(57)【要約】  ターゲット材料デブリを液体の形態で蓄積するための方策を含むＥＵＶシステムが開示される。ターゲット材料は、光学系にしぶきをかけることが防止される。ターゲット材料を凝固させ、次いでこれを溶融できる位置に運んで、コレクタを汚染することなく排出することを可能とする。【選択図】  図４Ｂ
2021516774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ放射を発生させるための装置であって、
容器と、
照射領域から残留ターゲット材料を収集するように構成された第１の位置と、前記第１の位置で収集された残留ターゲット材料を解放するように構成された、前記容器の壁の少なくとも一部の内部から遮蔽された第２の位置と、を有する残留ターゲット材料収集面と、
前記残留ターゲット材料収集面を前記第１の位置において前記ターゲット材料の融点よりも低い温度に維持すると共に前記第２の位置において前記ターゲット材料の融点よりも高い温度に維持するように構成された温度コントローラと、
を備える装置。
【請求項２】
前記残留ターゲット材料収集面はベルトの表面を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ベルトは前記第１の位置において冷却されると共に前記第２の位置において加熱される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第２の位置における前記ベルトに隣接して位置決めされ、前記ベルトから残留ターゲット材料を除去するように構成された少なくとも１つのスクラバを更に備える、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つのスクラバは、前記ベルトから除去された残留ターゲット材料が重力によってレセプタクルへ流れるように位置決めされている、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記チャンバと流体連通しているチャンバ排出マニホルドを更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記チャンバ排出マニホルドはライナを有し、前記ライナの少なくとも一部は加熱される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記残留ターゲット材料収集面はシールドを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記シールドは前記第１の位置において冷却されると共に前記第２の位置において加熱される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記シールドは前記第１の位置から前記第２の位置へ枢動するように構成されている、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記シールドは前記第１の位置から前記第２の位置へ横方向に移動するように構成されている、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記第２の位置は、溶融残留ターゲット材料が前記シールドから重力によってレセプタクルへ流れるように選択される、請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
前記チャンバと流体連通しているチャンバ排出マニホルドを更に備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
前記チャンバ排出マニホルドはライナを有し、前記ライナの少なくとも一部は加熱される、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
ＥＵＶ放射を発生させるための装置において残留ターゲット材料を収集する方法であって、
第１の位置における表面上に残留ターゲット材料を蓄積させるステップであって、前記表面は前記ターゲット材料の融点よりも低い温度である、ステップと、
前記表面を、前記表面が前記残留ターゲット材料の融点よりも高い温度である第２の位置に移動させて、前記残留ターゲット材料を溶融させるステップと、
前記表面から前記溶融残留ターゲット材料を除去するステップと、
を含む方法。
【請求項１６】
前記表面から前記溶融残留ターゲット材料を除去する前記ステップは、前記表面から前記溶融残留ターゲット材料をこすることを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記表面から前記溶融残留ターゲット材料を除去する前記ステップは、前記溶融残留ターゲット材料を前記表面から流すことを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記除去するステップの後に、前記除去した溶融残留ターゲット材料をレセプタクルへ流すステップを更に含む、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
