(57)【要約】  管腔内超音波イメージング装置、システム、及び方法が提供される。いくつかの実施形態では、管腔内超音波イメージング装置は、患者の体腔内に位置付けされるように構成された可撓性の細長い部材と、可撓性の細長い部材の先端部分に配置され、且つ体腔のイメージングデータを取得するように構成された超音波スキャナアセンブリとを含む。超音波スキャナアセンブリは、フレキシブル基板、フレキシブル基板の上の第１のバンプ下メタライズ（ＵＢＭ）層、第１のＵＢＭ層の上の第１のはんだフィーチャ、及び第１のはんだフィーチャに電気的に接続された第１の電子部品を含む。【特許請求の範囲】
【請求項１】
管腔内超音波イメージング装置であって、当該管腔内超音波イメージング装置は、
患者の体腔内に位置付けされるように構成された可撓性の細長い部材と、
該可撓性の細長い部材の先端部分に配置され、且つ前記体腔のイメージングデータを取得するように構成された超音波スキャナアセンブリと、を有しており、
該超音波スキャナアセンブリは、
フレキシブル基板と、
該フレキシブル基板の上の第１のバンプ下メタライズ（ＵＢＭ）層と、
該第１のＵＢＭ層の上の第１のはんだフィーチャ（solder  feature）と、
該第１のはんだフィーチャに電気的に接続された第１の電子部品と、を含む、
管腔内超音波イメージング装置。
【請求項２】
前記超音波スキャナアセンブリは、
前記フレキシブル基板の第２の接触領域の上の第２のＵＢＭ層と、
該第２のＵＢＭ層の上の第２のはんだフィーチャと、
該第２のはんだフィーチャに電気的に接続された第２の電子部品と、をさらに含む、請求項１に記載の管腔内超音波イメージング装置。
【請求項３】
前記第１のＵＢＭ層は、前記フレキシブル基板の第１の接触領域の上に配置され、前記第２のＵＢＭ層は、前記フレキシブル基板の第２の接触領域の上に配置され、
前記第１及び第２の接触領域のそれぞれが金の最上層を含み、前記第１及び第２のＵＢＭ層の少なくとも１つが、前記金の最上層と直接接触するチタン−タングステンの最下層を含む、請求項２に記載の管腔内超音波イメージング装置。
【請求項４】
前記第１のＵＢＭ層は第１の幅を有し、前記第１のはんだフィーチャは前記第１の幅より大きい第２の幅を有し、
前記第２のＵＢＭ層は第３の幅を有し、前記第２のはんだフィーチャは前記第３の幅より大きい第４の幅を有する、請求項２に記載の腔内超音波イメージング装置。
【請求項５】
前記第２の電子部品は、超音波トランスデューサ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、又はコンデンサを含む、請求項２に記載の管腔内超音波イメージング装置。
【請求項６】
前記第１の電子部品は、超音波トランスデューサ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、又はコンデンサを含む、請求項１に記載の管腔内超音波イメージング装置。
【請求項７】
前記第１の電子部品は超音波トランスデューサであり、前記第１の電子部品は、前記第１の電子部品と前記フレキシブル基板との間にアンダーフィル材料層をさらに含む、請求項１に記載の管腔内超音波イメージング装置。
【請求項８】
管腔内超音波スキャナアセンブリを製造する製造方法であって、当該製造方法は、
フレキシブル回路構造を提供するステップであって、該フレキシブル回路構造は、
フレキシブル回路と、
該フレキシブル回路の接触領域の上のバンプ下メタライズ（ＵＢＭ）層と、
該ＵＢＭ層の上のはんだフィーチャと、を含む、提供するステップと、
前記はんだフィーチャの上にはんだフラックスを塗布するステップと、
超音波トランスデューサの接触パッドが前記はんだフィーチャと整列して接触するように、前記超音波トランスデューサを前記フレキシブル回路構造の上に配置するステップと、
第１のリフローはんだ付けプロセスを前記フレキシブル回路構造に行って、前記接触パッドと前記はんだフィーチャを接合するステップと、を含む、
製造方法。
【請求項９】
前記第１のリフローはんだ付けプロセスを行った後に、前記はんだフラックスを前記フレキシブル回路構造から除去するステップをさらに含む、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記はんだフラックスを前記フレキシブル回路構造から除去するステップは、
前記フレキシブル回路構造を脱イオン水でリンス洗浄するステップと、
前記フレキシブル回路構造をベーキング処理して、前記脱イオン水を除去するステップと、を含む、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記超音波トランスデューサと前記フレキシブル回路構造との間にアンダーフィル材料層を形成するステップをさらに含む、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記超音波トランスデューサと前記フレキシブル回路構造との間に前記アンダーフィル材料層を形成するステップは、
前記超音波トランスデューサと前記フレキシブル回路構造との間にアンダーフィル材料を分配するステップと、
前記超音波トランスデューサと前記フレキシブル回路構造との間の前記アンダーフィル材料を硬化させるステップと、を含む、請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記アンダーフィル材料を硬化させるステップは、第２のリフローはんだ付けプロセスを前記フレキシブル回路構造に行うステップを含む、請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記フレキシブル回路構造を提供するステップは、前記フレキシブル回路構造を製造するステップを含み、
該フレキシブル回路構造を製造するステップは、
フレキシブル回路を提供するステップであって、該フレキシブル回路は、
フレキシブル基板と、
該フレキシブル基板の上の導電層と、
該導電層の上のポリマー絶縁層であって、前記導電層の複数の接触領域を露出するようにパターン形成されるポリマー絶縁層と、を含む、提供するステップと、
前記ポリマー絶縁層及び前記導電層の前記複数の接触領域の上にバンプ下メタライズ（ＵＢＭ）層を堆積するステップと、
ドライフォトレジスト層を前記ＵＢＭ層の上に形成するステップと、
複数のバンプ・ランディング領域の上の前記ドライフォトレジスト層の部分を選択的に除去するステップであって、前記複数のバンプ・ランディング領域のそれぞれが、前記複数の接触領域のうちの１つの接触領域内に配置される、選択的に除去するステップと、
前記複数のバンプ・ランディング領域の上にはんだ材料を電気めっきするステップと、
前記ドライフォトレジスト層の残りの部分を除去するステップと、
前記複数のバンプ・ランディング領域の外側の前記ＵＢＭ層の部分を除去するステップと、を含む、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記ドライフォトレジスト層を前記ＵＢＭ層の上に形成するステップは、
ドライフォトレジストフィルムを前記フレキシブル基板に取り付けるステップと、
前記ドライフォトレジストフィルムを前記フレキシブル回路に押し付けるステップと、を含む、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記複数のバンプ・ランディング領域の上の前記ドライフォトレジスト層の部分を選択的に除去するステップは、
前記複数のバンプ・ランディング領域の上の前記ドライフォトレジスト層の前記部分を光源に露光するステップと、
現像液を用いて、前記複数のバンプ・ランディング領域の上の前記ドライフォトレジスト層の前記部分を現像するステップと、を含む、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記複数のバンプ・ランディング領域の上の前記ドライフォトレジスト層の前記部分を選択的に除去するステップは、
前記複数のバンプ・ランディング領域の上の前記部分以外の前記ドライフォトレジスト層の部分を光源に露光するステップと、
現像液を用いて、前記複数のバンプ・ランディング領域の上の前記ドライフォトレジスト層の前記部分を現像するステップと、を含む、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記複数のバンプ・ランディング領域の外側の前記ＵＢＭ層の部分を除去するステップは、酸性溶液を用いて、前記複数のバンプ・ランディング領域の外側の前記ＵＢＭ層の前記部分をエッチングするステップを含む、請求項１４に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願
本願は、２０１８年１０月３１日に出願された米国仮出願第６２／５７９，２０４号の利益及び優先権を主張するものであり、この文献は参照により本明細書に組み入れられる。
【０００２】
本開示は、概して、管腔内及び／又は血管内超音波（ＩＶＵＳ）イメージングシステムに関し、特に、電気めっきされたはんだバンプを有する超音波スキャナアセンブリに関する。電気めっきされたはんだバンプは、はんだボールの使用を削減又は排除し、超音波スキャナアセンブリのプロセス歩留り及び信頼性を向上させる。
【背景技術】
【０００３】
