(57)【要約】  電子基板及びその製造方法、電子装置であって、当該電子基板（１００／２００／３００）は、ベース基板（１０１）と、ベース基板（１０１）に位置する第１導電構造（１０２）とを含み、第１導電構造（１０２）はベース基板（１０１）に位置して少なくともベース基板（１０１）に離れる側の位置する部分はエッチングバリア特性を有する。当該電子基板（１００／２００／３００）における第１導電構造（１０２）はよりよいエッチングバリア特性を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、前記ベース基板に位置する第１導電構造と、を含み、前記第１導電構造の前記ベース基板に離れる側の位置する部分は第１部分であり、前記第１導電構造の前記ベース基板に近接する側の位置する部分は第２部分であり、前記第１部分は前記第２部分に対してエッチングバリア特性を有する、電子基板。
【請求項２】
前記第１導電構造は単層膜構造である、請求項1に記載の電子基板。
【請求項３】
前記第１部分は前記第２部分より結晶化度が大きい、請求項２に記載の電子基板。
【請求項４】
前記第１導電構造は積層構造であるとともに、第１導電層と、前記第１導電層の前記ベース基板に離れる側に積層されるバリア層と、を含み、前記バリア層は前記第１部分である、請求項１に記載の電子基板。
【請求項５】
前記第１導電層の材料は前記バリア層の材料より結晶化度が小さい、請求項４に記載の電子基板。
【請求項６】
前記第１導電層の材料と前記バリア層の材料はいずれも導電性酸化物を含む、請求項４または５に記載の電子基板。
【請求項７】
前記導電性酸化物は酸化インジウムスズであり、前記バリア層の酸化インジウムスズのうちのＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は、前記第１導電層の酸化インジウムスズのうちのＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例より高い、または、
前記導電性酸化物は酸化インジウム亜鉛であり、前記バリア層の酸化インジウム亜鉛のうちのＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯの比例は、前記第１導電層の酸化インジウム亜鉛のうちのＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯの比例より高い、請求項６に記載の電子基板。
【請求項８】
前記第１導電層の材料は導電性酸化物を含み、前記バリア層の材料は結晶化された金属と、結晶化された導電性酸化物と、高分子導電材料のうちの少なくとも１つまたは複数を含む、請求項４に記載の電子基板。
【請求項９】
前記ベース基板に位置する第２導電構造をさらに含み、前記第２導電構造の少なくとも一部の材料をエッチングするためのエッチング剤について、前記第１導電構造の前記第１部分のエッチングバリア能力は、前記第２導電構造の前記少なくとも一部の材料のエッチングバリア能力より大きい、請求項１〜８のいずれか一項に記載の電子基板。
【請求項１０】
前記第２導電構造は、前記第１導電構造の前記ベース基板における正投影に重なる重なり部分を含むとともに、前記第１導電構造は、前記重なり部分と前記ベース基板との間に位置する部分を含む、請求項９に記載の電子基板。
【請求項１１】
前記重なり部分の全体は前記第１導電構造に直接に接触される、請求項１０に記載の電子基板。
【請求項１２】
前記第１導電構造の前記ベース基板に近接する第１下面と、前記第２導電構造の前記ベース基板に近接する第２下面とは、いずれも前記ベース基板に直接に接触される、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の電子基板。
【請求項１３】
前記第１導電構造と前記第２導電構造を覆う絶縁層をさらに含み、前記絶縁層は、前記第１導電構造の前記ベース基板に離れる上面と、前記第２導電構造の前記ベース基板に離れる上面とに直接に接触される、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の電子基板。
【請求項１４】
前記第１導電構造と前記第２導電構造の一方は配線構造であり、前記配線構造は積層構造であり、且つ、
前記配線構造は、前記ベース基板から順に積層される第１配線層と第２配線層の積層を含み、または、
前記配線構造は、前記ベース基板から順に積層される第２配線層と第３配線層の積層を含み、または、
前記配線構造は、前記ベース基板から順に積層される第１配線層と第２配線層と第３配線層の積層を含む、請求項９〜１３のいずれか一項に記載の電子基板。
【請求項１５】
前記第１配線層と第３配線層のうちの少なくとも一方の材料は、前記第１導電構造の材料と少なくとも一部が同じである、請求項１４に記載の電子基板。
【請求項１６】
前記第１配線層と前記第３配線層の材料は導電性酸化物を含み、前記第２配線層の材料は金属を含む、請求項１４または１５に記載の電子基板。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項に記載の電子基板を含む、電子装置。
【請求項１８】
ベース基板に第１導電構造を形成するステップを含み、
前記第１導電構造の前記ベース基板に離れる側の位置する部分は第１部分であり、前記第１導電構造の前記ベース基板に近接する側の位置する部分は第２部分であり、前記第１部分は前記第２部分に対してエッチングバリア特性を有する、電子基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第１導電構造を形成するステップは、前記ベース基板に第１導電層薄膜を形成するステップと、前記第１導電層薄膜をパターニングして第１導電パターンを形成するステップと、前記第１導電パターンを前記ベース基板に離れる側から少なくとも一部を結晶化して前記第１導電構造を形成するステップと、を含み、または、
前記第１導電構造を形成するステップは、前記ベース基板に第１導電層薄膜を形成するステップと、前記第１導電層薄膜にバリア層薄膜を形成するステップと、前記第１導電層薄膜と前記バリア層薄膜をパターニングして第１導電層とバリア層をそれぞれに形成するステップと、を含み、前記第１導電構造は前記第１導電層と前記バリア層を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１導電構造が形成された前記ベース基板に第２導電構造を形成するステップをさらに含み、前記第２導電構造の少なくとも一部の材料をエッチングするためのエッチング剤について、前記第１導電構造の前記第１部分のエッチングバリア能力は、前記第２導電構造の前記少なくとも一部の材料のエッチングバリア能力より大きい、請求項１８または１９に記載の方法。
【請求項２１】
ベース基板と、
前記ベース基板に位置する第１導電構造と、
前記ベース基板に位置する第２導電構造を含み、前記第２導電構造の少なくとも一部の材料をエッチングするためのエッチング剤について、前記第１導電構造の少なくとも前記ベース基板に離れる側の位置する部分のエッチングバリア能力は、前記第２導電構造の前記少なくとも一部の材料のエッチングバリア能力より大きい、電子基板。
【請求項２２】
前記第１導電構造の前記ベース基板に近接する第１下面と、前記第２導電構造の前記ベース基板に近接する第２下面とは、いずれも前記ベース基板に直接に接触される、請求項２１に記載の電子基板。
【請求項２３】
前記第１導電構造と前記第２導電構造を覆う絶縁層をさらに含み、前記絶縁層は、前記第１導電構造の前記ベース基板に離れる上面と、前記第２導電構造の前記ベース基板に離れる上面とに直接に接触される、請求項２１または２２に記載の電子基板。
【請求項２４】
請求項２１〜２３のいずれか一項に記載の電子基板を含む、電子装置。
【請求項２５】
ベース基板に第１導電構造を形成するステップと、
次に前記ベース基板に第２導電構造を形成するステップとを含み、前記第２導電構造の少なくとも一部の材料をエッチングするためのエッチング剤について、前記第１導電構造の少なくとも前記ベース基板に離れる側の位置する部分のエッチングバリア能力は、前記第２導電構造の前記少なくとも一部の材料のエッチングバリア能力より大きい、電子基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願に対するクロスレファレンス］
本願は２０１８年１月３０日付出願の中国特許出願第２０１８１００８９６５０．６号の優先権を主張し、ここで上述の中国特許出願が開示した全ての内容を援用して本願の一部として取り込む。
【０００２】
本開示の実施例は、電子基板及びその製造方法、電子装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
タッチ基板は、異なるセンシング原理によって、抵抗タッチ基板、静電容量タッチ基板、光学タッチ基板、音波タッチ基板、電磁タッチ基板などに分類できる。静電容量タッチ基板は短応答時間、高感度、高信頼性、高耐久性などのメリットを有するため、ますます多くの分野に適用されている。静電容量タッチ基板は例えば通常タッチ体のタッチ位置を検出するための電極層や配線層などの構造を含む。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本開示の少なくとも１つの実施例は、ベース基板と前記ベース基板に位置する第１導電構造とを含む電子基板を提供し、前記第１導電構造の前記ベース基板に離れる側の位置する部分は第１部分であり、前記第１導電構造の前記ベース基板に近接する側の位置する部分は第２部分であり、前記第１部分は前記第２部分に対してエッチングバリア特性を有する。
【０００５】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第１導電構造は単層膜構造である。
【０００６】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第１部分は前記第２部分より結晶化度が大きい。
【０００７】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第１導電構造は積層構造であるとともに、第１導電層と、前記第１導電層の前記ベース基板に離れる側に積層されるバリア層と、を含み、前記バリア層は前記第１導電構造の前記第１部分である、請求項１に記載の電子基板。
【０００８】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第１導電層の材料は前記バリア層の材料より結晶化度が小さい。
【０００９】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第１導電層の材料と前記バリア層の材料はいずれも導電性酸化物を含む。
