(57)【要約】【課題】計測用部材を用いた計測の精度を向上させることができる露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の第１側面に係る露光装置は、原版からの光を基板に投影する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終光学素子と該基板との間隙に満たされた液体を介して該基板を露光する露光装置であって、該基板を保持して移動する基板ステージと、前記基板ステージに設けられ、かつ開口部が形成された天板と、前記基板ステージに、かつ、該開口部の中に設けられた計測用部材とを有し、前記最終光学素子の光軸に垂直な面内において、前記天板と前記計測用部材との間には、隙間が形成され、前記計測用部材は、該面内において、正Ｎ角形（Ｎ＞４）及び円形のいずれかの形状をしていることを特徴とする。【選択図】  図３
2008258324.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版からの光を基板に投影する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終光学素子と該基板との間隙に満たされた液体を介して該基板を露光する露光装置であって、
該基板を保持して移動する基板ステージと、
前記基板ステージに設けられ、かつ開口部が形成された天板と、
前記基板ステージに、かつ、該開口部の中に設けられた計測用部材と、
を有し、
前記最終光学素子の光軸に垂直な面内において、前記天板と前記計測用部材との間には、隙間が形成され、
前記計測用部材は、該面内において、正Ｎ角形（Ｎ＞４）及び円形のいずれかの形状をしている、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
原版からの光を基板に投影する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終光学素子と該基板との間隙に満たされた液体を介して該基板を露光する露光装置であって、
該基板を保持して移動する基板ステージと、
前記基板ステージに設けられ、かつ、開口部が形成された天板と、
前記基板ステージに、かつ、該開口部の中に設けられた計測用部材と、
を有し、
前記最終光学素子の光軸と垂直な面内において、前記天板と前記計測用部材との間には、隙間が形成され、
前記計測用部材と該液体との接触角をθ１、前記最終光学素子の光軸と垂直な面内における前記計測用部材の外周長さをＬ１、前記天板と該液体との接触角をθ２、該面内における該開口部の内周長さをＬ２、該隙間に部分的に浸入した該液体の液圧をＰｆ、該液体の表面張力をγ、該面内における該隙間の面積をＳとしたときに、
γ・ｃｏｓθ１・Ｌ１＋γ・ｃｏｓθ２・Ｌ２＋Ｐｆ・Ｓ＜０
なる関係が満たされる、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項３】
原版からの光を基板に投影する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終光学素子と該基板との間隙に満たされた液体を介して該基板を露光する露光装置において、
該基板を保持して移動する基板ステージと、
前記基板ステージに設けられ、かつ、開口部が形成された天板と、
前記基板ステージに、かつ、該開口部の中に設けられた計測用部材と、
を有し、
前記天板は、前記最終光学素子の光軸に垂直な面内において、前記天板と前記計測用部材との間に形成された隙間に浸入した該液体を排液する排液部を含む、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項４】
前記排液部は、排液速度が一定になるように調整されている
ことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
原版からの光を基板に投影する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終光学素子と該基板との間隙に満たされた液体を介して該基板を露光する露光装置であって、
該基板を保持して移動する基板ステージと、
前記基板ステージに設けられ、かつ、開口部が形成された天板と、
前記基板ステージに、かつ、該開口部の中に設けられた計測用部材と、
前記天板と、前記基板ステージにおいて前記天板を支持する部分との間に配されたシール部材と、
を有し、
前記シール部材の断面の断面係数は、円形断面の断面係数より小さい、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項６】
前記シール部材は、リップシールを含む
ことを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
該露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及びデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩあるいは超ＬＳＩなどの極微細パターンで構成される半導体デバイスの製造工程において、感光剤が塗布された基板上に原版のパターンを縮小投影して転写する縮小型投影露光装置が使用されている。半導体デバイスにおける集積密度の向上に伴いパターンの更なる微細化が要求され、レジストプロセスの発展と同時に露光装置の微細化への対応がなされている。
【０００３】
露光装置の解像力を向上させる方法には、露光波長を短くする方法と、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくする方法とがある。
【０００４】
露光波長を短くする方法に関して、様々な光源が開発されている。例えば、３６５ｎｍのｉ線から２４８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエキシマレーザ光に移行しつつあり、更に１９３ｎｍ付近の発振波長を有するＡｒＦエキシマレーザの開発が進んでいる。更に、１５７ｎｍ付近の発振波長を有するフッ素（Ｆ２）エキシマレーザの開発も行なわれている。
【０００５】
一方、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくする方法に関して、液浸法を用いた投影露光方法が注目されつつある。液浸法では、投影光学系の最終面と基板（例えばウエハ）表面との間の従来気体で満たされていた空間を液体で満たして投影露光する。液浸法の利点は、従来と同一波長の光源を用いても、解像力が従来よりも向上することである。
【０００６】
例えば、投影光学系とウエハとの間の空間に提供される液体を純水（屈折率１．３３）とし、ウエハに結像する光線の最大入射角が液浸法と従来法とで等しいと仮定する。このとき、投影光学系のＮＡが１．３３倍になるので、液浸法の解像力は従来法の１．３３倍に向上する。
【０００７】
