(57)【要約】【課題】表面に硬質離型層を有する中間転写体を用いる場合であっても、中抜けの発生を抑制する画像形成装置を提供すること。【解決手段】表面に硬質離型層を有し、該硬質離型層上に潜像担持体２から一次転写されたトナー像を担持し、担持したトナー像を被転写物６に二次転写させる中間転写体３を備えた画像形成装置であって、中間転写体表面の表面自由エネルギーの分散力成分値γｓｄ（ｉｔｍ）と、潜像担持体表面の表面自由エネルギーの分散力成分値γｓｄ（ｐｃ）との差Δγｓｄを、下記式；Δγｓｄ＝γｓｄ（ｐｃ）−γｓｄ（ｉｔｍ）で表したとき、Δγｓｄの値が５ｍＮ／ｍ以下である画像形成装置。【選択図】図１
2008304738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に硬質離型層を有し、該硬質離型層上に潜像担持体から一次転写されたトナー像を担持し、担持したトナー像を被転写物に二次転写させる中間転写体を備えた画像形成装置であって、
中間転写体表面の表面自由エネルギーの分散力成分値γｓｄ（ｉｔｍ）と、潜像担持体表面の表面自由エネルギーの分散力成分値γｓｄ（ｐｃ）との差Δγｓｄを、下記式；
Δγｓｄ＝γｓｄ（ｐｃ）−γｓｄ（ｉｔｍ）
で表したとき、Δγｓｄの値が５ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
中間転写体表面の表面自由エネルギーの分散力成分値γｓｄ（ｉｔｍ）が３７ｍＮ／ｍ以上である請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
硬質離型層が無機酸化物層または硬質炭素含有層である請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
中間転写体がシームレスベルト形状を有する請求項１〜３のいずれかに記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モノクロ／フルカラーの複写機、プリンタ、ＦＡＸおよびそれらの複合機などの画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
中間転写方式の画像形成装置では、潜像担持体上に形成された各色トナー像をそれぞれ一次転写し、中間転写体上で重ね合わせたのち、一括して被転写物に二次転写させる。そのような画像形成装置では、二次転写する際に中間転写体上に少量のトナーが残留する。
【０００３】
そこで二次転写率を向上させるために、中間転写体表面に硬質離型層を設け、トナーに対する離型性を向上させることが考えられる。しかしながら、そのような画像形成装置では、二次転写効率は向上するものの、潜像担持体上に形成されたトナー像を中間転写体上に一次転写する際、トナー像が潜像担持体と中間転写体とに挟み込まれ、押圧力を受けることで、凝集し、中抜けが発生することが新たな問題となっている。詳しくは、中間転写体表面の硬質離型層はトナーを離れ易くするために形成されるので、一次転写時の押圧力によって凝集したトナーの一部は、離型性の高い中間転写体よりも潜像担持体の方に付着・残留し、一次転写されない。特に、押圧力が高まりトナー凝集力が増加する文字画像や細線画像の中央部において中抜けの発生が顕著になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、表面に硬質離型層を有する中間転写体を用いる場合であっても、中抜けの発生を抑制する画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、表面に硬質離型層を有し、該硬質離型層上に潜像担持体から一次転写されたトナー像を担持し、担持したトナー像を被転写物に二次転写させる中間転写体を備えた画像形成装置であって、
中間転写体表面の表面自由エネルギーの分散力成分値γｓｄ（ｉｔｍ）と、潜像担持体表面の表面自由エネルギーの分散力成分値γｓｄ（ｐｃ）との差Δγｓｄを、下記式；
Δγｓｄ＝γｓｄ（ｐｃ）−γｓｄ（ｉｔｍ）
