(57)【要約】  本発明は、表示基板、その製造方法及び表示装置を提供する。表示基板は、ベース基板と、ベース基板上に位置する複数の画素構造と、前記複数の画素構造のベース基板から離れた一側に位置する色レジスト層とを備える。色レジスト層は、各々が前記複数の画素構造の１つ以上に対応する複数の色レジストブロックを含む。複数の画素構造の各々の画素構造から発する光は、それに対応する色レジストブロックと同じ色を有する。【選択図】図１
2021520599.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に位置する複数の画素構造と、
前記複数の画素構造の前記ベース基板から離れた一側に位置する色レジスト層と、を備える表示基板であって、
前記色レジスト層は、各々が前記複数の画素構造の１つ以上に対応する複数の色レジストブロックを有し、且つ
前記複数の画素構造の各々の画素構造から発する光は、それに対応する色レジストブロックと同じ色を有する、表示基板。
【請求項２】
各々の画素構造は、直列に接続される複数のエレクトロルミネセンス構造を含む、請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
各々の画素構造は、前記ベース基板上に順次形成された第１発光層、第２発光層、第１電気接続層及び第３発光層を含み、
前記複数のエレクトロルミネセンス構造は、第１エレクトロルミネセンス構造と第２エレクトロルミネセンス構造を含み、
前記第１エレクトロルミネセンス構造は前記第１発光層及び前記第２発光層を含み、前記第２エレクトロルミネセンス構造は前記第３発光層を含み、且つ、前記第１エレクトロルミネセンス構造と前記第２エレクトロルミネセンス構造とは、前記第１電気接続層を介して直列に接続される、請求項２に記載の表示基板。
【請求項４】
前記第１発光層は赤色発光層を含み、前記第２発光層は緑色発光層を含み、且つ前記第３発光層は青色発光層を含む、請求項３に記載の表示基板。
【請求項５】
各々の画素構造は、前記ベース基板上に順次形成された第１発光層、第２電気接続層、第２発光層、第１電気接続層及び第３発光層を含み、
前記複数のエレクトロルミネセンス構造は、第１エレクトロルミネセンス構造、第２エレクトロルミネセンス構造、及び第３エレクトロルミネセンス構造を含み、
前記第１エレクトロルミネセンス構造は前記第１発光層を含み、前記第２エレクトロルミネセンス構造は前記第２発光層を含み、第３エレクトロルミネセンス構造は前記第３発光層を含み、前記第１エレクトロルミネセンス構造と前記第２エレクトロルミネセンス構造とは、前記第２電気接続層を介して直列に接続され、且つ前記第２エレクトロルミネセンス構造と前記第３エレクトロルミネセンス構造とは、前記第１電気接続層を介して直列に接続される、請求項２に記載の表示基板。
【請求項６】
各々の色レジストブロックは、前記複数の画素構造のうちの１つの対応する画素構造に対応する、請求項１に記載の表示基板。
【請求項７】
各々の画素構造は、第１電極及び第２電極をさらに有し、
前記第１電極、前記複数のエレクトロルミネセンス構造及び前記第２電極は、前記ベース基板上に順次形成されており、
前記第１電極は反射導電層を含み、
前記第２電極は半透過半反射導電層を含み、且つ
前記反射導電層と前記半透過半反射導電層との間の距離と、前記画素構造から発する光の波長とは、正の相関を有する、請求項２〜６のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項８】
前記第１電極は、第１透明導電層、絶縁層及び第２透明導電層をさらに含み、前記第１透明導電層、前記反射導電層、前記絶縁層及び前記第２透明導電層が前記ベース基板上に順次形成され、
前記第２透明導電層は、前記絶縁層におけるビアホールを介して前記反射導電層と電気的に接続され、且つ前記画素構造から発する光の波長と、前記第１電極における前記絶縁層の厚さとは、正の相関を有する、請求項７に記載の表示基板。
【請求項９】
前記第１電極は、第１透明導電層と第２透明導電層をさらに含み、前記第１透明導電層、前記反射導電層と前記第２透明導電層が前記ベース基板上に順次形成され、且つ前記画素構造から発する光の波長と、前記第１電極における第２透明導電層の厚さとは、正の相関を有する、請求項７に記載の表示基板。
【請求項１０】
各々の画素構造は、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する機能性膜層をさらに有し、前記機能性膜層は、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層と正孔輸送層の少なくとも１つを含み、且つ前記画素構造から発する光の波長と、前記画素構造における前記機能性膜層の厚さとは、正の相関を有する、請求項７に記載の表示基板。
【請求項１１】
前記反射導電層と前記半透過半反射導電層との間の距離は、
【数２】
2021520599.tif 000006
であり、
ここで、ｋは正の整数係数であり、λは前記画素構造から発する光の波長であり、ｎは前記反射導電層と前記半透過半反射導電層との間の媒質の平均屈折率であり、且つ、θは前記画素構造から発する光の前記反射導電層における反射角である、請求項７に記載の表示基板。
【請求項１２】
前記複数の画素構造は、第１色光を発するための第１画素構造と、第２色光を発するための第２画素構造と、第３色光を発するための第３画素構造とを含み、且つ
前記係数ｋは、前記第１画素構造、前記第２画素構造、及び前記第３画素構造のいずれにおいても同じである、請求項１１に記載の表示基板。
【請求項１３】
前記複数の画素構造は、第１色光を発するための第１画素構造と、第２色光を発するための第２画素構造と、第３色光を発するための第３画素構造とを含み、且つ
前記第１画素構造と前記第２画素構造における前記係数ｋは同じであるが、前記第３画素構造における前記係数ｋより１小さい、請求項１１に記載の表示基板。
【請求項１４】
ベース基板を提供する工程と、
前記ベース基板上に複数の画素構造を形成する工程と、
前記複数の画素構造の前記ベース基板から離れた一側に、色レジスト層を形成する工程とを有する、表示基板の製造方法であって、
前記色レジスト層は、各々が前記複数の画素構造の１つ以上に対応する複数の色レジストブロックを含み、且つ、
前記複数の画素構造の各々の画素構造から発する光は、それに対応する色レジストブロックと同じ色を有する、表示基板の製造方法。
【請求項１５】
前記ベース基板上に複数の画素構造を形成する工程は、
各々の画素構造について、前記ベース基板上に第１エレクトロルミネセンス構造、第１電気接続層及び第２エレクトロルミネセンス構造を順次形成する段階を有し、
前記第１エレクトロルミネセンス構造は第１発光層及び第２発光層を含み、前記第２エレクトロルミネセンス構造は第３発光層を含み、且つ、前記第１エレクトロルミネセンス構造と前記第２エレクトロルミネセンス構造とは、前記第１電気接続層を介して直列に接続される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１発光層は赤色発光層を含み、前記第２発光層は緑色発光層を含み、且つ前記第３発光層は青色発光層を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ベース基板上に複数の画素構造を形成する工程は、
