(57)【要約】  本発明は、支持基板（２００）に配置されたマイクロ電子デバイス（３００）を封入カバー（４００）で封入する方法であって、特に、（ａ）マイクロ電子デバイス（３００）が配置されている支持基板（２００）を提供する段階と、（ｂ）マイクロ電子デバイス（３００）の周囲に、基板（２００）の第１の面（２０１）に結合層（５００）を堆積する段階と、（ｃ）マイクロ電子デバイス（３００）を封入するような方法で封入カバー（４００）を結合層（５００）に位置合わせする段階と、（ｄ）化学エッチングによって、支持基板（２００）の第２の主面（２０２）及び封入カバー（４００）の第２の主面（４０２）を薄化する段階と、を連続して含む、封入カバー（４００）で封入する方法に関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板（２００）に配されたマイクロ電子デバイス（３００）を封入カバー（４００）で封入する方法であって、
（ａ）マイクロ電子スデバイス（３００）が配される第１の主面（２０１）と、前記第１の主面（２０１）の反対側の第２の主面（２０２）とを含む、第１の材料で作られた支持基板（２００）を提供する段階と、
（ｂ）前記マイクロ電子デバイス（３００）の周囲で、前記基板（２００）の第１の面（２０１）に、第２の材料で作られた結合層（５００）を堆積する段階と、
（ｃ）前記第１の主面（４０１）と、前記第１の主面（４０１）の反対側の第２の主面（４０２）とを含む、第３の材料で作られた封入カバー（４００）を前記結合層（５００）に位置合わせする段階であって、前記支持基板（２００）に前記封入カバー（４００）の前記第１の主面（４０１）を固定し、前記マイクロ電子デバイス（３００）を封入するようになる段階と、
（ｄ）化学エッチングによって、前記支持基板（２００）の第２の主面（２０２）及び前記封入カバー（４００）の第２の主面（４０２）を、２００μｍ未満、好ましくは、１００μｍ以下、さらには、好ましくは５０μｍ未満の厚さに薄化する段階と、
を連続して含む、マイクロ電子デバイス（３００）を封入する方法。
【請求項２】
前記支持基板（２００）の第２の主面（２０２）及び前記封入カバー（４００）の第２の主面（４０２）が、段階（ｄ）中に同時に薄化される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の材料及び／又は前記第３の材料が、ガラス及びシリコンから選択される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の材料及び前記第３の材料が同一である、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の材料及び前記第３の材料が異なる、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
段階（ｂ）中に、前記結合層（５００）がマイクロ電子デバイス（３００）を完全に覆う、請求項１から５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
段階（ｂ）中に、前記結合層（５００）が、前記マイクロ電子デバイス（３００）の周囲に封止ビーズを形成する、請求項１から５の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記封止ビーズが、ガラスペーストで作られ、前記封止ビーズが、第４の材料で作られた保護層（６００）で囲まれる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の材料及び／又は前記第４の材料が、エポキシド、エーテル、ポリシロキサン、アクリル、それらのコポリマーの１つ、及び、ポリエチレンテレフタレートから選択されるポリマー材料である、請求項１から８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記マイクロ電子デバイス（３００）が、リチウムマイクロ電池などの電気化学デバイスである、請求項１から９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
いくつかの同一又は異なるマイクロ電子デバイス（３００）が、前記支持基板（２００）の第１の面（２０１）、及び／又は、前記封入カバー（４００）の第１の主面（４０１）に配される、請求項１から１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
第１の材料で作られる支持基板（２００）に配される、例えば、リチウムマイクロ電池などの電気化学デバイスであるマイクロ電子デバイスを含む、請求項１から１１の何れか一項に記載の方法によって得られる、マイクロ電子構造体であって、前記デバイスが、第２の材料で作られ、その上に、第３の材料で作られる封入カバー（４００）が固定される結合層（５００）によって囲まれ、前記封入カバー（４００）及び／又は前記支持基板（２００）が、２００μｍ未満、好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ未満の厚さを有し、前記結合層（５００）が、前記マイクロ電子デバイス（３００）を完全に覆い、又は、前記結合層（５００）が、前記マイクロ電子デバイス（３００）の周囲に、ガラスで作られた封止ビーズを形成し、前記封止ビーズが、第４の材料で作られた保護層（６００）によって囲まれる、マイクロ電子構造体。
【請求項１３】
前記第１の材料及び／又は前記第３の材料が、ガラス及びシリコンから選択される、請求項１２に記載の構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持基板上に配されたマイクロ電子デバイスを封入カバーで封入する方法に関し、この方法は、支持基板及び／又は封入カバーを薄化する段階を含む。
【０００２】
本発明はまた、そのような方法によって得られるマイクロ電子構造体に関する。
【背景技術】
【０００３】
近年、マイクロ電子部品、より具体的には、全固体薄層マイクロ電池は、車載インテリジェントシステムの開発に不可欠になっている。これらのインテリジェントシステムは、例えば、モノのインターネットと呼ばれる用途、エネルギー貯蔵、エネルギー回収、有機及び無機エレクトロニクス、さらには電力分野で使用さる。
【０００４】
これらのインテリジェントシステムの開発は、マイクロ電子部品の小型化につながり、ますます薄い支持基板の使用と並行して行われるはずである。これらのシステムに使用される基板は、薄い（通常１００μｍ未満の厚さ）か、極薄（５０μｍ未満の厚さ）でなければならない。
