(57)【要約】      （修正有）【課題】塗布、現像装置において、要求されるスループットに応じて装置の設計や製造を容易に行うことができる技術を提供すること。【解決手段】キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ６との間に、塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとを含む複数の単位ブロックを積層して構成された同じ構成の処理ブロックＳ２〜Ｓ４を互いに前後に接続して設ける。このように同じ構成の処理ブロックＳ２〜Ｓ４を用意し、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ６との間に配列する処理ブロックの個数を増減することにより、塗布、現像装置の処理速度を調整することによって、要求されるスループットに応じて装置の設計や製造を容易に行うことができる。【選択図】図１
2008258209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すと共に、前記塗布膜形成用の単位ブロック及び現像処理用の単位ブロックにはいずれも、薬液を基板に塗布するための液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、これらモジュール同士の間で基板を搬送する単位ブロック用の基板搬送手段と、を備える塗布、現像装置において、
キャリアブロックとインターフェイスブロックとの間に設けられ、塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとを含む複数の単位ブロックを積層して構成された同じ構成の少なくとも２個以上の処理ブロックを、キャリアブロック側を前方側とし、インターフェイスブロック側を後方側とすると、キャリアブロックからインターフェイスブロックに向かう基板の搬送路に沿って互いに前後に接続して設けた処理ステーションと、
前記処理ブロックの積層された単位ブロック同士の間で基板の受け渡しを行うために、処理ブロック内の前記前方側に各単位ブロックに対応して設けられ、各単位ブロックの基板搬送手段により基板の受け渡しが行われる受け渡し部を多段に備えた受け渡し部群と、
前記処理ブロックに設けられ、前記受け渡し部群の各受け渡し部に対して基板の受け渡しを行うための昇降自在に設けられた受け渡しアームと、
前記キャリアブロックと処理ブロックとの間、又は互いに隣接する処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうために用いられ、前記受け渡し部群の一つを構成し、前記受け渡しアームにより基板の受け渡しが行われる入出力用受け渡し部と、
前記処理ブロックに設けられ、当該処理ブロックの入出力用受け渡し部と、この処理ブロックの後方側に隣接する処理ブロックの入出力用受け渡し部との間で基板を搬送する専用の直通搬送手段と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
キャリアブロックから基板を塗布膜の形成が行われる処理ブロックの入出力用受け渡し部に直接受け渡し、又は前方側の処理ブロックの直通搬送手段により受け渡し、前記入出力用受け渡し部から基板を当該処理ブロック内の塗布膜形成用の単位ブロックに受け渡しアームと基板搬送手段とにより搬送し、塗布膜形成後の基板を当該処理ブロックの入出力用受け渡し部に搬送し、次いでこの入出力用受け渡し部から基板をインターフェイスブロックに当該処理ブロックの直通搬送手段又は後方側の処理ブロックの直通搬送手段により搬送し、露光処理後の基板をインターフェイスブロックから現像処理が行われる処理ブロックの入出力用受け渡し部に、当該処理ブロックの直通搬送手段又は当該処理ブロック及び後方側の処理ブロックの直通搬送手段により搬送し、前記入出力用受け渡し部から基板を当該処理ブロック内の現像処理用の単位ブロックに受け渡しアームと基板搬送手段とにより搬送するように、前記基板搬送手段と直通搬送手段と受け渡しアームとを制御する手段を備えたことを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像方法において、
キャリアブロックとインターフェイスブロックとの間に設けられ、塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとを含む複数の単位ブロックを積層して構成された同じ構成の少なくとも２個以上の処理ブロックを、キャリアブロック側を前方側とし、インターフェイスブロック側を後方側とすると、キャリアブロックからインターフェイスブロックに向かう基板の搬送路に沿って互いに前後に接続して設けた処理ステーションを備え、
キャリアブロックから基板を塗布膜の形成が行われる処理ブロックの入出力用受け渡し部に直接受け渡し、又は前方側の処理ブロックの直通搬送手段により受け渡し、前記入出力用受け渡し部から基板を当該処理ブロック内の塗布膜形成用の単位ブロックに受け渡しアームと基板搬送手段とにより搬送し、塗布膜形成後の基板を当該処理ブロックの入出力用受け渡し部に搬送し、次いでこの入出力用受け渡し部から基板をインターフェイスブロックに当該処理ブロックの直通搬送手段又は後方側の処理ブロックの直通搬送手段により搬送し、露光処理後の基板をインターフェイスブロックから現像処理が行われる処理ブロックの入出力用受け渡し部に、当該処理ブロックの直通搬送手段又は当該処理ブロック及び後方側の処理ブロックの直通搬送手段により搬送し、前記入出力用受け渡し部から基板を当該処理ブロック内の現像処理用の単位ブロックに受け渡しアームと基板搬送手段とにより搬送することを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項４】
キャリアブロックから受け取った基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対して現像処理を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、請求項３に記載された塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により、基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。
【０００３】
このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われるが、塗布、現像装置の処理速度をさらに増大させるため、露光処理前のモジュールを収納するエリアと、露光処理後のモジュールを収納するエリアとを上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設けることにより、搬送手段の負荷を軽減して搬送効率を高め、これにより塗布、現像装置のスループットを向上させる構成が特許文献１に提案されている。
【０００４】
この装置は、例えば図１０に示すように、現像処理を行なう現像ブロックＢ１，Ｂ２と、レジスト液の塗布処理を行う塗布ブロックＢ４と、レジスト液の塗布の前後に夫々反射防止膜の形成を行なう反射防止膜形成ブロックＢ３，Ｂ５とを互いに積層して設け、各ブロックＢ１〜Ｂ５に現像処理やレジスト液塗布処理、反射防止膜形成用の薬液の塗布処理等の液処理を行なう液処理部と、前記液処理の前後の処理を行う処理ユニットを多段に配列した棚ユニットと、液処理部と棚ユニットの各部との間でウエハＷの搬送を行なう搬送手段Ａ１〜Ａ５とを備えると共に、各ブロックＢ１〜Ｂ５同士の間でのウエハＷの受け渡しを行なう専用の受け渡しアームＤ１，Ｄ２を備えている。前記液処理部は例えば３個の液処理ユニットを備えると共に、前記処理ユニットは液処理ユニットの数や、行なわれる処理に応じて必要な種類及び個数のユニットが用意されており、搬送手段Ａ１〜Ａ５、受け渡しアームＤ１，Ｄ２の夫々の負担を軽減することにより、装置全体のスループットの向上を図るように構成されている。
