(57)【要約】エアロゾル生成デバイス用の複数の誘導要素１０８ａ、１０８ｂのための回路１０６が開示されている。複数の誘導要素のそれぞれは、使用中のエアロゾル生成材料を加熱するための１つ又は複数のサセプタ１１０の誘導加熱のためのものである。回路は、複数のドライバ装置２０４ａ、２０４ｂを含み、複数のドライバ装置のそれぞれは、入力直流電源から、使用中の複数の誘導要素のそれぞれに交流電流を供給するように構成されている。各ドライバ装置は、使用中に電流を実質的に流すために、スイッチング電位によってそれぞれ制御可能な１つ又は複数の第１のトランジスタを含む。回路はまた、使用中にスイッチング電位を提供するために入力電位をステップアップするように構成されたコンバータ２１４を含み、コンバータは、複数のドライバ装置のそれぞれに対して共通である。エアロゾル生成デバイスも開示されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用中のエアロゾル生成材料を加熱するための１つ又は複数のサセプタを誘導加熱するための、エアロゾル生成デバイス用の複数の誘導要素のための回路であって、前記回路が、
複数のドライバ装置であって、前記複数のドライバ装置のそれぞれが、入力直流電流から使用中の前記複数の誘導要素のそれぞれに交流電流を供給するように構成されており、各ドライバ装置が、使用中に電流を実質的に流すためにスイッチング電位によってそれぞれ制御可能な１つ又は複数の第１のトランジスタを備える、複数のドライバ装置と、
使用中に前記スイッチング電位を提供するために入力電位をステップアップするように構成されたコンバータであって、前記コンバータが前記複数のドライバ装置のそれぞれに対して共通である、コンバータと、を備える、回路。
【請求項２】
前記複数のドライバ装置のうちの１つ又は複数が、Ｈブリッジ構成で配置された複数のトランジスタを備え、前記複数のトランジスタのうちの１つ又は複数が前記第１のトランジスタである、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記Ｈブリッジ構成が、ハイサイドペアのトランジスタとローサイドペアのトランジスタとを備え、前記ハイサイドペアが、前記ローサイドペアが使用中に接続される第２の電位よりも高い第１の電位に接続するためのものであり、前記ハイサイドペアのトランジスタのうちの１つ又は両方が前記第１のトランジスタである、請求項２に記載の回路。
【請求項４】
前記コンバータが、使用時に前記スイッチング電位が前記第１の電位よりも高くなるように構成されている、請求項３に記載の回路。
【請求項５】
前記ローサイドペアのトランジスタのうちの１つ又は両方が前記第１のトランジスタである、請求項３又は４に記載の回路。
【請求項６】
各ドライバ装置が、前記ハイサイドペアのトランジスタ間の第１の点と前記ローサイドペアのトランジスタ間の第２の点とにわたって使用中の直流電源を接続するように構成されている、請求項３〜５のいずれか一項に記載の回路。
【請求項７】
各ドライバ装置が、前記ハイサイドペアのトランジスタの一方と前記ローサイドペアのトランジスタの一方との間の第３の点と、前記ハイサイドペアのトランジスタの他方とローサイドの第２のペアのトランジスタの他方との間の第４の点と、にわたって、使用中のそれぞれの前記誘導要素を接続するように構成されている、請求項３〜６のいずれか一項に記載の回路。
【請求項８】
前記スイッチング電位が前記第１のトランジスタに提供された場合に、前記第１のトランジスタが実質的に電流を流し、前記スイッチング電位が前記トランジスタに提供されない場合に、前記トランジスタが実質的に電流を流さない、ように各第１のトランジスタが構成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の回路。
【請求項９】
各第１のトランジスタが電界効果トランジスタである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の回路。
【請求項１０】
各第１のトランジスタが、ソース、ドレイン、及びゲートを備え、使用時に前記スイッチング電位が各トランジスタの前記ゲートに供給される、請求項９に記載の回路。
【請求項１１】
前記第１のトランジスタのそれぞれが、ｎチャネル電界効果トランジスタである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の回路。
【請求項１２】
前記第１のトランジスタのそれぞれが、金属酸化物半導体電界効果トランジスタである、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の回路。
【請求項１３】
前記回路が、前記コンバータから使用中の前記複数のドライバ装置に前記スイッチング電位を供給するための供給バスを備える、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の回路。
【請求項１４】
前記供給バスが、使用中の前記複数のドライバ装置のうちの１つ又は複数に前記スイッチング電位を供給するように制御可能である、請求項１３に記載の回路。
【請求項１５】
前記回路が、使用中の前記複数のドライバ装置のうちの選択可能な１つ又は複数に前記スイッチング電位を供給するように前記供給バスを制御するように構成された供給バスコントローラを備える、請求項１３又は１４に記載の回路。
【請求項１６】
各ドライバ装置が、前記ドライバ装置の１つ又は複数の第１のトランジスタへの前記スイッチング電位の供給を制御するように構成されたドライバコントローラを備える、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の回路。
【請求項１７】
前記複数のドライバ装置のそれぞれが、使用中の前記入力直流電流を提供するために、直流電源又は前記直流電源へ共通接続されるように構成されている、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の回路。
【請求項１８】
前記コンバータが、使用中の前記入力電位を提供するために、直流電源又は前記直流電源へ接続されるように構成されている、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の回路。
【請求項１９】
前記コンバータが、昇圧コンバータであるか、又は昇圧コンバータを備える、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の回路。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか一項に記載の回路を備える、エアロゾル生成デバイス。
【請求項２１】
使用中の前記入力直流電流を提供するように構成され、及び／又は使用中の前記入力電位を提供するように構成される直流電源又は前記直流電源をさらに備える、請求項２０に記載のエアロゾル生成デバイス。
【請求項２２】
前記複数の誘導要素をさらに備え、
