(57)【要約】  本開示は、膠芽腫等のEGFR発現腫瘍及び/又は腫瘍細胞を宿す患者においてがんを処置する方法であって、(i)EGFR発現腫瘍又はがん細胞を含む標的区域にAC電場を印加することと、(ii)有効量のデパツキシズマブマホドチンを投与することとの組合せを含む、方法を提供する。
2021503360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
EGFR発現腫瘍を宿す患者においてがんを処置する方法であって、
(i)EGFR発現腫瘍又はがん細胞を含む標的区域にAC電場を印加すること、及び
(ii)有効量のデパツキシズマブマホドチンを投与すること
を含む、方法。
【請求項２】
がんが変異EGFRvIIIを発現する、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
がんが膠芽腫である、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
電場が50kHz〜500kHzの周波数を有する、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
電場が100kHz〜300kHzの周波数を有する、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
電場が約200kHzの周波数を有する、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
標的領域の少なくとも一部分における電場の強度が約1V/cm〜約5V/cmである、請求項4に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも2つの異なる周波数が標的領域中に与えられる、請求項4に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも2つの異なる周波数が標的領域中に与えられる、請求項5に記載の方法。
【請求項１０】
腫瘍成長を阻害する方法であって、
(i)EGFR発現腫瘍又はがん細胞を含む標的区域にAC電場を印加すること、及び
(ii)有効量のデパツキシズマブマホドチンを投与すること
を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、米国特許法第119条(e)の下で、2017年11月17日に出願された米国仮出願第562/587,830号に基づく利益を主張する。参照出願の全教示は参照することにより全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
分野
本開示は、デパツキシズマブマホドチンと腫瘍処置フィールドとの組合せを使用してがん、特に、膠芽腫を処置する方法を特徴とする。
【背景技術】
【０００３】
抗体-薬物コンジュゲート(ADC)は、モノクローナル抗体(mAb)の標的化特異性を強力な小分子の細胞傷害性と組み合わせた、急速に拡大しつつあるがん療法のクラスである。ADCの確固とした臨床的な利点は、毒性ペイロードを腫瘍に直接的に送達して、細胞内シグナル伝達に関する下流の抵抗性機序を回避する能力である。
【０００４】
腫瘍処置フィールド、すなわちTTフィールドは、低強度(例えば、1〜3V/cm)の、中間周波数範囲内(100〜300kHz)の交流電場である。この非侵襲性処置は固形腫瘍を標的化し、例えば、参照することにより全体が本明細書に組み込まれる米国特許第7,565,205号に記載されている。TTフィールドは、有糸分裂のために必要とされる鍵となる分子のアセンブリーに干渉する物理的相互作用を通じて細胞分裂を妨害する。TTフィールド療法は、再発性膠芽腫のための承認された単独処置であり、かつ新たに診断された患者のための化学療法との承認された組合せ療法である。これらの電場は、患者の頭皮上に直接的に置かれたトランスデューサーアレイ(すなわち、電極のアレイ)により非侵襲性に誘導される。TTフィールドはまた、身体の他の部分における腫瘍を処置するためにも有用なようである。
【０００５】
TTフィールドは抗有糸分裂がん処置モダリティーとして確立されており、その理由は、TTフィールドは細胞周期の中期部分の間の適切な微小管アセンブリーに干渉して、細胞周期の終期及び細胞質分裂部分の間の細胞の破壊に最終的に繋がるからである。がん処置のために、腫瘍に最も近接した皮膚領域上に直接的に置かれる容量結合型トランスデューサーを有する非侵襲性デバイスが開発された。有効性は場の強度の増大と共に増大し、最適な周波数はがん細胞種に特異的であり、200kHzが、神経膠腫細胞の阻害が最大であると示されたTTフィールド周波数である。多形膠芽腫(GBM)を有する患者のためにTTフィールド療法を実現するためのデバイスはOptune(商標)と呼ばれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第7,565,205号
【特許文献２】米国特許第5,530,101号
【特許文献３】米国特許第5,585,089号
【特許文献４】米国特許第5,693,761号
【特許文献５】米国特許第5,693,762号
【特許文献６】米国特許第6,180,370号
【特許文献７】EP239400号
【特許文献８】PCT公開WO 91/09967号
【特許文献９】米国特許第5,225,539号
【特許文献１０】EP592106号
【特許文献１１】EP519596号
【特許文献１２】米国特許第5,565,332号
【特許文献１３】米国特許第6,868,289号
【特許文献１４】米国特許第7,016,725号
【特許文献１５】出願公開US2005/0209642号
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Kabatら、Sequences of Proteins of Immunological Interest (National Institute of Health、Bethesda、Md. 1987)
【非特許文献２】Riechmannら、1988年、Nature 332:323〜7頁
【非特許文献３】Padlan、1991年、Mol. Immunol.、28:489〜498頁
【非特許文献４】Studnickaら、1994年、Prot. Eng. 7:805〜814頁
【非特許文献５】Roguskaら、1994年、Proc. Natl. Acad. Sci. 91:969〜973頁
