(57)【要約】荷電粒子ビーム装置の改良されたソース変換ユニットを開示する。ソース変換ユニットは、複数の微小構造を含む第１微小構造アレイを備える。複数の微小構造は、１つ以上のグループに分けられている。１グループ内の微小構造の対応する電極は、電気的に接続され、ドライバによって駆動されて、対応するビームレットのグループに影響を与える。１グループ内の微小構造は、単極構造又は多極構造とすることができる。１グループ内の微小構造は、装置の光軸から同一の又は実質的に同一の半径方向シフトを有する。１グループ内の微小構造は、半径方向シフト方向に対して同一の又は実質的に同一の配向角を有する。【選択図】図５Ａ
2021520609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小構造アレイであって、
前記アレイの中心軸からの第１半径方向シフト及び第１配向角を有する多極構造の第１グループを備え、
前記第１半径方向シフトは、等しいか又は実質的に等しく、
前記多極構造の第１グループの前記第１配向角は、等しいか又は実質的に等しく、
前記多極構造の第１グループは、対応する電極を含み、
前記対応する電極は、電気的に接続されると共に第１ドライバによって駆動される、微小構造アレイ。
【請求項２】
前記第１ドライバは、前記多極構造の第１グループが荷電粒子マルチビーム装置においてビームレットの第１グループを偏向させる微小偏向器として機能することを可能とするように構成されている、請求項１に記載の微小構造アレイ。
【請求項３】
前記第１ドライバは、前記多極構造の第１グループが荷電粒子マルチビーム装置においてビームスポットの第１グループの非点収差を補償する微小非点収差補正器として機能することを可能とするように構成されている、請求項１に記載の微小構造アレイ。
【請求項４】
前記中心軸からの第２半径方向シフト及び第２配向角を有する多極構造の第２グループを更に備え、
前記第２半径方向シフトは、等しいか又は実質的に等しく、
前記多極構造の第２グループの前記第２配向角は、等しいか又は実質的に等しく、
前記多極構造の第２グループは、対応する電極を含み、
前記対応する電極は、電気的に接続されると共に第２ドライバによって駆動される、請求項２に記載の微小構造アレイ。
【請求項５】
前記第２ドライバは、前記多極構造の第２グループが前記荷電粒子マルチビーム装置においてビームレットの第２グループを偏向させる微小偏向器として機能することを可能とするように構成されている、請求項４に記載の微小構造アレイ。
【請求項６】
前記第２ドライバは、前記多極構造の第２グループが前記荷電粒子マルチビーム装置においてビームスポットの第２グループの非点収差を補償する微小非点収差補正器として機能することを可能とするように構成されている、請求項４に記載の微小構造アレイ。
【請求項７】
前記中心軸から第２半径方向シフトを有する単極構造の第１グループを更に備え、
前記第２半径方向シフトは、等しいか又は実質的に等しく、
前記単極構造の第１グループは、対応する電極を含み、
前記対応する電極は、電気的に接続されると共に第２ドライバによって駆動される、請求項２に記載の微小構造アレイ。
【請求項８】
前記第２ドライバは、前記単極構造の第１グループが前記荷電粒子マルチビーム装置においてビームスポットの第２グループの像面湾曲収差を補償する微小レンズとして機能することを可能とするように構成されている、請求項７に記載の微小構造アレイ。
【請求項９】
前記第１グループの第１微小極構造は、電子源の虚像を形成するように構成されている、請求項１に記載の微小構造アレイ。
【請求項１０】
前記第１グループの各微小極構造は、電子源の虚像を形成するように構成されている、請求項１に記載の微小構造アレイ。
【請求項１１】
前記第１グループの各微小極構造は、同じ単一の電子源の異なる虚像を形成するように構成されている、請求項１に記載の微小構造アレイ。
【請求項１２】
前記第１グループの第１微小極構造は、前記第１微小極構造の中心軸に対して実質的に垂直な電場を発生するように構成されている、請求項１に記載の微小構造アレイ。
【請求項１３】
荷電粒子装置におけるソース変換ユニットであって、
前記装置の光軸からの第１半径方向シフト及び第１配向角を有する多極構造の第１グループを含む第１微小構造アレイを備え、
前記第１半径方向シフトは、等しいか又は実質的に等しく、
前記多極構造の第１グループの前記第１配向角は、同一であるか又は実質的に同一であり、
前記多極構造の第１グループは、対応する電極を含み、
前記対応する電極は、電気的に接続されると共に前記第１微小構造アレイに関連付けられた第１ドライバによって駆動される、ソース変換ユニット。
【請求項１４】
前記第１ドライバは、前記多極構造の第１グループが荷電粒子ビームのビームレットの第１グループを偏向させて前記装置においてプローブスポットの第１グループを形成する微小偏向器として機能することを可能とするように構成されている、請求項１３に記載のソース変換ユニット。
【請求項１５】
複数の微小構造を含む微小構造アレイを製造する方法であって、
前記アレイの中心軸を取り囲む前記複数の微小構造を形成することと、
前記複数の微小構造の中の第１グループの微小構造間に接続の第１セットを形成することであって、前記第１グループの微小構造は前記中心軸から第１半径方向シフトに位置決めされていることと、
前記複数の微小構造の中の第２グループの微小構造間に接続の第２セットを形成することであって、前記第２グループの微小構造は前記中心軸から第２半径方向シフトを有するように位置決めされていることと、
を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
[0001]  本出願は、２０１８年５月１日に出願された米国出願第６２／６６５，４５１号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。
【０００２】
[0002]  本明細書で提供される実施形態は、マルチビーム検査装置を開示し、更に具体的には、改良されたソース変換ユニットを含むマルチビーム検査装置を開示する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  半導体集積回路（ＩＣ）チップを製造する場合、製造プロセス中にウェーハ及び／又はマスク上にパターン欠陥及び／又は望ましくない粒子（残留物）が生じることは避けられず、これによって歩留まりは大幅に低下する。例えば、ますます高度化するＩＣチップの性能要件を満足させるために、より小さいクリティカルフィーチャ寸法のパターンが使用されているが、そのようなパターンでは望ましくない粒子が問題となる可能性がある。
【０００４】
[0004]  欠陥及び／又は望ましくない粒子を検出するため、単一の電子ビームを用いるパターン検査ツールが使用されている。これらのツールは通常、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を利用する。ＳＥＭでは、比較的高いエネルギを有する一次電子ビームを減速させて、比較的低い入射エネルギ（landing energy）でサンプルに入射させ、サンプル上で集束させてプローブスポットを形成する。この一次電子の集束プローブスポットにより、表面から二次ビームが発生する。プローブスポットをサンプル表面でスキャンし、二次電子を収集することによって、パターン検査ツールはサンプル表面の像を取得することができる。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  本開示の実施形態は、マルチビーム検査装置を提供し、更に具体的には、改良されたソース変換ユニットを含むマルチビーム検査装置を提供する。いくつかの実施形態では、単極構造の第１グループを含む微小構造アレイが提供される。単極構造の第１グループはアレイの中心軸から第１半径方向シフトを有し、第１半径方向シフトは等しいか又は実質的に等しい。更に、単極構造の第１グループは対応する電極を含み、これらの対応する電極は電気的に接続されると共に第１ドライバによって駆動される。
【０００６】
[0006]  いくつかの実施形態では、多極構造の第１グループを含む微小構造アレイが提供される。多極構造の第１グループは、アレイの中心軸からの第１半径方向シフト及び第１配向角を有し、第１半径方向シフトは等しいか又は実質的に等しく、第１配向角は等しいか又は実質的に等しい。更に、多極構造の第１グループは対応する電極を含み、これらの対応する電極は電気的に接続されると共に第１ドライバによって駆動される。
【０００７】
[0007]  いくつかの実施形態では、荷電粒子装置におけるソース変換ユニットが提供される。ソース変換ユニットは、多極構造の第１グループを含む第１微小構造アレイを含む。多極構造の第１グループは、装置の光軸からの第１半径方向シフト及び第１配向角を有し、第１半径方向シフトは等しいか又は実質的に等しく、第１配向角は同一であるか又は実質的に同一である。更に、多極構造の第１グループは対応する電極を含み、これらの対応する電極は、電気的に接続されると共に、第１微小構造アレイに関連付けられた第１ドライバによって駆動される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
[0008]  本開示の上記の態様及び他の態様は、例示的な実施形態の記載を添付図面と関連付けて検討することによって更に明らかとなろう。
【０００９】
【図１】[0009]  本開示の実施形態に従った、例示的な電子ビーム検査（ＥＢＩ：electron beam inspection）システムを示す概略図である。
【図２】[0010]  本開示の実施形態に従った、図１の例示的な電子ビーム検査システムの一部である例示的なマルチビーム装置を示す概略図である。
【図３Ａ】[0011]  本開示の実施形態に従った、図１の例示的な電子ビーム検査システムのソース変換ユニットの例示的な構成を示す例示的なマルチビーム装置の概略図である。
