(57)【要約】指紋認識モジュール及びその製造方法、電子機器、方法であって、信号処理回路が形成される基板を提供するステップと、キャリアベースを提供するステップと、第１電極、第１電極上に位置する圧電層、及び圧電層上に位置する第２電極を含む圧電トランスジューサをキャリアベース上に形成するステップと、キャビティを有する永久ボンディング層をキャリアベースまたは基板上に形成するステップと、永久ボンディング層が圧電トランスジューサと基板との間に位置するとともに、圧電トランスジューサがキャビティを遮蔽するように、永久ボンディング層を利用してキャリアベースと基板をボンディングするステップと、キャリアベースを除去するステップとを含む。前記方法は、キャビティを満たす犠牲層を形成する必要がないため、犠牲層のリリース操作を行う必要がなく、犠牲層残存物をキャビティに形成する課題を回避し、圧電トランスジューサがキャビティを遮蔽し、圧電トランスジューサの音響的性能を向上させ、よって、指紋認識の精度を向上させる。【選択図】図１4
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号処理回路が形成される基板と、
前記基板上にボンディングされ、キャビティを有する永久ボンディング層と、
前記永久ボンディング層上に位置し、第１電極、前記第１電極上に位置する圧電層、及び前記圧電層上に位置する第２電極を含むとともに、前記キャビティを遮蔽する圧電トランスジューサとを含む、ことを特徴とする指紋認識モジュール。
【請求項２】
前記指紋認識モジュールは、前記第１電極、第２電極または前記信号処理回路の対応する接続端を電気的に接続する相互接続構造をさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の指紋認識モジュール。
【請求項３】
前記指紋認識モジュールは、前記第１電極の表面に位置する隔離層をさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の指紋認識モジュール。
【請求項４】
前記隔離層の材料が酸化シリコンである、ことを特徴とする請求項３に記載の指紋認識モジュール。
【請求項５】
前記永久ボンディング層の材料がドライフィルムである、ことを特徴とする請求項１に記載の指紋認識モジュール。
【請求項６】
前記基板がウェハレベル基板であり、前記圧電トランスジューサ及び前記キャビティの数量がいずれも複数である、ことを特徴とする請求項１に記載の指紋認識モジュール。
【請求項７】
前記基板がチップレベル基板である、ことを特徴とする請求項１に記載の指紋認識モジュール。
【請求項８】
前記相互接続構造は、前記第１電極に電気的に接続される第１導電性コンタクトと、前記第２電極に電気的に接続される第２導電性コンタクトと、前記接続端に電気的に接続される第３導電性コンタクトとを含む、ことを特徴とする請求項２に記載の指紋認識モジュール。
【請求項９】
信号処理回路が形成される基板を提供するステップと、
キャリアベースを提供するステップと、
第１電極、前記第１電極上に位置する圧電層、及び前記圧電層上に位置する第２電極を含む圧電トランスジューサを前記キャリアベース上に形成するステップと、
キャビティを有する永久ボンディング層を前記キャリアベースまたは前記基板上に形成するステップと、
前記永久ボンディング層が前記圧電トランスジューサと前記基板との間に位置するとともに、前記圧電トランスジューサが前記キャビティを遮蔽するように、前記永久ボンディング層を利用して前記キャリアベースと前記基板をボンディングするステップと、
前記キャリアベースを除去するステップとを含む、ことを特徴とする指紋認識モジュールの製造方法。
【請求項１０】
キャビティを有する永久ボンディング層を前記キャリアベース上に形成し、
圧電トランスジューサ、キャビティを有する永久ボンディング層を前記キャリアベース上に形成するステップは、複数の前記第１電極を前記キャリアベース上に形成するステップと、前記キャリアベース及び前記第１電極を被覆する前記圧電層を形成するステップと、前記第１電極に対向して設けられる複数の前記第２電極を前記圧電層上に形成するステップと、前記圧電層及び前記第２電極を被覆する永久ボンディングフィルムを形成するステップと、前記第２電極を露出させるキャビティを前記永久ボンディングフィルムに形成するステップとを含む、ことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
キャビティを有する前記永久ボンディング層を前記キャリアベース上に形成し、
圧電トランスジューサ、キャビティを有する前記永久ボンディング層を前記キャリアベース上に形成するステップは、前記キャリアベース全体を被覆する導電性層を形成するステップと、前記導電性層を被覆する前記圧電層を形成するステップと、複数の前記第２電極を前記圧電層上に形成するステップと、前記圧電層及び前記第２電極を被覆する永久ボンディングフィルムを形成するステップと、前記第２電極を露出させるキャビティを前記永久ボンディングフィルムに形成するステップとを含み、
前記キャリアベースを除去した後に、前記導電性層をパターン化し、それぞれ前記第２電極に対向して設けられる複数の前記第１電極を形成するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記キャビティを有する永久ボンディング層を前記基板上に形成し、
圧電トランスジューサを前記キャリアベース上に形成するステップは、複数の前記第１電極を前記キャリアベース上に形成するステップと、前記キャリアベース及び前記第１電極を被覆する前記圧電層を形成するステップと、前記第１電極に対向して設けられる複数の前記第２電極を前記圧電層上に形成するステップを含み、
ボンディングステップにおいて、前記キャビティを前記第２電極と１つずつ対向して設けるようにする、ことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記キャビティを有する前記永久ボンディング層を前記基板上に形成し、
圧電トランスジューサを前記キャリアベース上に形成するステップは、前記キャリアベース全体を被覆する導電性層を形成するステップと、前記導電性層を被覆する前記圧電層を形成するステップと、複数の前記第２電極を前記圧電層上に形成するステップとを含み、
ボンディングステップにおいて、前記キャビティを前記第２電極と１つずつ対向して設けるようにし、
前記キャリアベースを除去した後に、前記導電性層をパターン化し、それぞれ前記第２電極に対向して設けられる複数の前記第１電極を形成するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記永久ボンディング層を形成するステップは、前記キャリアベースまたは永久ボンディングフィルムを前記基板上に形成するステップと、前記永久ボンディングフィルムをパターン化し、前記キャビティを前記永久ボンディングフィルムに形成し、残りの前記永久ボンディングフィルムを前記永久ボンディング層とするステップとを含む、ことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１５】
圧電トランスジューサを前記キャリアベース上に形成する前に、隔離層を前記キャリアベース上に形成するステップと、
薄肉化プロセスを利用して前記キャリアベースを除去し、前記隔離層を前記薄肉化プロセスの停止層とするステップとをさらに含む、ことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記キャリアベースを除去した後に、前記第１電極、第２電極または前記信号処理回路の対応する接続端を電気的に接続するための相互接続構造を形成するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記相互接続構造を形成する方法は、
底部から前記第１電極の縁を露出させる第１導電性コンタクトを形成するステップと、
底部から前記第２電極の縁を露出させる第２導電性コンタクトを形成するステップと、
前記接続端を底部から露出させる第３導電性コンタクトを形成するステップとを含む、ことを特徴とする請求項１６に記載の製造方法。
【請求項１８】
圧電トランスジューサを前記キャリアベース上に形成する前に、隔離層を前記キャリアベース上に形成するステップをさらに含み、
前記キャリアベースを除去した後に、前記第１電極を露出させる複数の第１導電穴を前記隔離層に形成するステップと、前記第２電極を露出させる複数の第２導電穴を前記隔離層及び前記圧電層に形成するステップと、前記第１導電穴及び第２導電穴に導電性材料を充填し、前記第１電極に電気的に接続される第１導電性コンタクト、及び前記第２電極に電気的に接続される第２導電性コンタクトを形成するステップとをさらに含む、ことを特徴とする請求項１０または１２に記載の製造方法。
【請求項１９】
圧電トランスジューサを前記キャリアベース上に形成する前に、隔離層を前記キャリアベース上に形成するステップをさらに含み、
前記キャリアベースを除去した後、前記導電性層をパターン化する前に、前記第１電極を露出させる複数の第１導電穴を前記隔離層に形成するステップをさらに含み、
前記導電性層をパターン化するステップは、前記隔離層をパターン化し、前記複数の第１導電穴を前記第１電極に対応させるステップをさらに含み、
前記導電性層をパターン化した後に、前記第２電極を露出させる第２導電穴を前記圧電層に形成するステップと、前記第１導電穴及び第２導電穴に導電性材料を充填し、前記第１電極に電気的に接続される第１導電性コンタクト、及び前記第２電極に電気的に接続される第２導電性コンタクトを形成するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１１または１３に記載の製造方法。
【請求項２０】
ボンディングを行う前に、前記圧電層及び永久ボンディング層を貫通する第３導電穴を形成するステップをさらに含み、
ボンディングステップにおいて、前記第３導電穴を前記信号処理回路の対応する接続端に対応させ、
前記キャリアベースを除去した後に、前記信号処理回路の対応する接続端に電気的に接続される第３導電性コンタクトを前記第３導電穴に形成するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。
【請求項２１】
キャビティを有する前記永久ボンディング層を前記基板上に形成するステップにおいて、前記永久ボンディング層が前記信号処理回路の対応する接続端を露出させる第１サブ導電穴をさらに有し、
ボンディングを行う前に、第２サブ導電穴を前記圧電層に形成するステップをさらに含み、
前記ボンディングステップにおいて、前記第２サブ導電穴を第１サブ導電穴に１つずつ対向して設けるようにし、連通する第３導電穴を構成するステップをさらに含み、
前記キャリアベースを除去した後に、前記信号処理回路の対応する接続端に電気的に接続される第３導電性コンタクトを前記第３導電穴に形成するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項２２】
キャビティを有する前記永久ボンディング層を前記キャリアベース上に形成するステップにおいて、前記永久ボンディング層が第１サブ導電穴をさらに有し、
ボンディングステップにおいて、前記第１サブ導電穴を前記信号処理回路の対応する接続端に対応させ、
前記導電性層をパターン化した後に、前記第１サブ導電穴と貫通する第２サブ導電穴を前記圧電層に形成するステップと、前記信号処理回路の対応する接続端に電気的に接続される第３導電性コンタクトを前記第２サブ導電穴及び前記第１サブ導電穴に形成するステップとをさらに含む、ことを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項２３】
キャビティを有する前記永久ボンディング層を前記基板上に形成するステップにおいて、前記永久ボンディング層が前記信号処理回路の対応する接続端を露出させる第１サブ導電穴をさらに有し、
前記導電性層をパターン化した後に、前記第１サブ導電穴と貫通する第２サブ導電穴を前記圧電層に形成するステップと、前記信号処理回路の対応する接続端に電気的に接続される第３導電性コンタクトを前記第２サブ導電穴及び前記第１サブ導電穴に形成するステップとをさらに含む、ことを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項２４】
露光現像プロセスを用いて前記永久ボンディングフィルムをパターン化する、ことを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。
【請求項２５】
前記キャリアベースが半導体ウェハーである、ことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項２６】
前記永久ボンディングフィルムの材料が膜状ドライフィルムまたは液体ドライフィルムである、ことを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。
【請求項２７】
ラミネーションプロセスを用いて、永久ボンディングフィルムを前記キャリアベースまたは前記基板上に形成する、ことを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。
【請求項２８】