このように、液浸法によれば、従来法では不可能なＮＡ≧１とした場合の解像力を得ることが可能である。この液浸法を実現するために、様々な露光装置が提案されている。
【０００８】
特許文献１では、投影光学系の周辺かつ投影光学系から見て第１方向に配置された液体供給ノズルと、基板ステージ上に液浸領域を保持するために基板表面とほぼ同一な高さに配置された平面板（天板）とを備える露光装置が提案されている。この露光装置では、基板ステージが基板を第１方向の反対方向である第２方向に向かって移動させる際に、液体供給ノズルを通して基板の表面上に液体が供給される。ここで、基板の移動に伴って液膜が連続的に広がるように、液体供給ノズルを通して基板の表面上に液体が連続的に供給される。これにより、投影光学系の最終面と基板面との間の空間を、確実に液体で満たすことができる。
【０００９】
特許文献２では、投影光学系の像面側に配置されたスリット板を介して投影光学系を通過した光を受光する受光器と、投影光学系とスリット板との間に満たされた液体の温度情報を検出する温度センサとを備えた露光装置が提案されている。この露光装置では、投影光学系の像面側に配置された基板に対して、投影光学系と液体とを介して露光光を照射することによって基板を露光する。受光器の検出結果と温度センサの測定結果とを用いて、結像性能を含む性能情報を算出する。これにより、受光器の受光結果に基づいて露光状態を最適化するための処理を良好に行い、高精度に露光処理を行うことができる。
【００１０】
特許文献３では、基板を保持する基板テーブルと、基板テーブルに撥液性の平坦面を有する交換可能に設けられたプレート部材とを備えた露光装置が提案されている。これにより、基板テーブル上に液体が残留することを防止することができる。
【特許文献１】特開２００５−１９８６４号公報
【特許文献２】特開２００５−１１６５７０号公報
【特許文献３】特開２００５−１９１５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１では、長方形の形状をした計測用部材が開示されている。長方形の形状をした計測用部材を基板ステージ上に組み付ける際にその計測用部材が天板に対して回転すると、天板の開口部側面と計測用部材の外側面との隙間の幅がその隙間の場所ごとに変わりやすい。このとき、投影光学系とウエハとの間の空間に提供される液体が前記隙間へ不均一に浸入すると、その液体の気化熱による温度低下がばらついて計測用部材における温度変形量もばらつき、基準マークを用いた計測の精度が低下する可能性がある。
【００１２】
また、天板の開口部側面と計測用部材の外側面との隙間に浸入した液体を排液する排液部が計測用部材に形成されていると、その排液部の実装性が制限される可能性がある。
【００１３】
一方、特許文献１から３には、天板の開口部側面と計測用部材の外側面との隙間に浸入した液体が基板ステージに到達しないようにするための具体的な構造が開示されていない。
【００１４】
本発明の第１の目的は、計測用部材を用いた計測の精度を向上させることができる露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【００１５】
本発明の第２の目的は、排液部の実装性を向上させることができる露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【００１６】
本発明の第３の目的は、構成要素の劣化を低減させることができる露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の第１側面に係る露光装置は、原版からの光を基板に投影する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終光学素子と該基板との間隙に満たされた液体を介して該基板を露光する露光装置であって、該基板を保持して移動する基板ステージと、前記基板ステージに設けられ、かつ開口部が形成された天板と、前記基板ステージに、かつ、該開口部の中に設けられた計測用部材とを有し、前記最終光学素子の光軸に垂直な面内において、前記天板と前記計測用部材との間には、隙間が形成され、前記計測用部材は、該面内において、正Ｎ角形（Ｎ＞４）及び円形のいずれかの形状をしていることを特徴とする。
【００１８】
本発明の第２側面に係る露光装置は、原版からの光を基板に投影する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終光学素子と該基板との間隙に満たされた液体を介して該基板を露光する露光装置であって、該基板を保持して移動する基板ステージと、前記基板ステージに設けられ、かつ、開口部が形成された天板と、前記基板ステージに、かつ、該開口部の中に設けられた計測用部材とを有し、前記最終光学素子の光軸と垂直な面内において、前記天板と前記計測用部材との間には、隙間が形成され、前記計測用部材と該液体との接触角をθ１、前記最終光学素子の光軸と垂直な面内における前記計測用部材の外周長さをＬ１、前記天板と該液体との接触角をθ２、該面内における該開口部の内周長さをＬ２、該隙間に部分的に浸入した該液体の液圧をＰｆ、該液体の表面張力をγ、該面内における該隙間の面積をＳとしたときに、γ・ｃｏｓθ１・Ｌ１＋γ・ｃｏｓθ２・Ｌ２＋Ｐｆ・Ｓ＜０なる関係が満たされることを特徴とする。
【００１９】
本発明の第３側面に係る露光装置は、原版からの光を基板に投影する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終光学素子と該基板との間隙に満たされた液体を介して該基板を露光する露光装置において、該基板を保持して移動する基板ステージと、前記基板ステージに設けられ、かつ、開口部が形成された天板と、前記基板ステージに、かつ、該開口部の中に設けられた計測用部材とを有し、前記天板は、前記最終光学素子の光軸に垂直な面内において、前記天板と前記計測用部材との間に形成された隙間に浸入した該液体を排液する排液部を含むことを特徴とする。
【００２０】
本発明の第４側面に係る露光装置は、原版からの光を基板に投影する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終光学素子と該基板との間隙に満たされた液体を介して該基板を露光する露光装置であって、該基板を保持して移動する基板ステージと、前記基板ステージに設けられ、かつ、開口部が形成された天板と、前記基板ステージに、かつ、該開口部の中に設けられた計測用部材と、前記天板と、前記基板ステージにおいて前記天板を支持する部分との間に配されたシール部材とを有し、前記シール部材の断面の断面係数は、円形断面の断面係数より小さいことを特徴とする。
【００２１】
本発明の第５側面に係るデバイスの製造方法は、本発明の第１側面から第４側面に係る露光装置を用いて基板を露光する工程と、該露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の第１側面又は第２側面に係る露光装置によれば、計測用部材を用いた計測の精度を向上させることができる。
