(57)【要約】  本出願は、回路基板及びその製造方法を提供する。回路基板は、表面の少なくとも一部に回路層が含まれる積層配置された複数のコアボードを備え、回路基板には、コアボードの一部を貫通する溝が設けられ、前記溝には、コアボードにおける少なくとも２つの回路層を接続するための導電性物質が形成され、溝の横断面における第１方向の寸法は、めっき液が溝の任意の場所に接触できるように、第２方向の寸法よりも大きく、めっきにより導電性物質を形成する。本出願では、溝の形状を変更して、孔のめっき中に薬品液を交換するための空間が不十分であるという問題を改善し、孔のめっき能力を向上させ、孔のアスペクト比を拡大する。
2021534569.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板であって、
少なくとも一部の表面に回路層が含まれる積層配置された複数のコアボードを備え、
前記回路基板には、前記コアボードの一部を貫通する溝が設けられ、前記溝には、前記コアボードにおける少なくとも２つの前記回路層を接続するための導電性物質が形成され、
前記溝の横断面における第１方向の寸法は、めっき液が溝の任意の場所に接触できるように、第２方向の寸法よりも大きく、めっきにより前記導電性物質を形成する回路基板。
【請求項２】
前記溝の底部は、前記複数のコアボードの中の１つの回路層に位置し、少なくとも部分的に前記回路層と重なる請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記溝は、複数のコアボードの複数の回路層上にそれぞれ位置しているずらした多層底部を含む請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記溝は、ブラインド溝であり、前記溝の底部にはボスがあり、前記ボスの側壁と対向する前記溝の側壁との間にブラインドビアホールが形成され、前記ボスの高さと前記ブラインドビアホールの直径との比率は予めに設定された閾値よりも小さく、前記予めに設定された閾値は、めっき液が溝に入って前記ブラインドビアホールの孔壁を含む溝の任意の位置に接触できるようにする値である請求項２に記載の回路基板。
【請求項５】
前記溝は、ブラインド溝であり、前記溝の底部にはボスがあり、前記ボスの側壁と対向する前記溝の側壁との間にブラインドビアホールが形成され、前記ボスの高さと前記ブラインドビアホールの直径との比率は予めに設定された閾値よりも小さく、前記予めに設定された閾値は、めっき液が溝に入って前記ブラインドビアホールの孔壁を含む溝の任意の位置に接触できるようにする値である請求項３に記載の回路基板。
【請求項６】
前記ボスの数は１つであり、前記ボスは前記溝の底部の一方側に位置し前記溝の側壁に接続されて、前記溝の底部の他方側にブラインドビアホールを形成するか、又は、
前記ボスの数は２つであり、前記ボスは前記溝の底部の両側に位置し前記溝の２つの側壁にそれぞれ接続されて、前記溝の底部の中間にブラインドビアホールを形成するか、又は、
前記ボスの数は１つであり、前記ボスは前記溝の底部の中央に位置し、一方向で前記溝の側壁に接続され、他の方向で前記溝の側壁に接続されていないので、前記溝の底部に第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールを形成する請求項５に記載の回路基板。
【請求項７】
前記導電性物質は、前記ボスを覆い、前記溝の開口端と面一である請求項５に記載の回路基板。
【請求項８】
前記導電性物質は、前記第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールに位置し、前記ボスの上には、前記第１ブラインドビアホール及び前記第２ブラインドビアホールを電気的に絶縁するための絶縁物質が形成され、
前記第１ブラインドビアホール及び前記第２ブラインドビアホールの底面の導電性物質は同一層の回路層と接触するか、又は、
前記第１ブラインドビアホール及び前記第２ブラインドビアホールの底面の導電性物質は異なる層の回路層と接触する請求項６に記載の回路基板。
【請求項９】
前記溝の深さと前記溝の横断面における第１方向の寸法の比率は１．２未満である請求項１に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記ボスの高さと前記ブラインドビアホールの直径との比率は１未満である請求項４に記載の回路基板。
【請求項１１】
回路基板であって、
少なくとも一部の表面に回路層が含まれる積層配置された複数のコアボードを備え、
前記回路基板の一方の表面には内部に窪んだ孔が形成され、前記孔には、前記コアボードにおける少なくとも２つの前記回路層を接続するための導電性物質が形成され、
前記孔の軸方向で開口部に隣接する位置の直径は、前記孔の内部に十分な空間を有するように、前記開口部から遠く離れた位置の直径よりも大きく、めっきにより前記導電性物質を形成する回路基板。
【請求項１２】
