(57)【要約】本発明は、高周波アブレーションカテーテル、その制御方法およびその制御装置と、肺部高周波アブレーションシステム、その制御方法およびその制御装置と、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体とに関するものである。高周波アブレーションカテーテルは電極（１）を含み、前記電極（１）には換熱媒体通路が形成され、前記電極（１）上にはバランサー（２０）が設けられ、前記バランサー（２０）上には前記換熱媒体通路と連通している潤滑孔（２００）が形成され、前記換熱媒体通路から出力される換熱媒体は前記バランサー（２０）によって分配されて流出する。電極（１）はアブレーション組織に換熱媒体を注入することにより、アブレーション組織の導電性と熱伝導性を向上させ、インピーダンスのバランスを維持し、抵抗が安定状態になっていることを維持し、高周波エネルギーを出力し続けることができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を含む高周波アブレーションカテーテルであって、前記電極には換熱媒体通路が形成され、前記電極上にはバランサーが設けられ、前記バランサー上には前記換熱媒体通路と連通している潤滑孔が形成され、前記換熱媒体通路から出力される換熱媒体は前記バランサーによって分配されて流出することを特徴とする高周波アブレーションカテーテル。
【請求項２】
前記バランサーと前記電極は分離可能な構造に設けられ、前記バランサーは前記電極上に移動不可能に固定されるか或いは移動可能に取り付けられ、前記バランサーと前記電極は一体に設けられることもできることを特徴とする請求項１に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項３】
前記潤滑孔が複数個であることにより前記電極の外部に均等な換熱媒体保護膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項４】
前記電極の遠端部分は同直径に延伸するか或いは逓減形状に形成され、前記逓減形状は漸次に逓減するか或いは階段式に逓減する形状であることを特徴とする請求項１に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項５】
前記バランサーと前記電極は一体に形成され、前記潤滑孔は電極の外壁に形成され、前記電極の遠端は切っ先であることを特徴とする請求項３に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項６】
前記バランサーと前記電極は分離可能な構造に設けられ、前記電極の外壁には前記換熱媒体通路と連通する流出孔が形成され、前記バランサーは前記電極上に取り付けられかつ前記流出孔の外周に位置している潤滑カバーであり、前記潤滑孔は前記潤滑カバー上に形成され、前記潤滑孔から出力される換熱媒体は前記潤滑カバーにより分配されて流出することを特徴とする請求項３に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項７】
前記換熱媒体通路は電極の内部に形成されるキャビティであり、換熱媒体はキャビティの壁部に形成される孔部から流出することを特徴とする請求項１に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項８】
前記換熱媒体通路は幹線通路と幹線通路に連通している複数の支線通路を含み、各幹線通路の末端は電極の外表面まで延伸することを特徴とする請求項１に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項９】
前記支線通路は前記幹線通路の延伸方向に配置される少なくとも一組であり、一組の支線通路は少なくとも２つであり、複数の支線通路は前記幹線通路の外周に放射状態に配置されることを特徴とする請求項８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１０】
一組の支線通路は幹線通路の円周方向に均等に配置されることを特徴とする請求項９に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１１】
隣接している組の支線通路の数量は同一であるか或いは異なり、幹線通路の円周方向の位置は整列するか或いはずれるように配置されることを特徴とする請求項１０に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１２】
複数の支線通路は幹線通路の延伸方向に沿って順に配置されかつ幹線通路の外周に螺旋状態に配置されることを特徴とする請求項８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１３】
前記潤滑カバーは前記電極上に固定されるか或いは電極の軸線を回転軸として回転するように前記電極上に取り付けられるか或いは電極の軸方向に移動するように前記電極上に取り付けられることを特徴とする請求項６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１４】
前記高周波アブレーションカテーテル上には前記潤滑カバーに連結される駆動部品が更に設けられ、前記駆動部品は前記潤滑カバーが前記電極に相対して移動するように駆動することを特徴とする請求項６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１５】
前記電極上には１個の前記潤滑カバーが取り付けられるか或いは複数個の前記潤滑カバーが取り付けられることを特徴とする請求項６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１６】
前記電極上には複数個の前記潤滑カバーが取り付けられ、各潤滑カバーは前記電極に相対してそれぞれ移動するか或いは少なくとも２個の潤滑カバーが連動することを特徴とする請求項６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１７】
前記潤滑カバーは、シート状に形成され、円周方向において電極の外周の局部のみを覆うことを特徴とする請求項６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１８】
前記潤滑カバーは、円周方向が密閉される円筒状構造であり、電極の外周に取り付けられることを特徴とする請求項６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１９】
前記潤滑カバーは前記電極の近端部分のみを覆うか或いは前記潤滑カバーは帽子形状に形成され、帽子形状の遠端は潤滑カバーの遠端端部を覆うことを特徴とする請求項６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項２０】
前記潤滑カバーは前記電極上に固定され、前記電極の外周には位置決め突出部が形成され、前記潤滑カバーの遠端が前記位置決め突出部に当接することにより前記潤滑カバーの位置を決めることを特徴とする請求項６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項２１】
前記潤滑カバーの外壁と潤滑カバーから露出している前記電極の外壁は同高に連結されることを特徴とする請求項２０に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項２２】
前記潤滑カバーの少なくとも一部分は潤滑孔が形成される浸透区域であり、前記流出孔が形成されている前記電極の部位は前記浸透区域と対応し、前記流出孔が形成されている前記電極の部位と前記浸透区域の内壁との間には隙間が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項２３】
前記潤滑孔と前記流出孔はずれるように配置されることを特徴とする請求項２２に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項２４】
前記電極の外壁には凹型区域が形成され、前記流出孔は前記凹型区域に形成され、前記浸透区域は前記凹型区域の外周に位置し、前記潤滑カバーの内壁と前記凹型区域の表面との間には隙間が形成されることを特徴とする請求項２２に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項２５】
前記流出孔は拡張形状に形成され、拡張区域は前記凹型区域になり、潤滑カバーの内壁と凹型区域の表面との間の隙間は流出孔までの距離が増加することにより小さくなることを特徴とする請求項２４に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項２６】
潤滑カバーの内壁と凹型区域との間の隙間は流出孔までの距離が増加することにより増加することを特徴とする請求項２４に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項２７】
凹型区域は１個であるか或いは互いに離れている複数個であり、同一の凹型区域には１個の流出孔が形成され、同一の凹型区域において、潤滑カバーの内壁と凹型区域との間の隙間は前記凹型区域内の流出孔までの距離が増加することにより増加することを特徴とする請求項２６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項２８】
前記凹型区域は電極の軸方向に延伸する分布溝で構成され、前記流出孔は電極の円周方向において複数組に分けられ、一組の流出孔は同一の分布溝に形成されることを特徴とする請求項２４に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項２９】
分布溝は円周方向に均等に形成されている２〜１０個であることを特徴とする請求項２８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項３０】
１つの分布溝の底部には１個の前記流出孔が形成され、前記分布溝の深度は前記流出孔までの距離が増加することにより増加することを特徴とする請求項２８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項３１】
前記潤滑カバー上には円周方向に配置される複数組の潤滑孔が形成され、各組の潤滑孔は１つの分布溝の位置に対応することを特徴とする請求項３０に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項３２】
隣接している分布溝の壁部には潤滑カバーの内壁を支持する突出部が形成されており、突出部の頂部は潤滑カバーの内壁の所定の部位に当接し、その形状は潤滑カバーの内壁の形状に対応することを特徴とする請求項２９に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項３３】
前記潤滑カバーは多孔材料で構成されかつ多孔材料に形成されている隙間は前記潤滑孔になるか或いは、潤滑カバーは織物のような構造で構成されかつ織物の構造に形成される隙間は前記潤滑孔になるか或いは、前記潤滑カバーは金属ケースで構成されかつ金属ケースの壁部には前記潤滑孔が形成されることを特徴とする請求項６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項３４】
各潤滑孔の内径は同一に設けられるか或いは換熱媒体の流量に対応するように設けられることを特徴とする請求項３に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項３５】
前記バランサーの各位置に位置している各潤滑孔の分布密度は同一に設けられるか或いは換熱媒体の流量に対応するように設けられることを特徴とする請求項３に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項３６】
前記潤滑孔の内径は流出孔までの距離が増加することにより増加することを特徴とする請求項６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項３７】
前記潤滑孔は前記潤滑カバーの円周方向に配置されている複数組の潤滑孔であることを特徴とする請求項３６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項３８】
同組の潤滑孔は各自の延伸方向に沿って順に配置され、前記延伸方向は、直線、折線または曲線であることを特徴とする請求項３に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項３９】
各組の潤滑孔は１つの流出孔に対応することを特徴とする請求項８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項４０】
前記潤滑カバー上には位置標識が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項４１】
前記高周波アブレーションカテーテルは電極の位置を示す電磁式ナビゲーション部品を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項４２】
前記電極上には電極の近端側へ延伸する牽引線が連結され、その牽引線で電極が回転するように駆動することを特徴とする請求項１に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項４３】
前記電極の近端にはカテーテルが連結され、前記牽引線はカテーテルの内部からカテーテルの外部まで延伸し、前記電極の近端には換熱媒体通路と連通する連結管が連結され、その連結管はカテーテルの内部まで延伸することを特徴とする請求項４２に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項４４】
前記電極上には装着孔が形成され、前記牽引線の遠端は前記装着孔に挿入されるとともに装着孔に固定されることを特徴とする請求項４２に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項４５】
前記高周波アブレーションカテーテルは相手に近づく方向または相手から離れる方向に移動できる第一湾曲モジュールと第二湾曲モジュールを更に含み、カテーテルは前記第一湾曲モジュールに固定され、前記牽引線は前記第二湾曲モジュールに連結されることを特徴とする請求項４２に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項４６】
前記第一湾曲モジュールと前記第二湾曲モジュールは滑動可能に結合されるか或いは並列に滑動するように配置されることを特徴とする請求項４５に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項４７】
前記第一湾曲モジュールと前記第二湾曲モジュールはいずれも管形状であり、前記第二湾曲モジュールは前記第一湾曲モジュール内に滑動可能に結合されることを特徴とする請求項４６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項４８】
前記第二湾曲モジュールの少なくとも一部分は前記第一湾曲モジュール内に挿入され、前記第一湾曲モジュールと前記第二湾曲モジュールとの間には第一湾曲モジュールと第二湾曲モジュールの移動方向を限定する案内装置が更に設けられていることを特徴とする請求項４５に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項４９】
前記案内装置は、前記第一湾曲モジュールと前記第二湾曲モジュールのうちいずれかの１つに形成される滑動溝と、他の１つに形成される位置決め突出部とを含むことを特徴とする請求項４８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項５０】
前記第二湾曲モジュールの前記第一湾曲モジュール内に結合される部分には前記第一湾曲モジュールと前記第二湾曲モジュールとの間の摩擦力を増加させるＯ型リングが取り付けられていることを特徴とする請求項４８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項５１】
前記第二湾曲モジュール上には当該第二湾曲モジュールが前記第一湾曲モジュールに相対して移動する位置を示す目盛マークが設けられていることを特徴とする請求項４５に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項５２】
前記高周波アブレーションカテーテルの遠端に隣接している部位には複数個の温度検出装置が軸方向に沿って順に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項５３】
前記温度検出装置は、遠端と近端との間に間隔を空けて配置される第一温度検出装置、第二温度検出装置および第三温度検出装置を含むことを特徴とする請求項５２に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項５４】
前記温度検出装置は温度センサーと導熱環状部を含み、前記温度センサーはアブレーション装置に連結され、前記導熱環状部は高周波アブレーションカテーテルの外壁に取り付けられ、前記温度センサーと前記導熱環状部は熱結合されることを特徴とする請求項５２に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項５５】
前記温度センサーは前記導熱環状部の外壁に固定され、温度センサーを導熱環状部の外壁に固定させる方法として、接着、溶接、リベット結合、インターフェアランスフィットのうち少なくとも１つを採用することを特徴とする請求項５４に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項５６】
前記温度センサーはサーミスターであり、前記サーミスターはサーミスター電線によりアブレーション装置に電気接続され、前記サーミスター電線上には温度制御ドライブパイプが取り付けられていることを特徴とする請求項５４に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項５７】
前記温度センサーは無線通信装置によりアブレーション装置に連結されることを特徴とする請求項５４に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項５８】
高周波アブレーションカテーテルの外壁には結合溝が形成され、前記温度検出装置は位置が適合する結合溝内に固定され、前記結合溝の底部には回路導線を通過させる貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項５４に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項５９】
前記結合溝は環状に形成され、前記温度検出装置は所定の結合溝内に環状に固定され、前記温度検出装置を所定の結合溝内に固定させる方法として、接着、溶接、リベット結合、インターフェアランスフィットのうち少なくとも１つを採用することを特徴とする請求項５８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項６０】
前記導熱環状部は環状構造を有し、前記導熱環状部は前記結合溝内に設けられることを特徴とする請求項５８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項６１】
前記温度検出装置は環状構造を有しており、前記導熱環状部と温度センサーが円周方向において協力することにより前記環状構造が形成されることを特徴とする請求項５８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項６２】
前記導熱環状部上には凹部が形成され、前記温度検出装置は前記凹部内に固定され、前記温度検出装置を前記凹部内に固定させる方法として、接着、溶接、リベット結合、インターフェアランスフィットのうち少なくとも１つを採用することを特徴とする請求項５９に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項６３】
前記温度検出装置の外表面とその付近の部位は平坦に連結されることを特徴とする請求項５８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項６４】
少なくとも1個の温度検出装置の軸方向の位置は調節可能に設けられることを特徴とする請求項５２に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項６５】
前記高周波アブレーションカテーテルと温度検出装置との間には案内構造が設けられることを特徴とする請求項６４に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項６６】
軸方向の位置が調節可能に設けられる温度検出装置にはドラグラインが連結され、前記ドラグラインで前記温度検出装置を牽引することにより温度検出装置が前記電極に相対している軸方向の位置を調節することを特徴とする請求項６４に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項６７】
前記ドラグラインは、前記ドラグラインが温度検出装置に連結される個所から高周波アブレーションカテーテルの内部に挿入され、かつ高周波アブレーションカテーテルの内部において近端側へ延伸することを特徴とする請求項６６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項６８】
前記高周波アブレーションカテーテルは相手に相対して移動できる第一調節モジュールと第二調節モジュールを含み、前記電極は第一調節モジュールに相対して移動しないように固定され、前記ドラグラインは前記第二調節モジュールに連結され、前記第一調節モジュールと前記第二調節モジュールが相手に相対して移動するとき、前記ドラグラインはそのドラグラインに連結される温度検出装置が電極に相対している軸方向の位置を調節することを特徴とする請求項６７に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項６９】
前記第一調節モジュールと前記第二調節モジュールは滑動可能に結合されるか或いは回転可能に結合されることを特徴とする請求項６８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項７０】
前記電極の遠端端部には温度検出ディテクターが取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項７１】
前記電極内には電極とアブレーション組織が当接するとき圧力の変化を検出する圧力センサーが更に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項７２】
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップＳ１００と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップＳ１１０と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップＳ１２０とを含むことを特徴とする高周波アブレーションの制御方法。
【請求項７３】
前記温度パラメーターは辺縁部温度パラメーターを含み、前記辺縁部温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬであり、Ｌ０≦Ｌであり、前記Ｌ０は予め検出した病巣の半径であり、前記設定関係は辺縁部温度パラメーターが前記温度閾値に達した後その状態を維持することに要する時間区間を含むことを特徴とする請求項７２に記載の高周波アブレーションの制御方法。
【請求項７４】
前記温度パラメーターは第一温度パラメーターを更に含み、前記第一温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ１であり、Ｌ１＜Ｌ０であり、前記Ｌ０は予め検出した病巣の半径であることを特徴とする請求項７３に記載の高周波アブレーションの制御方法。
【請求項７５】
前記設定関係は第一温度パラメーターが６０〜１００度に達することを更に含むことを特徴とする請求項７４に記載の高周波アブレーションの制御方法。
【請求項７６】
前記辺縁部温度パラメーターは第三温度パラメーターを更に含み、前記第三温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ３であり、Ｌ０＜Ｌ３であり、前記Ｌ０は予め検出した病巣の半径であることを特徴とする請求項７３に記載の高周波アブレーションの制御方法。
【請求項７７】
前記設定関係は第三温度パラメーターが前記温度閾値に達した後その状態を維持することに要する時間区間を含み、前記温度閾値は４３〜６０℃であり、前記時間区間は３分以上であることを特徴とする請求項７６に記載の高周波アブレーションの制御方法。
【請求項７８】
前記辺縁部温度パラメーターは第二温度パラメーターを更に含み、前記第二温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ２であり、Ｌ２＝Ｌ０であり、前記Ｌ０は予め検出した病巣の半径であることを特徴とする請求項７６に記載の高周波アブレーションの制御方法。
【請求項７９】
前記設定関係は第二温度パラメーターが６０〜９０度に達することを更に含むことを特徴とする請求項７８に記載の高周波アブレーションの制御方法。
【請求項８０】
前記温度パラメーターは遠端温度パラメーターを更に含み、前記遠端温度パラメーターに対応する検出部位は電極の遠端端部であることを特徴とする請求項７３に記載の高周波アブレーションの制御方法。
【請求項８１】
前記設定関係は遠端温度パラメーターが６０〜１００度に達することを更に含むことを特徴とする請求項８０に記載の高周波アブレーションの制御方法。
【請求項８２】
アブレーションをする過程において前記温度パラメーターにより電極の周辺の温度分布を表示するステップを更に含むことを特徴とする請求項７２に記載の高周波アブレーションの制御方法。
【請求項８３】
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得する第一モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値を比較する第二モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信する第三モジュールとを含むことを特徴とする高周波アブレーション装置。
【請求項８４】
記憶装置と処理装置を含み、前記記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶されている高周波アブレーションの制御装置であって、前記処理装置がコンピュータプログラムを実行することにより請求項７２〜８２のうちいずれか一項に記載の前記高周波アブレーション方法中のステップを実施することを特徴とする高周波アブレーションの制御装置。
【請求項８５】
コンピュータプログラムが記憶されているコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムが処理装置により実行されることにより請求項７２〜８２のうちいずれか一項に記載の前記高周波アブレーションの制御方法中のステップを実施することを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項８６】
請求項１〜７１のうちいずれか一項に記載の高周波アブレーションカテーテルと、
前記高周波アブレーションカテーテルの電極の周辺部位に換熱媒体を供給する換熱媒体伝送装置と、
前記高周波アブレーションカテーテルの電極が位置している回路の抵抗情報により前記換熱媒体伝送装置を駆動する制御モジュールとを含むことを特徴とする肺部高周波アブレーションシステム。
【請求項８７】
アブレーションをする過程において電極の駆動信号は変化しないことを特徴とする請求項８６に記載の肺部高周波アブレーションシステム。
【請求項８８】
前記肺部高周波アブレーションシステムは電極の周辺部位の温度状況を検出する温度検出装置を更に含み、前記制御モジュールは前記温度状況によりアブレーションの進度を表すか或いは制御することにも用いられることを特徴とする請求項８６に記載の肺部高周波アブレーションシステム。
【請求項８９】
前記温度検出装置の数量は１個または複数個であり、少なくとも１つの温度検出装置の位置から電極までの距離は０．５〜３ｃｍであることを特徴とする請求項８８に記載の肺部高周波アブレーションシステム。
【請求項９０】
前記制御モジュールは前記換熱媒体伝送装置を制御することにより換熱媒体の流量を制御することを特徴とする請求項８６に記載の肺部高周波アブレーションシステム。
【請求項９１】
前記制御モジュールは、前記抵抗情報と閾値を比較し、かつ換熱媒体の流量を制御することにより前記抵抗情報が安定状態の抵抗になるようにすることを特徴とする請求項８６に記載の肺部高周波アブレーションシステム。
【請求項９２】
安定状態の抵抗を予め確定し、前記安定状態の抵抗により前記閾値を計算するステップを更に含むことを特徴とする請求項９１に記載の肺部高周波アブレーションシステム。
【請求項９３】
前記安定状態の抵抗を確定するとき、高周波アブレーションカテーテルを人体に位置させた後、電極に電気を印加する前の最初の流量により換熱媒体を出力し、抵抗情報をリアルタイムに採集し、安定状態の抵抗情報に対応する数値を安定状態の抵抗にすることを特徴とする請求項９２に記載の肺部高周波アブレーションシステム。
【請求項９４】
前記閾値は数値の範囲であり、換熱媒体の流量を調節する過程において、前記制御モジュールは、抵抗情報をリアルタイムに採集するとともに抵抗情報の変換趨勢を判断し、抵抗情報の変換趨勢により換熱媒体の流量を調節する度合を変化させるか或いは閾値の上限または閾値の下限を選択してそれと比較することを特徴とする請求項９２に記載の肺部高周波アブレーションシステム。
【請求項９５】
アブレーションをする過程において電極回路の抵抗情報を採集するステップＳ５００と、
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を制御するステップＳ５１０とを含むことを特徴とする肺部高周波アブレーションの制御方法。
【請求項９６】
ステップＳ５００は、安定状態の抵抗を予め確定し、前記安定状態の抵抗により閾値を計算するステップを更に含み、ステップＳ５１０において前記閾値と前記抵抗情報を比較することにより所定の制御指令を形成することを特徴とする請求項９５に記載の肺部高周波アブレーションの制御方法。
【請求項９７】
前記安定状態の抵抗を確定するとき、高周波アブレーションカテーテルを人体の所定の位置に位置させた後、電極に電気を印加する前の最初の流量により換熱媒体を出力し、かつ抵抗情報をリアルタイムに採集し、抵抗情報が安定状態になると、所定の数値を安定状態の抵抗に表記することを特徴とする請求項９６に記載の肺部高周波アブレーションの制御方法。
【請求項９８】
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成するステップＳ５１０は具体的に、
前記抵抗情報と閾値を比較し、前記抵抗情報と閾値の関係により換熱媒体の流量の増減を確定するステップＳ５１１と、
換熱媒体の流量の増減を確定し、所定の増量または減量により所定の制御指令を予め設定するステップＳ５１２とを含むことを特徴とする請求項９７に記載の肺部高周波アブレーションの制御方法。
【請求項９９】
前記増量の幅、減量の幅は各自に存在する固定値またはダイナミック値であることを特徴とする請求項９８に記載の肺部高周波アブレーションの制御方法。
【請求項１００】
前記閾値が一定の範囲の数値である場合、ステップＳ５１１において前記抵抗情報と閾値の関係により換熱媒体の流量の増減を判断するステップは具体的に、
前記抵抗情報が閾値の上限より大きいとき、換熱媒体の流量を増加させると判断するステップと、
前記抵抗情報が閾値の下限より小さいとき、換熱媒体の流量を減少させると判断するステップと、
前記抵抗情報が閾値の範囲内に入っているとき、換熱媒体の流量を維持すると判断するステップとを含み、
ステップＳ５１１において換熱媒体の流量を増加させると判断するとき、ステップＳ５１２において第一制御指令を形成し、第一制御指令に対応することは換熱媒体の流量が現在の流量より多いものであり、
ステップＳ５１１において換熱媒体の流量を減少させると判断するとき、ステップＳ５１２において第二制御指令を形成し、第二制御指令に対応することは換熱媒体の流量が現在の流量より少ないものであることを特徴とする請求項９８に記載の肺部高周波アブレーションの制御方法。
【請求項１０１】
抵抗情報を採集する所定の周期によりステップＳ５００とステップＳ５１０を繰り返し、
前の周期において制御指令を形成して出力し、次の周期において採集される抵抗情報と閾値を比較する前、採集される抵抗情報と前の周期の抵抗情報を比較することにより抵抗情報の変化趨勢を判断し、
前記抵抗情報の変化趨勢により換熱媒体の流量を調節する度合を変化させるか或いは閾値の上限または閾値の下限を選択してそれと比較することを特徴とする請求項１００に記載の肺部高周波アブレーションの制御方法。
【請求項１０２】
前の周期において第一制御指令を形成して出力し、次の周期において採集される抵抗情報と閾値を比較する前、採集される抵抗情報と前の周期の抵抗情報を比較することにより抵抗情報の変化趨勢を判断し、
抵抗情報の変換趨勢が上昇する趨勢である場合、換熱媒体の流量を調節する度合を増加させ、
抵抗情報の変換趨勢が下降する趨勢である場合、現在の採集周期の抵抗情報と閾値の下限を比較することを特徴とする請求項１０１に記載の肺部高周波アブレーションの制御方法。
【請求項１０３】
前の周期において第二制御指令を形成して出力し、次の周期において採集される抵抗情報と閾値を比較する前、採集される抵抗情報と前の周期の抵抗情報を比較することにより抵抗情報の変化趨勢を判断し、
抵抗情報の変換趨勢が下降する趨勢である場合、換熱媒体の流量を調節する度合を増加させ、
抵抗情報の変換趨勢が上昇する趨勢である場合、現在の採集周期の抵抗情報と閾値の上限を比較することを特徴とする請求項１０１に記載の肺部高周波アブレーションの制御方法。
【請求項１０４】
請求項７２〜８２のうちいずれか一項に記載の前記高周波アブレーションの制御方法によりアブレーションの進度を表すか或いは制御するステップを更に含むことを特徴とする請求項９５に記載の肺部高周波アブレーションの制御方法。
【請求項１０５】
