(57)【要約】【課題】特定のスイッチングトランジスタにリークが発生した場合においても、信号書込期間における当該リークに起因する輝度の低下を抑える。【解決手段】先ず、セレクタ駆動によってＲ，Ｇ，Ｂの信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢを、対応する信号線に供給して信号線の寄生容量等によって保持しておき、最後の信号電圧ＶｓｉｇＢの保持が終了した後、書き込みトランジスタを導通状態にして、信号線によって保持されている信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢを一斉に画素内に書き込んで保持容量に保持するようにする。【選択図】図７
2008304690.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに対して直列に接続され、前記電気光学素子の発光／非発光を制御するスイッチングトランジスタとを含む画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の画素列ごとに配線された信号線を、複数本を単位として当該単位の複数本の信号線を時分割にて順次選択して映像信号を供給する信号供給駆動手段と、
前記信号供給手段から前記複数本の信号線に映像信号が供給されるときに前記書き込みトランジスタを非導通状態とし、前記複数本の信号線への映像信号の供給が終了した後前記書き込みトランジスタを導通状態にして前記複数本の信号線から前記画素内へ映像信号を書き込む動作を画素行ごとに実行する書き込み走査手段と
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記駆動トランジスタのゲート電位およびソース電位をそれぞれ所定電位にした後、前記駆動トランジスタの閾値電圧を検出して前記保持容量に保持する閾値検出動作を画素行ごとに実行する補正用走査手段を有し、
前記信号供給手段は、前記補正用走査手段による前記閾値検出動作が終了した後に前記複数本の信号線への時分割による映像信号の供給を開始する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記書き込み走査手段は、前記信号供給手段から前記複数本の信号線の全てに対して映像信号が供給された時点から一定時間が経過した後に前記書き込みトランジスタを導通状態にする
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに対して直列に接続され、前記電気光学素子の発光／非発光を制御するスイッチングトランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなり、当該行列状の画素配列の画素列ごとに配線された信号線を、複数本を単位として当該単位の複数本の信号線を時分割にて順次選択して映像信号を供給する表示装置の駆動方法であって、
先ず、前記書き込みトランジスタを非導通状態にして前記複数本の信号線を時分割にて順次選択して映像信号を供給し、
しかる後、前記書き込みトランジスタを導通状態にして前記複数本の信号線から前記画素内へ映像信号を書き込む動作を画素行ごとに実行する
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項５】
電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに対して直列に接続され、前記電気光学素子の発光／非発光を制御するスイッチングトランジスタとを含む画素が行列状に配置された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の画素列ごとに配線された信号線を、複数本を単位として当該単位の複数本の信号線を時分割にて順次選択して映像信号を供給する信号供給駆動手段と、
前記信号供給手段から前記複数本の信号線に映像信号が供給されるときに前記書き込みトランジスタを非導通状態とし、前記複数本の信号線への映像信号の供給が終了した後前記書き込みトランジスタを導通状態にして前記複数本の信号線から前記画素内へ映像信号を書き込む動作を画素行ごとに実行する書き込み走査手段と
を備えた表示装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器に関し、特に電気光学素子を含む画素が行列状（マトリクス状）に配置されてなる平面型（フラットパネル型）の表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、発光素子を含む画素（画素回路）が行列状に配置されてなる平面型の表示装置が急速に普及している。平面型の表示装置としては、画素の発光素子として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子、例えば有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた有機ＥＬ表示装置が開発され、商品化が進められている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力であり、また自発光素子であることから、液晶セルを含む画素ごとに当該液晶セルにて光源（バックライト）からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも液晶表示装置には必須なバックライト等の照明部材を必要としないために軽量化および薄型化が容易である。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式を採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、電気光学素子の発光期間が走査線（即ち、画素数）の増加によって減少するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。
【０００５】
そのため、近年、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（一般には、ＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)）によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。アクティブマトリクス方式の表示装置は、電気光学素子が１フレームの期間に亘って発光を持続するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が容易である。
【０００６】
ところで、一般的に、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性（電流−電圧特性）は、時間が経過すると劣化（いわゆる、経時劣化）することが知られている。有機ＥＬ素子を電流駆動するトランジスタ（以下、「駆動トランジスタ」と記述する）としてＮチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、駆動トランジスタのソース側に有機ＥＬ素子が接続されることになるために、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化すると、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが変化し、その結果、有機ＥＬ素子の発光輝度も変化する。
【０００７】
このことについてより具体的に説明する。駆動トランジスタのソース電位は、当該駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点で決まる。そして、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が劣化すると、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点が変動してしまうために、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加したとしても駆動トランジスタのソース電位が変化する。これにより、駆動トランジスタのソース−ゲート間電圧Ｖｇｓが変化するために、当該駆動トランジスタに流れる電流値が変化する。その結果、有機ＥＬ素子に流れる電流値も変化するために、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化することになる。