低侵襲性感知システムは、人体内の状態を評価、測定、及び診断するために医療専門家によって日常的に利用されている。一例として、血管内超音波（ＩＶＵＳ）イメージングは、治療の必要性を判断し、介入を案内し、及び／又はその有効性を評価するために、人体内の動脈等の病変血管を評価するための診断ツールとして、介入による心臓病学で広く使用されている。ＩＶＵＳ装置は、細長い部材の先端部に配置された１つ又は複数の超音波トランスデューサを含む。細長い部材は血管内を通過し、それによりトランスデューサを画像化すべき領域に案内する。トランスデューサは、関心対象の血管の画像を形成するために超音波エネルギーを放出する。超音波は、組織構造（血管壁の様々な層等）、赤血球、及び他の関心対象の特徴から生じる不連続性によって部分的に反射される。反射波からのエコーは、トランスデューサで受信され、ＩＶＵＳイメージングシステムに送られる。イメージングシステムは、受信した超音波エコーを処理して、装置が配置される血管の断面画像を生成する。
【０００４】
今日使用されている１つのタイプのＩＶＵＳ装置は、ソリッドステートＩＶＵＳ装置である。典型的なソリッドステートＩＶＵＳ装置は、カテーテル等の可撓性の細長い部材と、可撓性の細長い部材の先端部分に位置付けされた超音波スキャナアセンブリとを含む。超音波スキャナアセンブリは、フレキシブル回路に取り付けられた超音波トランスデューサのアレイを含むであろう。超音波トランスデューサのアレイは、同じくフレキシブル回路に取り付けられた一組のコントローラに接続される。コントローラは、超音波パルスを送信し、且つエコー信号を受信するために、アレイのうちの１つ又は複数の超音波トランスデューサを選択する。一連の送受信セットによるステップ実行により、ソリッドステートＩＶＵＳ装置に結合されたコンソールは、機械的にスキャンされたトランスデューサ素子の効果を、可動部品なしで合成できる。
【０００５】
従来、はんだボール及びステンシル印刷が、超音波トランスデューサ、コントローラ、及び他の電子部品をフレキシブル回路に接合するために使用されている。しかしながら、電子部品をフレキシブル回路に取り付けるためのはんだ接合部のサイズが小さいため、はんだ接合部にボイド又は信頼できない接続が観察される。さらに、ステンシル印刷では、位置合わせを正確に制御する必要があり、フレキシブル回路の接触パッドに印刷できるはんだペーストの量に関して範囲が制限されている。
【発明の概要】
【０００６】
本開示の実施形態は、超音波スキャナアセンブリを含む超音波イメージング装置と、超音波スキャナアセンブリを製造する製造方法とを提供する。超音波トランスデューサ、コンデンサ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）等の電子部品は、はんだボールを使用せずにフレキシブル回路に接合される。少なくともチタン−タングステンの層を含むバンプ下メタライズ（ＵＢＭ：under-bump  metallization）層が、フレキシブル回路の表面全体に堆積される。次に、ドライフォトレジスト層が、ＵＢＭ層の上に形成され、且つフォトリソグラフィプロセスでパターン形成されて、バンプ・ランディング（bump  landing）領域を規定する。ＵＢＭ層を電極として使用して、はんだ材料がバンプ・ランディング領域に電気めっきされ、はんだフィーチャ（solder  features）が形成される。パターン形成されたドライフォトレジスト層が除去された後に、はんだフィーチャで覆われていないＵＢＭ層が除去される。次に、電子部品が、反転され、はんだフィーチャを介してフレキシブル回路にはんだ付けされる。結果として得られる超音波スキャナアセンブリには、はんだフィーチャとフレキシブル回路の導電層との間にＵＢＭ層が含まれる。有利なことに、本明細書で説明する装置、システム、及び方法は、ＩＶＵＳ装置のための超音波スキャナアセンブリを製造するときに、電子部品をフレキシブル回路に接合するための信頼性が高く堅牢なプロセスを提供する。
【０００７】
一実施形態では、管腔内超音波イメージング装置が提供される。管腔内超音波イメージング装置は、患者の体腔内に位置付けされるように構成された可撓性の細長い部材と、可撓性の細長い部材の先端部分に配置され、且つ体腔のイメージングデータを取得するように構成された超音波スキャナアセンブリとを含む。超音波スキャナアセンブリは、フレキシブル基板、フレキシブル基板の上の第１のバンプ下メタライズ（ＵＢＭ）層、第１のＵＢＭ層の上の第１のはんだフィーチャ、及び第１のはんだフィーチャに電気的に接続された第１の電子部品を含む。いくつかの実施形態では、管腔内超音波イメージング装置の超音波スキャナアセンブリは、フレキシブル基板の第２の接触領域の上に第２のＵＢＭ層、第２のＵＢＭ層の上の第２のはんだフィーチャ、及び第２のはんだフィーチャに電気的に接続された第２の電子部品をさらに含む。いくつかの実施態様では、管腔内超音波イメージング装置のＵＢＭ層は、フレキシブル基板の第１の接触領域の上に配置され、第２のＵＢＭ層は、フレキシブル基板の第２の接触領域の上に配置される。第１及び第２の接触領域のそれぞれが金の最上層を含み、第１及び第２のＵＢＭ層の少なくとも１つが、金の最上層と直接接触するチタン−タングステンの最下層を含む。場合によっては、第１のＵＢＭ層は第１の幅を有し、第１のはんだフィーチャは第１の幅より大きい第２の幅を有し、第２のＵＢＭ層は第３の幅を有し、第２のはんだフィーチャは第３の幅より大きい第４の幅を有する。いくつかの実施形態では、管腔内超音波イメージング装置の第１の電子部品は、超音波トランスデューサ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、又はコンデンサを含む。いくつかの実施態様では、第２の電子部品は、超音波トランスデューサ、ＡＳＩＣ、又はコンデンサを含む。場合によっては、第１の電子部品は超音波トランスデューサであり、第１の電子部品は、第１の電子部品とフレキシブル基板との間にアンダーフィル材料層をさらに含む。
【０００８】
別の実施形態では、管腔内超音波スキャナアセンブリを製造する製造方法が提供される。この製造方法は、フレキシブル回路構造を提供するステップであって、フレキシブル回路構造は、フレキシブル回路、フレキシブル回路の接触領域の上のバンプ下メタライズ（ＵＢＭ）層、及びＵＢＭ層の上のはんだフィーチャを含む、提供するステップと；はんだフィーチャの上にはんだフラックスを塗布するステップと；超音波トランスデューサの接触パッドがはんだフィーチャと整列して接触するように、超音波トランスデューサをフレキシブル回路構造の上に配置するステップと；第１のリフローはんだ付けプロセスをフレキシブル回路構造に行って、接触パッドとはんだフィーチャを接合するステップを含む。いくつかの実施形態では、この製造方法は、第１のリフローはんだ付けプロセスを行った後に、はんだフラックスをフレキシブル回路構造から除去するステップをさらに含む。いくつかの実施形態では、はんだフラックスをフレキシブル回路構造から除去するステップは、フレキシブル回路構造を脱イオン水でリンス洗浄する（rinsing）ステップと、フレキシブル回路構造をベーキング処理して、脱イオン水を除去するステップを含む。管腔内超音波スキャナアセンブリを製造する製造方法は、超音波トランスデューサとフレキシブル回路構造との間にアンダーフィル材料層を形成するステップをさらに含む。
【０００９】
いくつかの実施形態では、超音波トランスデューサとフレキシブル回路構造との間にアンダーフィル材料層を形成するステップは、超音波トランスデューサとフレキシブル回路構造との間にアンダーフィル材料を分配するステップと、超音波トランスデューサとフレキシブル回路構造との間のアンダーフィル材料を硬化させるステップとを含む。いくつかの実施形態では、アンダーフィル材料を硬化させるステップは、第２のリフローはんだ付けプロセスをフレキシブル回路構造に行うステップを含む。いくつかの実施態様では、フレキシブル回路構造を提供するステップは、フレキシブル回路構造を製造するステップを含む。フレキシブル回路を製造するステップは、フレキシブル回路を提供するステップと；ポリマー絶縁層及び導電層の複数の接触領域の上にバンプ下メタライズ（ＵＢＭ）層を堆積するステップと；ドライフォトレジスト層をＵＢＭ層の上に形成するステップと；複数のバンプ・ランディング領域の上のドライフォトレジスト層の部分を選択的に除去するステップであって、複数のバンプ・ランディング領域のそれぞれが、複数の接触領域のうちの１つの接触領域内に配置される、選択的に除去するステップと；複数のバンプ・ランディング領域の上にはんだ材料を電気めっきするステップと；ドライフォトレジスト層の残りの部分を除去するステップと；複数のバンプ・ランディング領域の外側のＵＢＭ層の部分を除去するステップと；を含む。これらの実施形態では、フレキシブル回路は、フレキシブル基板、フレキシブル基板の上の導電層、及び導電層の上のポリマー絶縁層を含む。ポリマー絶縁層は、導電層の複数の接触領域を露出するようにパターン形成される。いくつかの実施態様では、ドライフォトレジスト層をＵＢＭ層の上に形成するステップは、ドライフォトレジストフィルムをフレキシブル基板に取り付けるステップと、ドライフォトレジストフィルムをフレキシブル回路に押し付けるステップとを含む。いくつかの実施態様では、複数のバンプ・ランディング領域の上のドライフォトレジスト層の部分を選択的に除去するステップは、複数のバンプ・ランディング領域の上のドライフォトレジスト層の部分を光源に露光するステップと、現像液を用いて、複数のバンプ・ランディング領域の上のドライフォトレジスト層の部分を現像するステップとを含む。いくつかの例では、複数のバンプ・ランディング領域の上のドライフォトレジスト層の部分を選択的に除去するステップは、複数のバンプ・ランディング領域の上の部分以外のドライフォトレジスト層の部分を光源に露光するステップと、現像液を用いて、複数のバンプ・ランディング領域の上のフォトレジスト層の部分を現像するステップとを含む。いくつかの実施形態では、複数のバンプ・ランディング領域の外側のＵＢＭ層の部分を除去するステップは、酸性溶液を用いて、複数のバンプ・ランディング領域の外側のＵＢＭ層の部分をエッチングするステップを含む。