【０００５】
マイクロ電子デバイス、特にリチウムマイクロ電池は、酸素や水蒸気などの大気要素に対して非常に高い感度を持っている。従って、これらのデバイスは、電子的又は電気化学的だけでなく、機械的な完全性を長期にわたって保証するために封入しなければならない。封入システムの性能は、水蒸気透過率（ＷＶＴＲ：Ｗａｔｅｒ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｒａｔｅｓ）又は酸素透過率（ＯＴＲ：Ｏｘｙｇｅｎ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｒａｔｅ）で表されることがよくある。リチウムマイクロ電池の特定の場合には、必要なＷＶＴＲ及びＯＴＲレベルは、それぞれ１０−４ｇ／ｍ２／ｄ、及び、１０−４ｃｍ３／ｍ２／ｄ程度である。実際には、マイクロ電子デバイスの小型化の基準を満たすために、カバーも薄く、又は極薄でなければならない。
【０００６】
それにもかかわらず、実際には、基板及び／又はカバーは、多数の技術的段階（転写、堆積、エッチング、洗浄など）に掛けられる。しかしながら、薄い基板の取り扱いは、それらの機械的弱さのために非常に制限的である。
【０００７】
この問題を解決するために、例えば、国際公開第２０１５／０９２２５４号に記載されているように、壊れやすい基板を、通常、一時的に固体支持体に固定して、技術段階中の取り扱い及び操作を容易にすることができる。それにもかかわらず、この解決策では、この方法の最後に、例えば、基板と一時的な支持体との間にブレードを挿入することによって、又は、せん断若しくは基板に牽引力を加えることによって、薄い基板をその剛性支持体から取り外すかなり複雑な段階を実行する必要がある。さらに、一部の一時的なボンディング解決策は、温度が３００℃を超える熱履歴を必要とするマイクロ電子デバイスに適合しない。最後に、そのような結合及び分離段階は、製造コスト及び／又は生産時間の増加につながる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２０１５／０９２２５４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、本発明の目的は、従来技術の欠点を克服する封入方法を提供すること、特に、空気及び／又は高温に敏感なマイクロ電子デバイスを薄い又は極薄の基板及び／又はカバーで封入する方法を提供することであり、この方法は、実施が容易でなければならず、従来技術のように分離段階を必要としない。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的は、支持基板に配されたマイクロ電子デバイスを封入カバーで封入する方法であって、
（ａ）マイクロ電子スデバイスが配される第１の主面と、第１の主面の反対側の第２の主面とを含む、第１の材料で作られた支持基板を提供する段階と、
（ｂ）マイクロ電子デバイスの周囲で、基板の第１の面に、第２の材料で作られた結合層を堆積する段階と、
（ｃ）第１の主面と、第１の主面の反対側の第２の主面とを含む、第３の材料で作られた封入カバーを結合層に位置合わせする段階であって、支持基板に封入カバーの第１の主面を固定し、マイクロ電子デバイスを封入するようになる段階と、
（ｄ）化学エッチングによって、支持基板の第２の主面及び封入カバーの第２の主面を、２００μｍ未満、好ましくは、１００μｍ以下、さらには、好ましくは５０μｍ未満の厚さに薄化する段階と、
を連続して含む、マイクロ電子デバイスを封入する方法によって実現される。
【００１１】
本発明による方法は、実施するのが簡単であり、いくつかの技術的段階を必要とする。本発明の方法は、一時的な固定及び取り外し段階を実施しない。封入方法の終わりに、マイクロ電子デバイスは、一方では、薄い又は極薄であり得る基板によって、他方では、薄い又は極薄であり得るカバーによって封入される。
【００１２】
“薄い”とは、２００μｍ未満、好ましくは１００μｍ未満の厚さを意味し、“極薄”とは、５０μｍ未満の厚さを意味する。
【００１３】
本発明の方法は、マイクロ電子デバイスが空気及びその酸化剤から保護されている小型化されたデバイスを得ることを可能にする。
【００１４】
薄化する段階（ｄ）は、化学エッチングによって実行される。エッチング条件は、機械的エッチングに関して十分に制御されており、マイクロ電子デバイスでの欠陥の形成を回避する。
【００１５】
有利には、支持基板の第２の主面及び封入カバーの第２の主面は、段階（ｄ）中に同時に薄化される。
【００１６】
有利には、第１の材料及び／又は第３の材料は、ガラス及びシリコンから選択される。これらの材料には、優れた障壁特性がある。
【００１７】
第１の有利な変形例によれば、第１の材料及び第３の材料は、同一である。支持基板及び封入カバーの薄化は、例えば、化学エッチング溶液でアセンブリを浸漬又は噴霧することにより、同時に、かつ同じエッチング速度で行うことができる。薄化は、浸漬時間又は噴霧時間、及び使用する液体の化学組成に応じて制御することができる。
【００１８】
第２の有利な変形例によれば、第１の材料及び第３の材料は、異なる。封入カバー又は支持基板のみをエッチングすること、それらを連続的にエッチングすること、又は、それらを異なる速度で同時にエッチングすることが可能である。
【００１９】
特に有利な実施形態によれば、段階（ｂ）中に、結合層は、マイクロ電子デバイスを完全に覆う。
【００２０】
別の特に有利な実施形態によれば、段階（ｂ）中に、結合層は、マイクロ電子デバイスの周囲に封止ビーズを形成する。
【００２１】
有利には、封止ビーズは、ガラスペーストで作られ、封止ビーズは、第４の材料で作られた保護層で囲まれる。
【００２２】
有利には、第２の材料及び／又は第４の材料は、エポキシド、エーテル、ポリシロキサン、アクリル、それらのコポリマーの１つ、及び、ポリエチレンテレフタレートから選択されるポリマー材料である。
【００２３】
有利には、段階（ｄ）の終わりに、封入カバー及び／又は支持基板は、１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ未満の厚さを有する。
【００２４】
有利には、マイクロ電子デバイスは、リチウムマイクロ電池などの電気化学デバイスである。
【００２５】
有利には、いくつかの同一又は異なるマイクロ電子デバイスは、支持基板の第１の面、及び／又は、封入カバーの第１の主面に配される。
【００２６】
