(57)【要約】  本発明は、キャリア基板（１）と、設置空間（１ａ）を取り囲むように前記キャリア基板上に配置され、前記キャリア基板から離れて面する面に出口開口を有するスペーサ（３）と、前記設置空間内に配置された光学部品（２）と、前記設置空間の外側に配置された外部接触に前記光学部品を導電的に接続する接触接続と、前記スペーサ上に配置され、光透過可能な方法で前記出口開口を覆うカバー基板（４）と、異方性エッチングされたシリコン部品上に形成され、前記設置空間に対向する前記キャリア基板の表面に対して約４５°の傾斜面として前記設置空間内に配置された光反射面であり、当該光反射面上に水平方向に放射された光は、前記開口および前記カバー基板を通って垂直方向に、またその逆に放射され得るような光反射面（６）と、を備える、部品配置体に関する。また本発明は、部品配置体を製造する方法のみならず、パッケージ、パッケージ配置体および製造方法に関する。
2021513226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア基板と、
設置空間を取り囲むように前記キャリア基板上に配置され、前記キャリア基板から離れて面する面に出口開口を有するスペーサと、
前記設置空間内に配置された光学部品と、
前記設置空間の外側に配置された外部接触に前記光学部品を導電的に接続する接触接続と、
前記スペーサ上に配置され、光透過可能な方法で前記出口開口を覆うカバー基板と、
異方性エッチングされたシリコン部品上に形成され、前記設置空間に対向する前記キャリア基板の表面に対して約４５°の傾斜面として前記設置空間内に配置された光反射面であり、当該光反射面上に水平方向に放射された光は、前記開口および前記カバー基板を通って垂直方向に、またその逆に放射され得るような光反射面と、
を備える、部品配置体。
【請求項２】
前記異方性エッチングされたシリコン部品は、前記スペーサによって取り囲まれた前記設置空間内に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の部品配置体。
【請求項３】
前記スペーサは、前記異方性エッチングされたシリコン部品を用いて、少なくとも部分的に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の部品配置体。
【請求項４】
前記スペーサの第１壁面は、前記設置空間に対向し、前記光反射面を有する領域の外側に配置され、４５°とは異なる第１角度で前記垂直方向に対して傾斜することを特徴とする、請求項３に記載の部品配置体。
【請求項５】
前記スペーサの第２壁面は、前記第１壁面とは異なり、前記設置空間に対向し、前記光反射面を有する領域の外側に配置され、第１角度とは異なり、４５°とは異なる第２角度で前記垂直方向に対して傾斜することを特徴とする、請求項４に記載の部品配置体。
【請求項６】
前記カバー基板は、少なくとも部分的に前記設置空間を埋めることを特徴とする、先行する請求項の少なくとも１つに記載の部品配置体。
【請求項７】
前記光反射面は、表面側ミラーコーティングを有することを特徴とする、先行する請求項の少なくとも１つに記載の部品配置体。
【請求項８】
前記光学部品は、横断光の出口／入口を有し、これを通じて光が水平方向に出射／入射できることを特徴とする、先行する請求項の少なくとも１つに記載の部品配置体。
【請求項９】
前記光学部品は、前記キャリア基板上に配置されたサブマウント上に配置されることを特徴とする、先行する請求項の少なくとも１つに記載の部品配置体。
【請求項１０】
異方性エッチングにより、シリコン単結晶から異方性エッチングされたシリコン部品を製造する工程と、
前記異方性エッチングされたシリコン部品を使用して、先行する請求項の少なくとも１つに記載の部品配置体を製造する工程と、
を含み、
前記異方性エッチングされたシリコン部品を製造する工程では、前記シリコン単結晶は、約４５°の傾斜を有する１１１結晶面が形成されるように、１００結晶方向に対して約９．７°傾けられ、
前記部品配置体を製造する工程では、前記光反射面は、約４５°の傾斜を有する前記１１１結晶面を用いて前記部品配置体に形成される、部品配置体を製造する方法。
【請求項１１】
請求項１から９の少なくとも１つに記載の部品配置体と、前記部品配置体が収容される筐体とを有するパッケージ。
【請求項１２】
前記筐体に関して、前記筐体の上面から見て、前記出口開口の領域における実質的に中心に光の出射／入射が形成されることを特徴とする、請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の複数のパッケージの平坦な配置を有するパッケージ配置体。
【請求項１４】
前記パッケージは、ウェハレベルパッケージングにより製造されることを特徴とする、請求項１０または１１に記載のパッケージを製造するための製造方法。
【請求項１５】
前記パッケージ配置体は、ウェハレベルパッケージングにより製造されることを特徴とする、請求項１３に記載のパッケージ配置体を製造するための製造方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、部品配置体、パッケージおよびパッケージ配置体、ならびに製造方法に関する。
【０００２】
〔背景〕
部品配置体に関連して、例えば、光を放射または吸収する光学部品を筐体内に配置することが知られている。部品配置体は、パッケージを製造するために使用することができる。
【０００３】
このような部品配置体の製造方法は例えば、文書ＷＯ２０１１／０３５７８３  Ａ１から公知である。スペーサは、部品が配置された設置空間をスペーサが取り囲むようにキャリア基板上に配置される。スペーサの上にカバー基板を置くことにより、設置空間を閉じる。カバー基板には、光透過性の出口開口を設けることができ、これを介して光を放出または受け取ることができる。設置空間に対向するスペーサの壁面には、光反射ミラーコーティングを提供するためにメタライゼーションを設けることができる。
【０００４】
文書ＷＯ２０１６／０５５５２０  Ａ１は、底面と側壁とを有するキャビティを有するキャリアを備える筐体を有するレーザ部品用のパッケージを製造する方法を記載している。キャビティは、底面を起点に広がる。キャビティ内において、底面上にレーザチップを配置し、その発光方向を底面と平行に配向させる。反射素子もキャビティ内に配置され、このキャビティは、反射素子が底面と側壁との間のエッジ上に載置される。反射素子の反射面は、キャビティの底面と４５度の角度を形成する。また、放射方向は、反射素子の反射面を４５度の角度で囲む。
