(57)【要約】【課題】パッケージ化されている半導体装置において、内部配線に生じる熱応力を緩和する技術を提供する。【解決手段】ポスト１３０が固定されている部位の内部配線１２０に、熱膨張係数が内部配線１２０よりも小さい応力緩和部１２８を形成する。ポスト１３０の中心のまわりに複数の応力緩和部１２８を分散して形成することが好ましい。応力緩和部１２８は、絶縁層１０８と同一の材質で形成するのが好ましい。応力緩和部１２８を設けると、熱応力の発達が抑制され、絶縁層１０８の破壊が防止される。【選択図】図１
2008258445.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の被覆層でパッケージされているとともにパッケージの表面に外部端子が露出している半導体装置であり、
表面に電極パッドが形成されている半導体基板と、
前記電極パッドに電気的に導通しているとともに前記半導体基板の面と平行に延在している内部配線と、
前記内部配線の前記半導体基板と反対側の面に固定されているとともに前記半導体基板と反対側に伸びている導電性のポストと、
前記内部配線に固定されていない側の端部を除いた部位の前記ポストと、前記内部配線と、前記半導体基板を被覆している絶縁性の被覆層と、
前記ポストの前記端部に固定されているとともに前記被覆層の表面に露出している外部端子を備えており、
前記ポストが固定されている部位の内部配線に、熱膨張係数が周囲の内部配線よりも小さい応力緩和部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記応力緩和部が、前記内部配線を貫通していることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項３】
前記ポストが伸びている方向に直交する面で観測したときに、複数個の前記応力緩和部が前記ポストの中心の周りに対称に配置されていることを特徴とする請求項１または２の半導体装置。
【請求項４】
４個以上の応力緩和部が前記ポストの中心の周りに均一な間隔で配置されていることを特徴とする請求項３の半導体装置。
【請求項５】
前記ポストが伸びている方向に直交する面で観測したときに、前記応力緩和部の輪郭が八角形以上の正多角形または円形であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの半導体装置。
【請求項６】
前記ポストが伸びている方向に直交する面で観測したときに、前記ポストの輪郭が八角形以上の正多角形または円形であり、前記応力緩和部の外接円の直径が前記ポストの外接円の直径の１／５以上であることを特徴とする請求項５の半導体装置。
【請求項７】
前記電極パッドと前記ポストが存在しない部位で観測したときに、前記半導体基板の側から順に絶縁層と前記内部配線と前記被覆層が積層された構造が存在し、前記応力緩和部と前記絶縁層が同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかの半導体装置。
【請求項８】
前記応力緩和部が前記内部配線よりも弾性が大きい材料で形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれかの半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関する。特に、絶縁性の被覆層でパッケージされているともにパッケージの表面に外部端子が露出しており、パッケージされている半導体基板の表面に形成されている電極パッドと外部端子が、パッケージの内部を伸びている内部配線と導電性のポストで接続されている半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記形式のパッケージ化された半導体装置が知られており、特許文献１に開示されている。本明細書に添付する図１４に示すように、特許文献１のパッケージ化された半導体装置９００は、表面に電極パッド９０４が形成されている半導体基板９０２と、電極パッド９０４に電気的に導通しているとともに半導体基板９０２の表面と平行に延在している内部配線９０６と、内部配線９０６の半導体基板９０２と反対側の面に固定されているとともに半導体基板９０２と反対側に伸びている導電性のポスト９１０と、上端面を除いた部位のポスト９１０と内部配線９０６と半導体基板９０２を被覆している絶縁性の被覆層９０８と、ポスト９１０の上端面に固定されているとともに被覆層９０８の表面に露出している外部端子（この場合はんだボール）９１４を備えている。なお、参照番号９１６，９１８，９２０は保護膜または絶縁膜である。