【非特許文献６】Giladi M、Schneiderman RS、Voloshin T、Porat Y、Munster M、Blat Rら、Mitotic Spindle Disruption by Alternating Electric Fields Leads to Improper Chromosome Segregation and Mitotic Catastrophe in Cancer Cells. Sci Rep. 2015年;5: 18046頁
【非特許文献７】Kirson ED、Dbaly V、Tovarys F、Vymazal J、Soustiel JF、Itzhaki Aら、Alternating electric fields arrest cell proliferation in animal tumor models and human brain tumors. Proc Natl Acad Sci USA 2007年; 104(24): 10152〜7頁
【非特許文献８】Larrickら、1992年、Immunological Reviews、69〜85頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
腫瘍処置フィールドベースの療法が利用可能であるにもかかわらず、多形膠芽腫(GBM)は、成人における中枢神経系の最も一般的かつ浸潤性の原発性悪性腫瘍であり続けている。したがって、膠芽腫を処置する効果的な方法の必要性が当該技術分野において依然として存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
複数の実施形態では、本開示は、EGFR発現腫瘍を宿す患者においてがんを処置する方法であって、(i)標的区域(標的区域はEGFR発現腫瘍又はがん細胞を含む)に電場を印加することと、(ii)有効量のデパツキシズマブマホドチンを前述の患者に投与することとの組合せを含む、方法を提供する。複数の実施形態では、がんは変異EGFRvIIIを発現する。複数の実施形態では、がんは膠芽腫である。
【００１０】
複数の実施形態では、本開示は、EGFR発現腫瘍の成長を阻害する方法であって、(i)標的区域(標的区域はEGFR発現腫瘍又はがん細胞を含む)に電場を印加することと、(ii)有効量のデパツキシズマブマホドチンを投与することとの組合せを含む、方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図1A及び図1Bは、U87MG神経膠腫細胞におけるTTフィールドとデパツキシズマブマホドチンとの組合せ処置の有効性を示す。様々なデパツキシズマブマホドチン濃度において生育させたU87 MG神経膠腫細胞をTTフィールド(200kHz、1.6V/cm RMS)を用いて72時間処置した。図1Aにおいて、細胞の数を処置の最後に決定し、対照に対するパーセンテージとして表している。予測される細胞の数は、TTフィールドを単独で印加した場合の生存細胞の割合とデパツキシズマブマホドチンを各濃度において単独で適用した場合の生存細胞の割合と掛けることにより算出した。示されるように、TTフィールドとデパツキシズマブマホドチンとの組合せ処置(「ABT-414」として表す)は、80nM以外の全ての薬物濃度において単独での各処置と比較してU87-MG細胞の数の有意な低減(P<0.001)に繋がった一方、対照Ab095-MMAF ADC(すなわち、「ADC」として表す、破傷風トキソイドを標的化するMMAFベースの抗体コンジュゲート)との組合せはそうならなかった。図1Bにおいて、フローサイトメトリー(7AAD-アネキシンV-(生細胞)、7AAD+/アネキシンV+(後期アポトーシス)、7AAD-/アネキシンV+(早期アポトーシス)、7AAD+/アネキシンV-)を使用してアポトーシスの誘導を試験した。示されるように、全ての試験した濃度において単独での各処置(「ABT」として表す)と比較してTTフィールドとデパツキシズマブマホドチンとの組合せ処置についてアポトーシス(早期及び後期の両方)を起こす細胞の数の急速な増大が見られた一方、対照Ab095-MMAF ADC(すなわち、「ADC」として表す、破傷風トキソイドを標的化するMMAFベースの抗体コンジュゲート)との組合せはそうならなかった。
【図２】図2A及び図2Bは、変異EGFRvIIIを発現する神経膠腫細胞株であるU87MGde2-7細胞におけるTTフィールドとデパツキシズマブマホドチンとの組合せ処置の有効性を示す。様々なデパツキシズマブマホドチン濃度において生育させたU87MGde2-7神経膠腫細胞をTTフィールド(200kHz、1.6V/cm RMS)を用いて72時間処置した。図2Aにおいて、細胞の数を処置の最後に決定し、対照のパーセンテージとして表している。予測される細胞の数は、TTフィールドを単独で印加した場合の生存細胞の割合とデパツキシズマブマホドチンを各濃度において単独で適用した場合の生存細胞の割合と掛けることにより算出した。示されるように、TTフィールドとデパツキシズマブマホドチンとの組合せ処置(「ABT-414」として表す)は、単独でのいずれかの処置と比較してU87MGde2-7細胞の数の有意な低減に繋がった一方、対照Ab095-MMAF ADC(すなわち、「ADC」として表す、破傷風トキソイドを標的化するMMAFベースの抗体コンジュゲート)との組合せはそうならなかった。図2Bにおいて、フローサイトメトリー(7AAD-/アネキシンV-(生細胞)、7AAD+/アネキシンV+(後期アポトーシス)、8AAD-/アネキシンV+(早期アポトーシス)、8AAD+/アネキシンV-)を使用してアポトーシスの誘導を試験した。示されるように、全ての試験した濃度においてTTフィールドとデパツキシズマブマホドチンとの組合せ処置(「ABT」として表す)についてアポトーシス(早期及び後期の両方)を起こす細胞の数の急速な増大が見られた一方、対照Ab095-MMAF ADC(すなわち、「ADC」として表す、破傷風トキソイドを標的化するMMAFベースの抗体コンジュゲート)との組合せはそうならなかった。
【図３】図3は、細胞を選択的に破壊するための1つの例示的な実施形態による電場を印加するための装置の模式的なブロック図である。
【図４】図4は、図3の装置の絶縁された電極の同等の電気回路の簡略化した模式図である。
【図５】図5は、装置を組み込み、かつ腫瘍等を処置するために皮膚表面に置くための皮膚パッチの断面図である。
【図６】図6は、腫瘍等を処置するために身体内に埋め込まれる、絶縁された電極の断面図である。
