(57)【要約】  ＲＦパワーが真空処理モジュール（１ｏ）に供給され、プラズマ処理モジュール（１ｏ）において、時間不変インピーダンス変換がプラズマ処理モジュール（１ｏ）内のインピーダンス変換ネットワーク（１Ｔ）によって実行され、時間変動マッチングが、インピーダンス変換ネットワーク（１Ｔ）に接続されたマッチボックスによって実行される。インピーダンス変換ネットワーク（１Ｔ）は、中空導体の誘導素子（Ｌ）を含む。冷却媒体（Ｆｌ）が、インピーダンス変換ネットワークの中空導体及び、冷却される、プラズマ処理モジュール（１ｏ）におけるインピーダンス変換ネットワーク（１Ｔ）の一部ではないプラズマ処理モジュール（１ｏ）の一部を通って流動される。
2021503689.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦパワーを、ＲＦ供給発生器から少なくとも１つの真空プラズマ処理モジュールに伝送する方法であって、
ａ）真空プラズマ処理モジュールに、インピーダンス変換ネットワークを提供し、前記インピーダンス変換ネットワークによって、前記真空プラズマ処理モジュールの入力インピーダンスの、前記インピーダンス変換ネットワークの入力インピーダンスへの時間不変インピーダンス変換を実行する段階と、
ｂ）前記インピーダンス変換ネットワークに動作可能に接続されたマッチボックスにより、前記ＲＦ供給発生器の出力インピーダンスの、前記インピーダンス変換ネットワークの前記入力インピーダンスへの時間変動整合を実行する段階と、
ｃ）中空導体によって前記インピーダンス変換ネットワークの少なくとも１つの誘導素子の少なくとも一部を提供し、前記中空導体及び、前記インピーダンス変換ネットワークの一部ではない前記真空プラズマ処理モジュールの一部の冷却構成部を通って、冷却媒体を流動させる段階と、
によって、前記ＲＦ供給発生器の出力インピーダンスを、前記真空プラズマ処理モジュールの入力インピーダンスと時間変動整合する段階を含む、方法。
【請求項２】
前記真空プラズマ処理モジュール内で実行される真空プラズマ処理に、前記ＲＦ供給発生器から前記インピーダンス変換ネットワークに供給される供給電流よりも大きい電流を伝送するように、前記インピーダンス変換ネットワークによって電流補償を実行する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記インピーダンス変換ネットワークを構築する段階が、全て離散的受動素子である誘導素子及び静電容量素子を提供する段階を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＲＦ供給発生器から、同様に前記インピーダンス変換ネットワークを有する少なくとも１つのさらなる真空プラズマ処理モジュールへ、共通中央マッチボックスを介してＲＦパワーを伝送する段階を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ＲＦ供給発生器から、連続して、前記１つの真空プラズマ処理モジュール及び、同様に前記インピーダンス変換ネットワークを含むさらなる真空プラズマ処理モジュールへ、ＲＦパワーを伝送し、前記ＲＦ供給発生器の前記出力インピーダンスの、前記少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールの前記少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークの各入力インピーダンスへの少なくとも時間変動整合を、単一の中央マッチボックスによって実行する段階を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記各少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークのそれぞれによって、前記各真空プラズマ処理モジュールの前記各入力インピーダンスの、前記各インピーダンス変換ネットワークの各所望の入力インピーダンスへの各時間不変インピーダンス変換を実行する段階を含み、前記所望の入力インピーダンスの絶対値の時間不変成分が、所望の範囲内にあるか、または無視できるほどの差であるか、または等しい、請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールが異なる、請求項４から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの真空プラズマ処理モジュールが、スパッタリングモジュール、エッチングモジュール、ＰＥＣＶＤ層成膜モジュール、カソードアーク蒸着モジュール、プラズマ蒸着モジュール、電子ビーム蒸着モジュールのうちの１つである、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
プラズマ処理のための電極を、前記インピーダンス変換ネットワークの２つ以上の出力に接続する段階を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記２つ以上の出力におけるＲＦ電流の分配を選択する段階を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
真空プラズマ処理されたワークピースを製造するための、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
ＲＦ供給入力と、真空プラズマ処理のためのプラズマ放電電極及びＲＦバイアス電極の少なくとも１つとの間の時間不変インピーダンス変換ネットワークを含むＲＦ真空プラズマ処理モジュールであって、
前記時間不変インピーダンス変換ネットワークが、少なくとも一部が中空導体として実現される少なくとも１つの誘導素子を含み、
前記中空導体が、冷却流体のための流動ソース及び流動ドレインの少なくとも１つに流動接続可能であり、または流動接続され、
前記中空導体が、前記時間不変インピーダンス変換ネットワークの一部ではない真空プラズマ処理モジュールの一部に関する冷却構成部と、冷却流体で流動連通した、ＲＦ真空プラズマ処理モジュール。
【請求項１３】
前記時間不変インピーダンス変換ネットワークが、前記時間不変インピーダンス変換ネットワークに入力されるＲＦ供給電流よりも大きなＲＦ電流を前記電極に供給するように構築された、請求項１２に記載のＲＦ真空プラズマ処理モジュール。
【請求項１４】
前記時間不変インピーダンス変換ネットワークが手動で調整可能である、請求項１２または１３に記載のＲＦ真空プラズマ処理モジュール。
【請求項１５】
前記時間不変インピーダンス変換ネットワークが、２つ以上のＲＦ電流出力を有する、請求項１２から１４のいずれか一項に記載のＲＦ真空プラズマ処理モジュール。
【請求項１６】
前記２つ以上のＲＦ電流出力が、前記電極に接続された、請求項１５に記載のＲＦ真空プラズマ処理モジュール。
【請求項１７】
スパッタモジュール、エッチングモジュール、ＰＥＣＶＤモジュール、カソードアーク蒸着モジュール、プラズマ蒸着モジュール、電子ビーム蒸着モジュールのうちの１つである、請求項１２から１６のいずれか一項に記載のＲＦ真空プラズマ処理モジュール。
