(57)【要約】【課題】  半導体ウエハなどの基板から製造できる半導体装置の数を増加させ、且つダイシングなどを用いた時のダメージなどを未然に防止できるような半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の半導体装置の製造方法は、第１の基板に形成した半導体素子領域を複数の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法において、前記基板裏面に分割後の各半導体装置が離散するのを防止する支持体を設ける工程と、前記基板表面の分割予定領域の一部をエッチングする第１のエッチング工程と、前記分割予定領域の一部の側面を含む非エッチング領域を薄膜で被覆する工程と、前記薄膜に形成された開口部をエッチング窓として第２のエッチングを施す第２のエッチング工程とを含むことを特徴とする。【選択図】  図１
2008300870.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に形成した半導体素子領域を複数の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法において、
前記基板裏面に分割後の各半導体装置が離散するのを防止する支持体を設ける工程と、
前記基板表面の分割予定領域の一部をエッチングする第１のエッチング工程と、
前記分割予定領域の一部の側面を含む非エッチング領域を薄膜で被覆する工程と、
前記薄膜に形成された開口部をエッチング窓として第２のエッチングを施す第２のエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング工程のうち、少なくとも前記第２のエッチング工程がドライエッチング工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の基板が半導体基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記薄膜が酸化シリコンまたは窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記薄膜が有機材料薄膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体素子領域を形成した第１の基板を複数の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法において、
前記第１の基板表面の分割予定領域の一部領域をエッチングする第１のエッチング工程と、
前記分割予定領域の一部の側面を含む非エッチング領域を薄膜で被覆する工程と、
前記薄膜に形成された開口部をエッチング窓として第２のエッチングを施す第２のエッチング工程と、
前記第１の基板の裏面を研磨して前記エッチングされた領域を表面から該裏面に貫通させる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２のエッチング工程がドライエッチングを含むことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の基板が半導体基板であることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記薄膜が酸化シリコンまたは窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記薄膜が有機材料薄膜であることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
半導体素子領域を形成した第１の基板を複数の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法において、
前記第１の基板表面の分割予定領域の一部領域をエッチングする第１のエッチング工程と、
前記分割予定領域の一部の側面を含む非エッチング領域を薄膜で被覆する工程と、
前記薄膜に形成された開口部をエッチング窓として第２のエッチングを施す第２のエッチング工程と、
前記第１の基板の裏面に開口部を有する第２の薄膜を形成する工程と、
前記第２の薄膜の開口部を介して基板裏面側より第３のエッチングを施す第３のエッチング工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２及び第３のエッチング工程がドライエッチングを含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の基板が半導体基板であることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記半導体基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記薄膜が酸化シリコンまたは窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記薄膜が有機材料薄膜であることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
