(57)【要約】【課題】原版に対するゴミの付着を防止するための露光装置及び原版を提供する。【解決手段】真空環境下で原版上に形成された回路パターンを基板上に露光する露光装置において、並列した複数のワイヤ電極で構成され、前記原版に対向配置されるワイヤ電極列と、前記複数のワイヤ電極に交流電圧を印加する電源を有し、前記ワイヤ電極列は、ある位相の交流電圧が印加される第１のワイヤ電極群と該第１のワイヤ電極群とは異なる位相の交流電圧が印加される第２のワイヤ電極群とを備えることを特徴とする露光装置を提供する。【選択図】  図１
2008258490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空環境下で原版上に形成された回路パターンを基板上に露光する露光装置において、
並列した複数のワイヤ電極で構成され、前記原版に対向配置されるワイヤ電極列と、
前記複数のワイヤ電極に交流電圧を印加する電源を有し、
前記ワイヤ電極列は、ある位相の交流電圧が印加される第１のワイヤ電極群と該第１のワイヤ電極群とは異なる位相の交流電圧が印加される第２のワイヤ電極群とを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第１のワイヤ電極群及び前記第２のワイヤ電極群をそれぞれ構成するワイヤ電極は交互に配列されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記ワイヤ電極列は、前記第１のワイヤ電極群及び第２のワイヤ電極群のいずれとも異なる位相の交流電圧が印加される第３のワイヤ電極群を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１のワイヤ電極群、前記第２のワイヤ電極群、そして前記第３のワイヤ電極群それぞれを構成するワイヤ電極は、順に配列されていることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記原版を保持するステージを有し、
前記ワイヤ電極列は、前記ステージに設けられたワイヤ電極枠に固定されていることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記原版を保持するステージと、前記ステージ上に設けられた前記原版を固定するためのチャックを有し、
前記ワイヤ電極列は、前記チャックに設けられたワイヤ電極枠に固定されていることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記ワイヤ電極枠は導電性部材で構成されることを特徴とする請求項５又は６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記ワイヤ電極枠は側面に開閉機構を有し、前記原版は、開かれた前記ワイヤ電極枠の側面から前記ステージ上に搬送されることを特徴とする請求項５乃至７のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記ワイヤ電極枠は前記ステージと分離可能であり、前記原版は、前記ワイヤ電極枠を前記ステージから分離させた状態で前記ステージ上に搬送されることを特徴とする請求項５乃至７のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記ワイヤ電極列は、前記ワイヤ電極の配列方向とは異なる方向に伸びる絶縁性のワイヤにより結線されていることを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
真空環境下で原版上に形成された回路パターンを基板上に露光する露光装置において、
並列した複数のワイヤ電極で構成されるワイヤ電極列が設けられた原版を保持するステージと、
前記複数のワイヤ電極に交流電圧を印加する電源と、
該電源と前記ワイヤ電極列とを電気的に接続する接点を有し、
