(57)【要約】【課題】接着剤を半導体基板から容易に剥離させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の第１面に接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、接着剤を介して半導体基板にサポート基板２０の第１面２２を貼り合わせる接着工程と、半導体基板の第２面を加工する加工工程と、サポート基板２０を接着剤から分離する分離工程と、接着剤に剥離用シート部材を貼着する貼着工程と、剥離用シート部材と共に、半導体基板から接着剤を剥離する剥離工程とを有した半導体装置の製造方法において、サポート基板２０の第１面２２の周縁部６１近傍には、底面２５が平坦な凹部６２が形成され、接着工程では、凹部６２内に接着剤を充填して、接着剤の周縁部近傍に頂面が平坦な凸部を形成し、貼着工程では、少なくとも接着剤の凸部の頂面に前記剥離用シート部材を貼着する。【選択図】図４
2008258303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の第１面に接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、
前記接着剤を介して前記半導体基板にサポート基板の第１面を貼り合わせる接着工程と、
前記半導体基板の第２面を加工する加工工程と、
前記サポート基板を前記接着剤から分離する分離工程と、
前記接着剤に剥離用シート部材を貼着する貼着工程と、
該剥離用シート部材と共に、前記半導体基板から前記接着剤を剥離する剥離工程とを有した半導体装置の製造方法において、
前記サポート基板の第１面の周縁部近傍には、底面が平坦な凹部が形成され、
前記接着工程では、前記凹部内に前記接着剤を充填して、前記接着剤の周縁部近傍に頂面が平坦な凸部を形成し、
前記貼着工程では、少なくとも前記接着剤の前記凸部の頂面に前記剥離用シート部材を貼着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記サポート基板の前記凹部の深さは、前記接着工程において前記サポート基板の第１面の周縁部から前記サポート基板の側面に沿ってはみ出し形成される前記接着剤のバリの高さよりも、深く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板と前記サポート基板とが同径であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記サポート基板の凹部が、該サポート基板の最外周部に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記サポート基板の凹部が、該サポート基板の最外周部より内側であって、周方向に連続的に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記サポート基板の凹部が、該サポート基板の最外周部より内側であって、周方向に断続的に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記サポート基板の凹部が、該サポート基板のオリエンテーションフラット部に沿う部分のみに形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄａｔａ  Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）などの携帯性を有する電子機器、センサ、マイクロマシンおよびプリンタヘッドなどの機器は、小型軽量化のため、内部に設けられる半導体チップなどの各種電子部品の小型化および薄型化が図られている。
【０００３】
半導体チップの薄型化を実現するために、半導体基板に電子回路を形成した後に、接着剤などを介して半導体基板をサポート基板に固定し、半導体基板の裏面（電子回路が形成されていない面）側から研削（バックグラインド）を行って、半導体基板の薄型化を図る方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
上述の方法にて半導体基板を製造する場合、半導体基板の研削完了後に半導体基板とサポート基板とを剥離させる必要がある。剥離方法としては、まずサポート基板と接着剤との接着箇所にレーザ光を照射することでサポート基板と接着剤とを剥離させる。次に、接着剤と半導体基板とを剥離させるが、接着剤をピールにより剥離させる場合、一般的にはその接着剤の外周部分に粘着性のある剥離用シートを貼り付けてピールする方法がとられている。
