(57)【要約】      （修正有）【課題】小流量から大流量の水蒸気の生成を可能とするパイロジェニック酸化装置を提供する。【解決手段】ウエハを処理する処理炉と、酸素と水素とを燃焼反応させて水蒸気を生成する水蒸気発生装置５０と、水蒸気発生装置５０で生成した水蒸気を処理炉内に供給するガス導入部とを備えているパイロジェニック酸化装置において、水蒸気発生装置５０に小流量用ノズル６０と複数本の大流量用ノズル７０とを設ける。小流量の水蒸気を供給する時には小流量用ノズル６０を使用して、細長い炎６９を生成して紫外線センサ５６の検出を確保する。大流量の水蒸気を供給する時には複数本の大流量用ノズル７０を使用して、大流量の水蒸気の生成を確保しつつ、短い炎７９を形成して石英の失透を防止する。【選択図】図２
2008258237.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理炉と、
酸素と水素とを燃焼させて水蒸気を生成する燃焼装置と、
前記燃焼装置により生成した水蒸気を前記処理炉内に供給する供給部と、を有し、
前記燃焼装置には複数の着火部が設けられることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に酸化膜を形成するためのパイロジェニック酸化装置に利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法におけるウエハに酸化膜を形成する酸化膜形成工程には、パイロジェニック酸化装置が使用されることがある。
パイロジェニック酸化装置は、外部燃焼装置等の水蒸気発生装置によって発生された水蒸気（Ｈ2 Ｏ）をウエハに接触させて酸化することにより、ウエハに酸化膜を形成するように構成されている。
【０００３】
水蒸気発生装置は、水素（Ｈ2 ）ガスと酸素（Ｏ2 ）ガスとを燃焼反応させて水蒸気を生成する石英製の燃焼管と、燃焼管内に水素と酸素とを噴出させるガス噴出ノズルとを備えており、燃焼管内で水素と酸素とを燃焼反応させることにより、水蒸気を発生するように構成されている。
水蒸気発生装置においては、燃焼管内の燃焼炎の有無を検知することにより、燃焼反応状態を監視している。炎の検知は例えば紫外線（ＵＶ）センサによって実施している。
しかし、ＵＶセンサの取り付け位置や許容温度範囲および紫外線検知感度によっては、小流量の場合には紫外線センサが炎を検知することができない事態が発生する。
また、大流量の場合には、燃焼反応の炎が大きくなり、石英製の燃焼管の表面にあたり、石英の表面を失透させてパーティクルを発生させたり、ＵＶセンサが炎を検知することができなくなる事態が発生する。
【０００４】
現在、ＩＣの製造方法においては、薄膜プロセスではＨ2 Ｏで１リットル毎分以下の小流量の制御が要求される一方、アニールプロセスではＨ2 Ｏで１０リットル毎分以上の大流量の制御が要求されている。
このような広範囲の流量の制御の要求に応ずるための水蒸気発生装置としては、プラチナ（Ｐｔ）とニッケル（Ｎｉ）との触媒反応によってＨ2 Ｏを発生するものがある。例えば、特許文献１参照。
【特許文献１】特開平１１−２０４５１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述した触媒方式の水蒸気発生装置においては、外部燃焼方式に比べて、イニシャルコストおよびランニングコストが大きくなるという問題点があるばかりでなく、腐食ガスの回避方法の検討および定期的な部品の交換が必要となるという問題点がある。
【０００６】
本発明の目的は、このような問題点を回避しつつ小流量から大流量の水蒸気による処理を実施することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を処理する処理炉と、
酸素と水素とを燃焼させて水蒸気を生成する燃焼装置と、
前記燃焼装置により生成した水蒸気を前記処理炉内に供給する供給部と、を有し、
前記燃焼装置には複数の着火部が設けられることを特徴とする基板処理装置。
（２）前記（１）において、 前記複数の着火部のそれぞれには、 酸素を供給する少なくとも一つの酸素ラインおよび水素を供給する少なくとも一つの水素ラインが接続されており、前記酸素ラインの噴出口と前記水素ラインの噴出口のうち少なくとも一つの噴出口は、他の噴出口と太さが異なる基板処理装置。
（３）前記（１）において、 前記複数の着火部のそれぞれには、 酸素を供給する酸素ラインおよび水素を供給する水素ラインが接続されており、前記酸素ラインの噴出口と前記水素ラインの噴出口とは、 口径が異なる基板処理装置。
（４）前記（１）において、 前記複数の着火部のそれぞれには、 酸素を供給する酸素ラインおよび水素を供給する水素ラインが接続されており、前記酸素ラインの噴出口または前記水素ラインの噴出口のうち最も外側（燃焼室の内周面に最も近い側）に位置する噴出口の口径が他の噴出口の口径より小さくされている基板処理装置。
