(57)【要約】      （修正有）【課題】レジスト組成物用としての利用が可能な化合物、該化合物を含有するポジ型レジスト組成物および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】下記一般式（Ａ−１）で表される化合物。2008019235.tif 000045【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ａ−１）で表される化合物。
【化１】
2008019235.tif 000039
［式（Ａ−１）中、Ｒ’は水素原子または酸解離性溶解抑制基であって、複数のＲ’のうちの少なくとも１つは酸解離性溶解抑制基であり；Ｒ１１〜Ｒ１７はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；ｇ、ｊはそれぞれ独立に１以上の整数であり、ｋ、ｑは０以上の整数であり、かつｇ＋ｊ＋ｋ＋ｑが５以下であり；ａは１〜３の整数であり；ｂは１以上の整数であり、ｌ、ｍはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｂ＋ｌ＋ｍが４以下であり；ｃは１以上の整数であり、ｎ、ｏはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｃ＋ｎ＋ｏが４以下であり；Ａは下記一般式（Ｉａ）で表される基、下記一般式（Ｉｂ）で表される基または脂肪族環式基である。］
【化２】
2008019235.tif 000040
［式（Ｉａ）中、Ｒ１８、Ｒ１９はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；ｒ、ｙ、ｚはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｒ＋ｙ＋ｚが４以下である。］
【請求項２】
下記一般式（Ａ−２）で表される請求項１記載の化合物。
【化３】
2008019235.tif 000041
［式（Ａ−２）中、Ｒ’は水素原子または酸解離性溶解抑制基であって、複数のＲ’のうちの少なくとも１つは酸解離性溶解抑制基であり；Ｒ１１〜Ｒ１２はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；ａは１〜３の整数であり；ｂ’は１〜４の整数であり；ｃ’は１〜４の整数であり；Ａは前記一般式（Ｉａ）で表される基、前記一般式（Ｉｂ）で表される基または脂肪族環式基である。］
【請求項３】
酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する基材成分（Ａ）、および放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（Ａ−１）で表される化合物（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化４】
2008019235.tif 000042
［式（Ａ−１）中、Ｒ’は水素原子または酸解離性溶解抑制基であって、複数のＲ’のうちの少なくとも１つは酸解離性溶解抑制基であり；Ｒ１１〜Ｒ１７はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；ｇ、ｊはそれぞれ独立に１以上の整数であり、ｋ、ｑは０以上の整数であり、かつｇ＋ｊ＋ｋ＋ｑが５以下であり；ａは１〜３の整数であり；ｂは１以上の整数であり、ｌ、ｍはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｂ＋ｌ＋ｍが４以下であり；ｃは１以上の整数であり、ｎ、ｏはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｃ＋ｎ＋ｏが４以下であり；Ａは下記一般式（Ｉａ）で表される基、下記一般式（Ｉｂ）で表される基または脂肪族環式基である。］
【化５】
2008019235.tif 000043
［式（Ｉａ）中、Ｒ１８、Ｒ１９はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；ｒ、ｙ、ｚはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｒ＋ｙ＋ｚが４以下である。］
【請求項４】
前記化合物（Ａ１）が、下記一般式（Ａ−２）で表される化合物である請求項３記載のポジ型レジスト組成物。
【化６】
2008019235.tif 000044
［式（Ａ−２）中、Ｒ’は水素原子または酸解離性溶解抑制基であって、複数のＲ’のうちの少なくとも１つは酸解離性溶解抑制基であり；Ｒ１１〜Ｒ１２はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；ａは１〜３の整数であり；ｂ’は１〜４の整数であり；ｃ’は１〜４の整数であり；Ａは前記一般式（Ｉａ）で表される基、前記一般式（Ｉｂ）で表される基または脂肪族環式基である。］
【請求項５】
さらに、含窒素有機化合物（Ｄ）を含有する請求項３または４記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物用としての利用が可能な化合物、該化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。
微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化が行われている。具体的には、従来は、ｇ線、ｉ線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、ＫｒＦエキシマレーザーや、ＡｒＦエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されている。また、これらエキシマレーザーより短波長のＦ２エキシマレーザー、電子線、ＥＵＶ（極紫外線）やＸ線などについても検討が行われている。
また、微細な寸法のパターンを形成可能なパターン形成材料の１つとして、膜形成能を有する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有する化学増幅型レジストが知られている。化学増幅型レジストには、露光によりアルカリ可溶性が低下するネガ型と、露光によりアルカリ可溶性が増大するポジ型とがある。
【０００３】
従来、このような化学増幅型レジストの基材成分としてはポリマーが用いられており、例えばポリヒドロキシスチレン（ＰＨＳ）やその水酸基の一部を酸解離性溶解抑制基で保護した樹脂等のＰＨＳ系樹脂、（メタ）アクリル酸エステルから誘導される共重合体やそのカルボキシ基の一部を酸解離性溶解抑制基で保護した樹脂等が用いられている。
しかし、このようなパターン形成材料を用いてパターンを形成した場合、パターンの上面や側壁の表面に荒れ（ラフネス）が生じる問題がある。たとえばレジストパターン側壁表面のラフネス、すなわちラインエッジラフネス（ＬＥＲ）は、ホールパターンにおけるホール周囲の歪みや、ラインアンドスペースパターンにおけるライン幅のばらつき等の原因となるため、微細な半導体素子の形成等に悪影響を与えるおそれがある。
かかる問題は、パターン寸法が小さいほど重大となってくる。そのため、例えば電子線やＥＵＶによるリソグラフィーでは、数１０ｎｍの微細なパターン形成を目標としていることから、現状のパターンラフネスを越える極低ラフネスが求められている。
しかし、一般的に基材成分として用いられているポリマーは、分子サイズ（一分子当たりの平均自乗半径）が数ｎｍ前後と大きい。パターン形成の現像工程において、現像液に対するレジストの溶解挙動は通常、基材成分１分子単位で行われるため、基材成分としてポリマーを使う限り、さらなるラフネスの低減は極めて困難である。
【０００４】
このような問題に対し、極低ラフネスを目指した材料として、基材成分として低分子材料を用いるレジストが提案されている。たとえば非特許文献１，２には、水酸基、カルボキシ基等のアルカリ可溶性基を有し、その一部または全部が酸解離性溶解抑制基で保護された低分子材料が提案されている。
【非特許文献１】Ｔ．Ｈｉｒａｙａｍａ，Ｄ．Ｓｈｉｏｎｏ，Ｈ．Ｈａｄａ  ａｎｄ  Ｊ．Ｏｎｏｄｅｒａ：Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．１７（２００４）、ｐ４３５
【非特許文献２】Ｊｉｍ−Ｂａｅｋ  Ｋｉｍ，Ｈｙｏ−Ｊｉｎ  Ｙｕｎ，Ｙｏｕｎｇ−Ｇｉｌ  Ｋｗｏｎ：Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ（２００２）、ｐ１０６４〜１０６５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような低分子材料は、低分子量であるが故に分子サイズが小さく、ラフネスを低減できると予想される。そのため、レジスト組成物用として利用できる新規な低分子材料に対する要求が高まっている。また、レジスト組成物とした際に、実際に使用できるレベルでレジストパターンを形成できる低分子材料に対する要求が高まっている。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、レジスト組成物用としての利用が可能な化合物、該化合物を含有するポジ型レジスト組成物および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決する本発明の第一の態様は、下記一般式（Ａ−１）で表される化合物である。
【０００７】
【化１】
2008019235.tif 000002
［式（Ａ−１）中、Ｒ’は水素原子または酸解離性溶解抑制基であって、複数のＲ’のうちの少なくとも１つは酸解離性溶解抑制基であり；Ｒ１１〜Ｒ１７はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；ｇ、ｊはそれぞれ独立に１以上の整数であり、ｋ、ｑは０以上の整数であり、かつｇ＋ｊ＋ｋ＋ｑが５以下であり；ａは１〜３の整数であり；ｂは１以上の整数であり、ｌ、ｍはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｂ＋ｌ＋ｍが４以下であり；ｃは１以上の整数であり、ｎ、ｏはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｃ＋ｎ＋ｏが４以下であり；Ａは下記一般式（Ｉａ）で表される基、下記一般式（Ｉｂ）で表される基または脂肪族環式基である。］
【０００８】
【化２】
2008019235.tif 000003
［式（Ｉａ）中、Ｒ１８、Ｒ１９はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；ｒ、ｙ、ｚはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｒ＋ｙ＋ｚが４以下である。］
【０００９】
また、本発明の第二の態様は、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する基材成分（Ａ）、および放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（Ａ−１）で表される化合物（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物である。
【００１０】
【化３】
2008019235.tif 000004
［式（Ａ−１）中、Ｒ’は水素原子または酸解離性溶解抑制基であって、複数のＲ’のうちの少なくとも１つは酸解離性溶解抑制基であり；Ｒ１１〜Ｒ１７はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；ｇ、ｊはそれぞれ独立に１以上の整数であり、ｋ、ｑは０以上の整数であり、かつｇ＋ｊ＋ｋ＋ｑが５以下であり；ａは１〜３の整数であり；ｂは１以上の整数であり、ｌ、ｍはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｂ＋ｌ＋ｍが４以下であり；ｃは１以上の整数であり、ｎ、ｏはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｃ＋ｎ＋ｏが４以下であり；Ａは下記一般式（Ｉａ）で表される基、下記一般式（Ｉｂ）で表される基または脂肪族環式基である。］
【００１１】
【化４】
2008019235.tif 000005
［式（Ｉａ）中、Ｒ１８、Ｒ１９はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；ｒ、ｙ、ｚはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｒ＋ｙ＋ｚが４以下である。］
【００１２】
また、本発明の第三の態様は、前記第二の態様のポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。
【００１３】
