(57)【要約】【課題】物理気相蒸着（ＰＶＤ）装置とＰＶＤ法を開示する。【解決手段】ターゲットと基板との間の処理空間にアノードを延ばすことで、基板への堆積の均一度が上昇する。アノードはプラズマ内で励起される電子の接地経路となり、プラズマ内の電子をチャンバ壁部に集めるのではなく、処理空間全体にわたって均一に分散させる。プラズマ内で電子を均一に分散させることで、基板上に材料が均一に堆積される。アノードを冷却液で冷却してアノードの温度を制御し、剥離を軽減してもよい。アノードは処理空間全体にわたって、スパッタリングターゲットの背面全体を二次元方向に走査するマグネトロンの長辺に直角に配置してもよい。走査マグネトロンによりアノードの局所的な加熱が軽減される。【選択図】図１
2008019508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理空間をその内部に有するチャンバ本体部と、
１つ以上のターゲットと、
基板支持体と、
１つ以上のターゲットと基板支持体との間に配置され、それぞれ内壁と外壁とを有する１つ以上のアノードとを含み、
内壁は内壁と接触しながら通過する冷却液の流体流路を形成する物理気相蒸着装置。
【請求項２】
各アノードに連結されたブラケットを更に含み、
ブラケットがそこからアノードを懸架するような形状である請求項１記載の装置。
【請求項３】
ブラケットが接地している請求項２記載の装置。
【請求項４】
１つ以上のアノードが粗面を含む請求項１記載の装置。
【請求項５】
１つ以上のアノードの少なくとも１つがＵ型構造を含む請求項１記載の装置。
【請求項６】
第１長さを有する第１部分と、第１長さより短い第２長さを有する第２部分とを有するマグネトロンを更に含み、
１つ以上のアノードが第１部分に実質的に直角に処理空間全体に延びている請求項１記載の装置。
【請求項７】
マグネトロンが１つ以上のターゲットに相対して移動可能である請求項６記載の装置。
【請求項８】
マグネトロンが二次元方向に移動可能である請求項６記載の装置。
【請求項９】
１つ以上のアノードの少なくとも１つが処理空間を複数回にわたって通過する請求項１記載の装置。
【請求項１０】
１つ以上のアノードが固定接地要素に連結されている請求項１記載の装置。
【請求項１１】
１つ以上のアノードが可撓性接地要素に連結されている請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
外壁と、内壁により隔てられた空洞経路と、冷却液流入口が連結された第１端部と、流体排出口が連結された第２端部とを含むアノードアセンブリ。
【請求項１３】
アノード本体部がＵ型構造を含む請求項１２記載のアノードアセンブリ。
【請求項１４】
アノード本体部と連結されたブラケットを更に含む請求項１２記載のアノードアセンブリ。
【請求項１５】
外壁が粗面を含む請求項１２記載のアノードアセンブリ。
【請求項１６】
チャンバ内にスパッタリングターゲットに対向してサセプタを位置させてターゲットとサセプタとの間に処理空間を形成し、
ターゲットから材料をスパッタしてプラズマを発生させ、
接地経路を処理空間内に設け、ここで接地経路は処理空間全体にわたる領域を占め内壁と外壁とを備えており、
内壁と接触させながら冷却液を接地経路内に流すことを含む物理気相蒸着方法。
【請求項１７】
マグネトロンがスパッタリングターゲットの背面に配置され、マグネトロンは第１長さを有する第１部分と第１長さより短い第２長さを有する第２部分とを含み、
冷却液を第１部分に直角に流すことを更に含む請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
マグネトロンをスパッタリングターゲットの背面で平行移動させることを更に含む請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
マグネトロンを二次元方向に平行移動させる請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
処理空間に向かって延びる磁場を形成し、
