(57)【要約】  基板、複数の画素放射源、光吸収層、及び相互接続層を備えるディスプレイパネル。基板は厚みで隔てられた互いに反対側の表及び裏主面を画定する。画素放射源は前記基板により支持されている。該複数の画素放射源の少なくとも１つから放出された光が前記裏主面から前記厚みを通り前記表主面から外方へ進行する。光吸収層は前記裏主面を覆って配置されている。相互接続層は前記光吸収層を覆って配置され、前記画素放射源の少なくとも１つに電気的に接続された回路を備える。ディスプレイパネルに表主面から入る周囲光及び／又は迷光の少なくとも一部は光吸収層により吸収され、反射され表主面に戻る周囲光又は迷光を減少させる。光吸収層はゾルゲルベース材料から成りうる。
2021501355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚みで隔てられた互いに反対側の表及び裏主面を画定する基板と、
前記基板により支持された複数の画素放射源であって、該複数の画素放射源の少なくとも１つから放出された光が前記裏主面から前記厚みを通り前記表主面から外方へ進行する、複数の画素放射源と、
前記裏主面を覆って配置された光吸収層と、
前記光吸収層を覆って配置され、前記複数の画素放射源の少なくとも１つに電気的に接続された回路を備える相互接続層と
を備えるディスプレイパネル。
【請求項２】
前記光吸収層は前記相互接続層と前記裏主面の間にある、請求項１記載のディスプレイパネル。
【請求項３】
前記光吸収層の光透過率は３５０〜８５０ｎｍの範囲内の波長において前記基板の光透過率より小さい、請求項１及び２のいずれかに記載のディスプレイパネル。
【請求項４】
前記ディスプレイパネルは、前記表主面から前記ディスプレイパネルに入り進行して前記裏主面から前記基板を出る可視光の少なくとも一部が前記光吸収層より吸収されるように構成されている、請求項１〜３のいずれかに記載のディスプレイパネル。
【請求項５】
前記光吸収層はゾルゲルからなる、請求項１〜４のいずれかに記載のディスプレイパネル。
【請求項６】
前記ゾルゲルはトリエトキシシラン、トリコロロシラン、トリアセトキシシラン、トリフルオロシラン、トリメトキシシラン、トリス（トリメチルシロキシ）シラン、トリプロポキシシラン、及びトリス（メトキシエトキシ）シランのうち少なくとも１つを含む、請求項５記載のディスプレイパネル。
【請求項７】
前記複数の画素放射源の少なくとも１つにより放出された光が前記光吸収層を通って進行する、請求項１〜６のいずれかに記載のディスプレイパネル。
【請求項８】
前記光吸収層は窓を形成し、前記複数の画素放射源のうち１つの画素放射源は前記窓と位置合わせされる、請求項１〜７のいずれかに記載のディスプレイパネル。
【請求項９】
前記複数の画素放射源のうち少なくとも１つの画素放射源はＯＬＥＤから成る、請求項１〜８のいずれかに記載のディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記複数の画素放射源のうち少なくとも１つの画素放射源はマイクロＬＥＤから成る、請求項１〜９のいずれかに記載のディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記基板はガラスから成る、請求項１〜１０のいずれかに記載のディスプレイパネル。
【請求項１２】
厚みで隔てられた互いに反対側の表及び裏主面を画定する基板と、
前記基板により支持された複数の画素放射源であって、該複数の画素放射源の少なくとも１つから放出された光が前記裏主面から前記厚みを通り前記表主面から外方へ進行する、複数の画素放射源と、
前記裏主面を覆って配置された光吸収層と、
前記光吸収層を覆って配置され、前記複数の画素放射源の少なくとも１つに電気的に接続された回路を備える相互接続層と
を備えるディスプレイパネルと、
前記相互接続層に電子的に接続され、前記複数の画素放射源の動作を前記回路を介して制御するようにプログラムされたコントローラと
を備える表示装置。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
本出願は、２０１７年１０月２０日に出願された米国仮特許出願第６２／５７５０５７号の米国特許法第１１９条の下の優先権の利益を主張するものであり、その内容全体を本明細書に援用する。
【技術分野】
【０００２】
本開示は概ねディスプレイパネル及びこのようなパネルを使用する表示装置に関する。特に、底部放射型ディスプレイパネル、表示装置、及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
大多数のディスプレイパネルの構造は、使用されている特定のディスプレイ方式（例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、マイクロＬＥＤディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）など）に関連する様々な層又は構成要素（例えば、画素放射源）を支持する１つ以上の基板を通常必要とする。通常「底部放射」ディスプレイと呼ばれる幾つかのディスプレイ方式又は技術では、画素放射源からの放出光は基板の厚みを透過する。言い換えると、底部放射ディスプレイでは、画素放射源からの光は基板に底面において入り、基板の厚みを通過して、基板の表の面から出る（例えば、底部放射ＯＬＥＤディスプレイ、底部放射ＬＥＤディスプレイ、底部放射マイクロＬＥＤディスプレイなど）。底部放射ディスプレイでは、支持基板は透明な又はほぼ透明な材料から通常形成され、画素放射源からの光の透過を可能にする。
【０００４】
周囲光は底部放射ディスプレイに潜在的な性能問題を提示しうる。特に、周囲光は基板に表の面において入り底面へ進行しうる（基板の透明な又はほぼ透明な性質によって）。しばしば、底部放射ディスプレイ技術は底面を覆って配置された光反射物質又は構成要素を含む（例えば、様々な画素放射源に電気的に接続された金属配線）。これらの状況下で、底面へ進行して底面から出る周囲光は、底面を覆う光反射物質により反射され、基板を通って戻り、表の面から出る（画素放射源からの意図された光と共に）。これはコントラスト比及び昼光可読性を減少させることでディスプレイのより低い画質及び不満足な性能をもたらしうる。この問題に対処するための受け入れられた手法は、反射光が見る人に戻るのを阻止するためにディスプレイの外側で（即ち、基板の表の面を覆って）偏光フィルター（例えば、円偏光子）を使用することである。そのように配置された偏光フィルターは周囲反射を１０％未満に低減できるが、また画素放射源により偏光フィルターへ送出された光の約５０％を損失する結果となる。
