(57)【要約】【課題】真空室においてパーティクルが基板に付着することを低減する処理装置及び雰囲気置換方法を提供する。【解決手段】真空環境下で基板を処理する露光装置において、ウエハ８Ａを保持する保持ユニット１８と、保持ユニット１８に保持されたウエハ８Ａに対向する面を持つ遮蔽体１９と、保持ユニット１８を収納し、内部空間が減圧可能なロードロック室２４と、遮蔽体１９のウエハ８Ａに対向する面の温度をウエハ８Ａの温度よりも低い温度に調整可能な温調ユニット２２Ａ、２２Ｂと、温調ユニット２２Ａ、２２Ｂが遮蔽体１９のウエハ８Ａに対向する面の温度を調整した後で、保持ユニット１８と遮蔽体１９の少なくとも一方を他方に対して近づける駆動ユニット２１と、を有することを特徴とする処理装置を提供する。【選択図】図３
2008258477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空環境下で基板を処理する処理装置であって、
前記基板を保持する保持ユニットと、
該保持ユニットに保持された前記基板に対向する面を持つ集塵部と、
前記保持ユニットを収納し、内部空間が減圧可能な真空室と、
前記集塵部の前記基板に対向する面の温度を前記基板の温度よりも低い温度に調整可能な温調ユニットと、
前記温調ユニットが前記集塵部の前記基板に対向する面の温度を調整した後で、前記保持ユニットと前記集塵部の少なくとも一方を他方に対して近づける駆動ユニットと、
を有することを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記保持ユニットに保持された前記基板と前記集塵部との間の空間の温度勾配が１０Ｋ／ｃｍ以上となるように、前記駆動ユニット及び前記温調ユニットを制御する制御ユニットを更に有することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記集塵部は前記真空室の内部に設置された集塵ユニットであって、前記温調ユニットは前記真空室の前記集塵ユニットに対向する面の温度を、前記集塵ユニットの前記真空室に対向する面の温度よりも低い温度に調整することを特徴とする請求項１又は２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記基板を処理する処理室と、前記処理室とゲートバルブを介して連結されたロードロック室とを有し、前記真空室は前記ロードロック室であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項５】
前記処理装置は、原版のパターンを前記基板に露光する露光装置であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項６】
真空環境下で基板を処理する処理室にゲートバルブを介して連結されたロードロック室の内部空間の雰囲気を真空環境と大気圧環境との間で置換する方法であって、
前記基板に対向する面を有する集塵部の前記面の温度を前記基板の温度よりも低い温度に調整する温調工程と、
前記温調工程後に前記基板の少なくとも一方を他方に対して近づける接近工程と、
前記接近工程後に前記ロードロック室の前記内部空間の前記雰囲気を置換する工程と、
を有することを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空環境下で基板を処理する処理装置及び雰囲気置換方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
大気圧環境に配置された基板収納部から基板を受け取って真空環境で処理する処理室に搬入する、あるいは処理済の基板を処理室から受け取って基板収納部に搬出するロードロック室は従来から知られている。この場合の処理室とは、例えばＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極紫外）露光装置やプラズマ処理装置である。
【０００３】
