(57)【要約】【課題】スループットの劣化を抑制しつつ、基板を所望の温度に調整して、露光精度の劣化を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、露光光が照射される位置に基板を保持可能な基板保持部と、基板保持部に保持される前の基板の温度を調整する第１温調部と、第１温調部で温度調整された後、基板保持部に保持される前の基板の温度を調整する第２温調部と、予め定められている露光に関する制御情報に基づいて、第１温調部の調整値及び第２温調部の調整値のそれぞれを設定する制御装置とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を露光光で露光する露光装置であって、
前記露光光が照射される位置に前記基板を保持可能な基板保持部と、
前記基板保持部に保持される前の前記基板の温度を調整する第１温調部と、
前記第１温調部で温度調整された後、前記基板保持部に保持される前の前記基板の温度を調整する第２温調部と、
予め定められている露光に関する制御情報に基づいて、前記第１温調部の調整値及び前記第２温調部の調整値のそれぞれを設定する制御装置と、を備えた露光装置。
【請求項２】
前記制御装置は、前記制御情報に基づいて、前記第２温調部の調整値を設定し、前記設定した前記第２温調部の調整値に応じて、前記第１温調部の調整値を設定する請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記制御情報に基づいて、前記第１温調部の調整値を設定し、前記設定した前記第１温調部の調整値に応じて、前記第２温調部の調整値を設定する請求項１記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１温調部は、前記基板の温度を所定の精度で調整し、
前記第２温調部は、前記基板の温度を前記第１温調部よりも高精度で調整可能である請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項５】
前記調整値は、前記基板の温度を調整するために設定される設定温度、及び前記基板の温度を調整するために設定される温調時間の少なくとも一方を含む請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
前記制御装置は、前記制御情報に基づいて、前記第２温調部の温調時間を設定し、前記設定した前記第２温調部の温調時間に応じて、前記第１温調部の設定温度を設定する請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記制御装置は、前記制御情報に基づいて、前記第１温調部の設定温度を設定し、前記設定した前記第１温調部の設定温度に応じて、前記第２温調部の温調時間を設定する請求項５記載の露光装置。
【請求項８】
前記制御情報は、前記基板保持部が前記基板を保持している時間に関する情報を含む請求項１〜７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項９】
前記制御情報は、前記基板上における露光量に関する情報、前記基板上に設定されるショット領域に関する情報、及び前記基板を位置決めするためのアライメント情報の少なくとも１つを含む請求項１〜８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１０】
露光モードに関する指令信号を入力可能な入力装置を備え、
前記制御装置は、前記入力装置からの入力情報に基づいて、前記調整値を変更する請求項１〜９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１１】
前記露光モードは、単位時間当たりに露光される基板の数の目標値に関する情報、及び前記露光光の照射により前記基板に形成されるパターンの目標精度に関する情報の少なくとも一方を含む請求項１０記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第１温調部は、前記基板を保持する第１保持部を有し、前記第１保持部で前記基板を保持して、前記基板の温度を調整し、
前記第２温調部は、前記基板を保持する第２保持部を有し、前記第２保持部で前記基板を保持して、前記基板の温度を調整する請求項１〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第１温調部から前記第２温調部へ基板を搬送する第１搬送装置と、
前記第２温調部から前記基板保持部へ基板を搬送する第２搬送装置とを備える請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第１温調部は、前記第２温調部に搬入される直前の前記基板の温度と前記第２温調部の温度との差が小さくなるように、前記基板の温度を調整する請求項１〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第２温調部は、前記基板保持部に搬入される直前の前記基板の温度と前記基板保持部の温度との差が小さくなるように、前記基板の温度を調整する請求項１〜１４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１６】
前記基板の処理状況を表示する表示装置を備えた請求項１〜１５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１７】
前記第２温調部に搬入される前の前記基板の温度を検出する温度センサを備え、
前記制御装置は、前記温度センサの検出結果に基づいて、前記第２温調部に関する制御を実行する請求項１〜１６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１８】
前記制御装置は、前記温度センサの検出結果に基づいて、前記第２温調部で前記基板の温度調整を実行するか否かを判断する請求項１７記載の露光装置。
【請求項１９】
前記制御装置は、前記温度センサの検出結果に基づいて、前記第２温調部の温調時間を変更する請求項１７記載の露光装置。
【請求項２０】
基板を露光光で露光する露光装置であって、
前記露光光が照射される位置に前記基板を保持可能な基板保持部と、
前記基板保持部に保持される前の前記基板の温度を調整する温調部と、
前記温調部に搬入される前の前記基板の温度を検出する温度センサと、
前記温度センサの検出結果に基づいて、前記温調部に関する制御を実行する制御装置と、を備えた露光装置。
【請求項２１】
前記制御装置は、前記温度センサの検出結果に基づいて、前記温調部で前記基板の温度調整を実行するか否かを判断する請求項２０記載の露光装置。
【請求項２２】
前記制御装置は、前記温度センサの検出結果に基づいて、前記温調部の温調時間を変更する請求項２０記載の露光装置。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイスの製造方法。
【請求項２４】
基板を露光光で露光する露光装置と、前記露光装置に接続された基板処理装置とを含むリソグラフィシステムであって、
前記露光光が照射される位置に前記基板を保持可能な基板保持部と、
前記基板保持部に保持される前の前記基板の温度を調整する第１温調部と、
前記第１温調部で温度調整された後、前記基板保持部に保持される前の前記基板の温度を調整する第２温調部と、
予め定められている露光に関する制御情報に基づいて、前記第１温調部の調整値及び前記第２温調部の調整値のそれぞれを設定する制御装置と、を備えたリソグラフィシステム。
【請求項２５】
前記制御装置は、前記制御情報に基づいて、前記第２温調部の調整値を設定し、前記設定した前記第２温調部の調整値に応じて、前記第１温調部の調整値を設定する請求項２４記載のリソグラフィシステム。
【請求項２６】
前記制御装置は、前記制御情報に基づいて、前記第１温調部の調整値を設定し、前記設定した前記第１温調部の調整値に応じて、前記第２温調部の調整値を設定する請求項２４記載のリソグラフィシステム。
【請求項２７】
前記露光装置は、前記第２温調部を含み、
前記基板処理装置は、前記第１温調部を含み、
前記露光装置は、前記基板処理装置との間で、前記調整値に関する情報を通信する通信装置を備える請求項２４〜２６のいずれか一項記載のリソグラフィシステム。
【請求項２８】
前記基板処理装置は、基板に感光膜を形成する装置、及び露光後の基板を現像する装置の少なくとも一方を含む請求項２４〜２７のいずれか一項記載のリソグラフィシステム。
【請求項２９】
処理部で基板を処理してデバイスパターンを形成するデバイス製造システムであって、
前記処理部に前記基板を保持可能な基板保持部と、
前記基板保持部に保持される前の前記基板の温度を調整する第１温調部と、
前記第１温調部で温度調整された後、前記基板保持部に保持される前の前記基板の温度を調整する第２温調部と、
予め定められているデバイスパターンを形成するための処理に関する制御情報に基づいて、前記第１温調部の調整値及び前記第２温調部の調整値のそれぞれを設定する制御装置と、を備えたデバイス製造システム。
【請求項３０】
基板を露光光で露光する露光方法であって、
第１温調部で前記基板の温度を調整することと、
前記第１温調部で温度調整された後の前記基板の温度を第２温調部で調整することと、
前記第２温調部で温度調整された後の前記基板に前記露光光を照射することと、を含み、
予め定められている露光に関する制御情報に基づいて、前記第１温調部の調整値及び前記第２温調部の調整値のそれぞれを設定する露光方法。
【請求項３１】
請求項３０記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイスの製造方法。
【請求項３２】
処理部で基板を処理してデバイスパターンを形成するデバイスの製造方法であって、
第１温調部で前記基板の温度を調整することと、
前記第１温調部で温度調整された後の前記基板の温度を第２温調部で調整することと、
前記第２温調部で温度調整された後の前記基板を前記処理部に保持することと、を含み、
予め定められているデバイスパターンを形成するための処理に関する制御情報に基づいて、前記第１温調部の調整値及び前記第２温調部の調整値のそれぞれを設定するデバイスの製造方法。
【請求項３３】
処理部に基板を搬送する処理を含む基板処理方法であって、
第１温調部で前記基板の温度を調整することと、
前記第１温調部で温度調整された後の前記基板の温度を第２温調部で調整することと、
前記第２温調部で温度調整された後の前記基板を前記処理部に搬送することと、を含み、
予め定められている前記処理部での処理に関する制御情報に基づいて、前記第１温調部の調整値及び前記第２温調部の調整値のそれぞれを設定する基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、リソグラフィシステム、デバイス製造システム、デバイスの製造方法、及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ工程で用いられる露光装置は、露光光が照射される感光性の基板を保持する基板保持部を備えている。基板の温度変化に起因して基板が変形すると、例えばパターンの重ね合わせ精度が劣化する等、露光精度が劣化する可能性がある。そのため、例えば下記特許文献に開示されているように、基板保持部に保持される前の基板の温度を温調部で調整する技術が案出されている。
【特許文献１】特開平１０−５５９４５号公報
【特許文献２】特開２００６−８０３５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