【００２３】
本発明の第３側面に係る露光装置によれば、排液部の実装性を向上させることができる。
【００２４】
本発明の第４側面に係る露光装置によれば、構成要素の劣化を低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明は、例えば半導体デバイスあるいは液晶表示デバイス等のデバイスを製造する際に、感光剤が塗布された基板上に原版のパターンを転写する露光装置及び露光方法に関し、特に、液浸法を用いた露光装置及び露光方法に関する。
【００２６】
本発明の第１実施形態に係る露光装置１００を、図１を用いて説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置１００の構成図である。
【００２７】
露光装置１００は、照明光整形光学系２、フライアイレンズ３、コンデンサーレンズ４、視野絞り５、駆動部６、可動ブラインド７、リレーレンズ系８、レチクルステージＲＳＴ、基準プレートＳＰ、及び投影光学系１３を備える。露光装置１００は、ウエハステージ（基板ステージ）ＷＳＴ、天板Ｐ、基板側基準マーク部材ＦＭ、液体供給ノズル３８、液体回収ノズル３９、アライメント検出系１６及び制御系ＣＳを備える。
【００２８】
照明光整形光学系２は、光源１に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。光源１は、例えば、Ｆ２エキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザあるいはＫｒＦエキシマレーザ等のエキシマレーザ光源、金属蒸気レーザ光源である。あるいは、光源１は、ＹＡＧレーザの高調波発生装置等のパルス光源、又は水銀ランプと楕円反射鏡とを組み合わせた構成等の連続光源などである。光源１からの照明光は、照明光整形光学系２により光束径が所定の大きさに設定されて、光軸ＰＡ下流側に供給される。
【００２９】
なお、パルス光源の場合、露光のオン又はオフは、パルス光源用の電源装置からの供給電力の制御により切り換えられる。連続光源の場合、露光のオン又はオフは、照明光整形光学系２内のシャッタにより切り換えられる。あるいは、後述のように可動ブラインド（可変視野絞り）７が設けられているため、可動ブラインド７の開閉によって露光のオン又はオフを切り換えてもよい。
【００３０】
フライアイレンズ３は、照明光整形光学系２に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。フライアイレンズ３は、照明光整形光学系２から入射した光束に基づいて、多数の２次光源を形成して多数の２次光束を光軸ＰＡ下流側に供給する。
【００３１】
コンデンサーレンズ４は、フライアイレンズ３に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。コンデンサーレンズ４は、フライアイレンズ３から入射した多数の２次光束を屈折させて光軸ＰＡ下流側に導く。
【００３２】
視野絞り５は、コンデンサーレンズ４に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。視野絞り５には、開度が固定された長方形のスリット形状の開口部が設けられている。スリット形状の長手方向は、例えば、紙面に対して垂直な方向（Ｙ方向）である。これにより、視野絞り５は、長方形のスリット状の断面を有する光束を形成するとともに、可動ブラインド７を介してリレーレンズ系８へ導かれる光量を制限する。
【００３３】
なお、視野絞り５は、可動ブラインド７よりもコンデンサーレンズ４側に配置されているが、その逆に可動ブラインド７よりもリレーレンズ系８側へ配置されても構わない。
【００３４】
駆動部６及び可動ブラインド７は、視野絞り５に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。
【００３５】
可動ブラインド７は、第１羽根７Ａ、第２羽根７Ｂ、第３羽根（図示せず）、及び第４羽根（図示せず）を含む。第１羽根７Ａ及び第２羽根７Ｂは、後述の走査方向（Ｘ方向）の幅を規定する。第３羽根及び第４羽根は、走査方向に垂直な非走査方向（Ｙ方向）の幅を規定する。
【００３６】
駆動部６は、第１駆動部６Ａ及び第２駆動部６Ｂを含む。第１駆動部６Ａは、制御系ＣＳに制御されて、第１羽根７Ａを駆動する。第２駆動部６Ｂは、制御系ＣＳに制御されて、第２羽根７Ｂを駆動する。すなわち、第１羽根７Ａ及び第２羽根７Ｂは、制御系ＣＳにより、互いに独立して駆動制御される。このように、可動ブラインド７は、開度が可変であり、可変視野絞りとも呼ばれる。
【００３７】
リレーレンズ系８は、駆動部６及び可動ブラインド７に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。リレーレンズ系８は、可動ブラインド７とレチクルＲのパターン形成面とを共役にするレンズ系である。すなわち、リレーレンズ系８は、可動ブラインド７から入射した光束を屈折してレチクルＲへ導く。
【００３８】
レチクルステージＲＳＴは、リレーレンズ系８に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。レチクルステージＲＳＴは、レチクルＲを保持する。レチクルステージＲＳＴの位置は、干渉計２２により検出される。レチクルステージＲＳＴは、干渉計２２により検出された結果に基づいて、制御系ＣＳにより駆動制御されて、レチクルＲを位置決めする。レチクルＲでは、リレーレンズ系８から導かれた光束により、長方形のスリット状の照明領域２１が均一な照度で照明される。ここで、リレーレンズ系８が両側テレセントリックな光学系であるので、レチクルＲ上のスリット状の照明領域２１においてもテレセントリック性が維持される。
【００３９】
基準プレートＳＰは、レチクルステージＲＳＴの周辺部に設けられている。基準プレートＳＰには、原版側基準マークＰＭが形成されている。原版側基準マークＰＭは、装置を較正するために用いられる。
【００４０】
投影光学系１３は、レチクルステージＲＳＴに対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。投影光学系１３は、レチクルＲ又は基準プレートＳＰを通過した光束を屈折して光軸ＰＡ下流側へ導く。投影光学系１３は、複数の光学素子を含む。ここで、投影光学系１３に含まれる複数の光学素子において、一番下流側（像面側）の光学素子を最終光学素子と呼ぶ。
【００４１】
ウエハステージＷＳＴは、投影光学系１３に対して光軸ＰＡ下流側に設けられている。ウエハステージＷＳＴは、ウエハチャックＷＣを介してウエハＷを保持する。ウエハチャックＷＣは、ウエハＷを真空吸着してウエハステージＷＳＴに保持させる。ウエハステージＷＳＴの位置は、干渉計２３により検出される。ウエハステージＷＳＴは、干渉計２３により検出された結果に基づいて、制御系ＣＳにより６軸方向（Ｘ方向，Ｙ方向，Ｚ方向，θｘ方向，θｙ方向，θｚ方向）に駆動制御されて、ウエハＷを位置決めする。θｘ方向，θｙ方向，θｚ方向は、それぞれ、Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸周りの回転方向である。
