(57)【要約】本発明は、ダイオードレーザバー（２）、ヒートシンク（４）、及び少なくとも１つのカバー（７）を含むレーザアセンブリ（１）に関する。レーザバーはヒートシンクとカバーとの間に位置する。ヒートシンク及び／又はカバーは、それによりレーザバーとヒートシンク及び／又はカバーとの間の接触が確立されるナノワイヤ（１６）又はナノチューブで被覆される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのダイオードレーザバー（２）、第１の接続面（６）を有する少なくとも１つのヒートシンク（４）、及び第２の接続面（８）を有する少なくとも１つのカバー（７）を含むレーザアセンブリ（１）であって、前記ダイオードレーザバーは、エミッタ（９）の１つ又は複数、少なくとも１つのＰ型コンタクト（１１）、及び少なくとも１つのＮ型コンタクト（１２）を含み、前記Ｐ型コンタクトは第１の金属層（１３）を含み、前記Ｎ型コンタクトは第２の金属層（１４）を含み、
前記ヒートシンク（４）が前記第１の接続面（６）において前記Ｐ型コンタクト（１１）と電気的且つ熱的に接続され、前記Ｎ型コンタクト（１２）が前記第２の接続面（８）において前記カバー（７）と電気的に接続され、
前記第１の接続面及び／又は前記第２の接続面（６、８）がナノワイヤ又はナノチューブ（１６、１７）で覆われる、レーザアセンブリ（１）。
【請求項２】
前記カバー（７）が電気絶縁層（１５）によって前記ヒートシンク（４）に結合されることを特徴とする、請求項１に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項３】
前記第１の金属層（１３）が１μｍから１０μｍの厚さを有することを特徴とする、請求項１又は２に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項４】
前記第２の金属層（１４）が５００ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする、請求項１乃至３の何れか一項に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項５】
前記ナノワイヤ（１６）が金属からなり、及び／又は前記ナノチューブがカーボンからなることを特徴とする、請求項１乃至４の何れか一項に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項６】
前記ナノワイヤ及び／又はナノチューブ（１６、１７）が、前記第１の接続面及び／又は第２の接続面（６、８）のそれぞれに対して垂直な好ましい方向に方向付けられることを特徴とする、請求項１乃至５の何れか一項に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項７】
前記第１の接続面（６）がナノチューブ及び／又はナノワイヤ（１６）で覆われ、前記第１の金属層（１３）が１μｍから１０μｍの厚さを有し、前記ナノチューブ及び／又はナノワイヤ（１６）が前記第１の金属層（１３）よりも高い硬度を有し、前記第１の金属層（１３）の中に少なくとも部分的に刺さることを特徴とする、請求項１乃至６の何れか一項に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項８】
前記第２の接続面（８）がナノチューブ及び／又はナノワイヤ（１６、１７）で覆われ、前記ナノチューブ及び／又はナノワイヤ（１６、１７）が前記第２の金属層（１４）よりも高い硬度を有し、前記第２の金属層（１４）の中に少なくとも部分的に刺さることを特徴とする、請求項１乃至７の何れか一項に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項９】
前記第２の接続面（８）がナノチューブ及び／又はナノワイヤ（１６）で覆われ、前記ナノチューブ及び／又はナノワイヤ（１６）が弾性的に又は塑性的に変形されることを特徴とする、請求項１乃至８の何れか一項に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項１０】
前記第２の接続面（８）がナノチューブ及び／又はナノワイヤ（１６）で覆われ、前記第２の金属層が５００ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする、請求項１乃至９の何れか一項に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項１１】
前記ナノチューブ及び／又はナノワイヤ（１６）が１μｍ未満の外径を有し、２μｍを超える長さを有することを特徴とする、請求項１乃至１０の何れか一項に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項１２】
前記第１の金属層（１３）の外側がナノチューブ及び／又はナノワイヤ（１６、１８）で覆われることを特徴とする、請求項１乃至１１の何れか一項に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項１３】
前記ナノワイヤ（１６）が金、銀、ニッケル、クロミウム、又は銅からなることを特徴とする、請求項１乃至１２の何れか一項に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項１４】
前記第１の接続面（６）が第１のナノチューブ又はナノワイヤ（１６）で覆われ、前記第１の金属層（１３）が第３のナノチューブ又はナノワイヤ（１８）で覆われることを特徴とする、請求項１乃至１３の何れか一項に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項１５】
前記第３のナノチューブ又はナノワイヤ（１８）が、それぞれ、前記第１のナノチューブ又はナノワイヤ（１６）と異なる材料からなることを特徴とする、請求項１乃至１４の何れか一項に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項１６】
