(57)【要約】  電子デバイスが、多結晶セラミックコアと、多結晶セラミックコアに結合した第１の付着層と、第１の付着層に結合した導電層と、導電層に結合した第２の付着層と、第２の付着層に結合したバリア層とを備える支持構造物を含む。電子デバイスは、支持構造物に結合したバッファ層と、バッファ層に結合したコンタクト層と、コンタクト層に結合した電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）とをさらに含む。【選択図】図９
2021502701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶セラミックコアと、
前記多結晶セラミックコアに結合した第１の付着層と、
前記第１の付着層に結合した導電層と、
前記導電層に結合した第２の付着層と、
前記第２の付着層に結合したバリア層と
を備える支持構造物と、
前記支持構造物に結合したバッファ層と、
前記バッファ層に結合したコンタクト層と、
前記コンタクト層に結合した電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と
を備える、電子デバイス。
【請求項２】
前記ＦＥＴは、フィンＦＥＴを含む、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記ＦＥＴは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を含む、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記支持構造物は、
前記バリア層に結合した結合層と、
前記結合層に結合した実質的に単結晶のシリコン層と
をさらに備え、
前記バッファ層は、前記実質的に単結晶のシリコン層に結合したエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ層を含む、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記エピタキシャルＩＩＩ−Ｖ層は、エピタキシャル窒化ガリウム層を含む、請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記エピタキシャル窒化ガリウム層は、約５μｍ以上の厚さを有する、請求項５に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記多結晶セラミックコアは、窒化アルミニウムを含む、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記第１の付着層は、前記多結晶セラミックコアを包む第１のテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）層を含み、
前記導電層は、前記第１のＴＥＯＳ層を包むポリシリコン層を含み、
前記第２の付着層は、前記ポリシリコン層を包む第２のＴＥＯＳ層を含み、
前記バリア層は、前記第２のＴＥＯＳ層を包む窒化シリコン層を含む、請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記第１のＴＥＯＳ層は、約１０００Åの厚さを有し、
前記ポリシリコン層は、約３０００Åの厚さを有し、
前記第２のＴＥＯＳ層は、約１０００Åの厚さを有し、
前記窒化シリコン層は、約４０００Åの厚さを有する、請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
多結晶セラミックコアと、
前記多結晶セラミックコアに結合した第１の付着層と、
前記第１の付着層に結合した導電層と、
前記導電層に結合した第２の付着層と、
前記第２の付着層に結合したバリア層と
を備えており、キャビティを定める支持構造物と
前記支持構造物の一部分に機械的に結合し、一部分が前記支持構造物によって定められた前記キャビティの上方に独立しているＩＩＩ−Ｖ層と、
前記ＩＩＩ−Ｖ層の第１の表面に結合した第１の電極と、
前記ＩＩＩ−Ｖ層の前記独立している一部分において、前記第１の表面の反対側の前記ＩＩＩ−Ｖ層の第２の表面に結合した第２の電極と
を備える、音響共振器。
【請求項１１】
前記多結晶セラミックコアは、窒化アルミニウムを含む、請求項１０に記載の音響共振器。
【請求項１２】
前記第１の付着層は、前記多結晶セラミックコアを包む第１のテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）層を含み、
前記導電層は、前記第１のＴＥＯＳ層を包むポリシリコン層を含み、
前記第２の付着層は、前記ポリシリコン層を包む第２のＴＥＯＳ層を含み、
前記バリア層は、前記第２のＴＥＯＳ層を包む窒化シリコン層を含む、請求項１０に記載の音響共振器。
【請求項１３】
前記支持構造物は、
前記バリア層に結合した結合層と、
前記結合層に結合した実質的に単結晶のシリコン層と、
前記実質的に単結晶のシリコン層に結合したバッファ層と
をさらに備え、
前記ＩＩＩ−Ｖ層は、前記バッファ層上にエピタキシャル成長させられている、請求項１０に記載の音響共振器。
【請求項１４】
前記ＩＩＩ−Ｖ層は、エピタキシャル窒化アルミニウムまたは窒化アルミニウムガリウムを含む、請求項１３に記載の音響共振器。
【請求項１５】
前記ＩＩＩ−Ｖ層は、約１μｍの厚さを有する、請求項１４に記載の音響共振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]本出願は、２０１７年１１月６日に出願された米国特許仮出願第６２／５８２，０９０号および２０１８年１１月２日に出願された米国特許出願第１６／１７９，３５１号の利益を主張し、これらの出願の内容は、その全体が本明細書に援用される。
【背景技術】
【０００２】
[0002]窒化ガリウム系のデバイスは、典型的には、サファイア基板上にエピタキシャル成長によって形成される。基板とエピタキシャル層とが異なる材料で構成されているため、サファイア基板上での窒化ガリウム系のデバイスの成長は、ヘテロエピタキシャル成長プロセスである。ヘテロエピタキシャル成長プロセスゆえに、エピタキシャル成長によって形成された材料が、均一性の低下や、エピタキシャル層の電子的特性および機械的特性に関する指標の低下など、さまざまな悪影響を示す可能性がある。したがって、エピタキシャル成長プロセスおよび基板構造物に関して改善された方法およびシステムが、技術的に必要とされている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
[0003]本発明は、広くには、設計された（ｅｎｇｉｎｅｅｒｅｄ）基板構造物上に実現されたデバイスに関する。より具体的には、本発明は、エピタキシャル成長プロセスにおける使用に適した方法およびシステムに関する。あくまでも一例として、本発明は、エピタキシャル成長に適した基板構造物であって、この基板構造物上で成長するエピタキシャル層に実質的に一致した熱膨張係数（ＣＴＥ）を特徴とする基板構造物を提供するための方法およびシステムに適用されている。これらの基板は、電力デバイスおよびＲＦデバイスなどの幅広くさまざまな電子デバイスの製造における使用に適する。これらの方法および技術は、さまざまな半導体処理作業に適用可能である。
【０００４】
[0004]本発明の一実施形態によれば、電子デバイスが提供される。電子デバイスは、多結晶セラミックコアと、多結晶セラミックコアに結合した第１の付着層と、第１の付着層に結合した導電層と、導電層に結合した第２の付着層と、第２の付着層に結合したバリア層とを備える支持構造物を含む。電子デバイスは、支持構造物に結合したバッファ層と、バッファ層に結合したコンタクト層と、コンタクト層に結合したＦＥＴとをさらに含む。
【０００５】
[0005]本発明の一実施形態によれば、基板が提供される。基板は、多結晶セラミックコアと、多結晶セラミックコアに結合した第１の付着層と、第１の付着層に結合した導電層と、導電層に結合した第２の付着層と、第２の付着層に結合したバリア層とを備える支持構造物を含む。基板は、支持構造物に結合した酸化シリコン層と、酸化シリコン層に結合した実質的に単結晶のシリコン層と、実質的に単結晶のシリコン層に結合したエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ層とをさらに含む。
【０００６】
[0006]本発明の別の実施形態によれば、基板の製造方法が提供される。この方法は、多結晶セラミックコアを用意し、多結晶セラミックコアを第１の付着シェルで包み、第１の付着シェルを導電性シェルで包み、導電性シェルを第２の付着シェルで包み、第２の付着シェルをバリアシェルで包むことによって、支持構造物を形成することを含む。この方法は、支持構造物に結合層を接合すること、結合層に実質的に単結晶のシリコン層を接合すること、実質的に単結晶のシリコン層上のエピタキシャル成長によってエピタキシャルシリコン層を形成すること、およびエピタキシャルシリコン層上のエピタキシャル成長によってエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ層を形成することをさらに含む。
【０００７】
[0007]本発明の特定の実施形態によれば、加工基板構造物が提供される。加工基板構造物は、支持構造物と、支持構造物に結合した結合層と、結合層に結合した実質的に単結晶のシリコン層と、実質的に単結晶のシリコン層に結合したエピタキシャル単結晶シリコン層とを含む。支持構造物は、多結晶セラミックコアと、多結晶セラミックコアに結合した第１の付着層と、第１の付着層に結合した導電層と、導電層に結合した第２の付着層と、第２の付着層に結合したバリアシェルとを含む。
【０００８】
[0008]本発明のいくつかの実施形態によれば、音響共振器が支持構造物を含む。支持構造物は、多結晶セラミックコアと、多結晶セラミックコアに結合した第１の付着層と、第１の付着層に結合した導電層と、導電層に結合した第２の付着層と、第２の付着層に結合したバリア層とを含む。支持構造物は、空洞を定める。音響共振器は、支持構造物の一部分に機械的に結合したＩＩＩ−Ｖ層をさらに含む。ＩＩＩ−Ｖ層の一部分は、支持構造物によって定められたキャビティの上方に独立している。音響共振器は、ＩＩＩ−Ｖ層の第１の表面に結合した第１の電極と、ＩＩＩ−Ｖ層の独立している部分において第１の表面の反対側のＩＩＩ−Ｖ層の第２の表面に結合した第２の電極とをさらに含む。