【０００５】
部品配置体は、文書ＷＯ２０１７／１４９５７３  Ａ１からも公知である。
【０００６】
文書ＵＳ７  １７７  ３３１  Ｂ２では、ＴＯ筐体として知られるものにレーザダイオードが取り付けられる。
【０００７】
〔概要〕
本発明の目的は、光ビームの改良された光の伝導または偏向が光学部品を備えた設置空間内で提供される、部品配置体、パッケージ、ならびにパッケージ配置体および製造方法を提供することである。
【０００８】
この物体は、独立請求項１、１１、および１３に記載の部品配置体、パッケージ、ならびにパッケージ配置体によって解決される。さらに、独立請求項１０、１４、および１５に記載の、部品配置体、パッケージ、およびパッケージ配置体を製造するための方法が提供される。
【０００９】
一態様によれば、部品配置体は、以下の、キャリア基板と、設置空間を取り囲むようにキャリア基板上に配置され、キャリア基板から離れて面する面に出口開口を有するスペーサと、設置空間内に配置された光学部品と、設置空間の外側に配置された外部接触に光学部品を導電的に接続する接触接続と、スペーサ上に配置され、光透過可能な方法で出口開口を覆うカバー基板と、異方性エッチングされたシリコン部品上に形成され、設置空間に対向するキャリア基板の表面に対して約４５度の傾斜面として設置空間内に配置された光反射面であり、当該光反射面上に水平方向に放射された光は、開口およびカバー基板を通って垂直方向に、またその逆に放射され得るような光反射面と、を有するように提供される。
【００１０】
さらなる態様によれば、部品配置体と、部品配置体が収容される筐体とを有するパッケージ、ならびに複数のパッケージの平坦な配置を有するパッケージ配置体が提供される。
【００１１】
別の態様は、異方性エッチングによって、シリコン単結晶から異方性エッチングされたシリコン部品を製造する工程であって、シリコン単結晶は、約４５度の傾斜を有する１１１結晶面が形成されるように、１００結晶方位に対して約９．７度傾けられる工程と、異方性エッチングされたシリコン部品を用いて、部品配置体を製造する工程であって、光反射面は、約４５度の傾斜を有する１１１結晶面を用いて部品配置体に形成される工程と、を有する部品配置体を製造する方法に関する。
【００１２】
追加の態様によれば、パッケージを製造するための方法、ならびにパッケージ配置体を製造するための方法が提供され、パッケージ／パッケージ配置体は、例えば、ウェハレベルパッケージングにより、パネル内に製造される。
【００１３】
提案された技術の助けにより、部品配置体に設けられた設置空間内で水平方向に走行する光ビームを、水平方向に対して約４５度傾斜した光反射面で偏向させることができ、逆もまた同様である。このように光学部品から放出された光は、出口開口を通って光線を放射するために水平方向から垂直方向に偏向させることができる。逆に、出口開口を通って垂直方向に入射した光は、光反射面で水平方向に偏向させることができる。光反射面には、このシリコン部品の表面として異方性エッチングされたシリコン部品が設けられる。
【００１４】
光学部品は、例えば、発光ダイオードまたは光吸収フォトダイオード、例えば、アバランシェフォトダイオードまたはレーザダイオードとして、発光部品または光吸収部品として設計することができる。
【００１５】
発光部品は、指向性を有し且つ束ねられた形態で、例えば、任意のビーム発散角（ビーム拡幅）を伴う強度最大の中心発光を伴う実質的に指向性を有するレーザ放射の形で、光ビームを発光するように設計することができる。
【００１６】
提案された技術は、放射された光ビームの出射または受信された光ビームの入射が、垂直方向に起こることができるように、設置空間内に光学部品を配置することを可能にする。光線を垂直方向（キャリア基板の表面に対して）に放射するためには、従来技術とは対照的に、従来技術（例えば、ＵＳ  ７  １７７  ３３１  Ｂ２を参照）に設けられているような光学部品を設置空間内に立位で配置する必要はない。提案した技術の助けにより、部品配置体の全体的な高さを減らすことができ、組み立てを簡素化することができる。
【００１７】
接触接続は、キャリア基板を通るフィードスルー接続を有することができ、外部接触は、キャリア基板の下側に配置することができる。
【００１８】
設置空間から横方向に、例えば、設置空間に対向するキャリア基板の表面上に引き出される接触接続を設けることができ、具体的には、横方向に引き出された接触接続が、キャリア基板とスペーサとの間を通過することによって形成されるようにすることができる。接触接続は、複数の個々の接触接続を備えることができる。
【００１９】
異方性エッチングされたシリコン部品の接触面は、設置空間に対向するキャリア基板の表面に対して実質的に平行とすることができる。この実施形態において、光反射面は、接触面に対して約４５度の角度で傾斜している。
【００２０】
異方性エッチングされたシリコン部品は、スペーサで囲まれた設置空間内に配置することができる。ここで、異方性エッチングされたシリコン部品は、その上に光反射面が設けられており、スペーサから離れた設置空間に別々におよび離れた位置に配置することができ、具体的には、異方性エッチングされたシリコン部品とその設置空間を取り囲むスペーサとの接触がないように配置することができる。
【００２１】
スペーサは、異方性エッチングされたシリコン部品により、少なくとも部分的に形成することができる。この代替としての実施形態において、異方性エッチングされた部品は、スペーサを部分的にまたは完全に形成する。一実施形態において、設置空間を囲むスペーサは、設置空間の周囲の異方性エッチングされたシリコン部品から、例えば、１ピースの異方性エッチングされたシリコン部品として、完全に形成されてもよい。様々な実施形態において、設置空間に対向するスペーサの内壁面は、少なくとも光反射面の領域において、約４５度の傾斜を有する。これらの実施形態または他の実施形態の場合、スペーサは、設置空間を連続的に取り囲む一体型フレームとして形成することができる。
【００２２】
設置空間に対向し、光反射面を有する領域の外側に配置されたスペーサの第１壁面は、４５度とは異なる第１角度で垂直方向に対して傾斜させることができる。設置空間に対向するスペーサの壁面は、光反射面の領域において約４５度の傾きを有するのに対し、光反射面がある領域の外側の第１壁面は、これとは異なる角度、例えば約６４．５度で傾いている。スペーサの第１壁面は、光反射面の反対側に配置することができる。
【００２３】
