(57)【要約】【課題】表示装置において、構造体の全体的な側面積を著しく増加させることなく、大きいゲッタ領域を得る。【解決手段】発光装置が、装置のアクティブ発光部分を横切って相対的に均一な方法で容易に分配されるゲッタ物質（５８）を伴って設けられる。電子放出装置が、装置のアクティブ電子放出部分を横切って相対的に均一に容易に分配されるゲッタ物質（１１２と，１１０／１１２と，１２８と，１３２と，１４２）を伴って同様に設けられる。溶射、角を形成する物理析出、マスクレス電気泳動析出／誘電泳動析出のような技術が、ゲッタ物質を析出するために使用される。【選択図】図５
2008258176.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレートと；
前記プレートの上に設けられており、可視光の非伝導である遮光領域で、前記プレートが可視光の伝導である場所の上側の前記遮光領域を経て延びている開口部と；
前記プレートの上に設けられており、前記遮光領域中の前記開口部中に少なくとも部分的に位置された発光領域と；
前記遮光領域の少なくとも一部分の上に設けられている第１の電気非絶縁層と；
前記遮光領域の上側の前記非絶縁層の上に設けられているゲッタ領域で、前記発光領域が前記プレートの上に設けられる場所で側面に沿って、前記ゲッタ領域を経て延びている開口部と；
を有していることを特徴とする構造体。
【請求項２】
前記遮光領域が前記プレートを通過し、前記遮光領域に影響を与える可視光を主として吸収することを特徴とする請求項１に記載の構造体。
【請求項３】
非絶縁層が電気伝導であることを特徴とする請求項１に記載の構造体。
【請求項４】
前記構造体の動作期間中、前記非絶縁層のための選択された電気ポテンシャルを印加するための手段をさらに含んでいることを特徴とする請求項３に記載の構造体。
【請求項５】
前記非絶縁層がまた、前記発光領域の少なくとも一部分の上に設けられることを特徴とする請求項１に記載の構造体。
【請求項６】
前記非絶縁層が可視光を反射することを特徴とする請求項５に記載の構造体。
【請求項７】
前記発光領域が、非常に高エネルギーの電子によって衝突されている上方に光を放出することを特徴とする請求項１に記載の構造体。
【請求項８】
前記遮光領域が、前記発光領域よりも前記プレートからさらに離れて延びることを特徴とする請求項１に記載の構造体。
【請求項９】
前記発光領域に衝突し、発光のための電子を放出する装置をさらに含んでいることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の構造体。
【請求項１０】
前記電子放出装置が、前記電子放出装置のアクティブ電子放出部分中に少なくとも部分的に位置されたゲッタ領域を含むことを特徴とする請求項９に記載の構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、汚染物質ガスをソービング（ｓｏｒｂｉｎｇ）（吸着している又は／及び吸収している）するためのゲッタ（ｇｅｔｔｅｒ）を有している装置に関する。さらに詳細には、本発明はフラット・パネルのブラウン管（以下、「ＣＲＴ」と言う。）ディスプレイの構成要素としての使用に適したゲッタ含有発光装置及び電子放出装置の構造体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラット・パネルＣＲＴディスプレイは基本的に電子放出装置と、発光装置とから成っている。電子放出装置は、相対的に広領域にわたって電子を放出する電子放出素子を有する。電子は、発光装置に対応する範囲にわたって分配された発光領域の方へ方向付けられている。電子が衝突されることによって発光領域は発光し、ディスプレイの画面上の画像を生ずる。
【０００３】
電子放出装置は、位置されている電子放出素子の上に、一般にバックプレートと呼ばれるプレートを有する。発光装置は、位置されている発光領域の上に、一般にフェースプレートと呼ばれるプレートを同様に有する。バックプレート及びフェースプレートは、密封外囲器（ｓｅａｌｅｄ ｅｎｃｌｏｓｕｒｅ）を形成するために通常外壁を経て互いに接続されている。
【０００４】
適切に動作することのできるフラット・パネルＣＲＴディスプレイの場合、密封外囲器は高真空であることが必要である。外囲器中の汚染物質ガスはディスプレイを退化させ、ディスプレイの寿命や不均一にディスプレイ光度を減少させるというような種々の問題を引き起こす。従って、フラット・パネルＣＲＴディスプレイは密閉され（空気を通さない）、ディスプレイが密封された時に高真空が密封外囲器を設け、さらに高真空は後に密封するためのディスプレイを維持しているということが絶対に必要である。
【０００５】
密封動作の間及び後の必須の高真空を維持することは、フラット・パネルＣＲＴディスプレイが、通常汚染物質ガスをソーブするゲッタ（若しくはゲッタリング）物質を伴って設けられている。汚染物質ガスをソーブするためのゲッタの能力は、通常ゲッタ増加の表面積を増やす。フラット・パネルＣＲＴディスプレイのアクティブ画像面積は、ディスプレイの全体的な側面積（ｌａｔｅｒａｌ ａｒｅａ）の大部分であることが一般に望ましい。従って、一般のデザイン目的は、ディスプレイの全体的な側面積を著しく増加させることなく、大きな表面積を有するようなゲッタ物質を構成することである。
【０００６】
図１〜図４は、一般に電界放射ディスプレイ（以下、「ＦＥＤｓ」と言う。）と呼ばれる電界放射フラット・パネルＣＲＴディスプレイの発光装置中に、ゲッタ物質を与えるための配置である４つの従来技術を示している。図１の発光装置は米国特許第５，６０６，２２５号（特許文献１）及び米国特許５，６２８，６６２号（特許文献２）に開示されている。図２の発光装置は米国特許第５，４９８，９２５号（特許文献３）に開示されている。図３及び図４の発光装置は米国特許第５，９４５，７８０号（特許文献４）に開示されている。
【０００７】
図１の発光装置は透明な平面基板１０と、透明な電気伝導アノード層１２と、蛍光物質領域１４と、蛍光領域１４を側面に沿って分離する平行リッジのように配置されたバリア構造体１６とを有する。バリア構造体１６は、好ましくは可視スペクトルを横切る不透明な物質から成る。偏光電極１８はバリア構造体１６の上にそれぞれ位置されている。電極１８はバリア構造体１６の内の望ましい１つの方へ電子を偏光するように制御されている。さらに電子偏光機能を実施することに加え、電極１８は好ましくはジルコニウム、バナジウム、鉄の合金のようなゲッタ物質から成っている。
【０００８】
図２において、発光装置は透明な平面基板２０と、透明な電気伝導層２２と、蛍光体領域２４とを有する。ウェブ２６は不透明であっても良く、各蛍光体領域２４を側面に沿って囲んでいる。ウェブ２６はジルコニウム、鉄、アルミニウムの合金のようなゲッタ物質を含んでいても良い。透明な導電層２２に加えて、若しくは透明な導電層２２に代えて、図２の発光装置は、蛍光体領域２４及びウェブ２６の上に形成されるアルミニウムの薄い光反射フィルム（図示せず）を含んでいても良い。この時の光反射フィルムはディスプレイのアノードとしての機能を果たす。
【０００９】
図３の発光装置は透明な基板２８と、蛍光体領域３０と、各蛍光体領域３０を側面に沿って囲む電気伝導物質３２とを有する。気体吸着、すなわちゲッタリングである層３４は、導電物質３２の一部分の上に設けられている。気体吸着層３４は、層３４のための望ましい側面形状を有している適切なマスクを経る気体吸着物質のインタフェース装置を、電気泳動析出することによって形成されても良い。
【００１０】
図４において、発光装置は図３と同じように配置された基板２８と、蛍光体領域３０と、導電物質３２とを有する。気体吸着層３６は、図４の装置中の蛍光体領域３０及び導電層３２の上に設けられている。薄い保持層３８は通常アルミニウムであり、蛍光体領域３０及び導電層３２の上に設けられている。気体吸着層３６が蛍光体領域３０と隣接しているので、層３６は領域３０によって放出された汚染物質ガスをソーブする。米国特許第５，９４５，７８０号（特許文献５）は、保持層３８が層３８を通過することができ、また、層３６によってソーブされている汚染物質ガスを可能にする経路を有するかどうかについては指摘していない。
【００１１】
ゲッタ物質が、図１〜図４の各従来技術のゲッタ含有発光装置中のアクティブ映像領域中に位置されている。従って、これらの各装置は、装置の全体的な側面積を著しく増加させることなく、大きなゲッタ表面積を得る能力を表している。しかしながら、図１〜図４の従来技術の装置のすべては、重大な欠点を有する。
【００１２】
例えば光の強度は、図１の装置及び、通常図２の装置で起こるような透明な電気伝導体を通過する時に著しく削減されている。図３の装置を有しているディスプレイ中のアノードとしての機能を果たす導電物質３２が、蛍光体領域３０の側面に位置されているので、図３の装置は領域３０と直接に直線であるアノードを欠いている。それ故に、望ましくない電子軌道偏光に影響されやすい。電子は図４の装置中の蛍光体領域３０に衝突する前に、気体吸着層３６を通過しなければならない。その結果、ディスプレイの効果を削減している。
【００１３】
図１〜図４の発光装置と、米国特許第５，８６６，９７８号（特許文献６）とを比較すると、米国特許第５，８６６，９７８号（特許文献６）は、電子放出装置と結合されている発光装置を経た外壁に沿って位置されているゲッタ物質中のＦＥＤを開示している。ゲッタ物質は発光装置及び電子放出装置の両方に隣接している。発光装置において、ゲッタ物質は蛍光体領域の上に延びるアルミニウム層の薄い周辺の細長片（ｓｔｒｉｐ）の上に設けられている。米国特許第５，８６６，９７８号（特許文献６）のＦＥＤは図１〜図４のＦＥＤｓの多くの欠点を回避しているけれども、外壁に沿ってのみ配置しているゲッタ物質は、長いディスプレイ寿命を得るための十分なゲッタ表面積を与えなくても良い。
【００１４】
図４の発光装置に若干反して、欧州特許出願公開（以下、「ＥＰＰ」と言う。）第９９６，１４１号（特許文献７）は、フラット・パネルＣＲＴディスプレイを開示し、その発光装置は、順にディスプレイのアクティブ領域中の蛍光物質上に設けられている光反射層上に位置されたゲッタ物質を有する。通常ストライプ状に形成されている電気伝導ブラックマトリクスは、アノード層の下に、従ってゲッタ物質の下に位置されている。ＥＰＰ第９９６，１４１号（特許文献７）は、ゲッタ物質が全体のアノード層の上に位置されたブランケット層であるということを開示している。ＥＰＰ第９９６，１４１号（特許文献７）は、ゲッタ物質がパターン化されているということも開示している。ブラックマトリクスがストライプから成る時、ＥＰＰ第９９６，１４１号（特許文献７）ではゲッタ物質がブラックマトリクスストライプの上側のアノード層上に位置され、若しくはアノード層を経て延びているチャネル中に、外見上ブラックマトリクス層上に直接位置されたストライプから成るということを開示している。
【００１５】
ＥＰＰ第９９６，１４１号（特許文献７）は、ゲッタ物質がフラット・パネルＣＲＴディスプレイの電子放出装置中の特定の電気伝導体の上に、代わりに又は加えて与えられることができるということを明記している。さらに、ＥＰＰ第９９６，１４１号（特許文献７）は、ゲッタ物質が電子放出装置中の電気絶縁層の上に延びている横列導体上に位置されている場合の表面導電フラット・パネルＣＲＴディスプレイを開示している。横列導体が絶縁層の上側の縦列導体を横断する実施例において、ゲッタ物質は、また縦列導体の露光された部分上に与えられている。
【００１６】
ＥＰＰ第９９６，１４１号（特許文献７）の表面導電フラット・パネルＣＲＴディスプレイは、上述の従来のゲッタ含有フラット・パネルＣＲＴディスプレイのいくつかの欠点を解決している。装置の蛍光物質を被覆することがない発光装置中のブラックマトリクスストライプの上に設けられているためのゲッタ物質を配置することによって、電子放出装置中の表面導電によって放出される電子は、蛍光物質に衝突する前のゲッタ物質を通過する必要がない。ＥＰＰ第９９６，１４１号（特許文献７）のディスプレイは、図４の発光装置を有しているフラット・パネルＣＲＴディスプレイで起こる能率ロスをこのように回避している。しかしながら、分離された電子放出位置の密度は、ＥＰＰ第９９６，１４１号（特許文献７）のディスプレイにおいて比較的低く、また、ディスプレイの画像強度における不均一性の原因となる。
【００１７】
ディスプレイの全体的な側面積を著しく増加することなく、高ゲッタ表面積を得るために配置されるゲッタ物質を依然と有している前述の不都合を回避するためのフラット・パネルディスプレイの発光装置を構成することが望ましい。同様に、ゲッタ物質が著しく増加するディスプレイの全体的な側面積を引き起こすことがなく、フラット・パネルディスプレイ中の高ゲッタ表面積を得るように配置されている場合において、電子放出装置を有することが望ましい。また、ゲッタ物質が発光装置又は電子放出装置のアクティブ部分を横切って、相対的に均一な方法で分配されるということが望ましい。
【特許文献１】米国特許第５，６０６，２２５号明細書
【特許文献２】米国特許第５，６２８，６６２号明細書
【特許文献３】米国特許第５，４９８，９２５号明細書
【特許文献４】米国特許第５，９４５，７８０号明細書
【特許文献５】米国特許第５，９４５，７８０号明細書
【特許文献６】米国特許第５，８６６，９７８号明細書
【特許文献７】欧州特許出願公開第９９６，１４１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、有利に位置付けされたゲッタ領域を有している装置を提供する。本発明に係る装置は、例えば発光装置又は電子放出装置として具現化されている。いずれにせよ、ゲッタ領域は、通常装置のアクティブ部分中に少なくとも部分的に位置されている。装置のアクティブ部分中にゲッタ物質を有することによって、高ゲッタ表面積が、装置の全体的な側面積を著しく増加させることなく得られる。
【００１９】
重要なことは、本発明に係る発光装置又は電子放出装置におけるゲッタ物質が、装置のアクティブ部分を横切って相対的に均一な方法で容易に分配されていることである。問題は、アクティブ部分中の不均一なゲッタリングから生じる、そのような望ましくないアクティブ部分の圧力傾度が、本発明において容易に回避されているのである。ゲッタ領域を含んでいる本発明に係る発光装置及び電子放出装置はまた、前述の従来技術のゲッタ含有発光装置及び電子放出装置の欠点を回避するために構成されている。例えば、本発明のいずれの電子放出装置の分離された電子放出位置の密度も、容易に非常に高く作られる。その結果、分離された電子放出位置の低密度から生じる不均一性の問題を回避している。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の第１側面において、フラット・パネルディスプレイの発光装置としての使用に一般に適したゲッタ含有発光構造体は、プレートと、上に設けられている発光領域と、遮光領域と、ゲッタ領域と、電気的な非絶縁層とを有する。ここで、「電気的な非絶縁」とは、電気伝導又は電気抵抗であることを意味する。一般に可視光の不透過である遮光領域はプレートの上に設けられている。発光領域は、一般に可視光の透過であるプレートの上側の遮光領域中の開口部中に、少なくとも部分的に位置されている。ゲッタ領域は遮光領域の少なくとも一部分の上に設けられ、発光領域を部分的に側面に沿って横切るにすぎないように延びている。
【００２１】
非絶縁層は、ゲッタ領域及び発光領域の１つ又は両方の少なくとも一部分の上に設けられている。さらに、非絶縁層は通常少なくとも発光領域の上に設けられ、好ましくはゲッタ領域及び発光領域の両方の上に設けられる。非絶縁層がゲッタ領域の上に設けられる時、通常貫通されている。その結果として、ゲッタ領域は非絶縁層を経る汚染物質ガスをソーブし得る。ゲッタ領域の上に設けられる非絶縁層を有することによって、非絶縁層はゲッタ領域を保護し、発光構造体の寿命を延ばす。
【００２２】
本発明の第２側面において、フラット・パネルディスプレイの発光装置としての使用に一般に適したゲッタ含有発光構造体は、プレートと、上に設けられている発光領域と、遮光領域と、ゲッタ領域と、電気的な非絶縁層とを有する。本発明の本側面におけるプレートと、発光領域と、遮光領域とは、第１側面と同じように配置されている。すなわち、発光領域は一般に可視光の透過であるプレートの上側の遮光領域中の開口部中に、少なくとも部分的に位置されている。同様に、開口部はプレートの上に設けられた発光領域の一般に側面に沿ったゲッタ領域を経て延びている。
【００２３】
本発明の第２側面におけるゲッタ領域及び非絶縁層の位置は、第１側面の位置から見て一般に反転している。特に第２側面における非絶縁層は遮光領域の少なくとも一部分、さらにまた好ましくは発光領域の少なくとも一部分の上に設けられ、一方でゲッタ領域は遮光領域の上側の非絶縁層の少なくとも一部分の上に設けられている。非絶縁層の上に設けられるためのゲッタ領域を構成することによって、ゲッタ領域は非絶縁層が貫通されることのない発光構造体の上側に存在する汚染物質ガスをソーブし得る。
【００２４】
非絶縁層は本発明のこれら両方の側面において、通常電気伝導である。発光構造体がフラット・パネルＣＲＴディスプレイの発光装置を形成する時、非絶縁層は通常発光構造体のための電子を引き寄せるためのアノードとしての機能を果たす。非絶縁層、すなわち発光領域の上に設けられているアノードを伴って、光を放出するためにそれを引き起こしている電子はアノードを通過し、発光領域に衝突する。透明なアノードを必要としないので、光はディスプレイの正面に到達し、それを通過することができる。透明なアノードで常に生じる光伝導ロスは、ここで回避されている。実際本発明のこれら各側面における非絶縁層は、ディスプレイの光強度を増加させるように、初め後方に方向付けしている光の一部を通常反射する。
【００２５】
とりわけ、本発明のこれら両方の側面におけるゲッタ領域は少なくとも部分的に、発光構造体のアクティブ発光部分中に位置されている。従って、構造体の全体的な側面積を著しく増加させることなく、大きなゲッタ表面積を得ることができる。さらにまた、上述のような本発明の第２側面のために、開口部は通常プレートの上に設けられる発光領域で、一般に側面に沿ったゲッタ領域を経て延びている。従って、ゲッタ領域の存在は、発光領域の方へ流れる電子に不利益な効果を与える。これは、非常に効果的な方法で動作するためのフラット・パネルディスプレイを可能にする。
【００２６】
本発明の第３側面において、フラット・パネルディスプレイの電子放出装置としての使用に一般に適したゲッタ含有電子放出構造体は、プレートと、電子放出素子と、サポート領域と、ゲッタ領域とを有する。電子放出素子及びサポート領域は、両方ともプレートの上に設けられている。ゲッタ領域は、サポート領域の少なくとも一部分の上に設けられている。合成開口部はプレートの上に設けられる電子放出素子で、一般に側面に沿ってゲッタ領域及びサポート領域を経て延びている。それ故、電子放出素子は電子を空間に放出することができる。
【００２７】
サポート領域は種々の方法で実施される。例えばサポート領域は、少なくとも部分的に電子放出素子によって放出される電子を集束するシステムのベース集束構造体として形成されている。電子集束システムは、それから電気非絶縁フォーカスコーティングを含む。フォーカスコーティングは、少なくとも部分的にゲッタ領域を形成することができる。その代わりに、フォーカスコーティングが、ゲッタ領域の少なくとも一部分の上に設けられるか又は下に設けられる。フォーカスコーティングがゲッタ領域の上に設けられる時、フォーカスコーティングは、フォーカスコーティングを通過するためのガスを許容し、また、ゲッタ領域によって収集されるように通常貫通されている。他の例として、サポート領域が電子放出素子から電子を選択的に抽出するか、若しくは電子放出素子によって放出された電子を選択的に通過する制御電極として、少なくとも部分的に形成されている。制御電極はプレートの上に設けられ、露光されている電子放出素子を経る開口部を有している。
【００２８】
本発明の第４側面において、フラット・パネルディスプレイの電子放出装置としての使用に一般に適したゲッタ含有電子放出構造体は、プレートと、上に設けられている電子放出素子と、制御電極と、ゲッタ領域とを有する。制御電極は本発明の第３側面の場合と同様に構成され、機能している。従って、開口部は電子放出素子を露光するための制御電極を経て延びている。
【００２９】
本発明の第４側面におけるゲッタ領域は、制御電極の少なくとも一部分の上に設けられ、制御電極と接触するか、又は制御電極のために直接的に下に設けられている物質によって接続されるかのどちらかである。電子放出素子は通常プレートの上に設けられ、制御電極に延びる電子集束システムの一部分又は全部のように、突起部分中の開口部を経て露光されている。ゲッタ領域は突起部分中の前記開口部を経て露光され、又は／及び該開口部中に位置されても良く、若しくは突起部分中のさらなる開口部を経て露光されても良い。後者の場合において、動作可能でない電子放出素子は、通常突起部分中のさらなる開口部を経て露光されている。
【００３０】
本発明の第５側面は、電子集束機能を実施するためのゲッタ領域を使用することを必要とする。特にフラット・パネルディスプレイの電子放出装置としての使用に一般に適した電子放出構造体は、プレートと、プレートの上に設けられている電子放出素子と、プレートの上に設けられているゲッタ領域とを有する。ゲッタは、電子放出素子によって放出されるフォーカス電子で形成され、位置付けられ、そして制御されている。ゲッタ領域は電子集束機能を実施し、通常そのようなフォーカスポテンシャルを受け取るので、ゲッタ領域は、通常露光されている電子放出素子を経る開口部を有している制御電極から、実質的に電気分断されている電気非絶縁物質で成る。
【００３１】
本発明の第６側面において、フラット・パネルディスプレイの電子放出装置としての使用に一般に適したゲッタ含有電子放出構造体は、プレートと、上に設けられている電子放出素子の一群と、露光されている電子放出素子を経るそれぞれの開口部を有している側面に沿って分離された制御電極の一群と、ゲッタ領域とを有する。制御電極は、本発明の第３側面における制御電極と同様に、ここでは機能する。ゲッタ領域は、プレートの上に設けられている連続した一対の制御電極の間の位置で、プレートの上に設けられる。ゲッタ領域及び電子放出素子は通常突起部分中、さらにプレートの上に設けられ、制御電極の上に延びている電子集束システムの通常一部分又は全部中の開口部を経て延びている。
【００３２】
本発明の第７側面において、フラット・パネルディスプレイの電子放出装置としての使用に一般に適したゲッタ含有電子放出構造体は、プレートと、上に設けられている電子放出素子の一群と、プレートの上に設けられている側面に沿って分離された制御電極の一群と、プレートの上に設けられている突起部分と、プレートの上に設けられているゲッタ領域とを有する。制御電極は電子放出素子から電子を選択的に抽出し、若しくは電子放出素子によって放出される電子を選択的に通過する。電子集束システムである突起部分は、各制御電極の少なくとも一部分に延びている。ゲッタ領域は、突起部分中の開口部を経て露光されているか、又は／及び前記開口部中に位置されている。
【００３３】
本発明の第７側面におけるゲッタ領域は、通常制御電極の内の１つの少なくとも一部分の上に設けられている。電子放出素子は突起部分中の前述の開口部を経て露光されている。その代わりに、動作可能でない電子放出素子は突起部分中の開口部を経て露光されても良い。すなわち、突起部分中の前記開口部は、電子放出素子を露光するために使用されるいずれの開口部からも分離されている。
【００３４】
本発明の第３〜第７側面のいずれにおいても、電子放出構造体がフラット・パネルＣＲＴディスプレイの電子放出装置を形成する時、示されたいずれの方法においても構成している電子放出構造体は、少なくとも部分的に構造体のアクティブ電子放出部分中にゲッタ領域を位置することを可能にする。従って、ディスプレイの全体的な側面積を著しく増加することなく、大きなゲッタ面積を容易に得ることができる。
【００３５】
本発明に係る発光構造体及び電子放出構造体の各々は、上述したようにたった１つのゲッタ領域のみを有している。それにも拘わらず、これら構造体の各々は、多数のゲッタ領域を有することまで及ぶ。例えば本発明の最初の４つのどの側面においても、構造体の繰り返しが隣り合って配置されている。本発明の最後の２つの各側面において、ゲッタ領域は単純に繰り返されている。その結果として起こる発光構造体又は電子放出構造体中のゲッタ物質は、構造体のアクティブ部分を横切る相対的に均一な方法で分配されている。さらにまた、本発明に基づくゲッタ領域を伴って設けられる発光構造体は、ゲッタ含有アクティブ部分を有している電子放出構造体と結合されている。また、逆の場合も同様である。
【００３６】
様々な技術は、本発明に係る発光構造体及び電子放出構造体の製作のための本発明に基づいて使用され得る。例えばゲッタ物質は、物理的に曲げられた析出（ａｎｇｌｅｄ ｐｈｙｓｉｃａｌ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（凝華）によって析出され得る。ゲッタは、通常相当量の汚染物質ガスをソーブすることを可能にするためのゲッタのために、かなりの多孔率を有する必要があるという事実に注目すると、角を形成する蒸発は、ゲッタ領域のための多孔性の微細構造体の望ましいタイプを一般に生成する。物理的に曲げられた析出は、本発明に係る特定の発光装置及び電子放出装置を実行するプレート構造体で、ゲッタ物質が開口部の中の一部分から一部分までにのみ蓄積するようなプレート構造体における開口部の上にゲッタ物質を析出するために通常使用されている。
【００３７】
ゲッタ物質は、プラズマスプレイ若しくは火炎スプレイのような溶射（ｔｈｅｒｍａｌ ｓｐｒａｙ）技術によって、フラット・パネルディスプレイの完成された構成要素の上に部分的に析出される。本発明に基づくディスプレイの構成要素上のゲッタ物質の溶射は、選択的に又は非選択的に、すなわちブランケット方法で実施されている。１つの選択的な技術は、構成要素の確実な物質に蓄積されていることからゲッタ物質をブロックするためのマスクを使用することを必要とする。マスクは、マスクの上に蓄積されたどのゲッタ物質をもリフトオフ（ｌｉｆｔ ｏｆｆ）するための溶射動作の後に、通常取り除かれている。
【００３８】
他の選択的な技術は、ディスプレイ構成要素の一部分上に角を形成する方法でゲッタ物質を溶射することを必要とする。この場合において、ゲッタ物質は構成要素の第１の表面上に蓄積されるが、構成要素を部分的に経て延びる開口部の底ではなく、通常第１の表面から始まることが望ましい。この目的を達成するために、ゲッタ物質は第１の表面に対して垂直に延びている直線に関連して測定され、ゲッタ物質が開口部中に一部分から一部分までにのみ蓄積するということで、十分に大きい平均傾斜角で第１の表面上に溶射される。結果として、ゲッタ物質は開口部の底ではなく、第１の表面に蓄積する。
【００３９】
ゲッタ物質の相対的に厚い層は、通常溶射によって析出される。溶射ゲッタ物質を受け取る構成要素が、フラット・パネルＣＲＴディスプレイ中の電子放出と対向する側に位置された発光装置である時、ゲッタ物質は通常少なくとも部分的に位置されている発光領域で、開口部を有している遮光領域の上に設けられる。遮光領域は後方に離れた発光領域に撒き散らされた電子を収集することによって、ディスプレイ性能を通常高める。ゲッタ物質が遮光領域の上に設けられているので、ゲッタ物質はそのような後方散乱電子を収集することを援助する。この援助を与えるためのゲッタ物質の能力は、ゲッタ物質の増加している厚み（又は高さ）と共に増加する。その結果、溶射によって析出しているゲッタ物質は、高性能フラット・パネルＣＲＴディスプレイを製造することを容易にする。
【００４０】
電気泳動析出又は／及び誘電泳動析出は、フラット・パネルディスプレイの部分的に組立てられた構成要素の一部分上にゲッタ物質を析出するためのマスクレス方法で使用されている。ゲッタ物質のマスクレス電気泳動析出／マスクレス誘電泳動析出を実行するために、構成要素は普通印加されている適切なポテンシャルのための電気伝導物質を有している。導電物質は、例えば制御電極又はフォーカスコーティングを形成しても良い。ゲッタ物質は、それから構成要素上の他の所で、著しく蓄積することがない導電物質の上に蓄積する。マスキングステップはしばしば高価なために回避されているので、マスクレス電気泳動析出／マスクレス誘電泳動析出が有利である。
【００４１】
簡単に言えば、本発明に基づいて構成される発光構造体又は電子放出構造体は、構造体の全体的な側面積を著しく増加させることなく、高ゲッタ領域を得るように構造体のアクティブ部分中に位置されたゲッタ領域を有する。高真空環境で使用されている時、発光構造体又は電子放出構造体の寿命は著しく延びている。本発明の発光構造体は、前述した従来技術の発光装置の伝導ロス及び他の欠点を回避する。ゲッタ物質は、発光構造体又は電子放出構造体の他の一部分を汚染することなく、又は他に悪影響を与えることなく必要とされているゲッタ物質を容易に蓄積することを可能とした技術によって析出される。本発明は、従来技術を凌駕する大きな発展を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
種々の構成は、本発明に基づくゲッタ領域を伴って設けられる発光装置及び電子放出装置のために下記に記述されている。電子放出装置の各々は電界放射原理に従って動作し、ここではしばしば電界放射と呼ばれている。発光装置の内の１つが電界放射の内の１つと結合されている時、その結合は電界放射ディスプレイ（以下、再度「ＦＥＤ」と言う。）を形成する。
【００４３】
本発光装置の各々は、よくある下記に述べられるもの以外の電子放出装置と一般に結合され得る。例えば本電子放出装置の各々は、熱放射又は電界放射に加えて、他の技術に基づいて動作する電子放出装置と結合されている。その場合には、発光装置及び電子放出装置の結合は単にフラット・パネルＣＲＴディスプレイである。同様に、本電子放出装置の各々は、フラット・パネルＣＲＴディスプレイを単に形成するための、よくある下記に述べられるもの以外の発光装置と結合され得る。その結果生じたフラット・パネルＣＲＴディスプレイが特にＦＥＤであるか否かに関係なく、ディスプレイはフラット・パネルテレビジョン、パーソナル・コンピュータ、ラップトップ型コンピュータ、ワークステーション若しくは携帯情報端末のような携帯端末用のフラット・パネルビデオモニタに適している。
【００４４】
本フラット・パネルＣＲＴディスプレイの各々における電子放出装置は、横列及び縦列を成して配設された電子放出領域の２次元配列を有する。各電子放出領域は、コーンやフィラメント、不規則に形成された粒子のような１つ又は１つ以上の電子放出素子から成る。ディスプレイの発光装置は、横列及び縦列を成して配列された発光領域の２次元配列を有する。各発光領域は通常蛍光体で成り、電子放出領域の内の対応している１つに対向してそれぞれ位置されている。
【００４５】
本フラット・パネルディスプレイの各々は、通常カラーディスプレイであるが、例えば緑黒（ｂｌａｃｋ−ａｎｄ−ｇｒｅｅｎ）や白黒のようなモノクロディスプレイであっても良い。各発光領域及び対向側に配置された対応電子放出領域は、モノクロディスプレイ中のピクセル、及びカラーディスプレイ中のサブ・ピクセルを形成する。カラーピクセルは、赤色用、緑色用、青色用の通常３つのサブ・ピクセルから成る。
【００４６】
フラット・パネルＣＲＴディスプレイは、ディスプレイのアクティブ領域中にその画像を形成する。アクティブ領域は、発光装置のアクティブ発光部分と、電子放出装置のアクティブ電子放出部分と、アクティブ発光部分及びアクティブ電子放出部分の間の空間とから成る。アクティブ発光部分は、発光領域の最初の横列から発光領域の最後の横列にかけて延び、また、発光領域の最初の縦列から発光領域の最後の縦列にかけて延びている。アクティブ電子放出部分は、電子放出領域の最初の横列から電子放出領域の最後の横列にかけて延び、また、電子放出領域の最初の縦列から電子放出領域の最後の縦列にかけて同様に延びている。
【００４７】
