(57)【要約】【課題】有機ＴＦＴ素子領域に塗布された有機半導体材料溶液（有機半導体層）の乾燥速度を均一にすることで有機半導体材料溶液の結晶化の度合いを均一化し、有機ＴＦＴ素子の機能特性を安定させ、画素領域での輝度や発光色のムラが少ない有機ＴＦＴ素子及びこれを用いた有機ＥＬディスプレイパネルを提供すること。【解決手段】ソース電極及びドレイン電極並びに前記電極間を接続する有機半導体層を含む第１及び第２のトランジスタと、を有する有機ＴＦＴ素子において、第１及び第２のトランジスタの電極間及び電極の長手方向の領域とで形成され有機半導体層が配置されるセルは全て同一形状でありかつ隣り合うセルの間隔は全て一定であることで解決できる。【選択図】図１
2008300610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極及びドレイン電極並びに前記電極間を接続する有機半導体層を含む第１及び第２のトランジスタと、を有する有機ＴＦＴ素子において、
前記第１及び第２のトランジスタの前記電極間及び前記電極の長手方向の領域とで形成され前記有機半導体層が配置されるセルは全て同一形状であり、かつ、隣り合うセルとの間隔は全て一定であること
を特徴とする有機ＴＦＴ素子。
【請求項２】
セルの四隅のエッジ部がＲ形状となっている請求項１記載の有機ＴＦＴ素子。
【請求項３】
Ｒ形状の曲率半径は５〜２０μｍである請求項２記載の有機ＴＦＴ素子。
【請求項４】
スイッチング用ＴＦＴ素子の領域Ｓはドライビング用ＴＦＴ素子の領域Ｄのｎ倍（ｎ＝１，２，・・，６）である請求項１又は２に記載の有機ＴＦＴ素子。
【請求項５】
ソース電極及びドレイン電極の長手方向に垂直な方向をＸ方向とし、Ｘ方向に垂直な方向をＹ方向とした場合、セルのＸ方向及びＹ方向の夫々の間隔が全て等間隔となっている請求項１〜４の何れか一項に記載の有機ＴＦＴ素子。
【請求項６】
隣り合うセルの間隔は１０μ以上１００μｍ以下の範囲で全て一定である請求項１〜５の何れか一項に記載の有機ＴＦＴ素子。
【請求項７】
請求項１〜６記載の有機ＴＦＴ素子は画素電極を含む有機ＥＬ発光素子と接続されており、前記有機ＴＦＴ素子と前記有機ＥＬ発光素子を組み合わせることで、ディスプレイとしたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【請求項８】
有機ＥＬ発光素子において、発光材料が形成される発光素子用セルは有機半導体層が配置されるセルと同一形状であり、かつ、
ディスプレイ内の隣り合う全セルの間隔が一定であること
を特徴とする請求項７記載の有機ＥＬディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＴＦＴ素子及びこれを用いた有機ＥＬディスプレイパネルに関するものであり、特にＴＦＴ素子（駆動用トランジスタ及びスイッチ用トランジスタ）の構造に特徴を有するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイの構成要素である有機ＥＬ素子は、一般的に有機ＥＬ発光素子と、それを駆動するためのトランジスタ（ＴＦＴ／Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を有する構成である。一般的なトランジスタは、発光素子を駆動するための「駆動用トランジスタ」と、駆動用トランジスタをＯＮ／ＯＦＦするための「スイッチ用トランジスタ」とを有する。
【０００３】
有機ＥＬ素子の代表的な構造の例として、駆動用トランジスタと有機ＥＬ発光素子とを同一平面（例えば基板表面）上に配置して、駆動用トランジスタのソース電極（以下、「Ｓ電極」と称す）又はドレイン電極（以下、「Ｄ電極」と称す）と、有機ＥＬ発光素子の画素電極とを同一平面上で接続しているものがある（特許文献１参照）。このような有機ＥＬ素子は、通常、「ボトムエミッション型有機ＥＬ素子」と称され、発光層からの光を基板を通して取り出すものである。
