(57)【要約】【課題】  固定領域と遊離領域が形成されているシリコン構造体の製造過程で、電極の保護膜の形成範囲を規制するためにマスクを必要とせず、保護膜の除去時にエッチングされるシリコンの厚みを低減する。【解決手段】  ベース層２と酸化シリコン層４と単結晶シリコン層６が積層されている積層板の表面の一部に金属膜８を形成する。次に、多結晶シリコン膜１２を単結晶シリコン層８の表面から金属膜８の表面に亘って薄く形成する。次に、酸化シリコン層４に至るトレンチを形成する。次に、遊離領域の単結晶シリコン層６とベース層２が分離されるに至るまで酸化シリコン層４をエッチングする。金属膜８は多結晶シリコン膜１２により保護される。次に、多結晶シリコン膜１２をエッチングして除去する。単結晶シリコン層６の表面は多結晶シリコン膜１２により保護されており、エッチングされない。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース層と酸化シリコン層と単結晶シリコン層が順に積層されている積層板から、単結晶シリコン層が酸化シリコン層を介してベース層に固定されている固定領域とその固定領域から伸びているとともに対応する範囲の酸化シリコン層が除去されているために単結晶シリコン層がベース層から遊離している遊離領域が混在しているとともに、固定領域の表面にパターニングされた金属膜が形成されているシリコン構造体を製造する方法であり、
前記固定領域に対応する範囲の前記単結晶シリコン層の表面に、パターニングされた金属膜を形成する工程と、
前記単結晶シリコン層の表面から前記金属膜の表面に亘って連続する多結晶シリコン膜を形成する工程と、
前記多結晶シリコン膜の表面にパターニングされた開孔を持つレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクにして前記多結晶シリコン膜と前記単結晶シリコン層を異方性エッチングし、前記酸化シリコン層に達するトレンチを形成する第１エッチング工程と、
前記第１エッチング工程で形成されたトレンチから前記酸化シリコン層を等方性エッチングする第２エッチング工程と、
前記多結晶シリコン膜を等方性エッチングする第３エッチング工程を備えており、
前記レジスト層には、前記固定領域との接続部以外の前記遊離領域の外周に沿って伸びる開孔と、前記遊離領域内に分散形成されている開孔群が形成されており、かつ前記開孔群内で隣接する開孔と開孔を分離する最大距離が前記第２エッチング工程で酸化シリコン層がエッチングされる量の２倍以下であるという規則に従って前記開孔群が形成されており、
前記第２エッチング工程で、前記遊離領域に対応する範囲の前記酸化シリコン層が除去されるとともに、前記金属膜が前記多結晶シリコン膜で保護され、
前記第３エッチング工程で、前記多結晶シリコン膜が除去されるとともに、前記単結晶シリコン層の表面が前記多結晶シリコン膜で保護されることを特徴とするシリコン構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ベース層と酸化シリコン層と単結晶シリコン層が順に積層されている積層板が普及している。その積層板からシリコン構造体を製造する技術が知られている。シリコン構造体のなかには、単結晶シリコン層が酸化シリコン層を介してベース層に固定されている固定領域と、その固定領域内の単結晶シリコン層から伸びているとともに、対応する範囲の酸化シリコン層が除去されているためにベース層から遊離している単結晶シリコン層を備えている遊離領域が混在しているものがある。シリコン構造体でセンサまたはアクチュエータを実現する場合には金属配線が必要とされる。固定領域の表面にパターニングされた金属膜を形成したシリコン構造体も知られている。
この種のシリコン構造体に物理量が作用すると、遊離領域の単結晶シリコン層が固定領域の単結晶シリコン層ないしはベース層に対して変位ないし変形するために、その変位量ないし変形量を計測することによって、構造体に作用した物理量の大きさを検出するセンサを構成することができる。あるいは、電圧等を印加することによって遊離領域が固定領域ないしはベース層に対して変位ないし変形する現象を利用してアクチュエータを構成することもできる。