前記電源は、前記ワイヤ電極列のうちの第１のワイヤ電極群に、ある位相の交流電圧を印加すると共に、前記ワイヤ電極列のうちの第２のワイヤ電極群に、前記第１のワイヤ電極群とは異なる位相の交流電圧を印加することを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
前記基板上に前記回路パターンを露光するために前記原版が載置される露光チャンバを有し、前記ステージ及び前記電源及び前記接点は、前記露光チャンバ内に設けられたことを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記基板上に前記回路パターンを露光するために前記原版が載置される露光チャンバと、前記露光チャンバとゲートバルブを介して連結されたロードロックチャンバとを有し、前記ステージ及び前記電源及び前記接点は、前記ロードロックチャンバ内に設けられたことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
真空環境下で基板上に露光するための回路パターンが形成された原版であって、
並列した複数のワイヤ電極で構成されたワイヤ電極列と、
前記複数のワイヤ電極に交流電圧を印加する電源と前記ワイヤ電極列とを電気的に接続するための接点を有し、
前記ワイヤ電極列は、ある位相の交流電圧が印加される第１のワイヤ電極群と該第１のワイヤ電極群とは異なる位相の交流電圧が印加される第２のワイヤ電極群とを備えることを特徴とする原版。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及び原版に関する。本発明の露光装置は、例えば極端紫外域（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）の光を露光光として用いる露光装置に好適である。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＤＲＡＭ、ＭＰＵ等の半導体デバイス製造に関して、デザインルールで５０ｎｍ以下の線幅を有するデバイスの実現に向けて精力的に研究開発がなされている。この世代に用いられる露光装置としては、ＥＵＶ光を用いた露光装置（ＥＵＶ露光装置）が有力視されている。ＥＵＶ露光装置では、ガスによるＥＵＶ光の吸収を防ぐため、ＥＵＶ光の光路は真空環境下に置かれる。
【０００３】
一般に半導体露光装置では、原版上（レチクル（マスク）上）に描画された回路パターン像を、投影光学系を用いて基板上（ウエハー上）に縮小転写している。従って、例えばレチクルの回路パターン面にパーティクル（微小な異物）が付着すると、各ショットの全く同じ位置にパーティクルの像が転写されることになる。このようなパーティクルの付着は、半導体デバイス製造の歩留まりの低下や、半導体デバイス自体の信頼性低下の要因となる。
【０００４】
この問題に対し、水銀ランプやエキシマレーザー等を光源に用いた露光装置では、ペリクルと呼ばれる透明保護膜をレチクルから数ｍｍ間隔を隔てて配置し、回路パターン面へのパーティクルの直接の付着と、パーティクル像の転写を抑制していた。
【０００５】
しかし、ＥＵＶ露光装置で要求される透過率を満たすためのペリクルの厚さは数１０ｎｍ程度である。このように非常に薄いペリクルでは、機械的、熱的側面のいずれからも十分な強度が得られない。このため、ＥＵＶ露光装置では、透明保護膜のみで構成したペリクルを用いてパーティクルの付着を防ぐことは、現実的には困難である。
【０００６】
従来技術としては、例えば、特許文献１及び２が提案されている。
【特許文献１】特開２００５−４３８９５号公報
【特許文献２】特開２００２−１２４４６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１では次のように不十分な点がある。ペリクルとして３０ｎｍ〜３００ｎｍ程度の厚さの膜を用いるため、ＥＵＶ光（１３．５ｎｍ）に対する透過率は大幅に低下し、約５０％程度となってしまう。したがってスループット低下が問題となる。また、上記材料で用いられるペリクル膜は酸化が予想され、耐久性、取り扱いにも非常に問題がある。さらに、１０μｍのワイヤメッシュを用いて、３０ｎｍ〜３００ｎｍの膜を支持する構成となっているため、製造が極めて困難であると考えられる。だが、仮にこのフィルタ・ウィンドが製造できたとする。その際には、露光装置内の投影光学系空間とウエハーステージ空間を分離するための２２ｍｍ×８ｍｍ程度の矩形ウィンドに適用可能でも、１５０ｍｍ×１５０ｍｍ程度のサイズのレチクル全面をカバーする大きさでの製造はさらに困難が予想される。このように、特許文献１で提案されているＥＵＶ露光装置用のフィルタ・ウィンドは、ペリクルとして実用化するのは極めて難しい。