【０００４】
また、有機ＥＬ素子の他の構造例として、駆動用トランジスタと有機ＥＬ発光素子とを積層させて、駆動用トランジスタのＳ電極又はＤ電極と、有機ＥＬ発光素子の画素電極とをコンタクトホールを介して接続しているものも知られている（特許文献２参照）。このような有機ＥＬ素子は、通常、「トップエミッション型有機ＥＬ素子」と称され、発光層からの光を基板と反対側の封止膜を通して取り出すものである。
【０００５】
また、有機物を発光材料として用いる有機ＥＬ素子は、低分子有機ＥＬ材料の場合には、「蒸着法」で成膜される場合が多く、また、高分子有機ＥＬ材料の場合には、「インクジェット法」で形成される場合が多い。特にインクジェット法は、直径がμｍオーダーの液滴を高解像度で吐出／塗布することができるため、有機ＥＬ材料の高精細パターニングを可能とする技術であるとされ注目されている（例えば特許文献２及び特許文献３参照）。その他、近年では、「ロール印刷法」という技術も高精細パターニングを可能とする内容であることが、報告されている。
【０００６】
そして、例えばインクジェット法を用いて微細パターニングを行う場合、基板上に塗布された微小液体の乾燥は極めて速く、更に基板上の塗布領域における端部（上端，下端，左端，右端）では、画素領域に形成された微小液体から蒸発した溶媒分子分圧が低いため一般的に速く乾き始め、微小液体の乾燥時間の差は、画素内或いは画素間での膜厚むらを引き起こし、輝度むらや発光色むら等の表示むらの原因となることがある。
【０００７】
この課題に対し、例えば特許文献３に記載の発明では、「表示に関係する表示画素が複数配置された有効光学領域と、表示に関係しないダミー画素が配置されたダミー領域とを有し、表示画素に第１電極を設ける共にダミー画素に第２電極を設け、第１電極及び第２電極上に有機ＥＬ材料が配置される構成とする」ことで、解決できるとされる。
【特許文献１】特開２００２−０８２６３２号公報
【特許文献２】特開２００３−２４９３７５号公報
【特許文献３】特開２００５−２５９７１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
確かに、上記特許文献３に記載の発明でも、基板上の塗布領域における微小液体の乾燥時間の差に起因する、輝度むらや発光色むら等の表示むらは従来に比べ低減されるかも知れない。
【０００９】
しかしながら、駆動用トランジスタ（以下、「ＤｒＴ」と称す）とスイッチ用トランジスタ（以下、「ＳｗＴ」と称す）を用いて、有機ＴＦＴ素子によるアクティブ駆動を行う場合には、画素領域における微小液体の乾燥時間の差による膜厚むらのみならず、ＤｒＴとＳｗＴのそれぞれの構造までも鑑みない限り、基板上の塗布領域における微小液体の乾燥時間の差が原因とされる、ＤｒＴ，ＳｗＴの夫々のトランジスタとしての特性が異なる可能性が高く、結果的に輝度むらや発光色むら等の表示むらを低減させることが難しくなる。すなわち、ＤｒＴ，ＳｗＴを構成する有機半導体層の形状や、隣り合う有機半導体層の間隔が異なると、周りの有機半導体層との関係（例えば湿度など）から同形状の有機半導体層であっても有機半導体層が配置される場所によって、有機半導体の蒸発速度が異なる場合がある。
【００１０】
本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、有機ＴＦＴ素子領域に塗布された有機半導体材料溶液（有機半導体層）の乾燥速度を均一にすることで有機半導体材料溶液の結晶化の度合いを均一化し、有機ＴＦＴ素子の機能特性を安定させ、画素領域での輝度や発光色のムラが少ない有機ＴＦＴ素子及びこれを用いた有機ＥＬディスプレイパネルを提供することを目的とすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために本発明の有機ＴＦＴ素子は、ソース電極及びドレイン電極並びに前記電極間を接続する有機半導体層を含む第１及び第２のトランジスタと、を有する有機ＴＦＴ素子において、前記第１及び第２のトランジスタの前記電極間及び前記電極の長手方向の領域とで形成され前記有機半導体層が配置されるセルは全て同一形状であり、かつ、隣り合うセルの間隔は全て一定であることを特徴とするものである。
