(57)【要約】【課題】本発明の課題は、電気的接続信頼性に優れる高密度配線の配線基板およびその製造方法を提供することである。【解決手段】絶縁層と配線導体とが交互に積層されており、最外層の絶縁層４上に半導体素子接続用の帯状配線導体である第一配線パターン部５Ａが複数並設されているとともに、各第一配線パターン部５Ａの一部に半導体素子の電極端子がフリップチップ接続される接続パッド５ａが複数並設されており、かつ最外層の絶縁層４上および第一配線パターン部５Ａ上に、接続パッド５ａの上面を露出させるスリット状の開口６ａを有するソルダーレジスト層６が披着された配線基板であって、ソルダーレジスト層６が、さらにスリット状の開口６ａ内に露出した互いに隣接する接続パッド５ａ間の間隙を充填するように構成した配線基板およびその製造方法である。【選択図】図３
2008300691.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と配線導体とが交互に積層されており、
最外層の絶縁層上に半導体素子接続用の帯状配線導体が複数並設されているとともに、各帯状配線導体の一部に半導体素子の電極端子がフリップチップ接続される接続パッドが複数並設されており、
かつ前記最外層の絶縁層上および前記帯状配線導体上に、前記接続パッドの上面を露出させるスリット状の開口を有するソルダーレジスト層が披着された配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層が、さらに前記スリット状の開口内に露出した互いに隣接する接続パッド間の間隙を充填していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記接続パッドの幅が２５μｍ以下であり、互いに隣接する接続パッド間の間隔が２５μｍ以下である請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記最外層の絶縁層上には、さらに他の半導体素子の電極端子が半田ボール接続またはワイヤボンド接続される接続部を有する配線導体が複数並設され、前記各接続部は、独立して前記ソルダーレジスト層の開口から露出している請求項１または２記載の配線基板。
【請求項４】
絶縁層と配線導体とを交互に積層する工程と、
最外層の絶縁層上に、半導体素子の電極端子がフリップチップ接続される接続パッドを一部に有する半導体素子接続用の帯状配線導体を複数並設する工程と、
前記最外層の絶縁層上および前記帯状配線導体上の全面にソルダーレジスト層を被着する工程と、
前記接続パッド上および互いに隣接する接続パッド間に位置する前記ソルダーレジスト層を、前記接続パッド上面が露出するとともに、該接続パッド間に前記ソルダーレジスト層が残存するように除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁層と配線導体とを交互に積層する工程と、
最外層の絶縁層上に、半導体素子の電極端子がフリップチップ接続される接続パッドを一部に有する半導体素子接続用の帯状配線導体を複数並設する工程と、
前記最外層の絶縁層上および前記帯状配線導体上の全面に第一のソルダーレジスト層を被着する工程と、
前記第一のソルダーレジスト層を、前記帯状配線導体の上面が露出するとともに、互いに隣接する前記接続パッド間に、前記第一のソルダーレジストが残存するように除去する工程と、
前記第一のソルダーレジスト層上および前記帯状配線導体上に、前記接続パッドおよび互いに隣接する接続部パッド間に位置する前記第一のソルダーレジスト層を露出させるスリット状の開口を有する第二のソルダーレジスト層を被着する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板およびその製造方法に関し、より詳細には、例えばペリフェラル型の半導体集積回路素子をフリップチップ接続により搭載するのに好適な配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体集積回路素子として、多数の電極端子を、その一方の主面の外周に沿って配設した、いわゆるペリフェラル型の半導体集積回路素子がある。このような半導体集積回路素子を配線基板に搭載する方法として、フリップチップ接続により接続する方法がある。フリップチップ接続とは、配線基板上に設けた半導体素子接続用の配線導体の一部を半導体集積回路素子の電極端子の配置に対応した並びに露出させ、この半導体素子接続用の配線導体の露出部と前記半導体集積回路素子の電極端子とを対向させ、これらを例えば半田バンプを介して電気的に接続する方法である。
【０００３】
図１２は、ペリフェラル型の半導体集積回路素子と、この半導体集積回路素子をフリップチップ接続により搭載する従来の配線基板を示す概略断面図である。図１３は、図１２の配線基板を示す平面図である。図１４は、従来の配線基板における接続パッド近傍を示す部分拡大概略説明図である。図１２および図１３に示すように、従来の配線基板１２０は、上面から下面にかけてコア用の配線導体１０２が配設されたコア用の絶縁基板１０３の上下面にビルドアップ用の絶縁層１０４とビルドアップ用の配線導体１０５とが交互に積層され、さらに、その最表面には保護用のソルダーレジスト層１０６が被着されている。
【０００４】
