(57)【要約】【課題】層間膜上及びコンタクトホール内の反射板形成材料に対して同時にフォトリソグラフィー法を適用する際、一括して最適露光量で露光でき、しかも短時間でマスク設計値に近い隣接する反射板間距離を実現できる反射板を有する表示パネルの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の反射板を有する表示パネルの製造方法は、透明基板１１上に画素毎にコンタクトホール２０が形成された層間膜１８を形成する工程、前記層間膜１８が形成された基板の表面全体に亘って反射性の材料からなる反射板形成材料２１ａを被覆する工程、前記反射板形成材料の表面にフォトレジスト層２９を形成する工程、全光量と中間光量を得るハーフトーンマスク３０等の多階調マスクを用い、前記画素間３３のフォトレジスト層２９ｂは中間光量で、前記コンタクトホール２０内のフォトレジスト層２９ａは全光量で、一括露光する工程、を有することを特徴とする。【選択図】図３
2008304743.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画素毎にコンタクトホールが形成された層間膜を形成する工程、
前記層間膜が形成された基板の表面全体に亘って反射性の材料からなる反射板形成材料
を被覆する工程、
前記反射板形成材料の表面にフォトレジスト層を形成する工程、
全光量と中間光量を得る多階調マスクを用い、前記画素間のフォトレジスト層は中間光
量で、前記コンタクトホール内のフォトレジスト層は全光量で、一括露光する工程、
を有することを特徴とする、反射板を有する表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記多階調マスクとして、前記中間光量透過部の透過率が２０％〜６０％であるハーフ
トーンマスクを使用したことを特徴とする請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記多階調マスクとして、前記中間光量透過部に解像限界以下となるようなスリットを
有するグレイトーンマスクを使用したことを特徴とする請求項１に記載の表示パネルの製
造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、層間膜上に形成された反射板を有する表示パネルの製造方法に関する。更
に詳しくは、本発明は、層間膜上及びコンタクトホール内に形成された反射板形成材料に
対して同時にフォトリソグラフィー法を適用する際、一括して最適露光量で露光でき、し
かも短時間でマスク設計値に近い隣接する反射板間距離を実現できる反射板を有する表示
パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、半透過型液晶示パネルないし反射型液晶表示パネルのように、反射板を有す
る液晶表示パネルは、透明基板上に形成された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor
：ＴＦＴ）等のスイッチング素子と画素電極ないし反射板との間に層間膜が配置されてお
り、この層間膜に形成されたコンタクトホールを介して画素電極とスイッチング素子の電
極とが電気的に接続されている。
【０００３】
これらの反射板を有する液晶表示パネルにおいては、光漏れ防止等の目的で反射板及び
画素電極が層間膜を介して信号線及び走査線の一部と重複するように設けられている。こ
の場合、信号線と画素電極との間に生じる寄生容量が大きくなるとフリッカないしクロス
トークが生じることが知られているため、層間膜にはある程度の膜厚が必要である。そこ
で、下記特許文献１に開示されている反射部を有する液晶表示装置においては、画素電極
ないしは反射層が基板上の信号線と重なる領域の層間膜を凹凸構造のないほぼ平坦な状態
となし、この平坦な層間膜上に画素電極ないし反射層が位置するようにして、信号線と画
素電極との間に生じる寄生容量を抑制するようにしている。
【０００４】
また、反射板を有する液晶表示パネルにおいては、反射板により外光を拡散反射させて
表示画像の視認性を向上させるために、各画素部分の層間膜の表面に多数の散乱凹凸部が
形成されている。すなわち、反射板を有する液晶表示パネルにおいては、周囲の外光を利
用して明るい表示を行なう際には、あらゆる角度からの入射光に対して表示画面に垂直な
方向へ散乱する光の強度を増加させる必要がある。そのため、散乱凹凸部によってあらゆ
る角度からの入射光に対して観察者の方向へ散乱させるようにしている。
【０００５】
この場合、散乱凹凸部の形状は、反射層が適度な拡散反射特性を持つようにするために
