(57)【要約】本発明は、 III主族及びV主族の元素を有する核生成層（３）をIV主族の元素から作製された基板（１）の表面（２）上に堆積する方法に関し、III主族の元素を含む第１のガス状開始物質と共に、V主族の元素を含む第２のガス状開始物質が５００℃を超えるプロセス温度で基板（１）を収容したプロセスチャンバ（８）に導入される。堆積プロセスの少なくとも開始時に、IV主族の元素を含む第３のガス開始物質が第１及び第２のガス状開始物質と共にプロセスチャンバ（８）に供給され、第３のガス状開始物質は堆積されるIII−V結晶におけるｎ−ドーピング効果を促進し、ドーパント濃度＜１×１０１８ｃｍ−１で減衰値の低減が得られる。
2021520643.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III主族及びＶ主族の元素を含む核生成層（３）をIV主族の元素を含む基板（１）の表面（２）上に直接堆積するための方法であって、III主族の元素を含む第１のガス状開始物質と共にＶ主族の元素を含む第２のガス状開始物質が５００℃を超えるプロセス温度で前記基板（１）を収容するプロセスチャンバ（８）に導入され、前記核生成層（３）の堆積の少なくとも開始時に、前記第１及び第２のガス状開始物質と共にIV主族の元素を含むガス状開始物質が前記プロセスチャンバ（８）に供給される、前記方法において、
前記プロセスチャンバ（８）内の前記第３のガス状開始物質の分圧又はマスフローが、最大１×１０１８ｃｍ−３のドーピングを生じさせるように選択されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記プロセス温度が、８００℃〜１２００℃の範囲、好ましくは９５０℃〜１０５０℃の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記核生成層（３）が、３０〜３００ｍｂａｒの範囲の全圧で堆積されることを特徴とする前出請求項の１つに記載の方法。
【請求項４】
前記第１のガス状開始物質に対する前記第２のガス状開始物質のモル比が、１０〜５０００の範囲にあることを特徴とする前出請求項の１つに記載の方法。
【請求項５】
前記第３のガス状開始物質の追加により、１×１０１７〜１×１０１８×ｃｍ−３の範囲の前記核生成層のｎ−ドーピングが得られることを特徴とする前出請求項の１つに記載の方法。
【請求項６】
前記基板（１）がシリコン又はゲルマニウムからなり、かつ／又は、前記第３のガス状開始物質がＳｉｎＨ２ｎ＋２若しくはＧｅｎＨ２ｎ＋２、又は、シリコン若しくはゲルマニウムを含む他のガス状開始物質であることを特徴とする前出請求項の１つに記載の方法。
【請求項７】
前記III主族の元素がＡｌであり、かつ／又は、前記第１のガス状開始物質がＴＭＡｌであることを特徴とする前出請求項の１つに記載の方法。
【請求項８】
前記Ｖ主族の元素が窒素であり、かつ／又は、前記第２のガス状開始物質がＮＨ３であることを特徴とする前出請求項の１つに記載の方法。
【請求項９】
前記核生成層（３）上に特にＡｌＮからなるバッファ層（４）が堆積され、かつ、前記バッファ層（４）上に活性層（６）が堆積されることによって活性層（６）と（バッファ層（４）との間の界面（５）に二次元電子ガスを形成すること、及び／又は、前記第３のガス状開始物質の供給が高周波減衰の減衰値を低減させることを特徴とする前出請求項の１つに記載の方法。
【請求項１０】
前出請求項の１つに記載の方法により作製される層シーケンスであって、IV主族の元素を含む基板（１）の表面（２）上にIV主族及びＶ主族の元素を含む核生成層（３）が堆積され、前記核生成層（３）は、少なくとも前記表面（２）上に直接隣接する領域においてIV主族の元素でドーピングされることを特徴とする層シーケンス。
【請求項１１】
前記核生成層（３）上に少なくともバッファ層（４）が堆積され、その上に活性層（６）もまた堆積されることによってバッファ層（４）と活性層（６）との間の界面（５）上に二次元電子ガスを形成することを特徴とする請求項１１に記載の層シーケンス。
【請求項１２】
