(57)【要約】【課題】λ／４位相シフトＤＦＢレーザにおいて、空間的なホールバーニング（キャリア密度低下）を引き起こし、出力光のパワーが小さくなることを防止する。【解決手段】λ／４位相シフトＤＦＢレーザは、誘導放出光を生成するための活性層４０と、この活性層４０の下又は上に積層され、単一縦モード化を図るための回折格子層３０と、活性層４０及び回折格子層３０を上下の方向から挟み込むように積層された上部クラッド層４１，４１ａ及び下部クラッド層２１とを有している。そして、回折格子層３０において、活性層４０を導波される誘導放出光のエバネセント場の及ぶ範囲内に、凹凸の回折格子３３が形成された回折格子形成領域３１と、前記回折格子３３が形成されていない回折格子非形成領域３２とが、交互に周期的に形成されている。【選択図】図１
2008258453.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導放出光を生成するための活性層と、
前記活性層の下又は上に積層され、単一縦モード化を図るための回折格子層と、
前記活性層及び前記回折格子層を上下の方向から挟み込むように積層された上部クラッド層及び下部クラッド層とを有し、
前記回折格子層において、前記活性層を導波される前記誘導放出光のエバネセント場の及ぶ範囲内に、凹凸の回折格子が形成された回折格子形成領域と、前記回折格子が形成されていない回折格子非形成領域とが、交互に周期的に形成されていることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
【請求項２】
前記回折格子形成領域と前記回折格子非形成領域とは、
間隔∧が次式（１）
∧＝ｍ・λｃ／２Neff      ・・・（１）
但し、ｍ；任意の正の整数
λｃ；回折格子層における発光波長
Neff；回折格子層における実効屈折率
を満たす周期で離散されて形成され且つ、前記回折格子非形成領域の幅Ｌａの和Ｌｔｌが、次式（２）
δβ・Ｌｔｌ≒π／２      ・・・（２）
但し、δβ；回折格子層において、回折格子形成領域と回折格子非形成領
域における光の伝播定数の差
を満たすことを特徴とする請求項１記載の分布帰還型半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分布帰還（Distributed  FeedBack）型半導体レーザ（以下単に「ＤＦＢレーザ」という。）に関し、特に、誘導放出光を生成するための活性層に隣接して配置され、単一縦モード化を図るための回折格子層において、凹凸（溝）の回折格子（グレーティング）が形成された回折格子形成領域と、回折格子が形成されていない回折格子非形成領域とが、交互に周期的に形成されたＤＦＢレーザに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＤＦＢレーザは、活性層で生成された誘導放出光が凹凸の回折格子でブラッグ反射することを利用して縦モードを制御することにより、単一縦モード動作が達成されている。
従来のＤＦＢレーザについては、例えば、下記の文献等に記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１−２３１３８９号公報
【特許文献２】特開平８−２７４４０６号公報
【特許文献３】特開平１１−２１２０３８号公報
【非特許文献１】米津宏雄著「光通信素子光学一発光・受光素子」第５版（１９８４）工学図書  ｐ．２５２−２５５
【非特許文献２】栖原敏明著「半導体レーザの基礎」第１版（１９９８）共立出版  ｐ．１２３−１３０
【非特許文献３】栖原敏明著「半導体レーザの基礎」第１版（２００５）共立出版  ｐ．２０８−２１７
【０００４】
前記特許文献２、３及び前記非特許文献１には、一般的なＤＦＢレーザの技術が記載され、更に、前記特許文献１及び非特許文献２、３には、位相シフトＤＦＢレーザの技術が記載されている。
【０００５】
一般に、ブラッグ反射は周期的回折格子によって与えられる。ＤＦＢレーザにおいて、回折格子は、通常は、その素子の活性層に隣接した半導体層（クラッド層）に、その素子の光軸に直交する凹凸（例えば、歯又は溝状）の格子として形成される。
