(57)【要約】  本出願は表示パネル及びその製造方法、並びに表示モジュール、表示モジュールを提供する。表示パネルは基板と基板に位置するストレージキャパシタとを含むアレイ基板を含み、ストレージキャパシタは順に積層された第１の電極と、第１の絶縁層と、第２の電極と、第２の絶縁層と、第３の電極とを含む。前記第２の電極の第２の絶縁層上の正投影は第２の絶縁層に位置する。
2021502579.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルであって、
基板と、前記基板に位置する薄膜トランジスタユニットおよびストレージキャパシタと、を含むアレイ基板を含み、
前記ストレージキャパシタは前記基板に位置する第１の電極と、前記第１の電極に位置する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層に位置する第２の電極と、前記第２の電極に位置する第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に位置する第３の電極と、を含み、
前記第２の電極の前記第２の絶縁層上の正投影は前記第２の絶縁層に位置する、
表示パネル。
【請求項２】
前記第２の電極の前記基板上の正投影の面積は、前記第２の絶縁層の前記基板上の正投影の面積と等しい、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記第２の電極の前記基板上の正投影の面積は、前記第２の絶縁層の前記基板上の正投影面積よりも小さい、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記第２の絶縁層は、酸化アルミニウムを含む、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタユニットは、前記基板に位置する遮光層と、前記遮光層に位置するバッファー層と、前記バッファー層に位置する活性層と、前記活性層に位置するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に位置するゲート層と、前記ゲート層に位置する層間絶縁層と、前記層間絶縁層に位置するソース・ドレイン電極層と、前記ソース・ドレイン電極層に位置するパッシベーション層と、含み、
前記第１の電極は前記遮光層と同じ層に設けられ、
前記第１の絶縁層は前記バッファー層と同じ層に設けられ、
前記第２の電極は前記活性層と同じ層に設けられ、
前記第３の電極は前記ゲート層と同じ層に設けられる、
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記薄膜トランジスタユニットは、
前記基板に位置する遮光層と、前記遮光層に位置するバッファー層と、前記バッファー層に位置する活性層と、前記活性層に位置するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に位置するゲート層と、前記ゲート層に位置する層間絶縁層と、前記層間絶縁層に位置するソース・ドレイン電極層と、及び前記ソース・ドレイン電極層に位置するパッシベーション層とを含み、
前記第１の電極は前記遮光層と同じ層に設けられ、
前記第１の絶縁層は前記バッファー層と同じ層に設けられ、
前記第２の電極は前記活性層と同じ層に設けられ、
前記第３の電極は前記ソース・ドレイン電極層と同じ層に設けられる、
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記ストレージキャパシタは、第４の電極をさらに含み、
前記第３の電極がゲート層と同じ層に設けられる場合、前記第４の電極はソース・ドレイン層と同じ層に設けられる、
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項８】
表示パネルの製造方法であって、
基板を提供するステップと、
前記基板に薄膜トランジスタユニット及びストレージキャパシタを形成するステップと、
前記薄膜トランジスタユニット及び前記ストレージキャパシタに有機発光層を形成するステップと、を含み、