、凸部の裾の径は約１０μｍ程度、凸部の高さは約０．５μｍ程度、また、凸部の傾斜角
度は１０°以下、好ましくは７°程度に形成される。そして、コンタクトホールの深さは
約１〜４μｍ程度であり、散乱凹凸部の深さ（高さと同じ）よりも深いので、フォトレジ
スト材料からなる層間膜にコンタクトホールを形成するための最適な露光量と散乱凹凸部
を形成するための最適な露光量は異なる。そこで、露光装置上の制約や露光工程の時間短
縮の目的から、多階調マスクを使用してフォトレジスト材料からなる層間膜に対して一括
露光することによってそれぞれ深さの異なるコンタクトホールと散乱凹凸部とを同時形成
することが行われている（下記特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−２４２１３３号公報
【特許文献２】特開２００６−１５４５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一方、前記のようなコンタクトホール及び散乱凹凸部の形成工程後には、アルミニウム
金属又はアルミニウム合金からなる反射板形成材料を所定のパターンに形成した後、ＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料からな
る画素電極が形成される。このうち、アルミニウム金属又はアルミニウム合金からなる反
射板は、図６に示したように、層間膜５１にコンタクトホール５２及び散乱凹凸部５３を
形成した後、これらの表面全体に亘ってスパッタリング法等によってアルミニウム金属又
はアルミニウム合金膜５４を成膜し、フォトリソグラフィー法によって所定のパターンに
エッチングすることにより形成されている。なお、この反射板のパターニングのためのフ
ォトレジスト層５５の露光は、画素間５６及びコンタクトホール５２部分に対して行われ
る。
【０００７】
なお、図６は、従来のバイナリーマスクを用いた反射板形成用の露光工程の概念を示す
断面図である。
【０００８】
しかしながら、フォトレジスト材料は液状であるから、コンタクトホールのように、基
板のパターンに高低差がある場合であっても、フォトレジスト材料が基板の表面に塗布さ
れた際に高低差がレベリングされてしまう。そのため、コンタクトホール５２部分のフォ
トレジスト層の厚さＬ１と画素間５６のフォトレジスト層の厚さＬ２とは大きく異なって
いる。この場合、コンタクトホール５２部分のフォトレジストの完全露光には例えば約５
０ｍｊ程度の露光量が必要であるが、画素間５６のフォトレジストの完全露光には例えば
約３０ｍｊ程度の露光量ですむ。
【０００９】
このように、コンタクトホール５２部分及び画素間５６にそれぞれ存在するフォトレジ
ストの完全露光に必要な露光量は大きく相違している。そのため、従来は、コンタクトホ
ール５２部分の露光用のバイナリーマスクと、画素間５６の露光用のバイナリーマスクと
を使用する二重露光プロセスを採用しており、このフォトリソグラフィー工程は、１回の
露光で済むフォトリソグラフィー法に必要な時間の約１．５倍程度もの時間が必要であっ
た。従って、反射板を有する液晶表示パネル等の製造効率を向上させるためには、上述の
コンタクトホール５２部分及び画素間５６にそれぞれ存在するフォトレジストの同時露光
が要望されている。
【００１０】
ところで、フォトレジスト層５５の下部にはアルミニウム金属又はアルミニウム合金膜
５４が存在しているため、一応フォトレジスト層５５の厚さが薄い画素間５６もフォトレ
ジストが厚く塗布されたコンタクトホール５２部分を露光するために必要な露光量で露光
すれば、両者を同時に露光することは可能である。しかしながら、画素間５６に存在する
フォトレジスト層は、完全露光された後にもコンタクトホール５２部分のフォトレジスト
層が完全に露光されるまで露光光が照射されているため、露光光の散乱、反射等によって
オーバー露光されて、露光幅が広がってしまう。この露光幅の拡大は、画素間５６の距離
の増大に繋がる。
【００１１】
特に、近年の液晶表示パネルの小型化及び高精細化の進展に伴い、要求される最短画素
間距離も約３μｍ程度以下と非常に狭くなっているので、上述のような画素間に存在する
フォトレジスト層のオーバー露光による露光幅の拡大は、反射板を有する液晶表示パネル
の高精細化の妨げとなっている。そのため、露光工程に必要な時間の短縮と画素間距離の
狭小化を達成するため、コンタクトホール５２部分及び画素間５６に存在するフォトレジ
ストを、一度の露光工程で、それぞれ最適な露光量で、完全露光できるようにすることが
要望されている。
【００１２】
発明者等は、上述のような従来技術の問題点を解決すべく種々実験を重ねた結果、従来
