(57)【要約】【課題】アンテナを複数設ける場合であっても、アンテナの配置が制限されず集積回路部とアンテナの接続不良を低減し、且つ通信機との通信距離の低減を防止することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁性を有する基体の第１の面上に薄膜トランジスタを具備する集積回路部を設け、当該集積回路部上に第１のアンテナを設け、基体の第２の面上に第２のアンテナを設け、第１のアンテナを集積回路部と接続させ、第２のアンテナを基体に形成された貫通孔を介して集積回路部と接続させ、第１のアンテナ及び第２のアンテナを集積回路部と重畳させて設ける。【選択図】図１
2008217776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有する基体の第１の面上に設けられ、薄膜トランジスタを具備する集積回路部と、
前記集積回路部上に設けられた第１のアンテナと、
前記基体の第２の面上に設けられた第２のアンテナとを有し、
前記第１のアンテナは、前記集積回路部と接続され、
前記第２のアンテナは、前記基体に形成された貫通孔を介して前記集積回路部と接続され、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナが前記集積回路部と重畳していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁性を有する基体の第１の面上に設けられ、薄膜トランジスタを具備する集積回路部と、
前記集積回路部上に設けられた第１のアンテナと、
基板上に設けられた第２のアンテナとを有し、
前記第１のアンテナは、前記集積回路部と接続され、且つ前記集積回路部と重畳して設けられ、
前記第２のアンテナは、前記基体に形成された貫通孔を介して前記集積回路部と接続され、
前記集積回路部の面積と前記基板の面積が概略同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記基板は、前記基体の第２の面と接着していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁性を有する基体の第１の面上に設けられ、薄膜トランジスタを具備する第１の集積回路部及び第２の集積回路部と、
前記第１の集積回路部上及び前記第２の集積回路部上に設けられた第１のアンテナと、
前記基体の第２の面上に設けられた第２のアンテナとを有し、
前記第１のアンテナは、前記第１の集積回路部と接続され、
前記第２のアンテナは、前記基体に形成された貫通孔を介して前記第２の集積回路部と接続され、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナが前記第１の集積回路部及び前記第２の集積回路部と重畳していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の集積回路部と前記第２の集積回路部は、それぞれ送受信回路部を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１のアンテナと前記第２のアンテナは、異なる周波数を受信することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁性を有する基体の第１の面上に設けられ、薄膜トランジスタを具備する集積回路部と、
前記集積回路部上に設けられた第１のアンテナと、
前記基体の第２の面上に設けられた第２のアンテナと、
前記第１のアンテナの上方に設けられた第３のアンテナとを有し、
前記第１のアンテナは、前記集積回路部と接続され、前記第３のアンテナを介して情報の送受信を行い、
前記第２のアンテナは、前記基体に形成された貫通孔を介して前記集積回路部と接続され、
前記第３のアンテナは、前記集積回路部と絶縁されたブースターアンテナであり、
前記第１のアンテナ、前記第２のアンテナ及び前記第３のアンテナが前記集積回路部と重畳していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
絶縁性を有する基体の第１の面上に設けられ、薄膜トランジスタを具備する集積回路部と、
前記集積回路部上に設けられた第１のアンテナと、
第１の基板上に設けられた第２のアンテナと、
第２の基板上に設けられた第３のアンテナとを有し、
前記第１の基板は前記基体の第２の面と接着し、
前記第２の基板は、前記第１のアンテナの上方に設けられた絶縁膜と接着し、
前記第１のアンテナは、前記集積回路部と接続され、前記第３のアンテナを介して情報の送受信を行い、
前記第２のアンテナは、前記基体に形成された貫通孔を介して前記集積回路部と接続され、
前記第３のアンテナは、前記集積回路部と絶縁されたブースターアンテナであり、
前記集積回路部の面積と、前記第１の基板の面積及び前記第２の基板の面積が概略同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
前記第２のアンテナと前記第３のアンテナは、異なる周波数を受信することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項２又は請求項８において、
前記集積回路部の面積は、９ｍｍ２〜４００ｍｍ２であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。特に電磁波を利用して無線通信を行う半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電磁波を無線通信に利用した個体識別技術が注目を集めている。特に、無線通信によりデータの交信を行う半導体装置として、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）を利用した半導体装置（ＲＦＩＤタグ、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）タグ、ＩＣチップ、ＲＦタグ、無線タグ、電子タグとも呼ばれる）による個体識別技術が注目を集めている。ＲＦＩＤを利用した半導体装置による個体識別技術は、個々の対象物の生産、管理等に役立てられ始めており、個人認証への応用に向けて実用化も進んでいる。また、最近では、複数の周波数を用いて情報の書き込み及び読み出しを行うタグが提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
このような半導体装置は、メモリ回路等を備えた信号処理回路を有する集積回路部とアンテナとによって構成される。一般的に、半導体装置を構成する集積回路部を有するチップは、一枚のシリコン基板から複数個作製され、チップを微細に形成することによって低コスト化を図っている。例えば、特許文献２では、シリコンウエハに複数のチップを０．５ｍｍ以下で作製することにより、経済的にも歩留まり的にも有利であることが記載されている。
【特許文献１】特開２００５−２５２８５３号公報
【特許文献２】特開２００４−７８９９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、複数のアンテナを有する半導体装置において、同一面上に複数のアンテナを設ける場合、アンテナの配置（レイアウト）の制限により、それぞれのアンテナの大きさや形状が制限され通信距離が短くなるおそれがある。また、複数のアンテナをそれぞれ別の基板上に設け、集積回路部が設けられた微小なチップに貼り合わせて設ける場合、接続不良が問題となる。
【０００５】
一方、微小なチップとアンテナとの接続不良を防止するためにアンテナをチップに作り込んで内蔵（オンチップ化）することが考えられるが、微小なチップへのアンテナのオンチップ化はアンテナサイズが小さくなり通信距離が短くなる問題がある。接続不良の防止や通信距離の低減を防止するためにシリコン基板からなるチップのサイズを大きくすることが考えられるが、コストの増大やシリコンチップの破損が問題となる。
【０００６】
本発明は、上記問題を鑑み、アンテナを複数設ける場合であっても、アンテナの配置が制限されず集積回路部とアンテナの接続不良を低減し、且つ通信機との通信距離の低減を防止することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体装置は、集積回路部と複数のアンテナを有し、集積回路部のサイズを所望のアンテナサイズに近づけ、集積回路部とアンテナとの接続を容易にし、通信機との信号の送受信を確実に行うことができることを特徴とする。以下に、具体的な構成を示す。
【０００８】
本発明の半導体装置の一は、絶縁性を有する基体の第１の面上に設けられ、薄膜トランジスタを具備する集積回路部と、集積回路部上に設けられた第１のアンテナと、基体の第２の面上に設けられた第２のアンテナとを有し、第１のアンテナは、集積回路部と接続され、第２のアンテナは、基体に形成された貫通孔を介して集積回路部と接続され、第１のアンテナ及び第２のアンテナが集積回路部と重畳している。
【０００９】
本発明の半導体装置の一は、絶縁性を有する基体の第１の面上に設けられ、薄膜トランジスタを具備する集積回路部と、集積回路部上に設けられた第１のアンテナと、基板上に設けられた第２のアンテナとを有し、第１のアンテナは、集積回路部と接続され、且つ集積回路部と重畳して設けられ、第２のアンテナは、基体に形成された貫通孔を介して集積回路部と接続され、集積回路部の面積と基板の面積が概略同一であることを特徴としている。例えば、集積回路部の面積は、９ｍｍ２〜４００ｍｍ２で設けることができる。また、基板を基体の第２の面と接着させた構造としてもよい。
