(57)【要約】【課題】高周波数帯域においてノイズを除去することができる積層インダクタ部品を提供すること。【解決手段】本発明に係る積層インダクタ部品は、フェライト材料と添加物成分とから形成される複数の磁性体層が積層された積層部４と、積層部４内に配置された導体部５とを備え、フェライト材料が、３０〜４５ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３と、４５〜５８ｍｏｌ％のＮｉＯと、６〜１０ｍｏｌ％のＣｕＯと、０〜３ｍｏｌ％のＺｎＯとを含み、添加物成分に含まれるＣｏＯの含有率が、フェライト材料全体に対して０．１〜２．５質量％であり、１ＧＨｚ以上の動作周波数で５００Ω以上のインピーダンスピークを有する。【選択図】図２
2008300548.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の磁性体層が積層された積層部と、前記積層部内に配置された導体部と、を備える積層インダクタ部品であって、
前記磁性体層が、フェライト材料と、添加物成分と、から形成され、
前記フェライト材料が、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、及びＺｎＯを含み、
前記Ｆｅ２Ｏ３が３０〜４５ｍｏｌ％であり、
前記ＮｉＯが４５〜５８ｍｏｌ％であり、
前記ＣｕＯが６〜１０ｍｏｌ％であり、
前記ＺｎＯが０〜３ｍｏｌ％であり、
前記添加物成分がＣｏＯを含み、
前記ＣｏＯの含有率が、前記フェライト材料全体に対して０．１〜２．５質量％であり、
１ＧＨｚ以上の動作周波数において５００Ω以上のインピーダンスピークを有することを特徴とする積層インダクタ部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層インダクタ部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、チップインダクタ、チップビーズ、チップトランス、ＬＣ複合チップ部品等の積層インダクタ部品は、磁性体層が積層された積層部と、積層部内に配置され、コイル状の構造を有する導体部と、を備えている。
【０００３】
積層インダクタ部品の一例として、下記特許文献１には、Ｆｅ２Ｏ３を２５〜５２ｍｏｌ％、ＺｎＯを０〜４０ｍｏｌ％、ＣｕＯを０〜２０ｍｏｌ％、ＮｉＯを１〜６５ｍｏｌ％含むフェライト材料で構成されるチップインダクタが記載されている。
【特許文献１】特許第３４２１６５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、パソコン、携帯電話、ＤＳＣ、ＬＣＤ、ＤＶＤ関連機器等の電子機器において、動作周波数の高速化に伴い、発生するノイズも高周波化している。このため、高周波数帯域（例えば１ＧＨｚ以上）では急峻にインピーダンスが立ち上ってノイズを除去し、低周波数帯域（例えば１００ＭＨｚ以下）では信号を通すために不要なインピーダンスを低く抑えることができるＥＭＣ対策部品（信号ラインのノイズ除去部品）の必要性が高まっている。すなわち、インピーダンスの周波数特性を従来よりも高周波側へ延ばすことが求められている。
【０００５】
本発明は、高周波数帯域においてノイズを除去することができる積層インダクタ部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明者等は、種々の実験や検討を行い、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、及びＣｏＯを所定の割合で配合し、焼成することにより、高周波数帯域においてノイズを除去する積層インダクタ部品を実現することが可能な磁性体層を構成するに好適なフェライト材料が得られることを知見し、さらに実験を重ねて本発明を完成させた。
【０００７】