本発明による方法は、マイクロ電子デバイスの数及び位置合わせに関していくつかの構成を許可する。例えば、２つのマイクロ電池を積み重ねることができる。
【００２７】
本発明はまた、第１の材料で作られる支持基板に配される、例えば、リチウムマイクロ電池などの電気化学デバイスであるマイクロ電子デバイスを含む、上記のような方法によって得られる、マイクロ電子構造体であって、デバイスが、第２の材料で作られ、その上に、第３の材料で作られる封入カバーが固定される結合層によって囲まれ、封入カバー及び／又は支持基板が、２００μｍ未満、好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ未満の厚さを有する、マイクロ電子構造体に関する。
【００２８】
第１の実施形態によれば、結合層は、マイクロ電子デバイスを完全に覆う。
【００２９】
第２の実施形態によれば、結合層は、マイクロ電子デバイスの周囲に、ガラスで作られた封止ビーズを形成し、封止ビーズは、第４の材料で作られた保護層によって囲まれる。
【００３０】
この方法に関連する特徴は、マイクロ電子構造体に見られる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
本発明は、以下の説明及び添付の図面に基づいて、よりよく理解されるであろう。
【００３２】
【図１】本発明の特定の実施形態による、支持基板上のマイクロ電池の断面及び輪郭の概略図である。
【図２】本発明の別の特定の実施形態による、いくつかのマイクロ電池が配される支持基板の三次元概略図である。
【図３Ａ】本発明の方法の異なる実施形態による、少なくとも１つのマイクロ電子デバイスを含む基板上の結合層の配置を示す図である。
【図３Ｂ】本発明の方法の異なる実施形態による、少なくとも１つのマイクロ電子デバイスを含む基板上の結合層の配置を示す図である。
【図３Ｃ】本発明の方法の異なる実施形態による、少なくとも１つのマイクロ電子デバイスを含む基板上の結合層の配置を示す図である。
【図４Ａ】本発明の方法の異なる実施形態による、保護カバーによって封入された、基板上の少なくとも１つのマイクロ電子デバイスを示す図である。
【図４Ｂ】本発明の方法の異なる実施形態による、保護カバーによって封入された、基板上の少なくとも１つのマイクロ電子デバイスを示す図である。
【図４Ｃ】本発明の方法の異なる実施形態による、保護カバーによって封入された、基板上の少なくとも１つのマイクロ電子デバイスを示す図である。
【図５】本発明の特定の実施形態による、マイクロ電子デバイスを封入するための方法の異なる段階を示す図である。
【図６】本発明の特定の実施形態による、マイクロ電子デバイスを封入するための方法の異なる段階を示す図である。
【図７Ａ】本発明の方法の異なる実施形態による、保護カバーによって封入された基板上のマイクロ電子デバイスと電気接点とを含む小型システムを示す。
【図７Ｂ】本発明の方法の異なる実施形態による、保護カバーによって封入された基板上のマイクロ電子デバイスと電気接点とを含む小型システムを示す。
【図７Ｃ】本発明の方法の異なる実施形態による、保護カバーによって封入された基板上のマイクロ電子デバイスと電気接点とを含む小型システムを示す。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
図に示されている様々な部分は、図を読み易くするために、必ずしも一定の縮尺で示されているわけではない。
【００３４】
異なる可能性（変形例及び実施形態）は、相互に排他的ではなく、互いに組み合わせることができると理解されなければならない。
【００３５】
例えば、空気に対して（酸素及び水蒸気に対して）敏感な少なくとも１つのマイクロ電子デバイスを封入カバーで封入する方法について、次に説明する。この方法は、
（ａ）マイクロ電子スデバイス３００が配される第１の主面２０１と、第１の主面２０１の反対側の第２の主面２０２とを含む、第１の材料で作られた支持基板２００を提供する段階と、
（ｂ）マイクロ電子デバイス３００の周囲で、基板２００の第１の面２０１に、第２の材料で作られた結合層５００を堆積する段階と、
（ｃ）第１の主面４０１と、第１の主面４０１の反対側の第２の主面４０２を含む、第３の材料で作られた封入カバー４００を結合層５００に位置合わせする段階であって、
支持基板２００に封入カバー４００の第１の主面４０１を固定し、マイクロ電子デバイス３００を封入するようになる段階と、
（ｄ）支持基板２００の第２の主面２０２及び封入カバー４００の第２の主面４０２を、２００μｍ未満、例えば、１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ未満の厚さに薄化する段階と、
を連続して含む。
【００３６】
支持基板２００及び封入カバー４００：
段階（ａ）で提供される、ホスト基板又は支持基板とも呼ばれる支持基板２００は、好ましくは剛性基板である。
【００３７】
段階（ｃ）で提供される封入カバー４００は、好ましくは、剛性の封入カバーである。
【００３８】
剛性とは、厚さが２００μｍを超えるマイクロエレクトロニクスで簡単に使用できる全ての支持体を意味する。例えば、基板２００及び／又は封入カバー４００は、最初に２５０μｍよりも大きい、例えば５００μｍの厚さを有する。好ましくは、段階（ａ）及び（ｃ）で提供される基板２００及びカバー４００は、最初に２００μｍを超える厚さを有し、両方とも、段階（ｄ）の間又は段階（ｄ）及びその後の段階の間、薄化される。
【００３９】
基板２００及び封入カバー４００は、同一又は異なる厚さを有することができる。カバーの厚さは、基板２００の厚さより薄くてもよく、又は、逆である。この可能な構成により、封入カバーが基板２００よりも薄い、又は、その逆のマイクロ電子デバイスを製造することが可能になる。
【００４０】
図１及び図２に示すように、基板２００は、第１の主面２０１及び第２の主面２０２を有する。第１の面は、少なくとも１つのマイクロ電子デバイス３００を含む。それは、能動面と呼ばれる面である。基板はまた、第１の面から第２の面に向かう側面を含む。
【００４１】
カバー４００は、第１の主面４０１及び第２の主面４０２、並びに、第１の面４０１から第２の面４０２に向かう側面を含む。
【００４２】
基板２００及び封入カバー４００は、同一又は異なる幾何学的形状を有することができる。例えば、ウェハタイプの円形フォーマット又はシートフォーマット、すなわち、長方形フォーマットを使用することが可能である。
【００４３】
支持基板２００は、封入カバーの材料と同一又は異なる材料で作られる。