前記孔の底部にはボスがあり、前記ボスの一方側の側壁は前記孔の壁と接し、前記孔の直径を軸方向において急激に変化させる請求項１１に記載の回路基板。
【請求項１３】
前記ボスの側壁と対向する前記孔の側壁との間にブラインドビアホールが形成され、前記ボスの高さと前記ブラインドビアホールの直径との比率は予めに設定された閾値よりも小さく、前記予めに設定された閾値は、めっき液が孔に入って前記ブラインドビアホールの孔壁を含む孔の任意の位置に接触できるようにする値である請求項１２に記載の回路基板。
【請求項１４】
前記ボスの数は１つであり、前記ボスは前記孔の底部の一方側に位置し前記孔の側壁に接続されて、前記孔の底部の他方側にブラインドビアホールを形成するか、又は、
前記ボスの数は２つであり、前記ボスは前記孔の底部の両側に位置し前記孔の２つの側壁にそれぞれ接続されて、前記孔の底部の中間にブラインドビアホールを形成するか、又は、
前記ボスの数は１つであり、前記ボスは前記孔の底部の中央に位置し、一方向で前記孔の側壁に接続され、他の方向で前記孔の側壁に接続されていないので、前記孔の底部に第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールを形成する請求項１３に記載の回路基板。
【請求項１５】
前記孔の底部は、前記複数のコアボードの中の１つの回路層に位置し、少なくとも部分的に前記回路層と重なる請求項１４に記載の回路基板。
【請求項１６】
前記孔は、複数のコアボードの複数の回路層上にそれぞれ位置しているずらした多層底部を含む請求項１４に記載の回路基板。
【請求項１７】
前記導電性物質は、前記ボスを覆い、前記溝の開口端と面一である請求項１６に記載の回路基板。
【請求項１８】
前記導電性物質は、前記第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールに位置し、前記ボスの上には、前記第１ブラインドビアホール及び前記第２ブラインドビアホールを電気的に絶縁するための絶縁物質が形成され、
前記第１ブラインドビアホール及び前記第２ブラインドビアホールの底面の導電性物質は同一層の回路層と接触するか、又は、
前記第１ブラインドビアホール及び前記第２ブラインドビアホールの底面の導電性物質は異なる層の回路層と接触する請求項１６に記載の回路基板。
【請求項１９】
前記孔の深さと前記孔の開口部の位置の直径の比率は２未満である請求項１１に記載の回路基板。
【請求項２０】
前記ボスの高さと前記ブラインドビアホールの直径との比率は１未満である請求項１３に記載の回路基板。
【請求項２１】
回路基板であって、
少なくとも一部の表面に回路層が含まれる積層配置された複数のコアボードを備え、
前記回路基板には、厚さ方向に孔が形成されており、前記孔には、前記コアボードにおける少なくとも２つの前記回路層を接続するための導電性物質が形成され、
前記導電性物質を形成するために、前記孔の横断面は２つの異なる方向での寸法が異なるか、又は軸方向での空間の大きさが異なり、めっき液を、前記寸法の大きい位置から寸法の小さい位置、又は軸方向空間の大きい位置から軸方向空間の小さい位置に入らせる回路基板。
【請求項２２】
前記孔の底部は、前記複数のコアボードの中の１つの回路層に位置し、少なくとも部分的に前記回路層と重なる請求項２１に記載の回路基板。
【請求項２３】
前記孔は、複数のコアボードの複数の回路層上にそれぞれ位置しているずらした多層底部を含む請求項２１に記載の回路基板。
【請求項２４】
前記孔の底部の少なくとも一部にボスがあり、前記ボスは前記孔の一方側の側壁に接続されるか、又は、
前記ボスは前記孔の両側の側壁に接続され、前記孔の両側壁を接続するボスは互いに接続されず、
前記導電性物質は前記ボスを覆っている請求項２２に記載の回路基板。
【請求項２５】
前記孔の底部の少なくとも一部にはボスがあり、前記ボスは、前記孔の底部の中間位置に位置して、前記孔を互いに接続しない第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールに分割し、前記導電性物質は、前記第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールに位置し、前記ボスの上には、前記第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールを電気的に絶縁するための絶縁物質が形成され、
前記第１ブラインドビアホール及び前記第２ブラインドビアホールの底面の導電性物質は同一層の回路層と接触するか、又は、
前記第１ブラインドビアホール及び前記第２ブラインドビアホールの底面の導電性物質は異なる層の回路層と接触する請求項２２に記載の回路基板。
【請求項２６】
前記ボスの高さと、前記ボスの側壁と対向する前記孔の側壁との間の孔の直径との比率は予めに設定された閾値よりも小さく、前記予めに設定された閾値は、めっき液が孔に入って前記ブラインドビアホールの孔壁を含む孔の任意の位置に接触できるようにする値である請求項２４に記載の回路基板。
