(57)【要約】【課題】薄型化および放熱促進を図ることが可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】ダイボンディングパッド１１を有するリード１Ａと、ダイボンディングパッド１１の表面１１ａにダイボンディングされた半導体素子３と、ダイボンディングパッド１１および半導体素子３を覆う樹脂パッケージ５と、を備える半導体装置Ａ１であって、ダイボンディングパッド１１の裏面１１ｂは、絶縁膜２によって覆われている。【選択図】  図１
2008300492.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイボンディングパッドを有するリードと、
上記ダイボンディングパッドの表面にダイボンディングされた半導体素子と、
上記ダイボンディングパッドおよび上記半導体素子を覆う樹脂パッケージと、
を備える半導体装置であって、
上記ダイボンディングパッドの裏面は、絶縁膜によって覆われていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
上記絶縁膜は、上記ダイボンディングパッドを形成する金属の酸化膜である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記絶縁膜は、金属窒化物の微粒子が混入された樹脂からなる、請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイオードやトランジスタなどの半導体素子が内蔵された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は、従来の半導体装置の一例を示している（たとえば、特許文献１参照）。同図に示された半導体装置Ｘは、ダイオードまたはトランジスタなどの半導体素子９２を有している。半導体素子９２は、リード９１のダイボンディングパッド９１ａにダイボンディングされている。半導体素子９２およびダイボンディングパッド９１ａは、樹脂パッケージ９３によって封止されている。リード９１のうち樹脂パッケージ９３から露出した部分は、半導体装置Ｘを回路基板などに実装するための端子９１ｂとされている。
【０００３】
半導体装置Ｘに対しては、小型化、特に薄型化の要請が強い。また、半導体装置Ｘに流れる電力が大きくなるほど、半導体素子９２からの放熱を促進する必要がある。これらを目的として、たとえば樹脂パッケージ９３の薄肉化が試みられる。しかしながら、樹脂パッケージ９３が薄肉であるほど、同図仮想線で示すように製造工程においてリード９１の一部が変形することがあると、リード９１が樹脂パッケージ９３から露出してしまうおそれが大きくなる。このようなことでは、ダイボンディングパッド９１ａと回路基板の一部とが不当に導通してしまうという問題があった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１６２０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、薄型化および放熱促進を図ることが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によって提供される半導体装置は、ダイボンディングパッドを有するリードと、上記ダイボンディングパッドの表面にダイボンディングされた半導体素子と、上記ダイボンディングパッドおよび上記半導体素子を覆う樹脂パッケージと、を備える半導体装置であって、上記ダイボンディングパッドの裏面は、絶縁膜によって覆われていることを特徴としている。
【０００７】
このような構成によれば、上記半導体装置の製造工程において上記リードの一部が変形したとしても、上記ダイボンディングパッドの裏面は上記絶縁膜によって覆われた状態である。このため、上記ダイボンディングパッドが、上記半導体装置が実装される回路基板の配線パターンなどと不当に導通するおそれが少ない。これは、上記樹脂パッケージの薄肉化に適している。したがって、上記半導体装置の薄型化および放熱促進を図ることができる。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記絶縁膜は、上記ダイボンディングパッドを形成する金属の酸化膜である。このような構成によれば、上記絶縁膜を熱伝導率が高いものとすることが可能であり、放熱促進を図るのに有利である。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記絶縁膜は、金属窒化物の微粒子が混入された樹脂からなる。このような構成によれば、上記絶縁膜の厚さを所望の厚さに仕上げることができる。また、金属窒化物は比較的良好な熱伝導材料であるため、上記半導体素子からの放熱を不当に妨げるおそれが少ない。
【００１０】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１２】
図１および図２は、本発明に係る半導体装置の第１実施形態を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１は、リード１Ａ，１Ｂ，１Ｃ、絶縁膜２、半導体素子３、ワイヤ４、および樹脂パッケージ５を備えている。半導体装置Ａ１は、半導体素子３の種類に応じて、電気回路におけるスイッチング機能、整流機能、増幅機能などを果たす電子部品として用いられる。
【００１３】
