(57)【要約】      （修正有）【課題】基板上または基板内に構造物を製造する方法を提供する。【解決手段】基板１０上にスペーサ技術によって少なくとも１つのスペーサ構造物３０を配置する工程（ａ）と、上記少なくとも１つのスペーサ構造物、および、上記スペーサ構造物によって生成された構造物をその後の粒子照射ステップのためのマスクとして用いて、上記基板内に潜像を生成する工程（ｂ）と、該潜像を用いて、上記基板をさらに処理する工程（ｃ）とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上または基板内に構造物を製造する方法であって、
上記基板上に、少なくとも１つの側壁構造物を配置するステップ（ａ）と、
上記少なくとも１つの側壁構造物、または、上記側壁構造物によって生成された構造物を後の粒子照射ステップのためのマスクとして用いて、上記基板内に潜像を生成するステップ（ｂ）と、
上記潜像を少なくとも部分的に用いて、上記基板をさらに処理するステップ（ｃ）とを有する基板上または基板内に構造物を製造する方法。
【請求項２】
上記粒子照射ステップは、イオン、原子、または、電子を用いた照射を少なくとも含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記粒子は、原子、ヘリウム原子、アルゴン原子、または、キセノン原子を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記粒子照射はイオン注入である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
注入されるイオンは、ホウ素、酸素、窒素、および、リンから成る群の少なくとも１つから選択されている請求項４に記載の方法。
【請求項６】
上記照射後、非注入区域を少なくとも部分的に除去する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記非注入区域を、選択エッチングプロセスによって少なくとも部分的に除去する請求項６に記載の方法。
【請求項８】
非注入シリコン層を、少なくともＮＨ４ＯＨおよびＫＯＨのうちのいずれか１つを含むウェット化学反応によって選択的にエッチングする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
上記注入ステップ後、上記注入区域を少なくとも部分的に除去する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
上記注入区域を、エッチングプロセスによって少なくとも部分的に除去する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
その後、上記基板内の潜像を、マスク、特にカットマスクで少なくとも部分的に覆う請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
上記照射ステップ前に、上記基板を、マスク、特にカットマスクによって少なくとも部分的に覆う請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
上記側壁構造物は、誘電体、導電性材料、窒化物、酸化物、シリコン、炭素、アルミニウム酸化物、および、チタン酸化物から成る群のうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
上記少なくとも１つの側壁構造物のための少なくとも１つのキャリア構造物は、シリコン、レジスト、バイレイヤーレジスト、マルチレイヤーレジスト、および、炭素から成る群のうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
上記側壁構造物はスペーサ構造物である請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
上記スペーサ構造物はサブリソグラフィック構造物である請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
上記スペーサ構造物は５ｎｍ〜５０ｎｍの幅を有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
上記側壁構造物を、線（line）バイスペーサ技術（line-by-spacer technique）、パターンバイスペーサ技術（pattern-by-spacer technique）、線バイ充填技術（line-by-fill technique）、パターンバイ充填技術（pattern-by-fill technique）、下地膜充填技術、および、パターン充填技術のうちの少なくとも１つであるスペーサ技術によって製造する請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
上記基板は、ハードマスク層、シリコン層、酸窒化シリコン層、ＳｉＯＮ層、酸化物、窒化物、炭素、Ａｌ２０３、ウェハ、シリコンウェハ、ゲルマニウムウェハ、ＩＩＩ−Ｖ族材料ウェハ、構造化されたウェハ、構造化されたシリコンウェハ、構造化されたゲルマニウムウェハ、構造化されたＩＩＩ−Ｖ族材料ウェハから成る群のうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
半導体デバイスは、マイクロプロセッサ、メモリチップ、ＤＲＡＭチップ、ＰＣＲＡＭチップ、フラッシュメモリチップ、アナログ回路、デジタル回路、光電子デバイス、マスク、バイオチップ、および、微小電気機械デバイスから成る群のうちの少なくとも１つである請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
基板上または基板内に構造物を製造する方法であって、
上記基板上に、少なくとも１つのスペーサ構造物を、スペーサ技術によって配置するステップ（ａ）と、
上記少なくとも１つのスペーサ構造物を後の少なくとも１つの注入ステップのためのマスクとして用いて、上記基板内に少なくとも１つの潜像を生成するステップ（ｂ）と、
上記潜像を有する区域を少なくとも部分的にマスクで覆うステップ（ｃ）と、
上記マスクで覆われていない区域を少なくとも部分的にエッチングするステップ（ｄ）と、
上記マスクを少なくとも部分的に除去するステップ（ｅ）とを含む基板上または基板内に構造物を製造する方法。
【請求項２２】
基板上または基板内に構造物を製造する方法であって、
上記基板上に、少なくとも１つのスペーサ構造物を、スペーサ技術によって配置するステップ（ａ）と、
上記スペーサ構造物をマスクとして用いて、上記基板を少なくとも部分的にエッチングするステップ（ｂ）と、
上記スペーサ構造物によって生成された構造物を後の注入ステップ用のマスクとして用いて、上記基板内に潜像を生成するステップ（ｃ）と、
上記潜像を有する区域を少なくとも部分的にマスクで覆うステップ（ｄ）と、
上記マスクで覆われていない区域を少なくとも部分的にエッチングするステップ（ｅ）と、
上記マスクを少なくとも部分的に除去するステップ（ｆ）と、
上記注入区域を少なくとも部分的に除去するステップ（ｇ）とを含む基板上または基板内に構造物を製造する方法。
【請求項２３】
基板を覆うイメージング層内に、サブリソグラフィック構造物を生成する方法であって、
上記基板上に、スペーサ技術によって、第１のスペーサ構造物を設けるステップと、
上記イメージング層内に、上記第１のスペーサ構造物を、粒子放射線を用いて、潜像として投影させるステップと、
第２の構造物を上記基板上に重ねるステップと、