【０００６】
図３（ａ）、（ｂ）は、前記特許文献２、３及び前記非特許文献１等に記載された従来のＤＦＢレーザを示す概略の構成図であり、同図（ａ）は一部を切り欠いた全体の構成を示す斜視図、及び、同図（ｂ）は同図（ａ）中の回折格子層の構成を示す斜視図である。
【０００７】
なお、図３（ａ）の斜視図において、例えば、水平の横方向をＸ軸方向、これに対して直交する水平の縦方向をＹ軸方向、更に、Ｘ軸及びＹ軸に対して直交する垂直方向をＺ軸方向とする。ＤＦＢレーザの材料としては、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＰｂＳｎＴｅ系等が用いられる。ＩｎＧａＡｓＰ系ＤＦＢレーザの従来例が図３に示されている。
【０００８】
このＤＦＢレーザは、Ｘ軸及びＹ軸の水平面に広がるほぼ方形のｎ形ＩｎＰ基板１を有し、この基板１のＸ軸方向のほぼ中央においてＺ軸方向に立ち上がり、且つ、Ｙ軸方向にストライプ状に延びるメサ形（凸形）のｎ型ＩｎＰ下部クラッド層２が突設されている。下部クラッド層２上には、Ｚ軸の上方向に、導波路層である回折格子層３、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４、及びｐ型ＩｎＰ上部クラッド層５の一部の上部クラッド層５ａが順に積層されている。積層されたストライプ状の下部クラッド層２、回折格子層３、活性層４、及び一部の上部クラッド層５ａにおいて、Ｙ軸方向に沿った両側面は、ｐ型ＩｎＰブロック層６及びｎ型ＩｎＰブロック層７からなる電流ブロック層により挟み込まれている。ブロック層７及び一部の上部クラッド層５ａ上には、前記の上部クラッド層５が形成されている。上部クラッド層５上には、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８を介してｐ型電極９が形成され、更に、基板１の下面にも、ｎ型電極１０が形成されている。
【０００９】
なお、図３（ａ）において、基板１の図中の手前側の１／４程度の面積の面は、実際には他の部分と同じように上部半導体層が存在するが、ここでは、当該上部半導体層の断面を示すため、空間のように描いてある。
【００１０】
メサ形の回折格子層３内には、Ｙ軸方向に沿って、複数の凹凸の回折格子３ａが一定の間隔∧で均一に形成されている。
【００１１】
このような構成のＤＦＢレーザの製造方法では、例えば、一連の製造工程にいて、有機金属気相成長（Metal  Organic  Chemical  Vapor  Deposition、以下「ＭＯＣＶＤ）という。）法により、半導体各層をエピタキシャル結晶成長させる。
【００１２】
ＤＦＢレーザでは、ｐ型電極９に正電圧、ｎ型電極１０に負電圧を印加すると、ｐ型電極９には正孔が、ｎ型電極１０には電子が注入され、これらが活性層４に向かって移動する。移動した電子・正孔は、活性層４内で再結合し、ほぼ禁制帯幅のエネルギーに相当する波長の光を発生し、誘導放出される。この誘導放出光は、回折格子層３でブラッグ反射され、レーザ発振が生じてコヒーレントな光が出力される。
【００１３】
発振波長は、活性層４の材料で決まる。ＤＦＢレーザは、室温で連続発振し、シングル・モードで発振し、波長選択性に優れ、電流を変えても発振波長は殆ど変化せず、しかも、発振波長の温度依存性は、屈折率の温度依存性で決まるために依存性が小さい。ＤＦＢレーザは、導波路の一部がフィードバック部になっているため、一枚の基板上でレーザと導波路との接続が可能であり、光集積回路のおける発光源（レーザ）等として使用できる。
【００１４】
ＤＦＢレーザの内、回折格子３ａの位相を、発振する回折格子層３の主に中央でπ／２シフトさせたλ／４位相シフトＤＦＢレーザと呼ばれる、単一縦モード性の高いレーザがある。
【００１５】
図４は、前記非特許文献２等に記載された従来のλ／４位相シフトＤＦＢレーザにおける回折格子層を示す概略の斜視図である。
【００１６】