【００４２】
なお、ウエハステージＷＳＴは、ＸＹ方向に駆動制御されるＸＹステージ（図示せず）、及びＺ方向に駆動制御されるＺステージ（図示せず）等を含む。ウエハＷでは、投影光学系１３から導かれた光束により、レチクルＲにおいて可動ブラインド７により規定されたスリット状の照明領域２１の回路パターンが、投影光学系１３を介してウエハＷ上に結像及び転写される。
【００４３】
天板Ｐは、ウエハステージＷＳＴの周辺部に設けられている。天板Ｐの上面は、ウエハＷの表面とほぼ同じ高さになるように形成されている。天板Ｐは、ウエハステージＷＳＴ内部に設けられた真空吸着機構（図示せず）により真空吸着され、ウエハステージＷＳＴに保持されている。
【００４４】
基板側基準マーク部材ＦＭは、天板Ｐが開口されて形成されている。基板側基準マーク部材ＦＭは、装置を較正するために用いられたり、レチクルＲとウェハＷとを位置合わせするために用いられたりする。
【００４５】
液体供給ノズル３８は、ウエハＷの上方であって投影光学系１３の最終光学素子とウエハＷとの間の間隙（空間）に液体を供給可能な位置に設けられている。液体供給ノズル３８には、液供給用配管（図示せず）が接続されている。液供給用配管には、ポンプ（図示せず）、温調部（図示せず）、及びフィルタ（図示せず）などが設けられている。例えば、フィルタにより不純物が除去され、温調部により一定温度に加熱され、ポンプにより一定圧力に加圧された液体が、液供給用配管を介して液体供給ノズル３８へ供給される。ここで、液体供給ノズル３８は、制御系ＣＳにより開閉制御され、所定のタイミング及び期間で、投影光学系１３とウエハＷとの間の間隙（空間）に液体を供給する。
【００４６】
液体回収ノズル３９は、ウエハＷの上方であって投影光学系１３の最終光学素子とウエハＷとの間の間隙（空間）の液体を回収可能な位置に設けられている。液体回収ノズル３９には、液回収用配管（図示せず）、ポンプ（図示せず）、及び気液分離機（図示せず）などが設けられている。例えば、投影光学系１３の最終光学素子とウエハＷとの間の間隙（空間）の液体は、液体回収ノズル３９を介して液回収用配管へと回収される。液回収用配管へ回収された液体は、ポンプにより一定圧力に加圧され、気液分離機により気体成分と液体成分とへ分離される。その気体成分は大気へ排出され、その液体成分は液供給用配管へ供給され再利用される。ここで、液体回収ノズル３９は、制御系ＣＳにより開閉制御され、所定のタイミング及び期間で、投影光学系１３の最終光学素子とウエハＷとの間の間隙（空間）の液体を回収する。
【００４７】
アライメント検出系１６は、ウエハＷ上方であって光軸ＰＡから外れた位置に設けられている。アライメント検出系１６は、オフアクシス方式を採用している。アライメント検出系１６は、ウエハＷ上のアライメントマークを検出し、その検出結果を制御系ＣＳへ供給する。
【００４８】
制御系ＣＳは、主制御部１２、可動ブラインド制御部１１、レチクルステージ駆動部１０、計測制御部１７、及びウエハステージ駆動部１５を備える。主制御部１２は、露光装置１００全体の動作を監視又は制御する。
【００４９】
例えば、計測制御部１７は、アライメント検出系１６を制御して、アライメント検出系１６にアライメント検出を行わせる。あるいは、計測制御部１７は、フォーカス検出系（図示せず）を制御して、フォーカス検出系にフォーカス検出を行わせる。
【００５０】
例えば、主制御部１２は、レチクルステージＲＳＴの位置の情報を干渉計２２から受け取る。主制御部１２は、レチクルステージＲＳＴの位置に基づいて、レチクルステージＲＳＴの駆動量を決定しレチクルステージ駆動部１０へ供給する。レチクルステージ駆動部１０は、主制御部１２により決定された駆動量に基づいて、レチクルステージＲＳＴを駆動制御する。
【００５１】
例えば、主制御部１２は、ウェハステージＷＳＴの位置の情報を干渉計２３から受け取る。主制御部１２は、ウェハＷのＸ，Ｙ，θｚ位置等の情報をアライメント検出系１６から受け取る。主制御部１２は、ウェハＷのＺ，θｚ，θｙ位置等の情報をフォーカス検出系から受け取る。主制御部１２は、ウェハステージＷＳＴの位置又はウェハＷの位置に基づいて、ウェハステージＷＳＴの駆動量を決定しウェハステージ駆動部１５へ供給する。ウェハステージ駆動部１５は、主制御部１２により決定された駆動量に基づいて、ウェハステージＷＳＴを駆動制御する。
【００５２】
例えば、主制御部１２は、上記のように、レチクルステージ駆動部１０及びウェハステージ駆動部１５を介して、レチクルステージＲＳＴ及びウェハステージＷＳＴを±Ｘ方向に同期走査させる。すなわち、レチクルＲ上のパターン像をスキャン露光方式で投影光学系１３を介してウエハＷ上の各ショット領域に露光する際に、視野絞り５により設定されるスリット状の照明領域２１に対して±Ｘ方向にレチクルＲを平均速度ＶＲで走査する。このとき、投影光学系１３の投影倍率をβとすると、レチクルＲの走査と同期して、±Ｘ方向にウエハＷを速度ＶＷ(＝β・ＶＲ)で走査する。これにより、ウエハＷ上のショット領域にレチクルＲの回路パターン像が逐次転写される。
【００５３】
例えば、主制御部１２は、第１羽根７Ａ及び第２羽根７Ｂの位置の情報をセンサ（図示せず）から受け取る。主制御部１２は、第１羽根７Ａ及び第２羽根７Ｂの位置に基づいて、第１羽根７Ａ及び第２羽根７Ｂの駆動量を決定し可動ブラインド制御部１１へ供給する。可動ブラインド制御部１１は、主制御部１２により決定された駆動量に基づいて、駆動部６（第１駆動部６Ａ及び第２駆動部６Ｂ）を駆動制御する。これにより、第１羽根７Ａ及び第２羽根７Ｂが駆動され、可動ブラインド７の開度が変わる。
【００５４】
次に、ウエハステージＷＳＴ、天板Ｐ、及び基板側基準マーク部材ＦＭの配置構成を、図２を用いて説明する。図２は、ウエハステージＷＳＴ、天板Ｐ、及び基板側基準マーク部材ＦＭの配置を示す平面図である。
【００５５】
ウエハステージＷＳＴは、ウエハチャックＷＣ（図１参照）を介してウエハＷを保持する。ウエハチャックＷＣは、ウエハＷを真空吸着してウエハステージＷＳＴに保持させる。ウエハチャックＷＣは、ウエハステージＷＳＴの重心ＳＣ近傍に設けられる。これにより、ウエハＷは、ウエハステージＷＳＴの重心ＳＣ近傍に保持される。
【００５６】
ウエハステージＷＳＴの側面には、干渉計２３用の反射ミラー２４が設けられている。反射ミラー２４は、Ｘ軸用の反射ミラー２４ａとＹ軸用の反射ミラー２４ｂとを含む。これに応じて、干渉計２３は、Ｘ軸用の干渉計２３ａとＹ軸用の干渉計２３ｂとを含む。Ｘ軸用の干渉計２３ａは、Ｘ軸用の反射ミラー２４ａと対向する位置に設けられている。これにより、Ｘ軸用の干渉計２３ａは、投射した検出光をＸ軸用の反射ミラー２４ａで反射させて受光して、ウエハステージＷＳＴのＸ位置等を検出する。また、Ｙ軸用の干渉計２３ｂは、Ｙ軸用の反射ミラー２４ｂと対向する位置に設けられている。これにより、Ｙ軸用の干渉計２３ｂは、投射した検出光をＹ軸用の反射ミラー２４ｂで反射させて受光して、ウエハステージＷＳＴのＹ位置等を検出する。
