(57)【要約】【課題】層間接続を簡易かつ高信頼性化が可能な電子部品内蔵基板の提供。【解決手段】本発明の電子部品内蔵基板１００は、第１配線層１０１とこの第１配線層１０１の上面に実装された電子部品１０５と、前記第１配線層１０１の上にバンプ１１０を介して前記第１配線層１０１に電気的に接続された第２配線層１０４と前記第１配線層１０１と前記第２配線層１０４との間に配置されて前記バンプ１１０によって貫通された接着層１０８とを備え、前記接着層１０８は、繊維材料を含まない絶縁性樹脂からなり、前記接着層１０８内に前記電子部品１０５が配置された電子部品内蔵基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線層と、
この第１配線層の上面に実装された電子部品と、
前記第１配線層の上にバンプを介して前記第１配線層に電気的に接続された第２配線層と、
前記第１配線層と前記第２配線層との間に配置されて前記バンプによって貫通された接着層とを備え、
前記接着層は繊維材料を含まない絶縁性樹脂からなり、前記接着層内に前記電子部品が配置された電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記接着層は第１空隙を有し、この第１空隙内に前記電子部品が配置された請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記接着層は、この接着層の内層に第３配線層を有し、
前記第１配線層と前記第３配線層とはバンプを介して電気的に接続され、前記第２配線層と前記第３配線層とはバンプを介して電気的に接続された請求項１または請求項２に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項４】
前記第２配線層は表裏面を貫通する貫通孔を有する請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板。
【請求項５】
前記第１配線層の上面若しくは前記第２配線層の下面に実装された第２の電子部品が前記接着層内に配置された請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板。
【請求項６】
前記バンプは金属線を用いた金属バンプおよび／または金属めっきによるめっきバンプからなる請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板と、
この電子部品内蔵基板に接続された表示装置とが搭載された電子機器。
【請求項８】
第１配線層上に電子部品を実装する工程と、
前記第１配線層および／または第２配線層上にバンプを形成する工程と、
繊維材料を含まない絶縁性樹脂からなり前記電子部品の実装エリアより大きな第１空隙を設けた接着層を準備する工程と、
前記第１配線層上の所望の位置に前記接着層と前記第２配線層を前記バンプが前記第１配線層と前記第２配線層の内側になるように順に重ね合わせる工程と、
前記第１配線層と前記接着層と前記第２配線層とを加熱しながら加圧して一体化すると共に前記第１配線層と前記第２配線層とを前記バンプを介して電気的に接続する工程とを備えた電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
前記接着層に前記バンプの形成エリアより大きな第２空隙を設けた請求項８に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１空隙内に前記絶縁性樹脂を流し込み、前記電子部品の周囲に空間が存在しない請求項８または請求項９に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第２配線層は表裏面を貫通する貫通孔を有する請求項８から請求項１０のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１配線層の上面若しくは前記第２配線層の下面に実装された第２の電子部品を備えた請求項８から請求項１１のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１３】
前記バンプは金属線を用いた金属バンプおよび／または金属めっきによるめっきバンプからなる請求項８から請求項１２のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１４】
前記バンプは金属めっきによるめっきバンプ上に金属線を用いた金属バンプを形成した請求項８から請求項１２のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１５】
前記接着層に形成した前記第１空隙と前記第２空隙は一体化した一つの空隙である請求項９から請求項１４のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１６】
前記接着層の内層に異方性導電フィルムを配置している請求項８から請求項１５のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１７】
第１配線層上に電子部品を実装する工程と、
前記第１配線層および／または前記電子部品の実装エリアより大きな空間を有する第３配線層上に第１バンプを形成する工程と、
第２配線層および／または前記第３配線層上に第２バンプを形成する工程と、
繊維材料を含まない絶縁性樹脂からなり前記電子部品の実装エリアより大きな第１空隙を設けた第１接着層および第２接着層を準備する工程と、
前記電子部品実装後の前記第１配線層上の所望の位置に前記第１接着層と前記第３配線層と前記第２接着層と前記第２配線層を前記第１バンプが前記第１配線層と前記第３配線層の内側になり前記第２バンプが前記第３配線層と前記第２配線層の内側になるように順に重ね合わせる工程と、
前記第１配線層と前記第１接着層と前記第３配線層と前記第２接着層と前記第２配線層とを加熱しながら加圧して一体化
すると共に前記第１配線層と前記第３配線層と前記第２配線層とを前記第１バンプおよび前記第２バンプを介して電気的に接続する工程とを備えた電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第１接着層および第２接着層に前記第１バンプおよび第２バンプの形成エリアより大きな第２空隙を設けた請求項１７に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第１空隙内に前記絶縁性樹脂を流し込み、前記電子部品の周囲に空間が存在しない請求項１７または請求項１８に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２０】
前記第２配線層は表裏面を貫通する貫通孔を有する請求項１７から請求項１９のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２１】
前記第１配線層の上面若しくは前記第２配線層の下面に実装された第２の電子部品を備えた請求項１７から請求項２０のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２２】
前記第１バンプおよび前記第２バンプは金属線を用いた金属バンプおよび／または金属めっきによるめっきバンプからなる請求項１７から請求項２１のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２３】
前記第１バンプおよび前記第２バンプは金属めっきによるめっきバンプ上に金属線を用いた金属バンプを形成した請求項１７請求項２１のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２４】
