(57)【要約】【課題】絶縁層の吸湿を抑制し、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】金属ベースと、前記金属ベースの上面に配置された絶縁層と、前記絶縁層の上面に配置された、電極を少なくとも含む電子部品とが熱可塑性樹脂で封止された半導体装置において、前記絶縁層の側面が、前記金属ベース又はコーティング樹脂膜で覆われていることを特徴とする半導体装置とする。また、金属ベースと、前記金属ベースの上面に配置された絶縁層と、前記絶縁層の上面に配置された、電極を少なくとも含む電子部品とが熱可塑性樹脂で封止された半導体装置の製造方法において、前記絶縁層を介して前記電極が配置された前記金属ベースを、前記金属ベース側から製品サイズに打抜き加工する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ベースと、前記金属ベースの上面に配置された絶縁層と、前記絶縁層の上面に配置された、電極を少なくとも含む電子部品とが熱可塑性樹脂で封止された半導体装置において、
前記絶縁層の側面が、前記金属ベース又はコーティング樹脂膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記電子部品が配置されていない前記絶縁層の上面が、コーティング樹脂膜で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記コーティング樹脂膜が、エポキシ樹脂膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁層は、窒化アルミニウムが樹脂中に分散された熱伝導性樹脂シートであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記熱伝導性樹脂シートにおける窒化アルミニウムの充填率が５体積％以上であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
金属ベースと、前記金属ベースの上面に配置された絶縁層と、前記絶縁層の上面に配置された、電極を少なくとも含む電子部品とが熱可塑性樹脂で封止された半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層を介して前記電極が配置された前記金属ベースを、前記金属ベース側から製品サイズに打抜き加工する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関するものであり、特に、電力変換や電力制御等に使用される半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置は、金属ベースと電極を含む各種電子部品とを熱伝導性樹脂シート等の絶縁層で絶縁し、且つこれらの部品全体を封止樹脂で封止した構造を有している（例えば、特許文献１及び２参照）。かかる半導体装置における封止樹脂としては、金属ベース、電子部品及び絶縁層との接着力に優れたエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が主に使用されている。
しかしながら、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を使用する封止プロセスでは、金型の寸法精度や樹脂硬化のための後工程等が要求されるので、コストがかかるという問題があった。
【０００３】
そこで、かかる問題を解決するために、封止樹脂としてＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）等の熱可塑性樹脂を使用することが知られている。
しかしながら、かかる熱可塑性樹脂は、金属ベース、絶縁層及び電子部品との接着力が弱いため、ヒートサイクル等の熱履歴による応力で剥離し、金属ベース、絶縁層及び電子部品と熱可塑性樹脂との界面から絶縁層への吸湿が起こる。そうすると、絶縁耐圧や部分放電開始電圧が低下したり、熱抵抗が増大し、半導体装置の信頼性が低下してしまう。さらに、配線材料としてアルミニウム配線等を用いる場合には、絶縁層の吸湿に伴う絶縁層の加水分解で生じる塩素イオンによってアルミニウム配線が腐食してしまう。