【図３Ｂ】[0012]  対応する半径方向に対する例示的な偏向特性を示す。
【図３Ｃ】[0012]  対応する半径方向に対する例示的な偏向特性を示す。
【図３Ｄ】[0013]  ダイポール構成を有する例示的な多極構造を示す。
【図３Ｅ】[0014]  四極構成を有する例示的な多極構造を示す。
【図３Ｆ】[0015]  八極構成を有する例示的な多極構造を示す。
【図４Ａ】[0016]  多極構造アレイの例示的な構成を示す概略図である。
【図４Ｂ】[0016]  多極構造アレイの例示的な構成を示す概略図である。
【図５Ａ】[0017]  本開示の実施形態に従った、像形成要素アレイの例示的な構成を示す概略図である。
【図５Ｂ】[0018]  本開示の実施形態に従った、別の像形成要素アレイの例示的な構成を示す概略図である。
【図５Ｃ】[0019]  本開示の実施形態に従った、像形成要素アレイ及び補助微小偏向器アレイを含む例示的な構成を示す概略図である。
【図６Ａ】[0020]  本開示の実施形態に従った、像面湾曲補償器アレイの例示的な構成を示す概略図である。
【図６Ｂ】[0021]  本開示の実施形態に従った、像面湾曲補償器アレイの別の例示的な構成を示す概略図である。
【図６Ｃ】[0022]  本開示の実施形態に従った、像面湾曲補償器アレイ及び補助微小レンズアレイを含む例示的な構成の一部を示す概略図である。
【図７Ａ】[0023]  本開示の実施形態に従った、非点収差補償器アレイの例示的な構成を示す概略図である。
【図７Ｂ】[0024]  本開示の実施形態に従った、非点収差補償器アレイの別の例示的な構成を示す概略図である。
【図７Ｃ】[0025]  本開示の実施形態に従った、非点収差補償器アレイ及び補助微小非点収差補正器（micro-stigmator）アレイを含む例示的な構成の一部を示す概略図である。
【図８Ａ】[0026]  本開示の実施形態に従った、非点収差補償器アレイの一部を含む像面湾曲補償器アレイの例示的な構成を示す概略図である。
【図８Ｂ】[0027]  本開示の実施形態に従った、像面湾曲補償器アレイの一部を含む非点収差補償器アレイの例示的な構成を示す概略図である。
【図９】[0028]  本開示の実施形態に従った、微細構造（micro-structure）に関連付けられたドライバを制御するための例示的な方法を示すフローチャートである。
【図１０】[0029]  本開示の実施形態に従った、微細構造アレイを形成するための例示的な方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[0030]  これより、添付図面に例が示されている例示的な実施形態を詳しく参照する。以下の記載は添付図面を参照するが、特に他の指示がない限り、様々な図において同一の番号は同一の又は同様の要素を表す。例示的な実施形態の以下の記載で述べられる実施は、本発明に従った全ての実施を表すわけではなく、単に、添付の特許請求の範囲で挙げられている本発明に関連する態様に従った装置及び方法の例に過ぎない。
【００１１】
[0031]  明確さのため、図面におけるコンポーネントの相対的な寸法は誇張される場合がある。図面の以下の記載内では、同一の又は同様の参照番号は同一の又は同様のコンポーネント又は要素（entity）を指し示し、個々の実施形態に関する相違点のみが記載される。
【００１２】
[0032]  保護の範囲を限定することなく、実施形態の全ての記載及び図面は例として電子ビームに言及する。しかしながら、実施形態は本発明を特定の荷電粒子に限定するようには用いられない。
【００１３】
[0033]  これより、本開示の実施形態に従った、例示的な電子ビーム検査（ＥＢＩ）システムを示す概略図である図１を参照する。図１に示されているように、荷電粒子ビーム検査システム１は、主チャンバ１０と、ロード／ロックチャンバ２０と、電子ビームツール１００と、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ：front end module）３０と、を含む。電子ビームツール１００は主チャンバ１０内に配置されている。
【００１４】
[0034]  ＥＦＥＭ３０は、第１ローディングポート３０ａ及び第２ローディングポート３０ｂを含む。ＥＦＥＭ３０は１又は複数の追加のローディングポートを含むことも可能である。第１ローディングポート３０ａ及び第２ローディングポート３０ｂは例えば、検査対象のウェーハ（例えば、半導体ウェーハ、又は１もしくは複数の他の材料で作製されたウェーハ）、又はサンプルを収容したＦＯＵＰ（front opening unified pod）を受容することができる（以降、ウェーハ及びサンプルをまとめて「ウェーハ」と呼ぶ）。ＥＦＥＭ３０内の１つ以上のロボットアーム（図示せず）が、ウェーハをロード／ロックチャンバ２０へ移送する。
【００１５】
[0035]  ロード／ロックチャンバ２０はロード／ロック真空ポンプシステム（図示せず）に接続されており、このロード／ロック真空ポンプシステムは、ロード／ロックチャンバ２０内のガス分子を除去して大気圧未満の第１圧力を達成する。第１圧力に達した後、１つ以上のロボットアーム（図示せず）が、ウェーハをロード／ロックチャンバ２０から主チャンバ１０へ移送する。主チャンバ１０は主チャンバ真空ポンプシステム（図示せず）に接続されており、この主チャンバ真空ポンプシステムは、主チャンバ１０内のガス分子を除去して第１圧力未満の第２圧力を達成する。第２圧力に達した後、ウェーハは電子ビームツール１００による検査を受ける。
【００１６】
[0036]  電子ビームツール１００にはコントローラ１０９が電子的に接続されている。コントローラ１０９は、ＥＢＩシステム１００の様々な制御を実行するように構成されたコンピュータとすればよい。コントローラ１０９は図１において、主チャンバ１０、ロード／ロックチャンバ２０、及びＥＦＥＭ３０を含む構造の外側に示されているが、コントローラ１０９をこの構造の一部としてもよいことは認められよう。本開示は電子ビーム検査システムを収容する主チャンバ１０の例を与えるが、本開示の態様は、最も広い意味では、電子ビーム検査システムを収容するチャンバに限定されないことに留意するべきである。前述の原理は、第２圧力下で動作する他のツールにも適用できることは認められよう。
【００１７】
[0037]  これより、本開示の実施形態に従った、図１の例示的な電子ビーム検査システムの一部である例示的なマルチビーム装置１００を示す概略図である図２を参照する。電子ビームツール１００（本明細書では装置１００とも呼ばれる）は、電子源１０１と、銃開口プレート１７１と、コンデンサレンズ１１０と、ソース変換ユニット１２０と、一次投影光学システム１３０と、サンプル表面７を有するサンプル８と、二次結像システム１５０と、電子検出デバイス１４０Ｍと、を備えている。一次投影光学システム１３０は、対物レンズ１３１を含み得る。電子検出デバイス１４０Ｍは、複数の検出要素１４０＿１、１４０＿２、及び１４０＿３を含み得る。一次投影光学システム１３０の内部に、ビームセパレータ１６０及び偏向スキャンユニット１３２を配置することができる。
【００１８】
[0038]  電子源１０１、銃開口プレート１７１、コンデンサレンズ１１０、ソース変換ユニット１２０、ビームセパレータ１６０、偏向スキャンユニット１３２、及び一次投影光学システム１３０は、装置１００の一次光軸１００＿１と位置合わせすることができる。二次結像システム１５０及び電子検出デバイス１４０Ｍは、装置１００の二次光軸１５０＿１と位置合わせすることができる。
【００１９】
[0039]  電子源１０１は、カソード（図示せず）及び抽出器及び／又はアノード（図示せず）を含むことができ、動作中、電子源１０１はカソードから一次電子を放出するように構成され、この一次電子は抽出器及び／又はアノードによって抽出及び／又は加速されて、一次ビームクロスオーバ（仮想（virtual）又は実）１０１ｓを形成する一次電子ビーム１０２を形成する。一次電子ビーム１０２は、一次ビームクロスオーバ１０１ｓから放出されているように可視化できる。
【００２０】
[0040]  ソース変換ユニット１２０は、像形成要素アレイ（図２は示されていない）と、像面湾曲補償器アレイ（図２には示されていない）と、非点収差補償器アレイ（図２には示されていない）と、ビーム制限開口アレイ（図２には示されていない）と、を含み得る。ソース変換ユニット１２０の一例は、米国特許第９，６９１，５８６号、米国公報第２０１７／００２５２４３号、及び国際出願第ＰＣＴ／ＥＰ２０１７／０８４４２９号で見ることができる。これらは全て援用により全体が本願に含まれる。像形成要素アレイは、複数の微小偏向器及び／又は微小レンズを含み、一次電子ビーム１０２の複数の一次ビームレット（beamlet）１０２＿１、１０２＿２、１０２＿３に影響を与えると共に、これら一次ビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３の各々に１つずつ、一次ビームクロスオーバ１０１ｓの複数の平行な像（虚（virtual）又は実）を形成することができる。いくつかの実施形態では、例えば微小偏向器を用いて一次ビーム１０２の複数の一次ビームレット１０２＿１、１０２＿２、１０２＿３に影響を与える場合、電子源１０１の複数の虚像が形成される。他の実施形態では、例えば微小レンズを用いて一次ビーム１０２の複数の一次ビームレット１０２＿１、１０２＿２、１０２＿３に影響を与える場合、電子源１０１の複数の実像が形成される。像面湾曲補償器アレイは、一次ビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３の像面湾曲収差を補償する複数の微小レンズを含み得る。非点収差補償器アレイは、一次ビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３の非点収差を補償する複数の微小非点収差補正器を含み得る。ビーム制限開口アレイは、個々の一次ビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３の直径を制限するように構成できる。図２は一例として３つの一次ビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３を示すが、ソース変換ユニット１２０は任意の数の一次ビームレットを形成するように構成できることは認められよう。ソース変換ユニット１２０は、図１のＥＢＩシステムの動作を制御するための様々な制御信号を発生できるコントローラ１０９に接続することができる。
