(57)【要約】  本発明は、金属層を形成することを意図した金属化合物を含有する液体薬品（４）から、気密チャンバ（１）内に配置された電子モジュール（１０）の穴（１１）の中で金属層を堆積するための液相プロセスに関する。穴は、深さＰ及び直径Ｄを有し、Ｄ＞８０μｍ、且つ、Ｐ／Ｄ＞１０であるようになっており、プロセスは、以下のサブステップ、すなわち、  −  Ｍ１）チャンバを事前設定圧力Ｐ０の状態にして、チャンバを液体で満たすサブステップと、  −  Ｍ２）チャンバを、Ｐ１＜Ｐ０である低圧Ｐ１の状態にすることによって、穴を脱気するサブステップと、  −  Ｍ３）チャンバを圧力Ｐ０に戻し、チャンバを液体で満たすサブステップと、  −  Ｍ４）穴の中で、液体から出てくる金属層を堆積するサブステップと、  −  Ｍ５）チャンバから液体を排出して空にするサブステップと、  −  Ｍ６）チャンバを、Ｐ２＜Ｐ１＜Ｐ０である低圧Ｐ２の状態にすることによって、穴の中に残存する液体を爆発的に蒸発させるサブステップと、を含む少なくとも１つのサイクル（Ｃｙｃ）を含み、１回の反復につき１つの新たな金属層を得るために、サブステップＭ１からＭ６を含むサイクル（Ｃｙｃ）を少なくとも１回は反復する。
2021513608.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層を形成することを意図した金属化合物を含有する液体薬品（４）から、気密チャンバ（１）に配置された電子モジュール（１０）の穴（１１）の中で金属層を堆積するための液相プロセスにおいて、前記穴が深さＰ及び直径Ｄを有し、Ｄ＞８０μｍ、且つ、Ｐ／Ｄ＞１０であるようになっていることと、
以下のサブステップ、すなわち、
−  Ｍ１）前記チャンバを事前設定圧力Ｐ０の状態にして、前記チャンバを前記液体で満たすサブステップと、
−  Ｍ２）前記チャンバを、Ｐ１＜Ｐ０である低圧Ｐ１の状態にすることによって、前記穴を脱気するサブステップと、
−  Ｍ３）前記チャンバを前記圧力Ｐ０に戻し、前記チャンバを前記液体で満たすサブステップと、
−  Ｍ４）前記穴の中で、前記液体から出てくる金属層を堆積するサブステップと、
−  Ｍ５）前記チャンバから前記液体を排出して空にするサブステップと、
−  Ｍ６）前記チャンバを、Ｐ２＜Ｐ１＜Ｐ０である低圧Ｐ２の状態にすることによって、前記穴の中に残存する前記液体を爆発的に蒸発させるサブステップと、
を含む少なくとも１つのサイクル（Ｃｙｃ）を含み、１回の反復につき１つの新たな金属層を得るために、サブステップＭ１からＭ６を含む前記サイクル（Ｃｙｃ）を少なくとも１回は反復することと、
を特徴とするプロセス。
【請求項２】
請求項１に記載の金属層を堆積するためのプロセスにおいて、前記第１のサイクル（Ｃｙｃ）に先立って、前記チャンバを、Ｐｍｉｎ＜Ｐ２である低圧Ｐｍｉｎの状態にすることによって、前記穴を乾燥させるサブステップ（Ｍ０）を含むことを特徴とするプロセス。
【請求項３】
請求項２に記載の金属層を堆積するためのプロセスにおいて、前記乾燥させるサブステップ（Ｍ０）に先立って、複数の先行準備ステップ、すなわち、順番に、
−  Ａ）洗浄液（４）を用いて行われる、前記穴を洗浄するステップと、
−  Ｂ）前記穴によって遮られた導体セグメントを、エッチング液（４）を用いてエッチングするステップと、
−  Ｃ）プレディップ液（４）にプレディップするステップと、
−  Ｄ）触媒液（４）を用いて前記穴の前記壁を活性化するステップと、
−  Ｅ）還元浴で還元液（４）を用いて還元するステップと、
を含むことを特徴とするプロセス。
【請求項４】
請求項３に記載の金属層を堆積するためのプロセスにおいて、各先行ステップ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）が、前記先行ステップの特定の液体（４）を用いて行われる以下のサブステップ、すなわち、
−  前記チャンバを、Ｐｍｉｎ＜Ｐ２である低圧Ｐｍｉｎの状態にすることによって、前記穴を乾燥させるサブステップと、
−  前記圧力Ｐ０で前記先行ステップの前記特定の液体を用いて前記チャンバを満たすサブステップと、