コア用の絶縁基板１０３の上面から下面にかけては複数のスルーホール１０７が形成されており、絶縁基板１０３の上下面およびスルーホール１０７の内面にはコア用の配線導体１０２が被着され、スルーホール１０７の内部には埋め込み樹脂１０８が充填されている。ビルドアップ用の絶縁層１０４には、それぞれに複数のビアホール１０９が形成されており、各絶縁層１０４の表面およびビアホール１０９の内面には、ビルドアップ用の配線導体１０５がそれぞれ被着形成されている。
【０００５】
そして、この配線導体１０５のうち、配線基板１２０の上面側における最外層の絶縁層１０４上に被着された一部は、半導体集積回路素子１０１の電極端子に半田バンプ１１０を介してフリップチップ接続により電気的に接続される半導体素子接続用の接続パッド１０５ａを有する配線パターン部（帯状配線導体）１０５Ａであり、この配線パターン部１０５Ａは複数並んで帯状に形成されている。
【０００６】
そして、これらの配線パターン部１０５Ａのうち、半導体素子接続用の接続パッド１０５ａが複数横に並んだ状態でソルダーレジスト層１０６から露出しており、この露出した接続パッド１０５ａに、半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａが半田バンプ１１０を介して電気的に接続される。
【０００７】
また、配線基板１２０の下面側における最外層の絶縁層１０４上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される外部接続用の接続パッド１０５ｂを有する配線パターン部１０５Ｂであり、この配線パターン部１０５Ｂは複数並んで形成されている。この配線パターン部１０５Ｂのうち、外部接続用の接続パッド１０５ｂがソルダーレジスト層１０６から露出しており、接続パッド１０５ｂに外部電気回路基板の配線導体が半田ボール１１１を介して電気的に接続される。
【０００８】
ソルダーレジスト層１０６は、最表層の配線導体１０５を保護するとともに、半導体素子接続用の接続パッド１０５ａや外部接続用の接続パッド１０５ｂを画定する。このようなソルダーレジスト層１０６は、感光性を有する熱硬化性樹脂ペーストまたはフィルムを配線導体１０５が形成された最外層の絶縁層１０４上に積層した後、接続パッド１０５ａや１０５ｂを露出させる開口を有するように露光および現像し、硬化させることにより形成される。
【０００９】
上面側のソルダーレジスト層１０６は、図１３および図１４に示すように、複数横に並んだ接続パッド１０５ａを一括して露出させるスリット状の開口１０６ａを有しており、開口１０６ａの幅に対応した長さで配線パターン部１０５Ａの一部を露出させることにより長方形状の接続パッド１０５ａを画定している。
【００１０】
そして、この配線基板１２０においては、半導体素子接続用の接続パッド１０５ａに予め半田バンプ１１０を形成しておき、半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａと半田バンプ１１０を当接させるとともに加熱して半田バンプ１１０を溶融させることにより半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａと接続パッド１０５ａとを半田バンプ１１０を介して電気的に接続した後、半導体集積回路素子１０１と配線基板１２０との間の隙間にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るアンダーフィルと呼ばれる充填樹脂（不図示）を充填し、半導体集積回路素子１０１が配線基板１２０上に実装される。
【００１１】
ここで、接続パッド１０５ａに半田バンプ１１０を形成するには、一般に、ソルダーレジスト層１０６から露出する接続パッド１０５ａの表面にペースト状あるいは粒状の半田を付着させた後、これを加熱して半田を溶融させ、溶融した半田を接続パッド１０５ａの露出表面に濡れ広がらせるとともに溶融した半田の表面張力により接続パッド１０５ａ上に半田の溜まりを形成する方法が採用される。
【００１２】
ところが近時、半導体集積回路素子１０１は、その高集積度化が急激に進み、半導体集積回路素子１０１における電極端子１０１ａのピッチとして、極めて狭いもの（例えば５０μｍ以下）が現れるようになってきている。これに伴い、この半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａがフリップチップ接続される接続パッド１０５ａのピッチも狭ピッチ化（例えば５０μｍ以下）するとともに、接続パッド１０５ａの幅Ｗ１も極めて狭いもの（例えば２５μｍ以下）が要求され、隣接する接続パッド１０５ａ間の間隔Ｗ２も極めて狭いもの（例えば２５μｍ以下）が要求されるようになってきている（図１４参照）。
【００１３】
ところが、隣接する接続パッド１０５ａの間隔Ｗ２が狭くなると、接続パッド１０５ａの表面にペースト状あるいは粒状の半田を付着させた後、これを加熱して半田を溶融させると、溶融した半田が隣接する接続パッド１０５ａの側面と繋がった状態になりやすく、その結果、隣接する接続パッド１０５ａ間が電気的に短絡してしまい、搭載する半導体集積回路素子１０１を正常に作動させることができないという問題がある。
【００１４】