キャリア（２３）、少なくとも１つのダイオードレーザバー（２）、第１の接続面（６）を有する少なくとも１つのヒートシンク（４）、及び第２の接続面（８）を有する少なくとも１つのカバー（７）を含むレーザアセンブリ（１）であって、前記ダイオードレーザバーは、エミッタ（９）の１つ又は複数、少なくとも１つのＰ型コンタクト（１１）、及び少なくとも１つのＮ型コンタクト（１２）を含み、前記Ｐ型コンタクトは第１の金属層（１３）を含み、前記Ｎ型コンタクトは第２の金属層（１４）を含み、
前記ヒートシンク（４）が前記第１の接続面（６）において前記Ｐ型コンタクト（１１）と電気的且つ熱的に接続され、前記Ｎ型コンタクト（１２）が前記第２の接続面（８）において前記カバー（７）と電気的に接続され、
前記第１の接続面及び／又は前記第２の接続面（６、８）がナノワイヤ又はナノチューブ（１６、１７）で覆われ、
前記ヒートシンク（４）が第４のナノワイヤ（１９）で覆われる第３の接続面を含み、前記キャリア（２３）が第５のナノワイヤ（２０）で覆われ、前記第４のナノワイヤ（１９）が前記第５のナノワイヤ（２０）内にエンゲージし、前記エンゲージメントによって前記ヒートシンク（４）が前記キャリア（２３）に接続される、レーザアセンブリ（１）。
【請求項１７】
前記カバー（７）が第６のナノワイヤ（２１）で覆われる第４の接続面を含み、前記キャリアが第７のナノワイヤ（２２）で覆われ、前記キャリア上の前記第７のナノワイヤ（２２）が前記第５のナノワイヤ（２０）から電気的に絶縁され、前記第６のナノワイヤ（２１）が前記第７のナノワイヤ（２２）内にエンゲージし、前記エンゲージメントによって前記カバー（７）が前記キャリア（２３）に接続されることを特徴とする、請求項１６に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項１８】
前記第３の接続面及び第４の接続面が前記第１の接続面（６）に対して垂直に設けられることを特徴とする、請求項１乃至１７の何れか一項に記載のレーザアセンブリ（１）。
【請求項１９】
レーザアセンブリ（１）を作製するための方法であって、
少なくとも１つのダイオードレーザバー（２）、第１の接続面（６）を有する少なくとも１つのヒートシンク（４）、及び第２の接続面（８）を有する少なくとも１つのカバー（７）を提供するステップであって、前記ダイオードレーザバーは、エミッタ（９）の１つ又は複数、少なくとも１つのＰ型コンタクト（１１）、及び少なくとも１つのＮ型コンタクト（１２）を含み、前記Ｐ型コンタクト（１１）は第１の金属層（１３）を含み、前記Ｎ型コンタクトは第２の金属層（１４）を含む、提供するステップと、
前記第１の接続面及び／又は前記第２の接続面をナノワイヤ又はナノチューブ（１６、１７）で覆うステップと、
前記第１の接続面（６）において前記ヒートシンク（４）に対する前記Ｐ型コンタクト（１１）の電気的接続及び熱的接続をもたらすステップと、
前記第２の接続面（８）において前記カバー（７）に対する前記Ｎ型コンタクト（１２）の電気的接続をもたらすステップと
を含む、方法。
【請求項２０】
レーザアセンブリ（１）を作製するための方法であって、
キャリア（２３）を提供するステップと、
少なくとも１つのダイオードレーザバー（２）、第１の接続面（６）及び第３の接続面を有する少なくとも１つのヒートシンク（４）、及び第２の接続面（８）を有する少なくとも１つのカバー（７）を提供するステップであって、前記ダイオードレーザバーは、エミッタ（９）の１つ又は複数、少なくとも１つのＰ型コンタクト（１１）、及び少なくとも１つのＮ型コンタクト（１２）を含み、前記Ｐ型コンタクトは第１の金属層（１３）を含み、前記Ｎ型コンタクトは第２の金属層（１４）を含む、提供するステップと、
前記第１の接続面及び／又は前記第２の接続面をナノワイヤ又はナノチューブ（１６、１７）で覆うステップと、
前記第３の接続面を第４のナノワイヤ又はナノチューブ（１９）で覆うステップと、
前記キャリアを第５のナノワイヤ又はナノチューブ（２０）で覆うステップと、
前記第１の接続面において前記ヒートシンクに対する前記Ｐ型コンタクトの電気的接続及び熱的接続を、前記第２の接続面において前記カバーに対する前記Ｎ型コンタクトの電気的接続をｙ力（２６）によってもたらすステップと、
前記第１の接続面において前記ヒートシンクに対する前記Ｐ型コンタクトの電気的接続及び熱的接続を、前記第２の接続面において前記カバーに対する前記Ｎ型コンタクトの電気的接続を前記ｙ力（２６）によってもたらすステップと、
前記第５のナノワイヤ上に前記第４のナノワイヤをｚ力（２７）によって押し付けることによって前記ヒートシンクを前記キャリアに接続するステップと
を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高出力密度を有するレーザ放射源に関する。かかるレーザ放射源はダイオードレーザ素子、とりわけレーザバーに基づいて作製することができる。
【背景技術】
【０００２】
レーザバーがｐ側でヒートシンク上にはんだ付けされ、接触がｎ側のボンドワイヤによって引き起こされる、例えば米国特許第５１０５４２９Ａ号明細書及び米国特許第４７１６５６８Ａ号明細書に由来するダイオードレーザを生成するための方法がしばらくの間知られてきた。ボンドワイヤの電流容量が限られていることは不利である。ｎ側の電流接続のより高い電流容量は、第２の熱伝導体として実装可能な固体カバーを使用することによって実現することができる。国際公開第２００９１４３８３５号パンフレット及び国際公開第２００９１４６６８３号パンフレットは、２つの熱伝導体の間にレーザバーをはんだ付けすることを開示している。はんだ付けのプロセスはレーザバーの応力を生じさせる可能性があり、かかる応力は電気光学的特性に悪影響を及ぼし得る。国際公開第２０１１０２９８４６号パンフレットははんだ付けのプロセスを伴わずにダイオードレーザを作製するための方法を開示し、この方法はレーザバーの第１の接触面と第１の熱伝導体との間の第１の金属層、及びレーザバーの第２の接触面と第２の熱伝導体との間の第２の金属層を使用する。例えばインジウムからなり得るこれらの層は、クランプ中にコヒーシブエンゲージメント（ｃｏｈｅｓｉｖｅ  ｅｎｇａｇｅｍｅｎｔ）をもたらす。不利な点は、レーザバーの平面度に関して、及び２つの熱伝導体の接続面の平面度に関して、及び搭載中に面の平行度を保つことに関して非常に厳格な要件を作成しなければならないことである。μｍ範囲のずれは、コヒーシブエンゲージメントが存在しない大面積キャビティを既にもたらし得る。具体的には、レーザバーのｐ側接触面において不十分に形成されたコヒーシブエンゲージメントはレーザバーの過熱、更には浸食さえ引き起こし得る。インジウム層の材料のマイグレーションも更に起こり得る。その結果、レーザの障害が生じ得る。
