(57)【要約】  撮像アセンブリ及びそのパッケージング方法、レンズモジュール、電子機器を提供する。撮像アセンブリのパッケージング方法は、キャリア基板を提供し、前記キャリア基板に再配線構造を形成することと、はんだパッドを備える機能素子を提供することと、フィルタに対向するはんだパッドを備える感光性チップ及び前記感光性チップに装着されるフィルタを含む感光性ユニットを形成することと、前記感光性ユニット中のフィルタを前記キャリア基板に仮ボンディングし、前記機能素子を前記再配線構造に配置し、前記感光性チップのはんだパッドと前記機能素子のはんだパッドの両方とも前記再配線構造に対向し、また前記再配線構造に電気的に接続するようにすることと、前記キャリア基板を覆うパッケージング層を形成し、前記パッケージング層は、前記感光性チップと機能素子のうち最も高い方と面一にすることと、及び前記キャリア基板を除去することとを含む。本発明は、レンズモジュールの使用性能を向上させ、レンズモジュールの合計の厚さを減少させる。【選択図】図１３
2021511653.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像アセンブリのパッケージング方法であって、
キャリア基板を提供し、前記キャリア基板に再配線構造を形成することと、
はんだパッドを備える機能素子を提供することと、
はんだパッドを備える感光性チップと、前記感光性チップのはんだパッドに対向するように前記感光性チップに装着されるフィルタとを含む感光性ユニットを形成することと、
前記感光性ユニット中のフィルタを前記キャリア基板に仮ボンディングし、前記機能素子を前記再配線構造に配置し、前記感光性チップのはんだパッドと前記機能素子のはんだパッドを、いずれも前記再配線構造に対向させて、前記再配線構造に電気的に接続することと、
前記キャリア基板を覆うパッケージング層を形成し、前記パッケージング層は、前記感光性チップと機能素子のうちの最も高い方と面一にすることと、
前記キャリア基板を除去することとを含む、
ことを特徴とする撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項２】
前記キャリア基板に再配線構造を形成することは、
前記キャリア基板に第１誘電体層を形成することと、
前記第１誘電体層をパターン化し、前記第１誘電体層内に前記第１誘電体層の厚さを貫通する相互接続トレンチを形成することと、
前記相互接続トレンチ内に導電性材料を充填して、前記再配線構造を形成することと、
前記第１誘電体層を除去することとを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項３】
前記キャリア基板に再配線構造を形成することは、
前記キャリア基板に第１誘電体層を形成すること、
前記第１誘電体層をパターン化し、前記第１誘電体層内に前記第１誘電体層の厚さを貫通する相互接続トレンチを形成することと、
前記相互接続トレンチ内に、前記第１誘電体層の頂部を覆う導電性材料を充填することと、
導電性ピラーの位置を定義するために導電性材料の一部領域を遮蔽するパターン化されたマスク層を前記導電性材料に形成することと、
パターン化された前記マスク層をマスクとして、前記導電性材料を前記第１誘電体層に至るまでエッチングして、前記相互接続トレンチ内に位置する相互接続線と、前記相互接続線から突出する導電性ピラーとを形成することと、
前記マスク層及び第１誘電体層を除去することとを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項４】
反応性イオンエッチング工程により前記第１誘電体層を除去する、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項５】
前記感光性ユニット中のフィルタを前記キャリア基板に仮ボンディングし、前記機能素子を前記再配線構造に配置する前に、
前記再配線構造に複数の導電性バンプを形成することをさらに含み、
前記感光性ユニット中のフィルタを前記キャリア基板に仮ボンディングし、前記機能素子を前記再配線構造に配置した後に、前記感光性チップのはんだパッドと前記機能素子のはんだパッドを、対応する前記導電性バンプにボンディングする、
ことを特徴とする請求項２に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項６】
前記再配線構造に複数の導電性バンプを形成することは、
前記キャリア基板及び再配線構造を覆う第２誘電体層を形成することと、
前記第２誘電体層をパターン化し、前記第２誘電体層内に相互接続ビアホールを形成して、前記再配線構造の一部を露出することと、
前記相互接続ビアホールに導電性材料を充填して、前記導電性バンプを形成することと、
前記第２誘電体層を除去することとを含む、
ことを特徴とする請求項５に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項７】
反応性イオンエッチング工程により前記第２誘電体層を除去する、
ことを特徴とする請求項６に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項８】
前記感光性ユニット中のフィルタを前記キャリア基板に仮ボンディングし、前記機能素子を前記再配線構造に配置する前に、
前記感光性チップのはんだパッドと前記機能素子のはんだパッドに、それぞれ導電性バンプを形成することをさらに含み、
前記感光性ユニット中のフィルタを前記キャリア基板に仮ボンディングし、前記機能素子を前記再配線構造に配置した後に、前記導電性バンプを前記再配線構造にボンディングする、
ことを特徴とする請求項２に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項９】
前記感光性ユニット中のフィルタを前記キャリア基板に仮ボンディングし、前記機能素子を前記再配線構造に配置した後、前記感光性チップのはんだパッドと前記機能素子のはんだパッドを、対応する前記導電性ピラーにボンディングする、
ことを特徴とする請求項３に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項１０】
電気メッキ工程により前記導電性材料を充填する、
ことを特徴とする請求項２、３又は６に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項１１】
バンピング工程（Ｂｕｍｐｉｎｇ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）により前記導電性バンプを形成する、
ことを特徴とする請求項８に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項１２】
メタルボンディング工程により、前記感光性チップのはんだパッドと機能素子のはんだパッドを前記再配線構造に電気的に接続させる、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項１３】
前記メタルボンディング工程は、その工程温度が２５０℃以下であり、その工程圧力が２００ｋＰａ以上であり、その工程時間が３０ｍｉｎ以上である、
ことを特徴とする請求項１２に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項１４】
前記パッケージング層を形成することは、
前記キャリア基板、感光性チップ及び機能素子を覆う材料パッケージング層を形成することと、
前記材料パッケージング層に対し平坦化処理を行って、前記感光性チップと機能素子のうちの最も高い方と面一にする前記パッケージング層を形成することとを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項１５】
仮ボンディングする前に、
前記フィルタの側壁を覆う応力緩衝層を形成することをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項１６】
前記キャリア基板を除去した後に、
前記パッケージング層に露出された再配線構造にＦＰＣ基板をボンディングすることをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像アセンブリのパッケージング方法。
【請求項１７】
撮像アセンブリであって、
パッケージング層と、前記パッケージング層に嵌め込まれた感光性ユニット、機能素子及び再配線構造とを含み、
前記感光性ユニットは、感光性チップ及び前記感光性チップに装着されるフィルタを含み、前記パッケージング層の上面に前記再配線構造及びフィルタを露出し、前記パッケージング層の底面に前記感光性チップと機能素子のうちの最も高い方を露出し、前記感光性チップ及び機能素子は、いずれも前記再配線構造に対向し、前記再配線構造に電気的に接続されるはんだパッドを備える、
ことを特徴とする撮像アセンブリ。
【請求項１８】
前記再配線構造は、相互接続線である、
ことを特徴とする請求項１７に記載の撮像アセンブリ。
【請求項１９】
前記再配線構造と、対応する前記はんだパッドとの間に位置する導電性バンプをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１８に記載の撮像アセンブリ。
【請求項２０】
前記導電性バンプは、バンプボールである、
ことを特徴とする請求項１９に記載の撮像アセンブリ。
【請求項２１】
前記再配線構造は、相互接続線及び前記相互接続線から突出する導電性ピラーを含み、前記導電性ピラーは、前記相互接続線と、対応する前記はんだパッドとの間に位置する、
ことを特徴とする請求項１７に記載の撮像アセンブリ。
【請求項２２】
前記フィルタの側壁と前記パッケージング層との間に位置する応力緩衝層をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１７に記載の撮像アセンブリ。
【請求項２３】
前記機能素子は、周辺チップ及び受動素子のうちの少なくとも１つを含み、前記周辺チップは、デジタルシグナルプロセッサチップ及びメモリチップのうち１つまたは２つを含む、
ことを特徴とする請求項１７に記載の撮像アセンブリ。
【請求項２４】
