(57)【要約】【課題】ケースの凹部の底面にリードが配置されていても、樹脂からなる封止材の凹部底面からの剥離を防止する。【解決手段】発光素子１３と、発光素子１３と接続材１４Ａ，１４Ｂにより電気的に接続されるリード１０Ａ，１０Ｂと、リード１０Ａ，１０Ｂが底面の一部をなし樹脂が底面の他部をなす凹部１１ａを有するケース１１と、凹部１１ａの底面を被覆し樹脂からなる被覆層１５と、凹部１１ａの内部にて被覆層１５の上に充填され、発光素子１３を封止し、樹脂からなる封止材１６と、を備えた。【選択図】図１
2008258350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子と接続材により電気的に接続されるリードと、
前記リードが底面の一部をなし樹脂が底面の他部をなす凹部を有するケースと、
前記凹部の前記底面を被覆し樹脂からなる被覆層と、
前記凹部の内部にて前記被覆層の上に充填され、前記発光素子を封止し、樹脂からなる封止材と、を備えたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記被覆層の線膨張係数は、前記リードの線膨張係数と前記封止材の線膨張係数の間であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記被覆層の前記底面からの高さは、前記発光素子の発光部位よりも低いことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記封止材はシリコーンの樹脂であり、
前記被覆層はエポキシの樹脂であることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記接続材は、前記発光素子の電極と前記リードとを接続するとともに前記リードとの接続部の径が他の部分より大きいワイヤであり、
前記被覆層は、前記ワイヤの前記接続部を覆うことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記接続材は、前記発光素子の電極と前記リードとを接続するバンプであり、
前記被覆層は、前記バンプを覆うことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ケースの凹部の底面に発光素子が搭載される発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の発光素子を用いた発光装置として、半導体発光素子と、半導体発光素子の各電極に電気的に接続された一対のリードと、を収容する凹部を有する樹脂ステムを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の発光装置は、樹脂ステムの凹部の底面に各リードが配置され、樹脂ステムの凹部にシリコ−ンの樹脂からなる光透過性部材が充填される。
【特許文献１】特許第３４９２１７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、特許文献１に記載の発光装置では、封止材が樹脂からなるので線膨張係数が比較的大きく、吸湿リフロー試験を行うと、封止材が全体的に底面から離隔する方向へ移動することがある。この現象は、凹部の底面の一部が金属製のリードからなるとともに他部がケースを構成する樹脂からなり、封止部との密着力が金属と樹脂とで異なることに起因して封止部内に局所的な応力が生じることでより顕著となる。封止材が底面から離隔する方向へ移動すると、発光素子とリードとの接続部分が破壊され、発光素子の発光に支障をきたすこととなる。
【０００４】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ケースの凹部の底面にリードが配置されていても、樹脂からなる封止材の凹部底面からの剥離を防止することのできる発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記目的を達成するため、本発明では、発光素子と、前記発光素子と接続材により電気的に接続されるリードと、前記リードが底面の一部をなし樹脂が底面の他部をなす凹部を有するケースと、前記凹部の前記底面を被覆し樹脂からなる被覆層と、前記凹部の内部にて前記被覆層の上に充填され、前記発光素子を封止し、樹脂からなる封止材と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。
