(57)【要約】【課題】半導体装置が搭載された電子装置において信頼性を向上させる。【解決手段】配線基板７の主面７ａにおけるＴＳＯＰ２の第１封止体２ｅと対向する領域に、基材７ｇが露出した第１の部分７ｅと、基材７ｇから第１封止体２ｅに向かって突出した第２の部分７ｈとが形成されたことにより、ＴＳＯＰ２の半田接続時に、配線基板７の第２の部分７ｈによって第１封止体２ｅを支えることができ、第１封止体２ｅと配線基板７の第１の部分７ｅとの間に十分な隙間を形成することができる。これにより、メモリモジュール３の樹脂封止の際に、ＴＳＯＰ２の第１封止体２ｅと配線基板７の間に封止用樹脂を充填することができ、第１封止体２ｅや配線基板７が変形することを防止できる。その結果、メモリモジュール３の信頼性の向上を図ることができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを樹脂封止する第１封止体を有し、前記半導体チップと電気的に接続するとともに前記第１封止体から露出するリードを備えた半導体装置と、
基材、絶縁膜、電極及び配線部を備え、主面と前記主面に対向する裏面を有し、前記リードが前記電極に半田接続されて前記主面上に前記半導体装置を搭載する配線基板と、
前記半導体装置を樹脂封止する第２封止体と、
前記配線基板の裏面に設けられた複数の外部端子とを有し、
前記配線基板の主面における前記第１封止体と対向する領域に、前記基材が露出した第
１の部分と、前記基材から前記第１封止体に向かって突出する第２の部分とが形成され、
前記第１封止体と前記配線基板との間に前記第２封止体の一部が形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
半導体チップを樹脂封止する第１封止体を有し、前記半導体チップと電気的に接続するとともに前記第１封止体から露出するリードを備えた半導体装置と、
基材、絶縁膜、電極及び配線部を備え、主面と前記主面に対向する裏面を有し、前記リードが前記電極に半田接続されて前記主面上に前記半導体装置を搭載する配線基板と、
前記半導体装置を樹脂封止する第２封止体と、
前記配線基板の裏面に設けられた複数の外部端子とを有し、
前記配線基板の主面における前記第１封止体と対向する領域に、前記基材が露出した状態で凹部が形成され、
前記第１封止体と前記配線基板の凹部との間に前記第２封止体の一部が形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項３】
半導体チップを樹脂封止する第１封止体を有し、前記半導体チップと電気的に接続するとともに前記第１封止体から露出するリードを備えた半導体装置と、
基材、絶縁膜、電極及び配線部を備え、主面と前記主面に対向する裏面を有し、前記リードが前記電極に半田接続されて前記主面上に前記半導体装置を搭載する配線基板と、
前記半導体装置を樹脂封止する第２封止体と、
前記配線基板の裏面に設けられた複数の外部端子とを有し、
前記配線基板の主面における前記第１封止体と対向する領域に、前記第１封止体の裏面全体に亘って対向して前記第１封止体に向かって突出する第３の部分が形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項４】
（ａ）半導体チップを樹脂封止する第１封止体を有し、前記半導体チップと電気的に接続するとともに前記第１封止体から露出するリードを備えた半導体装置を準備する工程と、
（ｂ）基材、絶縁膜、電極及び配線部を備え、主面と前記主面に対向する裏面を有し、前記基材が露出した第１の部分と前記基材から突出した細長い第２の部分とを有する配線基板を準備する工程と、
（ｃ）前記配線基板における前記第１の部分と前記第２の部分が前記第１封止体と前記配線基板の間に配置されるように前記配線基板上に前記半導体装置を配置した後、前記リードを前記配線基板の電極に半田接続して前記配線基板の主面上に前記半導体装置を搭載する工程と、
（ｄ）前記細長い第２の部分の延在方向に沿って封止用樹脂を前記第１封止体と前記配線基板の間に注入するとともに、前記封止用樹脂で前記半導体装置を覆って第２封止体を形成する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）半導体チップを樹脂封止する第１封止体を有し、前記半導体チップと電気的に接続するとともに前記第１封止体から露出するリードを備えた半導体装置を準備する工程と、
（ｂ）主面と前記主面に対向する裏面を有し、貫通孔が形成された配線基板を準備する工程と、
（ｃ）前記第１封止体の裏面と前記貫通孔とが対向するように前記配線基板上に前記半導体装置を配置した後、前記リードを前記配線基板の電極に半田接続して前記配線基板の主面上に前記半導体装置を搭載する工程と、
