(57)【要約】【課題】第２プレートの第１プレートに対する相対的な傾斜を安定して補正し、これによって薄膜を基板に対して面内の圧力分布を均一にして転写することができる薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供する。【解決手段】第２プレート５が第１プレート４に対向しながら配置されている。第２プレート５は中心軸Ｊ回りに放射状に配置された３個の支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃにより支持されている。各支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃはそれぞれ、伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃを有し、移動方向Ｚに沿って伸縮可能に構成されている。制御ユニット１０は伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃを独立して伸縮駆動することで各支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃが第２プレート５を支持する支持部位において第２プレート５を移動方向Ｚに沿って変位させる。これにより、第２プレート５の第１プレート４に対する相対的な傾斜が補正される。【選択図】図１
2008300414.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の移動方向に沿って互いに相対移動自在に対向して配設され、いずれか一方のプレートの対向面に基板が装着され、他方のプレートの対向面に薄膜を有する担持体が装着される第１および第２プレートを備え、前記第１および第２プレートうちの少なくとも一方を前記移動方向に沿って移動させて前記基板と前記担持体とを互いに押し付けて前記薄膜を前記基板に転写する転写処理を実行する薄膜形成装置において、
前記第２プレートの対向面中心を通り前記移動方向に伸びる軸回りに放射状に配置され、前記第２プレートを支持しながら前記移動方向における長さを調整可能に構成された複数の支持部材と、
前記転写処理前または前記転写処理中に各支持部材が前記第２プレートを支持する支持部位において各支持部材の前記移動方向における長さを制御することで前記第２プレートを前記移動方向に沿って変位させる制御手段と
を備え、
前記第２プレートの変位により前記第２プレートの前記第１プレートに対する相対的な傾斜を補正することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記支持部材の各々は前記移動方向に沿って伸縮する伸縮部を有し、
前記制御手段は各伸縮部を独立して伸縮駆動することで各支持部材の前記移動方向における長さを制御する請求項１記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
前記伸縮部としてピエゾアクチュエータを用いる請求項２記載の薄膜形成装置であって、
前記制御手段は前記ピエゾアクチュエータの各々に印加する電圧を制御することで各ピエゾアクチュエータを伸縮駆動する薄膜形成装置。
【請求項４】
前記支持部材の各々は前記移動方向において加重される圧力を測定する圧力測定手段を有し、
前記制御手段は前記転写処理中に各圧力測定手段により測定された測定圧力がそれぞれ予め設定された所定の設定圧力に等しくなるように各支持部材の前記移動方向における長さを制御する請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜形成装置。
【請求項５】
前記第１および第２プレートうちの少なくとも一方を前記移動方向に沿って他方側に移動させる移動機構をさらに備え、
前記制御手段は、前記移動機構のプレート移動により前記基板と前記担持体上の前記薄膜が接触し該接触が前記圧力測定手段により検知されると、前記移動機構のプレート移動を停止させ、各支持部材の前記移動方向における長さを制御して前記第２プレートの前記第１プレートに対する相対的な傾斜を補正しながら前記第２プレートを前記第１プレートに向けて加圧させ前記基板と前記担持体と互いに押し付けて前記薄膜を前記基板に転写する請求項４記載の薄膜形成装置。
【請求項６】
所定の移動方向に沿って互いに相対移動自在に対向して配設され、いずれか一方のプレートの対向面に基板が装着され、他方のプレートの対向面に薄膜を有する担持体が装着される第１および第２プレートと、第２プレートの対向面中心を通り前記移動方向に伸びる軸回りに放射状に配置され、前記第２プレートを支持しながら前記移動方向における長さを調整可能に構成された複数の支持部材とを備えた薄膜形成装置を用いて、前記第１および第２プレートうちの少なくとも一方を前記移動方向に沿って移動させて前記基板と前記担持体とを互いに押し付けて前記薄膜を前記基板に転写する転写工程を実行する薄膜形成方法において、
前記転写工程前または前記転写工程中に各支持部材が前記第２プレートを支持する支持部位において各支持部材の前記移動方向における長さを制御することで前記第２プレートを前記移動方向に沿って変位させて前記第２プレートの前記第１プレートに対する相対的な傾斜を補正する傾斜補正工程をさらに備えることを特徴とする薄膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置および薄膜形成方法に関するものである。なお、薄膜が形成される基板としては、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種基板（以下、単に「基板」という）が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの製造に用いるウエハの大口径化や液晶パネルなどの大面積化に伴い、大面積に適合した薄膜形成方法が必要となってきている。また、ＬＳＩ製造技術における多層配線技術の分野においては、多層配線を実現するために絶縁膜の表面を高い精度で平坦化する必要があり、大面積化に加えて、薄膜形成における表面の平坦化技術への要求も高まってきている。そこで、これらの要求を満足すべく、加圧転写方法によって基板に薄膜を形成する薄膜形成技術が提案されている。
【０００３】
このような薄膜形成方法を実行する装置として、例えば次のように構成された装置が従来より知られている（特許文献１、２参照）。これらの装置では、処理容器の内部に形成される薄膜形成室に、加熱ヒータを内蔵する基板用プレートが設けられており、薄膜形成対象となる半導体ウエハや液晶パネル用ガラス基板などの基板を保持可能となっている。また、薄膜形成室内には、基板用プレートの下方にフィルム用プレートが基板用プレートと対向しながら配置されており、シートフィルム（本発明の「担持体」に相当）に形成される薄膜を基板用プレート上の基板に対向させながら、該シートフィルムを保持している。なお、このフィルム用プレートにも、基板用プレートと同様に、加熱ヒータが設けられており、フィルム用プレートに保持されたシートフィルムを加熱可能となっている。そして、基板を保持する基板用プレートと、シートフィルムを保持するフィルム用プレートとを相互に近接移動させることによって、基板とシートフィルムとを互いに押し付けてシートフィルム上の薄膜を基板に転写する。
【０００４】
ところで、表面が平坦で均一な膜厚の薄膜を基板に転写するために、基板の全面を均一な加重圧力でシートフィルムに押し付けることが要求されている。そこで、上記した従来装置では、以下のような傾斜補正機構を設け、この問題の解消を図っている。
【０００５】
特許文献１に記載の装置では、傾斜補正機構はその表面中央を中心とする球面がそれぞれ形成された凸プレートおよび凹プレートを互いに接触する方向に付勢するように構成しており、基板用プレートを回動可能に保持し、基板と薄膜が全面にわたって等しい圧力で押し付けられるように基板用プレートのフィルム用プレートに対する傾斜を自動的に補正している。したがって、基板用プレートがフィルム用プレートに対して傾斜していると、フィルム用プレートが押し付けられたとき、基板用プレートが凸プレートと凹プレートの球面に沿って回動し、基板用プレートの傾斜が補正されてフィルム用プレートと平行になり、基板とシートフィルムを全面にわたって均一な加重圧力で押し付けることができる。