【０００３】
半導体装置９００を利用する場合、はんだボールを９１４を図示しないプリントボードにはんだ付けして用いる。半導体装置９００を作動させると半導体装置は発熱して加熱される。半導体装置９００はヒートサイクルに晒される。特に、車載用の半導体装置は、使用する雰囲気温度の変動が厳しく、大きなヒートサイクルに晒される。半導体装置９００がヒートサイクルに晒されると、半導体装置９００の熱膨張係数とプリントボードの熱膨張係数が相違することから、ポスト９１０の上端にポスト９１０を矢印F方向に変位させる力が加えられる。特許文献１の技術では、この力によってポスト９１０が破壊されるのを防止するために、ポスト９１０を円筒形状にして変形しやすくしている。なお、円筒形状のポスト９１０の内部９１２には被覆層９０８と同一の材料が充填される。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２２８４２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の半導体装置９００によると、ヒートサイクルによってポスト９１０が破壊されることを防止できる。
しかしながら、特許文献１の技術によっても、絶縁膜９１８が破壊されことを防止できない。特に、内部配線９０６を挟んでポスト９１０に向かいあう部位において絶縁膜９１８が破壊されことを防止できない。
本発明は、この問題を解決する。即ち、半導体装置がヒートサイクルに晒されても、内部配線を挟んでポストに向かいあう部位における絶縁膜が破壊されことを防止する半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体装置は絶縁性の被覆層でパッケージされており、外部端子がパッケージの表面に露出している。この半導体装置は、表面に電極パッドが形成されている半導体基板と、電極パッドに電気的に導通しているとともに半導体基板の面と平行に延在している内部配線と、内部配線の半導体基板と反対側の面に固定されているとともに半導体基板と反対側に伸びている導電性のポストと、絶縁性の被覆層と、ポストの前記端部に固定されているとともに被覆層の表面に露出している外部端子を備えている。絶縁性の被覆層は、内部配線に固定されていない側の端部を除いた部位のポストと、内部配線と、半導体基板を被覆している。外部端子は、被覆層の表面に露出している
本発明の半導体装置では、ポストが固定されている部位の内部配線に、熱膨張係数が周囲の内部配線よりも小さい応力緩和部が形成されている。
内部配線は、通常は半導体基板の表面に沿って伸びているが、さらに半導体基板の側面や底面に沿って伸びていてもよい。内部配線が沿って伸びる面は半導体基板の表面に限られない。
本発明の半導体装置によると、ポストが固定されている部位の内部配線に熱膨張係数が周囲の内部配線よりも小さい応力緩和部が形成されているために、半導体装置がヒートサイクルに晒されたときに、内部配線とポストの接続部周辺に生じる熱応力を抑制するができる。
【０００７】
応力緩和部が内部配線を貫通していることが好ましい。
応力緩和部が内部配線を貫通していると、より効果的に熱応力の発達を抑制することができる。また、ポストが固定されている部位における内部配線に、ポストが伸びている方向に沿って熱応力が不均一に発達することを抑制することもできる。
【０００８】
ポストが伸びている方向に直交する面で観測したときに、複数個の応力緩和部がポストの中心の周りに対称に配置されていることが好ましい。
複数個の応力緩和部がポストの中心の周りに対称に配置されていることによって、より効果的に当該部位の内部配線に生じる熱応力を抑制することができる。この場合、２個の応力緩和部が中心を挟む反対位置に配置されていてもよいし、３個の応力緩和部が中心の周りに１２０度の間隔で配置されていてもよいが、４個以上の応力緩和部がポストの中心の周りに均一な間隔で配置されていること特に好ましい。
【０００９】
ポストが伸びている方向に直交する面で観測したときに、応力緩和部の輪郭が八角形以上の正多角形または円形であることが好ましい。
応力緩和部の輪郭が八角形以上の正多角形または円形であると、形状に起因する応力集中を避けることができ、熱応力の最大値を抑制することができる。
【００１０】
ポストが伸びている方向に直交する面で観測したときに、ポストの輪郭も八角形以上の正多角形または円形であることが好ましい。応力緩和部とポストの輪郭の双方が八角形以上の正多角形または円形である場合、応力緩和部の外接円の直径がポストの外接円の直径の１／５以上であることが好ましい。ここで、輪郭が円形の場合、輪郭と外接円が一致する。
