(57)【要約】【課題】レンズコラム又は投影システムに対するターゲット部分の位置決めの精度を向上し得る、リソグラフィ装置用の位置制御システムを提供すること。【解決手段】リソグラフィ装置の基板サポートのための位置制御システムは、基板サポート上のセンサ又はセンサターゲットの位置を特定するように構成された位置測定システムと、基板のターゲット部分の所望の位置及び前記特定された位置に基づいて制御信号を供給するように構成されたコントローラと、基板サポートに作用するように構成された１つ以上のアクチュエータとを含む。位置制御システムは、基板サポートの堅牢性補償モデルを含み、この堅牢性補償モデルは、基板サポートに加えられた力の結果としての、ターゲット部分の位置変化の差と、センサ又はセンサターゲットの位置変化との間の関係を含む。位置制御システムは、少なくともターゲット部分にパターン付き放射ビームを投影する間に、堅牢性補償モデルを用いてターゲット部分の位置を実質的に修正するように構成される。【選択図】図２
2008258613.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与して、パターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスと、
基板を保持するように構成された基板サポートと、
前記基板のターゲット部分に前記パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
前記基板の前記ターゲット部分の位置を制御するように構成された位置制御システムであって、前記基板サポート上のセンサ又はセンサターゲットの位置をように構成された位置測定システムと、前記ターゲット部分の所望の位置及び前記特定された位置に基づいて制御信号を供給するように構成されたコントローラと、前記基板サポートに作用するように構成された１つ以上のアクチュエータとを含む、位置制御システムと、
を含むリソグラフィ装置であって、
前記位置制御システムが、前記基板サポートに加えられる力と、結果として生じる前記ターゲット位置の位置誤差との間の関係を含む、前記基板サポートの堅牢性補償モデル（stiffness compensation model）を含み、前記位置制御システムは、少なくとも前記ターゲット部分に対する前記パターン付き放射ビームの投影の間に、前記堅牢性補償モデルを用いて、前記ターゲット部分の位置を実質的に修正するように構成されている、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記堅牢性補償モデルは、前記基板サポートの複数の位置について１つ以上の補償利得（compensation gains）を含み、各補償利得が、力信号（force signal）と、結果として生じる前記ターゲット部分の位置誤差との間の関係に依存する、請求項１記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記補償利得のそれぞれが、結果として生じる前記ターゲット部分の位置誤差に対する力信号の伝達関数に基づく、請求項２記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記堅牢性補償モデルは、前記基板サポートに加えられた力と、前記ターゲット部分の位置誤差と前記センサ又はセンサターゲットの位置誤差との結果として生じる差との間の関係を含む、請求項１記載のリソグラフィ装置
【請求項５】
前記堅牢性補償モデルが、前記基板サポートの複数の位置について１つ以上の補償利得を含み、各補償利得が、力信号と、前記ターゲット部分の位置誤差と前記センサ又はセンサターゲットの位置誤差との結果として生じる差との間の関係に依存する、請求項４記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記補償利得のそれぞれが、前記ターゲット部分の位置誤差と前記センサ又はセンサターゲットの位置誤差との結果として生じる差に対する力信号の伝達関数に基づく、請求項５記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記堅牢性補償モデルが、６自由度の力信号に基づいた補償利得を含み、その結果として、前記基板サポートの前記複数の位置のそれぞれについて６自由度の前記ターゲット部分の位置変化をもたらす、請求項２記載のリソグラフィ装置
【請求項８】
前記ターゲット部分の前記複数の位置が、２自由度に延在する（extend in two degrees of freedom）、請求項２記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記コントローラが、フィードフォワードデバイスを含み、前記堅牢性補償モデルが、当該フィードフォワードデバイスの一部であり、前記フィードフォワードデバイスは、力信号又はその相当物（equivalent thereof）を前記堅牢性補償モデルに送る（feed）ことによってフィードフォワード信号を供給するように構成されている、請求項２記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記堅牢性補償モデルが、前記コントローラのフィードバックループ内に配置されている、請求項１記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記堅牢性補償モデルが、前記コントローラのフィードフォワード及びフィードバックループの組み合わせで配置される、請求項１記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記堅牢性補償モデルが、前記基板サポートの前記複数の位置の間の前記基板サポートの位置についての補償利得を計算するように構成された計算デバイスを含む、請求項１記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
１つ以上の力が、前記基板テーブルの前記１つ以上のアクチュエータのうちの１つによって加えられる力を表す、請求項１記載のリソグラフィ装置
【請求項１４】
１つ以上の力が、液浸デバイスによって前記板テーブル又は基板に加えられる力を表す、請求項１記載のリソグラフィ装置
【請求項１５】
前記位置制御システムは、前記堅牢性補償モデルに力信号を送る前に、前記力信号の必要な周波数内容(frequency content)を取得するように構成されたフィルタデバイスを含む、請求項１記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記堅牢性補償モデルが、有限要素モデリングを用いて決定される、請求項１記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