上記イメージング層の構造物は、上記第１の構造物と上記第２の構造物との重なりを表す、上記潜像を現像するステップとを含むサブリソグラフィック構造物を生成する方法。
【請求項２４】
基板上に配置されたイメージング層を構造化する方法であって、
上記イメージング層上に、少なくとも１つのスペーサ構造物を配置するステップと、
上記スペーサ構造物を上記イメージング層内に投影させて、上記スペーサ構造物の潜像を生成するステップと、
上記イメージング層上にマスク構造物を設けるステップと、
上記マスク構造物を用いて上記イメージング層をエッチングし、上記イメージング層の残っている部分を得るステップと、
上記イメージング層を現像して、上記イメージング層の上記残っている部分内の潜像を得るステップとを含むイメージング層を構造化する方法。
【請求項２５】
基板内にサブリソグラフィック構造物を生成するためのイメージング層であって、
リソグラフィック寸法の残留部分および除去部分と、
異なるエッチング速度を有すると共にサブリソグラフィックラテラル寸法を有する、上記残留部分内の第１の部分および第２の部分とを含むイメージング層。
【請求項２６】
粒子照射によってサブリソグラフィックパターンを反転させる方法であって、
上記粒子照射を行うステップと、
サブリソグラフィックパターンを形成するステップと、
照射を行って、上記サブリソグラフィックパターンの下方にある層内に潜像を形成するステップと、
上記サブリソグラフィックパターンを剥離するステップと、
上記潜像層を現像するステップと、
上記潜像層を真下の層内に転写するステップとを有するサブリソグラフィックパターンを反転させる方法。
【請求項２７】
基板上または基板内に構造物を製造する方法であって、
上記基板上に、少なくとも１つのサブリソグラフィック構造物を、例えばスペーサ技術によって配置するステップ（ａ）と、
上記基板上および上記サブリソグラフィック構造物上に、第２のマスクを設けるステップ（ｂ）と、
スペーサが生成された構造物、および、後の注入ステップ用のマスクを用いて、上記基板内に潜像を生成するステップ（ｃ）と、
マスクおよびスペーサが生成された構造物を剥離するステップ（ｄ）とを含む基板上または基板内に構造物を製造する方法。
【請求項２８】
上記基板上に少なくとも１つの側壁構造物を配置するステップ（ａ）と、
上記少なくとも１つの側壁構造物、または、上記側壁構造物によって生成された構造物を、後の粒子照射ステップ用のマスクとして用いて、上記基板内に潜像を生成するステップ（ｂ）と、
上記潜像を少なくとも部分的に用いて、上記基板をさらに処理するステップ（ｃ）とを有する基板上または基板内に構造物を製造する工程によって、得られるデバイス。
【請求項２９】
上記デバイスは半導体デバイスを含む請求項２８に記載のデバイス。
【請求項３０】
上記半導体デバイスは、マイクロプロセッサ、メモリチップ、ＤＲＡＭチップ、ＰＣＲＡＭチップ、フラッシュメモリチップ、アナログ回路、デジタル回路、光電子デバイス、マスク、バイオチップ、および、微小電気機械デバイスである請求項２９に記載のデバイス。
【請求項３１】
少なくとも１つのイメージ層を有する中間製造物である請求項２８に記載のデバイス。
【請求項３２】
上記イメージ層上の層内には、少なくとも１つの側壁構造物、特にスペーサ構造物が配置されている請求項３１に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
デバイス、例えば半導体デバイスを製造する際には、基板内または基板上に、小さな構造物を製造する必要がある。
【０００２】
図１，１Ａは、第１の実施形態の開始点を示す図である。
【０００３】
図２，２Ａは、上記第１の実施形態の第１のプロセスステップの結果を示す図である。
【０００４】
図３，３Ａは、上記第１の実施形態の第２のプロセスステップの結果を示す図である。
【０００５】
図４，４Ａは、上記第１の実施形態の第３のプロセスステップの結果を示す図である。
【０００６】
図５，５Ａは、上記第１の実施形態の第４のプロセスステップの結果を示す図である。
【０００７】
図６，６Ａは、上記第１の実施形態の第５のプロセスステップの結果を示す図である。
【０００８】
図７，７Ａは、第２の実施形態の第１のプロセスステップの結果を示す図である。
【０００９】
図８，８Ａは、上記第２の実施形態の第２のプロセスステップの結果を示す図である。
【００１０】
図９，９Ａは、上記第２の実施形態の第３のプロセスステップの結果を示す図である。
【００１１】
図１０，１０Ａは、上記第２の実施形態の第４のプロセスステップの結果を示す図である。
【００１２】
図１１，１１Ａは、上記第２の実施形態の第５のプロセスステップの結果を示す図である。
【００１３】
図１２，１２Ａは、第３の実施形態の開始点を示す図である。
【００１４】
図１３，１３Ａは、上記第３の実施形態の第１のプロセスステップの結果を示す図である。
【００１５】
図１４，１４Ａは、上記第３の実施形態の第２のプロセスステップの結果を示す図である。
【００１６】
図１５，１５Ａは、上記第３の実施形態の第３のプロセスステップの結果を示す図である。
【００１７】
図１６，１６Ａは、上記第３の実施形態の第４のプロセスステップの結果を示す図である。
【００１８】
図１７，１７Ａは、上記第３の実施形態の第５のプロセスステップの結果を示す図である。
【００１９】
図１８，１８Ａは、第４の実施形態の開始点を示す図である。
【００２０】
図１９，１９Ａは、図１８，１８Ａに示した構造物を処理した結果を示す図である。
【００２１】
図２０は、第５の実施形態の第１のマスクの一部を示す平面図である。
【００２２】
図２１は、上記第５の実施形態の第２のマスクの一部を示す平面図である。
【００２３】
図２２は、上記第５の実施形態の２つのマスクの複合効果を示す平面図である。
【００２４】
図２３は、上記第５の実施形態のウェハ上の結果を示す図である。
【００２５】
図２４は、第６の実施形態の第１のマスクの一部を示す平面図である。
【００２６】
図２５は、上記第６の実施形態の第２のマスクの一部を示す平面図である。
【００２７】
図２６は、上記第６の実施形態の２つのマスクの複合効果を示す平面図である。
【００２８】
図２７は、上記第６の実施形態のウェハの結果を示す平面図である。
【００２９】
図２８〜図３６は、第７の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【００３０】
図３７〜図４６は、第８の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【００３１】
図４７は、ピッチ細分化（pitch fragmentation）技術の第１の実施形態を行う構造物を示す断面図である。
【００３２】
図４８は、図４７に示したピッチ細分化技術の第１の実施形態の第１のプロセスステップ後を示す断面図である。
【００３３】
図４９は、上記ピッチ細分化技術の第３の実施形態を行う構造物を示す断面図である。
【００３４】
図５０は、図４９に示したピッチ細分化技術の第３の実施形態の第１のプロセスステップ後を示す断面図である。
【００３５】
図５１は、上記ピッチ細分化技術の第３の実施形態の第２のプロセスステップ後を示す断面図である。
【００３６】
図５２は、ピッチ細分化技術の第３の実施形態を行う構造物を示す断面図である。
【００３７】
図５３は、図５２に示したピッチ細分化技術の第３の実施形態の第１のプロセスステップ後を示す断面図である。
【００３８】
