(57)【要約】【課題】光ディスク装置のレーザダイオードの温度を、簡易な構成で確実に検出する。【解決手段】レーザダイオードのパッケージ内に設けられ、当該レーザダイオード２５の出射光量を検出するためのフォトダイオード２６と、フォトダイオード２６に順方向電流を供給する電流供給手段３２と、フォトダイオード２６に順方向電流が流れた際の順方向降下電圧を検出する降下電圧検出手段１２と、フォトダイオード２６に順方向電流を流した際の順方向降下電圧と温度との関係を示す変換係数と、検出した順方向降下電圧とに基づいて、レーザダイオード２５の温度を算出する温度算出手段１２とを設けた。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザダイオードのパッケージ内に設けられ、当該レーザダイオードの出射光量を検出するためのフォトダイオードと、
上記フォトダイオードに順方向電流を供給する電流供給手段と、
上記フォトダイオードに上記順方向電流が流れた際の順方向降下電圧を検出する降下電圧検出手段と、
上記フォトダイオードに上記順方向電流を流した際の上記順方向降下電圧と温度との関係を示す変換係数と、上記検出した順方向降下電圧とに基づいて、上記レーザダイオードの温度を算出する温度算出手段と
を具えることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
上記温度算出手段は、上記フォトダイオードが所定の基準温度にある状態で上記順方向電流を流した際の基準順方向降下電圧を用いて上記順方向降下電圧を正規化して、上記レーザダイオードの温度を算出する
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項３】
上記電流供給手段は、上記レーザダイオードに駆動電流をレーザダイオード駆動手段でなり、
上記フォトダイオードの上記順方向電流を検出する際に、レーザダイオード駆動手段を当該フォトダイオードに接続する接続手段を具える
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
レーザダイオードのパッケージ内に設けられ、当該レーザダイオードの出射光量を検出するためのフォトダイオードに順方向電流を供給し、
上記フォトダイオードに上記順方向電流が流れた際の順方向降下電圧を検出し、
上記フォトダイオードに上記順方向電流を流した際の上記順方向降下電圧と温度との関係を示す変換係数と、上記検出した順方向降下電圧とに基づいて、上記レーザダイオードの温度を算出する
ことを特徴とする温度検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光ディスク装置及び温度検出方法に関し、レーザダイオードの温度検出を行う場合に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスク装置におけるレーザ光の光源として、レーザダイオードが広く用いられている。
【０００３】
レーザダイオードはレーザ光の出射に伴って発熱するが、当該発熱の影響によってレーザ光の波長や出力が変化してしまい、また過度な発熱によってレーザダイオード自体が破損するという問題もある。このため図１に示すように、光ピックアップの回路基板１上におけるレーザダイオード２の近傍に、サーミスタ等でなる温度検出素子３を配置し、当該温度検出素子３によってレーザダイオード２の温度を検出するようになされた光ディスク装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−３３９７５７公報（図１ｂ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが上述した構成の光ディスク装置では、温度検出素子３は、レーザダイオード２近傍の雰囲気温度や回路基板１を介して伝わった熱を検出することになるため、当該レーザダイオード２自体の温度を正確には検出し得ないという問題があった。さらに、温度検出素子３が必要であることから光ディスク装置の構成が複雑になるという問題もあった。
【０００５】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、簡易な構成で、確実にレーザダイオードの温度を検出し得る光ディスク装置及び温度検出方法を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