【０００３】
独国特許第１０２０１５０１３５１１Ｂ３号明細書は、中間熱伝導体を有するレーザバーがセラミック基板上にはんだ付けされる、高出力密度を有するレーザ放射源を開示する。不利な点は、構成要素の様々な熱膨張率により、機械的応力がレーザバーに影響し得ることである。とりわけレーザのパルス運転中、ダイオードレーザの寿命を制限し得る両振りの機械負荷が生じ得る。
【０００４】
欧州特許第１５１８２７１号明細書は、半導体チップを冷却するためのナノチューブを含むハウジングを開示する。米国特許第６８９１７２４  Ｂ２号明細書は、チップとヒートシンクとの間の熱界面における熱伝導を改善するために半導体チップ上にカーボンナノチューブのアレイを作製することを開示する。米国特許第７７８４５３１  Ｂ１号明細書は、カーボンナノチューブ間の隙間を充填材で埋めることを開示する。国際公開第２００８０３６５７１号明細書は、カーボンナノチューブ間の隙間を熱伝導性の充填材で埋めることを開示する。米国特許第８０９３７１５  Ｂ２号明細書は、熱界面としてのカーボンナノチューブを作製するための方法を開示する。国際公開第２００７１３７０９７号パンフレット及び国際公開第２００８１２１９７０号パンフレットは、銅基板上にカーボンナノチューブを作製するための方法を開示する。米国特許第２０１２０２９９１７５  Ａ１号明細書はウエハ上にカーボンナノチューブを作製するための方法を開示する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が対処する問題
本発明が対処する問題は、簡単なやり方で構築される高出力ダイオードレーザを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
問題への解決策
この問題は、請求項１に記載のダイオードレーザアセンブリ、請求項１６に記載のダイオードレーザアセンブリ、更に請求項１９及び２０に記載の作製方法によって解決される。
【０００７】
本発明の利点
本発明によるレーザビーム源は簡単なやり方で作製することができ、高出力を有しパルス運転に適している。
【０００８】
説明
本発明によるダイオードレーザは、ダイオードレーザバーを含む。ダイオードレーザバーはレーザバーと呼ぶこともできる。レーザバーは、端面発光構成要素として既知のやり方で実装し、何れの場合にも互いに対してｘ方向にずらして配置され得る１つの又は好ましくは複数のエミッタを含むことができる。レーザバーは、好ましくはｘ方向に３ｍｍから１２ｍｍの幅を有し得る。レーザバーは、互いに対してｘ方向にずらして配置され、光出口面をそれぞれ有する複数のエミッタを含むことができる。エミッタは、主光線方向ｚにおいてレーザ放射を放つことができる。レーザバーは好ましくは３個から１００個のエミッタを含むことができ、とりわけ５個、７個、１９個、又は４９個のエミッタを有するレーザバーが市販されている。隣接するエミッタ間の中心間距離は好ましくは０．１ｍｍから１ｍｍであり得る。レーザバーの厚さは、好ましくはｙ方向に０．０５ｍｍから０．２ｍｍであり得る。レーザバーのエミッタのｚ方向の共振器長は、好ましくは０．５ｍｍから６ｍｍであり得る。放たれるレーザ放射の中心光線の方向はｚ方向であり得る。ｘ、ｙ、及びｚの方向は互いに直交し得る。レーザバーは、量子トレンチを有するｐ−ｎ接合として既知のエピタキシャルに作製された層シーケンスを含むことができる。個々のエミッタは、例えばブロードストリップエミッタとして又はリッジ導波路として実装され得る。少なくとも１つの量子トレンチをそれぞれ有する複数の層シーケンス、即ち電気的に直列配置される複数のｐ−ｎ接合も存在し得る。かかるバーはナノスタックとも呼ばれる。複数のエミッタは互いの上にｙ方向に積み重ねられる。
【０００９】
レーザバーは電流によって励起され得る。電流を注入するために、Ｎ型コンタクト及びＰ型コンタクトをレーザバーに設けることができ、それらのコンタクトはレーザバーの上側及び下側それぞれの平行面として実装することができ、ｘｚ面内に配置され得る。
【００１０】
レーザバーは、上記の座標系に関してｘｚ面内に配置され得る。
【００１１】
本発明によるレーザアセンブリは、少なくとも１つのダイオードレーザバー、第１の接続面を有する少なくとも１つのヒートシンク、及び第２の接続面を有する少なくとも１つのカバーを含み、ダイオードレーザバーは、エミッタの１つ又は複数、少なくとも１つのＰ型コンタクト、及び少なくとも１つのＮ型コンタクトを含み、Ｐ型コンタクトは第１の金属層を含み、Ｎ型コンタクトは第２の金属層を含み、ヒートシンクは第１の接続面においてＰ型コンタクトと電気的且つ熱的に接続され、Ｎ型コンタクトは第２の接続面においてカバーと電気的に接続され、第１の接続面及び／又は第２の接続面はナノワイヤ又はナノチューブで覆われる。
【００１２】
ヒートシンクは金属から、例えば銅、銀、アルミニウム、モリブデン銅、若しくはタングステン銅から、又はダイヤモンド銅若しくはダイヤモンド銀等の複合材料から作製することができる。
【００１３】
カバーは金属から、例えば銅、銀、アルミニウム、モリブデン銅、若しくはタングステン銅から、又はダイヤモンド銅若しくはダイヤモンド銀等の複合材料から作製することができる。
【００１４】
Ｐ型コンタクトはレーザバーのアノード接続とすることができ、Ｎ型コンタクトはレーザバーのカソード接続とすることができる。
【００１５】
或る有利な実施形態では、電気絶縁層によってカバーをヒートシンクと結合することができる。
【００１６】
ヒートシンクは、ダイオードレーザバーの廃熱を放散するために設けることができる。カバーも同様に（第２の）ヒートシンクの機能を有し、レーザバーからの廃熱を放散するために設けることができる。その場合、第２の接続面におけるＮ型コンタクトはカバーにも更に熱的に接続され得る。