本発明は、上記の積層板から、固定領域と遊離領域が混在しているとともに単結晶シリコン層の表面にパターニングされた金属膜が形成されているシリコン構造体を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図９〜図１２に、シリコン構造体２００の従来の製造方法を示す。
図９に示すように、ベース層２と酸化シリコン層４と単結晶シリコン層６が順に積層されている積層板７を用意し、加工終了後に固定領域６ｂとなる範囲のシリコン層６の表面にパターニングされた金属膜８を形成する。
次に、図９に示すように、パターニングされた金属膜８のみを覆うようにパターニングされた窒化シリコン膜２２をフォトリソグラフィー法によって形成する。窒化シリコン膜２２は、後記するウェットエッチング工程でエッチングされるが、ウェットエッチング工程の終了時点でも残存している厚みに形成する。厚く形成することによって、ウェットエッチング工程の実施中に金属膜８を保護する。
次に、図１０に示すように、シリコン層６の表面から窒化シリコン膜２２の表面に亘って連続するレジスト層１４を形成する。レジスト層１４には、異方性エッチング工程でトレンチを形成する部分に開孔を形成しておく。すなわち、レジスト層１４には、加工終了後に遊離領域６ａとなる範囲の外周に沿って伸びる開孔１４ｂと、遊離領域６ａ内に分散形成されている開孔群１４ａを形成しておく。ただし、固定領域６ｂと遊離領域６ａとの接続部には開孔を形成しないし、窒化シリコン膜２２を覆っている部分には開孔を形成しない。次に、レジスト層１４の開孔１４ａ，１４ｂから単結晶シリコン層６を異方性エッチングし、図１０に示すように、酸化シリコン層４に達するトレンチ１５ａ，１５ｂを形成する。
次に、図１１に示すように、トレンチ１５ａ，１５ｂから酸化シリコン層４をウェットエッチングし、遊離領域６ａに対応する範囲の酸化シリコン層４を除去し、遊離領域６ａ内の単結晶シリコン層６をベース層２から遊離させる。遊離領域６ａ内に分散形成されているトレンチ群１５ａは、隣接するトレンチ１５ａとトレンチ１５ａを分離する距離Ｌ１が、ウェットエッチング工程で酸化シリコン層４がエッチングされる量Ｌ３の２倍以下であるように形成されている。そのため、ウェットエッチング工程の終了時には、遊離領域６ａに対応する範囲の酸化シリコン層４が完全に除去されている。この間、金属膜８は窒化シリコン膜２２によって保護される。窒化シリコン膜２２は、ウェットエッチング工程の終了時点でも残存している。
次に、図１２に示すように、窒化シリコン膜２２を等方性エッチングして除去し、シリコン構造体２００を形成する。
このようなシリコン構造体２００の製造方法が、例えば特許文献１などに開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−０４０８３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
金属膜８の表面に形成する窒化シリコン膜２２は、トレンチを形成する異方性エッチング工程でレジスト膜となる。そのために、トレンチを形成する部分にまで窒化シリコン膜２２を形成しておくことができない。窒化シリコン膜２２の形成範囲を規制するためのマスクが必要となる。
【０００５】
また、図１２に示すように、窒化シリコン膜２２を除去する工程では、窒化シリコン膜２２とともに単結晶シリコン層６までエッチングされる。等方性エッチングであるため、単結晶シリコン層６は、その表面と側面から厚みＬ６だけエッチングされる。
前記したように窒化シリコン膜２２は厚く形成されているため、窒化シリコン膜２２を除去する工程では、長時間に亘ってエッチングする。このために、単結晶シリコン層６がエッチングされる時間も長くなる。さらに、単結晶シリコンは、窒化シリコンに比べてエッチング速度が大きい。その結果、窒化シリコン膜２２を除去する間に単結晶シリコン層６がエッチングされる厚みＬ６が無視できないほど大きい。単結晶シリコン層６がエッチングされる厚みＬ６が大きいと、シリコン構造体２００の寸法が設計上のものから大きく変化し、仕様どおりの挙動特性を得ることができない。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決する。