(57)【要約】  本開示は、ボンディングされたウェハプロセスから、所望又は予測される量の平坦度を有する個々のダイデバイスを製造するためのプロセスを開示する。ボンディングされたウェハの平坦度は、ウェハ製造プロセスの点で測定される。この測定は、同じプロセスによって作られた以前のデバイスの経験的分析によって予め決定された値と比較される。ボンディングされたウェハの平坦度が所定の値でない場合、１つ以上の補償層がボンディングされたウェハに提供され、所定の平坦度値が得られる。得られた後、後続の処理が実行され、結果として、所望の平坦度特性を備えた個々のダイが得られる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハボンディングプロセスを用いて、ボンディングされたウェハから、所定のダイ湾曲値を有する個々のダイを製造する方法であって：
(a)中間ボンディング構造を形成するために第１ウェハを第２ウェハにボンディングするステップ；
(b)前記中間ボンディング構造の第１表面の湾曲量を測定するステップ；
(c)前記の測定された湾曲量と目標湾曲値との差が所定の閾値を越える場合、前記中間ボンディング構造の第２表面に湾曲補償層の材料を適用するステップ；
(d)前記差が所定の閾値以下になるまでステップ(b)及び(c)を繰り返すステップ；
(e)  ボンディングされたウェハを得るために、前記中間ボンディング構造上でウェハボンディングプロセスの追加ステップを実行するステップ；
(f)前記所定のダイ湾曲値を有する個々のダイを得るために、前記ボンディングされたウェハをダイシング分離するステップ；
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載された方法であってさらに、
前記所定のダイ湾曲値の関数としてデータベースから前記目標湾曲値を回収するステップを含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載された方法であって、
前記第２表面に湾曲補償層の材料を適用するステップが、引張力を与える膜又は圧縮力を与える膜のうちの１つを適用するステップを含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載された方法であって、
前記中間ボンディング構造上でウェハボンディングプロセスの追加ステップを実行するステップは、前記湾曲補償層の材料の構造を変化させない、方法。
【請求項５】
請求項１に記載された方法であって、
前記中間ボンディング構造の前記第２表面に湾曲補償層の材料を適用するステップは、前記第２表面上に既に設けられた湾曲補償層の材料に後続の湾曲補償層の材料を適用するステップを含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載された方法であって、
前記中間ボンディング構造の前記第２表面は、前記中間ボンディング構造の外方表面である、方法。
【請求項７】
請求項２に記載された方法であって、
前記中間ボンディング構造の前記第２表面に湾曲補償層の材料を適用するステップは、
前記データベースから、前記中間ボンディング構造を修正し、前記測定した湾曲量を、前記目標湾曲値の所定の閾値内に変更するのに必要な湾曲補償量を回収するステップ；及び
前記必要な湾曲補償量に対応する後続の湾曲補償層の材料を適用するステップ；
を含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載された方法であって、
前記中間ボンディング構造の前記第１表面の湾曲量の測定は、
アニール操作の実行後に行われる；
研磨作業の実行後であるが、化学的又は機械的研磨／平坦化（CMP）の前に行われる；或いは
検出器の薄層化操作の実行後に行われる；
のいずれかである、方法。
【請求項９】
ウェハボンディングプロセスを用いて、ボンディングされたウェハから、所定のダイ湾曲値を有する個々のダイを製造する方法であって：
(a)中間ボンディング構造を形成するために第１ウェハを第２ウェハにボンディングするステップ；
(b)データベースから、前記所定のダイ湾曲値に対応する目標ウェハ湾曲範囲値を回収するステップ；
(c)前記中間ボンディング構造の第１表面の湾曲量を測定するステップ；
(d)前記の測定された湾曲量を前記の回収された目標ウェハ湾曲範囲値に比較するステップ；
(e)前記の測定された湾曲量が前記の回収された目標湾曲範囲値の範囲内にない場合、前記中間ボンディング構造の第２表面に湾曲補償層の材料を適用するステップ；
(f)前記の測定された湾曲量が前記の回収された目標湾曲範囲値の範囲内に入るまで、ステップ(c)〜(e)を繰り返すステップ；