前記ストレージキャパシタは前記基板に順に積層された第１の電極と、第１の絶縁層と、第２の電極と、第２の絶縁層と、第３の電極とを含み、前記第２の電極の前記第２の絶縁層上の正投影は前記第２の絶縁層に位置する、
表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記第２の電極の前記基板上の正投影面積は、前記第２の絶縁層の前記基板上の正投影面積と等しい、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の電極の前記基板上の正投影面積は、前記第２の絶縁層の前記基板上の正投影面積よりも小さい、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の絶縁層は、酸化アルミニウムを含む、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記表示パネルはさらに薄膜トランジスタユニットを含み、
前記薄膜トランジスタユニットは、前記基板に位置する遮光層と、前記遮光層に位置するバッファー層と、前記バッファー層に位置する活性層と、前記活性層に位置するゲート絶縁層、前記ゲート絶縁層に位置するゲート層と、前記ゲート層に位置する層間絶縁層と、前記層間絶縁層に位置するソース・ドレイン電極層と、前記ソース・ドレイン電極層に位置するパッシベーション層とを含み、
前記第１の電極は前記遮光層と同じ層に設けられ、
前記第１の絶縁層は前記バッファー層と同じ層に設けられ、
前記第２の電極は前記活性層と同じ層に設けられ、
前記第３の電極は前記ゲート層と同じ層に設けられ、
前記第３の電極は前記ソース・ドレイン電極層と同じ層に設けられる、
請求項８に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記ストレージキャパシタはさらに第４の電極を含み、
前記第３の電極が前記ゲート層と同じ層に設けられる場合、前記第４の電極は前記ソース・ドレイン層と同じ層に設けられる、
請求項８に記載の製造方法。
【請求項１４】
表示モジュールであって、
表示パネル及び前記表示パネルに位置するタッチ層と、偏光層と、カバー層と、を含み、
前記表示パネルは基板と前記基板に位置する薄膜トランジスタユニット及びストレージキャパシタとを含むアレイ基板を含み、
前記ストレージキャパシタは前記基板に位置する第１の電極と、前記第１の電極に位置する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層に位置する第２の電極と、前記第２の電極に位置する第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に位置する第３の電極とを含み、
前記第２の電極の前記第２の絶縁層上の正投影は前記第２の絶縁層に位置する、
表示モジュール。
【請求項１５】
前記第２の電極の前記基板上の正投影面積は、前記第２の絶縁層の前記基板上の正投影面積と等しい、請求項１４に記載の表示モジュール。
【請求項１６】
前記第２の電極の前記基板上の正投影面積は、前記第２の絶縁層の前記基板上の正投影面積よりも小さい、請求項１４に記載の表示モジュール。
【請求項１７】
前記第２の絶縁層は、酸化アルミニウムを含む、請求項１４に記載の表示モジュール。
【請求項１８】
前記薄膜トランジスタユニットは、前記基板に位置する遮光層と、前記遮光層に位置するバッファー層、前記バッファー層に位置する活性層と、前記活性層に位置するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に位置するゲート層と、前記ゲート層に位置する層間絶縁層と、前記層間絶縁層に位置するソース・ドレイン電極層と、前記ソース・ドレイン電極層に位置するパッシベーション層とを含み、
前記第１の電極は前記遮光層と同じ層に設けられ、
前記第１の絶縁層は前記バッファー層と同じ層に設けられ、
前記第２の電極は前記活性層と同じ層に設けられ、
前記第３の電極は前記ゲート層と同じ層に設けられる、