【００１０】
本発明の半導体装置の一は、絶縁性を有する基体の第１の面上に設けられ、薄膜トランジスタを具備する第１の集積回路部及び第２の集積回路部と、第１の集積回路部上及び第２の集積回路部上に設けられた第１のアンテナと、基体の第２の面上に設けられた第２のアンテナとを有し、第１のアンテナは、第１の集積回路部と接続され、第２のアンテナは、基体に形成された貫通孔を介して第２の集積回路部と接続され、第１のアンテナ及び第２のアンテナが第１の集積回路部及び第２の集積回路部と重畳している。
【００１１】
本発明の半導体装置の一は、絶縁性を有する基体の第１の面上に設けられ、薄膜トランジスタを具備する集積回路部と、集積回路部上に設けられた第１のアンテナと、基体の第２の面上に設けられた第２のアンテナと、第１のアンテナの上方に設けられた第３のアンテナとを有し、第１のアンテナは、集積回路部と接続され、第３のアンテナを介して情報の送受信を行い、第２のアンテナは、基体に形成された貫通孔を介して集積回路部と接続され、第３のアンテナは、集積回路部と絶縁されたブースターアンテナであり、第１のアンテナ、第２のアンテナ及び第３のアンテナが集積回路部と重畳している。
【００１２】
本発明の半導体装置の一は、絶縁性を有する基体の第１の面上に設けられ、薄膜トランジスタを具備する集積回路部と、集積回路部上に設けられた第１のアンテナと、第１の基板上に設けられた第２のアンテナと、第２の基板上に設けられた第３のアンテナとを有し、第１の基板は基体の第２の面と接着し、第２の基板は、第１のアンテナの上方に設けられた絶縁膜と接着し、第１のアンテナは、集積回路部と接続され、第３のアンテナを介して情報の送受信を行い、第２のアンテナは、基体に形成された貫通孔を介して集積回路部と接続され、第３のアンテナは、集積回路部と絶縁されたブースターアンテナであり、集積回路部の面積と、第１の基板の面積及び第２の基板の面積が概略同一であることを特徴としている。例えば、集積回路部の面積は、９ｍｍ２〜４００ｍｍ２で設けることができる。
【００１３】
上記構成において、基体は、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板、又はプラスチック基板等の基板や、酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）膜等の絶縁膜で設けることができる。
【００１４】
本明細書において、「通信機」とは半導体装置と無線通信により情報の送受信を行う手段を有していればよく、例えば、情報を読み取るリーダや、読み取り機能及び書き込み機能を備えたリーダ／ライタ等が挙げられる。また、読み取り機能と書き込み機能の一方又は両方を備える携帯電話やコンピュータ等も含まれる。
【００１５】
なお、本発明において、トランジスタは、様々な形態のトランジスタを適用させることが出来る。よって、適用可能なトランジスタの種類に限定はない。したがって、例えば、非晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを適用することが出来る。また、インクジェットや印刷法を用いて作成したトランジスタなどを適用することが出来る。これらにより、室温における製造、真空度の低い状態における製造、大型基板を用いて製造することができる。また、マスク（レチクル）を用いなくても製造することが可能となるため、トランジスタのレイアウトを容易に変更することが出来る。また、有機半導体やカーボンナノチューブを有するトランジスタ、その他のトランジスタを適用することができる。これらにより、曲げることが可能な基板上にトランジスタを形成することが出来る。なお、非単結晶半導体膜には水素またはハロゲンが含まれていてもよい。また、トランジスタが配置されている基板の種類は、様々なものを用いることができ、特定のものに限定されることはない。
【００１６】
なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができる。特定の構成に限定されない。例えば、ゲート電極が２個以上になっているマルチゲート構造を用いてもよい。マルチゲート構造にすると、チャネル領域が直列に接続されるような構成となるため、複数のトランジスタが直列に接続されたような構成となる。マルチゲート構造にすることにより、オフ電流の低減や、トランジスタの耐圧を向上させることによる信頼性の向上や、飽和領域で動作する時に、ドレインとソース間電圧が変化しても、ドレインとソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることなどができる。また、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、チャネル領域が増えるため、電流値が大きくなったり、空乏層ができやすくなってＳ値を小さくすることができる。チャネルの上下にゲート電極が配置されると、複数のトランジスタが並列に接続されたような構成となる。
【００１７】
また、チャネルの上にゲート電極が配置されている構造でもよいし、チャネルの下にゲート電極が配置されている構造でもよいし、正スタガ構造であってもよいし、逆スタガ構造でもよい。また、チャネル領域が複数の領域に分かれていてもよいし、複数のチャネル領域が並列に接続されていてもよいし、直列に接続されていてもよい。また、チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なっていてもよい。チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なっている構造にすることにより、チャネルの一部に電荷がたまって、動作が不安定になることを防ぐことができる。また、ＬＤＤ領域があってもよい。ＬＤＤ領域を設けることにより、オフ電流の低減や、トランジスタの耐圧を向上させることによる信頼性の向上や、飽和領域で動作する時に、ドレインとソース間電圧が変化しても、ドレインとソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。
【００１８】
なお、本発明において、半導体装置とは半導体素子（トランジスタやダイオードなど）を含む回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般でもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、アンテナを複数設ける場合であっても、アンテナの配置が制限されず、所望の形状で設けることができる。また、アンテナと集積回路部との接続不良を低減し、通信機との通信距離の低減を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本明細書中の図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その説明は省略する場合がある。
【００２１】
（実施の形態１）
本発明の半導体装置は、異なる面に設けられた複数のアンテナを有し、少なくとも一つの面に設けられたアンテナは集積回路部上に作り込まれたオンチップアンテナであることを特徴とする。以下に、異なる２つの面に設けられた複数のアンテナを有し、一方の面に設けられたアンテナが集積回路と同一の工程で形成したオンチップアンテナである構成に関して図１を参照して説明する。なお、図１（Ａ）は半導体装置の上面の模式図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＡ１−Ｂ１間の断面の模式図である。
【００２２】
本実施の形態で示す半導体装置は、絶縁性を有する基体（ここでは、基板１０１）の第１の面（以下、「一方の面」とも記す）側に設けられた集積回路部１０２と、当該集積回路部１０２の上方に設けられた第１のアンテナ１０３ａと、絶縁性を有する基体（基板１０１）の第２の面（以下、「他方の面」とも記す）側に設けられた第２のアンテナ１０３ｂを有している。第１のアンテナ１０３ａは、集積回路部１０２の上方に作り込まれたオンチップアンテナであり、集積回路部１０２と重畳するように電気的に接続されている。第２のアンテナ１０３ｂは、絶縁性を有する基体（基板１０１）に設けられた貫通孔１０４を介して集積回路部１０２と電気的に接続するように設けられたアンテナである。
【００２３】
また、図１に示す半導体装置は、第１のアンテナ１０３ａと第２のアンテナ１０３ｂが異なる周波数を受信する構成とすることができる。例えば、第１のアンテナ１０３ａをコイル状に設け、第２のアンテナ１０３ｂを線状（Ｌ字型）に設けることにより、半導体装置が異なる周波数を受信することができる。なお、半導体装置にコイル状のアンテナを設ける場合には、コイル状のアンテナの内側に位置する集積回路部１０２にトランジスタ等の素子を設けない領域１０５を設けた構成とすることが望ましい。領域１０５を設けることにより、コイル状に設けられた第１のアンテナ１０３ａが電磁誘導により通信機と通信を行う際の磁界を通しやすくすることができる。
【００２４】
基板１０１は、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板、又はプラスチック基板等を用いる。このような基板であれば、シリコン（Ｓｉ）基板と比較してその面積や形状に大きな制限はないため、例えば、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格段に向上させることができる。このような利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。従って、集積回路部１０２を大きく形成した場合（例えば、面積が９ｍｍ２〜４００ｍｍ２）であってもシリコン基板と比較して、低コスト化が実現でき且つアンテナ１０３ａ、１０３ｂを大きく形成することが可能となり通信距離の拡大を図ることができる。また、基板１０１を可撓性を有する材料で設けることにより、商品の湾曲した面等に半導体装置を設けることができる。