温調部で基板の温度を調整する場合において、例えばスループットの劣化を抑制するために、温調部で基板を処理する時間を短くすることが望ましい。スループットを向上するために、基板保持部に保持されている基板の処理を短時間で完了させると、露光前の基板を温調部で処理する時間を短くする必要が生じる可能性がある。その場合、露光前の基板を所望の温度に調整できなくなる可能性がある。その結果、露光精度が劣化し、製造されるデバイスの性能が劣化する可能性がある。一方、温調部によって基板を所望の温度に調整するために、基板を温調部に配置する時間を長くすると、スループットが劣化する可能性がある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、スループットの劣化を抑制しつつ、基板を所望の温度に調整して、露光精度の劣化を抑制できる露光装置、露光方法、及びリソグラフィシステムを提供することを目的とする。また本発明は、基板の温度変化に起因するデバイスの性能の劣化を抑制できるデバイス製造システム、デバイスの製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、基板の温度変化に起因する処理性能の劣化を抑制できる基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、基板（Ｐ）を露光光（ＥＬ）で露光する露光装置であって、露光光（ＥＬ）が照射される位置に基板（Ｐ）を保持可能な基板保持部（２）と、基板保持部（２）に保持される前の基板（Ｐ）の温度を調整する第１温調部（９）と、第１温調部（９）で温度調整された後、基板保持部（２）に保持される前の基板（Ｐ）の温度を調整する第２温調部（１０）と、予め定められている露光に関する制御情報に基づいて、第１温調部（９）の調整値及び第２温調部（９）の調整値のそれぞれを設定する制御装置（４）と、を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、スループットの劣化を抑制しつつ、基板を所望の温度に調整して、露光精度の劣化を抑制できる。
【０００８】
本発明の第２の態様に従えば、基板（Ｐ）を露光光（ＥＬ）で露光する露光装置であって、露光光（ＥＬ）が照射される位置に基板（Ｐ）を保持可能な基板保持部（２）と、基板保持部（２）に保持される前の基板（Ｐ）の温度を調整する温調部（１０）と、温調部（１０）に搬入される前の基板（Ｐ）の温度を検出する温度センサ（３０）と、温度センサ（３０）の検出結果に基づいて、温調部（１０）に関する制御を実行する制御装置（４）と、を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、スループットの劣化を抑制しつつ、基板を所望の温度に調整して、露光精度の劣化を抑制できる。
【００１０】
本発明の第３の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いて基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）を現像することと、を含むデバイスの製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、露光精度の劣化が抑制された露光装置を用いてデバイスを製造できる。
【００１２】
本発明の第４の態様に従えば、基板（Ｐ）を露光光（ＥＬ）で露光する露光装置（ＥＸ）と、露光装置（ＥＸ）に接続された基板処理装置（ＣＤ）とを含むリソグラフィシステムであって、露光光（ＥＬ）が照射される位置に基板（Ｐ）を保持可能な基板保持部（２）と、基板保持部（２）に保持される前の基板（Ｐ）の温度を調整する第１温調部（９Ｂ）と、第１温調部（９Ｂ）で温度調整された後、基板保持部（２）に保持される前の基板（Ｐ）の温度を調整する第２温調部（１０Ｂ）と、予め定められている露光に関する制御情報に基づいて、第１温調部（９Ｂ）の調整値及び第２温調部（１０Ｂ）の調整値のそれぞれを設定する制御装置（４）と、を備えたリソグラフィシステム（ＳＹＳ）が提供される。
【００１３】
本発明の第４の態様によれば、スループットの劣化を抑制しつつ、基板を所望の温度に調整して、露光精度の劣化を抑制できる。
【００１４】
本発明の第５の態様に従えば、処理部（ＥＸ）で基板（Ｐ）を処理してデバイスパターンを形成するデバイス製造システムであって、処理部（ＥＸ）に基板（Ｐ）を保持可能な基板保持部（２）と、基板保持部（２）に保持される前の基板（Ｐ）の温度を調整する第１温調部（９Ｂ）と、第１温調部（９Ｂ）で温度調整された後、基板保持部（２）に保持される前の基板（Ｐ）の温度を調整する第２温調部（１０Ｂ）と、予め定められているデバイスパターンを形成するための処理に関する制御情報に基づいて、第１温調部（９Ｂ）の調整値及び第２温調部（１０Ｂ）の調整値のそれぞれを設定する制御装置（４）と、を備えたデバイス製造システム（ＳＹＳ）が提供される。
【００１５】
本発明の第５の態様によれば、基板の温度変化に起因するデバイスの性能の劣化を抑制できる。
【００１６】
本発明の第６の態様に従えば、基板（Ｐ）を露光光（ＥＬ）で露光する露光方法であって、第１温調部（９）で基板（Ｐ）の温度を調整すること（ＳＢ１）と、第１温調部（９）で温度調整された後の基板（Ｐ）の温度を第２温調部（１０）で調整すること（ＳＢ２）と、第２温調部（１０）で温度調整された後の基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射すること（ＳＢ３）と、を含み、予め定められている露光に関する制御情報に基づいて、第１温調部（９）の調整値及び第２温調部（１０）の調整値のそれぞれを設定する露光方法が提供される。
【００１７】
本発明の第６の態様によれば、スループットの劣化を抑制しつつ、基板を所望の温度に調整して、露光精度の劣化を抑制できる。
【００１８】
本発明の第７の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いて基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）を現像することと、を含むデバイスの製造方法が提供される。
【００１９】
本発明の第７の態様によれば、露光精度の劣化が抑制された露光方法を用いてデバイスを製造できる。
【００２０】
本発明の第８の態様に従えば、処理部（ＥＸ）で基板（Ｐ）を処理してデバイスパターンを形成するデバイスの製造方法であって、第１温調部（９Ｂ）で基板（Ｐ）の温度を調整することと、第１温調部（９Ｂ）で温度調整された後の基板（Ｐ）の温度を第２温調部（１０Ｂ）で調整することと、第２温調部（１０Ｂ）で温度調整された後の基板（Ｐ）を処理部（ＥＸ）に保持することと、を含み、予め定められているデバイスパターンを形成するための処理に関する制御情報に基づいて、第１温調部（９Ｂ）の調整値及び第２温調部（１０Ｂ）の調整値のそれぞれを設定するデバイスの製造方法が提供される。
【００２１】
本発明の第８の態様によれば、基板の温度変化に起因するデバイスの性能の劣化を抑制できる。
【００２２】
本発明の第９の態様に従えば、処理部（ＥＸ）に基板（Ｐ）を搬送する処理を含む基板処理方法であって、第１温調部（９Ｂ）で基板（Ｐ）の温度を調整することと、第１温調部（９Ｂ）で温度調整された後の基板（Ｐ）の温度を第２温調部（１０Ｂ）で調整することと、第２温調部（１０Ｂ）で温度調整された後の基板（Ｐ）を処理部（ＥＸ）に搬送することと、を含み、予め定められている処理部（ＥＸ）での処理に関する制御情報に基づいて、第１温調部（９Ｂ）の調整値及び第２温調部（１０Ｂ）の調整値のそれぞれを設定する基板処理方法が提供される。
【００２３】
本発明の第９の態様によれば、基板の温度変化に起因する処理性能の劣化を抑制できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、スループットの劣化を抑制しつつ、露光精度の劣化を抑制できる。また、基板の温度変化に起因するデバイスの性能の劣化、処理性能の劣化を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００２６】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図、図２は、露光装置ＥＸの一部の平面図である。図３は、露光装置ＥＸの制御システムを示すブロック図である。
【００２７】
図１、図２、及び図３において、露光装置ＥＸは、パターンが形成されたマスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置情報を計測可能な干渉計システム３と、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４とを備えている。また、露光装置ＥＸは、少なくとも露光光ＥＬが通過する空間の環境（温度、湿度、クリーン度等）を調整可能な空調ユニット等の環境制御装置を含むチャンバ装置５を備えている。チャンバ装置５は、環境が調整された内部空間を有する。本実施形態においては、露光装置ＥＸのほぼ全体が、チャンバ装置５の内部空間に配置されている。
【００２８】
なお、ここでいう基板Ｐは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光膜が形成されたものを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐには、感光膜とは別に保護膜（トップコート膜）等の各種の膜が形成されていてもよい。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含み、例えばガラス板等の透明板部材上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成されたものである。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。また、本実施形態においては、マスクＭとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。
【００２９】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐのショット領域を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明光学系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭのパターン形成領域をＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。
【００３０】
また、露光装置ＥＸは、露光処理に関する入力信号を入力可能な入力装置６と、露光処理に関する各種情報を出力可能な出力装置７とを備えている。また、露光装置ＥＸは、露光処理に関する各種情報を記憶した記憶装置８を備えている。入力装置６、出力装置７、及び記憶装置８は、制御装置４に接続されている。
【００３１】
入力装置６は、制御装置４に、各種操作信号、指令信号等を入力可能である。入力装置６は、例えばキーボード、マウス、及びタッチパネル等の少なくとも１つを含む。
【００３２】
出力装置７は、露光装置ＥＸの動作状況、基板Ｐの処理状況等を出力可能である。出力装置７は、例えばフラット・パネル・ディスプレイ等の表示装置、光を発する発光装置、及び音（警報を含む）を発する発音装置等の少なくとも１つを含む。
【００３３】
露光装置ＥＸには、所定の基板処理装置が接続されている。本実施形態において、基板処理装置は、露光前の基板Ｐの基材に感光膜を含む各種の膜を形成するコーティング装置、及び露光後の基板Ｐを現像するデベロッパ装置を含む。以下の説明においては、基板処理装置を適宜、コータ・デベロッパ装置ＣＤ、と称する。
【００３４】
露光装置ＥＸとコータ・デベロッパ装置ＣＤとはインターフェースＩＦを介して接続されている。基板Ｐは、露光装置ＥＸとコータ・デベロッパ装置ＣＤとの間で、インターフェースＩＦを介して搬送可能である。
【００３５】
また、露光装置ＥＸは、基板Ｐの温度を調整する第１温調部９及び第２温調部１０を備えている。第１温調部９は、基板ステージ２に保持される前の基板Ｐの温度を調整する。第２温調部１０は、第１温調部９で温度調整された後、基板ステージ２に保持される前の基板Ｐの温度を調整する。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、第１温調部９と第２温調部１０とを用いて、基板Ｐの温度を２段階で調整する。第１温調部９及び第２温調部１０は、チャンバ装置５の内部空間に配置されている。
【００３６】
また、露光装置ＥＸは、基板Ｐを搬送する搬送システムＨＳを備えている。第１温調部９及び第２温調部１０は、搬送システムＨＳの搬送路に配置されている。
【００３７】