【００１０】
本開示の更なる態様、特徴、及び利点は、以下の詳細な説明から明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
本開示の例示的な実施形態について、添付の図面を参照して説明する。
【図１】本開示の態様による超音波イメージングシステムの概略図である。
【図２】本開示の態様による、平坦な構成の超音波スキャナアセンブリの概略上面図である。
【図３】本開示の態様による、管状部材の周りに巻き付けられた構成の超音波スキャナアセンブリの概略側面図である。
【図４Ａ】本開示の態様による、管腔内超音波スキャナアセンブリを製造するための製造方法のフロー図である。
【図４Ｂ】本開示の態様による、管腔内超音波スキャナアセンブリを製造するための製造方法のフロー図である。
【図５】本開示の様々な態様による、図４Ａ及び図４Ｂの製造方法に従って製造されているフレキシブル基板／回路／回路構造の断面図である。
【図６】本開示の様々な態様による、図４Ａ及び図４Ｂの製造方法に従って製造されているフレキシブル基板／回路／回路構造の断面図である。
【図７】本開示の態様による、フレキシブル回路の導電層の上のバンプ下メタライズ（ＵＢＭ）層の概略拡大断面図である。
【図８】本開示の様々な態様による、図４Ａ及び図４Ｂの製造方法に従って製造されているフレキシブル基板／回路／回路構造の断面図である。
【図９】本開示の様々な態様による、図４Ａ及び図４Ｂの製造方法に従って製造されているフレキシブル基板／回路／回路構造の断面図である。
【図１０】本開示の様々な態様による、図４Ａ及び図４Ｂの製造方法に従って製造されているフレキシブル基板／回路／回路構造の断面図である。
【図１１】本開示の様々な態様による、図４Ａ及び図４Ｂの製造方法に従って製造されているフレキシブル基板／回路／回路構造の断面図である。
【図１２】本開示の様々な態様による、図４Ａ及び図４Ｂの製造方法に従って製造されているフレキシブル基板／回路／回路構造の断面図である。
【図１３】本開示の様々な態様による、図４Ａ及び図４Ｂの製造方法に従って製造されているフレキシブル基板／回路／回路構造の断面図である。
【図１４】本開示の様々な態様による、図４Ａ及び図４Ｂの製造方法に従って製造されているフレキシブル基板／回路／回路構造の断面図である。
【図１５】本開示の様々な態様による、図４Ａ及び図４Ｂの製造方法に従って製造されているフレキシブル基板／回路／回路構造の断面図である。
【図１６】本開示の様々な態様による、図４Ａ及び図４Ｂの製造方法に従って製造されているフレキシブル基板／回路／回路構造の断面図である。
【図１７】本開示の様々な態様による、図４Ａ及び図４Ｂの製造方法に従って製造されているフレキシブル基板／回路／回路構造の断面図である。
【図１８】本開示の様々な態様による、図４Ａ及び図４Ｂの製造方法に従って製造されているフレキシブル基板／回路／回路構造の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本開示の原理の理解を促す目的で、ここで、図面に示される実施態様を参照し、それら実施態様を説明するために特定の専門用語を使用する。それにもかかわらず、本開示の範囲を限定する意図がないことが理解されよう。説明する装置、器具、方法に対するあらゆる変更及び更なる修正、並びに本開示の原理のあらゆる更なる適用は、本開示が関係する当業者が通常想起されるように完全に企図される。特に、１つ又は複数の実施態様に関して説明する特徴、構成要素、及び／又はステップは、本開示の他の実施態様に関して説明する特徴、構成要素、及び／又はステップと組み合わせることができることが十分に企図される。簡潔にするために、いくつかの例では、同じ参照符号が図面全体で使用され、同じ又は同様の部分を指す。
【００１３】
図１は、本開示の態様による血管内超音波（ＩＶＵＳ）イメージングシステム１００の概略図である。ＩＶＵＳイメージングシステム１００は、カテーテル、ガイドワイヤ、又はガイドカテーテル等のソリッドステートＩＶＵＳ装置１０２、患者インターフェイスモジュール（ＰＩＭ）１０４、ＩＶＵＳ処理システム又はコンソール１０６、及びモニタ１０８を含み得る。
【００１４】
高レベルでは、ＩＶＵＳ装置１０２は、カテーテル装置の先端部の近くに取り付けられた超音波スキャナアセンブリ１１０内に含まれるトランスデューサアレイ１２４から超音波エネルギーを放出する。超音波エネルギーは、超音波スキャナアセンブリ１１０を取り囲む血管又は体腔１２０等の媒体中の組織構造によって反射され、超音波エコー信号が、トランスデューサアレイ１２４によって受信される。ＰＩＭ１０４は、受信したエコー信号（イメージングデータと呼ばれることもある）を処理システム１０６に転送し、ここで超音波画像（フロー情報を含む）が再構築され、モニタ１０８上に表示される。処理システム１０６は、プロセッサ及びメモリを含むことができる。処理システム１０６は、本明細書で説明するＩＶＵＳイメージングシステム１００の機能を容易にするように動作可能であり得る。例えば、プロセッサは、非一時的な有形のコンピュータ可読媒体に記憶されたコンピュータ可読命令を実行することができる。
【００１５】
ＰＩＭ１０４は、処理システム１０６とＩＶＵＳ装置１０２に含まれる超音波スキャナアセンブリ１１０との間の信号の通信を容易にする。この通信は、（１）図２に示される超音波スキャナアセンブリ１１０に含まれる論理ダイ２０６Ａ、２０６Ｂを制御して、送信及び受信に使用される特定のトランスデューサアレイ素子を選択するコマンドを提供するステップ、（２）送信トリガ信号を超音波スキャナアセンブリ１１０に含まれる制御論理ダイ２０６Ａ，２０６Ｂに提供して、送信回路をアクティブ化して、選択したトランスデューサアレイ素子を励起する電気パルスを生成するステップ、及び／又は（３）超音波スキャナアセンブリ１１０の集積回路コントローラチップに含まれる増幅器経由で選択したトランスデューサアレイ素子から受信した増幅エコー信号を受け入れるステップを含む。いくつかの実施形態では、ＰＩＭ１０４は、エコーデータを処理システム１０６に中継する前に、エコーデータの前処理を行う。そのような実施形態の例では、ＰＩＭ１０４は、データの増幅、フィルタ処理、及び／又は集約を行う。一実施形態では、ＰＩＭ１０４はまた、超音波スキャナアセンブリ１１０内に回路を含むＩＶＵＳ装置１０２の動作をサポートするために高電圧及び低電圧ＤＣ電力を供給する。
【００１６】
処理システム１０６は、ＰＩＭ１０４を介してスキャナアセンブリ１１０からエコーデータを受信し、そのデータを処理して、スキャナアセンブリ１１０を取り囲む媒体中の組織構造の画像を再構成する。例えば、ＩＶＵＳ装置１０２は、患者の体腔１２０と一緒に位置付けされるようにサイズ及び形状決めされ、構造的に配置され、及び／又は他に構成され得る。いくつかの実施形態では、体腔１２０は、例えば血管であり得る。処理システム１０６は、体腔（血管）１２０の断面画像等の体腔１２０の画像がモニタ１０８に表示されるように画像データを出力する。体腔１２０は、流体で満たされた又は囲まれた構造（自然と人工との両方）を表すことができる。いくつかの例では、ＩＶＵＳ装置１０２は、管腔内イメージング装置又は管腔内超音波イメージング装置と呼ぶことができる。体腔１２０は、患者の体内にあってよい。体腔１２０は、心臓血管系、末梢血管系、神経血管系、腎血管系、及び／又は体内の他の適切な管腔を含む、患者の血管系の動脈又は静脈等の血管であり得る。例えば、ＩＶＵＳ装置１０２は、限定するものではないが、肝臓、心臓、腎臓、胆嚢、膵臓、肺を含む器官；導管（ducts）；腸；脳、硬膜嚢、脊髄、及び末梢神経を含む神経系構造；尿路；だけでなく、血液中の弁、心室又は心臓の他の部分、及び／又は体の他のシステムを含む、任意数の解剖学的位置及び組織タイプを検査するために使用され得る。自然の構造に加えて、ＩＶＵＳ装置１０２は、限定するものではないが、心臓弁、ステント、シャント、フィルタ、及び他の装置等の人工構造を検査するために使用され得る。
【００１７】