【０００５】
従って、代わりのディスプレイパネル、表示装置、及びディスプレイパネル、例えば底部放射型ディスプレイパネルを製造するための方法が本明細書に開示される。
【発明の概要】
【０００６】
本開示の幾つかの実施形態は、基板、複数の画素放射源、光吸収層、及び相互接続層を備えるディスプレイパネルに関する。基板は厚みで隔てられた互いに反対側の表及び裏主面を画定する。画素放射源は前記基板により支持されている。これに関して、該複数の画素放射源の少なくとも１つから放出された光が前記裏主面から前記厚みを通り前記表主面から外方へ進行する。光吸収層は前記裏主面を覆って配置されている。前記相互接続層は前記光吸収層を覆って配置され、前記複数の画素放射源の少なくとも１つに電気的に接続された回路を備える。この構成で、ディスプレイパネルに表主面から入る周囲光及び／又は迷光の少なくとも一部は光吸収層により吸収され、反射され表主面に戻る周囲光又は迷光の量を減少させるか又は制限する。幾つかの実施形態では、前記光吸収層は前記相互接続層と前記裏主面の間にある。幾つかの実施形態では、光吸収層はゾルゲルベース材料から成る。
【０００７】
本開示の更に他の実施形態は、ディスプレイパネルを形成する方法に関する。その方法は、光吸収層を基板の裏主面を覆って配置するステップを含む。前記基板は前記裏主面と反対側の表主面と前記表及び裏主面間の厚みとを画定する。複数の画素放射源が前記裏主面の上に形成される。これに関して、前記画素放射源の少なくとも１つから放出された光が前記裏主面から前記厚みを通り前記表主面から外方へ進行する。相互接続層が前記光吸収層を覆って形成される。前記相互接続層は回路を備える。相互接続層を形成する前記ステップは、前記回路を前記複数の画素放射源の少なくとも１つに電気的に接続することを含む。幾つかの実施形態では、光吸収層を配置する前記ステップは、溶液形態のゾルゲルベース材料を前記裏主面に塗布し、次に塗布されたゾルゲルベース材料を硬化させることを含む。
【０００８】
本開示の更に他の実施形態は、ディスプレイパネル及びコントローラを備える表示装置に関する。ディスプレイパネルは基板、複数の画素放射源、光吸収層、及び相互接続層を備える。基板は厚みで隔てられた互いに反対側の表及び裏主面を画定する。画素放射源は前記基板により支持されている。これに関して、該複数の画素放射源の少なくとも１つから放出された光が前記裏主面から前記厚みを通り前記表主面から外方へ進行する。光吸収層は前記裏主面を覆って配置されている。前記相互接続層は前記光吸収層を覆って配置され、前記複数の画素放射源の少なくとも１つに電気的に接続された回路を備える。前記コントローラは前記相互接続層に電子的に接続され、前記複数の画素放射源の動作を前記回路を介して制御するようにプログラムされている。
【０００９】
追加の特徴及び利点は下記の詳細な説明で明らかにされ、その説明から部分的には当業者には容易に明白であり、下記の詳細な説明、請求項、及び添付図面を含む本明細書に記載された実施形態を実施することで理解されるであろう。
【００１０】
上記概要説明と下記の詳細な説明の両方とも様々な実施形態を説明し、請求項に記載された対象物の特質及び特性を理解するための概観又は枠組みを提供するよう意図されていることは理解されるべきである。添付図面はそれら様々な実施形態の更なる理解を提供するために含まれ、本明細書に組み込まれ一部をなしている。図面は本明細書に記載された様々な実施形態を例示し、記述内容と共に請求項に記載された対象物の原理と動作を説明するよう働く。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示の原理に係る表示装置の簡略化した平面図である。
【図２Ａ】本開示の原理に係り図１の表示装置で有用なディスプレイパネルの一部の簡略化した展開側面図である。
【図２Ｂ】最終組み立て後の図２Ａのディスプレイパネルの一部の簡略化した側面図である。
【図３】図２Ａのディスプレイパネルの一部の簡略化した平面図であり、使用時の光線を例示する。
【図４Ａ】本開示の原理に係り図１の表示装置で有用な別のディスプレイパネルの一部の簡略化した展開側面図である。
【図４Ｂ】最終組み立て後の図４Ａのディスプレイパネルの一部の簡略化した側面図である。
【図５】実施例の項で説明されるデータのプロットである。
【図６】実施例の項で説明されるデータのプロットである。
【図７】実施例の項で説明されるデータのプロットである。
【図８】実施例の項で説明されるデータのプロットである。
【図９】実施例の項で説明されるデータのプロットである。
【図１０】実施例の項で説明されるデータのプロットである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
ディスプレイパネル、ディスプレイパネルを製造する方法、及びそのようなディスプレイパネルを備える表示装置の様々な実施形態を詳細に記述する。可能ならいつでも、同じ又は類似の部品を指すために同じ符号を全図面に亘って使用する。しかし、本開示は多くの異なる形態で具体化されてもよく、本明細書に明記された実施形態に限定されると解釈されるべきではない。
【００１３】
本開示の原理に係る表示装置２０の一例が図１に示されている。表示装置２０は通常ディスプレイパネル２２及びコントローラ２４を備える。ディスプレイパネル２２は通常複数の画素放射源３２を載せた又は支持する基板３０を含む。ディスプレイパネル２２は画素放射源３２から放出された光は基板３０の厚みを透過する底部放射構造を有しうる。コントローラ２４は基板３０に載せられた又は支持された相互配線（不図示）を介して電子的に画素放射源３２に接続され、当技術で既知のやり方で所望の表示画像を生成するのに画素放射源３２の動作を駆動するようプログラムされている。表示装置２０は当技術で既知の１つ以上の追加の構成要素、例えばハウジング、ユーザーインターフェース、電源、電源コネクタなどを随意に含みうる。
【００１４】