【００１７】
ヒートシンクは、冷却液用の冷却水路も含むことができる。
【００１８】
「電気的に接続される」とは、レーザの動作電流がこの接続によって伝達可能であることを意味するものだと理解することができる。「熱的に接続される」とは、廃熱がこの接続によってレーザバーから放散可能であることを意味するものだと理解することができる。
【００１９】
電気絶縁層は、それによりカバーがヒートシンクに固定される例えば接着剤層、有利には熱伝導性の接着剤とすることができる。
【００２０】
第１の金属層は、１μｍから１０μｍの厚さを有することができる。例として、第１の金属層は厚い金層として実装することができ、又はかかる層を含むことができる。第１の金属層は、例えば電解で生成された層を含むことができる。第１の金属層は熱拡散に役立ち得る。
【００２１】
第２の金属層は５００ｎｍ未満の厚さを有することができる。かかる層は、例えばスパッタリングによって作製することができる。薄い金層を使用することができる。
【００２２】
ナノワイヤはナノロッドとも呼ばれる。ナノワイヤという用語はウィスカも含むことを意図する。ナノワイヤは金属又は半金属からなり得る。ナノチューブはカーボンからなり得る。それらはＣＮＴ（カーボンナノチューブ）とも呼ばれる。単一壁チューブを有利に使用することができる。
【００２３】
ナノワイヤは電解プロセスによって作製することができる。構造は、覆おうとする面に最初に適用することができるナノ多孔性フィルタ膜を使用することによって作製することができる。その後、ナノワイヤを電解プロセスによって堆積させ、次いでストリッピングによってナノ多孔性膜及び全ての不要な構造を表面から除去することができる。
【００２４】
ナノワイヤは電解で堆積させることができる金属、例えば銅、銀、金から作製することができる。ナノワイヤは３０ｎｍから２μｍの直径及び約２０μｍまでの長さを有し得る。
【００２５】
表面上のナノワイヤ又はナノチューブの占有密度は５％から約８０％であり得る。占有密度は、ワイヤードベース面積に対するナノワイヤの断面積の和の比率を意味すると理解することができる。ナノチューブの場合、断面積の計算はチューブの外径に基づき得るのに対し、中空内部は無視することができる。過度に低い又は過度に高い占有密度は有利な効果にとって有害であり得る。
【００２６】
ナノワイヤの適切な作製方法はｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｎａｎｏｗｉｒｅｄ．ｄｅ／ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅ／において記載されている。
【００２７】
カーボンナノチューブの作製も同様に知られている。とりわけ電極に関して、ベース領域に対して垂直に形成されるカーボンナノチューブが、例えばＲｙｕ，Ｊ．−Ｈ．；Ｌｅｅ，Ｇ．−Ｊ．；Ｋｉｍ，Ｗ．−Ｓ．；Ｌｉｍ，Ｈ．−Ｅ．；Ｍａｔｉｖｅｎｇａ，Ｍ．；Ｐａｒｋ，Ｋ．−Ｃ．；Ｐａｒｋ，Ｈ．−Ｋ．Ａｌｌ−Ｃａｒｂｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  Ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｏｆ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅｓ  ｏｎ  Ｇｒａｐｈｉｔｅ  Ｆｏｉｌ  ｆｏｒ  Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ２０１４，７，１９７５−１９８３、及び米国特許第７７１０７０９号明細書で知られている。
【００２８】
ナノワイヤ及び／又はナノチューブは、第１の接続面及び／又は第２の接続面のそれぞれに対して垂直な好ましい方向に方向付けることができる。ナノワイヤ及び／又はナノチューブは、有利にはそれぞれの表面に固定して接続され得る。
【００２９】
とりわけ有利には、第１の接続面をナノチューブ及び／又はナノワイヤで覆うことができ、第１の金属層は１μｍから１０μｍの厚さを有することができ、ナノチューブ及び／又はナノワイヤは第１の金属層よりも高い硬度を有することができる。その場合、ナノチューブ及び／又はナノワイヤは第１の金属層の中に少なくとも部分的に刺さることができる。その結果、少ない機械的応力並びに優れた導電率及び熱伝導率を示すヒートシンクに対するレーザバーの接続をもたらすことができる。
【００３０】
有利には、第２の接続面をナノチューブ及び／又はナノワイヤで覆うことができ、ナノチューブ及び／又はナノワイヤは第２の金属層よりも高い硬度を有することができ、第２の金属層の中に少なくとも部分的に刺さることができる。
【００３１】
有利には、第２の接続面をナノチューブ及び／又はナノワイヤで覆うことができ、ナノチューブ及び／又はナノワイヤは弾性的に又は塑性的に変形され得る。この場合、ナノチューブ及び／又はナノワイヤは圧縮され、曲げられ、又は湾曲され得る。このことは、例えばパルス運転中の負荷変動が起きた場合及び繰り返し熱負荷が起きた場合に、構成要素の経年変化に関してヒートシンク上へのレーザバーの圧力による力を維持できるという利点がある。
【００３２】
第１の接続面はインジウム層又は金層を含むことができる。次の組み合わせが有利であり得る：第１の接続面がインジウム層を含むことができ、レーザバーのＰ型コンタクトが１μｍから１０μｍの厚さを有する厚い金層を含む第１の金属層を含むことができ、カバーの第２の接続面がナノワイヤ又はナノチューブで覆われ得る。厚い金層とインジウム層との間に拡散障壁層、例えばパラジウム層、ニッケル層、又は白金層を設けることができる。前述の拡散障壁層は第１の金属層の一部として実装することができる。言及したインジウム層の代替策として、第１の接続面は錫層又はインジウム錫層を含むことができる。インジウム錫層の場合、後者が共晶組成を有し得る。
【００３３】
