(57)【要約】  本明細書は、第１電極；前記第１電極に対向して備えられた第２電極；及び上記第１電極と第２電極との間に備えられた有機物層を含む有機発光素子であって、上記有機物層は、化学式１の化合物を含む層と、化学式２の化合物を含む層とを含むものである、有機発光素子に関する。
2021536125.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極；前記第１電極に対向して備えられた第２電極；及び前記第１電極と第２電極との間に備えられた有機物層を含む有機発光素子であって、
前記有機物層は、下記化学式１の化合物を含む層と、下記化学式２の化合物を含む層とを含むものである、有機発光素子：
［化１］
【化１】
2021536125.tif 000106
前記化学式１において、
Ｌ１は、直接結合；置換もしくは非置換のアリーレン基；又は置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基であり、
Ａｒ１は、置換もしくは非置換のアリール基；又は置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Ｒ１〜Ｒ１２は、互いに同一であるか異なっており、それぞれ独立して、水素；ニトリル基；ハロゲン基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のシリル基；置換もしくは非置換のアリール基；又は置換もしくは非置換のヘテロアリール基であるか、隣接する基同士で結合して環を形成し、
Ｒ１〜Ｒ４のうち隣接するいずれか２個の置換基は、必ず互いに結合して、置換もしくは非置換の芳香族環を形成し、
［化２］
【化２】
2021536125.tif 000107
化学式２において、
Ａｒ２〜Ａｒ４は、互いに同一であるか異なっており、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数６〜２０のアリール基；又は−Ｌ２−Ｚであり、
Ｌ２は、直接結合；重水素で置換もしくは非置換のフェニレン基；又は重水素で置換もしくは非置換のビフェニリレン基であり,
Ｚは、置換もしくは非置換の炭素数６〜２０のアリール基；又は置換もしくは非置換のヘテロアリール基である。
【請求項２】
前記化学式１は、下記化学式１−１又は化学式１−２で表されるものである、請求項１に記載の有機発光素子：
［化１−１］
【化３】
2021536125.tif 000108
［化１−２］
【化４】
2021536125.tif 000109
前記化学式１−１及び化学式１−２において、
Ｌ１、Ａｒ１、及びＲ５〜Ｒ１２は、化学式１で定義した通りである。
【請求項３】
前記化学式１は、下記化学式１−３〜化学式１−６のうちいずれか一つで表されるものである、請求項１に記載の有機発光素子：
［化１−３］
【化５】
2021536125.tif 000110
［化１−４］
【化６】
2021536125.tif 000111
［化１−５］
【化７】
2021536125.tif 000112
［化１−６］
【化８】
2021536125.tif 000113
前記化学式１−３〜化学式１−６において、
Ａｒ１、及びＲ５〜Ｒ１２は、化学式１で定義した通りである。
【請求項４】
前記化学式１の化合物は、下記化合物のうちいずれか一つのものである、請求項１に記載の有機発光素子：
【化９】
2021536125.tif 000114
【化１０】
2021536125.tif 000115
【化１１】
2021536125.tif 000116
【化１２】
2021536125.tif 000117
【化１３】
2021536125.tif 000118
【化１４】
2021536125.tif 000119
【化１５】
2021536125.tif 000120
【化１６】
2021536125.tif 000121
【化１７】
2021536125.tif 000122
【化１８】
2021536125.tif 000123
【化１９】
2021536125.tif 000124
【化２０】
2021536125.tif 000125
【化２１】
2021536125.tif 000126
【化２２】
2021536125.tif 000127
【化２３】
2021536125.tif 000128
【化２４】
2021536125.tif 000129
。
【請求項５】
前記化学式２の化合物は、下記化合物のうちいずれか一つのものである、請求項１から４のいずれか一項に記載の有機発光素子：
【化２５】
2021536125.tif 000130
【化２６】
2021536125.tif 000131
【化２７】
2021536125.tif 000132
【化２８】
2021536125.tif 000133
【化２９】
2021536125.tif 000134
【化３０】
2021536125.tif 000135
【化３１】
2021536125.tif 000136
【化３２】
2021536125.tif 000137
【化３３】
2021536125.tif 000138
【化３４】
2021536125.tif 000139
【化３５】
2021536125.tif 000140
【化３６】
2021536125.tif 000141
【化３７】
2021536125.tif 000142
【化３８】
2021536125.tif 000143
【化３９】
2021536125.tif 000144
【化４０】
2021536125.tif 000145
【化４１】
2021536125.tif 000146
【化４２】
2021536125.tif 000147
【化４３】
2021536125.tif 000148
【化４４】
2021536125.tif 000149
【化４５】
2021536125.tif 000150
【化４６】
2021536125.tif 000151
【化４７】
2021536125.tif 000152
【化４８】
2021536125.tif 000153
【化４９】
2021536125.tif 000154
【化５０】
2021536125.tif 000155
【化５１】
2021536125.tif 000156
【化５２】
2021536125.tif 000157
。
【請求項６】
前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、前記化学式１の化合物を含むものである、請求項１から５のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項７】
前記有機物層は、電子阻止層を含み、前記電子阻止層は、前記化学式２の化合物を含むものである、請求項１から６のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、２０１９年２月２８日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１９−００２４１３０号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本明細書は、有機発光素子に関する。
【背景技術】
【０００３】
一般に、有機発光現象とは、有機物質を用いて電気エネルギーを光エネルギーに転換させる現象を言う。有機発光現象を用いる有機発光素子は、通常、陽極と陰極及びこれらの間に有機物層を含む構造を有する。ここで、有機物層は、有機発光素子の効率と安定性を高めるために、それぞれ異なる物質から構成された多層の構造からなる場合が多く、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などからなることができる。このような有機発光素子の構造において、二つの電極の間に電圧をかけると、陽極からは正孔が、陰極からは電子が有機物層に注入されるようになり、注入された正孔と電子とが結合したとき、エキシトン（exciton）が形成され、このエキシトンが再び基底状態に戻る際に光を発生する。
【０００４】
上記のような有機発光素子のための新しい材料の開発が引き続き要求されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本明細書は、有機発光素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第１電極；上記第１電極に対向して備えられた第２電極；及び上記第１電極と第２電極との間に備えられた有機物層を含む有機発光素子であって、
上記有機物層は、下記化学式１の化合物を含む層と、下記化学式２の化合物を含む層とを含むものである、有機発光素子を提供する。
【０００７】
［化１］
【化１】
2021536125.tif 000003
上記化学式１において、
Ｌ１は、直接結合；置換もしくは非置換のアリーレン基；又は置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基であり、
Ａｒ１は、置換もしくは非置換のアリール基；又は置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Ｒ１〜Ｒ１２は、互いに同一であるか異なっており、それぞれ独立して、水素；ニトリル基；ハロゲン基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のシリル基；置換もしくは非置換のアリール基；又は置換もしくは非置換のヘテロアリール基であるか、隣接する基同士で結合して環を形成し、
Ｒ１〜Ｒ４のうち隣接するいずれか２個の置換基は、必ず互いに結合して、置換もしくは非置換の芳香族環を形成し、
［化２］
【化２】
2021536125.tif 000004
化学式２において、
Ａｒ２〜Ａｒ４は、互いに同一であるか異なっており、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数６〜２０のアリール基；又は−Ｌ２−Ｚであり、
Ｌ２は、直接結合；重水素で置換もしくは非置換のフェニレン基；又は重水素で置換もしくは非置換のビフェニリレン基であり、
