(57)【要約】      （修正有）【課題】全体として小型化されるとともに、低コストの半導体装置を提供する。【解決手段】対向する表面及び裏面にそれぞれ電極を有する半導体素子１１と、前記半導体素子の前記表面に対して略平行な第１の主面と、前記第１の主面に対して略垂直な第１の側面と、前記第１の主面に対して垂直な方向に突出し前記表面の電極と接続された凸部１２ａと、を有する第１の外部電極１２と、前記半導体素子の前記裏面に対して略平行な第２の主面と、前記第２の主面に対して略垂直な第２の側面と、前記第２の主面に対して垂直な方向に突出し前記裏面の電極と接続された凸部１３ａと、を有する第２の外部電極１３と、を備え、前記第１の外部電極の前記第１の側面と、前記第２の外部電極の前記第２の側面と、がマウント面とされ、前記半導体素子が、前記第１の外部電極と、前記第２の外部電極と、の中央部に配置されたことを特徴とする半導体装置。【選択図】図１
2008300483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する表面及び裏面にそれぞれ電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子の前記表面に対して略平行な第１の主面と、前記第１の主面に対して略垂直な第１の側面と、前記第１の主面に対して垂直な方向に突出し前記表面の電極と接続された凸部と、を有する第１の外部電極と、
前記半導体素子の前記裏面に対して略平行な第２の主面と、前記第２の主面に対して略垂直な第２の側面と、前記第２の主面に対して垂直な方向に突出し前記裏面の電極と接続された凸部と、を有する第２の外部電極と、
を備え、
前記第１の外部電極の前記第１の側面と、前記第２の外部電極の前記第２の側面と、がマウント面とされ、前記半導体素子が、前記第１の外部電極と、前記第２の外部電極と、の中央部に配置されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子の周囲を覆う絶縁体をさらに備え、
前記第１の外部電極は、前記第１の側面が前記絶縁体の周囲に延在したキャップ状電極膜であり、
前記第２の外部電極は、前記第２の側面が前記絶縁体の周囲に延在したキャップ状電極膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
対向する表面及び裏面にそれぞれ電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子の前記表面に対して略平行な第１の主面と、前記第１の主面に対して略垂直な第１の側面と、を有し、前記半導体素子の前記表面の前記電極に接続された第１の外部電極と、
前記半導体素子の前記裏面に対して略平行な第２の主面と、前記第２の主面に対して略垂直な第２の側面と、前記第２の主面に対して垂直な方向に突出し前記裏面の電極と接続された凸部とを有する第２の外部電極と、
前記半導体素子の周囲を覆う絶縁体と、
を備え、
前記第１の外部電極は、前記第１の側面が前記絶縁体の周囲に延在したキャップ状電極膜であり、
前記第２の外部電極は、前記第２の側面が前記絶縁体の周囲に延在したキャップ状電極膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記第１の外部電極の前記第１の主面と前記第１の側面の部分は、金属メッキ膜であり、
前記第２の外部電極の前記第２の主面と前記第２の側面の部分は、金属メッキ膜であることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記凸部も金属メッキ膜により形成されてなることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ソースワイヤボンディング用のメタルブロックをＣｕ基板に取り付けた半導体パッケージがある（例えば、特許文献１参照）。  
しかしながら、特許文献１に開示される半導体装置は、ボンディングワイヤを必要とするため、半導体装置が全体として大型化するとともに、製造工数が多く、コストが高くなるという問題がある。
【０００３】
また、従来、第１の主面上にワイヤが引き出されたバンプが配置され、前記第１の主面と反対側面で第１導電物を介して第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆われてなる半導体素子を有し、前記バンプから引き出されたワイヤが第２導電物を介して第２金属電極と接続されてなる半導体装置がある（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