すなわち、金属膜を保護する膜を形成する際にマスクを必要としない製造方法を提供することを目的とする。さらに、保護膜を除去する工程で単結晶シリコン層が表面からエッチングされることを防止できる製造方法を提供することを目的とする。本発明の製造方法を用いると、仕様どおりの挙動特性を持つシリコン構造体を製造することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、ベース層と酸化シリコン層と単結晶シリコン層が順に積層されている積層板から、固定領域と遊離領域が混在しているとともに、固定領域の表面にパターニングされた金属膜が形成されているシリコン構造体を製造する方法に関する。本明細書では、単結晶シリコン層が酸化シリコン層を介してベース層に固定されている範囲を固定領域という。また対応する範囲の酸化シリコン層が除去されているために単結晶シリコン層がベース層から遊離している範囲を遊離領域という。遊離領域の単結晶シリコン層は、固定領域の単結晶シリコン層から伸びているために脱落することはない。
本発明の製造方法は、固定領域に対応する範囲の単結晶シリコン層の表面にパターニングされた金属膜を形成する工程と、単結晶シリコン層の表面から金属膜の表面に亘って連続する多結晶シリコン膜を形成する工程と、多結晶シリコン膜の表面にパターニングされた開孔を持つレジスト層を形成する工程と、レジスト層をマスクにして多結晶シリコン膜と単結晶シリコン層を異方性エッチングして酸化シリコン層に達するトレンチを形成する第１エッチング工程と、第１エッチング工程で形成されたトレンチから酸化シリコン層を等方性エッチングする第２エッチング工程と、多結晶シリコン膜を等方性エッチングする第３エッチング工程を備えている。
レジスト層には、遊離領域の外周（ただし固定領域との接続部を除外した範囲の外周）に沿って伸びる開孔と、遊離領域内に分散形成されている開孔群を形成しておく。その開孔群は、開孔群内で隣接する開孔と開孔を分離する最大距離が、第２エッチング工程で酸化シリコン層がエッチングされる量の２倍以下であるという規則に従って形成されている。酸化シリコン層は薄いために、最初にトレンチの底面に露出している酸化シリコン層の厚みの全部がエッチングされ、その後もトレンチとトレンチを分離する単結晶シリコンの下方に位置している酸化シリコンが層に沿った方向にエッチングされ続ける。この場合、酸化シリコン層がエッチングされる量とは、トレンチとトレンチを分離する単結晶シリコンの下方に位置している酸化シリコンが層に沿った方向にエッチングされる距離をいう。第２エッチング工程で、遊離領域に対応する範囲の酸化シリコン層が除去されて遊離領域の単結晶シリコン層がベース層から遊離する。第２エッチング工程では、金属膜が多結晶シリコン膜で保護される。多結晶シリコン膜を第３エッチング工程で除去する間は、単結晶シリコン層の表面が多結晶シリコン膜で保護される。
【０００８】
本方法では、ベース層と酸化シリコン層と単結晶シリコン層が順に積層されている積層板を用意し、その積層板の表面にパターニングされた金属膜を形成する。金属膜は電極ならびに配線パターンとしての役割を果たす。
次に、単結晶シリコン層の表面から金属膜の表面に亘って連続する多結晶シリコン膜を形成する。多結晶シリコン膜は、後記する第１エッチング工程でトレンチを形成する際に阻害膜とならないため、金属膜の表面のみに形成する必要はない。多結晶シリコン膜の形成範囲を規制するためにフォトマスクを使用する必要がない。多結晶シリコン膜は、後記する第２エッチング工程において金属膜を保護する保護膜となる。多結晶シリコン膜は、エッチング速度が遅いために、薄く形成することができる。
次に、多結晶シリコン膜の表面にパターニングされたレジスト層を形成する。レジスト層には、第１エッチング工程でトレンチを形成する部分に開孔が形成されている。この開孔から多結晶シリコン膜と単結晶シリコン層を異方性エッチングし、中間層に達するトレンチを形成する（第１エッチング工程）。多結晶シリコン膜を異方性エッチングするのと同じエッチングガスで単結晶シリコン層を異方性エッチングすることができる。多結晶シリコンと単結晶シリコンを連続的に異方性エッチングすることができる。