可動物体上の場所を制御するように構成された位置制御システムであって、
前記可動物体上のセンサ又はセンサターゲットの位置を特定するように構成された位置測定システムと、
前記可動物体上の前記場所の望ましい位置及び前記特定された位置に基づいて制御信号を供給するように構成されたコントローラと、
前記可動物体に対して作用するように構成された１つ以上のアクチュエータと、
前記可動物体に加えられる力と、結果として生じる前記可動物体の前記場所の位置誤差との間の関係を含む、前記可動物体の堅牢性補償モデルと、
を含み、前記堅牢性補償モデルを用いて前記場所の前記位置を修正するように構成された、位置制御システム。
【請求項１８】
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターン付き放射ビームを形成するために前記放射ビームの断面にパターンを付与することができるパターニングデバイスを支持するように構成されたパターンサポートと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記パターニングデバイスのパターン位置を制御するように構成された位置制御システムであって、前記パターンサポート上のセンサ又はセンサターゲットの位置を特定するように構成された位置測定システムと、前記パターン位置の所望の位置と前記特定された位置に基づいて制御信号を供給するように構成されたコントローラと、前記パターンサポートに作用するように構成された１つ以上のアクチュエータとを含む、位置制御システムと、
を含むリソグラフィ装置であって、
前記位置制御システムが、前記パターンサポートに加えられる力と、結果として生じる前記パターン位置の位置誤差との間の関係を含む、前記パターンサポートの堅牢性補償モデル（stiffness compensation model）を含み、前記位置制御システムは、少なくとも前記放射ビームにパターンを付与する間に、前記堅牢性補償モデルを用いて、前記パターン位置の位置を実質的に修正するように構成されている、リソグラフィ装置。
【請求項１９】
前記堅牢性補償モデルが、前記パターンデバイスサポートの複数の位置についての１つ以上の補償利得を含み、各補償利得が、力信号と、結果として生じる前記パターン位置の位置誤差との間の関係に依存する、請求項１８記載のリソグラフィ装置。
【請求項２０】
前記補償利得のそれぞれが、結果として生じる前記パターン位置の位置誤差に対する力信号の伝達関数に基づく、請求項１９記載のリソグラフィ装置。
【請求項２１】
基板サポート上で支持される基板のターゲット部分であって、パターン付き放射ビームで照射されるターゲット部分の位置を制御する方法であって、当該ターゲット部分の位置誤差を修正することを含む方法であり、
前記修正とは、
前記基板サポート及び／又は前記基板に加えられる力を表す力信号を特定することと、
前記基板サポートに加えられた力と、結果として生じる前記ターゲット部分の位置誤差との間の関係を含む、前記基板サポートの堅牢性補償モデルに対して、前記力信号を送ることと、
前記ターゲット部分の位置誤差を修正するために前記堅牢性補償モデルの出力を使用することと、
を含む方法。
【請求項２２】
リソグラフィ装置内の基板サポートの堅牢性補償モデルを決定するキャリブレーション方法であって、前記基板サポートはターゲット部分を含む基板を保持するように構成されており、前記堅牢性補償モデルは、前記基板サポートに加えられた力と、結果として生じる前記ターゲット部分の位置誤差との間の関係を含むものであり、
前記基板サポートの複数の位置のそれぞれについて、前記基板サポートに複数の擾乱力（disturbing forces）を加えることと、
前記擾乱力と、結果として生じる前記ターゲット部分の位置変化との間の周波数応答関数を決定することと、
前記複数の位置のそれぞれについての補償利得マトリックスであって、それぞれが前記基板サポートの位置に依存する補償利得マトリックスを生成することと、
を含むキャリブレーション方法。
【請求項２３】
前記生成することが、ミッシング位置信号（missing position signals）について伝達関数をフィッティングさせることによって、当該ミッシング位置信号を補償することを含む、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
補間によって、 前記基板サポートの前記複数の位置の間の基板サポートの位置について補償利得マトリックス（compensation gain matrices）を決定することをさらに含む、請求項２２記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関連する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。このような場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、及び放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]   公知のリソグラフィ装置は、基板サポートの位置を制御するための位置制御システムを含む。この位置制御システムは、基板サポートのいくつかのセンサ又はセンサターゲット位置を測定するように構成された位置測定システムを含む。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
[0004]  リソグラフィ装置を使用している間、基板サポートに力が加えられることになる。例えば、露光段階（exposure phase）の間、すなわち基板レベルのターゲット部分にパターン付きビームを投影する間、レンズコラム又は投影システムに対して基板の上面を正しい配向に位置決めするように、レベル作動（level actuations）を実行することができる。基板サポートの堅牢性が限定的なので、レベル作動は、基板サポートの一時的な変形を引き起こすかもしれない。このような変形は、フォーカス誤差及び／又はオーバーレイにおけるオフセットをもたらし得る。
【０００５】
[0005]  リソグラフィ装置の公知の一実施形態には、製品の品質を改良するため、基板と投影システムの最終エレメントの間のより適切な破壊指数（breaking indices）を得るために、基板と投影システムの最終エレメントとの間に液体を供給する、液体閉じ込めシステムが含まれる。また、このような液体閉じ込めシステム又は液体それ自体も、露光段階の間に、基板上に、及びそれに加えて基板サポート上に力を加え得る。液体閉じ込めシステムによって加えられるこれらの外力も、基板サポートの一時的な変形をもたらし得る。よって、結果としてフォーカス誤差及び／又はオーバーレイにおけるオフセット（offset in overlay）をもたらし得る。