電子放出装置の外面に対して垂直の方向から見て、電子放出領域の各横列は、電子放出装置のアクティブ部分を横切って延びる一対の想像平行直線（又は平面）によっておおざっぱに固定されている。２本の直線の間に位置されており、また電子放出領域の横列を有する装置領域が、ここでは「チャネル」と呼ばれている。同様に、電子放出装置の外面に対して垂直の方向から見て、電子放出領域の各縦列はアクティブ電子放出部分を横切って延びる一対の想像平行直線（又は平面）によっておおざっぱに固定されている。これら２本の直線の間に位置されており、電子放出領域の縦列を有する装置領域もまた、ここでは「チャネル」と呼ばれている。電子放出領域の横列及び縦列を有しているチャネルは、ワッフル模様のようなパターンを形成するために交差している。放出素子の横列及び縦列の交差しているチャネルの間の領域は、ここでは「交差領域」と呼ばれている。
【００４８】
電子放出装置の各々は、対向する側に位置される発光装置を除去している電子電流の大きさを制御するための制御電極の一群を有する。電子放出装置が電界放射である時、制御電極は電子放出素子から電子を抽出する。発光装置中のアノードは、発光領域の方へ抽出された電子を引き付ける。
【００４９】
電子放出装置が、例えば熱放射によるディスプレイ動作の間、電子を連続して放出する電子放出素子を有する時、制御電極は放出された電子を選択的に通過する。すなわち、制御電極がない状態で、これらの電子が制御電極の位置を行き過ぎることを可能にする条件の下で放出されている時、制御電極は制御電極を通過するための特定の電子を許容し、またそれらの電子の残りを収集するか、一の方では残りの電子が制御電極を通過することを防止する。発光装置中のアノードは、発光領域の方へ通過した電子を引き付ける。
【００５０】
本発光装置及び電子放出装置の各々は、一般にプレートと共にプレート構造体を形成するフラットプレートと、上に設けられている層の一群と、領域とから成る。フラット・パネルディスプレイにおいて、ディスプレイの画像がディスプレイの正面に現れるので、発光装置はフェースプレート構造体とここでは時々呼ばれている。フラット・パネルディスプレイ中の電子放出装置は、バックプレート構造体とここでは時々呼ばれている。
【００５１】
前述した説明において、「電気絶縁」若しくは「誘電体」という言葉は、１０１０Ω・ｃｍよ  り大きな抵抗力を有している物質に適用される。「電気非絶縁」若しくは「非誘電体」という言葉は、１０１０Ω・ｃｍ以下の抵抗力を有している物質をこのように呼ぶ。電気非絶縁物質又は非誘電物質は、（ａ）１Ω・ｃｍ未満の抵抗力のための電気伝導物質と、（ｂ）１Ω・ｃｍ〜１０１０Ω・ｃｍの範囲内である抵抗力のための電気抵抗物質と、に分類される。同様に、「電気非伝導」という言葉は、少なくとも１Ω・ｃｍの抵抗力を有している物質を呼び、電気抵抗物質と電気絶縁物質とを含む。これらのカテゴリは、１０Ｖ／μｍ以下の電界で決定されている。
【００５２】
下記に述べられる発光装置及び電子放出装置において使用されるゲッタ領域の各々は電気伝導であり、電気抵抗であり、一般に電気絶縁であっても良い１つ又は１つ以上の層又は領域から成る。各ゲッタ領域は通常電気非絶縁物質、すなわち電気伝導物質又は／及び電気抵抗物質、好ましくは金属のような電気伝導物質で構成されている。各ゲッタ領域のための対象金属は、アルミニウム、チタニウム、バナジウム、鉄、ジルコニウム、ニオビウム、モリブデナム、バリウム、タンタラム、タングステン、トリウムであり、これらの金属の１つ又は１つ以上の合金を含んでいる。チタニウムとジルコニウムは各ゲッタ領域のための特別な関係を持たせている。１つの実施例において、各ゲッタ領域はチタニウムとジルコニウムの合金で形成されている。
【００５３】
他の実施例において、各ゲッタ領域は大部分が単一原子のみで成る。単一原子は上述のゲッタ物質の内のどれか１つ、すなわちアルミニウム、チタニウム、バナジウム、鉄、ジルコニウム、ニオビウム、モリブデナム、バリウム、タンタラム、タングステン、トリウムの金属の内のどれか１つである。チタニウム及びジルコニウムの各々は、単一素子の実施例におけるゲッタ物質のための特別な関係を持たせている。
【００５４】
下記に述べる発光装置の各々の中にゲッタ領域を形成するゲッタ物質は、通常発光装置のアクティブ部分を横切って相対的に均一な方法で分配されている。同様に、ゲッタ領域若しくは下記に述べる電子放出装置の各々におけるゲッタ領域を形成するゲッタ物質は、通常電子放出装置のアクティブ部分を横切って相対的に均一に分配されている。これは、本発明の発光装置及び電子放出装置の各々が装置のアクティブ部分中の不均一なゲッタリングから生じる問題を回避することを可能にする。
【００５５】
［発光装置のアクティブ部分中にゲッタ物質を有しているフラット・パネルディスプレイ］
図５及び図６は、本発明に基づいて構成されるフラット・パネルＣＲＴディスプレイのアクティブ領域の一部分の側断面図及び平面断面図をそれぞれ示している。図５及び図６のフラット・パネルディスプレイは電子放出装置、及び外電子放出装置と対向する側に位置されたゲッタ含有アクティブ発光部分を有している発光装置を有する。電子放出装置及び発光装置は、典型的には１０−６トール（１．３３３２２×１０−４Ｐａ）以下の内部圧力である高真空で維持される密封外囲器（ｓｅａｌｅｄ ｅｎｃｌｏｓｕｒｅ）を形成するための外壁（図示せず）を経て、互いに接続されている。図６の平面断面図は、密封外囲器を経て側面に沿って延びている平面に沿った発光装置の方向をとっている。従って、図６は主として発光装置のアクティブ部分の一部分の平面図を提示している。
【００５６】
第１に、図５及び図６のフラット・パネルディスプレイ中の電子放出装置を考える。電子放出装置若しくはバックプレート構造体は、一般にフラット電気絶縁バックプレート４０と、層の一群と、バックプレート４０の内面の上に位置される領域４２とで形成されている。層／領域４２は、側面に沿って分離された電子放出領域４４の横列及び縦列の２次元配列を含む。電子放出領域４４の各々は、発光装置の方へ方向付けされている電子を放出する１つ又は１つ以上の電子放出素子（ここでは分離して図示せず）から成る。層／領域４２のアイテム４６は、電子集束システムの一部分又は全部のような突起部分（又は構造体）であり、電子放出領域４４の上側に延びる突起部分を表している。電子放出装置が電界放射である時、ディスプレイはＦＥＤである。
【００５７】
図５及び図６のフラット・パネルディスプレイの発光装置又はフェースプレート構造体は、一般にフェースプレート５０の内面の上に配置されるフラット電気絶縁フェースプレート５０と、層の一群と、領域５２とで形成されている。フェースプレート５０は透明である。すなわち、少なくとも可視光は、ディスプレイの正面でフェースプレート５０の外面上に画像を形成するために、フェースプレート５０を通過することを目的とする場所で一般に可視光の透過である。フェースプレート５０は通常ガラスで成る。層／領域５２はパターン化された遮光領域５４と、発光領域５６の横列及び縦列の２次元配列と、パターン化された第１のゲッタ領域５８と、電気非絶縁光反射アノード層６０とから成る。
【００５８】
遮光領域５４及び発光領域５６は、フェースプレート５０上に直接設けられている。発光領域５６は、電子放出装置中の電子放出領域４４のそれぞれに対応する位置で、遮光領域５４を経て延びている発光開口部６２中に位置されている。フェースプレート５０は、少なくとも開口部６２の下側で可視光の透過である。遮光領域５４は、通常発光領域５６よりも厚みがある。従って、遮光領域５４が発光領域５６の各々を完全に側面に沿って囲むように、遮光領域５４は発光領域５６よりもフェースプレート５０からさらに離れて延びている。しかしながら、遮光領域５４は、発光領域５６よりもフェースプレート５０から離れてほぼ同じ距離か、又はより少ない距離に延びている。後者の場合において、遮光領域５４は高さの一部分のみに沿って各発光領域５６を側面に沿って囲んでいる。
【００５９】
ゲッタ領域５８は遮光領域５４の表面上に位置されており、発光領域５６を有している装置領域を横切って延びている。従って、ゲッタ領域５８は、発光装置のアクティブ発光部分中に少なくとも部分的に位置付けされており、それ故に全体的なフラット・パネルディスプレイのアクティブ領域中に少なくとも部分的に位置付けされている。図５及び図６の発光装置において、ゲッタ領域５８の横端（ｌａｔｅｒａｌ （ｓｉｄｅ） ｅｄｇｅｓ）は遮光領域５４の横端でほぼ垂直に直線になっている。開口部は一般に発光開口部６２とそれぞれ調和しており、フェースプレート５０の上に設けられている発光領域５６の上側でそれぞれゲッタ領域５８を経て延びている。
【００６０】
非絶縁層６０は、発光領域５６及びゲッタ領域５８の表面上に設けられている。層６０はまた、発光開口部６２中の遮光領域５４の側壁の一部分を被覆している。層６０がブランケット層として図示されているけれども、層６０は実際には貫通されている。互いに関連して無作為な位置に位置される微小な孔は、層６０を完全に経て延びている。
【００６１】
遮光領域５４は一般に可視光の不透過である。さらに詳細には、領域５４はフラット・パネルディスプレイの正面に影響を及ぼし、フェースプレート５０を通過し、それから領域５４に影響を及ぼす可視光を主として吸収する。ディスプレイの正面から見ると、すなわちフェースプレート５０の内面よりも、フェースプレート５０の外面により近い位置から見ると、領域５４は暗く、主として黒色である。これにより、領域５４は、ここでは「ブラックマトリクス」としばしば呼ばれている。さらにまた、ブラックマトリクス５４は、主として電子放出装置中の電子放出領域４４から放出される電子によって衝突された時の非放出光である。前述した特徴は、画像コントラストを高めるためのマトリクス５４を可能にする。
【００６２】
ブラックマトリクス５４は１つ又は１つ以上の層又は領域から成り、その各々は電気絶縁、電気抵抗、電気伝導であっても良い。マトリクス５４の厚みの一部分のみが、可視光を吸収する暗黒物質から成っていても良い。マトリクス５４の厚みの暗黒部分はフェースプレート５０に隣接し、又はフェースプレート５０から垂直に分離されている。
【００６３】
ブラックマトリクス５４は、通常黒ずんだポリイミドのようなブラック高分子材料で形成される電気絶縁物質を含む。例えばマトリクス５４は、米国特許第６，０４６，５３９号に記載されているような黒ずんだポリイミドの１つ又は２つのパターン化された層から成っていても良い。マトリクス５４は、クロム又は／及び酸化クロムを含んでいても良い。適切に析出される時、酸化クロムは黒色であっても良い。典型的な実施例において、マトリクス５４は下部の黒ずんだポリイミド層と、中間のクロム接着層と、黒色であっても黒色でなくても良い上部のポリイミド層とから成る。あるいは、マトリクス５４はグラファイトを基礎としている電気伝導物質、例えば米国特許第５，８５８，６１９号に記載されているような分離された水性グラファイトで形成されても良い。
【００６４】
発光領域５６は、電子放出領域４４によって放出されている後の非絶縁層６０を通過する電子によって衝突されている上部に光を放出する蛍光体で成っている。領域５６及びそのような発光開口部６２も図６の平面図の例において、側面に沿って一般に矩形状である。図６で示される水平方向又は横列方向における３つの連続した領域５６の内の１つは、ほぼ正方形状の側面積を占有する。これは、ほぼ正方形状のカラーピクセルを定義する３つの連続した領域５６のカラーディスプレイに適している。各カラーピクセル中の領域５６の内の１つは赤色放出蛍光体から成り、各カラーピクセル中の他の領域５６の内の１つは緑色放出蛍光体から成り、各カラーピクセル中の３つ目の領域５６は青色放出蛍光体から成っている。領域５６は、例えばモノクロディスプレイ用のほぼ正方形状等の他の形状であっても良い。
【００６５】
ゲッタ領域５８は、フラット・パネルディスプレイの構成要素によって放出される汚染物質ガスをソーブする。ポリイミドのような高分子材料がブラックマトリクス５４で使用されている時、高分子材料はかなりの量の汚染物質ガスの放出をしばしば可能にしている。ゲッタ領域５８がマトリクス５４に直接隣接しているので、マトリクス５４によって放出される汚染物質ガスの一部は、これらのガスが発光装置と電子放出装置との間の密封外囲器に入る前に、領域５８によってソーブされている。マトリクス５４の次に位置付けしている領域５８はこのように有利である。領域５８は通常０．１〜１０μｍ、典型的には２μｍの厚みである。
【００６６】
多くのゲッタと同様に、ゲッタ領域５８は通常多孔性である。汚染物質ガスは領域５８の外層に沿って又は外層の近くで収集され、このために時が経つに従ってゲッタリング性能が衰えていく。「活性化（ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ）」工程に基づく領域５８を適切に処理することによって、領域５８が多孔性である時、領域５８の外層に沿って又は外層の近くで蓄積されるガスは、内部に向かって衝突されている。これは、領域５８の内部にあるガス保持性能が達するに至るまで、多くのゲッタリング性能を回復するための領域５８を可能にする。領域５８は通常多くの回数活性化させることができる。
【００６７】
ゲッタ領域５８は、フラット・パネルＣＲＴディスプレイを組立てるための外壁を互いに経て、密閉している発光装置及び電子放出装置の前に形成されている。一般的な製造手順において、汚染物質ガスが領域５８の多くの効果的なゲッタリング表面に沿って位置されているように、完成した発光装置がディスプレイ密封動作に先立って空気中に露光されている。従って、発光装置と電子放出装置との間の外囲器が高真空である間のディスプレイ密封動作の間、又は該動作の後に活性化されるために、領域５８が通常必要とされる。
【００６８】
ゲッタ領域の活性化は、種々の方法で行われ得る。領域５８は、十分に長い期間のために通常３００〜９００°Ｃといった十分に高い温度まで上昇されることによって活性化される。一般的に言って、領域５８を活性化させるために必要な時間は、活性化温度の上昇に従って減少する。高真空環境で３００°Ｃを超える温度、通常３５０°Ｃで、ディスプレイを密封することによって、活性化は密封動作の間に自動的に達成されている。ブラックマトリクス５４又は非絶縁層６０が電気抵抗物質を有する時、電圧は、活性化されるための領域５８を引き起こすために十分高い温度のために、それを加熱するための抵抗物質に印加される。
【００６９】
全体的なフラット・パネルディスプレイの構成によって、電磁波エネルギーは活性化するためのゲッタ領域５８の方へ局所的に方向付けられている。例えば領域５８は、レーザービームのように方向付けられたエネルギーの光線を伴って時々活性化されている。時として、活性化は領域５８の方へ、マイクロ波エネルギーのようなラジオ周波数エネルギーによって達成されている。
【００７０】
電子放出領域４４によって放出されているいくつかの電子は、発光領域５６の側面の非絶縁層６０を常に通過し、ゲッタ領域５８に衝突する。これらの電子は通常相対的に高エネルギーであり、領域５８の支持基盤に従っている場合には、時として領域５８を活性化するために非常に活性的である。
【００７１】
発光領域５６に衝突する電子のいくつかは、光を放出するための領域５６を引き起こすというよりも、むしろ領域５６から離れた後方に散乱されている。ブラックマトリクス５４は、これら後方散乱（ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄ）電子のいくつかを収集し、それによってそのような散乱電子が領域５６の非対象物に衝突し、また画像劣化を引き起こすことを防止する。領域５６を越えて垂直に延びるマトリクス５４を有することによって、後方散乱電子を収集するためのマトリクス５４の能力が高められている。ゲッタ領域５８がマトリクス５４の上に設けられているので、マトリクス５４の効果的な高さが増加されている。これはさらに後方散乱電子を収集するための、また画像劣化を回避するための能力を高める。ゲッタ領域５８は、実際、マトリクス５４を含む合成ブラックマトリクスの一部分とみなされている。
【００７２】
非絶縁層６０は、層６０中の微小な孔を通過し、ゲッタ領域５８によってソーブされるための密封外囲器中にガスを許容するために貫通されている。電子放出領域４４によって放出される電子はまた、発光領域５６に衝突する前に層６０を通過するので、層６０もまた通常非常に薄い。
【００７３】
非絶縁層６０は通常電気伝導であり、また発光領域５６のための電子を引き付けるためのアノードとしての機能を果たす。このために、選択されたアノードの電気ポテンシャルは、通常５００〜１０，０００Ｖ付近で、フラット・パネルディスプレイの動作の間の適切な電源（図示せず）から層６０に印加されている。層６０はまた、領域５６によって放出される最初に後方に方向付けられた光のいくつかを反射することによって、ディスプレイの画像の光度を高める。電気伝導であり、光反射であり、そして望ましい孔の特徴を有する層６０のために、層６０は通常０．３〜１．５μｍ、典型的には０．７５μｍの厚みを有しているアルミニウムのような金属で成る。
【００７４】
図５及び図６のフラット・パネルディスプレイは、ディスプレイの密封外囲器が高真空であるように組立てられており、密閉されている後の発光装置又は電子放出装置を横切る外部圧力と内部圧力の圧力差は、通常１気圧（１．０１３２５×１０５Ｐａ）付近である。スペーサ（内部サポート）は、外部圧力と内部圧力の圧力差のような外力がディスプレイを崩壊し、又はその他のダメージを与えることを防止するための発光装置と電子放出装置の間の選択された位置に通常位置されている。スペーサはまた、発光装置と電子放出装置との間で大体一定の間隔を維持する。スペーサはピクセルの特定の横列の間に位置付けされるほぼフラットな壁として通常構成されている。図６中のアイテム６４は、典型的なスペーサ壁を示している。
【００７５】
図７〜図９の各々は、本発明に基づいて構成される発光装置のゲッタ含有アクティブ発光部分の一部分の側断面図を表している。図７〜図９の各々の発光装置は、変更されたディスプレイ、さらに通常ＦＥＤを形成するような図５及び図６のフラット・パネルＣＲＴディスプレイ中の発光装置と代替可能である。下記の記述を除いて、図７〜図９の各々における発光装置は、図５及び図６の発光装置と同様に形成されて、構成され、機能している構成要素５０と、５４と、５６と、５８と、６０とを有する。
【００７６】
図７〜図９の発光装置は、図５及び図６の発光装置と比べゲッタ領域５８の側面形状で異なる。図５及び図６の発光装置において、領域５８はブラックマトリクス５４の上部表面の全部の上に設けられている（図５の位置付けでは下に設けられている）が、マトリクス５４を越えて、また発光開口部６２の中に著しく側面に沿って延びていない。１つの代替として、領域５８は、通常開口部６２の中でマトリクス５４を越え、側面に沿って延びることのないマトリクス５４の上部表面の一部分のみの上に設けられても良い。
【００７７】
もう１つの代替として、ゲッタ領域５８はブラックマトリクス５４の全体の上部平面の大部分の上に設けられ、またマトリクス５４の側壁の一部分から一部分まで、又は端から端までを延びるように発光開口部６２の中へ延びていても良い。図７は開口部６２の一部分から一部分まで、またそのようなマトリクス５４の側壁の一部分から一部分まで延びる領域５８の例を表している。この例において、領域５８は、発光領域５６の上部（図７の位置付けでは低部）表面を越えて延びている。代わりに、ゲッタ領域５８は開口部６２の中で部分的に延びているが、発光領域５６に達するためには十分でない。
【００７８】
図８は、フェースプレート５０に達するように、発光開口部６２の中の端から端までのブラックマトリクス５４の上部表面に沿って、またマトリクス５４の側壁に沿って完全に延びるゲッタ領域５８の例を表している。図８の例において、領域５８は発光領域５６の下にはっきりと設けられない（図８の位置付けにおいては上に設けられない）。図９は、領域５８がマトリクス５４の上部表面の上に設けられる例を表し、開口部６２の端から端までのマトリクス５４の側壁に沿って延び、それから開口部６２の底部にフェースプレート５０の一部分を部分的に横切って延びている。従って、領域５８の一部分は、本例において発光領域５６の下に設けられる（図９の位置付けにおいては上に設けられる）。図５〜図９の発光装置は、ゲッタ領域５８がブラックマトリクス５４の少なくとも一部分の上に設けられ、また開口部６２の底部でフェースプレート５０の位置の下にわずか部分的に延び、わずか部分的に側面に沿って横切るという共通の特徴を有する。
【００７９】
それは、ブラックマトリクス５４とゲッタ領域５８とで形成される合成ブラックマトリクスによって容易に達成されているというよりも、フェースプレート５０からさらに離れて延びる遮光ブラックマトリクスを有するためのフラット・パネルＣＲＴディスプレイの発光装置であることが望ましい。そのような場合において、図８の例で示されているように付加領域６６は、ゲッタ領域５８の上で、非絶縁層６０の下に設けられている。付加領域６６はゲッタ領域５８の上部表面上に位置されているけれども、領域６６は、領域５８の横端（両端）に対して著しく下に延びない。従って、ゲッタ領域５８は、ディスプレイの密封外囲器中に存在するガスを依然としてソーブできる。
【００８０】
付加領域６６は、通常ブラックマトリクス５４の側面形状とほぼ同じ形状である。従って、開口部は発光開口部６２と調和する領域６６を経て延びている。領域６６はまた、図５及び図６の発光装置と、図７及び図８の発光装置とを具備している。いずれにせよ、ブラックマトリクス５４と、ゲッタ領域５８と、付加領域６６との結合は、発光領域５６から離れて後方に散乱された電子を収集するための能力をさらに高めるより背の高い合成ブラックマトリクスを形成する。
【００８１】
付加領域６６は、異なる化学合成品の２つ又は２つ以上の補助領域（又は補助層）から成っていても良い。領域６６のための対象物質は、ブラックマトリクス５４のために上側に指定された物質を含んでいる。一実施例において、領域６６はポリイミドのような高分子材料で成り、それは黒色であっても黒色でなくても良い。
【００８２】
ブラックマトリクス５４は、図５に示されているものとは全く異なる側面形状を有する。例えばマトリクス５４は時々単一の連続領域であるというよりも、むしろ列方向に延びている側面に沿って分離されたストライプで成る。そういった場合には、マトリクス５４は各発光領域５６を部分的に側面に沿ってのみ囲んでいる。
【００８３】
図５〜図９のどの発光装置においても、又はこれらの図の発光装置の示された変形例のどの発光装置においても、ガスの経路にほとんど影響されず、またブラックマトリクス５４を密封するように配置されている付加領域（図示せず）を含んでも良い。この密封領域は、通常その外面に沿うマトリクス５４の全部、又はほぼ全部を被覆する。特に密封領域はマトリクス５４の上に設けられて（図５及び図７〜図９の位置付けにおいては下に設けられ）、非絶縁層６０の下に設けられる（図５及び図７〜図９の位置付けにおいては上に設けられる）。マトリクス５４が、例えばポリイミドのような高分子材料で、かなりの量の汚染物質ガスを放出する物質を有する時、密封領域はマトリクス５４によって放出されるガスがフラット・パネルディスプレイの密封外囲器に入ることを防止するために機能する。
【００８４】
種々の現象は、電子のような荷電粒子による加熱および衝突を含んでおり、それはガスを放出するためのブラックマトリクス５４を引き起こす。密封領域はまた、対向する側に位置された電子放出装置によって放出される高エネルギー電子の経路に、普通はほとんど影響されない。マトリクス５４がさらに通常ポリイミドのような高分子材料で、高エネルギー電子によって衝突されている上部にかなりの量のガスを容易に放出する物質から成る時、密封領域は主に電子放出装置によって放出される高エネルギー電子がマトリクス５４に命中することを防止する。従って、密封領域は、マトリクス５４によって放出される相当量のガスを引き起こすが、その量は著しく減少されている。
【００８５】
密封領域は通常ゲッタ領域５８の上に位置されているが、領域５８の下で、ブラックマトリクス５４と領域５８との間に位置されても良い。いずれにせよ、ゲッタ領域５８は、通常マトリクス５４の上に設けられる密封領域に沿って位置されている。図８の発光装置において、特にポリイミドのような高分子材料で、電子によって加熱されており、又は衝突されている上部にかなりの量の汚染物質ガスを放出する物質で、密封領域が形成されている時、密封領域は、通常その外面の全部又はほぼ全部を被覆するような付加領域６６の上に位置されている。また、密封領域は、付加領域６６の下に位置付けされている。密封領域の一例は、図１５ａ〜図１５ｇに関連して下記に表されている。
【００８６】
もし、密封領域がブラックマトリクスに沿った位置にひびを有していた場合に起こることを考える。密封領域に沿って位置されるゲッタ領域５８の場合、ゲッタ領域５８はマトリクス５４によって放出されており、その他密封領域中のひびを通過し、ディスプレイの密封外囲器に入る汚染物質ガスをソーブする。従って、ゲッタ領域５８及び密封領域は、そのように放出された汚染物質ガスがフラット・パネルディスプレイにダメージを与えことを防止するために協働する。
【００８７】
密封領域がゲッタ領域５８の上に位置されている時、密封領域（フェースプレート５０との結合）は、発光装置の外側に存在するガスが密封領域によって被覆されているゲッタ領域５８が到達することを防止する。結果として、ゲッタ領域５８は通常フラット・パネルディスプレイの組立て及び密閉に先立って活性化されている。発光装置は、特にブラックマトリクス５４によって放出される汚染物質ガスのガスをソーブするためのゲッタ領域５８の性能を著しく減少させることなく、ゲッタ活性化の後で、組立て及び最後のディスプレイ密封に先立って空気中に露光されている。密封領域で被覆しているゲッタ領域５８は、領域５８がディスプレイの密封外囲器中に存在する汚染物質ガスをソーブすることを主に防止するけれども、それは、かなりの製造利点である領域５８のゲッタリング性能の著しい減少を引き起こす空気中への連続した露光を有することなく、ディスプレイ密封に先立って領域５８を活性化することを可能にしている。密封領域がゲッタ領域５８を被覆する時、ディスプレイは、例えば電子放出装置中で、通常密封外囲器中に存在する汚染物質ガスをソーブするための付加ゲッタ領域を設けている。
【００８８】
もし、ゲッタ領域５８が密封領域の上に位置されているのであれば、領域５８はブラックマトリクス５４によって放出されており、密封領域中のひびを通過する汚染物質ガスと同様に密封外囲器中に存在する汚染物質ガスをソーブすることができる。ゲッタ領域５８は、それから最後のディスプレイの密封の間又は後に活性化されている。
【００８９】
密封領域は電気伝導、電気抵抗、電気絶縁物質の１つ又は１つ以上の層又は領域で形成されている。密封領域のための第１の対象物はアルミニウムのような金属を含む。密封領域のための他の対象物は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ホウ素であり、またこれらの電気絶縁体の２つ又はそれ以上の結合、例えばシリコンオキシナイトライドのような結合を含んでいる。
【００９０】
図５〜図９のどの発光装置においても、又はこれらの発光装置の前述したどの変形例においても、ゲッタ領域５８が金属又は他の電気伝導物質を有する時、領域５８の導電物質は時々フラット・パネルディスプレイのためのアノードとして使用されている。その場合において、非絶縁層６０は時々削除されている。選択されたアノードの電気ポテンシャルは、ディスプレイ動作の間に領域５８の導電物質に印加されている。
【００９１】
前述した変形例を含んでいる図５〜図９のいずれの発光装置においても、ブラックマトリクス５４が金属又は他の電気伝導物質を有する実施例において、マトリクス５４の導電物質はディスプレイのアノードとして時々使用されている。非絶縁層６０は再度時々削除されている。選択されたアノードの電気ポテンシャルは、ディスプレイ動作の間にマトリクス５４の導電物質に印加されている。もし、ゲッタ領域が電気伝導物質をも有するものであるならば、マトリクス５４及び領域５８の導電物質は合同でアノードとしての機能を時々果たす。アノードポテンシャルはそれからディスプレイ動作の間に、マトリクス５４及び領域５８の両方の導電物質に印加されている。
【００９２】
種々の工程は、図５〜図９の発光装置及び前述したそれらの発光装置の改良を施すために使用されている。図１０ａ〜図１０ｄ（以下、まとめて「図１０」と言う。）は、本発明に基づく図５及び図６の発光装置を製造するための工程を示している。図１１ａ〜図１１ｅ（以下、まとめて「図１１」と言う。）は、本発明に基づく図７の発光装置を製造するための工程を表している。図１２ａ〜図１２ｅ（以下、まとめて「図１２」と言う。）及び図１３ａ〜図１３ｄ（以下、まとめて「図１３」と言う。）は、本発明に基づく図７の発光装置の２つの変形例を製造するための工程をそれぞれ示している。図１４ａ〜図１４ｅ（以下、まとめて「図１４」と言う。）は、本発明に基づく図８の発光装置を製造するための工程を表している。図１５ａ〜図１５ｇ（以下、まとめて「図１５」と言う。）は、本発明に基づく図９の発光装置の一実施例を製造するための工程を示している。便宜上、図１０〜図１５の加工工程における断面図は、図５及び図７〜図９における断面図と相対的に逆さまにして表されている。
【００９３】
図１０の工程のための開始点はフェースプレート５０である。図１０ａを参照。遮光ブラックマトリクス物質のブランケット層５４Ｐがフェースプレート５０上に形成されている。ブラックマトリクス層５４Ｐはブラックマトリクス５４の前駆体であり、符号の最後の文字「Ｐ」は、前記文字「Ｐ」の符号の部分と一致する領域の前駆体を指示するために使用されている。ブラックマトリクス層５４Ｐは、同じ又は異なる化学合成品の２つ又は２つ以上の補助層として形成されても良い。典型的な実施例において、層５４Ｐは少なくとも黒ずんだポリイミドのようなブラック高分子材料から成っている。
【００９４】
ブラックマトリクス層５４Ｐは、種々の技術で形成されても良い。例えば層５４Ｐは化学気相析出（以下、「ＣＶＤ」と言う。）又は物理気相析出（以下、「ＰＶＤ」と言う。）によって部分的に又は全体的に析出されている。適切なＰＶＤ技術は蒸着と、スパッタリングと、溶射とを含む。ブラックマトリクス物質を有している液剤又はスラリーのコーティングは、押出しコーティング、スピンコーティング、メニスカスコーティング、液溶射、乾燥によって析出されている。適切な相当量の液剤又はスラリーは注がれており、又は他の方法でフェースプレート５０上に配置されており、ドクター・ブレード又はそれと同様な装置を使用することによって拡げられており、それから乾燥されている。シンタリング又はベーキングは必要に応じて実行されている。
【００９５】
ブラックマトリクス層５４Ｐがポリイミドを含む時、化学線で重合可能なポリイミド物質の層がフェースプレート５０の上に析出されている。ポリイミド層は、ポリイミドを硬化することによってポリメリゼーション（ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）に耐えるためのポリイミド物質を引き起こすための適切な化学線放射、例えば紫外線（以下、「ＵＶ」と言う。）光で露光されている。もし、ポリイミドがブラック特性を伴う層５４Ｐを設けるのであれば、高温での熱分解ステップは黒ずんだ硬化ポリイミドのために実施されている。層５４Ｐがポリイミド以外の高分子材料を有する時、同様な一般手順が使用されている。
【００９６】
望ましいゲッタ物質のブランケット層５８Ｐは、図１０ｃに示されている構造体を製造するためのブラックマトリクス層５４Ｐの上に形成されている。ゲッタ層５８Ｐはゲッタ領域のための望ましい多孔率を有するような方法で形成されている。層５８Ｐは、同じ又は異なるゲッタリング物質から成っている２つ又は２つ以上の補助層として形成されても良い。
【００９７】