前記第１接着層および前記第２接着層に形成した前記第１空隙および前記第２空隙がそれぞれ一体化した一つの空隙である請求項１８から請求項２３のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層基板内に電子部品が埋設された電子部品内蔵基板とこれを用いた電子機器、およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化・軽量化に伴い、プリント配線板の高密度化や実装部品の小型化に対する要求が厳しくなっている。プリント配線板においては、配線ルールの縮小により配線板表面と平行な方向について高密度化が図られている。更に、ビルドアップ工法を採用して配線を積層させ、任意の層間にビアホールを形成することにより、配線板表面に垂直な方向で高密度化も可能となった。
【０００３】
一方、半導体パッケージとしては、従来パッケージの外周に多ピン化されたリードを有するＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）やＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の表面実装デバイス（ＳＭＤ；      Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）が用いられることが多かった。近年、半導体パッケージを更に小型化するため、半導体素子の能動面を基板に向けたフリップ・チップ実装により、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）化が図られている。フリップ・チップ実装によれば半導体素子をベアチップのままリードを用いずに、バンプと呼ばれる電極端子を介して基板にダイレクトに実装される。上記のフリップ・チップ実装によれば、ベアチップ半導体の実装が可能な領域は基板表面であり、実装密度は基板サイズの制限を受けるため、実装密度をさらに飛躍的に向上させることは困難である。そこで、半導体素子を基板の内部に実装して実装密度を上げ、電子機器を小型化する手段が提案されている。
【０００４】
以下、従来の電子部品内蔵基板について、図１８を用いて説明する。図１８は、従来の電子部品内蔵基板の断面図である。
【０００５】
図１８において、従来の電子部品内蔵基板は基材からなる第１絶縁層２０１とこの第１絶縁層２０１の上に設けられた絶縁樹脂層からなる第２絶縁層２０２とを有し、第１絶縁層２０１の上面の第１導電性パターン２０６上にはベアチップＩＣからなる電子部品２０３が実装されると共に、第２の絶縁層２０２内に埋め込まれている。第１導電性パターン２０６と電子部品２０３との接続は、電子部品２０３に形成されたバンプ２０４を介して行われている。また、第１絶縁層２０１の他の上面には第２導電性パターン２０８が形成されている。そして、第２絶縁層２０２の上層には、所定のパターンを有する第３導電性パターン２１０が形成されており、第２導電性パターン２０８上部の第２絶縁層２０２にはビアホール２１５が形成され、ビアホール２１５内には導電層２１６が形成されている。
【０００６】
なお、この技術の先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００１−７７５３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような従来の電子部品内蔵基板において、第２絶縁層２０２を貫通するビアホール２１５により第２導電性パターン２０８と第３導電性パターン２１０を電気的に接続するのであるが、第２絶縁層２０２は電子部品２０３を内蔵するため厚みが厚く、そのためビアホール２１５も深い穴となる。従って、この深穴であるビアホール２１５内にめっきによる導電層２１６を形成することは非常に困難で、接続信頼性が低下するという問題点を有していた。
【０００８】
本発明はこのような問題を解決したもので、簡易かつ接続信頼性の高い電子部品内蔵基板とこれを用いた電子機器、およびその製造方法を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために本発明は、第１配線層と、この第１配線層の上面に実装された電子部品と、前記第１配線層の上にバンプを介して前記第１配線層に電気的に接続された第２配線層と、前記第１配線層と前記第２配線層との間に配置されて前記バンプによって貫通された接着層とを備え、前記接着層は繊維材料を含まない絶縁性樹脂からなり、前記接着層内に前記電子部品が配置された電子部品内蔵基板としたものであり、簡易で安価なバンプ接続を用いると共に、剛直な繊維材料からの応力を受けることが無いため接続信頼性の高い電子部品内蔵基板を実現することができるという作用を有する。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、前記接着層は第１空隙を有し、この第１空隙内に前記電子部品が配置された請求項１に記載の電子部品内蔵基板としたものであり、電子部品へ応力が掛からない構造とすることで接続信頼性の高い電子部品内蔵基板を実現することができるという作用を有する。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、前記接着層は、この接着層の内層に第３配線層を有し、前記第１配線層と前記第３配線層とはバンプを介して電気的に接続され、前記第２配線層と前記第３配線層とはバンプを介して電気的に接続された請求項１に記載の電子部品内蔵基板としたものであり、微小バンプを用いた接続が可能であり、更に電子部品を内蔵している層内で配線の引き回しが可能になるため、設計自由度が向上するという作用を有する。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、前記第２配線層は表裏面を貫通する貫通孔を有する請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板としたものであり、貫通孔を設けることにより、第１配線層と接着層と第２配線層とを加熱圧着させる際に第１空隙に充填された気体が膨張してもその膨張した気体を電子部品内蔵基板の外部に逃がすことができ、電子部品内蔵基板の製造時の歩留りを向上するという作用を有する。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、前記第１配線層の上面若しくは前記第２配線層の下面に実装された第２の電子部品が前記接着層内に配置された請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板としたものであり、更に小型・高密度を実現した電子部品内蔵基板を提供することができるという作用を有する。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、前記バンプは金属線を用いた金属バンプおよび／または金属めっきによるめっきバンプからなる請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板としたものであり、簡易な方法でバンプを形成することが可能であると共に、第１配線層と第２配線層間の電気的接続について安定した信頼性を実現することができるという作用を有する。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板と、この電子部品内蔵基板に接続された表示装置とが搭載された電子機器としたものであり、小型・低背化が可能な電子部品内蔵基板を使用することにより、電子機器の小型化を実現することができるという作用を有する。
【００１６】
請求項８に記載の発明は、第１配線層上に電子部品を実装する工程と、前記第１配線層および／または第２配線層上にバンプを形成する工程と、繊維材料を含まない絶縁性樹脂からなり前記電子部品の実装エリアより大きな第１空隙を設けた接着層を準備する工程と、前記第１配線層上の所望の位置に前記接着層と前記第２配線層を前記バンプが前記第１配線層と前記第２配線層の内側になるように順に重ね合わせる工程と、前記第１配線層と前記接着層と前記第２配線層とを加熱しながら加圧して一体化すると共に前記第１配線層と前記第２配線層とを前記バンプを介して電気的に接続する工程とを備えた電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、層間接続材料にバンプおよび接着層を用いることにより、加熱・加圧工程のみで電子部品内蔵基板を製造することができるという作用を有する。
