(57)【要約】  撮像システムが、光検出器の第１行と、光検出器の第１行に隣接する光検出器の第２行と、光検出器の第１行にある光検出器と光検出器の第２行にある光検出器との間に配置された部分を含むセグメント化された絶縁グリッドとを含む焦点面アレイを含む。
2021513747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焦点面アレイを含む撮像システムであって、焦点面アレイは：
光検出器の第１行；
前記光検出器の前記第1行に隣接する光検出器の第２行；及び
前記光検出器の前記第１行にある光検出器と、前記光検出器の前記第２行にある光検出器との間に配置されるセグメント化された絶縁グリッド；
を含む、撮像システム。
【請求項２】
前記光検出器の前記第1行及び前記光検出器の前記第２行のそれぞれにおける前記光検出器は、P-I-Nダイオードを含む、請求項１に記載の撮像システム。
【請求項３】
前記光検出器の前記第１行及び前記光検出器の前記第２行のそれぞれにおける前記光検出器は、シリコンP-I-Nダイオードを含む、請求項２に記載の撮像システム。
【請求項４】
前記セグメント化された絶縁グリッドは、前記光検出器の前記第１行及び前記光検出器の前記第２行のそれぞれにおける前記光検出器のP型領域を取り囲むように形成されたドープされた壁セグメントを含む、請求項１に記載の撮像システム。
【請求項５】
請求項４に記載の撮像システムであって、前記光検出器の前記第１行、前記光検出器の前記第２行及び前記セグメント化された絶縁グリッドのそれぞれにおいて、前記光検出器の前記P型領域とN型領域との間に配置される真性半導体の領域をさらに含む、撮像システム。
【請求項６】
前記セグメント化された絶縁グリッドは、前記光検出器の前記第１行及び前記光検出器の前記第２行のうちの１つを横切って延在する隣接壁を含む、請求項４に記載の撮像システム。
【請求項７】
前記セグメント化された絶縁グリッドは、前記光検出器の前記第１行及び前記光検出器の前記第２行のそれぞれにおいて、前記光検出器を取り囲む不連続グリッド素子を含む、請求項４に記載の撮像システム。
【請求項８】
前記セグメント化された絶縁グリッドは、前記光検出器の前記P型領域のドーピング濃度よりも低く、前記光検出器のN型領域のドーピング濃度よりも低い、請求項４に記載の撮像システム。
【請求項９】
前記セグメント化された絶縁グリッドは、セグメント化されていな絶縁グリッドを含む実質的に同様な撮像システムと比較して、前記光検出器の前記第１行の光検出器と前記光検出器の前記第２行の光検出器との間のクロストークのレベルを低減する、請求項１に記載の撮像システム。
【請求項１０】
前記セグメント化された絶縁グリッドは、電気的に浮遊している、請求項１に記載の撮像システム。
【請求項１１】
焦点面アレイを操作する方法であって：
前記焦点面アレイの光検出器の第１行にある光検出器に逆バイアスを印加するステップ；
前記光検出器の前記第１行にある前記光検出器で生成された光電流を積分するステップ；
前記焦点面アレイの前記光検出器の第２行にある光検出器に逆バイアスを印加しながら、前記光検出器の前記第１行の前記光検出器に生成された光電流を積分し続けるステップであり、前記光検出器の前記第２行にある前記光検出器への逆バイアスの印加が、前記光検出器の前記第２行に関連するセグメント化された絶縁グリッドの部分に電圧ポテンシャルを誘起し、前記光検出器の前記第１行に関連するセグメント化された絶縁グリッドの部分と前記光検出器の前記第２行に関連するセグメント化された絶縁グリッドの部分との間における前記セグメント化された絶縁グリッド内の破断によって、前記電圧ポテンシャルが前記光検出器の前記第1行に関連するセグメント化された絶縁グリッドの部分に伝播するのを防止する、ステップ；
を含む方法。
【請求項１２】
前記焦点面アレイをローリングシャッタモードで動作させることを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
焦点面アレイを含む撮像システムであって、前記焦点面アレイは：
複数行及び複数列に配列されたP-I-Nフォトダイオードを含む光検出器のアレイ；及び
