(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエーハに対してノーダメージで１００％レジストを除去及びポリマ残を１００％除去でき、生産性が良くて価格がダウンでき、乾燥時にウエーハのパターンが倒れない、各種ゴミを少なくする事ができ、水分１００％除去できているパーフェクトアッシング装置を提供する。【解決手段】Ｏ３ガスプラス極微量のＦ２ガス添加又はＯ３ガスで、ＵＶ２５４を照射。ウエーハの表面温度は２０℃から２５０℃に上昇、チヤンバー内の気圧は０．１気圧にした時、上記の方式がスタートし、終了後Ｏ３水処理→ＨＦ水処理又は水素原子で処理し、その後Ｈ２Ｏ（液温７０℃、クリーンＮ２ガスバブリング）処理を２回行い、加圧減圧加熱方式で乾燥する。乾燥の時パターン倒れなし、水分１００％除去でき、各種コンタミの付着が少ない事がわかった。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
本装置においてアツシング機能としてＯ３ガス（濃度４％以上）プラス極微量のＦ２ガス（Ｏ３ガスに対する混合比の割合０．０１％〜２％）の混合ガスに対してＵＶ２５４を照射して大部分のレジストを除去します。
又、Ｏ３ガス（濃度４％以上）のみでＵＶ２５４を照射して大部分のレジストを除去します。極微量のレジスト残に対してＯ３水（濃度５ＰＰＭ以上）及びＨＦ水（濃度０．０１％〜２％）又は水素原子を活用して１００％レジスト、ポリマ残を除去する
【請求項２】
液晶の工程でレジストを１００％除去できるガラス基板に対してノーダメージである
【請求項３】
本装置においてアツシング機能終了後Ｈ２Ｏ洗浄（液温７０℃以上）と乾燥方式として加圧（１．１気圧〜１．９９気圧）減圧（１気圧〜０．０５気圧）加熱（ウエーハの表面温度１１０℃〜１５０℃）で乾燥します
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】シリコンウエーハメーカーにおいてエピウエーハを製作する工程でイオン注入後のレジストを除去するためにアツシング装置を使用、デバイスメーカーにおいて生レジストの除去。
ドライエツチング後のレジスト、ポリマ残の除去。
イオン注入後のレジスト除去等においてアツシング装置を使用している
【背景技術】
【０００２】今まではＯ２ガス又はＯ２ガスプラスＣＦ４ガスを使用、そしてプラズマ化してレジストを除去していたしかし必ずレジスト残があります。それを除去するためレジストハクリ液又はＨ２ＳＯ４プラスＨ２Ｏ２を加熱（１２０℃〜１５０℃）してレジストを１００％除去しました。ウエーハ表面がクリーンでないためＲＣＡ洗浄方式でウエーハ面内をクリーンにしています
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】１台の装置でレジストを１００％完全に除去すると同時に従来のアツシング装置を使用した時、レジストに含まれているＮａ、Ｋ等が可動イオンとなつてウエーハ面内に入りこんで歩留りの低下になつていました
これを１００％防止する事です及び層間絶縁膜においてＬＯＷ  Ｋ材を使用するためメタル酸線後のレジス除去においてダメージをより小さくする事です
そして１台の装置でウエーハをよりクリーンにして装置の大きさを相対的に、より小さくする事です
相対的の意味として従来方式はドライアツシングプラスウエツトアツシングプラスＲＣＡ洗浄方式に対してのフツトプリントです
【課題を解決するための手段】
【０００４】今までのアツシング装置はドライガスをプラズマ化してレジストを１００％除去できなかつた。
そしてウエーハに対してダメージをあたえていたレジストを１００％除去できない為ウエツトアツシング装置でレジスを完全に除去していた。しかしウエーハ面に多くの各種ゴミが付着していた。
今回発明した方式はＯ３ガスプラス極微量のＦ２ガスの混合ガスに対してＵＶ２５４を照射又はＯ３ガスに対してＵＶ２５４を照射、その後Ｏ３水次にＨＦ水又は水素原子を活用してウエーハ面のレジストを１００％除去できます又ウエーハに対してノーダメージですそしてＨ２Ｏ洗浄及び加圧減圧加熱方式でパターン倒れ、なし、で乾燥します
つまり１台の装置でウエーハに対してノーダメージ、１００％レジスト除去、ポリマ残を１００％除去しますそして洗浄、乾燥機能付の装置です