【００１２】
このとき、セルの四隅のエッジ部がＲ形状となっていると好適である。このとき、形状の曲率半径が５〜２０μｍであると更に良い。また、スイッチング用ＴＦＴ素子の領域Ｓはドライビング用ＴＦＴ素子の領域Ｄのｎ倍（ｎ＝１，２，・・，６）であることが望ましい。
【００１３】
また、ソース電極及びドレイン電極の長手方向に垂直な方向をＸ方向とし、Ｘ方向に垂直な方向をＹ方向とした場合、セルのＸ方向及びＹ方向の夫々の間隔が全て等間隔となっていると好適である。このとき、隣り合うセルの間隔は１０μ以上１００μｍ以下の範囲で全て一定であると更に良い。
【００１４】
更に、有機ＴＦＴ素子は画素電極を含む有機ＥＬ発光素子と接続され、有機ＴＦＴ素子と有機ＥＬ発光素子を組み合わせることで、ディスプレイとしても良い。このとき、有機ＥＬ発光素子において、発光材料が形成される発光素子用セルは有機半導体層が配置されるセルと同一形状であり、かつ、ディスプレイ内の隣り合う全セルの間隔が一定であると更に好適である。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように本発明によれば、基板全面にわたりソース電極及びドレイン電極を接続する有機半導体層が同一ピッチ、及び、同一サイズに配置されることになり、インクジェット法やロール印刷法を用いて、ＤｒＴ，ＳｗＴのトランジスタを形成した場合、各セル（有機半導体層が形成される空間）での乾燥速度が異なる可能性が低く、有機半導体層の結晶化の度合いが基板全面にわたって均一にすることが可能となり、ＴＦＴ素子の機能特性を安定させることが可能な有機ＴＦＴ素子を提供すると共に、画素領域での輝度や発光色のムラが少ない有機ＴＦＴ素子を用いた有機ＥＬディスプレイパネルを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態に係る有機ＴＦＴ素子及び有機ＥＬディスプレイについて添付図面を参照しながら説明する。
【００１７】
なお、図面において実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
【００１８】
（実施の形態１）
＜トランジスタ素子の構成＞
図１の（ａ）は、本発明の実施の形態１に係るトランジスタ素子１０の構造を示す平面図であり、図１の（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。
【００１９】
このトランジスタ素子１０は、ゲート電極（以下、「Ｇ電極」と称す）が下層にあるボトムゲート型トランジスタである。このトランジスタ素子１０は、基板１上に設けられたＧ電極２と、Ｇ電極２の上を覆って設けられたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３の上に設けられたＳ電極４と、Ｓ電極４と同一平面においてギャップ５で離間して配置されたＤ電極６と、ゲート絶縁層３の上に、Ｓ電極４とＤ電極６との間のギャップ５上に配置され、Ｓ電極４とＤ電極６とにわたって電気的に接続する有機半導体層８とを備える。
【００２０】
なお、本実施の形態では、駆動用トランジスタは、１素子（例えばＲ有機ＥＬ材料）に対して３つに分割される構成としている。すなわち、図１は１素子に対して、１つのＳｗＴを備えると共に３つのＤｒＴを備える構成を示す。また、図１は特に１素子について特出しした概略図であり、実際の有機ＥＬ素子では、Ｓ電極４とＤ電極６の長手方向に垂直な方向を「Ｘ方向」とし、Ｘ方向に垂直な方向を「Ｙ方向」とした場合、Ｘ，Ｙ方向共に複数のＳｗＴ，ＤｒＴが規則的に連続して設けられていることは言うまでもない。
【００２１】