ＣＶＤやＰＶＤのような種々の技術は、ゲッタ層５８Ｐを形成するために使用されても良い。適切なＰＶＤ技術は電気メッキと化学メッキとの両方を含んでいる蒸着と、スパッタリングと、溶射と、電気泳動析出／誘電泳動析出と、電気化学析出とを含む。ゲッタ物質を有している液剤又はスラリーのコーティングは、押出しコーティング、スピンコーティング、メニスカスコーティング、液溶射によってブラックマトリクス層５４Ｐ上に析出されており、それから乾燥されている。適度な液剤又はスラリーは層５４Ｐ上に配置されており、ドクター・ブレードや他の装置を使用することで拡げられており、それから乾燥されている。シンタリング又はベーキングは必要に応じて、そのように析出されたゲッタ物質を単一の多孔性の固体に変換するため、必要に応じて望ましくない揮発性物質を追い払うために使用されている。
【００９８】
蒸着又はスパッタリングがゲッタ層５８Ｐを物理析出するために使用されている時、蒸着又はスパッタリングは角を形成する方法で好ましく行われている。すなわち、蒸着又はスパッタリングはブラックマトリクス層５４Ｐ（の上面）に対して一般に垂直に、またフェースプレート５０（の上面又は低面）に対して一般に垂直に延びている直線でゼロでない平均傾斜角で実施されている。ゲッタ物質の原子又は粒子は、平均で、層５４Ｐに対して一般に垂直に延びている直線で指し示された傾斜角である主要な衝突軸と大体平行に、瞬時に延びる経路に沿う層５４Ｐに影響を与える。平均傾斜角は通常少なくとも１０°であり、好ましくは少なくとも１５°であり、さらに好ましくは少なくとも２０°である。角を形成する蒸着（ａｎｇｌｅｄ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のためには、平均傾斜角は通常２１°〜２２°である。傾斜角は角を形成する蒸着又はスパッタリング手順の間に変えても良い。
【００９９】
蒸着動作又はスパッタリング動作がブラックマトリクス層５４Ｐに対してほぼ垂直に、又は著しくゼロでない平均傾斜角で行われていると否とに関係なく、ゲッタ物質は高真空環境中に位置される析出源から与えられている。フェースプレート５０及び層５４Ｐから成っている部分的に組立てられたプレート構造体もまた、もちろん高真空環境中に位置されている。プレート構造体及びゲッタ物質の析出源は互いに関連して平行移動されても良い。
【０１００】
角を形成する蒸着又はスパッタリングが使用されている時、プレート構造体及びゲッタ物質の析出源は、フェースプレート５０に対して一般に垂直に延びている直線（又は軸）について互いに関連して回転されても良い。回転はほぼ一定の回転速度で行われているが、可変の回転速度で行われても良い。いずれにせよ、回転は少なくとも１つの完全な回転のために実施されている。
【０１０１】
フラット基板構造体上のゲッタ層５８Ｐのようなゲッタ層を析出する実験は、ゲッタ物質の析出が回転しない角を形成する蒸着によって行われている時、ゲッタ層が粒子間に隙間を伴う長く真っ直ぐな粒子を有するということを指示する。そのように析出された微細構造体は、ゲッタリング性能を高める相対的に高い表面積を有する。典型的な実験において、チタニウムから成っているゲッタ物質は、回転しない約２０°の平均傾斜角で析出されていた。プレート構造体を回転すること及びゲッタ物質の析出源は、互いに関連してゲッタリング性能をさらに高めるように、より大きな表面積さえをも有しているらせん形ゲッタ物質粒子を製造する。
【０１０２】
溶射がゲッタ物質層５８Ｐを形成するために使用されている時、熱源は部分的に組立てられた発光装置のブラックマトリクス層５４Ｐ上に析出されている融解粒子又は半融解粒子の溶射（ｓｐｒａｙ）をゲッタ物質に変換する。溶射は、ここに参考のために示されているヴァン・デン・ベルグ（ｖａｎ ｄｅｎ Ｂｅｒｇ）、「溶射工程」、進歩した物質＆工程、１９９８年１２月、３１〜３４ページに記載されている。溶射技術はプラズマ溶射と、ワイヤ・アーク溶射と、電気熱源を使用する両方の溶射と、フレーム溶射と、高速度酸素燃料溶射と、爆発銃溶射と、化学熱源を使用するすべての溶射とを含む。プラズマ溶射及びフレーム溶射は、ゲッタ層５８Ｐを形成するために特に魅力がある。溶射動作が完了した後、シンタリング又はベーキングは、単一多孔性の構造体を、そのように析出されたゲッタ物質に変換するために実施されても良い。
【０１０３】
類似した蒸着、スパッタリング、溶射は角を形成する方法で実施されることができる。上述の角を形成する蒸着又はスパッタリングについての説明を、角を形成する溶射に適用する。特に角を形成する溶射のための平均傾斜角は少なくとも１０°であり、好ましくは少なくとも１５°であり、さらに好ましくは少なくとも２０°である。
【０１０４】
ゲッタ物質の相対的に厚い層は溶射、特にプラズマ溶射又はフレーム溶射で容易に達成され得る。前述したように、ブラックマトリクス５４及びゲッタ領域５８で形成される合成ブラックマトリクスは、発光領域５６から離れて後方に散乱する電子のいくつかを収集し、それによってこれらの電子が非目標領域５６に衝突し、画像劣化を引き起こすことを防止する。後方散乱電子を収集するための能力が合成ブラックマトリクス増加の高さとして増加するので、ゲッタ物質の溶射はより多くの後方散乱電子を収集するように、より背を高くするための合成ブラックマトリクスの作製を容易にし得る。また、ゲッタ領域５８の増加している厚みは、ガスソービング能力を増加させる。従って、ゲッタ物質の溶射は、高能力フラット・パネルＣＲＴディスプレイを製造することを容易にする。
【０１０５】
ゲッタ層５８Ｐの電気泳動析出／誘電泳動析出は他の表面、例えばフェースプレート５０の外面に著しく蓄積することなく、ブラックマトリクス層５４Ｐ上に選択的に蓄積するためのゲッタ物質を有する粒子を引き起こすために十分な強さの電界を使用することを必要とするが、そのゲッタ物質は望ましいものではない。フェースプレート５０及びブラックマトリクス層５４Ｐで形成された部分的に組立てられたプレート構造体は、浮遊しているゲッタ物質を有している粒子において、流体中に部分的に又は完全に浸っている。適切な方法で方向付けられた電界を有することによって、粒子はゲッタ層５８Ｐを形成するための層５４Ｐの方へ移動する。通常流体は液体であるが、気体であっても良い。
【０１０６】
電気泳動析出／誘電泳動析出の間、ゲッタ物質を有している粒子は電荷を帯びている。その場合、析出は電気泳動である。陽性又は陰性の帯電は、それらが流体中に構成素子を粒子帯電する結果として流体と結合されている時、それらが流体と結合されており、又は粒子に加えられることができる地点で先立って粒子上に存在しても良い。いくつかの場合において、特に粒子が分裂されており、電界が実質的に不均一に収束する性質である時、粒子は電気非帯電である。そのような非帯電粒子の析出は、誘電泳動によって発生する。析出が電気泳動及び誘電泳動の結合によって生じるので、流体は帯電粒子及び非帯電粒子を含んでも良い。
【０１０７】
電気泳動析出及び誘電泳動析出は、「電気泳動析出」として時々共にグループ分けされている。しかしながら、「電気泳動析出／誘電泳動析出」という言葉は、析出が電気泳動及び誘電泳動の内の１つ又は両方によって生じるということを強調するためにここでは使用されている。
【０１０８】
電気泳動析出／誘電泳動析出のための電界は、ゲッタ含有物質の浮遊粒子を有している流体中に位置される２つの電極によって製造されている。異なる電気ポテンシャルは、その内の１つが大地基準であっても良く、電界を形成するポテンシャル差異を配置するための析出手順の間に２つの電極に印加されている。浮遊粒子がブラックマトリクス層５４Ｐの方へ移動し、またブラックマトリクス層５４Ｐ上に蓄積するような方法で、２つの電極は位置付けされている。
【０１０９】
ブラックマトリクス層５４Ｐが、特に露光（上部）表面に沿って電気伝導物質を有する時、導電物質は電極の内の１つとしての機能を果たす。その結果、ゲッタ層５８Ｐを形成するためのゲッタ物質、通常金属の電気泳動析出／誘電泳動析出は、析出手順の間に適切な電気ポテンシャルを伴うブラックマトリクス層５４Ｐの導電物質を設けることを必要とする。電気ポテンシャルの値は、他の電極に印加される電気ポテンシャルの値、及び浮遊粒子が陽性帯電されるか、非帯電であるか、陰性帯電されるか否かによる。
【０１１０】
種々の技術は、ゲッタ物質を有する浮遊粒子を伴う流体を与えるために使用されている。例えば粒子は流体中又は気体中に位置される物体の表面上に設けられている。もし、粒子が物体表面にくっつく傾向があるのであれば、物体は物体表面から抜け出す粒子を助けるために振動されている。振動は音波源又は超音波源から与えられている。粒子はまた溶射で発生されることもできる。
【０１１１】
ブラックマトリクス層５４が露光（上部）表面に沿って電気伝導物質を含む時、ゲッタ層５８Ｐは、例えば電気メッキ、化学メッキの電気化学析出によって形成される。同様な電気泳動析出／誘電泳動析出は、ゲッタ層５８Ｐを形成するために使用している電気メッキが、ブラックマトリクス層５４Ｐのための適切な電気ポテンシャルを与えることを必要とする。化学メッキがゲッタ層５８Ｐを形成するために使用されている時、非電気ポテンシャルはブラックマトリクス層５４Ｐ（又はゲッタ層５８Ｐ）に印加されている。
【０１１２】
図１０ｂを参照すると、発光開口部６２のための望ましい位置で開口部を有しているフォトレジストマスク（図示せず）は、ゲッタ層５８Ｐの表面上に形成されている。層５８Ｐは、層５８Ｐを経る開口部を形成するためのフォトレジストマスク中の開口部を経てエッチングされている。層５８Ｐの残りはゲッタ領域５８を構成する。フォトレジストはこの地点又は左の場所に移動されている。いずれにせよ、ブラックマトリクス層５４Ｐは、層５４Ｐを経る開口部６２を製造するためのゲッタ領域５８中の開口部を経てエッチングされている。層５４Ｐの残りはブラックマトリクス５４を構成する。もし、フォトレジストがまだ同じ場所にあるのであれば、マトリクス５４を製造するためのエッチングもまた、フォトレジストが除去されている後にマスク開口部を経て行われる。
【０１１３】
ゲッタ領域５８及びブラックマトリクス５４を層５８Ｐ及び５４Ｐに変換するために使用されるエッチングステップは、層５８Ｐ及び５４Ｐの構成によって同じエッチング液又は異なるエッチング液を伴って実施されている。両方のエッチングステップは、１つ又は１つ以上のプラズマエッチング液を異方性に使用することに実施されている。エッチングステップの内の１つ又は両方は、化学エッチング液のような等方性のエッチング液を伴って実施されている。もし、マトリクス５４を層５４Ｐに変換するために使用されるエッチングステップが等方性のエッチング液を伴って実施されているのであれば、マトリクス５４はゲッタ領域５８の下を少し切り取っても良い。
【０１１４】
図１０ａの構造体を形成し、図１０ｂの構造体を製造するための前述したブランケット析出／マスクされたエッチング技術を使用する代わりに、図１０ｂの構造体はリフトオフ技術によって形成されている。特にブラックマトリクス５４（又はゲッタ領域５８）のための望ましいパターン中に、それから発光開口部６２のための反対のパターン中に開口部を有しているフォトレジストマスクは、フェースプレート５０の上のどのブラックマトリクス又はゲッタ物質をも析出する前にフェースプレート５０の上に設けられている。ブラックマトリクス物質は、それからマスク中に開口部を導入されている。いくつかのブラックマトリクス物質はマスク上に同時に常に蓄積する。このステップは、ブラックマトリクス層５４Ｐを形成するための前述したどの方法においても実施されている。
【０１１５】
それからゲッタ物質は構造体の表面上、すなわちブラックマトリクス物質上に、ゲッタ層５８Ｐを形成するための前述したいずれの方法においても形成されている。典型的な実施例において、プラズマ溶射又はフレーム溶射の形の溶射は、ブラックマトリクス物質上にゲッタ物質を物理析出するために使用されている。フォトレジストマスクは、マスクの上に設けられているどのブラックマトリクス及び／又はゲッタ物質をもリフトオフするために除去されている。図１０ｂの構造体は、それによって製造されている。
【０１１６】
発光領域５６は、図１０ｃ中に示されているように発光開口部６２中に形成されている。領域５６の構造体は種々の方法で達成されている。カラーディスプレイのためには、赤、緑、青の３色の内の１色のみの放出光の化学線作用的な蛍光体能力のスラリーは、開口部６２の中に導入されている。各３つの開口部の内の１つは、ＵＶ光のような化学線で露光されている。非露光蛍光体は、いずれも適切な現像剤を伴って除去されている。それからこの手順は、図１０ｃの構造体が製造されるまで、他の２色の放出光の化学線作用的な蛍光体能力のスラリーを伴って２回繰り返される。
【０１１７】
非絶縁層６０は、図１０の組立て工程を完了するための発光領域５６及びゲッタ領域５８上に形成されている。層６０がまたブラックマトリクス５４の側壁の上に部分的に延びる図１０ｄを参照。層６０は、層６０を通過するためのガスを可能にする微細な孔の形で穿孔を有するように形成されている。適切な電気非絶縁物質、普通アルミニウムのような金属の蒸着は、層６０を形成するために使用される。図１０ｄの構造体は図５の発光装置を構成する。
【０１１８】
図１１の組立て工程に取りかかるにあたって、ブラックマトリクス５４がフェースプレート５０上に最初に形成されている。図１１ａを参照。これは図１０の工程におけるブラックマトリクス層５４Ｐを形成するための前述したどの方法においても、マトリクス５４のためのブランケット前駆体を形成することを課しても良い。従って、前駆体ブラックマトリクス層は、同じ又は異なる化学合成品の多数の補助層として形成されても良い。発光開口部６２のための意図された位置の上側に開口部を有している適切なフォトレジストマスク（図示せず）を使用することによって、開口部６２は、図１１ａの構造体を製造するための前駆体ブラックマトリクス層を経てエッチングされている。エッチングは、通常プラズマエッチング液のような異方性のエッチング液を伴って行われるが、等方性のエッチング液を伴って実施されても良く、ブラックマトリクス５４の望ましい形態又は／及び厚みに依存する。
【０１１９】
あるいは、ブラックマトリクス５４のための望ましいパターン中に、及びそのような発光開口部６２のための反対のパターン中に開口部を有しているフォトレジストマスクは、フェースプレート５０上のどのブラックマトリクス物質をも析出する前に、フェースプレート５０の上に設けられている。ブラックマトリクス物質はマスク開口部の中に導入されている。いくつかのブラックマトリクス物質は、マスク上に同時に蓄積されても良い。このステップは、図１０の工程におけるブラックマトリクス層５４Ｐを形成するために使用されるいずれの技術に基づいても実施することができる。マスクが、マスクの上に設けられているどのブラックマトリクス物質をもリフトオフするために除去されており、これにより、図１１の構造体を製造する。
【０１２０】
他の代替の方法として、ブラックマトリクス５４がポリイミドから成る又はポリイミドを含む時、化学線作用的なポリイミド物質の層はフェースプレート５０の上に形成されている。ポリイミド層は、陰性の色調（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｔｏｎｅ）の場合において、ブラックマトリクス５４のための意図された位置で開口部を共に有している。すなわち、ポリイミド層は重合可能であり、ポリイミド又は陽性の色調（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｔｏｎｅ）のポリイミドの場合において、発光開口部６２のための意図された位置で開口部を有しているレチクルを経る適切な化学線、例えばＵＶ光で選択的に露光されている。陰性の色調の時、露光されたポリイミド又は陽性の色調の時、露光されたポリイミドを除去するために現像動作（ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ）が実施されている。もし、ポリイミドがブラック特性を伴うブラックマトリクス５４を与えることができるのであれば、残りのポリイミドはマトリクス５４又はマトリクス５４の層を製造するために熱分解によって黒ずんでいる。マトリクス５４がポリイミド以外の高分子材料を有する時、同様な一般の手順が遵守されている。
【０１２１】
さらなる代替物は、マトリクス５４のための望ましいパターンにおけるフェースプレート５０の表面上に金属である薄い電気伝導層を最初に設けることによって、２つ（又は２つ以上）の層としてブラックマトリクス５４を形成することを必要とする。フラット・パネルディスプレイの正面、すなわちフェースプレート５０の外層から見ると、導電パターンは黒色、例えば多孔性を適切にするものの結果物であっても良い。もし、（ディスプレイの正面から見た時）導電パターンが黒色でないのであれば、導電パターンとして主として同じパターンを有しているブラック層が導電パターンの下に設けられている。いずれにせよ、マトリクス５４のための意図された側面形状中の開口部を有しているモールドは、導電パターンの主として外側のフェースプレートの上面（内面）の上に形成されている。モールド開口部を定義する側壁は、好ましくはフェースプレート５０に対してほぼ垂直に延びている。通常金属のような電気伝導ブラックマトリクス物質は、例えば電気メッキや化学メッキによってモールド開口部の中で、またマトリクス５４の構造体を完了するための導電パターンの上に電気化学析出される。
【０１２２】
図１１ａの構造体が形成されている程度に関係なく、ゲッタ物質は図１１ｂ及び図１１ｃに示されるように、ブラックマトリクス５４上にゲッタ領域５８を形成するための物理的に曲げられた析出技術によって析出されている。図１１ｂは、形成されたゲッタ領域５８の一部分５８Ａで角を形成する析出手順における中間時点を示している。図１１ｃは、領域５８が完全に形成された後の構造体を示している。蒸着、スパッタリング、プラズマ溶射及びフレーム溶射を含んでいる溶射によって、物理的に曲げられた析出が実施されている。ゲッタ物質はフェースプレート５０及びブラックマトリクス５４を伴って形成されるプレート構造体に関連して平行移動されており、及び／又はプレート構造体に関連して回転されている析出源から与えられている。
【０１２３】
ゲッタ物質の１つ又は１つ以上の原子から各々成っている粒子は、物理的に曲げられた析出動作の間にフェースプレート５０に対して垂直に延びている直線６８で、平均傾斜角αを成すブラックマトリクス５４に影響を与える。図１１ｂ及び図１１ｃ中の矢印７０は、ゲッタ物質の粒子に続く経路を示している。図１１ｂ及び図１１ｃの各々の経路７０の内の１つは、瞬時のゲッタ物質の粒子のための主要な衝突軸を表す。経路７０は、平均で垂線６８の傾斜角αである。
【０１２４】
物理的に曲げられた析出を使用することによって、ゲッタ領域５８の総表面積は図１０の工程に関連して前述した理由のために増加されている。図１０の工程に関連して前に記載した傾斜角と同様に、図１１の工程における傾斜角αは通常少なくとも１０°であり、好ましくは少なくとも１５°であり、さらに好ましくは少なくとも２０°である。角を形成する蒸着のためには、角αは典型的には２１°〜２２°である。領域５８が異なる合成物の一部分から成るので、ゲッタ物質は角を形成する析出の間に変えられ得る。他方で、物理的に曲げられた析出は前述したように、領域５８のための有利な微細構造体を形成するための主として単一原子のみから成っているゲッタ物質を伴って実施されている。
【０１２５】
図１１の工程におけるゲッタ物質の角を形成する物理析出は、以下のような方法で導入されている。その方法は、ブラックマトリクス５４の側壁に沿うゲッタ物質の下に直接位置されたフェースプレート５０の一部分からできる限り離れて、いずれのゲッタ物質も発光開口部６２の底部でフェースプレート５０上にほとんど蓄積しない方法である。ゲッタ物質がマトリクス５４の側壁の一部分から一部分までのみ、及びそのような開口部６２の一部分から一部分までのみを蓄積するということで、傾斜角αは十分に大きい。
【０１２６】
傾斜角αの値を注意深く選択することによって、開口部６２の底部でフェースプレート５０の他の場所で蓄積するかなりの量のゲッタ物質を有することなく、マトリクス５４の側壁に沿ってゲッタ物質の下に直接フェースプレート５０の一部分でフェースプレート５０を接触するか、又はほぼ接触するゲッタ領域５８を有することが可能であっても良い。もし、少量のゲッタ物質が開口部６２の底部に沿った望ましくない位置で蓄積されるのであれば、清浄作業は望ましくない位置でゲッタ領域５８の厚みを削減することなく、この望ましくないゲッタ物質を除去するための非常に短い時間で実施される。
【０１２７】
角を形成する物理ゲッタ物質の析出は、種々の方位角の（回転の）方向付けから実施されている。図１１ｂ及び図１１ｃは、角を形成する析出のための２つの反対の方位角の方向付けを示している。図１１ｂ及び図１１ｃにおける反対の析出の方向付けは、十分な期間で実施されているゲッタ物質の析出での方向付けを表す。あるいは、フェースプレート５０とブラックマトリクス５４を伴って形成されるゲッタ物質の析出源及びプレート構造体が、垂線６８について互いに関連して回転されている時、図１１ｂ及び図１１ｃに示される析出の方向付けは、発生する瞬時の方向付けを表す。図１０の工程の場合、図１１の工程における角を形成する物理ゲッタ物質の析出の間の回転は、少なくとも１つの完全な回転のためのほぼ一定の回転速度で実施されている。
【０１２８】
発光領域５６は、図１１ｄに示されるように発光開口部６２中に形成されている。非絶縁層６０は、それから図１１ｅに表されるように発光領域５６及びゲッタ領域５８上に形成されている。本例において、ゲッタ領域５８は、層６０がマトリクス５４と接触していないブラックマトリクス５４の側壁をかなり下の方に延ばす。発光領域５６及び層６０の構造体は、図１０の工程と同様な方法で実施されている。図１１ｅの構造体は図７の発光装置である。
【０１２９】
図１０及び図１１の工程の変形例において、図１１ａの構造体が最初に製造されている。構造体は発光開口部６２を占有するフォトレジストマスクを伴って設けられている。マスクはブラックマトリクス５４の上に部分的に延びていても良い。ゲッタ物質は、マトリクス５４の露光された物質上に設けられている。いくつかのゲッタ物質が常にマスク上に蓄積する。このステップは、図１０の工程におけるゲッタ層５８Ｐを形成するための前述したどの方法においても実施されることができる。典型的な実施例は、マトリクス５４の露光された物質上のゲッタ物質を析出するためのプラズマ溶射又はフレーム溶射の形で、溶射を使用することを必要とする。
【０１３０】
フォトレジストマスクは、マスクの上に設けられているどのゲッタ物質をもリフトオフするために除去されている。ゲッタ領域５８が、図１０ｂにおける領域５８よりも側面に沿って小さいということを除いて、結果として起こる構造体は、図１０ｂに示されているものと似たものを表す。言い換えると、そのように変更された構造体中の領域５８は、普通ブラックマトリクス５４の一部分のみの上に設けられる。この時点から、さらなる処理手続は図１０の工程のための前述した方法で導入されている。ゲッタ領域５８が通常マトリクス５４の一部分のみの上に設けられるということを除いて、最後の発光装置は、図１０ｄに示されているものと似ている。開口部は発光開口部６２を伴う一般に同心の位置で、領域５８を経て延びている。
【０１３１】
図１２の工程は、図１１の工程と同様な方法でフェースプレート５０上にブラックマトリクス５４を形成することから開始する。図１１ａの繰り返しである図１２ａを参照。図１２ｂに示されるように、中央部の電気伝導層７２がブラックマトリクス５４上に形成されている。中央部の電気伝導層７２は、好ましくは発光開口部６２の少なくとも一部分から一部分まで延びているが、開口部６２の底部でフェースプレート５０の上に著しく延びていない。図１２ｂの例において、層７２はマトリクス５４の側壁の一部分から一部分まで延び、またそのような開口部６２の一部分から一部分までにのみ延びている。
【０１３２】
中央部の導電層７２は、通常図１０及び図１１の工程と関連して一般に、前述のような物理的に曲げられた析出に基づいてブラックマトリクス５４上に適切な電気伝導物質を析出することによって形成されている。図１２ｂの特有な例のための物理的に曲げられた析出は平均傾斜角として実施されており、その平均傾斜角はフェースプレート５０に対して垂直に一般に延びている直線に関連して測定され、導電物質が開口部６２の一部分から一部分までにのみ蓄積されるということで十分に大きい。蒸着、スパッタリング、溶射は層７２の物理的に曲げられた析出を実施するために使用されている。
【０１３３】
中央部の導電層７２のための対象物質はニッケルと、クロミウムと、アルミニウムとを含む。典型的な実施例において、層７２は角を形成する蒸着によって析出されたアルミニウムで成る。
【０１３４】
ゲッタ物質は、図１２ｃに示されるようなゲッタ領域５８を形成するための中央部の導電層７２上に選択的に析出されている。層７２は、発光開口部６２の底部でフェースプレート５０の上に著しく延びていないので、領域５８は開口部６２の底部でフェースプレート５０の上に著しく延びていない。領域５８は、層７２の電気伝導性質をうまく利用する技術によって析出されている。領域５８の選択的な析出のための対象技術は電気泳動析出／誘電泳動析出と電気化学析出とを含み、さらに電気メッキと化学メッキとを含んでいる。電気泳動析出／誘電泳動析出又は電気メッキが領域５８を形成するために使用されている時、析出手順の間に適切な電気ポテンシャルが層７２に印加されている。
【０１３５】
図１２ｄを参照すると、発光領域５６は発光開口部６２中に形成されている。それから非絶縁層６０は、図１２ｅに示されるようにゲッタ領域５８及び発光領域５６上に形成されている。図１１の工程の場合のように、ゲッタ領域５８は、非絶縁層６２がブラックマトリクス５４と接触しない図１２の工程における開口部６２中にかなり深く延びている。図１２の工程における発光領域５６及び非絶縁層６０の構造体は、図１０の工程と同じ方法で再度実施されている。図１２ｅの構造体は図７の発光装置の変形例である。
【０１３６】
図１３の工程は、フェースプレート５０上にブラックマトリクス５４を形成することによって開始されている。図１１ａの繰り返しである図１３ａを参照。マトリクス５４は、その上面の少なくとも部分的に沿い、そして通常少なくとも全部に沿う電気伝導物質で成っているマトリクス５４を条件とする、図１０の工程におけるマトリクス５４を形成するために使用されるどの技術に基づいても形成される。図１３ａには明示されていないけれども、マトリクス５４は図１３ａの例におけるその全上面及び側壁に沿う電気伝導物質で成る。この模範的な実施例は、電気伝導物質を伴うマトリクス５４を単に形成することによって形成されている。
【０１３７】
ゲッタ物質は、電気伝導物質で成る露光された表面の主としてどこでも、ブラックマトリクス５４上に蓄積するように選択的に析出されている。ゲッタ領域５８は、図１３ｂに示されるようにマトリクス５４上に形成されている。領域５８は同じ又は異なる化学合成品の多数の補助領域（又は補助層）として形成されている。電気伝導物質が本例におけるマトリクス５４の全上面及び側壁に沿って設けられているので、領域５８はマトリクス５４の全上面及び側壁上に形成されている。もし、マトリクス５４が上面に沿うが、側壁には沿わない電気伝導であるのであれば、領域５８はマトリクス５４の上面にのみに沿って存在している。
【０１３８】
図１３の工程におけるゲッタ領域５８を形成するためのゲッタ物質の選択的な析出は、電気泳動析出／誘電泳動析出又は電気化学析出によって行われており、さらに電気メッキと化学メッキの両方を含んでいる。電気泳動析出／誘電泳動析出は、ゲッタ層５８Ｐを形成するための図１０の工程と関連して前述した方法で実施されている。電気泳動析出／誘電泳動析出又は電気メッキが使用されている時、適切な電気ポテンシャルが、析出手順の間にブラックマトリクス５４の導電物質に印加されている。
【０１３９】
発光領域５６及び非絶縁層６０は、図１０の工程のための前述した方法で形成されている。特に発光領域５６は図１３に示されるように、発光開口部６２中に形成されている。非絶縁層６０は、図１３ｄの構造体を製造するためのゲッタ領域５８及び発光領域５６上に形成されており、図７の発光装置の他の変形例である。
【０１４０】
マトリクス５４がその上面の全部、好ましくは側壁の少なくとも一部分から一部分まで沿う電気伝導物質で実質的に成っていると言うことを除いて、図１４の工程は、図１３の工程と同様な方法で、フェースプレート５０上にブラックマトリクス５４を形成することによって開始されている。図１３ａ、また図１１ａの繰り返しである図１４ａを参照。図１４ａに明示されていないけれども、マトリクス５４は図１４ａの例における全上面及び側壁に沿う電気伝導物質で成る。
【０１４１】
ゲッタ領域５８は、図１３の工程のための前述した方法でブラックマトリクス５４上に選択的に析出されている。図１３ｂの繰り返しである図１４ｂを参照。電気伝導物質が本例におけるマトリクス５４の全上面及び側壁に沿って存在しているので、領域５８は、図１３の工程と丁度一致するマトリクス５４の全上面及び側壁に沿って形成されている。もし、マトリクス５４が側壁の下側部分のみならず、上面全体に沿って電気伝動性であれば、領域５８は側壁の下側部分のみならず、マトリクス５４の上面全体に沿って存在することになる。
【０１４２】
付加領域６６は、図１４ｃに示されるようにゲッタ領域５８の上に形成されている。付加領域６６は、同じ又は異なる化学合成品の２つ又は２つ以上の補助領域（又は補助層）として形成されている。ブラックマトリクス５４のためのゲッタ領域５８の接着は、図１２の工程に関連して前述したような方法で、低融点地点物質を使用することによって改善されている。
【０１４３】
種々の技術が付加領域６６を形成するために使用されている。例えば望ましい付加物質のブランケット層は、構造体の上面の上に設けられている。適切なフォトレジストマスク（図示せず）を使用することによって、発光開口部６２のための位置で付加物質の一部分が除去されている。
【０１４４】
もし、付加領域６６がポリイミドから成ることができるのであれば、化学線作用的なポリイミドの層が、構造体の上に設けられる。開口部６２中のポリイミドの一部分は適切なレチクルを経て、現像動作を実施している例えばＵＶ光のような化学線のためのポリイミド層を選択的に露光することによって除去されている。化学線作用的なポリイミドが化学線作用的（ａｃｔｉｎｉｃ ｒａｄｉａｔｉｏｎ）で重合可能なポリイミドである時、非露光部分は現像動作の間に除去されている。付加領域６６がポリイミド以外の高分子材料を有する時、同様な一般的な手順が使用されている。
【０１４５】
発光領域５６は、図１４ｄに示されるように発光開口部６２中に形成されている。非絶縁層６０は、図１４ｅに示されるように付加領域６６及び発光領域５６上に形成されている。層６０はまた、ゲッタ領域５８の側面の上に部分的に延びている。発光領域５６及び層６０の構造体は、図１０の工程のための前述した方法で実施されている。図１４ｅの構造体は図８の発光装置を構成する。
【０１４６】
図１５の工程に移動することによって、ブラックマトリクス５４は本工程中の多数の部分から成るように形成されている。図１５の工程は、フェースプレート５０の内面上に黒ずんだポリイミドのブランケット層７４を形成することで開始される。図１５ａを参照。黒ずんだブランケットポリイミド層７４は、フェースプレート５０上のポリイミドのブランケット層を形成することによって、またそれからそれを黒くするためのブランケットポリイミド層をピロリジング（ｐｙｒｏｌｉｚｉｎｇ）することによって形成されている。ブランケットポリイミド層は、フェースプレート５０上に化学線作用的で重合可能なポリイミド物質のブランケット層を析出することによって、またそれからポリイミドを硬化するための適切な化学線、例えばＵＶ光のための化学線作用的なポリイミドを露光することによって形成されても良い。
【０１４７】
通常クロミウムから成っているパターン化された接着層７６は、ポリイミド層７４上に形成されている。接着層７６が、ブラックマトリクス５４のために意図されるパターンを大体側面に沿って形成されている。接着層７６は、層７６を形成した後に直接構造体上に形成される物質、通常ポリイミド又は他の高分子材料の接着を改善するために機能する。
【０１４８】