トレンチを形成した後にトレンチを利用して酸化シリコン層を等方性エッチングする（第２エッチング工程）。等方性エッチングするために、酸化シリコン層を深さ方向にエッチングするだけでなく、酸化シリコン層の側方にもエッチングが進行する。遊離領域を形成する範囲内には、トレンチ群が形成されているために、隣接するトレンチとトレンチを分離する単結晶シリコンの下方に位置する酸化シリコン層も除去され、遊離領域の単結晶シリコン層とベース層は完全に分離される。隣接するトレンチとトレンチの間の距離は、トレンチとトレンチを分離する単結晶シリコンの下方に位置する酸化シリコン層が除去される関係に設定されている。
固定領域の表面に形成されている金属膜は多結晶シリコン膜で覆われているため、酸化シリコン層を等方性エッチングする間に金属膜がエッチングされることはない。第２エッチング工程の終了時点でも、多結晶シリコンの保護膜は残留し、金属膜はエッチングされない。
【０００９】
次に、表面に残存している多結晶シリコン膜を等方性エッチングする（第３エッチング工程）。第３エッチング工程では、金属膜の表面に残留している多結晶シリコン膜が除去される。第３エッチング工程で用いるエッチングガスにより、多結晶シリコン膜だけでなく単結晶シリコン層もエッチングされる。単結晶シリコン層の表面は、多結晶シリコン膜で保護されているため、単結晶シリコン層の表面がエッチングされることはない。単結晶シリコン層の側面のみがエッチングされる。多結晶シリコン膜と単結晶シリコン層のエッチング速度はほぼ等しい。多結晶シリコン膜は、第２エッチング工程で用いるエッチング用薬液に対する耐性が非常に高いことから、薄く形成されている。そのため、第３エッチング工程で単結晶シリコン層の側面がエッチングされる厚みは小さい。なお、多結晶シリコン膜は、金属膜をエッチングしないガスでエッチングすることができ、金属膜にダメージを与えることがない。
【００１０】
上記の結果、固定領域と遊離領域が混在し、固定領域の表面にパターニングされた金属膜が形成されているシリコン構造体が形成される。
本方法によると、第１エッチング工程で単結晶シリコン層を異方性エッチングする際に多結晶シリコン膜が阻害膜とならない。単結晶シリコン層の表面から金属膜の表面に亘って連続して伸びる多結晶シリコン膜を形成することができる。金属膜を保護する多結晶シリコン膜を形成する範囲を規制する必要がなく、フォトマスクを必要としない。
また本方法によると、金属膜を保護する多結晶シリコン膜を除去する工程（第３エッチング工程）で、単結晶シリコン層の表面が多結晶シリコン膜によってエッチングガスから保護される。その結果、単結晶シリコン層の表面はエッチングされない。さらに、多結晶シリコン膜は薄く形成することができる。多結晶シリコン膜と単結晶シリコン層のエッチング速度はほぼ等しいことから、第３エッチング工程で側面からエッチングされる単結晶シリコン層の厚みを低減することもできる。
【００１１】
本発明で実現されるシリコン構造体では、金属膜が配線パターンならびに電極としての役割を果たす。固定領域と遊離領域を対向させておくと、両者によってコンデンサを形成することができ、その静電容量の変化を利用して遊離領域を移動させた物理量の大きさを検出することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、ベース層に固定されている単結晶シリコン層と、ベース層から遊離している単結晶シリコン層と、単結晶シリコン層の表面に形成されているパターニングされた金属膜を備えているシリコン構造体を製造する際に、金属膜を保護する膜を形成する範囲を規制するためにフォトマスクが不要化される。さらに、保護膜を除去する工程で単結晶シリコン層の表面がエッチングされることを防止できる。さらに、単結晶シリコン層が側面からエッチングされる厚みを低減することもできる。その結果、特性の安定したシリコン構造体を、簡単な工程で、安価に製造することが可能となる。
【実施例】
【００１３】
（第１実施例）
図１〜図６に、本実施例のシリコン構造体１００の製造方法を示す。まず、ベース層２と酸化シリコン層４と単結晶シリコン層６が順に積層されている積層板７を用意する。単結晶シリコン層６は不純物を含むため、導電性が高い。ベース層２の材料は、後記する第２エッチング工程や第３エッチング工程でエッチングされない材料を用いる。
