(57)【要約】【課題】本発明は、放熱性に優れた共振器フィルタ及びデュプレクサを提供する。【解決手段】第１の主面上に薄膜圧電共振器と放熱端子とを有する第１の基板と、前記第１の基板の前記第１の主面と対向して前記薄膜圧電共振器との間に空間を介して設けられ、厚み方向に貫通するスルーホールを有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記空間を気密に封止する封止部と、前記放熱端子と前記スルーホールとを接続する第１の接続部と、を備えたことを特徴とする共振器フィルタが提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面上に薄膜圧電共振器と放熱端子とを有する第１の基板と、
前記第１の基板の前記第１の主面と対向して前記薄膜圧電共振器との間に空間を介して設けられ、厚み方向に貫通するスルーホールを有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記空間を気密に封止する封止部と、
前記放熱端子と前記スルーホールとを接続する第１の接続部と、
を備えたことを特徴とする共振器フィルタ。
【請求項２】
前記放熱端子は、前記薄膜圧電共振器と電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項１記載の共振器フィルタ。
【請求項３】
前記第１の基板は、前記薄膜圧電共振器に接続された主電極を有し、
前記第２の基板は、厚み方向に貫通する貫通電極をさらに有し、
前記共振器フィルタは、前記主電極と前記貫通電極とを接続する第２の接続部をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の共振器フィルタ。
【請求項４】
前記第１の基板には複数の前記薄膜圧電共振器が設けられ、前記放熱端子は、前記複数の前記薄膜圧電共振器のうちで最も発熱量の多い薄膜圧電共振器との間隔が最も小さい位置に設けられていることを特徴とする請求項１記載の共振器フィルタ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の共振器フィルタを備えたことを特徴とするデュプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振器フィルタ及びデュプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の移動体無線端末の高性能化および高機能化に伴い、移動体無線端末に用いる部品の点数が大幅に増加しており、部品の小型化およびモジュール化などが重要となってきている。ここで、無線回路の中でも、特にフィルタは大きなスペースを占めており、無線回路を小型化し部品点数を削除するためには、フィルタの小型化およびモジュール化が必要となってきている。
【０００３】
従来から用いられてきたフィルタとしては、例えば、誘電体フィルタ、表面弾性波（Surface Acoustic Wave：SAW）フィルタ、ＬＣフィルタなどが挙げられるが、近年では、複数の薄膜バルク弾性波共振器を備えた共振器フィルタが、フィルタの小型化およびモジュール化に最も有望であると考えられている。
【０００４】
薄膜バルク弾性波共振器（薄膜圧電共振器）（以下、薄膜圧電共振器という）は、基板上に設けられた下部電極、下部電極に対向して設けられた上部電極、上部電極と下部電極とに挟まれた圧電体膜、下部電極の下方に設けられたキャビティを備えている。
【０００５】
この薄膜圧電共振器を少なくとも１つ用いた共振器フィルタにおいて、共振器フィルタの保護を図るために気密性の高いパッケージによる封止が行われている。しかし、このような気密性の高いパッケージを用いた場合は、薄型化が難しいという問題があった。
【０００６】
そこで、薄型化を図るために、上下の基板を熱圧着により接合して電子部品を封止する技術が提案されている（特許文献１を参照）。また、多層セラミック基板上に薄膜圧電共振器を搭載して共振器フィルタを形成させ、薄膜圧電共振器を覆うようにカバー部材を接合する技術が提案されている（特許文献２を参照）。
【０００７】
しかしながら、特許文献１や２に開示されているような技術では、気密とされた空間において薄膜圧電共振器の作用により発生する熱が考慮されておらず、温度上昇に伴う薄膜圧電共振器の動作の安定性に課題を有していた。
【特許文献１】特開２００４−２１４４６９号公報
【特許文献２】特開２００５−２２３５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、放熱性に優れた共振器フィルタ及びデュプレクサを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、第１の主面上に薄膜圧電共振器と放熱端子とを有する第１の基板と、前記第１の基板の前記第１の主面と対向して前記薄膜圧電共振器との間に空間を介して設けられ、厚み方向に貫通するスルーホールを有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間の前記空間を気密に封止する封止部と、前記放熱端子と前記スルーホールとを接続する第１の接続部と、を備えたことを特徴とする共振器フィルタが提供される。
【００１０】
また、本発明の他の一態様によれば、上記の共振器フィルタを備えたことを特徴とするデュプレクサが提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、放熱性に優れた共振器フィルタ及びデュプレクサが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の実施の形態に係る共振器フィルタを例示するための模式断面図である。  図２は、共振器フィルタを例示するための模式拡大断面図である。    
図１に示すように、共振器フィルタ１は、多層基板１０を介して、例えば、通信機器などの回路基板１１と電気的に接続されている。
【００１３】
また、図２に示すように、共振器フィルタ１の基板２には、キャビティ３が設けられている。キャビティ３の開口部には、主電極４ａ、圧電膜４ｂ、主電極４ｃを備えた薄膜圧電共振器４が設けられている。主電極４ａと主電極４ｃとはそれぞれ延在し、接続部５と電気的に接続されている。       
基板６には、接続部５と電気的に接続される貫通電極７が設けられている。また、基板６の表面には、貫通電極７と電気的に接続される端子８が設けられている。
