(57)【要約】【課題】多種類の処理ユニットを複数台ずつ有する塗布現像処理装置において、最終的なウェハの線幅を十分に制御できるようにする。【解決手段】塗布現像処理装置１において、フォトリソグラフィー処理を行う際にウェハが順に搬送される処理ユニットの組み合わせを限定して、ウェハの搬送順路を限定する。ウェハの搬送順路は、線幅補正を行う露光後ベークユニットの台数と同数に限定され、当該各搬送順路毎に、使用される露光後ベークユニットが異なるようにする。ウェハの搬送順路毎に、露光後ベークユニットの加熱温度を補正して、線幅を制御する。【選択図】図５
2008300777.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる処理を行う複数種類の処理ユニットをそれぞれ複数台ずつ有し、種類の異なる処理ユニットに所定の順で基板を搬送して基板に複数の処理からなる一連の処理を施す基板の処理装置を用いた、基板の処理方法であって、
前記一連の処理を行う際に基板が順に搬送される前記種類の異なる処理ユニット同士の組み合わせを限定して、基板の搬送順路を限定し、
当該基板の搬送順路毎に、前記複数種類の処理ユニットのうちの特定種類の処理ユニットの処理条件を補正して、前記一連の処理後の基板の処理状態を制御することを特徴とする、基板の処理方法。
【請求項２】
前記基板の搬送順路は、前記特定種類の処理ユニットの使用台数と同数に限定され、当該各搬送順路毎に、使用される前記特定種類の処理ユニットが異なることを特徴とする、請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項３】
前記特定種類の処理ユニット以外の他の処理ユニットの使用台数は、前記特定種類の処理ユニットの使用台数の約数に設定されることを特徴とする、請求項２に記載の基板の処理方法。
【請求項４】
前記一連の処理は、基板のフォトリソグラフィー処理であり、
前記特定種類の処理ユニットは、フォトリソグラフィー処理においてレジスト塗布後の加熱処理を行う熱処理ユニット、露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理を行う熱処理ユニット又は現像処理ユニットの少なくともいずれかであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項５】
異なる処理を行う複数種類の処理ユニットをそれぞれ複数台ずつ有し、種類の異なる処理ユニットに所定の順で基板を搬送して基板に複数の処理からなる一連の処理を施す基板の処理装置であって、
前記一連の処理を行う際に基板が順に搬送される前記種類の異なる処理ユニット同士の組み合わせを限定して、基板の搬送順路を限定し、当該基板の搬送順路毎に、前記複数種類の処理ユニットのうちの特定種類の処理ユニットの処理条件を補正して、前記一連の処理後の基板の処理状態を制御する制御部を有することを特徴とする、基板の処理装置。
【請求項６】
前記基板の搬送順路は、前記特定種類の処理ユニットの使用台数と同数に限定され、当該各搬送順路毎に、使用される前記特定種類の処理ユニットが異なることを特徴とする、請求項５に記載の基板の処理装置。
【請求項７】
前記特定種類の処理ユニット以外の他の処理ユニットの使用台数は、前記特定種類の処理ユニットの使用台数の約数に設定されることを特徴とする、請求項６に記載の基板の処理装置。
【請求項８】
前記一連の処理は、基板のフォトリソグラフィー処理であり、
前記特定種類の処理ユニットは、フォトリソグラフィー処理においてレジスト塗布後の加熱処理を行う熱処理ユニット、露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理を行う熱処理ユニット又は現像処理ユニットの少なくともいずれかであることを特徴とする、請求項５〜７のいずれかに記載の基板の処理装置。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれかに記載の基板の処理方法を基板の処理装置によって実行させるために、当該基板の処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理方法、基板の処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー処理では、例えばウェハ上にレジスト液を塗布するレジスト塗布処理、レジスト液が塗布されたウェハを加熱する加熱処理、露光後にウェハを加熱する加熱処理（露光ベーク）、その後ウェハを現像する現像処理、現像されたウェハを加熱する加熱処理などが順次行われ、この一連の処理によりウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。
【０００３】
上記一連のフォトリソグラフィー処理は、通常塗布現像処理装置において行われている。当該塗布現像処理装置には、レジスト塗布処理を行うレジスト塗布処理ユニット、各加熱処理を行う熱処理ユニット及び現像処理ユニット等の各種処理ユニットと、各種処理ユニットにウェハを搬送するウェハ搬送装置が搭載されている。当該ウェハ搬送装置によってウェハを各種処理ユニットに所定の順に搬送することによって一連の処理が行われている。