前記基板がウェハレベル基板であり、前記圧電トランスジューサ及び前記キャビティの数量がいずれも複数である、ことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項２９】
前記基板がチップレベル基板である、ことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項３０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の指紋認識モジュールを備える、ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、半導体製造分野に関し、特に指紋認識モジュール及びその製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
指紋認識技術は、指紋結像モジュールを介して人体の指紋画像を収集し、次に指紋認識システムにおける既存の指紋結像情報と比較して、アイデンティティ認識を実現する。使いやすさ及び人体の指紋の唯一性のため、指紋認識技術は、公安局、税関などの保安検査分野、建物のアクセス制御システムやパソコン及び携帯電話などの消費品分野など、さまざまな分野で広く使用されている。
【０００３】
現在、超音波指紋認識技術が耐油性、防水性、透過性が強いなどの利点を有し、より強い環境適応能力を有するため、より複雑な環境に用いることができ、主要な指紋認識技術の１つとなっている。超音波指紋認識技術で使用される認識ユニットは、圧電トランスジューサである。圧電トランスジューサは、主にボトム電極、トップ電極、及び前記ボトム電極とトップ電極との間に位置する圧電層で構成されており、圧電層の逆圧電効果を利用し、圧電層の上下両面のボトム電極及びトップ電極に固定周波数の電圧を印加すれば、圧電層が振動することで、超音波を発生させる。超音波が異なる材質表面に到達する際、吸収される程度と、透過される程度と反射される程度とが異なるため、皮膚及び空気または異なる皮膚層による音波インピーダンスに対する区別を利用して、指紋の尾根と谷の位置を認識する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施例が解決する課題は、指紋認識の精度を向上させる指紋認識モジュール及びその製造方法、電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の実施例は、信号処理回路が形成される基板と、前記基板上にボンディングされ、キャビティを有する永久ボンディング層と、前記永久ボンディング層上に位置し、第１電極、前記第１電極上に位置する圧電層、及び前記圧電層上に位置する第２電極を含むとともに、前記キャビティを遮蔽する圧電トランスジューサとを含む指紋認識モジュールを提供する。
【０００６】
これに対応して、本発明の実施例は、信号処理回路が形成される基板を提供するステップと、キャリアベースを提供するステップと、第１電極、前記第１電極上に位置する圧電層、及び前記圧電層上に位置する第２電極を含む圧電トランスジューサを前記キャリアベース上に形成するステップと、キャビティを有する永久ボンディング層を前記キャリアベースまたは前記基板上に形成するステップと、前記永久ボンディング層が前記圧電トランスジューサと前記基板との間に位置するとともに、前記圧電トランスジューサが前記キャビティを遮蔽するように、前記永久ボンディング層を利用して前記キャリアベースと前記基板をボンディングするステップと、前記キャリアベースを除去するステップとを含む、指紋認識モジュールの製造方法をさらに提供する。
【０００７】
これに対応して、本発明の実施例は、前述した指紋認識モジュールを備える電子機器をさらに提供する。
【発明の効果】
【０００８】
従来技術に比べて、本発明の実施例の技術案は、以下の利点を有する。本発明の実施例は、圧電トランスジューサをキャリアベース上に形成した後に、キャビティを有する永久ボンディング層を利用して前記キャリアベースと基板をボンディングし、前記永久ボンディング層が圧電トランスジューサと基板との間に位置し、前記圧電トランスジューサが前記キャビティを遮蔽する。本発明の実施例は、沈積及びパターン化を採用して、キャビティを有する絶縁層を基板上に形成し、圧電トランスジューサを前記絶縁層上に形成する技術案に比べて、絶縁層の代わりに永久ボンディング層を用い、圧電トランスジューサをキャリアベース上に形成し、従って、指紋認識モジュールの製造過程において、前記キャビティを満たす犠牲層を形成する必要がないため、この後、犠牲層のリリース操作を行う必要がなく、犠牲層の不完全な除去のため、犠牲層残存物をキャビティに形成する課題を回避し、また、キャビティが密閉状になるように、前記圧電トランスジューサが前記キャビティを遮蔽し、前記キャビティによる音響的性能に対する改善効果を向上させることに有利であり、よって、指紋認識の精度を向上させる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】指紋認識モジュールの製造方法の各ステップに対応する構造模式図である。
【図２】指紋認識モジュールの製造方法の各ステップに対応する構造模式図である。
【図３】指紋認識モジュールの製造方法の各ステップに対応する構造模式図である。
【図４】指紋認識モジュールの製造方法の各ステップに対応する構造模式図である。
【図５】指紋認識モジュールの製造方法の各ステップに対応する構造模式図である。
【図６】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図７】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図８】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図９】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図１０】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図１１】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図１２】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図１３】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図１４】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図１５】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図１６】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図１７】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図１８】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図１９】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図２０】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第２実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図２１】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第２実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図２２】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第２実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図２３】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第２実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図２４】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第３実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図２５】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第３実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図２６】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第３実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図２７】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第３実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図２８】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第３実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図２９】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第３実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図３０】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第３実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図３１】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第３実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図３２】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第３実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図３３】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第３実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図３４】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第３実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図３５】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第３実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図３６】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第４実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図３７】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第４実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図３８】本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第４実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【図３９】本発明の指紋認識モジュールの１つの実施例の構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
現在、指紋認識モジュールの性能を向上させる必要がある。以下、指紋認識モジュールの製造方法を参照しながら、性能を向上させる必要がある原因について分析する。
【００１１】
図１〜図５は、指紋認識モジュールの製造方法の各ステップに対応する構造模式図である。
【００１２】
図１を参照して、基板１０を提供し、絶縁層２０を前記基板１０上に形成し、かつキャビティ２５を前記絶縁層２０内に形成する。
【００１３】
図２を参照して、前記キャビティ２５（図１に示す）を充填し、犠牲層２１を形成する。
【００１４】
図３を参照して、順に沈積プロセス及びパターン化プロセスを用いて、ボトム電極層３０を前記犠牲層２１上に形成し、前記ボトム電極層３０から一部の前記犠牲層２１が露出させる。
【００１５】
続いて図３を参照して、前記絶縁層２０、犠牲層２１及びボトム電極層３０に被覆される圧電層４０を形成し、順に沈積プロセス及びパターン化プロセスを用いて、トップ電極層５０を前記圧電層４０上に形成し、前記トップ電極層５０、圧電層４０及びボトム電極層３０は、圧電トランスジューサを構成するために用いられる。
【００１６】
図４を参照して、前記ボトム電極層３０の外周に位置するとともに、前記犠牲層２１を露出させるリリース穴４５を前記圧電層４０に開設する。
