(57)【要約】【課題】  フィラメント現象が低減でき、簡単な構成で大出力の擬似回折限界光が得られるレーザ増幅装置を提供することを目的としている。【解決手段】  レーザ増幅装置において、水平方向に広がるテーパ形状の利得領域を有するテーパ型レーザ増幅器と、前記テーパ型レーザ増幅器の前記利得領域の入射端に対向配置されるレンズが先端部に形成され、この先端部で水平方向の偏波面を保存する偏波面保存光ファイバを有する光結合手段であって、前記レンズから放射した光が前記利得領域の入射端に水平方向で含まれるように入射し、この入射した光が前記テーパ形状の広がり角より水平方向に大きい広がり角で前記利得領域を伝播し、この伝播した光が前記利得領域の出射端を水平方向で含むように、前記偏波面保存光ファイバを配置した光結合手段と、を備えた。【選択図】  図１
2008258531.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平方向に広がるテーパ形状の利得領域を有するテーパ型レーザ増幅器と、
前記テーパ型レーザ増幅器の前記利得領域の入射端に対向配置されるレンズが先端部に形成され、この先端部で水平方向の偏波面を保存する偏波面保存光ファイバを有する光結合手段であって、前記レンズから放射した光が前記利得領域の入射端に水平方向で含まれるように入射し、この入射した光が前記テーパ形状の広がり角より水平方向に大きい広がり角で前記利得領域を伝播し、この伝播した光が前記利得領域の出射端を水平方向で含むように、前記偏波面保存光ファイバを配置した光結合手段と、
を備えたことを特徴とするレーザ増幅装置。
【請求項２】
直線偏光としてのレーザ光を出力するレーザ光源と、
水平方向に広がるテーパ形状の利得領域を有するテーパ型レーザ増幅器と、
前記テーパ型レーザ増幅器の前記利得領域の入射端に対向配置されるレンズが先端部に形成され、この先端部で水平方向の偏波面を保存する偏波面保存光ファイバを有する光結合手段であって、前記レンズと前記利得領域の入射端との間隔を最大の結合効率が得られる位置よりも前記レンズの光軸に沿って遠ざけるように、前記偏波面保存光ファイバを配置した光結合手段と、を備え、
前記偏波面保存光ファイバを伝播して前記レンズから放射した水平方向の偏波面をもつ直線偏光としての前記レーザ光源からのレーザ光の光密度が前記利得領域の入射端で飽和利得密度より高いことを特徴とするレーザ装置。
【請求項３】
直線偏光としてのレーザ光を出力するレーザ光源と、
水平方向に広がるテーパ形状の利得領域を有するテーパ型レーザ増幅器と、
前記テーパ型レーザ増幅器の前記利得領域の入射端に対向配置されるレンズが先端部に形成され、この先端部で垂直方向の偏波面を保存する偏波面保存光ファイバを有する光結合手段であって、前記偏波面保存光ファイバを伝播して前記レンズから放射した垂直方向の偏波面をもつ直線偏光としての前記レーザ光源からのレーザ光が前記利得領域の入射端に入射するように、前記偏波面保存光ファイバを配置した光結合手段と、
を備えたことを特徴とするレーザ装置。
【請求項４】
前記レンズの水平方向の曲率半径が略１１μｍであることを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置、もしくは、請求項２または請求項３に記載のレーザ装置。
【請求項５】
前記利得領域の広がり全角が略６°であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置、もしくは、請求項２または請求項３に記載のレーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、テーパ形状の利得領域を含むレーザ増幅装置およびレーザ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばレーザプリンタ装置やレーザディスプレイ装置で大出力のレーザ装置が求められている。このようなレーザ装置の一種として、テーパストライプを有する半導体光増幅器（テーパ型レーザ増幅器）と、先端部がレンズに加工された光ファイバグレーティングとから構成されたものが知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００-２６１０８９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された従来のテーパ型レーザ増幅器は、テーパストライプが入力端で幅４μｍの直線部とテーパ部とから構成されているので、テーパ部の両側端に沿ったキャリア密度の急変によるレンズ効果で光線が収束するフィラメント現象が発生する場合があるという問題点があった。