【００１０】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記導電性酸化物は酸化インジウムスズであり、前記バリア層の酸化インジウムスズのうちのＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は、前記第１導電層の酸化インジウムスズのうちのＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例より高い、または、前記導電性酸化物は酸化インジウム亜鉛であり、前記バリア層の酸化インジウム亜鉛のうちのＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯの比例は、前記第１導電層の酸化インジウム亜鉛のうちのＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯの比例より高い。
【００１１】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第１導電層の材料は導電性酸化物を含み、前記バリア層の材料は結晶化された金属と、結晶化された導電性酸化物と、高分子導電材料のうちの少なくとも１つまたは複数を含む。
【００１２】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板は、前記ベース基板に位置する第２導電構造をさらに含み、前記第２導電構造の少なくとも一部の材料をエッチングするためのエッチング剤について、前記第１導電構造の前記第１部分のエッチングバリア能力は、前記第２導電構造の前記少なくとも一部の材料のエッチングバリア能力より大きい。
【００１３】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第２導電構造の前記少なくとも一部の材料は導電性酸化物を含む。
【００１４】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第２導電構造は、前記第１導電構造の前記ベース基板における正投影に重なる重なり部分を含むとともに、前記第１導電構造は、前記第２導電構造の前記重なり部分と前記ベース基板との間に位置する部分を含む。
【００１５】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第２導電構造の前記重なり部分の全体は前記第１導電構造に直接に接触される。
【００１６】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第１導電構造の前記ベース基板に近接する第１下面と、前記第２導電構造の前記ベース基板に近接する第２下面とは、いずれも前記ベース基板に直接に接触される。
【００１７】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板は、前記第１導電構造と前記第２導電構造を覆う絶縁層をさらに含み、前記絶縁層は、前記第１導電構造の前記ベース基板に離れる上面と、前記第２導電構造の前記ベース基板に離れる上面とに直接に接触される。
【００１８】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板は、配線構造をさらに含み、前記タッチ基板はタッチエリアと非タッチエリアを含み、前記第１導電構造と前記第２導電構造の一方は前記タッチエリア内に位置し、前記第１導電構造と前記第２導電構造の他方は少なくとも一部が前記非タッチエリア内に位置する。
【００１９】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第１導電構造と前記第２導電構造の一方は配線構造であり、前記配線構造は積層構造であり、且つ、前記配線構造は、前記ベース基板から順に積層される第１配線層と第２配線層の積層を含み、または、前記配線構造は、前記ベース基板から順に積層される第２配線層と第３配線層の積層を含み、または、前記配線構造は、前記ベース基板から順に積層される第１配線層と第２配線層と第３配線層の積層を含む。
【００２０】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第１配線層と第３配線層のうちの少なくとも一方の材料は、前記第１導電構造の材料と少なくとも一部が同じである。
【００２１】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第１配線層と前記第３配線層の材料は導電性酸化物を含み、前記第２配線層の材料は金属を含む。
【００２２】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第１導電構造と前記第２導電構造の一方は第１タッチ電極構造であり、前記第１タッチ電極構造は複数のブロック状の第１サブ電極パターンと複数のストリップ状の第２サブ電極パターンとを含み、前記電子基板は、前記第１タッチ電極構造と異なる層に位置する第２タッチ電極構造をさらに含み、第２タッチ電極構造は、前記第２サブ電極パターンによって離間される隣接の前記第１サブ電極パターンを電気的接続する。
【００２３】
本開示の少なくとも１つの実施例は、本開示のいずれかの実施例の電子基板を含む電子装置を提供する。
【００２４】
本開示の少なくとも１つの実施例は、ベース基板に第１導電構造を形成するステップを含む、電子基板の製造方法を提供し、前記第１導電構造の前記ベース基板に離れる側の位置する部分は第１部分であり、前記第１導電構造の前記ベース基板に近接する側の位置する部分は第２部分であり、前記第１部分は前記第２部分に対してエッチングバリア特性を有する。
【００２５】
例えば、本開示の１つの実施例に係る方法において、前記第１導電構造を形成するステップは、前記ベース基板に第１導電層薄膜を形成するステップと、前記第１導電層薄膜をパターニングして第１導電パターンを形成するステップと、前記第１導電パターンを前記ベース基板に離れる側から少なくとも一部を結晶化して前記第１導電構造を形成するステップと、を含む。
【００２６】
例えば、本開示の１つの実施例に係る方法において、前記第１導電構造を形成するステップは、前記ベース基板に第１導電層薄膜を形成するステップと、前記第１導電層薄膜にバリア層薄膜を形成するステップと、前記第１導電層薄膜と前記バリア層薄膜をパターニングして第１導電層とバリア層をそれぞれ形成するステップと、を含み、前記第１導電構造は前記第１導電層と前記バリア層を含む。
【００２７】
例えば、本開示の１つの実施例に係る方法において、前記第１導電層薄膜の材料は導電性酸化物を含む。
【００２８】
例えば、本開示の１つの実施例に係る方法は、前記第１導電構造が形成された前記ベース基板に第２導電構造を形成するステップをさらに含み、前記第２導電構造の少なくとも一部の材料をエッチングするためのエッチング剤について、前記第１導電構造の前記第１部分のエッチングバリア能力は、前記第２導電構造の前記少なくとも一部の材料のエッチングバリア能力より大きい。
【００２９】
例えば、本開示の１つの実施例に係る方法は、前記第１導電構造と前記第２導電構造の一方は第１タッチ電極構造で、他方は配線構造であり、前記配線構造は積層構造で、前記第１タッチ電極構造と同じ層に形成され、または前記第１タッチ電極構造の上に形成される。
【００３０】
例えば、本開示の１つの実施例に係る方法において、前記配線構造を形成するステップは、前記ベース基板に順に第１配線層薄膜、第２配線層薄膜、第３配線層薄膜を形成するステップと、前記第１配線層薄膜、第２配線層薄膜、第３配線層薄膜の積層をパターニングして前記配線構造を形成するステップと、を含む。
【００３１】
例えば、本開示の１つの実施例に係る方法において、前記第１導電構造と前記第２導電構造の一方は第１タッチ電極構造であり、前記第１タッチ電極構造は交互にする複数のブロック状の第１サブ電極パターンと複数のストリップ状の第２サブ電極パターンとを含み、前記方法は、前記第１タッチ電極構造と異なる層に位置する第２タッチ電極構造を形成するステップさらに含み、第２タッチ電極構造は、前記第２サブ電極パターンによって離間される隣接の前記第１サブ電極パターンを電気的接続する。
【００３２】
本開示の少なくとも１つの実施例に係る電子基板は、ベース基板と、前記ベース基板に位置する第１導電構造とを含み、前記第２導電構造の少なくとも一部の材料をエッチングするためのエッチング剤について、前記第１導電構造の前記ベース基板に離れる側に位置する部分のエッチングバリア能力は、前記第２導電構造の前記少なくとも一部の材料のエッチングバリア能力より大きい。
【００３３】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第１導電構造の前記ベース基板に近接する第１下面と、前記第２導電構造の前記ベース基板に近接する第２下面とは、いずれも前記ベース基板に直接に接触される。
【００３４】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板は、前記第１導電構造と前記第２導電構造を覆う絶縁層をさらに含み、前記絶縁層は、前記第１導電構造の前記ベース基板に離れる上面と、前記第２導電構造の前記ベース基板に離れる上面とに直接に接触される。
【００３５】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第２導電構造は、前記第１導電構造の前記ベース基板における正投影に重なる重なり部分を含むとともに、前記第１導電構造は、前記第２導電構造の前記重なり部分と前記ベース基板との間に位置する部分を含む。
【００３６】
例えば、本開示の１つの実施例に係る電子基板において、前記第２導電構造の前記重なり部分の全体は前記第１導電構造に直接に接触される。
【００３７】
例えば、本開示の１つの実施例は、上記いずれかの電子基板を含む電子装置を提供する。
【００３８】
本開示の少なくとも１つの実施例は、ベース基板に第１導電構造を形成するステップと、次に前記ベース基板に第２導電構造を形成するステップとを含む、電子基板の製造方法を提供し、前記第２導電構造の少なくとも一部の材料をエッチングするためのエッチング剤について、前記第１導電構造の少なくとも前記ベース基板に離れる側の位置する部分のエッチングバリア能力は、前記第２導電構造の前記少なくとも一部の材料のエッチングバリア能力より大きい。
【００３９】
本開示の実施例の技術案をより明瞭に説明するために、以下では実施例の図面を簡単に説明し、明らかなように、下記図面は単に本開示の一部の実施例に過ぎず、本開示を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１Ａ】図１Ａと図１Ｂは本開示の実施例に係るタッチ基板の断面構造模式図である。
【図１Ｂ】図１Ａと図１Ｂは本開示の実施例に係るタッチ基板の断面構造模式図である。
【図２Ａ】図２Ａと図２Ｂは本開示の実施例に係る別のタッチ基板の断面構造模式図である。