【００１７】
図５を参照して、前記リリース穴４５により前記キャビティ２５における犠牲層２１（図４に示す）を除去する。
【００１８】
前記絶縁層２０及びボトム電極層３０がいずれも沈積により基板１０上に形成され、前記犠牲層２１が前記キャビティ２５に充填するために用いられ、それにより、ボトム電極層３０の形成にプロセスプラットフォームを提供し、半導体プロセスを正常に行う。
【００１９】
しかし、前記リリース穴４５により前記キャビティ２５における犠牲層２１を除去するとき、前記犠牲層２１を完全に除去できることを確保しにくく、特に、指紋認識モジュールのコンパクト化の発展に伴って、前記リリース穴４５の直径がますます小さいため、前記犠牲層２１の除去難度が増大し、それにより、犠牲層残存物をキャビティ２５に形成しやすくなる。
【００２０】
一方、犠牲層２１を形成するステップ及び犠牲層２１を除去するステップを行う必要があるため、プロセスステップが複雑である。
【００２１】
他方、指紋認識モジュールの使用過程において、圧電層４０の上下両面のボトム電極層３０及びトップ電極層５０に固定周波数の電圧を印加すれば、圧電トランスジューサが振動し、超音波を発生させ、超音波が上へ指の谷または尾根まで伝送され、音波は、尾根の表面に会うと、一部が反射され、一部が透過するが、谷における空気の音響インピーダンスが尾根よりはるかに高く、従って、音波が谷に会うと、ほとんど全反射される。谷及び尾根から反射される超音波が圧電トランスジューサに伝送されるとき、圧電トランスジューサが変形し、圧電層４０の両端が異なる振幅、位相または周波数の電圧を発生させ、それにより、指紋情報の収集を実現する。従って、キャビティ２５に犠牲層残存物が形成される場合、キャビティ２５の音響性能が設計値から外れ、変動することを招きやすく、それにより、指紋認識の精度を低下させる。
【００２２】
前記技術課題を解決するために、本発明の実施例は、信号処理回路が形成される基板を提供するステップと、キャリアベースを提供するステップと、第１電極、前記第１電極上に位置する圧電層、及び前記圧電層上に位置する第２電極を含む圧電トランスジューサを前記キャリアベース上に形成するステップと、キャビティを有する永久ボンディング層を前記キャリアベースまたは前記基板上に形成するステップと、前記永久ボンディング層が前記圧電トランスジューサと前記基板との間に位置するとともに、前記圧電トランスジューサが前記キャビティを遮蔽するように、前記永久ボンディング層を利用して前記キャリアベースと前記基板をボンディングするステップと、前記キャリアベースを除去するステップとを含む指紋認識モジュールの製造方法を提供する。
【００２３】
本発明の実施例は、圧電トランスジューサをキャリアベース上に形成した後に、キャビティを有する永久ボンディング層を利用して前記キャリアベースと基板をボンディングし、前記永久ボンディング層が圧電トランスジューサと基板との間に位置し、前記圧電トランスジューサが前記キャビティを遮蔽する。本発明の実施例は、沈積及びパターン化を採用して、キャビティを有する絶縁層を基板上に形成し、圧電トランスジューサを前記絶縁層上に形成する技術案に比べて、絶縁層の代わりに永久ボンディング層を用い、圧電トランスジューサをキャリアベース上に形成し、従って、指紋認識モジュールの製造過程において、前記キャビティを満たす犠牲層を形成する必要がないため、この後、犠牲層のリリース操作を行う必要がなく、犠牲層の不完全な除去のため、キャビティに犠牲層残存物を形成する課題を回避し、また、キャビティが密閉状になるように、前記圧電トランスジューサが前記キャビティを遮蔽し、前記キャビティによる音響的性能に対する改善効果を向上させることに有利である。よって、指紋認識の精度を向上させる。
【００２４】
本発明の実施例の上記目的、特徴及び利点がより明瞭かつ理解しやすくなるように、以下、図を参照しながら、本発明の具体的な実施例について詳細に説明する。
【００２５】
図６〜図１９は、本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第１実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【００２６】
図６を参照して、信号処理回路が形成される基板１６０を提供する。
【００２７】
前記基板１６０は、圧電トランスジューサにボンディングされることにより、指紋認識モジュールを形成するために用いられる。
【００２８】
前記基板１６０には信号処理回路が形成されており、前記基板１６０は、指紋認識モジュールの使用過程において、圧電トランスジューサを駆動し、圧電トランスジューサの生じた検出信号を処理するために用いられる。
【００２９】
本実施例では、前記基板１６０は、ＣＭＯＳプロセスに基づいて形成される。
【００３０】
具体的には、前記基板５６０は、ウェハレベル基板であり、前記基板１６０と圧電トランスジューサをウェハレベルで集積し、製造効率を向上させる。
【００３１】
他の実施例では、前記基板は、チップレベル基板であってもよい。
【００３２】
本実施例では、前記基板１６０における信号処理回路は、前記基板１６０とその他のデバイスまたは圧電トランスジューサを電気的に接続するための接続端１６５を有する。
【００３３】
本実施例では、前記基板１６０には、溶接パッド（ｐａｄ）である接続端１６５を露出させる。
【００３４】
図７〜図１０を組み合わせて参照し、第１電極１２０、前記第１電極１２０上に位置する圧電層１３０、及び前記圧電層１３０上に位置する第２電極１４０を含む圧電トランスジューサ２００（図１０に示す）が形成されるキャリアベース１００を提供する。
【００３５】
前記キャリアベース１００は、圧電トランスジューサ２００の形成にプロセスプラットフォームを提供するために用いられる。
【００３６】
本実施例では、前記キャリアベース１００は、半導体ウェハーである。
【００３７】
半導体ウェハーを選択することで、半導体プロセス（たとえば、沈積プロセス及びパターン化プロセス）により前記圧電トランスジューサ２００を形成することができ、前記圧電トランスジューサ２００における各フィルム層間の粘着性を高くし、前記圧電トランスジューサ２００の信頼性を向上させることに有利である。また、前記圧電トランスジューサ２００は、成熟した半導体プロセスにより形成され、前記圧電トランスジューサ２００を形成するプロセスは、簡単であり、高いプロセス互換性を有する。
【００３８】
具体的には、前記キャリアベース１００は、シリコンベースである。シリコンベースは、半導体分野における常用のベースタイプであり、プロセス互換性が高いとともに、この後、除去しやすい。
【００３９】
前記圧電トランスジューサ２００は、指紋認識モジュールにおける認識ユニットとされる。
【００４０】
本実施例では、前記圧電トランスジューサ２００を前記キャリアベース１００上に形成し、前記圧電トランスジューサ２００の製造を独立して完了し、前記圧電トランスジューサ２００を形成するプロセス柔軟性を向上させることに有利であるとともに、前記圧電トランスジューサ２００の形成プロセスによる基板１６０への影響を回避することに有利であり、基板１６０の品質が確保され、また、さらに基板１６０の廃棄率の低減に有利である。
【００４１】
本実施例では、前記基板１６０がウェハレベル基板であることに対応して、前記圧電トランスジューサ２００の数量が複数である。従って、前記第１電極１２０の数量が複数であり、前記第２電極１４０の数量が複数であり、前記第２電極１４０が前記第１電極１２０に対向して設けられる。
【００４２】
具体的には、前記圧電トランスジューサ２００を形成するステップは、複数の第１電極１２０を前記キャリアベース１００上に形成するステップと、前記キャリアベース１００及び第１電極１２０に被覆される圧電層１３０に形成するステップと、複数の第２電極１４０を前記圧電層１３０上に形成するステップとを含む。
【００４３】
前記第１電極１２０及び第２電極１４０の数量をいずれも複数にすることにより、この後、圧電トランスジューサ２００と基板１６０をボンディングした後に、前記第１電極１２０または第２電極１４０に対してパターン化処理を行う必要がなく、後続のプロセスの複雑さの簡略化に有利である。
【００４４】
本実施例では、前記圧電トランスジューサ２００を前記キャリアベース１００上に形成した後に、前記第１電極１２０と第２電極１４０が交互に設けられ、つまり、前記第２電極１４０のいずれかの端部が前記第１電極１２０の一側に位置することにより、この後、前記第２電極１４０に電気的に接続される第２導電性コンタクトを前記第１電極１２０の一側の圧電層１３０に形成することができ、第２導電性コンタクトを形成する際、第１電極１２０をエッチングする必要がなく、それにより、第２導電性コンタクトを形成するプロセス難度を低減させる。
【００４５】
他の実施例では、前記基板がチップレベル基板である場合、前記圧電トランスジューサの数量が１つである。
【００４６】
以下、図面を参照しながら、前記圧電トランスジューサ２００を形成するステップについて詳細に説明する。
【００４７】
以下、図７及び図８を参照して、複数の第１電極１２０を前記キャリアベース１００上に形成する（図８に示す）。
【００４８】
前記第１電極１２０の材料は、金属、金属ケイ化物、金属窒化物、金属酸化物または導電性カーボンなどの導電性材料であってもよく、たとえば、前記第１電極１２０の材料は、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＴｉＡｌ、ＴｉＮまたはＴａＮなどであってもよい。本実施例では、前記第１電極１２０の材料がＭｏである。
【００４９】
具体的には、前記第１電極１２０を形成するステップは、図７に示すように、前記キャリアベース１００に被覆される第１導電性層１２５を形成するステップを含む。
【００５０】
前記第１導電性層１２５は、第１電極の後続の形成のために用意するために用いられる。
【００５１】
本実施例では、沈積プロセスにより前記第１導電性層１２５を形成する。前記沈積プロセスは、イオンスパッタリングプロセスであってもよい。
【００５２】
図８に示すように、前記第１導電性層１２５（図７に示す）に対してパターン化処理を行い、前記第１電極１２０を形成する。
【００５３】
前記第１電極１２０は、圧電トランスジューサにおけるトップ電極（ｔｏｐ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）、すなわち指紋認識モジュールにおける、前記基板１６０（図６に示す）から離れる電極とするために用いられる。
【００５４】
本実施例では、フォトレジストコーティング、露光及び現像を含むリソグラフィプロセスを用い、フォトレジストマスク（図示せず）を形成し、前記フォトレジストマスクにより前記第１導電性層１２５をエッチングすることにより、前記第１導電性層１２５をパターン化する。
【００５５】
本実施例では、乾式エッチングプロセスを用いて前記第１導電性層１２５をエッチングする。乾式エッチングプロセスは、異方性のエッチング特性を有し、第１電極１２０の側壁形態品質及びサイズ精度を向上させることに有利である。前記乾式エッチングプロセスは、プラズマ乾式エッチングプロセスであってもよい。
【００５６】
前記第１導電性層１２５をエッチングした後に、湿式フォトレジスト剥離またはアッシングプロセスにより、フォトレジストマスクを除去する。
【００５７】
図９を参照して、前記第１電極１２０及びキャリアベース１００に被覆される圧電層１３０を形成する。
【００５８】
指紋認識モジュールの使用過程において、圧電層１３０の逆圧電効果を利用して、超音波を発生させ、それにより、超音波指紋認識を実現する。
【００５９】
前記圧電層１３０の材料は、圧電結晶、圧電セラミックまたは圧電ポリマーなどであってもよい。前記圧電結晶は、窒化アルミニウム、ジルコニウムチタン酸鉛、石英結晶、ガリウム酸リチウム、メタゲルマニウム酸二リチウム、ゲルマニウム酸チタン、強誘電体トランジスタニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムなどであってもよく、前記圧電ポリマーは、ポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン共重合体、ナイロン−１１またはシアン化ビニリデン−酢酸エチレン交互共重合体などであってもよい。
【００６０】
本実施例では、前記圧電層１３０の材料が    窒化アルミニウムである。窒化アルミニウムは、安定性が非常に高い圧電材料であり、良好な逆圧電効果及び圧電効果を有する。逆圧電効果とは、圧電材料の両端に電圧を印加すると、圧電材料の内部が変形し、変形量が電圧と比例することを意味し、これは、電気エネルギーを機械的エネルギーに変換する過程であり、圧電効果は、圧電材料が力の作用で変形するとき、圧電材料の内部の正負電荷中心が相対変位し、圧電材料の両端に符号が反対の拘束電荷を生じ、電荷量が圧力と比例することを意味し、これは、機械的エネルギーを電気エネルギーに変換する過程である。
【００６１】
本実施例では、沈積プロセスにより前記圧電層１３０を形成する。前記沈積プロセスは、反応スパッタリング沈積プロセスであってもよい。
【００６２】
図９及び図１０を組み合わせて参照し、前記第１電極１２０に対向して設けられる複数の第２電極１４０（図１０に示す）を前記圧電層１３０上に形成する。
【００６３】