【図７】図7A〜図7Dは、図3の装置の絶縁された電極の様々な構築の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
定義
本開示がより容易に理解され得るために、ある特定の用語を最初に定義する。加えて、パラメーターの値の範囲が記載される場合には常に、記載される値の中間の値及び範囲もまた本開示の部分であることが意図されることが留意されるべきである。
【００１３】
「処置する」、「処置すること」及び「処置」という用語は、疾患及び/又はその付随する症状を軽減又は阻害する方法を指す。
【００１４】
「対象」という用語は、哺乳動物等の動物を含むように定義され、哺乳動物としては、霊長動物(例えば、ヒト)、ウシ、ヒツジ、ヤギ、ウマ、イヌ、ネコ、ウサギ、ラット、及びマウス等が挙げられるがそれに限定されない。複数の実施形態では、対象はヒトである。
【００１５】
「患者」及び「対象」という用語は、本明細書において交換可能に使用される。
【００１６】
「抗上皮成長因子抗体薬物コンジュゲート」又は「抗EGFR抗体薬物コンジュゲート」及び「抗EGFR ADC」という用語は、本明細書において交換可能に使用され、EGFRに特異的に結合する抗体を含む抗体-薬物コンジュゲートであって、抗体が薬物、例えば、アウリスタチン(例えば、モノメチルアウリスタチンF)等の細胞傷害剤に共役されているものを指す。複数の実施形態では、抗EGFR抗体は、マレイミドカプロイル(mc)連結を介してMMAFに共役されている。複数の実施形態では、抗EGFR抗体はデパツキシズマブマホドチンである。
【００１７】
「アウリスタチン」という用語は、本明細書において使用される場合、抗有糸分裂剤のファミリーを指す。アウリスタチン誘導体もまた「アウリスタチン」の定義に含まれる。アウリスタチンの例としては、例えば、アウリスタチンE(AE)、モノメチルアウリスタチンE(MMAE)、モノメチルアウリスタチンF(MMAF)、及びドラスタチンの合成アナログが挙げられる。
【００１８】
「抗EGFR抗体」という用語は、EGFRに特異的に結合する抗体を指す。目的の抗原、例えば、EGFRに「結合する」抗体は、抗体が抗原を発現する細胞の標的化において有用であるように充分な親和性でその抗原に結合することができる抗体である。
【００１９】
「抗体」という用語は、4つのポリペプチド鎖、2つの重(H)鎖、及び2つの軽(L)鎖を一般的に含む、免疫グロブリン(Ig)分子を広く指す。抗体は、軽鎖可変ドメイン及び重鎖可変ドメインの両方において、超可変領域としても公知の相補性決定領域(CDR)を含む。可変ドメインのより高度に保存された部分はフレームワーク(FR)と呼ばれる。当該技術分野において公知のように、抗体の超可変領域の輪郭を示すアミノ酸の位置/境界は、文脈及び当該技術分野において公知の様々な定義に依存して、変化し得る。可変ドメイン内の幾つかの位置は、1つのセットの基準の下で超可変領域内であると考えられ得るが、異なるセットの基準の下で超可変領域の外側であると考えられるという点で、ハイブリッドの超可変位置として見ることができる。これらの位置の1つ又は複数はまた、拡張された超可変領域中に見出され得る。天然の重鎖及び軽鎖の可変ドメインはそれぞれ、大部分はβシート構成を採用することにより、3つのCDRにより接続された4つのFR領域を含み、CDRは、βシート構造を接続するループを形成し、一部の場合には、βシート構造の一部を形成するループを形成する。各鎖中のCDRは、FR領域により近接しかつ他の鎖からのCDRと共に、一緒に保持され、抗体の抗原結合部位の形成に寄与する。Kabatら、Sequences of Proteins of Immunological Interest (National Institute of Health, Bethesda, Md. 1987)を参照のこと。本明細書において使用される場合、免疫グロブリンアミノ酸残基のナンバリングは、他に表わさなければ、Kabatらの免疫グロブリンアミノ酸残基ナンバリングシステムにしたがって為される。
【００２０】
本明細書において使用される「モノクローナル抗体」という用語は、ハイブリドーマ技術を通じて製造される抗体に限定されない。モノクローナル抗体は、当該技術分野において利用可能な又は公知の任意の手段により、任意の真核、原核、又はファージクローンといった単一クローンに由来する。本開示と共に有用なモノクローナル抗体は、ハイブリドーマ、組換え及びファージディスプレイ技術、又はそれらの組合せの使用を含む当該技術分野において公知の多様な技術を使用して調製され得る。ヒトにおける抗EGFR抗体を含むADCのin vivoでの使用を含む本開示の多くの使用において、キメラ、霊長動物化、ヒト化、又はヒト抗体は、好適に使用され得る。
【００２１】
「ヒト化」型の非ヒト(例えば、マウス)抗体は、非ヒト免疫グロブリンに由来する最小配列を含有するキメラ免疫グロブリンである。一般に、ヒト化抗体は、少なくとも1つ、典型的には2つの、可変ドメインの実質的に全てを含み、CDR領域の全て又は実質的に全ては非ヒト免疫グロブリンのものに対応し、かつ、FR領域の全て又は実質的に全てはヒト免疫グロブリン配列のものである。ヒト化抗体はまた、免疫グロブリン定常領域(Fc)の少なくとも一部分、典型的にはヒト免疫グロブリンコンセンサス配列のものを含み得る。抗体ヒト化の方法は当該技術分野において公知である。例えば、Riechmannら、1988年、Nature 332:323〜7頁;Queenらによる米国特許第5,530,101号、第5,585,089号、第5,693,761号、第5,693,762号及び第6,180,370号;EP239400号;PCT公開WO 91/09967号;米国特許第5,225,539号;EP592106号;EP519596号;Padlan、1991年、Mol. Immunol.、28:489〜498頁;Studnickaら、1994年、Prot. Eng. 7:805〜814頁;Roguskaら、1994年、Proc. Natl. Acad. Sci. 91:969〜973頁;及び米国特許第5,565,332号(これらの全ては参照することにより全体が本明細書に組み込まれる)を参照のこと。
【００２２】
本開示の抗EGFR ADCは、全長(インタクト)抗体分子の他に、EGFRに特異的に結合することができる抗原結合断片を含んでもよい。抗体結合断片の例としては、限定ではなく例として、Fab、Fab'、F(ab')2、Fv断片、単鎖Fv断片及び単一ドメイン断片が挙げられる。
【００２３】