各ドライバ装置が、使用中の前記複数の誘導要素のそれぞれに交流電流を提供するように構成されている、請求項２０又は２１に記載のエアロゾル生成デバイス。
【請求項２３】
前記１つ又は複数のサセプタをさらに備え、
前記１つ又は複数のサセプタが、使用中の前記複数の誘導要素によって誘導的に加熱されるように構成されている、請求項２２に記載のエアロゾル生成デバイス。
【請求項２４】
前記エアロゾル生成材料をさらに備え、
前記エアロゾル生成材料が、使用中の前記１つ又は複数のサセプタによって加熱されるように構成されている、請求項２３に記載のエアロゾル生成デバイス。
【請求項２５】
前記エアロゾル生成材料がタバコであるか、又はタバコを備える、請求項２４に記載のエアロゾル生成デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]本発明は、複数の誘導要素のための回路に関し、より詳細には、複数の誘導素子が使用中のエアロゾル生成材料を加熱するための１つ又は複数のサセプタを誘導加熱するためのものである、エアロゾル生成デバイス用の複数の誘導要素のための回路に関する。
【背景】
【０００２】
[0002]シガレット、シガーなどの喫煙品は、使用中にタバコを燃やしてタバコの煙を発生させる。化合物を燃焼させずに放出する製品を作成することにより、これらの喫煙品に代わるものを提供する試みがなされてきた。そのような製品の例は、いわゆる「非燃焼加熱式」製品又はタバコ加熱デバイス又は製品であり、材料を燃やさず加熱することによって化合物を放出する。材料は、例えば、タバコ又は他の非タバコ製品であってもよく、ニコチンを含んでいてもよいし、含まなくてもよい。
【概要】
【０００３】
[0003]本発明の第１の側面によれば、使用中のエアロゾル生成材料を加熱するための１つ又は複数のサセプタを誘導加熱するための、エアロゾル生成デバイス用の複数の誘導要素のための回路が提供され、回路は、
複数のドライバ装置であって、複数のドライバ装置のそれぞれが、入力直流電流から使用中の複数の誘導要素のそれぞれに交流電流を供給するように構成されており、各ドライバ装置が、使用中に電流を実質的に流すためにスイッチング電位によってそれぞれ制御可能な１つ又は複数の第１のトランジスタを備える、複数のドライバ装置と、
使用中にスイッチング電位を提供するために入力電位をステップアップするように構成されたコンバータであって、コンバータが複数のドライバ装置のそれぞれに対して共通である、コンバータと、を備える。
【０００４】
[0004]任意選択で、複数のドライバ装置のうちの１つ又は複数が、Ｈブリッジ構成で配置された複数のトランジスタを備え、複数のトランジスタのうちの１つ又は複数が第１のトランジスタである。
【０００５】
[0005]任意選択で、Ｈブリッジ構成が、ハイサイドペアのトランジスタとローサイドペアのトランジスタとを備え、ハイサイドペアが、ローサイドペアが使用中に接続される第２の電位よりも高い第１の電位に接続するためのものであり、ハイサイドペアのトランジスタのうちの１つ又は両方が第１のトランジスタである。
【０００６】
[0006]任意選択で、コンバータが、使用時にスイッチング電位が第１の電位よりも高くなるように構成されている。
【０００７】
[0007]任意選択で、ローサイドペアのトランジスタのうちの１つ又は両方が第１のトランジスタである。
【０００８】
[0008]任意選択で、各ドライバ装置が、ハイサイドペアのトランジスタ間の第１の点とローサイドペアのトランジスタ間の第２の点とにわたって使用中の直流電源を接続するように構成されている。
【０００９】
[0009]任意選択で、各ドライバ装置が、ハイサイドペアのトランジスタの一方とローサイドペアのトランジスタの一方との間の第３の点と、ハイサイドペアのトランジスタの他方とローサイドの第２のペアのトランジスタの他方との間の第４の点と、にわたって、使用中のそれぞれの誘導要素を接続するように構成されている。
【００１０】
[0010]任意選択で、スイッチング電位が第１のトランジスタに提供された場合に、第１のトランジスタが実質的に電流を流し、スイッチング電位がトランジスタに提供されない場合に、トランジスタが実質的に電流を流さない、ように各第１のトランジスタが構成されている。
【００１１】
[0011]任意選択で、各第１のトランジスタが電界効果トランジスタである。
【００１２】
[0012]任意選択で、各第１のトランジスタが、ソース、ドレイン、及びゲートを備え、使用時にスイッチング電位が各トランジスタのゲートに供給される。
【００１３】
[0013]任意選択で、第１のトランジスタのそれぞれが、ｎチャネル電界効果トランジスタである。
【００１４】
[0014]任意選択で、第１のトランジスタのそれぞれが、金属酸化物半導体電界効果トランジスタである。
【００１５】
[0015]任意選択で、回路が、コンバータから使用中の複数のドライバ装置にスイッチング電位を供給するための供給バスを備える。
【００１６】
[0016]任意選択で、供給バスが、使用中の複数のドライバ装置のうちの１つ又は複数にスイッチング電位を供給するように制御可能である。
【００１７】
[0017]任意選択で、回路が、使用中の複数のドライバ装置のうちの選択可能な１つ又は複数にスイッチング電位を供給するように供給バスを制御するように構成された供給バスコントローラを備える。
【００１８】
[0018]任意選択で、各ドライバ装置が、ドライバ装置の１つ又は複数の第１のトランジスタへのスイッチング電位の供給を制御するように構成されたドライバコントローラを備える。
【００１９】
[0019]任意選択で、複数のドライバ装置のそれぞれが、使用中の入力直流電流を提供するために、直流電源へ共通接続されるように構成されている。
【００２０】
[0020]任意選択で、コンバータが、使用中の入力電位を提供するために、直流電源へ接続されるように構成されている。
【００２１】
[0021]任意選択で、コンバータが、昇圧コンバータであるか、又は昇圧コンバータを備える。
【００２２】
[0022]本発明の第２の側面によれば、第１の側面に従った回路を含むエアロゾル生成デバイスが提供される。
【００２３】
[0023]任意選択で、エアロゾル生成デバイスは、使用中の入力直流電流を提供するように構成され、及び／又は使用中の入力電位を提供するように構成される直流電源をさらに備える。
【００２４】
[0024]任意選択で、エアロゾル生成デバイスは、複数の誘導要素をさらに備え、各ドライバ装置が、使用中の複数の誘導要素のそれぞれに交流電流を提供するように構成されている。
【００２５】
[0025]任意選択で、エアロゾル生成デバイスは、１つ又は複数のサセプタをさらに備え、１つ又は複数のサセプタが、使用中の複数の誘導要素によって誘導的に加熱されるように構成されている。
【００２６】
[0026]任意選択で、エアロゾル生成デバイスは、エアロゾル生成材料をさらに備え、エアロゾル生成材料が、使用中の１つ又は複数のサセプタによって加熱されるように構成されている。
【００２７】
[0027]任意選択で、エアロゾル生成材料がタバコであるか、又はタバコを備える。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、一実施例によるエアロゾル生成デバイスを模式的に示す図である。
