(57)【要約】【課題】加熱により発生するベナールセルの大きさを略均一にすることができると共にはんだ微粒子を均一に沈降させ、かつはんだバンプが均一に形成され性能のばらつきが少ない基板を得ることができるはんだバンプ形成装置を提供する。【解決手段】はんだバンプ形成装置１を、パッド電極が設けられた基板１２、この基板１２に供給されるはんだ微粒子１３を含むはんだ組成物１４を収容する容器１０、容器１０を加熱してはんだ組成物１４を溶融させはんだ微粒子１３をパッド電極上に付着させる加熱手段３０とを備えて構成する。容器１０を、平滑面となり基板１２が載置される底面部１０Ａと、その外周に立設され内周面が凹凸のない形状の周壁部１０Ｂとを有する形状とすると共に、当該周壁部１０Ｂに周壁用断熱部材２０を装着し、基板１２の上方位置、かつ容器１０内に収容されたはんだ組成物１４の液面に接触する位置に金網２６を設けた。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にパッド電極が設けられた基板およびこの基板上に供給されるはんだ微粒子を含む液状のはんだ組成物を収容する収容体と、この収容体を加熱して前記はんだ組成物を溶融させ前記はんだ微粒子を前記パッド電極上に付着させる加熱手段と、を備えたはんだバンプ形成装置において、
前記基板の上方位置、かつ前記収容体内に収容された前記はんだ組成物の液面に接する位置に金網状部材を設けたことを特徴とするはんだバンプ形成装置。
【請求項２】
前記金網状部材の網目を電極形成エリア境界部に合わせた形状としたことを特徴とする請求項１に記載のはんだバンプ形成装置。
【請求項３】
前記金網状部材の外径寸法を前記基板の外径寸法より大きく形成したことを特徴とする請求項１または２に記載のはんだバンプ形成装置。
【請求項４】
前記金網状部材を支持する複数の金網支持部材を備え、この金網支持部材を、前記収容体に取り付ける取り付け部と、この取り付け部から前記収容体の中央部側に延び前記金網状部材の外周を支持する支持部とで形成したことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか1に記載のはんだバンプ形成装置。
【請求項５】
前記収容体を、平滑面となりかつ前記基板を載置する底面部を有する形状とすると共に、前記底面部の外周に立設され内周面が凹凸のない形状の周壁部とを有する形状とし、かつ当該周壁部に周壁用断熱部材を装着し、前記複数の金網支持部材の取り付け部を、前記周壁用断熱部材を挟み込んで取り付けたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか1に記載のはんだバンプ形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、はんだバンプ形成装置に係り、より詳しくは、半導体装置や電子部品の実装のために半導体基板もしくはプリント配線板（樹脂基板）やセラミックス基板上に設けられたパッド電極上に、はんだバンプを形成するはんだバンプ形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板等のパッド電極上にはんだバンプを形成するはんだバンプ形成装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
上記はんだバンプ形成装置は、基板上に供給されたはんだ微粒子を含むはんだ組成物を加熱して、つまり、リフロー工程を経て、溶融したはんだ微粒子をパッド電極上に付着させる構成となっている。
【０００３】
以上のはんだバンプ形成装置によるはんだバンプ形成は概略次のように行われる。
まず、例えば皿状の収容体に載置されたシリコンウェハ等の基板上に、はんだ微粒子混合材料、つまり、はんだ組成物を受け容器に供給し、基板上に均一に供給する。
次いで、はんだ組成物が供給された基板は、はんだバンプ形成専用リフローユニットにより加熱される。
その後、はんだ微粒子が沈降しながら徐々にパッド電極上に堆積溶融され、選択的にはんだ付けが行われる。
最後に、冷却工程終了後、洗浄工程にて基板を洗浄して、基板にはんだバンプを形成してプロセスが完了する。
【０００４】
はんだバンプ形成に際しては、前述のように、はんだ組成物を収容する容器が用いられている。この容器としては、どのような形状のものでもよいが、一例として、例えば、図１３，１４に示すように、はんだバンプ形成後の基板を搬送しやすいような形状のものを用いることが知られている。
