(57)【要約】  本発明は、表示パネル及びその製造方法を提供し、前記表示パネルはベース基板及び薄膜封止層を含み、薄膜封止層は第１無機層、有機層及び積層膜層を含み、前記表示パネルの製造方法はベース基板提供ステップ及び薄膜封止層製造ステップを含み、前記薄膜封止層製造ステップは第１無機層製造工程、積層膜層製造工程、有機層製造工程及び第２無機層製造工程を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板側の表面に設けられている薄膜封止層であって、
前記ベース基板側の表面に設けられている第１無機層と、
前記第１無機層の前記ベース基板から遠い側の表面に設けられて、パターニング表面を含む有機層と、
前記有機層の前記第１無機層から遠い側の表面に設けられている第２無機層と、
前記有機層と前記第１無機層との間に設けられるか、又は前記有機層と前記第２無機層との間に設けられている積層膜層と、を含む薄膜封止層とを含み、
それぞれの積層膜層は、
前記第１無機層又は前記第２無機層に設けられている緻密膜層と、
一側面が前記緻密膜層に貼着され、他側面が前記有機層に貼着される遷移層と、を含む、表示パネル。
【請求項２】
前記有機層は、前記パターニング表面から突出する２つ以上の凸部を含む、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記パターニング表面は、前記積層膜層と接触するか、又は前記第２無機層と接触する、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記緻密膜層の材質は、酸化アルミニウム及び／又は酸化チタンを含む、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記遷移層の材質は、シリコン酸化物及び／又は窒化酸化シリコンを含む、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記緻密膜層の厚さが２００ｎｍ未満であり、
前記遷移層の厚さが１５０ｎｍ未満であって、屈折率が１．６よりも大きい、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項７】
ベース基板を提供するベース基板提供ステップと、
前記ベース基板の上面に薄膜封止層を製造する薄膜封止層製造ステップと、を含み、
前記薄膜封止層製造ステップは、
前記ベース基板の上面に第１無機層を製造する第１無機層製造工程と、
前記第１無機層の上面に積層膜層を製造する積層膜層製造工程と、
前記積層膜層の上面に有機層を製造して、前記有機層の表面をパターン加工する有機層製造工程と、
前記有機層の上面に第２無機層を製造する第２無機層製造工程と、を含む、表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記積層膜層製造工程は、
原子層堆積法により前記第１無機層の上面に緻密膜層を堆積する緻密膜層製造工程と、
化学気相成長法により前記緻密膜層の上面に遷移層を堆積する遷移層製造工程と、を含み、
前記有機層製造工程において、
前記遷移層の上面に有機層を堆積して、前記有機層の表面をパターン加工する、請求項７に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項９】
ベース基板を提供するベース基板提供ステップと、
前記ベース基板の上面に薄膜封止層を製造する薄膜封止層製造ステップと、を含み、
前記薄膜封止層製造ステップは、
前記ベース基板の上面に第１無機層を製造する第１無機層製造工程と、
前記第１無機層の上面に有機層を製造して、前記有機層の表面をパターン加工する有機層製造工程と、
前記有機層の上面に積層膜層を製造する積層膜層製造工程と、
前記有機層の上面に第２無機層を製造する第２無機層製造工程と、を含む、表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記積層膜層製造工程は、
化学気相成長法により前記第１無機層の上面に遷移層を堆積する遷移層製造工程と、
原子層堆積法により前記遷移層の上面に緻密膜層を堆積する緻密膜層製造工程と、を含み、