【０００４】
また、上述の塗布現像処理装置には、例えばレシピの同じ複数枚のウェハを同時期に効率的に処理するため、通常上述の各種処理ユニットが複数台ずつ搭載されている。
【０００５】
ところで、上記塗布現像処理装置では、最終的に所望の線幅のレジストパターンを形成する必要がある。このため、線幅に大きな影響を与える、例えば露光後ベークユニットにおける露光後ベークの設定温度を補正することにより、レジストパターンの線幅を調整することが提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２２２３５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述したように塗布現像処理装置は、各種処理ユニットを複数台ずつ有しており、処理時の処理ユニット間のウェハの搬送は、一の処理ユニットにおいて処理が終了すると、次の処理を行う複数台の処理ユニットの中からその時点で空いている処理ユニットが選択されてウェハが搬送されるようになっている。このため、上述の塗布現像処理装置では、一連の処理を行うための異種の処理ユニット同士の組み合わせが極めて多く、また不規則になる。つまり、ウェハの搬送順路は、搭載されている異種処理ユニットの総ての組み合わせの数だけ不確定な状態で存在することになる。
【０００８】
この場合、上述のように露光後ベークユニットにおいて設定温度を補正しても、総てのウェハ処理について十分に線幅を制御することは難しい。つまり、線幅補正を行うことができる露光後ベークユニットの台数に対して、実際に使用される処理ユニットの組み合わせ（ウェハの搬送順路）が極端に多く、不確定であるため、露光後ベークユニット以外の処理ユニットのユニット間差や異種の処理ユニット間の相互作用等の補正できない要因が多くなる。このため、線幅の制御を十分に行うことができなくなる。
【０００９】
線幅の制御が十分にできないと、ウェハ間の線幅の均一性を十分に確保することができなくなる。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、塗布現像処理装置などの基板の処理装置において、露光後ベークユニットなどの特定種類の処理ユニットを用いて、線幅などの最終的な処理状態を十分に制御することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するための本発明は、異なる処理を行う複数種類の処理ユニットをそれぞれ複数台ずつ有し、種類の異なる処理ユニットに所定の順で基板を搬送して基板に複数の処理からなる一連の処理を施す基板の処理装置を用いた、基板の処理方法であって、前記一連の処理を行う際に基板が順に搬送される前記種類の異なる処理ユニット同士の組み合わせを限定して、基板の搬送順路を限定し、当該基板の搬送順路毎に、前記複数種類の処理ユニットのうちの特定種類の処理ユニットの処理条件を補正して、前記一連の処理後の基板の処理状態を制御することを特徴とする。なお、前記一連の処理には、途中で他の装置において処理が行われるものも含まれ、当該他の装置は、１台であってもよいし複数台であってもよい。また、前記基板の処理装置は、前記複数台の処理ユニットの他に、単数の処理ユニットを有していてもよい。
【００１２】
本発明によれば、処理ユニットの組み合わせが限定され、基板の搬送順路が限定されるので、特定種類の処理ユニットの処理条件の補正により最終的な基板の処理状態を十分に制御できる。この結果、基板の処理装置における基板間の処理結果のばらつきが低減され、基板処理を均質化できる。
【００１３】
前記基板の搬送順路は、前記特定種類の処理ユニットの使用台数と同数に限定され、当該各搬送順路毎に、使用される前記特定種類の処理ユニットが異なっていてもよい。
【００１４】
前記特定種類の処理ユニット以外の他の処理ユニットの使用台数は、前記特定種類の処理ユニットの使用台数の約数に設定されていてもよい。
【００１５】
前記一連の処理は、基板のフォトリソグラフィー処理であり、前記特定種類の処理ユニットは、フォトリソグラフィー処理においてレジスト塗布後の加熱処理を行う熱処理ユニット、露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理を行う熱処理ユニット又は現像処理ユニットの少なくともいずれかであってもよい。
【００１６】
別の観点による本発明は、異なる処理を行う複数種類の処理ユニットをそれぞれ複数台ずつ有し、種類の異なる処理ユニットに所定の順で基板を搬送して基板に複数の処理からなる一連の処理を施す基板の処理装置であって、前記一連の処理を行う際に基板が順に搬送される前記種類の異なる処理ユニット同士の組み合わせを限定して、基板の搬送順路を限定し、当該基板の搬送順路毎に、前記複数種類の処理ユニットのうちの特定種類の処理ユニットの処理条件を補正して、前記一連の処理後の基板の処理状態を制御する制御部を有することを特徴とする。
