(57)【要約】【課題】キンクレベルを向上させることができる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】互いに平行な２つの共振器面を有する半導体レーザ素子において、第１導電型の半導体基板１と、表面上に形成される第１導電型の第１クラッド層２と、第１クラッド層上に形成される活性層３と、活性層上に形成される第２導電型の第２クラッド層４と、第２クラッド層上に形成され、共振器面に直交する方向に延在する第２導電型のリッジ部２０と、リッジ部との段差を埋めるように形成される第１導電型の電流ブロック層２２と、リッジ部上と電流ブロック層上に形成される第２導電型のコンタクト層１１とを有し、電流ブロック層は、活性層でレーザ光が発生された際に活性層から電流ブロック層に漏れ出たレーザ光を透過する透明層９Ａ，９Ｂを有し、透明層は、リッジ部の長手方向における途中の一部の領域が、それ以外の領域よりも薄くなされて形成されている。【選択図】図１
2008300531.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに平行な２つの共振器面を有する半導体レーザ素子において、
前記共振器面と直交する表面を有する第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記表面上に形成される第１導電型の第１クラッド層と、
前記第１クラッド層上に形成されてレーザ光が発生される活性層と、
前記活性層上に形成される第２導電型の第２クラッド層と、
前記第２クラッド層上に形成され、前記共振器面に直交する方向に延在して前記共振器面に接する細長形状を有する第２導電型のリッジ部と、
前記リッジ部との段差を埋めるように前記第２クラッド層上に形成される第１導電型の電流ブロック層と、
前記リッジ部上と前記電流ブロック層上に形成される第２導電型のコンタクト層とを有し、
前記電流ブロック層は、
前記活性層でレーザ光が発生された際に前記活性層から前記電流ブロック層に漏れ出た前記レーザ光を透過する透明層を有し、
前記透明層は、前記リッジ部の長手方向における途中の一部の領域が、それ以外の領域よりも薄くなされて形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
互いに平行な２つの共振器面を有する半導体レーザ素子を製造するための半導体レーザ素子の製造方法において、
第１導電型の半導体基板の一面側に、第１導電型の第１クラッド層と、レーザ光が発生される活性層と、第２導電型の第２クラッド層とを順次形成する積層工程と、
前記積層工程後に、前記第２クラッド層上に、前記共振器面に直交する方向に延在して前記共振器面に接する細長形状を有する第２導電型のリッジ部を形成するリッジ部形成工程と、
前記リッジ部形成工程後に、前記リッジ部との段差を埋めるように、前記活性層でレーザ光が発生された際に前記活性層から漏れ出た前記レーザ光を透過する透明層と前記レーザ光を吸収する吸収膜とを順次積層して電流ブロック層を形成する電流ブロック層形成工程と、
前記電流ブロック層形成工程後に、前記リッジ部の長手方向における途中の一部の領域で前記吸収膜を除去すると共に、前記透明層の一部を除去して光吸収領域を形成する光吸収領域形成工程と、
前記光吸収領域形成工程後に、前記リッジ部上及び前記電流ブロック層上に第２導電型のコンタクト層を形成するコンタクト層形成工程と、
を有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光情報処理や光計測等の光源に用いられる半導体レーザ素子に係り、特に、電流ブロック層の一部に透明なブロック膜を形成した半導体レーザ素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体レーザ素子は、高密度ディスク装置、レーザプリンタ用光源、バーコードリーダ及び光計測等の光源として期待されている（特許文献１、２等）。そして、半導体レーザ素子の動作電流低減のために、電流ブロック層を従来のＧａＡｓ系から、発振光に対して透明なＡｌＩｎＰ系またはＡｌＧａＩｎＰ系に変えることにより、吸収損失を低減するようにしたＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子が実用化されている。