前記P-I-NフォトダイオードのP型領域及び前記P-I-NフォトダイオードのN型領域のドーピングレベルよりも低いドーピングレベルを有する、ドーピングされた半導体の壁を備える電気的に浮動するセグメント化された絶縁グリッドであり、当該セグメント化された絶縁グリッドは、前記光検出器の前記アレイ内の個々のP-I-Nフォトダイオードのそれぞれを取り囲む個々のグリッド素子と、前記個々のP-I-Nフォトダイオードのそれぞれと対応するセグメント化された絶縁グリッド素子との間に配置される真性半導体の領域とを含み、前記個々のグリッド素子のそれぞれは、隣接する行内のP-I-Nフォトダイオードを取り囲むグリッド素子間の電流の流れを防止する複数の電気的に隔離された領域を含む、セグメント化された絶縁グリッド；
を含む、撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、焦点面アレイを含む撮像システム及び焦点面アレイを操作する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
焦点面アレイ（focal  plane  arrays  (FPAs）は、一般に、行及び列に組織化された検出器素子又は単位セル（画素）の二次元アレイを含む。FPAの各単位セル内の回路が、単位セル内の検出器における入射光放射の光束（flux）に対応する電荷を蓄積し、FPAの視野（field  of  view  (FOV)）内のシーン又は物体の画像を生成する。例えば、ほとんどの単位セル回路は、フォトダイオードでの光放射を検出する。電荷は、電荷を積分し、積分電圧を生成する１個以上の容量性素子で蓄積される。生成された積分電圧は、積分時間(又は積分間隔)と呼ばれる所与の期間にわたる光束の強度に対応する。得られた電圧は、追加の回路によって、アレイの出力へと伝達され、アレイはシーンの画像を構築するために使用され得る。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明の一態様によれば、焦点面アレイを含む撮像システムが提供される。焦点面アレイは、光検出器の第１行；  前記光検出器の前記第1行に隣接する光検出器の第２行；及び  前記光検出器の前記第１行にある光検出器と、前記光検出器の前記第２行にある光検出器との間に配置されるセグメント化された絶縁グリッド；を含む。
【０００４】
いくつかの実施形態では、前記光検出器の前記第1行及び前記光検出器の前記第２行のそれぞれにおける前記光検出器は、P-I-Nダイオードを含む。前記光検出器の前記第１行及び前記光検出器の前記第２行のそれぞれにおける前記光検出器は、シリコンP-I-Nダイオードを含む。
【０００５】
いくつかの実施形態において、前記セグメント化された絶縁グリッドは、前記光検出器の前記第１行及び前記光検出器の前記第２行のそれぞれにおける前記光検出器のP型領域を取り囲むように形成されたドープされた壁セグメントを含む。いくつかの実施形態において、前記光検出器は、N-I-Pダイオードを含み、前記セグメント化された絶縁グリッドは、前記光検出器の前記第１行及び前記光検出器の前記第２行のそれぞれにおける前記光検出器のN型領域を取り囲むように形成されたドープされた壁セグメントを含む。
【０００６】
撮像システムは、前記光検出器の前記第１行、前記光検出器の前記第２行及び前記セグメント化された絶縁グリッドのそれぞれにおいて、前記光検出器の前記P型領域とN型領域との間に配置される真性半導体の領域をさらに含むことができる。
【０００７】
いくつかの実施形態において、前記セグメント化された絶縁グリッドは、前記光検出器の前記第１行及び前記光検出器の前記第２行のうちの１つを横切って延在する隣接壁を含む。
【０００８】
いくつかの実施形態では、前記セグメント化された絶縁グリッドは、前記光検出器の前記第１行及び前記光検出器の前記第２行のそれぞれにおいて、前記光検出器を取り囲む不連続グリッド素子を含む。
【０００９】
前記セグメント化された絶縁グリッドは、前記光検出器の前記P型領域のドーピング濃度よりも低く、前記光検出器のN型領域のドーピング濃度よりも低い。セグメント化された絶縁グリッドは、電気的に浮遊していてもよい。
【００１０】
いくつかの実施形態では、前記セグメント化された絶縁グリッドは、セグメント化されていな絶縁グリッドを含む実質的に同様な撮像システムと比較して、前記光検出器の前記第１行の光検出器と前記光検出器の前記第２行の光検出器との間のクロストークのレベルを低減する。
【００１１】