しかしながら、特許文献２に開示される半導体装置は、半導体素子が半導体装置の中央部に配置されず、第１金属電極側に配置されていた。これにより、半導体装置の移載時に半導体素子の受ける衝撃が大きくなるという問題があった。さらに、前記導電物は導電性樹脂若しくは高融点半田等からなり、前記金属電極はＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ若しくはこれらを含む合金等からなっているため、半導体装置が全体として大型化するとともにコストが高くなるという問題があった。
【特許文献１】特開平５−３４７３２４号公報
【特許文献２】特開２０００−２５２２３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、全体として小型化されるとともに、材料コストおよび製造コストを低減できる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、対向する表面及び裏面にそれぞれ電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の前記表面に対して略平行な第１の主面と、前記第１の主面に対して略垂直な第１の側面と、前記第１の主面に対して垂直な方向に突出し前記表面の電極と接続された凸部と、を有する第１の外部電極と、前記半導体素子の前記裏面に対して略平行な第２の主面と、前記第２の主面に対して略垂直な第２の側面と、前記第２の主面に対して垂直な方向に突出し前記裏面の電極と接続された凸部と、を有する第２の外部電極と、を備え、前記第１の外部電極の前記第１の側面と、前記第２の外部電極の前記第２の側面と、がマウント面とされ、前記半導体素子が、前記第１の外部電極と、前記第２の外部電極と、の中央部に配置されたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【０００７】
また、本発明の他の一態様によれば、対向する表面及び裏面にそれぞれ電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の前記表面に対して略平行な第１の主面と、前記第１の主面に対して略垂直な第１の側面と、を有し、前記半導体素子の前記表面の前記電極に接続された第１の外部電極と、前記半導体素子の前記裏面に対して略平行な第２の主面と、前記第２の主面に対して略垂直な第２の側面と、前記第２の主面に対して垂直な方向に突出し前記裏面の電極と接続された凸部とを有する第２の外部電極と、前記半導体素子の周囲を覆う絶縁体と、を備え、前記第１の外部電極は、前記第１の側面が前記絶縁体の周囲に延在したキャップ状電極膜であり、前記第２の外部電極は、前記第２の側面が前記絶縁体の周囲に延在したキャップ状電極膜であることを特徴とする半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、全体として小型化されるとともに、材料コストおよび製造コストを低減できる半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。  
図１は、本発明の半導体装置の第１実施形態の斜視図であって、基板上に実装された状態を示している。
【００１０】
同図において、半導体装置１０は、中央部に配置された半導体素子１１と、この半導体素子１１の表面及び裏面に対向して配置された銅等の金属からなるブロック状の第１の外部電極１２および第２の外部電極１３と、を備えている。半導体素子１１としては、例えば、正方形チップ状のダイオードが使用され、その表面と裏面に、入出力用の電極１５、１６（図２参照）が設けられている。各外部電極１２、１３は、主面が略正方形状のブロック体であり、半導体素子１１側の主面の中央には、凸部１２ａ、１３ａがそれぞれ形成されている。
【００１１】
これらの凸部１２ａ、１３ａと半導体素子１１とが導電性の接合剤１４を介して機械的に固着されるとともに、半導体素子１１の表面及び裏面に設けられている電極１５、１６に、第１の外部電極１２と第２の外部電極１３が接合剤１４を介して電気的に接続されている。外部電極１２、１３は半導体素子１１より面積が大きく、半導体素子１１が外部電極１２、１３の外周方向に突出しないようになっている。また、凸部１２ａ、１３ａは、半導体素子１１の電極１５、１６からはみださないように、これら電極１５、１６より若干小面積であることが好ましい。接合剤１４としては、例えば、合金はんだ、または金属フィラー入りのペースト等が好適に用いられる。
【００１２】