【図２Ｂ】図２Ａと図２Ｂは本開示の実施例に係る別のタッチ基板の断面構造模式図である。
【図３Ａ】図３Ａと図３Ｂは本開示の実施例に係るさらに別のタッチ基板の断面構造模式図である。
【図３Ｂ】図３Ａと図３Ｂは本開示の実施例に係るさらに別のタッチ基板の断面構造模式図である。
【図４Ａ】図４Ａ〜図４Ｄは本開示の別の実施例に係るタッチ基板の第１タッチ電極構造が製造過程における断面構造模式図である。
【図４Ｂ】図４Ａ〜図４Ｄは本開示の別の実施例に係るタッチ基板の第１タッチ電極構造が製造過程における断面構造模式図である。
【図４Ｃ】図４Ａ〜図４Ｄは本開示の別の実施例に係るタッチ基板の第１タッチ電極構造が製造過程における断面構造模式図である。
【図４Ｄ】図４Ａ〜図４Ｄは本開示の別の実施例に係るタッチ基板の第１タッチ電極構造が製造過程における断面構造模式図である。
【図５Ａ】図５Ａ〜図５Ｅは本開示の別の実施例に係る別のタッチ基板の第１タッチ電極構造が製造過程における断面構造模式図である。
【図５Ｂ】図５Ａ〜図５Ｅは本開示の別の実施例に係る別のタッチ基板の第１タッチ電極構造が製造過程における断面構造模式図である。
【図５Ｃ】図５Ａ〜図５Ｅは本開示の別の実施例に係る別のタッチ基板の第１タッチ電極構造が製造過程における断面構造模式図である。
【図５Ｄ】図５Ａ〜図５Ｅは本開示の別の実施例に係る別のタッチ基板の第１タッチ電極構造が製造過程における断面構造模式図である。
【図５Ｅ】図５Ａ〜図５Ｅは本開示の別の実施例に係る別のタッチ基板の第１タッチ電極構造が製造過程における断面構造模式図である。
【図６Ａ】図６Ａ〜図６Ｊは本開示のさらに別の実施例に係るタッチ基板の製造過程における断面構造模式図である。
【図６Ｂ】図６Ａ〜図６Ｊは本開示のさらに別の実施例に係るタッチ基板の製造過程における断面構造模式図である。
【図６Ｃ】図６Ａ〜図６Ｊは本開示のさらに別の実施例に係るタッチ基板の製造過程における断面構造模式図である。
【図６Ｄ】図６Ａ〜図６Ｊは本開示のさらに別の実施例に係るタッチ基板の製造過程における断面構造模式図である。
【図６Ｅ】図６Ａ〜図６Ｊは本開示のさらに別の実施例に係るタッチ基板の製造過程における断面構造模式図である。
【図６Ｆ】図６Ａ〜図６Ｊは本開示のさらに別の実施例に係るタッチ基板の製造過程における断面構造模式図である。
【図６Ｇ】図６Ａ〜図６Ｊは本開示のさらに別の実施例に係るタッチ基板の製造過程における断面構造模式図である。
【図６Ｈ】図６Ａ〜図６Ｊは本開示のさらに別の実施例に係るタッチ基板の製造過程における断面構造模式図である。
【図６Ｉ】図６Ａ〜図６Ｊは本開示のさらに別の実施例に係るタッチ基板の製造過程における断面構造模式図である。
【図６Ｊ】図６Ａ〜図６Ｊは本開示のさらに別の実施例に係るタッチ基板の製造過程における断面構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
本開示の実施例の目的、技術案及び利点をより明瞭にするために、以下では本開示の実施例の図面を参照しながら、本開示の実施例の技術案を明瞭で、完全に説明する。勿論、説明した実施例は本開示の一部の実施例に過ぎず、全ての実施例ではない。説明した本開示の実施例に基づいて、当業者が進歩性のある労働を必要とせずに得られる全ての他の実施例は、本開示の保護範囲に属する。
【００４２】
特に定義しない限り、本開示に使用される技術用語又は科学用語は当業者が理解可能な一般的なの意味である。本開示に使用される「第一」、「第二」及び類似する単語は、順序、数量又は重要性を示すものではなく、異なる構成部材を区別するものだけである。「含む」又は「備える」のような用語は該用語前に現れた素子又はデバイスが該用語後に現れる素子又はデバイス及びその同等物をカバーすることを意味し、他の素子又はデバイスを排除しない。「接続」又は「連結」のような用語は物理的又は機械的接続に限定されず、直接か間接に関わらず電気的接続を含むことができる。「上」、「下」、「左」、「右」等は相対位置関係を示すものに過ぎず、説明する対象の絶対位置が変わると、該相対位置関係も変わる。
【００４３】
静電容量タッチ基板は例えば通常電極層と配線層などの構造を含み、電極層の材料は通常透明金属酸化物が採用され、銅または銀が優れた延性と導電性を備えるため、配線層の材料は通常銅または銀が採用されるが、銅または銀の金属層は、ベース基板に対する付着力が低く、耐酸化性が不十分である。
【００４４】
銅または銀の金属層のベース基板に対する付着力を向上するために、例えば銅または銀の金属層の下に緩衝層を準備し、緩衝層の材料は例えば金属または金属酸化物であってもよく、銅または銀の金属層が空気に曝されて酸化するのを防ぐために、例えば銅または銀の金属層の上に保護層を準備し、保護層の材料は例えば金属または金属酸化物であってもよい。このような多層薄膜で形成された配線構造は、銅または銀の金属層の付着力を向上可能で、耐酸化性が優れるが、配線構造と電極層は材料がいずれも金属酸化物であるため、配線層をエッチングする際に、配線層をエッチングするためのエッチング液は、配線層の下のパターン形成済みの電極層をさらにエッチングしやすく、電極層の寸法精度が影響を受け、ひいては電極層が破損され、当該電極層によって構成された例えばタッチパネルのタッチ効果に影響を与える。
【００４５】
本開示の少なくとも１つの実施例は、電子基板及びその製造方法、当該電子基板を含む電子装置を提供する。いくつかの実施例において、電子基板はタッチ基板であり、例えば静電容量タッチ基板である。いくつかの実施例において、当該電子基板はフレキシブル基板であり、例えばフレキシブルタッチ基板である。
【００４６】
当該電子基板はベース基板と第１導電構造を含み、第１導電構造はベース基板に位置して少なくともベース基板に離れる側の位置する部分がエッチングバリア特性を有する。
【００４７】
例えば、第１導電構造は以下のようなエッチングバリア特性を有する。第１導電構造のベース基板に離れる側の位置する部分は第１部分であり（即ち第１導電構造のベース基板に離れる上面の位置する部分）、第１導電構造のベース基板に近接する側の位置する部分は第２部分であり（即ち第１導電構造のベース基板に近接する下面の位置する部分）、第１部分は第２部分に対してエッチングバリア特性を有し、つまり、同じ種類のエッチング剤について、第１部分は第２部分よりエッチングバリア能力が大きく、よって、第１部分が第２部分よりエッチングされにくい。
【００４８】
例えば、当該電子基板は、ベース基板に位置する第１導電構造と第２導電構造を含み、第１導電構造は以下のようなエッチングバリア特性を有する。前記第２導電構造の少なくとも一部の材料をエッチングするためのエッチング剤について、第１導電構造の前記少なくともベース基板に離れる側の位置する部分は、第２導電構造の当該少なくとも一部の材料よりエッチングバリア能力が大きく、つまり、第２導電構造の当該少なくとも一部の材料より、第１導電構造の上面は当該エッチング剤にエッチングされにくい。このような場合に、例えば、第１導電構造の第１部分は、第１導電構造の第２部分よりエッチングバリア能力が大きいか等しい。
【００４９】
例えば、第２導電構造は、第１導電構造のベース基板における正投影以外に位置する部分を含むとともに、第１導電構造の位置する層以外に位置する部分を含む（即ち第１導電構造は第２導電構造の少なくとも一部と異なる層に設けられ、よって、製造過程において異なるフォトリソグラフィ工程によって製造される）。
【００５０】
それに応じて、当該電子基板の製造方法は、ベース基板に第１導電構造を形成するステップを含み、第１導電構造の少なくともベース基板に離れる側の位置する部分がエッチングバリア特性を有する。
【００５１】
例えば、当該製造方法において、第１導電構造のベース基板に離れる側の位置する部分は第１部分であり、第１導電構造のベース基板に近接する側の位置する部分は第２部分であり、第１部分は第２部分に対してエッチングバリア特性を有する。
【００５２】
例えば、電子基板が第２導電構造を含む場合に、当該電子基板の製造方法は、ベース基板に第１導電構造を形成するステップと、次に前記ベース基板に第２導電構造を形成するステップとを含み、第２導電構造の少なくとも一部の材料をエッチングするためのエッチング剤について、第１導電構造の少なくとも前記ベース基板に離れる側の位置する部分（即ち上記第１部分）のエッチングバリア能力は、第２導電構造の少なくとも一部の材料のエッチングバリア能力より大きい。
【００５３】
本開示の少なくとも１つの実施例において、第１導電構造の少なくともベース基板に離れる側の位置する部分はより強いエッチングバリア特性を有し、よって、本開示の実施例はよりよいエッチングバリア特性を有する。例えば、第１導電構造の少なくともベース基板に離れる側の位置する部分は、第２導電構造の少なくとも一部の材料よりエッチングバリア能力が大きい場合に、エッチング剤（例えばエッチング液）で後続に形成される例えば第１導電構造に隣接する第２導電構造（例えば金属層と金属酸化層の積層）をエッチングする際に、当該第１導電構造はエッチング剤にエッチング攻撃されにくい。
【００５４】
例えば、第１電源構造は単層膜構造である。例えば、第１導電構造が単層膜構造の場合に、少なくとも第１導電構造の第１部分は結晶化され（例えば、第１導電構造の全体は結晶化され、または第１導電構造は第１部分のみ結晶化される）、つまり、第１導電構造の第１部分は、第１導電構造の第２部分より結晶化度が大きいか等しい。本開示の実施例において、第１導電構造の上面の位置する部分の材料は結晶化された材料、例えば結晶化された導電酸化物であるため、第１導電構造の上面はより強いエッチングバリア能力を有する。
【００５５】
例えば、当該単層膜構造の第１導電構造は以下のように形成される。前記ベース基板に第１導電層薄膜を形成し、前記第１導電層薄膜をパターニングして第１導電パターンを形成し、前記第１導電パターンを前記ベース基板に離れる側から少なくとも一部を結晶化して前記第１導電構造を形成する。
【００５６】
例えば、第１導電構造は多層膜構造（即ち積層構造）であるとともに、第１導電層と、第１導電層のベース基板に離れる側に積層されるバリア層とを含み、上記エッチング剤について、バリア層は第１導電層より強いエッチングバリア能力を有し（即ちよりエッチングされにくい）、よって、第１導電構造の上面がより強いエッチングバリア能力を有する。
【００５７】
例えば、当該多層膜構造の第１導電構造は以下のように形成される。前記ベース基板に第１導電層薄膜を形成し、前記第１導電層薄膜にバリア層薄膜を形成し、前記第１導電層薄膜と前記バリア層薄膜をパターニングして第１導電層とバリア層をそれぞれ形成し、前記第１導電構造は前記第１導電層と前記バリア層を含む。
【００５８】
先に第１導電構造を形成し、次にエッチング剤によってエッチングを行って第２導電構造を形成するため、いくつかの実施例において、第２導電構造は、第１導電構造のベース基板における正投影に重なる部分を含み、第１導電構造は、第２導電構造の重なり部分とベース基板との間に位置する部分を含む。