【０００８】
これらの問題点を解決する手段として、特許文献２が考えられるが、これもまた次のように不十分な点がある。この例では、レチクル近傍にＥＵＶ光の通過する領域のみに平行平板電極を用いて、電界を発生させている。この場合、ＥＵＶ光通過領域近傍に侵入する微粒子は抑制できる可能性はあるが、その他の領域で発生する微粒子は抑制できない。例えば、レチクルステージ空間でレチクルステージが加減速する際に発生が予想されるパーティクルは抑制できない。また、レチクルステージ空間の全領域に平行平板で電界を発生させる事が可能であれば、レチクルステージ加減速時のパーティクルも抑制する事が可能になる。しかし、その場合、所望の電界（明細書中では３３ｋＶ／ｍ）を発生させようとすると、印加電圧を数１０ｋＶにせざるを得ず、放電や、ガス分子のスパッタリングが発生すると予想され、かえってパーティクルの増加を招くことになる。他の実施例として、ワイヤメッシュを用いた例が示されているが、ＥＵＶ光照射により発生する電子を捕集するために、レチクルとワイヤメッシュ間に電界を発生させるだけの構成である。仮にこのワイヤがパーティクルの捕集にも作用できるとしても、極性によって捕集できないパーティクルがあるため、抑制手段として不十分である。
【０００９】
本発明は、原版に対するゴミ（パーティクル）の付着を防止するための露光装置及び原版を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一側面としての露光装置は、真空環境下で原版上に形成された回路パターンを基板上に露光する露光装置において、並列した複数のワイヤ電極で構成され、前記原版に対向配置されるワイヤ電極列と、前記複数のワイヤ電極に交流電圧を印加する電源を有し、前記ワイヤ電極列は、ある位相の交流電圧が印加される第１のワイヤ電極群と該第１のワイヤ電極群とは異なる位相の交流電圧が印加される第２のワイヤ電極群とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例等によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、原版に対するゴミの付着を防止するための露光装置及び原版を提供することできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【実施例】
【００１４】
本発明の詳細について説明する前に、本発明が適用されるＥＵＶ露光装置を説明する。
【００１５】
特に、露光装置内でパーティクル付着が最も問題となるレチクルに対し、それを抑制する場合の構成を図１を用いて説明する。
【００１６】
同図で、１はウエハー、２は電子回路パターンが形成されている反射型レチクルで、７はその反射型レチクルを保持し固定するレチクルチャック、３はレチクルをスキャン方向に粗微動させるためのレチクルステージである。レチクルステージ上には、レチクルチャックが設けられ、その上に反射型レチクルが載置されている。本発明は、このレチクル２近傍に、進入してくるパーティクルを抑制する電界手段を設置している。
【００１７】
５はレチクルからのＥＵＶ反射光をウエハー１に投影露光するための光学系である。６はウエハーを保持し固定するウエハーチャック、２７は６軸方向に粗動、微動可能なウエハーステージであり、そのｘｙ位置は不図示のレーザー干渉計によって常にモニターされている。通常、レチクルステージ３とウエハーステージ２７のスキャン動作は、投影光学系の縮小倍率を１／βとし、レチクルステージの走査速度をＶｒ、ウエハーステージの走査速度をＶｗとしている。その場合、両者の走査速度の間には、Ｖｒ／Ｖｗ＝βの関係が成立するように同期制御される。
