(57)【要約】【課題】本発明は、繊維層内で発生するクラックがフィルム層上の導電層に伝達し、導電層が破壊されるのを防止することによって、導電層の電気的接続を良好に維持することが可能な配線基板および配線基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】長尺状の複数の繊維７に樹脂８を含浸させてなる繊維層９と、繊維層９の一主面及び他主面を被覆して形成され、弾性変形可能なフィルム層１０と、フィルム層１０の一主面及び他主面に形成される導電層３と、を備えており、繊維７と樹脂８とは、熱膨張率が異なるとともに、繊維７の一部は、フィルム層１０と接していることを特徴とする配線基板１。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状の複数の繊維に樹脂を含浸させてなる繊維層と、
前記繊維層の一主面及び他主面を被覆して形成され、弾性変形可能なフィルム層と、
前記フィルム層の一主面及び他主面に形成される導電層と、
を備えており、
前記繊維と前記樹脂とは、熱膨張率が異なるとともに、
前記繊維の一部は、前記フィルム層と接していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記フィルム層の前記繊維層との界面は、前記繊維の外形に沿って塑性変形されていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の配線基板において、
前記フィルム層のガラス転移温度は、前記繊維のガラス転移温度よりも小さいことを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の配線基板において、
前記複数の繊維は、前記繊維の長手方向に直交する断面方向の熱膨張率が、前記繊維の長手方向の熱膨張率より大きいことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項４に記載の配線基板において、
前記複数の繊維の断面方向の熱膨張率は、４０ｐｐｍ／℃以上、１２０ｐｐｍ／℃以下であって、
前記複数の繊維の長手方向の熱膨張率は、−１０ｐｐｍ／℃以上、１０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線基板において、
前記フィルム層は、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂のうち少なくともいずれか一つと、ポリイミド樹脂との複合材料から成り、
前記複数の繊維は、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール樹脂から成ることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の配線基板において、
前記フィルム層の厚みは、１μｍ以上、２０μｍ以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の配線基板において、
前記繊維層に対する前記繊維の体積比率は、３０体積％以上、８０体積％以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
複数の繊維を、前記繊維よりも熱膨張率が小さい熱硬化性樹脂によって含浸した繊維層前躯体を準備する工程と、
前記繊維層前躯体の一主面及び他主面にフィルム層を接触させる工程と、
前記繊維層前躯体及び前記フィルム層に、前記熱硬化性樹脂の硬化温度以上の熱を印可し、前記熱硬化性樹脂を硬化するとともに、前記フィルム層を前記繊維層前躯体に固着する工程と、
前記繊維層前躯体及びフィルム層を冷却することによって、前記繊維層前躯体及び前記フィルム層から成る複合基板を形成する工程と、
前記複合基板の一主面及び他主面に導電層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の配線基板の製造方法において、
前記フィルム層に、前記フィルム層のガラス転移温度以上であって、前記フィルム層の昇華する温度未満の熱を印可するとともに、前記フィルム層を前記繊維層前躯体に向って押圧し、前記フィルム層を前記繊維の外形に沿って塑性変形する工程、
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の配線基板の製造方法において、
前記フィルム層に、前記フィルム層のガラス転移温度以上であって、前記繊維の昇華する温度未満の熱を印可するとともに、前記フィルム層を前記繊維層前躯体に向って押圧し、前記フィルム層を前記繊維の外形に沿って塑性変形する工程と、
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記フィルム層に印可する熱の温度は、２２５℃以上であって、４００℃未満であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０又は請求項１１に記載の配線基板の製造方法において、