図５４は、上記ピッチ細分化の第３の実施形態の第３のプロセスステップの後を示す断面図である。
【００３９】
図５５は、上記ピッチ細分化の第３の実施形態の第３のプロセスステップの後を示す断面図である。
【００４０】
以下に、異なる実施形態を一例として示す。これら実施形態は、実例を示すために提供されたものであり、発明の範囲を限定するものとして理解されるべきものでないことは、当業者には明らかであろう。
【００４１】
図１〜図６に示す第１の実施形態は、メモリチップ、特にＤＲＡＭメモリチップである。図１〜図６Ａの左側には、アレイ領域が示されている（ここでは参照番号３０００で示されている）。図１〜図６Ａの右側には、サポート領域が示されている（ここでは参照番号３００１で示されている）。
【００４２】
ＤＲＡＭメモリチップは、ここに記載する実施形態のいずれか１つによって製造され得る半導体デバイスの一例に過ぎない。他の半導体デバイスとしては、光電子デバイス、アナログ回路、および／または、デジタル回路、微小電気機械デバイス（ＭＥＭＳ）、マイクロプロセッサ、バイオチップ、または、フラッシュメモリチップのような別のメモリチップが挙げられる。
【００４３】
図１〜図１２は、例えば、スペーサ技術、または、ピッチ細分化技術を用いた、構造物の製造工程における異なる段階を概略的に示す断面図である。図示した１つのプロセスステップは、以下に記載するように、１つ以上の副ステップを含み得る。
【００４４】
図１Ａ〜図１２Ａは、図１〜図１２に対応する、異なる段階を概略的に示す平面図である。
【００４５】
後に、原理上公知のスペーサ技術の実施例をいくつか示す。これら実施例を示すが、他の実施形態も同様に実施可能であり、サブリソグラフィック構造物、スペーサ構造物、スペーサ技術、または、ピッチ細分化技術は、一例に過ぎない。
【００４６】
図１は、スペーサ３０が配置された基板１０の断面図である。スペーサ構造物３０は、側壁構造物、つまりキャリア構造物の側壁に配置される構造物の一例である。図１に示す実施形態では、側壁構造物３０は、キャリア構造物２０のいずれか側面に存在している。ここでは、スペーサ構造物３０は、様々な方法によって形成され得ること（つまり、以下に記載するスペーサ技術の１つによってではなく）を、当業者は認識するであろう。
【００４７】
図１に示す実施形態では、基板１０は、ハードマスク層１１と、ハードマスク層１１上のいくつかの層１２，１３，１４とを含む。この構成は、上記実施形態を示すために選択したものであるが、他の構成も可能であることを、当業者には理解されたい。
【００４８】
図１に示すハードマスク層１１は、カーボンハードマスクである。
【００４９】
ハードマスク層１１の上には、酸窒化シリコン（例えばＳｉＯＮ）から成る第２の層１２が配置されている。
【００５０】
第２の層１２の上には、ポリシリコンから成る第３の層１３が配置されている。
【００５１】
第３の層１３の上には、酸窒化シリコン（例えば、ＳｉＯＮ）から成る第４の層１４が配置されている。
【００５２】
他の一実施形態では、図１の構造物を用いる。本実施形態では、ハードマスク層１１は、１００ｎｍを超える厚さ、特に１５０ｎｍを超える厚さを有し得るカーボンハードマスクである。
【００５３】
ハードマスク層１１の上には、酸窒化シリコン（例えば、ＳｉＯＮ）から形成され得る第２の層１２が配置されている。第２の層１２は、５〜５０ｎｍの厚さ、または、１０〜３０ｎｍの厚さを有し得る。実施可能な一実施形態では、２５ｎｍであってもよい。
【００５４】
第２の層１２の上には、ポリシリコンから成る第３の層１３が配置されている。第３の層１３は、２５ｎｍの厚さを有している。他の代替例では、５〜５０（ｎｍ）の厚さを有し得る。
【００５５】
第３の層１３の上には、酸窒化シリコン（例えば、ＳｉＯＮ）から形成され得る第４の層１４が配置されている。第４の層１４は、５〜５０（ｎｍ）の厚さを有し得る。他の一実施形態では、１０〜４０（ｎｍ）の厚さを有してもよい。他の一実施形態では、２５ｎｍの厚さを有してもよい。
【００５６】
他の実施形態では、基板１０は、より多くの層を含むか、または、より少ない層を含んでもよく、または、異なる材料から成る層を含んでもよい。形状、特に層厚は、例として挙げたものに過ぎない。上記層は、別の厚みを有することが可能であると共に、上記層は、互いに相対して異なる厚さを有してもよい。上述の実施形態は、例に過ぎず、他の形状も同様に実施可能である。
【００５７】
異なる層構造を有する（つまりハードマスク層を有さない）一実施例を、以下に、さらに記載する。
【００５８】
ここでは、層１１、１２、１３、１４の積層を、基板１０として記載する。しかしながら、他の実施形態では、該基板は、シリコンウェハ、ゲルマニウムウェハ、または、ＩＩＩ−Ｖ族の材料ウェハを含んでいてよい。特に、構造化される第１の層１１の下には、さらに複数の層（図示していない）が配置されていてもよい（図６参照）。
【００５９】
第１の実施形態では、２つの細長い構造物２０が配置されている。構造物２０は、任意の材料、または、任意の材料の組み合わせから形成されていてもよく、特に、炭素、シリコン、窒化物、Ａｌ２０３、および／または、レジストに限定されてはいない。既に説明した実施形態の場合のように、上記材料は、例として挙げたものに過ぎず、つまり、他の仕様も実施可能である。
【００６０】
上記第１の実施形態の一変形例では、１５〜１５０（ｎｍ）の間の高さを有し得る２つの細長い構造物２０が配置されている。構造物２０は、任意の材料、または、任意の材料の組み合わせから形成されていてもよく、特に、炭素、シリコン、窒化物、Ａｌ２０３、および／または、レジストに限定されてはいない。既に説明した実施形態の場合のように、上記材料、および、上記形状は、例として挙げたものに過ぎず、つまり、他の仕様を有する実施形態も実施可能である。
【００６１】
ここでは、構造物２０は、スペーサ構造物３０用のキャリア構造物として用いられる細長いシリコン構造物である。他の実施形態では、構造物２０は、様々な材料から形成されていてもよく、より複雑な構造を有していてもよい。例えば、構造物２０は、複数の細長い構造物が組み合わされたものであるか、または、異なる幅を有する複数の細長い構造物であってよい。
【００６２】
構造物２０の両側壁には、サブリソグラフィックスペーサ構造物３０が並んでいる。上述の実施形態のように、上記材料は、例として挙げたに過ぎず、つまり、他の仕様を有する実施形態も実施可能である。特に、スペーサ構造物３０は、サブリソグラフィックでなくてもよい。
【００６３】
他の追加的な一実施形態では、構造物２０は、５〜５０（ｎｍ）、例えば３６ｎｍの幅を有することが可能である。
【００６４】
スペーサ構造物３０は、以下の図４７〜図５５に示すスペーサ技術によって製造することが可能である。これら技術を用いて、ピッチ上に配置される小構造物を、用いられるリソグラフィプロセスの効果的な解像度以下で少なく製造することが可能である。このリソグラフィプロセスを、以下「サブリソグラフィック」と称する。
【００６５】
図１Ａでは、細長い構造物２０は、その全４辺をスペーサ構造物３０に囲まれている。
【００６６】
基板１０、構造物２０、および、スペーサ３０を、以下の説明の開始点として用いる。
【００６７】
図２，２Ａは、第１のプロセスステップの後の状態を示す図である。この第１のプロセスステップにおいて、細長いシリコン構造物２０は、エッチングプロセスによって、スペーサ３０の材料と、上記スペーサ構造物の真下の第４の層１４の材料とに対して選択的に除去される。
【００６８】