そこで、絶縁層の吸湿を抑制するため、図９に示すように、金属ベース１と、絶縁層２と、電極３を含む電子部品とを熱可塑性樹脂７で封止する前に、エポキシ樹脂等の接着力の大きな樹脂からなるコーティング樹脂膜８を電子部品が配置されていない絶縁層２の上面に設けることが知られている。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１２９８２２号公報
【特許文献２】特開２００１−１９６４９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の方法では、コーティング樹脂膜８によって絶縁層２の上面からの吸湿を抑制することができるものの、絶縁層２の側面からの吸湿を抑制することができない。そのため、絶縁層２の側面から吸湿が起こり、半導体装置の信頼性が低下するという問題があった。
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、絶縁層の側面からの吸湿を抑制し、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、金属ベースと、前記金属ベースの上面に配置された絶縁層と、前記絶縁層の上面に配置された、電極を少なくとも含む電子部品とが熱可塑性樹脂で封止された半導体装置において、前記絶縁層の側面が、前記金属ベース又はコーティング樹脂膜で覆われていることを特徴とする半導体装置である。
また、本発明は、金属ベースと、前記金属ベースの上面に配置された絶縁層と、前記絶縁層の上面に配置された、電極を少なくとも含む電子部品とが熱可塑性樹脂で封止された半導体装置の製造方法において、前記絶縁層を介して前記電極が配置された前記金属ベースを、前記金属ベース側から製品サイズに打抜き加工する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、絶縁層の側面からの吸湿を抑制し、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
実施の形態１．
図１は、本実施の形態１における半導体装置の断面図である。図１において、本実施の形態１の半導体装置１００は、金属ベース１と、金属ベース１の上面に配置され、且つ側面が金属ベース１で覆われている絶縁層２と、絶縁層２の上面に配置された電子部品と、金属ベース１、絶縁層２及び電子部品を封止する熱可塑性樹脂７とから構成されている。ここで、電子部品は、電極３と、電極３の上面に半田付けされたチップ４及び端子５と、チップ４同士及び電極３とチップ４との間を接続するボンディングワイヤ６とを含む。
【０００９】
金属ベース１としては、従来の半導体装置に使用可能なものであれば特に限定されることはなく、例えば、金属板や金属箔等を使用することができる。
絶縁層２としては、従来の半導体装置に使用可能なものであれば特に限定されることはなく、例えば、従来公知の熱伝導性樹脂シートや、ＦＲ−４等のプリプレグを用いることができる。
熱伝導性樹脂シートは、放熱性に優れているものが好ましく、例えば、樹脂中に無機充填剤が分散されたシートであることが好ましい。樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を単独又は組み合わせて用いることができる。また、無機充填剤としては、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等を単独又は組み合わせて用いることができる。中でも、無機充填剤として、熱伝導率は高いが、吸湿して加水分解しやすい窒化アルミニウムを用いる場合に、絶縁層２の吸湿抑制効果が大きい。熱伝導性樹脂シートにおける無機充填剤の充填率は、５体積%以上であることが好ましく、３０体積％以上８０体積％以下であることがより好ましい。５体積％未満であると、所望の放熱性が得られないことがある。
【００１０】
電子部品は、少なくとも電極３を含む。また、かかる電子部品は、従来の半導体装置に使用可能な部品を含むことができ、例えば、チップ４、端子５及びボンディングワイヤ６や、従来公知の各種素子や制御回路等を含むことができる。絶縁層２の上面における各種部品の位置関係も特に制限されることはなく、用途等にあわせて適宜設定することができる。
熱可塑性樹脂７としては、封止樹脂として使用可能なものであれば特に限定されることはなく、例えば、ポリフェニレンサルファイドや不飽和ポリエステル等を単独又は組み合わせて用いることができる。
