(57)【要約】  本発明は、半導体デバイス、及び半導体デバイスを製造する方法を提供し、半導体技術の分野に関する。半導体デバイスは、基板と、半導体層と、誘電体層と、ソースと、ドレインと、ゲートとを備え、ドレインの片面付近及び半導体層付近のゲートの第１の面は、第１の湾曲面を有する。ゲートに対応するゲートトレンチが誘電体層上に設けられ、ゲートの材料がゲートトレンチ内に充填され、ゲートと接触するゲートトレンチの第２の面の少なくとも一部は、誘電体層の半導体層から離れた表面から、半導体層に向かって延在する第２の湾曲面である。本発明の実施形態において、このような半導体デバイス構造を通じて、半導体デバイスの電位勾配をより緩やかにすることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の片面に形成された半導体層と、
前記半導体層の前記基板から離れた片面に形成されたソース及びドレインと、
前記ソースと前記ドレインとの間のゲートと、
を備え、前記ドレインの片面付近及び前記半導体層付近の前記ゲートの第１の面の少なくとも一部は、第１の湾曲面を有する、半導体デバイス。
【請求項２】
前記ゲートの前記第１の面は、前記第１の湾曲面から前記半導体層まで延在する第１の平面を更に有する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記第１の平面の長さと、前記ゲートの前記第１の面の全長との比は、Ｘであり、０≦Ｘ≦０．９５である、請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記半導体層の前記平面における前記ゲートの前記第１の面の前記全長の投影の長さと、前記ゲートの前記第１の面から前記ゲートの底部の平面までの鉛直距離との比は、Ｙであり、０．３≦Ｙ≦７である、請求項２又は３に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記ゲートの前記第１の湾曲面は、前記半導体層から離れた片面において第３の平面を有する、請求項１又は２に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記半導体デバイスは、前記半導体層の前記基板から離れた片面の前記ソースと前記ドレインとの間に形成された誘電体層を更に備え、前記ゲートは、前記誘電体層の前記半導体層から離れた片面に形成され、
前記ゲートに対応するゲートトレンチが前記誘電体層上に設けられ、前記ゲートの材料が前記ゲートトレンチ内に充填され、前記ゲートトレンチを被覆し、前記ドレイン付近のゲートの端部と接触する前記ゲートトレンチの第２の面の少なくとも一部は、前記誘電体層の前記半導体層から離れた表面から、前記半導体層に向かって延在する第２の湾曲面を有する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記ゲートトレンチの前記第２の面は、前記半導体層付近の片面において第２の平面を更に有する、請求項６に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第２の湾曲面は、前記誘電体層の前記半導体層から離れた表面から、前記半導体層まで延在する、請求項６に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記ゲートトレンチは、前記誘電体層を貫通し、前記半導体層内に延在する、請求項６又は７に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記ソース付近及び前記半導体層付近の片面における前記ゲートの第３の面の少なくとも一部は、前記第１の湾曲面を有し、及び／又は、前記ソース付近の前記ゲートの端部と接触する前記ゲートトレンチの第４の面の少なくとも一部は、前記第２の湾曲面を有する、請求項６に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記第１の平面と前記半導体層との間の角度は、２５度以上かつ８５度以下である、請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記第２の平面と前記半導体層との間の角度は、２５度以上かつ８５度以下である、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
半導体デバイスを製造する方法であって、
基板を準備することと、
前記基板の片面に半導体層を形成することと、
前記半導体層の前記基板から離れた片面にソース及びドレインを形成することと、
前記半導体層の前記基板から離れた片面の前記ソースと前記ドレインとの間にゲートを形成することであって、前記ドレイン付近及び前記半導体層付近の前記ゲートの第１の面の少なくとも一部は、第１の湾曲面を有することと、
を含む、方法。
【請求項１４】
前記半導体層の前記基板から離れた片面の前記ソースと前記ドレインとの間にゲートを形成するステップは、
前記半導体層の前記基板から離れた片面の前記ソースと前記ドレインとの間に誘電体層を形成することと、