本明細書において使用される場合、「有効量」又は「療法的有効量」という用語は、障害、例えば、がん、若しくはその1つ若しくは複数の症状の重篤度及び/若しくは継続期間を低減若しくは改善し、障害の進行を予防し、障害の退化を引き起こし、障害と関連付けられる1つ若しくは複数の症状の再発、進展、発症若しくは進行を予防し、障害を検出し、又は別の療法(例えば、予防若しくは処置剤)の予防法若しくは療法の効果を増進若しくは向上させるために充分な薬物(例えば、デパツキシズマブマホドチン等のADC)の量を指す。有効量のADCは、例えば、腫瘍成長を阻害し(例えば、腫瘍体積の増大を阻害し)、腫瘍成長を減少させ(例えば、腫瘍体積を減少させ)、がん細胞の数を低減し、かつ/又はがんと関連付けられる症状の1つ若しくは複数をある程度まで緩和するものであってもよい。有効量は、例えば、無病生存(DFS)を向上させ、全生存(OS)を向上させ、又は再発の可能性を減少させるものであってもよい。
【００２４】
「組合せ」又は「組合せ療法」という用語は、2つ又はそれより多くの療法、例えば、デパツキシズマブマホドチン及びTTフィールドを投与することを指す。2つの療法は付随的に投与されてもよく、その場合、両方の療法は一緒に若しくは実質的に一緒に投与され、又は逐次的に投与されてもよく、その場合、1つの療法が他の療法の前に投与されてもよい。
【００２５】
「EGFR発現腫瘍」又は「EGFR発現を有するがん」という用語は、上皮成長因子受容体(EGFR)タンパク質を発現する腫瘍を指す。一実施形態では、腫瘍中のEGFR発現は腫瘍細胞膜の免疫組織化学染色を使用して決定され、腫瘍試料中のバックグラウンドレベルより高い任意の免疫組織化学染色は腫瘍がEGFR発現腫瘍であることを表す。腫瘍中のEGFRの発現を検出する方法は当該技術分野において公知であり、例えば、EGFR pharmDx(商標) Kit(Dako社)である。対照的に、「EGFR陰性腫瘍」は、免疫組織化学技術により決定されるような腫瘍試料中のバックグラウンドより高いEGFR膜染色が存在しない腫瘍として定義される。
【００２６】
本明細書において使用される「EGFRvIII陽性腫瘍」又は「EGFRvIII発現を有するがん」という用語は、EGFRvIIIと称される特定の変異を含有する上皮成長因子受容体(EGFR)タンパク質を発現する腫瘍を指す。一実施形態では、腫瘍中のEGFRvIII発現は腫瘍細胞膜の免疫組織化学染色を使用して決定され、腫瘍試料中のバックグラウンドレベルより高い任意の免疫組織化学染色は腫瘍がEGFRvIII発現腫瘍であることを表す。腫瘍中のEGFRの発現を検出する方法は当該技術分野において公知であり、免疫組織化学アッセイが挙げられる。対照的に、「EGFRvIII陰性腫瘍」は、免疫組織化学技術により決定されるような腫瘍試料中のバックグラウンドより高いEGFRvIII膜染色が存在しない腫瘍として定義される。
【００２７】
「過剰発現する」、「過剰発現」、又は「過剰発現される」という用語は、正常細胞と比較して、通常はがん細胞中で、検出可能な、より高いレベルにおいて転写又は翻訳される遺伝子を交換可能に指す。過剰発現は、したがって、タンパク質及びRNAの両方の過剰発現(増大した転写、転写後プロセシング、翻訳、翻訳後プロセシング、変化した安定性、及び変化したタンパク質分解に起因する)と同様に、変化したタンパク質トラフィックパターンに起因する局所的な過剰発現(増大した核局在性)、及び増強した機能的活性、例えば、基質の増大した酵素加水分解におけるものを指す。したがって、過剰発現は、タンパク質又はRNAのいずれかのレベルを指す。過剰発現はまた、正常細胞又は比較細胞と比較して50%、60%、70%、80%、90%又はより高いものであり得る。ある特定の実施形態では、本明細書に記載の方法は、EGFRを過剰発現する可能性がある固形腫瘍を処置するために使用される。
【００２８】
本明細書において使用される「投与する」という用語は、療法の目的(例えば、EGFR関連障害の処置)を達成するための物質(例えば、デパツキシズマブマホドチン等の抗EGFR ADC)の送達を指すことが意図される。投与の様式は、非経口、腸内、及び局所的なものであり得る。非経口投与は通常は注射により為され、静脈内、筋肉内、動脈内、くも膜下腔内、嚢内、眼窩内、心臓内、皮内、腹腔内、経気管、皮下、表皮下、関節内、被膜下、くも膜下、髄腔内及び胸骨内の注射及び注入が挙げられるがそれに限定されない。
【００２９】
デパツキシズマブマホドチン(「depatux-m」又は「ABT-414」とも称され、本開示の図面において「ABT」とも略記される)は、EGFRを標的化する抗体-薬物コンジュゲート(ADC)である。それは、安定なマレイミドカプロイル連結を介してチューブリン阻害剤モノメチルアウリスタチンFに共役したEGFR IgG1モノクローナル抗体(デパツキシズマブ)から構成される。デパツキシズマブマホドチンは、がんを処置するために検討されており、特に、1L及び2L膠芽腫(GBM)並びに固形腫瘍は現在、臨床試験が行われている。例えば、M12-356は、EGFR増幅rGBMを有する66人の患者が2週毎の1.25mg/kgのdepatux-mを用いて処置された3つの漸増及び拡大コホートを有するオープンラベル研究である。
【００３０】
本明細書において使用される「TTフィールド」という用語は、腫瘍処置フィールドを指すことが意図され、一般的には、がんを処置するための交流電場の使用を指す。米国特許第6,868,289号及び米国特許第7,016,725号(これらのそれぞれは参照することにより全体が本明細書に組み込まれる)は、50kHz〜500kHzの周波数において1〜10V/cmの範囲内のAC電場を使用して腫瘍を処置するための方法及び装置を開示し、かつ1つより多くの場方向が使用される場合(例えば、互いから約90°離れて方向づけられた2つ又は3つの方向の間で場が切り換えられる場合)にそれらの場の有効性は増大することを開示している。本開示の目的のために、「TTフィールド」の定義はがんの処置のためのOPTUNE(登録商標)デバイスの使用を包含する。
【００３１】
複数の実施形態では、本開示は、EGFRを発現するがんの処置方法であって、腫瘍処置フィールド(TTフィールド)及び有効量のデパツキシズマブマホドチンを投与することを含む、方法に関する。複数の実施形態では、がんは変異EGFRvIIIを発現する。複数の実施形態では、がんは膠芽腫である。
【００３２】