スペーサの第２壁面は、第１壁面とは異なり、設置空間に対向し、および光反射面を有する領域の外側に配置され、第１角度とは異なり、４５度とは異なる第２角度で垂直方向に対して傾斜させることができる。４５度とは異なる傾斜角を有する第１壁面および／または第２壁面は、異方性エッチングされたシリコン部品によって形成されるスペーサの一部、またはそのような部分の外側に配置することができる。例えば、第２角度は、約５５．３度とすることができる。第２壁面は、光反射面および／または第１壁面に隣接するスペーサの一部に配置することができる。互いに向かい合う壁面は、第２角度の傾斜を伴って形成することができる。あるいは４５度と異なる壁面は、他の角度で設計することもできる。
【００２４】
スペーサは、異方性エッチングされたシリコン部品を使って、１ピースまたは複数ピースのフレームとして形成することができ、これは、設置空間を連続的に完全に取り囲んでいる。平面図において、フレームは、フレームによって取り囲まれる通路の上側開口および／または下側開口の領域のいずれかにおいて、略台形の形状を有することができる。上側開口または下側開口がそれぞれ略台形の形状を有する場合、上側および下側の開口のエッジは、通路の１つまたは複数の側面のいずれか、特に全ての側面において、互いに対をなして平行に延びることができる。一実施形態における台形の形状は、通路の全幅にわたってではなく、実質的に通路の全幅の１／３未満の幅にわたって形成することができる。
【００２５】
４５度ミラー面を備えた側の（通路のコーナー領域内の）開角は、それぞれ約８３．２度であり得る。反対側では、角度はそれぞれ約９６．８度である。異方性エッチングされたシリコン部品に、このタイプの複数の開口が設けられ、それぞれが１つまたは複数の光学部品を収容するための別々に形成された設置空間を有する設計を提供することができる。
【００２６】
カバー基板は、設置空間を少なくとも部分的に埋めることができる。カバー基板は、設置空間を部分的または完全に埋めることができる。例えば、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂は、カバー基板として設置空間に導入することができる。あるいは設置空間は、カバー基板を含まず、設置空間は、光学部品が配置された中空空間として設計することができる。特に、出口開口の下の中空空間の一部は、カバー基板を含まないようにすることができる。
【００２７】
光反射面は、表面側反射コーティングを有することができる。表面側反射コーティングは、例えば、メタライゼーションまたは誘電体ミラーにより生成することができる。
【００２８】
光学部品は、横方向の光の出口／入口を有することができ、この出口／入口を通って、光は、水平方向に出入りすることができる。入射光線または出射光線は、水平方向と垂直方向との間の、またはその逆の偏向が生じるように、光反射面で偏向される。光学部品が発光ダイオードとして設計されている場合、放射された光ビームは、横方向の光の出口を通って出射する。光学部品がフォトダイオードとして設計される場合、入射光線は、横方向の光の入口、例えば入射窓を通って水平方向に入射する。
【００２９】
光学部品は、キャリア基板上に配置されたサブマウント上に配置することができる。サブマウントは、例えば炭化ケイ素または窒化アルミニウムから作ることができる。
【００３０】
部品配置体を製造する方法において、湿式化学エッチングにより、例えば水酸化カリウム溶液（ＫＯＨ）を用いたエッチングによって、異方性エッチングされたシリコン部品を製造してもよい。シリコンの異方性エッチングのための別の適切なエッチング溶液は、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）である。
【００３１】
パッケージを製造する、および／またはパッケージ配置体を製造するという目的のために、パネルまたはウェハレベルでパッケージを使用することができる。
【００３２】
ウェハレベル処理を用いて製造する場合、１つ以上の円周シリコンフレーム、キャップ基板全体、および／または４５度傾斜した反射面を有する単一または複数の素子をウェハレベルで製造することができる。利点は、多くの部品／キャップをウェハレベルで同時に製造できることである。パッケージングのための個々のキャップは、分離後に、例えばキャップ基板を切断することによって製造される。部品は、チップまたは部品が予め組み立てられている基板に分離されたキャップを適用することによってパッケージングすることができる。また部品は、パネル内で予め組み立てることができ、すなわち複数の部品はキャリア基板上に既に実装されており、次いで、単一のキャップまたはキャップアレイ（ウェハレベルで製造されたキャップ基板から複数のキャップ構造を有する分離されたパネル）を適用することによってパッケージされる。ここで使用される意味でのウェハレベルのパッケージングは、次に、ウェハ形状のカバー基板を用いて、一工程でウェハ上のすべての部品をパッキング（パッケージング）することを言う。例えば、これは、部品が貫通メッキ基板、例えば、ウェハ形状のシリコン基板上に完全に事前に組み立てられ、次いで、全ての部品がキャップウェハ上の接合によって同時にパッケージされる場合に当てはまる。次に、複合体を引き続いて分離することによって、個々のパッケージが提供される。
【００３３】
パッケージに関連して、部品配置体が収容される筐体に関して、筐体の上面から見て、光は、出口開口／入口開口の領域において実質的に中心から出射するか、または入射してもよい。このようにして、実質的に中心の発光／光吸収がパッケージに関して実現される。
【００３４】
カバー基板は例えば、Ｓｃｈｏｔｔ  ＡＧ製のＢｏｆｏｆｌｏａｔ３３またはＭｅｍｐａｘなどのホウケイ酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、またはＳｃｈｏｔｔ  ＡＧ製のＡＦ３２、Ｄ２６３Ｔ、ＢＫ７またはＢ２７０などの他のガラス、Ｃｏｒｎｉｎｇ製のＥａｇｌｅ  ＸＧまたはＰｙｒｅｘ、Ｈｏｙａ製のＳＤ２、またはＡｓａｈｉ製のＥＮ−Ａ１からなることができる。しかしながら、カバー基板は例えば、ＩＲレンジでの適用のために、シリコンまたはゲルマニウムで作ることもできる。カバー基板はさらに、基板コーティング、例えば反射防止コーティングを有することができる。コーティングは異なる波長範囲用に設計することができ、片面または両面に設けることができる。異なる波長範囲のためのフィルタコーティングおよび／または不透明なアパーチャ構造を提供することもできる。
【００３５】