【００５７】
天板Ｐは、ウエハステージＷＳＴの周辺部に設けられている。例えば、天板Ｐは、ウエハステージＷＳＴにおいて、ウエハＷが保持される領域以外の領域を埋め尽くすように設けれれる。天板Ｐの上面は、ウエハＷの表面とほぼ同じ高さになるように形成されている。これにより、投影光学系１３の最終光学素子（最終面）とウエハＷの表面との間に液体が満たされた場合でも、液体にかかる荷重を天板ＰとウエハＷとへ分散することができる。
【００５８】
基板側基準マーク部材ＦＭは、天板Ｐの一部が開口されて形成されている。基板側基準マーク部材ＦＭは、上面視において略円形状をしている。基板側基準マーク部材ＦＭは、装置を較正するために用いられたり、レチクルＲとウェハＷとを位置合わせするために用いられたりする。
【００５９】
次に、比較例における基板側基準マーク部材ＦＭＲｅｃと本発明の第１実施形態における基板側基準マーク部材ＦＭとの比較を、図３及び図４を用いて説明する。図３は、本発明の第１実施形態における基板側基準マーク部材ＦＭの拡大平面図である。図４は、比較例における基板側基準マーク部材ＦＭＲｅｃの拡大平面図である。
【００６０】
比較例として、仮に、天板Ｐ（図２参照）において、図４に示すように、縦長の長方形形状の基板側基準マーク部材ＦＭＲｅｃが形成されている場合を考える。
【００６１】
比較例における基板側基準マーク部材ＦＭＲｅｃは、基準マーク本体部ＦＭＲｅｃ１及び隙間部ＦＭＲｅｃ２を含む。基準マーク本体部ＦＭＲｅｃ１は、その上面が天板Ｐの上面と同じ高さに（面一に）なるように形成されている。隙間部ＦＭＲｅｃ２は、天板Ｐ及び基準マーク本体部ＦＭＲｅｃ１に対して凹んだ部分であり、天板Ｐの開口に面した内側面と基準マーク本体部ＦＭＲｅｃ１の外側面との隙間を形成する。これにより、アライメント検出系１６は、Ｚ方向から計測光を投射して、その反射光及び散乱光を受光することにより、基板側基準マーク部材ＦＭＲｅｃの形状を検出することができる。
【００６２】
基板側基準マーク部材ＦＭＲｅｃは、その重心ＭＣの周りを、ウエハステージＷＳＴに対して矢印で示す回転方向に回転した状態で設置されることがある。このとき、基板側基準マーク部材ＦＭＲｅｃは、天板Ｐに対して（よって、干渉計２３（図２参照）のＸＹ座標系もしくは基準プレートＰあるいはレチクルＲに対して）相対的に回転していることになる。
【００６３】
例えば、基板側基準マーク部材ＦＭＲｅｃが、実線で示す位置から破線で示す位置に回転して設置されたとする。このとき、隙間部ＦＭＲｅｃ２では、第１部分ＦＭＲｅｃ２１の幅ＷＲｅｃ１と、第２部分ＦＭＲｅｃ２２の幅ＷＲｅｃ２とが異なってしまう。ここで、ＷＲｅｃ１＜ＷＲｅｃ２であるので、投影光学系１３の最終光学素子（最終面）とウエハＷの表面との間に液体が満たされた場合に、その液体が第１部分ＦＭＲｅｃ２１に浸入しにくく第２部分ＦＭＲｅｃ２２に浸入しやすい。また、隙間部ＦＭＲｅｃ２では、第３部分ＦＭＲｅｃ２３の幅ＵＲｅｃ１と、第４部分ＦＭＲｅｃ２４の幅ＵＲｅｃ２とが異なってしまう。ここで、ＵＲｅｃ１＜ＵＲｅｃ２であるので、投影光学系１３の最終光学素子（最終面）とウエハＷの表面との間に液体が満たされた場合に、その液体が第３部分ＦＭＲｅｃ２３に浸入しにくく第４部分ＦＭＲｅｃ２４に浸入しやすい。さらに、上面視において、第１の領域ＣＲＲｅｃ１における隙間部ＦＭＲｅｃ２の面積ＣＡＲｅｃ１と、第２の領域ＣＲＲｅｃ２における隙間部ＦＭＲｅｃ２の面積ＣＡＲｅｃ２とが異なる。ここで、ＣＡＲｅｃ１＜ＣＡＲｅｃ２であるので、投影光学系１３の最終光学素子（最終面）とウエハＷの表面との間に液体が満たされた場合に、その液体が第１の領域ＣＲＲｅｃ１に浸入しにくく第２の領域ＣＲＲｅｃ２に浸入しやすい。
【００６４】
このように、液体が隙間部ＦＭＲｅｃ２へ浸入する量が隙間部ＦＭＲｅｃ２の場所ごとにばらつく。これにより、アライメント検出系１６は、計測光を投射した際に、その隙間部ＦＭＲｅｃ２に浸入した液体の量のばらつきにより、その計測値がばらつく。このため、基板側基準マーク部材ＦＭＲｅｃを用いた計測の精度が低下する可能性がある。
【００６５】
また、液体が隙間部ＦＭＲｅｃ２へ浸入する量がばらつくので、気化熱による温度低下がばらついて基板側基準マーク部材ＦＭＲｅｃにおける温度変形量もばらつく。これにより、アライメント検出系１６は、基板側基準マーク部材ＦＭＲｅｃの温度変形量のばらつきにより、その計測値がばらつく。このため、基板側基準マーク部材ＦＭＲｅｃを用いた計測の精度が低下する可能性がある。
【００６６】
それに対して、本発明の第１実施形態における基板側基準マーク部材ＦＭは、図３に示すように、略円形形状である。
【００６７】
本発明の第１実施形態における基板側基準マーク部材ＦＭは、投影光学系１３の最終光学系の光軸に垂直な面内において、基準マーク本体部（計測用部材）ＦＭ１及び隙間部ＦＭ２を含む。基準マーク本体部ＦＭ１は、その上面が天板Ｐの上面と同じ高さに（面一に）なるように形成されている。基準マーク本体部ＦＭ１の外側面は、天板Ｐの内側面と略一定の距離を保って対向している。隙間部ＦＭ２は、天板Ｐ及び基準マーク本体部ＦＭ１に対して凹んだ部分であり、天板Ｐと基準マーク本体部ＦＭ１との隙間を形成する。これにより、アライメント検出系１６は、Ｚ方向から計測光を投射して、その反射光及び散乱光を受光することにより、基板側基準マーク部材ＦＭの形状を検出することができる。
【００６８】
基板側基準マーク部材ＦＭは、その重心ＭＣの周りを、ウエハステージＷＳＴに対して矢印で示す回転方向に回転した状態で設置されることがある。このとき、基板側基準マーク部材ＦＭは、天板Ｐに対して（よって、干渉計２３（図２参照）のＸＹ座標系もしくは基準プレートＰあるいはレチクルＲに対して）相対的に回転していることになる。
【００６９】
例えば、基板側基準マーク部材ＦＭが、図４における実線で示す位置から破線で示す位置への回転角と同程度の角度だけ、図３において回転した状態で設置されたとする。このとき、隙間部ＦＭ２では、第１部分ＦＭ２１の幅Ｗ１と、第２部分ＦＭ２２の幅Ｗ２とが略等しい。ここで、Ｗ１≒Ｗ２であるので、投影光学系１３の最終光学素子（最終面）とウエハＷの表面との間に液体が満たされた場合に、その液体が第１部分ＦＭ２１及び第２部分ＦＭ２２に均一に浸入する。また、隙間部ＦＭ２では、第３部分ＦＭ２３の幅Ｕ１と、第４部分ＦＭ２４の幅Ｕ２とが略等しい。ここで、Ｕ１≒Ｕ２であるので、投影光学系１３の最終光学素子（最終面）とウエハＷの表面との間に液体が満たされた場合に、その液体が第３部分ＦＭ２３及び第４部分ＦＭ２４に均一に浸入する。さらに、上面視において、第１の領域ＣＲ１における隙間部ＦＭ２の面積ＣＡ１と、第２の領域ＣＲ２における隙間部ＦＭ２の面積ＣＡ２とが略等しい。ここで、ＣＡ１≒ＣＡ２であるので、投影光学系１３の最終光学素子（最終面）とウエハＷの表面との間に液体が満たされた場合に、その液体が第１の領域ＣＲ１及び第２の領域ＣＲ２に均一に浸入する。