【００４４】
基板２００及び／又は封入カバー４００は、有利には、リチウムマイクロ電池の封入に必要な性能を有する。それらは、シーラントセルへの空気及び水蒸気の十分な気密性を保証するために、最大でそれぞれ１０−４ｇ／ｍ２／ｄ、及び、１０−４ｃｍ３／ｍ２／ｄのＷＶＴＲ及びＯＴＲバリアレベルを持つ材料で作られる。
【００４５】
支持基板２００及び封入カバー４００は、ガラス、（単結晶又は多結晶）シリコン、セラミック、マイカ及び石英から選択することができる。好ましくは、それらは、ガラスで作られる。それらは、同じ族又は異なる族のガラスで作ることができる。
【００４６】
ガラスは、ホウケイ酸塩（Ｄ２６３（登録商標）ＬＡ、Ｄ２６３（登録商標）Ｍ、Ｄ２６３（登録商標）Ｔ、ＭＥＭｐａｘ（登録商標）、又は、ＳＣＨＯＴＴ（登録商標）社によって販売されるＢｏｒｏｆｌｏａｔ（登録商標）など）、無アルカリホウケイ酸塩ガラス（ＡＦ３２（登録商標）、ＡＦ４５、Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録商標）Ｗｉｌｌｏｗ・・・）などのホウケイ酸塩の誘導体、又は、例えば、Ｃｏｒｎｉｎｇ  Ｌｏｔｕｓ（商標）、ＥＡＧＬＥ  ＸＧ（登録商標）社によって販売されているアルカリ土類ボロアルミノケイ酸塩タイプのガラスであり得る。
【００４７】
好ましくは、カバー４００は、封止ビーズ（典型的には、約９４０ｎｍのガラスペーストで作られた封止ビーズ）を凍結するために通常使用されているレーザーの波長に対して透過的である。透過的とは、カバー４００を介して封止ビーズを加熱できるように、カバーがレーザーによって放出された光の少なくとも５０％を通過することを意味する。
【００４８】
好ましくは、支持基板２００及び封入カバー４００は、同じ厚さを有し、同じ材料で作られる。
【００４９】
封入されるマイクロ電子デバイス３００：
この方法は、デバイス又はいくつかのマイクロ電子デバイス３００を同時に封入することを可能にする。電子デバイス３００又はマイクロ電子部品は、５μｍから３０μｍ、好ましくは１０から１５μｍの範囲の厚さを有する。
【００５０】
同じタイプ又は異なるタイプの１つ又は複数の電子デバイス３００を基板２００の第１の主面２０１に配することができる。この構成により、３Ｄ統合によって機能スタックを生成する可能性が提供される。
【００５１】
封入カバー４００は、受動素子又は能動素子であってよく、すなわち、カバー４００の第１の面４０１は、他の機能を実行することができる、基板２００のものと同じ性質又は異なる性質のマイクロ電子デバイス３００を含むことができる。
【００５２】
支持基板２００及び／又は封入カバー４００は、マイクロ電子部品を並列又は直列に配置することによって電気化学的性能を増大させるために１つ又は複数のマイクロ電子デバイス３００を含むことができる。マイクロ電子デバイスは、例えば、マイクロ電池、キャパシタ、スーパーキャパシタ、光起電部品、トランジスタ、アンテナ、又は、接続された物を生成するために必要であると思われる他のデバイスから選択することができる。
【００５３】
有利には、基板及びカバーのマイクロ電子部品は、３Ｄスタッキング手法に従ってそれらを関連付けることができるように、互いに向き合って配置される。
【００５４】
マイクロ電子部品３００とは、例えば、ＭＥＭＳ（電気機械マイクロシステム）、ＭＯＥＭＳ（光電気機械マイクロシステム）、又は、赤外線マイクロ検出器、又は、トランジスタさえも意味する。より一般的には、マイクロ電子部品とは、制御された雰囲気下で封入されることを目的とした任意のデバイスを意味する。
【００５５】
その後、説明が特にマイクロ電池、より具体的にはリチウムマイクロ電池に言及している場合でも、本発明は、酸化剤に対する保護を必要とするあらゆるマイクロ電子部品に適用することができる。それは、例えば、容量性スタック又はエレクトロクロミック部品であり得る。
【００５６】
マイクロ電子部品３００、ここではマイクロ電池は、基板２００の面２０１（第１の主面）の１つに配される。マイクロ電池は、基板２００に配されたカソード集電体３０１及びアノード集電体３０２を含む。一方が負極３０３を形成し、他方が正極３０４を形成する２つの能動層は、電解質層３０５によって分離される。各能動層３０３、３０４は、集電体３０１、３０２の１つと接触している。
【００５７】
集電体３０１、３０２は、有利には金属製の集電体である。実例として、それらは、チタン、金、アルミニウム、プラチナ、又は、タングステンで作ることができる。
【００５８】
正極３０４（カソード）は、良好な電子伝導性及びイオン伝導性を有する材料（例えば、ＴｉＯＳ、ＴｉＳ２、ＬｉＴｉＯＳ、ＬｉＴｉＳ２、ＬｉＣｏＯ２、Ｖ２Ｏ５など）である。好ましくは、正の酸化コバルト電極が選択される。このタイプのカソードは、マイクロ電池にとって最も効率的な層の１つであると考えられ、同時に製造段階中に最も制約を受ける。実際、カソード層の形成後に発生する機械的応力（１０×１０−６／℃から１５×１０−６／℃の熱膨張係数及び１００から５００ＧＰａのヤング率）は、一旦薄くなると剛性基板の動作に影響を与える可能性がある。
【００５９】
電解質３０５は、大きなイオン伝導率を有する電子絶縁体（例えば、ＬｉＰＯＮ、ＬｉＰＯＮＢ、ＬｉＳｉＣＯＮなど）である。
【００６０】
負極３０３（アノード）は、金属リチウム又はリチウム含有材料であり得る層である。
【００６１】
任意に、構成に応じて、能動層は、この方法の様々な段階でマイクロ電池デバイスの完全性を保証することを主な役割とする１つ以上の基本障壁層を含む、示されない主要な封入システムによって保護することができる。
【００６２】
マイクロ電池は、当業者に知られている技術によって作られる。
【００６３】
マイクロ電子部品３００は、特に化学エッチング（横方向の研削が行われる場合）のエッチング段階中に、それらを保護する支持基板及び／又は封入カバーの周辺輪郭の外側に配置される。有利には、この空間は、剛性基板及び／又は封入カバーの厚さの少なくとも２倍になるように選択される。この輪郭は、図２、３Ａ、４Ａ、４Ｃに文字Ｄで表される。
【００６４】
結合層５００：
図３Ａ、３Ｂ及び３Ｃに示されるように、段階（ｂ）中に、結合層５００は、マイクロ電子デバイス３００の両方の側で、支持基板２００の第１の面２０１に配される。
【００６５】
結合層５００は、封入されるマイクロ電子部品３００の厚さ以上の厚さを有する。
【００６６】
結合層５００は、封入バー４００の転写後に、マイクロ電子部品３００の周囲に保護障壁を形成するように、マイクロ電子部品３００を取り囲む。
