ましい。そして、ロール面１ａ上の凹部に樹脂材料が充填され、被処理基板３５の表面に樹脂材料が転写され所望の形状にパターニングされる。
（工程３）
図１（ｂ）まで作製されたトランジスタデバイスに対し、酸素プラズマに曝すことでバンク層５ｓで囲まれた空間（セル）の底面を親水性にした後、ＣＦ4プラズマによってバンク層５ｓの壁面のうちセル側表面を親水性にした後、ソース電極２ｓとドレイン電極３ｓとの間のギャップＧ（チャネル領域）を覆うように、例えばインクジェット法やディスペンサー法によって、非水系溶媒に有機ＴＦＴ材料を含む凸状液滴の有機ＴＦＴ材料を塗布する。また、ロール印刷法を用いて行っても問題はない。
【００３６】
そして、有機ＴＦＴ材料を乾燥させて、ソース電極２ｓとドレイン電極３ｓとの間のギャップＧ上に有機ＴＦＴ材料を結晶化させて、有機ＴＦＴ層６ｓを得る（図２（ｃ））。この有機ＴＦＴ層６ｓによってソース電極２ｓとドレイン電極３ｓとを電気的に接続することが可能となる。
（工程４）
第１のトランジスタのソース電極２ｓとドレイン電極３ｓ並びに第２のトランジスタのゲート電極４ｄを覆うようにゲート絶縁層７を設ける（図２（ｄ））。
（工程５）
ゲート絶縁層７上に第１のトランジスタのゲート電極４ｓと、第２のトランジスタのソース電極２ｄ及びドレイン電極３ｄを形成する（図３（ｅ））。
（工程６）
前述した（工程２）と同様に、例えばグラビア印刷工法を利用して、ソース電極２ｄ及びドレイン電極３ｄのそれぞれの表面にバンク層５ｄを形成する（図３（ｆ））。
（工程７）
前述した（工程３）と同様に、図３（ｆ）まで作製されたトランジスタデバイスに対し、酸素プラズマに曝すことでバンク層５ｄで囲まれた空間（セル）の底面を親水性にした後、ＣＦ4プラズマによってバンク層５ｄの壁面のうちセル側表面を親水性にした後、ソース電極２ｄとドレイン電極３ｄとの間のギャップＧ（チャネル領域）を覆うように、例えばインクジェット法やディスペンサー法によって、非水系溶媒に有機ＴＦＴ材料を含む凸状液滴の有機ＴＦＴ材料を塗布する。
【００３７】
そして、有機ＴＦＴ材料を乾燥させて、ソース電極２ｄとドレイン電極３ｄとの間のギャップＧ上に有機ＴＦＴ材料を結晶化させて、有機ＴＦＴ層６ｄを得る（図３（ｇ））。この有機ＴＦＴ層６ｄによってソース電極２ｄとドレイン電極３ｄとを電気的に接続することが可能となる。
（工程８）
バンク層５ｄ及び有機ＴＦＴ層６ｄ並びにゲート電極４ｓを含む表面にオーバーコート層８を形成した後、オーバーコート層８の表面に平坦化膜層９を形成する。
【００３８】
以上によって、本実施の形態に係るトランジスタデバイス１０を作成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明の表示装置及びその製造方法は、例えば有機ＥＬディスプレイ（有機ＥＬテレビ）として利用できるだけではなく、ワープロ，パソコン等の携帯型情報処理装置や腕時計型電子機器など、各種の電子機器における表示部として好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】（ａ）本発明に係る有機ＴＦＴデバイスの概略図（断面図）、（ｂ）本発明に係る有機ＴＦＴデバイスにおける断面Ａでの概略図（上面図）、（ｃ）本発明に係る有機ＴＦＴデバイスにおける断面Ｂでの概略図（上面図）
【図２】本発明の表示装置に係る製造工程（その１）を示す図
【図３】本発明の表示装置に係る製造工程（その２）を示す図
【図４】本発明の表示装置に係る製造工程（その３）を示す図
【図５】本発明に実施の形態に係るグラビア印刷装置を示す概略図
【符号の説明】
【００４１】
１    基板
２    ソース電極
３    ドレイン電極
４    ゲート電極
５    バンク層
６    有機ＴＦＴ層
７    ゲート絶縁層
８    オーバーコート層
９    平坦化膜層
１０  トランジスタデバイス
【図１】
2008300612.tif 000003
【図２】
2008300612.tif 000004
【図３】
2008300612.tif 000005
【図４】
2008300612.tif 000006
【図５】
2008300612.tif 000007