【０００３】
電流ブロック層としてＡｌＩｎＰを用いたＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子の従来例は、上記特許文献１などに記載されており、動作電流の低減が必要とされる高出力レーザ素子などに応用されている。
ここで従来の半導体レーザ素子の構造を図５を用いて説明する。図５は従来の半導体レーザ素子の製造方法を示す工程図であり、図５（Ｅ）はその完成図である。ここでは第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型として説明する。同図はレーザ光の光放出方向に対して垂直な方向に切断した断面構造を表す。その構成を製造手順に沿って説明する。
【０００４】
まず、この半導体レーザ素子は、例えば第１導電型であるｎ型のＧａＡｓ基板よりなる半導体基板１を有している。この基板１上に、Ｓｉをドープした厚さが１．５μｍのｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２と、ｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰガイド膜（”ｕｎ”とはアンドープを意味する。以下同様）、ｕｎ−ＧａＩｎＰ量子井戸膜及びｕｎ−ＡｌＧａＩｎＰバリア膜から成る厚さが０．１μｍの活性層３と、Ｚｎがドープされた厚さが０．２μｍのｐ−ＡｌＧａＩｎＰよりなる第１のｐ型クラッド層４と、Ｚｎがドープされた厚さが０．０３μｍのｐ−ＡｌＧａＩｎＰよりなるｐ型エッチングストッパ層５と、Ｚｎがドープされた厚さが１．１μｍのｐ−ＡｌＧａＩｎＰよりなる第２のｐ型のクラッド層６と、Ｚｎがドープされた厚さが０．１μｍのｐ−ＧａＩｎＰよりなるｐ型キャップ層７とをＭＯＣＶＤで順次積層する（図５（Ａ））。
【０００５】
次にこのキャップ層７の上に、スパッタによりＳｉＯ２ 膜を形成後、レジストを用いたフォトリソグラフィ及びドライエッチングで幅が２μｍのストライプマスク８を形成する（図５（Ｂ））。
次に、上記ストライプマスク８をエッチングマスクとして、ウエットエッチングにより、上記エッチングストッパ層５に達するまでエッチングして、電流経路となる断面台形状のリッジ部２０を形成する（図５（Ｃ））。このリッジ部２０はストライプ状に細長く延びている。
【０００６】
その後、ＭＯＣＶＤで２回目の成長を行い、上記エッチングストッパ層５の表面および上記リッジ部２０の両側面に、厚さが０．３μｍのｎ−ＡｌＩｎＰよりなる発振光（レーザ光）に対して透明な透明膜として第１のｎ型透明ブロック膜９と厚さが０．１μｍのｎ−ＧａＡｓよりなる発振光（レーザ光）を吸収する吸収膜として第１のｎ型吸収ブロック膜１０とを積層する（図５（Ｄ））。この際、上記ＳｉＯ２ 膜よりなるストライプマスク８上には、上記各ブロック膜９、１０は堆積されない。これにより、電流ブロック層２２が形成されることになる。
【０００７】
引き続き、上記ストライプマスク８をウエットエッチングまたはドライエッチングで除去し、ＭＯＣＶＤで３回目の成長を行い、厚さが２μｍのｐ−ＧａＡｓよりなるｐ型コンタクト層１１を積層する。そして、ｐ側オーミック電極１２を上記コンタクト層１１の表面に形成し、またｎ側オーミック電極１３を上記半導体基板１の裏面に形成して、半導体レーザ素子を完成する（図５（Ｅ））。
【０００８】
このように形成された半導体レーザ素子は、第１の透明ブロック膜９の屈折率がリッジ部２０よりも低く、屈折率差で水平方向の光を閉じ込める実屈折率導波型の半導体レーザ素子となっている。また、第１の透明ブロック膜９のバンドギャップが活性層３のそれよりも大きいため、リッジ部２０から染み出した発振光を吸収しない。そのため、この半導体レーザ素子は動作電流が低く、高温での動作に有利という特徴がある。このような特徴を持たせるためには、第１の吸収ブロック膜１０での光吸収を抑えるために、第１の透明ブロック膜９の厚さを０．３μｍ以上と十分に厚くする必要がある。
