(57)【要約】  本願の実施例は、データ処理方法および装置、媒体を提供する。Ｍ×Ｎアレイ配列の画素を含む表示パネルに応用されるデータ処理方法において、表示中の第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを取得することと、記憶されている第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断することと、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であれば、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データのフィルタリング処理を行い、フィルタリング処理後の電圧データから算出された閾値電圧と実閾値電圧との差を第１閾値差以下にすることとを含む。
2021528670.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍ×Ｎアレイ配列の画素を含む表示パネルに応用されるデータ処理方法において、
表示中の第ｉ行、第ｊ（ｎ−１＜ｊ≦Ｎ）−ｎ（１≦ｎ≦Ｎ）＋１列、……、第ｊ−１列、第ｊ列を含む隣接するｎ列の画素に対応する電圧データであって、各画素に対応する駆動トランジスタの閾値電圧を算出するための電圧データを取得することと、
記憶されている第ｉ（ｍ−１＜ｉ≦Ｍ）行の前のｍ（１＜ｍ＜Ｍ）−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断することと、
第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であれば、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データのフィルタリング処理を行い、フィルタリング処理後の電圧データから算出された閾値電圧と実閾値電圧との差を第１閾値差以下にすることと
を含む、データ処理方法。
【請求項２】
前記第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データは、
第ｉ行第ｊ列の画素に対応する駆動トランジスタのソース電圧を含む、請求項１に記載のデータ処理方法。
【請求項３】
記憶されている第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断することは、
第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データと第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、特徴値を算出することと、
第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと前記特徴値に基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断することと
を含む、請求項１に記載のデータ処理方法。
【請求項４】
前記特徴値は、
平均値または加重平均値であり、
前記特徴値が加重平均値である場合、
第ｉ行第ｊ列の画素に近い画素ほど、それに対応する重みが大きくなる、請求項３に記載のデータ処理方法。
【請求項５】
第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと前記特徴値に基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断することは、
第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと前記特徴値の差が第２閾値差より大きくなるかを判断し、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと前記特徴値の差が第２閾値差より大きくなると、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であると特定することを含む、請求項３または４に記載のデータ処理方法。
【請求項６】
前記第２閾値差は、
特徴値のＫ（０．１≦Ｋ≦０．２）倍である、請求項５に記載のデータ処理方法。
【請求項７】
第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データのフィルタリング処理を行うことは、
第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データを前記特徴値に修正することを含む、請求項５に記載のデータ処理方法。
【請求項８】
第ｉ＋１行の画素が表示される場合、第ｉ＋１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを記憶することをさらに含む、請求項７に記載のデータ処理方法。
【請求項９】
修正後の第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素を補償することをさらに含む、請求項７に記載のデータ処理方法。
【請求項１０】
Ｍ×Ｎアレイ配列の画素を含む表示パネルに応用されるデータ処理装置において、
表示中の第ｉ行、第ｊ（ｎ−１＜ｊ≦Ｎ）−ｎ（１≦ｎ≦Ｎ）＋１列、……、第ｊ−１列、第ｊ列を含む隣接するｎ列の画素に対応する電圧データであって、各画素に対応する駆動トランジスタの閾値電圧を算出するための電圧データを取得する取得回路と、
記憶されている第ｉ（ｍ−１＜ｉ≦Ｍ）行の前のｍ（１＜ｍ＜Ｍ）−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断する判断回路と、
第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であれば、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データのフィルタリング処理を行い、フィルタリング処理後の電圧データから算出された閾値電圧と実閾値電圧との差を第１閾値差以下にするフィルタリング回路と
