(57)【要約】  全面的な感光材料を採用してマイクロデバイスを掴持するステップ（１）と、マイクロデバイスをフォトマスクとして、感光材料層を台形構造及び支持マイクロ柱に製作するステップ（２）と、機械的な力を採用して支持マイクロ柱を押して折って、マイクロデバイスのマストランスファーを実現するステップ（３）と、を含む。全面の感光材料を採用してマイクロデバイスを掴持することで、マイクロデバイスを掴持する精度が不足する問題を避けることができる。マイクロデバイスをフォトマスクとして、感光材料層を台形構造および支持マイクロ柱に製作するので、マイクロデバイスの安定性、及び後の分離の簡易性に対して有利である。機械的な力を採用するだけで支持マイクロ柱を押して折るので、マイクロデバイスのマストランスファーを実現することができ、技術が簡単で生産コストを有効に削減させることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースを提供し、前記ベースの表面に感光材料層を形成すると共に、前記感光材料層に対して第１の温度で半固化処理を行なうステップにおいて、前記第１の温度が前記感光材料層の完全固化温度よりも低いことで、前記感光材料層が粘性を具えることを確保する、ステップ（１）と、
マイクロデバイスのアレイを提供し、前記感光材料層の表面粘性によって、前記マイクロデバイスのアレイを前記感光材料層の表面に掴持するステップ（２）と、
前記マイクロデバイスをフォトマスクとして、前記感光材料層に対してセルフアライン露光処理および現像処理を行ない、前記感光材料層を前記マイクロデバイスに対応する複数の支持構成に分割させるステップにおいて、前記支持構成は、前記マイクロデバイスに粘着する第１の支持部と、前記第１の支持部と前記ベースとを連結する第２の支持部と、を含み、且つ前記第２の支持部の径方向幅が前記第１の支持部の径方向幅よりも小さいステップ（３）と、
パッケージ基板を提供し、前記パッケージ基板の表面には、前記マイクロデバイスのアレイに対応する共晶金属があり、前記マイクロデバイスのアレイと前記共晶金属とを位置合わせして接合すると共に、共晶処理を行なうステップ（４）と、
前記第２の支持部から前記マイクロデバイスおよび前記ベースを分離すると共に、前記マイクロデバイスの上にある感光材料層を取り除いて、マイクロデバイスのマストランスファーを実現するステップ（５）と、を含む、ことを特徴とする、マイクロデバイスのマストランスファー方法。
【請求項２】
ステップ（３）において、前記セルフアライン露光処理の強度を制御することによって、現像処理後の前記第１の支持部が台形構造を呈するようにして、前記第１の支持部および前記マイクロデバイスの粘着面積を増大し、前記マイクロデバイスおよび前記ベースの分離に有利となるように、前記第２の支持部がマイクロ柱構造を呈していることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロデバイスのマストランスファー方法。
【請求項３】
前記マイクロ柱構造の径方向幅は、前記台形構造の上面の径方向幅以下であると共に、前記マイクロ柱構造の径方向幅は、前記マイクロデバイスを安定に支持するために必要な最小幅以上であることを特徴とする、請求項２に記載のマイクロデバイスのマストランスファー方法。
【請求項４】
ステップ（３）において、前記セルフアライン露光処理は、紫外線露光処理を含み、前記セルフアライン露光処理の光線が前記マイクロデバイスの表面に対して垂直になるよう入射して、前記第２の支持部を前記第１の支持部の中心区域に連接させて前記マイクロデバイスの位置偏移を防止することを特徴とする、請求項１に記載のマイクロデバイスのマストランスファー方法。
【請求項５】
前記感光材料層は、感光性のポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）またはジメチルポリシロキサン（ＰＤＭＳ）またはポリイミド（ＰＩ）を含み、前記完全固化温度が１５０℃〜２５０℃の範囲内にある上、前記第１の温度が６０℃〜１４０℃の範囲内にあって、前記感光材料層が粘性を具えること確保することを特徴とする、請求項１に記載のマイクロデバイスのマストランスファー方法。
【請求項６】
ステップ（２）において、前記マイクロデバイスは、前記感光材料層の粘性表面により掴持されやすいように、サスペンション式構造が採用されていることをさせることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロデバイスのマストランスファー方法。
【請求項７】
前記サスペンション式構造は、
支持層と、
それぞれ前記支持層の表面にある複数の安定柱と、