半導体素子領域を形成した第１の基板を複数の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法において、
前記第１の基板表面の分割予定領域の一部領域を薄膜に形成された開口部を用いてエッチングする第１のエッチング工程と、
前記第１の基板裏面の前記分割予定領域の一部領域をエッチングする第２のエッチング工程と、
前記開口部をエッチング窓としてエッチングを施し前記裏面からのエッチング領域と前記表面からのエッチング領域を連結する第３のエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第２及び第３のエッチング工程がドライエッチングを含むことを特徴とする請求項１９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１の基板が半導体基板であることを特徴とする請求項１９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記半導体基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記薄膜が酸化シリコンまたは窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項１９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記薄膜が有機材料薄膜であることを特徴とする請求項１９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第２のエッチング工程におけるエッチング条件は、前記第３のエッチング工程のエッチング条件とは互いに異なることを特徴とする請求項１９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
半導体素子領域を形成した第１の基板を複数の半導体装置に分割する半導体製造装置において、請求項１、７、１３、１９のいずれかに記載のエッチングを行なう半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に形成した半導体素子領域を分割して形成される半導体装置の製造方法等に関し、特にエッチング技術を用いて半導体装置間を分離する半導体装置の製造方法、および半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウエハ上に複数形成された半導体装置を、個々の半導体装置(チップ)に分離するための技術として、ダイシング法がよく知られている。ダイシング法は、ダイシング・ブレードを用いて切断するため、そのときの衝撃により半導体装置の端部が欠けてしまうチッピングが発生しやすいため、これを防ぐため、実際カットする幅より広い幅を切断領域としていた。例えばプリンタなどの電子写真技術を利用する画像形成装置の露光装置(ＬＥＤヘッド)に用いられるＬＥＤアレイチヅプを切り出すものとして特許文献１に記載されるものがある。
【０００３】
【特許文献１】特開平8-32110号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述のダイシング法を用いる技術では半導体装置と半導体装置との問には比較的に広い領域が必要となってしまうため、１枚の半導体ウエハから取り出すことのできる半導体装置の数が制限されてしまうという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明は、半導体ウエハなどの基板から製造できる半導体装置の数を増加させ、且つダイシングなどを用いた時のダメージなどを未然に防止できるような半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の技術的な課題を解決するため、本発明の半導体装置の製造方法は、第１の基板に形成した半導体素子領域を複数の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法において、前記基板裏面に分割後の各半導体装置が離散するのを防止する支持体を設ける工程と、前記基板表面の分割予定領域の一部をエッチングする第１のエッチング工程と、前記分割予定領域の一部の側面を含む非エッチング領域を薄膜で被覆する工程と、前記薄膜に形成された開口部をエッチング窓として第２のエッチングを施す第２のエッチング工程とを含むことを特徴とする。