図３，３Ａは、第２のプロセスステップの後の状態を示す図である。本実施形態における該第２のプロセスステップは、第４の層１４（ここでは、酸窒化シリコン（例えば、ＳｉＯＮ）層）内への転写エッチングを含む。その後、スペーサ構造物３０をエッチングにより除去し、基板１０に粒子照射４０を行う。ここでは、粒子照射４０は、ホウ素を用いたイオン注入を含む。実行可能な別のイオン注入では、リンが用いられ得る。また、原子、または、イオン（例えばヘリウム、アルゴン、キセノン、および／または、窒素のような不活性ガス原子）のような荷電粒子、または、エレクトロンのような他の粒子を用いてもよい。
【００６９】
より少ない層を有すると共に、注入の前に転写エッチングを伴わない一実施形態を以下に記載する。
【００７０】
粒子照射４０は、第３の層１３内に潜像５０を形成する。この第３の層１３を、以下では、イメージ層１３と呼ぶ。潜像５０は、イメージ層１３の照射領域内の材料構造が非照射領域におけるイメージ層１３の材料構造とは異なるということを意味し得る。図示した実施形態では、第４の層１４の残っている部分は、粒子照射４０がイメージ層１３内に達しないように、イメージ層１３の所定の区域を覆っている。
【００７１】
図示した実施形態では、潜像５０は、スペーサ構造物３０から生成された構造物によって形成されている。潜像５０は、スペーサ構造物３０の反転（inversion）である。
【００７２】
あるいは、スペーサ３０は、エッチングにより除去されずに、イメージ層１３の所定の領域を粒子照射４０から保護するために用いられる。この場合、第４の層１４は存在せず、潜像５０は、スペーサ構造物３０それ自体によって形成されたものということになる。
【００７３】
基板１０の異なる領域において、以上の２つのプロセス例を組み合わせて用いることが出来ることを、当業者は認識するであろう。
【００７４】
図４，４Ａは、第３のプロセスステップ後の状態を示す図である。ここでもやはり、このプロセスステップは、副ステップを含む。基板１０上に、サブトラクティブカットマスク６０を、レジストマスクとして塗布させる。カットマスク６０は、基板を追加的に構造化するように用いられ得る。その後に層１３を切断する工程を、上記シリコンの所定の領域にエッチングを施すＲＩＥエッチングプロセスによって行う。
【００７５】
図５，５Ａは、第４のプロセスステップ後の状態を示す図である。ここでは、レジストカットマスク６０は、剥離されている。この剥離工程に続いて、イメージ層１３の非照射部(つまり、ここではイメージ層１３内のポリシリコン)が、エッチングプロセスによって除去される。ここで用いられるエッチングプロセスは、照射された部分に対して選択的に行われる。実施可能なウェットエッチングプロセスでは、非ドープポリがドープポリに対して選択的にエッチングされ得るので、ＮＨ４ＯＨ、および／または、ＫＯＨが、用いられ得る。
【００７６】
図５，５Ａに示すように、上記第２の層上には、イメージ層１３の潜像５０の区域が残っている。
【００７７】
他の実施形態では、類似のプロセスを行った結果、エッチングプロセスによって少なくとも部分的に除去された注入された区域である構造物が生じ得る。一例は、例えば、上記照射によってアモルファス状になり得る結晶質のＡｌ２０３層である。その後、これは、ＳＣｌまたはピラニアのようなウェットエッチングの化学反応によって除去され得る。
【００７８】
他の一実施形態では、窒化された表面を、注入プロセスによって損傷させることが可能である。損傷されない領域では、その後の酸化工程が阻止されるが、損傷された区域では、該酸化工程によって、酸化物を成長させることが可能である。その後、この酸化物マスクに対して異方性エッチングを行うことによって、ポリシリコン層を除去することが可能である。
【００７９】
図６，６Ａは、第５のプロセスステップ後の状態を示す図である。ここでは、イメージ層１３をマスクとして用いて、第２の層１２の酸窒化シリコン（例えば、ＳｉＯＮ）材料、および、底部のハードマスク層をエッチングする。ここには示していないが、このパターンは、下の領域内に転写され得る。示した実施形態では、構造化された層１３は、層１３の下にある層だけを構造化するために用いられ得ることに留意されたい。
【００８０】
本実施形態に関連して、一連の処理ステップを記載した。該一連のステップは、製品を製造する際に繰り返し行ってもよい。
【００８１】
この第２の実施形態は、上記第１の実施形態の一変形例である。上記第１のプロセスステップは、図１，２，１Ａ，２Ａに示した第１のプロセスステップと同一である。図２，２Ａの構造物は、上記第２の実施形態に係るさらなるプロセスの基礎を形成する。
【００８２】
図７，７Ａは、第２の実施形態の第１のプロセスステップ後の状態を示す図である。これは、第４の層１４（ここでは酸窒化シリコン（例えばＳｉＯＮ）層）への転写エッチングを含む。その後、スペーサ構造物３０をエッチングによって除去する。その後、例えばプラズマ窒化物形成による任意の窒化物形成工程を、全構造物に適用する。その後、基板１０に粒子照射４０を行う。
【００８３】
ここでは、粒子照射４０は、ホウ素を用いたイオン注入を含む。実行可能な別のイオン注入では、リン、ヒ素、酸素、または、窒素が用いられ得る。あるいは、原子（例えば、ヘリウム、アルゴン、キセノンのような不活性ガス原子）、または、電子のような他の粒子を用いてもよい。
【００８４】
粒子照射４０は、ここではイメージ層１３と呼ぶ第３の層１３内に、潜像５０を形成する。潜像５０は、イメージ層１３の照射領域内の材料構造が非照射領域内のイメージ層１３の材料構造とは異なることを意味することが可能である。示した実施形態では、第４の層１４の残っている部分は、粒子照射４０がイメージ層１３内に達しないように、イメージ層１３の所定の区域を覆っている。
【００８５】
示した実施形態では、潜像５０は、スペーサ構造物３０から生成された構造物によって製造されている。
【００８６】
あるいは、スペーサ３０をエッチングにより除去せずに、粒子照射４０からイメージ層１３の所定の領域を保護するようにスペーサ３０を用いてもよい。潜像５０は、スペーサ構造物３０によって直接構造化されていることになる。
【００８７】
基板１０の異なる領域において、以上の２つのプロセス例を組み合わせて用いることが出来ることを、当業者は認識するであろう。
【００８８】
図８，８Ａでは、上記構造物に酸化プロセスステップ(酸化物層１５)を施す。該プロセスステップには、任意であるが、窒化物剥離工程が続く。上記酸化工程は、注入されたドーパントによって強化されるか、または、損傷された窒化物によって停止されずに継続される。
【００８９】
イメージ層１３内の潜像の領域は、酸化物に置き換えられている。
【００９０】
図９，９Ａには、レジストカットマスク６０を酸化して構造化した後の状態が示されている。これは、上記の図４に示した状態に相似しており、つまりカットマスクサポート構造化、および、ウェットポリエッチングが行われる。
【００９１】
図１０，１０Ａは、上記構造物を、除去した第１の層１１内の非ドープのポリシリコンと共に示している。ここで、この積層の上の酸化物層を用いて、下にある基板１０を構造化することが可能である。従って、図１１は、上記の図６に類似している。
【００９２】
上記第３の実施形態の開始点は、上記第１の実施形態と同じように選択されている。従って、図１，１Ａの説明は、図１２，１２Ａと同じことが当てはまる。
【００９３】
図２，２Ａの基板１０を示す図１３，１３Ａにも同じことが当てはまる。図２，２Ａに示したように、スペーサ構造物３０のためのキャリア構造物２０は、除去されている。ここでは、スペーサ構造物３０は、第３の層１３のマスクとして用いられ得る。