【００７０】
このように、液体が隙間部ＦＭ２へ浸入する量が隙間部ＦＭ２の場所ごとにばらつきにくい。すなわち、アライメント検出系１６は、計測光を投射した際に、その隙間部ＦＭ２に浸入する液体の量がばらつきにくいことにより、その計測値がばらつきにくい。これにより、基板側基準マーク部材ＦＭを用いた計測（例えば、アライメント計測、キャリブレーション計測等）の精度を向上させることができる。
【００７１】
また、液体が隙間部ＦＭ２へ浸入する量がばらつきにくいので、気化熱による温度低下がばらつきにくく基板側基準マーク部材ＦＭにおける温度変形量がばらつきにくい。これにより、、アライメント検出系１６は、基準マーク本体部ＦＭ１の温度変形量がばらつきにくいことにより、その計測値がばらつきにくい。このため、基板側基準マーク部材ＦＭを用いた計測の精度を向上させることができる。
【００７２】
なお、図３及び図４に示す矢印は回転方向の向きを限定するものではない。基板側基準マーク部材ＦＭの基準マーク本体部ＦＭ１は、ウエハステージＷＳＴに対して逆の回転方向に回転して設置された場合でも同様である。
【００７３】
基板側基準マーク部材の形状は、略円形状以外の形状であってもよい。例えば、基板側基準マーク部材ＦＭＨｅの形状は、図５に示すように、略正六角形形状であってもよい。あるいは、基板側基準マーク部材の形状は、正Ｎ角形（Ｎ＞４）であってもよい。この場合でも、基板側基準マーク部材ＦＭの隙間部の幅がばらつきにくい。これにより、アライメント検出系１６は、基板側基準マーク部材ＦＭＲｅｃの形状が長方形である場合に比較して、基板側基準マーク部材を用いた計測の精度を向上させることができる。
【００７４】
また、基板側基準マーク部材は、ウエハステージＷＳＴ上に複数形成されていてもよい。
【００７５】
次に、本発明の第２実施形態に係る露光装置２００を、図６〜図８を用いて説明する。図６は、本発明の第２実施形態における基板側基準マーク部材ＦＭ２００の拡大平面図である。図７は、図６のＡ−Ａ拡大断面図である。図８は、図７のＢ部分の拡大断面図である。以下では、第１実施形態と異なる部分を中心に説明し、同様の部分に関しては説明を省略する。
【００７６】
露光装置２００は、基本的な構成は第１実施形態と同様であるが、基板側基準マーク部材ＦＭ２００の構成が第１実施形態と異なる。
【００７７】
基板側基準マーク部材ＦＭ２００は、略円形形状である点は第１実施形態と同様であるが、その詳細構成が第１実施形態と異なる。
【００７８】
すなわち、基板側基準マーク部材ＦＭ２００において、図６に示すように、基準マーク本体部ＦＭ２０１の直径をＤ、その外周長さをＬ１とする。隙間部ＦＭ２０２の（平均的な）幅をｇ、隙間部ＦＭ２０２の外周長さ（天板Ｐの開口の内周長さ）をＬ２、隙間部ＦＭ２０２の上面視における面積をＳとする。このとき、
Ｓ＝π・ｇ・（Ｄ＋ｇ）・・・数式１
Ｌ１＝π・Ｄ・・・数式２
Ｌ２＝π・（Ｄ＋２・ｇ）・・・数式３
が成立する。
【００７９】
ここで、基板側基準マーク部材ＦＭ２００の隙間部ＦＭ２０２の幅ｇは、図７及び図８に示すように、投影光学系１３の最終光学素子（最終面）とウエハＷの表面との間の液体３５が浸入しないように形成されている。すなわち、液体３５を、基板側基準マーク部材ＦＭ２００の上に存在する第１液体部３５ａと、隙間部ＦＭ２０２に部分的に浸入した第２液体部３５ｂとに分けて考える。基板側基準マーク部材ＦＭ２００の基準マーク本体部ＦＭ２０１が第２液体部３５ｂに接する接触角をθ１とする。天板Ｐが第２液体部３５ｂに接する接触角をθ２とする。第２液体部３５ｂの表面張力をγとする。第２液体部３５ｂの表面張力γによる浸透力をＦｗ１、Ｆｗ２で示す。第２液体部３５ｂの表面近傍の液圧をＰｆとする。このとき、隙間部ＦＭ２０２に第２液体部３５ｂが（部分的にしか）浸入しないように、隙間部ＦＭ２０２は、その面積Ｓが
Ｆｗ１＋Ｆｗ２＋Ｐｆ・Ｓ＜０・・・数式４
Ｆｗ１＋Ｆｗ２＋Ｐｆ／Ｓ＜０・・・数式５
Ｆｗ１＝γ・ｃｏｓθ１・Ｌ１・・・数式６
Ｆｗ２＝γ・ｃｏｓθ２・Ｌ２・・・数式７
なる関係を満たすように形成されている。すなわち、数式１〜数式７により、隙間部ＦＭ２０２は、その幅ｇが
γ・ｃｏｓθ１・π・Ｄ＋γ・ｃｏｓθ２・π・（Ｄ＋２・ｇ）＋Ｐｆ・π・ｇ・（Ｄ＋ｇ）＜０・・・数式８
なる関係を満足するように形成されている。
【００８０】
例えば、基準マーク本体部ＦＭ２０１の直径Ｄ＝５０ｍｍ、基準マーク本体部ＦＭ２０１と第２液体部３５ｂとの接触角θ１＝１１０度、天板Ｐと第２液体部３５ｂとの接触角θ２＝１１０度とする。第２液体部３５ｂの表面近傍の液圧Ｐｆ＝５０Ｐａ、第２液体部３５ｂの表面張力γ＝０．０７２８Ｎ/ｍとする。基準マーク本体部ＦＭ２０１と天板Ｐとが対向するそれぞれの面は、撥水性処理が行われているとする。液体３５の成分は、１００％純水であるとする。これらの数値を数式８に代入して計算すると、隙間部ＦＭ２０２は、その幅ｇが０．９９６ｍｍ未満になるように形成されていることになる。
【００８１】
このように、基板側基準マーク部材ＦＭ２００において、その隙間部ＦＭ２０２は、その幅ｇが液体３５が（部分的にしか）浸入しない値になるように形成される。このため、液体３５の隙間部ＦＭ２０２の下部まで浸入することを防止できる。このため、液体の浸入により発生する不具合（例えば、さびなど）を防止できる。
【００８２】
なお、基板側基準マーク部材の形状は、略円形形状である代わりに、正Ｎ角形（Ｎ＞４）であってもよい。あるいは、例えば、変形例に係る露光装置２００ｉにおいて基板側基準マーク部材ＦＭ２００ｉのマーク本体部ＦＭ２０１ｉは、図９に示すように、上面視において、角が丸い略正方形形状であってもよい。
【００８３】
すなわち、基板側基準マーク部材ＦＭ２００ｉにおいて、図９に示すように、基準マーク本体部ＦＭ２０１ｉの直線部の長さをＸｉ、その曲線部の曲率半径をＲ、その外周長さをＬ１ｉとする。隙間部ＦＭ２０２ｉの（平均的な）幅をｇｉ、その外周長さをＬ２ｉ、隙間部ＦＭ２０２ｉの上面視における面積をＳｉとする。このとき、
Ｓ＝π・((Ｒ＋ｇ)２-Ｒ２)＋２・Ｘ・ｇ＋２・Ｙ・ｇ・・・数式９
Ｌ１＝２π・Ｒ＋４・Ｘ・・・数式１０
Ｌ２＝２π・（Ｒ＋ｇ）＋４・Ｘ・・・数式１１
が成立する。
【００８４】
ここで、隙間部ＦＭ２０２ｉが数式４〜数式７を満たすように形成されている点は、第２実施形態と同様である。すなわち、数式４〜数式１１により、隙間部ＦＭ２０２は、その幅ｇが
Ｐｆ・π・ｇ２＋（（２・Ｐｆ・（２・Ｘ＋π・Ｒ）＋２・π・γ・ｃｏｓθ２）・ｇ＋（γ・ｃｏｓθ１＋γ・ｃｏｓθ２）・（４・Ｘ＋２・π・Ｒ）＜０・・・数式１２
なる関係を満足するように形成される。
【００８５】