【０００９】
[0009]本発明により、従来からの技術と比べて多くの利点が達成される。例えば、本発明の実施形態は、光学、電子、および光電子の用途における使用に適した窒化ガリウム系のエピタキシャル層にＣＴＥが一致した加工基板構造物を提供する。加工基板構造物の構成要素として利用される包囲層は、基板の中央部分に存在する不純物の拡散が、加工基板を利用する半導体プロセス環境に到達することを阻止する。熱膨張係数、格子不整合、熱安定性、および形状制御などの基板材料に関する主要な特性が、窒化ガリウム系のエピタキシャル層およびデバイス層ならびに種々のデバイスアーキテクチャおよび性能目標との調和を改善（例えば、最適化）するために、独立して設計される。基板材料層が従来からの半導体製造プロセスに一緒に統合されるため、プロセス統合が単純になる。本発明のこれらの実施形態および他の実施形態が、その多数の利点および特徴とともに、下記の説明および添付の図面との連動において、さらに詳しく説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態による加工基板構造物を説明する簡単な概略図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態による設計された構造物について、種の濃度を深さの関数として示すＳＩＭＳプロファイルである。
【図２Ｂ】本発明の実施形態によるアニール後の設計された構造物について、種の濃度を深さの関数として示すＳＩＭＳプロファイルである。
【図２Ｃ】本発明の実施形態によるアニール後の窒化シリコン層を有する設計された構造物について、種の濃度を深さの関数として示すＳＩＭＳプロファイルである。
【図３】本発明の別の実施形態による加工基板構造物を説明する簡単な概略図である。
【図４】本発明のさらに別の実施形態による加工基板構造物を説明する簡単な概略図である。
【図５】本発明の実施形態による加工基板の製造方法を説明する簡単なフローチャートである。
【図６】本発明の実施形態によるＲＦおよび電力用途のためのエピタキシャル加工基板構造物を示す簡単な概略図である。
【図７】本発明の実施形態による加工基板構造物上のＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層を説明する簡単な概略図である。
【図８】本発明の別の実施形態による加工基板の製造方法を説明する簡単なフローチャートである。
【図９】本発明の実施形態による加工基板を使用して製造された準垂直アーキテクチャを有するフィンＦＥＴの簡単な概略図である。
【図１０】本発明の実施形態による加工基板を使用して製造されたフィンＦＥＴの加工基板からの取り外し後を示す簡単な概略図である。
【図１１】本発明の実施形態による加工基板を使用して製造された準垂直アーキテクチャを有する側壁ＭＯＳトランジスタの簡単な概略図である。
【図１２】本発明の実施形態による加工基板を使用して製造された準垂直アーキテクチャを有する側壁ＭＯＳトランジスタの加工基板からの取り外し後の簡単な概略図である。
【図１３】本発明の実施形態による加工基板を使用して製造されたＭＯＳトランジスタの簡単な概略図である。
【図１４Ａ】本発明の実施形態による加工基板を使用して製造された音響共振器を説明する簡単な概略図である。
【図１４Ｂ】本発明の別の実施形態による加工基板を使用して製造された音響共振器を説明する簡単な概略図である。
【図１５】本発明の実施形態による加工基板を使用して製造されたマイクロＬＥＤディスプレイの加工基板からの取り外し後を示す簡単な概略図である。
【図１６Ａ】本発明の実施形態による加工基板を使用して製造されたＭＥＭＳデバイスを説明する簡単な概略図である。
【図１６Ｂ】本発明の別の実施形態による加工基板を使用して製造されたＭＥＭＳデバイスを説明する簡単な概略図である。
【図１６Ｃ】本発明の実施形態による加工基板を使用して製造されたＭＥＭＳデバイスの加工基板からの取り外し後を示す簡単な概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[0031]本発明の実施形態は、加工基板構造物に関する。より具体的には、本発明は、エピタキシャル成長プロセスにおける使用に適した方法およびシステムに関する。あくまでも一例として、本発明は、エピタキシャル成長に適した基板構造物であって、この基板構造物上で成長するエピタキシャル層に実質的に一致した熱膨張係数（ＣＴＥ）を特徴とする基板構造物を提供するための方法およびシステムに適用されている。これらの方法および技術は、さまざまな半導体処理作業に適用可能である。
【００１２】
[0032]図１は、本発明の実施形態による加工基板構造物を説明する簡単な概略図である。図１に示される加工基板１００は、さまざまな電子および光学の用途に適する。加工基板は、この加工基板１００上で成長するエピタキシャル材料の熱膨張係数（ＣＴＥ）に実質的に一致するＣＴＥを有することができるコア１１０を含む。エピタキシャル材料１３０は、加工基板の要素としては必要でないが、典型的には加工基板上で成長するため、随意であるとして示されている。
【００１３】
[0033]窒化ガリウム（ＧａＮ）系の材料（ＧａＮ系の層を含むエピタキシャル層）の成長を含む用途の場合、コア１１０は、多結晶セラミック材料であってよく、例えば酸化イットリウムなどの結合材料を含むことができる多結晶窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であってよい。多結晶窒化ガリウム（ＧａＮ）、多結晶窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、多結晶炭化シリコン（ＳｉＣ）、多結晶酸化亜鉛（ＺｎＯ）、多結晶三酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、など、他の材料もコア１１０に利用することができる。
【００１４】
[0034]コアの厚さは、１００〜１，５００μｍ程度であってよく、例えば７２５μｍであってよい。コア１１０は、シェルまたは包囲シェルと呼ぶことができる第１の付着層１１２に包まれる。一実施形態において、第１の付着層１１２は、厚さが約１，０００Å程度であり、例えば８００Åであるテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）層を備える。他の実施形態において、第１の付着層の厚さは、例えば１００Åから２，０００Åまで、さまざまである。いくつかの実施形態においては付着層にＴＥＯＳが利用されるが、本発明の実施形態によれば、後に堆積させられる層と下方の層または材料（例えば、セラミック、とくには多結晶セラミック）との間の付着をもたらす他の材料も、利用可能である。例えば、ＳｉＯ２または他の酸化シリコン（ＳｉｘＯｙ）は、セラミック材料に良好に付着し、後の導電性材料などの堆積に適した表面を提供する。第１の付着層１１２は、ＬＰＣＶＤプロセスを使用して形成されてよく、いくつかの実施形態においては、コア１１０を完全に取り囲んで、完全に包まれたコアを形成する。第１の付着層１１２は、後続の層が加工基板構造物の要素を形成すべく付着する表面を提供する。
【００１５】
[0035]包囲の第１の付着層を形成するためのＬＰＣＶＤプロセス、炉に基づくプロセス、などの使用に加えて、ＣＶＤプロセスまたは同様の堆積プロセスなどの他の半導体プロセスを、本発明の実施形態に従って利用することができる。一例として、コアの一部分をコーティングする堆積プロセスを利用することができ、コアを裏返して、コアのさらなる部分をコーティングするために堆積プロセスを繰り返すことができる。したがって、いくつかの実施形態においては、完全に包まれた構造物をもたらすためにＬＰＣＶＤ技術が利用されるが、他の膜形成技術も、個々の用途に応じて利用することが可能である。
【００１６】
[0036]付着層１１２を取り囲む導電層１１４が形成される。一実施形態において、導電層１１４は、第１の付着層１１２を囲んで形成されるポリシリコン（すなわち、多結晶シリコン）のシェルであり、何故ならば、ポリシリコンはセラミック材料に対して良好な付着を示さない可能性があるからである。導電層がポリシリコンである実施形態において、ポリシリコン層の厚さは、５００〜５，０００Å程度であってよく、例えば２，５００Å、２，７５０Å、３，０００Å、３，２５０Å、３，５００Å、などであってよい。いくつかの実施形態においては、ポリシリコン層を、ＬＰＣＶＤプロセスを使用して形成することができ、第１の付着層１１２（例えば、ＴＥＯＳ層）を完全に囲むシェルとして形成することにより、完全に包まれた第１の付着層を形成することができる。他の実施形態においては、以下で論じられるように、導電性材料を、例えば基板構造物の下半分など、付着層の一部分上に形成することができる。いくつかの実施形態においては、導電性材料を完全な包囲層として形成し、その後に基板構造の片側において除去することができる。
【００１７】
[0037]一実施形態において、導電層１１４は、例えばｐ型ポリシリコン層をもたらすようにホウ素でドープされるなど、高導電性材料をもたらすようにドープされたポリシリコン層であってよい。いくつかの実施形態において、ホウ素によるドープは、高い導電率をもたらすために１×１０１９ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３のレベルである。さまざまなドーパント濃度の他のドーパント（例えば、１×１０１６ｃｍ−３〜５×１０１８ｃｍ−３の範囲のドーパント濃度のリン、ヒ素、ビスマス、など）を利用して、導電層における使用に適したｎ型またはｐ型のいずれかの半導体材料をもたらすことができる。当業者であれば、多数の変種、改良、および代案を認識できるであろう。
【００１８】
[0038]導電層１１４の存在は、例えば静電チャック（ＥＳＣ）を備えたツールなどの半導体処理ツールへの加工基板の静電チャックにおいて有用である。導電層１１４は、半導体処理ツールでの処理後の迅速なチャック解除を可能にする。したがって、本発明の実施形態は、従来からのシリコンウェーハにおいて利用されるやり方で処理することができる基板構造物を提供する。当業者であれば、多数の変種、改良、および代案を認識できるであろう。
