(57)【要約】  マイクロマシン超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）（４００）が記載される。ＭＵＴ（４００）は基板（４０２）と、基板（４０２）上にある膜（４０６）と、膜（４０６）に配置された下部電極（４０８）と、下部電極（４０８）に配置された圧電気層（４１０）と、圧電気層（４１０）に配置された非対称的な上部電極（４１２）（７２２）とを備えている。軸（７４２）に沿った非対称的な電極（７２２）の面密度分布は、複数の極大値（７０２）を有しており、複数の極大値の位置（７３５）（７３７）が、振動共振周波数の複数の反節点（５１６）、（５１７）が存在する位置（７２６）（７２８）と一致する。【選択図】図４Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非対称的な電極を備えている、マイクロマシン超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）。
【請求項２】
前記電極が第１軸と第２軸の少なくとも１つに対して非対称的であり、前記第１軸が前記第２軸に対して垂直であり、前記第１軸と前記第２軸のうちの１つが非対称的な前記電極の寸法が最長となる方向に沿って延びる、請求項１に記載のＭＵＴ。
【請求項３】
軸に沿った前記非対称的な電極の面密度分布には複数の極大値があり、前記複数の極大値の位置が振動共振周波数での複数の反節点が存在する位置と一致する、請求項１に記載のＭＵＴ。
【請求項４】
前記ＭＵＴが静電容量型マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）である、請求項１に記載のＭＵＴ。
【請求項５】
前記ＭＵＴが圧電マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｐＭＵＴ）である、請求項１に記載のＭＵＴ。
【請求項６】
基板と、
前記基板上にある膜と、
前記膜に配置された下部電極と、
前記下部電極に配置された圧電気層と、
前記圧電気層に配置された上部電極とをさらに備えており、
前記上部電極が非対称的な電極である、請求項６に記載のＭＵＴ。
【請求項７】
前記圧電気層がＰＺＴ、ＫＮＮ、ＰＺＴ−Ｎ、ＰＭＮ−Ｐｔ、ＡｌＮ、Ｓｃ−ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＰＶＤＦおよびＬｉＮｉＯ３の少なくとも１つから作られる、請求項６に記載のＭＵＴ。
【請求項８】
対称的な電極を備えているマイクロマシン超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）であって、軸に沿った面密度分布には複数の極大値があり、前記複数の極大値の位置が振動共振周波数での複数の反節点が存在する位置と一致する、ＭＵＴ。
【請求項９】
前記軸が前記対称的な電極の寸法が最長となる方向に沿って延びる、請求項８に記載のＭＵＴ。
【請求項１０】
前記振動共振周波数が対称的な振動モードを有する、請求項８に記載のＭＵＴ。
【請求項１１】
前記ＭＵＴが静電容量型マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）である、請求項８に記載のＭＵＴ。
【請求項１２】
前記ＭＵＴが圧電マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｐＭＵＴ）である、請求項８に記載のＭＵＴ。
【請求項１３】
基板と、
前記基板上にある膜と、
前記膜に配置された下部電極と、
前記下部電極に配置された圧電気層と、
前記圧電気層に配置された上部電極とをさらに備えており、
前記上部が対称的な電極である、請求項１２に記載のＭＵＴ。
【請求項１４】
前記圧電気層がＰＺＴ、ＫＮＮ、ＰＺＴ−Ｎ、ＰＭＮ−Ｐｔ、ＡｌＮ、Ｓｃ−ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＰＶＤＦおよびＬｉＮｉＯ３の少なくとも１つから作られる、請求項１３に記載のＭＵＴ。
【請求項１５】
複数のマイクロマシン超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）を含むトランスデューサアレイを備えている画像処理装置であって、前記複数のＭＵＴの各々が非対称的な電極を備えている、画像処理装置。
【請求項１６】
前記電極が第１軸と第２軸の少なくとも１つに対して非対称的で、前記第１軸が前記第２軸に対して垂直であり、前記第１軸と前記第２軸のうちの１つは前記非対称的な電極の寸法が最長となる方向に沿って延びる、請求項１５に記載の画像処理装置。
【請求項１７】
軸に沿った前記非対称的な電極の面密度分布には複数の極大値があり、前記複数の極大値の位置が、振動共振周波数での複数の反節点が存在する位置と一致する、請求項１５に記載の画像処理装置。
【請求項１８】
前記複数のＭＵＴ各々が静電容量型マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）である、請求項１５に記載の画像処理装置。
【請求項１９】
前記複数のＭＵＴ各々が圧電マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｐＭＵＴ）である、請求項１５に記載の画像処理装置。
【請求項２０】
前記複数のＭＵＴの各々が、
基板と、
前記基板上にある膜と、
前記膜に配置された下部電極と、
前記下部電極に配置された圧電気層と、
前記圧電気層に配置された上部電極とをさらに備えており、
前記上部電極が非対称的な電極である、請求項１９に記載の画像処理装置。
【請求項２１】
前記圧電気層がＰＺＴ、ＫＮＮ、ＰＺＴ−Ｎ、ＰＭＮ−Ｐｔ、ＡｌＮ、Ｓｃ−ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＰＶＤＦおよびＬｉＮｉＯ３の少なくとも１つから作られる、請求項１９に記載の画像処理装置。
【請求項２２】
複数のマイクロマシン超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）を含むトランスデューサアレイを備えている、画像処理装置であって、