[00001]  本出願は、２０１８年３月２７日に出願されたＵＳ出願第６２／６４８，５０５号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。
【０００２】
[00002]  本開示は、容器内のターゲット材料の放電又はレーザアブレーションによって生成されたプラズマから極端紫外線（「ＥＵＶ」：extreme ultraviolet）放射を発生させるための装置及び方法に関する。このような用途では、光学要素を用いて、例えば、半導体フォトリソグラフィ及び検査で使用するために放射を収集し誘導する。
【背景技術】
【０００３】
[00003]  例えば、約１３．５ｎｍの波長の放射を含む、約５０ｎｍ以下の波長を有する（時として軟ｘ線とも称される）電磁放射のような極端紫外線放射は、フォトリソグラフィプロセスで用いて、シリコンウェーハのような基板に極めて小さいフィーチャを生成することができる。
【０００４】
[00004]  ＥＵＶ放射を発生させるための方法は、ターゲット材料をプラズマ状態に変換することを含む。ターゲット材料は好ましくは、電磁スペクトルのＥＵＶ部分に１つ以上の輝線を有する、例えばキセノン、リチウム、又はスズのような少なくとも１つの元素を含む。ターゲット材料は、固体、液体、又は気体である場合がある。そのような方法の１つであり、しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」：laser produced plasma）と呼ばれる方法では、レーザビームを用いて、必要な線発光元素を有するターゲット材料を照射することにより、必要なプラズマを生成することができる。
【０００５】
[00005]  １つのＬＰＰ技法は、ターゲット材料小滴の流れを発生させることと、この小滴の少なくとも一部を１つ以上のレーザ放射パルスで照射することと、を含む。このようなＬＰＰ源は、少なくとも１つのＥＵＶ放出元素を有するターゲット材料にレーザエネルギを結合し、数１０ｅＶの電子温度を有する高度に電離したプラズマを生成することによって、ＥＵＶ放射を発生する。
【０００６】
[00006]  このプロセスのため、プラズマは典型的に、例えば真空チャンバのような密閉容器内で生成され、これによって得られるＥＵＶ放射は様々なタイプのメトロロジ機器を用いて監視される。プラズマを発生させるため使用されるプロセスは通常、ＥＵＶ放射の発生に加えて、プラズマチャンバ内で望ましくない副生成物も発生させる。この副生成物は、帯域外の放射、高エネルギのイオン、並びに、例えば残留ターゲット材料の原子及び／又は塊（clump）／微液滴（microdroplet）のようなデブリを含む可能性がある。
【０００７】
[00007]  エネルギ放射は、プラズマから全方向に放出される。１つの一般的な構成では、放射の少なくとも一部を収集して中間位置へ誘導するため、いくつかの構成では更に集束するため、近法線入射ミラー（「コレクタミラー」又は単に「コレクタ」と称されることが多い）が位置決めされている。収集された放射は次いで中間位置から、光学系のセット、レチクル、検出器へ、最終的にはシリコンウェーハへと送ることができる。
【０００８】
[00008]  スペクトルのＥＵＶ部分では、コレクタ、イルミネータ、及び投影光ボックスを含むシステムの光学要素のために、反射光学系を使用することが必要であると一般的に考えられている。これらの反射光学系は、前述のような法線入射光学系として又はかすめ入射光学系として実施することができる。関連する波長において、コレクタは多層ミラー（ＭＬＭ：multi-layer mirror」）として実施すると有利である。その名前が示す通り、このＭＬＭは一般に、基盤又は基板の上に交互に配置された材料層（ＭＬＭスタック）から成る。また、システム光学系は、ＭＬＭとして実施されない場合であっても、コーティングされた光学要素として構成することができる。
【０００９】
[00009]  光学要素、特にコレクタは、ＥＵＶ放射を収集し方向転換させるため、プラズマと共に容器内に配置しなければならない。チャンバ内の環境は光学要素にとって有害であり、例えば光学要素の反射率を低下させてその耐用年数を制限する。環境内の光学要素は、ターゲット材料の高エネルギのイオン又は粒子に露呈され得る。実質的にレーザ蒸発プロセスからのデブリであるターゲット材料の粒子は、光学要素の露呈表面を汚染させる可能性がある。また、ターゲット材料の粒子は、ＭＬＭ表面に対して物理的損傷及び局所加熱を引き起こす恐れがある。
【００１０】
[00010]  いくつかのシステムでは、デブリ軽減のためのバッファガスとして、約０．５〜約３ｍｂａｒの範囲内の圧力のＨ２ガスが真空チャンバ内で使用される。ガスが存在しない場合、真空圧では、照射領域から放出されるターゲット材料デブリからコレクタを適切に保護することが難しい。水素は、約１３．５ｎｍの波長を有するＥＵＶ放射に対して比較的透明であり、このため、約１３．５ｎｍでより高い吸収を示すＨｅ、Ａｒ、又は他のガスのような他の候補のガスよりも好適である。
