(57)【要約】【課題】例えば半導体チップと基板とを接合するのに用いられる硬化性組成物であって、ボンディング速度が速くても半導体チップの側面から硬化性組成物がはみ出し難く、信頼性に優れた接合を与え得る硬化性組成物及び該硬化性組成物を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】硬化性組成物を一定の温度に２分間維持した際に、硬化性組成物の粘度変化率が５％以下である温度の最大温度をＸとしたときに、硬化性組成物の最大温度ＸにおけるＴｉ値が１．５〜１０の範囲にある硬化性組成物、及び該硬化性組成物２を介して基板４上に半導体チップ３が接合された半導体装置１。【選択図】図１
2008019381.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性組成物であって、前記硬化性組成物を一定の温度に２分間維持した際に、前記硬化性組成物の粘度変化率が５％以下である前記温度の最大温度をＸとしたときに、
前記硬化性組成物の前記最大温度ＸにおけるＴｉ値が１．５〜１０の範囲にあることを特徴とする、硬化性組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の硬化性組成物を介して、基板上に半導体チップが接合されてなることを特徴とする、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体チップと基板とを接合するのに用いられる硬化性組成物に関し、より詳細には、信頼性に優れた接合を与え得る硬化性組成物及び該硬化性組成物を用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップでは、各種信頼性を高めるために、半導体チップがパッケージに収納されたり、パッケージ材に実装された構造などが用いられている。近年、小型化及び薄型化を果たすために、半導体チップをパッケージ化するに際し、フリップチップ実装法が広く用いられてきている。フリップチップ実装法では、半導体チップの回路形成面を下面とし、かつ該下面上にパッケージ側の電極ランドと電気的に接続するための金属バンプを下方に突出するように設けている。そして、下面側から半導体チップが基板上に実装され、かつ上記金属バンプが基板上の電極ランドに電気的に接続されている。半導体チップの下面である回路形成面と基板との間の隙間には、アンダーフィル材として、例えばエポキシ樹脂接着剤などが充填され、接合部の補強及び半導体チップの保護が図られている。
【０００３】
近年、半導体チップの小型化および薄型化に伴って、上記アンダーフィル材として、フィルム状の接着剤が用いられてきている。フィルム状の接着剤を用いることで、半導体チップを基板上に実装する際に、接着剤層を所定の箇所に容易に形成でき、接着剤により半導体チップの汚染を防止することができる。
【０００４】
下記の特許文献１には、５０〜２５０℃のいずれの温度においても最低溶融粘度が２００Ｐａ・ｓより高く、５０〜１５０℃のいずれかの温度において加熱・加圧した場合の平行板間にはさんだフィルム状接着剤の初期面積と加熱・加圧後の面積との比である流れ量が１．５以上であり、かつ、硬化物の２５〜２６０℃における平均線膨張係数が２００×１０-6／℃以下であるフィルム状接着剤が開示されている。
【０００５】
特許文献１に記載のフィルム状接着剤は、半導体チップの突出した接続端子と基板の配線パターンとを直接電気的に接続するフリップ接続方式におけるアンダーフィル材として好適に用いられるとされている。
【特許文献１】特開２００５−２６４１０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載のフィルム状接着剤は、例えば（ａ）重量平均分子量１００００以下で常温において固形である樹脂と、（ｂ）絶縁性球状無機フィラーと、（ｃ）エポキシ樹脂と、（ｄ）硬化剤とを含有する。このフィルム状接着剤では、（ｂ）絶縁性球状無機フィラーが２５〜８０重量％程度配合されていた。
【０００７】
特許文献１に記載のフィルム状接着剤は、（ｂ）絶縁性球状無機フィラーを多く含有するため、チクソ性が高い。よって、接着剤を介して基板上に半導体チップをボンディングする際に、ボンディング速度が速すぎると、半導体チップの側面から接着剤がはみ出すことがあった。また、はみ出した接着剤が半導体チップ上表面に回り込むこともあった。
【０００８】