接着層７６はフェースプレート５０上にクロミウムのブランケット層を析出し、マスクが発光開口部６２のための意図された位置で、一般に開口部を有するようなブランケットクロミウム層上にフォトレジストマスク（図示せず）を形成し、マスク開口部を経て露光されるクロミウム部分を除去し、マスクを除去することによって形成されている。あるいは、接着層７６のための望ましい形状の開口部を有しているフォトレジストマスクは、クロミウムがマスク開口部の中へ導入されている後のポリイミド層７４上に形成されており、マスクがその上に設けられているどのクロミウムをもリフトオフするために除去されている。
【０１４９】
ポリイミドのパターン化された層７８は、図１５に示されるように接着層７６上に形成されている。前駆体発光開口部６２Ｐは、一般に発光開口部６２のためのそれぞれの位置で、ポリイミド層７８及び下に設けられているクロミウム層７６を経て延びている。ポリイミド層７８は、クロミウム層７６及びポリイミド層７４上の化学線作用的で重合可能なポリイミド物質のブランケット層を形成し、開口部６２Ｐのための意図された位置で開口部を有しているレチクル（図示せず）を経る適切な化学線、例えばＵＶ光のためのブランケットポリイミド層を選択的に露光し、非露光ポリイミド物質を除去することによって形成されている。低部のポリイミド層７４と、中央部のクロミウム層７６と、上部のポリイミド層７８とは、前駆体遮光ブラックマトリクス領域５４´を形成する。
【０１５０】
層７４及び７８中のポリイミド物質は、層７４及び７８のポリイミドと一般に同じ方法で処理されている他の高分子材料に置換され得る。同様に、接着層７６はクロミウム以外の接着剤を伴って形成されている。もし、層７８の物質が層７４の物質と良く接着されるのであれば、層７６はまた取り除かれても良い。この場合において、層７８は層７４の代わりに、又は層７４に付け加えて黒色に作られても良い。
【０１５１】
望ましいゲッタ物質のブランケット前駆体層５８Ｐ´は、構造体の表面上に形成されている。図１５ｃを参照。ゲッタ層５８Ｐ´は上部のポリイミド層上に位置されており、開口部６２Ｐの底部で低部のポリイミド層７４に対して下に、又は低部のポリイミド層７４を横切って発光開口部６２Ｐ中に延びている。ゲッタ層５８Ｐ´は、図１０の工程におけるゲッタ層５８Ｐを形成するための前述したどの方法においても形成されている。同様に、層５８Ｐ´は層５８Ｐ´のための前述したどの物質から成っていても良い。
【０１５２】
ブランケット層８０は、ブラックマトリクス５４を構成した後で密封（又は保護）するためのゲッタ層５８Ｐ´上に形成されている。密封層８０は、主としてガスの経路に影響されない層８０のタイプ及びそのような厚みの物質を伴って形成されている。層８０の物質はまた、通常対向する側に位置される電子放出装置によって放出される高エネルギー電子の経路に影響されないようなタイプ及び厚みである。もし、ポリイミド層７４及び７８が加熱され、又は高エネルギー電子によって衝突されている結果として起こる時にかなりの量のガスを放出しないのであれば、層８０は取り除かれても良い。
【０１５３】
蒸着、スパッタリング、溶射、ＣＶＤのような種々の技術が、密封層８０を形成するために使用されている。通常このような場合は、層５８Ｐが電気伝導である時、密封層８０は、電気メッキ及び化学メッキを含んでいる電気泳動析出／誘電泳動析出又は電気化学析出によって形成されている。密封物質を有している液剤又はスラリーのコーティングは、例えば液射によってゲッタ層５８Ｐ´上に析出されており、それから層８０を形成するために乾燥されている。シンタリング又はベーキングは、ガスの経路のため及び通常また電子の経路に主として影響されない固体を、そのように析出された密封物質に変換するために必要に応じて使用されても良い。
【０１５４】
密封層８０は、密封領域のための前述したどの物質又は物質のタイプを伴っても形成されることができる。従って、層８０はアルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ホウ素の１つ又は１つ以上で通常成る。典型的な実施例において、層８０はゲッタ層５８Ｐ´の上でアルミニウムを蒸着することによって形成されている。
【０１５５】
適切なフォトレジストマスク（図示せず）を使用することによって、発光開口部６２Ｐは開口部６２Ｐの底部で、層８０と、５８Ｐ´と、７４との一部分を除去するためのエッチング動作を実施することによって、発光開口部６２になるための密封層８０と、ゲッタ層５８Ｐ´と、低部のポリイミド層７４とを経て延びている。図１５ｄを参照。層８０と、５８Ｐと、７４とはそれぞれ密封領域８０Ａと、ゲッタ領域５８と、パターン化された低部のポリイミド層７４Ａとになる。低部のポリイミド層７４Ａと、接着層７６と、上部のポリイミド層７８との結合が、ブラックマトリクス５４を構成する。エッチング動作は、１つ又は１つ以上のプラズマエッチング液を使用することで異方性に通常実施されているが、等方性にも実施されている。
【０１５６】
ゲッタ領域５８の外層は、発光開口部６２の底部付近にエッジ部分を含んでいるゲッタリング表面部分から成り、それはブラックマトリクス５４を伴うインタフェースを形成しない。エッチング動作のため、開口部６２の底部付近の領域５８のエッジは露光されている。これらのエッジは、領域５８の外層の合計の小部分を構成する。密封領域８０Ａは、ゲッタ領域５８の外層の残りを被覆する。従って、密封領域８０Ａはゲッタ領域５８の外層のほぼ全部、通常少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９７％を被覆する。
【０１５７】
同様に、ブラックマトリクス５４の外層は、発光開口部６２の底部でエッジ部分を含んでいるブラックマトリクス表面部分から成り、それはフェースプレート５０を伴うインタフェースを形成しない。マトリクス５４のエッジ、特に開口部６２の底部で低部のポリイミド領域７４Ａのエッジが、エッチング動作の結果として露光されている。これらのエッジは、マトリクス５４の外層の合計の小部分を構成する。密封領域８０Ａ及びゲッタ領域５８の各々が、マトリクス５４の外層の残りを被覆する。従って、密封領域８０Ａ及びゲッタ領域５８の各々は、マトリクス５４の外層のほぼ全部、通常少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９７％を被覆する。
【０１５８】
通常電気絶縁物質から成っているブランケット保護（又は分離）層８２は、図１５ｅに示されるように構造体の表面上に形成されている。保護層８２は密封層８０Ａ上に位置されており、また開口部６２の底部でフェースプレート５０に対応するための密封層８０Ａの側壁に沿って発光開口部６２の中へ下に延びている。保護層８２はまた、開口部６２の底部付近のブラックマトリクス５４及びゲッタ領域５８のエッジを被覆する。保護層８２のような保護層の更なる詳細がハヴェン他、国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ９９／１１１７０号、１９９９年５月２０日出願、現在は国際特許公報ＷＯ９９／６３５６７号に記載されている。
【０１５９】
保護層８２は、（ここでは）ガスを放出するための層７４Ａと７８とを引き起こす高エネルギー電子からブラックマトリクス５４、特にポリイミド層７４Ａ及び７８を保護するための密封層８０Ａと協働している。マトリクス５４がゲッタ領域５８によってソーブされず、また密封層８０Ａによってブロックされない汚染物質ガスを放出する時、保護層８２はフラット・パネルディスプレイの密封外囲器中へのガスの進入を遅くする。保護層８２はまた、発光領域５６とゲッタ領域５８との間の望ましくない化学反応を阻害するように、後に形成された発光領域５６からゲッタ領域５８を絶縁する。
【０１６０】
保護層８２は、通常可視光の伝達可能な物質で成る。従って、発光開口部６２の底部での層８２の存在は、条件を満たしている。典型的な実施例において、層８２はＣＶＤによって析出された酸化ケイ素から成る。可視光を伝達する電気絶縁物質から成っている層８２を条件として、層８２を形成するために適している他の技術は、スパッタリング及び蒸着を含む。
【０１６１】
あるいは、保護層８２は可視光をブロックする、すなわち吸収又は／及び反射する。その場合には、層８２の一部分が発光開口部６２の底部で除去されている。
【０１６２】
図１５ｆを参照すると、発光領域５６は発光開口部６２中に形成されており、開口部６２の底部で保護層８２の上に設けられる。保護層８２は、発光領域５６とゲッタ領域５８との間に設けられる。非絶縁層６０は、図１５ｇに示されるように発光領域５６及び保護層８２上に形成されている。発光領域５６及び非絶縁層６０の構造体は、図１０の工程のための前述した方法で行われている。図１５ｇの構造体は、図９の発光装置の変形例である。
【０１６３】
ゲッタ含有アクティブ発光部分を有している発光装置を製造するための図１０〜図１５の工程の変形例において、遮光ブラックマトリクスとしての機能をも果たす多孔性のゲッタ領域５４／５８は、ブラックマトリクスゲッタ領域５４／５８中の発光開口部６２を定義するための適切なマスクを使用しているフェースプレート５０の上に、ブラックマトリクスゲッタ物質を溶射することによって、フェースプレート５０の上に形成されている。例えばブラックマトリクスゲッタ物質のブランケット層は、フェースプレート５０上で溶射されても良い。開口部６２のための意図された位置で開口部を有しているフォトレジストマスクを使用することによって、マスク開口部を経て露光されるブラックマトリクスゲッタ物質の一部分は、ブラックマトリクスゲッタ領域５４／５８を形成するための適切なエッチング液、通常プラズマのような異方性のエッチング液を伴って除去されている。
【０１６４】
あるいは、ブラックマトリクスゲッタ領域５４／５８のための意図された位置の上側に開口部を有しているフォトレジストマスクは、フェースプレート５０の上に設けられている。ブラックマトリクスゲッタ物質は、マスクがその上に位置されるどのブラックマトリクスゲッタ物質をもリフトオフするために除去されている後のマスク開口部の中へ導入されている。フェースプレート５０上に設けられているブラックマトリクスゲッタ物質の残りは、領域５４／５８を形成する。
【０１６５】
ブラックマトリクスゲッタ領域５４／５８を形成することに使用される溶射は、フレーム溶射又はプラズマ溶射によって通常行われている。シンタリングは固形物であるが、多孔性でもよい固形物を溶射されたブラックマトリクスゲッタ物質に変換するために、必要に応じて実施されている。ブラックマトリクスゲッタ物質のための対象は、前述したようなゲッタ金属である。すなわち、アルミニウム、チタニウム、バナジウム、鉄、ニオビウム、モリブデナム、ジルコニウム、バリウム、タンタラム、タングステン、トリウムであり、またこれらの金属の１つ又は１つ以上を有している合金を含んでいる。これらのブラックマトリクスゲッタ物質が十分な多孔性であるか、又は／及び互いに適切な形状に部分的に又は完全に変換されている時、これらのブラックマトリクスゲッタ物質は、これらの金属の合金と同様に、フラット・パネルディスプレイの正面から見て、通常黒色になる。もし、溶射されたブラックマトリクスゲッタ物質が（ディスプレイの正面から見ると）黒色でないのであれば、領域５４／５８は溶射されたブラックマトリクスゲッタ物質の下に位置され、溶射されたブラックマトリクスゲッタ物質と同じ側面形状のものを有しているブラック層を含む。
【０１６６】
発光領域５６は、ブラックマトリクスゲッタ領域５４／５８を経て延びる発光開口部６２中に設けられている。非絶縁層６０は、発光領域５６及びブラックマトリクスゲッタ領域５４／５８の上に設けられている。発光領域５６及び層６０の構造体は、図１０の工程のための前述した方法で実施されている。結果として起こっている発光装置は、互いに結合されるブラックマトリクス５４及びゲッタ領域５８を伴う図５及び図６の発光装置と同様なものを表す。
【０１６７】
ブラックマトリクスゲッタ領域５４／５８が金属又は他の電気伝導物質から成る時、領域５４／５８はフラット・パネルディスプレイのためのアノードとしての機能を時々果たす。非絶縁層６０の構造体は、時々この組立て工程の変形例から取り除かれている。選択されたアノード電気ポテンシャルが、ディスプレイ動作の間にそのように変更された発光装置中の合成領域５４／５８に印加されている。
【０１６８】
図１６及び図１７は、本発明に基づいて構成されるフラット・パネルＣＲＴディスプレイのアクティブ領域の一部分の側断面図及び平面断面図をそれぞれ示している。図１６及び図１７のフラット・パネルディスプレイは、ゲッタ含有アクティブ発光部分を有している電子放出装置と、その対向する側に位置される発光装置とを有する。図１６及び図１７の電子放出装置及び発光装置は、高真空で維持される密封外囲器を形成するための外壁（図示せず）を経て互いに接続されている。図１７の平面断面図は、密封外囲器を経て側面に沿って延びている平面に沿って、発光装置の方向に導入されている。従って、図１７は発光装置のアクティブ部分の一部分の平面図を主として表す。
【０１６９】
図１６及び図１７のフラット・パネルディスプレイ中の電子放出装置は、バックプレート４０と、バックプレート４０の内面の上に位置される層／領域４２とから成る。層／領域４２は、図５及び図６のフラット・パネルディスプレイの電子放出装置と同じように配置された電子放出領域４４と、突起部分４６と、さらに通常電子集束システムの一部分又は全部を含んでいる。図１６及び図１７のディスプレイ中の電子放出装置が電界放射である時、図１６及び図１７におけるディスプレイはＦＥＤである。図１６及び図１７のディスプレイと図５及び図６のディスプレイとの間の差異は、発光装置において生じる。
【０１７０】
図１６及び図１７における発光装置は、フェースプレート５０と、フェースプレート５０の内面の上に位置される層／領域５２とを伴って形成されている。層／領域５２は、遮光ブラックマトリクス５４と、発光領域５６と、ゲッタ領域５８と、非絶縁層６０とから成る。図１６及び図１７の発光装置中のフェースプレート５０と、ブラックマトリクス５４と、発光領域５６とは図５及び図６の発光装置と同じように構成されており、そして同じように機能する。従って、図１６及び図１７の発光装置中の発光領域５６は、電子放出装置中のそれぞれに対向する電子放出領域４４の位置で、フェースプレート５０に下がるブラックマトリクス５４を経て延びる発光開口部６２中にそれぞれ位置されている。フェースプレート５０は、少なくとも発光領域５６より下で再度可視光の伝達が可能である。
【０１７１】
ゲッタ領域５８及び非絶縁層６０の位置は、図５及び図６の発光装置に関連する図１６及び図１７の発光装置中で主として反対である。特にゲッタ領域５８は、図５及び図６の発光装置で生じるので、下部の層６０というよりは、むしろ図１６及び図１７の発光装置中の非絶縁層６０の上に設けられる。従って、領域５８は、図１６及び図１７の発光装置中のブラックマトリクス５４及び発光領域５６上に設けられる。
【０１７２】
図５及び図６の発光装置中に生じるように、ゲッタ領域５８は、マトリクス５４に対してほぼ垂直に整列された縁部（ｅｄｇｅｗｉｓｅ）であるというよりは、むしろブラックマトリクス５４を側面に沿って越え、また図１６及び図１７の発光装置中の発光開口部６２の中へ部分的に平行に延びている。さらに、図１６及び図１７の発光装置中の領域５８の横の位置は、図５及び図６の発光装置中の領域５８の横の位置よりも、開口部６２の中へ部分的に延びる領域５８である図７の発光装置中の領域５８の横の位置の方がやや類似している。
【０１７３】
図１６及び図１７の発光装置中のゲッタ領域５８の横の位置は、種々の方法で変更されている。図１６及び図１７の発光装置中の領域５８は、次のように変更されている。（ａ）ブラックマトリクス５４の一部分のみの上に設けられる、（ｂ）図５及び図６の発光装置中に生じるマトリクス５４の横のエッジに対してほぼ垂直に整列された横列方向のエッジを伴うマトリクス５４の上に完全に設けられる、または（ｃ）マトリクス５４の上に完全に設けられ、そして非絶縁層６０の垂直部分に完全に下がり、可能であれば図９の発光装置において生じるものと似た方法で、発光領域５６上に位置される層６０の水平部分上の発光開口部６２の中へ延びている。マトリクス５４を越えて、そして通常開口部６２の中へ側面に沿って部分的に延びる領域５８を設けることによって、図１６及び図１７の発光装置は、図８の発光装置中の付加領域６６に似た付加領域（図示せず）を含むために、またマトリクス５４と、（非絶縁層６０の上に設けられている一部分と、）領域５８と、付加領域とを伴って形成される合成ブラックマトリクスの全面的な高さを増加するようにゲッタ領域５８を上に設けるために変更されている。
【０１７４】
前述の構成上の差異を条件として、非絶縁層６０が図１６及び図１７の発光装置中で貫通さている必要がないということを除いて、図１６及び図１７の発光装置中のゲッタ領域５８及び非絶縁層６０は、図５〜図９の発光装置と同じように構成されており、そして同じように機能する。それにも拘わらず、層６０は、図１６及び図１７の発光装置中で通常まだ貫通されており、通常図５〜図９の発光装置と同じ物質から成る。層６０はそれによって、図１６及び図１７の発光装置中のアノードとしての機能を果たすので、選択されたアノード電気ポテンシャルは、フラット・パネルディスプレイの動作の間に電源（図示せず）から層６０のために再度与えられている。
【０１７５】
図１６及び図１７の発光装置、又は発光装置の前述したどの変形例でも、対向する側に位置される電子放出装置によって放出される高エネルギー電子の経路もまた通常主として影響されず、またブラックマトリクス５４を部分的に又は完全に密封するように位置付けされているガスの経路に主として影響されない付加領域（図示せず）を含んでも良い。密封領域は、マトリクス５４の外層の一部分又は全部を被覆する。例えば密封領域は非絶縁層６０の下に位置されており、マトリクス５４の外層の全部又はほぼ全部を被覆する。あるいは、密封領域は層６０の上側及び、ゲッタ領域５８の下側又は上側のどちらか一方に位置されている。この場合において、密封領域はマトリクス５４の外層の一部分のみを被覆する。万一マトリクス５４が汚染物質ガスを放出する場合、密封領域は、フラット・パネルディスプレイの密封外囲器の中へこれらのガスが進入することを防ぐか、又は阻止することができる。
【０１７６】
ゲッタ領域５８又はブラックマトリクス５４が、前述した装置の変形例を含んでいる図１６及び図１７の発光装置中に金属又は他の電気伝導物質を有する時、領域５８又は／及びマトリクス５４の導電物質は、フラット・パネルディスプレイのためのアノードとして提供される。非絶縁層６０は、そのような実施例において時々取り除かれている。選択されたアノードの電気ポテンシャルは、ディスプレイ動作の間に領域５８又は／及びマトリクス５４に印加されている。取り除かれた層６０に関して、図１６及び図１７のように変更された発光装置は、取り除かれた層６０を伴う図５及び図６の発光装置と同じように構成されている。
【０１７７】
種々の工程は、図１６及び図１７の発光装置と、その発光装置の前述した変形例とを組立てるために有用であり得る。図１８ａ〜図１８ｅ（以下、まとめて「図１８」と言う。）は、図１６及び図１７の発光装置を製造するための１つの工程を示している。便宜上、図１８の組立て工程における断面図が、図１６の断面図に関連して逆さまに記載されている。
【０１７８】
図１８の工程のための開始点は、フェースプレート５０である。図１８ａを参照。ブラックマトリクス５４が、図１１の工程と同じ方法でフェースプレート５０上に形成されている。図１８ａは、図１１の繰り返しである。発光開口部６２は、フェースプレート５０に対して下にブラックマトリクス５４を経て延びている。
【０１７９】
発光物質は、図１８ｂに示されるように発光領域５６を形成するための発光開口部６２の中に導入されている。非絶縁層６０は、図１８ｃに示される発光領域５６及びブラックマトリクス５４上に形成されている。層６０が必ずしも貫通されていることを必要としないということを条件として、発光領域５６及び層６０は図１０の工程と同様な方法で形成されている。
【０１８０】
ゲッタ物質が、図１８ｄ及び図１８ｅに示されるように非絶縁層６０上にゲッタ領域５８を形成するための物理的に曲げられた析出技術によって析出されている。図１８ｄは、領域５８の一部分である５８Ｂが形成されている物理的に曲げられた析出工程中の中間時点を示している。図１８ｅは、領域５８が完全に形成された後の構造体を示している。図１８ｅの構造体は図１６及び図１７の発光装置である。
【０１８１】
図１８の工程における物理的に曲げられた析出は、図１１の工程と同じ方法で主として実施されている。ゲッタ物質の粒子は、平均して瞬時の垂線６８の平均傾斜角αである経路７０に沿った非絶縁層６０に影響を与える。図１８ｄ及び図１８ｅは、角を形成する析出のための２つの対向する方位角の方向付けを示している。これら２つの方位角の方向付けは、図１１ｂ及び図１１ｃ中に表されている２つの方位角の方向付けとそれぞれ類似している。図１８の工程中の物理的に曲げられた析出は、通常蒸着によって行われているが、スパッタリングや溶射によって行われても良い。
【０１８２】
非絶縁層６０は発光開口部６２の中へ延び、発光開口部６２を横切る凹部を有する。ゲッタ領域５８の垂直部分に沿ったゲッタ物質の下側の発光領域５６の一部分を除いて、図１８の物理的に曲げられた析出は、いずれのゲッタ物質も層６０の凹部の水平部分上にほとんど蓄積しないような方法で導入されている。傾斜角αは、ゲッタ物質が層６０の凹部の中の一部分から一部分までにのみ蓄積するということで非常に大きいものである。
【０１８３】
傾斜角αの値を注意深く選択することによって、時々層６０の凹部の水平部分上の他の場所でも蓄積するかなりの量のゲッタ物質を有することなく、層６０の凹部の水平部分と接触するか、又はほぼ接触するゲッタ領域５８を有することを可能にする。もし、少量のゲッタ物質が、層６０の凹部の水平部分に沿った望ましくない位置で蓄積するのであれば、清浄動作は、望ましくない時点に領域５８の厚みを削減することなく、この望ましくないゲッタ物質を除去するのに十分な短い期間の間で実施される。
【０１８４】
もし、ゲッタ領域５８がブラックマトリクス５４の一部分又は全部の上に設けられるが、マトリクス５４を越えて側面に沿って延びないように作られているのであれば、他の技術は領域５８を形成するために利用されている。例えば領域５８は、図１８ｃの構造体の上にゲッタ物質のブランケット層を析出することによって、マスクが、発光開口部６２の上側に位置され、開口部６２を越えて側面に沿って延びている開口部を有するようなブランケット層の上にフォトレジストマスクを設けることによって、マスク開口部を経て露光されるブランケットゲッタ層の一部分を除去することによって、そしてマスクを除去することによって形成される。あるいは、フォトレジストマスクはゲッタ物質がマスク開口部の中へ析出されており、フォトレジストマスクは、マスクが上に設けられているどのようなゲッタ物質をもリフトオフするために、除去されている後の領域５８のための望ましい形状であるマスク開口部を有する非絶縁層６０の上に設けられている。
【０１８５】
［電子放出装置のアクティブ部分中にゲッタ物質を有しているフラット・パネルディスプレイ］
図１９及び図２０は、本発明に基づいて構成されるＦＥＤのアクティブ領域の一部分の側断面図及び平面断面図をそれぞれ示している。図１９及び図２０のＦＥＤは、発光装置と、ゲッタ含有アクティブ電子放出部分を有し、対向する側に位置された電子放出装置とを具備している。図１９及び図２０の発光装置及び電子放出装置は、高真空で維持される密封外囲器を形成するための外壁（図示せず）を経て互いに接続されている。図２０の平面断面図は、密封外囲器を経て側面に沿って延びている平面に沿う電子放出装置の方向に導入されている。また、図２０は電子放出装置のアクティブ部分の平面図を主として表す。
【０１８６】
最初に、図１９及び図２０のＦＥＤ中の発光装置を考える。発光装置又はフェースプレート構造体は、ここではフェースプレート５０と、一般に遮光ブラックマトリクス５４を含む上に設けられている層／領域５２と、電子放出装置中の電子放出領域４４に対向して位置された側面に沿って分離された発光領域５６とから成る。層／領域５２はまた、ブラックマトリクス５４及び発光領域５６の上に設けられる薄い光反射電気伝導層として通常実施されているアノード（分離して図示せず）を含む。そのような場合において、発光装置はゲッタ領域５８を含むための図５〜図９と、図１６と、図１７に関連して前述したように構成されても良い。あるいは、アノードは、一方ではフェースプレート５０の間に位置され、他方ではブラックマトリクス５４と発光領域５６との間に位置される透明な電気伝導層である。
【０１８７】
図１９及び図２０のＦＥＤ中の電子放出装置又はバックプレート構造体は、バックプレート４０と、ガラスと、電子放出領域４４及び突起部分４６を含む上に設けられている層／領域４２とから成る。さらに詳細には、層／領域４２は、低部の電気非絶縁領域１００と、誘電層１０２と、電子放出素子１０４の側面に沿って分離されたセット（ｓｅｔｓ）の横列及び縦列の２次元配列と、側面に沿って分離された一般に平行な制御電極１０６の一群と、パターン化された電気非伝導のベース集束構造体１０８と、電気非絶縁フォーカスコーティング１１０と、ゲッタ領域１１２とを伴って形成されている。電子放出素子１０４の各セットは多数の素子１０４から成り、電子放出領域４４の内の１つを形成する。突起部分４６は、素子１０４によって放出される集束電子のためのシステムを互いに形成するベース集束構造体１０８と、フォーカスコーティング１１０とを含む。図１９及び図２０の例において、部分４６はまたゲッタ領域１１２を含む。
【０１８８】
低部の非絶縁領域１００は、バックプレート４０上に位置される側面に沿って分離された一般に平行なエミッタ電極（分離して図示せず）の一群を有する。エミッタ電極は行方向において縦に、すなわち図２０の平面図において水平に延びている。低部の非絶縁領域１００はまた、エミッタ電極の上に設けられている電気抵抗層（同じように分離して図示せず）を含み、側面形状によって、またエミッタ電極の間のスペース中にバックプレート４０に対して下に延びても良い。少なくとも、抵抗層が電子放出素子１０４の下に設けられる。
【０１８９】
典型的には酸化ケイ素、窒化ケイ素、シリコンオキシナイトライドから成っている誘電層１０２は、低部の非絶縁領域１００上に設けられている。開口部１１４は、非絶縁領域１００に対して下の誘電層１０２（の厚み）を経て延びている。各電子放出素子１０４は、誘電開口部１１４の内の対応している１つの中に主として位置されており、領域１００と接触する。
【０１９０】
電子放出素子１０４は、通常図１９に示されるように円錐形状である。あるいは、素子１０４はフィラメント形状であっても良い。いずれにせよ、各電子放出領域４４中の素子１０４の面積密度は通常１０４〜１０９素子／ｃｍ２、典型的には１０８素子／ｃｍ２であり、それは相対的に高い。従って、電子放出サイト（ｓｉｔｅｓ）の密度はかなり高く、それによって電子放出サイトの低密度が原因で生じる不均一減少を実質的に回避している。素子１０４が円錐形状又はフィラメント形状である時、それらはモリブデナムのような金属で成る。各素子１０４はまた、１つ又は１つ以上の不規則な形状の粒子で成っていても良い。
【０１９１】
電子放出領域４４は、図２０の平面図の例において側面に沿って一般に矩形状である。行方向における領域４４の３つの連続するものは、ほぼ四角形状である側面積を占有する。図６の平面図において３つの連続した矩形状の発光領域５６の１つが類似したものであることによって、図２０中の電子放出領域４４の配置は、ほぼ四角形のカラーピクセルのための電子を与える３つの領域４４の場合のカラーディスプレイに適している。領域４４は他の形状、例えばモノクロディスプレイのためのほぼ四角形状を有していても良い。
【０１９２】
制御電極１０６は誘電層１０２上に設けられ、また列方向、すなわち図２０の平面図において垂直の方向に延びている。開口部１１６は制御電極１０６を経て延びている。各電子放出素子１０４は、制御開口部１１６の内の対応している１つを経て露光されている。特に電子放出領域４４の各縦列中の素子１０４は、対応制御電極１０６の内の１つにおける制御開口部１１６を経て露光されている。図１９の例において、各素子１０４は対応制御開口部１１６の中へわずかに延びている。
【０１９３】
各制御電極１０６は、主制御部分（分離して図示せず）と、主制御部分に隣接する１つ又は１つ以上のより薄いゲート部分（同様に分離して図示せず）とから成る。主制御部分は電極１０６の完全な長さを延ばす。各主制御部分は、領域４４の各縦列中の電子放出領域４４の横の境界をそれぞれに定義する主制御開口部の一群を有する。各ゲート部分は、主制御開口部の１つ又は１つ以上を測定（ｓｐａｎ）する。制御開口部１１６は、ゲート部分を経た開口部である。電極１０６がそのように構成されている時、主制御部分はニッケル又は／及びアルミニウムのような金属から成り、他方でゲート部分はクロミウム又は／及びモリブデナムのような金属から成る。
【０１９４】
構造体１０８とフォーカスコーティング１１０とを伴って形成される電子集束システムのベース集束構造体１０８は、誘電層１０２の上に設けられ、（図１９の平面の外側の）制御電極１０６の一部分の上に延びている。フォーカス開口部１１８の横列及び縦列の２次元配列は、ベース集束構造体１０８（の厚み）を経て延びている。結果として、構造体１０８は、図１９及び図２０の例においてワッフル模様やグリッド模様のように側面に沿って形成されている。
【０１９５】
フォーカス開口部１１８の各縦列は、制御電極１０６の内の対応している１つの上側に位置されている。各電子放出領域４４中の電子放出素子１０４は、フォーカス開口部１１８の内の対応している１つを経て露光されている。各フォーカス開口部１１８は、通常、対応電子放出領域４４を伴って側面に沿ってほぼ同心である。各電極１０６が、前述したような主制御部分及び１つ又は１つ以上のより薄く隣接しているゲート部分から成る時、各フォーカス開口部１１８はまた、通常対応領域４４よりもより幅が広く、また長さが長い。
【０１９６】
フォーカスコーティング１１０は、ベース集束構造体１０８の外層の少なくとも一部分上に位置されており、また制御電極１０６から主として電気的に分離されるように構成されている。特にコーティング１１０は構造体１０８の表面の少なくとも一部分上に位置されており、またフォーカス開口部１１８の中へ構造体１０８の側壁の少なくとも一部分から一部分まで延びている。図１９及び図２０は、コーティング１１０が構造体１０８の主として全表面上に位置されており、また構造体１０８の側壁の一部分から一部分まで延びる場合の模範的な場合を示している。コーティング１１０は、構造体１０８の側壁の端から端まで延び、また制御電極１０６と接触しないか、又は別の方法で電極１０６を伴って電気的に相互作用するように、そのように近付けた電極１０６を得ないコーティング１１０を具備したフォーカス開口部１１８の底部で、誘電層１０２を均等に部分的に横切って延びている。これらの変形例の全部において、開口部は電子放出領域４４と、領域４４のそのような電子放出素子１０４とがバックプレート４０の上に設けられる場所で、少なくともコーティング１１０を経て延びている。
【０１９７】
ベース集束構造体１０８は、電気絶縁物質又は電気抵抗物質の１つ又は１つ以上の層又は領域から成っていても良い。構造体１０８は、少なくとも構造体１０８の外層に沿って通常電気絶縁である。すなわち、表面位置は誘電層１０２を伴うインタフェースを形成しない。典型的な実施例において、構造体１０８はポリイミドのような高分子材料で形成されている。構造体１０８は１〜１００μｍ、典型的には５０μｍの厚みを有する。
【０１９８】
フォーカスコーティング１１０は通常電気伝導であるが、電気抵抗であっても良い。いずれにせよ、少なくともコーティング１１０が構造体１０８と接触する表面積に沿って、コーティング１１０は構造体１０８よりも非常に低い平均電気抵抗である。コーティング１１０は０．１〜０．４μｍ、典型的には０．２μｍの厚みを有しているアルミニウムのような金属から成る。
【０１９９】