【０００５】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、フィラメント現象が低減でき、簡単な構成で大出力の擬似回折限界光が得られるレーザ増幅装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係るレーザ増幅装置は、水平方向に広がるテーパ形状の利得領域を有するテーパ型レーザ増幅器と、前記テーパ型レーザ増幅器の前記利得領域の入射端に対向配置されるレンズが先端部に形成され、この先端部で水平方向の偏波面を保存する偏波面保存光ファイバを有する光結合手段であって、前記レンズから放射した光が前記利得領域の入射端に水平方向で含まれるように入射し、この入射した光が前記テーパ形状の広がり角より水平方向に大きい広がり角で前記利得領域を伝播し、この伝播した光が前記利得領域の出射端を水平方向で含むように、前記偏波面保存光ファイバを配置した光結合手段と、を備えたものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明は、レーザ増幅装置において、テーパ形状の利得領域の両側端に沿ったフィラメント現象が低減できるので、簡単な構成で大出力の擬似回折限界光が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
実施の形態１．
この発明の実施の形態１によるレーザ増幅装置は、テーパ型レーザ増幅器の入射端に先端レンズ付き偏波面保存光ファイバを対向配置し、入射端で伝播光の幅が利得領域の幅より狭く、出射端で伝播光の幅が利得領域の幅より広くし、伝播光の境界と利得領域の境界をずらすように構成したものである。これにより、テーパ形状の利得領域の両側端に沿ったフィラメント現象が低減できるので、大出力の擬似回折限界光が得られる。
【０００９】
図１はこの発明の実施の形態１によるレーザ装置の構成を示す上面図、図２はその側面図、図３は光入射の様子を示す説明図、図４は光入射方法によるテーパ型レーザ増幅器の出力の光強度分布を示す説明図、図５は光入射方法によるテーパ型レーザ増幅器の出力のビーム品質を示す説明図である。図において、１は半導体レーザダイオード素子、２は偏波面保存光ファイバ、３はテーパ型レーザ増幅器である。
【００１０】
次に、詳細な構成と動作について説明する。半導体レーザダイオード素子１は、光導波路１ａを有するファブリペロー共振器型のレーザダイオード素子であり、波長１０６４ｎｍ帯に利得の最大値を有し、光の取り出し効率を上げるため裏面に反射率９０％の高反射膜１ｂ、前面に反射率０．５％の低反射膜１ｃが施されており、半導体レーザダイオード素子１の単体では多縦モードで発振するものである。
【００１１】
また、半導体レーザダイオード素子１において、光導波路１ａは厚み方向にはＩｎＧａＡｓ単一量子井戸活性層と光ガイド層とクラッド層とから構成され、単一横モードで発振する。一方、光導波路１ａは面方向には信頼性を向上させるために電流密度や光密度を比較的に低く抑える必要があり、幅の広いリッジ型光導波路が採用されている。従って、光導波路としての閉じ込めが緩いため、注入電流値が小さいときには基本モード、つまり単一横モードで励振されるが、注入電流値が大きくなり光密度が高くなると空間的ホールバーニング効果により高次モードが励振されやすいという特徴があり、使用する光出力まで基本モードが維持されるように４〜６μｍ程度の幅とされている。なお、偏波消光比はレーザ発振の電流閾値以上で、素子出射位置では２７ｄＢ近くになる。
【００１２】