マイクロデバイスのアレイであって、該アレイにおける各マイクロデバイスが若干個の安定柱により支持されているマイクロデバイスのアレイと、を含むことを特徴とする、請求項６に記載のマイクロデバイスのマストランスファー方法。
【請求項８】
ステップ（２）において、前記マイクロデバイスのアレイを前記感光材料層の表面に掴持してから、前記感光材料層に対してさらに固化処理を行なうステップをさらに含んで、前記マイクロデバイスおよび前記感光材料層の粘着力を増加させることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロデバイスのマストランスファー方法。
【請求項９】
ステップ（５）において、前記ベースに対して機械的な圧力を斜め向きに加えて、前記第２の支持部を押して折って、前記マイクロデバイスおよび前記ベースを分離させることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロデバイスのマストランスファー方法。
【請求項１０】
前記ベースは、ガラスベース、セラミックスベース、ポリマーベース、シリコーンベース、およびサファイアベースからなる群の内の一種を含むことを特徴とする、請求項１に記載のマイクロデバイスのマストランスファー方法。
【請求項１１】
前記マイクロデバイスのアレイは、ファインピッチ発光ダイオードアレイ、フォトダイオードアレイ、ＭＯＳアレイ、およびＭＥＭＳアレイからなる群の内の一種を含むことを特徴とする、請求項１に記載のマイクロデバイスのマストランスファー方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の製造分野に関し、特にマイクロデバイスのマストランスファー方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロデバイス技術とは、基板上に高密度で集積されているサイズが微小なデバイスアレイを指すものである。現在、マイクロ発光ダイオード（Micro LED）技術は盛んに研究されつつあり、工業界では高品質のマイクロ発光ダイオードが市場に投入されることが期待されている。高品質のマイクロ発光ダイオードの製品は、市場における既存のＬＣＤ／ＯＬＥＤなどの従来のディスプレー製品に対して多大な影響を与える。
【０００３】
マイクロ発光ダイオードを製造するプロセスにおいて、まず、ドナーパッケージ基板の上にマイクロデバイスを形成し、そしてマイクロデバイスをアクセプターパッケージ基板の上に転写する。アクセプターパッケージ基板は例えばディスプレーである。マイクロデバイスを製造するプロセスにおける困難の１つは、どのようにマイクロデバイスをドナーパッケージ基板の上からアクセプターパッケージ基板の上に転写するかである。
【０００４】
従来のマイクロデバイスを転写する方法は、ウェーハ接合（Wafer Bonding）を介してマイクロデバイスを転写パッケージ基板からアクセプターパッケージ基板に転写する。転写する方法における１つの実施方法は、直接転写であり、すなわち、マイクロデバイスのアレイを転写パッケージ基板からアクセプターパッケージ基板に直接に接合してから、剥離またはエッチングを通して転写パッケージ基板を取り除く方法であるが、転写を形成するために常に余剰のエピタキシャル層を犠牲にする必要がある。他の１つの実施方法は、間接転写である。まず、転写媒体によりマイクロデバイスのアレイをピックアップ（掴持）し、次に転写媒体によりマイクロデバイスのアレイをアクセプターパッケージ基板に接合し、そして転写媒体を取り除く。転写媒体は耐高熱が求められる。
【０００５】
従来のマイクロデバイスの転写技術は、ファンデルワールス力、静電吸着、相変化転写、およびレーザーアブレーションという四大技術を含む。その中でファンデルワールス力、静電吸着、およびレーザーアブレーションの方式は、現在比較的多くの製造業者が発展を目指す方向である。異なる応用に対して、各種の転写方式がそれぞれの利点及び欠点を有している。
【０００６】
半導体のパッケージにおいては、高弾性で加工しやすいポリマーがよく利用される。それらポリマーは回転塗布された後に常温で固体となる。一般的には、モールドを製作して、モールドにポリマー材料を注入することで、モールドの固化後に、マイクロ柱が形成され、そして該柱を用いてマイクロデバイスに位置合わせして掴持し、転写後に機械的な力によりマイクロ柱を押して折る。しかし、このような方法は技術が複雑で、更なるポイントはマイクロ柱を用いてマイクロデバイスを掴持する際に、精確に位置合わせする必要があり、製品の歩留まりが下がる状況が発生しやすい。
【０００７】