温度パラメーターの検出位置から電極までの距離は０．５〜３ｃｍであり、前記温度パラメーターが４３〜６０℃に達した後所定の時間維持している場合、アブレーション停止指令を送信することを特徴とする請求項１０４に記載の肺部高周波アブレーションの制御方法。
【請求項１０６】
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信する採集モジュールと、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節する調節モジュールとを含むことを特徴とする肺部高周波アブレーションの制御装置。
【請求項１０７】
記憶装置と処理装置を含み、前記記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶されている肺部高周波アブレーションの制御装置であって、前記処理装置がコンピュータプログラムを実行することにより請求項９５〜１０５のうちいずれか一項に記載の前記肺部高周波アブレーションの制御方法中のステップを実施することを特徴とする高周波アブレーションの制御装置。
【請求項１０８】
コンピュータプログラムが記憶されているコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムが処理装置により実行されることにより請求項９５〜１０５のうちいずれか一項に記載の前記肺部高周波アブレーションの制御方法中のステップを実施することを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１０９】
肺部高周波アブレーションシステムであって、肺部高周波アブレーションシステムは、高周波信号形成装置、アブレーションカテーテル、電極基板、センサーモジュール、微量注入ポンプ、警報モジュールおよび制御モジュールを含み、
前記高周波信号形成装置は、前記制御モジュールと前記アブレーションカテーテルに接続され、制御モジュールから受信した命令により高周波信号を形成し、かつその高周波信号を前記アブレーションカテーテルに送信し、
前記アブレーションカテーテルは、前記高周波信号形成装置と前記微量注入ポンプに連結されることにより前記高周波信号形成装置が形成する高周波信号を受信するとともに前記高周波信号をアブレーション組織に送信し、かつ前記微量注入ポンプが注入する生理食塩水を受け取り、前記アブレーションカテーテルには液体流出孔が形成されることによりアブレーション組織内に生理食塩水を注入し、
前記電極基板は前記高周波信号形成装置に接続されることにより人体とアブレーションカテーテル内の電極との間に回路が形成され、
前記センサーモジュールは前記アブレーションカテーテル上に取り付けられるとともに前記制御モジュールに連結され、前記センサーモジュールは、抵抗センサーと温度センサーを含むことによりアブレーションカテーテルのアブレーション組織と接触する個所の抵抗と温度を検出し、かつその温度情報と抵抗情報を前記制御モジュールに送信し、
前記微量注入ポンプは、前記制御モジュールと前記アブレーションカテーテルに連結され、かつ制御モジュールの命令を受信することにより前記アブレーションカテーテルに生理食塩水を注入し、
前記警報モジュールは前記制御モジュールに接続されることにより前記制御モジュールが送信する警報命令を送信するとともにそれを使用者に知らせ、
前記制御モジュールは、前記高周波信号形成装置、センサーモジュール、微量注入ポンプおよび警報モジュールに連結されることにより、前記高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、前記センサーモジュールが検出した抵抗情報と温度情報を受信し、前記抵抗情報により前記微量注入ポンプが前記アブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御することを特徴とする肺部高周波アブレーションシステム。
【請求項１１０】
請求項１０９に記載の前記肺部高周波アブレーションシステムを用いる肺部高周波アブレーションの制御方法であって、前記肺部高周波アブレーションの制御方法は、
高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信するステップと、
アブレーションカテーテルとアブレーション組織が接触する位置の抵抗情報と温度情報を獲得するステップと、
前記抵抗情報により微量注入ポンプがアブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御するステップとを含むことを特徴とする肺部高周波アブレーションの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、腫瘤の低侵襲アブレーション治療方法に関し、特に、高周波アブレーションカテーテル、肺部高周波アブレーションシステムおよびその方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
肺癌はよく見かける悪性腫瘤の一種である。肺癌を治療するとき、外科手術により癌部位を切除することは早期肺癌を治療する有効な方法である。しかしながら、年をとった肺癌患者、体が弱い肺癌患者、心肺機能がよくない肺癌患者または併発症がある肺癌患者の場合、常用の手術方法により癌部位を切除することができない。その問題を解決するため、腫瘤低侵襲アブレーション治療方法等のような局部を治療する方法が提案された。肺部低侵襲アブレーション治療方法は、高周波アブレーション（Radio  Frequency  Ablation、ＲＦＡ）、冷凍アブレーション、マイクロ波アブレーション等を含むが、米国国家総合癌治療センターにおいて高周波アブレーションのみを用いている。
【０００３】
高周波アブレーションの原理は次のとおりである。周波数が３０ＭＨｚより小さい（通常、４６０〜４８０ｋＨｚである）交流高周波電流を用いることにより、組織内のイオンは高速に振動するとともに互いに摩擦し、高周波エネルギーは熱エネルギーに変換され、腫瘤細胞は凝固壊死する。高周波アブレーション治療をするとき、医療装置として高周波アブレーションカテーテルを用い、高周波アブレーションカテーテルの遠端の電極は穿刺によって皮膚に挿入されるとともに高周波エネルギーを挿入部位の周辺の細胞に伝送する。高周波アブレーション治療をするとき、高周波アブレーションカテーテルにおいて高周波エネルギーを出力する部分は電極である。前記高周波アブレーションカテーテルの電極は、高周波形成装置に接続され、かつＢスキャン超音波検査とＣＴの案内により皮膚を穿刺するとともに所定の腫瘤に挿入される。中性電極基板も高周波形成装置に接続され、中性電極基板は患者の人体の適合する部位に接着される。高周波形成装置のスイッチをクリックするとき、高周波アブレーションカテーテルと中性電極基板は接続され、高周波電流は高周波アブレーションカテーテルと中性電極基板との間に位置している人体の組織へ流れる。それにより高周波アブレーションカテーテルの遠端の電極と接触する腫瘤細胞は、凝固、変死、壊死することができる。
【０００４】
発明者の研究によると、従来の肺部高周波アブレーションカテーテルが作動するとき、電極の温度が迅速に上がり、電極の付近の組織が乾燥するとともに炭化することにより「クラスト」が形成され、それによりアブレーションが停止するので、アブレーションを充分にすることができない。また、「クラスト」組織が電極に接着される場合、肺部高周波アブレーションカテーテルを取り出すとき器官に傷を負わせるおそれがある。
【０００５】
従来の肺部高周波アブレーションカテーテルの頭部を曲げることができないので、高周波アブレーションカテーテルの前端の電極を側部に位置している所定の部位に容易に送入することができない。
【０００６】
従来の高周波アブレーションカテーテルはアブレーションの範囲を有効に制御することができず、アブレーションの範囲が適合するかを迅速に判断することができない。アブレーションの範囲が小さすぎると、再発するおそれがあり、アブレーションの範囲が大きすぎると、周囲の異変がない組織および器官に影響を与えるおそれがある。
【０００７】
従来の技術においてアブレーションをするとき、Ｂスキャン超音波検査とＣＴの案内により高周波アブレーションカテーテルの前端の電極を所定の位置に正確に送入することができる。ＣＴ画像とＸ線画像は所定の数量の画像で構成される断面画像である。ある角度で観察するとき、高周波アブレーションカテーテルの前端の電極が目標位置上に位置しているように見えるが、電極が目標位置上に位置していない場合がある。それは画像が投影方向において重畳するからである。その場合、高周波アブレーションカテーテルの前端の電極の位置を正確に把握することができず、電極の位置を正確に制御することができない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の技術の少なくとも一部分の問題を解決するため、本発明の目的は高周波アブレーションカテーテルを提供することにある。高周波アブレーションカテーテルの電極は、アブレーション組織に換熱媒体を注入することにより電極の外周に換熱媒体保護膜を形成し、それによりアブレーション組織の導電性と熱伝導性を向上させ、インピーダンスのバランスを維持し、抵抗が安定状態になっていることを維持し、高周波エネルギーを出力し続けることを確保することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の高周波アブレーションカテーテルは電極を含み、前記電極には換熱媒体通路が形成され、前記電極上にはバランサーが設けられ、前記バランサー上には前記換熱媒体通路と連通している潤滑孔が形成され、前記換熱媒体通路から出力される換熱媒体は前記バランサーによって分配されて流出する。
【００１０】
以下、本発明の複数の実施形態を提供するが、下記実施形態は本発明の例示にしか過ぎないものであるため、本発明は下記実施例の構成にのみ限定されるものでない。技術面またはロジック面の矛盾が生じない場合、下記複数の実施形態をそれぞれ実施するか或いは複数の実施形態を任意に組み合わせて実施することができる。
【００１１】
本発明の実施例において、前記バランサーと前記電極は分離可能な構造に設けられ、前記バランサーは前記電極上に移動不可能に固定されるか或いは移動可能に取り付けられ、前記バランサーと前記電極は一体に設けられることもできる。
【００１２】
本発明の実施例において、前記潤滑孔が複数個であることにより前記電極の外部に均等な換熱媒体保護膜を形成することができる。
【００１３】
本発明の実施例において、前記電極の遠端部分は同直径に延伸するか或いは逓減形状に形成され、前記逓減形状は漸次に逓減するか或いは階段式に逓減する形状である。
【００１４】
本発明の実施例において、前記バランサーと前記電極は一体に形成され、前記潤滑孔は電極の外壁に形成され、前記電極の遠端は切っ先である。
【００１５】
本発明の実施例において、前記バランサーと前記電極は分離可能な構造に設けられ、前記電極の外壁には前記換熱媒体通路と連通する流出孔が形成され、前記バランサーは前記電極上に取り付けられかつ前記流出孔の外周に位置している潤滑カバーであり、前記潤滑孔は前記潤滑カバー上に形成され、前記潤滑孔から出力される換熱媒体は前記潤滑カバーにより分配されて流出する。
【００１６】
本発明の実施例において、前記換熱媒体通路は電極の内部に形成されるキャビティであり、換熱媒体はキャビティの壁部に形成される孔部から流出する。
【００１７】
本発明の実施例において、前記換熱媒体通路は幹線通路と幹線通路に連通している複数の支線通路を含み、各幹線通路の末端は電極の外表面まで延伸する。
【００１８】
本発明の実施例において、前記支線通路は前記幹線通路の延伸方向に配置される少なくとも一組であり、一組の支線通路は少なくとも２つであり、複数の支線通路は前記幹線通路の外周に放射状態に配置される。
【００１９】
本発明の実施例において、一組の支線通路は幹線通路の円周方向に均等に配置される。
【００２０】
本発明の実施例において、隣接している組の支線通路の数量は同一であるか或いは異なり、幹線通路の円周方向の位置は整列するか或いはずれるように配置される。
【００２１】
本発明の実施例において、複数の支線通路は幹線通路の延伸方向に沿って順に配置されかつ幹線通路の外周に螺旋状態に配置される。
【００２２】
本発明の実施例において、前記潤滑カバーは前記電極上に固定されるか或いは電極の軸線を回転軸として回転するように前記電極上に取り付けられるか或いは電極の軸方向に移動するように前記電極上に取り付けられる。
【００２３】
本発明の実施例において、前記高周波アブレーションカテーテル上には前記潤滑カバーに連結される駆動部品が更に設けられ、前記駆動部品は前記潤滑カバーが前記電極に相対して移動するように駆動する。
【００２４】
本発明の実施例において、前記電極上には１個の前記潤滑カバーが取り付けられるか或いは複数個の前記潤滑カバーが取り付けられる。
【００２５】
本発明の実施例において、前記電極上には複数個の前記潤滑カバーが取り付けられ、各潤滑カバーは前記電極に相対してそれぞれ移動するか或いは少なくとも２個の潤滑カバーが連動することができる。
【００２６】
本発明の実施例において、前記潤滑カバーは、シート状に形成され、円周方向において電極の外周の局部のみを覆う。
【００２７】
本発明の実施例において、前記潤滑カバーは、円周方向が密閉される円筒状構造であり、電極の外周に取り付けられる。
【００２８】
本発明の実施例において、前記潤滑カバーは前記電極の近端部分のみを覆うか或いは前記潤滑カバーは帽子形状に形成され、帽子形状の遠端は潤滑カバーの遠端端部を覆う。
【００２９】
本発明の実施例において、前記潤滑カバーは前記電極上に固定され、前記電極の外周には位置決め突出部が形成され、前記潤滑カバーの遠端が前記位置決め突出部に当接することにより前記潤滑カバーの位置を決める。
【００３０】
本発明の実施例において、前記潤滑カバーの外壁と潤滑カバーから露出している前記電極の外壁は同高に連結される。
【００３１】
本発明の実施例において、前記潤滑カバーの少なくとも一部分は潤滑孔が形成される浸透区域であり、前記流出孔が形成されている前記電極の部位は前記浸透区域に対応し、前記流出孔が形成されている前記電極の部位と前記浸透区域の内壁との間には隙間が形成されている。
【００３２】
本発明の実施例において、前記潤滑孔と前記流出孔はずれるように配置される。
【００３３】
本発明の実施例において、前記電極の外壁には凹型区域が形成され、前記流出孔は前記凹型区域に形成され、前記浸透区域は前記凹型区域の外周に位置し、前記潤滑カバーの内壁と前記凹型区域の表面との間には隙間が形成される。
【００３４】
本発明の実施例において、前記流出孔は拡張形状に形成され、拡張区域は前記凹型区域になり、潤滑カバーの内壁と凹型区域の表面との間の隙間は流出孔までの距離が増加することにより小さくなる。
【００３５】
本発明の実施例において、潤滑カバーの内壁と凹型区域との間の隙間は流出孔までの距離が増加することにより増加する。
【００３６】
本発明の実施例において、凹型区域は１個であるか或いは互いに離れている複数個であり、同一の凹型区域には１個の流出孔が形成され、同一の凹型区域において、潤滑カバーの内壁と凹型区域との間の隙間は前記凹型区域内の流出孔までの距離が増加することにより増加する。
【００３７】
本発明の実施例において、前記凹型区域は電極の軸方向に延伸する分布溝で構成され、前記流出孔は電極の円周方向において複数組に分けられ、一組の流出孔は同一の分布溝に形成される。
【００３８】
本発明の実施例において、分布溝は円周方向に均等に形成されている２〜１０個である。
【００３９】
本発明の実施例において、１つの分布溝の底部には１個の前記流出孔が形成され、前記分布溝の深度は前記流出孔までの距離が増加することにより増加する。
【００４０】
本発明の実施例において、前記潤滑カバー上には円周方向に配置される複数組の潤滑孔が形成され、各組の潤滑孔は１つの分布溝の位置に対応する。
【００４１】
本発明の実施例において、隣接している分布溝の壁部には潤滑カバーの内壁を支持する突出部が形成されており、突出部の頂部は潤滑カバーの内壁の所定の部位に当接し、その形状は潤滑カバーの内壁の形状に対応する。
【００４２】
本発明の実施例において、前記潤滑カバーは多孔材料で構成されかつ多孔材料に形成されている隙間は前記潤滑孔になるか或いは、潤滑カバーは織物のような構造で構成されかつ織物の構造に形成されている隙間は前記潤滑孔になるか或いは、前記潤滑カバーは金属ケースで構成されかつ金属ケースの壁部には前記潤滑孔が形成されている。
【００４３】
本発明の実施例において、各潤滑孔の内径は同一に設けられるか或いは換熱媒体の流量に対応するように設けられる。
【００４４】
本発明の実施例において、前記バランサーの各位置に位置している各潤滑孔の分布密度は同一に設けられるか或いは換熱媒体の流量に対応するように設けられる。
【００４５】
本発明の実施例において、前記潤滑孔の内径は流出孔までの距離が増加することにより増加する。
【００４６】
本発明の実施例において、前記潤滑孔は前記潤滑カバーの円周方向に配置されている複数組の潤滑孔である。
【００４７】
本発明の実施例において、同組の潤滑孔は各自の延伸方向に沿って順に配置され、前記延伸方向は、直線、折線または曲線であることができる。
【００４８】
本発明の実施例において、各組の潤滑孔は１つの流出孔に対応する。
【００４９】
本発明の実施例において、前記潤滑カバー上には位置標識が形成されている。
【００５０】
本発明の実施例において、前記高周波アブレーションカテーテルは電極の位置を示す電磁式ナビゲーション部品を更に含む。
【００５１】
本発明の実施例において、前記電極上には電極の近端側へ延伸する牽引線が連結され、その牽引線で電極が回転するように駆動する。
【００５２】
本発明の実施例において、前記電極の近端にはカテーテルが連結され、前記牽引線はカテーテルの内部からカテーテルの外部まで延伸し、前記電極の近端には換熱媒体通路と連通する連結管が連結され、その連結管はカテーテルの内部まで延伸する。
【００５３】
本発明の実施例において、前記電極上には装着孔が形成され、前記牽引線の遠端は前記装着孔に挿入されるとともに当該装着孔に固定される。
【００５４】
本発明の実施例において、前記高周波アブレーションカテーテルは相手に近づく方向または相手から離れる方向に移動できる第一湾曲モジュールと第二湾曲モジュールを更に含み、カテーテルは前記第一湾曲モジュールに固定され、前記牽引線は前記第二湾曲モジュールに連結される。
【００５５】
本発明の実施例において、前記第一湾曲モジュールと前記第二湾曲モジュールは滑動可能に結合されるか或いは並列に滑動するように配置される。
【００５６】
本発明の実施例において、前記第一湾曲モジュールと前記第二湾曲モジュールはいずれも管形状であり、前記第二湾曲モジュールは前記第一湾曲モジュール内に滑動可能に結合される。
【００５７】
本発明の実施例において、前記第二湾曲モジュールの少なくとも一部分は前記第一湾曲モジュール内に挿入され、前記第一湾曲モジュールと前記第二湾曲モジュールとの間には第一湾曲モジュールと第二湾曲モジュールの移動方向を限定する案内装置が更に設けられている。
【００５８】
本発明の実施例において、前記案内装置は、前記第一湾曲モジュールと前記第二湾曲モジュールのうちいずれかの１つに形成される滑動溝と、他の１つに形成される位置決め突出部とを含む。
【００５９】
本発明の実施例において、前記第二湾曲モジュールの前記第一湾曲モジュール内に結合される部分には前記第一湾曲モジュールと前記第二湾曲モジュールとの間の摩擦力を増加させるＯ型リングが取り付けられている。
【００６０】
本発明の実施例において、前記第二湾曲モジュール上には当該第二湾曲モジュールが前記第一湾曲モジュールに相対して移動する位置を示す目盛マークが設けられている。
【００６１】
本発明の実施例において、前記高周波アブレーションカテーテルの遠端に隣接している部位には複数個の温度検出装置が軸方向に沿って順に配置されている。
【００６２】
本発明の実施例において、前記温度検出装置は、遠端と近端との間に間隔を空けて配置される第一温度検出装置、第二温度検出装置および第三温度検出装置を含む。
【００６３】
本発明の実施例において、前記温度検出装置は温度センサーと導熱環状部を含み、前記温度センサーはアブレーション装置に連結され、前記導熱環状部は高周波アブレーションカテーテルの外壁に取り付けられ、前記温度センサーと前記導熱環状部は熱結合される。
【００６４】
本発明の実施例において、前記温度センサーは前記導熱環状部の外壁に固定され、温度センサーを導熱環状部の外壁に固定させる方法として、接着、溶接、リベット結合、インターフェアランスフィットのうち少なくとも１つを採用することができる。
【００６５】
本発明の実施例において、前記温度センサーはサーミスターであり、前記サーミスターはサーミスター電線によりアブレーション装置に電気接続され、前記サーミスター電線上には温度制御ドライブパイプが取り付けられている。
【００６６】
本発明の実施例において、前記温度センサーは無線通信装置によりアブレーション装置に連結される。
【００６７】
本発明の実施例において、高周波アブレーションカテーテルの外壁には結合溝が形成され、前記温度検出装置は位置が適合する結合溝内に固定され、前記結合溝の底部には回路導線を通過させる貫通孔が形成されている。
【００６８】
本発明の実施例において、前記結合溝は環状に形成され、前記温度検出装置は所定の結合溝内に環状に固定され、前記温度検出装置を所定の結合溝内に固定させる方法として、接着、溶接、リベット結合、インターフェアランスフィットのうち少なくとも１つを採用することができる。
【００６９】
本発明の実施例において、前記導熱環状部は環状構造を有し、前記導熱環状部は前記結合溝内に設けられる。
【００７０】
本発明の実施例において、前記温度検出装置は環状構造を有しており、前記導熱環状部と温度センサーが円周方向において協力することにより前記環状構造が形成される。
【００７１】
本発明の実施例において、前記導熱環状部上には凹部が形成され、前記温度検出装置は前記凹部内に固定され、前記温度検出装置を前記凹部内に固定させる方法として、接着、溶接、リベット結合、インターフェアランスフィットのうち少なくとも１つを採用することができる。
【００７２】
本発明の実施例において、前記温度検出装置の外表面とその付近の部位は平坦に連結される。
【００７３】
本発明の実施例において、少なくとも1個の温度検出装置の軸方向の位置は調節可能に設けられる。
【００７４】
本発明の実施例において、前記高周波アブレーションカテーテルと温度検出装置との間には案内構造が設けられる。
【００７５】
本発明の実施例において、軸方向の位置が調節可能に設けられる温度検出装置にはドラグラインが連結され、前記ドラグラインで前記温度検出装置を牽引することにより温度検出装置が前記電極に相対している軸方向の位置を調節する。
【００７６】
本発明の実施例において、前記ドラグラインは、前記ドラグラインが温度検出装置に連結される個所から高周波アブレーションカテーテルの内部に挿入され、かつ高周波アブレーションカテーテルの内部において近端側へ延伸する。
【００７７】
本発明の実施例において、前記高周波アブレーションカテーテルは相手に相対して移動できる第一調節モジュールと第二調節モジュールを含み、前記電極は第一調節モジュールに相対して移動しないように固定され、前記ドラグラインは前記第二調節モジュールに連結され、前記第一調節モジュールと前記第二調節モジュールが相手に相対して移動するとき、前記ドラグラインはそのドラグラインに連結される温度検出装置が電極に相対している軸方向の位置を調節する。
【００７８】
本発明の実施例において、前記第一調節モジュールと前記第二調節モジュールは滑動可能に結合されるか或いは回転可能に結合される。
【００７９】
本発明の実施例において、前記電極の遠端端部には温度検出ディテクターが取り付けられている。
【００８０】
本発明の実施例において、前記電極１内には電極とアブレーション組織が当接するとき圧力の変化を検出する圧力センサーが更に設けられている。
【００８１】
前記高周波アブレーションカテーテルの電極上にはバランサーが取り付けられている。アブレーションをするとき、前記バランサーは換熱媒体を外部に出力し、電極の表面と潤滑組織との間に換熱媒体を注入することにより、回路中の抵抗を低減し、インピーダンスのバランスを維持することができる。それによりアブレーションを実施し続け、アブレーションを所定のサイズまで増加させ、より大きく、より有効な凝固壊死部位を形成することができる。また、換熱媒体は電極とアブレーション組織が接触する個所がクラストによって接着されることを避けこともできる。換熱媒体により電極の外部に一層の保護膜が形成され、電極を潤滑状態にすることができる。したがって、少量の換熱媒体によりインピーダンスのバランスを維持し、過量の換熱媒体が肺部に残されることを避けることができる。
【００８２】
本発明は高周波アブレーション方法を更に提供し、その高周波アブレーション方法は、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップＳ１００と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップＳ１１０と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップＳ１２０とを含む。
【００８３】
本発明の高周波アブレーション方法は主として、アブレーション過程中の温度の変化を検出することに用いられるので、その方法を高周波アブレーションの温度検出方法と見なすことができる。その高周波アブレーションの温度検出方法は、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップＳ１００と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップＳ１１０と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップＳ１２０とを含む。
【００８４】
本発明は高周波アブレーションの制御方法を更に提供し、その高周波アブレーションの制御方法は、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップＳ１００と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップＳ１１０と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップＳ１２０とを含む。
【００８５】
本発明の実施例において、前記温度パラメーターは辺縁部温度パラメーターを含み、前記辺縁部温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬであり、Ｌ０≦Ｌであり、前記Ｌ０は予め検出した病巣の半径であり、
前記設定関係は辺縁部温度パラメーターが前記温度閾値に達した後その状態を維持することに要する時間区間を含む。
【００８６】
本発明の実施例において、前記温度パラメーターは第一温度パラメーターを更に含み、前記第一温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ１であり、Ｌ１＜Ｌ０であり、前記Ｌ０は予め検出した病巣の半径である。
【００８７】
本発明の実施例において、前記設定関係は第一温度パラメーターが６０〜１００度に達することを更に含む。本発明の実施例において、前記辺縁部温度パラメーターは第三温度パラメーターを更に含み、前記第三温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ３であり、Ｌ０＜Ｌ３であり、前記Ｌ０は予め検出した病巣の半径である。
【００８８】
本発明の実施例において、前記設定関係は第三温度パラメーターが前記温度閾値に達した後その状態を維持することに要する時間区間を含み、前記温度閾値は４３〜６０℃であり、前記時間区間は３分以上である。
【００８９】
本発明の実施例において、前記辺縁部温度パラメーターは第二温度パラメーターを更に含み、前記第二温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ２であり、Ｌ２＝Ｌ０であり、前記Ｌ０は予め検出した病巣の半径である。
【００９０】
本発明の実施例において、前記設定関係は第二温度パラメーターが６０〜９０度に達することを更に含む。
【００９１】
本発明の実施例において、前記温度パラメーターは遠端温度パラメーターを更に含み、前記遠端温度パラメーターに対応する検出部位は電極の遠端端部である。
【００９２】
本発明の実施例において、前記設定関係は遠端温度パラメーターが６０〜１００度に達することを更に含む。本発明の実施例において、前記温度パラメーターは、遠端温度パラメーター、第一温度パラメーター、第二温度パラメーターおよび第三温度パラメーターを含み、
前記遠端温度パラメーターに対応する検出部位は電極の遠端端部であり、
前記第一温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ１であり、
前記第二温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ２であり、
前記第三温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ３であり、
前記複数の距離において、Ｌ１＜Ｌ０＝Ｌ２＜Ｌ３であり、前記Ｌ０は予め検出した病巣の半径である。
【００９３】
本発明の実施例において、アブレーションをする過程において前記温度パラメーターにより電極の周辺の温度分布を表示するステップを更に含む。
【００９４】
本発明の実施例において、アブレーションをするとき本発明の前記高周波アブレーションカテーテルを採用し、各温度パラメーターは所定の温度検出装置によりそれぞれ検出されるものである（遠端温度パラメーターは前記温度検出ディテクターにより検出されるものである）。
【００９５】
本発明は高周波アブレーション装置を更に提供し、その高周波アブレーション装置は、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得する第一モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値を比較する第二モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信する第三モジュールとを含む。
【００９６】
本発明は高周波アブレーションの制御装置を更に提供し、その高周波アブレーションの制御装置は、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得する第一モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値を比較する第二モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信する第三モジュールとを含む。
【００９７】
本発明は高周波アブレーションの温度検出装置を更に提供し、その高周波アブレーションの温度検出装置は、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得する第一モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値を比較する第二モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信する第三モジュールとを含む。
【００９８】
本発明は高周波アブレーション装置を更に提供し、その高周波アブレーション装置は記憶装置と処理装置を含み、前記記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶されており、前記処理装置がコンピュータプログラムを実行することにより前記高周波アブレーション方法中のステップを実施する。
【００９９】
本発明は高周波アブレーションの制御装置を更に提供し、その高周波アブレーションの制御装置は記憶装置と処理装置を含み、前記記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶されており、前記処理装置がコンピュータプログラムを実行することにより前記高周波アブレーションの制御方法中のステップを実施する。
【０１００】
本発明は高周波アブレーション装置を更に提供し、その高周波アブレーション装置は記憶装置と処理装置を含み、前記記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶されており、前記処理装置がコンピュータプログラムを実行することにより前記高周波アブレーションの温度検出方法中のステップを実施する。
【０１０１】
本発明はコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を更に提供し、そのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体にはコンピュータプログラムが記憶されており、前記コンピュータプログラムが処理装置により実行されることにより前記高周波アブレーション方法中のステップを実施する。
【０１０２】
本発明はコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を更に提供し、そのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体にはコンピュータプログラムが記憶されており、前記コンピュータプログラムが処理装置により実行されることにより前記高周波アブレーションの制御方法中のステップを実施する。
【０１０３】
本発明はコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を更に提供し、そのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体にはコンピュータプログラムが記憶されており、前記コンピュータプログラムが処理装置により実行されることにより前記高周波アブレーションの温度検出方法中のステップを実施する。
【０１０４】
本発明は肺部高周波アブレーションシステムを更に提供し、その肺部高周波アブレーションシステムは、
本発明の前記高周波アブレーションカテーテルと、
前記高周波アブレーションカテーテルの電極の周辺部位に換熱媒体を供給する換熱媒体伝送装置と、
前記高周波アブレーションカテーテルの電極が位置している回路の抵抗情報により前記換熱媒体伝送装置を駆動する制御モジュールとを含む。
【０１０５】
本発明の実施例において、アブレーションをする過程において電極の駆動信号は変化しない。