前記複数のＭＵＴの各々が対称的な電極を備えおり、軸に沿った前記対称的な電極の面密度分布には複数の極大値があり、
前記複数の極大値の位置が振動共振周波数での複数の反節点が存在する位置と一致する、画像処理装置。
【請求項２３】
前記振動共振周波数が対称的な振動モードを有する、請求項２２に記載の画像処理装置。
【請求項２４】
前記複数のＭＵＴの各々が静電容量型マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）である、請求項２２に記載の画像処理装置。
【請求項２５】
前記複数のＭＵＴの各々が圧電マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｐＭＵＴ）である、請求項２２に記載の画像処理装置。
【請求項２６】
前記複数のＭＵＴの各々が、
基板と、
前記基板上にある膜と、
前記膜に配置された下部電極と、
前記下部電極に配置された圧電気層と、
前記圧電気層に配置された上部電極とをさらに備えており、
前記上部電極が対称的な電極である、請求項２５に記載の画像処理装置。
【請求項２７】
前記圧電気層がＰＺＴ、ＫＮＮ、ＰＺＴＮ、ＰＭＮ−Ｐｔ、ＡｌＮ、Ｓｃ−ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＰＶＤＦおよびＬｉＮｉＯ３の少なくとも１つから作られる、請求項２５に記載の画像処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願の発明は画像処理装置、より具体的にはマイクロマシン超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）を有する画像処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
人体の内部器官を画像処理し、内部器官の画像を表示するための非侵入型画像システムは、人体へ信号を送信し、器官から反映された信号を受信する。通常は、静電容量型変換（ｃＭＵＴ）または圧電変換（ｐＭＵＴ）等の画像処理システムで使用されるトランスデューサは、トランシーバーと呼ばれており、そのトランシーバーの一部は、光音響効果または超音波結果に基づく。
【０００３】
一般に、ＭＵＴは２つ以上の電極を備えており、そして電極のトポロジーはＭＵＴの電気性能および音響性能に影響する。例えば、電極のサイズの増大に伴ってｐＭＵＴによって生成された音圧の振幅は増加し、それによりｐＭＵＴの音響性能が改善する。しかし、電極のサイズの増大に伴って静電容量も増加し、ｐＭＵＴの電気性能が低下する。別の例では、ｐＭＵＴの振動共振周波数での音圧の振幅は電極の形状によって影響を受ける。それ故に、トランスデューサの音響性能および電気性能両方を向上させるために電極を設計する方法が必要である。
【発明の概要】
【０００４】
実施形態では、マイクロマシン超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）は非対称的な上部電極を備えている。軸に沿った非対称的な電極の面密度分布には複数の極大値があり、そこで多数の極大値の位置は、振動共振周波数での複数の反節点が存在する位置と一致する。
【０００５】
実施形態では、マイクロマシン超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）は対称的な上部電極を備えている。軸に沿った対称的な電極の面密度分布には複数の極大値があり、そこで多数の極大値の位置は、振動共振周波数での複数の反節点が存在する位置と一致する。
【０００６】
実施形態では、トランスデューサアレイは多数のマイクロマシン超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）を備えている。複数のＭＵＴの各々は非対称的な上部電極を備えている。
【０００７】
実施形態では、画像処理装置は、多数のマイクロマシン超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）を有するトランスデューサアレイを備えている。複数のＭＵＴの各々は対称的な上部電極を備えている。軸に沿った対称的な電極の面密度分布には複数の極大値があり、そこで複数の極大値の位置は、振動共振周波数での複数の反節点が存在する位置と一致する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
以下に本発明の実施形態に対する言及を行う。その例は添付図面において図示される。これらの図面は、本発明の例示として意図されているが、本発明を限定的に示すものではない。本発明は全体としてこれらの実施形態のコンテキストに記載されているが、本発明の範囲をこれらの具体的な実施形態に制限するように意図されていないことを理解されたい。
【図１】図１は、本開示の実施形態に係る画像処理システムを示す。
【図２】図２は、本開示の実施形態に係る画像装置の概略図を示す。
【図３Ａ】図３Ａは、本開示の実施形態に係るトランシーバーアレイの側面図を示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本開示の実施形態に係るトランシーバータイルの平面図を示す。
【図４Ａ】図４Ａは、本開示の実施形態に係るＭＵＴの平面図を示す。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図４Ａで線４−４に沿って取られた本開示の実施形態に係るＭＵＴの断面図を示す。
【図５Ａ】図５Ａは、本開示の実施形態に係るＭＵＴの振動モードの形を示す。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本開示の実施形態に係るＭＵＴの振動モードの形を示す。
【図５Ｃ】図５Ｃは、本開示の実施形態に係るＭＵＴの振動モードの形を示す。
【図５Ｄ】図５Ｄは、本開示の実施形態に係るＭＵＴの振動モードの形を示す。
【図５Ｅ】図５Ｅは、本開示の実施形態に係るＭＵＴの振動モードの形を示す。
【図６Ａ】図６Ａは、本開示の実施形態に係る周波数の関数としてＭＵＴの音響応答のプロットを示す。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本開示の実施形態に係るＭＵＴの平面図を示す。