上記に基づいて、技術が簡単で、製品の歩留まりを有効に高めることができるマイクロデバイスのマストランスファー方法を提供する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記した従来技術の欠点に鑑みて、本発明は、従来技術のマイクロデバイスがより複雑で歩留まりが低い問題を解決するためのマイクロデバイスのマストランスファー方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、本発明は、ベースを提供し、前記ベースの表面に感光材料層を形成すると共に、前記感光材料層に対して第１の温度で半固化処理を行なうステップにおいて、前記第１の温度が前記感光材料層の完全固化温度よりも低いことで、前記感光材料層が粘性を具えることを確保する、ステップ（１）と、マイクロデバイスのアレイを提供し、前記感光材料層の表面粘性によって、前記マイクロデバイスのアレイを前記感光材料層の表面に掴持するステップ（２）と、前記マイクロデバイスをフォトマスクとして、前記感光材料層に対してセルフアライン露光処理および現像処理を行ない、前記感光材料層を前記マイクロデバイスに対応する複数の支持構成に分割させるステップにおいて、前記支持構成は、前記マイクロデバイスに粘着する第１の支持部と、前記第１の支持部と前記ベースとを連結する第２の支持部と、を含み、且つ前記第２の支持部の径方向幅が前記第１の支持部の径方向幅よりも小さいステップ（３）と、パッケージ基板を提供し、前記パッケージ基板の表面には、前記マイクロデバイスのアレイに対応する共晶金属があり、前記マイクロデバイスのアレイを前記共晶金属と位置合わせして接合すると共に、共晶処理を行なうステップ（４）と、前記第２の支持部から前記マイクロデバイスおよび前記ベースを分離すると共に、前記マイクロデバイスの上にある感光材料層を取り除いて、マイクロデバイスのマストランスファーを実現するステップ（５）と、を含む。
【００１０】
ステップ（３）において、前記セルフアライン露光処理の強度を制御することによって、現像処理後の前記第１の支持部が台形構造を呈するようにして、前記第１の支持部および前記マイクロデバイスの粘着面積を増大し、また、前記マイクロデバイスおよび前記ベースを分離することに有利となるように、前記第２の支持部がマイクロ柱構造を呈することが好ましい。
【００１１】
さらに、前記マイクロ柱構造の径方向幅は、前記台形構造の上面の径方向幅以下であると共に、前記マイクロ柱構造の径方向幅は、前記マイクロデバイスを安定に支持するために必要な最小幅以上である。
【００１２】
ステップ（３）において、前記セルフアライン露光処理は、紫外線の露光処理を含み、前記セルフアライン露光処理の光線が前記マイクロデバイスの表面に対して垂直になるよう入射して、前記第２の支持部を前記第１の支持部の中心区域に連接させて前記マイクロデバイスの位置偏移を防止することが好ましい。
【００１３】
前記感光材料層は、感光性のポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）またはジメチルポリシロキサン（ＰＤＭＳ）またはポリイミド（ＰＩ）を含み、前記完全固化温度が１５０℃〜２５０℃の範囲内にある上、前記第１の温度が６０℃〜１４０℃の範囲内にあって、前記感光材料層が粘性を具えること確保することが好ましい。
【００１４】
ステップ（２）において、前記マイクロデバイスは、前記感光材料層の粘性表面により掴持されやすいように、サスペンション式構造が採用されていることが好ましい。
【００１５】
さらに、前記サスペンション式構造は、支持層と、それぞれ前記支持層の表面にある複数の安定柱と、マイクロデバイスのアレイであって、該アレイにおける各マイクロデバイスが若干個の安定柱により支持されているマイクロデバイスのアレイと、を含む。
【００１６】
ステップ（２）において、前記マイクロデバイスのアレイを前記感光材料層の表面に掴持してから、前記感光材料層に対してさらに固化処理を行なうステップをさらに含んで、前記マイクロデバイスおよび前記感光材料層の粘着力を増加させることが好ましい。
【００１７】
ステップ（４）において、前記共晶金属は、ＡｇＳｎＣｕ、Ｉｎ、およびＢｉＳｎ合金からなる群の一種を含み、前記共晶処理の温度は２００℃以下であり、前記共晶処理の時間は１ｍｉｎ以下であり、前記共晶処理のプロセスにおいて前記支持構成の安定性を保つことが好ましい。
【００１８】
ステップ（５）において、前記ベースに対して機械的な圧力を斜め向きに加えて、前記第２の支持部を押して折って、前記マイクロデバイスおよび前記ベースを分離させることが好ましい。
【００１９】
前記ベースは、ガラスベース、セラミックスベース、ポリマーベース、シリコーンベース、およびサファイアベースからなる群の内の一種を含むことが好ましい。
【００２０】