【００２５】
集積回路部１０２は、トランジスタ等の素子やこれらの素子を接続する配線等を有しており、大型の基板に複数形成され当該大型の基板を切り分けることにより得られるチップに設けられる。集積回路部１０２に設けられる素子は、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン等に代表される非単結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタで構成することができる。薄膜トランジスタを用いる場合、様々なメリットがある。例えば、シリコンウエハより切り出された単結晶シリコンを用いた半導体装置よりも低い温度で製造できるため、製造コストの削減、又は製造装置の大型化を図ることができる。また、製造装置を大きくできるため、大型基板上に製造できる。そのため、同時に多くの個数の半導体装置を製造できるため、低コストで製造できる。さらに、製造温度が低いため、耐熱性の弱い基板を用いることができる。そのため、安価なガラス基板上にトランジスタを製造できる。そして、ガラス基板は透明であるため、基板上のトランジスタを用いた半導体装置での光の透過を制御することが出来る。あるいは、トランジスタの膜厚が薄いため、トランジスタを構成する膜の一部は、光を透過させることが出来る。そのため、デザイン性の向上を図ることもできる。
【００２６】
アンテナ１０３ａは、スパッタリング法や、ＣＶＤ法、スピンコーティング法などにより導電膜を形成した後、当該導電膜をパターニングして形成してもよいし、インクジェット法に代表される液滴吐出法又はスクリーン印刷法などにより形成してもよいし、アディティブ法またはセミアディティブ法等のめっき技術などを用いて形成してもよい。アンテナ１０３ｂは、アンテナ１０３ａが形成された面と異なる面に基板１０１を介して集積回路部１０２と電気的に接続して設ければよい。
【００２７】
図１では、基板１０１の他方の面にアンテナ１０３ｂを設けた例を示している。この場合、基板１０１の他方の面に液滴吐出法、スクリーン印刷法等により形成することができる。また、他にも、あらかじめアンテナ１０３ｂが設けられた基板と、絶縁性を有する基体（ここでは、基板１０１）の他方の面とを接着性を有する樹脂により貼り合わせて（接着させて）設けてもよい。貼り合わせて設ける場合には、アンテナ１０３ｂと集積回路部１０２ｂとの電気的な接続は、導電性粒子等を用いることができる。
【００２８】
貫通孔１０４は、どのような形状（矩形状、円状、楕円状等）で設けてもよい。
【００２９】
領域１０５は、集積回路部１０２において、トランジスタ等の素子や配線等が設けられていない領域であるが、必ずしも設ける必要はない。アンテナ１０３ａ又はアンテナ１０３ｂの一方をコイル状とする場合等に磁界を通しやすくするために設けることが好ましい。
【００３０】
図１に示したように、複数のアンテナを異なる面に設けることによって、個々のアンテナの形状を大きくすることができる。その結果、波長が長い電磁波の受信や通信距離の拡大が可能となる。また、個々のアンテナのレイアウトを自由に設計できるため、受信する電磁波の波長に応じて、様々な形状のアンテナの形成が可能となる。また、一方の面に設けられたアンテナをオンチップアンテナとすることによって、別々の基板上に形成されたアンテナをそれぞれ集積回路部に貼り合わせて設ける必要がないため、集積回路部とアンテナとの接続不良を防止することができる。
【００３１】
また、貼り合わせ等により設けるアンテナ１０３ｂをアンテナ１０３ａの上方に設けた構成としてもよいが、集積回路部１０２及びアンテナ１０３ａが設けられた基板１０１の面と反対側の面に設けることによって、集積回路部１０２とアンテナ１０３ｂとの接続に用いられる配線がアンテナ１０３ａの配置場所を制限することがないため好ましい。
【００３２】
本実施の形態で示す半導体装置は、集積回路部１０２の面積Ｓを基板１０１の面積Ｓ’に近づけるように設ける。好ましくは、概略同じ面積（Ｓ＝Ｓ’）とする。このように設けることによって、集積回路部１０２と同一の工程で作り込まれるアンテナ１０３ａを大きく形成することができるため、通信距離の拡大が可能となる。本実施の形態では、上述したように一枚の大型基板から集積回路部１０２が設けられたチップを複数個作製が可能であるため、集積回路部１０２を大きく設けた場合であってもＳｉ基板を用いた場合と比較して低コスト化を図ることができる。
【００３３】
また、アンテナ１０３ｂの大部分（好ましくは全部）が集積回路部１０２と重なる構成としてもよい。このように設けることにより、大型基板に形成された複数の集積回路部１０２を切り分ける際に集積回路部１０２のサイズに応じて切り分けることができるため、１枚の大型基板から複数の半導体装置を得ることができる。また、大型基板に形成された複数の集積回路部１０２を切り分ける前にそれぞれの集積回路部１０２にアンテナ１０３ｂを貼り合わせることができるため、工程を簡略化することができる。この場合、集積回路部１０２が、アンテナ１０３ａ及びアンテナ１０３ｂと重畳した構成となる。なお、アンテナ１０３ｂと集積回路部１０２を重ねて設ける場合であっても、集積回路部１０２の面積を大きく設けることにより、通信距離の低下を抑制することができる。
【００３４】
次に、本実施の形態で示す半導体装置についてブロック図を参照して説明する。
【００３５】
図２に示す半導体装置は、第１のアンテナ１０３ａ及び第２のアンテナ１０３ｂと、送受信回路部１１０と、メモリ回路１１４と、メモリ制御回路１１５と、電源回路１１６とを有している。また、送受信回路部１１０は、第１のアンテナ１０３ａ又は第２のアンテナ１０３ｂで受信した無線信号の電力を電源電位に変換する整流回路１１１、無線信号からデータを取り出す復調回路１１２、送受信回路部１１０よりデータを送信する変調回路１１３により構成されている。
【００３６】
整流回路１１１は、一例として、第１のアンテナ１０３ａ又は第２のアンテナ１０３ｂで受信した交流信号を整流化及び平滑化して電源回路１１６に直流信号を供給する回路である。復調回路１１２は、一例として、第１のアンテナ１０３ａ又は第２のアンテナ１０３ｂで受信した交流信号をダイオード等により復調した信号に変換し、メモリ制御回路１１５に出力する回路である。変調回路１１３は、一例として、メモリ制御回路１１５により読み出されたデータをもとに、半導体装置の入力インピーダンスの変化に応じて、通信機から出力された搬送波を反射する強度を変化させてＡＳＫ（振幅偏移；Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ  ｓｈｉｆｔ  ｋｅｙｉｎｇ）変調を行い、通信機にデータを送信する回路とすることができる。
【００３７】
メモリ回路１１４は、集積回路部１０２のデータを保持する回路であり、一例として、不揮発性メモリに分類されるマスクＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、強誘電体メモリなどを用いることができる。なお、半導体装置にバッテリーを設け、メモリ回路１１４に電力が定常的に供給される構成であれば、揮発性メモリに分類されるＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）を用いることもできる。
【００３８】
メモリ制御回路１１５は、送受信回路部１１０より出力された復調信号に基づいてメモリ回路１１４からのデータの読み出しを制御する回路であり、一例として、薄膜トランジスタで構成される複数の論理回路を組み合わせてメモリ回路１１４からのデータの読み出しを制御する回路とすることができる。
【００３９】
電源回路１１６は、一例として、薄膜トランジスタを用いて構成されるレギュレータにより、入力される信号を定電圧化する回路とすることができる。
【００４０】
なお、半導体装置において、無線通信の信号の伝送方式は、電磁結合方式、電磁誘導方式（例えば、１３．５６ＭＨｚ帯）、電界方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯等）を適用することができる。電磁結合方式を用いる場合には、第１のアンテナ１０３ａ、第２のアンテナ１０３ｂをコイル状に設け、電解方式を用いる場合には、第１のアンテナ１０３ａ、第２のアンテナ１０３ｂをモノポールアンテナ、ダイポールアンテナ、パッチアンテナ等にすればよい。もちろん、半導体装置において、電磁誘導方式と電界方式の双方により通信する構成としても良いし、電磁誘導方式又は電界方式の一方のみによって通信を行う構成としても良い。
【００４１】
また、図２に示した半導体装置において、第１のアンテナ１０３ａと第２のアンテナ１０３ｂの一方を受信専用のアンテナとし、他方を送信専用のアンテナとして設けた構成としてもよい（図３参照）。この場合、半導体装置は、情報の受信と送信を異なる波長の電磁波を利用して行うことができる。
【００４２】
なお、本実施の形態では、半導体装置に２つのアンテナを設けた場合を示したが、これに限られず３つ以上のアンテナを設けた構成としてもよい。より複数のアンテナを設けた場合であっても、異なる２つの面に複数のアンテナを設けることによって、アンテナのレイアウトの制限を緩和することができる。