【０００５】
すなわち、略皿状の容器１００は、底面部１００Ａとその外周に立設された周壁部１００Ｂとで形成されている。底面部１００Ａには、基板浮かし用として、複数個（例えば３個）の突起状ピン１０１が設けられ、これらの突起状ピン１０１の上端に、基板１０２が載置されるようになっている。また、これらの容器１００の底面部１００Ａにおいて突起状ピン１０１の外方には、基板１０２を位置決めする複数個の位置決めピン１０３が設けられている。
【０００６】
また、容器１００の底面部１００Ａの複数個所（例えば６箇所）には、その底面からわずかに抉られた状態で基板搬送用爪穴１００Ｃが形成されている。
さらに、容器１００の周壁部１００Ｂの径方向に対向する２箇所には、容器１００の内方に凹み、容器１００を把持するための凹み部１００Ｄが形成されている。
そして、突起状ピン１０１上に基板１０２が載置されると共に、容器１００内に液状のはんだ組成物１０４が供給されるようになっている。
【０００７】
【特許文献１】国際公開番号ＷＯ２００５／０９１３５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、容器内に水平な状態で収容された液状体を下面から均一に加熱し、ある一定以上の上下温度勾配が与えられると、ベナール対流と呼ばれる六角形状の渦（ベナールセル）が寄り集まったような形態の対流が発生する。すなわち、ベナール対流では、下面で温められた液体の比重が軽くなると上方へ移動し、上方へ移動した液体は上層部で冷却されることで比重が重くなり下方へ移動する。ベナール対流では、上述のような対流が規則的なパターンとして現れ、これが特徴的な六角形状模様となっている。
そして、このベナールセルの大きさは液の深さと相関があるとされている。
【０００９】
ところが、前記形状の容器１００では、液状体のはんだ組成物が供給されると、容器１００の底面部１００Ａに凹凸が形成されているので、液深差が生じることになる。その結果、加熱により生じるベナールセルの大きさが不均一となってしまう。
対流が生じると、溶融して沈降するはんだ微粒子が流されてしまうのではんだ微粒子の沈降が均一でなくなり、例えば、参考図として挙げた図１５に示すように、基板１０２においてはんだ微粒子の沈降のばらつきが生じる。その結果、はんだボリューム不足等の不具合が発生し、性能が不均一となるという問題が生じる。
【００１０】
なお、図１５は、従来の基板１０２の一部を顕微鏡で拡大した写真をコピーしたものであるため、必ずしも鮮明ではないが、多数のはんだバンプ１０５において頂点部（中央の白い部位）にばらつきが多く見られる。つまりはんだバンプ１０５が不均一となっていることは読み取れる。この中央の白い部位は、写真を撮る際、光に反射したものである。そして、多数のはんだバンプ１０５において白い部位が不均一に現れているのであれば、はんだバンプ１０５も不均一であることになる。
【００１１】
また、容器１００が加熱されたとき、底面部１００Ａからはもちろん、周壁部１００Ｂからも熱が伝わり、内部のはんだ組成物１０４を溶融することになる。
周壁部１００Ｂでは、熱い壁面に沿って大きな上昇流が発生して液上層部の流れが増し、容器１００の中央に向かう流れ込みが大きくなる。この際、周壁部１００Ｂの内周面に凹み部１００Ｄが形成されているため、周壁部１００Ｂにおいても、凹み部１００Ｄが形成されている部位と、凹み部１００Ｄが形成されていない部位とで、中央への流れ込みの形態に違いが生じる等、周壁部１００Ｂからの流れ込み自体も不均一となる。その結果、はんだ微粒子の沈降が均一とならないという問題もある。
【００１２】
さらに、容器１００が熱伝導に優れたアルミニウム等で形成されていると共に、その底面部１００Ａと突起状ピン１０１とが一体化されているので、下方から加熱された底面部１００Ａからの熱が突起状ピン１０１に直接伝わり、その突起状ピン１０１も高温となる。そのため、基板１０２において突起状ピン１０１が接触している部分を含む近傍の温度が高くなるので、周囲との温度差が生じ、その結果、不均一な対流を生じさせる。
【００１３】