【００１４】
また、基板２には、放熱端子１５が設けられ、放熱端子１５と接続部５ａとが接続されている。そして、基板６には、接続部５ａと接続される放熱スルーホール（スルーホール）７ａが設けられている。また、基板６の表面には、放熱スルーホール７ａと接続される端子８ａが設けられている。放熱端子１５は、薄膜圧電共振器４と電気的に絶縁されている。すなわち、放熱端子１５は、主電極４ａ、４ｃとは接続されず、絶縁された状態とされている。
【００１５】
基板６と基板２とは、その外縁部において、封止部９により気密になるように封止されている。この場合、封止部９の高さ寸法が薄膜圧電共振器４の高さ寸法より長いため、薄膜圧電共振器４と基板６との間に空間が確保される。また、薄膜圧電共振器４が外気にさらされることがなくなるため、周波数の経時変化、外部から浸透した水分による電極材料の腐食などが生じず、信頼性の高いパッケージが実現される。
【００１６】
基板２は、Ｓｉ（シリコン）などの半導体材料からなり、その表面はＳｉＯ２（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）などの絶縁物で覆われている。    
主電極４ａと主電極４ｃはＡｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｔａ（タンタル）、Ａｕ（金）などの金属やこれらを含む合金、圧電膜はＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）などからなる。    
放熱端子１５には、熱伝導率の高い材料を選択すればよく、必ずしも金属などのような導電性材料を用いる必要はない。ただし、主電極４ａ、主電極４ｃと同じ材料を選択すれば、同じ工程で一度に製造をすることができるので、歩留まりや生産性の向上を図ることができる。
【００１７】
貫通電極７、端子８は、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）を含む金属とすることができ、放熱性を考慮して熱伝導率の高い材料を選択することもできる。  
放熱スルーホール７ａ、端子８ａには、熱伝導率の高い材料を選択すればよく、必ずしも金属などのような導電性材料を用いる必要はない。ただし、貫通電極７、端子８と同じ材料を選択すれば、同じ工程で一度に製造をすることができるので、歩留まりや生産性の向上を図ることができる。
【００１８】
基板６は、Ｓｉ（シリコン）などの半導体材料やセラミックスなどの無機材料からなり、基板２と近い熱膨張率を有する材質を選択することができる。    
端子８はＡｕ（金）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）を含む金属とすることができ、はんだ付け性を考慮して表面をＡｕ（金）や、はんだで覆うようにすることもできる。
【００１９】
接続部５、接続部５ａ、封止部９の材質は、低融点合金とすることができる。      
低融点合金としては、Ａｕ（金）、Ｓｎ（錫）、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）を含む合金を選択することができる。具体的には、Ａｕ−Ｓｎ合金（金−錫合金）、Ａｕ−Ｓｉ合金（金−シリコン合金）、Ａｕ−Ｇｅ合金（金−ゲルマニウム合金）、Ｉｎ含有はんだ（インジウム含有はんだ）などを例示することができる。特に、Ａｕ−Ｓｎ合金（金−錫合金）とすれば、融点が低く（２８０℃程度）また機械的強度も高いので、加工性・気密性・封止の信頼性の優れた接合や封止をすることができる。また、Ａｕ−Ｓｎ合金（金−錫合金）との接合性の観点からは、基板２・基板６と封止部９との接続部分の表面がＡｕ（金）で覆われているようにすることができる。また、Ａｕ−Ｓｎ合金（金−錫合金）が溶融接合する際に、Ａｕ（金）層が相手側にあると相手側表面が酸化されにくくなるため接合が容易となる。
【００２０】
多層基板１０は、例えば、樹脂基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃが積層されたものとすることができる。この多層基板１０は、多層基板１０の上面に形成された上面パッド１２、１２ａと、多層基板１０の下面に形成された下面パッド１３、１３ａと、樹脂基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃを貫通して上面パッド１２と下面パッド１３とを接続する貫通導体１４と、上面パッド１２ａと下面パッド１３ａとを接続する放熱スルーホール（スルーホール）１４ａを備えている。  
また、多層基板１０には、これら樹脂基板の間に形成された図示しない配線パターン、図示しない配線パターン同士を接続する図示しないビアホールなどを設けて、後述する図示しないインダクタなどと伴に移相器を形成させるようにすることもできる。
【００２１】
上面パッド１２、下面パッド１３、貫通導体１４は、導電性材料からなり、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）などの金属やこれらを含む合金とすることができる。      
上面パッド１２ａ、下面パッド１３ａ、放熱スルーホール１４ａには、熱伝導率の高い材料を選択すればよく、必ずしも金属などのような導電性材料を用いる必要はない。ただし、上面パッド１２、下面パッド１３、貫通導体１４と同じ材料を選択すれば、同じ工程で一度に製造をすることができるので、歩留まりや生産性の向上を図ることができる。  また、放熱効果を考慮して、下面パッド１３の表面積より下面パッド１３ａの表面積を大きくすることもできる。    
また、多層基板１０（樹脂基板１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）に備えられる放熱スルーホール１４ａは、通常のスルーホールをメタルで埋めるようなことはなく、スルーホールの側壁部のみにＣｕ（銅）などの金属の膜を設けるようにして、電気的接続と熱的接続をとるようにしている。      
尚、多層基板１０は、必ずしも必要ではなく、例えば、共振器フィルタ１を回路基板１１上に直接接続させるようにすることもできる。
【００２２】
回路基板１１は、樹脂製の基板とすることができ、その表面には図示しない配線パターンや、図示しない放熱のためのパターンが設けられている。また、図示しない配線パターンに接続するための接続用パッド１６や、図示しない放熱のためのパターンに接続するための接続用パッド１６ａが設けられている。尚、回路基板１１は、多層基板とすることもできる。