前記マイクロデバイスのアレイは、ファインピッチ発光ダイオードアレイを含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
上記したように、本発明のマイクロデバイスのマストランスファー方法は、以下の有利な効果を有している。
【００２２】
（１）本発明は、全面の感光材料を採用してマイクロデバイスを掴持するので、マイクロデバイスを掴持する精度が不足する問題を避けることができる。
【００２３】
（２）本発明は、マイクロデバイスをフォトマスクとして、感光材料を台形構造および支持マイクロ柱に製作するので、マイクロデバイスの安定性、および後の分離の簡易性に対して有利である。
【００２４】
（３）本発明は、機械的な力を採用するだけで支持マイクロ柱を押して折るので、マイクロデバイスのマストランスファーを実現することができ、技術が簡単で生産コストを有効に削減することができる。
【００２５】
（４）本発明は、全体的な技術が簡単でマイクロデバイスのマストランスファーの歩留まりを有効に高めることができ、半導体の製造分野に幅広い応用の見通しがある。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明のマイクロデバイスのマストランスファー方法のステップが示されるフローチャートである。
【図２】本発明のマイクロデバイスのマストランスファー方法の各ステップにおいて呈する構成が示される模式図である。
【図３】本発明のマイクロデバイスのマストランスファー方法の各ステップにおいて呈する構成が示される模式図である。
【図４】本発明のマイクロデバイスのマストランスファー方法の各ステップにおいて呈する構成が示される模式図である。
【図５】本発明のマイクロデバイスのマストランスファー方法の各ステップにおいて呈する構成が示される模式図である。
【図６】本発明のマイクロデバイスのマストランスファー方法の各ステップにおいて呈する構成が示される模式図である。
【図７】本発明のマイクロデバイスのマストランスファー方法の各ステップにおいて呈する構成が示される模式図である。
【図８】本発明のマイクロデバイスのマストランスファー方法の各ステップにおいて呈する構成が示される模式図である。
【図９】本発明のマイクロデバイスのマストランスファー方法の各ステップにおいて呈する構成が示される模式図である。
【図１０】本発明のマイクロデバイスのマストランスファー方法の各ステップにおいて呈する構成が示される模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下は特定の具体的な実施例を通して本発明の実施方式を説明する。通常の知識を有する者は、本明細書に開示される内容により本発明の他の利点および効果を簡単に理解することができる。本発明は、他の異なる具体的な実施方式を通して実施または応用を施すこともでき、本明細書における各項の細目は異なる観点および応用に基づいて、本発明の精神から外れない限り、各種の修飾または変更を実行することができる。
【００２８】
図１〜図１０を参照する。なお、本実施例において提供される図示は、模式の方式でホン発明の基本的な構想を説明するものに過ぎない。図中では、本発明に関する部品のみ示しており、実際に実施するときの部品の数、形状、および寸方に従って描くものではない。実際に実施するときに各部品の形態、数量、および比率は、任意に変更することができ、且つそれら部品の構成形態はより複雑であり得る。
【００２９】
図１〜図１０に示されるように、本実施例は、マイクロデバイスのマストランスファー方法を提供しており、前記マストランスファー方法は、以下のステップを含んでいる。
【００３０】
図１〜図３に示されるように、まず、ステップ（１）Ｓ１１を行ない、それはベース１０１を提供し、前記ベース１０１の表面に感光材料層１０２を形成すると共に、前記感光材料層１０２に対して第１の温度で半固化処理を行なう。ここで、前記第１の温度は前記感光材料層１０２の完全固化温度よりも低く、前記感光材料層１０２が粘性を具えることを確保する。
【００３１】
前記ベース１０１は、ガラスベース、セラミックスベース、ポリマーベース、シリコーンベース、およびサファイアベースからなる群の内の一種を含む。本実施例において、前記ベース１０１は、ガラスベースを選定し、該ガラスベースおよび前記感光材料層１０２は良好な粘着性を具え、後の工程で発生するクラック現象を防止することができ、且つサファイアベースやシリコーンベースなどと比べて、ガラスベースを選定することにより生産コストを有効に削減させることができる。
【００３２】