【００５９】
いくつかの実施例において、第１導電構造を形成するステップの後に、第２導電構造を形成するステップを直接に行う（即ち第１導電構造を形成するステップと第２導電構造を形成するステップとの間に他の薄膜を形成するステップがない）ため、第１導電構造のベース基板に近接する第１下面と第２導電構造のベース基板に近接する第２下面はいずれも同じ層（例えばベース基板）に直接に接触される。
【００６０】
別のいくつかの実施例において、第１導電構造を形成するステップの後に、第２導電構造を形成するステップを直接に行う（即ち第１導電構造を形成するステップと第２導電構造を形成するステップとの間に他の薄膜を形成するステップがない）ため、第１導電構造のベース基板に離れる上面と第２導電構造のベース基板に離れる上面はいずれも同じ層（例えば第１導電構造と第２導電構造を覆う絶縁層）に直接に接触される。
【００６１】
例えば、第１導電構造と第２導電構造の一方は第１タッチ電極構造であり、第１タッチ電極構造は複数のブロック状の第１サブ電極パターンと複数のストリップ状の第２サブ電極パターンとを含み、電子基板は、第１タッチ電極構造と異なる層に位置する第２タッチ電極構造をさらに含み、第２タッチ電極構造は、第２サブ電極パターンによって離間される隣接の第１サブ電極パターンを電気的接続する。
【００６２】
例えば、第２タッチ電極構造と第１サブ電極パターンとの間の電気的接続を確保するために、第１導電構造が第２導電構造の重なり部分とベース基板との間に位置する部分を含む場合に、第１導電構造の前記上面の位置する部分の材料は導電材料である。
【００６３】
例えば、第１導電構造と第２導電構造の他方はタッチ信号伝送用の配線構造である。例えば、配線構造は多層膜構造であり、配線構造はベース基板から順に積層される第１配線層と第２配線層の積層および／またはベース基板から順に積層される第２配線層と第３配線層の積層を含む。第１配線層は第２配線層とベース基板との間の付着力を向上するためのものであり、第３配線層は第２配線層の酸化の防止のためのものである。
【００６４】
例えば、配線構造が第１配線層、第２配線層、第３配線層を含む場合に、配線構造を形成するステップは、ベース基板に順に第１配線層薄膜、第２配線層薄膜、第３配線層薄膜を形成するステップと、第１配線層薄膜、第２配線層薄膜、第３配線層薄膜の積層をパターニングして配線構造を形成するステップと、を含む。
【００６５】
例えば、上記各構造を形成するためのパターニング工程は例えばフォトリソグラフィ工程は、所望の構造を形成するための薄膜（単層膜または多層膜）にコーティング、露光および現像によってフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンをマスクとしてエッチング剤を利用して薄膜をエッチングする。
【００６６】
例えば、多層膜構造のエッチングについて、多層膜構造における複数の薄膜に用いるエッチング剤はすべて異なるか、または少なくとも２つの薄膜が同じ種類のエッチング剤を用いてエッチングを行う。
【００６７】
以下にいくつかの具体的な実施例で本開示を説明する。本開示の実施例の以下の説明をはっきりで簡潔にさせるために、既知の機能と既知の部品に対する詳細な説明は省略してもよい。本開示の実施例のいずれかの部品が１つ以上の図面に現れた場合に、当該部品は各図面に同じ記号で表してもよい。以下の実施例において、電子基板がタッチ基板であり、第１導電構造が第１タッチ電極構造であり、第２導電構造が配線構造であり、第３導電構造が第２タッチ電極構造であり、エッチング剤がエッチング液であるのを例として説明する。本開示は以下で列挙される実施例を含むが、それに限定されるものではない。他の実施例に係るタッチ基板において、第１導電構造が配線構造であり、第２導電構造が第１タッチ電極構造であってもよく、先に形成される導電構造の上面がより強いエッチングバリア能力を有することを満たせばよい。
【００６８】
本開示の少なくとも１つの実施例は、図１Ａと図１Ｂに示すタッチ基板１００と、図２Ａと図２Ｂに示すタッチ基板２００と、図３Ａと図３Ｂに示すタッチ基板３００とを提供する。
【００６９】
図１Ａから図３Ｂに示すように、当該タッチ基板１００／２００／３００はベース基板１０１と第１タッチ電極構造１０２とを含む。第１タッチ電極構造１０２はベース基板１０１に設けられ、ベース基板１０１に離れる側の位置する部分（即ち上面２Ｂの位置する第１部分）はエッチングバリア特性を有する。
【００７０】
例えば、図１Ａ、１Ｂ、３Ａと３Ｂに示すように、第１タッチ電極構造１０２は以下のようなエッチングバリア特性を有する。同じ種類のエッチング剤について、第１タッチ電極構造１０２の上部分（即ち上記第１部分）は、第１タッチ電極構造１０２の下部分（即ち上記第２部分）よりエッチングバリア能力が大きく、よって、第１部分は第２部分よりさらにエッチングされにくい。
【００７１】
例えば、図１Ａから図３Ｂに示すように、当該タッチ基板１００／２００／３００は、ベース基板１０１に位置する第１タッチ電極構造１０２と配線構造１０３を含み、第１タッチ電極構造１０２は以下のようなエッチングバリア特性を有する。配線構造１０３の少なくとも一部の材料をエッチングするためのエッチング剤について、第１タッチ電極構造１０２の少なくともベース基板１０１に離れる側の位置する部分（上面２Ｂの位置する第１部分）は、配線構造１０３の当該少なくとも一部の材料よりエッチングバリア能力が大きく、つまり、配線構造１０３の当該少なくとも一部の材料より、第１タッチ電極構造１０２の上面２Ｂは当該エッチング剤にさらにエッチングされにくい。このような場合に、例えば、第１タッチ電極構造１０２の第１部分は、第１タッチ電極構造１０２の第２部分よりエッチングバリア能力が大きいか等しい。
【００７２】
例えば、図１Ａから図３Ｂに示すように、電子基板１００／２００／３００は、第１タッチ電極構造１０２を覆う絶縁層１０４と、絶縁層１０４に位置する第２タッチ電極構造１０５とをさらに含み、第２タッチ電極構造１０５は第１タッチ電極構造１０２と異なる層に位置する。図６Ｉに示すように、第１タッチ電極構造１０２は複数のブロック状の第１サブ電極パターン１０２Ａと複数のストリップ状の第２サブ電極パターン１０２Ｂとを含む。図１Ａから図３Ｂに示すように、絶縁層１０４は第１サブ電極パターン１０２Ａの一部の表面を曝し、第２タッチ電極構造１０５は第２サブ電極パターン１０２Ｂによって離間される隣接の第１サブ電極パターン１０２Ａを電気的接続する。
【００７３】
例えば、図１Ａから図３Ｂに示すように、第１タッチ電極構造１０２はベース基板１０１と第２タッチ電極構造１０５との間に位置する。この場合に、第１タッチ構造１０２の上面２Ｂの位置する部分の材料は導電材料であり、第１タッチ電極構造１０２の第１サブ電極パターン１０２Ａと第２タッチ電極構造１０５との間の電気的接続を確保する。他の実施例において、例えば、第２タッチ電極構造１０５がベース基板１０１と第１タッチ電極構造１０２との間に位置する場合に、第１タッチ構造１０２の上面２Ｂの位置する部分の材料は導電材料であってもよい。
【００７４】
例えば、図１Ａから図３Ｂに示すように、第１タッチ構造１０２のベース基板１０１に近接する第１下面２Ａと、配線構造１０３のベース基板１０１に近接する第２下面１０３Ａとは、いずれもベース基板１０１に直接に接触される。
【００７５】
例えば、図１Ａから図３Ｂに示すように、第１タッチ構造１０２のベース基板１０１に離れる上面２Ｂと、配線構造１０３のベース基板１０１に離れる上面１０３Ｂとは、いずれも絶縁層１０４に直接に接触される。
【００７６】
例えば、図１Ｂ、図２Ｂ、図３Ｂに示すように、電子基板１００／２００／３００は、タッチ信号伝送を実現するための配線構造１０３をさらに含み、図６Ｉに示すように、配線構造１０３は、サブ電極パターンの１行または１列にそれぞれ電気的に接続された複数の信号伝送線を含む。例えば、配線構造１０３は、第１タッチ構造１０２のベース基板１０１における正投影に重なる重なり部分１０３Ｃを含むとともに、第１タッチ構造１０２は、配線構造１０３の重なり部分１０３Ｃとベース基板１０１との間に位置する部分を含む。
【００７７】
例えば、図１Ｂ、図２Ｂ、図３Ｂに示すように、配線構造１０３の重なり部分１０３Ｃの全体は第１タッチ構造１０２に直接に接触される。このようにして、配線構造１０３の重なり部分１０３Ｃは、第１タッチ電極１０２を保護する作用をさらに果たす。
【００７８】
図１Ａから図３Ｂに示すように、ベース基板１０１は例えばガラス基板、石英基板、プラスチック基板またはその他のふさわしい材料の基板であってもよく、本開示の実施例はそれに対して具体的な限定をしない。
【００７９】
図１Ａと図１Ｂに示すように、第１タッチ電極構造１０２は多膜層構造で、第１導電層（例えば第１電極層）１０２１と、第１導電層１０２１に積層されるバリア層１０２２とを含む。例えば、バリア層１０２２のベース基板１０１における正投影は、第１導電層１０２１のベース基板１０１における正投影に重ね合う。例えば、配線構造１０３の少なくとも一部の材料をエッチングするためのエッチング液について、バリア層１０２２は第１導電層１０２１よりエッチングバリア能力が大きい。
【００８０】
例えば、第１導電層１０２１の材料とバリア層１０２２の材料はいずれも導電性酸化物を含む。例えば、当該第１タッチ電極構造１０２によって構成されるタッチ基板１００が表示パネルに適用される際に、当該第１タッチ電極構造１０２は通常表示パネルの表示エリアに設けられるため、第１タッチ電極構造１０２を構成する材料は透明導電材料が選択され、例えば、第１導電層１０２１の材料とバリア層１０２２の材料は透明導電性酸化物である。
【００８１】
例えば、第１導電層１０２１の材料はバリア層１０２２の材料より結晶化度が小さく、よって、バリア層１０２２は第１導電層１０２１よりエッチングバリア能力が大きい。例えば、第１導電層１０２１の材料は導電性酸化物（例えばアモルファス導電性酸化物）を含み、バリア層１０２２の材料は結晶化された金属、結晶化された導電性酸化物、高分子導電材料のうちの少なくとも１つまたは複数の組み合わせを含み、例えば結晶化された金、銀、アルミニウム、白金、パラジウム、アルミニウムドープ酸化亜鉛、フッ素ドープ酸化スズ、グラフェン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンなどの１つまたは複数である。
【００８２】
例えば、本開示の１つの例示において、第１導電層１０２１の材料は導電性酸化物、例えば透明導電性酸化物（例えばアモルファス透明導電性酸化物）を含み、バリア層１０２２の材料は結晶化された導電性酸化物（例えば結晶化された透明導電性酸化物）を含む。
【００８３】