いくつかの実施形態では、ＩＶＵＳ装置は、Ｖｏｌｃａｎｏ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能なＥａｇｌｅＥｙｅ（登録商標）カテーテル及び米国特許第７，８４６，１０１号に開示されるもの等、従来のソリッドステートＩＶＴＪＳカテーテルと同様のいくつかの特徴を含み、その文献はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。例えば、ＩＶＵＳ装置１０２は、ＩＶＵＳ装置１０２の先端部の近くの超音波スキャナアセンブリ１１０と、ＩＶＵＳ装置１０２の長手方向本体に沿って延びる電気ケーブル１１２とを含む。電気ケーブル１１２は、１、２、３、４、５、６、７、又はそれ以上の導体２１８（図２）を含む複数の導体を含むことができる。導体２１８には、適切なゲージワイヤを使用できることが理解される。一実施形態では、電気ケーブル１１２は、例えば、４１ＡＷＧゲージワイヤを備えた４導体伝送線構成を含むことができる。一実施形態では、電気ケーブル１１２は、例えば、４４ＡＷＧゲージワイヤを利用する７導体伝送線構成を含むことができる。いくつかの実施形態では、４３ＡＷＧゲージワイヤを使用することができる。
【００１８】
電気ケーブル１１２は、ＩＶＵＳ装置１０２の基端部のＰＩＭコネクタ１１４で終端する。ＰＩＭコネクタ１１４は、電気ケーブル１１２をＰＩＭ１０４に電気的に結合し、ＩＶＵＳ装置１０２をＰＩＭ１０４に物理的に結合する。一実施形態では、ＩＶＵＳ装置１０２は、ガイドワイヤ出口ポート１１６をさらに含む。従って、いくつかの例では、ＩＶＵＳ装置は、迅速交換カテーテルである。体腔１２０を通して装置１０２を方向付けるために、ガイドワイヤ出口ポート１１６によって、ガイドワイヤ１１８を先端部に向けて挿入することが可能になる。
【００１９】
ＩＶＵＳ装置１０２は、基端部分及び先端部分を有する可撓性の細長い部材１１５を含む。超音波スキャナアセンブリ１１０は、可撓性の細長い部材１１５の先端部分に位置付けされる。可撓性の細長い部材１１５は、長手方向軸線ＬＡを含む。長手方向軸線ＬＡは、ＩＶＵＳ装置１０２及び／又は超音波スキャナアセンブリ１１０に関連付けられ得る。
【００２０】
図２は、本開示の一実施形態による超音波スキャナアセンブリ１１０の一部の上面図である。超音波スキャナアセンブリ１１０は、トランスデューサ領域２０４に形成されたトランスデューサアレイ１２４と、制御領域２０８に形成された制御論理ダイ２０６（制御論理ダイ２０６Ａ及び２０６Ｂを含む）とを含み、それらの間に移行領域２１０が配置される。制御論理ダイ２０６及びトランスデューサ２１２は、図２において平坦な構成で示されるフレキシブル基板２１４（フレキシブル回路と呼ばれることもある）に取り付けられる。図３は、フレキシブル基板２１４が巻き付けられた構成を示す。トランスデューサアレイは、医療センサ素子及び／又は医療センサ素子アレイの非限定的な例である。制御論理ダイ２０６は、制御回路の非限定的な例である。トランスデューサ領域２０４は、フレキシブル基板２１４の先端部分２２１に隣接して配置される。制御領域２０８は、フレキシブル基板２１４の基端部分２２２に隣接して配置される。移行領域２１０は、制御領域２０８とトランスデューサ領域２０４との間に配置される。トランスデューサ領域２０４、制御領域２０８、及び移行領域２１０の寸法（例えば、長さ２２５、２２７、２２９）は、異なる実施形態では異なり得る。いくつかの実施形態では、長さ２２５、２２７、２２９は、実質的に同様であり得るか、或いは移行領域２１０の長さ２２７は、トランスデューサ領域及びコントローラ領域のそれぞれの長さ２２５、２２９よりも長くなり得る。
【００２１】
トランスデューサアレイ１２４は、任意の数及びタイプの超音波トランスデューサ２１２を含み得るが、明確にするために、限られた数の超音波トランスデューサのみが図２に示される。一実施形態では、トランスデューサアレイ１２４は、６４個の個別の超音波トランスデューサ２１２を含む。更なる実施形態では、トランスデューサアレイ１２４は、３２個の超音波トランスデューサ２１２を含む。他の数も企図され、且つ提供される。トランスデューサのタイプに関して、一実施形態では、超音波トランスデューサ２１２は、例えば米国特許第６，６４１，５４０号に開示されているようなポリマー圧電材料を使用して微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板上に製造された圧電性マイクロマシン超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）であり、その文献は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。代替実施形態では、トランスデューサアレイは、バルクＰＺＴトランスデューサ等の圧電性ジルコン酸塩トランスデューサ（ＰＺＴ）、容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）、単結晶圧電材料、他の適切な超音波送信機及び受信機、及び／又はそれらの組合せを含む。
【００２２】
超音波スキャナアセンブリ１１０は、様々な制御論理を含むことができ、これは、図示の実施形態では、離散制御論理ダイ２０６に分割される。様々な例では、超音波スキャナアセンブリ１１０の制御論理は、ＰＩＭ１０４によって電源ケーブル１１２を介して（across）送信された制御信号をデコードするステップ、１つ又は複数のトランスデューサ２１２を駆動して超音波信号を放射するステップ、超音波信号の反射エコーを受信する１つ又は複数のトランスデューサ２１２を選択するステップ、受信したエコーを表す信号を増幅するステップ、及び／又は信号を電源ケーブル１１２を介してＰＩＭに送信するステップを行う。図示の実施形態では、６４個の超音波トランスデューサ２１２を有する超音波スキャナアセンブリ１１０が、制御論理を９個の制御論理ダイ２０６に亘って分割し、そのうちの５つが図２に示されている。他の実施形態では、他の数、８、９、１６、１７以上を含む制御論理ダイ２０６を組み込んだ設計が利用される。一般に、制御論理ダイ２０６は、それら制御論理ダイ２０６が駆動することができるトランスデューサの数によって特徴付けられ、例示的な制御論理ダイ２０６は、４、８、及び／又は１６個のトランスデューサを駆動する。
【００２３】
制御論理ダイは、必ずしも同種である必要はない。いくつかの実施形態では、単一のコントローラが、マスター制御論理ダイ２０６Ａと指定され、電気ケーブル１１２の通信インターフェイスを含む。従って、マスター制御回路は、電気ケーブル１１２を介して受信した制御信号をデコードし、制御応答を電気ケーブル１１２を介して送信し、エコー信号を増幅し、及び／又はエコー信号を電気ケーブル１１２を介して送信する制御論理を含み得る。残りのコントローラは、スレーブコントローラ２０６Ｂである。スレーブコントローラ２０６Ｂは、トランスデューサ２１２を駆動して超音波信号を放射し、エコーを受信するためのトランスデューサ２１２を選択する制御論理を含み得る。図示の実施形態では、マスターコントローラ２０６Ａは、トランスデューサ２１２を直接制御しない。他の実施形態では、マスターコントローラ２０６Ａは、スレーブコントローラ２０６Ｂと同じ数のトランスデューサ２１２を駆動するか、又はスレーブコントローラ２０６Ｂと比べて減少したセットのトランスデューサ２１２を駆動する。例示的な実施形態では、単一のマスターコントローラ２０６Ａ及び８個のスレーブコントローラ２０６Ｂには、各スレーブコントローラ２０６Ｂに割り当てられた８個のトランスデューサが設けられている。
【００２４】
制御論理ダイ２０６及びトランスデューサ２１２が取り付けられるフレキシブル基板２１４は、電気的結合のための構造的支持及び相互接続を提供する。フレキシブル基板２１４は、ＫＡＰＴＯＮ（登録商標）（デュポンの商標）等の可撓性ポリイミド材料のフィルム層を含むように構築され得る。他の適切な材料には、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、又はポリエーテルイミドフィルム、他のフレキシブルプリント半導体基板だけでなく、Ｕｐｉｌｅｘ（宇部興産の登録商標）やＴＥＦＬＯＮ（登録商標）（E.I.  du  Pontの登録商標）等の製品がある。図２に示される平坦な構成では、フレキシブル基板２１４は、一般に長方形の形状を有する。本明細書に示され、説明するように、フレキシブル基板２１４は、管状部材２３０（図３）の周りに巻き付けられて、いくつかの例では円筒形トロイド（toroid）を形成するように構成される。従って、フレキシブル基板２１４のフィルム層の厚さは、一般に、最終的に組み立てられた超音波スキャナアセンブリ１１０の湾曲の程度に関連する。いくつかの実施形態では、フィルム層は５μｍ〜１００μｍの間であり、いくつかの特定の実施形態は、１２．７μｍ〜２５．１μｍの間である。
【００２５】
制御論理ダイ２０６とトランスデューサ２１２とを電気的に相互接続するために、一実施形態では、フレキシブル基板２１４は、制御論理ダイ２０６とトランスデューサ２１２との間で信号を伝える、フィルム層上に形成された導電性トレース２１６をさらに含む。特に、制御論理ダイ２０６とトランスデューサ２１２との間の通信を提供する導電性トレース２１６は、フレキシブル基板２１４に沿って移行領域２１０内に延びる。いくつかの例では、導電性トレース２１６は、マスター制御論理ダイ（又はマスターコントローラ）２０６及びスレーブ制御論理ダイ（又はスレーブコントローラ）２０６Ｂとの間の電気通信も容易にすることができる。導電性トレース２１６は、電気ケーブル１１２の導体２１８がフレキシブル基板２１４に機械的及び電気的に結合されるときに、電気ケーブル１１２の導体２１８に接触する一組の導電性パッドも提供することができる。導電性トレース２１６の適切な材料は、銅、金、アルミニウム、銀、タンタル、ニッケル、及びスズを含み、スパッタリング、めっき処理、及びエッチング等のプロセスによってフレキシブル基板２１４上に堆積させることができる。一実施形態では、フレキシブル基板２１４は、クロム接着層を含む。導電性トレース２１６の幅及び厚さは、フレキシブル基板２１４が巻き付けられたときに適切な導電性及び弾性を提供するように選択される。その点に関して、導電性トレース２１６及び／又は導電性パッドの厚さの例示的な範囲は、１０〜５０μｍの間である。例えば、一実施形態では、２０μｍの導電性トレース２１６は、２０μｍの空間によって分離される。フレキシブル基板２１４上の導電性トレース２１６の幅は、トレース／パッドに結合される導体２１８の幅によってさらに決定され得る。