−  前記チャンバを、Ｐ１＜Ｐ０である低圧Ｐ１の状態にすることによって、前記穴を脱気するサブステップと、
−  前記圧力Ｐ０で前記先行ステップの前記特定の液体を用いて前記チャンバを満たすサブステップと、
−  前記先行ステップの前記特定の液体を設定した長さの時間にわたり作用させるサブステップと、
−  前記チャンバを空にするサブステップと、
−  前記チャンバを、Ｐ２＜Ｐ１＜Ｐ０である低圧Ｐ２の状態にすることによって、前記穴の中に残存する前記特定の液体を爆発的に蒸発させるサブステップと、
を含むことを特徴とするプロセス。
【請求項５】
請求項４に記載の金属層を堆積するためのプロセスにおいて、各先行ステップ（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）間に、前記チャンバを洗滌するサブステップを含むことを特徴とするプロセス。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属層を堆積するためのプロセスにおいて、前記圧力Ｐ０が大気圧であることを特徴とするプロセス。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属層を堆積するためのプロセスにおいて、前記金属化合物が銅又はニッケル又はアルミニウム化合物であることを特徴とするプロセス。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属層を堆積するためのプロセスにおいて、前記穴（１１）のうちのいくつかが、止まり穴であることを特徴とするプロセス。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属層を堆積するための前記プロセスを実装するためのデバイスにおいて、
−  穴（１１）を含む少なくとも１つの電子モジュール（１０）を収容するように構成された気密チャンバ（１）と、
−  真空ポンプ（２１）に接続され、且つ、液体トラップ（２３）によって前記チャンバ（１）に接続された、圧力調整された真空キャビティ（２）と、
−  液体用ポンプ（３１）によって制御され、且つ、充填パイプ（３５）及び排出パイプ（３３）によって前記チャンバ（１）に接続された前記液体（４）のリザーバ（３）と、
を備えることを特徴とするデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、プリント回路基板（すなわちＰＣＢ）の問題であれ、３Ｄ電子モジュール、すなわち複数のコンポーネントの積層を含むモジュールの問題であれ、いずれにせよ電子回路の分野である。ある特定の（ＰＣＢ又は３Ｄ）電子モジュールには、垂直に、すなわちモジュールの厚さ方向に穿孔された穴が設けられている。具体的には、プリント回路基板又は３Ｄモジュールは、コンポーネント及び電気導体を含む複数の水平な階層を含み、ビア（ｖｉａ）と呼ばれる場合が多い金属化された穴が、これらの階層の間を通っており、これにより、金属化された穴と、これらの穴と同一平面にあるこれらの導体のセグメントとの間が接触することによって、これらの導体を相互に垂直に接続することが可能になっている。以下、「穴（ｈｏｌｅ）」という用語は、止まり穴又は貫通孔を意味するものであると理解される。当然ながら、電子モジュールは、止まり穴及び貫通孔を含む場合がある。
【背景技術】
【０００２】
まったく最初から、無電解めっき技術を使用してこれらの穴を金属化し、金属層を得るが、後に粘着層と呼ばれるこの金属層を完成させるために、電気化学的再充電ステップが必要な場合がある。無電解めっきの進歩は、電着を必要とせずに数ミクロンの層が堆積可能であることを意味する。
【０００３】
液相析出法によって穴を金属化することが知られており、プリント回路基板又は３Ｄ電子モジュールを、金属原子を放出する金属化合物を含有する液体に浸漬し、金属原子が穴の壁に堆積して所望の金属層を形成する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液相析出法による穴の壁の金属化は、穴の（水平）直径が穴の（垂直）深さに対して小さくなるほど、難度が増す。穴の直径は、堆積効率に直接影響を及ぼす。より具体的には、直径が小さい穴、すなわち、８０μｍ以上の穴がここでは考慮される。ＰＣＢ又は３Ｄモジュールは、１から数ミリメートルの厚さを有することができる。したがって、１０を超える、穴の深さと穴の直径との間のアスペクト比Ｒを実現することができる。