前記フィルム層を前記繊維層前躯体に向って押圧する圧力は、２ＭＰａ以上、５ＭＰａ以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体素子を実装する配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子を実装することが可能な配線基板が知られている。
【０００３】
かかる配線基板は、剛性の優れた複合基板と、複合基板の一主面及び他主面に形成される導電層と、を含んでいる。
【０００４】
なお、複合基板として、繊維を熱硬化性樹脂によって含浸させたものがある（下記特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２７３１９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上述した特許文献１に記載の配線基板は、繊維と熱硬化性樹脂との熱膨張率の差が大きくなるほど、温度変化に起因して、繊維と熱硬化性樹脂との境界に応力が作用する。そのため、繊維と熱硬化性樹脂との境界にクラックが発生することがある。さらには、そのクラックが導電層まで伝達し、導電層が破壊され、電気的接続が不安定になることがある。
【０００６】
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、導電層が破壊されるのを防止することによって、電気的接続を良好に維持することが可能な配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明の配線基板は、長尺状の複数の繊維に樹脂を含浸させてなる繊維層と、前記繊維層の一主面及び他主面を被覆して形成され、弾性変形可能なフィルム層と、前記フィルム層の一主面及び他主面に形成される導電層と、を備えており、
前記繊維と前記樹脂とは、熱膨張率が異なるとともに、前記繊維の一部は、前記フィルム層と接していることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の配線基板は、前記フィルム層の前記繊維層との界面が、前記繊維の外形に沿って塑性変形されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の配線基板は、前記フィルム層のガラス転移温度が、前記繊維のガラス転移温度よりも小さいことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の配線基板は、前記複数の繊維において、前記繊維の長手方向に直交する断面方向の熱膨張率が、前記繊維の長手方向の熱膨張率より大きいことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の配線基板は、前記複数の繊維の断面方向の熱膨張率が、４０ｐｐｍ／℃以上、１２０ｐｐｍ／℃以下であって、前記複数の繊維の長手方向の熱膨張率が、−１０ｐｐｍ／℃以上、１０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の配線基板は、前記フィルム層が、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂のうち少なくともいずれか一つと、ポリイミド樹脂との複合材料から成り、前記複数の繊維が、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール樹脂から成ることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の配線基板は、前記フィルム層の厚みが、１μｍ以上、２０μｍ以下であることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の配線基板は、前記繊維層に対する前記繊維の体積比率が、３０体積％以上、８０体積％以下であることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の配線基板の製造方法は、複数の繊維を、前記繊維よりも熱膨張率が小さい熱硬化性樹脂によって含浸した繊維層前躯体を準備する工程と、前記繊維層前躯体の一主面及び他主面にフィルム層を接触する工程と、前記繊維層前躯体及び前記フィルム層に、前記熱硬化性樹脂の硬化温度以上の熱を印可し、前記熱硬化性樹脂を硬化するとともに、前記フィルム層を前記繊維層前躯体に固着する工程と、前記繊維層前躯体を冷却することによって、複合基板を形成する工程と、前記複合基板の一主面及び他主面に導電層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の配線基板の製造方法は、複数