(57)【要約】【課題】有機半導体の電気移動特性の高い有機ＥＬデバイス及び有機ＥＬディスプレイを提供すること。【解決手段】画素電極を含む有機ＥＬ発光デバイスと、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極及びゲート電極に設けられた基板の表面を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上にギャップを有して形成されたソース電極及びドレイン電極と、ギャップに設けられかつ電極間を接続する有機ＴＦＴ層とを有する有機ＥＬデバイスであって、有機ＴＦＴ層の外側にバンク層が設けられると共に、バンク層とゲート絶縁層とが同一系統材料からなることで解決できる。【選択図】図１
2008300611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極を含む有機ＥＬ発光デバイスと、
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記ゲート電極に設けられた基板の表面を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上にギャップを有して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ギャップに設けられかつ前記電極間を接続する有機ＴＦＴ層と、
を有する有機ＥＬデバイスであって、
前記有機ＴＦＴ層の外側にバンク層が設けられると共に、前記バンク層と前記ゲート絶縁層とが同一系統材料からなること
を特徴とする有機ＥＬデバイス。
【請求項２】
バンク層とゲート絶縁層の材料は、ポリイミド系，アクリル系，サイクロテン系，ポリスチレン系のいずれかの材料であること
を特徴とする請求項１記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項３】
バンク層及び有機ＴＦＴ層を含む表面にオーバーコート層が設けられ、前記オーバーコート層と、前記バンク層及び前記ゲート絶縁層とが同一系統材料からなること
を特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項４】
オーバーコート層の表面に更に平坦化膜層が形成され、前記平坦化膜層と、前記オーバーコート層と、前記バンク層及び前記ゲート絶縁層とが同一系統材料からなること
を特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項５】
画素電極を含む有機ＥＬ発光デバイスと、
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記ゲート電極に設けられた基板の表面を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上にギャップを有して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ギャップに設けられかつ前記電極間を接続する有機ＴＦＴ層と、
を有する有機ＥＬデバイスであって、
前記有機ＴＦＴ層の外側にバンク層が設けられると共に、前記バンク層及び前記有機ＴＦＴ層を含む表面にオーバーコート層が設けられ、かつ、前記オーバーコート層の表面に更に平坦化膜層が形成され、前記ゲート絶縁層，前記バンク層，前記オーバーコート層及び前記平坦化膜層のうち、相接する任意の２層が同一系統材料からなること
を特徴とする有機ＥＬデバイス。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の有機ＥＬデバイスを複数組み合わせることで、有機ＥＬディスプレイとしたこと
を特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬデバイス及び有機ＥＬディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイの構成要素である有機ＥＬデバイスは、一般的に「有機ＥＬ発光デバイス」と、それを駆動するための「トランジスタ」（ＴＦＴ／Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を有する構成である。一般的なトランジスタは、発光素子を駆動するための「駆動用トランジスタ」と、駆動用トランジスタをＯＮ／ＯＦＦするための「スイッチ用トランジスタ」とを有する。
