(57)【要約】【課題】  微小なコンタクトホールを狭いピッチで形成することができ、且つ露光装置に対する要求（高ＮＡ）の緩和及びチップ面積の縮小をはかる。【解決手段】  半導体装置の製造方法であって、被処理膜１１上に、複数のコンタクトパターンのパターン開口を有し、且つ隣接するパターン開口を括れた状態で接続する接続開口を有するマスク材料膜２２を形成した後、マスク材料膜２２の各開口の側壁に側壁膜２５を形成することにより、パターン開口の径を小さくすると共に隣接するパターン開口を分離し、次いでマスク材料膜２２及び側壁膜２５をマスクとして被処理膜２１を選択的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。【選択図】      図２
2008300740.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理膜上に、複数のコンタクトパターンのパターン開口を有し、且つ隣接するパターン開口を接続する接続開口を有するマスク材料膜を形成する工程と、
前記マスク材料膜の各開口の側壁に側壁膜を形成することにより、前記パターン開口の径を小さくすると共に隣接するパターン開口を分離する工程と、
前記マスク材料膜及び側壁膜をマスクとして前記被処理膜を選択的にエッチングすることによりコンタクトホールを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記マスク材料膜に形成された接続開口の最小幅を２Ｓとしたとき、前記側壁膜の厚さをＳ以上にすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
被処理膜上にマスク用薄膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に、複数のコンタクトパターンを近接配置した状態で露光することにより、隣接するコンタクトパターンが括れた状態で接続されたレジストパターンを形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記マスク用薄膜を選択的にエッチングすることにより、前記マスク用薄膜に前記コンタクトパターンに対応するパターン開口及び隣接するパターン開口を接続する接続開口を形成する工程と、
前記マスク用薄膜の各開口の側壁にスペーサ膜を形成することにより、前記パターン開口の径を小さくすると共に隣接するパターン開口を分離する工程と、
前記マスク用薄膜及びスペーサ膜をマスクとして前記被処理膜を選択的にエッチングすることによりコンタクトホールを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
被処理膜上にマスク用薄膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に複数のコンタクトパターンを近接配置した状態で露光することにより、隣接するコンタクトパターンが括れた状態で接続されたレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの開口の側壁に補助レジスト膜を形成することにより、前記コンタクトパターンに対応するパターン開口の径を小さくすると共に隣接するパターン開口を分離する工程と、
前記レジスト膜及び補助レジスト膜をマスクとして前記マスク用薄膜を選択的にエッチングする工程と、
前記マスク用薄膜をマスクとして前記被処理膜を選択的にエッチングすることによりコンタクトホールを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
被処理膜上にマスク用薄膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に複数のコンタクトパターンを近接配置した状態で露光することにより、隣接するコンタクトパターンが括れた状態で接続されたレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの開口の側壁に補助レジスト膜を形成することにより、開口の径を小さくする工程と、
前記レジスト膜及び補助レジスト膜をマスクとして前記マスク用薄膜を選択的にエッチングすることにより、前記マスク用薄膜に前記コンタクトパターンに対応するパターン開口及び隣接するパターン開口を接続する接続開口を形成する工程と、
前記マスク用薄膜の各開口の側壁にスペーサ膜を形成することにより、前記パターン開口の径を小さくすると共に隣接するパターン開口を分離する工程と、