本発明は、上述した従来技術の現状に鑑み、例えば半導体チップと基板とを接合するのに用いられる硬化性組成物であって、ボンディング速度が速くても半導体チップの側面から硬化性組成物がはみ出し難く、信頼性に優れた接合を与え得る硬化性組成物及び該硬化性組成物を用いた半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る硬化性組成物は、硬化性組成物を一定の温度に２分間維持した際に、硬化性組成物の粘度変化率が５％以下である前記温度の最大温度をＸとしたときに、硬化性組成物の最大温度ＸにおけるＴｉ値が１．５〜１０の範囲にあることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る半導体装置は、本発明に従って構成された硬化性組成物を介して、基板上に半導体チップが接合されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る硬化性組成物は、硬化性組成物を一定の温度に２分間維持した際に、硬化性組成物の粘度変化率が５％以下である前記温度の最大温度をＸとしたときに、硬化性組成物の最大温度ＸにおけるＴｉ値が１．５〜１０の範囲にある。よって、硬化性組成物を介して基板上に半導体チップをボンディングする際に、ボンディング速度や圧力に関わらず、硬化性組成物が適度に流動して濡れ広がる。従って、硬化性組成物が半導体チップの側面からはみ出し難いので、半導体チップが汚染されたりすることなく、信頼性に優れた接合を与えることができる。
【００１２】
本発明に係る半導体装置は、本発明に従って構成された硬化性組成物を介して、基板上に半導体チップが接合されている。よって、半導体チップの汚染が抑制されており、接合の信頼性に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００１４】
本発明に係る硬化性組成物は、硬化性組成物を一定の温度に２分間維持した際に、硬化性組成物の粘度変化率が５％以下である前記温度の最大温度をＸとしたときに、硬化性組成物の最大温度ＸにおけるＴｉ値（チクソインデックス）が１．５〜１０の範囲にある。
【００１５】
上記Ｔｉ値が１．５未満であると塗工過程でフィルムが塗液をはじき、部分的に成膜できないことがある。Ｔｉ値が１０を超えると半導体チップの側面から硬化性組成物がはみ出し易くなり、半導体チップが汚染されることがある。特にＴｉ値が１０を超える場合に、半導体チップの側面から硬化性組成物がはみ出すだけでなく、半導体チップの上表面に硬化性組成物が回り込むこともある。
【００１６】
基板上に半導体チップをボンディングする際には、硬化性組成物に熱が与えられ、熱により硬化性組成物が溶融し、流動し濡れ広がるとともに硬化する。本発明では、硬化性組成物の硬化が見かけ上進行しない最大の温度、すなわち最大温度Ｘにおいて、Ｔｉ値を規定している。硬化性組成物を一定の温度に２分間維持した際に、硬化性組成物の粘度変化率が５％を超える場合、その温度では硬化性組成物の硬化が進行するため、Ｔｉ値がばらつくことがある。
【００１７】
上記最大温度Ｘを求めるに際して、硬化性組成物を一定の温度に２分間維持するが、硬化性組成物が一定の温度に至るまでの硬化性組成物の昇温速度は、４０℃／分であることが好ましい。また、粘度変化率は、硬化性組成物が一定の温度に達した直後の硬化性組成物の粘度Ｙ1と、硬化性組成物を一定の温度に２分間維持したときの２分間における硬化性組成物の最大粘度Ｙ2とから下記式（１）により求められる。
【００１８】
（Ｙ2−Ｙ1）／Ｙ1×１００・・・（１）
上記Ｔｉ値（チクソインデックス）は、硬化性組成物のチクソ性の指標として用いられる値である。Ｔｉ値は、例えば溶融粘度測定装置（レオロジカ社製、型番ＤｙｎＡｌｙｓｅｒ）を用いて測定される。Ｔｉ値は、周波数を変化させつつ測定した粘度の測定値から求められる。Ｔｉ値は、周波数１Ｈｚにおける粘度η1と周波数１０Ｈｚにおける粘度η2との比であるη1／η2を表す。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置を模式的に示す正面断面図である。
【００２０】