請求項１４に記載の表示モジュール。
【請求項１９】
前記薄膜トランジスタユニットは、前記基板に位置する遮光層と、前記遮光層に位置するバッファー層と、前記バッファー層に位置する活性層と、前記活性層に位置するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に位置するゲート層と、前記ゲート層に位置する間絶縁層、前記層間絶縁層に位置するソース・ドレイン電極層と、前記ソース・ドレイン電極層に位置するパッシベーション層と、を含み、
前記第１の電極は前記遮光層と同じ層に設けられ、
前記第１の絶縁層は前記バッファー層と同じ層に設けられ、
前記第２の電極は前記活性層と同じ層に設けられ、
前記第３の電極は前記ソース・ドレイン電極層と同じ層に設けられる、
請求項１４に記載の表示モジュールで。
【請求項２０】
前記ストレージキャパシタはさらに第４の電極を含み、
前記第３の電極が前記ゲート層と同じ層に設けられる場合、前記第４の電極は前記ソース・ドレイン層と同じ層に設けられる、
請求項１４に記載の表示モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は表示分野に関し、特に表示パネル及びその製造方法、並びに表示モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルの表示の技術において、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）ディスプレイは薄型、自発光、応答速度が速く、視野角が大きく、色域が広く、輝度が高くかつ消費電力が低いなどの多くの利点を有し、液晶ディスプレイに続く第３の世代の表示技術となる。
【０００３】
表示パネルの発展に伴い、従来の表示パネルにおけるストレージキャパシタは高解像度表示パネルの需要を満たすことができず、表示パネルの表示効果を低下させる。
【０００４】
したがって、現在では表示パネルは上記課題を解決する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本出願は表示パネル及びその製造方法、並びに表示モジュールを提供することにより、従来の表示パネルのストレージキャパシタが低いという技術的課題を解決する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本願の提供する技術的解決手段は以下のとおりである：
本願は表示パネルを提供し、アレイ基板を含み、ここで、アレイ基板は基板、並びに基板に位置する薄膜トランジスタユニット及びストレージキャパシタを含む；
ストレージキャパシタは基板に位置する第１の電極、第１の電極に位置する第１の絶縁層、第１の絶縁層に位置する第２の電極、第２の電極に位置する第２の絶縁層、及び第２の絶縁層に位置する第３の電極を含む；
ここで、第２の電極の第２の絶縁層上の正投影は第２の絶縁層に位置する。
【０００７】
本出願の表示パネルにおいて、第２の電極の基板上の正投影面積は、第２の絶縁層の基板上の正投影面積と等しい。
【０００８】
本出願の表示パネルにおいて、第２の電極の基板上の正投影面積は、第２の絶縁層の基板上の正投影面積よりも小さい。
【０００９】
本願の表示パネルにおいて、第２の絶縁層は酸化アルミニウムを含む。
【００１０】
本願の表示パネルにおいて、薄膜トランジスタユニットは以下を含む：
基板に位置する遮光層、遮光層に位置するバッファー層、バッファー層に位置する活性層、活性層に位置するゲート絶縁層、ゲート絶縁層に位置するゲート層、ゲート層に位置する層間絶縁層、層間絶縁層に位置するソース・ドレイン電極層、及びソース・ドレイン電極層に位置するパッシベーション層；
ここで、第１の電極は遮光層と同じ層に設けられる；
第１の絶縁層はバッファー層と同じ層に設けられる；
第２の電極は活性層と同じ層に設けられる；
第３の電極はゲート層と同じ層に設けられる。
【００１１】
本願の表示パネルにおいて、薄膜トランジスタユニットは以下を含む：