【０００６】
また、特許文献２に記載の装置では、傾斜補正機構が第１プレート（基板用プレート）の外周を取り囲むように配設され、移動方向に対してほぼ直交する第１方向に延びる第１回動軸を中心として第１プレートを回動自在に支持する第１支持体と、第１支持体の外周に配設され、移動方向および第１方向に対してほぼ直交する第２方向に延びる第２回動軸を中心として第１支持体を回動自在に支持する第２支持体とを備えている。これにより、第１プレートは第１支持体により第１方向に回動自在に支持されるとともに、第２支持体により第２方向に回動自在に支持されており、いわゆる軸回動によって第１プレートは移動方向に対して傾斜可能となっている。したがって、第１プレートが第２プレート（フィルム用プレート）に対して傾斜しているときは、第２プレートが第１プレートに当たったとき、第１プレートの傾斜が自動的に補正される。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１３５６３４号公報
【特許文献２】特開２００３−１５１９６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１および特許文献２に記載の装置では、第１プレートと第２プレートとの間の相対的な傾斜を補正するために装置構成が複雑化してしまい、装置の組み付け状態によっては、傾斜補正を安定して行うことができなくなる場合があった。その結果、薄膜を基板に対して面内の圧力分布を均一にして転写することが困難になっていた。
【０００９】
この発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、第２プレートの第１プレートに対する相対的な傾斜を安定して補正し、これによって薄膜を基板に対して面内の圧力分布を均一にして転写することができる薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、所定の移動方向に沿って互いに相対移動自在に対向して配設され、いずれか一方のプレートの対向面に基板が装着され、他方のプレートの対向面に薄膜を有する担持体が装着される第１および第２プレートを備え、第１および第２プレートうちの少なくとも一方を移動方向に沿って移動させて基板と担持体とを互いに押し付けて薄膜を基板に転写する転写処理を実行する薄膜形成装置であって、上記目的を達成するため、第２プレートの対向面中心を通り移動方向に伸びる軸回りに放射状に配置され、第２プレートを支持しながら移動方向における長さを調整可能に構成された複数の支持部材と、転写処理前または転写処理中に各支持部材が第２プレートを支持する支持部位において各支持部材の移動方向における長さを制御することで第２プレートを移動方向に沿って変位させる制御手段とを備え、第２プレートの変位により第２プレートの第１プレートに対する相対的な傾斜を補正することを特徴としている。
【００１１】
また、この発明は、所定の移動方向に沿って互いに相対移動自在に対向して配設され、いずれか一方のプレートの対向面に基板が装着され、他方のプレートの対向面に薄膜を有する担持体が装着される第１および第２プレートと、第２プレートの対向面中心を通り移動方向に伸びる軸回りに放射状に配置され、第２プレートを支持しながら移動方向における長さを調整可能に構成された複数の支持部材とを備えた薄膜形成装置を用いて、第１および第２プレートうちの少なくとも一方を移動方向に沿って移動させて基板と担持体とを互いに押し付けて薄膜を基板に転写する転写工程を実行する薄膜形成方法であって、上記目的を達成するため、転写工程前または転写工程中に各支持部材が第２プレートを支持する支持部位において各支持部材の移動方向における長さを制御することで第２プレートを移動方向に沿って変位させて第２プレートの第１プレートに対する相対的な傾斜を補正する傾斜補正工程をさらに備えることを特徴としている。
【００１２】
このように構成された発明では、第２プレートの対向面中心を通り移動方向に伸びる軸回りに放射状に配置され、移動方向における長さを調整可能に構成された複数の支持部材により第２プレートが支持される。そして、転写処理前にあるいは転写処理中に各支持部材が第２プレートを支持する支持部位において各支持部材の移動方向における長さが制御される。これにより、第２プレートを移動方向に沿って変位させ、第２プレートの第１プレートに対する相対的な傾斜を補正することができる。したがって、装置の組み付け状態に応じて傾斜補正を行うことができる。その結果、装置の組み付け状態にかかわらず、傾斜補正を安定して行うことが可能となり、これによって薄膜を基板に対して面内の圧力分布を均一にして転写することができる。
【００１３】
ここで、支持部材の各々は移動方向に沿って伸縮する伸縮部を有し、各伸縮部を独立して伸縮駆動することで各支持部材の移動方向における長さを制御してもよい。この構成によれば、各支持部材が有する伸縮部が独立に伸縮駆動されることで第２プレートの第１プレートに対する相対的な傾斜を自在に変化させることができる。なお、伸縮部としてピエゾアクチュエータを用いて、ピエゾアクチュエータの各々に印加する電圧を制御することで各ピエゾアクチュエータを伸縮駆動することが好ましい。ピエゾアクチュエータは推力が比較的大きく、微小量の伸縮駆動が可能であるため、伸縮部としてピエゾアクチュエータを用いることで第２プレートの第１プレートに対する微細な傾斜コントロールを行うことができる。
【００１４】
また、支持部材の各々は移動方向において加重される圧力を測定する圧力測定手段を有し、転写処理中に各圧力測定手段により測定された測定圧力がそれぞれ予め設定された所定の設定圧力に等しくなるように各支持部材の移動方向における長さを制御してもよい。この構成によれば、転写処理中に各圧力測定手段により測定された測定圧力が所定の設定圧力に等しくなるように各支持部材の移動方向における長さを制御しているので、転写処理時における面内の圧力分布の均一性を向上させることができる。また、移動方向において基板の厚みに個体差がある場合であっても、面内の圧力分布を均一にしながら薄膜を基板に転写することができる。
【００１５】
また、第１および第２プレートうちの少なくとも一方を移動方向に沿って他方側に移動させる移動機構をさらに設けて、移動機構のプレート移動により基板と担持体上の薄膜が接触し該接触が圧力測定手段により検知されると、移動機構のプレート移動を停止させ、各支持部材の移動方向における長さを制御して第２プレートの第１プレートに対する相対的な傾斜を補正しながら第２プレートを第１プレートに向けて加圧させて基板と担持体とを互いに押し付けて薄膜を基板に転写するようにしてもよい。この構成によれば、２種類の加圧手段、つまり移動機構と支持部材とを用いて２段階にわたり基板と担持体とが互いに押し付けられ、薄膜が基板に転写される。すなわち、(1)移動機構により基板と担持体上の薄膜が接触するまで比較的広範囲に第１および第２プレートうちの少なくとも一方を移動方向に沿って他方側に移動させた後、(2)移動機構に代えて支持部材により第２プレートの第１プレートに対する相対的な傾斜を補正しながら微細に第２プレートを第１プレートに向けて押圧させることによって薄膜が基板に転写される。したがって、比較的広範囲なプレート移動を可能としながらも、高精度に基板と担持体とを互いに押し付けることができる。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、第２プレートの対向面中心を通り移動方向に伸びる軸回りに放射状に配置された複数の支持部材により第２プレートが支持される。そして、転写処理前または転写処理中に各支持部材の支持部位において各支持部材の移動方向における長さを制御している。これにより、第２プレートを移動方向に沿って変位させ、第２プレートの第１プレートに対する相対的な傾斜を補正することができる。したがって、装置の組み付け状態にかかわらず、傾斜補正を安定して行うことが可能となり、薄膜を基板に対して面内の圧力分布を均一にして転写することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