半導体装置１は、本発明に係る硬化性組成物を硬化して形成された接着層２を介して半導体チップ３が基板４上に積層され、かつ接合された構造を有する。基板４は、回路パターンが上面に形成された回路基板からなる。半導体チップ３は、通常、シリコン系半導体などの適宜の半導体材料により構成されている。なお、硬化性組成物は、例えば熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性組成物からなる。
【００２１】
半導体チップ３の下面には、電気的に接続するための電極３ａ，３ｂが形成されている。半導体チップ３の電極３ａ，３ｂが、基板４の上面に形成された電極パッド４ａ，４ｂに直接電気的に接続されている。
【００２２】
図２に示すように、上記半導体装置１の製造に際しては、先ず本発明に係る硬化性組成物からなるフィルム２Ａを基板４上に載置する。フィルム２Ａの大きさは、半導体チップ３の大きさよりもわずかに小さくされている。
【００２３】
次に、半導体チップ３の電極３ａ，３ｂを下方に向けて、半導体チップ３を基板４の上方に配置する。さらに、半導体チップ３の電極３ａ，３ｂと基板４上の電極パッド４ａ，４ｂとの位置合わせをする。しかる後、図示しない加熱手段によりフィルム２Ａを加熱しつつ、図２に矢印Ｚで示す方向に半導体チップ３を移動させ、基板４上に半導体チップ３をボンディングする。この際、フィルム２Ａが溶融して押し広げられ、電極３ａ，３ｂと電極パッド４ａ，４ｂとが電気的に接続される。さらに、フィルム２Ａが硬化した接着層２により半導体チップ３が基板４上に接合される。
【００２４】
図３（ａ）、（ｂ）及び図４を用いて、硬化性組成物のＴｉ値の違いにより、半導体チップ３の側面から硬化性組成物がはみ出す場合があることを説明する。
【００２５】
図３（ａ）、（ｂ）では、Ｔｉ値が１．５〜１０の範囲にある硬化性組成物を用いている。図３（ａ）は、半導体装置１の製造に際して、フィルム２Ａを基板４上に載置し、半導体チップ３の電極３ａ，３ｂと基板４上の電極パッド４ａ，４ｂとの位置合わせした後、接合する前の状態を示す平面図である。図３（ｂ）は、フィルム２Ａが溶融して押し広げられ、接着層２が形成された後の半導体装置１を示す平面図である。なお、図３（ａ）、（ｂ）では、フィルム２Ａ及び接着層２の存在範囲を明確にするために、フィルム２Ａ及び接着層２に斜線を付している。
【００２６】
硬化性組成物のＴｉ値が１．５〜１０の範囲にある場合には、図３（ｂ）に示すように、フィルム２Ａが押し広げられ、かつ硬化した接着層２が半導体チップ３の側面からはみ出し難い。また、接着層２は、半導体チップ３の下面の角部３ｃ近傍にも至っている。
【００２７】
一方、図４では、Ｔｉ値が１．５〜１０の範囲外にある硬化性組成物を用いている。硬化性組成物のＴｉ値が１．５〜１０の範囲外、特にＴｉ値が１０を超える場合には、図４に平面図で示すように、接着層１１が半導体チップ３の側面からはみ出すことがある。ボンディング時には半導体チップ３の側面に押圧が強くかかりやすいが、Ｔｉ値が１．５〜１０の範囲外であると、該押圧により半導体チップ３の下面の角部３ｃ近傍に接着層１１が至らず、接着層１１が半導体チップ３の側面からはみ出しがちとなる。
【００２８】
本発明に係る硬化性組成物は、例えばダイアタッチフィルムとしても好適に用いることができる。ダイアタッチフィルムは半導体ウェハーに貼付された後、個々の半導体チップにダイシングされる。ダイアタッチフィルム付き半導体チップをダイアタッチフィルム側から基板４上にボンディングすることにより半導体装置を得ることができる。
【００２９】
本発明に係る硬化性組成物は、熱硬化性樹脂と、熱硬化性樹脂の硬化剤とを含有することが好ましい。
【００３０】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、熱硬化型変性ポリフェニレンエーテル系樹脂、熱硬化型ポリイミド系樹脂、ユリア系樹脂、アリル系樹脂、ケイ素系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、フェノール系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ビスマレイミドトリアジン系樹脂、アルキド系樹脂、フラン系樹脂、メラミン系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アニリン系樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキシ系樹脂、熱硬化型変性ポリフェニレンエーテル系樹脂、熱硬化型ポリイミド系樹脂、ユリア系樹脂、アリル系樹脂、ケイ素系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、フェノール系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ビスマレイミドトリアジン系樹脂等が好適に用いられる。これらの熱硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３１】