基板に位置する遮光層、遮光層に位置するバッファー層、バッファー層に位置する活性層、活性層に位置するゲート絶縁層、ゲート絶縁層に位置する層間絶縁層、層間絶縁層に位置するソース・ドレイン電極層、及びソース・ドレイン電極層に位置するパッシベーション層を含み、
ここで、第１の電極は遮光層と同じ層に設けられる；
第１の絶縁層はバッファー層と同じ層に設けられる；
第２の電極は活性層と同じ層に設けられる；
第３の電極はソース・ドレイン電極層と同じ層に設けられる。
【００１２】
本願の表示パネルにおいて、ストレージキャパシタはさらに第４の電極を含む；
ここで、第３の電極がゲート層と同じ層に設けられる場合、四電極はソース・ドレイン電極層と同じ層に設けられる。
【００１３】
本出願はさらに表示パネルの製造方法を提供し、該方法以下を含む：
基板を提供するステップと、
基板に薄膜トランジスタユニット及びストレージキャパシタを形成するステップと、
薄膜トランジスタユニット及びストレージキャパシタに有機発光層を形成するステップと、を含み、ここで、ストレージキャパシタは基板に順に積層された第１の電極、第１の  絶縁層、第２の電極、第２の絶縁層、及び第３の電極を含み、
第２の電極の第２の絶縁層上の正投影は第２の絶縁層に位置する。
【００１４】
本出願の製造方法において、第２の電極の基板上の正投影面積は、第２の絶縁層の基板上の正投影面積と等しい。
【００１５】
本出願の製造方法において、第２の電極の基板上の正投影面積は、第２の絶縁層の基板上の正投影面積よりも小さい。
【００１６】
本出願の製造方法において、第２の絶縁層は酸化アルミニウムを含む。
【００１７】
本出願の製造方法において、表示パネルは薄膜トランジスタユニットをさらに含む；ここで、薄膜トランジスタユニットは基板に位置する遮光層、遮光層に位置するバッファー層、バッファー層に位置する活性層、活性層に位置するゲート絶縁層、ゲート絶縁層に位置するゲート層、ゲート層に位置する層間絶縁層、層間絶縁層に位置するソース・ドレイン電極層、及びソース・ドレイン電極層に位置するパッシベーション層を含む；
ここで、第１の電極は遮光層と同じ層に設けられる；
第１の絶縁層はバッファー層と同じ層に設けられる；
第２の電極は活性層と同じ層に設けられる；
第３の電極はゲート層と同じ層に設けられる；又は
第３の電極はソース・ドレイン電極層と同じ層に設けられる。
【００１８】
本出願の製造方法において、ストレージキャパシタはさらに第４の電極を含む；第３の電極がゲート層と同じ層に設けられる場合、第４の電極はソース・ドレイン電極層と同じ層に設けられる。
【００１９】
本願はさらに表示モジュールを提供し、表示パネル及び表示パネルに位置するタッチ層、偏光層及びカバー層を含み、ここで、表示パネルはアレイ基板を含み、アレイ基板は基板、並びに基板に位置する薄膜トランジスタユニット及びストレージキャパシタを含む；
ストレージキャパシタは基板に位置する第１の電極、第１の電極に位置する第１の絶縁層、第１の絶縁層に位置する第２の電極、第２の電極に位置する第２の絶縁層、及び第２の絶縁層に位置する第３の電極を含む；
ここで、第２の電極の第２の絶縁層上の正投影は第２の絶縁層に位置する。
【００２０】
本願の表示モジュールにおいて、第２の電極の基板上の正投影面積は、第２の絶縁層の基板上の正投影面積と等しい。
【００２１】
本願の表示モジュールにおいて、第２の電極の基板上の正投影面積は、第２の絶縁層の基板上の正投影面積よりも小さい。
【００２２】
本願の表示モジュールにおいて、第２の絶縁層は酸化アルミニウムを含む。
【００２３】
本願の表示モジュールにおいて、薄膜トランジスタユニットは、基板に位置する遮光層、遮光層に位置するバッファー層、バッファー層に位置する活性層、活性層に位置するゲート絶縁層、ゲート絶縁層に位置するゲート層、ゲート層に位置する層間絶縁層、層間絶縁層に位置するソース・ドレイン電極層、及びソース・ドレイン電極層に位置するパッシベーション層、を含む；
ここで、第１の電極は遮光層と同じ層に設けられる；
第１の絶縁層はバッファー層と同じ層に設けられる；
第２の電極は活性層と同じ層に設けられる；
第３の電極はゲート層と同じ層に設けられる。