＜第１実施形態＞
図１はこの発明にかかる薄膜形成装置の第１実施形態を示す図である。この薄膜形成装置は、その内部が後述するようにして転写処理を行う薄膜形成室１１となっている処理容器１を有している。この薄膜形成室１１は転写処理時に真空ポンプ２によって真空排気可能になっている。この真空ポンプ２は装置全体を制御する制御ユニット１０（本発明の「制御手段」に相当）に電気的に接続されており、制御ユニット１０からの動作指令に応じて作動して薄膜形成室１１を真空排気することができるようになっている。
【００１８】
薄膜形成室１１には、第１、第２プレート４，５が上下に対向して収容されている。第１プレート４は薄膜形成室１１内に固設されたベース部材１２によって水平に固定支持されており、第２プレート５の上方に位置している。第１プレート４は基板Ｗが装着される試料台を構成し、第２プレート５と対向する下面４ａが基板Ｗの装着面を形成している。ここで、薄膜形成対象となる基板Ｗとしては、例えば円板状に形成された半導体ウエハと、この半導体ウエハ上に電極配線をパターニングした構造を有するものがあり、基板Ｗのパターン形成面側に絶縁膜などの薄膜が転写される。
【００１９】
第１プレート４の下面４ａには、平坦性を確保するために研磨された石英板（図示せず）が設けられており、この石英板に基板Ｗが装着される。石英は基板Ｗを汚染する物質を含まないこと、および加工性がよく、必要とする平坦性が容易に得られることなどから基板Ｗを装着する材料として優れている。第１プレート４は、内部に加熱手段として加熱ヒータ４１を具備している。この加熱ヒータ４１はヒータコントローラ４２と電気的に接続されており、制御ユニット１０からの基板温度情報に基づきヒータコントローラ４２を作動させることによって、２５°Ｃ〜３００°Ｃの間で加熱制御される。
【００２０】
このように構成された第１プレート４に対して、複数本（この実施形態では２本）のリフタ４４が昇降自在で、しかも水平方向に移動自在に支持されている。各リフタ４４の下端部には爪部材４５が固着されている。爪部材４５はその上面が基板Ｗの周縁部と係合可能に仕上げられ、基板Ｗを爪部材４５上に載置させることができる。各リフタ４４にはリフタ駆動機構４６が接続されており、制御ユニット１０からの動作指令に応じてリフタ駆動機構４６が作動することで、薄膜形成室１１内に搬入された基板Ｗを爪部材４５上に載置可能な基板搬入位置と、爪部材４５上に載置された基板Ｗを第１プレート４の下面４ａに装着する基板装着位置（図１で示す位置）とに複数のリフタ４４を一体的に移動させることができる。
【００２１】
具体的には、リフタ駆動機構４６に対して制御ユニット１０から下降指令が与えられると、リフタ４４は下方に移動し、爪部材４５を第１プレート４の下面４ａの下方側に移動させた後、さらにリフタ４４を水平移動させて爪部材４５を第１プレート４の下面周縁部と離間して対向させる。これにより、爪部材４５が基板搬入位置に位置決めされ、爪部材４５への基板Ｗの載置が可能となる。また、制御ユニット１０からリフタ駆動機構４６に上昇指令が与えられると、リフタ駆動機構４６はリフタ４４を上方に移動させて爪部材４５上に載置された基板Ｗを第１プレート４の下面４ａに密着させる。これにより、爪部材４５が基板装着位置に位置決めされ、第１プレート４に基板Ｗが装着される。
【００２２】
第２プレート５は第１プレート４の下方に軸線を一致させて対向して配置され、後述する複数（この実施形態では３個）の支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃ上に支持されている。第２プレート５はシートフィルムＦ（本発明の「担持体」に相当）が装着される転写板を構成し、第１プレート４と対向する上面５ａが本発明の第２プレートの「対向面」としてシートフィルムＦの装着面を形成している。このシートフィルムＦは基板Ｗより大きい円形に形成され、表面には薄膜が形成されている。第２プレート５の上面５ａには、第１プレート４と同様に石英板（図示せず）が設けられている。また、第２プレート５には加熱手段として加熱ヒータ５１が内蔵されている。この加熱ヒータ５１はヒータコントローラ５２と電気的に接続されており、制御ユニット１０からの基板温度情報に基づきヒータコントローラ５２を作動させることによって、２５°Ｃ〜３００°Ｃの間で加熱制御される。
【００２３】
３個の支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃは、薄膜形成室１１内に移動方向Ｚに沿って昇降自在に設けられたベース部材１３上に突設されている。ベース部材１３には加重モータ１４（本発明の「移動機構」に相当）が接続されており、制御ユニット１０からの動作指令に応じて加重モータ１４が駆動されることで、ベース部材１３を移動方向Ｚに沿って昇降させることができる。したがって、ベース部材１３を昇降させることで、複数の支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃおよび複数の支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃ上に支持された第２プレート５がベース部材１３と一体的に昇降する。
【００２４】
また、この実施形態ではシートフィルムＦのハンドリング性を向上させるために図２に示すように一対のリングＲup，Ｒdwを用いて一体化したリング体ＲＦを形成し、このリング体ＲＦの状態でシートフィルムＦの搬送を実行している。以下では、図１および図２を参照しつつ、シートフィルムＦのハンドリング構成について説明する。
【００２５】
図２はリング体およびリング体を挟持する構成を説明するための断面図である。このリング体ＲＦは、上リングＲupと下リングＲdwとでシートフィルムＦを挟み込むことによってシートフィルムＦを保持したものである。上リングＲupと下リングＲdwとは同一形状を有する円環状部材であり、シートフィルムＦを挟んで上リングＲupおよび下リングＲdwを配置させることにより、シートフィルムＦを磁力吸着により保持可能となっている。
【００２６】
また、第１、第２プレート４，５の周囲には、一対のリングＲup，Ｒdwを上下から挟み込んでリング体ＲＦを保持する上クランプ５３および下クランプ５４が設けられている。上クランプ５３および下クランプ５４はそれぞれ、一対のリングＲup，Ｒdwとほぼ同じ内径を有する円環状部材であり、上クランプ５３の外径が一対のリングＲup，Ｒdwの外径よりも小さく形成される一方、下クランプ５４の外径が一対のリングＲup，Ｒdwの外径よりも大きく形成されている。
【００２７】
図３は図１の薄膜形成装置のＡ−Ａ’横断面図である。２つのクランプのうち下クランプ５４は、薄膜形成室１１に立設された複数本（この実施形態では３本）のクランプ受け５５上に水平姿勢で載置されている。クランプ受け５５は第２プレート５の上面５ａの中心を通り移動方向Ｚに伸びる軸（以下、単に「中心軸」という）Ｊ回りに互いに等角度（１２０°）間隔で放射状に配置されている。下クランプ５４の上面周縁部（円環部）にはリング体ＲＦの下端部（下リングＲdw）を収容可能な内部に向けて窪んだ窪部５４ａが形成されている（図２）。そして、リング体ＲＦの下端部を窪部５４ａに収容させることによって、窪部５４ａの周囲を取り囲む周面部５４ｂによってリング体ＲＦの水平方向の移動を規制することができる。
【００２８】
また、ベース部材１３上には、複数本（この実施形態では３本）のクランプ突き上げピン１５が中心軸Ｊ回りに互いに等角度（１２０°）間隔で放射状に、しかも円周方向に沿ってクランプ受け５５の間に位置するように立設されている。一方、下クランプ５４の下面には各クランプ突き上げピン１５に対応してクランプ突き上げピン１５の先端部を挿入させることが可能なピン挿入孔５４ｃが形成されている。このため、ベース部材１３が上昇駆動されると、クランプ突き上げピン１５の先端部がピン挿入孔５４ｃに挿入されるとともに、クランプ突き上げピン１５の先端部と後端部との間に形成された段差面が下クランプ５４の下面と当接する。したがって、ベース部材１３がさらに上昇駆動されると、下クランプ５４がクランプ受け５５から離れ、クランプ突き上げピン１５と下クランプ５４とが係合した状態で一体的に上昇する。