【０００６】
この発光装置によれば、一部が金属製のリードで他部が樹脂からなる凹部の底面が、樹脂からなる被覆層により全面的に覆われ、被覆材の上に封止材が形成されている。すなわち、封止材の底面側は、ＬＥＤ素子を封止する部分を除いて被覆層と接合されることとなる。これにより、封止材の底面側は一様に被覆層と接合されており、封止材に内部応力が生じても、封止材の底面側が被覆層との接合部分全体に応力が分散されるので、応力の集中を回避することができる。従って、封止材内部における底面近傍の破壊を抑制し、封止材の凹部の底面から剥離する方向への移動を抑制することができる。
【０００７】
また、上記発光装置において、前記被覆層の線膨張係数は、前記リードの線膨張係数と前記封止材の線膨張係数の間であることが好ましい。
【０００８】
また、上記発光装置において、前記被覆層の前記底面からの高さは、前記発光素子の発光部位よりも低いことが好ましい。
【０００９】
また、上記発光装置において、前記封止材はシリコーンの樹脂であり、前記被覆層はエポキシの樹脂であることが好ましい。
【００１０】
また、上記発光装置において、前記接続材は、前記発光素子の電極と前記リードとを接続するとともに前記リードとの接続部の径が他の部分より大きいワイヤであり、前記被覆層は、前記ワイヤの前記接続部を覆う構成としてもよい。
【００１１】
また、上記発光装置において、前記接続材は、前記発光素子の電極と前記リードとを接続するバンプであり、前記被覆層は、前記バンプを覆う構成としてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ケースの凹部の底面にリードが配置されていても、樹脂からなる封止材の凹部底面からの剥離を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１及び図２は本発明の第１の実施形態を示し、図１は発光装置の断面図である。
【００１４】
（発光装置の構成）
図１に示すように、この発光装置１は、発光素子としてのＬＥＤ素子１３と、ＬＥＤ素子１３とワイヤ１４Ａ，１４Ｂにより電気的に接続される第１リードフレーム１０Ａ及び第２リードフレーム１０Ｂと、ＬＥＤ素子１３を収容する凹部１１ａを有するケース１１と、凹部１１ａの底面を被覆する被覆層１５と、凹部１１ａの内部にて被覆層１５の上に充填される封止材１６と、を備えている。本実施形態においては、ケース１１は、例えば、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ：熱可塑性プラスチック）、シンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ：結晶性ポリスチレン）等の熱可塑性樹脂からなり、各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂとケース１１とはインジェクション成形を用いて一体に成形されている。
【００１５】
ケース１１は、全体として略直方体状を呈し、各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂが凹部１１ａの底面の一部をなすとともに、ケース１１の樹脂が凹部１１ａの底面の他部をなしている。各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂは、図１の断面と異なる断面にてケース１１の外側まで延びている。本実施形態においては、各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂは、導電性の金属からなり、ケース１１の下部の側面及び下面に沿うよう曲げ加工が施されている。本実施形態においては、各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂは、銀メッキが施された銅からなり、線膨張係数が２０ｐｐｍ／℃であり、ヤング率が１２０ＧＰａとなっている。
【００１６】