【００１７】
請求項９に記載の発明は、前記接着層に前記バンプの形成エリアより大きな第２空隙を設けた請求項８に記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、第１配線層と第２配線層間のバンプを介した電気的接続を良好に行うことができるという作用を有する。
【００１８】
請求項１０に記載の発明は、前記第１空隙内に前記絶縁性樹脂を流し込み、前記電子部品の周囲に空間が存在しない請求項８または請求項９に記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、絶縁性樹脂の充填により電子部品およびバンプの接続信頼性を高めることができるという作用を有する。
【００１９】
請求項１１に記載の発明は、前記第２配線層は表裏面を貫通する貫通孔を有する請求項８から請求項１０のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、貫通孔を設けることにより、第１配線層と接着層と第２配線層とを加熱圧着させる際に第１空隙に充填された気体が膨張してもその膨張した気体を電子部品内蔵基板の外部に逃がすことができ、電子部品内蔵基板の製造時の歩留りを向上するという作用を有する。
【００２０】
請求項１２に記載の発明は、前記第１配線層の上面若しくは前記第２配線層の下面に実装された第２の電子部品を備えた請求項８から請求項１１のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、更に小型・高密度を実現した電子部品内蔵基板を提供することができるという作用を有する。
【００２１】
請求項１３に記載の発明は、前記バンプは金属線を用いた金属バンプおよび／または金属めっきによるめっきバンプからなる請求項８から請求項１２のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、簡易な方法でバンプを形成することが可能であると共に、第１配線層と第２配線層間の電気的接続について安定した信頼性を実現することができるという作用を有する。
【００２２】
請求項１４に記載の発明は、前記バンプは金属めっきによるめっきバンプ上に金属線を用いた金属バンプを形成した請求項８から請求項１２のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、バンプ同士の圧接において、硬い金属めっき膜に軟らかい金属バンプを押し当てることになるため、加熱加圧時の圧力受けて金属バンプが潰れて応力を緩和しながら接続することができるため、第１配線層と第２配線層間の電気的接続について安定した信頼性を実現することができるという作用を有する。
【００２３】
請求項１５に記載の発明は、前記接着層に形成した前記第１空隙と前記第２空隙は一体化した一つの空隙である請求項９から請求項１４のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、単純な空隙でありながら、電子部品およびバンプへの不要な荷重を一度に防止することができるという作用を有する。
【００２４】
請求項１６に記載の発明は、前記接着層の内層に異方性導電フィルムを配置している請求項８から請求項１５のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、バンプを用いた接続において更に電気的接続を安定化することができるという作用を有する。
【００２５】
請求項１７に記載の発明は、第１配線層上に電子部品を実装する工程と、前記第１配線層および／または前記電子部品の実装エリアより大きな空間を有する第３配線層上に第１バンプを形成する工程と、第２配線層および／または前記第３配線層上に第２バンプを形成する工程と、繊維材料を含まない絶縁性樹脂からなり前記電子部品の実装エリアより大きな第１空隙を設けた第１接着層および第２接着層を準備する工程と、前記電子部品実装後の前記第１配線層上の所望の位置に前記第１接着層と前記第３配線層と前記第２接着層と前記第２配線層を前記第１バンプが前記第１配線層と前記第３配線層の内側になり前記第２バンプが前記第３配線層と前記第２配線層の内側になるように順に重ね合わせる工程と、前記第１配線層と前記第１接着層と前記第３配線層と前記第２接着層と前記第２配線層とを加熱しながら加圧して一体化すると共に前記第１配線層と前記第３配線層と前記第２配線層とを前記第１バンプおよび前記第２バンプを介して電気的に接続する工程とを備えた電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、電子部品を内蔵している層内で配線の引き回しが可能になると共に、微小バンプを用いることが可能となるため、設計自由度が向上し、更に層間接続材料にバンプおよび接着層を用いることにより、加熱・加圧工程のみで電子部品内蔵基板を製造することができるという作用を有する。
【００２６】
請求項１８に記載の発明は、前記第１接着層および第２接着層に前記第１バンプおよび第２バンプの形成エリアより大きな第２空隙を設けた請求項１７に記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、第１配線層と第３配線層間および第２配線層と第３配線間のバンプを介した電気的接続を良好に行うことができるという作用を有する。
【００２７】
請求項１９に記載の発明は、前記第１空隙内に前記絶縁性樹脂を流し込み、前記電子部品の周囲に空間が存在しない請求項１７または請求項１８に記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、絶縁性樹脂の充填により電子部品およびバンプの接続信頼性を高めることができるという作用を有する。
【００２８】
請求項２０に記載の発明は、前記第２配線層は表裏面を貫通する貫通孔を有する請求項１７から請求項１９のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、貫通孔を設けることにより、第１配線層と第１接着層と第３配線層と第２接着層と第２配線層を加熱圧着させる際に第１空隙に充填された気体が膨張してもその膨張した気体を電子部品内蔵基板の外部に逃がすことができ、電子部品内蔵基板の製造時の歩留りを向上し、信頼性の安定化を図ることができるという作用を有する。
【００２９】
請求項２１に記載の発明は、前記第１配線層の上面若しくは前記第２配線層の下面に実装された第２の電子部品を備えた請求項１７から請求項２０のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、更に小型・高密度を実現した電子部品内蔵基板を提供することができるという作用を有する。
【００３０】
請求項２２に記載の発明は、前記第１バンプおよび前記第２バンプは金属線を用いた金属バンプおよび／または金属めっきによるめっきバンプからなる請求項１７から請求項２１のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、簡易な方法でバンプを形成することが可能であると共に、第１配線層と第２配線層間の電気的接続について安定した信頼性を実現することができるという作用を有する。
【００３１】