の繊維を、前記繊維よりも熱膨張率が小さい熱硬化性樹脂によって含浸した繊維層前躯体を準備する工程と、前記繊維層前躯体の一主面及び他主面にフィルム層を接触する工程と、前記繊維層前躯体及び前記フィルム層に、前記熱硬化性樹脂の硬化温度以上の熱を印可し、前記熱硬化性樹脂を硬化するとともに、前記フィルム層を前記繊維層前躯体に固着する工程と、前記繊維層前躯体及びフィルム層を冷却することによって、前記繊維層前躯体及び前記フィルム層から成る複合基板を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記フィルム層に、前記フィルム層のガラス転移温度以上であって、前記繊維の昇華する温度未満の熱を印可するとともに、前記フィルム層を前記繊維層前躯体に向って押圧し、前記フィルム層を前記繊維の外形に沿って塑性変形する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記フィルム層に印可する熱の温度が、２２５℃以上であって、４００℃未満であることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記フィルム層を前記繊維層前躯体に向って押圧する圧力が、２ＭＰａ以上、５ＭＰａ以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、配線基板の一主面及び他主面までクラックが伝達するのを抑制し、導電層が破壊されるのを防止することができ、電気的接続を良好に維持することが可能な配線基板および配線基板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に、本発明にかかる配線基板の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。かかる配線基板は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。
【００２２】
図１は本実施形態に係る配線基板の平面図、図２は本実施形態に係る配線基板の断面図である。
【００２３】
本実施形態に係る配線基板１は、複合基板２と、複合基板２の一主面及び他主面に積層される導電層３と、絶縁層４と、を含んで構成されている。なお、配線基板１には、半田等のバンプ５を介してＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子６が実装される。
【００２４】
複合基板２は、長尺状の複数の繊維７を本発明の樹脂としての熱硬化性樹脂８によって含浸した繊維層９と、繊維層９の一主面及び他主面に形成されたフィルム層１０と、を備えている。
【００２５】
図３（ａ）は、図２の繊維層９の一部Ａの拡大断面図である。また、図３（ｂ）は、繊維７の一部分の拡大斜視図である。さらに、図３（ｃ）は、複数の繊維７を一方向に配列した不織布における、繊維７の断面図である。
【００２６】
図３（ａ）に示すように、複数の繊維７は、第１方向ｘに配列された第１繊維７ａと、第１方向ｘと異なる第２方向ｙに配列された第２繊維７ｂとを含んで構成されている。第１繊維７ａと第２繊維７ｂとは、交互に厚み方向ｚに重ね合わさっている。
【００２７】
繊維７は、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂又は全芳香族ポリエステル樹脂等の低熱膨張樹脂から成る。かかる繊維７の熱膨張率は、図３（ｂ）に示すように、繊維の長手方向Ｘａに直交する断面方向Ｚａの熱膨張率が、繊維の長手方向Ｘａの熱膨張率より大きい。その繊維７の断面方向Ｚａの熱膨張率は、４０ｐｐｍ／℃以上、１２０ｐｐｍ／℃以下であって、繊維７の長手方向Ｘａの熱膨張率は、−１０ｐｐｍ／℃以上、１０ｐｐｍ／℃以下である。そのため、繊維７は、熱が印可されると長手方向Ｘａよりも断面方向Ｚａに膨張しやすく、冷却されると長手方向Ｘａよりも断面方向Ｚａに収縮しやすい。なお、熱膨張率は、ＪＩＳＫ７１９７に準ずる。なお、繊維７の直径は、例えば３μｍ以上１５μｍ以下に設定されている。なお、繊維７のガラス転移温度は、後述するフィルム層１０の昇華し始める温度よりも大きく、例えば４００℃以上である。
【００２８】
また、繊維層９に対する繊維７の体積比率が、３０体積％以上、８０体積％以下に設定されている。繊維層９に対する繊維７の体積比率が３０体積％以上だと、繊維層９に含有される繊維７が十分に確保され、繊維７の優れた剛性が繊維層９に影響を及ぼし、複合基板２全体の反りを少なくすることができる。また、繊維層９に対する繊維７の体積比率が８０体積％以下だと、繊維層９を作製する際に、繊維７同士の間に空気が多く混入されることがなく、複合基板２内の気泡を低減することができる。気泡が多いと、熱硬化性樹脂８の硬化後は、その気泡が空隙となって、空隙に導電層等から導電材料が析出して、複合基板２の電気的信頼性を低下させることがあるが、その電気的信頼性の問題の発生を抑制することができる。なお、繊維層９の引っ張り強度は、例えば６０ＭＰａから９０ＭＰａである。