で表したとき、Δγｓｄの値が５ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とする画像形成装置に関する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の画像形成装置によれば、二次転写率および画像品質を向上させるために表面に離型性の高い硬質離型層を設けた中間転写体を用いた場合でも、印字画像の中抜け発生を抑制できる。しかも、中間転写体表面の表面自由エネルギーの分散力成分値γｓｄ（ｉｔｍ）を所定範囲とすることによりクリーニング性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明に係る画像形成装置は、潜像担持体から一次転写されたトナー像を担持し、担持したトナー像を被転写物に二次転写させる中間転写体を備えたものである。以下、本発明の画像形成装置を、潜像担持体上にトナー像を形成する各色の現像部ごとに潜像担持体を有するタンデム型フルカラー画像形成装置を例に挙げて説明するが、他の構造のものであってよく、例えば、１つの潜像担持体に対して各色の現像部を有する４サイクル型フルカラー画像形成装置であってもよい。
【０００８】
図１は、本発明の画像形成装置の一例の概略構成図である。図１のタンデム型フルカラー画像形成装置において、各現像部（１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ）では通常、潜像担持体（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ）の周りに、少なくとも帯電装置、露光装置、現像装置およびクリーニング装置（いずれの装置も図示せず）等が配置されている。そのような現像部（１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ）は、少なくとも２つの張架ローラ（１０，１１）によって張架された中間転写体３に並列して配置されている。各現像部で潜像担持体（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ）の表面に形成されたトナー像はそれぞれ、一次転写ローラ（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）を用いて中間転写体３に一次転写され、当該中間転写体上で重ねられてフルカラー画像が形成される。中間転写体３の表面に転写されたフルカラー画像は二次転写ローラ５を用いて一括して紙等の被転写物６に二次転写された後、定着装置（図示せず）を通過させて、被転写物上にフルカラー画像を得る。一方、中間転写体上に残留した転写残トナーはクリーニング装置７によって除去されるようになっている。
【０００９】
潜像担持体（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ）は、表面に形成された静電潜像に基づいてトナー像が形成される、いわゆる感光体である。潜像担持体は、表面の表面自由エネルギーの分散力成分値γｓｄ（ｐｃ）が、中間転写体表面の表面自由エネルギーの分散力成分値γｓｄ（ｉｔｍ）との間で後述する差を有する限り特に制限されず、例えば、感光層が有機系のものであっても、無機系のものであってもよい。潜像担持体は、通常、γｓｄ（ｐｃ）が３０〜４５ｍＮ／ｍのものが使用され、特に３２〜４２ｍＮ／ｍが好ましい。
【００１０】
γｓｄ（ｐｃ）は、潜像担持体表面に脂肪酸金属塩を塗布すること、その塗布量を調整すること、表面層にＰＴＦＥ樹脂微粒子を分散させること等によって制御可能である。
例えば、脂肪酸金属塩を塗布することによって、γｓｄ（ｐｃ）は小さくなる。
また例えば、脂肪酸金属塩の塗布量を多くすると、γｓｄ（ｐｃ）は小さくなり、一方で当該塗布量を少なくすると、γｓｄ（ｐｃ）は大きくなる。
また例えば、潜像担持体表面層にＰＴＦＥ微粒子を分散させるとγｓｄ（ｐｃ）は小さくなる。ＰＴＦＥの量を増やせばγｓｄ（ｐｃ）は小さくなり、減らすと大きくなる。
【００１１】
γｓｄ（ｐｃ）は潜像担持体表面の表面自由エネルギーの分散力成分値であり、以下の方法によって測定された値を用いている。液体試料として純水、ヨウ化メチレンおよび１−ブロモナフタレンを使用し、全自動接触角計（ＣＡ−Ｗ１５０；協和界面科学（株）製）により液滴法にて潜像担持体表面に対する接触角を測定する。表面自由エネルギー解析ソフトウェア（ＥＧ−１１；協和界面科学（株）製）により拡張Ｆｏｗｋｅｓの式に基づいて表面自由エネルギーγｓｄを得る。