この回折格子層３Ａでは、Ｙ軸方向のほぼ中央に設けたλ／４位相シフト構成部の回折格子３ｂにより、位相を∧／２（＝π／２）だけシフトさせている。このようなλ／４位相シフトＤＦＢレーザは、低閾値で、しかもブラッグ波長における安定な単一波長発振が可能であるという利点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、従来の図４に示すようなλ／４位相シフトＤＦＢレーザでは、λ／４位相シフト構成部の回折格子３ｂにおいて、電界集中が起こり、バイアス電圧を高くするにつれて電界強度分布が不均一となり、電界強度が大きな部分において空間的なホールバーニング（spatial  hole  burning；キャリア密度低下）を引き起こし、出力光のパワーが小さくなるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明のＤＦＢレーザは、誘導放出光を生成するための活性層と、前記活性層の下又は上に積層され、単一縦モード化を図るための回折格子層と、前記活性層及び前記回折格子層を上下の方向から挟み込むように積層された上部クラッド層及び下部クラッド層とを有している。そして、前記回折格子層において、前記活性層を導波される前記誘導放出光のエバネセント場（evanescent、光の伝搬する範囲）の及ぶ範囲内に、凹凸の回折格子が形成された回折格子形成領域と、前記回折格子が形成されていない回折格子非形成領域とが、交互に周期的に形成されている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のＤＦＢレーザによれば、単一縦モード化を図るための回折格子層内に、回折格子が形成されていない回折格子非形成領域を周期的に離散させているので、λ／４位相シフト構成部において電界強度分布が平坦化され、出力光パワーを増大することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
ＤＦＢレーザは、誘導放出光を生成するための活性層と、前記活性層の下又は上に積層され、単一縦モード化を図るための回折格子層と、前記活性層及び前記回折格子層を上下の方向から挟み込むように積層された上部クラッド層及び下部クラッド層とを有している。そして、前記回折格子層において、前記活性層を導波される前記誘導放出光のエバネセント場の及ぶ範囲内に、凹凸の回折格子が形成された回折格子形成領域と、前記回折格子が形成されていない回折格子非形成領域とが、交互に周期的に形成されている。
【００２１】
前記回折格子形成領域と前記回折格子非形成領域とは、
間隔∧が次式（１）
∧＝ｍ・λｃ／２Neff      ・・・（１）
但し、ｍ；任意の正の整数
λｃ；回折格子層における発光波長
Neff；回折格子層における実効屈折率
を満たす周期で離散されて形成され  且つ、前記回折格子非形成領域の幅Ｌａの和Ｌｔｌが、次式（２）
δβ・Ｌｔｌ≒π／２        ・・・（２）
但し、δβ；回折格子層において、回折格子形成領域と回折格子非形成領
域における光の伝播定数の差
を満たしている。
【実施例１】
【００２２】
（実施例１の構成）
図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施例１を示すＤＦＢレーザの概略の構成図であり、同図（ａ）は一部を切り欠いた全体の構成を示す斜視図、及び、同図（ｂ）は同図（ａ）中の回折格子層の構成を示す斜視図である。
【００２３】
なお、図１（ａ）の斜視図において、従来の図３（ａ）と同様に、例えば、水平の横方向をＸ軸方向、これに対して直交する水平の縦方向をＹ軸方向、更に、Ｘ軸及びＹ軸に対して直交する垂直方向をＺ軸方向とする。ＤＦＢレーザの材料としては、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＰｂＳｎＴｅ系等が用いられる。ＩｎＧａＡｓＰ系ＤＦＢレーザの構成例が図１に示されている。
【００２４】