熱硬化性樹脂とは、常温では液状、半固形状又は固形状等であって常温下又は加熱下において流動性を示す比較的低分子量の物質からなり、この物質が硬化剤、触媒又は熱の作用によって硬化反応や架橋反応等の化学反応を起こして分子量を増大させながら網目状の三次元構造を形成して不溶不融性を示す樹脂を意味する。
【００３２】
本発明では、熱硬化性樹脂として、エポキシ系樹脂がより好ましく用いられる。エポキシ系樹脂を用いた場合には、冷熱サイクルの信頼性、接合の信頼性を向上させることができる。エポキシ系樹脂とは、少なくとも１個のオキシラン環を有する有機化合物をいうものとする。
【００３３】
上記エポキシ系樹脂としては、特に限定されないが、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等のような芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、並びにこれらの水添加物や臭素化物；３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エポキシ−２−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−２−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペート、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサノン−メタ−ジオキサン、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、商品名「ＥＨＰＥ−３１５０」（軟化温度７１℃、ダイセル化学工業社製）等のような脂環族エポキシ樹脂；１，４−ブタンジオールのジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールのジグリシジルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンのトリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールのジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールのジグリシジルエーテル、炭素数が２〜９個（好ましくは２〜４個）のアルキレン基を含むポリオキシアルキレングリコールやポリテトラメチレンエーテルグリコール等を含む長鎖ポリオールのポリグリシジルエーテル等のような脂肪族エポキシ樹脂；フタル酸ジグリシジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ジグリシジル−ｐ−オキシ安息香酸、サリチル酸のグリシジルエーテル−グリシジルエステル、ダイマー酸グリシジルエステル等のようなグリシジルエステル型エポキシ樹脂並びにこれらの水添加物；トリグリシジルイソシアヌレート、環状アルキレン尿素のＮ，Ｎ’−ジグリシジル誘導体、ｐ−アミノフェノールのＮ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル誘導体、ｍ−アミノフェノールのＮ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル誘導体等のようなグリシジルアミン型エポキシ樹脂並びにこれらの水添加物；グリシジル（メタ）アクリレートと、エチレン、酢酸ビニル、（メタ）アクリル酸エステル等のラジカル重合性モノマーとの共重合体；エポキシ化ポリブタジエン等のような、共役ジエン化合物を主体とする重合体またはその部分水添物の重合体の不飽和炭素の二重結合をエポキシ化したもの；エポキシ化ＳＢＳ等のような、「ビニル芳香族化合物を主体とする重合体ブロック」と「共役ジエン化合物を主体とする重合体ブロックまたはその部分水添物の重合体ブロック」とを同一分子内にもつブロック共重合体の、共役ジエン化合物の不飽和炭素の二重結合をエポキシ化したもの；上記各種エポキシ基含有化合物にＮＢＲ、ＣＴＢＮ、ポリブタジエン、アクリルゴム等のゴム成分を含有させたゴム変成エポキシ樹脂；等、従来公知の各種エポキシ基含有化合物が挙げられる。上記エポキシ系樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３４】