凹部１１ａは、上面視にて円形に形成され、上方へ向かって拡がるよう形成されている。凹部１１ａの内部はＬＥＤ素子１３を封止する透光性の封止材１６で満たされており、凹部１１ａからＬＥＤ素子１３の光が取り出される。
【００１７】
ＬＥＤ素子１３は、上面側に一対の電極１３０Ａ，１３０Ｂが形成されるフェイスアップ型であり、各電極はワイヤ１４Ａ，１４Ｂにより各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂに電気的に接続されている。本実施形態においては、ＬＥＤ素子１３として、ＧａＮ系半導体からなり青色光を発するものが用いられる。ＬＥＤ素子１３は、エポキシ系のダイボンドペースト１２により第１リードフレーム１０Ａに固定されている。
【００１８】
被覆層１５は、ダイボンドペースト１２が塗布された部分とワイヤ１４との接続部分を除いて、ケース１１の凹部１１ａを被覆する。本実施形態においては、被覆層１５は、エポキシの樹脂からなる。このエポキシの樹脂の物性値については、線膨張係数が１２０℃以上で１００ｐｐｍ／℃かつ１２０℃未満で５０ｐｐｍ／℃であり、ヤング率が３ＧＰａ及びショア硬度Ｄが９０となっている。
【００１９】
封止材１６は、被覆層１５の上に形成され、ＬＥＤ素子１３及びワイヤ１４Ａ，１４Ｂを封止している。図１に示すように、ＬＥＤ素子１３及びワイヤ１４Ａ，１４Ｂの底面側が被覆層１５に覆われることから、封止材１６はＬＥＤ素子１３及びワイヤ１４Ａ，１４Ｂの上部を封止している。本実施形態においては、封止材１６は、シリコーンの樹脂からなる。このシリコーンの樹脂の物性値については、屈折率が１．４１であり、線膨張係数が−１００℃以上で３００ｐｐｍであり、ヤング率が５ＭＰａ及びショア硬度Ａが６０となっている。また、封止材１６は、所定の粒径の蛍光体１７と、蛍光体１７を分散させるための分散材と、を含んでいる。
【００２０】
蛍光体１７は、ＬＥＤ素子１３から発せられる青色光により励起されると、黄色領域にピーク波長を有する黄色光を発する黄色蛍光体である。本実施形態においては、蛍光体１７としてＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体が用いられる。尚、蛍光体１７は、珪酸塩蛍光体や、ＹＡＧと珪酸塩蛍光体を所定の割合で混合したもの等であってもよい。
【００２１】
図２は、ＬＥＤ素子近傍の発光装置の拡大断面図である。尚、図２においては、説明のためワイヤ及び封止材のハッチングを省略している。
図２に示すように、ＬＥＤ素子１３は、ｐ電極１３０Ａ及びｎ電極１３０Ｂを有するフェイスアップ型の青色ＬＥＤチップである。ＬＥＤ素子１３は、サファイア基板１３１上にＡｌＮバッファ層１３２、ｎ−ＧａＮ層１３３、発光層１３４、ｐ−ＧａＮ層１３５を順次結晶成長させることにより形成される。また、ｐ−Ｇａｎ層１３５上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）により形成された透明電極１３６が形成されている。そして、ｐ電極１３０Ａが透明電極１３６の一部に設けられ、ｎ電極１３０Ｂがｎ−ＧａＮ層１３３の端部に設けられている。ＬＥＤ素子１３の平面寸法は、例えば縦寸法及び横寸法をそれぞれ約０．３ｍｍとする平面サイズに設定されている。また、発光層１３４の凹部１１ａの底面からの高さは、１００μｍとなっている。
【００２２】
また、各ワイヤ１４Ａ，１４Ｂは、ｐ電極１３０Ａまたはｎ電極１３０Ｂと接続される電極接続部１４１と、第１リードフレーム１０Ａまたは第２リードフレーム１０Ｂと接続されるリード接続部１４２と、を有している。図２に示すように、各ワイヤ１４Ａ，１４Ｂは、電極接続部１４１及びリード接続部１４２の径が他の部分よりも大きくなっている。リード接続部１４２の凹部１１ａの底面からの高さは、５μｍとなっている。
【００２３】
被覆層１５は、厚さが４０μｍとなっており、ワイヤ１４Ａ，１４Ｂのリード接続部１４２を覆っている。また、被覆層１５の底面からの高さは、ＬＥＤ素子１３の発光部位である発光層１３４よりも低くなっている。尚、被覆層１５の厚さは１〜５０μｍの間で適宜に変更することができ、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。