前出請求項の特徴の１又は複数を特徴とする方法又は層シーケンス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、III主族及びＶ主族の元素を含む核生成層を、IV主族の元素を含む基板の表面上に直接堆積させるための方法に関し、III主族の元素を含む第１のガス状開始物質と共にＶ主族の元素を含む第２のガス状開始物質が、５００℃を超えるプロセス温度で、基板を収容したプロセスチャンバに導入される。核生成層の堆積の少なくとも開始時に、Ｖ主族の元素を含むガス状開始物質が付加的にプロセスチャンバに供給され、それは層内にドーピングを生じさせる。
【０００２】
本発明はさらに、この方法により作製された層シーケンス、特にＨＦＥＴトランジスタに関する。
【背景技術】
【０００３】
一般的な方法は、特許文献１に記載されている。機械的変形を抑制するために、III主族及びＶ主族の元素に加えて核生成層にドーパントとしてシリコンを高濃度で組み込むことが考えられる。
【０００４】
ＨＦＥＴ（High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ）又はヘテロ構造電界効果トランジスタは層シーケンスで構成され、その層シーケンスは、シリコン基板上に先ずＡｌＮからなる核生成層が堆積される。核生成層の上に、ＧａＮからなるバッファ層が堆積される。バッファ層の上に、ＡｌＧａＮ層が活性層として堆積されることによって、活性層とバッファ層との間に二次元電子ガスを形成する。
【０００５】
ＨＥＭＴの別の製造方法は、特許文献２に記載されている。シリコン基板上に、先ずシリコンからなる核生成層が堆積される。プロセスチャンバの壁に付着したガリウム、アルミニウム又は類似のものによるプロセスチャンバ内の汚染により、シリコン核生成層はｐ型の導電性を有する。核生成層を金属でドーピングすることにより、ｐ−ドーピングを補償する。シリコン核生成層の上にIII−Ｖバッファ層が堆積される。
【０００６】
III−Ｖ族の核生成層を基板上に堆積する際、核生成層と基板との間に高い電気伝導度の界面が形成される。この導電性境界層の形成は、特に、核生成層（ＡｌＮ層）の堆積時の温度が比較的高いことに起因する。しかしながら、この導電性の原因はまだ十分に解明されていない。２つの互いに隣接する層の境界面を超える原子の拡散もまた、導電性を促進し得る。加えて、界面に電荷キャリアの蓄積を生じ得る強い内部電界が存在する。核生成層と基板との間の界面で導電性が上昇するこの現象は、高いスイッチング周波数において分散や減衰によってデバイス特性を大きく損なう。
【０００７】
非特許文献１は、サファイアからなる基板上のシリコンドーピングＡｌＮ層の堆積を記載しており、ドーパントとしてシランが用いられている。
【０００８】
特許文献３及び４は、III及びＶ族半導体層の堆積方法を記載している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１３−０３０７２５公報
【特許文献２】米国特許第9,917,156号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第2002/0117104号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第2003/0092263号明細書
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Growth and studies of Si-doped AlN-layers, Journal of crystal growth 310 (2008) 4939-4941
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、特に、ＧａＮベースのＨＦＥＴデバイス構造において、寄生分散効果を低減することができる手段を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題は、請求の範囲に与えられた方法及びそこで特定された層構造によって解決される。
【００１３】
従属項は、主請求項のさらなる進展として有利であるだけでなく、課題の独立した解決手段も表している。
【００１４】
第１にそして本質的に、核生成層の堆積中に堆積パラメータを修正することにより、分散又は減衰が低減される。第１にそして本質的に、核生成層の堆積の少なくとも開始時に、第３のガス状開始物質が第１及び第２のガス状開始物質と共にプロセスチャンバに供給され、その場合、第３のガス状開始物質が、一定のドーピング効果を発現することが提示される。第１及び第２のガス状開始物質は、基板の表面上に化学量論的に正しい多成分結晶、特にIII−Ｖ結晶が堆積されるようにプロセスチャンバに供給される。