【００１９】
[0039]第２の付着層１１６（例えば、厚さが約１，０００Å程度であり、例えば８００ÅであるＴＥＯＳ層）１１６が、導電層１１４を取り囲んで形成される。第２の付着層１１６は、ＬＰＣＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス、またはスピンオン誘電体の堆積などの任意の他の適切な堆積プロセスを使用して形成可能であり、いくつかの実施形態においては導電層１１４を完全に取り囲み、完全に包まれた構造物を形成する。
【００２０】
[0040]例えば窒化シリコン層であるバリア層１１８が、第２の付着層１１６を取り囲んで形成される。一実施形態において、バリア層１１８は、厚さが約１，０００Å〜５，０００Å程度の窒化シリコン層１１８である。バリア層１１８は、ＬＰＣＶＤプロセスを使用して形成されてよく、いくつかの実施形態においては、第２の付着層１１６を完全に取り囲んで、完全に包まれた構造物を形成する。窒化シリコン層に加えて、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、などを含むアモルファス材料をバリア層として利用することが可能である。いくつかの実施例において、バリア層１１８は、バリア層を形成すべく重ねられるいくつかのサブ層を含む。したがって、バリア層という用語は、単一の層または単一の材料を示すことを意図しておらず、複合の様相で重ねられた１つ以上の材料を包含するように意図される。当業者であれば、多数の変種、改良、および代案を認識できるであろう。
【００２１】
[0041]いくつかの実施形態において、例えば窒化シリコン層であるバリア層１１８は、例えば高温（例えば、１，０００℃）のエピタキシャル成長プロセスの最中に、例えば酸化イットリウム（すなわち、イットリア）、酸素、金属不純物、他の微量元素、などのコア１１０内に存在する元素が、加工基板が存在し得る半導体処理チャンバの環境へと拡散し、さらには／あるいは放出されることを防止する。本明細書に記載の包囲層を利用することで、非クリーンルーム環境用として設計された多結晶ＡｌＮなどのセラミック材料を、半導体のプロセスフローおよびクリーンルーム環境において利用することができる。
【００２２】
[0042]図２Ａは、本発明の実施形態による設計された構造物について、種の濃度を深さの関数として示す二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）プロファイルである。この設計された構造物は、バリア層１１８を含んでいない。図２Ａを参照すると、セラミックコアに存在するいくつかの種（例えば、イットリウム、カルシウム、およびアルミニウム）は、設計された層１２０／１２２において無視できる濃度まで低下する。カルシウム、イットリウム、およびアルミニウムの濃度は、それぞれ３桁、４桁、および６桁低下している。
【００２３】
[0043]図２Ｂは、本発明の実施形態によるアニール後のバリア層を持たない設計された構造物について、種の濃度を深さの関数として示すＳＩＭＳプロファイルである。上述のように、半導体処理作業において、本発明の実施形態によってもたらされた加工基板構造物は、例えばＧａＮ系の層のエピタキシャル成長の際に、数時間にわたって高温（約１，１００℃）に曝される可能性がある。
【００２４】
[0044]図２Ｂに示されるプロファイルにおいて、加工基板構造物は、４時間の期間にわたって１，１００℃でアニールされている。図２Ｂによって示されるように、堆積時のままのサンプル中に当初は低濃度で存在していたカルシウム、イットリウム、およびアルミニウムが、設計された層へと拡散し、他の元素と同様の濃度に達している。
【００２５】
[0045]図２Ｃは、本発明の実施形態によるアニール後のバリア層を有する設計された構造物について、種の濃度を深さの関数として示すＳＩＭＳプロファイルである。加工基板構造物に拡散バリア層１１８（例えば、窒化シリコン層）を取り入れることで、アニーリングプロセスの際に、拡散バリア層が存在しない場合に生じていたカルシウム、イットリウム、およびアルミニウムの設計された層への拡散が防止される。図２Ｃに示されるように、セラミックコア中に存在するカルシウム、イットリウム、およびアルミニウムは、アニール後の設計された層において低い濃度のままである。このように、バリア層１１８（例えば、窒化シリコン層）の使用は、これらの元素が拡散バリアを通って拡散することを防止することにより、加工基板の周囲の環境への放出を防止する。同様に、バルクのセラミック材料内に含まれ得る他の不純物も、バリア層によって閉じ込められる。
【００２６】
[0046]典型的には、コア１１０を形成するために利用されるセラミック材料は、１，８００℃の範囲の温度で焼成される。このプロセスにより、セラミック材料に存在する不純物のかなりの量が、追い出されると予想される。これらの不純物として、焼結剤としてのイットリアの使用に起因するイットリウム、カルシウム、ならびに他の元素および化合物を挙げることができる。続いて、８００℃〜１，１００℃の範囲のはるかに低い温度で行われるエピタキシャル成長プロセスにおいて、これらの不純物のその後の拡散はわずかであると予想される。しかしながら、従来の予想に反して、本発明の発明者は、セラミック材料の焼成温度よりもはるかに低い温度でのエピタキシャル成長プロセスにおいてさえも、加工基板の層を通って元素のかなりの拡散が生じ得ると判断した。したがって、本発明の実施形態は、バリア層１１８（例えば、窒化シリコン層）を取り入れることで、多結晶セラミック材料（例えば、ＡｌＮ）からの背景元素が設計された層１２０／１２２および随意によるＧａＮ層１３０などのエピタキシャル層へと拡散することを防止する。下方の層および材料を包む窒化シリコン層１１８は、所望のバリア層機能を提供する。
【００２７】
[0047]図２Ｂに示されるように、当初にコア１１０内に存在するイットリウムなどの元素は、第１のＴＥＯＳ層１１２、ポリシリコン層１１４、および第２のＴＥＯＳ層１１６を通って、これらの層に拡散する。しかしながら、窒化シリコン層１１８の存在が、図２Ｃに示されるように、これらの元素が窒化シリコン層を通って拡散することを防止することにより、加工基板の周囲の環境へのこれらの元素の放出を防止する。
【００２８】
[0048]再び図１を参照すると、結合層１２０（例えば、酸化シリコン層）が、例えばバリア層の上面など、バリア層１１８の一部分に堆積させられ、後に実質的に単結晶シリコン層１２２を結合させる際に使用される。結合層１２０は、いくつかの実施形態においては、厚さが約１．５μｍであってよい。
【００２９】
[0049]実質的に単結晶の層１２２は、エピタキシャル材料１３０の形成のためのエピタキシャル成長プロセスにおける成長層としての使用に適する。いくつかの実施形態において、エピタキシャル材料１３０は、光電子デバイス、ＲＦデバイス、電力デバイス、などで利用される複数の層のうちの１つとして利用することができる厚さが２μｍ〜１０μｍのＧａＮ層を含む。一実施形態において、実質的に単結晶の層１２２は、層転写プロセスを使用して酸化シリコン層１１８に取り付けられる実質的に単結晶のシリコン層を含む。
【００３０】
[0050]図３は、本発明の実施形態による加工基板構造物を説明する簡単な概略図である。図３に示される加工基板３００は、さまざまな電子および光学の用途に適する。加工基板は、この加工基板３００上で成長するエピタキシャル材料１３０の熱膨張係数（ＣＴＥ）に実質的に一致するＣＴＥを有することができるコア１１０を含む。エピタキシャル材料１３０は、加工基板構造物の要素としては必要でないが、典型的には加工基板構造物上で成長するため、随意であるとして示されている。
【００３１】
[0051]窒化ガリウム（ＧａＮ）系の材料（ＧａＮ系の層を含むエピタキシャル層）の成長を含む用途の場合、コア１１０は、多結晶セラミック材料であってよく、例えば多結晶窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であってよい。コアの厚さは、１００〜１，５００μｍ程度であってよく、例えば７２５μｍであってよい。コア１１０は、シェルまたは包囲シェルと呼ぶことができる第１の付着層１１２に包まれる。この実施例において、第１の付着層１１２はコアを完全に包んでいるが、これは、図４に関してさらに詳しく論じられるように、本発明において必須ではない。
【００３２】
[0052]一実施形態において、第１の付着層１１２は、厚さが約１，０００Å程度のテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）層を備える。他の実施形態において、第１の付着層の厚さは、例えば１００Åから２，０００Åまで、さまざまである。いくつかの実施形態においては付着層にＴＥＯＳが利用されるが、本発明の実施形態によれば、後に堆積させられる層と下方の層または材料との間の付着をもたらす他の材料も、利用可能である。例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、などが、セラミック材料に良好に付着し、後の導電性材料などの堆積に適した表面を提供する。第１の付着層１１２は、ＬＰＣＶＤプロセスを使用して形成されてよく、いくつかの実施形態においては、コア１１０を完全に取り囲んで、完全に包まれたコアを形成する。付着層は、後続の層が加工基板構造物の要素を形成すべく付着する表面を提供する。
【００３３】
[0053]包囲の付着層を形成するためのＬＰＣＶＤプロセス、炉に基づくプロセス、などの使用に加えて、他の半導体プロセスを、本発明の実施形態に従って利用することができる。一例として、例えばＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、など、コアの一部分をコーティングする堆積プロセスを利用することができ、コアを裏返して、コアのさらなる部分をコーティングするために堆積プロセスを繰り返すことができる。
【００３４】