次の組み合わせがとりわけ有利であり得る：第１の接続面が金層を含むことができ、レーザバーのＰ型コンタクトが１μｍから１０μｍの厚さを有する厚い金層を含む第１の金属層を含むことができ、カバーの第２の接続面がナノワイヤ又はナノチューブで覆われ得る。第１の接続面の金層は、レーザバーのＰ型コンタクト上の厚い金層と直接接触させることができる。この場合、言及した２つの金層の冷間圧接を必須ではないが行うことができる。
【００３４】
更なる有利な実施形態では、第２の接続面をナノチューブ及び／又はナノワイヤで覆うことができ、第２の金属層が５００ｎｍ未満の厚さを有することができる。この場合、ナノチューブ及び／又はナノワイヤは第２の金属層の中に著しく刺さることはできない。その結果、ナノチューブ及び／又はナノワイヤの変形がより効果的であり得る。有利には変形がとても大きく、ナノチューブ及び／又はナノワイヤによる被覆が少なくとも２倍圧縮されるほどである。この場合、変形前の被覆のボリューム及び変形後の被覆のボリュームを測度として使用することができる。
【００３５】
有利には、ナノチューブ及び／又はナノワイヤは５μｍ未満、とりわけ有利には２μｍ未満、とても有利には１μｍ未満の外径を有することができ、２μｍを超える、とりわけ有利には１０μｍを超える長さを有することができる。ナノチューブ及び／又はナノワイヤの長さは、その外径の２倍、有利には５倍、とりわけ有利には１０倍を超えることができる。レーザバー及び／又はヒートシンク及び／又はカバーのμｍ範囲のばらつきがこうして補償され得る。
【００３６】
有利には、第１の金属層の外側をナノチューブ及び／又はナノワイヤで覆うことができる。その場合、レーザバーを単体化する前にナノチューブ及び／又はナノワイヤをウエハ上に直接作製することができる。
【００３７】
ナノワイヤは金からなり得る。そうすることでヒートシンク及び／又はカバーに対するレーザバーの特に優れた電気的接続をもたらすことができる。
【００３８】
ナノワイヤは銀、ニッケル、クロミウム、白金、錫、シリコン、ゲルマニウム、又は銅からなり得る。かかるナノワイヤは厚い金層に刺さるのに適している場合がある。
【００３９】
有利には、第１の接続面を第１のナノチューブ又はナノワイヤで覆うことができ、第１の金属層が第３のナノチューブ又はナノワイヤで覆われる。その場合、第１の及び第３のナノワイヤ又はナノチューブのそれぞれが互いにエンゲージし、特に優れた電気的接続及び熱的接続をもたらすことができる。
【００４０】
有利には、第３のナノチューブ又はナノワイヤは、それぞれ第１のナノチューブ又はナノワイヤと異なる材料からなり得る。拡散が材料の界面において生じることができ、一層優れた接続をもたらし得る。
【００４１】
或る有利なレーザアセンブリは、キャリア、少なくとも１つのダイオードレーザバー、第１の接続面を有する少なくとも１つのヒートシンク、及び第２の接続面を有する少なくとも１つのカバーを含むことができ、ダイオードレーザバーは、エミッタの１つ又は複数、少なくとも１つのＰ型コンタクト、及び少なくとも１つのＮ型コンタクトを含み、Ｐ型コンタクトは第１の金属層を含み、Ｎ型コンタクトは第２の金属層を含み、ヒートシンクは第１の接続面においてＰ型コンタクトと電気的且つ熱的に接続され、Ｎ型コンタクトは第２の接続面においてカバーと電気的に接続され、第１の接続面及び／又は第２の接続面はナノワイヤ又はナノチューブで覆われ、ヒートシンクは第４のナノワイヤで覆われる第３の接続面を含み、キャリアは第５のナノワイヤで覆われ、第４のナノワイヤは第５のナノワイヤ内にエンゲージし、そのエンゲージメントによってヒートシンクがキャリアに接続される。
【００４２】
複数のダイオードレーザバーがある場合、各ダイオードレーザバーはそれぞれの場合にＰ型コンタクト及びＮ型コンタクトを含むことができ、各Ｐ型コンタクトは第１の金属層を含むことができ、各Ｎ型コンタクトは第２の金属層を含むことができる。第１の金属層は、第２の金属層と同様に同一のやり方で構築することができる。複数のダイオードレーザバーは同一の種類のものであり得る。
【００４３】
第４のナノワイヤ及び第５のナノワイヤは、キャリアに対するヒートシンクの永続接続を確実にする面ファスナを形成し得る。そのために、一例としてｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｎａｎｏｗｉｒｅｄ．ｄｅ／に記載されているＫｌｅｔｔＷｅｌｄｉｎｇ（フックアンドループウェルディング）と呼ばれる方法を役立てることができる。加えて、例えばＬｕ，Ｙａｎｇ；Ｈｕａｎｇ，Ｊｉａｎ  Ｙｕ；Ｗａｎｇ，Ｃｈａｏ；Ｓｕｎ，Ｓｈｏｕｈｅｎｇ；Ｌｏｕ，Ｊｕｎ（２０１０）．“Ｃｏｌｄ  ｗｅｌｄｉｎｇ  ｏｆ  ｕｌｔｒａｔｈｉｎ  ｇｏｌｄ  ｎａｎｏｗｉｒｅｓ”．Ｎａｔｕｒｅ  Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．５（３）：２１８−２４の中で説明されているように冷間圧接効果が存在し得る。
【００４４】
有利には、カバーが第６のナノワイヤで覆われる第４の接続面を含むことができ、キャリアが第７のナノワイヤで覆われ、キャリア上の第７のナノワイヤは第５のナノワイヤから電気的に絶縁され、第６のナノワイヤは第７のナノワイヤ内にエンゲージし、そのエンゲージメントによってカバーがキャリアに接続される。
【００４５】
キャリアは、例えば板状に実装されるセラミックを含むことができる。前述のセラミック上に第１の金属層領域及び第２の金属層領域が存在することができ、それらの層領域は互いに電気的に絶縁される。第５のナノワイヤは第１の層領域上に適用することができ、第７のナノワイヤは第２の層領域上に適用することができる。その結果、電気絶縁をもたらすことができる。
【００４６】
熱伝導のためにカバーを同時に設けることができる。カバーは、第２のレーザバーのための第２のヒートシンクとして同時に設けることができる。第２のレーザバーのカバーは、同時に第３のレーザバー等のためのヒートシンクであり得る。このようにして、同時にカバー及びヒートシンクであるそれぞれ介在する要素と共に、複数のレーザバーを互いの上にｙ方向に平行に積み重ねることができる。
【００４７】
有利には、第３の接続面及び第４の接続面は第１の接続面に対して垂直に設けることができる。これらの接続面はｘｙ面内にあり得る。これらの接続面はヒートシンク及びカバーのそれぞれに位置し得る。