【００２１】
[0041]  コンデンサレンズ１１０は、一次電子ビーム１０２を集束するように構成されている。コンデンサレンズ１１０は更に、コンデンサレンズ１１０の集束力（focusing power）を変動させることによって、ソース変換ユニット１２０の下流の一次ビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３の電流を調整するように構成できる。あるいは、個々の一次ビームレットに対応するビーム制限開口アレイ内のビーム制限開口の半径方向サイズを変更することによって、電流を変化させてもよい。電流の変化は、ビーム制限開口の半径方向サイズとコンデンサレンズ１１０の集束力の双方を変更することで行ってもよい。コンデンサレンズ１１０は、第１主面の位置が可動であるように構成できる可動コンデンサレンズとしてもよい。可動コンデンサレンズは、回転角を有する磁気型に構成することで、軸外ビームレット１０２＿２及び１０２＿３をビームレット制限機構（例えば図３Ａのビームレット制限開口アレイ１２１等）に入射させることができる。回転角は、可動コンデンサレンズの集束力と第１主面の位置と共に変化する。いくつかの実施形態では、可動コンデンサレンズは、可動の第１主面を有する非回転レンズを含む、可動の非回転コンデンサレンズとすることができる。可動コンデンサレンズは、援用により全体が本願に含まれる米国公報第２０１７／００２５２４１号に更に記載されている。非回転レンズ及び非回転可動コンデンサレンズは、援用により全体が本願に含まれる国際出願第ＰＣＴ／ＥＰ２０１７／０８４４２９号に更に記載されている。
【００２２】
[0042]  対物レンズ１３１（以下で更に説明する）は、検査のためにビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３をサンプル８上に集束させるよう構成することができ、本実施形態では、表面７上に３つのプローブスポット１０２＿１ｓ、１０２＿２ｓ、及び１０２＿３ｓを形成できる。銃開口プレート１７１は、動作中、一次電子ビーム１０２の周辺電子を遮断してクーロン効果を低減するように構成されている。クーロン効果は、一次ビームレット１０２＿１、１０２＿２、１０２＿３のプローブスポット１０２＿１ｓ、１０２＿２ｓ、及び１０２＿３ｓの各々のサイズを拡大させ、これによって検査分解能を劣化させる可能性がある。
【００２３】
[0043]  ビームセパレータ１６０は例えば、静電双極子場Ｅ１及び磁気双極子場Ｂ１（双方とも図２には示されていない）を発生する静電偏向器を含むウィーンフィルタ（Wien filter）とすればよい。動作中、ビームセパレータ１６０は、一次ビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３の個々の電子に対し、静電双極子場Ｅ１によって静電力を加えるように構成できる。静電力は、個々の電子に対してビームセパレータ１６０の磁気双極子場Ｂ１によって加えられる磁力と大きさは等しいが方向は反対である。従って、一次ビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３は、少なくとも実質的にゼロの偏向角で少なくとも実質的に真っすぐビームセパレータ１６０を通過し得る。
【００２４】
[0044]  偏向スキャンユニット１３２は、動作中、一次ビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３を偏向させて、プローブスポット１０２＿１ｓ、１０２＿２ｓ、及び１０２＿３ｓを表面７のセクション内の個々のスキャンエリアでスキャンするように構成されている。一次ビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３がプローブスポット１０２＿１ｓ、１０２＿２ｓ、及び１０２＿３ｓに入射することに応答して、電子がサンプル８から放出され、３つの二次電子ビーム１０２＿１ｓｅ、１０２＿２ｓｅ、及び１０２＿３ｓｅを発生する。二次電子ビーム１０２＿１ｓｅ、１０２＿２ｓｅ、及び１０２＿３ｓｅの各々は典型的に、二次電子（≦５０ｅＶの電子エネルギを有する）及び後方散乱電子（５０ｅＶと一次ビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３の入射エネルギとの間の電子エネルギを有する）を含む様々なエネルギを有する電子を含む。ビームセパレータ１６０は、二次電子ビーム１０２＿１ｓｅ、１０２＿２ｓｅ、及び１０２＿３ｓｅを二次結像システム１５０の方へ偏向させるように構成されている。この後、二次結像システム１５０は、二次電子ビーム１０２＿１ｓｅ、１０２＿２ｓｅ、及び１０２＿３ｓｅを電子検出デバイス１４０Ｍの検出要素１４０＿１、１４０＿２、及び１４０＿３上に集束させる。検出要素１４０＿１、１４０＿２、及び１４０＿３は、対応する二次電子ビーム１０２＿１ｓｅ、１０２＿２ｓｅ、及び１０２＿３ｓｅを検出し、対応する信号を発生するように配置されている。これらの信号は、例えばサンプル８の対応するスキャンエリアの像を構築するため、信号処理ユニット（図示せず）に送信される。
【００２５】
[0045]  これより、本開示の実施形態に従った、図１の例示的な電子ビーム検査システムのソース変換ユニット１２０の例示的な構成を含む例示的なマルチビーム装置２００Ａの概略図である図３Ａを参照する。いくつかの実施形態において、装置２００Ａは、電子源１０１と、銃開口プレート１７１と、コンデンサレンズ１１０と、ソース変換ユニット１２０と、対物レンズ１３１と、サンプル表面７を有するサンプル８と、を備え得る。電子源１０１、銃開口プレート１７１、コンデンサレンズ１１０、ソース変換ユニット１２０、及び対物レンズ１３１は、装置の一次光軸２００＿１と位置合わせされている。電子源１０１は、一次光軸２００＿１に沿って、ソースクロスオーバ（仮想又は実）１０１ｓと共に、一次電子ビーム１０２を発生する。銃開口プレート１７１は、一次電子ビーム１０２の周辺電子を遮断してクーロン効果を低減させる。一次電子ビーム１０２は、プレビームレット形成機構（pre-beamlet forming mechanism）（図示せず）の３つのビームレット形成開口（図示せず）によって調整して、３つのビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３にすることができる。
【００２６】
[0046]  コンデンサレンズ１１０は、３つのビームレット１０２＿１〜１０２＿３を集束して、一次光軸２００＿１に沿った、ソース変換ユニット１２０に垂直に入射する平行ビームとすることができる。
【００２７】
[0047]  いくつかの実施形態において、ソース変換ユニット１２０は、一次電子ビーム１０２のビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３を制限するように構成されたビーム制限開口１２１＿１、１２１＿２、及び１２１＿３を有するビームレット制限開口アレイ１２１を含み得る。また、ソース変換ユニット１２０は、ビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３を光軸２００＿１の方へ偏向させてプローブスポット１０２＿１Ｓ、１０２＿２Ｓ、及び１０２＿３Ｓを形成するように構成された像形成微小偏向器１２２＿１ｄ、１２２＿２ｄ、及び１２２＿３ｄを有する像形成要素アレイ１２２−１も含み得る。ソース変換ユニット１２０は更に、プローブスポット１０２＿１Ｓ、１０２＿２Ｓ、及び１０２＿３Ｓの収差を補償するように構成された収差補償器アレイ１２２＿２を含み得る。いくつかの実施形態において、収差補償器アレイ１２２＿２は、プローブスポット１０２＿１Ｓ、１０２＿２Ｓ、及び１０２＿３Ｓの像面湾曲収差をそれぞれ補償するように構成された微小レンズ１２２＿１ｌ、１２２＿２ｌ、及び１２２＿３ｌを有する像面湾曲補償器アレイ１２２＿２ｆｃを含み得る。いくつかの実施形態において、収差補償器アレイ１２２＿２は、プローブスポット１０２＿１Ｓ、１０２＿２Ｓ、及び１０２＿３Ｓの非点収差をそれぞれ補償するように構成された微小非点収差補正器１２２＿１ｓ、１２２＿２ｓ、及び１２２＿３ｓを有する非点収差補償器アレイ１２２＿２ａｓを含み得る。いくつかの実施形態において、像形成要素アレイ１２２−１、像面湾曲補償器アレイ１２２＿２ｆｃ、及び非点収差補償器アレイ１２２−２ａｓは、それぞれ多層の微小偏向器、微小レンズ、及び微小非点収差補正器を含み得る。多層アレイは、全体が本願に含まれる米国特許出願第６２／５６７，１３４号に更に記載されている。
【００２８】
[0048]  ソース変換ユニット１２０において、一次電子ビーム１０２のビームレット１０２＿１、１０２＿２、及び１０２＿３はそれぞれ、像形成要素アレイ１２２−１の微小偏向器１２２＿１ｄ、１２２＿２ｄ、及び１２２＿３ｄによって一次光軸２００＿１の方へ偏向される。ビームレット１０２＿１は、微小偏向器１２２＿１ｄへ到達する前にすでに光軸２００＿１上にあり、従ってビームレット１０２＿１は微小偏向器１２２＿１ｄによって偏向されない場合があることは認められよう。
【００２９】