【０００５】
このような塗布、現像装置では、例えば１８０枚／ｈｒ程度のスループットを確保することができるが、目的とする処理に応じて要求されるスループットが異なる場合があり、現状の装置のスループットを超えた２００枚／ｈｒ〜２５０枚／ｈｒ程度の高スループット化を図る装置が要請される一方、スループットについてはそれほど高い要求がされない場合もある。
【０００６】
ここで上述の装置において、スループットの向上を図るために、現像ブロックＢ１，Ｂ２や塗布ブロックＢ４に設ける液処理ユニットや、処理ユニットの個数を増加して対応することが考えられるが、このような構成では搬送手段Ａ１〜Ａ５の負担が増大してしまうので搬送スループットが低下してしまい、結果として装置全体のスループットを向上させることは難しい。またこのように各ブロックＢ１〜Ｂ５等に設けるユニット数を増減して、要求されるスループットに対応させる構成では、スループットに応じて組み込まれるユニット数が決まってくるので、ユーザーの求めに応じてユニット数の異なる多数種類の装置を製造する必要があり、設計や製造に要する作業の負担が増大してしまう。
【０００７】
さらに現像ブロックＢ１，Ｂ２等の各ブロックの積層数を増加して、前記液処理ユニットや処理ユニットの数を多くすることも考えられるが、前記ブロックの積層数が多くなると、各ブロック間でのウエハＷの受け渡しを行う受け渡しアームＤ１，Ｄ２の搬送領域が垂直方向に長くなってしまい、さらにブロック間との受け渡しの回数も多くなるので、当該受け渡しアームＤ１，Ｄ２の負担が増大し、やはり装置全体のスループットを向上させることは難しい。またスループットの変更に対応させるには、スループットに応じてブロックの積層数が異なってくるため、受け渡しアームＤ１，Ｄ２の搬送領域が異なり、結局多数種類の装置を製造しなければならないので、やはり設計等の作業負担の軽減は困難である。
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−２０３０７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、塗布、現像装置において、要求されるスループットに応じて装置の設計や製造を容易に行うことができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このため本発明の塗布、現像装置では、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡すと共に、前記塗布膜形成用の単位ブロック及び現像処理用の単位ブロックにはいずれも、薬液を基板に塗布するための液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、これらモジュール同士の間で基板を搬送する単位ブロック用の基板搬送手段と、を備える塗布、現像装置において、
キャリアブロックとインターフェイスブロックとの間に設けられ、塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとを含む複数の単位ブロックを積層して構成された同じ構成の少なくとも２個以上の処理ブロックを、キャリアブロック側を前方側とし、インターフェイスブロック側を後方側とすると、キャリアブロックからインターフェイスブロックに向かう基板の搬送路に沿って互いに前後に接続して設けた処理ステーションと、
前記処理ブロックの積層された単位ブロック同士の間で基板の受け渡しを行うために、処理ブロック内の前記前方側に各単位ブロックに対応して設けられ、各単位ブロックの基板搬送手段により基板の受け渡しが行われる受け渡し部を多段に備えた受け渡し部群と、
前記処理ブロックに設けられ、前記受け渡し部群の各受け渡し部に対して基板の受け渡しを行うための昇降自在に設けられた受け渡しアームと、
前記キャリアブロックと処理ブロックとの間、又は互いに隣接する処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうために用いられ、前記受け渡し部群の一つを構成し、前記受け渡しアームにより基板の受け渡しが行われる入出力用受け渡し部と、
前記処理ブロックに設けられ、当該処理ブロックの入出力用受け渡し部と、この処理ブロックの後方側に隣接する処理ブロックの入出力用受け渡し部との間で基板を搬送する専用の直通搬送手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】
ここで「同じ構成の処理ブロック」とは、同じ種類の塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとを備え、これらの単位ブロックの数が同じであり、前記塗布膜形成用の単位ブロック及び現像処理用の単位ブロックの構成が同じであることをいう。
【００１２】
ここで前記塗布、現像装置は、キャリアブロックから基板を塗布膜の形成が行われる処理ブロックの入出力用受け渡し部に直接受け渡し、又は前方側の処理ブロックの直通搬送手段により受け渡し、前記入出力用受け渡し部から基板を当該処理ブロック内の塗布膜形成用の単位ブロックに受け渡しアームと基板搬送手段とにより搬送し、塗布膜形成後の基板を当該処理ブロックの入出力用受け渡し部に搬送し、次いでこの入出力用受け渡し部から基板をインターフェイスブロックに当該処理ブロックの直通搬送手段又は後方側の処理ブロックの直通搬送手段により搬送し、露光処理後の基板をインターフェイスブロックから現像処理が行われる処理ブロックの入出力用受け渡し部に、当該処理ブロックの直通搬送手段又は当該処理ブロック及び後方側の処理ブロックの直通搬送手段により搬送し、前記入出力用受け渡し部から基板を当該処理ブロック内の現像処理用の単位ブロックに受け渡しアームと基板搬送手段とにより搬送するように、前記基板搬送手段と直通搬送手段と受け渡しアームとを制御する手段を備えることが望ましい。
【００１３】
また本発明の塗布、現像方法は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して塗布膜形成用の単位ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を現像処理用の単位ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像方法において、
キャリアブロックとインターフェイスブロックとの間に設けられ、塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックとを含む複数の単位ブロックを積層して構成された同じ構成の少なくとも２個以上の処理ブロックを、キャリアブロック側を前方側とし、インターフェイスブロック側を後方側とすると、キャリアブロックからインターフェイスブロックに向かう基板の搬送路に沿って互いに前後に接続して設けた処理ステーションを備え、