【００２９】
また、もう一方のクランプ、つまり上クランプ５３は昇降自在に支持された複数本のリフタ５６の下端に固着されている。リフタ５６にはクランプ駆動機構５７が接続されており、制御ユニット１０からの動作指令に応じてクランプ駆動機構５７が作動することで、上クランプ５３を昇降させることができる。具体的には、上クランプ５３を上方移動させて第２プレート５に対するリング体ＲＦの搬入出を可能とする一方、上クランプ５３を下方移動させて下クランプ５４とでリング体ＲＦを挟持して固定することができる。
【００３０】
図４は図１の薄膜形成装置の要部断面図である。具体的には、同図（ａ）は縦断面図（同図（ｂ）のＣ−Ｃ’縦断面図）であり、同図（ｂ）は横断面図（同図（ａ）のＢ−Ｂ’横断面図）である。３個の支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃはベース部材１３から上方に向けて突設されている。３個の支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃは中心軸Ｊ回りに同心円上に、しかも互いに等角度（１２０°）間隔で放射状に配置されている。なお、３個の支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃは同一構成を有しているため、ここでは１個の支持部材６Ａの構成について説明し、支持部材６Ｂ，６Ｃについては同等の符号を付し説明を省略する。
【００３１】
図４（ａ）に示すように、支持部材６Ａは伸縮部６１Ａと当接部６２Ａ（本発明の「支持部位」に相当）を有している。伸縮部６１Ａは移動方向Ｚに沿って伸縮可能となっており、伸縮部６１Ａとして印加電圧に応じて伸縮するピエゾアクチュエータが好ましく用いられる。ピエゾアクチュエータは推力が比較的大きく、微小量の伸縮駆動が可能である。このため、後述するように第２プレート５の第１プレート４に対する微細な傾斜コントロールを行うことができる。この実施形態では、例えばφ２０〜４０ｍｍの直径を有し、圧電体を複数個積層してなるピエゾアクチュエータが用いられる。また、当接部６２Ａは伸縮部６１Ａの上面に取り付けられた半球状の部材であり、第２プレート５の下面に点接触可能に仕上げられている。このため、第２プレート５は３個の支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃにより点接触状態で水平姿勢で支持される。なお、伸縮部としてピエゾアクチュエータに代えて磁歪素子を利用したアクチュエータや、モータと減速機とを組合わせた電動アクチュエータを用いてもよい。
【００３２】
制御ユニット１０は伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃの伸縮を独立して制御することが可能となっている。すなわち、伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃはそれぞれ電圧発生部６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃ（図１）に接続されており、電圧発生部６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃからそれぞれ所定の電圧が印加されることで伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃが印加電圧に応じて移動方向Ｚに沿って伸縮する。その結果、支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃの移動方向Ｚにおける長さが印加電圧に応じて調整される。このため、制御ユニット１０から電圧発生部６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃに電圧制御指令が与えられると、電圧発生部６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃからそれぞれ電圧制御指令に応じた所定の電圧が伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃに印加され、伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃが印加電圧に応じて移動方向Ｚに沿って伸縮する。これにより、各支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃが第２プレート５を支持しながら当接部６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃにおいて第２プレート５が移動方向Ｚに沿って変位する。具体的には、支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃが伸張することで当接部６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃにおいて第２プレート５が押圧されて上方に変位する一方、支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃが収縮することで当接部６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃにおいて第２プレート５が自重により下方に変位する。したがって、３個の支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃが独立して伸縮駆動されることで、第２プレート５の第１プレート４に対する相対的な傾斜を自在に調整することができる。このため、各支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃの移動方向Ｚにおける長さを独立して制御することで第１プレート４の下面４ａに対して第２プレート５の上面５ａが平行となるように傾斜補正することが可能となっている。
【００３３】
第２プレート５の下面周縁部には第２プレート５の水平方向における位置を固定するために、複数本の位置決めピン５８が下方に延びるように取り付けられている。これら位置決めピン５８はベース部材１３に鉛直方向に形成された貫通孔１３ａを貫通している。位置決めピン５８と貫通孔１３ａとの間にはブッシュ５９が嵌入されており、ブッシュ５９により位置決めピン５８は移動方向Ｚに沿って可動（昇降）自在に支持される。このような構成により、各支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃにより第２プレート５を変位させたとしても、第２プレート５と第１プレート４の軸線を常に一致させることができる。つまり、第１プレート４の下面４ａの中心は常に第２プレート５の上面５ａの中心を通る中心軸Ｊ上に位置する。
【００３４】
また、この薄膜形成装置は、例えばデータなどを一時的に記憶するＲＡＭや制御プログラムなどを記憶するＲＯＭなどを有する記憶部２１を備えるとともに、ユーザインターフェースとして、例えばキーボードなどからなる操作部２２を備えている。
【００３５】