制御電極１０６は、電子放出領域４４中の素子１０４から電子を選択的に抽出する。電子集束システム１０８／１１０は、発光装置中の発光領域５６の内の１つの目的物の方へ抽出された電子を集束する。この目的のためには、フォーカスコーティング１１０はＦＥＤの動作の間に、電源（図示せず）から選択されたフォーカス電気ポテンシャルを受け取る。とりわけ、システム１０８／１１０の援助は、電子放出装置と発光装置との間の密封外囲器中に位置されるスペーサ、例えば図２０に示されるスペーサ壁６４の存在のような種々の要因によって引き起こされる望ましくない電子軌道偏向に打ち勝つ。
【０２００】
ゲッタ領域１１２は、最初にベース集束構造体１０８から成っているサポート領域の上に設けられる。図１９及び図２０の発光装置において、サポート領域はまた、直接設けられる領域１１２上にフォーカスコーティングを含む。領域１１２は、電子集束システム１０８／１１０の表面の少なくとも一部分上に位置されており、またフォーカス開口部１１８の中にシステム１０８／１１０の側壁の少なくとも一部分から一部分まで延びている。図１９及び図２０は、領域１１２がコーティング１１０のほぼ全表面上に位置されており、またコーティング１１０の垂直部分に対して下に延びているが、コーティング１１０を越えて著しく延びないという模範的な場合を表す。領域１１２は０．１〜１０μｍ、典型的には２μｍの厚みを有する。
【０２０１】
ゲッタ領域１１２が電気非絶縁物質、特に金属のような電気伝導物質から成る時、電極１０６を伴って電気的に相互作用するように近付けた制御電極１０６を得ない領域１１２を設けるコーティング１１０によって、被覆されないベース集束構造体１０８の側壁の一部分又は全部を被覆するようなフォーカスコーティング１１０の垂直部分を越えて、ゲッタ領域１１２が著しく延びている。同様に、領域１１２が電気非絶縁物質から成る時、電極１０６を伴って電気的に相互作用するように近付けた電極１０６を得ない領域１１２を再度具備したフォーカス開口部１１８の底部で誘電層１０２の上に、領域１１２が部分的に均等に延びている。そういうわけでコーティング１１０のように、領域１１２は電極１０６から電気的に分離されている。
【０２０２】
電子放出領域４４及び領域４４のような電子放出素子１０４がバックプレート４０の上に設けられる場所で、開口部が少なくともゲッタ領域１１２を経て延びている。また、ベース集束システム１０８は、制御電極１０６を延ばすというよりも、バックプレート４０からさらに離れて延びている。
【０２０３】
電子集束システム１０８／１１０は、種々の他の方法で設定される又は／及び構成される電子集束システムと交換され得る。例えば電子集束システムは、システム１０８／１１０と一般に同じ方法でパターン化された電気伝導物質の層で成る。電気絶縁物質は、電子集束システムのパターン化された導電層が、どの制御電極１０６とも別の方法で接触する位置に与えられている。この変更された電子集束システムにおいて、パターン化された導電電子集束層は、ゲッタ領域１１２のためのサポート領域を形成する。
【０２０４】
電子集束システムは、図１９及び図２０の例における電子集束システム１０８／１１０のワッフル模様のようなパターンとは著しく異なった側面形状を有している。例えばフォーカス開口部１１８の各縦列は、長いトレンチ模様のようなフォーカス開口部と時々交換され得る。そのような場合において、電子集束システムは列方向に延び、またそれらの端部で互いに接続されていても、接続されていなくても良いストライプの一群から成る。
【０２０５】
図２１及び図２２はそれぞれ、本発明に基づいて構成される電子放出装置のゲッタ含有アクティブ電子放出部分の一部分の側断面図を表す。図２１及び図２２の各々の電子放出装置は、変更されたＦＥＤを形成するような図１９及び図２０のＦＥＤ中の電子放出装置に適している。下記に示すものを除いて、図２１及び図２２の各々の電子放出装置は、図１９及び図２０の電子放出装置と同じように構成され、機能している構成要素４０と、１００と、１０２と、１０４と、１０６と、１０８と、１１０と、１１２とを有する。図２１及び図２２の電子放出装置は、ベース集束構造体１０８と関連する領域１１２の位置決めにおける図１９及び図２０の電子放出装置とは異なっている。
【０２０６】
図２１の電子放出装置において、ゲッタ領域１１２は、それによってゲッタ領域１１２のためのサポート領域として機能するベース集束構造体１０８上に設けられている。この差異を除いて、領域１１２は図１９及び図２０の電子放出装置と同じ方法で、構造体１０８及び誘電層１０２の上に設けられる。すなわち、図２１の電子放出装置中の領域１１２は、構造体１０８の表面の少なくとも一部分の上に設けられ、通常は構造体１０８の側壁の上で、またフォーカス開口部の中に少なくとも部分的に延び、そして領域１１２が電気非絶縁物質、特に金属のような電気伝導物質から成る時、電極１０６を伴って電気的に相互作用するように十分に近付けた制御電極１０６を得ない領域１１２を具備した開口部１１８の底部で、層１０２の上に部分的に均等に延びている。図２１は、領域１１２が構造体１０８の実質的に全表面上に設けられ、そして構造体１０８の側壁の一部分から一部分まで延びている場合の模範的な状況を表す。電子放出領域４４がバックプレート５０上に設けられる場所で、開口部が少なくとも領域１１２を経て延びている。
【０２０７】
フォーカスコーティング１１０は、図２１の電子放出装置中のゲッタ領域１１２上に設けられる。故に、コーティング１１０は、コーティング１１０中の微細な孔を通過するための、また領域１１２によってソーブされるためのガスを許容するために貫通されている。コーティング１１０は、領域１１２の表面の少なくとも一部分の上に設けられ、またフォーカス開口部１１８の中に領域１１２の垂直部分の上に延びている。図２１は、コーティング１１０が領域１１２のほぼ全表面上に位置されており、領域１１２の垂直部分に対して下に延びているが、領域１１２を越えて著しく延びない場合の模範的な状況を表す。コーティング１１０は、領域１１２によって被覆されないベース集束構造体１０８の側壁の一部分、又は全部を被覆するような領域１１２の垂直部分を越えて著しく延び、コーティング１１０が電気非絶縁物質から成る時、電極１０６を伴って電気的な相互作用をするように近付けた制御電極１０６を得ないコーティング１１０を具備した開口部１１８の底部で、誘電層１０２の上に部分的に均等に延びている。
【０２０８】
図２２の電子放出装置は、ベース集束構造体１０８を伴って形成されるサポート領域上に位置されるゲッタ領域１１０／１１２を有する。ゲッタ領域１１０／１１２は、フォーカスコーティングとしても機能する。本質的に、図１９〜図２１の電子放出装置中のフォーカスコーティング１１０及びゲッタ領域１１２は、図２２の電子放出装置中で互いに結合されている。
【０２０９】
図１９〜図２１の電子放出装置中の構造体１０８の上に延びるゲッタ領域１１２とおおよそ同じ範囲内で、ゲッタ領域１１０／１１２はベース集束構造体１０８及び誘電層１０２の上に延びている。図２２は、領域１１０／１１２が構造体１０８のほぼ全表面上に位置されており、またフォーカス開口部１１８の中に構造体１０８の側壁の一部分から一部分まで延びている場合の模範的な状況を示している。図１９〜図２１の電子放出装置中のフォーカスコーティング１１０及びゲッタ領域１１２と同様に、領域１１０／１１２が電気非絶縁物質から成る時、領域１１０／１１２は制御電極１０６から主として電気的に分離されている。
【０２１０】
次の段落で述べるように、ゲッタ領域１１０／１１２は通常多孔性である。しかしながら、図２１の電子放出装置中のゲッタ領域１１０とは異なり、ゲッタ領域１１０／１１２は貫通されていることを必要としない。領域１１０／１１２はまたフォーカスコーティングとして機能するので、領域１１０／１１２はディスプレイ動作の間に電源（図示せず）から選択されたフォーカス電気ポテンシャルを受け取る。
【０２１１】
図１９〜図２１の電子放出装置中のゲッタ領域１１２は、汚染物質ガスをソーブするための発光装置中のゲッタ領域５８と同様な方法で機能する。同様のことが、図２２の電子放出装置中のゲッタ領域１１０／１１２に適用される。この目的のためには、領域１１２又は１１０／１１２は通常多孔性である。
【０２１２】
類似したゲッタ領域５８では、ゲッタ領域１１２又は１１０／１１２は密閉している発光装置及び電子放出装置が外壁を互いに経る前に形成されている。領域１１２又は１１０／１１２を形成した後であるが、ＦＥＤ組立て（及び密封）動作の前に、領域１１２又は１１０／１１２は空気中に露光されている。図２１の電子放出装置の場合において、空気への領域１１２の露光が、フォーカスコーティング１１２中の孔を経て生じる。結果として、領域１１２又は１１０／１１２は、ＦＥＤの密封外囲器が高真空である間のＦＥＤ組立て動作の間又はその後に活性化されている。領域１１２又は１１０／１１２の活性化は、領域５８のための前述したどの方法によっても一般に行われている。
【０２１３】
電子放出装置の前述した変形例を含んでいる図１９〜図２２の電子放出装置は、種々の方法で変更されることができる。関連した発光装置によって製造される画像の質は、発光装置中の対応発光領域５６に対向する側に位置される２つ又は２つ以上の側面に沿って、分離された電子放出部分である電子放出領域４４の各々を構成することによって、時々強調されている。そのような場合において、各フォーカス開口部１１８は、そのように分配された領域４４の電子放出部分の上側にそれぞれに位置された２つ又は２つ以上のフォーカス開口部で同様に交換されている。シュロップ（Ｓｃｈｒｏｐｐ）他の国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ９９／１４６７９、１９９９年６月２９日出願、現在は国際特許公報ＷＯ ００／０２０８１を参照。フォーカス開口部１１８の中へ延びるコーティング１１０及び領域１１２と同じ方法で、フォーカスコーティング１１０及びゲッタ領域１１２が、これらのフォーカス開口部の中へ延びている。
【０２１４】
図１９〜図２２の電子放出装置の各々、又はこれらの電子放出装置の前記変更された変形例のどの電子放出装置も、ガスの経路に主として影響を与えず、またベース集束構造体１０８を密封するように位置付けされている付加領域を含んでも良い。この密封領域は、その外層に沿う構造体１０８の全部又はほぼ全部を被覆する。構造体１０８が相当量の汚染物質ガスを放出することができる物質、例えばポリイミドのような高分子材料を有する時、密封領域は構造体１０８によって放出されたガスがＦＥＤの密封外囲器に入ることを防止するために機能する。さらに、ゲッタ領域１１２及び密封領域は、そのような放出しているガスがＦＥＤに損害を与えることを防止するために協働する。
【０２１５】
密封領域は、密封領域の上に位置されるゲッタ領域１１２を伴うベース集束構造体１０８上に直接設けられても良い。密封領域は（誘電層１０２と結合して）、それから構造体１０８によって放出されたガスがディスプレイの密封外囲器に入ることを防止する。もし、密封領域がひびを有しているのであれば、ゲッタ領域１１２は、構造体１０８によって放出されている後にひびを通過する汚染物質ガスをソーブする。
【０２１６】
あるいは、密封領域はフォーカスコーティング１１０又はゲッタ領域１１０／１１２の上に設けられても良い。図２１の電子放出装置において、密封領域はコーティング１１０上に位置されており、又はコーティング１１０とゲッタ領域１１２との間に位置付けされている。コーティング１１０又はゲッタ領域１１０／１１２の上に設けられる密封領域を有することによって、電子放出装置の外側に存在するガスが密封領域によって被覆されている場所で、密封領域が（誘電層１０２と結合して）ゲッタ領域１１２に到達することを主として防止する。それ故に、ゲッタ領域１１２は、ハーメチック密封（ｈｅｒｍｅｔｉｃ ｓｅａｌｉｎｇ）を含んでいるＦＥＤの組立てに先立って活性化されている。電子放出装置は、領域１１２のゲッタリング性能を著しく減少することなく、ゲッタ活性化の後で、また組立て動作に先立って空気中に露光されている。
【０２１７】
ゲッタ領域１１２の上側に位置付けしている密封領域は、領域１１２がディスプレイの密封外囲器中に存在する汚染物質ガスをソーブすることを主として防止する。しかしながら、最後のディスプレイ密封に先立って領域１１２を活性化するために有している性能は、現在のＦＥＤを製造することを容易にする。密封領域がゲッタ領域１１２を被覆する時、ＦＥＤは密封外囲器中に存在する汚染物質ガスをソーブするための、例えば発光装置中の付加ゲッタ物質を伴って設けられている。
【０２１８】
密封領域は一般に電気絶縁物質、電気抵抗物質、電気伝導物質の１つ又は１つ以上の層又は領域を伴って形成されている。密封領域が電気非絶縁物質、すなわち電気伝導物質又は／及び電気抵抗物質から成る範囲内では、密封領域は制御電極１０６と接触するべきではなく、又は別の方法で電極１０６を伴って電気的に相互作用するべきではない。密封領域のための第１の対象物質は、酸化ケイ素である。密封領域のための他の対象物質は、窒化ケイ素、窒化ホウ素、アルミニウムである。密封領域はまた、これらの物質の２つ又は２つ以上の結合を伴って形成されても良い。
【０２１９】
保護電気絶縁層は、後の処理の間に電極１０６が腐食されており、又は別の方法でダメージが与えられることを防止するために、又は１つ又は１つ以上の後の層の構造体の間にエッチングステップとして行うために、一方では制御電極１０６の間に位置されても良く、また他方ではベース集束構造体１０８の間に位置されても良い。保護層は、構造体１０８の下に位置された電極１０６の少なくとも一部分の上に主として延びている。保護層は、フォーカス開口部１１８の中へ側面に沿って延びるが、必ずしも必要というわけではないが、電子放出領域４４の上に普通は延びない。構造体１０８が、電極１０６の一部分の上に設けられる場所の位置が互いに側面に沿って分離されているので、保護層は単一（連続）層として、又は側面に沿って分離された部分の一群として実施されている。
【０２２０】
種々の工程は、図１９〜図２２の電子放出装置及び前述したそれらの電子放出装置の変形例を製造するために使用されている。図２３ａ〜図２３ｄは（以下、まとめて「図２３」と言う。）、本発明に基づく図１９及び図２０の電子放出装置を製造するための工程を示している。図２４ａ〜図２４ｃは（以下、まとめて「図２４」と言う。）、本発明に基づく図１９及び図２０の電子放出装置の変形例を製造するための工程を表す。図２５ａ〜図２５ｄは（以下、まとめて「図２５」と言う。）、本発明に基づく図２１又は図２２の電子放出装置を製造するための工程を示している。
【０２２１】
図２３の工程のための開始点は、バックプレート４０である。図２３ａを参照。低部の非絶縁領域１００は、バックプレート４０上に形成されている。これはバックプレート４０上にエミッタ電極を形成し、それから上に設けられている抵抗層を形成することを可能とする。誘電層１０２のためのブランケット前駆体誘電層は、非絶縁層１００上に形成されている。
【０２２２】
制御電極１０６は、前駆体誘電層上に形成されている。各電極１０６が主制御部分及び１つ又は１つ以上のより薄い隣接しているゲート部分から成っている時、主制御開口部をスパンし、また主制御部分の上に部分的に延びるように形成された後に、主制御部分は通常ゲート部分のための前駆体が形成されている。ゲート部分のための前駆体が主制御開口部をスパンし、また主制御部分の下に部分的に延びるので、これら２つの動作は逆向きにされている。
【０２２３】
この時点では、種々の工程手順が電子放出素子１０４及びベース集束構造体１０８を形成するために使用されている。例えば制御開口部１１６は、米国特許第５，５５９，３８９号又は米国特許第５，５６４，９５９号に記述されているタイプの帯電粒子のトラッキング工程に基づく制御電極１０６のための前駆体中に形成されている。制御開口部１０６を定義するための帯電粒子のトラッキング工程を使用することによって、開口部１０６の面積密度は容易にかなり高くなる。各電極１０６が前述したような主制御部分と、１つ又は１つ以上のより薄い隣接しているゲート部分とから成る時、主制御開口部が主な部分を経て延びる場所で、ゲート部分中に制御開口部１１６が形成されている。
【０２２４】
もし、保護層（図示せず）が後に形成されるベース集束構造体１０８と制御電極１０６の下に設けられている一部分との間に位置されていることができるのであれば、適切な電気絶縁物質は電極１０６及び誘電層１０２の露光された部分の上に析出されている。適切にパターン化されたマスク（図示せず）を使用することによって、そのように析出された絶縁物質の一部分は、保護層を形成するための電子放出領域４４のための意図された位置の少なくとも上側に移動されている。各電極１０６が主制御部分及び１つ又は１つ以上のより薄い隣接しているゲート部分から成る時、絶縁物質は主制御部分を経て延びる主制御開口部から除去されている。
【０２２５】
そのような保護層が電子放出装置中に設けられていると否とに拘わらず、誘電層１０２は誘電開口部１１４を形成するための制御開口部１１６を経てエッチングされている。電子放出素子１０４は、制御開口部１１６を経て、また誘電開口部１１４の中に電気伝導エミッタ円錐物質、通常モリブデナムのような金属を析出することによって、円錐として形成されている。開口部１１６が前述したような方法で形成されている時、各制御開口部１１６が異なる電子放出素子１０４を露光し、また制御開口部１１６の面積密度が容易にかなり高くなるので、各電子放出領域４４中の素子１０４の面積密度、すなわち電子放出サイトの密度は容易にかなり高くなる。
【０２２６】
電子放出素子１０４が形成されている時、エミッタ円錐物質のアクセス（ａｃｃｅｓｓ）層は構造体の表面上に蓄積する。適切なマスク（図示せず）を使用することによって、過剰エミッタ円錐物質は電子放出領域４４のための位置の側方に移動されている。従って、過剰エミッタ円錐物質の一部分は、電子放出領域４４を被覆するための位置の中に放置されている。各制御電極１０６が主制御部分及び、１つ又は１つ以上のより薄い隣接しているゲート部分から成る時、これらの過剰エミッタ円錐物質部分は、主制御開口部を被覆する。前述した動作の実施例の記述は、図３３ｃの段階を経て上に向かう図３３ａ〜図３３ｅの工程に関連して下に設けられている。
【０２２７】
ベース集束構造体１０８は、化学線作用を有する重合可能なポリイミドの層を析出することによって、またＵＶ光のような適切な化学線のためのポリイミドを選択的に露光することによって、そして非露光ポリイミドを除去することによって、それから形成されている。もし、露光動作がバックプレート４０の低部の表面を経て部分的に実施されているのであれば、構造体１０８の側壁は、図２３ａに一般に示されている行方向における制御電極１０６の縦のエッジの一部分に通常対応しており、そして垂直に一列に並べられている。露光動作はまた、電極１０６の上側に位置付けされている１つ又は１つ以上のレチクルを経て完全に実施されている。そのような場合において、構造体１０８の側壁は、電極１０６のための種々の横の関係を有する。構造体１０８がポリイミド以外の高分子材料を有する時、同じような一般の手順が付随されている。電子放出領域の上に設けられている過剰エミッタ円錐物質の一部分は、図２３ａの構造体を製造するために除去されている。
【０２２８】
あるいは、電子放出素子１０４の構造体及びベースフォーカス単一構造体１０８は、通常前述した技術の内の１つに基づく構造体１０８を最初に形成することによって行われている。もし、保護層（再度、図示せず）が構造体１０８と制御電極１０６の下に設けられている一部分との間に設けられることができるのであれば、保護層は構造体１０８を形成する前に電極１０６の上に形成されている。いずれにせよ、構造体１０８を形成した後、制御電極１１６及び誘電開口部１１４は前述した方法で、電極１０６及び誘電層１０２を経てそれぞれ形成されている。
【０２２９】
電子放出素子１０４は、それから前述した析出技術に基づく円錐として一般に形成されている。制御電極１０６及びベース集束構造体１０８上に蓄積し、さらにまたそれが露光されている範囲内で誘電層１０２上に蓄積する過剰エミッタ円錐物質は除去されている。図２３ａの構造体が再度製造されている。
【０２３０】
フォーカスコーティング１１０は、図２３ｂに示されるようにベース集束構造体１０８上に形成されている。これは、ゲッタ領域５８を形成するための図１１の工程において一般に使用される物理的に曲げられた析出手順を使用している、構造体１０８上の適切なフォーカスコーティング物質を析出することを可能にする。フォーカスコーティング物質の粒子がフォーカス開口部１１８の中の一部分から一部分までにのみ進入し、また開口部１１８の底部に沿う電子放出素子１０４上に著しく蓄積しないように容易に析出状態が制御されているので、物理的に曲げられた析出は、ここではコーティング１１０を形成することに特に適している。従って、それは過剰エミッタ円錐物質の層のような保護層が、コーティング１１０の物理的に曲げられた析出の間に保護素子１０４のための電極１０６の上側に位置されているということを必要としない。コーティング１１０を形成するために使用される物理的に曲げられた析出技術は、通常角を形成する蒸着であるが、角を形成するスパッタリング又は角を形成する溶射であっても良い。
【０２３１】
あるいは、フォーカスコーティング１１０は、構造体の上面の上にフォーカスコーティング物質のブランケット層を析出することによって、またそれからコーティング１１０のための意図された位置で、フォーカスコーティング物質を保護するための適切なマスクを使用しているブランケットフォーカスコーティング層の一部分を選択的に除去することによって形成されている。さらにまた、マスクが上に設けられているどのフォーカスコーティング物質をもリフトオフするために除去された後のマスク中の開口部の中に、フォーカスコーティング物質が析出される。前述した過剰エミッタ円錐物質の層のような保護層は、これらの選択肢の両方の間にエッチングされていることから、電子放出素子１０４を保護するための制御電極１０６の上に位置されている。
【０２３２】
ゲッタ物質が、図２３ｃ及び図２３ｄに示されるようにフォーカスコーティング１１０上にゲッタ領域１１２を形成するための物理的に曲げられた析出によって析出されている。図２３ｃは形成された領域１１２の一部分１１２Ａで、角を形成する析出手順中の中間時点を示している。図２３ｄは、領域１１２が完全に形成された後の構造体を表す。図２３ｄの構造体は、図１９及び図２０の電子放出装置である。
【０２３３】
図２３の工程中のゲッタ領域１１２を形成するために使用される物理的に曲げられた析出は、ゲッタ領域５８を形成するための図１１の工程と一般に同じ方法で実施されている。ゲッタ物質の粒子は、物理的に曲げられた析出の間にバックプレート５０（の低部の表面又は上面）に対して垂直に延びている直線１２０の平均傾斜角αで、フォーカスコーティング１１０に影響を与える。傾斜角αは通常少なくとも５°であり、好ましくは少なくとも１０°であり、さらに好ましくは少なくとも１５°である。角を形成する蒸着のためには、角αは典型的には１６〜１７°である。いずれにせよ、角αは、ゲッタ物質がコーティング１１０の垂直部分の一部分から一部分までにのみ、またそのようなフォーカス開口部１１８の中の一部分から一部分までにのみ蓄積するということで、普通は十分に大きい。
【０２３４】
図２３ｃ及び図２３ｄ中の矢印１２２は、ゲッタ物質の粒子によって付随される経路を示す。図２３ｃ及び図２３ｄの各々における１２２の経路の内の１つは、瞬時のゲッタ物質の粒子のための主要な衝突軸を表す。経路１２２は、平均して垂線１２０に対する傾斜角αである。図２３ｃ及び図２３ｄは、物理的に曲げられた析出のための２つの対向する方位角の方向付けを示している。これら２つの方位角の方向付けは、図１１ｂ及び図１１ｃ中に表される２つの方位角の方向付けとそれぞれ類似している。ゲッタ領域１１２を形成するための物理的に曲げられた析出は、通常角を形成する蒸着によって行われているが、角を形成するスパッタリング又は角を形成する溶射によって行われてもよい。
【０２３５】
図２３の工程に代わるものとして、電子放出素子１０４及びベース集束構造体１０８が前述した工程手順に基づいて形成されている時、電子放出領域４４の上に設けられる過剰エミッタ円錐物質の一部分は、フォーカスコーティング１１０及びゲッタ１１２が形成されている間は、同じ場所で放置されている。過剰エミッタ円錐物質のこれらの一部分は、それから素子１０４がコーティング１１０及び領域１１２の構造体の間に汚染されていることを防止する。フォーカスコーティング１１０及びゲッタ領域１１２が形成された後、電子放出領域４４の上に設けられている過剰エミッタ円錐物質の一部分は除去されている。
【０２３６】
図２４の工程は、図２３の工程と同じ方法でバックプレート４０の上に構成要素１００と、１０２と、１０４と、１０６と、１０８とを形成することによって開始されている。図２３ａの繰り返しである図２４ａを参照。コーティング１１０が電気伝導物質、通常金属から成ることを除いて、フォーカスコーティング１１０は図２３の工程と同じ方法でベース集束構造体１０８の上に形成されている。図２３ｂの繰り返しである図２４ｂを参照。
【０２３７】
物理的に曲げられた析出以外の技術を使用することによって、ゲッタ物質は図２４ｃに示されるようにゲッタ領域１１２を形成するためのフォーカスコーティング１１０上に選択的に析出されている。コーティング１１０は電気伝導であり、また制御電極１０６から電気的に分離されているので、領域１１２はコーティング１１０の導電性質をうまく利用する技術によって析出されている。領域１１２を選択的に析出するためのコーティング１１０の導電性質を使用する対象技術は、電気メッキと化学メッキとを含んでいる電気泳動析出／誘電泳動析出と、電気化学析出とを含む。領域１１２が、電気泳動析出／誘電泳動析出又は電気メッキによって析出されている時、選択された電気ポテンシャルは、析出手順の間にフォーカスコーティング１１０に印加されている。領域１１２を形成するための電気泳動析出／誘電泳動析出は、図１０の工程におけるゲッタ層５８Ｐを形成するための前述した方法で実施されている。図２４ｃの構造体は、図１９及び図２０の電子放出装置の変形例である。
【０２３８】
図２５の工程は、（ａ）ベース集束構造体１０８上に析出される物質上に配置されている適切な制限を伴って、図２５ｄの段階に到達している図２１の電子放出装置、又は（ｂ）構造体１０８上に析出される物質上に配置されている他の制限を伴って、図２５ｃの段階に到達している図２２の電子放出装置、のいずれか一方を導く。図２５の工程において、構成要素１００と、１０２と、１０４と、１０６と、１０８とは図２３の工程のための前述したバックプレート４０の上に最初に形成されている。図２３ａの繰り返しである図２５ａを参照。
【０２３９】
ゲッタ物質は、図２５ｂ及び図２５ｃに示されるようにベース集束構造体１０８上にゲッタ領域１１２又は１１０／１１２を形成するための物理的に曲げられた析出によって析出されている。図２５ｂは、領域１１２の一部分の１１２Ａが形成されており、又は領域１１０／１１２の一部分の１１０Ａ／１１２Ａが形成されるいずれにおいても、物理的に曲げられた析出手順中の中間時点を示している。図２５ｃは、領域１１２又は１１０／１１２が完全に形成された後の構造体を表す。領域１１２の構造体は、図２１の発光装置を形成する段階である。領域１１０／１１２の構造体は、領域１１０／１１２がまたフォーカスコーティングとして機能する場合の図２２の発光装置を製造する。
【０２４０】
図２５の工程における物理的に曲げられた析出は、ゲッタ領域１１２又は１１０／１１２を形成するための図２３の工程と一般に同じ方法で、ゲッタ領域５８を形成するための図１１の工程と一般に同じ方法で導電されている。さらに、ゲッタ物質の粒子は、平均して垂線１２０に対して瞬間的な平均傾斜角αである経路１２２に沿ったベース集束構造体１０８に影響を与える。図２５ｂ及び図２５ｃは、角を形成する析出のための２つの対向する方位角の方向付けを示している。これら２つの方位角の方向付けは図２３ｃ及び図２３ｄ、故に図１１ｂ及び図１１ｃにおいて表される２つの方位角の方向付けとそれぞれ類似している。図２５の工程における物理的に曲げられた析出は、角を形成する蒸着によって通常行われているが、角を形成するスパッタリング又は角を形成する溶射によって行われても良い。
【０２４１】
図２５ｃの構造体を図２１の電子放出装置に変換するために、フォーカスコーティング物質は、貫通されたフォーカスコーティング１１０を形成するためのゲッタ領域１１２上に析出されている。図２５ｄを参照。コーティング１１０は、一般に前述したような物理的に曲げられた析出によって形成されている。角を形成する蒸着、角を形成するスパッタリング、角を形成する溶射が使用されている。ゲッタ領域１１２が、少なくともその外層に沿った電気伝導物質、通常金属を有する時、コーティング１１０は、領域１１２の導電性質をうまく利用する電気メッキ及び化学メッキを含んでいる電気泳動析出／誘電泳動析出、又は電気化学析出のような使用している選択した析出技術を形成されている。電気泳動析出／誘電泳動析出又は電気メッキが使用されている時、選択された電気ポテンシャルは、析出工程の間に領域１１２に印加されている。
【０２４２】
図２６及び図２７は、本発明に基づいて構成されるＦＥＤのアクティブ領域の一部分の側断面図と平面断面図とをそれぞれ示している。図２６及び図２７のＦＥＤは、ゲッタ含有アクティブ電子放出部分を有している発光装置と、その発光装置に対して対向する側に位置される電子放出装置とを有する。図２６及び図２７の発光装置及び電子放出装置は、高真空で維持される密封外囲器を形成するための外壁（図示せず）を経て互いに接続されている。図２７の平面断面図は、密封外囲器を経て側面に沿って延びている平面に沿った電子放出装置の方向において導入されている。さらに、図２７は電子放出装置のアクティブ部分の一部分の平面図を主として表す。
【０２４３】
図２６及び図２７のＦＥＤ中の発光装置は、フェースプレート５０と、フェースプレート５０の内面の上に位置される層／領域５２とから成る。層／領域５２は、遮光ブラックマトリクス５４と、発光領域５６と、アノード（分離して図示せず）とを含む。ピクセルの横列を経る垂直平面に沿って導入されている図２０とは異なり、図２６はピクセルの一対の横列の間の垂直平面に沿って導入されている。結果として、発光領域５６は図２６の断面には現れない。それにも拘わらず、ブラックマトリクス５４と、発光領域５６と、アノードとは図１９及び図２０のＦＥＤ中の発光装置と同じように配置されている。図２６及び図２７のＦＥＤと図１９及び図２０のＦＥＤとの間の差異は、電子放出装置で生じる。
【０２４４】
図２６及び図２７中の電子放出装置は、バックプレート４０と、バックプレート４０の内面の上に位置される層／領域４２とを伴って形成されている。層／領域４２は、低部の非絶縁領域１００と、誘電層１０２と、横列及び縦列の配置された電子放出領域４４と、制御電極１０６と、突起部分４６と、側面に沿って分離された中間の電気伝導領域１２６の一群と、側面に沿って分離されたゲッタ領域１２８の一群とから成る。各電子放出領域４４は、多数の電子放出素子１０４で成る。図２６は、ピクセルの一対の横列の間の垂直平面に沿って導入されているので、領域４４は図２６中に現れない。図２６及び図２７の電子放出装置中のバックプレート４０と、非絶縁領域１００と、誘電層１０２と、電子放出領域４４と、制御電極１０６とは、図１９及び図２０の電子放出装置と同じように構成されており、そして同じように機能する。
【０２４５】
突起部分４６は、図２６及び図２７の電子放出装置中に電子集束システムを通常含む。電子集束システムの詳細は図２６及び図２７には示されていないけれども、電子集束システムはベース集束構造体１０８及びフォーカスコーティング１１０から成っても良い。構造体差異がゲッタ領域１２８の存在によって引き起こされることを条件として、構造体１０８及びコーティング１１０は、図１９及び図２０の電子放出装置と同じように構成されており、そして同じように機能する。
【０２４６】
図２６及び図２７の電子放出装置において、部分４６は、図２８に関連して下記に述べるようにフォーカスコーティング１１０の上に位置されるゲッタ領域１１２、又は図２１の電子放出装置で生じるようなコーティング１１０と構造体１０８との間に位置されるゲッタ領域１１２を含んでも良い。コーティング１１０及び分離するゲッタ領域１１２を有する代わりに、部分４６は、図２２の電子放出装置で生じるようなフォーカスコーティングとしても、また機能するゲッタ領域１１０／１１２を有しても良い。ゲッタ領域１２８の存在から結果として起こる構造体差異を条件として、ゲッタ領域１１２又は１１０／１１２は図１９〜図２２に関連して前述したように構成されており、そして利用されている。