【図２】図２は、一実施例による複数の誘導要素のための回路を模式的に示す図である。
【図３】図３は、一実施例によるドライバ装置を模式的に示す図である。
【詳細な説明】
【００２９】
[0029]誘導加熱は、電磁誘導によって電気的に導電性の物体（又はサセプタ）を加熱するプロセスである。誘導加熱器は、電磁石のような誘導要素と、交流電流のような変化する電流を電磁石に流すための回路とを含み得る。電磁石内の変化する電流は、変化する磁場を生成する。変化する磁場は、電磁石に対して適切に配置されたサセプタに侵入し、サセプタ内に渦電流を生成させる。サセプタは、渦電流に対する電気抵抗を有しており、したがって、この抵抗に抗して渦電流が流れることにより、サセプタはジュール加熱によって加熱される。サセプタが鉄、ニッケル又はコバルトのような強磁性材料を含む場合には、サセプタ内の磁気ヒステリシス損失、すなわち、変化する磁場との整列の結果としての磁性材料内の磁気双極子の配向の変化によっても熱が生成されることがある。
【００３０】
[0030]誘導加熱では、例えば伝導による加熱と比較して、サセプタの内部で熱が生成され、急速な加熱が可能になる。また、誘導加熱はサセプタとの物理的な接触を必要としないため、構造及び用途の自由度が高くなる。
【００３１】
[0031]誘導加熱器は、抵抗器によって提供される抵抗（Ｒ）と、例えばサセプタを誘導加熱するように構成された電磁石などの誘導素子によって提供されるインダクタンス（Ｌ）と、キャパシタによって提供される容量（Ｃ）と、を直列に接続したＲＬＣ回路を含み得る。いくつかのケースでは、抵抗は、インダクタ及びキャパシタを接続する回路の一部のオーム抵抗によって提供され、したがって、ＲＬＣ回路は、必ずしもそのような抵抗を含む必要はない。このような回路は、例えば、ＬＣ回路と呼ばれてもよい。このような回路は、回路素子のインピーダンス又はアドミタンスの虚部が互いに打ち消し合うときに、特定の共振周波数で発生する電気的共振を示す場合がある。インダクタの磁場の崩壊により巻線にキャパシタを充電する電流が生成される一方、放電するキャパシタによりインダクタの磁場を構築する電流が供給されるために、共振はＲＬＣ回路又はＬＣ回路で発生する。回路が共振周波数で駆動されると、インダクタ及びキャパシタの直列インピーダンスは最小となり、回路電流は最大となる。したがって、共振周波数で又はその近くでＲＬＣ又はＬＣ回路を駆動することにより、効果的及び／又は効率的な誘導加熱を提供することができる。
【００３２】
[0032]トランジスタは、電子信号をスイッチングするための半導体デバイスである。トランジスタは、典型的には、電子回路に接続するための少なくとも３つの端子を含む。
【００３３】
[0033]電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は、印加された電界の効果を使用してトランジスタの有効コンダクタンスを変化させることができるトランジスタである。電界効果トランジスタは、ボディＢ、ソース端子Ｓ、ドレイン端子Ｄ、及びゲート端子Ｇを含み得る。電界効果トランジスタは、電荷キャリア、電子又は正孔がソースＳとドレインＤの間を流れ得る半導体を含むアクティブチャネルを含む。チャネルの導電率、すなわちドレインＤとソース端子Ｓとの間の導電率は、ゲートＧとソース端子Ｓとの間の電位差の関数であり、例えばゲート端子Ｇに印加される電位によって生成される。エンハンスメントモードＦＥＴでは、ＦＥＴは、ゲートＧとソースＳとの間の電圧が実質的にゼロである場合にはオフ（すなわち、電流が流れることを実質的に阻止する）であってもよく、ゲートＧ−ソース間の電圧が実質的にゼロでない場合にはオン（すなわち、電流が流れることを実質的に許容する）であってもよい。
【００３４】
[0034]ｎチャネル（又はｎ型）電界効果トランジスタ（ｎ−ＦＥＴ）は、電子が多数キャリアであり、正孔が少数キャリアであるｎ型半導体を含むチャネルを有する電界効果トランジスタである。例えば、ｎ型半導体は、ドナー不純物（例えば、リンなど）がドープされた真性半導体（例えば、シリコンなど）を含み得る。ｎチャネルＦＥＴでは、ドレイン端子Ｄは、ソース端子Ｓよりも高い電位に配置される（すなわち、正のドレイン−ソース間電圧、言い換えれば負のソース−ドレイン間電圧が存在する）。ｎチャネルＦＥＴを「オン」にするために（すなわち、電流を流すために）、ソース端子Ｓの電位よりも高いスイッチング電位がゲート端子Ｇに印加される。
【００３５】
[0035]金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）は、ゲート端子Ｇが絶縁層によって半導体チャネルから電気的に絶縁されている電界効果トランジスタである。いくつかの例では、ゲート端子Ｇは金属であってもよく、絶縁層は酸化物（例えば二酸化ケイ素など）であってもよく、したがって「金属酸化物半導体」である。しかしながら、他の例では、ゲートは、金属以外の材料、例えばポリシリコンであってもよく、及び／又は絶縁層は、酸化物以外の材料、例えば他の誘電体材料であってもよい。そのようなデバイスは、それにもかかわらず、典型的には、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）と呼ばれ、本明細書で使用されるように、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ又はＭＯＳＦＥＴという用語は、そのようなデバイスを含むと解釈されることが理解されるであろう。
【００３６】
[0036]ＭＯＳＦＥＴは、半導体がｎ型であるｎチャネル（又はｎ型）ＭＯＳＦＥＴであってもよい。ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（ｎ−ＭＯＳＦＥＴ）は、ｎチャネルＦＥＴについて上述したのと同様に動作し得る。ｎ−ＭＯＳＦＥＴは、典型的には、比較的低いソース−ドレイン抵抗を有し、したがって「オン」状態（すなわち、電流が流れている）では、ｎ−ＭＯＳＦＥＴは、使用中に比較的少ない熱を生成し、それゆえ、動作中に比較的少ないエネルギーを浪費する。さらに、ｎ−ＭＯＳＦＥＴは、典型的には、比較的短いスイッチング時間（すなわち、ゲート端子Ｇに提供されるスイッチング電位を変化させてから、ＭＯＳＦＥＴが電流を流すか否かを変化させるまでの特性応答時間）を有し、これにより、比較的高いスイッチングレートを可能にすることができる。これは、例えば、改善されたスイッチング制御を可能にすることができ、例えば、トランジスタが十分に迅速に閉じられていないところで短絡が瞬間的に提供される可能性があるシュートスルーの発生を低減することができる。
【００３７】
