(57)【要約】  アセンブリは、第１の部材、第１の部材に隣接する第２の部材、およびアルミニウム材料を含む。第１の部材と第２の部材とのうちの少なくとも一方が、少なくとも１つの溝を画定する。アルミニウム材料が溝内に配置され、第１の部材を第２の部材に、隣接する面に沿って結合する。一形態では、隣接する面に沿った第１の部材と第２の部材との間の間隔は５μｍ未満である。【選択図】図１
2021512845.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の部材、および該第１の部材に隣接して配置された第２の部材であって、該第１の部材と該第２の部材とのうちの少なくとも一方が少なくとも１つの溝を画定している第１の部材および第２の部材と、
該溝内に配置され、該第１の部材を該第２の部材に、隣接する面に沿って結合するアルミニウム材料と、
を有し、
該隣接する面に沿った該第１の部材と該第２の部材との間の間隔が５μｍ未満とされている、アセンブリ。
【請求項２】
該第１および第２の部材の該隣接する面の表面粗さが５μｍから１００ナノメートルの間である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
該溝が、正方形、長方形、弧状、および多角形のうちの少なくとも１つを画定する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
該溝は深さおよび幅を画定し、該溝の幅は該溝の深さの５倍から２０倍の間である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】
２ｍｍ未満の距離だけ離間された複数の溝をさらに備える、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項６】
該複数の溝が互いに平行である、請求項５に記載のアセンブリ。
【請求項７】
該第１の部材および該第２の部材は、セラミック、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ、ジルコニア、および炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなる群から選択される、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項８】
該第１の部材および該第２の部材のそれぞれが窒化アルミニウム（ＡｌＮ）である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項９】
該第１の部材が平板であり、該第２の部材が平板と中空シャフトとのうちの少なくとも一方である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
該少なくとも１つの溝が少なくとも３つの溝である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
該少なくとも１つの溝が少なくとも５つの溝である、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
該アルミニウム材料がアルミホイルである、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
第１の部材を準備するステップと、
第２の部材を準備するステップと、
該第１の部材と該第２の部材とのうちの少なくとも一方に少なくとも１つの溝を形成するステップと、
該第１の部材と該第２の部材との間で該溝にわたって固体アルミニウム材料のストリップを配置するステップと、
該第１の部材および該第２の部材を共に該固体アルミニウム材料に接触させて、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載のアセンブリを形成するステップと、
該固体アルミニウム材料の融点を超える温度で該アセンブリに力および熱を加えて、該固体アルミニウム材料が該溝に流入するようにするステップと、
該溝が形成されている部材の濡れ温度以上で該アセンブリに追加の熱を加えて、該第１の部材を該第２の部材に、隣接する面に沿って結合するステップと、
該アセンブリを冷却するステップと、
を有し、
該隣接する面に沿った該第１の部材と該第２の部材との間の間隔が５μｍ未満であるようにする、結合方法。
【請求項１４】
該第１および第２の部材を準備するステップは、該第１および第２の部材の該隣接する面の表面粗さを５μｍから１００ナノメートルの間とすることを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
該固体アルミニウム材料が物理蒸着（ＰＶＤ）プロセスによって配置される、請求項１３に記載のアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、２０１８年４月１７日に出願された米国出願第１５／９５５４３１号の優先権および利益を主張する。上記の出願の開示は、参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本開示は、概括的には、物体を結合する方法に関し、より具体的には、セラミック材料を結合する方法および結果としての結合されたアセンブリに関する。