前記パッケージング層に露出された再配線構造に位置するＦＰＣ基板をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１７に記載の撮像アセンブリ。
【請求項２５】
レンズモジュールであって、
請求項１７〜２４のいずれか一項に記載の撮像アセンブリと、
前記パッケージング層の上面に装着され、前記感光性ユニット及び機能素子を囲むホルダーを含み、前記感光性チップ及び機能素子に電気的に接続されるレンズアセンブリとを含む、
ことを特徴とするレンズモジュール。
【請求項２６】
電子機器であって、
請求項２５に記載のレンズモジュールを含む、
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、レンズモジュール分野に関し、特に、撮像アセンブリ及びそのパッケージング方法、レンズモジュール、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
人々の生活レベルの絶え間ない向上に伴い、余暇生活も豊かになり、撮像はますます人々が旅行及び様々な日常生活を記録するのに常に使用される手段となっているので、撮像機能を備える電子機器（例えば、携帯電話、タブレットＰＣ、カメラなど）は、人々の日常生活と仕事にますます多く使用されていて、撮像機能を備える電子機器は、現代の生活の中で必要で重要なツールとなっている。
【０００３】
撮像機能を備える電子機器には、一般的に、レンズモジュールが設置され、レンズモジュールの設計レベルは、撮像の品質を決定する重要な要素の１つである。レンズモジュールは、一般的に感光性チップを備える撮像アセンブリ及び前記撮像アセンブリ上方に固定されて、被写体の映像を形成するためのレンズアセンブリを含む。
【０００４】
また、レンズモジュールのイメージング能力を向上させるために、より大きなイメージング面積を備える感光性チップを備えなければならず、一般的に前記レンズモジュールには、レジスタ、コンデンサなどの受動素子及び周辺チップが配置されることもある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施例が解決しようとする課題は、レンズモジュールの使用性能を向上させ、レンズモジュールの合計の厚さを減少させることができる撮像アセンブリ及びそのパッケージング方法、レンズモジュール、電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の実施例は、キャリア基板を提供し、前記キャリア基板に再配線構造を形成することと、はんだパッドを備える機能素子を提供することと、はんだパッドを備える感光性チップと、前記感光性チップのはんだパッドに対向するように前記感光性チップに装着されるフィルタとを含む感光性ユニットを形成することと、前記感光性ユニット中のフィルタを前記キャリア基板に仮ボンディングし、前記機能素子を前記再配線構造に配置し、前記感光性チップのはんだパッドと前記機能素子のはんだパッドを、いずれも前記再配線構造に対向させて、前記再配線構造に電気的に接続することと、前記キャリア基板を覆うパッケージング層を形成し、前記パッケージング層は、前記感光性チップと機能素子のうちの最も高い方と面一にすることと、前記キャリア基板を除去することとを含む撮像アセンブリのパッケージング方法を提供する。
【０００７】
それに対応して、本発明の実施例は、パッケージング層と、及び前記パッケージング層に嵌め込まれた感光性ユニット、機能素子及び再配線構造とを含み、前記感光性ユニットは、感光性チップ及び前記感光性チップに装着されるフィルタを含み、前記パッケージング層の上面に前記再配線構造及びフィルタを露出し、前記パッケージング層の底面に前記感光性チップと機能素子のうちの最も高い方を露出し、前記感光性チップ及び機能素子は、いずれも前記再配線構造に対向し、また前記再配線構造に電気的に接続されるはんだパッドを備える撮像アセンブリをさらに提供する。
【０００８】
それに対応して、本発明の実施例は、本発明の実施例による撮像アセンブリと、及び前記パッケージング層の上面に装着され、また前記感光性ユニット及び機能素子を囲むホルダーを含み、前記感光性チップ及び機能素子に電気的に接続されるレンズアセンブリとを含むレンズモジュールをさらに提供する。
【０００９】
それに対応して、本発明の実施例は、本発明の実施例によるレンズモジュールを含む電子機器をさらに提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の実施例による技術的解決手段は、先行技術に比べて、下記のような利点を備える。
【００１１】
本発明の実施例は、感光性チップと機能素子をパッケージング層に集積させ、また再配線構造を介して電気的接続を実現し、本発明の実施例は、機能素子を周辺マザーボードに装着する解決手段に比べて、感光性チップと機能素子との間の距離を減少させることができ、それに対応して、感光性チップと機能素子との間の電気的接続距離を減少させることにより、信号を伝送する速度を向上させて、レンズモジュールの使用性能を向上させる（例えば、撮像速度及び保存速度を向上させる）。また、前記パッケージング層及び再配線構造により、回路基板（例えば、ＰＣＢ）を省略して、レンズモジュールの合計の厚さを減少させることで、レンズモジュールの小型化、薄型化の要求を満足させる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図２】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図３】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図４】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図５】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図６】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図７】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図８】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図９】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図１０】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図１１】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図１２】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図１３】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図１４】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の他の実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図１５】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の他の実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図１６】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の他の実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図１７】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法のもう１つの実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図１８】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法のもう１つの実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図１９】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法のもう１つの実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図２０】本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法のもう１つの実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【図２１】本発明に係るレンズモジュールの一実施例の構造模式図である。
【図２２】本発明に係る電子機器の一実施例の構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
現在、レンズモジュールの使用性能は向上させる必要があり、レンズモジュールは、レンズモジュールの小型化、薄型化の要求を満足させることができない。その原因を分析した結果、下記の通りである。
【００１４】
既存のレンズモジュールは、主に回路基板、感光性チップ、機能素子（例えば、周辺チップ）及びレンズアセンブリで組み立てられ、周辺チップは、一般的に周辺メインボードに装着され、感光性チップと機能素子との間は、互いに分離される。ここで、回路基板は、感光性チップ、機能素子及びレンズアセンブリに対して支持作用をし、回路基板を介して前記感光性チップ、機能素子とレンズモジュールとの間の電気的接続を実現する。
【００１５】