前記第２無機層製造工程において、前記積層膜層の上面に第２無機層を堆積する、請求項９に記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示分野に関し、特に表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示パネルは、従来のＬＣＤに比べて軽量、広視野角、応答速度が速く、耐低温、発光効率が高い等の利点を有する。したがって、表示業界において、次世代の新たな表示技術として認識されており、特にＯＬＥＤは、フレキシブル基板上に屈曲可能なフレキシブルデバイスを形成することができ、これは、ＯＬＥＤに特有の大きな利点である。ＯＬＥＤのこの利点（フレキシブルディスプレイ）を達成するために、薄膜封止（ＴＦＥ）技術は必要不可欠な核心技術である。
【０００３】
表示パネルの致命的なキラーは、外部環境に存在する水分及び酸素である。外部からの水分及び酸素の侵入経路は、ＴＦＥ成膜を上部から下部に直接透過して表示パネル内部に侵入する経路と、ＴＦＥ成膜の側面から水分及び酸素が侵入してＯＬＥＤを侵食する経路とに分けられる。
【０００４】
一般的な表示パネルはガラス基板、アレイ基板、発光層、薄膜封止層を含む。薄膜封止層は、第１無機層、有機層及び第２無機層を含む、サンドイッチ成膜構造であり、現在の業界でよく見られるＴＦＥ成膜構造である。このサンドイッチ成膜構造の水蒸気透過率（ｗａｔｅｒ  ｖａｐｏｒ  ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｒａｔｅ，ＷＶＴＲ）は、業界内で＜５Ｅ−４ｇ／ｍ２／ｄａｙとすることができる。主として第１無機層及び第２無機層により、表示パネル内部の有機層への外部からの水分及び酸素の侵入を遮断する。有機層の膜質がポーラスであるため、水分及び酸素を遮断する能力を何ら有しない。したがって、表示パネルの水分及び酸素遮断効果が劣ることになる。
【０００５】
従来技術において、薄膜封止構造は酸化アルミニウム層とＰＰ層とを用いて積層膜層を形成し、この積層膜層は理論上に優れた水分及び酸素遮断性を有するが、実際の生産工程において、製造工程における不可避的な異物を効率的に包み込むことができず、実際の水分及び酸素遮断効果が悪いこととなる。
【０００６】
米国特許出願公開第２０１５／００２１５６５号明細書、米国特許出願公開第２０１５／００４８３３１号明細書では、薄膜封止層の構成は、第１無機層／第１有機層／第２無機層／第２有機層／第３無機層を含み、第１無機層は酸化アルミニウムである。このような薄膜封止層の構成の主な欠点は、無機層と有機層とを重ねた構造が厚すぎて耐折り曲げ特性が相対的に悪く、膜層の応力が大きすぎ、表示パネルの下部の発光膜層を引っかけてしまう可能性もあり、フレキシブル表示パネルの長期的な開発に不利である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１５／００２１５６５号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１５／００４８３３１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、従来技術に存在する水分及び酸素遮断性に劣り、フレキシブル性に劣り、表示パネルの光学性能に影響を及ぼすという技術的課題を解決するために、表示パネル及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明は、ベース基板及び薄膜封止層を含み、前記薄膜封止層が第１無機層、有機層、第２無機層及び積層膜層を含み、前記第１無機層が前記ベース基板側の表面に設けられており、前記有機層が、前記第１無機層の前記ベース基板から遠い側の表面に設けられて、パターニング表面を含み、前記第２無機層が前記有機層の前記第１無機層から遠い側の表面に設けられており、前記積層膜層は、前記有機層と前記第１無機層との間に設けられるか、又は前記有機層と前記第２無機層との間に設けられ、それぞれの積層膜層が緻密膜層及び遷移層を含み、前記緻密膜層が前記第１無機層又は前記第２無機層に貼着され、前記遷移層は、一側面が前記緻密膜層に貼着され、他側面が前記有機層に貼着される表示パネルを提供している。