【００９４】
図１４，１４Ａは、スペーサ３０を除去した後の状態と、その後の第４の層１４を構造化する工程とを示す図である。
【００９５】
図１５，１５Ａは、様々な副ステップを含む、上記第２のプロセスステップ後の状態を示す図である。最初に、レジストカットマスク６０を基板１０に設ける。このカットマスク６０は、その後、上記アレイの外部の区域、例えば支持部を決定するために用いられる。その後、粒子照射、ここでは再びホウ素イオン注入４０を用いる。カットマスク６０およびスペーサ構造物３０は、どちらも、第３の層１３（イメージ層）の所定の部分を、上記ホウ素注入から遮蔽している。ホウ素注入４０は、イメージ層１３内に潜像５０を生成する。
【００９６】
図１６，１６Ａでは、カットマスク６０、および、スペーサ構造物３０を、エッチングによって除去する。その後、イメージ層１３の非照射領域(ここでは、非注入領域)を、アルカリの、例えばＮＨ４ＯＨ、および／または、ＫＯＨ化学反応を用いて、イメージ層１３の照射された（ここでは、注入された）領域に対して選択的にエッチングする。
【００９７】
図１７，１７Ａは、図６，６Ａと相似しており、上記の各説明が当てはまる。
【００９８】
上記第４の実施形態は、図１４に示した構造物を開始点として用いる点において、上記第３の実施形態の一変形例であるが、実施形態２のプロセスと類似したプロセスである。
【００９９】
図１５では、カットマスクを用いてレジストを塗布する。粒子照射を行う。レジスト６０を剥離した後には、任意により酸化工程を行うことが可能であり、マスク１４を除去することが可能である。
【０１００】
層１３内の潜像を、例えば、ＫＯＨまたはＮＨ４ＯＨで非ドープのポリシリコンをエッチングすることによって、または、上記第１の実施形態または上記第２の実施形態に記載した酸化物マスクに対してポリシリコンをエッチングすることによって、現像する。図１７では、層１３の画像を、真下の複数の層に転写することが可能である。図１７，１７Ａは、この結果を示す図である。
【０１０１】
実施形態２と比較すると、この支持体区域は、カットマスク６０を上記注入に直接用いることによるカットマスク６０のパターン反転によって決定され得る、つまり、開口した区域内の窒化された表面は、上記注入によって損傷される。上記酸化工程によって、これら区域は、その後のポリエッチングのためのマスクに変わる。
【０１０２】
図２０〜図２３は、基板を処理する工程の様々な段階を示す平面図である。この様々な段階は、例えばチップ製造工程において関連区域を製造するために２つのマスクだけを用いることを強調している。図２０〜図２３は、上述の第１の実施形態および第２の実施形態に関する。従って、上述の説明を参照されたい。
【０１０３】
図２０では、左側の領域２００１内に、類似の構造物の規則的配列構造が示されている。この構造物は、複数のランディングパッドを含む。このようなアレイは、例えばメモリチップ内に存在する。上記アレイに加えて、領域２００２が示されており、該領域は、高いライン／スペース密度を有する論理回路のような構造物（ここではコア回路と呼ぶ）を伴う。この構造物は、不定のパターン内に不定の構造物を含む。コア回路２００２に加えて、領域２００３には、緩和された線構造物／空間構造物を有する論理回路のようなパターンが示されている。ここに示した複数の実施形態は、例えばこれらメモリチップのような様々なデバイスの製造に好適であることは、明らかであろう。
【０１０４】
第１のリソグラフィックステップでは、第１のマスクを用いて、図１のキャリアに相当する構造物２０１０を製造する（図２０参照）。
【０１０５】
図２１は、カットマスク２０２０(つまり上記キャリアを生成する第１のマスクの後の第２のマスク)の形を示す図である。このアレイは、完全に覆われている。上記コア回路区域においては、該マスク内に小さな穴構造物が存在していることが可能である。このマスクは、例えば図４のレジスト６０に相当する。その周辺には、大きな線（line）パターン／空間パターンが示されている。
【０１０６】
図２２には、図４に対応する、上記第１のマスクと上記第２のマスクとを組み合わせた効果が示されている。構造物２０１０は、以下にさらに詳細に説明するように、ピッチ細分化技術によって、スペーサ２０３０で囲まれている。図２３には、図５または図６に対応する、上記ウェハ上の結果が示されている。これは、全構造物を、２つのマスクだけで製造することが出来ることを示している。
【０１０７】
図２４〜図２７は、図２０〜図２３に相似しているが、本実施形態ではネガマスクを用いている点、および、このプロセスは上記第４の実施形態に相当する点だけが異なっている。これは、図２１に示したマスクの反転である図２５のカットマスクを用いていることで明らかであろう。
【０１０８】
上記実施形態の説明は典型例であり、つまり、上記第１の実施形態の文脈において記載した他の全代替例は他の実施形態にも適用され得ることは、当業者に明らかであろう。
【０１０９】
ここに典型例として示した実施形態は、２つのマスクを用いている。構造物２０を生成する１つのマスクは、スペーサ構造物３０用のキャリアとして用いられる。上記第２のマスクは、サブトラクティブカットプロセス、および、アディティブサポートリソグラフィに用いられる。この場合、第２のリソグラフィは、上記ハードマスクの中に潜像５０として保存された第１のパターンを用いて、平らなハードマスク上、つまりトポグラフィを有さない表面上で行われ得る。
【０１１０】
図２８〜図３６は、第７の実施形態を示す図である。該実施形態では、先に示した実施形態よりも少ない層が用いられている。先の実施形態のように、該実施形態の説明において用いた材料は、典型例である。
【０１１１】
本実施形態では、２つの層２１、２２が、他の基板（図示していない）上に配置されている。この基板は、例えば、カーボンハードマスク、または、任意の他の構造化された積層、または、ウェハであり得る。
【０１１２】
図２８に示す実施形態では、例えば酸窒化シリコンの第１の層２１は、例えばポリシリコンから成る第２の層２２を上部に有している。
【０１１３】
次のプロセスステップ（図２９）では、第２の層２２の上に、キャリア構造物２３（例えば、レジスト、バイレイヤーレジスト、マルチレイヤーレジスト、カーボンハードマスク）を配置する。
【０１１４】
次のプロセスステップ（図３０）では、第２の層２２および、キャリア構造物２３の上に、（例えばＳｉＯ２から成る）スペーサ層２４を堆積させる。このＳｉＯ２は、低温度プロセスを用いて堆積され得る。
【０１１５】
次のプロセスステップ（図３１）では、ＳｉＯ２層２４の水平部にエッチングを行って、キャリア構造物２３を表面に露出させる。
【０１１６】
続くプロセスステップ（図３２）では、キャリア構造物２３をエッチングプロセスによって除去して、スペーサ層２４からほぼ垂直なスペーサ構造物を残存させる。
【０１１７】
本実施例では、粒子注入を伴う照射４０（図３３）が、スペーサ構造物２４によって覆われていない上記基板の上部を変形させる。この照射の異なる実施形態については、既に説明した。この各説明を参照されたい。上述の実施例と同様に、第２の層２２は、スペーサ構造物２４の下の非注入領域と、注入領域（つまりスペーサ構造物２４で覆われていない領域）とを含む。従って、第２の層２２は、本実施形態におけるイメージ層を含む。なぜなら、本実施形態におけるスペーサ構造物２４の真下に、潜像５０が形成されるからである。
【０１１８】
上記照射の後、所定の領域は、カットマスク６０で覆われており、その後、該カットマスクに、第２のマスクリソグラフィを行う（図３４）。カットマスク６０を用いて、第２の層２２を少なくとも部分的に除去する（図３５）。