[0037]図１は、一実施例によるデバイス１００を模式的に示す。デバイス１００は、エアロゾル生成デバイス１００である。エアロゾル生成デバイス１００は、この例ではバッテリ１０４である直流電源１０４、回路１０６、複数の誘導要素１０８ａ、１０８ｂ、サセプタ１１０、及びエアロゾル生成材料１１６を含む。直流電源１０４は、回路１０６に電気的に接続されている。直流電源１０４は、回路１０６に直流電力を供給するように構成されている。回路１０６は、各誘導要素１０８ａ、１０８ｂに電気的に接続されている。各誘導要素１０８ａ、１０８ｂは、例えば、電磁石、例えば、コイル又はソレノイドであってもよく、例えば、平面状であってもよく、例えば、銅で形成されていてもよい。回路１０６は、直流電源１０４からの入力直流電流を、変動する、例えば交流電流に変換するように構成されている。回路１０６は、誘導要素１０８ａ、１０８ｂのうちの１つ又は複数、例えばそれぞれを流れる交流電流を駆動するように構成されている。
【００３８】
[0038]サセプタ１１０は、各誘導要素１０８ａ、１０８ｂからサセプタ１１０への誘導エネルギー伝達のために、各誘導要素１０８ａ、１０８ｂに対して相対的に配置されている。具体的には、例えば、第１の誘導要素１０８ａは、第１の誘導要素１０８ａが隣接するサセプタ１１０の第１の部分の誘導加熱のために配置されてもよく、第２の誘導要素１０８ｂは、第２の誘導要素１０８ｂが隣接するサセプタ１１０の第２の部分の誘導加熱のために配置されてもよい。したがって、例えば、誘導加熱されるサセプタの部分は、複数の誘導加熱要素１０８ａ、１０８ｂのうちの１つ又は組合せを作動させることに基づいて制御されてもよい。サセプタ１１０は、鉄、ニッケル、及びコバルトなどの例示的な金属の１つ又はその組合せを含む強磁性部分を含み得る。各誘導要素１０８ａ、１０８ｂは、各誘導要素１０８ａ、１０８ｂで駆動される交流電流を有し、上述したように、ジュール加熱及び／又は磁気ヒステリシス加熱によってサセプタ１１０を加熱する。サセプタ１１０は、使用中のエアロゾルを生成するために、例えば伝導、対流、及び／又は放射加熱によってエアロゾル生成材料１１６を加熱するように構成されている。
【００３９】
[0039]いくつかの例では、サセプタ１１０及びエアロゾル生成材料１１６は、エアロゾル生成デバイス１００に挿入及び／又はエアロゾル生成デバイス１００から取り外し可能な一体のユニットを形成し、使い捨てであってもよい。いくつかの例では、誘導要素１０８は、例えば交換のために、デバイス１００から取り外し可能であってもよい。一例（図示せず）では、複数の誘導要素１０８ａ、１０８ｂのそれぞれは、例えば、それぞれエアロゾル生成材料（図示せず）の一部を加熱するために構成された複数の別個のサセプタ（図示せず）のそれぞれの誘導加熱のために構成されていてもよい。エアロゾル生成デバイス１００は、手で持ってもよい。エアロゾル生成デバイス１００は、エアロゾル生成材料１１６を加熱して、使用者が吸入するためのエアロゾルを生成するように構成されてもよい。
【００４０】
[0040]本明細書で使用されるように、「エアロゾル生成材料」という用語は、典型的には蒸気又はエアロゾルの形態で、加熱時に揮発化成分を提供する材料を含むことに留意されたい。エアロゾル生成材料は、非タバコ含有材料又はタバコ含有材料であり得る。例えば、エアロゾル生成材料は、タバコであってもよいし、タバコを含んでいてもよい。エアロゾル生成材料は、例えば、タバコそのもの、タバコ誘導体、膨張タバコ、再生タバコ、タバコ抽出物、均質化タバコ、又はタバコ代替品のうちの１つ又は複数を含み得る。エアロゾル生成材料は、挽きタバコ、刻みラグタバコ、押出タバコ、再生タバコ、再生材料、液体、ゲル、ゲル化シート、粉末、又は塊などの形態であってもよい。エアロゾル生成材料はまた、他の、タバコ以外の製品を含んでもよく、製品によっては、ニコチンを含んでもよいし、含んでいなくてもよい。エアロゾル生成材料は、グリセロール又はプロピレングリコールなどの１つ又は複数の保湿剤を含み得る。
【００４１】
[0041]図１に戻ると、エアロゾル生成デバイス１００は、バッテリ１０４、制御回路１０６、誘導要素１０８ａ、１０８ｂ、サセプタ１１０、及びエアロゾル生成材料１１６を収容する外側本体１１２を含む。外側本体１１２は、使用中に生成されたエアロゾルがデバイス１００の外に出ることを可能にするためのマウスピース１１４を含む。
【００４２】
[0042]使用中に、使用者は、例えばボタン（図示せず）又はそれ自体公知のパフ検出器（図示せず）を介して、回路１０６を作動させて、１つ又は複数の誘導要素１０８ａ、１０８ｂを介して駆動される交流電流を引き起こし、以てサセプタ１１０（又はその一部）を誘導的に加熱し、これによりエアロゾル生成材料１１６を加熱し、以てエアロゾル生成材料１１６にエアロゾルを生成させるようにすることができる。エアロゾルは、空気入口（図示せず）からデバイス１００に引き込まれた空気中に生成され、以てマウスピース１１４に運ばれ、エアロゾルはデバイス１００から出る。
【００４３】
[0043]回路１０６、誘導要素１０８ａ、１０８ｂ、サセプタ１１０及び／又はデバイス１００は全体として、エアロゾル生成材料１１６を燃焼させることなくエアロゾル生成材料の少なくとも１つの成分を揮発させるために、エアロゾル生成材料１１６又はその一部を温度範囲に加熱するように構成され得る。例えば、温度範囲は、約５０℃〜約３５０℃、例えば、約５０℃と約２５０℃との間、約５０℃と約１５０℃との間、約５０℃と約１２０℃との間、約５０℃と約１００℃との間、約５０℃と約８０℃との間、又は約６０℃と約７０℃との間であってもよい。いくつかの例では、温度範囲は、約１７０℃と約２２０℃の間である。いくつかの例では、温度範囲はこの範囲以外であってもよく、温度範囲の上限は３００℃より大きくてもよい。
【００４４】
[0044]ここで図２を参照すると、例示にしたがって、エアロゾル生成デバイス１００のための複数の誘導要素１０８ａ、１０８ｂのための回路１０６が、より詳細に模式的に図示されている。
【００４５】
[0045]回路１０６は、複数の、この例では２つの、ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂを含む。各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂは、バッテリ１０４に電気的に接続されている。具体的には、各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂは、比較的高い電位＋Ｖ２０２を提供するバッテリ１０４の正の端子に接続され、比較的低いか又は無電位又は負電位ＧＮＤ２０６を提供するバッテリの負の端子又はグランドに接続される。したがって、各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂにわたる電圧が確立される。
【００４６】
[0046]各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂは、それぞれのＬＣ回路２０５ａ、２０５ｂに電気的に接続されている。各ＬＣ回路２０５ａ、２０５ｂはそれぞれ、インダクタンスＬを有する誘導要素１０８ａ、１０８ｂ、及び容量Ｃを有するキャパシタ２１０ａ、２１０ｂの１つを含む。各ＬＣ回路２０５ａ、２０５ｂにおいて、誘導要素１０８ａ、１０８ｂとキャパシタ２１０ａ、２１０ｂとは直列に接続されている。