ここで、本特許請求の範囲及び明細書における「アルキル基」は、特に記載のない限り、直鎖状、分岐状および環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。「脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基または多環式基であることを示す。
また、「低級アルキル基」は、炭素数１〜５のアルキル基が好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、レジスト組成物用としての利用が可能な化合物、該化合物を含有するポジ型レジスト組成物および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
≪化合物≫
本発明の化合物（以下、化合物（Ａ１）という。）は、上記一般式（Ａ−１）で表される。
上記一般式（Ａ−１）中、Ｒ’は水素原子または酸解離性溶解抑制基であり、複数のＲ’のうちの少なくとも１つは酸解離性溶解抑制基である。
上記一般式（Ａ−１）中、Ｒ’の酸解離性溶解抑制基は、解離前は化合物（Ａ１）をアルカリ不溶とするアルカリ溶解抑制性を有するとともに、解離後は化合物（Ａ１）をアルカリ可溶性へ変化させる基である。そのため、化合物（Ａ１）においては、後述するようにポジ型レジスト組成物に酸発生剤成分（Ｂ）とともに配合された場合に、露光により酸発生剤成分（Ｂ）から発生した酸が作用すると、酸解離性溶解抑制基が解離して、化合物（Ａ１）がアルカリ不溶からアルカリ可溶性へ変化する。
【００１６】
酸解離性溶解抑制基としては、特に制限はなく、ＫｒＦやＡｒＦ用の化学増幅型レジスト組成物に用いられるヒドロキシスチレン系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂等において提案されているもののなかから適宜選択して用いることができる。具体的には、第３級アルキル基、第３級アルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルコキシアルキル基、環状エーテル基等が挙げられる。なお、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレートと、メタクリレートの一方あるいは両方を意味する。
第３級アルキル基として、具体的には、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基等の鎖状の第３級アルキル基、２−メチル−２−アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基等の、脂肪族環式基を含む第３級アルキル基等が挙げられる。前記脂肪族環式基の具体例としては、例えば、低級アルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
脂肪族環式基を含む第３級アルキル基としては、例えば上述した２−メチル−２−アダマンチル基や、２−エチル−２−アダマンチル基等の、脂肪族環式基の環骨格上に第３級炭素原子を有する基；鎖状の第３級アルキル基の水素原子の一部が上述した脂肪族環式基で置換された基などが挙げられる。
第３級アルキルオキシカルボニル基における第３級アルキル基としては、上記と同様のものが挙げられる。第３級アルキルオキシカルボニル基として、具体的には、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−アミルオキシカルボニル基等が挙げられる。
環状エーテル基として、具体的には、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。
【００１７】
本発明においては、特に、本発明の効果に優れることから、下記一般式（ｐ１）で表されるアルコキシカルボニルアルキル基、および下記一般式（ｐ２）で表されるアルコキシアルキル基からなる群から選択される少なくとも１種の酸解離性溶解抑制基を有することが好ましい。
【００１８】
【化５】
2008019235.tif 000006
［式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に直鎖状、分岐状または環状のアルキル基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；Ｒ３は水素原子または低級アルキル基であり；ｎ’は１〜３の整数である。］
【００１９】
一般式（ｐ１）において、ｎ’は１〜３の整数であり、１であることが好ましい。
【００２０】
Ｒ１は直鎖状、分岐状または環状のアルキル基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよい。すなわち、Ｒ１としてのアルキル基は、水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む基（ヘテロ原子そのものの場合も含む）で置換されていてもよく、該アルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよい。
ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、フッ素原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む基としては、ヘテロ原子自体であってもよく、また、ヘテロ原子と炭素原子および／または水素原子とからなる基、たとえばアルコキシ基等であってもよい。
水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む基で置換されたアルキル基の例としては、たとえば、水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化低級アルキル基、同一の炭素原子に結合した２つの水素原子が１つの酸素原子で置換された基（すなわちカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）を有する基）、同一の炭素原子に結合した２つの水素原子が１つの硫黄原子で置換された基（すなわちチオカルボニル基（Ｃ＝Ｓ）を有する基）等が挙げられる。
アルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子を含む基で置換されている基としては、たとえば、炭素原子が窒素原子で置換されている例（たとえば、その構造中に−ＣＨ２−を含む分岐状または環状のアルキル基において該−ＣＨ２−が−ＮＨ−で置換された基）や、炭素原子が酸素原子で置換されている例（たとえば、その構造中に−ＣＨ２−を含む分岐状または環状のアルキル基において該−ＣＨ２−が−Ｏ−で置換された基）等が挙げられる。
【００２１】
Ｒ１としての直鎖状のアルキル基は、炭素数が１〜５であることが好ましく、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基が挙げられ、メチル基又はエチル基であることが好ましい。
Ｒ１としての分岐状のアルキル基は、炭素数が４〜１０であることが好ましく、４〜８であることがより好ましい。具体的には、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基等が挙げられ、ｔｅｒｔ−ブチル基であることが好ましい。
【００２２】
Ｒ１としての環状のアルキル基は、炭素数が３〜２０であることが好ましく、４〜１４であることがより好ましく、５〜１２であることが最も好ましい。
該環状のアルキル基における基本環（置換基を除いた基本の環）の構造は、単環でも多環でもよく、特に、本発明の効果に優れることから、多環であることが好ましい。また、基本環は、炭素および水素から構成された炭化水素環であってもよく、炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された複素環であってもよい。本発明においては、特に、基本環が炭化水素環であることが好ましい。炭化水素環の具体例としては、たとえば、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンが挙げられる。これらのなかでも、アダマンタン、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンが好ましく、特にアダマンタンが好ましい。
これらの基本環は、その環上に置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、低級アルキル基、フッ素原子、フッ素化低級アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。該低級アルキル基としては、メチル基、エチル基等の炭素数１〜５の直鎖状または分岐状のアルキル基が挙げられる。基本環が置換基を有する場合、置換基の数は、１〜３が好ましく、１がより好ましい。ここで、「置換基を有する」とは、基本環を構成する炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていることを意味する。
Ｒ１の環状のアルキル基としては、これらの基本環から１つの水素原子を除いた基が挙げられる。Ｒ１においては、該Ｒ１に隣接する酸素原子が結合する炭素原子が、上記のような基本環を構成する炭素原子の１つであることが好ましく、特に、Ｒ１に隣接する酸素原子に結合する炭素原子が、低級アルキル基等の置換基が結合した第３級炭素原子であることが、本発明の効果に優れ、好ましい。
Ｒ１として環状アルキル基を有する酸解離性溶解抑制基としては、たとえば、下記式（ｐ１−１）〜（ｐ１−７）で表される基が挙げられる。これらの中でも、一般式（ｐ１−１）で表されるものが好ましい。
【００２３】
【化６】
2008019235.tif 000007
［式中、Ｒ４は低級アルキル基であり、ｎ’は上記と同様である。］
【００２４】
Ｒ４の低級アルキル基は、炭素原子数１〜５のアルキル基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの低級の直鎖状または分岐状のアルキル基が挙げられる。Ｒ４としては、工業上入手しやすい点で、メチル基又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
【００２５】
Ｒ１としては、特に、環状のアルキル基を有する酸解離性溶解抑制基が好ましい。
【００２６】
式（ｐ２）中、Ｒ２としては、上記Ｒ１と同様のものが挙げられる。中でもＲ２としては、直鎖状アルキル基または環状アルキル基が好ましい。
Ｒ３は水素原子または低級アルキル基である。Ｒ３の低級アルキル基は、炭素原子数１〜５のアルキル基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの低級の直鎖状または分岐状のアルキル基が挙げられる。Ｒ３としては、工業上入手しやすい点で、水素原子またはメチル基が好ましく、水素原子であることがより好ましい。
【００２７】
Ｒ２が直鎖状アルキル基である式（ｐ２）で表される基としては、たとえば、１−エトキシエチル基、１−エトキシメチル基、１−メトキシエチル基、１−メトキシメチル基、１−メトキシプロピル基、１−エトキシプロピル基、１−ｎ−ブトキシエチル基、１−ペンタフルオロエトキシエチル基、１−トリフルオロメトキシエチル基、１−トリフルオロメトキシメチル基等が挙げられる。
Ｒ２が環状アルキル基である式（ｐ２）で表される基としては、たとえば、下記式で表される基が挙げられる。
【００２８】
【化７】
2008019235.tif 000008
［式中、Ｒ３は水素原子または低級アルキル基である。］
【００２９】
これらのなかでも、下記一般式（ｐ２−１）または（ｐ２−２）で表される基が好ましい。
【００３０】
【化８】
2008019235.tif 000009
［式中、Ｒ３は水素原子または低級アルキル基であり、ｎ”およびｍ”はそれぞれ独立に０〜２の整数であり、Ｗは２原子の水素原子または酸素原子である。］
【００３１】
ｎ”およびｍ”は０又は１であることが最も好ましい。
アダマンチル基と−ＣＨＲ３−Ｏ−（ＣＨ２）ｎ”−との結合位置は特に限定されないが、アダマンチル基の１位又は２位に結合することが好ましい。
【００３２】
本発明においては、酸解離性溶解抑制基が、上述した式（ｐ１−１）〜（ｐ１−７）、（ｐ２−１）〜（ｐ２−２）で表される基のように、環式基を有する基であることが、本発明の効果に優れることから好ましい。酸解離性溶解抑制基が環式基を有する基であると、鎖状の基である場合に比べ、化合物（Ａ１）のアルカリ溶解性が低くなる。そのため、当該化合物（Ａ１）をポジ型レジスト組成物に配合した場合に、当該ポジ型レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜の未露光部のアルカリ現像液に対する耐性が高くなる。つまり、露光部と未露光部とのアルカリ溶解性の差（溶解コントラスト）が大きくなり、解像性が向上する。
【００３３】