【００１０】
さらに、前記有機層は、前記パターニング表面から突出する２つ以上の凸部を含む。
【００１１】
さらに、パターニング表面は、前記積層膜層と接触するか、又は前記第２無機層と接触する。
【００１２】
さらに、前記緻密膜層の材質は、酸化アルミニウム及び／又は酸化チタンを含む。
【００１３】
さらに、前記遷移層の材質は、シリコン酸化物及び／又は窒化酸化シリコンを含む。
【００１４】
さらに、前記緻密膜層の厚さは２００ｎｍ未満であり、前記遷移層の厚さが１５０ｎｍ未満であって、屈折率が１．６よりも大きい。
【００１５】
上記の目的を達成するために、本発明は、ベース基板を提供するベース基板提供ステップと、前記ベース基板の上面に薄膜封止層を製造する薄膜封止層製造ステップであって、前記ベース基板の上面に第１無機層を製造する第１無機層製造工程と、前記第１無機層の上面に積層膜層を製造する積層膜層製造工程と、前記積層膜層の上面に有機層を製造して、前記有機層の表面をパターン加工する有機層製造工程と、前記有機層の上面に第２無機層を製造する第２無機層製造工程と、を含む薄膜封止層製造ステップと、を含む表示パネルの製造方法をさらに提供している。
【００１６】
さらに、前記積層膜層製造工程は、原子層堆積法により前記第１無機層の上面に緻密膜層を堆積する緻密膜層製造工程と、前記緻密膜層の上面に化学気相蒸着法により遷移層を堆積する遷移層製造工程とを含み、前記有機層製造工程において、前記遷移層の上面に有機層を堆積して、前記有機層の表面をパターン加工する。
【００１７】
上記の目的を達成するために、本発明は、ベース基板を提供するベース基板提供ステップと、前記ベース基板の上面に薄膜封止層を製造する薄膜封止層製造ステップであって、前記ベース基板の上面に第１無機層を製造する第１無機層製造工程と、前記無機層の上面に有機層を製造して、前記有機層の表面をパターン加工する有機層製造工程と、前記有機層の上面に積層膜層を製造する積層膜層製造工程と、前記有機層の上面に第２無機層を製造する第２無機層製造工程と、を含む薄膜封止層製造ステップと、を含む表示パネルの製造方法をさらに提供している。
【００１８】
さらに、前記積層膜層製造工程は、前記第１無機層の上面に化学気相蒸着法により遷移層を堆積する遷移層製造工程と、原子層堆積法により前記遷移層の上面に緻密膜層を堆積する緻密膜層製造工程と、を含み、前記第２無機層製造工程において、前記積層膜層の上面に第２無機層を堆積する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の技術的効果は、表示パネル及びその製造法を提供することにあり、有機層にパターニング表面を設けることにより、パターニング表面の膜層の応力緩和能力を高め、薄膜封止層の表示パネルの折り曲げにおいて破断するリスクを低減することで、薄膜封止層の信頼性を向上させて、表示パネルの光学性能を向上させる一方、隣接する有機層と無機層との間に積層膜層を設けることで、隣接する各層間の粘着力を向上させ、薄膜封止層の水分及び酸素遮断性を向上させることで、薄膜封止層の信頼性をさらに向上させる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、実施例１によるＯＬＥＤ表示デバイスの構造概略図その１である。
【図２】図２は、実施例１によるＯＬＥＤ表示デバイスの構造概略図その２である。
【図３】図３は、実施例１による表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図４】図４は、実施例１による薄膜封止層製造ステップのフローチャートである。
【図５】図５は、実施例１による薄膜封止層製造ステップの光学透過率を示すグラフである。
【図６】図６は、実施例１による薄膜封止層の発光スペクトルを示すグラフである。
【図７】図７は、実施例２による薄膜封止層の構造概略図である。
