(57)【要約】【課題】高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧駆動でき、高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供する。【解決手段】誘電体基板２４の表面と可動電極１０との間に空隙を形成するように可動電極の一端と誘電体基板の表面を固定するアンカー１４と、可動電極の他端と対向するように誘電体基板の表面に配置された高周波固定電極１８と、誘電体基板の裏面の下部電極２２と、高周波固定電極と下部電極を接続するビアホール２０と、誘電体基板の表面のアンカーと高周波固定電極の間に配置された駆動用固定電極１６と、高周波固定電極と駆動用固定電極を覆う絶縁膜１２からなり、駆動用固定電極と可動電極との間に、少なくとも高周波に対してインピーダンスが高いバイアス回路を経由して、駆動電圧を印加する半導体装置。【選択図】図２
2008300284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板の表面と可動電極との間に空隙を形成するように前記可動電極の一端と前記誘電体基板の表面を固定するアンカーと、
前記可動電極の他端と対向するように前記誘電体基板の表面に配置された高周波固定電極と、
前記誘電体基板の裏面の下部電極と、
前記高周波固定電極と前記下部電極を接続するビアホールと、
前記誘電体基板の表面の前記アンカーと前記高周波固定電極の間に配置された駆動用固定電極と、
前記高周波固定電極と前記駆動用固定電極を覆う絶縁膜と
を備え、
前記駆動用固定電極と前記可動電極との間に、少なくとも高周波に対してインピーダンスが高いバイアス回路を経由して、駆動電圧を印加することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記誘電体基板の厚さが前記空隙の高さと前記絶縁膜の厚さの和より厚いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記駆動用固定電極の面積が前記高周波固定電極の面積より広いことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記高周波固定電極と前記可動電極との間に、少なくとも高周波に対してインピーダンスが高いバイアス回路を経由して、駆動電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記誘電体基板を、真性半導体基板,不純物密度の低い高抵抗半導体基板あるいは半絶縁性半導体基板のいずれかに置き換えたことを特徴とする請求項１乃至４の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記可動電極の前記駆動用固定電極に対向する領域の一部にスリットを入れ、前記アンカー側を先端とし、前記高周波固定電極側を付け根とする、舌状可動部を少なくとも一つ備えることを特徴とする請求項１乃至５の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記可動電極の前記駆動用固定電極に対向する領域の一部にスリットを入れ、前記アンカー側を付け根とし、前記高周波固定電極側を先端とする、舌状可動部を少なくとも一つ備えることを特徴とする請求項１乃至５の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記舌状可動部は、幅が変わる領域を備えることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記舌状可動部の先端側の少なくとも一部を前記誘電体基板の方向に凸部とすることを特徴とする請求項６乃至８の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記凸部は、段差が小さい階段形状を備えることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記凸部は、傾斜面を備えることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記下部電極を導電性基板に、前記誘電体基板を誘電体層に置き換えたことを特徴とする請求項１乃至１１の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記下部電極を基板の表面に配置し、前記誘電体基板を誘電体層に置き換え、前記誘電体層の表面側で前記下部電極と他の回路を接続することを特徴とする請求項１乃至１１の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記絶縁膜のうち前記高周波固定電極を覆う絶縁膜は無く、前記駆動電圧印加時に前記高周波固定電極が前記可動電極と接触するように前記高周波固定電極の表面の高さを前記駆動用固定電極の表面の高さより高く形成することを特徴とする請求項１乃至請求項１３の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記高周波固定電極の表面の高さが前記駆動用固定電極の表面の高さより高く形成することを特徴とする請求項１乃至１３の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記高周波固定電極の表面の中央の高さを、周辺より階段状に高く形成することを特徴とする請求項１乃至１４の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記高周波固定電極の表面の中央の高さを、周辺より傾斜状に高く形成することを特徴とする請求項１乃至１４の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記高周波固定電極を覆う絶縁膜の厚さを、前記駆動用固定電極を覆う前記絶縁膜の厚さより厚く形成することを特徴とする請求項１乃至１３の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記高周波固定電極を覆う前記絶縁膜の中央の厚さを、周辺より階段状に厚く形成することを特徴とする請求項１乃至１３の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記高周波固定電極を覆う前記絶縁膜の中央の厚さを、周辺より傾斜状に厚く形成することを特徴とする請求項１乃至１３の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記駆動用固定電極が前記高周波固定電極を囲むことを特徴とする請求項１乃至２０の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記アンカー,前記駆動用固定電極,あるいは前記高周波固定電極の少なくとも一つを複数にすることを特徴とする請求項１乃至２１の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記可動電極の少なくとも一部に複数の穴を形成したことを特徴とする請求項１乃至２２の内、いずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に、ＭＥＭＳ(Micro-Electro-Mechanical Systems)技術を用いて形成した可変容量やスイッチなどを低電圧で駆動でき、かつ大電力高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない、製造し易い半導体装置（静電ＭＥＭＳ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロマシンもしくはＭＥＭＳ(Micro-Electro-Mechanical Systems)技術を用いて形成した可変容量やスイッチなどの駆動電圧を低電圧にする技術は既に開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１では駆動電圧を低電圧にするために静電ＭＥＭＳだけでなく、圧電体層を電極で挟んだ圧電ＭＥＭＳを併用するので、高周波信号の印加による温度上昇で圧電ＭＥＭＳの熱膨張係数差の問題が発生しやすい。
【０００４】
また、特許文献１では高周波信号の静電引力によって可動電極が固定電極に引き寄せられるセルフアクチュエーションや離れなくなるセルフホールディングが起き難くするために、高周波（ＲＦ）固定電極と静電ＭＥＭＳ駆動用固定電極に対向した高周波可動電極と駆動用可動電極を、絶縁性の駆動アームに別々に配置する必要があるので、圧電ＭＥＭＳの製造工程に加えて製造工程が複雑で長くなる。
【特許文献１】特開２００４−３０２７１１号公報（第４頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するための本発明の請求項１に記載の半導体装置は、誘電体基板の表面と可動電極との間に空隙を形成するように前記可動電極の一端と前記誘電体基板の表面を固定するアンカーと、前記可動電極の他端と対向するように前記誘電体基板の表面に配置された高周波固定電極と、前記誘電体基板の裏面の下部電極と、前記高周波固定電極と前記下部電極を接続するビアホールと、前記誘電体基板の表面の前記アンカーと前記高周波固定電極の間に配置された駆動用固定電極と、前記高周波固定電極と前記駆動用固定電極を覆う絶縁膜とを備え、前記駆動用固定電極と前記可動電極との間に、少なくとも高周波に対してインピーダンスが高いバイアス回路を経由して、駆動電圧を印加することを特徴とする。
【０００７】
そして、可動電極の駆動用固定電極に対向する領域の一部にスリットを入れて舌状可動部を作り、舌状可動部の先端側の少なくても一部を誘電体基板の方に凸とする。また、凸部までを段差が小さい階段状にするか、なだらかな傾斜面にする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なることに留意すべきである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００１０】
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、各構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１１】
[第１の実施の形態]
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図２は、図１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図３は、図１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図４は、図１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図５は、図１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示している。
【００１２】
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置は、図１乃至図５に示すように、誘電体基板２４の表面と可動電極１０との間に空隙を形成するように可動電極１０の一端と誘電体基板２４の表面を固定するアンカー１４と、可動電極１０の他端と対向するように誘電体基板２４の表面に配置された高周波固定電極１８と、誘電体基板２４の裏面の下部電極２２と、高周波固定電極１８と下部電極２２を接続するビアホール２０と、誘電体基板２４の表面のアンカー１４と高周波固定電極１８の間に配置された駆動用固定電極１６と、高周波固定電極１８と駆動用固定電極１６を覆う絶縁膜１２とを備え、駆動用固定電極１６と可動電極１０との間に、少なくともＲＦ高周波に対してインピーダンスが高いバイアス回路を経由して、駆動電圧を印加することを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【００１３】