【０１１９】
その後、カットマスク６０を剥離し、上記照射領域に残っているポリシリコンを、例えばウェットエッチングによって除去する（図３６）ことによって、構造化された第２の層２２を、第２の層２２の下にある１つの層または複数の層を構造化するマスクとして用いることが可能である。
【０１２０】
図３７〜図４６には、第８の実施形態が示されている。該実施形態は、図２８〜図３６に示した実施形態の一変形例である。
【０１２１】
開始点は、ここでは酸窒化シリコンを含む第１の層２１、および、ここではポリシリコンを含む第２の層２２である。第２の層２２の上部には、追加層２５が配置されている。この追加層２５は、例えば、窒化物形成による窒化物、および／または、（Ａｌ２０３のような）酸化物を含むことが可能である。
【０１２２】
次のプロセスステップ（図３８）では、追加層２５の上に、キャリア構造物２３（例えば、レジスト、バイレイヤーレジスト、マルチレイヤーレジスト、カーボンハードマスク）を配置する。
【０１２３】
次のプロセスステップ（図３９）では、追加層２５、および、キャリア構造物２３の上に、（ここではＳｉＯ２から成る）スペーサ層２４を堆積させる。一実施形態では、該ＳｉＯ２を、低温度プロセスを用いて堆積させる。
【０１２４】
次のプロセスステップ（図４０）では、ＳｉＯ２層２４の水平部にエッチングを行い、キャリア構造物２３を露出させる。
【０１２５】
続くプロセスステップ（図４１）では、キャリア構造物２３をエッチングプロセスによって除去して、スペーサ層２４から、ほぼ垂直なスペーサ構造物を残存させる。
【０１２６】
本実施例では、粒子注入を伴う照射４０（図４２）が、スペーサ構造物２４によって覆われていない基板の上部を変形させる。この照射の異なる実施形態については、既に説明した。この各説明を参照されたい。上述の実施例と同様に、追加層２５は、スペーサ構造物２４の下の非注入領域と、注入領域（つまりスペーサ構造物２４で覆われていない領域）とを含む。追加層２５は、注入４０によって損傷される。従って、追加層２５は、本実施形態におけるイメージ層を含む。なぜなら、この追加層内に、潜像５０が形成されるからである。
【０１２７】
上記照射の後、スペーサ構造物２４を剥離し、最上層を酸化させる。これは、上記照射または注入が、例えば、窒化物形成によって成長させた窒化物、または、酸化物層２５を損傷させるという効果を有する。続く酸化工程では、損傷された窒化物形成の区域内には、酸化物が成長し、損傷されていない窒化物形成を伴う区域においては、妨害されるので該酸化物は成長しない。
【０１２８】
上記追加層は、非照射領域および照射領域を含むので、上記酸化工程は、最上層において、異なって行われる（図４３）。
【０１２９】
その後、所定の領域をカットマスク６０で覆い、その後、該カットマスクに第２のマスクリソグラフィを行う（図４４）。カットマスク６０を用いて、追加層２５（つまり、ここでは酸化された部分）を、少なくとも部分的にエッチングする（図４５）。
【０１３０】
その後、カットマスク６０を剥離し、上記窒化物をウェットエッチング（熱リン酸エッチング）する（図４６）ことによって、構造化された追加層２５、および、構造化された第２の層２２をマスクとして用いて、１つの層または複数の層を構造化することが可能である。
【０１３１】
上述のように、スペーサ構造物２４，３０は、スペーサを有するピッチ細分化のような任意の技術によって製造され得る。図４７〜図５５には、異なるスペーサ技術の実施例を示している。
【０１３２】
図４７は、半導体デバイス内の基板１０００上の一般構造物５００を示す断面図である。この構造物５００は、ピッチ細分化技術の典型的な実施形態、つまりスペーサ技術による線（または、より複雑な構造物を用いる場合には、スペーサ技術によるパターン）を示すために用いられる。
【０１３３】
図４７に示した一般構造物５００は、他の可能性の中でも特に、メモリチップ、マイクロプロセッサ、または、他の任意の集積回路内の線を示すことが可能である。該構造物は、光電子デバイス、または、微小電気機械デバイス（ＭＥＭＳ）内の線を示すこともあり得る。ここに示すピッチ細分化技術は、直線に限定されず、より複雑なパターンを製造するために用いられ得ることを、当業者は認識するであろう。
【０１３４】
図４７に示したピッチ細分化の実施形態では、初期構造物１０１には、該初期構造物１０１に隣接する側壁構造物１０２が並んでいる。初期構造物１０１で覆われた基板１０００の区域は、参照番号１００で示されており、側壁構造物１０２で覆われた区域は、参照番号２００で示されている。
【０１３５】
初期構造物１０１および側壁構造物１０２で覆われていない区域３００の表面には、何の材料も載っていない。
【０１３６】
例えば図４７に示した、スペーサ技術において、初期構造物１０１で覆われた区域１００、および、区域３００を、基板１０００内に転写する。従って、例えば、側壁構造物１０２および基板１０００に対して選択的であるエッチングプロセスによって、初期構造物１０１を除去する必要がある。
【０１３７】
図４８は、側壁構造物１０２だけが、スペーサ構造物として残留していることを示す図である。これは、スペーサ構造物１０２が、比較的小さな幅を有しているからである。各初期構造物１０１は２つの側壁１０２を有しており、従って構造物の密度が２倍であるため、サブリソグラフィックピッチ（つまり、所定の照射源の性能よりも細かいピッチの形状）が実現され得る。上述のように、サブリソグラフィックピッチ以外の他の形状も、実施可能である。
【０１３８】
基板１０００は、単一の材料である必要は無く、構造化された複数の層を含んでもよいことが、当業者には明らかであろう。
【０１３９】
図４９は、図４７の実施形態の一変形例を示す図である。ここでは、充填技術を用いて、区域３００および区域１００を、基板１０００内に転写する。本実施形態では、区域３００は、いくつかの材料で充填される。図４９のような積層をはじめとして、初期構造物１０１と、側壁構造物１０２（つまり、上記スペーサ）と、区域３００とを覆う層１００１が示されている。
【０１４０】
この積層を、この後、図５０に示すように、例えばエッチングまたはＣＭＰによって、凹状に窪ませる。その後、例えば、スペーサ構造物１０２を初期構造物１０１と区域３００内の層とに対して選択的にエッチングすることによって、スペーサ構造物１０２を除去する。ここでは、スペーサ構造物１０２によって形成された線（またはパターン）を、基板１０００内に転写することが可能である。この技術では、該スペーサの反転パターンが、該基板内に転写される。つまりこれは、スペーサによる線の反転ピッチ細分化技術である。
【０１４１】
これは、図５１に示されている。スペーサ１０２を、エッチングプロセスによって除去して、開口部１０３を生成する。層１００１と初期構造物１０１の残留物とが、１つのマスクを形成する。
【０１４２】
別の充填技術は、下地膜充填物（liner fill）による線（または、下地膜充填物によるパターン）である。図５２では、初期構造物１０１は、第１の層１００１で覆われている。第１の層１００１は、他の区域のうちでも特に初期構造物１０１の側壁を線引きしている。従って、区域１００１を覆っている側壁構造物は、スペーサでなく、下地膜の材料によって形成されている。本実施形態には、スペーサエッチングは必要でない。
【０１４３】
その後、図５２に示した積層を、図５３に示した第２の下地膜１００２で覆う。
【０１４４】
