(57)【要約】集積波長選択フィルタデバイス（１０；２０；３０；４０）が開示される。これは、基板内または基板上にパターン形成された第１光学エレメント（１４）であって、そこに入射する放射線を受光し、前記受光した放射線を第１角度（α）で定義される方向に少なくとも部分的に方向付けるように構成された第１光学エレメント（１４）と、基板内または基板上にパターン形成された第２光学エレメント（１５）であって、回折エレメントであり、長手方向に延びて、第１光学エレメント（１４）から遠隔に配置され、前記少なくとも部分的に回折した放射線を第２角度（β）で回折させるように構成された第２光学エレメント（１５）とを備える。第２光学エレメント（１５）は、第２角度が、単一の基準波長に関して、回折した放射線が伝搬媒体の中に方向付けられ、そこで第１光学エレメント上または追加の光学エレメント（１４ａ）上の予め定めた位置に向かって進行するように設定され、基準波長と実質的に一致する波長を有する放射線を、実質的に異なる波長を有する放射線からフィルタリングし、これにより基準波長は、デバイス全体にとって一意的    に決定されるように構成される。伝搬媒体は、第１および第２光学エレメントの基板のいずれの材料とも異なる材料で形成される。
2021508851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積波長選択フィルタデバイス（１０；２０；３０；４０）であって、
・基板（１１，１２）内または基板上にパターン形成された第１光学エレメント（１４）であって、そこに入射する放射線を受光し、前記受光した放射線を第１角度（α）で定義される方向に少なくとも部分的に方向付けるように構成された第１光学エレメント（１４）と、
・基板（１１，１２，１６）内または基板上にパターン形成された第２光学エレメント（１５）であって、回折エレメントであり、長手方向に延びて、第１光学エレメント（１４）から遠隔に配置され、前記方向付けられた放射線をある入射角で受光し、前記方向付けられた放射線を第２角度（β）で回折させるように構成された第２光学エレメント（１５）とを備え、
前記第２角度は、波長に依存するものであり、
第１光学エレメント（１４）は、前記受光した放射線を伝搬媒体の中に方向付けて、前記方向付けられた放射線は伝搬媒体を通って伝搬し、その後、第２光学エレメント（１５）で受光され、伝搬媒体は、前記第１および第２光学エレメントの前記基板のいずれの材料とも異なる材料で形成され、
第２光学エレメント（１５）は、第２角度が、単一の基準波長に関して、回折した放射線が前記伝搬媒体の中に方向付けられ、そこで第１光学エレメント（１４）上または追加の光学エレメント（１４ａ）上の予め定めた位置に向かって進行するように設定され、基準波長と実質的に一致する波長を有する放射線を、実質的に異なる波長を有する放射線からフィルタリングし、これにより基準波長はデバイス全体にとって一意的に決定されるように、構成される、集積波長選択フィルタデバイス（１０；２０；３０；４０）。
【請求項２】
前記伝搬媒体は、前記第１および前記第２光学エレメント（１４，１５）の前記基板のいずれかの材料の個々の熱光学屈折率係数と比較して、実質的により小さい熱光学屈折率係数を備えた材料で形成される、請求項１に記載の集積波長選択フィルタデバイス（１０；２０；３０；４０）。
【請求項３】
前記第２光学エレメント（１５）は、前記方向付けられた放射線を前記伝搬媒体の中に後方反射するようにして、同じ仰角方向（θ）に沿って、第２光学エレメント（１５）に入射する放射線と比べて反対伝搬の意味で前記伝搬媒体の中を進行するように構成され、
前記仰角方向（θ）は、第２光学エレメント（１５）の基板の平坦な表面に対して定義される、請求項１または２に記載の集積波長選択フィルタデバイス（１０；２０；３０；４０）。
【請求項４】
第２光学エレメント（１５）は、第２光学エレメント（１５）に入射する放射線を、第２光学エレメント（１５）に入射する入射放射線の方位角方向（−φ）と比較して異なる方位角方向（＋φ）に沿って後方回折するように、軸外構成で構成され、
方位角方向が、第２光学エレメント（１５）の基板の平坦な表面に対して定義され、
該フィルタデバイスは、第１光学エレメント（１４）に類似した特性を有し、フィルタリングされた放射線を出射するように構成された追加の光学エレメント（１４ａ）をさらに備える、請求項１〜３のいずれかに記載の集積波長選択フィルタデバイス（１０；２０；３０；４０）。
【請求項５】
該フィルタデバイスは、ある熱膨張係数または設計を備えた少なくとも１つの材料を含み、
デバイスの温度変化によって生ずる少なくとも第２角度の変化について、第１光学エレメントから第２光学エレメントへの前記伝搬媒体の中を伝搬する前記方向付けられた放射線の経路の長さは、温度変化に起因したデバイスの熱膨張によって自動的に適応され、そのため、基準波長に関して、回折した放射線は予め定めた位置に再び方向付けられる、請求項１〜４のいずれかに記載の集積波長選択フィルタデバイス（１０；２０；３０；４０）。
【請求項６】
第１光学エレメントおよび第２光学エレメントは、同じ基板の中または上にパターン形成され、あるいは、第１光学エレメントおよび第２光学エレメントは、チップの半導体または誘電体基板に形成される、請求項１〜５のいずれかに記載の集積波長選択フィルタデバイス（１０；３０）。
【請求項７】
該フィルタデバイスは、反射エレメント（１６１）を備え、そのため第１光学エレメントから第２光学エレメントに伝搬する前記方向付けられた放射線の経路上で、放射線が反射エレメント（１６１）の反射面によって反射される、請求項１〜６のいずれかに記載の集積波長選択フィルタデバイス（１０；３０）。
【請求項８】
第１光学エレメント（１４）および第２光学エレメント（１５）は、両方ともデバイスの同じ平坦な表面上に形成され、反射エレメント（１６１）は、前記平坦な表面の上方または下方に位置決めされる、請求項７に記載の集積波長選択フィルタデバイス（１０；３０）。
【請求項９】
該デバイスはさらに、前記平坦な表面の上方または下方に位置決めされる反射エレメント（１６１）を支持するための少なくとも１つのスタンドオフ（１８）を備える、請求項８に記載の集積波長選択フィルタデバイス（１０；３０）。
【請求項１０】
光路長の適応は、少なくとも１つのスタンドオフ（１８）の熱膨張によって得られる、請求項９に記載の集積波長選択フィルタデバイス（１０；３０）。
【請求項１１】
第１光学エレメント（１４）および第２光学エレメント（１５）の両方が、同じ基板材料の中または上にパターン形成され、
スタンドオフは、その全体熱膨張係数が第１および第２光学エレメントの基板材料の熱膨張係数より約３倍大きいように選択された少なくとも１つの材料を含む、請求項１０に記載の集積波長選択フィルタデバイス（１０；３０）。
【請求項１２】
少なくとも１つのスタンドオフ（１８）は、基板の前記材料の一部を局所的に除去することによって、第１および第２光学エレメント（１４，１５）の基板の材料で少なくとも部分的に形成される、請求項９〜１１のいずれかに記載の集積波長選択フィルタデバイス（１０；３０）。
【請求項１３】
温度非感受性が、１００Ｋの温度範囲に渡って１ｐｍ／Ｋ未満である、請求項１１または１２に記載の集積波長選択フィルタデバイス（１０；３０）。
【請求項１４】
第１光学エレメント（１４）および第２光学エレメント（１５）は、互いの上方に位置決めされ、前記伝搬媒体を通る回折した放射線の伝搬経路は、直線に追従している、請求項１〜５のいずれかに記載の集積波長選択フィルタデバイス（１０；２０；３０；４０）。
【請求項１５】
第１光学エレメント（１４）および、もし存在する場合には追加の光学エレメント（１４ａ）は、光入出力信号をフィルタデバイスに搬入搬出するための導波路に接続される、請求項１〜１４のいずれかに記載の集積波長選択フィルタデバイス（１０；２０；３０；４０）。
【請求項１６】
安定した基準波長を提供するための集積システムであって、
・請求項１〜１５のいずれかに記載の集積波長選択フィルタデバイスと、
・集積広帯域光源と、
・光源および波長選択フィルタデバイスの第１光学エレメントに接続され、第１光学エレメントに広帯域光を提供するための少なくとも１つのライトガイドとを備える、集積システム。
【請求項１７】
該システムはさらに、複数の集積検出器エレメントを備え、
集積波長選択フィルタは、異なる波長の放射線を異なる予め定めた位置に回折させ、異なる波長の放射線を異なる集積検出器エレメントに向けるように構成される、請求項１６に記載の集積システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、波長選択光学フィルタおよびこれらのフィルタを含む光学システムに関し、より詳細には、集積化された非熱的(athermal)波長選択光学フィルタおよびこれらのフィルタを含む集積光学システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積フォトニックプラットフォームでの光学波長フィルタは、温度でドリフトする傾向があり、そのため不正確な波長読み取り値になる。これは、熱光学（ＴＯ）効果に起因した材料の屈折率の変化およびデバイスの熱膨張という２つの影響によって生ずる。多くは熱光学効果が優勢であるが、正確な測定では、熱膨張も無視できない。光学波長の絶対測定が要望される分光用途またはその他の用途では、能動的な温度トラッキング（追跡）または固定した基準波長の使用が必要になる。
【０００３】
過去において、熱光学効果及び／又は熱膨張を考慮するための手法を提供する複数の試みが行われてきた。１つの手法では、非熱的光導波路が使用される。チップ上で使用される光導波路は、導波路の熱光学係数とは反対の符号を有する熱光学係数を有する材料で被覆され、その効果が打ち消される。しかしながら、これらの手法は、典型的には、化学的不安定性、より高い導波路損失およびＣＭＯＳ非互換性に悩まされる。
【０００４】
別の手法では、熱的に自己補償する光学フィルタを使用した。それによりマッハツェンダー干渉計は、２つのアームで異なる偏光状態または導波路幅を使用することによって、温度変動に対して頑丈になるように設計した。しかしながら、この手法でも熱膨張に起因したドリフトに悩まされる。この手法はまた、製造欠陥に対しても敏感である。
【０００５】
さらに別の手法では、能動的な熱補償が使用される。フォトニック集積回路の温度は、チップの冷却および加熱を可能にするペルチェ素子を用いて制御して安定に維持できる。この手法の主な欠点は、大きな電力損失と、必要とされる複雑な制御システムである。また、分光用途のために充分な安定性を達成することは極めて困難である。
【０００６】
また、外部基準光学フィルタ（例えば、ガスセル）の使用も検討された。それでもガスセルは高価であり、外部フィルタの必要性は、フォトニック集積化の利点を打ち消す。
【０００７】
従って、依然として改善の余地がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の実施形態の目的は、良好な非熱的波長選択性光学フィルタおよびこれらのフィルタを含む集積光学システムを提供することである。