[0049]  対物レンズ１３１は、サンプル８の表面７上にビームレットを集束させる、すなわち、表面７上に３つの虚像を投影する。３つのビームレット１０２＿１〜１０２＿３によって表面７上に形成された３つの像は、３つのプローブスポット１０２＿１Ｓ、１０２＿２Ｓ、及び１０２＿３Ｓを形成する。ビームレット１０２＿１〜１０２＿３の偏向角は、対物レンズ１３１に起因する３つのプローブスポット１０２＿１Ｓ〜１０２＿３Ｓの軸外収差を低減させるように調整されており、このため３つの偏向したビームレットは、対物レンズ１３１の前焦点を通過するか又はこれに近付く。プローブスポットを形成するために用いられる偏向角は、ビームレットの半径方向シフト（光軸２００＿１からの距離）に対応する。例えば、同一の半径方向シフトを有するビームレットは、同一の又は実質的に同一の偏向角を有する。また、ビームレットの偏向方向は対応する半径方向シフト方向に関連している。更に、同一の又は実質的に同一の半径方向シフトを有するビームレットの収差（例えば像面湾曲収差及び非点収差）は同一又は実質的に同一であり、非点収差の方向は半径方向シフトの方向に関連している。
【００３０】
[0050]  また、ビームレットの偏向方向は、電子源１０１又はサンプル８における磁場の存在に基づいて変化し得る。いくつかの実施形態では、電子源１０１もサンプル８も、磁場（図示せず）内に入っていない場合がある。そのような実施形態では、図３Ｂに示されるように、偏向方向は半径方向シフト方向と反対である。図３Ｂにおいて、ビームレット１０２＿２及び１０２＿３の偏向方向１０２＿２Ｄ及び１０２＿３Ｄは、対応する半径方向シフト方向１０２＿２Ｒ及び１０２＿３Ｒと反対である。他の実施形態では、電子源１０１及びサンプル８の少なくとも１つが磁場内に入っている場合がある。そのような実施形態では、図３Ｃに示されるように、偏向方向は半径方向シフト方向に対して偏向回転角に回転している。図３Ｃにおいて、ビームレット１０２＿２及び１０２＿３の偏向方向１０２＿２Ｄ及び１０２＿３Ｄは、対応する半径方向シフト方向１０２＿２Ｒ及び１０２＿３Ｒに対して偏向回転角βだけ回転している。
【００３１】
[0051]  これより、本開示の実施形態に従った、ダイポール構成を有する例示的な多極構造を示す図３Ｄを参照する。多極構造は２つ以上のセグメント化電極を含む。いくつかの実施形態において、多極構造は図３Ａの光軸２００＿１から半径方向にシフトし得る。多極構造は、中心軸と、１対の対向するセグメント化電極を二等分する１つ以上の対称面Ｐと、を有し得る。多極構造の配向方向Ａは、対称面のうち１つの方向であり、中心軸に対して垂直である。多極構造の半径方向シフト方向Ｒは、図３Ａの光軸２００＿１から中心軸への方向である。図３Ｄに示されている例示的なダイポール構成では、配向方向Ａ及び半径方向シフト方向Ｒによって配向角αが形成される。同様に、図３Ｅ及び図３Ｆに、それぞれ四極構成及び八極構成を有する例示的な多極構造が示されている。ダイポール構造は、その配向方向（例えば図３Ｄの配向方向Ａ）に双極子場のみを発生させ得る。従って、微小偏向器としてダイポール構造が用いられる場合、配向方向が対応するビームレットの偏向方向と一致するようにダイポール構造を位置決めすることができる。
【００３２】
[0052]  いくつかの実施形態では、電場である双極子場が微小偏向器によって発生され、これは一次光軸２００＿１に対して実質的に垂直である。図３Ａにおいて、ビームレットがソース変換ユニット１２２に入射したときのビームレットの経路は、一次光軸２００＿１に平行である。更に、電場が存在する場合、この電場は、ビームレットがソース変換ユニット１２２に入射するときのビームレットの経路に対して発散した（例えば平行でない）方向にビームレットを曲げる可能性があり、これは図３Ａでは一次光軸２００＿１からも発散している。例えば図３Ａにおいて、１２２＿２ｄは多極微小偏向器であり、極対のそれぞれがダイポールの極を形成する。ダイポールが励起された場合、極間に電場が形成され、この電場は、一次光軸２００＿１と、ビームレット１０２＿２がソース変換ユニット１２０に入射したときのビームレット１０２＿２の経路と、に対して実質的に垂直である。これらは双方とも微小偏向器１２２＿２ｄの中心軸に平行である。更に、電場は、ビームレット１０２＿２がソース変換ユニット１２０に入射したときのビームレット１０２＿２の経路である一次光軸２００＿１から、及び偏向器１２２＿２ｄの中心軸から、発散した方向にビームレット１０２＿２を偏向させる。
【００３３】
[0053]  微小偏向器として四極構造又は八極構造が用いられる場合、四極構造又は八極構造は、各電極に印加される電場を制御することによって、中心軸に対して垂直な任意の方向に双極子場を発生させ得る。また、四極構造は、その配向方向（例えば図３Ｅの配向方向Ａ）と位置合わせされた四極場のみを発生させ得る。従って、微小非点収差補正器として四極構造が用いられる場合、配向方向が対応するビームレットの非点収差方向と一致するように四極構造を位置決めすることができる。微小非点収差補正器として八極構造が用いられる場合は、各電極に印加される電圧を制御することにより、中心軸に対して垂直な任意の方向に四極場を発生させ得るので、そのような制限は存在しない。
【００３４】
[0054]  例えば、全ての電極に１つの電圧が印加される場合、多極構造は微小レンズとして機能するように構成されている。多極構造が４つのセグメント化電極を有し（すなわち四極構造）、２対の対向する電極に、絶対値が同じであるが極性が反対である２つの電圧が印加される場合、この多極構造は四極場を有する微小非点収差補正器として機能するように構成され、四極場の値は変化し得るが方向は固定されている。例えば図３Ｅにおいて、電極ｅ１及びｅ３にＶ１が印加され、電極ｅ２及びｅ４に−Ｖ１が印加される場合、多極構造はそのような種類の微小非点収差補正器として機能する。Ｖ１を変化させることによって四極場の値を変更できる。多極構造が８つのセグメント化電極を有し（すなわち八極構造）、２対の対向する電極に、絶対値が同じであるが極性が反対である２つの電圧が印加され、他の２対の対向する電極に、絶対値が同じであるが極性が反対である他の２つの電圧が印加される場合、多極構造は微小非点収差補正器として機能するように構成され、その四極場は値と方向の双方が変化し得る。例えば図３Ｆにおいて、電極ｅ１及びｅ５にＶ１が印加され、電極ｅ３及びｅ７に−Ｖ１が印加され、電極ｅ２及びｅ６にＶ２が印加され、電極ｅ４及びｅ８に−Ｖ２が印加される場合、多極構造はそのような種類の微小非点収差補正器として機能する。Ｖ１及びＶ２を変化させることによって四極場の値及び方向を変更できる。多極構造が４つのセグメント化電極を有し（すなわち四極構造）、１対の対向する電極に、絶対値が同じであるが極性が反対である２つの電圧が印加され、他の１対の対向する電極に、絶対値が同じであるが極性が反対である他の２つの電圧が印加される場合、多極構造は微小偏向器として機能するように構成されている。例えば図３Ｅにおいて、電極ｅ２にＶ１が印加され、電極ｅ４に−Ｖ１が印加され、電極ｅ１にＶ２が印加され、電極ｅ３に−Ｖ２が印加される場合、多極構造は微小偏向器として機能する。Ｖ１及びＶ２を変化させることによって双極子場の値及び方向を変更できる。
【００３５】
[0055]  これより、本開示の実施形態に従った、図３Ａの像形成要素アレイの例示的な構成を示す概略図である図４Ａを参照する。この実施形態において、各微小偏向器は、個々に独立して励起される８つのセグメント化電極を有する八極構造を含む。例えばこの実施形態では、微小偏向器１２２＿２ｄの８つの電極は、励起ドライバ１２２＿２ｄ＿Ｄの８つの出力によって個々に駆動される。更に、９つの微小偏向器は別々に制御する必要がある。従って、この３行３列のアレイ構造では、合計で９つのドライバと７２の接続回路線が必要である。また、使用するビームレット数が増えるにつれて、微小偏向器を接続する回路はますます複雑になり、接続線における励起電圧はますます大きくなる。ビームレット数が増加するにつれて、この複雑度の増大が問題を引き起こす恐れがある。第１に、隣接する接続ライン間の電気的干渉によって、信号インテグリティの維持における問題が発生し得る。更に、電圧が充分に高い場合、２つの隣接する線間の電場によってアーク放電が発生し得る。第２に、これらのドライバが１つ以上の真空チャンバ内部に配置されている場合、これらのドライバによって発生する熱がシステムの性能を劣化させ、加熱したドライバのガス放出（outgassing）が真空状態のレベルを低下させる可能性がある。同様の問題が、単極構造を有する像面湾曲補償器アレイにも存在する。これは図４Ｂに示されている。単極構造は１つ以上の環状電極を含む。従って、マルチビームシステムが使用するビームレット数の増加に伴って、複雑度の増大は問題を引き起こし、これによりスループットを限定する。１つの解決策（図示せず）が、援用により全体が本願に含まれる米国特許出願第６２／５６７，１３４号に提案されている。この解決策は、図４Ａの１つ以上の微小偏向器１２２−１を図４Ｂの対応する微小レンズ１２２−２ｆｃと交換することであり、例えば、１２２−１の微小偏向器１２２＿２ｄを１２２−２ｆｃの微小レンズ１２２＿２ｌと交換することである。本開示は、以下に記載される他の解決策を提案する。
【００３６】
[0056]  これより、本開示の実施形態に従った、像形成要素アレイ１２２−１の例示的な構成を示す概略図である図５Ａを参照する。いくつかの実施形態では、像形成アレイ１２２−１は、同一の配向角αを有するように位置決めされた複数の微小偏向器１２２＿１ｄ〜１２２＿２５ｄを含み得る。図５Ａにおいて、配向角αは一例として２２．５度に等しい。図５Ｂでは、配向角は別の例としてゼロ度に等しい。例えば微小偏向器１２２＿２ｄ、１２２＿３ｄ、１２２＿６ｄ、及び１２２＿１６ｄのような、マルチビーム装置の光軸（図３ＡのＺ軸における２００＿１）から同一の半径方向シフトを有する微小偏向器では、対応するビームレットの偏向角は等しいか又は実質的に等しくすることができる。更に、図３Ｂ及び図３Ｃで記載されているように、微小偏向器１２２＿１ｄ〜１２２＿２５ｄの偏向回転角βは、対応するビームレットに対して等しいか又は実質的に等しくすることができる。例えば、電子源１０１もサンプル８も磁場内に入っていないいくつかの実施形態では、偏向回転角βはゼロ度に等しくすることができる。電子源１０１及びサンプル８のうち少なくとも１つが磁場内に入っている他の実施形態では、偏向回転角βは１ｍｒａｄ（ミリラジアン）であり得る。従って、像形成要素アレイ１２２−１では、同一の又は実質的に同一の半径方向シフトと同一の又は実質的に同一の配向角αを有する多極偏向器グループを、共通のドライバを共有するようにグループ化することができる。