【００２４】
（発光装置の製造方法）
次に、発光装置の製造方法について説明する。
まず、第１リードフレーム１０Ａ及び第２リードフレーム１０Ｂが設けられたケース１１を成形する。ケース１１の成形にあたっては、インジェクション成形を用いることができる。
【００２５】
次いで、第１リードフレーム１０Ａにダイボンドペースト１２を塗布した後、第１リードフレーム１０Ａの上面にＬＥＤ素子１３を位置決めして搭載してダイボンドペースト１２を硬化させる。
【００２６】
次に、ＬＥＤ素子１３上のｐ電極１３０Ａ及びｎ１３０Ｂと各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂとを金線等のワイヤ１４Ａ，１４Ｂで接続する。この後、凹部１１ａの底面に被覆層１５をなすエポキシの樹脂を塗布する。エポキシの樹脂の塗布方法としては、ポッティングが一般的であるが、他の方法によって塗布してもよい。この後、塗布された樹脂を所定温度にて所定時間だけ加熱することにより被覆層１５を硬化させる。本実施形態においては、１５０℃で１時間だけ加熱することにより硬化を行う。
【００２７】
被覆層１５が硬化した後、封止材１６をなすシリコーンの樹脂を凹部１１ａに充填する。この後、充填された樹脂を所定温度にて所定時間だけ加熱することにより封止材１６を硬化させる。本実施形態においては、１５０℃で１時間だけ加熱することにより硬化を行う。
【００２８】
（発光装置の動作）
次に、発光装置１の動作について説明する。直流電源装置（図示せず）の出力端子の極性と各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂの極性を合わせて、各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂに電圧を印加すると、ワイヤ１４Ａ，１４Ｂを介してＬＥＤ素子１３に電流が流れ、ＬＥＤ素子１３から青色光が放射される。ＬＥＤ素子１３から放射された青色光の一部は、封止材１６内の蛍光体１７にて黄色光に変換される。これにより、凹部１１ａから装置外部へ青色領域と黄色領域に波長ピークを有する白色光が放出される。
【００２９】
（本実施の形態の効果）
本実施の形態によれば、下記の効果を奏する。
（１）この発光装置１によれば、一部が金属製の各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂで他部がケース１１の樹脂からなる凹部１１ａの底面が、樹脂からなる被覆層１５により全面的に覆われ、被覆材１５の上に封止材１６が形成されている。すなわち、封止材１６の底面側は、ＬＥＤ素子１３を封止する部分を除いて被覆層１５と接合されることとなる。これにより、封止材１６の底面側は一様に被覆層１５と接合されており、封止材１６に内部応力が生じても、封止材１６の底面側が被覆層１５との接合部分全体に応力が分散されるので、応力の集中を回避することができる。従って、封止材１６内部における底面近傍の破壊を抑制し、封止材１６の凹部１１ａの底面から剥離する方向への移動を抑制することができる。本実施形態においては、被覆層１５の線膨張係数が、各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂの線膨張係数と封止材１６の線膨張係数の間であることから、封止材１６の剥離方向への移動の抑制効果が大きい。
従来、ケースの凹部の底面にリードフレームが配置されると、封止材の樹脂の密着力が金属と樹脂とで大きく異なることから、封止材が膨張する際に、密着力の低い金属の表面では封止材が比較的自由な方向に変位できるのに対し、密着力の高い樹脂の表面では封止材の変位が束縛されるため、凹部の底面においてリードフレームと樹脂の界面で封止材の変位に差が生じて局所的に応力が発生していた。しかし、被覆層１５を設けたことにより、この局所応力を小さくして、封止材１６の底面側から剥離する方向への移動を抑制することができる。従って、ケース１１の凹部１１ａの底面にリードフレーム１０Ａ，１０Ｂが配置されていても、樹脂からなる封止材１６の凹部１１ａ底面からの剥離を防止することができる。
【００３０】