【０００５】
穴の深さと穴の直径との間のアスペクト比Ｒが高いほど、穴の壁を規則的な厚さ及び組成で金属化することが難しくなる。直径が１００μｍの穴に対して１０であるアスペクト比Ｒは、実現可能の範囲外であると考えられる。
【０００６】
本発明の目的は、これらの短所を軽減することである。したがって、アスペクト比Ｒ＞１０の穴の金属化、及び、特に、直径が小さい電子モジュールの穴の金属化に関して、前述の要求事項のすべてを同時に十分に満たすプロセスの必要性が現在も残っている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によるプロセスは、複数の層の堆積に基づく。
【０００８】
より正確には、本発明の主題の１つは、金属層を形成することを意図した金属化合物を含有する液体薬品から、気密チャンバに配置された電子モジュールの穴の中で金属層を堆積するための液相プロセスである。プロセスは、主として、穴が深さＰ及び直径Ｄを有し、Ｄ＞８０μｍ、且つ、Ｐ／Ｄ＞１０であるようになっていることと、プロセスが以下のサブステップ、すなわち、
−  Ｍ１）チャンバを事前設定圧力Ｐ０の状態にして、チャンバを液体で満たすサブステップと、
−  Ｍ２）チャンバを、Ｐ１＜Ｐ０である低圧Ｐ１の状態にすることによって、穴を脱気するサブステップと、
−  Ｍ３）チャンバを圧力Ｐ０に戻し、チャンバを液体で満たすサブステップと、
−  Ｍ４）穴の中で、液体から出てくる金属層を堆積するサブステップと、
−  Ｍ５）チャンバから液体を排出して空にするサブステップと、
−  Ｍ６）チャンバを、Ｐ２＜Ｐ１＜Ｐ０である低圧Ｐ２の状態にすることによって、穴の中に残存する液体を爆発的に蒸発させるサブステップと、
を含む少なくとも１つのサイクルを含むことと、
１回の反復につき１つの新たな金属層を得るために、サブステップＭ１からＭ６を含むサイクルが、少なくとも１回は反復されることと、
を特徴とする。
【０００９】
好ましくは、第１のサイクルに先立って、プロセスは、チャンバを、Ｐｍｉｎ＜Ｐ２である低圧Ｐｍｉｎの状態にすることによって、穴を乾燥させるサブステップを含む。
【００１０】
この堆積サイクル及びこの乾燥させるサブステップに先立って、プロセスは、任意に、堆積前準備ステップと呼ばれる複数の先行ステップ、すなわち、順番に、
−  洗浄液を用いて行われる、穴を洗浄するステップと、
−  穴によって遮られた導体セグメントを、エッチング液を用いてエッチングするステップと、
−  湿潤を高めるプレディップ液にプレディップするステップと、
−  増感液を用いて穴の壁を活性化するステップと、
−  還元浴で塩基性液体を用いたステップと、
を含む。
【００１１】
各先行ステップは、前記先行ステップの特定の液体を用いて行われる以下のサブステップ、すなわち、
−  チャンバを、Ｐｍｉｎ＜Ｐ２である低圧Ｐｍｉｎの状態にすることによって、穴を乾燥させるサブステップと、
−  圧力Ｐ０で先行ステップの特定の液体を用いてチャンバを満たすサブステップと、
−  チャンバを、Ｐ１＜Ｐ０である低圧Ｐ１の状態にすることによって、穴を脱気するサブステップと、
−  圧力Ｐ０で先行ステップの特定の液体を用いてチャンバを満たすサブステップと、
−  先行ステップの特定の液体を設定した長さの時間にわたり作用させるサブステップと、
−  チャンバを空にするサブステップと、
−  チャンバを、Ｐ２＜Ｐ１＜Ｐ０である低圧Ｐ２の状態にすることによって、穴の中に残存する液体を爆発的に蒸発させるサブステップと、
を有利に含む。
【００１２】
プロセスは、各先行ステップ間に、チャンバを洗滌するサブステップを有利に含む。
【００１３】
Ｐ０は、例えば、大気圧と等しい。
【００１４】
本発明の別の主題は、説明したようなプロセスを実装するためのデバイスであって、
−  少なくとも１つの電子モジュールを収容するように構成された気密チャンバと、