磁場を移動させることを更に含む請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
冷却液はチャンバの同じ側から接地経路に流入し排出される請求項１６記載の方法。
【請求項２２】
接地経路が粗面を有するアノードを含む請求項１６記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
[発明の分野]
本発明の実施形態は、概して、大面積基板用の物理気相蒸着（ＰＶＤ）システムに関する。
【関連技術の説明】
【０００２】
マグネトロンを用いたＰＶＤは、基板上に材料を堆積するための一方法である。ＰＶＤ処理中、ターゲットに電気的にバイアス印加すると、処理領域で発生したイオンがターゲットから原子を脱落させるに十分なエネルギーでターゲット表面に衝突する。イオンを衝突させターゲット表面から原子を除去するプラズマを発生させるターゲットのバイアス処理は、一般にスパッタリングと呼ばれる。スパッタされた原子は、通常、スパッタコーティングする基板方向に向かって移動し、スパッタされた原子は基板上に堆積される。或いは、原子はプラズマ内のガス、例えば窒素と反応して基板上に化合物が反応的に堆積される。反応性スパッタリングは、基板上に窒化チタン又は窒化タンタルの薄いバリア層や核形成層を形成するのにしばしば用いられる。
【０００３】
直流（ＤＣ）スパッタリング及び交流（ＡＣ）スパッタリングは、ターゲットにバイアスをかけることでターゲットに向かってイオンを引き付けるスパッタリングの形態である。ターゲットを約−１００Ｖ〜−６００Ｖで負にバイアス印加して作用ガス（例えば、アルゴン）のプラスイオンをターゲット方向に引き付け、原子をスパッタする。通常、スパッタチャンバの側部は、チャンバ壁部をスパッタ堆積から保護するためにシールドで覆われている。シールドを電気的に接地しターゲットカソードに対抗してアノードを設けることで、ターゲット電力とスパッタチャンバ内で発生したプラズマとを容量結合する。
【０００４】
スパッタリング中、材料はスパッタされてチャンバ内の露出面上に堆積される。温度が処理温度からそれより低い非処理温度へと変動する際、チャンバの露出面に堆積した材料が剥離して基板を汚染する場合がある。
【０００５】
ガラス基板、重合体基板、フラットパネルディスプレイ基板、太陽電池パネル基板等の大面積基板及びその他の適切な基板に膜を堆積する際、基板に均一に堆積させるのは困難である。そのため、材料を基板上に均一に堆積する一方でＰＶＤチャンバ内での剥離を軽減することが当分野で求められている。
【発明の概要】
【０００６】
本発明は、概して、ＰＶＤ装置とＰＶＤ法を含む。ターゲットと基板との間の処理空間全体にアノードを延ばすことで、基板上での堆積の均一性が向上する。アノードはプラズマ内で励起される電子の接地経路となり、プラズマ内の電子をチャンバ壁部に集めるのではなく処理空間全体にわたって均一に分散させる。プラズマ内で電子を均一に分散させることで、基板上に材料が均一に堆積される。アノードを冷却液で冷却してアノードの温度を制御し、剥離を軽減する。アノードは処理空間全体にわたって、スパッタリングターゲットの背面全体を二次元方向に走査するマグネトロンの長辺に直角に配置される。走査マグネトロンによりアノードの局所的な加熱が軽減される。
【０００７】
一実施形態においては、物理気相蒸着装置を開示する。この装置は、その内部に処理空間を有するチャンバ本体部と、１つ以上のターゲットと、基板支持体と、１つ以上のターゲットと基板支持体との間に配置された１つ以上のアノードとを含む。１つ以上のアノードはそれぞれ内壁及び外壁を備え、内壁は内壁と接触しながら通過する流体の流体流路を規定する。
【０００８】
他の実施形態においては、アノードアセンブリを開示する。アノードアセンブリは外壁と、内壁により隔てられた空洞経路と、冷却液流入口がそこに連結された第１端部と、流体流出口がそこに連結された第２端部とを有するアノード本体部を含む。
【０００９】