例えば特許文献１では、接続パッドよりも幅寸法の狭い配線パターンを接続パッドと連続的に形成し、接続パッドおよび配線パターンをソルダーレジストから露出させるとともに、露出した接続パッドおよび配線パターンに半田を付着させ、これを加熱して半田を溶融させることにより、幅が広い接続パッド上に半田の瘤を形成する基板の製造方法が記載されている。この方法によると、ピッチが７０〜１２０μｍの接続パッド上に半田の瘤を確実に形成することができると記載されている。
【００１５】
しかしながら、接続パッドのピッチがさらに狭ピッチ化（例えば５０μｍ以下）した場合には、特許文献１に記載されている方法を用いたとしても、溶融した半田が隣接する接続パッドの側面と繋がった状態になりやすく、隣接する接続パッド間が電気的に短絡してしまう。
【００１６】
なお、複数横に並んだ接続パッド１０５ａを個々に露出させるように、各接続パッド１０５ａに対応してそれぞれ独立した開口を有するソルダーレジスト層１０６を設けることも考えられるが、接続バッド１０５ａのピッチが狭ピッチで、かつ隣接する接続パッド１０５ａ間の間隔が極めて狭い場合、複数横に並んだ接続パッド１０５ａを位置精度良く露出させる開口を各接続パッド１０５ａに対応してそれぞれ独立して設けることは極めて困難である。
【００１７】
また、本出願人が特許文献２で提案しているように、半導体素子接続用の帯状配線導体上の一部に半導体素子の電極端子がフリップチップ接続される導電突起を設け、この導電突起の上面を露出させるようにソルダーレジスト層を被着させた配線基板の場合、隣接する導電突起の間はソルダーレジスト層により充填されており導電突起の側面が大きく露出していないので、この導電突起極上に半田バンプを設けたとしても隣接する導電突起の側面の間が半田で繋がった状態とはなりにくい。
【００１８】
しかしながら、この特許文献２で提案した配線基板の場合、半導体素子接続用の帯状配線導体上の一部に更に導電突起を追加で形成する必要があり、その製造工程が煩雑になるとともに製造コストが高くなってしまうという問題がある。
【００１９】
【特許文献１】特許第３４２００７６号公報
【特許文献２】特開２００６−３４４６６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明の課題は、互いに隣接する半導体素子接続用の接続パッドの間に半田による電気的な短絡が発生することがなく、各接続パッド上に半田バンプを良好に形成することができ、それにより狭ピッチに形成された半導体集積回路素子の電極端子とこれに対応する接続パッドとを電気的に確実に接続することが可能な電気的接続信頼性に優れる高密度配線の配線基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、ソルダーレジスト層のスリット状の開口内に露出した互い隣接する接続パッド間を充填するようにソルダーレジスト層を被着することにより、これらの接続パッド上に半田を付着させた後、半田を加熱溶融させると、半田がソルダーレジスト層の表面ではじかれるので、隣接する接続パッド間に半田による電気的な短絡が発生することがなく、各接続パッド上に半田バンプが良好に形成され、それにより狭ピッチに形成された半導体集積回路素子の電極端子とこれに対応する接続パッドとを電気的に確実に接続することが可能な電気的接続信頼性に優れる高密度配線の配線基板が得られるという新たな知見を見出し、本発明を完成するに至った。
【００２２】
すなわち、本発明における配線基板は、以下の構成からなる。
（１）絶縁層と配線導体とが交互に積層されており、最外層の絶縁層上に半導体素子接続用の帯状配線導体が複数並設されているとともに、各帯状配線導体の一部に半導体素子の電極端子がフリップチップ接続される接続パッドが複数並設されており、かつ前記最外層の絶縁層上および前記帯状配線導体上に、前記接続パッドの上面を露出させるスリット状の開口を有するソルダーレジスト層が披着された配線基板であって、前記ソルダーレジスト層が、さらに前記スリット状の開口内に露出した互いに隣接する接続パッド間の間隙を充填していることを特徴とする配線基板。
（２）前記接続パッドの幅が２５μｍ以下であり、互いに隣接する接続パッド間の間隔が２５μｍ以下である前記（１）記載の配線基板。
（３）前記最外層の絶縁層上には、さらに他の半導体素子の電極端子が半田ボール接続またはワイヤボンド接続される接続部を有する配線導体が複数並設され、前記各接続部は、独立して前記ソルダーレジスト層の開口から露出している前記（１）または（２）記載の配線基板。
【００２３】
本発明における配線基板の製造方法は、絶縁層と配線導体とを交互に積層する工程と、最外層の絶縁層上に、半導体素子の電極端子がフリップチップ接続される接続パッドを一部に有する半導体素子接続用の帯状配線導体を複数並設する工程と、前記最外層の絶縁層上および前記帯状配線導体上の全面にソルダーレジスト層を被着する工程と、前記接続パッド上および互いに隣接する接続パッド間に位置する前記ソルダーレジスト層を、前記接続パッド上面が露出するとともに、該接続パッド間に前記ソルダーレジスト層が残存するように除去する工程とを含むことを特徴とする。
【００２４】