【図８】図８は、実施例２による薄膜封止層製造ステップのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の好ましい実施例について添付図面を参照して紹介するが、例を挙げることによって本発明の実施可能性を証明し、これらの実施例は当業者に本発明の技術的内容を完全に紹介することができ、本発明の技術的内容をより明確で、容易に理解させる。しかしながら、本発明は、多くの異なる形態の実施例によって具現化されてもよく、本発明の保護範囲は、本明細書に言及される実施例に限定されるものではない。
【００２２】
（実施例１）
図１に示すように、本実施例は、ベース基板１と、前記ベース基板１の上面に設けられた薄膜封止層２とを含む表示パネルを提供している。
【００２３】
図２に示すように、ベース基板１は、ガラス基板１０１と、ＰＩ基板１０２と、薄膜トランジスタと、画素定義層１０３と、発光層１０４とを含む。
【００２４】
ガラス基板１０１は、従来技術におけるガラス基板である。ＰＩ基板１０２は、主にポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，ＰＩ）を材料とするフレキシブル基板であり、光透過度を効果的に向上させることができる。それぞれの薄膜トランジスタは、活性層２０１（Ｐ型ドープ）、多結晶シリコン層２０２、誘電体層２０３、ソースドレイン電極２０４、ゲート電極２０５、絶縁層２０６、平坦化層２０７、アノード電極２０８を含む。具体的には、活性層２０１には、Ｐ型不純物又はＮ型不純物がドーピングされて、ソースドレイン電極２０４に接続されたＭＯＳトランジスタのソースドレイン電極の接続領域を形成するためのドープ領域２０１１が設けられている。多結晶シリコン層２０２は、ＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成する接続領域であり、ゲート電極２０５に接続される。誘電体層２０３は、ソースドレイン電極２０４とゲート電極２０５とを絶縁し、両電極間の接触により、短絡現象の発生を防止する。絶縁層２０６は、活性層２０１、誘電体層２０３、ゲート電極層２０５の上面に設けられて、ソースドレイン電極２０４を貫通する。平坦化層２０７は、ソースドレイン電極２０４、絶縁層２０６の上面に設けられている。アノード電極２０８は、平坦化層２０７の上面に設けられている。平坦化層２０７は、一般的にポリメチルメタクリレート又はナノ粒子複合材で製造され、耐熱性に優れている。画素定義層１０３は、平坦化層２０７の上面に設けられている。発光層１０４は、画素定義層１０３の上面に設けられており、発光層１０４内にカソード電極（図示せず）が設けられている。発光層１０４は、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層を含むことで、ＱＬＥＤデバイスは安定性がよく、色純度が高く、色温度が良く、寿命が長いという特徴を有する。
【００２５】
図２に示すように、薄膜封止層２は、第１無機層２１０、有機層２１２、及び第２無機層２１３を含む。第１無機層２１０がベース基板１の上面に設けられ、有機層２１２が第１無機層２１０の上方に設けられ、第２無機層２１３が有機層２１２の上面に設けられている。第１無機層２１０と有機層２１２との間に積層膜層２１１が設けられている。
【００２６】
それぞれの積層膜層２１１は、緻密膜層２１１１と、遷移層（ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ）２１１２とを含む。具体的に、前記薄膜封止層は、下から順に、第１無機層２１０、緻密膜層２１１１、遷移層２１１２、有機層２１２、及び第２無機層２１３を含む。
【００２７】
第１無機層２１０は、前記ベース基板の上面に化学気相成長（ＣＶＤ）、物理気相成長（ＰＶＤ）等の方法により形成される。その厚さが２μｍ未満であり、材質が窒化シリコン（ＳｉＮ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＯＮ）、一酸化珪素（ＳｉＯ）等の無機化合物であってもよい。第１無機層２１０は、外部から侵入する水分及び酸素を遮断するとともに、表示パネルの光学性能を向上させることができる。
【００２８】