本発明の目的は、加熱により発生するベナールセルの大きさを略均一にすることができると共にはんだ微粒子を均一に沈降させ、かつはんだバンプが均一に形成され性能のばらつきが少ない基板を得ることができるはんだバンプ形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明のはんだバンプ形成装置は、表面にパッド電極が設けられた基板およびこの基板上に供給されるはんだ微粒子を含む液状のはんだ組成物を収容する収容体と、この収容体を加熱して前記はんだ組成物を溶融させ前記はんだ微粒子を前記パッド電極上に付着させる加熱手段と、を備えたはんだバンプ形成装置において、前記基板の上方位置、かつ前記収容体内に収容された前記はんだ組成物の液面に接する位置に金網状部材を設けたことを特徴とする（請求項１）。
【００１５】
この発明によれば、液状のはんだ組成物は、加熱されて比重が軽くなり上昇流となって液上面に向かって流れる。液面と接する位置には金網状部材が配置されているので、上昇した液状のはんだ組成物は、金網状部材で強制的に冷やされて下向きの流れに変わり、つまり下降流となる。そのため、金網状部材の網目部の大きさを調整することで、ベナールセルの大きさや形状を制御してベナールセルを略均一にすることができる。その結果、はんだ微粒子を均一に沈降させることができるので、はんだバンプが均一に形成され、かつ性能のばらつきが少ない基板を得ることができる。
【００１６】
ここで、前記金網状部材の網目を電極形成エリア境界部に合わせた形状としてもよい（請求項２）。
このようにすれば、所定の電極形成エリア境界部に対応する網目の金網状部材を用いることで、より確実に均一化したはんだバンプを形成することができる。
【００１７】
また、前記金網状部材の外径寸法を前記基板の外径寸法より大きく形成してもよい（請求項３）。
このようにすれば、金網状部材の外径寸法が基板の外径寸法より大きいので、加熱されて上昇した液状のはんだ組成物が金網状部材に到達した後、強制的に冷却されて下降流が生じたとき、ベナールセルが基板の全体を覆えるので、はんだ微粒子を基板の全域にわたって均一に沈降させることができる。その結果、はんだバンプが均一に形成され、性能のばらつきが少ない基板を得ることができる。
【００１８】
また、前記金網状部材を支持する複数の金網支持部材を備え、この金網支持部材を、前記収容体に取り付ける取り付け部と、この取り付け部から前記収容体の中央部側に延び前記金網状部材の外周を支持する支持部とで形成してもよい（請求項４）。
【００１９】
このようにすれば、複数の金網支持部材が、それぞれ取り付け部と支持部とを有しており、収容体に取り付けた後、支持部に基板を載置すればよいので、金網支持部材の着脱が容易であると共に、基板の着脱も容易である。
【００２０】
さらに、前記収容体を、平滑面となりかつ前記基板を載置する底面部を有する形状とすると共に、前記底面部の外周に立設され内周面が凹凸のない形状の周壁部とを有する形状とし、かつ当該周壁部に周壁用断熱部材を装着し、前記複数の金網支持部材の取り付け部を、前記周壁用断熱部材を挟み込んで取り付けてもよい（請求項５）。
【００２１】
このようにすれば、はんだ組成物等を収容する収容体の底面部が平滑面となっているので、収容体内に収容されたはんだ組成物の液深さが同じとなる。そのため、液深差により生じるベナールセルの大きさの差をなくすことができる。
また、収容体の周壁部に周壁用断熱部材が装着されているので、加熱された収容体の熱が周壁部から直接に容器内のはんだ組成物に伝わることを妨ぐことができる。
そして、このようなベナールセルが、さらに金網に接するので、より確実、かつ、より容易にはんだ微粒子を均一に沈降させることができる。その結果、はんだバンプが均一に形成され、性能のばらつきが少ない基板を得ることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、以上のように構成され機能するので、これによると、加熱されて比重が軽くなり上昇流となって液上面に向かって流れた液状のはんだ組成物は、液面と接する位置に配置されている金網状部材で強制的に冷やされて下降流となる。そのため、金網状部材の網目部の大きさを調整することで、ベナールセルの大きさや形状を制御してベナールセルを略均一にすることができる。その結果、はんだ微粒子を均一に沈降させることができるので、はんだバンプが均一に形成され、かつ性能のばらつきが少ない基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係るはんだバンプ形成装置１の実施形態を図面に基づいて説明する。