（ｄ）前記配線基板の裏面側から封止用樹脂を前記貫通孔を介して前記第１封止体と前記配線基板の間に注入するとともに、前記封止用樹脂で前記半導体装置を覆って第２封止体を形成する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置及びその製造技術に関し、特に、半導体装置を樹脂封止して組み立てが行われる電子装置及びその製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
メモリコアチップと、インターフェースチップと、インターポーザチップと、外部接続用端子とを有するメモリモジュールにおいて、インターポーザチップは、メモリコアチップと同質の半導体材料を基板とし、一方の面に外部接続用端子を保持するためのランド、外部接続用端子に接続された配線、および配線を絶縁するための絶縁膜が一体形成されている構成が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−３１９２４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
複数のメモリチップ（半導体チップ）が組み込まれた半導体モジュールとしてメモリモジュール（電子装置）が知られている。すなわち、メモリモジュールではメモリチップが複数個実装され、１パッケージ化されている。
【０００４】
前記特許文献１（特開２００６−３１９２４３号公報）には、複数のメモリチップが実装されたメモリモジュールの構造が記載されている。
【０００５】
しかしながら、メモリモジュール等の組み立てにおいて、半導体チップを入手しようとするとその入手性がパッケージされたものに比べて悪い。また、チップ単体では高度な電気的選別が困難で、パッケージ品に対して劣っている場合が多い。さらに、半導体チップのテストはウェハ状態で行われるためコストが高く、これに対してパッケージのテストはコストが安い上に、信頼性についても半導体チップよりパッケージの方がスクリーニングが十分に行われているため高い。
【０００６】
以上の理由から複数のパッケージ（半導体装置）を１パッケージ化する要求があり、本発明者は、複数の半導体装置を搭載した半導体モジュール（電子装置）について検討した結果、以下のような問題点を見出した。
【０００７】
すなわち、封止体からリードが露出している構造の半導体装置を配線基板上に搭載した場合、封止体の裏面と配線基板との間の隙間が狭いため、封止の際の樹脂が入り込まず、封止体と配線基板との間に隙間が形成されてしまう。
【０００８】
その結果、半導体装置の封止体において樹脂モールディング時にその上部側から掛かる圧力により、封止体が折れ曲がるという問題が起こる。
【０００９】
あるいは、半導体装置と配線基板における熱膨張係数や剛性の大きさの差によって配線基板が変形するという問題も起こる。その結果、半導体モジュールの信頼性が低下することも問題である。
【００１０】
本発明の目的は、半導体装置が搭載された電子装置において信頼性を向上させることができる技術を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の他の目的は、半導体装置が搭載された電子装置において半導体装置の封止体の変形を防止することができる技術を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の他の目的は、半導体装置が搭載された電子装置において配線基板の変形を防止することができる技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１５】
すなわち、本発明は、半導体チップを樹脂封止する第１封止体を有し、前記第１封止体から露出するリードを備えた半導体装置と、基材、絶縁膜、電極及び配線部を備え、主面と前記主面に対向する裏面を有し、前記リードが前記電極に半田接続されて前記主面上に前記半導体装置を搭載する配線基板と、前記半導体装置を樹脂封止する第２封止体と、前記配線基板の裏面に設けられた複数の外部端子とを有するものである。さらに、前記配線基板の主面における前記第１封止体と対向する領域に、前記基材が露出した第１の部分と、前記基材から前記第１封止体に向かって突出する第２の部分とが形成され、前記第１封止体と前記配線基板との間に前記第２封止体の一部が形成されているものである。
【００１６】
また、本発明は、半導体チップを樹脂封止する第１封止体を有し、前記第１封止体から露出するリードを備えた半導体装置を準備する工程と、主面と前記主面に対向する裏面を有し、基材が露出した第１の部分と前記基材から突出した細長い第２の部分とを有する配線基板を準備する工程とを有するものである。さらに、前記配線基板における前記第１の部分と前記第２の部分が前記第１封止体と前記配線基板の間に配置されるように前記配線基板上に前記半導体装置を配置した後、前記リードを前記配線基板の電極に半田接続して前記配線基板の主面上に前記半導体装置を搭載する工程を有するものである。さらに、前記細長い第２の部分の延在方向に沿って封止用樹脂を前記第１封止体と前記配線基板の間に注入するとともに、前記封止用樹脂で前記半導体装置を覆って第２封止体を形成する工程を有するものである。