【作用】
【０００５】今回発明した装置はまず強力なＯ３ガスプラス極微量のＦ２ガスの混合ガスにＵＶ２５４を照射します
又はＯ３ガスのみ、に対してＵＶ２５４を照射します
Ｏ３ガスプラスＦ２の混合ガスに対してＵＶ２５４を照射した時Ｏ３ガス→Ｏ２＋ＯＦ２ガス→Ｆ＋Ｆになります
強力な酸化作用で大部分のレジストをウエーハに対してノーダメージで除去します
極微量のレジストに対してＯ３水とＨＦ水又は水素原子の化学反応作用で１００％レジスト、ポリマ残を除去します
その後Ｈ２Ｏ（７０℃以上）で洗浄して加圧、減圧加熱方式でウエーハのパターン倒れ、なしでウエーハを乾燥させます
【実施例】
【０００６】Ｏ３ガス（濃度２０％）Ｆ２ガスは極微量の混合ガスに対してＵＶ２５４を照射します
この時、チヤンバー内の圧力を０．１気圧ウエーハを置く熱板を３５０℃位いにします
圧力が０．１気圧になった時混合ガスに対してＵＶ２５４を照射します
約１２秒位いで終了します
終了時のウエーハの温度は２５０℃位いです
今度は仮置きステージにウエーハを収納します１０枚収納完了後Ｏ３水内で約６０秒処理します１０枚同時処理です
次にＨＦ水処理又は水素原子処理をします処理時間は６０秒１０枚同時処理です
これで１００％レジスト除去又はポリマ残１００％除去が完了します
次はＨ２Ｏ洗浄（液温７０℃）で槽の下からクリーンＮ２バブリングをしてＨ２Ｏはオーバフロー方式です槽は２槽です
これも１０枚同時処理、各槽の処理時間は６０秒位いです
最後に加圧減圧加熱方式による乾燥です  加圧１．８５気圧  減圧０．０５気圧（水の三重点）  ウエーハの表面温度１５０℃  乾燥時間６０秒
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実験データ（３００ｍｍウエーハ）
１、Ｏ３ガスプラス極微量のＦ２ガスの混合ガスに対してＵＶ２５４を照射した時３００ｍｍウエーハに対するアツシングレート
１０μｍ／ｍｉｎ
２、Ｏ３ガスのみでＵＶ２５４を照射した時
７．５／ｍｉｎ
３、水素原子のアツシングレート
０．８μｍ／ｍｉｎ
４、イオン注入後のレジスト除去、１００％除去できました（Ｏ３ガスプラスＦ２）ＵＶ２５４照射その後Ｏ３水その次ＨＦ水又はＨ原子活用した時
５、ドライエツチング後のレジスト除去ポリマ残除去も１００％除去できました
６、生レジストの時は（Ｏ３＋Ｆ２）ＵＶ２５４照射又はＯ３プラスＵＶ２５４照射その後Ｏ３水で１００％レジストを除去できました
【発明の効果】
【０００７】１、ウエーハに対してノーダメージである
２、１台の装置でレジスト及びポリマ残１００％除去できる
３、アツシング→洗浄→乾燥、従来型のシステムにくらべて相対的にフツトプリトを大巾に小さくできる
４、生産性において混合ガスチヤンバー又はＯ３ガスチヤンバーをダブルにしてその後の処理は１０枚同時処理をすると、１時間に３００枚から３５０枚処理することが出来る。つまり世界最高の処理能力がある
５、相対的な価格において従来型（ドライアツシング→ウエツトアツシング→ＲＣＡ洗浄）くらべて３５％位いダウンできる
結論⇒ウエーハに対してノーダメージ及び生産性がものすごく良い
価格面は大巾にダウンできる
つまりユーザのニーズを完全にクリアーしている
【図面の簡単な説明】
【図１】１のチヤンバー内にウエーハを１枚収納します、チヤンバー内の圧力を１気圧から０．１気圧にしますウエーハを置く熱板は３５０℃、０．１気圧になった時Ｏ３ガスプラス極微量の混合ガスに対してＵＶ２５４を照射してウエーハ面にふきつけします、約１２秒位いでウエーハ表面温度が２５０℃になります、その後仮置きステージ２に収納します２の仮置きステージに１０枚たまると３のＯ３水処理槽に入れます６０秒たつと４のＨＦ水槽又はＨ原子チヤンバーで処理しますその後５のＨ２Ｏ処理（クリーンＮ２ガスバブリング）二槽でウエーハをクリーンに洗浄します６の所で加圧減圧加熱方式で乾燥させます
【符号の説明】
▲１▼  Ｏ３ガスプラスＦ２ガスの混合チヤンバー又はＯ３ガスチヤンバー
▲２▼  仮置きステージ１０枚収納
▲３▼  Ｏ３水槽
▲４▼  ＨＦ水槽又は水素原子チヤンバー
▲５▼  Ｈ２Ｏ槽二槽
▲６▼  加圧減圧加熱チヤンバー
【図１】
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