本発明は、収容体である容器１０内において液状のはんだ組成物の液面に金網が接するように設け、その金網により、加熱により発生した上昇流を強制的に冷却し、金網の網目に沿って下降流を発生させ、よって、ベナールセルの大きさや形状を制御してはんだ微粒子を均一に沈降させるものである。
【００２４】
図１，２には、上記はんだバンプ形成装置１の第１実施形態が示されている。
図１は、はんだバンプ形成装置１を構成するはんだバンプ形成用の容器１０の平面図であり、図２は、図１のII−II線に沿った縦断面図であり、図３は、図２のａ部詳細図である。
【００２５】
図１〜３に示すように、はんだバンプ形成装置１は、表面にパッド電極１１が設けられた基板１２と、この基板１２および当該基板１２上に供給されるはんだ微粒子１３を含むはんだ組成物１４を収容する前記容器１０と、当該容器１０の周壁部１０Ｂに装着された周壁用断熱部材２０と、容器１０を載置する載置部である載置台２３と、前記基板１２の上方位置、かつ前記容器１０内に収容されたはんだ組成物１４の液面と接する位置に設けた金網状部材である金網２６と、容器１０を加熱しはんだ組成物１４を溶融させてはんだ微粒子１３をパッド電極１１上に付着させる加熱手段３０とを備えている。
【００２６】
上記基板１２は、薄い円板状に形成された例えばシリコンウェハであり、この基板１２には升目状に切断線１２Ａが刻まれている。そして、基板１２上の多数のパッド電極１１にはんだバンプ１５（図３参照）が形成された後、基板１２は最終的に切断線１２Ａに沿って切断され、１個ずつのＩＣチップとして使用されるようになる。
また、１個のＩＣチップを電極形成エリアとし、個々のＩＣチップの境界部分を電極形成エリア境界部とする。なお、電極形成エリアは、上記ＩＣチップに限定されず、電極が一つのかたまり（エリア）で、一度に使用されるエリアを言う。
【００２７】
図３に示すように、基板１２の表面には前記パッド電極１１が形成されている。このパッド電極１１上にははんだバンプ１５が形成されている。そして、前記１個ずつのＩＣチップは、はんだバンプ１５を介して、他の半導体チップや配線板等に電気的あるいは機械的に接続されるようになっている。
パッド電極１１は例えば半円球形状であり、直径が例えば５０μｍに形成され、隣接するパッド電極１１の中心間の距離は、例えば８０μｍに設定されている。
ただし、パッド電極１１の上記寸法は、記載した５０μｍ、８０μｍに限定されるものではなく、他の半導体チップ等に対応させて任意に決定されるものである。
【００２８】
また、はんだ組成物１４は、油と前記はんだ微粒子１３とを含み構成され、油はエステルと活性剤とで構成されている。エステルは、はんだ微粒子を分散させるための液体であり、活性剤は、はんだ酸化膜を除去するための成分である。このはんだ微粒子は約２２０℃で溶融される。
【００２９】
前記容器１０は、底面部１０Ａと、この底面部１０Ａの外周に一体的に立設された所定高さの周壁部１０Ｂとで形成され、略丸皿形状となっている。また、容器１０は、熱伝導性に優れた例えばアルミニウム製となっている。
容器１０の底面部１０Ａの上面は平滑面に仕上げられている。また、周壁部１０Ｂの内周面も、凹凸部がない滑らかな面に仕上げられ、これにより底面部１０Ａ及び内周面は、凹凸がない形状となっている。
【００３０】
容器１０の周壁部１０Ｂには、熱伝導率の低い樹脂製の周壁用断熱部材２０が取り付けられている。この周壁用断熱部材２０は断面逆角Ｕ字形状に形成され、周壁部１０Ｂの外周と内周とを覆って取り付けられている。そのため、容器１０が加熱された際、周壁部１０Ｂからの熱が容器１０内部の液状のはんだ組成物１４に伝わりにくいようになっている。
周壁用断熱部材２０は、上述のように、熱伝導率の低い樹脂部材で形成されており、樹脂部材としては、シリコン、テフロン（登録商標）、ポリイミド系樹脂を利用すると好適である。
【００３１】
前記容器１０の内部には、複数（４個）の金網支持部材２５を介して、金網状部材としての金網２６が設けられている。そして、金網２６として、平織金網、綾織金網、亀甲金網等を用いることができる。以上のような金網２６の外径寸法は、前記基板１２の外径寸法より大きな寸法に形成されている。また、金網２６は、その網目を電極形成エリア境界部に合わせた形状が好ましいが、本実施形態では、例えば４メッシュ程度のものが用いられている。もちろん、それ以上、あるいはそれ以下でもよい。
