(57)【要約】【課題】液体と接触する面を良好に評価でき、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、露光光の光路が液体で満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材と、液浸部材と対向する物体上の液体の少なくとも一部を回収可能な第１液体回収口と、露光光の光路に対して第１液体回収口の外側に配置され、物体上の液体を回収可能な第２液体回収口とを備える。露光装置は、液浸部材に対して物体を移動したときに、第２液体回収口からの液体の回収状態に基づいて、物体の表面の状態を評価する。【選択図】図１
2008300772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光で基板を露光する液浸露光装置であって、
前記露光光の光路が液体で満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材と、
前記液浸部材と対向する物体上の液体の少なくとも一部を回収可能な第１液体回収口と、
前記露光光の光路に対して前記第１液体回収口の外側に配置され、前記物体上の液体を回収可能な第２液体回収口と、を備え、
前記液浸部材に対して前記物体を移動したときに、前記第２液体回収口からの液体の回収状態に基づいて、前記物体の表面の状態を評価する露光装置。
【請求項２】
前記評価は、前記物体の表面を形成する膜の表面の状態の評価を含む請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記評価は、前記液体に対する前記物体の表面の撥液性の評価を含む請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記物体は、前記基板を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項５】
前記基板を保持しながら移動可能な基板ステージを備え、
前記物体は、前記基板ステージを含む請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
前記基板ステージは、着脱可能なプレート部材を有し、
前記物体は、前記プレート部材を含む請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記評価の結果に基づいて、前記物体の表面の状態が使用可能な状態か否かを判断する請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項８】
前記液浸部材に対して前記物体を複数の移動条件で移動させ、
前記複数の移動条件のそれぞれにおける前記第２液体回収口からの液体の回収状態に基づいて、前記物体の表面の状態を評価する請求項１〜７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項９】
前記評価の結果に基づいて、前記液浸部材と前記物体との間の液体が所定状態を維持可能な、前記液浸部材に対する前記物体の移動速度と移動距離との関係を導出する請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記評価の結果に基づいて、前記液浸部材と前記物体との間の液体が所定状態を維持するように、前記液浸部材に対する前記物体の移動条件を決定する請求項８又は９記載の露光装置。
【請求項１１】
前記基板の露光が開始されてから終了するまでの時間が短くなるように、前記移動条件を決定する請求項１０記載の露光装置。
【請求項１２】
前記所定状態は、前記第１液体回収口により、前記液浸部材と前記物体との間からの液体の漏出が抑制される状態を含む請求項９〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１３】
前記所定状態は、前記第１液体回収口により、前記物体上での液体の残留が抑制される状態を含む請求項９〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１４】
前記所定状態においては、前記第２液体回収口から液体が回収されない請求項９〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１５】
前記移動条件は、前記液浸部材に対する前記物体の相対的な移動速度を含む請求項８〜１４記載の露光装置。
【請求項１６】
前記移動条件は、前記液浸部材に対する前記物体の相対的な移動距離を含む請求項８〜１５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１７】
前記移動条件は、前記液浸部材に対して前記物体が移動するときの加速度条件を含む請求項８〜１６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１８】
前記物体の表面が基準状態のときの、前記物体の移動条件と、前記第２液体回収口からの液体の回収状態とを記憶する記憶装置をさらに備え、
前記評価は、前記記憶装置の記憶情報を用いて行われる請求項１〜７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１９】
露光光で基板を露光する液浸露光装置であって、
前記露光光の光路が液体で満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材と、
前記液浸部材の液体接触面と対向する物体上の液体の少なくとも一部を回収可能な第１液体回収口と、
前記露光光の光路に対して前記第１液体回収口の外側に配置され、前記物体上の液体を回収可能な第２液体回収口と、を備え、
前記液浸部材に対して前記物体を移動したときに、前記第２液体回収口からの液体の回収状態に基づいて、前記液浸部材の液体接触面の状態を評価する露光装置。
【請求項２０】
前記第２液体回収口から液体が回収されたか否かを検出する検出装置をさらに備え、
前記検出装置の検出結果に基づいて、前記液体接触面の状態を評価する請求項１９記載の露光装置。
【請求項２１】
前記評価は、前記液体に対する前記液体接触面の親液性の評価を含む請求項１９又は２０記載の露光装置。
【請求項２２】
前記物体は、基準表面を有する請求項１９〜２１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２３】
前記評価の結果に基づいて、前記液体接触面の状態が使用可能な状態か否かを判断する請求項１９〜２２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２４】
前記液体接触面が基準状態のときの前記物体の移動条件と、前記第２液体回収口からの液体の回収状態とを記憶する記憶装置をさらに備え、
前記評価は、前記記憶装置の記憶情報を用いて行われる請求項１９〜２３記載の露光装置。
【請求項２５】
前記液浸部材に対して前記物体を複数の移動条件で移動させ、
前記複数の移動条件のそれぞれにおける前記第２液体回収口からの液体の回収状態に基づいて、前記液浸部材の液体接触面の状態を評価する請求項１９〜２４記載の露光装置。
【請求項２６】
前記評価の結果に基づいて、前記液浸部材と前記物体との間の液体が所定状態を維持可能な、前記液浸部材に対する前記物体の移動速度と移動距離との関係を導出する請求項２５記載の露光装置。
【請求項２７】
前記評価の結果に基づいて、前記液浸部材と前記物体との間の液体が所定状態を維持するように、前記液浸部材に対する前記物体の移動条件を決定する請求項２５又は２６記載の露光装置。
【請求項２８】
前記基板の露光が開始されてから終了するまでの時間が短くなるように、前記移動条件を決定する請求項２７記載の露光装置。
【請求項２９】
前記所定状態は、前記第１液体回収口により、前記液浸部材と前記物体との間からの液体の漏出が抑制される状態を含む請求項２６〜２８記載の露光装置。
【請求項３０】
前記所定状態は、前記第１液体回収口により、前記物体上での液体の残留が抑制される状態を含む請求項２６〜２９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３１】
前記所定状態においては、前記第２液体回収口から液体が回収されない請求項２６〜３０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３２】
前記移動条件は、前記液浸部材に対する前記物体の相対的な移動速度を含む請求項２５〜３１記載の露光装置。
【請求項３３】
前記移動条件は、前記液浸部材に対する前記物体の相対的な移動距離を含む請求項２５〜３２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３４】
前記移動条件は、前記液浸部材に対して前記物体が移動するときの加速度条件を含む請求項２５〜３３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３５】
液体供給口を備え、
前記液体供給口による液体供給動作と並行して前記第１液体回収口による液体回収動作を実行することによって、前記液浸空間を形成する請求項１〜３４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３６】
前記第１液体回収口は、前記液浸部材に配置されている請求項１〜３５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３７】
前記第２液体回収口は、前記露光光の光路の周囲に配置されている請求項１〜３６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３８】
前記露光光の光路に対して前記液浸部材の外側に配置された所定部材を備え、
前記第２液体回収口は、前記所定部材に配置されている請求項１〜３７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３９】
前記第２液体回収口は、少なくとも前記物体が移動しているとき、該第２液体回収口の周囲の流体を吸引し続ける請求項１〜３８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項４０】
前記第２液体回収口から液体が回収されたか否かを検出する検出装置を備える請求項１〜３９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項４１】
前記検出装置は、前記第２液体回収口近傍の温度を検出する温度センサを含む請求項４０記載の露光装置。
【請求項４２】
前記検出装置は、前記第２液体回収口に回収された液体を光学的に検出する光学センサを含む請求項４０又は４１記載の露光装置。
【請求項４３】
前記検出装置は、前記第２液体回収口に接続される流路の圧力を検出する圧力センサを含む請求項４０〜４２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項４４】
請求項１〜４３のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項４５】
液浸露光装置で使用される、物体の表面を評価する評価方法であって、
露光光の光路が液体で満たされるように液浸部材の液体接触面と前記物体の表面との間に液浸空間を形成することと、
前記液浸空間を形成した状態で、前記物体の表面が第１液体回収口及び第２液体回収口と対向するように前記液浸部材に対して前記物体を所定条件で移動することと、
前記液浸部材に対して前記物体を移動したときに、前記物体上の液体の少なくとも一部を第１液体回収口から回収することと、
前記液浸部材に対して前記物体を移動したときに、前記露光光の光路に対して前記第１液体回収口の外側に配置された前記第２液体回収口からの液体の回収状態を検出することと、
前記検出結果に基づいて、前記物体の表面の状態を評価することと、を含む評価方法。
【請求項４６】
液浸露光装置で使用される、液浸部材の液体接触面を評価する評価方法であって、
露光光の光路が液体で満たされるように前記液浸部材の液体接触面と物体との間に液浸空間を形成することと、
前記液浸空間を形成した状態で、前記物体の表面が第１液体回収口及び第２液体回収口と対向するように前記液浸部材に対して前記物体を所定条件で移動することと、
前記液浸部材に対して前記物体を移動したときに、前記物体上の液体の少なくとも一部を第１液体回収口から回収することと、