ロードロック室は、内部空間の雰囲気を大気圧環境と真空環境との間で置換する機能を有する。具体的には、基板を処理室に搬入する際には雰囲気を大気圧環境から真空環境に雰囲気を置換し（排気過程）、基板収納部に搬出する際には真空環境から大気圧環境へと雰囲気を置換する（給気過程）。ロードロック室はゲートバルブを介して処理室と接続され、基板搬送機構を有する。
【０００４】
しかし、給排気時に、ゲートバルブや基板搬送機構から発生するパーティクルが巻き上げられるため、これが基板に付着を低減又は防止する手段が必要となる。そこで、熱泳動力（Ｔｈｅｒｍｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  Ｆｏｒｃｅ）を利用して基板へのパーティクル付着を低減する方法が提案されている。かかる方法では、特許文献１に記載されているように、基板を保持する保持部を周辺温度より高い温度に加熱すると共に、周辺温度よりも低い温度に維持された低温粒子収集器によりパーティクルを収集する。
【０００５】
熱泳動力の原理は、粒子の周囲の気体に温度勾配が存在すると、粒子は低温側の気体分子よりも大きな運動エネルギーを高温側の気体分子より与えられ、粒子は高温側の物体から低温側へ移動するというものである。熱泳動力Ｆｘは、非特許文献１に記載された以下のＴａｌｂｏｔの式で与えられる。
【０００６】
【数１】
2008258477.tif 000003
【０００７】
但し、数式１は、粒子が球形で流体は理想気体である、と仮定している。ここで、Ｄｐは粒子直径、Ｔは気体温度、μは粘性係数、ρは気体密度、Ｋｎはクヌーセン数で２λ／Ｄｐ、λは気体の平均自由行程でη／｛０．４９９Ｐ（８Ｍ／πＲＴ）１／２｝、Ｍは分子量、Ｒは気体定数、Ｋはｋ／ｋｐである。また、ｋは平行移動のエネルギーのみによる気体の熱伝導率、ｋｐは粒子の熱伝導率、Ｃｓは１．１７、Ｃｔ＝２．１８、Ｃｍ＝１．１４、ΔＴ／Δｘは温度勾配である。
【特許文献１】特登録２８８６５２１
【非特許文献１】奥山喜久夫、増田弘昭、諸岡成治  共著「新体系化学工学  微粒子工学」オーム社出版、１９９２年５月、Ｐ１０６−１０７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、ロードロック室の大きさは半導体業界の統一規格によって規定されているゲート開口寸法（Ｗ３６０ｍｍ×Ｈ８０ｍｍ）に制約されているため、基板外形程度に小さくすることができない。従って、基板保持部近傍の熱泳動力はロードロック室の形状に依存せざるを得ず、熱泳動力を最大限に利用することができないという問題があった。
【０００９】
本発明は、真空室においてパーティクルが基板に付着することを低減する処理装置及び雰囲気置換方法に関する。なお、本発明で「真空室」とは、ＥＵＶ露光装置の露光室のように減圧状態が原理的に必要な装置、基板搬送装置のロードロック室のように一時的に減圧状態が保持されている装置を意味する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一側面としての処理装置は、真空環境下で基板を処理する処理装置において、前記基板を保持する保持ユニットと、該保持ユニットに保持された前記基板に対向する面を持つ集塵部と、前記保持ユニットを収納し、内部空間が減圧可能な真空室と、前記集塵部の前記基板に対向する面の温度を前記基板の温度よりも低い温度に調整可能な温調ユニットと、前記温調ユニットが前記集塵部の前記基板に対向する面の温度を調整した後で、前記保持ユニットと前記集塵部の少なくとも一方を他方に対して近づける駆動ユニットと、を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明の別の側面としての雰囲気置換方法は、真空環境下で基板を処理する処理室にゲートバルブを介して連結されたロードロック室の内部空間の雰囲気を真空環境と大気圧環境との間で置換する方法であって、前記基板に対向する面を有する集塵部の前記面の温度を前記基板の温度よりも低い温度に調整する温調工程と、前記温調工程後に前記基板の少なくとも一方を他方に対して近づける接近工程と、前記接近工程後に前記ロードロック室の前記内部空間の前記雰囲気を置換する工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、真空室において浮遊するパーティクルが基板に付着することを低減する処理装置及び雰囲気置換方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して本発明の実施例の処理装置について説明する。