【請求項２７】
前記ボスの高さと、前記ボスの側壁と対向する前記孔の側壁との間の孔の直径との比率は予めに設定された閾値よりも小さく、前記予めに設定された閾値は、めっき液が孔に入って前記ブラインドビアホールの孔壁を含む孔の任意の位置に接触できるようにする値である請求項２５に記載の回路基板。
【請求項２８】
前記孔の厚さ方向の寸法と前記孔の横断面で大きい方の寸法との比率は１．２未満である請求項２１に記載の回路基板。
【請求項２９】
前記ボスの高さと、前記ボスの側壁と対向する前記孔の側壁との間の孔の直径との比率は１未満である請求項２６に記載の回路基板。
【請求項３０】
回路基板であって、
少なくとも一部の表面に回路層が含まれる積層配置された複数のコアボードを備え、
前記回路基板には、前記コアボードの一部を貫通する孔が設けられ、前記孔には、前記コアボードにおける少なくとも２つの前記回路層を接続するための導電性物質が形成され、
前記孔の横断面の第１方向の寸法は第２方向の寸法よりも大きく、前記孔の深さと前記第１方向の寸法の比率は１．２未満であるか、又は、
前記孔の横断面の第１方向の寸法は第２方向の寸法と等しく、前記孔の深さと前記第１方向の寸法又は前記第２方向の寸法の比率は２未満である回路基板。
【請求項３１】
前記孔の軸方向の空間は、上から下に向かって順次減少するか、又は、
前記孔の軸方向の空間は、上から下に向かって同じである請求項３０に記載の回路基板。
【請求項３２】
回路基板の製造方法において、
表面に回路層が含まれている、積層配置された複数のコアボードを提供することと、
前記回路基板に前記コアボードの一部を貫通する溝を配置することと、
前記溝に導電性物質を形成して前記コアボードにおける少なくとも２つの前記回路層を接続することと、を含み、
前記溝の横断面における第１方向の寸法は第２方向の寸法よりも大きい回路基板の製造方法。
【請求項３３】
前記回路基板に前記コアボードの一部を貫通する溝を配置することは、具体的に、
前記回路基板に溝を開設し、前記溝の底部と接続する必要がある回路層との間が連通しないようにすることと、
前記溝の底部の一部を前記接続する必要がある回路層に連通させ、他の一部にボスが形成されるように、前記溝の底部を処理することと、を含む請求項３２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３４】
前記溝に導電性物質を形成して前記コアボードにおける少なくとも２つの前記回路層を接続するステップの後に、
前記導電性物質の表面に保護層を覆うことと、
前記導電性物質の表面の前記ボスの位置に対応する保護層を除去することと、
前記ボスの上の露出した導電性物質を除去して、前記溝を第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールに分割することと、
前記ボスの上に絶縁物質を形成して、前記第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールが電気的に絶縁するようにすることと、をさらに含む請求項３２に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、回路基板の技術分野に関し、特に、回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
重要な電子接続部材として、ＰＣＢ（  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ、プリント回路基板）はほとんどすべての電子製品に使用されており、「電子システム製品の母」と見なされている。現在、電子製品は、２つの明らかな傾向を示している。１つは軽量、薄型、短尺、小型で、もう１つは高速、高周波である。それに伴って、下流のＰＣＢを高密度、高集積、パッケージング、微細化、及び多層化の方向に発展させ、高多層基板とＨＤＩ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ、高密度相互接続）の需要が高まっている。高多層基板は、配線長が短く、回路インピーダンスが低く、高周波・高速で動作し、性能が安定的で、より複雑な機能を担当でき、電子技術が高速・高周波、多機能、大容量へ発展するに避けられない傾向である。特に、大規模集積回路の詳細な適用により、ＰＣＢはさらに高精度で高層化へ進まれる。
【０００３】
ＨＤＩ配線密度は、通常の多層基板に比べて明らかな利点があり、通信分野のバックボーンネットワークでますます使用される。通信ネットワークスイッチやルーティング製品等の密度はますます高くなり、配線スペースはますます少なくなり、限られたスペースでより多くの信号を送信できるようにする必要があり、通常の多層基板ではその需要を満たすことが困難であった。高密度相互接続回路基板（ＨＤＩ）は、ビルドアップ方式を採用して基板を作成し、通常の多層基板をコアボードとして積み重ねてビルドアップし、孔開けと孔内の金属化のプロセスにより、回路の層間の相互接続機能が可能になる。スルーホールのみの通常の多層基板と比較して、ＨＤＩはブラインドビアホールと埋め込み孔を正確に設定してスルーホールの数を減らし、ＰＣＢの配線面積を節約し、部品密度を大幅に向上させる。