【０２４７】
図２６及び図２７の電子放出装置はまた、図１９〜図２２の電子放出装置のための前述した他のどの方法によっても一般に変更されている。例えば電子集束システムは、電子集束システム１０８／１１０と一般に同じ方法でパターン化され、そしてパターン化された導電電子集束層がどの電極１０６とも他の方法で接触する場所の位置で、制御電極１０６から電気絶縁物質によって分離された電気電導層から成っても良い。
【０２４８】
中間の導電領域１２６は、誘電層１０２上に設けられる。ゲッタ領域１２８は、中間領域１２６上に種々に設けられる。下記において述べるように、中間領域１２６の電気伝導性質は、ゲッタ領域１２８を形成することに普通使用されている。
【０２４９】
ゲッタ領域１２８は、突起部分４６（の厚み）を経て延びるそれぞれのゲッタ露光開口部１３０中に位置されている。領域１２８は、通常ゲッタ露光開口部１３０の底部に到達するか、又はゲッタ露光開口部１３０の底部に近づいて延びている。図２６は、それぞれのごくわずかな開口部１３０の（平均）高さを占有している領域１２８を示しているけれども、領域１２８は開口部１３０の高さのほとんどの部分を占有しても良い。実際、領域１２８は開口部１３０を満たすか、又はほぼ満たす。
【０２５０】
中間の導電領域１２６は、それらの制御電極１０６に適するような１つ又は１つ以上の金属から成る。実際、電極１０６のために利用される物質から部分的に又は全体的に成るような電極１０６と同時に、中間領域１０６が部分的に又は全体的に時々形成されている。ゲッタ領域１２８は電気伝導、電気抵抗、電気絶縁であっても良いけれども、領域１２８は通常電気非絶縁であり、通常電気伝導である。
【０２５１】
各中間の導電領域１２６は、異なる連続した一対の制御電極１０６の間に位置付けされている。図２６及び図２７の例において、領域１２６は誘電層１０２の上面に沿う電極１０６と交互である。どの特有な側面形状及び領域１２８の大きさを伴っても達成できるゲッタリング性能が、それによって通常最大又は最大に近いので、交互になっている配列は有利である。それにも拘わらず、連続した一対の電極１０６の間に位置されている領域１２６でない場合を実例としても良い。
【０２５２】
図２７の平面図において破線で示されている制御電極１０６のような中間の導電領域１２６は、ゲッタ領域１２８の構造体の間に通常電気的にアクセスされている。中間領域１２６の電気アクセスは、電極１０６を経て、又は電極１０６とは無関係に行われている。もし、中間領域１２６が電極１０６を経て電気的にアクセスされているのであれば、領域１２６は、電極１０６を伴って通常連続であり、またそのように電極１０６の単なる延長である。中間領域１２６の電気アクセスが、ゲッタ領域１２８の構造体の間に実施されているか否か、また実施されている程度に応じて、領域１２６及び１２８は種々の側面形状を有する。領域１２６及び１２８の形状に対する最初の制約は、それらがどの他の電極１０６をも伴って著しい電気的な相互作用をするための、いかなる電極１０６をも引き起こす方法で形成されていないということである。
【０２５３】
図２６及び図２７は、ゲッタ領域１２８が形成されているような制御電極１０６とは無関係に、それらが電気的にアクセスされているように、中間の導電領域１２６が側面に沿って構成されている場合の例を表す。本例において、各中間領域１２６は（平均）幅よりも大変大きな長さである。さらに詳細には、領域１２６は、それらがゲッタ領域１２８の構造体の間の電極１０６とは無関係に、電気的にアクセスされている場所の周辺の装置位置のための図２６及び図２７の例における電子放出装置のアクティブ部分を完全に横切って列方向で縦方向に、すなわち図２７の平面図において垂直に延びている。図２７の模範的な平面図は、電子放出装置のアクティブ部分中に、互いに離れて側面に沿って間隔をあけて配置されているような中間領域１２６を表しているけれども、領域１２６は、電気的にアクセスすることを容易にするためのアクティブ装置部分の外部で、部分的に又は完全に互いに接続されても良い。
【０２５４】
図２６及び図２７の例において、各中間の導電領域１２６は、左側の最も近い制御電極１０６から、また右側の最も近い電極１０６から離れて側面に沿って間隔をあけて配置されている。各領域１２６と、左側及び右側の２つの最も近い電極１０６との間の側面の空間は領域１２６がそれら２つの電極１０６を伴って、又は他のどの電極１０６をも伴って、著しく電気的な相互作用をしないということで十分に大きい。すなわち、領域１２６は図２６及び図２７の例において、電極１０６から主として電気的に分離されている。
【０２５５】
図２６及び図２７の例における中間の導電領域１２６と制御電極１０６との間の横の関連の説明図を容易にするために、図２７は、他の場所よりもゲッタ領域１２８によって被覆されている場所で、より幅が広い中間領域１２６を表す。この方法で形成されている中間領域１２６が、各領域１２６と、左側と右側の最も近い電極１０６との間の重要な電気相互関係の見込みを増加しても良いけれども、領域１２６は他の場所よりもゲッタ領域１２８より下で幅がより広くなくても良い。
【０２５６】
図２６及び図２７の例における各ゲッタ領域１２８は、中間の導電領域１２６の内の１つの上に十分に設けられているものとして、下に設けられている中間領域１２６を越えて側面に沿って延びていないものとして示されている。ゲッタ領域１２８が電気非絶縁物質から成る時、図２６及び図２７の例は、制御電極１０６から主として電気的に分離されている領域１２８の結果として起こる。この場合において、領域１２８の非絶縁物質は接触することができ、故に突起部分４６の電気非絶縁物質、例えばフォーカスコーティング１０８、ゲッタ領域１１０（もし存在するのであれば）、ゲッタ領域１１０／１１２（もし存在するのであれば）で電気的に結合されている。
【０２５７】
ゲッタ領域１２８は、中間の導電領域１２６を越えて側面に沿って延び、ことによると左側の最も近い電極１０６と右側の最も近い電極１０６との両方を伴って、著しく電気的に相互作用するためのどの中間領域１２６又はゲッタ領域１２８をも引き起こす電気ブリッジを形成しないゲッタ領域１２８を具備した制御電極１０６と均等に接触する。言い換えると、電極１０６の内の１つ以上を伴って電気的に相互作用するため、すなわち電極１０６の内の１つ以上と電気的に結合されているための領域１２６又は１２８の、どれをも引き起こさないように実施しているものと同じ位長い中間領域１２６を越えて、ゲッタ領域１２８は側面に沿って延びている。もし、どのゲッタ領域１２８をも電極１０６の内の１つの単体と電気的に結合される電気非絶縁物質を有するのであれば、領域１２８は、突起部分４６の電気非絶縁物質、例えばフォーカスコーティング１０８、ゲッタ領域１１０（もし存在するのであれば）、ゲッタ領域１１０／１１２（もし存在するのであれば）から主として電気的に分離されている。
【０２５８】
好ましくは、どの中間の導電領域１２６とどの制御電極１０６との間の重要な電気的な相互作用でないものが、中間領域１２６がゲッタ領域１２８の構造体の間に電極１０６と無関係に電気的にアクセスされていることができる状況における中間領域１２６を越えて、側面に沿って延びているゲッタ領域１２８の結果として起こる。領域１２８が電気非絶縁物質から成る時、本変形例における各領域１２８は、各電極１０６からそのように主として電気的に分離されている。
【０２５９】
図２６及び図２７の例において、複数のゲッタ領域１２８が、各中間の導電領域１２６上に位置されている。各ゲッタ領域１２８は、ゲッタ露光開口部１３０の内の対応している異なる１つの中に位置付けされており、それを経て露光されている。また、ゲッタ領域１２８は、放出素子の横列及び縦列を有する交差しているチャネルの境界の間に位置付けされた割れ目のある領域中に位置されている。
【０２６０】
図２６及び図２７の例におけるゲッタ領域１２８の配列は、領域１２８が制御電極１０６の内の１つ以上を伴って、電気的に相互作用するためのどの中間の導電領域１２６をも引き起こす電気ブリッジを形成しないという特性を有する状態を維持している間に、種々の方法で変更され得る。例えばゲッタ領域１２８の一部分又は全部は、電子放出領域４４の横列を有するチャネルの中に列方向において延ばされており、どの電子放出領域４４の上にも実際に延びない領域１２８をもが設けられている。すなわち、図２７の平面図において、ゲッタ領域１２８は、電子放出領域４４の横列の水平境界を定義する想像水平線の上方に向かって及び／又は越えて延びている。
【０２６１】
そのように引き延ばされたゲッタ領域１２８は、電子放出領域４４の横列を有するチャネルの中に延びている対応している引き延ばされたゲッタ露光開口部１３０のために露光されており、突起部分４６によって与えられる機能、例えば電子集束を著しく低下させない方法で引き延ばしているゲッタ露光領域１３０が設けられている。もし、部分４６によって与えられる機能が著しく阻害されているのであれば、それらが形成されている程度によるゲッタ領域１２８は、電子放出領域４４の横列及び縦列を有するチャネルの間に位置付けされる割れ目のある領域を越えて著しく延びない、より小さなゲッタ露光開口部１３０を経て露光されている。そのような場合において、各ゲッタ露光開口部１３０は通常ゲッタ領域１２８よりも小さな側面積であり、またそのゲッタ領域１２８の一部分を露光するのみである。
【０２６２】
各中間の導電領域１２６上に設けられている複数のゲッタ領域１２８は、１つの領域１２８と同じ位低いゲッタ領域１２８のより少数と交換され得る。そのように変更された領域１２８の一部分又は全部は、電子放出領域４４の横列を有するチャネルを横切って完全に延びても良い。電子放出領域４４の横列を有する１つ又は１つ以上のチャネルを横切って完全に延びている各ゲッタ領域１２８は、突起部分４６によって与えられる機能に著しいダメージを与えないように引き延ばしているゲッタ露光開口部１３０を具備した、領域４４の横列を有する１つ又は１つ以上のチャネルを横切って、完全に延び引き延ばされたゲッタ露光開口部１３０を経て露光されている。もし、部分４６の機能が著しく阻害されているのであれば、再度それらが形成された程度によるゲッタ領域１２８の各々は、電子放出領域４４の横列及び縦列を有するチャネルの間の割れ目のある領域を越えて著しく延びない２つ又は２つ以上の、より小さなゲッタ露光開口部１３０を経て露光されている。
【０２６３】
ゲッタ領域１２８が電気非絶縁物質から成る時、どの中間の導電領域１２６上にも設けられている領域１２８の一部分又は全部は、中間領域１２６の反対側に直接位置された電子放出領域４４を有する一対のチャネルの内の１つを伴うが、両方を伴わず行方向に延ばされている。そのように変更されたゲッタ領域１２８と接触する各領域１２６は、それから領域１２６の左側及び右側に直接位置された電極１０６の内の１つを伴うが両方は伴わず、電気的に相互作用をする。ゲッタ領域１２８が製造されている程度によってゲッタ露光開口部１３０は同じように残り、又は突起部分４６によって与えられる機能を低下させないようにされ、また行方向において似たような方法で延ばされている。ゲッタ領域１２８のこれらの延長、そしてことによると行方向におけるゲッタ露光開口部１３０は領域１２８の前述した延長と、ことによると列方向におけるゲッタ露光開口部１３０とを伴って結合されている。
【０２６４】
中間の導電領域１２６が電極１０６の中で中間領域１２８を結合することによって、ゲッタ領域１２８の製造の間に制御電極１０６を経て電気的にアクセスされることができる時、ゲッタ領域１２８及びゲッタ露光開口部１３０の前記変形例が一般に使用される。そのような場合において、１つ又は１つ以上のゲッタ領域１２８によって被覆される各電極１０６は、それら２つの隣接している電極１０６のいずれをも伴って電気的に相互作用するように近付けないが、電極の中間電極隣接１０６の１つ又は両方の方へ行方向において側面に沿って通常延ばされている。各そのような電極１０６の横の延長は、それの長さの一部分又は全部に沿って実施されている。例えば行方向におけるそのような各電極１０６の横の延長は、電子放出領域４４の横列を有するチャネルの外側の領域で制限されている。あるいは、ゲッタ領域１２８は、電子放出領域４４の縦列を有するチャネルの非電子放出部分中の電極１０６を単にオーバーラップさせる。このことについては、下記で述べられている図３４〜図３９を参照。
【０２６５】
さらにまた、中間の導電領域１２６は時々削除され得る。ゲッタ領域１２８は、誘電層１０２上に直接形成されている。ゲッタ領域１２８は前述したどの側面形状をも依然として有する。特にゲッタ領域１２８が他の電極１０６を伴って電気的に相互作用するためのどの電極１０６をも引き起こすように、そのような方法で形成されていないという制限を条件として、電子放出領域４４が存在しない場所で、領域１２８がワッフル模様のような領域を種々に占有する。電子集束システムは、ベース集束構造体１０８と、フォーカスコーティング１１０と同じように一般にパターン化された電気伝導層から成るように同じように変更されており、電極１０６から電気絶縁されている。
【０２６６】
前述した本発明のフラット・パネルＣＲＴディスプレイにおいては、スペーサがＦＥＤ上から与えられる外力を抵抗するため、電子放出装置と発光装置との間に主として一定の空間を維持するための図２６及び図２７のＦＥＤ中の電子放出装置及び発光装置の間の密封外囲器中に位置されている。図２６及び図２７のＦＥＤ中の各スペーサは、通常電子放出領域４４の一対の連続した横列の間を通過する垂直平面に沿って行方向に延びる壁（図示せず）のように形成されている。連続したスペーサ壁は領域４４の横列の実質的な数字、例えば２０〜４０によって通常分離されている。各スペーサ壁の内の一端は、突起部分４６の（上面）と接触する。
【０２６７】
ゲッタ領域１２８は、スペーサ壁の下に部分的に又は完全に位置されている。しかしながら、通常ゲッタ領域１２８のいずれもスペーサ壁の下に部分的に又は完全に位置されていない。従って、領域１２８は、スペーサ壁の間の横列で側面に沿って延びているように位置付けされている。たとえそれらが電子放出装置のアクティブ部分を横切って、完全に不均一に分配されていないということを意味する方法で配置している領域１２８であっても、スペーサ壁の間の横列で側面に沿って延びるように配置している領域１２８は、装置のアクティブ部分を横切って相対的に均一な方法で分配されている領域１２８のゲッタ物質を引き起こす。
【０２６８】
図２８は、突起部分４６が図２４ｃに示されるように構成されており、また図１９及び図２０の電子放出装置中の部分４６の変形例をそのように構成している場合の図２６及び図２７の電子放出装置の実施例の側断面図を表す。すなわち、部分４６はベース集束構造体１０８と、構造体１０８の上に部分的に設けられるフォーカスコーティング１１０と、コーティング１１０の上に設けられるゲッタ領域１１２とから成る。図２８の断面図は、図２６の断面図と同様の平面に沿って導入されている。故に、電子放出領域４４は図２８において現れていない。図２８中で示されているものと同様に、図２６及び図２７の電子放出装置中の部分４６は、特に図１９及び図２０中に示されるものとして、コーティング１１２と構造体１０８との間に位置される領域１１２を有するための図２１中に示されるものとして、又はフォーカスコーティングとしての機能をも果たすゲッタ領域１１０／１１２を有するための図２２中に示されるものとして容易に実施されている。
【０２６９】
図２６〜図２８の電子放出装置中のゲッタ領域１２８は、図１９〜図２２の電子放出装置中のゲッタ領域１１２及び１１０／１１２と一般に同じ方法で、またそのような発光装置中のゲッタ領域５８と一般に同じ方法で汚染物質ガスをソーブする。さらに、領域１２８は普通多孔性である。
【０２７０】
ゲッタ領域１１２及び１１０／１１２と同様に、ゲッタ領域１２８は、外壁を経て互いに発光装置及び電子放出装置を密閉する前に形成されている。領域１２８が形成された後であるがＦＥＤが密封される前に、領域１２８は通常空気中に露光されている。従って、領域１２８はＦＥＤの密封外囲器が高真空である間のＦＥＤの密封動作の間又は該密封動作の後に活性化されている。
【０２７１】
発光装置中のゲッタ領域５８を活性化するための前述したどの技術も、ゲッタ領域１２８を活性化するために一般に使用されている。電子放出装置が、領域１２８と、図２８に示されるようなゲッタ領域１１２又はゲッタ領域１１０／１１２のいずれか一方とを有する時、そしてゲッタ活性化が例えばＦＥＤの密封動作の間に電子放出装置を加熱することによって実施されている時、領域１１２又は１１０／１１２は領域１２８と同じ時間で活性化されている。
【０２７２】
これらの装置の前述した変形例を含んでいる図２６〜図２８の電子放出装置中の突起部分４６は、ゲッタ領域１１２又は１１０／１１２が存在している時の電子集束、及びゲッタリング以外の１つ又は１つ以上の機能を設けても良い。実際、部分４６は、図２６〜図２８の電子放出装置の内のいくつかの変形例で電子集束を与えなくても良い。他の変形例において、部分４６は電子放出装置から削除されても良い。ゲッタ領域１２８は前述した種々の横の位置で依然として位置されている。部分４６がこれらの変形例において欠けているので、領域１２８は部分４６中の開口部を経て露光されているというよりも、むしろ電子放出装置の表面に沿って位置付けされている。
【０２７３】
図２９ａ〜図２９ｃ（以下、まとめて「図２９」と言う。）は、本発明に基づく図２６及び図２７の電子放出装置を製造するための１つの工程を示している。バックプレート４０を始めとして、低部の非絶縁領域１００が、図２３に関連して前述した方法でバックプレート４０の上に形成されている。図２９ａを参照。ブランケット前駆体誘電層１０２Ｐが、非絶縁領域１００上に析出されている。
【０２７４】
制御電極１０６及び中間の導電領域１２６は、誘電層１０２上に形成されている。領域１２６の構造体は電極１０６の構造体と同じ時間で、又は分離する動作で部分的に又は全体的に行われている。ブランケット析出／マスクエッチング、又は／及びマスク析出技術／リフトオフ技術は、電極１０６及び領域１２６を形成するために種々に使用され得る。
【０２７５】
図２３の工程中の電子放出素子１０４及びベース集束構造体１０８の構造体について前述したものと似ているものが、工程手順の変形例の内のどの１つも素子１０４（図２９の断面図においては目に見えない）と突起部分４６とを形成するために使用されている。図２９ｂは、構造体の表面上の部分４６の構造体を示している。素子１０４は、前駆体誘電層１０２Ｐが誘電層１０２になる時点で形成されても良い。さらに、素子１０４は、層１０２Ｐが層１０２になる時点の後に形成されても良い。いずれにせよ、ゲッタ露光開口部１３０は、中間領域１２６に下がる部分４６を経て延びている。部分４６がベース集束構造体１０８（図２９においては分離して図示せず）を含む時、フォーカス開口部１１８（図２９の断面図において目に見えない）は、構造体１０８を経て同じように延びている。
【０２７６】
ゲッタ物質は、図２９ｃに示されるようにゲッタ領域１２８を形成するためのゲッタ露光開口部１３０の中に、そして中間の導電領域１２６の上に選択的に析出されている。選択的な析出は、中間領域１２６の電気伝導をうまく利用する技術によって実施されている。この目的のための対象技術は、電気メッキ及び化学メッキを含んでいる電気泳動析出／誘電泳動析出と、電気化学析出とである。電気泳動析出／誘電泳動析出又は電気メッキがゲッタ領域１２８を形成するために使用されている時、中間領域１２６は析出工程の間に選択された電気ポテンシャルを伴って、中間領域１２８を設けるために制御電極１０６と無関係に電気的にアクセスされている。ゲッタ領域１２８の電気泳動析出／誘電泳動析出は、図２３の工程においてゲッタ領域１１２を形成するための前述した方法で、またそのような図１０の工程におけるゲッタ領域５８Ｐを形成するための前述した方法で導電されている。図２９ｃの構造体は、図２６及び図２７の電子放出装置である。
【０２７７】
種々の他の技術は、その装置の前述した変形例を含んでいる図２６及び図２７の電子放出装置中の、中間の導電領域１２６及びゲッタ領域１２８を形成するために使用されている。例えばゲッタ領域１２８は、突起部分４６を形成する前に中間領域１２６上に形成されている。ブランケット析出／マスクエッチング、及びマスク析出技術／リフトオフ技術は、この方法でゲッタ領域１２８を形成するために使用されている。突起部分４６がその後に形成されるとすぐに、ゲッタ領域１２８はゲッタ露光開口部１３０を経て露光されている。
【０２７８】
図２９の工程が図２８の実施例を製造することに使用されている時、ゲッタ領域１１２は再度電気メッキ及び化学メッキを含んでいる選択的な析出技術、例えば電気泳動析出／誘電泳動析出、電気化学析出によって形成されており、またゲッタ領域１２８を形成するために使用される同じ物質を伴って形成されている。そのような場合において、領域１１２及び１２８は、工程ステップを確保することによってほぼ形成されている。電気泳動析出／誘電泳動析出又は電気メッキのために選択された電気ポテンシャルが、フォーカスコーティング１１０及び中間領域１２６に印加されている。
【０２７９】
図３０及び図３１は、本発明に基づいて構成されるＦＥＤのアクティブ領域の一部分の側断面図及び平面断面図をそれぞれ示している。図３０及び図３１のＦＥＤは、発光装置と、ゲッタ含有アクティブ電子放出部分を有し、発光装置に対向して位置される電子放出装置とを有する。図３０及び図３１の発光装置及び電子放出装置は、高真空で維持される密封外囲器を形成するための外壁（図示せず）を経て互いに接続されている。
【０２８０】
図示されるＦＥＤが列方向で現れる程度を表す図１９及び図２６の側断面図と比較してみると、図３０の断面図は、図示されるＦＥＤが行方向で現れる程度を表す。図３１の平面断面図は、密封外囲器を経て側面に沿って延びている平面に沿って電子放出装置の方向に導入されている。従って、図３１は、電子放出装置のアクティブ部分の一部分の平面図を主として表す。図３０と一致して、図２０及び図２７の平面図とを比較すると、図３１の平面図中の水平方向は、行方向というよりは、むしろ列方向である。
【０２８１】
図３０及び図３１のＦＥＤ中の発光装置は、フェースプレート５０と、遮光ブラックマトリクス５４を含む上に設けられている層／領域５２と、図１９及び図２０のＦＥＤ中の発光装置のための前述した方法で配置されたアノード（分離して図示せず）とから成る。図３０及び図３１のＦＥＤと、図１９及び図２０のＦＥＤとの間の差異は電子放出装置から生じている。
【０２８２】
図３０及び図３１中の電子放出装置は、バックプレート４０と、低部の非絶縁領域１００で成っている上に設けられている層／領域４２と、横列及び縦列に配置された電子放出領域４４と、制御電極１０６と、保護電気絶縁フォーカス遮断層１３０と、領域４４中の電子放出素子１０４によって放出される電子を集束するためのシステムとしての機能をも果たすパターン化されたゲッタ領域１３２とを伴って形成されている。図３０及び図３１の電子放出装置中の構成要素１００と、１０２と、４４と、１０６とは、図１９及び図２０の電子放出装置と同じように構成されており、そして同じように機能する。
【０２８３】
電子集束システムとしての機能を果たしているゲッタ領域１３２の場合、フォーカス開口部１３４の横列及び縦列の２次元配列は、領域１３２（の厚み）を経て延びている。さらに、ゲッタ領域１３２は、図３０及び図３１の例においてほぼワッフル模様又はグリッド模様のように、側面に沿って形成されている。フォーカス開口部１３４は、図１９〜図２２及び図２６〜図２８の電子放出装置中のベース集束構造体１０８を経て延びるフォーカス開口部１１８と同じ特徴を主として有する。従って、フォーカス開口部１３４の各縦列は、制御電極１０６の内の対応している１つの上側に位置されている。
【０２８４】
電子集束機能を設けるために、ゲッタ領域１３２は電気非絶縁物質、好ましくは電気伝導物質から通常成る。特に領域１３２は、前で確認した１つ又は１つ以上のゲッタ金属を伴って最初に形成されている。領域１３２は１〜１００μｍ、典型的には５０μｍの厚みを有する。適切なフォーカスポテンシャルは、ＦＥＤ動作の間に領域１３２に印加されている。
【０２８５】
電子集束ゲッタ領域１３２の一部分は、図３０及び図３１の例における制御電極１０６の一部分の上に延びている。領域１３２が各制御電極１０６から物理的に離れて間隔をあけて配置されているような方法で、絶縁フォーカス遮断層１３０が一方では領域１３２の間に、他方では制御電極１０６の間に位置されている。言い換えると、絶縁層１３０は各電極１０６の少なくとも一部分の上に、また領域１３２の少なくとも一部分の下に延びている。ゲッタ領域１３２が電気非絶縁物質、通常電気伝導物質から成る典型的な場合において、領域１３２は各電極１０６から主として電気的に分離されている。
【０２８６】
絶縁フォーカス遮断層１３０は、各制御電極１０６から主として電気的に分離されているためのゲッタ領域１３２の電気非絶縁物質を可能にするための種々の方法で形成されている。図３０及び図３１の例において、絶縁層１３０はゲッタ領域１３２の上に、そしてフォーカス開口部１３４の中へ若干側面に沿って延びるワッフル模様のように側面に沿って形成されている。絶縁層１３０は、どの電子放出領域４４の上にも通常著しく伸びない。この位置は図３０及び図３１において表されている。それにも拘わらず、層１３０は著しい画像劣化を引き起こさないような行為と同じ位長い領域４４の上に、すなわち制御開口部１１６（図３０及び図３１において図示せず）の側面のための制御電極１０６の上に側面に沿って延びている。ワッフル模様やグリッド模様のように一般に形成されているというよりは、むしろ絶縁層１３０は一般に電極１０６の一部分の上に延びている場所でゲッタ領域１３２の下に延びる複数の側面に沿って、分離された部分から成る。
【０２８７】
図３２は、絶縁フォーカス遮断層１３０がゲッタ領域１３２の下に設けられているが、領域１３２を越えて側面に沿って著しく延びない場合の図３０及び図３１の電子放出装置の変形例の側断面図を表す。実際、絶縁層１３０は、下を切り取られた位置で制御電極１０６から領域１３２を分離する空間（ｏｐｅｎ ｓｐａｃｅ）をわずかに具備した領域１３２の下を切り取る。図３２は、絶縁層１３０がゲッタ領域１３２と主として同じワッフル模様のようなパターンで側面に沿って形成されており、又は絶縁層１３０が、主としてそれが電極１０６の一部分の上に設けられるのみの場所で、ゲッタ領域１３２の下に設けられる複数の側面に沿って分離された部分で成る場合の位置を表す。
【０２８８】
電子集束ゲッタ領域１３２は、絶縁フォーカス遮断層１３０よりも通常かなり厚い。特に領域１３２は、絶縁層１３０よりも普通は少なくとも２倍厚く、好ましくは少なくとも２０倍の厚さである。絶縁層１３０は、通常１つ又は１つ以上の酸化ケイ素と、窒化ケイ素と、窒化ホウ素とを伴って形成されている。
【０２８９】
ベース集束構造体１０８及びフォーカスコーティング１１０を伴うというよりは、むしろゲッタ領域１３２を伴う電子集束システムを実施した結果として起こる変更を条件として、図３０及び図３１の電子放出装置はまた、図１９〜図２２の電子放出装置のための前述したどの方法においても変更されている。特にゲッタ領域１３２は、図３０〜図３２の例において使用されるワッフル模様のようなパターンとは著しく異なる側面形状を有する。例えばフォーカス開口部１３４の各縦列は、長いトレンチ模様のようなフォーカス開口部と交換されている。ゲッタ領域１３２は列方向に延び、そして、それらの端部で互いに接続されていても接続されていなくても良いストライプの一群で成る。
【０２９０】
通常多孔性であるゲッタ領域１３２は、発光装置中のゲッタ領域５８のための前述した方法で、一般に汚染物質ガスをソーブするために機能する。同様に、ゲッタ領域１３２は、外壁を互いに経る発光装置及び電子放出装置を密封する前に形成されている。そのように通常空気中に露光されている領域１３２の場合、領域１３２はＦＥＤの密封外囲器が高真空である間のＦＥＤの密封動作の間に、又は該密封動作の後に大体活性化されている。発光装置中のゲッタ領域５８を活性化するための前述した技術のどれも、ここではゲッタ領域１３２を活性化するために一般に使用されている。
【０２９１】
図３３ａ〜図３３ｅ（以下、まとめて「図３３」と言う。）は、本発明に基づく図３０及び図３１の電子放出装置を製造するための工程を示している。図３３の工程は、図２３の工程と同じ方法で、バックプレート４０の上に低部の非絶縁領域１００を形成することによって開始されている。図３３ａを参照。誘電層１０２のためのブランケット前駆体１０２Ｐは、構造体の表面上に形成されており、また非絶縁領域１００の上に延びている。
【０２９２】
制御電極１０６のための前駆体が、ブランケット前駆体誘電層１０２Ｐ上に形成されている。電極１０６のための前駆体は、電極１０６のための望ましい形状で側面に沿ってパターン化されているが、この時点で制御開口部１１６を欠いている。各前駆体制御電極は主制御部分と、主制御部分を隣接するより薄いゲート部分の一群とから成る。各前駆体制御電極のゲート部分は、電極の電子放出領域４４のための位置で電極の主制御部分を経て延びる主制御開口部の一群をそれぞれスパンする。
【０２９３】
絶縁フォーカス遮断層１３０は、制御電極１０６のための前駆体の一部分の上に延びるように構造体の表面上に形成されている。開口部１３６の一群は、電子放出領域４４のための意図された位置の上側の絶縁層１３０を経て延びている。各開口部１３６は、領域４４の内の１つのみのための位置で通常存在している。あるいは、各開口部１３６は領域４４の縦列のための位置を露光しても良い。絶縁層１３０は、例えば構造体の表面上の望ましい電気絶縁物質のブランケット層を析出すること、それから適切なフォトレジストマスク（図示せず）を使用しているブランケット層を経る開口部１３０をエッチングすることとを含んでいる種々の技術によって形成されている。
【０２９４】
制御開口部１１６は、制御電極１０６を定義するための制御電極前駆体を経て形成されている。開口部１１６は、通常前述した帯電粒子のトラッキング工程に基づいて形成されている。各電極１０６が主な部分と、より薄い隣接しているゲート部分の一群とから成る典型的な場合において、開口部１１６はゲート部分を経て延びている。
【０２９５】
誘電開口部１１４（図３３において目に見えない）は、制御開口部１１６を経る層１０２Ｐをエッチングすることによって、ブランケット誘電層１０２Ｐを経て形成されている。誘電層１０２が前駆体層１０２Ｐの残りの場合の図３３ｂを参照。
【０２９６】
電子放出素子１０４は制御開口部１１６を経て、誘電開口部１１４の中に望ましい電気伝導放出円錐物質、通常モリブデナムを蒸発的に（ｅｖａｐｏｒａｔｉｖｅｌｙ）析出することによって誘電開口部１１４中に円錐として形成されている。蒸発（ｅｖａｐｏｒａｔｉｖｅ）円錐金属析出は、バックプレート１００の底面に対して垂直に主として実施されている。放出円錐析出の間、過剰円錐物質の過剰層１３８は、構造体の表面上に蓄積する。
【０２９７】
適切なフォトレジストマスク（図示せず）を使用することによって、過剰エミッタ円錐物質は、電子放出領域４４の上側の位置を除いて除去されている。図３３ｃは、過剰エミッタ物質部分１３８Ａが過剰エミッタ円錐物質層１３８の残りである場合の結果として起こる構造体を表す。各過剰エミッタ円錐物質部分１３８Ａは、領域４４の内の対応している１つの上側に位置されている。過剰部分１３８Ａは、領域４４のための保護カバーを設けるように、領域４４を越えてわずかに側面に沿って延びている。図３３の例において、過剰部分１３８Ａは開口部１３６を完全にスパンする。それにも拘わらず、部分１３８Ａは、領域４４を完全に被覆する部分１３８Ａを具備した開口部１３６をわずかに部分的にスパンする。
【０２９８】
電子集束ゲッタ領域１３２は、図３３ｄに示されるような過剰エミッタ円錐物質部分１３８Ａの側面のための構造体の表面上に形成されている。領域１３２は望ましい電気非絶縁、好ましくは電気伝導のブランケット層と、ゲッタ物質とを析出することによって、またフォーカス開口部１３４のための位置でゲッタ物質を除去するための適切なフォトレジストマスク（図示せず）を使用することによって形成されている。ＣＶＤ及びＰＶＤのような種々の技術は、ブランケットゲッタ物質層を形成するために使用されている。