上記エポキシ系樹脂の中でも、少なくとも、エポキシ基を多量に含むエポキシ基含有ポリマーを用いると、硬化後の硬化性組成物の耐熱性を飛躍的に高めることができ、望ましい。上記エポキシ基含有ポリマーとしては特に限定されないが、エポキシ基含有アクリル系ポリマーが好適に用いられる。
【００３５】
上記エポキシ基含有ポリマーを適量配合することで、Ｔｉ値を容易に１．５〜１０の範囲にすることができる。Ｔｉ値を１．５〜１０の範囲にするために、エポキシ基含有ポリマーの配合割合は、硬化性組成物１００重量％中、１０〜２５重量％の範囲であることが好ましい。
【００３６】
上記エポキシ基含有ポリマーの重量平均分子量は、５０００〜２０００００の範囲が好ましく、より好ましくは１００００〜１０００００の範囲である。重量平均分子量が５０００未満であると、耐熱性を向上させる効果が十分に得られないことがあり、２０００００を超えると貯蔵安定性が低下することがある。
【００３７】
上記エポキシ系樹脂全体１００重量部に対する上記エポキシ基含有ポリマーの配合割合としては、１重量部〜２５重量部の範囲であることが望ましい。１重量部よりも少ないと、耐熱性向上効果が十分に得られないことがあり、２５重量部を超えると、硬化性組成物の粘性が高すぎることがある。上記エポキシ基含有ポリマーのエポキシ等量としては２００〜１０００の範囲が好ましい。エポキシ等量が２００〜１０００の範囲であるエポキシ基含有ポリマーは、他のエポキシ系モノマーと相溶性に優れており、硬化物の耐熱性を高めることができるので、望ましい。
【００３８】
上記熱硬化性樹脂を硬化させる硬化剤としては、特に限定されず、従来から熱硬化性樹脂の硬化剤として知られている適宜の硬化剤を用いることができる。
【００３９】
上記硬化剤としては、例えば、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、ジシアンジアミドなどの潜在性硬化剤、ジアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、三級アミン系硬化剤、ホスフィン系硬化剤などが挙げられる。上記硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４０】
上記硬化剤は、一般に、熱硬化性樹脂と当量反応する硬化剤である付加反応型の硬化剤、例えばフェノール、酸無水物、ジシアンジアミドまたはジアミンなどの硬化剤と、重合反応型、すなわち熱硬化性樹脂とイオン反応を起こす例えばイミダゾール、三級アミンまたはホスフィンなどの硬化剤とに大別することができる。後者の硬化剤は、熱硬化性樹脂と当量反応する硬化剤としての硬化促進効果をも併せ持つ。
【００４１】
上記付加反応型の硬化剤のみを用いた場合には、熱硬化性樹脂の硬化速度は非常に遅いが、硬化物では、エステルやアミンなどの官能基が残存することとなり、また架橋点間距離も適度な長さとなる。従って、硬化系のバランスがとれ、硬化物の接着強度が高められる。
【００４２】
他方、上記重合反応型の硬化剤のみを用いた場合には、硬化速度は速いものの、硬化物の主鎖はエーテル結合となり、この距離が非常に短くなる。従って、硬化物の応力緩和性が低く、接合の信頼性に劣ることがある。
【００４３】
従って、好ましくは、付加反応型の硬化剤と重合反応型の硬化剤とを組み合わせて用いることが望ましい。
【００４４】
上記付加反応型の硬化剤と重合反応型の硬化剤とを組み合わせるに際して、硬化物のｐＨを調整するためには、フェノールや酸無水物などの酸性の付加反応型の硬化剤と、イミダゾールや三級アミンなどのような塩基性の重合反応型の硬化剤とを組み合わせて用いることが好ましい。なかでも、作業性に優れ、かつ材料選択性の幅が広いため、酸無水物からなる硬化剤とイミダゾールからなる硬化剤とを併用することが最も好ましい。
【００４５】
上記硬化剤は、使用される熱硬化性樹脂と相溶性を有しないことが好ましい。もっとも、使用される熱硬化性樹脂と相溶性を有する硬化剤を、上記相溶性を有しない硬化剤と併用してもよい。熱硬化性樹脂と相溶性を有する硬化剤のみを用いた場合には、硬化剤による短絡不良の問題は生じ難いが、貯蔵時に安定性に劣ることがある。