【特許文献１】特開２００６−１３５２７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図１５に示すように、サポート基板２２０と半導体基板２１０とを加圧して貼り合わせることにより、接着剤２３０が外周部へはみ出てしまい、バリ２７０が接着剤の周縁部に形成される。このバリ２７０は、サポート基板２２０の側面に沿う方向に張り出すように略山形に形成される。図１６に示すように、サポート基板２２０を接着剤２３０から分離した後に、バリ２７０が形成された状態の接着剤２３０に剥離用シート部材２５０を貼り付けても、剥離用シート部材２５０が接着剤２３０の周縁部のバリ２７０の頂部２７２にしか密着しない。つまり、剥離用シート部材２５０と接着剤２３０とは点接触（線接触）でしか接触しないため、剥離用シート部材２５０と接着剤２３０との密着性が悪くなる。その結果、剥離用シート部材２５０が接着剤２３０から剥がれて、接着剤２３０を半導体基板２１０から剥離させることができなくなるという問題があった。
【０００６】
また、その問題を解決するために、サポート基板２２０の外径を半導体基板２１０の外径より１〜２ｍｍ程度大きくする方法がある。このように構成することで、接着剤２３０が、半導体基板２１０の周縁部より張り出してバリ２７０が形成されても、サポート基板２２０側の接着剤２３０の表面は平坦になる。そのため、剥離用シート部材２５０を接着剤２３０の表面に確実に貼着することができ、接着剤２３０を確実に剥離することができる。しかしながら、半導体基板の加工装置において半導体基板２１０をチャックする際に、半導体基板２１０より大径のサポート基板２２０が貼着されていると、半導体基板２１０のチャックができなくなるという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、上述の事情を鑑みてなされたものであり、接着剤を半導体基板から容易に剥離させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の第１面に接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、前記接着剤を介して前記半導体基板にサポート基板の第１面を貼り合わせる接着工程と、前記半導体基板の第２面を加工する加工工程と、前記サポート基板を前記接着剤から分離する分離工程と、前記接着剤に剥離用シート部材を貼着する貼着工程と、該剥離用シート部材と共に、前記半導体基板から前記接着剤を剥離する剥離工程とを有した半導体装置の製造方法において、前記サポート基板の第１面の周縁部近傍には、底面が平坦な凹部が形成され、前記接着工程では、前記凹部内に前記接着剤を充填して、前記接着剤の周縁部近傍に頂面が平坦な凸部を形成し、前記貼着工程では、少なくとも前記接着剤の前記凸部の頂面に前記剥離用シート部材を貼着することを特徴としている。
【０００９】
このように構成することで、半導体基板に塗布された接着剤とサポート基板とを貼り合せた際に、サポート基板の凹部にも接着剤が充填され、半導体基板の加工工程が完了した後に、サポート基板を接着剤から分離すると、接着剤の表面には凹部の位置に対応した凸部が形成される。また、凸部には、サポート基板の凹部の底面に対応した平坦な頂面が形成されているため、接着剤と剥離用シート部材とが頂面において確実に貼着されることとなり、したがって、接着剤を半導体基板から確実かつ容易に剥離させることができる効果がある。さらに、接着剤の周縁部近傍に凸部が形成されるため、剥離用シート部材を貼着させた状態で、接着剤の周縁部を起点として接着剤を容易に剥離することができる。
【００１０】
なお、サポート基板に凹部を形成することにより、サポート基板と接着剤との接触面積を増大させることができるため、サポート基板と接着剤との密着性を向上させることができ、したがって、半導体基板の加工工程において、半導体基板の脱落を防止することができる効果がある。また、サポート基板と半導体基板との密着性を向上させることができるため、半導体基板の反りを低減でき、したがって、半導体基板を精度良く薄型化することができる効果がある。
【００１１】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記サポート基板の前記凹部の深さは、前記接着工程において前記サポート基板の第１面の周縁部から前記サポート基板の側面に沿ってはみ出し形成される前記接着剤のバリの高さよりも、深く形成されていることを特徴としている。
このように構成することで、接着剤の凸部の高さが、接着剤の外周縁部に形成されているバリの高さより高く形成されるため、剥離用シート部材を接着剤の凸部の頂面に確実に貼着させることができる。したがって、接着剤を半導体基板から確実かつ容易に剥離させることができる効果がある。
【００１２】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記半導体基板と前記サポート基板とが同径であることを特徴としている。