【０００３】
有機ＥＬデバイスの代表的な構造の例として、駆動用トランジスタと有機ＥＬ発光デバイスとを同一平面（例えば基板表面）上に配置して、駆動用トランジスタのソース電極又はドレイン電極と、有機ＥＬ発光デバイスの画素電極とを同一平面上で接続しているものがある（特許文献１参照）。引用文献１に記載の内容は、インクジェット法を利用してポリイミド膜２０による壁（バンク）を形成しながら、薄膜トランジスタ等の薄膜素子を含んで構成されるデバイス（例えば、液晶表示装置等）を製造するというものである。具体的には、液体材料を塗布する領域（液晶表示装置の一部の要素：カラーフィルタ２３，画素電極２４，ソース／ドレイン領域２２、データ線２６の領域）の外周部にポリイミド膜２０による壁を形成し、その中に液体材料を塗布した後、乾燥させることによりデバイスを形成する方法が記載されている。
【０００４】
この方法により、真空プロセスを低減させることができると同時に塗布する領域をポリイミド膜（隔壁）で囲むことにより、使用する液体材料を最小限に抑えることが可能となり、その結果、製造コストが安くなるとされる。なお、引用文献１で用いられているような、「バンク」（隔壁）という表現はポリマーにより囲まれた物理的な境界を意味するものであり、例えばプラズマディスプレイパネルでは、同様な意味で「リブ」と表現がされることもある。
【特許文献１】特開２００３−３１８１３１号公報（特に段落［００４４］，［００５１］，［００５６］，［００７５］，図３，及び，図６（ｂ）参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
引用文献１にも開示されているように、所謂、ボトムゲート型有機ＥＬデバイスの有機ＴＦＴデバイスを作製する場合、バンク層（ポリイミド膜２０による壁）はゲート絶縁層（ゲート絶縁膜）を形成した後にゲート絶縁層上に構成され、次いで、チャネル領域，ソース／ドレイン領域が形成されるのが一般的である（引用文献１の場合は、チャネル領域，ソース／ドレイン領域の順に形成する一例を示しているが、有機ＴＦＴデバイスの構成によっては、ソース／ドレイン領域，チャネル領域の順に形成しても良い。）。
【０００６】
このとき、バンク層で囲まれた空間（以下、「セル」と称す）内にインクジェット法などの印刷工法で有機ＴＦＴ材料を塗布するためには、セルの底面には親水性を設けると共にセルの側面（すなわち、バンク層のセル内側の表面）には撥水性を備える必要がある。そこで、印刷工法を利用した有機ＴＦＴデバイスを作製する工程では、前述したようにゲート絶縁層上にバンク層を形成した後、セル内部を酸素プラズマによって親水化する処理を行い、更にＣＦ4（テトラフルオルメタン）プラズマ処理を行うことで、バンク層のセル内側の表面を撥水化する処理を行うという工程を備える。
【０００７】
しかしながら、引用文献１に記載の内容のように、従来技術はバンク層とゲート絶縁膜とは別系統の材料であるため（引用文献１の場合には、同文献の段落［００４４］及び［００５４］に記載のように、バンク層はポリイミド，ゲート絶縁膜は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）である。一般的には酸化ケイ素（ＳｉＯ2）である。）、例えば酸素プラズマによってセル内部を親水化する際、セルの底面であるゲート絶縁膜の表面がエッチングされ、その残渣がバンク層に付着することになる。
【０００８】
そして、このような状態において、バンク層のセル内側の表面を酸素プラズマで残渣を取り除き、ＣＦ4プラズマによって撥水化処理を行うと、バンク層に付着したゲート絶縁膜を構成する材料（引用文献１の場合には窒化シリコン（ＳｉＮｘ）であり、一般的には酸化ケイ素（ＳｉＯ2）である。）の付着量や分布によってバンク層の撥水度合いが不均一になり、その結果、有機ＥＬデバイスとしての特性に影響を与えることになるという問題を有することになる。また、別の観点から、例えば酸素プラズマによってセル内部を親水化する際、酸素プラズマによってバンク層をエッチングすることもあり、バンク層をエッチングした残渣がセルの底面（ゲート絶縁膜の表面）に堆積し、有機ＥＬデバイスとしての特性に影響を与えることになる。
【０００９】