次に、上記した薄膜形成装置を使用した薄膜形成手順について図５を参照しつつ説明する。図５は図１の薄膜形成装置の動作を示すフローチャートである。本実施形態においては、薄膜形成装置の組み付けが完了すると（ステップＳ１）、装置の初期調整（傾斜補正）を実行する（ステップＳ２）。すなわち、第２プレート５上にプレート面内の圧力分布を測定するためのフィルム状の圧力測定シートを第１プレート４と第２プレート５との間に挟んだ状態で第２プレート５を上昇させて第１プレート４に向けて押圧させる。圧力測定シートは面内の圧力分布を測定するための多数のセンシングポイントを有しており、圧力測定シートからの出力信号から面内の圧力分布を知ることができる。ここで、面内の圧力分布に所定量以上のばらつきがある場合には、オペレータは操作部２２を操作することで支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃ（伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ）に印加する電圧を適宜変更する。これにより、面内の圧力分布が均一となるように第２プレート５の第１プレート４に対する相対的な傾斜を補正する。例えば、面内の特定領域の圧力が他の領域に比較して高い領域がある場合には、当該特定領域に近い位置に配置された支持部材を収縮させることにより、該支持部材の支持部位において第２プレート５を下方に変位させ、当該領域の圧力を低下させる。あるいは、圧力が低い領域に近い位置に配置された支持部材を伸張させることにより、該支持部材の支持部位において第２プレート５を上方に変位させ、当該領域の圧力を上昇させる。
【００３６】
こうして、面内の圧力分布のばらつきが所定量以下になるように各支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃの移動方向Ｚにおける長さを調整する。これにより、初期調整が完了し、第２プレート５の第１プレート４に対する相対的な傾斜が補正される。また、傾斜補正された状態において設定された各支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃへの印加電圧（以下「補正後電圧」という）に対応する電圧データが記憶部２１に記憶される。続いて、傾斜補正が確実に行われたか否かを検証するために、圧力測定シートに加えて薄膜形成対象となる基板Ｗを第１プレート４と第２プレート５との間に挟んだ状態で面内の圧力分布を確認する（ステップＳ３）。すなわち、電圧発生部６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃからそれぞれ補正後電圧が各支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃに印加され、第１プレート４と第２プレート５との間に基板Ｗと圧力測定シートを挟んだ状態で第２プレート５が第１プレート４に押圧される。そして、面内の圧力分布のばらつきが所定量以下、つまり傾斜が補正されていると見做せれば（ステップＳ４でＹＥＳ）、続いて転写処理（転写工程）を実行する（ステップＳ５）。
【００３７】
図６ないし図８は転写処理の動作を説明するための模式図である。本実施形態においては、第１プレート４側に基板Ｗが搬入される。すなわち、制御ユニット１０はリフタ駆動機構４６に下降指令を与え、図６（ａ）に示すように、爪部材４５を基板搬入位置に位置決めする。それに続いて、薄膜を形成すべき基板Ｗが薄膜形成室１１内に搬入され、爪部材４５の上に載置される。その後、制御ユニット１０はリフタ駆動機構４６に対して上昇指令を与え、爪部材４５を基板装着位置に移動させて基板Ｗの上面（非パターン形成面）を第１プレート４の下面４ａに密着させた状態で基板Ｗを位置決めする（図６（ｂ））。一方、第２プレート５側では、リング体ＲＦが薄膜形成室１１内に搬入される。そして、リング体ＲＦが下クランプ５４上に載置された後、上クランプ５３が下クランプ５４側に下降して上クランプ５３と下クランプ５４とでリング体ＲＦが挟持される（図６（ｃ））。ここで、リング体ＲＦを構成する一対のリングＲup，Ｒdwに挟まれたシートフィルムＦ上には予め薄膜が形成されており、薄膜を上方に向けてシートフィルムＦが第２プレート５の上方位置に配置される。
【００３８】
こうして、基板ＷおよびシートフィルムＦの搬入および装着が完了すると、制御ユニット１０は予め記憶部２１に記憶されている転写プログラムにしたがって装置各部を制御し、以下に示すように薄膜を基板Ｗに転写する。このとき、補正後電圧に対応した電圧データが記憶部２１から読み出され、電圧発生部６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃからそれぞれ補正後電圧が各支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃに印加される。その結果、第２プレート５の第１プレート４への加圧に先立って、加圧時にける第２プレート５の第１プレート４に対する相対的な傾斜が補正された状態となる。
【００３９】
これに続いて、真空ポンプ２による薄膜形成室１１の排気減圧を開始する。また、ヒータコントローラ４２によって加熱ヒータ４１に通電して第１プレート４を加熱して基板Ｗを所望の温度に加熱するとともに、ヒータコントローラ５２によって加熱ヒータ５１に通電して第２プレート５を加熱してシートフィルムＦを所望の温度に加熱する。
【００４０】
そして、薄膜形成室１１が所望の圧力まで減圧されると、制御ユニット１０より加重モータ１４に信号が送られ、ベース部材１３および第２プレート５の上昇駆動を開始する。これによって第２プレート５が移動方向Ｚに沿って上昇し、第２プレート５の上面５ａをシートフィルムＦに接触させた状態でシートフィルムＦを緊張させる。その結果、シートフィルムの熱膨張による弛みが取り除かれる。また、ベース部材１３の上昇によってクランプ受け５５上に載置された下クランプ５４がベース部材１３上に立設されたクランプ突き上げピン１５に受け渡される（図７（ａ））。
【００４１】
そして、さらにベース部材１３が上昇駆動されると、下クランプ５４がクランプ受け５５から離れ、シートフィルムＦを緊張させた状態のまま上クランプ５３、リング体ＲＦおよび下クランプ５４がベース部材１３上に支持されながら一体的に上昇する。これによって、シートフィルムＦ上の薄膜が基板Ｗに密着し、基板Ｗへの薄膜の転写が開始される（図７（ｂ））。そして、薄膜形成室１１を排気減圧したまま、基板ＷとシートフィルムＦとが所定の加重で一定時間互いに押し付けられる。その間も基板ＷとシートフィルムＦは所定の温度となるように加熱されている。ここで、第２プレート５の第１プレート４に対する相対的な傾斜が補正された状態にあることから、薄膜を基板Ｗに対して面内の圧力分布を均一にして転写することができる。
【００４２】
そして、一連の加重操作が終了して転写処理が完了すると、ヒータコントローラ４２，５２により加熱ヒータ４１，５１の作動を停止させて第１，第２プレート４，５の加熱を停止すると同時に、爪部材４５を側方に退避させて爪部材４５による基板保持を解除する（図７（ｃ））。続いて、加重の状態が零となるように制御ユニット１０から加重モータ１４に信号を送り、ベース部材１３、第２プレート５およびベース部材１３上に支持された上クランプ５３、リング体ＲＦ、下クランプ５４を一体的に下降させる（図８（ａ））。その後、ベース部材１３の下降に伴い、上クランプ５３によるリング体ＲＦの挟持が解除される（図８（ｂ））。そして、さらにベース部材１３が下降され、第２プレート５（およびベース部材１３）が転写前の初期位置に復帰すると、クランプ突き上げピン１５が下クランプ５４から離れる。これによって、下クランプ５４およびリング体ＲＦがクランプ受け５５上に受け渡される（図８（ｃ））。また、第２プレート５が転写前の初期位置に戻った後、真空ポンプ２を停止させる。
【００４３】
なお、上記のようにして薄膜形成装置において薄膜の密着が完了すると、基板Ｗは薄膜を挟んでシートフィルムＦと一体となっており、この一体化状態のままリング体ＲＦを薄膜形成室１１から取り出し、シートフィルムＦを剥離する剥離装置（図示せず）に搬送する。
【００４４】