キャリアブロックから基板を塗布膜の形成が行われる処理ブロックの入出力用受け渡し部に直接受け渡し、又は前方側の処理ブロックの直通搬送手段により受け渡し、前記入出力用受け渡し部から基板を当該処理ブロック内の塗布膜形成用の単位ブロックに受け渡しアームと基板搬送手段とにより搬送し、塗布膜形成後の基板を当該処理ブロックの入出力用受け渡し部に搬送し、次いでこの入出力用受け渡し部から基板をインターフェイスブロックに当該処理ブロックの直通搬送手段又は後方側の処理ブロックの直通搬送手段により搬送し、露光処理後の基板をインターフェイスブロックから現像処理が行われる処理ブロックの入出力用受け渡し部に、当該処理ブロックの直通搬送手段又は当該処理ブロック及び後方側の処理ブロックの直通搬送手段により搬送し、前記入出力用受け渡し部から基板を当該処理ブロック内の現像処理用の単位ブロックに受け渡しアームと基板搬送手段とにより搬送することを特徴とする。
【００１４】
さらに本発明の記憶媒体は、キャリアブロックから受け取った基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対して現像処理を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは、前記塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、同じ構成の処理ブロックを用意し、キャリアブロックとインターフェイスブロックとの間に配列する処理ブロックの個数を増減することにより、塗布、現像装置の処理速度を調整しているので、要求されるスループットに応じて装置の設計や製造を容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
先ず本発明の塗布、現像装置の実施の形態に係るレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、前記装置の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、キャリアブロックＳ１と処理ステーションＳ１０と受け渡しブロックＳ５とインターフェイスブロックＳ６と露光装置Ｓ７とを備えており、キャリアブロックＳ１を前方側、インターフェイスブロックＳ６を後方側として、キャリアブロックＳ１、処理ステーションＳ１０、受け渡しブロックＳ５、インターフェイスブロックＳ６、露光装置Ｓ７が前後方向に一列に配列され、互いに接続されている。  
前記キャリアブロックＳ１は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのブロックであり、このキャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段をなすトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する第１の処理ブロックＳ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１０と受け渡しモジュールＴＲＳ１１との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。
【００１７】
キャリアブロックＳ１の後方側には処理ステーションＳ１０が接続されている。この処理ステーションＳ１０は、２個以上の同じ構成の処理ブロックをキャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ６側に向かうウエハＷの搬送路に沿って互いに前後に接続して構成され、この例では第１の処理ブロックＳ２、第２の処理ブロックＳ３、第３の処理ブロックＳ４が互いに接続して設けられている。前記処理ステーションＳ１０を構成する処理ブロックは、要求されるスループットに応じてその個数が適宜選択される。
【００１８】
これら処理ブロックＳ２〜Ｓ４は同様に構成されているので、第１の処理ブロックＳ２を例にして説明すると、この処理ブロックＳ２は、筐体２４にて周囲を囲まれており、複数個例えば３個の単位ブロックＢ１１〜Ｂ１３を縦に配列して構成され、この例では、下方側から現像処理用の単位ブロックである現像処理層（ＤＥＶ１層）Ｂ１１と、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成を行うための単位ブロックである反射防止膜形成層（ＢＣＴ１層）Ｂ１２と、レジスト膜の形成を行うための単位ブロックである塗布処理層（ＣＯＴ１層）Ｂ１３として割り当てられており、これらＤＥＶ１層Ｂ１１、ＢＣＴ１層Ｂ１２、ＣＯＴ１層Ｂ１３は夫々区画されている。前記ＢＣＴ１層Ｂ１２とＣＯＴ１層Ｂ１３は、塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。
【００１９】
これら各単位ブロックＢ１１，Ｂ１２，Ｂ１３は夫々同様に構成され、ウエハＷに対して塗布液を塗布するための液処理モジュールと、前記液処理モジュールにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の処理モジュールと、前記液処理モジュールと各種の処理モジュールとの間でウエハＷの受け渡しを行うための単位ブロック専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１１〜Ａ１３と、を備えている。
【００２０】
さらに処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１と隣接する領域には、図１及び図３に示すように、トランスファーアームＣと各メインアームＡ１１〜Ａ１３がアクセスできる位置に受け渡し用の棚ユニットＵ１１が設けられている。この棚ユニットＵ１１には、例えば単位ブロックＢ１１〜Ｂ１３毎に、他の単位ブロックとの間でウエハＷの受け渡しを行なうために用いられる受け渡し部が設けられており、棚ユニットＵ１１は受け渡し部を多段に備えた受け渡し部群に相当する。
【００２１】
また処理ブロックＳ２には、棚ユニットＵ１１の各受け渡し部にアクセスできる位置に、進退自在及び昇降自在に構成された受け渡しアームＤ１が設けられており、この受け渡しアームＤ１により、棚ユニットＵ１１に設けられた各受け渡し部に対してウエハＷの受け渡しが行われ、他の単位ブロック同士の間でウエハＷが受け渡されるように構成されている。
【００２２】
続いて前記単位ブロックＢ１１〜Ｂ１３の構成について、先ずＣＯＴ１層Ｂ１３（以下「ＣＯＴ１層」という）を例にして図４及び図５に基づいて説明する。このＣＯＴ１層のほぼ中央には、ＣＯＴ１層の長さ方向（図４，図５中Ｙ方向）にウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、前方側（キャリアブロックＳ１側）から後方側に向かって右側に、レジスト液の塗布を行うための塗布処理部３１が設けられている。
【００２３】
この塗布処理部３１は、複数個例えば２個の液処理モジュールＣＯＴ１１，ＣＯＴ１２が共通の処理容器３０の内部に、夫々が搬送領域Ｒ１に臨むようにＹ方向に配列された状態で収納されている。各塗布モジュールＣＯＴ１１，ＣＯＴ１２は、例えばスピンチャック上に水平に吸着保持されたウエハＷに対して、共通の薬液ノズルから塗布液であるレジスト液を供給すると共に、ウエハＷを回転させることによってレジスト液をウエハＷの全面に行き渡らせ、こうしてウエハＷの表面にレジスト液を塗布するように構成されている。前記処理容器３０は、各塗布モジュールＣＯＴ１１，ＣＯＴ１２に対応する位置にウエハＷの搬送口３３Ａ，３３Ｂを備えており、ウエハＷは各々の搬送口３３Ａ，３３Ｂを介して対応する塗布モジュールＣＯＴ１１，ＣＯＴ１２とメインアームＡ１３との間で搬送されるようになっている。