【００４８】
第４のナノワイヤ及び第５のナノワイヤ、並びに設けられる場合は第６のナノワイヤ及び第７のナノワイヤは有利には金からなり得る。その場合、冷間圧接効果が特に顕著であり得る。
【００４９】
レーザアセンブリを作製するための方法は、
・少なくとも１つのダイオードレーザバー、第１の接続面を有する少なくとも１つのヒートシンク、及び第２の接続面を有する少なくとも１つのカバーを提供するステップであって、ダイオードレーザバーは、エミッタの１つ又は複数、少なくとも１つのＰ型コンタクト、及び少なくとも１つのＮ型コンタクトを含み、Ｐ型コンタクトは第１の金属層を含み、Ｎ型コンタクトは第２の金属層を含む、提供するステップと、
・第１の接続面及び／又は第２の接続面をナノワイヤ又はナノチューブで覆うステップと、
・第１の接続面においてヒートシンクに対するＰ型コンタクトの電気的接続及び熱的接続をもたらすステップと、
・第２の接続面においてカバーに対するＮ型コンタクトの電気的接続をもたらすステップと
を含む。
【００５０】
作製することは、結合媒体を硬化させるステップを含むことができ、その後、かかる結合媒体はカバーをヒートシンクに接続する電気絶縁層を形成する。その結果クランプ力を発生させることができ、このクランプ力は第１の接続面と第２の接続面との間にレーザバーをクランプしたままにする。有利には、前述のクランプ力により、ナノワイヤ及び／又はナノチューブが第１の金属層及び／又は第２の金属層の中に刺さることもでき、及び／又は変形され得る。
【００５１】
有利には、後硬化を行うことができる。後硬化は、室温よりも高い温度にレーザアセンブリを一度又は或る期間にわたって繰り返しさらすことを含む熱処理であり得る。その結果、ナノワイヤ又はナノチューブに対するＰ型コンタクト及び／又はＮ型コンタクトの接続を改善することができる。その結果、前述の接続の導電率及び／又は熱伝導率を改善することができる。
【００５２】
レーザアセンブリを作製するための更なる方法は、
・キャリアを提供するステップと、
・少なくとも１つのダイオードレーザバー、第１の接続面及び第３の接続面を有する少なくとも１つのヒートシンク、及び第２の接続面を有する少なくとも１つのカバーを提供するステップであって、ダイオードレーザバーは、エミッタの１つ又は複数、少なくとも１つのＰ型コンタクト、及び少なくとも１つのＮ型コンタクトを含み、Ｐ型コンタクトは第１の金属層を含み、Ｎ型コンタクトは第２の金属層を含む、提供するステップと、
・第１の接続面及び／又は第２の接続面をナノワイヤ又はナノチューブで覆うステップと、
・第３の接続面を第４のナノワイヤ又はナノチューブで覆うステップと、
・キャリアを第５のナノワイヤ又はナノチューブで覆うステップと、
・第１の接続面においてヒートシンクに対するＰ型コンタクトの電気的接続及び熱的接続を、第２の接続面においてカバーに対するＮ型コンタクトの電気的接続をｙ力によってもたらすステップと、
・第１の接続面においてヒートシンクに対するＰ型コンタクトの電気的接続及び熱的接続を、第２の接続面においてカバーに対するＮ型コンタクトの電気的接続をｙ力によってもたらすステップと、
・第５のナノワイヤ上に第４のナノワイヤをｚ力によって押し付けることによってヒートシンクをキャリアに接続するステップと
を含む。
【００５３】
レーザバー及びヒートシンク又はヒートシンク及びカバーは、積み重ね方向ｙを有し得るスタックを形成することができる。ｙ力はスタックを結合させるクランプ力であり得る。ｙ力は、実質的に力で固定するやり方でスタックを結合させる外部の力であり得る。ｙ力はｙ方向に作用することができる。或いはナノチューブ及び／又はナノワイヤの変形により、及び／又は第１の金属層及び第２の金属層の中に貫通することにより、クランプ力をオフにした後でさえスタックを結合することを可能にする確実なロッキング又はコヒーシブエンゲージメントを実現することが可能である。
【００５４】
ｚ力は、スタックをキャリア上に押し付ける外部の力であり得る。ｚ力はｚ方向に作用することができる。ｚ力は、ヒートシンク及び／又はカバーがキャリアに対して均一圧力で押し付けられるようにヒートシンク及び／又はカバーに作用することができる。その結果、レーザバーの機械負荷を最小限に抑えることができる。押し付け後にｚ力がオフにされても保たれる永続接続を第４のナノワイヤ及び第５のナノワイヤがもたらすように、第４のナノワイヤをｚ力によって第５のナノワイヤと押し合わせることができる。この接続は面ファスナと同様に機能することができ、ナノワイヤは押し付け中に塑性的に変形され得る。それと同時に、第６のナノワイヤを同じやり方で第７のナノワイヤと押し合わせることができる。キャリアに対するヒートシンクの及びカバーのこれらの接続はスタックにおけるクランプ力を保つことを可能にし、その結果、押し付け後にｙ力もオフにすることができる。
【００５５】
第１のナノワイヤ及び／又はナノチューブのおかげでスタック内の複合材は幾らかコンプライアンスをもつ（ｃｏｍｐｌｉａｎｔ）ことができる。その結果、レーザの動作中の押し付け中の及び／又は押し付け後のレーザバーに対する過度に高い剪断応力を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１の例示的実施形態の正面図を示す。
【図２】第１の例示的実施形態の側面図を示す。
【図３】第２の例示的実施形態を示す。
【図４】第２の例示的実施形態の側面図を示す。
【図５】第３の例示的実施形態を示す。
【図６】第３の例示的実施形態の側面図を示す。
【図７】第４の例示的実施形態を示す。
【図８】第４の例示的実施形態の側面図を示す。
【図９】第５の例示的実施形態の側面図を示す。
【図１０】第６の例示的実施形態を示す。
【図１１】第６の例示的実施形態の作製を示す。
【図１２】第７の例示的実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００５７】
本発明を例示的実施形態に基づいて以下で説明する。
【００５８】