（５）前記（１）において、 前記複数の着火部のそれぞれには、 酸素を供給する酸素ラインおよび水素を供給する水素ラインが接続されており、前記複数の着火部のうち最も外側（燃焼室の内周面に最も近い側）に位置する着火部は、前記酸素ラインの噴出口または／および前記水素ラインの噴出口に傾斜をかけ内側に向くように構成されている基板処理装置。
（６）酸素と水素とを燃焼させて水蒸気を生成する燃焼装置において、
前記燃焼装置には複数の着火部が設けられることを特徴とする燃焼装置。
【発明の効果】
【０００８】
前記（１）において、小流量と大流量とに対応した着火部のそれぞれを適宜に使用することにより、小流量の場合の紫外線センサが炎を検知することができない事態の発生を未然に防止することができるとともに、大流量の場合の石英の失透を未然に防止することができるので、小流量から大流量の水蒸気による処理を実施することができる。
また、触媒方式に比べ、イニシャルコストおよびランニングコストを抑制することができるとともに、腐食ガスの回避方法の検討および定期的な部品の交換が必要となるという問題点を回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１０】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、機能的にはウエハに酸化膜を形成するための酸化膜形成装置の一例であるパイロジェニック酸化装置として構成されており、構造的にはバッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置として構成されている。
すなわち、図１に示されているように、本実施の形態に係る基板処理装置（以下、パイロジェニック酸化装置という。）はバッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置として構成されている。
【００１１】
図１に示されているように、パイロジェニック酸化装置は処理炉１０を備えている。
処理炉１０は加熱機構としてのヒータ１２を有する。ヒータ１２は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース１１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００１２】
ヒータ１２の内側には、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状である均熱管（外管）１３が、ヒータ１２と同心円状に配設されている。
また、均熱管１３の内側には、例えば石英（ＳｉＯ2 ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状である反応管（内管）１４が、均熱管１３と同心円状に配設されている。
反応管１４の筒中空部には処理室１５が形成されており、基板としてのウエハ１を後述するボートによって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容することができるように構成されている。
【００１３】
反応管１４の天井壁には複数個のガス導入口１６が開設されており、反応管１４の天井壁の上にはガス溜め１７がガス導入口１６を被覆するように設けられている。
反応管１４の下端部にはガス導入部１９が設けられており、ガス導入部１９から反応管１４のガス溜め１７に至るまで反応管１４の外壁に添ってガス導入管としての細管１８が配設されている。
ガス導入部１９から導入されたガスは細管１８内を流通してガス溜め１７に至り、ガス溜め１７に設けられた複数のガス導入口１６から処理室１５内に導入される。
【００１４】
反応管１４の下端部のガス導入部１９と異なる位置には、反応管１４内の雰囲気を排気口２０から排気するガス排気部２１が設けられている。
ガス排気部２１にはガス排気管２２が接続されている。
ガス排気管２２のガス排気部２１との接続側とは反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ２３および圧力調整装置２４を介して排気装置２５が接続されており、処理室１５内の圧力が所定の圧力となるよう排気し得るように構成されている。
圧力センサ２３および圧力調整装置２４には圧力制御部３３が電気配線Ｃによって電気的に接続されており、圧力制御部３３は圧力センサ２３により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４により処理室１５内の圧力が所望の圧力とさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００１５】
均熱管１３と反応管１４との間には、温度検出器としての温度センサ２６が設置されている。ヒータ１２と温度センサ２６には、温度制御部３４が電気配線Ｄによって電気的に接続されており、温度センサ２６によって検出された温度情報に基づきヒータ１２への通電具合を調整することにより、処理室１５内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００１６】