以上のように、この実施形態によれば、第２プレート５の上面５ａの中心を通り移動方向Ｚに伸びる軸回りに放射状に配置された３個の支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃにより第２プレート５を支持している。そして、各支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃが第２プレート５を支持する支持部位（当接部６２Ａ）において各支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃの移動方向Ｚにおける長さを制御することで第２プレート５を移動方向Ｚに沿って変位させるように構成している。このため、転写処理前に各支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃにより第２プレート５を移動方向Ｚに沿って変位させることで第２プレート５の第１プレート４に対する相対的な傾斜を補正することができる。したがって、装置の組み付け状態にかかわらず、傾斜補正を安定して行うことが可能となり、薄膜を基板Ｗに対して面内の圧力分布を均一にして転写することができる。また、このように転写処理前に第２プレート５の第１プレート４に対する相対的な傾斜を補正することで薄膜と基板Ｗとを全面にわたってほぼ同時に密着させることができる。したがって、薄膜と基板Ｗとが面内の一部領域から密着する場合における不具合、例えば薄膜の乾燥状態が面内で不均一な状態で基板Ｗに薄膜が密着してしまうのを防止することができる。
【００４５】
また、この実施形態によれば、支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃの各々が移動方向Ｚに沿って伸縮する伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃを有し、伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃを独立して駆動制御することで第２プレート５を変位させている。このため、支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃの伸縮により第２プレート５の第１プレート４に対する相対的な傾斜を自在に調整することができる。特に、この実施形態によれば、伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃとしてピエゾアクチュエータを用いて、各ピエゾアクチュエータに印加する電圧を制御することで各ピエゾアクチュエータの移動方向Ｚにおける長さを制御している。ピエゾアクチュエータは比較的推力が大きく、微小量の伸縮駆動が可能（印加電圧の分解能によって決定され、ナノメートルオーダの調整が可能）であるため、伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃとしてピエゾアクチュエータを用いることで第２プレート５の第１プレート４に対する微細な傾斜コントロールを行うことができる。
【００４６】
＜第２実施形態＞
図９はこの発明の第２実施形態にかかる薄膜形成装置の要部を示す図である。また、図１０は図９の薄膜形成装置を制御するための部分的な制御構成を示すブロック図である。ここで、図９（ａ）は縦断面図（同図（ｂ）のＥ−Ｅ’縦断面図）であり、図９（ｂ）は横断面図（同図（ａ）のＤ−Ｄ’横断面図）である。この第２実施形態にかかる薄膜形成装置が第１実施形態と大きく相違する点は、各支持部材７Ａ，７Ｂ，７Ｃは、伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃとベース部材１３との間に圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃ（本発明の「圧力測定手段」に相当）を有し、圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃで測定された測定圧力に基づいて各支持部材７Ａ，７Ｂ，７Ｃによる第２プレート５の変位を制御している点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第１実施形態と同様である。
【００４７】
この実施形態では、各支持部材７Ａ，７Ｂ，７Ｃにおいてそれぞれ、伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃとベース部材１３との間に圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃが介装されている。圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃはそれぞれ、伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃの下方に組み込まれて移動方向Ｚにおいて加重される圧力を測定することができる。圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃには例えば圧電センサが用いられ、圧電センサに加えられた圧力に応じて発生する電圧に応じた信号（圧力信号）を制御ユニット１０に送出する。制御ユニット１０は圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃにより測定された圧力（以下「測定圧力」という）と所定の設定圧力とを比較する。ここで、設定圧力とは予め設定され、転写処理に適した圧力をいう。そして、両者に差異がある場合には、各圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃでの測定圧力が設定圧力に等しくなるように電圧発生部６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃを個別に制御する。具体的には、圧力測定部７１Ａで測定された測定圧力が設定圧力よりも小さい場合には、制御ユニット１０は伸縮部６１Ａを伸張させるように電圧発生部６３Ａに電圧制御指令を与える一方、圧力測定部７１Ａで測定された測定圧力が設定圧力よりも大きい場合には、制御ユニット１０は伸縮部６１Ａを収縮させるように電圧発生部６３Ａに電圧制御指令を与える。同様にして、制御ユニット１０は圧力測定部７１Ｂ，７１Ｃで測定された測定圧力に基づいてそれぞれ、伸縮部６１Ａ，６１Ｂを伸縮または収縮させるように電圧発生部６３Ｂ，６３Ｃに電圧制御指令を与える。
【００４８】
なお、圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃとしては、圧電センサ（圧電式圧力センサ）以外に半導体式圧力センサ、圧電式圧力センサ、水晶振動式圧力センサ、静電容量式圧力センサの各種圧力センサを用いることができる。特に圧力センサとしては小型で動荷重の測定に適した圧電センサを用いることが好ましい。
【００４９】
次に、上記した薄膜形成装置を用いて実行される転写処理（転写工程）について図１１および図１２を参照しつつ説明する。図１１は図９の薄膜形成装置の転写処理動作を示すフローチャートである。また、図１２は各支持部材における加圧状態および電圧印加状態を示すタイミングチャートである。この実施形態では、第１実施形態と同様に、基板ＷおよびシートフィルムＦの搬入および装着が完了すると、制御ユニット１０が転写プログラムにしたがって装置各部を制御し、以下に示すように薄膜を基板Ｗに転写する。なお、加熱ヒータ４１，５１はＯＮ（加熱状態）にされ、薄膜形成室１１は減圧されているものとする。また、この実施形態では、予め伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃに所定の初期電圧が印加されている。
【００５０】
先ず、制御ユニット１０より加重モータ１４に信号が送られ、第２プレート５（およびベース部材１３）の上昇を開始する（ステップＳ１１）。これにより、第２プレート５が移動方向Ｚに沿って比較的広範囲に移動され、シートフィルムＦ上の薄膜の基板Ｗへの接触が開始される（タイミングＴ１）。そして、いずれかの圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃで測定された測定圧力が一定の閾値を超えた時点でシートフィルムＦ上の薄膜が基板Ｗに完全に接触したと判断し、加重モータ１４による第２プレート５の上昇を停止させる（ステップＳ１２）。
【００５１】