ポストの輪郭が八角形以上の正多角形または円形であると、形状に起因する応力集中を避けることができる。応力緩和部の外接円の直径をポストの外接円の直径の１／５以上に設定すると、応力緩和部によって十分な応力緩和効果を得ることができる。
【００１１】
電極パッドとポストが存在しない部位で断面観測したときに、半導体基板の側から順に絶縁層と内部配線と被覆層が積層された構造が存在している。この場合、応力緩和部と絶縁層が同じ材料で形成されていることが好ましい。
応力緩和部と絶縁層が同じ材料で形成されていることによって、応力緩和部と絶縁層との間に、熱膨張率の相違による応力の発生を防止することができ、絶縁層に加わる応力をよりよく抑制することができる。
【００１２】
応力緩和部が内部配線よりも弾性が大きい材料で形成されていることが好ましい。
応力緩和部と内部配線の間の熱膨張に起因する変位差が大きい過ぎると、応力緩和部が圧縮される場合がある。その場合、応力緩和部が内部配線よりも弾性が大きい材料で形成されていると、応力緩和部に生じる反発力が小さく抑えられる。内部配線の変位を応力緩和部で吸収することができ、より効果的な応力緩和効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の好ましい特徴を列記する。
（第１特長）  内部配線はＣｕまたはＮｉで形成されている。
（第２特長）  被覆層と絶縁層は同じ材料で形成されている。
（第３特長）  外部端子は半田ボールによって形成されている。
【実施例】
【００１４】
（第１実施例）
以下、図１及び図２を参照しながら本発明の実施例１の半導体装置１００を説明する。図１は半導体装置１００を示す断面図である。図２は図１のII−II線の断面図である。正確には、図１は図２のI−I線の断面図である。
図１に示すように、半導体装置１００は、内部に半導体構造（未図示）が形成されている半導体基板１０２を備えている。半導体基板１０２の上面に電極パッド１０４が形成されている。電極パッド１０４は、例えばアルミニウムで形成されている。電極パッド１０４は、半導体基板１００に導電領域に接続されている電極として機能するものであればよく、その平面形状や寸法や材料などは特に限定されない。
【００１５】
半導体基板１０２と電極パッド１０４の上面に、パッシベ−ション膜１０６と絶縁層１０８が順に積層されている。絶縁層１０８の上面はほぼフラットとなっている。パッシベ−ション膜１０６と絶縁層１０８には、電極パッド１０４の上面の一部を露出させる円形の貫通孔１１０が形成されている。パッシベーション膜１０６は、半導体基板１０２の最表面を保護して安定させる被膜であり、その材料は特に限定されていない。例えばＳｉの酸化物や、Ｓｉの窒化物や、ガラスあるいは樹脂などで形成される。絶縁層１０８は、パッシベ−ション膜１０６の上面を電気的に絶縁して平坦化するためのものであり、その材料は特に限定されない。本実施例では、ポリイミド又はＰＢＯで形成している。
【００１６】
絶縁層１０８のフラットな表面に沿って内部配線１２０が伸びている。内部配線１２０は抵抗値が低いものであればよく、その材料は特に限定されない。例えば、Ｃｕ，ＮｉまたはＡｌなどで形成することができる。絶縁層１０８の表面と半導体基板１０２の表面はほぼ平行であることから、内部配線１２０は半導体基板１０２の表面に沿って伸びているということができる。
内部配線１２０は、パッシベ−ション膜１０６と絶縁層１０８に形成されている貫通孔１１０を通過して電極パッド１０４の上面に達している突出部１２２と、絶縁層１０８の表面上を表面に沿って伸びている延伸部１２６を備えている。突出部１２２は、貫通孔１１０をほぼ完全に埋める円柱形状に形成されている。ここで、突出部１２２を円柱形状に形成するのは、応力集中を抑制するためである。突出部１２２（あるいは貫通孔１１０）の形状や寸法は特に限定されない。延伸部１２６は、ほぼ均一の厚さで半導体基板１０２の表面に沿って延在している。延伸部１２６の厚さは特に限定されていないが、機械的強度を確保することや、電気抵抗を抑制することなどを配慮すると、５μｍ程度に厚く形成することが好ましい。延伸部１２６について後に詳細に説明する。
【００１７】