Ｚは、置換もしくは非置換の炭素数６〜２０のアリール基；又は置換もしくは非置換のヘテロアリール基である。
【発明の効果】
【０００８】
本明細書の一実施態様に係る有機発光素子は、低い駆動電圧、高い効率及び寿命が改善されることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本明細書の一実施態様に係る有機発光素子を示すものである。
【図２】本明細書の一実施態様に係る有機発光素子を示すものである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本明細書について、より詳細に説明する。
【００１１】
本明細書は、第１電極；上記第１電極に対向して備えられた第２電極；及び上記第１電極と第２電極との間に備えられた有機物層を含む有機発光素子であって、上記有機物層は、上記化学式１の化合物を含む層と、上記化学式２の化合物を含む層とを含むものである、有機発光素子を提供する。
【００１２】
本明細書において、置換基の例示は、以下に説明するが、これに限定されるものではない。
【００１３】
上記「置換」という用語は、化合物の炭素原子に結合された水素原子が他の置換基に換えられることを意味し、置換される位置は、水素原子が置換される位置、すなわち、置換基が置換可能な位置であれば限定されず、２以上置換される場合、２以上の置換基は、互いに同一であるか異なっていてもよい。
【００１４】
本明細書において、「置換もしくは非置換の」という用語は、重水素；ニトリル基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のシクロアルキル基；置換もしくは非置換のシリル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリールアミン基；置換もしくは非置換のアリール基；及び置換もしくは非置換のヘテロ環基からなる群より選択された１又は２以上の置換基で置換されたか、上記例示された置換基のうち２以上の置換基が連結された置換基で置換されるか、又はいずれの置換基も持たないことを意味する。例えば、「２以上の置換基が連結された置換基」は、アリール基で置換されたアリール基、ヘテロアリール基で置換されたアリール基、アリール基で置換されたヘテロ環基、アルキル基で置換されたアリール基などであってもよい。
【００１５】
本明細書において、アルキル基は、直鎖又は分枝鎖であってもよく、炭素数は、特に限定されないが、１〜３０であることが好ましい。具体的に、炭素数１〜２０であることが好ましい。より具体的には、炭素数１〜１０であることが好ましい。具体的な例としては、メチル基；エチル基；プロピル基；ｎ−プロピル基；イソプロピル基；ブチル基；ｎ−ブチル基；イソブチル基；ｔｅｒｔ−ブチル基；ｓｅｃ−ブチル基；１−メチルブチル基；１−エチルブチル基；ペンチル基；ｎ−ペンチル基；イソペンチル基；ネオペンチル基；ｔｅｒｔ−ペンチル基；ヘキシル基；ｎ−ヘキシル基；１−メチルペンチル基；２−メチルペンチル基；４−メチル−２−ペンチル基；３，３−ジメチルブチル基；２−エチルブチル基；ヘプチル基；ｎ−ヘプチル基；１−メチルヘキシル基；シクロペンチルメチル基；シクロヘキシルメチル基；オクチル基；ｎ−オクチル基；ｔｅｒｔ−オクチル基；１−メチルヘプチル基；２−エチルヘキシル基；２−プロピルペンチル基；ｎ−ノニル基；２，２−ジメチルヘプチル基；１−エチルプロピル基；１，１−ジメチルプロピル基；イソヘキシル基；２−メチルペンチル基；４−メチルヘキシル基；５−メチルヘキシル基などがあるが、これに限定されるものではない。
【００１６】
本明細書において、シクロアルキル基は、特に限定されないが、炭素数３〜３０であることが好ましく、炭素数３〜２０であることがより好ましい。具体的に、シクロプロピル基；シクロブチル基；シクロペンチル基；３−メチルシクロペンチル基；２，３−ジメチルシクロペンチル基；シクロヘキシル基；３−メチルシクロヘキシル基；４−メチルシクロヘキシル基；２，３−ジメチルシクロヘキシル基；３，４，５−トリメチルシクロヘキシル基；４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基；シクロヘプチル基；シクロオクチル基などがあるが、これに限定されるものではない。
【００１７】
本明細書において、アルコキシ基は、直鎖、分枝鎖又は環鎖であってもよい。アルコキシ基の炭素数は、特に限定されないが、炭素数１〜３０であることが好ましい。具体的に、炭素数１〜２０であることが好ましい。より具体的に、炭素数１〜１０であることが好ましい。具体的に、メトキシ基；エトキシ基；ｎ−プロポキシ基；イソプロポキシ基；ｉ−プロピルオキシ基；ｎ−ブトキシ基；イソブトキシ基；ｔｅｒｔ−ブトキシ基；ｓｅｃ−ブトキシ基；ｎ−ペンチルオキシ基；ネオペンチルオキシ基；イソペンチルオキシ基；ｎ−ヘキシルオキシ基；３，３−ジメチルブチルオキシ基；２−エチルブチルオキシ基；ｎ−オクチルオキシ基；ｎ−ノニルオキシ基；ｎ−デシルオキシ基；ベンジルオキシ基；p−メチルベンジルオキシ基などであってもよいが、これに限定されるものではない。
【００１８】
本明細書において、アミン基は、−ＮＨ２；アルキルアミン基；Ｎ−アルキルアリールアミン基；アリールアミン基；Ｎ−アリールヘテロアリールアミン基；Ｎ−アルキルヘテロアリールアミン基及びヘテロアリールアミン基からなる群より選択されることができ、炭素数は、特に限定されないが、１〜３０であることが好ましい。アミン基の具体的な例としては、メチルアミン基；ジメチルアミン基；エチルアミン基；ジエチルアミン基；フェニルアミン基；ナフチルアミン基；ビフェニルアミン基；アントラセニルアミン基；９−メチルアントラセニルアミン基；ジフェニルアミン基；Ｎ−フェニルナフチルアミン基；ジトリルアミン基；Ｎ−フェニルトリルアミン基；トリフェニルアミン基；Ｎ−フェニルビフェニルアミン基；Ｎ−フェニルナフチルアミン基；Ｎ−ビフェニルナフチルアミン基；Ｎ−ナフチルフルオレニルアミン基；Ｎ−フェニルフェナントレニルアミン基；Ｎ−ビフェニルフェナントレニルアミン基；Ｎ−フェニルフルオレニルアミン基；Ｎ−フェニルターフェニルアミン基；Ｎ−フェナントレニルフルオレニルアミン基；Ｎ−ビフェニルフルオレニルアミン基などがあるが、これに限定されるものではない。
【００１９】
本明細書において、シリル基は、−ＳｉＲａＲｂＲｃの化学式で表されることができ、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、互いに同一であるか異なっており、それぞれ独立して、水素；置換もしくは非置換のアルキル基；又は置換もしくは非置換のアリール基であってもよい。 上記シリル基は、具体的に、トリメチルシリル基；トリエチルシリル基；ｔ−ブチルジメチルシリル基；ビニルジメチルシリル基；プロピルジメチルシリル基；トリフェニルシリル基；ジフェニルシリル基；フェニルシリル基などがあるが、これに限定されるものではない。
【００２０】
本明細書において、アリール基は、特に限定されないが、炭素数６〜２０であることが好ましい。上記アリール基は、単環式又は多環式であってもよい。上記単環式アリール基としては、フェニル基；ビフェニル基；ターフェニル基などが挙げられるが、これに限定されるものではない。上記多環式アリール基としては、ナフチル基；アントラセニル基；フェナントリル基；トリフェニル基；ピレニル基；フルオレニル基などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００２１】
本明細書において、「隣接する」基は、該当置換基が置換された原子と直接連結された原子に置換された置換基、該当置換基と立体構造的に最も近く位置した置換基、又は該当置換基が置換された原子に置換された他の置換基を意味することができる。例えば、ベンゼン環でオルト（ortho）位に置換された２個の置換基及び脂肪族環で同一の炭素に置換された２個の置換基は、互いに「隣接する」基と解釈されることができる。
【００２２】
本明細書において、アリールアミン基の例としては、置換もしくは非置換のモノアリールアミン基、置換もしくは非置換のジアリールアミン基、又は置換もしくは非置換のトリアリールアミン基がある。上記アリールアミン基中のアリール基は、単環式アリール基であってもよく、多環式アリール基であってもよい。上記アリール基を２以上含むアリールアミン基は、単環式アリール基、多環式アリール基、又は単環式アリール基と多環式アリールと基を同時に含むことができる。例えば、上記アリールアミン基中のアリール基は、上述したアリール基の例示の中から選択されることができる。
【００２３】
本明細書において、ヘテロアリール基は、炭素ではない原子、すなわち異種原子を１以上含むものであって、具体的に、上記異種原子は、Ｏ、Ｎ、Ｓｅ及びＳなどからなる群より選択される原子を１以上含むことができる。炭素数は、特に限定されないが、炭素数２〜３０であることが好ましく、炭素数２〜２０であることがより好ましく、上記ヘテロアリール基は、単環式又は多環式であってもよい。ヘテロアリール基の例としては、チオフェン基；フラニル基；ピロール基；イミダゾリル基；チアゾリル基；オキサゾリル基；オキサジアゾリル基；ピリジル基；ビピリジル基；ピリミジル基；トリアジニル基；トリアゾリル基；アクリジル基；ピリダジニル基；ピラジニル基；キノリニル基；キナゾリニル基；キノキサリニル基；フタラジニル基；ピリドピリミジル基；ピリドピラジニル基；ピラジノピラジニル基；イソキノリニル基；インドリル基；カルバゾリル基；ベンズオキサゾリル基；ベンズイミダゾリル基；ベンゾチアゾリル基；ベンゾカルバゾリル基；ベンゾチオフェン基；ジベンゾチオフェン基；ベンゾフラニル基；フェナントロリン基（phenanthroline）；イソオキサゾリル基；チアジアゾリル基；フェノチアジニル基及びジベンゾフラニル基などがあるが、これに限定されるものではない。
【００２４】
本明細書において、アリーレン基は、２価基であることを除き、上述したアリール基に関する説明が適用されることができる。
【００２５】
本明細書において、ヘテロアリーレン基は、２価基であることを除き、上述したヘテロアリール基に関する説明が適用されることができる。
【００２６】
本明細書の一実施態様において、上記化学式１は、下記化学式１−１又は化学式１−２で表されることができる。