【００６７】
結合層５００は、エッチング、特に化学エッチング溶液に対して耐性特性を有し、薄化段階中に能動層への化学物質の浸透のリスクを防止する。
【００６８】
一般に、結合層５００の役割は、３つある。実際、それは、まず、その接着性能のおかげで、封入カバーを基板２００に結合することを可能にする。また、酸に対する耐薬品性により、化学エッチング液の起こり得る浸潤からマイクロ電池を横方向に保護する機能も保証する。最後に、この層は、そのポリマーの性質により、充電及び放電サイクル中のリチウムの挿入／脱挿入に対応するマイクロ電池の動作によって生じる体積膨張運動の機械的吸収のための解決策を提供する。
【００６９】
図３Ａに示される第１の実施形態によれば、結合層５００は、基板２００の第１の面２０１を完全に覆うことができる。“完全に”とは、基板２００の第１の面２０１の表面の少なくとも９０％を意味する。
【００７０】
この目的のために、段階（ｂ）中に、結合層５００は、任意の適合された技術によって、マイクロ電子デバイスを含む基板２００の表面全体に広げられる。異なる堆積技術を使用して、結合層５００を堆積させることができる。液相堆積では、フルプレートで堆積された結合層を形成するために、スピンコーティング技術が好まれる。溶液は、有利には、１０００ｃＰｓ未満の粘度を有するであろう。スピナーの速度及び回転時間を変更することにより、結合層５００の厚さを変えることができる。例えば、エポキシ層ＯＧ１９８−５４の場合、合計の厚さは、１から２５μｍで変化する。
【００７１】
結合層５００は、好ましくは、例えばＵＶ下で光重合可能なポリマーの重合又は熱硬化によって得られる。それは、低粘度ポリマー（例えば、２０００ｃＰｓ以下の粘度を有する）であり得る。
【００７２】
ポリマーは、エポキシ、エーテル、シリコーン、アクリレート、又は、それらのコポリマーの１つの族からのものである。製品（ＯＧ１９８−５４、ＵＤ１３５５、ＯＧ６５３、ＵＧ１１９２、Ｔ７１１０、Ｈ７０Ｅなど）など、ＵＶ又は熱によって架橋されたＥｐｏ−Ｔｅｋシリーズの商用ポリマーを選択することができる。
【００７３】
あるいは、結合層５００は、接着フィルムであってもよい。接着フィルムは、基板上にラミネートされる。接着フィルムは、結合、適合性、電気絶縁、及び／又は、マイクロ電池の能動層との化学的適合性の特性に従って選択される。それは、圧力（感圧接着剤）、温度又は紫外線に敏感であり得る。それは、アクリル、シリコーン、ゴム又はそれらの混合物の１つに基づくポリマーフィルムから得ることができる。示唆的かつ非網羅的な方法で、Ｔｅｓａ、Ｈｅｎｋｅｌ、３Ｍ、Ｎｏｒｌａｎｄ、又は、Ｎｏｖａｇａｒｄによって販売されている絶縁接着剤を使用することができる。例えば、Ｔｅｓａ社によって販売されている、厚さ２５μｍの接着層Ｔｅｓａ６１５６２を使用して基板とカバーを固定する。固定は、ラミネート法により、９０℃の温度で、１ｂａｒを超える圧力と、３ｍ／分未満の速度で実行することができる。
【００７４】
１つ又は複数の接着剤を使用して、結合層５００を形成することができる。
【００７５】
結合層５００はまた、それらの気密性を改善するために、粒子状含有物、及び／又は、酸素及び水吸収剤（ゲッター）を含み得る。
【００７６】
段階（ｂ）で堆積された結合層５００は、フォトリソグラフィ又はレーザーエッチング技術によって構造化することができる。
【００７７】
図３Ｂ及び３Ｃに示される第２の実施形態によれば、結合層５００は、基板２００の第１の面２０１を部分的にのみ覆うことができる。好ましくは、結合層５００は、マイクロ電子デバイスの周囲に封止ビーズを形成する。
【００７８】
封止ビーズ５００は、カバー４００が基板２００に移されると、封入されるマイクロ電子部品３００をビーズ５００が囲って、それを大気から隔離するように配置される。マイクロ電池３００の場合、封止ビーズ５００は、空間を節約し、小型化を容易にするために、集電体３０１、３０２に配されることが有利である（図３Ｃ）。
【００７９】
封止ビーズ５００は、非導電性である。
【００８０】
封止ビーズ５００は、ポリマー材料で作ることができる。
【００８１】
封止ビーズ５００は、有利には、ガラスペーストから作られる。ガラスペーストは、有機バインダー中に分散されたガラス粒子を含む。例えば、ガラスペーストは、少なくとも７０質量％のＳｉＯ２粒子を含むことができる。有機バインダーは、ガラスペーストを加熱することによって破壊される。ガラスペーストは、３００℃から４００℃の範囲の温度でガラス化することができる。ガラス質のガラスペーストが溶接部を形成する。それらは、カバー４００を基板２００に機械的に保持する。それらはまた、空気酸化剤に対して密閉性である。
【００８２】
焼結ガラスビーズは、一般的に、接着剤よりも著しく高い空気障壁性を持っている。
【００８３】
例えば、参照符号ＤＭ２７００／Ｈ８４８でＮａｍｉｃｓによって販売され、参照符号４２９０Ｄ１、５１１５ＨＴ１、ＴＮＳ０６２−Ｚ２７−ＴＰ１２、５２９０Ｄ１でＡＧＣ（Ａｓａｈｉ  Ｇｌａｓｓ  Ｃｏｍｐａｎｙ）によって販売され、参照符号Ｖｉｔａ（商標）でＣｏｒｎｉｎｇによって販売されているガラスペーストは、封止ビーズ５００の製造のために考えられる。これらのガラスペーストは、基板２００及び／又は閉鎖及び封入カバー４００用に選択されたガラス材料と互換性がある。
【００８４】
好ましくは、ビーズ５００は、ＤＭ２７００Ｐ／Ｈ８４８ペーストから製造される。酸化種に対する固有の障壁特性（１０−６ｇｍ−２ｄ−１及び１０−６ｃｍ３／ｍ２／ｄ程度のＷＶＴＲ及びＯＴＲ値）に加えて、この製品は、ガラス材料（２０℃で、７．２×１０−６Ｋ−１のＣＥＴ）に非常に近い良好な熱特性（２０℃で、７．７×１０−６Ｋ−１）を有する。さらに、この製品は、レーザー照射下（６０秒程度）で比較的短時間で封入することができるため、封止段階中の熱伝播のリスクが制限される。
【００８５】
あるいは、参照番号５１１５ＨＴ１でＡＧＣによって販売され、又は、参照番号Ｖｉｔａ（商標）でＣｏｒｎｉｎｇによって販売されている他の製品を、封止ビーズ５００の製造に使用することができる。
【００８６】