複数の実施形態では、本開示は、EGFR発現腫瘍を宿す患者におけるがんの処置方法であって、(i)EGFR発現腫瘍又はがん細胞を含む標的区域にAC電場を投与することと、(ii)アウリスタチンに共役した有効量の抗EGFR抗体を投与することとの組合せを含む、方法に関する。複数の実施形態では、アウリスタチンはMMAFである。複数の実施形態では、MMAFは、マレイミドカプロイルリンカーを用いて抗体に共役されている。複数の実施形態では、抗EGFR抗体は、配列番号:3、4、及び5に示すアミノ酸配列を含む相補性決定領域(CDR)を含む重鎖可変領域、並びに配列番号:8、9、及び10に示すアミノ酸配列を含むCDRを含む軽鎖可変領域を含む。複数の実施形態では、抗EGFR抗体は、配列番号:2に示すアミノ酸配列を含む重鎖可変領域、及び配列番号:7に示すアミノ酸配列を含む軽鎖可変領域を含む。複数の実施形態では、抗EGFR抗体は、配列番号:1に示すアミノ酸配列を含む重鎖、及び配列番号:6に示すアミノ酸配列を含む軽鎖を含む。複数の実施形態では、アウリスタチンに共役した抗EGFR抗体はデパツキシズマブマホドチンである。
【００３３】
図3は、組み合わせたTTフィールド及び薬物療法(例えば、抗EGFR ADC、例えば、デパツキシズマブマホドチン)を用いる生きた患者の処置において使用するために好適な装置の例であり、組み合わせたTTフィールド及び薬物療法を実行するために任意の従来の薬物送達機構(図示せず)と組み合わせて使用されてもよい。図3は、電子装置200の単純な構成図であり、その主な構成要素を示す。電子装置200は、所望の電気波形を生成する。装置200は、発電機210、及び発電機210に、その1つの端部において取り付けられた一対の導電リード220を含む。リード220の反対の端部は、電気信号(例えば、波形)により作動される絶縁された導体230に接続されている。絶縁された導体230はまた、以下においてアイソレクト(isolect)230とも称される。任意選択的に、別の実施形態によれば、装置200は、温度センサー240及び制御ボックス250を含み、これらの両方は、処置される区域において過度の加熱を生成しないように、生成される電場の振幅を制御するために加えられる。
【００３４】
発電機210は、約50KHz〜約500KHz(例えば、約100KHz〜約300KHz)の範囲内の周波数において交流電圧波形を生成する。必要とされる電圧は、処置される組織中の電場強度が、約0.1V/cm〜約10V/cm、例えば、約1V/cm〜約5V/cmの範囲内となるようなものである。この場を達成するために、アイソレクト230中の2つの導体間の実際の電位差は、以下に記載されるように、システム構成要素の相対インピーダンスにより決定される。
【００３５】
制御ボックス250が含まれる場合、それは、ユーザーにより予め設定された値において一定のままとなるように発電機210の出力を制御し、又は制御ボックス250は過度の加熱を引き起こない最大値において出力を設定し、又は制御ボックス250は、温度(温度センサー240により感知される)が予め設定された限界を超えた場合に警告等を発する。
【００３６】
制御ボックス250が含まれる場合、それは、ユーザーにより予め設定された値において一定のままとなるように発電機210の出力を制御し、又は制御ボックス250は過度の加熱を引き起こない最大値において出力を設定し、又は制御ボックス250は、温度(温度センサー240により感知される)が予め設定された限界を超えた場合に警告等を発する。
【００３７】
全体としての装置200及びその個々の構成要素の仕様は、大部分は、TTフィールドの周波数(50KHz〜500KHz)において生体システムはそれらの誘電特性ではなく「抵抗特性」(Ohmic)にしたがって挙動するという事実により影響される。異なって挙動する装置200中の唯一の要素は、アイソレクト230の絶縁体である(図5及び図6を参照)。アイソレクト200は、導電性組織と接触した誘電体と接触した導体からなり、したがってコンデンサーを形成する。
【００３８】
アイソレクト230の構築の詳細は、一般的には図4に示されるように組織と接触した場合の単純化された電気回路から理解され得るそれらの電気的挙動に基づく。示した構成では、異なる構成要素間の電位低下又は電場分布は、それらの相対電気インピーダンスにより決定され、すなわち、各構成要素における場の割合は、そのインピーダンスを総回路インピーダンスにより割った値により与えられる。例えば、要素における電位低下ΔVA=A/(A+B+C+D+E)。したがって、DC又は低周波数ACについて、実際的に全ての電位低下はコンデンサー(絶縁体として作用する)においてである。比較的非常に高い周波数について、コンデンサーは実際的に短く、したがって、実際的に全ての場は組織中に分布する。中間的周波数であるTTフィールドの周波数(例えば、50KHz〜500KHz)において、コンデンサーのキャパシタンスのインピーダンスが優勢であり、場分布を決定する。したがって、組織にわたる実効電圧低下(場強度)を増大させるために、コンデンサーのインピーダンスは減少させられる(すなわち、それらのキャパシタンスを増大させる)。これは、コンデンサーの「プレート」の有効面積を増大すること、誘電体の厚さを減少させること又は高い誘電定数を有する誘電体を使用することにより達成することができる。
【００３９】
場分布を最適化するために、アイソレクト230は、アイソレクト230が使用される適用に依存して、異なって構成される。TTフィールドを印加するための2つの主なモードがある。第1に、TTフィールドを外部アイソレクトにより印加することができ、第2に、TTフィールドを内部アイソレクトにより印加することができる。
【００４０】