請求項２３に記載の発明は、前記第１バンプおよび前記第２バンプは金属めっきによるめっきバンプ上に金属線を用いた金属バンプを形成した請求項１７請求項２１のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、バンプ同士の圧接において、硬い金属めっき膜に軟らかい金属バンプを押し当てることになるため、加熱加圧時の圧力を受けて金属バンプが潰れて応力を緩和しながら接続することができるため、第１配線層と第２配線層間の電気的接続について安定した信頼性を実現することができるという作用を有する。
【００３２】
請求項２４に記載の発明は、前記第１接着層および前記第２接着層に形成した前記第１空隙および前記第２空隙がそれぞれ一体化した一つの空隙である請求項１８から請求項２３のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法としたものであり、単純な空隙でありながら、電子部品およびバンプへの不要な荷重を一度に防止することができるという作用を有する。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の電子部品内蔵基板は、平坦な第１配線層上に電子部品を実装してから第２配線層を積層することで、電子部品の実装を容易に行うことができ、且つ確実に電子部品を第１配線層上に実装した状態で電子部品を内蔵する部品内蔵基板とすることができるため、電子部品の電気的接続を良好に行うことができる。更に層間接続材料にバンプおよび接着層を用いることにより、加熱・加圧工程のみで第１配線層と第２配線層の電気的接続を行うことができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
（実施の形態１）
以下に、本発明の電子部品内蔵基板とこれを用いた電子機器、およびその製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。図１、図２は本発明の実施の形態１による電子部品内蔵基板の断面図、図９は本発明の実施の形態１による電子部品内蔵基板の製造工程断面図である。
【００３５】
実施の形態１の電子部品内蔵基板１００は、図１（ａ）に示すように、第１配線層１０１と、この第１配線層１０１上に設けられた第２配線層１０４および電子部品１０５とを備える。第１配線層１０１の上面には第１導電性パターン１０２及び第２導電性パターン１０６が設けられている。この第１配線層１０１は、絶縁層が熱硬化性樹脂からなる多層配線基板である。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂またはＢＴレジン（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）を用いることができる。エポキシ樹脂は耐熱性が高いために特に好ましい。第１導電性パターン１０２や第２導電性パターン１０６は電気導電性を有する物質から成り、例えば、Ｃｕ箔や導電性樹脂組成物から成る。本発明においては第１導電性パターン１０２や第２導電性パターン１０６としてＣｕ箔を用いている。また、第１配線層１０１に含まれるインナービア１１３は、例えば、Ｃｕめっきによる金属材料や、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物などの熱硬化性の導電性物質から成る。導電性物質中の金属粒子としては、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕなどを用いることができる。Ａｕ、ＡｇまたはＣｕは導電性が高いために好ましく、Ｃｕは導電性が高くマイグレーションも少なく、また、低コストであるため特に好ましい。また、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は耐熱性が高いために特に好ましい。
【００３６】
第１配線層１０１の上面にある第１導電性パターン１０２上にはＡｕめっき膜を形成している。Ａｕめっき膜は、例えば、下地金属に無電解めっき法によるＮｉめっきを行い、Ｎｉめっき上に同じく無電解めっき法によるＡｕめっき膜を形成している。なお、Ａｕめっき膜形成方法については、上述した方法に限らず種々の方法によって実現することが可能であるが、後に電子部品１０５を実装した際の電気的導通を安定化するためには、最表層にはＡｕめっき膜が形成されていることが重要である。
【００３７】
このＡｕめっき膜が形成された第１導電性パターン１０２上に、電子部品１０５が実装されている。電子部品１０５としては、半導体部品やＬＣＲ等のチップ部品からなる受動部品を用いることができる。半導体部品は、例えばバンプ１１０が形成された半導体ベアチップＩＣであり、フリップ・チップ実装方式により第１導電性パターン１０２に接続されている。バンプ１１０の材料としては、Ａｕ線によるＡｕスタッドバンプ、めっきによるＡｕまたははんだバンプ、導電性ペーストによるＡｇバンプ等簡易な方法で形成可能なバンプを用いることができる。なお上述した方法に限らず種々の方法でバンプ１１０を形成しても良い。半導体ベアチップＩＣのフリップ・チップ実装方法については、実装時に補助材料を用いないＡｕ−Ａｕ直接接続方式やはんだバンプによるはんだ接続方式を用いることができるが、上記した方法に限らず半導体ベアチップＩＣをフェイスダウンで実装するフリップ・チップ実装方式であるなら何れの方法も使用可能である。また、実装補助材１１１として、ＡＣＦやＮＣＦを用いるＡｕバンプによる圧接接続方式や、フリップ・チップ実装後に半導体ベアチップＩＣと第１配線層１０１の間にアンダーフィルを充填する方式を用いることができる。図１（ａ）には実装補助材１１１を使用した構造を示している。なお、上記した方法に限らず、実装補助材１１１を用いて半導体ベアチップＩＣをフェイスダウンで実装するフリップ・チップ実装方式であるなら何れの方法も使用可能である。また、電子部品１０５としてチップ部品を使用した場合には、実装材料としては、はんだや導電性接着剤を用いることができる。はんだとしては、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｚｎ系などの材料が使用可能であるが、これらの材料に限らず電子部品１０５を実装できる材料であるなら何れの材料も使用可能である。ただし、環境汚染物質であるＰｂを含有しない材料であることが重要である。また、導電性接着剤としては、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕなどの金属粒子とエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂などの熱硬化性樹脂とを混合した材料を使用することができる。その中でもＡｇとエポキシ樹脂の組み合わせは、導電性が高いと共に耐熱性が高いため特に好ましい。
【００３８】
第１配線層１０１上には、電子部品１０５を内部に閉じ込めるように、接着層１０８を介して第２配線層１０４が積層されている。接着層１０８としては、熱硬化性のエポキシ樹脂に二酸化珪素（シリカ）等の無機フィラーを混合した熱硬化性シート材料を使用することが可能であるが、熱硬化性樹脂に無機フィラーを混合した構造であれば、様々な材料を使用することが可能である。
【００３９】
第２配線層１０４は、表裏面に第３導電性パターン１１５、第４導電性パターン１１６を有し、絶縁層が熱硬化性樹脂からなる配線基板である。第１配線層１０１と同様に、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂またはＢＴレジンを用いることができる。エポキシ樹脂は耐熱性が高いために特に好ましい。第３導電性パターン１１５や第４導電性パターン１１６は電気導電性を有する物質から成り、例えば、Ｃｕ箔や導電性樹脂組成物から成る。本発明においてはＣｕ箔を用いている。なお、本発明において第２配線層１０４は２層構成としているが、２層構成に限らず多層配線基板を用いてもよい。また、第２配線層１０４内の層間接続を行う方法としては、インナービア構造、スルーホール構造等一般的なプリント配線板の接続方法を用いることができる。なお、第１配線層１０１、接着層１０８、第２配線層１０４の材料選択は任意に行うことが可能であるが、可能な限り線膨張係数の差を小さくすることが反り防止に対して効果的に働き、高い信頼性を保つ上で特に好ましい。