すなわち、本発明に係る積層インダクタ部品は、複数の磁性体層が積層された積層部と、積層部内に配置された導体部と、を備える積層インダクタ部品であって、磁性体層が、フェライト材料と、添加物成分と、から形成され、フェライト材料が、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、及びＺｎＯを含み、Ｆｅ２Ｏ３が３０〜４５ｍｏｌ％であり、ＮｉＯが４５〜５８ｍｏｌ％であり、ＣｕＯが６〜１０ｍｏｌ％であり、ＺｎＯが０〜３ｍｏｌ％であり、添加物成分がＣｏＯを含み、ＣｏＯの含有率が、フェライト材料全体に対して０．１〜２．５質量％（１０００〜２５０００ｐｐｍ）であり、１ＧＨｚ以上の動作周波数において５００Ω以上のインピーダンスピークを有することを特徴とする。
【０００８】
上記本発明に係る積層インダクタ部品では、磁性体層が上記組成を有し、１ＧＨｚ以上の高周波数帯域におけるインピーダンスピーク値が５００Ω以上である。すなわち、本発明に係る積層インダクタ部品では、直列共振周波数を従来よりも高周波数側（１ＧＨｚ以上）にシフトさせることができる。その結果、本発明に係る積層インダクタ部品は、電子機器へ実装された際に、高周波数帯域で発生するノイズを除去することができる。
【０００９】
また、上記本発明に係る積層インダクタ部品では、フェライト材料および添加物成分を焼結して得られる積層部の密度（以下、焼結密度と記す）を５．００ｇ／ｃｍ３以上とすることができる。焼結密度が５．００ｇ／ｃｍ３未満である場合、絶縁抵抗ＩＲの劣化等の問題が生じる傾向がある。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、高周波数帯域においてノイズを除去することができる積層インダクタ部品を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、本発明の実施形態に係る積層インダクタ部品（積層型チップビーズ）を示す斜視図であり、図２は、図１に示す積層型チップビーズの端子電極同士を結ぶ線に沿う断面図であり、図３は、図１に示す積層型チップビーズの端子電極同士を結ぶ線に直交する方向の断面図である。
【００１３】
積層型チップビーズ１は、直方体形状の素子２と、この素子２の長手方向の両側面に形成された一対の端子電極３，３とを備えている。素子２は、図２，３に示すように、フェライト材料及び添加物成分から形成される磁性体層が積層された積層部４と、積層部４内に配置され、コイル状に巻回された導体部（以下、コイル状導体５と記す）とから構成されている。
【００１４】
コイル状導体５は、導電性材料からなり、略半円形状の断面を有している。また、コイル状導体５の引出部５ａ，５ｂは、図２に示すように、積層部４の縁部まで引き出されており、それぞれ端子電極３，３に接続されている。このようなコイル状導体５は、導体ペーストを印刷積層した導体パターン７が複数連続することによって構成されている。
【００１５】
積層型チップビーズ１は、１ＧＨｚ以上の周波数帯域においてインピーダンスピークを有し、そのピーク値は５００Ω以上である。コイル状導体５のターン数は、得ようとするインピーダンスの周波数特性等に応じて適宜決定されるが、本実施形態では８ターン程度である。
【００１６】
次に、上記の積層型チップビーズ１の製造方法について説明する。
【００１７】
まず、フェライトペースト及び導体ペーストを作製する。
【００１８】
フェライトペーストは、フェライト材料（フェライト粉末）、添加物成分、及び有機ビヒクルを混練することによって作製する。有機ビヒクルは、バインダと、有機溶剤と、を含有する。
【００１９】
フェライト粉末は、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、及びＺｎＯ、を含み、Ｆｅ２Ｏ３の含有率は３０〜４５ｍｏｌ％、好ましくは３４〜４０ｍｏｌ％であり、ＮｉＯの含有率は４５〜５８ｍｏｌ％、好ましくは５３〜５７ｍｏｌ％であり、ＣｕＯの含有率は６〜１０ｍｏｌ％であり、ＺｎＯの含有率は０〜３ｍｏｌ％、好ましくは０〜２ｍｏｌ％である。なお、フェライト粉末に含まれるＮｉＯのうち、最大で１５ｍｏｌ％のＮｉＯをＭｇＯで置換することが可能である。
【００２０】