(g)  ボンディングされたウェハを得るために、中間ボンディング構造の追加的処理を実行するステップ；及び
(h)所定のダイ湾曲値を有する個々のダイを得るために、前記ボンディングされたウェハをダイシング分離するステップ；
を含む方法。
【請求項１０】
請求項９に記載された方法であって、
前記中間ボンディング構造の追加的処理を実行するステップは、前記湾曲補償層の材料の構造を変化させない、方法。
【請求項１１】
請求項９に記載された方法であって、
前記中間ボンディング構造の前記第２表面は、前記中間ボンディング構造の外方表面である、方法。
【請求項１２】
請求項９に記載された方法であって、
前記中間ボンディング構造の前記第２表面に湾曲補償層の材料を適用するステップは、
前記データベースから、前記中間ボンディング構造を修正し、前記測定した湾曲量を、前記目標湾曲範囲値の範囲内に変更するのに必要な湾曲補償量を回収するステップ；及び
前記必要な湾曲補償量に対応する後続の湾曲補償層の材料を適用するステップ；
を含む、方法。
【請求項１３】
請求項９に記載された方法であって、
前記中間ボンディング構造の前記第１表面の湾曲量の測定は、
アニール操作の実行後に行われる；
研磨作業の実行後であるが、化学的又は機械的研磨／平坦化（CMP）の前に行われる；或いは
検出器の薄層化操作の実行後に行われる；
のいずれかである、方法。
【請求項１４】
各ダイが所定のダイ湾曲値を有する複数のダイを製造する方法であって：
(a)中間ボンディングウェハ構造を形成するために第１ウェハを第２ウェハにボンディングするステップ；
(b)前記中間ボンディングウェハ構造の第１表面の湾曲量を測定するステップ；
(c)前記の測定された湾曲量と目標湾曲値との差が所定の閾値を越える場合、前記中間ボンディングウェハ構造の第２表面に湾曲補償構造を適用するステップ；
(d)前記差が所定の閾値以下になるまでステップ(b)及び(c)を繰り返すステップ；
(e)  ボンディングされたウェハ構造を得るために、前記中間ボンディングウェハ構造上で追加的処理工程を実行するステップ；及び
(f)前記複数の個々のダイを得るために、前記ボンディングされたウェハをダイシング分離するステップ；
を含む方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載された方法であってさらに、
前記所定のダイ湾曲値の関数としてデータベースから前記目標湾曲値を回収するステップを含む方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載された方法であって、
前記第２表面に湾曲補償層の材料を適用するステップが、引張力を与える膜又は圧縮力を与える膜のうちの１つを適用するステップを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載された方法であって、
前記中間ボンディングウェハ構造上で追加的処理工程を実行するステップは、前記湾曲補償構造を変化させない、方法。
【請求項１８】
請求項１４に記載された方法であって、
前記湾曲補償構造は、複数の湾曲補償層の材料を含む、方法。
【請求項１９】
請求項１５に記載された方法であって、
前記中間ボンディングウェハ構造の前記第２表面に前記湾曲補償構造を適用するステップは、
前記データベースから、前記中間ボンディングウェハ構造を修正し、前記測定した湾曲量を、前記目標湾曲値の所定の閾値内に変更するのに必要な湾曲補償量を回収するステップ；及び
前記必要な湾曲補償量に対応する後続の湾曲補償層の材料を適用するステップ；
を含む、方法。
【請求項２０】
請求項１４に記載された方法であって、
前記中間ボンディングウェハ構造の前記第１表面の湾曲量の測定は、
アニール操作の実行後に行われる；
研磨作業の実行後であるが、化学的又は機械的研磨／平坦化（CMP）の前に行われる；或いは
検出器の薄層化操作の実行後に行われる；
のいずれかである、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハボンディングプロセスを用いて、ボンディングされたウェハから、所定のダイ湾曲値を有する個々のダイを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタ処理の改良により、より高い動作周波数が利用可能になった。これらの集積回路（IC）の機能性は増加し、種々のシリコンベースのシステムオンチップ（SOC）又はセンサチップアセンブリ／アレイ（SCA）が実証された。これらのデバイスは、この機能を得るために、２枚のウェハを互いにボンディングすることによって製造することができる。しかしながら、ボンディングされたウェハデバイスは、構造内に明らかな高応力を有するボンディングされたウェハ対を生じてしまう。