このように構成することで、既存の半導体基板の加工装置に改造を施すことなく、半導体基板とサポート基板とを確実にチャックすることができるとともに、これらの部材の取りまわしを容易にすることができる効果がある。なお、この場合には、接着剤の周縁部にバリが形成されるが、上述のように接着剤に凸部を形成することで、接着剤を確実に半導体基板から剥離することができる。
【００１３】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記サポート基板の凹部が、該サポート基板の最外周部に形成されていることを特徴としている。
このように構成することで、接着剤の凸部が接着剤の最外周部に形成される。つまり、接着剤を半導体基板から剥離させる起点により近いところに凸部が形成されるため、さらに容易に接着剤を半導体基板から剥離させることができる効果がある。
【００１４】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記サポート基板の凹部が、該サポート基板の最外周部より内側であって、周方向に連続的に形成されていることを特徴としている。
このように構成することで、接着剤の凸部が、周方向に連続的に形成されるため、接着剤と剥離用シート部材との貼着面積を大きくすることができ、したがって、容易に接着剤を半導体基板から剥離させることができる効果がある。また、サポート基板の凹部を、外周縁部よりも若干内側に形成するようにしたため、サポート基板の外周縁部の強度を確保することができる。
【００１５】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、前記サポート基板の凹部が、該サポート基板の最外周部より内側であって、周方向に断続的に形成されていることを特徴としている。
このように構成することで、サポート基板の外周縁部の強度をさらに向上させることが可能になる。したがって、サポート基板の強度と剥離用シート部材との密着性とのバランスを考慮して凹部を形成することができる効果がある。
【００１６】
そして、本発明の半導体装置の製造方法は、前記サポート基板の凹部が、該サポート基板のオリエンテーションフラット部に沿う部分のみに形成されていることを特徴としている。
このように構成することで、サポート基板の強度を更に確保しつつ、接着剤に直線状の凸部を形成させて、接着剤を半導体基板から容易に剥離させることができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（第一実施形態）
次に、本発明の第一実施形態について図１〜図６に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１８】
（半導体基板）
図１は、半導体基板を示す平面図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
図１，図２に示すように、半導体基板１０は、平面視において略円形に形成され、かつ、その外周の一部が直線状に切りかかれており、オリエンテーションフラット部１１が形成されている。また、半導体基板１０の表面１２には、集積回路などの半導体素子１３が形成されており、半導体素子毎に、トランジスタやメモリ素子などの電子素子および電気配線からなる電子回路が形成されている。さらに、半導体基板１０の裏面１４は、後述する薄型加工により研削される面であり、裏面１４には集積回路などの半導体素子は形成されていない。
なお、半導体基板１０は、例えばＳｉ（シリコン）からなる基板、即ち、シリコンウエハである。
【００１９】
（サポート基板）
図３は、サポート基板を示す平面図であり、図４は、図３におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
図３，図４に示すように、サポート基板２０は、平面視において半導体基板１０と略同一形状に形成されている。サポート基板２０の表面２２は、中央部が平坦に形成されている。ここで、サポート基板２０の表面２２の周縁部６１には、周方向に連続的に凹部６２が形成されている。つまり、凹部６２はサポート基板２０の外周に沿うように全周に亘って形成されている。また、凹部６２の底面２５は、平坦に形成されており、表面２２と略平行になるように形成されている。
【００２０】
なお、凹部６２はエッチングまたは機械的研削などの方法によって形成されている。例えば、凹部２４の深さｄは０．２ｍｍで形成され、凹部２４の幅ｗは４ｍｍで形成されている。また、サポート基板２０の厚みＤは、０．８ｍｍで形成されている。
また、凹部２４の幅ｗは、３〜５ｍｍ程度で形成されていればよく、サポート基板２０の厚みＤは０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度で形成されていればよい。
【００２１】
（半導体基板の薄型加工方法）
次に、半導体基板の薄型化加工方法を図５〜図６に基づいて説明する。