（２）また、被覆層１５の凹部１１ａの底面からの高さがＬＥＤ素子１３の発光層１３４よりも低いので、ＬＥＤ素子１３の側方から出射される光が被覆層１５へ直接入射することはない。これにより、ＬＥＤ素子１３の側方から出射される光を封止材１６へ入射させてＬＥＤ素子１３からの光取り出し効率を確保することができるし、エポキシの樹脂からなる被覆層１５の劣化を抑制することができる。本実施形態においては、被覆層１５の厚さを４０μｍとしたことから、ＬＥＤ素子１３と被覆層１５との距離を比較的大きくとることができ、ＬＥＤ素子１３の連続点灯でのエポキシ樹脂の黄変による光量低下の影響を小さくすることができる。
【００３１】
（３）また、ワイヤ１４Ａ，１４Ｂのリード接続部１４２を被覆層１５により覆うようにしたので、ワイヤ１４Ａ，１４Ｂの断線が生じやすいリード接続部１４２を的確に保護することができる。
【００３２】
（４）また、被覆層１５を封止材１６と各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂの中間の線膨張係数としたので、膨張あるいは収縮時における封止材１６と各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂのずれを被覆層１５にて的確に吸収することができる。
【００３３】
（５）また、被覆層１５を封止材１６と各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂの中間のヤング率としたので、封止材１６と各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂとの間でヤング率が急激に変化することはなく、装置全体として凹部１１ａの底面近傍の応力集中を回避することができる。
【００３４】
（６）また、被覆層１５をエポキシの樹脂とし、封止材１６をシリコーンの樹脂としたので、エポキシに比して劣化し難いシリコーンの樹脂による封止を行いつつ、シリコーンに比してリードフレーム１０Ａ，１０Ｂからの剥離が生じ難いエポキシの樹脂でリードフレーム１０Ａ，１０Ｂを覆うことができ、エポキシ及びシリコーンのそれぞれの長所を発揮させることができる。
【００３５】
（７）また、被覆層１５を硬化させてから封止材１６を硬化させるようにしたので、被覆層１５の成分による封止材１６の硬化阻害を抑制できることから、被覆層１５と封止材１６の密着力を向上させることができる。さらに、被覆層１５及び封止材１６がともに熱硬化性樹脂であることから、製造ラインにて被覆層１５及び封止材１６の硬化を行う設備を共用することができる。
【００３６】
尚、第１の実施形態においては、被覆層１５及び封止材１６に熱を加えて硬化させるものを示したが、例えば、少なくとも一方を紫外線を照射して硬化させるようにしてもよく、被覆層１５及び封止材１６の硬化方法は任意である。また、被覆層１５の硬化後に封止材１６を硬化させるものを示したが、被覆層１５が硬化する前に封止材１６を凹部１１ａ内に充填して、被覆層１５と封止材１６とを同時に硬化させるようにしてもよい。
【００３７】
図３及び図４は本発明の第２の実施形態を示し、図３は発光装置の断面図である。尚、以下の説明においては、既述した要素と同一の要素には同一符号を付し、重複する説明を適宜省略する。
【００３８】
（発光装置の構成）
図３に示すように、この発光装置２０１は、発光素子としてのＬＥＤ素子２１３と、ＬＥＤ素子２１３とバンプ２１４Ａ，２１４Ｂにより電気的に接続される第１リードフレーム１０Ａ及び第２リードフレーム１０Ｂと、ＬＥＤ素子２１３を収容する凹部１１ａを有するケース１１と、凹部１１ａの底面を被覆する被覆層２１５と、凹部１１ａの内部にて被覆層２１５の上に充填される封止材１６と、を備えている。
【００３９】
本実施形態においても、ケース１１は、全体として略直方体状を呈し、各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂが凹部１１ａの底面の一部をなすとともに、ケース１１の樹脂が凹部１１ａの底面の他部をなしている。各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂは前記実施形態と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００４０】