【請求項１８】
少なくとも２つのＲＦ真空プラズマ処理モジュールを含み、少なくとも１つが請求項１２から１７のいずれか一項に記載のＲＦ真空プラズマ処理モジュールであり、別の１つが、同様に前記時間不変インピーダンス変換ネットワークと、マッチボックスに動作可能に接続された少なくとも１つのＲＦ供給発生器と、を含み、
前記マッチボックスのＲＦ出力が、前記少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールの時間不変インピーダンス変換ネットワークの両方のＲＦ入力に動作可能に接続された、プラズマ処理プラント。
【請求項１９】
前記マッチボックスが、前記時間不変インピーダンス変換ネットワークの両方の入力インピーダンスへの自動的な時間変動整合を実行するように構築された、請求項１８に記載のプラズマ処理プラント。
【請求項２０】
スイッチユニット及び、前記スイッチユニットの制御入力に動作可能に接続されたタイミング制御ユニットをさらに含み、
前記スイッチユニットが、前記少なくとも２つの時間不変インピーダンス変換ネットワークに連続してＲＦパワー供給を切り替えるように構築された、請求項１８または１９に記載のプラズマ処理プラント。
【請求項２１】
前記少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールが異なるモジュールである、請求項１８から２０のいずれか一項に記載のプラズマ処理プラント。
【請求項２２】
前記少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールの前記時間不変インピーダンス変換ネットワークのそれぞれが、時間不変インピーダンス部を含むように入力インピーダンスを提供するように構築され、前記少なくとも２つの時間不変インピーダンス変換ネットワークの前記時間不変インピーダンス部の絶対値が、所定の範囲内であるか、または無視できる差であるか、または等しい、請求項１８から２１のいずれか一項に記載のプラズマ処理プラント。
【請求項２３】
前記マッチボックスが、前記少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールから離れている、請求項１８から２２のいずれか一項に記載のプラズマ処理プラント。
【請求項２４】
請求項１２から２３のいずれか一項に記載のモジュールまたはプラントによって実行される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
請求項１から１１、もしくは２４のいずれか一項に記載の方法及び／または請求項１２から１７のいずれか一項に記載のモジュール及び／または請求項１８から２３のいずれか一項に記載のプラントによる、ＲＦ供給真空プラズマ処理によって処理される基板を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空プラズマ処理へのＲＦパワーの伝送に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＲＦ（高周波、Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）パワーは、プラズマ放電を供給するためのパワーとして、及び／または放電電極から離隔された電極、例えばワークピースキャリア電極にバイアスを印加するためのパワーとして、マッチボックスがＲＦパワー供給発生器の出力インピーダンスを真空処理モジュールの入力インピーダンスに整合させる真空プラズマ処理モジュールに慣例的に供給される。そのような真空プラズマ処理モジュールは、例えば、スパッタリングモジュール、エッチングモジュール、電子ビーム成膜モジュール、ＰＥＣＶＤモジュール（プラズマ促進化学成膜、Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）または、カソードアーク蒸着モジュールである。言及されているように、ＲＦパワーは、プラズマ放電を供給するために、またはより一般的には、例えば、基板キャリア電極のように、処理に加わる電極をバイアスするためだけに供給されうる。プラズマインピーダンスは時間とともに変化するので、マッチボックスは、真空プラズマ処理モジュールの瞬間的に発生する入力インピーダンスに、高速かつ自動的に適合して整合する能力を有する。
【０００３】
さらに、真空プラズマ処理モジュールの入力インピーダンスは、考慮されるそのようなモジュールが同じ種類、例えばスパッタリングモジュールであるが、例えば、異なる気体雰囲気における異なる材料ターゲットなどで異なって作動されるとしても、異なるものであり、異なる挙動をする。
【０００４】
本明細書を通して、真空プラズマ処理モジュールを、その入力インピーダンスが異なる及び/または時間とともに異なる挙動をする場合、異なるものとする。
【０００５】
さらに、周波数がすくなくとも１ＭＨｚである場合、周波数を高周波（ＲＦ）と呼ぶ。
【０００６】
各真空プラズマ処理モジュールに割り当てられるマッチボックスは、慣習的に、供給される真空プラズマ処理モジュールに直接取り付けられ、各真空プラズマ処理モジュールに供給される高ＲＦ電流を取り扱い、高速で自動的なインピーダンス整合を実行する。異なる真空プラズマ処理モジュールは、各真空プラズマ処理モジュールに具体的に調整されたそれぞれの数のそのようなマッチボックスを介して動作する。
【０００７】
この慣習的な技術は、図１に関して例示され、後で説明される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
代替的なＲＦパワー伝送手法を提供することが、本発明の目的である。
【０００９】
これは、ＲＦパワーを、ＲＦ供給発生器から少なくとも１つの真空プラズマ処理モジュールに伝送する方法であって、
ａ）真空プラズマ処理モジュールに、インピーダンス変換ネットワークを提供し、このインピーダンス変換ネットワークによって、真空プラズマ処理モジュールの入力インピーダンスの、インピーダンス変換ネットワークの入力インピーダンスへの時間不変インピーダンス変換を実行する段階と、
ｂ）インピーダンス変換ネットワークに動作可能に接続されたマッチボックスにより、ＲＦ供給発生器の出力インピーダンスの、インピーダンス変換ネットワークの入力インピーダンスへの時間変動整合を実行する段階と、
によって、ＲＦ供給発生器の出力インピーダンスを、真空プラズマ処理モジュールの入力インピーダンスと時間変動整合させることを含む、方法によって実現される。 
【００１０】
全体の整合を、一方では真空プラズマ処理モジュールにおける時間不変部に、他方ではこのマッチボックスによって実現される時間変動部に分離することによって、真空プラズマ処理モジュールから離れたマッチボックスを提供し、より単純で高価でないマッチボックスを提供することが可能になる。
【００１１】
本発明に従う方法の１つの変形例は、真空プラズマ処理モジュール内で実行される真空プラズマ処理に、ＲＦ供給発生器からインピーダンス変換ネットワークの入力に供給される供給電流よりも大きい電流を伝送するように、インピーダンス変換ネットワークによって電流補償を実行する段階を含む。