[0054]導電層３１４が、第１の付着層１１２の少なくとも一部分に形成される。一実施形態において、導電層３１４は、コア／付着層構造物の下部（例えば、下半分または裏側）上に堆積プロセスによって形成されるポリシリコン（すなわち、多結晶シリコン）を含む。導電層がポリシリコンである実施形態において、ポリシリコン層の厚さは、数千オングストローム程度であってよく、例えば３，０００Åであってよい。いくつかの実施形態においては、ポリシリコン層を、ＬＰＣＶＤプロセスを使用して形成することができる。
【００３５】
[0055]一実施形態において、導電層３１４は、高導電性材料をもたらすようにドープされたポリシリコン層であってよく、例えば、導電層３１４は、ｐ型ポリシリコン層をもたらすようにホウ素でドープされてよい。いくつかの実施形態において、ホウ素によるドープは、高い導電率をもたらすために約１×１０１９ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３の範囲のレベルである。導電層の存在は、例えば静電チャック（ＥＳＣ）を備えたツールなどの半導体処理ツールへの加工基板の静電チャックにおいて有用である。導電層３１４は、処理後の迅速なチャック解除を可能にする。したがって、本発明の実施形態は、従来からのシリコンウェーハにおいて利用されるやり方で処理することができる基板構造物を提供する。当業者であれば、多数の変種、改良、および代案を認識できるであろう。
【００３６】
[0056]第２の付着層３１６（例えば、第２のＴＥＯＳ層）が、導電層３１４（例えば、ポリシリコン層）を囲んで形成される。第２の付着層３１６は、厚さが約１，０００Å程度である。第２の付着層３１６は、ＬＰＣＶＤプロセスを使用して形成されてよく、いくつかの実施形態においては、導電層３１４および第１の付着層１１２を完全に取り囲んで、完全に包まれた構造物を形成する。他の実施形態において、第２の付着層３１６は、導電層３１４を部分的にだけ囲み、例えば、導電層３１４の上面に整列してよい平面３１７によって示される位置で終わる。この例においては、導電層３１４の上面が、バリア層１１８の一部分に接触する。当業者であれば、多数の変種、改良、および代案を認識できるであろう。
【００３７】
[0057]バリア層１１８（例えば、窒化シリコン層）が、第２の付着層３１６を取り囲んで形成される。バリア層１１８は、いくつかの実施形態において、厚さが約１，０００Å〜５，０００Å程度である。いくつかの実施形態において、バリア層１１８は、ＬＰＣＶＤプロセスを使用して形成されてよく、第２の付着層３１６を完全に取り囲んで、完全に包まれた構造物を形成する。
【００３８】
[0058]いくつかの実施形態において、窒化シリコンバリア層の使用は、例えば高温（例えば、１，０００℃）のエピタキシャル成長プロセスの最中に、例えば酸化イットリウム（すなわち、イットリア）、酸素、金属不純物、他の微量元素、などのコア１１０内に存在する元素が、加工基板が存在し得る半導体処理チャンバの環境へと拡散し、さらには／あるいは放出されることを防止する。本明細書に記載の包囲層を利用することで、非クリーンルーム環境用として設計された多結晶ＡｌＮなどのセラミック材料を、半導体のプロセスフローおよびクリーンルーム環境において利用することができる。
【００３９】
[0059]図４は、本発明の別の実施形態による加工基板構造物を説明する簡単な概略図である。図４に示される実施形態においては、第１の付着層４１２が、コア１１０の少なくとも一部分の上に形成されるが、コア１１０を包まない。この実施例において、第１の付着層４１２は、以下でさらに充分に説明されるように、後に形成される導電層４１４の付着を強化するために、コア１１０の下面（コア１１０の裏側）に形成される。付着層４１２は、図４においてはコア１１０の下面にのみ示されているが、コアの他の部分に付着層材料が堆積しても、加工基板構造物の性能に悪影響が及ぶことはなく、そのような材料がさまざまな実施形態において存在してよいことを、理解できるであろう。当業者であれば、多数の変種、改良、および代案を認識できるであろう。
【００４０】
[0060]導電層４１４は、第１の付着層４１２およびコア１１０を包んでおらず、むしろ第１の付着層４１２に実質的に整列している。導電層４１４は、第１の付着層４１２の底部または裏面に沿って側面の一部分にまで延びるものとして図示されているが、本発明において、必ずしも垂直な側面に沿って延びる必要はない。したがって、いくつかの実施形態は、基板構造物の片側をマスキングするなど、基板構造物の片側への堆積を利用することができる。導電層４１４を、第１の付着層４１２の片側、例えば底部／裏側の一部分に形成することができる。導電層４１４は、加工基板構造物の片側に電気伝導をもたらし、これはＲＦおよび大電力の用途において好都合であり得る。導電層は、図１の導電層１１４に関して説明したようなドープされたポリシリコンを含むことができる。
【００４１】
[0061]コア１１０の一部分、第１の付着層４１２の一部分、および導電層４１４は、下方の材料に対するバリア層４１８の付着を強化するために、第２の付着層４１６で覆われる。バリア層４１８は、上述のように、下方の層からの拡散を防止するための包囲構造を形成する。
【００４２】
[0062]半導体に基づく導電層に加えて、他の実施形態において、導電層４１４は、例えば５００Åのチタンなどの金属層である。
【００４３】
[0063]再び図４を参照すると、実施例に応じて、１つ以上の層を除去することができる。例えば、層４１２および４１４を除去して、単一の付着シェル４１６およびバリア層４１８だけを残すことができる。別の実施形態においては、層４１４のみを除去することができる。この実施形態において、層４１２は、層４１８の上に堆積させられる層１２０によって引き起こされる応力およびウェーハの反りをバランスさせることもできる。コア１１０の上側に絶縁層（例えば、コア１１０と層１２０との間の絶縁層のみ）を備える基板構造物の構成は、高絶縁性の基板が望ましい電力／ＲＦの用途にとって有益であると考えられる。
【００４４】
[0064]別の実施形態においては、バリア層４１８がコア１１０を直接包み、その後に導電層４１４および後続の付着層４１６が続いてもよい。この実施形態においては、層１２０を、上側から付着層４１６へと直接堆積させることができる。さらに別の実施形態においては、付着層４１６をコア１１０上に堆積させ、その後にバリア層４１８を続け、次いで導電層４１４および別の付着層４１２を続けることができる。
【００４５】
[0065]いくつかの実施形態を、層に関して議論してきたが、層という用語は、層が対象の層を形成すべく重ねられたいくつかのサブ層を含んでもよいように理解されるべきである。したがって、層という用語は、単一の材料からなる単一の層を示すことを意図しておらず、むしろ所望の構造物を形成するために複合の様相で重ねられた１つ以上の材料を包含するように意図される。当業者であれば、多数の変種、改良、および代案を認識できるであろう。
【００４６】
[0066]図５は、本発明の実施形態による加工基板の製造方法を説明する簡単なフローチャートである。この方法を利用して基板を製造し、基板のＣＴＥを基板上に成長させられるエピタキシャル層のうちの１つ以上に一致させることができる。方法５００は、多結晶セラミックコアを用意すること（５１０）と、多結晶セラミックコアをシェル（例えば、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）シェル）を形成する第１の付着層で包むこと（５１２）と、第１の付着層を導電性シェル（例えば、ポリシリコンシェル）で包むこと（５１４）とによって、支持構造物を形成することを含む。第１の付着層を、ＴＥＯＳの単一層として形成することができる。導電性シェルを、ポリシリコンの単一層として形成することができる。
【００４７】
[0067]この方法は、導電性シェルを第２の付着層（例えば、第２のＴＥＯＳシェル）で包むこと（５１６）と、第２の付着層をバリア層シェルで包むこと（５１８）とをさらに含む。第２の付着層を、ＴＥＯＳの単一層として形成することができる。バリア層シェルを、窒化シリコンの単一層として形成することができる。
【００４８】
[0068]ひとたびプロセス５１０〜５１８によって支持構造物が形成されると、この方法は、結合層（例えば、酸化シリコン層）を支持構造物に接合すること（５２０）と、例えば実質的に単結晶のシリコン層などの実質的に単結晶の層を酸化シリコン層に接合すること（５２２）とをさらに含む。本発明の実施形態によれば、ＳｉＣ、サファイア、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＳｉＧｅ、Ｇｅ、ダイヤモンド、Ｇａ２Ｏ３、ＺｎＯ、などの他の実質的に単結晶の層を使用することができる。結合層の接合は、本明細書に記載されるように、結合材料の堆積およびその後の平坦化プロセスを含むことができる。以下で説明される実施形態において、実質的に単結晶の層（例えば、実質的に単結晶のシリコン層）の結合層への接合は、層がシリコンウェーハから転写される単結晶シリコン層である層転写プロセスを利用する。
【００４９】
[0069]図１を参照すると、結合層１２０を、厚い（例えば、厚さ４μｍの）酸化物層を堆積させ、その後に化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスによって酸化物を約１．５μｍの厚さまで薄くすることによって、形成することができる。厚い初期の酸化物は、多結晶コアの製造後に存在し、図１に示される包囲層が形成されるときに存在し続ける可能性がある支持構造物上に存在するボイドおよび表面特徴を埋める役割を果たす。ＣＭＰプロセスは、ボイド、粒子、または他の特徴の存在しない実質的に平坦な表面をもたらし、次いで、この表面を、ウェーハ転写プロセスにおいて、実質的に単結晶の層１２２（例えば、実質的に単結晶のシリコン層）を結合層１２０に結合させるために使用することができる。結合層１２０が、必ずしも原子的に平坦な表面を特徴とする必要はないが、実質的に単結晶の層（例えば、実質的に単結晶のシリコン層）の結合を所望の信頼性でサポートする実質的に平坦な平面をもたらすべきであることを、理解できるであろう。
【００５０】