封止ビーズ５００は、数ミクロンから１００ミクロンまで変化し得る厚さを有する。“厚さ”とは、基板／カバースタックに垂直な寸法を意味する。その厚さは、封入化方法が完了すると、マイクロ電池の充電及び放電サイクルを妨害しないのに十分な基板２００と封入カバー４００との間のキャビティを作り出すために、当業者によって選択される。２つの電極間のリチウムの挿入／脱挿入現象に対応するこれらのサイクルは、一般に、電極の体積膨張の現象を引き起こす。従って、電極の自由な垂直移動のために十分に高いキャビティを形成することが不可欠である。そのようなキャビティの高さは、ビーズ５００の厚さと電池３００の能動層のスタックの厚さとの間の高さの差に依存する。通常、この高さの最小値は、マイクロ電池３００の総厚さの値の約５％に固定される。封止ビーズ５００の幅及び厚さは、保護されるべき要素のサイズに応じて最適化され、マイクロ電池デバイスの全表面に対するコード５００の表面の密集を効果的に低減する。マイクロ電池３００を備えた基板２００の場合、封止ビーズ５００の幅は、少なくとも１００μｍである。このような寸法は、必要な封入及び機械的特性を満たす。例えば、厚さ５０μｍ、幅１００μｍが使用される。
【００８７】
ビーズ５００は、任意の適合された技術（例えば、ペンシル、ブラシ、セリグラフィーなどによる適用による例外）を使用して、基板２００及び／又は封入カバー４００に形成することができる。
【００８８】
封止ビーズがガラスペーストで作られる場合、封止ビーズ５００は、第４の材料で作られた保護層６００で囲まれている（図３Ｃ）。保護層６００は、封止ビーズ５００の周りにクラウンを形成し、化学エッチング中にそれを保護する。
【００８９】
周辺リングの形態のこの保護層６００は、エッチング段階に対するその化学的耐性のために、慎重に選択されたポリマー材料で作られることが好ましい。側方保護層６００は、好ましくは、エポキシ、シリコーンから選択されるポリマーで作られるか、さもなければ、ＰＳＡ接着剤又はＵＶ接着剤であり得る。ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）も選択することができる。
【００９０】
ガラスペースト堆積段階の後、得られた封止ビーズ５００は、熱処理を行うことによって有利にガラス化される。処理温度は、例えば、１００℃から１６０℃、例えば、１５０℃程度である。処理の継続時間は、例えば、数分から１時間の範囲であり、例えば、３０分の程度である。この熱処理は、有利には、ガラスペースト中に最初に存在する溶媒（１０から１５体積％）を脱気することを可能にする。
【００９１】
封入カバー４００の配置：
図４Ａ、４Ｂ、及び４Ｃに示されるように、段階（ｃ）中に、封入カバー４００は、基板の上に配置される。図４Ａ及び４Ｂの大きな矢印によって表される、数ニュートン、例えば約２Ｎの力Ｆは、カバー４００の位置決めの間に加えられて、結合層５００と支持基板２００及び／又は封入カバー４００との間の均一な接触を保証することができる。
【００９２】
紫外線源（図４Ａの細い矢印で表される）による照射及び／又は熱加熱を使用して、結合層５００を固化及び凍結することができるため、結合層５００によるカバーへの支持体の機械的固定が可能になる。
【００９３】
例えば、基本構造体の固定は、２８０ｎｍから８００ｎｍの波長範囲で２分間、約１００ｍＷ／ｃｍ２の線量を使用して、封入カバーを介したＵＶ露光によって保証される。ＵＶ架橋は、例えば、２０分間、１００℃の温度での熱アニーリングによって補足することができる。
【００９４】
封止ビーズ５００は、有利には、封止ビーズを局所的に加熱するためにレーザー照射を使用して、封入カバー４００の上面４０２を通してレーザー照射に曝される（図４Ｂ）。レーザー照射は、矢印Ｌで表される。レーザー照射による加熱は、基板２００全体及びカバー４００全体を加熱する必要がないため、特に有利である。それは、コード５００を局所的に、３００℃以上、例えば３００℃から４００℃に加熱して、それらをガラス化し、封入に必要な溶接部を形成することを可能にする。従って、カバー４００は、部品３００を含む基板２００に永久的に封入される。
【００９５】
有利には、照射をさらに特定するために、レーザファイバが選択される。
【００９６】
温度の上昇は、コード５００の材料を溶融効果によってより容易に変形可能にし、ビーズ５００とカバー４００又は基板２００との間の接触表面を増加させる。この温度は、レーザー照射中に局所的に５００℃を超えることがある。
【００９７】
レーザーの主な特徴は、ビーズ５００に使用されるガラスペーストの性質及びカバー４００の光学特性に従って、当業者によって選択されるであろう。より具体的には、利用可能なレーザー波長の範囲は、赤外線（ＣＯ２、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）から紫外光（エキシマレーザー及びＮｄ：ＹＡＧ高調波）までの範囲である。これは、ガラスペーストの効果的な結合を保証するために最も適切な波長を選択する可能性を提供する。例えば、近赤外範囲の波長、典型的には９４０ｎｍでの放射を選択することができる。
【００９８】
ビーズ５００は、数十秒から数百秒の範囲の持続時間の間、レーザー照明に供することができる。
【００９９】
封止は、レーザー走査により行うことができる。ビームは、数ｍｍ／ｓの速度で、例えば２ｍｍ／ｓ程度で変位することができる。
【０１００】
例えば、２ｍｍ／ｓの変位で、８０Ｗの出力で６０秒間のレーザー照明は、ビーズ５００の摩耗を引き起こすのに十分であり、封入されるデバイスを含む剛性基板で封入カバーを永久的にシールすることを可能にする。
【０１０１】
この段階では、封止ビーズをガラス化して溶接し、封入の機械的凝集及び封止を確実にする。
【０１０２】
この方法は、基板２００、カバー４００及び封止ビーズ５００によって境界が定められたキャビティを不活性ガスで満たすように、不活性環境で有利に実行される。ゲッターは、酸素及び水蒸気を捕捉するためにも使用することができる。この方法は、例えば、グローブボックス内で行われる。
【０１０３】
支持基板２００及び／又は封入カバー４００の薄化：
段階（ｄ）の間に実行される薄化段階により、厚さ及び粗さが制御されたカバー及び／又は基板を得ることができる（図５）。
【０１０４】
好ましくは、薄化は、エッチング段階で行われる。さらに、より好ましくは、それは、化学エッチング（化学研磨）である。機械的研磨と比較した化学的研磨の主な利点の１つは、化学的薄化によって生じる応力が低いことである。
【０１０５】
化学エッチングに使用される溶液は、カバー４００の第２の面４０２及び／又は基板２００の第２の面２０２をエッチングするように適合されるように、当業者によって選択されるであろう。
【０１０６】
例えば、シリコン要素をエッチングするために、それは、本質的に基本的な解決方法になる。エッチング溶液は、８０℃の温度で水酸化カリウム（ＫＯＨ）であることができ、１．５μｍ／分の程度のエッチング速度を可能にする。本質的に塩基性である溶液を使用する場合、塩基性溶液への耐性のために基本構造体を結合するためのポリシロキサン（シリコーン）タイプの材料が好ましい。
