(57)【要約】【課題】チップ群がそれぞれ独立作業できるマルチチップ積層基板とそれを使用するマルチチップ積層実装構造とその応用を提供する。【解決手段】マルチチップ積層基板２００は、少なくとも第一ワイヤボンディングフィンガー２１１、第二ワイヤボンディングフィンガー２１２、トレース及びループ配線を備える。第一ワイヤボンディングフィンガー２１１と第二ワイヤボンディングフィンガー２１２は、ダイアタッチエリアに隣接している。ループ配線は第一ワイヤボンディングフィンガー２１１と第二ワイヤボンディングフィンガー２１２に直列接続し、かつトレースに接続されている。マルチチップ積層実装構造は、基板２００、ダイアタッチエリアに設置されている第一チップ５０及び第一チップ５０の上方に積み上げられている第二チップ６０を含んでいる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第一ワイヤボンディングフィンガーはダイアタッチエリアに隣接して設けられ、
（ｂ）第二ワイヤボンディングフィンガーはダイアタッチエリアと第一ワイヤボンディングフィンガーに隣接して設けられ、
（ｃ）トレースは電気転送用として利用され、
（ｄ）ループ配線は第一ワイヤボンディングフィンガーと第二ワイヤボンディングフィンガーと直列接続し、トレースに接続されているマルチチップ積層基板。
【請求項２】
ループ配線に第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズが設置され、
第一ヒューズは第一ワイヤボンディングフィンガーとトレースとの間に直列接続され、
第二ヒューズは第一ワイヤボンディングフィンガーと第二ワイヤボンディングフィンガーとの間に直列接続され、
第三ヒューズは第二ワイヤボンディングフィンガーとトレースとの間に直列接続されていることを特徴とする請求項１記載のマルチチップ積層基板。
【請求項３】
第一ワイヤボンディングフィンガー、第二ワイヤボンディングフィンガー、トレース及びループ配線は、基板の内表面に設置され、さらに対外連結パッドを含み、対外連結パッドは基板の外表面に設置されていることを特徴とする請求項１記載のマルチチップ積層基板。
【請求項４】
さらに第三ワイヤボンディングフィンガーを含み、
第三ワイヤボンディングフィンガーはループ配線に直列接続されていることを特徴とする請求項１記載のマルチチップ積層基板。
【請求項５】
（ａ）基板は、
（１）ダイアタッチエリアに隣接する第一ワイヤボンディングフィンガーと、
（２）前記ダイアタッチエリアと第一ワイヤボンディングフィンガーとに隣接する第二ワイヤボンディングフィンガーと、
（３）電気転送用として利用されるトレースと、
（４）第一ワイヤボンディングフィンガーと第二ワイヤボンディングフィンガーと直列接続し、トレースに接続されるループ配線と、を備え、
（ｂ）基板のダイアタッチエリアに設置され、第一ワイヤボンディングフィンガーに電気的に接続される第一チップと、
（ｃ）第一チップの上方に積み上げられ、第二ワイヤボンディングフィンガーに電気的に接続される第二チップと、
からなることを特徴とするマルチチップ積層実装構造。
【請求項６】
ループ配線に第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズが設置され、
第一ヒューズは第一ワイヤボンディングフィンガーとトレースとの間に直列接続され、
第二ヒューズは第一ワイヤボンディングフィンガーと第二ワイヤボンディングフィンガーとの間に直列接続され、
第三ヒューズは第二ワイヤボンディングフィンガーとトレースとの間に直列接続されていることを特徴とする請求項５記載のマルチチップ積層実装構造。
【請求項７】
基板は、さらに複数の開口を有する絶縁層を有し、
開口は第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズに照準して第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズを露出させていることを特徴とする請求項６記載のマルチチップ積層実装構造。
【請求項８】