図５（Ａ）に示すように、半導体基板１０の表面１２に、半導体素子１３を形成する。ここで、半導体素子１３は、上述したようにトランジスタやメモリ素子などの電子素子および電気配線からなる電子回路であり、これらは公知のフォトリソグラフィ工程や酸化工程、成膜工程、不純物注入工程、エッチング工程などによって形成される。
【００２２】
図５（Ｂ）に示すように、半導体基板１０の表面１２に、接着剤３０を塗布する（接着剤塗布工程）。接着剤３０は、スピンコートにより塗布される。なお、ここで用いる接着剤３０は液状のものであることが好ましい。液状の接着剤３０を用いることにより、半導体基板１０とサポート基板２０との間の全ての空間内に接着剤が行き渡るため、接着面積が大きくなり、接着強度を向上させることが可能となる。
【００２３】
図５（Ｃ）に示すように、半導体基板１０を反転させた後に、サポート基板２０と半導体基板１０とを貼り合わせる（接着工程）。ここで、サポート基板２０の表面２２は、半導体基板１０に反りが生じないように高精度な平坦面で形成されている。そして、サポート基板２０の表面２２と半導体基板１０の表面１２とが対向するように半導体基板１０がサポート基板２０に貼り合わされる。また、半導体基板１０とサポート基板２０との間には、上述した接着剤３０が設けられている。したがって、半導体基板１０とサポート基板２０とを貼り合わせることにより、表面１２の全面に液状の接着剤３０が行き渡り、サポート基板２０に対して半導体基板１０を接着することができる。なお、半導体基板１０とサポート基板２０とを接着剤３０にて接着する際には、真空条件下で行うことがこのましい。このようにすることで、接着剤３０内に気泡が入り難くすることができる。
【００２４】
また、接着剤３０は、紫外線反応性樹脂であることが好ましい。これにより、接着剤３０を介して半導体基板１０とサポート基板２０とを貼り合せた後に、接着剤３０に向けて紫外線を照射することで、半導体基板１０とサポート基板２０とを確実に接着させることが可能となる。なお、接着剤３０は、熱硬化性樹脂を採用してもよい。
【００２５】
ここで、サポート基板２０の表面２２の周縁部６１には凹部６２が形成されており、この凹部６２にも接着剤３０が充填される。さらに、接着剤３０は、半導体基板１０およびサポート基板２０の外周縁部よりもはみ出して、バリ３１が形成される。
さらに、サポート基板２０の表面２２には図示しない犠牲層が塗布されている。
【００２６】
なお、凹部６２はサポート基板２０にエッチングまたは機械的研削などにより形成されている。
凹部６２を形成する方法として、例えば、ドライエッチング法を用いる場合には、サポート基板２０をチャンバ内に配置させた状態で、チャンバ内に反応性ガスのプラズマを生成することによって行われる。ここで、サポート基板２０の中央部にはマスクが形成され、周縁部６１は露出状態となっている。このようなドライエッチング法を用いることにより、露出状態の周縁部６１の表面がエッチングされて、凹部６２が形成される。
【００２７】
また、機械的研削を用いる場合には、サポート基板２０の周縁部６１に研削手段を当接させた状態で、サポート基板２０の周縁方向に研削部材とサポート基板２０とを相対移動させることにより行われる。ここで、研削手段の歯形状は、凹部６２が所望の形状となるように適宜選択される。なお、このような研削を行う際には、表面２２を保護するために表面２２の研削領域以外の領域にマスキングを施しておくことが好ましい。このような機械的研削を行うことにより、露出状態の周縁部６１の表面が研削されて、凹部６２が形成される。
【００２８】
図５（Ｄ）に示すように、半導体基板１０の裏面１４側からバックグラインドを施し、半導体基板１０に薄型加工を施す（加工工程）。半導体基板１０の薄型化には、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ａｎｄ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を用いる。具体的には、半導体基板１０を基板支持用のヘッドに取り付け、研磨用の定盤表面に研磨布（パッド）が取り付けられ、半導体基板１０の裏面１４と研磨布とを当接させる。そして、半導体基板１０の裏面１４と研磨布とが擦れ合うように、半導体基板１０が取り付けられたヘッドと定盤とをそれぞれ回転させる。このとき、擦れ合う面に研磨液（スラリー）を供給する。このようにすることで、機械的研磨と化学作用との兼ね合いにより、半導体基板１０の裏面１４を研磨することができる。これにより、図５（Ｄ）の破線に示す部分が除去されて、薄型半導体基板４０が形成される。さらに、薄型半導体基板４０に対してスピンエッチングやドライエッチングを施すことで、薄型加工の仕上げが施される。
【００２９】