さらに、一実施形態では、光学素子の一体化、例えば、カバー基板上のレンズが提供され得る。ここで、例えば、ポリマー、ガラス状材料、シリコン、またはゲルマニウムで作られた凸レンズが考えられる。微細構造フレネルレンズの使用も可能である。
【００３６】
１つ以上の貫通接触が、光学部品の電気接触のためにキャリア基板に設けられる。裏面における接触は、例えば、錫／銀ウェーブはんだ付けまたは導電性接着剤を用いた組み立てによる、ＳＭＤ構成における後の組み立てを可能にする。
【００３７】
キャリア基板は例えば、シリコン、窒化アルミニウムなどのセラミック、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、ＬＴＴＣセラミック（低温共焼成セラミック）またはＨＴＣＣセラミック（高温共焼成セラミック）、ガラスまたはＤＢＣ（直接結合銅）基板から成ることができる。さらに、金属基板、例えば、銅、アルミニウムまたは他の金属で作られたＩＭＳ（絶縁金属基板）を用いて提供することができる。ＦＲ４のようなプラスチックで作られたキャリア基板の使用も考えられる。
【００３８】
スペーサとキャリア基板との間の接続は例えば、はんだ付け結合を用いて、好ましくは共晶結合により、行うことができる。この目的のために、好ましくは共晶組成の金属の組み合わせ、例えば、金および錫、銅および錫、金およびゲルマニウム、錫および銀、金およびインジウム、銅および銀、または金およびケイ素が、キャリア基板またはスペーサの裏面に塗布され、はんだ付けプロセスにおいて共晶接合相を形成し、スペーサをキャリア基板に接続する。スペーサおよびキャリア基板は、はんだ付けプロセスのための適切なベースメタライゼーションが設けられている。共晶接合のための金属の組み合わせは、例えばプリフォームとして提供することができる。もう一つの方法として、金属の組み合わせは、ペーストとして、または接合パートナーの１つに電気的に適用され得る。
【００３９】
合金ストップとして知られているものを、例えば金属薄層の場合に、実際の接合相の下に配置するように設けることができる。従って、例えば、白金またはニッケルの層、もしくはクロムとニッケルの合金は、金とスズの共晶接合に適している。
【００４０】
Ｒａ＜１ｎｍの非常に高い表面品質を使用することによって、直接結合法を使用することもできる。これは、結合パートナーの表面性質に関して疎水性または親水性である直接融合結合であり得る。２つの結合パートナーは最初に、予備結合を介してファンデルワールス結合によって互いに接続される。その後のアニーリング工程において、共有結合は、結合界面に形成される。融合結合は、プラズマ活性化することもできる。これにより、アニーリング時の温度負荷を大幅に低減することが可能となる。陽極結合は、さらなる直接結合法として提供することができる。
【００４１】
記載された方法の代替として、反応性結合プロセスを使用することもできる。反応性結合において、交互層の金属積層が適用される。この金属積層は例えば、スパッタリングなどの蒸着法によって、または膜の形態で提供することができる。電気的またはレーザ誘起パルスは、２つの結合パートナーを「溶接」する高熱反応の短期間生成につながる。金属層は例えば、パラジウムおよびアルミニウム、または酸化銅およびアルミニウムの二重層周期である。
【００４２】
さらに、例えば、金およびインジウム、金およびスズ、または銅およびスズの金属の組み合わせから、固液相互拡散結合を使用することができる。この方法では、結合プロセスがアニーリング工程中に、一方の結合パートナーの他方への拡散によって決定される。実際の接合相は、その後、より高い温度に耐える。さらに、永久的な接続は例えば、（例えば）熱圧着により、金と金、銅と銅、またはアルミニウムとアルミニウムを接合することによって行うことができる。ガラスフリット結合を提供することもできる。
【００４３】
透明基板の場合、接合面の表面品質が適切であれば、レーザ溶接法を用いてキャリア基板とスペーサを接続することができる。エポキシ樹脂、シリコーン樹脂または他の接着剤を使用することも考えられる。
【００４４】
例えば、直接結合法を用いてスペーサとカバー基板とを接続することができる。このような方法は例えば、陽極結合または融合結合である。反応性結合または接着結合も使用することができる。さらに、ここでは、固液相互拡散結合も使用することができる。レーザ溶接は、スペーサとカバー基板との接合にも適している。ここでは、２つの基板を「光学接触」させた後、レーザを用いて一緒に溶接する。スペーサとカバー基板とを接合するためにも、スペーサとキャリア基板とに対して上述した接合方法の全てを使用することが考えられる。
【００４５】
したがって、部品配置体に関連して説明した実施形態は、部品配置体を製造する方法に関連して提供することができる。
【００４６】
〔例示的な実施形態の説明〕
以下、図面を参照して、さらなる例示的な実施形態をより詳細に説明する。
【００４７】
図面において、
図１は、光学部品が設置空間に配置され、キャリア基板を通る接触接続を介した外部接触に接続される部品配置体を示す図である。
【００４８】
図２は、光学部品が設置空間に配置され、横方向に引き出された接触接続を介して外部接触に接続される部品配置体を示す図である。
【００４９】
図３は、光学部品を有する設置空間がカバー基板で埋められる部品配置体の模式図を示す。
【００５０】
図４は、カバー基板にクラッドが形成され、これによって光学部品を備えた設置空間が埋められる部品配置体の模式図を示す。
【００５１】
図５は、スペーサから離れて設置空間内に配置された異方性エッチングされたシリコン部品により、光反射面が設置空間内に提供される部品配置体の模式図を示す。
【００５２】
図６は、異方性エッチングされたシリコン部品によってスペーサが形成され、フレームとして形成されたスペーサの模式図を示す。
【００５３】
図７ａは、補償構造を有する異方性湿式化学エッチングプロセスのために選択されるマスキング開口であり、エッチングされたフレーム構造の光学顕微鏡からの平面図を示す。
【００５４】
図７ｂは、補償構造を有する異方性湿式化学エッチングプロセスのために選択されるマスキング開口であり、さらなるエッチングされたフレーム構造の光学顕微鏡からの平面図を示す。
【００５５】
図８は、複数の開口を有するウェハの断面の模式図を示し、各開口は、キャップアレイを製造するための部品配置体を形成するために使用することができる。
【００５６】
図９は、各々が異方性エッチングされたシリコン部品で形成されたスペーサの模式図を示し、フレーム形状におけるミラー表面の中心位置決めは、光の中心の出射/入射を可能にする。