かかる課題を解決するため本発明の光ディスク装置においては、レーザダイオードのパッケージ内に設けられ、当該レーザダイオードの出射光量を検出するためのフォトダイオードと、フォトダイオードに順方向電流を供給する電流供給手段と、フォトダイオードに順方向電流が流れた際の順方向降下電圧を検出する降下電圧検出手段と、フォトダイオードに上記順方向電流を流した際の順方向降下電圧と温度との関係を示す変換係数と、検出した順方向降下電圧とに基づいて、レーザダイオードの温度を算出する温度算出手段とを光ディスク装置に設けた。
【０００７】
そして、フォトダイオードが所定の基準温度にある状態で順方向電流を流した際の基準順方向降下電圧を用いて順方向降下電圧を正規化し、レーザダイオードの温度を算出するようにした。
【０００８】
レーザダイオードのパッケージ内に設けられ当該レーザダイオードとの間の熱抵抗が小さいフォトダイオードに順方向電流を流し、その際の順方向降下電圧に基づいてレーザダイオードの温度を検出するようにしたことにより、簡易な構成で、精度良くレーザダイオードの温度検出を行うことができる。
【０００９】
そして、基準順方向降下電圧を用いて順方向降下電圧を正規化することにより、フォトダイオード個々の特性のばらつきを補正し、簡易な構成で、さらに精度良くレーザダイオードの温度検出を行うことができる。
【００１０】
また、本発明の温度検出方法では、レーザダイオードのパッケージ内に設けられ、当該レーザダイオードの出射光量を検出するためのフォトダイオードに順方向電流を供給し、フォトダイオードに順方向電流が流れた際の順方向降下電圧を検出し、フォトダイオードに順方向電流を流した際の順方向降下電圧と温度との関係を示す変換係数と、検出した順方向降下電圧とに基づいて、レーザダイオードの温度を算出するようにした。
【００１１】
レーザダイオードのパッケージ内に設けられ当該レーザダイオードとの間の熱抵抗が小さいフォトダイオードに順方向電流を流し、その際の順方向降下電圧に基づいてレーザダイオードの温度を検出するようにしたことにより、簡易な構成で、精度良くレーザダイオードの温度検出を行うことができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、レーザダイオードのパッケージ内に設けられ当該レーザダイオードとの間の熱抵抗が小さいフォトダイオードに順方向電流を流し、その際の順方向降下電圧に基づいてレーザダイオードの温度を検出するようにしたことにより、簡易な構成で、精度良くレーザダイオードの温度検出を行い得る光ディスク装置及び温度検出方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【実施例】
【００１４】
（１）光ディスク装置の全体構成
図２において、１０は全体として本発明を適用した光ディスク装置を示し、制御部１２によって全体を統括制御するようになされている。そして光ディスク装置１０は、光ディスク１００が装填された状態で図示しない外部機器からの再生又は記録指示等を受け付けると、制御部１２が駆動部１３及び信号処理部１４を制御することにより、当該光ディスク１００に記録された情報を読み出したり、外部機器から供給される情報を当該光ディスク１００に記録するようになされている。
【００１５】
実際上、駆動部１３は制御部１２の制御に基づき、スピンドルモータ１５により光ディスク１００を所望の回転速度で回転させ、スレッドモータ１６により光ピックアップ１７を光ディスク１００の径方向であるトラッキング方向へ大きく移動させ、さらに２軸アクチュエータ１８により対物レンズ１９を光ディスク１００に対して近接又は離隔させる方向であるフォーカス方向及びトラッキング方向の２方向へそれぞれ細かく移動させる。
【００１６】
これと並行して信号処理部１４は、光ピックアップ１７により対物レンズ１９から光ビームを光ディスク１００の所望トラックに対して照射する。
【００１７】
このとき光ピックアップ１７は、対物レンズ１９を用いて出射光ビームを集光し、当該光ディスク１００の記録層に焦点を合致させて照射するとともに、当該合焦記録層で反射された反射光ビームを対物レンズで受光して光電変換し、各種検出信号を生成して信号処理部１４に供給する。
【００１８】