図５（Ｅ）に示すように、薄型半導体基板４０（半導体基板１０）を再度反転させた後に、サポート基板２０と接着剤３０との接着面にレーザ光４５を照射して、サポート基板２０と接着剤３０との間を剥離して分離する（分離工程）。このとき、接着剤３０と薄型半導体基板４０との間は、まだ接着されている。なお、サポート基板２０の分離方法は、レーザ光４５によるものでなく、他の方法により分離してもよい。
【００３０】
次に、図６（Ａ）に示すように、接着剤３０に剥離用シート部材５０を貼着させる（貼着工程）。
図６（Ｂ）に示すように、接着剤３０に剥離用シート部材５０を貼着させた後、剥離用シート部材５０を接着剤３０と共に、薄型半導体基板４０から剥離する（剥離工程）。
【００３１】
ここで、接着剤３０の周縁部３２には、半導体基板１０とサポート基板２０とを貼り合せた際に、それぞれの外周部よりはみ出した接着剤３０のバリ３１が形成されている。さらに、接着剤３０の周縁部３２には、サポート基板２０に形成された凹部６２に対応して凸部３３が形成されている。凸部３３の接着剤３０の表面３４からの高さｈ１は、バリ３１の高さｈ２よりも高く形成されている。したがって、剥離用シート部材５０を接着剤３０に貼着すると、凸部３３の頂面３５に面接触するように貼着されて、接着剤３０と剥離用シート部材５０との接着強度を向上させることができる。したがって、剥離用シート部材５０に対して半導体基板１０から離反する方向の力を作用させることにより、確実に接着剤３０を薄型半導体基板４０から剥離することができる。
【００３２】
なお、薄型半導体基板４０から接着剤３０を剥離させるには、薄型半導体基板４０の周縁部のいずれかの位置で、接着剤３０との剥離箇所を発生させれば、後は剥離用シート部材５０を引っ張ることで簡単に接着剤３０を薄型半導体基板４０から剥離させることができる。つまり、接着剤３０を剥離させるきっかけになる箇所を薄型半導体基板４０の周縁部のいずれかで発生させればよいため、凸部３３は最外周部に近い場所に形成するほど、より簡単に接着剤３０を薄型半導体基板４０から剥離させることができる。
【００３３】
本実施形態によれば、半導体基板１０（薄型半導体基板４０）の表面（能動面）１２に接着剤３０を塗布する接着剤塗布工程と、半導体基板１０に塗布された接着剤３０を介してサポート基板２０の表面２２を貼り合わせる接着工程と、半導体基板１０を加工する加工工程と、サポート基板２０を接着剤３０から分離する分離工程と、接着剤３０に剥離用シート部材５０を貼着する貼着工程と、剥離用シート部材５０と共に、半導体基板１０から接着剤３０を剥離する剥離工程とを有した半導体装置の製造方法において、サポート基板２０の表面２２の周縁部６１近傍に、底面２５が平坦な凹部６２を形成し、接着工程では、凹部６２内に接着剤３０を充填して、接着剤３０の周縁部３２近傍に頂面３５が平坦な凸部３３を形成し、貼着工程では、接着剤３０の凸部３３の頂面３５に剥離用シート部材５０を貼着するようにした。
【００３４】
このように構成したため、半導体基板１０に塗布された接着剤３０とサポート基板２０とを貼り合せた際に、サポート基板２０の凹部６２にも接着剤３０が充填され、半導体基板１０の加工工程が完了した後に、サポート基板２０を接着剤３０から分離すると、接着剤３０の表面３４には凹部６２の位置に対応した凸部３３が形成される。また、凸部３３には、サポート基板２０の凹部６２の底面２５に対応した平坦な頂面３５が形成されているため、接着剤３０と剥離用シート部材５０とが頂面３５において確実に面接触で貼着されることとなり、したがって、接着剤３０を半導体基板１０から確実かつ容易に剥離させることができる。さらに、接着剤３０の周縁部３２近傍に凸部３３が形成されるため、剥離用シート５０を貼着させた状態で、接着剤３０の周縁部３２を起点として接着剤３０を容易に剥離することができる。
【００３５】
なお、サポート基板２０に凹部６２を形成することにより、サポート基板２０と接着剤３０との接触面積を増大させることができるため、サポート基板２０と接着剤３０との密着性を向上させることができる。したがって、半導体基板１０の加工工程において、半導体基板１０の脱落を防止することができる。また、サポート基板２０と半導体基板１０との密着性を向上させることができるため、半導体基板１０の反りを低減でき、したがって、半導体基板１０を精度良く薄型化することができる。
【００３６】
また、サポート基板２０の凹部６２の深さｄは、接着工程においてサポート基板２０の表面２２の周縁部  ６１からサポート基板２０の側面に沿ってはみ出し形成される接着剤３０のバリ３１の高さｈ２よりも深く形成した。
このように構成したため、接着剤３０の凸部３３の高さｈ１が、接着剤３０の周縁部３２に形成されているバリ３１の高さｈ２より高く形成される。したがって、剥離用シート部材５０を接着剤３０の凸部３３の頂面３５に確実に貼着させることができる。結果として、接着剤３０を半導体基板１０から確実かつ容易に剥離させることができる。
【００３７】