他の実施形態においては、物理気相蒸着方法を開示する。本方法は、チャンバ内にスパッタリングターゲットに対向してサセプタを位置させてターゲットとサセプタとの間に処理空間を規定し、ターゲットから材料をスパッタしてプラズマを発生させ、接地経路を処理空間内に設け、ここで接地経路は処理空間全体にわたる領域を占め内壁と外壁とを備えており、内壁と接触させながら冷却液を接地経路内に流すことを含む。
【詳細な説明】
【００１０】
本発明は、概して、ＰＶＤ装置とＰＶＤ方法を含む。ターゲットと基板との間の処理空間全体にわたってアノードを延ばすことで、基板上での堆積の均一性が向上する。アノードはプラズマ内で励起される電子の接地経路となり、プラズマ内の電子をチャンバ壁部に集めるのではなく、処理空間全体にわたって均一に分散させる。プラズマ内で電子が均一に分散されることで、基板上に材料が均一に堆積される。アノードを冷却液で冷却してアノードの温度を制御し、剥離を軽減してもよい。アノードを、スパッタリングターゲットの背面全体を二次元方向に走査するマグネトロンの長辺に対して直角に、処理空間全体にわたって配置してもよい。走査マグネトロンによりアノードの局所的な加熱が軽減される。
【００１１】
本発明を図解しながら説明する。また、本発明はカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル社の全額出資子会社であるＡＫＴ社から入手可能なＰＶＤシステム等の大面積基板処理用ＰＶＤシステムで用いてもよい。しかしながら、スパッタリングターゲットは、大面積円形基板を処理するように構成されたシステムや他の製造業者により製造されたシステムを含むその他のシステム構成でも利用することができる。
【００１２】
図１は本発明の一実施形態によるＰＶＤ装置１００の断面図である。装置１００は、接着層１０６によりバッキングプレート１０４に接着されたスパッタリングターゲット１０２を含む。ターゲット１０２は、処理空間１５８全体にわたってサセプタ１１２に対向して位置している。バッキングプレート１０４内には冷却水路１０８が存在してもよく、ターゲット１０２全体の温度を均一にするのに役立つ。ターゲット１０２の周囲を暗部シールド１３６が取り巻いていてもよい。マグネトロン１１０がバッキングプレート１０４の背面に存在していてもよい。
【００１３】
大面積フラットパネルディスプレイへの需要が高まるにつれ、基板のサイズも大型化しなくてはならない。基板サイズの大型化に伴い、様々な問題が生じる。このような問題点の一つが堆積の均一性である。スパッタリングプラズマ中の電子は、装置１００内の接地された要素に引き寄せられる。伝統的には、チャンバ壁部１３２とサセプタ１１２つまり基板支持体が接地され、カソードとして機能するスパッタリングターゲット１０２に対立するアノードとして機能する。
【００１４】
アノードとして機能する接地チャンバ壁部１３２はプラズマから電子を引き寄せるため、チャンバ壁部１３２近傍のプラズマ密度は高くなる傾向がある。チャンバ壁部１３２付近でのプラズマ密度が高いとチャンバ壁部１３２近くの基板への堆積量が増加し、チャンバ壁部１３２から離れた位置での堆積量は低下する。その一方で、接地サセプタ１１２もアノードとして機能する。サセプタ１１２は処理空間１５８のかなりの長さを占める。多くの場合、サセプタ１１２は基板と同等の面積を占める。そのため、サセプタ１１２はその縁部でだけでなく中央部においても電子の接地経路となる。サセプタ１１２中央の接地経路とサセプタ１１２の縁部とチャンバ壁部１３２での接地経路は釣り合っており、これはそれがチャンバ壁部１３２であろうとサセプタ１１２であろうと各アノードがアノードとして等しく機能し、処理空間１５８全体にわたってプラズマを均一に散乱させるからである。プラズマを処理空間１５８全体に均一に分散させることにより、堆積は基板全体にわたって均一に行われる。
【００１５】