搬送システムＨＳは、第１温調部９から第２温調部１０へ基板Ｐを搬送する第１搬送装置１１と、第２温調部１０から基板ステージ２へ基板Ｐを搬送する第２搬送装置１２とを備えている。また、搬送システムＨＳは、基板ステージ２から基板Ｐを搬出する第３搬送装置１３と、第３搬送装置１３で基板ステージ２より搬出された露光後の基板Ｐを露光装置ＥＸの外部へ搬出する第４搬送装置１４とを備えている。第１、第２、第３、及び第４搬送装置１１、１２、１３、１４のそれぞれは、基板Ｐの裏面を支持しながら移動可能な搬送アームを含む。第１、第２、第３、及び第４搬送装置１１、１２、１３、１４のそれぞれは、チャンバ装置５の内部空間に配置されている。
【００３８】
照明光学系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
【００３９】
マスクステージ１は、リニアモータ等のアクチュエータを含む第１駆動システム１Ｄにより、マスクＭを保持しながら、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ１（マスクＭ）の位置情報は、干渉計システム３のレーザ干渉計３Ｍによって計測される。レーザ干渉計３Ｍは、マスクステージ１に設けられている計測ミラー１Ｒを用いて、マスクステージ１のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。制御装置４は、干渉計システム３の計測結果に基づいて、第１駆動システム１Ｄにより、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置を制御する。
【００４０】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬは、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒で保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸはＺ軸方向と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００４１】
基板ステージ２は、露光光ＥＬが照射される位置に基板Ｐを保持可能である。基板ステージ２は、基板Ｐを着脱可能に保持するホルダ部１５を有する。ホルダ部１５は、基板Ｐの裏面と対向可能な保持面１５Ｈを有する。基板ステージ２は、ホルダ部１５で基板Ｐを保持しながら、投影光学系ＰＬの射出面（下面）と対向する位置（露光光ＥＬが照射される位置）を含む所定領域内でＸＹ方向に移動可能である。
【００４２】
基板ステージ２は、リニアモータ等のアクチュエータを含む第２駆動システム２Ｄにより、ホルダ部１５で基板Ｐを保持しながら、ベース部材１６上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向に移動可能である。基板ステージ２（基板Ｐ）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報は、干渉計システム３のレーザ干渉計３Ｐによって計測される。レーザ干渉計３Ｐは、基板ステージ２の計測ミラー２Ｒを用いて、基板ステージ２のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ステージ２のホルダ部１５に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出システムによって検出される。制御装置４は、干渉計システム３の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、第２駆動システム２Ｄにより、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置を制御する。
【００４３】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭ上のアライメントマーク、及び基板ステージ２に設けられた基準板上の第１基準マーク等を検出するＴＴＲ（Through The Reticle）方式の第１アライメントシステム１７を備えている。第１アライメントシステム１７の少なくとも一部は、マスクステージ１の上方に配置されている。第１アライメントシステム１７は、マスクＭ上のアライメントマークと、そのアライメントマークに対応するように基板ステージ２に設けられた基準板上の第１基準マークの投影光学系ＰＬを介した共役像とを同時に観察する。本実施形態の第１アライメントシステム１７は、例えば特開平７−１７６４６８号公報（対応する米国特許５，６４６，４１３号）に開示されているような、対象マーク（マスクＭ上のアライメントマーク、及び基準板上の第１基準マーク等）に対して光を照射し、ＣＣＤカメラ等で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク位置を検出するＶＲＡ（Visual Reticle Alignment）方式を採用する。
【００４４】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、基板Ｐ上のアライメントマーク、及び基板ステージ２に設けられた基準板上の第２基準マーク等を検出するオフアクシス方式の第２アライメントシステム１８を備えている。第２アライメントシステム１８の少なくとも一部は、投影光学系ＰＬの先端の近傍に配置されている。本実施形態の第２アライメントシステム１８は、例えば特開平４−６５６０３号公報（対応する米国特許５，４９３，４０３号）に開示されているような、基板Ｐの感光膜を感光させないブロードバンドな検出光を対象マーク（基板Ｐ上のアライメントマーク、及び基準板上の第２基準マーク等）に照射し、その対象マークからの反射光によって受光面に結像された対象マークの像と指標（第２アライメントシステム１８内に設けられた指標板上の指標マーク）の像とをＣＣＤ等の撮像素子を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することでマークの位置を計測するＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメントシステムを採用する。
【００４５】
第１温調部９は、露光前の基板Ｐの温度を調整するものであって、基板Ｐを着脱可能に保持する第１保持部材１９を有する。第１保持部材１９は、基板Ｐの裏面と対向可能な第１保持面１９Ｈを有する。第１温調部９は、第１保持部材１９で基板Ｐを保持して、その基板Ｐの温度を調整する。
【００４６】
第１温調部９は、第１保持部材１９に保持された基板Ｐの温度を調整する第１温調機構１９Ｃを含む。第１温調機構１９Ｃの少なくとも一部は、第１保持部材１９に配置されている。第１温調機構１９Ｃは、例えば、第１保持部材１９の内部に形成された流路と、その流路に温度調整された流体（液体、気体を含む）を供給する流体供給装置とを含む。なお、第１温調機構１９Ｃが、第１保持部材１９に設けられたペルチェ素子であってもよい。第１温調機構１９Ｃは、制御装置４により制御される。制御装置４は、第１温調機構１９Ｃを制御して、第１保持部材１９（第１保持面１９Ｈ）の温度、ひいては、第１保持部材１９に保持された基板Ｐの温度を調整する。
【００４７】
第２温調部１０は、第１温調部９で温度調整された後、露光前の基板Ｐの温度を調整するものであって、基板Ｐを着脱可能に保持する第２保持部材２０を有する。第２保持部材２０は、基板Ｐの裏面と対向可能な第２保持面２０Ｈを有する。第２温調部１０は、第２保持部材２０で基板Ｐを保持して、その基板Ｐの温度を調整する。
【００４８】
第２温調部１０は、第２保持部材２０に保持された基板Ｐの温度を調整する第２温調機構２０Ｃを含む。第２温調機構２０Ｃの少なくとも一部は、第２保持部材２０に配置されている。第２温調機構２０Ｃは、例えば、第２保持部材２０の内部に形成された流路と、その流路に温度調整された流体（液体、気体を含む）を供給する流体供給装置とを含む。なお、第２温調機構２０Ｃが、第２保持部材２０に設けられたペルチェ素子であってもよい。第２温調機構２０Ｃは、制御装置４により制御される。制御装置４は、第２温調機構２０Ｃを制御して、第２保持部材２０（第２保持面２０Ｈ）の温度、ひいては、第２保持部材２０に保持された基板Ｐの温度を調整する。
【００４９】
本実施形態においては、第１温調部９は、基板Ｐの温度を所定の精度で調整し、第２温調部１０は、基板Ｐの温度を第１温調部９よりも高精度で調整可能である。すなわち、本実施形態において、第１温調部９は、ラフ温調部であり、第２温調部１０は、ファイン温調部である。
【００５０】
制御装置４は、第１温調部９の調整値、及び第２温調部１０の調整値のそれぞれを設定可能である。調整値は、基板Ｐの温度を調整するために設定される設定温度、及び基板Ｐの温度を調整するために設定される温調時間の少なくとも一方を含む。
【００５１】
上述のように、制御装置４は、第１保持部材１９の温度、及び第２保持部材２０の温度を調整できる。制御装置４は、第１保持部材１９に保持された基板Ｐの温度を調整するために、第１保持部材１９を所定の温度に設定可能である。同様に、制御装置４は、第２保持部材２０に保持された基板Ｐの温度を調整するために、第２保持部材２０を所定の温度に設定可能である。
【００５２】
また、図３に示すように、制御装置４には、時間の計測を実行可能なタイマー２１が接続されている。制御装置４は、タイマー２１を用いて、第１温調部９による基板Ｐの温調時間、及び第２温調部１０による基板Ｐの温調時間を管理できる。制御装置４は、第１温調部９の第１保持部材１９に保持された基板Ｐの温度を調整するために、第１温調部９による基板Ｐの温調時間を設定可能である。同様に、制御装置４は、第２温調部１０の第２保持部材２０に保持された基板Ｐの温度を調整するために、第２温調部１０による基板Ｐの温調時間を設定可能である。
【００５３】
第１温調部９による基板Ｐの温調時間は、第１保持部材１９で基板Ｐを保持する時間を含む。第２温調部１０による基板Ｐの温調時間は、第２保持部材２０で基板Ｐを保持する時間を含む。制御装置４は、第１保持部材１９に基板Ｐを搬入するタイミング、及び第１保持部材１９から基板Ｐを搬出するタイミングを調整することによって、第１温調部９による基板Ｐの温調時間を調整できる。同様に、制御装置４は、第２保持部材２０に基板Ｐを搬入するタイミング、及び第２保持部材２０から基板Ｐを搬出するタイミングを調整することによって、第２温調部１０による基板Ｐの温調時間を調整できる。
【００５４】
図４は、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの平面図である。図４に示すように、基板Ｐ上には、露光対象領域である複数のショット領域Ｓ（Ｓ１〜Ｓ３８）がマトリクス状に設けられている。また、基板Ｐ上には、各ショット領域Ｓ１〜Ｓ３８のそれぞれに対応するように複数のアライメントマークＡＭが設けられている。また、図４に示すように、本実施形態においては、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲは、Ｘ軸方向を長手方向とするスリット状に設定されている。また、基板Ｐは、ＸＹ平面内において、略円形状である。
【００５５】
基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ３８のそれぞれを露光するとき、制御装置４は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図４中、例えば矢印Ｒ１に沿って相対的に移動するように基板ステージ２を移動しつつ、投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、基板Ｐを露光する。
【００５６】
また、基板ステージ２の上面の所定位置には、第１アライメントシステム１７で検出される第１基準マークＦＭ１、及び第２アライメントシステム１８で検出される第２基準マークＦＭ２を備えた基準板２２が配置されている。
【００５７】
また、露光装置ＥＸは、露光光ＥＬを計測可能な計測器を複数備える。本実施形態においては、露光装置ＥＸは、例えば特開２００２−１４００５号公報（対応する米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書）、特開２００２−１９８３０３号公報等に開示されているような空間像計測器２３を備えている。図４に示すように、空間像計測器２３は、基板ステージ２の上面の少なくとも一部に配置された光学部材２３Ｋと、その光学部材２３Ｋを介した光（露光光ＥＬ）を受光する受光素子（不図示）とを備えている。受光素子は、例えば基板ステージ２の内部（光学部材２３Ｋの下）に配置されている。