【００１１】
[00011]  Ｈ２ガスは、真空チャンバ内に導入されて、プラズマによって生じたターゲット材料の高エネルギのデブリ（イオン、原子、及び塊）を低速化する。デブリはガス分子との衝突によって低速化する。この目的のため、使用されるＨ２ガスの流れは、デブリ軌道と逆向きでありコレクタから離れる方向とすることができる。これは、コレクタの光学コーティングに対するターゲット材料の堆積、インプラント、及びスパッタリングの損傷を軽減させるように作用する。
【００１２】
[00012]  それでもなお、記載されているような放射源において最も困難な課題の１つは、残留ターゲット材料の管理である。ターゲット材料を蒸気及び粒子に変換するプロセスでは、照射部位との間の経路が遮られていない全ての表面上に、また、残留ターゲット材料を運ぶガスの排出経路における表面上に、残留ターゲット材料が堆積する。例えば、このガスが、チャンバ内に存在する羽根（vane）の上部を通って機械式ポンプへ送出される場合、冷たい金属部品の全てに材料が堆積する。ターゲット材料がスズである場合、これによって毛糸状スズ（tin wool）が生じ、コレクタ光学系に落ちたり排出経路を詰まらせたりする恐れがある。
【００１３】
[00013]  引き続きターゲット材料の例としてスズを用いると、スズの拡散を制御するための１つの技法は、スズの融点よりも高温に加熱された表面上で蒸気又は粒子からスズを捕捉することを含む。そこでスズは溶融して（又は溶融状態を維持し）、捕捉レセプタクルに流れていく。しかしながら、液体スズは、ＥＵＶチャンバ内で観察されるような水素ラジカルの存在下で噴き出す（eject）又は「しぶきを出す（spit）」傾向があり、この噴き出したスズがコレクタにかかる可能性がある。これはコレクタ劣化の大きな要因である。第２に、液体スズは通常、意図された通りに流れない。例えば、チャンバ内のスズ蒸気の一部又は全てを除去するため提供されるスクラバの羽根及び溝（gutter）のようなチャンバ内の構造から、液体スズがコレクタ上へ滴下することがある。また、スクラバ溝があふれ、液体スズが羽根の後部を伝って、熱ショート（thermal short）（すなわち意図されない熱伝導経路）を生成すると共に、捕捉レセプタクルへの流路を詰まらせる場合がある。更に、液体スズは腐食性が高く、例えば、収集面をスズ融点よりも高い温度に維持するため用いられる電気ヒータの故障を引き起こす。また、スズ蓄積のために生じる流れの制限（flow restriction）によって、羽根及びコレクタにおけるガスの経路は狭い空間内となるので、スズ堆積はコレクタ劣化の著しい増大を招く。
【００１４】
[00014]  前述のように、羽根の上部のようなエリアにスクラバを追加して、蒸気に含まれるスズを蒸気から凝結させることにより捕捉できる。スクラバ表面をスズの融点よりも高温に維持することで、液体スズが羽根を流れてレセプタクルに到達できるようにする。しかしながら、それでもなお、スクラバにおける液体スズがコレクタにしぶきをかけ、溝からコレクタに滴下して、コレクタ劣化を増大させる恐れがある。また、スクラバをスズ融点よりも高温に維持することにも課題がある。スクラバの温度がスズの融点未満である場合、スズは凝固してスクラバを詰まらせる。例えばスクラバ羽根の大きさ及び傾斜を変更することによってスクラバのジオメトリを変えると、性能が向上する可能性はあるものの、スクラバからコレクタ又は冷たい表面にしぶきがかかる傾向及び排出部が詰まることを完全に解消することはできない。
【００１５】
[00015]  また、ＥＵＶ光を発生させるプロセスにより、ターゲット材料が容器の壁に堆積する可能性がある。容器の壁におけるターゲット材料堆積を制御することは、稼働中のＥＵＶ源の許容できる長さの寿命を達成するために重要である。また、照射部位からのターゲット材料フラックスを管理することは、廃棄ターゲット材料軽減システムが確実に目的通りに機能するため重要である。
【発明の概要】
【００１６】
[00016]  以下は、１つ以上の実施形態の基本的な理解を得るため、それらの実施形態の簡略化された概要を示す。この概要は、想定される全ての実施形態を広く概観するものではなく、全ての実施形態の重要な要素又は不可欠な要素を識別することは意図しておらず、また、いずれかの又は全ての実施形態の範囲に限定を設定することも意図していない。その唯一の目的は、後に提示される更に詳細な記載の前置きとして、１つ以上の実施形態のいくつかの概念を簡略化した形態で示すことである。
【００１７】