しかし、ハイピクセル、超薄型レンズモジュールの要求に応じて、レンズモジュールのイメージングに対する要求もますます高まっており、感光性チップの面積は相応に増加され、機能素子も相応に多くなって、レンズモジュールのサイズはますます大きくなるので、レンズモジュールの小型化、薄型化の要求を満足させない。また、感光性チップは、一般的に、レンズモジュール中のホルダーの内部に設置され、周辺チップは、一般的にホルダーの外部に設置されるので、周辺チップと感光性チップの間には一定の距離があることにより、信号を伝送する速度を減少させる。周辺チップは、一般的に、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ：ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｉｇｎａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）チップとメモリチップを含むので、撮像速度と保存速度に対して悪い影響を与えやすいので、レンズモジュールの使用性能を低下させる。
【００１６】
上記の技術的課題を解決するために、本発明の実施例は、感光性チップと機能素子をパッケージング層に集積させ、また再配線構造を介して電気的接続を実現し、本発明の実施例は、機能素子を周辺マザーボードに装着する解決手段に比べて、感光性チップと機能素子との間の距離を減少させることができ、相応に感光性チップと機能素子との間の電気的接続距離を減少させることにより、信号を伝送する速度を向上させて、レンズモジュールの使用性能を向上させる（例えば、撮像速度及び保存速度を向上させる）。また、前記パッケージング層及び再配線構造により、回路基板（例えば、ＰＣＢ）を省略して、レンズモジュールの合計の厚さを減少させることで、レンズモジュールの小型化、薄型化の要求を満足させる。
【００１７】
本発明の上記目的、特徴、及び利点がより明確かつ容易に理解されるように、以下、図面を結びつけて、本発明の具体的な実施例を詳細に説明する。
【００１８】
図１〜図１３は、本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の一実施例における各ステップに対応する構造模式図である。
【００１９】
図１〜図５を参照すると、図２は、図１の１つの感光性チップの拡大図であり、図４は、図３の１つのフィルタの拡大図である。感光性チップ２００（図５に示されたように）及び前記感光性チップ２００に装着されるフィルタ４００（図５に示されたように）を含み、前記感光性チップ２００は、前記フィルタ４００に対向するはんだパッドを備える感光性ユニット２５０（図５に示す）を形成する。
【００２０】
前記感光性チップ２００は、イメージセンサチップである。本実施例において、前記感光性チップ２００は、ＣＭＯＳイメージセンサ（ＣＩＳ：  ＣＭＯＳｉｍａｇｅ  ｓｅｎｓｏｒ）チップである。他の実施例において、前記感光性チップは、電荷結合素子（ＣＣＤ：ｃｈａｒｇｅ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサチップであることもできる。
【００２１】
本実施例において、前記感光性チップ２００は、光信号受信面２０１（図２に示されたように）を備え、前記感光性チップ２００は、前記光信号受信面２０１を介して光放射感知信号を受信する。
【００２２】
具体的に、図２に示されたように、前記感光性チップ２００は、感光性領域２００Ｃ及び前記感光性領域２００Ｃを囲む周辺領域２００Ｅを含み、前記光信号受信面２０１は、前記感光性領域２００Ｅに位置する。
【００２３】
前記感光性チップ２００は、複数のピクセルユニットを含むので、感光性チップ２００は、複数の半導体感光素子（図示せず）及び半導体感光素子に位置する複数のフィルタコーティング（ｆｉｌｔｅｒ  ｃｏａｔｉｎｇ）（図示せず）を含み、フィルタコーティングは、光信号受信面２０１によって受信された光信号を選択的に吸収させたり通過させる。前記感光性チップ２００は、上記フィルタのコーティングに位置するマイクロレンズ２１０をさらに含み、マイクロレンズ２１０は、半導体感光素子と一対一に対応されることによって、受信された光放射信号光を半導体感光素子に集束させる。前記光信号受信面２０１は、相応に、前記マイクロレンズ２１０の上面である。
【００２４】
説明すべき点は、前記感光性チップ２００は、一般的に、シリコン基板のチップであり、集積回路製作技術で製作され、前記感光性チップ２００は、前記感光性チップ２００と他のチップまたは部品の電気的接続を実現するためのはんだパッドを備える。本実施例において、前記感光性チップ２００は、周辺領域２００Ｅに形成され、前記フィルタ４００に対向する第１チップはんだパッド２２０を備える。具体的に、前記光信号受信面２０１の同じ側に位置する感光性チップ２００の表面は、前記第１チップはんだパッド２２０を露出させる。
【００２５】
前記感光性チップ２００は、一般的に複数の感光性チップ２００が集積されたデバイスウエハを切断することにより得られる。それに対応して、切断することの前に、デバイスウエハの光信号受信面２０１に後ろ向き面に、精度を向上させるために前記デバイスウエハに対して位置決めするために使用され、切断された後に、前記複数の感光性チップ２００に対して固定及び位置決めする第１ＵＶフィルム３１０（図１に示されたように）を接着することをさらに含む。
【００２６】
具体的に、図１に示されたように、ラミネーターを使用して、前記第１ＵＶフィルム３１０を、デバイスウエハの光信号受信面２０１に後ろ向きの面に密着させ、第１ＵＶフィルム３１０はまた、直径が比較的大きい第１フレーム３１５の底部に接着され、前記第１フレーム３１５は、ストレッチフィルム作用して、切断された後の前記感光性チップ２００が第１ＵＶフィルム３１０に分割固定されるようにする。第１ＵＶフィルム３１０及び第１フレーム３１５の具体的な説明にいて、本実施例は、ここでは繰り返して説明しない。
【００２７】
前記フィルタ４００は、前記感光性チップ２００に装着されて、後続的なパッケージング工程が前記光信号受信面２０１を汚染させることを防止し、後続的なレンズモジュールの合計の厚さを減少させ、レンズモジュールの小型化、薄型化の要求を満足させることに有利である。
【００２８】
前記フィルタ４００は、赤外線フィルタガラス片または全透過ガラス片であることができる。本実施例において、前記フィルタ４００は、赤外線フィルタガラス片であり、入射光のうち赤外線が感光性チップ２００の性能への影響を除去し、イメージング効果の向上に有利である。具体的に、前記フィルタ４００は、赤外線カットフィルター（ＩＲＣＦ：ｉｎｆｒａｒｅｄ  ｃｕｔ  ｆｉｌｔｅｒ）であり、前記赤外線カットフィルターは、青色ガラス赤外線カットフィルターであることができ、またはガラス及び前記ガラス表面に位置する赤外線カットコーティング（ＩＲ  ｃｕｔ  ｃｏａｔｉｎｇ）を含む。
【００２９】
本実施例において、前記フィルタ４００は、組み立て面４０１（図３に示されたように）を含む。前記組み立て面４０１は、感光性チップ２００との装着を実現する面であり、前記感光性チップ２００に対向する面である。
【００３０】
具体的に、フィルタ４００が青色ガラス赤外線カットフィルターである場合、青色ガラス赤外線カットフィルターの１つの表面には反射防止コーティング（ｒｅｆｅｃｔｉｏｎ  ｒｅｄｕｃｉｎｇ  ｃｏａｔｉｎｇ）または反射防止膜（ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）が塗布され、反射防止コーティングまたは反射防止膜の表面に後ろ向きの面は、組み立て面４０１である。フィルタ４００がガラス及びガラス表面に位置する赤外線カットコーティングを含む場合、赤外線カットコーティングに後ろ向けのガラス表面は、組み立て面４０１である。他の実施例において、フィルタが全透過ガラス片である場合、全透過ガラス片のいずれかの１つの表面は、組み立て面である。
【００３１】
図４に示されたように、前記フィルタ４００は、光透過領域４００Ｃ及び光透過領域４００Ｃを囲むエッジ領域４００Ｅを含む。前記光透過領域４００Ｃは、外部の入射光を透過させるようにすることにより、感光性チップ２００の光信号受信面２０１が光信号を受信するようにして、レンズモジュールの正常の使用機能を保証する。前記エッジ領域４００Ｅは、フィルタ４００と感光性チップ２００の装着のためのスペースの位置を残す。
【００３２】
図５に示されたように、本実施例において、前記フィルタ４００は、接着構造４１０を介して感光性チップ２００に装着され、前記接着構造４１０は、前記光信号受信面２０１を囲む。
【００３３】
前記接着構造４１０は、フィルタ４００と感光性チップ２００を物理的に接続させる。前記フィルタ４００、接着構造４１０及び感光性チップ２００は、キャビティ（図示せず）をなし、フィルタ４００と感光性チップ２００の直接的な接触を防止することにより、フィルタ４００が感光性チップ２００の性能に対して悪い影響を与えることを防止する。
【００３４】
本実施例において、前記接着構造４１０は、前記光信号受信面２０１を囲むことにより、前記光信号受信面２０１上方のフィルタ４００が前記感光性チップ２００の感光性パスに位置するようにして、前記感光性チップ２００の性能を保証する。
【００３５】
具体的に、前記接着構造４１０の材料は、フォトリソグラフィ可能な材料であるので、接着構造４１０の形の品質とサイズ精度を向上させ、パッケージ効率及び生産能力を向上させることに有利だけでなく、接着構造４１０の接着強度への影響を低減させることできる。
【００３６】
本実施例において、前記接着構造４１０の材料は、フォトリソグラフィ可能なドライフィルム（ｄｒｙ  ｆｉｌｍ）である。他の実施例において、前記接着構造の材料は、フォトリソグラフィ可能なポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、フォトリソグラフィ可能なポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、またはフォトリソグラフィ可能なベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）であることもできる。
【００３７】
本実施例において、前記接着構造４１０を形成する工程の難易度を減少させて工程を簡素化し、前記接着構造４１０の形成工程が光信号受信面２０１に対する影響を減らすために、前記フィルタ４００に前記接着構造４１０を形成する。
【００３８】