【０００９】
【特許文献１】特開平９−２０５２４９号公報
【特許文献２】特開平５−２９９７６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述した従来の半導体レーザ素子には、キンクレベルが低いという問題があった。すなわち、水平横モードが０次から１次に変化し易い。これは、透明な第１のブロック膜９での光の吸収が無いため、リッジ部２０の外で光密度の割合が高い１次モードの損失が小さいためと考えられる。この半導体レーザ素子のキンクレベルは温度に依存して周期的に変化し、ある温度で極端にキンクレベルが低下する。この理由は以下のように考えられる。温度変化により発振波長が変わることで半導体レーザ素子の内部での実効屈折率が変化する。すると、これにより０次と１次のそれぞれの縦モードも変化し、２つの縦モードが重なるポイントでは０次と１次が同時に発振し易くなり、キンクレベルが極端に低下する。この周期的な変化は、共振器長やリッジ幅（リッジ部の幅）の変化に対しても見られる。
【００１１】
この現象は第１の透明ブロック膜９を持つ実屈折導波型の半導体レーザ素子に特有のものであり、回避が困難である。リッジ幅Ｈ１が３．５μｍ、ＡｌＩｎＰよりなる透明な第１の透明ブロック膜９の厚さが０．３μｍの半導体レーザ素子では、キンクレベルの最低点は５ｍＷ以下まで下がる。その結果、高温動作に有利な構造であるにも関わらず、広い温度範囲で動作させることができない、といった問題がある。そこで、リッジ幅を２μｍ以下に細くして、１次モードをカットオフするという手段（特許文献２参照）があるが、この場合には、リッジ部の形成にドライエッチングが必須であり、専用のエッチング装置が必要となって装置コストが上昇し、好ましくない。
【００１２】
また、実屈折率導波型の半導体レーザ素子では横方向での光吸収が無いため、水平方向の光放射角が小さくなり、この半導体レーザ素子を光ピックアップ装置に用いた場合、読み取りエラー等の不具合を生じることがあり、光ピックアップ装置の動作上不利であった。
そこで、本発明は上記の問題点に着目してなされたものであり、本発明は共振器のリッジ部の長手方向における途中の一部の領域に光吸収領域を形成して１次モードの光の吸収を増加させ、キンクレベルを向上させることができる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１に係る発明は、互いに平行な２つの共振器面を有する半導体レーザ素子において、前記共振器面と直交する表面を有する第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記表面上に形成される第１導電型の第１クラッド層と、前記第１クラッド層上に形成されてレーザ光が発生される活性層と、前記活性層上に形成される第２導電型の第２クラッド層と、前記第２クラッド層上に形成され、前記共振器面に直交する方向に延在して前記共振器面に接する細長形状を有する第２導電型のリッジ部と、前記リッジ部との段差を埋めるように前記第２クラッド層上に形成される第１導電型の電流ブロック層と、前記リッジ部上と前記電流ブロック層上に形成される第２導電型のコンタクト層とを有し、前記電流ブロック層は、前記活性層でレーザ光が発生された際に前記活性層から前記電流ブロック層に漏れ出た前記レーザ光を透過する透明層を有し、前記透明層は、前記リッジ部の長手方向における途中の一部の領域が、それ以外の領域よりも薄くなされて形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子である。
【００１４】