本開示の原理に係るディスプレイパネル２２の一例の一部が図２Ａ及び２Ｂに簡略化されて示されている。ディスプレイパネル２２は上述したように基板３０及び複数の画素放射源３２（うち１つが図示されている）を相互接続層（又はバックプレーン）３４及び光吸収層３６と共に含む。様々な構成要素の詳細を下記に提供する。一般的に言えば、画素放射源３２は基板３０により支持され、画素放射源３２からの光が基板３０の厚みを通過するように配列されている。相互接続層３４は画素放射源３２に電気的に接続され、例えば画素放射源３２をコントローラ２４（図１）に電子的に接続する回路を含む。光吸収層３６は基板３０と相互接続層３４の間に配置され、基板３０より小さい光透過率を有する（少なくとも可視光波長で）。この構成で、基板３０に入る周囲光は少なくとも部分的に光吸収層３６に吸収され、それにより相互接続層３４（又はその構成要素）により反射され基板３０を通って戻る周囲光を減らすか又は無くす。
【００１５】
基板３０は様々な形を取ることができ、底主面４２と反対側の表主面４０を画定又は含む。主面４０、４２は基板３０の厚みＴにより隔てられている。基板３０の他の特徴はディスプレイパネル２２の特定のディスプレイ技術又は方式に合致しうる。例えば、幾つかの実施形態では、基板３０は画素放射源３２（例えば、ＬＥＤ、マイクロＬＥＤ、ＯＬＥＤなど）が作製、実装、又は取り付けられる表面又は台を提供しうる。他の実施形態では、基板３０はディスプレイ技術積層の所望のサブ構成要素でありうる（例えば、通常のＯＬＥＤディスプレイ技術積層は封止又は保護層としての基板３０、陰極層、放射層、導電層、陽極層、及び底部保護層を含みうる）。更に他の実施形態では、基板３０はカバー板、使用されるディスプレイ技術（例えば、ＬＣＤディスプレイ）に拘らず従来のディスプレイパネルの前面側に加えられる構成要素などでありうる。
【００１６】
上記の概要説明を考えると、幾つかの実施形態では、基板３０は少なくとも１つの材料がガラス、ガラスセラミック、セラミック、重合体、又は金属である単一層、多層又は複合の構造体でありうる。基板３０は個別の自立したシート又はウェハ、キャリアに接合された可撓基板、又は可撓基板ウェブの形態でありうる。基板３０の材料及び／又は厚みは、下記に説明する光吸収層３６の特徴又は属性と適合するように望ましいことに選択されうる（及び／又はその逆）、例えば光吸収層と関連する随意の塗布及び形成プロセスと適合するように選択されうる。また、基板３０の材料及び／又は厚みは、ディスプレイパネル２２の製造及び動作と適合するように望ましいことに選択されうる（例えば、ディスプレイパネル２２のバックプレーンとして働く）。同じように、基板３０はディスプレイパネル２２で利用される特定のディスプレイ技術方式に合致する１つ以上の特徴、例えば主面４０、４２の一方又は両方に作られたパターン、貫通孔又は穴などを備えうる。
【００１７】
例示の容易さのためだけに、画素放射源３２は１つの個別部品として図２Ａ及び２Ｂに例示されている。より一般的に言えば、本開示の画素放射源３２は、現在既知の又は将来開発され選択肢として底部放射型ディスプレイ方式に適した任意のディスプレイ技術により製作されうる。例えば、画素放射源３２はリン光、エレクトロルミネセント、有機又は無機放射、透過、反射、又は任意の他の既知のディスプレイ技術により提供されうる。関連して、デジタル結像において、画素はラスター画像内の物理的点又はディスプレイパネル内の最小のアドレス指定可能なディスプレイ素子であり、言い換えれば、画素はディスプレイパネル２２上に又はにより表される画像又は絵の最小の制御可能な素子であることは理解されるであろう。各画素放射源３２のアドレスは基板３０に対するその物理的座標に対応する。幾つかの非限定の実施形態では、各画素放射源３２は１つ以上のＬＥＤ又はマイクロＬＥＤから成り、各画素放射源３２は実際には３つ（又はより多くの）の「サブ画素」からなる表面実装ランプでありうる。各サブ画素は赤、緑、及び青素子（例えばダイオード又は色変換）を備える個別のＬＥＤ又はマイクロＬＥＤである。ＯＬＥＤを含む他のディスプレイ技術では、各画素放射源３２は連続的なＯＬＥＤ構造の層により画定されるＯＬＥＤ構造体と見ることができる。例えばＯＬＥＤ構造は、基板３０上に「積層」された保護層、陽極層、導電又は輸送層、放射又は発光層、及び陰極層を含みうる。電気が流れ始めると、陰極は電子を電源から受け取り、陽極は電子を失う。追加された電子は放射層（接合ダイオードのｎ型層に類似）を負に帯電させ、一方、導電層は正に帯電して（ｐ型物質に類似）光を生成又は放出する。異なる色のサブ画素は、個別の発光色などを適用することでフィルター層により生成されうる。
【００１８】
相互接続層３４は画素放射源３２を形成するために利用される特定のディスプレイ技術に適合する様々な形態を取りうる。より一般的に言えば、相互接続層３４は電気経路（例えば、回路配線）及び電気構造体、例えば画素放射源３２を駆動するトランジスタ（例えば、コントローラ２４（図１）により制御される）を含む。幾つかの実施形態では、相互接続層３４は当技術で既知の種類の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であるか又は内蔵する。関連して、ＴＦＴは、電圧を半導体のチャネル領域に印加することで薄膜半導体を通って流れる電流を制御するために使用される。他の電気経路及び／又は構造体も本開示の相互接続層により利用されうる。正確な形態に拘らず、相互接続層３４は本質的に光を反射し及び／又は屈折率の違いにより反射又は散乱を引き起こす１つ以上の構成要素（例えば、金属回路配線）を含みうる。
【００１９】
光吸収層３６は少なくとも可視スペクトル内の光を吸収するのに適した様々な形態を取りうる。本開示の光吸収層３６は、３５０〜８５０ｎｍ或いは４００〜８００ｎｍの範囲の波長又は可視光スペクトル内の波長などに対してガラス基板の光透過率より小さい光透過率を有しうる。例えば、光吸収層３６は、３５０〜８５０ｎｍ又は４００〜８００ｎｍ波長範囲内の離散した領域で又は全体に亘って、８０％以下の透過率、或いは５０％以下、或いは１０％以下、或いは５％以下、及び幾つかの実施形態では１％以下の透過率を有しうる。光吸収層３６がより小さい透過率の離散した領域を形成又は提供するように構成されている随意の実施形態では、離散した領域は１０ｍｍ以上のスペクトル幅、或いは５０ｍｍ以上、或いは１００ｍｍ以上、及び幾つかの実施形態では２００ｍｍ以上のスペクトル幅を有しうる。幾つかの実施形態では、光吸収層３６は  相互接続層３４の材料及び／又は製造と両立するよう組成が決められる。例えば、光吸収層３６の組成は概ね無アルカリ（即ち、アルカリ１％以下）か、又は例えば、幾つかのＴＦＴ製造又はイオン交換プロセスに適合するようにアルカリを含有していてもよい。
【００２０】