[0070]層転写プロセスを使用して、実質的に単結晶のシリコン層１２２を結合層１２０に接合することができる。いくつかの実施形態においては、シリコンウェーハ（例えば、シリコン（１１１）ウェーハ）が劈開面を形成するために注入される。ウェーハの接合後に、シリコン基板を単結晶シリコン層のうちの劈開面の下方の部分と共に除去することで、図１に示される剥離した単結晶シリコン層１２２を得ることができる。実質的に単結晶の層１２２の厚さは、さまざまな用途の仕様を満たすようにさまざまであってよい。さらに、実質的に単結晶の層１２２の結晶方位は、用途の仕様を満たすようにさまざまであってよい。さらに、実質的な単結晶の層１２２のドープのレベルおよびプロファイルは、個々の用途の仕様を満たすようにさまざまであってよい。
【００５１】
[0071]図５に示される方法は、実質的に単結晶の層を平滑化すること（５２４）をさらに含むことができる。いくつかの実施形態において、実質的に単結晶の層１２２の厚さおよび表面粗さを、高品質のエピタキシャル成長のために修正することができる。デバイスの用途が異なると、実質的に単結晶の層１２２の厚さおよび表面の平滑性に関する仕様がわずかに異なる可能性がある。劈開プロセスは、注入後のイオンプロファイルのピークにおいてバルクの単結晶シリコンウェーハから実質的に単結晶の層１２２を剥離させる。劈開後に、実質的に単結晶の層１２２を、窒化ガリウムなどの他の材料のエピタキシャル成長のための成長表面として利用される前に、いくつかの態様において調整または修正することができる。図５に関して説明したプロセスが、プロセス５２４に関連して論じたとおりの平滑化を含むプロセスを含むことができるが、実質的に単結晶の層を厚くすること、および／または薄くすることも含んでよいことを、理解できるであろう。
【００５２】
[0072]第１に、転写された実質的に単結晶の層１２２は、少量の残留水素濃度を含む可能性があり、注入からのいくらかの結晶損傷を有する可能性がある。したがって、転写された実質的に単結晶の層１２２のうちの結晶格子が損傷している薄い一部分を除去することが、有益であり得る。いくつかの実施形態においては、注入の深さを、実質的に単結晶の層１２２の所望の最終的な厚さよりも大きくなるように調整することができる。この追加の厚さは、転写された実質的に単結晶の層のうちの損傷している薄い一部分を除去し、所望の最終的な厚さの損傷を受けていない部分を残すことを可能にする。
【００５３】
[0073]第２に、実質的に単結晶の層１２２の全体の厚さを調整することが望まれる可能性がある。一般に、実質的に単結晶の層１２２を、後の１つ以上のエピタキシャル層の成長のために高品質の格子テンプレートをもたらすために充分に厚くし、しかしながらきわめて素直であるように充分に薄くすることが、望ましいかもしれない。実質的に単結晶の層１２２は、実質的に単結晶の層１２２が比較的薄く、したがってその物理的特性が、あまり制約されず、結晶欠陥をあまり生じることなく周囲の材料の物理的特性を模倣できる場合に、「素直」であると言える。実質的に単結晶の層１２２の素直さは、実質的に単結晶の層１２２の厚さに反比例し得る。素直さが大であるほど、テンプレート上で成長するエピタキシャル層の欠陥密度を低くでき、より厚いエピタキシャル層の成長を可能にできる。いくつかの実施形態においては、実質的に単結晶の層１２２の厚さを、剥離後のシリコン層上へのシリコンのエピタキシャル成長によって増やすことができる。
【００５４】
[0074]第３に、実質的に単結晶の層１２２の平滑性を改善することが有益であり得る。層の平滑性は、総水素量、同時に注入された種の存在、および水素に基づく劈開面を形成するために使用されるアニーリング条件に関係し得る。層転写（すなわち、劈開ステップ）から生じる初期の粗さを、以下で論じられるように、熱酸化および酸化物の除去によって軽減することができる。
【００５５】
[0075]いくつかの実施形態においては、損傷した層の除去および実質的に単結晶の層１２２の最終的な厚さの調整を、剥離後のシリコン層の上部の熱酸化、およびその後のフッ化水素（ＨＦ）酸による酸化物層の除去によって達成することができる。例えば、例えば０．５３μｍなど、０．３μｍ〜０．８μｍの範囲の初期厚さを有する剥離後のシリコン層を熱酸化させて、厚さ約４２０ｎｍの二酸化シリコン層を生じさせることができる。成長した熱酸化物を除去した後に、転写された層内の残りのシリコンの厚さは、約３０ｎｍ〜３５ｎｍになり得る。熱酸化の際に、注入された水素が表面に向かって移動することができる。したがって、後の酸化物層の除去によって、或る程度の損傷を取り除くことができる。また、熱酸化は、典型的には、１０００℃以上の温度で行われる。この高い温度も、格子の損傷を修復し得る。
【００５６】
[0076]熱酸化の際に実質的に単結晶の層の上部に形成される酸化シリコン層を、ＨＦ酸エッチングを使用して除去することができる。ＨＦ酸による酸化シリコンとシリコンとの間（ＳｉＯ２：Ｓｉ）のエッチング選択性を、ＨＦ溶液の温度および濃度ならびに酸化シリコンの化学量論および密度を調整することによって調整することができる。エッチング選択性とは、或る材料の別の材料と比べたエッチング速度を指す。（ＳｉＯ２：Ｓｉ）の場合、ＨＦ溶液の選択性は、約１０：１〜約１００：１の範囲であり得る。高いエッチング選択性は、表面粗さを同様の倍数で初期の表面粗さから減少させることができる。しかしながら、結果として得られる実質的に単結晶の層１２２の表面粗さは、依然として所望の表面粗さよりも大きい可能性がある。例えば、バルクのＳｉ（１１１）表面は、さらなる処理の前に２μｍ×２μｍの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）スキャンによって測定すると、０．１ｎｍ未満の二乗平均平方根（ＲＭＳ）表面粗さを有し得る。いくつかの実施形態において、Ｓｉ（１１１）上の窒化ガリウム材料のエピタキシャル成長にとって望ましい表面粗さは、例えば、３０μｍ×３０μｍのＡＦＭスキャン領域について、１ｎｍ未満、０．５ｎｍ未満、または０．２ｎｍ未満であり得る。
【００５７】
[0077]熱酸化および酸化物層の除去後の実質的に単結晶の層１２２の表面粗さが所望の表面粗さを超える場合、追加の表面平滑化を実行することができる。シリコンの表面を平滑化するいくつかの方法が存在する。そのような方法として、水素アニーリング、レーザトリミング、プラズマスムージング、タッチポリッシュ（例えば、化学機械研磨またはＣＭＰ）を挙げることができる。これらの方法は、高アスペクト比の表面のピークを優先的に攻撃することができる。したがって、表面の高アスペクト比の特徴は、低アスペクト比の特徴よりも迅速に除去され、結果としてより平滑な表面がもたらされる。
【００５８】
[0078]図５に示した具体的な工程が、本発明の実施形態による加工基板の特定の製造方法を提示していることを、理解すべきである。他の一連の工程も、別の実施形態に従って実行可能である。例えば、本発明の別の実施形態は、上述の工程を別の順序で実行することができる。さらに、図５に示した個々の工程は、個々の工程に見合った種々の順序で実行されてよい複数の部分工程を含むことができる。さらに、個々の用途に応じて、さらなる工程を追加または削除することができる。当業者であれば、多数の変種、改良、および代案を認識できるであろう。
【００５９】
[0079]図６は、本発明の実施形態によるＲＦおよび電力用途のためのエピタキシャル加工基板構造物を示す簡単な概略図である。いくつかのＬＥＤの用途においては、加工基板構造物が、高品質のＧａＮ層の成長を可能にする成長基板を提供し、後に加工基板構造物は除去される。しかしながら、ＲＦおよび電力デバイスの用途の場合、加工基板構造物は、完成したデバイスの一部を形成し、したがって加工基板構造物または加工基板構造物の要素の電気的、熱的、およびその他の特性が、個々の用途にとって重要である。
【００６０】
[0080]図１を参照すると、単結晶シリコン層１２２は、典型的には、注入および剥離の技術を使用してシリコンドナーウェーハから分離された剥離層である。典型的な注入物は、水素およびホウ素である。電力およびＲＦデバイスの用途においては、加工基板構造物の層および材料の電気的特性が重要である。例えば、一部のデバイスアーキテクチャは、抵抗が１０３オーム−ｃｍを上回る高絶縁性のシリコン層を利用して、基板および境界層を通過する漏れを低減または解消する。他の用途は、デバイスのソースを他の要素へと接続するために、所定の厚さ（例えば、１μｍ）の導電性シリコン層を含む設計を利用している。このように、これらの用途においては、単結晶シリコン層の寸法および特性の制御が望ましい。層転写の際に注入および剥離の技術が使用される設計においては、例えば水素またはホウ素などの残留注入原子がシリコン層に存在して、電気的特性を変化させる。さらに、例えば導電性に影響し得る注入量、ならびに注入プロファイルの半値全幅（ＦＷＨＭ）、表面粗さ、および劈開面の位置精度、および層の厚さに影響し得る注入深さの調整を使用して、薄いシリコン層の厚さ、導電率、およびその他の特性を制御することは、困難である可能性がある。
【００６１】
[0081]本発明の実施形態によれば、加工基板構造物におけるシリコンエピタキシが、個々のデバイス設計にふさわしい単結晶シリコン層の所望の特性を達成するために利用される。
【００６２】
[0082]図６を参照すると、エピタキシャル加工基板構造物６００は、加工基板構造物６１０と、その上に形成されたシリコンエピタキシャル層６２０とを含む。加工基板構造物６１０は、図１、図３、および図４に示した加工基板構造物と同様であってよい。典型的には、実質的に単結晶のシリコン層１２２は、層転写後に０．５μｍ程度である。一部のプロセスにおいては、単結晶シリコン層１２２の厚さを約０．３μｍに減らすために、表面調整プロセスを利用することができる。例えば信頼性の高いオーミックコンタクトの形成に使用すべく単結晶シリコン層の厚さを約１μｍに増やすために、エピタキシャルプロセスが、層転写プロセスによって形成された実質的に単結晶のシリコン層１２２上にエピタキシャル単結晶シリコン層６２０を成長させるために使用される。ＣＶＤ、ＡＬＤ、ＭＢＥ、などを含むさまざまなエピタキシャル成長プロセスを使用して、エピタキシャル単結晶シリコン層６２０を成長させることができる。エピタキシャル単結晶シリコン層６２０の厚さは、例えば０．１μｍ〜１０μｍの間など、約０．１μｍ〜約２０μｍの範囲であってよい。
【００６３】