前記マスク用薄膜及びスペーサ膜をマスクとして前記被処理膜を選択的にエッチングすることによりコンタクトホールを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理膜にコンタクトホールを形成する工程を有する半導体装置の製造方法に係わり、特に小径のコンタクトホールを形成する工程の改良をはかった半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩパターンの微細化に伴い、コンタクトホールの径も益々小さくなり、更にコンタクト間のピッチも狭くなっている。このようなパターンを形成するには、極めて高解像度の露光装置を用いる必要があり、これがパターン形成コストの増大を招く要因となっていた。
【０００３】
そこで最近、さほど高解像ではない露光装置を用い、本来の径よりも大きな径のコンタクトパターンを露光し、パターン開口の側壁にパターン肉厚化材料等を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかし、この方法では、隣接するコンタクトの距離が近くなるため、隣接するコンタクトがショートしてしまう問題がある。一方、ショートを防ぐために、コンタクトを千鳥配置する方法もあるが、この場合は素子面積の増大を招くことになる。
【０００５】
このように従来、微小なコンタクトホールを狭いピッチで周期的に形成しようとすると、極めて高解像度（一般には開口率：ＮＡが高い）の露光装置が必要になり、パターン形成コストが増大する問題があった。また、コンタクトパターンの配置を工夫することにより高解像度の露光装置を必要としない方法では、チップ面積が増大する問題があった。
【特許文献１】特開２００６−２７６８６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、微小なコンタクトホールを狭いピッチで形成することができ、且つ露光装置に対する要求（高ＮＡ）の緩和及びチップ面積の縮小をはかることのできる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係わる半導体装置の製造方法は、被処理膜上に、複数のコンタクトパターンのパターン開口を有し、且つ隣接するパターン開口を接続する接続開口を有するマスク材料膜を形成する工程と、前記マスク材料膜の各開口の側壁に側壁膜を形成することにより、前記パターン開口の径を小さくすると共に隣接するパターン開口を分離する工程と、前記マスク材料膜及び側壁膜をマスクとして前記被処理膜を選択的にエッチングすることによりコンタクトホールを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の別の一態様に係わる半導体装置の製造方法は、被処理膜上にマスク用薄膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に、複数のコンタクトパターンを近接配置した状態で露光することにより、隣接するコンタクトパターンが括れた状態で接続されたレジストパターンを形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記マスク用薄膜を選択的にエッチングすることにより、前記マスク用薄膜に前記コンタクトパターンに対応するパターン開口及び隣接するパターン開口を接続する接続開口を形成する工程と、前記マスク用薄膜の各開口の側壁にスペーサ膜を形成することにより、前記パターン開口の径を小さくすると共に隣接するパターン開口を分離する工程と、前記マスク用薄膜及びスペーサ膜をマスクとして前記被処理膜を選択的にエッチングすることによりコンタクトホールを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の別の一態様に係わる半導体装置の製造方法は、被処理膜上にマスク用薄膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に複数のコンタクトパターンを近接配置した状態で露光することにより、隣接するコンタクトパターンが括れた状態で接続されたレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの開口の側壁に補助レジスト膜を形成することにより、前記コンタクトパターンに対応するパターン開口の径を小さくすると共に隣接するパターン開口を分離する工程と、前記レジスト膜及び補助レジスト膜をマスクとして前記マスク用薄膜を選択的にエッチングする工程と、前記マスク用薄膜をマスクとして前記被処理膜を選択的にエッチングすることによりコンタクトホールを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の別の一態様に係わる半導体装置の製造方法は、被処理膜上にマスク用薄膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