開口に入れる誘電性充填物を具備していることを特徴とする請求項７記載のマルチチップ積層実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチチップの積層技術に関し、特に、マルチチップ積層基板とそれを使用するマルチチップ積層実装構造とその応用に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子技術の進みとともに、より高性能化に、より人間に相応しい電子機器がどんどん製品化されている。外観から言えば、軽量化、薄型化、小型化などの趨勢に従って製品を設計し、微小化及び高速化の要求に応じ、数倍以上大容量或はより多機能を達成するため、複数のチップを基板上に垂直積層して封止体で密封し、それをマルチチップ積層実装構造と称する。しかし、従来のマルチチップ積層実装構造の製造過程において封止作業後に製品が電気検査されて、製品の中に一つのチップだけがうまく動かなければ、製品全体は故障品として廃棄されなければならず、封止作業後の修復が不可能となる。
【０００３】
図１に示すように、マルチチップ積層実装構造は、少なくとも基板１００、第一チップ１０、第二チップ２０、複数のボンディングワイヤ３１、ボンディングワイヤ３２及び封止体４０を備える。基板１００は複数のワイヤボンディングフィンガー１１０と複数のトレース１２０を含み、それらのトレース１２０は基板１００の内表面１０１に形成されている。それらのワイヤボンディングフィンガー１１０は基板１００のダイアタッチエリア１０３に隣接して、第一チップ１０はダイアタッチエリア１０３上に貼着され、第二チップ２０は第一チップ１０の上方に積み上げられている。また、図１を参考にして、それらのワイヤボンディングフィンガー１１０は、内表面１０１に形成されてワイヤボンディング用として基板１００の絶縁層１３０上に露出されている。基板１００の外表面１０２に複数の外連結パッド１４０が形成されている。第一チップ１０は複数の第一ボンディングパッド１１を有し、第一ボンディングワイヤ３１を介してそれらの第一ボンディングパッド１１と対応のワイヤボンディングフィンガー１１０とを電気連結させる。第一チップ１０と第二チップ２０との間に介在物１２が設置されている。第二チップ２０は複数の第二ボンディングパッド２１を有し、第二ボンディングワイヤ３２を介してそれらの第二ボンディングパッド２１と対応のワイヤボンディングフィンガー１１０とを電気接続させる。ゆえに、同一信号や共用電源または接地を利用するワイヤボンディングフィンガー１１０は、同時に第一ボンディングワイヤ３１と第二ボンディングパッド２１と連結することができる（図２に示す）。
【０００４】
周知のマルチチップ積層実装構造は、例えば、メモリカード、さらに封止体４０を含み、この封止体４０により第一チップ１０と第二チップ２０が密封されている。封止作業中に、もしチップやチップに接続するボンディングワイヤが不具合となれば、実装作業と検査作業の後に一つか一部のチップが正常に動かないと知って、もう不良なチップやボンディングワイヤは封止体に密封され、かつ基板に電気導通されたことによって、他の良好なチップに正常な動きができないように影響を及ぼして、不良なチップとともに半導体製品全体は捨てられることとなり、廃棄率の上昇を招いてしまう。
【０００５】
目前、上記の問題についての解決方法は幾つかが有り、一つはウエハーレベルクラス（wafer level class）に全部のチップに対して完全な電気検査を行って、正常に演算するチップを確認し得ることになるが、このような測定のコストはかなり高く、低コストの大量生産には向かない。他にもう一つの方法は、実装過程中に修復を行い、特許文献１の修復ができるマルチチップモジュール実装構造を参考にして、下層にダイアタッチと電気接続作業中かつ封止作業の前に電気検査を行い、正常ではない下層チップを発見すれば、下層チップに接続するボンディングワイヤを除去し、そして、一つの代用チップを積層方式で貼着させる。このような方法は、封止作業前に電気検査と不良チップのボンディングワイヤの除去をしなければいけないので、封止作業後の品質もまだ確定ではなく、製造過程にも余計な制限が出てくる。しかも、このような積層方式は、正常なチップを不良なチップ上に積み上げ、マルチチップ積層実装構造に対して専用のやり方ではない。
【０００６】
【特許文献１】中華民国特許公開Ｎｏ．４０９，３３０号広報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の主な目的は、マルチチップ積層基板とそれを使用するマルチチップ積層実装構造とその応用を提供することである。複数のチップは、実装構造内に積み上げられ、ヒューズを有するループ配線を用いて設計し、電気検査後にチップ群がお互い干渉せずにそれぞれ独立作業ができるようにさせる。