内部配線１２０の上面に、導電性のポスト１３０が固定されている。ポスト１３０は、内部配線１２０の上面から半導体基板１０２と反対側に伸びており、円柱形に形成されている。ポスト１３０の形成材料については、低い抵抗を持つものであればよく、特に限定されない。ただし、内部配線１２０と同じ材料を使用することが好ましい。同一材料であると、内部配線１２０とポスト１３０の接続部で大きな熱応力が発達することがない。ポスト１３０は、必ずしも円柱形状に形成する必要がない。例えば、多角柱形状や円筒形状などに形成してもよい。ただし、応力集中を抑制する観点から見ると、正八角形以上の正多角形又は円形に形成することが好ましい。
ポスト１３０の上端に、外部端子１３２が固定されている。外部端子１３２は、外部から半導体装置１００に電位を供給する導電パターンやワイヤーを接続するものであり、その形状や材料は、特に限定されない。一般的には、半田ボールが利用される。
【００１８】
絶縁層１０８と内部配線１２０の上面は、絶縁性の被覆層１４０で覆われている。被覆層１４０は、ポスト１３０と同じ高さまで積層されており、ポスト１３０の上端は被覆層１４０から露出している。半導体装置１００は、上面が被覆層１４０によってパッケージされていると共に、外部端子１３２がパッケージの上面から露出している。被覆層１４０の形成材料は、十分な絶縁性を有すればよく、特に限定されていないが、絶縁層１０８と同程度の熱膨張係数を有するモールド用樹脂で形成されることが好ましい。半導体装置１００の上面は、外部端子１３２を除き、絶縁性の被覆層１４０でパッケージされている。
被覆層１４０をポスト１３０と同じ高さまで形成するのは製造上の便宜のためであり、必ずしも不可欠の構成でない。例えば、ポスト１３０の上端近傍の外周面が被覆層１４０から露出していてもよい。ポスト１３０の上端が露出している限り、ポスト１３０が被覆層１４０の厚み内に留まっていてもよい。
外部の電源から、外部端子１３２、ポスト１３０、内部配線１２０の延伸部１２６、内部配線１２０の突出部１２２を介して、半導体基板１０２の電極パッド１０４に電位を供給することができる。
【００１９】
以下、図１と図２を合わせて、内部配線１２０の延伸部１２６を説明する。延伸部１２６は、図２に示すように、下面から突出部１２２が伸びている第１端部１２６ａと、上面にポスト１３０が固定されている第２端部１２６ｂと、第１端部１２６ａと第２端部１２６ｂを接続する接続部１２６ｃから構成されている。第１端部１２６ａは、突出部１２２と同心の円盤状である。第２端部１２６ｂは、ポスト１３０と同心の円盤状である。ここで、第１端部１２６ａ及び第２端部１２６ｂは、円盤状に限ることがなく、任意の形状に形成してもよい。ただし、応力集中を抑えるため、正八角形以上の正多角形又は円形に形成することが好ましい。第１端部１２６ａ及び第２端部１２６ｂの直径又は正多角形の外接円の直径も特に限定されていない。必要な導電能力と、突出部１２２との接続強度と、ポスト１３０との接続強度を確保することができればよい。第１端部１２６ａについては、４角形であってもよい。接続部１２６ｃは、直線に限ることがなく、必要な導電能力を確保する幅があれば、様々なパターンに形成してもよい。
また図１に示すように、ポスト１３０が固定されている第２端部１２６ｂに、複数個の応力緩和部１２８が配置されている。各々の応力緩和部１２８は、ポスト１３０が伸びている方向に伸びて第２端部１２６ｂを貫通する円柱形状に形成されている。応力緩和部１２８は、図２に示すように、４個存在している。４個の応力緩和部１２８は、ポスト１３０の中心（第２端部１２６ｂの中心）の回りに対称に分布している。応力緩和部１２８は絶縁層１０８と同じ材料（ポリイミド又はＰＢＯ）で形成されている。絶縁層１０８の材料は、熱膨張係数が内部配線１２０よりも小さく、弾性係数が内部配線１２０より大きい材料である。
【００２０】
以下、実施例１の半導体装置１００の特長について説明する。実施例１の半導体装置１００がヒートサイクルに晒されると、内部配線１２０の第２端部１２６ｂと絶縁層１０８との間に、熱膨張係数の相違による変位差が発生するが、応力緩和部１２８が内部配線１２０よりも小さい熱膨張係数を有する材料で形成されているため、第２端部１２６ｂの変位を応力緩和部１２８が吸収することができる。つまり、第２端部１２６ｂが加熱されるとき、応力緩和部１２８が圧縮されることによって、第２端部１２６ｂの外廓の変位を抑制することができる。それにより、第２端部１２６ｂと絶縁層１０８との変位差を抑制することができ、それによる熱応力を緩和することができる。
また、弾性係数が内部配線１２０よりも大きい材料で応力緩和部１２８が形成されていることによって、内部配線１２０がより変形やすくなっている。それによっても、第２端部１２６ｂと絶縁層１０８との間に生じる熱応力を緩和することができる。
【００２１】