【００２９】
熱硬化性樹脂８は、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂又はポリフェニレエーテル樹脂等の樹脂から成る。かかるこれらの樹脂の硬化温度は、例えば１００℃以上、２００℃以下である。また、繊維７と熱硬化性樹脂８とは、熱膨張率が異なるように設定されている。熱硬化性樹脂８の熱膨張率は、１５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下であって、繊維７の断面方向Ｚａの熱膨張率よりも小さい。従って、繊維７を熱硬化性樹脂８によって含浸した繊維層９では、複合基板２に熱が印可されると、繊維７の断面方向Ｚａは、熱硬化性樹脂８より熱膨張を起こす。
【００３０】
複合基板２は、繊維７を熱硬化性樹脂８によって含浸した硬化前の半硬化状態のプリプレグを複数層積層し、その最外層にフィルム層１０を張り合わせた状態で、加熱加圧することによって形成される。繊維７は、熱を印可されることによって、熱膨張を起こし、その膨張した状態で熱硬化性樹脂８が硬化して、繊維７が繊維層９中に固定される。そのため、複合基板２を室温状態まで冷却すると、繊維７が繊維層９中で、収縮しようと応力が働く。特に、図３（ｃ）に示すように、複数の繊維７を一方向に束にして配列したものを、積層した不織布の場合、複数の繊維７が断面方向に収縮するため、繊維７同士の間Ｄに隣接する繊維７に向かって応力が働く。その応力は、繊維７ｘに向って働く応力Ｐｘ、繊維７ｙに向って働く応力Ｐｙが存在する。応力Ｐｘ、応力Ｐｙは正反対の方向に働くため、熱硬化性樹脂８を裂くことがある。その結果、繊維７同士の間では、熱硬化性樹脂８を裂くようにしてクラックＫが発生することがある。仮に、複合基板２の一主面及び他主面に直接導電層３が形成されていると、繊維層９中で発生したクラックが、複合基板２の一主面又は他主面にまで伝達し、導電層３にまでクラックが発生することがある。その結果、導電層３が破壊され、電気的導通性が不安定になり、配線基板１の信頼性の低下につながってしまう。そのため、導電層３にクラックが伝達しないようにするために、複合基板２の最外層に、剛性の優れたフィルム層１０を形成し、繊維層９で発生したクラックが複合基板２の一主面又は他主面に伝達しないようにすることができる。
【００３１】
フィルム層１０は、複合基板２の平坦性を確保するために精密に厚さが制御されている。また、フィルム層１０は、弾性変形可能であって、ガラス転移温度を有し、耐熱性と硬さに優れた特性の材料であることが望ましい。この様な特性を有するフィルム層１０としては、単体材料もしくは複合材料から構成することができる。単体材料としては、例えば、ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂を用いることができる。また、複合材料としては、例えば、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂のうち少なくともいずれか一つと、ポリイミド樹脂との複合材料を用いることができる。かかるフィルム層１０のガラス転移温度は、熱硬化性樹脂８の硬化温度よりも大きく、例えば２２５℃以上、３３０℃以下である。また、かかるフィルム層１０の昇華する温度は、例えば４００℃以上である。
【００３２】
また、フィルム層１０の厚みは、例えば１μｍ以上、２０μｍ以下となるように設定されている。フィルム層１０の厚みを１μｍ以上にすることによって、繊維層９内で発生するクラックが、フィルム層１０の直上に形成された導電層３まで伝達するのを、効果的に防止することができる。また、フィルム層１０の厚みを２０μｍ以下にすることによって、複合基板２におけるフィルム層１０の剛性の影響を強くなりすぎないように抑えることができ、フィルム層１０が繊維層９から剥離するのを抑制することができ、フィルム層１０と繊維層９との間に空気が介在し、その空気が熱によって膨張することによって、複合基板２が破壊されるのを防止することができる。
【００３３】
また、フィルム層１０は、引っ張り強度が、例えば３００ＭＰａから５００ＭＰａであるため、繊維層９の引っ張り強度よりも大きく、繊維層９で発生するクラックが伝達しにくい。そのため、フィルム層１０上に形成された導電層３が破壊されるのを、効果的に防止することができる。
【００３４】