【００１２】
これにより、真空プラズマ処理モジュールから離れたマッチボックスを提供することが可能になり、それによって、真空プラズマ処理モジュールにおいて真空プラズマ処理を実行するために必要とされるよりも低いＲＦ電流に耐えるために、ＲＦパワー供給発生器の出力と真空プラズマ処理モジュールとの間の、マッチボックスを含む相互接続部を調整することができる。
【００１３】
本発明に従う方法の１つの変形例は、ＲＦ供給発生器の出力とインピーダンス変換ネットワークを相互接続する段階が伝送線によって相互接続する段階を含み、さらなる実施形態において、この相互接続は、同軸ケーブルによる相互接続を含む。
【００１４】
本発明に従う方法の１つの変形例において、インピーダンス変換ネットワークの構築は、全て離散的受動素子である誘導素子及び静電容量素子を提供する段階を含む。
【００１５】
本発明に従う方法の１つの変形例において、インピーダンス変換ネットワークの少なくともいくつかの部分が冷却される。
【００１６】
本発明に従う方法の１つの変形例は、インピーダンス変換ネットワークの少なくとも１つの誘導素子の少なくとも一部を中空導体によって提供する段階及び、冷却媒体を中空導体を通して流動させる段階を含む。
【００１７】
本発明に従う方法のこの変形例の１つの変形例において、冷却媒体は、インピーダンス変換ネットワークの一部ではない真空プラズマ処理モジュールの一部の冷却構成部を通して追加的に流される。
【００１８】
本発明に従う方法の１つの変形例は、ＲＦ供給発生器から、単一の中央マッチボックスを介して、少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールにＲＦパワーを伝送する段階を含む。
【００１９】
本発明に従う方法の１つの変形例は、ＲＦ供給発生器から、少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールにＲＦパワーを伝送する段階及び、ＲＦ供給発生器の出力インピーダンスの、単一の中央マッチボックスによって、少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークの入力インピーダンスへの少なくとも時間変動整合を実行する段階を含む。
【００２０】
これによって、少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュール内に提供される際に少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークの入力インピーダンスのそれぞれの時間変動部への高速整合適応を自動的に実行する、ただ１つのマッチボックスが提供されることとなる。
【００２１】
本発明に従う方法のこの変形例の１つの変形例は、各真空プラズマ処理モジュール内で実行される真空プラズマプロセスに、ＲＦ供給発生器から少なくとも１つの各インピーダンス変換ネットワークに供給される供給電流よりも大きな電流を伝送するように、少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークの少なくとも１つによって電流補償を実行する段階を含む。
【００２２】
これによって、本発明に従う方法の１つの変形例は、少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークの両方において、この電流補償のそれぞれを実行する段階を含む。
【００２３】
本発明に従う方法の１つの変形例において、ＲＦ供給発生器の出力と少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークの少なくとも１つとを相互接続する段階は、伝送線によって相互接続する段階を含み、それによって、さらなる変形例において、伝送線によって相互接続する段階は、同軸ケーブルによって相互接続する段階を含む。
【００２４】
本発明に従う方法の１つの変形例において、ＲＦ供給発生器の出力と、少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークのそれぞれとを相互接続する段階は、それぞれ伝送線によって相互接続する段階を含み、それによって、伝送線のそれぞれは、同軸ケーブルを含みうる。
【００２５】
本発明に従う方法の１つの変形例において、少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークを構築する段階は、全て離散的受動素子である誘導素子及び静電容量素子を提供する段階を含む。
【００２６】
本発明に従う方法の１つの変形例は、少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークのそれぞれによって、各インピーダンス変換ネットワークへの各所望の入力インピーダンスへの各真空プラズマ処理モジュールの各入力インピーダンスの各時間不変インピーダンス変換を実施する段階であって、所望の、または所定の範囲内にあるか、または相互に無視できるほどの差であるか、または等しい所望の入力インピーダンスを得る絶対値の時間不変成分を含む。
【００２７】
本発明に従う方法の１つの変形例において、少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールは、前述した意味において異なる。
【００２８】
本発明に従う方法の１つの変形例は、少なくとも１つの真空プラズマ処理モジュールのインピーダンス変換ネットワークによって、少なくとも１つのプラズマ放電電流を、少なくとも１つの真空プラズマ処理モジュールに供給するＲＦ供給及び、ＲＦバイアスまたはアークピースＲＦバイアスを少なくとも１つの真空プラズマ処理モジュールに提供する段階を含む。
【００２９】
本発明に従う方法の１つの変形例において、少なくとも１つの真空プラズマ処理モジュールは、スパッタリングモジュール、エッチングモジュール、ＰＥＣＶＤ層成膜モジュール、カソードアーク蒸着モジュール、プラズマ蒸着モジュール、電子ビーム蒸着モジュールのうちの１つである。
【００３０】
本発明に従う方法の１つの変形例は、インピーダンス変換ネットワークによって、シャントインピーダンスによる電流補償を実行する段階を含む。
【００３１】
本発明に従う方法の１つの変形例は、プラズマ処理のための電極をインピーダンス変換ネットワークの１つを超える出力に接続する段階を含む。
【００３２】
これによって、１つの変形例において、１つを超える出力のＲＦ電流の分配が選択され、または選択可能になる。
【００３３】
本発明に従う方法はまた、真空プラズマ処理されるワークピースを製造するための方法であるという態様の下で考えられうる。
【００３４】
本発明に従う方法は、以下に記載の装置またはプラントによって実現されうる。
【００３５】
本発明に従う方法の２つまたはそれ以上の変形例は、矛盾しない限りにおいて結合されうる。
【００３６】