【００２４】
またこの塗布処理部３１の搬送領域Ｒ１の向い側には、処理モジュールを例えば２段×３列に設けた棚ユニットＵ１２が設けられており、この図では塗布モジュール３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種処理モジュールが設けられている。上述の各種処理モジュールは、レジスト液塗布後のウエハＷに対して加熱処理を行い、次いで冷却処理を行う加熱冷却モジュールＬＨＰや、ウエハＷを所定の温度に温調する温調モジュールＣＰＬ、周縁露光装置ＷＥＥ等を備えている。
【００２５】
前記加熱冷却モジュールＬＨＰとしては、例えばウエハＷをその上に載置して加熱するための加熱プレート３４と、搬送アームを兼用する冷却プレート３５とを備え、メインアームＡ１３と加熱プレート３４との間のウエハＷの受け渡しを冷却プレート３５により行なう、つまり加熱モジュールと冷却モジュールとを１つのユニットに収めた構成の装置が用いられる。なおこの加熱冷却モジュールＬＨＰの代わりに加熱モジュールと、冷却モジュールとを夫々別個のモジュールとして棚ユニットＵ１２に組み込むようにしてもよい。また温調モジュールＣＰＬとしては、例えば水冷方式にて冷却される冷却プレートを備える装置が用いられる。
【００２６】
これら加熱冷却モジュールＬＨＰや温調モジュールＣＰＬ等の各モジュールは、図４に示すように、夫々処理容器３６内に収納されており、各処理容器３６の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口３７が形成されている。またＣＯＴ１層の棚ユニットＵ１１には、受け渡し部として受け渡しアームＤ１がアクセスできる位置に受け渡しモジュールＴＲＳ１３が設けられている。この受け渡しモジュールＴＲＳ１３は、例えば受け渡しステージ上に、ウエハＷの裏面側を保持する例えば３個の突部を設けて構成されている。この突部は受け渡しアームＤ１とメインアームＡ１３とが干渉しないように設けられており、この突部に対して受け渡しアームＤ１又はメインアームＡ１３が昇降することにより、受け渡しモジュールＴＲＳ１３と受け渡しアームＤ１又はメインアームＡ１３との間でウエハＷの受け渡しを行なうように構成されている。以降本発明の受け渡し部をなす受け渡しモジュールはこの受け渡しモジュールＴＲＳ１３と同様に構成され、受け渡しアームは受け渡しアームＤ１と同様に構成される。
【００２７】
続いてメインアームＡ１３について説明する。このメインアームＡ１３は、当該ＣＯＴ１層内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば塗布モジュールＣＯＴ１１，ＣＯＴ１２と、棚ユニットＵ１１の受け渡しモジュールＴＲＳ１３と、棚ユニットＵ１２の各処理モジュールとの間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。
【００２８】
このメインアームＡ１３は、図４及び図５に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の保持アーム５１，５２を備えており、これら保持アーム５１，５２は基台５３上を互いに独立して進退自在に構成されている。また基台５３は、搬送基体５５上に回転機構５４を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。図中５６は、搬送領域Ｒ１の長さ方向（図１中Ｙ方向）に伸びるガイドレール５６、図中５７は昇降用ガイドレールであり、前記搬送基体５５は、この昇降用ガイドレール５７に沿って昇降自在に構成されている。また前記昇降用ガイドレール５７の下端部はガイドレール５６の下方を潜って係止されており、昇降用ガイドレール５７がガイドレール５６に沿って横方向に移動することで、搬送基体５５が搬送領域Ｒ１を横方向に移動できるようになっている。ここで昇降用ガイドレール５７は、棚ユニットＵ１２の各処理モジュールに対してウエハＷの受け渡しを行うときに、保持アーム５１，５２と干渉しないように、保持アーム５１，５２が進退する位置からずれた位置において搬送基体５５に設けられている。
【００２９】
なお他の単位ブロックについて簡単に説明すると、前記ＢＣＴ１層Ｂ１２（以下「ＢＣＴ１層」という）はＣＯＴ２層と同様に構成されており、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して反射防止膜形成用の塗布液を供給して、反射防止膜を形成するための複数個例えば２個の反射防止膜形成モジュールＢＣＴを備えた反射防止膜形成部が設けられ、棚ユニットＵ１２には、反射防止膜形成後のウエハＷを加熱プレート上に載置して加熱処理を行い、次いで冷却プレートにより保持して冷却処理を行う加熱冷却モジュールＬＨＰと、ウエハＷを所定温度に調整するための温調モジュールＣＰＬ等を備えている。また棚ユニットＵ１１には、受け渡し部として、受け渡しアームＤ１がアクセスできる位置に受け渡しモジュールＴＲＳ１２が設けられ、これら棚ユニットＵ１１，Ｕ１２に設けられたモジュールと反射防止膜形成モジュールＢＣＴとの間でメインアームＡ１２によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００３０】
またＤＥＶ１層Ｂ１１（以下「ＤＥＶ１層」という）は、図１、図３及び図６に示すように、例えば棚ユニットＵ１２が３段×３列に構成され、シャトルアームＧ１が設けられている以外は、上述のＣＯＴ１層とほぼ同様に構成されており、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して塗布液である現像液を供給して現像処理を行うための現像処理部３２が２段に設けられ、この現像処理部３２の１段には、例えば２個の現像モジュールＤＥＶ１１，ＤＥＶ１２が設けられている。棚ユニットＵ１２には、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングモジュールなどと呼ばれている加熱モジュールＰＥＢ、この加熱モジュールＰＥＢにおける処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却モジュールＣＯＬ、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングモジュール等と呼ばれている加熱モジュールＰＯＳＴ、この加熱モジュールＰＯＳＴにおける処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための温調モジュールＣＰＬ等が含まれている。前記反射防止膜形成部や現像処理部３２は、塗布処理部３１とほぼ同様に構成されている。
【００３１】
また棚ユニットＵ１１には、受け渡し部として、キャリアブロックＳ１との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しモジュールＴＲＳ１０、受け渡しモジュールＴＲＳ１１が設けられ、この内受け渡しモジュールＴＲＳ１０は後述するシャトルアームＧ１専用の受け渡しモジュールとして用いられ、入出力用受け渡し部に相当する。そして棚ユニットＵ１１，Ｕ１２に設けられたモジュールと、現像モジュールＤＥＶ１１，ＤＥＶ１２との間でメインアームＡ１１によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００３２】