別の態様によれば、焦点面アレイを動作させる方法が提供される。当該方法は、前記焦点面アレイの光検出器の第１行にある光検出器に逆バイアスを印加するステップ；  前記光検出器の前記第１行にある前記光検出器で生成された光電流を積分するステップ；  前記焦点面アレイの前記光検出器の第２行にある光検出器に逆バイアスを印加しながら、前記光検出器の前記第１行の前記光検出器に生成された光電流を積分し続けるステップであり、前記光検出器の前記第２行にある前記光検出器への逆バイアスの印加が、前記光検出器の前記第２行に関連するセグメント化された絶縁グリッドの部分に電圧ポテンシャルを誘起し、前記光検出器の前記第１行に関連するセグメント化された絶縁グリッドの部分と前記光検出器の前記第２行に関連するセグメント化された絶縁グリッドの部分との間における前記セグメント化された絶縁グリッド内の破断によって、前記電圧ポテンシャルが前記光検出器の前記第1行に関連するセグメント化された絶縁グリッドの部分に伝播するのを防止する、ステップ；を含む。
【００１２】
当該方法は、ローリングシャッタモードで焦点面アレイを動作させることを含んでもよい。
【００１３】
一態様によれば、焦点面アレイを含む撮像システムが提供される。焦点面アレイは、複数行及び複数列に配列されたP-I-Nフォトダイオードを含む光検出器のアレイ；及び  前記P-I-NフォトダイオードのP型領域及び前記P-I-NフォトダイオードのN型領域のドーピングレベルよりも低いドーピングレベルを有する、ドーピングされた半導体の壁を備える電気的に浮動するセグメント化された絶縁グリッドであり、当該セグメント化された絶縁グリッドは、前記光検出器の前記アレイ内の個々のP-I-Nフォトダイオードのそれぞれを取り囲む個々のグリッド素子と、前記個々のP-I-Nフォトダイオードのそれぞれと対応するセグメント化された絶縁グリッド素子との間に配置される真性半導体の領域とを含み、前記個々のグリッド素子のそれぞれは、隣接する行内のP-I-Nフォトダイオードを取り囲むグリッド素子間の電流の流れを防止する複数の電気的に隔離された領域を含む、セグメント化された絶縁グリッド；を含む。
【００１４】
少なくとも１つの実施形態の種々の態様が、添付の図面を参照して後述されるが、これらは、縮尺通りに描かれることを意図されていない。図面は、種々の態様及び実施形態の説明及びさらなる理解を提供するために含まれ、本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成するが、本発明の限界の定義として意図されていない。図面において、種々の図面に示されている同一又はほぼ同一の各構成要素は、同様の参照符号で表されている。明瞭にするために、全ての構成要素が全ての図においてラベル付けされているわけではない。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】FPAの一実施形態における光学検出器のアレイの一部の平面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの１Ｂ−１Ｂ線に沿って切った、図１Ａの光学検出器のアレイの一部の断面図である。
【図１Ｃ】図１Ａの光学検出器のアレイの一部の別の断面図であり、光学検出器における光生成された自由キャリアの移動を示す。
【図２Ａ】光検出器の行間のクロストークのために、ローリングシャッタモードで動作する従来のFPAの出力にエラーが導入され得るメカニズムを示す。
【図２Ｂ】さらに、光検出器の行間のクロストークのために、ローリングシャッタモードで動作する従来のFPAの出力に導入され得るエラーを示す。
【図３Ａ】FPA内の光検出器の行間のクロストークを緩和し得る、セグメント化されたチャネルストップグリッドの配列の平面図である。
【図３Ｂ】FPA内の光検出器の行間のクロストークを緩和し得る、セグメント化されたチャネルストップグリッドの変形配列の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
焦点面アレイ（FPAs）に関する態様及び実施形態が、隣接する撮像ピクセル間のクロストーク（crosstalk）を低減するための特徴を含む。様々な態様及び実施形態は、FPAユニットセル回路及び該回路を使用する撮像方法、特に、低クロストークの撮像画素を対象とする。
【００１７】