ＬＥＤ素子２１３は、下面側に一対の電極３３０Ａ，３３０Ｂが形成されるフリップチップ型であり、各電極はバンプ２１４Ａ，２１４Ｂにより各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂに電気的に接続されている。本実施形態においては、ＬＥＤ素子２１３として、ＧａＮ系半導体からなり青色光を発するものが用いられる。
【００４１】
被覆層２１５は、バンプ２１４Ａ，２１４Ｂとの接続部分を除いて、ケース１１の凹部１１ａを被覆する。本実施形態においては、被覆層２１５は、シリコーンの樹脂からなる。このシリコーンの樹脂の物性値については、線膨張係数が５０℃以上で２２０ｐｐｍ／℃かつ５０℃未満で７０ｐｐｍ／℃であり、ヤング率が１．５ＧＰａ及びショア硬度Ｄが７０となっている。
【００４２】
封止材１６は、被覆層２１５の上に形成され、ＬＥＤ素子２１３及びバンプ２１４Ａ，２１４Ｂを封止している。図３に示すように、封止材１６はＬＥＤ素子１３の上部及びバンプ２１４Ａ，２１４Ｂの全部分を封止している。本実施形態の封止材１６は、前記実施形態と同じ物性値のシリコーンの樹脂からなる。また、封止材１６は、所定の粒径の蛍光体１７と、蛍光体１７を分散させるための分散材と、を含んでいる。蛍光体１７は、前記実施形態と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００４３】
図４は、ＬＥＤ素子近傍の発光装置の拡大断面図である。尚、図４においては、説明のため封止材のハッチングを省略している。
図４に示すように、ＬＥＤ素子２１３は、ｐ電極３３０Ａ及びｎ電極３３０Ｂを有するフリップチップ型の青色ＬＥＤチップである。ＬＥＤ素子２１３は、サファイア基板３３１上にＡｌＮバッファ層３３２、ｎ−ＧａＮ層３３３、発光層３３４、ｐ−ＧａＮ層３３５、ｐ電極３３０Ａを順次結晶成長させることにより形成される。尚、ｎ電極３３０Ｂはｎ−ＧａＮ層３３３の端部に設けられている。ｐ電極３３０Ａの下面の一部及びｎ電極３３０Ｂの下面には、Ａｕからなるバンプ２１４Ａ，２１４Ｂが設けられる。ＬＥＤ素子２１３の平面寸法は、例えば縦寸法及び横寸法をそれぞれ約０．３ｍｍとする平面サイズに設定されている。また、発光層３３４の凹部１１ａの底面からの高さは、３０μｍとなっている。また、各バンプ２１４Ａ，２１４Ｂの凹部１１ａの底面からの高さは、それぞれ、２０μｍとなっている。
【００４４】
被覆層２１５は、厚さが２０μｍとなっており、各バンプ２１４Ａ，２１４Ｂを覆っている。また、被覆層２１５の底面からの高さは、ＬＥＤ素子２１３の発光部位である発光層３３４よりも低くなっている。尚、被覆層２１５の厚さは１〜５０μｍの間で適宜に変更することができ、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。
【００４５】
（本実施の形態の効果）
本実施の形態によれば、下記の効果を奏する。
（１）この発光装置２０１によれば、封止材１６の底面側は一様に被覆層２１５と接合されており、封止材１６に内部応力が生じても、封止材１６の底面側が被覆層２１５との接合部分全体に応力が分散されるので、応力の集中を回避することができる。従って、封止材１６内部における底面近傍の破壊を抑制し、封止材１６の凹部１１ａの底面から剥離する方向への移動を抑制することができる。
【００４６】
（２）また、被覆層２１５の凹部１１ａの底面からの高さがＬＥＤ素子１３の発光層３３４よりも低いので、ＬＥＤ素子２１３の側方から出射される光が被覆層２１５へ直接入射することはない。これにより、ＬＥＤ素子２１３の側方から出射される光を封止材１６へ入射させてＬＥＤ素子２１３からの光取り出し効率を確保することができる。
【００４７】
（３）また、バンプ２１４Ａ，２１４Ｂを被覆層２１５により覆うようにしたので、ＬＥＤ素子２１３とリードフレーム１０Ａ，１０Ｂとの電気的接続部分を的確に保護することができる。
【００４８】