次に、モードフィールド径６．６μｍの偏波面保存光ファイバ２を採用し、そのコア部２ａに位相マスクを介して紫外線を照射することによりブラッグ回折格子２ｂを配設している。偏波面保存光ファイバ２は伝搬モードであるＨＥ１１偶数モードとＨＥ１１奇数モードの伝搬速度を変えることで両モードの結合を防いでいるため、直線偏波の光を偏波面保存光ファイバ２のスロー軸かファースト軸に一致させると直線偏波が維持される。一方、光導波路２ａの等価屈折率がファースト軸とスロー軸で若干異なることからブラッグ回折格子２ｂの反射ピーク波長がファースト軸とスロー軸でずれるが、ここでは曲げ損失に強くなるように電界方向（水平方向）をスロー軸に合わせており、偏波消光比は偏波面保存光ファイバ２の固定時の応力で劣化するものの出射端でも２０ｄＢ以上となっている。
【００１３】
半導体レーザダイオード素子１の出射ビームは光導波路１ａが扁平であることからアスペクト比（ビームの楕円率）が大きく、円形の光導波路２ａを備えた偏波面保存光ファイバ２と低損失で光学結合するために、偏波面保存光ファイバ２の入射端面２ｃをバイコニカルレンズ加工しており、非対称レンズ系にしてアスペクト比を補正している。
【００１４】
半導体レーザダイオード素子１の利得帯は単一量子井戸構造であるため波長依存性が比較的に緩やかであり、この利得帯の中にブラッグ回折格子２ｂの反射ピーク波長を設定すれば反射ピーク波長付近の利得が最大になり、半導体レーザダイオード素子１の発振波長が制御される。この複合共振器による縦モードは、半導体レーザダイオード素子１とブラッグ回折格子２ｂとの光学長による位相関係と、ブラッグ回折格子２ｂから半導体レーザダイオード１ヘの戻り光量との関係から、単一モード、多モード、コヒーレントコラプスモードなど多彩な状態で発振できる。ここでは、単一モードで発振するように、半導体レーザダイオード素子１の裏面反射率と前面反射率を夫々９０％と０．５％、共振器長を１．８ｍｍ、ブラッグ回折格子２ｂの反射率を３０％、反射帯域幅を０．４ｎｍ、結合効率を８０％として、特にブラッグ回折格子２ｂと半導体レーザダイオード素子１とを１０ｃｍ以下に近接させて配置することで縦モードを安定化させている。
【００１５】
次に、テーパ型レーザ増幅器３は、プレーナ状の活性層３ｃを有し、電流狭窄構造でテーパ形状の利得領域３ａを形成している。利得領域３ａの面方向（水平方向）の入射端の幅は１０μｍ、出射端の幅は３２４μｍ、利得領域３ａのテーパ形状の広がり全角は６度（光軸に対して３度）、利得領域３ａの光軸方向の長さは３ｍｍ、利得領域３ａの屈折率は３．５である。また、フィラメント現象を防止するため、テーパ型レーザ増幅器３のチップの両端面に反射防止膜３ｂを施している。なお、偏波面保存光ファイバ２のコア２ａは円形であるため、出射端面２ｄをバイコニカルレンズ加工して、厚み方向（垂直方向）には量子井戸と光ガイド層から構成される光導波路３ｃの導波モードのスポット径０．６μｍとモード整合させ、面方向（水平方向）にはスポット径が略１．６５μｍで入射させてガウスビームモードでテーパ型レーザ増幅器３の利得領域３ａを伝搬させ、光増幅するようにした。なお、バイコニカルレンズ２ｄの垂直方向と水平方向における曲率半径は夫々４μｍと１１μｍである。
【００１６】
図３において、利得領域３ａのテーパ部の広がり半角θを３度、波長λを１０６４ｎｍ、屈折率ｎを３．５とする場合、式（１）により、ビームウエストとしての光のスポット径ωを１．８μｍとするとき、光強度が1／ｅ２の光線は図３の破線４ｃに示すようにテーパ形状の利得領域３ａに沿って伝搬する。
ω＝λ／{π・ｎ・ｔａｎ（θ）}                      （１）
【００１７】
ここで、テーパ型の利得領域３ａの両側端に沿った位置ではキャリア密度が急変するため、大きなキャリア誘起の屈折率変化によるレンズ効果が発生し、強いフィラメント現象が発生する場合がある。図４（ａ）は、スポット径４ａが、式（１）で計算されるビームウエストとしてのスポット径にほぼ等しい約１．８μｍの先端レンズ付き偏波面保存光ファイバ２で光を入射し、注入電流８Ａで駆動したテーパ型レーザ増幅器３の出力端で近視野像を観測した観測結果を示す説明図である。図４（ａ）において、縦軸は（相対的）光強度、横軸は（相対的）水平方向位置である。