[00017]  １つの態様によれば、「スズ経路」、すなわちチャンバライナからチャンバを出射した光を方向転換させる結像リレーミラーまでの経路の異なる部分に対して、異なるスズ管理技法が用いられる。固体及び液体スズ技法の組み合わせを排出マニホルドと共に用いて、スズの拡散及び収集を管理する。排出流におけるゾーンを識別し、これらのゾーンの各々で、異なる要件に基づいて、排出ガス流を扱うために適切な技法を用いる。
【００１８】
[00018]  実施形態の別の態様によれば、ＥＵＶ放射を発生させるための装置が開示される。この装置は、容器と、照射領域から残留ターゲット材料を収集するように構成された第１の位置と、第１の位置で収集された残留ターゲット材料を解放するように構成された、容器の壁の少なくとも一部の内部から遮蔽された第２の位置と、を有する残留ターゲット材料収集面と、残留ターゲット材料収集面を第１の位置においてターゲット材料の融点よりも低い温度に維持すると共に第２の位置においてターゲット材料の融点よりも高い温度に維持するように構成された温度コントローラと、を備える。残留ターゲット材料収集面はベルトの表面を含み得る。ベルトは第１の位置において冷却されると共に第２の位置において加熱され得る。装置は、第２の位置におけるベルトに隣接して位置決めされ、ベルトから残留ターゲット材料を除去するように構成された少なくとも１つのスクラバを更に備え得る。少なくとも１つのスクラバは、ベルトから除去された残留ターゲット材料が重力によってレセプタクルへ流れるように位置決めされ得る。装置は、チャンバと流体連通しているチャンバ排出マニホルドを更に備え得る。チャンバ排出マニホルドはライナを有し、ライナの少なくとも一部は加熱され得る。残留ターゲット材料収集面はシールドを含み得る。シールドは第１の位置において冷却されると共に第２の位置において加熱され得る。シールドは第１の位置から第２の位置へ枢動するように構成され得る。シールドは第１の位置から第２の位置へ横方向に移動するように構成され得る。第２の位置は、溶融残留ターゲット材料がシールドから重力によってレセプタクルへ流れるように選択され得る。装置は、チャンバと流体連通しているチャンバ排出マニホルドを更に備え得る。チャンバ排出マニホルドはライナを有し、ライナの少なくとも一部は加熱され得る。
【００１９】
[00019]  実施形態の１つの態様によれば、ＥＵＶ放射を発生させるための装置において残留ターゲット材料を収集する方法が開示される。この方法は、第１の位置における表面上に残留ターゲット材料を蓄積させるステップであって、表面はターゲット材料の融点よりも低い温度である、ステップと、表面を、表面が残留ターゲット材料の融点よりも高い温度である第２の位置に移動させて、残留ターゲット材料を溶融させるステップと、表面から溶融残留ターゲット材料を除去するステップと、を含む。表面から溶融残留ターゲット材料を除去するステップは、表面から溶融残留ターゲット材料をこすることを含み得る。表面から溶融残留ターゲット材料を除去するステップは、溶融残留ターゲット材料を表面から流すことを含み得る。除去するステップの後に、除去した溶融残留ターゲット材料をレセプタクルへ流すステップを更に含み得る。
【００２０】
[00020]  本発明の更なる実施形態、特徴、及び利点、並びに様々な実施形態の構造及び動作は、添付の図面を参照して以下で詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】[00021]  本発明の一態様に従ったレーザ生成プラズマＥＵＶ放射源システムの全体的な広い概念を示す概略的かつ縮尺通りでない図である。
【図２】[00022]  本発明の一態様に従ったレーザ生成プラズマＥＵＶ放射源システムにおいて使用される容器及び排出システムの可能な構成を示す縮尺通りでない図である。
【図３】[00023]  本発明の一態様に従ったレーザ生成プラズマＥＵＶ放射源システムにおいて使用される容器のターゲット材料制御システムの可能な構成を示す縮尺通りでない図である。
【図４Ａ】[00024]  本発明の実施形態の一態様に従ったレーザ生成プラズマＥＵＶ放射源システムにおいて使用される容器の管状部（throat portion）のためのターゲット材料制御システムの可能な構成を示す縮尺通りでない図である。
【図４Ｂ】[00025]  本発明の実施形態の一態様に従ったレーザ生成プラズマＥＵＶ放射源システムにおいて使用される容器の管状部のためのターゲット材料制御システムの別の可能な構成を示す縮尺通りでない図である。
【図５Ａ】[00026]  本発明の実施形態の一態様に従ったレーザ生成プラズマＥＵＶ放射源システムにおいて使用される容器の管状部のためのターゲット材料制御システム要素の別の可能な構成を示す縮尺通りでない図である。
【図５Ｂ】[00027]  図５Ａの構成の上面図である。
【図６】[00028]  本発明の実施形態の一態様に従ったレーザ生成プラズマＥＵＶ放射源システムにおいて使用される容器の管状部のためのターゲット材料制御システム要素の追加要素を示す縮尺通りでない図である。
【００２２】