【００１２】
本発明において中間転写体３は表面に硬質離型層を有するものであり、その表面自由エネルギーの分散力成分値γｓｄ（ｉｔｍ）と上記γｓｄ（ｐｃ）との差Δγｓｄを、下記式；
Δγｓｄ＝γｓｄ（ｐｃ）−γｓｄ（ｉｔｍ）
で表したとき、Δγｓｄの値が５ｍＮ／ｍ以下である。中間転写体のトナー離型性と一次転写時の中抜け防止特性とをより一層向上させる観点から、Δγｓｄは−１５〜５ｍＮ／ｍ、特に−１０〜４ｍＮ／ｍであることが好ましい。Δγｓｄを上記範囲内とすることにより、硬質離型層を設けた中間転写体を用いた場合でも、印字画像の中抜け発生を有効に抑制できる。表面自由エネルギーは、一般に、分散力成分値γｓｄ、双極子力成分値γｓｐおよび水素結合成分値γｓｈの和γｓによって論じられることが多く、例えば、表面にトナーに対する離型性の高い層を有する中間転写体を使用した場合、表面自由エネルギーの和γｓについて、下記式；
Δγｓ＝γｓ（ｐｃ）−γｓ（ｉｔｍ）
（式中、γｓ（ｐｃ）は潜像担持体の表面自由エネルギーの和であり、γｓ（ｉｔｍ）は中間転写体の表面自由エネルギーの和である）で表されるΔγｓが小さいほど、理論的には中抜けは発生し難いが、実際にはΔγｓが比較的小さいものであっても、中抜けが発生する。本発明においては、表面自由エネルギーの分散力成分値についての上記差Δγｓｄを上記範囲内とすることにより、硬質離型層を設けた中間転写体を用いた場合でも、印字画像の中抜け発生を有効に抑制できる。
【００１３】
Δγｓｄを規定することにより中抜け発生を有効に抑制できる現象の詳細は明らかではないが、後述の実験によって明確に示された。中抜けには、トナーに対する潜像担持体表面と中間転写体表面の離型性のバランス、つまりトナーと各表面との相互作用のバランスが影響している。トナーは一般に樹脂等からなり適切な帯電特性等の物性を有しているが、後述の実験では、このようなトナーと各表面に対する相互作用について、Δγｓｄとの相関性が高く、Δγｓとの相関性が必ずしも高くないという結果が示されたのである。
【００１４】
γｓｄ（ｉｔｍ）は、Δγｓｄが上記範囲内である限り、特に制限されず、通常は３０〜５０ｍＮ／ｍ、特に３５〜４５ｍＮ／ｍ、好ましくは３７〜４５ｍＮ／ｍである。γｓｄ（ｉｔｍ）が３７ｍＮ／ｍ以上であると、中間転写体のクリーニング性が向上する。γｓｄ（ｉｔｍ）が大きすぎると、中間転写体とクリーニングブレード（特にウレタンゴム製のもの）とが馴染み易くなり、両者間の摩擦力が比較的高くなるためである。
【００１５】
γｓｄ（ｉｔｍ）、例えば、後述のプラズマＣＶＤにより硬質離型層を形成する場合には、製膜時の原料供給量を減らすことによりγｓｄ（ｉｔｍ）は小さくなり、逆に増やすことによりγｓｄ（ｉｔｍ）は大きくなる。
また、例えば、硬質離型層の表面にさらにフッ素コーティングを施すことによりγｓｄ（ｉｔｍ）は小さくなる。さらにフッ素を含有する塗布液を塗布してフッ素コーティングを行う場合には、塗布液の濃度によりγｓｄ（ｉｔｍ）を調整することができ、塗布液の濃度を多くするほどγｓｄ（ｉｔｍ）は小さくなる。
【００１６】
γｓｄ（ｉｔｍ）は中間転写体表面の表面自由エネルギーの分散力成分値であり、中間転写体表面に対する接触角を測定すること以外、γｓｄ（ｐｃ）と同様の測定方法によって測定された値を用いている。
【００１７】
図１において中間転写体３として中間転写ベルトが示されているが、これに制限されるものではなく、例えば、いわゆる中間転写ドラムであってもよい。
【００１８】
中間転写体３がシームレスベルト形状を有するときを例に取り、本発明の中間転写体について説明する。図２は、中間転写ベルト３の層構成を示す概念断面図である。
【００１９】
中間転写ベルト３は少なくとも基材３１および当該基材３１の表面に形成された硬質離型層３２を有している。
【００２０】