【０００８】
また、ポリシリコンＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化に加えて、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度（以下、「駆動トランジスタの移動度」と記述する）μが経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによって閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが画素ごとに異なったりする（個々のトランジスタ特性にばらつきがある）。
【０００９】
駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが画素ごとに異なると、画素ごとに駆動トランジスタに流れる電流値にばらつきが生じるために、駆動トランジスタのゲートに画素間で同じ電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度に画素間でばらつきが生じ、その結果、画面の一様性（ユニフォーミティ）が損なわれる。
【００１０】
そこで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つようにするために、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能、さらには駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補正（以下、「閾値補正」と記述する）や、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正（以下、「移動度補正」と記述する）の各補正機能を画素回路の各々に持たせる構成を採っている（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−１３３５４２号公報
【００１２】
このように、画素回路の各々に、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能および駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μの変動に対する補正機能を持たせることで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが経時変化したりしたとしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つことができる。
【００１３】
ところで、映像信号を画素に書き込む駆動方式として、セレクタ駆動方式（時分割駆動方式）がある。このセレクタ駆動方式は、表示パネル上の信号線を、パネル外のドライバＩＣの１つの出力に対して複数本を単位（組）として割り当て、この複数本の信号線を時分割にて順次選択する一方、その選択した信号線に対してドライバＩＣの各出力ごとに時系列で出力される映像信号を時分割で振り分けて供給する駆動方式である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上述したセレクタ駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置において、ドライバＩＣから時系列で出力される映像信号をＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３色の繰返しとした場合、画素行ごとに３本の信号線を単位として当該３本の信号線にＲ，Ｇ，Ｂの信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢが順番に振り分けられることになる。これら信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢは、信号書込期間に導通状態になる書き込みトランジスタによってサンプリングされて画素内に書き込まれて、画素内に設けられた保持容量によって保持される。
【００１５】
このとき、駆動トランジスタに対して直列に接続され、有機ＥＬ素子の発光／非発光を制御するスイッチングトランジスタにリークが発生した場合、書き込みトランジスタの導通期間に駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが最も大きい画素、あるいは保持容量の保持時間が一番長い画素（即ち、信号電圧Ｖｓｉｇが最初に書き込まれた画素）のリーク電流が最も大きくなる。リークが発生すると、電源から駆動トランジスタに電流が流れ、駆動トランジスタのソースノードが充電されるため、リーク電流が最も大きい画素の駆動トランジスタのソース電位が最も上昇する。
【００１６】
このように、信号書込期間において、スイッチングトランジスタのリークに起因して駆動トランジスタのソース電位が上昇すると、リーク電流が最も大きい画素の駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが他画素よりも小さくなり、それに伴って駆動トランジスタから有機ＥＬ素子に供給される駆動電流が減少するため、発光輝度が他画素よりも低下し、暗くなってしまう。
【００１７】
そこで、本発明は、特定のスイッチングトランジスタにリークが発生した場合においても、信号書込期間における当該リークに起因する輝度の低下を抑制可能な表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明は、電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに対して直列に接続され、前記電気光学素子の発光／非発光を制御するスイッチングトランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなり、当該行列状の画素配列の画素列ごとに配線された信号線を、複数本を単位として当該単位の複数本の信号線を時分割にて順次選択して映像信号を供給するセレクタ駆動方式（時分割駆動方式）を採る表示装置において、先ず、前記書き込みトランジスタを非導通状態にして前記複数本の信号線を時分割にて順次選択して映像信号を供給し、しかる後、前記書き込みトランジスタを導通状態にして前記複数本の信号線から前記画素内へ映像信号を書き込む動作を画素行ごとに実行することを特徴としている。
【００１９】
上記構成の表示装置および当該表示装置を有する電子機器において、複数本の信号線に対して時分割にて映像信号を供給した後に、書き込みトランジスタを導通状態にして複数本の信号線から画素内へ映像信号を一斉に書き込むことにより、電気光学素子の発光／非発光を制御するスイッチングトランジスタにリークが発生する場合でも、リーク電流が流れる期間である信号書込期間、即ち書き込みトランジスタの導通期間が短く、しかも、書き込んだ映像信号の保持容量による保持時間も各画素同じになるため、時分割による映像信号の書き込みの順番に関係なく、各画素においてリーク電流による駆動トランジスタのソース電位の上昇を抑えることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、特定のスイッチングトランジスタにリークが発生した際に、そのリーク電流による駆動トランジスタのソース電位の上昇を抑えることができるため、信号書込期間におけるスイッチングトランジスタのリークに起因する発光輝度の低下を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２２】
図１は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子を画素の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明する。
【００２３】
図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、画素２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されてなる画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置され、各画素２０を駆動する駆動部とを有する構成となっている。画素２０を駆動する駆動部としては、例えば、書き込み走査回路４０、駆動走査回路５０、第一，第二補正用走査回路６０，７０および水平駆動回路（信号供給手段）８０が設けられている。