リード１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、半導体素子３を支持するとともに、半導体素子３とたとえば半導体装置Ａ１が実装される回路基板の配線パターン（図示略）とを導通させるためのものである。リード１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、たとえばＣｕ、Ｎｉなどの合金からなるプレートを型抜き加工することによって形成されている。リード１Ａは、ダイボンディングパッド１１を有している。ダイボンディングパッド１１の表面１１ａには、半導体素子３がダイボンディングされている。リード１Ｂ，１Ｃは、リード１Ａを挟んで配置されており、それぞれがパッド１２を有している。ダイボンディングパッド１１およびパッド１２は、樹脂パッケージ５に覆われている。リード１Ａ，１Ｂ，１Ｃのうち樹脂パッケージ５から露出した棒状部分は、半導体装置Ａ１を実装するための端子１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃとされている。
【００１４】
絶縁膜２は、絶縁性材料からなる膜であり、ダイボンディングパッド１１の裏面１１ｂおよびパッド１２の裏面１２ｂを覆っている。本実施形態においては、絶縁膜２は、リード１Ａ，１Ｂ，１Ｃを形成するＣｕ、Ｎｉなどの合金を酸化させた酸化膜とされており、その厚さは１μｍ〜数μｍ程度である。このような絶縁膜２は、リード１Ａ，１Ｂ，１Ｃの一部ずつをマスクした状態で酸化雰囲気にさらすことによって形成できる。
【００１５】
半導体素子３は、たとえばダイオードまたはトランジスタなどの半導体からなる機能素子であり、半導体装置Ａ１の機能を決定する要素である。半導体素子３は、ダイボンディングパッド１１の表面１１ａに対してたとえば導電性樹脂などによってダイボンディングされている。また、半導体素子３に形成された電極（図示略）とパッド１２とは、ワイヤ４によって接続されている。
【００１６】
樹脂パッケージ５は、たとえばエポキシ樹脂からなり、半導体素子３、ダイボンディングパッド１１、パッド１２、およびワイヤ４を封止している。樹脂パッケージ５は、たとえばエポキシ樹脂材料を用いたモールド成形によって形成される。
【００１７】
次に、半導体装置Ａ１の作用について説明する。
【００１８】
本実施形態によれば、半導体装置Ａ１の製造工程において、リード１Ａの一部、たとえばボンディングパッド１１が変形したとしても、裏面１１ｂは、絶縁膜２によって覆われた状態となる。このため、ダイボンディングパッド１１が、半導体装置Ａ１が実装される回路基板の配線パターンなどと不当に導通するおそれがない。したがって、樹脂パッケージ５の薄肉化を図ることが可能であり、半導体装置Ａ１の薄型化に適している。また、樹脂パッケージ５を薄肉とすれば、半導体素子３からの放熱を促進することができる。
【００１９】
絶縁膜２は、その厚さが１μｍ〜数μｍ程度であるため、ダイボンディングパッド１１を介した半導体素子３からの放熱を不当に妨げるおそれが少ない。特に、ＣｕやＮｉの合金の酸化膜からなる絶縁膜２は、熱伝導率が比較的高いため、半導体素子３からの放熱を促進するのに有利である。
【００２０】
図３は、本発明の第２実施形態を示している。なお、本図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。本実施形態の半導体装置Ａ２は、絶縁膜２の構成が、上述した実施形態と異なっている。本実施形態においては、絶縁膜２は、金属窒化物の粒子が混入された樹脂によって形成されている。金属窒化物の例としては、たとえばＡｌＮやＢＮが挙げられる。樹脂の例としては、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂が挙げられる。絶縁膜２は、たとえば金属窒化物の粒子が混入された樹脂材料を裏面１１ｂ，１２ｂに印刷によって塗布した後に、紫外線硬化処理または熱硬化処理などを施すことによって形成される。絶縁膜２の厚さは、たとえば１００μｍ程度とされる。
【００２１】
本実施形態によれば、絶縁膜２の厚さを比較的厚く仕上げることが容易である。これは、裏面１１ｂが回路基板の配線パターンなどと不当に導通してしまうことを防止するのに有利である。また、ＡｌＮやＢＮといった金属窒化物は比較的良好な熱伝導材料である。このため、半導体素子３からの放熱を促進する効果が期待できる。
【００２２】
本発明に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る半導体装置の第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の第２実施形態を示す断面図である。
【図４】従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００２４】
Ａ１，Ａ２  半導体装置
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ  リード
２      絶縁膜
３      半導体素子
４      ワイヤ
５      樹脂パッケージ
１１    ダイボンディングパッド
１２    パッド
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ  端子
【図１】
2008300492.tif 000003
【図２】
2008300492.tif 000004
【図３】
2008300492.tif 000005
【図４】
2008300492.tif 000006