（４）また、被覆層２１５を封止材１６と各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂの中間の線膨張係数としたので、膨張あるいは収縮時における封止材１６と各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂのずれを被覆層２１５にて的確に吸収することができる。
【００４９】
（５）また、被覆層２１５を封止材１６と各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂの中間のヤング率としたので、封止材１６と各リードフレーム１０Ａ，１０Ｂとの間でヤング率が急激に変化することはなく、装置全体として凹部１１ａの底面近傍の応力集中を回避することができる。
【００５０】
（６）また、被覆層２１５及び封止材１６をともにシリコーンの樹脂としたので、被覆層２１５と封止材１６の接合力を大きくすることができる。これにより、封止材１６の底面側からの移動を効果的に抑制することができる。
【００５１】
尚、第１及び第２の実施形態においては、封止材１６に蛍光体１７を含有させたものを示したが、蛍光体１７を含有せずに青色光が装置外部へ放射されるようにしてもよい。また、封止材１６に蛍光体１７が分散されるものを示したが、封止材１６内にて蛍光体１７を沈降させたものであってもよい。さらには、封止材１６でなく被覆層１５に蛍光体１７を分散させたり、封止材１６と被覆層１５の両方に蛍光体１７を分散させてもよい。
【００５２】
また、ＬＥＤ素子１３，２１３として青色光を発するものを示したが、例えば緑色光や赤色光を発するものを用いてもよい。また、青色、緑色及び赤色の３つのＬＥＤ素子が別個のリード部に搭載され、白色光を発する発光装置であってもよい。また、ＬＥＤ素子として、紫色または紫外光を発するものを用い、封止材に赤色光、緑色光及び青色光を発する蛍光体をそれぞれ混入させて白色光を得るようにしてもよい。また、ＬＥＤ素子１３としてＧａＮ系半導体材料からなるものを用いた発光装置１を説明したが、例えばＺｎＳｅ系やＳｉＣ系のように他の半導体材料からなる発光素子であってもよい。
【００５３】
また、第１の実施形態においては被覆層１５がエポキシの樹脂からなり、第２の実施形態においては被覆層２１５がシリコーンの樹脂からなるものを示したが、被覆層にポリフタルアミド、ゾル−ゲル材料等を用いてもよい。また、被覆層に、例えば酸化チタン、硫酸バリウム等の反射フィラーを含有させてもよい。さらに、被覆層に、シリカ、ガラス繊維等の補強剤を含有させてもよい。
【００５４】
また、第１及び第２の実施形態においては、トップビュータイプの発光装置に本発明を適用したものを示したが、例えば、サイドビュータイプ、ＣＯＢ（chip on boars）タイプ等の発光装置に適用することができるし、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１の実施形態を示す発光装置の断面図である。
【図２】ＬＥＤ素子近傍の発光装置の拡大断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態を示す発光装置の断面図である。
【図４】ＬＥＤ素子近傍の発光装置の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１    発光装置
１０Ａ  第１リードフレーム
１０Ｂ  第２リードフレーム
１１    ケース
１１ａ  凹部
１２    ダイボンドペースト
１３    ＬＥＤ素子
１４Ａ  ワイヤ
１４Ｂ  ワイヤ
１５    被覆層
１６    封止材
１７    蛍光体
１３０Ａ  ｐ電極
１３０Ｂ  ｎ電極
１３１  サファイア基板
１３２  ＡｌＮバッファ層
１３３  ｎ−ＧａＮ層
１３４  発光層
１３５  ｐ−ＧａＮ層
１３６  透明電極
２０１  発光装置
２１３  ＬＥＤ素子
２１４Ａ  バンプ
２１４Ｂ  バンプ
３３０Ａ  ｐ電極
３３０Ｂ  ｎ電極
３３１  サファイア基板
３３２  ＡｌＮバッファ層
３３３  ｎ−ＧａＮ層
３３４  発光層
３３５  ｐ−ＧａＮ層
【図１】
2008258350.tif 000003
【図２】
2008258350.tif 000004
【図３】
2008258350.tif 000005
【図４】
2008258350.tif 000006