請求項２に係る発明は、互いに平行な２つの共振器面を有する半導体レーザ素子を製造するための半導体レーザ素子の製造方法において、第１導電型の半導体基板の一面側に、第１導電型の第１クラッド層と、レーザ光が発生される活性層と、第２導電型の第２クラッド層とを順次形成する積層工程と、前記積層工程後に、前記第２クラッド層上に、前記共振器面に直交する方向に延在して前記共振器面に接する細長形状を有する第２導電型のリッジ部を形成するリッジ部形成工程と、前記リッジ部形成工程後に、前記リッジ部との段差を埋めるように、前記活性層でレーザ光が発生された際に前記活性層から漏れ出た前記レーザ光を透過する透明層と前記レーザ光を吸収する吸収膜とを順次積層して電流ブロック層を形成する電流ブロック層形成工程と、前記電流ブロック層形成工程後に、前記リッジ部の長手方向における途中の一部の領域で前記吸収膜を除去すると共に、前記透明層の一部を除去して光吸収領域を形成する光吸収領域形成工程と、前記光吸収領域形成工程後に、前記リッジ部上及び前記電流ブロック層上に第２導電型のコンタクト層を形成するコンタクト層形成工程と、を有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法である。
【００１５】
本発明は、実屈折率導波型の半導体レーザ素子のリッジ部の長手方向における途中の一部の領域で、透明ブロック層の厚さを他の領域よりも薄くして光吸収領域を形成することにより、キンク特性と高温特性を両立させるものである。このキンクは、発振光が水平横モードが０次から１次に変化することにより発生する。１次モードはリッジ部の外での光密度が高いため、電流ブロック層で光を吸収しない実屈折率導波型の半導体レーザ素子では１次モードの損失が少なく、キンクレベルが低い。よって、キンクレベルを向上させるためには、発振光の１次モードの損失を増加させる必要があるが、損失により動作電流値が上昇するため、キンク特性と高温特性はトレードオフの関係にある。
【００１６】
そこで、本発明では１次モードの発振光を吸収させる領域を、リッジ部の長手方向における途中の一部に限定して設けるようにし、これにより、キンクレベルを上げつつ、高温特性も維持することができる。
具体的には、リッジ部の長手方向における途中の一部の領域において、透明層を有する電流ブロック層をエッチングにより他の部分よりも薄くなるようにして光吸収領域を形成し、その後発振光を吸収する材料からなるコンタクト層を成長することで、上記光吸収領域での光吸収を増加させている。この場合、電流ブロック層を完全に除去するとリッジ部の外側に電流経路ができるため、これを阻止するために、透明膜の電流ブロック層を薄く残す必要がある。本発明ではＡｌＩｎＰ膜よりなる透明膜とウエットエッチングでの選択比が高いＧａＩｎＰ膜よりなる透明膜を上記ＡｌＩｎＰ膜の下に形成することで、薄く透明膜を残す。ただし、ＧａＩｎＰ膜はＧａＡｓ基板と格子整合する組成では発振光を吸収するため、Ｇａ組成を高くしてバンドギャップを大きくし、発振光に対して透明にしている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る半導体レーザ素子では、前記電流ブロック層は、活性層でレーザ光が発生された際に活性層から電流ブロック層に漏れ出たレーザ光を透過する透明層を有し、リッジ部の長手方向の途中の一部の領域で透明層の厚さをそれ以外の領域より薄くすることにより光吸収領域を形成し、この光吸収領域で１次モード光の損失を増加させてカットオフするようにし、これにより、キンクレベルを上げることができる。この光吸収領域は共振器内の一部であるが、１次モード光の共振器方向の伝播を防ぐ効果は十分にあるため、キンクレベルの向上に有効である。
また１次モード光の光吸収領域を共振器内の一部だけに限定しているため、高温特性を維持することができる。
更に、上記構成により、水平方向に広がる光を吸収するため、水平出射角を広くすることができ、アスペクト比を小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明に係る半導体レーザ素子及びその製造方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る半導体レーザ素子の第１実施例を示す斜視図、図２は図１においてレーザ光の放出方向に対して垂直な方向に切断した状態を示す断面図であり、図２（Ａ）は図１中のＡ−Ａ線矢視断面図、図２（Ｂ）は図１中のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【００１９】