【００２３】
図示しない配線パターン、接続用パッド１６は、導電性材料からなり例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ｎｉ（ニッケル）などの金属やこれらを含む合金とすることができる。  図示しない放熱のためのパターン、接続用パッド１６ａには、熱伝導率の高い材料を選択すればよく、必ずしも金属などのような導電性材料を用いる必要はない。ただし、図示しない配線パターン、接続用パッド１６と同じ材料を選択すれば、同じ工程で一度に製造をすることができるので、歩留まりや生産性の向上を図ることができる。    
尚、放熱のためのパターンと配線パターンとが接続されていてもよい。その際、放熱の観点から、最も表面積の広い配線パターンと接続するようにすることができる。例えば、一般的には、配線パターンのグランド部分は表面積が広いのでこれと接続をするようにすることができる。また、放熱のためのパターンを別途設けることなく、配線パターンのグランド部分を放熱のためのパターンとすることもできる。このようにすれば、省スペース化が図れるようになる。
【００２４】
上面パッド１２と、共振器フィルタ１の端子８とは、はんだにより接続されている。また、上面パッド１２は、貫通導体１４を介して下面パッド１３と電気的に接続されている。そして、下面パッド１３と回路基板１１の接続用パッド１６とがはんだにより接続されている。    
そのため、図２に示すように、主電極４ａ、主電極４ｃが接続部５、貫通電極７を介して端子８と接続され、その端子８が、多層基板１０の上面パッド１２、貫通導体１４、下面パッド１３、回路基板１１上の接続用パッド１６を介して回路基板１１上の配線パターンと接続されることになる。すなわち、主電極４ａ、主電極４ｃが、回路基板１１上の図示しない配線パターンと電気的に接続されることになる。
【００２５】
また、上面パッド１２ａには、熱伝導性接続部材を介して共振器フィルタ１の端子８ａが接続されている。また、上面パッド１２ａは、放熱スルーホール１４ａを介して下面パッド１３ａと接続されている。そして、下面パッド１３ａと回路基板１１の接続用パッド１６ａとが熱伝導性接続部材を介して接続されている。
【００２６】
そのため、図２に示すように、放熱端子１５が接続部５ａ、放熱スルーホール７ａを介して端子８ａと接続され、その端子８ａが、多層基板１０の上面パッド１２ａ、放熱スルーホール１４ａ、下面パッド１３ａ、回路基板１１上の接続用パッド１６ａを介して回路基板１１上の図示しない放熱パターンと接続されている。すなわち、放熱端子１５が、回路基板１１上の放熱パターンと接続されることになり、放熱端子１５を通じて回路基板１１側に放熱が図れることになる。図１に示す矢印は熱の流れ（放熱）を表している。放熱端子１５については後述する。また、導電性接続部材にある程度の熱伝導性があれば、導電性接続部材を熱伝導性接続部材として用いることができる。そのようにすれば、同じ工程で一度に製造をすることができるので、歩留まりや生産性の向上を図ることができる。
【００２７】
尚、多層基板１０の材質は前述した樹脂製に限定されるわけではなく、例えば、セラミックスのような無機材料とすることもできる。また、図１に例示をした多層基板１０は、３層の場合であるが、これに限定されるわけではなく２層または４層以上とすることもできる。また、説明の便宜上、図２では薄膜圧電共振器４を１つとしているが、例えば、複数の薄膜圧電共振器４を備えるラダー型フィルタ回路とすることもできる。
【００２８】
次に、共振器フィルタ１の作用について説明をする。  
薄膜圧電共振器４は、圧電膜４ｂの圧電効果を利用して入力信号をフィルタリングする作用を有する。図示しない入力端子に入力された信号は、図示しない入力端子に接続されている主電極４ｃから圧電膜４ｂを介して主電極４ａへと出力される。この時、逆圧電効果により圧電膜４ｂがその厚み方向に振動するが、主電極４ａ、圧電膜４ｂ、主電極４ｃからなる積層体は、圧電膜４ｂの密度、膜厚、主電極４ａ、４ｃの質量負荷の効果などによって決まる共振周波数、並びに反共振周波数を有している。一つの共振点付近の電気的特性は、図３に示されるように、極大点と極小点を持っている（それぞれが反共振点、共振点に対応する）。そのため、このような共振点付近の電気的特性を有する薄膜圧電共振器４を、少なくとも１つ以上用いれば共振器フィルタ１を構成させることができる。
【００２９】
また、図３のような電気的特性を有する薄膜圧電共振器４を複数用いて、ラダー型フィルタ回路を構成させることもできる。例えば、図４に例示をするような、２．５段π型ラダー型フィルタ回路を構成させることができる。    
このような２．５段π型ラダー型フィルタ回路において、直列薄膜圧電共振器Ｓ１、Ｓ２の共振周波数と並列薄膜圧電共振器Ｐ１〜Ｐ３の反共振周波数とをほぼ等しくなるようにすると、この周波数を中心周波数とする帯域通過フィルタが得られる。すなわち、フィルタの中心周波数においては、直列薄膜圧電共振器Ｓ１、Ｓ２のインピーダンスが低く、並列薄膜圧電共振器Ｐ１〜Ｐ３のインピーダンスが高いため、入力した信号のほとんどが出力されることになる。一方、通過域の高周波側に位置する直列薄膜圧電共振器Ｓ１、Ｓ２の反共振周波数や、通過域の低周波側に位置する並列薄膜圧電共振器Ｐ１〜Ｐ３の共振周波数においては、入力した信号のほとんどが並列薄膜圧電共振器Ｐ１〜Ｐ３を通ってグラウンドに流れることになる。そのため、入力した信号が大幅に減衰することになる。尚、直列と並列とで共振周波数を変えるためには、例えば圧電膜の膜厚や電極の厚さを変えるといった方法がある。
【００３０】
尚、図４に示すものでは、通過帯域幅を広げるとともに高周波領域に減衰極を設けるために、並列薄膜圧電共振器Ｐ１〜Ｐ３のそれぞれにインダクタＬ１、インダクタＬ２、インダクタＬ３を直列に接続している。これらのインダクタＬ１〜Ｌ３は、多層基板１０に設けるようにすることができる。
【００３１】
また、このようなラダー型フィルタ回路を構成させる場合には、隣接する薄膜圧電共振器４同士の主電極４ａ、４ｃを共通化させて、全ての薄膜圧電共振器４を電気的に接続させるようにすることができる。
【００３２】
次に、薄膜圧電共振器４の発熱について説明をする。    