【００５７】
図１０は、異方性エッチングされたシリコン部品によって形成されたスペーサを含む配置体の模式図を示し、その上にカバー基板が配置され、スペーサは裏面に構造化した結合表面、例えばメタライゼーションを有する裏面を有する。
【００５８】
図１１は、光を結合／分離するために、ガラス繊維の一部が光反射面の反対側に配置される配置体の模式図を示す。
【００５９】
図１２は、２つの個々のミラー素子が筐体内に配置された配置体の模式図を示す。
【００６０】
図１３は、パネルまたはウェハレベルのパッケージングによって製造された２つの部品の模式図を示す。
【００６１】
図１４は、設置空間が、約５４．７度のミラー表面のフランク角を有するスペーサ素子によって形成される配置体の模式図を示す。
【００６２】
図１５は、スペーサ素子とキャリア基板とが一体に形成され、貫通接触が乾式エッチングプロセスにより、提供される部品の模式図を示す。
【００６３】
図１６は、スペーサ素子とキャリア基板とが一体に形成され、貫通接触が湿式化学エッチングエッチングプロセスにより、提供される部品の模式図を示す。
【００６４】
図１７は、４５度のミラー面を除いて、設置空間の壁がほぼ垂直である部品の模式図を示す。
【００６５】
図１８は、カバー基板上にレンズが配置された部品配置体の概略図を示す。
【００６６】
図１９は、単一のミラー素子と組み合わされたミラー平面を有する円周スペーサ素子を有する部品配置体の概略図を示す。
【００６７】
図２０は、異方性エッチングされたシリコン部品として設計されるスペーサの下側開口がほぼ垂直な面取りを備えて設計される、部品配置体の模式図を示す。
【００６８】
図２１は、異方性エッチングされたシリコン部品として設計されるスペーサ内の下側開口がスペーサの表面に対してアンダーカットを備えて設計される、部品配置体の模式図を示す。
【００６９】
図１は、光学部品２を設置空間１ａ内のキャリア基板１上に配置した部品配置体を示している。光学部品２は例えば、発光ダイオードまたは受光ダイオード、例えばレーザダイオードやフォトダイオードである。シリコンからなるスペーサ３が設けられる。スペーサ３上にはカバー基板４が配置される。
【００７０】
この光学部品２は、例示的な実施形態においては、例えば炭化ケイ素または窒化アルミニウムで作られたサブマウント５上に実装される。あるいは、光学部品２がキャリア基板１上に直接配置されてもよい。光学部品２は、例えば金とスズの共晶はんだ付けにより、サブマウント５上に、またはキャリア基板１上に直接的に取り付けられる。しかし、金またはインジウム結合もしくは焼結結合などの他の処理も使用することができる。チップは、フリップチッププロセス、ワイヤ結合と接触させること、ワイヤ結合と組み合わせて接地接触させること、のいずれかによって実装することができる。
【００７１】
シリコンスペーサ３は、１００結晶方位（オフ配向）に対して約９．７度傾けられたシリコン単結晶から異方性ＫＯＨエッチングによって製造される。その結果、表面に対して約４５度の角度で勾配６を有する１１１結晶面が形成される。そして反対側の平面は、約６４．５度の角度で形成される。側面の結晶面は例えば、約５５．３度の角度を有することができる。
【００７２】
異方性エッチングされたシリコン部品として設計されたスペーサ３は、図示の実施形態において、金属ミラーコーティング６ａを有する。あるいは、別の光学（光反射）層、例えば、特定の波長用の誘電体ミラーを設けることもできる。任意選択の金属ミラーコーティング６ａの場合、ＵＶレンジではアルミニウム、可視レンジでは銀、ＩＲ／ＮＩＲレンジでは金が使用される。金属銅ミラーコーティングは、「赤色」波長範囲（約６００ｎｍより大きい波長）から有利である。代替的に、キャビティ内の傾斜する側壁には、異なるコーティングを設けることもできる。例えば、４５度とは異なる側壁には、設置空間での反射を避けるために、所望の波長範囲に対して特に不透明／光吸収層を設けることができる。
【００７３】
自然に成長した単結晶１１１面（光反射面／ミラー面）は、４５度に傾斜し、上述の湿式化学エッチングプロセスによって生成され、機械加工または乾式エッチング方法などの他の製造方法と比較して非常に滑らかである。これにより、散乱が非常に低く、損失が低いビームの偏向が生じる。
【００７４】
また、キャリア基板１にマウントされる光学部品２は、側面発光部品、例えばレーザダイオードとすることができる。４５度の勾配６は、光学部品２から横方向に水平に出射する光が適切な偏向により、垂直に放射されることを可能にする。
【００７５】
カバー基板４は例えば、Ｓｃｈｏｔｔ  ＡＧ製のＢｏｒｏｆｌｏａｔ３３またはＭｅｍｐａｘなどのホウケイ酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、またはＳｃｈｏｔｔ  ＡＧ製のＡＦ３２、Ｄ２６３Ｔ、ＢＫ７またはＢ２７０などの他のガラス、Ｃｏｒｎｉｎｇ製のＥａｇｌｅ  ＸＧまたはＰｙｒｅｘ、Ｈｏｙａ製のＳＤ２、またはＡｓａｈｉ製のＥＮ−Ａ１からなることができる。カバー基板４は例えば、ＩＲレンジでの適用のために、シリコンまたはゲルマニウムからなることもできる。カバー基板４はさらに、基板コーティング、例えば、反射防止コーティングまたはフィルタコーティングを有することができる。コーティングは、片面または両面の異なる波長範囲に合わせて設計することができ、必要に応じて構造化することができる。不透明な構造化コーティングは、例えばアパーチャを形成するために、その波長範囲に使用することもできる。
【００７６】
さらに光学素子の一体化、一実施形態において、例えば、カバー基板４上のレンズが提供され得る。例えば、ここでは、ポリマー、ガラスまたは他のガラス状材料、シリコンまたはゲルマニウム（図１８参照）で作られた凸レンズを考えることができる。微細構造フレネルレンズの使用も可能である。
【００７７】
キャリア基板１において、１つ以上の結合接続２ａに接続された貫通接触７は、光学部品２の電気接触のために設けられる。この実施形態の結合接続２ａに加えて、接地接触２ｂが設けられ、これも貫通接触７に接続される。裏面の接触８は、例えば錫−銀ウェーブはんだ付けにより、ＳＭＤ構成における後の実装を可能にする。
【００７８】