【００５８】
また、露光装置ＥＸは、例えば特開昭５７−１１７２３８号公報（対応する米国特許第４，４６５，３６８号）等に開示されているような露光光ＥＬの露光エネルギーに関する情報（光量、照度、照度むら等）を計測可能な露光量計測器２４を備えている。図４に示すように、露光量計測器２４は、基板ステージ２の上面の少なくとも一部に配置された光学部材２４Ｋと、その光学部材２４Ｋを介した光（露光光ＥＬ）を受光する受光素子（不図示）とを備えている。
【００５９】
また、露光装置ＥＸは、例えば特開２００１−２６７２３９号公報に開示されているような投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測可能なむら計測器２５を備えている。図４に示すように、むら計測器２５は、基板ステージ２の上面の少なくとも一部に配置された光学部材２５Ｋと、その光学部材２５Ｋを介した光（露光光ＥＬ）を受光する受光素子（不図示）とを備えている。
【００６０】
また、露光装置ＥＸは、例えば特開平１１−１６８１６号公報（対応する米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書）等に開示されているような照射量計測器（照度計測器）２６を備えている。図４に示すように、照射量計測器２６は、基板ステージ２の上面の少なくとも一部に配置された光学部材２６Ｋと、その光学部材２６Ｋを介した光（露光光ＥＬ）を受光する受光素子（不図示）とを備えている。
【００６１】
また、露光装置ＥＸは、例えば国際公開第９９／６０３６１号パンフレット（対応する欧州特許第１，０７９，２２３号明細書）等に開示されているような波面収差計測器２７を備えている。図４に示すように、波面収差計測器２７は、基板ステージ２の上面の少なくとも一部に配置された光学部材２７Ｋと、その光学部材２７Ｋを介した光（露光光ＥＬ）を受光する受光素子（不図示）とを備えている。
【００６２】
以下、上述した構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する動作の一例について、図５のフローチャート図を参照しながら説明する。
【００６３】
所定の搬送装置（不図示）によってマスクステージ１にマスクＭが搬入されるとともに、第２搬送装置１２によって基板ステージ２に露光前の基板Ｐが搬入される（ステップＳＡ１）。ここでは、基板Ｐの温度調整が、第１温調部９及び第２温調部１０によって既に実行されているものとする。マスクＭがマスクステージ１に保持されるとともに、基板Ｐが基板ステージ２に保持されると、制御装置４は、基板Ｐの露光に関する動作を開始する。
【００６４】
まず、制御装置４は、複数の計測器２３、２４、２５、２６、２７の少なくとも１つを用いて、露光光ＥＬの計測処理を実行する（ステップＳＡ２）。そして、制御装置４は、その計測処理の計測結果に基づいて、調整処理（キャリブレーション処理）を実行する。
【００６５】
例えば、空間像計測器２３を用いた計測処理を実行する場合、制御装置４は、照明光学系ＩＬより露光光ＥＬを射出する。露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬを介して、基板ステージ２上に配置された空間像計測器２３の光学部材２３Ｋに照射される。光学部材２３Ｋを介した露光光ＥＬは、空間像計測器２３の受光素子に受光される。制御装置４は、受光素子２３の受光結果に基づいて所定の演算処理を行い、投影光学系ＰＬの結像特性を求める。そして、制御装置４は、空間像計測器２３を用いた計測処理等に基づいて、投影光学系ＰＬの結像特性の調整処理（キャリブレーション処理）を実行する。
【００６６】
同様に、制御装置４は、上述の各計測器２４、２５、２６、２７を用いた計測処理を実行し、その計測結果に基づいて、キャリブレーション処理を実行することができる。
【００６７】
また、制御装置４は、第１アライメントシステム１７及び第２アライメントシステム１８を用いたアライメント処理を開始する。まず、制御装置４は、第２アライメントシステム１８の検出基準位置とマスクＭのパターンの像の投影位置との位置関係であるベースライン情報を取得する処理を実行する（ステップＳＡ３）。
【００６８】
例えば、制御装置４は、基板ステージ２のＸＹ方向の位置を調整して、第１アライメントシステム１７の検出領域に、基板ステージ２の基準板２２上の第１基準マークＦＭ１を配置する。そして、制御装置４は、干渉計システム３を用いて、基板ステージ２の位置情報を計測しつつ、第１アライメントシステム１７を用いて、基板ステージ２の基準板２２上の第１基準マークＦＭ１を、投影光学系ＰＬを介して検出する。具体的には、制御装置４は、第１アライメントシステム１７を用いて、基準板２２上の第１基準マークＦＭ１と、それに対応するマスクＭ上のアライメントマークとを検出し、第１基準マークＦＭ１とそれに対応するマスクＭ上のアライメントマークとの位置関係を検出する。これにより、制御装置４は、干渉計システム３によって規定される座標系内での第１基準マークＦＭ１の位置情報を求めることができる。また、マスクＭ上のパターンとアライメントマークとは所定の位置関係で形成されており、その位置関係は既知である。制御装置４は、パターンの像の投影位置と第１基準マークＦＭ１との位置関係を求めることができる。
【００６９】
また、制御装置４は、基板ステージ２のＸＹ方向の位置を調整し、第２アライメントシステム１８の検出領域に、基板ステージ２の基準板２２上の第２基準マークＦＭ２を配置する。そして、制御装置４は、干渉計システム３を用いて、基板ステージ２の位置情報を計測しつつ、第２アライメントシステム１８を用いて、基板ステージ２の基準板２２上の第２基準マークＦＭ２を検出する。これにより、制御装置４は、干渉計システム３によって規定される座標系内での第２基準マークＦＭ２の位置情報を求めることができる。また、第２アライメントシステム１８は、干渉計システム３によって規定される座標系内に検出基準位置を有しており、制御装置４は、第２アライメントシステム１８の検出基準位置と第２基準マークＦＭ２との位置関係を求めることができる。
【００７０】
基準板２２上の第１基準マークＦＭ１と第２基準マークＦＭ２とは所定の位置関係で形成されており、その位置関係は既知である。制御装置４は、第２アライメントシステム１８の検出基準位置と第２基準マークＦＭ２との位置関係と、パターンの像の投影位置と第１基準マークＦＭ１との位置関係と、既知である第１基準マークＦＭ１と第２基準マークＦＭ２との位置関係とに基づいて、干渉計システム３によって規定される座標系内での第２アライメントシステム１８の検出基準位置とマスクＭのパターンの像の投影位置との位置関係であるベースライン情報を導出することができる。
【００７１】
なお、第１アライメントシステム１７による第１基準マークＦＭ１の検出の後、第２アライメントシステム１８による第２基準マークＦＭ２の検出を行ってもよいし、第２アライメントシステム１８による第２基準マークＦＭ２の検出と第１アライメントシステム１７による第１基準マークＦＭ１の検出とを同時に行うようにしてもよい。
【００７２】
また、ステップＳＡ２、ＳＡ３の処理を、基板Ｐを基板ステージ２に搬入する前に実行することができる。
【００７３】
次に、制御装置４は、基板ステージ２に保持されている基板Ｐに対するアライメント処理を開始する。制御装置４は、第２アライメントシステム１８を用いて、基板Ｐ上のアライメントマークＡＭを検出する処理を開始する（ステップＳＡ４）。制御装置４は、基板ステージ２をＸＹ方向に移動し、第２アライメントシステム１８の検出領域に、基板Ｐ上の各ショット領域Ｓに対応するように設けられている複数のアライメントマークＡＭを順次配置する。そして、制御装置４は、干渉計システム３を用いて、基板ステージ２の位置情報を計測しつつ、第２アライメントシステム１８を用いて、基板Ｐ上の複数のアライメントマークＡＭを順次検出する。これにより、制御装置４は、干渉計システム３によって規定される座標系内での基板Ｐ上のアライメントマークＡＭの位置情報を求めることができる。また、制御装置４は、第２アライメントシステム１８の検出基準位置とアライメントマークＡＭとの位置関係を求めることができる。
【００７４】
次に、制御装置４は、基板Ｐ上の各アライメントマークＡＭの位置情報に基づいて、第２アライメントシステム１８の検出基準位置に対する、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓのそれぞれの位置情報を演算処理によって求める（ステップＳＡ５）。基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓのそれぞれの位置情報を演算処理によって求める際には、例えば特開昭６１−４４４２９号公報に開示されているような、所謂ＥＧＡ（エンハンスド・グローバル・アライメント）方式を用いて求めることができる。これにより、制御装置４は、基板Ｐ上に設けられた複数のショット領域Ｓそれぞれの位置座標（配列座標）を決定することができる。また、制御装置４は、干渉計システム３の出力から、第２アライメントシステム１８の検出基準位置と基板Ｐ上の各ショット領域Ｓとの位置関係を求めることができる。
【００７５】
制御装置４は、干渉計システム３によって規定される座標系内での第２アライメントシステム１８の検出基準位置と基板Ｐ上の各ショット領域Ｓとの位置関係（検出基準位置に対するショット領域Ｓの配列情報）、及び干渉計システム３によって規定される座標系内での第２アライメントシステム１８の検出基準位置とマスクＭのパターンの像の投影位置との位置関係に基づいて、干渉計システム３によって規定される座標系内での基板Ｐ上の各ショット領域ＳとマスクＭのパターンの像の投影位置との関係を導出する。
【００７６】
そして、制御装置４は、基板Ｐ上の各ショット領域ＳとマスクＭのパターンの像の投影位置との位置関係に基づいて、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置を制御し、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓを順次露光する（ステップＳＡ６）。
【００７７】
基板Ｐの露光が終了した後、その露光後の基板Ｐが第３搬送装置１３によって基板ステージ２より搬出される（ステップＳＡ７）。
【００７８】
そして、上述のステップＳＡ１〜ＳＡ７のうち、少なくともステップＳＡ１、ＳＡ６、ＳＡ７の処理が所定回数繰り返される。すなわち、所定数の基板Ｐが基板ステージ２に順次搬入され、基板ステージ２に保持されて露光されるとともに、露光後の基板Ｐが基板ステージ２から順次搬出される。本実施形態においては、ステップＳＡ１、ＳＡ６、ＳＡ７の処理に加えて、ステップＳＡ４、ＳＡ５の処理も、各基板Ｐ毎に所定回数繰り返される。また、ステップＳＡ２、ＳＡ３の処理は、基板Ｐ毎に実行されず、所定のタイミングで実行される。
【００７９】
上述のステップＳＡ１〜ＳＡ７の処理を含む露光装置ＥＸの動作は、予め定められている露光に関する制御情報（露光制御情報）に基づいて実行される。露光制御情報は、露光装置の動作を規定する制御命令群を含み、露光レシピとも呼ばれる。以下の説明において、露光に関する制御情報を適宜、露光レシピ、と称する。
【００８０】
そして、上述のステップＳＡ１〜ＳＡ７のうち、少なくともステップＳＡ１、ＳＡ４、ＳＡ５、ＳＡ６、ＳＡ７が１ロット分繰り返される。
【００８１】
露光レシピは、例えば単位時間当たりに露光される基板Ｐの数の目標値に応じて予め定めることができる。換言すれば、露光レシピは、露光装置ＥＸの目標スループットに応じて予め定めることができる。
【００８２】
また、露光レシピは、露光光ＥＬの照射により基板Ｐに形成されるパターンの目標精度に応じて予め定めることができる。パターンの目標精度は、パターンの形状の目標精度、及びパターン（レイヤ）同士の重ね合わせ精度を含む。
【００８３】
また、基板Ｐ上に複数のパターンを重ね合わせてデバイスを製造する場合、露光レシピは、パターンのレイヤに応じて予め定めることができる。
【００８４】
露光レシピは、記憶装置８に予め記憶されている。制御装置４は、予め定められ、記憶装置８に記憶されている露光レシピに基づいて、露光装置ＥＸの動作を制御する。
【００８５】