あるいは、基板側基準マーク部材のマーク本体部が上面視において正Ｎ角形（Ｎ＞４）の角を丸くした形状である場合、隙間部は、その幅ｇが
Ｐｆ・π・（１-ｎ/２）・ｇ２＋（２・π・（１-ｎ/２）・（γ・ｃｏｓθ２＋Ｐｆ・Ｒ）＋Ｐｆ・ｎ・Ｘ）・ｇ＋γ・（ｎ・Ｘ＋２・π・Ｒ（１-ｎ/２））・（ｃｏｓθ１＋ｃｏｓθ２）＜０・・・数式１３
なる関係を満足するように形成される。
【００８６】
次に、本発明の第３実施形態に係る露光装置３００を、図１０を用いて説明する。図１０は、本発明の第３実施形態における基板側基準マーク部材ＦＭ３００の拡大断面図である。
【００８７】
露光装置３００は、基本的な構成は第１実施形態と同様であるが、基板側基準マーク部材ＦＭ３００の構成が第１実施形態と異なる。
【００８８】
基板側基準マーク部材ＦＭ３００は、略円形形状である点は第１実施形態と同様であるが、その詳細構成が第１実施形態と異なる。
【００８９】
すなわち、基板側基準マーク部材ＦＭ３００は、ボルト（図示せず）、基準マーク本体部ＦＭ３０１、光量センサ３６、光学素子３７、隙間部ＦＭ３０２、排液部３２、及びシール部材３１を備える。
【００９０】
ボルトは、基準マーク本体部ＦＭ３０１をウエハステージＷＳＴに固定している。
【００９１】
基準マーク本体部ＦＭ３０１は、ガラス部３０と支持部３３とを含む。ガラス部３０は、光を透過可能にガラスで形成されており、上部に位置している。ガラス部３０には、装置較正用あるいは位置合わせ用のマークが描画されている。支持部３３は、ガラス部３０をウエハステージＷＳＴに支持している。
【００９２】
光量センサ３６は、基準マーク本体部ＦＭ３０１に覆われるように形成されている。これにより、光量センサ３６は、基準マーク本体部ＦＭ３０１の上部（ガラス）のマークで散乱された検出光を受光することができる。
【００９３】
光学素子３７は、半球状の形状をしており、オプティカルコンタクトにより保持されてガラス部３０と光量センサ３６との間に配されている。これにより、液体３５を介してＮＡ≧１の露光波長の検出光がガラス部３０に照射された場合に、その検出光を屈折させて光量センサ３６に導く。
【００９４】
隙間部ＦＭ３０２は、天板Ｐ及び基準マーク本体部ＦＭ３０１に対して凹んだ部分であり、天板Ｐの開口に面した内側面Ｐａと基準マーク本体部ＦＭ３０１の外側面３３ａとの隙間を形成する。ここで、内側面Ｐａは、鉛直面Ｐａ１，水平面Ｐａ２，及び鉛直面Ｐａ３を含む。外側面３３ａは、鉛直面３３ａ１，水平面３３ａ２、及び鉛直面３３ａ３を含む。
【００９５】
排液部３２は、隙間部ＦＭ３０２の下方において基準マーク本体部ＦＭ３０１を囲むように形成されている。排液部３２には、排液配管（図示せず）が接続されている。排液配管には排液用ポンプ（図示せず）が設けられ排液配管内に負圧を形成して排液を促進している。また、排液部３２は、多孔質な材質で形成されており、排液速度（又は排液流量）のばらつきが全周に渡って低減されるように開孔率が調整されている。さらに、排液用ポンプは、制御系ＣＳに制御されて、排液配管内の排液速度（又は排液流量）を調整することができる。これにより、隙間部ＦＭ３０２を介して排液部３２へ流れる液体３５の排液速度（又は排液流量）のばらつきを低減できる。
【００９６】
シール部材３１は、天板Ｐの開口に面する内側面Ｐａの水平面Ｐａ２と基準マーク本体部ＦＭ３０１の外側面３３ａの水平面３３ａ２との間に形成された隙間に配置され、天板Ｐを下から支持する。このシール部材３１の断面の断面係数は、円形断面の断面係数より小さくなっている。シール部材３１は、例えばリップシールであり、例えば高純度なフッ素ゴムで形成されている。
【００９７】
また、シール部材３１は、排液部３２の外周側（基準マーク本体部ＦＭ３０１の重心ＭＣに対する放射方向外側）に配置されている。これにより、シール部材３１は、天板Ｐの開口に面する内側面Ｐａの水平面Ｐａ２と基準マーク本体部ＦＭ３０１の外側面３３ａの水平面３３ａ２との間に形成された隙間をシールしている。
【００９８】
ここで、基板側基準マーク部材ＦＭ３００の隙間部ＦＭ３０２に液体３５が浸入した場合を考える。このとき、隙間部ＦＭ３０２に浸入した液体３５の大部分は、排液部３２より排液される。この排液部３２は、その材質やその下流の排液用ポンプなどにより排液速度（又は排液流量）のばらつきが全周に渡って低減されるように調整されている。これにより、液体が隙間部ＦＭ３０２を流れる量がばらつきにくい。このため、基板側基準マーク部材ＦＭ３００を用いた計測の精度を向上させることができる。
【００９９】
また、液体が隙間部ＦＭ３０２を流れる量がばらつきにくいので、気化熱による温度低下がばらつきにくく基板側基準マーク部材ＦＭ３００における温度変形量がばらつきにくい。これにより、基板側基準マーク部材ＦＭ３００を用いた計測の精度を向上させることができる。
【０１００】
さらに、天板Ｐの裏面側付近に排液部３２が形成されているので、排液部３２に露光光が照射されることを低減でき、排液部３２の材質が多孔質であってもコンタミが発生しにくくなっている。
【０１０１】
また、排液部３２から排液しきれずに排液部３２の外周側に到達した液体３５は、シール部材３１によりウエハステージＷＳＴへの移動を阻止される。すなわち、隙間部ＦＭ３０２とウエハステージＷＳＴとの間が空間的に略密閉構造となっている。これにより、液体３５がウエハステージＷＳＴ側に飛散することを低減できる。このため、ウエハステージＷＳＴに錆び等の不具合が発生することなどを低減できるので、露光装置３００の構成要素の劣化を低減させることができる。
【０１０２】
さらに、シール部材３１（例えばリップシール）の断面の断面係数が円形断面の断面係数より小さいため、シール部材が例えばＯリングである場合に比較して剛性を低減できるので、シール部材がシールする際に天板Ｐに及ぼす反力を低減できる。これにより、天板Ｐに対する真空吸着力が解除された際に、天板Ｐが浮き上がることを低減できる。このため、天板Ｐが投影光学系１３、液体供給ノズル３８、及び液体回収ノズル３９とぶつかってそれらを破損させることなどを低減できるので、露光装置３００の構成要素の劣化を低減させることができる。
【０１０３】
例えば、シール部材の内径が７０ｍｍ程度であると仮定すると、そのシール部材がＯリングである場合の反力は約２０ｋｇｆとなるが、そのシール部材がリップシールである場合の反力は約２ｋｇｆ程度に抑えることができる。
【０１０４】
このように、シール部材がシールする際に天板Ｐに及ぼす反力を低減できるので、基準マーク本体部ＦＭ３０１の支持部３３に対して要求される剛性や、シール部材３１が支える天板Ｐに対して要求される剛性を低減できる。このため、マーク本体部ＦＭ３０１の支持部３３の厚さ寸法や天板Ｐの厚さ寸法を薄くできるため、マーク本体部ＦＭ３０１や天板Ｐを軽量化できる。
【０１０５】