【０２９９】
ゲッタ領域１３２を形成するための適切なＰＶＤ技術は、蒸着と、スパッタリングと、溶射とを含む。ゲッタ物質を有している液剤又はスラリーのコーティングは、押し出しコーティング、スピンコーティング、メニスカスコーティング、液溶射によって構造体の表面上に析出されている。適切な相当量の液剤又はスラリーは、ドクター・ブレードや他のそのような装置を使用して広がる構造体の表面上に配置されており、それから乾燥されている。シンタリング又はベーキングは、そのように析出されたゲッタ物質を単一の多孔性の固体に変換するため、そして必要に応じて望ましくない揮発性物質を追い払うために、必要に応じて使用されている。
【０３００】
ブランケット析出／選択的な除去工程によってゲッタ領域１３２を形成する代わりに、領域１３２はリフトオフ技術によって形成されても良い。すなわち、フォトレジストマスクは、望ましいゲッタ物質が例えば前述したどの技術によっても析出された後のフォーカス開口部１３４のための望ましい位置で、構造体の表面上に形成されている。フォトレジストマスクは、開口部１３４のための位置でゲッタ物質をリフトオフするために除去される。
【０３０１】
ゲッタ領域１３２が形成された後、過剰エミッタ円錐物質部分１３８Ａは除去される。図３３ｅを参照。図３３の構造体は、図３０及び図３１の電子放出装置である。
【０３０２】
図３４は、本発明に基づいて構成されるＦＥＤのアクティブ領域の一部分の側断面図を示している。図３４のＦＥＤは、発光装置と、ゲッタ含有電子放出部分を有し、発光装置に対向する側に位置された電子放出装置とを有する。図３４の発光装置及び電子放出装置は、高真空で維持された密封外囲器を形成するための外壁（図示せず）を経て互いに接続されている。図３０の側断面図と似ているものは、図３４の側断面図が行方向において現れる図示されたＦＥＤの程度を表す。
【０３０３】
図３５及び図３６は、図３４の電子放出装置のアクティブ部分を実施するための２つの方法の平面断面図を表す。特に図３５及び図３６の各平面断面図は、電子放出装置のアクティブ部分の一部分の平面図を表すような密封外囲器を経て延びている平面に沿う電子放出装置の方向中に導入されている。図３４と図３１の平面図と似ているものとを呼応して、図３５及び図３６の平面図における水平方向は列方向である。
【０３０４】
図３４及び、図３５又は図３６のどちらか一方のＦＥＤ中の発光装置は、図１９及び図２０のＦＥＤ中の発光装置のために前述したように配列されるフェースプレート５０と、遮光ブラックマトリクス５４を含む上に設けられている層／領域５２と、発光領域５６と、アノード（分離して図示せず）とから成る。図３４及び、図３５又は図３６のＦＥＤと図１９及び図２０のＦＥＤとの間の差異は、電子放出装置が原因で生じる。
【０３０５】
図３４及び、図３５又は図３６のどちらか一方のＦＥＤ中の電子放出装置は、バックプレート４０と、低部の非絶縁領域１００で成っている上に設けられている層／領域４２と、誘電層１０２と、横列及び縦列に配置される電子放出領域４４と、制御電極１０６と、突起部分４６と、側面に沿って分離された電気絶縁領域１４０の一群と、側面に沿って分離されたゲッタ領域１４２の一群とを伴って形成されている。前と同じように、各電子放出領域４４は複数の電子放出素子１０４で成る。突起部分４６は、ベース集束構造体１０８及びフォーカスコーティング１１０を伴って形成される電子集束システムで成る。図３４及び、図３５又は図３６の電子放出装置中のバックプレート４０と、非絶縁領域１００と、誘電層１０２と、電子放出領域４４と、制御電極１０６とは、図１９及び図２０の電子放出装置と同じように構成されており、そして同じように機能する。
【０３０６】
図３４及び、図３５又は図３６のどちらか一方の電子放出装置中の突起部分４６は、ベース集束構造体１０８と、上に設けられているフォーカス開口部１１０とを伴って形成される電子集束システムから成る。ゲッタ領域１４２の存在から結果として起こっている構造体差異を条件として、電子集束システム１０８／１１０は図１９及び図２０の電子放出装置と同じように構成されており、そして同じように機能する。
【０３０７】
図３４及び、図３５又は図３６のどちらか一方の電子放出装置は、図１９及び図２０の電子放出装置のための前述したどの方法においても一般に変更することができる。例えば図３４及び、図３５又は図３６の電子放出装置は、ベース集束構造体１０８を密封するための位置付けされた密封領域を伴って設けられても良い。密封領域は、構造体１０８によって放出されても良いガスの通路に影響されない。密封領域は、（ａ）フォーカスコーティング１１０の下の構造体１０８の上に直接設けられても良く、又は（ｂ）構造体１０８の上側のコーティング１１０上に設けられても良い。いずれにせよ、密封領域は、外層に沿って構造体１０８の全部又はほぼ全部を被覆する。
【０３０８】
ゲッタ（又はゲッタ含有）開口部１４４の一群は、図３４及び、図３５又は図３６のどちらか一方の電子放出装置中の突起部分４６（の厚み）を経て延びる。各ゲッタ含有開口部１４４は、電子放出領域４４の一対の横列の間に側面に沿って位置されており、制御電極１０６の内の１つの関連している少なくとも１つの一部分の上に延びている。多数の開口部１４４は、各電極１０６の側面に沿って分離された一部分の上に延びている。
【０３０９】
図３５及び図３６の実施例は、各ゲッタ容器開口部１４４に関連する複数の制御電極１０６で異なる。図３５の実施例において、開口部１４４の各々は、電極１０６の内の１つのみと関連しており、そのように関連する電極１０６の一部分の上に延びている。図３５は、各開口部１４４が、電子放出装置の２つの隣接する割れ目のある領域の中に関連する電極１０６の両方の縦長の側面を越えて、側面に沿って延びるということを示している。図３５の実施例における各開口部１４４は、関連する電極１０６の両方の縦長の側面に沿って誘電層１０２に対して下にそのように延びている。あるいは、図３５の実施例は、各開口部１４４が関連する電極１０６の上に完全に設けられ、また一方の隣接する割れ目のある領域中の層１０２に対して下に延びないように変更されることができる。
【０３１０】
図３６の実施例において、ゲッタ含有開口部１４４の各々は、制御電極１０６の内の複数と関連している。従って、図３６の実施における各開口部１４４は、関連する電極１０６の各々の一部分の上に延び、また電子放出装置の介在している割れ目のある領域を横切るそれらの関連する電極１０６を越えて側面に沿って延びている。図３６の実施例における各開口部１４４は、行方向において延び、多数の電極１０６を横切るチャネルを形成する。各チャネル１４４は電極１０６の全部を横切る。
【０３１１】
いずれのゲッタ含有開口部１４４も、低部の非絶縁領域１００中のどのエミッタ電極の上にも設けられることはない。電子放出物質（図示せず）の１つ又は１つ以上の部分は、開口部１４４の１つ又は１つ以上の下の誘電層１０２を経て延びている１つ又は１つ以上の開口部（同様に図示せず）中に位置されても良い。絶縁領域１４０と、領域１４０の上に設けられている物質（さらに下記で述べる）との存在を除いて、これらの電子放出物質の部分は、開口部１４４の１つ又は１つ以上の下の制御電極１０６の１つ又は１つ以上を経て延びている１つ又は１つ以上の開口部（図示せず）を経て露光されても良い。いずれの開口部１４４もエミッタ電極の上に設けられない典型的な位置において、いずれの電子放出物質のこれらの部分も、それらがエミッタ電極制限（ｅｍｉｔｔｅｒ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｃｏｎｔｒｏｌ）を欠いているので電子放出素子として機能しない。さらに、どんな実施可能な電子放出素子でも、どの開口部１４４を経ても通常露光されていない。
【０３１２】
絶縁領域１４０の各々は、ゲッタ含有開口部１４４の内の対応している１つの底部に沿って位置されており、その開口部１４４の下の各制御電極１０６の側壁を含んでいる部分を完全に被覆する。各領域１４０は、通常対応開口部１４４を横切って実質的に完全に延びている。各領域１４０は対応開口部１４４を越えて、また突起部分４６の一部分の下にそのように側面に沿って延びても良い。図３５及び図３６の実施例が原因で生じる各開口部１４４が、各関連された電極１０６を越えて側面に沿って延びている時、対応領域１４０は開口部１４４と関連のある各電極１０６を側面に沿って越えて誘電層１０２の下に延びる。各開口部１４４が、関連される電極１０６の上に完全に設けられる場合の図３５の実施例の前述した変形例において、いずれの領域１４０も層１０２に対して下に延びない。
【０３１３】
絶縁領域１４０は、酸化ケイ素や、窒化ケイ素や、窒化ホウ素や、これらの絶縁体の２つ又は２つ以上の結合のような、１つ又は１つ以上の電気絶縁体を伴って形成されても良い。領域１４０は図３４において相対的に薄い部分であり、ゲッタ含有開口部１４４のほんのわずかな（平均）高さを占有するように示されているけれども、領域１４０は開口部１４４の高さの実質的な部分を占有する。
【０３１４】
ゲッタ領域１４２の各々は、ゲッタ含有開口部１４４の内の対応している１つの中に位置されており、また絶縁領域１４０の内の対応している１つの表面上に設けられる。各絶縁領域１４０は、対応ゲッタ領域１４２と絶縁領域１４０の下に延びる各制御電極１０６との間に設けられ、対応ゲッタ領域１４２を絶縁領域１４０の下に延びる各制御電極１０６から分離する。この電気絶縁分離は、各ゲッタ領域１４２が図３５の実施例が原因で生じる１つの電極１０６のみの上に延びるか、又は図３６の実施例が原因で生じる複数の電極１０６の上に延びるか否かに無関係に起こる。ゲッタ領域１４２は通常電気伝導であるが、電気抵抗であっても良い。いずれにせよ、絶縁領域１４０の存在は、各制御電極１０６から電気的に分離されている各ゲッタ領域１４２を導く。
【０３１５】
図３４〜図３６の例において、ゲッタ領域１４２は、領域１４２がフォーカスコーティング１１０と接触するような範囲内においてゲッタ含有開口部１４４を満たす。さらに詳細には、コーティング１１０は、図３４〜図３６の例における領域１４２の表面上に延びている。ベース集束構造体１０８の厚みが１〜１００μｍ、典型的には５０μｍである場合において、領域１４２は１〜１００μｍ、典型的には５０μｍの平均厚みを同様に有する。領域１４２が電気非絶縁、通常電気伝導である時、領域１４２はコーティング１１０と電気的に結合されている。
【０３１６】
図３４及び、図３５又は図３６のどちらか一方のＦＥＤは、電子放出装置と発光装置との間の密封外囲器中に位置されたスペーサ壁６４を有する。図２６及び図２７のＦＥＤについて前述したものと似たものは、各スペーサ壁６４が電子放出領域の一対の連続する横列の間を通過する垂直平面に沿って行方向に延びている。模範的な目的のために、図３４〜図３６は領域４４の３つの横列によって、側面に沿って分離されている２つの壁６４を示すけれども、連続した壁６４は領域４４の横列の実質的な数字、例えば２０〜４０によって側面に沿って分離されている。
【０３１７】
ゲッタ領域１４２は、スペーサ壁６４の下に部分的に又は完全に位置されている。図２６及び図２７のＦＥＤ中のゲッタ領域１２８と似たものは、いずれのゲッタ領域１４２もどの壁６４の下にも部分的に又は完全に位置されない。図３５の実施例において、領域１４２は壁６４の間に側面に沿って位置され、また行方向に延びている横列を形成する。図３６の実施例において、ゲッタ領域１４２は領域４４の横列の間に側面に沿って位置され、行方向に延びている領域を引き延ばしている。領域１４４は、図３４及び、図３５又は図３６のどちらか一方における電子放出装置のアクティブ部分を横切って完全に均一に分配されていないけれども、壁６４の間の行方向において側面に沿って延びているような図３４〜図３６に示される方法で位置付けしている領域１４２は、装置のアクティブ部分を横切って相対的に均一な方法で分配されているための領域１４２のゲッタ物質を引き起こす。
【０３１８】
図３７は、フォーカスコーティング１１０がゲッタ領域１４２の表面を横切って延びているというよりは、むしろ制御電極１０６の一部分から一部分までゲッタ含有開口部１４４の中に延びている場合の図３４及び、図３５又は図３６のどちらか一方の電子放出装置の変形例の側断面図を表す。すなわち、コーティング１１０は、開口部１４４を定義するベース集束構造体の側壁の一部分から一部分までに延びている。領域１４２は、図３７の例におけるコーティング１１０と接触する。領域１４２が電気非絶縁物質から成る時、図３７の例における領域１４２は、図３４及び、図３５又は図３６の例においてもまた生じるコーティング１１０と電気的に結合されており、電極１０６から電気的に分離されている。図３７の側断面図は、図３５又は図３６と類似した平面断面図を有する。
【０３１９】
図３８は、図３４及び、図３５又は図３６のいずれか一方の電子放出装置の他の変形例の側断面図を示している。図３９は、図３７の電子放出装置の対応変形例の側断面図を表す。図３８及び図３９の変形例において、電子放出領域１４４の各々は、２つの側面に沿って分離された電子放出部分４４Ａ及び４４Ｂとして構成されている。各電子放出部分４４Ａ又は４４Ｂは、ベース集束構造体１０８（の厚み）を経て延びている対応フォーカス開口部１１８Ａ又は１１８Ｂを経て露光されている。図３８及び図３９の断面図においては示されていないけれども、フォーカス開口部１１８Ａ及び１１８Ｂの各一対は、発光装置中の発光領域５６の内の対応単体の１つを横切って位置されている。
【０３２０】
フォーカスコーティング１１０は、図３６及び図３７の電子放出装置中のフォーカス開口部１１８の中へ下に延びるコーティング１１０と同じ方法で、フォーカス開口部１１８Ａ及び１１８Ｂの中の一部分から一部分まで延びている。従って、コーティング１１０は依然として制御電極１０６から電気的に分離されていない。前にも引用したシュロップ他の国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ９９／１４６７９号を参照すると、図３８及び図３９に示される方法における電子放出領域４４の構造体を考慮している。
【０３２１】
図３４〜図３７の発光装置中の各ゲッタ含有開口部１４４は、図３８及び図３９の変形例において並んで位置されたゲッタ含有開口部１４４の一対と交換されている。図３８及び図３９の例における各開口部１４４は、図３４及び図３７のそれぞれの例における絶縁領域１４０と、上に設けられているゲッタ領域１４２と同じように配置される１つの絶縁領域１４０と、１つの上に設けられているゲッタ領域１４２とを有する。従って、図３４又は図３７の例における各ゲッタ領域１４２は、図３８又は図３９の例における２つのゲッタ領域１４２と交換されている。同様に、図３４又は図３７の例における各絶縁領域１４０は、図３８又は図３９の例における２つの絶縁領域１４０と交換されている。
【０３２２】
図３８及び図３９の例におけるゲッタ含有開口部１４４は、図３４〜図３７の例における開口部１４４よりも列方向において通常より小さい（より狭い）。さらに、図３８及び図３９の例におけるゲッタ領域１４２は、図３４〜図３７の例における領域１４２よりも列方向において通常小さい。
【０３２３】
図３４〜図３７の例における１つのゲッタ領域１４２の場所における図３８及び図３９の例における２つのゲッタ領域の使用は、任意である。図３８及び図３９の例は、図３４〜図３７の例における各領域１４２のための１つのゲッタ領域１４２を有するために変更されても良い。同様に、図３４〜図３７の例は、各電流（ｃｕｒｒｅｎｔ）領域１４２のために並んで位置された２つ又は２つ以上のゲッタ領域１４２を有するために変更されても良い。
【０３２４】
図３４の例において生じるものと類似して、フォーカスコーティング１１０は、図３８の例におけるゲッタ領域１４２の表面を横切って延びている。図３９の例は、コーティング１１０が領域１４２の表面を横切って延びているというよりは、むしろゲッタ含有開口部１４４の中の一部分から一部分まで延びるという点で、図３７の例と同様に似ている。図３４〜図３７の例において生じるように、図３８及び図３９の例における電気非絶縁物質を伴って実施している領域１４２は、コーティング１１０と電気的に結合されており、また制御電極１０６から電気的に分離されている領域１４２を導く。図３８又は図３９の側断面図は、図３５又は図３６のそれと類似した平面断面を有する。
【０３２５】
図３４〜図３９の電子放出装置は、ゲッタ領域１４２が、制御電極１０６から電気的に分離されているという特性を有する状態を維持している間に種々の方法で変更されている。例えば電子放出領域４４の上側の電極１０６の一部分が開口部１４４と側面に沿って一直線であるけれども、電極１０６の形状が開口部１４４から側面に沿って分離されたような方法で、ゲッタ含有開口部１４４の周りで側面に沿って囲む（ｓｋｉｒｔ）ために時々変更されている。そのような場合において、絶縁領域１４０は削除されている。ゲッタ領域１４２はそれから誘電層１０２の上に直接位置されている。電子集束システム１０８／１１０は、システム１０８／１１０と同じように一般にパターン化され、そして電極１０６から電気絶縁された電気伝導層を伴って形成される電子集束システムと交換され得る。
【０３２６】
図３４〜図３９の電子放出装置はまた、図１９〜図２２及び図２６〜図２８の電子放出装置のゲッタリング性能の１つ又は１つ以上を含むために変更されている。例えば図３４〜図３９の電子放出装置の変更において、ゲッタ領域１１２は、フォーカスコーティング１１０の少なくとも一部分の上に又は下に設けられており、又はゲッタ領域１１０／１１２を形成するためのコーティング１１０と結合されている。図３４〜図３９の電子放出装置の変更は、図２６及び図２７の電子放出装置のための前述した位置で突起部分４６中に設けられるゲッタ露光開口部１３０中に位置されるゲッタ領域１２８と、ことによると中間の導電領域１２６とを含んでも良い。ゲッタ領域１２８及びことによると中間領域１２６のための前述した変更はまた、図３４〜図３９の電子放出装置のためのこれらの変更に加えられ得る。
【０３２７】
通常多孔性であるゲッタ領域１４２は、発光装置中のゲッタ領域５８のための前述した方法で一般に汚染物質ガスをソーブする。ゲッタ領域１４２は密閉を含んでいるＦＥＤ組立て動作を実施する前に形成されている。ゲッタ領域１４２を形成する後であるがディスプレイ組立て動作に先立って、領域１４２は空気中に通常露光されている。従って、領域１４２はＦＥＤ密封動作の間又は該密封動作の後に活性化されている。
【０３２８】
発光装置中のゲッタ領域５８を活性化するための前述したどの技術も、ここではゲッタ領域１４２を活性化するために一般に使用されている。電子放出装置がゲッタ領域１４２及びゲッタ領域１１２と、１１０／１１２と、１２８との内の１つ又は１つ以上を有する時、ゲッタ活性化が、例えばＦＥＤ組立て動作の間に電子放出装置を加熱することによって実施されている時、装置中に存在する領域１１２と、１１０／１１２と、１２８のどれも領域１４２と同じ時間で活性化されている。
【０３２９】
図４０ａ〜図４０ｄ（以下、まとめて「図４０」と言う。）は、本発明に基づく図３４及び、図３５又は図３６のどちらか一方の電子放出装置を製造するための工程を示している。図４０の工程のための開始点は、バックプレート４０である。低部の非絶縁領域１００と、誘電層１０２と、制御電極１０６とは、図２３の工程のための一般に前述した方法で形成されている。構造体１０８がフォーカス開口部１１８に加えてゲッタ含有開口部１４４を伴って設けられているということを除いて、ベース集束構造体１０８は図２３の場合のように形成されている。
【０３３０】
図４０の工程において、制御電極１１６（図４０において図示せず）と、誘電開口部１１４（また図４０において図示せず）と、電子放出素子１０４とは、図２３又は図３３の工程のために前述したように形成されている。電子放出素子１０４の構造体の間、電子放出物質、通常エミッタ円錐物質の過剰層は、構造体の上面の上に蓄積する素子１０４を形成する。構造体の表面上に位置付けされた適切なフォトレジストマスク（図示せず）を使用することによって、エッチング動作は電子放出領域４４の上側の位置を除いて、過剰電子放出物質を除去するためのマスク中の開口部を経て実施されている。図４０ａは、図３３の工程におけるアイテム１３８Ａと類似したアイテム１４６が過剰電子放出物質の残り部分である場合の結果として起こる構造体を表す。
【０３３１】
絶縁領域１４０は、図４０ｂに示された制御電極１０６の上面に沿って開口部１４４中に形成されている。領域１４０は種々の方法で形成されている。通常の実施例において、マスクは、開口部１４４に対して垂直に配向された開口部を有するようなベース集束構造体１０８の上側に位置付けされている。マスクは構造体の表面上に直接に位置されるフォトレジストマスク又はハードマスクである。マスクはまた、シャドウマスクであっても良い。
【０３３２】
適切な電気絶縁物質はマスク開口部を経て、また絶縁領域１４０を形成するための開口部１４４の中に、例えばスパッタリングのようなＣＶＤ又はＰＶＤ技術によって析出されている。析出状況によって及び開口部１４４に対して垂直に配向されているマスク開口部の良い程度によって絶縁物質の内のいくつかは、ベース集束構造体１０８の表面及び側壁の上に蓄積する。構造体１０８は電気非絶縁物質から通常成るので、構造体１０８上の付加絶縁物質の蓄積は通常許容される。ゲッタ領域１４２が形成されている程度によって、マスクは絶縁領域１４０の後の構造体を除去されており、又は変わらぬ場所にある。もし、マスクがこの時点で除去されているのであれば、マスク上に蓄積された絶縁物質のどれもそれによってリフトオフされている。
【０３３３】
あるいは、絶縁領域１４０は、加熱の存在において可能な適切な酸化剤又は窒化剤のための開口部１４４を経て露光される制御電極１０６の一部分を支配することによって形成されている。領域１４０は、酸化金属又は窒化金属から成る。過剰電子放出物質部分１４６は、領域４４がダメージを与えられることを防止するような別の方法の間に、電子放出領域４４を被覆する。過剰部分１４６の側面のためのフォーカス開口部１１８中に形成するどの酸化金属又は窒化金属も、一般に許容される。
【０３３４】
ゲッタ領域１４２は、絶縁領域１４０の表面に沿って開口部１４４中に形成されている。図４０ｃを参照。種々の技術がゲッタ領域１４２を形成するために使用可能である。典型的な実施例において、開口部１４４に対して垂直に配向された開口部を有しているマスクは、ベース集束構造体１０８の上側に位置付けされている。通常フォトレジストを伴って又はシャドウマスクとして実施されているマスクは、少なくとも電子放出装置のアクティブ部分中に絶縁領域１４０を形成することに使用されるマスクと同じであるか、又はほぼ同じである。望ましいゲッタ物質はマスク開口部を経て、また領域１４２を形成するための開口部１４４の中に析出されている。フォーカス開口部１１８と実質的に完全に垂直に配向されるマスクミスアライメント（ｍａｓｋ ｍｉｓａｌｉｇｎｍｅｎｔ）や、マスク開口部の他の失敗による電子放出領域４４の外側のベース集束構造体１０８の表面上のいくつかのゲッタ物質の蓄積は、フォーカスコーティング１１０がゲッタ領域１４２と後に接触するので、一般に許容できる。
【０３３５】
ゲッタ物質は、ＣＶＤ又はＰＶＤのような技術によってマスク開口部を経て析出されている。適切なＰＶＤ技術は、蒸着と、スパッタリングと、溶射と、開口部１４４の中へゲッタ物質を入れること、それからドクター・ブレード又は似たような装置を伴うどの過剰ゲッタ物質をも除去することとを含んでいる。特にゲッタ含有開口部１４４が、図３６の例において生じるようなチャネルである時、物理的に曲げられた析出、例えば角を形成する蒸着はゲッタ領域１４２を形成するために適切である。物理的に曲げられた析出が使用される時、ゲッタ物質の粒子が開口部１４４の長さ方向に延びている垂直平面に沿う傾斜角αで析出表面に影響を与えるので、ゲッタ物質は２つの対向する方位角の方向付けから通常角を成して析出されている。マスクは、マスク上に蓄積されたどのゲッタ物質をもリフトオフするために、その後に除去される。
【０３３６】
図４０ｂの構造体、又は図４０ｂの構造体と似た構造体は、製造工程においてより早い段階で絶縁領域１４０を形成することによって、代案的に形成されている。例えば領域１４０は、絶縁層１３０が図３３の工程において形成されているという段階で形成されている。そのような場合において、領域１４０はゲッタ領域１４４を越えて、またフォーカス開口部１１８の中に均等で、ことによると部分的に側面に沿って延びても良い。
【０３３７】
絶縁領域１４０が形成されている程度に拘わらず、物理的に曲げられた析出技術、通常角を形成する蒸着はベース集束構造体１０８及びゲッタ領域１４２上にフォーカスコーティング１１０を形成するために使用されている。傾斜角αの値を適切に選択することによって、コーティング１１０は、各フォーカス開口部１１８の中に一部分から一部分までにのみ延びている。過剰電子放出物質の部分１４６は、通常コーティング１１０を形成する前に除去されている。過剰部分１４６はまた、コーティング１１０を形成した後に、除去される。図４０ｄに示される結果として起こる構造体は、図３４及び、図３５又は図３６のどちらか一方の電子放出装置である。
【０３３８】
あるいは、ベース集束構造体１０８が（フォーカス開口部１１８を有するが）、ゲッタ領域１４２のための開口部１４４を欠く前駆体と交換されているということを除いて、図４０ｄの構造体は、図４０ａの構造体とほぼ同一の構造体を最初に形成することによって製造される。開口部１４４のための望ましい位置で開口部を有しているマスクは、構造体１０８のための前駆体の上側に位置付けされている。マスクは構造体の表面上に直接形成される、例えば窒化ケイ素のフォトレジストマスク又はハードマスクである。マスクはまたシャドウマスクであっても良い。
【０３３９】
ベース集束構造体１０８のための前駆体は、開口部１４４を形成するためのマスク開口部を経てエッチングされており、それによって前駆体を構造体１０８に変換している。同じ場所のマスクの場合、適切な電気絶縁物質は、絶縁領域１４０を形成するためのマスク開口部を経て析出されている。望ましいゲッタ物質は、ゲッタ領域１４２を形成するためのマスク開口部を経て析出されている。マスクは、上に設けられているゲッタ物質と、上に設けられている絶縁物質とを含んでいる上に設けられている物質をリフトオフするために、その後に除去される。フォーカスコーティング１１０は構造体１０８と、ゲッタ領域１４２と、除去されている過剰電子放出物質の部分１４６との上に形成されている。結果として起こっている構造体は、再度図３４及び、図３５又は図３６のどちらか一方の電子放出装置である。
【０３４０】
図３７の電子放出装置は、図４０ａの構造体を形成することによって、図４０ｂに示されているような絶縁領域１４０を形成するための開口部１４４の中へ電気絶縁物質を導入することによって製造されても良い。もし、どのマスクも開口部１４４の底部で領域１４０を形成することにおいて使用されるのであれば、マスクは除去されている。あるいは、図４０ｂの構造体は製造工程におけるより早い段階で、例えば再度絶縁層１３０が図３３の工程において形成されている段階で、絶縁領域１４０を形成することによって活性化されても良い。図４０ｂの構造体が活性化されている程度に関係なく、コーティング１１０がゲッタ領域１４２のためのフォーカス開口部１１８及び開口部１４４の中の一部分から一部分まで延びているので、フォーカスコーティング１１０は、通常角を形成する蒸着のような物理的に曲げられた析出によってベース集束構造体１０８上に、その後に形成される。
【０３４１】
望ましいゲッタ物質が、ゲッタ領域１４２を形成するための開口部１４４の中へ導入されている。フォトレジストマスクやシャドウマスクのようなマスクは、ゲッタ物質が構造体の上の他の場所で蓄積することを主として防止するために使用されている。マスクはその後に除去されている。過剰電子放出物質の部分１４６は、図３７の電子放出装置を形成するために除去されている。ゲッタ領域１４４の外側のフォーカスコーティング１１０の表面上のゲッタ物質のどの蓄積も、通常許容される。
【０３４２】
各フォーカス開口部１１８が、フォーカス開口部１１８Ａ及び１１８Ｂと交換され、また各ゲッタ開口部１４４が２つのゲッタ開口部１４４と交換されているということを除いて、図３８の電子放出装置は、図３４及び、図３５又は図３６のどちらか一方の電子放出装置を製造するために使用される工程の、いずれに基づいて製造されても良い。同じ交換を条件として、図３９の電子放出装置は、図３７の電子放出装置を製造するための前述した工程に基づいて製造されている。
【０３４３】
ゲッタ領域と、制御電極１０６の下に設けられている物質との間に位置される電気絶縁物質を有しているというよりは、むしろ本発明に基づいて構成される電子放出装置中のゲッタ領域は、他のどの制御電極１０６とも接触しないゲッタ領域を具備する下に設けられる制御電極１０６の物質と直接接触する。本変形例におけるゲッタ領域は、下に設けられる電極１０６によって制御される電子放出領域４４の１つ又は１つ以上の部分的に又は完全に、上に設けられていても設けられていなくても良い。典型的な実施例において、ゲッタ領域は、フォーカス開口部１１８の１つ又は１つ以上を経て露光されている。
【０３４４】
前記変形例におけるゲッタ領域は、他のどの制御電極１０６をも伴って電気的な相互作用をする限り、側面に沿って延びないゲッタ領域を具備する下に設けられている制御電極１０６を越えて、側面に沿って延びても良い。そのような多数のゲッタ領域は、電子放出装置、各電極１０６のための少なくとも１つのゲッタ領域中に普通は存在している。各ゲッタ領域の電気非絶縁物質は、そのように１つの電極１０６と電気的に結合されているが、各他の電極１０６から主として電気的に分離されている。また、電子放出装置は各ゲッタ領域の電気非絶縁物質が電子集束システムの電気非絶縁物質、例えばフォーカスコーティング１１０から主として電気的に分離されるように構成されている。
【０３４５】
［さらなる変形例及び範囲］
図５〜図９と、図１６と、図１７の発光装置と、これらの発光装置の前述した変形例とを含んでいる発光装置の各々において、下に設けられている表面のためのゲッタ領域５８の接着は、ゲッタ物質と比較して相対的に低部溶融地点を有している物質を伴うゲッタ物質を混合することによって（必要に応じて）改良されても良い。あるいは、低部溶融地点物質の接着層（図示せず）は、領域５８の下に設けられても良い。領域５８、又は領域５８のための前駆体が形成されている時、ゲッタ及び低部溶融地点物質を有している部分的に製造された発光フェースプレート構造体は、低部溶融地点物質が溶融する十分に高い温度まで加熱している。部分的に製造されたフェースプレート構造体は、その後に冷却される。冷却の間、低部溶融地点物質は下に設けられている表面のための領域５８のゲッタ物質や、領域５８のための前駆体をしっかりと接着している。
【０３４６】
前述した技術のどちらか一方は、図１９〜図２２と、図２６〜図２８と、図３０〜図３２と、図３４〜図３９の電子放出装置と、これらの装置の前述した変形例を含んでいる電子放出装置中に下に設けられている表面のためのゲッタ領域１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２のいずれの接着をも改良するために（必要に応じて）使用されている。すなわち、低部溶融地点物質は、ゲッタ物質及び低部溶融地点物質を有している部分的に組立てられた電子放出バックプレート構造体が、低部溶融地点物質を溶融するために十分に高い温度まで加熱された後、領域１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２のいずれのゲッタ物質、又は領域１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２のいずれのための前駆体を伴って混合されているか、又は下に設けられている接着層として設けられている。その後の冷却の間、低部溶融地点物質は、下に設けられている表面のためにしっかりと接着されている各ゲッタ領域１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２のゲッタ物質、又は各領域１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２のための前駆体を引き起こす。特にゲッタ物質が金属である時、低部溶融地点物質のための対象はインジウム、スズ、ビスマス、バリウム、これらの金属の内の１つ又は１つ以上の合金を含んでいるような金属である。