本発明は、前記従来技術の問題を解決するものであり、特に有機ＴＦＴ層の外側に設けられたバンク層とゲート絶縁層とを同一系統材料とすることで、電気移動度特性の高い有機ＥＬデバイス及び有機ＥＬディスプレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために本発明の第１の有機ＥＬデバイスは、画素電極を含む有機ＥＬ発光デバイスと、基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極及び前記ゲート電極に設けられた基板の表面を覆うゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上にギャップを有して形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ギャップに設けられかつ前記電極間を接続する有機ＴＦＴ層と、を有する有機ＥＬデバイスであって、前記有機ＴＦＴ層の外側にバンク層が設けられると共に、前記バンク層と前記ゲート絶縁層とが同一系統材料からなることを特徴とするものである。
【００１１】
このとき、バンク層とゲート絶縁層の材料は、ポリイミド系，アクリル系，サイクロテン系，ポリスチレン系のいずれかであることが望ましい。
【００１２】
また、バンク層及び有機ＴＦＴ層を含む表面にオーバーコート層が設けられ、前記オーバーコート層と、前記バンク層及び前記ゲート絶縁層とが同一系統材料からなることが好ましい。また、オーバーコート層の表面に更に平坦化膜層が形成され、前記平坦化膜層と、前記オーバーコート層と、前記バンク層及び前記ゲート絶縁層とが同一系統材料からなると良い。
【００１３】
また、本発明の第２の有機ＥＬデバイスは、画素電極を含む有機ＥＬ発光デバイスと、基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極及び前記ゲート電極に設けられた基板の表面を覆うゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上にギャップを有して形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ギャップに設けられかつ前記電極間を接続する有機ＴＦＴ層と、を有する有機ＥＬデバイスであって、前記有機ＴＦＴ層の外側にバンク層が設けられると共に、前記バンク層及び前記有機ＴＦＴ層を含む表面にオーバーコート層が設けられ、かつ、前記オーバーコート層の表面に更に平坦化膜層が形成され、前記ゲート絶縁層，前記バンク層，前記オーバーコート層及び前記平坦化膜層のうち、相接する任意の２層が同一系統材料からなることを特徴とするものである。
【００１４】
更に、本発明の有機ＥＬディスプレイは、上記第１及び第２の有機ＥＬデバイスにおいて、有機ＥＬデバイスを複数組み合わせることで、有機ＥＬディスプレイとしたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように本発明によれば、インクジェット法などの印刷工法を用いて、有機ＥＬデバイス及び有機ＥＬディスプレイを作製する技術において、有機ＴＦＴ層の外側に設けられたバンク層とゲート絶縁層とを同一系統材料とすることで、有機ＴＦＴデバイスの機能特性を安定させることが可能な有機ＥＬデバイスを提供すると共に、画素領域での輝度や発光色のムラが少ない有機ＥＬデバイスを用いた有機ＥＬディスプレイを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態に係る有機ＥＬデバイス及び有機ＥＬディスプレイについて添付図面を参照しながら説明する。なお、図面において実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
【００１７】
図１の（ａ）は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの構造を示す概略図（上面）であり、図１の（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイを構成する有機ＴＦＴデバイスの一断面（その１）を示す概略図であり、図１（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイを構成するＴＦＴデバイスの一断面（その２）を示す概略図を示すものである。