更に、応力緩和部１２８がポスト１３０の中心（第２端部１２６ｂの中心）の回りに対称に分布していることによって、内部配線１２０の第２端部１２６ｂにおいて、熱による変位を均一させることができる。第２端部１２６ｂと絶縁層１０８との間に生じる熱応力の集中を緩和することができる。また、応力緩和部１２８が第２端部１２６ｂを貫通する円柱形状に形成することによって、応力緩和部１２８の付近の内部配線１２０に応力が集中するのを防止することができると共に、ポスト１３０が伸びている方向における応力の不均一を抑制することができる。
【００２２】
次に、図４〜図１２を参照ながら、実施例１の半導体装置１００を製造する方法を説明する。図４〜図１２は半導体装置１００の製造工程を示す断面図である。
図４に示すように、内部に半導体構造（未図示）が形成されている半導体基板１０２を用意する。半導体基板１０２の上面には、電極パッド１０４が形成されている。半導体基板１０２の表面は、電極パッド１０４が形成されている部分を除いてＳｉＮ膜などのパッシベーション膜１０６で被覆されている。
【００２３】
次に図５に示すように、図４に示したパッシベーション膜１０６の全面を絶縁膜１０８で覆うことによって、上面を平坦化する。そして、絶縁膜１０８を局部的にエッチングすることによって、貫通孔１１０を形成して電極パッド１０４を露出させる。
次に、内部配線１２０を形成する。具体的に、図６に示すように、内部配線１２０を形成しない範囲の絶縁層１０８上にホトレジストパターン層１５０を形成する。内部配線１２０の第２端部１２６ｂを形成する部位には、ホトレジストパターン層１５０で応力緩和部１２８を形成しておく。その後、図７に示すように、ホトレジストパターン層１５０が形成されていない領域に、例えばメッキ法で内部配線１２０を形成する。
【００２４】
次に、図８に示すように、内部配線１２０及びホトレジストパターン層１５０の上面にポスト１３０を形成するためのホトレジスト層１５２を形成する。その後、図９に示すように、ホトレジストパターン層１５２の形成されていない領域に、例えばメッキ法でポスト１３０を形成する。
次に、図１０に示すように、ホトレジストパターン層１５０及びホトレジストパターン層１５２を除去する。ただし、応力緩和部１２８に相当する部分のホトレジストパターン層１５０は、露出していないので、そのまま残る。その後、図１１に示すように、被覆層１４０でポスト１３０を完全に埋めるように、図１０の構造体の上面を封止する。その後図１２に示すように、被覆層１４０の表面を研磨することによって、ポスト１３０の上面を平坦化して露出させる。
最後に、露出したポスト１３０の上面に外部端子１３２を形成すると、図１に示す半導体装置１００が完成する。具体的には、例えば真空吸着法などの公知の方法を用いてポスト１３０の上端面に半田ボールを搭載して圧着すればよい。
【００２５】
（第１実施例の変形例）
以上、本発明の実施例１の半導体装置１００の詳細な構造及びその製造方向について説明したが、本発明はそれに限定されることがない。本発明の効果を実現する限りに、様々な変更ができる。以下本発明の効果を合わせて半導体装置１００の変形例を説明する。以下の説明において、第１実施例と共通する部分、又は機能が均等な部分に対しては、同じ番号を付して重複する説明を省略する。
図３（ａ）〜（ｄ）は実施例１の各変形例を示す断面図である。その断面図は内部配線１２０の第２端部１２６ｂ及び応力緩和部１２８をポスト１３０が伸びている方向に直交する断面を示す図である。図３（ａ）〜（ｄ）に示すように、応力緩和部１２８の数や形状や分布やサイズなどについて、様々に変更することが可能である。いずれの場合、前記の説明と同じ通りに、第２端部１２６ｂと絶縁層１０８との間に生じる熱応力を緩和することができる。
【００２６】
実験の結果により、第２端部１２６ｂと絶縁層１０８との間の応力集中を抑制するために、応力緩和部１２８が八角形以上の正多角形（図３（ｂ）に参照）又は円形、或いは長い円形（図３（ｄ）に参照）に形成されることが好ましい。また、応力緩和部１２８は四つ以上であれば、第２端部１２６ｂと絶縁層１０８との間に生じる熱応力を効果的に緩和することができる。更に、応力緩和部１２８の直径（円形の場合）或いはその外接円の直径（正多角形の場合）がポスト１３０の直径（円形の場合）或いはその外接円の直径（正多角形の場合）の１／５以上であれば、第２端部１２６ｂと絶縁層１０８との間に生じる熱応力をより効果的に緩和することができる。また、第２端部１２６ｂの変位の均一性、又は応力緩和部１２８の応力吸収効果の均一性を配慮すると、応力緩和部１２８はポスト１３０の中心に対して回転対称に配置されていること、あるいは応力緩和部１２８同士の間隔が均一になっていることが好ましい。ここで、「回転対称」とは１８０度の回転対象に限られなく、応力緩和部１２８の数（図３（ａ）に参照）に合わせて任意な角度であることが可能である。