前記第２電極１４０は、圧電トランスジューサにおけるボトム電極（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）、すなわち、指紋認識モジュールにおける、前記基板１６０（図６に示す）に近い電極として用いられる。
【００６４】
前記第２電極１４０についての具体的な説明は、第１電極１２０に関連する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【００６５】
具体的には、前記第２電極１４０を形成するステップは、図９に示すように、前記圧電層１３０に被覆される第２導電性層１４５を形成するステップと、図１０に示すように、前記第２導電性層１４５に対してパターン化処理を行い、第２電極１４０を形成するステップとを含む。
【００６６】
前記第２導電性層１４５は、第２電極の後続の形成のために用意するために用いられる。前記第２導電性層１４５及びその形成プロセスについての具体的な説明は、前述した第１導電性層１２５についての対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【００６７】
前記パターン化処理についての具体的な説明は、前述した第１電極１２０を形成するときの対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【００６８】
前記第２電極１４０を形成した後に、前記第１電極１２０、圧電層１３０及び第２電極１４０は、圧電トランスジューサ２００を構成するために用いられる。
【００６９】
図７を参照して、なお、圧電トランスジューサ２００（図１０に示す）を前記キャリアベース１００上に形成する前に、隔離層１１０を前記キャリアベース１００上に形成するステップをさらに含む。
【００７０】
この後、圧電トランスジューサ２００と基板１６０（図６に示す）をボンディングした後に、キャリアベース１００を除去するステップをさらに含み、前記キャリアベース１００を除去するとき、前記隔離層１１０の前記キャリアベース１００に向かう面は、前記除去プロセスの停止位置を定義するために用いられ、それにより、前記圧電トランスジューサ２００の完全性を確保し、圧電トランスジューサ２００と基板１６０のボンディング強度への影響を減少させる。
【００７１】
具体的には、前記キャリアベース１００は、半導体ウェハーであり、従って、この後、前記キャリアベース１００に対して薄肉化処理を行い、前記キャリアベース１００に対して薄肉化処理を行うステップで、前記隔離層１１０を停止層とする。
【００７２】
また、この後、前記第１電極１２０に電気的に接続される第１導電性コンタクトを形成するとき、前記隔離層１１０は、さらに、前記第１導電性コンタクトの形成にプロセスプラットフォームを提供するために用いられる。
【００７３】
このため、本実施例では、前記隔離層１１０の材料が酸化シリコンである。酸化シリコンは、半導体分野における常用の誘電材料であり、形成しやすくかつパターン化しやすく、プロセスコストが低く、また、キャリアベースに対して薄肉化を行う過程において、停止作用を良好に果たすことができる。
【００７４】
本実施例では、沈積プロセスを用いて前記隔離層１１０を形成する。具体的には、前記沈積プロセスは、化学気相堆積プロセスである。
【００７５】
図１１〜図１３を組み合わせて参照して、キャビティ１５１（図１３に示す）を有する永久ボンディング層１５０を前記キャリアベース１００上に形成し、前記圧電トランスジューサ２００が前記キャビティ１５１を遮蔽する。
【００７６】
前記圧電トランスジューサ２００（図１０に示す）が前記キャリアベース１００上に形成されるため、前記圧電トランスジューサ２００と基板１６０（図６に示す）をウェハレベルで集積するための前記永久ボンディング層１５０が前記圧電トランスジューサ２００に形成される。
【００７７】
キャビティ１５１を有する永久ボンディング層１５０を前記キャリアベース１００上に形成した後に、前記圧電トランスジューサ２００が前記キャビティ１５１を遮蔽する作用を果たす。従って、この後、前記圧電トランスジューサ２００と基板１６０をボンディングした後に、前記圧電トランスジューサ２００及び基板１６０が前記キャビティ１５１を密封することができる。
【００７８】
前記永久ボンディング層１５０の接着強度が高く、前記永久ボンディング層１５０が永久ボンディングを実現するために用いられ、それにより、圧電トランスジューサ２００と基板１６０のボンディング強度が確保され、指紋認識モジュールの信頼性をさらに向上させ、たとえば、指紋認識モジュールの指紋認識精度を向上させる。
【００７９】
前記永久ボンディング層１５０を形成する工程は、前記キャリアベース１００において完了され、それにより、前記永久ボンディング層１５０を形成する工程による基板１６０への影響を回避し、指紋認識モジュールの信頼性を向上させ、基板１６０の廃棄率を低減させることに有利である。
【００８０】
本実施例では、前記永久ボンディング層１５０は、膜状ドライフィルム（ｄｒｙ  ｆｉｌｍ）であり、前記永久ボンディング層１５０を形成するプロセスが簡単である。膜状ドライフィルムは、半導体チップのパッケージングまたはプリント基板の製造に用いられた、粘性を有するフォトレジストフィルムであり、膜状ドライフィルムの製造は、無溶剤型フォトレジストをポリエステルフィルムベース上にコーティングし、ポリエチレンフィルムを覆うことであり、使用する際、ポリエチレンフィルムをはがし、無溶剤型フォトレジストをベースに押し、露光現像処理によれば、前記ドライフィルムフォトレジスト内にパターンを形成することができる。
【００８１】
具体的には、前記永久ボンディング層１５０を形成するステップは、図１２に示すように、前記圧電トランスジューサ２００を形成した後に、永久ボンディングフィルム１５５を前記キャリアベース１００上に形成するステップと、図１３に示すように、前記永久ボンディングフィルム１５５（図１２に示す）をパターン化し、前記第２電極１４０を露出させるキャビティ１５１を前記永久ボンディングフィルム１５５に形成し、前記永久ボンディングフィルム１５５を前記永久ボンディング層１５０として残すステップとを含む。
【００８２】
具体的には、前記永久ボンディングフィルム１５５が前記圧電層１３０及び第２電極１４０に被覆される。
【００８３】
本実施例では、ラミネーション（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）プロセスを用いて前記永久ボンディングフィルム１５５を形成する。ラミネーションプロセスが真空環境下で行われ、ラミネーションプロセスを選択することにより、永久ボンディングフィルム１５５と圧電層１３０及び第２電極１４０との粘着度及び接着強度を顕著に向上させる。
【００８４】
他の実施例では、前記永久ボンディングフィルムとして選択される材料は、さらに、液体ドライフィルムであってもよく、液体ドライフィルムとは、膜状ドライフィルムにおける成分が液体の形態で存在することを意味し、これに対応して、スピンコーティングプロセスにより前記永久ボンディングフィルムを形成してもよく、前記永久ボンディングフィルムを形成した後に、硬化するように乾燥するステップをさらに含む。硬化された液体ドライフィルムは、感光性材料であってもよく、リソグラフィプロセスによりパターン化されてもよい。
【００８５】
本実施例では、露光及び現像のリソグラフィプロセスを用い、前記永久ボンディングフィルム１５５をパターン化し、前記キャビティ１５１を形成する。リソグラフィプロセスにより、前記キャビティ１５１の開口サイズ精度を向上させることに有利である。
【００８６】
前記キャビティ１５１の開口サイズ精度を向上させることにより、圧電トランスジューサ２００の音響的性能を確保することに有利である。また、リソグラフィプロセスを用いることにより、パターン化を実現し、前記永久ボンディング層１５０の接着強度への影響を低減させる。また、エッチングプロセスを用いて永久ボンディングフィルムをエッチングしてキャビティを形成する技術案に比べて、前記第２電極１４０に損害を与えることを回避できる。
【００８７】
圧電トランスジューサ２００の設計パラメータに基づき、前記キャビティ１５１のパターン及びサイズを決定する。
【００８８】
本実施例では、前記キャビティ１５１の底部から前記第２電極１４０の一部の表面が露出する。他の一部の実施例では、前記キャビティ側壁が第２電極側壁と揃う。他の実施例では、前記キャリアベース表面に平行な方向に、前記キャビティの開口サイズが前記第２電極のサイズより大きくてもよいため、前記キャビティには前記第２電極を露出させるだけではなく、一部の圧電層を露出させる。
【００８９】
本実施例では、前記基板１６０がウェハレベル基板であることに対応して、前記キャビティ１５１は、数量が複数であり、前記圧電トランスジューサ２００と１対１で対応する。他の実施例では、前記基板がチップレベル基板である場合、前記キャビティの数量が１つである。
【００９０】
図１１を組み合わせて参照して、前記圧電トランスジューサ２００（図１０に示す）を形成した後、前記永久ボンディング層１５０を形成する前に、第２サブ導電穴１３１を前記圧電層１３０に形成するステップをさらに含む。
【００９１】
前記基板１６０（図６に示す）における信号処理回路が接続端１６５（図６に示す）を有し、この後、圧電トランスジューサ２００を基板１６０にボンディングした後、前記第２サブ導電穴１３１は、前記接続端１６５に対応するように適され、それにより、前記接続端１６５に電気的に接続される第３導電性コンタクトの形成にプロセス基礎を提供する。
【００９２】
本実施例では、前記第１電極１２０及び第２電極１４０の一側の圧電層１３０をエッチングし、前記第２サブ導電穴１３１を形成し、前記第１電極１２０または第２電極１４０をエッチングすることを回避し、前記圧電層１３０に対するエッチング難度を低減させる。
【００９３】
このとき、前記第２電極１４０から露出した圧電層１３０上にその他のフィルム層が被覆されておらず、すなわち、前記圧電層１３０のエッチングプロセスがその他のフィルム層からの影響を受けることがなく、従って、先に前記第２サブ導電穴１３１を形成することにより、前記圧電層１３０を形成するエッチング難度の低減に有利である。
【００９４】
本実施例では、乾式エッチングプロセスを用いて、前記圧電層１３０をエッチングする。
【００９５】
他の一部の実施例では、前記圧電トランスジューサを形成した後に、前記圧電層をエッチングせずに、後続のプロセスに前記第２サブ導電穴を形成してもよい。
【００９６】
図１２に示すように、第２サブ導電穴１３１（図１１に示す）を前記圧電層１３０に形成し、従って、前記永久ボンディングフィルム１５５を形成した後に、前記永久ボンディングフィルム１５５がさらに前記第２サブ導電穴１３１に充填される。ラミネーションプロセスは、真空環境で行われ、真空条件において、前記永久ボンディングフィルム１５５も前記第２サブ導電穴１３１に充填することができる。
【００９７】
図１３に示すように、本実施例では、前記キャビティ１５１を形成するステップで、さらに前記第２サブ導電穴１３１（図１１に示す）と貫通する第１サブ導電穴１５２を前記永久ボンディングフィルム１５５に形成し、前記第１サブ導電穴１５２と前記第２サブ導電穴１３１が第３導電穴（図示せず）を構成する。
【００９８】
同じステップで前記キャビティ１５１及び第１サブ導電穴１５２を形成し、プロセスステップの簡略化に有利である。また、永久ボンディングフィルム１５５（図１２に示す）上にその他のフィルム層が被覆されておらず、永久ボンディングフィルム１５５をパターン化して第１サブ導電穴１５２を形成するプロセスが簡単である。
【００９９】
他の一部の実施例では、前記永久ボンディング層を形成する過程において、前記キャビティのみを形成し、後続のプロセスにおいて前記第１サブ導電穴を形成してもよい。
【０１００】
なお、その他の実施例では、前記第１サブ導電穴を形成した後に、前記第１サブ導電穴の底部の圧電層をエッチングし、第２サブ導電穴を前記圧電層に形成することにより、前記圧電層及び永久ボンディング層を貫通する第３導電穴を形成してもよい。
【０１０１】
図１４を参照して、前記永久ボンディング層１５０を利用して前記キャリアベース１００と前記基板１６０をボンディングし、前記永久ボンディング層１５０が前記圧電トランスジューサ２００（図１０に示す）と前記基板１６０との間に位置する。
【０１０２】
具体的には、ボンディングステップで、前記キャリアベース１００の、前記永久ボンディング層１５０が形成された面を前記基板１６０に対向して設けるようにする。
【０１０３】
前記圧電トランスジューサ２００がキャリアベース１００上に形成され、前記永久ボンディング層１５０が前記圧電トランスジューサ２００に形成され、従って、前記永久ボンディング層１５０を利用して前記キャリアベース１００と基板１６０をボンディングした後に、前記圧電トランスジューサ２００と基板１６０をボンディングする。
【０１０４】
前記永久ボンディング層１５０が粘性材料であり、前記永久ボンディング層１５０を基板１６０に配置すれば、前記圧電トランスジューサ２００と基板１６０をボンディングすることができ、接着プロセスが簡単であり、かつボンディング信頼性が高い。
【０１０５】
本実施例では、前記圧電トランスジューサ２００が前記キャビティ１５１を遮蔽し、従って、前記永久ボンディング層１５０が前記基板１６０に配置された後に、前記圧電トランスジューサ２００及び基板１６０が前記キャビティ１５１を密封することで、キャビティ１５１を密閉状にする。