駆動部１３は、信号処理部１４から供給されるフォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号に基づいて２軸アクチュエータ１８を駆動する。また信号処理部１４は、光ピックアップ１７から供給される再生信号に対し所定の信号処理を施し、制御部１２を介して外部に出力する。
【００１９】
また光ディスク装置１０では、光ピックアップ１７のレーザダイオードから出射されるレーザ光の光量をフォトダイオードで検出し、当該検出した光量に基づいてレーザダイオードに供給するレーザ駆動電流を調整することにより、レーザ光の光量を一定に制御する（いわゆるＡＰＣ（Automatic Power Control）制御）。
【００２０】
ここでレーザダイオードが封止されたパッケージには、一般的に上述したＡＰＣ制御において出射光量検出用に用いられるフォトダイオード（いわゆるリアモニタ）が内蔵されている。
【００２１】
すなわち図３は本発明の光ディスク装置１０で用いられる缶型のレーザパッケージ２０を示し、銅合金等の熱抵抗の小さな材質で形成された略円板状のヒートシンク２１上に、金属の缶状でなるキャップ２２が取り付けられている。このキャップ２２の上端にはレーザ光を透過させるための透過孔２２Ａが開口されているとともに、例えばガラスでなる円板状の窓部材２３が当該透過孔２２Ａを覆うように取り付けられ、かくしてキャップ２２の内側空間はヒートシンク２１及び窓部材２３によって封止される。
【００２２】
ヒートシンク２１の上面には逆Ｌ字型のレーザマウント２４が垂設されており、当該レーザマウント２４の端部における取付面２４Ａにはレーザダイオード２５が取り付けられている。このレーザマウント２４も熱抵抗の小さな材質で形成されており、これによりレーザパッケージ２０は、レーザダイオード２５が発する熱をレーザマウント２４を介して効率的にヒートシンク２５へと伝熱し、さらに当該ヒートシンク２５を介して、レーザパッケージ２０が設置される光ピックアップのシャシー（図示せず）へと逃がすようになされている。
【００２３】
レーザダイオード２５は、出射するレーザ光が窓部材２３を通過するように設置方向が定められている。また、ヒートシンク２１の上面におけるレーザダイオード２５の下方には、上述した出射光量検出用のフォトダイオード２６が取り付けられている。
【００２４】
ヒートシンク２１の下面には、３本のリード２７が取り付けられている。そして図４に示すように、レーザダイオード２５のカソード及びフォトダイオード２６のカソードがグランドのリード２７Ａに接続されているとともに、レーザダイオード２５のアノードはリード２７Ｂに接続され、フォトダイオード２６のアノードはリード２７Ｃに接続されている。
【００２５】
そして、リード２７Ａ及び２７Ｂは駆動部１３（図２）のレーザドライバ（図示せず）に接続されており、制御部１２は当該レーザドライバを制御してレーザ駆動電流を生成させ、リード２７Ａ及び２７Ｂを介してレーザダイオード２５に供給することにより、当該レーザダイオード２５からレーザ光を出射させる。
【００２６】
ここでレーザパッケージ２０内のフォトダイオード２６において検出される出射光量の精度は比較的低く、再生専用の光ディスク装置では、厳密な出射光量の制御を必要としないため、一般的にフォトダイオード２６を用いてＡＰＣ制御を実行する。
【００２７】
しかしながら厳密な出射光量の制御が必要な記録再生用の光ディスク装置１０では、フォトダイオード２６よりも高精度で出射光量を制御する必要があるため、光路上に設置されたビームスプリッタ（図示しない）によって出射光ビームを所定の光量比で分離し、別に設けられたフォトダイオード（図示しない）で出射光量を検出してＡＰＣ制御を実行しており、実際上フォトディテクタ２６をＡＰＣ制御に使用していない。
【００２８】
（２）本発明によるレーザダイオードの温度検出
この光ディスク装置１０では、上述したレーザパッケージ２０内のフォトダイオード２６を用いてレーザダイオード２５の温度検出を行うことにより、別途温度検出素子を設けることなく、簡易な構成で高精度な温度検出を実現している。
【００２９】
すなわち、フォトダイオードは光に対する感度を有するＰＮ接合型半導体であるが、通常の接合型シリコンダイオードと同等な電気的特性を有している。
【００３０】
図５は、シリコンダイオードＳｉＤ、２種類のショットキーダイオードＳｋＤ１及びＳｋＤ２、２種類のフォトダイオードＰＤ１及びＰＤ２それぞれについてのＶｆ（順方向降下電圧）／Ｉｆ（順方向電流）曲線を示し、フォトダイオードＰＤ１及びＰＤ２の特性がシリコンダイオードＳｉＤの特性と類似していることがわかる。