その他に、光反射率がより低いポリマーベースを選定してもよく、その比較的低い光反射率により、ベースの露光時における光線の反射を有効に低減することができ、感光材料層１０２における不要な光架橋反応の発生を防止することができ、後の支持構成１０６が良好な形態を保つことができるようにする。
【００３３】
例として、前記感光材料層は、感光性のポリメタクリル酸メチル樹脂（poly(methyl methacrylate、略称：ＰＭＭＡ）またはジメチルポリシロキサン（polydimethylsiloxane、略称：ＰＤＭＳ）またはポリイミド（polyimide、略称：ＰＩ）などの感光ポリマーを含み、前記感光材料層の完全固化温度は１５０℃〜２５０℃の範囲内にあり、そこで、半固化に用いる前記第１の温度は６０℃〜１４０℃の範囲内に選択することができ、例えば６０℃、８０℃、１００℃、１２０℃などが選択され、前記感光材料層が粘性を具えることを確保する。
【００３４】
勿論、半固化の状態で粘性を具える他の種類の感光材料も同様に適用することができ、ここで挙げられた例に限定されない。
【００３５】
図１、図４〜図５に示されるように、その後、ステップ（２）Ｓ１２を行ない、それはマイクロデバイス１０３のアレイを提供し、前記感光材料層１０２の表面粘性によって、前記マイクロデバイス１０３のアレイを前記感光材料層１０２の表面に掴持する。
【００３６】
本実施例において、前記マイクロデバイス１０３は、ファインピッチ発光ダイオードアレイを含む。勿論、他のマイクロデバイス１０３、例えばフォトダイオードアレイ（photodiode array、略称：ＰＤＡ）、ＭＯＳ部品、ＭＥＭＳ部品などは、本実施例のトランスファー方法を同様に採用して、トランスファーを行なうことができ、且つここで挙げられた例に限定されない。
【００３７】
本実施例において、前記マイクロデバイスは、サスペンション式構造が採用されていることで、前記感光材料層の粘性表面により掴持されやすくさせている。具体的に、前記サスペンション式構造は、支持層１０４と、それぞれ前記支持層１０４の表面にある複数の安定柱１０５と、マイクロデバイス１０３のアレイとを具え、該アレイにおける各マイクロデバイス１０３は、若干個の安定柱１０５により支持されている。なお、前記安定柱１０５は、前記マイクロデバイス１０３が安定に支持されることを確保する状態において、前記安定柱１０５の面積は、なるべく小さく設計され、これによりマイクロデバイス１０３が前記感光材料１０２により掴持されやすくなることに有利となる。
【００３８】
例として、前記マイクロデバイス１０３のアレイを前記感光材料層１０２の表面に掴持してから、前記感光材料層１０２に対してさらに固化処理を行なうステップをさらに含み、前記マイクロデバイス１０３および前記感光材料層１０２の粘着力を増加させる。
【００３９】
本発明は、全面の感光材料を採用してマイクロデバイス１０３を掴持するので、マイクロデバイス１０３を掴持する精度が不足する問題を避けることができる。
【００４０】
図１、図６〜図７に示されるように、次に、ステップ（３）Ｓ１３を行ない、それは前記マイクロデバイス１０３をフォトマスクとして、前記感光材料層１０２に対してセルフアライン露光処理および現像処理を行ない、前記感光材料層１０２を前記マイクロデバイス１０３に対応する複数の支持構成１０６に分割させ、前記支持構成１０６は、前記マイクロデバイス１０３に粘着している第１の支持部１０８と、前記第１の支持部１０８および前記ベース１０１を連結する第２の支持部１０７と、を含み、且つ前記第２の支持部１０７の径方向幅が前記第１の支持部１０８の径方向幅よりも小さい。
【００４１】
具体的に、前記セルフアライン露光処理の強度を制御することによって、現像処理後の前記第１の支持部１０８が台形構造を呈するようにして、前記第１の支持部１０８および前記マイクロデバイス１０３の粘着面積を増大すると同時に、前記第２の支持部１０７がマイクロ柱構造を呈するようにすることで、前記マイクロデバイス１０３および前記ベース１０１を分離することに有利となる。
【００４２】
前記マイクロ柱構造の径方向幅は、前記台形構造の上面の径方向幅以下であると共に、前記マイクロ柱構造の径方向幅は、前記マイクロデバイス１０３を安定に支持するために必要な最小幅以上であることが好ましく、前記安定に支持するとは前記マイクロデバイスの偏移および揺動が発生しないことを指す。
【００４３】
本実施例において、前記セルフアライン露光処理は、紫外線の露光処理を含み、前記セルフアライン露光処理の光線は前記マイクロデバイス１０３の表面に対して垂直になるよう入射して、隣り合うマイクロデバイス１０３の間の隙間を通して前記感光材料層１０２に入射して、現象処理が実行された後に、前記第２の支持部１０７が前記第１の支持部１０８の中心区域に連接するようにさせて前記マイクロデバイス１０３の位置偏移を防止する。
【００４４】
