(57)【要約】      （修正有）【課題】回路パターンの厚さを減らして微細回路を実現し、回路パターンを絶縁層に内蔵してプリント基板の厚さを減らすうえ、プリント基板の工程時間および工程コストを減らすことが可能なプリント基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層６と、前記絶縁層６の両面に前記絶縁層６に内蔵されるように形成された回路パターン１０ａ，１０ｂと、前記絶縁層６の両面に形成された回路パターン同士を電気的に接続させるために、前記絶縁層６を貫通するように形成されたバンプ４とを含む、プリント基板を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の両面に前記絶縁層に内蔵されるように形成された回路パターンと、
前記絶縁層の両面に形成された前記回路パターン同士を電気的に接続させるために、前記絶縁層を貫通するように形成されたバンプとを含むことを特徴とする、プリント基板。
【請求項２】
前記回路パターンと前記絶縁層とは接着剤によって接着されることを特徴とする、請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記接着剤は前記絶縁層よりガラス転移温度が低いことを特徴とする、請求項２に記載のプリント基板。
【請求項４】
ａ）第１金属層上にバンプを形成する段階と、
ｂ）前記バンプが絶縁層を貫通するように前記バンプ上に絶縁層を積層する段階と、
ｃ）前記絶縁層上に第２金属層を載置した後、加熱、加圧して前記第２金属層を前記絶縁層上に積層させる段階と、
ｄ）前記第１金属層および前記第２金属層をエッチングして前記絶縁層の両面に回路パターンを形成する段階と、
ｅ）前記絶縁層の両面を加熱、加圧して前記回路パターンを前記絶縁層に内蔵させる段階とを含むことを特徴とする、プリント基板の製造方法。
【請求項５】
前記ａ）段階は、
ａ−１）前記第１金属層を準備する段階と、
ａ−２）前記バンプが形成されるべき部分にホールが形成されたマスクを前記第１金属層上に密着させる段階と、
ａ−３）スキージ(squeegee)を用いて導電性ペーストを前記ホールに充填する段階と、
ａ−４）前記マスクを除去する段階と、
ａ−５）前記充填された導電性ペーストを乾燥させてバンプを形成する段階とを含むことを特徴とする、請求項４に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記ｃ）段階では、５０〜１５０℃の温度と１〜３０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で前記プリント基板の両面を加熱、加圧することを特徴とする、請求項４に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記ｅ）段階では、前記ｃ）段階より高い温度と圧力で前記回路パターンを加熱、加圧して前記回路パターンを前記絶縁層に内蔵させることを特徴とする、請求項４に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記ｅ）段階では、１５０〜３００℃の温度と３０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で前記回路パターンを加熱、加圧することを特徴とする、請求項７に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記ｂ）段階は、
ｂ−１）前記絶縁層の両面に接着剤を塗布する段階と、
ｂ−２）前記バンプが前記接着剤および絶縁層を貫通するように、両面に接着剤が塗布された前記絶縁層を前記バンプ上に積層する段階とを含むことを特徴とする、請求項４に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ｃ）段階は、前記プリント基板の両面に加えられる熱によって前記接着剤が溶けて前記第１金属層と前記第２金属層を前記絶縁層の両面に接着させる段階を含むことを特徴とする、請求項９に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１１】