幾つかの実施形態では、光吸収層３６はゾルゲル、例えば光吸収スペクトルを制御するように加工されたゾルゲルベース材料又は複合材であるか又は含む。幾つかの実施形態では、本開示のゾルゲル組成物は基板３０の底主面４２上にパターン形成、印刷、又は貼り付けられうる。この組成物は、これらに限定されないが、トリエトキシ‐、トリコロロ‐、トリアセトキシ‐、トリフルオロ‐、トリメトキシ‐、トリス（トリメチルシロキシ）‐、トリプロポキシ‐、トリス（メトキシエトキシ）‐シラン、テトラエチルオルトケイ酸塩（ＴＥＯＳ）、チタン酸塩、及び水（シランの加水分解のため）の混合物を含みうる。シランは有機構成成分により、その構成成分が架橋反応のために反応し易い場合があるというように更に機能的にされ、表面エネルギー改質のためのアルキル鎖又はフッ素化種、金属付着のための‐ＳＨ又は‐ＣＮなどの反応種により更に機能的にされうる。幾つかの実施形態では、上記ゾルゲルベース材料は溶液形態で提供又は調合され、底主面４２に溶液被膜として下記のように塗布されうる。幾つかの実施形態では、そのように塗布された被膜（又は光吸収層前駆体）は次に処置（例えば、硬化）されて最終の光吸収層３６ができる。本開示のゾルゲルベース材料組成物は、随意に光吸収層３６を形成するための多様な溶液ベース処理手法、例えばこれらに限定されないが印刷、成形、及び被覆法の助けになる。他の実施形態では、光吸収層３６を形成するのに有用なゾルゲルベース材料は、底主面４２に貼り付けるフィルム又はウェブとして提供されうる。
【００２１】
幾つかの実施形態では、光吸収層３６は、底主面４２に当初貼り付けた時、可視光に比較的透明又は大いに透明ですらありうる。上記のゾルゲルベース材料組成物の幾つか及び他の組成物の場合、ゾルゲルベース材料は、ゾルゲルベース材料の基板３０への塗布（例えば、被覆）に続いて実行される様々なプロセスによる光透過特性の変化を経験するように組成が決められる。例えば、幾つかの実施形態では、基板３０への塗布に続いて、基板３０／ゾルゲルベース材料被膜は、例えば真空炉内で高温で焼成されうる。真空（即ち、有限酸素環境）内でのこの焼成工程を随意に完了することで、ゾルゲルベース材料被膜内の炭素が不完全に燃焼されその場でカーボンブラックを形成する。他の実施形態では、ゾルゲルベース材料組成物は、得られる光吸収層３６の光吸収、散乱、及び屈折率特性のうち１つ以上を制御するよう選択された追加の成分（例えば、顔料、染料、粒子）を含みうる。更に他の実施形態では、ゾルゲルベース材料組成物内の光吸収成分の組み合わせ及び被覆に続いてゾルゲルベース材料の光吸収特性を変えることは、得られる光吸収層３６の吸収スペクトルを制御するのに使用されうる。例えば、本開示のゾルゲルベース材料組成物の幾つかにより提供される光吸収層３６の吸収特性は、可視波長範囲に亘って平坦でありえ、他の実施形態では、スペクトルがあまり重要でない場合、より単純に特定の値未満でありうる。
【００２２】
上述した光吸収特性及び他の特徴に加えて、幾つかの実施形態では、本開示のゾルゲルベース材料（例えば、これらに限定されないが上記のもの）は、塗布（例えば、底主面４２に溶液被覆される）に続いて、例えば放射（例えば、ＵＶ、可視、ＩＲなど）により又は熱的に硬化又は固められるように組成が決められる。下記にもっと詳細に説明されるように、幾つかの随意の実施形態では、本開示のゾルゲルベース材料は完全な硬化を２つ以上の段階に分けて経験するように組成を決めることができ、少なくとも１つの段階はディスプレイパネル２２に関連する他の製造工程（例えば、ＴＦＴ形成）と両立する。更に他の実施形態では、本開示のゾルゲルベース材料（例えば、これらに限定されないが上記のもの）は、硬化時微細亀裂を示すことなくミクロン以下程度の厚み（例えば、１μｍ以下、或いは５μｍ以下、或いは１０μｍ以下）に加工されうるように組成が決められうる。幾つかの実施形態では、光吸収層３６は１μｍ以下、或いは５μｍ以下、或いは１０μｍ以下、或いは２０μｍ以下、及び幾つかの実施形態では５０μｍ以下の全体厚みの領域を有しうる。幾つかの実施形態では、これらの領域は単一の材料又は層でありえ、他の実施形態では、光吸収層３６又はその領域は２つ以上の材料又は層からなりうる。
【００２３】
上述した光吸収特性及び他の特徴に加えて、幾つかの実施形態では、本開示のゾルゲルベース材料（例えば、これらに限定されないが上記のもの）は、下記で明らかになる理由で塗布後又は中にパターン形成可能であるように組成が決められる。これに関して、幾つかの実施形態では、本開示のゾルゲルベース材料は減法エッチングプロセス、より加法の印刷／成形プロセスなどでパターン形成されるように組成が決められる。幾つかの実施形態では、同じ又は異なる工程を光吸収層３６に表面窪み又は表面粗さを随意に作るために使用できる。
【００２４】
上述した光吸収特性及び他の特徴に加えて、幾つかの実施形態では、本開示のゾルゲルベース材料の組成物は、特定のエンドユーザー用途に向けて更に組成が決められうる。ゾルゲル組成は、例えば静止摩擦、光散乱（増加又は減少）、粘度、溶液ベース処理との適合性、硬化速度及び方法、特定の波長での光吸収（増加又は減少）、屈折率、係数、硬さ、誘電特性、電子装置適合性などの特性を制御することに集中させられる。
【００２５】
本開示の原理に係るディスプレイパネル２２を作製又は製造する幾つかの方法は、画素放射源３２が基板３０により支持されることを含む又は結果となる。幾つかの実施形態では、本開示の方法は、画素放射源３２を基板３０と関連させる前に基板３０の底主面４２上に光吸収層３６を少なくとも部分的に形成することを含む。例えば、幾つかの非限定の実施形態では、本開示の方法は、底主面４２上に光吸収層前駆体を形成するために底主面４２へのゾルゲルベース材料の溶液ベース塗布を含む。続く処理（前記の焼成）を前駆体に、例えば所望の光透過特性を得られる光吸収層３６に生じさせるために随意に実行できる。随意のパターン形成プロセス（下記に説明される）を光吸収層前駆体又は最終の光吸収層３６に下記のように実行でき、例えば画素放射源３２の組み立て、画素放射源３２からの光の通過などを助ける。それにも拘らず、次に画素放射源３２は底主面４２の上又は内に、例えば底主面４２と反対側の光吸収層３６（又は光吸収層前駆体）の表面上又は内に形成される。例えば、ＬＥＤ又はマイクロＬＥＤが配置され組み立てられうる（例えば、所定位置に半田付けされ）、ＯＬＥＤ構成層が貼り付けられうるなどである。次に相互接続層３４が、利用している特定のディスプレイ技術に合ったやり方で光吸収層３６（又は光吸収層前駆体）上に配置又は別の方法で形成される。