【００２４】
画素アレイ部３０は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成され、平面型（フラット型）のパネル構造となっている。画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素配列に対して、画素行ごとに走査線３１−１〜３１−ｍと駆動線３２−１〜３２−ｍと第一，第二補正用走査線３３−１〜３３−ｍ，３４−１〜３４−ｍがそれぞれ配線され、また画素列ごとに信号線（データ線）３５−１〜３５−ｎが配線されている。
【００２５】
画素アレイ部３０の各画素２０については、アモルファスシリコンＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)または低温ポリシリコンＴＦＴを用いて形成することができる。低温ポリシリコンＴＦＴを用いる場合は、書き込み走査回路４０、駆動走査回路５０、第一，第二補正用走査回路６０，７０および水平駆動回路８０についても、画素アレイ部３０を形成する表示パネル（基板）上に実装することができる。
【００２６】
書き込み走査回路４０は、シフトレジスタ等によって構成され、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の書き込みに際して、走査線３１−１〜３１−ｍに対して順次書き込み信号（走査信号）ＷＳ１〜ＷＳｍを供給して画素２０を行単位で順番に走査（線順次走査）する。
【００２７】
駆動走査回路５０は、シフトレジスタ等によって構成され、画素２０の発光駆動に際して、駆動線３２−１〜３２−ｍに対して順次駆動信号ＤＳ１〜ＤＳｍを供給する。第一，第二補正用走査回路６０，７０は、シフトレジスタ等によって構成され、後述する補正動作を実行する際に、第一，第二補正用走査線３３−１〜３３−ｍ，３４−１〜３４−ｍに対して第一，第二補正用走査信号ＡＺ１１〜ＡＺ１ｍ，ＡＺ２１〜ＡＺ２ｍを適宜供給する。
【００２８】
水平駆動回路８０は、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇ（以下、単に「信号電圧Ｖｓｉｇ」と記述する場合もある）を、書き込み走査回路４０による走査に同期して信号線３５−１〜３５−ｎに供給する。この水平駆動回路８０は、例えば、信号電圧Ｖｓｉｇを行（ライン）単位で書き込む線順次書き込みの駆動形態を採っている。
【００２９】
（画素回路）
図２は、画素（画素回路）２０の具体的な構成例を示す回路図である。図２に示すように、画素２０は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子２１を発光素子として有し、当該有機ＥＬ素子２１に加えて、駆動トランジスタ２２、書き込み（サンプリング）トランジスタ２３、スイッチングトランジスタ２４〜２６および保持容量２７を構成素子として有する、即ち５つのトランジスタ（Ｔｒ）と１つの容量素子（Ｃ）からなる５Ｔｒ／１Ｃの画素構成となっている。
【００３０】
かかる構成の画素２０では、駆動トランジスタ２２、書き込みトランジスタ２３およびスイッチングトランジスタ２５，２６としてＮチャネル型のＴＦＴが用いられ、スイッチングトランジスタ２４としてＰチャネル型のＴＦＴが用いられている。ただし、ここでの駆動トランジスタ２２、書き込みトランジスタ２３およびスイッチングトランジスタ２４〜２６の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００３１】
有機ＥＬ素子２１は、カソード電極が第１の電源電位Ｖｃａｔ（ここでは、接地電位ＧＮＤ）に接続されている。駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１を電流駆動するための能動素子であり、ソース電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されてソースフォロア回路を形成している。
【００３２】
書き込みトランジスタ２３は、一方の電極（ソース電極／ドレイン電極）が信号線３５（３５−１〜３５−ｎ）に接続され、他方の電極（ドレイン電極／ソース電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、ゲート電極が走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に接続されている。
【００３３】
スイッチングトランジスタ２４は、ソース電極が第２の電源電位Ｖｃｃｐ（ここでは、正の電源電位）に接続され、ドレイン電極が駆動トランジスタ２２のドレイン電極に接続され、ゲート電極が駆動線３２（３２−１〜３２−ｍ）に接続されている。
【００３４】
スイッチングトランジスタ２５は、ドレイン電極が書き込みトランジスタ２３の他方の電極（駆動トランジスタ２２のゲート電極）に接続され、ソース電極が第３の電源電位Ｖｏｆｓに接続され、ゲート電極が第一補正用走査線３３（３３−１〜３３−ｍ）に接続されている。
【００３５】
スイッチングトランジスタ２６は、ドレイン電極が駆動トランジスタ２２のソース電極と有機ＥＬ素子２１のアノード電極との接続ノードＮ１１に接続され、ソース電極が第４の電源電位Ｖｉｎｉ（ここでは、負の電源電位）に接続され、ゲート電極が第二補正用走査線３４（３４−１〜３４−ｍ）に接続されている。
【００３６】
保持容量２７は、一端が駆動トランジスタ２２のゲート電極と書き込みトランジスタ２３のドレイン電極との接続ノードＮ１２に接続され、他端が駆動トランジスタ２２のソース電極と有機ＥＬ素子２１のアノード電極との接続ノードＮ１１に接続されている。
【００３７】
上述した接続関係にて各構成素子が接続されてなる画素２０において、各構成素子は次のような作用をなす。
【００３８】
書き込みトランジスタ２３は、導通（ＯＮ）状態となることにより、信号線３５を通して供給される映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇをサンプリングして画素２０内に書き込む。書き込みトランジスタ２３によって書き込まれた信号電圧Ｖｓｉｇは保持容量２７に保持される。
【００３９】
駆動トランジスタ２２は、スイッチングトランジスタ２４が導通状態にあるときに、第２の電源電位Ｖｃｃｐから電流の供給を受けて、保持容量２７に保持された信号電圧Ｖｓｉｇの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給することによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する（電流駆動）。
【００４０】
駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。その結果、有機ＥＬ素子２１には、駆動トランジスタ２２から次式（１）で与えられる一定のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが供給される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2   ……（１）
【００４１】
ここに、Ｖｔｈは駆動トランジスタ２２の閾値電圧、μは駆動トランジスタ２２のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度（以下、単に「駆動トランジスタ２２の移動度」と記述する）、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘは単位面積当たりのゲート容量、Ｖｇｓはソース電位を基準としてゲートに印加されるゲート−ソース間電圧である。
【００４２】
スイッチングトランジスタ２４は導通状態になることにより、電源電位Ｖｃｃｐから駆動トランジスタ２２に電流を供給する。すなわち、スイッチングトランジスタ２４は、駆動トランジスタ２２への電流の供給を制御することにより、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御する。
【００４３】
スイッチングトランジスタ２５，２６は適宜導通状態になることで、有機ＥＬ素子２１の電流駆動に先立って駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを検知し、あらかじめその影響をキャンセルするために当該検知した閾値電圧Ｖｔｈを保持容量２７に保持する。保持容量２７は、表示期間に亘って駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間の電位差を保持する。