【０１０６】
前記キャビティ１５１は、音響的性能を改善するために用いられる。前記圧電トランスジューサ２００及び基板１６０が前記キャビティ１５１を密封するため、前記キャビティ１５１を外部環境と分離させて前記キャビティ１５１の音響的性能の安定性を維持し、指紋認識の精度を向上させることに有利である。
【０１０７】
また、本実施例は、沈積及びパターン化を採用して順にキャビティを有する絶縁層を基板上に形成し、圧電トランスジューサを前記絶縁層上に形成する技術案に比べて、絶縁層の代わりに、永久ボンディング層１５０を用い、圧電トランスジューサ２００をキャリアベース１００上に形成し、従って、前記製造方法は、前記キャビティを満たす犠牲層を形成する必要がないため、この後、犠牲層のリリース操作を行う必要がなく、プロセスステップの簡略化に有利であり、また、犠牲層の不完全な除去のため、キャビティ１５１に犠牲層残存物を形成する課題を回避し、それにより前記キャビティ１５１による音響的性能に対する改善効果を向上させることに有利であり、さらに指紋認識の精度を向上させることに有利である。
【０１０８】
なお、本実施例では、犠牲層の形成ステップ及び犠牲層のリリースステップを行う必要がないため、犠牲層プロセスにより引き起こされた、基板１６０が廃棄される課題を回避し、基板１６０の廃棄率の低減に有利である。
【０１０９】
また、圧電トランスジューサ２００の設計パラメータにより前記キャビティ１５１の形成及びサイズを決定し、前記永久ボンディング層１５０の厚みを制御することにより、キャビティ１５１の縦方向サイズを正確に制御できる。前記キャビティ１５１から前記圧電トランスジューサ２００及び基板１６０が露出し、前記キャビティ１５１の空間を活用し、キャビティ１５１の縦方向サイズが圧電トランスジューサ２００の性能ニーズを満たすことを確保するとともに、指紋認識モジュールの薄型化ニーズを満たすことに有利である。
【０１１０】
本実施例では、ボンディングステップで、前記第３導電穴（図示せず）を信号処理回路の対応する接続端１６５に対応させ、前記接続端１６５を露出させる。具体的には、前記永久ボンディング層１５０に第１サブ導電穴１５２（図１３に示す）が形成され、従って、前記永久ボンディング層１５０を前記基板１６０に配置した後に、前記第１サブ導電穴１５２が前記接続端１６５に対応する。
【０１１１】
本実施例では、前記基板１６０がウェハレベル基板であり、前記圧電トランスジューサ２００及びキャビティ１５１の数量がいずれも複数であり、従って、前記圧電トランスジューサ２００がキャビティ１５１１と１対１で対応し、つまり、前記第２電極１４０がキャビティ１５１と１対１で対応する。
【０１１２】
本実施例では、ボンディング後に、前記キャリアベース１００を除去するステップをさらに含む。
【０１１３】
前記キャリアベース１００を除去することで、後続の電気的接続プロセスにプロセス基礎を提供する。
【０１１４】
本実施例では、前記キャリアベース１００が半導体ウェハーであり、従って、薄肉化プロセスを利用して前記キャリアベース１００を除去する。前記薄肉化プロセスは、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）プロセスを含んでもよいがこれに限られない。
【０１１５】
具体的には、前記隔離層１１０を前記薄肉化プロセスの停止層とする。従って、前記キャリアベース１００を除去した後に、前記第１電極１２０及び圧電層１３０の表面に前記隔離層１１０が形成される。
【０１１６】
図１５を参照して、前記キャリアベース１００（図１４に示す）を除去した後に、前記第１電極１２０を露出させる複数の第１導電穴１１１を前記隔離層１１０に形成するステップをさらに含む。
【０１１７】
前記第１導電穴１１１は、前記第１電極１２０に電気的に接続される第１導電性コンタクトの後続の形成に空間位置を提供するために用いられる。
【０１１８】
本実施例では、フォトレジストコーティング、露光及び現像を含むリソグラフィプロセスを用い、フォトレジストマスクを形成し、前記フォトレジストマスクを介して前記隔離層１１０をエッチングすることにより、前記第１導電穴１１１を形成する。
【０１１９】
本実施例では、前記エッチングプロセスは、乾式エッチングプロセスである。
【０１２０】
なお、プロセスステップを簡略化させるために、前記隔離層１１０のエッチング過程において、さらに、前記第２サブ導電穴１３１（図１１に示す）と貫通する第４導電穴１１２を前記隔離層１１０に形成する。
【０１２１】
前記第４導電穴１１２が第２サブ導電穴１３１と貫通し、前記第２サブ導電穴１３１が前記永久ボンディング層１５０における第１サブ導電穴１５２（図１３に示す）と貫通し、前記第２サブ導電穴１３１、第１サブ導電穴１５２及び第４導電穴１１２は、前記接続端１６５に電気的に接続される第３導電性コンタクトの続後形成に空間位置を提供するために用いられる。
【０１２２】
前記隔離層１１０をエッチングした後に、湿式フォトレジスト剥離またはアッシングプロセスにより、フォトレジストマスクを除去する。
【０１２３】
なお、前述したプロセス過程において、圧電層１３０を形成した直後に、所要の第２サブ導電穴１３１を圧電層１３０に形成し、永久ボンディング層１５０の形成過程において、同じステップで、所要のキャビティ１５１及び第１サブ導電穴１５２を形成し、前記キャリアベース１００を除去した後に、同じステップで、所要の第１導電穴１１１及び第４導電穴１１２を形成する。つまり、１層のフィルム層を形成するたびに、対応するパターンを前記フィルム層に形成し、パターン化プロセスの難度を顕著に低減させる。
【０１２４】
図１６を参照して、前記形成方法は、前記第２電極１４０を露出させる第２導電穴１３２を前記第１電極１２０の一側の隔離層１１０及び前記圧電層１３０に形成するステップをさらに含む。
【０１２５】
前記第２導電穴１３２は、前記第２電極１４０に電気的に接続される第２導電性コンタクトの後続の形成に空間位置を提供するために用いられる。
【０１２６】
本実施例では、フォトレジストコーティング、露光及び現像を含むリソグラフィプロセスを用い、フォトレジストマスクを形成し、前記フォトレジストマスクを介して順に前記隔離層１１０及び圧電層１３０をエッチングすることにより、前記第２導電穴１３２を形成する。
【０１２７】
前記フォトレジストマスクを形成するステップで、前記フォトレジストマスクをさらに前記第１導電穴１１１及び第４導電穴１１２（図１５に示す）に充填し、それにより、前記エッチングプロセスが前記第１電極１２０及び接続端１６５に損害を与えることを回避する。
【０１２８】
本実施例では、乾式エッチングプロセスを用い、前記隔離層１１０及び圧電層１３０を順にエッチングし、前記第２導電穴１３２を形成する。
【０１２９】
前記第２導電穴１３２を形成した後に、湿式フォトレジスト剥離またはアッシングプロセスにより、フォトレジストマスクを除去する。
【０１３０】
本実施例では、前記第１導電穴１１１及び第４導電穴１１２を形成してから、前記第２導電穴１３２を形成することを例とする。他の実施例では、前記第２導電穴を形成してから、前記第１導電穴及び第４導電穴を形成してもよい。
【０１３１】
図１７及び図１８を組み合わせて参照して、前記キャリアベース１００（図１４に示す）を除去した後に、前記形成方法は、前記第１電極１２０、第２電極１４０または信号処理回路の対応する接続端１６５を電気的に接続するための相互接続構造を形成する（図示せず）ステップをさらに含む。
【０１３２】
相互接続構造が前記接続端１６５、前記第１電極１２０及び第２電極１４０を電気的に接続することにより、基板１６０と圧電トランスジューサ２００（図１０に示す）を電気的に接続し、さらに指紋認識モジュールの指紋認識機能を実現し、後続のパッケージング工程を行いやすい。
【０１３３】
また、本実施例は、圧電トランスジューサ２００と基板１６０の集積プロセス、及び両者の電気的接続プロセスを同一のプロセスに統合し、指紋認識モジュールの製造プロセスの安定性を向上させることに有利であり、それにより、指紋認識モジュールの性能及び性能均一性を向上させるとともに、製造コストの低減に有利である。
【０１３４】
具体的には、前記相互接続構造を形成する方法は、底部から前記第１電極１２０の縁を露出させる第１導電性コンタクト１７２を形成するステップと、底部から前記第２電極１４０の縁を露出させる第２導電性コンタクト１７１を形成するステップと、底部から前記接続端１６５を露出させる第３導電性コンタクト１７３を形成するステップとを含む。
【０１３５】
前記第１電極１２０と第２電極１４０が交互に設けられ、第２導電性コンタクト１７１を前記第１電極１２０の一側の圧電層１３０に形成し、第２導電性コンタクト１７１を形成する際、第１電極１２０をエッチングする必要がなく、それにより、第２導電性コンタクト１７１を形成するプロセス難度を低減させる。従って、前記第１導電性コンタクト１７２の底部から前記第１電極１２０の縁を露出させ、前記第２導電性コンタクト１７１の底部から前記第２電極１４０の縁を露出させる。
【０１３６】
本実施例では、前記第１電極１２０に電気的に接続される第１導電性コンタクト１７２を前記第１導電穴１１１（図１６に示す）に形成し、前記第２電極１４０に電気的に接続される第２導電性コンタクト１７１を前記第２導電穴１３２（図１６に示す）に形成し、前記接続端１６５に電気的に接続される第３導電性コンタクト１７３を前記第４導電穴１１２（図１５に示す）及び第３導電穴（図示せず）に形成する。
【０１３７】
前記第３導電穴は、貫通する第２サブ導電穴１３１（図１１に示す）及び第１サブ導電穴１５２（図１３に示す）を含む。
【０１３８】
前記第１導電性コンタクト１７２は、前記第１電極１２０を外部回路に電気的に接続するために用いられ、前記第２導電性コンタクト１７１は、前記第２電極１４０を外部回路に電気的に接続するために用いられ、前記第３導電性コンタクト１７３は、基板１６０を外部回路に電気的に接続するために用いられる。
【０１３９】
前記第１導電性コンタクト１７２、第２導電性コンタクト１７１及び第３導電性コンタクト１７３によって、前記基板１６０、第１電極１２０及び第２電極１４０の電気的な接続を容易に実現することができる。
【０１４０】
具体的には、沈積プロセスにより、前記第１導電穴１１１、第２導電穴１３２、第４導電穴１１２（図１５に示す）及び第３導電穴に導電性材料１７５（図１７に示す）を充填し、前記導電性材料１７５がさらに隔離層１１０に被覆され、前記隔離層１１０上に位置する導電性材料１７５に対してパターン化処理を行う。
【０１４１】
これに対応して、前記第１導電性コンタクト１７２、第２導電性コンタクト１７１及び第３導電性コンタクト１７３がいずれも前記隔離層１１０から突出する。
【０１４２】
本実施例では、前記導電性材料１７５は、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ及びＡｌのうちの１種または複数種を含み、前記沈積プロセスは、メッキプロセスであってもよい。
【０１４３】
本実施例では、フォトレジストコーティング、露光及び現像を含むリソグラフィプロセスを用い、フォトレジストマスクを形成し、前記フォトレジストマスクを介して前記導電性材料１７５をエッチングし、前記導電性材料１７５を前記第１導電性コンタクト１７２、第２導電性コンタクト１７１及び第３導電性コンタクト１７３としてパターン化する。
【０１４４】
前記導電性材料１７５をエッチングした後に、湿式フォトレジスト剥離またはアッシングプロセスにより、フォトレジストマスクを除去する。
【０１４５】
本実施例では、導電性コンタクト（ｃｏｎｔａｃｔ、ＣＴ）のプロセスを利用して前記相互接続構造を形成し、電気的接続プロセスの複雑さを低減させ、かつ後続のパッケージング工程を行いやすい。
【０１４６】
図１９を参照して、前記第１導電性コンタクト１７２、第２導電性コンタクト１７１及び第３導電性コンタクト１７３から露出した隔離層１１０上に保護層１８０を形成し、前記保護層１８０から前記第１導電性コンタクト１７２、第２導電性コンタクト１７１及び第３導電性コンタクト１７３が露出する。
【０１４７】
前記保護層１８０は、前記圧電トランスジューサ２００（図１０に示す）に対して保護効果を果たすために用いられ、外部不純物（たとえばナトリウムイオン）、イオン電荷及び水蒸気などによる圧電トランスジューサ２００への影響を防止でき、それにより、指紋認識モジュールの性能及び安定性を向上させ、指紋認識モジュールの指紋認識精度をさらに向上させる。
【０１４８】
また、前記保護層１８０から前記第１導電性コンタクト１７２、第２導電性コンタクト１７１及び第３導電性コンタクト１７３が露出し、それにより、後続のパッケージング工程を行いやすい。
【０１４９】
具体的には、前記保護層１８０を形成するステップは、さらに前記第１導電性コンタクト１７２、第２導電性コンタクト１７１及び第３導電性コンタクト１７３に被覆される不動態化材料層（図示せず）を前記隔離層１１０上に形成するステップと、前記不動態化材料層をエッチングし、前記第１導電性コンタクト１７２、第２導電性コンタクト１７１及び第３導電性コンタクト１７３を露出させ、かつ不動態化材料層を前記保護層１８０として残すステップとを含む。
【０１５０】