前記ドレイン付近の前記ゲートの端部と接触するゲートトレンチの第２の面の少なくとも一部が、前記第１の湾曲面に対応する第２の湾曲面であるように、前記誘電体層上に前記ゲートを形成するための前記ゲートトレンチを形成することであって、前記第２の湾曲面は、前記誘電体層の前記半導体層から離れた表面から、前記半導体層に向かって延在することと、
前記誘電体層に基づいて前記ゲートを形成することであって、前記ゲートは、前記ゲートトレンチに基づいて形成されるとともに、前記ソースと前記ドレインとの間に配置されることと、
を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ソース付近の前記ゲートの端部と接触する前記ゲートトレンチの第４の面の少なくとも一部は、前記第２の湾曲面である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記誘電体層上に前記ゲートを形成するためのゲートトレンチを形成するステップは、
前記誘電体層の前記半導体層から離れた片面にマスクを被覆することと、
前記ゲートトレンチの前記第２の面が平面を形成するように、前記ゲートトレンチに対応する領域における前記マスク及び前記誘電体層上に第１段階のエッチングを実行することと、
前記マスクが前記ゲートトレンチ付近の面において前記第２の湾曲面を形成するように、前記第１段階のエッチング後に前記半導体デバイスを焼成することと、
前記ゲートトレンチの前記第２の面が前記第２の湾曲面を形成するように、前記誘電体層と前記マスクとの間の界面上に第２段階のエッチングを実行することと、
前記誘電体層が、前記ゲートトレンチの底部に対応する前記半導体層の一部を除去するようにエッチングされた後、前記誘電体層をマスクとして用いることによって第３段階のエッチングを実行することと、
を含む、請求項１４又は１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
優先権の主張
本出願は、２０１７年１２月１５日に出願された中国特許出願第２０１７１１３５２３７６．９号の優先権を主張し、上述した中国特許出願によって開示された内容の全文を本出願の一部としてここに引用する。
【０００２】
本発明は、半導体技術の分野に関し、詳細には、半導体デバイス及び半導体デバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）デバイスの半導体材料の顕著な利点、例えば、広いバンドギャップ、高い電子飽和ドリフト速度、高い破壊電界強度、及び高温耐性に起因して、窒化ガリウムＨＥＭＴデバイスは、高温、高電圧、高周波数及び高電力の電子デバイスの製造に適しており、広範な応用への期待を有する。しかしながら、既存の窒化ガリウムデバイスの電位勾配は、十分に緩やかではない。
【発明の概要】
【０００４】
これに鑑みて、本発明の実施形態の目的は、上記問題を解決するために、半導体デバイス及び半導体デバイスを製造する方法を提供することである。
【０００５】
本発明によって提供される技術的解決法は、以下の通りである。
【０００６】
基板と、
前記基板の片面に形成された半導体層と、
前記半導体層の前記基板から離れた片面に形成されたソース及びドレインと、
前記ソースと前記ドレインとの間のゲートと、
を備え、前記ドレインの片面付近及び前記半導体層付近の前記ゲートの第１の面の少なくとも一部は、第１の湾曲面を有する、半導体デバイス。
【０００７】
さらに、前記ゲートの前記第１の面は、前記第１の湾曲面から前記半導体層まで延在する第１の平面を更に有する。
【０００８】
さらに、前記第１の平面の長さと、前記ゲートの前記第１の面の全長との比は、Ｘであり、０≦Ｘ≦０．９５である。
【０００９】
さらに、前記半導体層の前記平面における前記ゲートの前記第１の面の前記全長の投影の長さと、前記ゲートの前記第１の面から前記ゲートの底部の平面までの鉛直距離との比は、Ｙであり、０．３≦Ｙ≦７である。
【００１０】
さらに、前記ゲートの前記第１の湾曲面は、前記半導体層から離れた片面において第３の平面を有する。
【００１１】
さらに、前記半導体デバイスは、前記半導体層の前記基板から離れた片面の前記ソースと前記ドレインとの間に形成された誘電体層を更に備え、前記ゲートは、前記誘電体層の前記半導体層から離れた片面に形成され、
前記ゲートに対応するゲートトレンチが前記誘電体層上に設けられ、前記ゲートの材料が前記ゲートトレンチ内に充填され、前記ゲートトレンチを被覆し、前記ドレイン付近のゲートの端部と接触する前記ゲートトレンチの第２の面の少なくとも一部は、前記誘電体層の前記半導体層から離れた表面から、前記半導体層に向かって延在する第２の湾曲面を有する。
【００１２】
さらに、前記ゲートトレンチの前記第２の面は、前記半導体層付近の片面において第２の平面を更に有する。
【００１３】
さらに、前記第２の湾曲面は、前記誘電体層の前記半導体層から離れた表面から、前記半導体層まで延在する。
【００１４】
さらに、前記ゲートトレンチは、前記誘電体層を貫通し、前記半導体層内に延在する。
【００１５】
さらに、前記ソース付近及び前記半導体層付近の片面における前記ゲートの第３の面の少なくとも一部は、前記第１の湾曲面を有し、及び／又は、前記ソース付近の前記ゲートの端部と接触する前記ゲートトレンチの第４の面の少なくとも一部は、前記第２の湾曲面を有する。
【００１６】
さらに、前記第１の平面と前記半導体層との間の角度は、２５度以上かつ８５度以下である。