【図６Ｃ】図６Ｃは、本開示の実施形態に係る上部電極の面密度分布を示す。
【図７Ａ】図７Ａは、本開示の実施形態に係る周波数の関数としてＭＵＴの音響応答のプロットを示す。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本開示の実施形態に係るＭＵＴの平面図を示す。
【図７Ｃ】図７Ｃは、本開示の実施形態に係る上部電極の面密度分布を示す。
【図８Ａ】図８Ａは、本開示の実施形態に係る周波数の関数としてＭＵＴの音響応答のプロットを示す。
【図８Ｂ】図８Ｂは、本開示の実施形態に係るＭＵＴの平面図を示す。
【図８Ｃ】図８Ｃは、本開示の実施形態に係る上部電極の面密度分布を示す。
【図９Ａ】図９Ａは、本開示の実施形態に係る周波数の関数としてＭＵＴの音響応答のプロットを示す。
【図９Ｂ】図９Ｂは、本開示の実施形態に係るＭＵＴの平面図を示す。
【図９Ｃ】図９Ｃは、本開示の実施形態に係る上部電極の面密度分布を示す。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本開示の実施形態に係る周波数の関数としてＭＵＴの音響応答のプロットを示す。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、本開示の実施形態に係るＭＵＴの平面図を示す。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、本開示の実施形態に係る上部電極の面密度分布を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下の記述において、説明を目的として、本開示を理解するために具体的なの詳細を示す。しかし、これらの詳細を必要とすることなく本開示を実施可能であることが、当業者に明白であろう。更に、当業者は、以下に記載された本開示の実施形態が、プロセス、装置、システム、またはデバイス等の様々な方法で実施可能であると認識するであろう。
【００１０】
図に示される要素／構成部分は、本開示の典型的な実施形態の例示であり、本開示を不明瞭にしないことを目的とする。本明細書では、「１つの実施形態」、「好ましい実施形態」、「実施形態」、または「複数の実施形態」への言及は、実施形態に関連して記載されている特定の特徴、構造、特性、または機能が本開示の少なくとも１つの実施形態に備わっており、１より多くの実施形態にも備わっていても良いことを意味している。本明細書の様々なところにおいて「１つの実施形態では」、「実施形態において」、または「複数の実施形態では」との句が現れる場合、必ずしもすべて同じ実施形態を言及するものではない。「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」、「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「包含する（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」、また「包含している（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」との用語は、オープンタームとして理解されるものであり、また、それに先立つあらゆる列記は単なる例示であり、列記された項目に制限されていることを意味していない。ここに使用されるあらゆる見出しは、構成のみを目的とするものであり、記述または請求項の範囲を制限するために使用されないものとする。更に、本明細書の様々な場所でのとある用語の使用は、単なる例示であり、限定的なものとして解釈されるべきではない。
【００１１】
図１は、本開示の実施形態に係る画像処理システム（１００）の概略図を示す。描かれている通り、システム（１００）は、送信モード／プロセスにおいて、圧力波（１２２）を生成して心臓等の内臓器官（１１２）に送信し、そして内臓器官から反映された圧力波を受信する画像装置（１２０）と、通信路（１３０）を通じて画像装置へ信号を送受信するデバイス（１０２）とを備えていてもよい。実施形態では、内臓器官（１１２）は圧力波（１２２）の一部を画像装置（１２０）へ反映することができ、また、画像装置（１２０）は受信モード／プロセにて反映された圧力波を捉え電気信号を生成することができる。画像装置（１２０）はデバイス（１０２）に電気信号を通信することができ、また、デバイス（１０２）は、電気信号を使用して、器官または標的の画像をディスプレイ／スクリーン（１０４）に表示することができる。
【００１２】
実施形態では、画像装置（１２０）は動物の内臓器官の画像を撮るためにも使用してもよい。画像装置（１２０）は、ドップラモード画像診断で行うように動脈および静脈の中の血流方向および血流速度を判定するためにも、組織硬直の測定ためにも使用してもよい。実施形態では、圧力波（１２２）は、人間／動物身体を通って、内臓器官、組織、または動脈および静脈によって反映されることができる音響波でもあっても良い。
【００１３】
実施形態では、画像装置（１２０）は携帯型デバイスであってもよく、無線で（８０２．１１等のプロトコルを使用して）またはケーブル（ＵＳＢ２、ＵＳＢ３、ＵＳＢ  ３．１、ＵＳＢ−ＣおよびＵＳＢＴｈｕｎｄｅｒｂｏｌｔ等）を経由して通信路（１３０）を通じて、信号をデバイス（１０２）と通信させてもよい。実施形態では、デバイス（１０２）は、携帯電話またはｉＰａｄ（登録商標）等のモバイルデバイス、またはユーザへ画像を表示できる固定コンピューターデバイスであっても良い。
【００１４】
実施形態では、１台より多くの画像装置が標的器官の画像を現像するために使用されてもよい。例えば、第１の画像装置は、標的器官へ圧力波を送信し、一方、第２の画像装置は、標的器官から反映された圧力波を受信し受信波に応じて電荷を発生させることができる。
【００１５】