また、フィルム層１０には、繊維７の一部が接するように形成されている。フィルム層１０は、繊維７の一部と接するように設けられていることによって、繊維７とフィルム層１０との間の隙間を低減することができる。かかる隙間を低減すると、フィルム層１０とフィルム層１０の直下に位置する繊維７との間に熱硬化性樹脂８が介在するのを抑制することができる。フィルム層１０と接する熱硬化性樹脂８が多く存在すると、その熱硬化性樹脂８に繊維層９内で生じたクラックが伝達することがある。フィルム層１０の直下にクラックが生じると、フィルム層１０と繊維層９との間に空隙が生じ、複合基板２に熱が印可されたときに、空隙の空気が膨張して、フィルム層１０と繊維層９とが剥離し、複合基板２が破壊される。そのため、フィルム層１０と繊維７の一部とを接するようにすることで、フィルム層１０の直下にクラックが伝達するのを抑制することができ、しいては複合基板２の破壊を効果的に防止することができる。
【００３５】
図４は、図２におけるフィルム層１０と繊維層９との界面の一部Ｂを示す、斜視図である。図４に示すように、フィルム層１０は、繊維層９との界面にて、繊維７の外形に沿って、塑性変形された状態で設けられている。フィルム層１０を繊維層９上に載置した状態で、フィルム層１０に対しガラス転移温度を超える温度であって、フィルム層１０が昇華しない温度を印可し、フィルム層１０を繊維層９に向って押圧することによって、フィルム層１０の繊維層９と接する表面を、繊維７の外形に沿って塑性変形することができる。
【００３６】
フィルム層１０を繊維７の外形に沿って塑性変形することによって、繊維７との接触面積を大きくすることで、繊維７との接着力を向上させることができる。また、フィルム層１０と繊維７との間に介在する熱硬化性樹脂８を低減することができ、しいてはフィルム層１０と繊維層９との剥離を抑制することができる。さらに、フィルム層１０と接する繊維７が熱によって膨張若しくは収縮するのを抑制することができる。
【００３７】
複合基板２には、複合基板２を上下方向に貫通するスルーホール１１が形成されている。かかるスルーホール１１の内壁面には、導電性を有する銅めっき等からなるスルーホール導体１２が形成されている。また、スルーホール１１には、複合基板２の平坦性を良好にするために絶縁性の樹脂からなる絶縁体１３が充填されている。なお、スルーホール導体１２は、複合基板２の主面又は他主面に形成された導電層３同士を電気的に接続している。また、絶縁体１３をスルーホール１１に充填することによって、スルーホール１１の直上又は直下に後述するビア導体１４を形成することができ、配線基板１の小型化に寄与することができる。
【００３８】
導電層３は、所定の電気信号を伝達する機能を備えたライン状の信号線路３ａと、半導体素子６を共通の電位、例えばアース電位にする機能を備えた平板状のグランド層３ｂとを含んでいる。また、信号線路３ａは、グランド層３ｂに対して、絶縁層４を介して対向するように配置されている。また、導電層３は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料からなる。
【００３９】
絶縁層４には、その上下方向を貫くビア導体１４が形成されている。かかるビア導体１４は、上下位置の異なる導電層３同士を電気的に接続するためのものである。かかるビア導体１４は、複合基板２の一主面側から配線基板１の一主面側（複合基板２の他主面側から配線基板１の他主面側）に向けて幅広な逆テーパー状に形成されており、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料からなる。
【００４０】
絶縁層４は、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂等が使用される。なお、かかる熱硬化性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂のうち少なくともいずれか一つを使用することができる。熱可塑性樹脂としては、半田リフロー時の加熱に耐える耐熱性を有する必要があることから、構成する材料の軟化温度が２００℃以上であることが望ましく、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂又はポリフェニレンエーテル樹脂等を使用することができる。
【００４１】
絶縁層４は、複合基板２及び導電層３に対して積層し、例えば加熱プレス装置を用いて加熱しながら加圧した後、冷却することによって硬化する。また、絶縁層４は、厚み寸法が例えば１μｍから１０μｍとなるように設定されている。
【００４２】
なお、半導体素子６には、絶縁層４の熱膨張率と近似する材料が使用され、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等を用いることができる。なお、半導体素子６の厚み寸法は、例えば０．１ｍｍから１ｍｍのものを使用することができる。
【００４３】
上述したように本実施形態によれば、繊維層９の一主面及び他主面にフィルム層１０が形成されているため、繊維層９の内部で発生したクラックがフィルム層１０を介して導電層３にまで伝達するのを防止することができ、導電層３が破壊されることがなく、導電層３の電気的接続を良好に維持することができる。
【００４４】