次に、図１に示すように、後記する固定領域６ｂに対応する範囲の単結晶シリコン層６の表面にパターニングされたアルミの金属膜８を形成する。その厚みは約４００ｎｍとする。
次に、シリコン構造体１００を熱処理（アニール処理）する。その処理温度は３５０〜４５０℃である。熱処理を行うことによって単結晶シリコン層６の表面の一部に形成されている金属膜８と単結晶シリコン層６を形成するシリコンとの間にスパイク現象が発生し、良好なオーミック特性を得ることができる。金属膜８を形成する金属が、単結晶シリコン層６を形成するシリコンのなかにくさび状に侵入し、両者間の抵抗が低抵抗化される。なお、シリコン構造体１００の熱処理は、後記する第３エッチング工程後に実施してもよい。
次に、図２に示すように、単結晶シリコン層６の表面から金属膜８の表面に亘って連続する多結晶シリコン膜１２を形成する。その厚みは約５０ｎｍとする。多結晶シリコン膜１２の形成範囲を規制する必要はない。そのために、マスクは必要とされない。
次に、図３に示すように、マスクを使用したフォトリソグラフィー等により、パターニングされた開孔１４ａ，１４ｂをもつレジスト層１４を多結晶シリコン膜１２の表面に形成する。レジスト層１４には、第１エッチング工程で除去する部分と平面的に一致するパターンをもつ開孔１４ａ、１４ｂを形成する。
図７に、レジスト層１４の一部の上視図を示す。図１〜図６に示す製造過程は、図７のＩ−Ｉ断面における製造過程を示したものである。レジスト層１４には、遊離領域６ａを覆う部分と、固定領域６ｂを覆う部分が形成されている。遊離領域６ａと固定領域６ｂは接続部６ｃで接続されており、その接続部６ｃもレジスト層１４で覆われている。レジスト層１４には、接続部６ｃを除外した範囲の遊離領域６ａの外周６ｄに沿って伸びる開孔１４ｂが形成されている。またレジスト層１４の遊離領域６ａを覆う部分には、複数の開孔群１４ａが格子状に分散形成されている。参照符号Ｌ１は、格子状に配置されている開孔群１４ａ内において隣接している開孔と開孔を分離する最大距離を示している。最大距離Ｌ１は、後記する第２エッチング工程で酸化シリコン層４がエッチングされる量Ｌ３の２倍未満に設定されている。また、最外周の開孔と遊離領域６ａの外周との間の距離Ｌ２も、前記エッチング量の２倍未満に設定されている。
【００１４】
次に、上記レジスト層１４の開孔１４ａ、１４ｂから、多結晶シリコン膜１２と単結晶シリコン層６をこの順に連続的に異方性エッチングし、酸化シリコン層４に至るトレンチ１５ａ、１５ｂ（図４参照）を形成する（第１エッチング工程）。この異方性エッチング工程では、途中でエッチングガスを切り替える必要はない。エッチングガスとしては、例えばＣＦ４、ＮＦ３などフッ素系のガスを用いる。この時点で、単結晶シリコン層６が、遊離領域６ａと固定領域６ｂに分離される。なお、遊離領域６ａは、接続部６ｃにおいて固定領域６ｂに接続されている。
次に、図４に示すように、残ったレジスト層１４をアッシングや酸洗浄によって除去する。
【００１５】
次に、図５に示すように、ＨＦなどの薬液を用いたウェットエッチングにより、遊離領域６ａに対応する範囲の酸化シリコン層４をエッチングする（第２エッチング工程）。エッチング用の薬液は、固定領域６ｂとの接続部６ｃ以外の遊離領域６ａの外周６ｄに沿って伸びる開孔１４ｂに対応するトレンチ１５ｂと、遊離領域６ａ内に分散形成されている開孔群１４ａに対応するトレンチ群１５ａから侵入して酸化シリコン層４に達する。等方性エッチングであるため、薬液と接する様々な方向からエッチングが進行し、遊離領域６ａ内の単結晶シリコン層６をベース層２から分離することができる。遊離領域６ａ内に分散形成されている開孔群１４ａは、隣接する開孔１４ａと開孔１４ａを分離する最大距離Ｌ１が、第２エッチング工程で酸化シリコン層４がエッチングされる量Ｌ３の２倍以下であるように形成されている。そのため、第２エッチング工程の終了時点では、遊離領域６ａに対応する範囲の酸化シリコン層４は完全に除去されている。なお、隣接するトレンチ１５ａとトレンチ１５ａを分離する単結晶シリコン層６の直下に酸化シリコン層４の一部が残存していてもよい。単結晶シリコン層６と酸化シリコン層４が分離されている限り遊離領域６ａは固定領域６ｂに対して変位ないし変形することができる。酸化シリコン層４の一部が残存していると、その残存酸化シリコン層４が、遊離領域６ａが変位ないし変形したときに遊離領域６ａがベース層２に密着することを防止する。