続いて前記シャトルアームＧ１について図６を用いて説明する。このシャトルアームＧ１は、当該第１の処理ブロックＳ２の入出力用受け渡し部ＴＲＳ１０と、後述する当該第１の処理ブロックＳ２の後方側に接続された第２の処理ブロックＳ３の入出力用受け渡し部ＴＲＳ２０との間でウエハＷを搬送する専用の直通搬送手段である。
【００３３】
このシャトルアームＧ１は、図６に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持し、基台６２に沿って進退する１本の保持アーム６１を備えており、前記基台６２は、搬送基体６４上に回転機構６３を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。前記搬送基体６４は、例えば棚ユニットＵ１２の上部側に、当該棚ユニットＵ１２の長さ方向（図６中Ｙ方向）に沿って設けられた支持部材６６の搬送領域Ｒ１に臨む面に、搬送領域Ｒ１の長さ方向に伸びるように設けられたガイドレール６５に沿って、前記長さ方向に移動するように構成され、こうして当該第１の処理ブロックＳ２の受け渡しユニットＴＲＳ１０と、隣接する第２の処理ブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２０との間でウエハＷの搬送を行なうように構成されている。
【００３４】
また前記第２の処理ブロックＳ３は筐体２５にて周囲を囲まれており、第１の処理ブロックＳ２と同様に、下方側から現像処理層（ＤＥＶ２層）Ｂ２１と、反射防止膜形成層（ＢＣＴ２層）Ｂ２２と、塗布処理層（ＣＯＴ２層）Ｂ２３の３つの単位ブロックＢ２１〜Ｂ２３を積層して構成されている。これらＤＥＶ２層Ｂ２１（以下「ＤＥＶ２層」という）と、ＢＣＴ２層Ｂ２２（以下「ＢＣＴ２層」という）と、ＣＯＴ２層Ｂ２３（以下「ＣＯＴ２層」という）は、夫々第１の処理ブロックＳ２のＤＥＶ１層と、ＢＣＴ１層と、ＣＯＴ１層と同様に構成されている。
【００３５】
つまり第２の処理ブロックＳ３内の前方側の、第１の処理ブロックＳ２と隣接する領域には、当該処理ブロックＳ３内の単位ブロック同士の間でウエハＷの受け渡しを行なうための受け渡し部を多段に備えた受け渡し部群をなす棚ユニットＵ２１が設けられており、前記棚ユニットＵ２１の各受け渡し部に対しては各単位ブロックＢ２１〜Ｂ２３のメインアームＡ２１〜Ａ２３と、受け渡しアームＤ２とがアクセスできるように構成されている。
【００３６】
そしてＣＯＴ２層では、２個の塗布モジュールＣＯＴと、棚ユニットＵ２１の受け渡しモジュールＴＲＳ２３と、棚ユニットＵ２２に設けられた各種モジュールとの間でメインアームＡ２３によりウエハＷの搬送が行なわれ、ＢＣＴ２層では、２個の反射防止膜形成モジュールＢＣＴと、棚ユニットＵ２１の受け渡しモジュールＴＲＳ２２と、棚ユニットＵ２２に設けられた各種モジュールとの間でメインアームＡ２２によりウエハＷの搬送が行なわれ、ＤＥＶ２層では、２個の現像モジュールＤＥＶと、棚ユニットＵ２１の受け渡しモジュールＴＲＳ２０，ＴＲＳ２１と、棚ユニットＵ２２に設けられた各種モジュールとの間でメインアームＡ２１によりウエハＷの搬送が行なわれるように構成されている。
【００３７】
ここで前記棚ユニットＵ２１の受け渡しモジュールＴＲＳ２０は直通搬送手段をなすシャトルアームＧ２専用の入出力用受け渡し部をなす受け渡し部であり、当該第２の処理ブロックＳ３に設けられたシャトルアームＧ２により、当該処理ブロックＳ３の受け渡しモジュールＴＲＳ２０と、後述する当該処理ブロックＳ３の後方側に接続された第３の処理ブロックＳ４の受け渡しモジュールＴＲＳ３０との間でウエハＷの搬送が行なわれるようになっている。
【００３８】
さらに前記第３の処理ブロックＳ４は筐体２６にて周囲を囲まれており、第１の処理ブロックＳ２と同様に、下方側から現像処理層（ＤＥＶ３層）Ｂ３１と、反射防止膜形成層（ＢＣＴ３層）Ｂ３２と、塗布処理層（ＣＯＴ３層）Ｂ３３の３つの単位ブロックＢ３１〜Ｂ３３を積層して構成されている。これらＤＥＶ３層Ｂ３１（以下「ＤＥＶ３層」という）と、ＢＣＴ３層Ｂ３２（以下「ＢＣＴ３層」という）と、ＣＯＴ３層Ｂ３３（以下「ＣＯＴ３層」という）は、夫々第１の処理ブロックＳ２のＤＥＶ１層と、ＢＣＴ１層と、ＣＯＴ１層と同様に構成されている。
【００３９】
つまり第３の処理ブロックＳ４内の前方側の、第２の処理ブロックＳ３と隣接する領域には、当該処理ブロックＳ４内の単位ブロック同士の間でウエハＷの受け渡しを行なうための受け渡し部を多段に備えた受け渡し部群をなす棚ユニットＵ３１が設けられており、前記棚ユニットＵ３１の各受け渡し部に対しては各単位ブロックＢ３１〜Ｂ３３のメインアームＡ３１〜Ａ３３と、受け渡しアームＤ３とがアクセスできるように構成されている。
【００４０】
そしてＣＯＴ３層では、２個の塗布モジュールＣＯＴと、棚ユニットＵ３１の受け渡しモジュールＴＲＳ３３と、棚ユニットＵ３２に設けられた各種モジュールとの間でメインアームＡ３３によりウエハＷの搬送が行なわれ、ＢＣＴ３層では、２個の反射防止膜形成モジュールＢＣＴと、棚ユニットＵ３１の受け渡しモジュールＴＲＳ３２と、棚ユニットＵ３２に設けられた各種モジュールとの間でメインアームＡ３２によりウエハＷの搬送が行なわれ、ＤＥＶ３層では、２個の現像モジュールＤＥＶと、棚ユニットＵ３１の受け渡しモジュールＴＲＳ３０，ＴＲＳ３１と、棚ユニットＵ３２に設けられた各種モジュールとの間でメインアームＡ３１によりウエハＷの搬送が行なわれるように構成されている。
【００４１】
ここで前記棚ユニットＵ３１の受け渡しモジュールＴＲＳ３０は直通搬送手段をなすシャトルアームＧ３専用の入出力用受け渡し部をなす受け渡し部であり、当該第３の処理ブロックＳ４に設けられたシャトルアームＧ３により、当該処理ブロックＳ４の受け渡しモジュールＴＲＳ３０と後述する受け渡しブロックＳ５の受け渡しモジュールＴＲＳ４０との間でウエハＷの搬送が行なわれるようになっている。
【００４２】
前記受け渡しブロックＳ５は第３の処理ブロックＳ４と後述するインターフェイスブロックＳ６の間でのウエハＷの受け渡しに用いられるインターフェイス用受け渡し部を備えており、この例では前記受け渡し部は、第３の処理ブロックＳ４のシャトルアームＧ３がアクセスできる受け渡しモジュールＴＲＳ４０により構成されている。
【００４３】
一方、受け渡しブロックＳ５の奥側には、インターフェイスブロックＳ６を介して露光装置Ｓ７が接続されている。インターフェイスブロックＳ６には、前記受け渡しブロックＳ５の受け渡しモジュールＴＲＳ４０と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うための、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されたインターフェイスアームＦが設けられている。
【００４４】