【０００４】
現在、ＨＤＩ技術は、Ｌ１−３層、Ｌ１−４層の接続等のクロスレイヤー接続を実現できる。現在、業界の一般的なＨＤＩは、約１：１のめっき能力のアスペクト比を達成でき、特定のものは１．２：１に達することもできるが、ブラインドビアホールのめっき薬品液の交換能力の制限により、アスペクト比が１．２：１を超えると、ブラインドビアホールのめっきと金属化がボトルネックになり、ＨＤＩ技術の比較的単純なプロセスフローによるより多くの層間の相互接続が制限される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本出願は、主にプリント基板製品の配線密度を高めるための回路基板及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本出願が採用する技術案として、
少なくとも一部の表面に回路層が含まれる積層配置された複数のコアボードを備え、
前記回路基板には、前記コアボードの一部を貫通する溝が設けられ、前記溝には、前記コアボードにおける少なくとも２つの前記回路層を接続するための導電性物質が形成され、
前記溝の横断面における第１方向の寸法は、めっき液が溝の任意の場所に接触できるように、第２方向の寸法よりも大きく、めっきにより前記導電性物質を形成する回路基板を提供する。
【０００７】
また、本出願が採用する技術案として、
少なくとも一部の表面に回路層が含まれる積層配置された複数のコアボードを備え、
前記回路基板の一方の表面には内部に窪んだ孔が形成され、前記孔には、前記コアボードにおける少なくとも２つの前記回路層を接続するための導電性物質が形成され、
前記孔の軸方向で開口部に隣接する位置の直径は、前記孔の内部に十分な空間を有するように、前記開口部から遠く離れた位置の直径よりも大きく、めっきにより前記導電性物質を形成する回路基板を提供する。
【０００８】
また、本出願が採用する技術案として、
少なくとも一部の表面に回路層が含まれる積層配置された複数のコアボードを備え、
前記回路基板には、厚さ方向に孔が形成されており、前記孔には、前記コアボードにおける少なくとも２つの前記回路層を接続するための導電性物質が形成され、
前記導電性物質を形成するために、前記孔の横断面は２つの異なる方向での寸法が異なるか、又は軸方向での空間の大きさが異なり、めっき液を、前記寸法の大きい位置から寸法の小さい位置、又は軸方向空間の大きい位置から軸方向空間の小さい位置に入らせる回路基板を提供する。
【０００９】
また、本出願が採用する技術案として、
少なくとも一部の表面に回路層が含まれる積層配置された複数のコアボードを備え、
前記回路基板には、前記コアボードの一部を貫通する孔が設けられ、前記孔には、前記コアボードにおける少なくとも２つの前記回路層を接続するための導電性物質が形成され、
前記孔の横断面の第１方向の寸法は第２方向の寸法よりも大きく、前記孔の深さと前記第１方向の寸法の比率は１．２未満であるか、又は、
前記孔の横断面の第１方向の寸法は第２方向の寸法と等しく、前記孔の深さと前記第１方向の寸法又は前記第２方向の寸法の比率は２未満である回路基板を提供する。
【００１０】
本出願が採用する技術案として、
表面に回路層が含まれている、積層配置された複数のコアボードを提供することと、
前記回路基板に前記コアボードの一部を貫通する溝を配置することと、
前記溝に導電性物質を形成して前記コアボードにおける少なくとも２つの前記回路層を接続することと、を含み、
前記溝の横断面における第１方向の寸法は第２方向の寸法よりも大きい回路基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本出願が提供する回路基板は、表面の少なくとも一部に回路層が含まれる積層配置された複数のコアボードを備え、回路基板には、コアボードの一部を貫通する溝が設けられ、溝には、コアボードにおける少なくとも２つの前記回路層を接続するための導電性物質が形成され、前記溝の横断面における第１方向の寸法は第２方向の寸法よりも大きい。従来の円形のビアホールと比較して、溝のアスペクト比が低減され、めっき薬品液を溝中の任意の場所に接触させることができ、めっき能力が改善される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１ａ】本出願の回路基板の第１実施例の構造模式図である。
【図１ｂ】本出願の回路基板の溝の横断面の構造模式図である。
【図２】本出願の回路基板の第２実施例の構造模式図である。
【図３ａ】本出願の回路基板の第２実施例の構造模式図である。
【図３ｂ】本出願の回路基板の第３実施例の構造模式図である。