反応管１４の下端部には、反応管１４の下端開口を気密に閉塞可能な保持体としてのベース４１と、炉口蓋体としてのシールキャップ４２とが設けられている。
ベース４１は例えば石英からなり、円盤状に形成され、シールキャップ４２の上に取付けられている。シールキャップ４２は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。
ベース４１の上面には反応管１４の下端と当接するシール部材としてのＯリング４３が設けられる。
シールキャップ４２の処理室１５と反対側には、ボートを回転させる回転機構４４が設置されている。回転機構４４の回転軸４５はシールキャップ４２とベース４１を貫通して、後述する断熱筒およびボートに接続されており、断熱筒およびボートを回転させることでウエハ１を回転させるように構成されている。
シールキャップ４２は反応管１４の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ４６によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボートを処理室１５に対し搬入搬出することが可能となっている。
回転機構４４およびボートエレベータ４６には、駆動制御部３１が電気配線Ａを介して電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００１７】
基板保持具としてのボート４７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ１を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて保持するように構成されている。
ボート４７の下方には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円筒形状をした断熱部材としての断熱筒４８がボート４７を支持するように設けられており、ヒータ１２からの熱が反応管１４の下端側に伝わりにくくなるように構成されている。
【００１８】
図１に示されているように、ガス導入部１９には水素と酸素とを燃焼させて水蒸気を生成する燃焼装置である水蒸気発生装置５０が接続されている。
図２および図３に示されているように、水蒸気発生装置５０は水素と酸素とが燃焼反応される燃焼管５１を備えている。燃焼管５１は石英によって両端面が閉塞された円筒形状に形成されており、水素と酸素とが燃焼反応される燃焼室５２が燃焼管５１の円筒中空部によって形成されている。
燃焼管５１の反応管１４側の端面には、送出管５３の一端が燃焼室５２に連通するように突設されており、図１に示されているように、送出管５３の他端は反応管１４のガス導入部１９に接続されている。
【００１９】
燃焼管５１の外側には容器５４によって被覆されたヒータ５５が設置されており、ヒータ５５は燃焼室５２の内部を加熱するようになっている。
ヒータ５５の中間部位には燃焼炎の有無を検出する紫外線センサ５６の先端部が挿入されている。
図１に示されているように、紫外線センサ５６はガス流量制御部３２に電気配線Ｂによって電気的に接続されており、検出結果をガス流量制御部３２に送信するようになっている。
【００２０】
燃焼管５１の送出管５３と反対側の端面壁には、複数の着火部である複数本のノズルが設けられている。
燃焼管５１の端面壁の中央に配置されたノズルは小流量用ノズル６０として構成されており、小流量用ノズルの四方に配置された４本のノズルは大流量用ノズル７０として構成されている。
【００２１】
小流量用ノズル６０は両端開口の円筒形状に形成された外管６１と、両端が開口の小径の円筒形状に形成された内管６２と、水素ガスと酸素ガスとを別々に噴出させるガス噴出部６３とを備えており、内管６２は外管６１内に同心円に収容されている。ガス噴出部６３は外管６１の内径と等しい外径の円板形状に形成されており、内管６２の先端に同心円に配されている。
小流量用ノズル６０のうち内管６２とガス噴出部６３とは一体的に形成されており、石英または炭化シリコンによって形成されている。小流量用ノズル６０のうち外管６１は石英または炭化シリコンによって形成されており、内管６２とガス噴出部６３とに対して分割可能に構成されている。
【００２２】
ガス噴出部６３の中心線上には、内管６２の内部と連通するガス噴出口（以下、内側ガス噴出口という。）６４が開設されている。
ガス噴出部６３の中間部にはガス噴出口（以下、外側ガス噴出口という）６５が複数個（図示例では４個）、内側ガス噴出口６４を囲むように内側ガス噴出口６４と同心円状に配置されて開設されている。各外側ガス噴出口６５は外管６１と内管６２との間の空間６６に連通している。