そして上述のレジストパターン形成装置は、各処理モジュールのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のレシピの管理や、各処理モジュールにおける処理や、メインアームＡ１１〜Ａ１３，Ａ２１〜Ａ２３，Ａ３１〜Ａ３３、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＤ１〜Ｄ３、シャトルアームＧ１〜Ｇ３、インターフェイスアームＦの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部１００を備えている。この制御部１００は、例えばコンピュータプログラムからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には、レジストパターン形成装置全体の作用、つまりウエハＷに対して所定のレジストパターンを形成するための、各処理モジュールにおける処理やウエハＷの搬送等が実施されるようにステップ（命令）群を備えた例えばソフトウェアからなるプログラムが格納される。そしてこれらプログラムが制御部１００に読み出されることにより、制御部１００によってレジストパターン形成装置全体の作用が制御される。なおこのプログラムは、例えばフレキシブルディスク、ハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００４５】
このようなこのレジストパターン形成装置におけるウエハＷの搬送経路について、第１の反射防止膜の上にレジスト膜を形成する場合を例にして図７を用いて説明する。ウエハＷの搬送は、制御部１００により、搬送フロー（搬送経路）のレシピに基づいて、メインアームＡ１１〜Ａ１３，Ａ２１〜Ａ２３，Ａ３１〜Ａ３３、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＤ１〜Ｄ３、シャトルアームＧ１〜Ｇ３、インターフェイスアームＦを制御することにより行われる。
【００４６】
先ず露光処理前のウエハＷの搬送経路について説明する。外部からキャリアブロックＳ１に搬入されたキャリア２０内のウエハＷは、トランスファーアームＣにより棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１０に受け渡される。そしてここから第１の処理ブロックＳ２、第２の処理ブロックＳ３、第３の処理ブロックＳ３に振り分けて搬送される。
【００４７】
先ず第１の処理ブロックＳ２に搬送する場合について説明すると、受け渡しモジュールＴＲＳ１０のウエハＷは、受け渡しアームＤ１により受け渡しモジュールＴＲＳ１２に搬送され、ここからＢＣＴ１層のメインアーム１２に受け取られる。そしてＢＣＴ１層では、メインアームＡ１２により温調モジュールＣＰＬ→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ→加熱モジュールＬＨＰ→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１２の経路で搬送されて、ウエハＷの表面に反射防止膜が形成される。
【００４８】
次いで受け渡しモジュールＴＲＳ１２のウエハＷは、受け渡しアームＤ１により受け渡しモジュールＴＲＳ１３に搬送され、ここからメインアームＡ１３によりＣＯＴ１層に受け取られる。ＣＯＴ１層では、メインアームＡ１３により温調モジュールＣＰＬ→塗布モジュールＣＯＴ→加熱モジュールＬＨＰ→周辺露光装置ＷＥＥ→受け渡しモジュールＴＲＳ１３の経路で搬送され、反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。
【００４９】
次いで受け渡しモジュールＴＲＳ１３のウエハＷは、受け渡しアームＤ１により受け渡しモジュールＴＲＳ１０に搬送され、ここからシャトルアームＧ１→受け渡しモジュールＴＲＳ２０→シャトルアームＧ２→受け渡しモジュールＴＲＳ３０→シャトルアームＧ３→受け渡しモジュールＴＲＳ４０の経路で搬送される。前記受け渡しモジュールＴＲＳ４０のウエハＷはインターフェイスアームＦにより露光装置Ｓ７に搬送され、所定の露光処理が行われる。
【００５０】
また第２の処理ブロックＳ２に搬送する場合については、受け渡しモジュールＴＲＳ１０のウエハＷは、シャトルアームＧ１により受け渡しモジュールＴＲＳ２０に搬送され、ここから受け渡しアームＤ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２２→ＢＣＴ２層のメインアームＡ２２→ＢＣＴ２層の経路で搬送されて、ここでウエハＷの表面に反射防止膜が形成される。ＢＣＴ２層内のウエハＷの搬送についてはＢＣＴ１層と同様である。
【００５１】
次いでウエハＷはメインアームＡ２２→受け渡しモジュールＴＲＳ２２→受け渡しアームＤ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２３→ＣＯＴ２層のメインアームＡ２３→ＣＯＴ２層の経路で搬送されて、ここで反射防止膜の表面にレジスト膜が形成される。ＣＯＴ２層内のウエハＷの搬送についてはＣＯＴ１層と同様である。
【００５２】
続いてウエハＷはメインアームＡ２３→受け渡しモジュールＴＲＳ２３→受け渡しアームＤ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２０→シャトルアームＧ２→受け渡しモジュールＴＲＳ３０→シャトルアームＧ３→受け渡しモジュールＴＲＳ４０→インターフェイスアームＦ→露光装置Ｓ７の経路にて搬送され、所定の露光処理が行われる。
【００５３】
さらに第３の処理ブロックＳ４に搬送する場合については、受け渡しモジュールＴＲＳ１０のウエハＷは、シャトルアームＧ１→受け渡しモジュールＴＲＳ２０→シャトルアームＧ２→受け渡しモジュールＴＲＳ３０の経路にて搬送され、ここから受け渡しアームＤ３→受け渡しモジュールＴＲＳ３２→ＢＣＴ３層のメインアームＡ３２→ＢＣＴ３層の経路で搬送されて、ここでウエハＷの表面に反射防止膜が形成される。ＢＣＴ３層内のウエハＷの搬送についてはＢＣＴ１層と同様である。
【００５４】
次いでウエハＷはメインアームＡ３２→受け渡しモジュールＴＲＳ３２→受け渡しアームＤ３→受け渡しモジュールＴＲＳ３３→ＣＯＴ３層のメインアームＡ３３→ＣＯＴ３層の経路で搬送されて、ここで反射防止膜の表面にレジスト膜が形成される。ＣＯＴ３層内のウエハＷの搬送についてはＣＯＴ１層と同様である。
【００５５】
続いてウエハＷはメインアームＡ３３→受け渡しモジュールＴＲＳ３３→受け渡しアームＤ３→受け渡しモジュールＴＲＳ３０→シャトルアームＧ３→受け渡しモジュールＴＲＳ４０→インターフェイスアームＦ→露光装置Ｓ７の経路にて搬送され、所定の露光処理が行われる。
【００５６】
続いて露光処理後のウエハＷの搬送経路について説明する。先ず第１の処理ブロックＳ２にて現像処理を行なう場合について説明すると、露光処理後のウエハＷはインターフェイスアームＦにより受け渡しモジュールＴＲＳ４０に搬送され、ここからシャトルアームＧ３→受け渡しモジュールＴＲＳ３０→シャトルアームＧ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２０→シャトルアームＧ１の経路を経て第１の処理ブロックＳ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１０に搬送される。そして受け渡しアームＤ１により受け渡しモジュールＴＲＳ１１に搬送され、ここからメインアームＡ１１によりＤＥＶ１層に受け取られる。
【００５７】
ＤＥＶ１層では、加熱モジュールＰＥＢ→冷却モジュールＣＯＬ→現像モジュールＤＥＶ→加熱モジュールＰＯＳＴ→温調モジュールＣＰＬ→棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１の経路で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは、前記受け渡しモジュールＴＲＳ１１を介してトランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００５８】