前述したように、逆圧電効果により圧電膜４ａはその厚み方向に振動する。この際、振動エネルギーの１部が熱に変換されるが、圧電膜４ａは薄膜状であって熱容量が小さく発生した熱が放熱されにくい。そのため、熱が圧電膜４ａ付近に蓄積され、その部分の温度が高温となる場合がある。このような温度上昇は、圧電膜４ａ部分の破壊を招くなど、薄膜圧電共振器４の動作の安定性や信頼性に悪影響をおよぼすおそれがある。
【００３３】
その上、近年の小型化、薄型化や共振器フィルタの保護を図るために気密性の高い封止が行われることを考慮すると、温度上昇の影響がさらに大きくなるおそれがある。    
特に、薄型化の要求を満たすために、ボンディング配線を用いずに、図１に示すように端子８を多層基板１０の上面パッド１２にそのまま表面実装（例えば、フリップ接続など）する場合においては、共振器フィルタ１からの放熱がさらに悪くなるおそれがある。
【００３４】
本発明者は検討の結果、薄膜圧電共振器４の近傍に放熱端子を設け、この放熱端子を介して発生した熱を放熱させるようにすれば、薄膜圧電共振器４の温度上昇を抑制することができるので、動作の安定性や信頼性の向上を図ることができるとの知見を得た。
【００３５】
図５は、放熱端子を例示するための共振器フィルタの模式平面図である。    
図５に示す共振器フィルタ１ａは、５個の薄膜圧電共振器を用いて、図４で説明をした２．５段π型ラダー型フィルタ回路を構成した場合である。共振器フィルタ１ａは、直列薄膜圧電共振器Ｓ１、Ｓ２と、並列薄膜圧電共振器Ｐ１〜Ｐ３とを備えている。薄膜圧電共振器同士の電気的接続は、隣接する薄膜圧電共振器同士の主電極４ａ、４ｃを共通化させることにより行っている。また、並列薄膜圧電共振器Ｐ１〜Ｐ３の主電極４ａまたは主電極４ｃには、インダクタＬ１〜Ｌ３と接続するための端子Ｌが接続されている。そして、直列薄膜圧電共振器Ｓ１、Ｓ２の主電極４ａまたは主電極４ｃには、入出力端子に接続するための端子Ａが接続されている。
【００３６】
図５に示すものでは、直列薄膜圧電共振器Ｓ１、Ｓ２と、並列薄膜圧電共振器Ｐ１〜Ｐ３とを取り囲むように放熱端子１５ａが設けられている。そして、図２で説明をしたように放熱端子１５ａは、接続部５ａ、放熱スルーホール７ａを介して端子８ａと接続され、その端子８ａが、多層基板１０の上面パッド１２ａ、放熱スルーホール１４ａ、下面パッド１３ａ、回路基板１１上の接続用パッド１６ａを介して回路基板１１上の図示しない放熱パターンと接続されている。ここで、前述したように、放熱パターンを回路基板１１上の図示しない配線パターンのグランド部分とすることができる。そのため、放熱端子１５ａが、回路基板１１上の配線パターンのグランド部分と接続されることになり、放熱端子１５ａを通じて回路基板１１側に放熱が図れることになる。
【００３７】
その結果、薄膜圧電共振器４（直列薄膜圧電共振器Ｓ１、Ｓ２、並列薄膜圧電共振器Ｐ１〜Ｐ３）の温度上昇を抑制することができ、薄膜圧電共振器４の動作の安定性や信頼性を向上させることができる。
【００３８】
このように、共振器フィルタを構成するすべての薄膜圧電共振器４を取り囲むように放熱端子１５ａを設けるようにすれば、確実な放熱を図ることができる。ただし、薄膜圧電共振器４の配置などによっては、その分広いスペースが必要となる場合が生じることがある。
【００３９】
ここで、共振器フィルタの使用帯域における波形の歪みを抑制するためには、使用帯域の２倍波や３倍波を減衰させる必要がある。例えば、使用帯域が２ＧＨｚであれば、その２倍波（４ＧＨｚ）や３倍波（６ＧＨｚ）を減衰させる必要がある。    
このような高い共振周波数を生じさせるためには、薄膜圧電共振器４の容量Ｃ、あるいは、インダクタのインダクタンスＬを小さくすればよい。しかしながら、インダクタンスＬを小さくすれば帯域幅が狭くなるという問題がある。そのため、薄膜圧電共振器４の容量Ｃを小さくすることにより、使用帯域の２倍波や３倍波を減衰させるようにすることになる。このようにして、容量Ｃを小さくするために小さな面積の薄膜圧電共振器４を用いなければならない場合が生じる。この場合、小さな面積の薄膜圧電共振器４の振動部分では、小さな面積に振動エネルギーが閉じ込められるため比較的大きな熱が発生しやすくなる。
【００４０】
一般的には、並列接続部における１箇所の共振で、１箇所の減衰（例えば、２倍波の減衰）をさせることができるので、小さな面積（小さな容量Ｃ）の薄膜圧電共振器４を用いなければならない箇所も１箇所で足りる場合が多い。そのため、共振器フィルタを構成する薄膜圧電共振器４の発熱量が、すべて同等となるとは限らず、最も発熱量の多いものが存在する場合が多くなる。  
本発明者はさらなる検討の結果、共振器フィルタを構成する薄膜圧電共振器４の内、最も発熱量が多いものの近傍に放熱端子を設けるようにすれば、放熱端子のためのスペースを最小限に抑えたまま放熱による薄膜圧電共振器４の動作の安定性や信頼性の向上を図ることができるとの知見を得た。
【００４１】
図６〜図９は、最も発熱量が多い薄膜圧電共振器の近傍に放熱端子を設ける場合を例示するための模式図である。
尚、放熱端子と回路基板１１上の図示しない放熱パターンなどとの接続については、前述したものと同様のためその説明は省略する。
図６に示す共振器フィルタ１ｂは、４個の薄膜圧電共振器４を用いて、２．０段ラダー型フィルタ回路を構成した場合であり、図６（ａ）はその回路図である。また、図６（ｂ）は、本発明者が検討した比較例を例示するための共振器フィルタの模式平面図である。
共振器フィルタ１ｂは、直列薄膜圧電共振器Ｓ１、Ｓ２と、並列薄膜圧電共振器Ｐ１、Ｐ２とを備えている。薄膜圧電共振器同士の電気的接続は、隣接する薄膜圧電共振器同士の主電極４ａ、４ｃを共通化させることにより行っている。また、並列薄膜圧電共振器Ｐ１、Ｐ２の主電極４ａまたは主電極４ｃには、インダクタＬ１、Ｌ２と接続するための端子Ｌが接続されている。そして、直列薄膜圧電共振器Ｓ１、Ｓ２の主電極４ａまたは主電極４ｃには、入出力端子に接続するための端子Ａが接続されている。そして、図６（ｂ）〜（ｄ）に示すように、放熱端子１５ｃが設けられている。また、最も発熱量が多い薄膜圧電共振器を並列薄膜圧電共振器Ｐ１とし、端子Ａ、端子Ｌ、放熱端子１５ｃを升目状に配設するものとしている。