前述の対象は、ＲＦ供給入力と、プラズマ放電電極及び真空プラズマ処理のためのＲＦバイアスされた電極の少なくとも１つとの間の時間不変インピーダンス変換ネットワークを含むＲＦ真空プラズマ処理モジュールによっても達成される。
【００３７】
本発明に従うＲＦ真空プラズマ処理モジュールの１つの実施形態において、時間不変インピーダンス変換ネットワークは、誘導素子及び静電容量素子を含み、全ては離散的受動素子である。
【００３８】
本発明に従うＲＦ真空プラズマ処理モジュールの１つの実施形態において、時間不変インピーダンス変換ネットワークは、時間不変インピーダンス変換ネットワークに入力されるＲＦ供給電流よりも大きなＲＦ電流を前述の電極に供給するように構築される。時間不変インピーダンス変換ネットワークは、そのため、電流補償を実行する。
【００３９】
本発明に従うＲＦ真空プラズマ処理モジュールの１つの実施形態において、時間不変インピーダンス変換ネットワークは、冷却構成部を含む。
【００４０】
本発明に従うＲＦ真空プラズマ処理モジュールの１つの実施形態において、時間不変インピーダンス変換ネットワークは、少なくとも１つの誘導素子を含み、その少なくとも一部は中空導体として実現される。
【００４１】
本発明に従うＲＦ真空プラズマ処理モジュールの１つの実施形態において、中空導体は、流動ソース及び、冷却流体のための流動ドレインの少なくとも１つに流動接続可能であるか、または流動接続される。流動ソースは、流動が始まるデバイスとして、流動ドレインは、流動が向かうデバイスとして理解される。
【００４２】
本発明に従うＲＦ真空プラズマ処理モジュールの１つの実施形態において、時間不変インピーダンス変換ネットワークにおける冷却構成部は、中空体、例えば中空導体として実現され、冷却流体のためのソース及び／またはドレインに流動接続された誘導素子の少なくとも一部を含み、中空体は、時間不変インピーダンス変換ネットワークの一部ではない真空プラズマ処理モジュールの一部と、冷却流体連通している。
【００４３】
本発明に従うＲＦ真空プラズマ処理モジュールの１つの実施形態において、時間不変インピーダンス変換ネットワークは、手動でチューニング可能である。
【００４４】
本発明に従うＲＦ真空プラズマ処理モジュールの１つの実施形態において、時間不変インピーダンス変換ネットワークは、１つを超えるＲＦ電流出力を有する。
【００４５】
本発明に従うＲＦ真空プラズマ処理モジュールの１つの実施形態において、１つを超えるＲＦ電流出力は、電極、すなわち同じ電極に接続される。
【００４６】
本発明に従うＲＦ真空プラズマ処理モジュールの１つの実施形態は、スパッタモジュール、エッチングモジュール、ＰＥＣＶＤモジュール、カソードアーク蒸着モジュール、プラズマ蒸着モジュール、電子ビーム蒸着モジュールの１つである。
【００４７】
本発明に従うＲＦ真空プラズマ処理モジュールの２つまたはそれ以上の実施形態は、矛盾がなければ結合されうる。
【００４８】
前述の対象はさらに、プラズマ処理プラントによって解決され、プラズマ処理プラントは、本発明に従う、またはその実施形態の１つもしくはそれ以上に従う少なくとも２つのＲＦ真空プラズマ処理モジュールと、マッチボックスに動作可能に接続された少なくとも１つのＲＦ供給発生器と、を含み、マッチボックスのＲＦ出力は、少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールの時間不変インピーダンス変換ネットワークの両方のＲＦ入力に動作可能に接続される。
【００４９】
本発明に従うプラズマ処理プラントの１つの実施形態において、マッチボックスは、時間不変インピーダンス変換ネットワークの両方の入力インピーダンスに対して自動的な時間変動マッチングを実行するように構築される。
【００５０】
本発明に従うプラズマ処理プラントの１つの実施形態は、スイッチユニットと、スイッチユニットの制御入力に動作可能に接続されたタイミング制御ユニットと、を含み、スイッチユニットは、少なくとも２つの時間不変インピーダンス変換ネットワークに連続してＲＦパワー供給を切り替えるように構築される。
【００５１】
本発明に従うプラズマ処理プラントの１つの実施形態において、少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールは、前述されたものとして規定されたものとは異なるモジュールである。
【００５２】
本発明に従うプラズマ処理プラントの１つの実施形態において、ＲＦパワー発生器から少なくとも２つの時間不変インピーダンス変換ネットワークへのＲＦパワー供給接続は、少なくとも１つの伝送線を含む。これによって、さらなる実施形態において、前述の伝送線は少なくとも１つの同軸ケーブルを含む。
【００５３】
本発明に従うプラズマ処理プラントの１つの実施形態において、少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールの時間不変インピーダンス変換ネットワークのそれぞれは、時間不変インピーダンス部を含むようにその入力インピーダンスを提供するように構築され、少なくとも２つの時間不変インピーダンスネットワークの時間不変インピーダンス部の絶対値は、所望の範囲にあるか、無視できるほどの差であるか、または等しい。
【００５４】
本発明に従うプラズマ処理プラントの１つの実施形態において、マッチボックスは、少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールから離れている。
【００５５】
本発明に従うプラズマ処理プラントの２つまたはそれ以上の実施形態は、矛盾がなければ結合されうる。
【００５６】
本発明はさらに、本発明もしくはその１つもしくはそれ以上の変形例に従う方法により、及び／または本発明もしくはその１つもしくはそれ以上の実施例に従うモジュールにより、及び／または本発明もしくはその１つもしくはそれ以上の実施例に従うプラントによりＲＦ供給された真空プラズマ処理によって処理される基板を製造する方法に関する。
【００５７】
本発明は、実施例により、及び図の助けを借りてさらに説明される。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】簡略化された信号−フロー／機能的−ブロック図による、従来技術のマッチング構造である。
【図２】図１のそれと類似する表示における、本発明に従うマッチング構造である。
【図３】本発明に従う実施形態及び変形例において利用される、簡略化された電流補償及びインピーダンス変換ネットワークである。
【図４】本発明の実施形態または変形例の電流補償及び時間不変インピーダンス変換ネットワークのより詳細な例である。
【図５】図４に従うネットワークによって実現されるインピーダンス変換のスミスチャートの図である。
【図６】簡略化された透視図法における、本発明に従う真空プラズマ処理モジュールにおける時間不変インピーダンス変換ネットワークの実施例である。
【図７】図６のモジュールの、本発明の実施形態または変形例に従う電流補償及び時間不変インピーダンス変換ネットワークである。
【図８】スミスチャート表現における、異なるターゲットスパッタリングのための異なるスパッタリングモジュールの初期入力インピーダンスである。