【００２６】
いくつかの実施形態では、フレキシブル基板２１４は、接続インターフェイス２２０を含むことができる。接続インターフェイス２２０は、電気ケーブル１１２の導体２１８がフレキシブル基板２１４に結合されるフレキシブル基板２１４の位置であり得る。例えば、電気ケーブル１１２の裸の導体は、接続インターフェイス２２０でフレキシブル基板２１４に電気的に結合される。接続インターフェイス２２０は、フレキシブル基板２１４の本体から延びるタブとすることができる。その点に関して、フレキシブル基板２１４の本体は、まとめてトランスデューサ領域２０４、コントローラ領域２０８、及び移行領域２１０と呼ぶことができる。図示の実施形態では、接続インターフェイス２２０は、フレキシブル基板２１４の基端部分２２２から延びる。他の実施形態では、接続インターフェイス２２０は、先端部分２２１等のフレキシブル基板２１４の他の部分に位置付けされ、又はフレキシブル基板２１４は、接続インターフェイス２２０を省略する。幅２２４等のタブ又は接続インターフェイス２２０の寸法の値は、幅２２６等のフレキシブル基板２１４の本体の寸法の値よりも小さくすることができる。いくつかの実施形態では、接続インターフェイス２２０を形成する基板は、同じ材料（複数可）から作製され、及び／又はフレキシブル基板２１４と同様に可撓性である。他の実施形態では、接続インターフェイス２２０は、異なる材料から作製され、及び／又はフレキシブル基板２１４よりも比較的剛性が高い。例えば、接続インターフェイス２２０は、プラスチック、熱可塑性プラスチック、ポリマー、硬質ポリマー（ポリオキシメチレン（例えば、ＤＥＬＲＩＮ（登録商標）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ナイロン）等、及び／又は他の適切な材料から作製することができる。本明細書でより詳細に説明するように、管状部材２３０、フレキシブル基板２１４、接続インターフェイス２２０、及び／又は導体２１８は、超音波スキャナアセンブリ１１０の効率的な製造及び動作を容易にするように様々に構成され得る。
【００２７】
いくつかの例では、超音波スキャナアセンブリ１１０は、平坦な構成（図２）から巻き付けられた又はより円筒形の構成（図３）に移行する。例えば、いくつかの実施形態では、“ULTRASONIC  TRANSDUCER  ARRAY  AND  METHOD  OF  MANUFACTURING  THE  SAME”という名称の米国特許第６，７７６，７６３号、及び“HIGH  RESOLUTION  INTRAVASCULAR  ULTRASOUND  TRANSDUCER  ASSEMBLY  HAVING  A  FLEXIBLE  SUBSTRATE”という名称の米国特許第７，２２６，４１７号の１つ又は複数に開示されるような技術が利用され、各々の文献は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【００２８】
図３に示されるように、フレキシブル基板２１４は、巻き付けられた構成で管状部材２３０の周りに位置付けされる。図３は、本開示の態様による、管状部材２３０の周りに巻き付けられた構成のフレキシブル基板２１４を示す概略側面図である。いくつかの例では、管状部材２３０は、単一体として参照することができる。管状部材２３０は、ステンレス鋼等の金属材料、又は２０１４年４月２８に出願された、“Pre-Doped  Solid  Substrate  for  Intravascular  Devices”という名称の米国仮出願第６１／９８５，２２０号に記載されているプラスチック又はポリマー等の非金属材料から構成することができ、その文献は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。管状部材２３０は、先端セクション２３２、基端セクション２３４、及びそれらを通って長手方向に延びる管腔２３６を有することができる。管腔２３６は、出口ポート１１６と連通することができ、ガイドワイヤ１１８（図１）を受容するようなサイズ及び形状である。管状部材２３０は、任意の適切なプロセスに従って製造することができる。例えば、管状部材２３０は、ブランクから材料を除去して管状部材２３０を成形すること等によって機械加工するか、或いは射出成形プロセス等によって型成形することができる。いくつかの実施形態では、管状部材２３０は、単一構造として一体的に形成してもよく、一方、他の実施形態では、管状部材２３０は、異なる構成要素で形成してもよい。
【００２９】
ここで、超音波スキャナアセンブリ１１０の製造に焦点を向ける。図４Ａ及び図４Ｂには、超音波スキャナアセンブリ１１０を製造するための方法３００が示されている。図４Ａに示されるように、方法３００の操作３０２において、図５に示されるフレキシブル回路４００等のフレキシブル回路が提供される。フレキシブル回路４００は、フレキシブル基板２１４、フレキシブル基板２１４の上の導電層４０２、及び導電層４０２の上のポリマー絶縁層４０４を含む。ポリマー絶縁層４０４は、導電層４０２の接触領域４０６Ａ及び４０６Ｂ等の複数の接触領域を露出するようにパターン形成される。フレキシブル基板２１４は、ＫＡＰＴＯＮ（登録商標）（デュポンの商標）等の可撓性ポリイミド材料のフィルム層を含むように構成してもよい。他の適切な材料には、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、又はポリエーテルイミドフィルム、他のフレキシブルプリント半導体基板だけでなく、Ｕｐｉｌｅｘ（宇部興産の登録商標）やＴＥＦＬＯＮ（登録商標）（E.I.  du  Pontの登録商標）等の製品がある。ポリマー絶縁層４０４は、ポリイミド、ＫＡＰＴＯＮ（登録商標）、ポリエステル、ポリエチレンナフタレート、Ｕｐｉｌｅｘ（登録商標）、ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）、又はポリエーテルイミド等の同様の材料で形成することができる。
【００３０】
ここで図６を参照する。方法３００の操作３０４（図４Ａ）において、バンプ下メタライズ（ＵＢＭ）層４０８が、ポリマー絶縁層４０４の上を含むフレキシブル回路４００の上、及び接触領域４０６Ａ及び４０６Ｂ等の導電層４０２の複数の接触領域の上全てに堆積される。ＵＢＭ層４０８は、操作３１０（図４Ａ）での電気めっき操作中に共通電極として機能する。フレキシブル回路４００の導電層４０２は、回路の設計に従って様々な形状にパターン形成され、これらのパターン形成された形状は全て相互接続されるわけではない。実質的に均一な堆積厚さで、ＵＢＭ層４０８は、フレキシブル回路４００の表面全体を均一に金属化する。フレキシブル回路４００の表面の完全な金属化は、操作３１０（図４Ａ）での強固で均一な電気めっきを確実にする。いくつかの実施形態では、ＵＢＭ層４０８は、スパッタリング堆積、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理気相堆積（ＰＶＤ）、又はプラズマ増強化学気相堆積（ＰＥ−ＣＶＤ）を使用して堆積させることができる。
【００３１】
いくつかの実施形態では、導電層４０２とＵＢＭ層４０８との両方が２つ以上の層を含む。ここで図７を参照すると、導電層４０２及びＵＢＭ層４０８の層の例示的な実施形態が示されている。この実施形態では、導電層４０２は、接着層４０２１、伝導層４０２２、バリア層４０２３、及び保護層４０２４を含み、ＵＢＭ層４０８は、接着層４０８１、及び伝導層４０８２を含む。いくつかの例では、接着層４０２１及び接着層４０８１は、チタン−タングステン（Ｔｉ−Ｗ）擬合金で形成することができる。接着層４０２１は、少なくとも２つの機能を果たす。まず第１に、その接着層４０２１は、フレキシブル基板２１４と残りの導電層４０２との間のインターフェイスとして機能し、残りの導電層４０２がフレキシブル基板２１４に取り付けられたままの状態になるのを助ける。そのため、接着層４０２１は、界面層と呼ぶこともできる。第２に、接着層４０２１は、フレキシブル基板２１４内の酸素原子が残りの導電層４０２を酸化するのを防ぐ。そのため、接着層４０２１は、バリア層と呼ぶこともできる。チタンはチタンの機械的特性により接着機能に貢献する一方、タングステンはバリア機能に貢献する。接着層４０２１がＴｉ−Ｗ擬合金で形成される場合に、チタンとタングステンとの両方のターゲットがスパッタリング堆積プロセスで使用される。ＵＢＭ層４０８の接着層４０８１も同じ特性を必要とする。ＵＢＭ層４０８は、ポリマー絶縁層４０４だけでなく、導電層４０２の複数の接触領域（接触領域４０６Ａ及び４０６Ｂ等）にも堆積される。こうして、底部接着層４０８１は、ポリマー絶縁層４０４と接触し、ポリマー絶縁層４０４への接着を強化する必要がある。同様に、接着層４０８１は、ポリマー絶縁層４０４内の酸素が伝導層４０８２を酸化するのを防ぐバリア層として機能する。
