(57)【要約】【課題】本発明は、容量成分を持つ電子部品の小型化を目的とする。【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、まず第１の導電体９Ａの上方に高誘電率フィラーを含有させた高誘電率フィルム層１０を形成し、次にこの高誘電率フィルム層１０の上面にマスク１１Ａを形成し、その後高誘電率フィルム層１０の内、マスク１１Ａにその上方を被覆されていない部分をドライエッチングにより除去して誘電体層１０Ａを形成し、次にマスク１１Ａを除去し、その後誘電体層１０Ａの上方に第２の導電体１４Ａを形成する電子部品の製造方法としたものである。【選択図】図２０
2008258401.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
まず第１の導電体の上方に
高誘電率フィラーを含有させた高誘電率フィルム層を形成し、
次にこの高誘電率フィルム層の上面にマスクを形成し、
その後前記高誘電率フィルム層の内、
前記マスクにその上方を被覆されていない部分をドライエッチングにより除去して
誘電体層を形成し、
次に前記マスクを除去し、
その後前記誘電体層の上方に第２の導電体を形成する
電子部品の製造方法。
【請求項２】
まず第１の導電体の上方に
高誘電率フィラーを含有させた高誘電率フィルム層を形成し、
次にこの高誘電率フィルム層の上面に
第１の溶液によるウェットエッチングが可能で
且つ第２の溶液によるウェットエッチングが不可能な材料からなる金属層を形成し、
その後この金属層の上面に
前記第１の溶液による溶解が不可能で
且つ第２の溶液による溶解が可能な材料からなるレジスト層を形成し、
次に露光、現像工程により、
前記レジスト層の内
前記高誘電率フィルム層における誘電体層形成部上方に位置する部分に
絶縁層を形成するとともに、
この絶縁層形成に寄与しない前記レジスト層を除去し、
その後前記金属層の内、
前記絶縁層にその上方を被覆されていない部分を
前記第１の溶液によるウェットエッチングにより除去してマスクを形成し、
次に前記絶縁層を前記第２の溶液を用いて除去し、
その後前記高誘電率フィルム層の内、
前記マスクにその上方を被覆されていない部分を
ドライエッチングにより除去して誘電体層を形成し、
次に前記マスクを除去し、
その後前記誘電体層の上方に第２の導電体を形成する
電子部品の製造方法。
【請求項３】
第１の溶液がリン酸、酢酸、硝酸からなる群の内少なくとも１つからなる
請求項２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
絶縁層形成に寄与しないレジスト層は
第１の溶液により現像除去する
請求項２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
第１の溶液がテトラメチルアンモニウムハイドライドである
請求項４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
第２の溶液がＮＭＰとＤＭＳＯとの混合溶液である
請求項１〜５の内いずれかに記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等に用いられる電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種の電子部品の製造方法は、まず、図３５に示すごとく、基板１の上方に電気めっき法を用いて下面電極２を形成し、次に、図３６に示すごとく、露光、現像工程により、感光性レジスト材料からなる誘電体層３を下面電極２の上面に形成し、その後、図３７に示すごとく、誘電体層３の上面に電気めっき法を用いて上面電極４を形成することにより、上面電極４、下面電極２間において容量成分を持った電子部品を、薄型化すると割れやすいセラミック材料を用いず製造することにより、電子部品の薄型化を実現していた。
【０００３】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００６−１７３１５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来の電子部品の製造方法では、小型化が難しいことが問題となっていた。
【０００５】
すなわち、上記従来の製造方法において、誘電体層３は、露光、現像工程により所望の形状となるよう感光性レジスト材料を用いて形成されているため、プロセス上、この感光性レジスト材料内において、光を反射してしまうような高誘電率材料からなるフィラー等を混入させることができない。そのため、上面電極４、下面電極２間における容量成分を確保するためには上面電極４と下面電極２との対向面積を確保する必要があり、その結果として電子部品の小型化が難しくなってしまっていた。
【０００６】
そこで本発明は、容量成分を持つ電子部品の小型化を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、この目的を達成するために本発明は、まず第１の導電体の上方に高誘電率フィラーを含有させた高誘電率フィルム層を形成し、次にこの高誘電率フィルム層の上面にマスクを形成し、その後前記高誘電率フィルム層の内、前記マスクにその上方を被覆されていない部分をドライエッチングにより除去して誘電体層を形成し、次に前記マスクを除去し、その後前記誘電体層の上方に第２の導電体を形成する電子部品の製造方法としたものである。