キャリア基板１は例えば、シリコン、窒化アルミニウムなどのセラミック、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、ＬＴＴＣセラミック（低温共焼成セラミック）またはＨＴＣＣセラミック（高温共焼成セラミック）、ガラスまたはＤＢＣ（直接結合した銅）基板からなることができる。さらに、金属基板、例えば、銅、アルミニウムまたは他の金属で作られたＩＭＳ（絶縁金属基板）の使用を提供することができる。ＦＲ４といったプラスチックで作られたキャリア基板の使用も考えられる。
【００７９】
スペーサ３とキャリア基板１との間の接続９は、例えば、はんだ付け結合によって、好ましくは共晶結合によって作ることができる。この目的のために、金と錫、銅と錫、金とゲルマニウム、錫と銀、金とインジウム、銅と銀、錫と銀、銀と銅、または金とシリコンのといった適切な共晶組成を有する金属の組み合わせが、キャリア基板１またはスペーサ３の裏面に適用される。これにより、後のはんだ付け工程において、スペーサ３とキャリア基板１との間の共晶接合相が形成される。キャリア基板１またはスペーサ３上の金属組み合わせの層接着をできるだけ良好に達成するために、純チタン、タングステンチタンまたは窒化タングステンチタンの層を、適用された金属積層体の下に配置することができる。後者は、金に対する拡散障壁を提供するという利点を有する。結合パートナーは、はんだ付けプロセス中に形成される接合相の良好な湿潤を保証するために、接合プロセスのためのカウンターメタライゼーションを備えていなければならない。
【００８０】
原則として、キャリア基板１とスペーサ３との接合には、鉛を含むはんだを用いることもできる。接合のためのさらなる方法として、銀または金焼結といった焼結プロセスを提供することができる。
【００８１】
さらに、例えば薄い金属層を設けて、合金ストップとして知られているものを実際の接合相の下に配置することができる。例えば、金および錫との共晶結合の場合、白金、ニッケルまたはクロムおよびニッケルの合金の層がこの目的に適している。
【００８２】
Ｒａ＜１ｎｍの非常に高い表面品質を使用することによって、直接結合方法を使用することもできる。これは、結合パートナーの表面性質に関して疎水性または親水性である直接融合結合であり得る。２つの結合パートナーは最初に、予備結合を介してファンデルワールス結合によって互いに接続される。その後のアニーリング工程において、共有結合が結合界面に形成される。融合結合は、プラズマ活性化することもできる。これにより、アニーリング中の温度負荷を大幅に低減することができる。陽極結合は、さらなる直接結合方法として提供することもできる。後者の方法の利点は、結合パートナーの表面の品質要件が溶融結合と比較してあまり厳しくないことである。
【００８３】
記載された方法の代替として、反応性結合プロセスを使用することもできる。反応性結合において、交互の金属層の金属積層が適用される。電気的またはレーザ誘起パルスは、２つの結合パートナーを互いに「溶接」する短期間の高熱反応につながる。金属層は例えば、パラジウムおよびアルミニウムから作られるか、または酸化銅およびアルミニウムから作られる二重層周期である。さらに、例えば、金とインジウム、金とスズ、または銅とスズの金属の組み合わせによる固液相互拡散結合も可能である。この方法では、結合プロセスが、アニーリング工程中に、一方の結合パートナーの他方への拡散によって決定される。実際の接続段階は、その後、より高い温度に抵抗する。あるいは、ガラス−フリット結合を提供することもできる。
【００８４】
スペーサ３とカバー基板４との接続１０としては、例えば、直接結合法を用いることができる。このような方法は例えば、陽極結合または融合結合である。陽極結合の場合、アルカリガラスで作られたカバー基板にシリコンを直接接合することができる。また、アルカリガラスで作られたカバー基板にアルミニウムを陽極結合することも可能である。この場合、４５度ミラー面上のミラーリングは構造化されておらず、すなわち、シリコンスペーサの上側がアルミニウムで完全にコーティングされている。
【００８５】
反応性結合または接着結合も使用することができる。さらに、ここでは、固液相互拡散結合も可能である。レーザ溶接は、スペーサとカバー基板との接合にさらに適している。ここでは、２つの基板を「光学接触」に至らせ、次いでレーザを用いて一緒に溶接する。スペーサとカバー基板との接合は例えば、金と金との金属の組み合わせ、銅と銅との金属の組み合わせ、またはアルミニウムとアルミニウムとの金属の組み合わせの熱圧着として実現することもできる。
【００８６】
結合方法に応じて、筐体は、密封状態または準密封状態である。
【００８７】
図２は、横方向に実現された接触を備える光学部品２の配置を示す。ここで、導体トレース１１は、キャリア基板１に適用され、スペーサ３の下方で外側に導かれる。スペーサ３と前記実現された接触とは、電気絶縁層１２によって互いに分離される。この層は例えば、ＳｉＯｘまたは窒化シリコンから成ることができる。キャップとボードまたは絶縁層との間の接続は、例えば共晶金属結合によって確立される。
【００８８】
図３は、カバー基板４を有しない部品配置体を示す。この場合、設置空間１ａには、例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂が充填されており、準密封状態となっている。この配置体は例えば、短パルスレーザで使用することができる。キャリア基板への接続は、接着結合によっても行うことができる。
【００８９】
図４はまた、カバー基板を有しない部品配置体を示す。この実施形態において、設置空間１ａが充填されるだけでなく、部品全体がオーバーモールドされる。
【００９０】
図５は例えば、セラミックパッケージ内の側面発光部品の配置を示す。このパッケージでは、単一の異方性エッチングされたシリコン部品５０がビームの偏向のために設置空間１ａ内に設けられ、ミラー素子として機能する。このタイプの構成は、古典的なＴＯ筐体にも提供することができる。
【００９１】
図６は、ミラーフレーム６０の異方性エッチング構造の平面図を示す。結晶の傾斜から生じるシリコン内の通路６１は、上側開口６１ａの領域および下側開口６１ｂの領域の両方で台形であり、一方向に軸対称である。４５度ミラー面を有する長辺のコーナー角度は、それぞれ約８３．２度である。反対側の短辺では、角度はそれぞれ約９６．８度である。上側開口６１ａおよび下側開口６１ｂのエッジは、対をなして互いに平行に延びている。
【００９２】
