(57)【要約】【課題】製造時の透明導電性材料からなる共通電極のダメージを減らして曇りの発生を減少させ、明るい表示が得られる液晶表示パネルの製造方法及び液晶表示パネルを提供すること。【解決手段】本発明の液晶表示パネルの製造方法は、透明基板１１上に各画素毎に形成された透明導電性材料からなる共通電極１４と、前記共通電極１４上に形成された窒化珪素からなる絶縁膜１５と、前記共通電極１４上の絶縁膜の表面に形成された互いに平行に設けられた複数のスリット２０を有する画素電極２１と、を備える液晶表示パネル１０の製造に際し、前記窒化珪素からなる絶縁膜１５を複層構造とし、少なくとも最下層の窒化珪素からなる絶縁膜１５ａを共通電極１４に対して他の層の絶縁膜１５ｂよりも低ダメージ条件のプラズマＣＶＤ法により形成したこと特徴とする。【選択図】図２
2008304744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上の各画素に透明導電性材料からなる第１の電極を形成する工程と、前記第１
の電極の表面に窒化珪素からなる絶縁膜をプラズマ化学的気相成長法によって形成する工
程と、前記第１電極上の絶縁膜の表面に互いに平行に形成された複数のスリットを有する
第２の電極を形成する工程と、を備える液晶表示パネルの製造方法において、
前記窒化珪素からなる絶縁膜を形成する工程を複数回に分けて行い、少なくとも最初の
工程は前記第１の電極に対して他の工程よりも低ダメージ条件でプラズマ化学的気相成長
法により行うことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記最初の工程は他の工程よりも原料ガス中のＳｉＨ４の流量を低くしたことを特徴と
する請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記最初の工程は他の工程よりも成膜時の透明基板の温度を低くしたことを特徴とする
請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記最初の工程は他の工程よりもプラズマのパワーを低くしたことを特徴する請求項１
に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記最初の工程は他の工程よりも圧力を低くしたことを特徴する請求項１に記載の液晶
表示パネルの製造方法。
【請求項６】
透明基板上の各画素に透明導電性材料からなる第１の電極を形成する工程と、前記第１
の電極の表面にスイッチング素子としての薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を兼ねた窒化
珪素からなる絶縁膜をプラズマ化学的気相成長法によって形成する工程と、前記第１の電
極上の絶縁膜の上方に互いに平行に形成された複数のスリットを有する第２の電極を形成
する工程と、を備える液晶表示パネルの製造方法において、
前記窒化珪素からなる絶縁膜を形成する工程を２回に分けて行い、第１回目と第２回目
の工程においてプラズマ化学的気相成長条件を変えて行い、第１回目のプラズマ化学的気
相成長条件を前記第１の電極に対して第２回目よりも低ダメージ条件としたことを特徴と
する液晶表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記第１回目の工程は第２回目の工程よりも原料ガス中ＳｉＨ４の流量を低くしたこと
を特徴とする請求項６に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記第１回目の工程は第２回目の工程よりも成膜時の透明基板の温度を低くしたことを
特徴とする請求項６に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記第１回目の工程は第２回目の工程よりもプラズマのパワーを低くしたことを特徴す
る請求項６に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記第１回目の工程は第２回目の工程よりも圧力を低くしたことを特徴する請求項６に
記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
透明基板上の各画素に形成された透明導電性材料からなる第１の電極と、前記第１の電