【００１７】
さらに、前記第２の平面と前記半導体層との間の角度は、２５度以上かつ８５度以下である。
【００１８】
本発明は、半導体デバイスを製造する方法であって、
基板を準備することと、
前記基板の片面に半導体層を形成することと、
前記半導体層の前記基板から離れた片面にソース及びドレインを形成することと、
前記半導体層の前記基板から離れた片面の前記ソースと前記ドレインとの間にゲートを形成することであって、前記ドレイン付近及び前記半導体層付近の前記ゲートの第１の面の少なくとも一部は、第１の湾曲面を有することと、
を含む、方法を更に提供する。
【００１９】
さらに、前記半導体層の前記基板から離れた片面の前記ソースと前記ドレインとの間にゲートを形成するステップは、
前記半導体層の前記基板から離れた片面の前記ソースと前記ドレインとの間に誘電体層を形成することと、
前記ドレイン付近の前記ゲートの端部と接触するゲートトレンチの第２の面の少なくとも一部が、前記第１の湾曲面に対応する第２の湾曲面であるように、前記誘電体層上に前記ゲートを形成するための前記ゲートトレンチを形成することであって、前記第２の湾曲面は、前記誘電体層の前記半導体層から離れた表面から、前記半導体層に向かって延在することと、
前記誘電体層に基づいて前記ゲートを形成することであって、前記ゲートは、前記ゲートトレンチに基づいて形成されるとともに、前記ソースと前記ドレインとの間に配置されることと、
を含む。
【００２０】
さらに、前記ソース付近の前記ゲートの端部と接触する前記ゲートトレンチの第４の面の少なくとも一部は、前記第２の湾曲面である。
【００２１】
さらに、前記誘電体層上に前記ゲートを形成するためのゲートトレンチを形成するステップは、
前記誘電体層の前記半導体層から離れた片面にマスクを被覆することと、
前記ゲートトレンチの前記第２の面が平面を形成するように、前記ゲートトレンチに対応する領域における前記マスク及び前記誘電体層上に第１段階のエッチングを実行することと、
前記マスクが前記ゲートトレンチ付近の面において前記第２の湾曲面を形成するように、前記第１段階のエッチング後に前記半導体デバイスを焼成することと、
前記ゲートトレンチの前記第２の面が前記第２の湾曲面を形成するように、前記誘電体層と前記マスクとの間の界面上に第２段階のエッチングを実行することと、
前記誘電体層が、前記ゲートトレンチの底部に対応する前記半導体層の一部を除去するようにエッチングされた後、前記誘電体層をマスクとして用いることによって第３段階のエッチングを実行することと、
を含む。
【００２２】
本発明の実施形態において、このような半導体デバイス構造を用いると、ゲートの第１の湾曲面の存在により、半導体デバイスの電位勾配は、より緩やかになることができる。さらに、ゲートトレンチ構造の第２の湾曲面により、ゲートトレンチの頂部コーナーにおける電位勾配は、同じドレイン電圧条件下でより緩やかになることができ、それゆえ、これにより、その位置におけるピーク電界強度が減少し、また、ドレイン付近のゲートトレンチの底部の一端におけるピーク電界の位置を半導体層材料に導入することもできる。半導体層材料の絶縁破壊電圧は、誘電体層材料の絶縁破壊電圧よりも高いので、そこでの耐圧可能な（withstandable）ピーク電界強度が増加する。この２つの組み合わせは、実際的には、空乏領域のエリアの増加に等価であり、したがって、ゲート領域全体の電界強度が増加する。電界強度の積分は、絶縁破壊電圧であり、したがって、ゲート及びゲートトレンチの構造は、実際的には、デバイスの絶縁破壊電圧を上昇させる。そして、弧状の第２の湾曲面により、誘電体層と金属との間の結合力を高めることができ、それにより、ゲートは、短絡する（fall off：オフ状態に陥る）傾向が減り、デバイスの信頼度が改善される。
【００２３】
本発明の目的、特徴及び利点をより明白かつ理解可能とするために、好ましい実施形態について、添付図面とともに詳細に説明する。
【００２４】
本発明の実施形態の技術的解決法をより明確に例示するために、実施形態で使用する図面について以下簡単に説明する。以下の図面は、本発明の幾つかの特定の実施形態のみを例示しており、したがって、範囲を限定するものとしてみなされるべきではないということが理解されるべきである。当業者であれば、他の関連する図面もまた、発明の技能を行使することなくこれらの図面に従って得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態による半導体デバイスの概略図である。
【図２】本発明の一実施形態による別の半導体デバイスの概略図である。
【図３】本発明の一実施形態による半導体デバイスのゲートトレンチ部分の斜視構造概略図である。
【図４】本発明の一実施形態による半導体デバイスのゲートトレンチ部分の概略断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による半導体デバイスのゲートトレンチ部分の別の斜視構造概略図である。
【図６】本発明の一実施形態による半導体デバイスのゲートトレンチ部分の別の概略断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による半導体デバイスの別の概略図である。