なお、本実施例は、真空環境下で基板を処理する処理装置としてＥＵＶ露光装置を使用するが、本発明の処理装置はこれに限定されるものではない。
【実施例１】
【００１５】
図１は実施例１の露光装置の概略断面図である。図１において、１は励起レーザーであり、ＹＡＧ固体レーザー等を用いる。励起レーザー１は、光源の発光点となる光源材料をガス化、液化または噴霧ガス化させたポイントに向けてレーザー光を照射して、光源材料原子をプラズマ励起することにより発光させる。２は露光用光源の光源発光部で、内部は真空に維持された構造を持ち、２Ａは露光用光源の発光ポイントである。２Ｂは光源ミラーで、発光ポイント２Ａからの全球面光を発光方向に揃え集光反射するために、発光ポイント２Ａを中心に半球面状のミラーとして配置される。発光ポイント２Ａには、発光元素として液化Ｘｅ、液化Ｘｅ噴霧体またはＸｅガスを不図示のノズルにより噴出させ、かつ、励起レーザー１からの光が照射される。
【００１６】
３は、光源発光部２と接続された露光室（処理室）である。露光室３は排気ユニット（真空ポンプ）４Ａにより真空環境下に維持される（即ち、減圧可能に構成される）。このように、露光室３は、ＥＵＶ露光に適した真空圧力を維持することが可能な真空室である。５は光源発光部２からの露光光を導入して成形する照明光学系で、ミラー５Ａ〜５Ｄにより構成され、露光光を均質化し、かつ整形する。６はレチクルステージであり、レチクルステージ６上の可動部には、露光パターンの反射原版であるレチクル（原版）６Ａが静電吸着保持されている。
【００１７】
７はレチクル６Ａから反射した露光パターンを縮小投影する投影光学系であり、レチクル６Ａにより反射された露光パターンをミラー７Ａ〜７Ｅに順次反射し最終的に規定の縮小倍率比でウエハ８Ａ上に縮小投影する。８はウエハステージで、レチクルパターンを露光するＳｉ基板であるウエハ８Ａを露光位置に位置決めするために、ＸＹＺの各軸方向、Ｘ軸及びＹ軸回りのチルト、Ｚ軸回りの回転方向の６軸駆動可能に位置決め制御される。
【００１８】
９は支持体でレチクルステージ６を床に対して支持する。１０は支持体で投影光学系７を床に対して支持する。１１は支持体でウエハステージ８を床に対して支持する。また、レチクルステージ６と投影光学系７との間、投影光学系７とウエハステージ８との間の相対位置を位置計測し連続的に維持する制御ユニット（不図示）が設けられている。また、支持体９乃至１１には、床からの振動を絶縁するマウント（不図示）が設けられている。
【００１９】
１６は大気側のウエハ搬送ユニット１７Ａにより搬送されたウエハ８Ａを一旦装置内部に保管するウエハストッカーである。ウエハストッカー１６は複数枚のウエハを保管する。ウエハストッカー１６から露光処理するウエハ８Ａを選定し、ロードロック室２６内の保持ユニット１８へ搬送する。１９は遮蔽体でありウエハの周囲を囲う。２０Ｄはウエハストッカー１６がある空間とロードロック室２６を連結するゲートバルブで、ロードロック室２６が大気圧の状態の時に開閉する。２０Ｅも同じくロードロック室２６と露光室３とを連結するゲートバルブで、ロードロック室２４が真空の状態での時に開閉する。ウエハの真空搬送が可能なウエハ搬送手段１７Ｂにより、保持ユニット１８から露光室（処理室）内の不図示のウエハメカプリアライメント温調器へ搬送する。ウエハメカプリアライメント温調器はウエハの回転方向の送り込み粗調整を行うと同時に、ウエハ温度を露光装置の基準温度に温調する。ウエハ搬送ユニット１７Ｂは、ウエハメカプリアライメント温調器にてアライメントと温調されたウエハ８Ａをウエハステージ８に送り込む。