【背景技術】
【０００３】
ここでの記載は、本開示に関連する背景情報を提供するだけであり、必ずしも先行技術を構成するものではない。
【０００４】
支持ペデスタルは、半導体処理でしばしば使用される。支持ペデスタルは、典型的には、その上にウェーハを支持するためのプレート部材と、プレート部材の下に配置された管状シャフトとを含む。プレート部材は、セラミック基板と、セラミック基板に埋め込まれた加熱要素などの複数の機能要素とを含むことができる。
【０００５】
セラミック基板は、ホットプレスによって形成することができる。ホットプレスは、高温で圧縮されたプリフォームまたは粉末の緻密化を促進するための高圧、低ひずみのプロセスである。通常、粉末または圧縮されたプリフォームは金型に入れられ、高密度化および焼結のために高温および高圧が加えられる。
【０００６】
セラミック基板に埋め込まれる機能要素は、ホットプレスにおける高熱および高圧に耐えなければならない。したがって、機能要素を形成するための材料は限られている。さらに、ホットプレスは高温高圧の装置を必要とするため、製造コストが増加する。
【０００７】
場合によっては、２つ以上のセラミック基板がろう付けによって一緒に結合され得る。しかしながら、ろう付けされた結合部は、セラミック材料の不十分な濡れ性、ならびにろう付け金属とセラミック材料との間の相容れない熱膨張係数（ＣＴＥ）のために問題がないわけではない。ろう付け金属とセラミック基板の間では熱膨張が大きく異なるため、高温で亀裂や層間剥離が発生する可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本開示では、セラミック支持ペデスタルを製造する際の課題のうち、とりわけこれらの課題に対処する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一形態では、アセンブリが提供される。アセンブリは、第１の部材、および第１の部材に隣接して配置された第２の部材を含み、第１の部材と第２の部材とのうちの少なくとも一方が少なくとも１つの溝を画定する。アセンブリはまた、溝内に配置され、第１の部材を第２の部材に、隣接する面に沿って結合するアルミニウム材料を含み、隣接する面に沿った第１の部材と第２の部材との間の間隔は５μｍ未満とされる。
【００１０】
本開示の別の形態では、第１および第２の部材の隣接する面の表面粗さは、５μｍから１００ナノメートルの間である。
【００１１】
本開示のさらに別の形態では、溝は、正方形、長方形、弧状、および多角形のうちの少なくとも１つを画定する。本開示の少なくとも１つの形態において、溝は、深さおよび幅を画定し、溝の幅は溝の深さの５倍から２０倍の間である。一方、本開示の変形例は、２ｍｍ未満の間隔で配置された複数の溝をさらに含む。あるいは、本開示の他の形態では、複数の溝は互いに平行である。
【００１２】
本開示の多くの形態において、第１の部材および第２の部材は、セラミック、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ、ジルコニア、および炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなる群から選択される。
【００１３】
本開示の別の形態では、第１の部材および第２の部材のそれぞれは窒化アルミニウム（ＡｌＮ）である。
【００１４】
本開示の一形態では、第１の部材は平板であり、第２の部材は平板と中空シャフトとのうちの少なくとも一方である。
【００１５】
本開示のいくつかの形態では、少なくとも１つの溝は、少なくとも３つの溝または少なくとも５つの溝である
【００１６】
本開示の少なくとも１つの形態では、アルミニウム材料はアルミホイルである。
【００１７】
本開示の別の形態では、アセンブリを結合する方法が提供される。この方法は、第１の部材および第２の部材を準備するステップと、第１の部材または第２の部材の少なくとも一方に少なくとも１つの溝を形成するステップと、第１の部材と第２の部材との間で溝にわたって固体アルミニウム材料のストリップを配置するステップと、第１の部材と第２の部材を共に固体アルミニウム材料に接触させてアセンブリを形成するステップと、固体アルミニウム材料の融点を超える温度でアセンブリに力および熱を加えて固体アルミニウム材料が溝に流入するようにするステップと、溝が形成されている部材の濡れ温度以上でアセンブリに追加の熱を加えて、第１の部材を第２の部材に、隣接する面に沿って結合するステップと、アセンブリを冷却するステップと、を有していて、隣接する面に沿った第１の部材と第２の部材との間の間隔が５μｍ未満であるようにされる。
【００１８】
本開示の少なくとも１つの形態において、第１および第２の部材を準備するステップは、第１および第２の部材の隣接する面の表面粗さを５μｍから１００ナノメートルの間にすることを含む。本開示のいくつかの形態では、固体アルミニウム材料は、物理蒸着（ＰＶＤ）プロセスによって配置される。
【００１９】