【００１１】
次に、本実施の形態１における半導体装置１００の製造方法について図２を用いて説明する。
まず、金属ベース１となる金属ベース用金属板１１と電極３となる電極用金属板１３の間に、絶縁層２となる熱伝導性樹脂シート又はプリプレグ１２を挟み込み、真空プレス装置を用いて真空下でホットプレスを行う。
ここで、ホットプレスの際の圧力は、熱伝導性樹脂シート又はプリプレグ１２が、金属ベース用金属板１１及び電極用金属板１３に接着し、且つボイドが生じない程度とする必要がある。具体的には、ホットプレスの際の圧力は、絶縁層２となる材料の種類によって異なるが、例えば、ＦＲ−４等のプリプレグを用いる場合には、３０ｋｇ／ｃｍ２程度とすることが好ましい。また、熱伝導性樹脂シートを用いる場合のホットプレスの際の圧力は、無機充填剤の充填率によって異なるが、無機充填剤の充填率が高い熱電導性樹脂シートであれば、５０〜２００ｋｇ／ｃｍ２程度とすることが好ましい。また、ホットプレスの際の加熱温度や時間も、プリプレグ又は熱伝導性樹脂シート１２が十分硬化する条件で行う必要がある。具体的には、ホットプレスの際の加熱温度や時間は、絶縁層２となる材料の種類によって異なるが、例えば、１８０℃で２時間程度とすることが好ましい。なお、金属ベース用金属板１１及び電極用金属板１３は、熱伝導性樹脂シート又はプリプレグ１２との接着性を向上させるために、エッチングによる処理（例えば、ＣＺ処理、ネオブラウン処理）や黒化処理等を行ってもよい。
【００１２】
次に、電極３となる電極用金属板１３上に所望の電極パターンをエッチングにより形成して電極３を作製する。次に、金属ベース１側から所望の基板形状（製品サイズ）に打抜く。こうすることにより、金属の延性により絶縁層２側に金属ベース１の延びが発生し、金属ベース１のバリ形状によって絶縁層２の側面が覆われる。例えば、２５０×２５０ｍｍの打抜き前の基板から５０×５０ｍｍの基板を打抜く場合には、金属ベース１のバリ形状によって絶縁層２の側面が覆われた１６個の５０×５０ｍｍの基板を得ることができる。打抜きを絶縁層２側から行うと、絶縁層２の側面を金属ベース１で覆うことができない。さらに、金属ベース１の底部に打抜きの際のバリが生じてしまい、例えば、図８のように半導体装置をフィン１０にグリース９で取り付けて使用する場合には、バリによって接触熱抵抗が大きくなる。
ここで、打抜き加工には、油圧プレスやピンクラッチプレス等を用いることができる。また、打抜きの際の刃の摩耗を抑制する観点から、絶縁層２を構成する熱伝導性樹脂シート中の無機充填剤を、アルミナ、窒化アルミニウム及び窒化珪素等のような硬い無機充填剤よりも、窒化ホウ素等の比較的柔らかい無機充填剤とすることが好ましい。ただし、これらの無機充填剤の種類によって打抜きの際の金属ベース１の形状が変化することはない。
【００１３】
次に、打抜き基板の電極３の上面に各種電子部品を配置する。例えば、電極３の所定の部分（具体的には、チップ４、端子５及びボンディングワイヤ６等が配置される部分）以外の電極３の上面にソルダーレジストを塗布した後、電極３の所定の部分上にチップ４及び端子５を半田付けし、チップ４同士及び電極３とチップ４との間をボンディングワイヤ６で接続する（かかる工程については図示していない）。なお、ソルダーレジストは、絶縁層２の上面にも塗布することが可能である。ここで、ソルダーレジスト及びその塗布方法は、特に限定されることはなく、公知の材料及び方法を用いることができる。
なお、ソルダーレジストを塗布した後、一定の期間保管する場合には、金属表面の酸化を防止するために、耐熱プリフラックス処理を施すことも可能である。かかる耐熱プリフラックス処理に使用する材料及び方法も特に限定されることはなく、従来公知の材料及び方法を用いることができる。
【００１４】
次に、各種電子部品が配置された打抜き基板を射出成形用の金型に配置した後、熱可塑性樹脂７を射出成形することにより当該基板を封止する。射出成形の方法は、特に限定されることはなく、公知の方法を用いて行うことができる。
このようにして得られる本実施の形態１の半導体装置１００は、絶縁層２の側面が金属ベース１で覆われており、絶縁層２の側面からの吸湿を抑制することができるので、信頼性が高くなる。
【００１５】
実施の形態２．