また、本発明においては、酸解離性溶解抑制基の種類を選択することにより、化合物（Ａ１）の特性、たとえばアルカリ溶解性等を調節することができる。すなわち、化合物（Ａ１）においては、酸解離性溶解抑制基が導入される際、カルボキシ基の反応性が水酸基に比べて高いため、酸解離性溶解抑制基はＲ’の位置に導入される。そのため、Ｒ’以外の部分の構造は一定であり、従来ポジ型レジスト組成物の基材成分として用いられているポリマー等に比べ、分子間の構造のばらつきが非常に小さい。したがって、酸解離性溶解抑制基の種類を選択することにより、化合物（Ａ１）全体の性質を調節することができる。たとえば酸解離性溶解抑制基としてアダマンタン等の多環構造を有する基を選択した場合と、シクロヘキサン等の単環構造を有する基を選択した場合と、鎖状構造の基を選択した場合とでは、化合物（Ａ１）のアルカリ溶解性は、多環構造を有する基＜単環構造を有する基＜鎖状構造の基となる。
酸解離性溶解抑制基の種類の選択においては、特に、Ｒ１１〜Ｒ１７の構造を考慮することが好ましい。これにより、化合物（Ａ１）のアルカリ溶解性を、ポジ型レジスト組成物用として好適な範囲に調節することができる。たとえばＲ１１〜Ｒ１７がメチル基等の鎖状のアルキル基である場合、化合物（Ａ１）はアルカリ溶解性が高い傾向があるが、酸解離性溶解抑制基としてアダマンタン等の多環構造を有する基を選択することにより、化合物（Ａ１）のアルカリ溶解性を低くすることができる。また、たとえばＲ１１〜Ｒ１７がシキロヘキシル基等の環状のアルキル基または芳香族炭化水素基である場合、化合物（Ａ１）はアルカリ溶解性が低い傾向があるが、このとき、Ｒ’の酸解離性溶解抑制基としてシクロヘキサン等の単環構造を有する基を選択して組み合わせることにより、化合物（Ａ１）のアルカリ溶解性を高くすることができる。
【００３４】
Ｒ１１〜Ｒ１７は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基または芳香族炭化水素基である。
前記アルキル基としては、炭素数１〜５の直鎖状または分岐状の低級アルキル基、または炭素数５〜６の環状アルキル基が好ましい。前記低級アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐状のアルキル基が挙げられ、これらの中でもメチル基が好ましい。前記環状アルキル基としてはシクロヘキシル基、シクロペンチル基等が挙げられ、シクロヘキシル基が好ましい。
前記芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜１５であることが好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、フェネチル基、ナフチル基などが挙げられる。
これらのアルキル基または芳香族炭化水素基は、その構造中に、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含んでもよい。
【００３５】
ｇ、ｊはそれぞれ独立に１以上の整数であり、ｋ、ｑはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｇ＋ｊ＋ｋ＋ｑが５以下である。
ｇおよびｊは、１または２であることが好ましく、最も好ましくは１である。
ｋは、０〜２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、最も好ましくは１である。
ｑは、０〜２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、最も好ましくは０である。
【００３６】
ａは、１〜３の整数であり、１または２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。
ｂは１以上の整数であり、ｌ、ｍはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｂ＋ｌ＋ｍが４以下である。
ｂは、１または２であることが好ましく、最も好ましくは１である。
ｌおよびｍは、０〜２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、最も好ましくは０である。
ｃは１以上の整数であり、ｎ、ｏはそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｃ＋ｎ＋ｏが４以下である。
ｃは、１または２であることが好ましく、最も好ましくは１である。
ｎおよびｏは、０〜２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、最も好ましくは０である。
【００３７】
下付文字ｂまたはｃを付した基（すなわち、−Ｏ−（ＣＨ２）ａ−ＣＯ−ＯＲ’）の結合位置は、特に限定されないが、少なくとも、当該−Ｏ−（ＣＨ２）ａ−ＣＯ−ＯＲ’が結合するベンゼン環に結合したＡのパラ位に、−Ｏ−（ＣＨ２）ａ−ＣＯ−ＯＲ’が結合していることが好ましい。かかる化合物は、当該化合物を用いて製造される低分子化合物がレジスト組成物用として好適であること、合成しやすい等の利点を有する。
【００３８】
下付文字ｇを付した水酸基（すなわち−（ＯＨ）ｇ）の結合位置は、特に限定されないが、得られる化合物を用いて製造される低分子化合物がレジスト組成物用として好適であること、合成しやすさ等の点で、少なくとも、フェニル基のパラ位（４位）に結合していることが好ましい。
Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１７の結合位置は、特に限定されないが、合成のしやすさ等の点で、Ｒ１１が、水酸基が結合した炭素原子に隣接する炭素原子の少なくとも一方に結合していることが好ましい。
【００３９】
Ａは前記一般式（Ｉａ）で表される基、前記一般式（Ｉｂ）で表される基または脂肪族環式基である。
式（Ｉａ）中、Ｒ１８、Ｒ１９のアルキル基または芳香族炭化水素基としては、上記Ｒ１１〜Ｒ１７のアルキル基または芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでも、Ｒ１８、Ｒ１９としては、本発明の効果に優れる点で、メチル基が好ましい。上記Ｒ１１〜Ｒ１７のアルキル基または芳香族炭化水素基は、その構造中に、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含んでもよい。
ｒ、ｙ、ｚはそれぞれ独立に０又は１以上の整数であり、かつｒ＋ｙ＋ｚが４以下である。なかでも、ｒ＝１であり、かつｙ＋ｚが１であることが好ましい。
【００４０】
Ａの脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数１〜５の低級アルキル基、フッ素原子、水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化低級アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）、等が挙げられる。
脂肪族環式基の、置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基（炭化水素基）であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、「炭化水素基」は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。好ましくは多環式基である。
このような脂肪族環式基の具体例としては、モノシクロアルカンから２個以上の水素原子を除いた基；ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから２個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから２個以上の水素原子を除いた基や、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから２個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの基は、その水素原子の一部または全部が置換基（例えば低級アルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基）で置換されていてもよい。
これらの中でも、炭素数が４〜１５の脂肪族環式基が好ましく、アダマンタンから２個の水素原子を除いた基がより好ましく、特に、アダマンタンの１位および３位の水素原子を除いた基が好ましい。
【００４１】
Ａは、前記一般式（Ｉｂ）で表される基が、合成が容易である点で最も好ましい。
【００４２】
本発明の化合物（Ａ１）としては、特に、下記一般式（Ａ−２）で表される化合物が、該化合物を用いて製造される化合物がレジスト組成物用として好適であるため好ましい。
【００４３】
【化９】
2008019235.tif 000010
【００４４】
式（Ａ−２）中、Ｒ’、Ｒ１１〜Ｒ１２、ａおよびＡは式（Ａ−１）中のＲ’、Ｒ１１〜Ｒ１２、ａおよびＡと同様である。ｂ’は１〜４の整数であり、１または２が好ましく、１が最も好ましい。ｃ’は１〜４の整数であり、１または２が好ましく、１が最も好ましい。
なかでも、ｂ’およびｃ’が１である化合物が好ましく、特に、下記一般式（Ａ−２−１）で表される化合物が好ましい。
【００４５】
【化１０】
2008019235.tif 000011
［式中、Ｒ’、Ｒ１１〜Ｒ１２、ａおよびＡは上記一般式（Ａ−１）中のＲ’、Ｒ１１〜Ｒ１２、ａと同様である。］
【００４６】
Ｒ１２の結合位置は、特に限定されないが、合成のしやすさ等の点で、水酸基のオルト位またはメタ位に結合していることが好ましい。
すなわち、式（Ａ−２）で表される化合物としては、下記一般式（Ａ−２−２）または（Ａ−２−３）で表される化合物が好ましい。
【００４７】
【化１１】
2008019235.tif 000012
［式中、Ｒ’、Ｒ１１〜Ｒ１２、ａおよびＡは上記一般式（Ａ−１）中のＲ’、Ｒ１１〜Ｒ１２、ａおよびＡと同様であり、ｂ’、ｃ’は上記一般式（Ａ−２）のｂ’、ｃ’と同様である。］
【００４８】
化合物（Ａ１）は、スピンコート法によりアモルファス（非晶質）な膜を形成しうる材料である。ここで、アモルファスな膜とは、結晶化しない光学的に透明な膜を意味する。スピンコート法は、一般的に用いられている薄膜形成手法の１つである。
当該化合物がスピンコート法によりアモルファスな膜を形成しうる材料であるかどうかは、８インチシリコンウェーハ上にスピンコート法により形成した塗膜が全面透明であるか否かにより判別できる。より具体的には、例えば以下のようにして判別できる。まず、当該化合物に、一般的にレジスト溶剤に用いられている溶剤を用いて、例えば乳酸エチル／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート＝４０／６０（質量比）の混合溶剤（以下、ＥＭと略記する）を、濃度が１４質量％となるよう溶解し、超音波洗浄器を用いて超音波処理（溶解処理）を施して溶解させ、該溶液を、ウェーハ上に１５００ｒｐｍにてスピンコートし、任意に乾燥ベーク（ＰＡＢ，Ｐｏｓｔ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｂａｋｅ）を１１０℃、９０秒の条件で施し、この状態で、目視にて、透明かどうかによりアモルファスな膜が形成されているかどうかを確認する。なお、透明でない曇った膜はアモルファスな膜ではない。
本発明において、化合物（Ａ１）は、上述のようにして形成されたアモルファスな膜の安定性が良好であることが好ましく、例えば上記ＰＡＢ後、室温環境下で２週間放置した後でも、アモルファスな状態が維持されていることが好ましい。
【００４９】
化合物（Ａ１）は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物（Ｉ）のカルボキシ基末端の水素原子の一部または全部を、周知の方法により、酸解離性溶解抑制基で置換することにより製造できる。
【００５０】
【化１２】
2008019235.tif 000013
［式（Ｉ）中、Ｒ１１〜Ｒ１７、ｇ、ｊ、ｋ、ｑ、ａ、ｂ、ｌ、ｍ、ｃ、ｎ、ｏおよびＡは、それぞれ、上記一般式（Ａ−１）中のＲ１１〜Ｒ１７、ｇ、ｊ、ｋ、ｑ、ａ、ｂ、ｌ、ｍ、ｃ、ｎ、ｏおよびＡと同様である。］
【００５１】
化合物（Ｉ）は、従来公知の方法により製造でき、たとえば、２個のサリチルアルデヒド（置換基を有していてもよい）が前記Ａを介して結合してなるビスサリチルアルデヒド誘導体と、置換基を有するフェノール化合物とを酸性条件下で脱水縮合させることによりトリス（ヒドロキシフェニル）メタン誘導体を得、該トリス（ヒドロキシフェニル）メタン誘導体の水酸基に、ブロモアセテート誘導体等のハロゲン化カルボン酸を反応させてカルボキシアルキルオキシ基を導入することにより製造できる。しかし、このような従来公知の方法では、カルボキシアルキルオキシ基が導入される水酸基の位置や数を制御しにくく、Ａを介して結合した２つのベンゼン環それぞれにカルボキシアルキルオキシ基が結合した化合物（Ｉ）の収率が低いという問題がある。
そのため、化合物（Ｉ）は、下記一般式（Ｉ−１）で表される化合物（Ｉ−１）と下記一般式（Ｉ−２）で表される化合物（Ｉ−２）とを反応させて下記一般式（Ｉ−３）で表される化合物（Ｉ−３）を得る工程（以下、化合物（Ｉ−３）形成工程という）と、