前記ｅ）段階は、前記絶縁層と前記接着剤を硬化させる段階を含むことを特徴とする、請求項４に記載のプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板およびその製造方法に係り、特に、回路パターンの厚さを減らして微細回路を実現し、回路パターンを絶縁層に内蔵してプリント基板の厚さを減らすうえ、プリント基板の工程時間および工程コストを減らすことが可能なプリント基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子製品の軽薄短小化および多機能化に伴い、電子製品に取り付けられるパッケージ(Package)の薄型化が必要になった。このため、パッケージの重要な構成部品の一つである基板に対して大型化および高密度化が要求されている趨勢である。
【０００３】
図４Ａ〜図４Ｄは従来の技術に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【０００４】
まず、図４Ａに示すように、絶縁層１０２の両面に金属層１０４が積層された金属層積層板１００を準備する。
【０００５】
その後、ドリル工程によって、図４Ｂに示すように、金属層積層板を貫通するビアホール１０６を形成する。
【０００６】
ビアホール１０６を形成した後は、無電解銅メッキ工程および電解銅メッキ工程によって、図４Ｃに示すように、ビアホール１０６の内壁と金属層１０４上に無電解銅メッキ層１０８および電解銅メッキ層１１０を形成する。
【０００７】
無電解銅メッキ層１０８および電解銅メッキ層１１０を形成した後は、電解銅メッキ層１１０上にドライフィルム（図示せず）を塗布した後、露光および現像工程によって、回路パターンが形成されるべき部分を除いた残部のドライフィルムを除去する。
【０００８】
その後、エッチング液を用いて、ドライフィルムが除去された部分の電解銅メッキ層１１０、無電解銅メッキ層１０８および金属層１０４をエッチングすることにより、図４Ｄに示すように、絶縁層１０２の両面に回路パターン１１２を形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、このような従来の技術に係るプリント基板の製造方法は、絶縁層１０２の両面に金属層１０４、無電解銅メッキ層１０８および電解銅メッキ層１１０からなる回路パターン１１２が形成されるから回路パターン１１０の厚さが厚くなるだけでなく、回路パターン１１２が絶縁層１０２の両面に露出されるように形成されるからプリント基板の厚さが増加するという問題点がある。
【００１０】
また、従来の技術に係るプリント基板の製造方法は、回路パターン１１２が金属層１０４、無電解銅メッキ層１０８および電解銅メッキ層１１０からなるため、回路パターン１１２の形成の際に回路パターン１１２の上部がオーバーエッチングされるか、あるいは回路パターン１１２の下部がエッチングされないので、所望の回路パターン間の幅、すなわちピッチを実現し難くて微細回路を実現することができないという問題点もある。
【００１１】
しかも、従来の技術に係るプリント基板の製造方法は、無電解銅メッキおよび電解銅メッキ工程を用いて回路パターンを形成するから、プリント基板の工程時間が増加するという問題点がある。
【００１２】
そこで、本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、
回路パターンの厚さを減らして微細回路を実現するとともに、回路パターンを絶縁層に内蔵してプリント基板の厚さを減らすことが可能なプリント基板およびその製造方法を提供することにある。
【００１３】
また、本発明の他の目的は、プリント基板の工程時間および工程コストを減らすことが可能なプリント基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の実施形態に係るプリント基板は、絶縁層と、前記絶縁層の両面に前記絶縁層に内蔵されるように形成された回路パターンと、前記絶縁層の両面に形成された回路パターン同士を電気的に接続させるために、前記絶縁層を貫通するように形成されたバンプとを含むことを特徴とする。本発明の実施形態に係るプリント基板において、前記回路パターンと前記絶縁層とは接着剤によって接着される。本発明の実施形態に係るプリント基板において、前記接着剤は前記絶縁層より低いガラス転移温度を持つ。
【００１５】