[0083]図７は、本発明の実施形態による加工基板構造物上のＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層を説明する簡単な概略図である。図７に示される構造を、以下で説明されるように、二重エピタキシャル構造と呼ぶことができる。図７に示されるように、エピタキシャル単結晶シリコン層６２０を含む加工基板構造物７１０の上に、ＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層７２０が形成される。一実施形態において、ＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層は、窒化ガリウム（ＧａＮ）を含む。
【００６４】
[0084]ＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層７２０の所望の厚さは、所望の機能に応じて、大いにさまざまであってよい。いくつかの実施形態において、ＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層７２０の厚さは、０．５μｍ〜１００μｍの間でさまざまであってよく、例えば５μｍを超える厚さであってよい。ＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層７２０上に製作されるデバイスの結果としての絶縁破壊電圧は、ＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層７２０の厚さに応じてさまざまであってよい。いくつかの実施形態においては、少なくとも１００Ｖ、３００Ｖ、６００Ｖ、１．２ｋＶ、１．７ｋＶ、３．３ｋＶ、５．５ｋＶ、１３ｋＶ、または２０ｋＶの絶縁破壊電圧がもたらされる。
【００６５】
[0085]複数のサブ層を含むことができるＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層７２０の各部分の間の導電性をもたらすために、この例においてはＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層７２０の上面からエピタキシャル単結晶シリコン層６２０へと通過する一式のビア７２４が形成される。ビア７２４を、ＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層７２０から絶縁されるように、絶縁層（図示せず）で裏打ちしてもよい。一例として、これらのビアを、ビアを介してオーミックコンタクトを提供することによってダイオードまたはトランジスタの電極を下方のシリコン層に接続することで、デバイス内の電荷の蓄積を緩和するために使用することができる。
【００６６】
[0086]ＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層を単結晶シリコン層１２２の上に成長させたならば、例えばウェーハの全体にわたって確実に、５μｍのＧａＮを貫いてエッチングを行い、０．３μｍのシリコン層においてエッチングを終わらせるなど、単結晶シリコン層１２２においてビアのエッチングを終了させることが困難であるため、ビアを介してそのようなオーミックコンタクトを形成することが困難であると考えられる。本発明の実施形態を利用することで、厚さ数ミクロンの単結晶シリコン層をもたらすことが可能であり、これは、注入および剥離のプロセスを用いるならば、大きな注入深さを達成するために高い注入エネルギが必要になるため、困難である。次いで、これらの厚いシリコン層は、幅広くさまざまなデバイスの設計を可能にする図示のビアなどの適用を可能にする。
【００６７】
[0087]単結晶シリコン層１２２上に単結晶シリコン層６２０をエピタキシャル成長させることによってシリコン「層」の厚さを増加させるだけでなく、単結晶シリコン層１２２の元の特性について、導電性および結晶化度などの変更を含む他の調整を行うことができる。例えば、ＩＩＩ−Ｖ層または他の材料の追加のエピタキシャル成長の前に１０μｍ程度のシリコン層が望まれる場合、そのような厚い層を、本発明の実施形態に従って成長させることができる。
【００６８】
[0088]注入プロセスが、例えば残留ホウ素／水素原子がシリコンの電気的特性に影響を与える可能性があるなど、単結晶シリコン層１２２の特性に影響を与える可能性があるため、本発明の実施形態は、単結晶シリコン層６２０のエピタキシャル成長に先立って、単結晶シリコン層１２２の一部を除去する。例えば、単結晶シリコン層１２２を、厚さが０．１μｍ以下の層を形成するように薄くすることにより、残留ホウ素／水素原子の大部分またはすべてを除去することができる。次いで、単結晶シリコン層６２０のその後の成長を使用して、単結晶材料に、層転写プロセスを使用して形成された層の対応する特性とは実質的に無関係な電気的特性および／または他の特性がもたらされる。
【００６９】
[0089]加工基板構造物に結合した単結晶シリコン材料の厚さの増加に加えて、エピタキシャル単結晶シリコン層６２０の導電率などの電気的特性は、単結晶シリコン層１２２の特性と違ってもよい。成長の最中のエピタキシャル単結晶シリコン層６２０のドーピングは、ホウ素をドーピングすることによってｐ型シリコンを生み出し、リンをドーピングすることによってｎ型シリコンを生み出すことができる。ドープされていないシリコンを成長させて、絶縁領域を有するデバイスにおいて使用される高抵抗シリコンをもたらすことができる。絶縁層は、とくにはＲＦデバイスにおいて有用である。
【００７０】
[0090]エピタキシャル単結晶シリコン層６２０の格子定数を、単結晶シリコン層１２２の格子定数から変化して歪んだエピタキシャル材料を生じるように、成長の最中に調整することが可能である。シリコンに加えて、他の元素をエピタキシャル成長させて、シリコンゲルマニウムなどを含む歪んだ層などの層をもたらすことができる。例えば、バッファ層を、単結晶シリコン層１２２の上、エピタキシャル単結晶シリコン層６２０の上、または層の間に成長させて、後続のエピタキシャル成長を強化することができる。これらのバッファ層は、歪んだＩＩＩ−Ｖ層、シリコンゲルマニウムの歪んだ層、などを含むことができる。さらに、バッファ層および他のエピタキシャル層を、モル分率、ドーパント、極性、などにおいて段階的にすることができる。当業者であれば、多数の変種、改良、および代案を認識できるであろう。
【００７１】
[0091]いくつかの実施形態において、単結晶シリコン層１２２またはエピタキシャル単結晶シリコン層６２０に存在するひずみは、ＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層などの後続のエピタキシャル層の成長の最中に緩和され得る。
【００７２】
[0092]図８は、本発明の別の実施形態による加工基板の製造方法を説明する簡単なフローチャートである。この方法は、多結晶セラミックコアを用意すること（８１０）と、多結晶セラミックコアの少なくとも一部分に結合した第１の付着層を形成すること（８１２）とによって、支持構造物を形成することを含む。第１の付着層は、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）層を含むことができる。さらに、この方法は、第１の付着層に結合した導電層を形成すること（８１４）を含む。導電層は、ポリシリコン層であってよい。第１の付着層を、ＴＥＯＳの単一層として形成することができる。導電層を、ポリシリコンの単一層として形成することができる。
【００７３】
[0093]さらに、この方法は、導電層の少なくとも一部分に結合した第２の付着層を形成すること（８１６）と、バリアシェルを形成すること（８１８）とを含む。第２の付着層を、ＴＥＯＳの単一層として形成することができる。バリアシェルを、窒化シリコンの単一層またはバリアシェルを形成する一連のサブ層として形成することができる。
【００７４】
[0094]ひとたびプロセス８１０〜８１８によって支持構造物が形成されると、この方法は、結合層（例えば、酸化シリコン層）を支持構造物に接合すること（８２０）と、実質的に単結晶のシリコン層または実質的に単結晶の層を酸化シリコン層に接合すること（８２２）とをさらに含む。結合層の接合は、本明細書に記載されるように、結合材料の堆積およびその後の平坦化プロセスを含むことができる。
【００７５】
[0095]層転写プロセスを使用して、実質的に単結晶のシリコン層１２２を結合層１２０に接合することができる。いくつかの実施形態においては、シリコンウェーハ（例えば、シリコン（１１１）ウェーハ）が劈開面を形成するために注入される。ウェーハの結合後に、シリコン基板を壁開面に沿って単結晶シリコン層の一部分と共に除去することで、図１に示される剥離した単結晶シリコン層１２２を得ることができる。実質的に単結晶のシリコン層１２２の厚さは、さまざまな用途の仕様を満たすようにさまざまであってよい。さらに、実質的に単結晶の層１２２の結晶方位は、用途の仕様を満たすようにさまざまであってよい。さらに、実質的な単結晶の層１２２のドープのレベルおよびプロファイルは、個々の用途の仕様を満たすようにさまざまであってよい。いくつかの実施形態においては、上述のように、実質的に単結晶のシリコン層１２２を平滑化することができる。
【００７６】
[0096]さらに、図８に示される方法は、実質的に単結晶のシリコン層上のエピタキシャル成長によってエピタキシャルシリコン層を形成すること（８２４）と、エピタキシャルシリコン層上のエピタキシャル成長によってエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ層を形成すること（８２６）とを含むことができる。いくつかの実施形態において、エピタキシャルＩＩＩ−Ｖ層は、窒化ガリウム（ＧａＮ）を含むことができる。
【００７７】
[0097]図８に示した具体的な工程が、本発明の別の実施形態による加工基板の特定の製造方法を提示していることを、理解すべきである。他の一連の工程も、別の実施形態に従って実行可能である。例えば、本発明の別の実施形態は、上述の工程を別の順序で実行することができる。さらに、図８に示した個々の工程は、個々の工程に見合った種々の順序で実行されてよい複数の部分工程を含むことができる。さらに、個々の用途に応じて、さらなる工程を追加または削除することができる。当業者であれば、多数の変種、改良、および代案を認識できるであろう。
【００７８】