【００４３】
本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した半導体装置の構成と組み合わせて実施することができる。
【００４４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる半導体装置の構成に関して図面を参照して説明する。なお、図４（Ａ）は半導体装置の上面の模式図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）におけるＡ１−Ｂ１間の断面の模式図である。
【００４５】
本実施の形態で示す半導体装置は、基板１０１の第１の面（一方の面）側に設けられた集積回路部１０２と、当該集積回路部１０２の上方に設けられた第１のアンテナ１０３ａと、基板１０１の第２の面（他方の面）側に設けられた第２のアンテナ１０３ｂを有している（図４参照）。集積回路部１０２は、第１の集積回路部１０２ａと第２の集積回路部１０２ｂとを有し、それぞれ第１のアンテナ１０３ａ、第２のアンテナ１０３ｂと電気的に接続されている。
【００４６】
第１のアンテナ１０３ａは、第１の集積回路部１０２ａと電気的に接続するように作り込まれたオンチップアンテナである。第２のアンテナ１０３ｂは、基板１０１に設けられた貫通孔１０４を介して第２の集積回路部１０２ｂと電気的に接続するように設けられたアンテナである。
【００４７】
なお、図４では、アンテナ１０３ｂが設けられた基板１３１と絶縁性を有する基体（ここでは、基板１０１）の他方の面を、接着性を有する樹脂１３３を用いて貼り合わせた例を示している。また、アンテナ１０３ｂと第２の集積回路部１０２ｂは導電性粒子１３２により電気的に接続されている。もちろん、図１に示したように、基板１０１の他方の面にアンテナ１０３ｂを直接設けた構造としてもよい。
【００４８】
また、第１の集積回路部１０２ａは、第１の送受信回路部１１０ａと、第１のメモリ回路１１４ａと、第１のメモリ制御回路１１５ａと、第１の電源回路１１６ａとを有している。第１の送受信回路部１１０ａは、第１のアンテナ１０３ａで受信した無線信号の電力を電源電位に変換する第１の整流回路１１１ａ、無線信号からデータを取り出す第１の復調回路１１２ａ、第１の送受信回路部１１０ａよりデータを送信する第１の変調回路１１３ａにより構成されている（図５参照）。
【００４９】
また、第２の集積回路部１０２ｂは、第２の送受信回路部１１０ｂと、第２のメモリ回路１１４ｂと、第２のメモリ制御回路１１５ｂと、第２の電源回路１１６ｂとを有している。第２の送受信回路部１１０ｂは、第２のアンテナ１０３ｂで受信した無線信号の電力を電源電位に変換する第２の整流回路１１１ｂ、無線信号からデータを取り出す第２の復調回路１１２ｂ、第２の送受信回路部１１０ｂよりデータを送信する第２の変調回路１１３ｂにより構成されている。
【００５０】
本実施の形態で示す半導体装置は、上記実施の形態１で示した半導体装置と比較して複数のアンテナ毎に集積回路部を設ける点が異なっており、それぞれのアンテナの送受信を独立して制御することができる。従って、異なる周波数の無線信号をそれぞれのアンテナで同時に送受信することが可能となる。
【００５１】
また、半導体装置にコイル状のアンテナを設ける場合には、コイル状のアンテナの内部に位置する第１の集積回路部１０２ａと第２の集積回路部１０２ｂの一方又は両方にトランジスタ等の素子を設けない領域を設けてもよい。当該領域を設けることにより、コイル状に設けられたアンテナが電磁誘導により通信機と通信を行う際の磁界を通しやすくすることができる。
【００５２】
また、基板１０１として可撓性を有する材料を用いた場合には、商品の湾曲した面等に半導体装置を設けることができる。この場合、第１の集積回路部１０２ａと第２の集積回路部１０２ｂとの間に薄膜トランジスタ等の素子を設けない領域１２１を形成し、当該領域に選択的に応力を集中させる構造とすることによって、半導体装置を曲げた場合であっても素子の破損を防ぐことができる。例えば、領域１２１における半導体装置の表面の絶縁膜１２３と基板１０１（アンテナ１０３ｂを貼り合わせた場合には基板１３１）の一方又は両方（ここでは、基板１０１）に凹部１２２を設ける構成とすることができる（図６参照）。その結果、半導体装置が湾曲させた場合に選択的に領域１２１に応力を集中させることができ、曲面に沿って半導体装置を設けた場合であっても薄膜トランジスタ等の素子の破損を防ぐことができる。
【００５３】
本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した半導体装置の構成と組み合わせて実施することができる。
【００５４】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる半導体装置の構成に関して図面を参照して説明する。なお、図７（Ａ）は半導体装置の上面の模式図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）におけるＡ１−Ｂ１間の断面の模式図である。
【００５５】
本実施の形態で示す半導体装置は、基板１０１の第１の面（一方の面）側に設けられた集積回路部１０２と、当該集積回路部１０２の上方に設けられた第１のアンテナ１０３ａと、当該第１のアンテナ１０３ａの上方に設けられた第３のアンテナ１０３ｃと、基板の第２の面（他方の面）側に設けられた第２のアンテナ１０３ｂを有している（図７参照）。また、ここでは、第１のアンテナ１０３ａと、集積回路部１０２を構成する薄膜トランジスタと電気的に接続される配線１３４を同一の面上に設けた場合を示している。
【００５６】
第１のアンテナ１０３ａは、集積回路部１０２と電気的に接続するように作り込まれたオンチップアンテナである。第２のアンテナ１０３ｂは、基板１０１に設けられた貫通孔１０４を介して集積回路部１０２と電気的に接続して設けられたアンテナである。第３のアンテナ１０３ｃは、第１のアンテナ１０３ａの通信距離を拡大するために設けられたブースターアンテナである。
【００５７】
図７では、アンテナ１０３ｃが設けられた基板１３５と絶縁膜１２３とを、接着性を有する樹脂１３６を用いて貼り合わせて設けた例を示している。ブースターアンテナとして機能する第３のアンテナ１０３ｃは、集積回路部１０２、第１のアンテナ１０３ａと電気的に接続する必要がないため、絶縁状態となっている。従って、第３のアンテナ１０３ｃを貼り合わせて設ける場合であっても集積回路部１０２等と電気的な接続をとる必要がないため、接続不良が生じるおそれがない。
【００５８】
なお、図７において、第２のアンテナ１０３ｂは基板１０１の他方の面に設けられた例を示しているが、図４に示すように第２のアンテナ１０３ｂが設けられた基板１３１と基板１０１の他方の面を貼り合わせて設けてもよい。
【００５９】
本実施の形態で示す半導体装置は、第２のアンテナ１０３ｂ又は第３のアンテナ１０３ｃを利用して通信機１３０との無線通信を行い、第３のアンテナ１０３ｃで受信した信号は第１のアンテナ１０３ａとの電磁誘導により集積回路部１０２に供給される（図８参照）。なお、上記図５に示したように、第１のアンテナ１０３ａと接続する第１の集積回路部と第２のアンテナ１０３ｂと接続する第２の集積回路部を設けた構成としてもよい。
【００６０】
このように、第３のアンテナ１０３ｃを設けることによって、第１のアンテナ１０３ａと集積回路部１０２を構成する配線１３４とを同一面上に設ける場合や、同一面上に複数のオンチップアンテナを設ける場合等の、第１のアンテナ１０３ａのレイアウトが制限される場合であっても、通信距離の低下を抑制することができる。
【００６１】
本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態で示した半導体装置の構成と組み合わせて実施することができる。
【００６２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した半導体装置の作製方法の一例に関して、図面を参照して説明する。本実施の形態においては、半導体装置の集積回路部を薄膜トランジスタ等の素子で設ける場合について説明する。なお、本実施の形態では、薄膜トランジスタ等の素子を一度支持基板に設けた後、可撓性を有する基板に転置して半導体装置を作製する場合に関して説明する。また、本実施の形態では、一つの基板に集積回路部が設けられた複数のチップ及びアンテナを形成し（ここでは、縦４×横３）、複数の半導体装置を作製する場合について説明する。以下の説明において、図９、図１０は上面図の模式図であり、図１１〜図１５は図９、図１０におけるＡ−Ｂ間の断面図の模式図である。
【００６３】
まず、基板７０１の一表面に剥離層７０２を形成し、続けて下地となる絶縁膜７０３および非晶質半導体膜７０４（例えば非晶質珪素を含む膜）を形成する（図９（Ａ）、図１１（Ａ）参照）。剥離層７０２、絶縁膜７０３および非晶質半導体膜７０４は、連続して形成することができる。連続して形成することにより、大気に曝されないため不純物の混入を防ぐことができる。なお、以下の工程において、図９（Ａ）に示された複数の領域７５０にそれぞれ半導体装置を構成する集積回路部及びアンテナが形成される。
【００６４】