【００２０】
ウエハ８Ａを露光室３から搬出する工程はロード手順と逆になる。
【００２１】
２７はデバイス工場の中でレチクルカセットを搬送するために用いられるミニエンバイロメントであるＳＭＩＦポッドである。３１はＳＭＩＦポッドの中に保持されているレチクルカセットであり、ＳＭＩＦインデクサ３４によりＳＭＩＦポッドが開閉されると同時に露光装置内にレチクルカセット３１は引き込まれレチクル搬送ユニット１４Ａにより搬送可能となる。２４はレチクルカセット３１を大気雰囲気から真空雰囲気へ変換させるためのロードロック室であり、内部にカセット保持部２８を備える。
【００２２】
２０Ａはレチクルカセット３１が存在する空間とロードロック室２４とを連結するゲートバルブで、ロードロック室２４が大気圧の状態の時に開閉する。レチクル６ＡをＳＭＩＦインデクサ３４からロードロック室２４の保持部へ搬入するゲート開閉機構である。２０Ｂも同じくゲートバルブで、ロードロック室２４が真空の状態での時に開閉する。２０Ｃも同じくゲートバルブであり、露光室３へレチクル６Ａを搬送するときのみ開閉する。
【００２３】
１２は装置外部から一旦装置内部にレチクル６Ａをレチクルカセット３１に入れた状態で保管するレチクルストッカーで、異なるパターンおよび異なる露光条件に合わせたレチクル６Ａが多段に保管されている。
【００２４】
１４Ａはロードロック室２４からレチクルストッカー１２へレチクルカセット３１を搬送するレチクル搬送ユニットである。レチクル搬送ユニット１４Ｂはレチクル搬送室１３に配置され、レチクルストッカー１２から使用するレチクルを選択してレチクルカセット３１をカセット上蓋とカセット下皿とに分離する蓋明け機構１３Ａへ搬送する。また、レチクル搬送ユニット１４Ｂは蓋開け機構１３Ａにより分離された状態のカセット下皿をレチクルステージ６端部に設けられたレチクルアライメントスコープ１５に搬送する。これにより、投影光学系７の筐体に設けられたアライメントマーク１５Ａに対してレチクル６Ａ上をＸＹＺ軸回転方向に微動してアライメントする。
【００２５】
アライメントを終了したレチクル６Ａはカセット下皿から直接レチクルステージ６上にチャッキングされる。このときアライメント部のカセット支持部とレチクルステージ６の相対位置を近接すべくカセット支持部の上昇或いはレチクルステージの下降の少なくとも一方が行われる。また、そのときにレチクル６Ａとレチクルステージ６の傾き調整も行われる。レチクルステージ6にレチクル６Ａを受け渡した後空のカセット下皿はレチクル搬送ユニット１４Ｂによって蓋開け機構１３Ａまで引き戻され、蓋を閉めたのち空のままレチクルストッカー１２に保管される。
【００２６】
図３（ａ）はロードロック室２４の概略断面図であり、集塵ユニットとしての遮蔽体１９を駆動ユニット２１で下方向へ移動し、遮蔽体１９がウエハ８Ａ表面を囲った状態の図である。駆動ユニット２１は、  温調ユニット２２Ａ及び２２Ｂが遮蔽体１９のウエハ８Ａに対向する面の温度を調整した後で、保持ユニット１８と遮蔽体１９の少なくとも一方を他方に対して近づける機能を有する。遮蔽体１９とウエハ８Ａとの間に０．５ｃｍ以下の空間を設け、遮蔽体１９がウエハ８Ａを囲ったときに、遮蔽体１９とロードロック室２４の内壁は接触しないように、排気／給気が可能な程度のスキマを意図的に作る。このため、遮蔽体１９の内側の排気／給気をロードロック室２４全体と同時に行うことができる。
【００２７】
遮蔽体１９を移動することで、ウエハ表面と遮蔽体１９との距離が０．５ｃｍ以下の狭い空間を作ることができる為、従来の真空室よりもウエハ表面近傍の空間の温度勾配を大きくすることができる。
【００２８】
ロードロック室２４は、露光室３とはゲートバルブ２０Ｅで仕切られ、ロードロック室内が真空になったことを圧力検出ユニット３２で検出し、ゲートバルブ２０Ｅを開いて露光室３へウエハ８Ａを搬入、あるいは搬出する。ロードロック室２４は排気ユニット４Ｂによって内部空間が排気又は減圧され、給気ユニット２９によって内部空間が給気又は加圧可能に構成される。このように、ロードロック室２４は、内部空間の雰囲気を真空環境と大気圧環境との間で置換する。