また、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置においては、誘電体基板２４の厚さが空隙の高さと絶縁膜１２の厚さの和より厚く構成されていても良い。
【００１４】
また、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置においては、駆動用固定電極１６の面積が高周波固定電極１８の面積より広く構成されていても良い。
【００１５】
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置は、図１乃至図５および図６乃至図９に示すように、アンカー１４と駆動用固定電極１６までの可動電極１０の幅を狭くして、ばねの力を調整している。
【００１６】
なお、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置において、ＲＦ高周波の周波数は、当該半導体装置の適用される応用分野に応じて適宜選択される周波数である。例えば、携帯電話に適用する場合には、数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚである。
【００１７】
（静電引力）
空隙の高さをT1、絶縁膜１２の厚さをT2、誘電体基板２４の厚さをT3とする。高周波固定電極１８の面積をS1=W1×L1、駆動用固定電極１６の面積をS2=W2×L2とする。S1とS2以外の可動電極１０の面積は十分狭いとすると、静電引力は以下の様に近似できる。
【００１８】
駆動電圧VDRが印加されていない状態に駆動電圧VDRが印加されると、駆動用固定電極１６とそれに対向する可動電極１０の間のT1+T2に駆動電圧VDRがかかり、静電引力
FDR-2=ε0S2VDR2/{2(T1+T2/εA)2}
が働く。ここで、ε0は真空中の誘電率、εAは絶縁膜１２の比誘電率である。
【００１９】
本発明の第１の実施の形態に係る静電ＭＥＭＳは、高周波固定電極１８と可動電極１０との間に、少なくともＲＦ高周波に対してインピーダンスが高いバイアス回路を経由して、駆動電圧VDRを印加することを特徴とする。
【００２０】
高周波固定電極１８とそれに対向する可動電極１０にも駆動電圧VDRを印加する場合は、静電引力
FDR-1=ε0S1VDR2/{2(T1+T2/εA)2}
が働く。
【００２１】
そして、可動電極１０が絶縁膜１２に引き寄せられた時（T1=0）の静電引力はそれぞれ
FDR-2’=ε0S2(εA VDR)2/(2T22)
FDR-1’=ε0S1(εA VDR)2/(2T22)
となる。
【００２２】
図６は、図２において、この駆動電圧印加時における図１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図を示し、図７は、図３において、駆動電圧印加時における図１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図８は、図４において、駆動電圧印加時における図１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図９は、図５において、駆動電圧印加時における図１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示している。
【００２３】
駆動電圧VDRが印加されていない状態に高周波（ＲＦ）電圧VRFが印加されると、駆動用固定電極１６では下部電極２２と可動電極１０の間のT1+T2+T3に高周波（ＲＦ）電圧VRFがかかる。
【００２４】
駆動電圧VDRは少なくともＲＦ高周波に対してインピーダンスが高いバイアス回路を経由して印加されるので、ＲＦ高周波にとってバイアス回路側は無視できる。
【００２５】
下部電極２２と駆動用固定電極１６と可動電極１０は平行に配置されているので、たとえ駆動用固定電極１６を細かく分割しても、それらの電位は同じである。従って、ＲＦ高周波では駆動用固定電極１６は無視でき、静電引力
FRF-2=ε0S2VRF2/{2(T1+T2/εA+T3/εB)2}
が働く。ここで、εBは誘電体基板２４の比誘電率である。
【００２６】
一方、高周波固定電極１８では高周波固定電極１８と可動電極１０の間のT1+T2に高周波電圧VRFがかかり、静電引力
FRF-1=ε0S1VRF2/{2(T1+T2/εA)2}
が働く。
【００２７】
そして、可動電極１０が絶縁膜１２に引き寄せられた時（T1=0）の静電引力はそれぞれ
FRF-2’=ε0S2VRF2/{2(T2/εA+T3/εB)2}
FRF-1’=ε0S1(εA VRF)2/(2T22)          
となる。
【００２８】
この高周波電圧VRFによる静電引力でセルフアクチュエーションやセルフホールディングが起こるが、誘電体基板２４の厚さT3を十分大きくすれば、静電引力FRF-2やFRF-2’は十分小さくできる。
【００２９】
この場合、駆動用固定電極１６の面積S2を高周波固定電極１８の面積S1より大きくすれば、高周波固定電極１８の高周波信号の静電引力（FRF-1やFRF-1’）によるセルフアクチュエーションやセルフホールディングを起こさない様にばねの力を強くした可動電極１０を、駆動用固定電極１６の低い駆動電圧による静電引力（FDR-2やFDR-2’）で引き寄せることができる。
【００３０】
また、誘電体基板２４の厚さT3を十分大きくすれば静電容量は高周波固定電極１８の部分が支配的になる。
【００３１】
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置においては、誘電体基板２４を真性半導体基板,不純物密度の低い高抵抗半導体基板あるいは半絶縁性半導体基板のいずれかに置き換えることもできる。一例としては、誘電体基板２４を真性あるいは十分不純物密度が低い半絶縁性ＧａＡｓ基板に置き換えることもできる。
【００３２】
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【００３３】
［第２の実施の形態］
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置においては、図１０乃至図１８に示すように、図１乃至図９の構成において、アンカー１４あるいは駆動用固定電極１６あるいは高周波固定電極１８の少なくとも一つを複数に構成することを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【００３４】
図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図であり、アンカー１４と駆動用固定電極１６を各２個にした構成を示す。また、図１１は、図１０のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図１２は、図１０のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１３は、図１０のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１４は、図１０のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示している。
【００３５】
図１５は、図１１において、駆動電圧印加時における図１０のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図を示す。また、図１６は、図１２において、駆動電圧印加時における図１０のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１７は、図１３において、駆動電圧印加時における図１０のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１８は、図１４において、駆動電圧印加時における図１０のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示している。  
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【００３６】
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置においては、アンカー１４−駆動用固定電極１６−高周波固定電極１８−駆動用固定電極１６−アンカー１４が直線状に配置されているので、可動電極１０のばねの力を強くでき、高周波信号によるセルフアクチュエーションやセルフホールディングを起こさない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【００３７】
また、左右対称になっているので、左右バランス良く可動電極１０を引き寄せることができる静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【００３８】
［第３の実施の形態］
本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置においては、図１９乃至図２７に示すように、図１０乃至図１８の構成において、駆動用固定電極１６が高周波固定電極１８を囲むことを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【００３９】
図１９は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図であり、駆動用固定電極１６が高周波固定電極１８を囲む構成を示す。図２０は、図１９のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図２１は、図１９のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図２２は、図１９のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図２３は、図１９のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示している。
【００４０】
図２４は、図２０において、駆動電圧印加時における図１９のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図を示す。また、図２５は、図２１において、駆動電圧印加時における図１９のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図２６は、図２２において、駆動電圧印加時における図１９のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図２７は、図２３において、駆動電圧印加時における図１９のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示している。
【００４１】
本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【００４２】
本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置においては、高周波固定電極１８を囲む駆動用固定電極１６で可動電極１０を引き寄せることによって、高周波固定電極１８とそれに対向する可動電極１０には駆動電圧ＶDRを印加しなくても、高周波固定電極１８を囲む可動電極１０が均一に高周波固定電極１８の部分を押し付けることができる静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【００４３】
［第４の実施の形態］
本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置においては、図２８乃至図４０に示すように、図１９乃至図２７の構成において、可動電極１０の駆動用固定電極１６に対向する領域の一部にスリット２６を入れ、アンカー１４側を先端とし、高周波固定電極１８側を付け根とする、舌状可動部２８を少なくとも一つ備えることを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【００４４】