基板が絶縁基板である場合（例えば、ガラス又は重合体）、基板は非導電性であるため、電子は基板を流れない。この結果、実質的に絶縁基板が基板支持体を覆っている場合、処理領域１５８の中心付近では基板支持体により十分なアノード表面を設けることができない。太陽電池パネル又はフラットパネルディスプレイ用の基板等の大面積基板の場合、サセプタ１１２を通る接地経路をブロックする基板のサイズは相当なものとなる。１平方メートルもの面積を有する基板はフラットパネルディスプレイ業界では珍しくはない。１平方メートルの絶縁基板の場合、サセプタ１１２を通る接地経路は面積１平方メートルにわたってブロックされる。そのため、チャンバ壁部１３２と基板によって覆われていないサセプタ１１２の縁部がプラズマ内の電子の唯一の接地経路となり、基板中心部近辺には接地経路が存在しなくなる。大面積基板の場合は、チャンバ壁部１３２と、基板により覆われていないサセプタ１１２の縁部でのプラズマ密度が高くなる。チャンバ壁部１３２とサセプタ１１２縁部付近のプラズマ密度が高いため、接地経路が存在しない処理領域１５８の中心付近のプラズマ濃度は低くなる。処理領域１５８中心付近に接地経路がないとプラズマは均一とならず、その結果、大面積基板への堆積が不均一となる。
【００１６】
基板全体にわたる均一なスパッタ堆積を促進するために、ターゲット１０２と基板（図示せず）との間にアノード１３４を設置してもよい。一実施形態において、アノード１３４はアーク溶射アルミニウムでコーティングしたビードブラスト処理ステンレス鋼である。他の実施形態において、アノード１３４はビードブラスト処理されている。アノード１３４をビードブラスト処理又はアーク溶射することによりその表面がテクスチャ加工され、その表面上にスパッタされた材料は捕捉され、基板上に堆積した材料の剥離や脱落が軽減される。
【００１７】
アノード１３４はターゲット１０２から距離Ａを置いて配置してもよい。距離Ａは、堆積中の基板のシャドーイングを軽減するに十分なぐらい短くてもよい。また、アノード１３４は、基板のシャドーイングを軽減し堆積の均一性を最大限にするような形状に形成してもよい。アノード１３４は、アノード１３４がそれ自身の重量とチャンバ全体にわたる冷却液の重量を支持可能となるようなサイズにしてもよい。一実施形態において、アノード１３４は円形の断面を有する。他の実施形態において、アノード１３４は断面が楕円形である。
【００１８】
一実施形態において、アノード１３４の一端は取り付け棚１４６に連結されたブラケット１４４によりチャンバ壁部１３４に取り付けられる。図３Ｂに図示されるように、ブラケット１４４はアノード１３４を部分的に取り囲み、アノード１３４の一部を遮蔽するような形状に形成されている。ブラケット１４４は暗部シールド１３６の下で屈曲している。ブラケット１４４は、ネジ又はナット・ボルトアセンブリ等のいずれの慣用の取付装置を介して取り付け棚１４６に連結してもよい。図１に図示されるように、ブラケット１４４の一部は暗部シールド１３６とチャンバシールド１３０との間に位置している。ブラケット１４４をアノード１３４の一端と連結してアノード１３４を接地してもよい。ブラケット１４４は可撓性アース接続と見なすことができ、これはブラケット１４４が処理空間１５８内でプラズマに曝露された場合に温度の変動に伴って膨張・収縮するからである。アノード１３４が冷却されると、伝導性冷却によりブラケットも冷却される。
【００１９】
アノード１３４のもう一端は暗部シールド１３６とチャンバ壁部１３２とを貫通している。図３Ａに図示されるように、ブラケット１３８は暗部シールド１３６に連結され、アノード１３４と暗部シールド１３６とを連結している。アノード１３４の端部は接続アセンブリ１４２となっている。接続アセンブリ１４２は流体輸送管と互いに接続するためのいずれの慣用の装置であってもよい。補助ブラケット１４０でアノード１３４とチャンバ壁部１３２とを連結し、接続アセンブリ１４２を安定させてもよい。ブラケット１４０はアノード１３４の接地経路となり、処理空間１５８から実質的に隠れた位置にあることから不動である（つまり、比較的膨張や収縮が小さい）。他の実施形態において、アノード１３４はアンカーマウントで取り付けられ、アノードシールドにより堆積から遮蔽される。アンカーマウントはシールド１１６上に位置させてもよい。また、アンカーマウントによりブラケット１４０と同様の固定接地経路を得てもよい。