正確な構造又は構成要素に拘らず、相互接続層３４は底主面４２に対向する光吸収層３６上又はを覆って配置される。言い換えると、本開示の幾つかの方法では、光吸収層３６は底主面４２と相互接続層３４の間に配置される。底主面４２へゾルゲルベース材料溶液を塗布（例えば、被覆）し硬化することで光吸収層３６を形成する幾つかの方法では、ゾルゲルベース材料の硬化は２つ以上のステップで実行されうる。例えば、少なくとも１つの前硬化サイクルと後に続く最終硬化ステップ。熱硬化が使用される場合、幾つかの実施形態では、第１の部分硬化ステップは下げた温度（例えば、２００℃以下）で行われ、次の硬化ステップは高い温度（例えば、３００℃以上）の他のパネル製造プロセスと両立する。例えば、幾つかの非限定の実施形態では、本開示のゾルゲルベース材料組成物の幾つかは、３００℃超の温度の次のマイクロＬＥＤ半田、ＴＦＴアレイ、又は電子相互接続プロセスと両立するように構成される。光吸収層３６を形成するための他の手法又はプロセス、例えば膜積層も許容できる。
【００２６】
本開示の他のプロセスバリエーションでは、相互接続層３４は画素放射源３２の前に光吸収層３６上に形成される。本開示の他の随意のプロセスでは、相互接続層３４の全て又は全体が光吸収層３６上に形成される。或いは、相互接続層３４の一部は光吸収層３６の上に存在でき、他の部分は光吸収層３６の下に存在する（例えば、相互接続層３４の一部は光吸収層と基板底主面４２の間にある）。これらの随意の構造では、光吸収層３６の最終光学特性は、最初の膜形成時、相互接続層３４及び／又は画素放射源３２の製造／組み立て時、又はディスプレイパネル製造が全て完了した後に生成されうる。幾つかの実施形態では、光吸収層３６の最終光学特性を遅らせることは、幾つかのディスプレイパネル製造ステップが光吸収層３６の初めはより高い光学的に透明な性質を利用するのを可能にできる。光吸収層３６の上（即ち、基板３０と反対側の光吸収層３６の面上）に相互接続層３４の少なくとも一部の製造を可能にするために、光吸収層３６は相互接続層３４に関連する熱、真空、化学、及び他の処理条件に適合する。例えば、幾つかの実施形態では、光吸収層３６は  ３００℃以上、或いは４００℃以上、或いは５００℃以上、及び幾つかの実施形態では６００℃以上の熱処理条件に適合するように（例えば、１０％以下の重量損失を経験する）組成が決められる。
【００２７】
例えば図に直接は示唆されない１つ以上の追加の構成要素の提供又は組み立てを含む他の従来のディスプレイパネル製造ステップ又はプロセスを更に実行できる。しかし、本開示の幾つかの実施形態では、偏光フィルターは表主面４０上に組み立ても形成もされない。即ち、ディスプレイパネル２２は底部放射型ディスプレイパネルとして構成されるが、周囲光により生じる性能懸念に対処する偏光フィルターの提供を必要としない。しかし、他の実施形態では、偏光フィルター又は他の光学素子を使用できる（例えば、表主面４０上に配置される）が、光吸収層３６は従来の底部放射型ディスプレイパネルに比べより低い性能の偏光フィルターの使用を可能にする。
【００２８】
本開示の幾つかの随意の方法では、画素放射源３２の配置（例えば、マイクロＬＥＤの配置及び「半田付け」）後、相互接続層（又は他の電子層）を封じ込める又は平らにすることは有利な場合がある。幾つかの本開示のゾルゲルベース材料（例えば、これらに限定されないが上記のもの）では、追加のゾルゲルベース材料層（即ち、光吸収層３６に加えて）を形成でき、環境への露出を限定する目的のために電子素子上の連続するバリア層又はパターン形成されたバリアとして働く。関連する実施形態では、追加のゾルゲルベース材料層は、追加の画素放射源をその上に作製できる第２表面を提供できる。更に他の実施形態では、追加のゾルゲルベース材料層は光吸収層３６を形成するのに使用されたゾルゲルベース材料と同じ組成を持つことができ、黒くなった光吸収層３６と追加の封入層の間の適合性を改善する可能性がある。光吸収層３６と追加の封入層とが類似の組成を持っていても、それぞれの処理履歴により結果としての光学的、機械的、及び／又は熱的特性は異なる場合がある。関連する実施形態では、追加のゾルゲルベース材料層は迷光を更に抑えるために利用できる。
【００２９】
最終組み立て後、図３に示すように、画素放射源３２は光を放出する（図３の矢印Ｅ）ように動作させられる（例えば、相互接続層３４の回路を通って送られるコントローラ２４（図１）からの信号により）。上記のように、画素放射源３２は、画素放射源３２からの光が底主面４２そして厚みＴを通り次に基板３０の表主面４０を通ってディスプレイパネル２２を出るように基板３０に相対して配列される。幾つかの実施形態では、画素放射源３２は、画素放射源３２の１つ（又はより多く）から放出された光が光吸収層３６（又はその一部）を通過し次に底主面４２へ進行するように光吸収層３６に相対して配列され、他の実施形態では、画素放射源３２の１つ以上は、それらから放出された光が光吸収層３６の材料を透過しないように配列される、下記にもっと詳細に説明する。周囲光又は迷光（図３の矢印Ａ）は表主面４０から基板に入り、厚みＴを通って進行又は伝搬し、底主面４２から出る場合がある。相互接続層３４は光反射構成要素又は材料を含むが、底主面４２を出る周囲光Ａの一部又は選択に依っては全てが光吸収層３６により吸収されて相互接続層３４に到達しない。相互接続層３４へ伝搬しそれから反射されるどんな周囲光Ａも光吸収層３６と再び接する。この反射光の一部又は全てが光吸収層３６により吸収される。実効的に、周囲光Ａは基板３０に戻る前に光吸収層３６を２度通過する（最後に表主面４０を通って出て見ている人に向かう）。表主面４０を出る反射された周囲光（図３の矢印Ｒ）は、もしあれば、伸ばされた経路長を有し、反射された周囲光Ｒの強度は、光吸収層３６によりかなり低減される。幾つかの他の実施形態では、散乱素子が、光経路長を更に増加させるのと反射された周囲光Ｒの強度を更に低減するのとの一方又は両方のために提供されうる。散乱素子は当業者に既知の種類であってもよく、光吸収層３６（及び光経路の一部）の上、下、又は内に位置しうる。
【００３０】