本発明における他の配線基板の製造方法は、絶縁層と配線導体とを交互に積層する工程と、最外層の絶縁層上に、半導体素子の電極端子がフリップチップ接続される接続パッドを一部に有する半導体素子接続用の帯状配線導体を複数並設する工程と、前記最外層の絶縁層上および前記帯状配線導体上の全面に第一のソルダーレジスト層を被着する工程と、前記第一のソルダーレジスト層を、前記帯状配線導体の上面が露出するとともに、互いに隣接する前記接続パッド間に、前記第一のソルダーレジストが残存するように除去する工程と、前記第一のソルダーレジスト層上および前記帯状配線導体上に、前記接続パッドおよび互いに隣接する接続部パッド間に位置する前記第一のソルダーレジスト層を露出させるスリット状の開口を有する第二のソルダーレジスト層を被着する工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、最外層の絶縁層上に形成された帯状配線導体の一部に複数並設された接続パッドを一括して露出させるスリット状の開口をソルダーレジスト層に設けるとともに、前記スリット状の開口内に露出した互い隣接する接続パッド間を充填するように前記ソルダーレジスト層を被着する。ここで、ソルダーレジスト層上および接続パッド上のぬれ性は、接続パッド上の方がソルダーレジスト層上よりも高い関係にある。したがって、接続パッド上に半田を付着させた後、半田を加熱溶融させた際に、たとえ溶融した半田が隣接する接続パッド間で繋がった状態になったとしても、ソルダーレジスト層の表面ではじかれて、接続パッド上に半田の溜まりが形成される。その結果、隣接する接続パッド間に半田による電気的な短絡が発生することがなく、各接続パッド上に半田バンプが良好に形成され、それにより狭ピッチに形成された半導体集積回路素子の電極端子とこれに対応する接続パッドとを電気的に確実に接続することが可能な電気的接続信頼性に優れる高密度配線の配線基板が得られるという効果がある。
【００２６】
特に、前記（２）のように、接続パッドの幅が２５μｍ以下であり、互いに隣接する接続パッド間の間隔が２５μｍ以下であっても、スリット状の開口内に露出した互い隣接する接続パッド間を充填するようにソルダーレジスト層を被着するので、隣接する接続パッドの間に半田による電気的な短絡が発生することがなく、各接続パッド上に半田バンプを良好に形成することができる。
前記（３）によれば、最外層の絶縁層上に、さらに他の半導体素子の電極端子が半田ボール接続等される接続部を有する配線導体を複数並設し、各接続部が、独立してソルダーレジスト層の開口から露出するように構成したので、配線基板上に複数の電子部品を高密度に実装することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明にかかる配線基板およびその製造方法の一実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は、ペリフェラル型の半導体集積回路素子と、この半導体集積回路素子をフリップチップ接続により搭載する本実施形態にかかる配線基板を示す概略断面図である。図２は、図１の配線基板を示す平面図である。図３は、本実施形態の配線基板における接続パッド近傍を示す部分拡大概略説明図である。
【００２８】
図１，図２に示すように、本実施形態にかかる配線基板１０は、上面から下面にかけてコア用の配線導体２が配設されたコア用の絶縁基板３の上下面にビルドアップ用の絶縁層４と、ビルドアップ用の配線導体５とが交互に積層され、さらに、その最表面には保護用のソルダーレジスト層６が被着されて成る。
【００２９】
絶縁基板３は、厚みが０．３〜１．５ｍｍ程度であり、例えばガラス繊維束を縦横に織ったガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料等から成り、配線基板１０のコア部材として機能する。
【００３０】
絶縁基板３の上面から下面にかけて直径が０．０５〜０．３ｍｍ程度の複数のスルーホール７が形成されており、絶縁基板３の上下面およびスルーホール７の内面には、コア用の配線導体２が被着されている。配線導体２は、絶縁基板３の上下面では、主として銅箔等から形成されており、スルーホール７内面では、無電解銅めっきおよびその上の電解銅めっきから形成されているのが好ましい。
【００３１】
また、スルーホール７内部には、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る埋め込み樹脂８が充填されており、絶縁基板３の上下面に形成された配線導体２同士がスルーホール７内の配線導体２を介して電気的に接続されている。
【００３２】
このような絶縁基板３は、例えばガラス織物に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートの上下面に配線導体２用の銅箔を張着した後、そのシートを熱硬化させ、これに上面から下面にかけてスルーホール７用のドリル加工を施すこと等により製作される。
【００３３】
配線導体２は、例えば絶縁基板３用のシートの上下全面に、厚みが３〜５０μｍ程度の銅箔を上述のように張着しておくとともに、これらの銅箔および絶縁基板３にスルーホール７を穿孔した後、このスルーホール７の内面および銅箔表面に無電解銅めっきおよび電解銅めっきを順次施し、次にスルーホール７内を埋め込み樹脂８で充填した後、この上下面の銅箔および銅めっきを、フォトリソグラフィ技術等を用いて所定のパターンにエッチング加工すること等により、絶縁基板３の上下面およびスルーホール７の内面に形成される。
【００３４】