に複数のコンタクトパターンを近接配置した状態で露光することにより、隣接するコンタクトパターンが括れた状態で接続されたレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの開口の側壁に補助レジスト膜を形成することにより、開口の径を小さくする工程と、前記レジスト膜及び補助レジスト膜をマスクとして前記マスク用薄膜を選択的にエッチングすることにより、前記マスク用薄膜に前記コンタクトパターンに対応するパターン開口及び隣接するパターン開口を接続する接続開口を形成する工程と、前記マスク用薄膜の各開口の側壁にスペーサ膜を形成することにより、前記パターン開口の径を小さくすると共に隣接するパターン開口を分離する工程と、前記マスク用薄膜及びスペーサ膜をマスクとして前記被処理膜を選択的にエッチングすることによりコンタクトホールを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、隣接するコンタクトのショートを防止するのではなく、ショートを積極的に利用することによって、微小なコンタクトホールを狭いピッチで形成することができ、且つ露光装置に対する要求（高ＮＡ）の緩和及びチップ面積の縮小をはかることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
発明の実施形態を説明する前に、本発明の基本的考え方について説明する。
【００１３】
図１（ａ）に示すように、パターンの最小ピッチをＦ（例えば３２ｎｍ）とし、直径Ｆのコンタクトパターン１１を２Ｆピッチで配置することを考える。このような形状を実現するには、ＮＡの高い高解像度の露光装置が必要となり、パターン形成に要するコストが増大する。
【００１４】
パターン形成コストを低減する方法として、さほど高解像ではない露光装置を用い、図１（ｂ）に示すように、大径の孤立したコンタクトパターン１２の露光を行い、現像されたレジスト又はそのレジストに基づきエッチングされたマスク材の側壁に対して側壁残し技術などを行い、最終的にコンタクト径を小さくする方法がある。しかし、この方法では、大径の露光を行うために、開口と開口との距離Ｌ（Ｌ＜Ｆ）が短くなり、隣り合うコンタクトパターン１２とのショートが懸念される。
【００１５】
ショート対策としては、図１（ｃ）に示すように、コンタクトパターン１２を千鳥配置することによって隣接するコンタクト間のスペースＬを広げる方法がある。さらに、図１（ｄ）に示すように、楕円状のコンタクトパターン１３を用い、長径のデザインを緩和する方法がある。しかし、これらの対策では、チップサイズが大きくなる問題がある。
【００１６】
そこで本実施形態では、隣接するコンタクトのショートを防止するのではなく、ショートを積極的に利用することにより、高性能の露光装置を不要とし、チップサイズの縮小化をはかることにある。露光でのショートを気にする必要が無いため、図１（ｃ）のスペースＬは更に狭くすることができ、図１（ｄ）の長径デザインの緩和も不要となり、チップ面積をもっと小さくすることが可能となる。
【００１７】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００１８】
（第１の実施形態）
図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に係わる半導体装置の製造工程、特にコンタクトホール形成工程を説明するためのもので、（a1）〜（d1）は平面図、（a2）〜（d2）は（a1）〜（d1）のＸ−Ｘ’断面図である。
【００１９】
まず、図２（ａ）に示すように、素子が形成されたＳｉ等の下地基板２０上に形成された酸化膜等の層間絶縁膜（被処理膜）２１の上に、ＳｉＮ等からなるマスク用薄膜（第１のマスク材料膜）２２及びレジスト膜（第２のマスク材料膜）２３を順に形成する。ここで、層間絶縁膜２１は、酸化膜に限らず、ＴＥＯＳ、ＳｉＮ、ＢＰＳＧ、又はこれらの積層膜等で形成されたものでも良い。マスク用薄膜２２は、ＳｉＮに限らず、ＴＥＯＳ、多結晶Ｓｉ、又はその積層膜等で形成されたものでも良いが、層間絶縁膜２１とは異なる材料（エッチング選択比の大きな材料）にする必要がある。レジスト膜２３は、使用する露光装置の露光光により感光されるものであればよい。
【００２０】
続いて、光露光装置を用い、レジスト膜２３に対して、千鳥配置されたコンタクトパターン２４を露光し、その後に必要な現像処理を施す。露光装置としては各種方式のものを用いることができるが、最終的に形成したいパターンに比して解像度の低いものを用いることも可能である。例えばＫｒＦエキシマレーザ光による露光装置、液浸露光装置等を用いることができる。このとき、隣接するコンタクトの角部がショートするような露光を行い、隣接するコンタクトが括れを持って接続されたレジストパターン２４を形成する。また、隣接するコンタクトの角部をショートさせて露光するには、例えば露光装置の照明条件を調整すればよい。