図４（ａ）に示すとおりテーパ型の利得領域３ａの両側端に沿った位置に上述のフィラメント現象に対応する光強度ピーク５ａが観察される。また、図５にビーム品質（Ｍ２）の注入電流依存性を示す。図４（ａ）に対応するビームウエストとしてのスポット径約１．８μｍで光入射した場合について符号６ａを付して示す。図５において、低い電流では光増幅が少ないためガウス状の光出力分布でビーム品質が良く、電流増加に伴ってトップハット状の光出力分布になるに伴い、徐々にビーム品質が劣化する。そして、電流８Ａ程度になると、図４（ａ）に示すように利得領域の両端に強いフィラメント現象に対応する光強度ピーク５ａを伴った光出力分布となる問題があるのである。
【００１８】
次に、この発明の実施の形態１による特徴が発揮されるテーパ型レーザ増幅器の光結合手段の作用効果について説明する。この発明の実施の形態１では、図３において、入射光のビームウエストとしてのスポット径４ａを式（１）で計算されるビームウエストとしてのスポット径４ｂよりも小さくするとともに、光強度が1／ｅ２の光線の広がり角４ｄをテーパ型の利得領域３ａの広がり半角４ｃよりも大きくし、光強度が1／ｅ２の光線は図３の実線４ｄのようにテーパ型の利得領域３ａの境界４ｃを交差するように伝搬させる。このようにすると、テーパ型の利得領域３ａの入力側において伝播光の光密度が強まるので、注入電流密度が低い時からテーパ型の利得領域３ａ全体が利得飽和して光出力分布がトップハット状になり、効率的に光増幅を行なうことができる。さらに、テーパ型の利得領域３ａの出力側において伝播光が電流注入領域を全て覆い、注入電流が無駄にならず、大出力の増幅光を得ることができる。また、光強度分布の1／ｅ２としての伝播光の境界４ｄを、利得領域３ａの境界４ｃから内側または外側にずらして重なりが少なくなるようにしたので、テーパ部の両側端に沿ったキャリア密度の急変によるキャリア誘起の屈折率変化であるレンズ効果が減少するため、両側端のフィラメント現象が減少するという格別の効果が得られるのである。
【００１９】
図４（ｂ）は、入射光のビームウエストとしてのスポット径４ａが約１．７μｍの先端レンズ付き偏波面保存光ファイバ２で光を入射し、注入電流８Ａで駆動したテーパ型レーザ増幅器３の出力端で近視野像を観測した観測結果を示す説明図である。図４（ｂ）において、縦軸は（相対的）光強度、横軸は（相対的）水平方向位置である。図４（ｂ）に示すとおり、テーパ型の利得領域３ａの全体にわたってほぼ一定の輝度を持つトップハット状の光出力分布が観察される。この様子をビーム品質（Ｍ２）で観察すると、図５において、符号６ｂを付して示すとおり、低い電流領域でビーム形状がトップハット状になるためビーム品質の劣化が早いが、高い電流領域ではフィラメント現象に対応する光強度ピーク５ｂが低減されるためビーム品質が比較的低い位置で安定し、擬似回折限界光が得られる。つまり、６Ａ以上の大電流領域でビーム品質を比較すると本発明による構成が優位となることがわかる。
【００２０】
なお、入力光の強度分布に小さなリプル状の乱れがあると、テーパ型レーザ増幅器の出力端では大きな振幅の出力分布が出来てしまうシングルパスフィラメント現象が知られている。このため、光ファイバの単一横モードをビーム変換するレンズは極めて収差の小さいものである必要がある。本発明による光ファイバ先端に加工したマイクロレンズは、レンズの光軸からの光線高さが小さい位置で屈折させるので、収差が非常に小さく、シングルパスフィラメント現象を低減できる効果がある。
【００２１】
また、この発明の実施の形態１は以上のように構成したので、テーパ型レーザ増幅器３の入力部に、単一横モードを伝搬させるためのリッジ導波路（直線部）や、出力端面の残留反射による反射戻り光が再びテーパ型の利得領域に戻らなくするための反射スポイラーを設ける必要が無く、構造が簡単なものが得られる効果がある。
【００２２】
以上のように、この発明の実施の形態１によるレーザ増幅装置においては、テーパ型レーザ増幅器の入射端に先端レンズ付き偏波面保存光ファイバを対向配置し、入射端で伝播光の幅を利得領域の幅より狭く、出射端で伝播光の幅を利得領域の幅より広くし、伝播光の境界と利得領域の境界をずらすように構成したものである。これにより、テーパ形状の利得領域の両側端に沿ったフィラメント現象が低減できるので、大出力の擬似回折限界光が得られる。さらに、利得領域の入力端付近で伝播光の光密度が強まるので、利得領域全体が利得飽和して効率的に光増幅を行なうことができる。