【０００７】
さらに、本発明の他の半導体装置の製造方法は、半導体素子領域を形成した第１の基板を複数の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法において、前記第１の基板表面の分割予定領域の一部領域をエッチングする第１のエッチング工程と、前記分割予定領域の一部の側面を含む非エッチング領域を薄膜で被覆する工程と、前記薄膜に形成された開口部をエッチング窓として第２のエッチングを施す第２のエッチング工程と、前記第１の基板の裏面を研磨して前記エッチングされた領域を表面から該裏面に貫通させる工程を含むことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明のもう１つの半導体装置の製造方法は、半導体素子領域を形成した第１の基板を複数の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法において、前記第１の基板表面の分割予定領域の一部領域をエッチングする第１のエッチング工程と、前記分割予定領域の一部の側面を含む非エッチング領域を薄膜で被覆する工程と、前記薄膜に形成された開口部をエッチング窓として第２のエッチングを施す第２のエッチング工程と、前記第１の基板の裏面に開口部を有する第２の薄膜を形成する工程と、前記第２の薄膜の開口部を介して基板裏面側より第３のエッチングを施す第３のエッチング工程を含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明の更に他の半導体装置の製造方法は、半導体素子領域を形成した第１の基板を複数の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法において、前記第１の基板表面の分割予定領域の一部領域を薄膜に形成された開口部を用いてエッチングする第１のエッチング工程と、前記第１の基板裏面の前記分割予定領域の一部領域をエッチングする第２のエッチング工程と、前記開口部をエッチング窓としてエッチングを施し前記裏面からのエッチング領域と前記表面からのエッチング領域を連結する第３のエッチング工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】
本発明の更にまた他の半導体装置の製造方法は、半導体素子領域を形成した第１の基板を複数の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法において、前記第１の基板表面の分割予定領域の一部領域をエッチングする第１のエッチング工程と、前記分割予定領域の一部の側面を含む非エッチング領域を薄膜で被覆する工程と、前記第１の基板の裏面に各半導体装置が離散するのを防止するための支持体を設ける工程と、前記薄膜に形成された開口部をエッチング窓として第２のエッチングを施す第２のエッチング工程と、該第２のエッチング工程でエッチングされた途中の深さから基板裏面までをエッチングする第３のエッチング工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、装置間の分割方法を従来からのダイシング法ではなく、所要のエッチングとすることで、チッピングの発生は確実に抑えられることになる。従って、チッピングを見込んだ半導体装置の周囲のマージンとなる領域を小さくすることができ、製造工程にかかる面積のうち、半導体装置を形成できる面積の割合を高くして、製造できる個数を増加させることができる。
【００１２】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、基板の分割をエッチングの組み合わせによって、半導体素子領域を各半導体装置ごとに確実に分離することができ、ダイシング法などに比べて切断幅も狭く制御することができ、エッチングであれば機械的な基板へのダメージも少なくなるため、特に素子の微細化を図る場合に極めて有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
[第１の実施形態]
本実施形態は、シリコン基板を用いた半導体装置の製造方法であり、特にＬＥＤヘッドの如き半導体発光素子を多数一度に形成する場合に有利な製造方法である。
【００１５】
まず、本実施形態では、図２に示すように、各矩形状の半導体装置２０が縦横に並ぶようにレイアウトで形成される。これら矩形状の半導体素子領域２０は、それぞれ半導体ウエハであるシリコン基板上に形成されており、これら矩形状の半導体素子領域２０の間の領域は装置間を分離するために削除される削除領域１６であり、本実施形態では、格子状に延長されている帯状の領域である。
【００１６】