本明細書に記載された方法及び装置の実施形態は、以下の説明に記載する、又は添付の図面に例示する構成及び構成要素の配置の詳細に適用することに限定されないことを理解されたい。方法及び装置は、他の実施形態で実施可能であり、実行可能であるか、又は種々の方法で実施可能である。具体的な実施例は、例示的な目的のためだけに本明細書で提供されており、限定することを意図したものではない。また、本明細書中で使用する表現及び用語は制限的に理解されるべきではない。本明細書における「含む」、「備える」、「有する」、「含有する」、「包含する」及びそれらの変形の使用は、その後に列挙される項目及びそれらの同等物ならびに追加の項目を包含することを意味する。「又は」の表現は、「又は」を使用して記載される用語が単一の、複数の、及び記載される用語のすべてを示すことができるように、「又は」の表現は包括的であると解釈され得る。前後、左右、頂部底部、上下、垂直及び水平の表現は、説明の便宜のために意図されたものであり、本システム及び方法又はそれらの構成要素を、いずれか１つの位置又は空間方向に限定するものではない。
【００１８】
典型的なFPA単位セル回路は、対応する光検出器上に所与の波長の光放射を衝突させる光束（optical  flux）に対応する電荷を蓄積する。典型的には、電荷は、電荷を積分し、積分電圧を生成する、光検出器ごとの１個以上の容量性素子で蓄積される。隣接する光検出器(例えば、第１の最も近い隣接機器、第２の最も近い隣接機器、第３の最も近い隣接機器などを含む)の間にクロストークがある場合、個々の光検出器に関連する容量性素子に蓄積された電荷は、個々の光検出器で受け取られた衝突放射線の実際の光束を正確に表現しないことがある。例えば、いくつかの例において、隣接する光検出器間のクロストークの結果、個々の光検出器で受け取られた衝突放射線の実際の光束に対応するものよりも、個々の光検出器に関連する容量性素子により大きな電荷が蓄積され得る。かくして、FPAにおける隣接光検出器間のクロストークは、画像品質及びダイナミックレンジの低下をもたらす。
【００１９】
図１Ａは、光検出器105の矩形アレイを含む、FPA  100の一実施形態の部分平面図を示す。図１Ｂ、図１Ａ線１Ｂ−１Ｂに沿って切った部分断面図である。図１Ａ乃至１Ｃに示す実施形態では、光検出器105は、フォトダイオード、例えば、シリコンP-I-Nフォトダイオードを含む。FPA  100は、外周のガード光検出器110を含む。ガード光検出器110は、撮像には使用されず、撮像に使用される光検出器105を含む撮像コア115を包囲する。各光検出器105は、Pドープ領域120と、真性シリコン（intrinsic  silicon）130の領域内に形成されたNドープ領域125とを含む。各光検出器105のPドープ領域120及びNドープ領域125は、真性シリコン130の領域の一部によって分離される。Pドープ領域120及びNドープ領域125は、光検出器105内で生成された光生成電荷を蓄積し、光検出器105内で生成された電荷から画像の表示を生成する外部回路(図示せず)に結合される。本明細書ではシリコンから形成されるものとして記載されているが、他の実施形態では、光検出器105は、異なる半導体のPドープ領域、Nドープ領域、及び真性領域、例えば、ゲルマニウム、インジウムガリウムヒ素、テルル化カドミウムなどを含んでもよい。他の実施形態では、Pドープ領域及びNドープ領域の位置を逆にしてもよい。
【００２０】
使用時には、P-I-Nフォトダイオード105は逆バイアスされる。Pドープ領域120とNドープ領域125（図１Ｂ）との間の真性シリコン領域130に到達する光子vは、真性シリコン領域130内のシリコン原子の電子によって吸収され得、その電子を真性シリコン領域130内の伝導帯内へと上昇させ得、電子-正孔対（図１Ｃ）を含む自由キャリア140を生成し得る。自由電子(e-)は逆方向にバイアスされたNドープ領域125に向かって移動し、自由正孔(h+)は逆方向にバイアスされたPドープ領域120に向かって移動する。自由キャリア140がPドープ領域120及びNドープ領域125に到達すると、電荷の単位がFPA  100の外部回路に登録され、個々の光検出器105に関連する容量性素子に蓄積される。
【００２１】
個々の光検出器105は、例えば、軽くドープされたN型シリコンのグリッドを含み得る絶縁グリッド135(チャネルストップグリッド（channel  stop  grid）とも呼ばれる)によって互いに分離されるが、他の実施形態では、軽くドープされたP型シリコンが使用され得る。絶縁グリッド135の材料のドーピングレベルは、フォトダイオード105のPドープ領域120及びNドープ領域125の一方又は両方のドーピングレベル未満であってよい。絶縁グリッド135は、Pドープ領域120よりも浅い深さまで、浅く、真性シリコン130のバルク内に下方に延びてもよい。絶縁グリッド135は、電気的に浮動していてもよく、接地又は特定の電圧源に電気的に接続されていなくてもよい。一方の光検出器105内で生成され、他方の光検出器105に向かって移動する「悪意のある（rogue）」如何なる自由キャリア145も、絶縁グリッド135によって偏向されるので、自由キャリア145は、それが発生された光検出器105以外の光検出器105内の読みに寄与しない。