本発明のもう一つの目的は、マルチチップ積層基板とそれを使用するマルチチップ積層実装構造とその応用を提供し、それによって、封止作業の後にも、ヒューズを焼切ることができ、ボンディングワイヤを除去しなくても、修復を行えることに達する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明では、次に述べる技術が提案されている。本発明によれば、マルチチップ積層基板は少なくとも第一ワイヤボンディングフィンガー、第二ワイヤボンディングフィンガー、トレース及びループ配線を備える。第一ワイヤボンディングフィンガーはダイアタッチエリアに隣接し、第二ワイヤボンディングフィンガーもダイアタッチエリアに隣接している。トレースは電気転送用として利用されている。ループ配線は第一ワイヤボンディングフィンガーと第二ワイヤボンディングフィンガーに直列接続し、かつトレースに接続されている。
【０００９】
上記基板において、ループ配線には第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズを設置し、第一ヒューズは第一ワイヤボンディングフィンガーとトレースとの間に直列接続され、第二ヒューズは第一ワイヤボンディングフィンガーと第二ワイヤボンディングフィンガーとの間に直列接続され、及び第三ヒューズは第二ワイヤボンディングフィンガーとトレースの間に直列接続されている。
【００１０】
上記基板において、第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズのそれぞれの線幅は、ループ配線の線幅よりも小さくなる。
上記基板において、さらに絶縁層を含み、この絶縁層は複数の開口を具備し、それらの開口は第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズに照準して第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズを露出させる。
上記基板において、絶縁層は、コア基板（core substrate）にすることができ、基板の外表面に第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズを露出させる。
【００１１】
上記基板において、絶縁層は、半田マスク層にすることができ、基板の内表面に第一ヒューズ、第二ヒューズ及び第三ヒューズを露出させる。
上記基板において、第一ワイヤボンディングフィンガー、第二ワイヤボンディングフィンガー、トレース及びループ配線は基板の内表面に設置されることができ、さらに対外連結パッドを含み、この対外連結パッドは基板の外表面に設置されている。
上記基板において、ループ配線の外観は、ほぼ多辺形、円形と円弧形の周縁になる。
上記基板において、さらに第三ワイヤボンディングフィンガーを含み、この第三ワイヤボンディングフィンガーはループ配線と直列接続している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の第一実施例によるマルチチップ積層基板を公開している。図３は基板がマルチチップ積層実装構造に応用される断面図であり、図４はワイヤボンディング接続作業を行った後の基板の部分を示す斜視図であり、図５は各種の電気検査結果に応じる複数のヒューズ開閉状態の比較表を示す図であり、図６は基板の部分を示す断面図である。
図３と図４に示すように、基板２００は少なくとも複数のフィンガーセットを含み、各フィンガーセットは第一ワイヤボンディングフィンガー２１１、第二ワイヤボンディングフィンガー２１２、トレース２２０及びループ配線２３０を備える。基板２００は内表面２０１と外表面２０２を有し、内表面２０１上にダイアタッチエリア２０３を定義してこのダイアタッチエリア２０３には複数の積層チップ５０、積層チップ６０或はより多くを設置している。第一ワイヤボンディングフィンガー２１１と第二ワイヤボンディングフィンガー２１２はお互いに接近してダイアタッチエリア２０３に隣接し、基板２００の内表面２０１に設置される。図４に示すように、トレース２２０は電気伝送用として基板２００の内表面２０１に設置される。本実施例では、基板２００はさらに基板２００の外表面２０２に設置される対外連結パッド２５０を含み、この対外連結パッド２５０は細長い形状のゴルドフィンガー（gold finger）にしてもよく、半導体製品のメモリカードに適用している。
【００１３】