各々の画素構造について、前記ベース基板上に第１エレクトロルミネセンス構造、第２電気接続層、第２エレクトロルミネセンス構造、第１電気接続層と第３エレクトロルミネセンス構造を順次形成する段階を有し、
前記第１エレクトロルミネセンス構造は第１発光層を含み、前記第２エレクトロルミネセンス構造は第２発光層を含み、第３エレクトロルミネセンス構造は第３発光層を含み、前記第１エレクトロルミネセンス構造と前記第２エレクトロルミネセンス構造とは、前記第２電気接続層を介して直列に接続され、且つ前記第２エレクトロルミネセンス構造と前記第３エレクトロルミネセンス構造とは、前記第１電気接続層を介して直列に接続される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の表示基板を具備する、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、表示技術分野に属し、特に、表示基板、その製造方法及び表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
表示技術の発展に伴い、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤと略称）表示基板は、幅広く使用されている。
【０００３】
ＯＬＥＤ表示基板は、通常、ベース基板と、ベース基板上に形成された複数のＯＬＥＤとを含む。また、前記複数のＯＬＥＤのベース基板から離れた一側に、色レジスト層がさらに形成される。例示的に、このような複数のＯＬＥＤの各々は、白色光を発することができる。色レジスト層は、複数のＯＬＥＤと一対一に対応する複数の色レジストブロックを含む。具体的には、前記複数の色レジストブロックは、赤色レジストブロック、緑色レジストブロック、及び青色レジストブロックを含む。各々の色レジストブロックは、入射した白色光のうち、特定の波長の光のみを透過させる。例えば、赤色レジストブロックは赤色光のみを通過させ、緑色レジストブロックは緑色光のみを通過させ、青色レジストブロックは青色光のみを通過させることで、ＯＬＥＤ表示基板は有色光を発することができる。
【０００４】
しかしながら、従来の技術では、ＯＬＥＤ表示基板から発する有色光の色純度が低いため、ＯＬＥＤ表示基板の表示効果が悪いという不具合がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、表示基板を提供する。前記表示基板は、ベース基板と、前記ベース基板上に位置する複数の画素構造と、前記複数の画素構造の前記ベース基板から離れた一側に位置する色レジスト層（ｃｏｌｏｒ  ｒｅｓｉｓｔ  ｌａｙｅｒ）と、を備え、前記色レジスト層は、各々が前記複数の画素構造の１つ以上に対応する複数の色レジストブロック（ｃｏｌｏｒ  ｒｅｓｉｓｔ  ｂｌｏｃｋ）を含み、且つ、前記複数の画素構造の各々の画素構造から発する光は、それに対応する色レジストブロックと同じ色を有する。
【０００６】
選択的に、各々の画素構造は、直列に接続される複数のエレクトロルミネセンス構造を含む。
【０００７】
選択的に、各々の画素構造は、前記ベース基板上に順次形成された第１発光層、第２発光層、第１電気接続層及び第３発光層を含む。前記複数のエレクトロルミネセンス構造は、第１エレクトロルミネセンス構造と第２エレクトロルミネセンス構造を含む。前記第１エレクトロルミネセンス構造は前記第１発光層及び前記第２発光層を含み、前記第２エレクトロルミネセンス構造は前記第３発光層を含み、且つ、前記第１エレクトロルミネセンス構造と前記第２エレクトロルミネセンス構造とは、前記第１電気接続層を介して直列に接続される。一例として、前記第１発光層は赤色発光層を含み、前記第２発光層は緑色発光層を含み、且つ前記第３発光層は青色発光層を含む。
【０００８】
選択的に、各々の画素構造は、前記ベース基板上に順次形成された第１発光層、第２電気接続層、第２発光層、第１電気接続層及び第３発光層を含む。前記複数のエレクトロルミネセンス構造は、第１エレクトロルミネセンス構造、第２エレクトロルミネセンス構造及び第３エレクトロルミネセンス構造を含む。前記第１エレクトロルミネセンス構造は前記第１発光層を含み、前記第２エレクトロルミネセンス構造は前記第２発光層を含み、且つ、前記第３エレクトロルミネセンス構造は前記第３発光層を含む。前記第１エレクトロルミネセンス構造と前記第２エレクトロルミネセンス構造とは、前記第２電気接続層を介して直列に接続され、且つ、前記第２エレクトロルミネセンス構造と前記第３エレクトロルミネセンス構造とは、前記第１電気接続層を介して直列に接続される。
【０００９】
選択的に、各々の色レジストブロックは、前記複数の画素構造のうちの１つの対応する画素構造に対応する。
【００１０】
選択的に、各々の画素単位は、第１電極及び第２電極をさらに含み、前記第１電極、前記複数のエレクトロルミネセンス構造及び前記第２電極は、前記ベース基板上に順次形成される。前記第１電極は反射導電層を含み、且つ前記第２電極は半透過半反射導電層を含み、且つ、前記画素構造から発する光の波長と、前記反射導電層と前記半透過半反射導電層との間の距離とは、正の相関を有する。
【００１１】
選択的に、前記第１電極は、第１透明導電層、絶縁層及び第２透明導電層をさらに含み、前記第１透明導電層、前記反射導電層、前記絶縁層と前記第２透明導電層が前記ベース基板上に順次形成される。前記第２透明導電層は、前記絶縁層におけるビアホールを介して前記反射導電層と電気的に接続され、且つ前記画素構造から発する光の波長と、前記第１電極における前記絶縁層の厚さとは、正の相関を有する。
【００１２】
選択的に、前記第１電極は、第１透明導電層と第２透明導電層をさらに含み、前記第１透明導電層、前記反射導電層と前記第２透明導電層が前記ベース基板上に順次形成され、且つ前記画素構造から発する光の波長と、前記第１電極における前記第２透明導電層の厚さとは、正の相関を有する。
【００１３】
選択的に、各々の画素構造は、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する機能性膜層をさらに備え、前記機能性膜層は、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層と正孔輸送層の少なくとも１つを含み、且つ前記画素構造から発する光の波長と、前記画素構造における前記機能性膜層の厚さとは、正の相関を有する。
【００１４】
選択的に、前記反射導電層と前記半透過半反射導電層との間の距離は、
【数１】
2021520599.tif 000003