前記液浸部材に対して前記物体を移動したときに、前記露光光の光路に対して前記第１液体回収口の外側に配置された前記第２液体回収口からの液体の回収状態を検出することと、
前記検出結果に基づいて、前記液浸部材の液体接触面の状態を評価することと、を含む評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液浸露光装置、デバイス製造方法、及び評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、露光光の光路が液体で満たされるように液浸空間を形成し、その液浸空間の液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が案出されている。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／２５９２３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液浸露光装置において、液浸空間を良好に形成する必要がある。例えば、液浸空間に対して露光対象の基板を移動した場合、基板の表面の状態によっては、液浸空間を所望状態に維持することが困難となり、液体が漏出したり、基板上に液体（膜、滴等）が残留したりする可能性がある。それにより、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが製造される可能性がある。
【０００４】
本発明は、液体と接触する面を良好に評価できる露光装置を提供することを目的とする。また本発明は、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供することを目的とする。また本発明は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、液体と接触する面を良好に評価できる評価方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、露光光で基板を露光する液浸露光装置であって、露光光の光路が液体で満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材と、液浸部材と対向する物体上の液体の少なくとも一部を回収可能な第１液体回収口と、露光光の光路に対して第１液体回収口の外側に配置され、物体上の液体を回収可能な第２液体回収口と、を備え、液浸部材に対して物体を移動したときに、第２液体回収口からの液体の回収状態に基づいて、物体の表面の状態を評価する露光装置が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様に従えば、露光光で基板を露光する液浸露光装置であって、露光光の光路が液体で満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材と、液浸部材の液体接触面と対向する物体上の液体の少なくとも一部を回収可能な第１液体回収口と、露光光の光路に対して第１液体回収口の外側に配置され、物体上の液体を回収可能な第２液体回収口と、を備え、液浸部材に対して物体を移動したときに、第２液体回収口からの液体の回収状態に基づいて、液浸部材の液体接触面の状態を評価する露光装置が提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様に従えば、第１及び第２の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第４の態様に従えば、液浸露光装置で使用される、物体の表面を評価する評価方法であって、露光光の光路が液体で満たされるように液浸部材の液体接触面と物体の表面との間に液浸空間を形成することと、液浸空間を形成した状態で、物体の表面が第１液体回収口及び第２液体回収口と対向するように液浸部材に対して物体を所定条件で移動することと、液浸部材に対して物体を移動したときに、物体上の液体の少なくとも一部を第１液体回収口から回収することと、液浸部材に対して物体を移動したときに、露光光の光路に対して第１液体回収口の外側に配置された第２液体回収口からの液体の回収状態を検出することと、検出結果に基づいて、物体の表面の状態を評価することと、を含む評価方法が提供される。
【０００９】
本発明の第５の態様に従えば、液浸露光装置で使用される、液浸部材の液体接触面を評価する評価方法であって、露光光の光路が液体で満たされるように液浸部材の液体接触面と物体との間に液浸空間を形成することと、液浸空間を形成した状態で、物体の表面が第１液体回収口及び第２液体回収口と対向するように液浸部材に対して物体を所定条件で移動することと、液浸部材に対して物体を移動したときに、物体上の液体の少なくとも一部を第１液体回収口から回収することと、液浸部材に対して物体を移動したときに、露光光の光路に対して第１液体回収口の外側に配置された第２液体回収口からの液体の回収状態を検出することと、検出結果に基づいて、液浸部材の液体接触面の状態を評価することと、を含む評価方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、液体と接触する面を良好に評価できる。また本発明によれば、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１２】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、計測器を搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光処理及び計測処理等に関する各種情報を記憶した記憶装置１０と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４とを備えている。記憶装置１０は、制御装置４に接続されている。
【００１３】
なお、基板Ｐは、デバイスを製造するための基板であって、半導体ウエハ等の基材上に感光膜が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含み、例えばガラス板等の光透過性の板に遮光パターンが形成されたものである。本実施形態においては、マスクＭとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。
【００１４】
本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置であって、露光光ＥＬの光路空間Ｋの少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。なお、露光光ＥＬの光路空間Ｋは、露光光ＥＬが通過する光路を含む空間である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１５】
露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路空間Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材１３を備えている。液浸部材１３は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１１の近傍に配置されている。本実施形態においては、終端光学素子１１の像面側（射出側）の光路空間Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。
【００１６】
液浸部材１３は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触する液体接触面１４を有する。液体接触面１４は、下方（−Ｚ方向）を向いている。終端光学素子１１は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１２を有する。液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、射出面１２と接触する。射出面１２は、下方（−Ｚ方向）を向いている。終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と、終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と対向する物体の表面との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１１の射出面１２と物体の表面との間の光路空間Ｋが液体ＬＱで満たされるように、液浸空間ＬＳが形成される。
【００１７】
本実施形態において、終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と対向可能な物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、及び計測ステージ３の少なくとも一つを含む。なお、以下においては、説明を簡単にするために、主に、終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と基板Ｐとが対向している状態を例にして説明する。
【００１８】
本実施形態においては、基板Ｐの表面の一部の領域（局所的な領域）が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成され、その基板Ｐの表面と液浸部材１３の液体接触面１４との間に液体ＬＱの界面(メニスカス、エッジ)ＬＧが形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板Ｐの露光時に、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｐ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳを形成する局所液浸方式を採用する。
【００１９】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路に対して液浸部材１３の外側に配置された捕集部材１５を備えている。捕集部材１５は、下面１６を有する。下面１６は、下方（−Ｚ方向）を向いている。本実施形態において、終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４と対向可能な物体は、捕集部材１５の下面１６と対向する位置に移動可能である。すなわち、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、及び計測ステージ３の少なくとも一つは、捕集部材１５の下面１６と対向する位置に移動可能である。
【００２０】
照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
【００２１】
マスクステージ１は、第１駆動システム５により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。第１駆動システム５は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む。マスクステージ１（マスクＭ）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報は、干渉計システム８のレーザ干渉計８Ａによって計測される。レーザ干渉計８Ａは、マスクステージ１に設けられた反射ミラー１Ｒを用いて位置情報を計測する。制御装置４は、レーザ干渉計８Ａの計測結果に基づいて第１駆動システム５を駆動し、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置制御を行う。
【００２２】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒に保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸはＺ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２３】