また、半導体基板１０とサポート基板２０とを平面視において略同一形状（同径）とした。
このように構成したため、既存の半導体基板１０の加工装置に改造を施すことなく、半導体基板１０とサポート基板２０とを確実にチャックすることができる。したがって、これらの部材の取りまわしを容易にすることができる。なお、この場合には、接着剤３０の周縁部３２にバリ３１が形成されるが、上述のように接着剤３０に凸部３３を形成することで、接着剤３０を確実に半導体基板１０から剥離することができる。
【００３８】
さらに、サポート基板２０の凹部６２を、サポート基板２０の最外周部より内側の周縁部６１であって、周方向に連続的に形成した。
このように構成したため、接着剤３０の凸部３３が、周方向に連続的に形成されるため、接着剤３０と剥離用シート部材５０との貼着面積を大きくすることができる。したがって、容易に接着剤３０を半導体基板１０から剥離させることができる。また、サポート基板２０の凹部６２を、外周縁部よりも若干内側の周縁部６１に形成するようにしたため、サポート基板２０の外周縁部の強度を確保することができる。
【００３９】
（第二実施形態）
次に、本発明の第二実施形態について図７，図８に基づいて説明する。なお、本実施形態は第一実施形態とサポート基板の凹部の形状が異なるのみで、その他は第一実施形態と同様であるため、同一箇所には同一符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００４０】
図７は、サポート基板を示す平面図であり、図８は、図７におけるＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
図７，図８に示すように、サポート基板１２０は、平面視において半導体基板１０と略同一形状に形成されている。サポート基板１２０の表面２２は、中央部が平坦に形成されている。ここで、サポート基板１２０の表面２２の最外周部２３には、凹部２４が形成されている。凹部２４はサポート基板１２０の周囲全周に亘って形成されている。また、凹部２４の底面２５は、平坦に形成されており、表面２２と略平行になるように形成されている。
【００４１】
なお、凹部２４はエッチングまたは機械的研削などの方法によって形成されている。また、凹部２４の深さｄ、幅ｗおよびサポート基板１２０の厚みＤは、第一実施形態と略同一のサイズで形成されている。
【００４２】
本実施形態によれば、サポート基板２０の凹部２４を、サポート基板２０の最外周部２３に形成した。
このように構成したため、接着剤３０の凸部３３が接着剤３０の最外周部に形成される。つまり、接着剤３０を半導体基板１０から剥離させる起点により近いところに凸部３３が形成されるため、さらに容易に接着剤３０を半導体基板１０から剥離させることができる。
【００４３】
（第三実施形態）
次に、本発明の第三実施形態について図９，図１０に基づいて説明する。なお、本実施形態は第一実施形態とサポート基板の凹部の形状が異なるのみで、その他は第一実施形態と同様であるため、同一箇所には同一符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００４４】
図９は、サポート基板を示す平面図であり、図１０は、図９におけるＥ−Ｅ線に沿う断面図である。
図９，図１０に示すように、サポート基板１３０は、平面視において半導体基板１０と略同一形状に形成されている。サポート基板１３０の表面２２は、中央部が平坦に形成されている。ここで、サポート基板１３０の表面２２の最外周部より内側の周縁部６１には、周方向に断続的に凹部６３が形成されている。つまり、凹部６３はサポート基板１３０の外周に沿うように形成されている。また、凹部６３の底面２５は、平坦に形成されており、表面２２と略平行になるように形成されている。
【００４５】
なお、凹部６３はエッチングまたは機械的研削などの方法によって形成されている。また、凹部６３の深さｄ、幅ｗおよびサポート基板１３０の厚みＤは、第一実施形態と略同一のサイズで形成されている。
【００４６】
本実施形態によれば、サポート基板１３０の凹部６３を、サポート基板１３０の最外周部より内側の周縁部６１に、周方向に断続的に形成した。
このように構成したため、サポート基板１３０の周縁部６１の強度をさらに向上させることが可能になる。したがって、サポート基板１３０の強度と剥離用シート部材５０との密着性とのバランスを考慮して凹部６３を形成することができる。
【００４７】
（第四実施形態）
次に、本発明の第四実施形態について図１１，図１２に基づいて説明する。なお、本実施形態は第一実施形態とサポート基板の凹部の形状が異なるのみで、その他は第一実施形態と同様であるため、同一箇所には同一符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００４８】
図１１は、サポート基板を示す平面図であり、図１２は、図１１におけるＦ−Ｆ線に沿う断面図である。