図３は、本実施の形態２における半導体装置の断面図である。図２において、本実施の形態２の半導体装置２００は、電子部品が配置されていない絶縁層２の上面にコーティング樹脂膜８が形成されていることを除けば、本実施の形態１の半導体装置１００と同じ構成を有している。
コーティング樹脂膜８はコーティング樹脂の硬化膜である。かかるコーティング樹脂としては、金属ベース１、絶縁層２及び電子部品との接着性に優れた樹脂であれば特に限定されることはない。かかるコーティング樹脂としては、エポキシ樹脂やポリイミド等の熱硬化性樹脂を単独又は組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ヒートサイクル時の接着性にも優れるエポキシ樹脂が好ましい。
【００１６】
かかるコーティング樹脂膜８は、本実施の形態１における半導体装置１００の製造方法において、所望の基板形状（製品サイズ）に打ち抜いた後、コーティング樹脂を絶縁層２の上面にポッティングし、加熱して硬化させることによって形成することができる。ここで、加熱温度及び時間は、使用するコーティング樹脂の種類にあわせて適宜設定すればよい。また、ポッティングの他に、スクリーン印刷、ディップコーティング、スプレーコーティング、カーテンコート等の方法によってコーティング樹脂膜８を形成することもできる。さらに、コーティング樹脂としてソルダーレジストにも使用可能な材料を用いれば、ソルダーレジストを塗布する工程を減らすことができ、製造効率及びコストの面で有利となる。
【００１７】
なお、半導体装置２００のそれ以外の製造工程は、半導体装置１００の製造工程と同じである。
このようにして得られる本実施の形態２の半導体装置２００は、電子部品が配置されていない絶縁層２の上面がコーティング樹脂膜８で覆われると共に、絶縁層２の側面が金属ベース１で覆われており、絶縁層２の上面及び側面からの吸湿を抑制することができるので、信頼性がより高くなる。
【００１８】
実施の形態３．
図４は、本実施の形態３における半導体装置の断面図である。図４において、本実施の形態３の半導体装置３００は、金属ベース１と、金属ベース１の上面に配置された絶縁層２と、絶縁層２の上面に配置された電子部品と、電子部品が配置されていない絶縁層２の上面及び絶縁層２の側面を被覆するコーティング樹脂膜８と、金属ベース１、電子部品及びコーティング樹脂膜８を封止する熱可塑性樹脂７とから構成されている。ここで、電子部品は、電極３と、電極３の上面に半田付けされたチップ４及び端子５と、チップ４同士及び電極３とチップ４との間を接続するボンディングワイヤ６とを含む。
なお、本実施の形態３の半導体装置３００を構成する各部品は、本実施の形態１及び２と同じものを用いることができる。
【００１９】
本実施の形態３の半導体装置３００は、金属ベース用金属板１１よりも小さいサイズの熱伝導性樹脂シート又はプリプレグ１２を金属ベース用金属板１１の上面に積層した後、その上に電極用金属板１３を積層してホットプレスすること、並びに打抜き加工を行わないこと以外は本実施の形態２と同様の方法を用いることによって製造することができる。
このようにして得られる本実施の形態３の半導体装置３００は、金属ベース１上に、金属ベース１よりも小さいサイズの絶縁層２を配置することで、電子部品を配置していない絶縁層２の上面だけでなく、絶縁層２の側面にもコーティング樹脂膜８を形成することができる。これにより、本実施の形態３の半導体装置３００は、絶縁層２の上面及び側面からの吸湿を抑制することができるので、信頼性がより高くなる。また、本実施の形態３の半導体装置３００の製造方法は、製品サイズで半導体装置を製造する場合に使用することができ、打抜き加工を行う必要がなく、容易に製造することができる点で有用である。
【００２０】
実施の形態４．
図５は、本実施の形態４における半導体装置の断面図である。図５において、本実施の形態４の半導体装置４００は、上面に凹部を有する金属ベース１と、金属ベース１の凹部に収容され、且つ側面が金属ベース１で覆われている絶縁層２と、絶縁層２の上面に配置された電子部品と、電子部品が配置されていない絶縁層２の上面を被覆するコーティング樹脂膜８と、金属ベース１、電子部品及びコーティング樹脂膜８を封止する熱可塑性樹脂７とから構成されている。ここで、電子部品は、電極３と、電極３の上面に半田付けされたチップ４及び端子５と、チップ４同士及び電極３とチップ４との間を接続するボンディングワイヤ６とを含む。