【０００９】
本発明の実施形態の利点は、実質的に温度非感受性であり、純粋に受動的であり、能動的な制御を必要としない波長フィルタが提供されることである。本発明の実施形態の利点は、屈折率の変化を誘発する少なくとも熱光学効果が補償されることである。
【００１０】
本発明の実施形態の利点は、基準波長に実質的に一致しない放射線が、第１光学エレメントまたは追加の光学エレメントに後方結合されず、その結果、波長選択フィルタを通過しなくなることである。
【００１１】
本発明の実施形態の利点は、実質的に温度非感受性であり、その出力を基準波長として使用できる通過帯域フィルタとして機能する波長フィルタが提供されることである。
【００１２】
実施形態の利点は、その設計が製造欠陥に対して許容できるフィルタが提供されることである。
【００１３】
本発明の実施形態の利点は、温度の能動的な追跡が必要でないことである。
【００１４】
本発明の実施形態の利点は、それらが集積化手法として提供され、例えば、フォトニック集積回路上に集積化されることであり、こうして外部コンポーネントの必要性を回避している。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的は、本発明による方法およびデバイスによって達成される。
【００１６】
本発明は、集積波長選択フィルタデバイスに関し、
基板内または基板上にパターン形成された第１光学エレメントであって、そこに入射する放射線を受光し、前記受光した放射線を第１角度で定義される方向に少なくとも部分的に方向付けるように構成された第１光学エレメントと、
基板内または基板上にパターン形成された第２光学エレメントであって、回折エレメントであり、長手方向に延びて、第１光学エレメントから遠隔に配置され、前記方向付けられた放射線をある入射角で受光し、前記方向付けられた放射線を第２角度で回折させるように構成された第２光学エレメントとを備え、
前記第２角度は、波長に依存する。
【００１７】
第１光学エレメントは、受光した放射線を伝搬媒体の中に方向付けて、これを通って、方向付けられ受光した放射線は伝搬し、その後、第２光学エレメントで受光される。伝搬媒体は、第１および第２光学エレメントの基板のいずれの材料とも異なる材料で形成される。
【００１８】
第２光学エレメントは、第２角度が、単一の基準波長に関して、回折した放射線が伝搬媒体の中に方向付けられ、そこで第１光学エレメント上または追加の光学エレメント上の予め定めた位置に向かって進行するように設定され、基準波長と実質的に一致する波長を有する放射線を、実質的に異なる波長を有する放射線からフィルタリングし、これにより基準波長はデバイス全体にとって一意的に決定されるように、構成される。
【００１９】
伝搬媒体の異なる材料は、その熱光学的屈折率係数が実質的に小さくなるようにでき、例えば、第１および第２光学エレメントの基板のいずれかの材料の個々の屈折率よりも少なくとも１桁小さい、または少なくとも２桁小さいようなものでもよい。代替または追加として、伝搬媒体の異なる材料は、その屈折率が実質的に小さくなるように、例えば、第１および第２光学エレメントの基板のいずれかの材料の個々の屈折率よりも少なくとも１０％、または少なくとも２０％、または少なくとも５０％小さいようなものでもよい。
【００２０】
第１角度は、方向付けられ受光された放射線の光線束の中心光線についての中心角、例えば、発散ビームの中心角でもよい。発散ビームが、関連する角度広がりを有するため、第２角度（回折角度）は、第２光学エレメントに入射する方向付けられた放射線の異なる角度スペクトル成分について異なってもよい。
【００２１】
第１光学エレメント及び／又は第２光学エレメントは、グレーティング（回折格子）またはグレーティングカプラでもよい。そして、第１角度は波長に依存してもよい。
【００２２】
第１光学エレメントに放射線を提供するために導波路を使用してもよい。導波路は、シングルモード導波路でもよく、またはマルチモード導波路でもよい。
【００２３】
従って、第１光学エレメントは、もし存在する場合には追加の光学エレメントは、光入出力信号をフィルタデバイスに搬入搬出するための導波路に接続してもよい。
【００２４】
第１光学エレメントは、波形グレーティングカプラでもよい。本発明の実施形態の利点は、波形グレーティングが、偏向経路の長さ／高さを低減する大きな角度分散を有し、コンパクトなフィルタ設計が得られることである。
【００２５】
第２光学エレメントは、波形グレーティングでもよい。グレーティングは、ブレーズド(blazed)グレーティングでもよい。本発明の実施形態の利点は、グレーティングの溝が明確に画定され、従ってゴースト像が少なくなることである。本発明の実施形態の利点は、第１光学エレメント、例えば、第１グレーティングカプラと共存集積化が光学エレメントの相対位置決め誤差を最小化することである。波形グレーティングは、基準波長に関してリトロー(Littrow)条件を満たすチャープ(chirped)グレーティングでもよい。
【００２６】
本発明の実施形態の利点は、グレーティングのチャープが、屈折率変調に基づいて充分に制御された位相グレーティングにできることである。実施形態の利点は、例えば、より多くの処理ステップを必要とし、より高価であるドープ式(doped)グレーティングと比較して、容易な処理が得られることである。リトローグレーティングの利点は、リトロー条件が、グレーティング材料の屈折率、従ってその温度変化に対する回折角の独立性を確保することである。
【００２７】
第１光学エレメント、第２光学エレメント、およびもし存在する場合には第３光学エレメントは、同じ基板の中または上にパターン形成または集積されてもよい。
【００２８】
幾つかの実施形態において、第２光学エレメントは、前記方向付けられた放射線を前記伝搬媒体の中に後方反射するようにして、第２光学エレメントがその上または中にパターン形成される基板の平坦な表面に対して同じ仰角方向に沿って、第２光学エレメントに入射する放射線と比べて反対伝搬の意味で進行するように構成してもよい。
【００２９】
導波路が第１光学エレメントに向けて放射線を提供するために使用される場合、放射線は、第２光学エレメントとの相互作用の後、同じ導波路を経由して第１光学エレメントによって出射される。こうしてフィルタリングは、第２光学エレメントとの相互作用後、第１角度で第１光学エレメントに再び入射する放射線によって得られる。こうして放射線は、波長選択フィルタ内の放射線の結合のために使用したものと同じ導波路に後方反射できる。入力からの出力を分割するための光学部品、例えば、サーキュレータまたは３ｄＢカプラなどが使用できる。
【００３０】
幾つかの実施形態において、第２光学エレメントは、第２光学エレメントに入射する放射線を、第２光学エレメントに入射する入射放射線の方位角方向と比較して異なる方位角方向に沿って後方回折するように、軸外(off-axis)構成で構成してもよい。方位角方向が、第２光学エレメントがその上またはその中にパターン形成される基板の平坦な表面に対して定義できる。そしてフィルタデバイスは、第１光学エレメントに類似した特性を有し、フィルタリングされた放射線を出射するように構成された追加の光学エレメントをさらに備える。
【００３１】
こうしてフィルタリングは、第２光学エレメントとの相互作用の後に、異なる光学エレメントに入射する放射線によっても達成でき、第２光学エレメントは、僅かな軸外構成で動作する。選択された放射線は、入力導波路とは異なる別の導波路を介して出射される。
【００３２】
フィルタデバイスは、ある熱膨張係数または設計を備えた少なくとも１つの材料を含んでもよく、デバイスの温度変化によって生ずる少なくとも第２角度（回折角）の変化について、第１光学エレメントから第２光学エレメントへの前記伝搬媒体の中を伝搬する前記方向付けられた放射線の経路の長さは、温度変化に起因したデバイスの熱膨張によって自動的に適応され、そのため、基準波長に関して、回折した放射線は予め定めた位置に再び方向付けられる。第１光学エレメントとしてのグレーティングでは、第１角度（偏向角）の変化も考慮できる。本発明の実施形態の利点は、経路長の適応が、温度変化によってのみ誘起される完全に受動的なプロセスであることである。本発明の実施形態の利点は、熱光学効果だけでなく熱膨張の効果も補償されることである。これが受動的な方法で得られることは、実施形態の利点である。
【００３３】
フィルタデバイスは、反射エレメントをさらに備えてもよく、そのため第１光学エレメントから第２光学エレメントに伝搬する前記方向付けられた放射線の経路上で、放射線が反射エレメントの反射面によって反射されるようになる。デバイスは、高さを減少させることによって、よりコンパクトに形成できる。反射面は、反射性フレネルレンズでもよい。こうして光の回折円錐(cone)は、コリメートまたは再集光によって低減できる。
【００３４】
第１光学エレメントおよび第２光学エレメントは、両方ともデバイスの平坦な表面上に形成してもよく、反射エレメントは、前記平坦な表面の上方または下方に位置決めされる。
【００３５】
デバイスはさらに、前記平坦な表面の上方または下方に位置決めされる反射エレメントを支持するための少なくとも１つのスタンドオフ(stand-off)を備えてもよい。スタンドオフは、例えば、長方形の形状を有してもよい。本発明の実施形態の利点は、この手法が、光学エレメントの表面に対する鏡面／反射エレメント表面の平行なアライメント（整列）を可能にし、製造公差に起因する第２入射角の誤差を低減することである。良好な高さ制御が、均等な成長制御により可能になる。
【００３６】
光路長の適応は、スタンドオフの全体熱膨張によって達成できる。スタンドオフの適切な材料選択および適切な寸法選択によって、熱膨張効果の補償が達成できる。
【００３７】
スタンドオフ材料は、その全体熱膨張係数が、第１光学エレメントおよび第２光学エレメントの両方がその上または中に形成される基板材料の熱膨張係数より、約３倍大きくなるように、例えば、２倍〜４倍の範囲、または２．５倍〜３．５倍の範囲、例えば、３倍大きいように選択してもよい。この条件は、第１角度が４０度〜５０度の範囲、例えば、第１角度が４５度である場合に最適にできる。本発明の実施形態の利点は、最適な温度非感受性が得られることである。スタンドオフまたはその一部は、第１または第２光学エレメントの基板でもよい。基板で少なくとも部分的に形成されるスタンドオフが、好都合には、第１および第２光学エレメントの両方が形成される基板に対する鏡面／反射エレメントのアライメントを簡素化できる。
【００３８】
シリコンプラットフォームにおいて１００Ｋの温度範囲にわたって温度非感受性は１ｐｍ／Ｋ未満でもよい。これは、従来の補正されていないシリコン波長フィルタと比較して、約１００分の１の減少です。
【００３９】