ＤＦＢレーザは、図１（ａ）に示すように、例えば、活性層にＩｎＧａＡｓＰの多重量子井戸（Multiquantum  Well、以下「ＭＱＷ」という。）を用いた、回折格子形成領域と回折格子非形成領域を周期的に構成したＩｎＧａＡｓＰ系ＤＦＢレーザであり、Ｘ軸及びＹ軸の水平面に広がるほぼ方形の平行平板状のｎ形ＩｎＰ基板２０を有し、この基板表面のＸ軸方向のほぼ中央においてＺ軸方向に一体的に突出し、且つ、Ｙ軸方向にストライプ状に延びるメサ形（凸形）のｎ型ＩｎＰ下部クラッド層２１が突設されている。これらの基板２０と下部クラッド層２１とを合わせて、メサ基板部と称する。
【００２５】
下部クラッド層２１上には、Ｚ軸の上方向に、ストライプ状の導波路層である回折格子層３０が形成されている。回折格子層３０の上面には、Ｙ軸の長手方向の全域に亘って、且つ、この上面の幅と同一幅で、誘導放出光を生成するためのＩｎＧａＡｓＰ活性層４０が均一の膜厚で設けられている。活性層４０の上面には、この上面のＹ軸の長手方向の全域に亘って、且つ、この上面の幅と同一幅で、ｐ型ＩｎＰ上部クラッド層４１の一部からなるメサクラッド層である上部クラッド層４１ａが設けられている。このように、活性層４０は、下側が回折格子層３０を介して下部クラッド層２１と、上側が上部クラッド層４１ａとに挟まれ、この活性層４０中において生成された光が、下部クラッド層２１と上部クラッド層４１ａとによって活性層中に閉じこめられるので、これらの下部クラッド層２１、活性層４０、及び上部クラッド層４１ａにより、積層体が形成されている。
【００２６】
この積層体及び回折格子層３０の両側の基板２０の上面上には、電流ブロック層が設けられている。電流ブロック層は、基板側から、ｐ型ＩｎＰブロック層４２、及びｎ型ＩｎＰブロック層４３が順次積層されて形成されている。つまり、積層されたストライプ状の下部クラッド層２１、回折格子層３０、活性層４０、及び一部の上部クラッド層４１ａにおいて、Ｙ軸方向に沿った両側面は、ｐ型ＩｎＰブロック層４２及びｎ型ＩｎＰブロック層４３からなる電流ブロック層により挟み込まれている。
【００２７】
ブロック層４３及び一部の上部クラッド層４１ａ上には、前記の上部クラッド層４１が形成されている。上部クラッド層４１上には、電極取り出し用のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４４を介して金（Ａｕ）等のｐ型電極４５が形成され、更に、基板２０の下面にも、Ａｕ等のｎ型電極４６が形成されている。
【００２８】
なお、図１（ａ）では、従来の図３（ａ）と同様に、基板２０の図中の手前側の１／４程度の面積の面は、実際には他の部分と同じように上部半導体層が存在するが、ここでは、当該上部半導体層の断面を示すため、空間のように描いてある。
【００２９】
回折格子層３０は、図１（ｂ）に示すように、下部クラッド層２１の上面上に、この上面の幅と同一幅で、Ｙ軸の長手方向に設けられている。回折格子層３０には、単一縦モード化を図り電界強度分布を平坦化させるための回折格子形成領域３１と幅Ｌａの回折格子非形成領域３２とを備え、その回折格子形成領域３１がＹ軸の長手方向に周期的に離散されて（即ち、幅Ｌａを隔てて）設けられている。各回折格子形成領域３１内には、Ｙ軸方向に沿って、複数の凹凸の回折格子３３が一定の間隔∧で均一に形成されている。
【００３０】
（実施例１の製造方法例）
図２−１〜図２−３の（ａ）〜（ｇ）は、本実施例１におけるＩｎＧａＡｓＰ系ＤＦＢレーザの製造方法例を示す概略の製造工程図である。
【００３１】
本実施例１のＩｎＧａＡｓＰ系ＤＦＢレーザは、例えば、次の（ａ）〜（ｇ）のような工程１〜７により製造される。
【００３２】
図２−１（ａ）の工程１
ｎ型ＩｎＰ基板２０の表面に、例えば、化学的気相成長（Chemical Vapor Deposition、以下「ＣＶＤ」という。）法によって図示しない酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）を形成し、このＳｉＯ２膜上に、フォトリソグラフィにより、図示しないレジストパターンを形成する。レジストパターンを用いて、ＳｉＯ２膜を周期的にストライプ状にパターニングを行う。レジストパターンを除去した後、パターニングされたＳｉＯ２膜５０をマスクに、例えば、反応性イオンエッチング（以下「ＲＩＥ」という。）法を用いてドライエッチングを行い、幅Ｌａの回折格子非形成領域３２を形成する。