図３に概ね示唆されているように、ディスプレイパネル２２は、画素放射源３２からの光が光吸収層３６を一回だけ通過するように構成されうる。他の実施形態では、光吸収層３６は画素放射源の所望のレイアウトに応じて構成（例えば、パターン形成）されうる。例えば、図４Ａ及び４Ｂは本開示の原理に係る別の一例のディスプレイパネル２２’を示す。ディスプレイパネル２２’は上述したように基板３０、複数の画素放射源３２（うち１つが図示されている）、及び相互接続層３４を光吸収層３６’と共に含む。光吸収層３６’は上記構成（例えば、ゾルゲルベース材料組成）のいずれかを通常有しうる。また、光吸収層３６’は通常１つ以上の窓５０を含むパターンを形成又は画定する。窓５０は光吸収層３６’の全厚みを貫通する穴、光吸収層３６’の厚みの低減、ＳｉＯ又は金属蒸着による酸化を防止するためにマスクする材料などでありうる。通常、窓５０は、少なくとも対応する画素放射源３２から放出される波長において他の領域に比べてより高い光透過率を有するか又は示す光吸収層３６’内の箇所である。
【００３１】
パターンは様々なやり方で光吸収層３６’に形成されうる。例えば、光吸収層３６’が膜又はウェブ状形態で初めに提供される場合、パターンは、底主面４２に貼り付ける前に膜又はウェブに形成されうる。他の実施形態では、底主面４２上に光吸収層３６’（又は光吸収層前駆体）を初めに形成した後、パターンを生成できる。幾つかの実施形態では、パターンは減法又は加法エッチングプロセス中に形成されうる。或いは、光吸収層３６’は印刷又は溶液ベースパターン形成プロセス、例えばスクリーン印刷、グラビア印刷、マイクロ複写などにより作製されうる。或いは、光吸収層３６’は多層積層により又はとして作られてもよい。例えば、光透過スペクトル、散乱、又は屈折率を持つ第１の連続するサブ層と、異なる光透過スペクトル、散乱、又は屈折率を持つ第２のパターン形成されたサブ層とが存在しうる。これら複数の層（又はサブ層）は異なるプロセス及び／又は異なる材料で形成されうる。それにも拘らず、画素放射源３２組み立てプロセスの一部として、画素放射源３２は窓５０と位置合わせされる。関連する実施形態では、パターン形成された光吸収層３６’は複数の画素放射源３２を所望の位置に又は所望のパターンに整列させるのを助けうる。最終組み立て後（図４Ｂのように）、画素放射源３２からの光が基板３０の底主面４２へより直接進行又は伝搬する。
【００３２】
図１に戻って、コントローラ２４は当技術で既知であり画素放射源３２を駆動するのに適した様々な形態を取りうる。例えば、コントローラ２４はコンピュータ型プロセッサ、データ受信機、及び１つ以上の表示ドライバーＩＣ（スキャンドライブＩＣ、データドライバーＩＣ）を有し又は含みうる。データ受信機はデータを無線又は有線で受信するよう構成されうる。メモリなどの他の構成要素も含まれうる。
【００３３】
本開示の特徴の実施形態及び利点が下記の非限定の実施例により更に示されるが、これらの実施例に記述されたそれらの特定の材料、量、寸法、状態、及び他の詳細が本開示の範囲を過度に限定すると解釈されるべきでない。
【００３４】
実施例
本開示の原理に係る第１のゾルゲルベース材料は、下記の表１（「例ゾルゲル溶液１」）に示されているように組成が決められた。本開示の原理に係る第２のゾルゲルベース材料は、下記の表２（「例ゾルゲル溶液２」）に示されているように組成が決められた。「チオールゾルゲル」部分及び「ビニルゾルゲル」部分は別々に用意され型に入れる前に混合された。
【００３５】
【表１】
2021501355.tif 000003
【００３６】
【表２】
2021501355.tif 000004
【００３７】
光透過率
様々な条件下で例ゾルゲル溶液１の光透過特性を評価するために、第１試験サンプル（「例Ａ」））が、０．５ｍｍ厚のガラス基板上に例ゾルゲル溶液１を２５０ｎｍの厚みに溶液塗布（スピンコーティング）することで用意された。例Ａの試験サンプルは１５０℃のホットプレート上に１５分間置かれてどんな残留溶媒も除去し（「乾燥サイクル」）、次に２５０℃のオーブン内に１時間置かれた（「硬化サイクル」）。硬化サイクルに続いて、例Ａの試験サンプルの光透過特性を得て、例Ａのゾルゲル層の光透過率と名付けた。例Ａと同じ第２試験サンプル（「例Ｂ」）が上記のように用意された。硬化サイクルに続いて、例Ｂの試験サンプルがオーブンから取り出され、周囲温度又は室温まで冷却させ、次に真空炉内に置かれた。次に真空炉は周囲温度から６５０℃まで８０℃／ｈの割合で加熱され、続いて直ちに室温までゆっくり冷却した（「焼成後サイクル」）。焼成後サイクルに続いて、例Ｂの試験サンプルの光透過特性を得て、例Ｂのゾルゲル層の光透過率と名付けた。第３試験サンプル（「例Ｃ」））が、０．５ｍｍ厚のガラス基板（例Ａ及びＢのガラス基板と同じ）上に例ゾルゲル溶液１を５００ｎｍの厚みに溶液塗布（スピンコーティング）することで用意された。次に例Ｃの試験サンプルは上記のように乾燥サイクル、硬化サイクル、及び焼成後サイクルを経た。焼成後サイクルに続いて、例Ｃの試験サンプルの光透過特性を得て、例Ｃのゾルゲル層の光透過率と名付けた。第４試験サンプル（「例Ｄ」））が、０．５ｍｍ厚のガラス基板（例Ａ〜Ｃのガラス基板と同じ）上に例ゾルゲル溶液１を１０００ｎｍの厚みに溶液塗布（スピンコーティング）することで用意された。次に例Ｄの試験サンプルは上記のように乾燥サイクル、硬化サイクル、及び焼成後サイクルを経た。焼成後サイクルに続いて、例Ｄの試験サンプルの光透過特性を得て、例Ｄのゾルゲル層の光透過率と名付けた。最後に、例Ａ〜Ｄのそれぞれで使用されたガラス基板と同じガラス基板の光透過率が測定された。図５はガラス基板（プロット線１００）、例Ａ（プロット線１０２）、例Ｂ（プロット線１０４）、例Ｃ（プロット線１０６）、及び例Ｄ（プロット線１０８）の得られた光透過率データを報告するグラフである。図６は溶液塗布基板サンプルを無塗布ガラス基板と比較するパーセント透過率変化のグラフであり、例Ａ（プロット線１１０）、例Ｂ（プロット線１１２）、例Ｃ（プロット線１１４）、及び例Ｄ（プロット線１１６）の場合を示す。
【００３８】
上記から、例ゾルゲル溶液１は焼成後サイクル後にかなりの光吸収特性を示すと分かり、本開示の光吸収層の非限定例として使用するのに適していた。
【００３９】
硬化サイクル
例ゾルゲル溶液１を硬化するのに上記の硬化サイクルの有効性を評価するために、例ゾルゲル溶液１のサンプルが熱重量分析器（「ＴＧＡ」）（ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ、デラウェア州から入手可能なＱ５００熱重量分析器）内に置かれた。ＴＧＡはサンプルを空気中で２３０℃まで２０℃／分の割合で加熱するよう動作し、次に温度は２３０℃に１００分間保持された。ＴＧＡにより実行された熱分析の結果が図７に報告されている。図７のグラフから例ゾルゲル溶液１サンプルは、２３０℃への上昇中その重量の５．８％、２３０℃に達した後の最初の１０分で更にその重量の４％、６０分でその重量の合計１２．７％、及び１時間マーク後の試験サイクルの４０分でその重量の０．３％だけを失うことが分かった。これらの結果から、上記の硬化サイクル（即ち、２５０℃のオーブン内で１時間加熱）は例ゾルゲル溶液１を硬化するのに適切であることが分かった。