を含む、データ処理装置。
【請求項１１】
ｍ−１個の記憶回路をさらに含み、
ここで、第ｋ（１≦ｋ≦ｍ−１）個の記憶回路は、
第ｉ−ｍ＋ｋ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを記憶する、請求項１０に記載のデータ処理装置。
【請求項１２】
前記判断回路は、
第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データと第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、特徴値を算出し、
第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと前記特徴値の差が第２閾値差より大きくなるかを判断し、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと前記特徴値の差が第２閾値差より大きくなると、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であると特定する、請求項１１に記載のデータ処理装置。
【請求項１３】
前記フィルタリング回路は、
第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データを前記特徴値に修正する、請求項１２に記載のデータ処理装置。
【請求項１４】
第ｉ＋１行の画素が表示される場合、第ｉ＋１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを、第ｍ−１個の記憶回路に記憶し、
第ｋ個の記憶回路に記憶されているデータは、ストリーム形式で第ｋ−１個の記憶回路に入力され、第ｋ−１個の記憶回路に記憶されているデータを置換する、
請求項１１に記載のデータ処理装置。
【請求項１５】
プロセッサで実行可能なコンピュータプログラムが記憶されているコンピュータ読み取り可能な媒体であって、
前記コンピュータプログラムが前記プロセッサによって実行されると、請求項１〜９のいずれか一項に記載のデータ処理方法が実現される、コンピュータ読み取り可能な媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、２０１８年６月１５日に中国特許庁に提出された中国特許出願第２０１８１０６２０９００．４号の優先権を主張し、その全ての内容が援用によりここに合併される。
【０００２】
本願の実施例は、表示技術分野に係り、具体的にデータ処理方法および装置、コンピュータ読み取り可能な媒体に係る。
【背景技術】
【０００３】
ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）ディスプレイは、現在のフラットプレートディスプレイ研究分野の注目点の一つであり、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に比べ、消費電力が低く、生産コストが低く、自己発光であり、視野角が広く、応答速度が速いなどの利点を有し、携帯電話、タブレットパソコン、デジタルカメラなどの表示分野で従来のＬＣＤを代替しつつある。
【０００４】
安定な電圧で輝度を制御するＬＣＤとは異なり、ＯＬＥＤは、電流で駆動され、発光制御には安定な電流が必要される。通常、ＯＬＥＤディスプレイは、各画素の画素駆動回路における駆動トランジスタでＯＬＥＤに電流を出力してＯＬＥＤの発光を駆動する。ＯＬＥＤディスプレイで駆動トランジスタの電気学特性が一致しないため、画素ユニットの間に輝度が異なる。駆動トランジスタの電気学特性の不一致による輝度が一致しないという技術問題を解決するために、従来技術として、各画素ユニットに対応する駆動トランジスタのソース電圧を検出して校正後の駆動電圧を生成することによって、ＯＬＥＤディスプレイに表示される内容の一致性を保証する外部補償方式が提案されている。
【発明の概要】
【０００５】
第１方面として、本願の実施例は、Ｍ×Ｎアレイ配列の画素を含む表示パネルに応用されるデータ処理方法を提供する。前記データ処理方法において、表示中の第ｉ行、第ｊ（ｎ−１＜ｊ≦Ｎ）−ｎ（１≦ｎ≦Ｎ）＋１列、……、第ｊ−１列、第ｊ列を含む隣接するｎ列の画素に対応する電圧データであって、各画素に対応する駆動トランジスタの閾値電圧を算出するための電圧データを取得することと、記憶されている第ｉ（ｍ−１＜ｉ≦Ｍ）行の前のｍ（１＜ｍ＜Ｍ）−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断することと、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であれば、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データのフィルタリング処理を行い、フィルタリング処理後の電圧データから算出された閾値電圧と実閾値電圧との差を第１閾値差以下にすることとを含む。
【０００６】
本願の実施例において、前記第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データは、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する駆動トランジスタのソース電圧を含む。
【０００７】
本願の実施例において、記憶されている第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断することは、第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データと第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、特徴値を算出することと、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと前記特徴値に基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断することとを含む。