図６（ｂ）に示す比較例では、最も発熱量が多い並列薄膜圧電共振器Ｐ１の近傍に放熱端子１５ｃを設けるものとしている。しかしながら、端子Ａ、端子Ｌ、放熱端子１５ｃを升目状に配設するものとしているため、並列薄膜圧電共振器Ｐ１と放熱端子１５ｃとが離れてしまい、放熱が阻害されるおそれがある。このような場合は、主電極４ａまたは主電極４ｃによる薄膜圧電共振器同士の接続を変更して、最も発熱量が多い薄膜圧電共振器（並列薄膜圧電共振器Ｐ１）の近傍に放熱端子１５ｃが配設されるようにすることができる。    
そして、図６（ｃ）、（ｄ）に示すように、最も発熱量が多い並列薄膜圧電共振器Ｐ１に隣接させるようにして放熱端子１５ｃを配設するようにすれば、並列薄膜圧電共振器Ｐ１と放熱端子１５ｃとの距離を最短とすることができるので、放熱端子１５ｃのためのスペースを最小限に抑えたまま放熱による薄膜圧電共振器４の動作の安定性や信頼性を向上させることができる。
【００４２】
図７に示す共振器フィルタ１ｃは、５個の薄膜圧電共振器４を用いて、２．５段Ｔ型ラダー型フィルタ回路を構成した場合であり、図７（ａ）はその回路図である。また、図７（ｂ）は、本発明者が検討した比較例を例示するための共振器フィルタの模式平面図である。尚、図４、図５、図６と同様の部分には同じ符号を付し、その説明は省略する。また、放熱端子と回路基板１１上の図示しない放熱パターンなどとの接続については、前述したものと同様のためその説明も省略する。    
図７（ｂ）に示す比較例では、最も発熱量が多い並列薄膜圧電共振器Ｐ１の近傍に放熱端子１５ｃを設けるものとしている。しかしながら、端子Ａ、端子Ｌ、放熱端子１５ｃを升目状に配設するものとしているため、並列薄膜圧電共振器Ｐ１と放熱端子１５ｃとが離れてしまい、放熱が阻害されるおそれがある。このような場合は、主電極４ａまたは主電極４ｃによる薄膜圧電共振器同士の接続を変更して、最も発熱量が多い薄膜圧電共振器（並列薄膜圧電共振器Ｐ１）の近傍に放熱端子１５ｃが配設されるようにすることができる。    
そして、図７（ｃ）に示すように、最も発熱量が多い並列薄膜圧電共振器Ｐ１に隣接させるようにして放熱端子１５ｃを配設するようにすれば、並列薄膜圧電共振器Ｐ１と放熱端子１５ｃとの距離を最短とすることができるので、放熱端子１５ｃのためのスペースを最小限に抑えたまま放熱による薄膜圧電共振器４の動作の安定性や信頼性を向上させることができる。
【００４３】
図８に示す共振器フィルタ１ａは、５個の薄膜圧電共振器４を用いて、２．５段π型ラダー型フィルタ回路を構成した場合であり、図８（ａ）はその回路図である。また、図８（ｂ）は、本発明者が検討した比較例を例示するための共振器フィルタの模式平面図である。尚、２．５段π型ラダー型フィルタ回路は、図４で説明をしたものと同様のため同様の部分には同じ符号を付し、その説明は省略する。また、放熱端子と回路基板１１上の図示しない放熱パターンなどとの接続については、前述したものと同様のためその説明も省略する。    
図８（ｂ）に示す比較例では、最も発熱量が多い並列薄膜圧電共振器Ｐ１の近傍に放熱端子１５ｃを設けるものとしている。しかしながら、端子Ａ、端子Ｌ、放熱端子１５ｃを升目状に配設するものとしているため、並列薄膜圧電共振器Ｐ１と放熱端子１５ｃとが離れてしまい、放熱が阻害されるおそれがある。このような場合は、主電極４ａまたは主電極４ｃによる薄膜圧電共振器同士の接続を変更して、最も発熱量が多い薄膜圧電共振器（並列薄膜圧電共振器Ｐ１）の近傍に放熱端子１５ｃが配設されるようにすることができる。    
そして、図８（ｃ）、（ｄ）に示すように、最も発熱量が多い並列薄膜圧電共振器Ｐ１に隣接させるようにして放熱端子１５ｃを配設するようにすれば、並列薄膜圧電共振器Ｐ１と放熱端子１５ｃとの距離を最短とすることができるので、放熱端子１５ｃのためのスペースを最小限に抑えたまま放熱による薄膜圧電共振器４の動作の安定性や信頼性を向上させることができる。
【００４４】
図９に示す共振器フィルタ１ｄは、６個の薄膜圧電共振器４を用いて、３．０段ラダー型フィルタ回路を構成した場合であり、図９（ａ）はその回路図である。また、図９（ｂ）は、本発明者が検討した比較例を例示するための共振器フィルタの模式平面図である。尚、図４、図５、図６と同様の部分には同じ符号を付し、その説明は省略する。また、放熱端子と回路基板１１上の図示しない放熱パターンなどとの接続については、前述したものと同様のためその説明も省略する。    
図９（ｂ）に示す比較例では、最も発熱量が多い並列薄膜圧電共振器Ｐ１の近傍に放熱端子１５ｃを設けるものとしている。しかしながら、端子Ａ、端子Ｌ、放熱端子１５ｃを升目状に配設するものとしているため、並列薄膜圧電共振器Ｐ１と放熱端子１５ｃとが離れてしまい、放熱が阻害されるおそれがある。このような場合は、主電極４ａまたは主電極４ｃによる薄膜圧電共振器同士の接続を変更して、最も発熱量が多い薄膜圧電共振器（並列薄膜圧電共振器Ｐ１）の近傍に放熱端子１５ｃが配設されるようにすることができる。    
そして、図９（ｃ）、（ｄ）に示すように、最も発熱量が多い並列薄膜圧電共振器Ｐ１に隣接させるようにして放熱端子１５ｃを配設するようにすれば、並列薄膜圧電共振器Ｐ１と放熱端子１５ｃとの距離を最短とすることができるので、放熱端子１５ｃのためのスペースを最小限に抑えたまま放熱による薄膜圧電共振器４の動作の安定性や信頼性を向上させることができる。
【００４５】
図１０は、共振器フィルタの構成を例示するための模式平面図である。    
尚、図１０に示す共振器フィルタは、６個の薄膜圧電共振器を用いた３．０段ラダー型フィルタである。
【００４６】
図１０（ａ）は、共振器フィルタ１ｄを基板２上に形成させた場合を例示するものである。尚、共振器フィルタ１ｄについては、前述したものと同様の部分には同じ符号を付し、その説明は省略する。共振器フィルタ１ｄの外周には封止部９が設けられ、基板２と後述する基板６とが気密になるよう封止部９によりに封止される。
【００４７】
図１０（ｂ）は、基板６の模式平面図であり、前述の共振器フィルタ１ｄに対向するようにして封止される側の面を例示するものである。図１０（ｂ）に示すように、端子Ａ、端子Ｌに対向する部分には接続部５が設けられている。また、放熱端子１５ｃに対向する部分には接続部５ａが設けられている。
【００４８】
図１０（ｃ）は、基板６の模式平面図であり、前述の図１０（ｂ）の裏面側を例示するものである。図１０（ｃ）に示すように、接続部５に対向する部分には貫通電極７が設けられている。また、接続部５ａに対向する部分には放熱スルーホール７ａが設けられている。そして、貫通電極７には端子８が、放熱スルーホール７ａには端子８ａが接続されている。尚、端子８ａは、封止部９とも接続され、回路基板１１上の図示しない配線パターンのグランド部分と接続されている。