次に、上述した配線基板１の製造方法について、図５から図７を用いて説明する。
【００４５】
まず、配線基板１を作製する前段階として、複合基板２を準備する。
【００４６】
複合基板２は、以下の工程を得て作製することができる。まず、図５（ａ）に示すように、複数の繊維７を、繊維７よりも熱膨張率が小さい熱硬化性樹脂８によって含浸した繊維層前躯体９’を準備する。かかる繊維層前躯体９’は、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂からなる繊維７を一方向に沿って配列した基材に、エポキシ樹脂を含浸させたシートＳを複数層積層したものである。
【００４７】
そして、図５（ｂ）に示すように、繊維層前躯体９’の一主面及び他主面にポリパラフェニレンベンズビスオキサーゾール樹脂とポリイミド樹脂の複合材料から成るフィルム層１０を接触させるようにして設ける。さらに、図５（ｃ）に示すように、繊維層前躯体９’及びフィルム層１０に、熱硬化性樹脂８の硬化温度以上の熱を印可し、熱硬化性樹脂８を硬化するとともに、フィルム層１０を繊維層前躯体９’に固着させる。具体的には、加熱プレス機を用いて、下記の条件にて押圧する。
【００４８】
フィルム層１０を繊維層前躯体９’に押圧する際に、繊維層前躯体９’及びフィルム層１０に印可する温度条件は、２２５℃以上であって、４００℃未満であることが好ましい。この温度範囲は、熱硬化性樹脂８が硬化する温度範囲であって、フィルム層１０が昇華せず溶融する温度範囲である。従って、繊維層前躯体９’の熱硬化性樹脂８を硬化させて、繊維層９を形成するとともに、フィルム層１０を繊維層９に張り合わせることができる。なお、繊維層前躯体９’及びフィルム層１０に熱を印可し続ける時間は、フィルム層１０を塑性変形させるのに、例えば３０秒から５分必要であって、熱硬化性樹脂８を硬化させるのに３０分から２時間必要である。
【００４９】
また、上記温度条件にて、フィルム層１０を繊維層前躯体９’に向って押圧する押圧条件は、２ＭＰａ以上、５ＭＰａ以下であることが好ましい。押圧条件が、２ＭＰａ以上だと、フィルム層１０を繊維層７の外形に沿って塑性変形することができる。また、押圧条件が、５ＭＰａを超える力だと、繊維層前躯体９’に必要以上に力が印可され、繊維層前躯体９’が変形し、不良が発生しやすくなる。一方、押圧条件が、５ＭＰａ以下だと、繊維層前躯体９’の不良を効果的に抑制することができる。
【００５０】
そして、繊維層前躯体９’を、例えば２０℃から３０℃の室温まで、冷却することによって、複合基板２を作製することができる。なお、複合基板２は、厚みが例えば０．３ｍｍから１．５ｍｍに設定されている。
【００５１】
ここで、複合基板２を作製時における、繊維７の膨張収縮に関して説明する。
【００５２】
図８は、複合基板２における繊維７の膨張収縮状態に関し、繊維７の断面を示した複合基板２の断面図である。図８（ａ）に示すように、繊維層前躯体９’にフィルム層１０を載置して熱を印可する前の状態では、繊維７は、断面方向に熱膨張を起こしていない。
【００５３】
次に、図８（ｂ）に示すように、繊維層前躯体９’に熱を印可させて、熱硬化性樹脂８を硬化させるときに、繊維７は、断面方向に熱膨張を起こすとともに、フィルム層１０と接する繊維７は、フィルム層１０の内部に一部埋設される。このとき、繊維７は、膨張した状態で、硬化性樹脂８によって含浸される。繊維７は、熱硬化性樹脂８よりも熱膨張率が大きいため、この状態で室温まで冷却しようとすると、収縮しようと応力が働く。そして、図８（ｃ）に示すように、繊維７が収縮して、熱硬化性樹脂８にクラックが発生したとしても、そのクラックは、フィルム層１０上にまで伝達することがない。仮に、フィルム層１０上に導電層３が形成されていたとしても、その導電層３までクラックが伝達することがなく、導電層３が破壊されるのを防止することができる。また、フィルム層１０と接する繊維７は、フィルム層１０によってその表面の一部が被覆され、フィルム層１０と固着されているため、収縮するのが抑制される。その結果、フィルム層１０と近接する領域にて熱硬化性樹脂８にクラックが発生するのを低減することができ、フィルム層１０に直接クラックの振動が伝播するのを抑制することができる。従って、繊維７の一部をフィルム層１０に埋設することによって、導電層３に伝わるクラックの振動をも十分に抑制することができ、導電層３の破壊を効果的に防止することができる。
【００５４】