多結晶シリコン膜１４はＨＦに対するエッチング耐性が非常に高い。そのため、ウェットエッチングを行う第２エッチング工程では、多結晶シリコン膜１４がほとんどエッチングされない。金属膜８は多結晶シリコン膜１４により保護される。
【００１６】
次に、図６に示すように、金属膜８の表面に残留している多結晶シリコン膜１２を等方性のドライエッチングにより除去する（第３エッチング工程）。単結晶シリコン層６の表面は多結晶シリコン膜１２により保護されているので、単結晶シリコン層６の表面は多結晶シリコン膜１２が残存している間はエッチングされない。多結晶シリコン膜１２が除去されればエッチングを終了する。単結晶シリコン層６の表面はほとんどエッチングされない。第３エッチング工程では等方性エッチングするために、単結晶シリコン層６の側面はエッチングされる。多結晶シリコンと単結晶シリコンのエッチング速度はほぼ等しい。第３エッチング工程でエッチングされる多結晶シリコン膜１２の厚みＬ４と単結晶シリコン層６の厚みＬ５はほぼ等しい。最初に形成する多結晶シリコン膜１４は、非常に薄く形成されているため、第３エッチング工程でエッチングされる単結晶シリコン層６の側面の厚みＬ５も非常に薄い。
【００１７】
本方法を用いると、金属膜８を保護する多結晶シリコン膜１２の形成範囲を規制するためにフォトマスクを必要としない。また、多結晶シリコン膜１２を除去する工程では、単結晶シリコン層６の表面が多結晶シリコン膜１２により保護され、エッチングされない。さらに、側面からエッチングされる単結晶シリコン層６の厚みＬ５を低減することができる
【００１８】
図８に、第１実施例の製造方法で製造されたシリコン構造体１００の一部の斜視図を示す。図１〜６で示した製造過程はＩ−Ｉ断面における製造過程を示したものである。遊離領域６ａと固定領域６ｂの接続部６ｃから遊離領域６ａが伸びている。シリコン構造体１００では、図示はしないが遊離領域６ａと対向している固定領域との間でコンデンサが形成される。その静電容量の変化を利用して遊離領域６ａを移動させた物理量の大きさを検出することができ、加速度センサや角速度センサ等として利用することができる。
【００１９】
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施例のシリコン構造体の製造過程を示す。
【図２】本実施例のシリコン構造体の製造過程を示す。
【図３】本実施例のシリコン構造体の製造過程を示す。
【図４】本実施例のシリコン構造体の製造過程を示す。
【図５】本実施例のシリコン構造体の製造過程を示す。
【図６】本実施例のシリコン構造体の製造過程を示す。
【図７】レジスト層の一部の上視図を示す。
【図８】シリコン構造体の一部の斜視図を示す。
【図９】従来のシリコン構造体の製造過程を示す。
【図１０】従来のシリコン構造体の製造過程を示す。
【図１１】従来のシリコン構造体の製造過程を示す。
【図１２】従来のシリコン構造体の製造過程を示す。
【符号の説明】
【００２１】
２：ベース層
４：酸化シリコン層
６：単結晶シリコン層
６ａ：遊離領域
６ｂ：固定領域
６ｃ：遊離領域と固定領域の接続部
８：金属膜
１２：多結晶シリコン膜
１４ａ：遊離領域内に分散形成されている開孔群
１４ｂ：遊離領域の外周に沿って伸びる開孔
１５ａ：トレンチ群
１５ｂ：トレンチ
１００、２００：シリコン構造体
Ｌ１：隣接する開孔と開孔を分離する最大距離
Ｌ２：最外周の開孔と遊離領域の外周との間の距離
Ｌ３：第２エッチング工程で酸化シリコン層がエッチングされる量
Ｌ４：第３エッチング工程で除去される多結晶シリコン膜の厚み
Ｌ５：第３エッチング工程で側面がエッチングされる単結晶シリコン層の厚み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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