【００２４】
本願の表示モジュールにおいて、薄膜トランジスタユニットは以下を含む：
基板に位置する遮光層、遮光層に位置するバッファー層、バッファー層に位置する活性層、活性層に位置するゲート絶縁層、ゲート絶縁層に位置するゲート層、ゲート層に位置する層間絶縁層、層間絶縁層に位置するソース・ドレイン電極層、及びソース・ドレイン電極層に位置するパッシベーション層；
ここで、第１の電極は遮光層と同じ層に設けられる；
第１の絶縁層はバッファー層と同じ層に設けられる；
第２の電極は活性層と同じ層に設けられる；
第３の電極はソース・ドレイン電極層と同じ層に設けられる。
【００２５】
本出願の表示モジュールにおいて、ストレージキャパシタはさらに第４の電極を含む；
ここで、第３の電極がゲート層と同じ層に設けられる場合、第４の電極はソース・ドレイン電極層と同じ層に設けられる。
【発明の効果】
【００２６】
有利な効果：本出願はストレージキャパシタ領域に活性層を第２の電極とすることにより、かつ第２の電極と第３の電極との間に高い静電力定数の絶縁層を設け、ストレージキャパシタの電気容量を増加させ、表示パネルの表示効果を向上させる。
【００２７】
実施例又は従来の技術における技術的解決手段をより明確に説明するために、以下は実施例又は従来の技術の説明に必要な図面を簡単に説明し、明らかに、以下の説明における図面は発明のいくつかの実施例に過ぎず、当業者にとって、創造的な努力をしない前提で、これらの図面に基づいて他の図面を取得することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】従来の表示パネルの膜層構造図である。
【図２】本願の実施例１の表示パネルの膜層構造図である。
【図３】本願の実施例２の表示パネルの膜層構造図である。
【図４】本願の実施例３の表示パネルの膜層構造図である。
【図５】本願の表示パネルの製造方法のプロセスの図である。
【図６】本願の表示パネルの製造方法の別のプロセスの図である。
【図７】図７Ａ〜Ｇは本願の表示パネルの製造方法プロセスの図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下の各実施例の説明は添付の図面を参照することにより、本願の利用可能な実施例を例示することに用いられる。本願において記載される方向用語、例えば「上」、「下」、「前」、「後」、「左」「右」「内」、「外」、「側」等は、添付図面を参照する方向のみである。したがって、使用される方向用語は本願を説明及び理解するために用いられ、本願を限定するものではない。なお、図中、同一の構成部分には同一の符号を付している。
【００３０】
図１に示すように、図１は従来の表示パネルの膜層構造図である。
表示パネルはアレイ基板を含み、アレイ基板は基板１０１、及び基板１０１に位置する薄膜トランジスタ層、及び薄膜トランジスタ層に位置する発光素子層４０を含む。
【００３１】
ここで、薄膜トランジスタ層は薄膜トランジスタユニット１０、ストレージキャパシタ２０、及びスイッチユニット３０を含む。図１におけるスイッチユニット３０について、本出願において具体的に説明しない。
【００３２】
図２に示ように、図２は本願の実施例１の表示パネルの膜層構造図である。
【００３３】
基板１０１は、ガラス基板、石英基板、樹脂基板等のいずれであってもよい。アレイ基板がフレキシブル基板である場合、有機ポリマーであってもよい。
【００３４】
一実施例において、可撓性材料はポリイミド薄膜であってもよい。
【００３５】
薄膜トランジスタユニット１０はＥＳＬ（エッチストップ層型）、ＢＣＥ（バックチャネルエッチ型）又はＴｏｐ−ｇａｔｅ（トップゲート薄膜トランジスタ型）構造を含み、具体的には限定されない。例えば、トップゲート薄膜トランジスタ型は以下を含むことができる：遮光層１０２、バッファー層１０３、活性層１０４、ゲート絶縁層１０５、ゲート層１０６、層間絶縁層１０７、ソース・ドレイン電極層１０８、パッシベーション層１０９及び平坦化層。
【００３６】