第１光学エレメントおよび第２光学エレメントは、互いの上方に位置決めしてもよく、前記伝搬媒体を通る少なくとも部分的に回折した放射線の伝搬経路は、直線に追従していてもよい。本発明の異なる実施形態において、伝搬媒体を通過して第１光学エレメントから第２光学エレメントへ伝搬する前記少なくとも部分的に回折した放射線の伝搬経路は、ガスまたは真空を通る経路、例えば、空気を通る経路でもよい。好都合には、経路は、実質的に温度に依存しない屈折率を備えた伝搬媒体、例えば、空気などのガスまたは真空などを通過する。本発明の実施形態の利点は、経路に沿って光の吸収損失が発生しないことである。また本発明の実施形態の利点は、追加の製造ステップが必要とされないことである。
【００４０】
第１光学エレメントおよび第２光学エレメントは、チップの半導体または誘電体基板の中に形成してもよい。本発明の実施形態の利点は、コンパクトなシステムが得られることである。本発明の実施形態の利点は、生産が、大量生産および低コストの製造技術をベースにできることである。本発明の実施形態の利点は、高密度に集積されたデバイスが得られることである。
【００４１】
第１光学エレメントおよび第２光学エレメントは、例えば、半導体オンインシュレータプラットフォーム、例えば、シリコンオンインシュレータプラットフォームに製造してもよい。幾つかの実施形態において、基板は、半導体基板でもよく、他の実施形態において、基板は、誘電体基板でもよい。
【００４２】
本発明はまた、安定した基準波長を提供するための集積システムに関する。該システムは、
上述したような集積波長選択フィルタデバイスと、
集積広帯域(broadband)光源と、
光源および波長選択フィルタデバイスの第１分散エレメントに接続され、第１光学エレメントに広帯域光を提供し、第１光学エレメントから基準波長を有する放射線を抽出するための少なくとも１つのライトガイドと、を備える。
【００４３】
ライトガイドはまた、第１光学エレメントから基準波長を有する放射線を抽出するために使用してもよい。代替として、基準波長からの放射線の抽出は、追加の光学エレメントおよび追加のライトガイドを用いて実施してもよい。
【００４４】
本発明の実施形態の利点は、コンパクトで大量生産可能であり、低コストで安定した参照波長が、安定した基準を必要とする測定システム、例えば、分光のために得られることである。
【００４５】
システムはさらに、複数の集積検出器エレメントを備えてもよく、集積波長選択フィルタは、異なる波長の放射線を異なる予め定めた位置に回折し、異なる波長の放射線を異なる集積検出器エレメントに方向付けるように構成される。
【００４６】
本発明はさらに、統合分光計システムに関する。該システムは、上述のような複数の集積波長選択フィルタデバイスと、複数のライトガイド回路と、複数の集積検出器とを備え、複数の波長選択フィルタデバイスの各々は、異なる基準波長を有するように構成され、それにより基準波長のセットを定義し、複数の光ガイド回路の各々は、外部から印加される放射線信号の一部を受光し、それを複数の波長選択フィルタデバイスの１つに伝送するように構成され、特定の基準波長の放射線をそこから取得し、得られた放射線を複数の検出器の１つに方向付ける。本発明の実施形態の利点は、コンパクトで大量生産可能であり、低コストで安定した分光計が得られることである。
【００４７】
本開示の特定の好ましい態様は、添付の独立及び従属請求項に記載される。従属請求項からの特徴は、独立請求項の特徴および他の従属請求項の特徴と適切に組み合わせてもよく、単に請求項に明示的に記載されているだけではない。
【００４８】
本発明および先行技術と比べて達成される利点を要約する目的で、本発明の特定の目的および利点をここで上述した。当然ながら、こうした目的または利点の全てが本発明の特定の実施形態に従って必ずしも達成されるわけではないことを理解すべきである。こうして、例えば、当業者は、本発明が、ここで教示または示唆し得る他の目的または利点を必ずしも達成することなく、ここで教示されるような１つの利点または利点のグループを達成または最適化する方法で具現化または実行できることを認識するであろう。
【００４９】
本発明の上記の及び他の態様は、以下に説明する実施形態を参照して明らかになり、解明されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
ここで、一例として、添付図面を参照して本発明についてさらに説明する。
【図１】本発明の第１実施形態に係る集積波長選択フィルタデバイスの概略断面図であり、該デバイスは、平坦な表面上に配置された、第１および第２光学エレメントとして２つの集積グレーティングと、平坦な表面の上方に位置決めされた１つの追加の反射面とを備える。
【図２】本発明の第２実施形態に係る集積波長選択フィルタデバイスの概略断面図であり、該デバイスは、下側の第１平坦な表面および上側の第２平坦な表面上にそれぞれ配置された、第１および第２光学エレメントとして２つの集積グレーティングを備え、追加の反射面を備えていない。
【図３】本発明の第１実施形態に係る集積波長選択フィルタデバイスの概略上面図であり、該デバイスは、第１および第２光学エレメントとして２つの集積グレーティングと、追加の反射面とを備える。
【図４】本発明の実施形態に係る、軸外に位置決めされた集積波長選択フィルタデバイスの概略上面図であり、上面図は、第２基板によって構成される平坦な表面の高さで水平にしている。
【図５】本発明の実施形態に係る、軸外に位置決めされた集積波長選択フィルタデバイスの概略斜視図である。
【図６】本発明の代替の実施形態に係る集積波長選択フィルタデバイスの概略断面図であり、該デバイスは、平坦な表面上に配置された、第１および第２光学エレメントとして２つの集積グレーティングと、平坦な表面の下方に位置決めされた１つの追加の反射面とを備える。
【図７】本発明の代替の実施形態に係る集積波長選択フィルタデバイスの概略断面図であり、該デバイスは、上側の第１平坦な表面および下側の第２平坦な表面上にそれぞれ配置された、第１および第２光学エレメントとして２つの集積グレーティングを備え、追加の反射面を備えていない。
【００５１】
図面は、概略的に過ぎず、非限定的である。図面において、要素のいくつかのサイズは、説明目的のために誇張されたり、縮尺通りに描かれていないことがある。寸法および相対寸法は、本開示の実際の実施化に必ずしも対応していない。
【００５２】
請求項での参照符号は、範囲を限定するものとして解釈すべきではない。
【００５３】
異なる図面において、同じ参照符号は、同じまたは類似の要素を参照する。
【発明を実施するための形態】
【００５４】
本発明は、特定の実施形態に関して特定の図面を参照して説明されるが、本発明は、それらによって限定されず、請求項によってのみ限定される。
【００５５】
明細書及び請求項の第１、第２などの用語は、同様の要素を区別するために用いられ、必ずしも時間的、空間的、ランキングまたは他の方法で順序を記述するために用いていない。そのように用いられる用語は、適切な状況下で交換可能であり、本明細書で記載された本開示の実施形態は、本明細書で記載され図示されたものとは他の順序で動作可能であると理解すべきである。
【００５６】
さらに、明細書および請求項における上部(top)、下部(bottom)、前方(front)、後方(back)、前縁(leading)、後縁(trailing)、下(under)、上(over)などの方向的な用語は、説明中の図面の向きを参照して、説明の目的で使用され、必ずしも相対位置を記述するためではない。本発明の実施形態の構成要素は、幾つかの異なる向きに位置決めできるため、方向的な用語は、例示の目的のためだけに使用され、特に言及していない限り、限定的であることを何ら意図していない。よって、こうして使用される用語は、適切な状況下で交換可能であり、本明細書で説明される本発明の実施形態は、本明細書で説明または図示したもの以外の向きで動作可能であることを理解すべきである。
【００５７】
請求項で用いられる「備える、含む」(comprising)という用語は、その後に列挙される手段に制限されるように解釈されるべきでなく、他の要素またはステップを排除しないことに留意すべきである。したがって、言及した特徴、整数、ステップまたは構成要素の存在を特定するように解釈すべきであり、１つ以上の特徴、整数、ステップまたは構成要素、またはそれらのグループの存在または追加を排除しない。こうして表現「装置は、手段ＡとＢを備える」の範囲は、構成要素ＡとＢのみからなる装置と限定されるべきでない。本開示に関して、装置の唯一の関連した構成要素がＡとＢであることを意味する。
【００５８】
本明細書を通じて「一実施形態」または「実施形態」との参照は、実施形態に関連して記載された特定の特徴、構造または特性が本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。こうして本明細書を通じて様々な場所での「一実施形態において」または「実施形態において」の語句の出現は、必ずしも同じ実施形態を全て参照してないが、参照することもある。さらに特定の特徴、構造または特性は、１つ以上の実施形態において、本開示から当業者にとって明白であるように、任意の適切な方法で組み合わせてもよい。
【００５９】
同様に、本開示の例示的な実施形態の記載において、本開示の様々な特徴は、１以上の様々な本発明の態様の開示の合理化及び理解の助けのために、１つの実施形態、図または説明に時にはグループ化されることは理解すべきである。しかしながら、本開示のこの方法は、権利請求した開示は、各請求項に明白に記載されるものより多くの特徴を要求するという意図を反映するように解釈すべきでない。むしろ、下記請求項が反映するように、発明の態様は、単一の前述の開示された実施形態の全ての特徴より少ない点にある。したがって、詳細な説明に続く請求項は、本開示の分離した実施形態として、この詳細な説明の中にここで明確に組み込まれ、各請求項は、本開示の別個の実施形態として独立している。
【００６０】
さらに、本明細書で記載された幾つかの実施形態が、他の実施形態に含まれるいくつかを含み、他の特徴を含まないが、異なる実施形態の特徴の組合せは、当業者によって理解されるように、本開示の範囲内であり、異なる実施形態を形成することを意味する。例えば、下記請求項において、権利請求される実施形態の何れも任意の組合せで使用できる。
【００６１】
本発明の特定の特徴または態様を説明する場合に特定の用語の使用は、該用語が、本明細書で再定義され、該用語が関連している本発明の特徴または態様の特定の特性を含むように限定されることを意味すると解釈されるべきではないことに留意すべきである。
【００６２】
本明細書で提供される説明において、多数の特定の詳細が記載されている。しかしながら、本開示の実施形態は、これらの特定の詳細なしで実施できることが理解される。他の例では、周知の方法、構造及び技術は、この説明の理解を曖昧にしないために、詳細に示していない。
【００６３】
説明において放射線に言及する場合、電磁スペクトルの一部としての光の形態である放射線を意味する。これは、特にＵＶスペクトル、可視スペクトル、近赤外線スペクトル、中赤外線スペクトル、および遠赤外線スペクトルの光を含む。
【００６４】
非熱的(athermal)光学フィルタまたはフィルタリングデバイスは、その温度感受性を著しく減少させるか、または通過帯域の中心波長に関して温度ドリフトを補償する１つ以上の技術手段を備える光学フィルタを指定することを意図しており、前記１つ以上の技術手段が存在しない場合、フィルタまたはフィルタリングデバイスの性能に悪影響を与えるであろう。