であり、ここで、ｋは正の整数係数(ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｂｅｉｎｇ  ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｉｎｔｅｇｅｒ)であり、λは前記画素構造から発する光の波長であり、ｎは前記反射導電層と前記半透過半反射導電層との間の媒質の平均屈折率であり、且つ、θは前記画素構造から発する光の前記反射導電層における反射角である。
【００１５】
選択的に、前記複数の画素構造は、第１色光を発するための第１画素構造、第２色光を発するための第２画素構造、及び第３色光を発するための第３画素構造とを含む。前記係数ｋは、前記第１画素構造、前記第２画素構造、及び前記第３画素構造のいずれにおいても同じである。
【００１６】
選択的に、前記複数の画素構造は、第１色光を発するための第１画素構造、第２色光を発するための第２画素構造、及び第３色光を発するための第３画素構造とを含む。前記第１画素構造と前記第２画素構造における前記係数ｋは同じであるが、前記第３画素構造における前記係数ｋよりも小さい（ｓｍａｌｌｅｒ  ｂｙ  ｏｎｅ）。
【００１７】
本開示の他の一態様は、表示基板の製造方法を提供する。前記方法は、ベース基板を提供する工程と、前記ベース基板上に複数の画素構造を形成する工程と、前記複数の画素構造の前記ベース基板から離れた一側に、色レジスト層を形成する工程とを含む。前記色レジスト層は、各々が前記複数の画素構造の１つ以上に対応する複数の色レジストブロックを含み、且つ、前記複数の画素構造の各々の画素構造から発する光は、対応する色レジストブロックと同じ色を有する。
【００１８】
選択的に、前記ベース基板上に複数の画素構造を形成する工程は、各々の画素構造について、前記ベース基板上に第１エレクトロルミネセンス構造、第１電気接続層及び第２エレクトロルミネセンス構造を順次形成する段階を有しており、前記第１エレクトロルミネセンス構造は第１発光層及び第２発光層を含み、前記第２エレクトロルミネセンス構造は第３発光層を含み、且つ前記第１エレクトロルミネセンス構造と前記第２エレクトロルミネセンス構造とは、前記第１電気接続層を介して直列に接続される。一例として、前記第１発光層は赤色発光層を含み、前記第２発光層は緑色発光層を含み、且つ前記第３発光層は青色発光層を含む。
【００１９】
選択的に、前記ベース基板上に複数の画素構造を形成する工程は、各々の画素構造について、前記ベース基板上に第１エレクトロルミネセンス構造、第２電気接続層、第２エレクトロルミネセンス構造、第１電気接続層及び第３エレクトロルミネセンス構造を順次形成する段階を有しており、前記第１エレクトロルミネセンス構造は第１発光層を含み、前記第２エレクトロルミネセンス構造は第２発光層を含み、第３エレクトロルミネセンス構造は第３発光層を含み、前記第１エレクトロルミネセンス構造と前記第２エレクトロルミネセンス構造とは、前記第２電気接続層を介して直列に接続され、且つ、前記第２エレクトロルミネセンス構造と前記第３エレクトロルミネセンス構造とは、前記第１電気接続層を介して直列に接続される。
【００２０】
本開示のさらに他の一態様は、前記いずれかの実施例に記載の表示基板を具備する表示装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
以下、本開示の実施例における技術案をより明確に説明するため、実施例の説明に必要な図面を簡単に説明する。言うまでもなく、以下の説明における図面は、本開示の実施例の一部のみである。当業者は、格別創意がなく、これらの図面に基づいて他の実施例を得ることもできる。
【００２２】
【図１】本開示の実施例に係る表示基板の構造を示す図である。
【図２】本開示の実施例に係る表示基板の構造を示す図である。
【図３】図２に示す表示基板から発する光の強度と波長との関係を示す図である。
【図４】図２に示す表示基板から発する光の色域を示す図である。
【図５】本開示の実施例に係る表示基板の構造を示す図である。
【図６】図５に示す表示基板から発する光の強度と波長との関係を示す図である。
【図７】図５に示す表示基板から発する光の色域を示す図である。
【図８】本開示の実施例に係る表示基板の構造を示す図である。
【図９】本開示の実施例に係る表示基板の構造を示す図である。
【図１０】本開示の実施例に係る表示基板の構造を示す図である。
【図１１】従来の技術による表示基板の構造を示す図である。
【図１２】本開示の実施例に係る表示基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図１３】本開示の実施例に係る表示基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図１４】本開示の実施例による製造過程中の表示基板の構造を示す図である。
【図１５】本開示の実施例による製造過程中の表示基板の構造を示す図である。
【図１６】本開示の実施例による製造過程中の表示基板の構造を示す図である。
【図１７】本開示の実施例による製造過程中の表示基板の構造を示す図である。
【図１８】本開示の実施例による製造過程中の表示基板の構造を示す図である。
【図１９】本開示の実施例による製造過程中の表示基板の構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本出願の目的、技術案及び効果をより明確にするため、本出願の実施形態を、添付の図面を参照してさらに詳細に説明する。
【００２４】
表示装置は、応答速度が速く、完全硬化、及び自発光などの特性を有し、幅広く使用されている。例えば、表示装置は、フレキシブル表示分野、透明表示分野、及びマイクロ表示分野などに適用することができる。
【００２５】
マイクロ表示分野における表示装置の適用例としては、拡張現実技術(Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ  Ｒｅａｌｉｔｙ、ＡＲと略称)表示器、ヘルメット搭載型表示器、立体表示用ミラー、及び眼鏡型表示器などが挙げられる。マイクロ表示分野においては、表示装置にはより高い色純度、輝度(例えば、輝度が１５００ｎｉｔ以上)と色域が一般に要求される。本開示の実施例は、表示基板、及び表示基板を具備する表示装置を提供する。この表示基板は、マイクロ表示分野だけでなく、他の表示分野にも適用可能である。これについて、本開示の実施例は、特に限定されない。
【００２６】
図１は本開示の実施例に係る表示基板の構造を示す図である。図１に示すように、表示基板０は、ベース基板０１を備える。また、ベース基板０１上には、更に複数の画素構造０２が形成され、且つ、複数の画素構造０２のベース基板０１から離れた一側には、更に色レジスト層０３が形成されている。具体的には、色レジスト層０３は、複数の画素構造０２と一対一に対応する複数の色レジストブロック０３１を含む。複数の画素構造０２の各々の画素構造０２は、１色の光を発する。複数の画素構造０２の各々の画素構造０２について、画素構造０２から発する光の色は、それに対応して形成された色レジストブロック０３１の色と同じである。
【００２７】
説明しておくが、各々の色レジストブロック０３１は、何れも１色に対応している。言い換えると、該色レジストブロック０３１は、対応する色の光のみを透過させ、対応する色以外の光は透過させない。該色レジストブロック０３１の色は、該色レジストブロックに対応する光の色である。