【００１８】
＜＜トランジスタデバイスの構成＞＞
図１（ｂ）において、トランジスタデバイス１０は、ゲート電極が下層にあるボトムゲート型トランジスタである。このトランジスタデバイス１０は、基板１上に設けられたゲート電極２と、ゲート電極２の上を覆って設けられたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３の上に設けられたソース電極４と、ソース電極４と同一平面においてギャップＧで離間して配置されたドレイン電極５と、ゲート絶縁層３の上に、ソース電極４とドレイン電極５との間のギャップＧ上に配置され、ソース電極４とドレイン電極５とにわたって電気的に接続する有機ＴＦＴ層７とを備える。
【００１９】
このとき、ゲート絶縁層３表面であり、かつ、ソース電極４とドレイン電極５の外側にはバンク層６ａが設けられており、インクジェット法などの印刷工法によってソース電極４とドレイン電極５との間のギャップＧ（チャネル領域）に有機ＴＦＴ材料を塗布する際、他のチャネル領域に当該有機ＴＦＴ材料が漏れることを防止する役割を成している。そして、バンク層６ａ及び有機ＴＦＴ層７を含む表面にオーバーコート層８が形成され、更に、オーバーコート層８の表面に平坦化膜層９が形成されている。
【００２０】
以下に、このトランジスタデバイス１０の構成部材について説明する。
【００２１】
＜基板＞
基板１としては、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。更に、フレキシブル基板を用いてもよい。このトランジスタ素子を有機ＥＬディスプレイ用に用いる場合には、フレキシブル基板が好ましい。具体的な材料としては、ＰＥＴフィルム（ＰＥＴ：Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ），ＰＥＮフィルム（ＰＥＮ：Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）が挙げられる。
【００２２】
＜ゲート電極＞
ゲート電極２は、基板１の上に設けられる。本実施の形態に係るトランジスタデバイス１０は、図１（ｂ）に示すように、ゲート電極２は最下層に設けられているので「ボトムゲート型」と呼ばれる。なお、ゲート電極２の材質は特に限定されないが、例えばＣｒ膜（５ｎｍ以下）とＡｕ膜（１００ｎｍ程度）の積層膜や、Ｔｉ膜（５ｎｍ以下）とＡｕ膜（１００ｎｍ程度）の積層膜より構成される。Ｃｒ膜やＴｉ膜は主に接着膜として作用するが、酸化し難いＴｉ膜を用いるとより好ましい場合がある。
【００２３】
＜ゲート絶縁層＞
ゲート絶縁層３は、ゲート電極２とソース電極４、及び、ドレイン電極５が配置されている平面との間に挟まれて設けられている。このゲート絶縁層３は、通常用いられる絶縁層、例えばポリマー絶縁層等（具体的には、ポリイミド系，アクリル系，サイクロテン系，ポリスチレン系のいずれかの材料）で構成できる。
【００２４】
＜ソース電極及びドレイン電極＞
ソース電極４及びドレイン電極５は、基板１上に形成されたゲート絶縁層３の上面に配置され、互いはギャップＧで離間されている。なお、ソース電極４及びドレイン電極５としては、アルミニウム，クロム，モリブデンクロム，チタン，金，銀，銅等の導電性金属、或いは、ポリチオフェン誘導体等の有機導電体を用いることができる。特に光の反射率が高いという特性を有する銀を用いると好適である。
【００２５】
＜有機ＴＦＴ層＞
有機ＴＦＴ層７は、ソース電極４とドレイン電極５との間にわたって形成されており、ソース電極４とドレイン電極５とを電気的に接続している。有機ＴＦＴ層７は多結晶体からなり、ソース電極４とドレイン電極５との間のギャップＧ上に形成され、ソース電極４からドレイン電極５にわたる電気的特性に優れる。
【００２６】
なお、有機ＴＦＴ層７を構成する有機ＴＦＴ材料としては、フルオレン−チオフェンコポリマー（Ｆ８Ｔ２），テトラベンゾポルフィリン（ｔｅｔｒａｂｅｎｚｏｐｏｒｐｈｙｒｉｎ），オリゴチオフェン（Ｏｌｉｇｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ），ペンタセン（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ），ルブレン（ｒｕｂｒｅｎ）等を用いることができる。特にボトムゲート電極（チャネルが形成された基板を下側としたときに、チャネルの下側に配置されたゲート電極）の場合には、特にテトラベンゾポルフィリンが使用されることがある。