【００１８】
露光は真空環境下で行われるため、露光装置の露光チャンバ内を真空状態にする必要がある。ここで、レチクルステージは露光チャンバ内のレチクルステージ空間４ａ、投影光学系は露光チャンバ内の投影光学系空間４ｂ、ウエハーステージは露光チャンバ内のウエハーステージ空間４ｃの中に入っている。それぞれの空間はゲートバルブ１６ａ，１６ｂにより空間的に仕切ることができるようになっている。それぞれの空間には、独立して真空排気装置１０ａ，１０ｂ，１０ｃが設けられており、独立に圧力制御可能な構成となっている。
【００１９】
１５はウエハーロードロックチャンバであり、８はウエハーロードロックチャンバとウエハーステージとの間でウエハーを搬入、搬出する搬送ハンドである。１０ｅはウエハーロードロックの真空排気装置で、１１ａは露光チャンバとウエハーロードロックチャンバ１５とを連結するウエハーステージ空間側ゲートバルブ、１１ｂは後述するウエハー交換室側ゲートバルブである。１４はウエハーを大気圧下で一時保管するウエハー交換室であり、１３はロードロックとの間でウエハーを搬入、搬出する搬送ハンドである。
【００２０】
２３はレチクルロードロックチャンバであり、２２はレチクルロードロックチャンバとレチクルステージとの間でレチクルを搬入、搬出する搬送ハンドである。１０ｄはレチクルロードロックの真空排気装置で、１２ａは露光チャンバとレチクルロードロックチャンバ２３とを連結するレチクルステージ空間側ゲートバルブ、１２ｂは後述するレチクル交換室側ゲートバルブである。１９はレチクルを大気圧下で一時保管するレチクル交換室であり、１８はロードロックとの間でレチクルを搬入、搬出する搬送ハンドである。
【００２１】
以上が本発明を適用したＥＵＶ露光装置の説明である。
【００２２】
本発明では、露光装置内で露光動作中に発生したパーティクルがレチクルに付着するという問題に対し、レチクル近傍に多数のワイヤ電極を設けている。さらに、位相が１８０°異なる交流電圧をワイヤ交互に印加することで周期的な不平等電界を形成し、それによって進入してくるパーティクルを抑制するという技術を用いる。
【００２３】
この技術の原理は、Ｍａｓｕｄａ，Ｓ．，  Ｋ．Ｆｕｊｉｂａｙａｓｈｉ，  Ｋ．Ｉｓｈｉｄａ  ａｎｄ  Ｈ．Ｉｎａｂａ；  ＩＥＥＥ  ｔｒａｎｓｌａｔｉｏｎ  ｆｒｏｍ  Ｔｒａｎｓ．  ＩＥＥ，  Ｊａｐａｎ，  ９２Ｂ，  ９‐１８  （１９７２）等に開示されている。ここでこの原理について、図２，３を用いて説明する。まず、多数のワイヤ電極に位相が異なる交流電圧を交互に印加する。すなわち図２でワイヤ電極４０ａ、４０ｂ、４０ｃで構成されるワイヤ電極群には交流電圧Ｖ１（例えば、振幅±５００Ｖ、周波数５００Ｈｚ）を印加する。また、ワイヤ電極４１ａ、４１ｂ、４１ｃで構成されるワイヤ電極群には交流電圧Ｖ２（例えば、振幅±５００Ｖ、周波数５００Ｈｚ）を印加するが、図３のようにＶ２の位相をＶ１に対し１８０°ずらす。
【００２４】
こうすることで図４のように電極周囲に交流周波数に応じた周期的な不平等電界が形成される。帯電したパーティクル５０がこの電極列に接近すると、湾曲した電気力線に沿ってパーティクルは静電気力により振動する。そして、それによって生じた遠心力によって電極列から遠ざかる方向に慣性力を受ける。この慣性力によって、パーティクル５１を電極列からはじくことが可能になる。パーティクルが帯電していない場合でも、電界は不平等な電界であるため、パーティクル表面に誘起された電荷により、帯電パーティクルの場合と同様に、電極列から遠ざかる方向に力を受ける。従って、この電極列はパーティクル侵入に対し、バリアとして作用する。
【００２５】
本発明は、この原理をＥＵＶ露光装置に適用したもので、従来のペリクルとして機能させるということを特徴としており、以後この構成を電界ペリクルと云う。
【００２６】