図１は、第１の例示的実施形態の正面図を示す。第１の例示的実施形態のレーザアセンブリ１は、ダイオードレーザバー２、第１の接続面６を有するヒートシンク４、及び第２の接続面８を有するカバー７を含み、ダイオードレーザバーは、複数のエミッタ９、Ｐ型コンタクト１１、及びＮ型コンタクト１２を含み、Ｐ型コンタクトは第２の金属層１４よりも厚い第１の金属層１３を含み、Ｎ型コンタクトは第２の金属層１４を含み、ヒートシンク４は第１の接続面６においてＰ型コンタクト１１と電気的且つ熱的に接続され、Ｎ型コンタクト１２は第２の接続面８においてカバー７と電気的に接続され、第２の接続面８はナノワイヤ又はナノチューブ１６で覆われる。
【００５９】
カバー７は、電気絶縁層１５によってヒートシンク４に結合される。この場合、第１の接続面６及び第２の接続面８によってレーザバー２の廃熱を放散することができる。カバー７から、電気絶縁層１５を介して廃熱をヒートシンク４に伝えることができる。第２の接続面８において、Ｎ型コンタクト１２も追加でカバー７に熱的に接続される。
【００６０】
電気絶縁層１５は、それによりカバーがヒートシンクに固定される接着剤層、有利には熱伝導性の接着剤である。
【００６１】
第１の金属層１３は、１μｍから１０μｍの厚さを有する。例として、第１の金属層は厚い金層として実装することができ、又はかかる層を含むことができる。第１の金属層は、例えば電解で生成された層を含むことができる。第１の金属層は熱拡散に役立ち得る。例示的実施形態の修正形態では、第１の金属層をより薄く作製することができる。
【００６２】
第２の金属層は５００ｎｍ未満の厚さを有する。かかる層は、例えばスパッタリングによって作製することができる。薄い金層が使用される。
【００６３】
図２は、第１の例示的実施形態の側面図を示す。レーザ放射１０はｚ方向に放たれる。中心光線の方向を図示しており、光線のビームは拡散的であり得る。
【００６４】
図３は、第２の例示的実施形態を示す。ここでは第１の例示的実施形態とは対照的に、ナノワイヤ及び／又はナノチューブ１６が第１の接続面６上に配置されている。図４は、第２の例示的実施形態の側面図を示す。
【００６５】
図５は、第３の例示的実施形態を示す。ここでは第２の例示的実施形態とは対照的に、第２の接続面上に第２のナノワイヤ及び／又はナノチューブ１７が追加で設けられている。図６は、第３の例示的実施形態の側面図を示す。
【００６６】
図７は、第４の例示的実施形態を示す。ここでは第３の例示的実施形態とは対照的に、第３のナノワイヤ及び／又はナノチューブ１８が第１の金属層１３上に追加で設けられ、第１のナノワイヤ及び／又はナノチューブ１６内にエンゲージする。図８は、第４の例示的実施形態の側面図を示す。
【００６７】
図９は、第５の例示的実施形態の側面図を示す。ここでは第４の例示的実施形態とは対照的に、第１の金属層が５００ｎｍ未満の厚さを有する薄層として実装されている。
【００６８】
レーザアセンブリ１を作製するための方法の不図示の或る例示的実施形態は、
・少なくとも１つのダイオードレーザバー２、第１の接続面６を有する少なくとも１つのヒートシンク４、及び第２の接続面８を有する少なくとも１つのカバー７を提供するステップであって、ダイオードレーザバーは、エミッタ９の１つ又は複数、少なくとも１つのＰ型コンタクト１１、及び少なくとも１つのＮ型コンタクト１２を含み、Ｐ型コンタクトは第１の金属層１３を含み、Ｎ型コンタクトは第２の金属層１４を含む、提供するステップと、
・第１の接続面及び／又は第２の接続面をナノワイヤ又はナノチューブ１６で覆うステップと、
・第１の接続面においてヒートシンクに対するＰ型コンタクトの電気的接続及び熱的接続をもたらすステップと、
・第２の接続面においてカバーに対するＮ型コンタクトの電気的接続をもたらすステップと
を含む。
【００６９】
作製することは、結合媒体を硬化させるステップを含むことができ、その後、かかる結合媒体はカバーをヒートシンクに接続する電気絶縁層１５を形成する。その結果クランプ力を発生させることができ、このクランプ力は第１の接続面と第２の接続面との間にレーザバーをクランプしたままにする。有利には、このクランプ力により、ナノワイヤ及び／又はナノチューブが第１の金属層及び／又は第２の金属層の中に刺さることもできる。この方法は不図示だが、参照番号はレーザアセンブリの例示的実施形態を示す図１から図９から集めることができる。
【００７０】
図１０は、第６の例示的実施形態を示す。４、５は第１の接続面６を有し、少なくとも１つのカバー７は第２の接続面８を有する。ダイオードレーザバーは、エミッタ９（ここでは不図示。図１の説明図と類似している）の１つ又は複数、少なくとも１つのＰ型コンタクト１１、及び少なくとも１つのＮ型コンタクト１２を含む。Ｐ型コンタクトは第１の金属層１３を含み、Ｎ型コンタクトは第２の金属層１４を含む。ヒートシンクは第１の接続面においてＰ型コンタクトと電気的且つ熱的に接続され、Ｎ型コンタクトは第２の接続面においてカバーと電気的に接続される。第１の接続面及び／又は第２の接続面はナノワイヤ又はナノチューブ１６で覆われる。ヒートシンクは第４のナノワイヤ１９で覆われる第３の接続面を含む。キャリアは第５のナノワイヤ２０で覆われる。第４のナノワイヤは第５のナノワイヤ内にエンゲージし、そのエンゲージメントの結果としてヒートシンクがキャリアに接続される。
【００７１】
第１のレーザバーのカバー７は、同時に第２のレーザバー３の第２のヒートシンク５である。
【００７２】
第４のナノワイヤ及び第５のナノワイヤは、キャリアに対するヒートシンクの永続接続を確実にする面ファスナを形成する。
【００７３】
有利には、カバーが第６のナノワイヤ２１で覆われる第４の接続面を含むことができ、キャリアが第７のナノワイヤ２２で覆われ、キャリア上の第７のナノワイヤは第５のナノワイヤから電気的に絶縁され、第６のナノワイヤは第７のナノワイヤ内にエンゲージし、そのエンゲージメントによってカバーがキャリアに接続される。
【００７４】
キャリア２３は、例えば板状に実装されるセラミックを含む。前述のセラミック上に第１の金属層領域２４及び第２の金属層領域２５が存在し、それらの層領域は互いに電気的に絶縁される。第５のナノワイヤは第１の層領域上に適用され、第７のナノワイヤは第２の層領域上に適用される。その結果、電気絶縁がもたらされる。
【００７５】