また第２の処理ブロックＳ３にて現像処理を行なう場合については、露光処理後のウエハＷはインターフェイスアームＦにより受け渡しモジュールＴＲＳ４０に搬送され、ここからシャトルアームＧ３→受け渡しモジュールＴＲＳ３０→シャトルアームＧ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２０→受け渡しアームＤ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２１の経路で搬送され、メインアームＡ２１によりＤＥＶ２層に受け取られる。ＤＥＶ２層ではＤＥＶ１層内と同様の経路にて所定のモジュールに搬送されて所定の現像処理が行われる。現像処理後のウエハＷは、受け渡しモジュールＴＲＳ２１→受け渡しアームＤ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２０→シャトルアームＧ１→受け渡しモジュールＴＲＳ１０の経路にて搬送され、ここからトランスファーアームＣによりキャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００５９】
また第３の処理ブロックＳ４にて現像処理を行なう場合については、露光処理後のウエハＷはインターフェイスアームＦにより受け渡しモジュールＴＲＳ４０に搬送され、ここからシャトルアームＧ３→受け渡しモジュールＴＲＳ３０→受け渡しアームＤ３→受け渡しモジュールＴＲＳ３１の経路で搬送され、メインアームＡ３１によりＤＥＶ３層に受け取られる。ＤＥＶ３層ではＤＥＶ１層内と同様の経路にて所定のモジュールに搬送され、所定の現像処理が行われる。現像処理後のウエハＷは、受け渡しモジュールＴＲＳ３１→受け渡しアームＤ３→受け渡しモジュールＴＲＳ３０→シャトルアームＧ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２０→シャトルアームＧ１→受け渡しモジュールＴＲＳ１０の経路にて搬送され、ここからトランスファーアームＣによりキャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００６０】
このようなレジストパターン形成装置では、スループットに応じた装置の設計が容易であり、要求されるスループットに容易に対応することができる。つまり同じ構成の処理ブロックを複数個接続して処理ステーションを構成することにより、高いスループットが要求される場合には、処理ブロックの数を増やし、スループットについてそれ程高い要求されない場合には処理ブロックの数を減らすというように、要求されるスループットを、前記接続する処理ブロックの個数を調整することにより確保しているので、スループットの変更に容易に対応することができる。
【００６１】
これにより要求されるスループットに応じて、液処理モジュール等の個数を増減したり、積層する単位ブロックの数を増減する場合に比べて、処理ブロック自体の設計の変更がないので、装置全体の設計が容易であると共に、同じ処理ブロックを製造することにより対応できるため装置の製造も容易となる。
【００６２】
この際、処理ブロックの各単位ブロックには、２個の液処理モジュールと、この液処理モジュールの個数に対応した個数の各種処理モジュールが組み込まれて構成され、３個の液処理モジュールを備えた従来の処理ブロックに比べて、１つの処理ブロックにおけるスループットは低くなるものの、処理ブロックの小型化を図っている。これは装置の占有面積の拡大を最小に抑えつつ、要求されるスループットに柔軟に対応するためであり、１つの処理ブロックを小型化してスループットに応じた個数の処理ブロックを接続することにより、スループットを確保しながら、装置のむやみな拡大を防いでいる。
【００６３】
さらに上述の構成では、処理を行う処理ブロックにウエハＷを搬送するときには、必ず一旦ウエハＷを入出力用受け渡し部に搬送し、ここから当該処理ブロックの各単位ブロックにウエハＷの搬送を行っている。このため複数の処理ブロックが接続された場合であっても、搬送プログラムの作成が容易となる。つまり夫々の処理ブロックＳ２〜Ｓ４では、キャリアブロックＳ１からのウエハＷは、塗布膜の形成処理が行われる処理ブロックＳ２（Ｓ３，Ｓ４）の入出力用受け渡し部をなす受け渡しモジュールＴＲＳ１０（ＴＲＳ２０，ＴＲＳ３０）に受け渡され、ここを基点としてＢＣＴ１層（ＢＣＴ２層，ＢＣＴ３層）に受け渡されて、夫々の処理ブロックＳ２〜Ｓ４においてＣＯ１Ｔ層（ＣＯＴ２層，ＣＯＴ３層）に搬送されて、レジスト膜が形成される。
【００６４】
そしてレジスト膜が形成されたウエハＷは再び夫々の処理ブロックＳ２〜Ｓ４の入出力用受け渡し部をなす受け渡しモジュールＴＲＳ１０（ＴＲＳ２０，ＴＲＳ３０）に戻され、ここからシャトルアームＧ１〜Ｇ３により受け渡しモジュールＴＲＳ４０まで搬送される。露光処理後のウエハＷについても、シャトルアームＧ１〜Ｇ３により現像処理が行われる処理ブロックＳ２（Ｓ３，Ｓ４）の入出力用受け渡し部をなす受け渡しモジュールＴＲＳ１０（ＴＲＳ２０，ＴＲＳ３０）に一旦戻され、ここからＤＥＶ１層（ＤＥＶ２層，ＤＥＶ３層）に搬送している。
【００６５】
このように各処理ブロックＳ２〜Ｓ４においては、キャリアブロックＳ１又はインターフェイスブロックＳ６との間でウエハＷの受け渡しを行なうときは、必ず入出力用受け渡し部（受け渡しモジュールＴＲＳ１０，ＴＲＳ２０，ＴＲＳ３０）にウエハＷを搬送し、ここを基点として各々の処理ブロックＳ２〜Ｓ４の所定の単位ブロックに搬送される。そして夫々の処理ブロックＳ２〜Ｓ４は同じ構成であり、各処理ブロック内におけるウエハＷの搬送経路も同じである。
【００６６】
従って夫々の処理ブロックＳ２〜Ｓ４では、入出力用受け渡し部（受け渡しモジュールＴＲＳ１０，ＴＲＳ２０，ＴＲＳ３０）にウエハＷを搬送するまでの搬送経路がどのシャトルアームＧ１〜Ｇ３を利用するによって多少異なるが、前記入出力用受け渡し部にウエハＷを搬送してからの夫々の処理ブロックＳ２〜Ｓ４内の搬送経路は同じであることから、搬送プログラムの作成が容易となる。また一旦各処理ブロックＳ２〜Ｓ４に搬送されてからは、夫々の処理ブロックＳ２〜Ｓ４において互いに独立して処理が行われるので、この点からも搬送プログラムの作成が容易となる。さらに互いに隣接する処理ブロックとの間でのウエハＷの受け渡しは前記入出力用受け渡し部を介して行われ、この入出力用受け渡し部はシャトルアームＧ１〜Ｇ３でのみアクセスされ、他の処理ブロックのメインアームとは関係なく他の処理ブロックの入出力用受け渡し部との間でウエハＷの受け渡しを行なうことができるので、この点からも搬送プログラムの作成が容易となる。
【００６７】
続いて本発明の他の実施の形態について図８及び図９を用いて説明する。この実施の形態の装置が上述の装置と異なる点は、各処理ブロックＳ２〜Ｓ４の上層側にさらにシャトルアームＧ１１〜Ｇ３１を設け、各処理ブロックＳ２〜Ｓ４にこのシャトルアームＧ１１〜Ｇ３１専用の受け渡しモジュールＴＲＳ１４〜ＴＲＳ３４を設けると共に、受け渡しブロックＳ５にもシャトルアームＧ３１の受け渡しモジュールＴＲＳ４１と、この受け渡しモジュールＴＲＳ４１と受け渡しモジュールＴＲＳ４０との間でウエハＷの受け渡しを行なう受け渡しアームＥを設けた点である。前記受け渡しモジュールＴＲＳ１４〜ＴＲＳ３４は夫々、各々の処理ブロックＳ２〜Ｓ４の受け渡しアームＤ１〜Ｄ３によりウエハＷの受け渡しを行うように構成され、前記受け渡しアームＥは、上述の受け渡しアームＤ１〜Ｄ３と同様に進退自在、昇降自在に構成されている。この例ではシャトルアームＧ１１〜Ｇ３１は直通搬送手段、シャトルアームＧ１１〜Ｇ３１専用の受け渡しモジュールＴＲＳ１４〜ＴＲＳ３４は入出力用受け渡し部に夫々相当する。