【００２２】
光検出器105のPドープ領域120及びNドープ領域125は、導電性であり、一方、真性シリコン領域130は、高抵抗性である。光検出器105のPドープ領域120及びNドープ領域125は、導電性絶縁グリッド135に容量的に結合することができる。この容量性結合は、図１Ａに示されるキャパシタＣによって表される。光検出器105のPドープ領域120及びNドープ領域125は、これらの寄生キャパシタの第１のプレートとして作用し、絶縁グリッド135は、これら寄生キャパシタの第２のプレートとして作用し、Pドープ領域120とNドープ領域125と絶縁グリッド135との間の真性シリコン領域130は、寄生キャパシタの誘電体として作用する。
【００２３】
いくつかの実装では、図１Ａ乃至１Ｃに示されるようなFPA  100は、ローリングシャッタ動作モードで動作されてもよい。ローリングシャッタ動作モードで動作では、光検出器105の個々の行が、光検出器105の次の行においてP-I-Nフォトダイオードに逆バイアス電流を印加することによって、逐次的に活性化される(リセットから脱する)。ある一行の光検出器105が、短時間間隔の間、活性化を維持されることができ、その間、その行内の光検出器105において発生された光電流が蓄積されて、その行内の光検出器105に衝突する光束の表示を生成し、FPA  100によって検出される画像におけるラインの表示を生成する。光検出器105の後続の一行、又は検出器105の複数の後続の数行が、先に活性化された光検出器105の行が依然として活性化状態にある間に、活性化され得る。光検出器105のPドープ領域120及びNドープ領域125の絶縁グリッド135への容量性結合のために、光検出器105の次の行の活性化は、絶縁グリッド135内で発生して光検出器105の先に活性化された行とのクロストークを引き起こす電圧ポテンシャルを生じ得る。絶縁グリッド135は、光検出器105の各行間の全体的なクロストークに寄与してしまう。
【００２４】
図２Ａの左側には一番上に第１行（1st  row）の各光検出器105を示し、上から２番目に第２行（2nd  row）の各検出器を示し、以下同様である。図２Ａに示すように、光検出器105の第１行が時間T1で活性化(リセットから脱する（out  of  reset）)されると、その第１行の各光検出器105について、最初にペデスタル（pedestal）と呼ばれる初期電流サージが発生し（右側のグラフ参照）、次いで、キャパシタが電荷／電流の積分を開始し、結果として、205で示されるカウント対時間トレースを生じる。光検出器105の第２行が時間T2で活性化されると、第２行の各光検出器105について、最初に初期電流ペデスタルが生じ、次いで、キャパシタが電荷／電流の積分を開始し、結果として、215で示されるカウント対時間トレースを生じる。第２行のフォトダイオードに亘り印加される電圧は、光検出器105の第２行と絶縁グリッド135との間の容量結合のために、絶縁グリッド135に電圧を誘起する。絶縁グリッド135に誘起された電圧は、光検出器105の第１行と絶縁グリッド135との間の容量結合のために、第１行の光検出器105に追加的な電圧を誘起する。第１行の光検出器105内における誘起された追加的電圧は、カウント対時間トレース205の上方寸動又は上方ジョグ（upward  jog）210をもたらす。このプロセスは、光検出器105の第３行が活性化される時点T3において継続する。光検出器105の第３行が時間T3で活性化されると、第３行の各光検出器105について、最初に初期電流ペデスタルが生じ、次いでキャパシタが電荷／電流の積分を開始し、225で示されるカウント対時間トレースを生じる。第３行のフォトダイオードに亘り印加される電圧は、光検出器105の第３行と絶縁グリッド135との間の容量結合のために、絶縁グリッド135に電圧を誘起する。絶縁グリッド135に誘起された電圧は、光検出器105の第１行の光検出器105についてのカウント対時間トレース205に追加の上方ジョグ220を誘発し、検出器の第２行の光検出器105についてのカウント対時間トレース215に対応する上方ジョグ（参照符号なし）が生成される。時点T4で、第４行の光検出器が活性化される。