【００３３】
図２−１（ｂ）の工程２
例えば、二光束干渉露光法によるフォトリソグラフィ、及びウェットエッチングにより、図示しないレジストをマスクにして回折格子形成領域３１を形成する。
【００３４】
図２−１（ｃ）、及び図２−２（ｄ）の工程３
ＳｉＯ２膜５０を除去し、例えば、ＭＯＣＶＤ法を用いてｎ型ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層３４をエピタキシャル成長させる。これにより、回折格子形成領域３１、回折格子非形成領域３２、及び下側光ガイド層３４からなる回折格子層３０が形成される。更に、例えば、ＭＯＣＶＤ法を用い、１０周期の多重量子井戸構造及びＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層からなる活性層４０と、ｐ型ＩｎＰ上部クラッド層４１とを、連続的にエピタキシャル結晶成長させる。
【００３５】
図２−２（ｅ）の工程４
上部クラッド層４１の表面に、例えば、ＣＶＤ法により、図示しないＳｉ０２膜をストライプ状にパターニングを行い、このＳｉＯ２膜のパターニングに使用したレジストパターンを除去した後、このパターニングされたＳｉＯ２膜５２をマスクに、ｐ型ＩｎＰ上部クラッド層４１、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４０、回折格子層３０、ｎ型ＩｎＰ基板２０をメサエッチングする。このメサエッチングは、例えば、ＲＩＥ法を用いたドライエッチング法及びウェットエッチング法により行う。
【００３６】
図２−２（ｆ）の工程５
ＳｉＯ２膜５２をマスクにして、例えば、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ型ＩｎＰブロック層４２、及びｎ型ＩｎＰブロック層４３を連続的に埋め込み、エピタキシャル結晶成長させる。
【００３７】
図２−３（ｇ）の工程６
ＳｉＯ２膜５２を除去した後、露出したメサ状の上部クラッド層４１ａ上及びｎ型ＩｎＰブロック層４３上に、例えば、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ型ＩｎＰ上部クラッド層４１、及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４４を連続的にエピタキシャル結晶成長させる。この時、ＳｉＯ２膜５２の直下層にあったメサ上のｐ型ＩｎＰ上部クラッド層４１ａと、新たにＭＯＣＶＤ法により結晶成長させたｐ型Ｉｎ上部クラッド層４１とは同一材料であるので、両者は一体化し、新しいｐ型ＩｎＰ上部クラッド層となる。
【００３８】
その後、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４４上にｐ型電極４５を形成し、ｎ型ＩｎＰ基板２０の下面を研磨し、この研磨した面の下側にｎ型電極４６を形成すれば、図１のＤＦＢレーザが完成する。
【００３９】
（実施例１の動作）
ＤＦＢレーザは、従来とほぼ同様に、ｐ型電極４５に正電圧、ｎ型電極４６に負電圧を印加すると、ｐ型電極４５には正孔が、ｎ型電極４６には電子が注入され、これらが活性層４０に向かって移動する。移動した電子・正孔は、活性層４０内で再結合し、ほぼ禁制帯幅のエネルギーに相当する波長の光を発生し、誘導放出される。この誘導放出光は、回折格子層３０でブラッグ反射され、レーザ発振が生じてコヒーレントな光が出力される。
【００４０】
次に、図１（ｂ）を参照して本実施例１の特徴な動作を説明する。
媒質中の光の伝搬定数βは、媒質の実効屈折率Neffと真空中の光の波長λｃにより、一般的に次式（３）で表される。
β＝２πNeff／λｃ      ・・・（３）
【００４１】