【００３２】
ＵＢＭ層４０８の伝導層４０８２及び導電層４０２の伝導層４０２２は、銅、アルミニウム、又は銅−アルミニウム合金等の高伝導性金属で形成される。伝導層４０８２及び４０２２の主な機能は、電気の伝導である。導電層の形成後にめっき処理やエッチング等の更なる処理が行われる状況では、保護層が、伝導層を酸化又はエッチングされないように有利に保護する。伝導層４０２２の場合に、さらにいくつかのプロセスステップが実行されるため、伝導層４０２２への損傷及び酸化を防ぐために保護層４０２４が必要である。いくつかの実施形態では、保護層４０２４は金で形成される。金は地球上で最も反応性の低い金属であるため、伝導層４０２２が酸化されるのを防ぐことができる。ただし、金は、銅等の一般的に見られる伝導層材料と固溶体を形成し得る。金保護層が金−銅固溶体に変換されると、金保護層は伝導層をもはや保護できなくなる。銅が金保護層内に拡散するのを防ぐために、伝導層４０２２と保護層４０２４との間に、通常、バリア層４０２３等のバリア層（拡散バリア層と呼ぶこともできる）が形成される。いくつかの実施形態では、バリア層４０２３は、ニッケル、モリブデン、チタン、タンタル、及びコバルトで形成することができる。いくつかの実施形態では、保護層４０２４等の保護層は、導電層４０２の最上層として形成され、場合によっては保護層を有さないＵＢＭ層４０８に対してエッチング選択性を与える。図７に示されるように、いくつかの実施態様では、ＵＢＭ層４０８の接着層４０８１は、導電層４０２の保護層４０２４の上にあり、この保護層４０２４と直接接触している。
【００３３】
次に図８を参照すると、方法３００の操作３０６（図４Ａ）において、ドライフォトレジスト層４１０がＵＢＭ層４０８の上に形成される。いくつかの実施形態では、ドライフォトレジスト層４１０は、ロール間（roll-to-roll）プロセス又はラミネーションプロセスで、ドライフォトレジストフィルムをＵＢＭ層４０８に取り付けることにより形成され、この場合に、加熱された頂部ローラー及び加熱された底部ローラーが、ドライフォトレジストフィルムをＵＢＭ層４０８に熱圧着する。これらの実施形態では、ドライフォトレジスト層４１０の厚さは、この操作に使用されるドライフォトレジストフィルムの厚さに依存する。ドライフォトレジスト層４１０は、ポジ型（又はポジティブトーン）又はネガ型（又はネガティブトーン）ドライフォトレジスト層であり得る。ドライフォトレジスト層４１０がポジ型ドライフォトレジスト層である実施形態では、ドライフォトレジスト層４１０の一部がＵＶ光源等の光源に露光されると、ドライフォトレジスト層４１０の露光部分がポジ型現像液で溶解性となる一方、ドライフォトレジスト層４１０の残りの未露光部分は同じポジ型現像液で不溶解性となる。ポジ型ドライフォトレジスト層４１０がパターン形成されたマスクでマスクされる場合に、マスクされていない部分が現像中に除去されるため、マスクパターンのポジ型画像がドライフォトレジスト層４１０に転写される。ドライフォトレジスト層４１０がネガ型ドライフォトレジスト層である実施形態では、ドライフォトレジスト層４１０の一部がＵＶ光源等の光源に露光されると、ドライフォトレジスト層４１０の露光部分が架橋／重合され、ドライフォトレジスト層４１０の未露光部分を溶解できるネガ型現像液で不溶解性となる。ネガ型ドライフォトレジスト層４１０がパターン形成されたマスクでマスクされる場合に、マスクされた部分が現像中に除去されるため、マスクパターンのネガ型画像がドライフォトレジスト層４１０に転写される。
【００３４】
ここで図９を参照すると、方法３００の操作３０８（図４Ａ）において、バンプ・ランディング領域４１２Ａ及び４１２Ｂ等の複数のバンプ・ランディング領域の上のドライフォトレジスト層４１０の部分が選択的に除去される。バンプ・ランディング領域４１２Ａ及び４１２Ｂは、はんだバンプ（はんだフィーチャ）が形成される場所であるため、複数のバンプ・ランディング領域のそれぞれは、接触領域４０６Ａ及び４０６Ｂ等の複数の接触領域のうちの１つの接触領域内に位置付けされる。例示の目的で、図９に示されるように、バンプ・ランディング領域４１２Ａは、接触領域４０６Ａ内に位置付けされ、バンプ・ランディング領域４１２Ｂは、接触領域４０６Ｂ内に位置付けされる。同じ線に沿って、バンプ・ランディング領域の幅は、対応する接触領域の幅よりも小さい。いくつかの実施形態では、バンプ・ランディング領域４１２Ａ及びバンプ・ランディング領域４１２Ｂの幅Ｗ１及びＷ３は、それぞれ、接触領域４０６Ａ及び４０６Ｂの幅Ｗ２及びＷ４よりも小さい。操作３０８は、ポジ型又はネガ型のいずれかのドライフォトレジスト層を使用して行うことができる。ドライフォトレジスト層４１０がポジ型（又はポジティブトーン）である実施形態では、バンプ・ランディング領域４１２Ａ及び４１２Ｂ等のバンプ・ランディング領域になる予定の領域が露出されるように、マスクがＵＢＭ層４０８の上に置かれる。マスクされたポジ型ドライフォトレジスト層４１０が光源に露光された後に、バンプ・ランディング予定領域の上のドライフォトレジスト層４１０はポジ型現像液に溶解し、除去することができる。ドライフォトレジスト層４１０がネガ型（又はネガティブトーン）である実施形態では、バンプ・ランディング領域４１２Ａ及び４１２Ｂ等のバンプ・ランディング領域になる予定の領域がマスクされるように、マスクがＵＢＭ層４０８の上に置かれる。マスクされたネガ型ドライフォトレジスト層４１０が光源に露光された後に、バンプ・ランディング予定領域の上のドライフォトレジスト層４１０は、ネガ型現像液に溶解したままであり、除去することができる。ネガ型ドライフォトレジスト層４１０の露出部分は、架橋／重合され、ＵＢＭ層４０８上に残る。
【００３５】
次に、図１０を参照する。方法３００の操作３１０（図４Ａ）において、はんだ材料が、バンプ・ランディング領域４１２Ａ及び４１２Ｂ等の複数のバンプ・ランディング領域の上に電気めっきされて、はんだフィーチャ４１４Ａ及び４１４Ｂを形成する。ＵＢＭ層４０８がフレキシブル基板２１４の上に均一に堆積されるので、そのＵＢＭ層４０８は電極として機能し、電気めっきプロセスに関する電流がＵＢＭ層４０８全体を通過することを可能にする。いくつかの実施形態では、操作３１０において、ＵＢＭ層４０８はカソード（cathode）として機能し、アノード（anode）は電気めっきされるはんだ材料でできており、カソードとアノードとの両方が電解液に浸されている。場合によっては、はんだ材料はスズ又はスズ／鉛である。それらの例では、電解質は、酸、塩化スズ、及び硫酸鉛を含むことができる。いくつかの実施態様では、電気めっき層の均一性を改善するために、電解質溶液に添加剤が加えられる。他の条件が等しい場合に、はんだフィーチャ４１４Ａ及び４１４Ｂの厚さは、電気めっき時間によって決定され得る。一般に、電気めっきが続く時間が長くなるほど、はんだフィーチャ４１４Ａ及び４１４Ｂはより厚くなる。ドライフォトレジスト層４１０の上のはんだフィーチャ４１４Ａ及び４１４Ｂのオーバーフローを防止するために、はんだフィーチャ４１４Ａ及び４１４Ｂを電気めっきするための時間は、バンプ・ランディング領域におけるはんだフィーチャの高さがドライフォトレジスト層４１０の高さよりも低くなるように制御される。例えば、図４では、はんだフィーチャ４１４Ａは、ドライフォトレジスト層４１０の上面よりも低い上面を有する。
【００３６】
次に図１１を参照すると、方法３００の操作３１２（図４Ｂ）において、ドライフォトレジスト層４１０の残りの部分がフレキシブル回路４００から除去される。ポジ型ドライフォトレジストフィルムを使用してドライフォトレジスト層４１０を形成するいくつかの実施形態では、残留又は残りのドライフォトレジスト層４１０は、残留ドライフォトレジスト層４１０を現像することによって除去することができる。例えば、残留ドライフォトレジスト層４１０は、まずＵＶ光源等の光源に露光される。光源への露光により、残留ドライフォトレジスト層４１０がポジ型現像液に溶解し、これを使用して、残留ドライフォトレジスト層４１０が剥離される。ネガ型ドライフォトレジストフィルムを使用してドライフォトレジスト層４１０を形成する他の実施形態では、酸性溶液を使用して、残留ドライフォトレジスト層４１０を除去することができる。
【００３７】