【００２３】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２によるレーザ装置は、テーパ型レーザ増幅器の入射端に先端レンズ付き偏波面保存光ファイバを対向配置し、これらの間隔を広げ、デフォーカスして結合し、かつ入射光の光密度が利得領域の入射端で飽和利得密度より高くなるように構成したものである。これにより、軸ずれに対する出力光の変化を小さくすることができる。
【００２４】
図６は、この発明の実施の形態２によるレーザ装置を示す構成図であり、図７、図８は、この発明の実施の形態２によるレーザ装置を説明するための説明図である。図６において、２は偏波面保存光ファイバ、３はテーパ型レーザ増幅器である。なお、半導体レーザダイオード素子１を含め、これらの詳細な構造は、図１、図２に示した実施の形態１によるものの構造と同様である。
【００２５】
この発明の実施の形態２によるレーザ増幅装置は、図６に示すとおり、偏波面保存光ファイバ２の先端に加工されたレンズ２ｄとテーパ型レーザ増幅器３の導波路３ａとの間隔を広げ、ビームウエストとしてのスポット径４ａ、４ｃでの最適結合位置からデフォーカスして結合した点が一つの特徴である。
【００２６】
次に動作について説明する。図７にＴＥ偏波の入射光とテーパ型レーザ増幅器３の導波路３ｃとをモード整合した条件における出力光の入力光依存性を実線７ａで示す。図より、入力光はテーパ型の利得領域の入力位置における光密度が略１ｍＷ／μｍ、すなわち１０ｍＷ程度の７ｂになるとほぼ利得飽和するので、従来、光出力が小さいけれども縦単一モードが安定に得られる分布帰還型レーザダイオード素子を用い、１０ｍＷの飽和利得密度７ｂの光入力で利用される。これに対して、この発明の実施の形態２では、図６に示すように光導波路３ｃとビームウエスト４ｅとをデフォーカスするとともに、入力光の強度を飽和利得密度７ｂよりも十分に大きくしたことを特徴とする。この発明の実施の形態２による構成では、ファブリペロー型の半導体レーザダイオード素子１を光ファイバ回折格子２ｂで波長制御しているため、ファイバ端の光出力を１００ｍＷ程度は容易に得られるため、現実的な構成になっている。
【００２７】
以上のように構成すると、偏波面保存光ファイバ２とテーパ型レーザ増幅器３の軸ずれ特性が最も急峻となる垂直方向における軸ずれ対して、テーパ型レーザ増幅器３の動作点が図７の入力光対出力光が緩やかな領域７ｃの範囲内になるので、軸ずれに対する結合効率の変化量と比べて、軸ずれに対する出力光の変化量が略１／５になるという格別な効果があり、信頼性の高いものが提供できる。例えば、図８（ａ）は偏波面保存光ファイバ２とテーパ型レーザ増幅器３とを最適結合位置から５μｍ遠ざけた時の垂直方向の軸ずれに対する光出力の変化を示すものである。図より、垂直方向に２μｍ軸ずれしても出力変化量は１ｄＢ程度であり、トレランスが大変に緩やかになることがわかる。
【００２８】
また、上述の実施の形態１で説明したように、テーパ型レーザ増幅器３は、例えば単一横モードを伝搬するためのリッジ導波路ではなく、水平方向に導波機能がないプレーナ状のスラブ導波路構造としているので、図８（ｂ）に示す通り、水平方向に光ファイバを大きく軸ずれさせても出力変化は大変に小さいという格別の効果がある。
【００２９】
以上のように、この発明の実施の形態２によるレーザ装置においては、テーパ型レーザ増幅器の入射端に先端レンズ付き偏波面保存光ファイバを対向配置し、これらの間隔を広げ、デフォーカスして結合し、かつ入射光の光密度が利得領域の入射端で飽和利得密度より高くなるように構成したものである。これにより、軸ずれに対する出力光の変化を小さくすることができる。
【００３０】
実施の形態３．
この発明の実施の形態３によるレーザ装置は、ＴＥ偏波の利得が高いテーパ型レーザ増幅器の入射端に先端レンズ付き偏波面保存光ファイバを対向配置し、偏波面保存光ファイバをねじり、ＴＭ偏波で入射させるように構成したものである。これにより、マスタ発振器としての半導体レーザダイオードに対して高いアイソレーションが得られる。