【図９】本発明の実施形態または変形例に従う、スミスチャート表現における図７に従うネットワークによる、図８のインピーダンスの一般的な変換である。
【図１０】異なるスパッタリングモジュールにおけるこれらのネットワークによるインピーダンス変換に起因する、図６または７に従うネットワークの入力インピーダンスである。
【図１１】簡略化された透視図法における、本発明に従う真空プラズマ処理モジュールの時間不変インピーダンス変換ネットワークの実施形態である。
【図１２】図１１のモジュールの、本発明の実施形態または変形例に従う、電流補償及び時間不変インピーダンス変換ネットワークである。
【図１３】図１１のモジュールの修正による、本発明の実施形態または変形例に従う電流補償及び時間不変インピーダンス変換ネットワークを実現するためのさらなる可能性である。
【発明を実施するための形態】
【００５９】
以下の説明において、以下の略語を使用する。
ａ）参照符号を付されていないＶＰＰＭ：真空プラズマ処理モジュール、例えばスパッタリングモジュール。
ｂ）参照符号ｏを付されたＶＰＰＭ：本発明に従い、ａ）に従うモジュールを組み込む真空プラズマ処理モジュール。
ｃ）ＴＩＴＮ：時間不変インピーダンス変換ネットワーク。
ｄ）ＣＴＩＴＮ：電流補償の追加的な能力を有する時間不変インピーダンス変換ネットワーク。
【００６０】
図１は、簡略化された信号−フロー／機能的−ブロック図による、ＶＰＰＭと呼ばれるＲＦ動作する真空プラズマ処理モジュール１、２、・・・にＲＦパワーを伝送する従来技術を示している。ＶＰＰＭ１、２、・・・は、例えばスパッタリングモジュール、エッチングモジュール、ＰＥＣＶＤモジュール、カソードアーク蒸着モジュール、プラズマ蒸着モジュール、電子ビーム蒸着モジュールであり、一般的には、プラズマ放電−ＰＬ−電極がＲＦ供給され、及び／または別の電極、例えばワークピースキャリア電極がＲＦバイアスされるＶＰＰＭである。そのようなＲＦパワーが印加される電極は、図１において、３１、２・・・と示される。
【００６１】
ＶＰＰＭ、または処理モジュール１、２・・・の少なくとも一部は、動作時において、異なるＲＦパワー入力を示すか、または経時的に異なる振る舞いをする複素入力インピーダンスＺＰ１、ＺＰ２・・・を示す点で異なる。
【００６２】
本発明の基礎として、ＶＰＰＭｘの入力インピーダンスＺＰｘ（ｘは１、２、・・・である）は、以下のように書かれうることが認識される。
ＺＰｘ（ｔ）＝ＺＰｘ０＋ΔＺＰｘ（ｔ）
【００６３】
それによって、時間不変インピーダンス部ＺＰｘ０は、例えば、各真空プラズマ処理を開始する際に瞬間的に現れるインピーダンス値として、または例えば処理のタイムスパンにわたって時間変動するＺＰｘ（ｔ）の平均インピーダンス値として、自由に選択されうる。
【００６４】
時間不変部ＺＰｘ０は、インピーダンス作動点とみなすことができ、時間変動部ΔＺＰｘ（ｔ）は、インピーダンス作動点についてＺＰｘ（ｔ）の瞬間的な偏差とみなすことができる（インピーダンスＺは複素数実体であることに注意されたい）。
【００６５】
専用のマッチボックス５１、２、・・・は、各ＶＰＰＭ１、２、・・・に狭く結合されている。各マッチボックス５１、２、・・・は、入力インピーダンスＺＬｘにおける各入力インピーダンスＺＰｘ（ｔ）を、ＲＦ供給パワー発生器７からみられるインピーダンスが依存するマッチボックス５ｘに変換する。慣習的に、ＺＬｘインピーダンスは、可能な限り等しくされ、ＺＬで表されうる。これは、全てのマッチボックス５ｘが、自動的な高速インピーダンス変換を実行するように構築されることを必要とする。逆に定式化すると、マッチボックス５ｘは、所定のインピーダンスＺＬを各インピーダンスＺＰｘ（ｔ）に整合する。スイッチ９は、ＲＦ供給パワー発生器７からのＲＦパワーを、各マッチボックス５１、２、・・・、すなわち５ｘに連続して分配する。
【００６６】
そのため、図１の従来のマッチング技術によれば、専用のマッチボックス５ｘが各ＶＰＰＭｘにフックされ、例えば５０ΩのＲＦパワー発生器の出力インピーダンスを、ＶＰＰＭｘの各入力インピーダンスと整合する。マッチボックスは全て、各インピーダンスＺＰｘ（ｔ）の時間変動を考慮に入れるように、高速な自動整合能力を含む。
【００６７】
本発明及び図２によれば、時間不変マッチングの少なくとも一部は、各ＶＰＰＭ１、２、・・・Ｘに、時間不変インピーダンス変換ネットワーク１Ｔ、２Ｔ、・・・ＸＴを含めることによって実行される。その結果、ＶＰＰＭ１ｏ、２ｏ、・・・Ｘｏを得る。
【００６８】
ＴＩＴＮと呼ばれる時間不変インピーダンス変換ネットワークは、スプリアス抵抗素子または離散的抵抗素子Ｒ（図２には図示されていない）とともに、受動離散誘導素子Ｌ１Ｔ、２Ｔ、・・・ＸＴ及び受動離散静電容量素子Ｃ１Ｔ、２Ｔ、・・・ＸＴからなる。
【００６９】
各ＴＩＴＮ  １Ｔ、２Ｔ、・・・ＸＴによって、各入力インピーダンスＺＰｘ（ｔ）＝ＺＰｘｏ＋ΔＺＰｘ（ｔ）は、ＶＰＰＭ  １ｏ、２ｏ、・・・Ｘｏの入力インピーダンスＺ１Ｔ、２Ｔ、・・・（ｔ）＝ＺＴｏ＋ΔＺ１Ｔ、２Ｔ、・・・（ｔ）に変換される。
【００７０】
ＴＩＴＮ  １Ｔ、２Ｔ、・・・は、全てのＶＰＰＭ  １ｏ、２ｏ、・・・の時間不変部ＺＴｏ（複素数部）の絶対値が、所定のインピーダンス範囲にあるか、または無視できるほどの違いしかなく、または等しくさえあるように構築される。
【００７１】
ＲＦパワー供給発生器７からＶＰＰＭ  １ｏ、２ｏ、・・・への連続したＲＦパワー分配は、単一の中央マッチボックス１１及びスイッチ９を介して実現される。マッチボックス１１に組み込まれうるスイッチは、タイマーユニット１０によって制御される。
【００７２】
マッチボックス１１は、発生器の出力インピーダンスの入力インピーダンスＺ１Ｔ、２Ｔ、・・・ＸＴへの整合を実行し、そのため、全て高速な自動時間変動整合を実行する。必要であれば、ＶＰＰＭ  １ｏ、２ｏ、・・・のＺＴｏが依然として許容できる差ではなく、及び／またはＺＴｏが、ＲＦパワー供給発生器７の出力インピーダンスと一致していない場合、マッチボックス１１は、追加的に時間不変整合の維持を実行する。
【００７３】
結果として、時間変動整合のためのただ１つの高価なマッチボックス１１が設けられることとなり、さらに、この単一のマッチボックス１１は、従来技術に従う１つの処理モジュール専用のマッチボックス５１、２、・・・よりもずっと単純で、高価でないように実現されうることが多い。
【００７４】
本発明に従う概念から、ＶＰＰＭ  １ｏ、２ｏ・・・の各ＲＦ入力と各処理電極３１、３２・・・との間の誘導及び静電容量離散素子の受動ＴＩＴＮを組み込むモジュール１ｏ、２ｏ・・・を得る結果となる。
【００７５】
本発明に従う概念は、ＲＦパワー供給発生器と、複数の異なるＶＰＰＭとの間の全体的な整合を、一方では分散型のモジュールで、専用の時間不変インピーダンス変換に、他方では、時間変動するモジュール特有の整合、おそらく追加的に何らかの時間不変整合を少なくとも実行する中央型のマッチングに、分割すると考えられうる。
【００７６】