は基板内で例えば表面に凹凸を形成するなど、異なる膜厚を残す目的で使用されている多
階調マスクを用いると、露光すべきフォトレジストの膜厚が下地の高低差によって大幅に
相違している場合であっても、一括して最適露光量で露光でき、しかも短時間でマスク設
計値に近い線幅を実現できることを見出し、本発明を完成するに至ったのである。
【００１３】
すなわち、本発明は、層間膜上及びコンタクトホール内に形成された反射板形成材料に
対して同時にフォトリソグラフィー法を適用した際、一括して最適露光量で露光でき、し
かも短時間でマスク設計値に近い画素間距離を実現できる反射板を有する表示パネルの製
造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の反射板を有する表示パネルの製造方法は、
基板上に画素毎にコンタクトホールが形成された層間膜を形成する工程、
前記層間膜が形成された基板の表面全体に亘ってアルミニウム又はアルミニウム合金か
らなる反射板形成材料を被覆する工程、
前記反射板形成材料の表面にフォトレジスト層を形成する工程、
全光量と中間光量を得る多階調マスクを用い、前記画素間のフォトレジスト層は中間光
量で、前記コンタクトホール内のフォトレジスト層は全光量で、一括露光する工程、
を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明の反射板を有する表示パネルの製造方法においては、従来基板内で異なるレジス
ト膜厚を残す目的で使用されている多階調マスクを用いる。この多階調マスクを用い、前
記画素間の厚さが薄いフォトレジスト層は多階調マスクの中間光量を得る部分で、コンタ
クトホール内に形成された厚いフォトレジスト層は多階調マスクの全光量を得る部分で、
それぞれ一括して露光する。そうすると、画素間の厚さが薄いフォトレジスト層もコンタ
クトホール内の厚さが厚いフォトレジスト層も、多階調マスクの中間光量を得る部分の光
透過率を適宜に調整することにより、最適露光量で一括して露光させることができるよう
になる。そのため、本発明の反射板を有する表示パネルの製造方法によれば、短時間で設
計値に近い画素間距離を有する表示パネルが得られる。
【００１６】
本発明の反射板を有する表示パネルの製造方法においては、前記多階調マスクとして、
前記中間光量透過部の透過率が２０％〜６０％であるハーフトーンマスクを使用すること
が好ましい。
【００１７】
ハーフトーンマスクは、バイナリーマスクの光透過部そのものと同様の構成の部分が全
光量透過部となり、このバイナリーマスクの光透過部に露光光の一部を吸収する光吸収部
材が設けられた部分が中間光量透過部となる。そして、中間光量透過部の透過率は、光吸
収部材の吸光度を変えることによって種々の数値をとることができる。この中間光量透過
部の吸光度が２０％未満であると露光機の光源の輝度の変動を考慮すると実質的に全光量
透過と変わらなくなる。また、中間光量透過部の吸光度が６０％以上であると透過する光
量が減少しすぎて薄いフォトレジスト層であっても完全露光に時間がかかるようになる。
そのため、最適な中間光量透過部の吸光度は２０％〜６０％である。
【００１８】
また、本発明の反射板を有する表示パネルの製造方法においては、前記多階調マスクと
して、前記中間光量透過部が解像限界以下のスリットを有し、前記中間光量透過部の幅が
０．５μｍ〜３μｍのグレイトーンマスクを使用することが好ましい。
【００１９】
グレイトーンマスクは、解像度以下のスリットパターンの複数個形成された部分が中間
光量透過部となり、このスリットの幅や所定幅当たりのスリットの個数を変えることによ
り中間光量透過部の光透過率を変えることができる。このグレイトーンマスクの中間光量
透過部の最適な幅は、ハーフトーンマスクについて述べたのと同様の理由で、０．５μｍ
〜３μｍである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、実施例、比較例及び図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を説明す
る。しかしながら、以下に示す実施例は、本発明をここに記載したものに限定することを
意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種
々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。
【００２１】
なお、図１は実施例及び比較例に共通する半透過型液晶表示パネルのカラーフィルタ基
板を透視して表した１画素分の平面図である。図２は図１のII−II線に沿った模式断面図