緻密膜層２１１１は、原子層堆積法によって第１無機層２１０の上面に形成される。緻密膜層２１１１の材質が、酸化アルミニウム、酸化チタンの１種又は２種を含むが、他の材質に限定されない。緻密膜層２１１１の厚さが２００ｎｍ未満であり、屈折率が１．６よりも大きく、水分及び酸素遮断性に優れ、光透過率が極めて高い。緻密膜層２１１１の光透過率が９９％よりも大きく、波長が４００〜８００ｎｍの範囲である。本実施例において、緻密膜層２１１１の屈折率が第１無機層２１０の屈折率よりも大きく、第１無機層２１０の膜質の欠陥を効率的に充填することができ、薄膜封止層の水分及び酸素遮断効果を効果的に高めることができる。本実施例において、緻密膜層２１１１の厚さが好ましくは８０ｎｍ、９５ｎｍ、１００ｎｍであるが、薄膜封止層の水分及び酸素遮断効果を効果的に高めることができれば、他の厚さに限定されない。
【００２９】
遷移層２１１２は、化学気相成長法によって緻密膜層２１１１の上面に貼着される。厚さが１５０ｎｍ未満であり、材質がケイ素酸化物、窒化酸化シリコンの１種又は２種を含むが、他の材質に限定されない。遷移層２１１２は、撥水効果を有し、膜層間の力学的性能を改善することにより、膜層間の粘着力を向上させることができる。
【００３０】
有機層２１２は、堆積法によって遷移層２１１２の上面に貼着される。有機層２１２は、Ｚ字状、Ｓ字状、円弧状に分布する複数の凸部２００を含むパターニング表面を含み、応力の緩和能力を向上させることで、表示パネルの光学性能を向上させることができる。本実施例において、前記凸部の形状については、表示パネルの光学性能を向上させることができるものであれば、限定しないが、当業者が実際の要求に応じて設定することができる。
【００３１】
有機層２１２の材質が、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、アルコーン（Ａｌｕｃｏｎｅ）、エポキシ樹脂、アクリル系、ケイ素含有有機物であっても良い。したがって、有機層２１２は堆積工程で発生した異物を包み、膜層間に発生する応力を緩和し、表示パネルの折り曲げるにおいて破断するリスクを低減させ、表示パネルパッケージのフレキシブル性及び光学性能を向上させることができる。
【００３２】
さらに、本実施例は、緻密膜層２１１１と有機層２１２との間に遷移層２１１２を設けることで、緻密膜層２１１１と有機層２１２との粘着力を向上させることができ、薄膜封止層の水分及び酸素遮断性を向上させ、薄膜封止層の信頼性をさらに向上させることができる。
【００３３】
第２無機層２１３は、有機層２１２の上面に化学気相成長（ＣＶＤ）、物理気相成長（ＰＶＤ）等の方法により形成され、即ち前記パターニング表面に貼着される。第２無機層２１３は、厚さが２μｍ未満であり、材質が窒化シリコン（ＳｉＮ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＯＮ）、一酸化珪素（ＳｉＯ）等の無機化合物であってもよく、第２無機層２１３は、水分及び酸素を遮断する役割を果たす。また、有機層２１２は、パターニング表面を含むので、第２無機層２１３と有機層２１２との接触面積を増大させて、水分及び酸素を効果的に遮断することができる一方で、第２無機層２１３と有機層２１２との粘着力を向上させ、膜層間の応力を緩和し、薄膜封止層のフレキシブル性を高め、表示パネルの光学性能を向上させる。
【００３４】
図３に示すように、本実施例は、ステップＳ１〜Ｓ２を含む表示パネルの製造方法をさらに提供している。Ｓ１ベース基板提供ステップ：ベース基板を提供する。Ｓ２薄膜封止層製造ステップ：前記ベース基板の上面に薄膜封止層を製造する。
【００３５】
図４に示すように、前記薄膜封止層製造ステップは、次の工程Ｓ１１〜Ｓ１５を含む。
【００３６】
Ｓ１１第１無機層製造工程：ベース基板の上面に第１無機層を製造する。具体的には、化学気相成長（ＣＶＤ）法、物理気相成長（ＰＶＤ）法等により第１無機層を前記ベース基板上に堆積する。前記第１無機層は、厚さが２μｍ未満であり、材質が窒化シリコン（ＳｉＮ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＯＮ）、一酸化珪素（ＳｉＯ）等の無機化合物であってもよい。前記第１無機層は、外部から侵入する水分及び酸素を遮断するとともに、表示パネルの性能を向上させることができる。
【００３７】
Ｓ１２緻密膜層製造工程：原子層堆積法により前記第１無機層の上面に緻密膜層を製造する。