極上に形成された窒化珪素からなる絶縁膜と、前記第１の電極上の絶縁膜の表面に形成さ
れた互いに平行に設けられた複数のスリットを有する第２の電極と、を備える液晶表示パ
ネルにおいて、
前記窒化珪素からなる絶縁膜は複層構造からなり、少なくとも最下層の窒化珪素からな
る絶縁膜は前記第１の電極に対して他の層よりも低ダメージ条件で形成されたものである
ことを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項１２】
前記最下層の窒化珪素からなる絶縁膜は厚さが１００Å〜２００Åであることを特徴と
する請求項１１に記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所謂フリンジフィールドスイッチング（Fringe Field Switching：以下、「
ＦＦＳ」という。）モードと呼ばれるような液晶表示パネル及びその製造方法に関し、特
に製造時の透明導電性材料からなる共通電極のダメージを減らして曇りの発生を減少させ
、明るい表示が得られる液晶表示パネルの製造方法及びこの製造方法により製造された液
晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、表面に電極等が形成された一対の透明基板と、この一対の基板間に挟
持された液晶層とを有し、両基板上の電極に電圧を印加することによって液晶を再配列さ
せて種々の情報を表示する縦方向電界方式のものが多く使用されている。このような縦方
向電界方式の液晶表示装置は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードのものが一般的であるが
、視野角が狭いという問題点が存在するため、ＶＡ（Vertical Alignment）モードやＭＶ
Ａ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等、種々の改良された縦方向電界方式の
液晶表示装置が開発されている。
【０００３】
一方、上述の縦方向電界方式の液晶表示装置とは異なり、一方の基板にのみ画素電極及
び共通電極からなる一対の電極を備えたＩＰＳ（In-Plane Switching）モードないしＦＦ
Ｓモードの液晶表示装置も知られている。
【０００４】
このうちＩＰＳモードの液晶表示装置は、一対の電極を同一層に配置し、液晶に印加す
る電界の方向を基板にほぼ平行な方向として液晶分子を基板に平行な方向に再配列するも
のである。そのため、このＩＰＳモードの液晶表示装置は、横方向電界方式の液晶表示装
置ともいわれ、前述の縦方向電界方式の液晶表示装置と比すると非常に広視野角であると
いう利点を有している。しかしながら、ＩＰＳモードの液晶表示装置は、液晶に電界を印
加するため一対の電極が同一層に設けられているため、画素電極の上側に位置する液晶分
子は十分に駆動されず、透過率等の低下を招いてしまうといった問題点が存在している。
【０００５】
このようなＩＰＳモードの液晶表示装置の問題点を解決するために、ＦＦＳモードの液
晶表示装置が開発されている（下記特許文献１及び２参照）。このＦＦＳモードの液晶表
示装置は液晶層に電界を印加するための画素電極と共通電極をそれぞれ絶縁膜を介して異
なる層に配置したものである。
【０００６】
このＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＩＰＳモードの液晶表示装置よりも広視野角かつ
高コントラストであり、更に低電圧駆動ができると共により高透過率であるため明るい表
示が可能となるという特徴を備えている。加えて、ＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＩＰ
Ｓモードの液晶表示装置よりも平面視で画素電極と共通電極との重複面積が大きいために
、より大きな保持容量が副次的に生じ、別途補助容量線を設ける必要がなくなるという長
所も存在している。
【特許文献１】特開２００１−２３５７６３号公報
【特許文献２】特開２００２−１８２２３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このＦＦＳモードの液晶表示パネルは、透明基板上にそれぞれの画素毎に形成された透