【図８（ａ）】本発明の一実施形態による、半導体デバイスを製造する方法のフローチャートである。
【図８（ｂ）】図８（ａ）におけるステップＳ１４０のステップフローチャートである。
【図９】本発明の一実施形態による、半導体デバイスを製造する方法において、ゲートトレンチの製造におけるそれぞれのステップに対応する概略断面構造図である。
【図１０】本発明の一実施形態による、半導体デバイスを製造する方法において、ゲートトレンチの製造におけるそれぞれのステップに対応する概略断面構造図である。
【図１１】本発明の一実施形態による、半導体デバイスを製造する方法において、ゲートトレンチの製造におけるそれぞれのステップに対応する概略断面構造図である。
【図１２】本発明の一実施形態による、半導体デバイスを製造する方法において、ゲートトレンチの製造におけるそれぞれのステップに対応する概略断面構造図である。
【図１３】本発明の一実施形態による、半導体デバイスを製造する方法において、ゲートトレンチの製造におけるそれぞれのステップに対応する概略断面構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の実施形態における技術的解決法について、添付図面を参照して以下に明確にかつ完全に説明する。明らかに、記載する実施形態は、本発明の実施形態の全てではなく単に一部である。本明細書に記載し図面に例示する本発明の実施形態の構成要素は、概して、様々な異なる構成で配置及び設計することができる。したがって、図面における本発明の実施形態の以下の詳細な説明は、本発明の範囲を限定するようには意図されておらず、単に、本発明の好ましい実施形態に言及するものである。当業者が発明の技能を行使することなく本発明の実施形態に基づいて得る他の全ての実施形態が、本発明の範囲内にある。
【００２７】
以下の図面において同様の参照数字及び文字は同様の項目を示すことが留意されるべきである。したがって、図面において或る項目が定義されると、後続する図面においてその項目を更に定義及び説明する必要はない。
【００２８】
本発明者らは、窒化ガリウムデバイスの製造プロセスにおいて、ゲートの傾斜フィールドプレート構造を準備することができることを見出した。このような構造は、一般に、エッチングによって傾斜ゲートトレンチを形成し、傾斜ゲートトレンチ上に金属を蒸着してゲート電極を形成することによって準備される。ゲートトレンチが設けられない構造と比較して、傾斜ゲートトレンチを据えることにより、ゲートによってチャネル電界を変調すること、及びドレイン付近のゲートトレンチ底部の片面におけるピーク電界を低減させることが容易になり、したがって、デバイスの絶縁破壊電圧が上昇するとともに電流コラプス効果が低減される。しかしながら、このようなゲートトレンチ構造には、電位勾配が十分に緩やかではなく、かつ、ピーク電界が存在するという問題が依然として存在する。本発明者らは、従来のゲートは、ピーク電界を形成し得るコーナーを有することを見出した。ドレイン電圧が上昇すると、そこで形成されるピーク電界は、ここでの電位勾配を緩やかにせず、したがって、空乏領域の幅が限られるとともにデバイスの絶縁破壊電圧が低下する。その上、誘電体層のコーナーにおいて、金属との結合力が乏しく、デバイスの信頼度が乏しくなる。これに鑑みて、本出願の一実施形態は、半導体デバイス１００を提供する。図１に示すように、半導体デバイス１００は、基板１１０、半導体層１２０、ソース１４０、ドレイン１５０及びゲート１６０を備える。
【００２９】
基板１１０は、サファイア、炭化ケイ素、ケイ素、砒化ガリウム、窒化ガリウム、又は窒化アルミニウムのうちの１つとすることができる。
【００３０】
半導体層１２０は、基板１１０の片面に形成され、ソース１４０及びドレイン１５０は、半導体層１２０の基板１１０から離れた片面に形成される。ゲート１６０は、半導体層１２０の基板１１０から離れた片面に形成される。特に、本出願の実施形態では、ドレイン１５０付近及び半導体層１２０付近のゲート１６０の第１の面の少なくとも一部は、第１の湾曲面１８０を有する。任意選択で、ゲート１６０の第１の湾曲面１８０は、半導体層１２０付近のゲート１６０の表面から、半導体層１２０に向かって延在することができ、図１に示すソースからドレインまでの第１の方向における第１の湾曲面１８０の長さは、ａである。ゲートコーナーにおけるピーク電界の問題を緩和するために、任意選択で、ゲート１６０の第１の面は、第１の湾曲面から半導体層まで延在する第１の平面を更に有し、第１の方向におけるこの長さは、ｂであり、ａ＋ｂは、ゲート１６０の第１の面の全長であり、ｂ／（ａ＋ｂ）は、０≦Ｘ≦０．９５であるＸの値であり、漏れ電流を低減するより良好な効果を有する長さ比は、０．１５≦Ｘ≦０．８１である。半導体デバイスの電位勾配をより緩やかにしてデバイスの全体性能を改善するために、任意選択で、ｃは、ゲート１６０の第１の面の全長ａ＋ｂの、半導体層１２０の平面に対する投影であり、ｄは、ゲート１６０の第１の面からゲートの底部の平面までの最大鉛直距離であり、ｃ／ｄは、０．３≦Ｙ≦７であるＹの値であり、デバイスの全体性能を最適化する範囲は、０．７≦Ｙ≦４である。任意選択で、ゲート１６０の第１の湾曲面１８０は、半導体層１２０から離れた片面において部分平面（partial plane）を更に有し、これは、第３の平面であり、この平面は、電極に向かって延在する。好ましくは、ソース１４０付近の一端における１つの第１の湾曲面１８０と、ドレイン１５０付近の一端における１つの第１の湾曲面１８０とがゲート１６０のために形成される。