【０１０６】
本発明の実施例において、前記肺部高周波アブレーションシステムは電極の周辺部位の温度状況を検出する温度検出装置を更に含み、前記制御モジュールは前記温度状況によりアブレーションの進度を表すか或いは制御することにも用いられる。
【０１０７】
本発明の実施例において、前記温度検出装置の数量は１個または複数個であり、少なくとも１つの温度検出装置の位置から電極までの距離は０．５〜３ｃｍである。
【０１０８】
本発明の実施例において、前記制御モジュールは前記換熱媒体伝送装置を制御することにより換熱媒体の流量を制御する。
【０１０９】
本発明の実施例において、前記制御モジュールは、前記抵抗情報と閾値を比較し、かつ換熱媒体の流量を制御することにより前記抵抗情報が安定状態の抵抗になるようにする。
【０１１０】
本発明の実施例において、安定状態の抵抗を予め確定し、前記安定状態の抵抗により前記閾値を計算するステップを更に含む。
【０１１１】
本発明の実施例において、前記安定状態の抵抗を確定するとき、高周波アブレーションカテーテルを人体内に位置させた後、電極に電気を印加する前の最初の流量により換熱媒体を出力し、抵抗情報をリアルタイムに採集し、安定状態の抵抗情報に対応する数値を安定状態の抵抗にする。
【０１１２】
本発明の実施例において、前記閾値は数値の範囲であり、換熱媒体の流量を調節する過程において、前記制御モジュールは、抵抗情報をリアルタイムに採集するとともに抵抗情報の変換趨勢を判断し、抵抗情報の変換趨勢により換熱媒体の流量を調節する度合を変化させるか或いは閾値の上限または閾値の下限を選択してそれと比較する。
【０１１３】
本発明は肺部高周波アブレーション方法を更に提供する。その肺部高周波アブレーション方法は、
アブレーションをする過程において電極回路の抵抗情報を採集するステップＳ５００と、
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を制御するステップＳ５１０とを含む。
【０１１４】
本発明の肺部高周波アブレーション方法は主として、アブレーション過程中の温度の変化を検出することに用いられるので、その方法を肺部高周波アブレーションの抵抗検出方法と見なすことができる。その肺部高周波アブレーションの抵抗検出方法は、
アブレーションをする過程において電極回路の抵抗情報を採集するステップＳ５００と、
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を制御するステップＳ５１０とを含む。
【０１１５】
本発明は肺部高周波アブレーションの制御方法を更に提供する。その肺部高周波アブレーションの制御方法は、
アブレーションをする過程において電極回路の抵抗情報を採集するステップＳ５００と、
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を制御するステップＳ５１０とを含む。
【０１１６】
本発明の実施例において、ステップＳ５００は、安定状態の抵抗を予め確定し、前記安定状態の抵抗により閾値を計算するステップを更に含み、ステップＳ５１０において前記閾値と前記抵抗情報を比較することにより所定の制御指令を形成する。
【０１１７】
本発明の実施例において、前記安定状態の抵抗を確定するとき、高周波アブレーションカテーテルを人体の所定の位置に位置させた後、電極に電気を印加する前の最初の流量により換熱媒体を出力し、かつ抵抗情報をリアルタイムに採集し、抵抗情報が安定状態になると、所定の数値を安定状態の抵抗に表記する。
【０１１８】
本発明の実施例において、前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成するステップＳ５１０は具体的に、
前記抵抗情報と閾値を比較し、前記抵抗情報と閾値の関係により換熱媒体の流量の増減を確定するステップＳ５１１と、
換熱媒体の流量の増減を確定し、所定の増量または減量により所定の制御指令を予め設定するステップＳ５１２とを含む。
【０１１９】
本発明の実施例において、前記増量の幅、減量の幅は各自に存在する固定値またはダイナミック値である。
【０１２０】
本発明の実施例において、前記閾値が一定の範囲の数値である場合、ステップＳ５１１において前記抵抗情報と閾値の関係により換熱媒体の流量の増減を判断するステップは具体的に、
前記抵抗情報が閾値の上限より大きいとき、換熱媒体の流量を増加させると判断するステップと、
前記抵抗情報が閾値の下限より小さいとき、換熱媒体の流量を減少させると判断するステップと、
前記抵抗情報が閾値の範囲内に入っているとき、換熱媒体の流量を維持すると判断するステップとを含み、
ステップＳ５１１において換熱媒体の流量を増加させると判断するとき、ステップＳ５１２において第一制御指令を形成し、第一制御指令に対応することは換熱媒体の流量が現在の流量より多いものであり、
ステップＳ５１１において換熱媒体の流量を減少させると判断するとき、ステップＳ５１２において第二制御指令を形成し、第二制御指令に対応することは換熱媒体の流量が現在の流量より少ないものである。
【０１２１】
本発明の実施例において、抵抗情報を採集する所定の周期によりステップＳ５００とステップＳ５１０を繰り返す。
【０１２２】
前の周期において制御指令を形成して出力し、次の周期において採集される抵抗情報と閾値を比較する前、採集される抵抗情報と前の周期の抵抗情報を比較することにより抵抗情報の変化趨勢を判断し、
前記抵抗情報の変化趨勢により換熱媒体の流量を調節する度合を変化させるか或いは閾値の上限または閾値の下限を選択してそれと比較する。
【０１２３】
本発明の実施例において、前の周期において第一制御指令を形成して出力し、次の周期において採集される抵抗情報と閾値を比較する前、採集される抵抗情報と前の周期の抵抗情報を比較することにより抵抗情報の変化趨勢を判断し、
抵抗情報の変換趨勢が上昇する趨勢である場合、換熱媒体の流量を調節する度合を増加させ、
抵抗情報の変換趨勢が下降する趨勢である場合、現在の採集周期の抵抗情報と閾値の下限を比較する。
【０１２４】
本発明の実施例において、前の周期において第二制御指令を形成して出力し、次の周期において採集される抵抗情報と閾値を比較する前、採集される抵抗情報と前の周期の抵抗情報を比較することにより抵抗情報の変化趨勢を判断し、
抵抗情報の変換趨勢が下降する趨勢である場合、換熱媒体の流量を調節する度合を増加させ、
抵抗情報の変換趨勢が上昇する趨勢である場合、現在の採集周期の抵抗情報と閾値の上限を比較する。
【０１２５】
本発明の実施例において、前記高周波アブレーションの制御方法によりアブレーションの進度を表すか或いは制御するステップを更に含む。
【０１２６】
本発明の実施例において、前記温度パラメーターの検出位置から電極までの距離は０．５〜３ｃｍであり、前記温度パラメーターが４３〜６０℃に達した後所定の時間維持している場合、アブレーション停止指令を送信する。
【０１２７】
本発明は肺部高周波アブレーション装置を更に提供する。その肺部高周波アブレーション装置は、
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信する採集モジュールと、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節する調節モジュールとを含む。
【０１２８】
本発明は肺部高周波アブレーションの制御装置を更に提供する。その肺部高周波アブレーションの制御装置は、
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信する採集モジュールと、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節する調節モジュールとを含む。
【０１２９】
本発明は肺部高周波アブレーションの抵抗検出装置を更に提供する。その肺部高周波アブレーションの抵抗検出装置は、
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信する採集モジュールと、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節する調節モジュールとを含む。
【０１３０】
本発明は高周波アブレーション装置を更に提供する。その高周波アブレーション装置は記憶装置と処理装置を含み、前記記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶されている。前記処理装置がコンピュータプログラムを実行することにより前記肺部高周波アブレーション方法中のステップを実施する。
【０１３１】
本発明は高周波アブレーションの制御装置を更に提供する。その高周波アブレーションの制御装置は記憶装置と処理装置を含み、前記記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶されている。前記処理装置がコンピュータプログラムを実行することにより前記肺部高周波アブレーションの制御方法中のステップを実施する。
【０１３２】
本発明は高周波アブレーションの制御装置を更に提供する。その高周波アブレーションの制御装置は記憶装置と処理装置を含み、前記記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶されている。前記処理装置がコンピュータプログラムを実行することにより前記肺部高周波アブレーションの抵抗検出方法中のステップを実施する。
【０１３３】
本発明はコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を更に提供する。そのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体にはコンピュータプログラムが記憶されており、前記コンピュータプログラムが処理装置により実行されることにより前記肺部高周波アブレーション方法中のステップを実施する。
【０１３４】
本発明はコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を更に提供する。そのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体にはコンピュータプログラムが記憶されており、前記コンピュータプログラムが処理装置により実行されることにより前記肺部高周波アブレーションの制御方法中のステップを実施する。
【０１３５】
本発明はコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を更に提供する。そのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体にはコンピュータプログラムが記憶されており、前記コンピュータプログラムが処理装置により実行されることにより前記肺部高周波アブレーションの抵抗検出方法中のステップを実施する。
【０１３６】
従来の技術の肺部高周波アブレーションが作動するとき、電極の付近の組織が乾燥するとともに炭化することにより「クラスト」が形成され、それによりアブレーションが停止し、アブレーションを充分にすることができない問題を解決するため、本発明は肺部高周波アブレーションシステムおよびその方法を提供する。
【０１３７】
本発明は肺部高周波アブレーションシステムを更に提供する。その肺部高周波アブレーションシステムは、高周波信号形成装置、アブレーションカテーテル、電極基板、センサーモジュール、微量注入ポンプ、警報モジュールおよび制御モジュールを含み、
前記高周波信号形成装置は、前記制御モジュールと前記アブレーションカテーテルに接続され、制御モジュールから受信した命令により高周波信号を形成し、かつその高周波信号を前記アブレーションカテーテルに送信し、
前記アブレーションカテーテルは、前記高周波信号形成装置と前記微量注入ポンプに連結されることにより前記高周波信号形成装置が形成する高周波信号を受信するとともに前記高周波信号をアブレーション組織に送信し、かつ前記微量注入ポンプが注入する生理食塩水を受け取り、前記アブレーションカテーテルには液体流出孔が形成されることによりアブレーション組織内に生理食塩水を注入し、
前記電極基板は前記高周波信号形成装置に接続されることにより人体とアブレーションカテーテル内の電極との間に回路が形成され、
前記センサーモジュールは前記アブレーションカテーテル上に取り付けられるとともに前記制御モジュールに連結され、前記センサーモジュールは、抵抗センサーと温度センサーを含むことによりアブレーションカテーテルのアブレーション組織と接触する個所の抵抗と温度を検出し、かつその温度情報と抵抗情報を前記制御モジュールに送信し、
前記微量注入ポンプは、前記制御モジュールと前記アブレーションカテーテルに連結され、かつ制御モジュールの命令を受信することにより前記アブレーションカテーテルに生理食塩水を注入し、
前記警報モジュールは前記制御モジュールに接続されることにより前記制御モジュールが送信する警報命令を送信するとともにそれを使用者に知らせ、
前記制御モジュールは、前記高周波信号形成装置、センサーモジュール、微量注入ポンプおよび警報モジュールに連結されることにより、前記高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、前記センサーモジュールが検出した抵抗情報と温度情報を受信し、前記抵抗情報により前記微量注入ポンプが前記アブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御する。
【０１３８】
本発明は、前記肺部高周波アブレーションシステムを用いる肺部高周波アブレーション方法を更に提供する。その肺部高周波アブレーション方法は、
高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信するステップと、
アブレーションカテーテルとアブレーション組織が接触する位置の抵抗情報と温度情報を獲得するステップと、
前記抵抗情報により微量注入ポンプがアブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御するステップとを含む。
【０１３９】
本発明は、前記肺部高周波アブレーションシステムを用いる肺部高周波アブレーションの制御方法を更に提供する。その肺部高周波アブレーションの制御方法は、
高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信するステップと、
アブレーションカテーテルとアブレーション組織が接触する位置の抵抗情報と温度情報を獲得するステップと、
前記抵抗情報により微量注入ポンプがアブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御するステップとを含む。
【０１４０】
本発明の肺部高周波アブレーション方法は主として、抵抗と温度の変化を検出することに用いられるので、その方法を肺部高周波アブレーションの抵抗および温度検出方法と見なすことができる。その高周波アブレーションの抵抗および温度検出方法は、
高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信するステップと、
アブレーションカテーテルとアブレーション組織が接触する位置の抵抗情報と温度情報を獲得するステップと、
前記抵抗情報により微量注入ポンプがアブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御するステップとを含む。
【発明の効果】
【０１４１】
本発明は、抵抗センサーでアブレーション組織の抵抗の変化を検出し、抵抗が迅速に増加することが検出されると、電極付近の組織が乾燥、炭化することによりクラストが形成されることを意味する。そのとき、アブレーション組織内に生理食塩水を注入するように制御する。それにより組織の温度を低減し、組織の湿度を増加させ、乾燥と昇温により組織にクラストが形成されることを有効に避けることができる。また、生理食塩水により組織の導電性と熱伝導性を向上させ、インピーダンスのバランスを維持し、抵抗が安定な状態になっていることを維持することができる。その方法によりアブレーションをする過程において抵抗が一定の範囲になっていることを確保することができる。それにより高周波エネルギーを出力し続けることができるので、大きいアブレーション範囲を形成し、より大きく、より有効な凝固壊死部位を形成することができる。また、電極の付近の組織に「クラスト」が形成され、「クラスト」組織と電極が接着され、肺部高周波アブレーションカテーテルを取り出すとき、器官に傷を負わせることを避けることができる。
【０１４２】
本発明の他の発明の効果について下記具体的な実施例においてより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】高周波アブレーションカテーテルの全体を示す構造図である。
【図２】挿入部分の断面を示す図である。
【図３】挿入部分の他の断面を示す図である。
【図４】取っ手部分の断面を示す図である。
【図５】取っ手部分の他の断面を示す図である。
【図６ａ】第一湾曲パイプモジュールの外部を示す構造図である。
【図６ｂ】図６ａのＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図７ａ】第二湾曲パイプモジュールの外部を示す構造図である。
【図７ｂ】図７ａのＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図８】電極（潤滑カバーと電極が一体に形成される構造）を示す構造図である。
【図９】電極（潤滑カバーと電極が一体に形成される構造）を示す構造図である。
【図１０ａ】図９の断面を示す断面図である。
【図１０ｂ】電極の局部を示す断面図である。
【図１０ｃ】電極の局部を示す断面図である。
【図１０ｄ】電極の局部を示す断面図である。
【図１１】高周波アブレーションカテーテル全体を示す構造図である。
【図１２】図１１の局部を示す拡大図である。
【図１３】図１１の断面を示す断面図である。
【図１４】電極（潤滑カバーと電極が一体に形成される構造）を示す構造図である。
【図１５】図１４の電極を他の角度で観察することを示す図である。
【図１６】図１５のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１７】図１４の電極を他の角度で観察することを示す図である。
【図１８ａ】アブレーションをするとき電極周辺の温度変化を示す図である。
【図１８ｂ】高周波アブレーションカテーテルにおいて温度検出装置が取り付けられる部位を示す図である。
【図１８ｃ】図１８ｂ中の導熱環状部以外の構造を示す図である。
【図１８ｄ】導熱環状部を示す断面図である。
【図１９ａ】高周波アブレーションの制御方法を示す流れ図である。
【図１９ｂ】高周波アブレーションをするとき病巣部位の温度を示す図である。
【図２０】コンピュータのハードウェアの構造を示す図である。
【図２１】肺部高周波アブレーションの制御方法を示す流れ図である。
【図２２】肺部高周波アブレーションの制御方法を示す流れ図である。
【図２３】肺部高周波アブレーションシステムを示す図である。
【図２４】他の肺部高周波アブレーションシステムを示す図である。
【図２５】肺部高周波アブレーションの制御方法を示す図である。
【図２６】他の肺部高周波アブレーションの制御方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０１４４】
以下、本発明の実施例の図面により本発明の実施例の技術的事項をより詳細に、充分に説明する。下記実施例は本発明の一部分の実施例にしか過ぎないものであり、すべての実施例を示すものでない。本発明の実施例を参照する場合、この技術分野の技術者は創造的な研究をしなくても他の実施例を想到することができ、それらがあっても本発明に含まれることは勿論である。
【０１４５】
本発明の実施例をより詳細に説明するため、１つまたは複数の図面を参照することができる。図面に示される事項または例示は、本発明の技術的事項、現在説明している実施例または好適な実施形態の範囲を限定するものでない。
【０１４６】
注意されたいことは、モジュールが他のモジュールに「連結」されるということは、モジュールが他のモジュールに直接に連結されるか或いは中間のモジュールにより間接的に連結されることを意味する。モジュールが他のモジュールに「取り付けられる」ということは、モジュールが他のモジュールに直接に取り付けられるか或いは中間のモジュールにより間接的に取り付けられることを意味する。
【０１４７】
特別な説明がない限り、本文において用いる技術的用語または科学的用語はこの技術分野の技術者が常用している用語の意味を指す。本文または本発明において用いる用語は、本発明の具体的な実施例を説明するものであるが、本発明を限定するものでない。この明細書中の「及び／又は」という用語は記載されている事項のうちいずれか一個または複数個を指すか或いはそれらの組合せを指す。
【０１４８】
図１ないし図１８ａに示すとおり、高周波アブレーションカテーテル（Radio  frequency  ablation  catheter）は挿入部分と取っ手部分を含み、前記挿入部分の遠端には電極１が設けられている。
【０１４９】
本発明の実施例に係る高周波アブレーションカテーテルは電極１を含み、電極１には換熱媒体通路が形成され、電極１上にはバランサーが設けられ、バランサー上には換熱媒体通路と連通している潤滑孔が形成されている。換熱媒体通路から流出する換熱媒体はバランサーにより分配されて流出する。
【０１５０】
本実施例において、バランサーにより換熱媒体通路から出力される換熱媒体を更に分配することができる。電極１と病巣組織との間に換熱媒体保護膜が形成され、その設計の構想および原理は通常の冷却と異なっている。分配方法は多孔、隙間等を用いることにより同一の部位から換熱媒体が出力されることを避けることができる。電極１の外表面に形成される均等な換熱媒体保護膜を調節することにより組織の温度を低減し、組織の湿度を増加させ、乾燥と昇温により組織にクラスト（crust）が形成されることを有効に避けることができる。また、換熱媒体は組織の導電性と熱伝導性を向上させ、インピーダンスのバランスを維持し、アブレーションを安定に行うことができる。
【０１５１】
本発明の実施例において、バランサーと電極は分離可能な構造に設けられ、バランサーは電極上に移動不可能に固定されるか或いは移動可能に取り付けられることができる。バランサーと電極は一体に設けられることもできる。
【０１５２】
バランサーと電極が一体に形成されるとき、バランサーは電極の一部分になり、潤滑孔は電極の外壁に形成される。バランサーは少なくとも換熱媒体通路の一部分の区域を包囲し、バランサー上の潤滑孔と前記区域は互いに対応しかつ互いに連通する。バランサーは電極の軸方向の一部分であり、かつその一部分は円周方向に連続に配置されることが好ましい。潤滑孔は円周方向に配置される複数個であることにより、換熱媒体の配置の効果を向上させ、形成される換熱媒体保護膜を均等にし、円周方向の局部にのみ保護層が形成されることを避けることができる。
【０１５３】
本発明の実施例において、潤滑孔は複数個であり、それらにより電極の外部に均等な換熱媒体保護膜を形成することができる。
【０１５４】
潤滑孔が複数個であることにより換熱媒体を均等に配置させることができる。複数個の潤滑孔はバランサーの外周に所定の方式または所定の規則に配列されるか或いは無規則に配列されることができる。換熱媒体通路から出力される換熱媒体は各潤滑孔によりバランサーの外部まで流動し、かつ電極を包囲することにより均等な換熱媒体保護膜を形成する。潤滑孔の具体的な配置は後で説明する好適な実施例を参照することができる。
【０１５５】
潤滑孔の内径は０．１〜０．３ｍｍである。適当な内径を用いることにより換熱媒体保護膜の配置と形成を確保することができる。潤滑孔の形状が非円形であるとき、円形の面積を非円形の面積に換算することにより潤滑孔が形成されている個所の換熱媒体の流量を算出することができる。
【０１５６】
本発明の実施例において、潤滑孔は隙間状であることができる。一般の形状と比較してみると、隙間状は長い形状を有しており、その長さは幅の５倍以上であることができる。隙間の幅を約０．１ｍｍにすることができる。隙間の長手方向が電極の軸方向または円周方向に延伸するか或いは軸方向と一定の夾角を成す方向に延伸することができる。
【０１５７】
本発明の高周波アブレーションカテーテルにおいて、バランサーと電極は分離可能な構造に設けられ、電極１の外壁には換熱媒体通路と連通する流出孔が形成され、バランサーは電極１上に取り付けられかつ流出孔の外周に位置している潤滑カバー２０である。潤滑孔は潤滑カバー２０上に形成され、潤滑孔から出力される換熱媒体は潤滑カバー２０により分配されて流出する。
【０１５８】
本発明において、遠端は病巣に近づいている一端であり、近端は病巣から近づいている一端すなわち取っ手部分に近づいている一端であり、軸方向はカテーテルの延伸方向であり、カテーテルの局部を曲げることができるが、湾曲前の状態によりその状態を適当に形成することができる。
【０１５９】
電極の本体において、最遠端に位置している部位以外の他の部分は回転体に形成される。例えば円柱型に形成される場合、電極は軸方向と直径方向を具備し、電極の延伸方向はカテーテルの延伸方向と一致する。
【０１６０】
好適な実施例において、すべての流出孔はいずれも潤滑カバー２０に覆われる。他の実施例において、一部分の流出孔は潤滑カバー２０に覆われず、露出することができる。すなわち一部分の流出孔は潤滑カバー２０に覆われない。
【０１６１】
本発明の実施例において、電極の遠端部分は同直径に延伸するか或いは逓減形状に形成されることができる。逓減形状は漸次に逓減するか或いは階段式に逓減する形状であることができる。
【０１６２】
電極の遠端部分が逓減形状に形成されることより人体内において穿刺（puncture）を容易にすることができる。電極の遠端部分の形状が逓減するとき、直径または外部輪郭は遠端に向かって少しずつ小さくなり、かつ小さくなる傾向は変化しない（漸次に逓減する）か或いは変化する（階段式に逓減する）ことができる。
【０１６３】
本発明の実施例において、電極の遠端部分は、円柱、半球、円錐台、角錐台、円錐、角錐であるか或いは少なくとも１つの面で前記形状（すなわち円柱、半球、円錐台、角錐台、円錐または角錐）を傾斜して切削してえた形状であることができる。
【０１６４】
１つの面または複数の面で前記形状を傾斜して切削することにより電極の遠端部分の形状を自由に変化させることができる。傾斜して切削することは切削された切削面と電極の軸方向が平行または垂直にされないことを意味する。切削面と電極の軸方向が平行であるとき、傾斜して切削することができず、切削面と電極の軸方向が垂直であるとき、電極の遠端の端面は平面に切削される。例えば円柱または円錐台に切削される。
【０１６５】
図９の電極１の遠端は円錐台に形成されている。
【０１６６】
本発明の実施例において、バランサーと電極は一体に形成され、潤滑孔は電極の外壁に形成され、電極の遠端は切っ先である。図１４に示される電極１の遠端は切っ先１１４である。３つの面で円柱を切削することにより切っ先１１４を形成することができる。切っ先１１４が形成されることにより人体内において穿刺を容易にすることができる。
【０１６７】
以上、電極の遠端の形状の好適な実施例を説明してきたが、電極の遠端の形状として従来の技術を採用することもできる。
【０１６８】
本実施例において、換熱媒体通路は連結管により外部の換熱媒体伝送装置に連結され、連結管路上にポンプ、バルブまたは計量装置等を取り付けることができる。例えば図１６に示される電極１の遠端には連結管１１１が連結され、電極１の内部の幹線通路１１５と連結管１１１が連通状態に連結されることにより換熱媒体を伝送することができる。
【０１６９】
換熱媒体として従来の媒体を採用し、換熱媒体によりアブレーションとアブレーションの周辺部位を冷却させることができる。他の実施例において、換熱媒体により加熱をし、需要により換熱媒体の温度と体温との間の関係を調節することができる。
【０１７０】
換熱媒体を人体内に送入する必要があるので、人体に適合する換熱媒体を選択する必要がある。換熱媒体の形態は、気体、液体または一定の流動性を有している固体状態粉末であるか或いはいろいろな形態の組合せであることができる。換熱媒体は、純物質または混合物等であり、薬物と一緒に用いることができる。
【０１７１】
本発明の実施例において、換熱媒体通路は電極１の内部に形成されるキャビティであり、換熱媒体はキャビティの壁部に形成される孔部から流出する。
【０１７２】
キャビティの形状は、円柱形、球形、半球またはそれらの組合せであることができる。キャビティの外周は電極の外表面に近づいている。電極の外表面に近づいているキャビティの壁部は薄いので、孔部を容易に形成することができる。キャビティが電極の内部に位置している位置と孔部が形成される位置は対応する。キャビティにより換熱媒体を伝送するとともに換熱媒体を予め分配するか或いは混合することができる。それにより異なる孔部から出力される換熱媒体の温度、濃度の一致性を確保することができる。換熱媒体と薬物を一緒に用いることにより効果を更に向上させることができる。
【０１７３】
バランサーと電極が一体に設けられるとき、孔部は潤滑孔になり、バランサーと電極が分離可能な構造に形成されるとき、孔部は電極の外壁に形成される流出孔になることができる。
【０１７４】
本発明の実施例において、換熱媒体通路は幹線通路と幹線通路に連通している複数の支線通路を含み、各幹線通路の末端は電極１の外表面まで延伸する。
【０１７５】
幹線通路は１つであるか或いは並列される複数であることができる。好ましくは、１つの幹線通路は電極の軸線の付近に形成されかつ電極の軸線方向に延伸し、各支線通路は幹線通路の同一位置または異なる位置に連通状態に連結される。
【０１７６】
図１０ａにおいて、１つの幹線通路は電極の軸線方向に延伸し、複数の支線通路は幹線通路の同一位置に連通状態に連結される。
【０１７７】
図１６において、１つの幹線通路は電極の軸線方向に延伸する幹線通路１１５であり、複数の支線通路は幹線通路１１５の同一位置に連通状態に連結される。
【０１７８】
バランサーと電極が一体に設けられるとき、各支線通路の末端は電極１の外表面の潤滑孔まで延伸し、バランサーと電極が分離可能な構造に形成されるとき、各支線通路の末端は電極１の外表面の流出孔まで延伸する。
【０１７９】
本発明の実施例において、支線通路は幹線通路の延伸方向に配置される少なくとも一組であり、一組の支線通路は少なくとも２つであり、複数の支線通路は幹線通路の外周に放射状態に配置される。
【０１８０】
加工の利便性を向上させるため、支線通路の延伸方向を電極の直径方向と同一にすることが好ましいが、支線通路の延伸方向を電極の直径方向に傾斜するようにすることもできる。各支線通路の傾斜角度は同一であるか或いは異なることができる。各支線通路の軸方向の位置を考慮するとき、各支線通路と幹線通路が連通する位置により各支線通路の傾斜角度を適当に選択することができる。
【０１８１】
例えば、図１０ａにおいて幹線通路の延伸方向に沿って１組の支線通路を配置し、図１６において幹線通路の延伸方向に沿って３組の支線通路を配置する。図面に示されるとおり、支線通路１１６、支線通路１１７および支線通路１１８は幹線通路１１５のいろいろな位置（軸方向の位置）に連通し、同一組の支線通路は放射状態に配置される。
【０１８２】
本発明の実施例において、一組の支線通路は幹線通路の円周方向に均等に配置されることができる。
【０１８３】
複数の支線通路が幹線通路の外周に放射状態に配置されるとき、複数の支線通路を幹線通路の円周方向に均等に配置させることにより換熱媒体の流出を均等にすることができる。
【０１８４】
本発明の実施例において、隣接している組の支線通路の数量は同一であるか或いは異なり、幹線通路の円周方向の位置は整列するか或いはずれるように配置されることができる。
【０１８５】
図１６において、隣接している支線通路の数量は同一であり、それらは円周方向において互いに対応するように配置される。図面中の支線通路１１６、支線通路１１７および支線通路１１８は円周方向において位置が整列するように配置される。他の実施例において、支線通路１１６、支線通路１１７および支線通路１１８は円周方向において位置がずれるように配置されることもできる。
【０１８６】
本発明の実施例において、複数の支線通路は幹線通路の延伸方向に沿って順に配置されかつ幹線通路の外周に螺旋状態に配置される。換熱媒体として常用するものは生理食塩水である。以下、説明と理解を簡単にするため、一部分の実施例において生理食塩水を例として説明することができる。その場合、流出孔を食塩水孔といい、換熱媒体通路を食塩水通路ということができる。「孔」、「管」等は常用の孔、管を指し、特別な説明がない場合、「孔」、「管」等の構造は換熱媒体の種類により限定されるものでない。
【０１８７】
換熱媒体として生理食塩水を用いるとき、本発明の実施例に係る高周波アブレーションカテーテルはアブレーション装置に電気接続される電極１を含み、電極１の一端には食塩水通路１２に連結されかつ電極１内へ生理食塩水を導入する食塩水連結管１０１が連結されている。電極１上には食塩水連結管１０１の内部と連通している食塩水孔１０６が形成され、電極１の外部には潤滑カバー２０が設けられる。潤滑カバー２０上には均等に配置される複数の潤滑孔２００が形成され、食塩水孔１０６から流出する生理食塩水は潤滑孔２００から流出することができる。図１ないし図１０ｃに示すとおり、本発明の実施例に係る高周波アブレーションカテーテルは挿入部分と取っ手部分を含む。
【０１８８】
挿入部分は、電極１と、電極１に連結されるカテーテル２と、電極１およびカテーテル２の内部に設けられる部品とを含む。
【０１８９】
取っ手部分は食塩水コネクタ６とアブレーション装置コネクタ７を含む。取っ手部分は挿入部分と食塩水コネクタ６に連結される生理食塩水の保存位置およびアブレーション装置とを連通状態に連結させる。
【０１９０】
導線１６は、カテーテル２に挿入され、かつ電極１をアブレーション装置コネクタ７に連結させることにより電極１とアブレーション装置を連結させる。アブレーション装置には中性電極基板が更に連結されている。アブレーション治療をする前、前記中性電極基板を人体の所定の部位に接着させる。その場合、電極１、アブレーション装置、中性電極基板および患者の人体により回路が形成されるので、電極１に当接するアブレーション組織に対してアブレーションをすることができる。高周波アブレーションカテーテルの電極１は、気管支案内装置の案内によりブロンコスコピー（bronchoscopy）のクランプチャンネル（Clamp  channel）を通過し、かつ穿刺によって病巣の付近の気管支の壁部に形成された孔により肺実質（lung  parenchyma）に進入して高周波アブレーションをすることができる。