図２は、本開示の実施形態に係る画像装置（１２０）の概略図を示す。実施形態では、画像装置（１２０）は、超音波画像装置であっても良い。図２に描かれている通り、画像装置（１２０）は圧力波を送受信するためのトランシーバータイル（２１０）と、圧力波の伝搬方向を設定および／または圧力波を収束させるためのレンズとして作動する、またはトランシーバータイルと人体（１１０）の間の音響インピーダンスインターフェースとしても機能するコーティング層（２１２）と、トランシーバータイル（２１０）を制御するために突起によってトランスデューサタイル（２１０）に連結したＡＳＩＣチップ（または、短縮してＡＳＩＣ）等の制御装置（２０２）と、画像装置（１２０）の構成部分を制御するためのフィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）（２１４）と、信号の処理／調整のためのアナログ・フロント・エンド（ＡＦＥ）等の回路（２１５）と、トランスデューサタイル（２１０）によって生成され、回路（２１５）の方へ伝搬する波を吸収するための音響吸収層（２０３）と、１つ以上のポート（２１６）を通じてデバイス（１０２）等の外部デバイスとデータを通信するための通信ユニット（２０８）と、データを記憶するためのメモリ（２１８）と、画像装置の構成部分に電力を供給するためのバッテリー（２０６）と、随意に、標的器官の画像を表示するためのディスプレイ（２１７）とを備えていてもよい。
【００１６】
実施形態では、デバイス（１０２）はディスプレイ／スクリーンを備えてもよい。そのような場合、ディスプレイは画像装置（１２０）に備わっていなくてもよい。実施形態では、画像装置（１２０）はポート（２１６）のうち１つを通じてデバイス（１０２）から電力を受け取ることができる。そのような場合、画像装置（１２０）はバッテリー（２０６）を備えていなくてもよい。画像装置（１２０）の構成部分の１つ以上を１つの不可欠な電気要素へ組み合わせてもよいことに注目されたい。同様に、画像装置（１２０）の構成部分は各々１つ以上の電気要素の中に実装されてもよい。
【００１７】
実施形態では、ユーザは人体（１１０）がコーティング層（２１２）と直接接触する前に人体（１１０）の皮膚にゲルを塗布してもよく、そうすることでコーティング層（２１２）と人体（１１０）の間のインターフェースでのインピーダンスマッチングが改善され、すなわち、インターフェースでの圧力波（１２２）の損失が減少し、また、画像装置（１２０）の方へ移動する反映された波の損失も、インターフェースにて減少する。実施形態では、トランシーバータイル（２１０）は基板に搭載され、音響吸収層に付けられてもよい。音響吸収層は、逆方向に反映されるあらゆる超音波信号を吸収する。そうしなければその超音波信号が反映され、画像の品質に干渉するおそれがある。
【００１８】
以下に議論されるように、コーティング層（２１２）は、トランスデューサから身体まで、そしてその逆においても音響信号の送信を最大限にする唯一の水平な整合層だけであっても良い。ビーム焦点は制御装置（２０２）に電子的に実装可能であるので、この場合には不要である。画像装置（１２０）は、反映された信号を使用して器官（１１２）の画像を作成することができ、その結果は、器官（１１２）の画像の有無にもかかわらずグラフ、プロット、および統計データとして様々なフォーマットでスクリーンに表示されてもよい。
【００１９】
実施形態では、ＡＳＩＣ等の制御装置（２０２）はトランシーバータイルと一緒に１つのユニットとして組み立てられてもよい。他の実施形態では、制御装置（２０２）は画像装置（１２０）外部に位置し、ケーブルによってトランシーバータイル（２１０）に電気接続されてもよい。実施形態では、画像装置（１２０）は、構成部分（２０２）〜（２１５）、およびその構成部分により生成された熱エネルギーの分散ための熱放散メカニズムを包囲するハウジングを備えてもよい。
【００２０】
図３Ａは、本開示の実施形態に係るトランシーバーアレイ（２００）の側面図を示す。
図３Ｂは、本開示の実施形態に係るトランシーバータイル（２１０）の平面図を示す。実施形態では、アレイ（２００）は１枚以上のトランシーバータイル（２１０）を備えてもよい。描かれている通り、トランシーバーアレイ（２００）は所定様式通りに整えられた１枚以上のトランシーバータイル（２１０）を備えてもよい。例えば、図３Ａに描かれている通り、トランシーバータイル（または、短縮して、タイル）（２１０）は曲線状のトランシーバーアレイをさらに形成するために物理的に曲げられ、画像装置（１２０）に配置されてもよい。画像装置（１２０）は任意の適切な個数のタイルも備えてもよく、タイルは任意の適切な方法で整えることができ、また、各タイル（２１０）には、任意の適切な個数の圧電気要素（３０２）がトランシーバー基板（３０４）に配置されてもよいことが、当業者に明白であろう。基板（３０４）において、１つまたは複数の温度センサー（３２０）が作動中にトランシーバータイル（２１０）の温度を監視するために設置されてもよい。実施形態では、トランシーバーアレイ（２００）は基板から作られたマイクロマシンアレイであっても良い。
【００２１】
図４Ａは、本開示の実施形態に係るＭＵＴ（４００）の平面図を示す。図４Ｂは、図４Ａで線４−４に沿って取られた、本開示の実施形態に係るＭＵＴの断面図を示す。描かれている通り、ＭＵＴは基板（４０２）上にある（ｓｕｓｐｅｎｄｅｄ  ｆｒｏｍ）膜層（４０６）と、膜層（または、短縮して、膜）（４０６）に配置された下部電極（Ｏ）（４０８）と、下部電極（Ｏ）（４０８）に配置された圧電気層（４１０）と、圧電気層（４１０）に配置された上部電極（Ｘ）（４１２）とを備えていてもよい。
【００２２】
実施形態では、基板（４０２）および膜（４０６）は一体形成されてもよく、また、膜（４０６）を確定するために空洞（４０４）が形成されてもよい。実施形態では、空洞（４０４）は、膜（４０６）の振動を制御するために、所定の圧力のガスまたは音響制振材で満たされてもよい。実施形態では、上部電極（４１２）の投影領域の幾何学的形状はｐＭＵＴ（４００）の動的パフォーマンスおよび静電容量の大きさを制御するように構成されてもよい。
【００２３】