【発明の効果】
【０００８】
この製造方法により、上面電極、下面電極間に、高誘電率のフィラーを含有した高誘電率フィルム層からなる誘電体層を、ドライエッチング工程により所望の形状に形成して介在させることができるため、容量成分の向上を得ることができ、その結果として上面電極と下面電極との対向面積を小さく形成することを可能とし、電子部品の小型化を実現することができるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１０】
まず、図１に示すごとく、シリコン等から成る基板５の上面にレジスト層６を形成する。具体的には、スピンコート等によりレジスト剤を基板５の上面全体に塗布し、レジスト層６を形成する。
【００１１】
次に、上面図である図２、及び図２のＡ−ＡＡ断面図である図３に示すごとく、レジスト層６における後の工程まで残存させる部分を露光して絶縁層６Ａを形成し、この絶縁層６Ａの形成に寄与しない部分を現像により除去する。この現像により除去した部分に、後の工程にて外部電極を形成する。
【００１２】
なお、本実施の形態においては、レジスト層６にはネガ型のものを用いて説明しているが、ポジ型のものを用いる場合には、レジスト層６において後の工程まで残存させる部分以外を露光するとともに現像により除去して、絶縁層６Ａを形成する。
【００１３】
その後、図４に示すごとく、絶縁層６Ａ及び基板５の露出する上面に導体７を形成する。
【００１４】
具体的には、絶縁層６Ａ及び基板５の露出する上面に、スパッタあるいは無電解めっき法等により下地電極層を形成し、この下地電極層を電極として電気めっき法により、導体７を絶縁層６Ａ及び基板５の露出する上面に形成する。
【００１５】
次に、導体７を上方から研磨し、上面図である図５、及び図５のＡ−ＡＡ断面図である図６に示すごとく、絶縁層６Ａの上面を導体７から露出させる。
【００１６】
ここで、研磨法としては、切削、ラップ研磨等が挙げられるが、切削を用いると設備コストを低減させることができるという観点から望ましく、ラップ研磨を用いると面加工であるため導体７に掛かるストレスを低減させることができるという観点から望ましい。
【００１７】
このようにして、図２、図３で示した絶縁層６Ａ非形成部に、図５、図６に示すごとく、外部電極層７Ａを形成する。
【００１８】
その後、この絶縁層６Ａ及び外部電極層７Ａの上面全体にレジスト層を形成し、上面図である図７、及び図７のＡ−ＡＡ断面図である図８に示すごとく、このレジスト層において後の工程まで残存させる部分を露光して枠状絶縁層８とし、この枠状絶縁層８の形成に寄与しない部分を現像により除去する。
【００１９】
ここで、この枠状絶縁層８は、その外周部から前工程にて形成した外部電極層７Ａ上面の内少なくとも一部を露出させておくとともに、その内周部からは絶縁層６Ａ上面の内少なくとも一部を露出させる形状に形成する。なお、この枠状絶縁層８の内周部の形状が、後の工程にて形成される第１の導電体の形状となる。
【００２０】
なお、本実施の形態においては、この枠状絶縁層８を形成するレジスト層にはネガ型のものを用いて説明しているが、ポジ型のものを用いる場合には、当該レジスト層において後の工程まで残存させる部分以外を露光するとともに現像により除去して、枠状絶縁層８を形成する。
【００２１】
次に、図９に示すごとく、枠状絶縁層８、絶縁層６Ａ、外部電極層７Ａの露出する表面に上述のごとく下地電極層を形成し、この下地電極層を電極として導体９を電気めっき法により形成する。
【００２２】
なお、下地電極層を形成することなく、外部電極層７Ａを電極として電気めっき法により直接導体９を形成しても構わないが、面内において均一に導体９を形成することができ、枠状絶縁層８の内周部にまで迅速に導体９を形成することができるという観点から、下地電極層を形成し、この下地電極層を電極として電気めっき法により導体９を形成する方が望ましい。
【００２３】
その後、上述の導体７の研磨工程と同様に導体９を上方から研磨し、上面図である図１０、及び図１０のＡ−ＡＡ断面図である図１１に示すごとく、枠状絶縁層８の上面を導体９から露出させる。
【００２４】
この時、図９において示した導体９は、図１０、１１に示すごとく、枠状絶縁層８の内周部及び外周部に分離して残存しており、内周部に残存した導体９が第１の導電体としての下面電極９Ａ、外周部に残存した導体９が外部電極層９Ｂとなる。
【００２５】
次に、図１２に示すごとく、下面電極９Ａ、枠状絶縁層８、外部電極層９Ｂの上面に高誘電率フィルム層１０を形成する。
【００２６】
この高誘電率フィルム層１０の形成方法としては、スクリーン印刷、ポッティング、スピンコート等が挙げられるが、精度とコストの観点からスクリーン印刷により形成することが望ましい。
【００２７】
ここで、この高誘電率フィルム層１０には、チタン酸バリウム等からなる高誘電率フィラーをエポキシ、アクリル、又はエポキシアクリレート等の樹脂に分散させた複合材料を用いて形成している。
【００２８】