【００２８】
以上のように、本開示の実施例は表示基板を提供する。この表示基板は、複数の画素構造と、色レジスト層とを備え、各々の画素構造は、それに対応して形成された色レジストブロックと同じ色の光を発するために用いられる。これにより、画素構造から発する光のうち、色レジストブロックを通過できる光が占める割合が大きいため、表示基板の色純度が高くなり、且つ表示基板の表示効果も向上される。
【００２９】
選択的に、ベース基板はシリコンで作製されてもよい。もちろん、これに代えて、該ベース基板は、ガラスなどの他の材料で作製されてもよい。この点において、本開示の実施例は、特に限定されない。
【００３０】
選択的に、この表示基板０における画素構造０２は、マイクロキャビティＯＬＥＤとして設計されてもよい。即ち、画素構造０２は、ベース基板上に順次形成された第１電極、複数のエレクトロルミネセンス構造と第２電極を有してもよい。画素構造０２の２つの電極のうち、ベース基板に近い第１電極(例えば、アノード)は、反射導電層を含み、ベース基板から遠い第２電極(例えば、カソード)は、半透過半反射導電層を含む。これにより、これらの２つの電極は共振キャビティを形成する。反射導電層と半透過半反射導電層との距離は、共振キャビティのキャビティ長となる。共振原理によれば、画素構造から発する光の波長と、画素構造における共振キャビティのキャビティ長とは、正の相関を有する。なお、画素構造０２における全ての発光層から発する光は、組み合わせて白色光を形成することができる。この場合、この共振キャビティは、白色光のうちのある１色の光をエネルギー増幅のためにスクリーニングし、その色とは異なる他の光をエネルギー減衰させることができる。最終的には、画素構造０２はその１色の光を発し、且つ画素構造０２から発する光の輝度がより高くなる。本開示の実施例において、画素構造０２は、共振キャビティを介して、該画素構造０２に対応して形成された色レジストブロック０３１と同じ色の光を発することができる。
【００３１】
選択的に、この表示基板０における画素構造０２は、例えば、複数のエレクトロルミネセンス構造からなるタンデム型ＯＬＥＤを有してもよい。なお、タンデム型ＯＬＥＤの発光効率及び発光パワーは比較的に高い。したがって、本開示の実施例に係る表示基板０の発光効率及び発光パワーは、同様に比較的に高い。
【００３２】
例示的に、本開示の実施例によれば、表示基板は、多様な実施形態があり得る。以下、５つの実施形態を例に挙げて説明する。
【００３３】
図２は本開示の実施例に係る表示基板の構造を示す図である。具体的には、図２は、表示基板の１つの実施形態を示す。該表示基板０における画素構造０２は、ベース基板０１上に順次形成された第１電極０２１、赤色発光層０２２、緑色発光層０２３、第１電気接続層０２４、青色発光層０２５、第２電極０２６を有する。
【００３４】
一例として、第１電極０２１と第２電極０２６の一方の電極はカソードであり、他方の電極はアノードであり得る。本開示の実施例において、例えば、第１電極０２１はアノードであり、第２電極０２６はカソードである。例示的に、共振キャビティは、該ＯＬＥＤにおける第１電極０２１と第２電極０２６によって形成され得る。各ＯＬＥＤについて、ＯＬＥＤにおける共振キャビティのキャビティ長ｄは、該ＯＬＥＤから発する光の波長λに相関する。
【００３５】
例えば、キャビティ長ｄと波長λとの関係は、２ｋ(λ／２)＝２ｎｄｃｏｓθとして表すことができる。ここで、ｋは、一般的にキャビティ長係数と呼ばれる正の整数係数であり、ｎは、共振キャビティにおける媒質の平均屈折率を表し、θは該ＯＬＥＤから発する光の反射導電層における反射角である。しかも、光の波長は、光の色に相関するので、該共振キャビティのキャビティ長は、該ＯＬＥＤが発する光の色に相関している。このような場合、共振キャビティのキャビティ長ｄを調整することにより、ＯＬＥＤが発する光の色の調整を実現することができる。この表示基板０において、画素構造から発する光の波長と、画素構造における共振キャビティのキャビティ長とは、正の相関を有する。これは、異なる色の光を発する２つの画素構造０２における共振キャビティのキャビティ長が異なることを意味する。
【００３６】
本開示の実施例において、画素構造０２の第１電極０２１における絶縁層の厚さを調整することにより、画素構造０２における共振キャビティのキャビティ長ｄを調整することができる。このような場合、画素構造が発する光の波長は、画素構造における絶縁層の厚さとは、正の相関を有する。これにより、本開示の実施例によれば、共振キャビティのキャビティ長の選択により、画素構造から発する光の色、即ち波長、特に中心波長を調整することができることが分かる。当業者であれば、共振キャビティから出射される光、一般的に、特定のスペクトル幅を有し、且つ、以上に示される共振キャビティのキャビティ長と出射波長との間の式２ｋ(λ／２)＝２ｎｄｃｏｓθにおいて、λは、出射光の中心波長又は主波長を表すことを理解するであろう。仮に、工程上の誤差や制限などを考慮して、出射光に他の波長の迷光が存在したとしても、その後、対応する色レジストブロックによってこのような迷光を濾過することができるため、表示基板全体の各画素から出射される光の純度を有効に確保することができる。この点について、後述では、表１と表２を中心に、より詳細に解説及び説明する。
【００３７】
例示的に、第１電極０２１は、ベース基板０１上に順次形成された第１透明導電層０２１１、反射導電層０２１２、絶縁層０２１３、第２透明導電層０２１４を有する。さらに、第２透明導電層０２１４は、絶縁層０２１３におけるビアホール（図２には図示せず）を介して反射導電層０２１２と電気的に接続されている。第１透明導電層０２１１と第２透明導電層０２１４の両方は、インジウムスズ酸化物から作製され得る。反射導電層０２１２は、銀から作製され得る。絶縁層０２１３は、二酸化ケイ素から作製され得る。第２電極０２６における半透過半反射導電層は、マグネシウム、銀でドープされた半透過半反射材料を含んでもよい。異なる色の光を発する２つの画素構造０２における絶縁層０２１３の厚さが異なる、即ち、異なる色の光を発する２つの画素構造０２における共振キャビティのキャビティ長が異なる。
【００３８】
選択的に、各々の画素構造０２における共振キャビティのキャビティ長を設計するときには、対応する係数ｋは、任意の正の整数に選択することができる。このとき、係数ｋを特定の値に選択すれば、実際に必要な画素構造から発する光の波長に応じて、適切な共振キャビティのキャビティ長を選択することができる。言い換えると、本開示の実施例において、画素構造０２が共振キャビティ効果により特定の色の光を発することが決定された前提下、該画素構造０２における共振キャビティのキャビティ長は、ある特定の係数ｋに対応するキャビティ長を選択することができる。これは、画素構造０２における共振キャビティのキャビティ長が短く、且つ画素構造０２における各膜層の厚さも薄い場合には、対応する係数ｋの値を適宜大きくして、必要な共振キャビティのキャビティ長、及び画素構造０２における各膜層の厚さを大きくすることができることを意味する。これにより、画素構造０２の製造が容易になる。