前記保護層１８０の材料は、酸化シリコン、窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、シリコン酸炭窒化物、酸窒化シリコン、窒化ホウ素、窒化炭素ホウ素、低ｋ誘電材料またはポリミイドであってもよい。その中で、低ｋ誘電材料は、相対誘電定数が２．６以上かつ３．９以下の誘電材料である。
【０１５１】
図２０〜図２３は、本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第２実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【０１５２】
本実施例の第１実施例との一致点については、ここでは詳しく説明しない。本実施例の第１実施例との相違点は、図２０を参照して、キャビティ５５１を有する永久ボンディング層５５０を基板５６０上に形成することである。
【０１５３】
本実施例では、前記基板５６０に信号処理回路が形成され、前記信号処理回路が接続端５６５を有し、前記基板５６０から接続端５６５が露出し、前記接続端５６５が前記基板５６０を外部回路（たとえば、圧電トランスジューサ）に電気的に接続するために用いられる。
【０１５４】
前記基板５６０についての具体的な説明は、第１実施例における対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０１５５】
本実施例では、前記永久ボンディング層５５０がドライフィルムである。
【０１５６】
具体的には、前記永久ボンディング層５５０を形成するステップは、永久ボンディングフィルム（図示せず）を前記基板５６０上に形成するステップと、前記永久ボンディングフィルムをパターン化し、キャビティ５５１を前記永久ボンディングフィルムに形成し、残りの前記永久ボンディングフィルムを前記永久ボンディング層５５０とするステップとを含む。
【０１５７】
本実施例では、ラミネーションプロセスを用いて前記永久ボンディングフィルムを形成し、露光現像プロセスを用いて前記永久ボンディングフィルムをパターン化する。
【０１５８】
本実施例では、前記永久ボンディングフィルムをパターン化するステップで、前記信号処理回路の対応する接続端５６５を露出させる第１サブ導電穴５５２を前記永久ボンディングフィルムに形成する。つまり、前記永久ボンディング層５５０は、キャビティ５５１、及び前記接続端５６５を露出させる第１サブ導電穴５５２を有する。
【０１５９】
前記永久ボンディング層５５０、キャビティ５５１、第１サブ導電穴５５２及びそれらの形成方法についての具体的な説明は、第１実施例における対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０１６０】
図２１を参照して、キャリアベース５００を提供し、第１電極５２０、前記第１電極５２０上に位置する圧電層５３０、及び前記圧電層５３０上に位置する第２電極５４０を含む圧電トランスジューサ６００を前記キャリアベース５００上に形成する。
【０１６１】
本実施例では、前記キャリアベース５００が半導体ウェハーである。具体的には、前記キャリアベース１００がシリコンベースである。
【０１６２】
本実施例では、半導体プロセス（たとえば、沈積プロセス及びパターン化プロセス）により前記圧電トランスジューサ６００を形成する。
【０１６３】
前記圧電トランスジューサ６００及びその形成方法についての具体的な説明は、第１実施例における対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０１６４】
なお、圧電トランスジューサ６００を前記キャリアベース５００上に形成する前に、隔離層５１０を前記キャリアベース５００上に形成するステップをさらに含む。前記キャリアベース５００に対して薄肉化処理を行う後続のステップで、前記隔離層５１０を停止層とする。本実施例では、前記隔離層５１０の材料が酸化シリコンである。
【０１６５】
なお、前記圧電トランスジューサ６００を形成した後に、第２サブ導電穴５３１を前記圧電層５３０に形成するステップをさらに含む。
【０１６６】
前記第２サブ導電穴５３１及びその形成方法についての具体的な説明は、第１実施例における対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０１６７】
図２２を参照して、前記永久ボンディング層５５０を利用して前記キャリアベース５００と前記基板５６０をボンディングし、前記永久ボンディング層５５０が前記圧電トランスジューサ６００（図２１に示す）と前記基板５６０との間に位置するとともに、前記圧電トランスジューサ６００が前記キャビティ５５１を遮蔽する。
【０１６８】
具体的には、ボンディングステップで、前記キャビティ５５１を前記キャリアベース５００における前記第２電極５４０と１つずつ対向して設けるようにする。
【０１６９】
前記永久ボンディング層５５０が粘性材料であり、前記圧電トランスジューサ６００を前記永久ボンディング層１５０に配置すれば、前記圧電トランスジューサ６００と基板５６０をボンディングすることができ、接着プロセスが簡単であり、かつボンディング信頼性が高い。
【０１７０】
本実施例では、ボンディングステップで、前記第２サブ導電穴５３１（図２１に示す）を第１サブ導電穴５５２（図２０に示す）と１つずつ対向して設けるようにし、連通する第３導電穴（図示せず）を構成する。
【０１７１】
１つの例としては、前記基板５６０の表面に平行な方向に、前記第２電極５４０の横方向サイズが前記キャビティ５５１の開口サイズより大きく、前記永久ボンディング層５５０が一定の柔軟性を有するため、圧力の作用下で、第２電極５４０を前記永久ボンディング層５５０に嵌めやすく、前記永久ボンディング層５５０を圧電層５３０と接触させ、それにより、前記圧電トランスジューサ６００が前記キャビティ５５１を遮蔽する作用を果たす。
【０１７２】
他の実施例では、前記第２電極の横方向サイズが前記キャビティの開口サイズ以下である場合、前記圧電トランスジューサを前記永久ボンディング層に配置すれば、前記永久ボンディング層を圧電層と接触させることができるため、前記圧電トランスジューサがキャビティに対して遮蔽作用を果たすことができる。
【０１７３】
本実施例では、ボンディング完了後に、前記キャリアベース５００を除去するステップをさらに含む。
【０１７４】
具体的には、前記キャリアベース５００に対して薄肉化処理を行うことで、前記キャリアベース５００を除去する。前記隔離層５１０を露出させる。
【０１７５】
図２３を参照して、前記キャリアベース５００（図２２に示す）を除去した後に、前記隔離層５１０をエッチングし、前記第１電極５２０を露出させる複数の第２導電穴５１１を前記隔離層５１０に形成するステップをさらに含む。
【０１７６】
前記第１導電穴５１１は、前記第１電極５２０に電気的に接続される第１導電性コンタクトの後続の形成に空間位置を提供するために用いられる。
【０１７７】
本実施例では、前記隔離層５１０のエッチング過程において、前記第２サブ導電穴５３１（図２１に示す）と貫通する第４導電穴５１２を前記隔離層５１０に形成する。
【０１７８】
前記第４導電穴５１２が第２サブ導電穴５３１と貫通し、前記第２サブ導電穴５３１が前記永久ボンディング層５５０における第１サブ導電穴５５２（図２０に示す）と貫通し、前記第４導電穴５１２、第２サブ導電穴５３１及び第１サブ導電穴５５２は、前記接続端５６５に電気的に接続される第３導電性コンタクトの後続の形成に空間位置を提供するために用いられる。
【０１７９】
後続のプロセスは第１実施例と同様であり、後続のプロセスについての具体的な説明は、第１実施例における対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０１８０】
なお、本実施例の前記製造方法についての具体的な説明は、第１実施例における対応する説明を組み合わせて参照できる。
【０１８１】
なお、本実施例では、永久ボンディング層５５０を基板５６０上に形成することを例とする。他の実施例では、表面に仮接着フィルムが形成されたキャリアウェハー（ｃａｒｒｉｅｒ  ｗａｆｅｒ）上に前記永久ボンディング層を形成してもよく、これに対応して、前記永久ボンディング層を利用して前記キャリアベースと前記キャリアウェハーをボンディングした後に、前記永久ボンディング層が前記圧電トランスジューサと前記キャリアウェハーとの間に位置し、この後に、前記仮接着層と仮接着フィルムとをデボンディングにより分離し、それにより、前記永久ボンディング層を利用して前記キャリアベースと前記基板をボンディングする。
【０１８２】
図２４〜図３５は、本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第３実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【０１８３】
本実施例の第１実施例との一致点については、ここでは詳しく説明しない。本実施例の第１実施例との相違点は、以下のことである。図２６に示すように、圧電トランスジューサ４００をキャリアベース３００上に形成するステップは、前記キャリアベース３００全体に被覆される導電性層３２５を形成し、一部の領域での前記導電性層３２５を第１電極３２０として用いるステップを含み、これに対応して、図３１に示すように、キャリアベース３００（図２８に示す）を除去した後に、前記導電性層３２５をパターン化し、複数の第１電極３２０を形成するステップをさらに含む。
【０１８４】
図２４を参照して、基板３６５を提供する。
【０１８５】
本実施例では、前記基板３６５に信号処理回路が形成され、前記信号処理回路が接続端３６５を有し、前記基板３６０から接続端３６５が露出し、前記接続端３６５が前記基板３６０を外部回路（たとえば、圧電トランスジューサ）に電気的に接続するために用いられる。
【０１８６】
前記基板３６０についての具体的な説明は、第１実施例における対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０１８７】
図２５を参照して、キャリアベース３００を提供し、前記キャリアベース３００全体に被覆される導電性層３２５を形成し、一部の領域での前記導電性層３２５を第１電極３２０として用いる。
【０１８８】
前記キャリアベース３００は、圧電トランスジューサの後続の形成にプロセスプラットフォームを提供するために用いられ、さらに、圧電トランスジューサと基板３６０（図２４に示す）の後続のボンディングにプロセスプラットフォームを提供するために用いられる。
【０１８９】
本実施例では、前記キャリアベース３００が半導体ウェハーである。具体的には、前記キャリアベース３００がシリコンベースである。
【０１９０】
図２５及び図２６を組み合わせて参照して、前記第１電極３２０に被覆される圧電層３３０を形成し、複数の第２電極３４０（図２６に示す）を前記圧電層３３０上に形成する。
【０１９１】
具体的には、前記第２電極３４０を形成するステップは、前記圧電層３３０に被覆される電極材料層３４５（図２５に示す）を形成するステップと、前記電極材料層３４５に対してパターン化処理を行い、前記第２電極３４０を形成するステップとを含む。
【０１９２】
前記第２電極３４０を形成した後に、前記第１電極３２０、圧電層３３０及び第２電極３４０は、圧電トランスジューサ４００を構成するために用いられる。
【０１９３】
前記圧電トランスジューサ４００を形成した後に、前記キャリアベース３００全体に導電性層３２５が被覆され、前記第２電極３４０の数量が複数であり、後続のボンディングプロセス及びリソグラフィプロセスにおいてアラインメントを実現しやすく、アラインメント精度を向上させ、それにより、指紋認識モジュールの性能を向上させることに有利である。
【０１９４】
前記圧電トランスジューサ４００及びその形成ステップについての具体的な説明は、第１実施例における対応する説明を組み合わせて参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０１９５】
なお、続いて図２５を参照し、圧電トランスジューサ４００（図２６に示す）を前記キャリアベース３００上に形成する前に、隔離層３１０を前記キャリアベース３００上に形成するステップをさらに含む。
【０１９６】
前記キャリアベース３００に対して薄肉化処理を行う後続のステップで、前記隔離層３１０を停止層とする。また、この後、前記第１電極に電気的に接続される第１導電性コンタクトを形成する際、前記隔離層３１０は、さらに、前記第１導電性コンタクトの形成にプロセスプラットフォームを提供するために用いられる。
【０１９７】
本実施例では、前記隔離層３１０の材料が酸化シリコンである。
【０１９８】
図２７を参照して、キャビティ３５１を有する永久ボンディング層３５０を前記キャリアベース３００上に形成し、前記圧電トランスジューサ４００（図２６に示す）が前記キャビティ３５１を遮蔽する。
【０１９９】
本実施例では、前記永久ボンディング層３５０を形成するステップで、前記永久ボンディング層３５０にさらに複数の第１サブ導電穴３５２が形成される。
【０２００】
前記永久ボンディング層３５０、キャビティ３５１、第１サブ導電穴３５２及びその形成方法についての具体的な説明は、第１実施例における対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０２０１】
図２８を参照して、前記永久ボンディング層３５０を利用して前記キャリアベース３００と前記基板３６０をボンディングし、前記永久ボンディング層３５０が前記圧電トランスジューサ４００（図２６に示す）と前記基板３６０との間に位置する。
【０２０２】