【０１９１】
潤滑カバー２０を採用するとき、バランサーと電極１は分離可能な構造に設けられ、潤滑孔２００は潤滑カバー２０上に形成される孔である。
【０１９２】
バランサーと電極１が一体に形成されるとき、図２、図３および図８に示すとおり、電極１の一端はカテーテル２に連結固定され、他端はアブレーション組織内に直接に挿入される。カテーテル２に固定される電極１の一端にはカテーテル２の管内に挿入される食塩水連結管１０１が形成されている。前記食塩水連結管１０１は食塩水通路１２によって食塩水コネクタ６に連結されることにより電極１内へ生理食塩水を注入することができる。図８に示すとおり、電極１上には複数の食塩水孔１０６が形成されている。食塩水連結管１０１の内部から流出する生理食塩水は電極１内へ流入し、その後生理食塩水は電極１の内部の通路により食塩水孔１０６側へ流動するとともに食塩水孔１０６から流出する。それにより電極１の表面の潤滑効果を獲得することができる。電極１の表面に一層の生理食塩水層が形成され、アブレーションをするとき生理食塩水が電極とアブレーション組織との間に注入されるので、「クラスト」が電極を「真空状態に実装する」ことにより抵抗が増加することを防止することができる。
【０１９３】
図２、図３および図８の食塩水孔１０６を潤滑孔とみなし、食塩水孔１０６が形成されている電極１の局部をバランサーとみなすことができる。
【０１９４】
バランサーと電極が一体に形成されるとき、潤滑の効果を確保するため複数の潤滑孔を形成することができる。電極の軸方向に配置されている複数の潤滑孔を複数の組、例えば２〜４組に分けることができる。電極の円周方向に配置されている各組の潤滑孔の数量は例えば２〜８個であることができるが、４〜６個であることが好ましい。
【０１９５】
図１１ないし図１７に示すとおり、本発明の実施例に係る高周波アブレーションカテーテルは挿入部分と取っ手部分を含む。
挿入部分は、電極１と、電極１に連結される金属管２１と、電極１および金属管２１の内部に設けられる部品とを含む。電極１に近づいている挿入部分の個所には温度センサー２９が設けられている。
【０１９６】
電極１の遠端は逓減形状に形成される切っ先である。金属管２１の構造と金属管２１が設けられる位置はカテーテル２と類似している。金属管２１は一定の強度を有しているので、電極１と共に穿刺をすることができる。例えば胸腔（thoracic  cavity）の外壁から肺部に直接に挿入してアブレーションをすることができる。
【０１９７】
本実施例において、バランサーと電極１が一体に形成されるとき、電極１内には換熱媒体通路が形成される。例えば幹線通路１１５、支線通路１１６、支線通路１１７および支線通路１１８が形成され、各支線通路は幹線通路１１５のいろいろな位置に形成される。
【０１９８】
各支線通路１１６が電極１の外表面まで延伸することにより潤滑孔１０９が形成され、換熱媒体通路と潤滑孔１０９が形成されている電極１の区域を、電極１と一体に形成されるバランサーとみなすことができる。
【０１９９】
電極１上には温度センサー２２と電極導線２４をそれぞれ収納させる装着孔１１２と装着孔１１３が形成されている。電極１の近端に設けられる連結管１１１は電極１の内部の換熱媒体通路と連通し、換熱媒体伝送管２３は連結管１１１に連結される。
【０２００】
取っ手部分は、主として、Ｙ型取っ手２５、取っ手端部蓋２６およびルアーテーパー（Luer  taper）２８を含む。
【０２０１】
Ｙ型取っ手２５から露出する回路部分はコネクタ２７に電気接続される。コネクタ２７が常用の形状に形成されることにより外部の回路をコネクタ２７に容易に接続させることができる。換熱媒体伝送管２３はルアーテーパー２８により換熱媒体伝送装置に連結され、それにより電極１に換熱媒体を供給することができる。
【０２０２】
電極１が人体内において移動する距離により電極１の近端に所定の部品を取り付けることができる。例えば電極１が人体内において移動する距離が長くかつ曲げる必要がある場合、カテーテル２を採用することができる。カテーテル２は良好な柔軟性と直径方向の支持能力を有しているので、湾曲の角度が大きい場所に用いることができる。また、牽引線１０により湾曲の程度と電極１の姿勢を調節することができる。電極１が人体内において移動する距離が短いか或いは穿刺よって電極１を挿入する必要がある場合、一定の強度を有している金属管２１を採用することができる。
【０２０３】
電極１とカテーテル２または金属管２１を従来の手段、例えば溶接、接着、リベット結合または中間連結部品等により固定連結させることができる。電極１とカテーテル２または金属管２１が連結される個所はドッキングされるか或いは局部が重畳する状態に結合される。局部が重畳する状態に結合されるとき、外壁の平坦性を確保し、角の形成を防止する必要がある。
【０２０４】
図９〜図１０ｄに示すとおり、アブレーションをするとき電極１の潤滑の効果を更に向上させるため、本発明の実施例においてバランサーと電極１を分離可能な構造に設けることができる。例えば電極１の外部にバランサーとして用いる潤滑カバー２０を更に取り付けることができる。潤滑カバー２０の内壁と電極１の外壁との間には一定の隙間が形成されている。
【０２０５】
潤滑カバー２０上には均等に配置される複数の潤滑孔２００が形成されている。食塩水連結管１０１から電極１の内部に流入する生理食塩水は食塩水孔１０６により電極１と潤滑カバー２０との間に流入し、その後潤滑孔２００から流出する。潤滑孔２００の外表面に一層の水薄膜が形成されるので、電極の表面は生理食塩水に浸されることにより潤滑を確保し、アブレーション組織にクラストが形成されることを更に防止し、かつ回路の抵抗を低減することができる。インピーダンスのバランスを維持することにより所定のアブレーション体積が形成されるときまでアブレーションの連続的進行を確保することができる。
【０２０６】
周知のとおり、電極１の加工方法として従来の機械加工方法を採用することができるが、電極１上の食塩水孔１０６のサイズを過度に小さくすることができない。潤滑カバー２０の加工方法として他の加工方法を採用することにより潤滑カバー２０上の潤滑孔２００の直径をずいぶん小さくすることができる。その場合潤滑孔２００から流出する生理食塩水により電極の表面に一層の水膜を形成することができる。電極１の加工の難易度を考慮しなくてもよい場合、電極１上に複数個の食塩水孔１０６を形成し、複数個の食塩水孔１０６を電極１の表面に均等に配置させることができる。その場合潤滑カバー２０を設けなくてもよい。
【０２０７】
潤滑カバー２０により潤滑カバー２０の外表面に冷却媒体の薄膜を形成することができる。加工と装着の利便性を向上させるため、潤滑カバー２０と電極を分離可能な構造に形成する。
【０２０８】
本発明の実施例において、潤滑カバー２０は、電極１上に固定されるか或いは電極の軸線を回転軸として回転するように電極１上に取り付けられるか或いは電極の軸方向に移動するように電極１上に取り付けられる。
【０２０９】
潤滑カバー２０を取り付けるとき、潤滑カバー２０が電極全体を覆うように取り付けるか或いは潤滑カバー２０が電極１の局部を覆うように取り付けることができ、潤滑カバー２０を所定の区域に取り付けることができる。潤滑カバー２０と電極１を固定連結させるとき、溶接方法、連結部品または位置決め構造等により潤滑カバー２０と電極１との間の距離を維持することができる。
【０２１０】
潤滑カバー２０が電極の軸線を回転軸として回転するように電極１上に取り付けられるとき、電極の軸線方向の位置のみを限定することができる。流出孔が円周に配置される方向は異なっているので、潤滑カバー２０を回転させることにより所定の流出の方向を獲得するか或いは一部分の区域の流出孔を密閉することができる。
【０２１１】
潤滑カバー２０が電極の軸方向に移動するように電極１上に取り付けられるとき、流出孔が円周に配置される方向は異なっているので、潤滑カバー２０の移動を調節することにより各部位の換熱媒体の流出量を調節するか或いは一部分の区域の流出孔を密閉することができる。
【０２１２】
本発明の実施例において、潤滑カバー２０が電極１に相対して移動することを制御するため、潤滑カバー２０に連結される駆動部品を更に設けることができる。駆動部品は潤滑カバー２０が電極１に相対して移動するように駆動する。例えばカテーテル２に相対して軸方向に移動するドラグライン（dragline）またはカテーテル２に相対して回転するドライブパイプ等を用いることができる。
【０２１３】
本発明の実施例において、電極１上に１個の潤滑カバー２０を取り付けるか或いは複数個の潤滑カバー２０を取り付けることができる。
【０２１４】
潤滑カバー２０は円周方向において電極１の外周の局部のみを覆うことができる。例えば電極１の外壁に凹部を形成し、流出孔を凹部の底部に形成することができる。潤滑カバー２０は凹部内に取り付けられかつ潤滑カバー２０と凹部の底部との間には隙間が形成されているので、換熱媒体を容易に分配することができる。
【０２１５】
複数個の潤滑カバー２０を取り付ける場合、各潤滑カバー２０を電極の軸線方向、円周方向等に配置させることにより電極の所定の区域を覆うことができる。複数個の潤滑カバー２０を取り付ける場合、各潤滑カバー２０を移動不可能または移動可能に取り付けることができる。例えば、一部分の潤滑カバー２０を電極１上に移動不可能に固定させ、一部分の潤滑カバー２０を電極１上に移動または回転可能に取り付けることができる。
【０２１６】
本発明の実施例において、電極１上には複数個の潤滑カバー２０が取り付けられ、各潤滑カバー２０は電極１に相対してそれぞれ移動するか或いは少なくとも２個の潤滑カバーが連動することができる。
【０２１７】
１つの潤滑カバー２０は一体に形成されるか或いは分離可能な構造に形成されることができる。１つの潤滑カバー２０が分離可能な構造に形成されるとき、結合手段により各部分を一体に結合させることができる。独自に設けられることは固定されるか或いは独自に移動することを意味し、連動とは１つが移動するとき他の１つが一緒に移動するように連動させることを意味する。
【０２１８】
潤滑カバー２０は円周方向において非密閉構造に形成されることができる。本発明の実施例において、潤滑カバー２０は、シート状に形成され、円周方向において電極１の外周の局部のみを覆う。
【０２１９】
潤滑カバー２０は、平面シート状または曲面シート状であり、結合方法または局部包囲方法により電極１上に固定される。電極１において、潤滑カバー２０は少なくとも流出孔が形成される部位のみを覆うか或いは円周方向に更に延伸することができる。本発明の実施例において、潤滑カバー２０は、円周方向が密閉される円筒状構造であり、電極１の外周に取り付けられる。
【０２２０】
円筒状構造を具備している潤滑カバー２０を取り付けるとき、電極の軸線方向に沿って電極の近端側または遠端側から電極１上に取り付けることができる。円周方向が密閉されることにより潤滑カバー２０は電極１の一周を覆うが、電極の軸線方向のすべての部分を覆う必要はない。本発明の実施例において、潤滑カバー２０は電極１の近端部分のみを覆う。
【０２２１】
本発明の実施例において、潤滑カバー２０は帽子形状に形成され、帽子形状の遠端は潤滑カバー２０の遠端端部を覆う。
【０２２２】
潤滑カバー２０の位置決めと装着を容易にするため、本発明の実施例において、潤滑カバー２０を電極１上に固定させる。電極１の外周には位置決め突出部が形成され、潤滑カバー２０の遠端が位置決め突出部に当接することにより潤滑カバー２０の位置を決める。
【０２２３】
高周波アブレーションカテーテルの遠端の外壁の平坦性を確保するため、本発明の実施例において、潤滑カバー２０の外壁と潤滑カバー２０から露出している電極１の外壁を同高にする。それにより形状が変化するか或いは突出部が形成されることを避け、安全性を向上させることができる。
【０２２４】
潤滑カバー２０の少なくとも一部分は潤滑孔２００が形成される浸透区域であり、流出孔が形成されている電極の部位は浸透区域と対応し、流出孔が形成されている電極の部位と浸透区域の内壁との間には隙間が形成されている。
【０２２５】
前記隙間により換熱媒体を分配し、換熱媒体保護膜の均等性を向上させることができる。隙間は電極の外壁の局部が凹入するか或いは潤滑カバーの局部が突出することにより形成されるか或いはそれらの組合せにより形成されることができる。
【０２２６】
本発明の実施例において、潤滑孔２００と流出孔はずれるように配置される。
【０２２７】
潤滑孔と流出孔がずれるように配置されるとき、潤滑孔と流出孔が対向することを避ける必要がある。潤滑孔と流出孔がずれるように配置されることにより、換熱媒体が流出孔と対向している潤滑孔から先に流出し、潤滑カバー２０の分配の効果に影響を与えることを避けることができる。好ましくは、数量が多い潤滑孔２００を形成し、潤滑孔２００の直径を流出孔の直径より小さくする。
【０２２８】
図１０ｂを参照すると、本発明の実施例において、電極１の外壁には凹型区域１０７が形成され、流出孔は凹型区域１０７に形成される。潤滑カバー２０の浸透区域は凹型区域１０７の外周に位置し、潤滑カバー２０の内壁と凹型区域１０７の表面との間には隙間が形成される。
【０２２９】
凹型区域１０７が形成されることにより流出孔から出力される換熱媒体をより均等に分配することができる。分配される換熱媒体は潤滑カバー２０の外部へ滲出する。前記隙間のサイズが異なることにより潤滑カバー２０の各部位上の換熱媒体の圧力または流量に影響を与える。潤滑カバー２０の外周から換熱媒体が均等に出力されることを確保するため、例えば生理食塩水膜を均等に形成するため、隣接する流出孔の間の距離が異なることにより隙間のサイズを適当に調節することができる。
【０２３０】
図１０ｄを参照すると、本発明の実施例において、前記流出孔は拡張形状に形成され、拡張区域は凹型区域になる。潤滑カバーの内壁と凹型区域の表面との間の隙間は流出孔までの距離が増加することにより小さくなる。
【０２３１】
前記流出孔を拡張形状（ラッパ型開口）に形成する目的は換熱媒体を均等に出力することにある。換熱媒体の流動速度が速いとき、最近個所の潤滑孔から噴出され、流出孔から離れている潤滑孔と流出孔に近づいている潤滑孔は換熱媒体を均等に出力することができないので、換熱媒体保護膜の均等性に影響を与える。
【０２３２】
図１０ｄにおいて、電極１の外壁の流出孔すなわち食塩水孔１０６の開口は拡張形状に形成され、拡張区域は凹型区域１０７になる。潤滑カバー２０の内壁と凹型区域との間の隙間は流出孔までの距離が増加することにより小さくなる。食塩水孔の開口が拡張形状に形成されることにより流出孔と流出孔に対向する潤滑孔との間の距離を増加させ、換熱媒体の噴射を抑制し、流出孔までの距離が異なる潤滑孔が換熱媒体を均等に出力することを確保することができる。また、換熱媒体の流速が遅いとき、流出孔から離れている各潤滑孔は換熱媒体を充分に出力することができないので、流出孔に近づいている潤滑孔の換熱媒体の流量は少なくなる。本発明の実施例において、潤滑カバー２０の内壁と凹型区域との間の隙間は流出孔までの距離が増加することにより増加する。
【０２３３】
流出孔から出力される換熱媒体が凹型区域を通過することにより分配され、流出孔から離れている個所の隙間が大きいので、換熱媒体が充分に出力されることを確保することができる。それにより、各潤滑孔の流量の均一性を確保し、換熱媒体保護層を均等に形成することができる。
【０２３４】
潤滑カバー２０の内壁と凹型区域の表面との間のある区域の周辺に複数個の流出孔が形成されているとき、前記区域から流出孔までの距離は隣接している複数個の流出孔により決められる。例えば平均距離により算出することができる。
【０２３５】
本発明の実施例において、凹型区域は１個であるか或いは互いに離れている複数個であり、同一の凹型区域には１個の流出孔が形成され、同一の凹型区域において、潤滑カバー２０の内壁と凹型区域との間の隙間は前記凹型区域内の流出孔までの距離が増加することにより増加することができる。
【０２３６】
図１０ｂを参照すると、凹型区域１０７に対応する食塩水孔１０６において、凹型区域１０７から食塩水孔１０６までの距離が異なる区域に存在している各凹型区域１０７の深度は異なり、食塩水孔１０６までの距離が遠ければ遠いほど、凹型区域１０７の深度はより深くなる。
【０２３７】
計算と加工の利便性を容易にするため、本発明の実施例において、凹型区域は電極の軸方向に延伸する分布溝で構成され、流出孔（例えば図面中の食塩水孔１０６）は電極の円周方向において複数組に分けられ、一組の流出孔は同一の分布溝に形成される。
【０２３８】
同組の流出孔は同一の分布溝の底部に形成され、分布溝の深度を潤滑カバー２０の内壁と凹型区域の表面との間の隙間のサイズと見なすことができる。
【０２３９】
図面を参照すると、本発明の実施例において、分布溝の数量は円周方向に均等に形成されている２〜１０個であることができる。例えば４、６、８個であることができる。潤滑カバー２０は前記分布溝の外周に環状に取り付けられる。
【０２４０】
同組の流出孔の数量は１個であるか或いは順に配列される複数個であることができる。図面には１個の食塩水孔１０６が形成されている。
【０２４１】
本発明の実施例において、１つの分布溝の底部に１個の流出孔を形成し、分布溝の深度は流出孔までの距離が増加することにより増加する。
【０２４２】
本発明の実施例において、潤滑カバー２０上には円周方向に配置される複数組の潤滑孔２００が形成され、各組の潤滑孔２００は１つの分布溝の位置に対応する。
【０２４３】
機械的加工方法を採用するとき、同一の分布溝に対応する潤滑孔２００は順に配置される１個または複数個であることができる。例えば４〜１０個であることができる。織物または多孔材料を採用する場合、潤滑孔２００の数量が増加するとともにその分布が複雑になるので、分布溝と対応する関係により潤滑孔を複数組に分けることができる。
【０２４４】
隣接している分布溝の壁部には潤滑カバー２０の内壁を支持する突出部が形成されている。突出部の頂部は潤滑カバー２０の内壁の所定の部位に当接し、その形状は潤滑カバー２０の内壁の形状に対応する。
【０２４５】
潤滑カバー２０が円筒型である場合、潤滑カバー２０の表面は円弧面であり、その曲率は潤滑カバー２０により決められる。それにより、良好な支持を獲得し、潤滑カバー２０の局部が変形することを減少させることができる。
【０２４６】
潤滑カバー２０上には潤滑孔２００が配置され、潤滑カバー２０を加工する方法が異なることにより潤滑孔２００の分布特徴と形状が決められる。
【０２４７】
本発明の実施例において、潤滑カバー２０は多孔材料で構成され、多孔材料に形成されている隙間を前記潤滑孔２００にすることができる。
【０２４８】
多孔材料を電極１の局部に取り付けるか或いは多孔材料を円筒状、帽子形状に形成した後それを電極１上に取り付けることにより少なくとも所定の部位に形成されている潤滑孔２００を覆うことができる。多孔材料として従来の材料例えばフォームメタル（foamed  metal）等を採用することができる。
【０２４９】
本発明の実施例において、潤滑カバー２０は織物のような構造で構成され、織物の構造の隙間を前記潤滑孔２００にすることができる。
【０２５０】
例えば繊維材料を縦方向と横方向が交差するように織り、縦方向と横方向の交差部分に形成される隙間を潤滑孔２００にすることができる。繊維材料としてニチノール（Nitinol）等を採用することができる。
【０２５１】
本発明の実施例において、潤滑カバー２０は金属ケースで構成され、金属ケースの壁部に潤滑孔２００を形成することができる。
【０２５２】
潤滑孔の内径と密度は換熱媒体の流量により決められ、適当な内径と密度により電極の外周に均等な保護膜が形成されることを確保する必要がある。例えば潤滑孔の内径を同一にするか或いは換熱媒体の流量に対応するように設けることができる。
【０２５３】
異なる区域の潤滑孔の内径を変化させることにより適当な換熱媒体の流量を獲得することができる。バランサーの各位置に位置している潤滑孔の分布密度を同一に設けるか或いは換熱媒体の流量に対応するように設けることができる。
【０２５４】
潤滑孔の分布密度が換熱媒体の流量に対応するように設けるとき、主として、換熱媒体通路の出口の配置方式を考慮する。例えば前記潤滑孔の内径は流出孔までの距離が増加することにより増加する。
【０２５５】
潤滑孔の分布密度は流出孔までの距離が増加することにより増加する。
【０２５６】
潤滑孔を加工するとき、潤滑孔を所定の順番に配置させることができる。例えば、本発明の実施例において、潤滑孔２００は潤滑カバー２０の円周方向に配置されている複数組の潤滑孔であることができる。
【０２５７】
例えば２〜６組の潤滑孔を形成し、各組の潤滑孔の数量は２個またはその以上であることができる。例えば４〜１０個の潤滑孔を形成することができる。各組の潤滑孔は各潤滑孔の配置方式により分けられるか或いは換熱媒体通路の対応関係により分けられることができる。
【０２５８】
同組の潤滑孔２００は各自の延伸方向に沿って順に配置され、前記延伸方向は、直線、折線または曲線であることができる。前記延伸方向が直線であるとき、同組の潤滑孔２００は軸方向に沿って順に配置されることができる。前記延伸方向が曲線であるとき、同組の潤滑孔２００は略軸方向に配置されることができ、具体的な延伸方向は、円弧形、Ｓ形曲線等であることができる。
【０２５９】
他の実施例において、すべての潤滑孔２００は電極の軸線の外周に螺旋形状に配置されるか或いはすべての潤滑孔２００はマトリックス状に均等に配置されることができる。
【０２６０】
潤滑カバー２０が水を均等に出力し、均等な水膜が形成されることを確保するため、本発明の実施例において、同組の潤滑孔２００の内径（断面の面積）は流出孔までの距離が増加することにより増加する。
【０２６１】
同組の潤滑孔２００において、各潤滑孔２００の周辺に複数個の流出孔が形成されているとき、一番近い流出孔のみを考慮するか或いは平均距離により計算することができる。本発明の実施例において、各組の潤滑孔２００は１つの流出孔に対応する。その場合、各組の潤滑孔２００の内径の変化は円周方向に位置している流出孔のみにより決められる。
【０２６２】
図１０を参照すると、潤滑孔２０１、潤滑孔２０２等の複数個の潤滑孔が円周方向に位置している位置はいずれも、食塩水孔１０６に対応する。潤滑孔２０２から食塩水孔１０６までの距離は潤滑孔２０１から食塩水孔１０６までの距離より大きく、潤滑孔２０２の内径も潤滑孔２０１の内径より大きい。
【０２６３】
本発明の実施例において、潤滑カバー２０上に位置標識を形成することができる。
【０２６４】
潤滑カバー２０の少なくとも一部分は位置表記材料であるか或いは潤滑カバー２０上に位置標識を形成することができ、位置標識を映像装置で検出することにより電極１の位置を検出することができる。
【０２６５】
位置標識の形状を任意に設けることができるが、本発明はそれを限定しない。例えば、位置標識の形状を円周方向に延伸する環状、Ｃ型または所定の方向に延伸するストリップ状等に形成することができる。
【０２６６】
本発明の実施例において、潤滑カバー２０上の位置標識は軸方向に沿って順に配置される複数個である。複数個の位置標識が軸方向に沿って順に配置されることにより位置標識の空間中の姿勢を容易に識別することができる。例えば位置標識が配列されている長さにより視覚が傾いている程度を確定するか或いは位置標識が配列される配列線の湾曲程度により電極が空間中に位置している位置等を確定することができる。
【０２６７】
本発明の実施例において、前記高周波アブレーションカテーテルは電極の位置を示す電磁式ナビゲーション（electromagnetic  navigation）部品を更に含むことができる。
【０２６８】
電磁式ナビゲーション部品として従来の部品を採用することができる。電極内に電磁式ナビゲーション部品を取り付ける収納孔を形成するか或いは電磁式ナビゲーション部品を電極の外部に固定させることができる。挿入とアブレーションをする過程において、映像装置により電磁式ナビゲーション部品が人体内に位置している位置を検出し、かつ電極の位置または姿勢を検出することによりアブレーションを案内するか或いは制御することができる。
【０２６９】
電極を人体内に送入してアブレーションをするとき、電極の方向または空間中の姿勢を調節する必要があるので、牽引線で電極の遠端を牽引することができる。
【０２７０】
本発明の実施例に係る高周波アブレーションカテーテルは電極１を含み、電極１上には電極の近端側へ延伸する牽引線１０が連結され、その牽引線１０で電極１を回転させることができる。
【０２７１】
牽引線１０で電極１の姿勢を容易に調節することができ、それにより電極１の姿勢を前記潤滑カバー２０等の特徴（または実施形態）に対応させることができる。例えば電極１の内部に換熱媒体通路が形成され、電極１の外壁には換熱媒体通路と連通する流出孔が形成され、電極１上には流出孔の外部に位置する潤滑カバー２０が取り付けられ、流出孔が出力する換熱媒体は潤滑カバー２０から流出する。
【０２７２】
電極１内に換熱媒体を注入するため、電極１の近端に換熱媒体通路と連通する連結管を連結させる。連結管の内部は換熱媒体通路の一部分になり、連結管は電極と一体に形成されることができる。連結管は電極と外部の回路を連結させかつ電極の近端側へ延伸している。
【０２７３】
本発明の実施例において、電極の近端には弾性材料で構成されるカテーテル２が連結され、牽引線１０はカテーテル２の内部から電極の近端側へ延伸しかつカテーテル２の外部まで延伸する。電極１の近端には換熱媒体通路と連通する連結管が連結され、その連結管はカテーテル２の内部まで延伸する。
【０２７４】
牽引線１０を取り付け、牽引線１０で電極１を容易に調節するため、本発明の実施例において、電極１の一端に弾性材料で製造されるカテーテル２を連結させる。食塩水連結管１０１は前記カテーテル２の内部まで延伸し、電極１上には牽引線１０が連結され、牽引線１０はカテーテル２の内部からカテーテル２の外部まで延伸する。牽引線１０を牽引するとき、カテーテル２が変形することにより電極１が回転するように駆動することができる。
【０２７５】
牽引線１０がカテーテル２の内部からカテーテル２まで延伸することは、カテーテル２の内部からカテーテル２の近端側へ延伸しかつカテーテル２の近端から露出することを意味するか或いは、カテーテル２の近端に近づいている部位からカテーテル２の直径方向にカテーテル２の壁部を貫通しかつカテーテル２の近端から露出することを意味することができる。
【０２７６】
本発明の実施例において、高周波アブレーションカテーテルは相手に近づく方向または相手から離れる方向に移動できる第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５を更に含むことができる。カテーテル２は前記第一湾曲モジュール４に固定され、牽引線１０は前記第二湾曲モジュール５に連結される。
【０２７７】
すなわち、取っ手部分は第一湾曲モジュール４と第一湾曲モジュール４に滑動可能に結合される第二湾曲モジュール５を更に含み、第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５が相手に相対して移動することにより電極１が所定の方向に回転することを制御することができる。
【０２７８】
第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５は１つの部品または複数の部品で構成されることができ、第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５は１つの部品の異なる部位で構成されることもできる。
【０２７９】
本発明の実施例において、第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５は滑動可能に結合されるか或いは並列に滑動するように配置されることができる。第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５が相手に相対して移動する安定性を向上させるため案内構造と位置決め構造を設ける必要がある。
【０２８０】
本発明の実施例において、牽引線１０の近端を固定させるため、電極１上に装着孔を形成し、牽引線１０の遠端を装着孔に挿入するとともに装着孔に固定させることができる。装着孔が形成されることにより牽引線の端部が露出することを避け、連結の強度を向上させることができる。牽引線を固定させるとき、溶接方法、接着方法またはその２つの方法の組合せを採用することができる。他の実施例において、牽引線の端部にアンカーを固定させかつそのアンカーを装着孔にインターフェアランスフィット状態に結合させるか或いは中間部品により牽引線の端部を電極１に固定させることもできる。
【０２８１】
装着孔の開口は電極の近端に位置している。連結の強度を向上させるため、装着孔を電極の遠端に向く軸方向に所定の距離を延伸させ、牽引線１０を装着孔の底部まで挿入させることができる。
【０２８２】
牽引線１０の一端は電極１の第二装着孔１０３内に固定され、他端はカテーテル２に沿って延伸するとともに第二湾曲モジュール５に固定される。第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５を移動させるとき、牽引線１０は牽引されることによりカテーテル２は曲げられ、電極２の端部の電極１は回転する。本発明の実施例において、牽引線１０の外部にスプリング管体１１を更に取り付けることができる。牽引線１０が牽引されるとき、スプリング管体１１はカテーテル２と一緒に変形し、牽引線１０を緩めるとき、スプリング管体１１は元の状態になることができる。
【０２８３】
牽引線１０がぴんと張っているとき、牽引線１０の周辺の部品は牽引線１０のせん断力（Shearing  force）により切断されるおそれがある。スプリング管体１１はその状況を緩和させることができる。
【０２８４】
図４ないし図７に示すとおり、カテーテル２は電極１の一端から取っ手部分側に延伸しかつ第一湾曲モジュール４に固定される。カテーテル２は一定の弾性を有している材料で製造され、カテーテル２を変形させても元の状態に回復することができる。それにより電極１が回転することを制御することができる。
【０２８５】
本発明の実施例において、カテーテル２と第一湾曲モジュール４との間の連結の安定性を向上させるため、第一湾曲モジュール４の連結頭部４０２上に保護管体３を取り付け、かつ保護管体３の一部分をカテーテル２の外部まで延伸させることができる。
【０２８６】
本発明の実施例において、第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５はいずれも管形状であり、第二湾曲モジュール５は第一湾曲モジュール４内に滑動可能に結合される。
【０２８７】
第一湾曲モジュール４の内部には滑動空間４０１が形成され、カテーテル２が固定される個所から離れている前記滑動空間４０１の一端には開口が形成され、第二湾曲モジュール５は前記開口により前記滑動空間４０１内に送入されるとともに滑動空間４０１に滑動可能に結合される。前記第二湾曲モジュール５において前記滑動空間４０１に滑動可能に結合されることにより滑動管体５０１が構成される。前記滑動管体５０１内には線収納部５００が形成され、カテーテル２から露出する牽引線１０、導線１６等はいずれも線収納部５００を通過する。カテーテル２が固定される個所から離れている前記第二湾曲モジュール５の一端には端部カバー１４が取り付けられ、線収納部５００から露出する線は端部カバー１４を通過するとともに食塩水コネクタ６とアブレーション装置コネクタ７にそれぞれ連結される。
【０２８８】
第二湾曲モジュール５の外壁にはネジ孔５０３が形成され、そのネジ孔５０３には牽引線固定ボルト１３が結合され、牽引線１０は前記牽引線固定ボルト１３により第二湾曲モジュール５上に固定される。滑動管体５０１が前記滑動空間４０１内において滑動するとき、電極１から離れている牽引線１０の一端は滑動管体５０１と共に移動する。それによりカテーテル２を曲げ、かつカテーテル２の端部に取り付けられる電極１が回転するように駆動することができる。
【０２８９】
本発明の実施例において、第二湾曲モジュール５の少なくとも一部分は第一湾曲モジュール４内に挿入され、第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５との間には第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５の移動方向を限定する案内装置が更に設けられている。
【０２９０】
第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５との間には案内装置が設けられているので、滑動管体５０１は、滑動空間４０１内において軸方向に移動することができるが、回転することができない。
【０２９１】
本発明の実施例において、案内装置は、第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５のうちいずれかの１つに形成される滑動溝５０２と、他の１つに形成される位置決め突出部４０３とを含む。
【０２９２】
具体的に、第一湾曲モジュール４には滑動空間４０１の内部まで延伸する位置決め突出部４０３が設けられ、滑動管体５０１の外壁には滑動溝５０２が形成されている。第二湾曲モジュール５を第一湾曲モジュール４上の滑動空間４０１に滑動可能に連結させるとき、位置決め突出部４０３の少なくとも一部分は前記滑動溝５０２内に挿入される。滑動溝５０２が位置決め突出部４０３の滑動の範囲を限定することにより第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５の移動方向を限定することができる。滑動溝５０２の長さによりカテーテル２の最大湾曲を限定することもできる。
【０２９３】
本技術分野の技術者が知っているように、第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５の移動方向を限定する方法はいろいろがあり、前記位置決め突出部４０３が滑動溝５０２に結合される方法にのみ限定されるものでない。
【０２９４】
本発明の実施例において、第二湾曲モジュール５の第一湾曲モジュール４内に結合される部分には第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５との間の摩擦力を増加させるＯ型リング１５が取り付けられる。
【０２９５】
例えば、滑動管体５０１の外周の壁部には滑動管体５０１を一周する凹型溝５０４が形成され、その凹型溝５０４内にはＯ型リング１５が取り付けられる。第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５が相手に相対して滑動するとき、Ｏ型リング１５により第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５との間の摩擦力を増加させ、第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５を移動させるときの手触りを向上させることができる。電極１の回転角度を制御するとき、牽引線１０を牽引する力を適当に増加させ、牽引線１０を牽引する距離を容易に制御することができる。それによりカテーテル２の湾曲を正確に制御し、かつ電極１の回転角度も正確に制御することができる。
