(57)【要約】      （修正有）【課題】パッケージ工程における特性変化の抑制や、トリミングを安価に達成できる半導体装置を提供する。【解決手段】透明な絶縁支持基板１０１上に、センサ領域とセンサ特性を調整するためのレーザートリミング用フューズ領域とを有するセンサＩＣ２０１を設置した半導体装置において、センサＩＣは、センサ領域３０１やフューズ領域３０２が形成された主面を絶縁支持基板側に向けて配置して絶縁支持基板側からのレーザートリミングを可能にした。絶縁支持基板とセンサＩＣとは、センサ領域とフューズ領域を除く領域においてスペーサー層１０１にて接合し、絶縁支持基板とセンサ領域、あるいは絶縁支持基板とフューズ領域との間には空隙１２０ａ，１２０ｂを有するようにしてモールド樹脂４０１からの応力伝播を緩和した。【選択図】図１
2008300375.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過可能な絶縁支持基板上に、少なくともセンサ領域とセンサ特性を調整するためのレーザートリミング用フューズ領域とを有するセンサＩＣを設置した半導体装置において、前記センサＩＣは、前記センサ領域や前記フューズ領域が形成された主面を前記絶縁支持基板側に向けて配置され、前記絶縁支持基板と前記センサ領域、あるいは前記絶縁支持基板と前記フューズ領域との間には空隙を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁支持基板と前記センサＩＣとは、前記センサ領域と前記フューズ領域を除く領域においてスペーサー層にて接合していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁支持基板と前記センサ領域間の空隙と、前記絶縁支持基板と前記フューズ領域との間の空隙は、前記スペーサー層により分離されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記センサＩＣはホールセンサＩＣであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記センサＩＣは、ＭＯＳ型トランジスタを含み、前記フューズ領域と前記ＭＯＳ型トランジスタのゲート領域とは同一の材料で形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記スペーサー層は接着剤あるいはペーストから成ることを特徴とする請求項２あるいは３に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ホールセンサなどのセンサＩＣを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ホールセンサＩＣなどのセンサＩＣは一般によく知られており、幅広い用途に使用されている。従来の半導体装置の例を以下簡単に説明する。
【０００３】
図２は、従来のセンサＩＣによる半導体装置を示す模式的断面図である。
【０００４】
絶縁支持基板１０１上に、センサ領域３０１を有するセンサＩＣ２０１が設置され、図示しないが外部との電気的接続用の電極が多数形成されている。そしてセンサＩＣ２０１は、パッケージ用のモールド樹脂４０１によって覆われている。
【０００５】
ここで、ＩＣチップをモールド樹脂によってパッケージすると、樹脂によるＩＣチップへの応力発生に基づくピエゾ効果のために抵抗値が変動する現象が知られている。従って、パッケージ工程以前にＩＣ特性を精密に調整してもパッケージ後の特性変動により期待される特性が得られないという問題があり、要求される精度が厳しくなるほど、この問題は顕著になる。
【０００６】
この問題を解決するために、トリミング用電極をＩＣのパッケージリードに接続しておき、パッケージング後に電気的にトリミングするという方法もある。特にツェナダイオードを電気的に短絡させ、それにより抵抗値の調整を行うことでＩＣ特性のトリミングを行うツエナザッピングと呼ばれる方法がよく知られている。
【０００７】
外部に取り出した電極にプローブを接触させて、ツェナダイオードにその降伏電圧以上の電圧を印加することにより、ツェナダイオードを破壊、短絡させ、抵抗値を調整するものであり、外部への取り出し端子数を少なくする工夫をした例も提案されている。（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平７−２０２１２２（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述のようにＩＣチップをモールド樹脂によってパッケージした際の樹脂によるＩＣチップへの応力発生に基づくピエゾ効果によるＩＣ特性が変動してしまうという問題を市場の要求に合わせて解決することは容易ではなく、その解決を目指したツェナザッピンング法や、さらに同法において外部に取り出す電極を減らす工夫もなされているものの、外部への電極の取り出しが必要であり、近年のＩＣの高精度化、小型化の要求から、パッケージ工程における特性変化の抑制や、パッケージ工程後のより高精度な特性調整（トリミング）を安価に達成できる半導体装置がさらに強く望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明は半導体装置を以下のように構成した。
【００１０】
光透過可能な透明な絶縁支持基板上に、少なくともセンサ領域とセンサ特性を調整するためのレーザートリミング用フューズ領域とを有するセンサＩＣを設置した半導体装置において、センサＩＣは、センサ領域やフューズ領域が形成された主面を絶縁支持基板側に向けて配置して、前記絶縁支持基板と前記センサ領域、あるいは前記絶縁支持基板と前記フューズ領域との間には空隙を有する半導体装置とし、絶縁支持基板側からレーザートリミング用のレーザー光を照射できるようにした。これによって外部端子を増加することなく、より小型なパッケージを用いながらも精細な特性の調整（トリミング）を行うことが可能になった。