ここで、天板Ｐは、ウエハステージＷＳＴ上に構成されるため、軽量高剛性であることが好ましい。天板Ｐは、例えばセラミックスで形成されていることが好ましい。また、シール部材３１が天板Ｐに及ぼす反力は、天板Ｐに働く重力以下であることが好ましい。仮に、シール部材３１が天板Ｐに及ぼす反力が天板Ｐに働く重力以上である場合、天板Ｐを真空吸着している真空吸着機構（図示せず）がバキュームＯＦＦした際に、シール部材３１が天板Ｐに及ぼす反力により天板Ｐが浮き上がる。これにより、天板Ｐの上面がウェハＷ表面よりも高くなってしまう。この状態で、ウエハステージＷＳＴが移動すると、天板Ｐが投影光学系１３、液体供給ノズル３８、及び液体回収ノズル３９などとぶつかる可能性があるからである。
【０１０６】
なお、図１１に示すように、露光装置３００ｉにおいて、隙間部ＦＭ３０２に浸入した液体３５を排液するための排液部３２ｉは、天板Ｐが開口されて形成されていてもよい。排液部３２ｉを天板Ｐ側に設けることにより、排液部３２ｉに接続される排液配管（図示せず）を天板Ｐ内部で引き回すことができ、排液部３２ｉ及び排液配管の設計自由度（実装性）を向上させることができる。また、基板側基準マーク部材ＦＭ３００がウエハステージＷＳＴ上に複数設けられる場合、その複数の基板側基準マーク部材ＦＭ３００に対して天板Ｐ内部で排液配管を分岐及び集約することができ、その点からも実装性を向上させることができる。図１１では、天板Ｐの開口に面した内側面Ｐａの鉛直面Ｐａ１に排液部３２ｉを設ける例が示されているが、天板Ｐの開口に面した内側面Ｐａの水平面Ｐａ２に排液部が設けられてもよい。この場合、露光光が排液部３２に照射されることを低減できるため、多孔質な部分に露光光が照射され劣化することを低減でき、コンタミが発生することを防止できる。
【０１０７】
また、第１実施形態〜第３実施形態における基板側基準マーク部材の基準マーク本体部の上面に形成された基準マークの形状は、例えば特開２００５−１７５０３４に開示されたようなスリット状であってもよい。
【０１０８】
基板側基準マーク部材の基準マーク本体部を用いた計測を行う計測部は、例えば特開平１１―１６８１６に開示された照度センサ等を含んでもよい。あるいは、その計測部は、特開平８−２２９５１に開示された波面収差測定器等を含んでもよい。但し、特開平８−２２９５１に開示された波面収差測定器等を含む場合、液体が波面収差測定器等に浸入しないように、基準マーク本体部の上部としてスリットパターンが描画されたガラス部を形成する必要がある。
【０１０９】
また、第１実施形態〜第３実施形態では、走査型露光装置について説明したが、走査型露光装置に限定するものではなく、ステップアンドリピート型露光装置に適用してもかまわない。露光装置には、ウエハステージが１つだけでなく複数設けられていてもかまわない。
【０１１０】
次に、本発明のウェハステージ装置が適用される例示的な露光装置を利用したデバイスの製造プロセス（製造方法）を、図１２を用いて説明する。図１２は、デバイスの一例としての半導体デバイスの全体的な製造プロセスを示すフローチャートである。
【０１１１】
ステップＳ９１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。
【０１１２】
ステップＳ９２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスク（原版又はレチクルともいう）を作製する。
【０１１３】
一方、ステップＳ９３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。
【０１１４】
ステップＳ９４（ウエハプロセス）は前半工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上述の露光装置によりリソグラフィー技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。
【０１１５】
次のステップＳ９５（組み立て）は後半工程と呼ばれ、ステップＳ９４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。
【０１１６】
ステップＳ９６（検査）ではステップＳ９５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップＳ９７でこれを出荷する。
【０１１７】
上記ステップＳ９４のウエハプロセスは以下のステップを有する。すなわち、ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップを有する。また、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップを有する。上記の露光装置を用いて、レジスト処理ステップ後のウエハを、マスクのパターンを介して露光し、レジストに潜像パターンを形成する露光ステップ（露光工程）を有する。露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ（現像工程）を有する。さらに、現像ステップで現像した潜像パターン以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップを有する。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の構成図。
【図２】ウエハステージ、天板、及び基板側基準マーク部材の配置を示す平面図。
【図３】本発明の第１実施形態における基板側基準マーク部材ＦＭの拡大平面図。
【図４】比較例における基板側基準マーク部材の拡大平面図。
【図５】本発明の第１実施形態の変形例における基板側基準マーク部材の拡大平面図。
【図６】本発明の第２実施形態における基板側基準マーク部材の拡大平面図。
【図７】図６のＡ−Ａ拡大断面図。
【図８】図７のＢ部分の拡大断面図。
【図９】本発明の第２実施形態の変形例における基板側基準マーク部材の拡大平面図。
【図１０】本発明の第３実施形態における基板側基準マーク部材の拡大断面図。
【図１１】本発明の第３実施形態の変形例における基板側基準マーク部材の拡大断面図。
【図１２】半導体デバイスの全体的な製造プロセスを示すフローチャート。
【符号の説明】
【０１１９】
１：光源、
２：照明系整形光学系、
３：フライアイレンズ、
４：コンデンサーレンズ
５：視野絞り、
６：駆動部、
７：可動ブラインド
８：リレーレンズ、
１０：レチクルステージ制御部、
１１：可動ブラインド制御部
１２：主制御部、
１３：投影光学系、
１５：ウエハステージ制御部
１６：アライメントセンサ
１７：制御部、
２１：照明領域、
２２、２３：干渉計
３０：ガラス部、
３１：シール、
３２：排液部、
３５：液体、
３６：センサ
１００：露光装置
ＲＳＴ：レチクルステージ、
ＷＳＴ：ウエハステージ
Ｒ：レチクル、
Ｗ：ウエハ、
ＳＰ：基準プレート、
Ｗ：ウエハ、
ＷＣ：ウエハチャック
Ｐ：天板、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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