【００４４】
画素２０では、正常な動作を保証するための条件として、第４の電源電位Ｖｉｎｉは、第３の電源電位Ｖｏｆｓから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを差し引いた電位よりも低くなるように設定されている。すなわち、Ｖｉｎｉ＜Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈのレベル関係となっている。
【００４５】
また、有機ＥＬ素子２１のカソード電位Ｖｃａｔ（ここでは、接地電位ＧＮＤ）に有機ＥＬ素子２１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌを加えたレベルは、第３の電源電位Ｖｏｆｓから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを差し引いたレベルよりも高くなるように設定されている。すなわち、Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ＞Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ（＞Ｖｉｎｉ）のレベル関係となっている。
【００４６】
（画素構造）
図３は、画素２０の断面構造の一例を示す断面図である。図３に示すように、画素２０は、駆動トランジスタ２２、書き込みトランジスタ２３等の画素回路が形成されたガラス基板２０１上に絶縁膜２０２、絶縁平坦化膜２０３およびウインド絶縁膜２０４が順に形成され、当該ウインド絶縁膜２０４の凹部２０４Ａに有機ＥＬ素子２１が設けられた構成となっている。
【００４７】
有機ＥＬ素子２１は、上記ウインド絶縁膜２０４の凹部２０４Ａの底部に形成された金属等からなるアノード電極２０５と、当該アノード電極２０５上に形成された有機層（電子輸送層、発光層、ホール輸送層/ホール注入層）２０６と、当該有機層２０６上に全画素共通に形成された透明導電膜等からなるカソード電極２０７とから構成されている。
【００４８】
この有機ＥＬ素子２１において、有機層２０６は、アノード電極２０５上にホール輸送層/ホール注入層２０６１、発光層２０６２、電子輸送層２０６３および電子注入層（図示せず）が順次堆積されることによって形成される。そして、図２の駆動トランジスタ２２による電流駆動の下に、駆動トランジスタ２２からアノード電極２０５を通して有機層２０６に電流が流れることで、当該有機層２０６内の発光層２０６２において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。
【００４９】
図３に示すように、画素回路が形成されたガラス基板２０１上に、絶縁膜２０２、絶縁平坦化膜２０３およびウインド絶縁膜２０４を介して有機ＥＬ素子２１が画素単位で形成された後は、パッシベーション膜２０８を介して封止基板２０９が接着剤２１０によって接合され、当該封止基板２０９によって有機ＥＬ素子２１が封止されることにより、表示パネルが形成される。
【００５０】
［基本的な回路動作の説明］
続いて、上記構成の画素２０を行列状に２次元配置してなる本実施形態に係るアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置１０の基本的な回路動作について、図４のタイミング波形図を用いて説明する。
【００５１】
図４には、ある画素行の各画素２０を駆動する際に、書き込み走査回路４０から画素２０に与えられる書き込み信号ＷＳ（ＷＳ１〜ＷＳｍ）、駆動走査回路５０から画素２０に与えられる駆動信号ＤＳ（ＤＳ１〜ＤＳｍ）および第一，第二補正用走査回路６０，７０から画素２０に与えられる第一，第二補正用走査信号ＡＺ１（ＡＺ１１〜ＡＺ１ｍ），ＡＺ２（ＡＺ２１〜ＡＺ２ｍ）のタイミング関係、ならびに駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの変化をそれぞれ示している。
【００５２】
ここで、書き込みトランジスタ２３およびスイッチングトランジスタ２５，２６がＮチャネル型であるために、書き込み信号ＷＳおよび第一，第二補正用走査信号ＡＺ１，ＡＺ２については、高レベル（本例では、電源電位Ｖｃｃｐ；以下、「“Ｈ”レベル」と記述する）の状態をアクティブ状態とし、低レベル（本例では、電源電位Ｖｃａｔ（ＧＮＤ）；以下、「“Ｌ”レベル」と記述する）の状態を非アクティブ状態とする。また、スイッチングトランジスタ２４がＰチャネル型であるために、駆動信号ＤＳについては、“Ｌ”レベルの状態をアクティブ状態とし、“Ｈ”レベルの状態を非アクティブ状態とする。
【００５３】
時刻ｔ１で駆動信号ＤＳが“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ２４が非導通（ＯＦＦ）になった状態で、時刻ｔ２で第二補正用走査信号ＡＺ２が“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ２６が導通状態になることにより、駆動トランジスタ２２のソース電極にはスイッチングトランジスタ２６を介して電源電位Ｖｉｎｉが印加される。
【００５４】
このとき、先述したように、Ｖｉｎｉ＜Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌのレベル関係にあるために、有機ＥＬ素子２１は逆バイアス状態となる。したがって、有機ＥＬ素子２１には電流が流れず、非発光状態にある。
【００５５】
次に、時刻ｔ３で第一補正用走査信号ＡＺ１が“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ２５が導通状態になることにより、駆動トランジスタ２２のゲート電極にはスイッチングトランジスタ２５を介して電源電位Ｖｏｆｓが印加される。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉという値をとる。ここで、先述したように、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉ＞Ｖｔｈのレベル関係を満たしている。
【００５６】
（閾値補正期間）
次に、時刻ｔ４で第二補正用走査信号ＡＺ２が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ２６が非導通状態になり、その後、時刻ｔ５で駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ２４が導通状態になることにより、駆動トランジスタ２２にはそのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流が流れる。
【００５７】
このとき、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓよりも有機ＥＬ素子２１のカソード電位Ｖｃａｔが高く、有機ＥＬ素子２１が逆バイアス状態にあり、駆動トランジスタ２２から流れる電流がノードＮ１１→保持容量２７→ノードＮ１２→スイッチングトランジスタ２５→電源電位Ｖｏｆｓの経路で流れるために、当該電流に応じた電荷が保持容量２７に充電される。また、保持容量２７の充電に伴って駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが電源電位Ｖｉｎｉから時間の経過とともに徐々に上昇する。
【００５８】
そして、一定時間が経過し、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈと等しくなったところで、駆動トランジスタ２２がカットオフする。これにより、駆動トランジスタ２２に電流が流れなくなるために、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ、即ち閾値電圧Ｖｔｈが閾値補正用の電位として保持容量２７に保持される（閾値検出動作）。
【００５９】
その後、時刻ｔ６で駆動信号ＤＳが“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ２４が非導通状態になる。この時刻ｔ５から時刻ｔ６までの期間が駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを検出して保持容量２７に保持する期間である。ここでは、便宜上、この一定期間ｔ５−ｔ６を閾値補正期間と呼ぶこととする。その後、時刻ｔ７で第一補正用走査信号ＡＺ１が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ２５が非導通状態になる。