外管６１の燃焼管５１と反対側開口端と内管６２のガス噴出部６３と反対側端部外周との間には、外管６１と内管６２との間の空間６６を気密封止するシール部材６７が嵌着されている。
外管６１の中間部にはカップリング管６８が突設されており、カップリング管６８は外管６１と内管６２との間の空間６６に連通している。
【００２３】
大流量用ノズル７０は両端開口の円筒形状に形成された外管７１と、両端が開口の小径の円筒形状に形成された内管７２と、水素ガスと酸素ガスとを別々に噴出させるガス噴出部７３とを備えており、内管７２は外管７１内に同心円に収容されている。ガス噴出部７３は外管７１の内径と等しい外径の円板形状に形成されており、内管７２の先端に同心円に配されている。
大流量用ノズル７０のうち内管７２とガス噴出部７３とは一体的に形成されており、石英または炭化シリコンによって形成されている。大流量用ノズル７０のうち外管７１は石英または炭化シリコンによって形成されており、内管７２とガス噴出部７３とに対して分割可能に構成されている。
【００２４】
ガス噴出部７３の中心線上には、内管７２の内部と連通するガス噴出口（以下、内側ガス噴出口という。）７４が開設されている。
ガス噴出部７３の中間部にはガス噴出口（以下、外側ガス噴出口という）７５が複数個（図示例では４個）、内側ガス噴出口７４を囲むように内側ガス噴出口７４と同心円状に配置されて開設されている。各外側ガス噴出口７５は外管７１と内管７２との間の空間７６に連通している。
外管７１の燃焼管５１と反対側開口端と内管７２のガス噴出部７３と反対側端部外周との間には、外管７１と内管７２との間の空間７６を気密封止するシール部材７７が嵌着されている。
外管７１の中間部にはカップリング管７８が突設されており、カップリング管７８は外管７１と内管７２との間の空間７６に連通している。
【００２５】
小流量用ノズル６０の噴出流量が大流量用ノズル７０の噴出流量より小さくなるように、小流量用ノズル６０の太さは大流量用ノズル７０の太さより小さく設定されている。
同様に、小流量用ノズル６０の内側ガス噴出口６４および外側ガス噴出口６５の口径は大流量用ノズル７０の内側ガス噴出口７４および外側ガス噴出口７５の口径より小さく設定されている。
また、各大流量用ノズル７０の複数の外側ガス噴出口７５のうち最も外側の位置すなわち燃焼室５２の内周面に最も近い位置の外側ガス噴出口７５ａの口径は、残りの外側ガス噴出口７５の口径より小径に設定されている。
【００２６】
図１に示されているように、水蒸気発生装置５０は水素ガス供給装置８０および酸素ガス供給装置９０を備えている。
水素ガス供給装置８０には小流量用水素ライン８１と大流量用水素ライン８２とが接続されている。小流量用水素ライン８１は小流量用ノズル６０の内管６２（図２参照）にＭＦＣ（マスフローコントローラ）８３を介して接続されている。大流量用水素ライン８２は各大流量用ノズル７０の内管７２（図２参照）にＭＦＣ８４を介してそれぞれ接続されている。
酸素ガス供給装置９０には小流量用酸素ライン９１と大流量用酸素ライン９２とが接続されている。小流量用酸素ライン９１は小流量用ノズル６０のカップリング管６８（図２参照）にＭＦＣ９３を介して接続されている。大流量用酸素ライン９２は各大流量用ノズル７０のカップリング管７８（図２参照）にＭＦＣ９４を介してそれぞれ接続されている。
各ＭＦＣ８３、８４、９３、９４はガス流量制御部３２に電気配線Ｂによって電気的に接続されており、ガス流量制御部３２は供給するガスの流量が所望の値となるよう各ＭＦＣ８３、８４、９３、９４を所望のタイミングにて制御するようになっている。
【００２７】
駆動制御部３１、ガス流量制御部３２、圧力制御部３３および温度制御部３４は、操作部および入出力部をも構成しており、パイロジェニック酸化装置全体を制御する主制御部３５に電気的に接続されている。
これら、駆動制御部３１、ガス流量制御部３２、圧力制御部３３、温度制御部３４、主制御部３５はコントローラ３６として構成されている。
【００２８】
次に、前記構成に係るパイロジェニック酸化装置によるＩＣの製造方法における酸化膜形成工程を説明する。
なお、以下の説明において、パイロジェニック酸化装置を構成する各部の作動は、コントローラ３６によって制御される。
【００２９】
複数枚のウエハ１がボート４７に装填（ウエハチャージ）されると、図１に示されているように、複数枚のウエハ１を保持したボート４７はボートエレベータ４６によって持ち上げられて処理室１５内に搬入（ボートローディング）される。
この状態で、シールキャップ４２はベース４１およびＯリング４３を介して反応管１４をシールした状態になる。
【００３０】
処理室１５内が所望の圧力となるように排気装置２５によって排気される。
この際、処理室１５内の圧力は圧力センサ２３によって測定され、測定された圧力に基づき圧力調整装置２４がフィードバック制御される。
また、処理室１５内が所望の温度となるようにヒータ１２によって加熱される。