図４に詳細を示すように、金網２６は、その下面が、液面、つまり液状のはんだ組成物１４の上面と接する状態で配置されている。そして、金網２６の温度は、はんだ組成物１４の温度より低いことが好ましい。
【００３２】
金網支持部材２５は、円周上の均等位置に配置され、断面略逆角Ｕ字形状に形成されると共に周壁用断熱部材２０の上端を挟み込んで取り付ける取り付け部２５Ａと、この取り付け部２５Ａの内側の一端部から容器１０の中央部側に延び、前記金網２６の外周を支持する支持部２５Ｂとで形成され、例えばステンレス製のばね材で形成されている。
【００３３】
前記容器１０は、前述のように、載置台２３の上面に載置されている。この載置台２３は、例えばチャンネル状部材を適宜折り曲げ、前述のように、平面視略円形形状となるように形成されている。
載置台２３の下方には、図２に示すように、前記加熱手段３０が配置され、この加熱手段３０から容器１０に向けて熱風Ｈが噴射され、容器１０の加熱、言い換えれば、はんだ組成物１４の加熱が行われるようになっている。そのため、載置台２３には熱風Ｈの吹き抜け用の開口部２３Ａが設けられている。
【００３４】
開口部２３Ａは、容器１０の底面部１０Ａの略全面を加熱できるように、かつ、加熱後の熱風Ｈが容器１０の外周から回り込まないように、容器１０の外径寸法よりわずかに小さな寸法に形成されている。
なお、噴出され容器１０を加熱した熱風Ｈは、加熱手段３０の図示しない循環路内を循環するようになっている。
【００３５】
また、載置台２３の上面には、周壁部２０の外周と当接すると共に、当該周壁部２０、ひいては容器１０の位置決めを行う容器位置決め治具２４が設けられている。
以上のような載置台２３は、基台２７上に設けられている。
【００３６】
前記加熱手段３０は、例えばリフロー炉において使用されるものであり、図示しない加熱源、蓄熱部材およびブロワ、前記循環路等を備えており、ブロワからの風によって、蓄熱部材に形成された熱風吹き出し口から容器１０に向けて熱風Ｈが噴射され、容器１０の加熱、言い換えれば、はんだ組成物１４の加熱が行われるようになっている。
なお、加熱手段３０による加熱は、はんだの融点以上、例えば３００℃で行われるようになっている。
【００３７】
また、本実施形態では、図２に示すように、容器１０の上方位置にも加熱手段３０Ａが設けられている。この加熱手段３０Ａの詳細は省略するが、風等の影響を避けるために、例えば赤外線加熱による加熱手段が構成されている。
これにより、容器１０の下方および上方からの加熱が実施されるため、より効果的に、かつ短時間で加熱できる。
【００３８】
次に、図５（Ａ）〜（Ｄ）を参照して、以上のような構成のバンプ形成装置１によるはんだバンプ形成手順を説明する。
【００３９】
まず、図５（Ａ）に示すように、容器１０内の底面部１０Ａに基板１２を載置した後、液状のはんだ組成物１４を、基板１２を覆うように所定量だけ容器１０に供給する。そして、その容器１０を加熱手段３０の上方に配置すると共に、その加熱手段３０を例えば３００℃に加熱する。
【００４０】
ここで、ベナール対流Ｒ（図４参照）では、下面で温められた液体の比重が軽くなり上方へ移動し、上方へ移動した液体は液上層面で冷却されることで比重が重くなり、下方へ移動する。このような液の流れが規則的なパターンとして現れ、特徴的な六角形状模様となるものである。
上記の場合の温度分布を捉えてみると、六角形状の境界部、すなわち下降流が生じる箇所では、その周囲より温度が低下することになる。
そして、本実施形態では、金網支持部材２５を介して、液面と接する状態で金網２６が設けられ強制的に低温部が形成されているので、加熱により上昇した液状のはんだ組成物１４のベナール対流Ｒ（図４参照）は、液上面で冷却されて下降流となるとき、低温の金網２６の網目に接触し、網目に沿った下降流となる。その結果、金網２６の網目の例えば六角形状に沿ったベナールセル１４Ａが均一に生じることとなる。
【００４１】
次いで、はんだ組成物１４が供給された基板１２は、加熱手段３０および加熱手段３０Ａにより加熱される。加熱手段３０からの熱風等により容器１０の温度が上がり、所定時間経過すると、図５（Ｂ）に示すように、容器１０内のはんだ組成物１４が溶融し始める。