【発明の効果】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１８】
配線基板の主面における半導体装置の第１封止体と対向する領域に、基材が露出した第１の部分と、基材から第１封止体に向かって突出した第２の部分とが形成されたことにより、半導体装置の実装の際のリードの半田接続時に、配線基板の第２の部分によって第１封止体を支えることができるため、第１封止体と配線基板の第１の部分との間に十分な隙間を形成することができる。したがって、電子装置の樹脂封止の際に、半導体装置の第１封止体と配線基板の第１の部分との間に封止用樹脂を充填することができ、第１封止体と配線基板との間に隙間は形成されないため、第１封止体や配線基板が変形することを防止できる。
【００１９】
その結果、半導体装置が組み込まれる電子装置の信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２１】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２２】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２４】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の電子装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図３は図２に示す構造の主要部の詳細構造の一例を示す拡大部分断面図、図４は図１の電子装置の組み立てにおける半導体装置実装前の構造の一例を示す拡大部分断面図、図５は図１の電子装置の組み立てにおける半導体装置の半田接合後の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【００２５】
図１〜図３に示す本実施の形態１の電子装置は、内部に半導体装置が組み込まれた樹脂封止型のものであり、本実施の形態１では、前記電子装置の一例として、メモリモジュール３を取り上げて説明する。
【００２６】
メモリモジュール３の構成について説明すると、メモリ回路を備えた半導体チップ１を有する半導体装置であるＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package) ２と、このＴＳＯＰ２が搭載される配線基板７と、ＴＳＯＰ２を樹脂封止する第２封止体６と、配線基板７の裏面７ｂに設けられた複数の外部端子７ｍとを有している。
【００２７】
メモリモジュール３に組み込まれるＴＳＯＰ２は、半導体チップ１を支持するタブ２ａと、ワイヤ２ｄを介して半導体チップ１と電気的に接続する複数のインナリード（リード）２ｂと、それぞれのインナリード２ｂと一体に形成された複数のアウタリード（リード）２ｃと、半導体チップ１、タブ２ａ、複数のワイヤ２ｄ及び複数のインナリード２ｂを樹脂封止する第１封止体２ｅとを有している。複数のアウタリード２ｃは第１封止体２ｅの相互に対向する２つの側部から相反する方向に露出しており、実装用にガルウィング状に曲げ成形されている。
【００２８】
本実施の形態１のメモリモジュール３では、図１及び図２に示すように、２つのＴＳＯＰ２が配線基板７の主面７ａ上に搭載されている。配線基板７は、図３に示すように、主面７ａと主面７ａに対向する裏面７ｂを有するとともに、基材７ｇ、絶縁膜７ｄ、電極７ｃ及び銅パターン（配線部）７ｆを備えている。これにより、ＴＳＯＰ２が搭載された際には、ＴＳＯＰ２のリードであるアウタリード２ｃが配線基板７の主面７ａの電極７ｃに半田５を介して電気的に接続される。
【００２９】
また、メモリモジュール３の配線基板７には、図３に示すように、その主面７ａにおいて、ＴＳＯＰ２の第１封止体２ｅと対向する領域に、基材７ｇが露出した第１の部分７ｅと、基材７ｇから第１封止体２ｅに向かって突出する第２の部分７ｈとが形成されている。
【００３０】
ここで、配線基板７の主面７ａにおけるＴＳＯＰ２の第１封止体２ｅと対向する領域に形成された第１の部分７ｅは、基材７ｇが露出された領域であり、銅パターン７ｆや絶縁膜７ｄが形成されていない領域である。
【００３１】
一方、ＴＳＯＰ２の第１封止体２ｅと対向する領域に形成された配線基板７の主面７ａの第２の部分７ｈは、基材７ｇから第１封止体２ｅに向かって突出した箇所である。この第２の部分７ｈは、例えば、銅パターン７ｆとこの銅パターン７ｆを覆う絶縁膜７ｄ（ソルダレジスト膜）と、絶縁膜７ｄ上に形成されたシルク印刷部４とからなり、合計の高さが、封止用樹脂が入り込むのに最低限必要とされる隙間を形成するための高さを必要とし、その高さは、例えば、最低５０μｍ程度である。一例として、銅パターン７ｆが３６μｍ、絶縁膜７ｄが５〜１０μｍ、シルク印刷部４が１０〜３０μｍである。