具体的に、図３に示されたように、前記装着ステップは、第１キャリア基板３４０を提供することと、前記フィルタ４００の組み立て面４０１に後ろ向きの面を前記第１キャリア基板３４０に仮ボンディングすることと、前記仮ボンディングすること後に、前記フィルタ４００のエッジ領域４００Ｅ（図４に示されたように）に環状の接着構造４１０を形成することと、図５に示されたように、前記感光性チップ２００の光信号受信面２０１を前記環状接着構造４１０を対向するように、前記感光性チップ２００の周辺領域２００Ｅ（図２に示されたように）を前記環状接着構造４１０に装着させることにより前記感光性ユニット２５０を形成することとを含む。
【００３９】
前記第１キャリア基板３４０は、接着構造４１０の形成及び装着ステップのために工程プラットフォームを提供する。本実施例において、前記第１キャリア基板３４０は、ウェハキャリア（ｃａｒｒｉｅｒ  ｗａｆｅｒ）である。他の実施例において、前記第１キャリア基板は、他のタイプの基板であることもできる。
【００４０】
具体的に、第１仮ボンディング層３４５を介してフィルタ４００を第１キャリア基板３４０に仮ボンディングする。前記第１仮ボンディング層３４５は、剥離層として、後続的のデボンディングを実現する。
【００４１】
本実施例において、前記第１仮ボンディング層３４５は、発泡膜である。発泡膜は、対向する微細粘着面と発泡面を含み、発泡膜は、常温で接着性を備え、発泡面は、第１キャリア基板３４０に接着されるので、後続的に発泡膜に加熱して、発泡面の接着性を除去することにより、ボンディングを実現することができる。他の実施例において、前記第１仮ボンディング層は、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ：ｄｉｅ  ａｔｔａｃｈ  ｆｉｌｍ）であることもできる。
【００４２】
続いて図１と図２を参照すると、本実施例において、前記パッケージング方法は、前記第１チップはんだパッド２２０に第１導電性バンプ３６２を形成することを含む。
【００４３】
前記第１導電性バンプ３６２は、感光性チップ２００の表面から突出し、感光性チップ２００の外部電極として、第１チップはんだパッド２２０と後続的の再配線構造との電気的接続のために工程準備し、後続的に第１チップはんだパッド２２０と再配線構造との電気的接続の信頼性を向上させることに有利である。
【００４４】
本実施例において、バンピング工程を利用して前記第１導電性バンプ３６２を形成する。前記フィルタ４００と接着構造４１０の全体の厚は、比較的に大きく（一般に、２００μｍ〜３００μｍである）、バンピング工程によって形成された第１導電性バンプ３６２は、体積が比較的に大きく、第１導電性バンプ３６２と再配線構造との接触を容易に実現する。
【００４５】
本実施例において、感光性チップ２００が集積されたデバイスウエハを切断する前に、前記感光性チップ２００に対応する第１チップはんだパッド２２０表面に前記第１導電性バンプ３６２を形成する。
【００４６】
バンピング工程は、リフローステップを含み、リフローステップの工程温度は、一般に１８０℃〜３５０℃の範囲内であり、リフローステップの工程温度が高すぎると、切断する前に前記第１導電性バンプ３６２を形成することにより、前記第１ＵＶフィルム３１０と第１仮ボンディング層３４５（図５に示されたように）との接着性が高温の影響を受けることを防止する。また、第１チップはんだパッド２２０の表面に第１導電性バンプ３６２を形成することにより、第１導電性バンプ３６２の形成位置の精度を向上させることができ、後続的の電気的接続工程の可能性及び電気的接続の信頼性を向上させることに有利である。
【００４７】
図６を参照すると、前記感光性ユニット２５０（図５に示されたように）を形成し後、前記感光性チップ２００を第２ＵＶフィルム３２０に接着することと、前記接着ステップ後、第１ディボンディング処理を行い、前記第１キャリア基板３４０（図５に示されたように）を除去することをさらに含む。
【００４８】
前記接着ステップによって、前記感光性ユニット２５０が他のキャリア基板での位置精度を向上させることに有利である。ここで、ＵＶフィルム３１０は、紫外線の照射で接着力が弱まり、後続的に前記感光性ユニット２５０を前記第２ＵＶフィルム３２０から容易に取り外す。
【００４９】
具体的に、前記第２ＵＶフィルム３２０は、前記感光性チップ２００の光信号受信面２０１に後ろ向きの面に密着し、また直径が比較的に大きい第２フレーム３２５の底部に接着され、前記第２フレーム３２５を介してストレッチフィルム作用することにより、前記感光性ユニット２５０が前記第２ＵＶフィルム３２０に別に固定されるようにする。第２ＵＶフィルム３２０及び第２フレーム３２５の具体的な説明について、本実施例は、ここでは繰り返さない。
【００５０】
本実施例において、前記第１仮ボンディング層３４５（図５に示されたように）は、発泡膜であるので、熱分解ボンディング工程を経て、前記第１ディボンディング処理を行う。具体的に、第１仮ボンディング層３４５に加熱処理を行い、発泡膜の発泡面の接着性を除去することにより、第１キャリア基板３４０を除去する。その後、引き裂き方法で前記第１仮ボンディング層３４５を除去する。
【００５１】
続いて図６を参照すると、説明すべき点は、前記パッケージング方法は、前記フィルタ４００の側壁を覆う応力緩衝層４２０を形成することをさらに含む。
【００５２】
前記応力緩衝層４２０は、後続的に形成されるパッケージング層がフィルタ４００に対して発生する応力低減して、フィルタ４００が破裂する確率を低減することにより、パッケージング工程の信頼性及び品質を向上させることに有利である。特に、フィルタ４００は、赤外線フィルタガラス片または全透過ガラス片であり、ガラス片は、応力の影響により破裂される可能性が比較的に高いが、応力緩衝層４２０を介して、フィルタ４００の破裂する確率を顕著に低減することができる。
【００５３】
前記応力緩衝層４２０は、フィルタ４００への接着を確実にするための粘性を有する。本実施例において、前記応力緩衝層４２０の材料は、エポキシ系接着剤である。エポキシ系接着剤は、エポキシ樹脂接着剤（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ  ａｄｈｅｓｉｖｅ）であり、エポキシ系接着剤は、様々な形で有し、組成を変えることで弾性率の異なる材料を得ることができ、これにより実際の状況に応じて、フィルタ４００が受ける応力を調節することができる。
【００５４】
本実施例において、前記応力緩衝層４２０はまた、接着構造４１０の側壁を覆い、パッケージング層が前記接着構造４１０に対して発生する応力を低減して、パッケージング工程の信頼性及び品質をさらに向上させる。
【００５５】
本実施例において、前記感光性ユニット２５０（図５に示されたように）を前記第２ＵＶフィルム３２０に接着させた後、ディスペンス工程を介して前記応力緩衝層４２０を形成する。ディスペンス工程を選択することによって、応力緩衝層４２０を形成すること及び現在のパッケージング工程の互換性を向上させ、工程が簡単である。
【００５６】
図７と図８を参照すると、第２キャリア基板３３０を提供し、前記第２キャリア基板３３０に再配線（ＲＤＬ：ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）構造３６０（図８に示されたように）を形成する。
【００５７】
前記第２キャリア基板３３０は、再配線構造３６０の形成のために工程プラットフォームを提供する。本実施例において、前記第２キャリア基板３３０は、ウェハキャリアである。他の実施例において、前記第２キャリア基板は、他のタイプの基板であることもできる。
【００５８】
本実施例において、前記パッケージング方法は、前記第２キャリア基板３３０に第２仮ボンディング層３３１を形成することをさらに含む。前記第２仮ボンディング層３３１は、剥離層として、後続的に前記再配線構造３６０と第２キャリア基板３３０を容易に分離させることができる。前記第２仮ボンディング層３３１は、発泡膜であることができ、第２仮ボンディング層３３１に対する具体的な説明は、前述した第２仮ボンディング層３４５（図５に示されたように）の相応する説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【００５９】
説明すべき点は、他の実施例において、前記第２仮ボンディング層を形成する前に、前記第２キャリア基板にパッシベーション層を形成することをさらに含む。前記パッシベーション層を介して前記第２キャリア基板がパッシベーション層を形成する過程に汚染される確率を低減して、前記第２キャリア基板の重複使用率を増加する。ここで、前記パッシベーション層の材料は、酸化ケイ素または窒化ケイ素であることができる。
【００６０】
前記再配線構造３６０は、撮像アセンブリを形成する電気的集積を実現し、また各チップと構成要素との間の距離を短くしながら電気的接続工程の実現可能性を向上させる。なお、伸線工程と比較して、再配線構造３６０は、大量生産を実現し、パッケージング効率を向上させる。
【００６１】
具体的に、前記再配線構造３６０を形成することは、第２仮ボンディング層３３１に第１誘電体層３３２を形成すること（図７に示されたように）と、前記第１誘電体層３３２をパターン化し、前記第１誘電体層３３２内に前記第１誘電体層３３２の厚さを貫通する相互接続トレンチ３３５を形成すること（図７に示されたように）と、前記相互接続トレンチ３３５内に導電性材料を充填し、前記再配線構造３６０を形成することと、及び前記第１誘電体層３３２を除去することとを含む。
【００６２】
前記第１誘電体層３３２中の相互接続トレンチ３３５は、前記再配線構造３６０の形状、位置及びサイズを定義する。本実施例において、前記第１誘電体層３３２の材料は、感光性材料であり、相応に、リソグラフィー工程を介してパターン化を実現することができる。具体的に、第１誘電体層３３２の材料は、感光性ポリイミド、感光性ベンゾシクロブテンまたは感光性ポリベンゾオキサゾールである。
【００６３】
本実施例において、前記再配線構造３６０は、前記相互接続トレンチ３３５内に形成され、前記再配線構造３６０は対応して相互接続線であることにより、前記再配線構造３６０を形成する工程の複雑さを低減する。具体的に、電気メッキ工程を介して前記相互接続トレンチ３３５内に導電性材料を充填する。
【００６４】
本実施例において、前記再配線構造３６０の材料はすべて銅である。銅材料を選択することにより、再配線構造３６０の電気的接続の信頼性及び導電性を向上させることに有利である。なお、銅の充填特性が良好であり、相応に、前記相互接続トレンチ３３５内の導電性材料の充填品質を向上させることができる。他の実施例において、前記再配線構造の材料は他の適用可能な導電性材料であるもできる。