基材３１は、特に限定されないが、表面抵抗率が１０６〜１０１２Ω／□オーダーのシームレスベルトあり、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）；ポリイミド（ＰＩ）；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミドイミド（ＰＡＩ）；ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）等のフッ素系樹脂；ポリウレタン等のウレタン系樹脂；ポリアミドイミド等のポリアミド系樹脂等の樹脂材料、またはエチレン−プロピレン−ジエンゴム（ＥＰＤＭ）；ニトリル−ブタジエンゴム（ＮＢＲ）；クロロプレンゴム（ＣＲ）；シリコンゴム；ウレタンゴム等のゴム材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりしたものが用いられる。基材の厚みは通常、樹脂材料の場合は５０〜２００μｍ程度、ゴム材料の場合は３００〜７００μｍ程度に設定される。
【００２１】
中間転写ベルト３は基材３１と硬質離型層３２との間に他の層を有しても良く、硬質離型層３２は最外表層に位置される。
【００２２】
基材３１は、硬質離型層３２の積層前にプラズマ、火炎、紫外線照射等の公知の表面処理方法により、表面を前処理されても良い。
【００２３】
硬質離型層３２はトナーに対して離型性を示す硬質なものであって、当該表面の表面自由エネルギーの分散力成分値γｓｄ（ｉｔｍ）が、潜像担持体表面の表面自由エネルギーの分散力成分値γｓｄ（ｐｃ）との間で上記差を有するものである。そのような硬質離型層３２の具体例として、例えば無機酸化物層および硬質炭素含有層等が挙げられる。硬質離型層３２の硬度は通常は３ＧＰａ以上、特に３〜１１ＧＰａである。
【００２４】
本明細書中、硬度はナノインデンテーション法により測定される硬度であり、NANO Indenter XP/DCM（MTS Systems社/MTS NANO Instruments社製）を用いて測定された値を用いている。
【００２５】
前述のように、表面自由エネルギーは、γｓｄ、γｓｈおよびγｓｐの和γｓで論じられることが多いが、本発明は、γｓｄに着目することによって、より適切に印字画像の中抜け発生を有効に抑制できる条件を見出したものである。中間転写体の表面にあたる硬質離型層の材料として無機酸化物を用いた場合のように、γｓｈが２５〜３５ｍＮ／ｍのような大きい値をとるときには、Δγｓと中抜け特性の相関性が特に低くなり、潜像担持体表面と中間転写体表面の表面自由エネルギーに関して適切な条件を得ることができない。すなわち、γｓｈが上記範囲にあるときには特に本発明が有効になる。
【００２６】
γｓｈ（ｉｔｍ）はγｓｄ（ｉｔｍ）と同様の測定方法によって測定できる。
【００２７】
無機酸化物層は厚さ１０〜１０００ｎｍで、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２から選ばれる少なくとも１つの酸化物を含むものが好ましく、特にＳｉＯ２が好ましい。無機酸化物層は少なくとも放電ガスと無機酸化物層の原料ガスとの混合ガスをプラズマ化して原料ガスに応じた膜を堆積・形成するプラズマＣＶＤ、特に大気圧または大気圧近傍下において行われるプラズマＣＶＤにより形成することが好ましい。
【００２８】
以下に、珪素酸化物（ＳｉＯ２）を用いた無機酸化物層を大気圧プラズマＣＶＤにより形成する場合を例に取り、その製造装置及び製造方法について説明する。大気圧またはその近傍の圧力とは２０ｋＰａ〜１１０ｋＰａ程度であり、本発明に記載の良好な効果を得るためには、９３ｋＰａ〜１０４ｋＰａが好ましい。
【００２９】
図３は、無機酸化物層を製造する製造装置の説明図である。無機酸化物層の製造装置４０は、放電空間と薄膜堆積領域が略同一部で、プラズマを基材に晒して堆積・形成するダイレクト方式によって、基材上に無機酸化物層を形成するものであり、エンドレスベルト状の基材３１を巻架して矢印方向に回転するロール電極５０と従動ローラ６０、及び、基材表面に無機酸化物層を形成する成膜装置である大気圧プラズマＣＶＤ装置７０より構成されている。
【００３０】
大気圧プラズマＣＶＤ装置７０は、ロール電極５０の外周に沿って配列された少なくとも１式の固定電極７１と、固定電極７１とロール電極５０との対向領域で且つ放電が行われる放電空間７３と、少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間７３に混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置７４と、放電空間７３等に空気の流入することを軽減する放電容器７９と、固定電極７１に接続された第１の電源７５と、ロール電極５０に接続された第２の電源７６と、使用済みの排ガスＧ’を排気する排気部７８とを有している。固定電極７１に第２の電源７６、ロール電極５０に第１の電源７５を接続しても良い。