基板７０１は、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板等を用いるとよい。このような基板であれば、その面積や形状に大きな制限はないため、例えば、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格段に向上させることができる。このような利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。従って、集積回路部を大きく形成した場合であっても、シリコン基板を用いる場合と比較して低コスト化を実現することができる。
【００６５】
なお、本工程では、剥離層７０２を基板７０１の全面に設けているが、必要に応じて、基板７０１の全面に剥離層を設けた後に、フォトリソグラフィ法により剥離層７０２を選択的に設けてもよい。また、基板７０１に接するように剥離層７０２を形成しているが、必要に応じて、基板７０１に接するように酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）膜等の絶縁膜を形成し、当該絶縁膜に接するように剥離層７０２を形成してもよい。
【００６６】
剥離層７０２は、金属膜や金属膜と金属酸化膜の積層構造等を用いることができる。金属膜としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる膜を単層又は積層して形成する。また、これらの材料は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法等を用いて形成することができる。金属膜と金属酸化膜の積層構造としては、上述した金属膜を形成した後に、酸素雰囲気化またはＮ２Ｏ雰囲気下におけるプラズマ処理、酸素雰囲気化またはＮ２Ｏ雰囲気下における加熱処理を行うことによって、金属膜表面に当該金属膜の酸化物または酸化窒化物を設けることができる。また、金属膜を形成した後に、オゾン水等の酸化力の強い溶液で表面を処理することにより、金属膜表面に当該金属膜の酸化物又は酸化窒化物を設けることができる。
【００６７】
絶縁膜７０３は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等により、珪素の酸化物または珪素の窒化物を含む膜を、単層又は積層で形成する。下地となる絶縁膜が２層構造の場合、例えば、１層目として窒化酸化珪素膜を形成し、２層目として酸化窒化珪素膜を形成するとよい。下地となる絶縁膜が３層構造の場合、１層目の絶縁膜として酸化珪素膜を形成し、２層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を形成し、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成するとよい。または、１層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成し、２層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を形成し、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成するとよい。下地となる絶縁膜は、基板７０１からの不純物の侵入を防止するブロッキング膜として機能する。
【００６８】
半導体膜７０４は、スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により、２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１５０ｎｍ）の厚さで形成する。半導体膜７０４としては、例えば、非晶質珪素膜を形成すればよい。
【００６９】
次に、半導体膜７０４にレーザー光を照射して結晶化を行う。なお、レーザー光の照射と、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法とを組み合わせた方法等により半導体膜７０４の結晶化を行ってもよい。その後、得られた結晶質半導体膜を所望の形状にエッチングして、結晶質半導体膜７０４ａ〜７０４ｄを形成し、当該半導体膜７０４ａ〜７０４ｄを覆うようにゲート絶縁膜７０５を形成する（図１１（Ｂ）参照）。
【００７０】
結晶質半導体膜７０４ａ〜７０４ｄの作製工程の一例を以下に簡単に説明すると、まず、プラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚５０〜６０ｎｍの非晶質半導体膜（例えば、非晶質珪素膜）を形成する。次に、結晶化を助長する金属元素であるニッケルを含む溶液を非晶質半導体膜上に保持させた後、非晶質半導体膜に脱水素化の処理（５００℃、１時間）と、熱結晶化の処理（５５０℃、４時間）を行って結晶質半導体膜を形成する。その後、レーザー発振器からレーザー光を照射し、フォトリソグラフィ法を用いることよって結晶質半導体膜７０４ａ〜７０４ｄを形成する。なお、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化を行わずに、レーザー光の照射だけで非晶質半導体膜の結晶化を行ってもよい。
【００７１】
レーザー発振器としては、連続発振型のレーザービーム（ＣＷレーザービーム）やパルス発振型のレーザービーム（パルスレーザービーム）を用いることができる。ここで用いることができるレーザービームは、Ａｒレーザー、Ｋｒレーザー、エキシマレーザーなどの気体レーザー、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザー、銅蒸気レーザーまたは金蒸気レーザーのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。このようなレーザービームの基本波、及びこれらの基本波の第２高調波から第４高調波のレーザービームを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いることができる。このときレーザーのパワー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。そして、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。なお、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザー、Ａｒイオンレーザー、またはＴｉ：サファイアレーザーは、連続発振をさせることが可能であり、Ｑスイッチ動作やモード同期などを行うことによって１０ＭＨｚ以上の発振周波数でパルス発振をさせることも可能である。１０ＭＨｚ以上の発振周波数でレーザービームを発振させると、半導体膜がレーザーによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に照射される。従って、発振周波数が低いパルスレーザーを用いる場合と異なり、半導体膜中において固液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。
【００７２】
次に、結晶質半導体膜７０４ａ〜７０４ｄを覆うゲート絶縁膜７０５を形成する。ゲート絶縁膜７０５は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、珪素の酸化物又は珪素の窒化物を含む膜を、単層又は積層して形成する。具体的には、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜を、単層又は積層して形成する。
【００７３】
また、ゲート絶縁膜７０５は、半導体膜７０４ａ〜７０４ｄに対し高密度プラズマ処理を行い、表面を酸化又は窒化することで形成しても良い。例えば、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスと、酸素、酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア、窒素、水素などの混合ガスを導入したプラズマ処理で形成する。この場合のプラズマの励起は、マイクロ波の導入により行うと、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができる。この高密度プラズマで生成された酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）や窒素ラジカル（ＮＨラジカルを含む場合もある）によって、半導体膜の表面を酸化又は窒化することができる。
【００７４】
このような高密度プラズマを用いた処理により、１〜２０ｎｍ、代表的には５〜１０ｎｍの絶縁膜が半導体膜に形成される。この場合の反応は、固相反応であるため、当該絶縁膜と半導体膜との界面準位密度はきわめて低くすることができる。このような、高密度プラズマ処理は、半導体膜（結晶性シリコン、或いは多結晶シリコン）を直接酸化（若しくは窒化）するため、形成される絶縁膜の厚さは理想的には、ばらつきをきわめて小さくすることができる。加えて、結晶性シリコンの結晶粒界でも酸化が強くされることがないため、非常に好ましい状態となる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で半導体膜の表面を固相酸化することにより、結晶粒界において異常に酸化反応をさせることなく、均一性が良く、界面準位密度が低い絶縁膜を形成することができる。
【００７５】
ゲート絶縁膜７０５は、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁膜のみを用いても良いし、それに加えてプラズマや熱反応を利用したＣＶＤ法で酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁膜を堆積し、積層させても良い。いずれにしても、高密度プラズマで形成した絶縁膜をゲート絶縁膜の一部又は全部に含んで形成されるトランジスタは、特性のばらつきを小さくすることができる。