【０１０７】
ガラス要素をエッチングするには、酸性エッチングを選択する。これは、フッ化水素酸ＨＦ（４９％）で非常に濃縮されたエッチング溶液、ＨＦと塩酸ＨＣｌの混合物、又は、ＨＦ、水及び硝酸の混合物であり得る。例えば、無アルカリガラスの場合、１０％の塩酸（ＨＣｌ）と２％のフッ化水素酸（ＨＦ）のバランスの取れた混合物を含む化学溶液は、１μｍ／分までの標準のエッチング速度（２５℃）を可能にする。この値は、３５℃に加熱されたエッチング液の場合、２μｍ／分程度になり得る。エッチング速度を上げるように混合物を調整することができるため、１０％ＨＦと３７％ＨＣｌの混合物で４μｍ／分の速度に到達することができる。各成分の比率を調整し、及び／又は、温度を上げることによって、２０から３０μｍ／分のエッチング速度値に到達することができる。
【０１０８】
一般に、エッチング溶液は、エッチングされる材料（シリコン、ガラス）、所望の最終厚さ、及び／又は、所望の表面粗さに応じた温度及び組成に適合させることができる。溶液と呼ばれる溶液中の化学エッチングを、バッチモード（浸漬）又は直列のジェット（噴霧）で検討することができる。
【０１０９】
液体は、基板及びカバーの製造に使用される材料の性質に合わせた化学組成を持っている。この操作は、個別に（インラインで実行するか、浴に浸すことによる単一の構造体）、又は、同時に複数の構造体のバッチで纏めて実行することができる。
【０１１０】
エッチング段階の後に、有利には、脱イオン水ですすぐ段階が続き、例えば、空気又は中性ガスの流れの下で乾燥する。これらの一連の洗浄／乾燥操作は、エッチングで使用される酸混合物の残留物が完全になくなるまで何度も繰り返すことができる。
【０１１１】
支持基板２００と封入カバー４００が同じ材料、例えばガラスで作られる場合、単一のエッチング溶液を使用してそれらを同時にエッチングすることができる。
【０１１２】
支持基板２００及び封入カバー４００が２つの異なる材料、例えば、一方がガラスで作られ、他方がシリコンで作られる場合、２つの異なるエッチング溶液を連続的に使用することができる。
【０１１３】
当業者は、この方法中に使用される異なるエッチング溶液に耐性のある材料を、結合層５００及び／又は保護層６００に対して選択するであろう。
【０１１４】
電気接点７００の形成及び／又は基板２００及び／又はカバー４００の切断：
薄化段階の後、接点７００が解放される、及び／又は、様々なマイクロ電子デバイスが単一の要素に分離される後続の段階が実行される。
【０１１５】
最初に、封入カバー４００（図６）に開口部が作られる。この段階は、当業者に知られており、基板及び／又はカバーの材料に適合させた任意の切断方法によって実行することができる。特に、機械的な鋸切断（ソーイング）又はレーザー切断（ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザー、ピコ秒レーザー、フェムト秒レーザー、エキシマレーザー）である。開口部は、例えば、１００μｍから５００μｍの直径を有する。
【０１１６】
次に、開口部は、金属又は金属合金などの導電性要素７００、又は、導電性樹脂で充填される。例えば、Ｅｐｏ−Ｔｅｋ社によって販売されている樹脂Ｅ４１１０などの導電性ポリマーに基づく樹脂を選択することが可能である。次に、熱処理を行うことができる。
【０１１７】
導電性フィルムをラミネートすること、又は、導電性層を開口部に電着することも可能である。
【０１１８】
最後に、マイクロ電子スデバイスを個別に分離して、単一の要素を得る（図７Ａ、７Ｂ、７Ｃ）。
【０１１９】
本発明の方法は、グループ化された同時様式で、同じ基板上又は基板及びカバー上に配された幾つかのマイクロ電子部品を封入することを可能にし、より具体的には、薄い又は極薄な基板及び／又はカバーを含む小型化されたマイクロ電子構造体を得ることを可能にする。
【０１２０】
本発明の実施形態の例示的かつ非限定的な例：
この例は、封入カバー４００及びリチウムマイクロ電池３００を含む硬質ガラス基板２００の単一段階での薄化に関する。
【０１２１】
段階１：マイクロ電池のスタッキングの実行：
いくつかのリチウムマイクロ電池を、厚さ５００μｍのガラスＡＦ３２で作られた基板２００上に製造した。総厚さのばらつき（又は、ＴＴＶ）は、１μｍである。マイクロ電池は、当業者に知られている技術によって製造される。マイクロ電池は、剛性基板の端から距離Ｄに配置される。距離Ｄの最小値は、剛性基板の厚さの２倍、つまり、ここでは５ｍｍである。
【０１２２】
集電体は、最初に基板上に堆積される。次に、カソード、電解質及びアノードが連続して堆積される。
【０１２３】
カソードは、真空蒸着（「物理蒸着」のＰＶＤ）とそれに続く６００℃で１０時間の熱アニーリングから得られた厚さ２０μｍの酸化コバルト（ＬｉＣｏＯ２）で作られる。
【０１２４】
電解質は、ＬｉＰＯＮで作られる２μｍ厚の層である。
【０１２５】
負極は、厚さ２μｍのリチウム金属層である。
【０１２６】
段階２：結合層５００の堆積及び封入カバーの配置：
結合層５００は、４０秒間、１０００ｒｐｍの回転速度でスピンコーティングにより固定することにより得られる、２０μｍの厚さを有するエポキシポリマーＯＧ１９８−５４である。
【０１２７】
封入カバーが配置されると、結合層５００とマイクロ電池デバイスを含む基板との間の均一な接触を保証するために、封入カバーに適度な力Ｆ（２Ｎ程度）が加えられる。ＵＶ露光は、２分間で２８０ｎｍから８００ｎｍの波長範囲内で約１００ｍＷ／ｃｍ２の線量を使用して、封入カバーを通して行われる。その後、２０分間、１００℃の温度での熱アニールが最後に実行される。
【０１２８】
封入カバーもガラスで作られる。
【０１２９】
段階３：基本構造体を化学的に薄化する：
化学エッチング液は、３８℃で１０％ＨＣｌと２％ＨＦの混合酸である。エッチング後、ホスト基板と封入カバーの厚さは、それぞれ５０μｍになる。薄化後の厚さの許容差は、通常、±２％未満である。薄化されたガラスの表面には、最大値が薄化前の入力値の２倍であるＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）がある。薄化後、ガラスＡＦ３２のＴＴＶは、２μｍになる。
【０１３０】
段階４：基本構造体を切断する：
開口部の作成と単位部品の切断は、５０μＪのエネルギーで可視（５３０ｎｍ）内においてピコ秒レーザーを１０回通過させることによって行われる。