さらなる利用領域は、本明細書で提供される説明から明らかになるであろう。この説明および特定の例は、例示のみを目的としており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
本開示は、詳細な説明および添付の図面からより十分に理解されるであろう。
【００２１】
【図１】本開示の教示に従って作られた結合アセンブリの断面図である。
【００２２】
【図２】図１の結合アセンブリの第２の部材の側面図である。
【００２３】
【図３】図２の部分Ａの拡大図である。
【００２４】
【図４】本開示の教示による材料を結合する方法のフローチャートである。
【００２５】
図５Ａ〜５Ｅは、図４の方法を使用して材料を結合するステップを示す。
【００２６】
【図５Ａ】第１の部材と第２の部材との間に固体アルミニウム材料を配置するステップを示す。
【００２７】
【図５Ｂ】固体アルミニウム材料を溶融し、溶融アルミニウム材料を第２の部材の溝に流入させるステップを示す。
【００２８】
【図５Ｃ】第１の部材と第２の部材を互いに押し付けて、それらの間の間隔を狭めるステップを示す。
【００２９】
【図５Ｄ】溶融アルミニウム材料が溝の形状に一致するように、アセンブリを濡れ温度を超える温度に加熱するステップを示す。
【００３０】
【図５Ｅ】図５Ｄの部分Ｂの拡大図である。
【００３１】
【図６】本開示の教示に従って作られた結合アセンブリの変形例の概略図である。
【００３２】
【図７】本開示の教示に従って作られた結合アセンブリの別の変形例の概略図である。
【００３３】
対応する参照番号は、図面のいくつかの図を通して、対応する部品を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下の説明は、単なる例示であり、本開示、応用、または使用を制限することを意図するものではない。
【００３５】
図１に示されるように、本開示の教示に従って作られた結合アセンブリ１０は、第１の部材１２と第２の部材１４を含み、それら部材はそれらの周縁部分に沿ってアルミニウム材料１６によって結合されている。第１の部材１２と第２の部材１４は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ、ジルコニア、および炭化ケイ素（ＳｉＣ）などのセラミック材料で作ることができる。結合されたアセンブリ１０が半導体処理における支持ペデスタルを形成するために使用される場合、第１の部材１２および第２の部材１４の両方を窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で作り、機能層（図示せず）を第１および第２の部材１２、１４の間の接触面に配置するようにすることができる。
【００３６】
この形態の第１および第２の部材１２、１４は、それぞれプレート形状を有し、互いに向き合って、隣接する面１８を画定する。一形態では、隣接する面１８は、５μｍ未満の表面平坦度、および３μｍ未満の表面粗さを有する。一用途では、隣接する面１８の表面粗さは、１００ｎｍから５μｍの範囲であり得る。隣接する面に沿った第１の部材１２と第２の部材１４との間の間隔は、本開示の一形態では５μｍ未満である。
【００３７】
図２および図３に示されるように、第１および第２の部材１２、１４のうちの少なくとも１つは、隣接する面１８上にその周縁部分に沿って結合部２０を画定する。結合部２０は、図示のように１つまたは複数の溝２２の形態とすることができる。以下により詳細に説明するように、アルミニウム材料１６が溝２２に充填される。第２の部材１４の中心に近い溝２２は、他の溝２２よりも深くすることができる。図示の形態では合計４つの溝２２が第２の部材１４に示されているが、結合部２０は、任意の数の溝とすることができ、本開示の範囲から逸脱することなく、第１の部材１２および／または第２の部材１４に形成することができる。さらに、溝２２は、用途要件に応じて、第１および／または第２の部材１２、１４のそれぞれに沿った任意の経路をとることができ、とりわけ円形、曲がりくねった、または線形の経路に沿って設けることができる。
【００３８】
図３においては、固体アルミニウム材料１６が第１の部材１２と第２の部材１４との間に配置されるときの溝２２に対する当該固体アルミニウム材料１６の位置を示すように示されている。この形態では、固体アルミニウム材料１６は、２つの最も外側の溝２２と重なるように配置されている。この形態では、第２の部材１４の中心に近い最も深い溝が、溶融アルミニウム材料が中心に向かって結合領域の外側に流れるのを制限する。
【００３９】
複数の溝２２が形成される場合、それら複数の溝２２は互いに平行に２ｍｍ未満の距離で離間されるようにすることができる。溝２２を互いに近づけることにより、結合領域のサイズを２ｍｍ未満に減らすことができる。結合領域が小さいと、濡れ温度まで加熱する必要のある領域が減少し、結合プロセス中に結合領域を均一に加熱できるという利点がある。これについては、以下で詳しく説明する。さらに、結合領域が小さいため、ビア、配線回路、端子などの機能要素が配置されている隣接領域にアルミニウムが流入するリスクが軽減される。溝２２はまた、結合領域におけるアルミニウムまたはアルミニウムに加えて使用される他の結合材料の流れを制限するように構成される。