また、ＤｒＴはＳｗＴに比べ使用する電圧が大きいことから、図１（ａ）に示すように必然的にＤｒＴの領域ＤはＳｗＴの領域Ｓよりも大きくなり、領域Ｄは領域Ｓのｎ倍（ｎは自然数）となる。ここでｎの上限は基板１の寸法と、ＤｒＴの領域Ｄ或いはＳｗＴの領域Ｓとの関係からせいぜいｎ＝６が限度である。
【００２２】
このトランジスタ素子１０では、Ｓ電極４の内縁部とＤ電極６の内縁部との間にはギャップ５を画成しており、Ｓ電極４とＤ電極６とにわたって有機半導体層８が形成され、有機半導体層８によってＳ電極４とＤ電極６とが電気的に接続されている。有機半導体層８は、Ｓ電極４とＤ電極６との間のギャップ５上に設けられ、有機半導体材料の多結晶体からなり、Ｓ電極４からＤ電極６にわたる電気的特性に優れる。
【００２３】
この時、Ｓ電極４とＤ電極６の長手方向と垂直な方向（Ｘ方向）に配置された有機半導体層８の間隔（図１におけるｄ１）は、Ｘ方向において一定であり、また、Ｓ電極４とＤ電極６の長手方向と平行な方向（Ｙ方向）においても一定である（図１におけるｄ２）。なお、ｄ１とｄ２とは同一でも良いが、ｄ１とｄ２とは異なっていても良い（言い換えると、ｄ１＝ｄ２である必要性は必ずしも必要でなく、重要なのは、有機半導体層８のＸ方向の間隔はＸ方向で一定であり、有機半導体層８のＹ方向の間隔もＹ方向で一定であることにある。）。なお、ｄ１とｄ２は１０μ≦ｄ１，ｄ２≦１００μｍであると良い。
【００２４】
以下に、このトランジスタ素子１０の構成部材について説明する。
【００２５】
＜基板＞
基板１としては、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。更に、フレキシブル基板を用いてもよい。このトランジスタ素子を有機ＥＬディスプレイ用に用いる場合には、フレキシブル基板が好ましい。
【００２６】
＜ゲート電極（Ｇ電極）＞
Ｇ電極２は、基板１の上に設けられる。実施の形態１に係るトランジスタ素子１０は、図１（ｂ）に示すように、Ｇ電極２は最下層に設けられているので「ボトムゲート型」と呼ばれる。これとは逆に、後述する実施の形態２に係るトランジスタ素子のようにＧ電極２が最上層に設けられる「トップゲート型」であっても良い。なお、Ｇ電極２の材質は特に限定されないが、例えばＣｒ膜（５ｎｍ以下）とＡｕ膜（１００ｎｍ程度）の積層膜や、Ｔｉ膜（５ｎｍ以下）とＡｕ膜（１００ｎｍ程度）の積層膜より構成される。Ｃｒ膜やＴｉ膜は主に接着膜として作用するが、酸化し難いＴｉ膜を用いるとより好ましい場合がある。
【００２７】
＜ゲート絶縁層＞
ゲート絶縁層３は、Ｇ電極２とＳ電極４、及び、Ｄ電極６が配置されている平面との間に挟まれて設けられている。このゲート絶縁層３は、通常用いられる絶縁層、例えばポリマー絶縁層等で構成できる。
【００２８】
＜ソース電極（Ｓ電極）及びドレイン電極（Ｄ電極）＞
Ｓ電極４及びＤ電極６は、基板１上に形成されたゲート絶縁層３の上面に配置され、互いはギャップ５で離間されている。また、図１ではＳｗＴのＤ電極６と、ＤｒＴのＧ電極２とが、コンタクトホールを介して接続されている態様を示す。
【００２９】
なお、Ｓ電極４及びＤ電極６としては、アルミニウム、クロム、モリブデンクロム、チタン、金、銀、銅等の導電性金属、或いは、ポリチオフェン誘導体等の有機導電体を用いることができる。特に光の反射率が高いという特性を有する銀を用いると好適である。
【００３０】
＜有機半導体層＞
有機半導体層８は、Ｓ電極４とＤ電極６との間にわたって形成されており、Ｓ電極４とＤ電極６とを電気的に接続している。有機半導体層８は多結晶体からなり、Ｓ電極４とＤ電極６との間のギャップ５上に形成されＳ電極４からＤ電極６にわたる電気的特性に優れる。また、図１（ｃ）は、図１（ａ）における有機半導体層８の拡大図であるが、有機半導体層８が形成される空間（セル）の四隅のエッジ部はＲ形状であることが好ましい。この理由は、例えば、インクジェット法やディスペンサ法を用いてセルに有機半導体材料（後に有機半導体層となる材料）を塗布した場合、有機半導体材料（インク）は塗布された地点から同心円状にセル内を拡がって行くことから、セルの四隅のエッジ部をＲ形状（好適には曲率半径：５〜２０μｍ）にしておけば、セル内のインクの流れがスムーズとなり、結果としてセル内にインクが均一に形成されるためである。