【００６５】
本発明の文脈において、「集積」波長選択性フィルタデバイスが、少なくとも第１および第２光学エレメントを備えるデバイスを参照し、これらは、受光した放射線を、角度のの点で特徴付け可能な空間方向に方向付けるまたは再方向付けるように構成され、該角度は、受光した放射線の特定の波長に依存する。第１および第２光学エレメントは、基板上または基板内にそれぞれパターン形成される。第１および第２光学エレメントは、基板上または基板内にそれぞれパターン形成されたグレーティング構造または回折構造でもよい。「集積」波長選択フィルタデバイスは、追加の光学エレメント、放射線源、検出器を備えてもよい。「集積された」波長選択フィルターデバイスが、単一のチップ、例えば、波長選択フィルタデバイスと共に共働して単一のコンパクトな機能デバイスを形成する、制御電子回路または読み出し電子回路を含むチップへの更なるデバイス集積に適している。
【００６６】
「基板」は、基板材料の上または内部への追加材料の組み込み、包含、取り付けまたは堆積のため、および基板に既に存在する材料の排除、除去または変更のための物理的な支持土台を形成する材料または材料の組合せを参照する。複数の基板が、例えば、接合または積層によって新しい基板に組み合わせ可能である。本発明の実施形態において、基板は、フォトニック回路ダイ(die)またはプレーナ（平面型）光波回路のものでもよい。基板は、シリコンまたはシリコンオンインシュレータを含んでもよい。フォトニック回路ダイは、ダイシングされ、切断され、スライスされ、またはより小さな断片に分割された、より大きなウェハの一部として得られてもよい。幾つかの実施形態において、「基板」は、物理的な支持土台の一部のみを参照してもよく、おそらくそれ自体は、追加の材料層なしで物理的なサポートとして機能するのに充分に強くない。こうした場合、典型的には、例えば、厚いシリコン層など、機械的キャリアを提供する追加の材料がデバイスに存在するようになることは理解されよう。
【００６７】
本発明の実施形態において、「スタンドオフ(stand-off)」を参照する場合、集積波長選択フィルタデバイスによって構成され、壁状、柱状またはボール状の構成を有する、１つ以上の構造支持エレメントを意味する。「スタンドオフ」は、集積波長選択フィルタデバイスの一部を形成する組合せまたは組立てエレメントの間、例えば、互いに面する別個の組合せ基板の２つの平坦な表面の間の構造的サポートおよび制御された距離間隔を確保するスペーサとして機能する。「スタンドオフ」を提供する本発明の実施形態において、これらの存在は、第１光学エレメントと第２光学エレメントとの間の放射線の伝搬に影響を与えてはならない。このことは、サポート構造としての「スタンドオフ」が、動作中のフィルタデバイス内での方向付けまたは回折放射線が、「スタンドオフ」材料を伝搬媒体として伝搬しないように配置されることを意味する。これは、「スタンドオフ」を、第１および第２光学エレメントをこれらの周辺で包囲するように位置決めすることによって達成できる。本発明の一実施形態において、スタンドオフは、部分的または全体的に基板材料自体を利用してもよく、その場合、基板材料は、局所的に除去して、放射線がそこを通って伝搬するのを避けるようにする必要がある。
【００６８】
３次元ユークリッド空間内に埋め込まれた任意の滑らかな２次元表面について、局所表面法線がこの表面上のある点に構築されて直立可能であることは、解析微分幾何学において周知の事実である。この表面上のある点における３次元ユークリッド空間内の方向は、表面の法線に対して２つの方向角度でパラメータ化された方向ベクトルとして付与できる。方向角度の一般的な選択は、表面法線と、表面法線および方向ベクトルによって測られる平面内の方向ベクトルによって形成される角度である仰角と、表面上のこの点での接平面（表面法線に対して垂直）への方向ベクトルの投影と、その同じ接平面での基準方向／線との間に形成される角度である方位角とを含む。接平面でのこうした基準方向／線にとって好ましい向きは存在しないが、本発明の実施形態では、基準方向／線として波形表面の一部を形成するリッジまたは溝の局所曲率半径を選択することによって、接平面での基準方向／線の自然な選択が採用できる。そして、接平面は、波形である表面に対応する。これは、図５にも示される。
【００６９】
第１態様において、本発明の実施形態は、集積波長選択フィルタデバイスに関する。集積波長選択フィルタデバイスは、基板内または基板上にパターン形成された第１光学エレメントであって、そこに入射する放射線を受光し、前記受光した放射線を第１角度（α）で定義される方向に少なくとも部分的に方向付けるように構成された第１光学エレメントを備える。第１光学エレメントは、例えば、ミラーまたはグレーティングでもよい。第１角度（α）は、典型的には波長に依存する。フィルタデバイスはまた、基板内または基板上にパターン形成された第２光学エレメントであって、長手方向に延びて、第１光学エレメントから遠隔に配置された第２光学エレメントを備える。第２光学エレメントは、回折エレメントである。第２光学エレメントは、前記方向付けられた放射線をある入射角で受光するように構成され、該方向付けられた放射線を第２角度で回折させるように構成される。入射角および第２回折角は共に波長に依存する。第１光学エレメントは、受光した放射線を伝搬媒体の中に方向付けて、それを通って、方向付けられ受光した放射線は伝搬し、その後、第２光学エレメントで受光される。伝搬媒体は、いずれか１つの基板材料とは異なり、より小さい屈折率を有する材料で形成される。さらに、第２光学エレメントは、第２回折角が、単一の基準波長に関して、回折した放射線が伝搬媒体の中に方向付けられ、そこで第１光学エレメント上または追加の光学エレメント上の予め定めた位置に向かって進行するように設定され、基準波長と実質的に一致する波長を有する放射線を、実質的に異なる波長を有する放射線からフィルタリングし、これにより基準波長は、デバイス全体にとって一意的に決定されるように、構成される。
【００７０】
幾つかの実施形態において、第２光学エレメントは、方向付けられた放射線を伝搬媒体の中に後方反射するようにして、第２光学エレメントがその上または中にパターン形成される基板の平坦な表面に対して同じ仰角方向に沿って、第２光学エレメントに入射する放射線と比べて反対伝搬の意味で第１光学エレメントに向けて進行し、フィルタリングされた放射線を出射するように構成される。他の実施形態では、第２光学エレメントは、第２光学エレメントに入射する放射線を異なる方位角方向、例えば、第２光学エレメントに入射する入射放射線の方位角方向と比較して、わずかに異なる方位角方向に沿って後方に回折させるように軸外構成で構成される。方位角方向が、第２光学エレメントがその上またはその中にパターン形成される基板の平坦な表面に対して定義できる。そしてフィルタデバイスは、第１光学エレメントに類似した特性を有し、フィルタリングされた放射線を出射するように構成された追加の光学エレメントをさらに備えてもよい。
【００７１】
ここで本発明の実施形態の標準および任意の構成について異なるタイプの実施形態を参照してより詳細に説明する。
【００７２】
本発明の実施形態に係る集積光学波長選択フィルタが、典型的には入力ポートを備えてもよく、これは、幾つかの実施形態において出力ポートとしても機能する。入力ポートは、典型的には、入射多色放射線を受光し、フィルタリングされたほぼ単色の放射線を供給するように構成できる。こうして、幾つかの実施形態において光学波長選択フィルタは、典型的には入力ポートに接続され、そこに入射する多色放射線を分散させるための第１光学エレメントと、必要に応じて、放射線ビームの経路を折り曲げたり、再び方向付けるための１つ以上の反射面と、後方反射構成で使用される第２光学エレメントと、を備える。入力ポートは、好ましくは、導波路種類、例えば、基板上または基板内に埋め込まれた、集積されたリッジ、リブ、またはスロット付き導波路のファセット(facet)または断面、例えば、サファイアまたはポリマー基板、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、リン化インジウム、ヒ化ガリウム、または他の半導体または誘電体プラットフォームにパターン形成された集積導波路のものであるが、これらに限定されない。さらにより好ましくは、導波路種類の入力ポートは、シングル導波モード、例えば、導波路の基本モードへの入射多色放射線の閉じ込めをもたらし、シングル導波モード／基本モードは、波長によってパラメータ化される。他のタイプの入力ポートは、例えば、集積された光学エレメントのアパーチャまたは射出瞳、例えば、マイクロプリズムの面、レンズまたはレンズシステムの瞳、例えば、集積光学回路の基板上に接合された微細ボールレンズの瞳でもよい。こうした場合、入射放射線は、好ましくは、閉じ込められていない基本モードであり、例えば、ゼロ次のコリメート化ガウシアンビームである。基本モードは、空間的により局所化された入射放射線を提供するため、好都合である。これらは、ライトガイド、光折り曲げ、または光分散構造の減少した寸法、例えば、より狭いリッジ導波路、より短いグレーティングなどを可能にする。このことは、集積光学フィルタおよびこのフィルタを含む集積光学システムのよりコンパクトでコスト効率の高い設計を可能にする。
【００７３】
第１光学エレメントは、好ましくは、集積グレーティング、例えば、ＳＯＩプラットフォームでの浅いまたは深いエッチングされたグレーティングとして提供される。グレーティングタイプの第１光学エレメントでは、少ない回折次数だけが励起されることがさらに好ましく、最も好ましくは単一の回折次数である。これは、迷光およびバックグランド信号の可能性ある光源が回避され、１次または数次だけへの回折効率が増加するという利点を有する。このことは、挿入損失を減少させ、阻止帯域の減衰率を増加させることによって、通過帯域の全体的な光学フィルタのスループットを改善する。本発明の幾つかの実施形態において必要とされる場合、集積導波路および第１光学エレメント、例えば、集積グレーティングの上部クラッドは、好ましくは空気であるが、実施形態はそれに限定されない。実際、集積導波路または第１集積グレーティングの有効屈折率と比較して、実質的に弱い温度依存屈折率（即ち、熱光学係数）を有するいずれか他の材料も適切である。代替として、第１光学エレメントは、接合された刻線式(ruled)またはホログラフィック式のグレーティング、接合されたマイクロプリズム、ＡＷＧ種類のアレイ式位相グレーティング、劈開した導波路ファセット、鏡面などでもよい。
【００７４】