【００６５】
前記材料の第１誘電体層３３２の耐腐食性が良いので、本実施例において、前記再配線構造３６０を形成した後、反応性イオンエッチング工程を使用して第１誘電体層３３２を除去し、前記第２仮ボンディング層３３１を露出させることにより、後続の工程のために工程準備する。
【００６６】
説明すべき点は、他の実施例において、エッチングによって再配線構造を直接に形成することができる。具体的に、前記再配線構造を形成することは、第２仮接合層上に導電層を形成する工程と、導電層をエッチングする工程と、エッチング後の導電層を再配線構造として残す工程とを含む。
【００６７】
具体的に、前記第２仮ボンディング層に導電層を形成することと、前記導電層をエッチングし、エッチングした後に残された導電層を前記再配線構造とすることを含む。
【００６８】
当該実施例において、前記再配線構造の材料は、エッチング工程よって容易にパターン化されるアルミニウムなどの導電性材料であることができる。
【００６９】
図９を参照すると、はんだパッドを備える機能素子（図示せず）を提供し、前記感光性ユニット２５０（図５に示されたように）中のフィルタ４００を前記第２キャリア基板３３０に仮ボンディングし、前記機能素子を前記再配線構造３６０に配置し、前記感光性チップ２００のはんだパッドと前記機能素子のはんだパッドの両方とも前記再配線構造３６０に対向し、また前記再配線構造３６０に電気的に接続するようにする。
【００７０】
具体的に、１つの感光性ユニット２５０の位置側の第２ＵＶフィルム３２０（図６に示されたように）に紫外線を照射して、紫外線照射を受けた第２ＵＶフィルム３２０が粘性を失うようにし、前記感光性ユニット２５０を第２ＵＶフィルム３２０から順次に剥離させ、前記第２キャリア基板３３０の予め設定された位置に配置する。前記感光性ユニット２５０を１つずつ第２キャリア基板３３０に配置することによって、感光性ユニット２５０が前記第２キャリア基板３３０での位置精度を向上させることに有利である。
【００７１】
本実施例において、前記フィルタ４００を前記第２キャリア基板３３０に仮ボンディングした後、前記第１導電性バンプ３６２は前記再配線構造３６０と接触する。
【００７２】
本実施例は、ただ１つの感光性ユニット２５０を示した。他の実施例において、形成されたレンズモジュールが二重撮像またはアレイモジュール製品に適用される場合、前記感光性ユニットの数量は複数個であることもある。
【００７３】
前記機能素子は、撮像アセンブリのうち感光性チップ２００を除いた特定の機能素子であり、周辺チップ２３０及び受動素子２４０中の少なくとも１つを含む。
【００７４】
本実施例において、前記機能素子は、周辺チップ２３０及び受動素子２４０を含む。
【００７５】
前記周辺チップ２３０は、能動素子であり、後続的に感光性チップ２００との電気的に接続を実現した後、前記感光性チップ２００にアナログ電源回路、デジタル電源回路、電圧緩衝回路、シャッター回路、シャッター駆動回路などのような周辺回路を提供する。
【００７６】
本実施例において、前記周辺チップ２３０は、デジタルシグナルプロセッサチップとメモリチップ中の１つまたは２つを含む。他の実施例において、前記周辺チップは、他のタイプのチップを含むこともできる。図９は、ただ１つの周辺チップ２３０を示すが、周辺チップ２３０の数は、１つだけに限定されない。
【００７７】
前記周辺チップ２３０は、一般にシリコン基板のチップであり、集積回路製作技術で製作され、前記周辺チップ２３０と他のチップまたは部品の電気的接続を実現するためのはんだパッドを備える。本実施例において、前記周辺チップ２３０は、第２チップはんだパッド２３５を含み、前記周辺チップ２３０を再配線構造３６０に配置した後、前記第２チップはんだパッド２３５は、前記再配線構造３６０に対向する。
【００７８】
前記受動素子２４０は、感光性チップ２００の感光性作業に対して特定の作用をする。前記受動素子２４０は、レジスタ、キャパシタンス、インダクタンス、ダイオード、三極管、ポテンショメータ、リレーまたはドライバなどの体積が比較的に小さい電子素子を含むことができる。図９は、ただ１つの受動素子２４０を示したが、前記受動素子２４０の数は、１つだけに限定されない。
【００７９】
前記受動素子２４０は、前記受動素子２４０と他のチップまたは部品との電気的接続を実現するためのはんだパッドも備える。本実施例において、前記受動素子２４０のはんだパッドは、電極２４５であり、前記受動素子２４０を再配線構造３６０に配置した後、前記電極２４５は、前記再配線構造３６０に対向する。
【００８０】
本実施例において、前記周辺チップ２３０及び受動素子２４０を前記再配線構造３６０に配置することの前に、前記第２チップはんだパッド２３５及び電極２４５に第２導電性バンプ３６３を形成することをさらに含む。
【００８１】
前記第２導電性バンプ３６３は、周辺チップ２３０及び受動素子２４０の外部電極のための周辺チップ２３０の表面及び受動素子２４０の表面から突出され、後続的に周辺チップ２３０及び受動素子２４０と再配線構造３６０との電気的接続の信頼性を向上せさせる。
【００８２】
さらに、前記第２導電性バンプ３６３は、周辺チップ２３０及び受動素子２４０の第２キャリア基板３３０に後ろ向きの面と感光性チップ２００の第２キャリア基板３３０に後ろ向きの面との間の高さの差を減少することに有利であり、後続的にボンディング工程の工程複雑さを軽減することに有利である。
【００８３】
本実施例において、バンピング工程を介して前記第２導電性バンプ３６３を形成する。一般に、バンピングの体積は比較的に大きく、周辺チップ２３０及び受動素子２４０の第２キャリア基板３３０に後ろ向きの面と感光性チップ２００の第２キャリア基板３３０に後ろ向きの面との間の高さの差を容易に減少する。
【００８４】
ここで、周辺チップ２３０及び受動素子２４０を再配線構造３６０に配置する前に、前記第２導電性バンプ３６３を形成する方法によって、リフローことが第２仮ボンディング層３３１の接着性及びその他のチップまたは素子に対する影響を防止する。さらに、第２導電性バンプ３６３の形成位置の精度を向上させることもできる。第２導電性バンプ３６３に対する具体的な説明は、第１導電性バンプ３６２の関連説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【００８５】
それに対応して、前記周辺チップ２３０及び受動素子２４０を再配線構造３６０に配置した後、前記第２導電性バンプ３６３は前記再配線構造３６０と接触する。
【００８６】
本実施例において、前記フィルタ４００を前記第２キャリア基板３３０仮ボンディングし、前記機能素子を前記再配線構造３６０に配置した後、前記第１導電性バンプ３６２及び第２導電性バンプ３６３を前記再配線構造３６０にボンディングする。
【００８７】
具体的に、メタルボンディング工程を利用して前記ボンディングことを行う。
【００８８】
本実施例において、同じメタルボンディング工程ことで、前記第１導電性バンプ３６２及び第２導電性バンプ３６３を前記再配線構造３６０にボンディングすることにより、パッケージング効率を向上させ、複数回のメタルボンディング工程の工程温度がもたらす悪影響を防止する。
【００８９】
具体的に、前記メタルボンディング工程は、熱圧着工程である。前記メタルボンディング工程において、前記第１導電性バンプ３６２、第２導電性バンプ３６３と前記再配線構造３６０の接触面は、圧力の作用の下で、塑性変形して、接触面の原子がお互いに接触するようにし、ボンディング温度の上昇するにつれて、接触面の原子拡散が加速して、クロスボーダー拡散を実現する。あるボンディング時間に達すると、接触面の格子が再結合し、それによりボンディングを実現し、またボンディング強度、導電性及び熱伝導性、エレクトロマイグレーション耐性及び機械的接続特性が比較的に高い。
【００９０】
説明すべき点は、ボンディング温度の上昇につれて、接触面の原子はより多いエネルギーを獲得し、原子間の拡散はより明白になり、ボンディング温度の上昇は結晶粒子成長も促進し、エネルギーを得ることができる結晶粒子はインターフェースを超えて成長することができ、インターフェースを除去し、接触面の材料を一体化するのに有利である。しかし、ボンディング温度が高すぎると、前記感光性チップ２００及び周辺チップ２３０の性能に、特に形成されたアセンブリの敏感素子に、悪影響を及ぼし易い。また工程温度が高すぎると、アライメント精度の低下、工程コストの増加、生産効率の低下などの問題を引き起こす。そのために、本実施例において、前記メタルボンディング工程は、金属低温ボンディング工程であり、前記メタルボンディング工程のボンディング温度は、２５０℃より小さいか等しい。ここで、ボンディング温度の最低値は、ボンディングを実現できればよい。
【００９１】
前記ボンディング温度の設定の下で、圧力を増加して、原子の間の相互拡散をより容易にすることにより、前記第１導電性バンプ３６２、第２導電性バンプ３６３と前記再配線構造３６０との間のボンディング品質を向上させる。そのために、本実施例において、前記メタルボンディング工程の圧力は２００ｋＰａより大きいか等しい。ここで、前記圧力は、プレスツールによって発生する。
【００９２】
ボンディング時間を増加すると、ボンディング品質も状況させることができる。そのために、本実施例において、前記メタルボンディング工程ボンディング時間は、３０ｍｉｎより大きいか等しい。
【００９３】
説明すべき点は、実際の工程において、前記ボンディング温度、圧力及びボンディング時間を合理的に調整することができ、また相互協力することにより、金属ボンディングの品質と効率を保証する。また説明すべき点は、接触面の酸化または汚染の可能性を減らすために、真空環境で前記メタルボンディング工程を実行することができる。
【００９４】
図１０及び図１１を参照すると、前記第２キャリア基板３３０、前記パッケージング層３５０及び前記感光性チップ２００を覆い、機能素子（図示せず）中の最も高い方に平行するパッケージング層３５０を形成する。
【００９５】
前記パッケージング層３５０は、感光性チップ２００及び機能素子（例えば、周辺チップ２３０、受動素子２４０）に対して固定作用をして、感光性チップ２００及び機能素子のパッケージング集積を実現するようにする。