例えば、シリコン基板１１に形成される半導体素子領域２０に対して電極層や活性層などを形成したりして、所要のデバイス形成が終了した後、図１に示すように、素子領域２０の間が分割される。まず、シリコン基板１１上に削除を予定する削除領域１６を含む全面をマスク材料層１２で被覆する。削除領域１６は、削除すべき半導体ウエハ表面が露出するように窓部が形成されるものであり、マスク材料は、例えば有機材料、酸化シリコン、窒化シリコン、メタル材料、から１つまたはこれらを組合せた材料を使用することができる。ここで、マスク材料層１２は、最終的にデバイスの膜として残留させる形態とすることが望ましい。
【００１７】
次に、削除領域１６の表面２４からある深さ２３までシリコン基板１１を第１のドライエッチングによってエッチングする。この時のエッチングの深さ２３は、例えば５μｍ以上とされる。このエッチング深さはデバイスに影響を与えない深さであれば適宜浅くすることもできる。また、エッチング断面形状はできるだけエッチング方向に切り立つ形状(水平方向にエッチング領域が広がらない異方性エッチング)が望ましい。このドライエッチングでは、エッチングガスとしてＳＦ６及びＯ２ガスを用いたＲＦドライエッチングを適用することができる。
【００１８】
削除領域１６となる領域は露出させ、すなわちエッチング領域１５の深さ２３の位置に底面を形成し、表面部１２ａ及びエッチング側面１２ｂは被覆されるように、再度マスク材料層１２を設ける。
【００１９】
続いて、図３に示すように、支持体である粘着シート１８を使って固定用フレーム１９にウエハ１７を貼り付ける方法で固定する。これは次の第２のドライエッチング工程後に各半導体装置がばらばらになることを防ぐためのものである。
【００２０】
このような固定用フレーム１９に対する支持の後、再度、第２のドライエッチングを行う。第２のドライエッチングでは、深さ方向のエッチング速度を上げるため、等方性のドライエッチングを適用することができる。基板１１の厚さが薄い場合、例えば、基板厚さが５０μｍ以下の場合には、第１のエッチング工程(異方性エッチング)と同じエッチングを繰り返してもよい。第２のドライエッチング(等方性エッチング)では、エッチングガスとしてＳＦ６＋Ｏ２を用いたＲＦドライエッチングを適用することができる。ここでは、エッチング側壁部１４が、図１に示すように例えば断面形状で略ドーム形状になるようにエッチングを行う。底部では先に貼り合わせした粘着シート１８が露出する。
【００２１】
この第２のエッチングエ程によりウエハ底面のエッチング領域端２２は、第１のドライエッチング工程のエッチング領域端２１よりもデバイス側に広がっている。すなわち、微細加工が可能な異方性エッチングの幅だけで、素子領域間が分離されていくことになり、半導体装置をレイアウト上隣接する他の半導体素子と近くに配設することがあっても、十分な分割が実現される。
【００２２】
この第２のドライエッチングが完了した後に、図４に示すように半導体装置である各デバイスチップ２６が粘着シート１８上に固定された形態が得られる。後は、粘着シート１８から各チップ２６を外す工程を経て、それぞれ微細な個別のチップとなる。
【００２３】
本発明の第１の実施形態によれば、半導体装置の素子形成部の作製後に、等方性ドライエッチングと異方性ドライエッチングを組み合わせてエッチングする工程としたので、ウエハプロセスで定まる高精度な位置精度が得られることになり、ダイシングによらないため、除去端部の仕上がりはチッピングなどの欠損がなく、また機械的なダメージがデバイスに影響を与えることが未然に防止される。また、エッチングに速度の速い等方性エッチングを用いるため、除去領域の形成速度が速く、厚い基板への適用も可能である。また、ダイシングなどの切断方法を用いないため、半導体装置への汚染も防止される。
【００２４】
[第２の実施形態]
図５は第２の実施形態による製造方法によって除去領域が除去された領域の断面を模
式的に示したものであり、装置ごとの分離前の断面である。シリコン基板３１の表面にはマスク材料層３２が形成され、このマスク材料層３２によって第１の実施形態と同様に、狭い幅に開口した開口部３５が表面４４から深さ４３まで形成されて、その開口部３５の側壁に側壁保護膜３２ａがマスク材料層３２の表面部３２ｂと連続する形で形成される。
【００２５】
この狭い幅の開口部３５から下の領域は、後述するように、等方性エッチングで除去されたドーム状の空隙部３６が形成され、その空隙部３６の側壁３６ｗは開口部３５の幅よりも大きく除去された形状とされている。
【００２６】
このような構造を得るために、本実施形態の半導体装置の製造方法では、次のような図６乃至図８に示すような工程を行なう。まず、図６に示すように、表面４４から深さ４３まで、異方性ドライエッチングによって開口部３５の予定領域をエッチングする。異方性ドライエッチングは先の第１の実施形態で述べた方法を適用できる。
【００２７】