[0029]  本発明の別の特徴及び利点並びに本発明の様々な実施形態の構造及び作用は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書に記載する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に記載されている。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者はさらなる実施形態を容易に思いつくであろう。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
[00030]  これより図面を参照して様々な実施形態について記載する。図面全体を通して、同様の参照番号を用いて同様の要素を指し示す。以下の記載では、説明の目的で、１つ以上の実施形態の完全な理解を促進するために多数の具体的な詳細事項について述べる。しかしながら、いくつかの又は全ての場合において、以下に記載されるいずれの実施形態も、以下に記載されるそのような具体的な設計上の詳細事項を採用することなく実施可能であることは明らかであろう。場合によっては、１つ以上の実施形態の記載を容易にするため、周知の構造及びデバイスはブロック図の形態で示される。
【００２４】
[00031]  このような実施形態を詳述する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示の環境を提示することが有用であろう。以下の記載及び特許請求の範囲において、「上方（up）」、「下方（down）」、「上（top）」、「下（bottom）」、「垂直方向（vertical）」、「水平方向（horizontal）」等の用語を使用することがある。これらの用語は、特に別の意図が示されない限り相対的な向きだけを示し、重力に対する向きのような絶対的な向きは示さないことが意図される。
【００２５】
[00032]  まず図１を参照すると、本発明の実施形態の一態様に従った、例えばレーザ生成プラズマＥＵＶ放射源１０のような例示的なＥＵＶ放射源の概略図が示されている。図示のように、ＥＵＶ放射源１０はパルス又は連続レーザ源２２を含むことができる。これは例えば、１０．６μｍ又は１μｍの放射ビーム１２を生成するパルスガス放電ＣＯ２レーザ源とすればよい。パルスガス放電ＣＯ２レーザ源は、高パワーかつ高パルス繰り返し率で動作するＤＣ又はＲＦ励起を有し得る。
【００２６】
[00033]  ＥＵＶ放射源１０は、ターゲット材料を液滴又は連続液体流の形態で送出するためのターゲットデリバリシステム２４も含む。この例ではターゲット材料は液体であるが、固体又は気体であってもよい。ターゲット材料はスズ又はスズ化合物で構成することができるが、他の材料も使用可能である。図示されているシステムにおいてターゲット材料デリバリシステム２４は、ターゲット材料の小滴１４を、真空チャンバ２６の内部の照射領域２８へ導入する。ここでターゲット材料を照射してプラズマを生成することができる。真空チャンバ２６はライナを備えることができる。場合によっては、ターゲット材料に電荷を与えて、ターゲット材料を照射領域２８へ向かうように又は照射領域２８から離れるように誘導を可能とする。本明細書で用いる場合、照射領域は、ターゲット材料照射が発生する可能性のある領域又は発生することが意図された領域であり、実際には照射が発生していないときであっても照射領域であることに留意するべきである。ＥＵＶ光源は、ビームステアリングシステム３２も含むことができる。
【００２７】
[00034]  図示されているシステム内のコンポーネントは、小滴１４が実質的に水平方向に進むよう配置されている。レーザ源２２から照射領域２８へ向かう方向、すなわちビーム１２の公称伝搬方向を、Ｚ軸と考えることができる。小滴１４がターゲット材料デリバリシステム２４から照射領域２８まで進む経路を、Ｘ軸と考えることができる。従って、図１の図はＸＺ面に対して垂直である。ＥＵＶ放射源１０の向きは、好ましくは図示のように重力に対して回転している。矢印Ｇは、重力の下方に関して好ましい向きを示す。この向きはＥＵＶ源に適用されるが、必ずしもスキャナ等の光学的に下流のコンポーネントに適用されるわけではない。また、小滴１４が実質的に水平方向に進むシステムが図示されているが、小滴が垂直方向に進むか、又は重力に対して９０度（水平方向）と０度（垂直方向）との間の（これらの角度を含む）角度で進む他の構成も使用可能であることは、当業者によって理解されよう。
【００２８】
[00035]  ＥＵＶ放射源１０は、ビームステアリングシステム３２と共に、ＥＵＶ光源コントローラシステム６０、レーザ発射制御システム６５も含むことができる。また、ＥＵＶ放射源１０は、１つ以上の小滴結像器（imager）７０を含み得るターゲット位置検出システムのような検出器も含むことができる。小滴結像器は、例えば照射領域２８に対するターゲット小滴の絶対位置又は相対位置を示す出力を発生し、この出力をターゲット位置検出フィードバックシステム６２に提供する。
【００２９】