外部アイソレクトにより印加されるTTフィールドは、局所的なタイプ又は広く分布したタイプのものであり得る。第1のタイプとしては、例えば、皮膚腫瘍の処置及び皮膚表面に近い病変の処置が挙げられる。図5は、アイソレクト230が皮膚パッチ300中に組み込まれた例示的な実施形態を示す。皮膚パッチ300は、アイソレクト230の1つ又は複数のペアを有する自己粘着型柔軟性パッチであり得る。パッチ300は、内部絶縁310(誘電性材料から形成される)及び外部絶縁260を含み、皮膚表面301上又は皮膚表面301のわずかに下のいずれかにおいて腫瘍303を含有する皮膚表面301に適用される。組織は全体的に305において表される。内部絶縁310にわたる電位低下がシステムを支配するのを防止するために、内部絶縁310は比較的高い容量を有しなければならない。これは大きい表面積により達成され得るが、これは、大きい区域(例えば、腫瘍を処置するために必要とされるより大きい区域)にわたる場の広がりを結果としてもたらすので、所望されないことがある。或いは、内部絶縁310は、非常に薄く作られていてもよくかつ/又は内部絶縁310は高い誘電定数のものであり得る。電極(図4においてA及びEとして標識される)間の皮膚抵抗はその下の組織(図4においてCとして標識される)の抵抗より通常著しく高いので(1〜10KΩ対0.1〜1KΩ)、アイソレクトにわたる電位低下のほとんどはそこで起こる。これらのインピーダンス(Z)を受け入れるために、内部絶縁310(図4においてB及びDとして標識される)の特徴は、TTフィールドの周波数(例えば、50KHz〜500KHz)において好ましくは100KΩより低いインピーダンスを有するようなものであるべきである。例えば、印加される電圧の1%より多くが組織にあるように、インピーダンスが約10Kオーム又はそれ未満であることが所望される場合、10mm2の表面積を有するアイソレクトについて、200KHzの周波数において、容量は10-10Fのオーダーであるべきであり、これは、2〜3の誘電定数を有する標準的な絶縁を使用して、絶縁層310の厚さは約50〜100ミクロンであるべきであることを意味する。10倍強い内部場が約20〜50の誘電定数を有する絶縁体を用いて得られる。
【００４１】
高い誘電定数を有する絶縁材料の使用は電極のキャパシタンスを増大させ、これは、発電機1(図3において示される)により印加されるAC信号に対する電極のインピーダンスの低減を結果としてもたらす。図4に示すように、電極A、Eは標的組織Cと連続的に配線されるので、インピーダンスのこの低減は電極における電圧低下を低減し、それにより、印加されるAC電圧のより大部分が組織Cにわたり現れる。電圧のより大部分が組織にわたり現れるので、発電機1により印加されている電圧は、有利には、組織中の所与の場強度について低下され得る。
【００４２】
処置されている組織中の所望の場強度は、約0.1V/cm〜約10V/cm、例えば、約2V/cm〜3V/cm又は約1V/cm〜約5V/cmであってもよい。電極において使用される誘電定数が充分に高い場合、電極A、Eのインピーダンスは、皮膚及び組織B、C、Dの一連の組合せと同じ大きさのオーダーまで低下する。極めて高い誘電定数を有する好適な材料の一例はCaCu3Ti4O12であり、これは約11,000の誘電定数(100kHzにおいて測定)を有する。誘電定数がこの高さの場合、数十ボルトのオーダーの発電機電圧を使用して有用な場を得ることができる。
【００４３】
薄い絶縁層は非常に脆弱であり得ること等から、二酸化チタン(例えば、ルチル)等の非常に高い誘電定数の絶縁材料により絶縁を置き換えることができ、誘電定数は約200の値に達し得る。意図する適用において使用するために好適であり、かつ高い誘電定数を有する多数の異なる材料がある。例えば、一部の材料としては、強誘電性結晶であり、光学、焦電及び圧電デバイスにおいて多数の適用を有するニオブ酸リチウム(LiNbO3);イットリウム鉄ガーネット(YIG)は強磁性結晶であり、光磁気デバイス、例えば、光アイソレータはこの材料から実現され得る;チタン酸バリウム(BaTiO3)は大きな電気光学効果を有する強磁性結晶である;誘電性結晶(低温において強誘電性)であり、非常に低いマイクロ波損失及び低温における誘電定数の同調能力を有するタンタル酸カリウム(KTaO3);並びにニオブ酸リチウムと類似の特性を有する強誘電性結晶であり、電気光学、焦電及び圧電デバイスにおいて有用性を有するタンタル酸リチウム(LiTaO3)が挙げられる。マグネシウムニオブ酸鉛とチタン酸鉛との組合せから作られたセラミック等の、高い誘電定数を有する絶縁体セラミックスもまた使用されてもよい。上述の例示的な材料は、高い誘電定数を有する材料を使用することが所望される場合に本発明のデバイスと組み合わせて使用され得ることが理解される。
【００４４】
アイソレクト230の実効容量に影響する別の要因、すなわち、アイソレクト230と皮膚との間の空気の存在もまた考慮しなければならない。そのような存在は防止することが容易でなく、アイソレクト230の実効容量を著しく低下させかつ二酸化チタン(ルチル)等の利点を無効化する要因である1.0の誘電定数を有する絶縁体の層を導入する。この問題を克服するために、身体構造と一致するようにアイソレクト230を成形することができ、かつ/又は、(2)高いコンダクタンス及び高い有効誘電定数を有する、ゲル等の介在充填物270(図7Cに示される)を構造に加えることができる。成形は予備構造化され得るか(図7Aを参照)、又はシステムは、アイソレクト230の成形が容易に達成可能であるように充分に柔軟とされ得る。図7C及び7C'に描写されるように、ゲルは、盛り上がった縁を有することにより適所に含有され得る。ゲルは、ハイドロゲル、ゼラチン、寒天等から作ることができ、その電導度を増大させるためにそれに溶解した塩を有し得る。図7A〜7Cは、アイソレクト230のための様々な例示的な構成を示す。ゲル層が処置の間に乾燥しない充分な厚さである限り、ゲルの正確な厚さは重要でない。一つの例示的な実施形態では、ゲルの厚さは約0.5mm〜約2mmである。好ましくは、ゲルは、高い電導度を有し、粘着性であり、かつ長期にわたって生体適合性である。1つの好適なゲルはAG603 Hydrogelであり、これはAmGel Technologies社、1667 S. Mission Road、Fallbrook、Calif. 92028-4115、USAから入手可能である。
【００４５】
アイソレクト230の望ましい特徴を達成するために、それぞれの誘電性コーティングは非常に薄いもの、例えば、1〜50ミクロンであるべきである。コーティングは非常に薄いので、アイソレクト230は容易に機械的に損傷し得るか、又は誘電体の破損を起こし得る。この問題は、そのような損傷からの所望の保護を提供するようにアイソレクトの構造に保護的特徴を加えることにより克服され得る。一部の好適な保護的特徴は、出願公開US2005/0209642号(参照することにより本明細書に組み込まれる)に記載されている。
【００４６】