次に等方性ドライエッチングによって深さ４７までエッチングする。深さ４７はシリコン基板３１の厚さ(裏面４８)よりも浅くされ、表面と裏面が貫通しない程度にエッチングを止める。等方性ドライエッチングは第１の実施形態で説明した方法を適用できる。この等方性エッチングによって、開口部３５の位置でそのまま延長した深さ４６よりも深くなるような空隙部３６が形成され、その水平方向にも開口部３５より広がった形状となる。
【００２８】
次に、図７に示すように、表面側にチップ固定用シート３７を貼付し、シリコン基板３１を裏面４８側から研磨する。研磨する量は、エッチングされた空隙部３６が現れる量とされる。この基板の裏面からの研磨によって、先のエッチングで水平方向に広げられた空隙部３６が露出し、その端部４９は開口部３５の幅の位置４１よりも素子側に進行したものとされる。
【００２９】
続いて、図８に示すように、固定用の粘着シート３９を裏面に貼り、表面のシート３７を剥離する。チップ固定用の粘着シート３９を貼り替えなくてもチップをシート３７から直接剥がしてもよい。
【００３０】
第２の実施形態では、第２のドライエッチング後にウエハ裏面４８から研磨し、エッチング領域である空隙部３６を裏面から露出させるようにしたので、基板３１が厚い場合であっても、ウエハ厚さと同等のエッチング量を必要とせずに個別の半導体装置に分離できる。このため、エッチング時間の短縮を図ることができ、空隙部の横方向への必要以上の広がりを縮小化して寸法再現性を高めることができる。
【００３１】
[第３の実施形態]
図９、図１０は本発明の第３の実施例の半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。まず、図９に示したように、除去領域５６を露出するようにマスク材料層５２をシリコン基板５１上に形成した後、表面５４から深さ５３まで異方性ドライエッチングを行い除去領域５６に対応した位置に開口部５５を形成する。この異方性ドライエッチングにより、開口部５５の端部位置５７には略垂直な側壁が形成される。
【００３２】
次に図１０に示すように、基板裏面にも第２のマスク材料層６０を形成し、エッチング予定領域である除去領域５６の部分で、ウエハ裏面側にエッチング開口部６０ａを形成する。このようなエッチング開口部６０ａを第２のマスク材料層６０に形成した後、基板表面にチップ固定用シート５９を設ける。このチップ固定用シート５９で各半導体装置が散乱しないように粘着させた後、ウエハ裏面からエッチング開口部６０ａを介して等方性ドライエッチングを行い、空隙部５６を形成する。エッチング深さは第1のドライエッチングの底部５３に到達する深さとすることができ、このような等方性エッチングによって、開口部５５の端部位置５７よりも水平方向に広がった位置５８まで、空隙部５６を広げることができる。
【００３３】
このような工程にて実施される第３の実施形態では、第２のドライエッチングを基板裏面側から行うようにしたので、ウエハ表面の除去領域の水平方向エッチング量の影響を少なくすることができ、素子を寸法再現性良く製造することができる。
【００３４】
[第４の実施形態]
図１１、図１２は第４の実施形態の半導体装置の製造方法を示した図である。先の実施形態と同様に、除去領域６６を開口するためにマスク材料層６２をシリコン基板６１上に形成した後、表面６４から深さ６３まで異方性ドライエッチングを行い除去領域６６に対応した位置に開口部６５を形成する。この第１のドライエッチング終了後、基板裏面にエッチングのマスク材料層６９を形成し、支持体６８を基板表面に貼り合せた後、基板裏面から第２のドライエッチングを行う。第２のドライエッチングは等方性ドライエッチングとすることができる。ここで、この第２のエッチング工程ではエッチング深さを基板６１の途中までとすることができる。これは開口部６５まで到達してしまった場合には、半導体装置ごとにばらばらとなってしまう、あるいは、半導体装置（チップ）の相対的な位置がずれてこれ以降のウエハレベルでの加工に支障を来たすためである。また、このような等方性エッチングによって、開口部６５の端部位置６７ａよりも水平方向に広がった位置６７ｂまで、空隙部６６を広げることができる。ここで位置６７ｂは、マスク材料層６９と接しているシリコン基板６１の開口部端を示している。
【００３５】
次に基板表面の開口部６５のエッチング側面をエッチングマスクで被覆し、基板裏面にチップ固定用シート７０を設ける。次にウエハ表面から第３のドライエッチングを行う。第3のドライエッチングは異方性ドライエッチングとすることができ、開口部６５のエッチング側面を覆うエッチングマスクを用いて自己整合的に形成することが可能である。
【００３６】
この第４の実施形態によれば、基板の表面と裏面の両方からドライエッチングを行うようにしたので、水平方向へのエッチングの広がりによるデバイス領域への影響をより防止することができる。