フェライト粉末の作製においては、まず、焼成後に得られる磁性層の組成が目的とする組成になるようにフェライト原料を秤量し、これらを純水とともにボールミル等で湿式混合する。次に、湿式混合したものをスプレードライヤー等により乾燥した後、仮焼成し、仮焼成粉体を得る。さらに、仮焼成粉体を純水とともにボールミル等で湿式混合したものをスプレードライヤー等により乾燥することによって、フェライト粉末が得られる。
【００２１】
添加物成分は、ＣｏＯを含む。ＣｏＯの含有率は、フェライト材料全体に対して０．１〜２．５質量％（１０００〜２５０００ｐｐｍ）、好ましくは０．２〜２．０質量％（２０００〜２００００ｐｐｍ）である。なお、ＣｏＯは、フェライト粉末の各原料の混合時に添加しても良いし、又は、フェライト原料の仮焼成粉体に添加しても良い。なお、添加物成分は、ＣｏＯ以外にＭｇＯ等を更に含んでもよい。
【００２２】
フェライト粉末の比表面積は、５〜１５ｍ２／ｇであることが好ましく、５〜１０ｍ２／ｇであることがより好ましい。フェライト粉末の比表面積が５ｍ２／ｇ未満であると、焼結性を大きく劣化させてしまう傾向があり、フェライト粉末の比表面積が１５ｍ２／ｇを超えると、焼結性過剰によりインピーダンスピークが低周波側にシフトしてしまう傾向がある。
【００２３】
なお、フェライト粉末は、上記成分の他に、Ｍｎ（ＭｎＯ換算で２００００ｐｐｍ以下）、Ｓ（Ｓ原子換算で３００〜９００ｐｐｍ）、Ｃｌ（Ｃｌ原子換算で１００ｐｐｍ以下）等を微量含有していてもよい。
【００２４】
有機ビヒクルに含まれるバインダとしては、通常、ポリビニルアセタール系樹脂、エチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル、フェノール、ウレタン、ポリエステル、ロジン、マレイン酸、メラミン、尿素樹脂等の各種樹脂の１種以上を用いることができる。本実施形態では、バインダとしてポリビニルアセタール系樹脂およびエチルセルロースを用いる。ポリビニルアセタール系樹脂としては、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等を用いるが、好ましくはポリビニルブチラールを用いる。
【００２５】
フェライトペーストに含まれるバインダの含有量は、フェライト粉末１００重量部に対して３．０〜５．０重量部であることが好ましい。また、フェライトペーストに含まれるポリビニルアセタール系樹脂の含有量は、フェライト粉末１００重量部に対して１．０〜２．０重量部であることが好ましい。また、フェライトペーストに含まれるエチルセルロースの含有量は、バインダの含有量からポリビニルアセタール系樹脂の含有量を除いた残部であることが好ましい。
【００２６】
有機ビヒクルに含まれる有機溶剤としては、アルコール系（エタノール、メタノール、プロパノール、ブタノール、テルピノール等）、ケトン系（アセトン等）、セロソルブ系（メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等）、エステル系（酢酸メチル、酢酸エチル等）、エーテル系（エチルエーテル、ブチルカルビトール等）などを用いることができ、１種のみを用いても２種以上を併用してもよい。
【００２７】
なお、上述したフェライトペーストは、フタル酸エステル系、リン酸エステル系、脂肪酸エステル系、グリコール誘導体系等の可塑剤、あるいは、脂肪酸アミド系、有機リン酸エステル系、カルボン酸系等の分散剤を更に含有してもよい。
【００２８】
導体ペーストは、例えば、導体粉末をバインダ及び有機溶剤と共に所定の比率で配合した後、混練することによって作製する。なお、混練には、三本ロール、ホモジナイザーやサンドミル等を用いる。
【００２９】
導体粉末としては、通常、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金等を用いるが、好ましくは、抵抗率の小さいＡｇを用いる。
【００３０】