基板ステージ２は、第２駆動システム６により、基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。第２駆動システム６は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む。基板ステージ２は、終端光学素子１１の射出面１２、液浸部材１３の液体接触面１４、及び捕集部材１５の下面１６と対向可能な上面１９を有する。基板ステージ２の上面１９は、ＸＹ平面とほぼ平行な平坦面である。基板ステージ２（基板Ｐ）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報は、干渉計システム８のレーザ干渉計８Ｂによって計測される。レーザ干渉計８Ｂは、基板ステージ２に設けられた反射ミラー２Ｒを用いて位置情報を計測する。また、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出システム９によって検出される。フォーカス・レベリング検出システム９は、検出光を照射する照射装置９Ａと、検出光に対して所定の位置に配置された受光装置９Ｂとを備える。制御装置４は、レーザ干渉計８Ｂの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システム９の検出結果に基づいて第２駆動システム６を駆動し、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。
【００２４】
計測ステージ３は、第３駆動システム７により、計測器を搭載した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。第３駆動システム７は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む。計測ステージ３には、基準マークが形成された基準部材、露光光ＥＬが照射される光学部材等を含む計測部材、及び露光光ＥＬの状態を計測可能な光電センサ等を含む計測器が搭載されている。なお、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置に関する技術の一例が、例えば米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されている。計測ステージ３は、終端光学素子１１の射出面１２、液浸部材１３の液体接触面１４、及び捕集部材１５の下面１６と対向可能な上面２０を有する。計測ステージ３の上面２０は、ＸＹ平面とほぼ平行な平坦面である。計測ステージ３のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報は、干渉計システム８のレーザ干渉計８Ｃによって計測される。レーザ干渉計８Ｃは、計測ステージ３に設けられた反射ミラー３Ｒを用いて位置情報を計測する。また、計測ステージ３の上面２０の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出システム９によって検出される。制御装置４は、レーザ干渉計８Ｃの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システム９の検出結果に基づいて第３駆動システム７を駆動し、計測ステージ３の位置制御を行う。
【００２５】
基板ステージ２及び計測ステージ３は、定盤２２のガイド面２１に沿って、ＸＹ方向（二次元方向）に移動可能である。基板ステージ２の上面１９と計測ステージ３の上面２０とは、ほぼ同一平面内に配置され、ほぼ面一である。本実施形態においては、例えば欧州特許出願公開第１，７１３，１１３号公報に開示されているように、制御装置４は、基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方と終端光学素子１１及び液浸部材１３との間で液体ＬＱを保持可能な空間を形成し続けるように、基板ステージ２の上面１９と計測ステージ３の上面２０とを接近又は接触させた状態で、基板ステージ２の上面１９及び計測ステージ３の上面２０の少なくとも一方と終端光学素子１１の射出面１２及び液浸部材１３の液体接触面１４とを対向させつつ、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して、基板ステージ２と計測ステージ３とをＸＹ方向に同期移動させる。これにより、液浸空間ＬＳは、基板ステージ２の上面１９と計測ステージ３の上面２０との間を移動可能である。
【００２６】
図２は、基板ステージ２を示す側断面図である。図２において、基板ステージ２は、基板Ｐを保持する第１ホルダ１７を備えている。基板ステージ２の上面１９は、第１ホルダ１７の周囲に配置されている。第１ホルダ１７は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。第１ホルダ１７に保持された基板Ｐの表面は、終端光学素子１１の射出面１２、液浸部材１３の液体接触面１４、及び捕集部材１５の下面１６と対向可能である。第１ホルダ１７に保持された基板Ｐの表面と基板ステージ２の上面１９とは、ほぼ同一平面内に配置され、ほぼ面一である。
【００２７】
本実施形態においては、基板ステージ２は、着脱可能なプレート部材Ｔを有する。基板ステージ２は、第１ホルダ１７の周囲に配置され、プレート部材Ｔを着脱可能に保持する第２ホルダ１８を有する。プレート部材Ｔは、基板Ｐを配置可能な開口ＴＫを有する。第２ホルダ１８に保持されたプレート部材Ｔは、第１ホルダ１７に保持された基板Ｐの周囲に配置される。本実施形態においては、基板ステージ２の上面１９は、プレート部材Ｔの上面を含む。
【００２８】
本実施形態において、第２ホルダ１８に保持されたプレート部材Ｔの開口ＴＫの内面と、第１ホルダ１７に保持された基板Ｐの外面とは、所定のギャップを介して対向するように配置される。第２ホルダ１８は、プレート部材Ｔの上面１９とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Ｔを保持する。
【００２９】
図３は、プレート部材Ｔの一例を示す図である。プレート部材Ｔは、基材Ｔｂと、基材Ｔｂ上に形成された膜Ｈとを備えている。プレート部材Ｔの上面（表面）１９は、膜Ｈによって形成されている。膜Ｈは、例えばフッ素を含む材料で形成されており、液体ＬＱに対して撥液性を有する。プレート部材Ｔの上面１９と液体ＬＱとの接触角は、例えば８０度以上である。
【００３０】
また、本実施形態においては、計測ステージ３の上面２０は、例えばフッ素を含む材料（例えばＰＦＡ）で形成されており、液体ＬＱに対して撥液性を有する。計測ステージ３の上面２０と液体ＬＱとの接触角は、例えば８０度以上である。
【００３１】
図４は、基板Ｐの一例を示す図である。図４（Ａ）に示す基板Ｐは、基材Ｗと、基材Ｗ上に形成された感光膜Ｒｇとを有する。感光膜Ｒｇは、感光材（フォトレジスト）の膜である。基材Ｗは、シリコン基板等の半導体ウエハを含む。図４（Ａ）に示す基板Ｐの表面は、感光膜Ｒｇによって形成されている。本実施形態において、感光膜Ｒｇは、液体ＬＱに対して撥液性を有する。基板Ｐの表面（感光膜Ｒｇ）と液体ＬＱとの接触角は、例えば８０度以上である。図４（Ｂ）に示す基板Ｐは、基材Ｗと、基材Ｗ上に形成された感光膜Ｒｇと、感光膜Ｒｇ上に形成された保護膜（トップコート膜）Ｔｃとを有する。図４（Ｂ）に示す基板Ｐの表面は、保護膜Ｔｃによって形成されている。保護膜Ｔｃは、液体ＬＱに対して撥液性を有する。基板Ｐの表面（保護膜Ｔｃ）と液体ＬＱとの接触角は、例えば８０度以上である。露光装置ＥＸは、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すような、様々な表面を有する基板Ｐを露光可能である。
【００３２】
次に、液浸部材１３及び捕集部材１５について、図５及び図６を参照して説明する。図５は、液浸部材１３及び捕集部材１５を示すＹＺ平面と平行な側断面図、図６は、液浸部材１３及び捕集部材１５を下側（−Ｚ側）から見た図である。
【００３３】
なお、以下の説明においては、終端光学素子１１の射出面１２、液浸部材１３の液体接触面１４、及び捕集部材１５の下面１６と対向する位置に基板Ｐが配置されている場合を例にして説明するが、上述のように、終端光学素子１１の射出面１２、液浸部材１３の液体接触面１４、及び捕集部材１５の下面１６と対向する位置には、基板ステージ２及び計測ステージ３等、基板Ｐ以外の物体も配置可能である。また、以下の説明においては、終端光学素子１１の射出面１２を適宜、終端光学素子１１の下面１２、と称し、液浸部材１３の液体接触面１４を適宜、液浸部材１３の下面１４、と称する。
【００３４】
露光装置ＥＸは、液体ＬＱを供給可能な供給口２３と、液体ＬＱを回収可能な第１回収口２４及び第２回収口２５とを備えている。本実施形態においては、供給口２３及び第１回収口２４は、液浸部材１３に配置されている。第２回収口２５は、捕集部材１５に配置されている。
【００３５】
供給口２３は、液浸空間ＬＳを形成するために、光路空間Ｋに液体ＬＱを供給可能である。供給口２３は、光路空間Ｋの近傍において、光路空間Ｋと対向する液浸部材１３の所定位置に配置されている。また、露光装置ＥＸは、液体供給装置２６を備えている。液体供給装置２６は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。供給口２３と液体供給装置２６とは、流路２７を介して接続されている。流路２７は、液浸部材１３の内部に形成された供給流路２７Ａ、及びその供給流路２７Ａと液体供給装置２６とを接続する供給管で形成される流路２７Ｂを含む。液体供給装置２６から送出された液体ＬＱは、流路２７を介して供給口２３に供給される。供給口２３は、液体供給装置２６からの液体ＬＱを光路空間Ｋに供給する。
【００３６】
第１回収口２４は、液浸部材１３の下面１４と対向する基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、第１回収口２４は、露光光ＥＬの光路の周囲に配置されている。第１回収口２４は、基板Ｐの表面と対向する液浸部材１３の所定位置に配置されている。また、露光装置ＥＸは、液体ＬＱを回収可能な第１液体回収装置２８を備えている。第１液体回収装置２８は、真空システムを含み、液体ＬＱを吸引して回収可能である。第１回収口２４と第１液体回収装置２８とは、流路２９を介して接続されている。流路２９は、液浸部材１３の内部に形成された回収流路２９Ａ、及びその回収流路２９Ａと第１液体回収装置２８とを接続する回収管で形成される流路２９Ｂを含む。第１回収口２４から回収された液体ＬＱは、流路２９を介して、第１液体回収装置２８に回収される。
【００３７】
第２回収口２５は、捕集部材１５と対向する基板Ｐ上の液体ＬＱを回収可能である。第２回収口２５は、露光光ＥＬの光路に対して第１回収口２４の外側に配置されている。本実施形態においては、第２回収口２５は、露光光ＥＬの光路の周囲に配置されている。第２回収口２５は、基板Ｐの表面と対向する捕集部材１５の所定位置に配置されている。また、露光装置ＥＸは、液体ＬＱを回収可能な第２液体回収装置３０を備えている。第２液体回収装置３０は、真空システムを含み、液体ＬＱを吸引して回収可能である。第２回収口２５と第２液体回収装置３０とは、流路３１を介して接続されている。流路３１は、捕集部材１５の内部に形成された回収流路３１Ａ、及びその回収流路３１Ａと第２液体回収装置３０とを接続する回収管で形成される流路３１Ｂを含む。第２回収口２５から回収された液体ＬＱは、流路３１を介して、第２液体回収装置３０に回収される。
【００３８】
液浸部材１３は、環状の部材であって、光路空間Ｋの周囲に配置されている。本実施形態においては、液浸部材１３は、終端光学素子１１の周囲に配置される上板部１３Ａと、Ｚ軸方向に関して少なくとも一部が終端光学素子１１の下面１２と基板Ｐの表面との間に配置される下板部１３Ｂとを有する。下板部１３Ｂは、露光光ＥＬが通過可能な開口３２を有する。終端光学素子１１の下面１２から射出された露光光ＥＬは、開口３２を通過し、液体ＬＱを介して基板Ｐの表面に照射される。
【００３９】
液浸部材１３の下面１４は、光路空間Ｋの周囲に配置された第１面３３と、光路空間Ｋに対して第１面３３の外側に配置された第２面３４とを有する。第２面３４は、第１面３３の周囲に配置されている。
【００４０】