図３及び図４は本発明の半導体レーザ素子の製造方法を説明するための工程図であり、図４中においては左側の列が図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、右側の列が図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。尚、図５に示す構成部分と同一構成部分については同一符号を付して説明する。ここでは第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型として説明する。
図１及び図２に示すように、この第１実施例の半導体レーザ素子は、例えば第１導電型であるｎ型の基板１を有している。そして、この基板１の表面に、ｎ型のクラッド層（第１クラッド層）２、活性層３、第１のｐ型のクラッド層（第２クラッド層）４、ｐ型のエッチングストッパ層５とが順次形成されている。
【００２０】
このエッチングストッパ層５上には、部分的に、すなわち中央部にはその長手方向に沿って断面台形状のリッジ部２０が細長くストライプ状に形成されている。このリッジ部２０は、その下側より第２のｐ型のクラッド層６と、ｐ型のキャップ層７とを順次積層して形成されている。
【００２１】
そして、上記リッジ部２０の両側には、このリッジ部２０を挟み込むようにして一対のｎ型の電流ブロック層２２が設けられている。具体的には、上記電流ブロック層２２は、共振器内の大部分では、すなわちリッジ部２０の長手方向における大部分では図２（Ｂ）に示すように、その下側より光透過性を有する第１の透明膜である非常に薄い第１のｎ型の透明ブロック膜９Ａと、光透過性を有する第２の透明膜である厚い第２のｎ型の透明ブロック膜９Ｂと、発振光を吸収する吸収膜である光吸収性を有する第１のｎ型の吸収ブロック膜１０と、を順次積層した３層構造になっている。
【００２２】
また、上記電流ブロック層２２は、共振器内の一部では、すなわちリッジ部２０の長手方向における途中の一部の領域では、図１及び図２（Ａ）に示すように、上記第１の透明膜である第１のｎ型の透明ブロック膜９Ａだけの一層構造となっており、上記第２のｎ型の透明ブロック膜９Ｂ及び第１のｎ型の吸収ブロック膜１０とは取り除かれた状態となっており、ここに光吸収領域３２が形成される。
【００２３】
すなわち、電流ブロック層２２における光透過性を有する透明層３６は、上記リッジ部２０の長手方向における大部分の領域では上記第１及び第２の透明ブロック膜９Ａ、９Ｂを重ね合わせた厚さとなっており、この透明層３６は、共振器内の一部の領域、すなわち光吸収領域３２に対応する部分では、それ以外の領域よりも第２の透明ブロック膜９Ｂの厚さ分だけ薄くなっている。この構造を採用することで、後述するように、光吸収領域３２において１次モードの発振光の吸収を増加させてキンクレベルを上げるようになっている。
【００２４】
図示例では上記リッジ部２０の長手方向の略中央部において上記光吸収領域３２を形成しており、リッジ部２０の長手方向に直交する方向へ一定の幅で延びている。尚、この光吸収領域３２をいずれか一方の共振器面側に寄せて形成してもよい。また、リッジ部２０の全長が例えば４００μｍ程度であるのに対して、上記光吸収領域３２のリッジ部２０の長手方向における幅は例えば１５０μｍ程度である。
【００２５】
ここで、上記第２のｎ型の透明ブロック膜９Ｂは、リッジ部２０の第２のｐ型クラッド層６や第１のｐ型クラッド層４よりもバンドギャップが大きく、且つ屈折率は小さくなされている。また、この第２のｎ型の透明ブロック膜９Ｂは、後述する製造方法におけるエッチング時の選択性を考慮して、下層の第１のｎ型の透明ブロック膜９Ａに対するエッチング選択性の高い材料で形成するのが望ましい。
【００２６】