次に、上述のフェライトペーストを、印刷法により所定の厚さになるまで積層する。そして、この積層物の上に、更にフェライトペーストを成形してフェライトグリーン層を形成し、当該フェライトグリーン層を乾燥させて、フェライト乾燥層を形成する。次に、フェライト乾燥層上に上述の導体ペーストを印刷し、当該導体ペーストを乾燥させて、導体パターンを形成する。そして、導体パターンが形成されたフェライト乾燥層上に、更に別のフェライト乾燥層と前導体パターンとを交互に複数重ねて印刷積層する。更にその上に、フェライトペーストを印刷法により所定の厚さで積層することによって、生の積層体を形成する。この積層体は、完成後の積層型チップビーズにおける素子２に相当する（図１参照）。素子２においては、フェライト磁性体（複数の磁性体層が積層された積層部４）中に、所定のターン数（巻数）を有する螺旋状の積層巻線（コイル状導体５）が形成されている。フェライトグリーン層（フェライト乾燥層）は、素子２において磁性体層となる。
【００３１】
次に、積層体を所定の寸法に切断する。積層体は、通常、複数個の素子ユニットが配列されたウェハの構造を有するため、ウェハ状の積層体を所定の寸法に切断することによって、それぞれ１個のコイル状導体５を内蔵する複数の生の積層体素子を得る。このとき、コイル状導体５の引出部５ａ，５ｂの端面が積層体素子の対向する２つの側面からそれぞれ露出するように、ウェハ状の積層体を切断する。
【００３２】
その後、得られた積層体素子に対して、例えば３５０〜５００℃で、酸素存在下で脱バインダ処理を施す。次に、積層体素子を、例えば８５０〜９２０℃で１〜２時間、一体焼成することによって、積層部４及び導体パターン７が焼結し、上記素子２を得る。
【００３３】
次に、焼成して得られた素子２において、コイル状導体５の引出部５ａ，５ｂの端面が露出している側面に、Ａｇを主成分とした導電性ペーストを塗布し、例えば６００℃程度で焼き付けて端子電極３，３を形成する。その後、通常、端子電極３，３に対して更に電気めっきを施す。電気めっきは、銅とニッケルと錫、ニッケルと錫、ニッケルと金、ニッケルと銀などを用いて行うのが好ましい。
【００３４】
以上により、本実施形態に係る積層型チップビーズ１が完成する。
【００３５】
上述した実施形態に係る積層型チップビーズ１では、磁性体層が、フェライト材料と、添加物成分と、から形成され、フェライト材料が、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、及びＺｎＯを含み、Ｆｅ２Ｏ３の含有率が３０〜４５ｍｏｌ％であり、ＮｉＯの含有率が４５〜５８ｍｏｌ％であり、ＣｕＯの含有率が６〜１０ｍｏｌ％であり、ＺｎＯの含有率が０〜３ｍｏｌ％であり、添加物成分がＣｏＯを含み、ＣｏＯの含有率が、フェライト材料全体に対して０．１〜２．５質量％（１０００〜２５０００ｐｐｍ）であり、１ＧＨｚ以上の高周波数帯域におけるインピーダンスピークが５００Ω以上である。すなわち、本実施形態では、積層型チップビーズ１の直列共振周波数を従来よりも高周波数側にシフトさせることができる。その結果、本実施形態に係る積層型チップビーズ１は、電子機器へ実装された際に、高周波数帯域で発生するノイズを除去することができる。
【００３６】
上述した実施形態では、フェライト材料および添加物成分を焼結して得られる積層部４の焼結密度を５．００ｇ／ｃｍ３以上とすることができる。焼結体密度が５．００ｇ／ｃｍ３未満になると、絶縁抵抗ＩＲの劣化等の問題が生じる傾向がある。
【００３７】
上述した実施形態では、フェライトペーストが、バインダとして、従来から用いられているエチルセルロースのみならず、エチルセルロースより柔軟性が高いポリビニルアセタール系樹脂を含有する。そのため、フェライトグリーン層の柔軟性が従来よりも高まる。その結果、フェライトグリーン層の乾燥工程においてフェライトグリーン層に収縮応力が発生しても、フェライトグリーン層におけるクラックの発生が抑制される。また、フェライトグリーン層の厚み差によって乾燥の進行度にバラツキが生じても、フェライトグリーン層におけるクラックの発生を抑制できる。更に、本実施形態によれば、導体パターンが厚い場合であっても、フェライトグリーン層の厚み差に起因するクラックの発生を抑制することができる。