図２８は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図であり、可動電極１０の駆動用固定電極１６に対向する領域の一部にスリット２６を入れ、アンカー１４側を先端とし、高周波固定電極１８側を付け根とする、舌状可動部２８を少なくとも一つ備える構成を示す。また、図２９は、図２８のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図３０は、図２８のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図３１は、図２８のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図３２は、図２８のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００４５】
また、図３３は、図２９において、駆動過渡期における図２８のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図３４は、図３０において、駆動過渡期における図２８のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図３５は、図３１において、駆動過渡期における図２８のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図３６は、図３２において、駆動過渡期における図２８のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示している。
【００４６】
また、図３７は、図２９において、駆動電圧印加時における図２８のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図３８は、図３０において、駆動電圧印加時における図２８のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図３９は、図３１において、駆動電圧印加時における図２８のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図４０は、図３２において、駆動電圧印加時における図２８のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００４７】
本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置においては、図２８乃至図３０に示すように、アンカー１４に固定される可動電極１０を４箇所にしてばねのバランスを良くしている。
【００４８】
本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置においては、舌状可動部２８の先端のばねの力は弱いので、低い駆動電圧で図３３乃至図３６に示す様に先ず舌状可動部２８の先端側を引き寄せることができる。空隙T1が小さくなると静電引力は大きくなるので、２個のアンカー１４で支えられたばねの力の強い可動電極１０の部分に繋がる舌状可動部２８の付け根まで引き寄せることができ、図３７乃至図４０に示すようになる。
【００４９】
一方、前記のようにT3を十分大きくすれば駆動用固定電極１６に対向する舌状可動部２８に加わる高周波信号の静電引力は十分小さいので、舌状可動部２８ではセルフアクチュエーションやセルフホールディングを起こさない。
【００５０】
本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【００５１】
［第５の実施の形態］
本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置においては、図４１乃至図５３に示すように、図１９乃至図２７の構成において、可動電極１０の駆動用固定電極１６に対向する領域の一部にスリット２６を入れ、アンカー１４側を付け根とし、高周波固定電極１８側を先端とする、舌状可動部２８を少なくとも一つ備えることを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【００５２】
本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置は、第４の実施の形態に係る半導体装置において、図２８乃至図４０の舌状可動部２８の向きを逆にした構成を有する。
【００５３】
図４１は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図４２は、図４１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図４３は、図４１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図４４は、図４１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図４５は、図４１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示している。
【００５４】
また、図４６は、図４２において、駆動過渡期における図４１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図４７は、図４３において、駆動過渡期における図４１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図４８は、図４４において、駆動過渡期における図４１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図４９は、図４５において、駆動過渡期における図４１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示している。
【００５５】
また、図５０は、図４２において、駆動電圧印加時における図４１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図５１は、図４３において、駆動電圧印加時における図４１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図５２は、図４４において、駆動電圧印加時における図４１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図５３は、図４５において、駆動電圧印加時における図４１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示している。
【００５６】
本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置においては、図４１乃至図４３に示すように、アンカー１４に固定される可動電極１０を２箇所にしてばねのバランスを良くしている。
【００５７】
本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置においては、舌状可動部２８の先端のばねの力は弱いので、低い駆動電圧で図４６乃至図４９に示す様に先ず舌状可動部２８の先端側を引き寄せることができる。空隙T1が小さくなると静電引力は大きくなるので、２個のアンカー１４で支えられたばねの力の強い可動電極１０の部分に繋がる舌状可動部２８の付け根まで引き寄せることができ、図５０乃至図５３に示すようになる。
【００５８】
一方、前記のようにT3を十分大きくすれば駆動用固定電極１６に対向する舌状可動部２８に加わる高周波信号の静電引力は十分小さいので、舌状可動部２８ではセルフアクチュエーションやセルフホールディングを起こさない。
【００５９】
本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【００６０】
［第６の実施の形態］
本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置は、図５４乃至図６６に示すように、図４１乃至図５３の構成において、舌状可動部２８は、幅が変わる領域を備えることを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【００６１】
図５４は、本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図５５は、図５４のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図５６は、図５４のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図５７は、図５４のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図５８は、図５４のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００６２】
また、図５９は、図５５において、駆動過渡期における図５４のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図６０は、図５６において、駆動過渡期における図５４のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図６１は、図５７において、駆動過渡期における図５４のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図６２は、図５８において、駆動過渡期における図５４のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００６３】
また、図６３は、図５５において、駆動電圧印加時における図５４のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図６４は、図５６において、駆動電圧印加時における図５４のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図６５は、図５７において、駆動電圧印加時における図５４のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図６６は、図５８において、駆動電圧印加時における図５４のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００６４】
本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置においては、舌状可動部２８の幅を途中で狭くすることにより、先端に対するばねの力はさらに弱くなり、さらに低い駆動電圧で先端を引き寄せることができる。
【００６５】
本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【００６６】
［第７の実施の形態］
本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置においては、図６７乃至図７９に示すように、図５４乃至図６６の構成において、舌状可動部２８の先端側の少なくとも一部を誘電体基板２４の方向に凸部とすることを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【００６７】
図６７は、本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図６８は、図６７のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図６９は、図６７のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図７０は、図６７のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図７１は、図６７のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００６８】