【００３１】
なお、有機半導体層８を構成する有機半導体材料としては、フルオレン−チオフェンコポリマー（Ｆ８Ｔ２），テトラベンゾポルフィリン（ｔｅｔｒａｂｅｎｚｏｐｏｒｐｈｙｒｉｎ），オリゴチオフェン（Ｏｌｉｇｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ），ペンタセン（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ），ルブレン（ｒｕｂｒｅｎ）等を用いることができる。特に、Ｇ電極がトップゲート電極（チャネルが形成された基板を下側としたときに、チャネルの上側に配置されたゲート電極）の場合には、Ｆ８Ｔ２を用いることが好ましく、ボトムゲート電極（チャネルが形成された基板を下側としたときに、チャネルの下側に配置されたゲート電極）の場合には、テトラベンゾポルフィリンを用いることが好ましい。
【００３２】
また、有機半導体層８は、安息香酸エチル等の非水系溶媒に有機半導体材料を含む非水系溶液７を塗布して、その後、乾燥させて形成することができる。この場合、凸状液滴の有機半導体溶液７を乾燥させることにより、外側の溶媒がより早く乾燥し、有機半導体材料が中心から外側に向かって流れやすくなる。
【００３３】
＜トランジスタ素子の製造方法＞
次に、実施の形態１に係るボトムゲート型トランジスタ素子１０の製造方法について、図２を用いて説明する。
（ａ）基板１として、ガラス基板、プラスチック基板、又は、フレキシブル基板を用意する。
（ｂ）基板１の上にＣｒ又はＡｕ材料を用いてＧ電極２を形成する（図２（ａ））。
（ｃ）Ｇ電極２の上を覆ってゲート絶縁層３を形成する（図２（ｂ））。ゲート絶縁層３としては、例えば、絶縁性ポリマーを用いる。
（ｄ）次いで、ゲート絶縁層３の上にＳ電極４を設け、Ｓ電極４と同一平面にＳ電極４をギャップ５で離間してＤ電極６を配置する（図２（ｃ））。このＳ電極４及びＤ電極６は、Ｃｒ又はＡｕ材料を用いて形成すれば良い。
（ｅ）Ｓ電極４の全面と、Ｓ電極４とＤ電極６との間のギャップ５の上とを覆うように、非水系溶媒に有機半導体材料を含む凸状液滴の有機半導体溶液７を塗布する（図２（ｄ））。なお、塗布は、例えば、ディスペンサ法、インクジェット法等を用いて行うことができる。また、ロール印刷法を用いて行っても問題はない。
（ｆ）有機半導体溶液７を乾燥させて、Ｓ電極４とＤ電極６との間のギャップ５上に有機半導体材料を結晶化させて、有機半導体層８を得る（図２（ｅ））。この有機半導体層８によってＳ電極４とＤ電極６とを電気的に接続することが可能となる。
【００３４】
以上によって、実施の形態１に係るボトムゲート型トランジスタ素子１０を作成することができる。
【００３５】
（実施の形態２）
＜トランジスタ素子の構成＞
図５（ａ）は、本発明の実施の形態２に係るトップゲート型トランジスタ素子１０ａの構成を示す平面図であり、図５（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線についての概略断面図である。このトランジスタ素子１０ａは、実施の形態１に係るボトムゲート型トランジスタ素子１０と比較すると、Ｓ電極４及びＤ電極６の上を覆ってゲート絶縁層３が形成され、その上にＧ電極２が設けられているトップゲート型トランジスタ素子であることを特徴とする。その他、（実施の形態１）にて記載の内容と同様な箇所は説明を省略する。
【００３６】
＜トランジスタ素子の製造方法＞
次に、実施の形態２に係るトップゲート型トランジスタ素子１０ａの製造方法を、図３を用いて説明する。
（ａ）基板１として、ガラス基板、プラスチック基板、又は、フレキシブル基板を用意する。