【００９６】
ここで、パッケージング層３５０を介して、レンズアセンブリのホルダーが占めるスペースを減少させることができ、回路基板（例えば、ＰＣＢ）を省略することができることにより、後続的に、レンズモジュールを形成する合計の厚さを顕著に減少させ、レンズモジュールの小型化、薄型化の要求を満足させる。また、機能素子を周辺マザーボードに装着する解決手段に比べて、感光性チップと機能素子の両方をパッケージング層３５０に集積させる方式は、感光性チップ２００と各機能素子の間の距離を減少させることができ、相応に感光性チップと各機能素子との間の電気的接続距離を短縮させることに有利であることにより、信号を伝送する速度を向上させ、レンズモジュールの使用性能を向上させる（例えば、撮像速度、保存速度を向上させる）。
【００９７】
前記パッケージング層３５０の材料は、成形（ｍｏｌｄｉｎｇ）材料であり、絶縁、シール及び防湿作用もすることができるので、レンズモジュールの信頼性を向上させることにも有利である。本実施例において、前記パッケージング層３５０の材料は、エポキシ樹脂である。エポキシ樹脂は、低収縮性、優れた接着性、優れた耐食性、優れた電気的性質及び低コストなどの利点を有しているので、電子デバイスおよび集積回路用の封止材として広く使用される。
【００９８】
具体的に、前記パッケージング層３５０を形成することは、前記第２キャリア基板３３０、感光性チップ２０００及び機能素子を覆う材料パッケージング層３５５（図１０に示されたように）を形成することと、前記材料パッケージング層３５５に研削（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）を行って、前記感光性チップ２００と機能素子のうち最も高い方と面一にする前記パッケージング層３５０を形成することとを含む。
【００９９】
本実施例において、射出成形（ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｍｏｌｄｉｎｇ）工程を介して前記材料パッケージング層３５５を形成する。射出成形工程は、生産速度が速く、効率が高く、操作の自動化が可能などの特徴を備え、射出成形工程を使用すると、生産量を向上させ、工程コストを削減させることに有利である。他の実施例において、他の成形工程を使用して前記パッケージング層を形成することができる。
【０１００】
前記材料パッケージング層３５５は、前記感光性チップ２００及び機能素子を覆い、前記パッケージング層３５０の工程が感光性チップ２００と機能素子との間の厚さの差による影響を防止し、相応に、射出成形工程に必要な金型をカスタマイズする必要がなく、工程が簡単である。
【０１０１】
さらに、前記パッケージング層３５０は、前記フィルタ４００の側壁さらに覆うことにより、前記感光性ユニット２５０のキャビティシール性を向上させ、水蒸気、酸化性ガスなどが前記キャビティ内に入る確率を減らして、感光性チップ２００の性能を保証する。
【０１０２】
なお、前記感光性ユニット２５０、機能素子及び再配線構造３６０はすべて前記パッケージング層３５０内に位置されて、感光性ユニット２５０、機能素子及び再配線構造３６０のすべてが保護されるようにし、撮像アセンブリの信頼性及び安定性を向上させることに有利である。
【０１０３】
説明すべき点は、前記パッケージング層３５０の作用の下で、回路基板を省略することにより、レンズモジュールの厚さを減少させる効果を発生するので、感光性チップ２００及び周辺チップ２３０の薄化処理を行う必要がなく、これにより前記感光性チップ２００及び周辺チップ２３０の機械的強度と信頼性を向上させる。他の実施例では、工程の要求に応じて、前記感光性チップ及び周辺チップの厚さを適切に減少させることができるが、その機械的強度及び信頼性に影響を受けないように薄化量が比較的に少ない。
【０１０４】
本実施例において、前記平坦化処理によりパッケージング層３５０の厚さを減少させることにより、形成されたレンズモジュールの合計の厚さを減少させる。他の実施例おいて、前記平坦化処理を行わずに、パッケージングことを簡素化して、形成されたパッケージング層が、前記感光性チップ及び機能素子を相応に覆うようにすることもできる。
【０１０５】
図１２を参照すると、第２ディボンディング処理を行い、前記第２キャリア基板３３０（図１１に示されたように）を除去する。
【０１０６】
本実施例において、前記第２ディボンディング処理のことは、前記第２キャリア基板３３０と第２仮ボンディング層３３１（図１１に示されたように）を順次に除去することを含む。前記第２ディボンディング処理に対する具体的な説明は、前記第１ディボンディング処理の関連する説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【０１０７】
図１３を参照すると、前記第２ディボンディング処理後に、前記パッケージング層３５０にダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）処理を行うことをさらに含む。
【０１０８】
ダイシング処理を介してサイズが工程の要求に合致する１つの撮像アセンブリ２６０を形成することにより、後続的にレンズアセンブリを装着するために工程の準備をする。本実施例において、レーザー切断工程を利用して前記ダイシング処理を行う。
【０１０９】
続いて図１３を参照すると、説明すべき点は、前記第２キャリア基板３３０（図１１に示されたように）を除去した後に、前記パッケージング層３５０が露出される再配線構造３６０にＦＰＣ基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）５１０をボンディングさせることをさらに含む。
【０１１０】
前記ＦＰＣ基板５１０は、回路基板を省略した場合、前記撮像アセンブリ２６０と後続的なレンズアセンブリとの間の電気的接続、及び形成されたレンズモジュールと他の素子との間の電気的接続を実現する。後続的に、レンズモジュールを形成した後、前記レンズモジュールはまた、前記ＦＰＣ基板５１０を介して電子機器中の他の素子と電気的に接続することにより、電子機器の正常な撮像機能を実現する。
【０１１１】
本実施例において、前記ＦＰＣ基板５１０に回路構造が備えので、メタルボンディング工程を介して前記ＦＰＣ基板５１０を、前記再配線構造３６０にボンディングさせることにより、電気的接続を実現する。
【０１１２】
本実施例において、工程の可能性を向上させるために、前記第２ディボンディング処理及びダイシング処理した後、前記再配線構造３６０に前記ＦＰＣ基板５１０をボンディングさせる。
【０１１３】
説明すべき点は、前記ＦＰＣ基板５１０には、他の回路素子を電気的に接続させるコネクタ（ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ）５２０が形成される。レンズモジュールが電子機器に適用される場合には、前記コネクタ５２０は、前記電子機器のマザーボードに電気的に接続されることにより、前記レンズモジュールと前記電子機器中の他の素子との間の情報の伝送を実現し、前記レンズモジュールのイメージ情報を前記電子機器に送信する。具体的には、前記コネクタ５２０は、ゴールドフィンガーコネクタであることができる。
【０１１４】
図１４〜図１６は、本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法の他の実施例における各ことに対応する構造模式図である。
【０１１５】
本実施例と前述した実施例の同じ部分は、ここでは繰り返して説明しない。本実施例と前述した実施例の異なる部分は、再配線構造３６０ａに複数の導電性バンプ３６５ａ（図１５に示されたように）を形成することである。
【０１１６】
具体的に、前記再配線構造３６０ａに複数の導電性バンプ３６５ａを形成することは、図１４を参照すると、第２キャリア基板３３０ａ及び再配線構造３６０ａを覆う第２誘電体層３３３ａを形成することと、前記第２誘電体層３３３ａをパターン化して、前記第２誘電体層３３３ａ内に相互接続ビアホール３８５ａを形成し、前記再配線構造３６０ａの一部の露出することとを含む。
【０１１７】
前記相互接続ビアホール３８５ａは、後続的に導電性バンプを形成するためのスペースの場所を提供する。
【０１１８】
前記第２誘電体層３３３ａ及び前記相互接続ビアホール３８５ａを形成する工程を具体的な説明は、前述した実施例中の第１誘電体層と相互接続トレンチの関連する説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【０１１９】
図１５を参照すると、前記相互接続ビアホール３８５ａ（図１４に示されたように）に導電性材料を充填して前記導電性バンプ３６５ａを形成する。
【０１２０】
本実施例において、電気メッキ工程を利用して前記導電性材料を充填する。それに対応して、前記導電性バンプ３６５ａの材料は、前記再配線構造３６０ａの材料と同じであることもできる。
【０１２１】
図１６を参照すると、前記第２誘電体層３３３ａ（図１４に示されたように）を除去する。
【０１２２】
本実施例において、反応性イオンエッチング工程を使用して前記第２誘電体層３３３ａを除去する。
【０１２３】
それに対応して、後続的に感光性ユニット中のフィルタを前記第２キャリア基板３３０ａに仮ボンディングし、機能素子を前記再配線構造３６０ａに配置した後、感光性チップのはんだパッドと機能素子のはんだパッド対応する前記導電性バンプ３６５ａにボンディングする。
【０１２４】
後続的なことの具体的な説明は、前述した実施例中の相応の説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【０１２５】
図１７〜図２０は、本発明に係る撮像アセンブリのパッケージング方法別の一実施例における各ことに対応する構造模式図である。
【０１２６】
本実施例と前述した実施例の同じ部分は、ここでは繰り返して説明しない。本実施例と前述した実施例の異なる部分は、図２０に示されたように、形成された再配線構造３６０ｂは、相互接続線３６１ｂ及び前記相互接続線３６１ｂに突出する導電性ピラー３６５ｂを含む。
【０１２７】