【００４７】
[0047]複数のドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのそれぞれは、バッテリ１０４からの入力直流から、複数のＬＣ回路２０５ａ、２０５ｂのそれぞれに、ひいては使用中の複数の誘導要素１０８ａ、１０８ｂのそれぞれに、交流電流を供給するように構成されている。各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂは、使用中の入力直流電流を提供するために、直流電源又はバッテリ１０４に共通に接続されている。
【００４８】
[0048]各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂは、例えば論理回路を含む各ドライバコントローラ２０８ａ、２０８ｂに電気的に接続されている。各ドライバコントローラ２０８ａ、２０８ｂは、入力直流電流からの出力交流電流を提供するために、各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂ、又はその構成要素を制御するように構成されている。具体的には、以下でより詳細に説明するように、各ドライバコントローラ２０８ａ、２０８ｂは、それぞれのドライバ装置２０４ａ、２０４ｂに交流電流を生成させるように、変化するタイミングでそれぞれのドライバ装置２０４ａ、２０４ｂの１つ又は複数のトランジスタへのスイッチング電位ｖｓ２１６の供給を制御するように構成されていてもよい。
【００４９】
[0049]各ドライバコントローラ２０８ａ、２０８ｂは、それぞれのＬＣ回路２０５ａ、２０５ｂに供給される交流電流の周波数、ひいてはそれぞれの誘導要素１０８ａ、１０８ｂを介して駆動される交流電流の周波数を制御するように構成されてもよい。上述したように、ＬＣ回路は共振を示してもよい。各ドライバコントローラ２０８ａ、２０８ｂは、それぞれのＬＣ回路２０５ａ、２０５ｂを介して駆動される交流電流の周波数（駆動周波数）が、ＬＣ回路２０５ａ、２０５ｂの共振周波数になるか、又はその近傍になるように制御することができる。例えば、駆動周波数は、ＭＨｚの範囲内であってもよく、例えば０．５〜１．５ＭＨｚの範囲、例えば１ＭＨｚであってもよい。例えば、特定のＬＣ回路２０５ａ、２０５ｂ（及び／又はその構成要素）、及び／又は使用されるサセプタ１１０に応じて、他の周波数が使用されてもよいことが理解されるであろう。例えば、ＬＣ回路２０５ａ、２０５ｂの共振周波数は、回路２０５ａ、２０５ｂのインダクタンスＬ及び容量Ｃに依存し、同様に使用されるインダクタ１０８ａ、２０８ｂ、キャパシタ２１０ａ、２１０ｂ、及びサセプタ１１０に依存し得ることが理解されるであろう。
【００５０】
[0050]回路１０６は、使用中のスイッチング電位ｖｓ２１６を提供するために、入力電位＋ｖ２０２をステップアップするように構成されたコンバータ２１４を含む。すなわち、コンバータ２１４によって出力されるスイッチング電位ｖｓ２１６は、コンバータ２１４に入力される電位＋ｖ２０２よりも高いか、又はより正の電位である。例えば、コンバータ２１４は、ＤＣ−ＤＣ電力コンバータであってもよく、例えば、昇圧コンバータ（ステップアップコンバータともいう）であってもよい。例えば、昇圧コンバータは、電流をステップダウンさせながら、入力（供給）から出力（負荷）への電圧をステップアップさせてもよい。例えば、昇圧コンバータは、例えばダイオード及びトランジスタなどの２以上の半導体と、例えばキャパシタ及びインダクタの１つ又は両方など、入力された電位又は電圧よりも高い電位又は電圧を出力するように構成された１以上の蓄電素子と、を含むスイッチドモード電源デバイス（ＳＭＰＳ）であってもよい。電圧がステップアップ又は昇圧される量は、固定又は可変であり得、ユーザ入力（例えば、ボタン又はパフセンサ（図示せず）によって検出されるパフの強さ）に依存し得る。コンバータ２１４は、複数のドライバ装置１０４ａ、２０４ｂのそれぞれに共通である。すなわち、コンバータ２１４は、使用中の複数のドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのそれぞれにスイッチング電位ｖｓ２１６を供給するように構成されている。コンバータ２１４は、バッテリ１０４に電気的に接続されており、使用中の入力電位＋ｖ２０２を供給する。具体的には、コンバータは、入力電位＋ｖ２０２を提供するバッテリ１０４の少なくとも正の端子に電気的に接続される。直流電源又はバッテリ１０４は、使用中の入力直流電流を提供してもよく、使用中の入力電位＋ｖ２０２も提供してもよい。
【００５１】
[0051]回路１０６は、コンバータ２１４から各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのドライバコントローラ２０８ａ、２０８ｂにスイッチング電位ｖｓ２１６を供給するための供給バス２１０を含む。供給バス２１０は、複数のドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのうちの１つ又は複数にスイッチング電位ｖｓ２１６を供給するように制御可能である。具体的には、回路１０６は、使用中の複数のドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのうちの選択可能な１つ又は複数、すなわち使用中のドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのドライバコントローラ２０８ａ、２０８ｂのうちの選択可能な１つ又は複数にスイッチング電位ｖｓ２１６を供給するように供給バス２１０を制御するように構成された供給バスコントローラ２１２を含む。例えば、供給バスコントローラ２１２は、スイッチング電位ｖｓ２１６をドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのいずれにも供給しないように供給バス２１０を制御してもよい。この場合、ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのいずれも、それぞれの誘導要素１０８ａ、１０８ｂに交流電流を供給せず、したがって、サセプタ１１０の誘導加熱は生じ得ない。別の例として、供給バスコントローラ２１２は、スイッチング電位ｖｓ２１６をドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのうちの第１のドライバ装置２０４ａに供給するが、ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのうちの第２のドライバ装置２０４ｂには供給しないように供給バス２１０を制御してもよい。この場合、第１のドライバ装置２０４ａのみが、それぞれの誘導要素１０８ａに交流電流を供給してもよく、ひいてはサセプタ１１０の一部のみが誘導加熱されてもよい。別の例として、供給バスコントローラ２１２は、第１のドライバ装置２０４ａ及び第２のドライバ装置２０４ｂの両方にスイッチング電位ｖｓ２１６を供給するように供給バス２１０を制御してもよい。この場合、第１のドライバ装置２０４ａ及び第２のドライバ装置２０４ｂの両方が、それぞれの誘導要素１０８ａ、２０８ｂに交流電流を供給してもよく、ひいては例えばサセプタ１１０のより大きな部分が誘導加熱されてもよい。このようにして、供給バス２１０及び供給バスコントローラ２１２は、サセプタ１１０の誘導加熱を制御するために、ひいては例えばエアロゾル生成材料（図２には示されていない）の加熱を制御するために、ひいては例えばエアロゾル生成デバイス全体（図２には示されていない）のエアロゾル生成を制御するために提供されてもよい。