【００３２】
このように、配線基板７上の第１封止体２ｅの下部の領域に、封止用樹脂が入り込むのに必要最低限の隙間を形成するための高さを有した第２の部分７ｈと、銅パターン７ｆや絶縁膜７ｄが形成されずに基材７ｇが露出した第１の部分７ｅとを形成することで、ＴＳＯＰ２の配線基板７への半田接続時に第１封止体２ｅが基板側に引き込まれた際に、第１封止体２ｅをその下部に形成された基板側の第２の部分７ｈによって支えることができる。
【００３３】
これにより、配線基板７上にＴＳＯＰ２を搭載した際に、第１封止体２ｅと配線基板７との間に封止用樹脂が入り込むために必要な隙間を形成することができる。
【００３４】
したがって、メモリモジュール３では、その組み立ての樹脂封止工程における樹脂注入時に、第１封止体２ｅと配線基板７との間に封止用樹脂を充填することができ、その結果、第１封止体２ｅと配線基板７との間に第２封止体６の一部が形成されている。
【００３５】
なお、第２の部分７ｈの構成としては、銅パターン７ｆと絶縁膜７ｄとシルク印刷部４の組み合わせに限定されるものではなく、これらのうちのいずれか１つのみによって形成されていてもよく、あるいはいずれか２つの組み合わせで形成されていてもよい。
【００３６】
図４及び図５は、メモリモジュール３の組み立てにおけるＴＳＯＰ２の実装状態の一例を示すものである。図４に示すように、例えば、電極７ｃ上に半田５を予め厚めに塗布しておくことで、電極７ｃのパターンが細い場合であってもアウタリード２ｃの接合位置を高くすることができ、オープン不良の発生を防ぐことができる。
【００３７】
また、半田リフロー時には、図５に示すように、半田５が溶けてアウタリード２ｃが沈み込んだ際にも第１封止体２ｅを第２の部分７ｈによって支えることができ、第１封止体２ｅの変形を防ぐことができる。
【００３８】
このように本実施の形態１のメモリモジュール３及びその組み立てによれば、配線基板７の主面７ａにおけるＴＳＯＰ２の第１封止体２ｅと対向する領域に、基材７ｇが露出した第１の部分７ｅと、基材７ｇから第１封止体２ｅに向かって突出した第２の部分７ｈとが形成されたことにより、ＴＳＯＰ２の実装の際のアウタリード２ｃの半田接続時に、配線基板７の第２の部分７ｈによって第１封止体２ｅを支えることができる。
【００３９】
すなわち、半田５が溶融してアウタリード２ｃが沈んで第１封止体２ｅが基板側に引き込まれた際に、第１封止体２ｅをその下部に形成された基板側の第２の部分７ｈによって支えることができる。
【００４０】
これにより、第１封止体２ｅと配線基板７の第１の部分７ｅとの間に封止用樹脂を入り込ませるのに必要な十分な隙間を形成することができる。したがって、メモリモジュール３の組み立ての樹脂封止工程における樹脂注入時に、ＴＳＯＰ２の第１封止体２ｅと配線基板７の第１の部分７ｅとの間に封止用樹脂を充填することができる。
【００４１】
その結果、樹脂封止時に、ＴＳＯＰ２の第１封止体２ｅと配線基板７との間に隙間が形成されることは無いため、第１封止体２ｅや配線基板７が変形することを防止でき、これにより、ＴＳＯＰ２が組み込まれるメモリモジュール３の信頼性の向上を図ることができる。
【００４２】
（実施の形態２）
図６は本発明の実施の形態２の電子装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図７は図６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図８は図７のＢ部の構造の一例を示す拡大部分断面図、図９は図６に示す電子装置に組み込まれる配線基板の第１及び第２の部分の形成範囲の一例を示す平面図、図１０は図６に示す電子装置の組み立ての樹脂封止工程における樹脂の注入方向の一例を示す平面図である。さらに、図１１は本発明の実施の形態２の変形例の電子装置における第２の部分の構造を示す平面図である。
【００４３】
図６〜図８に示す本実施の形態２の電子装置は、配線基板７上にＱＦＰ（Quad Flat Package)８タイプの半導体装置と、ＴＳＯＰ２タイプの半導体装置を搭載したものであり、ＱＦＰ８は制御用のマイコンチップ、ＴＳＯＰ２はメモリチップである。すなわち、この場合の電子装置は、ＳＩＰ（System In Package)９である。
【００４４】
本実施の形態２のＳＩＰ９では、その配線基板７の主面７ａ上の第１封止体２ｅに対応する領域に、図９に示すように、細長い第２の部分７ｈが２列に平行な位置に形成されている。
【００４５】
このように、細長い第２の部分７ｈを２列に平行な位置に形成することで、半田溶融時に第１封止体２ｅが基板方向に引き込まれた際にも、第１封止体２ｅを安定して支えることができる。
【００４６】
なお、図８に示すように第１封止体２ｅと第２の部分７ｈとの間には僅かな隙間は形成されてもよい。すなわち、樹脂注入時に第１封止体２ｅが変形しない程度の僅かな隙間であれば、第１封止体２ｅと第２の部分７ｈとの間に隙間は形成されていてもよい。