実施形態では、ＭＵＴ（４００）の各々はｐＭＵＴであっても良く、ＰＺＴ、ＫＮＮ、ＰＺＴ−Ｎ、ＰＭＮ−Ｐｔ、ＡｌＮ、Ｓｃ−ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＰＶＤＦおよびＬｉＮｉＯ３の少なくとも１つから作られた圧電気層を備えてもよい。代替の実施形態では、ＭＵＴ（４００）の各々はｃＭＵＴであっても良い。図４Ａでは、ＭＵＴ（４００）の各々は長方形で示される。実施形態では、ＭＵＴの各々は、ＭＵＴ（４００）の上部から見たときに楕円形となる上部電極を備えてもよい。以下に、上部電極（４１２）の形状との用語は、上部電極をｘ−ｙ平面に投影して取られた上部電極の二次元形状を指す。さらに、上部電極の形状は二本の線（４５０）および（４５２）に対して対称的である場合に対称的と呼ばれる。その場合、線（４５０）および線（４５２）はそれぞれｘ軸およびｙ軸と平行であり、ｘ軸上で上部電極の中間点を通る。さらに、以下、ｘ軸は、上部電極の寸法が最長となる方向に沿って延びる。上部電極には正方形、円形、長方形、および楕円形等のその他適切な対称的形状があっても良いことが当業者に明白であろう。
【００２４】
図５Ａ〜５Ｅは本開示の実施形態に係る５つの振動モード（５００）、（５１０）、（５２０）、（５３０）、および（５４０）を示す。図５Ａ〜５Ｅでは、ＭＵＴ（５０２）、（５１２）、（５２２）、（５３２）、および（５４２）の各々は、例示目的で一本の線で表示され、そこで、各一本の線は、ＭＵＴの中で積層体の曲率を示す。作動中に、膜（４０６）、下部電極（４０８）、圧電気層（４１０）、および上部電極（４１２）を有する積層体は、垂直方向に一体として動くことができ、ｘ−ｚ平面で一本線の曲率を有するように変形されてもよい。さらに、異なる振動モードに相当する線（５０２）、（５１２）、（５２２）、（５３２）、および（５４２）は、異なる振動モードで積層体の曲率を示す。
【００２５】
実施形態では、５つの振動モード（５００）、（５１０）、（５２０）、（５３０）、および（５４０）は、５つの振動共振周波数、ｆ１、ｆ２、ｆ３、ｆ４、およびｆ５それぞれに関連付けることができる。図５Ａ〜５Ｅでは、５つの振動モードのみが示される。しかし、ＭＵＴは、５つより多くの振動共振モード（または、短縮して、振動モード）で作動できることが当業者に明白であろう。
【００２６】
図５Ａでは、ＭＵＴ（５０２）は第１の振動モード（５００）で作動でき、そこで、矢印（５０４）は、ＭＵＴ（５０２）（具体的に積層体）が第１の振動モード（５００）で垂直方向に動くことを示す。実施形態では、第１の振動モード（５００）は対称的であっても良く、すなわち、モードの形状はＭＵＴの中心線（５０６）に対して対称的である。実施形態では、ＭＵＴ（５０２）の上部電極の形状は上部電極（４１２）の形状に対称的でありかつ類似していても良い。
【００２７】
図５Ｃでは、ＭＵＴ（５２２）は第３の振動モード（５２０）で作動できる。実施形態では、第３の振動モード（５２０）は対称的であっても良く、すなわち、モードの形状は中心線（５０６）に対して対称的である。以下に、対称的な振動モードとの用語は、（５２５）、（５２６）、および（５２７）（つまりピーク振幅）等の反節点の位置が中心線（５０６）に対して対称的に整えられ、そして中心線（５０６）が、ｘ軸上でＭＵＴの中間点を通ってｚ軸と平行である線を表す、振動モードを指す。同様に、非対称的な振動モードとの用語は、図５Ｂの（５１６）および（５１７）等の反節点の位置が中心線（５０６）に対して非対称的に整えられる振動モードを指す。
【００２８】
第３の振動モード（５２０）では、ＭＵＴ（５２２）には２つの節点、および３つの反節点（等しくまたは同様に３つのピーク振幅点）（５２５）、（５２６）、および（５２７）があってもよい。実施形態では、ＭＵＴ（５２２）の上部電極の形状は上部電極（４１２）の形状に対称的であり、かつ類似していても良い。
【００２９】
図５Ｅでは、ＭＵＴ（５４２）は第５の振動モード（５４０）で作動できる。実施形態では、第５の振動モード（５４０）は対称的であっても良く、すなわち、モードの形状は中心線（５０６）に対して対称的である。第５の振動モードでは、ＭＵＴ（５４２）には４つの節点、および５つの反節点（つまり５つのピーク振幅点）（５４４）、（５４５）、（５４６）、（５４７）および（５４８）があってもよい。実施形態では、ＭＵＴ（５４２）の上部電極の形状は上部電極（４１２）の形状に対称的でありかつ類似していても良い。
【００３０】
実施形態では、上部電極の形状が対称的である場合、ＭＵＴは対称的な振動モード（５００）、（５２０）、および（５４０）で作動することができる。実施形態では、ＭＵＴが１つ以上の対称的な振動モードでも非対称的な振動モードでも振動できるように、上部電極の幾何学的形状を変更してもよい。図５Ｂでは、ＭＵＴ（５１２）は非対称的な第２の振動モード（５１０）で作動することができる。非対称的な第２の振動モードでは、ＭＵＴ（５１２）には１つの節点、および２つの反節点（または同様に２つピーク振幅点）（５１６）および（５１７）があってもよい。ＭＵＴ（５１２）に相当する上部電極の形状は、図７Ａ〜７Ｃに併せて記載される。
【００３１】
図５Ｄでは、ＭＵＴ（５３２）は非対称的な第３の振動モード（５３０）で作動することができる。描かれている通り、振動モード（５３０）は中心線（５０６）に対して非対称的であっても良い。非対称的な第３の振動モードでは、ＭＵＴ（５３２）には２つの節点、および３つの反節点（または同様に３つのピーク振幅点）（５３４）、（５３５）、および（５３７）があってもよい。実施形態では、非対称的な第３の振動モード（５３０）のピーク振幅（５３９）は、対称的な第３の振動モード（５２０）のピーク振幅（５２９）より高くてもよい。全体的に、非対称的な振動モード（（５３０）等）は同じ順序の対称的な振動モード（（５２０）等）よりも高いピーク振幅を有していてもよい。
【００３２】
全体として、音圧性能は、ある周波数で各ＭＵＴによって生成された音圧波のエネルギーを指す。音圧性能はその周波数でＭＵＴのピーク振幅が増加するにつれて増加することができる。図５Ｃおよび５Ｄで描かれている通り、非対称的な振動モードは同じ順序の対称的な振動モードより高いピーク振幅を有していてもよい。そのため、非対称的な振動モードで作動するＭＵＴは、同じ順序の対称な振動モードで作動するＭＵＴより高い音圧性能を生じさせることができる。さらに、対称的な振動モードの周波数は、同じ順序の非対称的な振動モードの周波数とは異なっていても良い。そのため、実施形態では、各ＭＵＴの振動共振周波数は、対称的なモードから同じ順序の非対称的なモードに（またはその逆に）切り替えることにより調整することができる。
【００３３】