【００３９】
例示的に、図２に示すように、表示基板における複数の画素構造０２は、赤色光を発するための赤色光画素構造０２、緑色光を発するための緑色光画素構造０２、及び青色光を発するための青色光画素構造０２を含む。一例として、赤色光画素構造０２における第１共振キャビティのキャビティ長に対応する係数ｋはｉに設定し、緑色光画素構造０２における第２共振キャビティのキャビティ長に対応する係数ｋもｉに設定し、青色光画素構造０２における第３共振キャビティのキャビティ長に対応する係数ｋは同じくｉに設定でき、ここで、ｉ≧１である。即ち、これらの三つの画素構造において、共振キャビティのキャビティ長に対応する係数ｋは、いずれもｉである。この場合、例えば、赤色光画素構造０２における絶縁層の厚さは１４５ｎｍであり、緑色光画素構造０２における絶縁層の厚さは９０ｎｍであり、青色光画素構造０２における絶縁層の厚さは４５ｎｍである。
【００４０】
図２を続けて参照すると、各々の画素構造０２は、第１正孔注入層（Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ、ＨＩＬと略称）０２７と、第１正孔輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ、ＨＴＬと略称）０２８と、第１電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ、ＥＴＬと略称）０２９と、第二正孔注入層Ｂ１と、第二正孔輸送層Ｂ２と、第二電子輸送層Ｂ３と、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ、ＥＩＬと略称）Ｂ４と、をさらに含む。さらに、複数の画素構造０２と色レジスト層０３との間には、薄膜封止(Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ、ＴＦＥと略称)層(図２には図示せず)がさらに形成され、且つ色レジスト層０３は、各々の色レジストブロック０３１の間に位置するブラックマトリクスパターン０３２をさらに含む。
【００４１】
一例として、第１透明導電層０２１１の厚さは８０Å、反射導電層０２１２の厚さは１０００Å、第２透明導電層０２１４の厚さは８０Å、第１正孔注入層０２７の厚さは１００Å、第１正孔輸送層０２８の厚さは１５０Å、赤色発光層０２２の厚さは１００Å、緑色発光層０２３の厚さは３００Å、第１電子輸送層０２９の厚さは２００Å、第１電気接続層０２４の厚さは１５０Å、第２正孔注入層Ｂ１の厚さは１００Å、第２正孔輸送層Ｂ２の厚さは１００Å、青色発光層０２５の厚さは２５０Å、第２電子輸送層Ｂ３の厚さは３００Å、電子注入層Ｂ４の厚さは１００Å、第２電極０２６の厚さは１２０Åであってもよい。
【００４２】
さらに、図２に示すように、表示基板０において、各々の画素構造０２は、タンデム型ＯＬＥＤ（積層ＯＬＥＤとも呼ばれる）を有してもよい。図２を続けて参照すると、各々の画素構造０２において、赤色発光層０２２は赤色光を発するために用いられ、緑色発光層０２３は緑色光を発するために用いられ、青色発光層０２５は青色光を発するために用いられる。赤色発光層０２２と緑色発光層０２３が積層されて１つのエレクトロルミネッセンス構造を形成し、且つ青色発光層０２５は独立して１つのエレクトロルミネッセンス構造を形成する。この２つのエレクトロルミネセンス構造は、その間の直列接続を実現するように、緑色発光層０２３と青色発光層０２５との間に位置する第１電気接続層０２４を介して電気的に接続される。言い換えると、赤色発光層及び緑色発光層は第１エレクトロルミネセンス構造を形成し、青色発光層は第２エレクトロルミネセンス構造を形成し、且つ第１エレクトロルミネセンス構造と第２エレクトロルミネセンス構造とは、第１電気接続層を介して直列に接続される。
【００４３】
図２に係る表示基板をシミュレーションすることにより、図３に示すようなグラフが得られる。このグラフにおいて、横軸は光の波長を単位ｎｍで表し、縦軸は光の強度（無次元）を表す。図３を参照すると、表示基板から発する赤色光の波長は６００ｎｍ付近に、緑色光の波長は５２０ｎｍ付近に、青色光の波長は４５０ｎｍ付近にそれぞれ集中している。
【００４４】
図２に係る表示基板をシミュレーションすることにより、更に、表１に示すパラメーターが得られる。下記の表１を参照すると、表示基板から発する最も赤い光は、国際照明委員会（Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌｅ  ｄｅ  ｌ’Ｅｃｌａｉｒａｇｅ、ＣＩＥと略称）が規定した色度的な基準における色度座標ＣＩＥｘ(即ち：ＣＩＥが規定した色度図における色度座標ｘ)は０.６５０、ＣＩＥｙ（即ち：ＣＩＥが規定した色度図における色度座標ｙ)は０.３４１、ＣＩＥＹ(即ち：ＣＩＥが規定した色度的な基準における輝度)は６６.０であり；表示基板から発する最も緑の光のＣＩＥｘは０.１１７、ＣＩＥｙは０.７７１、ＣＩＥＹは７９.６であり；表示基板から発する最も青い光のＣＩＥｘは０.１４６、ＣＩＥｙは０.０３２、ＣＩＥＹは６６.８である。
【表１】
2021520599.tif 000004
【００４５】
表１の色度座標から、ＣＩＥが規定した色度図におけるこの表示基板の色域（図４の色域Ａ１）は求めることができる。本開示の実施例に係る表示基板は、国立テレビ標準委員会(Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ  ＳｔａｎｄａｒｄｓＣｏｍｍｉｔｔｅｅ、ＮＴＳＣと略称)が規定した色域標準において、１２０％の色域を達成できることが分かる。
【００４６】
選択的に、表示基板から発する光の輝度を向上させるため、本開示の実施例において、色レジストブロックの透過率を５０％〜６０％、又は６０％よりも高く設定することができる。この点において、本開示の実施例は、特に限定されない。これにより、表示基板から発する全ての光の合計輝度は、２５００ｎｉｔに達する可能性がある。これに対し、従来の技術では、色レジストブロックの透過率が低くなりがちであるため、従来の表示基板から発する全ての光の合計輝度は、例えば、通常３００ｎｉｔと低くなってしまう。
【００４７】
本開示の実施例に係る表示基板の輝度、色域と色純度が比較的に高いがことが分かる。この場合、この表示基板は、例えば、マイクロ表示分野における表示装置の要求を満たすことができる。
【００４８】
図５は、本開示の実施例に係る表示基板の構造を示す図である。図５は表示基板の第２の実施形態を示す。
【００４９】
図２に示す表示基板と異なり、図５に示す表示基板においては、赤色光画素構造０２における第１共振キャビティのキャビティ長に対応する係数ｋはｊであり、緑色光画素構造０２における第２共振キャビティのキャビティ長に対応する係数ｋはｊであり、且つ青色光画素構造０２における第３共振キャビティのキャビティ長に対応する係数ｋはｊ＋１であり、ここで、ｊ≧１である。選択的に、ｉとｊは等しくてもよいし、等しくなくてもよい。具体的、例えば、赤色光画素構造０２における絶縁層の厚さは９０ｎｍ、緑色光画素構造０２における絶縁層の厚さは１８ｎｍ、青色光画素構造０２における絶縁層の厚さは１２０ｎｍである。