【００４９】
以上説明したように、本実施の形態によれば、近年の小型化、薄型化、気密化、表面実装化（例えば、フリップ接続など）が図られた共振器フィルタであっても薄膜圧電共振器の温度上昇を抑制することができるので、動作の安定性や信頼性の高い共振器フィルタを得ることができる。また、最も発熱量が多い薄膜圧電共振器の近傍に隣接させるようにして放熱端子を設けるものとすれば、放熱端子のためのスペースを最小限に抑えることもできる。
【００５０】
図１１は、薄膜圧電共振器の振動エネルギーの漏れの抑制について例示をするための模式図である。      
また、図１２は、比較例に係る薄膜圧電共振器を例示するための模式図である。    
まず、図１２に示す比較例について説明をする。        
図１２（ａ）は、薄膜圧電共振器２１を例示するための模式部分断面図である。尚、図２で説明をしたものと同様の部分には同じ符号を付し、その説明は省略する。    
ここで、キャビティ３の直上において主電極４ｃと主電極４ａとが対向して重なる部分を共振器部１８と呼ぶことにする。また、キャビティ３領域の外の基板２上において、主電極４ｃと主電極４ａとが対向して重なる部分を寄生容量部１９と呼ぶことにする。
【００５１】
薄膜圧電共振器２１において、キャビティ領域の外で主電極４ｃと主電極４ａとが対向すると、その部分で寄生容量が発生し、また、振動エネルギーが主電極４ａを介して基板２に漏れてしまう。例えば、図１２（ａ）に示した寄生容量部１９で寄生容量が発生し、また、振動エネルギーの漏れが発生する。
【００５２】
また、例えば、移動体無線端末向けの共振器フィルタは、共振周波数が１〜５ＧＨｚとなる複数の薄膜圧電共振器で構成されている。このような薄膜圧電共振器では、例えば、圧電膜として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いると、圧電膜の膜厚は１〜２μｍとなるのに対して、電極の膜厚は０．２〜０．５μｍ程度となる。セラミック共振子や水晶振動子が、数十〜数百μｍの圧電板と数μｍ以下の電極とで構成されているのと比べ、数ＧＨｚ帯の共振周波数をもつ薄膜圧電共振器では、全膜厚に占める電極の膜厚の割合が１０〜６０％となり、非常に大きいものとなる。そのため、電極の材料、膜厚、積層構造が共振特性に与える影響は極めて大きい。
【００５３】
この場合、例えば、主電極４ａとしてアルミニウム（Ａｌ）を用いると、配向性に優れた窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の圧電膜４ｂを得ることができる。その上、抵抗値も低く抑えることができるので、共振周波数におけるＱ値（Ｑｒ）も向上させることができるという利点がある。そのため、主電極４ａの材料としてアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）を主成分とした材料が用いられている。
【００５４】
しかしながら、アルミニウム（Ａｌ）は弾性定数が小さいため、主電極４ａ内に振動エネルギーが蓄積されやすく、上下の電極がキャビティ３領域の外で対向する部分（寄生容量部１９）において、前述のように振動エネルギーが基板２へと散逸し、その結果、反共振周波数のＱ値（Ｑａ）が低下するという問題がある。このことは、アルミニウム（Ａｌ）のような音響インピーダンスの低い材料ほど顕著となる。
【００５５】
図１２（ｂ）は、反共振周波数における振動エネルギーの分布を例示するための模式図であり、振動エネルギーの分布を有限要素法によるシミュレーションで求めたものである。図１２（ｂ）においては、色のトーンが明るいほど振動エネルギーが高いことを示している。図１２（ｂ）から分かるように、主電極４ａに蓄積された振動エネルギーは、キャビティ３の縁に沿って基板２に漏れてしまっている。尚、図中の矢印は、振動エネルギーの流れ（漏れ）方向を示している。
【００５６】
本発明者は検討の結果、主電極４ｃの上に、キャビティ３の縁の直上を跨ぐようにして質量負荷部２０を設けるようにすれば、振動エネルギーの漏れを抑制できるとの知見を得た。
【００５７】
図１１（ａ）は、薄膜圧電共振器の模式部分断面図である。尚、図１２で説明をしたものと同様の部分には同じ符号を付し、その説明は省略する。      
図１１（ａ）に示すように、薄膜圧電共振器１７の主電極４ｃの上には、質量負荷部２０が設けられている。そして、質量負荷部２０は、キャビティ３の縁の直上を跨ぐようにして設けられている。
【００５８】
このような質量負荷部２０を設けると、厚み方向における振動エネルギーの分布の中心位置を主電極４ｃ側にシフトさせることが可能となる。そのため、その分、主電極４ａに蓄積される振動エネルギーを減少させることができる。その結果、主電極４ａから基板２へ漏れる振動エネルギーを抑制することができ、反共振周波数におけるＱ値（Ｑａ）を向上させることができる。質量負荷部２０は、キャビティ３の縁の直上を跨ぐようにして設けられ、その一端が共振器部１８の直上に、他端が寄生容量部１９の直上に設けられるようにすることができる。
【００５９】
図１１（ｂ）は、反共振周波数における振動エネルギーの分布を例示するための模式図であり、振動エネルギーの分布を有限要素法によるシミュレーションで求めたものである。ここで、図１１（ｂ）においては、色のトーンが明るいほど振動エネルギーが高いことを示している。図１１（ｂ）から分かるように、振動エネルギーの分布が主電極４ｃ側にシフトし、主電極４ａに蓄積される振動エネルギーが大幅に減少している。また、主電極４ａからキャビティ３の縁に沿って基板２に漏れる振動エネルギーも大幅に減少している。
【００６０】
ここで、本発明者の行った実験によれば、質量負荷部２０を設けることで、図２に示した比較例の反共振周波数におけるＱ値（Ｑａ）５５０を６５０に改善することができた。  尚、この場合、質量負荷部２０の材質をアルミニウム（Ａｌ）とした。そして、その厚さを１μｍとし、質量負荷部２０の一端の位置をキャビティ３の縁の直上を越えてキャビティ３側に５μｍ入るようにした。また、幅寸法は主電極４ｃと同一とした。
【００６１】
図１３は、薄膜圧電共振器の分割について例示をするための模式図である。    
また、図１３（ａ）は、分割前の共振器フィルタ、図１３（ｂ）は、分割後の共振器フィルタを例示するための模式図である。尚、図９で説明をしたものと同様の部分には同じ符号を付し、その説明は省略する。    