【０２９６】
第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５が相手に相対して移動するように駆動する利便性を向上させるため、第一湾曲モジュール４上に２個のリング４００を形成し、第二湾曲モジュール５上にもリング４００を形成することができる。使用者が指をリング４００に挿入することにより使用者の指を湾曲モジュールに連結させる。それにより、湾曲モジュールが相手に相対して移動するように容易に駆動し、かつ操作の利便性を向上させることもできる。
【０２９７】
第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５が相手に相対して移動する正確性を更に向上させるため、本発明の実施例において第二湾曲モジュール５上に第二湾曲モジュール５が第一湾曲モジュール４に相対して移動する距離を示す目盛マークを設けることができる。
【０２９８】
本発明の実施例において、電極１内には電極１の温度をリアルタイムに検出するサーミスター（thermistor）９が設けられ、サーミスター９はサーミスター電線９０によりアブレーション装置に電気接続される。
【０２９９】
サーミスター９は電極１に固定されることによりアブレーション組織の温度データをリアルタイムに検出し、サーミスター９がアブレーション装置コネクタ７のサーミスター電線９０に電気接続されることにより温度データをアブレーション装置に送信する。
【０３００】
本発明の実施例において、カテーテル２内にはサーミスター電線９０の外部に位置する温度制御ドライブパイプ９１が取り付けられている。
【０３０１】
サーミスター電線９０が干渉を受けることを避けるためサーミスター電線９０の外部に温度制御ドライブパイプ９１を設ける。温度制御ドライブパイプ９１はサーミスター電線９０の外部に取り付けられている。
【０３０２】
本発明の実施例において、カテーテル２の外部には電極リング８が更に取り付けられ、カテーテル２内には電極リング８に接続されかつ電極リング８の温度を検出する温度センサー１９が取り付けられ、温度センサー１９はアブレーション装置に電気接続される。
【０３０３】
カテーテル２の外壁において、電極から1〜２ｃｍ離れている位置には電極リング８が取り付けられている。電極リング８に対応するカテーテル２の区域の外壁には通過孔が形成され、その通過孔はカテーテル２の内部と連通している。カテーテル２内には分岐チューブリベット（riveted  tube）１８が取り付けられ、前記分岐チューブリベット１８は前記通過孔を通過するとともに溶接により電極リング８に固定される。前記分岐チューブリベット１８はカテーテル２の内部に位置し、分岐チューブリベット１８の一部分は温度センサー１９に連結される。温度センサー１９はアブレーション装置コネクタ７に連結される。温度センサー１９は、分岐チューブリベット１８により電極リング８の温度を検出し、かつその温度をアブレーション装置に伝送する。アブレーションをする過程において、アブレーションのサイズが電極リング８のサイズに達すると（通常、アブレーションの直径は２ｃｍである）、温度センサー１９が検出した温度は予め設定値に達することができる。その場合、アブレーションの範囲が予め設定値に達したと判断し、アブレーション装置により電極１にエネルギーを伝送することを停止させ、アブレーションの過程を停止させることができる。本技術分野の技術者が知っているように、実際の需要によりカテーテル２を電極リング８が位置している個所まで移動させ、予め設定温度を変化させることによりアブレーションの半径を制御することができる。それによりアブレーション区域のサイズを有効に制御することができる。
【０３０４】
電極リング８は円周方向が密閉される環状構造であるか或いは開口がある環状構造例えばＣ型環状構造またはより小さい接触角（wrap  angle）であることができる。電極リング８を容易に取り付けるため、電極リング８をシート形状に形成することができる。本発明は電極リング８のシート形状を限定せず、溶接方法等により電極リング８を電極の外壁に固定させることができる。電極リング８は導熱部品であり、温度センサー１９は回路に設けられるサーミスター等でありかつ電気信号の変化により温度を感知することができる。
【０３０５】
従来の技術においてアブレーションの効果を直接に判断することができないので、手術によりアブレーションの効果を把握する必要がある。すなわち、手術をしないとアブレーションの効果を判断するか或いは予測することができない。本発明の実施例に係る高周波アブレーションカテーテルにおいて、高周波アブレーションカテーテルの遠端に隣接している部位には複数個の温度検出装置が軸方向に沿って順に配置されている。
【０３０６】
複数個の温度検出装置で電極１の周辺の温度を検出することができる。アブレーションをする過程において電極は中心になり、電極の周辺の温度は階段式に変化する。すなわちアブレーション細胞の中心の温度を獲得する（リアルタイムに検出する）ことにより細胞の辺縁部のアブレーションの状況を獲得することができる。
【０３０７】
複数個の温度検出装置はそれぞれ作動するか或いは前記牽引線１０と潤滑カバー２０の１つまたは複数の特徴（または実施形態）に対応するように作動することができる。例えば電極１上には電極の遠端側へ延伸する牽引線１０が連結され、その牽引線１０で電極１を回転させることができる。温度を検出するとき、牽引線１０で電極１が回転するように駆動する場合がある。
【０３０８】
電極１の内部には換熱媒体通路が形成され、電極１の外壁には換熱媒体通路と連通する流出孔が形成され、電極１上には流出孔の外部に位置する潤滑カバー２０が取り付けられ、流出孔から出力される換熱媒体は潤滑カバー２０から流出する。温度を検出することにより換熱媒体の出力を迅速に調節し、潤滑カバー２０により換熱媒体保護膜を形成することができる。
【０３０９】
温度検出装置の数量は、２個、３個または３個以上であり、検出される温度情報を表示手段で表示することによりアブレーション操作を案内し、アブレーションの範囲を有効に制御し、手術をするときアブレーションの効果を直接に判断するか或いは予測することができる。
【０３１０】
本発明の実施例において、電極１の遠端端部には温度検出ディテクターが取り付けられることにより電極１の遠端端部の温度を検出することができる。アブレーションをするとき、電極１の遠端端部を病巣部位の中心に挿入することができる。その場合、温度検出ディテクターが他の温度検出装置に相対している位置関係と温度関係に対応する電極１の遠端端部を参照し、容易に比較することができる。
【０３１１】
温度検出ディテクターは無線または有線によりアブレーション装置に接続される。例えば電極１の遠端端部に装着溝を形成し、温度検出ディテクターを装着溝内に取り付けることができる。
【０３１２】
温度検出ディテクターが有線によりアブレーション装置に接続される場合、電極１の内部に導線通路（換熱媒体通路と外れている）を形成し、温度検出ディテクターとアブレーション装置との間の導線が導線通路を通過するようにすることができる。
【０３１３】
温度検出装置を取り付けることと温度を検出することを容易にするため、温度検出装置中の温度直接感知部品（例えば電極リング８）を電極１の外部に配置させるか或いは電極１の外部に露出させることができる。特別な説明がない場合、温度検出装置と電極との間の軸方向の所定の部位を温度直接感知部品と見なすことができる。例えば環状、シート状、柱状等の導熱部品であることができる。前記導熱部品により温度を温度センサーに伝送するか（回路においてサーミスター等を用いることができる）或いは温度センサーを直接に温度感知部品にしかつそれを電極１の外部に取り付けることができる。本発明は導熱部品の形状を具体的に限定せず、その形状について下記好適な実施例を参照することができる。
【０３１４】
本発明の実施例において、電極１の近端にはカテーテル２または金属管２１が連結され、温度検出装置は、電極１の外部、カテーテル２の外部または金属管２１の外部に取り付けられる。
【０３１５】
シート状または柱状の温度検出装置を電極１の外壁に結合させることができる。シート状の温度検出装置である場合、その温度検出装置を電極１、カテーテル２または金属管２１の外部に環状に取り付けることができる。環状の温度検出装置は円周方向が密閉される環状であるか或いは開口がある環状（例えばＣ型）であることができる。
【０３１６】
温度検出装置を移動可能に取り付けるか或いは移動不可能に固定させることができる。図１８ｃを参照すると、温度検出装置を移動不可能に固定させる実施例において、温度検出装置は温度センサー（図示せず）を含み、高周波アブレーションカテーテル２１１の外壁には結合溝２１２が形成され、前記温度検出装置は位置が適合する結合溝２１２内に固定され、前記結合溝２１２の底部には回路導線を通過させる第一貫通孔２１３が形成されている。
【０３１７】
移動不可能に固定される温度検出装置は１個または複数個であることができる。温度検出装置を取り付けるか或いは固定させる方法において、複数個の温度検出装置を取り付けるか或いは固定させるとき、各温度検出装置の装着方法と固定方法は同一であるか或いは異なることができる。
【０３１８】
温度検出装置の位置が異なることにより高周波アブレーションカテーテル２１１は前記実施例に係る電極１、カテーテル２または金属管２１の一部分で構成されることができる。結合溝２１２の深度は温度センサーのサイズに対応し、結合溝２１２の形状は温度センサーの形状に対応する。温度センサーは結合溝２１２内に結合され、温度センサーと結合溝２１２との間には隙間が形成されないことが好ましい。
【０３１９】
本発明の実施例において、結合溝２１２は環状であり、温度センサーは所定の結合溝２１２内に固定される。温度センサーを所定の結合溝２１２内に固定させる方法として、接着、溶接、リベット結合、インターフェアランスフィット（Interference  fit）のうち少なくとも１つを採用することができる。例えば、図面中の結合溝２１２は高周波アブレーションカテーテル２１１を一周するように形成され、温度センサーは結合溝２１２の形状に対応する環状に形成されることができる。温度センサーを結合溝２１２内に固定させる方法として、一種または多種の方法を採用することができる。結合溝２１２の形状は開口がある環状例えばＣ型であることができる。
【０３２０】
温度センサーは薄膜接着型温度センサーであり、それにより温度を検出することができる。温度センサーを高周波アブレーションカテーテル２１１の外壁に取り付けることにより、温度を採集するときより正確により迅速に検出することができる。
【０３２１】
温度センサーの面積または体積が小さいとき、温度センサーを容易に取り付けるため、図１８ｂ〜図１８ｄに示される実施例において、温度検出装置は温度センサー（図示せず）と導熱環状部２１４を含み、温度センサーをアブレーション装置に連結させ、導熱環状部２１４を高周波アブレーションカテーテル２１１の外壁に取り付け、温度センサーと前記導熱環状部２１４を熱結合（Thermal  Coupling）させることができる。
【０３２２】
熱結合は直接的な接触または間接的な接触であることができ、温度センサーと導熱環状部との間の温度を伝送できる手段であればいずれでもよい。導熱環状部２１４の形状は円形に密閉される環状にのみ限定されるものでなく、円周方向に延伸している形状の一部分であることもできる。円形に密閉される環状は例えば円形であり、円周方向に延伸している形状の一部分は開口がある環状例えばＣ型であることができる。
【０３２３】
本発明の実施例において、温度センサーは導熱環状部の外壁に固定され、温度センサーを導熱環状部の外壁に固定させる方法として、接着、溶接、リベット結合、インターフェアランスフィットのうち少なくとも１つを採用することができる。
【０３２４】
本発明の実施例において、前記温度センサーはサーミスターであり、サーミスターはサーミスター電線によりアブレーション装置に電気接続される。サーミスター電線上には温度制御ドライブパイプが取り付けられている。温度制御ドライブパイプはサーミスター電線が干渉を受けることを防止することができる。温度制御ドライブパイプはサーミスター電線に当接しかつ高周波アブレーションカテーテルの内部に位置する。
【０３２５】
送信の利便性を向上させ、回路の導線を省くため、本発明の実施例において、前記温度センサーを無線通信装置によりアブレーション装置に連結させる。
【０３２６】
本発明の実施例において、高周波アブレーションカテーテル２１１の外壁には結合溝２１２が形成され、温度検出装置は位置が適合する結合溝２１２内に固定され、結合溝２１２の底部には回路導線を通過させる貫通孔が形成されている。
【０３２７】
結合溝２１２の底部には第一貫通孔２１３が形成されている。温度検出装置において、導熱環状部２１４の一部分は前記第一貫通孔２１３に挿入され、導熱環状部２１４の挿入部分には第二貫通孔２１６が形成されている。温度センサーの回路導線は第二貫通孔２１６によって高周波アブレーションカテーテル２１１の内部に送入されかつ近端側へ延伸する。
【０３２８】
導熱環状部２１４の位置を容易に決め、導熱環状部２１４の回転または軸方向の移動を防止するため、本発明の実施例において、結合溝２１２を環状に形成し、温度検出装置を所定の結合溝２１２内に環状に固定させる。温度検出装置を所定の結合溝２１２内に固定させる方法として、接着、溶接、リベット結合、インターフェアランスフィットのうち少なくとも１つを採用することができる。
【０３２９】
本発明の実施例において、導熱環状部２１４は環状構造を有し、導熱環状部２１４は結合溝２１２内に取り付けられる。導熱環状部２１４が環状構造を有していることにより、温度センサーを導熱環状部２１４の内壁または外壁に安定に固定させることができる。
【０３３０】
本発明の実施例において、温度検出装置は環状構造を有しており、導熱環状部２１４と温度センサーが円周方向において協力することにより前記環状構造が形成される。本実施例において、導熱環状部２１４と温度センサーが円周方向において結合されることにより環状構造が形成される。例えば導熱環状部と温度センサーはいずれも半円形に形成され、その２つが一体に結合されることにより環状構造が形成されるか或いは、導熱環状部２１４はＣ型に形成され、温度センサーはＣ型の裂け目に結合されることにより環状構造が形成されることができる。
【０３３１】
本発明の実施例において、導熱環状部２１４上には凹部２１５が形成され、温度検出装置は前記凹部２１５内に固定され、温度検出装置を凹部２１５内に固定させる方法として、接着、溶接、リベット結合、インターフェアランスフィットのうち少なくとも１つを採用することができる。
【０３３２】
導熱環状部２１４の一部分は第一貫通孔２１３に挿入され、導熱環状部２１４の外側に位置する前記挿入部分にも凹部２１５が形成され、温度検出装置は前記凹部２１５内に固定されかつ凹部２１５内に満タン状態に挿入されることにより隙間が形成されることを避けることができる。
【０３３３】
電極１とカテーテル２の外表面を平坦にし、突出部が形成されることを避けるため、本発明の実施例において、温度検出装置の外表面とその付近の部位を平坦にすることができる。
【０３３４】
本発明の実施例において、少なくとも１個の温度検出装置は電極１の軸方向の中央に位置する。
【０３３５】
アブレーションをするとき、電極を中心とする温度場（Temperature  field）が形成され、少なくとも１個の温度検出装置は温度場の中央に位置することによりその区域の温度の変化を感知し、かつ他の温度検出装置が検出した温度と比較することにより温度差を検出することができる。それにより前記温度場の分布を確定するとともにそれを基準にすることができる。
【０３３６】
本発明の実施例において、少なくとも１個の温度検出装置は高周波アブレーションカテーテルの外周に環状に固定される。
【０３３７】
温度検出装置は具体的に、電極１、カテーテル２または金属管２１の外壁に環状に固定される。
【０３３８】
本発明の実施例において、温度検出装置は、遠端と近端との間に間隔を空けて配置される第一温度検出装置、第二温度検出装置および第三温度検出装置を含む。
【０３３９】
第一温度検出装置は電極１の遠端端部に位置し、
第二温度検出装置は電極１、カテーテル２または金属管２１の外壁に環状に固定され、かつ第一温度検出装置の遠端に位置し、
第三温度検出装置は電極１、カテーテル２または金属管２１の外壁に環状に固定され、かつ第二温度検出装置の遠端に位置する。
【０３４０】
第一温度検出装置はシート状または柱状であり、第二温度検出装置と第三温度検出装置はいずれも環状であることができる。温度検出装置がシート状であるとき、温度検出装置は電極１、カテーテル２または金属管２１の外壁に薄膜状態に接着されることができる。
【０３４１】
電極１の軸方向の長さは異なることができる。電極１が短いとき、第二温度検出装置と第三温度検出装置はいずれもカテーテル２または金属管２１の外部に位置し、電極１が長いとき、第二温度検出装置はカテーテル２外部に位置し、第三温度検出装置はカテーテル２または金属管２１の外部に位置する。電極１がさらに長いとき、第二温度検出装置と第三温度検出装置はいずれも電極１の外部に位置する。
【０３４２】
図１８ａを参照すると、電極１の遠端端部に位置する温度検出ディテクターに対応する検出位置はＡＯであり、第一温度検出装置に対応する検出位置はＡ１であり、第二温度検出装置に対応する検出位置はＡ２であり、第三温度検出装置に対応する検出位置はＡ３である。
【０３４３】
ＡＯを発熱中心と見なすことができる。ＡＯは温度が一番高い個所であり、ＡＯから離れれば離れるほど温度が下がる。例えば、半径がＲ１である（例えば１ｃｍ）区域の温度は１００℃に達し、半径がＲ２である（例えば１.５ｃｍ）区域の温度は４３〜６０℃に達することができる。その区域の温度はアブレーション治療の要求を満たすことができる。半径がＲ３である（例えば２ｃｍ）区域の温度は更に下がり、その区域の温度はアブレーション治療の要求を満たすことができないが、検出と参考として用いることができる。
【０３４４】
温度場を病巣の体積に対応させるため、複数個の温度検出装置を採用するとき、まず複数個の温度検出装置を固定させ、温度検出装置の間の距離が異なることによりいろいろな高周波アブレーションカテーテルを配置する。実際の応用において、予め検出した病巣の体積により適合する高周波アブレーションカテーテルを選択することができる。
【０３４５】
アブレーション待機病巣の形状およびサイズが異なっているので、高周波アブレーションカテーテルの通用性を向上させるため、本発明の実施例において、少なくとも1個の温度検出装置の軸方向の位置を調節可能に設けることができる。
【０３４６】
温度検出装置の軸方向の位置を調節することは電極の遠端に相対している検出位置を変化させることである。例えば、前記実施例において、第二温度検出装置の軸方向の位置を調節するか或いは第二温度検出装置と第二温度検出装置の軸方向の位置を調節する。
【０３４７】
図１８ａを参照すると、第二温度検出装置の軸方向の位置が変化するとき、Ａ１とＡ２距離が変化することによりＲ２が変化する。第三温度検出装置の軸方向の位置が変化することも同様である。温度検出装置の位置を変化させることにより温度検出位置または検出区域を変化させ、病巣のサイズに対応させることができる。
【０３４８】
温度検出装置を容易に移動させるため、本発明の実施例において、高周波アブレーションカテーテルと温度検出装置との間に案内構造を設けることができる。
【０３４９】
例えば、本発明の実施例において、電極、カテーテルまたは金属管の外壁には軸方向に配置されているトラップダストシュート（Trap  Dustshoot）が形成され、温度検出装置は電極、カテーテルまたは金属管の外壁上に環状に取り付けられ、温度検出装置の内壁とトラップダストシュートにより突起が形成される。
【０３５０】
突起がトラップダストシュートに結合されることにより温度検出装置の移動を案内し、かつ温度検出装置が電極に相対して回転することを防止することができる。
【０３５１】
温度検出装置を所定の位置に位置させた後、人体の外部において温度検出装置を固定させるとき、サイズが適合するペンチで局部を圧縮することにより温度検出装置を電極上にリベット結合させるか或いは溶接方法等により温度検出装置を電極上に溶接させることができる。
【０３５２】
温度検出装置の人体内の位置を調節する必要がある場合、温度検出装置を調節する方法として牽引線１０による牽引方法を採用することができる。本発明の実施例において、軸方向の位置が調節可能に設けられる温度検出装置にはドラグラインが連結され、ドラグラインで温度検出装置を牽引することにより温度検出装置が電極１に相対している軸方向の位置を調節することができる。
【０３５３】
本発明の実施例において、ドラグラインは、ドラグラインが温度検出装置に連結される個所から高周波アブレーションカテーテルの内部に挿入され、かつ高周波アブレーションカテーテルの内部において近端側へ延伸する。
【０３５４】
高周波アブレーションカテーテルの内部を、電極、カテーテルまたは金属管の内部であると見なすことができる。ドラグラインの主要部分は高周波アブレーションカテーテルの内部に延伸しているので、ドラグラインが人体の組織と接触し、組織に傷害を与えることを防止することができる。
【０３５５】
ドラグラインは近端側へ延伸しかつ使用者に近づいているので、牽引を容易に制御することができる。ドラグラインの近端には調節モジュールが設けられ、調節モジュールによりドラグラインを牽引することができる。本発明の実施例において、高周波アブレーションカテーテルは相手に相対して移動できる第一調節モジュールと第二調節モジュールを含み、電極１は第一調節モジュールに相対して移動しないように固定され、ドラグラインは第二調節モジュールに連結される。第一調節モジュールと第二調節モジュールが相手に相対して移動するとき、ドラグラインはそのドラグラインに連結される温度検出装置の軸方向の位置すなわち電極１に相対している軸方向の位置を調節することができる。
【０３５６】
第一調節モジュールと第二調節モジュールが相手に相対して移動するとき、第一調節モジュールの少なくとも一部分の区域と第二調節モジュールの少なくとも一部分の区域との間の距離が変化する。その距離の変化は円周方向または少なくとも１つの方向の分量であることができる。前記距離が変化することによりドラグラインは温度検出装置が移動するように牽引することができる。
【０３５７】
本発明の実施例において、第一調節モジュールと第二調節モジュールは滑動可能に結合されるか或いは回転可能に結合される。
【０３５８】
滑動可能に結合されることは軸方向において相手に相対して移動することを指す。回転可能に結合されることは円周方向において相手に相対して回転することを指す。例えば軸方向に移動しないように回転することまたは螺旋方向に回転することを指す。
【０３５９】
電極１が第一調節モジュールに相対して移動しないように固定されていることにより、第一調節モジュールは前記第一湾曲モジュールに結合されるか或いは１つのモジュールになることができる。その場合、カテーテルは前記モジュールの遠端側に固定される。
【０３６０】
本発明の実施例において、高周波アブレーションカテーテルは相手に近づく方向または相手から離れる方向に移動できる第一湾曲モジュール４と第二湾曲モジュール５を含み、電極１は第一湾曲モジュール４に固定され、第二湾曲モジュール５と電極との間には牽引線１０が連結されている。
【０３６１】
高周波アブレーションカテーテルは相手に相対して移動できる第一調節モジュールと第二調節モジュールを含み、電極１は第一調節モジュールに相対して移動しないように固定され、ドラグラインは第二調節モジュールに連結される。第一調節モジュールと第二調節モジュールが相手に相対して移動するとき、ドラグラインはそのドラグラインに連結される温度検出装置の軸方向の位置すなわち電極１に相対している位置を調節することができる。
【０３６２】
第一湾曲モジュール４と第一調節モジュールはそれぞれ設けられるモジュールであるか或いは１つのモジュールであることができる。
【０３６３】
第二調節モジュールと第二湾曲モジュールは第一湾曲モジュールに相対してそれぞれ移動することができる。第二調節モジュールと第二湾曲モジュールの移動方式も異なることができる。例えば１つは滑動し、他の１つは回転することができる。
【０３６４】
温度検出装置の人体内の位置を調節する必要がある場合、温度検出装置が電極に相対している位置を獲得するため、近端においてドラグラインの移動距離を確定する方法を採用するか或いは温度検出装置に位置表記材料を設けることができる。その場合、位置表記材料を検出することにより温度検出装置が電極に相対している位置を算出することができる。
【０３６５】
本発明の実施例において、電極１内には電極１とアブレーション組織が当接するとき圧力の変化を検出する圧力センサー１７が更に設けられている。
【０３６６】
好ましくは、圧力センサー１７は電極１内に溶接され、かつアブレーション装置コネクタ７に連結される。電極１がアブレーション組織に当接することにより更に前進することができない場合、圧力センサー１７は電極１が位置している個所の圧力の変化を感知し、かつそれをアブレーション装置に送信する。高周波アブレーションカテーテルの電極は、気管支の案内装置の案内によりブロンコスコピーのクランプチャンネルを通過し、かつ穿刺によって病巣の付近の気管支の壁部に形成された孔によりアブレーション組織に進入するので、電極１の位置を正確に判断し、電極１の位置を決める精度を向上させることができる。
【０３６７】
図８において、サーミスター９、牽引線１０、圧力センサー１７および導線１６を取り付けるため、カテーテル２の装着方向に向いている電極１の一端に第一装着孔１０２、第二装着孔１０３、第三装着孔１０４および第四装着孔１０５を形成し、その４つの装着孔内にサーミスター９、牽引線１０、圧力センサー１７および導線１６をそれぞれ取り付けることができる。他の実施例において、第五装着孔を更に形成し、ドラグラインを第五装着孔に取り付けることができる。ドラグラインの数量が多いとき、それに対応する数量の装着孔を形成することができる。
【０３６８】
前記実施例と図１９ａにより本発明の実施例に係る高周波アブレーション方法を更に提供する。その高周波アブレーション方法は、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップＳ１００と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップＳ１１０と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップＳ１２０とを含む。
【０３６９】
前記高周波アブレーション方法の流れと具体的なステップは下記高周波アブレーションの制御方法の説明を参照することができるので、ここで再び説明しない。
【０３７０】
前記実施例と図１９ａにより本発明の実施例に係る高周波アブレーションの温度検出方法を更に提供する。その高周波アブレーションの温度検出方法は、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップＳ１００と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップＳ１１０と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップＳ１２０とを含む。
【０３７１】
前記実施例と図１９ａにより本発明の実施例に係る高周波アブレーションの制御方法を更に提供する。その高周波アブレーションの制御方法は、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップＳ１００と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップＳ１１０と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップＳ１２０とを含む。
【０３７２】
ステップＳ１００を実施する前、まず高周波アブレーションカテーテルの端部を腫瘤細胞または病変細胞の付近に位置させ、かつ穿刺により高周波アブレーションカテーテルの端部を細胞内に挿入する。通常、電極の遠端端部と病巣の中央を対応させる。次に、電極に電気を印加することによりアブレーションを実施する。前記サーミスター９または温度検出装置（以下、そのサーミスターと温度検出装置を温度検出装置と総称する）等により温度パラメーターをリアルタイムに検出することができる。温度パラメーターを検出する方法として従来の技術を採用することもできる。
【０３７３】
空間において温度パラメーターに対応する検出部位、すなわち温度検出装置が位置している位置を検出するとき、従来の技術において温度パラメーターを検出する手段または方法を採用してきたが、従来の方法は通常、電極が位置している位置を検出することにより実施される。
【０３７４】
本発明の実施例において、前記温度パラメーターは辺縁部温度パラメーターを含み、前記辺縁部温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬであり、Ｌ０≦Ｌであり、前記Ｌ０は予め検出した病巣の半径である。
【０３７５】
前記設定関係は辺縁部温度パラメーターが前記温度閾値に達した後その状態を維持することに要する時間区間を含む。
【０３７６】
一般のアブレーションをするとき通常、アブレーション時間を予め設定し、所定の時間が過ぎるとアブレーションを停止させるが、その方法によりアブレーションの効果を確実に確保することができない。本実施例において、温度場中の所定の位置の温度の変化によりアブレーションを停止させるタイミングを確定することにより、アブレーションの効果をより向上させることができる。
【０３７７】
本発明の実施例において、前記温度パラメーターは第一温度パラメーターを更に含み、前記第一温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ１であり、Ｌ１＜Ｌ０であり、前記Ｌ０は予め検出した病巣の半径である。
【０３７８】
本発明の実施例において、設定関係は第一温度パラメーターが６０〜１００度に達することを更に含む。
【０３７９】
第一温度パラメーターに対応する検出部位に位置している病巣の内部において、第一温度パラメーターの変化により病巣の内部のアブレーションの進度を把握することができる。例えば、アブレーションを停止させるタイミングに近づいているかを判断することができる。
【０３８０】
本発明の実施例において、前記辺縁部温度パラメーターは第三温度パラメーターを更に含み、前記第三温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ３であり、Ｌ０＜Ｌ３であり、前記Ｌ０は予め検出した病巣の半径である。
【０３８１】
従来の技術においてアブレーションをするとき、Ｂスキャン超音波検査（B-scan  ultrasonography）とＣＴ（Computed  Tomography）の案内により高周波アブレーションカテーテルを病巣部位（病巣組織、腫瘤）に直接に挿入することができる。高周波アブレーションカテーテルの電極に電気を印加するとき、人体の組織の温度が６０℃以上に加熱されることにより、細胞が死亡し、壊死区域が形成される。人体の局部の組織の温度が１００℃以上に加熱されるとき、腫瘤組織と付近の器官には凝固壊死が形成される。治療を長くする場合、大きい球形の凝固壊死区域が形成されるおそれがある。凝固壊死区域の外部には４３〜６０℃の熱治療区域が形成され、その熱治療区域の癌細胞が殺され、正常な細胞が生ずることができる。
【０３８２】
本発明の実施例において、前記設定関係は第三温度パラメーターが前記温度閾値に達した後その状態を維持することに要する時間区間を含む。前記温度閾値は４３〜６０℃であり、前記時間区間は３分以上である。
【０３８３】
アブレーションの効果を確保するため、第三温度パラメーターに対応する温度閾値を６０℃または約６０℃に設定することができる。例えば５５〜６０℃に設定することができる。
【０３８４】
第三温度パラメーターが４３〜６０℃であるということは、病巣部位の外部の辺縁部の温度がその温度まで達することを意味する。その温度まで達すると、アブレーションを停止させる指令を直接に送信するか或いは所定の時間が過ぎた後アブレーションを停止させる指令を送信することができる。
【０３８５】
本発明の実施例において、前記辺縁部温度パラメーターは第二温度パラメーターを更に含み、前記第二温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ２であり、Ｌ２＝Ｌ０であり、前記Ｌ０は予め検出した病巣の半径である。
【０３８６】
本発明の実施例において、設定関係は第二温度パラメーターが６０〜９０度に達することを更に含む。
【０３８７】
第二温度パラメーターに対応する検出部位の半径と病巣部位の半径が大概等しいことにより、病巣部位の辺縁部の温度を正確に獲得し、温度を正確に検出することができる。
【０３８８】
本発明の実施例において、温度パラメーターは遠端温度パラメーターを更に含み、前記遠端温度パラメーターに対応する検出部位は電極の遠端端部である。
【０３８９】
本発明の実施例において、設定関係は遠端温度パラメーターが６０〜１００度に達することを更に含む。
【０３９０】
本発明の実施例において、前記温度パラメーターは、遠端温度パラメーター、第一温度パラメーター、第二温度パラメーターおよび第三温度パラメーターを含み、
前記遠端温度パラメーターに対応する検出部位は電極の遠端端部であり、
前記第一温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ１であり、
前記第二温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ２であり、
前記第三温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はＬ３であり、
複数の距離において、Ｌ１＜Ｌ０＝Ｌ２＜Ｌ３であり、前記Ｌ０は予め検出した病巣の半径である。
【０３９１】
複数の部位に対応する温度を採用することにより、アブレーションをする過程において電極の付近と病巣の周辺の温度場を検出することができる。電極の遠端端部と病巣の中心が対応するとき、病巣の中心を原点とするその周辺の温度分布を獲得し、温度の変化によりアブレーションの進度を制御することができる。病巣部位の半径は映像装置等により病巣部位のサイズを予め獲得し、そのサイズにより病巣部位の半径を大概算出することができる。複数の部位の温度を検出することにより、アブレーションの進度を正確に獲得し、アブレーションの効果を更に確保することができる。