図４に示すように、ループ配線２３０は第一ワイヤボンディングフィンガー２１１と第二ワイヤボンディングフィンガー２１２と直列接続し、また、トレース２２０に接続され、よって、第一ワイヤボンディングフィンガー２１１と第二ワイヤボンディングフィンガー２１２とはそれぞれトレース２２０に電気接続されている。本実施例では、ループ配線２３０は基板２００の内表面２０１に設置されることができ、ほぼ多辺形、円形或は円弧形の周縁という外形になる。再び図４を参考にして、選択できるヒューズ切れを提供するため、ループ配線２３０には第一ヒューズＦ１、第二ヒューズＦ２及び第三ヒューズＦ３を設置することができる。その中で、第一ヒューズＦ１は第一ワイヤボンディングフィンガー２１１とトレース２２０との間に直列接続され、第二ヒューズＦ２は第一ワイヤボンディングフィンガー２１１と第二ワイヤボンディングフィンガー２１２との間に直列接続され、及び第三ヒューズＦ３は第二ワイヤボンディングフィンガー２１２とトレース２２０との間に直列接続されている。第一ワイヤボンディングフィンガー２１１と第二ワイヤボンディングフィンガー２１２との間隔は単一の第二ヒューズＦ２だけを配置できることが理想的と考えられ、ゆえに、第一ワイヤボンディングフィンガー２１１と第二ワイヤボンディングフィンガー２１２とは緊密に配列されることができる。一般に、第一ヒューズＦ１、第二ヒューズＦ２及び第三ヒューズＦ３の中のどれの線幅もループ配線２３０の線幅よりも小さくなるので、レーザ光線９０で選択的にヒューズを焼切って線路切断することが可能である。本実施例では、第一ヒューズＦ１、第二ヒューズＦ２及び第三ヒューズＦ３はループ配線２３０と同一の製造材料にしてもよく、例えば、一般にＣｕ（銅）等を使用し、或は、タングステンフィラメント（tungsten filament）、或は、他に焼切りができる金属も使える。
【００１４】
本発明の第一実施例によれば、基板２００はさらにマルチチップ積層実装構造に応用されることができ、特に、マイクロＳＤカードである。図３に示すように、マルチチップ積層実装構造は少なくとも、基板２００、第一チップ５０及び第二チップ６０を含む。第一チップ５０は基板２００のダイアタッチエリア２０３に設置され、複数の第一ボンディングパッド５１を具し、また、伝統的なワイヤボンディング接続技術を用いて、第一ボンディングワイヤ７１は対応する第一ボンディングパッド５１と第一ワイヤボンディングフィンガー２１１とを電気的に接続している。第二チップ６０は第一チップ５０の上方に積み上げられ、複数の第二ボンディングパッド６１を具し、また、伝統的なワイヤボンディング接続技術を用いて、第二ボンディングワイヤ７２は対応する第二ボンディングパッド６１と第二ワイヤボンディングフィンガー２１２とを電気的に接続している。具体的に言えば、マルチチップ積層実装構造はさらに介在物５２を含み、この介在物５２は第一チップ５０と第二チップ６０との間に設置されることにより、第二チップ６０の背面は第一チップ５０と第一ボンディングワイヤ７１に直接に接触しない。  
【００１５】
再び図３を参考にして、封止体８０は、基板２００の内表面２０１に形成されて第一チップ５０、第二チップ６０、第一ボンディングワイヤ７１及び第二ボンディングワイヤ７２を密封している。
具体的に言えば、基板２００はさらに半田マスク層２６０を有し、この半田マスク層２６０は基板２００の内表面２０１に形成されて基板２００の配線層を部分的に覆いそしてトレース２２０を覆い、かつワイヤボンディング接続のために、第一ワイヤボンディングフィンガー２１１と第二ワイヤボンディングフィンガー２１２を露出させる。
【００１６】
本実施例では、マルチチップ積層実装構造はさらに制御チップを具し、制御チップはトレース２２０と電気的に接続して、その応用として、第一チップ５０と第二チップ６０をともにメモリチップにすれば、メモリカード（図に示していない）を組み立てることができる。
使われる各チップの品質と状況はそれぞれ異なって、検査結果により不良品と判定されるチップを図５に示すような対応調整に従えば、第一ヒューズＦ１、第二ヒューズＦ２や第三ヒューズＦ３を焼切ることにより、他の良好チップが正常に動くことができる。封止作業完成の後にも、電気検査と修復作業を行うことが可能である。
【００１７】
また、図４と図５を参考にして、検査結果において、第一チップ５０と第二チップ６０が良好の場合には、第一ヒューズＦ１、第二ヒューズＦ２及び第三ヒューズＦ３を切断する必要がない。次に、第一チップ５０だけが故障する場合には、第一ヒューズＦ１と第二ヒューズＦ２とを切断することにより、第一ワイヤボンディングフィンガー２１１とトレース２２０との間は電気的に遮断されて、下層の第一チップ５０は基板２００の内部配線と完全に電気遮断されることになる。よって、第二チップ６０は、第一チップ５０による干渉がなく、正常な演算ができる。しかも、第二チップ６０と接続する第二ボンディングワイヤ７２を除去や切断する必要がない。