その後、図５４に示したように、第２の層１００２を凹状に窪ませるか、または、平坦化する。図５５は、上記下地膜の材料を、第１の層１００１から除去することを示す図である。これを、例えば、上記初期構造物の材料、および、第２の下地膜の材料に対して選択的である異方性エッチングによって行う。
【０１４５】
上記ピッチ細分化技術を、高次ピッチ細分化を形成する区域では一回以上用いてもよいことが、当業者には認識されるであろう。つまり、ずっと小さい構造物を製造することが可能である。さらに、上記基板内に転写されるパターンを形成する、領域または副領域の組み合わせを形成する材料間の異なる選択性を利用することが可能である。
【０１４６】
さらに、上記ピッチ細分化技術の実施形態は、様々に変形可能であると共に、様々な組み合わせで用いてもよく、あらゆる種類の材料で実施可能であることを、当業者は認識するであろう。上記ピッチ細分化の原理は、ここに示した実施例に、完全に網羅されているわけでない。
【０１４７】
様々な実施形態についての本説明では、プロセスステップという用語を用いた。この用語、プロセスステップは、１つの特定の処理工程（例えばエッチング）だけでなく複数の処理工程を含むことを、当業者は留意されたい。上述の説明に示したように、１つ以上の副ステップを一緒にして、１つのプロセスステップとして記載した場合もある。さらに、２つのプロセスステップの間に、別のプロセス、または、複数の副ステップを加えても良いことは、明らかであろう。
【０１４８】
さらに、記載した複数の実施形態中の様々なプロセスステップは、典型例である。一実施形態の別々のプロセスステップを、他の一実施形態からの別々のプロセスステップと組み合わせてよいことを、当業者は認識するであろう。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】第１の実施形態の開始点を示す図である。
【図１Ａ】第１の実施形態の開始点を示す図である。
【図２】上記第１の実施形態の第１のプロセスステップの結果を示す図である。
【図２Ａ】上記第１の実施形態の第１のプロセスステップの結果を示す図である。
【図３】上記第１の実施形態の第２のプロセスステップの結果を示す図である。
【図３Ａ】上記第１の実施形態の第２のプロセスステップの結果を示す図である。
【図４】上記第１の実施形態の第３のプロセスステップの結果を示す図である。
【図４Ａ】上記第１の実施形態の第３のプロセスステップの結果を示す図である。
【図５】上記第１の実施形態の第４のプロセスステップの結果を示す図である。
【図５Ａ】上記第１の実施形態の第４のプロセスステップの結果を示す図である。
【図６】上記第１の実施形態の第５のプロセスステップの結果を示す図である。
【図６Ａ】上記第１の実施形態の第５のプロセスステップの結果を示す図である。
【図７】第２の実施形態の第１のプロセスステップの結果を示す図である。
【図７Ａ】第２の実施形態の第１のプロセスステップの結果を示す図である。
【図８】上記第２の実施形態の第２のプロセスステップの結果を示す図である。
【図８Ａ】上記第２の実施形態の第２のプロセスステップの結果を示す図である。
【図９】上記第２の実施形態の第３のプロセスステップの結果を示す図である。
【図９Ａ】上記第２の実施形態の第３のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１０】上記第２の実施形態の第４のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１０Ａ】上記第２の実施形態の第４のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１１】上記第２の実施形態の第５のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１１Ａ】上記第２の実施形態の第５のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１２】第３の実施形態の開始点を示す図である。
【図１２Ａ】第３の実施形態の開始点を示す図である。
【図１３】上記第３の実施形態の第１のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１３Ａ】上記第３の実施形態の第１のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１４】上記第３の実施形態の第２のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１４Ａ】上記第３の実施形態の第２のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１５】上記第３の実施形態の第３のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１５Ａ】上記第３の実施形態の第３のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１６】上記第３の実施形態の第４のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１６Ａ】上記第３の実施形態の第４のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１７】上記第３の実施形態の第５のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１７Ａ】上記第３の実施形態の第５のプロセスステップの結果を示す図である。
【図１８】第４の実施形態の開始点を示す図である。
【図１８Ａ】第４の実施形態の開始点を示す図である。
【図１９】図１８，１８Ａに示した構造物を処理した結果を示す図である。
【図１９Ａ】図１８、１８Ａに示した構造物を処理した結果を示す図である。
【図２０】第５の実施形態の第１のマスクの一部を示す平面図である。
【図２１】上記第５の実施形態の第２のマスクの一部を示す平面図である。
【図２２】上記第５の実施形態の２つのマスクの複合効果を示す平面図である。
【図２３】上記第５の実施形態のウェハ上の結果を示す図である。
【図２４】第６の実施形態の第１のマスクの一部を示す平面図である。
【図２５】上記第６の実施形態の第２のマスクの一部を示す平面図である。
【図２６】上記第６の実施形態の２つのマスクの複合効果を示す平面図である。
【図２７】上記第６の実施形態のウェハの結果を示すである。