遮光層１０２は基板１０１に形成される。遮光層１０２は主に光源の薄膜トランジスタユニット１０への進入を遮断して、薄膜トランジスタの駆動効果に影響を与える。
【００３７】
バッファー層１０３は遮光層１０２上に形成される。バッファー層１０３は主に膜質構造の間の圧力、並びに水および酸素が内部膜層に入ることを遮断することに用いられる。
【００３８】
活性層１０４はバッファー層１０３上に形成される。活性層１０４はイオンドーピングされたドーピング領域（図示せず）を含む。
【００３９】
ゲート絶縁層１０５は活性層１０４上に形成される。
【００４０】
一実施例において、ゲート絶縁層１０５は活性層１０４を被覆し、層間絶縁層１０７は活性層１０４を他の金属層と隔離するために用いられる。
【００４１】
ゲート層１０６はゲート絶縁層１０５上に形成される。ゲート層１０５の金属材料は通常にモリブデン、アルミニウム、アルミニウムニッケル合金、モリブデンタングステン合金、クロム、又は銅などの金属を採用してもよく、上記複数種の金属材料の組成物を使用してもよい。
【００４２】
一実施例において、ゲート層１０６の金属材料はモリブデンであってもよい。
【００４３】
層間絶縁層１０７はゲート層１０６上に形成される。
【００４４】
一実施例において、層間絶縁層１０７はゲート層１０６をカバーする。
【００４５】
ソース・ドレイン電極層１０８は層間絶縁層１０７上に形成される。
【００４６】
ソース・ドレイン電極層１０８の金属材料は通常にモリブデン、アルミニウム、アルミニウムニッケル合金、モリブデンタングステン合金、クロム、銅又はチタンアルミニウム合金等の金属を採用してもよく、上記複数種の金属材料の組成物を使用してもよい。
【００４７】
一実施例において、ソース・ドレイン電極層１０８の金属材料はチタンアルミニウム合金であってもよい；ソース・ドレイン電極層１０８はビアホールにより活性層１０４上のドーピング領域と電気的に接続される。
【００４８】
パッシベーション層１０９及び平坦化層はソース・ドレイン電極層１０８に形成される。
【００４９】
パッシベーション層１０９は薄膜トランジスタプロセス上の平坦性を保証するために用いられる。
【００５０】
図２に示すように、ストレージキャパシタ２０は基板１０１に位置する第１の電極１１０、第１の電極１１０に位置する第１の絶縁層１１１  、第２の電極に位置する第２の絶縁層１１３、及び第２の絶縁層１１３に位置する第３の電極１１４を含む。
【００５１】
一実施例において、第２の電極１１２の第２の絶縁層１１３上の正投影は第２の絶縁層１１３に位置する。
【００５２】
一実施例において、第１の電極１１０は遮光層１０２と同じ層に設けられ、すなわち第１の電極１１０と遮光層１０２は同一の光カバープロセスで形成される。同様に、第１の絶縁層１１１はバッファー層１０３と同じ層に設けられ、第２の電極１１２は活性層１０４と同じ層に設けられ、第３の電極１１４はゲート層１０６と同じ層に設けられる；
【００５３】
一実施例において、第３の電極１１４はソース・ドレイン電極層１０８と同じ層に設けられてもよい。
【００５４】
実施例１において、第２の電極１１２の基板１０１上の正投影面積は、第２の絶縁層１１３の基板１０１上の正投影面積と等しい。
【００５５】
図３に示すように、図３は本出願の実施例２の表示パネルの膜層構造図である。
【００５６】
実施例２において、第２の電極１１２の基板１０１上の正投影面積は、第２の絶縁層１１３の基板１０１上の正投影面積より小さい。
【００５７】
第２の絶縁層１１３は第２の電極１１２を覆い、エッチングストップ層として機能し、第２の電極１１２が後続のエッチングプロセスにより破壊されることを回避する。
【００５８】
一実施例において、第２の絶縁層１１３は酸化アルミニウムであってもよい；三酸化アルミニウムは高い静電力定数（Ｋ）を有し、二枚の電極板の面積と間隔が変化しない場合、静電力定数が増加し、ストレージキャパシタ２０の総電気量を増加させる。
【００５９】
図４に示すように、図４は本出願の実施例３の表示パネルの膜層構造図である。
【００６０】
ストレージキャパシタ２０はさらに第４の電極１１５を含む。
【００６１】