具体的には、ボンディングステップで、前記キャリアベース３００の、前記永久ボンディング層３５０が形成された面を前記基板３６０に対向して設けるようにし、前記第１サブ導電穴３５２（図２７に示す）を前記接続端３６５に対応させる。
【０２０３】
前記圧電トランスジューサ４００と基板３６０をボンディングした後に、前記基板３６０は、前記導電性層３２５をパターン化する後続のプロセスにプロセスプラットフォームを提供するために用いられる。
【０２０４】
前記ボンディングステップについての具体的な説明は、第１実施例における対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０２０５】
図２９を参照して、ボンディング完了後に、前記キャリアベース３００を除去するステップをさらに含む。
【０２０６】
前記キャリアベース３００を除去することで、後続の電気的接続プロセスにプロセス基礎を提供する。
【０２０７】
本実施例では、前記隔離層３１０を停止層とし、前記キャリアベース３００に対して薄肉化処理を行う。
【０２０８】
図３０を参照して、前記キャリアベース３００（図２８に示す）を除去した後に、前記第１電極３２０（図２６に示す）を露出させる複数の第１導電穴３１１を前記隔離層３１０に形成するステップをさらに含む。
【０２０９】
一部の領域での前記導電性層３２５を前記第１電極３２０とし、後続のステップは、前記導電性層３２５をパターン化し、前記第１電極３２０を残し、前記第１電極３２０に電気的に接続される第１導電性コンタクトの後続の形成に空間位置を提供するための前記第１導電穴３１１から前記第１電極３２０を露出させるステップをさらに含む。
【０２１０】
本実施例では、フォトレジストコーティング、露光及び現像を含むリソグラフィプロセスを用い、フォトレジストマスクを形成し、前記フォトレジストマスクを介して前記隔離層３１０をエッチングし、それにより、前記第１導電穴３１１を形成する。具体的には、前記エッチングプロセスが乾式エッチングプロセスである。
【０２１１】
前記隔離層３１０をエッチングした後に、湿式フォトレジスト剥離またはアッシングプロセスにより、フォトレジストマスクを除去する。
【０２１２】
図３１を参照して、前記キャリアベース３００（図２８に示す）を除去した後に、前記導電性層３２５（図３０に示す）をパターン化し、複数の第１電極３２０を形成し、前記複数の第１導電穴３１１を前記第１電極３２０に対応させるステップをさらに含む。
【０２１３】
具体的には、前記第１電極３２０は、数量が複数であり、それぞれ前記第２電極３４０に対向して設けられる。
【０２１４】
前記導電性層３２５をパターン化した後に、前記第１電極３２０から一部の圧電層３３０を露出させることにより、前記圧電層３３０の後続のエッチングのために用意する。
【０２１５】
本実施例では、乾式エッチングプロセスを用い、前記導電性層３２５に対してパターン化処理を行う。
【０２１６】
なお、前記導電性層３２５の表面に隔離層３１０が形成されており、従って、前記導電性層３２５をパターン化するステップは、前記隔離層３１０をパターン化し、前記第１導電穴３１１を前記第１電極３２０と１対１で対応させるステップをさらに含む。これに対応して、前記導電性層３２５をパターン化した後に、前記第１電極３２０の表面の前記隔離層３１０のみを残す。
【０２１７】
本実施例では、フォトレジストコーティング、露光及び現像を含むリソグラフィプロセスを用い、フォトレジストマスクを形成し、前記圧電層３３０を露出させるまで、前記フォトレジストマスクを介して前記隔離層３１０及び導電性層３２５を順にエッチングする。
【０２１８】
なお、エッチングする前に、前記隔離層３１０に第１導電穴３１１が形成されており、従って、前記フォトレジストマスクが前記第１導電穴３１１内に充填されており、それにより前記第１導電穴３１１から露出した第１電極３２０をエッチングすることを回避する。
【０２１９】
前記隔離層３１０及び導電性層３２５をエッチングした後に、湿式フォトレジスト剥離またはアッシングプロセスにより、フォトレジストマスクを除去する。
【０２２０】
図３２を参照して、前記導電性層３２５（図３０に示す）をパターン化した後に、前記第２電極３４０を露出させる第２導電穴３３１ステップと、前記第１サブ導電穴３５２（図２７に示す）と貫通する第２サブ導電穴３３２を前記圧電層３３０に形成するステップをさらに含む。
【０２２１】
前記第２導電穴３３１は、前記第２電極３４０に電気的に接続される第２導電性コンタクトの後続の形成に空間位置を提供するために用いられる。
【０２２２】
前記第２サブ導電穴３３２が第１サブ導電穴３５２と貫通し、前記第２サブ導電穴３３２及び第１サブ導電穴３５２は、前記接続端３６５に電気的に接続される第３導電性コンタクトの後続の形成に空間位置を提供するために用いられる。
【０２２３】
本実施例では、フォトレジストコーティング、露光及び現像を含むリソグラフィプロセスを用い、フォトレジストマスクを形成し、前記フォトレジストマスクを介して前記圧電層３３０をエッチングすることにより、前記第２導電穴３３１及び第２サブ導電穴３３２を形成する。
【０２２４】
前記第１電極３２０を露出させる第１導電穴３１１が残りの隔離層３１０に形成されており、従って、前記フォトレジストマスクを形成した後に、前記第１電極３２０が損害されないように、前記フォトレジストマスクは、前記隔離層３１０に被覆されるだけではなく、前記第１導電穴３１１内に充填されている。
【０２２５】
本実施例では、乾式エッチングプロセスを用い、前記圧電層３３０をエッチングし、前記第２導電穴３３１及び第２サブ導電穴３３２を形成する。
【０２２６】
前記圧電層３３０をエッチングした後に、湿式フォトレジスト剥離またはアッシングプロセスにより、フォトレジストマスクを除去する。
【０２２７】
なお、前記導電性層３２５（図２０に示す）に対してパターン化処理を行った後に、前記第１電極３２０が前記圧電層３３０から露出し、従って、前記第２導電穴３３１及び第２サブ導電穴３３２を形成するステップで、前記圧電層３３０のみをエッチングすればよく、エッチングプロセスが簡単である。
【０２２８】
なお、図２６に示すように、圧電トランスジューサ４００をキャリアベース３００上に形成するステップで、前記キャリアベース３００全体に被覆される導電性層３２５を形成し、一部の領域での前記導電性層３２５を第１電極３２０とし、該ステップで、導電性層３２５をパターン化しておらず、図３１に示すように、前記隔離層３１０及び導電性層３２５（図３０に示す）をパターン化した後に、前記第１電極３２０が前記圧電層３３０から露出し、従って、同じステップで前記第２導電穴３３１及び第２サブ導電穴３３２を形成できるため、フォトマスクの減少に有利であり、製造コストを節約する。
【０２２９】
図３３及び図３４を組み合わせて参照し、前記第１電極３２０に電気的に接続される第１導電性コンタクト３７２を前記第１導電穴３１１（図３２に示す）に形成し、前記第２電極３４０に電気的に接続される第２導電性コンタクト３７１を前記第２導電穴３３１（図３２に示す）に形成し、前記接続端３６５に電気的に接続される第３導電性コンタクト３７３を前記第２サブ導電穴３３２（図３２に示す）及び第１サブ導電穴３５２（図２７に示す）に形成する。
【０２３０】
具体的には、図３３に示すように、沈積プロセスにより、前記第１導電穴３１１、第２導電穴３３１、第２サブ導電穴３３２及び第１サブ導電穴３５２に導電性材料３７５を充填し、前記導電性材料３７５がさらに隔離層３１０に被覆され、図３４に示すように、前記隔離層１１０上の導電性材料１７５に対してパターン化処理を行い、前記隔離層３１０から突出するとともに、前記第１電極３２０に電気的に接続される第１導電性コンタクト３７２、前記圧電層３３０から突出するとともに、前記第２電極３４０に電気的に接続される第２導電性コンタクト３７１、及び前記圧電層３３０から突出するとともに、前記接続端３６５に電気的に接続される第２導電性コンタクト３７３を形成する。
【０２３１】
前記第１導電性コンタクト３７２、第２導電性コンタクト３７１、第３導電性コンタクト３７３及びその形成方法についての具体的な説明は、第１実施例における対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０２３２】
図３５を参照して、保護層３８０を前記第１導電性コンタクト３７２、第２導電性コンタクト３７１、第３導電性コンタクト３７３から露出した圧電層３３０及び隔離層３１０上に形成し、前記保護層３８０から前記第１導電性コンタクト３７２、第２導電性コンタクト３７１、第３導電性コンタクト３７３が露出する。
【０２３３】
本実施例では、沈積ステップ及びエッチングステップを順に行うことにより、前記保護層３８０を形成する。
【０２３４】
前記保護層３８０及びその形成方法についての具体的な説明は、第１実施例における対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０２３５】
なお、本実施例の前記製造方法についての具体的な説明は、第１実施例における対応する説明を組み合わせて参照できる。
【０２３６】
図３６〜図３８は、本発明の指紋認識モジュールの製造方法の第４実施例での各ステップに対応する構造模式図である。
【０２３７】
本実施例の第３実施例との一致点については、ここでは詳しく説明しない。本実施例の第３実施例との相違点は、図３６を参照して、キャビティ９５１を有する永久ボンディング層９５０を基板９６０上に形成することである。
【０２３８】
本実施例では、前記基板９６０には、接続端５６５を有する信号処理回路が形成されており、永久ボンディング層９５０を前記基板上に形成するステップで、前記永久ボンディング層９５０は、前記接続端５６５を露出させる第１サブ導電穴９５２をさらに有する。
【０２３９】
図３７を参照して、圧電トランスジューサ９００を前記キャリアベース９００上に形成する。
【０２４０】
具体的には、前記圧電トランスジューサ９００を形成するステップは、前記キャリアベース９００全体に被覆される導電性層９２５を形成し、一部の領域での前記導電性層９２５を複数の第１電極９２０として用いるステップと、前記導電性層９２５に被覆される圧電層９３０を形成するステップと、前記第１電極９２０に対向して設けられる複数の第２電極９４０を前記圧電層９３０上に形成するステップとを含む。
【０２４１】
前記圧電トランスジューサ９００及びその形成方法についての具体的な説明は、第３実施例における対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０２４２】
図３８を参照して、前記永久ボンディング層９５０を利用して前記キャリアベース９００と前記基板９６０をボンディングし、前記永久ボンディング層９５０が前記圧電トランスジューサ９９０（図３７に示す）と前記基板９６０との間に位置し、前記第２電極９４０が前記キャビティ９５１（図３６に示す）を遮蔽する。
【０２４３】
本実施例では、ボンディングステップで、前記キャビティ９５１を前記キャリアベース９００上の前記第２電極９４０に対向して設けるようにする。
【０２４４】
後続のプロセスは、第３実施例と同様であり、後続のプロセスについての具体的な説明は、第３実施例における対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０２４５】
具体的には、本実施例の前記製造方法についての具体的な説明は、第１実施例及び第３実施例における対応する説明を組み合わせて参照できる。
【０２４６】
これに対応して、本発明の実施例は、指紋認識モジュールをさらに提供する。
【０２４７】
図３９は、本発明の指紋認識モジュールの１つの実施例の構造模式図である。
【０２４８】
前記指紋認識モジュールは、信号処理回路が形成される基板７６０と、キャビティ７５１を有し、前記基板７６０上にボンディングされる永久ボンディング層７５０と、前記永久ボンディング層７５０上に位置し、第１電極７２０、前記第１電極７２０上に位置する圧電層７３０、及び前記圧電層７３０上に位置する第２電極７４０を含むとともに、前記キャビティ７５１を遮蔽する圧電トランスジューサ８００とを含む。
【０２４９】
本実施例は、沈積及びパターン化を採用して、キャビティを有する絶縁層を基板上に形成し、圧電トランスジューサを前記絶縁層上に形成する技術案に比べて、絶縁層の代わりに永久ボンディング層７５０を用い、圧電トランスジューサ８００と基板７６０を永久ボンディング層７５０によりボンディングし、従って、前記指紋認識モジュールの製造過程において、前記圧電トランスジューサ８００の製造を独立して完了でき、前記キャビティを満たす犠牲層を形成するステップを節約するため、犠牲層のリリース操作を行う必要がなく、プロセスステップの簡略化に有利であり、また、犠牲層の不完全な除去のため、キャビティに犠牲層残存物を形成する課題を回避できる。
【０２５０】
また、犠牲層の形成ステップ及び犠牲層のリリースステップを行う必要がないため、犠牲層プロセスにより引き起こされた、基板７６０が廃棄される課題を回避し、基板７６０の廃棄率の低減に有利である。
【０２５１】
また、前記圧電トランスジューサ８００が前記キャビティ７５１を遮蔽することで、キャビティ７５１を密閉状にし、それにより、前記キャビティ７５１による音響的性能に対する改善効果を向上させることに有利であり、さらに指紋認識の精度を向上させることに有利である。
【０２５２】