（ｂ）基板１上にＳ電極４を設け、Ｓ電極４と同一平面の面内外側にＳ電極４を囲んでギャップ５で離間してＤ電極６を配置する（図３（ａ））。このＳ電極４及びＤ電極６は、Ｃｒ又はＡｕ材料を用いて形成する。
（ｃ）Ｓ電極４の全面と、Ｓ電極４とＤ電極６との間のギャップ５の上とを覆うように、非水系溶媒に有機半導体材料を含む凸状液滴の有機半導体溶液７を塗布する（図３（ｂ））。
（ｄ）有機半導体溶液７を乾燥させて、Ｓ電極４とＤ電極６との間のギャップ５上に有機半導体材料を結晶化させて、有機半導体層８を得る（図３（ｃ））。この有機半導体層８によってＳ電極４とＤ電極６とを電気的に接続する。
（ｅ）Ｓ電極４、Ｄ電極６、有機半導体層８を覆うようにゲート絶縁膜３を形成する（図３（ｄ））。ゲート絶縁層３としては、例えば、絶縁性ポリマーを用いる。
（ｆ）次いで、ゲート絶縁層３の上にＣｒ又はＡｕ材料を用いてＧ電極２を形成する（図３（ｅ））。
【００３７】
以上によって、実施の形態２に係るトップゲート型トランジスタ素子１０ａを作成することができる。
【００３８】
（有機ＥＬディスプレイ）
以下、実施の形態１及び２で述べたトランジスタ素子１０，１０ａを用いた有機ＥＬディスプレイについて、３つの代表的な構造について説明する。
【００３９】
《第１の有機ＥＬディスプレイ構造》
図４は第１の有機ＥＬディスプレイの構造を示すものであり、図４（ａ）は有機ＥＬディスプレイの上面図であり、図４（ｂ）は有機ＥＬディスプレイの一部（サブピクセル／ＲＧＢのそれぞれ）を特出しした図であり、図４（ｃ）は、トランジスタの等価回路を示す図である。
【００４０】
まず、図４（ａ）に示すように、同図のＸ方向にはＲ，Ｇ，Ｂ発光素子が連続して形成されると共に各発光素子にはそれぞれの有機ＴＦＴ素子（駆動用ＴＦＴ素子とスイッチングＴＦＴ素子）が電気的に接続されている。この有機ＴＦＴ素子を駆動することによって発光素子の発光の制御が行える。なお、図４における有機ＥＬディスプレイは、有機ＴＦＴ素子と有機ＥＬ発光素子とが同一平面上に配置され、駆動用ＴＦＴのソース電極またはドレイン電極と、有機ＥＬ発光素子の画素電極とを同一平面上で接続する形態であることから、ボトムエミッション型有機ＥＬディスプレイを示すものである。
【００４１】
また、図４（ｂ）に示すように、有機半導体層８が形成される空間（セル／同図の点線部）は基板１全面で同一形状であり、更に、セルはＸ方向に一定間隔ｄ１で配置されている。図４においては図示していないが、前述した（実施の形態１）の＜トランジスタ素子の構成＞で説明したように、有機半導体層８が形成される空間（セル）はＸ方向に一定間隔ｄ１で連続的に配置されると共に、Ｙ方向においても一定間隔ｄ２で連続的に配置されている。そのため、例えば、インクジェット法、ディスペンサ法、ロール印刷法と言った所謂、「印刷法」を利用して有機ＴＦＴ素子を形成した場合においても、周りのセルとの雰囲気（例えば湿度など）が一定に保てるために、各セルでの有機半導体材料（後に有機半導体層となる材料）の乾燥速度が均一化でき、有機半導体材料の結晶化の度合いも一定にすることができる。なお、第１の有機ＥＬディスプレイ構造におけるトランジスタの等価回路は、図４（Ｃ）のようになり、４０はゲートライン，４１は電源ライン，４２はソースラインである。
【００４２】
《第２の有機ＥＬディスプレイ構造》
図５に示す有機ＥＬディスプレイは、図４の有機ＥＬディスプレイと同様、ボトムエミッション型有機ＥＬディスプレイを示すものであるが、図４の有機ＥＬディスプレイとの相違点は、発光素子自体も分割化（セル化）しており、有機半導体層８が形成される空間（セル）は全て同形状でしかも有機半導体層８が形成されるセルの間隔も一定である点にある。すなわち、図４で示した第１の有機ＥＬディスプレイは、有機ＴＦＴ素子における有機半導体層８が形成される空間（セル）が同形状であり、セル間隔がＸＹ方向で一定である態様に止まったが、図５で示す第２の有機ＥＬディスプレイは、発光素子においても発光材料が形成される領域を細分化（セル化）した態様である。