【００３１】
混合ガス供給装置７４は珪素酸化物を含む膜を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間７３に供給する。
従動ローラ６０は張力付勢手段６１により矢印方向に付勢され、基材３１に所定の張力を掛けている。張力付勢手段６１は基材３１の掛け替え時等は張力の付勢を解除し、容易に基材３１の掛け替え等を可能としている。
【００３２】
第１の電源７５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源７６は周波数ω１より高い周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間７３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化して混合ガスＧに含まれる原料ガスに応じた膜（無機酸化物層）が基材３１の表面に堆積される。
【００３３】
他の形態として、ロール電極５０と固定電極７１との内、一方の電極をアースに接続して、他方の電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが、緻密な薄膜形成を行えるので好ましく、特に放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましく用いられる。
【００３４】
複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向下流側に位置する複数の固定電極と混合ガス供給装置で無機酸化物層を積み重ねるように堆積し、無機酸化物層の厚さを調整するようにしても良い。
【００３５】
複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向最下流側に位置する固定電極と混合ガス供給装置で無機酸化物層を堆積し、より上流に位置する他の固定電極と混合ガス供給装置で、例えば無機酸化物層と基材との接着性を向上させる接着層等、他の層を形成しても良い。
【００３６】
無機酸化物層と基材との接着性を向上させるために、無機酸化物層を形成する固定電極と混合ガス供給装置の上流に、アルゴンや酸素或いは水素などのガスを供給するガス供給装置と固定電極を設けてプラズマ処理を行い、基材の表面を活性化させるようにしても良い。
【００３７】
硬質離型層３２としての硬質炭素含有層の具体例としては、例えば、アモルファスカーボン膜、水素化アモルファスカーボン膜、四面体アモルファスカーボン膜、窒素含有アモルファスカーボン膜、および金属含有アモルファスカーボン膜等が挙げられる。硬質炭素含有層の厚みは無機酸化物層と同様の厚さが好ましい。
【００３８】
硬質炭素含有層は、上記した無機酸化物層の製造方法と同様の方法により製造可能であり、すなわち、少なくとも放電ガスと原料ガスとの混合ガスをプラズマ化して原料ガスに応じた膜を堆積・形成するプラズマＣＶＤ、特に大気圧または大気圧近傍下において行われるプラズマＣＶＤにより製造可能である。
【００３９】
硬質炭素含有層を形成するための原料ガスとしては、常温で気体または液体の有機化合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。これら原料における相状態は常温常圧において必ずしも気相である必要はなく、混合ガス供給装置で加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能である。原料ガスとしての炭化水素ガスについては、例えば、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ８、Ｃ４Ｈ１０等のパラフィン系炭化水素、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ４等のアセチレン系炭化水素、オレフィン系炭化水素、ジオレフィン系炭化水素、さらには芳香族炭化水素などの炭化水素を少なくとも含むガスが使用可能である。さらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケトン類、エーテル類、エステル類、ＣＯ、ＣＯ２等少なくとも炭素元素を含む化合物であれば使用可能である。