残りの中央マッチボックス１１は、各ＶＰＰＭ  １、２、・・・に直接搭載されることとなる従来のマッチボックス５１、２、・・・とは反対に、ＶＰＰＭ  １ｏ、２ｏ、・・・から離れて設けられうる。
【００７７】
ＶＰＰＭ  １、２、・・・に供給されるＲＦ電流は、最大１００Ａ  ｒｍｓまたはそれ以上と、非常に大きくなりうる。モジュールＶＰＰＭ  １ｏ、２ｏ、…の構成から離れて中央マッチボックス１１を設ける場合、そのような高い電流は、ＶＰＰＭ  １ｏ、２ｏ、・・・へ、ＲＦパワーの供給接続に沿うと考えられる。
【００７８】
これは、ＴＩＴＮ  １Ｔ、２Ｔ・・・によって実現されるいわゆる電流補償技術によって、本発明の実施形態において考慮に入れられる。そのような技術により、ＶＰＰＭ  １、２、・・・における真空プラズマ処理に供給されるＲＦ電流の減じられた一部のみが、中央マッチボックス１１及びＶＰＰＭ  １ｏ、２ｏ、・・・への接続を通って流れる。例えばプラズマ放電のために供給される残りの電流は、各ＴＩＴＮ  １Ｔ、２Ｔ、・・・において追加される。そのため、本実施形態において、各ＴＩＴＮ  １Ｔ、２Ｔ、・・・は電流補償ネットワークとして追加的に働き、ＣＴＩＴＮ  １Ｔ、２Ｔ、・・・とアドレスされる。
【００７９】
図３は、ＣＴＩＴＮ  １Ｔ、２Ｔ、・・・ＸＴの１つの実施形態において利用されうるものとして、電流補償ネットワークを一般的に示す。図４は、ＣＴＩＴＮ  １Ｔ、２Ｔ、…としてアドレスされ、呼ばれるような、電流補償及びインピーダンス変換ネットワークを実現する例を示す。図５は、それぞれのスミスチャート表現を示す。
【００８０】
図３によれば、一般に、ＣＴＩＴＮ  １Ｔ及び／または２Ｔ及び／または３Ｔ・・・において、供給電流ｉｃａに関してインピーダンスＺｃａを介してＲＦ入力をシャントする電流補償インピーダンスＺｃｃが提供される。補償電流ｉｃｃは電流ｉｃａに追加され、結果的に電流ｉＰＬとなる。両インピーダンスＺｃａ及びＺｃｃは複素数なので、ＣＴＩＴＮの補償インピーダンスＺｃｃの適切な調整は、ｉＰＬの実部がｉｃａの実部よりも大きくなるという事実につながる。各ＶＰＰＭ  １ｏ、２ｏ、・・・における変換ネットワークＣＴＩＴＮのＺｃｃを適切に設計することにより、時間不変インピーダンス変換ネットワークは、電流補償とともに所望のインピーダンス変換を実行する。
【００８１】
したがって、ＣＴＩＴＮ  １Ｔ、２Ｔ、・・・の離散的な誘導及び静電容量素子は、ＲＦ供給発生器及び中央マッチボックス１１の素子からの電流ｉｃａよりも高い高電流に耐えるような大きさにされてもよく、ＲＦ発生器７からマッチボックス１１及び、スイッチ９を介してＣＴＩＴＮ  １Ｔ及び／または２Ｔ及び／または・・・への接続線は、より低い電流に耐えるように調整されてもよい。
【００８２】
したがって、ＲＦパワー発生器７からＣＴＩＴＮ  １Ｔ、２Ｔ、・・・の少なくとも１つもしくは全てへのパワー接続線、またはこれらのＲＦパワー接続線１３ａ、１３ｂ、１３ｃ（図２を参照）の少なくとも一部は、同軸ケーブルを含む伝送線によって実現されうる。
【００８３】
特に、ＣＴＩＴＮ  １Ｔ、２Ｔ、・・・の離散素子が高電流に調整される場合、一方では、そのようなネットワークを冷却する必要性が生じうる。他方では、ＶＰＰＮ  １、２・・・は、例えばスパッタリングターゲットについて冷却能力を、すなわち冷却流体による冷却能力を必要とすることが多い。そのため、本発明のいくつかの変形例または実施形態では、各ＶＰＰＮを冷却するために提供される冷却流体はまた、そのような部分を冷却するためにＴＩＴＮまたはＣＴＩＴＮの部分を通って流される。中央マッチボックス１１において、追加的な冷却能力が必要とならない場合もありうる。
【００８４】
ＴＩＴＮ、ＣＴＩＴＮまたはそれらの一部のインダクタは、中空管導体によって実現されてもよく、そのため、それを通って気体または液体の冷却媒体、特にＶＰＰＭ  １、２、・・・の一部も通って流れる媒体を流すのに完全に適合している。
【００８５】
スイッチ９を介した、遠隔のＶＰＰＭ  １ｏ、２ｏへの遠隔の中央マッチボックス１１のほとんど柔軟な相互接続は、例えば、伝送線として５０Ωの同軸ケーブルによって実行される。これらのケーブルまたは類似の伝送線は、内部の各真空プラズマ処理のために、ＶＰＰＭ  １、２、・・・に供給するＲＦ電流と同程度の高い電流に関して考えられていない場合がありうる。
【００８６】
追加的に電流補償ネットワークＣＴＩＴＮ  １Ｔ、２Ｔ、・・・として各ＴＩＴＮ  １Ｔ、２Ｔを実現することにより、この問題は解決されうる。
【００８７】
例えばＶＰＰＭ  １ｏにおいてそのような変換及び電流補償ネットワークＣＴＩＴＮを実現することは、一例によって示される。
【００８８】
図４及び５の例において、
発生器からのＲＦパワー：５０００Ｗ、
発生器から図２の各ＣＴＩＴＮネットワーク、例えば１ｏへの接続：５０Ω同軸ケーブル、
同軸ケーブルを表すＬｃａ：１２００ｎＨ、
ＣＴＩＴＮのインダクタＬｃｃ：３００ｎＨ、
ＣＴＩＴＮの直列静電容量Ｃｃ１：３００ｐＦ、
ＣＴＩＴＮのシャント静電容量Ｃｃ２：２００ｐＦ、
同軸ケーブルを通る、そのためＬｃａを通る最大電流の大きさ：１５Ａｒｍｓ、
最大プラズマ放電電流ｉＰＬ：３０Ａｒｍｓ、
が有効である。
【００８９】
同軸ケーブルは１５Ａｒｍｓを超える電流に耐えられず、この値は例えば図２の、反応炉とも呼ばれる各処理モジュールを動作させる際に、完全に利用されうるため、ケーブルは最小で２５Ωでロードされるべきである。したがって、インピーダンスＺＰ１（図２を参照）、反応炉負荷または入力インピーダンスは、アドレスされた時間不変インピーダンス変換ネットワークＣＴＩＴＮ  １Ｔによって、２：１ＶＳＷＲ円（電圧定在波比、Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｔａｎｄｉｎｇ  Ｗａｖｅ  Ｒａｔｉｏ）へ変換される。図５のスミスチャート表現から分かるように、ケーブルは、２５Ω未満の負の実数インピーダンスを有してロードされた状態となる。そのため、ＶＰＰＭ  １ｏの電流補償及び変換ネットワークＣＴＩＴＮ  １Ｔを通る電流は、ケーブルを通る電流に追加し、処理モジュールＶＰＰＮ  １内の処理への、例えば３０Ａｒｍｓの電流となる。図４に示されるように、インダクタンスＬｃｃに沿ったシャントキャパシタＣｃ２のタップオフは、微調整を実行することができるように、ＣＴＩＴＮで手動でシフトされうる。
【００９０】
図６は、すなわち角型スパッタリングモジュールのＶＰＰＭ  １ｏのＣＴＩＴＮ  １Ｔを示す。インダクタンスＬは、これを冷却するためにＶＰＰＭ  １ｏのターゲット取付け部にも供給される液体冷却流体Ｆｌを流すためのパイプとして実現される。ソースＳからドレインＤまでの冷却流体Ｆｌの流動経路は、図６に点線で概略的に示されている。ＣＴＩＴＮ  １Ｔの電気的ネットワークは、図７に示されている。変換調整は、例えば、Ｌについて誘導性パイプを単純に交換することによって実現されうる。
【００９１】
図８は、Ａｌ２Ｏ３、ＩＴＯ、及びＡｌターゲットについて、図６に従うスパッタモジュール１、２、３のインピーダンスＺＰｘｏを示している。図９は、図７のＬＣ変換ネットワーク１Ｔによる原理において実行される変換を示し、図１０は、得られる実質的に同一のＺＴｏを示している。