前記化合物（Ｉ−３）と下記一般式（Ｉ−４）で表される化合物（Ｉ−４）とを酸性条件下で反応させる工程を経て化合物（Ｉ）を得る工程（以下、化合物（Ｉ）形成工程という）とを有する製造方法により製造されることが好ましい。
【００５２】
【化１３】
2008019235.tif 000014
［式中、Ｘはハロゲン原子であり；Ｒは保護基であり；Ｒ１１〜Ｒ１７、ｇ、ｊ、ｋ、ｑ、ａ、ｂ、ｌ、ｍ、ｃ、ｎ、ｏおよびＡは、それぞれ、上記一般式（Ｉ）中のＲ１１〜Ｒ１７、ｇ、ｊ、ｋ、ｑ、ａ、ｂ、ｌ、ｍ、ｃ、ｎ、ｏおよびＡと同様である。］
【００５３】
＜化合物（Ｉ−３）形成工程＞
一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）中、Ｒ１３〜Ｒ１６、ａ、ｂ、ｌ、ｍ、ｃ、ｎ、ｏおよびＡは、上記一般式（Ｉ）中のＲ１３〜Ｒ１６、ａ、ｂ、ｌ、ｍ、ｃ、ｎ、ｏおよびＡと同様である。
一般式（Ｉ−２）中、Ｘのハロゲン原子としては、臭素原子、塩素原子、フッ素原子等が挙げられる。反応性に優れることから、臭素原子が好ましい。
Ｒの保護基は、化合物（Ｉ−１）と化合物（Ｉ−２）とを反応させる際に反応せず、かつ、次の化合物（Ｉ）形成工程において化合物（Ｉ−３）を反応させる際の酸性条件下で解離する酸解離性の基であれば特に限定されず、一般的に保護基として提案されているもののなかから任意に選択できる。
かかる保護基としては、上記式（Ａ−１）中のＲ’の酸解離性溶解抑制基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
Ｒの保護基としては、酸により解離しやすいこと、入手の容易さ等の点で、第３級アルキル基またはアルコキシアルキル基が好ましく、特に、鎖状のもの（鎖状の第３級アルキル基；一般式（ｐ２）において、Ｒ２が直鎖状または分岐状のアルキル基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく、Ｒ３が水素原子または直鎖状または分岐状の低級アルキル基であるアルコキシアルキル基等）が好ましく、鎖状の第３級アルキル基がより好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基が最も好ましい。
【００５４】
化合物（Ｉ−１）と化合物（Ｉ−２）とは、公知の方法により反応させることができ、たとえば、アセトン等の有機溶剤に化合物（Ｉ−１）を溶解し、該溶液中に炭酸カリウム等の塩基を添加し、撹拌しながら該溶液中に、使用する化合物（Ｉ−１）に対して約２当量倍の化合物（Ｉ−２）を添加することにより反応させることができる。
このとき使用する有機溶剤としては、化合物（Ｉ−１）および化合物（Ｉ−２）、並びに生成する化合物（Ｉ−３）を溶解するものであればよく、一般的な有機溶剤から任意のものを選択すればよい。一般的な有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、グライム、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類；酢酸エチル、乳酸エチル等のエステル類；プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等のエーテルエステル類；γ−ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げることができ、これらを単独で、または混合して用いることができる。
反応温度は、１０〜６０℃が好ましく、２０〜６０℃がより好ましく、通常、室温（２０〜２５℃）程度でよい。
反応時間は、１〜２４時間が好ましく、４〜１５時間がより好ましい。
【００５５】
反応終了後、反応液は、そのまま次の工程に用いてもよいが、水／酢酸エチル等を添加し、有機相（酢酸エチル相等）を減圧濃縮して化合物（Ｉ−３）を得てもよい。
【００５６】
＜化合物（Ｉ）形成工程＞
一般式（Ｉ−４）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１７、ｇ、ｊ、ｋおよびｑは、それぞれ、上記一般式（Ｉ）中のＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１７、ｇ、ｊ、ｋおよびｑと同様である。
【００５７】
本工程では、まず、化合物（Ｉ−３）と化合物（Ｉ−４）とを酸性条件下で反応させる工程を行う。これにより、化合物（Ｉ−３）のホルミル基（−ＣＨＯ）と化合物（Ｉ−４）とが反応するとともに、化合物（Ｉ−３）の保護基Ｒが解離してカルボキシ基が生成する。
具体的には、例えば、使用する化合物（Ｉ−３）に対して約４当量倍の化合物（Ｉ−４）をメタノール等の有機溶剤に溶解し、該溶液中に、塩酸等の酸を添加し、この混合溶液中に、化合物（Ｉ−３）を添加することにより反応させることができる。
このとき使用する酸としては、化合物（Ｉ−３）と化合物（Ｉ−４）とが反応し、かつ保護基Ｒが解離するものであれば特に制限はない。好ましくは塩酸、硫酸、無水硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、シュウ酸、ギ酸、リン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等を好ましい具体例として挙げることができる。特に、塩酸が好ましく用いられる。これらの酸は、いずれか１種を単独で用いてもよく、２種類以上混合して用いてもよい。
酸の添加量は、例えば、３５％質量塩酸の場合は、化合物（Ｉ−３）１００質量部に対して、１〜７００質量部、好ましくは、１００〜６００質量部の範囲で用いられる。
反応温度は、２０〜８０℃が好ましく、３０〜６５℃がより好ましい。
反応時間は、２〜９６時間が好ましく、５〜７２時間がより好ましい。
反応終了後、反応液に水酸化ナトリウム等の塩基を添加して、反応液中の酸を中和する。このとき、たとえば反応液に用いる有機溶剤としてメタノール等のアルコールを用いた場合、生じたカルボキシ基が該アルコールにより若干エステル化している場合がある。そのため、エステルを加水分解させるために、過剰の塩基を加えることが好ましい。
このようにして得られる反応液中には、化合物（Ｉ）が、塩となって溶解している。そのため、たとえば反応液を分液ロートに移し、水／ジエチルエーテル等で洗浄して原料（反応に用いた化合物等）を除去し、次いで水層を抜き取り、塩酸水溶液で中和すると、沈殿が生じる。この沈殿物をろ過等によって回収することにより、化合物（Ｉ）が得られる。
この未精製の化合物（Ｉ）は、さらに、再沈等の精製処理を行ってもよい。
【００５８】
上記化合物（Ａ１）は、後述するように、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する基材成分（Ａ）、および放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物において、前記基材成分（Ａ）として好適に使用できる。
化合物（Ａ１）を含有するポジ型レジスト組成物を用いることにより、高解像性のレジストパターン、たとえばパターン寸法２００ｎｍ以下の超微細なレジストパターンを形成でき、しかもラフネスも低減できる。
これは、化合物（Ａ１）の均一性によると推測される。すなわち、レジスト材料の基材成分として高分子量の重合体（樹脂）を用いる従来のレジストは、分子量分散やアルカリ溶解性分散を制御することが難しい。そのため、これらの分散や、その分子サイズそのものが原因となるＬＥＲなどの低減には限界がある。
また、上記問題の解決策として考えられている従来の低分子化合物（低分子材料）も、上述した非特許文献１，２等に記載されているように、アルカリ可溶性基を酸解離性溶解抑制基で保護することから、分子ごとに、保護されるアルカリ可溶性基の位置やその保護率などにばらつきが発生し、結果、その性質にもばらつきが生じて上記と同様の問題が生じる。
一方、化合物（Ａ１）は、低分子量の非重合体である。また、その製造に用いられる化合物（Ｉ）は、上述したように、アルカリ可溶性基としてフェノール性水酸基とカルボキシ基とを有しており、アルカリ可溶性基を酸解離性溶解抑制基により保護する際、より反応性の高いカルボキシ基が選択的に保護される。そのため、得られる化合物（Ａ１）は、たとえばアルカリ可溶性基として水酸基のみを等量有するような場合に比べ、その構造や分子量にばらつきが少ない。そのため、化合物（Ａ１）は、分子ごとのアルカリ溶解性や親水性・疎水性等の性質のばらつきが少なく、均一な性質のレジスト膜が形成できる。そのため、化合物（Ａ１）を用いることにより、均一な性質のレジスト膜を形成でき、それによって高解像性のレジストパターンを形成でき、また、ラフネスも低減できると推測される。
【００５９】
さらに、上述したように、化合物（Ａ１）の性質が均一で、均一な性質（アルカリ溶解性や親水性・疎水性等）のレジスト膜を形成できると考えられることから、化合物（Ａ１）を用いることにより、ディフェクトも低減できる。ここで、ディフェクトとは、例えば、ＫＬＡテンコール社の表面欠陥観察装置（商品名「ＫＬＡ」）により、現像後のレジストパターンを真上から観察した際に検知される不具合全般のことである。この不具合とは、例えば現像後のスカム、泡、ゴミ、レジストパターン間のブリッジ、色むら、析出物等である。
また、化合物（Ａ１）の性質が均一で、有機溶剤等に対する溶解性も均一であると考えられることから、化合物（Ａ１）を含有するポジ型レジスト組成物の保存安定性も向上する。
【００６０】
＜ポジ型レジスト組成物＞
本発明のポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する基材成分（Ａ）（以下、（Ａ）成分という。）、および放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（以下、（Ｂ）成分という。）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記（Ａ）成分として化合物（Ａ１）を含有することを特徴とする。
（Ａ）成分および（Ｂ）成分を含有するポジ型レジスト組成物においては、露光により前記（Ｂ）成分から発生した酸が前記（Ａ）成分に作用すると、（Ａ）成分全体がアルカリ不溶性からアルカリ可溶性に変化する。そのため、レジストパターンの形成において、該ポジ型レジスト組成物からなるレジスト膜を選択的に露光すると、または露光に加えて露光後加熱すると、露光部はアルカリ可溶性へ転じる一方で未露光部はアルカリ不溶性のまま変化しないので、アルカリ現像することによりポジ型のレジストパターンが形成できる。
【００６１】
［（Ａ）成分］
（Ａ）成分は、上記化合物（Ａ１）を含有する。
化合物（Ａ１）は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（Ａ）成分中、化合物（Ａ１）の割合は、４０質量％超であることが好ましく、５０質量％超であることがより好ましく、８０質量％超がさらに好ましく、最も好ましくは１００質量％である。
（Ａ）成分中の化合物（Ａ１）の割合は、逆相クロマトグラフィー等の手段により測定できる。
【００６２】
（Ａ）成分は、さらに、化合物（Ａ１）を用いることによる効果を損なわない範囲で、これまで化学増幅型レジストの基材成分として提案されている任意の樹脂成分（以下、（Ａ２）成分ということがある）を含有していてもよい。
かかる（Ａ２）成分としては、例えば従来の化学増幅型のＫｒＦ用ポジ型レジスト組成物、ＡｒＦ用ポジ型レジスト組成物等のベース樹脂として提案されているものが挙げられ、レジストパターン形成時に用いる露光光源の種類に応じて適宜選択できる。
【００６３】
ポジ型レジスト組成物中の（Ａ）成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚に応じて調整すればよい。
【００６４】
［（Ｂ）成分］
（Ｂ）成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。
このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ（ビススルホニル）ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。
【００６５】
オニウム塩系酸発生剤としては、例えば下記一般式（ｂ−０）で表される酸発生剤が例示できる。
【００６６】
【化１４】
2008019235.tif 000015
［式中、Ｒ５１は、直鎖、分岐鎖若しくは環状のアルキル基、または直鎖、分岐鎖若しくは環状のフッ素化アルキル基を表し；Ｒ５２は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、直鎖、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、直鎖若しくは分岐鎖状のハロゲン化アルキル基、または直鎖若しくは分岐鎖状のアルコキシ基であり；Ｒ５３は置換基を有していてもよいアリール基であり；ｕ’’は１〜３の整数である。］
【００６７】
一般式（ｂ−０）において、Ｒ５１は、直鎖、分岐鎖若しくは環状のアルキル基、または直鎖、分岐鎖若しくは環状のフッ素化アルキル基を表す。