【０００８】
本願の実施例において、前記特徴値は、平均値または加重平均値であり、前記特徴値が加重平均値である場合、第ｉ行第ｊ列の画素に近い画素ほど、それに対応する重みが大きくなる。
【０００９】
本願の実施例において、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと前記特徴値に基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断することは、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと前記特徴値の差が第２閾値差より大きくなるかを判断し、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと前記特徴値の差が第２閾値差より大きくなると、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であると特定することを含む。
【００１０】
本願の実施例において、前記第２閾値差は、特徴値のＫ（０．１≦Ｋ≦０．２）倍である。
【００１１】
本願の実施例において、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データのフィルタリング処理を行うことは、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データを前記特徴値に修正することを含む。
【００１２】
本願の実施例の前記データ処理方法において、第ｉ＋１行の画素が表示される場合、第ｉ＋１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを記憶することをさらに含む。
【００１３】
本願の実施例の前記データ処理方法において、修正後の第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素を補償することをさらに含む。
【００１４】
第２方面として、本願の実施例は、Ｍ×Ｎアレイ配列の画素を含む表示パネルに応用されるデータ処理装置を提供する。前記データ処理装置は、表示中の第ｉ行、第ｊ（ｎ−１＜ｊ≦Ｎ）−ｎ（１≦ｎ≦Ｎ）＋１列、……、第ｊ−１列、第ｊ列を含む隣接するｎ列の画素に対応する電圧データであって、各画素に対応する駆動トランジスタの閾値電圧を算出するための電圧データを取得する取得回路と、記憶されている第ｉ（ｍ−１＜ｉ≦Ｍ）行の前のｍ（１＜ｍ＜Ｍ）−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断する判断回路と、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であれば、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データのフィルタリング処理を行い、フィルタリング処理後の電圧データから算出された閾値電圧と実閾値電圧との差を第１閾値差以下にするフィルタリング回路とを含む。
【００１５】
本願の実施例において、前記データ処理装置は、ｍ−１個の記憶回路をさらに含み、ここで、第ｋ（１≦ｋ≦ｍ−１）個の記憶回路は、第ｉ−ｍ＋ｋ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを記憶する。
【００１６】
本願の実施例において、前記判断回路は、第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データと第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、特徴値を算出し、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと前記特徴値の差が第２閾値差より大きくなるかを判断し、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと前記特徴値の差が第２閾値差より大きくなると、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であると特定する。
【００１７】
本願の実施例において、前記フィルタリング回路は、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データを前記特徴値に修正する。
【００１８】
本願の実施例において、第ｉ＋１行の画素が表示される場合、第ｉ＋１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを、第ｍ−１個の記憶回路に記憶し、第ｋ個の記憶回路に記憶されているデータは、ストリーム形式で第ｋ−１個の記憶回路に入力され、第ｋ−１個の記憶回路に記憶されているデータを置換する。
【００１９】
第３方面として、本願の実施例は、プロセッサで実行可能なコンピュータプログラムが記憶されているコンピュータ読み取り可能な媒体をさらに提供する。前記コンピュータプログラムが前記プロセッサによって実行されると、上記のデータ処理方法が実現される。
【００２０】