本発明は、マイクロデバイス１０３をフォトマスクとして、感光材料を台形構造および支持マイクロ柱にするので、マイクロデバイス１０３の安定性、および後の分離の簡易性に対して有利である。
【００４５】
図１および図８に示されるように、次に、ステップ（４）Ｓ１４を行ない、それはパッケージ基板１０９を提供し、前記パッケージ基板１０９の表面には、前記マイクロデバイス１０３のアレイに対応する共晶金属１１０があり、前記マイクロデバイス１０３のアレイを前記共晶金属１１０と位置合わせして接合すると共に、共晶処理を行なう。
【００４６】
例として、前記共晶金属１１０は、ＡｇＳｎＣｕ、Ｉｎ、およびＢｉＳｎ合金からなる群の内の一種を含み、前記共晶処理の温度は３００℃以下であり、前記共晶処理の時間は１ｍｉｎ以下であり、前記共晶処理のプロセスにおいて前記支持構成１０６の安定性を保つ。
【００４７】
図１および図９〜図１０に示されるように、最後に、ステップ（５）Ｓ１５を行ない、それは前記第２の支持部１０７から前記マイクロデバイス１０３および前記ベース１０１を分離すると共に、前記マイクロデバイス１０３の上にある感光材料層１０２を取り除いて、マイクロデバイス１０３のマストランスファーを実現する。
【００４８】
具体的には、前記ベース１０１に対して機械的な圧力を斜め向きに加えて、前記第２の支持部１０７を押して折って、前記マイクロデバイス１０３および前記ベース１０１を分離させる。
【００４９】
本発明は、機械的な力を採用するだけで支持マイクロ柱を押して折るので、マイクロデバイス１０３のマストランスファーを実現することができ、技術が簡単で生産コストを有効に削減させることができる。
【００５０】
勿論、機械的な切断などの方法を採用して前記第２の支持部１０７を断裂させて、前記マイクロデバイス１０３および前記ベース１０１を分離させてもよく、且つここで挙げられた例に限定されない。
【００５１】
上記したように、本発明のマイクロデバイスのマストランスファー方法は、以下の有利な効果を有している。
【００５２】
（１）本発明は、全面の感光材料を用いてマイクロデバイスを掴持するので、マイクロデバイスを掴持する精度が不足する問題を避けることができる。
【００５３】
（２）本発明は、マイクロデバイス１０３をフォトマスクとして、感光材料を台形構造および支持マイクロ柱に製作するので、マイクロデバイス１０３の安定性、および後の分離の簡易性に対して有利である。
【００５４】
（３）本発明は、機械的な力を採用するだけで支持マイクロ柱を押して折るので、マイクロデバイス１０３のマストランスファーを実現することができ、技術が簡単で生産コストを有効に削減することができる。
【００５５】
（４）本発明は、全体的な技術が簡単でマイクロデバイス１０３のマストランスファーの歩留まりを有効に高めることができ、半導体の製造分野に幅広い応用の見通しがある。
【００５６】
よって、本発明は、従来の技術における種々の欠点を有効に克服して、高度な産業利用価値を具える。
【００５７】
上記した実施例は、本発明の原理およびその効果を例示的に説明するのみであり、本発明を限定するものではない。通常の知識を有する者であれば、本発明の精神および範疇に違反しない限り、上記した実施例に対して修飾または変更を実行することができる。従って、技術分野に属する通常の知識を有する者により、本発明が開示した精神および技術的思想から逸脱しない限りでなされた一切の同等な修飾または変更も、本発明の特許請求の範囲に包含されるべきである。ここに本発明の実施方式の説明段落を入力する。
【符号の説明】
【００５８】
１０１  ベース；１０２  感光材料層；１０３  マイクロデバイス；１０４  支持層；１０５  安定柱；１０６  支持構成；１０７  第２の支持部；１０８  第１の支持部；１０９  パッケージ基板；１１０  共晶金属；Ｓ１１〜Ｓ１５  ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
2021503713.tif 000005
【図４】
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【図５】
2021503713.tif 000007
【図６】
2021503713.tif 000008
【図７】
2021503713.tif 000009
【図８】
2021503713.tif 000010
【図９】
2021503713.tif 000011
【図１０】
2021503713.tif 000012
【国際調査報告】
2021503713.tif 000013
2021503713.tif 000014
2021503713.tif 000015
2021503713.tif 000016