そして、上記リッジ部２０及び一対の電流ブロック層２２の上面全体にｐ型のコンタクト層１１が形成され、更にこのコンタクト層１１の上面全体にｐ側オーミック電極１２が形成され、また、最下層の基板１の下面にはｎ側オーミック電極１３が形成され、全体で共振器２４が構成されることになり、この共振器の両端が共振器面となる。そして、この共振器２４自体が半導体レーザ素子となり、上記リッジ部２０の両端面（共振器面）で発振光が繰り返し反射されて共振し、しきい値以上になるとこの共振されたレーザ光が一方の端面より射出される。ここでは上記のように、リッジ部２０の長手方向における途中の一部の領域で、すなわち光吸収領域３２で電流ブロック層２２の層数を減じた分だけ、半導体レーザ素子の厚さが段部状に薄くなっている。
【００２７】
次に、上記半導体レーザ素子の製造方法について説明する。
まず、図３（Ａ）に示すように、例えば第１導電型であるｎ型のＧａＡｓ基板よりなる半導体基板１上に、Ｓｉをドープした厚さが１．５μｍのｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２と、ｕｎ（アンドープ）−ＡｌＧａＩｎＰガイド膜、ｕｎ（アンドープ）−ＧａＩｎＰ量子井戸膜及びｕｎ（アンドープ）−ＡｌＧａＩｎＰバリア膜から成る厚さが０．１μｍの活性層３と、Ｚｎがドープされた厚さが０．２μｍのｐ−ＡｌＧａＩｎＰよりなる第１のｐ型クラッド層４と、Ｚｎがドープされた厚さが０．０３μｍのｐ−ＡｌＧａＩｎＰよりなるｐ型エッチングストッパ層５と、Ｚｎがドープされた厚さが１．１μｍのｐ−ＡｌＧａＩｎＰよりなる第２のｐ型のクラッド層６と、Ｚｎがドープされた厚さが０．１μｍのｐ−ＧａＩｎＰよりなるｐ型キャップ層７とをＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で順次積層する。
【００２８】
次にこのキャップ層７の上に、スパッタによりＳｉＯ２ 膜を形成後、レジストを用いたフォトリソグラフィ及びドライエッチングで幅（図３において横方向の長さ）が２μｍのストライプマスク８を形成する（図３（Ｂ））。
次に、上記ストライプマスク８をエッチングマスクとして、ウエットエッチングにより、上記エッチングストッパ層５に達するまでエッチングして、電流経路となる断面台形状のリッジ部２０を形成する（図３（Ｃ））。このリッジ部２０はストライプ状に細長く延びている。
【００２９】
その後、ＭＯＣＶＤで２回目の結晶成長を行い、上記エッチングストッパ層５の表面および上記リッジ部２０の両側面に、厚さが０．１μｍのｎ−ＧａＩｎＰよりなる第１の透明膜としての第１のｎ型の透明ブロック膜９Ａ、厚さが０．３μｍのｎ−ＡｌＩｎＰよりなる第２の透明膜としての第２のｎ型の透明ブロック膜９Ｂ及び厚さが０．２μｍのｎ−ＧａＡｓよりなる吸収膜としての第１のｎ型の吸収ブロック膜１０とをこの順序で順次積層する（図３（Ｄ））。ここで、第１の透明ブロック膜９Ａは、第２の透明ブロック膜９Ｂより非常に薄くなされており、また、第２の透明ブロック膜９Ｂは第１の透明ブロック膜９Ａよりもエッチング選択性の高い（エッチング速度が速い）材料を用いている。この際、上記ＳｉＯ２ 膜よりなるストライプマスク８上には、上記各ブロック膜９Ａ、９Ｂ、１０は堆積しない。
【００３０】
次に、フォトリソグラフィでリッジ部２０の長手方向（図３及び図４において紙面に対して直交する方向）における途中の一部の領域のみを露出させたレジストマスク３０を形成する（図４（Ａ））。引き続き、この状態でウェットエッチングを施すことにより、レジストマスク３０に覆われないで露出している領域の第１の吸収ブロック膜１０と第２の透明ブロック膜９Ｂとを順次除去する（図４（Ａ））。この時、エッチング液としてはリン酸系などのＡｌ組成に対する選択性の大きいエッチング液を用いるようにし、ｎ−ＧａＩｎＰよりなる第１のｎ型の透明ブロック膜９Ａを残すようにする。これにより、リッジ部外から流れる電流をブロックする。
【００３１】
すなわち、第１及び第２の透明ブロック膜９Ａ、９Ｂよりなる透明層３６（図１参照）は、レジストマスク３０で覆われていない領域では、それ以外の領域よりも第２の透明ブロック膜９Ｂの厚さ分だけ薄くなっている。
【００３２】