なお、前記指紋認識モジュールの製造過程において、前記圧電トランスジューサ８００の製造を独立して完了することができ、前記圧電トランスジューサ８００を形成するプロセス柔軟性を向上させることに有利であり、また、前記圧電トランスジューサ８００を形成するプロセスによる基板７６０に対する影響を回避することに有利であり、基板７６０の品質が確保され、なお、さらに基板７６０の廃棄率の低減に有利である。
【０２５３】
前記基板７６０に信号処理回路が形成されており、前記基板７６０は、指紋認識モジュールの使用過程において、圧電トランスジューサを駆動し、圧電トランスジューサの生じた検出信号を処理するために用いられる。
【０２５４】
本実施例では、前記基板７６０は、ＣＭＯＳプロセスに基づいて形成される。
【０２５５】
具体的には、前記基板７６０がウェハレベル基板であり、前記基板７６０と圧電トランスジューサ８００をウェハレベルで集積し、製造効率を向上させる。他の実施例では、前記基板は、チップレベル基板であってもよい。
【０２５６】
本実施例では、前記基板７６０における信号処理回路は、前記基板７６０をその他のデバイスまたは圧電トランスジューサに電気的に接続するための接続端７６５を有する。
【０２５７】
本実施例では、前記基板７６０から、溶接パッド（ｐａｄ）である接続端７６５が露出する。
【０２５８】
前記永久ボンディング層７５０の接着強度が高く、前記永久ボンディング層７５０が圧電トランスジューサ８００と基板７６０の永久ボンディングを実現するために用いられ、圧電トランスジューサ８００と基板７６０のボンディング強度が確保され、それにより、指紋認識モジュールの信頼性を向上させ、たとえば、指紋認識モジュールの指紋認識精度を向上させる。
【０２５９】
前記永久ボンディング層７５０には、圧電トランスジューサ８００の音響的性能を向上させるためのキャビティ７５１が形成されている。
【０２６０】
本実施例では、前記基板７６０がウェハレベル基板であり、前記キャビティ７５１が複数である。
【０２６１】
圧電トランスジューサ８００の設計パラメータに基づき、前記キャビティ７５１のパターン及びサイズを決定する。
【０２６２】
本実施例では、前記永久ボンディング層７５０は、ドライフィルム（ｄｒｙ  ｆｉｌｍ）である。ドライフィルムは、感光性ボンディング材料であり、従って、永久ボンディングフィルムに対してリソグラフィプロセスを行うことにより、前記キャビティ７５１を形成することができる。リソグラフィプロセスにより、前記キャビティ１５１の開口サイズ精度を向上させることに有利であるとともに、永久ボンディング層７５０の接着強度への影響を減少させる。また、リソグラフィプロセスを用いることによりパターン化を実現し、前記永久ボンディング層１５０の接着強度が確保される。
【０２６３】
前記圧電トランスジューサ８００が指紋認識モジュールにおける認識ユニットとされる。
【０２６４】
前記圧電トランスジューサ８００は、第１電極７２０、前記第１電極７２０上に位置する圧電層７３０、及び前記圧電層７３０上に位置する第２電極７４０を含む。
【０２６５】
本実施例では、前記基板７６０がウェハレベル基板であり、前記圧電トランスジューサ８００の数量が複数である。これに対応して、前記第１電極７２０の数量が複数であり、前記第２電極７４０の数量が複数であり、前記第２電極７４０が前記第１電極７２０に対向して設けられ、前記第２電極７４０がキャビティ７５１と１対１で対応する。
【０２６６】
他の実施例では、前記基板がチップレベル基板である場合、前記圧電トランスジューサの数量が１つである。
【０２６７】
本実施例では、前記第１電極７２０と第２電極７４０が交互に設けられ、つまり、前記第２電極７４０のいずれかの端部が前記第１電極７２０の一側に位置し、前記第２電極７４０に電気的に接続される相互接続構造を前記第１電極７２０の一側の圧電層７３０に形成し、前記第２電極７４０に電気的に接続される該相互接続構造を形成する際、第１電極７２０をエッチングする必要がなく、それにより、電気的接続プロセスの難度を低減させる。
【０２６８】
前記第１電極７２０は、圧電トランスジューサ８００におけるトップ電極（ｔｏｐ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）、すなわち、指紋認識モジュールにおける前記基板７６０から離れる電極として用いられ、前記第２電極７４０は、圧電トランスジューサ８００におけるボトム電極（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）、すなわち指紋認識モジュールにおける前記基板７６０に近い電極として用いられる。
【０２６９】
前記第１電極７２０及び第２電極７４０の材料は、金属、金属ケイ化物、金属窒化物、金属酸化物または導電性カーボンなどの導電性材料であってもよく、たとえば、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＴｉＡｌ、ＴｉＮまたはＴａＮなどであってもよい。本実施例では、前記第１電極７２０及び第２電極７４０の材料がいずれもＭｏである。
【０２７０】
指紋認識モジュールの使用過程において、圧電層７３０の逆圧電効果を利用し、超音波を発生させ、それにより、超音波指紋認識を実現する。
【０２７１】
前記圧電層７３０の材料は、圧電結晶、圧電セラミックまたは圧電ポリマーなどであってもよい。その中で、前記圧電結晶は、窒化アルミニウム、ジルコニウムチタン酸鉛、石英結晶、ガリウム酸リチウム、メタゲルマニウム酸二リチウム、ゲルマニウム酸チタン、強誘電体トランジスタニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムなどであってもよく、前記圧電ポリマーは、ポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン共重合体、ナイロン−１１またはシアン化ビニリデン−酢酸エチレン交互共重合体などであってもよい。
【０２７２】
本実施例では、前記圧電層７３０の材料が窒化アルミニウムである。
【０２７３】
本実施例では、前記指紋認識モジュールは、前記第１電極７２０表面に位置する隔離層７１０をさらに含む。
【０２７４】
前記指紋認識モジュールの製造過程において、前記圧電トランスジューサ８００をキャリアベース上に形成し、前記キャリアベースを薄肉化プロセスにより除去し、前記隔離層を前記薄肉化プロセスの停止層とする。
【０２７５】
本実施例では、前記隔離層７１０がさらに前記圧電層７３０の表面に位置する。他の実施例では、前記隔離層が前記第１電極の表面のみに位置してもよい。
【０２７６】
本実施例では、前記隔離層７１０の材料が酸化シリコンである。酸化シリコンは、半導体分野における常用の誘電材料であり、形成しやすくかつパターン化しやすく、かつプロセスコストが低く、また、キャリアベースに対して薄肉化を行う過程において、停止作用を良好に果たすことができる。
【０２７７】
本実施例では、前記指紋認識モジュールは、前記第１電極７２０、第２電極７４０または信号処理回路の対応する接続端７６５を電気的に接続するための相互接続構造（図示せず）をさらに含む。
【０２７８】
前記相互接続構造が前記信号処理回路の対応する接続端１６５及び前記第１電極７２０、第２電極７４０を電気的に接続することにより、基板７６０と圧電トランスジューサ８００を電気的に接続し、さらに指紋認識モジュールの指紋認識機能を実現する。
【０２７９】
具体的には、前記相互接続構造は、前記第１電極７２０に電気的に接続される第１導電性コンタクト７７２と、前記第２電極７４０に電気的に接続される第２導電性コンタクト７７１と、前記接続端７６５に電気的に接続される第３導電性コンタクト７７３とを含む。
【０２８０】
前記第１導電性コンタクト７７２は、前記第１電極７２０を外部回路に電気的に接続するために用いられ、前記第２導電性コンタクト７７１は、前記第２電極７４０を外部回路に電気的に接続するために用いられ、前記第３導電性コンタクト７７３は、基板７６０を外部回路に電気的に接続するために用いられる。
【０２８１】
前記第１導電性コンタクト７７２、第２導電性コンタクト７７１及び第３導電性コンタクト７７３によって、前記基板７６０、第１電極７２０及び第２電極７４０の電気的な接続を容易に実現することができる。
【０２８２】
本実施例では、前記第１導電性コンタクト７７２は、前記隔離層７１０に位置するとともに、前記第１電極７２０に電気的に接続され、前記第２導電性コンタクト７７１は、前記圧電層７３０に位置するとともに、前記第２電極７４０に電気的に接続され、前記第３導電性コンタクト７７３は、前記圧電層７３０及び永久ボンディング層７５０を貫通するとともに、前記接続端７６５に電気的に接続される。
【０２８３】
本実施例では、前記隔離層７１０がさらに前記相互接続構造から露出した圧電層７３０の表面に位置し、従って、前記第２導電性コンタクト７７１が前記隔離層７１０及び圧電層７３０を貫通し、前記第３導電性コンタクト７７３が前記隔離層７１０、圧電層７３０及び永久ボンディング層７５０を貫通する。
【０２８４】
これに対応して、前記隔離層７１０は、さらに、前記相互接続構造の形成にプロセスプラットフォームを提供し、前記相互接続構造の電気的分離を実現するために用いられる。
【０２８５】
本実施例では、前記第１導電性コンタクト７７２、第２導電性コンタクト７７１及び第３導電性コンタクト７７３の材料が導電性材料であり、前記導電性材料がＣｕ、Ａｕ、Ａｇ及びＡｌのうちの１種または複数種を含む。
【０２８６】
本実施例では、前記相互接続構造のタイプが導電性コンタクト（ｃｏｎｔａｃｔ、ＣＴ）であり、前記相互接続構造を形成するプロセス複雑さを低減させ、後続のパッケージング工程を行いやすい。
【０２８７】
他の実施例では、前記相互接続構造のタイプは、さらに、たとえば再配線（ＲＤＬ）構造、その他のタイプの構造を含んでもよい。
【０２８８】
本実施例では、前記指紋認識モジュールは、前記第１導電性コンタクト７７２、第２導電性コンタクト７７１及び第３導電性コンタクト７７３から露出した隔離層７１０上に位置した、前記第１導電性コンタクト７７２、第２導電性コンタクト７７１及び第３導電性コンタクト７７３を露出させる保護層７８０をさらに含む。
【０２８９】
前記保護層７８０は、前記圧電トランスジューサ８００に対して保護効果を果たすために用いられ、外部不純物（たとえばナトリウムイオン）、イオン電荷及び水蒸気などによる圧電トランスジューサ８００への影響を防止でき、それにより指紋認識モジュールの性能及び安定性を向上させ、指紋認識モジュールの指紋認識精度をさらに向上させる。
【０２９０】
また、前記保護層７８０から前記第１導電性コンタクト７７２、第２導電性コンタクト７７１及び第３導電性コンタクト７７３が露出し、それにより、後続のパッケージング工程を行いやすい。
【０２９１】
前記保護層７８０の材料は、酸化シリコン、窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、シリコン酸炭窒化、酸窒化シリコン、窒化ホウ素、窒化炭素ホウ素、低ｋ誘電材料またはポリミイドであってもよい。
【０２９２】
なお、その他の実施例では、前記隔離層が前記第１電極の表面のみに位置する場合、前記保護層が第１導電性コンタクト、第２導電性コンタクト及び第３導電性コンタクトから露出した隔離層及び圧電層上に位置する。
【０２９３】
本実施例の前記指紋認識モジュールは、前述した実施例の前記製造方法で製造され、その他の製造方法で製造されてもよい。本実施例の前記指紋認識モジュールについての具体的な説明は、前述した実施例における対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０２９４】
これに対応して、本発明の実施例は、前述した指紋認識モジュールを含む電子機器をさらに提供する。
【０２９５】
電子機器に本実施例の前記指紋認識モジュールを配置することにより、指紋認識を実現する。
【０２９６】
前記電子機器は、さらに、パーソナルコンピュータ、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、メディアプレーヤー、ナビゲーションデバイス、ゲームコンソール、タブレットコンピュータ、ウェアラブルデバイス、ゲート制御電子システム、自動車キーレスエントリー電子システム、または  自動車キーレススタート電子システムなどであってもよい。
【０２９７】
前述した分析から分かるように、指紋認識モジュールの製造過程において、圧電トランスジューサのキャビティに犠牲層が残存することなく、圧電トランスジューサの音響的性能が向上し、基板の品質を確保でき、従って、前記指紋認識モジュールの指紋認識精度が高く、ユーザの使用体験を向上させる。
【０２９８】
本実施例の前記指紋認識モジュールについての具体的な説明は、前述した実施例における対応する説明を参照でき、ここでは詳しく説明しない。
【０２９９】
本発明は以上のように開示されているが、これに制限されない。いかなる当業者であれば、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、様々な変更や改定を行うことができ、従って、本発明の保護範囲は、請求項に限定される範囲を基準とする。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【国際調査報告】
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