本発明の実施形態に係るプリント基板の製造方法は、ａ）第１金属層上にバンプを形成する段階と、ｂ）前記バンプが絶縁層を貫通するように前記バンプ上に絶縁層を積層する段階と、ｃ）前記絶縁層上に第２金属層をのせた（載置した)後、加熱、加圧して前記第２金属層を前記絶縁層上に積層させる段階と、ｄ）前記第１金属層および前記第２金属層をエッチングして前記絶縁層の両面に回路パターンを形成する段階と、ｅ）前記絶縁層の両面を加熱、加圧して前記回路パターンを前記絶縁層に内蔵させる段階とを含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明の実施形態に係るプリント基板の製造方法において、前記ａ）段階は、ａ−１）前記第１金属層を準備する段階と、ａ−２）前記バンプが形成されるべき部分にホールが形成されたマスクを前記第１金属層上に密着させる段階と、ａ−３）スキージ(squeegee)を用いて導電性ペーストを前記ホールに充填する段階と、ａ−４）前記マスクを除去する段階と、ａ−５）前記充填された導電性ペーストを乾燥させてバンプを形成する段階とを含む。
【００１７】
本発明の実施形態に係るプリント基板の製造方法において、前記ｃ）段階では、５０〜１５０℃の温度と１〜３０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で前記プリント基板の両面を加熱、加圧する。本発明の実施形態に係るプリント基板の製造方法において、前記ｅ）段階では、前記ｃ）段階より高い温度と圧力で前記回路パターンを加熱、加圧して前記回路パターンを前記絶縁層に内蔵させる。本発明の実施形態に係るプリント基板の製造方法において、前記ｅ）段階では、１５０〜３００℃の温度と３０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で前記回路パターンを加熱、加圧する。
【００１８】
本発明の実施形態に係るプリント基板の製造方法において、前記ｂ）段階は、ｂ−１）前記絶縁層の両面に接着剤を塗布する段階と、ｂ−２）前記バンプが前記接着剤および絶縁層を貫通するように、両面に接着剤が塗布された前記絶縁層を前記バンプ上に積層する段階とを含む。本発明の実施形態に係るプリント基板の製造方法において、前記ｃ）段階は、前記プリント基板の両面に加えられる熱によって前記接着剤が溶けて前記第１金属層と第２金属層を前記絶縁層の両面に接着させる段階を含む。本発明の実施形態に係るプリント基板の製造方法において、前記ｅ）段階は、前記絶縁層と前記接着剤を硬化させる段階を含む。
【発明の効果】
【００１９】
本発明は、回路パターンが金属層のみで構成されるから回路パターンの厚さを減らすことができて、回路パターン形成のための金属層エッチングの際に回路パターンの上部がオーバーエッチングされるか、あるいは回路パターンの下部がエッチングされないことを防止することができるため、微細回路を実現することができる。  
また、本発明は、回路パターンを絶縁層に内蔵させるからプリント基板の厚さを減らすことができるうえ、絶縁層の両面に塗布された接着剤によって回路パターンと絶縁層間の接着力を向上させることができる。  
また、本発明は、回路パターン形成の際に無電解銅メッキ工程および電解銅メッキ工程を行わないから、プリント基板の工程時間および工程コストを減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
図１は本発明の実施形態に係るプリント基板を示す図である。図１を参照すると、本発明の実施形態に係るプリント基板は、絶縁層６と、絶縁層６に内蔵されるように絶縁層６の両面に形成された回路パターン１０ａ、１０ｂと、絶縁層６を貫通するように形成され、絶縁層６の両面に形成された回路パターン同士１０ａ、１０ｂを電気的に接続させるバンプ４とを含む。
【００２２】
絶縁層６は、エポキシ樹脂(Epoxy resin)を材料として使用し、両面に形成された回路パターン同士１０ａ、１０ｂを電気的に遮断する役割を果たす。
【００２３】
回路パターン１０ａ、１０ｂは、絶縁層６に内蔵されるように絶縁層６の両面に形成される。このような回路パター１０ａ、１０ｂは金属層で形成される。この際、絶縁層６と回路パターン１０ａ、１０ｂとは絶縁層６よりＴｇ（ガラス転移温度）が低いエポキシタイプの接着剤によって接着される。
【００２４】
バンプ４は、絶縁層６を貫通するように形成され、絶縁層６の両面に形成された回路パターン同士１０ａ、１０ｂを電気的に接続させる。
【００２５】
図２Ａ〜図２Ｆは本発明の一実施形態に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【００２６】