【００３８】
上述した実施形態に係るフェライトペーストがバインダとして含有するポリビニルアセタール系樹脂は、エチルセルロースより熱分解温度域が高い。そのため、積層体の熱処理工程（脱バインダ工程、焼成工程）では、導体パターン７が収縮する温度域において、ポリビニルアセタール系樹脂が分解しにくくフェライト乾燥層におけるバインダの残存率が従来よりも高まるため、フェライト乾燥層の保形性が向上する。その結果、フェライト乾燥層（磁性体層）におけるクラックの発生が抑制される。
【００３９】
フェライトペーストに含まれるポリビニルアセタール系樹脂の含有量が、フェライト粉末１００重量部に対して２．０重量部より少ない場合、フェライトグリーン層の柔軟性が低くなるため、フェライトグリーン層の乾燥時にフェライトグリーン層にクラックが発生し易い傾向がある。また、積層体の焼成時、導体パターン７が収縮する温度域において、フェライト乾燥層におけるバインダの残存率が低下し、フェライト乾燥層（磁性体層）にクラックが発生し易い傾向がある。一方、ポリビニルアセタール系樹脂の含有量がフェライト粉末１００重量部に対して２．０重量部より多い場合、積層体の焼成時、導体パターン７が収縮する温度域において、フェライト乾燥層におけるバインダの残存率が過剰となり、脱バイ後の焼成温度域でそのバインダの急激な燃焼によって、導体パターン７に密着した部分においてフェライト乾燥層にクラックが発生し易い傾向がある。そこで、本発明では、ポリビニルアセタール系樹脂の含有量をフェライト粉末１００重量部に対して１．０〜２．０重量部とすることにより、フェライトグリーン層（フェライト乾燥層）におけるクラックの発生を抑制することができる。
【００４０】
上記の積層型チップビーズ１では、コイル状導体５の断面が略半円形状に形成されていることによって、矩形状の断面の場合に比べ、少ない導体ペースト量で厚みを確保することができる。このように、導体パターン７（コイル状導体５）の厚みが増すことによって、焼成時の縮率が大きくなる。このため、焼成時の積層部４の縮率との差が小さくなる。したがって、焼成時における積層部４と導体パターン７との収縮量の差が低減され、積層部４の導体パターン７と密着した部位でのクラックの発生が抑制される。
【００４１】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明は、チップビーズのみならず、チップインダクタ、チップトランス、ＬＣ複合チップ部品等の積層インダクタ部品にも適用することができる。
【実施例】
【００４２】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４３】
（実施例１）
［積層型チップビーズの作製］
上述した製造方法に従い、以下のようにして、実施例１の積層型チップビーズを作製した。
【００４４】
積層型チップビーズの作製では、まず、フェライト粉末と添加物成分との混合粉を作製した。フェライト粉末の作製では、Ｆｅ２Ｏ３を３０．０ｍｏｌ％、ＮｉＯを５８．０ｍｏｌ％、ＣｕＯを９．０ｍｏｌ％、Ｚｎを３．０ｍｏｌ％の割合でそれぞれ秤量して原料粉末とした。この原料粉末に対して、添加物であるＣｏＯを０．１質量％（１０００ｐｐｍ）添加したものを、純水とともにボールミルで湿式混合し、スプレードライヤーにより乾燥して、混合粉体とした。次にこの混合粉体を７００〜８００℃で１０時間仮焼成し、仮焼成分体を得た。その後、仮焼成粉体を純水とともにボールミルで湿式混合し、平均粒径が０．７μｍであり、比表面積が５〜１０ｍ２／ｇ程度である粒子が得られるまで粉砕を行った。粉砕によって得られた粒子をスプレードライヤーにより乾燥させて、フェライト粉末と添加物成分との混合粉を得た。
【００４５】
次に、得られたフェライト粉末と添加物成分との混合粉を、有機ビヒクルと共にボールミルで湿式混合することによって、フェライトペーストを作製した。
【００４６】
また、導体ペーストを作製した。導体ペーストは、平均粒径０．６μｍのＡｇ粉末を、バインダ及び溶剤と共に所定の比率で配合した後、混練することによって作製した。