本実施例１におけるＤＦＢレーザにおいて、回折格子層３０内の回折格子形成領域３１と回折格子非形成領域３２では、実効屈折率が僅かに異なるために、伝搬定数も僅かに異なる。この伝搬定数の差をδβとし、当該ＤＦＢレーザ１個当たりの全回折格子非形成領域３２の幅Ｌａの和をＬｔｌとすると、この積δβ・Ｌｔｌが光波に対する位相シフト量となる。そこで、次式（２）
δβ・Ｌｔｌ≒π／２      ・・・（２）
を満たすように、幅Ｌａを形成することによって、本実施例１により作製したＤＦＢレーザにおいて、λ／４位相シフトＤＦＢレーザの回折格子と等価的な回折格子が形成できる。
【００４２】
ここで、回折格子形成領域３１と回折格子非形成領域３２の合わさった回折格子層３０において、周期的に離散した回折格子３３の間隔∧は、回折した光の位相が離散した回折格子間で連続性が保たれるように、回折格子３３を形成する。
【００４３】
（実施例１の効果）
本実施例１によれば、回折格子層３０内において回折格子非形成領域３２を周期的に離散させることによって、共振する回折格子層内部の電界分布が平坦化され、式（２）を満たすように、回折格子非形成領域３２の幅Ｌａを形成することによって、λ／４位相シフト型等価的な回折格子が形成できる。このような離散的に回折格子３３を形成したＤＦＢレーザにおいては、回折格子形成領域３１と回折格子非形成領域３２を同一の回折格子層３０内に併せ持つことにより、λ／４位相シフト構成部において電界集中が起こりにくい構造を構成することができる。
【００４４】
（変形例）
本発明は、上記実施例１に限定されず、種々の利用形態や変形が可能である。この利用形態や変形例としては、例えば、次の（Ａ）〜（Ｄ）のようなものがある。
【００４５】
（Ａ）  図１（ａ）において、活性層４０の上面に回折格子層３０を設けても、ほぼ同様の作用効果が得られる。
【００４６】
（Ｂ）  実施例１では、活性層４０にＩｎＧａＡｓＰのＭＱＷを用いた、回折格子形成領域３１と回折格子非形成領域３２を周期的に構成したＤＦＢレーザについて説明したが、ＩｎＧａＡｓＰバルクを用いて、実施例１のＤＦＢレーザを構成することもできる。
【００４７】
（Ｃ）  本実施例１では、ＩｎＰを基板２０とし、ＩｎＧａＡｓＰを活性層４０としたＩｎＧａＡｓＰ系ＤＦＢレーザについて説明したが、本発明は、他のＤＦＢレーザの材料としてＡｌＧａＡｓ系、ＰｂＳｎＴｅ系等を用いた全てのＤＦＢレーザに適用可能である。
【００４８】
（Ｄ）  本発明のＤＦＢレーザは、図示以外の構造、形状、材料、製造方法等に変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施例１を示すＤＦＢレーザの概略の構成図である。
【図２−１】本実施例１におけるＩｎＧａＡｓＰ系ＤＦＢレーザの製造方法例を示す概略の製造工程図である。
【図２−２】本実施例１におけるＩｎＧａＡｓＰ系ＤＦＢレーザの製造方法例を示す概略の製造工程図である。
【図２−３】本実施例１におけるＩｎＧａＡｓＰ系ＤＦＢレーザの製造方法例を示す概略の製造工程図である。
【図３】従来のＤＦＢレーザを示す概略の構成図である。
【図４】従来のλ／４位相シフトＤＦＢレーザにおける回折格子層を示す概略の斜視図である。
【符号の説明】
【００５０】
２０      ｎ型ＩｎＰ基板
２１      ｎ型ＩｎＰ下部クラッド層
３０      回折格子層
３１      回折格子形成領域
３２      回折格子非形成領域
３３      回折格子
４０      活性層
４１，４１ａ      ｐ型ＩｎＰ上部クラッド層
４２      ｐ型ＩｎＰブロック層
４３      ｎ型ＩｎＰブロック層
４４      ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
【図１】
2008258453.tif 000003
【図２−１】
2008258453.tif 000004
【図２−２】
2008258453.tif 000005
【図２−３】
2008258453.tif 000006
【図３】
2008258453.tif 000007
【図４】
2008258453.tif 000008