【００２０】
アノード１３４によりターゲット１０２とは反対の電荷が得られることから、荷電イオンは、典型的には接地電位であるチャンバ壁部１３２ではなくアノードへと引き付けられる。アノード１３４をターゲット１０２と基板との間に設けることにより、プラズマはより均一となり、堆積に有用となる。
【００２１】
基板が装置１００に進入すると、昇降ピン１１４が上昇して基板を受ける。昇降ピン１１４は次に降下し、サセプタ１１２が上昇して基板を受ける。サセプタ１１２が処理位置に上昇するにつれ、サセプタ１１２はシャドーフレーム１１８に突き当たり、シャドーフレーム昇降ピン１２０でシャドーフレーム１１８を処理位置まで上昇させる。シャドーフレーム１１８により、サセプタ１１２の露出領域に堆積される材料量が低下する。上昇させない場合、シャドーフレーム１２０はアンダーシールド１２２上に載置される。アンダーシールド１２２を冷却マニホルド１２４に連結してもよい。
【００２２】
シャドーフレーム１２２は上下方向に移動するため、シャドーフレーム１２２上に堆積した材料は剥離する可能性がある。シャドーフレーム１２２からの材料の剥離を軽減するために、実質的に静止状態の補助シールド１１６を装置１００内部に位置させてシャドーフレーム１２２を遮蔽してもよい。シールド１１６は冷却マニホルド１２４に連結される。冷却マニホルド１２４はシールド１１６の温度を制御する。温度変化によるシールド１１６の膨張と収縮により、装置１００内での剥離と基板の汚染が生じる場合がある。シールド１１６の温度を制御することにより、シールド１１６の膨張と収縮を軽減することができる。冷却マニホルド１２４はマニホルド棚１２６上に載置し、冷却水路１２８を通過する冷却液で冷却してもよい。冷却液は当業者に既知のいずれの慣用の冷却液であってもよい。
【００２３】
処理空間１５８内に在ることから、材料はスパッタリング中、アノード１３４上に堆積される。アノード１３４上に堆積される材料も汚染源となる場合がある。スパッタリング処理中、温度は休止時間中よりも顕著に高くなる。アノード１３４の温度変化はアノード１３４の膨張と収縮、それに伴ってアノード上に堆積された材料の剥離につながることがある。それに加えて、アノード１３４上に堆積された材料の温度をその融点に近くなる又は融点に達するほど上昇させるに十分なぐらい、プラズマ温度が高い場合がある。アノード１３４上に堆積した材料がその融点に達すると、材料は溶融し、アノード１３４から基板上へと液垂れする。剥離と液垂れは基板の汚染源となる可能性がある。
【００２４】
剥離と材料の液垂れを軽減するために、アノード１３４を冷却してもよい。アノード１３４を冷却することでアノード１３４の温度を制御し、処理中及び休止時間中におけるアノード１３４の膨張と収縮を軽減してもよい。それに加え、アノード１３４を冷却することで、材料の液垂れが軽減される。アノード１３４を冷却するとその上に堆積される材料も冷却され、材料の温度がその融点に近づくことはない。アノード１３４上に堆積された材料の温度がその融点に近づかないならば、液垂れは軽減される。
【００２５】
図２は冷却アノード１３４を３つ内臓したＰＶＤ装置１００の一実施形態の平面図である。図では３つの冷却アノード１３４を図示しているが、アノード１３４の数はそれ以上でも以下であってもよいことを理解する必要がある。図２に図示の実施形態において、アノード１３４はＵ型であるため、１つのアノード１３４は処理領域１５８を２回横切る。それに加え、冷却液は装置１００の同じ側からアノード１３４内に流入し、かつ排出される。他の実施形態において、アノード１３４は実質的に直線状で、処理領域１５８を１回横切る。
【００２６】
冷却アセンブリ１５０はブラケット１５２で装置１００に連結してもよい。図４は、本発明の一実施形態による冷却アセンブリ１５０を示す。冷却アセンブリ１５０は、接続アセンブリ１４２に連結され冷却液を冷却液供給／回収管１５６に／から循環させるための流入及び排出管１５４を有していてもよい。アノード１４３を通過する冷却液はアノード１３４内に留まり、処理環境には侵入しない。冷却液はアノード１３４の内壁１６２内を流れ、内壁１６２から外壁１６０には浸透しない。アノード１３４の外壁１６０は処理環境に露出している。アノード１３４それ自体に冷却液を通過させることで、アノード１３４内又はアノード１３４上に追加の冷却水路又は冷却管を設置する必要がなくなる。冷却液は当業者に既知のいずれの慣用の冷却液であってもよい。