第２光学エレメントも、好ましくは、集積グレーティング、例えば、ＳＯＩプラットフォームでの浅いまたは深いエッチングされたグレーティングとして提供される。さらにより好ましくは、第２光学エレメントは、回折効率を最大化するようにブレーズド(blazed)グレーティングである。代替として、第２光学エレメントは、接合された刻線式またはホログラフィック式のグレーティングでもよい。第１および第２光学エレメントの両方は、薄い層によってコンフォーマル（等角）にコートされた放射線信号に曝されるそれらの表面の１つ以上を有して、所望のフィルタ通過帯域範囲内でそれらの反射特性または透過特性を改善するようにしてもよい。第１光学エレメントは透過形態で動作する場合、前記コンフォーマルコーティングは、薄いコンフォーマル反射防止コーティングでよい。反射形態で動作する第２光学エレメントでは、薄いコンフォーマル金属層フィルムまたは薄いコンフォーマル反射コーティングを付与してもよい。
【００７５】
多色放射線が第１光学エレメントに第１入射角で入射する場合、それは、異なる角度方向、即ち、波長に依存する異なる偏向角に分散されないか、または部分的に分散される。異なる角度方向への分散が、伝搬媒体内で再び方向付けされた受光放射線の自由伝搬の結果であることがある。第２光学エレメントは、第１光学エレメントに対して少なくとも部分的に偏向された多色放射線が大きな障害なしで第２入射角でそれに到達するように、遠隔に配置される。即ち、第１光学エレメントと第２光学エレメントとの間に実質的に損失なし放射線伝搬経路が確立される。第２光学エレメントは、幾つかの実施形態において、集積光学フィルタの中心波長付近の狭帯域領域内の放射線を後方反射するように構成され、第１光学エレメントと第２光学エレメントとの間の同じ放射線伝搬経路に沿って、本質的に後方進行するように、反対方向、即ち、第２入射角は、これらの波長では第２光学エレメントに関連する回折角と一致する。フィルタ阻止帯域の放射線波長は、異なる回折角に回折され、そのためこれらの波長の放射線信号の戻り経路が初期経路とは異なる。結果として、これらの波長の放射線信号は、大きな障害に遭遇する可能性があり、例えば、これらは吸収されたり、第１光学エレメントを見失ったり、入力ポート／出力ポートに戻らなくなる。何れの場合も、これらは効率的に抑制される。このフィルタリング効果は、１つ以上の反射表面を用いて、例えば、表面、金属ミラーまたは誘電体ミラー、例えば、表面に塗布された金属薄膜コーティングまたは誘電体薄膜コーティングでの全内部反射によって、そのため回折角度の小さな違いでも、戻り経路に沿ってより大きな空間分離を増加させるようになる。説明した構成の代替として、第２光学エレメントを軸外で構成してもよく、第１光学エレメントとは異なるが、第１光学エレメントと同じまたは実質的に類似した特性を含む第３光学エレメントを経由して放射線を出射してもよい。このとき第２光学エレメントでの回折波の角度は、第２光学エレメントへの入射角とは異なる。これは、例えば、著しく異なる角度になることがあり、または、幾つかの実施形態では、関係する角度の方位角成分での差だけとなることがある。幾つかの実施形態において、この差は小さくてもよく、例えば、第１光学エレメントの近くで異なる場所にある第３光学エレメントに放射線を後方反射するのに充分に小さくてもよい。
【００７６】
例示として、本発明の実施形態はそれに限定されず、実施形態の幾つかの特定の例がさらに説明され、標準および任意の構成を示す。
【００７７】
図１は、非熱的光学波長選択フィルタ１０を実現する集積フォトニックチップの概略断面図である。集積フォトニックチップは、図１に示される部分に限定されず、図示していない追加のコンポーネント、例えば、光を集積フォトニックチップに結合するための、湾曲した入力グレーティングカプラ、テーパー状の幅広い導波路、または接合したプリズムカプラ、例えば、近接ファイバ端面から放出される光、または集積フォトニックチップに入射する集光ビーム、およびルーティング、分割、合成する手段、例えば、曲がった導波路、広帯域方向性カプラなど、を備えてもよい。
【００７８】
集積導波路１３１（埋め込み酸化シリコン基板１１の上にあるシリコン層１２に形成されたシングルモードシリコン導波路でもよい）の入力ファセットまたは断面が、集積光学波長選択フィルタ１０への入力ポート１３として機能できる。基板１１は、様々な材料、例えば、サファイア、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ポリマーなどでもよく、そして単一の材料層だけでなく、例えば、基板１１は、シリコンウェハ層の上にある埋め込み酸化シリコン層であってもよい。さらに、シリコン層１２（以下では導波路層１２と称される）は、シリコン層に限定されず、他の材料層、例えば、ＩｎＰ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、一般にはガラス、特にカルコゲン、ＩＩＩ−Ｖプラットフォームの四元材料、例えば、ＩｎＰプラットフォームでのＩｎＧａＡｓＰなどが選択でき、特定の選択は、フィルタのターゲット中心波長、温度範囲、設計ルールなどに依存する。
【００７９】
集積導波路１３１は、集積導波路１３１と同じ層１２内に形成された第１光学エレメント（この例では、集積グレーティング１４）に接続され、入射放射線は、入力ポート１３、例えば、集積導波路１３１の断面またはファセットから第１集積グレーティング１４へ方向付けられる。この実施形態によれば、第１集積グレーティング１４は、第１光学エレメントとして選択される。それは、導波路層１２を選択的にエッチングすることにより得られる矩形状のグレーティング歯を備えたグレーティングでもよい。しかしながら、グレーティング１４は異なる形状も可能であり、例えば、三角形、楔形(wedged)、鋸歯または正弦波である。第１集積グレーティング１４は、好ましくは、例えば、特定のグレーティング周期を選択することによって、光学フィルタ１０の中心波長について最適化され、そのため中心波長の光は、変化する温度の下で適切な角度範囲に回折され、あるいは中心波長について高効率の回折形態のグレーティングプロファイルを最適化することによって、最適化される。例えば、約８１０ｎｍのグレーティングピッチは、グレーティングがシリコン導波路に浅くエッチングされた矩形状グレーティングである場合、室温で１．５５μｍの波長を４５度の角度に回折するが、本発明はこれに限定されない。第１の集積グレーティングのグレーティング周期にチャープ(chirp)を導入することも好都合であり、そのため関連する回折帯域幅が増加し、第１集積グレーティング１４またはその端面ファセットでの望ましくない後方反射が減少する。代替として、反射が特に低いことが知られている軸外グレーティングまたはグレーティングカプラを提供することが可能である。さらに、第１集積グレーティング１４は、好ましくは、入射光を単一の次数（例えば、次数ｍ＝−１）にのみ回折させるように構成される。これは、回折の次数の重なりが回避され、設計の考慮事項の複雑さを軽減するため、利点がある。また、それは、信号エネルギーが複数の次数に拡散し、追加の損失と弱い出力信号をもたらすことを回避し、例えば、阻止帯域の減衰率はかなり低くなる。しかしながら、設計ルールが、正確に製造するには小さすぎるグレーティング周期を排除する場合、より高い次数の第１集積グレーティング１４（例えば、｜ｍ｜≧２の次数を有する）を設計する必要があるであろう。さらに、例えば、薄い反射防止コーティングを付与することによって、第１集積グレーティングの表面輪郭をコートすることが有益となることがあり、この範囲でフィルタリングされた光が、入力ポート１３（出力ポートとしても機能する）に戻る前に第１集積グレーティング１４に再入射する場合に、通過帯域波長範囲での反射損失を最小化するようになる。
【００８０】
第２光学エレメント１５（この例では集積グレーティング１５）は、集積導波路１３１および第１集積グレーティング１４の両方と同じシリコン層１２にパターン形成されるが、この全く同じシリコン層１２を介して第１集積グレーティング１４には直接接続されない。例えば、図１の断面図において第１集積グレーティング１４と第２集積グレーティング１５との間にギャップ領域が存在する。本実施形態において、こうして遠隔に形成された第１および第２集積グレーティング１４，１５は、好ましくは０．５ｍｍ〜１０ｍｍ、最も好ましくは１ｍｍ〜５ｍｍの範囲の間隔で隔離してもよい。第２集積グレーティング１５は、典型的にはブレーズドグレーティングになるように設計される。このことは、典型的には、特に第２集積グレーティング１５が最も好ましい構成、例えば、リトロー構成の場合、少ない反射損失をもたらす。リトロー構成は、ブレーズ角が入射角に等しく、興味のある所定の回折次数の回折角にも等しい特定のケースである。ここで、回折角は、グレーティング表面の法線および入射角の配向とは反対である配向に対して決定される。こうした構成では、グレーティング効率は、典型的には特定の回折次数で大幅に増強される。第２集積型グレーティング１５の効率をさらに増強させるために、その表面輪郭が、薄い反射膜、例えば、アルミニウム、金または銀の薄い層、または薄い反射誘電体層スタックでコートしてもよい。ブレーズドグレーティング１５が、異方性ウェットまたはドライエッチングによって製造してもよく、エッチャント、エッチャント濃度、結晶表面、結晶／ウェハの配向および結晶／ウェハのカット角などに対するエッチャント選択性が選択されて、少なくとも１つの特定のブレーズ角が得られる。例えば、導波路層１２が［１００］配向の結晶シリコンウェハ層である場合、ウェットエッチャントは、ＫＯＨまたはＴＭＡＨでもよく、そのためエッチストップは、５４．７°の角度で｛１１１｝面上で生じる。ブレーズドグレーティングのより複雑な製造は、第２集積グレーティング１５に入射する光の角度の長手方向変化を説明するようにブレーズ角を調整してもよく、基板１１に平行な面内のグレーティング線の曲率を説明できる。例えば、集束イオンビームエッチングプロセスを使用して、より複雑なブレーズドグレーティング１５を製造できる。しかしながら、第２集積グレーティング１５はまた、矩形状、正弦波状、階段室(stair-case)プロファイルなどである表面輪郭を示すように設計してもよい。グレーティング線１５１は、一般には単なる直線ではないが（基板１１に対して平行な面内で見られ、図１では見えない）、種々のライン形状に適合してもよく、例えば、基板１１に対して平行な面内で円形または楕円形のライン形状に追従してもよい。これは、本実施形態の上面図である図３に示される。これは、例えば、本発明の第１集積グレーティング１４が、第２集積グレーティング１５または両者間の距離よりもかなり小さい寸法を有し、第１集積グレーティング１４が、その放射角が波長依存性である指向性ポイントエミッタ（点発光器）として合理的に近似できる場合、円錐状回折が必要である場合に利点である。そして、入射角は、第２集積グレーティ���グ１５のグレーティングライン１５１に沿って均一である。
【００８１】
１つ以上のスタンドオフ１８、例えば、図１の２つのスタンドオフ柱１８、または単一の矩形状経路が、第１および第２集積グレーティング１４，１５に近接して、光学集積フィルタ１０の両側に配置されてもよい。１つ以上のスタンドオフ１８は、アルミナ、サファイア、サーメット、ステアタイトで製作してもよいが、本発明はこれに限定されない。
【００８２】