【０００６】
[0006]  基板テーブルの変形のリスクを低減し、かつその結果としてフォーカス誤差又はオーバーレイオフセット（overlay offset）を低減するために、基板サポートの堅牢性を高めることが提案されてきた。しかし、基板サポートの位置決めの精度及び速度についての需要の高まり、さらなる問題（例えば重量に関して）に直面せずに基板サポートの堅牢性を高める可能性は、限界に来ているのかもしれない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
[0007]  レンズコラム又は投影システムに対するターゲット部分の位置決めの精度を向上し得る、リソグラフィ装置用の位置制御システムを提供することが望ましい。
【０００８】
[0008]  本発明の一実施形態では、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、前記放射ビームの断面にパターンを付与して、パターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスと、基板を保持するように構成された基板サポートと、前記基板のターゲット部分に前記パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムとを含むリソグラフィ装置が提供され、このリソグラフィ装置は、前記ターゲット部分の位置を制御するように構成された位置制御システムを含む。この位置制御システムは、前記基板サポート上のセンサ又はセンサターゲットの位置を特定するように構成された位置測定システムと、所望の位置及び前記特定された位置に基づいて制御信号を供給するように構成されたコントローラと、前記基板サポートに作用するように構成された１つ以上のアクチュエータとを含む。この位置制御システムは、前記基板サポートに加えられる力と、結果として生じる前記ターゲット位置の位置誤差との間の関係を含む、前記基板サポートの堅牢性補償モデル（stiffness compensation model）を含み、前記位置制御システムは、少なくとも前記ターゲット部分に対する前記パターン付き放射ビームの投影の間に、前記堅牢性補償モデルを用いて、前記ターゲット部分の位置を実質的に修正する（correct）ように構成されている。
【０００９】
[0009]  本発明の一実施形態では、可動物体上の特定の場所（location）を制御するように構成された位置制御システムであって、前記可動物体上のセンサ又はセンサターゲットの位置（position）を特定する（determine）ように構成された位置測定システムと、所望の位置及び前記特定された位置に基づいて制御信号を供給するように構成されたコントローラと、前記可動物体に対して作用するように構成された１つ以上のアクチュエータとを含む位置制御システムが提供され、前記位置制御システムは、前記可動物体に加えられる力と、結果として生じる前記可動物体上の前記特定の場所の位置誤差との間の関係を含む、前記可動物体の堅牢性補償モデルを含み、前記位置制御システムは、前記堅牢性補償モデルを用いて前記特定の場所の前記位置（the position of the specific location）を修正するように構成されている。
【００１０】
[0010]  本発明の一実施形態では、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターン付き放射ビームを形成するために前記放射ビームの断面にパターンを付与することができるパターニングデバイスを支持するように構成されたパターニングデバイスサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムとを含むリソグラフィ装置が提供され、当該リソグラフィ装置は、前記パターニングデバイスのパターン位置を制御するように構成された位置制御システムを含み、この位置制御システムは、前記パターニングデバイスサポート上のセンサ又はセンサターゲットの位置を特定するように構成された位置測定システムと、所望の位置及び前記特定された位置に基づいて制御信号を供給するように構成されたコントローラと、前記パターニングデバイスサポートに作用するように構成された１つ以上のアクチュエータとを含むものであり、前記位置制御システムが、前記パターニングデバイスサポートに加えられる力と、結果として生じる前記パターン位置の位置誤差との間の関係を含む、前記パターニングデバイスサポートの堅牢性補償モデル（stiffness compensation model）を含み、前記位置制御システムは、少なくとも前記放射ビームにパターンを付与する間に、前記堅牢性補償モデルを用いて、前記パターン位置の位置（the position of the pattern position）を実質的に修正するように構成されている。
【００１１】
[0011]  本発明の一実施形態では、基板サポート上で支持される基板のターゲット部分であって、パターン付き放射ビームで照射されるターゲット部分の位置を制御する方法が提供され、ターゲット部分の位置制御は、当該ターゲット部分の位置誤差を修正することを含み、前記修正とは、前記基板テーブル及び／又は前記基板に加えられる力を表す力信号を特定することと、前記基板サポートの堅牢性補償モデルに対して、前記力信号を送ることと、前記ターゲット部分の位置誤差を修正するために前記堅牢性補償モデルの出力を使用することとを含む。
【００１２】
[0012]  基板サポートの堅牢性補償モデルは、基板サポート上に加えられる力と、結果として生じるターゲット部分の位置誤差との間の関係を含み得る。
【００１３】
[0013]  本発明の一実施形態では、基板サポートの堅牢性補償モデルを決定するキャリブレーション方法が提供される。基板サポートの堅牢性補償モデルは、前記基板サポートに加えられた力と、結果として生じる前記基板のターゲット部分の位置誤差との間の関係を含むものである。上記方法は、前記基板サポートの複数の位置のそれぞれについて、前記基板サポートに複数の擾乱力（disturbing forces）を加えることと、前記擾乱力と、結果として生じる前記ターゲット部分の位置変化との間の周波数応答関数を決定することと、  前記複数の位置のそれぞれについての補償利得マトリックスを生成すること、又はそれぞれが前記基板サポートの位置に依存する補償利得マトリックスを生成することとを含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