【００３１】
図９は、この発明の実施の形態３によるレーザ装置を示す構成図である。図９において、１は半導体レーザダイオード素子、２は偏波面保存光ファイバ、３はテーパ型レーザ増幅器である。なお、これらの詳細な構造は、実施の形態１によるものの構造と同様である。
【００３２】
次に動作について説明する。図９において、この発明の実施の形態３によるレーザ装置においては、半導体レーザダイオード素子１から出力したＴＥ偏波８ａを、偏波面保存光ファイバ２のスロー軸に一致させて入射させ、次に偏波面保存光ファイバ２を捩じり、テーパ型レーザ増幅器３の光導波路にＴＭ偏波８ｂ（垂直方向の偏波面をもつ直線偏光）で入射させている。このテーパ型レーザ増幅器３の活性層は圧縮歪のＩｎＧａＡｓ単一量子井戸であり、ＴＥ偏波の利得が高いので、出力光はＴＥ偏波８ｃとなる。テーパ型レーザ増幅器３にＴＭ偏波８ｂを入射した時の出力光の入力光依存性を図７に破線７ｄで示す。図７からわかるとおり、全体的に同一の入力光パワーに対してはＴＥ偏波の入力の実線７ａよりも、この発明の実施の形態３による光入力構成であるＴＭ偏波を入射する破線７ｄの方が小さな光出力パワーとなっているものの、実用上は差し支えのない光強度の光出力が得られる。
【００３３】
ここで、テーパ型レーザ増幅器３の出力側から入力側への反射戻り光が発生した場合、ＴＥ偏波の利得が高いことから、反射戻り光の偏光はほとんどがＴＥ偏波成分になるので、偏波面保存光ファイバ２のファースト軸と一致する。そして、偏波面保存光ファイバ２を９０度ねじっているので、反射戻り光は半導体レーザダイオード１の光導波路にＴＭ偏波で入射する。ＴＥ偏波で発振するマスタ発振器としての半導体レーザダイオード１は単一横モードの光導波路を有しているため、反射戻り光が半導体レーザダイオード１にＴＭ偏波で入射した場合は通常はモード変換が起こらないので、高いアイソレーションが得られる効果がある。
【００３４】
なお、上述の実施の形態３においては、ＴＥ偏波をスロー軸に合わせたものを示したが、ＴＥ偏波をファースト軸に合わせたものでも、同様の効果を奏する。
【００３５】
以上のように、この発明の実施の形態３によるレーザ装置においては、ＴＥ偏波の利得が高いテーパ型レーザ増幅器の入射端に先端レンズ付き偏波面保存光ファイバを対向配置し、偏波面保存光ファイバをねじり、ＴＭ偏波で入射させるように構成している。これにより、ＴＥ偏波で発振する半導体レーザダイオードに対して高いアイソレーションが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】この発明の実施の形態１によるレーザ増幅装置を示す構成図
【図２】この発明の実施の形態１によるレーザ増幅装置を示す構成図
【図３】この発明の実施の形態１によるレーザ増幅装置を示す構成図
【図４】この発明の実施の形態１によるレーザ増幅装置を説明するための説明図
【図５】この発明の実施の形態１によるレーザ増幅装置を説明するための説明図
【図６】この発明の実施の形態２によるレーザ装置を示す構成図
【図７】この発明の実施の形態２によるレーザ装置を説明するための説明図
【図８】この発明の実施の形態２によるレーザ装置を説明するための説明図
【図９】この発明の実施の形態３によるレーザ装置を示す構成図
【符号の説明】
【００３７】
１  半導体レーザダイオード素子
２  偏波面保存光ファイバ
２ｄ  レンズ
３  テーパ型レーザ増幅器
３ａ  利得領域
【図１】
2008258531.tif 000003
【図２】
2008258531.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2008258531.tif 000007
【図６】
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【図７】
2008258531.tif 000009
【図８】
2008258531.tif 000010
【図９】
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