ここで図１２を参照すると、方法３００の操作３１４（図４Ｂ）において、バンプ・ランディング領域４１２Ａ及び４１２Ｂ等のバンプ・ランディング領域の外側のＵＢＭ層４０８の部分が除去される。バンプ・ランディング領域４１２Ａ及び４１２Ｂ等のバンプ・ランディング領域が、はんだフィーチャ４１４Ａ及び４１４Ｂ等のはんだフィーチャによって覆われているので、操作３１４は、はんだフィーチャ４１４Ａ及び４１４Ｂ等のはんだフィーチャによってカバー又は保護されていないＵＢＭ層４０８の部分を除去する操作として説明することもできる。いくつかの実施形態では、操作３１４においてはんだフィーチャによって覆われていないＵＢＭ層４０８の除去は、酸剥離（acid  stripping）によって行われ、酸に曝される材料の異なる耐酸性によって非常に選択的であり得る。図１２に示されるように、フレキシブル回路４００が酸剥離を受ける場合に、ポリマー絶縁層４０４、導電層４０２、ＵＢＭ層４０８、及びはんだフィーチャ４１４Ａ及び４１４Ｂは、酸剥離プロセスで使用される酸に曝される。それらのうち、ポリマー絶縁層４０４は、多くの酸に耐性があるＫＡＰＴＯＮ（登録商標）（デュポンの商標）で形成することができる。導電層４０２は、耐酸性でもある金の上部保護層４０２４を含むことができる。はんだフィーチャ４１４Ａ及び４１４Ｂは、耐酸性を示すことが知られている鉛を含むことができる。従って、ＵＢＭはそれら全てのうち酸に対する耐性が最も低く、ポリマー絶縁層４０４、導電層４０２、及びはんだフィーチャ４１４Ａ及び４１４Ｂを実質的に損傷させることなくエッチング除去することができる。はんだフィーチャ４１４Ａ及び４１４Ｂの幅が、接触領域４０６Ａ及び４０６Ｂの対応する幅よりも小さいので、操作３１４が完了すると、はんだフィーチャ４１４Ａ及び４１４Ｂの下のＵＢＭ層４０８の部分の幅は、対応する接触領域４０６Ａ及び４０６Ｂの幅よりも小さくなる。
【００３８】
図５及び図６に示されるフレキシブル回路４００と、図１２〜図１８に示されるようなはんだフィーチャを含むフレキシブル回路４００とを区別するために、はんだフィーチャのないフレキシブル回路４００は、単にフレキシブル回路と呼ばれ、はんだフィーチャのあるフレキシブル回路４００は、フレキシブル回路構造と呼ばれる。ただし、これらの参照は基本的に製造プロセス全体を通じてフレキシブル回路に対して行われるため、これらの参照は互換的に使用され、機能の違いは関連する説明の文脈によってのみ確認できる。さらに、フレキシブル基板が、図５〜図１８のフレキシブル回路４００の基板２１４を指すために使用されるが、そのフレキシブル基板はまた、特定の文脈においてフレキシブル回路又はフレキシブル回路構造を指すために使用され得る。これは、フレキシブル回路／フレキシブル回路構造が電子部品を取り付けるための基板とみなすことができるためである。その意味で、フレキシブル回路／フレキシブル回路構造は、電子部品の基板である。当業者は、これらの使用法及び規定の必要な柔軟性を理解するであろう。
【００３９】
次に図１３を参照すると、はんだフィーチャ４１４Ａ及び４１４Ｂに加えて複数のはんだフィーチャを含むフレキシブル回路４００の拡大図が示されている。方法３００の操作３１６（図４Ｂ）において、はんだフラックスが、はんだフィーチャの上に塗布されて、はんだフラックス層４１６を形成する。いくつかの実施形態では、はんだフラックスは、はんだフラックスプリンタによって各はんだフィーチャ上にジェット印刷される。いくつかの他の実施形態では、はんだフラックスは、ステンシルを使用して各はんだフィーチャ上に印刷される。場合によっては、ステンシルは、はんだフィーチャの位置及び領域に一致する開口部を含むレーザーカットのステンレス鋼ホイルである。はんだフラックスは、はんだ及び接合面での酸化物の形成を防ぐために、後続のはんだ付けプロセス中に還元剤として機能することができる。はんだフラックスは、酸化物を除去し、はんだ付けを容易にするのにも役立つ。いくつかの実施形態では、はんだフラックスは、水ベースであり、粘着性がある。はんだ接合部が形成される前に、はんだフラックスの粘着性により、電子部品を対応するはんだフィーチャに一時的に取り付けることができる。図１３にも示されているのは、ワイヤ取付けパッド４１８である。いくつかの実施形態では、ワイヤ取付けパッド４１８等のワイヤ取付けパッドは、フレキシブル回路４００の基端部分に位置付けされ、図２に示される導電性トレース２１６に接合するために使用される。
【００４０】
ここで図１４及び図１５を参照する。操作３１８において、限定するものではないが、コンデンサ４２０、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）又は制御論理ダイ２０６、及びトランスデューサ２１２を含む様々な電子部品は、電子部品の接触パッドがはんだフィーチャと整列して接触するように、フレキシブル回路構造４００の上に配置される。各電子部品は、１つ又は複数の接触パッドを有する。例えば、コンデンサ４２０は、その両端に２つの接触パッドを有する。図１４に示されるＡＳＩＣ２０６は、６個の接触パッド２４６を有する。ＡＳＩＣ２０６の設計及び複雑さに応じて、ＡＳＩＣ２０６は、６個よりも少ないか又は多い接触パッド２４６を有することができることに留意されたい。ＡＳＩＣ２０６の接触パッドがフレキシブル回路構造４００上のはんだフィーチャ４１４に面する設計は、フリップチップ又はフリップチップ設計と呼ばれることもある。フリップチップ設計によって、ワイヤなしでＡＳＩＣ２０６をフレキシブル回路構造４００に結合することが可能になる。はんだフラックス層４１６の粘着性のおかげで、コンデンサ４２０、ＡＳＩＣ２０６、及びトランスデューサ２１２がはんだフィーチャ４１４と接触すると、それらは、更なる処理のためにフレキシブル回路構造４００を後続の処理ステーションに送る間に、はんだフラックスによって適所に一時的に保持される。はんだは、１つ又は複数の電子部品をフレキシブル基板及び／又はフレキシブル基板上の１つ又は複数の他の電子部品に電気的及び／又は機械的に取り付け、接続及び／又は他に結合することができる。
【００４１】
図１６に示されるように、操作３２０において、リフローはんだ付けプロセスがフレキシブル回路構造４００に対して行われ、接触パッド及び対応するはんだフィーチャ４１４をはんだ付け又は接合する。いくつかの実施形態では、リフローはんだ付けプロセスは、フレキシブル回路構造４００をリフローオーブンに配置することにより行われる。この操作は、リフロープロセス又はリフローはんだ付けプロセスと呼ばれることもある。リフロープロセス中に、はんだフィーチャが、流動性になり、徐々に濡れて接触領域全体を埋めることができる。接触領域の幅及び領域（面積）は対応するバンプ・ランディング領域よりも大きいため、リフロープロセス後のはんだフィーチャの最終的な高さは、リフロープロセス前のはんだフィーチャの初期の高さよりも低くなる。例えば、図９に示される接触領域４０６Ａは、バンプ・ランディング領域４１２Ａの幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ２を有する。一般に、接触領域の面積及びバンプ・ランディング領域の面積は、幅の二乗積に比例する。従って、接触領域４０６Ａの面積は、バンプ・ランディング領域４１２Ａの面積よりも大きくなる。ここで図１２を参照する。操作３２０でのリフローはんだ付けプロセス中にはんだフィーチャ４１４Ａが流動可能になると、はんだフィーチャ４１４Ａ内のはんだは、接触領域４０６Ａ内の表面を濡らし、接触領域４０６Ａ及び取り囲むポリマー絶縁層４０４によって規定された空間を満たす傾向がある。ベースの面積の増大により、はんだフィーチャ４１４Ａは、その高さが減少する。いくつかの実施形態では、ＵＢＭ層４０８が接触領域４０６Ａよりも狭い／小さいので、リフローされたはんだフィーチャ４１４Ａは、ＵＢＭ層４０８の全ての側面及びエッジ部を完全に覆う。同じ現象は、図１６でも同様に確認できる。図１５に示されるハンダフィーチャの高さと比較すると、図１６の全てのハンダフィーチャの高さが減少し、それらのベースは、通常、下の接触領域の形状に一致している。
【００４２】
図１６に示されるように、方法３００の操作３２０（図４Ｂ）でのリフローはんだ付けプロセス中に、はんだフラックス残留物が、動き回って、比較的低い高さのフィーチャに蓄積する可能性がある。図１７に示されるように、はんだフラックス残留物は、操作３２２（図４Ｂ）においてフレキシブル回路構造４００から除去されることになる。はんだフラックスが水溶性であるいくつかの実施形態では、脱イオン水（ＤＩ水）を使用して、はんだフラックスの残留物を洗い流すことができる。いくつかの実施態様では、洗浄の有効性を高めるために、１つ又は複数の種類の界面活性剤がＤＩ水に添加される。さらに他のいくつかの実施態様では、操作３２２でのはんだフラックス残留物の除去は、循環浴又は超音波浴によってもたらされる撹拌によって促進される。はんだフラックス残留物が洗い流された後、フレキシブル回路構造４００は、ＤＩ水で再びリンス洗浄され、オーブンでベークされて、水分を追い出すことができる。
【００４３】
図１８を参照すると、方法３００の操作３２４（図４Ｂ）において、アンダーフィル材料層４２２が、トランスデューサ２１２とフレキシブル回路構造４００（より正確には、フレキシブル基板２１４）との間に形成されて、トランスデューサ２１２の構造支持を提供する。アンダーフィル材料層４２２は、エポキシ又は他の接着剤で形成することができる。場合によっては、アンダーフィル材料層４２２は、熱硬化（heat  cure）エポキシ又は熱硬化型（thermally  curable）エポキシで形成される。これらの例では、エポキシが、トランスデューサ２１２の近くに分配され、トランスデューサ２１２の下の空間を満たすことが可能になった後に、フレキシブル回路構造４００は、エポキシを硬化させるためにオーブン内に配置される。他のいくつかの例では、アンダーフィル材料層４２２は、ＵＶ硬化（UV  cure）エポキシ又はＵＶ硬化型（UV-curable）エポキシで形成される。これらの例では、エポキシが、分配され、トランスデューサ２１２とフレキシブル基板２１４との間の空間を満たすことが可能になった後に、ＵＶ光がアンダーフィルエポキシの少なくとも一部に照射されてそのエポキシを硬化させる。