明導電性材料からなる共通電極と、この共通電極の表面に形成された窒化珪素からなる絶
縁膜と、この共通電極に対応する位置の絶縁膜の表面に形成された複数の互いに平行に形
成されたスリットを有する透明電極材料からなる画素電極と、を備えている。このうち、
透明電極材料からなる共通電極及び画素電極は、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）やＩＺＯ
（Indium Zink Oxide）から作成されている。また、共通電極の表面に形成される窒化珪
素からなる絶縁膜はプラズマ化学的気相成長法（以下、「プラズマＣＶＤ法」という。）
により形成されている。すなわち、原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ４）ガス、アンモニア
（ＮＨ３）ガス及び水素（Ｈ２）ガスを用い、これらの混合ガス中でプラズマ反応を起こ
させ、透明電極材料からなる共通電極上に窒化珪素膜からなる絶縁膜を形成している。
【０００８】
ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいては、共通電極、この共通電極上に形成された窒
化珪素からなる絶縁膜及び画素電極は、それぞれバックライトからの光を透過させるため
に高い透明性が要求される。しかしながら、透明基板上に形成された共通電極は、単独の
状態では良好な透明性を備えているが、この共通電極の表面に窒化珪素からなる絶縁膜を
形成すると共通電極の表面に析出物が生じて曇った状態となり、透明性が低下するものが
見受けられた。そして、この共通電極の表面の析出物を元素分析すると、インジウム金属
が主成分であることが見出された。
【０００９】
このような共通電極の表面に窒化珪素からなる絶縁膜を形成した際に析出物が形成され
た部分の模式断面図を図６に示す。
【００１０】
この窒化珪素膜からなる絶縁膜は次のようにして形成されている。すなわち、図６に示
すように、最初にガラス等からなる透明基板５１上に例えばスパッタリング法によりＩＴ
Ｏからなる共通電極５２が形成される。このとき得られた共通電極５２は、表面は平らで
あり、透明度も高い。次いで、この共通電極５２の表面に窒化珪素からなる絶縁膜５３を
形成する。この絶縁膜５３の形成は、透明基板５１の表面に原料ガスとして所定流量でＳ
ｉＨ４ガス、ＮＨ３ガス及びＨ２ガスを流し、透明基板５１の表面上にプラズマ５４を発
生させることによって行われる。
【００１１】
このプラズマ５４中では高エネルギーの各種励起分子ないし励起元素が発生し、この高
エネルギーの各種励起分子ないし励起元素が共通電極５２の表面に衝突して共通電極５２
の表面に窒化珪素からなる絶縁膜５３が形成される。このとき、共通電極５２の表面は、
衝突した高エネルギーの各種励起分子ないし励起元素によってダメージを受け、インジウ
ム元素に富んだ析出物５５の粒子が形成されるものと推定される。
【００１２】
発明者等は、共通電極５２の表面に窒化珪素からなる絶縁膜５３を形成する際、上述の
ようなインジウム元素に富んだ析出物５５の粒子が形成されない条件について種々探求を
続けた。その結果、最初に低ダメージ条件で薄い窒化珪素膜を形成した後、通常のプラズ
マＣＶＤ法によって所定厚さの窒化珪素膜を形成することにより上記条件を満たし得るこ
とを見出し、本発明を完成するに至ったのである。
【００１３】
すなわち、本発明は、ＦＦＳモードの液晶表示パネルの製造に際し、透明導電性材料か
らなる共通電極のダメージを減らして曇りの発生を減少させ、明るい表示が得られる液晶
表示パネルの製造方法及びこの製造方法で製造された液晶表示パネルを提供することを目
的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、透明基板上の各画素
に透明導電性材料からなる第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極の表面に窒化珪
素からなる絶縁膜をプラズマ化学的気相成長法によって形成する工程と、前記第１電極上
の絶縁膜の表面に互いに平行に形成された複数のスリットを有する第２の電極を形成する
工程と、を備える液晶表示パネルの製造方法において、前記窒化珪素からなる絶縁膜を形