【００２７】
［化１−１］
【化３】
2021536125.tif 000005
［化１−２］
【化４】
2021536125.tif 000006
上記化学式１−１及び１−２において、
Ｌ１、Ａｒ１、及びＲ５〜Ｒ１２は、化学式１で定義した通りである。
【００２８】
本明細書の一実施態様において、上記化学式１は、下記化学式１−３〜化学式１−６のうちいずれか一つで表されることができる。
【００２９】
［化１−３］
【化５】
2021536125.tif 000007
［化１−４］
【化６】
2021536125.tif 000008
［化１−５］
【化７】
2021536125.tif 000009
［化１−６］
【化８】
2021536125.tif 000010
上記化学式１−３〜化学式１−６において、
Ａｒ１、及びＲ５〜Ｒ１２は、化学式１で定義した通りである。
【００３０】
本発明の一実施態様において、上記Ｌ１は、直接結合、置換もしくは非置換の炭素数６〜２０のアリーレン基、又は置換もしくは非置換の炭素数３〜３０のヘテロアリーレン基である。
【００３１】
本発明の一実施態様において、上記Ｌ１は、直接結合である。
【００３２】
本発明の一実施態様において、上記Ｌ１は、アリーレン基である。
【００３３】
本発明の一実施態様において、上記Ｌ１は、ヘテロアリーレン基である。
【００３４】
本発明の一実施態様において、上記Ｌ１は、Ｎ、Ｏ又はＳのうちいずれか一つ以上を含む炭素数３〜３０のヘテロアリーレン基である。
【００３５】
本発明の一実施態様において、上記Ａｒ１は、置換もしくは非置換の炭素数６〜２０のアリール基、又は置換もしくは非置換の炭素数３〜３０のヘテロアリール基である。
【００３６】
本発明の一実施態様において、上記Ａｒ１は、炭素数６〜２０のアリール基である。
【００３７】
本発明の一実施態様において、上記Ａｒ１は、炭素数６〜３０のヘテロアリール基である。
【００３８】
本発明の一実施態様において、上記Ａｒ１は、フェニル基；ビフェニル基；ターフェニル基；ジメチルフルオレン基；クアテルフェニル基；ナフチル基；アントラセン基；フェナントレン基；ピレン基；又はトリフェニレン基である。
【００３９】
本発明の一実施態様において、上記Ａｒ１は、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、又はフェニル基で置換もしくは非置換のカルバゾール基である。
【００４０】
本発明の一実施態様において、上記Ａｒ２及びＡｒ３は、互いに同一である。
【００４１】
本発明の一実施態様において、上記Ａｒ２及びＡｒ３は、互いに異なっている。
【００４２】
本発明の一実施態様において、上記Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立して、フェニル基、ビフェニル基,ターフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、アルキル基で置換されたフルオレン基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、又はカルバゾール基である。また、これらは重水素で追加で置換されることができる。
【００４３】
本発明の一実施態様において、上記Ｌ２は、直接結合、重水素で置換もしくは非置換のフェニレン基、又は重水素で置換もしくは非置換のビフェニリレン基である。
【００４４】
本発明の一実施態様において、上記Ｚは、置換もしくは非置換の炭素数６〜２０の多環のアリール基である。
【００４５】
本発明の一実施態様において、上記Ｚは、重水素、アルキル基、又はアリール基で置換もしくは非置換の炭素数６〜２０の多環のアリール基である。
【００４６】
本発明の一実施態様において、上記Ｚは、置換もしくは非置換の炭素数３〜３０のヘテロアリール基である。
【００４７】
本発明の一実施態様において、上記Ｚは、重水素、アルキル基、又はアリール基で置換もしくは非置換の炭素数３〜３０のヘテロアリール基である。
【００４８】
本発明の一実施態様において、上記Ａｒ４は、置換もしくは非置換のアリール基である。
【００４９】
本発明の一実施態様において、上記Ａｒ４は、置換もしくは非置換の炭素数６〜２０のアリール基である。
【００５０】
本発明の一実施態様において、上記Ａｒ４は、アリール基で置換もしくは非置換の炭素数６〜２０のアリール基である。
【００５１】
本発明の一実施態様において、上記化学式２で含まれることができるアリール基の炭素数は、６〜２０であるので、上記化学式２は、スピロビフルオレン基などは含まない。
【００５２】
本明細書の一実施態様において、上記化学式１の化合物は、下記化合物の中から選択されるいずれか一つである。
【００５３】
【化９】
2021536125.tif 000011
【化１０】
2021536125.tif 000012
【化１１】
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【化１２】
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【化１３】
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【化１４】
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【化１５】
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【化１６】
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【化１７】
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【化１８】
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【化１９】
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【化２０】
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【化２１】
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【化２２】
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【化２３】
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【化２４】
2021536125.tif 000026
【００５４】
本明細書の一実施態様において、上記化学式２の化合物は、下記化合物の中から選択されるいずれか一つである。
【００５５】
【化２５】
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【化２６】
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【化２７】
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【化２８】
2021536125.tif 000030
【化２９】
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【化３０】
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【化３１】
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【化３２】
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【化３３】
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【化３４】
2021536125.tif 000036
【化３５】
2021536125.tif 000037
【化３６】
2021536125.tif 000038
【化３７】
2021536125.tif 000039
【化３８】
2021536125.tif 000040
【化３９】
2021536125.tif 000041
【化４０】
2021536125.tif 000042
【化４１】
2021536125.tif 000043
【化４２】
2021536125.tif 000044
【化４３】
2021536125.tif 000045
【化４４】
2021536125.tif 000046
【化４５】
2021536125.tif 000047
【化４６】
2021536125.tif 000048
【化４７】
2021536125.tif 000049
【化４８】
2021536125.tif 000050
【化４９】
2021536125.tif 000051
【化５０】
2021536125.tif 000052
【化５１】
2021536125.tif 000053
【化５２】
2021536125.tif 000054
【００５６】
本発明の有機発光素子の構造は、図１及び図２に示すものと同じ構造を有することができるが、これにのみ限定されるものではない。
【００５７】
図１には、基板１上に第１電極２、有機物層３、及び第２電極４が順次積層された有機発光素子の構造が例示されている。
【００５８】
上記図１は、有機発光素子を例示したものであって、これに限定されない。
【００５９】
図２には、基板１上に第１電極２、正孔注入層５、正孔輸送層６、正孔輸送補助層７、電子阻止層８、発光層９、正孔阻止層１０、電子注入及び輸送層１１及び第２電極４が順次積層された有機発光素子の構造が例示されている。本発明の化学式１の化合物は、好ましくは発光層９に含まれることができ、化学式２の化合物は、好ましくは電子阻止層８に含まれることができる。
【００６０】
上記図１及び図２で使用された積層構造の他に追加の層をさらに含むこともでき、一部の層を除いて使用することもできる。
【００６１】
本発明の一実施態様において、上記有機物層は、発光層を含み、上記発光層は、上記化学式１の化合物を含む。