【００３７】
[0057]  従って、いくつかの実施形態では、像形成要素アレイ１２２−１の微小偏向器１２２＿１ｄ〜１２２＿２５ｄを、それぞれが１以上の微小偏向器を含む６つの異なるグループに分けることができる。所与のグループ内の各微小偏向器は、対応するグループドライバによって駆動できる。例えば、グループ１（図５ＡでＧ１と示されている）は微小偏向器１２２＿１ｄを含み得る。グループ２（Ｇ２）は、１２２＿２ｄ、１２２＿３ｄ、１２２＿６ｄ、及び１２２＿１６ｄを含み得る。グループ３（Ｇ３）は、１２２＿７ｄ、１２２＿８ｄ、１２２＿１７ｄ、及び１２２＿１８ｄを含み得る。グループ４（Ｇ４）は、１２２＿４ｄ、１２２＿５ｄ、１２２＿１１ｄ、及び１２２＿２１ｄを含み得る。グループ５（Ｇ５）は、１２２＿９ｄ、１２２＿１０ｄ、１２２＿１２ｄ、１２２＿１３ｄ、１２２＿１９ｄ、１２２＿２０ｄ、１２２＿２２ｄ、及び１２２＿２３ｄを含み得る。グループ６（Ｇ６）は、１２２＿１４ｄ、１２２＿１５ｄ、１２２＿２４ｄ、及び１２２＿２５ｄを含み得る。グループ１内の微小偏向器１２２＿１ｄは、光軸上に位置決めされているので、最も小さい半径方向シフトを有し得る。グループ６内の微小偏向器１２２＿１４ｄ、１２２＿１５ｄ、１２２＿２４ｄ、及び１２２＿２５ｄは、光源から最も遠いアレイの各コーナに位置決めされているので、最も大きい半径方向シフトを有し得る。更に、そのような実施形態では、グループ６内の微小偏向器１２２＿１４ｄ、１２２＿１５ｄ、１２２＿２４ｄ、及び１２２＿２５ｄを最も高い偏向電圧で駆動して、対応するビームレットを大きい偏向角で偏向させることができる。より大きい半径方向シフトを有するグループ内の微小偏向器は、ビームレットを光軸の方へより大きく偏向させる。図５Ａ及び図５Ｂは５行５列のアレイ構成を示すが、アレイは任意のサイズとすればよいことは認められよう。
【００３８】
[0058]  いくつかの実施形態において、微小偏向器１２２＿１ｄ〜１２２＿２５ｄは、光軸からの半径方向シフトの近接に基づいてグループ化できる。例えば、１０％範囲内の半径方向シフト差を有する微小偏向器をグループ化して、対応するグループドライバに接続することができる。いくつかの実施形態では、補助微小偏向器アレイ１２２−１ａ（図５Ｃに示されている）を用いて１０％範囲の影響を補償できる。いくつかの実施形態では、微小偏向器の直径を適切に設計することによって１０％範囲の影響を補償できる。例えば、第１直径を有する第１微小偏向器が、第２直径を有する第２微小偏向器が配置されているよりも光軸から遠くに半径方向にシフトしている場合、第１及び第２微小偏向器に印加する電圧を同一のままにしながら半径方向シフト量の差を補償できるように、第１直径を縮小すればよい。すなわち、双方の微小偏向器に同一の電圧を印加する結果、より大きい直径を有する第２微小偏向器で生じる偏向角に比べ、より小さい直径を有する第１微小偏向器で生じる偏向角を大きくすることができる。一例として微小偏向器に言及するが、直径を変動させる同一の技法を微小レンズ及び微小非点収差補正器と共に使用できることは認められよう。
【００３９】
[0059]  いくつかの実施形態において、像形成要素アレイ１２２−１の微小偏向器１２２＿１ｄ〜１２２＿２５ｄは、複数のセグメント化電極を含み得る。図５Ａは、一例として各微小偏向器内の８つのセグメント化電極を示す（八極）が、微小偏向器は任意の偶数のセグメント化電極を有するように構成できることは認められよう。各微小偏向器内のセグメント化電極は、微小偏向器の配向方向からの角度に従って標示することができる。例えば図５Ａに示されているように、配向方向から第１角度に位置決めされた第１電極を電極ｅ１と見なし、配向方向から第２角度に位置決めされた第２電極を電極ｅ２と見なすことができる。図５Ａは、単なる例としてグループ５の多極偏向器の電極ｅ１及びｅ２を示すが、８つの電極のうち任意の１つを電極ｅ１と見なせることは認められよう。そのような実施形態では、グループ５の多極偏向器（１２２＿９ｄ、１２２＿１０ｄ、１２２＿１２ｄ、１２２＿１３ｄ、１２２＿１９ｄ、１２２＿２０ｄ、１２２＿２２ｄ、及び１２２＿２３ｄ）内の電極ｅ１を接続し、対応するグループドライバ１２２−１＿Ｄ５によって第１電圧で駆動することができる。同様に、グループ５内の電極ｅ２を接続し、ドライバ１２２−１＿Ｄ５によって第２電圧で駆動することができる。そのような実施形態では、グループ５内の残りの電極（ｅ３〜ｅ８、図示せず）も、ドライバ１２２−１＿Ｄ５によって各電圧で駆動できる。更に、図５Ａは像形成要素アレイ１２２−１と共に真空内に位置決めされたドライバ１２２−１＿Ｄ５を示すが、ドライバ１２２−１＿Ｄ５は図５Ｂに示されるように真空外に位置決めしてもよいことは認められよう。図４Ａの実施形態に比べてこの実施形態では、１つのグループ内の微小偏向器を共通の電圧セットで駆動することによって、ドライバの数を２５のドライバ（各微小偏向器に１つずつ）からわずか６のドライバに減少させると共に、アレイ構成内の接続回路数も減少させる。
【００４０】
[0060]  これより、本開示の実施形態に従った、像形成要素アレイ１２２−１の例示的な構成を示す概略図である図５Ｂを参照する。図５Ｂは、それぞれがゼロ度に等しい配向角を有する微小偏向器１２２＿１ｄ〜１２２＿２５ｄの構成を示す。更に、いくつかの実施形態では、図５Ａに示されているように、ドライバ（例えば１２２−１＿Ｄ５）は真空内に位置決めできる。他の実施形態では、図５Ｂに示されているように、ドライバ（例えば１２２−１＿Ｄ５）はガス放出を回避するため真空外に位置決めすることができ、微小偏向器１２２＿１ｄ〜１２２＿２５ｄと真空外のドライバ（例えば１２２−１＿Ｄ５）との間の接続を与えるよう構成されたインタフェースユニット１２２−１＿Ｉが真空内に位置決めされている。
【００４１】
[0061]  これより、本開示の実施形態に従った、像形成要素アレイ１２２−１及び補助微小偏向器１２２−１ａを有する例示的なソース変換ユニットを示す概略図である図５Ｃを参照する。図５Ａに関して説明したように、所与のグループ内の全ての微小偏向器は、対応するグループドライバによって駆動できる。しかしながら、（例えば製造誤差に基づいて）いくつかの不整合性が発生した結果、同一グループ内の微小偏向器において偏向角又は偏向方向のわずかな差が生じる可能性がある。いくつかの実施形態では、これらの不整合性を、図５Ｃの補助微小偏向器１２２−１ａのような補助アレイによって補償することができる。例えば像形成要素アレイ１２２−１は、図５Ａに示されるように、半径方向シフトに基づく６つのグループを含むアレイ構成を有し得る。補助微小偏向器アレイ１２２−１ａは、像形成要素アレイ１２２−１の構成と同様の微小偏向器アレイを含み得る。像形成要素アレイ１２２−１内の各微小偏向器と補助微小偏向器アレイ１２２−１ａ内の１つの対応する微小偏向器は、相互に位置合わせされて、これら２つのアレイからの対になった微小偏向器が対応するビームレットに偏向角を与え得るようになっている。像形成要素アレイ１２２−１に対する補助微小偏向器アレイ１２２−１ａの相違点は、補助アレイ内の微小偏向器がグループ化されない場合があることである。補助アレイ内の微小偏向器は、図４Ａに示されているように個々にかつ別々に駆動されて、各微小偏向器に対する完全な独立した制御性を与えることができる。例えば、像形成要素アレイ１２２−１内のグループ６の微小偏向器１２２＿１４ｄ、１２２＿１５ｄ、１２２＿２４ｄ、及び１２２＿２５ｄの目的とする偏向角が３０ｍｒａｄに等しいと仮定すると、前述の不整合性に起因して、電圧セットが印加された場合に微小偏向器１２２＿１４ｄ、１２２＿１５ｄ、１２２＿２４ｄ、及び１２２＿２５ｄで発生する実際の偏向角は、それぞれ３０．１ｍｒａｄ、３０ｍｒａｄ、２９．８ｍｒａｄ、２９．９ｍｒａｄとなり得る。そのような場合、補助微小偏向器アレイ１２２−１ａ内の対応する微小偏向器を個々に制御して、それぞれ−０．１ｍｒａｄ、０ｍｒａｄ、０．２ｍｒａｄ、０．１ｍｒａｄの偏向を更に与えればよい。この結果、像形成要素アレイ１２２−１及び補助微小偏向器アレイ１２２−１ａから出射するビームレットは全て３０ｍｒａｄ偏向される。補助微小偏向器アレイ１２２−１ａのために更に多くのドライバが必要となるが、グループ化技法を利用しないので、像形成要素アレイ１２２−１ほど重大な問題ではない。上記の例に示されるように、補助アレイ内の微小偏向器アレイ用の電圧は極めて小さいからである。更に、前述の不整合性に起因して、微小偏向器１２２＿１４ｄ、１２２＿１５ｄ、１２２＿２４ｄ、及び１２２＿２５ｄの実際の偏向回転角βはそれぞれ目的とするものとわずかに異なる可能性がある。そのような場合、補助微小偏向器アレイ内１２２−１ａ内の対応する微小偏向器を個々に制御して、必要な偏向回転角βを満足させるように更なる偏向を与えればよい。
【００４２】
[0062]  これより、本開示の実施形態に従った、像面湾曲補償器アレイ１２２−２ｆｃの例示的な構成を示す概略図である図６Ａ及び図６Ｂを参照する。像面湾曲補償器アレイ１２２−２ｆｃは複数の微小レンズ１２２＿１ｌ〜１２２＿２５ｌを含み得る。図６Ａ及び図６Ｂは、一例として単極微小レンズ１２２＿１ｌ〜１２２＿２５ｌを示す。微小レンズ１２２＿１ｌ〜１２２＿２５ｌは単極構造を有し得るが、微小レンズ１２２＿１ｌ〜１２２＿２５ｌのいくつか又は全てが多極構造を有し、各多極構造内のセグメント化電極が共通の電圧で駆動されるように構成してもよいことは認められよう。図５Ａ及び図５Ｂを参照して記載されているグループ化技法及び他の実施形態は、像面湾曲補償器アレイ１２２−２ｆｃにも適用され得る。更に、いくつかの実施形態では、図６Ａに示されているように、ドライバ（例えば１２２−２ｆｃ＿Ｄ５）は真空内に位置決めできる。他の実施形態では、図６Ｂに示されているように、ドライバ（例えば１２２−２ｆｃ＿Ｄ５）はガス放出を回避するため真空外に位置決めすることができ、インタフェースユニット１２２−２ｆｃ＿Ｉが真空内に位置決めされ、微小偏向器１２２＿１ｌ〜１２２＿２５ｌと真空外のドライバ（例えば１２２−２ｆｃ＿Ｄ５）との間の接続を与えるよう構成されている。１つの相違点は、より小さい半径方向シフトの微小レンズのグループが、より高い集束電圧（focusing voltage）を使用し得ることである。図６Ａ及び図６Ｂは５行５列のアレイ構成を示すが、アレイは任意のサイズとすればよいことは認められよう。