【００４７】
さらに、ＳＩＰ９の組み立ての樹脂封止工程における樹脂注入時に、図１０に示すように、細長い第２の部分７ｈの延在方向に沿って封止用樹脂を第１封止体２ｅと図８に示す配線基板７の間に注入することで、封止用樹脂は細長い第２の部分７ｈに沿って流れるため、封止用樹脂を円滑に第１封止体２ｅと配線基板７の間に充填することができる。
【００４８】
なお、図１１は第２の部分７ｈの変形例の構造を示すものであるが、第２の部分７ｈを複数箇所に設けることで、半田溶融時に第１封止体２ｅが基板方向に引き込まれた際にも、細長い第２の部分７ｈが２列に平行に設けられた場合と同様に、第１封止体２ｅを安定して支えることができる。
【００４９】
本実施の形態２のＳＩＰ９のその他の構造については、実施の形態１のメモリモジュール３と同様であるため、その重複説明は省略する。
【００５０】
また、前記ＳＩＰ９によって得られるその他の効果については、前記メモリモジュール３によって得られる効果と同じであるため、その重複説明は省略する。
【００５１】
（実施の形態３）
図１２は本発明の実施の形態３の電子装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図１３は図１２の電子装置の主要部の構造の一例を示す拡大部分断面図、図１４は図１２の電子装置に組み込まれる配線基板の凹部の形成範囲の一例を示す平面図、図１５は図１２の電子装置の組み立てにおける半導体装置実装前の構造の一例を示す拡大部分断面図である。さらに、図１６は図１２の電子装置の組み立てにおける半導体装置の半田接合後の構造の一例を示す拡大部分断面図、図１７は図１２の電子装置の組み立てにおける樹脂モールディング後の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【００５２】
図１２〜図１４に示す本実施の形態３の電子装置は、実施の形態２の電子装置と同様に、配線基板７上にマイコンチップであるＱＦＰ８と、メモリチップであるＴＳＯＰ２が搭載された構造のＳＩＰ９である。配線基板７には、その主面７ａにおける第１封止体２ｅと対向する領域に、基材７ｇが露出した状態で凹部であるザグリ７ｉが形成されている。ザグリ７ｉは、図１３及び図１４に示すように、ＱＦＰ８やＴＳＯＰ２のそれぞれの第１封止体２ｅの裏面２ｆに対応した領域に形成されており、ザグリ面には銅パターン７ｆや絶縁膜７ｄは形成されていない。
【００５３】
図１５〜図１７は本実施の形態３のＳＩＰ９の組み立てにおける半導体装置（ＴＳＯＰ２）の実装〜封止までを示すものである。図１５に示すように配線基板７の主面７ａ上に半田５を介してＴＳＯＰ２を配置し、その後、図１６に示すように、リフローによって半田５を溶融してアウタリード２ｃと配線基板７の電極７ｃとを半田接続する。
【００５４】
その際、半田５が溶けてアウタリード２ｃが沈み込んで第１封止体２ｅが基板側に引き込まれた際にも、第１封止体２ｅに対応した領域にザグリ７ｉが形成されているため、第１封止体２ｅと配線基板７との間に封止用樹脂を入り込ませるのに必要な十分な隙間を形成することができる。
【００５５】
したがって、図１７に示す樹脂封止工程における樹脂注入時に、ＴＳＯＰ２の第１封止体２ｅと配線基板７のザグリ７ｉとの間に封止用樹脂を充填することができ、第１封止体２ｅと配線基板７のザグリ７ｉとの間に第２封止体６の一部が形成される。
【００５６】
その結果、樹脂封止時に、ＴＳＯＰ２の第１封止体２ｅと配線基板７との間に隙間が形成されることは無いため、第１封止体２ｅや配線基板７が変形することを防止でき、これにより、ＴＳＯＰ２が組み込まれるＳＩＰ９の信頼性の向上を図ることができる。このことはＱＦＰ８についても同様である。
【００５７】
本実施の形態３のＳＩＰ９によって得られるその他の効果については、前記実施の形態１のメモリモジュール３によって得られる効果と同じであるため、その重複説明は省略する。
【００５８】
（実施の形態４）
図１８は本発明の実施の形態４の電子装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図１９は図１８の電子装置の主要部の構造の一例を示す拡大部分断面図、図２０は図１８の電子装置に組み込まれる配線基板のシルク印刷の形成範囲の一例を示す平面図、図２１は図１８の電子装置の組み立ての樹脂封止工程における樹脂の注入方向の一例を示す平面図である。
【００５９】
図１８〜図２０に示す本実施の形態４の電子装置は、実施の形態２の電子装置と同様に、配線基板７上にマイコンチップであるＱＦＰ８と、メモリチップであるＴＳＯＰ２が搭載された構造のＳＩＰ９である。配線基板７には、その主面７ａにおける第１封止体２ｅと対向する領域に、第１封止体２ｅの裏面全体に亘って対向し、かつ第１封止体２ｅに向かって突出する第３の部分７ｊが形成されている。