【００６２】
本発明の一実施態様において、上記有機物層は、発光層を含み、上記発光層は、上記化学式１の化合物を上記発光層のホストとして含む。
【００６３】
本発明の一実施態様において、上記有機物層は、正孔注入層、正孔輸送層、又は正孔注入及び輸送層を含み、上記正孔注入層、正孔輸送層、又は正孔注入及び輸送層は、上記化学式１の化合物を含むことができる。
【００６４】
本発明の一実施態様において、上記有機物層は、電子注入層、電子輸送層、又は電子注入及び輸送層を含み、上記電子注入層、電子輸送層、又は電子注入及び輸送層は、上記化学式１の化合物を含むことができる。
【００６５】
本発明の一実施態様において、上記有機物層は、電子阻止層、又は正孔阻止層を含み、上記電子阻止層、又は正孔阻止層は、上記化学式１の化合物を含むことができる。
【００６６】
本発明の一実施態様において、上記有機物層は、正孔注入層、正孔輸送層、又は正孔注入及び輸送層を含み、上記正孔注入層、正孔輸送層、又は正孔注入及び輸送層は、上記化学式２の化合物を含むことができる。
【００６７】
本発明の一実施態様において、上記有機物層は、電子注入層、電子輸送層、又は電子注入及び輸送層を含み、上記電子注入層、電子輸送層、又は電子注入及び輸送層は、上記化学式２の化合物を含むことができる。
【００６８】
本発明の一実施態様において、上記有機物層は、電子阻止層、又は正孔阻止層を含み、上記電子阻止層、又は正孔阻止層は、上記化学式２の化合物を含むことができる。
【００６９】
本発明の一実施態様において、上記有機物層は、電子阻止層を含み、上記電子阻止層は、上記化学式２の化合物を含む。
【００７０】
上記有機発光素子が複数個の有機物層を含む場合、上記有機物層は、同一の物質又は異なる物質から形成されることができる。
【００７１】
本明細書の有機発光素子は、有機物層のうち１層以上が、上記化学式１又は化学式２の化合物を用いて形成されること以外には、当技術分野に知られている材料と方法で製造されることができる。
【００７２】
本明細書はまた、上記化合物を用いて形成された有機発光素子の製造方法を提供する。
【００７３】
例えば、本発明に係る有機発光素子は、スパッタリング（sputtering）や電子ビーム蒸着（e-beam evaporation）のようなＰＶＤ（physical vapor deposition）法を用いて、基板上に金属又は導電性を有する金属酸化物又はこれらの合金を蒸着させて陽極を形成し、その上に上記化学式１の化合物を含む有機物層と上記化学式２の化合物を含む有機物層とを形成した後、その上に陰極として使用できる物質を蒸着させることで製造されることができる。このような方法以外にも、基板上に陰極物質から有機物層、陽極物質を順に蒸着させて、有機発光素子を作製することもできる。
【００７４】
上記陽極物質としては、通常、有機物層への正孔注入が円滑になるように、仕事関数の大きい物質が好ましい。本発明で使用されることができる陽極物質の具体的な例としては、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属又はこれらの合金；亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような金属酸化物；ＺｎＯ：Ａｌ又はＳＮＯ２：Ｓｂのような金属と酸化物との組み合わせ；ポリ（３−メチルチオフェン）、 ポリ［３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン］（ＰＥＤＯＴ）、ポリピロール及びポリアニリンのような導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
【００７５】
上記陰極物質としては、通常、有機物層への電子注入が容易になるように、仕事関数が小さい物質であることが好ましい。陰極物質の具体的な例としては、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズ及び鉛のような金属又はこれらの合金；ＬｉＦ／Ａｌ又はＬｉＯ２／Ａｌのような多層構造物質などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
【００７６】
上記正孔注入物質としては、低い電圧で陽極から正孔をよく注入され得る物質であって、正孔注入物質のＨＯＭＯ（highest occupied molecular orbital）が、陽極物質の仕事関数と周辺有機物層のＨＯＭＯとの間であることが好ましい。正孔注入物質の具体的な例としては、金属ポルフィリン（porphyrine）、オリゴチオフェン、アリールアミン系の有機物、ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン系の有機物、キナクリドン（quinacridone）系の有機物、ペリレン（perylene）系の有機物、アントラキノン及びポリアニリンとポリ化合物系の導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
【００７７】
上記正孔輸送物質としては、陽極や正孔注入層から正孔を輸送されて発光層に移すことができる物質であって、正孔に対する移動性の大きい物質が好適である。具体的な例としては、アリールアミン系の有機物、導電性高分子、及び共役部分と非共役部分とが共にあるブロック共重合体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
【００７８】
上記発光物質としては、正孔輸送層と電子輸送層から正孔と電子をそれぞれ輸送されて結合させることで可視光線領域の光を出すことができる物質であって、蛍光や燐光に対する量子効率の良い物質が好ましい。具体的な例としては、８−ヒドロキシ−キノリンアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）； カルバゾール系化合物；二量体化スチリル（dimerized styryl）化合物；ＢＡｌｑ；１０−ヒドロキシベンゾキノリン−金属化合物；ベンゾオキサゾール、ベンズチアゾール及びベンズイミダゾール系の化合物；ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）系の高分子；スピロ（spiro）化合物；ポリフルオレン、ルブレンなどがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
【００７９】
ドーパント材料としては、芳香族化合物、スチリルアミン化合物、ホウ素錯体、フルオランテン化合物、金属錯体などがある。具体的に、芳香族化合物としては、置換もしくは非置換のアリールアミノ基を有する縮合芳香族環誘導体であって、アリールアミノ基を有するピレン、アントラセン、クリセン、ペリフランテンなどがあり、スチリルアミン化合物としては、置換もしくは非置換のアリールアミンに少なくとも１個のアリールビニル基が置換されている化合物であって、アリール基、シリル基、アルキル基、シクロアルキル基及びアリールアミノ基からなる群より１又は２以上選択される置換基が置換もしくは非置換される。具体的に、スチリルアミン、スチリルジアミン、スチリルトリアミン、スチリルテトラアミンなどがあるが、これに限定されない。また、金属錯体としては、イリジウム錯体、白金錯体などがあるが、これに限定されない。
【００８０】
本発明の一実施態様において、上記発光層は、ホストとドーパントとを含むことができる。 本発明の一実施態様において、上記有機物層は、発光層を含み、上記発光層は、ホストとドーパントとを９９：１〜７０：３０の質量比で含む。上記ホストは、本発明の化学式１の化合物を含み、上記ドーパントは、下記構造式の化合物を含むことができる。本発明の一実施態様において、上記発光層は、上記化学式１の化合物を赤色ホストとして含む。
【００８１】
【化５３】
2021536125.tif 000055
【化５４】
2021536125.tif 000056
【化５５】
2021536125.tif 000057
【化５６】
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【化５７】
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【化５８】
2021536125.tif 000060
【化５９】
2021536125.tif 000061
【化６０】
2021536125.tif 000062
【化６１】
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【化６２】
2021536125.tif 000064
【化６３】
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【化６４】
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【００８２】
上記電子輸送層は、電子注入層から電子を受取して発光層まで電子を輸送する層であって、電子輸送物質としては、カソードから電子をよく注入されて発光層に移すことができる物質であって、電子に対する移動性の大きい物質が好適である。具体的な例としては、８−ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体；Ａｌｑ３を含む錯体；有機ラジカル化合物；ヒドロキシフラボン−金属錯体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。電子輸送層は、従来の技術に従って使用されたように、任意の所望のカソード物質と共に使用することができる。特に、適切なカソード物質の例は、低い仕事関数を有し、アルミニウム層又はシルバー層を伴う通常の物質である。具体的に、セシウム、バリウム、カルシウム、イッテルビウム及びサマリウムであり、各場合、アルミニウム層又はシルバー層を伴う。
【００８３】