【００３１】
そしてフォトダイオードは、その温度変化に応じてＶｆが変化する。図６は、フォトダイオードの温度を変化させた場合におけるＶｆ／Ｉｆ曲線を示し、フォトダイオードの温度が上昇するにつれてＶｆが低下していることがわかる。
【００３２】
また図３に示したように、フォトダイオード２６はレーザダイオード２５の熱を逃がすためのヒートシンク２１に取り付けられているため、当該フォトダイオード２６及びレーザダイオード２５の間の熱抵抗は極めて小さく、十分に熱結合されており、このため図６に示すように、フォトダイオード２６のＶｆはレーザダイオード２５の温度を良好に反映する。
【００３３】
従って、フォトダイオード２６が検出電流を生成しないようレーザダイオード２５の発光を停止させた状態で、当該フォトダイオード２６に対して一定の順方向電流でなる測定電流を流し、その際のＶｆに基づいてレーザダイオード２５の温度を検出することができる。
【００３４】
ところが実際上、個々のフォトダイオードは特性にばらつきを有している。例えば図７は、同一種類の６個のフォトダイオードそれぞれについてのＶｆ／Ｉｆ曲線を示し、Ｉｆ＝８．０[mA]の状態でＶｆには１５[mV]程度のばらつきが現れている。このばらつきは±５℃に相当し、このため、単純にＶｆを温度に変換した場合、特性のばらつきに起因する誤差を生じてしまうという問題がある。
【００３５】
しかしながら、図７に示した各Ｖｆ／Ｉｆ曲線は、Ｉｆ＞４．０[mA]の領域でほぼ同一のカーブを描いているため、所定の基準温度で正規化することで、実際上十分な精度で、Ｖｆに基づく温度検出を行うことができる。図８は、Ｉｆ＝５[mA]のＶｆを基準温度２５℃で正規化し、５５℃で測定した場合のＶｆ／Ｉｆ曲線の例を示し、Ｖｆのばらつきは数[mV]程度に抑えられており、このばらつきは±０．５℃程度に相当することから、実際上十分な精度でレーザダイオード２５の温度を測定することができる。
【００３６】
すなわち、フォトダイオード２６に対して所定の測定電流を流した状態で当該フォトダイオード２６の温度を変化させ、このときの温度とＶｆとの関係に基づいて、Ｖｆから温度を求めるためのＶｆ−温度変換係数を算出する。
【００３７】
なお、このＶｆ−温度変換係数の算出は、予め一つのフォトダイオードに対して行っておけば良く、その結果得られたＶｆ−温度変換係数を全ての光ディスク装置１０に適用してかまわない。また測定形態についても、試験装置上でフォトダイオード２６単体に対して行っても、光ピックアップ１７や光ディスク装置１０が組み立てられた状態で行ってもよい。このようにして算出しておいたＶｆ−温度変換係数を、制御部１２の図示しない記憶手段（例えば不揮発メモリ等）に記憶させておく。
【００３８】
さらに、各光ディスク装置１０それぞれについて、フォトダイオード２６を所定の基準温度に保った状態で上述した測定電流を流し、このときのＶｆを基準Ｖｆとして制御部１２の記憶手段に記憶させておく。
【００３９】
そして、光ディスク装置１０の動作時においてフォトダイオード２６の温度を検出する場合、制御部１２はまず、駆動部１３を制御してレーザダイオード２５の発光を停止させた後、カレントミラー回路３２を制御してフォトダイオード２６に測定電流を流すと同時に、オペアンプ３３の出力をディジタル変換して測定Ｖｆとする。さらに、測定Ｖｆから基準Ｖｆを減算した値にＶｆ−温度変換係数を乗算して、フォトダイオード２６の検出温度とする。
【００４０】
次に、上述したフォトダイオードを用いてレーザダイオードの温度検出を行うための回路構成について説明する。図９に示すように、フォトダイオード２６のアノードは、信号処理部１４内において、温度検出部３１に接続されている。
【００４１】
この温度検出部３１は、トランジスタＱ１及びＱ２のエミッタがそれぞれミラー比抵抗Ｒ１及びＲ２を介して電源Ｖｃｃに接続されるとともに、トランジスタＱ１のコレクタとトランジスタＱ１及びＱ２のベースが接続されてカレントミラー回路３２が形成され、さらに、トランジスタＱ２のコレクタがフォトダイオード２６のアノードに接続されている。
【００４２】
そして、トランジスタＱ１及びＱ２のベースは制御部１２に接続されており、当該制御部１２はトランジスタＱ１及びＱ２のベースに制御信号を加えることにより、フォトダイオード２６に対しカレントミラー回路３２から一定の順方向電流でなる測定電流を流したり、当該測定電流を停止することができる。