この際、処理室１５内が所望の温度分布となるように温度センサ２６が検出した温度情報に基づきヒータ１２への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、回転機構４４によって断熱筒４８およびボート４７が回転されることにより、ウエハ１が回転される。
【００３１】
例えば、薄膜プロセスにおいて、水蒸気で１リットル毎分以下の小流量の制御が要求される場合には、小流量用水素ライン８１のＭＦＣ８３が開かれることにより、ＭＦＣ８３によって流量を調整された水素ガスが、水素ガス供給装置８０から小流量用ノズル６０の内管６２に供給される。内管６２に供給された水素ガスは、ガス噴出部６３の内側ガス噴出口６４から燃焼室５２に噴出する。
同時に、小流量用酸素ライン９１のＭＦＣ９３が開かれることにより、ＭＦＣ９３によって流量を調整された酸素ガスが、酸素ガス供給装置９０から小流量用ノズル６０の外管６１と内管６２との間の空間６６に供給される。空間６６に供給された酸素ガスは、ガス噴出部６３の複数個の外側ガス噴出口６５から燃焼室５２にそれぞれ噴出する。
【００３２】
水蒸気発生装置５０の燃焼室５２の温度が、水素ガスの燃焼温度以上にヒータ５５によって上昇されると、内側ガス噴出口６４から噴出する水素ガスが着火し、水素ガスと複数個の外側ガス噴出口６５から噴出する酸素ガスとが燃焼反応するために、水蒸気が燃焼室５２において生成される。
【００３３】
水蒸気発生装置５０で生成された水蒸気は水素ガスや酸素ガスと共に処理ガス（酸化ガス）として燃焼管５１の送出管５３からガス導入部１９へ送り出され、ガス導入部１９および細管１８を流れてガス溜め１７に至り、複数のガス導入口１６から処理室１５内にシャワー状に導入される。
導入されたガスは処理室１５内を流下し、排気口２０を流通してガス排気部２１から排気される。
ガスは処理室１５を通過する際に、ウエハ１と接触し、ウエハ１に対して酸化処理を施す。
【００３４】
予め設定された処理時間が経過すると、小流量用ノズル６０への水素ガスおよび酸素ガスの供給が停止される。
次いで、図示しない不活性ガス供給装置から不活性ガスが供給され、処理室１５内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室１５内が常圧に復帰される。
【００３５】
その後、ボートエレベータ４６により、シールキャップ４２が下降されて、反応管１４の下端が開口されるとともに、処理済みウエハ１がボート４７によって保持された状態で、反応管１４の下端から外部に搬出（ボートアンローディング）される。
この後、処理済みウエハ１はボート４７から取出される（ウエハディスチャージ）。
【００３６】
以降、前述した作用が繰り返されることにより、パイロジェニック酸化装置によってウエハがバッチ処理されて行く。
【００３７】
ところで、１リットル毎分以下の小流量の場合には、従来の外部燃焼装置の構造では水素ガスおよび酸素ガスの噴射力が小さいことにより炎が小さく短くなるために、紫外線センサ５６によって炎を検出することができない事態が発生する。
しかし、本実施の形態においては、小流量用ノズル６０が使用されることにより、内側ガス噴出口６４、外側ガス噴出口６５から噴出する水素ガスおよび酸素ガスの流速が上がるので、図２に示されているように、細長い炎６９が形成されるために、紫外線センサ５６は細長い炎６９を確実に検出することができる。
【００３８】
他方、例えば、アニールプロセスのように、１０リットル毎分以上の水蒸気を供給する場合には、従来の外部燃焼装置の構造では燃焼反応の炎が大きくなり、石英製の燃焼室５２の送出管５３側の表面（燃焼管５１の送出管５３側の端面）にあたり、石英の表面を失透させるために、パーティクルを発生させたり、紫外線センサ５６が炎を検知することができなくなる事態が発生する。
そこで、本実施の形態においては、１０リットル毎分以上の大流量の場合には、図４に示されているように、複数本の大流量用ノズル７０を使用することにより、紫外線センサ５６による検出が可能な長さの範囲内で短く太い炎７９を複数本に分散させてそれぞれ形成するものとした。
すなわち、複数本に分散した炎７９の長さは短くなることにより、石英製の燃焼室５２の送出管５３側の表面（燃焼管５１の送出管５３側の端面）にあたることはないために、石英の失透は発生しない。
また、炎７９の長さを紫外線センサ５６による検出が可能なように制御することにより、紫外線センサ５６による炎７９の検出は確保することができる。
他方、複数本の炎７９を形成することにより、１０リットル毎分の大流量の水蒸気は全体的に確保することができる。
【００３９】
ここで、各大流量用ノズル７０の複数の外側ガス噴出口７５のうち最も外側の位置すなわち燃焼室５２の内周面に最も近い位置の外側ガス噴出口７５ａの口径を小径に設定することにより、短い炎７９の外側への広がりを抑制することができるので、短い炎７９が燃焼室５２の内周面にあたるのを防止することができる。