半導体素子１１と第１の外部電極１２と第２の外部電極１３との間には、それぞれの凸部１２ａ、１３ａおよび半導体素子１１を覆うように封止部１７が設けられている。封止部１７の封止材料としては、樹脂、ガラス、セラミック等の絶縁材料を用いることができる。各外部電極１２、１３の表面には、メッキが適宜施されており、そのまま実装部材としての基板１８に実装できるようになっている。すなわち、外部電極１２、１３の側面が、半導体装置１０のマウント面とされている。外部電極１２、１３の主面を正方形にすると、外部電極１２、１３の４辺の側面のどの位置でも実装に使用することができ、実装性が良好になる。
【００１３】
また、前記の通り、半導体素子１１は、半導体装置１０の中央部に配置されている。これにより、外部電極１２、１３が半導体装置１０の移載時に受ける衝撃を受けることになり、半導体素子１１が受ける衝撃を少なくすることができる。
【００１４】
図２は、第１実施形態の半導体装置１０の製造工程を示している。  
図２（ａ）に示すように、第１の外部電極１２を凸部１２ａを上向きにしてテーブル等に載置し、凸部１２ａの表面に接合剤１４を塗布する。なお、通常は複数の半導体装置を一度に製造するので、外部電極１２を複数個配列させるが、１個のみの例を説明する。
【００１５】
次に、図２（ｂ）に示すように、接合剤１４の上部に半導体素子１１を載置する。  
次に、第２の外部電極１３の凸部１３ａの表面に接合剤１４を塗布し、図２（ｃ）に示すように、半導体素子１１の上部に、第２の外部電極１３の凸部１３ａを載置する。次に、接合剤１４を固化して半導体素子１１と外部電極１２、１３とを固着する。接合剤１４を固化する手段としては、例えば、全体を加温する、上部から荷重を加える、あるいは振動を加える等、接合剤１４の種類により最適の手段が選択される。これにより、半導体素子１１の両側面に外部電極１２、１３が機械的に固着されるとともに、半導体素子１１の電極１５、１６に外部電極１２、１３が電気的に接続された半導体装置１０が形成される。
【００１６】
次に、封止部１７（図１参照）を形成する部分の周辺を、原子ビーム、イオンビーム、あるいはプラズマで表面処理するか、または化学洗浄を行った後、図２（ｄ）に示すように、封止部１７を形成する。封止部１７を形成する方法としては、注入ノズルを備えたディスペンサにより、例えば、樹脂、ガラス、セラミック等からなる粘性のある封止材料を半導体素子１１の周囲に注入することにより、気泡を含ませないで表面張力（Ａ部分）により封止を行うことができる。この封止方法は型が不要であるので、設備コストを安くすることができる。これにより、図１に示すような、封止部１７で封止されたパッケージタイプの半導体装置１０が得られる。またこの時、注入された封止材料の表面は、表面張力により図２（ｄ）に表したように凹状に窪むので、図１に表したように基板１８にマウントする際に、封止部１７が基板１８にあたって邪魔になることを防止できる。
【００１７】
図３は、成形型を用いて封止を行う例である。  
図３に示すように、型２０に半導体装置１０を入れ、注入口２１より矢印２２のように封止材料料を注入する。複数の半導体装置１０を同時作成する場合は、型２０内に半導体装置１０を整列させ、それぞれの注入口２１から封止材料料を注入する。これにより、図１に示すような、封止部１７で封止されたパッケージタイプの半導体装置１０が得られる。この封止方法は、型２０を用いることにより、複数の半導体装置１０を型に入れて封止することにより、短時間で多数の半導体装置を製造することができる。
【００１８】
上記実施形態のように、外部電極１２、１３に凸部１２ａ、１３ａを設けて、この凸部１２ａ、１３ａと半導体素子１１を接合するようにしたことにより、外部電極１２、１３間の空間をある程度広く取り、封止部１７のスペースを確保できる。但し、凸部１２ａ、１３ａを設けない平坦な主面を有する外部電極１２、１３を直接半導体素子１１に接合させる構造も本発明の範囲に包含される。
【００１９】
図４は、第２実施形態における半導体装置の平面図であって、半導体素子１１が３電極を有するトランジスタの場合の例である。  
すなわち、図４は、基板１８にマウントした半導体装置を上方から眺めた模式図である。半導体素子１１は、一方の面にドレイン電極２４、他方の面にゲート電極２５およびソース電極２６を備えたトランジスタである。同図に示すように、ドレイン電極２４側には第１の外部電極２７の凸部２７ａが接合剤１４を介して接合され、ゲート電極２５およびソース電極２６側の面には、第２の外部電極２８の凸部２８ａがゲート電極２５と電気的に接続された状態で接合されるとともに、第３の外部電極２９の凸部２９ａがソース電極２６と電気的に接続された状態で接合されている。各外部電極２７、２８、２９の側面すなわちマウント面は同一平面となっており、このマウント面を基板１８に接合することにより実装することができる。なお、図示していないが、第１実施形態と同様、半導体素子１１の周囲は封止することができる。