【００４０】
そのような中間転写体３と潜像担持体２とはニップ部（接触部）を形成し、その結果、中間転写体３は潜像担持体２を押圧するので、一次転写ローラ４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）に所定の電圧が印加されるなどすると、潜像担持体上のトナー像が転写され、自己の表面に担持する。
【００４１】
クリーニング装置７は、中間転写体表面の残留トナーを除去できる限り特に制限されず、例えば、クリーニングブレード、クリーニングブラシ等が挙げられ、クリーニングブレードが好ましい。
クリーニングブレードはいかなる材料からなっていてよく、例えば、ウレタンゴム等からなる。本発明における中間転写体との組み合わせにおいて、クリーニングブレードはウレタンゴムからなることが好ましい。
【００４２】
本発明の画像形成装置が有する他の部材・装置、例えば、一次転写ローラ４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）、二次転写ローラ５、張架ローラ（１０，１１）、帯電装置、露光装置、現像装置および潜像担持体用クリーニング装置は特に制限されず、従来より画像形成装置に使用されている公知のものが使用可能である。
【００４３】
例えば現像装置は、トナーのみを用いる一成分現像方式を採用したものであってもよいし、またはトナーとキャリアを用いる二成分現像方式を採用したものであってもよい。
【００４４】
トナーは、重合法等の湿式法で製造されたトナー粒子を含むものであってもよいし、または粉砕法（乾式法）で製造されたトナー粒子を含むものであってもよい。
トナーの平均粒径は特に制限されるものではなく、７μｍ以下、特に４．５μｍ〜６．５μｍが好ましい。トナーの平均円形度は０．９１０〜０．９８５、特に０．９６０〜０．９８０が好ましい。トナーは平均粒径が小さいほど、また平均円形度が低いほど、中抜けが発生し易いが、本発明ではそのような粒径および平均円形度であっても、中抜けを有効に防止できる。
【００４５】
トナーの平均粒径はイースパートアナライザ（ホソカワミクロン社製）によって測定された値を用いている。
トナーの平均円形度はＦＰＩＡ−１０００（東亜医用電子社製）によって測定された値を用いている。
【実施例】
【００４６】
（転写ベルトＡの製造）
押出成形によって、ＰＰＳ樹脂中にカーボンが分散されてなる表面抵抗率１×１０９Ω／□および厚み０．１５ｍｍのシームレス形状基材を得た。
基材の外周表面に、大気圧プラズマＣＶＤによって、膜厚５００ｎｍのＳｉＯ２薄膜層（硬度４ＧＰａ）を形成し、転写ベルトＡを得た。
【００４７】
（転写ベルトＢの製造）
プラズマＣＶＤでの膜形成の際、原料ガス供給量を５％少なくしたこと以外、転写ベルトＡの製造方法と同様の方法により転写ベルトＢを得た。薄膜層の厚みは４００ｎｍ、硬度は３．８ＧＰａであった。
【００４８】
（転写ベルトＣの製造）
プラズマＣＶＤでの膜形成の際、原料ガス供給量を１５％少なくしたこと以外、転写ベルトＡの製造方法と同様の方法により転写ベルトＣを得た。薄膜層の厚みは３００ｎｍ、硬度は３．５ＧＰａであった。
【００４９】
（転写ベルトＤの製造）
プラズマＣＶＤでの膜形成の際、原料ガス供給量を２０％少なくしたこと以外、転写ベルトＡの製造方法と同様の方法により転写ベルトＤを得た。薄膜層の厚みは２５０ｎｍ、硬度は３．５ＧＰａであった。
【００５０】
（転写ベルトＥの製造）
ＳｉＯ２薄膜層の上に、コーティング剤「オプツールＤＳＸ」（ダイキン社製）を「ＳｏＬ−１」（同社製）で０．１５質量％に希釈した溶液をディッピング塗布、乾燥したこと以外、転写ベルトＡの製造方法と同様の方法により転写ベルトＥを得た。薄膜層の厚みは５００ｎｍ、硬度は４ＧＰａであった。
【００５１】
（転写ベルトＦの製造）