【００１１】
また、絶縁支持基板とセンサＩＣとは、センサ領域とフューズ領域を除く領域において接着剤層にて接合しており、絶縁支持基板とセンサ領域、あるいは絶縁支持基板とフューズ領域との間には空隙を有するようにして、パッケージからの応力伝播を緩和するようにした。
【００１２】
また、絶縁支持基板とセンサ領域間の空隙と、絶縁支持基板とフューズ領域との間の空隙は接着剤層により分離されるようにして、レーザートリミング時の溶融物がセンサ領域に付着することや、ＩＣチップの剥離が起きたりすることを防止するようにした。
【００１３】
また、センサＩＣはホールセンサＩＣであるようにした。
【００１４】
さらにセンサＩＣは、ＭＯＳ型トランジスタを含み、フューズ領域とＭＯＳ型トランジスタのゲート領域とは同一の材料で形成されるようにして、ＩＣ製造工程の簡略化を図った。
【００１５】
これらの手段によって、安価で小さなパッケージを有し、高精度な特性の調整（トリミング）が可能な半導体装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、光透過可能な透明な絶縁支持基板上に、少なくともセンサ領域とセンサ特性を調整するためのレーザートリミング用フューズ領域とを有するセンサＩＣを設置した半導体装置において、センサＩＣをセンサ領域やフューズ領域が形成された主面を絶縁支持基板側に向けて配置して、前記絶縁支持基板と前記センサ領域、あるいは前記絶縁支持基板と前記フューズ領域との間には空隙を有するようにしたことで、絶縁支持基板側からレーザートリミング用のレーザー光を照射できるようにした。これによって外部端子を増加することなく、より小型なパッケージを用いながらも精細な特性の調整（トリミング）を行うことが可能になった。
【００１７】
これらの手段によって、安価で小さなパッケージを有し、高精度な特性の調整（トリミング）が可能な半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
【実施例１】
【００１９】
図１は本発明の半導体装置の一実施例を示す模式的断面図である。
【００２０】
レーザー光の透過可能な透明な絶縁支持基板１０１上に、少なくともセンサ領域３０１とセンサ特性を調整するためのレーザートリミング用フューズ領域３０２とを有するセンサＩＣ２０１が、センサ領域３０１やフューズ領域３０２の形成された主面を絶縁支持基板１０１側に向けて配置されている。このような構成とすることで、パッケージ工程の後に透明な絶縁基板１０１側からレーザートリミング用のレーザー光をフューズ領域３０２に照射して、フューズ領域３０２に配置されたフューズを選択的に切断することでトリミングを行うことができる。これによって外部端子を増加することなく、より小型なパッケージを用いながらも精度の高い調整をトリミングにより行うことが可能になる。
【００２１】
そして、センサＩＣ２０１の上部にはパッケージ用のモールド樹脂４０１が形成されている。
【００２２】
ここで、絶縁支持基板１０１とセンサＩＣ２０１とは、センサ領域３０１とフューズ領域３０２を除く領域においてスペーサー層１１０によって接合しており、絶縁支持基板１０１とセンサ領域３０１、あるいは絶縁支持基板１０１とフューズ領域３０２との間には空隙１２０ａ、１２０ｂを有する構造をとることによってパッケージ用のモールド樹脂４０１からの応力伝播を緩和できるようにしている。
【００２３】
さらに、絶縁支持基板１０１とセンサ領域３０１間の空隙１２０ａと、絶縁支持基板１０１とフューズ領域３０２との間の空隙１２０ｂとは、互いにスペーサー層１１０により分離されており、レーザートリミング時のフューズの溶融物などがセンサ領域３０１に付着して特性を変化させてしまうことや、センサＩＣ２０１の剥離が起きたりすることを防止するようにしている。
【００２４】
スペーサー層１１０は絶縁体でも導体でもよく、上の面でセンサＩＣ２０１と接合し、下の面で絶縁支持基板１０１と接合している。接合には接着剤あるいはペーストを用いることも可能である。また、スペーサー層１１０全体を接着剤あるいはペーストで形成しても良い。スペーサー層１１０からセンサＩＣ２０１に加わる応力は小さいことが好ましい。
【００２５】
ここで、図１の例では、センサＩＣ２０１はホールセンサＩＣであることを想定しているが、他のセンサＩＣであっても構わない。
【００２６】
さらに図示しないが、センサＩＣ２０１は、ＭＯＳ型トランジスタを含んでいる場合も考えられるが、その際、フューズ領域３０２とＭＯＳ型トランジスタのゲート領域とを同一の材料（例えばポリシリコン薄膜）で形成するようにすれば、ＩＣ製造工程の特別な増加が無く、製造コストの増加を抑えることができる。
【００２７】
以上の説明のとおり、本発明によって安価で小さなパッケージを有し、高精度な特性の調整（トリミング）が可能な半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の半導体装置の一実施例を示す模式的断面図である。
【図２】従来のセンサＩＣによる半導体装置を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００２９】
１０１  絶縁支持基板
１１０  スペーサー層
１２０ａ、１２０ｂ  空隙
２０１  センサＩＣ
３０１  センサ領域
３０２  フューズ領域
４０１  モールド樹脂
【図１】
2008300375.tif 000003
【図２】
2008300375.tif 000004