【００４７】
次に、上記のフェライトペーストを、印刷法により所定の厚さになるまで積層した。そして、この積層物の上に、フェライトペーストおよび導体ペーストを交互に複数重ねて印刷積層した。更にその上に、フェライトペーストを印刷法により所定の厚さで積層し、８ターンの積層巻線（コイル状導体５の前駆体）が内部に複数配置された生の積層体を形成した。次いで、この積層体を切断して、コイル状導体５の前駆体が内部に１つ配置された積層体素子を得た。
【００４８】
得られた積層体素子に対して、５００℃で、酸素存在下で脱バインダ処理を行った。脱バインダ処理後、積層体素子を９００℃で２時間焼成して、積層部４と、その内部に配置されたコイル状導体５とを有する素子２を得た。素子２においてコイル状導体５の引出部の端面が露出している側面に、Ａｇを主成分とした導電性ペーストを塗布し、約６００℃程度で焼き付けた。更に、焼き付けたＡｇの表面にＣｕ、Ｎｉ、Ｓｎを電気メッキして、端子電極３を形成した。以上により、実施例１の積層型チップビーズ１を得た。なお、得られた積層型チップビーズ１は、１００５形状（１．０×０．５×０．５ｍｍ）であった。また、完成後の積層型チップビーズ１における磁性体層（積層部４）の組成は、磁性体層（積層部４）の原料であるフェライト粉末の具体的な組成と等しかった。また、磁性体層（積層部４）に含まるＣｏＯの含有率は、フェライト粉末に添加された添加物成分のＣｏＯの含有率と等かった。
【００４９】
（実施例２〜１５、比較例１〜１４、１６〜３１）
表１〜４に示す組成を有する各フェライト粉末を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、実施例２〜１５、比較例１〜１４、１６〜３１の積層型チップビーズをそれぞれ作製しした。
【００５０】
（評価）
［焼結密度の測定］
実施例１〜１５、比較例１〜１４、１６〜３１の焼成後の積層部４の密度（以下、焼結密度と記す）をそれぞれ測定した。結果を表１〜４に示す。焼結密度は５．００ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましい。
【００５１】
［インピーダンスの測定］
実施例１〜１５、比較例１〜１４、１６〜３１の各積層型チップビーズに対して、直列共振周波数ｆｒ、直列共振周波数ｆｒでのインピーダンスピーク値ｆｒＺ、および周波数１００ＭＨｚでのインピーダンス値の測定を行った。測定装置として、ヒューレットパッカード社製ＨＰ−４２９１Ｂ  ＲＦ  Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ／Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ａｎａｌｙｚｅｒを用いた。結果を表１〜４に示す。
【００５２】
直列共振周波数ｆｒは１ＧＨｚ以上であることが好ましい。直列共振周波数ｆｒでのインピーダンスピーク値ｆｒＺは、５００Ω以上であることが好ましい。周波数１００ＭＨｚでのインピーダンス値は低いほど好ましい。
【００５３】
なお、表１〜４では、積層部４の焼結密度が５．００ｇ／ｃｍ３以上であり、かつ、直列共振周波数ｆｒが１ＧＨｚ以上であり、かつ、直列共振周波数ｆｒでのインピーダンスピーク値ｆｒＺが５００Ω以上である場合、○と判定し、それ以外のものを×と判定した。判定は○であることが好ましい。
【００５４】
【表１】
2008300548.tif 000003
【００５５】
【表２】
2008300548.tif 000004
【００５６】
【表３】
2008300548.tif 000005
【００５７】
【表４】
2008300548.tif 000006
【００５８】