【００３１】
本出願の具体的な一実施形態では、図２に示すように、ゲート１６０の第１の湾曲面１８０を形成するために、半導体デバイス１００は、半導体層１２０の基板１１０から離れた片面に誘電体層１３０を更に備えることができ、誘電体層１３０は、半導体層１２０の基板１１０から離れた片面に形成されるとともに、ソース１４０とドレイン１５０との間に配置される。
【００３２】
誘電体層１３０は、パッシベーション層として機能し、誘電体層１３０は、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＨｆＡｌＯｘのうちの１つ又は組み合わせとすることができる。
【００３３】
図３及び図４に示すように、ゲート１６０に対応するゲートトレンチ１６１が、誘電体層１３０上に設けられる。ゲート１６０の材料がゲートトレンチ１６１内に充填され、ドレイン１５０付近のゲート１６０の端部と接触するゲートトレンチ１６１の第２の面の少なくとも一部は、第２の湾曲面１６２を形成し、第２の湾曲面１６２は、誘電体層１３０の半導体層１２０から離れた表面から、半導体層１２０に向かって延在する。簡潔にするために、ゲート１６０の電極構造は、図３及び図４には示されない。
【００３４】
本発明の実施形態において、このような半導体デバイス構造を用いると、ゲートの第１の湾曲面の存在により、半導体デバイスの電位勾配は、より緩やかになることができる。さらに、本発明の実施形態において、このような上記のゲートトレンチ構造を用いると、第２の湾曲面１６２により、ゲートトレンチ１６１の頂部コーナーにおける電位勾配は、同じドレイン電圧条件下でより緩やかになることができ、それゆえ、これにより、その位置におけるピーク電界強度が減少し、また、ゲートトレンチの底部において一部の材料バリア層を除去することによって、ドレイン１５０付近のゲートトレンチ１６１の底部の一端におけるピーク電界の位置を材料に導入することもできる。なぜならば、材料の絶縁破壊電圧は、誘電体層の絶縁破壊電圧よりも高いためである。したがって、そこでの耐圧可能なピーク電界強度が増加する。この２つの組み合わせは、実際的には、空乏領域のエリアの増加に等価であり、したがって、ゲートトレンチ領域全体の電界強度が増加する。電界強度の積分は、絶縁破壊電圧であり、したがって、ゲートトレンチ構造は、実際的には、デバイスの絶縁破壊電圧を上昇させる。そして、弧状の第２の湾曲面により、誘電体層と金属との間の結合力を高めることができ、それにより、ゲート１６０は、短絡する傾向が減り、デバイスの信頼度が改善される。
【００３５】
ゲート１６０の形状は、ゲートトレンチ１６１の形状に合致し、ゲート１６０の第１の湾曲面１８０は、第２の湾曲面１６２と接触する表面上に形成することができる。ゲート１６０は、Ｔ字形状ゲート構造とすることができ、ゲートトレンチ１６１は、フォトリソグラフィーマスク１７０（図８に示す）を通じて誘電体層１３０上のゲート１６０に対応する領域において形成することができ、Ｎｉ／Ａｕ金属の２つの層が、電子ビーム蒸着技法によってゲートトレンチ１６１内に蒸着され、したがって、ゲート１６０が形成される。他の実施形態では、ゲート１６０は、他の構造を有することができ、第１の湾曲面１８０を形成することができる限り、本出願の実施形態におけるＴ字形状ゲート構造に限定されない。
【００３６】
具体的には、具体的な実施形態において、図３に示すように、ドレイン１５０付近のゲート１６０の端部と接触するゲートトレンチ１６１の第２の面の少なくとも一部は、第２の湾曲面１６２を形成する。任意選択で、第２の湾曲面１６２は、誘電体層１３０の半導体層１２０から離れた表面から、半導体層１２０まで延在することができる。それゆえ、ドレイン１５０付近のゲートトレンチ１６１の第２の面は、全体が湾曲している。
【００３７】
別の具体的な実施形態において、ソース１４０付近のゲート１６０の端部と接触するゲートトレンチ１６１の第４の面の少なくとも一部も、第２の湾曲面１６２を形成する。任意選択で、第２の湾曲面１６２は、誘電体層１３０の半導体層１２０から離れた表面から、半導体層１２０まで延在することができる。それゆえ、ソース１４０付近のゲートトレンチ１６１の第４の面は、全体が湾曲している。
【００３８】
ゲートトレンチ１６１において、ドレイン１５０の一端と接触する第２の面のみが第２の湾曲面１６２を有することができる一方、ソース１４０の一端と接触する第４の表面は、第２の湾曲面１６２を有しないことが可能であることを理解すべきである。加えて、ゲートトレンチ１６１は、ゲート１６０と接触する２つの面が第２の湾曲面１６２を有するように形成することもできる。
【００３９】
一例では、図５に示すように、ゲート１６０と接触するゲートトレンチ１６１の２つの面は、第２の湾曲面１６２の部分と、半導体層１２０と角度をなす第２の平面１６３の部分とを有し、第２の湾曲面１６２は、誘電体層１３０の半導体層１２０から離れた表面から、半導体層１２０に向かって延在し、第２の平面１６３は、第２の湾曲面１６２から、半導体層１２０まで延在する。それゆえ、ゲートトレンチ１６１の２つの面は、２つの部分から構成され、一方の部分は、第２の湾曲面１６２であり、対して他方の部分は、第２の平面１６３であり、第２の湾曲面１６２は、ゲートトレンチ１６１の底部にまで延在しない。ゲート１６０がゲートトレンチと接触する面の形状の一方の部分は、第２の湾曲面１６２であり、対して他方の部分は、第２の平面１６３である。