本発明の好ましい形態では、基板が、（１１１）又は（１１０）配向を有するシリコン基板である。III主族の元素は、アルミニウムとすることができるが、ゲルマニウム又はインジウムとすることもでき、Ｖ主族の元素は、窒素とすることができるが、ヒ素又はリンとすることもできる。第１のガス状開始物質は、アルミニウム、ガリウム、又はインジウムを含む有機金属化合物、例えばＴＭＡｌとすることができる。第２のガス状開始物質は、Ｖ族−水素−化合物、特に窒素−水素−化合物とすることができ、例えばＮＨ３である。核生成層が堆積され、好ましくはアルミニウムと窒素が１：１の比で組み込まれるプロセス温度は、８００〜１２００℃の範囲である。堆積プロセスは、３０〜３００ｍｂａｒの全圧で行われる。好ましい形態において、第１のガス状開始物質に対する第２のガス状開始物質のモル比が、好ましくはアルミニウム化合物に対する窒素化合物のモル比が、およそ１０〜５０００である。第１のガス状開始物質（III主族）の分圧を介して調整される核生成層の成長速度は、好ましくは０．０１〜２μｍ／ｈである。
本発明によれば、結晶マトリクスを形成する２つのガス状開始物質に加えて、第３のガス状開始物質がプロセスチャンバに供給され、その結果、ｎ−ドーピング、特に弱いｎ−ドーピングを生じさせ、層内のドーパント濃度が１×１０１９ｃｍ−３よりも低くなる。ドーパントの機能を有するこの第３の開始物質は、核生成層の堆積の全期間に亘って供給することも、核生成層の堆積の開始時にのみ部分的に供給することもできる。適切な開始物質は、シリコン又はゲルマニウムの水素化物である。第３のガス状開始物質は、例えば、ＳｉｎＨ２ｎ＋２又はＧｅｎＨ２ｎ＋２の構造式に対応することができる。原則的に、シリコン又はゲルマニウムを含むどのようなガス状開始物質でもよい。プロセスチャンバ内の第３のガス状開始物質の分圧又は第３のガス状開始物質のガスフローは、好ましくは、ドーパントレベルが１×１０１７〜１×１０１８ｃｍ−３の範囲内であるように調整される。
好ましい方法では、ＴＭＡｌ及びＮＨ３と共に例えばシラン又はゲルマンである水素化シリコン化合物又は水素化ゲルマニウム化合物をプロセスチャンバに供給することによって、シリコン基板の表面上にＡｌＮ核生成層が形成される。
【００１５】
本発明のさらなる発展において、III族窒化物、特にＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、又はＡｌＩｎＧａＮの材料系からなるバッファ層を核生成層上に堆積させることが提示される。そのさらなる層も同様にドーピングすることができる。ドーパントとしてシリコンも考えられる。少なくとも１つのバッファ層の上にさらに１又は複数の活性層が堆積され、それは、例えば活性層とバッファ層との間、又は、２つの活性層の間に二次元電子ガスを有するヘテロ構造電界効果トランジスタを作製するために必要である。このために、特にＧａＮ／ＡｌＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ／ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、及び／又は、ＩｎＧａＮ／ＡｌＩｎＮのヘテロ構造が好ましい。
【００１６】
上記のように核生成層を堆積させた構造体を用いた実験では、著しく低い減衰量が得られた。シリコン基板上の約２００ｎｍ厚のＡｌＮ層上に堆積されたコプレナー線路について計測された高周波数減衰（フォワード伝送Ｓ２１）は、最大１０１８ｃｍ−３のドーパントレベルで有意に低い減衰値を示した。
【００１７】
本発明はさらに、上記方法により作製された層シーケンスに関し、層シーケンスはシリコン基板上に堆積され、Ｖ主族元素でドーピングされたIII−Ｖ核生成層を有する。核生成層は、III−Ｖ材料を有する少なくとも１つのバッファを担持する。バッファ層と活性層の間には二次元電子ガスが生じる。
【００１８】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、高電子移動度トランジスタの層構造を示す。
【図２】図２は、図１に示した層シーケンスを堆積するためのＣＶＤリアクタの概略図である。