【００４３】
このように、発光素子における発光材料が形成される領域までもセル化し、基板全面にわたって有機半導体材料及び発光材料が形成される空間（セル）を、同形状及び同ピッチとすることで、有機半導体材料及び発光材料それぞれの結晶化の度合いが一定にでき、性能（高輝度，低発光色ムラ）が高い有機ＥＬディスプレイが提供できる。
【００４４】
《第３の有機ＥＬディスプレイ構造》
図６は第３の有機ＥＬディスプレイの構造を示すものであり、図６（ａ）は有機ＥＬディスプレイの上面図であり、図６（ｂ）は有機ＥＬディスプレイの一部（サブピクセル／ＲＧＢのそれぞれ）を特出しした図であり、図６（ｃ）は、トランジスタの等価回路を示す図である。
【００４５】
この有機ＥＬディスプレイにおける有機ＴＦＴ素子は、駆動用トランジスタと有機ＥＬ発光素子とを積層させて、駆動用トランジスタのソース電極又はドレイン電極と、有機ＥＬ発光素子の画素電極とをコンタクトホールを介して接続していることからトップエミッション型の構造である。そして、図６に示すような有機ＴＦＴ素子を、一般に「カレントコピア」と称する場合がある。
【００４６】
第１及び第２の有機ＥＬディスプレイにおける有機ＴＦＴ素子の場合、スイッチング用ＴＦＴのゲート信号によりデータ信号を出力し、駆動用ＴＦＴを駆動していることから、トランジスタ自体のバラツキを非常に受け易い構造であると言える。それに対して、第３の有機ＥＬディスプレイにおける有機ＴＦＴ素子の場合には、電流を出力するトランジスタ自身に、出力したい電流を直接流した後、その時に記憶されたゲート電極とソース電極との間の電圧に基いて電流を出力する回路であることから、トランジスタ単体の特性のバラツキが非常に少ない構成であると言える。
【００４７】
なお、図６（ｃ）において、６１は第１の制御ライン，６２は制御ラインを示す。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の有機ＴＦＴ素子及び有機ＥＬディスプレイは、例えば有機ＥＬテレビとして利用できるに止まらず、ワープロ，パソコン等の携帯型情報処理装置や腕時計型電子機器など、各種の電子機器における表示部として好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（ａ）本発明に係る有機ＴＦＴ素子の概略図（上面図）、（ｂ）本発明に係る有機ＴＦＴ素子の概略図（断面図）、（ｃ）本発明に係る有機ＴＦＴ素子における有機半導体層（セル）を示す図
【図２】本発明の実施の形態１に係るボトムゲート型トランジスタ素子の製造工程を示す図
【図３】本発明の実施の形態１に係るトップゲート型トランジスタ素子の製造工程を示す図
【図４】（ａ）本発明の第１の態様に係る有機ＥＬディスプレイの概略図（上面図）、（ｂ）本発明に係る有機ＥＬディスプレイのサブピクセルを示す概略図（上面図）、（ｃ）トランジスタの等価回路を示す図
【図５】（ａ）本発明の第２の態様に係る有機ＥＬディスプレイの概略図（上面図）、（ｂ）本発明に係る有機ＥＬディスプレイのサブピクセルを示す概略図（上面図）、（ｃ）トランジスタの等価回路を示す図
【図６】（ａ）本発明の第３の態様に係る有機ＥＬディスプレイの概略図（上面図）、（ｂ）本発明に係る有機ＥＬディスプレイのサブピクセルを示す概略図（上面図）、（ｃ）トランジスタの等価回路を示す図
【符号の説明】
【００５０】
１    基板
２    ゲート電極
３    ゲート絶縁層
４    ソース電極
５    ギャップ
６    ドレイン電極
８    有機半導体層
１０  トランジスタ素子
【図１】
2008300610.tif 000003
【図２】
2008300610.tif 000004
【図３】
2008300610.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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