【００７６】
また、半導体膜に対し、連続発振レーザー光若しくは１０ＭＨｚ以上の周波数で発振するレーザー光を照射しながら一方向に走査して結晶化させて得られた半導体膜７０４ａ〜７０４ｄは、そのレーザー光の走査方向に結晶が成長する特性がある。その走査方向をチャネル長方向（チャネル形成領域が形成されたときにキャリアが流れる方向）に合わせてトランジスタを配置し、上記ゲート絶縁層を組み合わせることで、特性ばらつきが小さく、しかも電界効果移動度が高い薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を得ることができる。
【００７７】
次に、ゲート絶縁膜７０５上に、第１の導電膜と第２の導電膜とを積層して形成する。ここでは、第１の導電膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により、２０〜１００ｎｍの厚さで形成する。第２の導電膜は、１００〜４００ｎｍの厚さで形成する。第１の導電膜と第２の導電膜は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された元素又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成する。または、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導体材料により形成する。第１の導電膜と第２の導電膜の組み合わせの例を挙げると、窒化タンタル膜とタングステン膜、窒化タングステン膜とタングステン膜、窒化モリブデン膜とモリブデン膜等が挙げられる。タングステンや窒化タンタルは、耐熱性が高いため、第１の導電膜と第２の導電膜を形成した後に、熱活性化を目的とした加熱処理を行うことができる。また、２層構造ではなく、３層構造の場合は、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブデン膜の積層構造を採用するとよい。
【００７８】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスクを形成し、ゲート電極とゲート配線を形成するためのエッチング処理を行って、半導体膜７０４ａ〜７０４ｄの上方にゲート電極７０７を形成する。
【００７９】
次に、フォトリソグラフィ法により、レジストからなるマスクを形成して、結晶質半導体膜７０４ａ〜７０４ｄに、イオンドープ法またはイオン注入法により、ｎ型を付与する不純物元素を低濃度に添加する。ｎ型を付与する不純物元素は、１５族に属する元素を用いれば良く、例えばリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）を用いる。
【００８０】
次に、ゲート絶縁膜７０５とゲート電極７０７を覆うように、絶縁膜を形成する。絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により、珪素、珪素の酸化物又は珪素の窒化物の無機材料を含む膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層又は積層して形成する。次に、絶縁膜を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエッチングして、ゲート電極７０７の側面に接する絶縁膜７０８（サイドウォールともよばれる）を形成する。絶縁膜７０８は、後にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。
【００８１】
次に、フォトリソグラフィ法により形成したレジストからなるマスクと、ゲート電極７０７および絶縁膜７０８をマスクとして用いて、結晶質半導体膜７０４ａ〜７０４ｄにｎ型を付与する不純物元素を添加して、チャネル形成領域７０６ａと、第１の不純物領域７０６ｂと、第２の不純物領域７０６ｃを形成する（図１１（Ｃ）参照）。第１の不純物領域７０６ｂは薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域として機能し、第２の不純物領域７０６ｃはＬＤＤ領域として機能する。第２の不純物領域７０６ｃが含む不純物元素の濃度は、第１の不純物領域７０６ｂが含む不純物元素の濃度よりも低い。
【００８２】
続いて、ゲート電極７０７、絶縁膜７０８等を覆うように、絶縁膜を単層または積層して形成し、当該絶縁膜上に薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する導電膜７３１を形成する。その結果、薄膜トランジスタ７３０ａ〜７３０ｄを含む素子層７５１が得られる（図１１（Ｄ）、図９（Ｂ）参照）。なお、薄膜トランジスタ等の素子は、領域７５０の全面に設けた構成としても良いし、上記実施の形態で示したように、領域７５０の一部（例えば、中心部）を除いた部分に設けた構成としても良い。
【００８３】
絶縁膜は、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により、単層または積層で形成する。ここでは、絶縁膜を２層で設けた例を示しており、１層目の絶縁膜７０９として窒化酸化珪素膜で形成し、２層目の絶縁膜７１０として酸化窒化珪素膜で形成することができる。
【００８４】
なお、絶縁膜７０９、７１０を形成する前、または絶縁膜７０９、７１０のうちの一方又は両方を形成した後に、半導体膜７０４の結晶性の回復や半導体膜に添加された不純物元素の活性化、半導体膜の水素化を目的とした加熱処理を行うとよい。加熱処理には、熱アニール、レーザーアニール法またはＲＴＡ法などを適用するとよい。
【００８５】
導電膜７３１は、フォトリソグラフィ法により絶縁膜７０９、７１０等をエッチングして、第１の不純物領域７０６ｂを露出させるコンタクトホールを形成した後、コンタクトホールを充填するように導電膜を形成し、当該導電膜を選択的にエッチングして形成する。なお、導電膜を形成する前に、コンタクトホールにおいて露出した半導体膜７０４ａ〜７０４ｄの表面にシリサイドを形成してもよい。
【００８６】
また、導電膜７３１は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料に相当する。導電膜７３１は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と窒化チタン膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜７３１を形成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化膜ができていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクトをとることができる。
【００８７】
次に、導電膜７３１を覆うように、絶縁膜７１１を形成し、当該絶縁膜７１１上に開口部７１２ａ、７１２ｂを形成する（図１２（Ａ）参照）。ここでは、薄膜トランジスタ７３０ｃ、７３０ｄのソース電極又はドレイン電極として機能する導電膜７３１が露出するように開口部７１２ａを形成する。また、絶縁膜７０３が露出するように開口部７１２ｂを形成する。絶縁膜７１１は、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、液滴吐出法またはスクリーン印刷法等を用いて、無機材料又は有機材料により、単層又は積層で形成する。また、絶縁膜７１１は、好適には、０．７５μｍ〜３μｍの厚さで形成する。なお、剥離層７０２が露出するように開口部７１２ｂを形成してもよいし、基板７０１が露出又は基板７０１に凹部が形成されるように開口部７１２ｂを形成してもよい。
【００８８】
次に、絶縁膜７１１の表面及び露出した絶縁膜７０３、７０９、７１０に薄膜の金属膜７１３を形成する（図１２（Ｂ）参照）。金属膜７１３は、絶縁膜７１１及び露出した絶縁膜７０３、７０９、７１０の表面に粗化処理を施した後にめっき処理を行うことによって形成することができる。例えば、絶縁膜７１１及び露出した絶縁膜７０３、７０９、７１０を化学的に粗化して表面に凹凸を形成した後に、無電解で銅（Ｃｕ）めっき処理を行えばよい。また、めっき処理は銅に限らず、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等を用いてもよい。
【００８９】
次に、金属膜７１３上にレジスト７１４を選択的に形成する（図１２（Ｃ）参照）。レジスト７１４は、導電膜を設けたい部分を除いた領域に形成する。
【００９０】
次に、レジスト７１４に覆われていない金属膜７１３上に導電膜７１５を形成する（図１３（Ａ）参照）。導電膜７１５は、めっき処理を行うことによって形成することができる。例えば、銅（Ｃｕ）を用いた電解めっき処理により形成することができる。めっき処理は銅に限らず、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等を用いてもよい。
【００９１】
次に、レジスト７１４及び導電膜７１５に覆われていない金属膜７１３を選択的に除去することによって、導電膜７１６ａ〜７１６ｃを形成する（図１３（Ｂ）、図９（Ｃ）参照）。なお、導電膜７１６ａはオンチップのアンテナとして機能し、導電膜７１６ｂ、７１６ｃは薄膜トランジスタ等の素子における配線として機能する。導電膜７１６ｃは、後に形成されるアンテナと電気的に接続するための配線である。