また、応力緩和部１２８の構成材料は、絶縁層１０８と同じ材料に限定されるものでない。つまり、熱膨張係数が内部配線１２０よりも小さい材料であれば、本発明の効果を発揮することができる。応力緩和部１２８が中空部であってもよい。
【００２７】
（第２実施例）
図１３は本発明の第２実施例の半導体装置２００を示す縦方向断面図である。第２実施例において、第１実施例と共通する部分、又は機能が均等な部分に対しては、同じ番号を付して重複する説明を省略する。
以下、第１実施例との相違点を詳しく説明する。実施例１の半導体装置１００では、応力緩和部１２８が内部配線１２０を貫通していたが、実施例２の半導体装置２００では、応力緩和部２２８が図１３に示すように内部配線1２０の下面から凹むように形成されている。つまり、応力緩和部２２８は内部配線１２０に貫通していない。そのため、内部配線１２０の上面は孔のない平面に形成されている。応力緩和部２２８には、実施例１のように、絶縁層１０８と同じ材料が充填されていることが好ましい。
勿論、応力緩和部２２８の平面形状やその充填材料については、実施例１と同じように様々な変更が可能である。
【００２８】
半導体装置２００では、温度が変化するときに、内部配線1２０内部の変位が内部配線１２０の場合と異なるが、内部配線1２０と絶縁層１０８との変位関係が実質的に実施例１に類似する。そのために、半導体２００は半導体１００と同じ効果を発揮することができる。
さらに、内部配線1２０の第２端部２２６ｂの上面に孔が形成されていないため、実施例１の半導体装置１００と比べて、ポスト１３０との接触面積が大きくなり、ポスト１３０と内部配線1２０との接触抵抗を抑制することができる。特に、ポスト１３０が特許文献１のように円筒形状に形成される場合には、有効である。
実施例２の半導体装置２００を製造する工程は、ほぼ実施例１の半導体装置１００と同じである。ただし、図6に示す工程において、応力緩和部２２８を形成する部分のホトレジストパターン層１５０が、他の部分より低く生成する必要がある。マスクの寸法と露光量を適切に設定することによってその所望の高度差を実現することができる。
以上の実施例は、本発明の半導体装置を説明するための実例に過ぎない。特に、本発明のポイントと緊密に関連しない構成は、性能の改善や製造方法の改善に応じて様々に変更されることができる。例えば、接触抵抗を抑制するために、ポスト１３０と外部端子１３２の間にＮｉ層／Ａｕ層から成るバリア層が形成されてもよい。また、内部配線１２０と絶縁層１０８（電極パッド１０４）との間に電極膜を介在してもよい。
【００２９】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】実施例１の半導体装置を示す断面図である。
【図２】図１のII−II線の断面図である。
【図３】実施例１の変形例を示す断面図である。
【図４】実施例１の半導体装置を製造する工程を示す断面図である。
【図５】実施例１の半導体装置を製造する工程を示す断面図である。
【図６】実施例１の半導体装置を製造する工程を示す断面図である。
【図７】実施例１の半導体装置を製造する工程を示す断面図である。
【図８】実施例１の半導体装置を製造する工程を示す断面図である。
【図９】実施例１の半導体装置を製造する工程を示す断面図である。
【図１０】実施例１の半導体装置を製造する工程を示す断面図である。
【図１１】実施例１の半導体装置を製造する工程を示す断面図である。
【図１２】実施例１の半導体装置を製造する工程を示す断面図である。
【図１３】実施例２の半導体装置を示す断面図である。
【図１４】従来の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０２  ：  半導体基板
１０４  ：  電極パッド
１０６  ：  パッシベーション膜
１０８  ：  絶縁層
１２０  ：  内部配線
１２２  ：  突出部
１２６  ：  延伸部
１２６ａ：  第１端部
１２６ｂ：  第２端部
１２６ｃ：  接続部
１２８  ：  応力緩和部
１３０  ：  ポスト
１４０  ：  被覆層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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