[00036]  図１に示されているように、ターゲット材料デリバリシステム２４はターゲットデリバリ制御システム９０を含むことができる。ターゲットデリバリ制御システム９０は例えば、上述したターゲット誤差、又はシステムコントローラ６０によって与えられたターゲット誤差から導出された何らかの量のような信号に応答して動作し、照射領域２８を通るターゲット小滴１４の経路を調節する。これは例えば、ターゲットデリバリ機構９２がターゲット小滴１４を解放するポイントを再位置決めすることによって達成できる。小滴解放ポイントは、例えばターゲットデリバリ機構９２を傾斜させること又はターゲットデリバリ機構９２を横方向に並進させることにより再位置決めできる。ターゲットデリバリ機構９２はチャンバ２６内まで延出しており、好ましくは外部から、ターゲット材料と、ターゲットデリバリ機構９２内のターゲット材料を圧力下に置くためのガス源と、が供給される。
【００３０】
[00037]  引き続き図１を見ると、放射源１０は１つ以上の光学要素も含むことができる。以下の検討では、そのような光学要素の一例としてコレクタ３０が使用されるが、以下の検討は他の光学要素にも当てはまる。コレクタ３０は法線入射リフレクタとすることができ、例えばＭＬＭとして実施され、例えばＢ４Ｃ、ＺｒＣ、Ｓｉ３Ｎ４、又はＣのような追加の薄いバリア層が各界面に堆積されて、熱的に誘導される層間拡散を効果的に阻止する。アルミニウム（Ａｌ）又はシリコン（Ｓｉ）のような他の基板材料も使用可能である。コレクタ３０は、扁長楕円（prolate ellipsoid）の形態とすることができ、中央の開口がレーザ放射１２を通過させて照射領域２８に到達させる。コレクタ３０は例えば、第１の焦点が照射領域２８にあり、第２の焦点がいわゆる中間ポイント４０（中間焦点４０とも呼ばれる）にある楕円形とすればよい。中間ポイント４０において、ＥＵＶ放射はＥＵＶ放射源１０から出力し、例えば集積回路リソグラフィスキャナ５０に入力することができる。集積回路リソグラフィスキャナ５０は、この放射を使用して、例えばレチクル又はマスク５４を用いた既知の方法でシリコンウェーハワークピース５２を処理する。次いでシリコンウェーハワークピース５２は、集積回路デバイスを得るため既知の方法で更に処理される。
【００３１】
[00038]  図１の構成は温度センサ３４も含む。これは例えば、局所温度、すなわちこのセンサにおけるチャンバ２６内のガスの温度を測定するため、チャンバ２６内に配置された熱電対である。図１は１つの温度センサを示すが、追加の温度センサを使用できることは認められよう。温度センサ３４は、測定温度を示す信号を発生し、これを追加の入力としてコントローラ６０に供給する。コントローラ６０は、少なくとも部分的にこの温度信号に基づいて、ビームステアリングシステム３２に供給する制御信号を発生する。
【００３２】
[00039]  コレクタの直上の容器の壁にターゲット材料デブリが堆積すると、ターゲット材料がコレクタに滴下するリスクが生じる。図２の黒い二重矢印は、デブリ伝搬の方向を示す。白い矢印は、コレクタ３０から離れる方向にＨ２を流すための好適な構成を示す。要素４２は、Ｈ２から汚染物質を除去するためのスクラバである。矢印Ｇは重力の方向を示す。また、放射源１０とスキャナ５０との間の分割を示すライン１３も示されている。
【００３３】
[00040]  図３は、大きい管状エリアを備えた非対称排出部を有するチャンバ設計を示す。図３の設計は２つの排出口６０を有する。この設計では、この大きい管状部の反対の排気マニホルドの壁の位置７０に、大量のスズが堆積する可能性がある。この表面がスズの融点よりも高い温度に維持された場合、溶融スズのしぶきがコレクタにかかる恐れがある。
【００３４】
[00041]  本発明の実施形態の一態様に従ったシステムでは、液体スズのしぶきがチャンバ内部又はコレクタにかかる可能性が無いか又はその可能性が低い位置で、スズを溶融させるか又は液体状態に維持する。高い流れ伝導性（flow conductance）を維持することができ、排出ガスは洗い流される（scrub）。別の態様によれば、インシチュで（in situ）放射源の動作中にスズを排出することができる。
【００３５】
[00042]  そのようなシステムの一例が図４Ａに示されている。照射領域２８からのスズデブリは、２つの加熱されたスクラバ８０によって捕捉される。これらのスクラバ８０は、各ホットゾーンに配置され、排出プレナム壁８６を少なくとも部分的に覆っているライナ８４を含むチャンバ２６の内面８４にしぶきがかかることから完全に守られている。スクラバ８０に隣接したライナ８４の部分８８を融点よりも高温に加熱して、余分な固体スズを「滴下させる（drip off）」ことができる。これらの表面も、コレクタにしぶきがかかることから守られている。
【００３６】