第３の電極１１４はゲート層１０６と同じ層に設けられる場合、第４の電極１１５はソース・ドレイン電極層１０８と同じ層に設けられる。図２又は図１に比べて、三つの並列接続された容量は、ストレージキャパシタ２０の総電力量を増加させる。
【００６２】
図５に示すように、図５は本願の表示パネルの製造方法のプロセスのステップの図であり、具体的には以下のステップを含む：
【００６３】
Ｓ１０、基板を提供する
本ステップにおいて、基板２０１の原材料はガラス基板、石英基板、樹脂基板等のうちの一種であってもよい。
【００６４】
アレイ基板がフレキシブル基板である場合、有機ポリマーであってもよい。一実施例において、可撓性材料はポリイミド薄膜であってもよい。
【００６５】
Ｓ２０、基板に薄膜トランジスタユニット及びストレージキャパシタを形成する
本ステップにおいて、主に基板２０１に表示パネルの薄膜トランジスタユニット、ストレージキャパシタ及びスイッチユニットを同時に形成する。スイッチユニットは本実施例において具体的に説明しない。
【００６６】
図６に示すように、図６は本願の表示パネルの製造方法の別のプロセスのステップ図であり、具体的には以下のステップを含む：
【００６７】
Ｓ２０１、基板に遮光層及び第１の電極を形成する
図７Ａに示すように、基板２０１に第１の金属層を堆積し、パターン化処理を経て、薄膜トランジスタユニットの遮光層２０２、及びストレージキャパシタの第１の電極２１０を形成する。
【００６８】
一実施例において、第１の金属層の金属材料はモリブデンであってもよい。
【００６９】
Ｓ２０２、遮光層及び第１の電極にバッファー層を堆積し、かつバッファー層に活性層及び第２の電極を形成する
図７Ｂに示すように、バッファー層２０３は遮光層２０２及び第１の電極２１０を覆う。バッファー層２０３は主に膜層質構造の間の圧力、並びに水および酸素が内部膜層に入ることを遮断することに用いられる。
【００７０】
本ステップにおいて、まずバッファー層２０３上に活性層薄膜を形成し、活性層薄膜は、多結晶シリコンからなる。次に、活性層薄膜に第１のマスク製造プロセスを使用し、活性層薄膜に第１のフォトレジスト層（図示せず）を形成する。マスク板（図示せず）を用いて露光し、現像及び第１のエッチングのパターニングプロセスにより処理した後、活性層薄膜を図７Ｂに示す活性層２０４及び第２の電極２１２を形成し、第１のフォトレジスト層を剥離する。
【００７１】
第１の電極２１０と第２の電極２１２との間の第１の絶縁層２１１はバッファー層２０３と同じ層に設けられる。
【００７２】
Ｓ２０３、活性層にゲート絶縁層、ゲート層及び層間絶縁層を形成する。
本ステップにおいて、活性層２０４上にゲート絶縁層２０５、ゲート層２０６を順に形成する。ゲート層２０６の金属材料は通常にモリブデン、アルミニウム、アルミニウムニッケル合金、モリブデンタングステン合金、クロム、又は銅などの金属を採用してもよく、上記複数種の金属材料の組成物を使用してもよい。
【００７３】
一実施例において、本実施例のゲート層の材料はモリブデンであってもよい。
【００７４】
ステップＳ２０３及びステップＳ２０４において、第１の絶縁層２１１、ゲート絶縁層２０５  、ゲート層２０６は、一つのフォトマスクプロセスで形成することができ、図７（ｃ）に示すパターンが形成される。
【００７５】
ゲート層２０６に層間絶縁層２０７を堆積することにより、ゲート層２０６及びソース・ドレイン電極層２０８を遮断する。エッチングプロセスにより第２の電極２１２に対応する層間絶縁層２０７に孔を掘り、第２の電極２１２を露出させる。
【００７６】
Ｓ２０４、第２の電極に第２の絶縁層を形成する。
本ステップにおいて、活性層２０４及び第２の電極２１２に第２の絶縁層２１３を堆積し、パターン化処理した後に図７Ｄ又は図７Ｅに示すパターンを形成する。
【００７７】
図７Ｄに示すように、第２の電極２１２の基板２０１上の正投影面積は、第２の絶縁層２１３の基板２０１上の正投影面積と等しい。
【００７８】
図７Ｅを参照し、第２の電極２１２の基板２０１上の正投影面積は、第２の絶縁層２１３の基板２０１上の正投影面積より小さい。
【００７９】