[0014]   本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００１５】
[0021]  図１は、本発明の一実施形態に従ったリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば紫外線又は他のあらゆる適切な放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１位置決めデバイスＰＭに連結されたサポート構造又はパターンサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを含む。装置はまた、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２位置決めデバイスＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板サポート」を含む。装置はさらに、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
【００１６】
[0022]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、かつ／又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１７】
[0023]  サポート構造は、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１８】
[0023]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１９】
[0025]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２０】
[0026]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２１】
[0027]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、又は反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２２】
[0028]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルもしくは「基板サポート」（及び／又は２つ以上のマスクテーブルもしくは「マスクサポート」）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルもしくはサポートは並行して使うことができ、又は予備工程を１つ以上のテーブルもしくはサポート上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２３】
[0029]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体、例えば水、によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間、例えば、マスクと投影システムとの間、に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために使用できる。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２４】
[0030]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２５】
[0031]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【００２６】
[0032]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後又はスキャン中に、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、サポート構造又はパターンサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」の移動も、第２位置決めデバイスＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２７】
[0033]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００２８】
[0034]  １．  ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ又は「パターンサポート」及び基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」を基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」は、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２９】
[0035]  ２．  スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ又は「パターンサポート」及び基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」を同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ又は「パターンサポート」に対する基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」の速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３０】
[0036]  ３．  別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ又は「マスクサポート」を基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」を動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」の移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３１】
[0037]  上述の使用モードの組合せ及び／又はバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３２】