【００４２】
その後、図５（Ｃ）に示すように、はんだ微粒子１３が沈降しながら徐々にパッド電極１１上に堆積溶融され、選択的にはんだ付けが行われる。この際、容器１０が、その底面部１０Ａに凹凸がなく、液深差がない状態となる。加熱により生じるベナールセルのサイズが面内で均一化されると共に、底面部１０Ａからの熱伝導の変化がないので、均一化した対流となる。
【００４３】
また、周壁部１０Ｂの内周部にも凹凸がないので、加熱により発生したベナールセルが内周部のどこにも衝突することがなく、これにより、均一化した対流となる。
さらに、容器１０の周壁部１０Ｂに、熱伝導の低い周壁用断熱部材２０が、周壁部１０Ｂの外周と内周とを覆って取り付けられており、周壁部１０Ｂからの熱が容器１０内部の液状のはんだ組成物１４に伝わりにくいので、容器１０内での温度の伝わり方に変化が生ぜず、これにより、均一化した対流となる。
そして、上記いずれの場合でも、均一化したベナールセル１４Ａが、さらに金網２６に接するので、より確実、かつ、より容易にはんだ微粒子１３を均一に沈降させることができる。その結果、はんだバンプ１５が均一に形成され、性能のばらつきが少ない基板１２となる。
【００４４】
最後に、図５（Ｄ）に示すように、図示しない冷却設備による冷却工程終了後、洗浄工程にて基板１２を洗浄して、基板１２にはんだバンプ１５を形成するプロセスが完了する。
【００４５】
ここで、参考図として挙げる図６に基づいて、周壁用断熱部材２０を容器１０に装着して、その容器１０およびはんだ組成物１４を加熱した実施例を説明する。
図６は、写真をコピーしたものであるため、必ずしも鮮明ではないが、加熱により生じた多数のベナールセル１４Ａの形状が、略同じ大きさの六角形形状となっていることは読み取れる。
なお、図６では鮮明でないため、図６におけるｂ部のベナールセル１４Ａの詳細を、実際の写真に基づいて図面化した形状を図７に示す。
【００４６】
以上のように、金網２６を配置してはんだバンプを形成し、その後、金網２６を外した状態が図８に示されており、この図８からわかるように、金網２６の網目に沿って、略均一となったベナールセル１４Ａが形成されている。なお、図８も写真をコピーしたものであるため、必ずしも鮮明ではない。
その結果、図９に示すように、多数のはんだバンプ１５において頂点部（中央の白い部位）にばらつきが少ない。つまりはんだバンプ１５が均一となっていることは読み取れる。この中央の白い部位は、写真を撮る際、光に反射したものである。そして、多数のはんだバンプ１５において白い部位が均一になっているので、はんだバンプ１５も不均一であることになる。
なお、図９は、本第１実施形態により形成された基板１２のパッド電極１１上に形成されたはんだバンプ１５の拡大写真をコピーしたものであるため、必ずしも鮮明ではない。しかし、この図９を、前記従来例の図１５のはんだバンプ１０５と比較すれば、図９に示す本第１実施形態の基板１２が、従来の基板１０２より、はんだバンプのばらつきが少ないものであることは読み取れる。
【００４７】
以上のような本実施形態によれば、次のような効果がある。
（１）液状のはんだ組成物１４は、加熱されて比重が軽くなり上昇流となって液上面に向かって流れる。液面と接する位置には金網２６が配置されているので、上昇した液状のはんだ組成物１４は、液上面で冷却されて下降流となるとき、低温の金網２６の網目に接触し、網目に沿った下降流となる。これにより、ベナールセル１４Ａを金網２６の網目の例えば六角形状に沿った形状にすることができ、金網２６の網目部の大きさを調整することで、ベナールセル１４Ａの大きさや形状を制御してベナールセル１４Ａを略均一にすることができる。その結果、はんだ微粒子を均一に沈降させることができるので、はんだバンプが均一に形成され、かつ性能のばらつきが少ない基板を得ることができる。
【００４８】
（２）金網２６の網目が電極形成エリア境界部に合わせた形状とした場合、所定の電極形成エリア境界部に対応する網目の金網状部材を用いることで、より確実に均一化したはんだバンプを形成することができる。
【００４９】
