(57)【要約】【課題】ガラス基板上にＬＳＩをＡＣＦによって取り付けた場合であっても、このＣＯＧの部分の圧着品質を向上させることができるＬＳＩの取り付け構造を提供する。【解決手段】アレイ基板１０上にＬＳＩ１２をＡＣＦ１４によって取り付ける場合に、ＬＳＩ１２の底面の外周部にある複数のバンプ１８の内周側に絶縁性の支持板２０を設け、支持板２０の厚さが、バンプ１８の高さからＡＣＦ１４の導電粒子２２の直径の寸法を減算した値とするものである。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上にＬＳＩをＡＣＦによって取り付けるＬＳＩの取り付け構造において、
前記ＬＳＩの底面の外周部にある複数のバンプの内周側に絶縁性の支持板を設け、
前記支持板の厚さが、前記バンプの高さから前記ＡＣＦの導電粒子の直径の寸法を減算した値である、
ＬＳＩの取り付け構造。
【請求項２】
ガラス基板上にＬＳＩをＡＣＦによって取り付けるＬＳＩの取り付け構造において、
前記ＬＳＩの底面の外周部にある複数のバンプがそれぞれ固定される前記ガラス基板上の複数の配線の内周側に絶縁性の支持板を設け、
前記支持板の厚さが、前記バンプの高さから前記ＡＣＦの導電粒子の直径の寸法を減算した値である、
ＬＳＩの取り付け構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＳＩをガラス基板上にＡＣＦ（異方性導電膜）によって取り付ける構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来よりガラス基板上にＡＣＦを用いてＬＳＩを取り付けている（例えば、特許文献１参照）。特に、液晶表示装置においては、アレイ基板の棚部に駆動ドライバを内蔵したＬＳＩをＡＣＦによって取り付けている。
【特許文献１】特開２００２−２７０６４１公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記のような液晶表示装置においては、図３に示すように薄型のガラス基板１００が使用されている。そのためＬＳＩ１０２をＡＣＦ１０４によって取り付ける場合に、薄型のＬＳＩ１０２とガラス基板１００に撓みが生じる場合がある。
【０００４】
この理由は、ＡＣＦ１０４を貼り付けるときに薄型のＬＳＩ１０２を加熱、加圧して実装するからである。すなわち、ＡＣＦ１０４の材料の一つであるエポキシ系樹脂が熱硬化性樹脂であるため、この熱硬化をする際に収縮し、薄型のガラス基板１００と薄型のＬＳＩ１０２に歪みを生み出すからである。そして、この歪みが、ＣＯＧ（チップ・オン・グラス）の圧着部の品質を低下させるという問題点がある。
【０００５】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、ガラス基板上にＬＳＩをＡＣＦによって取り付けた場合であっても、このＣＯＧの部分の圧着品質を向上させることができるＬＳＩの取り付け構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、ガラス基板上にＬＳＩをＡＣＦによって取り付けるＬＳＩの取り付け構造において、前記ＬＳＩの底面の外周部にある複数のバンプの内周側に絶縁性の支持板を設け、前記支持板の厚さが、前記バンプの高さから前記ＡＣＦの導電粒子の直径の寸法を減算した値である、ＬＳＩの取り付け構造である。
【０００７】
また、本発明は、ガラス基板上にＬＳＩをＡＣＦによって取り付けるＬＳＩの取り付け構造において、前記ＬＳＩの底面の外周部にある複数のバンプがそれぞれ固定される前記ガラス基板上の複数の配線の内周側に絶縁性の支持板を設け、前記支持板の厚さが、前記バンプの高さから前記ＡＣＦの導電粒子の直径の寸法を減算した値である、ＬＳＩの取り付け構造である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、支持板の厚さとＡＣＦの導電粒子の直径の寸法の合計が、バンプの高さと等しくなるため、ＬＳＩとガラス基板に撓みが生じることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態について図１及び図２に基づいて説明する。