光検出器105の第４行が時間T4で活性化されると、第４行の各光検出器105について、最初に初期電流ペデスタルが生じ、次いでキャパシタが電荷／電流の積分を開始し、結果として235で示されるカウント対時間トレースを生じる。第４行の光検出器に印加される電圧(トレース235)によって、光検出器105の第１行の光検出器105についてのカウント対時間トレース205に追加のジョグ230が生成され、第２行の光検出器105についてのカウント対時間トレース215に対応する上方ジョグ(参照符号なし)が生成され、第３行の光検出器105についてのカウント対時間トレース225に別の対応する上方ジョグ(参照符号なし)が生成される。図２Ｂは、時間T4における光検出器の異なる行についての、カウント対時間トレースの誤差の程度を示す。以前に活性化された光検出器105の行に対する電流積分読み取りにおける誤差は、光検出器105の追加の行が、以前に活性化された光検出器105の行に対する電流積分期間が完了するまで、活性化される時間が長くなるにつれて増大する。例えば、光検出器105の第１行に関連する時間トレース205については、光検出器105の他の３行の後の活性化によって誘起されるジョグに起因する誤差の最大のリスク���有し、一方、光検出器105の第４行に関連する時間トレース235は、誤差の最小のリスクを有する。各光検出器105からの読み取りに誘起される誤差は、画像に依存し、センサ較正によって除去することは困難である。
【００２５】
絶縁グリッド135を介する光検出器105の異なる行の互いへの容量結合の効果によって、検出器105間のクロストークがない状態で動作するFPA  100と比較して、FPA  100の変調伝達機能（modulation  transfer  function）を劣化させ、FPA  100で得られる画像の品質及びダイナミックレンジを低下させる。
【００２６】
本発明の特定の実施形態によれば、絶縁グリッド135をセグメント化することは、FPA  100内の光検出器105間の総合的クロストークの効果を緩和するのに効果的である。セグメント化された絶縁グリッド135は、ドープされた材料の非接続の壁セグメントを含む。壁セグメントは、異なる行にある異なる光検出器105又はその一部に隣接し又はそれらを少なくとも部分的に囲む。一実施形態では、図３Ａに示すように、光検出器の各々の行を囲む絶縁グリッド135の一部が、互いに分離されている。絶縁グリッド135の個々の行は隣接しているが、隣接する行は電気的に分離されている。別の実施形態では、図３Ｂに示すように、各光検出器105を囲む絶縁グリッド135の各正方形グリッドセルのコーナーは、ドープされずに残され、各正方形グリッドセルを４個の電気的に接続されていない部分へと分離し、不連続グリッドを形成している。絶縁グリッド135のセグメント化は、あるセグメントにおける電位の変化が他のセグメントに伝播するのを防止する。それにより、ローリングシャッタモードで動作中の、異なる行における検出器105間の全体的なクロストークは緩和される。光検出器105の１行に関連する絶縁グリッド135の部分からの電位の伝達が、光検出器105の他の行に関連する絶縁グリッド135の部分へ伝搬することを防止する。
【００２７】
少なくとも１つの実施形態のいくつかの態様を上述してきたが、当業者には、種々の変更、修正及び改良を容易に生じさせることが理解されるであろう。例えば、正方形要素のグリッドとして示されているが、絶縁グリッド135は、代替的に、それぞれの六角形の頂点で不連続であり得る六角形要素から形成されてもよい。このような変更、修正及び改良は、本開示の一部であることが意図されており、本発明の範囲内であることが意図されている。したがって、前述の説明及び図面は単なる例示であり、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲及びそれらの均等物の適切な構成から決定されるべきである。
【図１Ａ】
2021513747.tif 000003
【図１Ｂ】
2021513747.tif 000004
【図１Ｃ】
2021513747.tif 000005
【図２Ａ】
2021513747.tif 000006
【図２Ｂ】
2021513747.tif 000007
【図３Ａ】
2021513747.tif 000008
【図３Ｂ】
2021513747.tif 000009
【国際調査報告】
2021513747.tif 000010
2021513747.tif 000011
2021513747.tif 000012