スタンドオフ１８は、選択的に成長され、スパッタされ、蒸着技術によって堆積させてもよく、あるいは、より好ましくは、露出している基板１１、または除去されていない導波路層１２のいずれかに直接接合できる。スタンドオフ１８は、垂直方向に０．１ｍｍ〜５ｍｍ、好ましくは０．１ｍｍ〜２ｍｍだけ延びてもよく、本実施形態では、基板法線およびグレーティング法線１２１の両方と一致する。
【００８３】
第２基板１６が、場合によっては追加の材料層を含んでも含まなくてもよく、第１および第２集積グレーティング１４，１５を含む略平面状の導波路層１２の少なくともある領域に渡って高さｈで懸架され、両者間のギャップ領域、高さｈは、第２基板１６が構造的に支持されるスタンドオフ１８の高さに対応する。こうした第２基板は、例えば、溶融石英で製作してもよい。導波路層１２に面する第２基板１６の表面部分１６１が、薄い金属膜、例えば、金または銀の薄膜、または薄い反射コーティングを追加的に含んで、この表面部分１６１の反射率および鏡面能力をさらに増加させるようにしてもよい。これは、それらの表面に入射する光に対して実質的に透過性である基板１６に特に当てはまる。表面部分１６１は、遠隔に配置された第１および第２集積グレーティング１４，１５の間にあるギャップ領域に少なくとも面するように設置され、より好ましくは横方向に延びており、そのため第１集積グレーティング１４によって放出され、または第２集積グレーティング１５によって後方偏向された、中心波長の光線１９がフィルタ１０の全体目標温度範囲を通じて衝突して反射する。表面部分１６１のより大きな範囲を選択することは、アライメント（整列）許容誤差の点でも好都合であり、その理由は、第１および第２集積グレーティング１４，１５に対する表面部分１６１のアライメント時の小さいオフセットが、鏡面能力に対して目立つ影響を及ぼさないためである。少なくとも部分的に閉じ込められた空間１７が、スタンドオフ１８および懸架基板１６の境界壁によって画定され、好ましくは空気で充填される。即ち、集積導波路１３１の少なくとも一部ならびに第１および第２集積グレーティング１４，１５全体の両方が、エアトップ(air top)クラッドを有することである。その自然発生およびその除去のための特別なステップが必要でないという事実のため、空気が本実施形態にとって好ましいクラッド媒体であるが、本発明の代替の実施形態が、異なるクラッド媒体を提供してもよい。これは、例えば、空間１７が、完全に閉じ込められ気密的に封止された空間である場合、不活性雰囲気または真空でもよい。本発明のさらに他の実施形態において、空間１７は、固体誘電材料で充填してもよく、これは、好ましくは、低い熱光学係数、および２つの基板に一致する熱膨張係数を有し、基板１６を過度に変形させず、その表面部分１６１の反射率を局所的に変化させないようにできる。製造および集積を容易にするために、本実施形態では平面基板１６が好ましいことではあるが、湾曲または他の表面輪郭付き基板１６を提供することが可能であり、表面部分１６１も、例えば、光ビーム、即ち、第１集積グレーティング１４の小さい開口数に起因して発散ビームを再集光させる集光手段を有することが可能である。
【００８４】
動作において、集積光学フィルタ１０は、その入力ポート１３で多色光信号を受光する。集積導波路１３１は、この多色信号を、実質的に損失なしの方法で第１集積グレーティング１４に案内し、それは、空気充填の空間１７の中に出射され、回折により次数ｍ＝−１となる。導波効果のため、入射多色光信号は、グレーティング法線１２１に対して略９０度である第１入射角で伝搬する。偏向の中心角α（第１角度）が、下記の式（１）で与えられるグレーティング式から得られる。ここで、ｎａは、空間１７内のクラッド媒体、例えば、空気の屈折率を参照し、ｎｅｆｆは、第１集積グレーティング１４によって画定される波形漏れ導波路の有効屈折率の実部を意味し、ｍは回折次数、λは多色信号の波長成分、Λは第１集積グレーティング１４のグレーティング周期である。
【００８５】
【数１】
2021508851.tif 000003
【００８６】
式（１）から偏向角αが波長依存性であることが判る。多色光信号の特定の波長成分λ、例えば、中心波長による光線１９が、グレーティング法線１２１に対する偏向角αで空間１７の媒体を通って進行し、その後、それが反射表面部分１６１、例えば、鏡面、例えば、基板１６上に堆積された金薄膜に当たり、そこから反射して、空間１７の媒体をさらに進行する。最終的に、この光線１９は、第２入射角（全く同じ角度α）で第２集積グレーティング１５の波形表面上に入射する。これは、光線１９の経路を単に折り曲げる表面部分１６１のミラー作用および、同じ平面、例えば、基板１１の表面での第１および第２集積グレーティングの配置の結果であり、そのためこれらの法線１２１が共線(collinear)である。第２集積グレーティング１５において、多色光信号は再び回折され、このとき回折角βが式（２）で与えられるグレーティング式に従って計算される。ここで、ｋは、回折次数を示し、λは、多色光信号の特定の波長成分を示し、Ｄは、光線１９が第２集積グレーティング１５の表面に遭遇する位置における局所的グレーティング周期を示す。波長依存の偏向角に起因して、多色光信号の各波長成分は、前記第２集積型グレーティング１５での僅かに異なる入射位置を有する。
【００８７】
【数２】
2021508851.tif 000004
【００８８】
光学フィルタ１０の中心波長λｃでは、第２集積グレーティング１５のグレーティング周期Ｄは、中心波長に対応する光のペンシルビームまたは発散ビームによって照射されるグレーティング１５のある部分において、リトロー条件（α＝βまたは第２入射角が回折角に等しい）で第２集積グレーティング１５の動作を可能にする値に少なくとも局所的に設定される。よって、第１次数ｋ＝１でのリトロー構成では、周期Ｄは、式（３）で与えられる式に設定され、ここで、第２の同値は、ｍ＝−１での式（１）の直接の結果である。
【００８９】
【数３】
2021508851.tif 000005
【００９０】
式（３）は、第１光学エレメントを出るビームの中心角方向についてのみ成立する。自由空間回折に起因して、このビームは発散しており、従って複数の方向からなる。これらの異なる方向は、第２光学エレメントの異なる場所に着地する。従って、第２光学エレメントが同じ波長で全ての場所でリトロー条件を満たすのを確保するために、それはチャープ化する必要がある。本実施形態では、着地場所ｓは、第２光学エレメント上の所定場所から第１光学エレメントの中心までの距離を表し、フィルタの幾何形状によって決定され、式（４）で与えられる。これは、第２集積グレーティング１５についてチャープまたは位置依存のグレーティング周期Ｄを導入する。
【００９１】
【数４】
2021508851.tif 000006
【００９２】
ｓの定義の点で、第１光学エレメントがほぼ点光源エミッタとして挙動する場合、第２光学エレメントのグレーティングは、円形に湾曲したグレーティング溝を有することになる。このことは、第２光学エレメントが２次元的に発散する入射ビームを２次元的に集束する回折ビームに変換し、基準／中心波長について第１光学エレメント上での再集光することになるのを確保する。
【００９３】
式（３）と式（４）を組合せて、第２集積グレーティング１５の位置依存性の、即ち、局所的に変化するグレーティング周期Ｄ（ｓ）が導出でき、式（５）に記述される。
【００９４】
【数５】
2021508851.tif 000007
【００９５】
第２集積グレーティング１５のこのチャープ式または空間的に変化するグレーティング周期Ｄ（ｓ）は、それぞれの偏向角α（第２入射角に等しい）に関係なく、リトロー条件が中心波長に対して確実に成立することを確保する。結果として、中心波長とは実質的に異なる波長によって特徴付けられる光信号は、第２入射角αとは明らかに異なる角度方向βに回折される。よって、中心波長に近い狭い波長範囲、フィルタ通過帯域にある光だけが、第２集積グレーティング１５に向かう途中のものとほぼ同じ伝搬経路に沿って後方反射され、従って、第１集積グレーティングと効率的に再び結合し、そしてフィルタ出力ポートとしても機能する入力ポート１３に再び案内される。しかしながら、フィルタ通過帯域外、即ち、フィルタ阻止帯域内の波長によって特徴付けられる光信号は、第１集積グレーティング１４の比較的小さい開口数に起因して、入力ポート１３と再び結合しない。実際には、フィルタ阻止帯域内の光信号は、これらの戻り経路上の第１集積グレーティング１４の場所から空間的に逸脱しているため、拒絶される。この空間分離効果は、光線１９の折り曲げ伝搬経路、例えば、反射表面部分１６１によってさらに増幅される。これは、屈折率ｎｅｆｆおよびｎａの温度依存性の理由で、例えば、これらの熱光学係数の理由で、第１集積グレーティング１４の偏向角αに影響を与える温度変化に当てはまる。
【００９６】
代替の実施形態において、第２光学エレメントは軸外(off-axis)に配置され、第２光学エレメントでの相互作用の後、追加の光学エレメント１４ａおよび必要に応じて別個の出射導波路を用いて、放射線はフィルタから出射される。その原理は、図４と図５に示している。上述したように、第２光学エレメント１５は、軸外に配置され、第２光学エレメント１５での回折波の方位角「＋φ」は、第２光学エレメント１５での入射角の「−φ」とは異なり、例えば、軸外構成の第２光学エレメント１５は、方位角方向で鏡面反射器のように機能するが、第２光学エレメント１５での回折波の仰角「θ」は、第２光学エレメント１５に入射する到来波の仰角「θ」に実質的に等しく（例えば、処理の不完全に起因する変動を無視する）、例えば、軸外構成の第２光学エレメント１５は、仰角方向で理想的な角度維持性の後方反射器のように機能する。しかしながら、方位角成分および仰角成分を含む完全な入射角αは、出射する回折波の回折角βとは異なる。入射角αと回折角βとの間のこの差は、例えば、著しく異なる角度（例えば、αおよびβについての著しく異なる方位角成分および仰角成分）にでき、あるいは、幾つかの実施形態では、関心のある角度の方位角成分での差だけにもできる。幾つかの実施形態において、この差は、放射線を、第１光学エレメントに近い異なる場所にある第３光学エレメントに後方に向けるに充分なほどに小さくてもよい。図５の例示的な実施形態において、方位角成分φだけが第２光学エレメント１５の軸外配置によって影響を受けるが、仰角成分θは保存される。詳細には、方位角成分φは、平坦な基板１１の平面内の局所曲率半径で反射され、即ち、軸外構成の第２光学エレメント１５は、この平面内の鏡面ミラーのように機能している。
局所的な曲率半径が、該平面内の第１および第２光学エレメント１４，１５の中心を結ぶ線に対して非ゼロ角度を形成することは、軸外構成の場合には典型的である。
【００９７】