【００４３】
[0063]  これより、本開示の実施形態に従った、像面湾曲補償器アレイ１２２−２ｆｃ及び補助微小レンズアレイ１２２−２ｆｃａを有するマルチビーム装置内の例示的なソース変換ユニットを示す概略図である図６Ｃを参照する。補助微小レンズアレイ１２２−２ｆｃａは、像面湾曲収差に関する像面湾曲補償器アレイ１２２−２ｆｃの不整合性を補償することができる。像面湾曲補償器アレイ１２２−２ｆｃ内の各微小レンズと補助微小レンズアレイ１２２−２ｆｃａ内の１つの対応する補助微小レンズは、相互に位置合わせされて、これら２つのアレイからの対になった微小レンズが対応するビームレットの像面湾曲収差に影響を与え得るようになっている。像面湾曲補償器アレイ１２２−２ｆｃに対する補助微小レンズアレイ１２２−２ｆｃａの相違点は、補助アレイ内の微小レンズがグループ化されない場合があることである。補助アレイ内の微小レンズは、図４Ｂに示されているように個々にかつ別々に駆動されて、各微小レンズに対する完全な独立した制御性を与えることができる。図６Ｃは、像面湾曲補償器アレイ１２２−２ｆｃの下方に位置決めされた補助微小レンズアレイ１２２−２ｆｃａを示すが、補助微小レンズアレイ１２２−２ｆｃａは像面湾曲補償器アレイ１２２−２ｆｃの上方に位置決めしてもよいことは認められよう。
【００４４】
[0064]  これより、本開示の実施形態に従った、非点収差補償器アレイ１２２−２ａｓの例示的な構成を示す概略図である図７Ａ及び図７Ｂを参照する。図７Ａ及び図７Ｂは、一例として八極構造を有する微小非点収差補正器１２２＿１ｓ〜１２２＿２５ｓを示すが、微小非点収差補正器１２２＿１ｓ〜１２２＿２５ｓのいくつか又は全てが任意の偶数のセグメント化電極を含む多極構造を有し得ることは認められよう。図５Ａ及び図５Ｂを参照して記載されているグループ化技法及び他の実施形態は、非点収差補償器アレイ１２２−２ａｓにも適用され得る。更に、いくつかの実施形態では、図７Ａに示されているように、ドライバ（例えば１２２−２ａｓ＿Ｄ５）は真空内に位置決めできる。他の実施形態では、図７Ｂに示されているように、ドライバ（例えば１２２−２ａｓ＿Ｄ５）はガス放出を回避するため真空外に位置決めすることができ、インタフェースユニット１２２−２ａｓ＿Ｉが真空内に位置決めされ、微小偏向器１２２＿１ｓ〜１２２＿２５ｓと真空外のドライバ（例えば１２２−２ａｓ＿Ｄ５）との間の接続を与えるよう構成されている。図７Ａ及び図７Ｂは５行５列のアレイ構成を示すが、アレイは任意のサイズとすればよいことは認められよう。
【００４５】
[0065]  いくつかの実施形態では、非点収差補償器アレイ１２２−２ａｓの微小非点収差補正器に印加される電圧が高くない場合、非点収差補償器アレイ１２２−２ａｓを用いて補助微小偏向器アレイ又は補助微小レンズアレイ又はそれら双方の機能を実行することができる。いくつかの実施形態では、専用の補助微小偏向器アレイ１２２−１ａ又は補助微小レンズアレイ１２２−２ｆｃａを含まない構成において、非点収差補償器アレイ１２２−２ａｓは、補助アレイ（例えば図５Ｃの補助微小偏向器アレイ１２２−１ａ又は図６Ｃの補助微小レンズアレイ１２２−２ｆｃａ）の機能及び非点収差補償機能を実行できる。このような実施形態では、非点収差補償器アレイ１２２−２ａｓの微小非点収差補正器はグループ化されない場合があり、個々に及び別々に駆動されて追加の双極子場又はレンズ場（lens field）又はそれら双方を与えることができる。
【００４６】
[0066]  図７Ｃは、本開示の実施形態に従った、非点収差補償器アレイ１２２−２ａｓ及び補助微小非点収差補正器アレイ１２２−２ａｓａを有するマルチビーム装置内の例示的なソース変換ユニットの一部を示す概略図である。補助微小非点収差補正器アレイ１２２−２ａｓａは、非点収差に関する非点収差補償器アレイ１２２−２ａｓの不整合性を補償することができる。補助微小非点収差補正器アレイ１２２−２ａｓａは、非点収差補償器アレイ１２２−２ａｓの構成と同様の微小非点収差補正器のアレイを含み得る。非点収差補償器アレイ１２２−２ａｓ内の各微小非点収差補正器と補助微小非点収差補正器アレイ１２２−２ａｓａ内の１つの対応する補助微小非点収差補正器は、相互に位置合わせされて、これら２つのアレイからの対になった微小非点収差補正器が対応するビームレットの非点収差に影響を与え得るようになっている。非点収差補償器アレイ１２２−２ａｓに対する補助微小非点収差補正器アレイ１２２−２ａｓａの相違点は、補助アレイ内の微小非点収差補正器がグループ化されない場合があることである。補助アレイ内の微小非点収差補正器は、個々にかつ別々に駆動されて、各補助微小非点収差補正器に対する完全な独立した制御性を与えることができる。図７Ｃは、非点収差補償器アレイ１２２−２ａｓの下方に位置決めされた補助微小非点収差補正器アレイ１２２−２ａｓａを示すが、補助微小非点収差補正器アレイ１２２−２ａｓａは非点収差補償器アレイ１２２−２ａｓの上方に位置決めしてもよいことは認められよう。
【００４７】
[0067]  これより図８Ａ及び図８Ｂを参照する。上述した１つの微小構造アレイにおける接続線又は回路の複雑さを低減するため、いくつかの実施形態において、図５Ａの１２２−１の１つ以上の微小偏向器を図６Ａの１２２−２ｆｃの対応する微小レンズで置き換えることができる。同様に、いくつかの実施形態において、図７Ａの１２２−２ａｓの１つ以上の微小非点収差補正器を図６Ａの１２２−２ｆｃの対応する微小レンズ１２２−２ｆｃで置き換えることができる。いくつかの実施形態では、図５Ａの１２２−１の１つ以上の微小偏向器１２２−１を図７Ａの１２２−２ａｓの対応する微小非点収差補正器で置き換えることができる。例えば図８Ａは、４つの微小レンズがグループＧ３ｓ内の微小非点収差補正器で置き換えられ、従って対応するアレイが１２２−２ｆｃ−２ａｓになっている微小構造アレイの例示的な構成を示す。同様に、図８Ｂは、４つの微小非点収差補正器がグループＧ３ｌ内の微小レンズで置き換えられ、従って対応するアレイが１２２−２ａｓ−２ｆｃになっている微小構造アレイの例示的な構成を示す。
【００４８】
[0068]  これより、本開示の実施形態に従った、複数のプローブスポットを形成するように複数のドライバを制御する例示的な方法９００を示すフローチャートである図９を参照する。方法９００は、電子ビームツール（例えば図２の電子ビームツール１００）によって実行され得る。具体的には、電子ビームツールのコントローラ（例えば図２のコントローラ１０９）が方法９００を実行することができる。
【００４９】
[0069]  ステップ９１０において、第１微小構造アレイ内の第１ドライバは、対応する１つ以上のビームレットの第１グループに影響を与えるように、１つ以上の微小構造の第１グループの１つ以上の電圧の第１セットを制御するよう命令される。いくつかの実施形態において、第１ドライバは、第１微小構造アレイ内の微小構造の第１グループに接続されている。ステップ９２０において、第１微小構造アレイ内の第２ドライバは、対応する１つ以上のビームレットの第２グループに影響を与えるように、１つ以上の微小構造の第２グループの１つ以上の電圧の第２セットを制御するよう命令される。いくつかの実施形態において、第２ドライバは、第１微小構造アレイ内の微小構造の第２グループに接続されている。
【００５０】
[0070]  例えばソース変換ユニットが第２微小構造アレイを含むようないくつかの実施形態では、更にステップ９３０及び９４０を実行することができる。ステップ９３０において、第２微小構造アレイ内の第３ドライバは、対応する１つ以上のビームレットの第１グループに影響を与えるように、１つ以上の微小構造の第３グループの１つ以上の電圧の第３セットを制御するよう命令される。ステップ９４０において、第２微小構造アレイ内の第４ドライバは、対応する１つ以上のビームレットの第２グループに影響を与えるように、１つ以上の微小構造の第４グループの１つ以上の電圧の第４セットを制御するよう命令される。本明細書に記載される微小構造は単極構造又は任意のタイプの多極構造とすることができ、例えばダイポール（２極）構造、四極（４極）構造、八極（８極）構造等とすればよい。
【００５１】
[0071]  いくつかの実施形態では、ガス放出を回避するためドライバを真空外に位置決めすることができる。そのような実施形態では、ドライバは、ドライバと多極構造との間の接続を与えるように構成されたインタフェースユニットを介して微小構造グループを制御できる。
【００５２】
[0072]  これより、本開示の実施形態に従った、微小構造アレイの例示的な構成を製造する例示的な方法１０００を示すフローチャートである図１０を参照する。いくつかの実施形態では、半導体製造プロセスを用いて微小構造アレイを製造することができる。
【００５３】
[0073]  ステップ１０１０では、複数の微小構造を有するアレイをベース層として形成する。微小構造は単極構造又は任意のタイプの多極構造とすることができ、例えばダイポール構造、四極構造、八極構造等とすればよい。ステップ１０２０では、複数の微小構造のうち微小構造の第１グループの接続を生成するため、接続層を形成することができる。いくつかの実施形態において、第１グループの微小構造は、アレイの中心軸から第１半径方向シフトの近くに又は実質的に同じ第１半径方向シフトに位置決めされる。ステップ１０３０では、複数の微小構造のうち微小構造の第２グループの接続を生成するため、別の接続層を形成することができる。いくつかの実施形態において、第２グループの微小構造は、アレイの中心軸から第２半径方向シフトの近くに又は実質的に同じ第２半径方向シフトに位置決めされる。ステップ１０２０及び１０３０における接続層は、２つの異なるドライバに直接接続するか、又は２つの異なるドライバに接続されたインタフェースに接続することができる。