前述したように、共振器フィルタにおいて高い共振周波数を生じさせるために、小さな面積の薄膜圧電共振器４を用いなければならない場合が生じる。また、一般的には、並列接続部における１箇所の共振で、１箇所の減衰（例えば、２倍波の減衰）をさせることができるので、小さな面積（小さな容量Ｃ）の薄膜圧電共振器を用いなければならない箇所も１箇所で足りる場合が多い。例えば、図１３（ａ）において、薄膜圧電共振器Ｐ１が最も小さな面積（小さな容量Ｃ）の薄膜圧電共振器となる場合が生じる。
【００６２】
ここで、寄生容量部における振動エネルギーの散逸量（漏れ量）は、薄膜圧電共振器の面積が小さくなるほど顕著となる。これは、共振部に閉じ込められるエネルギーは薄膜圧電共振器の面積に比例（一辺の長さの２乗に比例）するのに対し、寄生容量部における振動エネルギーの散逸量は薄膜圧電共振器の一辺の長さに比例するからである。そのため、薄膜圧電共振器の面積を可能な限り大きくすれば、振動エネルギーの散逸量を抑制することができるので、反共振点のＱ値（Ｑａ）を改善することができる。その結果、挿入損失を小さくすることができる。
【００６３】
この場合、例えば図１３（ｂ）に示すように、共振器フィルタの並列接続部における他の薄膜圧電共振器と比べて一番小さな面積（小さな容量Ｃ）を有する薄膜圧電共振器Ｐ１を、その容量Ｃを維持するようにして分割すれば、共振周波数への影響を抑制しつつその面積を大きくすることができる。薄膜圧電共振器を分割するためには、薄膜圧電共振器を複数設けてそれらを直列に接続すればよい。    
尚、前述したように、一般的には並列接続部における小さな面積の薄膜圧電共振器は１箇所である。ただし、これに限定されるわけではなく並列接続部における２箇所以上の薄膜圧電共振器を分割するようにしても良い。また、分割数も２分割に限定されるわけではなく適宜選択することができる。
【００６４】
その結果、本実施の形態に係る共振器フィルタは、薄膜圧電共振器を有する複数の並列接続部を備え、並列接続部の１つには、少なくとも２つ以上の薄膜圧電共振器が直列に接続され、この直列に接続された薄膜圧電共振器の合成容量は、他の並列接続部における薄膜圧電共振器の容量よりも小さいことになる。
【００６５】
図１４は、薄膜圧電共振器の分割を例示するための模式図である。    
図１４（ａ）に示すように、分割前の薄膜圧電共振器の容量をＣとし、２分割後の容量をそれぞれαＣ、αＣ／（α−１）とすれば、その合成容量はＣのままとなる。尚、αは分割の割合を示す係数である
このように、薄膜圧電共振器の容量を分割するようにすれば、直列接続される個々の薄膜圧電共振器の容量が大きくなり、その面積も大きくすることができる。その結果、反共振点のＱ値（Ｑａ）を改善させることができ、挿入損失を低下させることができる。    
ここで、分割後の各薄膜圧電共振器の反共振点のＱ値を合成した値は、下記の（１）式で表される。    
【数１】
2008258882.tif 000003
ここで、Ｑａは分割後の各薄膜圧電共振器の反共振点のＱ値を合成した値、Ａは定数、αは分割の割合を示す係数、Ｑ０は分割前の薄膜圧電共振器の反共振点のＱ値である。
【００６６】
図１４（ｂ）は、薄膜圧電共振器の分割割合を例示するためのグラフ図である。  
図１４（ｂ）は、図１４（ａ）で説明をした薄膜圧電共振器を２分割する場合のものであり、（１）式をグラフ化したものである。尚、縦軸は分割後の各薄膜圧電共振器の反共振点のＱ値（Ｑａ）を合成した値、横軸は２分割する場合における分割の割合を示す係数である。
【００６７】
図１４（ｂ）から分かるように、２分割する場合における分割の割合は、α＝１．５〜３（分割割合で示すと１：２〜２：１）とすることができる。また、α＝２（等分割）とすれば、反共振点のＱ値の合成値を最大にすることができ、挿入損失をさらに低下させることができる。
【００６８】
また、図１１で説明をした質量負荷部２０を薄膜圧電共振器に備えるものとすれば、主電極４ａから基板２へ漏れる振動エネルギーを抑制することができ、反共振周波数におけるＱ値（Ｑａ）を向上させることができる。その結果、挿入損失を小さくすることができる。
【００６９】
また、図５〜図９で説明をしたように、薄膜圧電共振器の近傍に放熱端子を設け、この放熱端子を介して発生した熱を放熱させるようにすれば、薄膜圧電共振器の温度上昇を抑制することができるので、共振器フィルタの動作安定性や信頼性の向上を図ることができる。
【００７０】
図１５は、比較例の共振器フィルタを備えたデュプレクサを例示するための模式図である。      
また、図１６は、本実施の形態に係る共振器フィルタを備えたデュプレクサを例示するための模式図である。    
デュプレクサは、ＣＤＭＡ（Code Division Mutiple Access）方式のように送信と受信が同時に行なわれる通信システムにおいて、同じ１つのアンテナを通じて送信される信号と受信される信号とを適切に分岐するようにする装置である。デュプレクサは、送信側フィルタと受信側フィルタとを備えている。送信側フィルタは送信しようとする周波数のみを通過させるバンドパスフィルタであり、受信側フィルタは受信しようとする周波数のみを通過させるバンドパスフィルタである。各フィルタで所定の周波数帯域の信号のみを通過させることで、１つのアンテナを効率的に共有できるようになる。
【００７１】
図１５に示すように、デュプレクサ１００には送信側フィルタ１０１と受信側フィルタ１０２とが設けられている。また、前述したように送信側フィルタ１０１と受信側フィルタ１０２とにはインダクタが接続されている。送信側フィルタ１０１の一端はインダクタを介して送信側端子Ｔｘに接続され、他端はアンテナ端子Ａｎｔと接続されている。受信側フィルタ１０２は送信側フィルタ１０１と並列接続されている。また、受信側フィルタ１０２の一端はインダクタを介して受信側端子Ｒｘに接続され、他端はアンテナ端子Ａｎｔと接続されている。尚、図中の薄膜圧電共振器に付された値は、薄膜圧電共振器の面積を正方形に換算した場合における一辺の長さを表している。例えば、１５１μｍとは、一辺が１５１μｍの正方形の面積と同じ面積を有する薄膜圧電共振器を示している。
【００７２】
図１６に示すように、デュプレクサ２００には送信側フィルタ２０１と受信側フィルタ１０２とが設けられている。図１５と図１６とでは、送信側フィルタ２０１のみが異なるので、同様の部分には同じ符号を付し、その説明は省略する。    