例えば、第１導電層１０２１とバリア層１０２２が含む導電性酸化物は例えば酸化インジウムスズ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯと略される）、酸化インジウム亜鉛（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯと略される）、酸化スズ（ｓｔａｎｎｉｃ  ｏｘｉｄｅ、化学式がＳｎＯ２）などであってもよい。
【００８４】
例えば、第１導電層１０２１は酸化インジウムスズ（例えばアモルファス酸化インジウムスズ）によって構成され、バリア層１０２２は結晶化された酸化インジウムスズによって構成される時に、バリア層１０２２が結晶化処理されたため、バリア層１０２２を構成する酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例（質量比）は、第１導電層１０２１を構成する酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例（質量比）より高い。例えば、バリア層１０２２の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は例えば９３：７より大きいか等しく、第１導電層１０２１の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は例えばおおよそ８９：１１から９１：９の間にある。
【００８５】
例えば、本開示の実施例の別の例示において、第１導電層１０２１は酸化インジウム亜鉛によって構成され、バリア層１０２２は結晶化された酸化インジウム亜鉛によって構成される。例えば、バリア層１０２２の酸化インジウム亜鉛におけるＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯの比例（質量比）は、第１導電層１０２１の酸化インジウム亜鉛におけるＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯの比例（質量比）より高い。
【００８６】
なお、第１導電層１０２１とバリア層１０２２が含む導電性酸化物は、含む元素の少なくとも一部（例えばいずれもインジウムおよび／または亜鉛など）が同じか、含む元素が異なる。
【００８７】
例えば、第１導電層１０２１とバリア層１０２２は異なる材料によって構成されてもよく、例えば異なる元素を含む材料で製造される。例えば、本開示の実施例の別の例示において、第１導電層１０２１の材料は例えば酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛であってもよく、バリア層１０２２の材料は例えば結晶化されたアルミニウムドープ酸化亜鉛、フッ素ドープ酸化スズなど、任意のふさわしい結晶化された透明導電性材料であってもよい。例えば、本開示の実施例の別の例示において、第１導電層１０２１の材料は例えば酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛であってもよく、バリア層１０２２の材料は例えばグラフェン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンまたはその他の任意のふさわしい有機高分子透明導電性材料であってもよい。
【００８８】
上記の図１Ａと図１Ｂに示すような実施例において、第１タッチ電極構造１０２は第１導電層１０２１と、第１導電層１０２１の上に位置するバリア層１０２２とを含む。本開示の実施例において、例えばフッ化水素酸などの弱酸を選択して、後続に形成される配線構造１０３に含まれる金属または金属酸化物をエッチングしてもよいが、フッ化水素酸などの弱酸はバリア層１０２２をエッチングすることができず、またはバリア層１０２２に対するエッチング速度が小さいため、当該バリア層１０２２は、他の金属層／金属酸化層に対してエッチングをするときに、エッチング溶液によって第１の導電層１０２１がエッチング攻撃されるのを防ぐことができる。
【００８９】
図１Ａから図３Ｂに示すように、配線構造１０３はベース基板１０１の上に設けられて第１タッチ電極構造１０２と同じ層に位置する。図１Ａから図３Ｂに示すように、積層構造の配線構造１０３は、ベース基板１０１から順に積層される第１配線層１０３１、第２配線層１０３２、第３配線層１０３３を含む。例えば、第１配線層１０３１と第３配線層１０３３の材料はアモルファス導電性酸化物（例えばアモルファス透明導電性酸化物）を含み、例えば、延性の良好なインジウムスズ酸化物またはインジウム亜鉛酸化物であってもよい。例えば、第２配線層１０３２の材料の例示には金属、例えば銀、銅、アルミニウム、クロム、モリブデン、チタン、銀合金、銅合金、アルミニウム-ビスマス合金、銅-モリブデン合金、モリブデン-ニオブ合金、モリブデン-ニオブ合金、またはそれらの任意の組み合わせを含み、本開示の実施例はこれに対して具体的な限定をしない。
【００９０】
本開示の実施例において、例えば、図１Ａから図３Ｂに示すように、当該タッチ基板１００／２００／３００はタッチエリアＤ１と非タッチエリアＤ２を含み、第１タッチ電極構造１０２はタッチエリアＤ１内に設けられ、配線構造１０３の少なくとも一部は非タッチエリアＤ２内に設けられる。例えば、配線構造１０３が当該タッチ基板１００の周辺トレースを指す場合に、配線構造１０３は当該タッチ基板１００の非タッチエリアＤ２に設けられ、配線構造１０３が当該タッチ基板１００の全てのトレースを指す場合に、配線構造１０３は当該タッチ基板１００のタッチエリアＤ１と非タッチエリアＤ２に設けられてもよい。
【００９１】
本開示の実施例において、配線構造１０３は第１配線層１０３１、第２配線層１０３２、第３配線層１０３３によって順に積層して構成され、インジウムスズ酸化物またはインジウム亜鉛酸化物は、延性および耐酸化性が良好であるため、インジウムスズ酸化物またはインジウム亜鉛酸化物などの導電性酸化物によって構成される第１配線層１０３１は、その上に形成される第２配線層１０３２の緩衝層として用い、第２配線層１０３２とベース基板１０１との間の付着力の改善に用いることができ、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛などの導電性酸化物によって構成される第３配線層１０３３は、第２配線層１０３２の保護層として用いることができ、第２配線層１０３２が大気に曝されることを防ぎ、よって、第２配線層１０３２の酸化を回避することができる。
【００９２】
配線構造１０３の積層構造は図１Ａから図３Ｂに示す実施例を含むが、それに限定されるものではない。例えば、本開示の実施例の別の例示において、配線構造１０３は、例えばベース基板１０１から順に積層される第１配線層１０３１、第２配線層１０３２を含み、第３配線層１０３３を含まなくてもよい。本例示において、第１配線層１０３１の材料は導電性酸化物（例えば透明導電性酸化物）、例えば酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛などを含み、第２配線層１０３２の材料の例示は金属、例えば銀、銅、アルミニウム、クロム、モリブデン、チタン、銀合金、銅合金、アルミニウム-ビスマス合金、銅-モリブデン合金、モリブデン-ニオブ合金、モリブデン-ニオブ合金、またはそれらの任意の組み合わせを含み、本例示はこれに対して具体的な限定をしない。例えば、本開示の実施例の別の例示において、配線構造１０３は、例えばベース基板１０１から順に積層される第２配線層１０３２、第３配線層１０３３を含み、第１配線層１０３１を含まなくてもよい。
【００９３】
なお、本開示の実施例において、配線構造１０３と第１タッチ電極構造１０２の位置関係はこれを含むが、限定されるものではなく、例えば、本実施例の別の例示において、配線構造１０３は第１タッチ電極構造１０２の上に設けられ、例えば第１タッチ電極構造１０２の上を覆う絶縁層またはパッシベーション層（当該絶縁層またはパッシベーション層に第１タッチ電極構造１０２を曝すスルーホールが設けられる）の上に形成される。
【００９４】
図１Ａから図３Ｂに示すように、第１タッチ電極構造１０２を曝す複数のスルーホールを有する絶縁層１０４は、ベース基板１０１の上に設けられて配線構造１０３と第１タッチ電極構造１０２を覆う。当該絶縁層１０４の材料の例示は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘまたはその他のふさわしい材料を含み、本開示の実施例はこれに対して限定しない。
【００９５】
図１Ａから図３Ｂに示すように、第２タッチ電極構造１０５は、ベース基板１０１に設けられて第１タッチ電極構造１０２と異なる層に位置し、絶縁層１０４における複数のスルーホールによって第１タッチ電極構造１０２に電気的接続される。もちろん、第２タッチ電極構造１０５と第１タッチ電極構造１０２の位置関係は図１に示すことを含むが、限定されるものではなく、例えば、本開示の実施例の別の例示において、第２タッチ電極構造１０５はベース基板１０１と第１タッチ電極構造１０２との間に位置して第１タッチ電極構造１０２に電気的接続される。当該第２タッチ電極構造１０５の材料の例示は、導電性酸化物（例えば透明導電性酸化物）、例えば酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛あるいはその他のふさわしい材料を含み、本開示の実施例はこれに対して限定しない。
【００９６】
例えば、本開示の実施例に係るタッチ基板１００／２００／３００は、タッチ検出チップを含んでもよく、第１タッチ電極構造１０２と第２タッチ電極構造１０５は配線構造１０３によってタッチ検出チップに接続され、タッチ信号を受信または伝送してタッチ機能を実現する。
【００９７】
なお、はっきりさせるように、図には当該タッチ基板１００／２００／３００の全ての構造を示しているわけではない。タッチ基板の必要な機能を実現するために、当業者は具体的な適用シナリオに応じて他の未図示の構造を設けてもよく、本開示の実施例はそれに対して限定しない。
【００９８】
図１Ａと図１Ｂに示すように、本開示の少なくとも１つの実施例に係るタッチ基板１００において、第１タッチ電極構造１０２は、ベース基板１０１に設けられる第１導電層１０２１と、第１導電層１０２１のベース基板１０１に離れる側に設けられるバリア層１０２２とを含み、バリア層１０２２は、第１導電層１０２１と同じ材料をエッチングするためのエッチング液に対してバリア特性を有し、配線構造１０３を構成する第１配線層１０３１、第２配線層１０３２、第３配線層１０３３をエッチングする時に、使用するエッチング液が第１導電層１０２１に対してエッチング機能を果たしても、バリア層１０２２はエッチング液の不利な影響から第１の導電層１０２１を保護することができる。
【００９９】