成する工程を複数回に分けて行い、少なくとも最初の工程は前記第１の電極に対して他の
工程よりも低ダメージ条件でプラズマＣＶＤを行うことを特徴とする。
【００１５】
本発明の液晶表示パネルの製造方法においては、窒化珪素からなる絶縁膜を形成する工
程は複数回に分けて行い、少なくとも最初の工程は他の工程よりも第１の電極に対して低
ダメージ条件でプラズマＣＶＤを行うことが必要である。他の工程よりも第１の電極に対
して低ダメージ条件でプラズマＣＶＤ法による成膜を行うと、窒化珪素からなる絶縁膜の
形成時に第１の電極の表面が受けるダメージが少なくなるので、第１の電極の表面に析出
物粒子が形成されることが少なくなる。そのため、本発明の液晶表示パネルの製造方法に
よれば、第１の電極の曇りが少ない、透明度の高い液晶表示パネルを製造することができ
る。
【００１６】
また、本発明の液晶表示パネルの製造方法においては、前記最初の工程は他の工程より
も原料ガス中のＳｉＨ４の流量を低くして行うことができる。
【００１７】
このように、原料ガス中のＳｉＨ４の流量を低くすると、窒化珪素からなる絶縁膜の成
長速度が遅くなって相対的にプラズマＣＶＤ法による成膜条件が穏やかになる。そのため
、第１の電極の表面が受けるダメージが少なくなり、第１の電極の表面に析出物粒子が形
成されることが少なくなる。
【００１８】
また、本発明の液晶表示パネルの製造方法においては、前記最初の工程は他の工程より
も成膜時の透明基板の温度を低くして行うことができる。
【００１９】
このように、成膜時の透明基板の温度を低くしても、窒化珪素からなる絶縁膜の成長速
度が遅くなって相対的にプラズマＣＶＤ法による成膜条件が穏やかになる。そのため、第
１の電極の表面が受けるダメージが少なくなり、第１の電極の表面に析出物粒子が形成さ
れることが少なくなる。
【００２０】
また、本発明の液晶表示パネルの製造方法においては、前記最初の工程は他の工程より
もプラズマのパワーを低くして行うことができる。
【００２１】
このように、成膜時のプラズマのパワーを低くすると、プラズマＣＶＤ条件が穏やかに
なるので、第１の電極の表面が受けるダメージが少なくなり、第１の電極の表面に析出物
粒子が形成されることが少なくなる。
【００２２】
また、本発明の液晶表示パネルの製造方法においては、前記最初の工程は他の工程より
も圧力を低くして行うことができる。
【００２３】
このように、成膜時の圧力を低くすると、プラズマＣＶＤ条件が穏やかになるので、第
１電極の表面が受けるダメージが少なくなり、第１電極の表面に析出物粒子が形成される
ことが少なくなる。
【００２４】
更に、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、透明基板上の各画素に透明導電性材料か
らなる第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極の表面にスイッチング素子としての
薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を兼ねた窒化珪素からなる絶縁膜をプラズマＣＶＤ法に
よって形成する工程と、前記第１の電極上の絶縁膜の上方に互いに平行に形成された複数
のスリットを有する第２の電極を形成する工程と、を備える液晶表示パネルの製造方法に
おいて、前記窒化珪素からなる絶縁膜を形成する工程を２回に分けて行い、第１回目と第
２回目の工程においてプラズマＣＶＤ条件を変えて行い、第１回目のプラズマＣＶＤ条件
を前記第１の電極に対して第２回目よりも低ダメージ条件としたことを特徴とする。
【００２５】
本発明の液晶表示パネルの製造方法においては、ゲート絶縁膜として機能する窒化珪素
からなる絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により形成する工程を２回に分けて行い、少なくとも
第１回目のプラズマＣＶＤ条件を第１の電極に対して第２回目よりも低ダメージ条件とし
て行うことが必要である。第１回目のプラズマＣＶＤ条件を第１の電極に対して第２回目
よりも低ダメージ条件として窒化珪素からなる絶縁膜の成膜を行うと、第１の電極の表面
が受けるダメージが少なくなるので、第１の電極の表面に析出物粒子が形成されることが