−  真空ポンプに接続され、且つ、液体トラップによってチャンバに接続された、圧力調整された真空キャビティと、
−  液体用ポンプによって制御され、且つ、チャンバを満たすためのパイプ、及びチャンバを空にするためのパイプによってチャンバに接続された液体のリザーバと、
を備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明の他の特徴及び利点は、添付の図面を参照しながら、以下の、非限定的な例として示されている詳細な説明を読むことにより、明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１ａ】時間の関数として、金属層の厚さの変化を概略的に示す。
【図１ｂ】時間の関数として、層内の金属化合物の濃度の変化を概略的に示す。
【図２】金属化するステップについて、チャンバ内の気体の圧力のグラフを、時間及び対応するサブステップの関数として概略的に示す。
【図３】先行準備ステップを伴う金属化プロセスのステップのシーケンスを図示する。
【図４】断面で見た、本発明によるプロセスを実装するためのデバイスの一例を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
すべての図において、同じ要素は同じ参照符号を付して参照されている。
【００１８】
本明細書の以降の説明では、「水平の（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）」及び「垂直の（ｖｅｒｔｉｃａｌ）」という表現は、説明されている図の向きに関して使用される。デバイスが他の向きで配置される可能性がある限り、方向を示す用語は例示として与えられ、非限定的なものである。
【００１９】
アスペクト比がＲ＞１０の穴の場合、それぞれの穴を満たす液体は、アスペクト比Ｒ＜１０の穴を有するＰＣＢ用の従来の設備の場合のように、入れ替え、又は撹拌されず、これにより、この金属化段階の間に穴の壁に堆積される金属の特性に変化が生じる。すなわち、図１ａ及び図１ｂに図示されるように、これらの壁に堆積される厚さは時間とともに減少し、金属化合物濃度も同様に減少する。その結果、（アスペクト比がＲ＞１０の）穴の壁に堆積される層内の金属化合物の濃度は、その厚さ全体を通して一様なのではなく、この層の厚さは制限されている。
【００２０】
本発明による解決策は、穴の内部の液体を入れ替えることに基づいている。したがって、最終的に、各穴の壁に一様な厚さ及び一様な濃度の最終層（＝互いの上に堆積された層の合計）を得るために、複数の一様な金属層が、液体を１回入れ替えるごとに１つの新たな層の割合で、互いの上に堆積されることになる。
【００２１】
ここで、本発明による金属化プロセスをより詳細に説明することにする。（モジュールの厚さｅの方向の）深さＰ及び直径Ｄの穴１１が設けられた電子モジュール（ＰＣＢ又は３Ｄモジュール）１０は、図４に見られ得るように、最初に気密チャンバ１内に水平又は垂直に配置される。
【００２２】
次に、（図２に表示されている）連続するサブステップの１回のサイクルＣｙｃが行われる。すなわち、
Ｍ１）チャンバを圧力Ｐ０、例えば、大気圧（Ｐ０＝Ｐａ）、又はそれよりも高圧力の状態にする。具体的には、この圧力を大気圧よりも高圧に増加することが可能であるという事実は、以下の長所を有する。それは、堆積物の電気伝導率、及びその堆積速度の増加である。チャンバが圧力Ｐ０の状態になった後、チャンバ１は、金属層を形成することを意図した金属化合物を含有する液体薬品で満たされ、この金属化合物は、通常、銅若しくはニッケル若しくはアルミニウム化合物、又は他の金属の化合物である。
Ｍ２）チャンバ１が満たされた後に、チャンバ内の圧力をＰ０からＰ１に減少させることによって、液体４に浸漬された穴１１は脱気され、圧力Ｐ１は、この脱気を実現するために、事前設定した長さの時間にわたり維持され、圧力差（Ｐ０−Ｐ１）は約５０〜１００ミリバールである。圧力差が大きくなると、蒸発により過剰な液体が除去されてしまう。
Ｍ３）チャンバ１は、圧力Ｐ０に戻され、チャンバが液体４で満たされる。