【００４０】
これに対応して、ゲートトレンチ１６１と接触するゲート１６０の第１の面及び第３の面は、第１の湾曲面１８０の部分と、半導体層１２０と角度をなすとともに第２の平面に対応する第１の平面の部分とを同様に有することができ、第１の湾曲面１８０は、ゲート１６０の半導体層１２０付近の片面の表面から、半導体層１２０に向かって、第１の平面の位置まで延在しはじめることができ、次いで、第１の平面は、第１の湾曲面１８０から、半導体層１２０まで延在する。
【００４１】
ゲートトレンチの下で２次元電子ガス濃度を変調し、デバイスの全体漏れ電流を低減するために、第１の方向における第２の平面１６３の長さと、ゲートトレンチ１６１の第２の面の全長との比は、Ｘであり、ここで、０≦Ｘ≦０．９５であり、好ましくは、漏れ電流を低減するより良好な効果を有する長さ比は、０．１５≦Ｘ≦０．８１である。Ｘ＝０．５のとき、第２の平面１６３の長さは、第２の湾曲面１６２の長さに等しい。図５に示すように、第２の湾曲面１６２の長さは、ａとすることができ、第２の平面１６３の長さは、ｂであり、ここで、ｂ≧０であり、ｂ＝０のとき、ゲートトレンチの第２の面の全体が湾曲面である。ａ＋ｂは、ゲートトレンチ１６１の第２の面の全長であり、ｂ／（ａ＋ｂ）は、Ｘの値である。図５において、第２の平面１６３と半導体層１２０の平面との間の角度は、αである。第２の平面１６３と半導体層１２０の平面との間の角度は、２５度以上かつ８５度以下であり、好ましくは、２９度以上かつ６１度以下である。これに対応して、ゲート１６０において、第１の平面の長さと第１の湾曲面の長さとの間の関係は、ゲートトレンチ１６１における第２の平面１６３と第２の湾曲面１６２との間の関係に対応する。
【００４２】
一実施形態では、ゲートトレンチ１６１がソース１４０付近のゲート１６０の一端と接触する第４の面の少なくとも一部も、誘電体層１３０の半導体層１２０から離れた表面から、半導体層１２０に向かって延在する第２の湾曲面１６２を有する。トレンチの片面の下で２次元電子ガスを更に変調し、デバイス漏れ電流を低減するために、図６において、ゲートトレンチがゲートと接触する第２の面の、誘電体層１３０の平面に対する投影の長さは、ｃであり、誘電体層１３０の厚さは、ｄであり、ｃ／ｄは、Ｙの値であり、ゲートトレンチがゲートと接触する第２の面の、誘電体層１３０の平面に対する投影の長さと、誘電体層１３０の厚さとの比は、Ｙであり、ここで、０．３≦Ｙ≦７である。好ましくは、ゲートトレンチがゲートと接触する第２の面の、誘電体層１３０の平面に対する投影の長さと、誘電体層１３０の厚さとの比は、０．７≦Ｙ≦４であり、Ｙ＝１のとき、ゲートトレンチがゲートと接触する第２の面の、誘電体層１３０の平面に対する投影の長さは、誘電体層１３０の厚さに等しく、Ｙ＝１．５のとき、ゲートトレンチがゲートと接触する第２の面の、誘電体層１３０の平面に対する投影の長さは、誘電体層１３０の厚さの１．５倍であり、Ｙ＝３のとき、ゲートトレンチがゲートと接触する第２の面の、誘電体層１３０の平面に対する投影の長さは、誘電体層１３０の厚さの３倍である。
【００４３】
図７に示すように、本発明の具体的な一実施形態において、半導体層１２０は、バッファー層１２１、チャネル層１２２、及びバリア層１２３を含むことができる。
【００４４】
バッファー層１２１は、基板１１０の片面に形成される。チャネル層１２２は、バッファー層１２１の基板１１０から離れた片面に形成される。バリア層１２３は、チャネル層１２２のバッファー層１２１から離れた片面に形成され、誘電体層１３０は、バリア層１２３のチャネル層１２２から離れた片面に形成される。
【００４５】
バッファー層１２１は、窒化ガリウム材料とすることができ、バッファー層１２１の基板１１０との格子整合の程度は、結晶品質、表面トポグラフィー、及びバッファー層１２１自体の電気的特性等のパラメーターに影響を与え、また、バッファー層１２１の基板１１０から離れた片面における他の材料の結晶品質、表面トポグラフィー、及び電気的特性等のパラメーターにも影響を与え得る。バッファー層１２１は、２μｍ〜４μｍの厚さを有することができる。バッファー層１２１は、核生成層を更に含むことができ、その全体厚さは、５μｍ以下とすることができる。核生成層の主要成分は、窒化ガリウム材料とすることができ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃ等の元素を核生成層にドープして、基板材料に適合させるという目的を達成することができる。加えて、窒化ガリウムバッファー層の層を、窒化ガリウム核生成層上に成長させることができ、窒化ガリウムバッファー層は、非ドープ層である。
【００４６】
チャネル層１２２は、バッファー層１２１の基礎の上に形成されたより良好な格子品質を有する窒化ガリウム材料層である。
【００４７】