第１面３３は、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持可能である。本実施形態においては、第１面３３は、平坦であり、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。本実施形態においては、ＸＹ平面内における第１面３３の外形は、矩形状である。第１面３３は、下板部１３Ｂの下面を含む。第１面３３は、開口３２の周囲に配置されている。本実施形態においては、液浸部材１３の下面１４のうち、少なくとも第１面３３は、例えばチタンで形成されており、液体ＬＱに対して親液性を有する。例えば、第１面３３と液体ＬＱとの接触角は、４０度以下であり、好ましくは２０度以下である。液体ＬＱに対して親液性を有し、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行な第１面３３は、基板ＰがＸＹ方向に移動した場合でも、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触し続けることができる。第１面３３は、少なくとも基板Ｐの露光中に、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触し続ける。
【００４１】
第２面３４は、液体ＬＱを回収可能な液体回収面を含み、液体回収面に接触した液体ＬＱを回収可能である。第２面３４は、第１回収口２４に配置された多孔部材（メッシュ部材）３５の表面（下面）を含む。第２面３４は、液浸部材１３の下面１４と基板Ｐの表面との間の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部は、多孔部材３５を介して、第１回収口２４に回収される。本実施形態においては、第２面３４と第１面３３とは同一平面内に配置され、ほぼ面一である。なお多孔部材３５として、多数の孔（pore）が形成された焼結部材（例えば、焼結金属）、発泡部材（例えば、発泡金属）などを用いてもよい。
【００４２】
本実施形態においては、供給口２３は、終端光学素子１１の下面１２と、終端光学素子１１の下面１２との間に所定の間隙を介して対向する下板部１３Ｂの上面３６との間の内部空間３７に液体ＬＱを供給可能である。上面３６は、開口３２の周囲に配置されている。供給口２３より内部空間３７に供給された液体ＬＱは、その内部空間３７を流れた後、開口３２を介して、液浸部材１３の下面１４と基板Ｐの表面との間に供給される。これにより、露光光ＥＬの光路空間Ｋが液体ＬＱで満たされる。
【００４３】
制御装置４は、供給口２３による液体供給動作と並行して第１回収口２４による液体回収動作を実行することによって、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳを形成可能である。
【００４４】
捕集部材１５は、環状の部材であって、液浸部材１３の周囲に配置されている。本実施形態においては、液浸部材１３と捕集部材１５とは離れており、液浸部材１３の外側面と捕集部材１５の内側面との間に所定のギャップが形成されている。また、捕集部材１５は、基板Ｐの表面と対向可能な下面１６を有する。本実施形態においては、液浸部材１３の下面１４と捕集部材１５の下面１６とはほぼ同一平面内に配置され、ほぼ面一である。
【００４５】
下面１６は、液体ＬＱを回収可能な液体回収面を含み、液体回収面に接触した液体ＬＱを回収可能である。下面１６は、第２回収口２５に配置された多孔部材（メッシュ部材）３９の表面（下面）を含む。下面１６は、捕集部材１５の下面１６と基板Ｐの表面との間の液体ＬＱを回収可能である。基板Ｐ上の液体ＬＱのは、多孔部材３９を介して、第２回収口２５に回収される。本実施形態においては、下面１６と第１面３３及び第２面３４とは同一平面内に配置され、ほぼ面一である。なお多孔部材３５として、多数の孔（pore）が形成された焼結部材（例えば、焼結金属）、発泡部材（例えば、発泡金属）などを用いてもよい。また、下面１６と第１面３３及び第２面３４とは同一平面内に配置されていなくてもよく、例えば下面１６が第１面３３及び第２面３４よりも−Ｚ方向側に配置されていてもよい。
【００４６】
第２回収口２５は、基板Ｐの露光時に、液体ＬＱを回収可能である。第２回収口２５は、基板Ｐの露光時に、例えば第１回収口２４で回収しきれなかった液体ＬＱを回収する。本実施形態においては、第２回収口２５は、少なくとも基板Ｐの液浸露光中、第２回収口２５の周囲の流体（液体ＬＱ、気体を含む）を吸引し続ける。これにより、液浸空間ＬＳから液体ＬＱが漏出したり、基板Ｐ上に液体ＬＱが残留したりすることが抑制される。
【００４７】
また、露光装置ＥＸは、第２回収口２５から液体ＬＱが回収されたか否かを検出する検出装置４０を備えている。本実施形態においては、検出装置４０は、第２回収口２５近傍の温度を検出する温度センサ４０Ａを含む。本実施形態においては、温度センサ４０Ａは、捕集部材１５の第２回収口２５近傍に配置されている。第２回収口２５が液体ＬＱを回収した場合、その回収された液体ＬＱによって、第２回収口２５近傍の温度が変化する。例えば、第２回収口２５が液体ＬＱを回収することによって、その液体ＬＱの気化熱等によって、捕集部材１５の第２回収口２５近傍の捕集部材１５の温度が低下する。検出装置４０は、温度センサ４０Ａの検出結果に基づいて、第２回収口２５近傍の温度が変化したと判断したとき、第２回収口２５から液体ＬＱが回収されたと判断することができる。
【００４８】
図７は、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの平面図である。図７に示すように、基板Ｐ上には、露光対象領域である複数のショット領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ２１）がマトリクス状に設定する。また、図７に示すように、本実施形態においては、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲは、Ｘ軸方向を長手方向とするスリット状である。
【００４９】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐのショット領域Ｓの露光時において、マスクＭ及び基板Ｐは、ＸＹ平面内の所定の走査方向に移動される。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐのショット領域Ｓを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭのパターン形成領域をＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐのショット領域Ｓに投影され、基板Ｐのショット領域Ｓは露光光ＥＬで露光される。
【００５０】
本実施形態においては、制御装置４は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図７中、例えば矢印Ｒ１に示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ２を移動しつつ、投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、基板Ｐ上の各ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光する。各ショット領域Ｓを露光するときには、制御装置４は、基板ステージ２を制御して、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対して基板ＰをＹ軸方向に移動する。また、あるショット領域（例えば第１ショット領域Ｓ１）の露光が終了した後、次のショット領域（例えば第２ショット領域Ｓ２）を露光するために、制御装置４は、投影領域ＰＲが次のショット領域Ｓの露光開始位置に配置されるように、基板ステージ２を制御して、基板ＰをＸＹ平面内の所定方向に移動する。以下の説明において、ショット領域Ｓを露光するために基板ＰをＹ軸方向に移動することを適宜、スキャン移動、と称する。また、あるショット領域に対する露光が終了した後、次のショット領域を露光するために、投影領域ＰＲが次のショット領域の露光開始位置に配置されるように基板Ｐを移動することを適宜、ステッピング移動、と称する。
【００５１】
本実施形態において、露光装置ＥＸの動作の少なくとも一部は、予め定められている露光に関する制御情報（露光制御情報）に基づいて実行される。露光制御情報は、露光装置の動作を規定する制御命令群を含み、露光レシピとも呼ばれる。以下の説明において、露光に関する制御情報を適宜、露光レシピ、と称する。
【００５２】
露光レシピは、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐ（基板ステージ２）の移動軌跡Ｒ１を含む。すなわち、本実施形態においては、基板Ｐ（基板ステージ２）の移動軌跡Ｒ１は、予め決定されている。本実施形態においては、移動軌跡Ｒ１は、基板Ｐ上に設定されるショット領域Ｓ１〜Ｓ２１に基づいて決定される。移動軌跡Ｒ１を含む露光レシピは、記憶装置１０に予め記憶されている。制御装置４は、記憶装置１０に記憶されている露光レシピに基づいて、露光装置ＥＸの動作を制御する。
【００５３】
次に、上述した構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。図８のフローチャート図に示すように、本実施形態においては、基板Ｐの表面の状態を評価する処理（ステップＳＡ１）と、ステップＳＡ１における評価の結果に基づいて、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持可能な、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの相対的な移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係を導出する処理（ステップＳＡ２）と、ステップＳＡ２において導出された、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの相対的な移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報に基づいて、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持するように、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの移動条件を決定する処理（ステップＳＡ３）と、ステップＳＡ３において決定された移動条件に基づいて基板Ｐを移動しつつ、その基板Ｐを液浸露光する処理（ステップＳＡ４）とが実行される。
【００５４】
以下、基板Ｐの表面の状態を評価する処理（ステップＳＡ１）の一例について説明する。図４に示したように、基板Ｐの表面が膜（感光膜Ｒｇ、保護膜Ｔｃ等）によって形成されている場合、基板Ｐの表面の状態の評価は、基板Ｐの表面を形成する膜の表面の状態の評価を含む。
【００５５】
終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳを形成した状態で、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して基板Ｐを移動したとき、その基板Ｐの表面の状態、あるいは基板Ｐの移動条件に応じて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの状態が変化する。基板Ｐの表面の状態は、基板Ｐの表面を形成する膜の表面の状態を含む。また、基板Ｐの表面の状態は、液体ＬＱに対する基板Ｐの表面の撥液性の状態を含む。基板Ｐの移動条件は、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの相対的な移動速度を含む。また、基板Ｐの移動条件は、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの相対的な移動距離を含む。また、基板Ｐの移動条件は、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して基板Ｐが移動するときの加速度（減速度）条件を含む。
【００５６】
本実施形態においては、制御装置４は、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して基板Ｐを移動したときに、第２回収口２５からの液体ＬＱの回収状態に基づいて、基板Ｐの表面の状態を評価する。本実施形態においては、制御装置４は、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して基板Ｐを移動したときに、第２回収口２５が回収する液体ＬＱの有無に基づいて、基板Ｐの表面の状態を評価する。