その後、図１３に示すごとく、高誘電率フィルム層１０の上面には、第１の溶液としてのリン酸、酢酸、硝酸、あるいはこれらの混合酸、又はテトラメチルアンモニウムハイドライド等の溶液によるエッチングが可能で、且つ第２の溶液としてのＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）の混合溶液等の溶液によるエッチングが不可能な材料からなる金属層１１を形成する。この金属層１１としては、例えばアルミニウム等を用いることができる。
【００２９】
この金属層１１はスパッタ等により形成することができる。
【００３０】
次に、図１４に示すごとく、加工用レジスト層１２を、スピンコート等により金属層１１の上面に形成する。
【００３１】
ここで、この加工用レジスト層１２は、前記第１の溶液による溶解が不可能で、且つ第２の溶液による溶解が可能な材料により形成している。
【００３２】
その後、上面図である図１５、及び図１５のＡ−ＡＡ断面図である図１６に示すごとく、レジスト層１２において後の工程まで残存させる部分を露光して絶縁層１２Ａとし、この絶縁層１２Ａの形成に寄与しない部分を現像により除去する。
【００３３】
ここで、この絶縁層１２Ａは、後の工程にて高誘電率フィルム層１０から形成される誘電体層の形状と同一の形状に形成しておく。言い換えれば、レジスト層１２（図１４参照）の内、高誘電率フィルム層１０における誘電体層形成部上方に位置する部分を露光して、絶縁層１２Ａを形成するのである。
【００３４】
なお、本実施の形態においては、レジスト層１２にはネガ型のものを用いて説明しているが、ポジ型のものを用いる場合には、レジスト層１２において後の工程まで残存させる部分以外を露光するとともに現像により除去して、絶縁層１２Ａを形成する。
【００３５】
次に、金属層１１の内、絶縁層１２Ａにその上方を被覆されていない部分を、図１７に示すごとく、上述の第１の溶液によるエッチングにより除去し、マスク１１Ａを形成する。
【００３６】
この時、絶縁層１２Ａは上述のとおり、第１の溶液による溶解が不可能な材料により形成した加工用レジスト１２を露光してなるものであるため、この第１の溶液によるマスク１１Ａのエッチング工程においては溶解されること無くマスク１１Ａの上面に残存することとなる。そのため、マスク１１Ａは絶縁層１２Ａの形状と略同一形状にエッチングされることとなり、言い換えれば、金属層１１（図１６参照）の内、高誘電率フィルム層１０における誘電体層形成部上方に位置する部分がマスク１１Ａとなる。
【００３７】
なお、マスク１１Ａのエッチング工程用の第１の溶液としてテトラメチルアンモニウムハイドライドを用いるとともに、レジスト層１２の現像液としてもこのテトラメチルアンモニウムハイドライドを用いるのであれば、図１５、１６に示す現像工程と、図１７に示すエッチング工程とを１つの工程で行うことができ、その結果として生産性の向上を促すことができる。
【００３８】
また、第１の溶液としてリン酸、酢酸、硝酸、あるいはこれらの混合酸を用いれば、マスク１１Ａのエッチング工程に要する時間を短縮することができ、その結果として生産性の向上を促すことができる。
【００３９】
その後、図１８に示すごとく、上述の第２の溶液を用いて絶縁層１２Ａ（図１７参照）を除去する。この絶縁層１２Ａ除去工程により、高誘電率フィルム層１０の上面に形成されたマスク１１Ａの上面が露出されることとなる。
【００４０】
なお、マスク１１Ａは上述のとおり、第２の溶液による溶解が不可能な材料により形成した金属層１１からなるものであるため、この第２の溶液による絶縁層１２Ａのエッチング工程において溶解されることなく高誘電率フィルム層１０の上面に露出させることができるのである。
【００４１】
次に、高誘電率フィルム層１０の内、マスク１１Ａにその上方を被覆されていない部分をドライエッチング工程により除去し、上面図である図１９、及び図１９のＡ−ＡＡ断面図である図２０に示すごとく、誘電体層１０Ａを形成する。
【００４２】
ここで、マスク１１Ａは、あらかじめ上述のエッチング工程により、高誘電率フィルム層１０において誘電体層を形成しようと考える形状と同一形状となるよう形成している。そのため、このマスク１１Ａにその上方を被覆されていない部分をドライエッチング工程により除去された高誘電率フィルム層１０は、所望の形状に形成された誘電体層１０Ａとなるのである。
【００４３】
その後、図２１に示すごとく、第１の溶液によるエッチングにより図２０に示したマスク１１Ａを除去し、誘電体層１０Ａ上面を露出させる。
【００４４】
なお、マスク１１Ａの除去方法としては、この第１の溶液によるエッチング工程に限定されない。
【００４５】
次に、図２２に示すごとく、下面電極９Ａ、外部電極層９Ｂの上面及び誘電体層１０Ａの露出する表面にレジスト層１３を形成する。
【００４６】
その後、上面図である図２３、及び図２３のＡ−ＡＡ断面図である図２４に示すごとく、レジスト層１３において後の工程まで残存させる部分を露光して枠状絶縁層１３Ａとし、この絶縁層１３Ａの形成に寄与しない部分を現像により除去する。
【００４７】
ここで、この枠状絶縁層１３Ａは、その外周部から前工程にて形成した外部電極層９Ｂ上面の内少なくとも一部を露出させておくとともに、その内周部からは誘電体層１０Ａの上面を露出させる形状に形成する。なお、この枠状絶縁層１３Ａの内周部の形状が、後の工程にて形成される第２の導電体の形状となる。
【００４８】