【００２０】
図５は、第３実施形態における半導体装置の斜視図である。  
また、図６は、本実施形態の半導体装置の縦断側面図である。  
第３実施形態の半導体装置は、両面に電極４３、４４を有する半導体素子１１と、この半導体素子１１の一方の面側（便宜上「裏面側」と称す）に突出して設けられた封止部４０と、半導体素子１１の他方の面側（便宜上「表面側」と称す）に設けられたキャップ状電極膜からなる第１の外部電極４１と、封止部４０の、半導体素子１１とは反対側の先端面に設けられたキャップ状電極膜からなる第２の外部電極４２と、を備えている。
【００２１】
封止部４０の中央部には、半導体素子１１の裏面側の第２の電極４４に接続された導電部（凸部）５４が設けられている。第２の外部電極４２は、その主面が導電部５４の先端面に接続されるとともに、折曲された側面４２ａは封止部４０の外周に延在している。第１の外部電極４１は、その主面が第１の電極４３に接続されるとともに、折曲された側面４１ａは封止部４０の外周に延在している。外部電極４１、４２の材料としては、例えば銅箔が用いられ、基板１８に実装するため、例えば金メッキが施されている。本実施形態の半導体装置は、外部電極４１、４２の側面４１ａ、４２ａ、すなわち、封止部４０の外周に延在した部分が基板１８に実装されるようになっている。
【００２２】
図７および図８は、第３実施形態の半導体装置１０の製造工程を表す工程断面図である。  
図７（ａ）に表したように、長尺板状のウェーハ５０の下面に全長にわたって第１の電極４３が設けられ、ウェーハ５０の上面には第２の電極４４が個々の半導体素子に対応した位置に設けられる。これら電極４３、４４の材料としては、例えば、金、銀、ニッケル等が用いられる。ウェーハ５０を、固定シート５１上に第１の電極４３を介して貼り付ける。固定シート５１としては、ウェーハ５０を吸着するとともに、紫外線または加熱等により吸着を解除する、例えばダイシング・シートが用いられる。
【００２３】
次に、図７（ｂ）に表したように、ウェーハ５０をダイシング・ブレード（図示せず）等により切断して個々の半導体素子１１を形成した後、各半導体素子１１の全体を樹脂等の封止材料で封止し、封止部４０を形成する。  
次に、図７（ｃ）に表したように、封止部４０の第２の電極４４に対応する箇所に、レーザ等による孔開け加工を施すことにより、孔５３を形成する。
【００２４】
次に、図７（ｄ）に表したように、孔５３に導電性ペーストなどの導電性材料を注入して導電部５４を形成する。導電部５４の下端は第２の電極４４に接続され、上端面は封止部４０の端面と略同一面となっている。  
ここで、図７（ａ）〜図７（ｄ）に至る製造工程は、前記特許文献２に開示されるような、ウェーハ５０をダイシング・ブレード（図示せず）等により切断し、第２の電極４４に導電部５４（例えば、電極にバンプを介してボンディングされたワイヤ）を形成した後、導電部５４を含む各半導体素子１１の全体を樹脂等の封止材料で封止する製造工程とは異なっている。
【００２５】
次に、図８（ｅ）に示すように、ダイシング・ブレード５５等により封止部４０を切断し、個々の半導体素子１１ごとに分割する。
【００２６】
次に、図８（ｆ）に表したように、銅箔等により封止部４０の端部に、キャップ状の電極膜からなる第２の外部電極４２を形成する。外部電極４２の表面には、例えば金メッキなどを施してもよい。  
次に、図８（ｇ）に表したように、固定シート５１が上になるように反転させることにより、半導体素子１１を上側に位置させ、別の固定シート５２上に第２の電極４２を介して貼り付けた後、上側の固定シート５１を離脱させ、半導体素子１１上にキャップ状の電極膜からなる第１の外部電極４１を形成する。このようにして、図５および図６に表したような半導体装置が完成する。
【００２７】
ここで、図５および図６に表したような半導体装置は、外部電極４１、４２がキャップ状の電極膜からなることにより、電極板および電極ブロックを使用することがないため、半導体装置が小型化できるとともに、材料コストおよび製造コストを安くすることができる。
【００２８】
図９および図１０は、本実施形態の半導体装置１０の他の製造工程を表す工程断面図である。
【００２９】
図９（ａ）〜図９（ｃ）の製造工程は、図７（ａ）〜図（ｃ）の製造工程と同等であるため、この部分の製造工程の説明は省略する。
【００３０】