【図３】図３は、ＡｌＮ層に異なるドーパントを有するＡｌＮ／Ｓｉ構造上のコプレナー線路のＳ２１減衰パラメータを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は、ＨＥＭＴの構成を概略的に示しており、この場合、シリコン基板１の表面２上に核生成層３が堆積される。核生成層３の堆積前に、シリコン基板１の表面２が適切に準備される。このために、シリコン基板１が、ＣＶＤリアクタ７のプロセスチャンバ８内に配置される。５０〜８００ｍｂａｒの範囲の典型的な全圧で水素雰囲気中で９００℃〜１２００℃に加熱される。この準備ステップの間に、基板の自然なＳｉＯ２層が熱的に除去される。その後、例えばＴＭＡｌ又はＮＨ３又は他のガス状開始物質を用いてより低温又はより高温及び変化した圧力で基板の任意のさらなる前処理が行われる。
【００２１】
ＡｌＮの核形成層３の実際のエピタキシャル成長は、ＴＭＡｌ及びＮＨ３の同時供給により行われる。核生成層３は、温度、圧力及びガスフローを変化させることができる多段階のプロセスで堆積させることができる。核生成層３を堆積させるための温度範囲は、典型的には、８００〜１２００℃の範囲にあり、その場合、プロセスチャンバ８内の全圧は３０〜３００ｍｂａｒの範囲にある。
【００２２】
ガス入口部材１１を通ってガス状開始物質が、例えば窒素である搬送ガスと共にプロセスチャンバ８に供給される。プロセスチャンバ８内においては、加熱装置１０により加熱されたサセプタ９上に、核生成層３で被覆された１又は複数の基板１が配置されている。ガス入口部材１１を通して、III族開始物質に対するＶ族開始物質のモル比が１０〜５０００の範囲で、ガス状プリカーサ、特にＴＭＡｌ及びＮＨ３がプロセスチャンバ８に供給される。ガス状開始物質の流量は、ＡｌＮ核生成層３の成長速度が０．０１〜２μｍ／ｈの範囲となるように調整されている。
【００２３】
本発明にとって不可欠な点は、核生成層３の堆積中に、しかしながら核生成層３の堆積の少なくとも開始時に、弱いｎ導電性を生じさせるさらなるガス状開始物質がプロセスチャンバ８に供給されることである。この第３のガス状開始物質は、好ましくは、ＳｉｎＨ２ｎ＋２又はＧｅｎＨ２ｎ＋２の構造式を有するシラン又はゲルマニウムである。
【００２４】
III−Ｖ核生成層３の追加のｎ−ドーピングは、冒頭で述べた分散効果の大幅な低減と減衰の低減をもたらす。図３には、例えば、
ａ）ドーピングされていないＡｌＮ
ｂ）１×１０１８ｃｍ−１でドーピングされたＡｌＮ、又は
ｃ）２×１０１７ｃｍ−１でドーピングされたＡｌＮ、
ｄ）５×１０１７ｃｍ−１でドーピングされたＡｌＮ
が示されている。
【００２５】
図３は、２×１０１７ｃｍ−１及び５×１０１７ｃｍ−１のドーパント濃度で減衰の大きな低減を示している。それに対して、１×１０１８ｃｍ−１の高いドーピングでは、減衰は再び増加し、ドーピングされていないＡｌＮの値に近い値をとる。この結果、より高いドーパント濃度では、所望の効果が明らかに得られないことが判った。
【００２６】
その後、核生成層３上に公知の方法で、先ずＧａＮバッファ層４を堆積させ、その後、ＡｌＧａＮ活性層６を堆積させることによって、バッファ層４と活性層６との間の界面５に二次元電子ガスが形成される。加えて、ゲート接点、ソース接点、ドレイン接点が、公知の方法で作製される。
【００２７】
以上の説明は、本願によって包含される発明を全体として説明するためのものであり、少なくとも以下の特徴の組み合わせによって、それぞれが独立した特徴を有することによって、従来技術をさらに発展させるものである。その場合、これらの特徴の組み合わせのうちの２つ、いくつか、又は全てを組み合わせることも可能である。すなわち：
【００２８】
核生成層３の堆積の少なくとも開始時に、第１及び第２のガス状開始物質と共に第３の、IV主族の元素を含むガス状開始物質がプロセスチャンバ８に供給されることを特徴とする方法。
【００２９】
プロセスチャンバ８内の第３のガス状開始物質の分圧が、第１及び第２のガス状開始物質の分圧よりも少なくとも１０分の１小さいこと、及び／又は、プロセスチャンバ８内の第３のガス状開始物質の分圧又はマスフローが、最大１×１０１８ｃｍ−３のドーピングを生じさせるように選択されることを特徴とする方法。
【００３０】
プロセス温度が、８００℃〜１２００℃の範囲、好ましくは９５０℃〜１０５０℃の範囲にあることを特徴とする方法。
【００３１】
核生成層３が、３０〜３００ｍｂａｒの全圧で堆積されることを特徴とする方法。
【００３２】