【００４３】
また、フォトダイオード２６のアノードはオペアンプ３３の＋入力端子にも接続されている。そして、オペアンプ３３の出力端子と−入力端子とが接続されてボルテージフォロア回路が形成されており、フォトダイオード２６のアノードは当該ボルテージフォロア回路を介して制御部１２に接続され、当該制御部１２はオペアンプ３３の出力に基づいて、フォトダイオード２６のＶｆを検出するようになされている。
【００４４】
実際上、フォトダイオード２６のＶｆを検出する際にレーザダイオード２５が発光していると、フォトダイオード２６はレーザ光の受光光量に応じた検出電流を生成してしまうためＶｆを正確に検出し得なくなる。このため制御部１２は、フォトダイオード２６のＶｆを検出する際には、駆動部１３を制御してレーザダイオード２５の発光を停止させる。そして、Ｖｆの検出が終了次第、レーザダイオード２５の発光を再開させる。
【００４５】
また上述したように、フォトダイオード２６が有する特性のばらつきを補正するため、予め基準温度における基準Ｖｆを測定して制御部１２に記憶させておく必要がある。
【００４６】
例えば光ディスク装置１０の完成後、レーザパッケージ２０若しくは光ピックアップ１７の温度を基準温度（例えば２５℃）に調整し、さらにレーザダイオード２５を消灯させた状態で、フォトダイオード２６に対しカレントミラー回路３２から測定電流を流し、その際の基準Ｖｆをディジタル変換して制御部１２の不揮発メモリ（図示せず）に記憶させる。
【００４７】
そして、光ディスク装置１０の動作時においてフォトダイオード２６の温度を検出する際には、制御部１２はまず、駆動部１３を制御してレーザダイオード２５の発光を停止させた後、カレントミラー回路３２を制御してフォトダイオード２６に測定電流を流すと同時に、オペアンプ３３の出力をディジタル変換して測定Ｖｆとし、当該測定Ｖｆから基準Ｖｆを減算した値にＶｆ−温度変換係数を乗算して、フォトダイオード２６の検出温度を算出する。
【００４８】
（３）動作及び効果
以上の構成において、この光ディスク装置１０では、本来レーザダイオード２５の出射光量検出のために設けられたフォトダイオード２６に、順方向の測定電流を流す電流源としてのカレントミラー回路３２を接続するとともに、当該測定電流を流した際のフォトダイオード２６の順方向降下電圧でなる測定Ｖｆを制御部１２で測定する。
【００４９】
そして、予め測定しておいた基準温度における順方向降下電圧でなる基準Ｖｆを用いて測定Ｖｆを正規化し、さらにＶｆ−温度変換係数を乗算して、フォトダイオード２６の検出温度を得るようにした。
【００５０】
フォトダイオード２６は、レーザダイオード２５とともにレーザパッケージ２０の内部に近接して封止されているとともに、両者はヒートシンク２１及びレーザマウント２４を介して熱抵抗が極めて小さい状態で設置されていることから、当該フォトダイオード２６の温度は、雰囲気温度や光ディスク装置１０内部の空気の流動等に影響されることなく、レーザダイオード２５の温度と極めて近い値となる。
【００５１】
さらに、フォトダイオードの電気的特性は接合型シリコンダイオードと略同等であるため、順方向降下電圧はフォトダイオード自身の温度を良く反映するとともに、個々のフォトダイオードが有する特性のばらつきを基準Ｖｆを用いた正規化によって補正することにより、測定Ｖｆを基にレーザダイオード２５の温度を精度良く検出することができる。
【００５２】
また、出射光量検出のために設けられているフォトダイオード２６をレーザダイオード２５の温度検出手段として流用することから、別途温度検出手段を設けることなく、簡易な構成で精度良くレーザダイオードの温度検出を行うことができる。
【００５３】
以上の構成によれば、レーザダイオード２５の出射光量検出のためレーザパッケージ２０内に設けられたフォトダイオード２６に順方向の測定電流を流し、その際の順方向降下電圧でなる測定Ｖｆを用いてレーザダイオード２５の温度を検出するようにしたことにより、簡易な構成で、精度良くレーザダイオードの温度検出を行うことができる。
【００５４】
（４）他の実施の形態
なお、上述の実施の形態においては、測定電流の電流源としてカレントミラー回路３２を設けたが、本発明はこれに限らず、駆動部１３から供給されるレーザ駆動電流をフォトダイオード２６に流し、その際の順方向降下電圧を測定Ｖｆとするようにしてもよい。