また、少なくとも１つの実施例において、第１配線層１０３１、第２配線層１０３２、第３配線層１０３３によって順に積層して配線構造１０３が構成され、第１配線層１０３１は、その上に形成される第２配線層１０３２の緩衝層として用い、第２配線層１０３２の付着力の改善に用いることができ、第３配線層１０３３は、第２配線層１０３２の保護層として用いることができ、第２配線層１０３２が大気に曝されることを防ぎ、よって、第２配線層１０３２の酸化を回避することができる。また、当該積層構造の配線構造１０３は、一次フォトリソグラフィ工程（上記パターニング工程の一例）によって形成されてもよく、よって、プロセスコストとマスクコストを節約可能である一方、多層薄膜の複数回のエッチングによる異なる層の間の位置合わせを省き、よって、当該配線構造１０３の線幅はさらに細かくすることができ、例えば、当該配線構造１０３の線幅は約１０μｍ程度とすることができる。
【０１００】
図２Ａと図２Ｂに示すように、本例示に係るタッチ基板２００において、第１タッチ電極構造１０２はベース基板１０１に設けられて且つ単層構造であり、第１タッチ電極構造１０２の全体が結晶化された導電性酸化物であり、即ち、当該第１タッチ電極構造１０２を構成する材料は結晶化された導電性酸化物（例えば透明導電性酸化物）であり、例えば結晶化された酸化インジウムスズまたは結晶化された酸化インジウム亜鉛などである。例えば、第１タッチ電極構造１０２が結晶化された酸化インジウムスズによって構成される場合に、第１タッチ電極構造１０２の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は例えば９３：７より大きいか等しい。酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛が結晶化処理された後に、分子構造が変化され、フッ化水素酸などの弱酸特性のエッチング液は、結晶化された酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛に対する腐食効果が少ないため、結晶化された第１タッチ電極構造１０２は、弱酸特性を有するエッチング液に対してバリア特性を有することができる。例えばエッチング液、例えばフッ化水素酸などの弱酸を利用して配線構造１０３をエッチングする場合に、使用するエッチング液が第１タッチ電極構造１０２を形成するための材料に対して当該材料が結晶化される前にエッチングの機能を果たしても、結晶化された第１タッチ電極構造１０２が当該エッチング液のエッチング攻撃から回避できる。
【０１０１】
図３Ａと図３Ｂに示すように、本例示に係るタッチ基板３００において、第１タッチ電極構造１０２はベース基板１０１に設けられて且つ単層構造であり、第１タッチ電極構造１０２は導電性酸化物によって構成され、例えば透明導電酸化物例えば酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛などによって構成され、且つ第１タッチ電極構造１０２のベース基板１０１に離れる側の部分が結晶化される。図３における第１タッチ電極構造１０２のより色深い部分は結晶化されたものを示し、例えば結晶化度が図において上面から下へ徐々に低下される。
【０１０２】
例えば、当該第１タッチ電極構造１０２が酸化インジウムスズによって構成される場合に、当該第１タッチ電極構造１０２の結晶化された部分の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は当該第１タッチ電極構造１０２の結晶化されていない部分の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例より高い。例えば、当該第１タッチ電極構造１０２の結晶化された部分の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は例えば９３：７より大きいか等しく、当該第１タッチ電極構造１０２の結晶化されていない部分の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は例えばおおよそ８９：１１から９１：９の間にある。
【０１０３】
例えば、本開示の実施例の別の例示において、当該第１タッチ電極構造１０２が酸化インジウム亜鉛によって構成される場合に、当該第１タッチ電極構造１０２の結晶化された部分の酸化インジウム亜鉛におけるＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯの比例は当該第１タッチ電極構造１０２の結晶化されていない部分の酸化インジウム亜鉛におけるＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯの比例より高い。
【０１０４】
酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛が結晶化処理された後に、分子構造が変化され、フッ化水素酸などの弱酸特性のエッチング液は、結晶化された酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛に対する腐食効果が少ないため、当該第１タッチ電極構造１０２の結晶化された部分は、エッチング液に対してバリア特性を有する。例えばエッチング液、例えばフッ化水素酸などの弱酸を利用して配線構造１０３をエッチングする場合に、当該エッチング液が当該第１タッチ電極構造１０２の基板に近接する側の結晶化されていない部分に対してエッチングの機能を果たしても、当該第１タッチ電極構造１０２のベース基板１０１に離れる側の結晶化された部分もエッチング液の不利な影響から当該第１タッチ電極構造１０２を保護することができる。
【０１０５】
例えば、本開示の実施例は、上記実施例に記載のいずれかのタッチ基板を含む電子装置を提供する。当該電子装置は例えばタッチパネル、表示パネル、表示装置、テレビ、電子紙、携帯電話、タブレットコンピュータ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲータ等の任意のタッチ機能を有する製品又は部材であってもよい。本開示の実施例は電子装置が表示装置であることを例として説明するが、当該表示装置は表示パネルをさらに含み、タッチ基板は別体に形成して表示パネルに結合してもよく、または表示パネルと一部の部品を共用して一体に形成してもよい。なお、本開示の実施例はタッチ基板と表示パネルの結合方式を限定しない。
【０１０６】
例えば、タッチ基板のベース基板１０１は、表示パネルをカバーして保護するための保護カバーであってもよく、保護カバーの第１タッチ電極構造１０２の形成された側が表示パネルに臨む。即ち当該タッチ基板と表示パネルの結合方式はＯＧＳ（Ｏｎｅ  Ｇｌａｓｓ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）方式である。
【０１０７】
また例えば、タッチ基板のベース基板１０１は、表示パネルのカラーフィルタ基板であってもよく、カラーフィルタ基板はアレイ基板とマッチングするためのものであり、タッチ基板の第１タッチ電極構造１０２はカラーフィルタ基板のアレイ基板と反対側に設けられる。即ち当該タッチ基板と表示パネルの結合方式はＯｎ−Ｃｅｌｌ式（表面を覆う方式）である。
【０１０８】
さらに例えば、タッチ基板のベース基板１０１は、アレイ基板とマッチングするためのカラーフィルタ基板であってもよく、タッチ基板の第１タッチ電極構造１０２はカラーフィルタ基板のアレイ基板に臨む側に設けられる。即ち当該タッチ基板と表示パネルの結合方式はＩｎ−Ｃｅｌｌ式（埋め込み式）である。
【０１０９】
本開示の実施例に係る表示装置の技術効果は、上記実施例に記載のいずれかのタッチ基板の技術効果を参照してもよく、ここで説明はしない。
【０１１０】
本開示の実施例は、ベース基板１０１に第１タッチ電極構造１０２を形成するステップと、次にベース基板１０１に配線構造１０３を形成するステップと、を含むタッチ基板１００／２００／３００の製造方法をさらに提供する。当該製造方法において、第１タッチ電極構造１０２の上面２Ｂの位置する部分はエッチングバリア特性を有する。
【０１１１】
本開示の１つの実施例はタッチ基板１００における第１タッチ電極構造１０２の製造方法を提供し、図４Ａ〜図４Ｄは本開示の実施例に係るタッチ基板１００における第１タッチ電極構造１０２が製造過程における断面構造模式図である。
【０１１２】
図４Ａに示すように、まずベース基板１０１を提供し、当該ベース基板１０１は例えばガラス基板、石英基板、プラスチック基板またはその他のふさわしい材料の基板であってもよい。
【０１１３】
図４Ａに示すように、例えばベース基板１０１に電極層薄膜２１（第１導電層薄膜の一例）とバリア層薄膜２２を順に堆積してもよい。例えば、電極層薄膜２１は、化学気相成長法または物理気相成長法などの方法によりベース基板１０１に堆積されてもよい。電極層薄膜２１の材料の例示は、導電性酸化物（例えばアモルファス導電性酸化物）、例えば酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛などの透明導電性酸化物を含み、本開示の実施例はこれに対して限定しない。例えば電極層薄膜２１が酸化インジウムスズ（例えばアモルファス酸化インジウムスズ）によって構成される場合に、電極層薄膜２１の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は例えばおおよそ８９：１１から９１：９の間にあってもよい。
【０１１４】
電極層薄膜２１が形成された後に、バリア層薄膜２２が例えば化学気相成長法または物理気相成長法などの方法により電極層薄膜２１に堆積されてもよい。バリア層薄膜２２の材料は、例えば結晶化された酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛、または結晶化されたアルミニウムドープ酸化亜鉛またはフッ素ドープ酸化スズなどの任意のふさわしい結晶化された導電性材料（例えば、結晶化された透明導電材料）であってもよく、またはグラフェン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンなどの任意のふさわしい有機高分子導電材料（たとえば、有機高分子透明導電材料）であってもよく、本開示の実施例はバリア層薄膜２２の材料に対して具体的な限定はしない。例えば、当該バリア層薄膜２２が結晶化された酸化インジウムスズによって構成される場合に、バリア層薄膜２２の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は例えば９３：７より大きいか等しく、よって、バリア層薄膜２２の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は、電極層薄膜２１の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例より高い。例えば、本開示の実施例の別の例示において、電極層薄膜２１は例えば酸化インジウム亜鉛によって形成されてもよく、バリア層薄膜２２は結晶化された酸化インジウム亜鉛によって形成されてもよく、且つバリア層薄膜２２の酸化インジウム亜鉛におけるＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯの比例は、電極層薄膜２１の酸化インジウム亜鉛におけるＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯの比例より高い。