上記電子注入層は、電極から電子を注入する層であって、電子を輸送する能力を有し、カソードからの電子注入の効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入の効果を有し、発光層で生成された励起子の正孔注入層への移動を防止し、また、薄膜形成能力に優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントロンなどとそれらの誘導体、金属錯体化合物及び含窒素５員環誘導体などがあるが、これに限定されない。
【００８４】
上記金属錯体化合物としては、８−ヒドロキシキノリナトリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナト）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（ｏ−クレゾラト）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（１−ナフトラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（２−ナフトラト）ガリウムなどがあるが、これに限定されない。
【００８５】
上記正孔阻止層は、正孔のカソードへの到達を遮断する層であり、一般に、正孔注入層と同一の条件で形成されることができる。具体的に、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ＢＣＰ、アルミニウム錯体（aluminum complex）などがあるが、これに限定されない。
【００８６】
本明細書に係る有機発光素子は、使用される材料によって、前面発光型、後面発光型又は両面発光型であってもよい。
【００８７】
本発明の有機発光素子は、上述した化合物を用いて一層以上の有機物層を形成すること以外には、通常の有機発光素子の製造方法及び材料によって製造されることができる。
【実施例】
【００８８】
以下において、実施例を通じて本明細書をより詳細に説明する。ところが、以下の実施例は、本明細書を例示するためのものであるだけで、本明細書を限定するためのものではない。
【００８９】
＜実施例＞
本発明の化合物は、代表的な反応として、バックワルド・ハートウィッグカップリング反応（Buchwald-Hartwig coupling reaction）、ヘックカップリング反応（Heck coupling reaction）、鈴木カップリング反応（Suzuki coupling reaction）などを用いて製造された。
【００９０】
＜製造例１＞
【化６５】
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【００９１】
１）化合物ａ−１の製造
窒素雰囲気でナフタレン−１−イルボロン酸（naphthalene-1-ylboronic acid）（１００ｇ、５８１．２ｍｍｏｌ）と１−ブロモ−４−クロロ−２−ニトロベンゼン（1-bromo-4-chloro-2-nitrobenzene）（１５０．２ｇ、６３９．３ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２，０００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、炭酸カリウム（potassium carbonate）（３２１．３ｇ、２３２４．６ｍｍｏｌ）を水９６４ｍｌに溶かして投入して十分撹拌した後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン)パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（３ｇ、５．８ｍｍｏｌ）を投入した。２時間反応後、常温に冷まして有機層と水層とを分離後、有機層を蒸留した。これをさらにクロロホルムに溶かし、水で２回洗浄後に有機層を分離して、無水硫酸マグネシウムを入れて撹拌した後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物ａ−１を１１１．９ｇ製造した（収率６８％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝２８４）。
【００９２】
２）化合物ａの製造
化合物ａ−１ １１１．９ｇ（１．０ｅｑ）をＰ（ＯＥｔ）３ ５００ｍＬに入れて、還流して撹拌した。３時間後、反応物を水に注いで結晶を析出させて濾過した。濾過した固体をクロロホルムに完全に溶かした後に水で洗浄し、生成物が溶けている溶液を減圧濃縮して結晶を析出させて冷ました後、濾過した。これをカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物ａ ５０．６ｇ（収率５１％）を得た。［Ｍ＋Ｈ］＝２５２
【００９３】
＜製造例２＞
【化６６】
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【００９４】
製造例１で使用した１−ブロモ−４−クロロ−２−ニトロベンゼン（1-bromo-4-chloro-2-nitrobenzene）の代わりに２−ブロモ−４−クロロ−２−ニトロベンゼン（2-bromo-4-chloro-2-nitrobenzene）を使用して化合物ｂ−１を合成し、次に、化合物ｂを合成した。
【００９５】
＜合成例１＞ 化合物１の合成
【化６７】
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【００９６】
１）中間体１の合成
窒素雰囲気で化合物ａ（２０ｇ、７９．７ｍｍｏｌ）、２−クロロ−３−フェニルキノキサリン（2-chloro-3-phenylquinoxaline）（１９．１ｇ、７９．７ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム（tripotassium phosphate）（１５．３ｇ、１５９．３ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）４００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．８ｇ、１．６ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、中間体１ ２１．８ｇを得た（収率６０％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝４５６）。
【００９７】
２）化合物１の合成
窒素雰囲気で中間体１（２０ｇ、４３．９ｍｍｏｌ）、９Ｈ−カルバゾール（9H-carbazole）（７．３ｇ、４３．９ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（８．４ｇ、８７．９ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene）４００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．４ｇ、０．９ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１ １５．２gを得た（収率５９％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝５８７）。
【００９８】
＜合成例２＞ 化合物２の合成
【化６８】
2021536125.tif 000070
【００９９】
窒素雰囲気で中間体２（１０ｇ、１９．８ｍｍｏｌ）、９Ｈ−カルバゾール（9H-carbazole）（３．５g, ２０．８ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．８ｇ、３９．６ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物２ ８．２ｇを得た（収率６５％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝６３７）。
【０１００】
＜合成例３＞ 化合物３の合成
【化６９】
2021536125.tif 000071
【０１０１】
窒素雰囲気で中間体３（１０ｇ、１８．３ｍｍｏｌ）、５Ｈ−ベンゾ［ｂ］カルバゾール（5H-benzo[b]carbazole）（４．２ｇ、１９．３ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．５ｇ、３６．７ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物３ ７．３ｇを得た（収率５５％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７２７）。
【０１０２】
＜合成例４＞ 化合物４の合成
【化７０】
2021536125.tif 000072
【０１０３】
窒素雰囲気で中間体４（１０ｇ、１７．８ｍｍｏｌ）、１１Ｈ−ベンゾ［ａ］カルバゾール（11H-benzo[a]carbazole）（４．１ｇ、１８．７ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．４ｇ、３５．６ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene） ２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物４ ８．９ｇを得た（収率６７％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７４３）。
【０１０４】
＜合成例５＞ 化合物５の合成
【化７１】
2021536125.tif 000073
【０１０５】
窒素雰囲気で中間体５（１０ｇ、１８．３ｍｍｏｌ）、１１Ｈ−ベンゾ［ａ］カルバゾール（11H-benzo[a]carbazole）（４．２ｇ、１９．３ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．５ｇ、３６．７ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene） ２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物５ ９．３ｇを得た（収率７０％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７２７）。