露光レシピは、基板Ｐ上における露光量に関する情報を含む。また、露光レシピは、基板Ｐ上に設定されるショット領域Ｓに関する情報を含む。また、露光レシピは、基板Ｐを位置決めするためのアライメント情報を含む。また、露光レシピは、露光光ＥＬの計測処理に関する情報を含む。
【００８６】
露光レシピに応じて、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が変化する可能性がある。換言すれば、露光レシピに応じて、第２搬送装置１２によって基板ステージ２に露光前の基板Ｐが搬入される時点から、露光が終了し、第３搬送装置１３によって基板ステージ２から露光後の基板Ｐが搬出される時点までの時間が変化する可能性がある。
【００８７】
例えば、露光レシピによって定められるショット領域Ｓの数に応じて、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が変化する可能性がある。例えば、露光レシピによって基板Ｐ上に設定されるショット領域Ｓの数が多い場合、全てのショット領域Ｓの露光が完了するまでにかかる時間が長くなる可能性が高い。その場合、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間は長くなる。
【００８８】
また、露光レシピによって定められるショット領域Ｓのレイアウト（各ショット領域Ｓ同士の位置関係）に応じて、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が変化する可能性がある。例えば、露光レシピによって基板Ｐ上に設定されるショット領域Ｓのレイアウトによっては、全てのショット領域Ｓの露光が完了するまでにかかる時間が長くなる可能性がある。その場合、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間は長くなる。
【００８９】
また、露光レシピによって定められる基板Ｐ上における露光量に応じて、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が変化する可能性がある。例えば、所定の照度の露光光ＥＬで基板Ｐを露光する場合において、基板Ｐ上における露光量を、投影領域ＰＲに対する基板Ｐの移動速度（走査速度）で調整する場合、露光レシピによって定められる基板Ｐ上における露光量（露光量の目標値）が大きいと、投影領域ＰＲに対する基板Ｐの走査速度を低下しなければならない可能性が高くなる。その場合、ショット領域Ｓの露光が完了するまでにかかる時間が長くなる可能性が高くなり、その結果、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が長くなる可能性がある。
【００９０】
また、露光レシピによって定められるアライメント処理条件に応じて、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が変化する可能性がある。例えば、上述のステップＳＡ５の演算処理（ＥＧＡ処理）は、ステップＳＡ４において第２アライメントシステム１８を用いて検出した基板Ｐ上のアライメントマークＡＭの位置情報に応じて実行される。演算処理を実行する場合、基板Ｐ上の全てのアライメントマークＡＭを検出する必要は無く、求められるアライメント精度に応じて、第２アライメントシステム１８によって検出されるアライメントマークＡＭの数（サンプルショット領域の数）が、露光レシピによって定められる。露光レシピによって定められる、第２アライメントシステム１８によって検出されるアライメントマークＡＭの数に応じて、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が変化する可能性がある。例えば、露光レシピによって定められる、第２アライメントシステム１８によって検出されるアライメントマークＡＭの数が多い場合、演算処理を含むアライメント処理が完了するまでにかかる時間が長くなる可能性が高い。その場合、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間は長くなる。
【００９１】
また、露光レシピによって定められる露光光ＥＬの計測処理条件に応じて、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が変化する可能性がある。本実施形態においては、ステップＳＡ２の処理は、基板Ｐ毎に実行されず、１ロット分の基板Ｐの処理中における所定のタイミングで実行される。ステップＳＡ２の処理を実行中の基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が長くなる可能性が高い。また、ステップＳＡ２の処理内容に応じても、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が変化する可能性がある。例えば、露光レシピによって定められる計測処理条件によっては、上述の複数の計測器２３、２４、２５、２６、２７の全てを用いた計測処理が実行される場合もある。また、計測処理条件によっては、上述の複数の計測器２３、２４、２５、２６、２７のうち、例えば、空間像計測器２３、及び露光量計測器２４のみを用いる等、所定の計測器のみを用いた計測処理が実行される場合もある。すなわち、複数の計測器のうち、計測処理に使用される計測器の数、種類に応じても、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が変換する可能性がある。
【００９２】
また、露光レシピによって定められるベースライン情報の取得条件に応じて、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が変化する可能性がある。本実施形態においては、ステップＳＡ３の処理は、基板Ｐ毎に実行されず、１ロット分の基板Ｐの処理中における所定のタイミングで実行される。その場合、ステップＳＡ３の処理を実行中の基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が長くなる可能性が高い。また、ステップＳＡ３の処理内容に応じても、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が変化する可能性がある。
【００９３】
このように、露光レシピによって定められる、基板ステージ２に基板Ｐを搬入（ステップＳＡ１）してから、基板Ｐの露光を開始（ステップＳ６）するまでに実行される処理（ステップＳＡ２、ＳＡ３、ＳＡ４、ＳＡ５）の内容に応じても、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が変化する可能性がある。
【００９４】
すなわち、露光レシピは、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間に関する情報を含み、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間は、露光レシピに応じて変化する。
【００９５】
なおここでは、ステップＳＡ２、ＳＡ３の処理が、基板Ｐ毎に実行されない場合を例にして説明したが、基板Ｐ毎に実行してもよい。また、１ロット分の基板Ｐが、同一の露光レシピに基づいて露光されてもよい。
【００９６】
次に、本実施形態に係る第１温調部９及び第２温調部１０の動作の一例について説明する。本実施形態においては、図６のフローチャート図に示すように、制御装置４は、第１温調部９で基板Ｐの温度を調整し（ステップＳＢ１）、第１温調部９で温度調整された後の基板Ｐの温度を第２温調部１０で調整し（ステップＳＢ２）、第２温調部１０で温度調整された後の基板Ｐに露光光ＥＬを照射する（ステップＳＢ３）。基板Ｐは、投影光学系ＰＬの射出面と対向する位置に配置されて、露光処理される。本実施形態においては、基板Ｐを露光処理する処理部は、投影光学系ＰＬの射出面と対向する位置を含む。
【００９７】
露光前の基板Ｐは、例えばコータ・デベロッパ装置ＣＤに配置されている所定の搬送装置（不図示）によって、コータ・デベロッパ装置ＣＤ（コーティング装置）より露光装置ＥＸに搬入される。露光装置ＥＸに搬入された露光前の基板Ｐは、第１温調部９に搬入される。第１温調部９は、搬入された基板Ｐの温度を調整する。第１温調部９で温度調整された基板Ｐは、第１搬送装置１１によって、第１温調部９から搬出され、第２温調部１０に搬入される。第２温調部１０は、搬入された基板Ｐの温度を調整する。第２温調部１０で温度調整された基板Ｐは、第２搬送装置１２によって、第２温調部１０から搬出され、基板ステージ２に搬入される。基板ステージ２は、投影光学系ＰＬからの露光光ＥＬが照射される位置に基板Ｐを保持可能であり、基板ステージ２に搬入された基板Ｐは、露光光ＥＬによって露光される。
【００９８】
露光された基板Ｐは、第３搬送装置１３によって、基板ステージ２から搬出され、第４搬送装置１４に渡される。第４搬送装置１４は、インターフェースＩＦを介して、露光後の基板Ｐをコータ・デベロッパ装置ＣＤ（デベロッパ装置）に搬送する。
【００９９】
なお、露光前の基板Ｐをコータ・デベロッパ装置ＣＤから露光装置ＥＸに搬送する際、第１搬送装置１１等、露光装置ＥＸに配置されている搬送装置を用いることができる。また、露光後の基板Ｐを露光装置ＥＸからコータ・デベロッパ装置ＣＤに搬送する際、コータ・デベロッパ装置ＣＤに配置されている搬送装置を用いることができる。
【０１００】
図７は、第１温調部９、第２温調部１０、及び基板ステージ２を示す模式図である。例えば、図７（Ａ）に示すように、本実施形態においては、基板ステージ２に第１の基板Ｐ１が保持されているとき、第１の基板Ｐ１の次に露光される第２の基板Ｐ２は、第２温調部１０の第２保持部材２０に保持されて、温度調整される。第２温調部１０は、基板ステージ２に搬入される直前（ホルダ部１５の保持面１５Ｈに接触する直前）の第２の基板Ｐ２の温度と基板ステージ２のホルダ部１５の温度との差が小さくなるように、第２の基板Ｐ２の温度を調整する。すなわち、第２温調部１０は、基板ステージ２に搬入される直前（ホルダ部１５の保持面１５Ｈに接触する直前）の第２の基板Ｐ２の温度とホルダ部１５の保持面１５Ｈの温度とが実質的に等しくなるように、第２の基板Ｐ２の温度を調整する。
【０１０１】
また、第２の基板Ｐ２の次に露光される第３の基板Ｐ３は、第１温調部９の第１保持部材１９に保持されて、温度調整される。第１温調部９は、第２温調部１０に搬入される直前（第２保持部材２０の第２保持面２０Ｈに接触する直前）の第３の基板Ｐ３の温度と第２温調部１０の温度（第２保持部材２０の第２保持面２０Ｈの温度）との差が小さくなるように、第３の基板Ｐ３の温度を調整する。すなわち、第１温調部９は、第２温調部１０に搬入される直前（第２保持部材２０の第２保持面２０Ｈに接触する直前）の第３の基板Ｐ３の温度と第２温調部１０の温度（第２保持部材２０の第２保持面２０Ｈの温度）とが実質的に等しくなるように、第３の基板Ｐ３の温度を調整する。
【０１０２】
図７（Ｂ）に示すように、第１の基板Ｐ１の露光が終了し、第１の基板Ｐ１が基板ステージ２から搬出されると、第２温調部１０で温度調整された第２の基板Ｐ２が基板ステージ２に搬入される。第２の基板Ｐ２は所定のタイミングで第２保持部材２０から既に搬出されており、その第２保持部材２０から搬出された第２の基板Ｐ２は、少なくとも第１の基板Ｐ１が基板ステージ２から搬出された後に、基板ステージ２に搬入される。その後、図７（Ｃ）に示すように、第２の基板Ｐ２は、第１の基板Ｐ１と同様、基板ステージ２に保持された状態で、露光される。基板ステージ２に搬入される直前（ホルダ部１５の保持面１５Ｈに接触する直前）の第２の基板Ｐ２の温度は、第２温調部１０によって、ホルダ部１５の保持面１５Ｈの温度と実質的に等しくなるように調整されているので、第２の基板Ｐ２と基板ステージ２との温度差に起因する第２の基板Ｐ２の変形（歪み）を抑制できる。
【０１０３】
また、図７（Ｂ）に示すように、第２の基板Ｐ２が第２保持部材２０から搬出されると、第１温調部９で温度調整された第３の基板Ｐ３が第２保持部材２０に搬入される。第３の基板Ｐ３は所定のタイミングで第１保持部材１９から既に搬出されており、その第１保持部材１９から搬出された第３の基板Ｐ３は、少なくとも第２の基板Ｐ２が第２保持部材２０から搬出された後に、第２保持部材２０に搬入される。その後、図７（Ｃ）に示すように、第３の基板Ｐ３は、第２の基板Ｐ２と同様、第２保持部材２０に保持された状態で、温度調整される。