前記直鎖若しくは分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８であることがさらに好ましく、炭素数１〜４であることが最も好ましい。
前記環状のアルキル基としては、炭素数４〜１２であることが好ましく、炭素数５〜１０であることがさらに好ましく、炭素数６〜１０であることが最も好ましい。
前記フッ素化アルキル基としては、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８であることがさらに好ましく、炭素数１〜４であることが最も好ましい。また。該フッ化アルキル基のフッ素化率（アルキル基中全水素原子の個数に対する置換したフッ素原子の個数の割合）は、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは５０〜１００％であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。
Ｒ５１としては、直鎖状のアルキル基または直鎖状のフッ素化アルキル基であることが最も好ましい。
【００６８】
Ｒ５２は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、直鎖、分岐鎖若しくは環状のアルキル基、直鎖、若しくは分岐鎖状のハロゲン化アルキル基、または直鎖若しくは分岐鎖状のアルコキシ基である。
Ｒ５２において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子などが挙げられ、フッ素原子が好ましい。
Ｒ５２において、直鎖または分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が１〜５であることが好ましく、特に炭素数が１〜４であることがさらに好ましく、さらには炭素数が１〜３であることが最も望ましい。
Ｒ５２において、環状のアルキル基としては、炭素数４〜１２が好ましく、炭素数４〜１０がさらに好ましく、炭素数５〜１０であることが最も好ましい。
Ｒ５２において、ハロゲン化アルキル基は、アルキル基中の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。ここでのアルキル基は、前記Ｒ５２における「直鎖または分岐鎖状のアルキル基」と同様のものが挙げられる。置換するハロゲン原子としては上記Ｒ５２における「ハロゲン原子」について説明したものと同様のものが挙げられる。ハロゲン化アルキル基において、水素原子の全個数の５０〜１００％がハロゲン原子で置換されていることが望ましく、全て置換されていることがより好ましい。
Ｒ５２において、アルコキシ基としては、直鎖状または分岐鎖状であり、その炭素数は好ましくは１〜５、特に１〜４、さらには１〜３であることが望ましい。
Ｒ５２としては、これらの中でも水素原子が好ましい。
【００６９】
Ｒ５３は置換基を有していてもよいアリール基であり、置換基を除いた基本環（母体環）の構造としては、ナフチル基、フェニル基、アントラセニル基などが挙げられ、本発明の効果やＡｒＦエキシマレーザーなどの露光光の吸収の観点から、フェニル基が望ましい。
置換基としては、水酸基、低級アルキル基（直鎖または分岐鎖状であり、その好ましい炭素数は５以下であり、特にメチル基が好ましい）などを挙げることができる。
Ｒ５３のアリール基としては、置換基を有しないものがより好ましい。
ｕ’’は１〜３の整数であり、２または３であることが好ましく、特に３であることが望ましい。
【００７０】
一般式（ｂ−０）で表される酸発生剤の好ましいものとしては、以下の化学式で表されるものを挙げることができる。
【００７１】
【化１５】
2008019235.tif 000016
【００７２】
一般式（ｂ−０）で表される酸発生剤は１種または２種以上混合して用いることができる。
【００７３】
一般式（ｂ−０）で表される酸発生剤の他のオニウム塩系酸発生剤としては、例えば下記一般式（ｂ−１）または（ｂ−２）で表される化合物が挙げられる。
【００７４】
【化１６】
2008019235.tif 000017
［式中、Ｒ１”〜Ｒ３”，Ｒ５”〜Ｒ６”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し；Ｒ４”は、直鎖、分岐または環状のアルキル基またはフッ素化アルキル基を表し；Ｒ１”〜Ｒ３”のうち少なくとも１つはアリール基を表し、Ｒ５”〜Ｒ６”のうち少なくとも１つはアリール基を表す。］
【００７５】
式（ｂ−１）中、Ｒ１”〜Ｒ３”はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。Ｒ１”〜Ｒ３”のうち、少なくとも１つはアリール基を表す。Ｒ１”〜Ｒ３”のうち、２以上がアリール基であることが好ましく、Ｒ１”〜Ｒ３”のすべてがアリール基であることが最も好ましい。
Ｒ１”〜Ｒ３”のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数６〜２０のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数６〜１０のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐ブチル基であることが最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いアルコキシ基としては、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。
Ｒ１”〜Ｒ３”のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数１〜５であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デカニル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。
これらの中で、Ｒ１”〜Ｒ３”はすべてフェニル基であることが最も好ましい。
【００７６】
Ｒ４”は、直鎖、分岐または環状のアルキル基またはフッ素化アルキル基を表す。
前記直鎖のアルキル基としては、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８であることがさらに好ましく、炭素数１〜４であることが最も好ましい。
前記環状又は分岐のアルキル基としては、前記Ｒ１”で示したような環式基であって、炭素数４〜１５であることが好ましく、炭素数４〜１０であることがさらに好ましく、炭素数６〜１０であることが最も好ましい。
前記フッ素化アルキル基としては、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８であることがさらに好ましく、炭素数１〜４であることが最も好ましい。また。該フッ化アルキル基のフッ素化率（アルキル基中のフッ素原子の割合）は、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは５０〜１００％であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。
Ｒ４”としては、直鎖または環状のアルキル基、またはフッ素化アルキル基であることが最も好ましい。
【００７７】
式（ｂ−２）中、Ｒ５”〜Ｒ６”はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。Ｒ５”〜Ｒ６”のうち、少なくとも１つはアリール基を表す。Ｒ５”〜Ｒ６”のすべてがアリール基であることが好ましい。
Ｒ５”〜Ｒ６”のアリール基としては、Ｒ１”〜Ｒ３”のアリール基と同様のものが挙げられる。
Ｒ５”〜Ｒ６”のアルキル基としては、Ｒ１”〜Ｒ３”のアルキル基と同様のものが挙げられる。
これらの中で、Ｒ５”〜Ｒ６”はすべてフェニル基であることが最も好ましい。
式（ｂ−２）中のＲ４”としては上記式（ｂ−１）のＲ４”と同様のものが挙げられる。
【００７８】
上記一般式（ｂ−１）又は（ｂ−２）で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ（４−メチルフェニル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル（４−ヒドロキシナフチル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニル（１−（４−メトキシ）ナフチル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネートなどが挙げられる。また、これらのオニウム塩のアニオン部がメタンスルホネート、ｎ−プロパンスルホネート、ｎ−ブタンスルホネート、ｎ−オクタンスルホネートに置き換えたオニウム塩も用いることができる。
【００７９】
また、前記一般式（ｂ−１）又は（ｂ−２）において、アニオン部を下記一般式（ｂ−３）又は（ｂ−４）で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができる（カチオン部は（ｂ−１）又は（ｂ−２）と同様）。
【００８０】
【化１７】
2008019235.tif 000018
［式中、Ｘ”は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数２〜６のアルキレン基を表し；Ｙ”、Ｚ”は、それぞれ独立に、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜１０のアルキル基を表す。］
【００８１】
Ｘ”は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は２〜６であり、好ましくは炭素数３〜５、最も好ましくは炭素数３である。
Ｙ”、Ｚ”は、それぞれ独立に、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は１〜１０であり、好ましくは炭素数１〜７であり、より好ましくは炭素数１〜３である。
Ｘ”のアルキレン基の炭素数またはＹ”、Ｚ”のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。
また、Ｘ”のアルキレン基またはＹ”、Ｚ”のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また２００ｎｍ以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは７０〜１００％、さらに好ましくは９０〜１００％であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。
【００８２】
本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式（Ｂ−１）で表される基を少なくとも１つ有する化合物であって、放射線の照射によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。
【００８３】
【化１８】
2008019235.tif 000019
（式（Ｂ−１）中、Ｒ３１、Ｒ３２はそれぞれ独立に有機基を表す。）
【００８４】
Ｒ３１、Ｒ３２の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子（たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子等）等）を有していてもよい。
Ｒ３１の有機基としては、直鎖、分岐または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していても良い。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数１〜６の直鎖、分岐または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、「置換基を有する」とは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。
アルキル基としては、炭素数１〜２０が好ましく、炭素数１〜１０がより好ましく、炭素数１〜８がさらに好ましく、炭素数１〜６が特に好ましく、炭素数１〜４が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基（以下、ハロゲン化アルキル基ということがある）が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
アリール基は、炭素数４〜２０が好ましく、炭素数４〜１０がより好ましく、炭素数６〜１０が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。
Ｒ３１としては、特に、置換基を有さない炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１〜４のフッ素化アルキル基が好ましい。
【００８５】