また、図７２は、図６８において、駆動過渡期における図６７のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図７３は、図６９において、駆動過渡期における図６７のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図７４は、図７０において、駆動過渡期における図６７のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図７５は、図７１において、駆動過渡期における図６７のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００６９】
また、図７６は、図６８において、駆動電圧印加時における図６７のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図７７は、図６９において、駆動電圧印加時における図６７のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図７８は、図７０において、駆動電圧印加時における図６７のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図７９は、図７１において、駆動電圧印加時における図６７のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００７０】
本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置においては、図６８に示すように、舌状可動部２８の先端の面積S4の空隙がT1より狭いT4になっているので、図５４乃至図６６の構成に比べて、静電引力が(T1+T2/εA)2/(T4+T2/εA)2倍になり、さらに低い駆動電圧ＶDRで図７２乃至図７５に示す様に、舌状可動部２８の先端側を引き寄せることができる。
【００７１】
空隙T1が小さくなると静電引力は大きくなるので、２個のアンカー１４で支えられたばねの力の強い可動電極１０に繋がる舌状可動部２８の付け根まで引き寄せることができ、図７６乃至図７９に示す様に、可動電極１０の全体を引き寄せることができる。
【００７２】
本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【００７３】
［第８の実施の形態］
本発明の第８の実施の形態に係る半導体装置においては、図８０乃至図９２に示すように、図６７乃至図７９の構成において、凸部３０は、段差が小さい階段形状を備えることを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【００７４】
図８０は、本発明の第８の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図８１は、図８０のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図８２は、図８０のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図８３は、図８０のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図８４は、図８０のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００７５】
また、図８５は、図８１において、駆動過渡期における図８０のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図８６は、図８２において、駆動過渡期における図８０のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図８７は、図８３において、駆動過渡期における図８０のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図８８は、図８４において、駆動過渡期における図８０のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００７６】
また、図８９は、図８１において、駆動電圧印加時における図８０のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図９０は、図８２において、駆動電圧印加時における図８０のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図９１は、図８３において、駆動電圧印加時における図８０のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図９２は、図８４において、駆動電圧印加時における図８０のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００７７】
本発明の第８の実施の形態に係る半導体装置においては、凸部３０が段差が小さい階段状なので舌状可動部２８の変形がなだらかになる。この一例では一段としたが、多段にすることにより効果が高くなる。
【００７８】
本発明の第８の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【００７９】
［第９の実施の形態］
本発明の第９の実施の形態に係る半導体装置においては、図９３乃至図１０５に示すように、図６７乃至図７９の構成において、凸部３０は、なだらかな傾斜面を備えることを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【００８０】
図９３は、本発明の第９の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図９４は、図９３のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図９５は、図９３のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図９６は、図９３のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図９７は、図９３のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００８１】
また、図９８は、図９４において、駆動過渡期における図９３のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図９９は、図９５において、駆動過渡期における図９３のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１００は、図９６において、駆動過渡期における図９３のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１０１は、図９７において、駆動過渡期における図９３のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００８２】
また、図１０２は、図９４において、駆動電圧印加時における図９３のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図１０３は、図９５において、駆動電圧印加時における図９３のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１０４は、図９６において、駆動電圧印加時における図９３のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１０５は、図９７において、駆動電圧印加時における図９３のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００８３】
本発明の第９の実施の形態に係る半導体装置においては、凸部３０がなだらかな傾斜面なので舌状可動部２８の変形は塑性変形から遠ざかり金属疲労を起こしにくい。
【００８４】
また、この一例ではアンカー１４に固定される可動電極１０を６箇所にし、幅も変えてばねのバランスを良くしている。
【００８５】
本発明の第９の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【００８６】
［第１０の実施の形態］
本発明の第１０の実施の形態に係る半導体装置においては、図１０６乃至図１１０に示すように、図１９乃至図２７の構成において、下部電極２２を導電性基板３６に、誘電体基板２４を誘電体層２４０に置き換えたことを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【００８７】
図１０６は、本発明の第１０の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図１０７は、図１０６のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図１０８は、図１０６のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１０９は、図１０６のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１１０は、図１０６のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００８８】
本発明の第１０の実施の形態に係る半導体装置においては、導電性基板３６としては金属や不純物密度の高い半導体を用いることができる。
【００８９】
本発明の第１０の実施の形態に係る半導体装置の構造は、相補型金属―酸化物―半導体（ＣＭＯＳ：Complementary Metal Semiconducotor）プロセスと親和性が良く、ＣＭＯＳ集積回路を同時プロセスで形成することも可能となり、ＭＥＭＳ駆動回路の集積化が容易となる。
【００９０】
本発明の第１０の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【００９１】
［第１１の実施の形態］
本発明の第１１の実施の形態に係る半導体装置においては、図１１１乃至図１１５に示すように、図１９乃至図２７の構成において、下部電極２２を基板の表面に配置し、誘電体基板２４を誘電体層２４０に置き換え、誘電体層２４０の表面側において下部電極２２と他の回路を接続することを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【００９２】
図１１１は、本発明の第１１の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図１１２は、図１１１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図１１３は、図１１１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１１４は、図１１１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１１５は、図１１１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【００９３】
本発明の第１１の実施の形態に係る半導体装置においては、動作周波数における表皮効果を考慮して下部電極２２を基板の表面に配置している。このように下部電極２２を基板の表面に配置することで、誘電体層２４０の表面側において下部電極２２と他の回路を接続することを可能にしている。
【００９４】
本発明の第１１の実施の形態に係る半導体装置においては、基板は誘電体層２４０であっても、また導電性基板３６であっても良い。
【００９５】