【００４０】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００４１】
1)  小流量用ノズルと大流量用ノズルとを設けることにより、小流量と大流量とに適宜に対応することができるので、小流量の場合の紫外線センサが炎を検知することができない事態の発生および大流量の場合の石英の失透を回避しつつ、小流量から大流量の水蒸気による処理を実施することができる。
【００４２】
2)  触媒方式に比べイニシャルコストおよびランニングコストを抑制することができるとともに、腐食ガスの回避方法の検討および定期的な部品の交換が必要となるという問題点を回避することができる。
【００４３】
3)  大流量用ノズルの複数の外側ガス噴出口のうち最も外側の位置すなわち燃焼室の内周面に最も近い位置の外側ガス噴出口の口径を小径に設定することにより、短い炎の外側への広がりを抑制することができるので、周辺部で形成される複数本の炎が燃焼室の内周面にあたるのを防止することができる。
【００４４】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４５】
例えば、図５に示されているように、大流量用ノズル７０の噴出方向を内側を向くように傾斜させてもよい。
これにより、大流量用ノズル７０の炎７９が内側すなわち燃焼管５１の中心線側を向くので、周辺部で形成される複数本の炎７９が燃焼室５２の内周面にあたるのを防止することができる。
１０リットル毎分以上の大流量の場合に、大流量用ノズル７０だけでなく小流量用ノズル６０をも使用してもよい。
【００４６】
酸素ガスラインは外管と内管との間の空間に連通させるに限らず、外側ガス噴出口に直接的に接続してもよい。
酸素ガスラインの噴出口は複数に限らず、単数であってもよい。
【００４７】
水素ガスをヒータによって着火させるように構成するに限らず、ランプの熱線を集光台に集光させて着火させるように構成してもよい。
【００４８】
前記実施の形態ではパイロジェニック酸化装置について説明したが、本発明はこれに限らず、アニール装置や酸化・拡散装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００４９】
前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、被処理基板はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施の形態であるパイロジェニック酸化装置を示す正面断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る水蒸気発生装置を示す正面断面図である。
【図３】図２のIII −III 線に沿う断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る水蒸気発生装置における大流量用ノズルの使用時を示す正面断面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態に係る水蒸気発生装置を示す正面断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１…ウエハ（基板）、１０…処理炉、１１…ヒータベース、１２…ヒータ、１３…均熱管（外管）、１４…反応管（内管）、１５…処理室、１６…ガス導入口、１７…ガス溜め、１８…細管、１９…ガス導入部、２０…排気口、２１…ガス排気部、２２…ガス排気管、２３…圧力センサ、２４…圧力調整装置、２５…排気装置、２６…温度センサ、
３１…駆動制御部、３２…ガス流量制御部、３３…圧力制御部、３４…温度制御部、３５…主制御部、３６…コントローラ、
４１…ベース、４２…シールキャップ、４３…Ｏリング、４４…回転機構、４５…回転軸、４６…ボートエレベータ、４７…ボート、４８…断熱筒、
５０…水蒸気発生装置（燃焼装置）、５１…燃焼管、５２…燃焼室、５３…送出管、５４…容器、５５…ヒータ、５６…紫外線センサ、
６０…小流量用ノズル（着火部）、６１…外管、６２…内管、６３…ガス噴出部、６４…内側ガス噴出口、６５…外側ガス噴出口、６６…空間、６７…シール部材、６８…カップリング管、６９…細長い炎、
７０…大流量用ノズル（着火部）、７１…外管、７２…内管、７３…ガス噴出部、７４…内側ガス噴出口、７５…外側ガス噴出口、７５ａ…小径の外側ガス噴出口、７６…空間、７７…シール部材、７８…カップリング管、７９…短い炎、
８０…水素ガス供給装置、８１…小流量用水素ライン、８２…大流量用水素ライン、８３、８４…ＭＦＣ、
９０…酸素ガス供給装置、９１…小流量用酸素ライン、９２…大流量用酸素ライン、９３、９４…ＭＦＣ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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