【００４０】
焼成後サイクル中のゾルゲル安定性
上記の焼成後サイクルを経る時の例ゾルゲル溶液１の安定性を評価するために、例ゾルゲル溶液１のサンプルが用意され、上記の乾燥サイクルに従って硬化され（即ち、２５０℃のオーブン内で１時間加熱）完全に凝結したゾルゲル膜サンプルを得た。そのゾルゲル膜サンプルは示差走査熱量計（「ＤＳＣ」）（ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ、デラウェア州から入手可能なＤＳＣ２５０示差走査熱量計）内に置かれた。ＤＳＣはゾルゲル膜サンプルを窒素中で４００℃まで加熱するよう動作した。ＤＳＣにより実行された熱分析の結果が図８に報告されている。図８のグラフからゾルゲル膜サンプルは４００℃まで安定であることが分かった。これから、このステップはゾルゲルを更に凝結するだけなのでゾルゲル膜サンプルは上記の焼成後サイクル（即ち、真空炉で周囲温度から６５０℃まで８０℃／ｈの割合で加熱）中も安定であるだろうと推測された。また、ゾルゲル膜サンプルは更に凝結するだけで相互接続層形成プロセス中のガス放出の可能性を除去するだろうから、ゾルゲル膜サンプルは約４００℃以上の熱温度を必要とする様々な相互接続層形成プロセス（例えば、上記のように図２の相互接続層３４を形成するプロセス）と適合するだろうと推測された。
【００４１】
ディスプレイパネル製造プロセス適合性
本開示の幾つかの実施形態のゾルゲルベース材料の高温を必要とする他の代表的なディスプレイパネル製造プロセスとの適合性を更に評価するために、黒くなったゾルゲル膜（「例Ｅ」）が例ゾルゲル溶液１から用意された。特に、例ゾルゲル溶液１が用意され、上記の硬化サイクルに従って硬化され（即ち、２５０℃のオーブン内で１時間加熱）完全に凝結したゾルゲル膜サンプルを提供し、次に上記の焼成後サイクル（即ち、真空炉で周囲温度から６５０℃まで８０℃／ｈの割合で加熱）を経て黒くなったゾルゲル膜サンプル例Ｅを得た。黒くなったゾルゲル膜例Ｅの第１サンプル（「サンプルＥ１」）がＴＧＡ内に置かれ、ＴＧＡはサンプルＥ１を空気中で室温から６００℃まで１０℃／分の割合で加熱するよう動作した。黒くなったゾルゲル膜例Ｅの第２サンプル（「サンプルＥ２」）がＴＧＡ内に置かれ、ＴＧＡはサンプルＥ２を窒素中で室温から６００℃まで１０℃／分の割合で加熱するよう動作した。黒くなったゾルゲル膜例Ｅの第３サンプル（「サンプルＥ３」）がＤＳＣ内に置かれ、ＤＳＣはサンプルＥ３を窒素中で室温から５５０℃まで１０℃／分の割合で加熱するよう動作した。ＴＧＡ及びＤＳＣにより実行された熱分析の結果が図９に報告され、サンプルＥ１（ＴＧＡで空気中）をプロット線１３０で、サンプルＥ２（ＴＧＡで窒素中）をプロット線１３２で、サンプルＥ３（ＤＳＣ）をプロット線１３４で示している。
【００４２】
上記の結果から、１００℃のＤＳＣピーク（プロット線１３４）は水蒸発によるが、それ以外、データ線は特に特徴がないと分かった。空気中ＴＧＡ分析（プロット線１３０）は吸着された水のため約１．３％の重量損失と４００℃まで０．６％だけの重量損失を示した。空気中での分解は約５５０℃から始まると分かった。窒素中ＴＧＡ分析（プロット線１３２）は１００℃前で約２．８％の重量損失と次の６００℃に亘って１．２％の重量損失を示した。図９の結果は黒くなったゾルゲル膜例Ｅの多くのディスプレイパネル製造プロセスの熱パラメータとの適合性を証明する。
【００４３】
本開示の幾つかの実施形態のゾルゲルベース材料の高温を必要とする他の代表的なディスプレイパネル製造プロセスとの適合性を更に評価するために、黒くなったゾルゲル膜（「例Ｆ」）が例ゾルゲル溶液２から用意された。特に、例ゾルゲル溶液２の１ｍｍ厚サンプルが用意され、ＵＶ硬化され、得られたサンプルは次に上記の硬化サイクルに従って硬化され（即ち、２５０℃のオーブン内で１時間加熱）完全に凝結したゾルゲル膜サンプルを提供し、次に上記の焼成後サイクル（即ち、真空炉で周囲温度から６５０℃まで８０℃／ｈの割合で加熱）を経て黒くなったゾルゲル膜サンプル例Ｆを得た。黒くなったゾルゲル膜例Ｆの第１サンプル（「サンプルＦ１」）がＴＧＡ内に置かれ、ＴＧＡはサンプルＦ１を空気中で室温から６００℃まで１０℃／分の割合で加熱するよう動作した。黒くなったゾルゲル膜例Ｆの第２サンプル（「サンプルＦ２」）がＴＧＡ内に置かれ、ＴＧＡはサンプルＦ２を窒素中で室温から６００℃まで１０℃／分の割合で加熱するよう動作した。黒くなったゾルゲル膜例Ｆの第３サンプル（「サンプルＦ３」）がＤＳＣ内に置かれ、ＤＳＣはサンプルＦ３を窒素中で室温から５５０℃まで１０℃／分の割合で加熱するよう動作した。ＴＧＡ及びＤＳＣにより実行された熱分析の結果が図１０に報告され、サンプルＦ１（ＴＧＡで空気中）をプロット線１３０で、サンプルＦ２（ＴＧＡで窒素中）をプロット線１３２で、サンプルＦ３（ＤＳＣ）をプロット線１３４で示している。
【００４４】
上記の結果から、サンプルＦ１（ＴＧＡで空気中）は４００℃で約６％の重量損失を示し、サンプルＦ２（ＴＧＡで窒素中）は４００℃で約５％の重量損失を示した。なお、重量損失は主に、凝結及び焼成フェーズ中にゾルゲル内に捕えられサンプルが測定のため破砕された時に解放された物質によるものであった（この破砕「ステップ」はディスプレイパネル製造中は起こらないことは理解されるであろう）。大多数のマイクロＬＥＤ用途にとって４００℃は半田リフロー温度であり、この温度での黒くなったゾルゲル膜例Ｆの安定性は、少なくとも幾つかの本開示の光吸収層のマイクロＬＥＤディスプレイパネル製造との適合性を証明する。サンプルＦ３（ＤＳＣ）は４０℃から５５０℃まで加熱した時に有意な熱転移を示さず、黒くなったゾルゲル膜例Ｆの多くのディスプレイパネル製造プロセスの熱パラメータとの適合性を更に証明した。
【００４５】
本明細書に記載された詳細な実施形態は代表的で従って非限定であるよう意図されていることは理解されるべきである。即ち、本開示はディスプレイパネル、表示装置、及び支持基板と相互接続層又は他の電子素子の間に光吸収層を備えるディスプレイパネルを製造する方法に関する。幾つかの実施形態では、光吸収層はゾルゲルベース材料を備えるか又は含む。
【００４６】