【００３７】
[第５の実施形態]
図１３乃至図１６は第５の実施形態の半導体装置の製造方法の工程を示す工程断面図である。図１３に示すように、本実施形態の半導体装置では、裏面に支持体としての粘着シート７６を貼り合せたシリコン基板７１の表面にはマスク材料層７２が形成され、このマスク材料層７２の開口部７５を介して異方性エッチング、等方性エッチング、第３のエッチングとして再度等方性エッチングが条件を替えて進められ、２段階に広がる形状の空隙部７７が形成される。このような構成により、水平方向のエッチング量を最初の等方性エッチングよりも、次の等方性エッチングが速く進行するようにすることができ、デバイス領域への水平方向エッチングの影響を防止しながら、全体的なエッチング速度を上げることができる。
【００３８】
ここで、この第５の実施形態の製造方法について図１４乃至図１６を参照しながら説明すると、まず図１４に示すように、基板８１の表面にマスク材料層８２を形成し、そのマスク材料層８２を異方性エッチングにより開口して第１の開口部８５を形成する。次に、第１の開口部８５のエッチング側面をマスク材料で被覆する。
【００３９】
次に、図１５に示すように、基板８１の裏面にチップ固定用シート８６を設けた後、第２のドライエッチングを基板表面から実施する。第２のドライエッチングでは空隙部８８において、第１のエッチングよりも横方向の広がりがあるが、一般的な等方性エッチングよりもエッチング速度が遅く横方向への広がりが抑制される条件が適用される。このエッチングでは、例えばエッチングガスにおけるＳＦ６と０２の混合比において、０２をより多い成分とする。エッチング深さは分断防止のため基板８１の途中とする。
【００４０】
次に、基板８１の表面側から第３のドライエッチングを行う。このエッチングでは、等方性エッチング条件を適用する。第３のエッチングでは空隙部８７の底面側での水平方向の広がりを許容することができる。図１６に示すように、第３のエッチング領域の水平方向の広がりは第２のエッチング領域の広がりと比較して広くなるように形成する。ここでは、エッチングガスにおけるＳＦ６と０２の混合比において、ＳＦ６をより多い成分とする。
【００４１】
本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、水平方向のエッチング量が、第１のエッチングより大きいが、等方性エッチングよりも小さいエッチング条件で、第２のエッチングを行い、さらに第３のエッチングでは、等方性エッチングを行うようにしたので、デバイス領域への水平(横)方向エッチングの影響を防止できると共に、エッチング速度を上げることができる。なお、第３のエッチングを、ウエハ裏面から行うこともできる。裏面からのエッチングは、先に第３の実施形態で説明した工程を適用することができる。
【００４２】
次に、上述の如き半導体装置の製造方法を適用して製造される半導体装置の一例となるＬＥＤプリントヘッドの例について図１７を参照しながら説明する。
【００４３】
図１７は、本発明のＬＥＤヘッドに基づく実施の形態のＬＥＤプリントヘッド２００
を示す図である。同図に示すように、ベース部材２０１上には、ＬＥＤユニット２０２が搭載されている。このＬＥＤユニット２０２は、第１乃至第５の実施の形態の何れかの製法で形成された半導体装置が実装基叛上に搭載されたものである。図１８は、このＬＥＤユニット２０２の一構成例を示す平面配置図で、実装基板２０２ｅ上には、前記した各実施の形態で説明した半導体装置が、発光部ユニット２０２ａとして長手方向に沿って複数配設されている。実装基板２０２ｅ上には、その他に、電子部品が配置されて配線が形成されている電子部品実装エリア２０２ｂ、２０２ｃ、及び外部から制御信号や電源などを供給するためのコネクタ２０２ｄ等が設けられている。
【００４４】
発光部ユニット２０２ａの発光部の上方には、発部から出射された光を集光する光学素子としてのロッドレンズアレイ２０３が配設されている。このロッドレンズアレイ２０３は、柱状の光学レンズを発光部ユニット２０２ａの直線状に配列された発光部に沿って多数配列したもので、光学素子ホルダに相当するレンズホルダ２０４によって所定位置に保持されている。
【００４５】
このレンズホルダ２０４は、図１７に示すように、ベース部材２０１及びＬＥＤユニット２０２を覆うように形成されている。そして、べース部材２０１、ＬＥＤユニット２０２、及びレンズホルダ２０４は、べース部材２０１及びレンズホルダ２０４に形成された開口部２０１ａ、２０４ａを介して配設されるクランパ２０５によって一体的に挟持されている。従って、ＬＥＤユニット２０２で発生した光はロッドレンズアレイ２０３を通して、所定の外部部材に照射される、このＬＥＤプリントヘッド２００は、例えば電子写真プリンタや電子写真コピー装置等の露光装置として用いられる.