本願の実施例は、データ処理方法および装置、コンピュータ読み取り可能な媒体を提供する。Ｍ×Ｎアレイ配列の画素を含む表示パネルに応用されるデータ処理方法において、表示中の第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを取得することと、記憶されている第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断することと、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であれば、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データのフィルタリング処理を行い、フィルタリング処理後の電圧データから算出された閾値電圧と実閾値電圧との差を第１閾値差以下にすることとを含む。
【００２１】
本願のほかの特徴および利点は、後記の明細書で記載され、その一部が明細書から明らかになり、一部が本願の実施によって知られる。本願の目的およびほかの利点は、明細書、特許請求の範囲および添付図面で特に指摘される構造によって実現されて取得される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
添付図面は、本願の技術手段をさらに理解するためのものであり、明細書の一部を構成し、本願の実施例とともに本願の技術手段の解釈に用いられ、本願の技術手段に対する限定を構成しない。
【００２３】
【図１】従来の画素に接続される画素駆動回路の等価回路図である。
【図２】従来の画素の構造図である。
【図３】本願の実施例におけるデータ処理方法のフローチャートである。
【図４】本願の実施例におけるデータ処理装置の構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本願の目的、技術手段及び利点をより明確にするために、以下、添付図面を参照しながら本願の実施例を詳細に説明する。なお、矛盾しない限り、本願の実施例および実施例における特徴は、任意に組み合わせ可能である。
【００２５】
添付図面のフローチャートに示されているステップは、コンピュータ実行可能な指令を実行するコンピュータシステムで実行される。フローチャートで論理的な順番が示されているが、一部の場合において、ここの順番とは異なる順番で、示されていたり記載されたりしているステップを実行してもよい。
【００２６】
別途に定義することを除き、本願の実施例に使用される技術用語や科学用語は、本発明の所属する分野の一般技能を持つ者に理解される通常の意味である。本願の実施例に使用される「第１」、「第２」及び類似用語は、単に異なる構成部分を区別するためのものであり、順番、数量又は重要度をいっさい表さない。「含む」や「含有」およびその他の類似用語は、当該用語の前に現れる素子や部品が、当該用語の後に列挙される素子や部品およびその等価物を、ほかの素子や部品を除外することなくカバーすることを意味する。「接続」や「連結」およびその他の類似用語は、物理や機械的接続に限定するのではなく、直接か間接かを関係なしに電気的接続も含む。
【００２７】
ＯＬＥＤ外部補償技術は、各画素に接続される画素駆動回路の駆動トランジスタＤＴＦＴの特性パラメータに基づいて、校正後の駆動電圧を生成することによって、ＴＦＴの電気特性の不一致による輝度の不一致性を解決する。ここで、駆動トランジスタＤＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈは、ＯＬＥＤ外部補償技術における非常に重要な電気学パラメータである。
【００２８】
出願人の研究では、ＯＬＥＤディスプレイに短絡が生じたのであれば、それに対する外部補償の後に光点が生じてしまい、ＯＬＥＤディスプレイの表示効果に影響を及ぼすことを発見した。
【００２９】
図１は、従来の画像に接続される画素駆動回路の等価回路図である。図１に示すように、駆動トランジスタＤＴＦＴのゲートに印加される駆動電圧は、Ｖｇであり、駆動トランジスタＤＴＦＴを初期化するソース電圧は、Ｖｓである。スキャン信号側Ｓｃａｎ（スキャン）とセンス信号側Ｓｅｎｓｅ（センス）にオン信号を入力し、ＶｇとＶｓの差が駆動トランジスタＤＴＦＴの閾値電圧より大きくなると、駆動トランジスタＤＴＦＴがオンになり、電流が駆動トランジスタＤＴＦＴを流れてコンデンサＣｓｅｎｓｅ（Ｃセンス）に充電し、ノードＳの電圧がそれに応じて高められる。充電時間の増加に伴い、ノードＳの電圧がこれ以上高められないと、駆動トランジスタＤＴＦＴがオフ状態になる。現段階で閾値電圧Ｖｔｈの抽出方法として、駆動トランジスタＤＴＦＴのソース電圧を検出し、式Ｖｔｈ＝Ｖｇ−Ｖｓにより、駆動トランジスタＤＴＦＴの閾値電圧を取得する。
【００３０】
図２は、従来の画素の構造図であり、各画素に３つまたは４つのサブ画素を含む。図２は、各画素にＲサブ画素、Ｇサブ画素、Ｂサブ画素およびＷサブ画素の４つのサブ画素を含むことを例として説明する。図１と図２によれば、４つのサブ画素は、すべてセンス信号側Ｓｅｎｓｅに接続する。ＲＧＢＷのいずれか１つ（Ｒサブ画素とする）のノードＳがローレベル電源側ＥＬＶＳＳに短絡すると、表示パネルに対する外部補償の前に当該サブ画素が暗い点であり、Ｇサブ画素、Ｂサブ画素、Ｗサブ画素が正常に表示される。Ｒサブ画素のノードＳがローレベル電源側ＥＬＶＳＳに短絡するため、コンデンサＣｓｅｎｓｅは、正常に充電できない。この場合、算出された駆動トランジスタＤＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈ（＝Ｖｇ−０）は、実の駆動トランジスタＤＴＦＴの閾値電圧より大きい。表示パネルに対する外部補償の終了後、表示の際に当該画素のＧサブ画素、Ｂサブ画素およびＷサブ画素の輝度が周辺画素の輝度より高い明るい点であり、表示パネルの表示効果に影響を与える。
【００３１】
上記の技術課題を解決するために、本願の実施例は、データ処理方法および装置、コンピュータ読み取り可能な媒体を提供し、ＯＬＥＤディスプレイに対する外部補償の後に光点が生じてしまうことを避け、ＯＬＥＤディスプレイの表示効果を向上させる。
【００３２】