（３）金網２６が、金網支持部材２５で支持されており、この金網支持部材２５がばね材で形成され、かつ断面略逆角Ｕ字形状となっているので、金網２６を配置する場合、金網支持部材２５を周壁用断熱部材２０に押し込んで装着した後、金網支持部材２５に金網２６を載せればよい。そのため、金網２６および金網支持部材２５の取り付け、取り外しを容易に行える。
【００５０】
（４）金網２６の外径寸法が、基板１２の外径寸法より大きくなっているので、加熱されて上昇したはんだ組成物１４が金網２６に到達した後、金網２６の網目で冷却されて流れが下向きに変わったとき、ベナールセル１４Ａが基板１２の全面を覆うので、はんだ微粒子１３を基板１２の前面に均一に沈降させることができる。これにより、はんだバンプ１５が均一に形成され、その結果、性能のばらつきが少ない基板１２を得ることができる。
【００５１】
（５）容器１０の底面部１０Ａが平滑面となっているので、容器１０内に収容されたはんだ組成物１４の液深さが同じとなる。そのため、液深差により生じるベナールセル１４Ａの形状を略均一とすることができ、このようなベナールセル１４Ａが、さらに金網２６に接するので、より確実、かつ、より容易にはんだ微粒子１３を均一に沈降させることができる。その結果、はんだバンプ１５が均一に形成され、性能のばらつきが少ない基板１２を得ることができる。
【００５２】
（６）容器１０の周壁部１０Ｂに周壁用断熱部材２０が装着されているので、加熱された容器１０の熱が周壁部１０Ｂから直接に容器１０内のはんだ組成物１４に伝わることを妨ぐことができる。その結果、容器１０Ｂ内のはんだ組成物１４に伝わる熱は、主に加熱された底面部１０Ａからのみとなり、周壁部１０Ｂからの熱に邪魔されず、熱の影響によるベナールセルの形状の乱れを防ぐことができ、このようなベナールセル１４Ａが、さらに金網２６に接するので、より確実、かつ、より容易にはんだ微粒子１３を均一に沈降させることができる。その結果、はんだバンプ１５が均一に形成され、性能のばらつきが少ない基板１２を得ることができる。
【００５３】
次に、図１０〜１２に基づいて、本発明の第２実施形態を説明する。
本第２実施形態のはんだバンプ形成装置２では、前記容器１０の底面部１０Ａに基板１２を浮かして取り付けるために基板支持部材４０を設け、基板１２の取出しが容易となるようにしたものである。
また、この基板支持部材４０によって基板１２を位置決めできるようにし、さらに、前記金網２６を第１実施形態と同様に設けたものである。
【００５４】
図１０は、本第２実施形態のはんだバンプ形成装置２を示す平面図であり、図１１は、図１０におけるXI−XI線に沿った縦断面図であり、図１２は、容器１０と基板１２と基板支持部材４０との関係を示す拡大斜視図である。
なお、図１１，１２では、容器１０、基板１２等を主に示し、載置台等は省略し、図１２では周壁用断熱部材は省略してある。
また、本第２実施形態のはんだバンプ形成装置２において、前記第１実施形態のはんだバンプ形成装置１と同一使用部材及び構造には、同一符号を付すとともに、その詳細な説明は省略または簡略化する。
【００５５】
容器１０の底面部１０Ａにおいて、周壁部１０Ｂ側には円周上に均等配置して複数個（例えば４個）の上記基板支持部材４０が設けられている。
この基板支持部材４０は、熱伝導の低い樹脂部材で形成され、また、基板１２の外周部を載置、支持する載置部４０Ａと、この載置部４０Ａの上面に上方に突出すると共に、基板１２の位置決めをする位置決めピン４０Ｂとで形成されている。そして、載置部４０Ａと位置決めピン４０Ｂとは一体的に形成されている。
また、載置部４０Ａは、基板１２が底面部１０Ａから高さ寸法ｈ（例えば０．５ｍｍ）浮いた状態となるような厚さに形成されている。
【００５６】
そして、載置部４０Ａには、上述のように、基板１２の外周の一部が載置され、これにより、容器１０の底面部１０Ａからの取り外しが容易となっている。また、位置決めピン４０Ｂは、基板１２が正常な位置に保持されるように、基板１２の外周端が接触可能となっている。
以上の基板支持部材４０は、基板１２の大きさに対応させて、所定の位置に配置するだけでよいが、耐熱性の接着剤等で張り付け、固定してもよい。
【００５７】
以上のような第２実施形態のバンプ形成装置２でも、前記第１実施形態のバンプ形成装置１と略同様の作用が実施される。ただし、基板１２を底面部１０Ａに載置する際、本第２実施形態では、基板支持部材４０の載置部４０Ａ上に載置される。
【００５８】