【００４６】
以上のように、本実施の形態のＬＥＤヘッドによれば、ＬＥＤユニット２０２として、前記した実施形態の各実施の形態で示した半導体装置の何れかが使用されるため、高品質で信頼性の高いＬＥＤヘッドを提供することができる。
【００４７】
図１９は、本発明の画像形成装置に基づく実施形態の画像形成装置３００の要部構成を模式的に示す要部構成図である。図１９に示すように、画像形成装置３００内には、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの各色の画像を、各々に形成する四つのプロセスユニット３０１〜３０４が記録媒体３０５の搬送経路３２０に沿ってその上流側から順に配置されている。これらのプロセスユニット３０１〜３０４の内部構成は共通しているため、例えばシアンのプロセスユニット３０３を例にとり、これらの内部構成を説明する。
【００４８】
プロセスユニット３０３には、像担持体として感光ドラム３０３ａが矢印方向に回転可能に配置され、この感光体ドラム３０３ａの周囲にはその回転方向上流側から順に、感光ドラム３０３ａの表面に電気供給して帯電させる帯電装置３０３ｂ、帯電された感光体ドラム３０３ａの表面に選択的に光を照射して静電潜像を形成する露光装置３０３ｃが配設される。更に、静電潜像が形成された感光体ドラム３０３ａの表面に、所定色(シアン)のトナーを付着させて顕像を発生させる現像装置３０３ｄ、及び感光体ドラム３０３ａの表面に残留したトナーを除去するクリーニング装置３０３ｅが配設される。尚、これら各装置に用いられているドラム又はローラは、図示しない駆動源及びギアによって回転させられる。
【００４９】
また、画像形成装置３００は、その下部に、紙等の記録媒体３０５を堆積した状態で収納する用紙カセット３０６を装着し、その上方には記録媒体３０５を１枚ずつ分離させて搬送するためのホッピングローラ３０７を配設している。更に、記録媒体３０５の搬送方向における、このホッピングローラ３０７の下流側には、ピンチローラ３０８，３０９と共に記録媒体３０５を挟持することによって、記録媒体３０５の斜行を修正し、プロセスユニット３０１〜３０４に搬送するレジストローラ３１６，３１１を配設している。これ等のホッピングローラ３０７及びレジストローラ３１０，３１１は、図示しない駆動源及びギアによって連動回転する。
【００５０】
プロセスユニット３０１〜３０４の各感光体ドラムに対向する位置には、それぞれ半導電性のゴム等によって形成された転写ローラ３１２が配設されている。そして、感光体ドラム３０１ａ〜３０４ａ上のトナーを記録媒体３０５に付着させるために、感光体ドラム３０１ａ〜３０４ａ表面とこれらの各転写ローラ３１２の表面との間に所定の電位差が生じるように構成されている。
【００５１】
定着装置３１３は、加熱ローラとバックアップローラとを有し、記録媒体３０５上に転写されたトナーを加圧、加熱することによって定着させる。また、排出ローラ３１４,３１５は、定着装置３１３から排出された記録媒体３０５を、排出部のピンチローラ３１６,３１７と共に挟持し、記録媒体スタッカ部３１８に搬送する。尚、排出ローラ３１４,３１５は、図示されない駆動源及びギアによって連動回転する。ここで使用される露光装置３０３ｃとしては、先に説明したＬＥＤプリントヘッド２００が用いられる
【００５２】
次に、このような画像形成装置の動作について説明する。まず、用紙カセット３０６に堆積した状態で収納されている記録媒体３０５がホッピングローラ３０７によって、上から１枚ずつ分離されて搬送される。続いて、この記録媒体３０５は、レジストローラ３１０，３１１及びピンチローラ３０８，３０９に挟持されて、プロセスユニット３０１の感光ドラム３０１ａ及び転写ローラ３１２に搬送される。その後、記録媒体３０５は、感光体ドラム３０１ａ及び転写ローラ３１２に挟持され、その記録画面にトナー画像が転写されると同時に感光体ドラム３０１ａの回転によって搬送される。
【００５３】
同様にして、記録媒体３０５は、順次プロセスユニット３０２〜３０４を通過し、その通過過程で、各露光装置３０１ｃ〜３０４ｃにより形成された静電潜像を、現像装置３０１ｄ〜３０４ｄによって現像した各色のトナー像がその記録画面に順次転写され重ね合わせられる。そして、その記録面上に各色のトナー像が重ね合わせられた後、定着装置３１３によってトナー像が定着された記録媒体３０５は、排出ローラ３１４，３１５及びピンチローラ３１６，３１７に挾持されて、画像形成装置３００の外部の記録媒体スタッカ部318に排出される。以上の過程を経て、カラー画像が記録媒体３０５上に形成される。
【００５４】
以上のように、本実施の形態の画像形成装置によれば、前記した実施の形態で説明したＬＥＤプリントヘッドを採用するため、高品質で、信頼性の高い画像形成装置を提供することができる。
【００５５】