【００９２】
本実施の形態では、アンテナとして機能する導電膜（導電膜７１６ａ）と配線として機能する導電膜（導電膜７１６ｂ、７１６ｃ）を同時に形成する。この場合、作製工程を省略できるため低コスト化を図ることができる。もちろん、アンテナとして機能する導電膜７１６ａと配線として機能する導電膜７１６ｂ、７１６ｃを別途形成してもよい。
【００９３】
なお、導電膜７１６ａ〜７１６ｃの作製は、図１２（Ｂ）〜図１３（Ｂ）に示した方法に限られず、導電膜７３１の作製方法と同様にＣＶＤ法やスパッタリング法等により形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて形成しても良い。また、液滴吐出法やスクリーン印刷法等により直接パターンを形成しても良い。スクリーン印刷法により導電膜７１６ａ、７１６ｂを形成する場合には、例えば、図１２（Ａ）の状態まで形成した後、銀等の導電性のペーストを絶縁膜７１１上に選択的に形成し、その後、５０〜３５０度の加熱処理を行って導電膜７１６ａ〜７１６ｃとすればよい。また、導電膜７１６ｃは、導電膜７３１と同時に形成することもできる。
【００９４】
次に、薄膜トランジスタ７３０ａ〜７３０ｄやアンテナとして機能する導電膜７１６ａ等を含む素子形成層を基板７０１から剥離する。
【００９５】
まず、導電膜７１６ａ、７１６ｂを覆うように絶縁膜７１７を形成した後、レーザー光を照射することにより開口部７１８を形成する（図１３（Ｃ）、図１０（Ａ）参照）。続いて、素子形成層７１９の一方の面（ここでは、絶縁膜７１７の表面）をシート材料７２０に貼り合わせた後、基板７０１から素子形成層７１９を剥離する（図１４（Ａ）参照）。シート材料７２０としては、ホットメルトフィルム等のプラスチックフィルムを用いることができる。また、後にシート材料７２０を剥離する場合には、熱を加えることにより粘着力が弱まる熱剥離テープを用いることができる。
【００９６】
なお、剥離する際に水やオゾン水等の水溶液で剥離する面を濡らしながら行うことによって、薄膜トランジスタ７３０ａ〜薄膜トランジスタ７３０ｄ等の素子が静電気等によって破壊されることを防止できる。また、素子形成層７１９が剥離された基板７０１を再利用することによって、低コスト化を実現することができる。
【００９７】
次に、素子形成層７１９の他方の面（基板７０１から剥離により露出した面）において、導電膜７１６ｃを露出させた後（図１４（Ｂ）、図１０（Ｂ）参照）、アンテナとして機能する導電膜７２２と電気的に接続する。ここでは、接着性を有する樹脂７２３を用いて、素子形成層７１９と導電膜７２２が設けられた基板７２１とを接着する。また、樹脂７２３に含まれる導電性粒子７２４により導電膜７１６ｃと導電膜７２２とを電気的に接続する。このように、複数の素子形成層７１９のそれぞれに導電膜７２２を一度に設けることによって、工程の簡略化を図ることができる。
【００９８】
従って、導電膜７２２は絶縁性を有する基体（ここでは、絶縁膜７０３）を介して、集積回路部を構成する薄膜トランジスタ７０３ｄと電気的に接続された構成となる。なお、基板７０１から素子形成層７１９を剥離した後、導電膜７１６ｃが露出していない場合は絶縁膜７０３等に研削処理、研磨処理を行うことにより露出させることができる。また、導電膜７１６ｃが露出していない場合であっても、絶縁膜７０３等を介して導電膜７１６ｃと重なるように導電膜７２２を設けた後、レーザー光の照射を行うことにより導電膜７１６ｃと導電膜７２２とを電気的に接続することも可能である（図１６（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【００９９】
基板７２１は、プラスチック基板等を用いることができる。プラスチック基板を用いることによって、安価で可撓性を有する半導体装置を得ることができる。また、ここでは、基板７２１上に設けられた導電膜７２２を素子形成層７１９に貼り合わせて設けているが、アンテナとして機能する導電膜７２２は素子形成層７１９の他方の面に液滴吐出法又はスクリーン印刷法等により形成してもよい。
【０１００】
次に、導電膜７２２が設けられた素子形成層７１９をダイシング、スクライビング又はレーザーカット法等により選択的に分断することによって、複数の半導体装置を得ることができる（図１５、図１０（Ｃ）参照）。なお、本実施の形態では、半導体装置を３ｍｍ×３ｍｍ〜２０ｍｍ×２０ｍｍのサイズで設けることが望ましい。
【０１０１】
なお、本実施の形態では、素子形成層７１９にアンテナとして機能する導電膜７２２が設けられた基板７２１を貼り合わせた後に、分断することによって複数の半導体装置を作製する場合を示したが、素子形成層７１９を複数に分断した後にアンテナとして機能する導電膜７２２が設けられた基板７２１を貼り合わせてもよい。この場合、素子形成層７１９を含む集積回路部と基板７２１を異なった大きさで設けることができる。一方、上述した工程（図１４（Ｂ）〜図１５）においては、素子形成層７１９を含む集積回路部と基板７２１の面積が概略同一となる。
【０１０２】
また、本実施の形態では、基板７０１上に薄膜トランジスタやアンテナ等の素子を形成した後、当該基板７０１から剥離することによって可撓性を有する半導体装置を作製する場合について示したが、これに限られない。
【０１０３】
例えば、基板７０１上に剥離層７０２を設けずに図１１（Ａ）〜図１３（Ｂ）までの工程を経た後、基板７０１を研削処理、研磨処理して導電膜７１６ｃを露出させた後アンテナとして機能する導電膜７２２を貼り合わせて設けることにより半導体装置が得られる。また、この際、図１２（Ａ）において基板７０１に凹部が形成されるように、開口部７１２ｂを設け、当該開口部７１２ｂに導電膜７２２を形成することにより、薄膜化した基板７０１上に薄膜トランジスタやアンテナ等の素子が設けられた半導体装置を作製することができる。この場合、アンテナとして機能する導電膜７２２は、基板７０１を介して薄膜トランジスタと電気的に接続された構造となる。
【０１０４】
本実施の形態で示した半導体装置の作製方法は、本明細書の他の実施の形態で示した半導体装置の作製に適用することができる。
【０１０５】
（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる半導体装置の作製方法に関して、図面を参照して説明する。
【０１０６】
まず、導電膜７４１が埋め込まれた基板７０１を準備する（図１７（Ａ）参照）。導電膜７４１は、基板を貫通して埋め込まれていてもよいし、基板７０１に設けられた凹部に埋め込まれていてもよい。
【０１０７】
次に、基板７０１上に絶縁膜７０３を介して薄膜トランジスタ７３０ａ〜７３０ｄを設ける（図１７（Ｂ）参照）。上記実施の形態で示した作製方法を用いることができる。
【０１０８】
次に、薄膜トランジスタ７３０ａ〜７３０ｄのソース領域及びドレイン領域に達する開口部７４２ａ及び基板７０１に設けられた導電膜７４１に達する開口部７４２ｂを設ける（図１７（Ｃ）参照）。
【０１０９】
次に、絶縁膜７１０上及び開口部７４２ａ、７４２ｂに導電膜７３１を選択的に形成する（図１７（Ｄ）参照）。
【０１１０】
次に、絶縁膜７１１を介して、アンテナとして機能する導電膜７１６ａと配線として機能する導電膜７１６ｂを形成する（図１８（Ａ）参照）。
【０１１１】
次に、導電膜７４１と電気的に接続するようにアンテナとして機能する導電膜７２２を設ける（図１８（Ｂ）参照）。ここでは、接着性を有する樹脂７２３を用いて、基板７０１と導電膜７２２が設けられた基板７２１とを接着する。また、樹脂７２３に含まれる導電性粒子７２４により導電膜７４１と導電膜７２２とを電気的に接続する。なお、基板７０１の凹部に導電膜７４１を設けた場合には、基板７０１を研削処理、研磨処理により薄膜化させて導電膜７４１を露出させた後に導電膜７２２と接続する。
【０１１２】
このように、導電膜が埋め込まれた基板を用いることによって、作製工程において基板をエッチングする工程を省略し簡略化することができる。また、基板のエッチングに伴い発生するゴミ等の不純物をなくすことができる。
【０１１３】
本実施の形態で示した半導体装置の作製方法は、本明細書の他の実施の形態で示した半導体装置の作製に適用することができる。
【０１１４】
（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる半導体装置の作製方法に関して、図面を参照して説明する。具体的には、ブースターアンテナを有する半導体装置の作製方法に関して説明する。
【０１１５】
まず、上述した図１１（Ａ）〜図１４（Ｂ）まで同様に形成する。次に、シート材料７２０を剥離する（図１９（Ａ）、図２０（Ａ）参照）。
【０１１６】
次に、ブースターアンテナとして機能する導電膜７４３が設けられた基板７４２を素子形成層７１９の一方の面（ここでは、絶縁膜７１７の表面）に貼り合わせて設ける（図１９（Ｂ）、図２０（Ｂ）参照）。ここでは、接着性を有する樹脂７４４を用いて、導電膜７４３が設けられた基板７４２を素子形成層７１９の一方の面に貼り合わせて設ける。その後、上記図１５で示したようにダイシング、スクライビング又はレーザーカット法等により選択的に分断することによって、複数の半導体装置を得ることができる（図１９（Ｃ）参照）。
【０１１７】