次に、有機洗浄でレジストマスク３０を除去し、更に、ウェットエッチングまたはドライエッチングでＳｉＯ２ 膜よりなるストライプマスク８を除去する。
引き続き、ＭＯＣＶＤで３回目の結晶成長を行い、厚さが２μｍのｐ−ＧａＡｓよりなるｐ型コンタクト層１１を積層する。そして、ｐ側オーミック電極１２を上記コンタクト層１１の表面に形成し、またｎ側オーミック電極１３を上記半導体基板１の裏面に形成して、半導体レーザ素子を完成する（図４（Ｂ））。
【００３３】
このように製造した半導体レーザ素子は、共振器内の一部の領域である光吸収領域３２で電流ブロック層２２の透明層の厚さを薄くすることができるので、１次モード光の損失を増加してキンクレベルを上げ、高温特性を維持することができる。
また上記構成により、水平方向に広がる光を吸収するため、水平方向の光放射角を広くすることができ、アスペクト比を小さくできる。
また、光の吸収領域を共振器内の一部の領域に限定するようにしたので、動作電流の増加を抑制することができ、高温での動作を可能にできる。
【００３４】
上記製造方法では、図４（Ａ）に示す工程において、光吸収領域３２を形成すべき領域で透明層の厚さを、それ以外の領域における透明層の厚さよりも薄くするために、第１と第２の透明ブロック膜９Ａ、９Ｂに異なった材料を選択し、第２の透明ブロック膜９Ｂにエッチング選択性の高い材料を用いるようにしたが、これに限定されず、透明ブロック膜９Ｂの材料のみを用いるようにしてもよい。
【００３５】
この場合には、透明ブロック膜９Ｂの材料を用いて両透明ブロック膜９Ａ、９Ｂの合計膜厚と同じ厚さで成膜し、そして、エッチング時間を制御することにより、残膜の厚さが、上記第１の透明ブロック膜９Ａの厚さと同じになった時にエッチングを停止すればよい。
【００３６】
尚、本発明の実施例ではＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子について述べているが、勿論この具体例に限定されるものではなく、また、本発明はＡｌＧａＡｓなど他の材料系の半導体レーザ素子に対しても適用が可能である。
また、本実施例ではｎ型を第１導電型とし、ｐ型を第２導電型として説明したが、これらの導電型が逆でもよいのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に係る半導体レーザ素子の第１実施例を示す斜視図である。
【図２】図１においてレーザ光の放出方向に対して垂直な方向に切断した状態を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体レーザ素子の製造方法を説明するための工程図である。
【図４】本発明の半導体レーザ素子の製造方法を説明するためにＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に沿った断面を示す工程図である。
【図５】従来の半導体レーザ素子の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…半導体基板、２…第１導電型（ｎ型）のクラッド層（第１クラッド層）、３…活性層、４…第１の第２導電型（ｐ型）のクラッド層（第２クラッド層）、５…第２導電型のエッチングストッパ層、６…第２の第２導電型のクラッド層、７…第２導電型のキャップ層、９Ａ…第１の第１導電型の透明ブロック膜（透明膜）、９Ｂ…第２の第１導電型の透明ブロック膜（透明膜）、１０…第１の第１導電型の吸収ブロック膜（吸収膜）、１１…第２導電型のコンタクト層、１２…第２導電型のオーミック電極、１３…第１導電型のオーミック電極、２０…リッジ部、２２…電流ブロック層、２４…共振器、３２…光吸収領域、３６…透明層。
【図１】
2008300531.tif 000003
【図２】
2008300531.tif 000004
【図３】
2008300531.tif 000005
【図４】
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【図５】
2008300531.tif 000007