具体的に、第２キャリア基板３３０ｂに前記再配線構造３６０ｂを形成することは、図１７を参照すると、前記第２キャリア基板３３０ｂに第１誘電体層３３２ｂを形成することと、前記第１誘電体層３３２ｂをパターン化して、前記第１誘電体層３３２ｂ内に前記第１誘電体層３３２ｂの厚さを貫通する相互接続トレンチ３３５ｂを形成することとを含む。
【０１２８】
前記相互接続トレンチ３３５ｂは、後続的に形成される相互接続線の形状、位置及びサイズを定義する。
【０１２９】
前記第１誘電体層３３２ｂに対する具体的な説明は、第１実施例の相応の説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【０１３０】
図１８を参照すると、前記相互接続トレンチ３３５ｂ（図１７に示されたように）内に前記第１誘電体層３３２ｂの上部をさらに覆う導電性材料３６６ｂを充填し、前記導電性材料３６６ｂにパターン化されたマスク層３６７ｂを形成し、前記パターン化されたマスク層３６７ｂは、後続的に導電性ピラーが位置する導電性材料３６６ｂをブロックする。
【０１３１】
本実施例において、電気メッキ工程を利用して前記相互接続トレンチ３３５ｂ内に導電性材料３６６ｂを充填する。
【０１３２】
本実施例において、前記導電性材料３６６ｂは、銅である。銅材料を選択することにより、再配線構造の電気的接続の信頼性を向上させることに有利であり、銅の電気抵抗率は比較的低いので、再配線構造の導電性能の向上に有利である。なお、銅の充填性が比較的良いので、相応に導電性材料３６６ｂが相互接続トレンチ３３５ｂ内に充填される効果を向上させることもできる。他の実施例において、他の適用可能な導電性材料を選択することもできる。
【０１３３】
前記パターン化されたマスク層３６７ｂは、後続的に前記導電性材料３６６ｂをエッチングするエッチングマスクである。前記マスク層３６７の材料は、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）である。他の実施例において、前記マスク層は、エッチング工程に適用可能な他の材料を選択することもでき、前記マスク層は、単層構造または積層構造であることができる。
【０１３４】
図１９を参照すると、前記パターン化されたマスク層３６７ｂをマスクとし、前記導電性材料３６６ｂ（図１８に示されたように）を前記第１誘電体層３３２ｂにエッチングして、前記相互接続トレンチ３３５ｂ（図１７に示されたように）内に位置する相互接続線３６１ｂ及び前記相互接続線３６１ｂに突出する導電性ピラー３６５ｂを形成し、前記相互接続線３６１ｂ及び導電性ピラー３６５ｂは、前記再配線構造３６０ｂを構成する。
【０１３５】
本実施例において、ドライエッチング方式を介して前記導電性材料３６６ｂをエッチングして、前記再配線構造３６０ｂの形の品質を向上させることができる。
【０１３６】
図２０を参照すると、前記マスク層３６７ｂ（図１９に示されたように）及び第１誘電体層３３２ｂ（図１９に示されたように）を除去する。
【０１３７】
本実施例において、前記マスク層３６７ｂの材料は、フォトレジストであるので、灰化（ａｓｈｉｎｇ）またはウェットタルゴム（ｄｅｇｕｍｍｉｎｇ）方式を介して当該マスク層３６７ｂを除去することができる。
【０１３８】
前述した材料の第１誘電体層３３２ｂの耐腐食性が比較的強いので、反応性イオンエッチング工程を介して前記第１誘電体層３３２ｂを除去して、第２キャリア基板３３０ｂを前記相互接続線３６１ｂに露出させるようにすることにより、後続的の電気的接続のために準備をする。
【０１３９】
それに対応して、後続的に感光性ユニット中のフィルタを前記第２キャリア基板３３０ｂに仮ボンディングし、機能素子を前記再配線構造３６０ｂに配置した後、感光性チップのはんだパッドと機能素子のはんだパッドを、対応する前記導電性ピラー３６５ｂにボンディングさせる。
【０１４０】
後続的のステップの具体的な説明は、前述した実施例中の相応の説明を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
【０１４１】
それに対応して、本発明の実施例は、撮像アセンブリをさらに提供する。続いて図１３を参照すると、本発明撮像アセンブリ一実施例の構造模式図を示す。
【０１４２】
前記撮像アセンブリ２６０は、パッケージング３５０層と、及び前記パッケージング層３５０に嵌め込まれた感光性ユニット２５０、（図５に示されたように）、機能素子（図示せず）及び再配線構造３６０とを含み、前記感光性ユニット２５０は、感光性チップ２００及び前記感光性チップ２００に装着されるフィルタ４００を含み、前記パッケージング層３５０の上面は、前記再配線構造３６０及びフィルタ４００を露出し、前記パッケージング層３５０の底面は、前記感光性チップ２００と機能素子のうち最も高い方を露出し、ここで、前記感光性チップ２００及び機能素子はそれぞれ、前記再配線構造３６０に対向し、また前記再配線構造３６０に電気的に接続されるはんだパッドを備える。
【０１４３】
前記パッケージング層３５０は、感光性チップ２００、機能素子及び再配線構造３６０に対して固定作用をして、感光性チップ２００、機能素子及び再配線構造３６０のパッケージング集積を実現するようにする。ここで、パッケージング層３５０を介して、レンズアセンブリのホルダーが占めるスペースを減少させることができ、回路基板を省略することもできることにより、レンズモジュールの厚さを減少させ、レンズモジュールの小型化、薄型化の要求を満足させる。
【０１４４】
前記パッケージング層３５０の材料は、成形材料であり、絶縁、シール及び防湿作用もすることができるので、レンズモジュールの信頼性も向上させることにも有利である。本実施例において、前記パッケージング層３５０の材料は、エポキシ樹脂である。
【０１４５】
本実施例において、前記パッケージング層３５０は、対向する上面と底面を含む。ここで、前記パッケージング層３５０の上面は、レンズアセンブリを装着するための面である。
【０１４６】
本実施例において、前記パッケージング層３５０の上面は、前記再配線構造３６０及びフィルタ４００を露出し、前記パッケージング層３５０の底面は、前記感光性チップ２００と機能素子のうち最も高い方を露出する。ここで、前記感光性チップ２００及び機能素子はそれぞれ、前記再配線構造３６０に対向し、また前記再配線構造３６０に電気的に接続されるはんだパッドを備える。それに対応して、感光性チップ２００と機能素子との間の厚さの差による前記パッケージング層３５０の形成工程への影響を防止し、相応に、前記パッケージング層３５０の製造過程において、金型をカスタマイズする必要がなく、工程が簡単である。
【０１４７】
それに対応して、前記パッケージング層３５０は、前記フィルタ４００の側壁さらに覆うことにより、前記感光性ユニット２５０のキャビティシール性を向上させ、水蒸気、酸化性ガスなどが前記キャビティ内に入る確率を減らして、感光性チップ２００の性能を保証する。なお、前記感光性ユニット２５０、機能素子及び再配線構造３６０はすべて前記パッケージング層３５０内に位置されて、撮像アセンブリの信頼性及び安定性を向上させることに有利である。
【０１４８】
前記感光性チップ２００は、イメージセンサチップである。本実施例において、前記感光性チップ２００は、ＣＭＯＳイメージセンサチップである。他の実施例において、前記感光性チップは、ＣＣＤイメージセンサチップであることもできる。
【０１４９】
本実施例において、前記感光性チップ２００は、感光性領域２００Ｃ（図２に示されたように）及び前記感光性領域２００Ｃを囲む周辺領域２００Ｅ（図２に示されたように）を含み、前記感光性チップ２００は、前記感光性領域２００Ｅに位置する光信号受信面２０１をさらに備える。
【０１５０】
前記感光性チップ２００は、一般に、シリコン基板のチップであり、感光性チップ２００のはんだパッドは、感光性チップ２００と他のチップまたは部品との電気的接続を実現する。本実施例において、前記感光性チップ２００は、周辺領域２００Ｅに位置する第１チップはんだパッド２２０を備える。
【０１５１】
本実施例において、前記第１チップはんだパッド２２０は、再配線構造３６０に対向することにより、第１チップはんだパッド２２０と再配線構造３６０との電気的接続を実現する。
【０１５２】
前記感光性チップ２００の光信号受信面２０１は、フィルタ４００に対向し、また感光性チップ２００はフィルタ４００と接着されて、パッケージング工程が光信号受信面２０１を汚染させることを防止し、接着方法を介してレンズモジュールの合計の厚さを減少させる。
【０１５３】
前記フィルタ４００は、赤外線フィルタガラス片または全透過ガラス片であることができる。本実施例において、前記フィルタ４００は、赤外線フィルタガラス片であり、入射光のうち赤外線が感光性チップ２００の性能への影響を除去し、イメージング効果の向上に有利である。
【０１５４】
本実施例において、前記フィルタ４００と感光性チップ２００は、両方の間に設置される接着構造４１０を介して結合され、前記接着構造４１０は、前記感光性チップ２００の光信号受信面２０１を囲む。
【０１５５】
前記接着構造４１０は、前記フィルタ４００と感光性チップ２００との物理接続を実現する。前記フィルタ４００と前記感光性チップ２００との直接的な接触を防止することにより、前記感光性チップ２００の性能に対する悪影響を与えることを防止する。本実施例において、前記接着構造４１０の材料は、フォトリソグラフィ可能なドライフィルムである。他の実施例において、前記接着構造の材料は、フォトリソグラフィ可能なポリイミド、フォトリソグラフィ可能なポリベンゾオキサゾール、またはフォトリソグラフィ可能なベンゾシクロブテンであることもできる。
【０１５６】
本実施例において、前記接着構造４１０は、前記光信号受信面２０１を囲むことにより、前記光信号受信面２０１の上方のフィルタ４００が前記感光性チップ２００の感光性パスに位置するようにして、前記感光性チップ２００の性能を保証する。
【０１５７】
説明すべき点は、本実施例は、ただ１つの感光性ユニット２５０を示した。他の実施例において、形成されたレンズモジュールが二重撮像またはアレイモジュール製品に適用される場合、感光性ユニットの数量は複数個であることもある。
【０１５８】