【００５２】
[0052]使用時には、ドライバコントローラ２０８ａ、２０８ｂのうちの１つ又は複数が活性化される場合、例えば、供給バスコントローラ２１２が、例えばユーザによって、スイッチング電位ｖｓ２１６をドライバコントローラ２０８ａ、２０８ｂのうちの１つ又は複数に供給するように制御される場合、各ドライバコントローラ２０８ａ、２０８ｂは、それぞれのドライバ装置２０４ａ、２０４ｂを制御して、それぞれのＬＣ回路２０５ａ、２０５ｂを通る、ひいてはそれぞれの誘導要素１０８ａ、１０８ｂを通る交流電流を駆動し、以てサセプタ１１０を誘導加熱する（エアロゾル生成材料（図２には示されていない）を加熱して、例えばユーザが吸入するためのエアロゾルを生成する）ことができる。
【００５３】
[0053]ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのトランジスタを切り替えるために必要なスイッチング電位ｖｓ２１６を供給するためのコンバータ２１４を提供すること（このスイッチング電位は、以下でより詳細に説明するように、バッテリ１０４によって提供される電位＋ｖ２０２よりも高い）は、この目的のために別個のＤＣ電源又はバッテリを提供する必要性を除去し、ひいては回路のコスト及び複雑さ、及びひいてはエアロゾル生成デバイス全体のコストを低減する。さらに、コンバータ２１４がグローバルコンバータであること、すなわち複数のドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのそれぞれに共通であること、すなわち複数のドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのそれぞれにスイッチング電位ｖｓ２１６を提供することは、各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂが、ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂにスイッチング電位ｖｓ２１６を提供するために、それ自身の個別のローカルコンバータを備える必要性を除去し、ひいては回路の複雑さ及びコストを低減することになる。
【００５４】
[0054]ここで図３を参照すると、ドライバ装置２０４ａ及び関連するＬＣ回路２０５ａのうちの１つが、例示によってより詳細に模式的に図示されている。図２を参照して上述した複数のドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのそれぞれは、図３に示した例示的なドライバ装置２０４ａと同じか、又は類似し得る。この場合、各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂは、関連する誘導要素１０８ａ、１０８ｂを含む関連するＬＣ回路２０５ａ、２０５ｂを駆動するために構成されることが理解されるであろう。
【００５５】
[0055]ドライバ装置２０４ａは、使用中に実質的に電流を流すためにスイッチング電位ｖｓ２１６によって制御可能な１つ又は複数のトランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４を含む。図３に図示された例では、ドライバ装置２０４ａは、複数のトランジスタ、具体的にはＨブリッジ構成で配置された４つのトランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４を含む（Ｈブリッジ構成で配置又は接続されたトランジスタはＨブリッジと呼ばれ得る）。Ｈブリッジ構成は、トランジスタＱ１、Ｑ２のハイサイドペア３０４と、トランジスタＱ３、Ｑ４のローサイドペア３０６とを含む。ハイサイドペア３０４の第１のトランジスタＱ１は、ローサイドペア３０６の第３のトランジスタＱ３に電気的に隣接しており、ハイサイドペア３０４の第２のトランジスタＱ２は、ローサイドペア３１４の第４のトランジスタＱ４に電気的に隣接している。ハイサイドペア３０４は、ローサイドペア３０６が接続する第２の電位ＧＮＤ２０６よりも高い第１の電位＋ｖ２０２に接続するためのものである。この例では、ドライバ装置２０４ａは、ハイサイドペア３０４のトランジスタＱ１、Ｑ２間の第１の点３２２と、ローサイドペア３０６のトランジスタＱ３、Ｑ４間の第２の点３２０と、にわたって、直流電源１０４（図３には図示せず）を接続するために構成されている。具体的には、第１の点３２２は、バッテリ（図示せず）の正の端子に接続するためのものであり、第２の点３２０は、バッテリ（図示せず）の負の端子又はグランドに接続するためのものである。したがって、使用時には、第１の点３２２と第２の点３２０との間に電位差が確立される。
【００５６】
[0056]図２と同様に、図３に示されたドライバ装置２０４ａは、誘導要素（図３には図示せず）を含むＬＣ回路２０８ａに電気的に接続され、ＬＣ回路２０８ａを駆動するように構成されている。具体的には、（ＬＣ回路２０８の一部としての）誘導要素は、ハイサイドペアのトランジスタＱ２の一方とローサイドペアのトランジスタＱ４の一方との間の第３の点３２４と、ハイサイドペアのトランジスタＱ１の他方とローサイドの第２のペアのトランジスタＱ３の他方との間の第４の点３２６と、にわたって接続されている。
【００５７】
[0057]各トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４は、使用中に電流を実質的に流すために、スイッチング電位ｖｓ２１６によって制御可能な電界効果トランジスタである。各電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４は、ソースＳ、ドレインＤ、及びゲートＧを含む。スイッチング電位は、各電界効果トランジスタのゲートに供給され、これにより、上述したように、各電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４のソースＳとドレインＤとの間を電流が流れることを可能にすることができる。したがって、各電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４は、スイッチング電位が電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４に提供される場合には、電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４が実質的に電流を流すことを許容し、スイッチング電位が電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４に提供されない場合には、電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４が実質的に電流を流すことを阻止するように構成されている。図３に示された例では、各電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４は、スイッチング電位を電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４に伝えるための関連するスイッチング電位ライン又は結線３１１、３１２、３１３、３１４を（それぞれ）有する。