【００５０】
図５に係る表示基板をシミュレーションすることにより、図６に示すようなグラフが得られる。このグラフにおいて、横軸は光の波長を単位ｎｍで表し、縦軸は光の強度を単位Ｗ・ｍ-２・ｎｍ-１・ｓｒ-１で表す。図６を参照すると、表示基板から発する赤色光の波長は６２０ｎｍ付近に、緑色光の波長は５２０ｎｍ付近に、且つ青色光の波長は４６０ｎｍ付近にそれぞれ集中している。
【００５１】
図５に係る表示基板をシミュレーションすることにより、表２に示すパラメーターが得られる。下記の表２を参照すると、表示基板から発する最も赤い光のＣＩＥｘは０.６７３、ＣＩＥｙは０.３４１、ＣＩＥＹは６７.３であり；表示基板から発する最も緑の光のＣＩＥｘは０.１５７、ＣＩＥｙは０.７４０、ＣＩＥＹは６８.９であり；そして表示基板から発する最も青い光のＣＩＥｘは０.１４２、ＣＩＥｙは０.０４８、ＣＩＥＹは２６.８である。
【表２】
2021520599.tif 000005
【００５２】
表２の色度座標から、ＣＩＥが規定した色度図におけるこの表示基板の色域（図７の色域Ａ２）は求めることができる。本開示の実施例に係る表示基板は、ＮＴＳＣが規定した色域標準において、１１５％の色域を達成できることが分かる。また、この表示基板から発する全ての光の合計輝度は、２２００ｎｉｔに達する可能性がある。
【００５３】
図８は本開示の実施例に係る表示基板の構造を示す図である。図８は表示基板の第３の実施形態を示す。
【００５４】
図５に示す表示基板と異なり、図８に示す表示基板においては、各々の画素構造０２における複数のエレクトロルミネセンス構造の配置は、異なる配置を有し得る。例示的に、図８に示す各々の画素構造０２において、赤色発光層０２２は独立して１つのエレクトロルミネセンス構造を形成し、緑色発光層０２３は独立して別の１つのエレクトロルミネセンス構造を形成し、青色発光層０２５は独立してさらに別の１つのエレクトロルミネセンス構造を形成する。この場合、赤色発光層０２２と緑色発光層０２３との間に、第２電気接続層Ｂ５がさらに形成され、赤色発光層０２２は第２電気接続層Ｂ５を介して緑色発光層０２３と接続されてもよい。さらに、緑色発光層０２３は、第１電気接続層０２４を介して青色発光層０２５と接続されてもよく、最終的には、この三つのエレクトロルミネセンス構造の直列接続が実現される。即ち、図５に示す実施例において、赤色発光層が第１エレクトロルミネセンス構造を形成し、緑色発光層が第２エレクトロルミネセンス構造を形成し、そして青色発光層が第３エレクトロルミネセンス構造を形成する。なお、第１エレクトロルミネセンス構造と第２エレクトロルミネセンス構造とは、第２電気接続層を介して直列に接続され、且つ第２エレクトロルミネセンス構造と第３エレクトロルミネセンス構造とは、第１電気接続層を介して直列に接続される。
【００５５】
図８を続けて参照すると、この第２電気接続層Ｂ５は、順次積層される第２電子輸送層Ｂ６、第３正孔注入層Ｂ７と第３正孔輸送層Ｂ８を有してもよい。ここで、電子輸送層が赤色発光層０２２に隣接して形成される。例示的な実施例において、第２電子輸送層Ｂ６の厚さは３００Åであり、第３正孔注入層Ｂ７の厚さは１００Åであり、第３正孔輸送層Ｂ８の厚さは１５０Åである。
【００５６】
図８に係る表示基板をシミュレートすることにより、ＮＴＳＣにより規定された色域標準において表示基板が達成する色域と、この表示基板から発する全ての光の合計輝度と、この表示基板から発する光の色純度とが得られる。上記の第３の実施形態において、表示基板の色度、合計輝度、及び色純度が比較的に高いことは明らかである。
【００５７】
図９は本開示の実施例に係る表示基板の構造を示す図である。図９は表示基板の第４の実施形態を示す。
【００５８】
図２に示す表示基板と異なり、図９に示す表示基板において、各々の画素構造０２における第１電極０２１は、絶縁層を有さず、ベース基板０１上に順次形成された第１透明導電層０２１１、反射導電層０２１２及び第２透明導電層０２１４のみを有してもよい。このとき、画素構造０２の第１電極０２１における第２透明導電層０２１４の厚さを調整することにより、画素構造０２における共振キャビティのキャビティ長ｄを調整することができる。無論、異なる色の光を発する２つの画素構造０２における第２透明導電層０２１４の厚さが異なる。この場合、画素構造から発する光の波長は、画素構造における第２透明導電層の厚さとは、正の相関を有する。
【００５９】
一例として、赤色光画素構造０２における第２透明導電層の厚さは１００ｎｍであり、緑色光画素構造０２における第２透明導電層の厚さは２６ｎｍであり、青色光画素構造０２における第２透明導電層の厚さは１３０ｎｍである。
【００６０】
図１０は本開示の実施例に係る表示基板の構造を示す図である。図１０は表示基板の第５の実施形態を示す。
【００６１】
図２に示す表示基板と異なり、図１０に示す表示基板において、異なる色の光を発する２つの画素構造体０２における絶縁層０２１３の厚さは同じであり得る。さらに、ＯＬＥＤにおいて、電子注入層Ｂ４、電子輸送層(例えば、第１電子輸送層０２９と第２電子輸送層Ｂ３)、正孔注入層(例えば、第１正孔注入層０２７と第２正孔注入層Ｂ１)、及び正孔輸送層(例えば、第１正孔輸送層０２８と第２正孔輸送層Ｂ２)のうち少なくとも１つが機能性膜層である。この場合、異なる色の光を発する２つのＯＬＥＤにおける機能性膜層は、異なる厚さを有するように設計される。本開示の実施例において、機能性膜層は、例えば、電子注入層Ｂ４として選択され得る。これにより、異なる色の光を発する２つのＯＬＥＤについて、電子注入層Ｂ４の厚さは異なるように設計される。選択的に、機能性膜層は、他の膜層（例えば、第１正孔注入層０２７など）をさらに含んでもよい。これについて、本開示の実施例は、特に限定されない。このとき、画素構造０２における機能性膜層の厚さを調整することにより、画素構造０２における共振キャビティのキャビティ長ｄを調整することができる。
【００６２】
以下、本開示の実施例に係る表示基板と、従来の技術に係る表示基板とを対比して分析する。
【００６３】
例示的に、従来の技術によるＯＬＥＤ表示基板は、２つのタイプに大別され得る。その１つとして、ＯＬＥＤ表示基板は、ベース基板と、ベース基板上に形成された複数のＯＬＥＤと、この複数のＯＬＥＤのベース基板から離れた一側に形成された色レジスト層と、を備える。具体的には、このような複数のＯＬＥＤの各々は白色光を発することができ、且つ色レジスト層は、複数のＯＬＥＤと一対一に対応する複数の色レジストブロックを含む。
【００６４】