少なくなる。そのため、本発明の液晶表示パネルの製造方法によれば、第１の電極の曇り
が少ない、透明度の高い液晶表示パネルを製造することができる。
【００２６】
また、本発明の液晶表示パネルの製造方法においては、前記第１回目の工程は第２回目
の工程よりも原料ガス中のＳｉＨ４の流量を低くして行うことができる。
【００２７】
このように、原料ガス中のＳｉＨ４の流量を低くすると、窒化珪素からなる絶縁膜の成
長速度が遅くなって相対的にプラズマＣＶＤ法による成膜条件が穏やかになる。そのため
、第１の電極の表面が受けるダメージが少なくなり、第１の電極の表面に析出物粒子が形
成されることが少なくなる。
【００２８】
また、本発明の液晶表示パネルの製造方法においては、前記第１回目の工程は第２回目
の工程よりも成膜時の透明基板の温度を低くして行うことができる。
【００２９】
このように、成膜時の透明基板の温度を低くしても、窒化珪素からなる絶縁膜の成長速
度が遅くなって相対的にプラズマＣＶＤ法による成膜条件が穏やかになる。そのため、第
１の電極の表面が受けるダメージが少なくなり、第１の電極の表面に析出物粒子が形成さ
れることが少なくなる。
【００３０】
また、本発明の液晶表示パネルの製造方法においては、前記第１回目の工程は第２回目
の工程よりもプラズマのパワーを低くして行うことができる。
【００３１】
このように、成膜時のプラズマのパワーを低くすると、プラズマＣＶＤ条件が穏やかに
なるので、第１の電極の表面が受けるダメージが少なくなり、第１の電極の表面に析出物
粒子が形成されることが少なくなる。
【００３２】
また、本発明の液晶表示パネルの製造方法においては、前記第１回目の工程は第２回目
の工程よりも圧力を低くして行うことができる。
【００３３】
このように、成膜時の圧力を低くすると、プラズマＣＶＤ条件が穏やかになるので、第
１電極の表面が受けるダメージが少なくなり、第１電極の表面に析出物粒子が形成される
ことが少なくなる。
【００３４】
更に、本発明の液晶表示パネルは、透明基板上の各画素に形成された透明導電性材料か
らなる第１の電極と、前記第１の電極上に形成された窒化珪素からなる絶縁膜と、前記第
１の電極上の絶縁膜の表面に形成された互いに平行に設けられた複数のスリットを有する
第２の電極と、を備える液晶表示パネルにおいて、前記窒化珪素からなる絶縁膜は複層構
造からなり、少なくとも最下層の窒化珪素からなる絶縁膜は前記第１の電極に対して他の
層よりも低ダメージ条件で形成されたものであることを特徴とする
【００３５】
本発明においては、透明導電性材料からなる第１の電極上に形成される窒化珪素からな
る絶縁膜は、複層構造からなり、少なくとも最下層の絶縁膜は前記第１の電極に対して他
の層よりも低ダメージ条件で形成されたものであることが必要である。第１の電極は例え
ばＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電性材料から形成されるが、この第１の電極の表面に接して
いる最下層の窒化珪素膜が他の層よりも低ダメージ条件で形成されていれば、第１の電極
の表面に析出物粒子が形成されることが少なくなる。そのため、本発明の液晶表示パネル
は、第１の電極の曇りが少ない（ヘイズ値が小さい）、透明度の高い液晶表示パネルとな
る。
【００３６】
なお、最下層の窒化珪素膜は、前記第１の電極に対して他の層よりも低ダメージ条件で
形成されているため、乾式エッチングすると他の層よりもエッチングされやすくなるので
、物理的な区別を付けることが可能となる。
【００３７】
本発明の液晶表示パネルにおいては、前記最下層の窒化珪素からなる絶縁膜は厚さが１
００Å〜２００Åであることが好ましい。
【００３８】
最下層の窒化珪素からなる絶縁膜は、他の層よりも低ダメージ条件で形成されているた
め、より激しい条件で形成された他の層よりもエッチングされやすくなる。そのため、最
下層の窒化珪素からなる絶縁膜の厚さが厚いとアンダーカットされやすくなるので、最下
層の窒化珪素からなる絶縁膜の厚さの上限は２００Åとすることが好ましい。また、最下
層の窒化珪素からなる絶縁膜の厚さが１００Å未満であると、第１の電極の表面の保護効
果が表れない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、実施例及び図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を説明する。しか