【００５４】
[0074]  実施形態は、以下の条項を用いて更に記載することができる。
１．微小構造アレイであって、
アレイの中心軸から第１半径方向シフトを有する単極構造の第１グループを備え、第１半径方向シフトは等しいか又は実質的に等しく、単極構造の第１グループは対応する電極を含み、対応する電極は電気的に接続されると共に第１ドライバによって駆動される、微小構造アレイ。
２．第１ドライバは、単極構造の第１グループが荷電粒子マルチビーム装置において対応するビームスポットの像面湾曲収差を補償する微小レンズとして機能することを可能とするように構成されている、条項１に記載の微小構造アレイ。
３．微小構造アレイであって、
アレイの中心軸から第１半径方向シフト及び第１配向角を有する多極構造の第１グループを備え、第１半径方向シフトは等しいか又は実質的に等しく、多極構造の第１グループの第１配向角は等しいか又は実質的に等しく、多極構造の第１グループは対応する電極を含み、対応する電極は電気的に接続されると共に第１ドライバによって駆動される、微小構造アレイ。
４．第１ドライバは、多極構造の第１グループが荷電粒子マルチビーム装置においてビームレットの第１グループを偏向させる微小偏向器として機能することを可能とするように構成されている、条項３に記載の微小構造アレイ。
５．第１ドライバは、多極構造の第１グループが荷電粒子マルチビーム装置においてビームスポットの第１グループの非点収差を補償する微小非点収差補正器として機能することを可能とするように構成されている、条項３に記載の微小構造アレイ。
６．中心軸からの第２半径方向シフト及び第２配向角を有する多極構造の第２グループを更に備え、第２半径方向シフトは等しいか又は実質的に等しく、多極構造の第２グループの第２配向角は等しいか又は実質的に等しく、多極構造の第２グループは対応する電極を含み、対応する電極は電気的に接続されると共に第２ドライバによって駆動される、条項４及び５のいずれかに記載の微小構造アレイ。
７．第２ドライバは、多極構造の第２グループが荷電粒子マルチビーム装置においてビームレットの第２グループを偏向させる微小偏向器として機能することを可能とするように構成されている、条項６に記載の微小構造アレイ。
８．第２ドライバは、多極構造の第２グループが荷電粒子マルチビーム装置においてビームスポットの第２グループの非点収差を補償する微小非点収差補正器として機能することを可能とするように構成されている、条項６に記載の微小構造アレイ。
９．中心軸から第２半径方向シフトを有する単極構造の第１グループを更に備え、第２半径方向シフトは等しいか又は実質的に等しく、単極構造の第１グループは対応する電極を含み、対応する電極は電気的に接続されると共に第２ドライバによって駆動される、条項４及び５のいずれかに記載の微小構造アレイ。
１０．第２ドライバは、単極構造の第１グループが荷電粒子マルチビーム装置においてビームスポットの第２グループの像面湾曲収差を補償する微小レンズとして機能することを可能とするように構成されている、条項９に記載の微小構造アレイ。
１１．荷電粒子装置におけるソース変換ユニットであって、
装置の光軸からの第１半径方向シフト及び第１配向角を有する多極構造の第１グループを含む第１微小構造アレイを備え、第１半径方向シフトは等しいか又は実質的に等しく、多極構造の第１グループの第１配向角は同一であるか又は実質的に同一であり、多極構造の第１グループは対応する電極を含み、対応する電極は電気的に接続されると共に第１微小構造アレイに関連付けられた第１ドライバによって駆動される、ソース変換ユニット。
１２．第１ドライバは、多極構造の第１グループが荷電粒子ビームのビームレットの第１グループを偏向させて装置においてプローブスポットの第１グループを形成する微小偏向器として機能することを可能とするように構成されている、条項１１に記載のソース変換ユニット。
１３．多極構造の第１グループと位置合わせされた単極構造の第１グループを含む第２微小構造アレイを更に備え、単極構造の第１グループは対応する電極を含み、対応する電極は電気的に接続されると共に第２微小構造アレイに関連付けられた第２ドライバによって駆動される、条項１２に記載のソース変換ユニット。
１４．第２ドライバは、単極構造の第１グループがビームレットの第１グループに影響を与えてプローブスポットの第１グループの像面湾曲収差を補償する微小レンズとして機能することを可能とするように構成されている、条項１３に記載のソース変換ユニット。
１５．多極構造の第１グループと位置合わせされ、第２配向角を有する多極構造の第２グループを含む第３微小構造アレイを更に備え、多極構造の第２グループの第２配向角は同一であるか又は実質的に同一であり、多極構造の第２グループは対応する電極を含み、対応する電極は電気的に接続されると共に第３微小構造アレイに関連付けられた第３ドライバによって駆動される、条項１４に記載のソース変換ユニット。
１６．第３ドライバは、多極構造の第２グループがビームレットの第１グループに影響を与えてプローブスポットの第１グループの非点収差を補償する微小非点収差補正器として機能することを可能とするように構成されている、条項１５に記載のソース変換ユニット。
１７．多極構造の第１グループと位置合わせされた多極構造の第２グループを含む第３微小構造アレイを更に備える、条項１４に記載のソース変換ユニット。
１８．多極構造の第２グループは、ビームレットの第１グループに更に影響を与えてプローブスポットの第１グループに作用する微小偏向器、微小非点収差補正器、及び微小レンズのうち少なくとも１つとして機能するように個別に制御される、条項１７に記載のソース変換ユニット。
１９．多極構造の第１グループと位置合わせされた多極構造の第３グループを含む第１微小構造補助アレイを更に備える、条項１６に記載のソース変換ユニット。
２０．多極構造の第３グループは、ビームレットの第１グループに更に影響を与えてプローブスポットの第１グループに作用する微小偏向器、微小非点収差補正器、及び微小レンズのうち少なくとも１つとして機能するように個別に制御される、条項１９に記載のソース変換ユニット。
２１．多極構造の第１グループと位置合わせされた単極構造の第２グループを含む第２微小構造補助アレイを更に備える、条項２０に記載のソース変換ユニット。
２２．単極構造の第２グループは、ビームレットの第１グループに更に影響を与えてプローブスポットの第１グループに作用する微小レンズとして機能するように個別に制御される、条項２１に記載のソース変換ユニット。
２３．荷電粒子装置におけるソース変換ユニットであって、
装置の光軸から第１半径方向シフトを有する多極構造の第１グループ及び光軸から第２半径方向シフトを有する多極構造の第２グループを含む第１微小構造アレイと、
多極構造の第１グループと位置合わせされた単極構造の第１グループ及び多極構造の第２グループと位置合わせされた多極構造の第３グループを含む第２微小構造アレイと、
を備えるソース変換ユニット。
２４．第１半径方向シフトは等しいか又は実質的に等しく、多極構造の第１グループは同一であるか又は実質的に同一である配向角を有し、多極構造の第１グループの対応する電極は電気的に接続されると共に第１微小構造アレイに関連付けられた第１ドライバによって駆動される、条項２３に記載のユニット。
２５．第２半径方向シフトは等しいか又は実質的に等しく、多極構造の第２グループは同一であるか又は実質的に同一である配向角を有し、多極構造の第２グループの対応する電極は電気的に接続されると共に第１微小構造アレイに関連付けられた第２ドライバによって駆動される、条項２４に記載のユニット。
２６．単極構造の第１グループの対応する電極は、電気的に接続され、第２微小構造アレイに関連付けられた第３ドライバによって駆動される、条項２５に記載のユニット。
２７．多極構造の第３グループは同一であるか又は実質的に同一である配向角を有し、多極構造の第３グループの対応する電極は電気的に接続されると共に第２微小構造アレイに関連付けられた第４ドライバによって駆動される、条項２６に記載のユニット。
２８．第１ドライバは、多極構造の第１グループが荷電粒子ビームのビームレットの第１グループを偏向させて装置においてプローブスポットの第１グループを形成する微小偏向器として機能することを可能とするように構成されている、条項２７に記載のユニット。
２９．第３ドライバは、単極構造の第１グループがビームレットの第１グループに影響を与えてプローブスポットの第１グループの像面湾曲収差を補償する微小レンズとして機能することを可能とするように構成されている、条項２８に記載のユニット。
３０．第４ドライバは、多極構造の第３グループが荷電粒子ビームのビームレットの第２グループを偏向させて装置においてプローブスポットの第２グループを形成する微小偏向器として機能することを可能とするように構成されている、条項２９に記載のユニット。
３１．第２ドライバは、多極構造の第２グループがビームレットの第２グループに影響を与えてプローブスポットの第２グループの非点収差を補償する微小非点収差補正器として機能することを可能とするように構成されている、条項３０に記載のユニット。
３２．第２ドライバは、第２多極構造が荷電粒子ビームのビームレットの第２グループを偏向させて装置においてプローブスポットの第２グループを形成する微小偏向器として機能することを可能とするように構成されている、条項２９に記載のユニット。
３３．第４ドライバは、第３多極構造がビームレットの第２グループに影響を与えてプローブスポットの第２グループの非点収差を補償する微小非点収差補正器として機能することを可能とするように構成されている、条項３２に記載のユニット。