【０１０６】
＜合成例６＞ 化合物６の合成
【化７２】
2021536125.tif 000074
【０１０７】
窒素雰囲気で中間体６（１０ｇ、１６．１ｍｍｏｌ）、５Ｈ−ベンゾ［ｂ］カルバゾール（5H-benzo[b]carbazole）（３．７ｇ、１６．９ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．１ｇ、３２．２ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．３ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。 その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物６ ８．１ｇを得た（収率６３％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝８０２）。
【０１０８】
＜合成例７＞ 化合物７の合成
【化７３】
2021536125.tif 000075
【０１０９】
窒素雰囲気で中間体７（１０ｇ、１７．５ｍｍｏｌ）、７Ｈ−ベンゾ［ｃ］カルバゾール（7H-benzo[c]carbazole）（４ｇ、１８．４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．４ｇ、３５ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物７ ７．６ｇを得た（収率５８％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７５３）。
【０１１０】
＜合成例８＞ 化合物８の合成
【化７４】
2021536125.tif 000076
【０１１１】
窒素雰囲気で中間体８（１０ｇ、１８．８ｍｍｏｌ）、９Ｈ−カルバゾール（9H-carbazole）（３．３ｇ、１９．８ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．６ｇ、３７．７ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物８ ６．５ｇを得た（収率５２％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝６６３）。
【０１１２】
＜合成例９＞ 化合物９の合成
【化７５】
2021536125.tif 000077
【０１１３】
窒素雰囲気で中間体９（１０ｇ、１６．５ｍｍｏｌ）、９Ｈ−カルバゾール（9H-carbazole）（２．９ｇ、１７．３ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．２ｇ、３２．９ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．３ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物９ ６．９ｇを得た（収率５７％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７３９）。
【０１１４】
＜合成例１０＞ 化合物１０の合成
【化７６】
2021536125.tif 000078
【０１１５】
窒素雰囲気で中間体１０（１０ｇ、１８ｍｍｏｌ）、１１Ｈ−ベンゾ［ａ］カルバゾール（11H-benzo[a]carbazole）（４．１ｇ、１８．９ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．５ｇ、３６ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１０ ８．２ｇを得た（収率６２％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７３７）。
【０１１６】
＜合成例１１＞ 化合物１１の合成
【化７７】
2021536125.tif 000079
【０１１７】
窒素雰囲気で中間体１１（１０ｇ、１７．２ｍｍｏｌ）、５Ｈ−ベンゾ［ｂ］カルバゾール（5H-benzo[b]carbazole）（３．９ｇ、１８．１ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．３ｇ、３４．４ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene） ２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．３ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。 その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１１ ８．３ｇを得た（収率６３％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７６３）。
【０１１８】
＜合成例１２＞ 化合物１２の合成
【化７８】
2021536125.tif 000080
【０１１９】
窒素雰囲気で中間体１２（１０ｇ、１７．２ｍｍｏｌ）、７Ｈ−ベンゾ［ｃ］カルバゾール（7H-benzo[c]carbazole）（３．９ｇ、１８．１ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．３ｇ、３４．４ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene） ２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．３ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１２ ８ｇを得た（収率６１％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７６３）。
【０１２０】
＜合成例１３＞ 化合物１３の合成
【化７９】
2021536125.tif 000081
【０１２１】
窒素雰囲気で中間体１３（１０ｇ、１８．８ｍｍｏｌ）、９Ｈ−カルバゾール（9H-carbazole）（３．３ｇ、１９．８ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．６ｇ、３７．７ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１３ ７．９ｇを得た（収率６３％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝６６３）。
【０１２２】
＜合成例１４＞ 化合物１４の合成
【化８０】
2021536125.tif 000082
【０１２３】
窒素雰囲気で中間体１４（１０ｇ、１７．８ｍｍｏｌ）、９Ｈ−カルバゾール（9H-carbazole）（３．１ｇ、１８．７ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．４ｇ、３５．６ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１４ ７．３ｇを得た（収率５９％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝６９３）。
【０１２４】
＜合成例１５＞ 化合物１５の合成
【化８１】
2021536125.tif 000083
【０１２５】
窒素雰囲気で中間体１５（１０ｇ、１６．１ｍｍｏｌ）、９Ｈ−カルバゾール（9H-carbazole）（２．８ｇ、１６．９ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．１ｇ、３２．２ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．３ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後に有機層を分離して、無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１５ ７．１ｇを得た（収率５９％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７５２）。
【０１２６】
＜合成例１６＞ 化合物１６の合成
【化８２】
2021536125.tif 000084
【０１２７】
窒素雰囲気で中間体１６（１０ｇ、１８ｍｍｏｌ）、７Ｈ−ベンゾ［ｃ］カルバゾール（7H-benzo[c]carbazole）（４．１ｇ、１８．９ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．５ｇ、３６ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１６ ８．９ｇを得た（収率６７％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７３７）。
【０１２８】
＜合成例１７＞ 化合物１７の合成
【化８３】
2021536125.tif 000085
【０１２９】
窒素雰囲気で中間体１７（１０ｇ、１７．８ｍｍｏｌ）、５Ｈ−ベンゾ［ｂ］カルバゾール（5H-benzo[b]carbazole）（４．１ｇ、１８．７ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．４ｇ、３５．６ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene） ２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１７ ７ｇを得た（収率５３％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７４３）。
【０１３０】
＜合成例１８＞ 化合物１８の合成
【化８４】
2021536125.tif 000086
【０１３１】