【００６０】
すなわち、第１封止体２ｅの下部にはその裏面全体に亘って対応して第３の部分７ｊが配置されていて、封止用樹脂が第１封止体２ｅの下部、すなわち、第１封止体２ｅと配線基板７の間にもぐり込めない構造となっている。
【００６１】
なお、図１９に示すように第１封止体２ｅと第３の部分７ｊとの間には僅かな隙間は形成されてもよい。すなわち、樹脂注入時に第１封止体２ｅが変形しない程度の僅かな隙間であれば、第１封止体２ｅと第３の部分７ｊとの間に隙間は形成されていてもよい。
【００６２】
また、本実施の形態４の第３の部分７ｊは、実施の形態１の第２の部分７ｈと同様に、銅パターン７ｆと絶縁膜７ｄとシルク印刷からなるが、前記シルク印刷は、第１封止体２ｅの裏面全体に亘って対向するような図２０に示すベタ印刷である広域シルク印刷部４ａとなっている。
【００６３】
第３の部分７ｊの構成としては、銅パターン７ｆと絶縁膜７ｄとシルク印刷等の組み合わせに限定されるものではなく、これらのうちのいずれか１つのみによって形成されていてもよく、あるいはいずれか２つの組み合わせで形成されていてもよい。
【００６４】
すなわち、第３の部分７ｊの最上層に形成される部材が、ベタの広域パターンとして形成可能な部材（層）であれば、シルク印刷以外のものであってもよい。
【００６５】
なお、本実施の形態４のＳＩＰ９の組み立ての樹脂封止工程における樹脂注入時には、図２１に示すようなレジン注入方向から樹脂を注入することで第２封止体６を形成することができる。
【００６６】
本実施の形態４のＳＩＰ９によれば、配線基板７の主面７ａにおける第１封止体２ｅと対向する領域に、第１封止体２ｅの裏面全体に亘って対向し、かつ第１封止体２ｅに向かって突出する第３の部分７ｊが形成されているため、樹脂注入時に、第１封止体２ｅと配線基板７との間に封止用樹脂が入り込むことはない。
【００６７】
すなわち、第１封止体２ｅの下部には常にその裏面全体に亘って第３の部分７ｊが配置されており、したがって、樹脂封止時に、ＴＳＯＰ２の第１封止体２ｅと配線基板７との間に隙間が形成されることは無い。その結果、第１封止体２ｅや配線基板７が変形することを防止でき、これにより、ＴＳＯＰ２が組み込まれるＳＩＰ９の信頼性の向上を図ることができる。このことはＱＦＰ８についても同様である。
【００６８】
本実施の形態４のＳＩＰ９によって得られるその他の効果については、前記実施の形態１のメモリモジュール３によって得られる効果と同じであるため、その重複説明は省略する。
【００６９】
（実施の形態５）
図２２は本発明の実施の形態５の電子装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図２３は図２２の電子装置の主要部の構造の一例を示す拡大部分断面図、図２４は図２２の電子装置に組み込まれる配線基板の主面の構造の一例を示す平面図である。
【００７０】
図２２〜図２４に示す本実施の形態５の電子装置は、実施の形態２の電子装置と同様に、配線基板７上にマイコンチップであるＱＦＰ８と、メモリチップであるＴＳＯＰ２が搭載された構造のＳＩＰ９である。
【００７１】
図２２〜図２４に示す本実施の形態５のＳＩＰ９は、第１封止体２ｅと配線基板７の間、及び第１封止体２ｅの側部の周囲にアンダーフィル１０を充填したものである。アンダーフィル１０の場合、第１封止体２ｅと配線基板７の隙間が狭い場合であってもアンダーフィル１０が確実に前記隙間に入り込むため、アンダーフィル充填後に、第１封止体２ｅと配線基板７の間に隙間が形成されることは無い。
【００７２】
その結果、第１封止体２ｅや配線基板７が変形することを防止でき、これにより、ＴＳＯＰ２が組み込まれるＳＩＰ９の信頼性の向上を図ることができる。このことはＱＦＰ８についても同様である。
【００７３】
本実施の形態５のＳＩＰ９によって得られるその他の効果については、前記実施の形態１のメモリモジュール３によって得られる効果と同じであるため、その重複説明は省略する。
【００７４】
（実施の形態６）
図２５は本発明の実施の形態６の電子装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図２６は図２５の電子装置の主要部の構造の一例を示す拡大部分断面図、図２７は図２５の電子装置に組み込まれる配線基板の主面の構造の一例を示す平面図である。
【００７５】
図２５〜図２７に示す本実施の形態６の電子装置は、実施の形態２の電子装置と同様に、配線基板７上にマイコンチップであるＱＦＰ８と、メモリチップであるＴＳＯＰ２が搭載された構造のＳＩＰ９である。
【００７６】
図２５〜図２７に示す本実施の形態６のＳＩＰ９は、配線基板７の主面７ａの第１封止体２ｅに対応する領域に、配線パターンやソルダレジストが形成されずに基材７ｇが露出しているものである。
【００７７】