第２の基板１６の表面部分１６１の反射品質に依存する本発明の実施形態では、第１基板１１の平坦な表面、または第１基板１１の中または上にパターン形成された導波路層１２に関して、こうした表面部分について定義された傾斜角が、動作中の集積波長選択フィルタデバイスの良好な機能のため慎重に制御されるべきである。実際、可能性のある傾斜角に関して下記の感度解析で論証されるように、ゼロ度に近い傾斜角が好ましい。ほぼゼロである傾斜角は、互いに面する個々の第１基板および第２基板の２つの平坦な表面が平行である状況に対応する。図５およびそこで定義されたｘｙｚ座標系を簡単に参照して、２つの可能性のある傾斜角ωｘ，ωｙは、ｘ軸とｙ軸の周りでの、鏡面部分１６１、または表面部分１６１が形成された第２基板１６の回転をそれぞれ表す。ｘ軸周りの回転が、第１集積グレーティング１４と第２集積グレーティング１５との間をｙｚ面内だけで伝搬する光線の変位を引き起こすことに留意する。一方、ｙ軸の周りの回転が、第１集積グレーティング１４と第２集積グレーティング１５との間をｘｚ面内だけで伝搬する光線の変位を引き起すことになる。
ｘ軸周りの回転の傾斜角ωｘに関して、ｙ方向に沿った光線の下記変位Δｙは、第２光学エレメント１５が、入射光線を、伝搬媒体の中に、第１場所で伝搬媒体の中に光線を放出した第１光学エレメント１４上のある場所に向けて（例えば、図３で参照する実施形態）後方に回折する実施形態において観察される。臨界距離Δｙｃｒｉｔを超える後方回折光線のウォークオフ(walk-off)が、後方伝搬光線が第１光学エレメント１４の開口を見失って、波長選択フィルタデバイスから当初意図したようには出射されないという結果を有することがある。即ち、動作時に、傾斜角ωｘは、Δｙ＜Δｙｃｒｉｔとなるように正確に制御または調整される。幾何学は、変位Δｙが下記の式で表されることを教示する。
【００９８】
【数６】
2021508851.tif 000008
【００９９】
ここで、ｈは、鏡面部分１６１（例えば、鏡）が第１基板１１（例えば、その上に形成される導波路層１２）の平坦な表面に対して位置決めされるｚ方向の基準距離である。小さい傾斜角ωｘの場合、下記の１次近似が成立する。
【０１００】
【数７】
2021508851.tif 000009
【０１０１】
例えば、臨界変位Δｙｃｒｉｔ＝３μｍが、ある距離ｈ＝１ｍｍについて許容できると仮定すると、第１基板１１、例えば導波路層１２の平坦な表面に対する鏡面部分１６１（例えば、鏡）についての傾斜角ωｘが、鏡面部分１６１の装着および位置決めの際に正確に制御されるか、またはデバイス動作中に正確に調整され、傾斜角ωｘが０．０２度（弧度）を超えないことを確保することを意味する。ｙ軸周りの回転の傾斜角ωｙに関して上記の感度解析を続けると、ｘ方向に沿った光線の下記の変位δｘは、光線を発する第１光学エレメント１４から第２光学エレメント１５に向かう前向き経路上で観察される。
【０１０２】
【数８】
2021508851.tif 000010
【０１０３】
ここで、小さい傾斜角ωｙに関して１次近似が行われ、ｈは、鏡面部分１６１（例えば、鏡）が第１基板１１（例えば、その上に形成される導波路層１２）の平坦な表面に対して位置決めされる第１光学エレメント１４におけるｚ方向の基準距離である。角度αは、第１光学エレメント１４の基準偏向角（第１角度）を参照し、第２光学エレメント１５の入射角にも対応する。この同じ角度αが図１に示され、式（１）に関連して議論している。第２光学エレメント１５、例えば、チャープ周期Ｄ（ｓ＝ｘ）を有するチャープ式リトローグレーティングは、鏡面部分１６１の傾斜がなければ、入射角が、基準距離ｘ＝ｘ０＝２ｈ  ｔａｎ（α）でのαに等しい場合、基準波長λｃで入射光線を後方反射するように設計される。ｙ軸周りの回転についての傾斜角ωｙが存在する場合、第２入射角は、α＋２ωｙにシフトし、第２光学エレメント１５についての対応する回折角βは、シフトした距離ｘ＝ｘ０＋δｘでリトロー条件α＝βを満たしていないが、下記の量だけそこから僅かに逸脱する。
【０１０４】
【数９】
2021508851.tif 000011
【０１０５】
ここで、後方回折した光線は、傾斜した表面部分１６１からの別の反射の後に、第１光学エレメント１４における偏向（放出）点（例えば、ｘ＝０）とともに、そこに戻る場合に、変位する。解析幾何学は、第１光学エレメント１４における偏向点（例えば、ｘ＝０でのその開口中心）に関する最終的な変位Δｘは、下記の式で与えられることを教示する。
【０１０６】
【数１０】
2021508851.tif 000012
【０１０７】
ここで、小さな傾斜角ωｙについての１次近似をが再び使用した。よって、類似の臨界変位Δｘｃｒｉｔ＝３μｍおよび第１光学エレメント１４における鏡面部分１６１（例えば、ｘ＝０ｍｍ）の高さ距離ｈ＝１ｍｍについて、傾斜角ωｙの制御に対する要件はあまり厳しくなく、例えば、臨界傾斜角ωｘｃｒｉｔの２倍の値が許容でき、例えば、０．０４度である。
【０１０８】
上記の傾斜感度解析は、反射エレメント１６１のアライメントのための許容誤差を決定する場合に特に有用である。例えば、基板の上方または下方に設けられ、第１および第２光学エレメントを支持し、それに対して整列される鏡。
【０１０９】
傾斜感度解析は、追加の光学エレメント１４ａが第２光学エレメント１５の軸外配置との組合せで使用されて、例えば、フィルタデバイスから放射線を出射するための実施形態、例えば、図３または図５に示す実施形態について繰り返し可能である。
【０１１０】
図２は、本発明の第１態様の特定の第２実施形態に係るよる光学集積フィルタ２０の概略断面図である。これは、光線１９の伝搬経路を折り曲げるための反射面１６１が存在せず、第２集積グレーティング１５が、異なる基板１６３上の異なる導波路層１６２に形成されるという点で、第１実施形態とは異なる。基板１６３は、スタンドオフ１８に接合または他の方法で取り付けられ、第２集積グレーティング１５の輪郭表面が導波路層１２に面するようになる。これは、第２集積グレーティング１５を含む類似のフォトニック集積チップを、入力ポート１３、導波路１３１および第１集積グレーティング１３を含む一次フォトニック集積チップの上に、ダイシングしてフリップチップマウントすることによって達成できる。同じウェハから類似のフォトニック集積チップ、例えば、フォトニックチップを搭載したシリコンオンインシュレータウェハは、高度に均一な製造結果、例えば、高度に均一なエッチング深さ、導波路線幅などの利点を有する。このことは、異なるチップ上に設置された第１および第２集積グレーティング１４，１５に対して、材料または幾何学的特性の良好なマッチングを増加させる。しかしながら、第２集積グレーティング１５を異なるプラットフォームで製造することも好都合であり、それにより材料および設計パラメータのより大きな選択を提供する。
【０１１１】
フィルタ２０の中心波長とは異なる波長を有する光信号の空間的分離を増加させるために、スタンドオフ１８の高さｈは、第１の実施形態のものよりも大きくてもよい。
【０１１２】
スタンドオフ１８および第２基板１６３によって少なくとも部分的に閉じ込められる空間１７は、好ましくは空気で充填されるが、他の透明な誘電体材料も可能である。
【０１１３】
一例として、本発明の実施形態はそれに限定されないが、図１に示す例示のシステムに係る温度非感受性反射通過帯域フィルタの一例の動作が、下記の考慮事項に基づいて説明できる。
【０１１４】
入射放射線は、図１の例において、最初にグレーティングカプラ１４によって回折され、その後、チャープ式リトローグレーティング１５によって後方反射される。
【０１１５】
グレーティングカプラでの結合は、式（１）のように表されるが、屈折率ｎａ＝１の空気または真空が、第１光学エレメント１４と第２光学エレメント１５との間にある光線の伝搬媒体であると仮定すると、次の式が得られる。
【０１１６】
【数１１】
2021508851.tif 000013
【０１１７】
αは、放射線がグレーティングカプラ１４によって回折グレーティング表面法線に対して回折される中心角（偏向角）であり、ｎｅｆｆは有効屈折率、Λはグレーティングカプラのグレーティング周期である。
【０１１８】
チャープ式リトローグレーティングでの結合は、下記の式で表されるが、屈折率ｎａ＝１の空気または真空が第１光学エレメント１４と第２光学エレメント１５との間の光線の伝搬媒体であると仮定している。
【０１１９】
【数１２】
2021508851.tif 000014
【０１２０】
ＫＬｇは、リトローグレーティングの局所グレーティングＫ−ベクトル、Ｄは、その局所グレーティング周期またはピッチである。
【０１２１】
一般の角度α（中心角に限定されない）でグレーティングカプラーを出射する光線が、下記の式で定義される距離ｓでリトローグレーティングに着地するようになる。
【０１２２】
【数１３】
2021508851.tif 000015
【０１２３】
この位置において、ピッチＤは、λ／２ｓｉｎα  である必要がある。よって、チャープピッチは、下記の式で記述される。
【０１２４】
【数１４】
2021508851.tif 000016
【０１２５】
よって、所定のチャープレートが、ｈの１つの値についてのみ生ずるようになる。しかし、Ｄの全体スケーリングは、通過帯域λを単にスケーリングするようになる。
【０１２６】
温度不感受性は、２つの効果によって影響される。温度差は、一方では熱光学効果（有効屈折率の変化）をもたらし、他方では熱膨張をもたらす。
【０１２７】
有効屈折率の変化は、フィルタのスペクトル動作に影響を与えない。理由は、閉じ込められた空間１７を充填する伝搬媒体の熱光学効果が、第１光学エレメント１４の有効屈折率に関連した熱光学効果よりも数桁小さい限り、有効屈折率ｎｅｆｆの変化によって生ずる角度αの変化が動作に影響を与えないためである。これは一般に、伝搬媒体がガス、例えば、空気または真空（希薄気体など）である場合に当てはまる（ｄｎａ／ｄＴ≪ｄｎｅｆｆ／ｄＴ、例えば、ｄｎａ／ｄＴ≒１０−６≪１０−４≒ｄｎｅｆｆ／ｄＴ）。
【０１２８】
熱膨張に関して、下記の考慮がなされる。チップがシリコンベースのチップと見なされる本例では、チップの全寸法が熱膨張係数θＳｉで膨張する。その結果、特定のグレーティング歯の新しい位置ｓｎｅｗは、下記の式で与えられる。
【０１２９】
【数１５】
2021508851.tif 000017
【０１３０】
また、グレーティング周期自体も膨張するようになる。
【０１３１】
【数１６】
2021508851.tif 000018
【０１３２】
スタンドオフも膨張する。スタンドオフ材料が熱膨張係数θｓｏを有すると仮定すると、スタンドオフ距離ｈｎｅｗをもたらす。
【０１３３】
【数１７】
2021508851.tif 000019
【０１３４】
熱膨張によって引き起こされる対応の新しい波長λｎｅｗ（古い波長λｏｌｄに対して）は、下記のように決定できる。
【０１３５】
第２入射角と等しい偏向角αを備えた光線が、グレーティング上の下記の位置に着地する。
【０１３６】
【数１８】
2021508851.tif 000020
【０１３７】
この位置ｓにおいて、当初ｓｎｅｗ−Δｓであったピッチが見つかる。よって、このピッチは下記のようになる。
【０１３８】
【数１９】
2021508851.tif 000021
【０１３９】
しかし、ピッチ自体も膨張している。よって、ピッチは下記の式で与えられる。
【０１４０】
【数２０】
2021508851.tif 000022
【０１４１】
この位置でのリトロー回折される新しい波長λｎｅｗは、下記の式で与えられる。
【０１４２】
【数２１】
2021508851.tif 000023