【００９２】
図１１は、図６の表現に類推して、円形のスパッタリングモジュールＶＰＰＭ  １ｏにおけるＣＴＩＴＮ  １Ｔの実施例を示す。図１２は、図１１のＶＰＰＭ  １ｏにおいて実現されるような、ＣＴＩＴＮ  １Ｔの電気的ネットワークを示す。誘導性パイプＬＳＥからの流体Ｆｌの流出部は、ＩＴにおいて点線で概略的に示された電気的に絶縁するチューブによって誘導性パイプＬＳＨへの流体の流入部に接続される。冷却流体Ｆｌの経路は、再び点線で示される。図１２から明らかなように、ターゲット２０は、２つ以上の軌跡にＲＦ供給されてもよく、これらの軌跡へのＲＦ電流の分配は、ＬＳｅ及びＬＳＨの値をそれぞれ選択することによって調整されうる。
【００９３】
ターゲット２０における供給軌跡への等しいＲＦ電流は、誘導性パイプＬＳｅのＦｌ流出端部を、図１３において示されるような誘導性パイプＬＳＨのＦｌ流入端部に電気的に接続することによって達成されうる。
【００９４】
本発明の様々な態様は、以下の通りまとめられる。
態様：
１）ＲＦパワーを、ＲＦ供給発生器から少なくとも１つの真空プラズマ処理モジュールに伝送する方法であって、
ａ）真空プラズマ処理モジュールに、インピーダンス変換ネットワークを提供し、インピーダンス変換ネットワークによって、真空プラズマ処理モジュールの入力インピーダンスの、インピーダンス変換ネットワークの入力インピーダンスへの時間不変インピーダンス変換を実行する段階と、
ｂ）インピーダンス変換ネットワークに動作可能に接続されたマッチボックスにより、ＲＦ供給発生器の出力インピーダンスの、インピーダンス変換ネットワークの入力インピーダンスへの時間変動整合を実行する段階と、
によって、ＲＦ供給発生器の出力インピーダンスを、真空プラズマ処理モジュールの入力インピーダンスと時間変動整合する段階を含む、方法。
【００９５】
２）真空プラズマ処理モジュール内で実行される真空プラズマ処理に、ＲＦ供給発生器からインピーダンス変換ネットワークに供給される供給電流よりも大きい電流を伝送するように、インピーダンス変換ネットワークによって電流補償を実行する段階をさらに含む、態様１の方法。
【００９６】
３）ＲＦ供給発生器の出力と、インピーダンス変換ネットワークとを相互接続する段階が、伝送線によって相互接続する段階を含む、態様１または２の少なくとも１つの方法。
【００９７】
４）相互接続が、同軸ケーブルによる相互接続を含む伝送線による相互接続を含む、態様３の方法。
【００９８】
５）インピーダンス変換ネットワークを構築する段階が、全て離散的受動素子である誘導素子及び静電容量素子を提供する段階を含む、態様１から３の少なくとも１つの方法。 
【００９９】
６）インピーダンス変換ネットワークの少なくともいくつかの部分を冷却する段階を含む、態様１から５の少なくとも１つの方法。
【０１００】
７）中空導体によってインピーダンス変換ネットワークの少なくとも１つの誘導素子の少なくとも一部を提供し、中空導体を通って冷却媒体を流動させる段階を含む、態様１から６の少なくとも１つの方法。 
【０１０１】
８）インピーダンス変換ネットワークの一部ではない真空プラズマ処理モジュールの一部の冷却構成部を通って、冷却媒体を流動させる段階を含む、態様７の方法。
【０１０２】
９）ＲＦ供給発生器から、少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールへ、単一の中央マッチボックスを介してＲＦパワーを伝送する段階を含む、態様１から８の少なくとも１つの方法。
【０１０３】
１０）ＲＦ供給発生器から、連続して、少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールへＲＦパワーを伝送し、ＲＦ供給発生器の出力インピーダンスの、少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールの少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークの各入力インピーダンスへの少なくとも時間変動整合を、単一の中央マッチボックスによって実行する段階を含む、態様１から９の少なくとも１つの方法。 
【０１０４】
１１）ＲＦ供給発生器から少なくとも１つのインピーダンス変換ネットワークに供給される供給電流よりも大きな電流を、各真空プラズマ処理モジュール内で実行される真空プラズマ処理に伝送するように、少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークの少なくとも１つによって電流補償を実行する段階を含む、態様９または１０の方法。
【０１０５】
１２）少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークの両方において、電流補償のそれぞれを実行する段階を含む、態様１１の方法。 
【０１０６】
１３）ＲＦ供給発生器の出力と、少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークの少なくとも１つとを相互接続する段階が、伝送線によって相互接続する段階を含む、態様９から１２の少なくとも１つの方法。 
【０１０７】
１４）伝送線によって相互接続する段階が、同軸ケーブルによって相互接続する段階を含む、態様１３の方法。
【０１０８】
１５）ＲＦ供給発生器の出力と、少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークのそれぞれとを相互接続する段階が、各伝送線によって相互接続する段階を含む、態様１３または１４の方法。
【０１０９】
１６）少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークを構築する段階が、全て離散的受動素子である誘導素子及び静電容量素子を提供する段階を含む、態様９から１５の少なくとも１つの方法。 
【０１１０】
１７）各少なくとも２つのインピーダンス変換ネットワークのそれぞれによって、各真空プラズマ処理モジュールの各入力インピーダンスの、各インピーダンス変換ネットワークの各所望の入力インピーダンスへの各時間不変インピーダンス変換を実行する段階を含み、所望の入力インピーダンスの絶対値の時間不変成分が、所望の範囲内にあるか、または無視できるほどの差であるか、または等しい、態様６から１６の少なくとも１つの方法。 
【０１１１】
１８）少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールが異なる、態様９から１７の少なくとも１つの方法。 
【０１１２】
１９）少なくとも１つの真空プラズマ処理モジュールのインピーダンス変換ネットワークによって、少なくとも１つのプラズマ放電電流を少なくとも１つのプラズマ処理モジュールにＲＦ供給し、少なくとも１つの真空プラズマ処理モジュールにＲＦバイアスまたはＲＦワークピースバイアスを提供する段階を含む、態様１から１８の少なくとも１つの方法。 
【０１１３】