図７（ｄ）の製造工程においては、孔５３に導電性ペーストなどの導電性材料を注入して導電部５４を形成していたが、これに対して図１０（ｄ）の製造工程においては、孔５３には何も注入せずに、ダイシング・ブレード５５等により封止部４０を切断し、個々の半導体素子１１ごとに分割する。
【００３１】
次に、図１０（ｅ）に表したように、金属メッキにより、封止部４０の端部にキャップ状の電極膜からなる第２の外部電極４２を形成すると同時に、孔５３に導電性をもった導電部５４を形成する。
【００３２】
次に、図１０（ｆ）に表したように、固定シート５１が上になるように反転させることにより、半導体素子１１を上側に位置させ、別の固定シート５２上に第２の電極４２を介して貼り付けた後、上側の固定シート５１を離脱させ、金属メッキにより、半導体素子１１上にキャップ状の電極膜からなる第１の外部電極４１を形成する。このようにしても、図５および図６に表したような半導体装置が完成する。
【００３３】
図９、図１０に表した製造工程において製造された半導体素子１０は、第２の外部電極４２と導電部５４とを金属メッキにより同じ製造工程において形成することができるため、製造コストを安くすることができる。
【００３４】
図１１は、第４実施形態における半導体装置の斜視図である。  
また、図１２は、本実施形態の半導体装置の縦断側面図である。  
第４実施形態の半導体装置は、両面に電極４３、４４を有する半導体素子１１と、この半導体素子１１の一方の面側（便宜上「裏面側」と称す）に設けられたキャップ状電極膜からなる第２の外部電極４２と、半導体素子１１の他方の面側（便宜上「表面側」と称す）に設けられたキャップ状電極膜からなる第１の外部電極４１と、半導体素子１１の表面側と裏面側との両面側に設けられた封止部４０と、を備えている。
【００３５】
封止部４０の中央部には、半導体素子１１の裏面側の第２の電極４４に接続された導電部（凸部）５４と、半導体素子１１の表面側の第１の電極４３に接続された導電部（凸部）５８と、が設けられている。第２の外部電極４２は、その主面が導電部５４の先端面に接続されるとともに、折曲された側面４２ａは封止部４０の外周に延在している。第１の外部電極４１は、その主面が導電部５８の先端面に接続されるとともに、折曲された側面４１ａは封止部４０の外周に延在している。本実施形態の半導体装置は、外部電極４１、４２の側面４１ａ、４２ａ、すなわち、封止部４０の外周に延在した部分が基板１８に実装されるようになっている。
【００３６】
図１３および図１４は、第４実施形態の半導体装置１０の製造工程を表す工程断面図である。  
図１３（ａ）に表したように、ウェーハ５０をダイシング・ブレード（図示せず）等により切断して個々の半導体素子１１を形成した後、各半導体素子１１を封止部４０の上に載置する。この封止部４０は、モールド樹脂成型などで形成された樹脂板等である。
電極４３、４４の材料としては、例えば、金、銀、ニッケル等が用いられる。
【００３７】
次に、図１３（ｂ）に表したように、各半導体素子１１の全体を樹脂等の封止材料で封止し、封止部４０を形成する。  
次に、図１３（ｃ）に表したように、封止部材４０の第１の電極４３に対応する箇所に、レーザ等による孔開け加工を施すことにより、孔５７を形成する。これと同様にして、封止部４０の第２の電極４４に対応する箇所に、レーザ等による孔開け加工を施すことにより、孔５３を形成する。
【００３８】
次に、図１３（ｄ）に表したように、ダイシング・ブレード５５等により封止部４０を途中まで切断する。次に、図１４（ｅ）に表したように、金属メッキにより、封止部４０の端部および途中まで切断した溝の内壁にキャップ状の電極膜からなる第１の外部電極４１を形成すると同時に、孔５７に導電性をもった導電部５８を形成する。また、金属メッキにより、封止部４０の端部および途中まで切断した溝の内壁にキャップ状の電極膜からなる第２の外部電極４２を形成すると同時に、孔５３に導電性をもった導電部５４を形成する。
【００３９】
次に、図１４（ｆ）に表したように、ダイシング・ブレード５５よりも幅の狭い図示していないダイシング・ブレードにより途中まで切断した溝の底部に形成された金属メッキと共に封止部４０を切断し、個々の半導体素子１１ごとに分割する。なお、封止部４０の切断は、ダイシング・ブレードに限らず、レーザー等によって行ってもよい。ここで、分割後の半導体素子１１は、封止部４０の中央部（ダイシング部）の幅が、外部電極４１、４２の幅よりも大きくなっている。従って、このままの状態では、外部電極４１、４２の側面４１ａ、４２ａをマウント面とすることは困難である。
【００４０】