第１のガス状開始物質に対する第２のガス状開始物質のモル比が、１０〜５０００の範囲にあることを特徴とする方法。
【００３３】
第３のガス状開始物質の添加により、１×１０１７〜５×１０１８×ｃｍ−３の範囲の核生成層のｎ−ドーピングが得られることを特徴とする方法。
【００３４】
基板１がシリコン又はゲルマニウムからなり、かつ／又は、第３のガス状開始物質がＳｉｎＨ２ｎ＋２若しくはＧｅｎＨ２ｎ＋２、又は、シリコン若しくはゲルマニウムを含む他のガス状開始物質であることを特徴とする方法。
【００３５】
III主族の元素がＡｌであり、かつ／又は、第１のガス状開始物質がＴＭＡｌであることを特徴とする方法。
【００３６】
Ｖ主族の元素が窒素であり、かつ／又は、第２のガス状開始物質がＮＨ３であることを特徴とする方法。
【００３７】
核生成層３上に特にＡｌＮからなるバッファ層４が堆積され、かつ、バッファ層４上に活性層６が堆積されることによって、活性層６とバッファ層４との間の界面５に二次元電子ガスを形成すること、及び／又は、第３のガス状開始物質の供給が高周波減衰の減衰値を低減させることを特徴とする方法。
【００３８】
IV主族の元素を含む基板１の表面２上にIV主族及びＶ主族の元素を含む核生成層３が堆積され、核生成層３は、少なくとも表面２上に直接隣接する領域においてIV主族の元素でドーピングされることを特徴とする層シーケンス。
【００３９】
核生成層３上に少なくともバッファ層４が堆積され、その上に活性層６もまた堆積されることによってバッファ層４と活性層６との間の界面５に二次元電子ガスを形成することを特徴とする層シーケンス。
【００４０】
開示された全ての特徴は、（それ自体のために、また互いに組み合わされて）本発明に不可欠である。ここでの出願の開示は、関連する／追加された優先権書類（先の出願の写し）の開示内容をその内容全体に含み、それはこれらの書類の特徴を本願の請求項に組み込む目的でもある。従属請求項は、特にこれらの請求項に基づいて分割出願を行うために、引用される請求項の特徴がなくても、先行技術の独立した発明性のあるさらなる発展を特徴とする。各請求項で特定された発明は、前述の説明で特定された、特に参照符号が付与された、及び／又は符号の説明で特定された、１つ以上の機能を追加で有することができる。本発明はまた、特に、それらがそれぞれの使用目的に明らかに不要であるか、または技術的に同じ効果を有する他の手段で置き換えることができる限り、前述の説明で述べた特徴の個々のものが実装されない設計形態に関する。
【符号の説明】
【００４１】
１  基板
２  表面
３  核生成層
４  バッファ層
５  界面
６  活性層
７  リアクタ
８  プロセスチャンバ
９  サセプタ
１０  加熱装置
１１  ガス入口部材
【図１】
2021520643.tif 000003
【図２】
2021520643.tif 000004
【図３】
2021520643.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月15日(2020.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III主族及びＶ主族の元素を含む核生成層（３）をIV主族の元素を含む基板（１）の表面（２）上に直接堆積するための方法であって、III主族の元素を含む第１のガス状開始物質と共にＶ主族の元素を含む第２のガス状開始物質が５００℃を超えるプロセス温度で前記基板（１）を収容するプロセスチャンバ（８）に導入され、前記核生成層（３）の堆積の少なくとも開始時に、前記第１及び第２のガス状開始物質と共にIV主族の元素を含むガス状開始物質が前記プロセスチャンバ（８）に供給され、前記核生成層（３）上にバッファ層（４）が堆積されかつ前記バッファ層（４）上に活性層（６）が堆積されることによって前記活性層（６）と前記バッファ層（４）との間の界面（５）に二次元電子ガスを形成する、前記方法において、
前記プロセスチャンバ（８）内の前記第３のガス状開始物質の分圧又はマスフローが、１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１８ｃｍ−３のドーピングを生じさせると共に、高周波減衰の低減を生じさせるように選択されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記プロセス温度が、８００℃〜１２００℃の範囲、好ましくは９５０℃〜１０５０℃の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