【００２１】
ここで、コンタクトの露光に用いるマスクは、図３（ａ）に示すように、矩形開口が千鳥配置されたマスクである。なお、図中の３１はマスクの遮光部、３２はマスクの透光部である矩形パターンを示している。このマスクを用いて露光した場合、隣接する開口の最も近い部分は両方の開口により露光されることになり、その結果として図中に破線３３で示すように、隣接する開口が括れた状態で接続されることになる。なお、隣接する開口を確実に接続するためには、図３（ｂ）に示すように、隣接する開口間に解像限界以下の微細補助パターン（ＳＲＡＦ）３４を設けるようにしても良い。
【００２２】
次いで、図２（ｂ）に示すように、レジスト膜２３をマスクに用いてマスク用薄膜２２をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）法により選択エッチングする。これにより、マスク用薄膜２２には、コンタクトパターンに相当するパターン開口と共に、隣接するパターン開口を括れた状態で接続する接続開口が形成されることになる。
【００２３】
次いで、図２（ｃ）に示すように、マスク用薄膜２２の開口の側壁に、例えばＴＥＯＳ、ＳｉＮ、ＢＳＧ、多結晶Ｓｉ等をスペーサ膜２５として形成する。具体的には、マスク用薄膜２２上及び開口内にスペーサ膜２５をＣＶＤ法等により成膜した後、マスク用薄膜２２の表面が露出するまでスペーサ膜２５をＲＩＥ法等により全面エッチングする。これにより、マスク用薄膜２２の側壁のみにスペーサ膜２５が残存することになる。即ち、マスク用薄膜２２の側壁にセルフアラインでスペーサ膜２５を形成することができる。そして、スペーサ膜２５の形成により、パターン開口の径は小さくなると共に、接続開口がスペーサ膜２５で埋め込まれて隣接するパターン開口が分離される。
【００２４】
ここで、スペーサ膜２５の形成によって、隣接する開口間の接続部を完全にスペーサ膜２５で埋め込み、隣接する開口部を分離することが必要である。このためには、隣接する開口間の接続部の最小幅を２Ｓとした時、スペーサ膜２５の膜厚をＳ以上とすればよい。
【００２５】
次いで、図２（ｄ）に示すように、マスク用薄膜２２及びスペーサ膜２５をマスクに用い、ＲＩＥ法により層間絶縁膜２１を選択エッチングする。これにより、微細なコンタクトホールを形成することができた。
【００２６】
このように本実施形態によれば、隣接するコンタクトのショートを防止するのではなくショートを積極的に利用することにより、今まで露光時のショート対策として広げていたコンタクト間のスペースを狭めることができるため、チップサイズを小さくすることが可能となる。また、チップサイズを同じとすれば、今までできるだけ小さくしていたコンタクトのデザインを露光時にショートさせるように大きくすることが可能となる。従って、高性能ＮＡの露光装置が必要でなくなるため、製品コストを抑えることができる。
【００２７】
具体的には、前記図１（ｃ）の例と比較すると、次のような効果が得られる。図１（ｃ）の例では、隣接するコンタクトがショートするのを避けるためにコンタクト間に、パターン最小ピッチＦと同じ程度のスペースＬを要していた。これに対し本実施形態では、隣接するコンタクトを積極的にショートさせているため、このスペースＬをＦよりも短くすることができる。従って、隣接するコンタクトを更に近付けることができ、チップ面積の縮小化を図ることができる。
【００２８】
即ち、同じ露光装置を用いたとしても、コンタクト間スペースＬを小さくすることができ、チップ面積の縮小化をはかることができる。また、コンタクト間スペースＬを同じにしたパターン配置でチップ面積を同じとすると、露光装置として更に解像度の低いものを用いることが可能となり、パターン形成コストの低減をはかることができる。
【００２９】
（第２の実施形態）
図４（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施形態に係わる半導体装置の製造工程、特にコンタクトホール形成工程を説明するためのもので、（a1）〜（d1）は平面図、（a2）〜（d2）は（a1）〜（d1）のＸ−Ｘ’断面図である。なお、図２と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００３０】
本実施形態が先に説明した第１の実施形態と異なる点は、マスク用薄膜の開口側壁にスペーサ膜を形成する代わりに、レジスト膜の開口側壁に有機系の補助レジスト膜を形成することにある。
【００３１】