【０１０４】
第３の基板Ｐ３が第１保持部材１９から搬出されると、コータ・デベロッパ装置ＣＤから第４の基板Ｐ４が第１保持部材１９に搬入される。第４の基板Ｐ４は所定のタイミングで露光装置ＥＸに既に搬入されており、そのコータ・デベロッパ装置ＣＤから露光装置ＥＸに搬入された第４の基板Ｐ４は、少なくとも第３の基板Ｐ３が第１保持部材１９から搬出された後に、第１保持部材１９に搬入される。その後、図７（Ｃ）に示すように、第４の基板Ｐ４は、第３の基板Ｐ３と同様、第１保持部材１９に保持された状態で、温度調整される。
【０１０５】
以降、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）を参照して説明した処理と同様の処理が複数回実行される。すなわち、露光後の第２の基板Ｐ２が基板ステージ２から搬出され、その基板ステージ２に、第２温調部１０で温度調整された後の第３の基板Ｐ３が搬入される。基板ステージ２に保持された第３の基板Ｐ３は露光光ＥＬで露光される。また、第２温調部１０には、第１温調部９で温度調整された後の第４の基板Ｐ４が搬入される。
【０１０６】
本実施形態においては、制御装置４は、予め定められている露光レシピに基づいて、第１温調部９の調整値、及び第２温調部１０の調整値のそれぞれを設定する。例えば、制御装置４は、露光レシピに基づいて、第２温調部１０の調整値を設定し、その設定した第２温調部１０の調整値に応じて、第１温調部９の調整値を設定することができる。また、制御装置４は、露光レシピに基づいて、第１温調部９の調整値を設定し、その設定した第１温調部９の調整値に応じて、第２温調部１０の調整値を設定することもできる。
【０１０７】
調整値は、基板Ｐの温度を調整するために設定される設定温度、及び基板Ｐの温度を調整するために設定される温調時間の少なくとも一方を含む。上述のように、制御装置４は、第１温調機構１９Ｃを制御して、第１温調部９の温度を設定でき、第２温調機構２０Ｃを制御して、第２温調部１０の温度を設定できる。また、制御装置４は、第１温調部９の温調時間を設定でき、第２温調部１０の温調時間を設定できる。
【０１０８】
以下、露光レシピに基づいて調整値が設定された第１温調部９及び第２温調部１０を含む露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。以下の説明においては、制御装置４が、露光レシピに基づいて、第２温調部１０の温調時間を設定し、その設定した第２温調部１０の温調時間に応じて、第１温調部９の設定温度を設定する場合を例にして説明する。
【０１０９】
上述のように、露光レシピは、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間に関する情報を含む。以下の説明においては、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間を長くする露光レシピが採用された場合の露光装置ＥＸの動作モードと、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間を短くする露光レシピが採用された場合の露光装置ＥＸの動作モードとのそれぞれについて説明する。
【０１１０】
なお、上述のように、露光レシピは、露光装置ＥＸの目標スループット、及びパターンの目標精度の少なくとも一方に応じて予め定めることができ、例えば、パターンの目標精度が高い場合、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が長くなる可能性が高くなる。例えば、パターンの精度（重ね合わせ精度、形状精度を含む）を高めるために、アライメント処理、露光光ＥＬの計測処理等を高精度に行う必要がある。その場合、アライメント処理、露光光ＥＬの計測処理等の処理時間が長くなる可能性が高く、その結果、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間は長くなる。一方、目標スループットが高い場合、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間は短くなる。
【０１１１】
本実施形態においては、パターンの精度を高めることを重視した露光レシピにおいては、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が長くなるものとし、スループットを高めることを重視した露光レシピにおいては、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が短くなるものとする。
【０１１２】
以下の説明においては、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間を長くする露光レシピに基づく露光装置ＥＸの動作モードを適宜、パターン精度重視モード、と称し、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間を短くする露光レシピに基づく露光装置ＥＸの動作モードを適宜、スループット重視モード、と称する。
【０１１３】
（パターン精度重視モード）
まず、パターン精度重視モードにおける露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。図８（Ａ）は、パターン精度重視モードにおける露光前の基板Ｐの状態の一例を示す模式図である。横軸は、基板Ｐに関する所定の基準時点ｔ０からの経過時間、縦軸は、基板Ｐに関する温度を示す。基準時点ｔ０は、例えば基板Ｐがコータ・デベロッパ装置ＣＤから露光装置ＥＸに搬入された時点を含む。
【０１１４】
図８（Ａ）において、時点ｔ１は、基板Ｐが第１保持部材１９に搬入された時点であり、時点ｔ２は、基板Ｐが第１保持部材１９から搬出された時点である。したがって、時点ｔ１から時点ｔ２までの時間Ｔ１は、第１温調部９による基板Ｐの温調時間である。
【０１１５】
また、時点ｔ３は、基板Ｐが第２保持部材２０に搬入された時点であり、時点ｔ４は、基板Ｐが第２保持部材２０から搬出された時点である。したがって、時点ｔ３から時点ｔ４までの時間Ｔ２は、第２温調部１０による基板Ｐの温調時間である。
【０１１６】
また、時点ｔ２から時点ｔ３までの時間Ｔ３は、基板Ｐが第１保持部材１９から搬出されてから第２保持部材２０に搬入（保持）されるまでの時間である。
【０１１７】
また、温度Ｋｒは、基板Ｐの最終的な目標温度であり、基板ステージ２に搬入される直前（ホルダ部１５の保持面１５Ｈに接触する直前）の基板Ｐの目標温度である。本実施形態においては、ホルダ部１５の保持面１５Ｈの温度がＫｒであるものとし、保持面１５Ｈの温度と保持面１５Ｈに接触する直前の基板Ｐの温度とが実質的に等しくなるように、第２温調部１０によって基板Ｐの温度が調整される。
【０１１８】
本実施形態においては、露光後の基板Ｐが基板ステージ２から搬出された後、直ちに第２保持部材２０に保持されている露光前の基板Ｐが第２保持部材２０から搬出される。また、第２保持部材２０と基板ステージ２との距離は短いため、第２温調部１０によって温度調整された基板Ｐの温度（第２保持部材２０から搬出される直前の基板Ｐの温度）と、基板ステージ２に搬入される直前（ホルダ部１５の保持面１５Ｈに接触する直前）の基板Ｐの温度とは実質的に等しい。したがって、本実施形態においては、第２保持部材２０から搬出される直前の基板Ｐの温度が目標温度Ｋｒとなるように、第２温調部１０が制御される。これにより、基板ステージ２に搬入される直前の基板Ｐの温度と基板ステージ２のホルダ部１５（保持面１５Ｈ）の温度とを実質的に等しくすることができる。
【０１１９】
また、本実施形態においては、第２温調部１０の第２保持部材２０（第２保持面２０Ｈ）は、温度Ｋｒに設定される。第２温調部１０は、温度Ｋｒに設定された第２保持部材２０で基板Ｐを所定時間保持することによって、基板Ｐの温度を目標温度Ｋｒにすることができる。
【０１２０】
また、ΔＫは、目標温度Ｋｒに対する許容温度範囲である。本実施形態においては、許容温度範囲ΔＫは、目標温度Ｋｒを中心値としている。上述のように、第１温調部９は、第２温調部１０に搬入される直前（第２保持部材２０の第２保持面２０Ｈに接触する直前）の基板Ｐの温度と第２温調部１０の温度（第２保持部材２０の第２保持面２０Ｈの温度）Ｋｒとの差が小さくなるように、基板Ｐの温度を調整する。本実施形態においては、第１温調部９は、第２温調部１０に搬入される直前（第２保持部材２０の第２保持面２０Ｈに接触する直前）の基板Ｐの温度が許容温度範囲ΔＫに収まるように温度を設定し、基板Ｐの温度を調整する。
【０１２１】
本実施形態においては、まず、制御装置４は、露光レシピ、具体的には基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間に基づいて、第２温調部１０による基板Ｐの温調時間Ｔ２を設定する。パターン精度重視モードでは、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が長いので、第２温調部１０の第２保持部材２０に保持されている基板Ｐを基板ステージ２に搬入できない状態が長くなる。そのため、第２温調部１０の第２保持部材２０が基板Ｐを保持している時間、すなわち温調時間Ｔ２も長くなる。
【０１２２】
第２温調部１０の温調時間Ｔ２を設定した後、制御装置４は、その設定した第２温調部１０の温調時間Ｔ２に応じて、第１温調部９の温度を設定する。第１温調部９の温度（設定温度）は、第１保持部材１９の第１保持面１９Ｈの温度を含む。第１温調部９は、第２温調部１０に搬入される直前（第２保持部材２０の第２保持面２０Ｈに接触する直前）の基板Ｐの温度が許容温度範囲ΔＫに収まるように温度を設定し、基板Ｐの温度を調整する。
【０１２３】
本実施形態においては、第２温調部１０の温調時間Ｔ２が長いため、許容温度範囲ΔＫが大きくても、第２温調部１０は、基板Ｐの温度を良好に調整して、第２保持部材２０から搬出される直前の基板Ｐの温度を目標温度Ｋｒにすることができる。このように、パターン精度重視モードにおいて、許容温度範囲ΔＫは、第２温調部１０の温調時間Ｔ２に応じて定められる。
【０１２４】
ここで、第１保持部材１９から搬出された後、第２保持部材２０に搬入されるまでの間に（第１保持部材１９から第２保持部材２０までの搬送中に）、基板Ｐの温度が変化する可能性がある。第１保持部材１９から第２保持部材２０までの搬送中における基板Ｐの温度変化量は、例えば実験又はシミュレーション等によって予め求めることができる。制御装置４は、第１保持部材１９から第２保持部材２０までの搬送中における基板Ｐの温度変化量を考慮して、第２温調部１０に搬入される直前（第２保持部材２０の第２保持面２０Ｈに接触する直前）の基板Ｐの温度が許容温度範囲ΔＫに収まるように、第１温調部９の温度を設定して、基板Ｐの温度を調整する。換言すれば、制御装置４は、第１保持部材１９から第２保持部材２０までの搬送中における基板Ｐの温度変化量を考慮して、第１温調部９から搬出する直前の基板Ｐの温度を、第２温調部１０に搬入される直前の基板Ｐの目標温度に対して、所定量オフセットさせる。
【０１２５】
また、時間Ｔ３は、例えば第１保持部材１９と第２保持部材２０との距離等に応じて変化する。図９の模式図に示すように、第１温調部９で温度調整された基板Ｐｔは、第１搬送装置１１によって第１保持部材１９から搬出され、第２保持部材２０に搬入される。時間Ｔ３は、第１保持部材１９と第２保持部材２０との距離、あるいは第１搬送装置１１の搬送速度に応じた値である。
【０１２６】
（スループット重視モード）
次に、スループット重視モードにおける露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。図８（Ｂ）は、スループット重視モードにおける露光前の基板Ｐの状態の一例を示す模式図である。
【０１２７】
スループット重視モードにおいては、まず、制御装置４は、露光レシピ、具体的には基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間に基づいて、第２温調部１０による基板Ｐの温調時間Ｔ２を設定する。スループット重視モードでは、基板ステージ２が基板Ｐを保持している時間が短い。また、スループットの劣化を抑制するために、露光後の基板Ｐが基板ステージ２から搬出された後、第２温調部１０の基板Ｐが基板ステージ２に直ちに搬入される。したがって、第２温調部１０による基板Ｐの温調時間Ｔ２は短くなる。