[00043]  更に図４Ａに示されている通り、この構成は、排出プレナムの後壁又は外壁９４の一部を覆っているエンドレスベルト９０を含む。このベルト９０の間には冷たい（例えば水冷）プレート９２が挟まれており、これらは、表面をスズの融点よりも充分に低い温度に維持するため接触しているか又はほぼ接触している。従って、このエリアに入ってくる固体スズ粒子は固体のままであり、このエリアに入ってくるスズ蒸気は固体になる。
【００３７】
[00044]  この固体スズを高温のスクラバ８０へ運ぶように、ベルト９０を連続的に移動させること、間欠的に移動させること、一定周期で段階的に前進させること等が可能である。エンドレスベルト９０が高温のスクラバ８０に当たると、加熱されたドクターブレードがスズを溶融し、ベルト９０をこすってきれいにすることができ、ベルト９０は、更にスズを収集するための堆積エリアへ戻る。この構成によって、スズのしぶきがコレクタ又はライナにかからないことを保証する。ベルト９０は好ましくは、管状エリアのような、最も多いスズ堆積量が予想されるエリアに配置される。
【００３８】
[00045]  このようなシステムの別の例が図４Ｂに示されている。この場合も、照射領域２８からのスズデブリは、各ホットゾーンに配置された、ライナ８６の内面８４及びコレクタにしぶきがかかることから完全に守られている２つの加熱されたスクラバ８０によって捕捉される。更に図４Ｂに示されている通り、この構成は、排出プレナムの壁上で管状部出口に位置決めされたくさび形誘導デバイス（diverter）９６を含む。誘導デバイス９６は、照射領域２８からのデブリの流れ（白い矢印）を、照射領域２８から遮蔽された排出マニホルド部分へ向かわせる（湾曲矢印）。運ばれる／堆積している溶融スズのしぶきの方向は、スクラバ８０へ向かうが、真空容器の内部へは戻らない傾向がある。誘導デバイス９４は、その形状により、排出ガス及び運ばれるデブリの流れを管状部出口の後壁から離れる方に変えて、直接スクラバ内へ誘導する。通常、誘導デバイス９６はターゲット材料の融点未満の温度に冷却されるが、スズ融点よりも高い温度に加熱して、誘導デバイス９６上に蓄積した固体スズをスズドレインへ流すことも可能である。スズの大部分は、チャンバ２６の内部から離れた方を向いている誘導デバイス９６の表面に対して垂直にしぶきを生じるので、ツール内の光学系へ進むしぶき量は大幅に制限される。
【００３９】
[00046]  大きい管状部への開口におけるライナの屋根部に、何らかの注意を払わなければならない。これらの屋根及び床のエリアは通常、できる限りコレクタ／ライナを保護するため、傾斜させると共にくぼませる。
【００４０】
[00047]  堆積の多い他のエリアを水冷シールドで覆うことも可能である。このシールドは、滴下のため、ヒンジによって開口の後方へ回転させることができる。このような構成が図５Ａ及び図５Ｂに示されている。図５Ａはシールド１１０を備えた管状エリアを示す。シールド１１０はヒンジ１１２によって管状部の壁に接続されており、開口の後方へ枢動させて（pivot）、加熱によりスズを滴下させる位置（仮想線で示されている）に置くことができる。図５Ｂは図５Ａの構成の上面図であり、ヒンジ１１２を中心としたシールド１１０の回転を示す。これらのシールド１１０は、伝導性に対する悪影響を最小限に抑えるように、かつ、液体スズのしぶきがコレクタ又はライナへの開けた経路を持たないように、位置決めすることができる。
【００４１】
[00048]  この開示の精神を表す上記の実施形態に対する変形が可能である。開示されている実施形態の一態様によれば、固体スズ温度表面は、ライナ及びコレクタにしぶきをかける可能性のあるエリアに提示される。次いで、表面の温度サイクリング、すなわち表面の温度をスズの融点よりも高い温度まで一時的に上昇させることを含むいくつかの方法のうちいずれかによって、スズを除去することができる。この代わりに又はこれに加えて、表面を滴下のための遮蔽位置に移動させるか、又は滴下中に覆うことも可能である。別の態様によれば、液体スズはガスの流れから回収され（洗い落とされ）、ドレインのため適切な隔離位置（例えば、コレクタ又はライナへの開けた経路が存在しない）へ送出される。スクラバの上流の壁は、スズが滴下できる温度に維持することができる。別の態様によれば、極めて堆積の多いエリアでは、温度サイクリング、滴下のため安全な位置にライナ部分を移動させること、クリーニングのため及びクリーンな状態を維持するためのイオン発生、又は滴下中の部分カバーを使用することができる。
【００４２】
[00049]  図６は、プラズマのオンとオフとの間、すなわちプラズマが生成されているときと生成されていないときのデブリ超過量を制限するため、チャンバのできる限り上方の位置に管状部１００を移動させた実施形態を示す。これによってデブリ排出効率が増大し、内壁表面に堆積するデブリ量が制限される。この実施形態では、図４Ａの実施形態のエンドレスベルト９０を使用するか、又は加熱プレートを管状部１００の出力に配置することができる。排出マニホルドは、円形に（パイプ状に）作製され、従って矩形スクラバでなく丸いスクラバ１１０を有することができる。スズドレイン１１５は溶融スズを収集し、これをスズバケット又はレセプタクル１１７に送る。フリーズバルブ１１９によって、放射源の動作を妨げることなく、導管１２１を介してスズレセプタクル１１７を空にすることができる。スズドレインは放射源の両側に配置することができる。