【０１１５】
図４Ｂに示すように、電極層薄膜２１にバリア層薄膜２２が堆積された後に、バリア層薄膜２２の表面の全体にフォトレジスト層が形成される。フォトレジスト層は、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィ処理によってパターニングされ、所望の形状を有するフォトレジストパターン１０６がバリア層薄膜２２に形成される。
【０１１６】
図４Ｃは形成された第１タッチ電極構造１０２の平面構造模式図であり、図４Ｄは図４ＣのＡ−Ａ’線に沿った断面構造模式図である。
【０１１７】
図４Ｃと図４Ｄを参照し、上記フォトレジストパターン１０６を利用してエッチングマスクとしてバリア層薄膜２２と電極層薄膜２１をパターニングして、ベース基板１０１に第１導電層１０２１とバリア層１０２２を形成し、第１導電層１０２１とバリア層１０２２は積層構造の第１タッチ電極構造１０２を構成し、第１タッチ電極構造１０２は交互にする複数の第１サブ電極パターン１０２Ａと複数の第２サブ電極パターン１０２Ｂを含む。バリア層薄膜２２は結晶化された金属、結晶化された金属酸化物、有効高分子導電薄膜のうちの少なくとも１つまたは複数の組み合わせであるため、例えばフッ化水素酸などの弱酸性質のエッチング液が当該バリア層薄膜２２をエッチングすることができず、またはそれに対するエッチング速度が小さいため、例えば王水などの強酸をエッチング液として選択し、バリア層薄膜２２と電極層薄膜２１をエッチングパターニングして積層構造である第１タッチ電極構造１０２を形成する必要がある。
【０１１８】
本開示の少なくとも１つの実施例で形成されたタッチ基板１００において、第１タッチ電極構造１０２は、ベース基板１０１に設けられる第１導電層１０２１と、第１導電層１０２１のベース基板１０１に離れる側に設けられるバリア層１０２２とを含み、バリア層１０２２はエッチング液に対してバリア特性を有し、例えば後続に形成される金属酸化層に対してエッチングする時に、当該エッチング液が当該第１導電層１０２１に対してエッチング機能を果たしても、バリア層１０２２もエッチング液の不利な影響から第１の導電層１０２１を保護することができる。
【０１１９】
図５Ａ〜図５Ｅは本開示の実施例の別の例示に係るタッチ基板２００の第１タッチ電極構造１０２が製造過程における断面構造模式図である。
【０１２０】
図５Ａに示すように、まずベース基板１０１を提供し、当該ベース基板１０１は例えばガラス基板、石英基板、プラスチック基板またはその他のふさわしい材料の基板であってもよい。
【０１２１】
図５Ａに示すように、電極層薄膜２１（第１導電層薄膜の一例）は、化学気相成長法または物理気相成長法などの方法によりベース基板１０１に堆積されてもよい。電極層薄膜２１の材料の例示は、導電性酸化物（例えばアモルファス導電性酸化物）、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などのアモルファス透明導電性酸化物を含み、本開示の実施例はこれに対して限定しない。例えば電極層薄膜２１が酸化インジウムスズによって構成される場合に、電極層薄膜２１の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は例えばおおよそ８９：１１から９１：９の間にあってもよい。
【０１２２】
図５Ｂに示すように、ベース基板１０１に電極層薄膜２１が形成された後に、電極層薄膜２１の表面の全体にフォトレジスト層が形成される。フォトレジスト層は、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィ処理によってパターニングされ、所望の形状を有するフォトレジストパターン１０６が電極層薄膜２１に形成される。
【０１２３】
図５Ｃに示すように、上記フォトレジストパターン１０６を利用してエッチングマスクとして電極層薄膜２１をパターニングして、ベース基板１０１にアモルファスされた第１タッチ電極構造パターン１０２０を形成する。電極層薄膜２１はアモルファス導電金属酸化物（例えばアモルファス透明導電金属酸化物）によって構成されるため、フッ化水素酸などの弱酸特性のエッチング液を選択して当該電極層薄膜２１をエッチングして、アモルファスされた第１タッチ電極構造パターン１０２０を形成してもよい。
【０１２４】
図５Ｄは形成された第１タッチ電極構造１０２の平面構造模式図であり、図５Ｅは図５ＤのＢ−Ｂ’線に沿った断面構造模式図である。’図５Ｄと図５Ｅを参照し、アモルファス化された第１タッチ電極構造パターン１０２０を形成した後に、アモルファス化された第１タッチ電極構造パターン１０２０をアニーリング処理し、アニーリング方法は、例えば、ＲＴＡ（急速熱アニーリング）、ＥＬＡ（エキシマ）またはファーネスアニーリングなどのアニーリング方法であってもよい。アニーリング過程において、第１タッチ電極構造パターン１０２０を構成する材料の分子構造が変化し、アモルファス化された第１タッチ電極構造パターン１０２０を結晶化された第１タッチ電極構造１０２に変化させる。例えば、アモルファス化された第１タッチ電極構造１０２が酸化インジウムスズによって構成される場合に、結晶化された後の第１タッチ電極構造１０２の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は、アモルファス化された第１タッチ電極構造パターン１０２０の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例より高い。例えば、本開示の実施例の１つの例示において、アモルファス化された第１タッチ電極構造パターン１０２の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は例えば８９：１１から９１：９の間にあり、結晶された第１タッチ電極構造１０２の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は例えば９３：７より大きいか等しい。例えば、本開示の実施例の別の例示において、アモルファス化された第１タッチ電極構造パターン１０２０が酸化インジウム亜鉛によって構成される場合に、結晶化された後の第１タッチ電極構造１０２の酸化インジウム亜鉛におけるＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯの比例は、アモルファス化された第１タッチ電極構造１０２の酸化インジウム亜鉛におけるＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯの比例より高い。図５Ｄに示すように、形成された結晶化の第１タッチ電極構造１０２は交互にする複数の第１サブ電極パターン１０２Ａと複数の第２サブ電極パターン１０２Ｂとを含む。
【０１２５】
なお、製品設計要件に従って、第１タッチ電極構造１０２は、上記の例示で説明したように完全に結晶化してもよく、もちろん、第１タッチ電極構造１０２は部分的に結晶化してもよい。
【０１２６】
例えば、本開示の実施例の別の例示において、図５Ａ−５Ｃで説明した方法でベース基板１０１を提供してベース基板１０１にアモルファス化された第１タッチ電極構造パターン１０２０を形成した後に、アモルファス化された第１タッチ電極構造パターン１０２０に対して一部アニーリング処理し、アニーリング時間とアニーリング速度などの要因を制御することによって、アニーリングされた第１タッチ電極構造パターン１０２０のベース基板１０１に離れる側を結晶化させる。例えば、アモルファス化された第１タッチ電極構造パターン１０２０が酸化インジウムスズによって構成される場合に、結晶化された後の対応する部分の第１タッチ電極構造１０２の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は、アモルファス化された第１タッチ電極構造パターン１０２０の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例より高く、または、アモルファス化された第１タッチ電極構造パターン１０２０が酸化インジウム亜鉛によって構成される場合に、結晶化された後の対応する部分の第１タッチ電極構造１０２の酸化インジウム亜鉛におけるＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯの比例は、アモルファス化された第１タッチ電極構造パターン１０２０の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯの比例より高い。
【０１２７】
例えば、本開示の実施例の別の例示において、例えば電極層薄膜２１の堆積条件を制御することによって第１タッチ電極構造１０２を形成してもよい。電極層薄膜２１の材料の例示は透明導電酸化物、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などを含み、本開示の実施例はこれに対して限定しない。異なる材料タイプの電極層薄膜の堆積条件が異なり、本例示は電極層薄膜２１の材料が酸化インジウムスズであることを例として紹介する。
【０１２８】
例えば、まずベース基板１０１を提供し、当該ベース基板１０１は例えばガラス基板、石英基板、プラスチック基板またはその他のふさわしい材料の基板であってもよい。
【０１２９】
次に、例えば化学気相成長法または物理気相成長法などの方法により酸化インジウムスズ電極層薄膜２１をベース基板１０１に堆積してもよい。堆積条件（例えば堆積速度、堆積時間、目標衝撃速度など）を制御することにより、形成される電極層薄膜２１におけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例を、ベース基板１０１の近傍からベース基板１０１に離れる方向において徐々に増加させる。例えば、ベース基板１０１に近接する側に位置する形成された電極層薄膜２１について、電極層薄膜２１の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例はおおよそ８９：１１から９１：９の間にあってもよく、ベース基板１０１に離れる側に位置する形成された電極層薄膜２１について、電極層薄膜２１の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例は例えば９３：７より大きいか等しいであってもよい。堆積条件を制御することによって、ベース基板１０１に離れる側に形成された電極層薄膜２１の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例を、ベース基板１０１に近接する側に位置する形成された電極層薄膜２１の酸化インジウムスズにおけるＩｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２の比例より高くさせ、よって、後続の配線構造を製造するフォトリソグラフィ工程においてエッチング液の不利な影響から電極層薄膜２１を回避させる。