本実施例において、前記撮像アセンブリ２６０は、前記パッケージング層３５０と前記フィルタ４００の側壁との間に位置する応力緩衝層４２０をさらに含む。前記応力緩衝層４２０は、パッケージング層３５０がフィルタ４００に対して発生する応力低減して、フィルタ４００が破裂する確率を低減することにより、撮像アセンブリ２６０の信頼性を向上させることに有利である。本実施例において、前記応力緩衝層４２０は、感光性緩衝剤である。
【０１５９】
具体的に、前記応力緩衝層４２０の材料は、エポキシ系接着剤である。エポキシ系接着剤は、本実施例において、前記応力緩衝層４２０の材料は、エポキシ系接着剤である。エポキシ系接着剤は、エポキシ樹脂接着剤であり、エポキシ系接着剤は、様々な形で有し、組成を変えることで弾性率の異なる材料を得ることができ、これにより実際の状況に応じて、前記フィルタ４００が受ける応力を調節することができる。
【０１６０】
本実施例において、前記応力緩衝層４２０はまた、前記パッケージング層３５０と前記接着構造４１０の側壁との間に位置することにより、パッケージング層３５０が前記接着構造４１０に発生する応力を減少させて、前記撮像アセンブリ２６０の信頼性及び品質をさらに向上させることに有利である。
【０１６１】
再配線構造３６０は、撮像アセンブリ２６０における各チップと素子との間の電気的接続を実現する。再配線構造３６０を選択することにより、また各チップと素子との間の距離を減少させながら、電気的接続工程の実現可能性を向上させ、また再配線構造３６０は、大量生産を実現し、パッケージング効率を向上させる。
【０１６２】
本実施例において、前記再配線構造３６０が相互接続線であることにより、前記再配線構造３６０を形成する工程の複雑さを減少させる。
【０１６３】
本実施例において、前記再配線構造３６０の材料はすべて銅である。
【０１６４】
本実施例において、前記第１チップはんだパッド２２０と再配線構造３６０との電気的接続の信頼性を向上させるために、前記撮像アセンブリ２６０は、前記第１チップはんだパッド２２０と再配線構造３６０との間に位置する第１導電性バンプ３６２をさらに含む。
【０１６５】
本実施例において、前記第１導電性バンプ３６２は、バンプボールである。バンプボールを選択することにより、第１導電性バンプ３６２の体積を比較的に大きくするので、第１導電性バンプ３６２と再配線構造３６０との接触を実現しやすい。
【０１６６】
前記機能素子は、撮像アセンブリの感光性チップ２００を除いた特定の機能を備える素子であり、周辺チップ２３０及び受動素子２４０の少なくとも１つを含む。
【０１６７】
本実施例において、前記機能素子は、周辺チップ２３０及び受動素子２４０を含む。
【０１６８】
前記周辺チップ２３０は、能動素子であり、前記感光性チップ２００に周辺回路を提供する。
【０１６９】
本実施例において、前記周辺チップ２３０は、デジタルシグナルプロセッサチップとメモリチップ中の１つまたは２つを含む。他の実施例において、前記周辺チップは、他のタイプのチップを含むこともできる。図１３は、ただ１つの周辺チップ２３０を示すが、周辺チップ２３０の数は、１つだけに限定されない。
【０１７０】
前記周辺チップ２３０は、一般にシリコン基板のチップであり、前記周辺チップ２３０のはんだパッドは、前記周辺チップ２３０と他のチップまたは部品の電気的接続を実現する。本実施例において、前記周辺チップ２３０は、第２チップはんだパッド２３５を含み、前記第２チップはんだパッド２３５は、前記再配線構造３６０に対向することにより、第２チップはんだパッド２３５と再配線構造３６０の電気的接続を実現する。
【０１７１】
前記受動素子２４０は、感光性チップ２００の感光性作業に対して特定の作用をする。前記受動素子２４０は、レジスタ、キャパシタンス、インダクタンス、ダイオード、三極管、ポテンショメータ、リレーまたはドライバなどの体積が比較的に小さい電子素子を含むことができる。図１３は、ただ１つの受動素子２４０を示したが、前記受動素子２４０の数は、１つだけに限定されない。
【０１７２】
前記受動素子２４０のはんだパッドは、前記受動素子２４０と他のチップまたは部品の電気的接続を実現する。本実施例において、前記受動素子２４０のはんだパッドは、電極２４５であり、前記電極２４５は、再配線構造３６０に対向することにより、前記電極２４５と再配線構造３６０の電気的接続を実現する。
【０１７３】
本実施例において、前記撮像アセンブリ２６０は、前記第２チップはんだパッド２３５と再配線構造３６０との間、及び前記電極２４５と再配線構造３６０との間にそれぞれ位置する第２導電性バンプ３６３をさらに含む。前記第２導電性バンプ３６３は、前記周辺チップ２３０の表面及び受動素子２４０の表面から突出されて、前記周辺チップ２３０、受動素子２４０と前記再配線構造３６０の電気的接続の信頼性を向上させる。
【０１７４】
本実施例において、前記第２導電性バンプ３６３は、バンプボールである。
【０１７５】
説明すべき点は、他の実施例において、前記再配線構造は、相互接続層及び前記相互接続層から突出された導電性ピラーをさらに含み、前記導電性ピラーは、前記相互接続層と対応する前記はんだパッドとの間に位置する。当該実施例において、前記撮像アセンブリは、相応に第１導電性バンプと第２導電性バンプを含まない。
【０１７６】
本実施例において、前記撮像アセンブリ２６０は、前記再配線構造３６０に位置するＦＰＣ基板５１０を含む。前記ＦＰＣ基板５１０は、回路基板を省略した場合、前記撮像アセンブリ２６０とレンズアセンブリの電気的接続、及びレンズモジュールと他の素子の間の電気的接続を実現する。
【０１７７】
具体的に、前記ＦＰＣ基板５１０は、前記再配線構造３６０にボンディングされる。
【０１７８】
本実施例において、前記ＦＰＣ基板５１０は、ＦＰＣ基板である。レンズモジュールは、前記ＦＰＣ基板５１０を介して電子機器中の他の素子と電気的に接続されることにより、電子機器の正常な撮像機能を実現する。
【０１７９】
説明すべき点は、前記ＦＰＣ基板５１０にコネクタ５２０が設置される。具体的に、前記コネクタ５２０は、ゴールドフィンガーコネクタであることができる。
【０１８０】
本実施例に係る撮像アセンブリは、前述した実施例によるパッケージング方法によって形成されることができ、他のパッケージング方法によって形成されることもできる。本実施例前記撮像アセンブリに対する具体的な説明は、前述した実施例中の相応の説明を参照することができ、本実施例は、ここでは繰り返して説明しない。
【０１８１】
それに対応して、本発明の実施例は、レンズモジュールをさらに提供する。図２１を参照すると、本発明に係るレンズモジュールの一実施例の構造模式図を示す。
【０１８２】
前記レンズモジュール６００は、本発明の実施例に係る撮像アセンブリ（例えば、図２１の破線ブロックに示されたように）と、前記パッケージング層（図示せず）の上面に装着され、前記感光性ユニット（図示せず）及び機能素子を囲む前記ホルダー５３５を含むレンズアセンブリ５３０とを含み、前記レンズアセンブリ５３０は、前記感光性チップ（図示せず）と機能素子（図示せず）とを電気的に接続させる。
【０１８３】
前記レンズアセンブリ５３０は、一般的にホルダー５３５、前記ホルダー５３５に装着されるモーター（図示せず）、及び前記モーターに装着されるレンズシステム（図示せず）を含み、前記ホルダー５３５を介して前記レンズアセンブリ５３０の組み立てを実現して、レンズシステムが感光性ユニットの感光性パスに位置するようにする。
【０１８４】
本実施例において、前記撮像アセンブリの厚さは比較的に薄いので、前記レンズアセンブリ５３０の厚さを減少し、それにより前記レンズモジュール６００の合計の厚さを減少する。
【０１８５】
さらに、前記感光性ユニット及び機能素子がすべて前記ホルダー５３５の内部に設置されるので、前記レンズモジュール６００の信号伝送速度を向上させ、さらにレンズモジュール６００の使用性能（例えば、撮像速度及び保存速度）を向上させる。
【０１８６】
また、前記感光性ユニット、機能素子及び再配線構造はすべてパッケージング層内に集積され、また前記ホルダー５３５の内部に設置されて、前記感光性ユニット、機能素子及び再配線構造が保護されるようにし、前記レンズモジュール６００の信頼性及び安定性を提供することに有利であり、また前記レンズモジュール６００の結像品質を保証することができる。
【０１８７】
本実施例において、前記再配線構造にＦＰＣ基板がボンディングされているので、ホルダー５３５の一部が前記パッケージング層に接着され、ホルダー５３５の一部がＦＰＣ基板に接着される。前記レンズアセンブリ５３０中のモーターは、相応に前記ＦＰＣ基板を介して前記感光性チップ及び機能素子と電気的接続を実現することにより、レンズアセンブリ５３０と撮像アセンブリとの電気的接続を実現する。
【０１８８】
説明すべき点は、本実施例に係る撮像アセンブリの具体的な説明は、前述した実施例中の相応する説明を参照することができ、本実施例は、ここでは繰り返して説明しない。
【０１８９】
それに対応して、本発明の実施例は、電子機器をさらに提供する。図２２を参照すると、本発明に係る電子機器の一実施例の構造模式図を示す。
【０１９０】
本実施例において、前記電子機器７００は、本発明の実施例に係るレンズモジュール６００を含む。
【０１９１】
前記レンズモジュール６００の信頼性と性能は、比較的に高く、相応に前記電子機器７００の撮像品質、撮像速度、保存速度を向上させる。さらに、前記レンズモジュール６００の合計の厚さが比較的小さいので、ユーザーの使用体験を向上させることに有利である。
【０１９２】
具体的に、前記電子機器７００は、携帯電話、タブレット、カメラまたはビデオカメラなどの各種撮像機能を備える機器であることができる。
【０１９３】
本発明は、上述したように開示したが、本発明はこれに限定されない。任意の当業者は、本発明の思想と範囲を逸脱しない前提の下で、すべて様々な変更や修正を行うことができるので、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲に限られた範囲を基準にしなければならない。
【図１】
2021511653.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2021511653.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【国際調査報告】
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