まず、図４（ａ）に示すように、先の第１の実施形態と同様に、レジスト膜２３に千鳥配置されたコンタクトパターンを露光する。このとき、隣接するコンタクトの角部がショートするような露光を行い、隣接するコンタクトが括れを持って接続されたレジストパターン２４を形成する。
【００３２】
次いで、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜２３の開口側壁に有機系のレジスト補助膜２６をセルフアラインで形成する。このレジスト補助膜２６の形成方法としては、レジスト膜２３の表面に専用の加工補助材料を塗布した後に熱処理を施し、レジスト膜２３内の酸を拡散して加工補助材料と架橋反応を起こすことにより、元のパターンの内側に熱硬化した樹脂層（レジスト補助膜２６）が形成される、いわゆるＲＥＬＡＣＳ法を用いればよい。
【００３３】
このようなレジスト補助膜２６の形成により、パターン開口の径は小さくなると共に、接続開口がレジスト補助膜２６によって埋め込まれるため、隣接するパターン開口が分離されることになる。
【００３４】
次いで、図４（ｃ）に示すように、レジスト膜２３及びレジスト補助膜２６をマスクとして用い、マスク用薄膜２２をＲＩＥ法により選択エッチングする。このとき、マスク用薄膜２２の開口は既に分離された状態で形成される。
【００３５】
次いで、図４（ｄ）に示すように、マスク用薄膜２２をマスクとして用い、層間絶縁膜１１をＲＩＥ法により選択エッチングすることにより、微細なコンタクトホールを形成することができた。
【００３６】
このように本実施形態によれば、レジスト膜２３に隣接するパターンが接続されるようにコンタクトパターンを露光した後、レジスト膜２３の開口側壁に補助レジスト膜２６を形成することにより、微小なコンタクトホールを狭いピッチで形成することができ、第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、マスク用薄膜２２の開口側壁にスペーサ膜２５を形成するのではなく、レジスト膜２３の開口側壁に補助レジスト膜２６を形成するため、ＣＶＤ法による堆積膜形成やＲＩＥによる全面エッチングの工程が不要となり、プロセスが簡略化される利点も得る。
【００３７】
（第３の実施形態）
図５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第３の実施形態に係わる半導体装置の製造工程、特にコンタクトホール形成工程を説明するためのもので、（a1）〜（d1）は平面図、（a2）〜（d2）（a1）〜（d1）のＸ−Ｘ’は断面図である。なお、図２と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００３８】
本実施形態は、先に説明した第１の実施形態と第２の実施形態を組み合わせた方法である。即ち、スペーサ膜２５とレジスト補助膜２６の両方を用いる方法である。
【００３９】
まず、第１，第２の実施形態と同様に、レジスト膜２３に千鳥配置されたコンタクトパターンを露光する。このとき、隣接するコンタクトの角部がショートするような露光を行い、隣接するコンタクトが括れを持って接続されたレジストパターン２４を形成する。
【００４０】
次いで、図５（ａ）に示すように、第２の実施形態で説明した方法により、レジスト膜２３の開口側壁に補助レジスト膜２６をセルフアラインで形成する。このとき、隣接する開口の接続部をレジスト補助膜２６で完全に埋め込むのではなく、隣接する開口は幅がより狭くなって接続された状態となる。
【００４１】
次いで、図５（ｂ）に示すように、レジスト膜２３及びレジスト補助膜２６をマスクに用い、マスク用薄膜２２をＲＩＥ法により選択エッチングする。これにより、マスク用薄膜２２には、コンタクトパターンに相当するパターン開口と共に、隣接するパターン開口を括れた状態で接続する接続開口が形成されることになる。
【００４２】
次いで、図５（ｃ）に示すように、第１の実施形態で説明した側壁残しの技術を用いることにより、マスク用薄膜２２の開口側壁にスペーサ膜２５を形成する。これにより、マスク用薄膜２２のパターン開口の径が小さくなると共に、開口の接続部がスペーサ膜２５で埋め込まれるため隣接するパターン開口が分離されることになる。
【００４３】
次いで、マスク用薄膜２２及びスペーサ膜２５をマスクに用い、層間絶縁膜１１をＲＩＥにより選択エッチングする。これにより、微細なコンタクトホールを形成することができた。
【００４４】
このような工程であっても、先の第１及び第２の実施形態と同様に微小なコンタクトホールを狭いピッチで形成することができる。そしてこの場合、パターン開口を接続する接続開口をレジスト補助膜２６及びスペーサ膜２５で埋め込むことになるため、接続開口の幅が比較的大きい場合であってもこれを埋め込んでパターン開口を確実に分離することができる利点がある。
【００４５】
（第４の実施形態）