【図２８】第７の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図２９】第７の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図３０】第７の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図３１】第７の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図３２】第７の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図３３】第７の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図３４】第７の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図３５】第７の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図３６】第７の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図３７】第８の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図３８】第８の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図３９】第８の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図４０】第８の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図４１】第８の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図４２】第８の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図４３】第８の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図４４】第８の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図４５】第８の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図４６】第８の実施形態の異なるプロセスステップを示す図である。
【図４７】ピッチ細分化技術の第１の実施形態を行う構造物を示す断面図である。
【図４８】図４７に示したピッチ細分化技術の第１の実施形態の第１のプロセスステップの後を示す断面図である。
【図４９】上記ピッチ細分化技術の第３の実施形態を行う構造物を示す断面図である。
【図５０】図４９に示したピッチ細分化技術の第３の実施形態の第１のプロセスステップの後を示す断面図である。
【図５１】上記ピッチ細分化技術の第３の実施形態の第２のプロセスステップの後を示す断面図である。
【図５２】ピッチ細分化技術の第３の実施形態を行う構造物を示す断面図である。
【図５３】図５２に示したピッチ細分化技術の第３の実施形態の第１のプロセスステップの後を示す断面図である。
【図５４】上記ピッチ細分化の第３の実施形態の第３のプロセスステップの後を示す断面図である。
【図５５】上記ピッチ細分化の第３の実施形態の第３のプロセスステップの後を示す断面図である。
【図１】
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【図１Ａ】
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【図２】
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【図２Ａ】
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【図３】
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【図３Ａ】
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【図４】
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【図４Ａ】
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【図５】
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【図５Ａ】
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【図６】
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【図６Ａ】
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【図７】
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【図７Ａ】
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【図８】
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【図８Ａ】
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【図９】
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【図９Ａ】
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【図１０】
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【図１０Ａ】
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【図１１】
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【図１１Ａ】
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【図１２】
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【図１２Ａ】
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【図１３】
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【図１３Ａ】
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【図１４】
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【図１４Ａ】
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【図１５】
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【図１５Ａ】
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【図１６】
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【図１６Ａ】
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【図１７】
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【図１７Ａ】
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【図１８】
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【図１８Ａ】
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【図１９】
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【図１９Ａ】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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