窒素雰囲気で中間体１８（１０ｇ、１６．５ｍｍｏｌ）、１１Ｈ−ベンゾ［ａ］カルバゾール（11H-benzo[a]carbazole）（３．８ｇ、１７．３ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．２ｇ、３２．９ｍｍｏｌ）をキシレン（Xylene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．３ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１８ ７．５ｇを得た（収率５８％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７８９）。
【０１３２】
＜合成例１９＞ 化合物１９の合成
【化８５】
2021536125.tif 000087
【０１３３】
窒素雰囲気で中間体１９（１０ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、２−ブロモナフタレン（2-bromonaphthalene）（４．６ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（４．３ｇ、４４．９ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１９ ８．５ｇを得た（収率６６％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝５７２）。
【０１３４】
＜合成例２０＞ 化合物２０の合成
【化８６】
2021536125.tif 000088
【０１３５】
窒素雰囲気で中間体２０（１０ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン（2-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene）（６．１ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（４．３ｇ、４４．９ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物２０ ９ｇを得た（収率６３％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝６３８）。
【０１３６】
＜合成例２１＞ 化合物２１の合成
【化８７】
2021536125.tif 000089
【０１３７】
窒素雰囲気で中間体２１（１０ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、３−（４−ブロモフェニル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（3-(4-bromophenyl)-9-phenyl-9H-carbazole）（８．９ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（４．３ｇ、４４．９ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物２１ １１．３ｇを得た（収率６６％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７６３）。
【０１３８】
＜合成例２２＞ 化合物２２の合成
【化８８】
2021536125.tif 000090
【０１３９】
窒素雰囲気で中間体２２（１０ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、３−ブロモ−１，１'−ビフェニル（3-bromo-1,1'-biphenyl）（５．２ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（４．３ｇ、４４．９ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物２２ ８．３ｇを得た（収率６２％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝５９８）。
【０１４０】
＜合成例２３＞ 化合物２３の合成
【化８９】
2021536125.tif 000091
【０１４１】
窒素雰囲気で中間体２３（１０ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、２−（４−ブロモフェニル）ナフタレン（2-(4-bromophenyl)naphthalene）（６．３ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（４．３ｇ、４４．９ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物２３ １０ｇを得た（収率 ６９％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝６４８）。
【０１４２】
＜合成例２４＞ 化合物２４の合成
【化９０】
2021536125.tif 000092
【０１４３】
窒素雰囲気で中間体２４（１０ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、４−（４−ブロモフェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（4-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]furan）（７．２ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（４．３ｇ、４４．９ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物２４ １０ｇを得た（収率６５％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝６８８）。
【０１４４】
＜合成例２５＞ 化合物２５の合成
【化９１】
2021536125.tif 000093
【０１４５】
窒素雰囲気で中間体２５（１０ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、４−ブロモ−１，１'：２'，１''−ターフェニル（4-bromo-1,1':2',1''-terphenyl）（５．９ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．７ｇ、３８．４ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物２５ ８．８ｇを得た（収率６１％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７５０）。
【０１４６】
＜合成例２６＞ 化合物２６の合成
【化９２】
2021536125.tif 000094
【０１４７】
窒素雰囲気で中間体２６（１０ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、９−（４−ブロモフェニル）−９Ｈ−カルバゾール（9-(4-bromophenyl)-9H-carbazole）（７．２ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（４．３ｇ、４４．９ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物２６ ９．６ｇを得た（収率６２％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝６８７）。
【０１４８】
＜合成例２７＞ 化合物２７の合成
【化９３】
2021536125.tif 000095
【０１４９】
窒素雰囲気で中間体２７（１０ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、２−ブロモフェナントレン（2-bromophenanthrene）（４．９ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．７ｇ、３８．４ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物２７ ８．４ｇを得た（収率６３％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝６９８）。
【０１５０】
＜合成例２８＞ 化合物２８の合成
【化９４】
2021536125.tif 000096
【０１５１】
窒素雰囲気で中間体２８（１０ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、４−ブロモジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（4-bromodibenzo[b,d]furan）（４．７ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．７ｇ、３８．４ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物２８ ９ｇを得た（収率６８％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝６８８）。
【０１５２】
＜合成例２９＞ 化合物２９の合成
【化９５】
2021536125.tif 000097
【０１５３】
窒素雰囲気で中間体２９（１０ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、４−（４−ブロモフェニル）−６−フェニルジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（4-(4-bromophenyl)-6-phenyldibenzo[b,d]furan）（７．６ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．７ｇ、３８．４ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物２９ １１．１ｇを得た（収率６９％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝８４０）。