図６Ａは、本開示の実施形態に係る上部電極（６２２）を備えているＭＵＴ（６２０）の音響応答のプロット（６００）を示す。図６Ｂは、本開示の実施形態に係るＭＵＴ（６２０）の平面図を示す。図６Ｂでは、高さＨ（６４１）は上部電極の垂直寸法を表し、また、図６Ｃは、本開示の実施形態に係るｘ軸（６４２）に沿った高さＨ（６４１）の分布（６６０）（つまり面密度分布）を示す。例示目的のために、図５Ａの振動モード（５００）はプロット（６６０）の上に示される。描かれている通り、上部電極（６２２）の投影領域は楕円の形状であり、この楕円形は中心線（６３０）およびＸ軸（６４２）の両方に対して対称的であり、すなわち、上部電極の形状は対称的である。そのため、ＭＵＴ（６２０）は対称的な振動モードｆ１、ｆ３およびｆ５で強い音響応答を有していてもよい。さらに、円（６１２）および（６１４）によって示されるように、ＭＵＴ（６２０）は非対称的な振動モード（５１０）（ｆ２）および（５３０）（ｆ４）で非常に弱い音響応答を有していてもよい。
【００３４】
実施形態では、高さＨ（６４１）が最大の位置（６２５）は、振動モード（５００）の反節点（つまりピーク振幅）が生じる位置（５０３）と同じである。結果として、円（６０２）によって示されるように、ＭＵＴ（６２０）の音響応答は周波数ｆ１で最も強く、そこでｆ１が第１の対称的な振動モード（５００）に相当する。
【００３５】
図７Ａは、本開示の実施形態に係る上部電極（７２２）を備えているＭＵＴ（７２０）の音響応答のプロット（７００）を示す。図７Ｂは、本開示の実施形態に係るＭＵＴ（７２０）の平面図を示す。図７Ｂでは、高さＨ（７４１）は、上部電極の垂直寸法を表わす。図７Ｃは、本開示の実施形態に係るｘ軸（７４２）に沿った高さＨ（７４１）の分布（７６０）（または同様に面密度分布）を示す。例示目的のために、図５Ｂの振動モード（５１０）は面密度分布プロット（７６０）の上に示される。上記に議論された通り、高さおよび面密度との用語は、高さ分布（７６０）がｘ軸（７４２）に沿った上部電極（７２２）の面密度の分布を表す場合があるので、互換的に使用される。
【００３６】
図７Ｂに描かれている通り、上部電極（７２２）がｘ軸上で上部電極の中間点を通る中心線（７３０）に対して対称的ではないので、上部電極（７２２）の形状は非対称的であっても良い。結果として、ＭＵＴ（７２０）は、対称的な振動モード（ｆ１、ｆ３およびｆ５）および非対称的な振動モード（ｆ２とｆ４）の両方で作動することができる。実施形態では、面密度分布（７６０）の極大値Ｈ１（７３５）およびＨ２（７３７）の位置（７２６）および（７２８）はそれぞれ、振動モード（５１０）の反節点（５１６）および（５１７）と一致する。結果として、円（７０２）によって示されるように、ＭＵＴ（７２０）は周波数ｆ２で最も強い音響応答を有していてもよい。
【００３７】
実施形態では、Ｌ１（７３１）とＬ２（７３３）の比は面密度分布の極大値の位置（７２６）および（７２８）を調製するために調節されてもよい。例えば、Ｌ１（７３１）とＬ２（７３３）との比は１．０５より大きくても良い。実施形態では、Ｈ１（７３５）とＨ２（７３７）との比は周波数ｆ２で音響応答を調製するために調節されてもよい。例えば、高さＨ１（７３５）とＨ２（７３７）との比は１．０５より大きくても良い。
【００３８】
実施形態では、上部電極（７２２）の面密度の分布（７６０）は、ＭＵＴ（７２０）の音響応答に影響を及ぼす場合がある。図９Ａ〜９Ｃに関連して記載されている通り、音響応答が周波数ｆ４で最大値になるように、上部電極（７２２）の面密度分布は修正されてもよい。
【００３９】
図８Ａは、本開示の実施形態に係る上部電極（８２２）を備えているＭＵＴ（８２０）の音響応答のプロット（８００）を示す。図８Ｂは、本開示の実施形態に係るＭＵＴ（８２０）の平面図を示す。図８Ｃは、ｘ軸（８４３）に沿った上部電極（８２２）の高さＨ（８４１）の分布（８６０）（または同様に面密度分布）を示す。例示目的のために、図５Ｃの対称的な振動モード（５２０）も、プロット（８６０）上に示される。描かれている通り、上部電極（８２２）は、ｘ軸（８４３）および中心線（８３０）の両方に対して対称的であるので、対称的であっても良い。その結果として、ＭＵＴ（８２０）は対称的な振動モード（ｆ１、ｆ３、およびｆ５）で強い音響応答、また円（８０４）および（８０６）によって示されるように、非対称的な振動モード（ｆ２とｆ４）で非常に弱い音響応答を有していてもよい。
【００４０】
描かれている通り、面密度分布（８６０）には、３つの位置（８２４）、（８２５）、および（８２６）での極大値があってもよい。さらに、これらの３つの位置（８２４）、（８２５）および（８２６）はそれぞれ、第３の対称的な振動モード（５２０）での反節点が存在する位置（５２５）、（５２６）、および（５２７）と一致する。結果として、円（８０２）によって示される通り、ＭＵＴ（８２０）は周波数ｆ３で最も強い音響応答を有していてもよい。
【００４１】
実施形態では、Ｌ３（８４４）とＬ４（８４６）との比は面密度分布の極大値の位置（８２４）を調製するように調節されてもよい。例えば、Ｌ３（８４４）とＬ４（８４６）との比は、１０以上であっても良い。実施形態では、Ｈ３（８５０）とＨ４（８５２）の比は周波数ｆ２で音響応答を調製するように調節されてもよい。例えば、Ｈ３（８５０）とＨ４（８５２）との比は１．０５以上であっても良い。
【００４２】
図９Ａは、本開示の実施形態に係る上部電極（９２２）を備えているＭＵＴ（９２０）の音響応答のプロット（９００）を示す。図９Ｂは、本開示の実施形態に係るＭＵＴ（９２０）の平面図を示す。図９Ｃは、ｘ軸（９４３）に沿った高さＨ（９４１）の分布（９６０）を示す。例示目的のために、図５Ｄの非対称的な振動モード（５３０）も高さ（または面密度）分布プロット（９６０）上に示される。描かれている通り、上部電極（９２２）は中心線（９３０）に対して非対称的であっても良い。その結果として、ＭＵＴ（９２０）には対称的な振動モード（ｆ１、ｆ３、およびｆ５）および非対称的な振動モード（ｆ２とｆ４）の両方があっても良い。さらに、実施形態では、円（９０２）によって示されるように、音響応答は非対称的な振動周波数ｆ４（５３０）で最も強くても良い。
【００４３】