しながら、以下に示す実施例は、本発明をここに記載したものに限定することを意図する
ものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更
を行ったものにも均しく適用し得るものである。
【００４０】
なお、図１は実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置のアレイ基板の２画素分の概略平面
図である。図２は図１のII−II線に沿った概略断面図である。図３は図１のIII−III線に
沿った概略断面図である。図４は実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置のアレイ基板の製
造工程を順を追って示す図１のII−II線に沿った部分の断面図である。また、図５Ａは複
層構造の窒化珪素層からなるゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成した際のコンタクト
ホール部分の電子顕微鏡写真であり、図５Ｂは図５Ａの模式的な線画である。
【実施例１】
【００４１】
この実施例のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０の構成を製造工程順に図１〜図３を用
いて説明する。このＦＦＳモードの液晶表示パネル１０のアレイ基板ＡＲは、ガラス基板
等の透明基板１１の表面全体に亘って下部がＡｌ金属からなり、表面がＭｏ金属からなる
２層膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、Ｍｏ／Ａｌの
２層配線からなる複数の走査線１２及び複数のコモン配線１３を互いに平行になるように
形成する（図４Ａ）。アルミニウムは抵抗値が小さいという長所を持っているが、その反
面、腐食しやすい、ＩＴＯとの接触抵抗が高いなどの欠点があるため、アルミニウムをモ
リブデンで覆った多層構造にすることでそうした欠点を改善できる。なお、ここではコモ
ン配線１３を走査線１２に沿って設けた例を示したが、隣り合う走査線１２の中間に設け
てもよい。
【００４２】
次いで、走査線１２及びコモン配線１３を形成した透明基板１１の表面全体に亘って例
えばＩＴＯからなる透明導電性層を被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチン
グ法によって第１の電極となる共通電極１４を形成する（図４Ｂ）。この共通電極１４は
コモン配線１３とは電気的に接続されているが、走査線１２ないしゲート電極Ｇとは接続
されていない。
【００４３】
更に、この表面全体に、プラズマＣＶＤ法によって２層の窒化硅素層１５ａ及び１５ｂ
からなるゲート絶縁膜１５を被覆する（図４Ｃ、図４Ｄ）。このゲート絶縁膜１５の詳細
については後述する。
【００４４】
次いで、ＣＶＤ法によりたとえばアモルファス・シリコン（以下「ａ−Ｓｉ」という。
）層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層をゲート絶縁膜１５の表面全体に亘って被覆した後に、同じくフ
ォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、ＴＦＴ形成領域にａ−Ｓｉ層及びｎ＋
ａ−Ｓｉ層からなる半導体層１６を形成する。この半導体層１６が形成されている位置の
走査線１２の領域がＴＦＴのゲート電極Ｇを形成する。
【００４５】
次いで、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造の導電性層を半導体層１６を形成した透明
基板１１の表面全体に亘って被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法に
よって、信号線１７及びドレイン電極Ｄを形成する（図４Ｅ）。この信号線１７のソース
電極Ｓ部分及びドレイン電極Ｄ部分は、いずれも半導体層１６の表面に部分的に重なって
いる。
【００４６】
更に、この基板の表面全体に窒化硅素層からなる絶縁膜１８を被覆した後、ドレイン電
極Ｄに対応する位置の絶縁膜１８にコンタクトホール１９を形成してドレイン電極Ｄの一