なお、基板７４２に設けられた導電膜７４３と、素子形成層７１９に設けられた薄膜トランジスタ等の素子とは電気的に接続せずに設ける。つまり、本実施の形態で示す半導体装置において、導電膜７１６ａはオンチップアンテナであり、導電膜７４３は外部アンテナ（ブースターアンテナ）となる。従って、外部（通信機）との情報の送受信は、導電膜７４３から構成されるアンテナを利用して行い、当該導電膜７４３から構成されるアンテナと導電膜７１６ｂから構成されるアンテナが情報の授受を行うことによって、半導体装置と外部との通信が行われる。
【０１１８】
以上のように、本実施の形態で示す半導体装置は、当該半導体装置を構成する集積回路部と、ブースターアンテナが基板７２１と概略同じ面積で設ける。このような構成とすることにより、オンチップアンテナとして機能する導電膜７１６ａが薄膜トランジスタ等の配線により位置（レイアウト）が制限される場合（例えば、導電膜７１６ａと導電膜７１６ｂが同一の膜上に設けられる場合）であっても、通信距離を確保することが可能となる。
【０１１９】
本実施の形態で示した半導体装置の作製方法は、本明細書の他の実施の形態で示した半導体装置の作製に適用することができる。
【０１２０】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の半導体装置の利用形態の一例について説明する。本発明の半導体装置の用途は広範にわたり、非接触で対象物の履歴等の情報を明確にし、生産・管理等に役立てる商品であればどのようなものにも適用することができる。例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類、包装用容器類、書籍類、記録媒体、身の回り品、乗物類、食品類、衣類、保健用品類、生活用品類、薬品類及び電子機器等に設けて使用することができる。これらの例に関して図２１を用いて説明する。
【０１２１】
紙幣、硬貨とは、市場に流通する金銭であり、特定の地域で貨幣と同じように通用するもの（金券）、記念コイン等を含む。有価証券類とは、小切手、証券、約束手形等を指す（図２１（Ａ））。証書類とは、運転免許証、住民票等を指す（図２１（Ｂ））。無記名債券類とは、切手、おこめ券、各種ギフト券等を指す（図２１（Ｃ））。包装用容器類とは、お弁当等の包装紙、ペットボトル等を指す（図２１（Ｄ））。書籍類とは、書物、本等を指す（図２１（Ｅ））。記録媒体とは、ＤＶＤソフト、ビデオテープ等を指す（図２１（Ｆ））。乗物類とは、自転車等の車両、船舶等を指す（図２１（Ｇ））。身の回り品とは、鞄、眼鏡等を指す（図２１（Ｈ））。食品類とは、食料品、飲料等を指す。衣類とは、衣服、履物等を指す。保健用品類とは、医療器具、健康器具等を指す。生活用品類とは、家具、照明器具等を指す。薬品類とは、医薬品、農薬等を指す。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（テレビ受像機、薄型テレビ受像機）、携帯電話機等を指す。
【０１２２】
紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類等に半導体装置８０を設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、書籍類、記録媒体等、身の回り品、食品類、生活用品類、電子機器等に半導体装置８０を設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。乗物類、保健用品類、薬品類等に半導体装置８０を設けることにより、偽造や盗難の防止、薬品類ならば、薬の服用の間違いを防止することができる。半導体装置８０の設け方としては、物品の表面に貼ったり、物品に埋め込んだりして設ける。例えば、本ならば紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりするとよい。
【０１２３】
このように、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に半導体装置を設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。また乗物類に半導体装置を設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。また、動物等の生き物に埋め込むことによって、個々の生き物の識別を容易に行うことができる。例えば、家畜等の生き物にセンサーを備えた半導体装置を埋め込むことによって、生まれた年や性別または種類等はもちろん体温等の健康状態を容易に管理することが可能となる。特に、上記実施の形態で示した半導体装置を用いることによって、湾曲した面に設ける場合や物品を曲げた場合であってもアンテナとＩＣチップの接続不良に伴う半導体装置の不良を防止し、且つ通信距離を確保することができる。
【０１２４】
本実施の形態で示した半導体装置の作製方法は、本明細書に記載した他の実施の形態の半導体装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明の半導体装置の一構成例を示す図。
【図２】本発明の半導体装置のブロック図の一例を示す図。
【図３】本発明の半導体装置のブロック図の一例を示す図。
【図４】本発明の半導体装置の一構成例を示す図。
【図５】本発明の半導体装置のブロック図の一例を示す図。
【図６】本発明の半導体装置の一構成例を示す図。
【図７】本発明の半導体装置の一構成例を示す図。
【図８】本発明の半導体装置のブロック図の一例を示す図。
【図９】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図１０】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図１１】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図１２】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図１３】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図１４】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図１５】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図１６】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図１７】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図１８】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図１９】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図２０】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図２１】本発明の半導体装置の作製方法の使用形態の一例を示す図。
【符号の説明】
【０１２６】
８０    半導体装置
１０１    基板
１０２    集積回路部
１０４    貫通孔
１０５    領域
１０６    電源回路
１１０    送受信回路部
１１１    整流回路
１１２    復調回路
１１３    変調回路
１１４    メモリ回路
１１５    メモリ制御回路
１１６    電源回路
１２１    領域
１２２    凹部
１２３    絶縁膜
１３０    通信機
１３１    基板
１３２    導電性粒子
１３３    樹脂
１３５    基板
１３６    樹脂
７０１    基板
７０２    剥離層
７０３    絶縁膜
７０４    半導体膜
７０５    ゲート絶縁膜
７０７    ゲート電極
７０８    絶縁膜
７０９    絶縁膜
７１０    絶縁膜
７１１    絶縁膜
７１３    金属膜
７１４    レジスト
７１５    導電膜
７１７    絶縁膜
７１８    開口部
７１９    素子形成層
７２０    シート材料
７２１    基板
７２２    導電膜
７２３    樹脂
７２４    導電性粒子
７３１    導電膜
７４１    導電膜
７４２    基板
７４３    導電膜
７４４    樹脂
７５０    領域
７５１    素子層
１０２ａ    集積回路部
１０２ｂ    集積回路部
１０３ａ    アンテナ
１０３ｂ    アンテナ
１０３ｃ    アンテナ
１１０ａ    送受信回路部
１１０ｂ    送受信回路部
１１１ａ    整流回路
１１１ｂ    整流回路
１１２ａ    復調回路
１１２ｂ    復調回路
１１３ａ    変調回路
１１３ｂ    変調回路
１１４ａ    メモリ回路
１１４ｂ    メモリ回路
１１５ａ    メモリ制御回路
１１５ｂ    メモリ制御回路
１１６ａ    電源回路
１１６ｂ    電源回路
７０３ｄ    薄膜トランジスタ
７０４ａ    半導体膜
７０６ａ    チャネル形成領域
７０６ｂ    不純物領域
７０６ｃ    不純物領域
７１２ａ    開口部
７１２ｂ    開口部
７１６ａ    導電膜
７１６ｂ    導電膜
７１６ｃ    導電膜
７３０ａ    薄膜トランジスタ
７３０ｃ    薄膜トランジスタ
７３０ｄ    薄膜トランジスタ
７４２ａ    開口部
７４２ｂ    開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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