【００４６】
上記相溶性を有しない硬化剤としては、潜在性を引き出すために一般的に用いられている硬化剤を挙げることができる。潜在性の硬化剤としては、より具体的には、ジシアンジアミド、ヒドラジド系硬化剤、アミンアダクト型硬化剤、マイクロカプセル型硬化剤またはイミダゾール系硬化剤などが挙げられる。なかでも、多くの種類の硬化剤が知られているため、イミダゾール系硬化剤が好適に用いられる。
【００４７】
上記付加反応型の硬化剤の配合割合は、好ましくは、熱硬化性樹脂１００等量に対し、３０〜９５等量、より好ましくは５０〜９０等量の範囲とされる。付加反応型の硬化剤の配合割合が３０等量未満では、十分な接着強度を有する硬化物を得ることが困難となることがあり、９５等量を超えると、可使時間が長くなるとともに、硬化物の物性が低下するおそれがある。
【００４８】
また、上記重合反応型の硬化剤、すなわち狭い意味での硬化促進剤の配合割合は、硬化物及び上記付加反応型の硬化剤の合計１００重量部に対し、０．１〜３０重量部が好ましく、より好ましくは１〜１５重量部である。重合型の硬化剤の配合割合が０．１重量部未満では、硬化速度が遅くなり良好な硬化物が得られないことがあり、３０重量部を超えると、可使時間が短くなりすぎ、かつ重合反応型の硬化剤の残存による電気的特性の劣化を引き起こすおそれがある。
【００４９】
本発明に係る硬化性組成物は、無機充填剤を適量含むことが好ましい。無機充填剤を適量配合することによっても、Ｔｉ値を容易に１．５〜１０の範囲にすることができる。Ｔｉ値を１．５〜１０の範囲にするために、無機充填剤の配合割合は、硬化性組成物１００重量％中、０．５〜１０重量％の範囲であることが好ましい。
【００５０】
上記無機充填剤としては、特に限定されないが、例えばヒュームドシリカ、ガラス繊維、アルミナ微粒子等が好ましく用いられる。なかでも、Ｔｉ値をより一層容易に１．５〜１０の範囲とし得るため、ヒュームドシリカがより好ましく用いられる。
【００５１】
硬化性組成物には、本発明の課題達成を阻害しない範囲で、必要に応じて他の添加剤を添加してもよい。このような添加剤としては、例えば導電性粉末、脂肪族水酸基含有化合物、熱可塑性樹脂、シランカップリング剤、密着性向上剤、補強材、軟化剤、可塑剤、粘度調整剤、揺変剤、安定剤、酸化防止剤、着色剤、脱水剤、難燃剤、帯電防止剤、発泡剤、防黴剤などが挙げられる。これらの添加剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５２】
硬化性組成物には、他の樹脂成分として各種熱可塑性樹脂の１種または２種以上が配合されてもよい。また、硬化性組成物には、シランカップリング剤が配合されてもよい。シランカップリング剤を配合すると、耐湿接着性を高めることができる。
【００５３】
硬化性組成物の製造方法は特に限定されず、上記各種成分を均一に分散・混合することにより得ることができる。この分散・混合方法は特に限定されないが、例えば、三本ロール、らいかい機、プラネタリーミキサーなどによる分散・混練方法を挙げることができる。混合に際し、必要に応じて減圧してもよい。また、遊星式の攪拌機を用いることにより、各成分を混合することが望ましく、それによって金属物の混入を避けつつ、各成分を均一にかつ容易に混合することができる。
【００５４】
本発明に係る硬化性組成物は、フィルム状であることが好ましい。フィルム状の硬化性組成物を用いることで、半導体チップを基板上に実装する際に、接着層を所定の箇所に容易に形成でき、ボンディング時に半導体チップから硬化性組成物がはみ出すのをより一層抑制することができる。なお、フィルム状にはシート状も含まれる。
【００５５】
フィルム状に成形する方法としては、特に限定されないが、例えば押出機による押出成形法、溶剤で希釈して希釈液を調製し、この希釈液をセパレーター上にキャスティングした後、溶剤を乾燥させる溶液キャスト法等が挙げられる。なかでも、高熱を与える必要がないことから、溶媒キャスト法が好適に用いられる。
【００５６】
以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を説明することにより本発明を明らかにする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【００５７】