[0038]  図２は、基板２を支持する基板サポート１を示す。基板は、図１で示されるとおりいくつかのターゲット部分３に細分されており、その後、投影システム４を用いて、このターゲット部分３上にパターン付きビームが投影される。
【００３３】
[0039]  その後、投影システム４に対して基板２の異なるターゲット部分３の位置決めを行うために基板サポート２の位置を制御する、位置制御システムが設けられている。このため、基板サポート１は、いくつかの自由度で、典型的には面内３自由度で（three coplanar degrees of freedom）（基板とほぼ平行な平面上に）又は６自由度で移動可能である。
【００３４】
[0040]  位置制御システムは、適切な自由度で基板サポートの位置を測定するための位置測定システム５と、少なくとも位置測定システムによって測定された位置に基づいて制御信号を供給するためのコントローラ６と、基板サポート１を所望の方向に作動させるための１つ以上のアクチュエータ７とを含む。
【００３５】
[0041]  位置測定システム５は、基板サポート１の位置を測定するために設けられており、例えば、干渉計システム又はエンコーダ型測定システム（encoder-type measurement system）であってもよい。位置測定システム５は、基板サポート１に取り付けられたいくつかのセンサ８（例えばエンコーダ型センサ）と、略固定フレーム（substantially stationary frame）１０に取り付けられたいくつかのセンサターゲット９とを含む。別の実施形態では、センサをメトロフレーム（metro-frame）１０上に取り付け、センサターゲットを基板サポート１上に取り付けることができる。高精度（ナノメータの精度）で基板サポートの位置を測定するのに適したその他あらゆる種類の測定法を適用してもよい。
【００３６】
[0042]  コントローラは減算器を含み、基板サポート２の実際の位置が、例えばセットポイントジェネレータによって与えられる所望の位置から減じられる。多くの場合「サーボ誤差」という、上記の結果として生じる信号が制御部に送られ、制御部は、制御部の入力に基づいて、基板サポート１を所望の位置に作動させるためにアクチュエータに送られる制御信号を供給する。
【００３７】
[0043]  コントローラはさらに、フィードフォワードデバイス（feed-forward device）を含んでもよい。このようなフィードフォワードデバイスは、セットポイント信号又は他の基準信号(reference signal)に基づいてフィードフォワード信号を供給し得る。このような場合、追加のデバイスは通常、制御部とアクチュエータの間に配され、ここで制御信号とフィードフォワード信号が追加されて、アクチュエータ７に送られる第２制御信号を供給する。
【００３８】
[0044]  アクチュエータ７は、基板サポート２を所望の方向に移動することができる任意のアクチュエータであってよい。アクチュエータは、１以上の自由度で基板サポートを作動させるように構成され得る。異なる自由度で作動するように、又は基板サポート１上の異なる場所で作動するように、２つ以上のアクチュエータを設けてもよい。このようなアクチュエータ及びアクチュエータの配置は、当該技術分野において公知である。
【００３９】
[0045]  上記の位置制御システムでは、１自由度に関して説明した。実際には、位置制御システムは、いくつかの自由度、通常は面内３自由度（3 co-planar degrees of freedom）又は６自由度で、基板サポートの位置を制御するように構成されるであろう。このため、位置制御システム３は、所望の数の自由度で基板サポートの位置を測定するように構成された一次元又は多次元センサの配置、並びにすべての所望の自由度で基板サポートの位置決めを行うための一次元又は多次元アクチュエータの配置を含み得る。
【００４０】
[0046]  さらに、上述の位置制御システム３は、基板サポートの位置を制御するための制御システムを対象としている。基板サポートの速度、加速、又はその他の関連する位置関係の量（other relevant position related quantity）を制御するために、同様のシステムを設けてもよい。
【００４１】
[0047]  上述の位置測定システム５は、一般的に知られている。しかし、この位置制御システムは、基板サポートの内部可撓性を考慮しないかもしれない。基板サポートに力が加えられた場合、基板サポートは一時的に変形するかもしれない。その結果として、基板サポートの１つの場所の位置変化は、自動的に、基板サポートの別の場所の対応する位置変化をもたらすことはない。基板サポートの内部可撓性によって引き起こされるこのような差は、同じ自由度であるかもしれないが、異なる自由度、いわゆるクロストーク効果（cross-talk effect）でもあるかもしれない。
【００４２】
[0048]  一般に、基板サポート上には、基板サポートの位置制御に関連する３つの関連場所（relevant locations）があるが、その場合、基板サポートの可撓性を考慮しなければならない。第１の場所は、基板サポート上に取り付けられたセンサ又はセンサターゲットの位置である。この場所で、基板サポートの実際の位置が特定される。第２の重要な場所は、基板のターゲット部分の位置である。なぜならば、基板サポートの位置制御の目的は、投影システム４に対するターゲット部分３の位置を制御することだからである。第３の重要な場所は、基板サポートに力が加えられる場所である。
【００４３】
[0049]  基板サポートの内部可撓性によって、作動力（actuation force）又は別の力が基板サポートに加えられる場合、第１の場所と第２の場所の位置変化は異なるかもしれない。コントローラは通常、第１の場所に基づいて基板サポートの位置を制御することになる。なぜならば、第１の場所が、位置測定システムのセンサ又はセンサターゲットの位置だからである。例えば、フィードフォワードデバイスを使用して、上記のような修正を行ってもよい。
【００４４】
[0050]  しかし、制御動作（control action）は実質的にこの第１の場所の位置決めを改善するかもしれないが、第２の場所には異なる影響（effect）を与えるかもしれない。第３の場所と第２の場所との間の基板サポートの可撓性は、第１の場所と第２の場所との間の基板サポートの可撓性とは異なり得るからである。それでもなお、第２の場所、すなわちターゲット部分の位置を実際に制御することが望ましい。なぜならば、ここが、イメージが基板上に投影される実際の場所だからである。
【００４５】