部を露出させる（図４Ｇ）。次いで、この表面全体に亘って例えばＩＴＯからなる透明導
電性層を被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、図１に示し
たパターンとなるように、走査線１２及び信号線１７で囲まれた領域の絶縁膜１８上に、
互いに平行にフリンジフィールド効果を発生させるための複数のスリット２０を有する画
素電極２１を形成する（図４Ｈ）。この画素電極２１は、第２の電極であり、コンタクト
ホール１９を介してドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。
【００４７】
更に、この表面全体に亘り所定の配向膜（図示せず）を形成することによりアレイ基板
ＡＲが完成される。そして、このようにして製造されたアレイ基板ＡＲと別途製造された
カラーフィルタ基板とを対向させ、周囲をシール材でシールして両基板間に液晶を注入す
ることにより実施例に係るＦＦＳモードの液晶表示パネル１０が得られる。なお、カラー
フィルタ基板は、図示省略したが、ガラス基板等の透明基板の表面に順次カラーフィルタ
層、オーバーコート層及び配向膜が設けられており、共通電極が設けられていない外は従
来のＴＮ（Twisted Nematic）方式の液晶表示パネル用のものと実質的に同一の構成を備
えている。
【００４８】
次に、本発明の特徴点である２層の窒化硅素層１５ａ及び１５ｂからなるゲート絶縁膜
１５について説明する。このゲート絶縁膜１５は、原料ガスとして所定流量でＳｉＨ４ガ
ス、ＮＨ３ガス及びＨ２ガスを流し、ＩＴＯ等からなる共通電極１４が形成された透明基
板１１の表面上にプラズマを発生させ、プラズマＣＶＤ法によって形成される。このプラ
ズマＣＶＤ法による窒化珪素膜の成膜時の最適なＳｉＨ４ガス、ＮＨ３ガス及びＨ２ガス
の流量、圧力、基板温度、プラズマ発生に使用する電力等の成膜条件は、プラズマＣＶＤ
装置の大きさ、基板の大きさ、要求される成長速度等によって種々変化する。そのため、
最適な成膜条件は、それぞれのプラズマＣＶＤ装置毎に実験的に決定されており、各種の
プラズマＣＶＤ装置に共通する統一的な基準となる成膜条件は存在しない。そこで、以下
では使用されるプラズマＣＶＤ装置において、窒化珪素膜形成時に普通に採用されている
成膜条件を「通常の成膜条件」と称することにする。
【００４９】
本実施例のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０においては、ＩＴＯ等の透明導電性材料
からなる共通電極１４の表面に窒化珪素からなる絶縁膜が第１回目の工程として形成され
る。このときの成膜条件を通常の成膜条件とすると、図６に示したように、インジウム元
素に富んだ析出物５５の粒子が形成され、共通電極１４に曇りが生じ（ヘイズ値が大きく
なる）、共通電極１４の透明度が低くなってしまうことがある。そこで、本発明では窒化
珪素層からなるゲート絶縁膜１５を複層構造のものとし、共通電極１４に直接成膜される
最下層の窒化珪素層１５ａを通常の成膜条件よりも穏やかな成膜条件で形成することとし
た。
【００５０】
このように、共通電極１４に直接成膜される最下層の窒化珪素層１５ａを通常の成膜条
件よりも穏やかな成膜条件で形成すると、下層の共通電極１４に与えるダメージを少なく
することができるから、図６に示したようなインジウム元素に富んだ析出物５５の粒子の
形成を大幅に減少させることができる。このような通常の成膜条件よりも穏やかな成膜条
件としては、通常の成膜条件よりも原料ガス中のＳｉＨ４の流量を低くして行うこと、通
常の成膜条件よりも成膜時の透明基板の温度を低くして行うこと、通常の成膜条件よりも
プラズマのパワーを低くして行うこと等が採用できる。これらのうちの何れを採用しても
、窒化珪素膜の成膜速度が遅くなり、共通電極１４が受けるダメージが小さくなるので、
図６に示したようなインジウム元素に富んだ析出物５５の粒子の形成を大幅に減少させる
ことができる。そして、一旦最下層の窒化珪素層１５ａを所定厚さに形成した後は、第２
回目の工程として通常の成膜条件で窒化珪素層１５ｂを形成することができる。
【００５１】
この第１回目の工程で形成された最下層の窒化珪素層１５ａの厚さは、１００Å以上で