[0098]本発明の実施形態によれば、電力デバイスおよびＲＦデバイスを含むさまざまな電子デバイスを、図１、図３、および図４に示した加工基板などの本明細書に記載の加工基板を使用して製造することができる。あくまでも例示として提供される種々の電子デバイスが、以下の図を参照してさらに詳細に示される。本明細書において説明されるとおり、成長するエピタキシャル層に熱的に調和した（すなわち、ＣＴＥを一致させた）加工基板を使用することで、高品質の層を、従来からの技術を用いたのでは利用できない厚さで成長させることができる。したがって、高出力の電子デバイス、高出力のＲＦデバイス、などの製造における使用に適したＧａＮおよびＡｌＧａＮなどのＩＩＩ−Ｎエピタキシャル層を、成長させることが可能である。いくつかの実施形態において、エピタキシャルＩＩＩ−Ｎ（例えば、ＧａＮ）層は、約５μｍを超える厚さを有することができる。いくつかの他の実施形態において、エピタキシャルＩＩＩ−Ｎ層は、約１０μｍを超える厚さを有することができる。
【００７９】
[0099]図９が、本発明の実施形態による加工基板９０２を使用して製造された準垂直アーキテクチャを有するフィンＦＥＴの簡単な概略図である。加工基板９０２は、図１、図３、および図４に示した加工基板構造物と同様であってよい。図９に示されるように、バッファ層９１０を、加工基板９０２とコンタクト層９２０との間に配置することができる。バッファ層９１０は、厚さが例えば１μｍ〜２０μｍの範囲にあってよく、ドープされても、ドープされなくてもよい。コンタクト層９２０は、例えば１〜３×１０１８ｃｍ−３のレベルでのｎ型のドーピングなど、高濃度にドープされたＧａＮ系の層である。コンタクト層９２０の厚さは、いくつかの実施形態において、１μｍ〜５μｍの範囲であってよい。
【００８０】
[0100]ドリフト層９３０が、コンタクト層９２０に電気的に接続され、低濃度のドーピング（例えば、１〜１０×１０１６ｃｍ−３）を有するｎ型ＧａＮ層またはＧａＮ系の層であってよく、厚さが１μｍ〜１５μｍの範囲であってよい。ＦＥＴは、低ドーピング密度（例えば、１〜１０×１０１６ｃｍ−３）のｎ型ＧａＮ材料を含むことができ、厚さが１μｍ〜３μｍの範囲であってよいチャネル領域９５０を含む。チャネル領域９５０は、１つ以上の側面において絶縁層９６０によって囲まれ、この実施形態においては、電気接点または電極が金属材料によってもたらされ、ソース９８０、ゲート９７０、およびドレイン９４０の各コンタクトが形成される。
【００８１】
[0101]図１０が、本発明の実施形態による加工基板を使用して製造されたフィンＦＥＴの加工基板からの取り外し後を示す簡単な概略図である。加工基板は、図１、図３、および図４に示した加工基板構造物と同様であってよい。図１０に示されるように、バッファ層１０１０を、ＦＥＴのドレイン１０４０に電気的に接続することができる。バッファ層１０１０は、厚さが例えば１μｍ〜２０μｍの範囲にあってよく、例えば１〜３×１０１８ｃｍ−３のドーピング密度を有するｎ型ＧａＮなど、ドープされていてよい。ドリフト層１０３０が、バッファ層１０１０に電気的に接続され、低濃度のドーピング（例えば、１〜１０×１０１６ｃｍ−３）を有するｎ型ＧａＮ層またはＧａＮ系の層であってよく、厚さが１μｍ〜１５μｍの範囲であってよい。ＦＥＴは、低ドーピング密度（例えば、１〜１０×１０１６ｃｍ−３）のｎ型ＧａＮ材料を含むことができ、厚さが１μｍ〜３μｍの範囲であってよいチャネル領域１０５０を含む。チャネル領域１０５０は、１つ以上の側面において絶縁層１０６０によって囲まれ、この実施形態においては、電気接点または電極が金属材料によってもたらされ、ソース１０８０およびゲート１０７０の各コンタクトが形成される。
【００８２】
[0102]図９および図１０に示される構造を比較すると、図１０に示される構造は、ドリフト層９３０を通るエッチングのプロセスの排除、デバイス面積の減少、および熱抵抗の低減など、図９に示される構造と比較していくつかの利点を提供する。図１０に示される構造が、基板９０２を除去するための処理作業を実行することに、注意すべきである。したがって、各々の構造は、製造設備の能力などの用途および製造プロセスの関数である利点を有する。
【００８３】
[0103]図１１が、本発明の実施形態による加工基板１１０２を使用して製造された準垂直アーキテクチャを有する側壁金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の簡単な概略図である。図１１に示されるように、この構造は、図中に「．．．」で示されているように対称的かつ周期的であってよい。ＭＯＳトランジスタは、加工基板１１０２とコンタクト層１１２０との間に配置されてよいバッファ層１１１０を含む。加工基板１１０２は、図１、図３、および図４に示した加工基板構造物と同様であってよい。バッファ層１１１０は、厚さが例えば１μｍ〜２０μｍの範囲にあってよく、ドープされても、ドープされなくてもよい。コンタクト層１１２０は、例えば１〜３×１０１８ｃｍ−３のレベルでのｎ型ドーピングなど、高濃度にドープされたＧａＮ系の層であってよい。コンタクト層１１２０の厚さは、いくつかの実施形態において、１μｍ〜５μｍの範囲であってよい。ドレイン電極１１４０を、コンタクト層１１２０上に形成することができる。
【００８４】
[0104]ドリフト層１１３０が、コンタクト層１１２０に電気的に接続され、低濃度のドーピング（例えば、１〜１０×１０１６ｃｍ−３）を有するｎ型ＧａＮ層またはＧａＮ系の層であってよく、厚さは１μｍ〜１５μｍの範囲であってよい。ＭＯＳトランジスタは、中程度のドーピング密度（例えば、１〜１０×１０１７ｃｍ−３）のｐ型ＧａＮまたはＧａＮ系の材料であってよく、厚さが１μｍ〜３μｍの範囲であってよいバリア層１１５０を含む。導電性バックコンタクト１１５２を、バリア層１１５０に結合させることができる。さらに、ＭＯＳトランジスタは、中程度のドーピング密度（例えば、１〜１０×１０１７ｃｍ−３）のｎ型ＧａＮ材料を含むことができ、厚さが０．１μｍ〜３μｍの範囲であってよいソースコンタクト層１１８０を含む。ソース電極１１８２を、ソースコンタクト層１１８０上に形成することができる。ゲート金属１１７０は、さまざまな厚さの金属層の積層であってよい。積層１１７０の最下層は、最下層の仕事関数が構造物のしきい値電圧に影響するがゆえに、デバイスの性能に影響を及ぼす。他の可能な選択肢の中でもとりわけ、積層１１７０の最下層は、ニッケル、プラチナ、金、パラジウム、チタン、アルミニウム、高度にドープされたシリコン、またはチタン、タングステン、タンタルのシリサイド、あるいはこれらの組み合わせであってよい。ゲート誘電体１１６０の材料および堆積の詳細は、所望の機能を保証するように選択される。ゲート誘電体１１６０を、スパッタリング、原子層堆積、蒸発、あるいはさまざまな種類の化学または原子蒸着など、種々の方法によって堆積させることができる。酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化ガリウム、またはこれらの層の積層など、いくつかのさまざまな誘電体を、２０Å〜２０００Åの範囲の総厚さにて使用することができる。この実施形態において、ソース電極１１８２およびバックコンタクト１１５２は、金属材料を使用して形成される。
【００８５】
[0105]図１２が、本発明の実施形態による加工基板を使用して製造された準垂直アーキテクチャを有する側壁ＭＯＳトランジスタの加工基板からの取り外し後の簡単な概略図である。加工基板は、図１、図３、および図４に示した加工基板構造物と同様であってよい。図１２に示されるように、この構造は、図中に「．．．」で示されているように対称的かつ周期的であってよい。図１２に示されるように、バッファ層１２１０を、ＭＯＳトランジスタのドレイン１２４０に電気的に接続することができる。バッファ層１２１０は、厚さが例えば１μｍ〜２０μｍの範囲にあってよく、例えば１〜３×１０１８ｃｍ−３のドーピング密度を有するｎ型ＧａＮなど、ドープされていてよい。ドリフト層１２３０が、バッファ層１２１０に電気的に接続され、低濃度のドーピング（例えば、１〜１０×１０１６ｃｍ−３）を有するｎ型ＧａＮ層またはＧａＮ系の層であってよく、厚さが１μｍ〜１５μｍの範囲であってよい。
【００８６】
[0106]ＭＯＳトランジスタは、中程度のドーピング密度（例えば、１〜１０×１０１７ｃｍ−３）のｐ型ＧａＮまたはＧａＮ系の材料であってよく、厚さが１μｍ〜３μｍの範囲であってよいバリア層１２５０を含む。さらに、ＭＯＳトランジスタは、中程度のドーピング密度（例えば、１〜１０×１０１７ｃｍ−３）のｎ型ＧａＮ材料を含むことができ、厚さが０．１μｍ〜３μｍの範囲であってよいソースコンタクト層１２８０を含む。ゲート金属１２７０は、さまざまな厚さの金属層の積層であってよい。積層１２７０の最下層は、最下層の仕事関数が構造物のしきい値電圧に影響するがゆえに、デバイスの性能に影響を及ぼす。他の可能な選択肢の中でもとりわけ、積層１２７０の最下層は、ニッケル、プラチナ、金、パラジウム、チタン、アルミニウム、高度にドープされたシリコン、またはチタン、タングステン、タンタルのシリサイド、あるいはこれらの組み合わせであってよい。ゲート誘電体１２６０の材料および堆積の詳細は、所望の機能を保証するように選択される。ゲート誘電体１２６０を、スパッタリング、原子層堆積、蒸発、あるいはさまざまな種類の化学または原子蒸着など、種々の方法によって堆積させることができる。酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化ガリウム、またはこれらの層の積層など、いくつかのさまざまな誘電体を、２０Å〜２０００Åの範囲の総厚さにて使用することができる。この実施形態において、ソース電極１２８２およびバックコンタクト１２５２は、金属材料を使用して形成される。
【００８７】
[0107]図１１および図１２に示される構造を比較すると、図１２に示される構造は、ドリフト層１１１０を通るエッチングのプロセスの排除、デバイス面積の減少、および熱抵抗の低減など、図１１に示される構造と比較していくつかの利点を提供する。図１０に示される構造が、基板１１０２を除去するための処理作業を実行することに、注意すべきである。したがって、各々の構造は、製造設備の能力などの用途および製造プロセスの関数である利点を有する。