【００６０】
（信号書込期間）
続いて、時刻ｔ８で書き込み信号ＷＳが“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移し、書き込みトランジスタ２３が導通状態になることにより、当該書き込みトランジスタ２３によって映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇがサンプリングされ、画素内に書き込まれるために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが信号電圧Ｖｓｉｇになる。この信号電圧Ｖｓｉｇは保持容量２７に保持される。
【００６１】
このとき、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓは、書き込みトランジスタ２３によるサンプリング時の駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇの振幅に対して、保持容量２７と有機ＥＬ素子２１との容量カップリングによって上昇する。
【００６２】
ここで、保持容量２７の容量値をＣｃｓ、有機ＥＬ素子２１の容量値をＣｏｌｅｄ、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇの上昇分をΔＶｇとすると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶｓは、次式（２）で与えられる。
ΔＶｓ＝ΔＶｇ×｛Ｃｃｓ／（Ｃｏｌｅｄ＋Ｃｃｓ）｝          ……（２）
【００６３】
また、書き込みトランジスタ２３によるサンプリングによって書き込まれた信号電圧Ｖｓｉｇは、保持容量２７に保持されている閾値電圧Ｖｔｈに足し込まれる形で当該保持容量２７に保持される。このとき、保持容量２７の保持電圧は、Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈとなる。ここで、理解を容易にするために、Ｖｏｆｓ＝０Ｖとすると、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｓｉｇ＋Ｖｔｈとなる。
【００６４】
このように、保持容量２７にあらかじめ閾値電圧Ｖｔｈを保持しておくことで、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきや経時変化を補正することが可能になる。すなわち、信号電圧Ｖｓｉｇによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが保持容量２７に保持した閾値電圧Ｖｔｈと相殺される、換言すれば、閾値電圧Ｖｔｈの補正が行われる。
【００６５】
この閾値電圧Ｖｔｈの補正動作により、画素ごとに閾値電圧Ｖｔｈにばらつきや経時変化があったとしても、駆動トランジスタ２２による有機ＥＬ素子２１の駆動に対する閾値電圧Ｖｔｈの影響をキャンセルすることができる。その結果、閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきや経時変化の影響を受けることなく、有機ＥＬ素子２１の発光輝度を一定に保つことができる。
【００６６】
（移動度補正期間）
その後、書き込みトランジスタ２３が導通したまま、時刻ｔ９で駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ２４が導通状態になることで、電源電位Ｖｃｃｐから駆動トランジスタ２２への電流供給が開始される。ここで、Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ＜Ｖｔｈｅｌと設定しておくことにより、有機ＥＬ素子２１が逆バイアス状態におかれる。
【００６７】
有機ＥＬ素子２１が逆バイアス状態にあることで、当該有機ＥＬ素子２１はダイオード特性ではなく単純な容量特性を示すようになる。したがって、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、保持容量２７の容量値Ｃｃｓと有機ＥＬ素子２１の容量成分の容量値Ｃｏｌｅｄとを合成した容量Ｃ（＝Ｃｃｓ＋Ｃｏｌｅｄ）に書き込まれていく。この書き込みにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇する。
【００６８】
駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶｓは、保持容量２７に保持されたゲート−ソース間電圧Ｖｇｓから差し引かれるように、換言すれば、保持容量２７の充電電荷を放電するように作用することになるので、負帰還をかけられたことになる。すなわち、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶｓは負帰還の帰還量となる。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｓｉｇ−ΔＶｓ＋Ｖｔｈとなる。
【００６９】
このように、駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）を当該駆動トランジスタ２２のゲート入力（ゲート−ソース間の電位差）に負帰還することで、各画素２０における駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消す、即ち駆動トランジスタ２２の移動度μの画素ごとのばらつきを補正することが可能になる。
【００７０】
図４において、書き込み信号ＷＳのアクティブ期間（“Ｈ”レベル期間）と駆動信号ＤＳのアクティブ期間（“Ｌ”レベル期間）とがオーバーラップする期間（ｔ９−ｔ１０の期間）、即ち書き込みトランジスタ２３とスイッチングトランジスタ２４とが共に導通状態となるオーバーラップ期間Ｔを移動度補正期間とする。
【００７１】
ここで、移動度μが相対的に高い駆動トランジスタと移動度μが相対的に低い駆動トランジスタとを考えた場合、この移動度補正期間Ｔに移動度μが高い駆動トランジスタは、移動度μが低い駆動トランジスタに対してソース電位Ｖｓが大きく上昇する。また、ソース電位Ｖｓが大きく上昇するほど、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが小さくなり、電流が流れにくくなる。
【００７２】
つまり、移動度補正期間Ｔを調整することで、移動度μの違う駆動トランジスタ２２で同じドレイン・ソース間電流Ｉｄｓを流すことができる。この移動度補正期間Ｔで決めた駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを保持容量２７で維持して、当該ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）を駆動トランジスタ２２が有機ＥＬ素子２１に流すことによって当該有機ＥＬ素子２１が発光する。
【００７３】
（発光期間）
時刻ｔ１０で書き込み信号ＷＳが“Ｌ”レベルになり、書き込みトランジスタ２３が非導通状態になることにより、移動度補正期間Ｔが終了し、発光期間に入る。この発光期間では、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓは、有機ＥＬ素子２１の駆動電圧まで上昇する。また、駆動トランジスタ２２のゲート電極が信号線３５（３５−１〜３５−ｎ）から切り離されてフローティング状態にあるために、保持容量２７によるブートストラップ動作により、ソース電位Ｖｓの上昇によってゲート電位Ｖｇもソース電位Ｖｓに連動して上昇する。
【００７４】
このとき、駆動トランジスタ２２のゲート電極の寄生容量をＣｇとすると、ゲート電位Ｖｇの上昇分ΔＶｇは次式（３）で表される。
ΔＶｇ＝ΔＶｓ×｛Ｃｃｓ／（Ｃｃｓ＋Ｃｇ）｝                ……（３）
その間、保持容量２７に保持されたゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｓｉｇ−ΔＶｓ＋Ｖｔｈの値を維持する。
【００７５】
そして、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇に伴って、有機ＥＬ素子２１の逆バイアス状態が解消され、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に対して先述した式（１）で与えられる一定のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが供給されるために、有機ＥＬ素子２１は実際に発光を開始する。