【００３８】
前記緻密膜層の材質は、酸化アルミニウム、酸化チタンの１種又は２種を含むが、他の材質に限定されない。前記緻密膜層の厚さが２００ｎｍ未満であり、屈折率が１．６よりも大きく、水分及び酸素遮断性に優れ、光透過率が極めて高い。前記緻密膜層２１１１の光透過率が９９％よりも大きく、波長が４００〜８００ｎｍの範囲である。前記緻密膜層の屈折率が前記第１無機層の屈折率よりも大きく、前記第１無機層の膜質の欠陥を効率的に充填することができ、薄膜封止層の水分及び酸素遮断効果を効果的に高めることができる。本実施例において、前記緻密膜層の厚さが好ましくは８０ｎｍ、９５ｎｍ、１００ｎｍであるが、薄膜封止層の水分及び酸素遮断効果を効果的に高めることができれば、他の厚さに限定されない。
【００３９】
Ｓ１３遷移層製造工程：化学気相成長法により前記緻密膜層の上面に遷移層を製造する。
【００４０】
前記遷移層の材質がケイ素酸化物、窒化酸化シリコンの１種又は２種を含むが、他の材質に限定されない。前記遷移層は、厚さが１５０ｎｍ未満であり、その材質が主に酸化シリコンであるが、他の材質に限定されるものではない。前記遷移層は、撥水効果を有し、膜層間の力学的性能を改善することにより、膜層間の粘着力を向上させることができる。
【００４１】
Ｓ１４有機層製造工程：前記積層膜層の上面に有機層を堆積する。
【００４２】
前記積層膜層の上面に、インクジェットプリンタ（ＩＪＰ）、化学気相成長（ＣＶＤ）又は蒸着等の方法により有機層を形成する。具体的には、前記有機層が前記遷移層の上面に形成され、マスクプレートにより前記有機層の表面をパターン加工することで、前記有機層の表面がパターニング表面となる。前記パターニング表面は、Ｚ字状、Ｓ字状、円弧状に分布する複数の連設される凸部を含み、応力の緩和能力を向上させることで、表示パネルの光学性能を向上させることができる。本実施例において、前記凸部の形状については、表示パネルの光学性能を向上させることができるものであれば、限定しないが、当業者が実際の要求に応じて設定することができる。
【００４３】
前記有機層の材質が、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、アルコーン（Ａｌｕｃｏｎｅ）、エポキシ樹脂、アクリル系、ケイ素含有有機物であっても良い。したがって、前記有機層は堆積工程で発生した異物を包み、膜層間に発生する応力を緩和し、表示パネルの折り曲げる時に破断するリスクを低減させて、表示パネルパッケージのフレキシブル性及び光学性能を向上させることができる。
【００４４】
Ｓ１５第２無機層製造工程：前記有機層の上面に第２無機層を堆積する。
【００４５】
化学気相成長（ＣＶＤ）法、物理気相成長（ＰＶＤ）法等により前記有機層の上面に第２無機層を堆積する。前記第２無機層は、厚さが２μｍ未満であり、材質が窒化シリコン（ＳｉＮ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＯＮ）、一酸化珪素（ＳｉＯ）等の無機化合物であってもよい。前記第２無機層は、外部から侵入する水分及び酸素を遮断するとともに、表示パネルの光学性能を向上させることができる。
【００４６】
図５に示すように、本実施例に係る第１薄膜封止層１０の光学透過率は、従来技術の第２薄膜封止層２０の光学透過率と比べて、本実施例の第１薄膜封止層１０の光学透過率の変動範囲が小さく、その光学透過率が著しく向上したことが明らかであり、薄膜封止層が良好な水分及び酸素遮断効果を有するようになり、表示パネルの封止効果が向上している。
【００４７】
図６に示すように、本実施例に係る第１薄膜封止層１０の発光スペクトルは、従来技術の第２薄膜封止層２０の発光スペクトルと比べて、第１薄膜封止層１０の発光効率が優れていることが明らかであり、本実施例において、有機層にパターニング表面を設けることにより、パターニング表面の膜層の応力緩和能力を向上させ、薄膜封止層の表示パネルの折り曲げにおいて破断するリスクを低減することで、薄膜封止層の信頼性を向上させ、表示パネルの光学性能を向上させる。
【００４８】