図６（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第４の実施形態に係わる半導体装置の製造工程、特にコンタクトホール形成工程を説明するためのもので、（a1）〜（c1）は平面図、（a2）〜（c2）は（a1）〜（c1）のＸ−Ｘ’断面図である。なお、図４と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００４６】
本実施形態が先に説明した第２の実施形態と異なる点は、窒化膜等のマスク用薄膜２２を省いたことにある。
【００４７】
即ち本実施形態では、図６（ａ）に示すように、層間絶縁膜１１上にマスク用薄膜２２を形成することなく、層間絶縁膜１１上にマスク材料膜としてのレジスト膜２３が形成されている。このレジスト膜２３に対し、第１〜第３の実施形態と同様に千鳥配置のコンタクトパターンを露光する。
【００４８】
次いで、図６（ｂ）に示すように、第２の実施形態で説明したＲＥＬＡＣＳ法を用い、レジスト膜２３の開口側壁にレジスト補助膜（側壁膜）２６を形成する。これにより、パターン開口の径を小さくすると共に、接続開口をレジスト補助膜２６によって埋め込むことにより隣接するパターン開口を分離する。
【００４９】
次いで、レジスト膜２３及びレジスト補助膜２６をマスクに用い、層間絶縁膜１１をＲＩＥで選択エッチングすることにより、コンタクトホールを形成する。
【００５０】
このように本実施形態では、レジスト膜２３やレジスト補助膜２６等の有機膜と酸化膜等の層間絶縁膜１１とを十分な選択比でエッチングすることができれば、マスク用薄膜２２を省略することが可能である。従って、第１の実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、プロセスの簡略化をはかることができる。
【００５１】
なお、マスク用薄膜２２を省略するという考えは、第２の実施形態だけではなく第３の実施形態に適用することも可能である。即ち、レジスト膜２３の開口側壁に、ＲＥＬＡＣＳ法によるレジスト補助膜２６ではなく、側壁残しの技術によりスペーサ膜２５を形成すればよい。具体的には、レジストパターン２４が形成された基板上に、低温で成膜できる酸化膜や窒化膜等のスペーサ膜（側壁膜）を形成した後、エッチバックによりレジスト膜２３の開口側壁のみにスペーサ膜を残すようにすればよい。
【００５２】
（第５の実施形態）
図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第５の実施形態に係わる半導体装置の製造工程、特にコンタクトホール形成工程を説明するためのもので、（a1）〜（d1）は平面図、（a2）〜（d2）は（a1）〜（d1）のＸ−Ｘ’断面図である。なお、図２と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００５３】
本実施形態が先に説明した第１の実施形態と異なる点は、円形コンタクトを千鳥配置する代わりに、楕円形状のコンタクトを一方向に沿って配置したことにある。
【００５４】
図７（ａ）に示すように、レジスト膜２３に対して、楕円形のコンタクトパターンを一方向に沿って該方向と直交する方向に長軸を揃えて露光する。このとき、隣接するコンタクトの角部がショートするような露光を行い、隣接するコンタクトが括れを持って接続されたレジストパターン４４を形成する。
【００５５】
ここで、コンタクトの露光に用いるマスクは、図３（ｃ）に示すように、長方形の開口３５を一方向に沿って配置したものである。このようなマスクを用いて露光した場合、パターンの角部よりも中央部の方で露光量が大きくなるため、隣接する開口が括れた状態で接続されることになる。なお、隣接する開口を確実に接続するために、隣接する開口間に解像限界以下の微細補助パターン（ＳＲＡＦ）を設けるようにしても良い。
【００５６】
次いで、図７（ｂ）に示すように、レジスト膜２３をマスクに用いてマスク用薄膜２２をＲＩＥ法により選択エッチングする。これにより、マスク用薄膜２２には、コンタクトパターンに相当するパターン開口と共に、隣接するパターン開口を括れた状態で接続する接続開口が形成されることになる。
【００５７】
次いで、図７（ｃ）に示すように、マスク用薄膜２２の開口の側壁に、例えばＴＥＯＳ、ＳｉＮ、ＢＳＧ、多結晶Ｓｉ等をスペーサ膜２５として形成する。具体的には、マスク用薄膜２２上及び開口内にスペーサ膜２５をＣＶＤ法等により成膜した後、マスク用薄膜２２の表面が露出するまでスペーサ膜２５をＲＩＥ法により全面エッチングする。これにより、マスク用薄膜２２の側壁のみにスペーサ膜２５が残存することになる。そして、スペーサ膜２５の形成により、パターン開口の径は小さくなると共に、隣接するパターン開口が分離される。
【００５８】