【００５７】
図９は、基板Ｐの表面の状態を評価する処理の一例を示すフローチャート図であって、図８に示したステップＳＡ１のサブルーチンを示す。本実施形態においては、制御装置４は、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して基板Ｐを複数の移動条件で移動させ、複数の移動条件のそれぞれにおける第２回収口２５からの液体ＬＱの回収状態に基づいて、基板Ｐの表面の状態を評価する。
【００５８】
基板Ｐの表面の状態を評価する処理の開始が指令されると（ステップＳＢ１）、制御装置４は、露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、終端光学素子１１の下面１２及び液浸部材１３の下面１４と基板Ｐの表面との間に液浸空間ＬＳを形成する（ステップＳＢ２）。制御装置４は、供給口２３による液体供給動作と並行して、第１回収口２４による液体回収動作を実行することによって、液浸空間ＬＳを形成する。
【００５９】
図１０は、終端光学素子１１の下面１２及び液浸部材１３の下面１４と基板Ｐの表面との間に形成された液浸空間ＬＳの一部を示す模式図である。図１０において、基板Ｐはほぼ静止している。制御装置４は、供給口２３による液体供給動作と並行して、第１回収口２４による液体回収動作を実行することによって、液浸空間ＬＳを形成する。図１０に示すように、本実施形態においては、基板Ｐがほぼ静止している状態において、液浸空間ＬＳの界面ＬＧが第１回収口２４（第２面３４）と基板Ｐの表面との間に配置されるように、液浸空間ＬＳが形成される。
【００６０】
また、制御装置４は、液浸空間ＬＳを形成した状態において、第２回収口２５による流体吸引動作を開始する。図１０に示すように、基板Ｐがほぼ静止している状態においては、第２回収口２５から液体ＬＱが回収されない。第２回収口２５は、その第２回収口２５の周囲の気体を吸引する。
【００６１】
液浸空間ＬＳが形成された後、基板Ｐの表面の状態を評価するために、制御装置４は、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳを形成した状態で、基板Ｐの表面が第１回収口２４及び第２回収口２５と対向するように、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して基板Ｐを所定条件で移動する処理を開始する。まず、カウンタｎがリセットされ（ステップＳＢ３）、その後、カウンタｎがカウントされる（ステップＳＢ４）。制御装置４は、所定の一方向に関する基板Ｐの移動距離を、第１の移動距離Ｌ１に定める（ステップＳＢ５）。以下の説明においては、基板Ｐを−Ｙ方向に移動する場合を例にして説明する。したがって、制御装置４は、−Ｙ方向に関する基板Ｐの移動距離を、第１の移動距離Ｌ１に定める。
【００６２】
また、カウンタｍがリセットされ（ステップＳＢ６）、その後、カウンタｍがカウントされる（ステップＳＢ７）。制御装置４は、−Ｙ方向に関する基板Ｐの移動速度を、第１の移動速度Ｖ１に定める（ステップＳＢ８）。
【００６３】
そして、制御装置４は、ステップＳＢ５で定めた移動距離Ｌ１及びステップＳＢ８で定めた移動速度Ｖ１に基づいて、基板Ｐの移動を開始する。すなわち、制御装置４は、基板Ｐを−Ｙ方向に第１の移動速度Ｖ１で第１の移動距離Ｌ１だけ移動する動作を開始する。
【００６４】
また、制御装置４は、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して基板Ｐを移動したときに、供給口２３より液体ＬＱを供給するとともに、基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部を第１回収口２４から回収する。また、少なくとも基板Ｐが移動しているとき、第２回収口２５は、第２回収口２５の周囲の流体を吸引し続ける。
【００６５】
そして、制御装置４は、基板Ｐを−Ｙ方向に第１の移動速度Ｖ１で第１の移動距離Ｌ１だけ移動しながら、検出装置４０を用いて、第２回収口２５からの液体ＬＱの回収状態を検出する（ステップＳＢ９）。上述のように、検出装置４０は、第２回収口２５から液体ＬＱが回収されたか否かを検出可能である。制御装置４は、基板Ｐを−Ｙ方向に第１の移動速度Ｖ１で第１の移動距離Ｌ１だけ移動しながら、検出装置４０を用いて、第２回収口２５が液体ＬＱを回収したか否かを検出する。制御装置４は、検出装置４０の検出結果に基づいて、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して基板Ｐを−Ｙ方向に第１の移動速度Ｖ１で第１の移動距離Ｌ１だけ移動したときに、第２回収口２５から液体ＬＱが回収されたか否かを判断する（ステップＳＢ１０）。
【００６６】
図１１は、液浸空間ＬＳを形成した状態で、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して基板Ｐを第１の移動条件で移動したときの液浸空間ＬＳの一部を示す模式図、図１２は、基板Ｐを第１の移動条件と異なる第２の移動条件で移動したときの液浸空間ＬＳの一部を示す模式図である。
【００６７】
図１１は、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持されている場合の一例を示す。液体ＬＱが所定状態とは、第１回収口２４により、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間からの液体ＬＱの漏出が抑制される状態を含む。また、液体ＬＱが所定状態とは、第１回収口２４により、基板Ｐ上での液体ＬＱの残留が抑制される状態を含む。基板Ｐを第１の移動条件で移動した場合、第１回収口２４の液体回収動作により、液浸空間ＬＳの界面ＬＧが第１回収口２４（第２面３４）と基板Ｐの表面との間に配置され、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間からの液体ＬＱの漏出等が抑制される。図１１に示すように、液体ＬＱが所定状態においては、第２回収口２５から液体ＬＱが回収されない。
【００６８】
図１２は、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持されていない場合の一例を示す。基板Ｐの移動条件に応じて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持することが困難となる可能性がある。液体ＬＱが所定状態を維持できず、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の所定空間の外側に漏出したり、第１回収口２４で回収されずに基板Ｐ上に残留したりした場合、その漏出した液体ＬＱ、又は残留した液体ＬＱは、露光光ＥＬの光路に対して第１回収口２４の外側に配置されている第２回収口２５に回収される。
【００６９】
したがって、制御装置４は、検出装置４０の検出結果に基づいて、第２回収口２５が液体ＬＱを回収したか否かを判断し、第２回収口２５が回収する液体ＬＱの有無に基づいて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持しているか否かを判断することができる。
【００７０】
ステップＳＢ１０において、第２回収口２５から液体ＬＱが回収されていないと判断した場合、すなわち液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持していると判断した場合、制御装置４は、カウンタｍをカウントし（ステップＳＢ７）、基板Ｐの移動速度を、第２の移動速度Ｖ２に定める（ステップＳＢ８）。第２の移動速度Ｖ２は、第１の移動速度Ｖ１よりも高い。そして、制御装置４は、基板Ｐを−Ｙ方向に第２の移動速度Ｖ２で第１の移動距離Ｌ１だけ移動しながら、検出装置４０を用いて、第２回収口２５が回収する液体ＬＱの有無を検出する（ステップＳＢ１０）。ステップＳＢ１０において、第２回収口２５から液体ＬＱが回収されていないと判断した場合、制御装置４は、カウンタｍをカウントし（ステップＳＢ７）、基板Ｐの移動速度を、第３の移動速度Ｖ３に定める（ステップＳＢ８）。第３の移動速度Ｖ３は、第２の移動速度Ｖ２よりも高い。そして、制御装置４は、基板Ｐを−Ｙ方向に第３の移動速度Ｖ３で第１の移動距離Ｌ１だけ移動しながら、検出装置４０を用いて、第２回収口２５が回収する液体ＬＱの有無を検出する（ステップＳＢ１０）。
【００７１】
制御装置４は、第２回収口２５から液体ＬＱが回収されるまで、すなわち液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持できなくなるまで、第３の移動速度Ｖ３、第４の移動速度Ｖ４、…、第ｎの移動速度Ｖｎのように基板Ｐの移動速度を高めながら、ステップＳＢ７〜ＳＢ１０の処理を繰り返す。これにより、制御装置４は、第２回収口２５が液体ＬＱを回収しない基板Ｐの最高移動速度、すなわち液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持可能な基板Ｐの最高移動速度を求めることができる。制御装置４は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態に維持される、第１の移動距離Ｌ１に対応する基板Ｐの最高移動速度を決定することができる。
【００７２】
第１の移動距離Ｌ１に対応する基板Ｐの最高移動速度が決定された後、制御装置４は、カウンタｎが予め定められている所定値Ｎを超えたか否かを判断する（ステップＳＢ１１）。ステップＳＢ１１において、カウンタｎが所定値Ｎを超えていないと判断した場合、制御装置４は、カウンタｎをカウントし（ステップＳＢ４）、基板Ｐの移動距離を、第２の移動距離Ｌ２に定める（ステップＳＢ５）。第２の移動距離Ｌ２は、第１の移動距離Ｌ１よりも長い。
【００７３】
そして、制御装置４は、基板Ｐの移動距離を第２の移動距離Ｌ２に定めた状態で、上述した手順と同様、ステップＳＢ７〜ＳＢ１０の処理を繰り返し、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態に維持される、第２の移動距離Ｌ２に対応する基板Ｐの最高移動速度を決定する。
【００７４】
同様に、制御装置４は、上述の手順を繰り返し、液浸空間ＬＳが所定状態に維持される、第３の移動距離Ｌ３、第４の移動距離Ｌ４、…、第Ｎの移動距離ＬＮのそれぞれに対応する基板Ｐの最高移動速度を決定する。
【００７５】
以上により、液浸空間ＬＳが所定状態に維持される、ＸＹ平面内における所定の一方向への第１の移動距離Ｌ１、第２の移動距離Ｌ２、…、第Ｎの移動距離ＬＮのそれぞれに対応する基板Ｐの最高移動速度が決定され、基板Ｐの表面の状態を評価する処理が終了する（ステップＳＢ１２）。
【００７６】
なお、図９に示す手順において、第１の移動速度Ｖ１と第２の移動速度Ｖ２との差は任意に設定可能である。同様に、第２、第３、…、第ｎの各移動速度同士の差は任意に設定可能である。また、第１の移動距離Ｌ１と第２の移動距離Ｌ２との差は、任意に設定可能である。同様に、第２、第３、…、第Ｎの移動距離同士の差は任意に設定可能である。
【００７７】
図８に示すフローチャート図に戻って、基板Ｐの表面の状態を評価する処理（ステップＳＡ１）が終了した後、制御装置４は、評価の結果に基づいて、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持可能な、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係を導出する（ステップＳＡ２）。すなわち、制御装置４は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態に維持される、基板Ｐの移動距離に対応する最高移動速度に関する情報を導出する。導出された関係は、記憶装置１０に記憶される。
【００７８】
図１３は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持可能な、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係を示す模式図である。図１３において、基板Ｐを第ｋの移動距離Ｌｋだけ移動（直線移動）させる場合、液体ＬＱを所定状態に維持できる最高移動速度はＶｋである。すなわち、基板Ｐを第ｋの移動距離Ｌｋだけ移動（直線移動）させる場合、基板Ｐの移動速度Ｖを第ｋの移動速度Ｖｋ以下に抑えることによって、液体ＬＱの漏出、残留等を抑制することができる。同様に、基板Ｐを第ｊの移動距離Ｌｊだけ移動（直線移動）させる場合、基板Ｐの移動速度Ｖを第ｊの移動速度Ｖｊ以下に抑えることによって、液体ＬＱの漏出、残留等を抑制することができる。