しかしながら、容量は考慮すべき唯一の要因ではない。以下の2つの要因もまた、アイソレクト230が構築される方法に影響を及ぼす。内部絶縁層310の誘電強度及びTTフィールドに供された時に起こる誘電損失、すなわち、生成される熱の量。内部絶縁310の誘電強度は、いずれの場強度において絶縁が「短絡」し、損なわれていない絶縁として作用することを止めるかを決定する。典型的には、プラスチック等の絶縁体は、約100V/ミクロン又はより高い誘電強度値を有する。高い誘電定数は内部絶縁体310内の場を低減するので、高い誘電定数と高い誘電強度との組合せは顕著な利点を与える。これは、所望の特性を有する単一の材料を使用することにより達成され得るか、又は正しいパラメーター及び厚さを有する二重層により達成され得る。加えて、絶縁層310が作動しなくなる可能性を更に減少させるために、従来技術を使用して、図7Dに示されるように角を丸めること等により、絶縁層310の全ての鋭い端部を除去するべきである。
【００４７】
図6は、アイソレクト230を使用する処置の第2のタイプ、すなわち、内部アイソレクト230による電場生成を示す。アイソレクト230が埋め込まれる身体は全体的に311において表され、皮膚表面313及び腫瘍315を含む。この実施形態では、アイソレクト230は、標的区域(腫瘍315)において適切な場を生成するように皮下又は身体311内のより深い位置に挿入され得るプレート、ワイヤの形状又は他の形状を有し得る。
【００４８】
処置される組織の過熱を回避するために、材料及び場のパラメーターの選択が必要とされる。アイソレクト絶縁材料は、処置プロセスの間に使用される周波数範囲において最小の誘電損失を有するべきである。この要因は、処置のための特定の周波数を選択する時に考慮に入れられ得る。組織の直接的な加熱は、電流に起因する加熱(I×Rの積により与えられる)により支配される可能性が最も高い。加えて、アイソレクト(絶縁電極)230及びその周囲は、熱損失を促進する材料から作られるべきであり、かつ、その全体構造もまた熱損失を促進するべきであり、すなわち、周囲(空気)への熱消散と同様に高い熱電導度を遮断する最小の構造であるべきである。より大きい電極の使用もまた、加熱の局所的な感覚を最小化し、その理由は、それは患者に伝達されるエネルギーをより大きい表面積にわたり広げるからである。好ましくは、加熱は、患者の皮膚温度が約39℃を決して超えない点まで最小化される。
【００４９】
加熱を低減する別の方法は、連続的な場を使用する代わりに約20%〜約50%のデューティサイクルを有する場を印加することにより処置されている組織に断続的に場を印加することである。例えば、33%のデューティサイクルを達成するために、場は、1秒間のオン、次に2秒間のオフで反復的に切り換えられる。予備実験は、33%のデューティサイクルを有する場を使用する処置の有効性は、100%のデューティサイクルを有する場についてとほぼ同じであることを示した。別の実施形態では、場は、50%のデューティサイクルを達成するために、1時間のオン、次に1時間のオフで切り換えられ得る。当然、1時間当たり1回の早さでの切換えは、短期の加熱の最小化を助けない。他方、それは、処置からの休息を患者に提供し得る。
【００５０】
本発明の装置は、生体組織に対してTTフィールドを回転させるためのデバイスを更に含み得ることも理解される。例えば、一実施形態によれば、処置されている組織への交番電位印加は、作動時に本発明のシステムの様々な構成要素を回転させる機械的デバイス等の従来のデバイスを使用して組織に対して回転される。
【００５１】
出願公開US2005/0209642(参照することにより本明細書に組み込まれる)に記載されるように、標的領域を通過するTTフィールドの方向を変化させるために、TTフィールドは、連続する方式で絶縁電極230の異なるペアに印加されてもよい。場の方向の変更は、これもまた出願公開US2005/0209642に記載されるように、段階方式又は連続方式において実行されてもよい。
【００５２】
出願公開US2005/0209642に記載されるように、集団に対して異なる周波数の分布を印加することが有利であり得る。例えば、実験は、神経膠腫細胞の集団を破壊するための170kHz及び250kHzの2つの周波数の使用は、200kHzの単一の周波数の使用より効果的であることを表す。1つより多くの周波数が使用される場合、様々な周波数が時間的に逐次的に印加されてもよい。例えば、神経膠腫の場合、100、150、170、200、250、及び300kHzの場の周波数が、処置のそれぞれ第1、第2、第3、第4、第5、及び第6分の間に印加されてもよい。周波数のそのサイクルは次に、処置の各引き続く6分の間に繰り返される。或いは、場の周波数は、100kHzから300kHzへの無段階の方式でスイープされてもよい。任意選択で、この周波数サイクリングは、上記の方向変化と組み合わされてもよい。
【００５３】
別の実施形態では、同時に2つ又はそれより多くの周波数成分(例えば、170kHz及び250kHz)を含有するシグナルは、かなりの大きさの分布を有する細胞の集団を処置するために電極に印加される。様々なシグナルは重ね合わせにより加わって、印加される周波数成分の全てを含む場を創生する。
【実施例】
【００５４】
2つのヒト神経膠腫細胞株:U87-MG(ATCC)及びU87MGde2-7(Ludwig Institute for Cancer Research)を使用してTTフィールドとデパツキシズマブマホドチンとの組合せ処置の有効性を試験した。全ての細胞を、5%のCO2を供給される加湿インキュベーター中で生育した。10%のFBS(ウシ胎仔血清)及び1mmol/Lのピルビン酸ナトリウムを添加した、高グルコースを伴うDMEM(ダルベッコ改変イーグル培地)中で、U-87MGde2-7及びU87-MGを維持した。400mg/mLのジェネティシンを用いる選択下でU87MGde2-7細胞を維持した。
【００５５】
細胞傷害性アッセイ:inovitroシステム(Giladi M、Schneiderman RS、Voloshin T、Porat Y、Munster M、Blat Rら、Mitotic Spindle Disruption by Alternating Electric Fields Leads to Improper Chromosome Segregation and Mitotic Catastrophe in Cancer Cells. Sci Rep. 2015年;5: 18046頁に記載される)を使用してTTフィールド(1.75V/cm RMS、200kHz)を72時間印加した。inovitroシステムは、TTフィールド発生器及びベースプレートを含み、ベースプレートは、プレート当たり8つのセラミックディッシュを含有する。Kirsonらにより記載されるように、TTフィールドの方向性は1秒毎に90°切り換え、したがって細胞分裂の方向軸の大部分をカバーした。Kirson ED、Dbaly V、Tovarys F、Vymazal J、Soustiel JF、Itzhaki Aら、Alternating electric fields arrest cell proliferation in animal tumor models and human brain tumors. Proc Natl Acad Sci USA 2007年; 104(24): 10152〜7頁。inovitroディッシュの内側に置いた22mm丸形カバースリップ上に神経膠腫細胞をプレーティングした。終夜のインキュベーション後、2倍希釈の0.01〜100nmol/Lの濃度のデパツキシズマブマホドチン又はアイソタイプ対照を含有する2mlの培地をディッシュに充填した。