III主族及びＶ主族の元素を含む核生成層（３）をIV主族の元素を含む基板（１）の表面（２）上に直接堆積するための方法であって、III主族の元素を含む第１のガス状開始物質と共にＶ主族の元素を含む第２のガス状開始物質が５００℃を超えるプロセス温度で前記基板（１）を収容するプロセスチャンバ（８）に導入され、前記核生成層（３）の堆積の少なくとも開始時に、前記第１及び第２のガス状開始物質と共にIV主族の元素を含むガス状開始物質が前記プロセスチャンバ（８）に供給される、前記方法において、
前記プロセスチャンバ（８）内の前記第３のガス状開始物質の分圧又はマスフローが、最大１×１０１８ｃｍ−３のドーピングを生じさせるように選択され、
前記核生成層（３）が、３０〜３００ｍｂａｒの範囲の全圧で堆積されることを特徴とする方法。
【請求項４】
前記第１のガス状開始物質に対する前記第２のガス状開始物質のモル比が、１０〜５０００の範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記第３のガス状開始物質の追加により、１×１０１７〜１×１０１８×ｃｍ−３の範囲の前記核生成層のｎ−ドーピングが得られることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記基板（１）がシリコン又はゲルマニウムからなり、かつ／又は、前記第３のガス状開始物質がＳｉｎＨ２ｎ＋２若しくはＧｅｎＨ２ｎ＋２、又は、シリコン若しくはゲルマニウムを含む他のガス状開始物質であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記III主族の元素がＡｌであり、かつ／又は、前記第１のガス状開始物質がＴＭＡｌであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記Ｖ主族の元素が窒素であり、かつ／又は、前記第２のガス状開始物質がＮＨ３であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記核生成層（３）上に特にＡｌＮからなるバッファ層（４）が堆積され、かつ、前記バッファ層（４）上に活性層（６）が堆積されることによって活性層（６）と（バッファ層（４）との間の界面（５）に二次元電子ガスを形成すること、及び／又は、前記第３のガス状開始物質の供給が高周波減衰の減衰値を低減させることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の方法により作製される層シーケンスであって、IV主族の元素を含む基板（１）の表面（２）上にIV主族及びＶ主族の元素を含む核生成層（３）が堆積され、前記核生成層（３）は、少なくとも前記表面（２）上に直接隣接する領域においてIV主族の元素でドーピングされることを特徴とする層シーケンス。
【請求項１１】
前記核生成層（３）上に少なくともバッファ層（４）が堆積され、その上に活性層（６）もまた堆積されることによってバッファ層（４）と活性層（６）との間の界面（５）上に二次元電子ガスを形成することを特徴とする請求項１０に記載の層シーケンス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
III−Ｖ核生成層３の追加のｎ−ドーピングは、冒頭で述べた分散効果の大幅な低減と減衰の低減をもたらす。図３には、例えば、
ａ）ドーピングされていないＡｌＮ
ｂ）１×１０１８ｃｍ−３でドーピングされたＡｌＮ、又は
ｃ）２×１０１７ｃｍ−３でドーピングされたＡｌＮ、
ｄ）５×１０１７ｃｍ−３でドーピングされたＡｌＮ
が示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図３は、２×１０１７ｃｍ−３及び５×１０１７ｃｍ−３のドーパント濃度で減衰の大きな低減を示している。それに対して、１×１０１８ｃｍ−３の高いドーピングでは、減衰は再び増加し、ドーピングされていないＡｌＮの値に近い値をとる。この結果、より高いドーパント濃度では、所望の効果が明らかに得られないことが判った。
【国際調査報告】
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