【００４０】
一形態では、溝２２の数は、少なくとも３つまたは少なくとも５つである。各溝２２のアスペクト比（すなわち、幅／深さ）は５から２０の間である。言い換えれば、各溝の幅は、各溝２２の深さの５から２０倍の間である。より浅い溝２２は１０−９ｍｂａｒ・ｌ／秒未満の望ましい気密性に寄与する。結合領域の幅は３ｍｍ未満とすることができる。溝２２の深さは５０μｍ未満であり、ある形態では２０μｍ未満であり、結合材料（すなわち、アルミニウム）とセラミック部材（すなわち、ＡｌＮ）との間の熱膨張の違いによる熱応力が低減される。より深い溝（例えば、１００μｍより大きい）が使用される場合、必要な気密性を達成するために、溝２２はより広くされるべきである。
【００４１】
第１および第２の部材１２、１４が円形部材である場合、複数の溝２２は、第１および第２の部材１２、１４の周縁部分に沿って環状形状を有するように構成される。しかし、溝２２の形状（または経路）は、用途要件に従って変化し得るものであり、更に、本開示の範囲内に留まりながら、（本明細書に示されるような一定の幅ではなく）変化する幅とすることができる。
【００４２】
図４を参照して、材料、特にセラミック材料を結合して、図１の結合アセンブリ１０を作製する方法５０は、ステップ５２において、隣接する面１８に所定の表面粗さを有する第１の部材１２および第２の部材１４を準備することから始まる。第１の部材１２および第２の部材１４は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ、ジルコニア、および炭化ケイ素（ＳｉＣ）から作製され得る。第１および第２の部材のそれぞれの隣接する面１８は、１００ｎｍから５μｍの間の表面粗さを有する。
【００４３】
次に、ステップ５４において、第１および第２の部材１２、１４のうちの少なくとも一方の隣接する面１８に少なくとも１つの溝２２が形成される。ステップ５６において、図５Ａに示されるように、第１の部材１２および第２の部材１４はそれらの間に固体アルミニウム材料を配置した状態で相互に隣接して配置される。固体アルミニウム材料は、アルミホイルとすることができ、少なくとも１つの溝２２に隣接して配置される。このステップは室温で行われる。あるいは、アルミニウム材料は、物理蒸着（ＰＶＤ）などによって、少なくとも１つの溝２２にスパッタリングするようにすることができる。
【００４４】
その後、ステップ５８において、固体アルミニウムの融点を超える温度で、第１および第２の部材１２、１４、ならびに固体アルミニウム材料のアセンブリに力および熱が加えられる。固体アルミニウム材料の融点は、おおよそ６６０℃である。第１および第２の部材１２、１４に力が加えられて、第１および第２の部材を互いに押し付ける。このステップでは、固体アルミニウム材料が溶融され、溶融アルミニウム材料は、図５Ｂに示されるように、溝２２に流入する。第１および第２の部材１２、１４に力が加えられ続けると、第１および第２の部材１２、１４の間の間隔は、溶融アルミニウム材料の大部分が溝２２に入るまで減少する。しかしながら、図５Ｃに示すように、第１または第２の部材１２、１４のセラミック材料の濡れ性が低いために、溶融アルミニウム材料は丸まり、溝壁の形状に適合しない。一形態では、隣接する面１８に沿った第１の部材１２と第２の部材１４との間の間隔は５μｍ未満である。
【００４５】
他の領域に配置された機能要素を損傷するリスクを低減するために、熱は第１および第２の部材１２、１４の結合領域に局所的に加えられる。
【００４６】
次に、ステップ６０において、溝２２が形成されている第１の部材１２または第２の部材１４の濡れ温度以上でアセンブリに追加の熱が加えられ、隣接する面１８に沿って第１の部材１２が第２の部材１４に結合される。窒化アルミニウムの場合、濡れ温度は８５０℃を超える。このステップでは、セラミック材料の濡れ性を生じるために、アルミナの自然酸化物が破壊される。セラミックの濡れ性は、アルミニウムの純度が約９７％以上で、温度が約８００℃を超え、圧力が約０．１ＭＰａ〜６．５ＭＰａであり、真空条件が約１０−３Ｔｏｒｒ以下である場合に生じる。真空レベルと温度は、本開示の教示に従って濡れ性を達成するためにバランスがとられている。濡れ性は、１０−３Ｔｏｒｒおよび１１００℃の温度、または１０−６Ｔｏｒｒおよび８００℃の温度で達成できる。熱処理が１〜１０時間の間に実行されると、アルミニウムは窒化アルミニウムに拡散し始め、窒化アルミニウムの形状に一致する。したがって、溶融アルミニウム材料と第１の部材１２または第２の部材１４の溝壁との間の濡れにより、マイクロスケールであっても、溶融アルミニウム材料は、図５Ｄに示されるように、溝２２の形状に一致するようになる。
【００４７】
同様に、第１および第２の部材１２、１４の他の領域に配置された機能要素が損傷するリスクを低減するために、追加の熱は、アセンブリ全体ではなく、結合領域に局所的に加えることができる。
【００４８】
図５Ｅに示すように、溶融アルミニウム材料は良好な濡れ性を有するため、アルミニウムを使用して２つのセラミック材料、特に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を一緒に結合して、それらの間の気密結合を作り出すことができる。