本実施例に係る表示パネル及びその製造方法は、有機層にパターニング表面を設けることにより、パターニング表面の膜層の応力緩和能力を高め、薄膜封止層の表示パネルの折り曲げにおいて破断するリスクを低減することで、薄膜封止層の信頼性を向上させて、表示パネルの光学性能を向上させる一方で、隣接する有機層と無機層との間に積層膜層を設けることで、隣接する各層間の粘着力を向上させ、薄膜封止層の水分及び酸素遮断性を向上させることで、薄膜封止層の信頼性をさらに向上させる。
【００４９】
（実施例２）
図７に示すように、本実施例は、実施例１に記載の表示パネルの技術的特徴の大部分を含み、実施例２の特徴は、第１無機層２１０と有機層２１２との間に代えて、第２無機層２１３と有機層２１２との間に積層膜層が設けられている表示パネルを提供することである。
【００５０】
図７に示すように、表示パネルにおける前記薄膜封止層は、下から順に、第１無機層２１０、有機層２１２、積層膜層２１１及び第２無機層２１３を含む。
【００５１】
それぞれの積層膜層２１１は、緻密膜層２１１１と、遷移層（ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ）２１１２とを含む。
【００５２】
本実施例において、遷移層２１１２が有機層２１２の上面に設けられ、緻密膜層２１１１が遷移層２１１２の上面に設けられる。緻密膜層２１１１と有機層２１２との粘着力が弱いので、遷移層２１１２を設けることで、緻密膜層２１１１と有機層２１２との粘着力を向上させることができ、薄膜封止層の水分及び酸素遮断性を向上させ、薄膜封止層の信頼性をさらに向上させることができる。
【００５３】
図３に示すように、本実施例は、次のステップＳ１〜Ｓ２を含む表示パネルの製造方法をさらに提供している。Ｓ１ベース基板提供ステップ：ベース基板を提供する。Ｓ２薄膜封止層製造ステップ：前記ベース基板の上面に薄膜封止層を製造する。
【００５４】
図８に示すように、前記薄膜封止層製造ステップは、次の工程Ｓ２１〜Ｓ２５を含む。
【００５５】
Ｓ２１第１無機層製造工程：前記ベース基板の上面に第１無機層を製造する。
【００５６】
Ｓ２２有機層製造工程：前記第１無機層の上面に有機層を製造して、前記有機層の表面をパターン加工する。
【００５７】
Ｓ２３遷移層製造工程：化学気相成長法により前記第１無機層の上面に遷移層を製造する。
【００５８】
Ｓ２４緻密膜層製造工程：原子層堆積法により前記遷移層の上面に緻密膜層を製造する。
【００５９】
Ｓ２５第２無機層製造工程：前記吸水積層膜層の上面に第２無機層を製造する。
前記工程Ｓ２１〜Ｓ２５は、実施例１に記載の工程Ｓ１１〜１５と比べて、実施例２に係る表示パネルの製造方法は、有機層製造工程の後に積層膜層製造工程を実行することを特徴とする。各々の工程の技術的効果は、実施例１において対応する工程の技術的効果と実質的に同じであるので、ここでは説明を省略する。
【００６０】
本実施例に係る表示パネル及びその製造方法は、有機層にパターニング表面を設けることにより、パターニング表面の膜層の応力緩和能力を高め、薄膜封止層の表示パネルの折り曲げにおいて破断するリスクを低減することで、薄膜封止層の信頼性を向上させて、表示パネルの光学性能を向上させる一方で、隣接する有機層と無機層との間に積層膜層を設けることで、隣接する各層間の粘着力を向上させ、薄膜封止層の水分及び酸素遮断性を向上させることで、薄膜封止層の信頼性をさらに向上させる。
【符号の説明】
【００６１】
図面において、符号の説明は以下の通りであり、
１  ベース基板、２  薄膜封止層、１０１  ガラス基板、１０２  ＰＩ基板、１０３  画素定義層、１０４  発光層、  ２０１  活性層、２０２  多結晶シリコン層、２０３  誘電体層、２０４  ソースドレイン電極、２０５  ゲート電極、２０６  絶縁層、２０７  平坦化層、２０８  アノード電極、２０１１  ドープ領域、２００  凸部、２１０  第１無機層、２１１  積層膜層、２１２  有機層、２１３  第２無機層、２１１１  緻密膜層、２１１２  遷移層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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