【００１７】
前記基板の処理装置における前記基板の搬送順路は、前記特定種類の処理ユニットの使用台数と同数に限定され、当該各搬送順路毎に、使用される前記特定種類の処理ユニットが異なっていてもよい。
【００１８】
前記特定種類の処理ユニット以外の他の処理ユニットの使用台数は、前記特定種類の処理ユニットの使用台数の約数に設定されていてもよい。
【００１９】
前記一連の処理は、基板のフォトリソグラフィー処理であり、前記特定種類の処理ユニットは、フォトリソグラフィー処理においてレジスト塗布後の加熱処理を行う熱処理ユニット、露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理を行う熱処理ユニット又は現像処理ユニットの少なくともいずれかであってもよい。
【００２０】
別の観点による本発明によれば、上記基板の処理方法を基板の処理装置によって実行させるために、当該基板の処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、基板の処理状態が十分に制御できるので、基板処理の均質化が図られ、歩留まりが向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板の処理装置としての塗布現像処理装置１の構成の概略を示す平面図であり、図２は、塗布現像処理装置１の正面図であり、図３は、塗布現像処理装置１の背面図である。
【００２３】
塗布現像処理装置１は、図１に示すように例えば外部から塗布現像処理装置１に対して複数枚のウェハＷをカセット単位で搬入出するためのカセットステーション２と、フォトリソグラフィー処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数種類の処理ユニットを備えた処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション４とを一体に接続した構成を有している。
【００２４】
カセットステーション２には、カセット載置台１０が設けられ、当該カセット載置台１０には、複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置できる。カセットステーション２には、搬送路１１上をＸ方向に沿って移動可能なウェハ搬送装置１２が設けられている。ウェハ搬送装置１２は、カセットＣに収容されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、カセットＣ内の複数枚のウェハＷに対して選択的にアクセスできる。またウェハ搬送装置１２は、鉛直方向の軸周り（θ方向）に回転可能であり、後述する処理ステーション３の第３の処理ユニット群Ｇ３の各ユニットに対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００２５】
処理ステーション３は、複数台の処理ユニットが多段に配置された例えば５つの処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション３のＸ方向負方向（図１中の下方向）側には、カセットステーション２側からインターフェイスステーション４側に向けて第１の処理ユニット群Ｇ１と、第２の処理ユニット群Ｇ２が順に配置されている。処理ステーション３のＸ方向正方向（図１中の上方向）側には、カセットステーション２側からインターフェイスステーション４側に向けて第３の処理ユニット群Ｇ３、第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理ユニット群Ｇ３と第４の処理ユニット群Ｇ４の間には、第１の搬送装置２０が設けられている。第１の搬送装置２０は、第１の処理ユニット群Ｇ１、第３の処理ユニット群Ｇ３及び第４の処理ユニット群Ｇ４内の各処理ユニットに対し選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。第４の処理ユニット群Ｇ４と第５の処理ユニット群Ｇ５の間には、第２の搬送装置２１が設けられている。第２の搬送装置２１は、第２の処理ユニット群Ｇ２、第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５内の各処理ユニットに対して選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００２６】
図２に示すように第１の処理ユニット群Ｇ１には、ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理ユニット、例えばウェハＷ上にレジスト液を塗布する４台のレジスト塗布処理ユニット３０〜３３が下から順に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２には、液処理ユニット、例えばウェハＷに現像液を供給して現像処理する４台の現像処理ユニット４０〜４３が下から順に重ねられている。また、第１の処理ユニット群Ｇ１及び第２の処理ユニット群Ｇ２の最下段には、各処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２内の前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室５０、５１がそれぞれ設けられている。