あればインジウムに富んだ析出物の粒子の形成を抑制できる。しかしながら、このような
穏やかな成膜条件で成膜された最下層の窒化珪素層１５ａは、第２回目の工程で通常の成
膜条件で成膜された窒化珪素層１５ｂよりもエッチングされやすい性質を有している。そ
のため、例えばゲート絶縁膜１５に共通電極１４と直接電気的コンタクトを取るためにコ
ンタクトホールを形成した際（具体的には、本願の出願人の先願である、特願２００６−
２１６５１０号における、走査線上の絶縁膜の表面に共通電極と電気的に接続するシール
ド電極を形成した際の、共通電極とシールド電極とをつなぐコンタクトホールなど）、最
下層の窒化珪素層１５ａの厚さが厚すぎると最下層の窒化珪素層１５ａがその表面の窒化
珪素層１５ｂよりも過大にエッチングされてアンダーカットと呼ばれるような、逆テーパ
ー形状の侵食が生じてしまう。この最下層の窒化珪素層１５ａにアンダーカットが生じた
状態を図５を用いて説明する。
【００５２】
なお、図５Ａは上述のような複層構造の窒化珪素層１５ａ、１５ｂからなるゲート絶縁
膜１５にコンタクトホールＣＨを形成した際のコンタクトホールＣＨ部分の電子顕微鏡写
真であり、図５Ｂは図５Ａの模式的な線画である。
【００５３】
図５Ａ及び図５Ｂに示すように、上述のような複層構造の窒化珪素層１５ａ、１５ｂか
らなるゲート絶縁膜１５の表面からＳＦ６／Ｏ２（例えば流量７０／１８０ｓｃｃｍ）の
混合ガスを用いてプラズマエッチングすることによりコンタクトホールＣＨを形成すると
、下層の窒化珪素層１５ａの膜厚が厚い場合、下層の窒化珪素層１５ａが余分にエッチン
グされてアンダーカットＵＣ部分が生じている。このアンダーカットＵＣ部分が生じてい
ると、コンタクトホールＣＨ部分を透明導電性材料で被覆した際にアンダーカットＵＣ部
分で膜切れする可能性がある。
【００５４】
そのため、このようなアンダーカットＵＣ部分が生じ難くするために、下層の窒化珪素
層１５ａの厚さは、３００Å以下とすることが好ましい。インジウムに富んだ析出物の粒
子の抑制効果とアンダーカットの抑制効果の両者を考慮したより好ましい下層の窒化珪素
層の厚さは、１００Å以上２００Å以下である。
【００５５】
なお、上記実施例では共通電極としてＩＴＯを用いた例を示したが、ＩＺＯを用いても
同様の作用・効果を奏する。また、上記実施例では窒化珪素層からなる絶縁膜１５として
２層構造のものを示したが、少なくとも最下層窒化珪素層１５ａが通常の成膜条件よりも
穏やかな成膜条件、すなわち、共通電極に対してダメージが低い成膜条件で形成されてい
れば、３層以上のものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置のアレイ基板の２画素分の概略平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿った概略断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿った概略断面図である。
【図４】実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置のアレイ基板の製造工程を順を追って示す図１のII−II線に沿った部分の断面図である。
【図５】図５Ａは複層構造の窒化珪素層からなるゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成した際のコンタクトホール部分の電子顕微鏡写真であり、図５Ｂは図５Ａの模式的な線画である。
【図６】共通電極の表面に窒化珪素からなる絶縁膜を形成した際に析出物が形成された部分の模式断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０：ＦＦＳモードの液晶表示パネル  １１：透明基板  １２：走査線  １３：コモン
配線  １４：共通電極  １５：ゲート絶縁膜  １５ａ、１５ｂ：窒化硅素層  １６：半導
体層  １７：信号線  １８：絶縁膜  １９：コンタクトホール  ２０：スリット  ２１：
画素電極  ＡＲ：アレイ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図５】
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