本発明の第１１の実施の形態に係る半導体装置においては、導電性基板として、導電率が金属より低い半導体基板を適用する場合には、下部電極２２を基板の表面に配置したことによって、図１０６乃至図１１０に示す本発明の第１０に実施の形に係る半導体装置に比べて、回路の損失を低減することができる。
【００９６】
本発明の第１１の実施の形態に係る半導体装置の構造は、ＣＭＯＳプロセスと親和性が良く、ＣＭＯＳ集積回路を同時プロセスで形成することも可能となり、ＭＥＭＳ駆動回路の集積化が容易となる。
【００９７】
本発明の第１１の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【００９８】
［第１２の実施の形態］
本発明の第１２の実施の形態に係る半導体装置においては、図１１６乃至図１２０に示すように、図１９乃至図２７の構成において、絶縁膜１２のうち高周波固定電極１８を覆う絶縁膜は無く、駆動電圧印加時に高周波固定電極１８が可動電極１０と接触するように高周波固定電極１８の表面の高さを駆動用固定電極１６の表面の高さより高く形成することを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【００９９】
図１１６は、本発明の第１２の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図１１７は、図１１６のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図１１８は、図１１６のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１１９は、図１１６のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１２０は、図１１６のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【０１００】
本発明の第１２の実施の形態に係る半導体装置においては、絶縁膜を介さずに高周波固定電極１８と可動電極１０が接触するので、高周波固定電極１８と可動電極１０の導通状態を良好にすることができる。
【０１０１】
本発明の第１２の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【０１０２】
［第１３の実施の形態］
本発明の第１３の実施の形態に係る半導体装置においては、図１２１乃至図１２５に示すように、図１９乃至図２７の構成において、高周波固定電極１８の表面の高さを、駆動用固定電極１６の表面の高さより高く形成することを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【０１０３】
図１２１は、本発明の第１３の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図１２２は、図１２１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図１２３は、図１２１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１２４は、図１２１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１２５は、図１２１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【０１０４】
本発明の第１３の実施の形態に係る半導体装置においては、高周波固定電極１８の表面の高さを、駆動用固定電極１６の表面の高さよりも高く形成するため、可動電極１０が高周波固定電極１８の部分を押さえる力を強く設定することができる。
【０１０５】
本発明の第１３の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【０１０６】
［第１４の実施の形態］
本発明の第１４の実施の形態に係る半導体装置においては、図１２６乃至図１３０に示すように、図１９乃至図２７の構成において、高周波固定電極１８の表面の中央の高さを、周辺より階段状に高く形成することを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【０１０７】
図１２６は、本発明の第１４の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図１２７は、図１２６のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図１２８は、図１２６のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１２９は、図１２６のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１３０は、図１２６のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【０１０８】
本発明の第１４の実施の形態に係る半導体装置においては、高周波固定電極１８の表面の中央の高さを、周辺より階段状に高く形成するので、可動電極１０が高周波固定電極１８の部分を押さえる力を均等にすることができる。
【０１０９】
この一例では一段としたが、多段にすることにより効果が高くなり隙間も低減化することができる。
【０１１０】
本発明の第１４の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【０１１１】
［第１５の実施の形態］
本発明の第１５の実施の形態に係る半導体装置においては、図１３１乃至図１３５に示すように、図１９乃至図２７の構成において、高周波固定電極１８の表面の中央の高さを、周辺よりもなだらかな傾斜状に高く形成することを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【０１１２】
図１３１は、本発明の第１５の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図１３２は、図１３１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図１３３は、図１３１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１３４は、図１３１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１３５は、図１３１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【０１１３】
本発明の第１５の実施の形態に係る半導体装置においては、高周波固定電極１８の表面の中央を、なだらかな傾斜状に高く形成するため、可動電極１０が隙間なく高周波固定電極１８を押さえる構造を提供することができる。
【０１１４】
本発明の第１５の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【０１１５】
［第１６の実施の形態］
本発明の第１６の実施の形態に係る半導体装置においては、図１３６乃至図１４０に示すように、図１９乃至図２７の構成において、高周波固定電極１８を覆う絶縁膜１３の厚さを、駆動用固定電極１６を覆う絶縁膜１２の厚さよりも厚く形成することを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【０１１６】
図１３６は、本発明の第１６の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図１３７は、図１３６のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図１３８は、１３６のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１３９は、図１３６のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１４０は、図１３６のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【０１１７】
本発明の第１６の実施の形態に係る半導体装置においては、高周波固定電極１８を覆う絶縁膜１３の厚さを、駆動用固定電極１６を覆う絶縁膜１２の厚さよりも厚く形成するため、可動電極１０が高周波固定電極１８の部分を押さえる力を強くすることができる。
【０１１８】
［第１７の実施の形態］
本発明の第１７の実施の形態に係る半導体装置は、図１４１乃至図１４５に示すように、図１９乃至図２７の構成において、高周波固定電極１８を覆う絶縁膜１３の中央の厚さを、周辺より階段状に厚く形成することを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【０１１９】
図１４１は、本発明の第１７実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図１４２は、図１４１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図１４３は、図１４１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１４４は、図１４１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１４５は、図１４１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【０１２０】
本発明の第１７の実施の形態に係る半導体装置においては、高周波固定電極１８を覆う絶縁膜１３の中央の厚さを、周辺より階段状に厚く形成するため、可動電極１０が高周波固定電極１８の部分を押さえる力を均等にすることができる。
【０１２１】
この一例では一段としたが、絶縁膜１３を多段に構成することにより効果が高くなり隙間も減らすことができる。
【０１２２】
本発明の第１７の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【０１２３】
［第１８の実施の形態］
本発明の第１８の実施の形態に係る半導体装置は、図１４６乃至図１５０に示すように、図１９乃至図２７の構成において、高周波固定電極１８を覆う絶縁膜１３の中央の厚さを、周辺よりもなだらかな傾斜状に厚く形成することを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【０１２４】
図１４６は、本発明の第１８の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。図１４７は、図１４６のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図１４８は、図１４６のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１４９は、図１４６のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１５０は、図１４６のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【０１２５】
本発明の第１８の実施の形態に係る半導体装置においては、高周波固定電極１８を覆う絶縁膜１３の中央の厚さを、なだらかな傾斜状に厚く形成するため、可動電極１０が隙間なく高周波固定電極１８の部分を押さえることができる。
【０１２６】
本発明の第１８の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【０１２７】
［第１９の実施の形態］
本発明の第１９の実施の形態に係る半導体装置は、図１５１乃至図１５５に示すように、図１９乃至図２７の構成において、可動電極１０の少なくとも一部に複数の穴４０を形成したことを特徴とする静電ＭＥＭＳを構成している。
【０１２８】