【００１８】
再び図４と図５を参考にして、第二チップ６０だけが故障する場合には、第二ヒューズＦ２と第三ヒューズＦ３とを切断して、第二ボンディングワイヤ７２とトレース２２０との間は電気的に遮断されて、上層の第二チップ６０は基板２００の内部配線と完全に電気遮断されることになる。よって、第一チップ５０は、第二チップ６０による干渉がなく、正常に作動することができる。しかも、第一チップ５０と接続する第一ボンディングワイヤ７１を除去や切断する必要がない。
【００１９】
ゆえに、第一ヒューズＦ１、第二ヒューズＦ２及び第三ヒューズＦ３を用いて、選択ができる断線にして、第一チップ５０と第二チップ６０はお互いに干渉せず、それぞれ独立作業をしている。つまり、マルチチップ積層実装構造中に、一個や一部分のチップが故障となれば、不良チップと接続するワイヤボンディングフィンガーのヒューズだけを焼切って、ワイヤボンディングフィンガーを断線状態にさせることにより、他の良好チップ群は正常に働くことができ、製造コストの低減を提供している。その上に、このような選択ができるヒューズ切断作業は、製造過程において、ダイアタッチ作業や封止作業の後に行われることが便利になって好ましい。
【００２０】
図６に示すように、基板２００はさらに複数の開口２４１を有する絶縁層２４０を含み、それらの開口２４１は第一ヒューズＦ１、第二ヒューズＦ２及び第三ヒューズＦ３に照準して第一ヒューズＦ１、第二ヒューズＦ２及び第三ヒューズＦ３をレーザ光線９０で任意切断することができるように第一ヒューズＦ１、第二ヒューズＦ２及び第三ヒューズＦ３を露出させる。絶縁層２４０をコア基板にすることは好ましく、それによって、第一ヒューズＦ１、第二ヒューズＦ２及び第三ヒューズＦ３を基板２００の外表面２０２に露出させ、ワイヤボンディング接続作業と封止作業の後にも、レーザ光線９０を用いて第一ヒューズＦ１、第二ヒューズＦ２及び第三ヒューズＦ３を焼切って断線している。本実施例では、誘電性充填物２７０を用いてそれらの開口２４１に充填している。
【００２１】
図７Ａから図７Ｄまでは、ワイヤボンディング接続作業と封止作業の後の基板２００上の断線の形成方法を示している。まず、図７Ａに示すように、ワイヤボンディング接続、封止と検査作業を行ったマルチチップ積層実装構造は、平台に放置されながら、基板２００の外表面２０２をレーザ光線射出装置に向けさせる。次に、図７Ｂに示すように、不良チップと接続するヒューズＦ１、ヒューズＦ２及びヒューズＦ３を探出す。また、図７Ｃに示すように、絶縁層２４０の開口２４１群は第二ヒューズＦ２を露出し、レーザ光線９０を用いて、第二ヒューズＦ２を切断して、断線状態になる。最後に、図７Ｄに示すように、ＰＣＢビア充填技術（ＰＣＢ via-filling technique）を応用して、それらの開口２４１、即ち、レーザ光線に照射されたのとされていない開口に誘電性充填物２７０を入れ、よって、それらのヒューズＦ１、ヒューズＦ２及びヒューズＦ３の露出を避けている。
【００２２】
第二実施例では、他にもう一種のマルチチップ積層実装構造を公開している。図８に示すように、基板３００は複数の電気機構を含み、各電気機構は少なくとも第一ワイヤボンディングフィンガー３１１、第二ワイヤボンディングフィンガー３１２、トレース３２０及びループ配線３３０を備える。本実施例では、第一ワイヤボンディングフィンガー３１１、第二ワイヤボンディングフィンガー３１２、トレース３２０及びループ配線３３０は、基板３００の内表面３０１に配置されることができる。基板３００はさらに対外連結パッド３５０を含み、この対外連結パッド３５０は基板３００の外表面３０２に設置されている。第一ワイヤボンディングフィンガー３１１と第二ワイヤボンディングフィンガー３１２は、複数のチップ５０’とチップ６０’を積み上げるダイアタッチエリアに隣接している。トレース３２０は、電気転送用として利用されている。ループ配線３３０は、第一ワイヤボンディングフィンガー３１１と第二ワイヤボンディングフィンガー３１２に直列接続し、かつトレース３２０に接続されている。再び図８を参考にして、ループ配線３３０に少なくともヒューズ３６０が設置され、このヒューズ３６０は第一ワイヤボンディングフィンガー３１１、第二ワイヤボンディングフィンガー３１２とトレース３２０の間に直列接続されて選択ができる断線を提供している。