【００２７】
例えば図３に示すように第３の処理ユニット群Ｇ３には、ウェハＷの温度調整を行うための４台の温調処理ユニット６０〜６３、ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジションユニット６４が下から順に重ねられている。
【００２８】
第４の処理ユニット群Ｇ４には、ウェハＷを熱処理する複数の熱処理ユニット、例えばレジスト塗布処理後にウェハＷを加熱処理する４台のプリベークユニット７０〜７３及び現像処理後にウェハＷを加熱処理する４台のポストベークユニット８０〜８３が下から順に重ねられている。なお、このプリベークユニット７０〜７３及びポストベークユニット８０〜８３は、例えば後述する露光後ベークユニットと同じ構成を有している。
【００２９】
第５の処理ユニット群Ｇ５では、ウェハＷを熱処理する複数の熱処理ユニット、例えば露光後にウェハＷを加熱処理する４台の特定種類の処理ユニットとしての露光後ベークユニット９０〜９３が下から順に重ねられている。
【００３０】
例えば露光後ベークユニット９０は、図４に示すようにケーシング９０ａ内に、上側に位置して上下動自在な蓋体１００と、下側に位置して蓋体１００と一体となって処理室Ｋを形成する熱板収容部１０１を有している。
【００３１】
蓋体１００の上面中央部には、処理室Ｋ内の雰囲気を排気する排気部１００ａが設けられている。
【００３２】
熱板収容部１０１の中央部には、ウェハＷを載置して加熱する熱板１１０が設けられている。熱板１１０には、給電により発熱するヒータ１１１が内蔵されている。ヒータ１１１の発熱量は、例えば温度制御装置１１２により調整され、この温度制御装置１１２により、熱板１１０を所定の設定温度に制御できる。温度制御装置１１２における温度設定は、例えば後述する制御部１７０により行われている。
【００３３】
熱板１１０の下方には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン１２０が設けられている。昇降ピン１２０は、昇降駆動機構１２１により上下動できる。熱板１１０の中央部付近には、熱板１１０を厚み方向に貫通する貫通孔１２２が形成されており、この貫通孔１２２内を昇降ピン１２０が上下動できる。
【００３４】
熱板収容部１０１は、例えば熱板１１０を収容して熱板１１０の外周部を支持する環状の支持部材１３０と、その支持部材１３０の外周を囲む略筒状のサポートリング１３１を備えている。支持部材１３０の上面には、処理室Ｋ内に不活性ガス又は窒素ガスを供給する給気部１３０ａが形成されている。
【００３５】
なお、露光後ベークユニット９０は、例えば熱板１１０の隣に図示しない冷却板を有し、この冷却板上にウェハＷを載置して冷却できる。したがって、露光後ベークユニット９０は、加熱と冷却の両方を行うことができる。
【００３６】
露光後ベークユニット９１〜９３の構成については、露光後ベークユニット９０と同様であるので説明を省略する。
【００３７】
露光後ベークユニット９０〜９３は、例えば処理条件である熱板１１０の設定温度を補正することにより、フォトリソグラフィー処理後のウェハＷの処理状態、例えばレジストパターンの線幅を制御できる。
【００３８】
図１に示すように第１の搬送装置２０のＸ方向正方向側には、複数の処理ユニットが配置されており、例えば図３に示すようにウェハＷを疎水化処理するための２台のアドヒージョンユニット１４０、１４１が下から順に重ねられている。図１に示すように第２の搬送装置２１のＸ方向正方向側にも、複数の処理ユニットが配置されており、例えば図３に示すようにウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する２台の周辺露光処理ユニット１５０、１５１が配置されている。
【００３９】
インターフェイスステーション４には、例えば図１に示すようにＸ方向に延伸する搬送路１６０上を移動するウェハ搬送装置１６１と、バッファカセット１６２が設けられている。ウェハ搬送装置１６１は、Ｚ方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり、インターフェイスステーション４に隣接した露光装置と、バッファカセット１６２及び第５の処理ユニット群Ｇ５の各処理ユニットに対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００４０】