【００７６】
このときのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ対ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの関係は、先述した式（１）のＶｇｓにＶｓｉｇ−ΔＶｓ＋Ｖｔｈを代入することで、次式（４）で与えられる。
Ｉｄｓ＝ｋμ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2 
＝ｋμ（Ｖｓｉｇ−ΔＶｓ）2                         ……（４）
上記の式（４）において、ｋ＝（１／２）（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘである。
【００７７】
この式（４）から明らかなように、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に供給されるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに依存しないことが分かる。基本的に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇによって決まる。換言すると、有機ＥＬ素子２１は、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきや経時変化の影響を受けることなく、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに応じた輝度で発光する。
【００７８】
このように、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが書き込まれる前に駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈをあらかじめ保持容量２７に保持しておくことで、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈをキャンセル（補正）し、当該閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきや経時変化の影響を受けない一定のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを有機ＥＬ素子２１に流すことができるために、高画質の表示画像を得ることができる（駆動トランジスタ２２のＶｔｈ変動に対する補償機能）。
【００７９】
また、上記の式（４）から明らかなように、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇは、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの駆動トランジスタ２２のゲート入力への負帰還によって帰還量ΔＶｓで補正されている。この帰還量ΔＶｓは、式（４）の係数部に位置する移動度μの効果を打ち消すように作用する。
【００８０】
したがって、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、実質的に、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇのみに依存することになる。すなわち、有機ＥＬ素子２１は、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈのみならず、駆動トランジスタ２２の移動度μの画素ごとのばらつきや経時変化の影響を受けることなく、信号電圧Ｖｓｉｇに応じた輝度で発光する。その結果、スジや輝度ムラのない均一な画質を得ることができる。
【００８１】
このように、移動度補正期間Ｔ（ｔ９−ｔ１０）において、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを駆動トランジスタ２２のゲート入力へ負帰還し、その帰還量ΔＶｓによって信号電圧Ｖｓｉｇを補正することで、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消し、信号電圧Ｖｓｉｇのみに依存するドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを有機ＥＬ素子２１に流すことができるため、駆動トランジスタ２２の移動度μの画素ごとのばらつきや経時変化に起因するスジや輝度ムラのない均一な画質の表示画像を得ることができる（駆動トランジスタ２２の移動度μに対する補償機能）。
【００８２】
ここで、電流駆動型の電気光学素子である有機ＥＬ素子２１を含む画素２０が行列状に配置されてなる有機ＥＬ表示装置１０においては、有機ＥＬ素子２１の発光時間が長くなると、当該有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が変化してしまう。それがために、有機ＥＬ素子２１のアノード電極と駆動トランジスタ２２のソースとの接続ノードＮ１１の電位も変化する。
【００８３】
これに対して、上記構成のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０では、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定値に保たれているために、有機ＥＬ素子２１に流れる電流は変化しない。したがって、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が劣化したとしても、一定のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが有機ＥＬ素子２１に流れ続けるために、有機ＥＬ素子２１の発光輝度の変化を抑制することができる（有機ＥＬ素子２１の特性変動に対する補償機能）。
【００８４】
以上は、有機ＥＬ素子２１の特性変動に対する補償機能、駆動トランジスタ２２の閾値補正および移動度補正の各補正機能を有するアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置１０の基本的な回路動作の説明である。
【００８５】
［セレクタ駆動方式］
実際には、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０において、水平駆動回路８０が、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを書き込む駆動方式として、セレクタ駆動方式（時分割駆動方式）を採用している。
【００８６】
このセレクタ駆動方式は、先述したように、表示パネル上の信号線３５−１〜３５−ｎを、パネル外のドライバＩＣ（図示せず）の１つの出力に対して複数本を単位（組）として割り当て、この複数本の信号線を時分割にて順次選択する一方、その選択した信号線に対してドライバＩＣの各出力ごとに時系列で出力される映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを時分割で振り分けて供給する駆動方式である。
【００８７】
より具体的には、セレクタ駆動方式は、ドライバＩＣの出力と表示パネル上の信号線３５−１〜３５−ｎとの関係を１対ｘ（ｘは２以上の整数）の対応関係をもって設定し、ドライバＩＣの１つの出力に対して割り当てられたｘ本の信号線をｘ時分割にて選択して駆動するという駆動方式である。このセレクタ駆動方式を採用することにより、ドライバＩＣの出力数および当該ドライバＩＣと表示パネルとの間の配線数を、信号線の本数の１／ｘに削減可能になる。
【００８８】
ここで、一例として、ｘ＝３とし、ドライバＩＣから時系列で出力される映像信号をＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３色の繰返しとした場合を例に挙げて説明する。なお、時系列で出力される映像信号の順番はＲ，Ｇ，Ｂの順番に限られるものではない。また、時分割数ｘもｘ＝３に限られるものではない。
【００８９】
図５は、セレクタ駆動方式におけるｘ＝３のときの場合の構成例を示すブロック図である。ここでは、図面の簡略化のために、２行×３列の画素配列をとそれに対応する水平駆動回路８０の構成例を示している。