である。図３は実施例１の露光方法を採用した場合の図１のIII−III線に対応する部分の
模式断面図である。図４は比較例の露光方法を採用した場合の図１のIII−III線に対応す
る部分の模式断面図である。図５は実施例２の露光方法を採用した場合の図１のIII−III
線に対応する部分の模式断面図である。
【００２２】
まず、実施例及び比較例に共通する半透過型液晶表示パネル１０を図１及び図２を用い
て説明する。この半透過型液晶表示パネル１０は互いに対向するアレイ基板ＡＲ及びカラ
ーフィルタ基板ＣＦを備えている。アレイ基板ＡＲはガラス基板等の透明基板１１上にア
ルミニウムやモリブデン等の金属薄膜からなる複数の走査線１２及び補助容量電極１３が
平行になるように形成され、更に走査線１２からＴＦＴ（Thin Film Transistor）のゲー
ト電極Ｇが延設されている。
【００２３】
更に、アレイ基板ＡＲの表面全体にわたり、走査線１２、補助容量電極１３及びゲート
電極Ｇを覆うようにして窒化ケイ素等からなるゲート絶縁膜１４が積層されている。そし
て、ゲート電極Ｇの上にはゲート絶縁膜１４を介して例えばアモルファスシリコン層又は
ポリシリコン層からなる半導体層１５が形成されている。これらの半導体層１５はゲート
絶縁膜１４の表面全体に亘って半導体層を形成した後にドライエッチングすることにより
形成される。
【００２４】
更に、ゲート絶縁膜１４上にアルミニウムやモリブデン等の金属薄膜からなる複数の信
号線１６が走査線１２と直交するように形成され、この信号線１６からＴＦＴのソース電
極Ｓが延設されてゲート電極Ｇ上の半導体層１５の一部と接触されている。また、ゲート
絶縁膜１４上には信号線１６及びソース電極Ｓと同一の材料でかつ同時に形成されたドレ
イン電極Ｄが設けられており、このドレイン電極Ｄもゲート電極Ｇ上の半導体層１５の一
部と接触されている。
【００２５】
ここで、走査線１２と信号線１６とに囲まれた領域が１画素に相当する。そしてゲート
電極Ｇ、ゲート絶縁膜１４、半導体層１５、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってスイ
ッチング素子となるＴＦＴが構成され、それぞれの画素にこのＴＦＴが形成されている。
この場合、ドレイン電極Ｄと補助容量電極１３によって各画素の補助容量を形成すること
になる。
【００２６】
これらの信号線１６、ＴＦＴ、ゲート絶縁膜１４を覆うようにしてアレイ基板ＡＲの表
面全体にわたり、例えば窒化硅素等からなるパッシベーション膜１７が積層され、このパ
ッシベーション膜１７上に有機絶縁物層からなる層間膜１８がアレイ基板ＡＲの表面全体
にわたり積層されている。そして、パッシベーション膜１７と層間膜１８には、それぞれ
の画素毎にＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２０が形成され、
この画素毎の層間膜１８の表面には部分的に多数の散乱凹凸部１９が形成されているとと
もに、散乱凹凸部１９が形成されていない部分は表面が平らにされている。なお、層間膜
１８の散乱凹凸部１９はこの表面に形成される反射板２１によって外光を拡散反射させて
表示画像の視認性を向上させるために設けられるものであるが、図１においてはこの散乱
凹凸部１９は省略されている。
【００２７】
そして、層間膜１８の散乱凹凸部１９が形成されている部分の表面を被覆するように、
それぞれの画素毎に独立して例えばアルミニウム金属やアルミニウム合金（例えば、Ａｌ
−Ｎｄ合金。以下、両者を併せて「アルミニウム合金等」という。）等の反射性を有する
材料からなる反射板２１が形成されている。なお、この反射板２１の形成工程については
後述する。更に、それぞれの画素毎にこの反射板２１の表面及び層間膜１８の平らな表面
にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材
料からなる画素電極２２が形成され、更に、画素電極２２が形成された基板の表面全体を
覆うように配向膜（図示せず）が積層されている。この画素電極２２のうち、反射板２１
が形成された部分が反射部２３を形成し、反射板２１が形成されていない部分が透過部２
４を形成する。
【００２８】
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、ガラス等の透明基板２５上に、アレイ基板ＡＲに設
けられたそれぞれの画素に対応して、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）からな