まず、図２Ａに示すように、第１金属層２を準備する。この際、第１金属層２としては銅箔が使用される。
【００２７】
その後、図２Ｂに示すように、第１金属層２上にバンプ４を形成する。このようなバンプ４は、層間接続のためのものであって、第１金属層２上に、バンプ４が形成されるべき部分にホールが形成されたマスクを密着させ、その後、スキージ(squeegee)で導電性ペーストを印刷してホールに導電性ペーストを充填した後、マスクを除去する。この際、導電性ペーストが高い粘度を持つため、導電性ペーストを印刷した後は、乾燥工程によって導電性ペーストを乾燥させてバンプ４を形成する。
【００２８】
また、バンプ４の形成の際には、導電性ペーストの印刷および乾燥工程を多数回（例えば、３〜４回）繰り返してバンプ４の高さを調節する。
【００２９】
バンプ４を形成した後は、図２Ｃに示すように、バンプ４上に絶縁層６を積層させる。この際、絶縁層６としては半硬化状態のプリプレグ(Prepreg)またはエポキシ樹脂が使用され、また、絶縁層６はバンプ４が絶縁層６を貫通するようにバンプ４上に積層される。
【００３０】
絶縁層６を積層した後は、図２Ｄに示すように、絶縁層６上に第２金属層８をのせた（載置した）後、第１プレスで加熱、加圧して絶縁層６上に第２金属層８、すなわち銅箔を積層させる。
【００３１】
この際、絶縁層６は半硬化状態を維持する。そして、第１プレスは、第２金属層８の積層の際に５０〜１５０℃の温度と１〜３０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力でプリント基板の両面、すなわち第１金属層２および第２金属層８を加熱、加圧して絶縁層６の上部に第２金属層８を積層させる。
【００３２】
第２金属層８を積層させた後は、第１金属層２および第２金属層８上にドライフィルム（図示せず）を塗布した後、露光および現像工程によって、回路パターンが形成されるべき部分を除いた残部のドライフィルムを除去する。
【００３３】
その後、エッチング液を用いて第１金属層２および第２金属層８をエッチングすることにより、図２Ｅに示すように、絶縁層６の両面に回路パターン１０ａ、１０ｂを形成する。回路パターン１０ａ、１０ｂを形成した後、回路パターン１０ａ、１０ｂ上に残っているドライフィルムを除去する。
【００３４】
その次、第２プレスによって、回路パターン１０ａ、１０ｂが形成されたプリント基板を加熱、加圧することにより、回路パターン１０ａ、１０ｂを絶縁層６に内蔵させる。この際、回路パターン１０ａ、１０ｂの上面は絶縁層６と面一になる。言い換えれば、絶縁層６に内蔵された回路パターン１０ａ、１０ｂの上面が絶縁層６の表面と面一になるよう、回路パターン１０ａ、１０ｂが絶縁層６に内蔵される。
【００３５】
ここで、第２プレスは、第１プレスより高い温度と圧力、すなわち１５０〜３００℃の温度と３０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で回路パターン１０ａ、１０ｂを加熱、加圧して絶縁層６に回路パターン１０ａ、１０ｂを内蔵させる。この際、半硬化状態の絶縁層６は硬化する。
【００３６】
このようにＢ２ｉｔ(Buried Bump Interconnection Technology)工法を用いた本発明の一実施形態に係るプリント基板の製造方法は、回路パターン１０ａ、１０ｂが金属層２、８のみで構成されるから回路パターン１０ａ、１０ｂの厚さを減らすことができて、回路パターン１０ａ、１０ｂの形成のための金属層２、８のエッチングの際に回路パターン１０ａ、１０ｂの上部がオーバーエッチングされるか、あるいは回路パターン１０ａ、１０ｂの下部がエッチングされないことを防止することができるため、微細回路を実現することができる。
【００３７】
また、本発明の一実施形態に係るプリント基板の製造方法は、回路パターン１０ａ、１０ｂを絶縁層６に内蔵させるから、プリント基板の厚さを減らすことができる。
【００３８】
さらに、本発明の一実施形態に係るプリント基板の製造方法は、回路パターン１０ａ、１０ｂの形成の際に無電解銅メッキ工程および電解銅メッキ工程を行わないから、プリント基板の工程時間および工程コストを減らすことができる。
【００３９】
図３Ａ〜図３Ｆは本発明の他の実施形態に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【００４０】
まず、図３Ａに示すように、第１金属層２２を準備する。この際、第１金属層２２としては銅箔が使用される。