埋め込み樹脂８は、スルーホール７を塞ぐことによりスルーホール７の直上および直下にビルドアップ用の絶縁層４を形成可能とするためのものであり、例えば未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂をスルーホール７内にスクリーン印刷法等により充填し、これを熱硬化させた後、その上下面を略平坦に研磨すること等により形成される。
【００３５】
絶縁基板３の上下面に積層された絶縁層４は、それぞれの厚みが２０〜６０μｍ程度であり、絶縁基板３と同様にガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料や、あるいはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に酸化ケイ素等の無機フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。また、各絶縁層４には、直径が３０〜１００μｍ程度の複数のビアホール９が形成されている。
【００３６】
各絶縁層４の表面およびビアホール９内面には、無電解銅めっきおよびその上の電解銅めっきから成るビルドアップ用の配線導体５が被着形成されている。そして、絶縁層４を挟んで上層に位置する配線導体５と下層に位置する配線導体５とをビアホール９内の配線導体５を介して電気的に接続することにより高密度配線が立体的に形成される。
【００３７】
配線導体５のうち、配線基板１０の上面側における最外層の絶縁層４上に被着された一部は、半導体集積回路素子１０１の電極１０１ａと半田等の半田バンプ１１０を介して電気的に接続される半導体素子接続用の接続パッド５ａを有する第一配線パターン部（帯状配線導体）５Ａであり、複数並んだ帯状に形成されている。また、配線基板１０の下面側における最外層の絶縁層４上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に半田ボール１１１を介して電気的に接続される外部接続用の接続パッド５ｂを有する第二配線パターン部５Ｂであり、複数並んで形成されている。
【００３８】
このような配線導体５は、例えばセミアディティブ法といわれる方法により形成される。セミアディティブ法は、例えば、ビアホール９が形成された絶縁層４の表面に電解めっき用の下地金属層を無電解銅めっきにより形成し、その上に配線導体５に対応した開口を有するめっきレジスト層を形成し、次に、下地金属層を給電用の電極として開口から露出する下地金属層上に電解銅めっきを施すことで配線導体５を形成し、めっきレジストを剥離した後、露出する下地金属層をエッチング除去することによって各配線導体５を電気的に独立させる方法である。
【００３９】
なお、ソルダーレジスト層６から露出する接続パッド５ａの上面および接続パッド５ｂの上面には、これらが酸化腐食するのを防止するとともに、半田バンプ１１０や半田ボール１１１との接続を良好にするため、ニッケルめっきおよび金めっきを無電解めっき法や電解めっき法等により順次被着させておくか、あるいは半田層を被着させておいてもよい。
【００４０】
ここで、第一配線パターン部５Ａは、図２に示すように、半導体集積回路素子１０１の外周部に対応する位置に、半導体集積回路素子１０１の外周辺に対して直角な方向に延びるようにして所定のピッチで帯状に複数並設されている。そして、第一配線パターン部５Ａの半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａに対応する位置には、半導体素子接続用の接続パッド５ａが複数並設されており、この接続パッド５ａ上には半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａをフリップチップ接続により電気的に接続するための半田バンプ１１０が形成される。
【００４１】
さらに、最外層の絶縁層４上および該絶縁層４上の配線導体５上には、ソルダーレジスト層６が被着されている。ソルダーレジスト層６は、最外層の配線導体５を熱や外部環境から保護するための保護膜であり、上面側のソルダーレジスト層６は、複数並設された半導体素子接続用の接続パッド５ａを一括して露出させるスリット状の開口６ａを有しており、下面側のソルダーレジスト層６は、外部接続用の接続パッド５ｂを露出させる円形の開口６ｂを有するようにして被着されている。
【００４２】
そして、図３に示すように、ソルダーレジスト層６が、さらにスリット状の開口６ａ内に露出した互いに隣接する接続パッド５ａ間の間隙を充填するように被着されている。これにより、各接続パッド５ａ上に半田バンプ１１０を良好に形成することができる。すなわち、接続パッド５ａに半田バンプ１１０を形成するには、例えばソルダーレジスト層６から露出する接続パッド５ａの表面にペースト状あるいは粒状の半田を付着させた後、これを加熱して半田を溶融させて、接続パッド５ａ上に半田バンプ１１０を形成する方法が採用される。
【００４３】
このとき、ソルダーレジスト層６は複数並設された半導体素子接続用の接続パッド５ａ間を充填するように被着されているので、接続パッド５ａ上に半田を付着させた後、半田を加熱溶融させると、隣接する接続パッド５ａ間に半田による電気的な短絡が発生することがなく、各接続パッド５ａ上に半田バンプ１１０が良好に形成され、それにより狭ピッチに形成された半導体集積回路素子１０１の電極端子１０１ａとこれに対応する接続パッド５ａとを電気的に確実に接続することができる。また、ソルダーレジスト層６は、複数並設された半導体素子接続用の接続パッド５ａを一括して露出させるスリット状の開口６ａを有していることから、接続パッド５ａのピッチが狭ピッチであっても、各接続パッド５ａを位置精度良く露出させることができる。