【００２９】
したがって、処理前／処理後のウエハ８Ａをロードロック室２４に出し入れするたびに給気と排気が繰り返される。このため、ロードロック室２４内のゲートバルブから発生するフッ素微粒子やウエハ搬送機構から発生する銀メッキ微粒子等のパーティクルが排気／給気の過程で巻き上げられてウエハ８Ａに付着するおそれがある。そこで、ロードロック室２４の排気／給気の過程でウエハ８Ａに付着する微粒子を低減することが重要である。
【００３０】
ウエハ８Ａを保持する保持ユニット１８は、支持ピン１８Ａを含む全部材が第１の温調ユニット２２Ａによって第１の温度（２３℃）に温調されている。この温度は、保持ユニット１８が搬送するウエハ８Ａの温度と同じである。本実施例は保持ユニット１８の内部に熱媒体を循環させることで保持ユニット１８全面を均等に温調している。ウエハ表面をパーティクルから保護する為の遮蔽体１９は、ウエハ表面に対向する面を第２の温調ユニット２２Ｂにより第２の温度（１３℃）に温調している。遮蔽体１９表面の第２の温度は第１の温度よりも１０℃低く温調されている。このように、温調ユニット２２Ａ及び２２Ｂは、遮蔽体１９のウエハ８Ａに対向する面の温度をウエハ８Ａの温度よりも低い温度に調整可能である。これにより遮蔽体１９は、集塵部を持つ集塵ユニットとして動作する。
【００３１】
図２は温度勾配が１０［Ｋ／ｃｍ］の時にフッ素微粒子に作用する熱泳動力と重力を示したグラフであり、縦軸は力  ［ｍ／ｓ２］、横軸はロードロック室２４の圧力［Ｐａ］である。熱泳動力の曲線は数式１に気体温度と固体温度の温度飛躍を考慮することにより求められる。
【００３２】
本実施例は空間の温度勾配が１０［Ｋ／ｃｍ］となるように遮蔽体１９を温調及び位置制御している。ロードロック室２４の圧力が約５００［Ｐａ］のとき、直径０．５μｍ及び直径１．０μｍのパーティクルには最大の熱泳動力が作用する。図２に示すように、ロードロック室２４の圧力が１０Ｐａ以上であるとき熱泳動力が重力より大きくなる。気流やクーロン力がパーティクルに作用する力が無視できる場合、粒径１．０μｍ以下のフッ素微粒子は重力沈降ではなく、熱泳動力の作用する方向へ移動する。
【００３３】
さらにこの空間の温度勾配を大きくする為に、ウエハと遮蔽体の距離を小さくする、あるいは遮蔽体の温度を低くすることで直径１．０μｍ以上のパーティクルに対しても熱泳動力が重力より大きくすることができる。これにより、浮遊するパーティクルはウエハ表面から遮蔽体の方向へ作用する熱泳動力によりウエハ表面への付着を低減する。図３（ｂ）は、遮蔽体１９を駆動ユニット２１で上方向へ移動し、ウエハ８Ａを搬送可能な状態としたロードロック室２４の概略断面図である。
【００３４】
遮蔽体１９の駆動ユニット２１はロードロック室の外側、内側のどちらに設置されてもよい。本実施例では、ロードロック室２４の外に駆動部２１Ａがあり動力伝達部２１Ｂのみ真空中へ導入される。本実施例は不図示の金属ベローズで動力伝達部２１Ｂと大気空間とを隔離する。遮蔽体１９は移動中に振動しないように駆動させることが望ましい。また、３０はロードロック室の圧力及び第１、第２の温調ユニット及び駆動ユニットを制御するための制御ユニットである。制御ユニット３０は、保持ユニット１８に保持されたウエハ８Ａと遮蔽体１９との間の空間の温度勾配が１０Ｋ／ｃｍ以上となるように、駆動ユニット２１と温調ユニット２２Ａ、２２Ｂを制御する。
【００３５】
本実施例のロードロック室２４の雰囲気置換方法は、温調工程と接近工程と置換工程とを有する。温調工程は、ウエハ８Ａに対向する面を有する遮蔽体１９の面の温度をウエハ８Ａの温度よりも低い温度に温調ユニット２２Ａ及び２２Ｂを介して調整する。接近工程は温調工程後にウエハ８Ａの少なくとも一方を他方に対して近づける。置換工程は、接近工程後に露光室３とゲートバルブ２０Ｅを介して連結されたロードロック室２４の内部空間の雰囲気を置換する。これにより、ウエハ表面へのパーティクル付着を低減することができる。