次に、図１４（ｇ）に表したように、外部電極４１、４２の上にさらにバレルメッキ４５、４６を施す。このバレルメッキ４５、４６は、例えばニッケル（Ｎｉ）＋スズ（Ｓｎ）からなるメッキである。こうすることで、バレルメッキ４５、４６を含めた外部電極４１、４２の幅が封止部４０の中央部の幅よりも大きくなるため、外部電極４１、４２の側面４１ａ、４２ａをマウント面として利用することが可能となる。
【００４１】
また、本実施形態の他の製造工程として、図１３（ｄ）においてフルダイシングを行い、個々の半導体素子１１に分割した後、金属メッキにより封止部４０の端部にキャップ状の電極膜からなる外部電極４１、４２を形成すると同時に、孔５３、５７に導電性をもった導電部５４、５８を形成してもよい。
【００４２】
本実施形態の半導体装置１０は、第１の外部電極４１と、第２の外部電極４２と、導電部５４、５８と、を金属メッキにより同じ製造工程において形成することができるため、製造コストを安くすることができる。
【００４３】
図１５および図１６は、第５実施形態の半導体装置１０の製造工程を表す工程断面図である。
【００４４】
第５実施形態の半導体装置は、両面に電極４３、４４を有する半導体素子１１と、この半導体素子１１の一方の面側（便宜上「裏面側」と称す）に突出して設けられた封止部４０と、半導体素子１１の他方の面側（便宜上「表面側」と称す）に設けられたキャップ状電極膜からなる第１の外部電極４１と、封止部４０の、半導体素子１１とは反対側の先端面に設けられたキャップ状電極膜からなる第２の外部電極４２と、を備えている。
【００４５】
封止部４０の中央部には、半導体素子１１の裏面側の第２の電極４４に導電性ペーストなどの導電性材料６０を介して接続された導電部（凸部）５４が設けられている。第２の外部電極４２は、その主面が導電部５４の先端面に接続されるとともに、折曲された側面４２ａには封止部４０の外周に延在している。第１の外部電極４１は、その主面が第１の電極４３に接続されるとともに、折曲された側面４１ａは封止部４０の外周に延在している。外部電極４１、４２の材料としては、例えば銅箔が用いられ、基板１８に実装するため、例えば金メッキが施されている。本実施形態の半導体装置は、外部電極４１、４２の側面４１ａ、４２ａ、すなわち、封止部４０の外周に延在した部分が基板１８に実装されるようになっている。
【００４６】
図１５（ａ）に表したように、長尺板状のウェーハ５０の下面に全長にわたって第１の電極４３が設けられ、ウェーハ５０の上面には第２の電極４４が個々の半導体素子に対応した位置に設けられる。これら電極４３、４４の材料としては、例えば、金、銀、ニッケル等が用いられる。ウェーハ５０を、固定シート５１上に第１の電極４３を介して貼り付ける。固定シート５１としては、ウェーハ５０を吸着するとともに、紫外線または加熱等により吸着を解除する、例えばダイシング・シートが用いられる。
【００４７】
次に、図１５（ｂ）に表したように、導電性材料６０を介して第２の電極４４に導電部５４を接合する。
【００４８】
次に、図１５（ｃ）に表したように、ウェーハ５０をダイシング・ブレード（図示せず）等により切断して、導電性材料６０を介して導電部５４が接続された個々の半導体素子１１を形成する。
【００４９】
ここで、図１５（ａ）〜図１５（ｃ）に至る製造工程は、前記特許文献２に開示されるような、ウェーハ５０をダイシング・ブレード（図示せず）等により切断した後、第２の電極４４に導電部５４（例えば、電極にバンプを介してボンディングされたワイヤ）を形成する製造工程とは異なっている。
【００５０】
次に、図１５（ｄ）に表したように、各半導体素子１１の全体を樹脂等の封止材料で封止し、封止部４０を形成する。導電部５４の下端面は導電性材料６０を介して第２の電極４４に接続され、上端面は封止部４０の端面と略同一面となっている。
【００５１】
次に、図１６（ｅ）に表したように、ダイシング・ブレード（図示せず）等により封止部４０を切断し、個々の半導体素子１１ごとに分割する。
【００５２】
次に、図１６（ｆ）に表したように、銅箔等により封止部４０の端部に、キャップ状の電極膜からなる第２の外部電極４２を形成する。外部電極４２の表面には、例えば金メッキなどを施してもよい。
【００５３】
次に、図１６（ｇ）に表したように、固定シート５１が上になるように反転させることにより、半導体素子１１を上側に位置させ、別のシート５２上に第２の電極４２を介して貼り付けた後、上側の固定シート５１を離脱させ、半導体素子１１上にキャップ状の電極膜からなる第１の外部電極４１を形成する。このようにして、図１５および図１６に表したような半導体装置が完成する。
【００５４】
ここで、図１５および図１６に表したような半導体装置は、外部電極４１、４２がキャップ状の電極膜からなることにより、電極板および電極ブロックを使用することがないため半導体装置が小型化できるとともに、材料コストおよび製造コストを安くすることができる。