実施形態では、面密度分布（９６０）には３つの位置（９２４）、（９２５）、および（９２６）での極大値があってもよい。さらに、これらの３つの位置（９２４）、（９２５）、および（９２６）は振動モード（５３０）の反節点が存在する位置（５３４）、（５３５）、および（５３７）と一致してもよい。結果として、円（９０２）によって示されるように、ＭＵＴ（９２０）は周波数ｆ４で最も強い音響応答を有していてもよい。
【００４４】
図１０Ａは、本開示の実施形態に係る上部電極（１０２２）を有するＭＵＴ（１０２０）の音響応答のプロット（１０００）を示す。図１０Ｂは、本開示の実施形態に係るＭＵＴ（１０２０）の平面図を示す。図１０Ｃは、ｘ軸（１０４３）に沿った高さＨ（１０４１）の分布（１０６０）を示す。例示目的のために、図５Ｅの対称的な振動モード（５４０）も、プロット（１０６０）上に示される。描かれている通り、上部電極（１０２２）は、ｘ軸（１０４３）および中心線（１０３０）の両方に対して対称的であるので、対称的であっても良い。その結果として、ＭＵＴ（１０２０）は対称的な振動モード（ｆ１、ｆ３、およびｆ５）で強い音響応答、また非対称的な振動モード（ｆ２とｆ４）で非常に弱い音響応答を有していてもよい。さらに、円（１００２）によって示されるように、音響応答は第５の対称的な振動モードｆ５で最も強い。
【００４５】
実施形態では、面密度分布（１０６０）には、５つの位置（１０２４）、（１０２５）、（１０２６）、（１０２７）、および（１０２８）で極大値があってもよい。さらに、これらの５つの位置（１０２４）、（１０２５）、（１０２６）、（１０２７）、および（１０２８）は、振動モード（５４０）のピーク振幅が存在する位置（５４４）、（５４５）、（５４６）、（５４７）、および（５４８）と一致してもよい。結果として、ＭＵＴ（１０２０）は周波数ｆ５で最も強い音響応答を有していてもよい。
【００４６】
実施形態では、図６Ａ〜１０Ｃに関連して記載されている通り、対称的な上部電極は対称的な振動モードで強い音響応答、また非対称的な振動モードで非常に弱い音響応答を有していてもよい。さらに、実施形態では、非対称的な上部電極は対称的および非対称的な振動モードの両方で強い音響応答を有していてもよい。実施形態では、振動モードで音響応答を増加させるために、上部電極の面密度分布は、振動モードの反節点がある位置に面密度分布の極大値（または最大値）が位置するように調節されてもよい。
【００４７】
例示目的のために、５つの振動モードｆ１〜ｆ５のみが図６Ａ〜１０Ｃに示される。しかし、ＭＵＴには５つより多くの振動モードがあってもよいことが当業者に明白であろう。さらに、図６Ａ〜１０Ｃに記載されているように、面密度分布はより高い振動モードで音響応答の大きさを調整するように調節されてもよいことが当業者に明白であろう。
【００４８】
図３ＢのＭＵＴ（３０２）の各々は圧電マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｐＭＵＴ）であっても良いことに注目されたい。しかし、トランシーバータイル（２１０）は静電容量型マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）のアレイを備えてもよく、つまり、圧電気要素（３０２）はｃＭＵＴと取り替えられてもよいことが当業者に明白であろう。そのような場合、ＣＭＵＴの上部電極は、上部電極の形状（６２２）、（７２２）、（８２２）、（９２２）、および（１０２２）のうちの１つに似た形状であってもよい。その結果、ｃＭＵＴの音響応答は、図６Ａ〜１０Ｃと関連して記載されている原理に基づいて、様々な震動共振周波数で調製される。
【００４９】
本発明は様々な変形および代替形態の影響を受けやすいものの、その特定の例は図面に示されており、本明細書で詳細が記述されている。しかし、本発明は開示された具体的な形態に制限されることなく、逆に本発明は、添付の特許請求の範囲以内にある全ての変形、等価物、および代替物を対象とすることを理解されたい。
【図１】
2021512561.tif 000003
【図２】
2021512561.tif 000004
【図３Ａ】
2021512561.tif 000005
【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2021512561.tif 000010
【図５Ｃ】
2021512561.tif 000011
【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
2021512561.tif 000013
【図６Ａ】
2021512561.tif 000014
【図６Ｂ】
2021512561.tif 000015
【図６Ｃ】
2021512561.tif 000016
【図７Ａ】
2021512561.tif 000017
【図７Ｂ】
2021512561.tif 000018
【図７Ｃ】
2021512561.tif 000019
【図８Ａ】
2021512561.tif 000020
【図８Ｂ】
2021512561.tif 000021
【図８Ｃ】
2021512561.tif 000022
【図９Ａ】
2021512561.tif 000023
【図９Ｂ】
2021512561.tif 000024
【図９Ｃ】
2021512561.tif 000025
【図１０Ａ】
2021512561.tif 000026
【図１０Ｂ】
2021512561.tif 000027
【図１０Ｃ】
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【手続補正書】
【提出日】令和2年12月4日(2020.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロマシン超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）であって、前記ＭＵＴは：
第１軸に対して対称的であり、かつ前記第１軸に垂直な第２軸に対して非対称的である電極を備え、前記第１軸は、前記電極の寸法が最長となる方向に沿って延び、前記第２軸は、前記第１軸上の前記電極の両端の間にある中間点を通り、