第１実施例の詳細について説明する。図５は本実施例の構成の正面図である。本実施例では、電界ペリクルをステージに設置している例である。２はレチクルであり、パターン面が下面に形成されており、照明光学系から出射してきたＥＵＶ光は下方から入射し、レチクルパターン面で反射し、その反射光が投影光学系に入射する。７はレチクルを吸着保持するためのチャックであり、これはレチクルのレチクルステージ３に微動機構を介して設けられている。レチクルステージ３のスキャン方向は図中ｙ方向である。
【００２７】
レチクル２は静電チャックを用いてレチクルチャック７にホールドされる。レチクルチャック７に電圧が印加されると、レチクル表面に電荷が誘起され、ワイヤ電極との間で不必要な電界が発生するので、パターン面はグランドに接地され常に０Ｖに保たれている。３１はレチクルパターン面全面を覆っているワイヤ電極である。材料は、例えばＳＵＳが考えられるが、耐久性があり細線化可能であれば、他の材料でも構わない。例えば、金、白金、Ｃｒ、Ｎｉなどが想定される。また、ワイヤ電極の向き（ワイヤ電極の伸びる方向）は、実施例ではスキャン方向と直交する例を示している。ＥＵＶ露光装置では、照明系側のＮＡが０．１以下と小さいため、偏光はそれほど気にする必要はなく、ワイヤの方向は特に限定しない。したがって、スキャン方向と直交する必要がなく、平行でも、その他の角度でも可能である。
【００２８】
ワイヤ電極のワイヤ径Ｒ、ワイヤ間隔Ａは一般的に次のように考える事ができる。図６において、６０はワイヤ断面であり線径をＲとする。また、Ｄはワイヤ電極とレチクルの分離距離、６１は照明光であり、ＮＡはＮＡ＝ｓｉｎθと仮定する。
【００２９】
この場合、ワイヤによる照度低下ΔＩは、近似的にΔＩ＝Ｒ／Ｌである。照度低下ΔＩを所定の値以下にしようとすると、ワイヤ径Ｒは、次式を満たす必要がある。
【００３０】
【数１】
2008258490.tif 000003
【００３１】
同様にして、隣り合うワイヤの影が重ならないためには、ワイヤ間隔Ａは次式を満たす必要がある。
【００３２】
【数２】
2008258490.tif 000004
【００３３】
また、分離距離Ｄは、レチクルステージの設計上の物理的制約距離Ｄ０に制約される。
【００３４】
【数３】
2008258490.tif 000005
【００３５】
以上のように、ワイヤ径Ｒ、ワイヤ間隔Ａは数１乃至３を同時に満たすような値となる。
【００３６】
具体的には、侵入する可能性のあるパーティクル速度、帯電数にもよるが、おおよそワイヤ径Ｒ＜１００μｍ、ワイヤ間隔Ａ＞１００μｍ程度が妥当な数値となる。
【００３７】
図５の説明に戻り、３２はワイヤ電極３１を支持し、レチクルステージに固定するためのワイヤ電極枠である。このワイヤ電極枠３２は、ワイヤ電極３１に発生した電界が、枠以外の領域に漏れて、電気ノイズとなるのを極力小さくするため、導電性部材である金属から構成され、グランドに接地されている。３７、３８はワイヤ電極一本一本に交互に位相の異なる交流電圧をかける為の電源である。レチクルパターン面に入射してくるパーティクル３０は、このワイヤ電極３１に生ずる交流電界によって、パーティクルの侵入を阻止する。
【００３８】
また、この実施例では、位相が１８０°異なる電圧をワイヤ交互に印加するという、電圧印加方法であったが、他の応用例も考えられる。すなわち、３本のワイヤ電極に対し、印加する位相を１２０°毎ずらすことで、電極周囲に交流電界の進行波を生じさせるというものである。具体的には、図７，８に示しており、電極４７ａ，４７ｂにＶ３の電圧を、電極４８ａ，４８ｂにはＶ３に対し位相を１２０°進行させたＶ４の電圧を、電極４９ａ，４９ｂにはＶ４に対し位相を１２０°進行させたＶ５の電圧を、印加する。このことでワイヤ電極列近傍に、交流電界の進行波を生成させることが可能になる。位相が１８０°異なる電圧をワイヤ交互に印加するという電圧印加方法では、電極近傍に進入してきたパーティクルを、ランダムにはじいて抑制するだけである。しかし、この三相の交流電圧を用いて、電極に交流電界の進行波を生成させると、進入してきたパーティクルは、ある程度特定の方向のみにはじく事が可能になる。例えば、交流電界の進行波の方向を図５中のｙ方向とすると、レチクル近傍に侵入してきてはじかれたパーティクルは、ｙ方向に寄せられる。