図１５１は、本発明の第１９の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図を示す。また、図１５２は、図１５１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図、図１５３は、図１５１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１５４は、図１５１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、図１５５は、図１５１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図をそれぞれ示す。
【０１２９】
本発明の第１９の実施の形態に係る半導体装置においては、可動電極１０の一部に複数の穴４０を開けることによって、可動電極１０の質量を低減でき、また可動電極１０が空気を圧搾するために可動電極１０の動きが遅くなるスクイーズドダンピングを低減し、粘性を抑制することができる。
【０１３０】
本発明の第１９の実施の形態に係る半導体装置によれば、高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧で駆動でき、かつ高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供することができる。
【０１３１】
[その他の実施の形態]
上記のように、本発明は第１乃至第１９の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものではなく、実施段階では種々に変形することが可能である。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【０１３２】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１３３】
本発明の第１乃至第１９の実施の形態に係る半導体装置は、静電ＭＥＭＳとして構成されることから、ＭＥＭＳ応用としてのスイッチ、可変容量、可変整合回路、チューナブルフィルタ、チューナブルアンテナ、携帯電話など幅広い応用分野に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図２】図１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図３】図１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図４】図１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図５】図１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図６】図２において、駆動電圧印加時における図１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図７】図３において、駆動電圧印加時における図１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図８】図４において、駆動電圧印加時における図１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図９】図５において、駆動電圧印加時における図１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図１１】図１０のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図１２】図１０のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１３】図１０のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１４】図１０のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図１５】図１１において、駆動電圧印加時における図１０のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図１６】図１２において、駆動電圧印加時における図１０のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１７】図１３において、駆動電圧印加時における図１０のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１８】図１４において、駆動電圧印加時における図１０のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図１９】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図２０】図１９のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図２１】図１９のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図２２】図１９のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図２３】図１９のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図２４】図２０において、駆動電圧印加時における図１９のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図２５】図２１において、駆動電圧印加時における図１９のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図２６】図２２において、駆動電圧印加時における図１９のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図２７】図２３において、駆動電圧印加時における図１９のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図２８】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図２９】図２８のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図３０】図２８のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図３１】図２８のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図３２】図２８のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図３３】図２９において、駆動過渡期における図２８のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図３４】図３０において、駆動過渡期における図２８のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図３５】図３１において、駆動過渡期における図２８のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図３６】図３２において、駆動過渡期における図２８のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図３７】図２９において、駆動電圧印加時における図２８のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図３８】図３０において、駆動電圧印加時における図２８のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図３９】図３１において、駆動電圧印加時における図２８のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図４０】図３２において、駆動電圧印加時における図２８のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図４１】本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図４２】図４１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図４３】図４１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図４４】図４１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図４５】図４１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図４６】図４２において、駆動過渡期における図４１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図４７】図４３において、駆動過渡期における図４１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図４８】図４４において、駆動過渡期における図４１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図４９】図４５において、駆動過渡期における図４１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図５０】図４２において、駆動電圧印加時における図４１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図５１】図４３において、駆動電圧印加時における図４１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図５２】図４４において、駆動電圧印加時における図４１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図５３】図４５において、駆動電圧印加時における図４１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図５４】本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図５５】図５４のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図５６】図５４のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図５７】図５４のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図５８】図５４のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図５９】図５５において、駆動過渡期における図５４のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図６０】図５６において、駆動過渡期における図５４のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図６１】図５７において、駆動過渡期における図５４のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図６２】図５８において、駆動過渡期における図５４のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図６３】図５５において、駆動電圧印加時における図５４のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図６４】図５６において、駆動電圧印加時における図５４のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