【００４１】
その後、図３Ｂに示すように、第１金属層２２上にバンプ２４を形成する。このようなバンプ２４は、層間接続のためのものであって、第１金属層２２上に、バンプ２４が形成されるべき部分にホールが形成されたマスクを密着させ、その後、スキージで導電性ペーストを印刷してホールに導電性ペーストを充填した後、マスクを除去する。この際、導電性ペーストが高い粘度を持つため、導電性ペーストを印刷した後は、乾燥工程によって導電性ペーストを乾燥させてバンプ２４を形成する。
【００４２】
また、バンプ２４の形成の際には導電性ペーストの印刷および乾燥工程を多数回（例えば、３〜４回）繰り返してバンプ２４の高さを調節する。
【００４３】
バンプ２４を形成した後は、図３Ｃに示すように、両面に接着剤３２が塗布された絶縁層２６をバンプ２４上に積層させる。すなわち、絶縁層２６の両面に接着剤３２を塗布した後、両面に接着剤３２が塗布された絶縁層２６をバンプ２４上に積層させる。この際、接着剤３２としては、以後形成されるべき回路パターンと絶縁層２６間の接着力を向上させるために、絶縁層２６よりＴｇ（ガラス転移温度）が低いエポキシタイプの製品が使用され、絶縁層２６としては、半硬化状態のエポキシ樹脂が使用される。
【００４４】
上述した図３Ｃに示した絶縁層２６の積層工程において、バンプ２４は絶縁層２６および接着剤３２を貫通するように形成される。絶縁層２６を積層した後は、図３Ｄに示すように、絶縁層２６上に第２金属層２８をのせた（載置した)後、第１プレスで加熱、加圧して絶縁層２６上に第２金属層２８を積層させる。この際、絶縁層２６は半硬化状態を維持する。
【００４５】
そして、第１プレスは、第２金属層２８の積層の際に５０〜１５０℃の温度と１〜３０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力でプリント基板の両面、すなわち第１金属層２２および第２金属層２８を加熱、加圧して絶縁層２６の上部に第２金属層２８を積層させる。この際、絶縁層２６の両面に塗布された接着剤３２は、第１プレスによって加えられる熱によって溶けて第１金属層２２と第２金属層２８を絶縁層２６の両面に接着させる。このような接着剤３２によって絶縁層２６と第１金属層２２間、および絶縁層２６と第２金属層２８間の接着力は向上する。
【００４６】
第２金属層２８を積層させた後は、第１金属層２２および第２金属層２８上にドライフィルム（図示せず）を塗布した後、露光および現像工程によって、回路パターンが形成されるべき部分を除いた残部のドライフィルムを除去する。
【００４７】
その後、エッチング液を用いて第１金属層２２および第２金属層２８をエッチングすることにより、図３Ｅに示すように、絶縁層２６の両面に回路パターン３０ａ、３０ｂを形成する。回路パターン３０ａ、３０ｂを形成した後は、回路パターン３０ａ、３０ｂ上に残っているドライフィルムを除去する。
【００４８】
その後、第２プレスによって、回路パターン３０ａ、３０ｂが形成された基板を加熱、加圧することにより、回路パターン３０ａ、３０ｂを絶縁層２６に内蔵させる。この際、回路パターン３０ａ、３０ｂの上面は絶縁層２６と面一になる。言い換えれば、絶縁層２６に内蔵された回路パターン３０ａ、３０ｂの上面が絶縁層２６の表面と面一になるように、回路パターン３０ａ、３０ｂが絶縁層２６に内蔵される。
【００４９】
ここで、第２プレスは、第１プレスより高い温度と圧力、すなわち１５０〜３００℃の温度と３０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で回路パターン３０ａ、３０ｂを加熱、加圧して、絶縁層２６に回路パターン３０ａ、３０ｂを内蔵させる。
【００５０】
この際、半硬化状態の絶縁層２６、および絶縁層２６の両面に塗布された接着剤３２が硬化する。
【００５１】
このようにＢ２ｉｔ工法を用いた本発明の他の実施形態に係るプリント基板の製造方法は、回路パターン３０ａ、３０ｂが金属層２２、２８のみで構成されるから回路パターン３０ａ、３０ｂの厚さを減らすことができて、回路パターン３０ａ、３０ｂの形成のための金属層２２、２８のエッチングの際に回路パターン３０ａ、３０ｂの上部がオーバーエッチングされるか、回路パターン３０ａ、３０ｂの下部がエッチングされないことを防止することができるため、微細回路を実現することができる。
【００５２】