【００３９】
図９は、本実施例をレチクルパターン面側から見た図を示し、図１０はその斜視図である。電界ペリクルはレチクル２、レチクルチャック７を覆うようにレチクルステージに設置されている。従って、本実施例の電界ペリクルはレチクルステージ３と共にスキャン移動可能であり、常にレチクル２とレチクルチャック７全面を覆う事が可能である。この構成ととることで、レチクルパターン面のみならず、レチクル側面、レチクルチャック７へのパーティクル侵入抑止も可能になる。特に、レチクルチャック７は静電チャックとなりチャック周辺に電界が発生し、パーティクルを引き寄せる可能性もあるため、これらのパーティクルも抑制することが可能になる。
【００４０】
３３ａ、３３ｂは、電界ペリクルにレチクルステージ３を介して、電圧を印加する電極である。本実施例では、ワイヤ電極への電圧印加方法は、一本一本に交互に電圧を印加しているとするが、同様な粒子侵入阻止効果が得られれば、これにこだわることなく、複数本毎に電圧を印加することも可能である。
【００４１】
次に本実施例での、レチクル搬送について図１１，１２，１３を用いて説明する。本実施例では、電界ペリクルはレチクルステージ３に設置されているため、レチクル２をレチクルチャック７にホールドするため、図１１のように、ペリクル枠側面に開閉機構としてのゲート３９を用いることを特徴としている。図１１で、レチクル２の搬送動作が開始されると同時にゲート３９が開く。次に、図１２のようにレチクル２が所定位置まで搬送された後、搬送ハンド３４が上昇し、レチクルチャック７にホールドされる。最後に、搬送ハンド３４が引き抜かれ、ゲート３９が閉じる。このような動作により、レチクル搬送が完了となる。
【００４２】
また、これ以外にも、図１４，１５，１６のように電界ペリクル全体が上下することが可能な駆動機構を設けることも可能である。図１４で、レチクル２の搬送動作が開始されると、電界ペリクル駆動機構５２により、電界ペリクル枠全体が下降する。この場合、レチクルステージ３とワイヤ電極枠３２ｂとは分離可能とされ、レチクルステージ３とワイヤ電極枠３２ｂとが分離された状態で図１５のようにレチクル２が所定位置まで搬送される。その後、搬送ハンド３４の上下機構により、レチクル２が上昇し、レチクルチャック７にホールドされる。最後に、図１６のように、搬送ハンド３４が引き抜かれ、電界ペリクル駆動機構５２により、電界ペリクルが所定位置まで上昇し、レチクル搬送完了となる。
【００４３】
また、本発明のように、レチクルパターン面近傍に電極メッシュを設置した場合、光学的な影響、例えば照度ムラが懸念される。しかし、前述の特許文献１で開示されているように、１０μｍの支持ワイヤを使用した場合、支持ワイヤ位置が回路パターンから２ｍｍまたは１０ｍｍは離れて配置される場合、照度ムラは１％程度である、としている。よって本発明のワイヤ電極を設置した場合も、照度ムラの影響はほとんど生じない。
【００４４】
以上が、本発明の第一の実施例である。本実施例では、電界ペリクルはレチクルステージ３に設置しているが、レチクルチャック７に設置することも可能である。その場合も、全く同様な効果を発揮する。
【００４５】
次に、その他の実施例として、本発明の電界ペリクルを、従来のペリクルの使用方法と同様に、レチクル基板に設置する場合を説明する。図１７はその場合に露光装置に適用した様子を示している。図では、レチクルパターン面全面を覆うように、ワイヤ電極が張り巡らされている。ワイヤ電極の個々の電圧印加方法は前実施例と同様である。ここで、図１７は電界ペリクル正面図であり、図１８は電界ペリクル斜視図である。レチクルパターン面は、帯電防止のために、ＧＮＤに接地されている。また、ワイヤ電極枠３２も、電界漏れを少なくするために、ＧＮＤに接地されている。３６ａは、レチクル２をレチクルチャック７に吸着させた場合に、レチクルチャック７、あるいはレチクルステージ３側から電圧を印加するために用いる接点である。接点は電源とワイヤ電極列とを電気的に接続する。これと対向する位置に不図示の接点３６ｂが設置されている。