熱伝導のためにカバーが同時に設けられる。カバー７は、第２のレーザバー３のための第２のヒートシンク５として同時に設けられる。更なるレーザバーについても同じことが当てはまる。このようにして、それぞれ介在するヒートシンクと共に、複数のレーザバーが互いの上にｙ方向に平行に積み重ねられる。
【００７６】
第３の接続面及び第４の接続面は第１の接続面に対して垂直に設けられる。これらの接続面はｘｙ面内にある。
【００７７】
第４のナノワイヤ及び第５のナノワイヤ、並びに設けられる場合は第６のナノワイヤ及び第７のナノワイヤは有利には金からなり得る。その場合、冷間圧接効果が特に顕著であり得る。例示的実施形態の修正形態では、前述のナノワイヤが他の金属から作製される。
【００７８】
第６の例示的実施形態及び類似的に第７の例示的実施形態のレーザアセンブリ１を作製するための図１１による更なる方法は、
・キャリア２３を提供するステップと、
・少なくとも１つのダイオードレーザバー２、第１の接続面６及び第３の接続面を有する少なくとも１つのヒートシンク４、及び第２の接続面８を有する少なくとも１つのカバー７を提供するステップであって、ダイオードレーザバーは、エミッタ９の１つ又は複数、少なくとも１つのＰ型コンタクト１１、及び少なくとも１つのＮ型コンタクト１２を含み、Ｐ型コンタクトは第１の金属層１３を含み、Ｎ型コンタクトは第２の金属層１４を含む、提供するステップと、
・第１の接続面及び／又は第２の接続面をナノワイヤ又はナノチューブ１６、１７で覆うステップと、
・第３の接続面を第４のナノワイヤ又はナノチューブ１９で覆うステップと、
・キャリアを第５のナノワイヤ又はナノチューブ２０で覆うステップと、
・第１の接続面においてヒートシンクに対するＰ型コンタクトの電気的接続及び熱的接続を、第２の接続面においてカバーに対するＮ型コンタクトの電気的接続をｙ力２６によってもたらすステップと、
・第１の接続面においてヒートシンクに対するＰ型コンタクトの電気的接続及び熱的接続を、第２の接続面においてカバーに対するＮ型コンタクトの電気的接続をｙ力２６によってもたらすステップと、
・第５のナノワイヤ上に第４のナノワイヤをｚ力２７によって押し付けることによってヒートシンクをキャリアに接続するステップと
を含む。
【００７９】
レーザバー及びヒートシンク又はヒートシンク及びカバーは、積み重ね方向ｙを有するスタックを形成する。ｙ力はスタックを結合させるクランプ力である。ｙ力は、実質的に力で固定するやり方でスタックを結合させる外部の力である。ｙ力はｙ方向に作用する。例示的実施形態の修正形態では、ナノチューブ及び／又はナノワイヤの変形により、及び／又は金属層の中に貫通することにより、クランプ力をオフにした後でさえスタックを結合することを可能にする確実なロッキング又はコヒーシブエンゲージメントが実現される。
【００８０】
ｚ力は、スタックをキャリア上に押し付ける外部の力である。ｚ力はｚ方向に作用する。ｚ力は、ヒートシンク及び／又はカバーがキャリアに対して均一圧力で押し付けられるようにヒートシンク及び／又はカバーに作用することができる。その結果、レーザバーの機械負荷が最小限に抑えられる。押し付け後にｚ力がオフにされても保たれる永続接続を第４のナノワイヤ及び第５のナノワイヤがもたらすように、第４のナノワイヤをｚ力によって第５のナノワイヤと押し合わせる。この接続は面ファスナと同様に機能することができ、ナノワイヤは押し付け中に塑性的に変形され得る。それと同時に、第６のナノワイヤを同じやり方で第７のナノワイヤと押し合わせることができる。キャリアに対するヒートシンクの及びカバーのこれらの接続はスタックにおけるクランプ力を保ち、その結果、押し付け後にｙ力もオフにすることができる。
【００８１】
第１のナノワイヤ及び／又はナノチューブのおかげでスタック内の複合材は幾らかコンプライアンスをもつ。その結果、レーザの動作中の押し付け中の及び／又は押し付け後のレーザバーに対する過度に高い剪断応力を回避することができる。
【００８２】
図１２は、第７の例示的実施形態を示す。ここでは、ヒートシンク４、ダイオードレーザバー２、及びカバー７をそれぞれ含む複数のスタックが共通のキャリア２３上に配置されている。第１のスタックのカバー７から第２のスタックの第２のヒートシンク４への電流の流れがここでは第２の層領域２５を経由して通される。
【００８３】
図面は縮尺通り描かれていないことを念の為指摘しておく。
【符号の説明】
【００８４】
１  レーザアセンブリ
２  ダイオードレーザバー、第１のダイオードレーザバー
３  第２のダイオードレーザバー
４  ヒートシンク、第１のヒートシンク
５  第２のヒートシンク
６  第１の接続面
７  カバー
８  第２の接続面
９  エミッタ
１０  レーザ放射
１１  Ｐ型コンタクト
１２  Ｎ型コンタクト
１３  第１の金属層
１４  第２の金属層
１５  電気絶縁層
１６  ナノワイヤ、ナノチューブ
１７  第２のナノワイヤ、第２のナノチューブ
１８  第３のナノワイヤ、第３のナノチューブ
１９  第４のナノワイヤ
２０  第５のナノワイヤ
２１  第６のナノワイヤ
２２  第７のナノワイヤ
２３  キャリア
２４  第１の層領域
２５  第２の層領域
２６  ｙ力
２７  ｚ力
【図１】
2021501997.tif 000003
【図２】
2021501997.tif 000004
【図３】
2021501997.tif 000005
【図４】
2021501997.tif 000006
【図５】
2021501997.tif 000007
【図６】
2021501997.tif 000008
【図７】
2021501997.tif 000009
【図８】
2021501997.tif 000010
【図９】
2021501997.tif 000011
【図１０】
2021501997.tif 000012
【図１１】
2021501997.tif 000013
【図１２】
2021501997.tif 000014
【国際調査報告】
2021501997.tif 000015
2021501997.tif 000016
2021501997.tif 000017
2021501997.tif 000018
2021501997.tif 000019