続いて、圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃで測定された測定圧力が設定圧力Ｐ１に等しくなるように制御ユニット１０から電圧発生部６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃに電圧制御指令が与えられる。すなわち、電圧制御指令に応じた所定の電圧が伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃに印加され、印加電圧に応じた伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃの伸縮駆動（支持部材７Ａ，７Ｂ，７Ｃの移動方向Ｚにおける長さの微調整）が開始される（タイミングＴ２）。これにより、移動方向Ｚにおいて圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃに加重される圧力が均一となるように圧力コントロールが実行される（ステップＳ１３；傾斜補正工程）。このとき、伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃは圧力コントロールのみならず、第２プレート５を第１プレート４に押圧して薄膜を基板Ｗに転写する加圧手段としても機能する。なお、伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃからの加重圧力が設定圧力Ｐ１に満たない場合には、加重モータ１４の作動により第２プレート５を補助的に上昇させてもよい。
【００５２】
ここで、各支持部材７Ａ，７Ｂ，７Ｃによる圧力コントロールの具体的な動作について図１２を参照しつつ説明する。例えば、第２プレート５の上昇停止時（タイミングＴ２）において圧力測定部７１Ａの測定圧力が設定圧力Ｐ１よりも大きい場合、つまり支持部材７Ａが第２プレート５を支持している支持部位（当接部６２Ａ）において第２プレート５が上方に傾斜している場合には、伸縮部６１Ａを収縮させるように印加電圧を初期電圧Ｖ０から低下させる。これにより、測定圧力が設定圧力Ｐ１に等しくなるように支持部材７Ａによる第２プレート５の変位量をフィードバック制御する。一方、第２プレート５の上昇停止時（タイミングＴ２）に圧力測定部７１Ｂ，７１Ｃの測定圧力が設定圧力Ｐ１よりも小さい場合、つまり、支持部材７Ｂ，７Ｃが第２プレート５を支持している支持部位（当接部６２Ｂ，６２Ｃ）において第２プレート５が下方に傾斜している場合には、伸縮部６１Ｂ，６１Ｃを伸張させるように印加電圧を初期電圧Ｖ０から上昇させる。これにより、測定圧力が設定圧力Ｐ１に等しくなるように支持部材７Ｂ，７Ｃによる第２プレート５の変位量をフィードバック制御する。なお、圧力測定部７１Ｂの測定圧力は圧力測定部７１Ｃの測定圧力に比較して小さくなっているが、各測定圧力と設定圧力Ｐ１との差異に応じて個別に印加電圧が制御される。その結果、圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃの測定圧力がそれぞれ設定圧力Ｐ１に次第に収束していく。これによって、第２プレート５の第１プレート４に対する相対的な傾斜が補正される。
【００５３】
こうして圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃの各測定圧力が設定圧力Ｐ１に等しくなると伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃの伸縮駆動を停止させる（タイミングＴ３）。そして、この状態で第２プレート５を第１プレート４に向けて所定時間加重させる。このとき、基板ＷとシートフィルムＦ上の薄膜とが全面にわたって等しい圧力で押し付けられる。
【００５４】
そして、上記した加重操作が終了すると（タイミングＴ４）、加重の状態が零となるように、すなわち圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃでの測定圧力が接触開始前の圧力状態となるように、加重モータ１４により第２プレート５が下降される（ステップＳ１４）。その結果、圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃでの測定圧力が接触開始前の圧力まで低下する（タイミングＴ５）。その後、第１実施形態と同様にして、第２プレート５が転写処理前の初期位置に戻った後、真空ポンプ２を停止させ、薄膜を挟んでシートフィルムＦと一体となった基板Ｗを薄膜形成室１１から取り出す。
【００５５】
以上のように、この実施形態によれば、第１実施形態と同様にして３個の支持部材７Ａ，７Ｂ，７Ｃにより第２プレート５を支持しながら各支持部材７Ａ，７Ｂ，７Ｃの支持部位（当接部６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ）において各支持部材７Ａ，７Ｂ，７Ｃの移動方向Ｚにおける長さを制御することで第２プレート５を移動方向Ｚに沿って変位させるように構成している。このため、第１実施形態と同様な作用効果を得ることができる。さらに、薄膜の基板Ｗへの転写処理中に圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃで測定された測定圧力がそれぞれ設定圧力Ｐ１に等しくなるように各支持部材７Ａ，７Ｂ，７Ｃによる第２プレート５の変位量を制御している。このため、転写処理中における面内の圧力分布の均一性を向上させることができる。また、移動方向Ｚにおいて基板Ｗの厚みに個体差がある場合であっても、面内の圧力分布を均一にしながら薄膜を基板Ｗに転写することができる。
【００５６】
また、この実施形態によれば、２種類の加圧手段、つまり加重モータ１４と支持部材７Ａ，７Ｂ，７Ｃとを用いて２段階にわたり基板ＷとシートフィルムＦとを互いに押圧して薄膜を基板Ｗに転写している。すなわち、(1)加重モータ１４により基板ＷとシートフィルムＦ上の薄膜が接触するまで比較的広範囲に第２プレート５を移動方向Ｚに沿って移動させた後、(2)加重モータ１４に代えて各支持部材７Ａ，７Ｂ，７Ｃにより第２プレート５の第１プレート４に対する相対的な傾斜を補正しながら微細に第２プレート５を第１プレート４に向けて加圧させることによって薄膜を基板Ｗに転写している。したがって、比較的広範囲なプレート移動を可能としながらも、高精度に基板ＷとシートフィルムＦとを互いに押し付けることができる。このため、加重モータ１４に対して必要以上の精度が要求されることはなく、加重モータを安価に構成することができる。
【００５７】
＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、第２プレート５を第１プレート４の下方に配置し、第２プレート５の上面５ａを「対向面」として第１プレート４に対向させているが、第２プレート５を第１プレート４の上方に配置し、第２プレート５の下面を「対向面」として第１プレート４に対向させてもよい。
【００５８】
また、上記実施形態では、第１プレート４側に基板Ｗを装着することにより基板用プレートとして用い、第２プレート５側にシートフィルムＦを装着することによりフィルム用プレートとして用いているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、第１プレート４をフィルム用プレートとして用い、第２プレート５を基板用プレートとして用いてもよい。
【００５９】
また、上記実施形態では、加重モータ１４を用いて第２プレート５を移動させることで加重するようにしているが、第１プレート４を移動させたり、第１および第２プレート４，５をともに移動させることで加重するように構成してもよく、第１および第２プレート４，５を加圧する機構であれば如何なる構成を採用してもよい。
【００６０】
また、上記実施形態では、一対のリングＲup，ＲdwによりシートフィルムＦを挟み込んでリング体ＲＦを構成し、これを薄膜形成室１１に搬入することでシートフィルムＦを搬送しているが、シートフィルムＦの搬送態様はこれに限定されるものではなく、例えばシートフィルムＦを薄膜形成室１１に直接搬入してもよい。
【００６１】
また、上記実施形態では、薄膜を有する「担持体」としてシートフィルムＦを用いているが、シートフィルムＦに代えて不撓性の板状部材、例えば石英板を「担持体」として用いてもよい。このように「担持体」として不撓性の板状部材を用いることで、剥離後の不撓性の板状部材を再利用することができる。