【図４ａ】本出願の回路基板の第４実施例の構造模式図である。
【図４ｂ】本出願の回路基板の第５実施例の構造模式図である。
【図５】本出願の回路基板の製造方法の第１実施例のフローチャートである。
【図６】本出願の回路基板の製造方法の第１実施例のフローチャートである。
【図７】本出願の回路基板の製造方法の第２実施例のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
当業者が本出願の技術案をよりよく理解できるようにするために、以下では、本出願の実施例の添付図面を参照しながら、本出願の実施例の技術案を明確かつ完全に説明する。当然のことながら、ここで説明する実施例は本出願の実施例の全てではなく一部にすぎない。当業者が創造的な作業なしに本出願の実施例に基づいて得られる全ての他の実施例は、本出願の保護範囲に含まれるべきである。
【００１４】
以下、添付図面及び実施例を参照しながら、本出願を詳細に説明する。
【００１５】
図１ａを参照すると、本出願の回路基板の第１実施例の構造模式図であり、積層配置された複数のコアボード１１、１２を備え、少なくとも一部のコアボード１１、１２の表面に回路層１１１、１２１が含まれ、回路基板には、コアボード１１、１２の一部を貫通する溝１３が設けられ、溝１３にはコアボード１１、１２における少なくとも２つの回路層１１１、１２１を接続するための導電性物質が形成されている。
【００１６】
ここで、コアボード１１、１２はいずれも銅張積層板であり、銅張積層板は回路基板を作るための基本材料であり、基材板及び基材を覆う銅箔を含む。基材板は、紙基板や、ガラス繊維布基板、合成繊維布基板、不織布基板、複合基板等の材料を樹脂に含浸させて、接着シートを作製し、複数枚の接着シートを組み合わせることにより作製され、作製された基材板の片面又は両面を銅箔で覆い、ホットプレス及び硬化処理して銅張積層板を作製する。回路層１１１、１２１はコアボード１１、１２の表面の銅箔上に配置される。
【００１７】
従来の技術では、回路層を接続する孔は一般に円形であったが、本実施例では、図１ｂに示すように、従来の円形の孔を一方向に伸ばして孔の形状を溝１３の形状に変更している。具体的に、溝１３の横断面における第１方向の寸法は第２方向の寸法よりも大きい。一実施例において、溝１３の横断面の形状は、めっき薬品液が溝１３に入り、溝１３の任意の場所に接触してめっきできる限り、楕円形等であってもよい。具体的に、一実施例において、溝１３の深さと溝１３の横断面における第１方向の寸法の比率は１．２未満である。
【００１８】
本実施例において、溝１３の形状を変化する時に溝１３の横断面の面積を可能な限り大きくし、さらに、同じ深さの条件下でアスペクト比（溝の深さと溝の長軸の比率）を低減して、めっき能力を向上させ、めっき中にめっき薬品液が溝１３の任意の位置に接触できて導電性物質を形成する。一実施例において、導電性物質は銅である。
【００１９】
本実施例において、溝１３の開口部の位置は回路基板の表面の回路層１１１上に位置し、溝１３の底部は回路基板の中間層の回路層１２１と重なり、溝１３には導電性物質が充填され、溝１３が回路基板の表面の回路層１１１と回路基板の中間層の回路層１２１を接続する。
【００２０】
本実施例において、溝１３は、開口部の位置が回路基板の表面の回路層１１１上に位置し、底部が回路基板の中間に位置し、回路基板の中間のコアボード１２の回路層１２１と重なり、溝１３内の導電性物質によって回路層１１１と回路層１２１とを電気的に接続する。この実施例では、溝１３によって形成された回路層を接続するための溝は１つであるため、回路層１１１と回路層１２１の上の回路はそれぞれ導通される。
【００２１】
一実施例において、溝１３は回路基板の中間に位置する。具体的に、図２に示すように、本出願の回路基板の第２実施例の構造模式図である。溝１３の開口部の位置は回路層１１２と重なり、溝１３の底部は回路層１２２と重なり、溝１３内には導電性物質が充填されて、コアボード１１の回路層１１２とコアボード１２の回路層１２２を電気的に接続する。
【００２２】
なお、溝１３内でめっきを行って導電性物質を充填する場合、導電性物質を溝１３の開口部の位置と面一にさせる必要がある。
【００２３】
第１実施例と同様に、溝１３の底部はコアボード１２の中の１つの回路層に位置し、具体的に、溝１３の底部全体は回路層１２２と重なり、且つ、回路層１２２の上の回路は互いに接続される。即ち、回路層１２２の上の回路が電気的に接続される。一実施例において、図４ｂに示すように、回路層１２２の上の回路は互いに接続されていなくてもよい。
【００２４】
本実施例は、溝１３の形状を変更して溝１３の横断面の面積を増加させ、さらにアスペクト比を低減することにより、ブラインドビアホールのめっき能力を向上させ、ブラインドビアホールのアスペクト比を拡大し、プリント基板の製品の配線密度を高める。
【００２５】