【００１０】
本実施形態は、携帯電話などに用いられる液晶表示装置においてアレイ基板１０上に薄型のＬＳＩ１２をＡＣＦ１４によって取り付けるＣＯＧの構造である。
【００１１】
この薄型のＬＳＩ１２を取り付ける位置は、液晶表示装置のアレイ基板１０が対向基板１６よりも突出した部分である棚部２４に取り付けるものであり、アレイ基板１０を構成するガラス基板と対向基板１６を構成する薄型のガラス基板の厚さは約０．３ｍｍである。
【００１２】
薄型のＬＳＩ１２は、その高さが０．３ｍｍであり、図２の底面図が示すように、ＬＳＩ１２の底面の外周部近傍に複数のバンプ１８が等間隔に額縁状に形成されている。このバンプ１８は金により形成され、その高さは約６μｍである。また、このＬＳＩ１２の底面の中央部、すなわち、複数のバンプ１８の内周側に長方形状の支持板２０が形成されている。この支持板２０は絶縁性のシートであって、ポリイミド樹脂から形成され、その厚さは約２μｍである。
【００１３】
一方、薄型のＬＳＩ１２を取り付けるアレイ基板１０上には、前記した複数のバンプ１８に対応する位置に配線パターンが形成され、バンプ１８がＡＣＦ１４によって接着されると、互いに電気的に接続される。
【００１４】
ＡＣＦ１４は、熱硬化性樹脂であるエポキシ系樹脂に、導電粒子を混ぜたシート状であって、加熱及び加圧をすることによりＬＳＩ１２とアレイ基板１０を熱圧着することができる。この導電粒子は合成樹脂製の球体の表面に金メッキを施したものであり、その直径は約４μｍである。
【００１５】
上記アレイ基板１０にＬＳＩ１２を熱圧着する場合には、アレイ基板１０のＬＳＩ１２を取り付ける位置にシート状のＡＣＦ１４を配し、その上に薄型のＬＳＩ１２を配置する。この場合に複数のバンプ１８のそれぞれとアレイ基板１０上の各配線パターンとの位置決めを行った後、ツールによって加圧及び加熱を行い、シート状のＡＣＦ１４を溶融して熱圧着を行う。
【００１６】
この場合に、図１に示すように、導電粒子２２の直径と支持板２０の厚みを合計した値が、バンプ１８の高さと等しいため、ＬＳＩ１２とアレイ基板１０の間に隙間が一定となり、従来のように熱硬化性樹脂による熱硬化の際の熱収縮によるアレイ基板１０と薄型のＬＳＩ１２の撓みが生じることがない。そのため、この薄型のＬＳＩ１２を取り付けたＣＯＧの部分の圧着品質を安定化させることができる。
【００１７】
（変更例１）
本発明は上記各実施形態に限らず、その主旨を逸脱しない限り種々に変更することができる。
【００１８】
上記実施形態では、支持板２０を、複数のバンプ１８の内側において１枚のシート状としたが、これに代えて所定間隔毎に島状、または、ストライプ状に支持板２０を設けてもよい。
【００１９】
このように島状、ストライプ状に支持板２０を設けても、薄型のＬＳＩ１２とアレイ基板１０の隙間を一定にすることができる。
【００２０】
（変更例２）
上記実施形態では支持板２０をＬＳＩ１２の底面に設けたが、これに代えてアレイ基板１０上に設けてもよい。すなわち、ＬＳＩ１２を取り付ける配線パターンの内側に支持板２０を予め設けておけば、ＬＳＩ１２とアレイ基板１０の隙間を一定にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態を示すアレイ基板上に薄型のＬＳＩを取り付けた縦断面図である。
【図２】ＬＳＩの底面図である。
【図３】従来のアレイ基板上に薄型のＬＳＩを取り付けた縦断面図である。
【符号の説明】
【００２２】
１０  アレイ基板
１２  薄型のＬＳＩ
１４  ＡＣＦ
１６  対向基板
１８  バンプ
２０  支持板
２２  導電粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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