【００４０】
第１配線層１０１と第２配線層１０４間の電気的接続は、第２導電性パターン１０６と第３導電性パターン１１５間に形成したバンプ１１８によって行われる。第２導電性パターン１０６および第３導電性パターン１１５は、バンプ１１８との接続を良好に行うため表面にＡｕめっき膜を形成している。なお、Ａｕめっき膜の代わりにパターン表面を粗化する手法を用いてもよい。バンプ１１８としては、Ａｕ線によるＡｕスタッドバンプ、Ｃｕ線によるＣｕスタッドバンプ、Ａｌ線によるＡｌスタッドバンプなどの金属バンプまたは金属めっき膜で構成されている。Ａｕスタッドバンプは材質が軟らかく、接続安定性が高いため特に好ましい。
【００４１】
接着層１０８には、接着層１０８のシート状材料そのものが電子部品１０５に接することが無いように電子部品１０５のサイズより大きな空間である第１空隙１０３を形成している。この電子部品１０５のサイズより大きい第１空隙１０３の存在により、第１配線層１０１、接着層１０８、第２配線層１０４で囲まれる空間に電子部品１０５を内蔵する際において、電子部品１０５の側面部分にかかる不必要な応力を回避することができ、電子部品１０５の接続信頼性を安定化することができるものである。なお、図１（ｂ）に示すように、第１空隙１０３内に接着層１０８から溶融軟化して流れ出た熱硬化性樹脂１０７を充填して電子部品１０５の周囲を完全に覆う構造としても良い。第１空隙１０３内に熱硬化性樹脂１０７を充填する構造の利点としては、熱硬化性樹脂１０７が電子部品１０５の全面に対して均一な圧力を加える構造をとることが可能となり、電子部品１０５の接続信頼性を更に安定化することができるものである。
【００４２】
また、第２配線層１０４には図２（ａ）に示すように、貫通孔１１７を有する構造とすることができる。貫通孔１１７を形成することで、様々な温度条件による第１空隙１０３内部の気体の膨張・収縮により第１配線層１０１および第２配線層１０４に掛かる応力を回避することができる。この第２配線層１０４に形成される貫通孔１１７は最低限１箇所あればその効力を発揮することが可能となるが、複数個形成することにより、更にその効力を高めることができるものである。なお、図１（ｂ）と同様に、図２（ｂ）に示すように、第２配線層１０４に貫通孔１１７を形成した構造においても、第１空隙１０３内に熱硬化性樹脂１０７を充填する構造としても良い。
【００４３】
以上の構成により、層間接続材料にバンプ１１８を用いることにより、簡易で安価な手法を用いて電子部品内蔵基板を実現することが可能となり、また、第１空隙１０３の存在により、電子部品内蔵基板内に配置している電子部品１０５に対して、接着層１０８による応力を回避することが可能となるため接続信頼性の高い電子部品内蔵基板を実現することができるものである。
【００４４】
次に本発明の電子部品内蔵基板の製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００４５】
図９は、本発明の実施の形態１による電子回路装置の製造工程断面図である。
【００４６】
図９（ａ）に示すように、第１配線層１０１の上面に配置した第１導電性パターン１０２と、第２導電性パターン１０６およびインナービア１１３とを含む多層配線基板の第１導電性パターン１０２にはＡｕめっき膜が形成されている。その後、図９（ｂ）に示すように、電極上にバンプ１１０を形成した半導体ベアチップＩＣからなる電子部品１０５を第１導電性パターン１０２上へフリップ・チップ実装する。
【００４７】
次に、図９（ｃ）に示すように、表裏面に第３導電性パターン１１５および第４導電性パターン１１６を有する第２配線層１０４の第３導電性パターン１１５側にバンプ１１８を形成する。バンプ１１８としては、Ａｕ線によるＡｕスタッドバンプ、Ｃｕ線によるＣｕスタッドバンプ、Ａｌ線によるＡｌスタッドバンプ、無電解Ｎｉめっき膜上にＡｕめっき膜を形成したＡｕめっき膜、Ｃｕめっきにより形成されたＣｕめっき膜等の金属めっき膜を用いることができる。Ａｕスタッドバンプは材質が軟らかく、接続安定性が高いため特に好ましい。バンプ１１８にＡｕスタッドバンプを用いる場合には、第３導電性パターン１１５の表面は、バンプ１１８の形成を容易に行うためにＡｕめっき膜を形成している。そして、バンプ１１８と接続する第２導電性パターン１０６の表面は、第２バンプ１１８との接続を良好に行うため予め表面にＡｕめっき膜を形成しておくことや、Ａｕめっき膜を形成する代わりにパターン表面をエッチング等により粗化する手法を用いてもよい。なお、図９（ｃ）には第２配線層１０４へバンプ１１８を形成する構造を記載しているが、バンプ１１８を第１配線層１０１上の第２導電性パターン１０６側に形成しても良い。
【００４８】
次に、図９（ｄ）に示すように、接着層１０８について、後に第１配線層１０１および第２配線層１０４と重ね合わせた際に電子部品１０５とバンプ１１８に対応する位置に電子部品１０５より大きな空間である第１空隙１０３およびバンプ１１８と略同等以上の空間である第２空隙１３５を形成しておく。なお、第２空隙１３５は形成しない方法を採用しても良い。
【００４９】
次に、図９（ｅ）に示すように、電子部品１０５実装後の第１配線層１０１上に第１空隙１０３および第２空隙１３５を形成した接着層１０８と、第２配線層１０４をバンプ１１８が第１配線層１０１と第２配線層１０４の間に位置するように順に重ね合わせる。なお、第１配線層１０１、接着層１０８、第２配線層１０４は積層後の基板の反りや変形を防止するために、熱膨張係数差の小さい材料を選択することが重要である。
【００５０】
また、第２配線層１０４が電子部品１０５に接触することによって電子部品１０５に圧力がかからないように、接着層１０８は、電子部品１０５の実装後の第１配線層１０１からの高さより厚く形成する必要がある。
【００５１】
また、接着層１０８は、熱硬化性樹脂と無機フィラーの混合シートであるが、この接着層１０８は加熱しながら加圧することにより、接着層１０８から軟化した熱硬化性樹脂が流れ出し、加熱・加圧終了後には初期の厚みより必ず薄くなる。このため、この厚みの減少分を予め考慮して設計すれば、積層後でも第２配線層１０４が電子部品１０５に接触することを未然に防止することが可能である。
【００５２】
最後に、図９（ｆ）に示すように、重ね合わせたそれぞれの構成材料をプレス機（図示せず）により、例えば２００℃で加熱しながら２ＭＰａの圧力で加圧を行うことで、バンプ１１８を第２導電性パターン１０６と第３導電性パターン１１５間に挟み込む。この時、バンプ１１８は接着層１０８の厚みと略同等の高さまで押し潰されながら第１配線層１０１と第２配線層１０４間に存在することとなる。この様に、第１バンプ１１８が押し潰されながら第２導電性パターン１０６と第３導電性パターン１１５に接触するので、バンプ１１８と第２導電性パターン１０６および第３導電性パターン１１５間において十分な接触面積を確保し、安定した電気的導通を行うことができるのである。
【００５３】
なお、図９に示す製造方法と同一の方法を用いながら、接着層１０８に含有されている熱硬化性樹脂量をコントロールすることで、第１空隙１０３をすべて熱硬化性樹脂１０７で充填した図１（ｂ）に示す構造を作製することが可能である。この時、加熱・加圧工程で溶融軟化した熱硬化性樹脂１０７が第１空隙１０３内に流れ出し、電子部品１０５を覆う構造となるのであるが、軟化した熱硬化性樹脂１０７から電子部品１０５に加わる圧力は等方静水圧となるため、局所的に集中して電子部品１０５に圧力が掛かるものではなく、均一な圧力として作用するため、電子部品１０５の接続信頼性を劣化させることが無く、より安定した接続を実現することができるものである。
【００５４】
また、図９に示している第２配線層１０４に代えて予め貫通孔１１７を形成した第２配線層１０４を使用すれば、図２（ａ）および（ｂ）に示す電子部品内蔵基板を製造することができる。