【００２７】
本発明をターゲット１０２に関連して上述してきたが、ターゲットは複数存在していてもよいことを理解する必要がある。例えば、大面積基板にスパッタ堆積するのに必要な大面積ターゲットは極めて高価となる可能性がある。従って、複数のターゲットをバッキングプレート全体にわたってわずかに隙間を空けて配置してもよい。複数のターゲットは一枚の大面積ターゲットよりは小さいが、本質的には一枚の大面積ターゲットとして機能する。このようなターゲットの例は米国特許出願公開第２００７／００５６８５０号、２００６年６月１５日に出願された米国特許出願第１１／４２４４６７号、２００６年６月１５日に出願された米国特許出願第１１／４２４４７８号に記載されており、これらは全て引用により全て本願に組み込まれる。
【００２８】
使用し得るターゲット１０２は正方形のターゲットに限定されない。細長いターゲットやタイル状のターゲットが本発明を実施するにあたって使用し得るその他の適切なターゲット１０２の例として挙げられる。非正方形のターゲット１０２の場合、アノード１３４は処理空間１５８内をターゲット１０２の最長辺方向に延びる。他の実施形態において、アノード１３４は処理空間内をターゲット１０２の最長辺に直角の方向に延びる。
【００２９】
図５Ａ及び５Ｂは本発明の実施形態による冷却アノードに関連したマグネトロンの概略図である。図５Ａはバッキングプレート５０２の背面に配置されたマグネトロンアセンブリ５０４を有する装置５００を示す。マグネトロンアセンブリ５０４は外側溝部５０６と内側溝部５０８とを備えており、その内部に複数の磁石５１０を配置し得る。外側溝部５０６は第１極性を有する磁石５１０を含み、内側溝部５０８は異なる極性を有する磁石５１０を含むため、溝部５０６と５０８との間に磁場が形成される。１つ以上のアノード５１２を処理チャンバ全体にわたって配置してもよい。アノード５１２をマグネトロンアセンブリ５０４の長辺５１４に直角に配置してもよい。マグネトロンアセンブリ５０４の長辺５１４は長さＡを有し、短辺５１６は長さＢを有してもよく、ここでＡ＞Ｂである。
【００３０】
図５Ａと同様に、図５Ｂはバッキングプレート５５２の背面に配置されたマグネトロンアセンブリ５５４を有する装置５００を示し、マグネトロンアセンブリ５５４は外側溝部５５６と内側溝部５５８とを備え、その内部には複数の磁石５６０を配置し得る。図５Ｂのマグネトロンアセンブリ５５４は図５Ａのものとは異なる蛇行配置を有する。外側溝部５５６は第１極性を有する磁石５６０を含み、内側溝部５５８は異なる極性を有する磁石５６０を含むため、溝部５５６と５５８との間には磁場が形成される。１つ以上のアノード５６２を処理チャンバ全体にわたって配置してもよい。アノード５６２はマグネトロンアセンブリ５５４の長辺５６４に直角に配置してもよい。マグネトロンアセンブリ５５４の長辺５６４は長さＣを有し、短辺５１６は長さＤを有してもよく、ここでＣ＞Ｄである。
【００３１】
アノードの局所的な加熱を防止し、ターゲットを均一に侵食するために、マグネトロンアセンブリをバッキングプレート全体にわたって走査させてもよい。図６は本発明の一実施形態によるマグネトロンの走査パターン６００の概略図である。一実施形態においては、これに加えて、マグネトロンを矢印Ｆで示すように横方向及び／又は矢印Ｅで示すように水平方向に移動する。マグネトロンアセンブリの横方向及び／又は水平方向運動は、走査パターン６００と組み合わせてもよい。マグネトロンアセンブリを走査させることにより、磁場がスパッタリングターゲット全体にわたって移動し、スパッタリングターゲットが均一に侵食される。それに加え、スパッタリングターゲット前方の磁場内の高密度プラズマが走査中に移動するため、処理空間を占めるアノードの特定領域に高密度プラズマが集中することがない。この結果、マグネトロンアセンブリによる走査とそれに伴う磁場によりアノードの局所的な加熱が防止される。