【００６８】
このような装置におけるウエハＷの搬送経路について図９を用いて説明すると、外部からキャリアブロックＳ１に搬入されたキャリア２０内のウエハＷは、トランスファーアームＣにより棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１０に受け渡される。そしてここから第１の処理ブロックＳ２、第２の処理ブロックＳ３、第３の処理ブロックＳ３に振り分けて搬送される。先ず第１の処理ブロックＳ２に搬送する場合については、受け渡しモジュールＴＲＳ１０のウエハＷは、受け渡しアームＤ１→受け渡しモジュールＴＲＳ１２→ＢＣＴ１層のメインアーム１２→ＢＣＴ１層→受け渡しモジュールＴＲＳ１２→受け渡しアームＤ１→受け渡しモジュールＴＲＳ１３→ＣＯＴ１層のメインアームＡ１３→ＣＯＴ１層→受け渡しモジュールＴＲＳ１３→受け渡しアームＤ１→受け渡しモジュールＴＲＳ１４→シャトルアームＧ１１→受け渡しモジュールＴＲＳ２４→シャトルアームＧ２１→受け渡しモジュールＴＲＳ３４→シャトルアームＧ３１→受け渡しモジュールＴＲＳ４１→受け渡しアームＥ→受け渡しモジュールＴＲＳ４０→インターフェイスアームＦ→露光装置Ｓ７の経路にて搬送される。
【００６９】
また第２の処理ブロックＳ２に搬送する場合については、受け渡しモジュールＴＲＳ１０のウエハＷは、シャトルアームＧ１→受け渡しモジュールＴＲＳ２０→受け渡しアームＤ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２２→ＢＣＴ２層のメインアームＡ２２→ＢＣＴ２層→受け渡しモジュールＴＲＳ２２→受け渡しアームＤ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２３→ＣＯＴ２層のメインアームＡ２３→ＣＯＴ２層→受け渡しモジュールＴＲＳ２３→受け渡しアームＤ２→受け渡しモジュールＴＲＳ２４→シャトルアームＧ２１→受け渡しモジュールＴＲＳ３４→シャトルアームＧ３１→受け渡しモジュールＴＲＳ４１→受け渡しアームＥ→受け渡しモジュールＴＲＳ４０→インターフェイスアームＦ→露光装置Ｓ７の経路にて搬送される。
【００７０】
さらに第３の処理ブロックＳ４に搬送する場合については、受け渡しモジュールＴＲＳ１０のウエハＷは、シャトルアームＧ１→受け渡しモジュールＴＲＳ２０→シャトルアームＧ２→受け渡しモジュールＴＲＳ３０→受け渡しアームＤ３→受け渡しモジュールＴＲＳ３２→ＢＣＴ３層のメインアームＡ３２→ＢＣＴ３層→受け渡しモジュールＴＲＳ３２→受け渡しアームＤ３→受け渡しモジュールＴＲＳ３３→ＣＯＴ３層のメインアームＡ３３→ＣＯＴ３層→受け渡しモジュールＴＲＳ３３→受け渡しアームＤ３→受け渡しモジュールＴＲＳ３４→シャトルアームＧ３１→受け渡しモジュールＴＲＳ４１→受け渡しアームＥ→受け渡しモジュールＴＲＳ４０→インターフェイスアームＦ→露光装置Ｓ７の経路にて搬送される。露光処理後のウエハＷの搬送経路については、上述の装置と同様である。
【００７１】
このようなレジストパターン形成装置では、上述の装置と同様にスループットに応じた装置の設計や製造が容易であり、要求されるスループットに容易に対応することができ、また搬送プログラムの作成が容易である。さらにキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ６にウエハＷを搬送する際には往路用のシャトルアームＧ１１〜Ｇ３１、インターフェイスブロックＳ６からキャリアブロックＳ１にウエハＷを搬送する際には復路用のシャトルアームＧ１〜Ｇ３を用いているので、１基のシャトルアームの負担が軽減され、さらにスループットを高めることができる。
以上において本発明では、塗布膜としてレジスト膜のみを形成する場合や、レジスト膜の上に反射防止膜を形成する場合にも適用できる。ここでレジスト膜の上に反射防止膜を形成する場合には、この反射防止膜形成用の単位ブロックを設ける必要があるが、この単位ブロックは、上述のレジスト膜の下に形成される反射防止膜を形成するための単位ブロックと同様に構成されている。さらに本発明は、塗布膜として、レジスト膜と、レジスト膜の上下に反射防止膜を形成する場合にも適用でき、この場合には現像処理用の単位ブロックと、レジスト膜形成用の単位ブロックと、レジスト膜の下方側の反射防止膜形成用の単位ブロックと、レジスト膜の上方側の反射防止膜形成用の単位ブロックと、を互いに積層して処理ブロックが構成される。さらに本発明では、処理ブロックに塗布膜形成用の単位ブロックと現像処理用の単位ブロックが含まれていれば、夫々の積層順は自由に設定できる。
さらにまた棚ユニットＵ１２，Ｕ２２，Ｕ３２に設けられる処理モジュールとしては、上述の例とは別の他のモジュールを設けるようにしてもよい。また棚ユニットＵ１１，Ｕ２１，Ｕ３１に設けられる受け渡し部としては、受け渡しモジュールの数を多くするようにしてもよいし、温調機構を受け渡し部とを兼用するタイプの構成のモジュールを設けるようにしてもよい。さらに棚ユニットＵ１１１，Ｕ１２，Ｕ２１，Ｕ２２，Ｕ３１，Ｕ３２には、疎水化処理を行なうモジュールを設けるようにしてもよいし、塗布膜の膜厚の検査やウエハＷの反り量の検査を行なう検査ユニットを設けるようにしてもよい。
【００７２】
さらにまた本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。
【図４】前記塗布、現像装置におけるＣＯＴ１層の単位ブロックを示す斜視図である。
【図５】前記ＣＯＴ１層の単位ブロックを示す平面図である。
【図６】前記塗布、現像装置におけるＤＥＶ１層の単位ブロックを示す斜視図である。
【図７】前記塗布、現像装置におけるウエハＷの搬送経路を説明するための側面図である。
【図８】前記塗布、現像装置における他の実施の形態を示す側面図である。
【図９】前記塗布、現像装置におけるウエハＷの搬送経路を説明するための側面図である。
【図１０】従来の塗布、現像装置を示す側面図である。
【符号の説明】
【００７４】
Ｗ          半導体ウエハ
２０        キャリア
Ｓ１        キャリアブロック
Ｓ２        第１の処理ブロック
Ｓ３        第２の処理ブロック
Ｓ４        第３の処理ブロック
Ｓ５        受け渡しブロック
Ｓ６        インターフェイスブロック
Ｓ７        露光装置
Ａ１１〜Ａ３３  メインアーム
Ｃ          トランファーアーム
Ｄ１        第１の受け渡しアーム
Ｄ２        第２の受け渡しアーム
Ｅ          受け渡しアーム
Ｇ１〜Ｇ３，Ｇ１１〜Ｇ３１  シャトルアーム
Ｆ          インターフェイスアーム
１００      制御部
【図１】
2008258209.tif 000003
【図２】
2008258209.tif 000004
【図３】
2008258209.tif 000005
【図４】
2008258209.tif 000006
【図５】
2008258209.tif 000007
【図６】
2008258209.tif 000008
【図７】
2008258209.tif 000009
【図８】
2008258209.tif 000010
【図９】
2008258209.tif 000011
【図１０】
2008258209.tif 000012