【００５５】
以下、実施の形態１に示す電子部品内蔵基板およびその製造方法の特徴について説明する。
【００５６】
本発明の電子部品内蔵基板およびその製造方法においては、電子部品内蔵層の電気的接続をバンプおよび接着層を用いることでプレスによる加熱・加圧工程のみで実現することが可能となるものである。さらに、接着層には電子部品に負荷を与えないように電子部品より大きなサイズの第１空隙を形成している。また、バンプは金属線を用いた金属バンプまたは金属めっき膜からなるめっきバンプを用いることで安価でありながら高精度なバンプを形成することができるものである。以上のような構成とすることにより、層間接続信頼性の高い電子部品内蔵基板を安価な手法で実現することが可能となる。
【００５７】
以上に示すように、本実施の形態１によれば、バンプおよび接着層を用いることにより加熱・加圧工程のみで層間接続信頼性の高い電子部品内蔵基板を実現することができるものである。
【００５８】
（実施の形態２）
以下、本発明に係る実施の形態２について図を用いて説明する。図１０は本発明の実施の形態２による電子部品内蔵基板の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００５９】
実施の形態２における実施の形態１との主な相違点は、図１０（ｃ）および（ｅ）に示すように、バンプ１１８を第１配線層１０１および第２配線層１０４の両方に形成していることである。バンプ１１８ａ、１１８ｂとしては、Ａｕ線によるＡｕスタッドバンプ、Ｃｕ線によるＣｕスタッドバンプ、Ａｌ線によるＡｌスタッドバンプを用いることができる。Ａｕスタッドバンプは材質が軟らかく、接続安定性が高いため特に好ましい。この時、バンプ１１８ａを形成する第２導電性パターン１０６およびバンプ１１８ｂを形成する第３導電性パターン１１５の表面は、それぞれバンプ１１８ａ、１１８ｂとの接続を良好に行うため予め表面にＡｕめっき膜を形成している。そして、第１配線層１０１および第２配線層１０４の両方に形成したバンプ１１８ａおよび１１８ｂは、図１０（ｇ）に示すようにそれぞれを対向させて重ね合わせた後、図１０（ｈ）に示すように、加熱・加圧工程を経てバンプ１１８ａとバンプ１１８ｂを直接接触させて押し潰しながら一体化して、電気的接続を行うものである。バンプ１１８ａおよびバンプ１１８ｂを用いる利点としては、電子部品１０５を内蔵するためには電子部品１０５以上の高さを有するバンプ１１８が必要となるが、バンプ１１８ａおよびバンプ１１８ｂの２つのバンプを用いることで、それぞれのバンプに小さなバンプを用いることが可能となる。内蔵する電子部品１０５の高さは通常１００μｍ以上あるため、内蔵層に必要なバンプ１１８の高さは電子部品１０５の実装高さを考慮すると、少なくとも１５０μｍ以上必要であり、図１０（ｈ）に示す構造であればバンプ１１８ａおよびバンプ１１８ｂの高さはそれぞれ１００μｍ以下のものでも使用可能となる。１００μｍ以下の高さのバンプは非常に形成しやすく、量産性に富んだ製造方法とすることができる。
【００６０】
なお、図１０に示す製造方法と同一の方法を用いながら、接着層１０８に含有されている熱硬化性樹脂量をコントロールすることで、第１空隙１０３をすべて熱硬化性樹脂１０７で充填した図１（ｂ）に示す構造と類似の構造を作製することが可能である。
【００６１】
また、図１０に示している第２配線層１０４に代えて予め貫通孔１１７を形成した第２配線層１０４を使用すれば、図２（ａ）および（ｂ）に示す電子部品内蔵基板と類似の構造を製造することができる。
【００６２】
（実施の形態３）
以下、本発明に係る実施の形態３について図を用いて説明する。図１１は本発明の実施の形態３による電子部品内蔵基板の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態１および実施の形態２と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００６３】
実施の形態３における実施の形態１および実施の形態２との主な相違点は、図１１（ｂ）に示すように、第１配線層１０１上の第２配線パターン１０６上にバンプ１１８ａとしてめっき膜によるめっきバンプを形成し、図１１（ｅ）で形成したスタッドバンプからなるバンプ１１８ｂと、図１１（ｇ）に示すようにそれぞれを対向させて重ね合わせた後、図１１（ｈ）に示すように、加熱・加圧工程を経て直接接触して電気的接続を行うものである。めっきバンプを用いることで実施の形態２と同様の効果を得ることができるものであるが、更なる利点として、軟らかいスタッドバンプ同士の接続の場合に起きる、バンプが押し潰される際に垂直方向から逸れて倒れることによる接続不良を防止することが可能となる。この場合、めっきバンプが加熱・加圧工程で柱の役割を果たしバンプの倒れを防止するものである。更にこの場合、金属めっき膜からなるめっきバンプは、金属線を用いたスタッドバンプより容易に直径を大きくすることができる。直径を大きくすることで、より確実に加熱・加圧工程での柱の役割を果たすことが可能になると共に、図１１（ｇ）に示すようなそれぞれのバンプ１１８ａ、１１８ｂを重ね合わせる際に、位置精度を緩和することができるものであり、量産性に富んだ製造方法とすることができる。なお、めっきバンプの表面はＡｕめっき膜を形成することや、表面を粗化することでスタッドバンプとの電気的接続を安定化することが可能となる。
【００６４】
また、図１１では、第１配線層１０１側にバンプ１１８ａとしてめっきバンプを形成し、第２配線層１０４側にバンプ１１８ｂとしてスタッドバンプを形成した構造としているが、第１配線層１０１側にスタッドバンプを形成し、第２配線層１０４側にめっきバンプを形成した構造としても良い。
【００６５】
なお、図１１に示す製造方法と同一の方法を用いながら、接着層１０８に含有されている熱硬化性樹脂量をコントロールすることで、第１空隙１０３をすべて熱硬化性樹脂１０７で充填した図１（ｂ）に示す構造と類似の構造を作製することが可能である。
【００６６】
また、図１１に示している第２配線層１０４に代えて予め貫通孔１１７を形成した第２配線層１０４を使用すれば、図２（ａ）および（ｂ）に示す電子部品内蔵基板と類似の構造を製造することができる。
【００６７】
（実施の形態４）
以下、本発明に係る実施の形態４について図を用いて説明する。図１２は本発明の実施の形態４による電子部品内蔵基板の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは上述した実施の形態と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００６８】
実施の形態４における実施の形態１および実施の形態２および実施の形態３との主な相違点は、図１２（ｃ）に示すように、第２配線層１０４上の第３配線パターン１１５上にバンプ１３０としてめっき膜によるめっきバンプを形成し、図１２（ｄ）に示すように、バンプ１３０上にスタッドバンプからなるバンプ１１８を形成する。その後、図１２（ｆ）に示すように、第１配線層１０１、接着層１０８、第２配線層１０４をバンプ１１８が第１配線層１０１と第２配線層１０４に挟まれるようにそれぞれを重ね合わせた後、図１２（ｇ）に示すように、加熱・加圧工程を経てバンプ１１８を押し潰しながら第１配線層１０１、接着層１０８、第２配線層１０４を一体化して、第１配線層１０１と第２配線層１０４間の電気的接続を行うものである。上述した構造により、実施の形態２および実施の形態３と同様の効果を得ることができるものであるが、更なる利点として、バンプ１３０とバンプ１１８との位置精度を完全に合わせることができるため、積層時のバンプズレによる導通不良を防止することが可能となる。
【００６９】
また、図１２では、第１配線層１０２側にバンプ１３０およびバンプ１１８を形成した構造としているが、第１配線層１０１側に形成した構造としても良い。