図１１，図１２に示すように、サポート基板１４０は、平面視において半導体基板１０と略同一形状に形成されている。サポート基板１４０の表面２２は、中央部が平坦に形成されている。ここで、サポート基板１４０の表面２２のオリエンテーションフラット部１１に沿う位置のみに凹部６５が形成されている。つまり、凹部６５はサポート基板１４０のオリエンテーションフラット部１１の端部に沿うように形成されている。また、凹部６５の底面２５は、平坦に形成されており、表面２２と略平行になるように形成されている。
【００４９】
なお、凹部６５はエッチングまたは機械的研削などの方法によって形成されている。また、凹部６５の深さｄ、幅ｗおよびサポート基板１４０の厚みＤは、第一実施形態と略同一のサイズで形成されている。
【００５０】
本実施形態によれば、サポート基板１４０の凹部６５を、サポート基板１４０のオリエンテーションフラット部１１に沿う部分にのみ形成した。
このように構成したため、サポート基板１４０の強度を更に確保しつつ、接着剤３０に直線状の凸部３３を形成させて、接着剤３０を半導体基板１０から容易に剥離させることができる。
【００５１】
尚、本発明の技術範囲は上述した実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な構造・形状・寸法や材料などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【００５２】
例えば、図１３，図１４に示すように、サポート基板１５０の表面２２の周縁部６１に、円柱状に形成された凹部６４を、周方向に断続的に形成してもよい。
また、本実施形態においては、剥離用シート部材を接着剤の凸部の頂面のみに貼着する場合の説明をしたが、頂面だけでなく、接着剤の中央部の表面にも貼着するとより接着力が増すため、望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施形態における半導体基板を示す平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】本発明の第一実施形態におけるサポート基板を示す平面図である。
【図４】図３におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図５】本発明の実施形態における半導体基板の製造方法を示す説明図である。
【図６】図５の製造方法の続きを示す説明図である。
【図７】本発明の第二実施形態におけるサポート基板を示す平面図である。
【図８】図７におけるＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図９】本発明の第三実施形態におけるサポート基板を示す平面図である。
【図１０】図９におけるＥ−Ｅ線に沿う断面図である。
【図１１】本発明の第四実施形態におけるサポート基板を示す平面図である。
【図１２】図１１におけるＦ−Ｆ線に沿う断面図である。
【図１３】本発明のサポート基板における別の態様を示す平面図である。
【図１４】図１３におけるＧ−Ｇ線に沿う断面図である。
【図１５】従来の半導体基板とサポート基板との接着状態を示す説明図である。
【図１６】従来の接着剤と剥離用シート部材との接着状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０…半導体基板  １１…オリエンテーションフラット部  １２…表面（半導体基板の第１面）  １４…裏面（半導体基板の第２面）  ２０，１２０，１３０，１４０，１５０…サポート基板  ２２…表面（サポート基板の第１面）  ２３…最外周部  ２４，６２，６３，６４，６５…凹部  ２５…底面  ３０…接着剤  ３１…バリ  ３３…凸部  ５０…剥離用シート部材  ６１…周縁部  ｄ…凹部の深さ  ｈ２…バリの高さ
【図１】
2008258303.tif 000003
【図２】
2008258303.tif 000004
【図３】
2008258303.tif 000005
【図４】
2008258303.tif 000006
【図５】
2008258303.tif 000007
【図６】
2008258303.tif 000008
【図７】
2008258303.tif 000009
【図８】
2008258303.tif 000010
【図９】
2008258303.tif 000011
【図１０】
2008258303.tif 000012
【図１１】
2008258303.tif 000013
【図１２】
2008258303.tif 000014
【図１３】
2008258303.tif 000015
【図１４】
2008258303.tif 000016
【図１５】
2008258303.tif 000017
【図１６】
2008258303.tif 000018