Ｒ３２の有機基としては、直鎖、分岐または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。Ｒ３２のアルキル基、アリール基としては、前記Ｒ３１で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。
Ｒ３２としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数１〜８のアルキル基、または炭素数１〜８のフッ素化アルキル基が好ましい。
【００８６】
オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式（Ｂ−２）または（Ｂ−３）で表される化合物が挙げられる。
【００８７】
【化１９】
2008019235.tif 000020
［式（Ｂ−２）中、Ｒ３３は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。Ｒ３４はアリール基である。Ｒ３５は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。］
【００８８】
【化２０】
2008019235.tif 000021
［式（Ｂ−３）中、Ｒ３６はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。Ｒ３７は２または３価の芳香族炭化水素基である。Ｒ３８は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。ｐ’’は２または３である。］
【００８９】
前記一般式（Ｂ−２）において、Ｒ３３の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８がより好ましく、炭素数１〜６が最も好ましい。
Ｒ３３としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
Ｒ３３におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が５０％以上フッ素化されていることが好ましく、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは９０％以上フッ素化されていることが好ましい。
【００９０】
Ｒ３４のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基、フルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基、ナフチル基、アントラセル（ａｎｔｈｒａｃｙｌ）基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を１つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。
Ｒ３４のアリール基は、炭素数１〜１０のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜８であることが好ましく、炭素数１〜４がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
【００９１】
Ｒ３５の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８がより好ましく、炭素数１〜６が最も好ましい。
Ｒ３５としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、部分的又は完全にフッ素化されたアルキル基が最も好ましい。
Ｒ３５におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が５０％以上フッ素化されていることが好ましく、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは９０％以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため好ましい。最も好ましくは、水素原子が１００％フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。
【００９２】
前記一般式（Ｂ−３）において、Ｒ３６の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記Ｒ３３の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
Ｒ３７の２または３価の芳香族炭化水素基としては、上記Ｒ３４のアリール基からさらに１または２個の水素原子を除いた基が挙げられる。
Ｒ３８の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記Ｒ３５の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
ｐ’’は好ましくは２である。
【００９３】
オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（ｐ−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（４−ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（４−ニトロ−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−クロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，４−ジクロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，６−ジクロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド、α−（２−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−チエン−２−イルアセトニトリル、α−（４−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−［（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニル］アセトニトリル、α−［（ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニル］アセトニトリル、α−（トシルオキシイミノ）−４−チエニルシアニド、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘプテニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロオクテニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−シクロヘキシルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−エチルアセトニトリル、α−（プロピルスルホニルオキシイミノ）−プロピルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−シクロペンチルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−シクロヘキシルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（ｎ−ブチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（ｎ−ブチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（プロピルスルホニルオキシイ���ノ）−ｐ−メチルフェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。
また、特開平９−２０８５５４号公報（段落［００１２］〜［００１４］の［化１８］〜［化１９］）に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、ＷＯ２００４／０７４２４２Ａ２（６５〜８５頁目のＥｘａｍｐｌｅ１〜４０）に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、好適なものとして以下のものを例示することができる。
【００９４】
【化２１】
2008019235.tif 000022
【００９５】
上記例示化合物の中でも、下記の４つの化合物が好ましい。
【００９６】
【化２２】
2008019235.tif 000023
【００９７】
ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン等が挙げられる。
また、特開平１１−０３５５５１号公報、特開平１１−０３５５５２号公報、特開平１１−０３５５７３号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、ポリ（ビススルホニル）ジアゾメタン類としては、例えば、特開平１１−３２２７０７号公報に開示されている、１，３−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン、１，４−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタン、１，６−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン、１，１０−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカン、１，２−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）エタン、１，３−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン、１，６−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン、１，１０−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカンなどを挙げることができる。
【００９８】
（Ｂ）成分としては、これらの酸発生剤を１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ポジ型レジスト組成物における（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、０．５〜３０質量部が好ましく、１〜１５質量部がより好ましい。上記範囲とすることでパターン形成が十分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。
【００９９】
［任意成分］
本発明のポジ型レジスト組成物には、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるために、さらに任意の成分として、含窒素有機化合物（Ｄ）（以下、（Ｄ）成分という）を配合させることができる。
この（Ｄ）成分は、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いれば良く、例えば、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン等のモノアルキルアミン；ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デカニルアミン、トリ−ｎ−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン；ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−ｎ−オクタノールアミン、トリ−ｎ−オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、特に第２級脂肪族アミンや第３級脂肪族アミンが好ましく、炭素数５〜１０のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ−ｎ−オクチルアミンが最も好ましい。
これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ｄ）成分は、（Ａ）成分１００質量部に対して、通常０．０１〜５．０質量部の範囲で用いられる。
【０１００】
本発明のポジ型レジスト組成物には、前記（Ｄ）成分の配合による感度劣化の防止、またレジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、さらに任意の成分として、有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体（Ｅ）（以下、（Ｅ）成分という）を含有させることができる。なお、（Ｄ）成分と（Ｅ）成分は併用することもできるし、いずれか１種を用いることもできる。