【００５５】
図１７〜図１８は、第６実施形態の半導体装置１０の製造工程を表す工程断面図である。
【００５６】
第６実施形態の半導体装置は、両面に電極４３、４４を有する半導体素子１１と、この半導体素子１１の両面側に突出して設けられた封止部４０と、半導体素子１１の一方の面側（便宜上「裏面側」と称す）に設けられたキャップ状電極膜からなる第２の外部電極４２と、半導体素子１１の他方の面側（便宜上「表面側」と称す）に設けられたキャップ状電極膜からなる第１の外部電極４１と、を備えている。
【００５７】
半導体素子１１は封止部４０の中央部に配置されている。この半導体素子１１の裏面側には第２の電極４４に導電性ペーストなどの導電性材料６０を介して接続された導電部（凸部）５４が設けられ、半導体素子１１の表面側には第１の電極４３に導電性ペーストなどの導電性材料６１を介して接続された導電部（凸部）５８が設けられている。第２の外部電極４２は、その主面が導電部５４の先端面に接続されるとともに、折曲された側面４２ａは封止部４０の外周に延在している。第１の外部電極４１は、その主面が導電部５８の先端面に接続されるとともに、折曲された側面４１ａは封止部４０の外周に延在している。外部電極４１、４２の材料としては、例えば銅箔が用いられ、基板１８に実装するため、例えば金メッキが施されている。本実施形態の半導体装置は、外部電極４１、４２の側面４１ａ、４２ａ、すなわち、封止部４０の外周に延在した部分が基板１８に実装されるようになっている。
【００５８】
本実施形態における図１７（ａ）〜図１８（ｆ）に示される製造工程と、本発明の第５実施形態における図１５（ａ）〜図１６（ｆ）に示される製造工程と、は、ほぼ同様であるため詳細は説明は省略する。
【００５９】
次に、図１８（ｇ）に表したように、固定シート５１が上になるように反転させることにより、半導体素子１１を上側に位置させ、別の固定シート５２上に第２の電極４２を介して貼り付けた後、上側の固定シート５１を離脱させ、導電性材料６１を介して第１の電極４３上に導電部５８を接合する。
【００６０】
次に図１８（ｈ）に表したように、各半導体素子１１の表面側に突出するように、樹脂等の封止材料で封止部４０を形成する。導電部５８の下端面は導電性材料６１を介して第１の電極４３に接続され、上端面は封止部４０の端面と略同一面となっている。次に、各半導体素子１１の表面側の封止部４０の端部に、キャップ状の電極膜からなる第１の外部電極４１を銅箔等により形成する。このようにして、図１７および図１８に表したような半導体装置が完成する。
【００６１】
ここで、図１７および図１８に表したような半導体装置は、外部電極４１、４２がキャップ状の電極膜からなることにより、電極板および電極ブロックを使用することがないため、半導体装置が小型化できるとともに、材料コストおよび製造コストを安くすることができる。
【００６２】
以上説明したように、第１、第２実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体素子１１の両側面の外部電極１２、１３を接合剤１４を介して接合するだけで半導体装置１０を形成することができるので、製造コストも安くすることができる。また、粘性のある封止材料料を半導体素子の周囲に供給することにより、表面張力で封止がなされ、型を使用することなく低コストで封止作業を行うことができる。
【００６３】
一方、第３、第５実施形態の半導体装置では、外部電極４２との接続を、封止部４０内に設けられた導電部５４により行う構造であるので、ボンディングワイヤが不要となるとともに、外部電極４１、４２も薄い膜状で構成することができるので、より小型化することができ、材料コストおよび製造コストが安くすることができる。
【００６４】
また、第３実施形態の半導体装置の製造方法では、複数に分割された半導体素子１１の上に封止部４０を一括形成し、この封止部４０に導電性ペーストを注入して半導体素子１１の電極４４と接続される導電部５４を形成し、封止部４０の先端に外部電極４２を形成して導電部５４と接続するので、封止部４０、導電部５４、外部電極４１、４２等の形成処理が一括処理で可能となり、製造工程を簡略化してコスト低減を図ることができる。
【００６５】
第３実施形態の半導体装置の他の製造方法は、金属メッキにより、封止部４０の端部にキャップ状の電極膜からなる第２の外部電極４２を形成すると同時に、孔５３に導電性をもった導電部５４を形成する。これにより、外部電極４２が薄い膜状で構成できるので、より小型化することができ、材料コストおよび製造コストを安くすることができる。