【実施例２】
【００３６】
図４（ａ）は実施例２によるロードロック室２４の概略断面図であり、保持ユニット１８を駆動ユニット２１で上方向へ移動し、ウエハ表面を囲った状態の図である。本実施例は保持ユニット１８を移動して遮蔽体１９とウエハ表面とを接近させる点で実施例１と異なる。
【００３７】
図４（ｂ）は、保持ユニット１８を駆動ユニット２１で下方向へ移動し、ウエハ８Ａをウエハ搬送ユニット１７により搬送可能な状態としたロードロック室２４の概略断面図である。
【００３８】
保持ユニット１８の駆動ユニット２１はロードロック室２４の外側、内側のどちらに設置されてもよい。本実施例はロードロック室２４の外に駆動部２１Ａを配置し、動力伝達部２１Ｂのみを真空中へ導入する。保持ユニット１８は不図示のウエハ吸着部を備え、保持ユニット１８が移動するときのウエハ８Ａの振動を防止する。ウエハ８Ａの搬入出時はウエハ搬送ユニット１７がウエハ８Ａを搬送できる位置まで保持ユニット１８を移動する。保持ユニット１８の移動方向はウエハ８Ａの位置に対し上下左右どの方向でもよい。
【００３９】
また、応用例として支持ピン１８Ａのみを上下させることにより、ウエハの搬入出時はウエハ搬送ユニット１７がウエハ８Ａを搬送できる位置までウエハ８Ａを移動してもよい。
【００４０】
保持ユニット１８を移動することで、ウエハ表面と遮蔽体１９との距離が０．５ｃｍ以下の狭い空間をつくることができるため、従来の真空室よりもウエハ表面近傍の空間の温度勾配を１０［Ｋ／ｃｍ］以上にすることができる。
【００４１】
本実施例のロードロック室２４は、保持ユニット１８を移動させることで遮蔽体１９の移動中にウエハ表面へ落下するパーティクルを低減する。さらに、ウエハ表面の近傍に浮遊するパーティクルに熱泳動力が作用し、ウエハ表面へのパーティクル付着を低減する。
【実施例３】
【００４２】
図５（ａ）は実施例３によるロードロック室２４の概略断面図であり、第１の遮蔽体１９Ａがウエハ表面を囲い、第２の遮蔽体１９Ｂがウエハの裏面を囲った状態の図である。本実施例はウエハ裏面側に第２の遮蔽体１９Ｂを備える点で実施例１と異なる。
【００４３】
保持ユニット１８は第１の温度２５℃に温調されている。第１の温度は保持ユニット１８に搬送されるウエハの温度（２３℃）より高い温度である。本実施例における保持ユニット１８は、ウエハ８Ａの裏面の外周から５ｍｍ以内の領域で接触している。さらに保持ユニット１８には不図示の吸着部を備えている。保持ユニット１８は外周に熱媒体を循環させることで保持ユニット全面を均等に温調している。保持ユニット１８からウエハへの熱伝導により、ウエハ温度も２５℃程度に温調される。
【００４４】
ウエハ表面をパーティクルから保護する為の第１の遮蔽体１９Ａは、ウエハ表面に対向する面を１５℃に温調している。さらにウエハ裏面をパーティクルから保護する為の第２の遮蔽体１９Ｂは、ウエハ裏面に対向する面を１５℃に温調している。
【００４５】
図５（ｂ）は、第１の遮蔽体１９Ａを駆動ユニット２１で上方向へ移動し、第２の遮蔽体１９Ｂを駆動ユニット２１で下方向へ移動し、ウエハ８Ａを搬送可能な状態としたロードロック室２４の概略断面図である。ウエハ８Ａの搬入出時は第１、第２の遮蔽体はウエハ搬送ユニット１７Ｂがウエハ８Ａを搬送するときに搬送経路が妨げられない位置まで移動する。遮蔽体１９Ａ、１９Ｂの移動方向はウエハ８Ａの位置に対し上下左右どの方向でもよい。
【００４６】
第１、第２の遮蔽体１９Ａ、１９Ｂを移動することで、ウエハ表面及び裏面と遮蔽体との距離が０．５ｃｍ以下の狭い空間をつくることができるため、従来の真空室よりもウエハ表面近傍の空間の温度勾配を１０［Ｋ／ｃｍ］以上にすることができる。
【００４７】