有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。  リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ−ｎ−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸又はそれらのエステルのような誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−ｎ−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。
（Ｅ）成分は、（Ａ）成分１００質量部当り０．０１〜５．０質量部の割合で用いられる。
【０１０１】
ポジ型レジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。
【０１０２】
ポジ型レジスト組成物は、材料を有機溶剤（以下、「（Ｓ）成分」ということがある。）に溶解させて製造することができる。
（Ｓ）成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを１種または２種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類；
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−ｎ−アミルケトン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；
エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類及びその誘導体；
エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物；
前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体； 
ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；
アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼンン、アミルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤として用いてもよい。
中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ＥＬが好ましい。
また、（Ｓ）成分として、ＰＧＭＥＡと極性溶剤とを混合した混合溶媒は好ましい。その配合比（質量比）は、ＰＧＭＥＡと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてＥＬを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＥＬの質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２である。また、極性溶剤としてＰＧＭＥを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥの質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２、さらに好ましくは３：７〜７：３である。
また、（Ｓ）成分として、その他には、ＰＧＭＥＡ及びＥＬの中から選ばれる少なくとも１種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは７０：３０〜９５：５とされる。
（Ｓ）成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が２〜２０質量％、好ましくは５〜１５質量％の範囲内となる様に用いられる。
【０１０３】
＜レジストパターン形成方法＞
上記ポジ型レジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法に使用できる。
該レジストパターン形成方法は、たとえば以下のようにして実施できる。すなわち、まずシリコンウェーハのような基板上に、上記ポジ型レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、任意にプレベーク（ＰＡＢ）を施してレジスト膜を形成する。形成されたレジスト膜を、例えばＡｒＦ露光装置、電子線描画装置、ＥＵＶ露光装置等の露光装置を用いて、マスクパターンを介した露光、またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等により選択的に露光した後、ＰＥＢ（露光後加熱）を施す。続いて、アルカリ現像液を用いて現像処理した後、リンス処理を行って、基板上の現像液および該現像液によって溶解したレジスト組成物を洗い流し、乾燥させて、レジストパターンを得る。
これらの工程は、周知の手法を用いて行うことができる。操作条件等は、使用するポジ型レジスト組成物の組成や特性に応じて適宜設定することが好ましい。
露光光源は、特に限定されず、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザー、ＥＵＶ（極紫外線）、ＶＵＶ（真空紫外線）、電子線、Ｘ線、軟Ｘ線などの放射線を用いて行うことができる。特に、上記ポジ型レジスト組成物は、ＡｒＦエキシマレーザー、電子線またはＥＵＶ、特にＡｒＦエキシマレーザーまたは電子線に対して有効である。
なお、場合によっては、上記アルカリ現像後ポストベーク工程を含んでもよいし、基板とレジスト膜との間には、有機系または無機系の反射防止膜を設けてもよい。
【０１０４】
＜溶解抑制剤＞
上記化合物（Ａ１）は、ポジ型レジスト組成物用の溶解抑制剤としても好適に用いることができる。化合物（Ａ１）からなる溶解抑制剤を用いることにより、該溶解抑制剤を含有するポジ型レジスト組成物を用いて得られるレジスト膜（露光前）のアルカリ溶解性が抑制される。そのため、該レジスト膜を選択的に露光した際に、露光部と未露光部との間のアルカリ溶解性の差（溶解コントラスト）が大きくなり、解像性や形状が良好なレジストパターンが形成できる。
かかる溶解抑制剤は、酸解離性溶解抑制基を有する樹脂成分と酸発生剤成分とを含む２成分系の化学増幅型レジスト組成物に添加して用いることができ、また、酸解離性溶解抑制基を有さない樹脂成分と酸発生剤成分と溶解抑制剤とを用いる、いわゆる３成分系の化学増幅型のレジスト組成物としても用いることができる。
【実施例】
【０１０５】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
合成例１（化合物（１）の合成）
３０ｇのメチレンビスサリチルアルデヒド（１’）（本州化学工業製）に５００ｇのアセトンを加え、溶解させた。そこへ４８．６ｇの炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）を加え、１０分間室温で攪拌させた。その後、４５．７２ｇのｔｅｒｔ−ブチルブロモアセテート（２’）を加え、室温（ｒ．ｔ）で１２時間反応させた。
反応終了後、水／酢酸エチル（質量比１：１）で抽出、酢酸エチル相を減圧濃縮し、目的とする化合物（３’）を５３．５ｇ得た。
【０１０６】
【化２３】
2008019235.tif 000024
【０１０７】
次に、２，５−ジメチルフェノール１５．１４ｇ（４’）、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）５０ｇ、３５質量％塩酸水溶液（ＨＣｌａｑ．）１０ｇの混合溶液中に、化合物（３’）を１２ｇ添加し、６０℃で３日間反応させた。
反応終了後、室温に戻し、次いで水酸化ナトリウム水溶液を添加して１０時間攪拌を行った。その後、反応液を分液ロートに移して、水／ジエチルエーテルで洗浄して原料を除去し、次いで水層を抜き取り、塩酸水溶液で中和（ｐＨ試験紙で中性を確認）し、沈殿物を得た。この沈殿物をろ過して粗結晶を得た。この粗結晶をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解させ、ヘプタンで再沈を行った。次いでこれをろ過して粗結晶を得た。この粗結晶をＴＨＦに溶解させ、濃縮・乾燥を経て目的の化合物（１）を１５．３ｇ得た。
【０１０８】
【化２４】
2008019235.tif 000025
【０１０９】
化合物（１）について、１Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴スペクトル）、ＩＲ（赤外吸収スペクトル）による分析を行った。その結果を以下に示した。
１Ｈ−ＮＭＲデータ（重ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ−ｄ６）、４００ＭＨｚ、内部標準：テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ）＝１２．６８  ｂｒｓ  ２Ｈ  Ｈａ，８．９４  ｂｒｓ  ４Ｈ  Ｈｂ，６．８２−６．２７  ｍ  １４Ｈ  Ｈｃ，５．８５  ｓ  ２Ｈ  Ｈｄ，４．４７  ｓ  ４Ｈ  Ｈｅ，３．３２  ｓ  ２Ｈ  Ｈｆ，２．０９−１．７６  ｂｒｓ  ２４Ｈ  Ｈｇ。
ＩＲデータ：３３８２ｃｍ−１，２９２５ｃｍ−１，１７２８ｃｍ−１，１４９５ｃｍ−１，１４６３ｃｍ−１，１４１１ｃｍ−１，１２８５ｃｍ−１，１２２７ｃｍ−１，１１９５ｃｍ−１，１１１９ｃｍ−１，１０７５ｃｍ−１。
この結果から、化合物（１）が下記に示す構造を有することが確認できた。
【０１１０】
【化２５】
2008019235.tif 000026
【０１１１】
合成例２（化合物（３）の合成）
２−シクロヘキシ−５−メチルフェノール２１．２３ｇ（８’）、メタノール５０ｇ、３５質量％塩酸水溶液１０ｇの中に、合成例１と同様にして得た化合物（３’）を１２ｇ添加し、６０℃で３日間反応させた。
反応終了後、室温に戻し、次いで水酸化ナトリウム水溶液を添加して１０時間攪拌を行った。その後、反応液を分液ロートに移して、水／ジエチルエーテルで洗浄して原料を除去し、次いで水層を抜き取り、塩酸水溶液で中和（ｐＨ試験紙で中性を確認）し、沈殿物を得た。この沈殿物をろ過して粗結晶を得た。この粗結晶をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解させ、ヘプタンで再沈を行った。次いでこれをろ過して粗結晶を得た。この粗結晶をＴＨＦに溶解させ、濃縮・乾燥を経て目的の化合物（３）を１６．０ｇ得た。
【０１１２】
【化２６】
2008019235.tif 000027
【０１１３】
化合物（３）について、１Ｈ−ＮＭＲ、ＩＲによる分析を行った。その結果を以下に示した。
１Ｈ−ＮＭＲデータ（重ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ−ｄ６）、４００ＭＨｚ、内部標準：テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ）＝８．９４  ｂｒｓ  ４Ｈ  Ｈａ，６．７９−６．４０  ｍ  １４Ｈ  Ｈｂ，５．９２  ｓ  ２Ｈ  Ｈｃ，４．３５  ｓ  ４Ｈ  Ｈｄ，３．４８  ｓ  ２Ｈ  Ｈｅ，２．８１−２．５９  ｍ  ４Ｈ  Ｈｆ，２．０１  ｓ  １２Ｈ  Ｈｇ，１．７０−０．８９  ｍ  ４０Ｈ  Ｈｈ。
ＩＲデータ：３３６７ｃｍ−１、２９２５ｃｍ−１、２８５１ｃｍ−１、１７３６ｃｍ−１、１４９４ｃｍ−１、１４４９ｃｍ−１、１４１５ｃｍ−１、１２８２ｃｍ−１、１２２３ｃｍ−１、１１５７ｃｍ−１、１１１８ｃｍ−１、１０５３ｃｍ−１。
この結果から、化合物（３）が下記に示す構造を有することが確認できた。
【０１１４】
【化２７】
2008019235.tif 000028
【０１１５】
合成例３（化合物（２）の合成）
５ｇの化合物（１）を３０ｇのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解し、１．５２ｇのトリエチルアミン（Ｅｔ３Ｎ）を加えて１０分撹拌し、そこへ２．４３ｇの２−クロロメトキシアダマンタンを加え、室温で１０時間撹拌した。反応終了後、ろ過を行い、得られたろ液に水／酢酸エチル（質量比１：１）を加えて抽出を行い、分離した酢酸エチル相を減圧濃縮し、５．１ｇの目的とする化合物（２）を得た。
【０１１６】
【化２８】
2008019235.tif 000029
【０１１７】
化合物（２）について、１Ｈ−ＮＭＲおよびＩＲによる分析を行った。
１Ｈ−ＮＭＲ（重ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ−ｄ６）、４００ＭＨｚ、内部標準：テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ）＝８．８０  ｂｒｓ  ４Ｈ  Ｈａ，６．２４−６．７２  ｍ  １４Ｈ  Ｈｂ，５．８３  ｓ  ２Ｈ  Ｈｃ，５．３６  ｓ  ４Ｈ  Ｈｄ，４．６１  ｓ  ４Ｈ  Ｈｅ，３．６６  ｓ  ２Ｈ  Ｈｆ，３．５７  ｓ  ２Ｈ  Ｈｇ，１．９５  ｓ  １２Ｈ  Ｈｈ，１．８５  ｓ  １２Ｈ  Ｈｉ，１．２９−２．１５  ｍ  ２８Ｈ  Ｈｊ。