請求項に記載された対象物の範囲から逸脱することなく様々な改良及び変更が本明細書に記載された実施形態に対して可能である。従って、そのような改良及び変更が添付の請求項とそれらの等価物の範囲内に入る場合、本明細書は本明細書に記載された様々な実施形態のそれらの改良及び変更を含むことが意図されている。
【００４７】
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
【００４８】
実施形態１
厚みで隔てられた互いに反対側の表及び裏主面を画定する基板と、
前記基板により支持された複数の画素放射源であって、該複数の画素放射源の少なくとも１つから放出された光が前記裏主面から前記厚みを通り前記表主面から外方へ進行する、複数の画素放射源と、
前記裏主面を覆って配置された光吸収層と、
前記光吸収層を覆って配置され、前記複数の画素放射源の少なくとも１つに電気的に接続された回路を備える相互接続層と
を備えるディスプレイパネル。
【００４９】
実施形態２
前記光吸収層は前記相互接続層と前記裏主面の間にある、実施形態１記載のディスプレイパネル。
【００５０】
実施形態３
前記光吸収層の光透過率は３５０〜８５０ｎｍの範囲内の波長において前記基板の光透過率より小さい、実施形態１記載のディスプレイパネル。
【００５１】
実施形態４
前記ディスプレイパネルは、前記表主面から前記ディスプレイパネルに入り進行して前記裏主面から前記基板を出る可視光の少なくとも一部が前記光吸収層より吸収されるように構成されている、実施形態１記載のディスプレイパネル。
【００５２】
実施形態５
前記光吸収層はゾルゲルからなる、実施形態１記載のディスプレイパネル。
【００５３】
実施形態６
前記ゾルゲルはトリエトキシシラン、トリコロロシラン、トリアセトキシシラン、トリフルオロシラン、トリメトキシシラン、トリス（トリメチルシロキシ）シラン、トリプロポキシシラン、及びトリス（メトキシエトキシ）シランのうち少なくとも１つを含む、実施形態５記載のディスプレイパネル。
【００５４】
実施形態７
前記複数の画素放射源の少なくとも１つにより放出された光が前記光吸収層を通って進行する、実施形態１記載のディスプレイパネル。
【００５５】
実施形態８
前記光吸収層は窓を形成し、前記複数の画素放射源のうち１つの画素放射源は前記窓と位置合わせされる、実施形態１記載のディスプレイパネル。
【００５６】
実施形態９
前記複数の画素放射源のうち少なくとも１つの画素放射源はＯＬＥＤから成る、実施形態１記載のディスプレイパネル。
【００５７】
実施形態１０
前記複数の画素放射源のうち少なくとも１つの画素放射源はマイクロＬＥＤから成る、実施形態１記載のディスプレイパネル。
【００５８】
実施形態１１
前記基板はガラスから成る、実施形態１記載のディスプレイパネル。
【００５９】
実施形態１２
ディスプレイパネルを形成する方法であって、
光吸収層を基板の裏主面を覆って配置するステップであって、前記基板は前記裏主面と反対側の表主面と前記表及び裏主面間の厚みとを画定する、ステップと、
前記裏主面の上に複数の画素放射源を形成するステップであって、前記画素放射源の少なくとも１つから放出された光が前記裏主面から前記厚みを通り前記表主面から外方へ進行する、ステップと、
相互接続層を前記光吸収層を覆って形成するステップであって、前記相互接続層は回路を備え、前記回路を前記複数の画素放射源の少なくとも１つに電気的に接続することを含むステップと
を備える方法。
【００６０】
実施形態１３
相互接続層を形成する前記ステップの後、前記光吸収層は前記相互接続層と前記裏主面の間にある、実施形態１２記載の方法。
【００６１】
実施形態１４
前記光吸収層はゾルゲルからなる、実施形態１２記載の方法。
【００６２】
実施形態１５
光吸収層を配置する前記ステップは、光吸収層前駆体を前記裏主面上に塗布することを含む、実施形態１２記載の方法。
【００６３】
実施形態１６
配置する前記ステップは、前記光吸収層前駆体を硬化して前記光吸収層を作製することを更に含む、実施形態１５記載の方法。
【００６４】
実施形態１７
前記光吸収層の光透過率は３５０〜８５０ｎｍの範囲内の波長において前記光吸収層前駆体の光透過率より小さい、実施形態１６記載の方法。
【００６５】
実施形態１８
前記光吸収層に窓を含むパターンを形成するステップを更に含み、
複数の画素放射源を形成する前記ステップは、前記複数の画素放射源を前記光吸収層内の前記パターンと位置合わせすることを含む、実施形態１２記載の方法。
【００６６】
実施形態１９
複数の画素放射源を形成する前記ステップは、ＯＬＥＤ及びマイクロＬＥＤから成るグループから選択された画素放射源を形成することを含む、実施形態１８記載の方法。
【００６７】
実施形態２０
厚みで隔てられた互いに反対側の表及び裏主面を画定する基板と、
前記基板により支持された複数の画素放射源であって、該複数の画素放射源の少なくとも１つから放出された光が前記裏主面から前記厚みを通り前記表主面から外方へ進行する、複数の画素放射源と、
前記裏主面を覆って配置された光吸収層と、
前記光吸収層を覆って配置され、前記複数の画素放射源の少なくとも１つに電気的に接続された回路を備える相互接続層と
を備えるディスプレイパネルと、
前記相互接続層に電子的に接続され、前記複数の画素放射源の動作を前記回路を介して制御するようにプログラムされたコントローラと
を備える表示装置。
【符号の説明】
【００６８】
２０    表示装置
２２、２２’    ディスプレイパネル
２４    コントローラ
３０    基板
３２    画素放射源
３４    相互接続層
３６、３６’    光吸収層
４０    表主面
４２    底主面
５０    窓
【図１】
2021501355.tif 000005
【図２Ａ】
2021501355.tif 000006
【図２Ｂ】
2021501355.tif 000007
【図３】
2021501355.tif 000008
【図４Ａ】
2021501355.tif 000009
【図４Ｂ】
2021501355.tif 000010
【図５】
2021501355.tif 000011
【図６】
2021501355.tif 000012
【図７】
2021501355.tif 000013
【図８】
2021501355.tif 000014
【図９】
2021501355.tif 000015
【図１０】
2021501355.tif 000016
【国際調査報告】
2021501355.tif 000017
2021501355.tif 000018