【０３９２】
本発明の実施例において、前記方法はアブレーションをする過程において前記温度パラメーターにより電極の周辺の温度分布を表示するステップを更に含む。
【０３９３】
電極の周辺の温度分布を表示する過程において、各タイプのアイコンまたは３次元形状のアナログ表示方法により電極の遠端の中心の温度場の変化を表示することができる。
【０３９４】
図１９ｂを参照すると、Ｍを電極１の遠端端部に設定し、アブレーションをする過程中のＭを病巣部位の体積中心にする。
点Ｍは電極の遠端端部であり、点Ｍにおいて採集することは遠端の温度パラメーターであり、
点Ｘ１と点Ｍとの間の距離はＬ１であり、点Ｘ１において採集することは第一温度パラメーターであり、
点Ｘ２と点Ｍとの間の距離はＬ２であり、点Ｘ２において採集することは第二温度パラメーターであり、
病巣部位の半径Ｌ０はＬ０＝Ｌ２であり、
点Ｘ３と点Ｍとの間の距離はＬ３であり、点Ｘ３において採集することは第三温度パラメーターである。
【０３９５】
アブレーションをする過程において、各温度パラメーターの変化により図１９に示される温度場を形成するとともに表示することができる。異なる断面線による区域は温度が異なることを意味し、それらを表示するとき異なる色等により各温度を区分することができる。温度が変化するとき、表示カラーを変換させることができる。例えば、温度が上がるとき、カラーを濃くするか或いは薄くすることにより温かいカラーを形成することができる。
【０３９６】
温度場の図面によりアブレーションの進度を確定するとき、例えば、
第一温度パラメーターが温度閾値に達したが、第二温度パラメーターが温度閾値に達していないとき、アブレーションが実施されていると判断し、
第二温度パラメーターが温度閾値に達したが、第三温度パラメーターが温度閾値に達していないとき、アブレーションが間もなく完成されると判断し、
第三温度パラメーターが温度閾値に達し、かつ一定の時間維持しているとき、アブレーションが完成されたと判断する。
【０３９７】
第三温度パラメーターに対応する検出部位は病巣の周辺区域に位置しているので、第三温度パラメーターによってアブレーションの終点を検出することによりアブレーションの効果を確保することができる。
【０３９８】
本発明の実施例において、高周波アブレーションをするとき前記実施例の高周波アブレーションカテーテルを採用し、第一温度検出装置、第二温度検出装置および第三温度検出装置により第一温度パラメーター、第二温度パラメーターおよび第三温度パラメーターをそれぞれ検出する。遠端温度パラメーターは電極の遠端端部に取り付けられる温度検出ディテクターにより検出される。
【０３９９】
前記実施例の高周波アブレーションカテーテルには、温度検出ディテクター、第一温度検出装置、第二温度検出装置および第三温度検出装置が取り付けられている。
【０４００】
温度検出ディテクターは電極の遠端端部に取り付けられ、第一温度検出装置、第二温度検出装置および第三温度検出装置は近端と遠端との間に順に配置され、第一温度検出装置、第二温度検出装置および第三温度検出装置から電極の遠端端部までの距離はそれぞれ、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３である。
【０４０１】
状況が異なることによりＬ０は異なっているので、３個の温度検出装置の位置を予め調節することによりＬ１＜Ｌ０＝Ｌ２＜Ｌ３を満たすことができる。
【０４０２】
例えば、肺部腫瘤細胞または病変細胞のサイズ（その半径は通常１センチメートルである）と人体内の温度伝導により、Ｌ３を１．５ｃｍにし、Ｌ１をＬ０の半分（０．５ｃｍ）にすることができる。
【０４０３】
アブレーションを一定の時間行った後、温度パラメーターが温度閾値に達していないとき、電極の位置を変化させた後、二回目のアブレーションをする指令を送信する。電極の位置を調節するとき、前記実施例の牽引線で電極を牽引することにより電極の位置を調節することができる。他の実施例において、高周波アブレーションカテーテルを前進させるか或いは後退させることにより電極の位置を調節することもできる。温度パラメーターが温度閾値に達すると、アブレーションを停止させる。
【０４０４】
本発明の各実施例において、方法の流れ中の各ステップを必ず前記説明または図面に示される順番に実施する必要はない。特別な説明がない場合、前記ステップを所定の順番に実施することができるが、前記説明または図面に示される順番に実施しなくてもよい。少なくとも一部分のステップは、複数のサブステップまたは複数の段階を含み、前記サブステップまたは段階を同時に実施する必要はなく、前記サブステップまたは段階をそれぞれ実施することができる。また、前記サブステップまたは段階を前記説明または図面に示される順番に実施する必要はない。すなわち前記サブステップまたは段階と前記ステップ、他のステップのサブステップまたは段階中の少なくとも一部分を順番または交替に実施することができる。
【０４０５】
本発明の実施例において、高周波アブレーション装置を更に提供する。その高周波アブレーション装置は、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得する第一モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値を比較する第二モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信する第三モジュールとを含む。
【０４０６】
本発明の実施例において、高周波アブレーションの制御装置を更に提供する。その高周波アブレーションの制御装置は、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得する第一モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値を比較する第二モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信する第三モジュールとを含む。
【０４０７】
本発明の実施例において、高周波アブレーションの温度検出装置を更に提供する。その高周波アブレーションの温度検出装置は、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得する第一モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値を比較する第二モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信する第三モジュールとを含む。
【０４０８】
高周波アブレーション装置、高周波アブレーションの制御装置および高周波アブレーションの温度検出装置に係る技術的事項は前記高周波アブレーション方法と高周波アブレーションの制御方法を参照することができるので、ここで再び説明しない。高周波アブレーション装置の各モジュールにおいて、全部または一部分のモジュールはソフトウェア、ハードウェアおよびそれらの組合せにより実施されることができる。ハードウェアで前記各モジュールを実施する場合、そのハードウェアはコンピュータの処理装置の内部または外部に設けられることができる。ソフトウェアで前記各モジュールを実施する場合、そのソフトウェアはコンピュータの記憶装置に記憶され、処理装置が所定のソフトウェアを実行することにより各モジュールに対応する操作をすることができる。
【０４０９】
本発明の実施例において、コンピュータ例えば高周波アブレーション装置を更に提供する。その高周波アブレーション装置は記憶装置と処理装置を含み、記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶され、前記処理装置は前記コンピュータプログラムを実行することにより前記高周波アブレーション方法中のステップを実施する。その方法は例えば、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップＳ１００と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップＳ１１０と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップＳ１２０とを含む。
【０４１０】
本発明の実施例において、コンピュータ例えば高周波アブレーションの温度検出装置を更に提供する。その高周波アブレーションの温度検出装置は記憶装置と処理装置を含み、記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶され、前記処理装置は前記コンピュータプログラムを実行することにより前記高周波アブレーションの温度検出方法中のステップを実施する。その方法は例えば、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップＳ１００と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップＳ１１０と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップＳ１２０とを含む。
【０４１１】
本発明の実施例において、コンピュータ例えば高周波アブレーションの制御装置を更に提供する。その高周波アブレーションの制御装置は記憶装置と処理装置を含み、記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶され、前記処理装置は前記コンピュータプログラムを実行することにより前記高周波アブレーションの制御方法中のステップを実施する。その方法は例えば、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップＳ１００と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップＳ１１０と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップＳ１２０とを含む。
【０４１２】
コンピュータ例えば高周波アブレーション装置、高周波アブレーションの制御装置および高周波アブレーションの温度検出装置に係る技術的事項は、前記高周波アブレーション方法、高周波アブレーションの制御方法および高周波アブレーションの温度検出方法を参照することができるので、ここで再び説明しない。
【０４１３】
前記コンピュータは端末であることができ、その内部の構造は図２０に示すとおりである。前記コンピュータは、システムバスによって接続されている処理装置、記憶装置、ネットワークインタフェース、表示パネルおよび入力装置を含む。前記コンピュータの処理装置は計算と制御を担当する。前記コンピュータの記憶装置は不揮発性メモリー、内部記憶（internal  storage）を含む。前記不揮発性メモリーにはオペレーティングシステムとコンピュータプログラムが記憶されている。前記内部記憶は不揮発性メモリー中のオペレーティングシステムとコンピュータプログラムが実行される環境を形成する。前記コンピュータのネットワークインタフェースはコンピュータと外部の端末がネットワークによって通信をするように接続させる。前記コンピュータプログラムが処理装置によって実行されることにより前記高周波アブレーション方法、高周波アブレーションの制御方法および高周波アブレーションの温度検出方法を実施することができる。前記コンピュータの表示パネルは液晶表示パネルまたはイーインクであることができる。前記コンピュータの入力装置は表示パネル上に設けられるタッチ層であるか或いはコンピュータの外部ケースに設けられるキーボード、トラックボールまたはタッチパネルであるか或いはコンピュータの外部に接続されるキーボード、制御パネルまたはマウス等であることができる。
【０４１４】
周知のように、図２０に示される構造は、本発明の実施例に係る部分の構造を示す図であり、本発明の技術的事項をコンピュータに用いることを限定するものでない。具体的なコンピュータは図面に示される部品より多いか或いはより少ない部品を含むか或いは複数の部品の組合せを含むことができ、複数の部品をいろいろな方式に配置させることができる。
【０４１５】
本発明の実施例において、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を更に提供する。そのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体にはコンピュータプログラムが記憶され、前記コンピュータプログラムが前記処理装置によって実行されることにより前記高周波アブレーション方法中のステップを実施する。その方法は例えば、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップＳ１００と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップＳ１１０と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップＳ１２０とを含む。
【０４１６】
本発明の実施例において、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を更に提供する。そのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体にはコンピュータプログラムが記憶され、前記コンピュータプログラムが前記処理装置によって実行されることにより前記高周波アブレーションの温度検出方法中のステップを実施する。その方法は例えば、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップＳ１００と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップＳ１１０と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップＳ１２０とを含む。
【０４１７】
本発明の実施例において、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を更に提供する。そのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体にはコンピュータプログラムが記憶され、前記コンピュータプログラムが前記処理装置によって実行されることにより前記高周波アブレーションの制御方法中のステップを実施する。その方法は例えば、
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップＳ１００と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップＳ１１０と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップＳ１２０とを含む。
【０４１８】
他の技術的事項は、前記高周波アブレーション方法と高周波アブレーションの制御方法を参照することができるので、ここで再び説明しない。
【０４１９】
本発明の技術者が知っているように、前記実施例中のすべてのステップまたは一部分のステップはコンピュータプログラム指令に関するハードウェアにより実施されることができる。前記コンピュータプログラムは不揮発性コンピュータ読み取り可能な記憶媒体に記憶され、前記コンピュータプログラムを実行することにより前記実施例に係る方法のステップを実施することができる。本発明の各実施例において用いる記憶装置、メモリ、データベースまたは他の記憶媒体はいずれも、不揮発性及び／又は揮発性メモリを含むことができる。不揮発性メモリは、読出し専用メモリー（ＲＯＭ）、プログラム可能な読み取り専用メモリー（ＰＲＯＭ）、イーピーロム（ＥＰＲＯＭ）、イーイープロム（ＥＥＰＲＯＭ）またはフラッシュメモリーを含むことができる。揮発性メモリは、ランダムアクセスメモリー（ＲＡＭ）または外部キャッシュメモリを含むことができる。ＲＡＭはいろいろな種類を含むことができる。例えば、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、ディーラム（ＤＲＡＭ）、エスディーラム（ＳＤＲＡＭ）、ディーディーアールエスディーラム（ＤＤＲＳＤＲＡＭ）、イーエスディーラム（ＥＳＤＲＡＭ）、エスエルディーラム（Synchlink−ＤＲＡＭ、ＳＬＤＲＡＭ）、ラムバスダイレクトアールディーラム（Rambus  Direct  ＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ）、ディーアールディーラム（ＤＲＤＲＡＭ）およびラムバスダイナミックアールディーラム（Rambus  Dynamic  ＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ）等を含むことができる。
【０４２０】
前記実施例に係る高周波アブレーションカテーテルを肺部高周波アブレーションに用いることが好ましい。本発明は、肺部高周波アブレーションカテーテル、それに関するアブレーション方法およびその装置と、所定のアブレーション制御方法と制御装置と、所定の温度検出方法および温度検出装置とを更に提供する。
【０４２１】
本発明の実施例において肺部高周波アブレーションシステムを更に提供する。前記高周波アブレーションシステムにおいて前記実施例に係る高周波アブレーションカテーテルを採用することが好ましい。前記実施例に係る高周波アブレーションカテーテルを採用するとき、高周波アブレーションカテーテルの特徴と方法のステップは前記実施例を参照することができるので、ここで再び説明しない。
【０４２２】
肺部高周波アブレーションシステムは、高周波アブレーションカテーテル（前記実施例に係る高周波アブレーションカテーテルを採用することができる）と、高周波アブレーションカテーテルの電極の周辺部位に換熱媒体を供給する換熱媒体伝送装置と、高周波アブレーションカテーテルの電極が位置している回路の抵抗情報により前記換熱媒体伝送装置を駆動する制御モジュールとを含む。
【０４２３】
高周波アブレーションカテーテルの電極に電気を印加する場合、周辺の周囲の温度が上がり、周辺の組織の乾燥、炭化を避けるため換熱媒体によりその部分を保護する。電極の回路の抵抗の変化により換熱媒体の出力量をリアルタイムに制御することができる。電極が作動するときに形成される回路において、その回路の抵抗情報を測定するとともに算出する方法として従来の技術を採用することができる。
【０４２４】
温度のみにより電極の駆動信号（例えば印加される電圧信号）を制御する場合、信号のフィードバックに遅延がでるおそれがある。温度情報の伝送は人体内の環境と所定の部品の導熱性能に係っているからである。本実施例において、換熱媒体の出力量と抵抗情報との間に所定の制御演算関係を形成する。抵抗情報は情報を直接に示す電気信号であるので、状況をリアルタイムに把握し、遅延を避けることができる。
【０４２５】
抵抗情報によりフィードバックをより迅速にすることができるので、電極の安定な出力を維持することができる。すなわち、病巣部位の温度により電極の信号を頻繁に調節する必要がないので、アブレーションの進度をより安定により容易に制御することができる。
【０４２６】
本発明の好適な実施例において、アブレーションをする過程において電極の駆動信号は変化しない。
【０４２７】
電極の駆動信号は、アブレーション装置が入力するものであり、回路により電極に入力する。電極の駆動信号として従来の技術を採用することができ、本発明はそれを限定しない。
【０４２８】
本発明の実施例において、肺部高周波アブレーションシステムは電極の周辺部位の温度状況を検出する温度検出装置を更に含み、制御モジュールは前記温度状況によりアブレーションの進度を表すか或いは制御することにも用いられる。
【０４２９】
電極の周辺部位の温度によりアブレーションの進度をある程度を表すことができる。例えば、病巣部位が一定の温度下に存在するとき、電極の一端を所定の時間加熱することにより病巣部位を失活（inactivation）状態にすることができる。そのとき、制御モジュールは提示指令を出力するか或いはアブレーション停止指令を出力することにより電極の作動を停止させる。温度が高すぎるとき、換熱媒体の出力に異常があるおそれがあるので、制御モジュールは提示指令を出力することにより警告を発することができる。
【０４３０】
本発明の実施例において、前記温度検出装置の数量は一個または複数個であり、少なくとも１つの温度検出装置の位置（すなわち温度状況の検出位置）から電極までの距離は０．５〜３ｃｍである。好ましくは１〜２ｃｍである。具体的に１．５ｃｍであることができる。
【０４３１】
前記実施例において、電極を用いるとき電極は病巣部位の中心区域に位置しているので、少なくとも１つの温度状況の検出位置は電極から一定の距離離れており、前記距離を半径とする空間内のアブレーションの進度を表すことができる。
【０４３２】
電極の周辺部位は電極を中心とする３Ｄ空間内に位置している。抵抗センサーと温度検出装置をそれぞれ形成することができるが、好ましくは、電極を高周波アブレーションカテーテル上に一体に形成する。それにより高周波アブレーションカテーテルが電極に相対している位置を維持することができる。
【０４３３】
本発明の実施例において、制御モジュールは前記換熱媒体伝送装置を制御することにより換熱媒体の流量を制御する。換熱媒体伝送装置は、容器、パイプ、ポンプ、バルブ、流量計（flowmeter）等のような流体伝送部品を含み、少なくとも一部分の部品により換熱媒体の供給量を制御することができる。例えば制御可能なバルブまたはポンプ等により換熱媒体の供給量を制御することができる。制御モジュールは所定の制御指令により換熱媒体の供給量を制御する。換熱媒体の流量を変化させるとき、検出される抵抗情報はそれにより変化する。
【０４３４】
安定したアブレーション過程を維持するため、本発明の実施例において、制御モジュールは、前記抵抗情報と閾値を比較し、かつ換熱媒体の流量を制御することにより前記抵抗情報が安定状態の抵抗になるようにする。
【０４３５】
前記抵抗情報を閾値に接近させるため、所定の採集の周期において抵抗情報と閾値を複数回比較し、抵抗情報と閾値の大きさにより換熱媒体の流量を調節し、クローズドループコントロール（closed-loop  control）を形成することができる。
【０４３６】
閾値は１つの数値であるか或いは一定の範囲内の数値であることができる。閾値が一定の範囲内の数値であるとき、前記抵抗情報と前記数値の範囲の上限および下限を比較することにより前記抵抗情報を前記数値の範囲内に位置させることができる。
【０４３７】
患者の人体内の状況と病巣部位の状況は異なっているので、本発明の実施例において、最初の段階において安定状態の抵抗を確定した後、その安定状態の抵抗により前記閾値を計算する。
【０４３８】
抵抗情報は抵抗値であるか或いは抵抗値に関する他のパラメーターであることができる。抵抗情報と閾値のタイプが対応するので、抵抗情報と閾値を比較することができる。例えば、抵抗値が閾値より大きいことは換熱媒体の流量を増加させることにより潤滑または冷却の効果を更に向上させる必要があることを意味する。抵抗値が閾値より小さいことは換熱媒体の流量を減少させる必要があることを意味する。
【０４３９】
本発明の実施例において、安定状態の抵抗を確定するとき、高周波アブレーションカテーテルを人体に位置させた後、電極に電気を印加する前の最初の流量により換熱媒体を出力し、抵抗情報をリアルタイムに採集し、安定状態の抵抗情報に対応する数値を安定状態の抵抗にする。
【０４４０】
高周波アブレーションカテーテルを人体に位置させた後、経験または履歴のデータにより換熱媒体の最初の流量（例えば０．５ｍｌ／ｍｉｎ）を確定する。換熱媒体が入力されることにより抵抗情報が変化する。例えば生理食塩水を注入することにより抵抗情報が低下する。抵抗情報をリアルタイムに採集するとき、抵抗情報が更に低下せず、その状態が維持されているとき、その抵抗情報を安定状態の抵抗にする。
【０４４１】
閾値は数値の範囲であるとき、閾値の上限、下限は上限抵抗と下限抵抗になる。上限抵抗と下限抵抗は安定状態の抵抗により算出することができるが、安定状態の抵抗を直接に採用することもできる。例えば下限抵抗として安定状態の抵抗を採用することができる。履歴の経験データまたは患者の状況により上限抵抗と下限抵抗の具体的な算出方法を確定することができる。
【０４４２】
本発明の実施例において、閾値は数値の範囲である。換熱媒体の流量を調節する過程において、制御モジュールは、抵抗情報をリアルタイムに採集するとともに抵抗情報の変換趨勢を判断し、抵抗情報の変換趨勢により換熱媒体の流量を調節する度合を変化させるか或いは閾値の上限または閾値の下限を選択してそれと比較する。
【０４４３】
換熱媒体の流量を調節するとき、通常、一定のストライドピッチにより換熱媒体の流量を調節し、現在の流量を維持するか或いは流量を変化させることは抵抗情報の変換趨勢により確定される。抵抗情報の変換趨勢は上昇するか或いは下降する趨勢であることができる。例えば、換熱媒体の流量を増加させる目的は抵抗情報を低減することにある。抵抗情報の変換趨勢が上昇する趨勢である場合、換熱媒体の流量を更に増加させることができる。すなわち換熱媒体の最初の流量と比較する場合、換熱媒体の流量を調節する度合を更に増加させることができる。
【０４４４】
抵抗情報の変換趨勢が下降する趨勢であることは、所定の希望に達していることを意味する。そのとき、採集される抵抗情報と閾値の下限を比較することにより換熱媒体の流量を減少させる必要があるかを判断する。
【０４４５】
図２１を参照すると、本発明の実施例において、前記肺部高周波アブレーションシステムによる肺部高周波アブレーション方法を更に提供する。その方法は、
アブレーションをする過程において電極回路の抵抗情報を採集するステップＳ５００と、
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を制御するステップＳ５１０とを含む。
【０４４６】
肺部高周波アブレーション方法の具体的なステップと技術的事項は下記高周波アブレーションの制御方法を更に参照することができる。
【０４４７】
図２１を参照すると、本発明の実施例において、前記肺部高周波アブレーションシステムによる肺部高周波アブレーションの抵抗検出方法を更に提供する。その方法は、
アブレーションをする過程において電極回路の抵抗情報を採集するステップＳ５００と、
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を制御するステップＳ５１０とを含む。
【０４４８】
図２１を参照すると、本発明の実施例において、前記肺部高周波アブレーションシステムによる肺部高周波アブレーションの制御方法を更に提供する。その方法は、
アブレーションをする過程において電極回路の抵抗情報を採集するステップＳ５００と、
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を制御するステップＳ５１０とを含む。
【０４４９】
アブレーションをすること、抵抗情報を採集することおよび換熱媒体を出力すること等は、前記実施例に係る高周波アブレーションカテーテル、その装置およびそのシステムを参照することができるので、ここで再び説明しない。
【０４５０】
本発明の実施例において、ステップＳ５００は、安定状態の抵抗を予め確定し、前記安定状態の抵抗により閾値を計算するステップを更に含む。ステップＳ５１０において前記閾値と前記抵抗情報を比較することにより所定の制御指令を形成する。
【０４５１】
本発明の実施例において、安定状態の抵抗を確定するとき、高周波アブレーションカテーテルを人体の所定の位置に位置させた後、電極に電気を印加する前の最初の流量により換熱媒体を出力し、かつ抵抗情報をリアルタイムに採集する。抵抗情報が安定状態になると、所定の数値を安定状態の抵抗に表記する。
【０４５２】
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成するステップＳ５１０は具体的に、
前記抵抗情報と閾値を比較し、前記抵抗情報と閾値の関係により換熱媒体の流量の増減を確定するステップＳ５１１と、
換熱媒体の流量の増減を確定し、所定の増量または減量により所定の制御指令を予め設定するステップＳ５１２とを含む。
【０４５３】
換熱媒体の流量の増減を確定することは、希望の流量の変化または需要を獲得するためである。例えば、換熱媒体の流量を現在の流量から所定の流量に増加させるか或いは換熱媒体の流量を現在の流量から所定の流量に減少させ、増量の幅と減量の幅によりストライドを予め設定することができる。
【０４５４】
現在の流量がＸ  ｍｌ／ｓであり、その流量を更に増加させるとき、換熱媒体伝送装置に制御指令を送信することによりその流量をＸ＋Ｙ  ｍｌ／ｓに変化させることができる。その式において、Ｙは流量を増加させる度合である。流量を減少させることはそれと同様である。
【０４５５】
本発明の実施例において、前記増量の幅、減量の幅は各自に存在する固定値またはダイナミック値である。
【０４５６】
前記増量の幅、減量の幅を固定値に設定するか或いはダイナミック値に設定することができる。例えば現在の抵抗情報によりそれを設定するか或いは抵抗情報と閾値の差をＺにし、増量の幅、減量の幅をダイナミック値に設定するとともにＺに関連させることができる。
【０４５７】
抵抗情報と閾値の関係は数値の大きさを比較する関係であるか或いは所定の函数を満たす関係であり、それは、抵抗情報と閾値を選択する物理的パラメーター、変化の方式、計量の単位に係っている。
【０４５８】
本発明の実施例において、抵抗情報と閾値はいずれも抵抗値であり、それらの単位はオームである。それにより抵抗情報と閾値を容易に比較し、抵抗値の測定と計算を容易にすることができる。
【０４５９】
前記閾値が一定の範囲の数値である場合、ステップＳ５１１において前記抵抗情報と閾値の関係により換熱媒体の流量の増減を判断するステップは具体的に、
前記抵抗情報が閾値の上限より大きいとき、換熱媒体の流量を増加させると判断するステップと、
前記抵抗情報が閾値の下限より小さいとき、換熱媒体の流量を減少させると判断するステップと、
前記抵抗情報が閾値の範囲内に入っているとき、換熱媒体の流量を維持すると判断するステップとを含み、
ステップＳ５１１において換熱媒体の流量を増加させると判断するとき、ステップＳ５１２において第一制御指令を形成し、第一制御指令に対応することは換熱媒体の流量が現在の流量より多いものであり、
ステップＳ５１１において換熱媒体の流量を減少させると判断するとき、ステップＳ５１２において第二制御指令を形成し、第二制御指令に対応することは換熱媒体の流量が現在の流量より少ないものである。
【０４６０】
制御指令は電気信号であり、その制御指令によりポンプの回転、バルブの開度等を直接に制御することができ、ポンプの回転、バルブの開度等の状況は換熱媒体の流量の変化に対応する。本発明は制御指令のタイプを制限することなく、換熱媒体の流量を変化させることができるものであればいずれでもよい。
【０４６１】
抵抗情報をリアルタイムに採集するか或いは所定の周期において採集し、採集した抵抗情報と閾値をリアルタイムに比較し、そのステップはアブレーションをする過程において絶えず実施される。すなわちステップＳ５００とステップＳ５１０を繰り返す。
【０４６２】
本発明の実施例において、抵抗情報を採集する所定の周期によりステップＳ５００とステップＳ５１０を繰り返し、
前の周期において制御指令を形成して出力し、次の周期において採集される抵抗情報と閾値を比較する前、採集される抵抗情報と前の周期の抵抗情報を比較することにより抵抗情報の変化趨勢を判断し、
前記抵抗情報の変化趨勢により換熱媒体の流量を調節する度合を変化させるか或いは閾値の上限または閾値の下限を選択してそれと比較する。
【０４６３】
前の周期の制御指令は第一制御指令であるか或いは第一制御指令であることができる。異なるタイプの制御指令により次の周期において異なる判断方法を用いることができる。例えば、
本実施例において、前の周期において第一制御指令を形成して出力し、次の周期において採集される抵抗情報と閾値を比較する前、採集される抵抗情報と前の周期の抵抗情報を比較することにより抵抗情報の変化趨勢を判断し、
抵抗情報の変換趨勢が上昇する趨勢である場合、換熱媒体の流量を調節する度合を増加させ、
抵抗情報の変換趨勢が下降する趨勢である場合、現在の採集周期の抵抗情報と閾値の下限を比較する。
【０４６４】
本発明の実施例において、前の周期において第二制御指令を形成して出力し、次の周期において採集される抵抗情報と閾値を比較する前、採集される抵抗情報と前の周期の抵抗情報を比較することにより抵抗情報の変化趨勢を判断し、
抵抗情報の変換趨勢が下降する趨勢である場合、換熱媒体の流量を調節する度合を増加させ、
抵抗情報の変換趨勢が上昇する趨勢である場合、現在の採集周期の抵抗情報と閾値の上限を比較することもできる。
【０４６５】
アブレーションを停止させるとき、予め設定される時間によりアブレーションを停止させるか或いは電極または病巣部位の温度によりアブレーションを停止させることができる。本発明の実施例において、前記実施例の高周波アブレーション方法、制御方法または抵抗検出方法によりアブレーションの進度を表示するか或いは制御するステップを更に含むことができる。
【０４６６】
例えば、抵抗情報をリアルタイムに検出するとき下記ステップを同時に実施する。すなわち
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップＳ１００と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップＳ１１０と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップＳ１２０とを同時に実施する。温度を検出する具体的なステップは前記実施例を参照することができる。
【０４６７】
アブレーションする過程において採集された電極の周辺部位の温度パラメーターをリアルタイムに受信し、前記温度パラメーターによりアブレーションの進度を表示するか或いは制御する。
【０４６８】
電極の周辺部位の温度によりアブレーションの進度をある程度を表すことができる。例えば、病巣部位が一定の温度下に存在するとき、電極の一端を所定の時間加熱することにより病巣部位を失活状態にすることができる。そのとき、制御モジュールは提示指令を出力するか或いはアブレーション停止指令を出力することにより電極の作動を停止させる。温度が高すぎるとき、換熱媒体の出力に異常があるおそれがあるので、制御モジュールは提示指令を出力することにより警告を発することができる。
【０４６９】