【００７９】
このように、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの状態は、基板Ｐの移動速度に応じて変化する。また、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの状態は、基板Ｐの移動距離に応じて変化する。本実施形態においては、図１３に示すように、基板Ｐの移動距離が短い場合、基板Ｐの移動速度が高速化しても、液体ＬＱの漏出、残留等が抑制される。
【００８０】
次に、制御装置４は、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板Ｐとの間の液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持するように、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの移動条件を決定する（ステップＳＡ３）。
【００８１】
液浸空間ＬＳの液体ＬＱを所定状態に維持するためには、基板Ｐの移動速度を抑えることが望ましい。一方、スループットの向上等の観点から、基板Ｐの移動速度は高いほうが望ましい。したがって、液体ＬＱの漏出、残留等が生じない範囲において、可能な限り高い移動速度で基板Ｐを移動することが望ましい。
【００８２】
本実施形態においては、ステップＳＡ２において、図１３に示したような、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持可能な、基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係に関する情報が予め求められている。また、その関係に関する情報は、記憶装置１０に記憶されている。本実施形態においては、制御装置４は、記憶装置１０の記憶情報に基づいて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持するように、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの移動条件を決定する。具体的には、制御装置４は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持するように、記憶装置１０の記憶情報に基づいて、基板Ｐを露光するときの基板Ｐの移動速度を決定する。
【００８３】
制御装置４は、基板Ｐの露光が開始されてから終了するまでの時間が短くなるように、基板Ｐの移動速度を決定する。例えば、制御装置４は、第１ショット領域Ｓ１の露光が開始されてから第２１ショット領域Ｓ２１の露光が終了するまでの時間が短くなるように、基板Ｐの移動速度を決定する。
【００８４】
上述のように、本実施形態においては、基板Ｐ上に設定されるショット領域Ｓ１〜Ｓ２１に基づいて、基板Ｐの移動軌跡Ｒ１が予め決定されている。制御装置４は、移動軌跡Ｒ１に沿って基板Ｐを移動させるときに、液体ＬＱが所定状態に維持されるように、基板Ｐの移動速度を決定する。基板Ｐの露光時においては、例えばスキャン移動における基板Ｐの移動距離と、ステッピング移動における基板Ｐの移動距離とが異なる可能性がある。また、例えば第１ショット領域Ｓ１から第２ショット領域Ｓ２へステッピング移動するときの基板Ｐの移動距離と、第３ショット領域Ｓ３から第４ショット領域Ｓ４へステッピング移動するときの基板Ｐの移動距離とが異なる可能性がある。制御装置４は、基板Ｐの露光が開始されてから終了するまでの時間が短くなるように、例えば各スキャン移動時、各ステッピング移動時における基板Ｐの移動速度（最高移動速度）を決定する。すなわち、基板Ｐの移動距離が短い場合には、移動速度を高め、移動距離が長い場合には、移動速度を低くする。これにより、液体ＬＱの漏出、残留等を抑制しつつ、基板Ｐの露光が開始されてから終了するまでの時間を短くすることができる。これにより、スループットを向上することができる。
【００８５】
また、本実施形態においては、基板Ｐは、ショット領域Ｓの露光時にＹ軸方向へスキャン移動し、あるショット領域Ｓの露光終了位置から次のショット領域Ｓの露光開始位置へ移行するときにＸＹ平面内の所定方向へステッピング移動する。換言すれば、基板Ｐは、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して、ＸＹ平面内において複数の方向へ移動する。例えば、基板ＰをＹ軸方向に所定距離だけ移動するときに液体ＬＱが所定状態に維持される基板Ｐの最高移動速度と、基板ＰをＸ軸方向に所定距離だけ移動するときに液体ＬＱが所定状態に維持される基板Ｐの最高移動速度と、基板ＰをＸＹ平面内においてＹ軸方向（Ｘ軸方向）と傾斜する方向に所定距離だけ移動するときに液体ＬＱが所定状態に維持される基板Ｐの最高移動速度とは、異なる可能性がある。制御装置４は、基板Ｐの移動方向のそれぞれに対応する、液体ＬＱが所定状態を維持可能な基板Ｐの移動速度Ｖと移動距離Ｌとの関係を予め求めておくことによって、基板Ｐの露光が開始されてから終了するまでの時間が短くなるように、基板ＰをＹ軸方向に移動するときの移動速度（最高移動速度）と、基板ＰをＸ軸方向に移動するときの移動速度（最高移動速度）と、基板ＰをＸＹ平面内においてＹ軸方向（Ｘ軸方向）と傾斜する方向に移動するときの移動速度（最高移動速度）とを決定することができる。
【００８６】
そして、制御装置４は、決定された移動条件に基づいて基板Ｐを移動しつつ、その基板Ｐを液浸露光する（ステップＳＡ４）。
【００８７】
制御装置４は、決定した移動条件に基づいて、露光光ＥＬの照射条件を決定することができる。例えば基板Ｐの移動速度を高くした場合、基板Ｐを所望の露光量で露光するように、制御装置４は、例えば照明系ＩＬを制御して、露光光ＥＬの照度を高める。また、基板Ｐの移動速度を低くした場合、基板Ｐを所望の露光量で露光するように、制御装置４は、例えば露光光ＥＬの照度を低くする。これにより、所望の露光量で基板Ｐを露光できる。
【００８８】
以上、基板Ｐが所定の表面状態を有する場合について説明した。図４を参照して説明したように、露光される基板Ｐの表面を形成する膜が変更される等して、基板Ｐの表面の状態が変化する可能性がある。基板Ｐの表面の状態が変化し、例えば液体ＬＱに対する基板Ｐの表面の撥液性（液体ＬＱに対する基板Ｐの表面の接触角）が変化すると、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持することが困難となる可能性がある。例えば、液体ＬＱに対する基板Ｐの表面の撥液性が低いと、基板Ｐを移動したとき、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持できず、漏出したり、基板Ｐ上に残留したりする可能性が高くなる。
【００８９】
制御装置４は、ステップＳＢ１〜ＳＢ１２の手順を用いて、基板Ｐの表面を形成する膜の状態、液体ＬＱに対する基板Ｐの表面の撥液性の評価を実行することができる。そして、制御装置４は、評価の結果に基づいて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持可能な、基板Ｐの移動速度と移動距離との関係を導出することができ、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持するように、基板Ｐの移動条件を決定することができる。
【００９０】
また、制御装置４は、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して基板Ｐを移動したときに、第２回収口２５が回収する液体ＬＱの有無に基づいて、基板Ｐの表面の状態を評価し、その評価の結果に基づいて、基板Ｐの表面の状態が使用可能な状態か否かを判断することができる。すなわち、制御装置４は、基板Ｐの表面の評価の結果に基づいて、基板Ｐの表面状態が液浸露光処理に使用可能な状態か否か、換言すれば、基板Ｐの表面が終端光学素子１１及び液浸部材１３との間で液体ＬＱを良好に保持し、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを所定状態に維持可能か否かを判断する。例えば、基板Ｐの移動速度を十分に低下させた場合においても、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持できない場合には、その基板Ｐの表面を形成する膜を変更したり、その基板Ｐの表面を形成する膜を使用不可と判断したりすることができる。
【００９１】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板Ｐの表面の状態を良好に評価することができる。そして、評価の結果に基づいて、液浸空間ＬＳを良好に形成できる基板Ｐ（基板Ｐの表面を形成する膜）を選択したり、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持可能な基板Ｐの移動条件を決定したりすることができる。したがって、液体ＬＱが漏出したり、基板Ｐ上に液体ＬＱ（膜、滴等）が残留したりすることを抑制することができる。
【００９２】
例えば、液浸空間ＬＱの液体ＬＱが所定状態を維持できず、液体ＬＱが漏出すると、基板ステージ２、あるいは周辺機器に影響を及ぼす可能性がある。また、基板Ｐ上に液体ＬＱが残留すると、その液体ＬＱの気化熱が、基板Ｐに影響を及ぼす可能性がある。それにより、基板Ｐに形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが製造される可能性がある。本実施形態によれば、基板Ｐの表面の状態を良好に評価できるので、その評価の結果に基づいて、露光不良の発生、不良デバイスの発生等を抑制するための処置を実行することができる。
【００９３】
また、本実施形態によれば、液体ＬＱが所定状態を維持可能な範囲内において可能な限り高い移動速度で基板Ｐを移動することができる。したがって、露光不良の発生を抑制しつつ、スループットの低下を抑制できる。
【００９４】
なお、本実施形態においては、予め決定されている移動軌跡Ｒ１に沿って基板Ｐを移動したときに、液体ＬＱが所定状態に維持されるように、基板Ｐの移動速度を決定しているが、制御装置４は、液体ＬＱが所定状態に維持されるように、且つ基板Ｐの露光が開始されてから終了するまでの時間が短くなるように、基板Ｐを露光するときの、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板Ｐの移動距離を決定することができる。
【００９５】
また、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの状態は、基板Ｐを移動するときの加速度に応じて変化する可能性がある。制御装置４は、液体ＬＱが所定状態に維持されるように、且つ基板Ｐの露光が開始されてから終了するまでの時間が短くなるように、基板Ｐが移動するときの加速度条件を決定することができる。
【００９６】
また、制御装置４は、液体ＬＱが所定状態に維持されるように、且つ基板Ｐの露光が開始されてから終了するまでの時間が短くなるように、基板Ｐを所定の一方向に直線的に移動するときに、減速動作を所定回数実行するようにしてもよい。
【００９７】
なお、本実施形態においては、基板Ｐの表面の状態を評価する場合を例にして説明したが、基板Ｐのみならず、終端光学素子１１及び液浸部材１３と対向する位置を含む所定領域内を移動可能な可動部材の表面の状態を評価することができる。例えば、図１４の模式図に示すように、終端光学素子１１及び液浸部材１３と計測ステージ３の上面２０との間に液浸空間ＬＳを形成し、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して計測ステージ３を移動し、計測ステージ３を移動したときに、第２回収口２５からの液体ＬＱの回収状態に基づいて、計測ステージ３の上面２０の状態を評価することができる。また、その評価の結果に基づいて、終端光学素子１１及び液浸部材１３と計測ステージ３との間の液体ＬＱが所定状態を維持可能な、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する計測ステージ３の移動速度と移動距離との関係を導出することができる。また、評価の結果に基づいて、終端光学素子１１及び液浸部材１３と計測ステージ３との間の液体ＬＱが所定状態を維持するように、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する計測ステージ３の移動条件を決定することができる。