【０１３０】
ベース基板１０１に電極層薄膜２１が形成された後に、次に電極層薄膜２１の表面の全体にフォトレジスト層が堆積される。フォトレジスト層は、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィ処理によってパターニングされ、所望の形状を有するフォトレジストパターン１０６が電極層薄膜２１に形成される。上記フォトレジストパターン１０６を利用してエッチングマスクとして電極層薄膜２１をパターニングして、ベース基板１０１に第１タッチ電極構造パターン１０２を形成する。
【０１３１】
上記少なくとも１つの例示に係るタッチ基板２００の第１タッチ電極構造１０２の製造方法において、第１タッチ電極構造１０２を全部結晶化または一部結晶化処理することによって、または堆積条件を制御して形成された電極層薄膜２１における分子の濃度を勾配変化を示させ、第１タッチ電極構造１０２の分子構造を変化させ、当該第１タッチ電極構造１０２をエッチング液に対してバリア特性を有させる。例えばフッ化水素酸などの弱酸特性のエッチング液を利用して後続で形成される金属層／金属酸化層をエッチングする場合に、当該エッチング液が結晶化されていない第１タッチ電極構造パターン１０２０に対してエッチングの機能を果たしても、当該第１タッチ電極構造１０２もエッチング液の再度のエッチング攻撃から回避できる。
【０１３２】
本開示の実施例は、上記いずれかの実施例に記載のタッチ基板を含むタッチ基板の製造方法を提供する。本開示の実施例はタッチ基板２００の製造方法を例として説明し、図６Ａ−図６Ｊは本開示の実施例に係るタッチ基板２００の製造過程における断面構造模式図である。
【０１３３】
図６Ａに示すように、図５Ａ−図５Ｅの製造方法を例として参照し、ベース基板１０１に結晶化された第１タッチ電極構造１０２を形成した後に、結晶化された第１タッチ電極構造１０２が形成されたベース基板１０１に、化学気相成長法または物理気相成長法などの方法によって第１配線層薄膜３１、第２配線層薄膜３２、第３配線層薄膜３３（当該三層の配線層薄膜の積層は上記第２導電構造を形成するための導電薄膜の一例である）を順に堆積する。本開示の実施例において、第１配線層薄膜３１と第３配線層薄膜３３の材料の例示は導電性酸化物（例えばアモルファス導電性酸化物）を含み、例えば当該導電性酸化物は透明導電酸化物、例えば延性のよい酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛であり、例えばその厚さは５０−２００オングストローム（Å）であり、第２配線層薄膜３２の材料の例示は金属、例えば銀、銅、アルミニウム、クロム、モリブデン、チタン、銀合金、銅合金、アルミニウム-ビスマス合金、銅-モリブデン合金、モリブデン-ニオブ合金、モリブデン-ニオブ合金、またはそれらの任意の組み合わせを含み、本例示はこれに対して具体的な限定をしない。
【０１３４】
図６Ｂに示すように、第３配線層薄膜３３の表面の全体にフォトレジスト層を形成し、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィ処理によってフォトレジスト層をパターニングし、所望の形状を有するフォトレジストパターン１０６を第３電極層薄膜３３に形成する。
【０１３５】
図６Ｃは形成された電子基板２００の平面構造模式図であり、図６Ｄは図６ＣのＣ−Ｃ’線に沿った断面構造模式図である。図６Ｃと図６Ｄを参照し、上記フォトレジストパターン１０６を利用してエッチングマスクとして第１配線層薄膜３１、第２配線層薄膜３２、第３配線層薄膜３３を同時にパターニングして、ベース基板１０１に積層構造である配線構造１０３を形成し、当該配線構造１０３は第１タッチ電極構造１０２に電気的接続される。第１配線層薄膜３１、第２配線層薄膜３２、第３配線層薄膜３３は金属または金属酸化物によって構成され、第１配線層薄膜３１、第２配線層薄膜３２、第３配線層薄膜３３のうちの少なくとも１つに対してエッチングする時に、例えばフッ化水素酸などの弱酸特性のエッチング液でエッチングして配線構造１０３を形成する。第１タッチ電極構造１０２が結晶化処理され、結晶化された後の第１タッチ電極構造１０２はエッチング液に対してよりよいバリア特性を有するため、当該弱酸特性のエッチング液のエッチング攻撃から当該第１タッチ電極構造１０２を回避できる。
【０１３６】
タッチ基板２００はタッチエリアＤ１と非タッチエリアＤ２を含み、図６Ｃと６Ｄに示すように、本開示の実施例において、第１タッチ電極構造１０２はタッチ基板２００のタッチエリアＤ１内に形成され、配線構造１０３はタッチ基板２００の非タッチエリアＤ２内に形成される。
【０１３７】
なお、配線構造１０３と第１タッチ電極構造１０２の位置関係はこれを含むが、限定されるものではなく、例えば、本実施例の別の例示において、配線構造１０３は例えば第１タッチ電極構造１０の上に形成され、例えば第１タッチ電極構造１０２の上を覆う絶縁層またはパッシベーション層（例えば当該絶縁層またはパッシベーション層に第１タッチ電極構造１０２を曝すスルーホールが設けられる）の上に形成される。
【０１３８】
図６Ｅは形成されたタッチ基板２００の平面構造模式図であり、図６Ｆは図６ＥのＤ−Ｄ’線に沿った断面構造模式図である。’図６Ｅと図６Ｆを参照し、ベース基板１０１に第１タッチ電極構造１０２と配線構造１０３を順に形成した後に、次にベース基板１０１に絶縁層薄膜を堆積し、フォトリソグラフィ工程によって当該絶縁層薄膜をパターニングして絶縁層１０４を形成する。当該絶縁層１０４は、配線構造１０３と第１タッチ電極構造１０２覆って、第１タッチ電極構造１０２を曝す複数のスルーホールを有する。当該絶縁層１０４の材料の例示は、例えばＳｉＮｘ、ＳｉＯｘのような無機絶縁材料、樹脂材料のような有機絶縁材料、またはその他のふさわしい材料を含み、本開示の実施例はこれに対して限定しない。
【０１３９】
図６Ｇに示すように、ベース基板１０１に電極層薄膜１０５０を堆積し、当該電極層薄膜１０５０の材料の例示は金属または透明導電酸化物、例えば酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛などを含み、本開示の実施例はこれに対して限定しない。
【０１４０】
図６Ｈに示すように、電極層薄膜１０５０の表面の全体にフォトレジスト層を形成し、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィ処理によってフォトレジスト層をパターニングし、所望の形状を有するフォトレジストパターン１０６を電極層薄膜１０５０に形成する。
【０１４１】
図６Ｉは形成されたタッチ基板２００の平面構造模式図であり、図６Ｊは図６ＩのＥ−Ｅ’線に沿った断面構造模式図である。図６Ｉと図６Ｊを参照し、上記フォトレジストパターン１０６を利用してエッチングマスクとして電極層薄膜１０５０をパターニングして、ベース基板１０１に第２タッチ電極構造１０５を形成する。図６Ｉと図６Ｊに示すように、第１タッチ電極構造１０２は交互にする複数の第１サブ電極パターン１０２Ａと複数の第２サブ電極パターン１０２Ｂとを含み、第２タッチ電極構造１０５は第２サブ電極パターン１０２Ｂによって離間される隣接の第１サブ電極パターン１０２Ａを電気的接続する。
【０１４２】
なお、第２タッチ電極構造１０５と第１タッチ電極構造１０２の位置関係はこれを含むが、限定されるものではなく、例えば、本開示の実施例の別の例示において、第２タッチ電極構造１０５はベース基板１０１と第１タッチ電極構造１０２との間に位置して第１タッチ電極構造１０２に電気的接続される。
【０１４３】
例えば、本開示の実施例に係るタッチ基板２００は、タッチ検出チップの形成を含んでもよく、第１タッチ電極構造１０２と第２タッチ電極構造１０５は配線構造１０３によってタッチ検出チップに接続され、タッチ信号を受信または伝送してタッチ機能を実現する。
【０１４４】
本開示の少なくとも１つの実施例に係るタッチ基板２００の製造方法において、第１タッチ電極構造１０２を結晶化処理することによって、第１タッチ電極構造１０２の分子構造を変化させ、結晶化された第１タッチ電極構造１０２がエッチング液に対してバリア特性を有する。例えば、フッ化水素酸などの弱酸特性のエッチング液を利用して後続で形成される第１配線層薄膜３１、第２配線層薄膜３２、第３配線層薄膜３３をエッチングして配線構造１０３を形成する場合に、当該エッチング液のエッチング攻撃から当該結晶化された第１タッチ電極構造１０２が回避できる。
【０１４５】
また、少なくとも１つの実施例において、第１配線層１０３１、第２配線層１０３２、第３配線層１０３３が順に積層して配線構造１０３を構成し、第１配線層１０３１は、その上に形成される第２配線層１０３２の緩衝層として用い、第２配線層１０３２のベース基板１０１における付着力不足の課題の改善に用いることができ、第３配線層１０３３は、第２配線層１０３２の保護層として用いることができ、第２配線層１０３２が大気に曝されることを防ぎ、よって、第２配線層１０３２の酸化を回避することができる。また、当該積層構造の配線構造１０３は、一次フォトリソグラフィ工程によって形成されてもよく、よって、プロセスコストとマスクコストを節約可能である一方、多層薄膜の複数回のエッチングによる異なる層の間の位置合わせを省き、よって、当該配線構造１０３の線幅はさらに細かくすることができ、例えば、当該配線構造１０３の線幅は約１０μｍ程度とすることができる。
【０１４６】
矛盾がない限り、本開示の各実施例及び実施例における特徴を互いに組み合わせて新たな実施例を得ることができる。
【０１４７】
以上の説明は、本開示の例示的な実施形態に過ぎず、本開示の範囲を限定するものではなく、本開示の保護範囲は、添付の特許請求の範囲によって規定される。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
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【図６Ｉ】
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【図６Ｊ】
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【国際調査報告】
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