【００７０】
なお、図１２に示す製造方法と同一の方法を用いながら、接着層１０８に含有されている熱硬化性樹脂量をコントロールすることで、第１空隙１０３をすべて熱硬化性樹脂１０７で充填した図１（ｂ）に示す構造と類似の構造を作製することが可能である。
【００７１】
また、図１２に示している第２配線層１０４に代えて予め貫通孔１１７を形成した第２配線層１０４を使用すれば、図２（ａ）および（ｂ）に示す電子部品内蔵基板と類似の構造を製造することができる。
【００７２】
（実施の形態５）
以下、本発明に係る実施の形態５について図を用いて説明する。図１３は本発明の実施の形態５による電子部品内蔵基板の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは上述した実施の形態と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００７３】
実施の形態５における実施の形態１との主な相違点は、実施の形態１では接着層に、後に第１配線層１０１および第２配線層１０４と重ね合わせた際に電子部品１０５とバンプ１１８に対応する位置に電子部品１０５より大きな空間である第１空隙１０３およびバンプ１１８と略同等以上の空間である第２空隙１３５を形成しているものであるが、第１空隙１０３を第２空隙１３５まで拡大して一体化した空隙１０３ａを形成していることである。このように１つの空隙１０３ａとすることにより、空隙１０３ａの加工を容易に行うことができるとともに、電子部品１０５と空隙１０３ａの内壁との距離が広がり、また電子部品１０５と空隙１０３ａの内壁との間にバンプ１１８が存在するため、加熱・加圧時に接着層１０８からの圧力が直接電子部品１０５に掛かることを防止することができ、電子部品１０５の接続信頼性を安定化することが可能となる。なお、図１３（ｃ）には第２配線層１０４へバンプ１１８を形成する構造を記載しているが、バンプ１１８を第１配線層１０１上の第２導電性パターン１０６側に形成しても良い。また、実施の形態２〜４に示すようなバンプ構造を採用することも可能である。ただし、実施の形態５に関しては、図１３（ｆ）に示すように、加熱・加圧工程後には、空隙１０３ａ内を熱硬化性樹脂１０７で完全に充填していることが重要である。空隙１０３ａに熱硬化性樹脂１０７が充填されていない場合には、バンプ１１８の周囲に熱硬化性樹脂が存在しないことになるため、バンプ１１８と第１配線層１０１または第２配線層１０４との接続が不安定になるからである。
【００７４】
なお、図１３に示している第２配線層１０４に代えて予め貫通孔１１７を形成した第２配線層１０４を使用すれば、図２（ｂ）に示す電子部品内蔵基板を製造することができる。ただし、この場合においても空隙１０３ａには熱硬化性樹脂１０７を完全に充填しておくことが重要である。
【００７５】
（実施の形態６）
以下、本発明に係る実施の形態６について図を用いて説明する。図１４は本発明の実施の形態６による電子部品内蔵基板の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは上述した実施の形態と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００７６】
実施の形態６は、実施の形態２および実施の形態３と類似の構造をとる。実施の形態６においては、図１４（ｇ）に示すように、接着層１０８の内層に異方性導電フィルム１３８を配置し、図１４（ｈ）に示すように、第１配線層１０１および第２配線層１０４の両方に形成したスタッドバンプおよび／またはめっきバンプからなるバンプ１１８ａ、１１８ｂで加熱・加圧工程により異方性導電フィルム１３８を挟み込み電気的に接続する構造としたものである。異方性導電フィルム１３８とは、微細な導電ボールを熱硬化性樹脂中に分散してフィルム状に加工したもので、フィルムそのものは絶縁性であるが、この異方性導電フィルム１３８を１対の電極で挟んで押し潰すと、導電ボールが１対の電極に接触して両電極間を導通させると同時に、両電極を固着することができるものである。異方性導電フィルム１３８に使用される導電ボールは、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉなどの単一或いは合金からなる金属ボールや、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉなどの金属めっき膜で表面をコートした樹脂ボールなどが用いられる。なお、使用する導電ボールは上述した材料に限定されるものではなく、１対の電極間に挟まれて両電極間を導通させる特徴を有するものであるなら如何なる材料であっても構わない。熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂などを用いることができる。ただし、上述した材料にかかわらず、熱硬化性樹脂であるなら様々な材料を使用することができる。
【００７７】
異方性導電フィルム１３８を使用することにより、バンプ１１８ａ、１１８ｂがそれぞれ個々に異方性導電フィルム１３８と接触するため、熱硬化性樹脂との接着力を得ることができ電気的導通を安定化することができるものである。
【００７８】
なお、図１４に示す製造方法と同一の方法を用いながら、接着層１０８に含有されている熱硬化性樹脂量をコントロールすることで、第１空隙１０３をすべて熱硬化性樹脂１０７で充填した図１（ｂ）に示す構造と類似の構造を作製することが可能である。
【００７９】
また、図１４に示している第２配線層１０４に代えて予め貫通孔１１７を形成した第２配線層１０４を使用すれば、図２（ａ）および（ｂ）に示す電子部品内蔵基板と類似の構造を製造することができる。
【００８０】
（実施の形態７）
以下、本発明に係る実施の形態７について図を用いて説明する。図３、図４は本発明の実施の形態７による電子部品内蔵基板の断面図、図１５は本発明の実施の形態７による電子部品内蔵基板の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは上述した実施の形態と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００８１】
本実施の形態７は、実施の形態１に示す電子部品内蔵基板構造に対して、図３（ａ）に示すように、接着層１０８内に第３配線層１１４を配置した構造としている。接着層１０８内に第３配線層１１４を配置する方法としては、図１５（ｃ）に示すように、電子部品１０５のサイズより大きな空間１３１を形成した第３配線層１１４を用い、接着層１０８を２セット用意し、図１５（ｆ）に示すように、第３配線層１１４の上下に接着層１０８を配置して、第１配線層１０１と第２配線層１０４との間に挟んで加熱・加圧して一体化するものである。第１配線層１０１と第３配線層１１４とを繋ぐバンプ１１８ｃと第２配線層１０４と第３配線層１１４とを繋ぐバンプ１１８ｄは、図１５においては第３配線層１１４上にバンプ１１８ｃを形成し、第２配線層１０４上にバンプ１１８ｄを形成しているが、その他に、第１配線層１０１上にバンプ１１８ｃを形成し、第３配線層１１４上にバンプ１１８ｄを形成する組み合わせ、および第３配線層１１４上にバンプ１１８ｃを形成し、第２配線層１０４上にバンプ１１８ｄを形成する組み合わせを用いても良い。なお、バンプ１１８ｃおよび１１８ｄとしては、Ａｕ線によるＡｕスタッドバンプ、Ｃｕ線によるＣｕスタッドバンプ、Ａｌ線によるＡｌスタッドバンプを用いることができる。Ａｕスタッドバンプは材質が軟らかく、接続安定性が高いため特に好ましい。
【００８２】