図６５】図５７において、駆動電圧印加時における図５４のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図６６】図５８において、駆動電圧印加時における図５４のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図６７】本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図６８】図６７のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図６９】図６７のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図７０】図６７のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図７１】図６７のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図７２】図６８において、駆動過渡期における図６７のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図７３】図６９において、駆動過渡期における図６７のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図７４】図７０において、駆動過渡期における図６７のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図７５】図７１において、駆動過渡期における図６７のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図７６】図６８において、駆動電圧印加時における図６７のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図７７】図６９において、駆動電圧印加時における図６７のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図７８】図７０において、駆動電圧印加時における図６７のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図７９】図７１において、駆動電圧印加時における図６７のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図８０】本発明の第８の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図８１】図８０のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図８２】図８０のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図８３】図８０のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図８４】図８０のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図８５】図８１において、駆動過渡期における図８０のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図８６】図８２において、駆動過渡期における図８０のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図８７】図８３において、駆動過渡期における図８０のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図８８】図８４において、駆動過渡期における図８０のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図８９】図８１において、駆動電圧印加時における図８０のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図９０】図８２において、駆動電圧印加時における図８０のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図９１】図８３において、駆動電圧印加時における図８０のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図９２】図８４において、駆動電圧印加時における図８０のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図９３】本発明の第９の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図９４】図９３のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図９５】図９３のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図９６】図９３のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図９７】図９３のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図９８】図９４において、駆動過渡期における図９３のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図９９】図９５において、駆動過渡期における図９３のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１００】図９６において、駆動過渡期における図９３のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１０１】図９７において、駆動過渡期における図９３のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図１０２】図９４において、駆動電圧印加時における図９３のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図１０３】図９５において、駆動電圧印加時における図９３のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１０４】図９６において、駆動電圧印加時における図９３のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１０５】図９７において、駆動電圧印加時における図９３のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図１０６】本発明の第１０の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図１０７】図１０６のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図１０８】図１０６のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１０９】図１０６のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１１０】図１０６のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図１１１】本発明の第１１の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図１１２】図１１１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図１１３】図１１１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１１４】図１１１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１１５】図１１１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図１１６】本発明の第１２の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図１１７】図１１６のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図１１８】図１１６のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１１９】図１１６のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１２０】図１１６のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図１２１】本発明の第１３の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図１２２】図１２１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図１２３】図１２１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１２４】図１２１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１２５】図１２１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図１２６】本発明の第１４の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図１２７】図１２６のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図１２８】図１２６のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１２９】図１２６のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１３０】図１２６のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図１３１】本発明の第１５の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図１３２】図１３１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図１３３】図１３１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１３４】図１３１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１３５】図１３１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図１３６】本発明の第１６の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図１３７】図１３６のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図１３８】図１３６のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１３９】図１３６のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１４０】図１３６のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図１４１】本発明の第１７実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図１４２】図１４１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図１４３】図１４１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１４４】図１４１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１４５】図１４１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図１４６】本発明の第１８の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図１４７】図１４６のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図１４８】図１４６のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１４９】図１４６のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１５０】図１４６のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【図１５１】本発明の第１９の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図１５２】図１５１のＩ―Ｉ線に沿う模式的断面構造図。