【００４４】
特に、接続パッド５ａの幅Ｗ１が２５μｍ以下、好ましくは１０〜２５μｍであり、互いに隣接する接続パッド５ａ間の間隔Ｗ２が２５μｍ以下、好ましくは１５〜２５μｍであるのがよい。
【００４５】
ここで、前記した通り、ソルダーレジスト層６はスリット状の開口６ａ内に露出した互いに隣接する接続パッド５ａ間の間隙を充填するように被着されているが、この間隙に位置するソルダーレジスト層６１の高さは、溶融した半田が隣接する接続パッド５ａ間で繋がった状態になったとしても、該溶融した半田をはじくことができる程度の高さであればよく、例えば前記間隙を、接続パッド５ａの上面以下の高さで充填していてもよく、あるいは接続パッド５ａ上面を超える高さで充填していてもよい。特に、接続パッド５ａの高さと実質同一（高さの差が２μｍ以内）であるのが好ましい。接続パッド５ａの高さは、特に限定されないが、通常、１０〜２０μｍ程度であるのがよい。
【００４６】
次に、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を、上述の第一配線パターン部５Ａおよびソルダーレジスト層６の形成を例に挙げて、図面を参照して詳細に説明する。図４（ａ）〜（ｃ）および図５（ｄ），（ｅ）は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す部分拡大工程図である。
【００４７】
先ず、絶縁層と配線導体とを交互に積層した後、図４（ａ）に示すように、最外層の絶縁層４の表面に第一配線パターン部５Ａを形成する。第一配線パターン部５Ａは、例えば５０μｍピッチで複数が帯状に並んで形成され、その幅および間隔は例えばそれぞれ２５μｍであり、高さは例えば１３μｍ程度である。そして、その一部に接続部５ａが複数並設されている。このような第一配線パターン部５Ａは周知のセミアディティブ法により形成される。
【００４８】
次に、図４（ｂ）に示すように、最外層の絶縁層４上および第一配線パターン部５Ａ上の全面にソルダーレジスト層６用の樹脂層６Ｐを形成する。樹脂層６Ｐとしては、配線基板の表面を保護するソルダーレジスト層６として機能する各種の公知の樹脂が採用可能であり、具体的には、例えばエポキシ樹脂等に酸化珪素やタルク等の無機物粉末フィラーを３０〜７０質量％程度分散させた絶縁材料から成る光感光性樹脂や熱硬化型樹脂等が挙げられる。このような樹脂層６Ｐとなる樹脂ペーストを、第一配線パターン部５Ａが形成された最外層の絶縁層４上にスクリーン印刷法により塗布した後、適宜条件により加熱や紫外線照射して硬化させればよい。
【００４９】
次に、図４（ｃ）に示すように、複数並設された接続パッド５ａに対応する位置にスリット状の開口部Ｍａを有するマスクＭを樹脂層６Ｐの上に形成する。マスクＭは、例えば感光性樹脂フィルム等から成り、このマスクＭを樹脂層６Ｐ上に張着するとともに、前記感光性樹脂フィルムを所定パターンに露光現像することにより開口部Ｍａが形成される。
【００５０】
次に、図５（ｄ）に示すように、マスクＭの開口Ｍａから露出する樹脂層６Ｐを、接続パッド５ａの上面が露出するとともに、互いに隣接する接続部５ａ間に樹脂層６Ｐが残存するように、樹脂層６Ｐを部分的に除去する。樹脂層６Ｐを除去する方法としては、特に限定されないが、例えばウエットブラスト法等が挙げられる。
【００５１】
最後に、マスクＭを除去すると、図５（ｅ）に示すように、絶縁層４上および第一配線パターン部５Ａ上に、接続パッド５ａの上面を露出させるスリット状の開口６ａを有するソルダーレジスト層６と、このスリット状の開口６ａ内に露出した互いに隣接する接続パッド５ａ間の間隙を充填するように被着されたソルダーレジスト層６１が形成される。なお、マスクＭの除去方法としては、例えば水酸化ナトリウム水溶液等の弱アルカリ溶液への浸漬等が挙げられる。
【００５２】
次に、本実施形態にかかる配線基板の他の製造方法を、図面を参照して詳細に説明する。図６（ａ），（ｂ）は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法示す部分拡大説明図である。なお、図６（ａ），（ｂ）において、前述した図１〜図５と同一の構成部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００５３】
先ず、図６（ａ）に示すように、前記した一実施形態と同様にして、最外層の絶縁層４の表面に第一配線パターン部５Ａを形成する。次に、最外層の絶縁層４上および第一配線パターン部５Ａ上の全面にソルダーレジスト層６用の硬化状態の第一樹脂層６Ｐ１を形成する。そして、該第一樹脂層６Ｐ１を、第一配線パターン部５Ａの上面が露出するとともに、互いに隣接する第一配線パターン部５Ａ間に第一樹脂層６Ｐ１が残存するようにウエットブラスト法等により部分的に除去する。
【００５４】