なお、本実施の形態４の半導体装置４００を構成する各部品は、本実施の形態１〜３と同じものを用いることができる。
【００２１】
本実施の形態４の半導体装置４００は、金属ベース用金属板１１の上面に凹部を形成し、当該凹部に対応する大きさの熱伝導性樹脂シート又はプリプレグ１２を当該凹部に嵌め込んだ後、その上に電極用金属板１３を積層してホットプレスすること、並びに打抜き加工を行わないこと以外は本実施の形態２と同様の方法を用いることによって製造することができる。
このようにして得られる本実施の形態４の半導体装置４００は、絶縁層２の側面が金属ベース１で覆われると共に、絶縁層２の上面がコーティング樹脂膜８で覆われているので、絶縁層２の上面及び側面からの吸湿を抑制することができ、信頼性がより高くなる。また、本実施の形態４の半導体装置４００の製造方法は、製品サイズで半導体装置を製造する場合に使用することができ、打抜き加工を行う必要がなく、容易に製造することができる点で有用である。
【００２２】
また、上記の製造方法において、図７のように、熱伝導性樹脂シート又はプリプレグ１２と同じ大きさの電極用金属板１３を用いると、金属ベース１の凹部に絶縁層２と電極３が形成され、コーティング樹脂膜８を形成させる際に、金属ベース１の凹部の内部側壁によって絶縁層２の端部からコーティング樹脂が流れ落ちることを抑制することができる。ここで、熱伝導性樹脂シート又はプリプレグ１２及び電極用金属板１３の厚さの合計は、金属ベース用金属板１１の凹部の深さよりも大きくする必要がある。かかる厚さが凹部の深さよりも小さい場合、ホットプレスの際に熱伝導性樹脂シート又はプリプレグ１２に圧力がかからず、金属ベース用金属板１１及び電極用金属板１３と、熱伝導性樹脂シート又はプリプレグ１２とを接着させることができない。また、熱伝導性樹脂シート又はプリプレグ１２の厚さが凹部の深さよりも大きいと、金属ベース１の凹部側壁によって絶縁層２の側面を完全に覆うことができず、絶縁層２の側面からの吸湿を抑制することができない。かかる製造方法によって得られる半導体装置の断面図を図６に示す。なお、図６において、半導体装置５００を構成する各部品は、本実施の形態１〜３と同じものを用いることができる。
【００２３】
本実施の形態４の半導体装置５００は、絶縁層２の側面が金属ベース１で覆われると共に、絶縁層２の上面がコーティング樹脂膜８で覆われているので、絶縁層２の上面及び側面からの吸湿を抑制することができ、信頼性がより高くなる。また、半導体装置５００の製造方法では、コーティング樹脂膜８を形成させる際に、粘度が低くて流動性の高いコーティング樹脂を用いることができ、コーティング作業が容易になる。
【実施例】
【００２４】
以下、実施例により本発明の詳細を説明するが、これらによって本発明が限定されるものではない。
［実施例１］
２５０×２５０ｍｍの金属ベース用銅板（板厚２ｍｍ）と、２５０×２５０ｍｍの電極用銅板（板厚０．５ｍｍ）との間に、６０体積％の窒化アルミニウムをエポキシ樹脂中に分散させた絶縁層用熱伝導性樹脂シート（シート厚０．２ｍｍ）を挟み込み、２００ｋｇ／ｃｍ２、１８０℃で約２時間の条件にて、真空プレス装置を用いて真空下でホットプレスを行った。次に、電極用銅板をエッチングして所望のパターンを有する電極を形成させた。次に、金属ベース側から５０×５０ｍｍの外形となるように油圧プレスやピンクラッチプレスを用いて打抜いた。次に、打抜き基板の電極上に、エポキシ樹脂（ソルダーレジスト）をスクリーン印刷にて塗布した後、チップ及び端子を半田付けし、チップ同士及び電極とチップとの間をボンディングワイヤで接続した。次に、この打抜き基板を射出成形用の金型に配置した後、ポリフェニレンサルファイドを射出成形することで打抜いた基板を封止し、図１の構造を有する半導体装置を作製した。
［実施例２］
打抜き基板の電極及び絶縁層上に、エポキシ樹脂（ソルダーレジスト及びコーティング樹脂）をカーテンコートにて塗布したこと以外は、実施例１と同様の方法を用いることによって図３の構造を有する半導体装置を作製した。
【００２５】
［比較例１］