そして、第２実施形態のバンプ形成装置１では、前記（１）〜（６）と効果が得られる他、次のような効果が得られる。
（７）基板１２が基板支持部材４０を介して容器１０の底面部１０Ａから、例えば０．５ｍｍ浮いた状態で支持されているので、底面部１０Ａと基板支持部材４０の載置部４０Ａとの０．５ｍｍの隙間を利用して、基板１２の取り出しを容易に行うことができる。
【００５９】
（８）基板支持部材４０が内部用断熱部材で形成されているので、加熱された容器１０の熱が基板支持部材４０の載置部４０Ａから基板１２に伝わることを防止することができる。その結果、温度差によるベナール対流の乱れを防止することができるので、はんだ微粒子１３の均一な沈降を実現することができる。
【００６０】
（９）基板支持部材４０の位置決めピン４０Ｂにより基板１２の位置決めを行うことができるので、基板１２を容器１０内において正常な状態で保持することができる。
【００６１】
（１０）基板支持部材４０の載置部４０Ａと位置決めピン４０Ｂとが一体的に形成され、基板１２を載置部４０Ａの上面に載置できると同時に、位置決めピン４０Ｂにより基板１２の位置決めを行えるので、一つの部材で２つの機能を果たすことができる。その結果、載置用の部材と位置決め用の部材とを別個に設けなくてすみ、省部材化を図ることができる。
【００６２】
なお、本発明は前述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００６３】
例えば、前記各実施形態では、金網状部材として、平織金網、綾織金網、亀甲金網等の金網２６を用いたが、金網状部材としてはこれに限らず、パンチングメタルあるいはファインメッシュを用いてもよい。特に、ファインメッシュを用いた場合は、ステンレスの線材を電気抵抗溶接で接合して製作されているため、正確で、かつ網面の平坦性を確保できるので、対流の制御をより正確に行うことができる。
【００６４】
また、前記各実施形態では、容器１０の周壁部１０Ｂの外周と内周との両方に、周壁用断熱部材２０を取り付けたが、これに限らない。例えば内周に取り付ける等、どちらか一方に取り付けてもよい。そして、このようにすれば、周壁用断熱部材が少なくてすむ一方で、前記（６）と略同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、シリコンウェハ等の基板上のパッド電極にはんだバンプを均等に付着させる際に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明に係るはんだバンプ形成装置の第１実施形態を示す平面図である。
【図２】図1におけるII−II線に沿った縦断面図である。
【図３】図２におけるａ部拡大図である。
【図４】前記第１実施形態の容器と金網と金網支持部材等との関連部を示す詳細図である。
【図５】前記第１実施形態のはんだバンプ形成装置によるはんだバンプの形成手順を示す図である。
【図６】前記第１実施形態の周壁用断熱部材を装着して実施した結果を示す図である。
【図７】図６におけるｂ部詳細図である。
【図８】前記第１実施形態のはんだバンプ形成装置で金網を取り外した後の状態を示す図である。
【図９】前記第１実施形態のはんだバンプ形成装置により形成されたはんだバンプの結果を示す図である。
【図１０】本発明に係るはんだバンプ形成装置の第２実施形態を示す平面図である。
【図１１】図１０におけるXI−XI線に沿った縦断面図である。
【図１２】前記第２実施形態の基板支持部材と基板の底面部と基板との関係を示す部分拡大図である。
【図１３】従来のはんだバンプ形成装置の容器を示す平面図である。
【図１４】図１３におけるXIV−XIV 線に沿った縦断面図である。
【図１５】従来のはんだバンプ形成装置により形成されたはんだバンプの状態を示す図である。
【符号の説明】
【００６７】
１，２  はんだバンプ形成装置
１０  収容体である容器
１１  パッド電極
１２  基板
１３  はんだ微粒子
１４  はんだ組成物
１５  はんだバンプ
２０  周壁用断熱部材
２３  載置台
２５  金網支持部材
２６  金網状部材である金網
３０  加熱手段
４０  基板支持部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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