次に、図６（ｂ）に示すように、複数並設された接続パッド５ａおよび隣接する接続パッド５ａ間に残存する第一樹脂層６Ｐ１を露出させるスリット状の開口６ａを有するように、ソルダーレジスト６用の第二樹脂層６Ｐ２を第一樹脂層６Ｐ１の上に形成する。なお、第二樹脂層６Ｐ２は、光感光性樹脂のペーストまたはフィルム等から成り、この第二樹脂層６Ｐ２を第一樹脂層６Ｐ１上に被着するとともに、これを所定パターンに露光現像することによりスリット状の開口６ａが形成される。
【００５５】
最後に、第二樹脂層６Ｐ２を硬化させると、絶縁層４上および第一配線パターン部５Ａ上に、接続パッド５ａの上面を露出させるスリット状の開口６ａを有すると共に、このスリット状の開口６ａ内に露出した互いに隣接する接続パッド５ａ間の間隙を充填するように被着されたソルダーレジスト層が形成される。
【００５６】
次に、本発明の他の実施形態にかかる配線基板およびその製造方法について図面を参照して詳細に説明する。図７は、第一電子部品としてのペリフェラル型の半導体集積回路素子をフリップチップ接続により搭載し、さらにその上に第二電子部品しての半導体素子搭載基板を半田ボール接続した本実施形態にかかる配線基板を示す概略断面図である。なお、図７において、前述した図１〜図６と同一の構成部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００５７】
図７に示すように、この配線基板２０は、配線導体５のうち、配線基板２０の上面側における最外層の絶縁層４上に被着された一部（すなわち第一配線パターン部５Ａ）に、半導体集積回路素子Ｅ１の電極に半田等の導電バンプＢ１を介して電気的に接続される接続パッド５ａが形成され、別の一部に、半導体素子搭載基板Ｅ２の電極端子に半田ボールＢ２を介して半田ボール接続により電気的に接続される接続部２１が形成されている。
【００５８】
上面側のソルダーレジスト層６は、前記した一実施形態と同様に、複数並設された接続パッド５ａを一括して露出させるスリット状の開口を有しており、このスリット状の開口内に露出した互いに隣接する接続パッド５ａ間の間隙を充填するように被着されている。さらに、このソルダーレジスト層６には、各接続部２１の上面を露出させる開口が形成されており、この開口から各接続部２１の上面を露出させるようにして被着されている。
【００５９】
このような配線基板２０は、半導体集積回路素子Ｅ１の電極端子と接続パッド５ａとを導電バンプＢ１を介して電気的に接続した後、半導体集積回路素子Ｅ１と配線基板２０との間の隙間にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るアンダーフィルと呼ばれる充填樹脂Ｕ１を充填し、半導体集積回路素子Ｅ１が配線基板２０上に実装される。さらに、その上に半導体素子搭載基板Ｅ２の電極端子と接続部２１とを半田ボールＢ２を介して電気的に接続することにより半導体素子搭載基板Ｅ２が配線基板２０上に実装され、これにより配線基板２０上に複数の電子部品を高密度に実装することができる。
【００６０】
次に、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を、図面を参照して詳細に説明する。図８（ａ）〜（ｃ）および図９（ｄ），（ｅ）は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法示す部分拡大工程図である。なお、図８および図９において、前述した図１〜図７と同一の構成部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００６１】
先ず、図８（ａ）に示すように、最外層の絶縁層４の表面に第一配線パターン部５Ａと、円形の接続部２１を形成する。このような第一配線パターン部５Ａおよび接続部２１は、例えば前記したセミアディティブ法により形成される。
【００６２】
次に、図８（ｂ）に示すように、最外層の絶縁層４上、第一配線パターン部５Ａ上および接続部２１上の全面にソルダーレジスト層６用の樹脂層６Ｐを形成する。具体的には、樹脂層６Ｐとなる光感光性樹脂ペーストを、第一配線パターン部５Ａおよび接続部２１が形成された最外層の絶縁層４上にスクリーン印刷法により塗布した後、適宜条件により露光・現像し、さらに加熱して硬化させればよい。このとき、接続部２１上面を露出させる開口を形成する。
【００６３】
次に、図８（ｃ）に示すように、複数並設された接続パッド５ａに対応する位置にスリット状の開口部Ｍａを有するマスクＭを、樹脂層６Ｐおよび接続部２１の上に形成した後、図９（ｄ）に示すように、マスクＭの開口Ｍａから露出する樹脂層６Ｐを、接続部５ａの上面が露出するとともに、互いに隣接する接続部５ａ間に樹脂層６Ｐが残存するように、樹脂層６Ｐを部分的に除去する。
【００６４】
最後に、マスクＭを除去して樹脂層６Ｐを硬化すると、図９（ｅ）に示すように、絶縁層４上、第一配線パターン部５Ａ上および接続部２１上に、接続パッド５ａの上面を露出させるスリット状の開口６ａと、接続部２１の上面を露出させる円形状の開口とを有し、スリット状の開口６ａ内に露出した隣接する接続パッド５ａ間の間隙を充填するように被着されたソルダーレジスト層６が形成される。
【００６５】
次に、本実施形態にかかる配線基板の他の製造方法を、図面を参照して詳細に説明する。図１０（ａ），（ｂ）は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法示す部分拡大説明図である。なお、図１０（ａ），（ｂ）において、前述した図１〜図９と同一の構成部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００６６】