【００５６】
処置の終わりに、EC800フローサイトメーター(Sony Biotechnology社、Japan)を使用して行った細胞カウントに基づいて腫瘍細胞増殖の阻害を定量的に解析した。
【００５７】
フローサイトメトリー:アポトーシスの検出のために、製造者の指示にしたがってFITC共役アネキシンV(MEBCYTO 4700 Apoptosis Kit;MBL社)及び7-アミノアクチノマイシンD(7-AAD;Biolegend社)を用いて細胞を二重染色した。データ取得は、iCyt EC800(Sony Biotechnology社)フローサイトメーターを使用して得た。アネキシンVについて525/50nm及び7-AADについて665/30nmの波長において蛍光シグナルを収集した。Flowjoソフトウェア(TreeStar社)を使用してデータを解析した。
【００５８】
統計解析:データを平均±SDとして表し、GraphPad Prism 6ソフトウェア(GraphPad Software社、La Jolla、CA)を使用して差異の統計的有意性を評価した。全ての群間の差異を互いに比較し、0.05>*p>0.01、**p<0.01、及び***p<0.001の値において有意であると考えた。全ての実験を少なくとも3回繰り返した。
【００５９】
結果
U-87MG細胞に対するTTフィールド及びデパツキシズマブマホドチンの有効性
タイトレーション実験は、U87-MG細胞の増殖を阻害するために必要とされるデパツキシズマブマホドチンの効果的な用量はnMの範囲内であることを示した。以前に報告されたIC50値からのある程度の変動が観察され、それらは主に、本研究(細胞カウント)と先行研究(ルミネッセンスベースのアッセイ)との間の計数技術の差異に起因した。図1Aに示すように、TTフィールドとデパツキシズマブマホドチン(図1〜2において「ABT-414」又は「ABT」のいずれかとして言及される)との組合せ処置は、80nmを除く全ての薬物濃度において単独での各処置と比較してU87-MG細胞の数の有意な低減に繋がった(P<0.001)。対照的に、TTフィールドと対照ADC、Ab095-MMAF ADC(すなわち、図1〜2において「ADC」として言及される非特異的ADCを形成するためにMMAFに共役した破傷風トキソイドを標的化する抗体、Ab095;Larrickら、1992年、Immunological Reviews、69〜85頁も参照)との組合せは、単独でのTTフィールド処置と比較して細胞の数の有意でない低減に繋がった。図1Bに示すように、全ての試験した濃度においてアポトーシス(早期及び後期の両方)を起こす細胞の数の急速な増大がTTフィールドとデパツキシズマブマホドチンとの組合せ処置について(単独で行ったそれらの処置のいずかと比較して)見られた。対照的に、単独でAb095-MMAFを用いた処置後のアポトーシス細胞のパーセンテージは、TTフィールドと組み合わせたAb095-MMAFについてのパーセンテージと類似していた。
【００６０】
U87MGde2-7細胞に対するTTフィールド及びデパツキシズマブマホドチンの有効性
タイトレーション実験は、U87MGde2-7細胞に対するデパツキシズマブマホドチンの有効性はpMの範囲内であることを明らかにした。図2Aに示すように、TTフィールドとデパツキシズマブマホドチンとの組合せ処置は、単独でのいずれかの処置と比較してU87MGde2-7細胞の数の有意な低減に繋がった。対照的に、TTフィールドとAb095-MMAFとの組合せ処置は、単独でのTTフィールド処置と比較して細胞の数の有意でない低減に繋がった。U-87 MGの場合と同様、図2Bに示すように、全ての試験した濃度において、アポトーシス(早期及び後期の両方)を起こす細胞の数の急速な増大がTTフィールドとデパツキシズマブマホドチンとの組合せ処置について見られた。対照的に、対照培養物又は単独でTTフィールドを用いて処置した細胞と比較して、Ab095-MMAF又はTTフィールド + Ab095-MMAFを用いた処置後のアポトーシス細胞のパーセンテージは増大しなかった。
【００６１】
これらの結果は、U87細胞において、TTフィールドとnM範囲内のデパツキシズマブマホドチンとの組合せは、単独での各処置と比較して細胞数の有意な低減及びアポトーシスの増大に繋がったことを実証している。U87EGFRvIII細胞において、TTフィールドとpM範囲内のデパツキシズマブマホドチンとの組合せ処置は、単独での各処置と比較して細胞数の有意な低減及びアポトーシスの増大に繋がった。TTフィールドの印加は、Ab095 MMAF非特異的ADCを用いて処置した細胞に対してほとんど効果を有しなかった。
【００６２】
【表１Ａ】
2021503360.tif 000003
【００６３】
【表１Ｂ】
2021503360.tif 000004
【符号の説明】
【００６４】
200  電子装置
210  発電機
220  導電リード
230  絶縁された導体、アイソレクト
240  温度センサー
250  制御ボックス
260  外部絶縁
270  介在充填物
300  皮膚パッチ
301  皮膚表面
303  腫瘍
305  組織
310  内部絶縁、絶縁層
311  身体
313  皮膚表面
315  腫瘍
【図１】
2021503360.tif 000005
【図２】
2021503360.tif 000006
【図３】
2021503360.tif 000007
【図４】
2021503360.tif 000008
【図５】
2021503360.tif 000009
【図６】
2021503360.tif 000010
【図７】
2021503360.tif 000011
【配列表】
2021503360000001.app
【国際調査報告】
2021503360.tif 000012
2021503360.tif 000013