コーティング剤を０．１０質量％に希釈したこと以外、転写ベルトＥの製造方法と同様の方法により転写ベルトＦを得た。薄膜層の厚みは５００ｎｍ、硬度は４ＧＰａであった。
【００５２】
（転写ベルトＧの製造）
コーティング剤を０．１８質量％に希釈したこと以外、転写ベルトＥの製造方法と同様の方法により転写ベルトＧを得た。薄膜層の厚みは５００ｎｍ、硬度は４ＧＰａであった。
【００５３】
（転写ベルトＨの製造）
コーティング剤を０．２０質量％に希釈したこと以外、転写ベルトＥの製造方法と同様の方法により転写ベルトＨを得た。薄膜層の厚みは５００ｎｍ、硬度は４ＧＰａであった。
【００５４】
（転写ベルトＩの製造）
原料ガス供給量を３０％少なくしたこと以外、転写ベルトＡの製造方法と同様の方法により転写ベルトＩを得た。薄膜層の厚みは２００ｎｍ、硬度は３．３ＧＰａであった。
【００５５】
（転写ベルトＪの製造）
コーティング剤を０．２５質量％に希釈したこと以外、転写ベルトＥの製造方法と同様の方法により転写ベルトＪを得た。薄膜層の厚みは５００ｎｍ、硬度は４ＧＰａであった。
【００５６】
（感光体Ａの製造）
カラーＭＦＰ Ｂｉｚｈｕｂ Ｃ３５２（コニカミノルタ社製）用の感光体の最表面層を、ポリカーボネート樹脂（ユーピロンＺ−３００；三菱ガス化学社製）にＰＴＦＥ樹脂粒子（ＮＳ−０６；名古屋合成化学社製）を分散させたものとして、感光体Ａを得た。
【００５７】
（感光体Ｂの製造）
最表面層を、ポリカーボネート樹脂（ユーピロンＺ−３００；三菱ガス化学社製）にアルミナ粒子を分散させたものとしたこと以外、感光体Ａの製造方法と同様の方法により感光体Ｂを得た。
【００５８】
（感光体Ｃの製造）
カラーＭＦＰ Ｂｉｚｈｕｂ Ｃ３５２（コニカミノルタ社製）用の感光体表面に脂肪酸金属塩（ステアリン酸亜鉛）を塗布して、感光体Ｃを得た。
【００５９】
得られた転写ベルト（ｉｔｍ）および感光体（ｐｃ）について、表面自由エネルギーの和γｓ、分散力成分値γｓｄおよび水素結合成分値γｓｈを前記した方法により測定した。
【００６０】
（評価）
・中抜け
所定の転写ベルトおよび感光体を図１に示す構成のカラーＭＦＰ ＢｉｚｈｕｂＣ３５２（コニカミノルタ社製）に組み込み、３０℃８５％ＲＨの高温高湿（ＨＨ）環境で細線画像を印字し、印字画像を中抜けについて評価した。トナーは平均粒径６．５μｍおよび平均円形度０．９５０の重合トナーであった。クリーニングブレードは２５℃での反発弾性が３８％、ヤング率が６．４ＭＰａのウレタンゴム製ブレードであり、図１に示すように、転写ベルト３の移動方向に対してカウンター方向で、かつ転写ベルト３に対して圧接力３０Ｎ／ｍで圧接させて用いた。
○；中抜けは全く発生しなかった；
×；中抜けが発生していた。
【００６１】
・クリーニング性
１０℃１５％ＲＨの低温低湿（ＬＬ）環境で印字率１００％の画像を１０００枚印字し、印字画像をクリーニング性について評価したこと以外、中抜けの評価方法と同様の方法により評価した。
○；クリーニング不良に起因するすじ状画像ノイズは全く発生しなかった；
×；クリーニング不良に起因するすじ状画像ノイズが明らかに発生していた。
【００６２】
（測定方法）
２５℃での反発弾性はＪＩＳ−Ｋ６２５５に準じた測定方法によって測定された値を用いている。
ヤング率はＪＩＳ−Ｋ６２５４で２５％伸長により測定された値を用いている。
【００６３】
【表１】
2008304738.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の画像形成装置の一例の概略構成図。
【図２】中間転写体の層構成を示す概略断面図。
【図３】中間転写体を製造する製造装置の説明図。
【符号の説明】
【００６５】
１：１ａ：１ｂ：１ｃ：１ｄ：現像部、２：２ａ：２ｂ：２ｃ：２ｄ：潜像担持体（感光体）、３：中間転写体、４：４ａ：４ｂ：４ｃ：４ｄ：一次転写ローラ、５：二次転写ローラ、６：被転写物、７：クリーニング装置、１０：１１：ローラ、３１：基材、３２：硬質離型層。
【図１】
2008304738.tif 000004
【図２】
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【図３】
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