【０１５４】
＜合成例３０＞ 化合物３０の合成
【化９６】
2021536125.tif 000098
【０１５５】
窒素雰囲気で中間体３０（１０ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、４'−ブロモ−１，１'：３'，１' '−ターフェニル（4'-bromo-1,1':3',1''-terphenyl）（５．９ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．７ｇ、３８．４ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物３０ １０．１ｇを得た（収率７０％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７５０）。
【０１５６】
＜合成例３１＞ 化合物３１の合成
【化９７】
2021536125.tif 000099
【０１５７】
窒素雰囲気で中間体３１（１０ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、ブロモベンゼン（bromobenzene）（３ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．７ｇ、３８．４ｍｍｏｌ）を トルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物３１ ７．８ｇを得た（収率６８％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝５９８）。
【０１５８】
＜合成例３２＞ 化合物３２の合成
【化９８】
2021536125.tif 000100
【０１５９】
窒素雰囲気で中間体３２（１０ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、４−ブロモ−１，１'−ビフェニル（4-bromo-1,1'-biphenyl）（４．５ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．７ｇ、３８．４ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物３２ ８．９ｇを得た（収率６９％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝６７４）。
【０１６０】
＜合成例３３＞ 化合物３３の合成
【化９９】
2021536125.tif 000101
【０１６１】
窒素雰囲気で中間体３３（１０ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、２−ブロモトリフェニレン（2-bromotriphenylene）（５．９ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．７ｇ、３８．４ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。３時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物３３ ９ｇを得た（収率６３％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７４８）。
【０１６２】
＜合成例３４＞ 化合物３４の合成
【化１００】
2021536125.tif 000102
【０１６３】
窒素雰囲気で中間体３４（１０ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、４−ブロモジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（4-bromodibenzo[b,d]thiophene）（５ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（sodium tert-butoxide）（３．７ｇ、３８．４ｍｍｏｌ）をトルエン（Toluene）２００ｍｌに入れて、撹拌及び還流した。その後、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)）（０．２ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を投入した。２時間後、反応が終了して、常温に冷まし減圧して溶媒を除去した。その後、化合物をさらにクロロホルムに完全に溶かして水で２回洗浄後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウム処理後に濾過して、濾液を減圧蒸留した。濃縮した化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物３４ ８．４ｇを得た（収率６２％、ＭＳ：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７０４）。
【０１６４】
＜比較例１＞
ＩＴＯ（indium tin oxide）が１，０００Åの厚さで薄膜コーティングされたガラス基板を、洗剤を溶かした蒸留水に入れて超音波で洗浄した。このとき、洗剤としては、フィッシャー社（Fischer Co.）製を使用し、蒸留水としては、ミリポア社（Millipore Co.）製のフィルター（Filter）で２次で濾過された蒸留水を使用した。ＩＴＯを３０分間洗浄した後、蒸留水で２回繰り返して超音波洗浄を１０分間進行した。蒸留水洗浄が終わってから、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールの溶剤で超音波洗浄をして乾燥させた後、プラズマ洗浄装置に輸送させた。また、酸素プラズマを用いて上記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着装置に基板を輸送させた。
【０１６５】
このように用意したＩＴＯ透明電極の上に、正孔注入層として下記ＨＩ−１化合物を１，１５０Åの厚さで形成し、下記Ａ−１化合物を１．５％の濃度でｐドーピング（p-doping）した。上記正孔注入層上に下記ＨＴ−１化合物を真空蒸着して、膜厚１，０００Åの正孔輸送層を形成した。次に、上記正孔輸送層上に膜厚５００Åで下記ＨＴ−２化合物を真空蒸着して、正孔輸送補助層を形成した。正孔輸送補助層上に膜厚１５０Åで下記ＥＢ−１化合物を真空蒸着して、電子阻止層を形成した。次に、上記ＥＢ−１蒸着膜上に下記ＲＨ−１化合物と下記Ｄｐ−８化合物とを９８：２の重量比で真空蒸着して、４００Åの厚さの赤色発光層を形成した。上記発光層上に膜厚３０Åで下記ＨＢ−１化合物を真空蒸着して、正孔阻止層を形成した。次に、上記正孔阻止層上に下記ＥＴ−１化合物と下記ＬｉＱ化合物とを２：１の重量比で真空蒸着して、３００Åの厚さで電子注入及び輸送層を形成した。上記電子注入及び輸送層上に順次１２Åの厚さでフッ化リチウム（ＬｉＦ）と１，０００Åの厚さでアルミニウムを蒸着して、陰極を形成した。
【０１６６】
上記の過程で、有機物の蒸着速度は０．４〜０．７Å／ｓｅｃを維持し、陰極のフッ化リチウムは０．３Å／ｓｅｃ、アルミニウムは２Å／ｓｅｃの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は、２×１０−７〜５×１０−６ｔｏｒｒを維持して、有機発光素子を作製した。
【化１０１】
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【化１０２】
2021536125.tif 000104
【０１６７】
＜実施例１〜３６＞
比較例１の有機発光素子において、ＲＨ−１及び／又はＥＢ−１の代りに下記表１に記載する化合物を使用すること以外には、上記比較例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０１６８】
＜比較例２〜２１＞
比較例１の有機発光素子において、ＲＨ−１及び／又はＥＢ−１の代りに下記表１に記載する化合物を使用すること以外には、上記比較例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０１６９】
上記実施例及び比較例で製造した有機発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加したとき、電圧、効率、寿命を測定して、その結果を下記表１に示す。Ｔ９５は、輝度が初期輝度（５，０００ｎｉｔ）から９５％に減少されるのにかかる時間を意味する。
【表１】
2021536125.tif 000105
【０１７０】
上記実験の結果を示した表１を検討すれば、本発明の化合物の組み合わせで赤色有機発光素子を駆動するにあたって、発光効率、駆動電圧、寿命特性を改善できるということを確認することができる。本発明の発光層と電子阻止層との組み合わせの実験結果は、比較例の化合物間の組み合わせの実験結果よりも優れた結果を示した。駆動電圧、効率が上昇しており、特に寿命の結果において非常に優れた結果を確認することができた。これを通じて、本発明の発光層と電子阻止層の間の正孔移動が容易になり、電子阻止層の電子遮断能力が、発光層中で生成されるエキシトンの赤色ドーパントへのエネルギー伝達がよくなされるようにして、駆動電圧、効率、寿命特性をいずれも改善させたと判断することができる。
【符号の説明】
【０１７１】
１：基板
２：第１電極
３：有機物層
４：第２電極
５：正孔注入層
６：正孔輸送層
７：正孔輸送補助層
８：電子阻止層
９：発光層
１０：正孔阻止層
１１：電子注入及び輸送層
【図１】
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【図２】
2021536125.tif 000159
【国際調査報告】
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