本発明の実施例において、温度パラメーターの検出位置から電極までの距離は０．５〜３ｃｍであり、前記温度パラメーターが４３〜６０℃に達した後所定の時間維持している場合、アブレーション停止指令を送信する。
【０４７０】
アブレーション停止指令により電極の電源を直接に切断するか或いは提示情報を送信し、前記温度パラメーターによりアブレーションの進度を表示するか或いは制御することができる。それは抵抗情報により換熱媒体の流量を制御することと係っておらず、抵抗情報で換熱媒体の流量を制御することによりアブレーションの過程を制御する。前記温度情報によりアブレーションの進度を表示するか或いは制御することは重要なタイミングにおいて実施することができる。例えば、ステップＳ５００とステップＳ５１０を繰り返すとき、回路を切断するか或いは停止させるように提示することができる。
【０４７１】
図２２を参照すると、本発明の実施例において、肺部高周波アブレーション方法または制御方法は、最初の流量により換熱媒体を注入し、換熱媒体が電極の外部の潤滑カバーから流出することにより保護膜を形成する。そのとき抵抗の変化を採集するとともに監視する。抵抗が安定状態になると、現在の抵抗を安定状態の抵抗にする。
【０４７２】
電極に電気を印加することにより、アブレーションを始め、かつ抵抗情報をリアルタイムに採集する。獲得した抵抗情報と閾値を比較することにより所定の制御指令を形成し、その制御指令により換熱媒体の流量を調節する。その閾値は一定の範囲を有し、下限抵抗として安定状態の抵抗を採用することができる。
【０４７３】
アブレーションをするとき、抵抗が上昇し、抵抗情報が設定される上限抵抗より大きくなると、第一制御指令を形成して送信することにより換熱媒体の流量を増加させ、
次の採集周期の抵抗情報と前の採集周期の抵抗情報を比較することにより抵抗が上昇したかを判断し、抵抗が上昇した場合、第一制御指令を形成して送信することにより換熱媒体の流量を更に増加させ、
抵抗が上昇せず下降し始めるとき、抵抗と下限抵抗を比較し、抵抗情報が設定される下限抵抗より小さくなると、第二制御指令を形成して送信することにより換熱媒体の流量を減少させ、
次の採集周期の抵抗情報と前の採集周期の抵抗情報を比較することにより抵抗が下降したかを判断し、抵抗が下降した場合、第二制御指令を形成して送信することにより換熱媒体の流量を更に減少させ、抵抗が上昇し始めるとそれを停止させる。
【０４７４】
アブレーションをする過程において、抵抗情報を監視するとともに換熱媒体の流量を絶えず調節し、それが所定の条件を満たすとき、時間を算出するか或いは温度を監視する方法等によりアブレーションを表示するか或いは停止させることができる。
【０４７５】
前記肺部高周波アブレーション方法と肺部高周波アブレーションの制御方法中の各ステップを必ず前記説明または図面に示される順番に実施する必要はない。特別な説明がない場合、前記ステップを所定の順番に実施することができるが、前記説明または図面に示される順番に実施しなくてもよい。少なくとも一部分のステップは、複数のサブステップまたは複数の段階を含み、前記サブステップまたは段階を同時に実施する必要はなく、前記サブステップまたは段階をそれぞれ実施することができる。また、前記サブステップまたは段階を前記説明または図面に示される順番に実施する必要はない。すなわち前記サブステップまたは段階と前記ステップ、他のステップのサブステップまたは段階中の少なくとも一部分を順番または交互に実施することができる。
【０４７６】
前記肺部高周波アブレーション方法により本発明の実施例において肺部高周波アブレーション装置を更に提供する。その肺部高周波アブレーション装置は、
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信する採集モジュールと、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節する調節モジュールとを含む。
【０４７７】
前記肺部高周波アブレーションの抵抗検出方法により本発明の実施例において肺部高周波アブレーションの抵抗検出装置を更に提供する。その肺部高周波アブレーションの抵抗検出装置は、
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信する採集モジュールと、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節する調節モジュールとを含む。
【０４７８】
前記肺部高周波アブレーションの制御方法により本発明の実施例において肺部高周波アブレーションの制御装置を更に提供する。その肺部高周波アブレーションの制御装置は、
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信する採集モジュールと、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節する調節モジュールとを含む。
【０４７９】
本実施例の肺部高周波アブレーション装置、肺部高周波アブレーションの制御装置および抵抗検出装置に係る技術的事項は前記肺部高周波アブレーション方法と肺部高周波アブレーションの制御方法を参照することができるので、ここで再び説明しない。前記肺部高周波アブレーション装置と肺部高周波アブレーションの制御装置の各モジュールにおいて、全部または一部分のモジュールはソフトウェア、ハードウェアおよびそれらの組合せにより実施されることができる。ハードウェアで前記各モジュールを実施する場合、そのハードウェアはコンピュータの処理装置の内部または外部に設けられることができる。ソフトウェアで前記各モジュールを実施する場合、そのソフトウェアはコンピュータの記憶装置に記憶され、処理装置が所定のソフトウェアを実行することにより各モジュールに対応する操作をすることができる。
【０４８０】
本発明の実施例において、コンピュータ例えば肺部高周波アブレーション装置を更に提供する。その肺部高周波アブレーション装置は記憶装置と処理装置を含み、記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶され、前記処理装置は前記コンピュータプログラムを実行することにより前記肺部高周波アブレーション方法中のステップを実施する。その方法は例えば、
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信するステップＳ５００と、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節するステップＳ５１０とを含むことができる。
【０４８１】
本発明の実施例において、コンピュータ例えば肺部高周波アブレーションの抵抗検出装置を更に提供する。その肺部高周波アブレーションの抵抗検出装置は記憶装置と処理装置を含み、記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶され、前記処理装置は前記コンピュータプログラムを実行することにより前記肺部高周波アブレーションの抵抗検出方法中のステップを実施する。その方法は例えば、
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信するステップＳ５００と、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節するステップＳ５１０とを含むことができる。
【０４８２】
本発明の実施例において、コンピュータ例えば肺部高周波アブレーションの制御装置を更に提供する。その肺部高周波アブレーションの制御装置は記憶装置と処理装置を含み、記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶され、前記処理装置は前記コンピュータプログラムを実行することにより前記肺部高周波アブレーションの制御方法中のステップを実施する。その方法は例えば、
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信するステップＳ５００と、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節するステップＳ５１０とを含むことができる。
【０４８３】
コンピュータ例えば肺部高周波アブレーション装置と肺部高周波アブレーションの制御装置に係る技術的事項は、前記肺部高周波アブレーション方法と肺部高周波アブレーションの制御方法を参照することができるので、ここで再び説明しない。
【０４８４】
コンピュータ例えば肺部高周波アブレーション装置と肺部高周波アブレーションの制御装置は端末であることができ、その内部の構造は図２０に示すとおりである。前記コンピュータは、システムバスによって接続されている処理装置、記憶装置、ネットワークインタフェース、表示パネルおよび入力装置を含む。前記コンピュータの処理装置は計算と制御を担当する。前記コンピュータの記憶装置は不揮発性メモリー、内部記憶を含む。前記不揮発性メモリーにはオペレーティングシステムとコンピュータプログラムが記憶されている。前記内部記憶は不揮発性メモリー中のオペレーティングシステムとコンピュータプログラムが実行される環境を提供する。前記コンピュータのネットワークインタフェースはコンピュータと外部の端末がネットワークによって通信をするように接続させる。前記コンピュータプログラムが処理装置によって実行されることにより前記高周波アブレーション方法と高周波アブレーションの制御方法を実施することができる。前記コンピュータの表示パネルは液晶表示パネルまたはイーインクであることができる。前記コンピュータの入力装置は表示パネル上に設けられるタッチ層であるか或いはコンピュータの外部ケースに設けられるキーボード、トラックボールまたはタッチパネルであるか或いはコンピュータの外部に接続されるキーボード、制御パネルまたはマウス等であることができる。
【０４８５】
周知のように、図２０に示される構造は、本発明の実施例に係る部分の構造を示す図であり、本発明の技術的事項をコンピュータに用いることを限定するものでない。具体的なコンピュータは図面に示される部品より多いか或いは少ない部品を含むか或いは複数の部品の組合せを含むことができ、複数の部品をいろいろな方式に配置させることができる。
【０４８６】
本発明の実施例において、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を更に提供する。そのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体にはコンピュータプログラムが記憶され、前記コンピュータプログラムが前記処理装置によって実行されることにより前記肺部高周波アブレーション方法中のステップを実施する。その方法は例えば、
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信するステップＳ５００と、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節するステップＳ５１０とを含むことができる。
【０４８７】
本発明の実施例において、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を更に提供する。そのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体にはコンピュータプログラムが記憶され、前記コンピュータプログラムが前記処理装置によって実行されることにより前記肺部高周波アブレーションの抵抗検出方法中のステップを実施する。その方法は例えば、
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信するステップＳ５００と、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節するステップＳ５１０とを含むことができる。
【０４８８】
本発明の実施例において、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を更に提供する。そのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体にはコンピュータプログラムが記憶され、前記コンピュータプログラムが前記処理装置によって実行されることにより前記肺部高周波アブレーションの制御方法中のステップを実施する。その方法は例えば、
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信するステップＳ５００と、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節するステップＳ５１０とを含むことができる。
【０４８９】
他の技術的事項は、前記肺部高周波アブレーション方法と肺部高周波アブレーションの制御方法を参照することができるので、ここで再び説明しない。
【０４９０】
本発明の技術者が知っているように、前記実施例中のすべてのステップまたは一部分のステップはコンピュータプログラム指令に関するハードウェアにより実施されることができる。前記コンピュータプログラムは不揮発性コンピュータ読み取り可能な記憶媒体に記憶され、前記コンピュータプログラムを実行することにより前記実施例に係る方法のステップを実施することができる。本発明の各実施例において用いる記憶装置、メモリ、データベースまたは他の記憶媒体はいずれも、不揮発性及び／又は揮発性メモリを含むことができる。不揮発性メモリは、読出し専用メモリー（ＲＯＭ）、プログラム可能な読み取り専用メモリー（ＰＲＯＭ）、イーピーロム（ＥＰＲＯＭ）、イーイープロム（ＥＥＰＲＯＭ）またはフラッシュメモリーを含むことができる。揮発性メモリは、ランダムアクセスメモリー（ＲＡＭ）または外部キャッシュメモリを含むことができる。ＲＡＭはいろいろな種類を含むことができる。例えば、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、ディーラム（ＤＲＡＭ）、エスディーラム（ＳＤＲＡＭ）、ディーディーアールエスディーラム（ＤＤＲＳＤＲＡＭ）、イーエスディーラム（ＥＳＤＲＡＭ）、エスエルディーラム（Synchlink−ＤＲＡＭ、ＳＬＤＲＡＭ）、ラムバスダイレクトアールディーラム（Rambus  Direct  ＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ）、ディーアールディーラム（ＤＲＤＲＡＭ）およびラムバスダイナミックアールディーラム（Rambus  Dynamic  ＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ）等を含むことができる。
【０４９１】
本発明の実施例において肺部高周波アブレーションシステムを更に提供する。図２３を参照すると、本発明の実施例に係る前記肺部高周波アブレーションシステムは、高周波信号形成装置１００、アブレーションカテーテル１１０、電極基板、センサーモジュール１２０、微量注入ポンプ１３０、制御モジュール１４０および警報モジュール１５０を含む。
【０４９２】
本実施例において、高周波信号形成装置１００として前記アブレーション装置（またはアブレーション装置の一部分）を採用することができる。アブレーションカテーテル１１０として前記実施例に係る高周波アブレーションカテーテルを採用することができる。換熱媒体として具体的に生理食塩水を例として説明し、換熱媒体通路は液体を伝送する伝送通路である。微量注入ポンプ１３０は換熱媒体伝送装置のような装置またはモジュールであることができる。制御モジュール１４０として前記実施例中の高周波アブレーション装置を採用することができる。
【０４９３】
制御モジュール１４０、警報モジュール１５０および微量注入ポンプ１３０は一体に集積されるか或いは一部分が一体に集積されることができる。例えばアブレーション装置に集積されることによりアブレーション装置全体を形成することができる。
【０４９４】
本実施例において、前記高周波信号形成装置１００は、前記制御モジュール１４０に接続され、制御モジュール１４０から受信した命令により高周波信号を形成し、かつその高周波信号を前記アブレーションカテーテル１１０に送信する。
【０４９５】
本実施例において、アブレーションカテーテル１１０は電気を伝送する電気伝送通路と液体を伝送する伝送通路を具備し、前記高周波信号形成装置１００は前記電気伝送通路に接続され、前記液体伝送通路は前記微量注入ポンプ１３０に連結される。
【０４９６】
前記アブレーションカテーテル１１０は前記高周波信号形成装置１００が形成する高周波信号を受信する。前記アブレーションカテーテル１１０が穿刺によってアブレーション組織に挿入されるとき、前記アブレーションカテーテル１１０は、前記高周波信号によりアブレーション組織に影響を与え、前記微量注入ポンプ１３０が注入する生理食塩水を受け取る。前記アブレーションカテーテル１１０の前端（人体内に挿入される一端）には液体流出孔が形成されており、前記アブレーションカテーテル１１０が穿刺によりアブレーション組織に挿入されるときアブレーション組織内に生理食塩水を注入することができる。
【０４９７】
前記実施例において、電極１の外部には潤滑カバー２０が取り付けられ、潤滑カバー２０上には複数個の潤滑孔２００が均等に形成されている。潤滑カバー２０が取り付けられている場合、本実施例の液体流出孔を潤滑孔２００と見なすことができる。
【０４９８】
他の実施例において、前記アブレーションカテーテル１１０上に他の構造を設けることができ、アブレーション組織内に生理食塩水を注入することができる構造であればいずれでもよい。例えば、前記アブレーションカテーテル１１０は湾曲可能な構造を具備し、前記湾曲構造を制御することにより前記アブレーションカテーテル１１０の前端を曲げ、前記アブレーションカテーテル１１０の前端を治療待機部位に正確に挿入することができる。前記アブレーションカテーテルの外部に前記湾曲構造を制御する操作部を更に設け、医者がその操作部を操作することにより前記湾曲構造の湾曲の程度を制御することもできる。
【０４９９】
具体的に、前記アブレーションカテーテル１１０は、Ｂスキャン超音波検査とＣＴの案内によりブロンコスコピーを通過した後穿刺点によりアブレーション組織に挿入され、かつ前記高周波信号をアブレーション組織に送信する。そのとき、前記高周波信号形成装置１００に連結されかつ患者の人体と接触する電極基板と前記アブレーションカテーテル１１０との間は連通状態になり、その間には電場が形成される。アブレーション組織は電場に位置し、高周波電流は電極基板と前記アブレーションカテーテル１１０との間の人体の組織に影響を与えるので、高周波アブレーションカテーテルの遠端の電極と接触する腫瘤細胞は凝固、変性、壊死することができる。前記アブレーションカテーテル１１０はエネルギーのみを伝送する電極である。アブレーションカテーテル１１０の温度が上昇することは、回路が形成された後アブレーションカテーテル１１０付近の腫瘤組織内のイオンが高速に振動し、互いに摩擦し、高周波信号が熱に変換されるからである。すなわち、アブレーションカテーテル１１０の温度はアブレーションカテーテル１１０付近の温度が上昇することにより上昇する。組織に電気を印加するとき、組織が乾燥、炭化することによりアブレーションカテーテル１１０の周辺に「クラスト」が形成され、アブレーションカテーテル１１０を「真空状態に実装する」。その場合、アブレーションカテーテル１１０と「クラスト」との間の抵抗が迅速に増加すること（すなわち高周波アブレーションをするとき、熱沈下（thermal  subsidence）と高抵抗等）によりアブレーションが停止するおそれがあるので、アブレーションを充分にすることができず、アブレーションの範囲を充分に大きくすることができないおそれがある。本実施例において、前記アブレーションカテーテル１１０上に液体流出孔が形成されることにより生理食塩水をアブレーション組織内に注入することができる。生理食塩水は導体であり、生理食塩水によりアブレーション組織を潤滑状態にすることができるので、アブレーションをする過程において抵抗が一定の範囲になっていることを確保することができる。それにより高周波エネルギーを出力し続けることができるので、大きいアブレーション範囲を形成し、より大きく、より有効な凝固壊死部位を形成することができる。
【０５００】
本実施例において、前記センサーモジュール１２０は前記アブレーションカテーテル１１０上に取り付けられ、前記センサーモジュール１２０は前記制御モジュール１４０に連結される。具体的に、前記センサーモジュール１２０は前記アブレーションカテーテル１１０のアブレーション組織と接触する一端に設けられる。前記センサーモジュール１２０は、抵抗センサーと温度センサーを含むことによりアブレーションカテーテル１１０のアブレーション組織と接触する個所の抵抗と温度を検出し、かつその温度情報と抵抗情報を前記制御モジュール１４０に送信する。前記温度センサーはサーモカップル（thermocouple）であることができる。
【０５０１】
温度センサーとして、前記実施例の高周波アブレーションカテーテル上に配置されるサーミスター９、電極リング８または温度検出装置等を採用することもできる。抵抗センサーは採集回路等のようなものであり、抵抗センサーにより電極の回路の抵抗情報を獲得することができる。
【０５０２】
本実施例において、前記抵抗センサーは前記抵抗情報を獲得した後それを前記制御モジュール１４０に送信する。他の実施例において、前記抵抗情報はシステムが採集してえた電圧電流数値により獲得するものであることができる。具体的に、電圧電流測定装置により電圧電流値をリアルタイムに獲得した後、それを前記制御モジュール１４０に送信し、前記制御モジュール１４０はリアルタイムに獲得した前記電圧電流値を計算することにより抵抗を獲得することができる。他の実施例において、前記センサーモジュール１２０は、流量センサー、圧力センサー等のような他のタイプのセンサーを更に含むことにより、生理食塩水の流量、アブレーションカテーテル１１０とアブレーション組織が接触する個所の圧力等のような他のデータを検出することができる。それによりアブレーションの状況を把握し、異常が生ずるとき迅速に処理することができる。例えば、前記流量センサーが検出した生理食塩水の流量が所定の閾値より少ないとき、前記制御モジュール１４０は前記微量注入ポンプ１３０が生理食塩水を注入する注入量を増加させることにより人体の組織に「クラスト」が形成されることを避けることができる。他の実施例において、前記センサーモジュールのセンサーのタイプと数量は前記肺部高周波アブレーションシステムが作動するときの需要と実際の状況により決定し、それによりアブレーションの状況を把握することができる。
【０５０３】
本実施例において、前記微量注入ポンプ１３０は、前記制御モジュール１４０と前記アブレーションカテーテル１１０に連結され、かつ制御モジュール１４０の命令を受信することにより前記アブレーションカテーテル１１０に生理食塩水を注入する。他の実施例において、前記微量注入ポンプ１３０は制御モジュール１４０の命令を受信することにより前記アブレーションカテーテル１１０に他の液体を注入することもできる。アブレーション組織の導電性と熱伝導性を向上させ、インピーダンスのバランスを維持し、抵抗が安定状態になっていることを維持し、アブレーション組織の温度を低減し、アブレーション組織の湿度を増加させ、アブレーション組織が乾燥昇温することによりクラストが形成されることと人体に副作用を与えることを有効に避けることができるものであればいずれでもよい。
【０５０４】
本実施例において、前記警報モジュール１５０は前記制御モジュール１４０に接続されることにより前記制御モジュール１４０が送信する警報命令を送信するとともにそれを使用者に知らせる。
【０５０５】
本実施例において、前記制御モジュール１４０は、高周波信号形成装置１００、センサーモジュール１２０、微量注入ポンプ１３０および警報モジュール１５０に連結される。具体的に、前記制御モジュール１４０は前記高周波信号形成装置１００が高周波信号を形成することを制御する。前記制御モジュール１４０は、センサーモジュール１２０が検出した抵抗情報と温度情報を受信し、前記抵抗情報により前記微量注入ポンプ１３０が前記アブレーションカテーテル１１０に生理食塩水を注入することを制御する。本実施例において、抵抗センサーにより抵抗が迅速に増加することを検出すると、アブレーションカテーテル１１０の電極付近の組織が乾燥、炭化することによりクラストが形成されることを意味する。そのとき、制御モジュール１４０は、抵抗センサーの抵抗情報を受信した後、微量注入ポンプ１３０が生理食塩水の注入量を増加させるように制御する。本実施例において、制御モジュール１４０は、前記温度情報により生理食塩水の注入が順調に実施されているかを判断し、順調に実施されていないとき警報命令を送信する。具体的に、アブレーションをする過程において、温度が一定の閾値（例えば８５度）を超えることを検出すると、制御モジュール１４０は、生理食塩水の注入が順調に実施されていないと判断し、警報命令を送信することにより前記警報モジュール１５０が警報情報を送信するように提示する。それによりアブレーションが順調に実施されることを確保することができる。
【０５０６】
アブレーションをする過程中の異常な状況は温度を検出するか或いは抵抗情報を検出するか或いはその２つの組合せを検出することにより警報を発することができる。温度または抵抗情報が許容範囲の上限を超えるとき、警報を発するか或いはアブレーションを停止させる。
【０５０７】
他の実施例において、前記センサーモジュール１２０が流量センサー、圧力センサー等のような他のタイプのセンサーを更に含むとき、前記制御モジュール１４０は前記センサーモジュール１２０が送信する他のデータ情報を受信することによりアブレーションの状況を把握し、異常が生ずるとき制御命令を送信することにより異常を処理することができる。他の実施例において、前記制御モジュール１４０は、複数個のセンサーが送信するデータによりアブレーションの状況を綜合的に判断し、予め設定される所定の条件を満たすとき、微量注入ポンプ１３０、高周波信号形成装置１００等の装置を調節することによりアブレーションが順調に実施されることを確保することができる。前記予め設定される所定の条件は前記肺部高周波アブレーションシステムが作動するときの実際の状況とセンサーの設定情報により決定することができる。他の実施例において、前記抵抗情報はシステムが採集してえた電圧電流数値により獲得するものであることができる。具体的に、電圧電流測定装置により電圧電流値をリアルタイムに獲得した後、それを前記制御モジュール１４０に送信し、前記制御モジュール１４０はリアルタイムに獲得した前記電圧電流値を計算することにより抵抗を獲得することができる。
【０５０８】
電極基板が前記高周波信号形成装置に接続されることにより人体とアブレーションカテーテル内の電極との間に回路が形成される。
【０５０９】
電極基板を患者の適当な部位に接着させ、アブレーションをするとき、人体と電極基板との間に作業用回路（すなわち前記電極が位置している位置の回路）が形成される。高周波電流は人体と電極基板との間の人体の組織に影響を与えるので、電極と接触する病巣部位は、凝固、変性、壊死することができる。電極基板はアブレーションの分野において常用する部品であるので、図面にはそれが示されていない。
【０５１０】
本実施例において、前記肺部高周波アブレーションシステムが作動し始めるとき、前記制御モジュール１４０は前記微量注入ポンプ１３０が前記アブレーションカテーテル１１０に生理食塩水を注入するように制御する。制御モジュール１４０は、抵抗センサーから送信された抵抗が迅速に増加する情報を受信する場合、前記微量注入ポンプ１３０が生理食塩水の注入量を更に増加させるように制御する。他の実施例において、前記肺部高周波アブレーションシステムが作動し始めるとき、前記微量注入ポンプ１３０は前記アブレーションカテーテル１１０に生理食塩水を注入せず、制御モジュール１４０は、抵抗センサーから送信された抵抗が迅速に増加する情報を受信する場合のみ、前記微量注入ポンプ１３０が前記アブレーションカテーテル１１０に生理食塩水を注入するように制御することもできる。
【０５１１】
図２４を参照すると、図２４は本発明の他の実施例に係る肺部高周波アブレーションシステムを示す図である。
【０５１２】
本実施例において、前記肺部高周波アブレーションシステムは、高周波信号形成装置１００、アブレーションカテーテル１１０、電極基板、センサーモジュール１２０、微量注入ポンプ１３０および制御モジュール１４０を含む。
【０５１３】
本実施例において、前記高周波信号形成装置１００は、前記制御モジュール１４０に接続され、制御モジュール１４０から受信した命令により高周波信号を形成し、かつその高周波信号を前記アブレーションカテーテル１１０に送信する。
【０５１４】
本実施例において、前記アブレーションカテーテル１１０は電気を伝送する電気伝送通路と液体を伝送する液体伝送通路を具備し、前記高周波信号形成装置１００は前記電気伝送通路に接続され、前記液体伝送通路は前記微量注入ポンプ１３０に連結される。前記アブレーションカテーテル１１０は前記高周波信号形成装置１００が形成する高周波信号を受信する。前記アブレーションカテーテル１１０が穿刺によってアブレーション組織に挿入されるとき、前記アブレーションカテーテル１１０は、前記高周波信号によりアブレーション組織に影響を与え、前記微量注入ポンプ１３０が注入する生理食塩水を受け取る。前記アブレーションカテーテル１１０の前端（人体内に挿入される一端）には液体流出孔が形成されており、前記アブレーションカテーテル１１０が穿刺によりアブレーション組織に挿入されるときアブレーション組織内に生理食塩水を注入することができる。他の実施例において、前記アブレーションカテーテル１１０上に他の構造を設けることができ、アブレーション組織内に生理食塩水を注入することができる構造であればいずれでもよい。例えば、前記アブレーションカテーテル１１０は湾曲可能な構造を具備し、前記湾曲構造を制御することにより前記アブレーションカテーテル１１０の前端を曲げ、前記アブレーションカテーテル１１０の前端を治療待機部位に正確に挿入することができる。前記アブレーションカテーテルの外部に前記湾曲構造を制御する操作部を更に設け、医者がその操作部を操作することにより前記湾曲構造の湾曲の程度を制御することもできる。
【０５１５】
具体的に、前記アブレーションカテーテル１１０は、Ｂスキャン超音波検査とＣＴの案内によりブロンコスコピーを通過した後穿刺点によりアブレーション組織に挿入され、かつ前記高周波信号をアブレーション組織に送信する。そのとき、前記高周波信号形成装置１００に連結されかつ患者の人体と接触する電極基板と前記アブレーションカテーテル１１０との間は連通状態になり、その間には電場が形成される。アブレーション組織は電場に位置し、高周波電流は電極基板と前記アブレーションカテーテル１１０との間の人体の組織に影響を与えるので、高周波アブレーションカテーテルの遠端の電極と接触する腫瘤細胞は凝固、変性、壊死することができる。前記アブレーションカテーテル１１０はエネルギーのみを伝送する電極である。アブレーションカテーテル１１０の温度が上昇することは、回路が形成された後アブレーションカテーテル１１０付近の腫瘤組織内のイオンが高速に振動し、互いに摩擦し、高周波信号が熱に変換されるからである。すなわち、アブレーションカテーテル１１０の温度はアブレーションカテーテル１１０付近の温度が上昇することにより上昇する。組織に電気を印加するとき、組織が乾燥、炭化することによりアブレーションカテーテル１１０の周辺に「クラスト」が形成され、アブレーションカテーテル１１０を「真空状態に実装する」。その場合、アブレーションカテーテル１１０と「クラスト」との間の抵抗が迅速に増加すること（すなわち高周波アブレーションをするとき、熱沈下と高抵抗等）によりアブレーションが停止するおそれがあるので、アブレーションを充分にすることができず、アブレーションの範囲を充分に大きくすることができないおそれがある。本実施例において、前記アブレーションカテーテル１１０上に液体流出孔が形成されることにより生理食塩水をアブレーション組織内に注入することができる。生理食塩水は導体であり、生理食塩水によりアブレーション組織を潤滑状態にすることができるので、アブレーションをする過程において抵抗が一定の範囲になっていることを確保することができる。それにより高周波エネルギーを出力し続けることができるので、大きいアブレーション範囲を形成し、より大きく、より有効な凝固壊死部位を形成することができる。
【０５１６】
本実施例において、前記センサーモジュール１２０は前記アブレーションカテーテル１１０上に取り付けられ、前記センサーモジュール１２０は前記制御モジュール１４０に連結される。具体的に、前記センサーモジュール１２０は前記アブレーションカテーテル１１０のアブレーション組織と接触する一端に設けられる。前記センサーモジュール１２０は、抵抗センサーと温度センサーを含むことによりアブレーションカテーテル１１０のアブレーション組織と接触する個所の抵抗と温度を検出し、かつその温度情報と抵抗情報を前記制御モジュール１４０に送信する。前記温度センサーはサーモカップルであることができる。本実施例において、前記抵抗センサーは前記抵抗情報を獲得した後それを前記制御モジュール１４０に送信する。他の実施例において、前記抵抗情報はシステムが採集してえた電圧電流数値により獲得するものであることができる。具体的に、電圧電流測定装置により電圧電流値をリアルタイムに獲得した後、それを前記制御モジュール１４０に送信し、前記制御モジュール１４０はリアルタイムに獲得した前記電圧電流値を計算することにより抵抗を獲得することができる。他の実施例において、前記センサーモジュール１２０は、流量センサー、圧力センサー等のような他のタイプのセンサーを更に含むことにより、生理食塩水の流量、アブレーションカテーテル１１０とアブレーション組織が接触する個所の圧力等のような他のデータを検出することができる。それによりアブレーションの状況を把握し、異常が生ずるとき迅速に処理することができる。例えば、前記流量センサーが検出した生理食塩水の流量が所定の閾値より小さいとき、前記制御モジュール１４０は前記微量注入ポンプ１３０が生理食塩水を注入する注入量を増加させることにより人体の組織に「クラスト」が形成されることを避けることができる。他の実施例において、前記センサーモジュールのセンサーのタイプと数量は前記肺部高周波アブレーションシステムが作動するときの需要と実際の状況により決定し、それによりアブレーションの状況を把握することができる。
【０５１７】