先ず、図１０（ａ）に示すように、最外層の絶縁層４の表面に第一配線パターン部５Ａおよび接続部２１を形成した後、最外層の絶縁層４上、第一配線パターン部５Ａ上および接続部２１上の全面にソルダーレジスト層６用の第一樹脂層６Ｐ１を形成する。そして、該第一樹脂層６Ｐ１を、第一配線パターン部５Ａの上面および接続部２１の上面が露出するとともに、互いに隣接する第一配線パターン部５Ａの間に第一樹脂層６Ｐ１が残存するようにウエットブラスト法等により部分的に除去する。
【００６７】
次に、図１０（ｂ）に示すように、複数横に並んで形成された接続パッド５ａおよび隣接する接続パッド５ａ間に残存する第一樹脂層６Ｐ１を露出させるスリット状の開口６ａと、接続部２１を露出させる開口とを有するように、ソルダーレジスト６用の第二樹脂層６Ｐ２を第一樹脂層６Ｐ１の上に形成する。なお、第二樹脂層６Ｐ２は、前記した通り、光感光性樹脂のペーストまたはフィルム等から成り、この第二樹脂層６Ｐ２を第一樹脂層６Ｐ１上に被着するとともに、これを所定パターンに露光現像することによりスリット状の開口６ａと、接続部２１を露出させる開口とが形成される。
【００６８】
最後に、第一樹脂層６Ｐ１，第二樹脂層６Ｐ２を硬化すると、絶縁層４上、第一配線パターン部５Ａ上および接続部２１上に、接続パッド５ａの上面を露出させるスリット状の開口６ａと、接続部２１の上面を露出させる開口とを有し、スリット状の開口６ａ内に露出した隣接する接続パッド５ａ間を充填するように被着されたソルダーレジスト層６が形成される。
【００６９】
以上、本発明にかかるいくつかの実施形態について示したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で変更や改良したものにも適用できることは言うまでもない。例えば図１１に示すように、ソルダーレジスト層６上に、さらに他のソルダーレジスト層６’を被着形成してもよい。これにより、ソルダーレジスト層としての機能、すなわち配線基板の表面を保護するという機能を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の一実施形態にかかる配線基板を示す概略断面図である。
【図２】図１の配線基板を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる配線基板の接続パッド近傍を示す部分拡大概略説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す部分拡大工程図である。
【図５】（ｄ），（ｅ）は、本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す部分拡大工程図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施形態にかかる配線基板の他の製造方法を示す部分拡大説明図である。
【図７】本発明の他の実施形態にかかる配線基板を示す概略断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の他の実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す部分拡大工程図である。
【図９】（ｄ），（ｅ）は、本発明の他の実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す部分拡大工程図である。
【図１０】（ａ），（ｂ）は、本発明の他の実施形態にかかる配線基板の他の製造方法を示す部分拡大説明図である。
【図１１】本発明のさらに他の実施形態にかかる配線基板の接続パッド近傍を示す部分拡大概略説明図である。
【図１２】従来の配線基板を示す概略断面図である。
【図１３】図１２の配線基板を示す平面図である。
【図１４】従来の配線基板における接続パッド近傍を示す部分拡大概略説明図である。
【符号の説明】
【００７１】
２，５  配線導体
３  絶縁基板
４  絶縁層
５Ａ  第一配線パターン部
５Ｂ  第二配線パターン部
５ａ  接続パッド
５ｂ  接続パッド
６，６１  ソルダーレジスト層
６Ｐ  樹脂層
６Ｐ１  第一樹脂層
６Ｐ２  第二樹脂層
６ａ，６ｂ  開口
７  スルーホール
８  埋め込み樹脂
９  ビアホール
１０，２０  配線基板
２１  接続部
１０１  半導体集積回路素子
１０１ａ  電極
１１０  半田バンプ
１１１  半田ボール
【図１】
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【図２】
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【図７】
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【図１２】
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【図１３】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１４】
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