【００４３】
[00050]  上記の記載は１つ以上の実施形態の例を含む。むろん、上記の実施形態を説明する目的でコンポーネント又は方法の全ての考えられる組み合わせを記載することは不可能であり、当業者には、様々な実施形態の多くの他の組み合わせ及び並べ替えが可能であることは認められよう。従って、記載されている実施形態は、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲内に該当する全てのそのような代替、修正、及び変形を包含することが意図されている。更に、「含む（include）」という用語が発明を実施するための形態又は特許請求の範囲のいずれかで使用される限り、このような用語は、「備える（comprising）」という用語が特許請求項において移行語として使用される場合に解釈されるのと同様に、包括的（inclusive）であることが意図される。更に、記載されている態様及び／又は実施形態の要素は単数形で記載又は特許請求され得るが、単数に対する限定が明示的に述べられていない限り、複数形も想定される。更に、特に明記しない限り、任意の態様及び／又は実施形態の全て又は一部を、任意の他の態様及び／又は実施形態の全て又は一部と共に利用することができる。
【００４４】
[00051]  本発明の他の態様は以下の番号を付けた条項に述べられている。
１．ＥＵＶ放射を発生させるための装置であって、
容器と、
照射領域から残留ターゲット材料を収集するように構成された第１の位置と、第１の位置で収集された残留ターゲット材料を解放するように構成された、容器の壁の少なくとも一部の内部から遮蔽された第２の位置と、を有する残留ターゲット材料収集面と、
残留ターゲット材料収集面を第１の位置においてターゲット材料の融点よりも低い温度に維持すると共に第２の位置においてターゲット材料の融点よりも高い温度に維持するように構成された温度コントローラと、
を備える装置。
２．残留ターゲット材料収集面はベルトの表面を含む、条項１に記載の装置。
３．ベルトは第１の位置において冷却されると共に第２の位置において加熱される、条項２に記載の装置。
４．第２の位置におけるベルトに隣接して位置決めされ、ベルトから残留ターゲット材料を除去するように構成された少なくとも１つのスクラバを更に備える、条項２に記載の装置。
５．少なくとも１つのスクラバは、ベルトから除去された残留ターゲット材料が重力によってレセプタクルへ流れるように位置決めされている、条項４に記載の装置。
６．チャンバと流体連通しているチャンバ排出マニホルドを更に備える、条項１に記載の装置。
７．チャンバ排出マニホルドはライナを有し、ライナの少なくとも一部は加熱される、条項６に記載の装置。
８．残留ターゲット材料収集面はシールドを含む、条項１に記載の装置。
９．シールドは第１の位置において冷却されると共に第２の位置において加熱される、条項８に記載の装置。
１０．シールドは第１の位置から第２の位置へ枢動するように構成されている、条項８に記載の装置。
１１．シールドは第１の位置から第２の位置へ横方向に移動するように構成されている、条項８に記載の装置。
１２．第２の位置は、溶融残留ターゲット材料がシールドから重力によってレセプタクルへ流れるように選択される、条項８に記載の装置。
１３．チャンバと流体連通しているチャンバ排出マニホルドを更に備える、条項８に記載の装置。
１４．チャンバ排出マニホルドはライナを有し、ライナの少なくとも一部は加熱される、条項１３に記載の装置。
１５．ＥＵＶ放射を発生させるための装置において残留ターゲット材料を収集する方法であって、
第１の位置における表面上に残留ターゲット材料を蓄積させるステップであって、表面はターゲット材料の融点よりも低い温度である、ステップと、
表面を、表面が残留ターゲット材料の融点よりも高い温度である第２の位置に移動させて、残留ターゲット材料を溶融させるステップと、
表面から溶融残留ターゲット材料を除去するステップと、
を含む方法。
１６．表面から溶融残留ターゲット材料を除去するステップは、表面から溶融残留ターゲット材料をこすることを含む、条項１５に記載の方法。
１７．表面から溶融残留ターゲット材料を除去するステップは、溶融残留ターゲット材料を表面から流すことを含む、条項１５に記載の方法。
１８．除去するステップの後に、除去した溶融残留ターゲット材料をレセプタクルへ流すステップを更に含む、条項１５に記載の方法。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【国際調査報告】
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