以上のように塗布現像処理装置１の処理ステーション３には、処理ユニットが、それぞれ複数台ずつ配置され、例えば図５に示すように線幅制御を行う露光後ベークユニットが最大数の４台配置され、それ以外の温調処理ユニット、アドヒージョンユニット、レジスト塗布処理ユニット、プリベークユニット、周辺露光処理ユニット、現像処理ユニット及びポストベークユニットが、露光後ベークユニットの約数である例えば４台又は２台配置されている。
【００４１】
また、塗布現像処理装置１には、図１に示すように上述の各種処理ユニットやウェハ搬送装置の動作等を制御してウェハ処理を実行する制御部１７０が設けられている。制御部１７０は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、塗布現像処理装置１におけるウェハ処理を実現できる。当該ウェハ処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なＣＤなどの記憶媒体Ｎに記憶されていたものであって、その記憶媒体Ｎから制御部１７０にインストールされたものが用いられてもよい。
【００４２】
例えば制御部１７０には、ウェハＷの処理レシピが設定されている。本実施の形態における処理レシピは、例えば次のようなフォトリソグラフィー処理を実行するものである。例えばカセット載置台１０上のカセットＣ内のウェハＷが、ウェハ搬送装置１２によって処理ステーション３の第３の処理ユニット群Ｇ３の温調処理ユニットに搬送され、所定温度に温度調節される。その後ウェハＷは、第１の搬送装置２０によって例えばアドヒージョンユニットに搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウェハＷは、第１の搬送装置２０によって例えばレジスト塗布処理ユニットに搬送され、ウェハＷ上にレジスト液が塗布されて、レジスト膜が形成される。
【００４３】
レジスト塗布処理後、ウェハＷは、第１の搬送装置２０によって例えばプリベークユニットに搬送され、プリベーク処理される。続いてウェハＷは、第２の搬送装置２１によって周辺露光処理ユニットに搬送されて、周辺露光処理される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション４のウェハ搬送装置１６１によって図示しない露光装置に搬送され、露光される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置１６１によって処理ステーション３の例えば露光後ベークユニットに搬送され、露光後ベーク処理される。
【００４４】
その後、ウェハＷは、第２の搬送装置２１によって現像処理ユニットに搬送され、ウェハＷ上のレジスト膜が現像される。現像後、ウェハＷは、第２の搬送装置２１によってポストベークユニットに搬送され、ポストベーク処理される。その後ウェハＷは、第１の搬送装置２０によってトランジションユニット６４に搬送され、ウェハ搬送装置１２によってカセットＣに戻されて、一連のフォトリソグラフィー処理が終了する。
【００４５】
ところで、処理ステーション３の各種処理ユニットは、上述のように複数台ずつ配置されており、本来上記一連の処理を行うための処理ユニットの組み合わせは無数にある。本実施の形態の制御部１７０には、それらの処理ユニットの組み合わせを限定する搬送レシピが設定されている。本実施の形態では、処理ユニットの組み合わせが例えば図５に示すように露光後ベークユニットの台数と同じ４つの搬送順路Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４に限定されている。これらの４つの搬送順路Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれが違う露光後ベークユニットを通るように設定されている。また、搬送順路が４つであるので、露光後ベークユニット以外の処理ユニットであって４台配置されているものは、各搬送順路毎に違う処理ユニットが用いられる。また、２台ある処理ユニットは、２つの搬送順路毎に違う処理ユニットが用いられる。
【００４６】
例えば搬送順路Ｒ１は、温調処理ユニット６０→アドヒージョンユニット１４０→レジスト塗布処理ユニット３０→プリベークユニット７０→周辺露光処理ユニット１５０→露光後ベークユニット９０→現像処理ユニット４０→ポストベークユニット８０の順に定められ、搬送順路Ｒ２は、温調処理ユニット６１→アドヒージョンユニット１４１→レジスト塗布処理ユニット３１→プリベークユニット７１→周辺露光処理ユニット１５１→露光後ベークユニット９１→現像処理ユニット４１→ポストベークユニット８１の順に定められている。また、搬送順路Ｒ３は、温調処理ユニット６２→アドヒージョンユニット１４２→レジスト塗布処理ユニット３２→プリベークユニット７２→周辺露光処理ユニット１５２→露光後ベークユニット９２→現像処理ユニット４２→ポストベークユニット８２の順に定められ、搬送順路Ｒ４は、温調処理ユニット６３→アドヒージョンユニット１４３→レジスト塗布処理ユニット３３→プリベークユニット７３→周辺露光処理ユニット１５３→露光後ベークユニット９３→現像処理ユニット４３→ポストベークユニット８３の順に定められている。