【００２３】
具体的に言えば、基板３００はさらに複数の開口３４１を有する絶縁層３４０を含み、それらの開口３４１はレーザ光線９０でヒューズ３６０を切断し易いため、ヒューズ３６０に照準してヒューズ３６０を露出させる。本実施例では、絶縁層３４０は半田マスク層にしてもよく、基板３００の内表面３０１にヒューズ３６０を露出させて、封止作業の前に選択可能な断線を行うことに適用している。
【００２４】
図９Ａから図９Ｃまでは、ワイヤボンディング接続作業の後かつ封止作業の前の基板３００のヒューズ焼切り方法を示している。まず、図９Ａに示すように、第一チップ５０’は基板３００の内表面３０１に設置され、少なくとも第二チップ６０’は第一チップ５０’の上方に積み上げられ、また、複数の第一ボンディングワイヤ７１’を用いて第一チップ５０’の第一ボンディングパッド５１’群と第一ワイヤボンディングフィンガー３１１とを電気的に接続し、複数の第二ボンディングワイヤ７２’を用いて第二チップ６０’の第二ボンディングパッド６１’群と第二ワイヤボンディングフィンガー３１２とを電気的に接続している。次に、電気検査された後及び封止作業を行う前に、上記マルチチップ積層実装構造の半製品は平台に放置されながら、基板３００の内表面３０１がレーザ光線射出装置に向くことにより、ヒューズ３６０が露出されている。そして、図９Ｂに示すように、検出された不良チップのワイヤボンディングフィンガーと接続するヒューズ３６０をレーザ光線９０を用いて切断している。最後、図９Ｃに示すように、ヒューズ３６０は断線状態になるので、検出された不良チップは基板３００の内部配線と電気的に遮断されている。ゆえに、ヒューズ３６０を使って選択可能な断線を形成することができ、複数の積層チップはお互いに干渉せず、それぞれ独立な作業をしている。
【００２５】
第三実施例では、さらに他にもう一種のマルチチップ積層実装構造を開示している。図１０に示すように、基板４００は少なくとも第一ワイヤボンディングフィンガー４１１、第二ワイヤボンディングフィンガー４１２、トレース４２０及びループ配線４３０を備える。第一ワイヤボンディングフィンガー４１１と第二ワイヤボンディングフィンガー４１２はダイアタッチエリア４０３に隣接し、トレース４２０は電気転送用として利用されている。ループ配線４３０は第一ワイヤボンディングフィンガー４１１と第二ワイヤボンディングフィンガー４１２と直列接続し、かつトレース４２０に接続されている。本実施例では、積層チップの数により、基板４００は第三チップとワイヤボンディング接続用としてさらに第三ワイヤボンディングフィンガー４１３を具し、この第三ワイヤボンディングフィンガー４１３はダイアタッチエリア４０３に隣接してループ配線４３０に直列接続されている。また、第一ワイヤボンディングフィンガー４１１、第二ワイヤボンディングフィンガー４１２、第三ワイヤボンディングフィンガー４１３、トレース４２０及びループ配線４３０は、基板４００の内表面４０１に設置されている。
【００２６】
なお、図１０に示すように、ループ配線４３０に第一ヒューズＦ１、第二ヒューズＦ２、第三ヒューズＦ３、第四ヒューズＦ４及び第五ヒューズＦ５を設置することができる。第一ヒューズＦ１は第一ワイヤボンディングフィンガー４１１とトレース４２０との間に直列接続され、第二ヒューズＦ２は第一ワイヤボンディングフィンガー４１１と第二ワイヤボンディングフィンガー４１２との間に直列接続され、第三ヒューズＦ３は第二ワイヤボンディングフィンガー４１２とトレース４２０との間に直列接続され、第四ヒューズＦ４は第二ワイヤボンディングフィンガー４１２と第三ワイヤボンディングフィンガー４１３との間に直列接続され、第五ヒューズＦ５は第三ワイヤボンディングフィンガー４１３とトレース４２０との間に直列接続されている。それにより、選択可能な断線を提供して、基板上の複数の積層チップ（三個かより多く）をボンディングワイヤを除去しなくても修復できるメリットを有するとともに、半導体実装過程中や製品完成後に修復作業を行ってもよいことは、全体の製造過程にとって柔軟性と便利性をより向上することができる。
以上、本発明をその好適な実施例に基づいて説明したが、本発明の保護範囲は後付の特許申請範囲で限定されて、この保護範囲に基準して本発明の精神と範囲内に触れるどんな変更や修正も本発明の保護範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】周知のマルチチップ積層基板の断面図である。