バリア層１２３は、窒化アルミニウムガリウム材料とすることができ、バリア層１２３及びチャネル層１２２は、ヘテロ構造を形成することができ、大量の２次元電子ガスを、圧電効果の下で、ヘテロ構造の境界部において形成することができる。バリア層１２３におけるアルミニウム含有量は、２０％〜３０％とすることができ、バリア層１２３の厚さは、１０ｎｍ〜５０ｎｍとすることができる。
【００４８】
一例では、また、ゲートトレンチ１６１は、誘電体層１３０を貫通し、半導体層１２０内に延在することができる。具体的には、ゲートトレンチ１６１は、ゲートトレンチ１６１の深さが誘電体層１３０の厚さより大きくなるように、誘電体層１３０を貫通し、バリア層１２３の内部に延在することができる。それゆえ、ドレイン１５０付近のゲートトレンチ１６１の底部の端部におけるピーク電界の位置を半導体層材料の内部に導入することができる。半導体層材料の絶縁破壊電圧は、誘電体層材料の絶縁破壊電圧よりも高いので、そこでの耐圧可能なピーク電界強度を増加させることができる。
【００４９】
本発明の一実施形態は、図８（ａ）に示すように、半導体デバイス１００を製造する方法を更に提供し、この方法は、以下のステップを含む。
【００５０】
ステップＳ１０１、基板１１０を準備する。
【００５１】
ステップＳ１０２、基板１１０の片面に半導体層１２０を形成する。この実施形態では、半導体層１２０は、バッファー層１２１、チャネル層１２２、及びバリア層１２３を含む。
【００５２】
ステップＳ１０３、半導体層１２０の基板１１０から離れた片面にソース１４０及びドレイン１５０を形成する。
【００５３】
ソース１４０及びドレイン１５０は、電子ビーム蒸着によってＴｉ、Ａｌ、Ｎｉ又はＡｕ等の金属の複数の層を蒸着することによって形成することができ、その後、非活性領域における金属は、有機溶液剥離の方法によって剥離され、その後、金属は、急速アニーリング技法によって、半導体層１２０における材料とのオーミック接触をもたらされる。
【００５４】
ステップＳ１０４、半導体層１２０の基板１１０から離れた片面のソース１４０とドレイン１５０との間にゲート１６０を形成する。ゲート１６０は、半導体層１２０付近の片面において第１の湾曲面を有する。
【００５５】
具体的には、この実施形態では、図８（ｂ）に示すように、ステップＳ１０４は、以下で詳述される以下のステップＳ１０４１〜Ｓ１０４３を含む。
【００５６】
ステップＳ１０４１、半導体層１２０の基板１１０から離れた片面のソース１４０とドレイン１５０との間に誘電体層１３０を形成する。
【００５７】
誘電体層１３０は、ＭＯＣＶＤキャビティ内でその場で成長させることもできるし、ＬＰＣＶＤ、ＡＬＤ、又はＰＥＣＶＤによって成長させることもできる。
【００５８】
ステップＳ１０４２、ゲートトレンチ１６１がゲート１６０と接触する第２の面の少なくとも一部が第２の湾曲面１６２であるように、誘電体層１３０上にゲート１６０を形成するためのゲートトレンチ１６１を形成する。第２の湾曲面１６２は、誘電体層１３０の半導体層１２０から離れた表面から、半導体層１２０に向かって延在する。
【００５９】
誘電体層１３０の堆積が完了した後、誘電体層１３０の半導体層１２０から離れた片面にマスク１７０を被覆することができる。その後、ゲートトレンチ１６１に対応する領域のマスク１７０及び誘電体層１３０がエッチングされる。図９に示すように、ゲートトレンチ１６１内の誘電体は、フォトリソグラフィーマスク１７０が完了した後にエッチングされる。例えば、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）、又はＩＣＰ（誘導結合プラズマ）等のプラズマエッチングデバイスのうちの１つを用いることができ、エッチングに用いられるプロセスガスは、ＳＦ６、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒのうちの１つ又は組み合わせを含むことができる。プラズマエッチフェーズ中、ゲートトレンチ１６１内の誘電体は、完全にはエッチングされない。エッチングの深さは、図１０に示すように、平滑な直線の長さと、ゲートトレンチ１６１全体の側壁の全長との比に従って決定することができる。エッチング後の、エッチングされたゲートトレンチ１６１の側壁と、誘電体層１３０の平面との間の角度αは、２９度〜６１度とすることができる。
【００６０】
エッチング後、誘電体層１３０上のマスク１７０に湾曲トポグラフィーを形成させるために焼成（baking）が実行される。焼成は、加熱ステージ又は焼成炉を用いて行うことができる。焼成温度は、１１０℃〜１６０℃とすることができ、焼成時間は、５分とすることができる。焼成後、フォトレジストマスク１７０は、傾斜し、底部は、湾曲トポグラフィーを有する。図１１は、焼成後のマスク１７０のトポグラフィーを示しており、マスク１７０の形態は、焼成の温度を制御することによって制御することができる。
【００６１】
焼成が完了した後、次いで、誘電体層１３０がマスク１７０と接触する界面において、第２段階のエッチングが実行され、第２段階のエッチングプロセスにおいて湾曲部分のマスク１７０によって阻止される誘電体層１３０のエッチングレートにおける差異に起因して、湾曲トポグラフィーは、ゲートトレンチ１６１の頂部コーナーにおいて形成することができる。それゆえ、第２段階のエッチング後のフォトレジストマスク１７０の形態は、図１２に示すように、ゲートトレンチ１６１の頂部コーナーに移る。