本実施の形態においては、複数の第２の導電体を形成するため、誘電体層１０Ａの上面を露出させる枠状絶縁層１３Ａの内周部も複数形成している。
【００４９】
なお、本実施の形態においては、レジスト層１３にはネガ型のものを用いて説明しているが、ポジ型のものを用いる場合には、レジスト層１３において後の工程まで残存させる部分以外を露光するとともに現像により除去して、枠状絶縁層１３Ａを形成する。
【００５０】
次に、図２５に示すごとく、枠状絶縁層１３Ａ、誘電体層１０Ａ、外部電極層９Ｂ、下面電極９Ａの露出する表面に下地電極層を形成し、この下地電極層を電極として導体１４を電気めっき法により形成する。
【００５１】
なお、下地電極層を形成することなく、外部電極層７Ａを電極として電気めっき法により直接導体１４を形成しても構わないが、面内において均一に導体１４を形成することができ、枠状絶縁層８の内周部にまで迅速に導体１４を形成することができるという観点から、下地電極層を形成し、この下地電極層を電極として電気めっき法により導体１４を形成する方が望ましい。
【００５２】
その後、導体１４を上方から研磨し、上面図である図２６、及び図２６のＡ−ＡＡ断面図である図２７に示すごとく、枠状絶縁層１３Ａの上面を導体１４から露出させる。
【００５３】
ここで、研磨法としては、切削、ラップ研磨等が挙げられるが、切削を用いると設備コストを低減させることができるという観点から望ましく、ラップ研磨を用いると面加工であるため導体１４に掛かるストレスを低減させることができるという観点から望ましい。
【００５４】
この時、図２５において示した導体１４は、図２６、２７に示すごとく、枠状絶縁層１３Ａの内周部及び外周部に分離して残存しており、内周部に残存した導体１４が第２の導電体としての上面電極１４Ａ、外周部に残存した導体１４が外部電極層１４Ｂとなる。
【００５５】
次に、枠状絶縁層１３Ａ、上面電極１４Ａ、外部電極層１４Ｂの上面全体にレジスト層を形成し、上面図である図２８、及び図２８のＡ−ＡＡ断面図である図２９に示すごとく、このレジスト層において後の工程まで残存させる部分を露光して絶縁層１５とし、この絶縁層１５の形成に寄与しない部分を現像により除去する。
【００５６】
ここで、この絶縁層１５は、図２８に示すごとく、電極連結用孔部１５Ａを有しており、この電極連結用孔部１５Ａからは枠状絶縁層１３Ａの上面を露出させている。
【００５７】
その後、図３０に示すごとく、絶縁層１５、枠状絶縁層１３Ａ、上面電極１４Ａ、外部電極層１４Ｂの露出する表面に、上述のごとく下地電極層を形成し、この下地電極層を電極として導体１６を電気めっき法により形成する。
【００５８】
なお、下地電極層を形成することなく、上面電極１４Ａ、外部電極層１４Ｂを電極として電気めっき法により直接導体１６を形成しても構わないが、面内において均一に導体１６を形成することができる、また絶縁層１５の上面にまで迅速に導体１６を形成することができるという観点から、下地電極層を形成し、この下地電極層を電極として電気めっき法により導体１６を形成する方が望ましい。
【００５９】
次に、導体１６を上方から研磨し、上面図である図３１、及び図３１のＡ−ＡＡ断面図である図３２に示すごとく、絶縁層１５の上面を導体１６から露出させる。
【００６０】
このようにして、上述の上面電極１４Ａと外部電極層１４Ｂとを電気的に接続する連結用導体１６Ａを上述の電極連結用孔部１５Ａに形成するとともに、この連結用導体１６Ａと上面電極１４Ａとを物理的、且つ電気的に接続する導体１６Ｂと、連結用導体１６Ａと外部電極層１４Ｂとを物理的、且つ電気的に接続する外部電極層１６Ｃを形成することができる。
【００６１】
そして、図３２に示すごとく基板５をフッ酸処理等により除去することにより、例えば、上面図である図３３、及び図３３のＡ−ＡＡ断面図である図３４に示すような回路構成、即ちコンデンサ１７を二つ直列に接続し、この接続点を上方から引き出すことを可能とする電子部品を製造することができる。
【００６２】
このように、本発明の製造方法によれば、図３２に示すごとく、上面電極１４Ａ、下面電極９Ａ間に、高誘電率のフィラーを含有した高誘電率フィルム層からなる誘電体層１０Ａを、ドライエッチング工程により所望の形状に形成して介在させることができるため、容量成分の向上を得ることができ、その結果として上面電極１４Ａと下面電極９Ａとの対向面積を小さく形成することを可能とし、電子部品の小型化を実現することができるのである。
【００６３】
具体的には、所定の厚みにおいて１．５ｐＦの容量値を得るために、高誘電率フィラーを含有しない場合においては、誘電体層１０Ａの面積として７００μｍ×７００μｍを必要としたのに対し、本実施の形態によれば、２６０μｍ×２６０μｍで足りる。その結果として、当該電子部品のチップサイズを１６μｍ×８μｍ×８μｍから１０μｍ×５μｍ×５μｍへと小型化することを実現することができた。
【００６４】
なお、本実施の形態においては、下面電極９Ａと上面電極１４Ａとを有するコンデンサを形成する製造方法を示したが、図７において枠状絶縁層８から露出させる絶縁層６Ａの上面を渦巻形状とし、この渦巻形状の絶縁層６Ａ露出部の上方に図９に示す導体９を形成することにより第１の導電体としてコイルを形成し、ＬＣフィルターを形成する製造方法としても構わない。また、図２３において枠状絶縁層１３Ａから露出させる誘電体層１０Ａの上面を渦巻形状とし、この渦巻形状の誘電体層１０Ａ露出部の上方に図２５に示す導体１４を形成することにより第２の導電体としてコイルを形成し、ＬＣフィルターを形成する製造方法としても構わない。