本実施例のロードロック室２４は、ウエハ表面と第１の遮蔽体１９Ａとの間に浮遊するパーティクルに第１の熱泳動力が作用する。さらに、ウエハ裏面と第２の遮蔽体１９Ｂとの間に浮遊するパーティクルに第２の熱泳動力が作用する。これにより、ウエハ表面と第１の遮蔽体１９Ａとの間に浮遊するパーティクルをウエハ表面から第１の遮蔽体１９Ａの方向へ移動させることができる。また、ウエハ裏面と第２の遮蔽体１９Ｂとの間に浮遊するパーティクルをウエハ裏面から第２の遮蔽体１９Ｂの方向へ移動することができる。
【００４８】
また、応用例として遮蔽体１９を固定し、支持ピン１８Ａを駆動ユニット２１で上下移動させることにより、第１及び第２の熱泳動力を浮遊するパーティクルに作用させる方法もある。
【００４９】
実施例３によるロードロック室は、ウエハ裏面の近傍に浮遊するパーティクルに第１、実施例２における熱泳動力よりも大きな力を作用させ、ウエハ表裏面へのパーティクル付着を低減することができる。
【実施例４】
【００５０】
図６は実施例４によるロードロック室２４の概略断面図であり、遮蔽体１９Ａがウエハ表面を囲い、第２の遮蔽体１９Ｂがウエハの裏面を囲った状態の図である。本実施例はロードロック室内の内部部材２３に第３の温調ユニット２２Ｃを備える点で実施例１と異なる。
【００５１】
本実施例において内部部材２３はロードロック室の内壁であり、内壁は露光室の基準温度である第３の温度（２３℃）に温調されている。遮蔽体とロードロック室内壁の間の空間には温度勾配が生じ、この空間に浮遊するパーティクルに熱泳動力が作用する。遮蔽体１９Ａの温度は２３℃より低ければ低い程、この空間に作用する熱泳動力を大きくすることができる。
【００５２】
本実施例のロードロック室２４は、ウエハ表面と遮蔽体１９との間に浮遊するパーティクルに熱泳動力が作用する。さらに、遮蔽体１９とロードロック室の内壁に浮遊するパーティクルに第２の熱泳動力が作用し、ウエハ表面へのパーティクル付着を低減できる。
【００５３】
遮蔽体１９の移動方向はウエハ８Ａの位置に対し上下左右どの方向でもよい。また、保持ユニット１８の移動方向はウエハ８Ａの位置に対し上下左右どの方向でもよい。ウエハ搬送ユニット１７がウエハ８Ａを搬送するときに搬送経路が妨げられない位置まで移動する。
【００５４】
上述の実施例はシリコン基板である半導体ウエハへの適用例であるが、本発明が適用される基板はウエハに限定されない。また、真空室は、基板の表面近傍に浮遊するパーティクルに熱泳動力が作用し、基板表面へのパーティクル付着を低減することができる。また、本実施例では基板の表面を重力と垂直な方向に配置しているが、本発明は基板の向きを限定するものではない。
【００５５】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施例１による露光装置の概略断面図である。
【図２】図１に示すロードロック室に浮遊するフッ素微粒子に作用する熱泳動力を示したグラフである。
【図３】図１に示すロードロック室の概略断面図である。
【図４】本発明の実施例２によるロードロック室の概略断面図である。
【図５】本発明の実施例３によるロードロック室の概略断面図である。
【図６】本発明の実施例４によるロードロック室の概略断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
３                          露光室（真空室）
４Ｂ                        給気ユニット
１８                        保持ユニット
１９、１９Ａ、１９Ｂ        遮蔽体（集塵部）
２１                        駆動ユニット
２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ      温調ユニット
２４                        ロードロック室（真空室）
２９                        排気ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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