【０１４３】
１次展開を使用する場合。
【０１４４】
【数２２】
2021508851.tif 000024
【０１４５】
α＝４５度では、これにより条件θｓｏ＝３θＳｉ、即ち、スタンドオフがシリコンより３倍速く膨張すべきである条件が得られる。上記の条件は、第１光学エレメント１４と第２光学エレメント１５との間の光線の経路に沿って延びる伝搬媒体に起因した熱光学効果の存在を説明するように変更できる。こうした場合は、温度を伴う伝搬媒体での屈折率変化（例えば、ｄｎａ／ｄＴ）に由来する追加の１次補正項は、新しいチャープピッチを、（１−ΔＴ  ｄ（ｌｎ  ｎａ）／ｄＴ）だけ変化させており、下記の条件が得られる。
【０１４６】
【数２３】
2021508851.tif 000025
【０１４７】
上述した導出では、シリコンの熱膨張係数は、シリコンベースのチップ、例えば、基板１１の上または中に形成されたシリコン導波路層１２を有するシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）チップ、例えば、埋め込み酸化物層を含む基板について使用した。当業者は、上側導波路層および下方から導波路層に直接接触する基板層（または層スタック内の層）について残留引張応力および厚さの値についての思慮深い検討の後、どの熱膨張係数が関連するものかを知るようになる。例えば、当業者は、充分に厚いシリコン導波路層が、基板材料によって引き起こされる熱誘起応力、例えば、埋め込み酸化物層によって印加される歪みを引き起こす応力を緩和すること、そしてシリコンの熱膨張係数が導波路層での膨張効果を支配していることを知るようになる。しかしながら、薄いシリコン導波路層の熱膨張は、温度計のバイメタルストリップと同様に、下方にあってそれと直接接触する基板層によって拘束されようになり、内部応力を増加させるようになる。こうした場合、当業者は、基板層、例えば、埋め込み酸化物の熱膨張係数は、より関連したものであり、上述した導出に置換することを認識するであろう。
【０１４８】
さらに一例として、スタンドオフの高さの誤差に対する感度についても議論する。所定のｈ＝ｈ０、所定のλ＝λ０および所定のα＝α０（第１光学エレメントから到来するビームの中心方向）で設計が行われたと仮定する。下記を考慮する。
【０１４９】
【数２４】
2021508851.tif 000026
【０１５０】
この式は、所定の偏向角αでの高さｈ（Δｈとして表現）の小さな誤差に起因したスペクトルシフトを記述する。この式は、α＝９０度での偏向角αについて１次不変である。従って、好都合な実施形態では、大きな偏向角αが使用される。
【０１５１】
第２態様において、本発明は、安定した基準波長を提供するための集積システムに関する。該システムは、第１態様の実施形態に係る集積波長選択フィルタデバイス、集積広帯域（ブロードバンド）光源、および光源および波長選択フィルタデバイスの第１光学エレメントに結合され、第１光学エレメントへ広帯域光を提供するため、そして第１光学エレメントから基準波長を有する放射線を抽出するための少なくとも１つのライトガイドとを備える。幾つかの実施形態において、該システムはさらに、複数の集積検出器エレメントを備える。そして、集積波長選択フィルタは、異なる波長の放射線を異なる予め定めた位置に回折させ、異なる波長の放射線を異なる集積検出器エレメントに向けるように構成される。そして、集積システムは、集積分光計でもよい。これらの実施形態において、軸外に配向した単一の第２光学エレメントが、分光計の異なるスペクトルチャネルについて異なる波長を選択するために使用される。更なる特徴および利点は、第１態様の実施形態について説明した特徴および利点に対応することがある。
【０１５２】
第３態様において、本発明は、集積分光計システムに関し、該システムは、本発明の実施形態に係る複数の集積波長選択フィルタデバイスと、複数のライトガイド回路と、複数の集積検出器とを備える。複数の波長選択フィルタデバイスの各々は、異なる基準波長を有するように構成され、それにより一組の基準波長を定義し、複数のライトガイド回路の各々は、外部から印加される放射線信号の一部を受光し、それを複数の波長選択フィルタデバイスの１つに伝送するように構成される。そこから特定の基準波長の放射線を得るために、そして得られた放射線を複数の検出器の１つに向けるために、これらの実施形態では、複数の集積波長選択フィルタデバイスは、分光計の特定のスペクトルチャネルのための特定波長をそれぞれ提供するために使用される。更なる特徴および利点は、第１態様の実施形態について説明した特徴および利点に対応することがある。
【０１５３】
本発明を図面および前述の説明において詳細に図示し説明したが、こうした図示および説明は、事例的または例示的であり、限定的ではないとみなすべきである。前述の説明は、本発明の特定の実施形態を詳述する。しかしながら、前述が文章にどのように詳細に記載されていても、本発明は多くの方法で実施できることが理解されよう。本発明は、開示した実施形態に限定されない。
【０１５４】
例えば、波長選択フィルタデバイスの代替の実施形態について図６を参照して説明する。集積波長選択フィルタデバイス３０の概略断面図が示される。集積波長選択フィルタデバイス３０は、第１および第２光学エレメント１４，１５としての２つの集積グレーティングを備え、これらはデバイスの平坦な表面上に配置され、例えば、基板層１１，１２ａ〜ｂを含む基板の同じ上面にパターン形成される。基板層１１、１２ａ〜ｂの非限定的な例が、埋め込み酸化物層１１および、酸化物クラッド層１２ｂによって少なくとも部分的に覆われたシリコン導波路層１２ａでもよい。集積波長選択フィルタデバイス３０はまた、第１および第２光学エレメント１４，１５が配置される平坦な表面の下方に位置決めされた第２基板１６の一部を形成する反射表面部分１６１を含む。スタンドオフ１８も集積波長選択フィルタデバイス３０に含まれており、柱状または壁状の材料スタック（この例では、４つの異なる材料層１１，１８ａ，１８ｂ，１８ｃを含む）として設けられる。スタンドオフは、空間１７を部分的に閉じ込め、これは、伝搬媒体、例えば、空気充填空間１７で充填され、そのため方向付けられた受光光が、第１光学エレメント１４から伝搬媒体で充填された空間１７を通って第２光学エレメント１５へ伝搬し、第２光学エレメント１５による後方回折の後に戻り伝搬する。この特定の実施形態において、スタンドオフ１８は、例えば、トレンチ(trench)または空洞(cavity)または基板層１１を貫通する完全チャネル開口をエッチングすることによって、例えば、深い反応性イオンエッチングによって、第１基板の材料層１１で部分的に形成される。よって、スタンドオフが伝搬媒体のための閉じ込め空間と同時に形成できることは利点である。３つのスタック材料層１８ａ，１８ｂ，１８ｃは、任意であり、第２基板１６の取り付けのため、及び／又はスタンドオフ１８の正確な高さ（ｈ）制御のために設けてもよい。さらに、３つのスタック材料層１８ａ，１８ｂ，１８ｃの各々の厚さおよび材料組成は、別個に選択してもよい。このことは、スタンドオフ材料の熱膨張係数と、第１および第２光学エレメント１４，１５がパターン形成される基板材料１２の熱膨張係数との間の関係が、スタンドオフ１８に含まれる全ての材料層の平均として得られるという利点を有する。例えば、スタンドオフ材料の熱膨張係数が、基板材料１２としてのシリコンの熱膨張係数の約３倍大きく、極めて正確な方法で得たり制御することは困難なことがある。こうした事情において、スタンドオフ材料として材料層スタックを設けることが、この問題を軽減できる。理由は、スタンドオフ１８に含まれる個々の材料層１８ａ，１８ｂ，１８ｃの組成および熱膨張特性が別個に設計できるためである。
【０１５５】
第１光学エレメント１４としてのグレーティングカプラの効率は、第１光学エレメントのグレーティング構造の上部に薄い反射金属（例えば、金）層を局所的に堆積することによって、さらに改善できる。
【０１５６】
この実施形態の変形例において、スタンドオフ１８内の３つの追加の材料層１８ａ〜ｃは無くてもよい。その結果、反射表面部分１６１を含む第２基板１６は、基板（材料）層１１の底面に直接取り付けてもよい。反射表面部分１６１の正確な位置決めが、第１および第２光学エレメント１４，１５が配置される平坦な表面に対して求められる場合、こうした変形例は特に好都合になる。理由は、第１基板の裏面は、典型的には極めて滑らかで平坦（例えば、ウェハ処理されたフォトニックチップの基板裏面）であるためである。従って、反射表面部分１６１では、ごく僅かな傾斜誤差のみが予想される。
【０１５７】
波長選択フィルタデバイスのさらに代替の実施形態について図７を参照して説明する。集積波長選択フィルタデバイス４０の概略断面図が示される。集積波長選択フィルタデバイス４０は、第１および第２光学エレメント１４，１５としての２つの集積グレーティングを備え、これらはデバイスの２つの別個で平行な平坦な表面上に配置され、例えば、第１基板および第２基板の上面にパターン形成され、第１基板は基板層１１、１２ａ〜ｂを含んでもよく、第２基板は基板層１６２，１６３を含んでもよい。基板層１１、１２ａ〜ｂの非限定的な例が、埋め込み酸化物層１１および、酸化物クラッド層１２ｂによって少なくとも部分的に覆われたシリコン導波路層１２ａでもよい。同様に、基板層１６２，１６３は、シリコンおよび埋め込み酸化物をそれぞれ含んでもよい。第１開口が、第１基板の中または第１基板を通ってエッチングされて、伝搬媒体、例えば、空気、そしてスタンドオフ１８の少なくとも一部を含む部分閉じ込め空間１７を提供してもよい。例えば、基板層１１の残りの基板材料は、スタンドオフ１８の一部または全てを提供してもよい。必要に応じて、スタンドオフ１８は、追加の材料層１８ａ，１８ｂを含んでもよく、これらは、スタンドオフ１８の高さｈを調整するため、及び／又はスタンドオフ１８の平均／組合せ熱膨張係数θＳＯを設計するために利点となり得る。第２光学エレメント１５を含む第２基板は、第１基板の裏面（例えば、基板層１１の底面）に、または追加の材料層１８ａ，１８ｂの１つの表面に直接装着してもよく、これらは必要に応じてスタンドオフ１８に含まれる。この実施形態では、追加の反射表面は不要である。
【０１５８】
開示された実施形態に対する他の変形は、図面、開示および添付の請求項の研究から、請求項の発明を実施する際に当業者によって理解され実施できる。請求項において、用語「備える(comprising)」は、他の要素またはステップを除外せず、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」は複数を除外しない。特定の手段が相互に異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これらの手段の組合せが有利に使用できないことを示すものではない。請求項での参照符号は、範囲を限定するものとして解釈すべきではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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