【００５５】
すなわち、図９との対応部分に同一符号を付して示す図１０において、フォトダイオード２６のアノードが、温度検出部４１に設けられたスイッチング手段としてのＦＥＴ（Field Effect Transistor）４２を介して駆動部１３に接続されている。そして、ＦＥＴ４２のゲートは制御部１２に接続されており、制御部１２はＦＥＴ４２のゲート電圧を制御することにより、駆動部１３から供給されるレーザ駆動電流を測定電流としてフォトダイオード２６に流したり、当該測定電流を停止することができる。
【００５６】
通常のレーザ光照射状態においては、制御部１２はＦＥＴ４２に対するゲート電圧の供給を停止して当該ＦＥＴ４２を閉とし、これによりレーザ駆動電流はフォトダイオード２６には流れない。
【００５７】
これに対して、レーザダイオード２５の温度検出を行う際には、制御部１２は駆動部１３を制御してレーザ駆動電流の電流値を上述した測定電流の値まで下げた後、ＦＥＴ４２に対しゲート電圧を供給して当該ＦＥＴ４２を開とする。
【００５８】
これにより駆動部１３はレーザダイオード２５及びフォトダイオード２６の双方に接続されるが、レーザダイオード２５の順方向降下電圧はフォトダイオード２６の順方向降下電圧に比べて大きいことから（例えば、レーザダイオード２５の順方向降下電圧が約２〜５[V]であるのに対しフォトダイオード２６の順方向降下電圧は０．７[V]程度）、当該駆動部１３から供給されるレーザ駆動電流（すなわち測定電流）は、フォトダイオード２６に対してのみ流れ、これによりレーザダイオード２５を消灯するとともにフォトダイオード２６に測定電流を流すことができる。
【００５９】
このような構成を取ることにより、図９で示した測定電流の電流源としてカレントミラー回路３２を省いて、さらに簡易な構成で、精度良くレーザダイオードの温度検出を行うことができる。
【００６０】
さらに上述の実施の形態では、フォトダイオード２６がＡＰＣ制御に使用されないようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、フォトダイオード２６をＡＰＣ制御及び温度検出の両方に使用するようにしても良い。この場合、フォトダイオード２６のアノードは、信号処理部１４内において、温度検出部３１と共に出射光量検出部３０にも接続されている。この出射光量検出部３０は、フォトダイオード２６から供給される検出電流に対し増幅などの信号処理を施して出射光量信号を生成し、これを制御部１２に供給する。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は、種々の光ディスク装置に広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】温度検出素子を用いた従来の温度検出方法の説明に供する略線図である。
【図２】光ディスク装置の全体構成を示すブロック図である。
【図３】レーザパッケージの構造を示す略線図である。
【図４】レーザパッケージの結線状態を示すブロック図である。
【図５】各種ダイオードのＶｆ／Ｉｆ曲線を示す特性曲線図である。
【図６】温度変化に応じたフォトダイオードのＶｆ／Ｉｆ曲線を示す特性曲線図である。
【図７】フォトダイオードの特性のばらつきの説明に供する特性曲線図である。
【図８】正規化後のＶｆ／Ｉｆ曲線を示す特性曲線図である。
【図９】温度検出部の構成を示すブロック図である。
【図１０】他の実施の形態による温度検出部の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００６３】
１……回路基板、２……レーザダイオード、３……温度検出素子、１０……光ディスク装置、１２……制御部、１３……駆動部、１４……信号処理部、１５……スピンドルモータ、１６……スレッドモータ、１７……光ピックアップ、１８……２軸アクチュエータ、１９……対物レンズ、３０……出射光量信号生成部、３１、４１……温度検出部、３２……カレントミラー回路、３３……オペアンプ、４２……ＦＥＴ、１００……光ディスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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