【００６６】
また、第５実施形態の半導体装置の製造方法では、導電性材料６０を介して導電部５４を電極４４に接続し、複数に分割された半導体素子１１の上に封止部４０を一括形成し、封止部４０の先端に外部電極４２を形成して導電部５４と接続するので、封止部４０、導電部５４、外部電極４１、４２等の形成処理が一括処理で可能となり、製造工程を簡略化してコスト低減を図ることができる。
【００６７】
さらに、第４、第６実施形態の半導体装置では、外部電極４２との接続を封止部４０内に設けられた導電部５４により行い、外部電極４１との接続を封止部４０に設けられた導電部５８により行う構造であるので、ボンディングワイヤが不要となるとともに、外部電極４１、４２も薄い膜状で構成することができるので、より小型化することができ、材料コストおよび製造コストを安くすることができる。
【００６８】
第４実施形態の半導体装置の製造方法は、金属メッキにより、封止部４０の端部にキャップ状の電極膜からなる第１の外部電極４１を形成すると同時に、孔５７に導電性をもった導電部５８を形成する。また、金属メッキにより、封止部４０の端部にキャップ状の電極膜からなる第２の外部電極４２を形成すると同時に、孔５３に導電性をもった導電部５４を形成する。これにより、外部電極４１、４２が薄い膜状で構成できるので、より小型化することができ、材料コストおよび製造コストを安くすることができる。
【００６９】
また、第６実施形態の半導体装置の製造方法では、導電性材料６０を介して導電部５４を電極４４に接続し、導電性材料６１を介して導電部５８を電極４３に接続して、複数に分割された半導体素子１１の上に封止部４０を一括形成し、封止部４０の先端に外部電極４１、４２を形成して導電部５４、５８と接続するので、封止部４０、導電部５４、５８、外部電極４１、４２等の形成処理が一括処理で可能となり、製造工程を簡略化してコスト低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の第１実施形態に係わる半導体装置の斜視図である。
【図２】第１実施形態に係わる半導体装置の製造方法の製造工程図である。
【図３】第１実施形態に係わる半導体装置の型を用いる封止工程図である。
【図４】第２実施形態に係わる半導体装置の平面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係わる半導体装置の斜視図である。
【図６】第３実施形態に係わる半導体装置の縦断側面図である。
【図７】第３実施形態に係わる半導体装置の製造方法の製造工程図である。
【図８】第３実施形態に係わる半導体装置の製造方法の図７に続く製造工程図である。
【図９】第３実施形態に係わる半導体装置の他の製造方法の製造工程図である。
【図１０】第３実施形態に係わる半導体装置の他の製造方法の図９に続く製造工程図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係わる半導体装置の斜視図である。
【図１２】第４実施形態に係わる半導体装置の縦断側面図である。
【図１３】第４実施形態に係わる半導体装置の製造方法の製造工程図である。
【図１４】第４実施形態に係わる半導体装置の製造方法の図１３に続く製造工程図である。
【図１５】第５実施形態に係わる半導体装置の製造方法の製造工程図である。
【図１６】第５実施形態に係わる半導体装置の製造方法の図１５に続く製造工程図である。
【図１７】第６実施形態に係わる半導体装置の製造方法の製造工程図である。
【図１８】第６実施形態に係わる半導体装置の製造方法の図１７に続く製造工程図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０  半導体装置、１１  半導体素子、  １２、１３、２７、２８、２９  外部電極、１２ａ、１３ａ、２７ａ、２８ａ、２９ａ  凸部、１４  接合剤、１５、１６  電極、  １７  封止部、１８  基板、２０  型、２１  注入口、２２  矢印、２４  ドレイン電極、２５  ゲート電極、２６  ソース電極、４０  封止部、４３、４４  電極、４５、４６  バレルメッキ、５０  ウェーハ、５１、５２  固定シート、  ５３、５７  孔、  ５４、５８  導電部、４１、４２  外部電極、４１ａ、４２ａ  側面、５５  ダイシング・ブレード、６０、６１  導電性材料  
【図１】
2008300483.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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