【００５８】
[0058]関連するドライバコントローラ（図３ａには示されていないが、図２のドライバコントローラ２０８ａを参照）は、各電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４へのスイッチング電位の供給を制御するように構成されている。具体的には、ドライバコントローラは、各供給ライン又は結線３１１、３１２、３１３、３１４へのスイッチング電位ｖｓ２１６の供給を独立して制御するように構成され、以て、各電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４が「オン」モード（すなわち、電流が流れる低抵抗モード）であるか、又は「オフ」モード（すなわち、電流が実質的に流れない高抵抗モード）であるかを独立して制御するように構成されている。
【００５９】
[0059]それぞれの電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４へのスイッチング電位の供給のタイミングを制御することにより、ドライバコントローラ２０８ａは、関連するＬＣ回路２０５ａに交流電流が供給され、ひいては関連する誘導要素（図３ａには示されていない）に交流電流が供給されるようにしてもよい。例えば、第１の時点で、ドライバコントローラ２０８ａは、第１のスイッチング状態にあってもよく、スイッチング電位は、第１及び第４の電界効果トランジスタＱ１、Ｑ４には提供されるが、第２及び第３の電界効果トランジスタＱ２、Ｑ３には提供されない。したがって、第１及び第４の電界効果トランジスタＱ１、Ｑ４は低抵抗モードとなり、第２及び第３の電界効果トランジスタＱ２、Ｑ３は高抵抗モードとなる。したがって、この第１の時点で、電流は、ドライバ装置２０４ａの第１の点３２２から、第１の電界効果トランジスタＱ１を通って、第１の方向（図３において左から右へ）でＬＣ回路２０５ａを通って、第４の電界効果トランジスタＱ４を通って、ドライバ装置２０４ａの第２の点３２０へと流れることになる。しかし、第２の時点では、ドライバコントローラ２０８ａは、第２のスイッチング状態になっていてもよく、第２及び第３の電界効果トランジスタＱ２、Ｑ３にはスイッチング電位が供給されるが、第１及び第４の電界効果トランジスタＱ１、Ｑ４には供給されない。したがって、第２及び第３の電界効果トランジスタＱ２、Ｑ３は低抵抗モードとなり、第１及び第４の電界効果トランジスタＱ１、Ｑ４は高抵抗モードとなる。したがって、この第２のタイミングで、電流は、ドライバ装置２０４の第１の点３２２から、第２の電界効果トランジスタＱ２を通って、第１の方向とは反対の第２の方向（すなわち、図３において右から左へ）でＬＣ回路２０５ａを通って、第３の電界効果トランジスタＱ３を通って、ドライバ装置２０４の第２の点３２０へと流れることになる。したがって、第１のスイッチング状態と第２のスイッチング状態とを交互にすることにより、ドライバコントローラ２０８ａは、ＬＣ回路２０５ａを介して、ひいては誘導要素１０８ａを介して交流電流を供給する（すなわち駆動する）ようにドライバ装置２０４ａを制御し得る。同じ制御スキームが、他のＬＣ回路２０５ｂの他の誘導要素１０８ｂに関連付けられた他のドライバ装置２０４ｂに対して、他のドライバコントローラ２０８ｂによって採用されてもよいことが理解されるであろう。
【００６０】
[0060]トランジスタＱ１、Ｑ２のハイサイドペアの少なくとも１つは、ｎチャネル電界効果トランジスタであり、例えば、エンハンスメントモードのｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタである。具体的には、本実施例では、ハイサイドペアのトランジスタＱ１、Ｑ２の両方がｎチャネル電界効果トランジスタである。同様に、本実施例では、ローサイドペアのトランジスタＱ３、Ｑ４の両方が、ｎチャネル電界効果トランジスタであり、例えばエンハンスメントモードのｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタである。
【００６１】
[0061]また、上述したように、ｎチャネルＦＥＴの場合、ドレイン端子Ｄは、ソース端子Ｓよりも高い電位に配置され（すなわち、正のドレイン−ソース間電圧、言い換えれば負のソース−ドレイン間電圧が存在する）、ｎチャネルＦＥＴを「オン」にするために（すなわち、電流が流れるように）、ゲート端子Ｇに印加されるスイッチング電位は、ソース端子Ｓの電位よりも高い必要がある。ハイサイドペア３０４のトランジスタＱ１、Ｑ２はｎチャネル電界効果トランジスタであるので、ドライバ装置２０４ａの動作中の特定の時間において、これらのｎチャネル電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２のソース端子Ｓに印加される電位は、＋ｖ２０２である。したがって、これらのトランジスタをオンにするためにこれらのトランジスタのゲートＧに提供されるスイッチング電位ｖｓ２１６は、＋ｖ２０２よりも高い（すなわち、ＤＣ電源１０４の正端子によって提供される電位よりも高い）必要がある。コンバータ２１４は、供給バス２１０及びドライバコントローラ２０８ａを介して、そのようなスイッチング電位ｖｓ２１６をハイサイドのｎチャネル電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２に提供し、以てこれらのトランジスタの適切な動作を可能にする。
【００６２】