【図２】ワイヤボンディング接続された後の周知の基板の斜視図である。
【図３】本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造を示す断面図である。
【図４】本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造のワイヤボンディング接続された後の基板を示す斜視図である。
【図５】本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板と各種検査結果に従う複数のヒューズ開閉状態の比較表を示す図である。
【図６】本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板を示す断面図である。
【図７Ａ】本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板の底面の断線形成方法を示す断面図である。
【図７Ｂ】本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板の底面の断線形成方法を示す斜視図である。
【図７Ｃ】本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板の底面の断線形成方法を示す断面図である。
【図７Ｄ】本発明の第一実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板の底面の断線形成方法を示す断面図である。
【図８】本発明の第二実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板を示す断面図である。
【図９Ａ】本発明の第二実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板上の断線形成方法を示す模式図である。
【図９Ｂ】本発明の第二実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板上の断線形成方法を示す斜視図である。
【図９Ｃ】本発明の第二実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板上の断線形成方法を示す斜視図である。
【図１０】本発明の第三実施例によるマルチチップ積層実装構造の基板の内表面を示す模式図である。
【符号の説明】
【００２８】
１０：第一チップ、１１：第一ボンディングパッド、１２：介在物、２０：第二チップ、２１：第二ボンディングパッド、３１：第一ボンディングワイヤ、３２：第二ボンディングワイヤ、４０：封止体、５０：第一チップ、５０’：第一チップ、５１：第一ボンディングパッド、５１’：第一ボンディングパッド、５２：介在物、６０：第二チップ、６０’：第二チップ、６１：第二ボンディングパッド、６１’：第二ボンディングパッド、７１：第一ボンディングワイヤ、７１’：第一ボンディングワイヤ、７２：第二ボンディングワイヤ、７２’：第二ボンディングワイヤ、８０：封止体、９０：レーザ光線、９０’：レーザ光線、１００：基板、１０１：内表面、１０２：外表面、１０３：ダイアタッチエリア、１１０：ワイヤボンディングフィンガー、１２０：トレース、１３０：絶縁層、１４０：対外連結パッド、２００：基板、２０１：内表面、２０２：外表面、２０３：ダイアタッチエリア、２１１：第一ワイヤボンディングフィンガー、２１２：第二ワイヤボンディングフィンガー、２２０：トレース、２３０：ループ配線、２４０：絶縁層、２４１：開口、２５０：対外連結パッド、２６０：半田マスク層、２７０：誘電性充填物、３００：基板、３０１：内表面、３０２：外表面、３１１：第一ワイヤボンディングフィンガー、３１２：第二ワイヤボンディングフィンガー、３２０：トレース、３３０：ループ配線、３４０：絶縁層、３４１：開口、３５０：対外連結パッド、３６０：ヒューズ、４０１：内表面、４０３：ダイアタッチエリア、４１１：第一ワイヤボンディングフィンガー、４１２：第二ワイヤボンディングフィンガー、４１３：第三ワイヤボンディングフィンガー、４２０：トレース、４３０：ループ配線、Ｆ１：第一ヒューズ、Ｆ２：第二ヒューズ、Ｆ３：第三ヒューズ、Ｆ４：第四ヒューズ、Ｆ５：第五ヒューズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０】
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