本実施例において、前記微量注入ポンプ１３０は、前記制御モジュール１４０と前記アブレーションカテーテル１１０に連結され、制御モジュール１４０の命令を受信することにより前記アブレーションカテーテル１１０に生理食塩水を注入する。他の実施例において、前記微量注入ポンプ１３０は制御モジュール１４０の命令を受信することにより前記アブレーションカテーテル１１０に他の液体を注入することもできる。アブレーション組織の導電性と熱伝導性を向上させ、インピーダンスのバランスを維持し、抵抗が安定状態になっていることを維持し、アブレーション組織の温度を低減し、アブレーション組織の湿度を増加させ、アブレーション組織が乾燥昇温することによりクラストが形成されることと人体に副作用を与えることを有効に避けることができるものであればいずれでもよい。
【０５１８】
本実施例において、前記制御モジュール１４０は、高周波信号形成装置１００、センサーモジュール１２０および微量注入ポンプ１３０に連結される。具体的に、前記制御モジュール１４０は前記高周波信号形成装置１００が高周波信号を形成することを制御する。前記制御モジュール１４０は、センサーモジュール１２０が検出した抵抗情報と温度情報を受信し、前記抵抗情報により前記微量注入ポンプ１３０が前記アブレーションカテーテル１１０に生理食塩水を注入することを制御する。本実施例において、抵抗センサーにより抵抗が迅速に増加することを検出すると、アブレーションカテーテル１１０の電極付近の組織が乾燥、炭化することによりクラストが形成されることを意味する。そのとき、制御モジュール１４０は、抵抗センサーの抵抗情報を受信した後、微量注入ポンプ１３０が生理食塩水の注入量を増加させるように制御する。本実施例において、制御モジュール１４０は前記温度情報で生理食塩水の注入が順調に実施されているかを判断することによりアブレーションの状況を検出する。他の実施例において、前記制御モジュール１４０は、複数個のセンサーが送信するデータによりアブレーションの状況を綜合的に判断し、予め設定される所定の条件を満たすとき、微量注入ポンプ１３０、高周波信号形成装置１００等の装置を調節することによりアブレーションが順調に実施されることを確保することができる。前記予め設定される所定の条件は前記肺部高周波アブレーションシステムが作動するときの実際の状況とセンサーの設定情報により決定することができる。他の実施例において、前記抵抗情報はシステムが採集してえた電圧電流数値により獲得するものであることができる。具体的に、電圧電流測定装置により電圧電流値をリアルタイムに獲得した後、それを前記制御モジュール１４０に送信し、前記制御モジュール１４０はリアルタイムに獲得した前記電圧電流値を計算することにより抵抗を獲得することができる。
【０５１９】
電極基板と前記高周波信号形成装置が接続されることにより人体とアブレーションカテーテル内の電極との間に回路が形成される。
【０５２０】
電極基板を患者の適当な部位に接着させ、アブレーションをするとき、人体と電極基板との間に作業用回路（すなわち前記電極が位置している位置の回路）が形成される。高周波電流は人体と電極基板との間の人体の組織に影響を与えるので、電極と接触する病巣部位は、凝固、変性、壊死することができる。電極基板はアブレーションの分野において常用する部品であるので、図面にはそれが示されていない。
【０５２１】
本実施例において、前記肺部高周波アブレーションシステムが作動し始めるとき、前記制御モジュール１４０は前記微量注入ポンプ１３０が前記アブレーションカテーテル１１０に生理食塩水を注入するように制御する。制御モジュール１４０は、抵抗センサーから送信された抵抗が迅速に増加する情報を受信する場合、前記微量注入ポンプ１３０が生理食塩水の注入量を更に増加させるように制御する。他の実施例において、前記肺部高周波アブレーションシステムが作動し始めるとき、前記微量注入ポンプ１３０は前記アブレーションカテーテル１１０に生理食塩水を注入せず、制御モジュール１４０は、抵抗センサーから送信された抵抗が迅速に増加する情報を受信する場合のみ、前記微量注入ポンプ１３０が前記アブレーションカテーテル１１０に生理食塩水を注入するように制御することもできる。
【０５２２】
図２５、図２６を参照すると、本発明の他の実施例において肺部高周波アブレーション方法を更に提供する。その肺部高周波アブレーション方法は、前記実施例の部品、装置またはシステムにより実施することができる。
【０５２３】
肺部高周波アブレーション方法は、
高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信するステップと、
アブレーションカテーテルとアブレーション組織が接触する位置の抵抗情報と温度情報を獲得するステップと、
前記抵抗情報により微量注入ポンプがアブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御するステップとを含む。
【０５２４】
肺部高周波アブレーション方法の具体的な流れと技術的事項は下記肺部高周波アブレーションの制御方法を参照することができる。
【０５２５】
図２５、図２６を参照すると、本発明の他の実施例において肺部高周波アブレーションの温度と抵抗検出方法を更に提供する。肺部高周波アブレーションの温度と抵抗検出方法は前記実施例に係る部品、装置またはシステムにより実施されることができる。
【０５２６】
肺部高周波アブレーションの温度と抵抗検出方法は、
高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信するステップと、
アブレーションカテーテルとアブレーション組織が接触する位置の抵抗情報と温度情報を獲得するステップと、
前記抵抗情報により微量注入ポンプがアブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御するステップとを含む。
【０５２７】
肺部高周波アブレーションの温度と抵抗検出方法の具体的な流れと技術的事項は下記肺部高周波アブレーションの制御方法を参照することができる。
【０５２８】
図２５を参照すると、図２５は本発明の実施例に係る肺部高周波アブレーションの制御方法を示す図である。
【０５２９】
本実施例において、前記肺部高周波アブレーションの制御方法は下記ステップを含む。
ステップＳ３００において、高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信する。
【０５３０】
具体的に、前記制御モジュールは、高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号を前記アブレーションカテーテルに送信する。前記アブレーションカテーテルは、穿刺によりアブレーション組織に挿入された後、前記高周波信号をアブレーション組織に送信する。回路において前記高周波信号は熱エネルギーに変換されるとともにアブレーション組織に影響を与えるので、高周波アブレーションカテーテルの遠端の電極と接触する腫瘤細胞は凝固、変性、壊死することができる。
【０５３１】
ステップＳ３１０において、アブレーションカテーテルとアブレーション組織が接触する位置の抵抗情報と温度情報を獲得する。
【０５３２】
具体的に、アブレーションをするとき形成される熱により人体の組織の温度が上昇するので、アブレーションカテーテルの付近の人体の組織が乾燥、炭化することにより「クラスト」が形成され、電極と「クラスト」との間の抵抗が迅速に増加するおそれがある。それによりアブレーションが停止し、アブレーションを充分にすることができないおそれがある。そのとき、抵抗センサーは、抵抗が迅速に増加することを検出し、その抵抗情報を前記制御モジュールに送信する。温度検出装置は温度情報を前記制御モジュールに送信する。
【０５３３】
他の実施例において、前記抵抗情報はシステムが採集してえた電圧電流数値により獲得するものであることができる。具体的に、電圧電流測定装置により電圧電流値をリアルタイムに獲得した後、それを前記制御モジュールに送信し、前記制御モジュールがリアルタイムに獲得した前記電圧電流値を計算することにより抵抗を獲得することができる。
【０５３４】
ステップＳ３２０において、前記抵抗情報により微量注入ポンプがアブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御する。
【０５３５】
具体的に、制御モジュールは、抵抗センサーから送信された抵抗が迅速に増加する情報を受信する場合、前記微量注入ポンプが生理食塩水の注入量を更に増加させるように制御する。前記アブレーションカテーテルに注入される生理食塩水はアブレーションカテーテルに形成される液体流出孔によりアブレーション組織内に注入されるので、組織の導電性と熱伝導性を向上させ、インピーダンスのバランスを維持し、抵抗が安定な状態になっていることを維持することができる。また、アブレーション組織の温度を低減し、アブレーション組織の湿度を増加させ、アブレーション組織が乾燥昇温することによりクラストが形成されることを避け、アブレーションをする過程において抵抗が一定の範囲になっていることを確保することができる。それにより高周波エネルギーを出力し続けることができるので、大きいアブレーション範囲を形成し、より大きく、より有効な凝固壊死部位を形成することができる。また、制御モジュールは温度センサーが送信する温度情報を更に受信する。アブレーションをする過程において、温度が一定の閾値を超えることを検出されると、制御モジュールは、生理食塩水の注入が順調に実施されていないと判断し、警報命令を送信することにより前記警報モジュールが警報情報を送信するように提示する。それによりアブレーションが順調に実施されることを確保することができる。
【０５３６】
図２６を参照すると、図２６は本発明の他の実施例に係る肺部高周波アブレーションの制御方法を示す図である。
【０５３７】
本実施例において、前記肺部高周波アブレーションの制御方法は下記ステップを含む。
ステップＳ４００において、高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信する。
【０５３８】
具体的に、前記制御モジュールは、高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号を前記アブレーションカテーテルに送信する。前記アブレーションカテーテルは、穿刺によりアブレーション組織に挿入された後、前記高周波信号をアブレーション組織に送信する。回路において前記高周波信号は熱エネルギーに変換されるとともにアブレーション組織に影響を与えるので、高周波アブレーションカテーテルの遠端の電極と接触する腫瘤細胞は凝固、変性、壊死することができる。
【０５３９】
ステップＳ４１０において、アブレーションカテーテルとアブレーション組織が接触する位置の抵抗情報を獲得する。
【０５４０】
具体的に、アブレーションをするとき形成される熱により人体の組織の温度が上昇するので、アブレーションカテーテルの付近の人体の組織が乾燥、炭化することにより「クラスト」が形成され、電極と「クラスト」との間の抵抗が迅速に増加するおそれがある。それによりアブレーションが停止し、アブレーションを充分にすることができないおそれがある。そのとき、抵抗センサーは、抵抗が迅速に増加することを検出し、その抵抗情報を前記制御モジュールに送信する。
【０５４１】
他の実施例において、前記抵抗情報はシステムが採集してえた電圧電流数値により獲得するものであることができる。具体的に、電圧電流測定装置により電圧電流値をリアルタイムに獲得した後、それを前記制御モジュールに送信し、前記制御モジュールはリアルタイムに獲得した前記電圧電流値を計算することにより抵抗を獲得することができる。
【０５４２】
ステップＳ４２０において、前記抵抗情報により微量注入ポンプがアブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御する。
【０５４３】
具体的に、前記制御モジュールは、抵抗センサーから送信された抵抗が迅速に増加する情報を受信する場合、微量注入ポンプが生理食塩水の注入量を更に増加させるように制御する。アブレーションカテーテルに注入される生理食塩水はアブレーションカテーテルに形成される液体流出孔によりアブレーション組織内に注入されるので、組織の導電性と熱伝導性を向上させ、インピーダンスのバランスを維持し、抵抗が安定な状態になっていることを維持することができる。また、アブレーション組織の温度を低減し、アブレーション組織の湿度を増加させ、アブレーション組織が乾燥昇温することによりクラストが形成されることを避け、アブレーションをする過程において抵抗が一定の範囲になっていることを確保することができる。それにより高周波エネルギーを出力し続けることができるので、大きいアブレーション範囲を形成し、より大きく、より有効な凝固壊死部位を形成することができる。
【０５４４】
本発明の実施例において、前記肺部高周波アブレーションシステムが作動するとき、前記制御モジュールは、前記高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号を前記アブレーションカテーテルに送信する。前記アブレーションカテーテルは、穿刺によりアブレーション組織に挿入された後、前記高周波信号をアブレーション組織に送信する。回路において前記高周波信号は熱エネルギーに変換されるとともにアブレーション組織に影響を与えるので、高周波アブレーションカテーテルの遠端の電極と接触する腫瘤細胞は凝固、変性、壊死することができる。アブレーションをするときに形成される熱により人体の組織の温度が上昇するので、アブレーションカテーテルの付近の人体の組織が乾燥、炭化することにより「クラスト」が形成され、電極と「クラスト」との間の抵抗が迅速に増加するおそれがある。それによりアブレーションが停止し、アブレーションを充分にすることができないおそれがある。そのとき、抵抗センサーは、抵抗が迅速に増加することを検出し、その抵抗情報を前記制御モジュールに送信する。前記制御モジュールは抵抗センサーからの抵抗情報を受信するか或いはリアルタイムに検出する電圧電流情報により抵抗を算出した後、微量注入ポンプが生理食塩水の注入量を増加させるように制御する。アブレーションカテーテルに注入される生理食塩水はアブレーションカテーテルに形成される液体流出孔によりアブレーション組織内に注入されるので、組織の導電性と熱伝導性を向上させ、インピーダンスのバランスを維持し、抵抗が安定な状態になっていることを維持することができる。また、アブレーション組織の温度を低減し、アブレーション組織の湿度を増加させ、アブレーション組織が乾燥昇温することによりクラストが形成されることを避け、アブレーションをする過程において抵抗が一定の範囲になっていることを確保することができる。それにより高周波エネルギーを出力し続けることができるので、大きいアブレーション範囲を形成し、より大きく、より有効な凝固壊死部位を形成することができる。また、前記制御モジュールは温度センサーが送信する温度情報を更に受信する。アブレーションをする過程において、温度が一定の閾値を超えることを検出されると、制御モジュールは、生理食塩水の注入が順調に実施されていないと判断し、警報命令を送信することにより前記警報モジュールが警報情報を送信するように提示する。それによりアブレーションが順調に実施されることを確保することができる。
【０５４５】
前記肺部高周波アブレーションシステムおよびその制御方法において、抵抗センサーによりアブレーション組織の抵抗の変化を検出するとき、抵抗が迅速に増加することを検出すると、電極付近のアブレーション組織が乾燥、炭化することによりクラストが形成されることを意味する。そのとき、アブレーション組織内に生理食塩水を注入するように制御することにより、アブレーション組織の温度を低減し、アブレーション組織の湿度を増加させ、アブレーション組織が乾燥昇温することによりクラストが形成されることを有効に避けることができる。また、生理食塩水は、組織の導電性と熱伝導性を向上させ、インピーダンスのバランスを維持し、抵抗が安定な状態になっていることを維持することができる。それらの結合によりアブレーションをする過程において抵抗が一定の範囲になっていることを確保することができる。それにより高周波エネルギーを出力し続けることができるので、大きいアブレーション範囲を形成し、より大きく、より有効な凝固壊死部位を形成することができる。
【０５４６】
前記実施例の各技術的特徴を任意に組み合わせることができる。説明を簡単にするため、前記実施例中の各技術的特徴を任意に組み合わせることができる各組合せを全部説明することができない。前記技術的特徴を組み合わせるとき、矛盾が生じない組合せであればいずれも本発明が保護しようとする範囲に含まれることは勿論である。
【０５４７】
以上、本発明の具体的な実施例を詳述してきたが、前記実施例は本発明の例示にしか過ぎないものであり、本発明は前記実施例の構成にのみ限定されるものではない。この技術分野の技術者は本発明の要旨を逸脱しない範囲内において設計の変更、改良等をすることができ、そのような設計の変更、改良等があっても本発明に含まれることは勿論である。本発明が保護しようとする範囲は特許請求の範囲が定めた範囲を基準とする。
【符号の説明】
【０５４８】
１  電極、１０１  食塩水連結管、１０２  第一装着孔、１０３  第二装着孔、１０４  第三装着孔、１０５  第四装着孔、１０６  食塩水孔、１０７  凹型区域、１１１  連結管、１１２  装着孔、１１３  装着孔、１１４  切っ先、１１５  幹線通路、１１６  支線通路、１１７  支線通路、１１８  支線通路、１１９  潤滑孔、２  カテーテル、３  保護管体、４  第一湾曲モジュール、４００  リング、４０１  滑動空間、４０２  連結頭部、４０３  位置決め突出部、５  第二湾曲モジュール、５００  線収納部、５０１  滑動管体、５０２  滑動溝、５０３  ネジ孔、５０４  凹型溝、６  食塩水コネクタ、７  アブレーション装置コネクタ、８  電極リング、９  サーミスター、９０  サーミスター電線、９１  温度制御ドライブパイプ、１０  牽引線、１１  スプリング管体、１２  食塩水通路、１３  牽引線固定ボルト、１４  端部カバー、１５  Ｏ型リング、１６  導線、１７  圧力センサー、１８  圧力センサー、１９  分岐チューブリベット、２０  潤滑カバー、２００  潤滑孔、２０１  潤滑孔、２０２  潤滑孔、２１  金属管、２２  温度センサー、２３  換熱媒体伝送管、２４  電極導線、２５  Ｙ型取っ手、２６  取っ手端部蓋、２７  コネクタ、２８  ルアーテーパー、２９  温度センサー、２１１  高周波アブレーションカテーテル、２１２  結合溝、２１３  第一貫通孔、２１４  導熱環状部、２１５  凹部、２１６  第二貫通孔、１００  高周波信号形成装置、１１０  アブレーションカテーテル、１２０  センサーモジュール、１３０  微量注入ポンプ、１４０  制御モジュール、１５０  警報モジュール
【図１】
2021536346.tif 000003
【図２】
2021536346.tif 000004
【図３】
2021536346.tif 000005
【図４】
2021536346.tif 000006
【図５】
2021536346.tif 000007
【図６ａ】
2021536346.tif 000008
【図６ｂ】
2021536346.tif 000009
【図７ａ】
2021536346.tif 000010
【図７ｂ】
2021536346.tif 000011
【図８】
2021536346.tif 000012
【図９】
2021536346.tif 000013
【図１０ａ】
2021536346.tif 000014
【図１０ｂ】
2021536346.tif 000015
【図１０ｃ】
2021536346.tif 000016
【図１０ｄ】
2021536346.tif 000017
【図１１】
2021536346.tif 000018
【図１２】
2021536346.tif 000019
【図１３】
2021536346.tif 000020
【図１４】
2021536346.tif 000021
【図１５】
2021536346.tif 000022
【図１６】
2021536346.tif 000023
【図１７】
2021536346.tif 000024
【図１８ａ】
2021536346.tif 000025
【図１８ｂ】
2021536346.tif 000026
【図１８ｃ】
2021536346.tif 000027
【図１８ｄ】
2021536346.tif 000028
【図１９ａ】
2021536346.tif 000029
【図１９ｂ】
2021536346.tif 000030
【図２０】
2021536346.tif 000031
【図２１】
2021536346.tif 000032
【図２２】
2021536346.tif 000033
【図２３】
2021536346.tif 000034
【図２４】
2021536346.tif 000035
【図２５】
2021536346.tif 000036
【図２６】
2021536346.tif 000037
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月28日(2021.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を含む高周波アブレーションカテーテルであって、前記電極には換熱媒体通路が形成され、前記電極上にはバランサーが設けられ、前記バランサー上には前記換熱媒体通路と連通している潤滑孔が形成され、前記換熱媒体通路から出力される換熱媒体は前記バランサーによって分配されて流出することを特徴とする高周波アブレーションカテーテル。
【請求項２】
前記潤滑孔が複数個であることにより前記電極の外部に均等な換熱媒体保護膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項３】
前記バランサーと前記電極は分離可能な構造に設けられ、前記電極の外壁には前記換熱媒体通路と連通する流出孔が形成され、前記バランサーは前記電極上に取り付けられかつ前記流出孔の外周に位置している潤滑カバーであり、前記潤滑孔は前記潤滑カバー上に形成され、前記潤滑孔から出力される換熱媒体は前記潤滑カバーにより分配されて流出することを特徴とする請求項２に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項４】
前記換熱媒体通路は幹線通路と幹線通路に連通している複数の支線通路を含み、各幹線通路の末端は電極の外表面まで延伸することを特徴とする請求項１に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項５】
前記潤滑カバーは、円周方向が密閉される円筒状構造であり、電極の外周に取り付けられることを特徴とする請求項３に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項６】
前記潤滑カバーの少なくとも一部分は潤滑孔が形成される浸透区域であり、前記流出孔が形成されている前記電極の部位は前記浸透区域と対応し、前記流出孔が形成されている前記電極の部位と前記浸透区域の内壁との間には隙間が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項７】
前記潤滑孔と前記流出孔はずれるように配置されることを特徴とする請求項６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項８】
前記電極の外壁には凹型区域が形成され、前記流出孔は前記凹型区域に形成され、前記浸透区域は前記凹型区域の外周に位置し、前記潤滑カバーの内壁と前記凹型区域の表面との間には隙間が形成されることを特徴とする請求項６に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項９】
前記流出孔は拡張形状に形成され、拡張区域は前記凹型区域になり、潤滑カバーの内壁と凹型区域の表面との間の隙間は流出孔までの距離が増加することにより小さくなることを特徴とする請求項８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１０】
潤滑カバーの内壁と凹型区域との間の隙間は流出孔までの距離が増加することにより増加することを特徴とする請求項８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１１】
凹型区域は１個であるか或いは互いに離れている複数個であり、同一の凹型区域には１個の流出孔が形成され、同一の凹型区域において、潤滑カバーの内壁と凹型区域との間の隙間は前記凹型区域内の流出孔までの距離が増加することにより増加することを特徴とする請求項１０に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１２】
前記凹型区域は電極の軸方向に延伸する分布溝で構成され、前記流出孔は電極の円周方向において複数組に分けられ、一組の流出孔は同一の分布溝に形成されることを特徴とする請求項８に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１３】
１つの分布溝の底部には１個の前記流出孔が形成され、前記分布溝の深度は前記流出孔までの距離が増加することにより増加することを特徴とする請求項１２に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１４】
前記潤滑孔の内径は流出孔までの距離が増加することにより増加することを特徴とする請求項３に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１５】
前記高周波アブレーションカテーテルの遠端に隣接している部位には複数個の温度検出装置が軸方向に沿って順に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波アブレーションカテーテル。
【請求項１６】
請求項１〜１５のうちいずれか一項に記載の高周波アブレーションカテーテルと、
前記高周波アブレーションカテーテルの電極の周辺部位に換熱媒体を供給する換熱媒体伝送装置と、
前記高周波アブレーションカテーテルの電極が位置している回路の抵抗情報により前記換熱媒体伝送装置を駆動する制御モジュールとを含むことを特徴とする肺部高周波アブレーションシステム。
【請求項１７】
前記肺部高周波アブレーションシステムは電極の周辺部位の温度状況を検出する温度検出装置を更に含み、前記制御モジュールは前記温度状況によりアブレーションの進度を表すか或いは制御することにも用いられることを特徴とする請求項１６に記載の肺部高周波アブレーションシステム。
【請求項１８】
前記温度検出装置の数量は１個または複数個であり、少なくとも１つの温度検出装置の位置から電極までの距離は０．５〜３ｃｍであることを特徴とする請求項１７に記載の肺部高周波アブレーションシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
本発明の実施例において、前記電極内には電極とアブレーション組織が当接するとき圧力の変化を検出する圧力センサーが更に設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
前記高周波アブレーションカテーテルの電極上にはバランサーが取り付けられている。アブレーションをするとき、前記バランサーは換熱媒体を外部に出力し、電極の表面とアブレーション組織との間に換熱媒体を注入することにより、回路中の抵抗を低減し、インピーダンスのバランスを維持することができる。それによりアブレーションを実施し続け、アブレーションを所定のサイズまで増加させ、より大きく、より有効な凝固壊死部位を形成することができる。また、換熱媒体は電極とアブレーション組織が接触する個所がクラストによって接着されることを避けこともできる。換熱媒体により電極の外部に一層の保護膜が形成され、電極を潤滑状態にすることができる。したがって、少量の換熱媒体によりインピーダンスのバランスを維持し、過量の換熱媒体が肺部に残されることを避けることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
本発明は高周波アブレーションの温度検出装置を更に提供し、その高周波アブレーションの温度検出装置は記憶装置と処理装置を含み、前記記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶されており、前記処理装置がコンピュータプログラムを実行することにより前記高周波アブレーションの温度検出方法中のステップを実施する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
本発明は高周波アブレーションの抵抗検出検出装置を更に提供する。その高周波アブレーションの抵抗検出装置は記憶装置と処理装置を含み、前記記憶装置にはコンピュータプログラムが記憶されている。前記処理装置がコンピュータプログラムを実行することにより前記肺部高周波アブレーションの抵抗検出方法中のステップを実施する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
【図１】高周波アブレーションカテーテルの全体を示す構造図である。
【図２】挿入部分の断面を示す図である。
【図３】挿入部分の他の断面を示す図である。
【図４】取っ手部分の断面を示す図である。
【図５】取っ手部分の他の断面を示す図である。
【図６ａ】第一湾曲モジュールの外部を示す構造図である。
【図６ｂ】図６ａのＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図７ａ】第二湾曲モジュールの外部を示す構造図である。
【図７ｂ】図７ａのＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図８】電極（潤滑カバーと電極が一体に形成される構造）を示す構造図である。
【図９】電極（潤滑カバーと電極が一体に形成される構造）を示す構造図である。
【図１０ａ】図９の断面を示す断面図である。
【図１０ｂ】電極の局部を示す断面図である。
【図１０ｃ】電極の局部を示す断面図である。
【図１０ｄ】電極の局部を示す断面図である。
【図１１】高周波アブレーションカテーテル全体を示す構造図である。
【図１２】図１１の局部を示す拡大図である。
【図１３】図１１の断面を示す断面図である。
【図１４】電極（潤滑カバーと電極が一体に形成される構造）を示す構造図である。
【図１５】図１４の電極を他の角度で観察することを示す図である。
【図１６】図１５のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１７】図１４の電極を他の角度で観察することを示す図である。
【図１８ａ】アブレーションをするとき電極周辺の温度変化を示す図である。
【図１８ｂ】高周波アブレーションカテーテルにおいて温度検出装置が取り付けられる部位を示す図である。
【図１８ｃ】図１８ｂ中の導熱環状部以外の構造を示す図である。
【図１８ｄ】導熱環状部を示す断面図である。
【図１９ａ】高周波アブレーションの制御方法を示す流れ図である。
【図１９ｂ】高周波アブレーションをするとき病巣部位の温度を示す図である。
【図２０】コンピュータのハードウェアの構造を示す図である。
【図２１】肺部高周波アブレーションの制御方法を示す流れ図である。
【図２２】肺部高周波アブレーションの制御方法を示す流れ図である。
【図２３】肺部高周波アブレーションシステムを示す図である。
【図２４】他の肺部高周波アブレーションシステムを示す図である。
【図２５】肺部高周波アブレーションの制御方法を示す図である。
【図２６】他の肺部高周波アブレーションの制御方法を示す図である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２１】
本発明の実施例において、潤滑カバー２０は帽子形状に形成され、帽子形状の遠端は電極の遠端端部を覆う。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４５】
潤滑カバー２０が円筒型である場合、突出部の頂部は円弧面であり、その曲率は潤滑カバー２０により決められる。それにより、良好な支持を獲得し、潤滑カバー２０の局部が変形することを減少させることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４８】
多孔材料を電極１の局部に取り付けるか或いは多孔材料を円筒状、帽子形状に形成した後それを電極１上に取り付けることにより少なくとも所定の部位に形成されている食塩水孔を覆うことができる。多孔材料として従来の材料例えばフォームメタル（foamed  metal）等を採用することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７５】
牽引線１０がカテーテル２の内部からカテーテル２の外部まで延伸することは、カテーテル２の内部からカテーテル２の近端側へ延伸しかつカテーテル２の近端から露出することを意味するか或いは、カテーテル２の近端に近づいている部位からカテーテル２の直径方向にカテーテル２の壁部を貫通しかつカテーテル２の近端から露出することを意味することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３０６】
複数個の温度検出装置で電極１の周辺の温度を検出することができる。アブレーションをする過程において電極は中心になり、電極の周辺の温度は階段式に変化する。すなわちアブレーション区域の温度を獲得する（リアルタイムに検出する）ことにより細胞の辺縁部のアブレーションの状況を獲得することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３３９】
第一温度検出装置は電極１の遠端端部に位置し、
第二温度検出装置は電極１、カテーテル２または金属管２１の外壁に環状に固定され、かつ第一温度検出装置の近端に位置し、
第三温度検出装置は電極１、カテーテル２または金属管２１の外壁に環状に固定され、かつ第二温度検出装置の近端に位置する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４６３】
前の周期の制御指令は第一制御指令であるか或いは第二制御指令であることができる。異なるタイプの制御指令により次の周期において異なる判断方法を用いることができる。例えば、
本実施例において、前の周期において第一制御指令を形成して出力し、次の周期において採集される抵抗情報と閾値を比較する前、採集される抵抗情報と前の周期の抵抗情報を比較することにより抵抗情報の変化趨勢を判断し、
抵抗情報の変換趨勢が上昇する趨勢である場合、換熱媒体の流量を調節する度合を増加させ、
抵抗情報の変換趨勢が下降する趨勢である場合、現在の採集周期の抵抗情報と閾値の下限を比較する。
【国際調査報告】
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