図３ａを参照すると、本出願の回路基板の第３実施例の構造模式図であり、回路基板の溝１３底部にはボス１４があり、ボス１４と対向する溝１３の側壁との間にブラインドビアホールが形成され、溝１３の底部のボス１４の位置以外の他の位置（例えば、ブラインドビアホール）の不完全なめっきで導電性物質と全部が接触しないことを防止するために、ボス１４の厚さを予めに設定された閾値の範囲内に限定する。即ち、ボス１４の高さとブラインドビアホールの直径との比率は予めに設定された閾値よりも小さい。予めに設定された閾値は、めっき薬品液が溝１３に入って孔壁を含む溝１３の任意の位置に接触できる値、即ち、めっき薬品液がちょうど溝１３の任意の位置に入ることができるアスペクト比の閾値である。具体的に、一実施例では、ボス１４の高さとブラインドビアホールの直径との比率は１未満である。
【００２６】
本実施例において、ボス１４は、溝１３の底部の一方側に位置し溝１３の側壁に接続され、溝１３の底部の他方側のボス１４のない部分とボスの側壁がブラインドビアホールを形成し、且つ、溝１３の底部のボス１４の位置以外の他のすべての位置は回路層１２１と重なる。溝１３内が導電性物質により満たすように溝１３中でめっきを行った後、導電性物質は溝１３の開口部の位置と面一になり、導電性物質が溝１３の底面の回路層１２１に接触されて溝１３の開口部の位置の回路層１１１と溝１３の底部の回路層１２１が電気的に接続される。
【００２７】
本実施例において、ボス１４は１つであり、他の実施例では、ボス１４が複数存在し得る。図３ｂに示すように、本出願の回路基板の第４実施例の構造模式図であり、ボス１４１、１４２を備え、ボス１４１、１４２は、溝１３の底部の両側に位置し、溝１３の側壁に接続されており、ボス１４１、１４２間は接続されていない。第２実施例と同様に、本実施例における溝１３の底部のボス１４１、１４２の位置以外の他のすべての位置が回路層１２１と重なる。
【００２８】
上記の図１ａ、図２、図３ａ、及び図３ｂに示す実施例では、溝１３によって形成された、回路層１１１と回路層１２１又は回路層１１２と回路層１２２を接続するための孔は１つである。従って、回路層１１１、回路層１２１、回路層１１２、及び回路層１２２の上の回路は互いに接続される。なお、上記の実施例における溝１３及びボス１４を有する溝は、例えば、いずれも図２に示すように、回路基板の中間に位置してもよい。
【００２９】
図４ａを参照すると、本出願の回路基板の第５実施例の構造模式図である。本実施例において、ボス１４３は、溝１３の底部の中間に位置し、且つ、一方向において溝の側壁と接続され、他の方向では溝の側壁と接続しない。ボス１４３上には絶縁物質が形成され、溝１３を電気的に接続しない第１ブラインドビアホール１３１及び第２ブラインドビアホール１３２に分割し、導電性物質は第１ブラインドビアホール１３１及び第２ブラインドビアホール１３２に位置する。
【００３０】
本実施例において、溝１３の底部は、コアボード１２の中の１つの回路層１２１上に位置し、回路層１２１と少なくとも部分的に重なる。具体的に、溝１３における第１ブラインドビアホール１３１及び第２ブラインドビアホール１３２の底部はいずれも回路層１２１に位置している。
【００３１】
本実施例において、第１ブラインドビアホール１３１及び第２ブラインドビアホール１３２のメッシュが切断されて２つの独立した孔を形成する。さらに、回路層１２１には互いに導通していない回路１２１１及び１２１２が含まれ、第１ブラインドビアホール１３１の底部の導電性物質が回路１２１１に接触され、第２ブラインドビアホール１３２の底部の導電性物質が回路１２１２に接触される。一実施例では、溝１３の開口部の位置の回路層１１１の、第１ブラインドビアホール１３１及び第２ブラインドビアホール１３２の位置に対応する回路は互いに導通しなくてもよい。
【００３２】
本実施例において、溝１３の底部はコアボード１２の中の１つの回路層１２１に位置し、且つ、第１ブラインドビアホール１３１及び第２ブラインドビアホール１３２の底部はコアボード１２の中の１つの回路層１２１に位置する。他の実施例では、溝１３は複数のコアボードの複数の回路層上にそれぞれ位置しているずらした多層底部を含む。具体的に、図４ｂに示すように、本出願の回路基板の第６実施例の構造模式図である。本実施例において、溝１３のずれている多層底部はコアボードの２つの回路層１２１、１２２にそれぞれ位置する。さらに、第１ブラインドビアホール１３１の底部は回路層１２１と重なり、第２ブラインドビアホール１３２の底部は回路層１２２と重なり、第１ブラインドビアホール１３１内の導電性物質は回路層１２１に接触され、第１ブラインドビアホール１３１の開口部の位置での回路層１１１と第１ブラインドビアホール１３１の底部の回路層１２１を電気的に接続し、第２ブラインドビアホール１３２内の導電性物質は回路層１２２に接触され、第２ブラインドビアホール１３２の開口部の位置での回路層１１１と第２ブラインドビアホール１３２の底部の回路層１２２を電気的に接続する。一実施例では、第１ブラインドビアホール１３１及び第２ブラインドビアホール１３２の開口部の位置での回路層１１１のうち、第１ブラインドビアホール１３１及び第２ブラインドビアホール１３２の位置に対応する回路は互いに接続しなくてもよい。