[0051]  基板サポートの限定的堅牢性（limited stiffness）（すなわち可撓性）を考慮するために、位置制御システムは、基板サポートに加えられた力と、結果として生じるターゲット部分とセンサ又はセンサターゲットの位置変化の差との関係を含む、堅牢性補償モデルを含む。堅牢性補償モデルは、制御ループのフィードフォワード部分もしくはフィードバック部分、又はフィードフォワードもしくはフィードバックの組み合わせで配置することができる。制御安定性を考慮すると、フィードフォワードループの配置が好ましいかもしれない。
【００４６】
[0052]  図３では、フィードフォワードデバイスの堅牢性補償モデルを含む、位置制御システムの多変数制御方式が示されている。
【００４７】
[0053]  図３の制御方式は、基板ステージの可撓性と組み合わせて、基板のターゲット部分上へのパターン付きビームの投影段階（projection phase）の間に、レベル作動（level actuations）のために力が加えられた結果の、ターゲット部分の位置の誤差を補償するように設計されている。これらのレベル作動は、基板の上面の凹凸（irregularities）を考慮するようになされている。投影段階の前の、いわゆる測定段階（measuring phase）の間に、基板ターゲット部分の高さマップが上記凸凹から作られ、そして投影段階の間に、投影システムに対して基板を適切に位置決めするために、基板を移動する。このようなレベリング（leveling）の詳細は、米国特許第６,９２４,８８４号（参照することにより、この内容は本明細書中に組み込まれる）及び米国特許第７,０１９,８１５号（参照することにより、この内容は本明細書中に組み込まれる）に記載されている。
【００４８】
[0054]  図３の制御方式では、セットポイントジェネレータＳＧは、基板サポートについての位置セットポイント（position set-point）ｓｐ−ｐｏｓ及び加速セットポイント（acceleration set-point）ｓｐ−ａｃｃを生成する。位置測定システムによって測定される基板サポートの実際の位置は、減算器の位置セットポイントから減じられて、制御部ＣＵに送られ、この制御部ＣＵは、実際の位置とセットポイント位置との差、すなわちサーボ誤差に基づいて、制御力信号を供給する。セットポイントジェネレータＳＧの加速セットポイントｓｐ−ａｃｃは、加速フィードフォワードユニットＦＦａｃｃに送られる。加速フィードフォワードユニットＦＦａｃｃは、フィードフォワード信号を生成し、これは上記制御信号に追加されて、アクチュエータ力変換ブロックＣＡＦＴ（actuator force transformation block CAFT）への制御信号に送られる。このアクチュエータ力変換ブロックＣＡＦＴは、クロストーク結合マトリックス（cross talk-coupling matrices）を減じるために、基板サポートの６自由度ＭＩＭＯ機構（six degrees of freedom MIMO mechanics）を分離する（de-couple）ため、個々のアクチュエータについて分離コントローラ力（de-coupled controller forces）を力信号に変換する。その結果として生じる信号は、基板サポートＳＴを所望の位置へ作動するために、基板サポートの１つ又は複数のアクチュエータに送られる。
【００４９】
[0055]  さらに、フィードフォワードデバイスでは、基板サポートＳＴのレベリング（leveling）のために基板サポート上に力が加えられた結果としての、センサの場所での基板サポートの変形と、ターゲット部分の場所での変形との差を補償するために、堅牢性補償モデルＦＦｃｏｍｐが提供される。（多次元）加速セットポイントは、基板サポート上で作動される力のための代表信号（representative signal）であるので、この加速セットポイントは、堅牢性補償マトリックスに送られる力信号として使用される。実際に補償利得マトリックスに送られる前に、加速セットポイントは 、フィルタＡＦ（例えば、加速セットポイント信号を、ターゲット部分の基板サポートの可撓性による位置変化を表す信号に変換するための二次微分器（second order differentiator）として機能する二次ハイパスフィルタ（second order high pass filter）など）を通過する。
【００５０】
[0056]  補償利得マトリックスは、６自由度のうちの１つの自由度の力（a force in one of the six degrees of freedom）と、結果として生じる６自由度のうちの１つの自由度のターゲット部分の位置の補償との間の各関係についての補償利得を含む、６×６マトリックスＫｃｏｍｐを含む。補償量も、基板サポートの実際の位置に依存するので、基板サポートのいくつかの位置についてマトリックスを提供してもよい。スキャンの間の基板サポートの移動は、主に投影軸（しばしばＺ方向と呼ばれる）に垂直な平面の２次元であるので、この２次元の平面（ｘ−ｙ平面）上の基板サポートのいくつかの位置について、補償利得マトリックスを提供してもよい。補償利得マトリックスが特定されるいくつかの位置の間の位置について補償利得を計算するために、リアルタイム計算デバイス（real-time calculation device）を提供してもよい。
【００５１】
[0057]  別の実施形態では、１つの補償利得マトリックスを提供することができ、ここで補償利得は、基板サポートの実際の位置の関数である。
【００５２】
[0058]   実質的に正しい位置にある投影システムによって照射されるべきターゲット部分を位置決めするために、基板サポートに加えられた作動力の結果としての、ターゲット部分の位置変化と、基板サポートに取り付けられたセンサの位置変化との間の差が補償されるように、補償利得が選択される。補償マトリックスは多次元マトリックスであるので、上記の修正は、同じ自由度で（例えばｙ方向での作動及び修正）で実施してもよく、また、異なる方向（例えばＲｚ方向でトルク作動し、ｚ方向で修正）で実行してもよい。一般に、制御された自由度のそれぞれにおける作動は、同じ自由度の又はそれぞれ別の自由度の位置修正(a position correction in the same or each other degree of freedom)をもたらし得る。
【００５３】
[0059]  図３の制御方式を用いることによる上述の位置修正によって、基板サポート上で支持される基板のターゲット部分の位置制御が向上し、結果としてよりよいオーバーレイ及び／又はフォーカスが得られる。
【００５４】