図７ａは、ミラーフレーム７０の異方性エッチングされた構造の平面図を示す。この場合、異方性エッチングプロセスのためのマスキング開口は、台形の１１１結晶面（図６参照）に沿って選択されないが、補償構造で形成される。その結果、通路７１において、エッチングピットの上側開口７１ａは、（下側開口７１ｂとは対照的に）図６に比べて完全に台形ではないが、その範囲の一方向に限定される。このようにして、通路７１の横方向の寸法を小さくすることができ、したがって、シリコン基板上に、より多数のエッチングされた構造を配置することができる。用途に応じて、異なる補償構造を設けることができる。
【００９３】
図７ｂは、ミラーフレーム７０の別の異方性エッチングされた構造の平面図を示す。同じ特徴については、図７ａと同じ参照符号が図７ｂで使用される。この描写は、（上側開口７１ａについても同様に）下側開口７１ｂに関して形成された台形が通路７１の全幅にわたって延在しないが、実質的に通路の全幅の少なくとも２／３の幅にわたって延在するようにマスク開口の大きさおよび形状が選択される、エッチングされたシリコン部品の設計に基づいている。この場合、傾斜した結晶に起因して、エッチングプロセスによって、上側開口７１ａおよび下側開口７１ｂの完全に直線状の側面（すなわち、バックリング領域のない−連続した台形状）を作製することはできない。上側開口７１ａおよび下側開口７１ｂ（図６参照）の領域に平行なエッジを形成するため、後処理を設けることができる。適切な基板厚さにより、マスキングの横方向の特定の開口サイズに対して、シリコンウェハ上のエッチングされた構造の数をさらに増加させることができる。
【００９４】
図８は、アレイ８０の形態における複数の開口の配列を示す。この配置の結果として、複数の部品をパネル内に同時に封入することができ、したがって、空間を節約し、例えば、部品配置体の光収率を増大させる。これは、高い光出力を有するシステムにとって特に有利である。アレイ８０は、４５度のミラー面を有するスペーサ３のみからなるパネルとして設計することができるか、または４５度のミラー面を有する封入体のパネルとしてカバー基板と組み合わせて設計することができる。
【００９５】
図９は、４５度のミラー面を有する異方性エッチングされたシリコン部品として設計された円周スペーサ３を示す。この実施形態において、スペーサ３は、光ビームがパッケージの中心から出射または入射できるように設計される（「中心放射」）。このようなスペーサ３は、カプセル封入としてカバー基板を備えて設計することもできる（図１０参照）。
【００９６】
図１０は、４５度のミラー面とカバー基板を有する異方性エッチングされたシリコン部品として設計されたスペーサ３からなる半完成品を示す。キャリア基板１に接合するために、構造化された接合面、例えばメタライゼーションを設けることができる。この配置体の異なる実施形態、およびスペーサ３とキャリア基板１とを接続するための関連する方法は、図１の実施形態に記載される。これは、スペーサ３とカバー基板との接合にも同様に当てはまる。
【００９７】
図１１は、４５度のミラー面を有するシリコン素子が導波路、例えばガラス繊維を結合するために使用される配置体を示す。このようにして、光をパッケージから切り離したり、別の導波路に結合したりすることができる（信号の方向変更）。
【００９８】
図１２は、例えば、セラミックパッケージにおける、側面発光部品、例えば、レーザダイオードまたはＬＥＤの配置を示す図である。図５と比較して、本実施形態において、４５度のミラー面を有する複数のシリコン素子の配置が提供される。これは、側方発光部品が多くの方向において横方向に発光する場合に有利である。一方向において横方向に放射する光ビームは例えば、パッケージ内に設置された別のモニタフォトダイオードを介してレーザダイオードを較正するために設けることもできる。
【００９９】
図１３は、部品１３０、１３１が、隣接して別々に形成された設置空間１３２、１３３に配置された配置を示す。この実施形態において、部品１３０、１３１は、ウェハレベルでパッケージングされる。この目的のために、例えばシリコンで作られたキャリア基板を設けることができる。シリコンキャリア基板１には貫通接触７が設けられている。貫通接触７は例えば、それに続く電気メッキプロセスによる孔の金属充填を伴って、乾式または湿式エッチングによって実現することができる。また、部品用の接触をキャリア基板の前面側に設け、ＳＭＤ技術で後から実装するための接触を裏面側に設けている。貫通接触の電気絶縁のために、シリコンで作られたキャリア基板１は、電気めっきおよび接触の生成に先立って、無機層によって不動態化されてもよい。この目的のために、シリコンの熱酸化、例えば、絶縁層の蒸着のためのＬＰＣＶＤプロセスまたは他のＣＶＤプロセス（例えば、ＰＥＣＶＤ、プラズマ強化ＣＶＤ）における窒化物層の蒸着が考えられる。貫通接触の金属充填の電気メッキに先立って、導電性シード層を、予め蒸着された不動態化層に適用しなければならない。これは、例えばスパッタリングプロセスによって行うことができる。
【０１００】
この実施形態において、準備されたキャリア基板１上に、まず多数の部品が直列に実装され、この基板はウェハまたは長方形のパネルの形態で存在することができ、次いで、更なる工程において、ウェハレベルまたはパネルとしてキャップウェハまたはキャップアレイを適用することによって接合される。このようにして、多数の封入された部品が同時に形成される。次に、複合体が分離されると、個々のパッケージが提供される。
【０１０１】
図１４は、１００方向に対して傾斜していない単結晶のシリコンから異方性湿式化学エッチングによってスペーサ３が製造された配置体を示す。その結果、１１１結晶面はすべて約５４．７度の角度で形成される。この実施形態において、多くの方向におけるパッケージから上方への発光が好ましい。図１３で前述したように、製造は、ウェハレベルパッケージングによるパッケージングとして表すこともできる。
【０１０２】
図１５は、スペーサ３とキャリア基板１とを完全にシリコンの１ピースにした配置体を示す。この方法において、異方性湿式化学構造化により、表面上のシリコン基板にキャビティをエッチングする。このキャビティは、乾式エッチングされた貫通接触に裏面上で接続される。シリコン基板１は、図１３で説明したように、電気的に絶縁される。
【０１０３】
図１６は、スペーサ３とキャリア基板１とを完全にシリコンの１ピースにした配置体を示す。この手法において、異方性湿式化学構造化により、表面上のシリコン基板にキャビティをエッチングする。このキャビティは、図１５とは対照的に、異方性湿式化学エッチングにより製造される貫通接触７と裏面上で接続される。シリコン基板１は、図１３で説明したように、電気的に絶縁される。
【０１０４】