【０００３】
周知のように、ボンディングされたウェハデバイスは、ダイシングされ、個々のダイを得る。しかしながら、不都合なことに、ボンディングされたウェハデバイス内における応力は、許容できない湾曲パラメータを有する個々のダイ、すなわち、意図された性能要件に対して十分に平坦でないダイをもたらす。
【０００４】
従って、必要とされているのは、ボンディングされたウェハデバイスから、許容可能な、すなわち、所定の平坦度特性を有する個々のダイを得るための方法である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様に従った、ウェハボンディングプロセスを用いて、ボンディングされたウェハから、所定のダイ湾曲値を有する個々のダイを製造する方法は、(a)中間ボンディング構造を形成するために第１ウェハを第２ウェハにボンディングするステップ；  (b)前記中間ボンディング構造の第１表面の湾曲量を測定するステップ；  (c)前記の測定された湾曲量と目標湾曲値との差が所定の閾値を越える場合、前記中間ボンディング構造の第２表面に湾曲補償層の材料を適用するステップ；  (d)前記差が所定の閾値以下になるまでステップ(b)及び(c)を繰り返すステップ；  (e)  ボンディングされたウェハを得るために、前記中間ボンディング構造上でウェハボンディングプロセスの追加ステップを実行するステップ；  (f)前記所定のダイ湾曲値を有する個々のダイを得るために、前記ボンディングされたウェハをダイシング分離するステップ；を含む。
【０００６】
本開示の一態様に従った、ウェハボンディングプロセスを用いて、ボンディングされたウェハから、所定のダイ湾曲値を有する個々のダイを製造する方法は、(a)中間ボンディング構造を形成するために第１ウェハを第２ウェハにボンディングするステップ；  (b)データベースから、前記所定のダイ湾曲値に対応する目標ウェハ湾曲範囲値を回収するステップ；  (c)前記中間ボンディング構造の第１表面の湾曲量を測定するステップ；  (d)前記の測定された湾曲量を前記の回収された目標ウェハ湾曲範囲値に比較するステップ；  (e)前記の測定された湾曲量が前記の回収された目標湾曲範囲値の範囲内にない場合、前記中間ボンディング構造の第２表面に湾曲補償層の材料を適用するステップ；  (f)前記の測定された湾曲量が前記の回収された目標湾曲範囲値の範囲内に入るまで、ステップ(c)〜(e)を繰り返すステップ；  (g)  ボンディングされたウェハを得るために、中間ボンディング構造の追加的処理を実行するステップ；及び  (h)所定のダイ湾曲値を有する個々のダイを得るために、前記ボンディングされたウェハをダイシング分離するステップ；を含む。
【０００７】
本開示の一態様に従った、各ダイが所定のダイ湾曲値を有する複数のダイを製造する方法は、  (a)中間ボンディングウェハ構造を形成するために第１ウェハを第２ウェハにボンディングするステップ；  (b)前記中間ボンディングウェハ構造の第１表面の湾曲量を測定するステップ；  (c)前記の測定された湾曲量と目標湾曲値との差が所定の閾値を越える場合、前記中間ボンディングウェハ構造の第２表面に湾曲補償構造を適用するステップ；  (d)前記差が所定の閾値以下になるまでステップ(b)及び(c)を繰り返すステップ；  (e)  ボンディングされたウェハ構造を得るために、前記中間ボンディングウェハ構造上で追加的処理工程を実行するステップ；及び  (f)前記複数の個々のダイを得るために、前記ボンディングされたウェハをダイシング分離するステップ；を含む。
【０００８】
本開示の種々の態様は、添付の図面を参照して後述される。図面を簡単かつ明瞭にするために、図面に示されている要素は、必ずしも正確に又は縮尺通りに描かれていないことが理解されるであろう。例えば、素子のいくつかの寸法は、明瞭化のために他の素子に対して誇張されてもよく、又はいくつかの物理的構成要素が一つの機能ブロック又は素子に含まれてもよい。さらに、適切と考えられる場合には、対応する要素又は類似の要素を示すために、複数図面間で参照番号を繰り返すことができる。明瞭にするために、すべての構成要素がすべての図面に表示されているわけではない。図面は、例示及び説明の目的で提供されるものであり、本開示の限界の定義として意図されたものではない。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】既知のウェハボンディングプロセスにおける一ステップを示す。