【００４６】
また、レチクル２を搬送する際は、従来の露光装置と同様でペリクル毎搬送することになるため容易に実施可能である。この様子を図１９に示している。搬送ハンドによりレチクルチャック近傍に搬送され、搬送ハンドの上下機構を用いて、レチクルチャックに吸着され、そのとき、電界ペリクルの電圧印加用接点に電圧が印加される。
【００４７】
また、本実施例の特徴として、通常のペリクルと同様にパーティクル抑制することが可能となるため、搬送中、例えば、ロードロックチャンバ内で、適用することも可能である。図２０はこれを示したものである。２３はレチクルの搬送途中にあるロードロックチャンバであり、１２ａは露光装置側のゲートバルブであり、１２ｂはレチクル交換室側ゲートバルブである。ロードロックチャンバ内にレチクル２が支持され、レチクルを搬入する際は真空排気動作を行い、レチクルを搬出する際は大気開放動作が行われる。これらの動作が行われている間、レチクルの電圧印加接点３６ａ、３６ｂに、ロードロックチャンバ外部より交流電圧３７，３８を印加することで、電界ペリクルとして機能させる。電界ペリクルが作用している状態であれば、ロードロックの排気・給気の際に発生する可能性のあるパーティクルに対しても、パーティクル付着を抑制することが可能となる。
【００４８】
次にその他の実施例として、ワイヤ電極に電圧を印加した際に、発生する可能性のあるクーロン力による振動防止方法、及び破断防止法に関して説明する。電極には、一本一本交互に位相が１８０°異なる電圧を印加する。従って、電極には電流は流れないものの、交互に＋電荷と−電荷が発生するため、それらがクーロン力により引き合うことが予想される。平行なワイヤ電極に発生するクーロン力は、一般的に以下のように表される。電圧を電極に印加し、間隔d[m]の長い平行電極上に、それぞれ線密度+ρ,-ρ[C/m]の電荷が発生したとすると、単位長さあたりに働く力として、
【００４９】
【数４】
2008258490.tif 000006
【００５０】
の引力が生ずる。電極は２本ではなく、電極列として構成されているため、個々の電極がお互いに力Ｆで引き合う事により、一本のワイヤ電極に作用する力としては、合力として０になる。しかし、位相の乱れ、外乱により合力がかならずしも０にならない場合がありうる。
【００５１】
また、電界ペリクルとして用いるワイヤ電極は、投影像の影響を極力小さくする必要がある。そのため１０μｍ以下のものを用いるので、非常に繊細に取り扱わなければならない。従って、破断しないような補強材が必要になる。
【００５２】
以上の２点に鑑み、本実施例では、図２１のように、ワイヤ電極の中央に一本の絶縁ワイヤ４３をワイヤ電極の配列方向と異なる方向に結線する事により、それらの対策とすることができる。絶縁ワイヤとしては、細くて、強度があって、絶縁性があるものを使用する。例えば、ＰＢＯ（ポリ-p-フェニレンベンゾビスオキサゾール）繊維（商品名ザイロン）、ＰＥ（ポリエチレン）繊維（商品名ダイニーマ）、ＰＰＴＡ（アラミド）繊維（商品名ケブラー）、ポリアリレート繊維（商品名ベクトラン）などが考えられる。絶縁ワイヤの設置は、図２２のように、糸から布を織るように、ワイヤ電極に交互に絶縁ワイヤを通すのが良いと考えられる。また、図では補強用絶縁ワイヤは一本としたが、当然複数本を、ワイヤ電極に通して、強度を増す事も可能である。
【００５３】
このような構成にすることにより、ワイヤの振動防止と補強が可能になるため、電界ペリクルとしての製作、取り扱いが容易になる。
【００５４】