Ｍ４）液体は、モジュール及びその穴に作用すること、すなわち、この場合は、ＰＣＢの金属化における従来の液相化学析出（無電解めっき）と呼ばれる動作を行うことができる。この堆積は、堆積された層内の化合物の濃度が一様なままであることが確実な長さの時間、行われる。したがって、動作は、液体４の化合物の濃度が低下し始める直前に停止される。
Ｍ５）チャンバ１から液体４を排出し、空にする。
Ｍ６）穴１１の中にトラップされた液体４は、その後、「爆発的に」蒸発させる。場合によっては数百ミリバール（例えば、５００ミリバール＜Ｐ２＜７００ミリバール）に達する大きな負圧（Ｐ０−Ｐ２）が、チャンバ１に印加され、穴１１の中にトラップされた液体４を非常に短時間で完全に気化（爆発的蒸発）させるために、この圧力Ｐ２が２から１０秒間維持され、穴の底に落ち込んだ可能性がある付着していない微粉を伴出するようにする。
【００２３】
サブステップＭ１からＭ６のこのサイクルＣｙｃの終了時には、このように、金属層は、プリント回路基板又は３Ｄモジュールの穴１１の壁に堆積されている。
【００２４】
このサイクルＣｙｃは、同じやり方（同じ圧力、同じ液体の入れ替え、及び、概して同じ長さのサブステップ）で反復され、各反復で新たな金属層を得て、これらの層が一様であるようにする。サイクルＣｙｃの回数Ｎは、実現される最終層（＝層の合計）の厚さによって決定され、堆積される液体の金属濃度にもまた関係する。具体的には、ある一定の濃度、例えば、２５％から５０％未満では、液体の入れ替えが必要であり、したがって、新たなサイクルが必要である。Ｎは、一般に、５回〜２０回の間である。このＮ回のサイクルのセットは、通常１時間〜２．５時間続き、当然ながらサブステップＭ４がサブステップのうち、最も長い。「穴を金属化するステップ（ｓｔｅｐ  ｏｆ  ｍｅｔａｌｌｉｚｉｎｇ  ｔｈｅ  ｈｏｌｅｓ）」という表現は、このＮ回のサイクルＣｙｃのセットを意味するものであると理解される。
【００２５】
好ましくは、第１のサイクルＣｙｃの前に、高真空Ｐｍｉｎのチャンバの下で脱気し、この圧力Ｐｍｉｎを維持することによって、穴１１を乾燥させるステップＭ０が行われ、穴の壁に存在する水をすべて除去するようにする。例えば、１ミリバール＜Ｐｍｉｎ＜１００ミリバールである。
【００２６】
これらのサブステップはすべて、各サイクルで形成された部分的な堆積物を酸化させないように、中性雰囲気中で、例えば、窒素又は乾燥空気中で行われる。
【００２７】
好ましくは、第１のサイクルに先立って、すなわち、穴を金属化するステップに先立って、金属化するステップの準備を目的とする様々なステップが行われ、それらが図３に示されている。それには以下の
−  Ａ）特に、例えば、誘電体及び成形用樹脂などの非金属を除去するために、洗浄液４を用いて穴１１を洗浄するステップと、
−  Ｂ）穴の将来の金属化へのセグメントの付着性を向上させるために、穴１１によって遮られた水平な電気導体のセグメントを、酸性エッチング液４を用いてエッチングするステップと
−  Ｃ）後続のステップを目的として、穴１１の壁の湿潤性を向上させるために、穴１１をプレディップ液体４にプレディップするステップと、
−  Ｄ）多くの場合パラジウムタイプの増感触媒液４（市販の液体）を用いて穴１１の壁を活性化するステップと、
−  Ｅ）前のステップによって生成されたイオン（例えば、パラジウムイオン）を原子に還元し、金属（当方の例では、銅又はニッケル又はアルミニウム）の無電解触媒反応を準備するために、市販の塩基性液体４を用いて還元浴で還元するステップと、
がある。
【００２８】
ステップＡ）からＥ）までの終了時には層は堆積されない。
【００２９】
これらのステップはそれぞれ、２５〜２５０秒の間続き、ステップの特定の液体を用いて行われる以下のサブステップ、すなわち、
−  穴１１の壁に存在する水をすべて除去するように、高真空Ｐｍｉｎのチャンバ１の下で脱気するサブステップと、
−  チャンバを圧力Ｐ０の状態にして、チャンバ１をステップの特定の液体４で満たすサブステップと、
−  チャンバが満たされた後に、チャンバ１内の圧力をＰ０からＰ１に減少させることによって、液体４に浸漬された穴１１を脱気し、この脱気を実現するために、圧力Ｐ１が事前設定した長さの時間にわたり維持されるサブステップと、
−  チャンバ１を圧力Ｐ０に戻し、チャンバ１をステップの特定の液体４で満たすサブステップと、