【００６５】
なお、本実施の形態においては、図３２に示すごとく、上面電極１４Ａと下面電極９Ａとが誘電体層１０Ａに直接面接触する電子部品の製造方法を示したが、上面電極１４Ａと誘電体層１０Ａとの間及び／又は下面電極９Ａと誘電体層１０Ａとの間に、他の層を介在させる製造方法としても構わない。ただし、本実施の形態に示すごとく、上面電極１４Ａと下面電極９Ａとが誘電体層１０Ａに直接面接触する電子部品の製造方法とする方が高い容量成分を得ることができ望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明の電子部品の製造方法は、電子部品の小型化を実現することができるという効果を有し、携帯電話等の各種電子機器において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す上面図
【図３】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す上面図
【図６】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す上面図
【図８】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図９】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す上面図
【図１１】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１３】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１５】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す上面図
【図１６】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１７】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１８】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図１９】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す上面図
【図２０】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図２１】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図２２】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図２３】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す上面図
【図２４】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図２５】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図２６】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す上面図
【図２７】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図２８】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す上面図
【図２９】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図３０】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図３１】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す上面図
【図３２】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を示す断面図
【図３３】本発明の実施の形態１における電子部品の回路構成を示す上面図
【図３４】本発明の実施の形態１における電子部品の回路構成を示す断面図
【図３５】従来の電子部品の製造方法を示す断面図
【図３６】従来の電子部品の製造方法を示す断面図
【図３７】従来の電子部品の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
【００６８】
９Ａ  第１の導電体（下面電極）
１０  高誘電率フィルム層
１０Ａ  誘電体層
１１Ａ  マスク
１４Ａ  第２の導電体（上面電極）
【図１】
2008258401.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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