【００４９】
第１の部材１２が第２の部材１４に結合された後、ステップ６２においてアセンブリは冷却される。
【００５０】
図６に示されるように、本開示の教示に従って作られた変形例である結合アセンブリ７０では、第１の部材７２または第２の部材７４に溝を形成することなく、アルミニウム材料７６によって直接表面間結合によって結合された第１の部材７２および第２の部材７４を含み得る。第１および第２の部材７２、７４は、結合前にシム７８によって一時的に離間され、アルミニウム材料７６は気密性を達成するために２ｍｍより大きい幅を有する。
【００５１】
図７に示されるように、本開示の教示に従って作られた別の変形例の結合アセンブリ９０は、第１の部材９２、第２の部材９４、および第１および第２の部材９２、９４の一方の単一の溝に充填されたアルミニウム材料９６を含み得る。この例では弧状である単一の溝を使用する場合、気密性を実現するために、溝の幅は６ｍｍを超え、深さは２０μｍを超える必要がある。
【００５２】
溝は、他の形状の中でも、例として、先細り（内側または外側）、蟻継ぎ、または多角形を含む、本明細書に示されているもの以外の任意の形状をとることができる。また、本明細書および特許請求の範囲で使用される溝の「幅」は、図７の弓形の形状など、溝の任意の所与の幾何学的形状に対する溝を横切る最大寸法を指す。さらに、溝は、本開示の範囲内において、溝が形成される部材の表面と交わる部分にコーナー湾曲をさらに含み得る
【００５３】
本開示の結合方法では、セラミック材料を比較的容易に結合することができる。この方法は、半導体処理工程におけるセラミックペデスタルを製造するために使用することができるが、本開示の教示にしたがって他の用途も企図されている。したがって、様々な機能層を複数のセラミック部材上に形成し、次にアルミニウム材料によって一緒に結合して加熱プレートを形成することができる。したがって、モノリス基板を形成するために、ホットプレス工程のための高温高圧装置が必要とされないようにすることができ、それによって製造コストが削減される。
【００５４】
さらに、本開示による結合方法は、比較的低い温度および比較的低い圧力を伴う。その結果、セラミック基板にさまざまな機能層を形成するために、より幅広い材料の選択肢が利用可能になる。例えば、厚膜、薄膜、溶射、またはゾルゲルプロセスによって形成された層状ヒーターが、第１および第２の部材が本発明の結合方法を使用して一緒に結合される前に、第１および第２の部材の１つに適用され得る。本開示の方法を使用して第１および第２の部材が結合される前に、ＴｉＮｉＨｆ終端ろう付け、ニッケル終端めっき、またはアレムコ（Ａｒｅｍｃｏ  登録商標）アンカーペーストを第１の部材および／または第２の部材に塗布することができる。
【００５５】
この結合方法はまた、加熱プレートを支持ペデスタルの管状シャフトに結合して、熱電対ポケットの隔離を提供するために使用することができる。この結合方法は、ＡｌＮ静電チャックアセンブリを含むさまざまな応用において、薄い（厚さ１０〜５０ｍｍ）平らな（表面粗さが１０μｍ未満）ＡｌＮヒーターアセンブリを製造するために使用できる。
【００５６】
さらに、本開示の結合方法によって製造された支持ペデスタルは、加熱プレートの修理および交換を可能にし、それにより、支持ペデスタルの寿命を延ばす。
【００５７】
本開示は、例として説明および図示された形式に限定されないことに留意されたい。多種多様な修正が記載されており、より多くは当業者の知識の一部である。本開示および本特許の保護の範囲を離れることなく、これらのおよびさらなる修正ならびに技術的同等物による置換を説明および図に追加することができる。
【図１】
2021512845.tif 000003
【図２】
2021512845.tif 000004
【図３】
2021512845.tif 000005
【図４】
2021512845.tif 000006
【図５Ａ】
2021512845.tif 000007
【図５Ｂ】
2021512845.tif 000008
【図５Ｃ】
2021512845.tif 000009
【図５Ｄ】
2021512845.tif 000010
【図５Ｅ】
2021512845.tif 000011
【図６】
2021512845.tif 000012
【図７】
2021512845.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月4日(2020.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の部材、および該第１の部材に隣接して配置された第２の部材であって、該第１の部材と該第２の部材とのうちの少なくとも一方が少なくとも１つの溝を画定し、該少なくとも１つの溝が深さと幅を画定している、第１の部材および第２の部材と、
該溝内に配置され、該第１の部材を該第２の部材に、隣接する面に沿って結合するアルミニウム材料と、
を有し、