第３配線層１１４を用いることで、内蔵する電子部品１０５の高さに関係なく、バンプ１１８ｃおよび１１８ｄに微小なスタッドバンプを用いることが可能となる。これは、内蔵する電子部品１０５の高さが大きくなっても、第３配線層１１４の厚みを制御することで、バンプ１１８ｃおよび１１８ｄには常に製造しやすい高さ５０μｍ程度の微小なスタッドバンプが採用できるからである。また、バンプ同士の接続に対して、バンプ１１８ｃおよび１１８ｄをそれぞれ第１配線層１０１、第２配線層１０４、第３配線層１１４で挟むことが可能となるため、確実にバンプ１１８ｃおよび１１８ｄを潰しながら接続させることができるため、電気的導通を安定化させ、接続信頼性の高い電子部品内蔵基板とすることができるものである。
【００８３】
なお、上述した実施の形態と同様に、図１５に示す製造方法と同一の方法を用いながら、接着層１０８に含有されている熱硬化性樹脂量をコントロールすることで、第１空隙１０３をすべて熱硬化性樹脂１０７で充填した図３（ｂ）に示す構造を作製することが可能である。
【００８４】
また、図１５に示している第２配線層１０４に代えて予め貫通孔１１７を形成した第２配線層１０４を使用すれば、図４（ａ）および（ｂ）に示す電子部品内蔵基板を製造することができる。
【００８５】
（実施の形態８）
以下、本発明に係る実施の形態８について図を用いて説明する。図５、図６、図７、図８は本発明の電子部品内蔵基板の断面図、図１６は本発明の実施の形態８による電子部品内蔵基板の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは上述した実施の形態と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００８６】
本実施の形態８は、図５〜８に示すように、電子部品１０５と第２の電子部品１１９を内蔵している電子部品内蔵基板である。第２の電子部品１１９は、第１配線層１０１および第２配線層１０４の何れかに実装されているが、電子部品１０５と第２の電子部品１１９が積層方向に対して重ならないように配置することが重要である。特に電子部品１０５と第２電子部品１１９をそれぞれ第１配線層１０１と第２配線層１０４に分離して実装することは特に好ましく、半導体ＩＣからなる電子部品１０５とＬＣＲ等のチップ部品からなる第２電子部品１１９のように異種部品を内蔵する場合においては、それぞれ実装方式が異なるため、実装する層を分けることで量産性に富んだ電子部品内蔵基板を製造することが可能となる。また、電気的特性を分離したい場合においても、実装する層を分けることは非常に有効な手段となる。
【００８７】
なお、上述した実施の形態と組み合わせることで様々な構造においても第２電子部品１１９を内蔵することが可能となるものである。
【００８８】
（実施の形態９）
以下、本発明に係る実施の形態９について図を用いて説明する。図１７は本発明の電子部品内蔵基板を用いた電子機器の断面図である。なお、特に説明しない限りは上述した実施の形態と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００８９】
本実施の形態９では、図１７に示すように、上述した実施の形態で作製した電子部品内蔵基板を使用し、その表面にはんだを用いて電子部品１４０ａ、１４０ｂおよび金属ケース１４１を実装することにより、電子機器を作製している。電子機器としては、図１７（ａ）に示すように、電子部品内蔵基板の第１配線層１０１の裏面側に電子部品１４０ａ、１４０ｂを実装する構造、図１７（ｂ）に示すように、第２配線層１０４上に電子部品１４０ａ、１４０ｂを実装する構造のどちらも実施可能である。電子部品内蔵基板として、特に薄型基板を求める場合には図１７（ａ）に示す構造が適しており、内蔵している電子部品１０５と表層に実装している電子部品１４０ａ、１４０ｂとの電気的な干渉を防ぐ場合には図１７（ｂ）に示す構造が適している。なお、本実施の形態９で使用する電子部品内蔵基板は、上述した実施の形態で作製した電子部品内蔵基板の何れも使用可能である。本実施の形態９により、電子部品内蔵基板を使用しない場合と比べて受電子機器を小型化することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明における電子部品内蔵基板とこれを用いた電子機器、およびその製造方法は、半導体ベアチップＩＣを基板内に内蔵した電子部品内蔵基板を簡易な工程で作製することができ、更に電子部品内蔵基板における電子部品の接続信頼性を向上させることができるので、例えば、超小型の３次元実装モジュールの製造に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態１における電子部品内蔵基板の断面図
【図２】（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態１における電子部品内蔵基板の断面図
【図３】（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態７における電子部品内蔵基板の断面図
【図４】（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態７における電子部品内蔵基板の断面図
【図５】（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態８における電子部品内蔵基板の断面図
【図６】（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態８における電子部品内蔵基板の断面図
【図７】（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態８における電子部品内蔵基板の断面図
【図８】（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態８における電子部品内蔵基板の断面図
【図９】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施の形態１における電子回路装置の製造工程断面図
【図１０】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態２における電子回路装置の製造工程断面図
【図１１】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態３における電子回路装置の製造工程断面図
【図１２】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態４における電子回路装置の製造工程断面図
【図１３】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施の形態５における電子回路装置の製造工程断面図
【図１４】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態６における電子回路装置の製造工程断面図
【図１５】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態７における電子回路装置の製造工程断面図
【図１６】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態８における電子回路装置の製造工程断面図
【図１７】（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態９における電子機器の断面図
【図１８】従来の電子部品内蔵基板の断面図
【符号の説明】
【００９２】
１０１  第１配線層
１０２  第１導電性パターン
１０３  第１空隙
１０４  第２配線層
１０５  電子部品
１０６  第２導電性パターン
１０７  熱硬化性樹脂
１０８  接着層
１１０  バンプ
１１１  実装補助材
１１３  インナービア
１１５  第３導電性パターン
１１６  第４導電性パターン
１１８  バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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