【００３３】
上記の第３実施例乃至第６実施例において、溝１３は、第２実施例と同様に回路基板の中間に位置することができる。且つ、本出願の第１実施例乃至第６実施例は、従来の孔の形状を円形から横断面が伸ばされた形態に変更して、その横断面の第１方向における寸法を第２方向の寸法よりも大きくすることで、断面積をある程度大きくし、アスペクト比を低減し、めっき能力を向上させる目的を達成する。
【００３４】
本出願の他の実施形態では、孔の形状を変更せず、依然として円形に設定し、その軸方向の開口部の位置の直径は、開口部から遠く離れた位置の直径よりも大きくてもよい。しかし、この実施形態では、孔の直径をできるだけ大きくして、孔内にめっきを行うのに十分な空間を確保する必要がある。具体的に、孔の深さと孔の開口部の位置の直径の比率を２未満にする必要がある。
【００３５】
一実施例では、孔が円形であり、横断面の面積が十分に大きい場合、めっき薬品液の十分な交換空間を有することができるように保証するために、孔の底部に上記の第２実施例乃至第５実施例のようなボスを配置して、孔の底部における孔のアスペクト比を低減し、さらに、めっき中に導電性物質が孔内の任意の場所に接触できるようにしてもよい。
【００３６】
本出願は、上記の第１実施例乃至第６実施例の回路基板の製造方法も提供する。図５を参照すると、本出願の第１実施例乃至第４実施例の製造方法のフローチャートであり、以下のようなステップＳ４１〜Ｓ４３を含む。ステップＳ４１では、表面に回路層が含まれる、積層配置された複数のコアボードを提供する。
【００３７】
作製完了した回路基板を提供する。通常、回路基板は積層配置されたコアボードで構成されるのが一般的である。コアボードの表面には回路層があり、コアボードは銅張積層板であり、銅張積層板は回路基板を作るための基本材料であり、基材板及び基材を覆う銅箔を含む。基材板は、紙基板や、ガラス繊維布基板、合成繊維布基板、不織布基板、複合基板等の材料を樹脂に含浸させて、接着シートを作製し、複数枚の接着シートを組み合わせることにより作製され、作製された基材板の片面又は両面を銅箔で覆い、ホットプレス及び硬化処理して銅張積層板を作製する。回路層はコアボードの表面の銅箔上に配置される。回路基板を製造するために、コアボードの積層時に、プリプレグによって高温でプレス接合される。
【００３８】
ステップＳ４２では、回路基板にコアボードの一部を貫通する溝を配置する。
【００３９】
通常、回路基板の最外層の回路を接続する場合、回路基板の最外層に回路基板を貫通するスルーホールを設け、回路基板の外層と内層を接続するか、又は内層と内層を接続しようとする場合、回路基板に外層から特定の内層まで貫通するブラインドビアホールを設けるか、又は回路基板に特定の内層から別の特定の内層まで貫通するブラインドビアホールを設けた後、ブラインドビアホール内でめっきを行って導電性を有するようにする。ブラインドビアホールの底部が閉じているため、ブラインドビアホールが導通させるべき回路層が比較的深いと、アスペクト比の制限により、めっき中に、薬品液はブラインドビアホールの底部まで入ることができない。従って、本出願ではこの問題を解決するために一般的に使用される円形のブラインドビアホールを溝に変更し、溝の横断面における第１方向の寸法を第２方向の寸法よりも大きくする。一実施例では、溝の深さと溝の横断面における第１方向の寸法の比率を１．２未満にする。
【００４０】
ステップＳ４３では、溝に導電性物質を形成してコアボードにおける少なくとも２つの回路層を接続する。
【００４１】
溝の配置が完了した後、溝によって接続されている回路を電気的に接続しようとする場合、溝内に導電性物質を配置する必要がある。具体的に、溝内でめっきを行って、めっき液を溝内に入らせ、溝の任意の場所に接触させて、導電性物質を形成する。一実施例では、溝は導電性物質で満たされ得る。別の実施例では、溝は側壁のみに導電性物質を有し得る。
【００４２】
図６を参照すると、ステップＳ４２は具体的にステップＳ４２１及びＳ４２２を含む。
【００４３】
ステップＳ４２１では、回路基板に溝を開設し、溝の底部と接続する必要がある回路層との間が連通しないようにする。
【００４４】
メカニカルドリル又はメカニカルミリングを使用して回路基板に溝を開設する。メカニカルドリル又はメカニカルミリングは精度が高くないため、溝の配置プロセス中の回路層への損傷を避けるために、メカニカルドリル又はメカニカルミリングを使用して溝を配置する場合、溝の底部を回路層と連通しないようにする。即ち、回路層と溝の底部には一定の厚さがある。
【００４５】
ステップＳ４２２では、溝の底部の一部を接続する必要がある回路層に連通させ、他の一部にボスが形成されるように、溝の底部を処理する。
【００４６】