【図２】既知のウェハボンディングプロセスにおける一ステップを示す。
【図３】既知のウェハボンディングプロセスにおける一ステップを示す。
【図４】既知のウェハボンディングプロセスにおける一ステップを示す。
【図５】本開示の態様に従ったウェハボンディングプロセスから、所望の平坦度を有する個々のダイを提供する方法を示す。
【図６】図５の方法に従ったボンディングされたウェハの処理における一ステップを示す。
【図７】図５の方法に従ったボンディングされたウェハの処理における一ステップを示す。
【図８】図５の方法に従ったボンディングされたウェハの処理における一ステップを示す。
【図９】図５の方法に従ったボンディングされたウェハの処理における一ステップを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下の説明では、本開示の特徴を完全に理解するために、詳細が記載される。これらは、これらの特定の詳細のいくつかなしに実施され得ることが、当業者によって理解されるであろう。他の例では、周知の方法、手順、構成要素及び構造は、本開示の態様を不明瞭にしないように詳細に記載されていないことがある。
【００１１】
本開示は、以下の説明に記載された、又は図面に示された構成要素の詳細な構成及び配置に限定されるものではなく、それは、実施可能であるか、又は様々な方法で実施されるか、又は実施されるものであることが理解されるべきである。また、本明細書で使用される表現及び用語は、説明のみを目的としており、限定的であるとみなされるべきではないことを理解すべきである。
【００１２】
明確にするために、別々の実装のコンテキストで説明される特定の特徴は、単一の実装において組み合わせて提供されてもよい。逆に、単一の実装のコンテキストにおいて簡潔に説明される種々の特徴は、別々に又は任意の適切なサブコンビネーションで提供されてもよい。
【００１３】
一般に、以下でより詳細に説明されるように、本開示の態様は、個々のダイを予測可能な平坦度値で送達するために、プロセスの所定の時点で、ボンディングされたウェハレベルに１層以上の応力補償層を適用することを提供する。さらに、本開示の態様は、ダイシングステップの前に、応力補償層のリワーク／補正を可能にする。言い換えると、ボンディングされたウェハ内の応力は、ダイシング工程の後に得られた個々のダイの所望のたわみ、湾曲又は平坦度特性を生じるように調整される。有利には、所望の平坦度を得るために、個々のダイの追加的処理は必要とされない。
【００１４】
１つのアプローチでは、１層以上の応力補償層が、ウェハボンドステップが完了した後に追加される。窒化物（引張）又は酸化物（圧縮）など、様々なタイプの膜（film）が使用され得る。
【００１５】
たわみ、弓形、曲面、曲率、平坦度、凸、凹及びそれらの測定は、表面がどのように平坦であるかを表すために互換的に使用されることに留意されたい。
【００１６】
既知のウェハボンディングプロセスでは、図１に示すように、第１ウェハ102と第２ウェハ104が、既知の技術に従って互いにボンディングされている。説明のために、図１の上部には、第１ウェハ102と第２ウェハ104との間の相対的な湾曲の量が誇張されて示されている。図１の下部には、第１ウェハ102と第２ウェハ104との間の界面（矩形領域）の接近図が示されている。
【００１７】
図面では、第１ウェハ102及び第２ウェハ104の各々を単一ウェハとして示しているが、本開示の態様は、これに限定されない。また、本開示の一態様は、第１ウェハ102及び第２ウェハ104の一方又は両方が、複数のウェハ積層体である構造を含む。
【００１８】
第１補償層106及び第２補償層108が、ウェハボンディングプロセスの前に、第1及び第２ウェハ102、104の外面にそれぞれ設けられる。これらの補償層106、108は、第1及び第２ウェハ102、104のそれぞれに、所定量の湾曲又は張力を与えるように設けられる。窒化物（引張）又は酸化物（圧縮）などのような種々のタイプの膜が、第1又は第２補償層106、108のいずれかとして提供されることが知られている。第1及び第２補償層106、108は、第1及び第２ウェハ102、104にそれぞれの応力量、すなわち張力又は圧縮を与え、２枚のウェハを一緒にボンディングする効果を補償するように設けられる。言い換えると、ウェハは、互いにボンディングされる前に、ある程度、プレストレス（pre-stress）される。
【００１９】