【０１２８】
第２温調部１０の温調時間Ｔ２を設定した後、制御装置４は、その設定した第２温調部１０の温調時間Ｔ２に応じて、第１温調部９の設定温度を設定する。第１温調部９は、第２温調部１０に搬入される直前（第２保持部材２０の第２保持面２０Ｈに接触する直前）の基板Ｐの温度が許容温度範囲ΔＫに収まるように、基板Ｐの温度を調整する。
【０１２９】
スループット重視モードにおいては、第２温調部１０の温調時間Ｔ２が短いので、許容温度範囲ΔＫは、パターン精度重視モードに比べて小さく（厳しく）設定される。本実施形態においては、第２温調部１０に搬入される直前の基板Ｐの温度は、第１温調部９によって、目標温度Ｋｒに近い値に調整されている。したがって、第２温調部１０の温調時間Ｔ２が短くても、第２温調部１０は、第２保持部材２０から搬出される直前の基板Ｐを目標温度Ｋｒにすることができる。このように、スループット重視モードにおいても、許容温度範囲ΔＫは、第２温調部１０の温調時間Ｔ２に応じて定められる。
【０１３０】
なお、本実施形態においては、パターン精度重視モードの時間Ｔ１、Ｔ３とスループット重視モードの時間Ｔ１、Ｔ３とは同じである。
【０１３１】
このように、本実施形態においては、露光レシピに応じて、第２温調部１０による基板Ｐの温調時間Ｔ２が設定される。そして、設定された第２温調部１０の温調時間Ｔ２に応じて、第１温調部９の設定温度が設定される。
【０１３２】
なお、ここでは、露光レシピに基づいて、第２温調部１０の温調時間Ｔ２が設定され、設定された第２温調部１０の温調時間Ｔ２に応じて、第１温調部９の設定温度が設定される場合を例にして説明したが、制御装置４は、露光レシピに基づいて、第１温調部９の設定温度を設定し、設定した第１温調部９の設定温度に応じて、第２温調部１０の温調時間Ｔ２を設定することもできる。第１温調部９の温度を設定することにより、その第１温調部９の設定温度と、第１保持部材１９から第２保持部材２０までの搬送中における基板Ｐの温度変化量とに基づいて、第２温調部１０において基板Ｐを目標温度Ｋｒにするための温調時間Ｔ２を求めることができる。
【０１３３】
また、露光レシピに基づいて、第２温調部１０の温調時間Ｔ２を設定し、その設定した第２温調部１０の温調時間Ｔ２に応じて、第１温調部９の温調時間Ｔ１を設定することもできる。また、露光レシピに基づいて、第１温調部９の温調時間Ｔ１を設定し、その設定した第１温調部９の温調時間Ｔ１に応じて、第２温調部１０の温調時間Ｔ２を設定することもできる。
【０１３４】
また、露光レシピに基づいて、第２温調部１０の温度（第２保持面２０Ｈ）の温度を設定し、その設定した第２温調部１０の温度に応じて、第１温調部９（第１保持面１９Ｈ）の温度を設定することもできる。また、露光レシピに基づいて、第１温調部９の温度（第１保持面１９Ｈの温度）を設定し、その設定した第１温調部９の温度に応じて、第２温調部１０（第２保持面２０Ｈ）の温度を設定することもできる。
【０１３５】
また、露光レシピに基づいて、第２温調部１０の温度（第２保持面２０Ｈ）の温度を設定し、その設定した第２温調部１０の温度に応じて、第１温調部９の温調時間Ｔ１を設定することもできる。また、露光レシピに基づいて、第１温調部９の温調時間Ｔ１を設定し、その設定した第１温調部９の温調時間Ｔ１に応じて、第２温調部１０（第２保持面２０Ｈ）の温度を設定することもできる。
【０１３６】
また、本実施形態において、制御装置４は、入力装置６からの入力情報に基づいて、第１温調部９の調整値、及び第２温調部１０の調整値を変更することができる。例えば、作業者によって、露光装置ＥＸの動作モードに関する指令信号が入力装置６を介して制御装置４に入力されると、制御装置４は、その指令信号に応じて、第１温調部９の調整値及び第２温調部１０の調整値のそれぞれを変更することができる。入力装置６より入力される露光装置ＥＸの動作モードは、単位時間当たりに露光される基板Ｐの数の目標値に関する情報、換言すれば目標スループットに関する情報を含む。また、入力装置６より入力される露光装置ＥＸの動作モードは、露光光ＥＬの照射により基板Ｐに形成されるパターンの目標精度に関する情報を含む。
【０１３７】
例えば、露光装置ＥＸがパターン精度重視モードで動作している場合において、作業者がスループットを高めることを希望する場合、作業者は、露光装置ＥＸの動作モードを、パターン精度重視モードからスループット重視モードへ変更する旨の指令信号を入力装置６を介して制御装置４に入力することができる。入力装置６を介して、パターン精度重視モードからスループット重視モードに変更する旨の指令信号が入力されると、制御装置４は、パターン精度重視モードで露光装置ＥＸを動作させるための露光レシピを、スループット重視モードで露光装置ＥＸを動作させるための露光レシピに変更する。
【０１３８】
また、本実施形態においては、出力装置７は、図１０に示すような表示装置７Ｄを含み、露光装置ＥＸの動作状況、基板Ｐの処理状況等を表示可能である。基板Ｐの処理状況は、基板Ｐに対して実行されている処理の内容、処理中の基板Ｐの位置、数等を含む。作業者は、基板Ｐの処理状況を表示装置７Ｄで確認して、スループットを高めたい場合には、入力装置６より、パターン精度重視モードからスループット重視モードに変更する旨の指令信号を入力することができる。
【０１３９】
また、スループット重視モードからパターン精度重視モードへ変更する旨の指令信号を入力装置６を介して制御装置４に入力することももちろん可能である。入力装置６を介して、スループット重視モードからパターン精度重視モードに変更する旨の指令信号が入力されると、制御装置４は、スループット重視モードで露光装置ＥＸを動作させるための露光レシピを、パターン精度重視モードで露光装置ＥＸを動作させるための露光レシピに変更することができる。
【０１４０】
このように、制御装置４は、入力装置６からの指令信号に応じて、スループット重視モードとパターン精度重視モードとを切り替えることができる。
【０１４１】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板Ｐを目標温度Ｋｒにするための温調作業が第１温調部９と第２温調部１０との協働によって実行され、露光レシピに基づいて、基板Ｐを目標温度Ｋｒにするための温調作業が第１温調部９と第２温調部１０とに振り分けられているので、スループットの劣化を抑制しつつ、目標温度Ｋｒに調整された基板Ｐを基板ステージ２に搬入することができる。したがって、基板Ｐと基板ステージ２との温度差に起因する基板Ｐの変形（歪み）を抑制でき、基板Ｐを良好に露光できる。
【０１４２】
なお、本実施形態においては、基板ステージ２に搬入される前の基板Ｐの温度が目標温度Ｋｒよりも高く、第１温調部９及び第２温調部１０が基板Ｐの温度を低下させる場合を例にして説明したが、これは一例である。基板Ｐの搬送路の条件、プロセス条件等に応じて、基板ステージ２に搬入される前の基板Ｐの温度が目標温度Ｋｒよりも低い可能性もある。そのような場合には、第１温調部９及び第２温調部１０は、基板Ｐの温度を上昇させるように、協働して基板Ｐの温度を調整する。
【０１４３】
なお、本実施形態においては、基板Ｐの温度は、第１温調部９と第２温調部１０とによって、２段階で調整されているが、例えば３つの温調部を設け、それら３つの温調部で３段階で調整してもよい。もちろん、４段階以上の複数段階で基板Ｐの温度を調整してもよい。
【０１４４】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１４５】
図１１は、第２実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す模式図である。第２実施形態の特徴的な部分は、基板ステージ２に保持される前（露光前）の基板Ｐの温度を検出する温度センサ３０を設けた点にある。
【０１４６】
図１１に示すように、露光装置ＥＸは、第２温調部１０に搬入される前の基板Ｐの温度を検出する温度センサ３０を備えている。本実施形態においては、温度センサ３０は、第１温調部９と第２温調部１０との間に配置されている。温度センサ３０は、例えば基板Ｐの裏面と接触することによって、基板Ｐの温度を検出する。
【０１４７】
本実施形態においては、温度センサ３０は、第１搬送装置１１に支持されている基板Ｐの温度を検出する。制御装置４は、第１搬送装置１１を制御して、第１搬送装置１１に支持されている基板Ｐと温度センサ３０との位置関係を調整することができる。なお、温度センサ３０を移動可能な駆動機構を設け、その駆動機構を用いて、基板Ｐと温度センサ３０との位置関係を調整するようにしてもよい。
【０１４８】
また、温度センサ３０として、非接触方式の温度センサを用いてもよい。
【０１４９】
制御装置４は、第１温調部９で温度調整され、第２温調部１０に搬入される前の基板Ｐの温度を温度センサ３０を用いて検出する。温度センサ３０の検出結果は、制御装置４に出力される。制御装置４は、温度センサ３０の検出結果に基づいて、第２温調部１０に関する制御を実行する。
【０１５０】
例えば、制御装置４は、温度センサ３０の検出結果に基づいて、第２温調部１０で基板Ｐの温度調整を実行するか否かを判断する。例えば、温度センサ３０の検出結果に基づいて、第１温調部１９で温度調整された後の基板Ｐの温度が目標温度Ｋｒであると判断した場合、制御装置４は、その基板Ｐを第２温調部１０に搬入せずに、第１温調部９から基板ステージ２に直接搬送する。これにより、第２温調部１０による温度調整処理を省略することができる。
【０１５１】
また、制御装置４は、温度センサ３０の検出結果に基づいて、第２温調部１０の温調時間Ｔ２を変更することができる。例えば、温度センサ３０の検出結果に基づいて、第１温調部１９で温度調整された後の基板Ｐの温度が目標温度Ｋｒに近い値であると判断した場合、制御装置４は、第２温調部１０による基板Ｐの温調時間Ｔ２を短くする。基板Ｐの温度が目標温度Ｋｒに近い値である場合、第２温調部１０による基板Ｐの温調時間Ｔ２を短くしても、基板Ｐの温度を目標温度Ｋｒに調整することができる。また、制御装置４は、温度センサ３０の検出結果に基づいて、第２温調部１０による基板Ｐの温調時間Ｔ２を長くすることもできる。
【０１５２】
なお、本実施形態においては、温度センサ３０が、第１温調部９で温度調整され、第２温調部１０に搬入される前の基板Ｐの温度を検出する場合を例にして説明したが、第１温調部９に搬入される前の基板Ｐの温度を検出するようにしてもよい。例えば、温度センサ３０の検出結果に基づいて、コータ・デベロッパ装置ＣＤから露光装置ＥＸに搬入された基板Ｐの温度が目標温度Ｋｒであると判断した場合、制御装置４は、その基板Ｐを第１温調部９及び第２温調部１０に搬入せずに、基板ステージ２に直接搬送することができる。また、温度センサ３０の検出結果に基づいて、コータ・デベロッパ装置ＣＤから露光装置ＥＸに搬入された基板Ｐの温度が目標温度Ｋｒに近い値であると判断した場合、制御装置４は、その基板Ｐを第１温調部９に搬入せずに、第２温調部１０に搬入することができる。そして、制御装置４は、第２温調部１０で温度調整された基板Ｐを基板ステージ２に搬送することができる。
【０１５３】
また、例えば第１温調部９が省略され、露光装置ＥＸが第２温調部１０のみを備えている場合であっても、第２温調部１０に搬入される前の基板Ｐの温度を温度センサ３０で検出することにより、制御装置４は、その温度センサ３０の検出結果に基づいて、第２温調部１０に関する制御を実行することができる。
【０１５４】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１５５】
図１２は、基板Ｐを露光光ＥＬで露光する露光装置ＥＸと、露光装置ＥＸにインターフェースＩＦを介して接続されたコータ・デベロッパ装置ＣＤとを含むリソグラフィシステムＳＹＳの一例を示す概略構成図、図１３は、リソグラフィシステムＳＹＳの一部の平面図である。
【０１５６】
図１２、及び図１３において、リソグラフィシステムＳＹＳは、露光光ＥＬが照射される位置に基板Ｐを保持可能な基板ステージ２と、基板ステージ２に保持される前の基板Ｐの温度を調整する第１温調部９Ｂと、第１温調部９Ｂで温度調整された後、基板ステージ２に保持される前の基板Ｐの温度を調整する第２温調部１０Ｂとを備えている。
【０１５７】