−  液体を作用させるサブステップ、すなわち、ステップの機能（洗浄又はエッチング又はプレディップ又は活性化又は還元）を実行するのにかかる時間、このステップの長さはステップに応じて異なるがその間、ステップの特定の液体４をチャンバ１内に残すサブステップと、
−  チャンバ１から液体４を排出して空にするサブステップと、
−  穴１１の中にトラップされた液体４を「爆発的に」蒸発させるステップと、を含み、場合によっては数百ミリバールに達する大きな負圧（Ｐａ−Ｐ２）が、チャンバ１に印加され、穴の中にトラップされた液体４を非常に短時間で完全に気化（爆発的蒸発）させるために、この圧力Ｐ２が維持される。
【００３０】
これらのサブステップは、金属化するサイクルＣｙｃのサブステップＭ１からＭ６を含むとともに、先行する乾燥ステップＭ０もまた含む。しかしながら、これらのサブステップは、使用する液体、及びサブステップの長さが異なり、ステップごとに様々である。すでに示したように、洗浄液は、エッチング液等とは異なる。同様に、活性化するステップで液体に浸漬された穴を脱気するサブステップの長さは、還元するステップ等で同じ脱気するサブステップの長さと必ずしも同一ではない。使用される液体は、通常、市販の液体である。
【００３１】
好ましくは、図３に示されるように、プロセスは、ステップＡ）からＥ）のそれぞれの間に、チャンバ１を、例えば、脱イオン水を用いて洗滌するサブステップを含む。
【００３２】
ステップＡからＥのこれらのサブステップはすべて、中性雰囲気中で、例えば、窒素又は乾燥空気中で行ってもよい。
【００３３】
これらのサブステップ及びステップ（ＡからＥ又はＭ）は、有利に自動化される。
【００３４】
圧力値は、例えば（ステップがＡからＥ又はＭのいずれであれ）、
１ミリバール＜Ｐｍｉｎ＜１００ミリバール、
５００ミリバール＜Ｐ２＜７００ミリバール、
９００ミリバール＜Ｐ１＜９５０ミリバール、
Ｐａ≦Ｐ０≦１５０バールであり、Ｐａは大気圧であり、約１０００ミリバールと等しい。
【００３５】
これらのステップは、同じ装置１００を使用して有利に行われ、その一例を、図４を参照しながら説明する。それは、
−  穴１１（図では、止まり穴１１が示されている）を含む電子モジュール１０（プリント回路基板又は３Ｄ電子モジュール）が配置された気密チャンバ１であって、複数のプリント回路基板又は３Ｄモジュールが配置されている場合があるチャンバ１と、
−  バルブ２２と関連付けされた真空ポンプ２１に接続され、且つ、液体トラップ２３と、バルブ２５が装備されたパイプ２４と、を経由してチャンバ１に接続された、圧力調整された真空キャビティ２と、
を備える。
【００３６】
バルブ３２と関連付けされた液体用ポンプ３１によって制御される液体（この液体４は、上記で示したように、行われるステップに応じて変わる）のリザーバ３は、チャンバを空にするためのパイプ３３であって、バルブ３４が設けられたパイプと、チャンバを満たすためのパイプ３５と、によってチャンバに接続されている。
【００３７】
ステップごとに、使用される液体４は、そのステップの特定の液体である。金属化するステップＭの連続するサイクルのために、金属化合物を含有する液体薬品である液体４が入れ替えられる。
【００３８】
閉ざされた装置内で、すなわち外部との接触なしに、ステップ（ＡからＥ及びＭ）を行うことは、以下の産業上の利点を有する。すなわち、周囲の内部空間の汚染がなく、したがって、化学析出浴によって放出される有害な気体をそこから除去するために、空気をポンプで汲み上げて処理する必要がない。
【図１ａ】
2021513608.tif 000003
【図１ｂ】
2021513608.tif 000004
【図２】
2021513608.tif 000005
【図３】
2021513608.tif 000006
【図４】
2021513608.tif 000007
【国際調査報告】
2021513608.tif 000008
2021513608.tif 000009
2021513608.tif 000010
2021513608.tif 000011
2021513608.tif 000012
2021513608.tif 000013