【００２７】
また、有機ＴＦＴ層７は、安息香酸エチル等の非水系溶媒に有機半導体材料を含む非水系溶液を塗布して、その後、乾燥させて形成することができる。この場合、凸状液滴の有機半導体溶液を乾燥させることにより、外側の溶媒がより早く乾燥し、有機半導体材料が中心から外側に向かって流れやすくなる。
【００２８】
＜バンク層＞
図１（ｂ）に示すように、バンク層６ａはゲート絶縁層３表面、かつ、ソース電極４とドレイン電極５の外側に形成され、インクジェット法などの印刷工法によってソース電極４とドレイン電極５との間のギャップＧ（チャネル領域）に有機ＴＦＴ材料を塗布する際、他のチャネル領域に当該有機ＴＦＴ材料が漏れることを防止する役割を成している。具体的な材料としては、ポリイミド系，アクリル系，サイクロテン系，ポリスチレン系のいずれかの材料が好ましい。なお、図１（ｃ）に示すように、バンク層６ｂをソース電極４とドレイン電極５のそれぞれの表面に形成し、チャネル領域を形成しても良い。
【００２９】
なお、本実施の形態では、ボトムゲート型トランジスタデバイスの場合のバンク層の形成について説明しているが、トップゲート型トランジスタデバイスへの適用を考えた場合、ソース電極／ドレイン電極を形成した後、バンク層を形成し、更に有機ＴＦＴ層をもうけた後にゲート絶縁層を構成する流れとなり、このときバンク層とゲート絶縁層と同一系統材料とすると、ボトムゲート型トランジスタデバイスの場合と同様、電気移動度特性の高い有機ＥＬデバイス及び有機ＥＬディスプレイを提供することが可能となる。
【００３０】
＜オーバーコート層＞
オーバーコート層８は、主に有機ＴＦＴ層７の電子移動を促進させる役割と、空気中の酸素や水蒸気から有機ＴＦＴ層７を保護する役割の２つをなす。
【００３１】
＜平坦化膜層＞
平坦化膜層９は、前述したオーバーコート層８を覆うように形成され、平坦化膜層９上に有機ＥＬ材料の陽極電極を構成することから、陽極電極を構成する表面は平坦となっている。平坦化膜層９の陽極電極が構成される表面が平坦になっていることで、光が反射したときの光の取り出しの向きを一定にすることも可能としている。
【００３２】
＜＜有機ＥＬ発光デバイスの構成＞＞
有機ＥＬ発光デバイスは、画素電極（図示せず）、上部電極（図示せず）および両電極に挟み込まれる有機ＥＬ発光層を含み、さらに任意の部材を有していてもよい。両電極の間には、有機ＥＬ発光層に加えて、正孔輸送層や電子輸送層などが形成されていてもよい。正孔輸送層、電子輸送層などの材質はそれぞれ適宜選択されればよく、各層の厚さは数十ｎｍ程度に適宜設定されればよい。
【００３３】
＜＜トランジスタ素子の製造方法＞＞
次に、本実施の形態に係るボトムゲート型トランジスタデバイス１０の製造方法について、図２を用いて説明する。
（工程１）
基板１として、ガラス基板、プラスチック基板、又は、フレキシブル基板を用意する。
（工程２）
基板１の上にＣｒ又はＡｕ材料を用いてゲート電極２を形成する（図２（ａ））。
（工程３）
ゲート電極２の上を覆ってゲート絶縁層３を形成する（図２（ｂ））。ゲート絶縁層３としては、例えば、ポリイミド系，アクリル系，サイクロテン系，ポリスチレン系と言った絶縁性ポリマーを用いる。
（工程４）
次いで、ゲート絶縁層３の上にソース電極４を設け、ソース電極４と同一平面にソース電極４をギャップＧで離間してドレイン電極５を配置する（図２（ｃ））。このソース電極４及びドレイン電極５は、Ｃｒ又はＡｕ材料を用いて形成すれば良い。
（工程５）
そして、図３に示すようなグラビア印刷工法を利用して、ゲート絶縁層３表面、かつ、ソース電極４とドレイン電極５の外側にバンク層６ａを形成する（図２（ｄ））。このときのバンク層６ａの材料としては、前述したゲート絶縁層３と同様、ポリイミド系，アクリル系，サイクロテン系，ポリスチレン系と言った絶縁性ポリマーを用いると良い。なお、図１（ｃ）に示すように、ソース電極４とドレイン電極５のそれぞれの表面にバンク層６ｂを設ける構成でもよい。
【００３４】
［グラビア印刷工法］