配線基板７の主面７ａの第１封止体２ｅに対応する領域に、配線パターンやソルダレジストを形成しないことにより、第１封止体２ｅと配線基板７の隙間を広げることができるため、樹脂封止工程において封止用樹脂を注入した際に第１封止体２ｅと配線基板７の間に封止用樹脂を充填することができる。
【００７８】
これにより、第１封止体２ｅと配線基板７の間に第２封止体６の一部が形成されるため、第１封止体２ｅや配線基板７が変形することを防止でき、その結果、ＴＳＯＰ２が組み込まれるＳＩＰ９の信頼性の向上を図ることができる。このことはＱＦＰ８についても同様である。
【００７９】
本実施の形態６のＳＩＰ９によって得られるその他の効果については、前記実施の形態１のメモリモジュール３によって得られる効果と同じであるため、その重複説明は省略する。
【００８０】
（実施の形態７）
図２８は本発明の実施の形態７の電子装置の組み立てにおける樹脂封止方法の一例を示す部分断面図、図２９は本発明の実施の形態７の電子装置の組み立てにおける変形例の樹脂封止方法を示す部分断面図である。
【００８１】
本実施の形態７は、配線基板７と第１封止体２ｅの間をモールドレジン（封止用樹脂）１３によって埋める方法について説明するものである。
【００８２】
図２８は、トランスファーモールド方式によって配線基板７と第１封止体２ｅの間及びその周囲をモールドレジン１３で埋めるものである。
【００８３】
まず、貫通孔７ｋが形成された配線基板７を準備し、その後、第１封止体２ｅの裏面２ｆと貫通孔７ｋとが対向するように配線基板７の主面７ａ上にＴＳＯＰ２を配置し、さらに、アウタリード２ｃを配線基板７の電極７ｃ（図２６参照）に半田接続して配線基板７の主面７ａ上にＴＳＯＰ２を搭載する。
【００８４】
その後、樹脂成形金型１１のプランジャ１２によってモールドレジン１３を押し出し、配線基板７の裏面７ｂ側からモールドレジン１３を貫通孔７ｋを介して第１封止体２ｅと配線基板７の間に注入する。さらに、ＴＳＯＰ２の周囲全体をモールドレジン１３で覆って第２封止体６を形成する。
【００８５】
このように配線基板７の裏面７ｂ側から貫通孔７ｋを介してモールドレジン１３を配線基板７と第１封止体２ｅの間に注入することで、第１封止体２ｅと配線基板７の間にも確実にモールドレジン１３（封止用樹脂）を充填することができる。
【００８６】
これにより、第１封止体２ｅと配線基板７の間に第２封止体６（図２６参照）の一部が形成されるため、第１封止体２ｅや配線基板７が変形することを防止でき、その結果、ＴＳＯＰ２が組み込まれる電子装置の信頼性の向上を図ることができる。
【００８７】
なお、図２９は変形例であり、ノズル吐出方式によって配線基板７と第１封止体２ｅの間をモールドレジン１３によって埋めるものである。
【００８８】
すなわち、配線基板７の貫通孔７ｋの裏面７ｂ側にディスペンサノズル１４を配置し、ディスペンサノズル１４からモールドレジン１３を吐出することで、配線基板７の裏面７ｂ側からモールドレジン１３を貫通孔７ｋを介して第１封止体２ｅと配線基板７の間に注入するとともに、ＴＳＯＰ２の周囲全体をモールドレジン１３で覆って前記第２封止体６を形成するものである。
【００８９】
これにより、第１封止体２ｅと配線基板７の間にも確実にモールドレジン１３を充填することができ、その結果、第１封止体２ｅと配線基板７の間に前記第２封止体６の一部を形成することができる。
【００９０】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００９１】
例えば、前記実施の形態１〜７では、電子装置に組み込まれるＴＳＯＰ２等の半導体装置が配線基板７上に単層（１段）で実装されている場合を説明したが、電子装置は、図３０及び図３１の変形例に示すように、ＴＳＯＰ２等の半導体装置を２段重ねで実装したメモリモジュール１５等であってもよい。
【００９２】
また、電子装置の配線基板７上に搭載される半導体装置は、ＴＳＯＰ２やＱＦＰ８に限らず、リードタイプの半導体装置であれば、例えば、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) 等であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明は、半導体装置が組み込まれ、かつ樹脂封止が行われて組み立てられる電子装置に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の実施の形態１の電子装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図３】図２に示す構造の主要部の詳細構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図４】図１に示す電子装置の組み立てにおける半導体装置実装前の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図５】図１に示す電子装置の組み立てにおける半導体装置の半田接合後の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２の電子装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図８】図７のＢ部の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図９】図６に示す電子装置に組み込まれる配線基板の第１及び第２の部分の形成範囲の一例を示す平面図である。