[0060]  本発明の一実施形態では、上述の堅牢性補償モデルを取得するために、キャリブレーション方法を用いることができる。当業者にとって当然のことながら、ターゲット部分の適切な位置制御を達成するために、すなわち誤差補償を達成するために、堅牢性補償モデルの補償利得を決定しなければならない。堅牢性補償モデルを得るための基板サポートのキャリブレーション方法をより詳細に説明する。
【００５５】
[0061]  図４は、基板サポート上の基板のターゲット部分の誤差（破線）と比べたサーボ誤差（実線）の、６つの位置出力(ｘ、ｙ、Ｒｚ、ｚ、Ｒｘ、Ｒｙ)に対する６つの入力力／加速（six input forces/accelerations）(Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｒｚ、Ｆｚ、Ｆｒｘ、Ｆｒｙ)についての周波数伝達関数を説明するボードプロット（bode plots）の６×６マトリックスを示す。これらの伝達関数は、センサ（サーボ）の位置とターゲット部分（ウェーハ）の位置の両方を測定できる配列で得られ、これによって、その後、特定の入力力（specific input forces）が基板テーブルに導入される。特に、非対角伝達関数（off-diagonal transfer functions）において、すなわち、ある自由度の入力から別の自由度の出力まで、基板サポートの可撓性が明らかになる。いくつかの入力と出力の組み合わせについて、センサ（サーボ）とターゲット部分（ウェーハ）の場所における感度の差が３ｄＢほどの大きさ又は１０ｄＢにさえなり得ることを、伝達関数は示している。注記しておくが、８００〜１５００Ｈｚを超える高周波数では、内部固有振動数（internal eigen frequency）は伝達関数を支配し始める。
【００５６】
[0062]  基板サポートの異なる位置について、同様の伝達関数を得ることができる。基板サポートは、少なくとも露光段階の間、主にｘ−ｙ平面上で移動するので、ｘ−ｙ平面上のいくつかの位置について伝達関数を決定することができる。注記しておくが、基板サポートの特定の数の位置は、特定のターゲット部分に関するものであり、なぜならば、基板サポートのこれらの位置において、この特定のターゲット部分が投影システムの下に位置付けられ、照射されることになるからである。
【００５７】
[0063]  実質的に同じ配列では、センサ及びターゲット部分の位置上の基板又は基板サポートに加えられるその他の力の影響（effect）が得られるかもしれない。
【００５８】
[0064]  次のステップでは、力／加速の関数としての位置変形（position deformation）を含む伝達関数マトリックスは、補償マトリックスに変換される（translated）。これは、基板サポートの複素逆伝達関数（complex inverse transfer function）（又はより一般的には、制御すべき可動物体の機構）に所望の理想伝達関数（desired ideal transfer function）を乗じることによって行うことができる。その結果として生じる補償モデル（実線で示される）は、測定された基板サポートのそれぞれのｘ−ｙ位置についての周波数依存伝達関数マトリックス（frequency dependent transfer function matrix）である。よりコンパクトな補償マトリックスを得ることが望ましい。このようなマトリックスは、計算された補償マトリックス（破線）上に実関数（real function）をフィッティングさせることによって得ることができる。対角伝達関数（diagonal transfer function）（１自由度の入力から同じ自由度の出力）は、該当する周波数帯域において単位利得（unity gain）を有する。非対角条件（off-diagonal terms）は、二次高域フィルタによって、＋４０ｄＢ／１０進スロープ（decade slope）で近似値を求めることができる。
【００５９】
[0065]  計算された補償マトリックスの近似値（approximations）に基づいて、基板サポートの各ｘ−ｙ位置について実補償マトリックス（real compensation matrix）が得られる。
【００６０】
[0066]  基板サポートの測定されていない位置について補償マトリックスを計算するために、アルゴリズム（例えば補間アルゴリズム）を提供してもよく、その場合、計算は、例えば基板サポートの隣接する測定位置の値に基づく。
【００６１】
[0067]  上記のキャリブレーション方法に関して注記しておくが、いくつかの自由度についてのキャリブレーションの間のターゲット部分の位置測定に関するミッシング情報（missing information）については、その他の自由度の情報に基づいてミッシング（missing）周波数応答関数をフィッティングしてもよい。しかしながら、最適な補償を得るためには、ターゲット位置とセンサ／センサターゲットの両方の位置を測定することが好ましい。
【００６２】
[0068]  本発明の一実施形態に従った位置制御システムは、基板サポートの可撓性と組み合わせた、基板又は基板サポートに加えられた別の力の影響（effect）による、基板サポートのターゲット部分の位置決め誤差の補償のために使用されてもよい。例えば、基板のターゲット部分と投影システムの最終レンズエレメントとの間に、ある量の液体を提供するために、液体閉じ込めシステムが用いられるリソグラフィ装置では、この液体閉じ込めシステムは、基板及び／又は基板サポートに力を加え得る。この力は、液体閉じ込めシステム自体の移動、システム内の液体の流れ、液体を所望の場所に維持するために使用されるガスの影響（effect）、又は液体閉じ込めシステムに対する基板サポートの移動によって引き起こされるかもしれない。
【００６３】
[0069]  液体閉じ込めシステム／サーボ誤差の位置、及び液体閉じ込めシステムの位置制御システムの制御信号を用いることによって、液体閉じ込めシステムによって基板サポートに加えられた力を推定する（estimate）ことが知られている。このような推定モデル（estimation model）は、米国第２００６／１３９６１３号として公開された米国出願第１１／０２２,９５０号（参照することにより、この内容は本明細書に組み込まれる）に記載されている。
【００６４】
[0070]  米国第１１／０２２,９５０号で記載されている制御システムでは、推定された力（estimated force）は、基板サポートに加えられた力について補償力（compensation force）を提供するために、基板サポートの位置制御システムにフィードフォワードされる。しかしながら、この制御システムでは、基板サポートの限定的堅牢性／可撓性は考慮されておらず、このことがフォーカス及び／又はオーバーレイ誤差を引き起こすかもしれない。