ここで、スペーサ膜２５の形成によって、隣接する開口間の接続部を完全にスペーサ膜２５で埋め込み、隣接する開口部を分離することが必要である。このためには、隣接する開口間の接続部の最小幅を２Ｓとした時、スペーサ膜２５の膜厚をＳ以上とすればよい。
【００５９】
次いで、図７（ｄ）に示すように、マスク用薄膜２２及びスペーサ膜２５をマスクに用い、ＲＩＥ法により層間絶縁膜２１を選択エッチングする。これにより、微細なコンタクトホールを形成することができた。
【００６０】
このように本実施形態によれば、楕円形状のコンタクトパターンを隣接パターンが接続される状態で露光した後、側壁残しの技術により、接続部の開口を埋め込むと共に、パターン開口を小さくすることにより、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００６１】
具体的には、前記図１（ｄ）の例と比較すると、次のような効果が得られる。図１（ｄ）の例では、隣接するコンタクトがショートするのを避けるためにコンタクト間に一定以上のスペースを要していた。本実施形態では、隣接するコンタクトを積極的にショートさせているため、このスペースを短くすることができる。従って、隣接するコンタクトを更に近付けることができ、チップ面積の縮小化を図ることができる。即ち、露光装置の解像度を同じとすると、チップ面積の縮小化を図ることができる。また、チップ面積を同じとすると、露光装置として更に解像度の低いものを用いることが可能となり、コストの低減をはかることができる。
【００６２】
なお、この楕円形状のコンタクトを利用する方法は、第１の実施形態のような側壁残しの技術を併用するに限らず、第２〜第４の実施形態に適用することが可能である。即ち、各実施形態において、コンタクトパターンとして千鳥配置の円形パターンの代わりに、直線配置の楕円形パターンを用いるようにしても良い。
【００６３】
（第６の実施形態）
図８（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第６の実施形態に係わる半導体装置の製造工程、特にコンタクトホール形成工程を説明するためのもので、（a1）〜（d1）は平面図、（a2）〜（d2）は（a1）〜（d1）のＸ−Ｘ’断面図である。なお、図２と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００６４】
本実施形態が先に説明した第１の実施形態と異なる点は、円形コンタクトを千鳥配置する代わりに、円形コンタクトを直線上に配置したことにある。また、第５の実施形態床となる点は、コンタクトの形状を楕円から円形にしたことである。
【００６５】
図８（ａ）に示すように、レジスト膜２３に対して、円形のコンタクトパターンを一方向に沿って隣接配置した状態で露光する。このとき、隣接するコンタクトの角部がショートするような露光を行い、隣接するコンタクトが括れを持って接続されたレジストパターン５４を形成する。
【００６６】
ここで、コンタクトの露光に用いるマスクは、図３（ｄ）に示すように、矩形の開口３２を一方向に沿って配置したものである。このようなマスクを用いて露光した場合、パターンの角部よりも中央部の方で露光量が大きくなるため、隣接する開口が括れた状態で接続されることになる。なお、隣接する開口を確実に接続するために、隣接する開口間に解像限界以下の微細補助パターン（ＳＲＡＦ）を設けるようにしても良い。
【００６７】
次いで、図８（ｂ）に示すように、レジスト膜２３をマスクに用いてマスク用薄膜２２をＲＩＥ法により選択エッチングする。これにより、マスク用薄膜２２には、コンタクトパターンに相当するパターン開口と共に、隣接するパターン開口を括れた状態で接続する接続開口が形成されることになる。
【００６８】
次いで、図８（ｃ）に示すように、マスク用薄膜２２の開口の側壁に、例えばＴＥＯＳ、ＳｉＮ、ＢＳＧ、多結晶Ｓｉ等をスペーサ膜２５として形成する。具体的には、マスク用薄膜２２上及び開口内にスペーサ膜をＣＶＤ法等により成膜した後、マスク用薄膜２２の表面が露出するまでスペーサ膜２５をＲＩＥ法により全面エッチングする。これにより、マスク用薄膜２２の側壁のみにスペーサ膜２５が残存することになる。そして、スペーサ膜２５の形成により、パターン開口の径は小さくなると共に、隣接するパターン開口が分離される。
【００６９】
ここで、スペーサ膜２５の形成によって、隣接する開口間の接続部を完全にスペーサ膜２５で埋め込み、隣接する開口部を分離することが必要である。このためには、隣接する開口間の接続部の最小幅を２Ｓとした時、スペーサ膜２５の膜厚をＳ以上とすればよい。
【００７０】
次いで、図８（ｄ）に示すように、マスク用薄膜２２及びスペーサ膜２５をマスクに用い、ＲＩＥ法により層間絶縁膜２１を選択エッチングする。これにより、微細なコンタクトホールを形成することができた。