図１５に示すように、送信側フィルタ１０１のアンテナ端子Ａｎｔに最も近い並列接続部の薄膜圧電共振器の面積（１５１μｍ）が、残りの２つの薄膜圧電共振器の面積（２００μｍ、１８５μｍ）よりも小さいので、これを等分割したものが図１６に示す送信側フィルタ２０１のアンテナ端子Ａｎｔに最も近い並列接続部の薄膜圧電共振器（２１２μｍ）である。
【００７３】
前述のように、送信側フィルタ１０１のアンテナ端子Ａｎｔに最も近い並列接続部の薄膜圧電共振器を等分割しても、合成容量の値は分割前の薄膜圧電共振器と同じであるため、回路のインピーダンス設計上の問題を生じることがない。
【００７４】
そして、薄膜圧電共振器の面積が大きくなるため、寄生容量部からの振動エネルギーの散逸量が、共振器部に閉じ込められている振動エネルギーに対して相対的に低下し、反共振点におけるＱ値（Ｑａ）が向上する。また、薄膜圧電共振器を組み合わせたラダー型フィルタ回路においては、並列接続部の薄膜圧電共振器の反共振周波数が通過帯域のほぼ中央に位置している。そのため、反共振点のＱ値（Ｑａ）を向上させることで、共振器フィルタの挿入損失を低下させることができる。
【００７５】
このように本実施の形態によれば、周波数特性を維持したまま挿入損失の少ないデュプレクサを得ることができる。    
尚、送信側フィルタ１０１のアンテナ端子Ａｎｔに最も近い並列接続部の薄膜圧電共振器を分割することとしたが、これに限定されるわけではなく、分割対象となる薄膜圧電共振器、分割数などは適宜選択することができる。
【００７６】
ただし、デュプレクサの機能上、送信側フィルタに最も面積の小さな薄膜圧電共振器が使われることが多く、これを分割するようにすれば周波数特性を維持したまま挿入損失を低下させることができる。
【００７７】
また、図１１で説明をした質量負荷部２０を薄膜圧電共振器に備えるものとすれば、主電極４ａから基板２へ漏れる振動エネルギーを抑制することができ、反共振周波数におけるＱ値（Ｑａ）を向上させることができる。その結果、デュプレクサの挿入損失を小さくすることができる。
【００７８】
また、図５〜図９で説明をしたように、薄膜圧電共振器の近傍に放熱端子を設け、この放熱端子を介して発生した熱を放熱させるようにすれば、薄膜圧電共振器の温度上昇を抑制することができるので、デュプレクサの動作安定性や信頼性の向上を図ることができる。
【００７９】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。  
例えば、本発明に係る共振器フィルタは、デュプレクサに用いられるもののみならず、増幅器の前段に用いられるバンドパスフィルタなどにも適用させることができる。
【００８０】
また、前述の具体例に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
【００８１】
例えば、例示をした共振器フィルタやデュプレクサなどが備える各要素の形状、寸法、材質、配置などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００８２】
また、前述した各具体例が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の要旨を含む限り本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施の形態に係る共振器フィルタを例示するための模式断面図である。
【図２】共振器フィルタを例示するための模式拡大断面図である。
【図３】薄膜圧電共振器の共振特性を例示するための模式グラフ図である。
【図４】ラダー型フィルタ回路を例示するための模式図である。
【図５】放熱端子を例示するための共振器フィルタの模式平面図である。
【図６】最も発熱量が多い薄膜圧電共振器の近傍に放熱端子を設ける場合を例示するための模式図である。
【図７】最も発熱量が多い薄膜圧電共振器の近傍に放熱端子を設ける場合を例示するための模式図である。
【図８】最も発熱量が多い薄膜圧電共振器の近傍に放熱端子を設ける場合を例示するための模式図である。
【図９】最も発熱量が多い薄膜圧電共振器の近傍に放熱端子を設ける場合を例示するための模式図である。
【図１０】共振器フィルタの構成を例示するための模式平面図である。
【図１１】薄膜圧電共振器の振動エネルギーの漏れの抑制について例示をするための模式図である。
【図１２】比較例に係る薄膜圧電共振器を例示するための模式図である。
【図１３】薄膜圧電共振器の分割について例示をするための模式図である。
【図１４】薄膜圧電共振器の分割を例示するための模式図である。
【図１５】比較例の共振器フィルタを備えたデュプレクサを例示するための模式図である。
【図１６】本実施の形態に係る共振器フィルタを備えたデュプレクサを例示するための模式図である。
【符号の説明】
【００８４】
１  共振器フィルタ、１ａ〜１ｄ  共振器フィルタ、２  基板、３  キャビティ、４ａ  主電極、４ｂ  圧電膜、４ｃ  主電極、５  接続部、５ａ  接続部、６  基板、７  貫通電極、７ａ  放熱スルーホール、８  端子、８ａ  端子、９  封止部、１０  多層基板、１１  回路基板、１６  接続用パッド、１６ａ  接続用パッド、１８  共振器部、１９  寄生容量部、２０  質量負荷部、１００  デュプレクサ、１０１  送信側フィルタ、１０２  受信側フィルタ
【図１】
2008258882.tif 000004
【図２】
2008258882.tif 000005
【図３】
2008258882.tif 000006
【図４】
2008258882.tif 000007
【図５】
2008258882.tif 000008
【図６】
2008258882.tif 000009
【図７】
2008258882.tif 000010
【図８】
2008258882.tif 000011
【図９】
2008258882.tif 000012
【図１０】
2008258882.tif 000013
【図１３】
2008258882.tif 000014
【図１４】
2008258882.tif 000015
【図１５】
2008258882.tif 000016
【図１６】
2008258882.tif 000017
【図１１】
2008258882.tif 000018
【図１２】
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