【図１０】図６に示す電子装置の組み立ての樹脂封止工程における樹脂の注入方向の一例を示す平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２の変形例の電子装置における第２の部分の構造を示す平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態３の電子装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。
【図１３】図１２の電子装置の主要部の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図１４】図１２の電子装置に組み込まれる配線基板の凹部の形成範囲の一例を示す平面図である。
【図１５】図１２の電子装置の組み立てにおける半導体装置実装前の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図１６】図１２の電子装置の組み立てにおける半導体装置の半田接合後の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図１７】図１２の電子装置の組み立てにおける樹脂モールディング後の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態４の電子装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。
【図１９】図１８の電子装置の主要部の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図２０】図１８の電子装置に組み込まれる配線基板のシルク印刷の形成範囲の一例を示す平面図である。
【図２１】図１８の電子装置の組み立ての樹脂封止工程における樹脂の注入方向の一例を示す平面図である。
【図２２】本発明の実施の形態５の電子装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。
【図２３】図２２の電子装置の主要部の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図２４】図２２の電子装置に組み込まれる配線基板の主面の構造の一例を示す平面図である。
【図２５】本発明の実施の形態６の電子装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。
【図２６】図２５の電子装置の主要部の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図２７】図２５の電子装置に組み込まれる配線基板の主面の構造の一例を示す平面図である。
【図２８】本発明の実施の形態７の電子装置の組み立てにおける樹脂封止方法の一例を示す部分断面図である。
【図２９】本発明の実施の形態７の電子装置の組み立てにおける変形例の樹脂封止方法を示す部分断面図である。
【図３０】本発明における変形例の電子装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。
【図３１】図３０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９５】
１  半導体チップ
２  ＴＳＯＰ（半導体装置）
２ａ  タブ
２ｂ  インナリード（リード）
２ｃ  アウタリード（リード）
２ｄ  ワイヤ
２ｅ  第１封止体
２ｆ  裏面
３  メモリモジュール（電子装置）
４  シルク印刷部
４ａ  広域シルク印刷部
５  半田
６  第２封止体
７  配線基板
７ａ  主面
７ｂ  裏面
７ｃ  電極
７ｄ  絶縁膜
７ｅ  第１の部分
７ｆ  銅パターン（配線部）
７ｇ  基材
７ｈ  第２の部分
７ｉ  ザグリ（凹部）
７ｊ  第３の部分
７ｋ  貫通孔
７ｍ  外部端子
８  ＱＦＰ（半導体装置）
９  ＳＩＰ（電子装置）
１０  アンダーフィル
１１  樹脂成形金型
１２  プランジャ
１３  モールドレジン（封止用樹脂）
１４  ディスペンサノズル
１５  メモリモジュール（電子装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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