[0062]ローサイドペア３０６のｎチャネル電界効果トランジスタＱ３、Ｑ４については、これらのソース端子Ｓに印加される電位はＧＮＤ２０６となる。したがって、ローサイドペア３０６のｎチャネル電界効果トランジスタＱ３、Ｑ４については、ｎチャネル電界効果トランジスタＱ３、Ｑ４を「オン」にするためにｎチャネル電界効果トランジスタＱ３、Ｑ４のゲート端子Ｇに印加されるスイッチング電位は、必ずしも＋ｖ２０２よりも高い必要はなく、ＧＮＤ２０６よりも高い任意の電位であってもよい。それにもかかわらず、ハイサイドペア３０４のｎチャネル電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２に使用されるスイッチング電位ｖｓ２０２は、このスイッチング電位ｖｓ２１６がＧＮＤ２０６よりも高いので、ローサイドペア３０６のｎチャネル電界効果トランジスタＱ３、Ｑ４にも使用することができる。したがって、複数のドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのそれぞれに共通するコンバータ２１４によって提供されるスイッチング電位ｖｓ２１６は、ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのそれぞれのｎチャネル電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４のそれぞれのスイッチング電位ｖｓ２１６として使用することができ、したがって、例えば、各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのために別個のコンバータを提供する場合と比較して、又は、例えば、各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのトランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４の異なるものに対して異なるスイッチング電圧を提供する場合と比較して、回路の複雑さ及びそれゆえにコストを低減することができる。
【００６３】
[0063]上述したように、ｎ−ＭＯＳＦＥＴのようなｎチャネルＦＥＴは、典型的には比較的低いソース−ドレイン抵抗を有し、使用中に比較的少ない熱を生成させ、ひいては動作中に比較的少ないエネルギーを消費する。したがって、ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのトランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４の１つ又は複数（又はそれぞれ）として、ｎ−ＭＯＳＦＥＴのようなｎチャネルＦＥＴを使用することにより、効率的な動作を提供することができる。
【００６４】
[0064]さらに、上述したように、ｎ−ＭＯＳＦＥＴのようなｎチャネルＦＥＴは、典型的には、比較的短いスイッチング時間（例えば、ゲート端子Ｇに提供されるスイッチング電位を変化させてから、電流が流れるか否かをＦＥＴが変化させるまでの特性応答時間）を有し、これにより、比較的高いスイッチングレートを可能にすることができる。例えば、ｎ−ＭＯＳＦＥＴのターンオフ遅延時間は、７０ｎｓであってもよい。したがって、ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのトランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４の１つ又は複数（又はそれぞれ）としてｎ−ＭＯＳＦＥＴのようなｎチャネルＦＥＴを使用することにより、関連する誘導要素１０８ａ、１０８ｂを比較的高い周波数で駆動することができ、これは、例えば、より柔軟な動作を提供し得る。
【００６５】
[0065]さらに、各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂの動作中に、ハイサイドペア３０４の第１のトランジスタＱ１及びローサイドペアの第３のトランジスタＱ３（又はハイサイドペア３０４の第２のトランジスタＱ２及びローサイドペアの第４のトランジスタＱ４の両方）がともにオープン又は「オン」である場合に、かなりの量の電流が、誘導要素１０８ａ、１０８ｂを流れることなく、ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂを通って瞬間的に伝導され得る短い時間が存在し得る。この損失は、「シュートスルー」と呼ばれ、１サイクルにつき２回発生し得る。シュートスルー損失は、例えばスイッチング周期がトランジスタのスイッチング時間に匹敵するようになるとき、より高いスイッチング周波数（より短いスイッチング周期）でより高くなり得る。したがって、ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂのトランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４の１つ又は複数（又はそれぞれ）として、（スイッチング時間が比較的短い）ｎ−ＭＯＳＦＥＴのようなｎチャネルＦＥＴを使用することにより、シュートスルー損失を最小化することができ、ひいてはより効率的な動作を提供することができる。
【００６６】
[0066]上記の例では、各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂの各トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４は、ｎチャネル電界効果トランジスタであった。しかしながら、これは必ずしもそうである必要はなく、他の例では、各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂは、使用中にそのトランジスタを電流が実質的に流れることを可能にするために、コンバータ２１４によって提供されるスイッチング電位によってそれぞれ制御可能な１つ又は複数の第１のトランジスタを含み得ることが理解されるであろう。それにもかかわらず、コンバータ２１４が複数のドライバ装置２０４ａ、２０４のそれぞれに対して共通であることによるコスト及び／又は複雑さの低減の利点が提供され得る。
【００６７】
[0067]上記の例では、各ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂは、Ｈブリッジ構成で配置された４つのトランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４を含んでいたが、他の例では、ドライバ装置２０４ａ、２０４ｂの１つ又は複数は、Ｈブリッジ構成の一部であってもなくてもよいさらなるトランジスタを含み得ることが理解されるであろう。
【００６８】
[0068]上記実施例では、電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４は、空乏モードの金属酸化物電界効果トランジスタであったが、これは必ずしもそうである必要はなく、他の実施例では、他のタイプの電界効果トランジスタが使用されてもよいことが理解されるであろう。
【００６９】
[0069]上記の実施例は、本発明の例示的な例として理解されるべきである。任意の１つの実施例に関連して記載された任意の特徴は、単独で、又は記載された他の特徴と組み合わせて使用されてもよく、また、任意の他の実施例の１つ又は複数の特徴と組み合わせて使用されてもよく、又は任意の他の実施例の任意の組合せと組み合わせて使用されてもよいことが理解されるべきである。さらに、上記に記載されていない等価物及び変更も、添付の特許請求の範囲に定義されている本発明の範囲から逸脱することなく採用し得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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