（使用した材料）
（１）エポキシ系樹脂（熱硬化性樹脂）
ジシクロペンタジエン型固形エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、品番：ＥＸＡ−７２００ＨＨ）
ナフタレン型液状エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、品番：ＨＰ−４０３２Ｄ）
（２）エポキシ基含有ポリマー（熱硬化ポリマー）
エポキシ基含有アクリル樹脂Ａ（日本油脂社製、品番：Ｇ−２０５０Ｍ、エポキシ等量３００、ガラス転移温度８０℃、重量平均分子量２０万）
エポキシ基含有アクリル樹脂Ｂ（日本油脂社製、品番：Ｇ−１０１０Ｓ、エポキシ等量５００、ガラス転移温度８０℃、重量平均分子量１０万）
（３）硬化剤
トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸（ジャパンエポキシレジン社製、品番：ＹＨ−３０７）
（４）硬化促進剤（硬化触媒）
イソシアヌル変性固体分散型イミダゾール（四国化成社製、品番：２ＭＡＯＫ−ＰＷ）
（５）接着付与剤
エポキシシランカップリング剤（信越シリコーン社製、品番：ＫＢＥ−４０３）
（６）無機充填剤（増粘剤）
表面疎水化ヒュームドシリカＡ（トクヤマ社製、品番：レオシールＭＴ−１０、一次平均粒径１０ｎｍ）
【００５８】
（実施例及び比較例）
下記の表１、２に示す組成で各成分を配合し、混合した。この混合物を遊星式攪拌機を用いて攪拌、混合、脱泡することにより実施例及び比較例の硬化性組成物を得た。
得られた硬化性組成物を、キャストすることによりフィルムとした。
【００５９】
（実施例及び比較例の評価）
（１）最大温度Ｘの評価
ある一定の温度に至るまで、４０℃／分の昇温速度でフィルムを昇温した。フィルムを一定の温度に２分間維持した際に、硬化性組成物の粘度変化率が５％以下である温度の最大温度Ｘを求めた。結果を下記表１、２に示した。粘度の測定には、溶融粘度測定装置（レオロジカ社製、型番：ＤｙｎＡｌｙｓｅｒ）を用いた。
【００６０】
（２）Ｔｉ値の評価
溶融粘度測定装置（レオロジカ社製、型番：ＤｙｎＡｌｙｓｅｒ）を用いて、最大温度Ｘにおいて、フィルムの周波数１Ｈｚにおける粘度η1と周波数１０Ｈｚにおける粘度η2とを測定し、Ｔｉ値（η1／η2）を求めた。
【００６１】
（３）ボンディング時の流動性評価
基板（テクノサーキット社製、品番：ＦＲ４）上にフィルムを載置した。フリップチップボンダー（澁谷工業社製、型番：ＤＢ−１００）を用いて、半導体チップ（豊和産業社製、金バンプチップ）を基板上にボンディングすることにより、半導体装置１を製造した。ボンディング時の温度は、２００℃とした。
【００６２】
上記の条件でボンディングしたときに、半導体チップの側面からの硬化性組成物のはみ出しの有無（流動性）を下記評価基準で評価した。
【００６３】
流動性（はみ出しの有無）の評価基準
○：硬化性組成物がはみ出していなかった
△：硬化性組成物がわずかにはみ出していた
×：硬化性組成物がはみ出していた、若しくは半導体チップ上に硬化性組成物が回りこんでいた
結果を下記の表１、２に示す。
【００６４】
【表１】
2008019381.tif 000003
【００６５】
【表２】
2008019381.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置を模式的に示す正面断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置を製造する工程を説明するための正面断面図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、Ｔｉ値が１．５〜１０の範囲にある硬化性組成物を用いた場合のフィルムまたは接着層の存在範囲を示す平面図。
【図４】Ｔｉ値が１．５〜１０の範囲外にある硬化性組成物を用いた場合の接着層の存在範囲を示す平面図。
【符号の説明】
【００６７】
１…半導体装置
２…接着層
２Ａ…フィルム
３…半導体チップ
３ａ，３ｂ…電極
３ｃ…角部
４…基板
４ａ、４ｂ…電極パッド
１１…接着層
【図１】
2008019381.tif 000005
【図２】
2008019381.tif 000006
【図３】
2008019381.tif 000007
【図４】
2008019381.tif 000008