尚、前記した実施形態では、半導体装置の半導体素子領域に形成される半導体素子として、発光素子(ＬＥＤ)を形成した例について説明したが、これに限定されるものではなく、この発光素子に代えて受光素子を形成する、或いはこれ等の光素子だけでなく、その他の半導体素子を形成してもよいなど、種々の態様を取り得るものである。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法におけるエッチングによる分割工程を説明する模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法における半導体装置の配置を示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法の半導体ウエハの粘着工程を説明する工程上面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法における半導体装置ごとの分割前の図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法における半導体装置ごとの分割前の断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法における等方性エッチング工程後の工程断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法における粘着シートの貼り付け工程後の工程断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法における基板裏面からの研磨工程後の工程断面図である。
【図９】本発明の第３の実施例の半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図であり、第１のエッチング工程後の工程断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施例の半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図であり、第２のエッチング工程後の工程断面図である。
【図１１】本発明の第４の実施例の半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図であり、等方性エッチング後の工程断面図である。
【図１２】本発明の第４の実施例の半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図であり、異方性エッチング後の工程断面図である。
【図１３】本発明の第５の実施例の半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１４】本発明の第５の実施例の半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図であり、第１のエッチング工程後の工程断面図である。
【図１５】本発明の第５の実施例の半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図であり、第２のエッチング工程後の工程断面図である。
【図１６】本発明の第５の実施例の半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図であり、第３のエッチング工程後の工程断面図である。
【図１７】本発明にかかる半導体装置の製造方法を用いて製造されるＬＥＤヘッドに基づく実施の形態のＬＥＤプリントヘッドを示す模式図である。
【図１８】本発明にかかる半導体装置の製造方法を用いて製造されるＬＥＤユニットの一構成例を示す平面配置図である。
【図１９】本発明にかかる半導体装置の製造方法を用いて製造される画像形成装置に基づく実施形態の画像形成装置の要部構成を模式的に示す要部構成図である。
【符号の説明】
【００５７】
１１  シリコン基板
１２  マスク材料層
１２ｂ  エッチング側面
１４  エッチング側壁部
１５  エッチング領域
１６  削除領域
１８  粘着シート
１９  固定用フレーム
２０  半導体素子領域
２１  エッチング領域端
２２  エッチング領域端
２３  深さ
２４  表面
２６  チップ
３１  シリコン基板
３２  マスク材料層
３５  開口部
３６ｗ  側壁
３７  チップ固定用シート
３９  粘着シート
４３  深さ
４４  表面
４６  深さ
４７  深さ
４８  裏面
４９  端部
５１  シリコン基板
５２  マスク材料層
５３  深さ
５４  表面
５５  開口部
５６  除去領域
５７  端部位置
６０  マスク材料層
６１  シリコン基板
６２  マスク材料層
６３  深さ
６４  表面
６５  開口部
６６  除去領域
６７ａ  端部位置
６８  チップ固定用シート
６９  マスク材料層
７１  シリコン基板
７２  マスク材料層
７５  開口部
７６  粘着シート
８１  基板
８２  マスク材料層
８５  第１の開口部
２００  ＬＥＤプリントヘッド
３００  画像形成装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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