【００６２】
この実施形態では、図１３に示すように、第２段階のエッチングが完了した後、マスク１７０が除去される間に半導体層１２０のバリア層１２３の一部がエッチング除去され、ゲートトレンチ１６１がバリア層１２３にまで延在するように、誘電体層１３０を第３段階のエッチングを実行するためのマスクとして用いることもできる。それゆえ、ドレイン１５０付近のゲートトレンチ１６１の底部の一端におけるピーク電界の位置を材料の内部に導入することができる。半導体層材料の絶縁破壊電圧は、誘電体層材料の絶縁破壊電圧よりも高いので、そこでの耐圧可能なピーク電界強度を増加させることができる。
【００６３】
ステップＳ１０４３、誘電体層１３０に基づいてゲート１６０を形成する。ゲート１６０は、ゲートトレンチ１６１に基づいて形成されるとともに、ソース１４０とドレイン１５０との間に配置される。
【００６４】
ゲートトレンチ１６１の製造が完了した後、ゲート１６０を製造することができる。ゲートトレンチ１６１は湾曲部分を有するので、形成されたゲートも対応して、湾曲部分と接触する部分において、湾曲面、すなわち、第１の湾曲面を形成する。
【００６５】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す半導体デバイスの製造方法は、まず、誘電体層の対応するトポグラフィーを形成し、その後、ゲートの対応するトポグラフィーを対応して形成することに留意すべきである。他の実施形態では、誘電体層のトポグラフィーは、最初に形成されない場合があり、ゲートのトポグラフィーを、ゲートが半導体層付近の片面に第１の湾曲面を有して形成されるように、他の方法において直接形成することができることを理解することができる。
【００６６】
本発明の記載において、別段指定又は限定のない限り、「設定され」、「取り付けられ」、「接続され」及び「結合され」という用語は、広義に使用され、例えば、固定された接続、着脱可能な接続又は一体化接続とすることができ、機械接続又は電気接続とすることもでき、直接接続、又は介在する構造体を介する間接的接続とすることもでき、２つの要素の内部連通とすることもできる。当業者であれば、場合によって、本発明における上記用語の具体的な意味を理解することができる。
【００６７】
以下の図面において、同様の参照数字及び文字は同様の項目を示すことが留意されるべきである。したがって、図面において１つの項目が定義されると、後続する図面ではその項目について更に定義及び説明する必要はない。
【００６８】
本発明の説明において、「中心」、「上」、「下」、「左」、「右」、「垂直」、「水平」、「内」及び「外」等の用語によって示される向き又は位置関係は、図面に示す向き若しくは位置関係、又は本発明の製品が使用されるときに慣例的に配置される向き若しくは位置関係に基づくことが留意されるべきである。それらの用語は、本発明を説明しその説明を簡略化する便宜のためのみのものであり、言及するデバイス又は構成要素が、特定の向きを有し、特定の向きで構成され操作されなければならないことを示し又は意味するものではなく、そのため、本発明を限定するものと解釈されるべきではない。さらに、「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に、説明における識別のためにのみ使用され、相対的な重要性を示すか又は意味するものとして解釈されるべきではない。
【００６９】
上記説明は、本発明の好ましい実施形態のみを言及し、本発明を限定するようには意図されていない。当業者であれば、本発明に対して様々な変更及び変形を行うことができる。本発明の趣旨及び範囲内で行われるいかなる変更、均等の置換、改善等は、本発明の範囲内に含まれるように意図されている。
【符号の説明】
【００７０】
１００  半導体デバイス
１１０  基板
１２０  半導体層
１２１  バッファー層
１２２  チャネル層
１２３  バリア層
１３０  誘電体層
１４０  ソース
１５０  ドレイン
１６０  ゲート
１８０  第１の湾曲面
１６１  ゲートトレンチ
１６２  第２の湾曲面
１６３  平面
１７０  マスク
【図１】
2021507501.tif 000003
【図２】
2021507501.tif 000004
【図３】
2021507501.tif 000005
【図４】
2021507501.tif 000006
【図５】
2021507501.tif 000007
【図６】
2021507501.tif 000008
【図７】
2021507501.tif 000009
【図８（ａ）】
2021507501.tif 000010
【図８（ｂ）】
2021507501.tif 000011
【図９】
2021507501.tif 000012
【図１０】
2021507501.tif 000013
【図１１】
2021507501.tif 000014
【図１２】
2021507501.tif 000015
【図１３】
2021507501.tif 000016
【国際調査報告】
2021507501.tif 000017
2021507501.tif 000018
2021507501.tif 000019
2021507501.tif 000020