【００４７】
そして、塗布現像処理装置１においてウェハＷの処理が実行される際には、各ウェハＷがいずれかの搬送順路Ｒ１〜Ｒ４を通って処理される。そして、処理が終了したウェハＷについて、各搬送順路Ｒ１〜Ｒ４毎にレジストパターンの線幅が測定され、その測定結果に基づいて、各露光後ベークユニット９０〜９３の熱板１１０の設定温度が補正される。こうして、搬送順路Ｒ１〜Ｒ４毎に、レジストパターンの線幅が所望の目標値に調整される。
【００４８】
以上の実施の形態によれば、フォトリソグラフィー処理を行う際にウェハＷが順に搬送される異種の処理ユニット同士の組み合わせを限定して、ウェハＷの搬送順路を限定し、その搬送順路毎に、露光後ベークユニットの熱板温度を補正して、レジストパターンの線幅を制御するようにした。かかる場合、ウェハＷの搬送順路が一定でなおかつその数が限られるため、レジストパターンの線幅を十分に制御できる。この結果、搬送順路間の線幅のばらつきが低減され、塗布現像処理装置１により処理されたウェハＷの線幅の均一性を向上できる。
【００４９】
また、以上の実施の形態では、ウェハＷの搬送順路が、線幅制御に用いられる露光後ベークユニットの台数と同数に限定され、当該各搬送順路毎に、違う露光後ベークユニットが用いられている。このため、総ての搬送順路における線幅誤差を各露光後ベークユニットにより補正することが可能になるので、総てのウェハＷについて高い精度で所望の線幅を形成できる。
【００５０】
また、以上の実施の形態では、処理ステーション３における露光後ベークユニット以外の他の処理ユニットの台数が、露光後ベークユニットの約数に設定されるので、搬送順路を限定する際の処理ユニットの組み合わせを比較的簡単に行うことができる。また、搬送順路を限定してウェハＷを処理する際に、総ての処理ユニットを有効に使用することができ、処理ユニットの台数の最適化を図ることができる。
【００５１】
また、塗布現像処理装置１で行われるフォトリソグラフィー処理は、多数の処理ユニットを用いて行われるものであり、特にウェハ間の処理後の線幅のばらつきは大きな問題になる。本実施の形態では、本発明を当該フォトリソグラフィー処理に適用し、ウェハ間の線幅の均一化を図ることができるので、その効果は大きい。
【００５２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５３】
例えば以上の実施の形態における塗布現像処理装置１の各種処理ユニットの台数は、他の数であってもよく、任意に選択できる。また、塗布現像処理装置１の処理ユニットの種類についてもこれに限られるものではない。また、処理条件の補正が行われる処理ユニットや、その補正によって制御される処理状態は、上記例に限られるものではない。例えば線幅や、それ以外のレジストパターンの形状例えばレジストパターンの溝の側壁角度（サイドウォールアングル）やレジストパターンの膜厚などは、例えば露光後ベークユニットにおける処理室内への給排気量や、プリベークユニットにおける加熱温度、処理室内への給排気量、現像処理ユニットにける現像時間、現像液温度などにより補正してもよい。また、レジストパターンの面内の線幅の疎密度は、例えばプリベークユニットにおける加熱温度や、処理室内への給排気量により補正してもよい。また、各処理状態の制御には、複数種類の処理ユニットを用いてもよい。
【００５４】
さらに、本発明は、フォトリソグラフィー処理以外の一連の処理を行う基板の処理装置にも適用できる。また、本発明は、ウェハ以外の例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板を処理方法にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、多種類の処理ユニットを複数台ずつ有する基板の処理装置において、最終的な処理状態を十分に制御する際に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】塗布現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理装置の正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理装置の背面図である。
【図４】露光後ベークユニットの構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図５】ウェハの搬送順路の一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５７】
１    塗布現像処理装置
９０〜９３  露光後ベークユニット
１７０  制御部
Ｒ１〜Ｒ４  搬送順路
Ｗ    ウェハ
【図１】
2008300777.tif 000003
【図２】
2008300777.tif 000004
【図３】
2008300777.tif 000005
【図４】
2008300777.tif 000006
【図５】
2008300777.tif 000007