【００８８】
[0108]図１３は、本発明の実施形態による加工基板１３０２を使用して製造されたＭＯＳトランジスタの簡単な概略図である。加工基板１３０２は、図１、図３、および図４に示した加工基板構造物と同様であってよい。ＭＯＳトランジスタは、加工基板１３０２とコンタクト層１３２０との間に配置されてよいバッファ層１３１０を含む。バッファ層１３１０は、厚さが例えば１μｍ〜２０μｍの範囲にあってよく、ドープされていても、ドープされていなくてもよい。一実施形態では、バッファ層１３１０は、絶縁性のＧａＮを使用して製造される。コンタクト層１３２０は、例えば１〜１０×１０１７ｃｍ−３のレベルでのｐ型ドーピングなど、中程度にドープされたＧａＮ系の層であってよい。コンタクト層１３２０の厚さは、いくつかの実施形態において、０．１μｍ〜３μｍの範囲であってよい。
【００８９】
[0109]コンタクト層１３２０内の領域１３９０が、ソース／ゲート／ドレイン領域１３８０、１３７０、および１３４０の間にｎ型ＧａＮをもたらすように注入される。これらの注入領域１３９０は、０．２〜０．４μｍの深さであってよく、１〜１０×１０１７ｃｍ−３程度のドーピング密度を有することができる。絶縁層１３６０が、ゲート領域１３７０をコンタクト層１３２０から電気的に分離する。この実施形態において、ソース１３８０、ゲート１３７０、およびドレイン１３４０の各コンタクトは、金属材料を使用して形成される。図１３に示されるバックコンタクト１３５０は、ゲート１３７０の下方の電位を固定し、デバイスが明確に定義されたしきい値電圧および電流−電圧特性を有することを保証する役割を果たす。
【００９０】
[0110]図１４Ａは、本発明の実施形態による加工基板１４０２を使用して製造された音響共振器を説明する簡単な概略図である。加工基板１４０２は、図１、図３、および図４に示した加工基板構造物と同様であってよい。本発明の実施形態は、音響共振器に限定されず、他の音響デバイスも、本発明の範囲に含まれる。図１４Ａに示されるとおり、加工基板１４０２は、音響共振器を形成するために使用されるＩＩＩ−Ｎ層１４１０（例えば、ＧａＮ層、ＡｌＧａＮ層、など）に機械的支持を提供する。加工基板１４０２をパターン加工して、ＩＩＩ−Ｎ層が自由に運動することができる領域を提供する開口部１４３０を形成することができる。図示の実施形態において、ＩＩＩ−Ｎ層１４１０は、厚さが０．２μ〜３μｍである。金属電極１４２０が、ＩＩＩ−Ｎ層１４１０に接触して形成されている。
【００９１】
[0111]図１４Ｂは、本発明の別の実施形態による加工基板１４０２を使用して製造された音響共振器を説明する簡単な概略図である。いくつかの実施形態においては加工基板１４０２の全体を除去することができるが、これは本発明において必須ではなく、他の実施形態においては、図１４Ｂに示されるように、加工基板１４０２にキャビティ１４４０（または、複数のキャビティ）が形成され、共振器構造を、１つ以上のキャビティ１４４０の上方に浮かせて配置することができる。これらの実施形態は、共振器構造以外の制御および電子機器を含むデバイスを支持するための追加の機械的支持および支持構造を提供する。さらに、加工基板１４０２の一部分の存在は、例えばキャビティの上方のシリコン共振器の場合に、パッケージング工程を単純化することができる。当業者であれば、多数の変種、改良、および代案を認識できるであろう。
【００９２】
[0112]図１５は、本発明の実施形態による加工基板を使用して製造されたマイクロＬＥＤディスプレイの加工基板からの取り外し後を示す簡単な概略図である。加工基板は、図１、図３、および図４に示した加工基板構造物と同様であってよい。図１５に示されるように、加工基板は、バッファ層１５３０および必要であれば他の構造を成長させるために使用され、その後に除去されている。導電性のバックコンタクトとして機能するバッファ層１５３０は、この実施形態においては電流シンクおよびヒートシンクの両方の機能を提供するめっきされた銅層１５１０上に支持される。バッファ層１５３０は、０．５μｍ〜５μｍの厚さであってよく、１〜３０×１０１７ｃｍ−３程度のドーピング密度を有することができる。
【００９３】
[0113]ＧａＮ−ＬＥＤ（Ｇ−Ｌ）１５９０が、赤色（Ｒ）ＬＥＤ１５８０および緑色（Ｇ）ＬＥＤ１５７０と共にバッファ層１５３０に転写可能であり、緑色ＬＥＤ１５７０とバッファ層１５３０との間の金属層１５７２および赤色ＬＥＤ１５８０とバッファ層１５３０との間の金属層１５８２と共に図示されている。いくつかの実施形態において、Ｇ−Ｌ１５９０は、ＲＧＢ用途のための青色ＬＥＤであるが、Ｇ−Ｌ１５９０は、個々の用途によるより短い波長の照明を提供するために、他の色へと調整されたスペクトルを有することもできる。いくつかの実施形態において、金属層１５７２および１５８２は、ＬＥＤ１５７０および１５８０への電気的接触を提供するだけでなく、背後ミラーとしても機能する。マイクロＬＥＤディスプレイのセルは、転写されたシリコン集積回路（Ｓｉ−ＩＣ）、ＧａＮスイッチ、などを含むことができる転写された「ドライバ／アドレシング」ブロック１５４０を含むことができる。「ドライバ／アドレシング」ブロック１５４０の間の金属層１５４２が、「ドライバ／アドレシング」ブロック１５４０への電気的接触をもたらすことができる。さらに、セルは、外部制御集積回路（ＩＣ）に接続された「信号および電源線」１５５０、ならびにセル間接続（分かりやすくする目的で図示されていない）を含むことができる。「信号および電源線」１５５０を、絶縁層１５５２によってバッファ層１５３０から電気的に絶縁することができる。
【００９４】
[0114]図１６Ａは、本発明の実施形態による加工基板１６０２を使用して製造されたＭＥＭＳデバイスを説明する簡単な概略図である。加工基板１６０２は、図１、図３、および図４に示した加工基板構造物と同様であってよい。当業者にとって明らかであるように、加工基板１６０２を使用して高品質の厚いＧａＮ系の層を成長させる能力は、きわめて広範かつ多様な範囲のデバイスを含むＭＥＭＳ分野において多くの可能性を切り開く。図１６Ａに示されるように、加工基板１６０２は、ギャップ１６２０を含むＧａＮ膜１６１０によって代表されるＭＥＭＳ構造に機械的支持を提供する。このデバイスを製造するために、本明細書に記載のＧａＮ層のいずれかであってよいＧａＮ膜を、加工基板１６０２上で成長させる。ＧａＮ膜は、ＩＩＩ−Ｎ材料のさまざまな組み合わせを含む多層構造であってよい。次いで、加工基板１６０２をパターン加工して、ＧａＮ膜１６１０の領域をもたらす開口部１６３０を形成することができる。次に、ＧａＮ膜をエッチングなどによって処理し、これらに限られるわけではないが片持ち梁、共振器、櫛型コンデンサ、圧電アクチュエータ、などの所望のＭＥＭＳ構造を形成することができる。
【００９５】
[0115]図１６Ｂは、本発明の別の実施形態による加工基板１６０２を使用して製造されたＭＥＭＳデバイスを説明する簡単な概略図である。図１６Ｂに示される実施形態においては、加工基板１６０２の全体が除去されるのではなく、加工基板１６０２内に１つ以上のキャビティ１６４０が形成されるように一部分のみが除去され、共振器構造を１つ以上のキャビティ１６４０の上方に浮かせて位置させることができる。当業者であれば、多数の変種、改良、および代案を認識できるであろう。
【００９６】
[0116]図１６Ｃは、本発明の実施形態による加工基板１６０２を使用して製造されたＭＥＭＳデバイスの加工基板１６０２からの取り外し後を示す簡単な概略図である。この実施形態において、ＧａＮ膜は、加工基板１６０２から分離され、開口部１６５０上にＧａＮ膜１６１０をもたらす開口部１６５０を有するパターン加工されたキャリア基板１６０４へと転写されている。
【００９７】
[0117]図には示されていないが、本発明の実施形態は、モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）構造の形成に適用可能である。これらのＭＭＩＣ構造は、加工基板上で高周波（ＲＦ）ＧａＮ高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を平面コンデンサ、インダクタ、および抵抗器と統合する。共平面導波路構造を形成するために、絶縁性の加工基板および絶縁バッファを使用するアーキテクチャを含む種々さまざまなアーキテクチャが、本発明の範囲に含まれる。他の実施形態においては、接地された共平面導波路構造を形成するために導電層を備えた絶縁性の加工基板を使用するアーキテクチャが実施される。当業者であれば、多数の変種、改良、および代案を認識できるであろう。
【００９８】
[0118]また、本明細書に記載の例および実施形態が、あくまでも説明の目的のためのものにすぎず、それらに照らした種々の改良または変更が、当業者に対して示唆され、本出願の技術的思想および範囲ならびに添付の特許請求の範囲の技術的範囲に包含されることを、理解すべきである。
【図１】
2021502701.tif 000003
【図２Ａ】
2021502701.tif 000004
【図２Ｂ】
2021502701.tif 000005
【図２Ｃ】
2021502701.tif 000006
【図３】
2021502701.tif 000007
【図４】
2021502701.tif 000008
【図５】
2021502701.tif 000009
【図６】
2021502701.tif 000010
【図７】
2021502701.tif 000011
【図８】
2021502701.tif 000012
【図９】
2021502701.tif 000013
【図１０】
2021502701.tif 000014
【図１１】
2021502701.tif 000015
【図１２】
2021502701.tif 000016
【図１３】
2021502701.tif 000017
【図１４Ａ】
2021502701.tif 000018
【図１４Ｂ】
2021502701.tif 000019
【図１５】
2021502701.tif 000020
【図１６Ａ】
2021502701.tif 000021
【図１６Ｂ】
2021502701.tif 000022
【図１６Ｃ】
2021502701.tif 000023
【国際調査報告】
2021502701.tif 000024