【０３４７】
ゲッタ物質を伴う低部溶融地点物質を混合する技術を実施するために、低部溶融地点物質は各ゲッタ領域５８、１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２、又は各領域５８、１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２のための前駆体が形成されている表面上に通常同時に析出されている。この目的のために、低部溶融地点物質は、析出に先立つゲッタ物質を伴う低部溶融地点を混合することによって、ゲッタ物質と同じ電源から与えられている。低部溶融地点物質は、いくつかの場合には、ゲッタ物質及び低部溶融地点物質の同時の析出の間にゲッタ物質よりも分離する電源から与えられている。分離する電源がゲッタ物質及び低部溶融地点物質を析出するために使用されている時、低部溶融地点物質はゲッタ物質を析出するために使用されるような同じ技術、例えば蒸着、スパッタリング、溶射、電気泳動析出／誘電泳動析出、電気化学析出等によって通常析出されている。分離する電源又は、１つ又は１つ以上の共通の電源が使用されていると否とに拘わらず、ゲッタ物質及び低部溶融地点物質は析出の間に互いに混合されている。
【０３４８】
低部溶融地点物質がゲッタ領域５８、１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２のいずれも、又は領域５８、１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２のいずれのための前駆体の下に設けられている表面上の分離する接着層として与えられている時、低部溶融地点接着層は、ゲッタ物質を析出するために使用されるものと同じ技術、又は似たような技術によって析出されている。例えばゲッタ物質が物理的に曲げられた析出によって析出されている図１１と、図１８と、図２３と、図２５の工程において、低部溶融地点接着層は物理的に曲げられた析出によって通常析出されている。ゲッタ物質及び低部溶融地点物質の両方の粒子は、傾斜角αで析出表面に影響を及ぼす。
【０３４９】
もし、低部溶融地点接着層がない場合において、ゲッタ物質が電気泳動析出／誘電泳動析出又は電気化学析出のような技術に基づく電気伝導表面上に析出されており、それが下に設けられている表面の電気伝導性質をうまく利用するのであれば、低部溶融地点接着層は、表面の導電性質をうまく利用する技術に基づく導電表面上に析出される。それにも拘わらず、低部溶融地点接着層は、ゲッタ物質を析出するために使用されるというよりも実質的に異なる技術によって形成されている。
【０３５０】
ゲッタ物質の核生成を高める物質の薄い層が、現在の発光装置及び電子放出装置中のゲッタ物質を析出することに先立って析出されている。ゲッタ核生成物質は通常電気非絶縁であり、通常電気伝導である。ゲッタ核生成物質の析出は、前述した１つ又は１つ以上の接着領域の使用に関連して行われても良い。
【０３５１】
図５〜９と、図１６と、図１７の発光装置と、前述したこれら発光装置の変形例を含んでいる発光装置中のゲッタ領域の構造体が、物理的に曲げられた析出技術に基づいて析出するゲッタ物質を必要とする場合、ゲッタ物質は主として単一原子のみから成っても良い。図１９〜図２２と、図２６〜図２８と、図３０〜図３２と、図３４〜図３９の電子放出装置中の、及びこれらの電子放出装置の前述した変形例を含んでいる電子放出装置中のゲッタ領域１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２のどの構造体の時にも適用する同様なものは、物理的に曲げられた析出技術に基づいて析出しているゲッタ物質を必要とする。
【０３５２】
ゲッタ領域５８、１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２のどの単一素子の実施も、（ａ）ゲッタ物質が図１０及び図１５の工程における前駆体ゲッタ層５８Ｐ及び５８Ｐ´を伴って生じるような下に設けられている表面上にブランケット、すなわち非選択的な方法で蓄積する場合の位置と、（ｂ）ゲッタ物質が図１１〜図１３と、図１８と、図２３と、図２５の工程において生じるような下に設けられている表面上に選択的に蓄積する場合の位置の両方に加える。物理的に曲げられた析出に基づく単一素子のゲッタ物質を析出するための対象は、主として単一原子のみのような領域５８、１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２のいずれも形成する一般の原因のための上記に示したようなアルミニウム、チタニウム、バナジウム、鉄、ジルコニウム、ニオビウム、モリブデナム、バリウム、タンタラム、タングステン、トリウムのような金属である。
【０３５３】
領域５８、１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２のいずれをも形成するための単一素子のゲッタ物質の角を形成する蒸着は、縦列のゲッタ構造体をもたらす。これは、ゲッタ面積が汚染物質ガスをソーブするためのゲッタの性能を増加させることによって増加されているので、有利である。
【０３５４】
図５〜図９と、図１６と、図１７の発光装置と、前述した変形例とを含んでいるどの発光装置中のゲッタ領域５８の構造体は、ディスプレイ組立て動作を経て上に向かう領域５８上にその後、すなわち真空を放出することなく維持されている高真空中で時々行われている。同様に、図１９〜図２２と、図２６〜図２８と、図３０〜図３２と、図３４〜図３９の電子放出装置と、前述した変形例を含んでいるどの電子放出装置中のゲッタ領域１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２のどの構造体も、組立て動作を経て上に向かう各領域１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２上にその後維持されている高真空で時々行われている。そのような場合において、領域５８、１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２の各々は、ディスプレイ組立て動作に先立って活性化されている。各領域５８、１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２はまた、もちろん高真空がディスプレイ組立ての時間を経る構造体の時間から各領域５８、１１２、１１０／１１２、１２８、１３２、１４２を維持されている位置における組立て動作の間、又は組立て動作の後に活性化されている。
【０３５５】
「横の」と、「垂直な」と、「水平の」と、「前述の」と、「下記の」のような方向付けの言葉は、読者が互いに適応した発明の種々の部分の程度をより容易に理解できることよって、引用フレームを立証するための本発明を記述することに使用されている。実際の実施において、フラット・パネルＣＲＴディスプレイの構成要素は、ここで使用される方向付けされた言葉によって暗示されるものとは異なる方向付けで位置されても良い。方向付けされた言葉が記述を容易にするための便利さのために使用されているので、本発明は、方向付けがここで使用される方向付けされた言葉によって完全に被覆されたものとは異なる場合の実施例を含む。
【０３５６】
「横列」及び「縦列」という言葉は互いに関連して任意であり、また逆でも良い。また、想像線が行方向と今呼ばれているものにおいて通常生じているという事実に注目すると、制御電極１０６及び低部の非絶縁領域１００のエミッタ電極は、エミッタ電極が列方向と呼ばれているものにおいて延びている間に、電極１０６が行方向と呼ばれているものにおいて延びているので、フル・ターン（３６０°）の４分の１回転されている。
【０３５７】
発明が特有の実施形態への言及を伴って記述されている間、この記述はもっぱら説明図の目的であり、また上記の請求項に記載された発明の範囲の限界として解釈されていない。電界放出は、表面導電放射と一般に呼ばれる現象を含む。種々の変更及び用途は事実に反さず、また付加請求項に記載のこの発明の精神から離れることなく当業者によってそのように作られても良い。
【図面の簡単な説明】
【０３５８】
【図１】従来技術のＦＥＤｓのゲッタ含有発光装置のアクティブ部分の一部分の側断面図である。
【図２】従来技術のＦＥＤｓのゲッタ含有発光装置のアクティブ部分の一部分の側断面図である。
【図３】従来技術のＦＥＤｓのゲッタ含有発光装置のアクティブ部分の一部分の側断面図である。
【図４】従来技術のＦＥＤｓのゲッタ含有発光装置のアクティブ部分の一部分の側断面図である。
【図５】本発明に基づいて構成されるゲッタ含有発光装置を有しているフラット・パネルＣＲＴディスプレイ、通常ＦＥＤのアクティブ領域の一部分の側断面図である。
【図６】図５のフラット・パネルディスプレイ、具体的には発光装置のアクティブ領域の一部分の側平面図である。図５の断面は、図６中の平面５−５を経て示されている。図６の断面は、図５中の平面６−６を経て示されている。
【図７】本発明に基づいて構成され、図５及び図６の発光装置のために代替可能な３つのゲッタ含有発光装置のアクティブ部分の一部分の側断面図である。
【図８】本発明に基づいて構成され、図５及び図６の発光装置のために代替可能な３つのゲッタ含有発光装置のアクティブ部分の一部分の側断面図である。
【図９】本発明に基づいて構成され、図５及び図６の発光装置のために代替可能な３つのゲッタ含有発光装置のアクティブ部分の一部分の側断面図である。
【図１０ａ】図１０ａは、本発明に基づく図５及び図６の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１０ｂ】図１０ｂは、本発明に基づく図５及び図６の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１０ｃ】図１０ｃは、本発明に基づく図５及び図６の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１０ｄ】図１０ｄは、本発明に基づく図５及び図６の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１１ａ】図１１ａは、本発明に基づく図７の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１１ｂ】図１１ｂは、本発明に基づく図７の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１１ｃ】図１１ｃは、本発明に基づく図７の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１１ｄ】図１１ｄは、本発明に基づく図７の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１１ｅ】図１１ｅは、本発明に基づく図７の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１２ａ】図１２ａは、本発明に基づく図７の発光装置の変形例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１２ｂ】図１２ｂは、本発明に基づく図７の発光装置の変形例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１２ｃ】図１２ｃは、本発明に基づく図７の発光装置の変形例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１２ｄ】図１２ｄは、本発明に基づく図７の発光装置の変形例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１２ｅ】図１２ｅは、本発明に基づく図７の発光装置の変形例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１３ａ】図１３ａは、本発明に基づく図７の組立て発光装置の他の変形例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１３ｂ】図１３ｂは、本発明に基づく図７の組立て発光装置の他の変形例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１３ｃ】図１３ｃは、本発明に基づく図７の組立て発光装置の他の変形例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１３ｄ】図１３ｄは、本発明に基づく図７の組立て発光装置の他の変形例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１４ａ】図１４ａは、本発明に基づく図８の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１４ｂ】図１４ｂは、本発明に基づく図８の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１４ｃ】図１４ｃは、本発明に基づく図８の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１４ｄ】図１４ｄは、本発明に基づく図８の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１４ｅ】図１４ｅは、本発明に基づく図８の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１５ａ】図１５ａは、本発明に基づく図９の発光装置の実施例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１５ｂ】図１５ｂは、本発明に基づく図９の発光装置の実施例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１５ｃ】図１５ｃは、本発明に基づく図９の発光装置の実施例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１５ｄ】図１５ｄは、本発明に基づく図９の発光装置の実施例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１５ｅ】図１５ｅは、本発明に基づく図９の発光装置の実施例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１５ｆ】図１５ｆは、本発明に基づく図９の発光装置の実施例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１５ｇ】図１５ｇは、本発明に基づく図９の発光装置の実施例を製造するステップを表している側断面図である。
【図１６】本発明に基づいて構成されるゲッタ含有発光装置を有しているフラット・パネルＣＲＴディスプレイ、通常ＦＥＤのアクティブ領域の一部分の側断面図である。
【図１７】図１６のフラット・パネルディスプレイ、具体的には発光装置のアクティブ領域の一部分の側平面図である。図１６の断面は、図１７中の平面１６−１６を経て示されている。図１７の断面は、図１６中の平面１７−１７を経て示されている。
【図１８ａ】図１８ａは、本発明に基づく図１６及び図１７の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１８ｂ】図１８ｂは、本発明に基づく図１６及び図１７の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１８ｃ】図１８ｃは、本発明に基づく図１６及び図１７の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１８ｄ】図１８ｄは、本発明に基づく図１６及び図１７の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１８ｅ】図１８ｅは、本発明に基づく図１６及び図１７の発光装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図１９】本発明に基づいて構成されるゲッタ含有電子放出装置を有しているＦＥＤのアクティブ領域の一部分の側断面図である。
【図２０】図１９のＦＥＤ、具体的には電子放出装置のアクティブ領域の一部分の側平面図である。図１９の断面は、図２０中の平面１９−１９を経て示されている。図２０の断面は、図１９中の平面２０−２０を経て示されている。
【図２１】本発明に基づいて構成され、図１９及び図２０の電子放出装置のために代替可能な２つのゲッタ含有電子放出装置のアクティブ部分の一部分の側断面図である。
【図２２】本発明に基づいて構成され、図１９及び図２０の電子放出装置のために代替可能な２つのゲッタ含有電子放出装置のアクティブ部分の一部分の側断面図である。
【図２３ａ】図２３ａは、本発明に基づく図１９及び図２０の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図２３ｂ】図２３ｂは、本発明に基づく図１９及び図２０の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図２３ｃ】図２３ｃは、本発明に基づく図１９及び図２０の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図２３ｄ】図２３ｄは、本発明に基づく図１９及び図２０の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図２４ａ】図２４ａは、本発明に基づく図１９及び図２０の電子放出装置の変形例を製造するステップを表している側断面図である。
【図２４ｂ】図２４ｂは、本発明に基づく図１９及び図２０の電子放出装置の変形例を製造するステップを表している側断面図である。
【図２４ｃ】図２４ｃは、本発明に基づく図１９及び図２０の電子放出装置の変形例を製造するステップを表している側断面図である。
【図２５ａ】図２５ａは、本発明に基づく図２１又は図２２の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図２５ｂ】図２５ｂは、本発明に基づく図２１又は図２２の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図２５ｃ】図２５ｃは、本発明に基づく図２１又は図２２の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図２５ｄ】図２５ｄは、本発明に基づく図２１又は図２２の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図２６】本発明に基づいて構成されるゲッタ含有電子放出装置を有しているＦＥＤのアクティブ領域の一部分の側断面図である。
【図２７】図２６のＦＥＤ、具体的には電子放出装置のアクティブ領域の一部分の側平面図である。図２６の断面は、図２７中の平面２６−２６を経て示されている。図２７の断面は、図２６中の平面２７−２７を経て示されている。
【図２８】図２６及び図２７の電子放出装置の実施例のアクティブ部分の一部分の側断面図である。
【図２９ａ】図２９ａは、本発明に基づく図２６及び図２７の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図２９ｂ】図２９ｂは、本発明に基づく図２６及び図２７の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図２９ｃ】図２９ｃは、本発明に基づく図２６及び図２７の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図３０】本発明に基づいて構成されるゲッタ含有電子放出装置を有しているＦＥＤのアクティブ領域の一部分の側断面図である。
【図３１】図３０のＦＥＤ、具体的には電子放出装置のアクティブ領域の一部分の側平面図である。図３０の断面は、図３１中の平面３０−３０を経て示されている。図３１の断面は、図３０中の平面３１−３１を経て示されている。
【図３２】本発明に基づいて構成され、図３０及び図３１の電子放出装置のために代替可能なゲッタ含有電子放出装置のアクティブ領域の一部分の側断面図である。
【図３３ａ】図３３ａは、本発明に基づく図３０及び図３１の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図３３ｂ】図３３ｂは、本発明に基づく図３０及び図３１の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図３３ｃ】図３３ｃは、本発明に基づく図３０及び図３１の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図３３ｄ】図３３ｄは、本発明に基づく図３０及び図３１の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図３３ｅ】図３３ｅは、本発明に基づく図３０及び図３１の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図３４】本発明に基づいて構成されるゲッタ含有電子放出装置を有しているＦＥＤのアクティブ領域の一部分の側断面図である。図３４の断面を有しているＦＥＤは、図３５及び図３６に示されているような２つの方法で実施されている。
【図３５】図３４のＦＥＤ、具体的には電子放出装置のアクティブ領域の一部分の一実施例の側平面図である。図３４の断面は、図３５中の平面３４−３４を経て示されている。図３５の断面は、図３４中の平面３５−３５を経て示されている。
【図３６】図３４のＦＥＤ、再度具体的には電子放出装置のアクティブ領域の一部分の他の実施例の側平面図である。図３４の断面は、図３６中の平面３４−３４を経て示されている。図３６の断面は、図３４中の平面３６−３６を経て示されている。なお、平面３６−３６は、平面３５−３５と同様である。
【図３７】本発明に基づいて構成され、図３４及び、図３５又は図３６の電子放出装置のために代替可能な３つのゲッタ含有電子放出装置のアクティブ領域の一部分の側断面図である。
【図３８】本発明に基づいて構成され、図３４及び、図３５又は図３６の電子放出装置のために代替可能な３つのゲッタ含有電子放出装置のアクティブ領域の一部分の側断面図である。
【図３９】本発明に基づいて構成され、図３４及び、図３５又は図３６の電子放出装置のために代替可能な３つのゲッタ含有電子放出装置のアクティブ領域の一部分の側断面図である。
【図４０ａ】図４０ａは、本発明に基づく図３４及び、図３５又は図３６の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図４０ｂ】図４０ｂは、本発明に基づく図３４及び、図３５又は図３６の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図４０ｃ】図４０ｃは、本発明に基づく図３４及び、図３５又は図３６の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【図４０ｄ】図４０ｄは、本発明に基づく図３４及び、図３５又は図３６の電子放出装置を製造するステップを表している側断面図である。
【符号の説明】
【０３５９】
１０  平面基板
１２  電気伝導アノード層
１４  蛍光物質領域
１６  バリア構造体
１８  偏光電極
２０  平面基板
２２  電気伝導層
２４  蛍光体領域
２６  ウェブ
２８  基板
３０  蛍光体領域
３２  電気伝導物質
３４  気体吸着層
３６  気体吸着層
３８  保持層
４０  バックプレート
４２，５２  層の一部とバックプレート４０の内面の上に位置され
る領域（層／領域）
４４  電子放出領域
４６  層／領域の突起部分
５０  フェースプレート
５４  遮光領域（ブラックマトリクス）
５４Ｐ  ブラックマトリクス５４の前駆体
５４Ｐ´  前駆体遮光ブラックマトリクス領域
５６  発光領域
５８  ゲッタ領域
５８Ａ，５８Ｂ  ゲッタ領域の一部分
５８Ｐ  ゲッタ層
５８Ｐ´  ゲッタ物質のブランケット前駆体層
６０  電気伝動アノード層
６２  発光開口部
６２Ｐ  前駆体発光開口部
６４  スペーサ壁
６６  付加領域
６８  フェースプレートに対して垂直に延びている直線
７０  経路
７２  （中央部の）電気伝導層
７４  （低部のブランケット）ポリイミド層
７４Ａ  低部のポリイミド層（領域）
７６  クロミウム層
７８  上部のポリイミド層
８０  ブランケット層（密封層）
８０Ａ  密封領域
８２  ブランケット保護層
１００  低部の非絶縁領域
１０２  誘電層
１０２Ｐ  ブランケット前駆体誘電層
１０４  電子放出素子
１０６  制御電極
１０８  ベース集束構造体
１１０  電気非絶縁フォーカスコーティング
１１０Ａ  領域１１０の一部分
１１２  ゲッタ領域
１１２Ａ  ゲッタ領域の一部分
１１４  誘電開口部
１１６  制御開口部
１１８  フォーカス開口部
１２０  バックプレートに対して垂直に延びている直線
１２２  経路
１２６  （中間の）電気伝導領域
１２８  ゲッタ領域
１３０  ゲッタ露光開口部
１３２  ゲッタ領域
１３４  フォーカス開口部
１３６  開口部
１３８  過剰エミッタ円錐物質
１３８Ａ  過剰エミッタ円錐物質の一部分
１４０  絶縁領域
１４２  ゲッタ領域
１４４  ゲッタ含有開口部
１４６  過剰電子放出部分
【図１】
2008258176.tif 000003
【図２】
2008258176.tif 000004
【図３】
2008258176.tif 000005
【図４】
2008258176.tif 000006
【図５】
2008258176.tif 000007
【図６】
2008258176.tif 000008
【図７】
2008258176.tif 000009
【図８】
2008258176.tif 000010
【図９】
2008258176.tif 000011
【図１０ａ】
2008258176.tif 000012
【図１０ｂ】
2008258176.tif 000013
【図１０ｃ】
2008258176.tif 000014
【図１０ｄ】
2008258176.tif 000015
【図１１ａ】
2008258176.tif 000016
【図１１ｂ】
2008258176.tif 000017
【図１１ｃ】
2008258176.tif 000018
【図１１ｄ】
2008258176.tif 000019
【図１１ｅ】
2008258176.tif 000020
【図１２ａ】
2008258176.tif 000021
【図１２ｂ】
2008258176.tif 000022
【図１２ｃ】
2008258176.tif 000023
【図１２ｄ】
2008258176.tif 000024
【図１２ｅ】
2008258176.tif 000025
【図１３ａ】
2008258176.tif 000026
【図１３ｂ】
2008258176.tif 000027
【図１３ｃ】
2008258176.tif 000028
【図１３ｄ】
2008258176.tif 000029
【図１４ａ】
2008258176.tif 000030
【図１４ｂ】
2008258176.tif 000031
【図１４ｃ】
2008258176.tif 000032
【図１４ｄ】
2008258176.tif 000033
【図１４ｅ】
2008258176.tif 000034
【図１５ａ】
2008258176.tif 000035
【図１５ｂ】
2008258176.tif 000036
【図１５ｃ】
2008258176.tif 000037
【図１５ｄ】
2008258176.tif 000038
【図１５ｅ】
2008258176.tif 000039
【図１５ｆ】
2008258176.tif 000040
【図１５ｇ】
2008258176.tif 000041
【図１６】
2008258176.tif 000042
【図１７】
2008258176.tif 000043
【図１８ａ】
2008258176.tif 000044
【図１８ｂ】
2008258176.tif 000045
【図１８ｃ】
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【図１８ｄ】
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【図１８ｅ】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３ａ】
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【図２３ｂ】
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【図２３ｃ】
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【図２３ｄ】
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【図２４ａ】
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【図２４ｂ】
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【図２４ｃ】
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【図２５ａ】
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【図２５ｂ】
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【図２５ｃ】
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【図２５ｄ】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９ａ】
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【図２９ｂ】
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【図２９ｃ】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３ａ】
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【図３３ｂ】
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【図３３ｃ】
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【図３３ｄ】
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【図３３ｅ】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０ａ】
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【図４０ｂ】
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【図４０ｃ】
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【図４０ｄ】
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