第２の絶縁層２１３は第２の電極２１２を覆い、エッチングストップ層として機能し、第２の電極２１２が後続のエッチングプロセスにより破壊されることを回避する。
【００８０】
一実施例において、第２の絶縁層２１３は酸化アルミニウムであってもよい。
【００８１】
三酸化アルミニウムは高い静電力定数（Ｋ）を有し、二枚の電極板の面積と間隔が変化しない場合、静電力定数が増加し、ストレージキャパシタの総電気量を増加させる。
【００８２】
Ｓ２０５、ゲート層にソース・ドレイン電極層、第３の電極、パッシベーション層及び平坦化層を順に形成する
図７Ｆに示すように、ソース・ドレイン電極２０８は層間絶縁層２０７上に形成される。ソース・ドレイン電極層２０８の金属材料は一般的にモリブデン、アルミニウム、アルミニウムニッケル合金、モリブデンタングステン合金、クロム、銅又はチタンアルミニウム合金等の金属を採用してもよく、上記複数種の金属材料の組成物を使用してもよい。
【００８３】
一実施例において、ソース・ドレイン電極層２０８の金属材料はチタンアルミニウム合金であってもよい。ソース・ドレイン電極層２０８は貫通孔により活性層２０４上のドープ領域と電気的に接続される。
【００８４】
一つの実施例において、第３の電極２１４とソース・ドレイン電極層２０８は同一の光カバープロセスで形成される。
【００８５】
パッシベーション層２０９及び平坦化層はソース・ドレイン電極層２０８に形成され、パッシベーション層２０９及び平坦化層は薄膜トランジスタプロセス上の平坦性を保証するために用いられる。
【００８６】
一つの実施例において、ストレージキャパシタはさらに第４の電極２１５を含み、図４に示すようなパターンを形成する。
【００８７】
第３の電極２１４はさらにゲート層２０６と同じ層に設けられる場合、第４の電極２１５はソース・ドレイン電極層２０８と同じ層に設けられる。図２又は図３に比べて、三つの並列接続された容量は、ストレージキャパシタの総電力量を増加させる。
【００８８】
Ｓ３０、薄膜トランジスタユニット及びストレージキャパシタに有機発光層を形成する
図７Ｇに示すように、本ステップにおいて、薄膜トランジスタユニット及びストレージキャパシタに有機発光層４０、及び封止層（図示せず）を形成し、表示パネルの製造を完了する。
【００８９】
本願はさらに表示モジュールを提供し、表示モジュールは上記表示パネル及び上記表示パネルに位置するタッチ層、偏光層及びカバー層を含む。
【００９０】
一実施例において、表示モジュールの動作原理は上記表示パネルの動作原理と同じであり、本出願は説明を省略する。
【００９１】
本願は表示パネル及びその製造方法、表示モジュールを提供し、表示パネルは基板及び基板に位置するストレージキャパシタを含む；ストレージキャパシタは基板に位置する第１の電極、第１の電極に位置する第１の絶縁層、第１の絶縁層に位置する第２の電極、第２の電極に位置する第２の絶縁層、及び第２の絶縁層に位置する第３の電極を含む；ここで、第２の電極の第２の絶縁層上の正投影は第２の絶縁層に位置する。本出願はストレージキャパシタ領域に活性層を第２の電極とすることにより、かつ第２の電極と第３の電極との間に高い静電力定数の絶縁層を設けし、ストレージキャパシタの電気容量を増加させ、表示パネルの表示効果を向上させる。
【００９２】
上記のように、本出願には好ましい実施例が開示されたが、上記好ましい実施例は本出願を限定するものではなく、本出願の精神及び範囲から逸脱せず、様々な変更及び修飾を行うことができるため、本出願の保護範囲は特許請求の範囲を基準とする。
【符号の説明】
【００９３】
１０  薄膜トランジスタユニット
２０  ストレージキャパシタ
３０  スイッチユニット
４０  発光素子層
１０１  基板
１０２  遮光層
１０５  ゲート絶縁層
１０６  ゲート層
１１０  第１の電極
２０１  基板
２１０  第１の電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【国際調査報告】
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