【００６５】
[0071]  図６は、本発明の一実施形態にかかる（単純化された）制御方式を示す。この制御方式は、セットポイントジェネレータＳＧｌｉｑと、制御部Ｃｌｉｑと、液体閉じ込めシステムの機構Ｐｌｉｑとを含む、液体閉じ込めシステムの位置制御のための制御方式部分（control scheme part）ＣＯＮｌｉｑを示す。液体閉じ込めシステムに加えられた擾乱力（disturbance force）（これはまた、反対方向で基板／基板サポート上にも加えられる）は、Ｆｄとして示されている。サーボ誤差ｅ及び制御部Ｃｌｉｑの制御信号ｃｔｒｌに基づいて、擾乱推定器（disturbance estimator）Ｄｅｓｔは、擾乱力Ｆｄｅｓｔを推定する。
【００６６】
[0072]  基板サポートの制御方式部分ＣＯＮｓｕｂは、セットポイントジェネレータ ＳＧｓｕｂと、制御部Ｃｓｕｂと、基板サポートの機構Ｐｓｕｂとを含む。擾乱力Ｆｄは、この制御方式では−Ｆｄとして加えられる。なぜならば、この力は、液体閉じ込めシステムに加えられた力とは反対だからである。
【００６７】
[0073]  基板サポートの位置を補償するために、米国特許出願第１１／０２２,９５０号に記載されているとおり、推定擾乱力Ｆｄｅｓｔは、基板サポートコントローラＣｓｕｂの制御信号から減じられて、基板サポートに加えられた擾乱力を補償する。しかしながら、この補償力は、基板サポートの限定的堅牢性を考慮しないかもしれない。
【００６８】
[0074]  よって、本発明の一実施形態に従って、推定力はまた、基板サポートの制御ループに送られる補償信号を計算するために、堅牢性補償モデルＳＣＭｓｕｂにも送られる。基板サポートの可撓性を考慮することによって、ターゲット部分をより正確に位置決めすることができ、結果として、フォーカス及び／又はオーバーレイ誤差の可能性は実質的に低減される。
【００６９】
[0075]  堅牢性補償モデルの値は、少なくともｘ−ｙ平面上の基板サポートの実際の位置に依存するので、セットポイント位置も、堅牢性補償モデルＳＣＭｓｕｂに送られる。別の実施形態では、基板サポートの実際の位置を、堅牢性補償モデルＳＣＭｓｕｂに送ることができる。
【００７０】
[0076]  さらに、液体閉じ込めシステム位置制御システムのサーボ誤差と制御信号に基づいて力を推定する代わりに、堅牢性補償モデルに送られるべき力を計算又は測定してもよい。 
【００７１】
[0077]  上記の説明では、堅牢性補償モデルは、可撓性の結果としての基板のターゲット部分の位置誤差を補償するためのものとして説明してきた。キャリブレーション方法は、この堅牢性補償モデルを取得するためのものとして説明してきた。堅牢性補償モデルを得るためのその他あらゆる適切な方法（例えば有限要素モデリング）を用いてもよく、当該方法は本発明の範囲内であると見なされる。
【００７２】
[0078]  上記の実施形態では、少なくともリソグラフィ装置の露光段階の間に基板サポートに加えられた力に対して、基板サポート上で支持された基板のターゲット部分の位置決めを行うために、基板サポートの可撓性が考慮にされている。これらの力の例は、レベリングのための作動力（actuation forces for leveling）や、液体閉じ込めシステムの存在によって加えられる力である。当業者にとって当然のことであるが、本発明の一実施形態に従った堅牢性補償モデルは、基板サポートに加えられた他のあらゆる外力に対するターゲット部分の位置補償のために使用されてもよく、それは、堅牢性補償モデルに当該外力を送ることができるように、この外力を計算、測定、又は推定することが可能である場合である。すべてのこのような実施形態は、本発明の範囲内であると見なされる。
【００７３】
[0079]   可動物体の限定的堅牢性／可撓性（limited stiffness/flexibility）が考慮されるべき場合、本発明の一実施形態にかかる位置制御システムは、この可動物体の具体的な場所の位置制御のためにも適用することができる。
【００７４】
[0080]  上述の位置制御システムは、コンピュータプログラムのソフトウェアとして、又はハードウェア制御システム、又はその組み合わせ、又はその他あらゆる種類のの適切な制御システムとして実現することができる。 
【００７５】
[0081]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００７６】
[0082]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００７７】
[0083]  本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長、又はおよそこれらの値の波長を有する）、及び極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００７８】
[0084]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
【００７９】
[0085]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、又はこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク）の形態であってもよい。
【００８０】
[0086]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】[0015]  本発明の一実施形態にかかるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0016]  本発明の一実施形態にかかるリソグラフィ装置のステージを示す。
【図３】[0017]  図２の実施形態にかかるリソグラフィ装置の制御方式を概略的に示す。
【図４】[0018]  本発明の一実施形態に従って基板サポートの位置について決められた基板サポートにかかる加速力（acceleration forces）の結果として、サーボとターゲット部分の誤差との関係を説明する周波数伝達関数マトリックスを示す。
【図５】[0019]  本発明の一実施形態にかかる堅牢性補償モデルを示す。
【図６】[0020]  液体閉じ込めシステムを含む、本発明の一実施形態にかかるリソグラフィ装置の制御方式を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【外国語明細書】
2008258613000001.pdf