５０×５０ｍｍの金属ベース用銅板（板厚２ｍｍ）と、５０×５０ｍｍの電極用銅板（板厚０．５ｍｍ）との間に、６０体積％の窒化アルミニウムをエポキシ樹脂中に分散させた絶縁層用熱伝導性樹脂シート（シート厚０．２ｍｍ）を挟み込み、２００ｋｇ／ｃｍ２、１８０℃で約２時間の条件にて、真空プレス装置を用いて真空下でホットプレスを行った。次に、電極用銅板をエッチングして所望のパターンを有する電極を形成させた。次に、電極及び絶縁層上に、エポキシ樹脂（ソルダーレジスト）を塗布した後、チップ及び端子を半田付けし、チップ同士及び電極とチップとの間をボンディングワイヤで接続することによって、封止樹脂で封止されていない半導体装置を作製した。
［比較例２］
比較例１の半導体装置を射出成形用の金型に配置した後、ポリフェニレンサルファイドを射出成形することで封止し、図１０の構造を有する半導体装置を作製した。
【００２６】
上記実施例１〜２及び比較例１〜２の半導体装置において、高温高湿度試験（８５℃／８５％ＲＨで１６８時間）後の絶縁層の吸水率、ＮＨ４発生量、及びチップ動作を評価した。これらの評価方法は、以下の手順に従い行った。
絶縁層の吸水率は、カールフィッシャー法にて測定した。
ＮＨ４発生量は、イオンクロマトグラフィーにて測定した。
チップ動作は、半導体装置の端子に通電し、動作に異常があるか否かを確認することにより評価した。ここで、動作に異常がなかったものを○、動作に異常があったものを×として表す。
上記評価の結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
2008258435.tif 000002
【００２８】
実施例及び比較例の半導体装置において、絶縁層を構成する熱伝導性樹脂シートに含まれる窒化アルミニウムが吸湿して加水分解すると、ＮＨ４が発生し、半導体装置の電気絶縁特性の低下や電極及び配線等の腐食のみならず、チップ動作にも影響を及ぼす。
表１に示されるように、封止樹脂で封止されていない比較例１の半導体装置や、絶縁層の側面が被覆されていない比較例２の半導体装置では、絶縁層の吸水率が高いため、ＮＨ４発生量が多く、チップ動作も不良であった。
これに対して、絶縁層の側面が金属ベースで覆われている実施例１及び２の半導体装置では、絶縁層の吸水率が低いため、ＮＨ４の発生量が少なく、チップ動作も良好であった。さらに、絶縁層の上面がコーティング樹脂膜で覆われている実施例２の半導体装置では、絶縁層の吸水率がより一層低くなるため、ＮＨ４の発生量がより少なく、チップ動作も良好であった。
以上の結果からわかるように、本発明によれば、絶縁層の側面の吸湿を抑制し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本実施の形態１における半導体装置の断面図である。
【図２】本実施の形態１における半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】本実施の形態２における半導体装置の断面図である。
【図４】本実施の形態３における半導体装置の断面図である。
【図５】本実施の形態４における半導体装置の断面図である。
【図６】本実施の形態４における半導体装置の断面図である。
【図７】本実施の形態４における半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図８】本実施の形態における半導体装置の使用態様を示す図である。
【図９】従来の半導体装置の断面図である。
【図１０】比較例２で作製した半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１  金属ベース、２  絶縁層、３  電極、４  チップ、５  端子、６  ボンディングワイヤ、７  熱可塑性樹脂、８  コーティング樹脂膜、９  グリース、１０  フィン、１１  金属ベース用金属板、１２  熱伝導性樹脂シート又はプリプレグ、１３  電極用金属板、１００、２００、３００、４００、５００  半導体装置。
【図１】
2008258435.tif 000003
【図２】
2008258435.tif 000004
【図３】
2008258435.tif 000005
【図４】
2008258435.tif 000006
【図５】
2008258435.tif 000007
【図６】
2008258435.tif 000008
【図７】
2008258435.tif 000009
【図８】
2008258435.tif 000010
【図９】
2008258435.tif 000011
【図１０】
2008258435.tif 000012