また、本発明の他の実施形態に係るプリント基板の製造方法は、絶縁層２６の両面に塗布された接着剤３２が絶縁層２６と回路パターン３０ａ、３０ｂとを接着させるため、本発明の一実施形態に係るプリント基板の製造方法によって形成されるプリント回路基板に比べて絶縁層２６と回路パターン３０ａ、３０ｂ間の接着力が向上する。
【００５３】
また、本発明の他の実施形態に係るプリント基板の製造方法は、回路パターン３０ａ、３０ｂを絶縁層２６に内蔵させるからプリント基板の厚さを減らすことができるだけでなく、絶縁層２６の両面に塗布された接着剤３２によって回路パターン３０ａ、３０ｂと絶縁層２６間の接着力を向上させることができる。なお、本発明の他の実施形態に係るプリント基板の製造方法は、回路パターン３０ａ、３０ｂの形成の際に無電解銅メッキ工程および電解銅メッキ工程を行わないから、プリント基板の工程時間および工程コストを減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施形態に係るプリント基板を示す図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２Ｅ】本発明の一実施形態に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２Ｆ】本発明の一実施形態に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３Ａ】本発明の他の実施形態に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３Ｂ】本発明の他の実施形態に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３Ｃ】本発明の他の実施形態に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３Ｄ】本発明の他の実施形態に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３Ｅ】本発明の他の実施形態に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３Ｆ】本発明の他の実施形態に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図４Ａ】従来の技術に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図４Ｂ】従来の技術に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図４Ｃ】従来の技術に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図４Ｄ】従来の技術に係るプリント基板の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
２、８、１０４、２２、２８  金属層
４、２４  バンプ
６、２６、１０２  絶縁層
１０ａ、１０ｂ、３０ａ、３０ｂ、１１２  回路パターン
３２  接着剤
１００  金属層積層板
１０６  ビアホール
１０８  無電解銅メッキ層
１１０  電解銅メッキ層
【図１】
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【図２Ａ】
2008300819.tif 000004
【図２Ｂ】
2008300819.tif 000005
【図２Ｃ】
2008300819.tif 000006
【図２Ｄ】
2008300819.tif 000007
【図２Ｅ】
2008300819.tif 000008
【図２Ｆ】
2008300819.tif 000009
【図３Ａ】
2008300819.tif 000010
【図３Ｂ】
2008300819.tif 000011
【図３Ｃ】
2008300819.tif 000012
【図３Ｄ】
2008300819.tif 000013
【図３Ｅ】
2008300819.tif 000014
【図３Ｆ】
2008300819.tif 000015
【図４Ａ】
2008300819.tif 000016
【図４Ｂ】
2008300819.tif 000017
【図４Ｃ】
2008300819.tif 000018
【図４Ｄ】
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