図３はグラビア印刷装置３０を示すものであり、グラビア印刷装置３０は、周側面をロール面３１ａとし回転軸を中心に回転可能な印刷ロール（版）３１と、印刷ロール３１に対向して配置されると共に回転軸を中心に回転する圧胴ロール３２と、回転軸を中心に回転しインクを印刷ロール３１に供給する供給ロール３３と、供給ロール３３に供給されたインクを一定量に制御するドクター３４とで構成される。本実施の形態のグラビア印刷装置３において、（フィルム）基板１は、印刷ロール３１と圧胴ロール３２との間を通過し一方向に進むようになされている。
【００３５】
以下、具体的にグラビア印刷工法によるバンク層を形成する方法を説明する。まず、印刷ロール３１，圧胴ロール３２，及び，樹脂材料（バンク層の構成材料）が貯蔵されたタンク（符号なし）内に配置された供給ロール３３をそれぞれ回転させることで、印刷ロール３１のロール面３１ａ上に樹脂材料を供給する。このとき、樹脂材料はドクター３４によって一定供給量にすることが望ましい。そして、ロール面１ａ上の凹部に樹脂材料が充填され、基板１の表面に樹脂材料が転写され所望の形状にパターニングされる。
（工程６）
図１（ｄ）まで作製されたトランジスタデバイスに対し、酸素プラズマに曝すことでバンク層６ａ，６ｂで囲まれた空間（セル）の底面（ソース電極４とドレイン電極５とで囲まれたゲート絶縁層３の表面）を親水性にした後、ＣＦ4プラズマによってバンク層６ａ，６ｂの壁面のうちセル側表面を親水性にする（図示せず）。
（工程７）
ソース電極４とドレイン電極５との間のギャップＧ（チャネル領域）を覆うように、非水系溶媒に有機ＴＦＴ材料を含む凸状液滴の有機ＴＦＴ溶液を塗布する（図２（ｅ））。なお、塗布は、例えばディスペンサ法、インクジェット法等を用いて行うことができる。また、ロール印刷法を用いて行っても問題はない。
（工程８）
有機ＴＦＴ溶液を乾燥させて、ソース電極４とドレイン電極５との間のギャップＧ上に有機ＴＦＴ材料を結晶化させて、有機ＴＦＴ層７を得る（図２（ｅ））。この有機ＴＦＴ層７によってソース電極４とドレイン電極５とを電気的に接続することが可能となる。
（工程９）
バンク層６ａ及び有機ＴＦＴ層７を含む表面にオーバーコート層８が形成した後、オーバーコート層８の表面に平坦化膜層９を形成する。
【００３６】
このとき、オーバーコート層８と、バンク層６ａ，６ｂ及びゲート絶縁層３とが同一系統材料（つまり、オーバーコート層８もポリイミド系，アクリル系，サイクロテン系，ポリスチレン系と言った絶縁性ポリマー）からなってもよい。更に、平坦化膜層９と、オーバーコート層８と、バンク層６ａ，６ｂ及びゲート絶縁層３とが同一系統材料（つまり、平坦化膜層９もポリイミド系，アクリル系，サイクロテン系，ポリスチレン系と言った絶縁性ポリマー）からなってもよい。なお、ゲート絶縁層３，バンク層６ａ，６ｂ，オーバーコート層８及び平坦化膜層９のうち、相接する任意の２層が同一系統材料からなる形態でも好適である。
【００３７】
以上によって、本実施の形態に係るボトムゲート型トランジスタ素子を作成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明の有機ＥＬデバイス及び有機ＥＬディスプレイは、例えば有機ＥＬテレビとして利用できるだけではなく、ワープロ，パソコン等の携帯型情報処理装置や腕時計型電子機器など、各種の電子機器における表示部として好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの構造を示す概略を示す図（上面）、（ｂ）は、同実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイを構成する有機ＴＦＴデバイスの一断面（その１）を示す概略を示す図、（ｃ）は、同実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイを構成するＴＦＴデバイスの一断面（その２）を示す概略を示す図
【図２】本発明の実施の形態に係るボトムゲート型トランジスタ素子の製造方法を説明する図
【図３】本発明に実施の形態に係るグラビア印刷装置を示す概略図
【符号の説明】
【００４０】
１    基板
２    ゲート電極
３    ゲート絶縁層
４    ソース電極
５    ドレイン電極
６    バンク層
７    有機ＴＦＴ層
８    オーバーコート層
９    平坦化膜層
Ｇ    ギャップ
１０  トランジスタデバイス
【図１】
2008300611.tif 000003
【図２】
2008300611.tif 000004
【図３】
2008300611.tif 000005