３４．サンプルの像を形成する方法をコントローラに実行させるため、コントローラの１つ以上のプロセッサによって実行可能である命令セットを含む非一時的コンピュータ可読媒体であって、方法は、
第１微小構造アレイ内の微小構造の第１グループに接続された第１ドライバに対し、ビームレットの第１グループに影響を与えるように１つ以上の電圧の第１セットを制御するよう命令することと、
第１アレイ内の微小構造の第２グループに接続された第２ドライバに対し、ビームレットの第２グループに影響を与えるように１つ以上の電圧の第２セットを制御するよう命令することと、
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
３５．コントローラの１つ以上のプロセッサによって実行可能である命令セットは更に、
第２微小構造アレイ内の微小構造の第１グループに接続された第３ドライバに対し、ビームレットの第１グループに影響を与えるように１つ以上の電圧の第３セットを制御するよう命令することと、
第２アレイ内の微小構造の第２グループに接続された第４ドライバに対し、ビームレットの第２グループに影響を与えるように１つ以上の電圧の第４セットを制御するよう命令することと、
をコントローラに実行させる、条項３４に記載のコンピュータ可読媒体。
３６．コントローラの１つ以上のプロセッサによって実行可能である命令セットは更に、
第２微小構造アレイ内の複数の微小構造に接続された複数の第３ドライバに対し、ビームレットの第１グループ及びビームレットの第２グループのうち少なくとも１つに影響を与えるように命令すること、
をコントローラに実行させる、条項３４に記載のコンピュータ可読媒体。
３７．複数の微小構造を含む微小構造アレイを製造する方法であって、
アレイの中心軸を取り囲む複数の微小構造を形成することと、
複数の微小構造の第１グループの微小構造間に接続の第１セットを形成することであって、第１グループの微小構造は中心軸から第１半径方向シフトに位置決めされていることと、
複数の微小構造の第２グループの微小構造間に接続の第２セットを形成することであって、第２グループの微小構造は中心軸から第２半径方向シフトを有するように位置決めされていることと、
を含む、方法。
３８．接続の第１セットを第１ドライバに接続することを更に含む、条項３７に記載の方法。
３９．接続の第２セットを第２ドライバに接続することを更に含む、条項３７又は３８に記載の方法。
４０．接続の第１セットを第１ドライバに関連付けられた第１インタフェースに接続することを更に含む、条項３７に記載の方法。
４１．接続の第２セットを第２ドライバに関連付けられた第２インタフェースに接続することを更に含む、条項３７又は３８に記載の方法。
４２．第１ドライバを用いて、対応する１つ以上のビームレットの第１グループに影響を与えるように、第１微小構造アレイの１つ以上の微小構造の第１グループを制御することと、
第２ドライバを用いて、対応する１つ以上のビームレットの第２グループに影響を与えるように、第１微小構造アレイの微小構造の第２グループを制御することと、
を含む、方法。
４３．第３ドライバを用いて、対応する１つ以上のビームレットの第１グループに影響を与えるように、第２微小構造アレイの１つ以上の微小構造の第１グループを制御することと、
第４ドライバを用いて、対応する１つ以上のビームレットの第２グループに影響を与えるように、第２微小構造アレイの微小構造の第２グループを制御することと、
を更に含む、条項４２に記載の方法。
４４．ビームレットの第１グループ及びビームレットの第２グループのうち少なくとも１つに影響を与えるように第２微小構造アレイの微小構造を制御することを更に含む、条項４２に記載の方法。
４５．荷電粒子ビーム装置であって、
ソース変換ユニットを備え、ソース変換ユニットは、
複数の微小構造を含む第１微小構造アレイを備え、第１微小構造アレイは、
複数の微小構造の中の微小構造の第１グループであって、第１グループの微小構造は、装置の光軸から第１半径方向シフトを有し、第１ドライバによって駆動されて、荷電粒子ビームのビームレットの第１グループに影響を与える、微小構造の第１グループと、
複数の微小構造の中の微小構造の第２グループであって、第２グループの微小構造は光軸から第２半径方向シフトを有し、第２ドライバによって駆動されて、荷電粒子ビームのビームレットの第２グループに影響を与える、微小構造の第２グループと、
を備える、荷電粒子ビーム装置。
４６．荷電粒子ビームを集束させるように構成された可動コンデンサレンズを更に備える、条項４５に記載の電子ビーム装置。
４７．荷電粒子ビームを集束させる非回転コンデンサレンズを更に備える、条項４５に記載の電子ビーム装置。
４８．荷電粒子ビームを集束させる可動非回転コンデンサレンズを更に備える、条項４５に記載の電子ビーム装置。
４９．複数の極構造を含む極構造アレイであって、
複数の極構造の中の極構造の第１グループであって、第１グループの極構造は、第１ドライバによって駆動されるように構成され、光軸から第１半径方向シフトの近くに位置決めされている、極構造の第１グループと、
複数の極構造の中の極構造の第２グループであって、第２グループの極構造は、第２ドライバによって駆動されるように構成され、光軸から第２半径方向シフトの近くに位置決めされている、極構造の第２グループと、
を備える、極構造アレイ。
５０．複数の極構造は、対応する対称軸を有し、
複数の極構造は、対応する対称軸が光軸からの対応する半径方向に対して実質的に平行であるように回転される、条項４９に記載の極構造。
５１．ソース変換ユニットであって、
複数の極構造を含む第１極構造アレイを備え、第１極構造アレイは、
複数の極構造の中の極構造の第１グループであって、第１グループの極構造は、第１ドライバによって駆動されるように構成され、光軸から第１半径方向シフトの近くに位置決めされている、極構造の第１グループと、
複数の極構造の中の極構造の第２グループであって、第２グループの極構造は、第２ドライバによって駆動されるように構成され、光軸から第２半径方向シフトの近くに位置決めされている、極構造の第２グループと、
を備える、ソース変換ユニット。
５２．第１グループの第１微小極構造は、電子源の虚像を形成するように構成されている、条項３に記載の微小構造アレイ。
５３．第１グループの各微小極構造は、電子源の虚像を形成するように構成されている、条項３に記載の微小構造アレイ。
５４．第１グループの各微小極構造は、同じ単一の電子源の異なる虚像を形成するように構成されている、条項３に記載の微小構造アレイ。
５５．第１グループの第１微小極構造は、第１微小極構造の中心軸に対して実質的に垂直な電場を発生するように構成されている、条項３に記載の微小構造アレイ。
５６．第１グループの各微小極構造は第１グループの他の各微小極構造の中心軸に対して実質的に平行な中心軸を有し、第１グループの各微小極構造は中心軸に対して実質的に垂直な電場を発生するように構成されている、条項３に記載の微小構造アレイ。
【００５５】
[0075]  マルチビーム装置のコントローラがソフトウェアを用いて上述の機能性を制御できることは認められよう。例えばコントローラは、上記のレンズに命令を送信してそれぞれ適切な場（例えば磁場は静電場）を発生できる。また、コントローラは、ドライバに命令を送信して上記のアレイを制御できる。ソフトウェアは、非一時的（non-transitory）コンピュータ可読媒体に記憶することができる。非一時的媒体の一般的な形態は例えば、フロッピーディスク、可撓性ディスク、ハードディスク、固体ドライブ、磁気テープ、又は他の任意の磁気データ記憶媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、他の任意の光学データ記憶媒体、ホールのパターンを有する任意の物理媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、及びＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ(登録商標）−ＥＰＲＯＭ、又は他の任意のフラッシュメモリ、ＮＶＲＡＭ、キャッシュ、レジスタ、他の任意のメモリチップもしくはカートリッジ、及びこれらをネットワーク化したものを含む。
【００５６】
[0076]  開示される実施形態について好適な実施形態に関連付けて説明したが、以下に特許請求される主題の精神及び範囲から逸脱することなく他の変更及び変形を実施し得ることは理解されよう。
【図１】
2021520609.tif 000003
【図２】
2021520609.tif 000004
【図３Ａ】
2021520609.tif 000005
【図３Ｂ】
2021520609.tif 000006
【図３Ｃ】
2021520609.tif 000007
【図３Ｄ】
2021520609.tif 000008
【図３Ｅ】
2021520609.tif 000009
【図３Ｆ】
2021520609.tif 000010
【図４Ａ】
2021520609.tif 000011
【図４Ｂ】
2021520609.tif 000012
【図５Ａ】
2021520609.tif 000013
【図５Ｂ】
2021520609.tif 000014
【図５Ｃ】
2021520609.tif 000015
【図６Ａ】
2021520609.tif 000016
【図６Ｂ】
2021520609.tif 000017
【図６Ｃ】
2021520609.tif 000018
【図７Ａ】
2021520609.tif 000019
【図７Ｂ】
2021520609.tif 000020
【図７Ｃ】
2021520609.tif 000021
【図８Ａ】
2021520609.tif 000022
【図８Ｂ】
2021520609.tif 000023
【図９】
2021520609.tif 000024
【図１０】
2021520609.tif 000025
【国際調査報告】
2021520609.tif 000026
2021520609.tif 000027