【００９８】
同様に、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板ステージ２（プレート部材Ｔ）の上面１９との間に液浸空間ＬＳを形成し、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対して基板ステージ２を移動し、基板ステージ２を移動したときに、第２回収口２５からの液体ＬＱの回収状態に基づいて、基板ステージ２（プレート部材Ｔ）の上面１９の状態を評価することができる。図３に示したように、プレート部材Ｔの上面１９が膜Ｈで形成されている場合には、基板ステージ２（プレート部材Ｔ）の上面１９の状態の評価は、膜Ｈの表面の状態の評価を含む。また、その評価の結果に基づいて、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板ステージ２（プレート部材Ｔ）との間の液体ＬＱが所定状態を維持可能な、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板ステージ２（プレート部材Ｔ）の移動速度と移動距離との関係を導出することができる。また、評価の結果に基づいて、終端光学素子１１及び液浸部材１３と基板ステージ２（プレート部材Ｔ）との間の液体ＬＱが所定状態を維持するように、終端光学素子１１及び液浸部材１３に対する基板ステージ２（プレート部材Ｔ）の移動条件を決定することができる。また、プレート部材Ｔは、着脱可能であり、交換可能である。例えばプレート部材Ｔの上面１９の状態が変更されたときに、制御装置４は、プレート部材Ｔの上面１９の状態の評価を実行することができる。
【００９９】
また、例えばプレート部材Ｔの上面１９が基準状態のときの、プレート部材Ｔ（基板ステージ２）の移動条件と、第２回収口２５からの液体ＬＱの回収状態とを記憶装置１０に記憶しておき、その記憶装置１０の記憶情報を用いて、プレート部材Ｔの上面１９の状態の評価を実行することができる。上面１９が基準状態とは、上面１９が初期状態であることを含み、所望の撥液性を有している状態を含む。記憶装置１０の記憶情報は、上述のステップＳＢ１〜ＳＢ１２の手順と同様の手順を含む処理によって予め求めることができる。記憶装置１０の記憶情報は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態に維持される、基準状態のプレート部材Ｔの移動距離に対応する最高移動速度に関する情報を含む。
【０１００】
例えばプレート部材Ｔの上面１９の液体ＬＱに対する撥液性が劣化した場合、液体ＬＱが漏出したり、プレート部材Ｔ上に残留したりする可能性が高くなる。そのため、制御装置４は、例えば所定時間間隔毎に、プレート部材Ｔの上面１９の状態を評価し、その評価の結果と、記憶装置１０に記憶されている、基準状態での移動条件とを比較する。そして、基準状態と比較して、例えば低い移動速度でも第２回収口２５から液体ＬＱが回収された場合には、液体ＬＱに対するプレート部材Ｔの撥液性が劣化したと判断することができる。その場合、制御装置４は、例えば、液浸空間ＬＳを形成した状態で終端光学素子１１及び液浸部材１３に対してプレート部材Ｔ（基板ステージ２）を移動するときの、プレート部材Ｔ（基板ステージ２）の移動条件を変更することができる。これにより、液体ＬＱの漏出、残留等を抑制することができる。同様に、計測ステージ３の上面２０の基準状態に関する情報を記憶装置１０に記憶しておき、その記憶装置１０の記憶情報を用いて、液体ＬＱが所定状態を維持できるように、計測ステージ３の移動条件を変更することができる。
【０１０１】
また、検出装置４０の検出結果から導かれる第２回収口２５からの液体ＬＱの回収状態に基づいて、例えばプレート部材Ｔの上面１９の状態（液体ＬＱに対する撥液性）が非常に劣化していると判断された場合、制御装置４は、そのプレート部材Ｔを使用不可と判断し、新たなプレート部材Ｔと交換することができる。プレート部材Ｔは、基板ステージ２の第２ホルダ１８に着脱可能である。図１５の模式図に示すように、制御装置４は、所定の搬送装置８０を用いて、第２ホルダ１８による保持が解除されたプレート部材Ｔを基板ステージ２から搬出し、新たなプレート部材Ｔを第２ホルダ１８に保持させることができる。これにより、所望の表面状態を有するプレート部材Ｔを用いて液浸空間ＬＳを形成することができる。
【０１０２】
なお、評価の結果に基づいて、液体ＬＱに対するプレート部材Ｔの上面１９の撥液性が劣化したと判断した場合、そのプレート部材Ｔのメンテナンス処理を実行してもよい。例えば、プレート部材Ｔの上面１９に、紫外光である露光光ＥＬを照射して、プレート部材Ｔの上面１９を光洗浄してもよい。光洗浄処理を含むメンテナンス処理を実行することによって、プレート部材Ｔの上面１９を良好な状態にすることができる。また、メンテナンス処理として、例えばクリーニング用液体を用いたクリーニング処理を実行してもよい。同様に、評価の結果に基づいて、計測ステージ３の上面２０のメンテナンス処理を実行することができる。
【０１０３】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１０４】
本実施形態の特徴的な部分は、液浸部材１３の下面１４と、その下面１４と対向する物体との間に液浸空間ＬＳを形成した状態で、液浸部材１３に対して物体を移動したときに、第２回収口２５からの液体ＬＱの回収状態に基づいて、液浸部材１３の下面１４の状態を評価する点にある。
【０１０５】
本実施形態においては、液浸部材１３の下面１４の状態を評価するために、図１６に示すように、液浸部材１３の下面１４と対向する位置に、基準表面５０を有する物体ＤＰが配置される。基準表面５０は、清浄で平坦である。本実施形態において、物体ＤＰは、基板Ｐと同等の外形を有し、第１ホルダ１７に保持可能である。以下の説明において、基準表面５０を有する物体ＤＰを適宜、ダミー基板ＤＰ、と称する。
【０１０６】
液浸部材１３の下面１４を評価するために、制御装置４は、液浸部材１３の下面１４と、ダミー基板ＤＰの基準表面５０との間に、液浸空間ＬＳを形成した状態で、液浸部材１３に対してダミー基板ＤＰを移動する。制御装置４は、液浸部材１３に対してダミー基板ＤＰを移動したときに、第２回収口２５からの液体ＬＱの回収状態に基づいて、液浸部材１３の下面１４の状態を評価する。
【０１０７】
液浸空間ＬＳを良好に形成するために、液浸部材１３の下面１４は、液体ＬＱに対して親液性を有する。例えば、液体ＬＱに対する液浸部材１３の下面１４の親液性が低いと、基板Ｐを移動したとき、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持できず、漏出したり、基板Ｐ上に残留したりする可能性が高くなる。本実施形態においては、液浸部材１３の下面１４の状態の評価は、液体ＬＱに対する下面１４の親液性の評価を含む。
【０１０８】
液浸部材１３の下面１４の状態を評価する処理は、上述の第１実施形態で説明したステップＳＢ１〜ＳＢ１２と同様の手順を含む。液浸部材１３の下面１４の状態を評価するために、液浸部材１３の下面１４とダミー基板ＤＰの基準表面５０との間に液浸空間ＬＳが形成される。制御装置４は、液浸空間ＬＳを形成した状態で、液浸部材１３に対してダミー基板ＤＰを複数の移動条件で移動させる。制御装置４は、複数の移動条件のそれぞれにおける第２回収口２５が回収する液体ＬＱの有無に基づいて、液浸部材１３の下面１４の状態を評価する。そして、制御装置４は、評価の結果に基づいて、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持可能な、液浸部材１３に対するダミー基板ＤＰの移動速度と移動距離との関係を導出する。また、制御装置４は、評価の結果に基づいて、液浸部材１３とダミー基板ＤＰとの間の液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持するように、液浸部材１３に対するダミー基板ＤＰの移動条件を決定する。制御装置４は、例えば、液体ＬＱが所定状態を維持可能な範囲内において可能な限り高い移動速度でダミー基板ＤＰが移動するように、ダミー基板ＤＰの移動条件を決定する。
【０１０９】
制御装置４は、ダミー基板ＤＰを用いて決定された移動条件に基づいて、そのダミー基板ＤＰの基準表面５０と同等の表面を有する基板Ｐを露光するときの基板Ｐの移動条件を決定する。これにより、制御装置４は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを所定状態に維持しつつ、基板Ｐの露光が開始されてから終了するまでの時間を短くすることができる。したがって、露光不良の発生を抑制しつつ、スループットの低下を抑制できる。
【０１１０】
また、例えば液浸部材１３の下面１４が基準状態のときの、ダミー基板ＤＰの移動条件と、第２回収口２５からの液体ＬＱの回収状態とを記憶装置１０に記憶しておき、その記憶装置１０の記憶情報を用いて、液浸部材１３の下面１４の状態の評価を実行することができる。下面１４が基準状態とは、下面１４が初期状態であることを含み、所望の親液性を有している状態を含む。記憶装置１０の記憶情報は、上述のステップＳＢ１〜ＳＢ１２の手順と同様の手順を含む処理によって予め求めることができる。記憶装置１０の記憶情報は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態に維持される、基準状態の液浸部材１３に対する、ダミー基板ＤＰの移動距離に対応する最高移動速度に関する情報を含む。
【０１１１】
例えば液浸部材１３の下面１４の液体ＬＱに対する親液性が劣化した場合、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが所定状態を維持することが困難となる可能性がある。そのため、制御装置４は、例えば所定時間間隔毎に、液浸空間１３の下面１４とダミー基板ＤＰとの間に液浸空間ＬＳを形成して、液浸部材１３の下面１４の状態を評価し、その評価の結果と、記憶装置１０に記憶されている、基準状態での移動条件とを比較する。そして、基準状態と比較して、例えば低い移動速度でも第２回収口２５から液体ＬＱが回収された場合には、液浸部材１３の下面１４の親液性が劣化したと判断できる。その場合、制御装置４は、例えば、ダミー基板ＤＰの基準表面５０と同様の表面を有する基板Ｐを露光するときの基板Ｐの移動条件を変更することができる。これにより、基板Ｐを露光するときに、液体ＬＱの漏出、残留等を抑制することができる。
【０１１２】
また、例えば液浸部材１３の下面１４の状態（液体ＬＱに対する親液性）が非常に劣化していると判断された場合、その液浸部材１３を使用不可と判断し、新たな液浸部材１３と交換することができる。
【０１１３】
なお、評価の結果に基づいて、例えば液浸部材１３の下面１４の親液性が劣化したと判断した場合、その液浸部材１３のメンテナンス処理を実行してもよい。例えば、液浸部材１３の下面１４に紫外光を照射可能な光洗浄装置を設け、その光洗浄装置より液浸部材１３の下面１４に紫外光を照射して、液浸部材１３の下面１４を光洗浄してもよい。光洗浄処理を含むメンテナンス処理を実行することによって、液浸部材１３の下面１４の状態を良好にすることができる。また、メンテナンス処理として、例えばクリーニング用液体を用いたクリーニング処理を実行してもよい。
【０１１４】
また、上述の実施形態で説明した手順と同様の手順で、終端光学素子１１の下面１２の状態の評価を実行することもできる。
【０１１５】
なお、本実施形態においては、基準表面５０がダミー基板ＤＰに配置されている場合を例にして説明したが、基準表面５０は、例えばプレート部材Ｔに配置されていてもよいし、計測ステージ３に配置されていてもよい。
【０１１６】