【００６２】
また、上記実施形態では、支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃ（または７Ａ，７Ｂ，７Ｃ）を伸縮させて支持部材の移動方向における長さを制御しているが、例えば面内の圧力分布の許容精度等によっては、支持部材を伸張可能にのみに構成して支持部材を伸張させるのみあるいは支持部材を収縮可能にのみに構成して支持部材を収縮させるのみで支持部材の移動方向における長さを制御して第２プレート５を変位させてもよい。
【００６３】
また、上記第１実施形態では、装置の組み付け直後の傾斜補正を実行する場合について説明しているが、装置の経時変化に対する傾斜補正を実行する場合にも適用することができる。例えば、転写処理を複数回行った後には装置に歪みが生じ、第２プレート５が第１プレート４に対して相対的に傾斜する場合がある。そこで、予め規定された回数（例えば１０万回）だけ転写処理を行った後にあるいは所定時間の経過後に、ステップＳ２〜ステップＳ４（図５）を実行することにより、第２プレート５の第１プレート４に対する相対的な傾斜を補正することができる。
【００６４】
また、上記第２実施形態では、主として装置の組み付け直後あるいは装置の電源投入直後における転写処理（以下「第１回目の転写処理」という）を実行する場合について説明しているが、第１回目の転写処理に続いて第２回目の転写処理を実行する場合においては、ある程度、傾斜補正を行った状態で転写処理を実行することができる。例えば図１２では、加重操作前（タイミングＴ２まで）に伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃの各々に初期電圧Ｖ０を印加しているが、第２プレート５の第１プレート４に対する相対的な傾斜が補正された後（タイミングＴ３以降）では、伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃに対してそれぞれ、調整後電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃが印加されている。
【００６５】
したがって、図１３に示すように、第２回目の転写処理においては予め伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃに対してそれぞれ、調整後電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃを印加しておくことで、第２プレート５の第１プレート４に対する相対的な傾斜を速やかに補正することができる。すなわち、第２プレート５の上昇停止時（タイミングＴ２）において圧力測定部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃで測定された測定圧力は設定圧力Ｐ１にほぼ等しくなり、その後は基板Ｗの個体差等に応じて微小量だけ圧力コントロールを実行すれば足りる。したがって、基板ＷとシートフィルムＦに形成された薄膜とを当初から面内の圧力を均一にした状態で互いに押圧させることができる。このような観点から、第１回目の転写処理をダミー用の基板ＷおよびシートフィルムＦを使用して実行一方、第２回目以降の転写処理から実製造で用いられる基板ＷおよびシートフィルムＦを使用して実行することが好ましい。
【００６６】
また、上記第１実施形態では、３個の支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃの各々が伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃを有し、各伸縮部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃを伸縮駆動することで各支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃの支持部位において第２プレート５を移動方向Ｚに沿って変位させているが、これに限定されない。例えば３個の支持部材６Ａ，６Ｂ，６Ｃのうち２個の支持部材６Ａ，６Ｂのみが伸縮部６１Ａ，６１Ｂを有するように構成し、残りの支持部材６Ｃを固定支持部材としてもよい。つまり、２個の支持部材のみにより第２プレート５を変位可能に構成してもよい。この場合、例えば加重モータ１４の作動により第２プレート５を第１プレート４に加圧させた後に、支持部材６Ｃ（固定支持部材）の支持部位における加重圧力に合わせるように残りの支持部材６Ａ，６Ｂを用いて第２プレート５を変位させることで面内の圧力分布を均一にすればよい。同様にして、上記第２実施形態でも、３個の支持部材７Ａ，７Ｂ，７Ｃのうち２個の支持部材のみにより第２プレート５を変位可能に構成してもよい。この場合、例えば加重モータ１４の作動により固定支持部材に対応した圧力測定部の測定圧力を設定圧力に一致させた後、残りの２個の支持部材を用いて第２プレート５を変位させることにより残りの２個の支持部材に対応した圧力測定部の測定圧力を設定圧力に一致させればよい。これにより、面内の圧力分布を均一にすることができる。
【００６７】
また、第２プレート５を変位可能に構成した支持部材を４個以上設けてもよい。この場合、支持部材の配設位置は、中心軸Ｊ回りに放射状に配置する限り任意である。
【００６８】
また、上記実施形態では、半導体基板に薄膜を転写する場合に限らず、電子部品材料関係であればマルチチップモジュール等の実装関係の基板や液晶関係の基板に薄膜を転写する場合にも適用できる。また、薄膜についても絶縁膜に限らず、金属系の薄膜を基板に転写してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などを含む基板に薄膜を形成する薄膜形成装置および薄膜形成方法に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】この発明にかかる薄膜形成装置の第１実施形態を示す図である。
【図２】リング体およびリング体を挟持する構成を説明するための断面図である。
【図３】図１の薄膜形成装置のＡ−Ａ’横断面図である。
【図４】図１の薄膜形成装置の要部断面図である。
【図５】図１の薄膜形成装置の動作を示すフローチャートである。
【図６】転写処理の動作を説明するための模式図である。
【図７】転写処理の動作を説明するための模式図である。
【図８】転写処理の動作を説明するための模式図である。
【図９】この発明の第２実施形態にかかる薄膜形成装置の要部を示す図である。
【図１０】図９の薄膜形成装置を制御するための部分的な制御構成を示すブロック図である。
【図１１】図９の薄膜形成装置の転写処理動作を示すフローチャートである。
【図１２】各支持部材における加圧状態および電圧印加状態を示すタイミングチャートである。
【図１３】第２回目の転写処理時の各支持部材における加圧状態および電圧印加状態を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００７１】
４…第１プレート
５…第２プレート
５ａ…上面（第２プレートの対向面）
６Ａ，６Ｂ，６Ｃ…支持部材
７Ａ，７Ｂ，７Ｃ…支持部材
１４…加重モータ（移動機構）
６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ…伸縮部
６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ…当接部（支持部位）
７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃ…圧力測定部（圧力測定手段）
Ｆ…シートフィルム（担持体）
Ｗ…基板
Ｚ…移動方向
【図１】
2008300414.tif 000003
【図２】
2008300414.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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