次に、作製した複合基板２に、図５（ｄ）に示すように、従来周知のドリル加工等によって、上下方向にスルーホール１１を形成する。スルーホール１１は、複数個形成され、その直径が例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。そして、図６（ａ）に示すように、無電界めっき等により、複合基板２の表面にメッキを被着させ、スルーホール１１の内周面にスルーホール導体１２を形成する。そのあと、図６（ｂ）に示すように、スルーホール１１に例えばポリイミド等の樹脂を充填し、絶縁体１３を形成する。さらに、図６（ｃ）に示すように、絶縁体１３の直上を被覆するように、従来周知の蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等によって、導電層を構成する材料を被着する。そして、複合基板２の一主面及び他主面に、レジストを塗布し、露光現像を行った後、エッチング処理をして、図６（ｄ）に示すように、グランド層３ｂを形成する。
【００５５】
次に、図７（ａ）に示すように、グランド層３ｂ上に、例えばポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を、従来周知のスピンコート法等によって、被着させて熱硬化させることで、絶縁層４を形成する。そして、図７（ｂ）に示すように、絶縁層４に、例えばＹＡＧレーザー装置又はＣＯ２レーザー装置を用いて、ビア孔１５を形成する。ビア孔１５は、絶縁層４の一主面に対して垂直方向から、絶縁層４の一主面に向けてレーザー光が照射されることによって形成される。なお、ビア孔１５は、レーザーの出力を調整することによって、上部よりも下部が幅狭な逆テーパー状に形成することができる。さらに、図７（ｃ）に示すように、ビア孔１５に、従来周知のめっき処理を施し、導電性材料を充填することによってビア導体１４を形成する。
【００５６】
次に、絶縁層４の上面に対して、従来周知の蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等によって、信号線路３ａを構成する材料を被着させる。そして、図７（ｄ）に示すように、その表面にレジストを塗布し、露光現像を行った後、エッチング処理をして信号線路３ａを形成する。信号線路３ａは、絶縁層４を介してグランド層３ｂと対向する箇所に形成される。
【００５７】
このようにして、配線基板１を作製することができる。
【００５８】
さらに、上述した絶縁層４及び導電層３の積層工程を繰り返すことで、多層配線の配線基板１も作製することができる。そして、配線基板１に対してバンプ５を介して半導体素子６を実装することによって、実装構造体を作製することができる。
【００５９】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００６０】
また、上述した実施形態において、繊維層９に含有される繊維７は、一方向に沿って配列された不織布を使用したが、繊維層９の一主面及び他主面にフィルム層１０を形成し、繊維層９中で発生するクラックが、フィルム層１０上の導電層３に伝達しないのであれば、繊維７を縦横に編み込んだ織布を使用しても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施形態に係る配線基板の平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る配線基板の断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る配線基板であって、（ａ）は繊維層の拡大断面図、（ｂ）は繊維の拡大斜視図、（ｃ）は繊維同士の間のクラックの状態を示した断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係るフィルム層の拡大斜視図である。
【図５】本発明の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明する断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明する断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明する断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る繊維の拡大収縮の状態を示した断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１    配線基板
２    複合基板
３    導電層
３ａ  信号線路
３ｂ  グランド層
４    絶縁層
５    バンプ
６    半導体素子
７    繊維
７ａ  第１繊維
７ｂ  第２繊維
８    熱硬化性樹脂
９    繊維層
１０    フィルム層
１１    スルーホール
１２    スルーホール導体
１３    絶縁体
１４    ビア導体
１５    ビア孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2008300383.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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