続いて、すなわち、２枚のウェハが互いにボンディングされた後、図２に示されるように、処理されたウェハ対構造202が生じる。図２のレイアウトは、図１に関して上述したものと同様である。構造202は、追加の処理を有してしまい、例えば、第1及び第２ウェハ102への、又は第1及び第２ウェハ104からの、層又は材料の追加又は除去などのような、デバイスの追加又は他の構造的変化を有してしまう。図２に示される非限定的な例として、構造202の追加的処理によって、第１補償層106が除去された。
【００２０】
いったんボンディングされたウェハの処理が完了すると、ボンディングされたウェハ対構造202上のダイの輪郭が描かれる。いったん輪郭が描かれると、構造202は、個々の、すなわち個片化されたダイ306を得るために、切断、すなわちダイシングされる。図３に示すように、頂部のプロセスされたウェハ対構造202は、矢印Ｃで表されるように、底部に示される個片化されたダイ306に進む。
【００２１】
しかしながら、既知のプロセスでは、各ダイ306は、図４において量Ｂ１及びＢ２で示されるある程度の湾曲を有する。もしダイ306が所望の平坦度、又は許容可能な量の湾曲を有しない場合、ダイレベルの応力補償層が、各個々のダイ306に追加されてもよい。しかしながら、これらの補償層をダイ306に適用することは、ダイ306を損傷するリスクを伴う。
【００２２】
種々の機械的アプローチ又は他の補償スキームが、ダイ306を「平坦に」するために実施されてきている。一つの既知のアプローチでは、ダイ306は、ダイ306を再成形するために、所定の時間の間、レベルチャック（level  chuck）まで真空引きされる。別のアプローチでは、所望の平坦度を得るために、ダイ306を基準表面にエポキシ化（epoxied）する。しかしながら、これらのアプローチは、個々のダイ306のレベルで平坦度を固定することを目的としており、高価であり、時間を消費する。
【００２３】
有利には、本開示の態様は、ボンディングされたウェハに応力補償層を適用するものである。これらの補償層は、ボンディングされたウェハ構造に、所望の量の平坦度を有する個々のダイをもたらす湾曲量を提供するように選択される。以下により詳細に説明されるように、ボンディングされたウェハの湾曲は、プロセスのある点で所定の量に設定される。いったんその量に設定されると、ダイシング工程を含むボンディングされたウェハのその後の処理は、結果として所望の平坦度を有する個々のダイを生じる。
【００２４】
次に、図５を参照して、本開示の一態様に従った平坦度補正又は平坦度補償を提供する方法500について説明する。ステップ504において、図６に示すように、第１ウェハ601を第２ウェハ603にボンディングすることによって、ボンディングされたウェハデバイス600が、既知の技術に従って製造される。上述したように、既知のプロセスに従って、第１補償層606及び第２補償層608が、それぞれ、第1及び第２ウェハ601、603の外部表面上に設けられ、そしてボンディングされた第1及び第２ウェハ601、603と共に、図6の下部に示すように、中間ボンディング部分構造612を形成する。図６は、頂部に示された第１ウェハ601と第２ウェハ603との間のインターフェース（矩形領域）のクローズアップ図である。説明の目的のために、第１ウェハ601と第２ウェハ604との間の相対的湾曲の量は、図6の頂部で誇張されている。
【００２５】
ステップ508において、中間ボンディング部分構造612の湾曲又は平坦度の量は、既知の計測技術を用いて測定され、マイクロメータ（μm）で表される。この平坦度の測定は、ウェハ601、603が互いにボンディングされた後、平坦度を決定することができるプロセスのある時点で行われる。後続の処理がそのような測定を困難にすることが知られているので、測定をし得る（accessible）製造プロセスにおける最後のそのようなポイントが選択される。
【００２６】
かくして、一例では、測定は、アニーリング後に行われる。別の例では、測定は、研磨ステップの後であるが、化学的又は機械的研磨／平坦化（CMP）の前に行われる。さらに、検出器を製造する一例においては、測定は、検出器の薄層化プロセスの後に実施されてもよい。というのは、この時点で測定することが、プロセスの後半だと起こってしまう検出器の表面損傷を緩和するのに役立つからである。
【００２７】
本プロセスの長い時間に亘ってそして多くの以前のサイクルに亘って、すなわち、ウェハシステムを通して以前に処理された多数のボンディングされたウェハにわたって、湾曲値のデータベースを作成することができる。このデータベースは、プロセスのこの時点、すなわちステップ508で測定された中間ボンディング部分構造612の湾曲量を、個々のダイの所望の最終湾曲値に相関させる。かくして、特定のダイ平坦度値が望まれる場合、データベースは、中間ボンディング部分構造612が有するべき湾曲値を含む。換言すれば、この経験的データは、結果として生じるダイの平坦度を予測する。