【００７１】
このように本実施形態によれば、円形のコンタクトパターンを隣接パターンが接続される状態で露光した後、側壁残しの技術により、接続部の開口を埋め込むと共に、パターン開口を小さくすることにより、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００７２】
具体的には、前記図１（ｂ）の例と比較すると、次のような効果が得られる。図１（ｂ）の例では、Ｆよりも大きな直径のコンタクトを２Ｆピッチで配置すると、隣接スペースがＦよりも小さくなり、隣接ショートが発生するためにパターン形成できないと云われていた。これに対し本実施形態では、隣接ショートを許容するために、図１（ｂ）に示すような配置でもコンタクトパターンを形成することができる。従って、さほど高解像ではない露光装置を用いながら、高解像の露光装置を用いた場合と同様のコンタクトパターンを形成することができ、パターン形成に要するコストの低減をはかることができる。また、本実施形態の場合、千鳥配置のパターンを用いる例や楕円コンタクトを用いる例に比して、更なるチップ面積の縮小をはかることができる。
【００７３】
なお、この円形コンタクトを利用する方法は、第１の実施形態のような側壁残しの技術を併用するに限らず、第２〜第４の実施形態に適用することが可能である。即ち、各実施形態において、コンタクトパターンとして千鳥配置の円形パターンを用いる代わりに、直線配置の円形パターンを用いるようにしても良い。
【００７４】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、全てのコンタクトを周期配列した例について説明したが、必ずしも全てのコンタクトを周期配列したものではなく、一部のコンタクトが隣接して配置されたものであればよい。
【００７５】
例えば、図９（ａ）に示すように、円形コンタクト６１，６２が隣接配置され、円形コンタクト６３が離れて配置されているようなパターンであっても良い。さらに、図９（ｂ）に示すように、コンタクト６１，６２は隣接配置、コンタクト６３，６４は隣接配置、コンタクト６１，６２とコンタクト６３，６４との間は十分に離れているようなパターンであっても良い。
【００７６】
また、図９（ｃ）に示すように、楕円形コンタクト７１，７２が隣接配置され、楕円形コンタクト７３が離れて配置されているようなパターンであっても良い。さらに、図９（ｂ）に示すように、コンタクト７１，７２は隣接配置、コンタクト７３，７４，７５は隣接配置、コンタクト７１，７２とコンタクト７３，７４，７５との間は十分に離れているようなパターンであっても良い。要は、少なくとも一部にコンタクトが隣接配置されているようなパターンであればよい。
【００７７】
また、マスク用薄膜の材料は窒化膜に限るものではなく、実施形態で説明した各種の材料を用いることができる。さらに、これらの材料に限らず、レジストをマスクに選択エッチングすることができ、且つ被加工膜と十分なエッチング選択比が取れるものであればよい。また、スペーサ膜やレジスト補助膜の材料も、仕様に応じて適宜変更可能である。
【００７８】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の基本的考え方を説明するための模式図。
【図２】第１の実施形態に係わるコンタクトホール形成工程を示す平面図と断面図。
【図３】第１〜第６の実施形態に用いたマスクパターンの例を示す平面図。
【図４】第２の実施形態に係わるコンタクトホール形成工程を示す平面図と断面図。
【図５】第３の実施形態に係わるコンタクトホール形成工程を示す平面図と断面図。
【図６】第４の実施形態に係わるコンタクトホール形成工程を示す平面図と断面図。
【図７】第５の実施形態に係わるコンタクトホール形成工程を示す平面図と断面図。
【図８】第６の実施形態に係わるコンタクトホール形成工程を示す平面図と断面図。
【図９】本発明の変形例を説明するための平面図。
【符号の説明】
【００８０】
１１〜１３…コンタクトパターン
２０…下地基板
２１…層間絶縁膜（被処理膜）
２２…マスク用薄膜
２３…レジスト膜
２４…レジストパターン
２５…スペーサ膜
２６…レジスト補助膜
３１…マスクの遮光部
３２…マスクの透光部（矩形パターン）
３３…露光パターン
３４…微細補助パターン
３５…マスクの透光部（長方形パターン）
４４…レジストパターン
５４…レジストパターン
６１〜６４…円形コンタクト
７１〜７５…楕円コンタクト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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