本発明によれば、従来まで実現不可能と言われていたＥＵＶペリクルに対し、レチクルパターン面近傍に、並列されたワイヤ電極を平面的に多数本対向配置し、そのワイヤ電極に、交互に位相が１８０°異なる電圧を印加する。そうすることで、レチクルパターン面に進入するパーティクルを抑制することが可能になる。本発明では、常にレチクル全面をカバーし、スキャン露光時にレチクルと共に移動するため、レチクルステージ空間、投影光学系空間からのパーティクルを抑制することが可能になる。また、本発明の電界ペリクルは、ペリクル膜を使用せず、ワイヤ電極列のみで構成するため、ＥＵＶ光の透過率低下がほとんどない。また、耐久性の低いペリクル膜を使用せず、金属ワイヤで構成するため、耐久性は問題にならない。また、ワイヤ電極径は、１０μｍ以下の金属であるため、製造、組み立ては容易に行う事が可能である。以上のように、本発明は実用的なＥＵＶペリクルを提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明が適用されるＥＵＶ露光装置システム
【図２】第一実施例の第一のワイヤ電極への交流電圧印加方法
【図３】第一実施例の第一の位相が異なった交流電圧波形
【図４】本発明の根拠となる電界ペリクルの原理の説明図
【図５】第一実施例の電界ペリクル正面図
【図６】本発明のワイヤ径Ｒとワイヤ間隔Ａの説明図
【図７】第一実施例の第二のワイヤ電極への交流電圧印加方法
【図８】第一実施例の第二の位相が異なった交流電圧波形
【図９】第一実施例の電界ペリクル平面図
【図１０】第一実施例の電界ペリクル斜視図
【図１１】第一実施例に適用される第一のレチクル搬送工程Ａ
【図１２】第一実施例に適用される場合の第一のレチクル搬送工程Ｂ
【図１３】第一実施例に適用される場合の第一のレチクル搬送工程Ｃ
【図１４】第一実施例に適用される第二のレチクル搬送工程Ａ
【図１５】第一実施例に適用される場合の第二のレチクル搬送工程Ｂ
【図１６】第一実施例に適用される場合の第二のレチクル搬送工程Ｃ
【図１７】第二実施例の電界ペリクル正面図
【図１８】第二実施例の電界ペリクル斜視図
【図１９】第二実施例に適用される場合のレチクル搬送方法
【図２０】第二実施例をロードロックに適用した場合の構成
【図２１】第三実施例の電界ペリクルの斜視図
【図２２】第三実施例のワイヤ電極への交流電圧印加方法
【符号の説明】
【００５６】
１、ウエハー
２、レチクル
３、レチクルステージ
２７、ウエハーステージ
７、レチクルチャック
６、ウエハーチャック
４ａ、レチクルステージ空間チャンバー
４ｂ、投影光学系空間チャンバー
４ｃ、ウエハーステージ空間チャンバー
５、投影光学系
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ、装置チャンバー真空排気系
１６ａ，１６ｂ、空間遮断バルブ
８，１３，１８，２２、ロボットハンド
１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ、ロードロックゲートバルブ
１０ｄ，１０ｅ、ロードロック真空排気系
１４、ウエハー交換室
１９、レチクル交換室
３１、ワイヤ電極列
３２、ワイヤ電極枠
３７、交流電源Ｖ１
３８、交流電源Ｖ２
３３ａ，３３ｂ、電圧印加用接点
４０ａ，４０ｂ，４０ｃ、電圧Ｖ１が印加される電極
４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，電圧Ｖ２が印加される電極
３４、レチクル搬送ハンド
３９、ワイヤ電極枠ゲート部
３２ａ、ゲート部を有するワイヤ電極枠
３２ｂ、上下移動可能なワイヤ電極枠
３６ａ、電圧印加用接点
４３、絶縁用ワイヤ
４４、交流電源Ｖ３
４５、交流電源Ｖ４
４６、交流電源Ｖ５
４７ａ，４７ｂ、電圧Ｖ３が印加される電極
４８ａ，４８ｂ，電圧Ｖ４が印加される電極
４９ａ，４９ｂ，電圧Ｖ５が印加される電極
５０、静電気力を受ける帯電パーティクル
５１、電界ペリクルによりはじかれた帯電パーティクル
５２、電界ペリクル駆動機構
６０、ワイヤ断面
６１、照明光
【図３】
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【図８】
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【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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