【００２８】
従って、ステップ512において、所望のダイ湾曲値に対応するターゲットウェハ湾曲値が、上述のデータベースから回収（retrieve）される。ステップ516において、測定された湾曲量が、データベースから回収された所望のターゲットウェハ湾曲値と比較される。一態様では、測定された量と所望のターゲットウェハ湾曲値との差が、所定の値又はパーセンテージ未満であるか、又はそれに等しい場合に、測定された量が許容可能であるとみなされ得る。さらに、所定の値又はパーセンテージは、範囲、例えば、［−１．０％〜＋０．５％］として表すことができる。当業者が理解するように、許容可能な範囲は、設計選択であるか、又は、データベース内の値から経験的に決定され得る。
【００２９】
湾曲の量が所望の量でない場合、すなわち、湾曲補償が必要である場合、制御はステップ520に進み、そこで、データベースに再度アクセスして、中間ボンディング部分構造612に所望の湾曲量を提供するために必要な応力補償の程度を決定する。データベースは、所望の量まで湾曲を補正するために適用することができる材料の層の特性に関する情報を有することができる。これは、例えば、引張力を提供するための窒化物膜、又は圧縮力を提供するための酸化物膜であってよい。膜の厚さは、データベースに記録することができる。適用される応力補償は、何らかのパターンで適用される張力及び圧縮の両方を含むことができる。もし、例えば、補償層が過剰であり、反対側の膜が湾曲を補正するために適用される必要がある場合などにそうである。ステップ524において、追加的な補償層614が提供される。追加的補償層614は、表面上に、例えば、第２ウェハ603の外方又は外側表面上に設けられ、その後の処理によって影響を受けない、すなわち、変化又は除去されないことに留意されたい。図６及び図７に示すように、追加的補償層614は、第２補償層608上に設けられる。第２補償層608は、ウェハボンディングプロセスの一部として実装され、一方、追加的補償層614は、追加処理の前に所望のウェハレベル湾曲を達成するために設けられることに留意されたい。
【００３０】
ステップ528において湾曲の量が再度測定され、制御はステップ516に戻り、そこで測定された湾曲の量がターゲットウェハ湾曲値と比較される。測定された量が依然として目標ウェハ湾曲値にない場合には、ステップ524において、別の応力補償層が追加され、例えば、別の応力補償層は、既に位置決めされた追加的補償層614上に配置することができる。測定プロセスは、平坦度値が満足されるか、湾曲が補償されないと判断されるまで繰り返される。
【００３１】
いったん測定された湾曲の量が所望の値になると、制御はステップ516からステップ532へと進み、その後のウェハ処理が実行される。ステップ532におけるその後の処理は、第１補償層606を除去するなどのような、層又は材料を追加又は除去することができ、その結果、ボンディングウェハ702の湾曲の変化が生じる（図７参照）。有利なことに、ステップ516において、プロセスにおけるボンディングウェハ702の湾曲を設定することが、発生し得るデバイスの平坦度又は湾曲のその後の変化を説明できる。
【００３２】
ダイシングプロセスがステップ532で実施される場合、図８及び図９を参照すると、個片化されたダイ806は、所望の量の平坦度を有する。図８に示すように、頂部の処理済みウェハ対構造702が、底部に示された個片化されたダイ806へと進む。個片化されたダイ806の平坦度は、既知の計測技術を用いて測定され、ステップ536においてマイクロメートル（μm）で表され、データベース内の経験的データが依然として適用可能であることを確認する。
【００３３】
本特許出願において、「頂」、「底」、「上」、「下」等を使用する場合、これらは、単に本明細書に記載される構成要素の相対的配置を説明するためのものであることに留意されたい。これらの相対的配置の説明は、重力の方向又は水平の方向に関して請求項を限定することを意図していない。
【００３４】
本開示は、開示された実施形態を参照して例示的に上述される。当業者は、添付の特許請求の範囲に定義される本開示の範囲から逸脱することなく、開示された実施形態に種々の修正及び変更を加えることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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2021511682.tif 000013
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