【００３２】
大面積基板については、処理領域の中央に接地経路を設けて均一に堆積することが有益である。ターゲットと基板との間の処理領域に延びるアノードはプラズマ内の電子の接地経路となり、処理空間全体にわたってのプラズマの分散の均一度が上昇し、基板上に均一に堆積が成される。アノードを冷却することで、剥離と材料の液垂れが軽減される。
【００３３】
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく本発明のその他及び更に他の実施形態を案出することができ、本発明の範囲は特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
その一部が添付の図面で図示されている実施形態を参照し上記で簡単に概要を述べた本発明の更に具体的な説明を得ることで、本発明の上述した特徴が詳細に理解可能である。しかしながら、添付図面は本発明の模範的な実施形態を図示するに過ぎず、本発明はその他の同等に効果的な実施形態も含み得るため、本発明の範囲を制限すると解釈されないことに留意すべきである。
【００３５】
【図１】本発明の一実施形態によるＰＶＤ装置１００の断面図である。
【図２】冷却アノードを内臓したＰＶＤ装置１００の一実施形態の平面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態による、暗部シールド１３６を貫通するアノード１３４の平面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態による、アノード１３４とアノード取り付けブラケット１４４の断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による冷却アセンブリ１５０の図である。
【図５Ａ】〜
【図５Ｂ】本発明の実施形態による冷却アノードに関連したマグネトロンの概略図である。
【図６】本発明の一実施形態によるマグネトロンの走査パターンの概略図である。
【００３６】
円滑な理解のために、可能な限り、図に共通する同一の要素は同一の参照番号を用いて表した。一実施形態における要素と構成は、特に記載することなく他の実施形態にて便宜上利用する場合がある。
【図１】
2008019508.tif 000003
【図２】
2008019508.tif 000004
【図３Ａ】
2008019508.tif 000005
【図３Ｂ】
2008019508.tif 000006
【図４】
2008019508.tif 000007
【図５Ａ】
2008019508.tif 000008
【図５Ｂ】
2008019508.tif 000009
【図６】
2008019508.tif 000010
【外国語明細書】
2008019508.tif 000011
2008019508.tif 000012
2008019508.tif 000013
2008019508.tif 000014
2008019508.tif 000015
2008019508.tif 000016
2008019508.tif 000017
2008019508.tif 000018
2008019508.tif 000019
2008019508.tif 000020
2008019508.tif 000021
2008019508.tif 000022
2008019508.tif 000023
2008019508.tif 000024
2008019508.tif 000025
2008019508.tif 000026
2008019508.tif 000027
2008019508.tif 000028
2008019508.tif 000029
2008019508.tif 000030
2008019508.tif 000031
2008019508.tif 000032
2008019508.tif 000033