るカラーフィルタ層２６がストライプ状に形成されるように設けられており、更に、この
カラーフィルタ層２６の表面には共通電極及び配向膜（いずれも図示せず）が積層されて
いる。そして、アレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦの間に液晶２７を封入するこ
とにより半透過型液晶表示パネル１０が形成される。
【００２９】
ここで、実施例及び比較例に共通するアルミニウム合金等からなる反射板２１の形成工
程について説明する。まず、コンタクトホール２０が形成された層間膜１８の表面全体に
亘り、アルミニウム合金等からなる反射板形成材料２１ａをスパッタリング法によって所
定厚さに形成する。そうすると、層間膜１８の表面のみならずコンタクトホール２０の内
面もこのアルミニウム合金等からなる反射板形成材料２１ａによって被覆される。そこで
、フォトリソグラフィー法によってアルミニウム合金等からなる反射板形成材料２１ａを
パターニングして所定の形状の反射板２１を形成する必要がある。なお、コンタクトホー
ル２０内に形成されたアルミニウム合金等からなる反射板形成材料２１ａも、スイッチン
グ素子の電極（ドレイン電極Ｄ）の表面がパッシベーション膜１７で被覆されているため
、所定パターンの反射板２１の形成時に同時にエッチングによって除去する必要がある。
なお、コンタクトホール２０内のパッシベーション膜１７については、後の工程において
取り除かれる。
【００３０】
次いで、このアルミニウム合金等からなる反射板形成材料２１ａの表面に例えばアクリ
ル系のポジ型フォトレジスト層２９を形成する。このフォトレジスト層２９は、液状のフ
ォトレジスト形成材料を例えばスピンコーティング法によってアルミニウム合金等からな
る反射板形成材料２１ａの表面に塗布することにより形成される。このようにして塗布さ
れた液状のフォトレジスト材料は、コンタクトホール２０内及び散乱凹凸部１９の凹み内
にも入り込み、レベリングされて、図３に示したように、表面は実質的に均一な高さにな
る。このフォトレジスト層２９が形成された基板を用いて、以下の実施例１及び２、比較
例１及び２の露光に使用した。
【実施例１】
【００３１】
ここで、実施例１の露光用マスクとして多階調マスクの１種であるハーフトーンマスク
３０を使用し、コンタクトホール２０が形成された層間膜１８の表面に反射板２１を形成
する工程を図３を用いて説明する。なお、図３においては図１及び図２と共通する構成部
分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００３２】
このハーフトーンマスク３０は、例えば光透過部３１ａ及び３１ｂを有する従来のバイ
ナリーマスク３１において、一方の光透過部３１ｂに所定の吸光度を有するハーフ膜３２
が積層された構成を備えている。このハーフ膜３２の吸光度は、露光機の光源の輝度の変
動及び画素間３３の部分のフォトレジスト層２９の厚さを考慮の上で、２０％〜６０％の
範囲で適宜選択されている。従って、ハーフトーンマスク３０は、ハーフ膜３２が積層さ
れた光透過部３１ｂが中間光量透過部３６となり、ハーフ膜３２が被積層されていない光
透過部３１ａが全光透過部となる。
【００３３】
なお、一般的な層間膜１８のコンタクトホール２０の深さは１〜４μｍ程度、コンタク
トホール２０部分の露光幅は８〜１０μｍ程度、画素間３３の距離は、小型の高精細度の
液晶パネルの場合、２μｍ〜４μｍ程度が採用されている。
【００３４】
このように、コンタクトホール２０の部分を全光透過部によって露光し、画素間３３を
中間光量透過部３６によって同時露光すると、コンタクトホール２０内のフォトレジスト
層２９ａ及び画素間３３に存在するフォトレジスト層２９ｂも最適な露光量で完全露光さ
せることができる。したがって、実施例１で採用した露光方法によれば、一度の露光で画
素間３３の露光幅ｗ１も中間光量透過部３６の幅とほぼ同等となり、設計値に近い画素間
距離を有する反射板を形成できる。
【００３５】
［比較例］
実施例１ではハーフトーンマスク３０を使用した例を示したが、比較例としては、図４
に示したように、従来のバイナリーマスク３１を使用して露光を行った。なお、図４にお
いては、バイナリーマスク３１にハーフ膜が形成されていないこと以外は図３に示した実
施例１の露光方法と実質的に同一であるので、図３と同一の構成部分には同一の参照符号
を付与してその詳細な説明は省略する。
【００３６】
この図４に示した比較例の露光方法では、画素間３３に存在するフォトレジスト層２９
ｂは、厚さが薄いために先に完全露光されるが、その後にもコンタクトホール２０内のフ