【００４４】
いくつかの実施形態では、アンダーフィル材料層４２２の厚さは、トランスデューサ２１２の中心周波数に影響を与える。それらの実施形態では、本開示は、取り付けられたトランスデューサ２１２とフレキシブル基板２１４との間の距離を調整する方法を提供する。図９及び図１６を参照して上で説明したように、はんだフィーチャのベースは、接触領域より大きくすることはできず、多くの場合、接触領域よりも小さい。リフローはんだ付けプロセス中に、はんだフィーチャは、流動性になり、接触領域を濡らして埋めることができる。はんだフィーチャ内に所定量のはんだがある場合に、その下の接触面積が大きいほど、結果として生じるはんだフィーチャの「平坦部」は、リフローはんだ付けプロセスの後により平坦になる。逆に、はんだフィーチャ内に同じ量のはんだがある場合に、その下の接触面積が小さいほど、リフローはんだ付けプロセス後に結果として得られるはんだフィーチャが高くなり、電子部品がフレキシブル基板２１４からさらに遠ざかる。図９及び図１０を参照されたい。バンプ・ランディング領域４１２Ａに充填することができるはんだの量は、（図９及び図１０に入る方向に沿った）長さ、（図９でラベル付けされた）幅、及びはんだフィーチャ４１４Ａの高さ（ＵＢＭ層４０８の上面からはんだフィーチャ４１４Ａの上面までを測定する）によって決定される。はんだフィーチャ４１４Ａの長さ及び高さが固定されている場合に、はんだフィーチャ４１４Ａの幅によって、はんだフィーチャ４１４Ａ内のはんだ材料の量が決定される。すなわち、はんだフィーチャ４１４Ａの幅を制御することにより、はんだフィーチャ４１４Ａ内のはんだ材料の量を制御することができる。従って、アンダーフィル材料層４２２の厚さは、はんだフィーチャ４１４Ａの幅及び接触領域４０６Ａの幅を調整することによって調整することができる。例えば、はんだフィーチャ部４１４Ａの幅が小さく、接触領域４０６Ａの幅が大きい場合に、少量のはんだ材料がより大きな接触領域４０６Ａに沿って広がり、その結果、リフローはんだ付けプロセス後の最終的なはんだフィーチャの高さが低くなる。一方、はんだフィーチャ４１４Ａの幅が大きく、接触領域４０６Ａの幅が小さい場合に、大量のはんだ材料が小さな接触領域４０６Ａに沿って広がり、その結果、リフローはんだ付けプロセス後の最終的なはんだフィーチャの高さが増大する。
【００４５】
当業者はまた、上で説明した装置、システム、及び方法が様々な方法で修正され得ることを認識するであろう。従って、当業者は、本開示に含まれる実施形態が、上で説明した特定の例示的な実施形態に限定されるものではないことを理解するであろう。その点で、例示的な実施形態について、図示し、説明してきたが、前述の開示では、広範囲の修正、変更、及び置換が企図されている。このような変形は、本開示の範囲から逸脱することなく、前述したことに対して行われ得ることが理解される。従って、添付の特許請求の範囲は、広く、且つ本開示と一致する態様で解釈することが適切である。
【図１】
2021500981.tif 000002
【図２】
2021500981.tif 000003
【図３】
2021500981.tif 000004
【図４Ａ】
2021500981.tif 000005
【図４Ｂ】
2021500981.tif 000006
【図５】
2021500981.tif 000007
【図６】
2021500981.tif 000008
【図７】
2021500981.tif 000009
【図８】
2021500981.tif 000010
【図９】
2021500981.tif 000011
【図１０】
2021500981.tif 000012
【図１１】
2021500981.tif 000013
【図１２】
2021500981.tif 000014
【図１３】
2021500981.tif 000015
【図１４】
2021500981.tif 000016
【図１５】
2021500981.tif 000017
【図１６】
2021500981.tif 000018
【図１７】
2021500981.tif 000019
【図１８】
2021500981.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月12日(2020.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管腔内超音波スキャナアセンブリを製造する製造方法であって、当該製造方法は、
フレキシブル回路構造を製造するステップであって、
フレキシブル基板と、該フレキシブル基板の上の導電層と、該導電層の上のポリマー絶縁層であって、前記導電層の複数の接触領域を露出するようにパターン形成されるポリマー絶縁層と、を含むフレキシブル回路を提供するステップ、
前記ポリマー絶縁層及び前記導電層の前記複数の接触領域の上にバンプ下メタライズ（ＵＢＭ）層を堆積するステップ、
ドライフォトレジスト層を前記ＵＢＭ層の上に形成するステップ、
複数のバンプ・ランディング領域の上の前記ドライフォトレジスト層の部分を選択的に除去するステップであって、前記複数のバンプ・ランディング領域のそれぞれが、前記複数の接触領域のうちの１つの接触領域内に配置される、選択的に除去するステップ、
前記複数のバンプ・ランディング領域の上にはんだ材料を電気めっきするステップ、
前記ドライフォトレジスト層の残りの部分を除去するステップ、及び
前記複数のバンプ・ランディング領域の外側の前記ＵＢＭ層の部分を除去するステップ、によりフレキシブル回路構造を製造するステップと、
前記はんだ材料の上にはんだフラックスを塗布するステップと、
超音波トランスデューサの接触パッドが前記はんだ材料と整列して接触するように、前記超音波トランスデューサを前記フレキシブル回路構造の上に配置するステップと、
第１のリフローはんだ付けプロセスを前記フレキシブル回路構造に行って、前記接触パッドと前記はんだ材料を接合するステップと、を含む、
製造方法。
【請求項２】
前記第１のリフローはんだ付けプロセスを行った後に、前記はんだフラックスを前記フレキシブル回路構造から除去するステップをさらに含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記はんだフラックスを前記フレキシブル回路構造から除去するステップは、
前記フレキシブル回路構造を脱イオン水でリンス洗浄するステップと、
前記フレキシブル回路構造をベーキング処理して、前記脱イオン水を除去するステップと、を含む、請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記超音波トランスデューサと前記フレキシブル回路構造との間にアンダーフィル材料層を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記超音波トランスデューサと前記フレキシブル回路構造との間に前記アンダーフィル材料層を形成するステップは、
前記超音波トランスデューサと前記フレキシブル回路構造との間にアンダーフィル材料を分配するステップと、
前記超音波トランスデューサと前記フレキシブル回路構造との間の前記アンダーフィル材料を硬化させるステップと、を含む、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記アンダーフィル材料を硬化させるステップは、第２のリフローはんだ付けプロセスを前記フレキシブル回路構造に行うステップを含む、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記ドライフォトレジスト層を前記ＵＢＭ層の上に形成するステップは、
ドライフォトレジストフィルムを前記フレキシブル基板に取り付けるステップと、
前記ドライフォトレジストフィルムを前記フレキシブル回路に押し付けるステップと、を含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
前記複数のバンプ・ランディング領域の上の前記ドライフォトレジスト層の部分を選択的に除去するステップは、
前記複数のバンプ・ランディング領域の上の前記ドライフォトレジスト層の前記部分を光源に露光するステップと、
現像液を用いて、前記複数のバンプ・ランディング領域の上の前記ドライフォトレジスト層の前記部分を現像するステップと、を含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項９】
前記複数のバンプ・ランディング領域の上の前記ドライフォトレジスト層の前記部分を選択的に除去するステップは、
前記複数のバンプ・ランディング領域の上の前記部分以外の前記ドライフォトレジスト層の部分を光源に露光するステップと、
現像液を用いて、前記複数のバンプ・ランディング領域の上の前記ドライフォトレジスト層の前記部分を現像するステップと、を含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記複数のバンプ・ランディング領域の外側の前記ＵＢＭ層の部分を除去するステップは、酸性溶液を用いて、前記複数のバンプ・ランディング領域の外側の前記ＵＢＭ層の前記部分をエッチングするステップを含む、請求項１に記載の製造方法。
【国際調査報告】
2021500981.tif 000021
2021500981.tif 000022
2021500981.tif 000023