しかしながら、従来の技術では、ＯＬＥＤから発する光が白色光であり、また、白色光のうち赤色レジストブロックを通過できる赤色光が少なく、白色光のうち緑色レジストブロックを通過できる緑色光が少なく、又は白色光のうち青色レジストブロックを通過できる青色光が少ないなど、白色光のうち色レジストブロックを通過できる光の割合が少ないため、表示基板から発する光の色は一般的に薄く、表示基板から発する光の色純度が低い。これに対し、本開示の実施例において、ＯＬＥＤから発する光の色は、対応して形成される色レジストブロックの色と同じである。言い換えると、このＯＬＥＤから発する光のうち、色レジストブロックを通過できる光の割合が比較的に多く、表示基板から発する光の色がより濃く、しかも、表示基板から発する光の色純度もより高い。
【００６５】
図１１は、従来の技術による別の１つのＯＬＥＤ表示基板の構造を示す図である。図１１に示すように、このＯＬＥＤ表示基板１は、ベース基板１０と、ベース基板１０上に形成された複数のＯＬＥＤ１１とを備え、各ＯＬＥＤ１１は、１色の光を発することができ、その結果、複数のＯＬＥＤ１１が組み合わされて赤色光、緑色光、及び青色光を発するようになる。
【００６６】
しかしながら、このような実施例において、各ＯＬＥＤ１１から発する光の波長範囲が広く、また、これらの光には他の色の光が混ざることが多い。例えば、あるＯＬＥＤ１１は赤色光を発するように求められるが、このＯＬＥＤ１１から発する光の中には通常、わずかな黄色光が混ざる。その結果、各ＯＬＥＤ１１から発する光の純度は比較的低い。これに対し、本開示の実施例において、各ＯＬＥＤのベース基板から離れた一側には色レジストブロックが対応して形成され、且つ、該色レジストブロックにより該ＯＬＥＤから発する光を濾過することができ、その結果、光の中に混ざられる他の色の光成分を取り除くことができ、表示基板から発する光の純度を向上させ得る。
【００６７】
なお、図１１に示すような表示基板を製造する場合には、ファインメタルマスク(Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ、ＦＭＭと略称)を用いる必要があるため、ＦＭＭの精度に制限される場合が多い。このため、従来の技術により、ベース基板上の正射影面積が小さいＯＬＥＤを製造することができず、よって、表示基板の１インチ当たりの画素数(ＰｉｘｅｌｓＰｅｒＩｎｃｈ、ＰＰＩと略称)が少なくなってしまう。
【００６８】
これに対し、本開示の実施例に係る表示基板を製造する際には、ＦＭＭを用いる必要はない。したがって、ＦＭＭによって表示基板の製造工程が制限されることはない。そのため、本開示の実施例に係る表示基板のＰＰＩは大きくなる。例示的に、本開示の実施例において、表示基板のＰＰＩは６０００に達し得る。これに対し、従来の技術による表示基板のＰＰＩは、６０００以下、例えば２０００程度であるのが一般的である。
【００６９】
なお、本開示の実施例に係る表示基板は、ＮＴＳＣが規定した色域標準において、１００％より大きい色域を達成することもできる。
【００７０】
なお、本開示の実施例において、画素構造における各発光層の形成順序は、一例として示されるか提案されるものである。選択的に、各発光層の形成順序は、変更可能であり、本開示の実施例は、これらに限定されるものではない。
【００７１】
以上のように、本開示の実施例は表示基板を提供する。この表示基板は、複数の画素構造と、色レジスト層とを備え、各々の画素構造は、それに対応する色レジストブロックと同じ色の光を発するために用いられる。これにより、ＯＬＥＤから発する光のうち、色レジストブロックを通過できる光の割合がより多くなるため、表示基板の色純度がより高くなり、且つ表示基板の表示効果も向上される。
【００７２】
図１２は本開示の実施例に係る表示基板の製造方法を示すフローチャートである。該方法は、図１、図２、図５、図８、図９、図１０のいずれかに示す表示基板の製造に適用することができる。図１２に示すように、該表示基板の製造方法は、以下のステップを含むことができる。
ステップ１２０１：ベース基板を提供する。
ステップ１２０２：ベース基板上に複数の画素構造を形成する。
ステップ１２０３：複数の画素構造のベース基板から離れた一側に、色レジスト層を形成する。
【００７３】
具体的には、色レジスト層は、複数の画素構造に一対一に対応する複数の色レジストブロックを含み、ここで、複数の画素構造の各々の画素構造は、１色の光を発し、且つ画素構造の各々の画素構造から発する光の色は、それに対応する色レジストブロックの色と同じである。
【００７４】
以上のように、本開示の実施例は、表示基板の製造方法を提供する。具体的には、この方法により製造される表示基板は、複数の画素構造と色レジスト層とを備え、各々の画素構造は、それに対応する色レジストブロックと同じ色の光を発するために用いられる。これにより、画素単位から発する光のうち、色レジストブロックを通過できる光がより多くなるため、表示基板の色純度がより高くなり、且つ表示基板の表示効果も向上される。
【００７５】
説明しておくが、本開示の実施例において、上記方法により製造される表示基板は、例えば、図２、図５、図８、図９、図１０に示すような実施形態など、種々の実施形態を有することができる。これらの実施形態において、表示基板の製造方法は、ほぼ同様である。例えば、本開示の実施例において、上記の製造方法は図２に示すような表示基板の製造に用いることができる。
【００７６】
例示的に、図２に示すような表示基板を製造するとき、ステップ１２０２は、図１３に示すように、以下のサブステップを有してもよい。
ステップ１２０２１：ベース基板上に第１透明導電層と反射導電層を順次形成する。
【００７７】
選択的に、図１４に示すように、第１透明導電層０２１１を製造するとき、ベース基板０１上に、塗布、マグネトロンスパッタリング、熱蒸着又はプラズマ化学気相成長法(Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤと略称)などの方法によって透明導電材料を堆積して、透明導電材料層（図１４に図示せず）を得ることができる。その後、この透明導電材料層を一回のパターニング工程で再度処理して、第１透明導電層０２１１を得る。
【００７８】
一例として、一回のパターニング工程には、フォトレジストの塗布、露光、現像、エッチング、フォトレジストの除去などが含まれる。したがって、透明導電材料層を一回のパターニング工程で処理する過程は、透明導電材料層上に一層のフォトレジストを塗布するステップと；そして、フォトレジストに完全露光領域と非露光領域を形成するように、マスクを用いてフォトレジストを露光するステップと；次に、現像工程を用いて、完全露光領域のフォトレジストを除去すると共に、非露光領域のフォトレジストが残るように処理するステップと；その後、透明導電材料層上の完全露光領域に対応する領域をエッチングし、エッチング終了後に非露光領域のフォトレジストを剥離して第１透明導電層０２１１を得るステップと、を含む。
【００７９】
第１透明導電層０２１１を形成した後、第１透明導電層０２１１が形成されたベース基板０１上に反射導電材料層(図１４に図示せず)を形成することができる。その後、この反射導電材料層を一回のパターニング工程で再度加工して、図１４に示すような反射導電層０２１２を得る。
ステップ１２０２２：第１透明導電層と反射導電層が形成されたベース基板上に絶縁層を形成する。
【００８０】