ォトレジスト層２９ａが完全に露光されるまで露光光が照射され続けている。そのため、
画素間３３に存在するフォトレジスト層２９ｂは、露光光の散乱、反射等によってオーバ
ー露光されるので、例えば画素間３３に対応する光透過部３１ｂの幅が３μｍであっても
露光幅ｗ２は５μｍにも広がってしまうことがある。このような露光幅の増大は、画素間
３３の距離の増大に繋がるため、高精細化の達成が困難となる。
【実施例２】
【００３７】
ここで、実施例２の露光用マスクとして多階調マスクの１種であるグレイトーンマスク
３５を使用し、コンタクトホール２０が形成された層間膜１８の表面に反射板を形成する
工程を図５を用いて説明する。なお、図５においては図３と共通する構成部分には同一の
参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００３８】
このグレイトーンマスク３５は、例えば光透過部３１ａ及び３１ｂを有する従来のバイ
ナリーマスク３１において、一方の光透過部３１ｂに複数の解像限界以下の細いスリット
３７が設けられた構成を備えている。この複数の解像限界以下の細いスリット３７では露
光光は回折せずに直進する。そのため、この解像限界以下の細いスリット３７の幅及びピ
ッチによってこの一方の光透過部３１ｂの光透過率が定まり、解像限界以下の細いスリッ
ト３７が形成された部分が中間光量透過部３６を構成する。また、この複数の解像限界以
下の細いスリット３７が形成されている部分の幅によって露光される分の幅が定まる。な
おスリット３７は０．３〜３μｍの程度のピッチのものを、光源との関係によって適宜使
い分ければよい。
【００３９】
このようなグレイトーンマスクを使用した実施例２の露光方法によれば、実施例１の場
合と同様に、画素間３３を中間光量透過部３６で露光し、コンタクトホール２０の部分を
全光透過部である他方の光透過部３１ａによって同時露光すると、画素間３３に存在する
フォトレジスト層２９ｂもコンタクトホール２０内のフォトレジスト層２９ａも共に最適
な露光量で完全露光させることができる。したがって、実施例２で採用した露光方法によ
れば、画素間３３の露光幅ｗ３も中間光量透過部３６である一方の光透過部３１ｂの幅と
ほぼ同等となり、一度の露光で設計値に近い画素間距離を有する反射板を形成できる。
【００４０】
なお、実施例１及び２では半透過型液晶表示装置の場合を例にとって説明したが、本発
明は、これに限らず、反射型液晶表示パネルの場合にも適用可能である。この反射型液晶
表示パネルの場合は、反射電極を層間膜の各画素部分の全面を被覆するように形成すれば
よい。更に、本発明は液晶表示パネルの場合だけでなく、層間膜の表面に反射板が形成さ
れているその他のパネル、例えば反射型プロジェクタ、反射型電子ペーパー等に対しても
等しく適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施例及び比較例に共通する半透過型液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿った模式断面図である。
【図３】実施例１の露光方法を採用した場合の図１のIII−III線に対応する部分の模式断面図である。
【図４】比較例の露光方法を採用した場合の図１のIII−III線に対応する部分の模式断面図である。
【図５】実施例２の露光方法を採用した場合の図１のIII−III線に対応する部分の模式断面図である。
【図６】従来のバイナリーマスクを用いた反射板形成用の露光工程の概念を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０：半透過型液晶表示パネル  １１：透明基板  １２：走査線  １３：補助容量電極
１４：ゲート絶縁膜  １５：半導体層  １６：信号線  １７：パッシベーション膜  １
８：層間膜  １９：散乱凹凸部  ２０：コンタクトホール  ２１：反射板  ２１ａ：反射
板形成材料  ２２：画素電極  ２３：反射部  ２４：透過部  ２５：透明基板  ２６：カ
ラーフィルタ層  ２７：液晶  ２９：フォトレジスト層  ３０：ハーフトーンマスク  ３
１ａ，３１ｂ：光透過部  ３２：ハーフ膜  ３３：画素間  ３５：グレイトーンマスク  
３６ａ〜３６ｃ：中間光量透過部  ３７：解像限界以下の細いスリット
【図１】
2008304743.tif 000003
【図２】
2008304743.tif 000004
【図３】
2008304743.tif 000005
【図４】
2008304743.tif 000006
【図５】
2008304743.tif 000007
【図６】
2008304743.tif 000008