なお、上述の各実施形態においては、第２回収口２５から液体ＬＱが回収されたか否かを検出する検出装置４０が温度センサ４０Ａを含む場合を例にして説明したが、例えば図１７に示すように、検出装置４０が光学センサ４０Ｂを含んでもよい。図１７において、検出装置４０は、第２回収口２５に回収された液体ＬＱを光学的に検出する光学センサ４０Ｂを含む。本実施形態においては、捕集部材１５の一部は、光透過性を有する第１、第２光学部材６１、６２によって形成されている。第、第２光学部材６１、６２は、第２回収口２５に接続される回収流路３１Ａの少なくとも一部を形成する。光学センサ４０Ｂは、検出光ＳＬを射出する投射装置６３と、検出光ＳＬを受光可能な受光装置６４とを備える。投射装置６３は、第１光学部材６１と対向するように配置されている。受光装置６４は、第２光学部材６２と対向するように配置されている。投射装置６３は、第１光学部材６１を介して、回収流路３１Ａに検出光ＳＬを照射可能である。回収流路３１Ａに液体ＬＱが存在しない場合、投射装置６３より射出された検出光ＳＬは、第１光学部材６１を透過し、回収流路３１Ａを通過した後、第２光学部材６２を透過して、受光装置６４に受光される。一方、第２回収口２５が液体ＬＱを回収して、回収流路３１Ａに液体ＬＱが存在する場合、投射装置６３より射出された検出光ＳＬは、第１光学部材６１を透過し、回収流路３１Ａに存在する液体ＬＱに照射される。回収流路３１Ａに液体ＬＱが存在する場合と存在しない場合とで、検出光ＳＬに対する受光装置６４の受光状態が異なる。したがって、検出装置４０は、光学センサ４０Ｂの受光装置６４の受光結果に基づいて、第２回収口２５が液体ＬＱを回収したか否かを検出することができる。
【０１１７】
また、図１８に示すように、検出装置４０が、第２回収口２５に接続される回収流路３１Ａの圧力を検出する圧力センサ４０Ｃを含むものであってもよい。第２回収口２５が液体ＬＱを回収した場合と回収していない場合とで、圧力センサ４０Ｃの検出結果が異なる。例えば、第２回収口２５が液体ＬＱを回収し、第２回収口２５に液体ＬＱが流入した場合、回収流路３１Ａの圧力が低下する。したがって、検出装置４０は、圧力センサ４０Ｃの検出結果に基づいて、第２回収口２５が液体ＬＱを回収したか否かを検出することができる。
【０１１８】
なお、上述の各実施形態においては、第２回収口２５が回収する液体ＬＱの有無に基づいて、基板Ｐの表面等の状態を評価しているが、第２回収口２５が回収する液体ＬＱの量に基づいて、基板Ｐの表面等の状態を評価することができる。例えば、基板Ｐの表面の撥液性が低い場合、撥液性が高い場合に比べて、第２回収口２５で回収される液体ＬＱの量が多くなる可能性が高くなるので、制御装置４は、第２回収口２５が回収する液体ＬＱの量に基づいて、基板Ｐの表面の状態を評価することができる。同様に、制御装置４は、第２回収口２５が回収する液体ＬＱの量に基づいて、プレート部材Ｔの上面１９の状態、計測ステージ３の上面２０の状態、及び液浸部材１３の下面１４の状態を評価することができる。
【０１１９】
なお、上述の各実施形態において、投影光学系ＰＬは、終端光学素子１１の射出側（像面側）の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１１の入射側（物体面側）の光路空間も液体ＬＱで満たす投影光学系を採用することもできる。
【０１２０】
なお、上述の実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材（フォトレジスト）の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で、液体ＬＱと接触する投影光学系ＰＬの光学素子（終端光学素子など）を形成してもよい。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０１２１】
また、例えば露光光ＥＬがＦ２レーザ光である場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能なもの、例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フッ素系オイル等のフッ素系流体を用いることができる。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。
【０１２２】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１２３】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１２４】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１２５】
また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０１２６】
また、本発明は、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置においては、各ステージの上面の状態が評価される。
【０１２７】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１２８】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計８Ａ、８Ｂ、８Ｃを含む干渉計システムを用いてマスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージ１、２、３に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り換えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。
【０１２９】
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許７,０２３,６１０号に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
【０１３０】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、可変成形マスクとしては、ＤＭＤに限られるものでなく、ＤＭＤに代えて、以下に説明する非発光型画像表示素子を用いても良い。ここで、非発光型画像表示素子は、所定方向へ進行する光の振幅（強度）、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調する素子であり、透過型空間光変調器としては、透過型液晶表示素子（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）以外に、エレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣＤ）等が例として挙げられる。また、反射型空間光変調器としては、上述のＤＭＤの他に、反射ミラーアレイ、反射型液晶表示素子、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electro Phonetic Display）、電子ペーパー（または電子インク）、光回折型ライトバルブ（Grating Light Valve）等が例として挙げられる。
【０１３１】
また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。この場合、照明系は不要となる。ここで自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。また、パターン形成装置が備える自発光型画像表示素子として、複数の発光点を有する固体光源チップ、チップを複数個アレイ状に配列した固体光源チップアレイ、または複数の発光点を１枚の基板に作り込んだタイプのもの等を用い、該固体光源チップを電気的に制御してパターンを形成しても良い。なお、固体光源素子は、無機、有機を問わない。
【０１３２】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。
【０１３３】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０１３４】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１３５】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１９に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１３６】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【図面の簡単な説明】
【０１３７】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る基板ステージを示す側断面図である。
【図３】第１実施形態に係るプレート部材を示す側断面図である。
【図４】基板の一例を示す側断面図である。
【図５】第１実施形態に係る液浸部材の近傍を示すＹＺ平面と平行な側断面図である。
【図６】第１実施形態に係る液浸部材及び所定部材を下側から見た図である。
【図７】第１実施形態に係る基板ステージを上方から見た図である。
【図８】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示すフローチャート図である。
【図９】第１実施形態に係る評価方法の一例を示すフローチャート図である。
【図１０】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す模式図である。
【図１１】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す模式図である。
【図１２】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す模式図である。
【図１３】評価方法の結果により導出された基板の移動速度と移動距離との関係を示す模式図である。
【図１４】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す模式図である。
【図１５】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す模式図である。
【図１６】第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す模式図である。
【図１７】検出装置の一例を示す模式図である。
【図１８】検出装置の一例を示す模式図である。
【図１９】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【０１３８】
２…基板ステージ、３…計測ステージ、４…制御装置、１０…記憶装置、１１…終端光学素子、１２…射出面、１３…液浸部材、１４…液体接触面、１５…捕集部材、１６…下面、１９…上面、２０…上面、２３…供給口、２４…第１回収口、２５…第２回収口、４０…検出装置、４０Ａ…温度センサ、４０Ｂ…光学センサ、４０Ｃ…圧力センサ、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明系、Ｋ…光路空間、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系、Ｒｇ…感光膜、Ｔ…プレート部材、Ｔｃ…保護膜
【図１】
2008300772.tif 000003
【図２】
2008300772.tif 000004
【図３】
2008300772.tif 000005
【図４】
2008300772.tif 000006
【図５】
2008300772.tif 000007
【図６】
2008300772.tif 000008
【図７】
2008300772.tif 000009
【図８】
2008300772.tif 000010
【図９】
2008300772.tif 000011
【図１０】
2008300772.tif 000012
【図１１】
2008300772.tif 000013
【図１２】
2008300772.tif 000014
【図１３】
2008300772.tif 000015
【図１４】
2008300772.tif 000016
【図１５】
2008300772.tif 000017
【図１６】
2008300772.tif 000018
【図１７】
2008300772.tif 000019
【図１８】
2008300772.tif 000020
【図１９】
2008300772.tif 000021