【００９０】
図５において、水平駆動回路８０は、単位となる３本の信号線３５−１，３５−２，３５−３に対応した３個の水平スイッチ８１Ｒ，８１Ｇ，８１Ｂを単位として、これら水平スイッチが信号線３５の数ｎだけ配置された構成となっている。
【００９１】
ここで、信号線３５の本数をｎ本とした場合、ｘ＝３であることから、水平駆動回路８０と表示パネル９０外のドライバＩＣ１００との間にはＩＣ信号線１０１がｎ／３本配線されている。そして、単位となる３個の水平スイッチ８１Ｒ，８１Ｇ，８１Ｂは、各一端がＩＣ信号線１０１の各々に対して共通に接続され、各他端が３本の信号線３５−１，３５−２，３５−３の各一端にそれぞれ接続されている。
【００９２】
ドライバＩＣ１００からはＩＣ信号線１０１を通して水平駆動回路８０に、Ｒ，Ｇ，Ｂの信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢが時系列に供給される。水平スイッチ８１Ｒ，８１Ｇ，８１Ｂは、図示せぬコントローラから順に与えられるセレクト信号ｓｅｌＲｅｄ，ｓｅｌＧｒｅｅｎ，ｓｅｌＢｌｕｅに応答してオン（閉）状態になることによって信号線３５−１，３５−２，３５−３を時分割にて順次選択して、Ｒ，Ｇ，Ｂの信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢを信号線３５−１，３５−２，３５−３に順番に供給する。
【００９３】
セレクタ駆動方式を採る有機ＥＬ表示装置１０においても、先述した基本的な回路動作の場合と同様の回路動作が行われる。ただし、セレクタ駆動方式の場合には、画素行ごとに１Ｈ内においてＲ，Ｇ，Ｂの信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢが順番に画素に書き込まれることになる。
【００９４】
図６は、セレクタ駆動方式の場合のタイミング関係および信号波形を示すタイミング波形図である。ここでは、図面の簡略化のために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓについては、Ｇｒｅｅｎ画素の場合を例に挙げて示している。
【００９５】
上述したように、セレクタ駆動方式を採る有機ＥＬ表示装置１０では、ドライバＩＣ１００から時系列で出力される映像信号を、例えばＲ，Ｇ，Ｂの３色の繰返しとした場合、画素行ごとに３本の信号線３５−１，３５−２，３５−３を単位として当該３本の信号線３５−１，３５−２，３５−３にＲ，Ｇ，Ｂの信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢが順番に振り分けられる。これら信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢは、信号書込期間に導通状態になる書き込みトランジスタ２３によってサンプリングされて画素内に書き込まれ、保持容量２７によって保持される。
【００９６】
このように、信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢを保持容量２７に保持した状態にあるときに、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するスイッチングトランジスタ２４にリークが発生した場合、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが最も大きい画素、あるいは信号電圧Ｖｓｉｇが最初に書き込まれ、保持容量２７の保持時間が一番長い画素のリーク電流が最も大きくなる。
【００９７】
リークが発生すると、電源電位Ｖｃｃｐからスイッチングトランジスタ２４を通して駆動トランジスタ２２に電流が流れ、駆動トランジスタ２２のソースノードが充電されるため、図６に破線で示すように、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇する。図６では、Ｇｒｅｅｎ画素の場合のソース電位Ｖｓの上昇を示している。このソース電位Ｖｓの上昇は、リーク電流が最も大きい画素で最も大きくなる。
【００９８】
そして、信号書込期間において駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｇが上昇すると、リーク電流が最も大きい画素の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが他画素よりも小さくなり、それに伴って駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に供給される駆動電流が減少するため、有機ＥＬ素子２１の発光輝度が他画素よりも低下し、暗くなってしまう。
【００９９】
（本実施形態の特徴部分）
そこで、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０においては、書き込みトランジスタ２３を導通状態にしたまま、セレクタ駆動によってＲ，Ｇ，Ｂの信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢを信号線３５−１〜３５−ｎに供給し、画素内に書き込んで保持容量２７に保持するのではなく、先ず、セレクタ駆動によってＲ，Ｇ，Ｂの信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢを信号線３５−１〜３５−ｎに供給して信号線３５−１〜３５−ｎの寄生容量等によって保持しておき、最後の信号電圧ＶｓｉｇＢの保持が終了した後、書き込みトランジスタ２３を導通状態にして、信号線３５−１〜３５−ｎによって保持されている信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢを一斉に画素内に書き込んで保持容量２７に保持するようにする。
【０１００】
具体的には、図７のタイミング波形図に示すように、時刻ｔ７で第一補正用走査信号ＡＺ１を“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移させ、スイッチングトランジスタ２５を非導通状態にした後、セレクト信号ｓｅｌＲｅｄ，ｓｅｌＧｒｅｅｎ，ｓｅｌＢｌｕｅによって水平スイッチ８１Ｒ，８１Ｇ，８１Ｂを順次オンさせることによって信号線３５−１，３５−２，３５−３を時分割にて順次選択して、Ｒ，Ｇ，Ｂの信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢを信号線３５−１，３５−２，３５−３に順番に供給する。これら信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢは、信号線３５−１〜３５−ｎの寄生容量等によって保持される。
【０１０１】
そして、３番目の信号電圧Ｖｓｉｇ、本例ではＢｌｕｅの信号電圧ＶｓｉｇＢの信号線３５−３への供給終了後、例えば当該供給終了時点から一定時間αが経過した後に、時刻ｔ８で書き込み信号ＷＳを“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルに遷移させ、書き込みトランジスタ２３を導通状態にすることにより、信号線３５−１〜３５−ｎによって保持されている信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢを一斉に書き込みトランジスタ２３によってサンプリングして画素内に書き込む。これら信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢは、保持容量２７によって保持される。
【０１０２】
ここで、一定時間αとしては、少なくとも、３番目の信号線３５−３に書き込まれたＢｌｕｅの信号電圧ＶｓｉｇＢが所望の電位まで立ち上がるのに要する時間を確保するのが望ましい。
【０１０３】
一定時間αにの確保により、信号線３５−１，３５−２，３５−３に書き込まれたＲｅｄ，Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの信号電圧Ｖｓｉｇが所望の電位まで十分に立ち上がった後に信号線３５−１，３５−２，３５−３から画素内への信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢの書き込みが一斉に行われることになる。これにより、従来のセレクタ駆動のように書き込みトランジスタ２３を導通状態にしたまま信号線３５−１，３５−２，３５−３を介して画素内に書き込まないため、信号書込期間における信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢの立ち上がり速度を速くすることができる。