第１温調部９Ｂは、上述の各実施形態で説明した第１温調部９と同等の構成を有し、基板Ｐを保持可能な第１保持部材１９Ｂを有する。第２温調部１０Ｂは、上述の各実施形態で説明した第２温調部１０と同等の構成を有し、基板Ｐを保持可能な第２保持部材２０Ｂを有する。
【０１５８】
本実施形態においては、コータ・デベロッパ装置ＣＤが、第１温調部９Ｂを備え、露光装置ＥＸが、第２温調部１０Ｂを備えている。また、インターフェースＩＦは、コータ・デベロッパ装置ＣＤから露光装置ＥＸに搬送される基板Ｐを一時的に保持可能な保持部材３５を備えている。
【０１５９】
また、リソグラフィシステムＳＹＳは、基板Ｐを搬送する搬送システムＨＳＢを備えている。搬送システムＨＳＢは、第１温調部９Ｂから第２温調部１０Ｂへ基板Ｐを搬送する第１搬送装置１１Ｂと、第２温調部１０Ｂから基板ステージ２へ基板Ｐを搬送する第２搬送装置１２Ｂとを備えている。第１搬送装置１１Ｂは、第１温調部９Ｂから保持部材３５へ基板Ｐを搬送可能な第１搬送アーム１１１と、保持部材３５から第２温調部１０Ｂへ基板Ｐを搬送可能な第２搬送アーム１１２とを含む。本実施形態においては、第１搬送アーム１１１はコータ・デベロッパ装置ＣＤに設けられ、第２搬送アーム１１２は露光装置ＥＸに設けられている。
【０１６０】
また、搬送システムＨＳＢは、基板ステージ２から基板Ｐを搬出する第３搬送装置１３Ｂと、第３搬送装置１３Ｂで基板ステージ２より搬出された露光後の基板Ｐをコータ・デベロッパ装置ＣＤへ搬出する第４搬送装置１４Ｂとを備えている。第３搬送装置１１Ｂ及び第４搬送装置１４Ｂは、露光装置ＥＸに設けられている。また、搬送システムＨＳＢは、コータ・デベロッパ装置ＣＤに設けられ、第４搬送装置１４Ｂにより搬送された基板Ｐを受ける第５搬送装置１４Ｃを備えている。
【０１６１】
また、本実施形態においては、コータ・デベロッパ装置ＣＤには、例えばＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）と呼ばれる基板搬送システム５０が接続されている。基板搬送システム５０は、例えばＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）と呼ばれる基板収納容器とコータ・デベロッパ装置ＣＤとの間で基板Ｐを搬送可能である。
【０１６２】
上述の各実施形態と同様、本実施形態においても、制御装置４は、予め定められている露光レシピに基づいて、第１温調部９Ｂの調整値、及び第２温調部１０Ｂの調整値のそれぞれを設定する。
【０１６３】
本実施形態においては、露光装置ＥＸは、コータ・デベロッパ装置ＣＤとの間で、調整値に関する情報を通信する通信装置４０を備えている。通信装置４０は、露光装置ＥＸの制御装置４と、不図示であるコータ・デベロッパ装置ＣＤの受信装置とを接続するように設けられている。コータ・デベロッパ装置ＣＤの第１温調部９Ｂは、通信装置４０を介して制御装置４より送られた調整値に関する情報に基づいて、基板Ｐの温度調整を実行する。
【０１６４】
以上説明したように、第１温調部９Ｂと第２温調部１０Ｂとを別々の装置に配置することができる。こうすることによっても、基板Ｐの温度を良好に調整することができ、露光精度の劣化を抑制できる。
【０１６５】
なお、本実施形態においては、露光装置ＥＸに接続される基板処理装置がコータ・デベロッパ装置ＣＤであり、そのコータ・デベロッパ装置ＣＤに第１温調部９Ｂが配置されている場合を例にして説明したが、露光装置ＥＸに接続される基板処理装置としては、例えば上述のＥＦＥＭを含む基板搬送システム５０であってもよい。例えば、露光装置ＥＸとコータ・デベロッパ装置ＣＤとが離れており、露光装置ＥＸとコータ・デベロッパ装置ＣＤとの間で基板Ｐを搬送するために基板搬送システム５０を用いる場合、露光装置ＥＸに基板搬送システム５０が接続される可能性がある。その場合、その基板搬送システム５０に第１温調部９Ｂを配置することによって、露光前の基板Ｐの温度を良好に調整することができる。
【０１６６】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１６７】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１６８】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１６９】
また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
【０１７０】
また、例えば国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されているような、液体を介して基板を露光する液浸露光装置にも本発明を適用することができる。
【０１７１】
また、本発明は、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０１７２】
更に、例えば特開平１１−１３５４００号公報（対応国際公開第１９９９／２３６９２号パンフレット）、米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。その場合、上述の各計測器２３、２４、２５、２６、２７の少なくとも一部が、計測ステージに配置される。
【０１７３】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１７４】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１７５】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１４に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクのパターンの像で基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１７６】
なお、上述の実施形態においては、基板Ｐにデバイスパターンを形成するための装置が、感光性を有する基板Ｐに露光光ＥＬを照射することによってその基板Ｐにデバイスパターンを形成する露光装置である場合を例にして説明したが、本発明は、基板にデバイスパターンを形成する種々のパターン形成装置を含むデバイス製造システムに適用可能である。そのようなパターン形成装置としては、例えばインクの滴を基板上に吐出することによってその基板上にデバイスパターンを形成するインクジェット装置が挙げられる。このようなインクジェット装置は、基板にデバイスパターンを形成するための処理を実行可能なインクジェットヘッドを備えている。インクジェットヘッドは、インクの滴を吐出可能な吐出口を備えている。インクジェット装置は、インクジェットヘッドの吐出口と対向する位置に基板を保持可能な基板保持部を備えている。インクジェット装置を含むデバイス製造システムにおいて、例えば、インクの滴の吐出条件、基板上に設定されるパターン形成領域の数、レイアウト、基板を位置決めするためのアライメント条件等に応じて、基板ステージが基板を保持している時間が変化する可能性がある。したがって、インクジェット装置を含むデバイス製造システムに、上述の各実施形態で説明した第１温調部及び第２温調部を設け、インクの滴の吐出条件、基板上に設定されるパターン形成領域の数、レイアウト、基板を位置決めするためのアライメント条件等を含む、デバイスパターンを形成するための処理に関する制御情報に基づいて、第１温調部の調整値及び第２温調部の調整値を設定することによって、スループットの劣化を抑制しつつ、基板の温度を良好に調整した状態で、その基板にデバイスパターンを形成するための処理（インク吐出処理）を実行することができる。
【０１７７】
また、パターン形成装置としては、凹凸パターンが形成された原版と有機材料が塗布された基板とを基板のガラス転移温度以上に加熱しながら押し当て、その後、原版と基板とを離すとともに基板を冷却して基板上に原版のパターンを転写するナノインプリント装置も挙げられる。ナノインプリント装置においては、原版と基板との押し当て時間に関する条件、原版と基板との温度条件、基板上に設定されるパターン形成領域の数、レイアウト、基板を位置決めするためのアライメント条件等に応じて、基板ステージが基板を保持している時間が変化する可能性がある。ナノインプリント装置を含むデバイス製造システムに、上述の各実施形態で説明した第１温調部及び第２温調部を設け、原版と基板との押し当て時間に関する条件、原版と基板との温度条件、基板上に設定されるパターン形成領域の数、レイアウト、基板を位置決めするためのアライメント条件等を含む、デバイスパターンを形成するための処理に関する制御情報に基づいて、第１温調部の調整値及び第２温調部の調整値を設定することによって、スループットの劣化を抑制しつつ、基板の温度を良好に調整した状態で、その基板にデバイスパターンを形成するための処理を実行することができる。
【０１７８】
また、ＣＶＤ装置、スパッタ装置等、基板上に所定の膜を形成可能な成膜装置を含む基板処理装置に、本発明を適用することもできる。例えばスパッタ装置においては、成膜処理を実行するチャンバ内の処理部に基板が搬送される。その際、上述の各実施形態で説明した第１温調部及び第２温調部を用いて基板の温度を調整した後、その基板を処理部に搬送することができる。
【０１７９】
なお、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【０１８０】
なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いる事が可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。
【図面の簡単な説明】
【０１８１】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る露光装置の一部を示す平面図である。
【図３】第１実施形態に係る露光装置の制御システムを示すブロック図である。
【図４】基板ステージに保持されている基板の一例を示す平面図である。
【図５】第１実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャート図である。
【図６】第１実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャート図である。
【図７】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図８】第１実施形態に基板の温度変化の様子を説明するための図である。
【図９】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図１０】第１実施形態に係る表示装置の一例を示す図である。
【図１１】第２実施形態に係る露光装置の一例を示す模式図である。
【図１２】第３実施形態に係るリソグラフィシステムの一例を示す概略構成図である。
【図１３】第３実施形態に係るリソグラフィシステムの一部を示す平面図である。
【図１４】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【０１８２】
２…基板ステージ、４…制御装置、６…入力装置、７…出力装置、７Ｄ…表示装置、９…第１温調部、１０…第２温調部、１１…第１搬送装置、１２…第２搬送装置、１５…ホルダ部、１９…第１保持部材、２０…第２保持部材、３０…温度センサ、４０…通信装置、ＣＤ…コータ・デベロッパ装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｐ…基板、ＳＹＳ…リソグラフィシステム
【図１】
2008300770.tif 000003
【図２】
2008300770.tif 000004
【図３】
2008300770.tif 000005
【図４】
2008300770.tif 000006
【図５】
2008300770.tif 000007
【図６】
2008300770.tif 000008
【図７】
2008300770.tif 000009
【図８】
2008300770.tif 000010
【図９】
2008300770.tif 000011
【図１０】
2008300770.tif 000012
【図１１】
2008300770.tif 000013
【図１２】
2008300770.tif 000014
【図１３】
2008300770.tif 000015
【図１４】
2008300770.tif 000016