【図１５３】図１５１のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１５４】図１５１のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。
【図１５５】図１５１のＩＶ―ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。
【符号の説明】
【０１３５】
１０…可動電極
１２,１３…絶縁膜
１４…アンカー
１６…駆動用固定電極
１８…高周波固定電極
２０…ビアホール
２２…下部電極
２４…誘電体基板
２６…スリット
２８…舌状可動部
３０…凸部
３２…階段状部
３４…なだらかな傾斜面
３６…導電性基板
３８…下部電極接続部
４０…穴
２４０…誘電体層
【図１】
2008300284.tif 000003
【図２】
2008300284.tif 000004
【図３】
2008300284.tif 000005
【図４】
2008300284.tif 000006
【図５】
2008300284.tif 000007
【図６】
2008300284.tif 000008
【図７】
2008300284.tif 000009
【図８】
2008300284.tif 000010
【図９】
2008300284.tif 000011
【図１０】
2008300284.tif 000012
【図１１】
2008300284.tif 000013
【図１２】
2008300284.tif 000014
【図１３】
2008300284.tif 000015
【図１４】
2008300284.tif 000016
【図１５】
2008300284.tif 000017
【図１６】
2008300284.tif 000018
【図１７】
2008300284.tif 000019
【図１８】
2008300284.tif 000020
【図１９】
2008300284.tif 000021
【図２０】
2008300284.tif 000022
【図２１】
2008300284.tif 000023
【図２２】
2008300284.tif 000024
【図２３】
2008300284.tif 000025
【図２４】
2008300284.tif 000026
【図２５】
2008300284.tif 000027
【図２６】
2008300284.tif 000028
【図２７】
2008300284.tif 000029
【図２８】
2008300284.tif 000030
【図２９】
2008300284.tif 000031
【図３０】
2008300284.tif 000032
【図３１】
2008300284.tif 000033
【図３２】
2008300284.tif 000034
【図３３】
2008300284.tif 000035
【図３４】
2008300284.tif 000036
【図３５】
2008300284.tif 000037
【図３６】
2008300284.tif 000038
【図３７】
2008300284.tif 000039
【図３８】
2008300284.tif 000040
【図３９】
2008300284.tif 000041
【図４０】
2008300284.tif 000042
【図４１】
2008300284.tif 000043
【図４２】
2008300284.tif 000044
【図４３】
2008300284.tif 000045
【図４４】
2008300284.tif 000046
【図４５】
2008300284.tif 000047
【図４６】
2008300284.tif 000048
【図４７】
2008300284.tif 000049
【図４８】
2008300284.tif 000050
【図４９】
2008300284.tif 000051
【図５０】
2008300284.tif 000052
【図５１】
2008300284.tif 000053
【図５２】
2008300284.tif 000054
【図５３】
2008300284.tif 000055
【図５４】
2008300284.tif 000056
【図５５】
2008300284.tif 000057
【図５６】
2008300284.tif 000058
【図５７】
2008300284.tif 000059
【図５８】
2008300284.tif 000060
【図５９】
2008300284.tif 000061
【図６０】
2008300284.tif 000062
【図６１】
2008300284.tif 000063
【図６２】
2008300284.tif 000064
【図６３】
2008300284.tif 000065
【図６４】
2008300284.tif 000066
【図６５】
2008300284.tif 000067
【図６６】
2008300284.tif 000068
【図６７】
2008300284.tif 000069
【図６８】
2008300284.tif 000070
【図６９】
2008300284.tif 000071
【図７０】
2008300284.tif 000072
【図７１】
2008300284.tif 000073
【図７２】
2008300284.tif 000074
【図７３】
2008300284.tif 000075
【図７４】
2008300284.tif 000076
【図７５】
2008300284.tif 000077
【図７６】
2008300284.tif 000078
【図７７】
2008300284.tif 000079
【図７８】
2008300284.tif 000080
【図７９】
2008300284.tif 000081
【図８０】
2008300284.tif 000082
【図８１】
2008300284.tif 000083
【図８２】
2008300284.tif 000084
【図８３】
2008300284.tif 000085
【図８４】
2008300284.tif 000086
【図８５】
2008300284.tif 000087
【図８６】
2008300284.tif 000088
【図８７】
2008300284.tif 000089
【図８８】
2008300284.tif 000090
【図８９】
2008300284.tif 000091
【図９０】
2008300284.tif 000092
【図９１】
2008300284.tif 000093
【図９２】
2008300284.tif 000094
【図９３】
2008300284.tif 000095
【図９４】
2008300284.tif 000096
【図９５】
2008300284.tif 000097
【図９６】
2008300284.tif 000098
【図９７】
2008300284.tif 000099
【図９８】
2008300284.tif 000100
【図９９】
2008300284.tif 000101
【図１００】
2008300284.tif 000102
【図１０１】
2008300284.tif 000103
【図１０２】
2008300284.tif 000104
【図１０３】
2008300284.tif 000105
【図１０４】
2008300284.tif 000106
【図１０５】
2008300284.tif 000107
【図１０６】
2008300284.tif 000108
【図１０７】
2008300284.tif 000109
【図１０８】
2008300284.tif 000110
【図１０９】
2008300284.tif 000111
【図１１０】
2008300284.tif 000112
【図１１１】
2008300284.tif 000113
【図１１２】
2008300284.tif 000114
【図１１３】
2008300284.tif 000115
【図１１４】
2008300284.tif 000116
【図１１５】
2008300284.tif 000117
【図１１６】
2008300284.tif 000118
【図１１７】
2008300284.tif 000119
【図１１８】
2008300284.tif 000120
【図１１９】
2008300284.tif 000121
【図１２０】
2008300284.tif 000122
【図１２１】
2008300284.tif 000123
【図１２２】
2008300284.tif 000124
【図１２３】
2008300284.tif 000125
【図１２４】
2008300284.tif 000126
【図１２５】
2008300284.tif 000127
【図１２６】
2008300284.tif 000128
【図１２７】
2008300284.tif 000129
【図１２８】
2008300284.tif 000130
【図１２９】
2008300284.tif 000131
【図１３０】
2008300284.tif 000132
【図１３１】
2008300284.tif 000133
【図１３２】
2008300284.tif 000134
【図１３３】
2008300284.tif 000135
【図１３４】
2008300284.tif 000136
【図１３５】
2008300284.tif 000137
【図１３６】
2008300284.tif 000138
【図１３７】
2008300284.tif 000139
【図１３８】
2008300284.tif 000140
【図１３９】
2008300284.tif 000141
【図１４０】
2008300284.tif 000142
【図１４１】
2008300284.tif 000143
【図１４２】
2008300284.tif 000144
【図１４３】
2008300284.tif 000145
【図１４４】
2008300284.tif 000146
【図１４５】
2008300284.tif 000147
【図１４６】
2008300284.tif 000148
【図１４７】
2008300284.tif 000149
【図１４８】
2008300284.tif 000150
【図１４９】
2008300284.tif 000151
【図１５０】
2008300284.tif 000152
【図１５１】
2008300284.tif 000153
【図１５２】
2008300284.tif 000154
【図１５３】
2008300284.tif 000155
【図１５４】
2008300284.tif 000156
【図１５５】
2008300284.tif 000157