図１７は、乾式エッチング法を用いて、まず、設置空間がほぼ垂直にエッチングされた配置体を示す。その後の湿式化学的異方性エッチング工程において、４５度の表面が形成され、これはミラー面として使用することができる。この設計の利点は、異なるエッチング方法を組み合わせることにより、基板上の面積カバー率をさらに増加できることである。
【０１０５】
図１８は、レンズ配置体１８０がカバー基板４上に追加的に配置された部品を示す。この実施形態は、図１に関連してより詳細に説明される。
【０１０６】
図１９は、円周スペーサ３（シリコンフレーム）上に４５度のミラー面を設けた部品配置体の模式図を示す。同様に４５度の傾斜面１９１を有する、異方性エッチングされたシリコン部品として設計されたさらなる素子１９０は、キャップがその上にマウントされる前に、キャリア基板１上に配置される。傾斜面１９１と共に、図示の実施形態において、ミラーコーティング１９１ａを有する光反射面が設けられる。
【０１０７】
図２０は、異方性エッチングされたシリコン部品として設計されたスペーサ３内の下側開口２００が、示された例において実質的に垂直に配向された面取り２０１を備えて設計される部品配置体の模式図を示す。一方で、これは、設置空間１ａを小さくすること、ひいてはパッケージ全体の大きさを小さくすることができるという利点があり、他方で、側方発光部品を光反射ミラー面により近づけて配置することができる。これは、提供されたミラー表面上での起こり得るビーム発散によって拡大された光ビームの衝撃に有利である。このようにして、部品から横方向に出射する光を、さらに効率的に設置空間１ａの外に導くことができ、部品の高さをさらに低減することができる。本実施形態において、スペーサ３の下側開口２００における面取り２０１は、例えば、乾式エッチング処理によって実現される。しかしながら、スペーサ３の湿式化学オーバーエッチングによって、面取り２０１を達成するように設けることもでき、これは、異方性エッチングプロセスでは、１００方向に対して実質的に垂直な結晶面は、シリコンスペーサ３の凸状のエッジで達成されるからである。
【０１０８】
図２１は、異方性エッチングされたシリコン部品として設計されたスペーサ３内の下側開口２１０がスペーサ３の表面に対してアンダーカット２１１を備えて設計される部品配置体の模式図を示す。これは、図２０において既に説明した同じ利点を提供する。アンダーカット２１１は、一方では適切な乾式エッチングプロセスにより、図２０において設計されたように達成することができ、他方では、スペーサ３の裏面の湿式化学異方性エッチングが提供され、開口部、ひいてはアンダーカット２１１は、対応するマスキングによって規定される。
【０１０９】
上の説明、特許請求の範囲および図面に開示された特徴は、個々にまたは任意の組合せで、様々な実施形態の実現に関連することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】図１は、光学部品が設置空間に配置され、キャリア基板を通る接触接続を介した外部接触に接続される部品配置体を示す図である。
【図２】図２は、光学部品が設置空間に配置され、横方向に引き出された接触接続を介して外部接触に接続される部品配置体を示す図である。
【図３】図３は、光学部品を有する設置空間がカバー基板で埋められる部品配置体の模式図を示す。
【図４】図４は、カバー基板にクラッドが形成され、これによって光学部品を備えた設置空間が埋められる部品配置体の模式図を示す。
【図５】図５は、スペーサから離れて設置空間内に配置された異方性エッチングされたシリコン部品により、光反射面が設置空間内に提供される部品配置体の模式図を示す。
【図６】図６は、異方性エッチングされたシリコン部品によってスペーサが形成され、フレームとして形成されたスペーサの模式図を示す。
【図７ａ】図７ａは、補償構造を有する異方性湿式化学エッチングプロセスのために選択されるマスキング開口であり、エッチングされたフレーム構造の光学顕微鏡からの平面図を示す。
【図７ｂ】図７ｂは、補償構造を有する異方性湿式化学エッチングプロセスのために選択されるマスキング開口であり、さらなるエッチングされたフレーム構造の光学顕微鏡からの平面図を示す。
【図８】図８は、複数の開口を有するウェハの断面の模式図を示し、各開口は、キャップアレイを製造するための部品配置体を形成するために使用することができる。
【図９】図９は、各々が異方性エッチングされたシリコン部品で形成されたスペーサの模式図を示し、フレーム形状におけるミラー表面の中心位置決めは、光の中心の出射/入射を可能にする。
【図１０】図１０は、異方性エッチングされたシリコン部品によって形成されたスペーサを含む配置体の模式図を示し、その上にカバー基板が配置され、スペーサは裏面に構造化した結合表面、例えばメタライゼーションを有する裏面を有する。
【図１１】図１１は、光を結合／分離するために、ガラス繊維の一部が光反射面の反対側に配置される配置体の模式図を示す。
【図１２】図１２は、２つの個々のミラー素子が筐体内に配置された配置体の模式図を示す。
【図１３】図１３は、パネルまたはウェハレベルのパッケージングによって製造された２つの部品の模式図を示す。
【図１４】図１４は、設置空間が、約５４．７度のミラー表面のフランク角を有するスペーサ素子によって形成される配置体の模式図を示す。
【図１５】図１５は、スペーサ素子とキャリア基板とが一体に形成され、貫通接触が乾式エッチングプロセスにより、提供される部品の模式図を示す。
【図１６】図１６は、スペーサ素子とキャリア基板とが一体に形成され、貫通接触が湿式化学エッチングエッチングプロセスにより、提供される部品の模式図を示す。
【図１７】図１７は、４５度のミラー面を除いて、設置空間の壁がほぼ垂直である部品の模式図を示す。
【図１８】図１８は、カバー基板上にレンズが配置された部品配置体の概略図を示す。
【図１９】図１９は、単一のミラー素子と組み合わされたミラー平面を有する円周のスペーサ素子を有する部品配置体の概略図を示す。
【図２０】図２０は、異方性エッチングされたシリコン部品として設計されるスペーサの下側開口がほぼ垂直な面取りを備えて設計される、部品配置体の模式図を示す。
【図２１】図２１は、異方性エッチングされたシリコン部品として設計されるスペーサ内の下側開口がスペーサの表面に対してアンダーカットを備えて設計される、部品配置体の模式図を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際調査報告】
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