ＩＲ：３３９１ｃｍ−１，２９０７ｃｍ−１，２８５５ｃｍ−１，１７３７ｃｍ−１，１４９６ｃｍ−１，１２８６ｃｍ−１。
上記の結果から、化合物（２）が下記に示す構造を有することが確認できた。なお、下記構造中、f は、２−アダマンチル基の、酸素原子が直接結合している炭素原子に結合した水素原子を示し、ｊは２−アダマンチル基の、ｆ以外の水素原子を示す。
【０１１８】
【化２９】
2008019235.tif 000030
【０１１９】
合成例４（化合物（４）の合成）
３ｇの化合物（３）を３０ｇのＴＨＦに溶解し、０．８１ｇのＥｔ３Ｎを加えて１０分撹拌し、そこへ１．１０ｇの２−クロロメトキシアダマンタンを加え、室温で１０時間撹拌した。反応終了後、ろ過を行い、得られたろ液に水／酢酸エチル（質量比１：１）を加えて抽出を行い、分離した酢酸エチル相を減圧濃縮し、３．２ｇの目的とする化合物（４）を得た。
【０１２０】
【化３０】
2008019235.tif 000031
【０１２１】
化合物（４）について、１Ｈ−ＮＭＲおよびＩＲによる分析を行った。
１Ｈ−ＮＭＲ（重ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ−ｄ６）、４００ＭＨｚ、内部標準：テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ）＝８．７９  ｂｒｓ  ４Ｈ  Ｈａ，６．４５−６．７８  ｍ  １４Ｈ  Ｈｂ，５．８９  ｓ  ２Ｈ  Ｈｃ，５．３６  ｓ  ４Ｈ  Ｈｄ，４．５５  ｓ  ４Ｈ  Ｈｅ，３．６１  ｓ  ２Ｈ  Ｈｆ，３．４８  ｓ  ２Ｈ  Ｈｇ，２．６２−２．８０  ｍ  ４Ｈ  Ｈｈ，２．０２  ｓ  １２Ｈ  Ｈｉ，０．９８−２．１６  ｍ  ６８Ｈ  Ｈｊ。
ＩＲ：３３８７ｃｍ−１，２９２４ｃｍ−１，２８５２ｃｍ−１，１７３６ｃｍ−１，１４９６ｃｍ−１，１４５０ｃｍ−１。
上記の結果から、化合物（４）が下記に示す構造を有することが確認できた。なお、下記構造中、f は、２−アダマンチル基の、酸素原子が直接結合している炭素原子に結合した水素原子を示し、ｈは、シクロヘキシル基の、フェニル基が直接結合している炭素原子に結合している水素原子を示し、ｊは、２−アダマンチル基およびシクロヘキシル基の、ｆおよびｈ以外の水素原子を示す。
【０１２２】
【化３１】
2008019235.tif 000032
【０１２３】
合成例５（化合物（５）の合成）
４ｇの化合物（１）を２０ｇのＴＨＦに溶解し、１．５２ｇのＥｔ３Ｎを加えて１０分撹拌し、そこへ２．７９ｇのブロモ酢酸−２−メチル−２−アダマンチルを加え、室温で１０時間撹拌した。反応終了後、ろ過を行い、得られたろ液に水／酢酸エチル（質量比１：１）を加えて抽出を行い、分離した酢酸エチル相を減圧濃縮し、３．２ｇの目的とする化合物（５）を得た。
【０１２４】
【化３２】
2008019235.tif 000033
【０１２５】
化合物（５）について、１Ｈ−ＮＭＲおよびＩＲによる分析を行った。
１Ｈ−ＮＭＲ（重ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ−ｄ６）、４００ＭＨｚ、内部標準：テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ）＝８．８０  ｂｒｓ  ４Ｈ  Ｈａ，６．２３−６．９４  ｍ  １４Ｈ  Ｈｂ，５．８４  ｓ  ２Ｈ  Ｈｃ，４．６８  ｓ  ４Ｈ  Ｈｄ，４．６８  ｓ  ４Ｈ  Ｈｅ，３．５８  ｓ  ２Ｈ  Ｈｆ，２．１９  ｓ  ４Ｈ  Ｈｇ，１．３９−２．１５  ｍ  ５４Ｈ  Ｈｈ。
ＩＲ：３４１７ｃｍ−１，２９２０ｃｍ−１，２８６３ｃｍ−１，１７５０ｃｍ−１，１７２８ｃｍ−１，１４９５ｃｍ−１，１２９２ｃｍ−１，１２７８ｃｍ−１。
上記の結果から、化合物（５）が下記に示す構造を有することが確認できた。なお、下記構造中、ｇは、２−メチル−２−アダマンチル基の、酸素原子が直接結合している炭素原子に隣接する炭素原子（但し、この炭素原子は環骨格を構成する炭素原子である。）に結合した水素原子（２個×２）を示し、ｈは、２−メチル−２−アダマンチル基の、ｇ以外の水素原子と、ベンゼン環に結合したメチル基の水素原子とを示す。
【０１２６】
【化３３】
2008019235.tif 000034
【０１２７】
合成例６（化合物（６）の合成）
２．７ｇの化合物（３）を２０ｇのＴＨＦに溶解し、０．６１ｇのＥｔ３Ｎを加えて１０分撹拌し、そこへ０．８０ｇのクロロメトキシメチルシクロヘキサンを加え、室温で１０時間撹拌した。反応終了後、ろ過を行い、得られたろ液に水／酢酸エチル（質量比１：１）を加えて抽出を行い、分離した酢酸エチル相を減圧濃縮し、２．６ｇの目的とする化合物（６）を得た。
【０１２８】
【化３４】
2008019235.tif 000035
【０１２９】
化合物（６）について、１Ｈ−ＮＭＲおよびＩＲによる分析を行った。
１Ｈ−ＮＭＲ（重ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ−ｄ６）、４００ＭＨｚ、内部標準：テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ）＝８．７９  ｂｒｓ  ４Ｈ  Ｈａ，６．３８−６．８６  ｍ  １４Ｈ  Ｈｂ，５．９２  ｓ  ２Ｈ  Ｈｃ，  ５．２６  ｓ  ４Ｈ  Ｈｄ，４．６０  ｓ  ４Ｈ  Ｈｅ，３．５１  ｓ  ２Ｈ  Ｈｆ，３．２８−３．２９  ｍ  ４Ｈ  Ｈｇ，２．６２−２．８１  ｍ  ４Ｈ  Ｈｉ，２．０１  ｓ  １２Ｈ  Ｈｊ，０．７５−１．８２  ｍ  ６２Ｈ  Ｈｋ。
ＩＲ：３４０５ｃｍ−１，２９２５ｃｍ−１，２８５２ｃｍ−１，１７５５ｃｍ−１，１４９４ｃｍ−１，１４４９ｃｍ−１，１２８０ｃｍ−１。
上記の結果から、化合物（６）が下記に示す構造を有することが確認できた。なお、下記構造中、ｉは、シクロヘキシル基の、ベンゼン環に直接結合している炭素原子に結合した水素原子を示す。
【０１３０】
【化３５】
2008019235.tif 000036
【０１３１】
実施例１〜２（電子線露光）
表１に示す組成と配合量で各成分を混合、溶解してポジ型レジスト組成物溶液を調製した。
ここで、表１の［］内に示す配合量の単位は質量部である。
また、表１中の略号は下記の意味を有する。
・ＴＰＳ−ＰＦＢＳ：トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート。
・アミン１：トリ−ｎ−オクチルアミン。
・ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート。
・ＥＬ：乳酸エチル。
【０１３２】
【表１】
2008019235.tif 000037
【０１３３】
得られたポジ型レジスト組成物溶液を用いて以下の評価を行った。その結果を表２に示す。
＜感度＞
ポジ型レジスト組成物溶液を、ヘキサメチルジシラザン処理を施した８インチシリコン基板上にスピンナーを用いて均一に塗布し、１１０℃にて９０秒間ベーク処理（ＰＡＢ）を行ってレジスト膜（膜厚１５０ｎｍ）を成膜した。
該レジスト膜に対し、電子線描画機ＨＬ−８００Ｄ（ＶＳＢ）（Ｈｉｔａｃｈｉ社製）を用い、加速電圧７０ｋＶにて描画（露光）を行い、１００℃にて９０秒間のベーク処理（ＰＥＢ）を行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の２．３８質量％水溶液（２３℃）を用いて６０秒間の現像を行った後、純水にて３０秒間リンスして、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンを形成した。
このとき、１００ｎｍのＬ／Ｓパターンが１：１に形成される露光量Ｅｏｐ（μＣ／ｃｍ２）を求めた。表２中の略号は下記の意味を有する。
ＥＢ：電子線。
【０１３４】
＜解像性＞
上記Ｅｏｐにおける限界解像度（ｎｍ）を、走査型電子顕微鏡Ｓ−９２２０（Ｈｉｔａｃｈｉ社製）を用いて求めた。
【０１３５】
【表２】
2008019235.tif 000038
【０１３６】
上記結果から明らかなように、本発明の化合物を用いたポジ型レジスト組成物により、感度良く、高解像性のレジストパターンを形成できた。
【０１３７】
実施例３（ＥＵＶ露光）
実施例１において、（Ｓ）成分としての有機溶剤の使用量を、ＰＧＭＥＡを１２００質量部、ＥＬを８００質量部に変更したこと以外は同様にしてポジ型レジスト組成物を調製した。
【０１３８】
次いで、得られたポジ型レジスト組成物溶液を、ヘキサメチルジシラザン処理を施した８インチシリコン基板上にスピンナーを用いて均一に塗布し、１１０℃にて９０秒間のベーク（ＰＡＢ）条件でＰＡＢ処理を行ってレジスト膜（膜厚８０ｎｍ）を成膜した。
該レジスト膜に対し、ＥＵＶ露光装置ＨｉＮＡ３（技術研究組合超先端電子技術開発機構（ＡＳＥＴ）所有の露光機）にて露光を行い、１００℃にて９０秒間のベーク（ＰＥＢ）条件でＰＥＢ処理を行い、２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液にて６０秒間の現像を行った後、純水にて３０秒間リンスしてＬ／Ｓパターンを形成した。
【０１３９】
得られたレジストパターンについて、上記と同様の方法で評価を行った結果、２８ｎｍのラインアンドスペース（ピッチ５６ｎｍ）が解像が確認され、その際の感度は１０ｍＪ／ｃｍ２であった。
また、上記感度において得られた２８ｎｍＬ／Ｓパターンについて、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡、日立製作所社製，商品名「Ｓ−９２２０」）を用いて、パターン側壁の凹凸を観察した。その結果、パターンの凹凸は見受けられず、ＬＥＲが良好であることが確認された。
また、５０ｎｍＬ／Ｓパターンについて、ＬＥＲを示す尺度である３σの値をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡、日立製作所社製，商品名「Ｓ−９３８０」）を用いて測定したところ（測定長６２０ｎｍ）、３．２ｎｍであった。
【０１４０】
以上の結果より、本発明の化合物を用いたポジ型レジスト組成物を用いることにより、ＥＵＶ露光において、１：１の２８ｎｍのラインアンドスペースパターンという超微細パターンの解像が確認された。また、得られたレジストパターンは、側壁の凹凸も見受けられず、ＬＥＲが良好であることが確認された。
【０１４１】
実施例４（電子線描画）
実施例１において、化合物（２）を化合物（５）に変更した以外は実施例１と同様にしてポジ型レジスト組成物を調製した。
【０１４２】
次いで、得られたポジ型レジスト組成物溶液を、ヘキサメチルジシラザン処理を施した８インチシリコン基板上にスピンナーを用いて均一に塗布し、１１０℃で９０秒間のＰＡＢ処理を行ってレジスト膜（膜厚１５０ｎｍ）を成膜した。
該レジスト膜に対し、電子線描画機（日立製ＨＬ−８００Ｄ、加速電圧７０ｋＶ）にて描画を行い、１００℃で９０秒間のＰＥＢ処理を行い、２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液（２３℃）にて６０秒間の現像を行った後、純水にて３０秒間リンスしてレジストパターンを形成した。
【０１４３】
得られたレジストパターンについて、上記と同様の方法で評価を行った結果、ライン幅１００ｎｍ、ピッチ２００ｎｍのＬ／Ｓパターンの解像が確認された。
上記Ｌ／Ｓパターンが形成される際の感度（最適露光量）は４０μＣ／ｃｍ２であった。また、上記感度における限界解像度は６０ｎｍであった。
上記結果から明らかなように、本発明の化合物を用いたポジ型レジスト組成物により、電子線描画により、感度良く、高解像性のレジストパターンを形成できた。
【０１４４】
実施例５（ＥＵＶ露光）
実施例４で調整したポジ型レジスト組成物を用いて、実施例３と同様な方法でＥＵＶ露光を行い、レジストパターンを形成した。得られたレジストパターンについて、上記と同様の方法で評価を行った結果、２８ｎｍのラインアンドスペース（ピッチ５６ｎｍ）が解像が確認され、その際の感度は１２．２ｍＪ／ｃｍ２であった。
また、上記感度において得られた２８ｎｍＬ／Ｓパターンについて、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡、日立製作所社製，商品名「Ｓ−９２２０」）を用いて、パターン側壁の凹凸を観察した。その結果、パターンの凹凸は見受けられず、ＬＥＲが良好であることが確認された。
また、４５ｎｍＬ／Ｓパターンについて、ＬＥＲを示す尺度である３σの値をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡、日立製作所社製，商品名「Ｓ−９３８０」）を用いて測定したところ（測定長６２０ｎｍ）、２．８ｎｍであった。
【０１４５】
以上の結果より、本発明の化合物を用いたポジ型レジスト組成物を用いることにより、ＥＵＶ露光において、１：１の２８ｎｍのラインアンドスペースパターンという超微細パターンの解像が確認された。また、得られたレジストパターンは、側壁の凹凸も見受けられず、ＬＥＲが良好であることが確認された。