表１〜４に示すように、実施例１〜１５においては、フェライト粉末（フェライト材料）が、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、及びＺｎＯを含み、Ｆｅ２Ｏ３の含有率が３０〜４５ｍｏｌ％であり、ＮｉＯの含有率が４５〜５８ｍｏｌ％であり、ＣｕＯの含有率が６〜１０ｍｏｌ％であり、ＺｎＯの含有率が０〜３ｍｏｌ％であり、添加物成分がＣｏＯを含み、ＣｏＯの含有率が、フェライト材料全体に対して０．１〜２．５質量％（１０００〜２５０００ｐｐｍ）であった。また、実施例１〜１５においては、積層型チップビーズ１が、１ＧＨｚ以上の動作周波数（直列共振周波数）において５００Ω以上のインピーダンスピーク値を有することが確認された。
【００５９】
このような実施例１〜１５においては、積層部４の焼結密度が５．００ｇ／ｃｍ３以上であることが確認された。また、実施例１〜１５においては、１００ＭＨｚ（低周波数）におけるインピーダンスが、高周波数域（１ＧＨｚ）に比べて低いことが確認された。
【００６０】
表１の比較例１〜８では、フェライト粉末の組成又は添加物成分ＣｏＯの含有率が、実施例１〜１５の示す組成範囲外であり、直列共振周波数ｆｒでのインピーダンスピーク値ｆｒＺが５００Ω未満であった。また、比較例１〜８では、積層部４の焼結密度が５．００ｇ／ｃｍ３未満であった。
【００６１】
表１の比較例９、１０では、フェライト粉末の組成が、実施例１〜１５の示す組成範囲外であり、積層部４の焼結密度が、５．００ｇ／ｃｍ３未満であった。
【００６２】
表２の比較例１１〜１４では、添加物成分ＣｏＯの含有率が、実施例１〜１５の示す組成範囲外であり、直列共振周波数ｆｒでのインピーダンスピーク値ｆｒＺが５００Ω未満であった。また、比較例１１〜１４では、積層部４の焼結密度が５．００ｇ／ｃｍ３未満であった。
【００６３】
表３の比較例１６、１７では、フェライト粉末の組成が、実施例１〜１５の示す組成範囲外であり、直列共振周波数ｆｒが１ＧＨｚ未満であり、インピーダンスピーク値ｆｒＺが５００Ω未満であった。
【００６４】
表３の比較例１８では、フェライト粉末の組成が、実施例１〜１５の示す組成範囲外であり、直列共振周波数ｆｒにおけるインピーダンスピーク値ｆｒＺが５００Ω未満であった。
【００６５】
表３の比較例１９、２１では、フェライト粉末の組成が、実施例１〜１５の示す組成範囲外であり、直列共振周波数ｆｒが１ＧＨｚ未満であった。
【００６６】
表３の比較例２０では、フェライト粉末の組成が、実施例１〜１５の示す組成範囲外であり、直列共振周波数ｆｒにおけるインピーダンスピーク値ｆｒＺが５００Ω未満であった。
【００６７】
表４の比較例２２、２３では、添加物成分ＣｏＯの含有率が、実施例１〜１５の示す組成範囲外であり、直列共振周波数ｆｒにおけるインピーダンスピーク値ｆｒＺが５００Ω未満であった。また、比較例２２、２３では、１００ＭＨｚにおけるインピーダンス値が、１００Ω以上であり大きかった。
【００６８】
表４の比較例２４〜２６では、直列共振周波数ｆｒにおけるインピーダンスピーク値ｆｒＺが５００Ω未満であった。
【００６９】
表４の比較例２７〜３１では、添加物成分ＣｏＯの含有率が、実施例１〜１５の示す組成範囲外であり、直列共振周波数ｆｒが１ＧＨｚ未満であった。また、比較例２９〜３１では、積層部４の焼結密度が５．００ｇ／ｃｍ３未満であった。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施形態に係る積層型チップビーズを示す斜視図である。
【図２】図１に示す積層型チップビーズの端子電極同士を結ぶ線に沿う断面図である。
【図３】図１に示す積層型チップビーズの端子電極同士を結ぶ線に直交する方向の断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１…積層型チップビーズ、２…素子、３…端子電極、４・・・積層部、５…コイル状導体（導体部）、５ａ，５ｂ…引出部、７…導体パターン。
【図１】
2008300548.tif 000007
【図２】
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【図３】
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