レーザードリルを使用して溝の底部を処理し、溝の底部を接続する必要がある回路層に連通させる。このプロセスでは、溝の底部の一部を接続する必要がある回路層に連通させ、他の一部にボスを形成してもよい。これにより、ボスによって溝の底部のアスペクト比をさらに低減することができる。また、ボスを除去してもよい。
【００４７】
本実施例において、作製された溝は１つであり、２つの異なる層の回路層を接続するためのものであり、各層の回路層における回路を電気的に接続する。
【００４８】
図７を参照すると、本出願の第３実施例及び第４実施例の回路基板の製造方法であり、本方法は、図６と比較すると、ステップＳ４３の後に以下のステップを含む点で異なる。
【００４９】
ステップＳ４３１では、導電性物質の表面を保護層で覆っている。
【００５０】
具体的に、溝内でめっきを行って導電性物質を充填した後、溝の表面に露出した導電性物質の表面にめっきを行って、導電性物質を覆う保護層を形成する。本実施例では、保護層の材料がスズである。
【００５１】
ステップＳ４３２では、導電性物質の表面のボスの位置に対応する保護層を除去する。
【００５２】
レーザーを使用して導電性物質の表面のボスの位置に対応する保護層を除去し、ボスの位置に対応する導電性物質を露出させる。
【００５３】
ステップＳ４３３では、ボスの上の露出した導電性物質を除去して、溝を第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールに分割する。
【００５４】
アルカリエッチングを使用してボスの上に露出した導電性物質を除去して、溝を第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールに分割し、第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールには導電性物質が充填される。この時、ボスの上の導電性物質を除去すると、保護層は、第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールの導電性能に影響を与えることなく、第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホール中の導電性物質の完全性を保護することができる。
【００５５】
ステップＳ４３４では、ボスの上に絶縁物質を充填して、第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールを電気的に遮断する。
【００５６】
ボスの上に絶縁物質を充填して、第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールをさらに電気的に遮断する。
【００５７】
本実施例では、第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールは互いに独立した孔である。なお、第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールの底部が同じ層の回路層を貫通した場合、第１ブラインドビアホールの底部の導電性物質が接触する回路と第２ブラインドビアホールの底部の導電性物質が接触する回路は互いに接続されない。また、第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールの底部が異なる層の回路層を貫通した場合、第１ブラインドビアホール及び第２ブラインドビアホールの底部の導電性物質が接触する回路層は異なる層である。
【００５８】
本実施例では、回路基板について関連する構成の一部のみを説明したが、他の構成は従来技術の回路基板の構成と同じであるため、ここでは繰り返して説明しない。
【００５９】
本出願は、回路層を接続するための孔のアスペクト比を変化することにより、具体的に、一方では、横断面の第１方向における寸法が第２方向における寸法よりも大きくなるように孔の形状を変化させて、溝を形成し、且つ、溝の深さと第１方向の寸法との比率を１．２未満して、アスペクト比を低減させ、めっき薬品液が溝の任意の位置に接触できるように、溝の底部にめっきのための十分なスペースを確保する。他方では、孔の形状を変えずに円形とするが、孔の深さと孔の直径の比率を２未満し、めっきで導電性物質を形成するのに十分なスペースを確保する。本出願は、一方で、ブラインドビアホールのめっき能力を向上することができ、他方で、プリント回路基板の製品の配線密度を高めることもできる。
【００６０】
以上の説明は本出願に係る実施形態に過ぎず、本出願の保護範囲を制限するものではない。本出願の明細書及び添付図面によって作成したすべての同等構造又は同等フローの変更を、直接又は間接的に他の関連する技術分野に実施することは、いずれも同じ理由により本出願の保護範囲内に含まれるべきである。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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