該隣接する面に沿った該第１の部材と該第２の部材との間の間隔が５μｍ未満であり、該少なくとも１つの溝の該幅が該少なくとも１つの溝の該深さの５倍から２０倍の間とされている、アセンブリ。
【請求項２】
該第１および第２の部材の該隣接する面の表面粗さが５μｍから１００ナノメートルの間である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
該溝が、正方形、長方形、弧状、および多角形の断面形状のうちの少なくとも１つを画定する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
２ｍｍ未満の距離だけ離間された複数の溝をさらに備える、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】
該複数の溝が互いに平行である、請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項６】
該第１の部材および該第２の部材は、セラミック、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ、ジルコニア、および炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなる群から選択される、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項７】
該第１の部材および該第２の部材のそれぞれが窒化アルミニウム（ＡｌＮ）である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項８】
該第１の部材と該第２の部材のそれぞれが平板である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項９】
該第１の部材が平板であり、該第２の部材が平板と中空シャフトとのうちの少なくとも一方である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
第１のセラミック部材、および該第１のセラミック部材に隣接して配置された第２のセラミック部材であって、該第１のセラミック部材と第２のセラミック部材とのうちの少なくとも一方が２ｍｍ未満の距離だけ離間された複数の溝を画定し、該複数の溝がそれぞれ深さと幅を画定し、各溝の該幅が該深さの５倍から２０倍の間とされている、第１のセラミック部材および第２のセラミック部材と、
該複数の溝内に配置され、該第１のセラミック部材を該第２のセラミック部材に、隣接する面に沿って結合するアルミニウム材料と、
を有し、
該隣接する面に沿った該第１のセラミック部材と該第２のセラミック部材との間の間隔が５μｍ未満であり、該第１および第２のセラミック部材の該隣接する面の表面粗さが５μｍから１００ナノメートルの間とされている、アセンブリ。
【請求項１１】
該第１のセラミック部材および該第２のセラミック部材がそれぞれ窒化アルミニウム（ＡｌＮ）である、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
該複数の溝が相互に平行とされている、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
該複数の溝が少なくとも３つの溝である、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
該複数の溝が少なくとも５つの溝である、請求項１３に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
該複数の溝の少なくとも１つが、正方形、長方形、弧状、および多角形の断面形状のうちの少なくとも１つを画定する、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１６】
該第１のセラミック部材および該第２のセラミック部材は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ、ジルコニア、および炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなる群から選択される、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１７】
該第１のセラミック部材および該第２のセラミック部材のそれぞれが平板である、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１８】
該第１のセラミック部材が平板であり、該第２のセラミック部材が中空シャフトである、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１９】
該アルミニウム材料が物理蒸着（ＰＶＤ）されたアルミニウム材料である、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項２０】
該アルミニウム材料がアルミホイルである、請求項１０に記載のアセンブリ。
【国際調査報告】
2021512845.tif 000014
2021512845.tif 000015