【０１０４】
このように、セレクタ駆動方式を採る有機ＥＬ表示装置１０において、先ず、書き込みトランジスタ２３を非導通にした状態でＲ，Ｇ，Ｂの信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢを信号線３５−１〜３５−ｎに供給して信号線３５−１〜３５−ｎの寄生容量等によって保持しておき、最後の信号電圧ＶｓｉｇＢの保持終了後、書き込みトランジスタ２３を導通状態にして、信号線３５−１〜３５−ｎによって保持されている信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢを一斉に画素内に書き込むようにすることにより、次のような作用効果を得ることができる。
【０１０５】
すなわち、スイッチングトランジスタ２４にリークが発生する場合でも、リーク電流が流れる期間である信号書込期間、即ち書き込みトランジスタ２３の導通期間が短く、しかも、信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢの保持容量２７による保持時間も各画素同じになるため、時分割による信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢの書き込みの順番に関係なく、各画素においてリーク電流による駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇を抑えることができる。
【０１０６】
これにより、特定のスイッチングトランジスタ、具体的には有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するスイッチングトランジスタ２４にリークが発生した場合においても、信号書込期間における当該リークに起因する有機ＥＬ素子２１の発光輝度の低下を抑え、画素ごとの発光輝度のばらつきをなくすことができるため、高画質の表示画像を得ることができる。
【０１０７】
かかる駆動法を採った場合、閾値補正期間が終了してから、書き込みトランジスタ２３が導通状態になって信号書込期間に入るまでの期間が、書き込みトランジスタ２３を導通状態にしたまま、水平駆動回路８０からＲ，Ｇ，Ｂの信号電圧ＶｓｉｇＲ，ＶｓｉｇＧ，ＶｓｉｇＢを信号線３５−１〜３５−ｎに供給し、画素内に書き込んで保持容量２７に保持する場合（図６参照）よりも長くなるが、閾値補正期間における動作によって駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間の電位差が閾値電圧Ｖｔｈになっており、駆動トランジスタ２２がカットオフ状態にあるため、スイッチングトランジスタ２４にリークが発生した場合でも、駆動トランジスタ２２に電流が流れることはない。
【０１０８】
なお、上記実施形態では、駆動トランジスタ２２、書き込み（サンプリング）トランジスタ２３、スイッチングトランジスタ２４〜２６および保持容量２７を有する５Ｔｒ／１Ｃの画素構成の画素２０を有する有機ＥＬ表示装置１０に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではない。
【０１０９】
すなわち、駆動トランジスタ２２に対して直列に接続され、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するスイッチングトランジスタ２４を少なくとも含む構成の画素を有する有機ＥＬ表示装置全般に対して適用可能である。
【０１１０】
また、上記実施形態では、画素２０の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子（発光素子）を用いたセレクタ駆動方式を採用する表示装置全般に対して適用可能である。
【０１１１】
［適用例］
以上説明した本発明による表示装置は、一例として、図８〜図１２に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【０１１２】
このように、あらゆる分野の電子機器の表示装置として本発明による表示装置を用いることにより、先述した実施形態の説明から明らかなように、本発明による表示装置は、特定のスイッチングトランジスタのリークに起因する発光輝度の低下を抑え、画素ごとの発光輝度のばらつきをなくすことができるために、各種の電子機器において、表示装置の高精細化を図ることができるとともに、高画質の表示画像を得ることができる。
【０１１３】
なお、本発明による表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部３０に透明なガラス等の対向部に貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。
【０１１４】
以下に、本発明が適用される電子機器の具体例について説明する。
【０１１５】
図８は、本発明が適用されるテレビの概観を示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明による表示装置を用いることにより作成される。
【０１１６】
図９は、本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１１７】
図１０は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１１８】
図１１は、本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１１９】
図１２は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機の外観を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】画素（画素回路）の具体的な構成例を示す回路図である。
【図３】画素の断面構造の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の基本的な回路動作の説明に供するタイミング波形図である。
【図５】セレクタ駆動方式におけるｘ＝３のときの場合の構成例を示すブロック図である。
【図６】セレクタ駆動方式の場合のタイミング関係および信号波形を示すタイミング波形図である。
【図７】本実施形態に係るタイミング関係および信号波形を示すタイミング波形図である。
【図８】本発明が適用されるテレビの外観を示す斜視図である。
【図９】本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１０】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。
【図１１】本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。
【図１２】本発明が適用される携帯電話機の外観を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【符号の説明】
【０１２１】
１０…有機ＥＬ表示装置、２０…画素（画素回路）、２１…有機ＥＬ素子、２２…駆動トランジスタ、２３…書き込み（サンプリング）トランジスタ、２４〜２６…スイッチングトランジスタ、２７…保持容量、３０…画素アレイ部、３１（３１−１〜３１−ｍ）…走査線、３２（３２−１〜３２−ｍ）…駆動線、３３（３３−１〜３３−ｍ）…第一補正用走査線、３４（３４−１〜３４−ｍ）…第二補正用走査線、３５（３５−１〜３５−ｎ）…信号線（データ線）、４０…書き込み走査回路、５０…駆動走査回路、６０…第一補正用走査回路、７０…第二補正用走査回路、８０…水平駆動回路、９０…表示パネル、１００…ドライバＩＣ
【図１】
2008304690.tif 000003
【図２】
2008304690.tif 000004
【図３】
2008304690.tif 000005
【図４】
2008304690.tif 000006
【図５】
2008304690.tif 000007
【図６】
2008304690.tif 000008
【図７】
2008304690.tif 000009
【図８】
2008304690.tif 000010
【図９】
2008304690.tif 000011
【図１０】
2008304690.tif 000012
【図１１】
2008304690.tif 000013
【図１２】
2008304690.tif 000014