説明しておくが、ベース基板上には、複数色の光を発することが可能な複数の画素構造を形成する必要がある。なお、図２に示すように、表示基板においては、対応するＯＬＥＤから発する光の色を調整するように、絶縁層の厚さを調整する必要もある。したがって、ステップ１２０２２において、種々な厚さを有する絶縁層をベース基板上に形成する必要がある。例示的に、赤色光を発することができるＯＬＥＤ、緑色光を発することができるＯＬＥＤ及び青色光を発することができるＯＬＥＤを、ベース基板上に形成する必要がある。したがって、ステップ１２０２２において、３つの厚さを有する絶縁層をベース基板上に形成する必要がある。例えば、赤色光を発するＯＬＥＤにおける絶縁層の厚さが最も厚く、青色光を発するＯＬＥＤにおける絶縁層の厚さが最も薄い。
【００８１】
ベース基板上に絶縁層を形成する工程は、図１５〜図１８に示す通りであってもよい。図１５〜図１８を参照すると、絶縁層０２１３を形成するとき、まず、第１透明導電層０２１１と反射導電層０２１２が形成されたベース基板０１上に絶縁材料層とフォトレジスト層を順次形成することができる(図１５〜図１８には、何れも絶縁材料層とフォトレジスト層は図示していない)。
【００８２】
次に、フォトレジスト層に完全露光領域と非露光領域とを形成するように、マスクを用いてフォトレジスト層を露光する。ここで、非露光領域は、反射導電層０２１２のフォトレジスト層上の対応領域である。その後、現像工程を用いて、完全露光領域のフォトレジストを除去すると共に、非露光領域のフォトレジストが残るように処理する。その後、完全露光領域の絶縁材料層上の対応領域をエッチングすると共に、エッチング終了後に非露光領域のフォトレジストを剥離する。これにより、図１５に示すような第１絶縁層パターンＣ１及び第１フォトレジストパターンＣ２が得られる。
【００８３】
さらに、第１絶縁層パターンＣ１及び第１フォトレジストパターンＣ２を得た後、ハーフトーンマスクを用いて第１フォトレジストパターンＣ２の露光及び現像を行う。これにより、最も薄い絶縁層を形成すべく領域におけるフォトレジストを除去し、また、次に薄い絶縁層を形成すべく領域におけるフォトレジストを薄くする。これにより、図１６に示すような第２フォトレジストパターンＣ３を得ることができる。該第２フォトレジストパターンＣ３は、第１厚さ領域Ｃ３１、第２厚さ領域Ｃ３２及びフォトレジスト完全除去領域Ｃ３３を含む。ここで、第１厚さ領域Ｃ３１におけるフォトレジストの厚さは、第２厚さ領域Ｃ３２におけるフォトレジストの厚さよりも厚く、且つ第１厚さ領域Ｃ３１は、形成すべく最も厚い絶縁層の第２フォトレジストパターンＣ３上の対応領域である。
【００８４】
その後、第２フォトレジストパターンＣ３をマスクとして、第１絶縁層パターンＣ１を、例えば、ドライエッチングによりエッチングする。エッチング過程において、フォトレジスト完全除去領域Ｃ３３に対応する第１絶縁層パターンＣ１は薄くなり、且つ第２厚さ領域Ｃ３２及びそれに対応する第１絶縁層パターンＣ１は共に薄くなる。この後、第１厚さ領域Ｃ３１を剥離することにより、図１７に示すような第２絶縁層パターンＣ４が得られる。
【００８５】
最後に、図１８に示すように、第２絶縁層パターンＣ４にビアホールＣ５を形成することにより、３つの厚さの絶縁層０２１３を得ることができる。この３つの厚さの絶縁層０２１３は、第２フォトレジストパターンＣ３における第１厚さ領域Ｃ３１、第２厚さ領域Ｃ３２、及びフォトレジスト完全除去領域Ｃ３３にそれぞれ一対一に対応する。
【００８６】
選択的に、ステップ１２０２２は、他の方法で実施してもよい。例えば、厚さが異なる３つの絶縁層を順次形成してもよく、本開示の実施例は、これに限定されない。
【００８７】
ステップ１２０２３：絶縁層が形成されたベース基板上に第２透明絶縁層、第１正孔注入層、第１正孔輸送層、赤色発光層、緑色発光層、第１電子輸送層、第１電気接続層、第２正孔注入層、第２正孔輸送層、青色発光層、第２電子輸送層、電子注入層、第２電極を順次形成する。
【００８８】
ステップ１２０２３において、形成すべく各膜層の形成過程は、何れも、該膜層に用いる材質を塗布し、その後、一回のパターニング工程で該材質を処理する段階を有してもよい。この過程は、ステップ１２０２１において第１透明導電層又は反射導電層を形成する過程を参照することができる。
【００８９】
第２透明絶縁層、第１正孔注入層、第１正孔輸送層、赤色発光層、緑色発光層、第１電子輸送層、第１電気接続層、第２正孔注入層、第２正孔輸送層、青色発光層、第２電子輸送層、電子注入層、第２電極を順次形成した後、図１９に示すような構造を得ることができる。例示的に、図１９に示すような構造は、赤色光を発する赤色光画素構造、緑色光を発する緑色光画素構造、及び青色光を発する青色光画素構造を含む。
【００９０】
説明しておくが、複数の画素構造を作製した後、さらに複数の画素構造が形成されたベース基板上にＴＦＥ層を形成する。ステップ１２０３において、このＴＦＥ層上に色レジスト層を形成し得る。
【００９１】
以上のように、本開示の実施例によれば、上記の方法によって製造される表示基板は、複数の画素構造と色レジスト層とを備え、各々の画素構造は、それに対応する色レジストブロックと同じ色の光を発するために用いられる。これにより、画素構造から発する光のうち、色レジストブロックを通過できる光がより多くなるため、表示基板の色純度がより高くなり、且つ表示基板の表示効果もより高くなる。
【００９２】
本開示の実施例は、表示装置をさらに提供する。この表示装置は、図１、図２、図５、図８、図９と図１０のいずれかに示す表示基板を具備することができる。例示的に、この表示装置は、電子ペーパー、携帯電話、タブレット型コンピュータ、テレビ、ディスプレイ、ノート型コンピュータ、デジタルフォトフレーム、カーナビゲーションなどの表示機能を有する任意の製品又は部品であり得る。
【００９３】
なお、本開示が提供する方法の実施例について、それに対応する表示基板及び表示装置の実施例を参照することができる。これに対し、本開示の実施例は、特に限定されない。また、本開示の実施例が提供する方法では、各ステップの前後順序を適切に調整することができる。また、ステップは状況に応じて増減することも可能である。本開示に披露する技術的範囲内において、当業者が様々な変更を容易に想到し得るものも、本開示の保護範囲内に含むものとする。したがって、その説明は省略する。
【００９４】
上記の説明は、本開示の代替的な実施例にすぎず、本出願を限定するものではない。本出願の精神と要旨を逸脱しない技術的範囲内に行われるあらゆる変更、均等物、改良物等は、いずれも本開示の保護範囲内に含まれるものとする。
【００９５】
本出願は、２０１８年５月９日に出願された、出願番号が２０１８１０４３８２１９.８である中国特許出願を基礎出願とする優先権を主張し、その開示内容の全てが参照によって本出願の一部に組み込まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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