ここで、軸に沿った前記電極の面密度分布には複数の極大値があり、および、前記複数の極大値の位置は、振動共振周波数での複数の反節点が存在する位置と一致する、
ＭＵＴ。
【請求項２】
前記ＭＵＴが静電容量型マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）である、請求項１に記載のＭＵＴ。
【請求項３】
前記ＭＵＴが圧電マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｐＭＵＴ）である、請求項１に記載のＭＵＴ。
【請求項４】
基板と、
前記基板上にある膜と、
前記膜に配置された下部電極と、
前記下部電極に配置された圧電気層とをさらに備え、
ここで、前記電極は前記圧電気層に配置される、請求項３に記載のＭＵＴ。
【請求項５】
前記圧電気層が、ＰＺＴ、ＫＮＮ、ＰＺＴ−Ｎ、ＰＭＮ−Ｐｔ、ＡｌＮ、Ｓｃ−ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＰＶＤＦ、およびＬｉＮｉＯ３の少なくとも１つから作られる、請求項４に記載のＭＵＴ。
【請求項６】
対称的な電極を備えているマイクロマシン超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）であって、
軸に沿った前記対称的な電極の面密度分布には複数の極大値があり、前記複数の極大値の位置が振動共振周波数での複数の反節点が存在する位置と一致する、
ＭＵＴ。
【請求項７】
前記軸は、前記対称的な電極の寸法が最長となる方向に沿って延びる、請求項６に記載のＭＵＴ。
【請求項８】
前記振動共振周波数が対称的な振動モードを有する、請求項６に記載のＭＵＴ。
【請求項９】
前記ＭＵＴが静電容量型マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）である、請求項６に記載のＭＵＴ。
【請求項１０】
前記ＭＵＴが圧電マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｐＭＵＴ）である、請求項６に記載のＭＵＴ。
【請求項１１】
基板と、
前記基板上にある膜と、
前記膜に配置された下部電極と、
前記下部電極に配置された圧電気層と、
前記圧電気層に配置された上部電極とをさらに備えており、
前記上部電極が前記対称的な電極である、請求項１０に記載のＭＵＴ。
【請求項１２】
前記圧電気層が、ＰＺＴ、ＫＮＮ、ＰＺＴ−Ｎ、ＰＭＮ−Ｐｔ、ＡｌＮ、Ｓｃ−ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＰＶＤＦ、およびＬｉＮｉＯ３の少なくとも１つから作られる、請求項１１に記載のＭＵＴ。
【請求項１３】
画像処理装置であって、前記画像処理装置は、
複数のマイクロマシン超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）を含むトランスデューサアレイを備え、
前記複数のＭＵＴの各々は、第１軸に対して対称的であり、かつ前記第１軸に垂直な第２軸に対して非対称的である電極を備え、前記第１軸は、前記電極の寸法が最長となる方向に沿って延び、前記第２軸は、前記第１軸上の前記電極の両端の間にある中間点を通り、
ここで、軸に沿った前記電極の面密度分布には複数の極大値があり、前記複数の極大値の位置は、振動共振周波数での複数の反節点が存在する位置と一致する、
画像処理装置。
【請求項１４】
前記複数のＭＵＴの各々が静電容量型マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）である、請求項１３に記載の画像処理装置。
【請求項１５】
前記複数のＭＵＴの各々が圧電マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｐＭＵＴ）である、請求項１３に記載の画像処理装置。
【請求項１６】
前記複数のＭＵＴの各々が、
基板と、
前記基板上にある膜と、
前記膜に配置された下部電極と、
前記下部電極に配置された圧電気層とをさらに備えており、
ここで、前記電極は前記圧電気層に配置される、請求項１５に記載の画像処理装置。
【請求項１７】
前記圧電気層が、ＰＺＴ、ＫＮＮ、ＰＺＴ−Ｎ、ＰＭＮ−Ｐｔ、ＡｌＮ、Ｓｃ−ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＰＶＤＦ、およびＬｉＮｉＯ３の少なくとも１つから作られる、請求項１５に記載の画像処理装置。
【請求項１８】
画像処理装置であって、前記画像処理装置は、
複数のマイクロマシン超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）を含むトランスデューサアレイを備え、前記複数のＭＵＴの各々は、対称的な電極を備えており、
ここで、軸に沿った前記対称的な電極の面密度分布には複数の極大値があり、前記複数の極大値の位置が振動共振周波数での複数の反節点が存在する位置と一致する、
画像処理装置。
【請求項１９】
前記振動共振周波数が対称的な振動モードを有する、請求項１８に記載の画像処理装置。
【請求項２０】
前記複数のＭＵＴの各々が静電容量型マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）である、請求項１８に記載の画像処理装置。
【請求項２１】
前記複数のＭＵＴの各々が圧電マイクロマシン超音波トランスデューサ（ｐＭＵＴ）である、請求項１８に記載のＭＵＴ。
【請求項２２】
前記複数のＭＵＴの各々が、
基板と、
前記基板上にある膜と、
前記膜に配置された下部電極と、
前記下部電極に配置された圧電気層と、
前記圧電気層に配置された上部電極とをさらに備えており、
ここで、前記上部電極が前記対称的な電極である、請求項２１に記載の画像処理装置。
【請求項２３】
前記圧電気層が、ＰＺＴ、ＫＮＮ、ＰＺＴ−Ｎ、ＰＭＮ−Ｐｔ、ＡｌＮ、Ｓｃ−ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＰＶＤＦ、およびＬｉＮｉＯ３の少なくとも１つから作られる、請求項２１に記載の画像処理装置。
【国際調査報告】
2021512561.tif 000029
2021512561.tif 000030
2021512561.tif 000031