２０）少なくとも１つの真空プラズマ処理モジュールが、スパッタリングモジュール、エッチングモジュール、ＰＥＣＶＤ層成膜モジュール、カソードアーク蒸着モジュール、プラズマ蒸着モジュール、電子ビーム蒸着モジュールのうちの１つである、態様１から１９の少なくとも１つの方法。
【０１１４】
２１）インピーダンス変換ネットワークによって、電流補償をシャントインピーダンスにより実行する段階を含む、態様１から２０の少なくとも１つの方法。
【０１１５】
２２）プラズマ処理のための電極を、インピーダンス変換ネットワークの２つ以上の出力に接続する段階を含む、態様１から２１の少なくとも１つの方法。 
【０１１６】
２３）２つ以上の出力におけるＲＦ電流の分配を選択する段階を含む、態様２２の方法。 
【０１１７】
２４）真空プラズマ処理されたワークピースを製造するための、態様１から２３の少なくとも１つの方法。
【０１１８】
２５）以下の態様の少なくとも１つに従う装置またはプラントによって実行される、態様１から２４の少なくとも１つの方法。
【０１１９】
２６）ＲＦ供給入力と、プラズマ放電電極及び、真空プラズマ処理のためのＲＦバイアス電極の少なくとも１つとの間の時間不変インピーダンス変換ネットワークを含むＲＦ真空プラズマ処理モジュール。 
【０１２０】
２７）時間不変インピーダンス変換ネットワークが、全て離散素子である誘導素子及び静電容量素子を含む、態様２６のＲＦ真空プラズマ処理モジュール。 
【０１２１】
２８）時間不変インピーダンス変換ネットワークが、時間不変インピーダンス変換ネットワークに入力されるＲＦ供給電流よりも大きなＲＦ電流を電極に供給するように構築された、態様２６または２７のＲＦ真空プラズマ処理モジュール。 
【０１２２】
２９）時間不変インピーダンス変換ネットワークが冷却構成部を含む、態様２６または２８のＲＦ真空プラズマ処理モジュール。
【０１２３】
３０）時間不変インピーダンス変換ネットワークが、少なくとも一部が中空導体として実現される少なくとも１つの誘導素子を含む、態様２６から２９の少なくとも１つのＲＦ真空プラズマ処理モジュール。
【０１２４】
３１）中空導体が、冷却流体の流動ソース及び流動ドレインの少なくとも１つに流動接続可能である、または流動接続された、態様３０のＲＦ真空プラズマ処理モジュール。
【０１２５】
３２）冷却構成部が、冷却流体のためのソース及び／またはドレインに流動接続された中空体を含み、中空体が、時間不変インピーダンス変換ネットワークの一部ではない真空プラズマ処理モジュールの一部と冷却流体が連通する、態様２９から３１の少なくとも１つのＲＦ真空プラズマ処理モジュール。 
【０１２６】
３３）時間不変インピーダンス変換ネットワークが手動で調整可能である、態様２６から３２の少なくとも１つのＲＦ真空プラズマ処理モジュール。 
【０１２７】
３４）時間不変インピーダンス変換ネットワークが、２つ以上のＲＦ電流出力を有する、態様２６から３３の少なくとも１つのＲＦ真空プラズマ処理モジュール。 
【０１２８】
３５）２つ以上のＲＦ電流出力が、電極に接続された、態様３４のＲＦ真空プラズマ処理モジュール。 
【０１２９】
３６）スパッタモジュール、エッチングモジュール、ＰＥＣＶＤモジュール、カソードアーク蒸着モジュール、プラズマ蒸着モジュール、電子ビーム蒸着モジュールのうちの１つである、態様２６から３５の少なくとも１つのＲＦ真空プラズマ処理モジュール。 
【０１３０】
３７）それぞれ態様２６から３６の少なくとも１つに従う少なくとも２つのＲＦ真空プラズマ処理モジュールを含み、少なくとも１つのＲＦ供給発生器がマッチボックスに動作可能に接続され、マッチボックスのＲＦ出力が、少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールの時間不変インピーダンス変換ネットワークの両方のＲＦ入力に動作可能に接続された、プラズマ処理プラント。 
【０１３１】
３８）マッチボックスが、時間不変インピーダンス変換ネットワークの両方の入力インピーダンスへの自動的な時間変動整合を実行するように構築された、態様３７のプラズマ処理プラント。
【０１３２】
３９）スイッチユニット及び、スイッチユニットの制御入力に動作可能に接続されたタイミング制御ユニットをさらに含み、スイッチユニットが、少なくとも２つの時間不変インピーダンス変換ネットワークに連続してＲＦパワー供給を切り替えるように構築された、態様３７または３８のプラズマ処理プラント。 
【０１３３】
４０）少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールが異なるモジュールである、態様３７から３９の少なくとも１つのプラズマ処理プラント。 
【０１３４】
４１）ＲＦパワー発生器から少なくとも２つの時間不変インピーダンス変換ネットワークへのＲＦパワー供給接続が、少なくとも１つの伝送線を含む、態様３７から４０の少なくとも１つのプラズマ処理プラント。
【０１３５】
４２）伝送線が少なくとも１つの同軸ケーブルを含む、態様４１のプラズマ処理プラント。
【０１３６】
４３）少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールの時間不変インピーダンス変換ネットワークのそれぞれが、時間不変インピーダンス部を含むように入力インピーダンスを提供するように構築され、少なくとも２つの時間不変インピーダンス変換ネットワークの時間不変インピーダンス部の絶対値が、所定の範囲内であるか、または無視できる差であるか、または等しい、態様３７から４２の少なくとも１つのプラズマ処理プラント。 
【０１３７】
４４）マッチボックスが、少なくとも２つの真空プラズマ処理モジュールから離れている、態様３７から４３の少なくとも１つのプラズマ処理モジュール。 
【０１３８】
４５）態様１から２５の少なくとも１つに従う方法及び／または態様２６から３６の少なくとも１つに従うモジュール及び／または態様３７から４４の少なくとも１つに従うプラントによる、ＲＦ供給真空プラズマ処理によって処理される基板を製造する方法。
【符号の説明】
【０１３９】
１、２、・・・  真空プラズマ処理モジュール
１Ｔ、２Ｔ、・・・  ＸＴ  時間不変インピーダンス変換ネットワーク
５１、２、・・・  マッチボックス
７  ＲＦ供給パワー発生器
９  スイッチ
１０  タイマーユニット
１１  中央マッチボックス    １３ａ、１３ｂ、１３ｃ  ＲＦパワー接続線
２０  ターゲット
【図１】
2021503689.tif 000003
【図２】
2021503689.tif 000004
【図３】
2021503689.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2021503689.tif 000012
【図１１】
2021503689.tif 000013
【図１２】
2021503689.tif 000014
【図１３】
2021503689.tif 000015
【国際調査報告】
2021503689.tif 000016
2021503689.tif 000017
2021503689.tif 000018