【０１３１】
直径３００μｍの開口部には、Ｅｐｏ−Ｔｅｋ社によって販売されている導電性樹脂Ｅ４１１０が充填される。１５０℃で１５分間の熱処理が行われる。
【０１３２】
次に、マイクロ電子デバイスが分離される。
【符号の説明】
【０１３３】
２００  支持基板
２０１  第１の主面
２０２  第２の主面
３００  マイクロ電子デバイス
３０１  カソード集電体
３０２  アノード集電体
３０３  能動層
３０４  能動層
３０５  電解質層
４００  封入カバー
４０１  第１の主面
４０２  第２の主面
５００  結合層
６００  保護層
７００  電気接点
【図１】
2021511973.tif 000003
【図２】
2021511973.tif 000004
【図３Ａ】
2021511973.tif 000005
【図３Ｂ】
2021511973.tif 000006
【図３Ｃ】
2021511973.tif 000007
【図４Ａ】
2021511973.tif 000008
【図４Ｂ】
2021511973.tif 000009
【図４Ｃ】
2021511973.tif 000010
【図５】
2021511973.tif 000011
【図６】
2021511973.tif 000012
【図７Ａ】
2021511973.tif 000013
【図７Ｂ】
2021511973.tif 000014
【図７Ｃ】
2021511973.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月30日(2020.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板（２００）に配されたマイクロ電子デバイス（３００）を封入カバー（４００）で封入する方法であって、
（ａ）マイクロ電子スデバイス（３００）が配される第１の主面（２０１）と、前記第１の主面（２０１）の反対側の第２の主面（２０２）とを含む、第１の材料で作られた支持基板（２００）を提供する段階と、
（ｂ）前記マイクロ電子デバイス（３００）の周囲で、前記基板（２００）の第１の面（２０１）に、第２の材料で作られた結合層（５００）を堆積する段階と、
（ｃ）前記第１の主面（４０１）と、前記第１の主面（４０１）の反対側の第２の主面（４０２）とを含む、第３の材料で作られた封入カバー（４００）を前記結合層（５００）に位置合わせする段階であって、前記支持基板（２００）に前記封入カバー（４００）の前記第１の主面（４０１）を固定し、前記マイクロ電子デバイス（３００）を封入するようになる段階と、
（ｄ）化学エッチングによって、前記支持基板（２００）の第２の主面（２０２）及び前記封入カバー（４００）の第２の主面（４０２）を、２００μｍ未満、好ましくは、１００μｍ以下、さらには、好ましくは５０μｍ未満の厚さに同時に薄化する段階と、
を連続して含む、マイクロ電子デバイス（３００）を封入する方法。
【請求項２】
前記第１の材料及び／又は前記第３の材料が、ガラス及びシリコンから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の材料及び前記第３の材料が同一である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の材料及び前記第３の材料が異なる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
段階（ｂ）中に、前記結合層（５００）がマイクロ電子デバイス（３００）を完全に覆う、請求項１から４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
段階（ｂ）中に、前記結合層（５００）が、前記マイクロ電子デバイス（３００）の周囲に封止ビーズを形成する、請求項１から４の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記封止ビーズが、ガラスペーストで作られ、前記封止ビーズが、第４の材料で作られた保護層（６００）で囲まれる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の材料及び／又は前記第４の材料が、エポキシド、エーテル、ポリシロキサン、アクリル、それらのコポリマーの１つ、及び、ポリエチレンテレフタレートから選択されるポリマー材料である、請求項１から７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記マイクロ電子デバイス（３００）が、リチウムマイクロ電池などの電気化学デバイスである、請求項１から８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
いくつかの同一又は異なるマイクロ電子デバイス（３００）が、前記支持基板（２００）の第１の面（２０１）、及び／又は、前記封入カバー（４００）の第１の主面（４０１）に配される、請求項１から９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
第１の材料で作られる支持基板（２００）に配される、例えば、リチウムマイクロ電池などの電気化学デバイスであるマイクロ電子デバイスを含む、請求項１から１０の何れか一項に記載の方法によって得られる、マイクロ電子構造体であって、
前記デバイスが、第２の材料で作られ、その上に、第３の材料で作られる封入カバー（４００）が固定される結合層（５００）によって囲まれ、
前記封入カバー（４００）及び／又は前記支持基板（２００）が、２００μｍ未満、好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ未満の厚さを有し、
前記結合層（５００）が、前記マイクロ電子デバイス（３００）を完全に覆い、
前記結合層（５００）が、前記マイクロ電子デバイス（３００）の周囲に、ガラスで作られた封止ビーズを形成し、
前記封止ビーズが、第４の材料で作られた保護層（６００）によって囲まれる、マイクロ電子構造体。
【請求項１２】
前記第１の材料及び／又は前記第３の材料が、ガラス及びシリコンから選択される、請求項１１に記載の構造体。
【国際調査報告】
2021511973.tif 000016
2021511973.tif 000017
2021511973.tif 000018
2021511973.tif 000019
2021511973.tif 000020
2021511973.tif 000021