本願の実施例の技術手段として、表示中の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断し、異常である場合に該画素のフィルタリング処理を行い、フィルタリング処理後の電圧データから算出された閾値電圧が実閾値電圧に近いことを保証し、表示パネルに対する補償後に増えた光点を除去し、表示パネルの表示効果を向上させる。
【００３３】
図３は、本願の実施例におけるデータ処理方法のフローチャートである。図３に示すように、本願の実施例におけるデータ処理方法は、Ｍ×Ｎアレイ配列の画素を含む表示パネルに応用される。本願の実施例におけるデータ処理方法は、以下のステップを含む。
【００３４】
ステップ１００において、表示中の第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを取得する。
【００３５】
本願の実施例において、電圧データは、各画素に対応する駆動トランジスタの閾値電圧を算出するために用いられる。たとえば、電圧データは、画素に対応する駆動トランジスタのソース電圧を含む。
【００３６】
たとえば、隣接するｎ列は、第ｊ−ｎ＋１列、……、第ｊ−１列、第ｊ列を含み、ｎ−１＜ｊ≦Ｎ、１≦ｎ≦Ｎ。なお、ｎの値は、実際の需要に応じて特定されるが、これについて、本願の実施例において一切限定しない。
【００３７】
たとえば、表示中の第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データは、表示パネルの駆動ＩＣから出力されるサンプリングデータである。
【００３８】
ステップ２００において、記憶されている第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断する。
【００３９】
本願の実施例において、第ｉ行の前のｍ−１行は、第ｉ−１行、第ｉ−２行、……、第ｉ−ｍ＋１行を指す。
【００４０】
たとえば、ｍ−１＜ｉ≦Ｍ、１＜ｍ＜Ｍ。なお、ｎの値は、実際の需要に応じて特定されるが、これについて、本願の実施例において一切限定しない。
【００４１】
たとえば、記憶されている第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列のうち、隣接するｎ列は、第ｊ−ｎ＋１列、……、第ｊ−１列、第ｊ列を含み、取得された第ｉ行、隣接するｎ列の列数とは同じである。
【００４２】
ステップ３００において、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であれば、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データのフィルタリング処理を行い、フィルタリング処理後の電圧データから算出された閾値電圧と実閾値電圧との差を第１閾値差以下にする。
【００４３】
たとえば、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常でなければ、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素を補償する。
【００４４】
ここで、第１閾値差の値は、実際の需要に応じて特定されるが、これについて、本願の実施例において一切限定しない。
【００４５】
本願の実施例のデータ処理方法は、Ｍ×Ｎアレイ配列の画素を含む表示パネルに応用される。当該データ処理方法において、表示中の第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを取得することと、記憶されている第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断することと、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であれば、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データのフィルタリング処理を行い、フィルタリング処理後の電圧データから算出された閾値電圧と実閾値電圧との差を第１閾値差以下にすることとを含む。本願の実施例における技術手段として、表示中の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断し、異常である場合に該画素のフィルタリング処理を行い、フィルタリング処理後の電圧データから算出された閾値電圧が実閾値電圧に近いことを保証し、表示パネルに対する補償後に増えた光点を除去し、表示パネルの表示効果を向上させる。
【００４６】
本願の実施例において、ステップ２００は、第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データと第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、特徴値を算出することと、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと特徴値に基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断することとを含む。
【００４７】
本願の実施例において、特徴値は、平均値または加重平均値である。
【００４８】
なお、表示中の画素の行数の変化に伴い、特徴値は、リアルタイムに更新されるデータである。特徴値が加重平均値である場合、第ｉ行第ｊ列の画素に近い画素ほど、それに対応する重みが大きくなる。すなわち、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する重みは、第ｉ行第ｊ−１列の画素に対応する重みより大きく、第ｉ行第ｊ−１列の画素に対応する重みは、第ｉ行第ｊ−２列の画素に対応する重みより大きく、順に類推すると、第ｉ−ｍ＋１行第ｊ−ｎ＋１列の画素に対応する重みは、最も小さい。
【００４９】
本願の実施例において、表示パネルの画素の電圧データのリアルタイム性を考慮し、フィルタリングに近い電圧データの重みがほかのデータの重みより大きくなるように設定することによって、フィルタリング処理後の電圧データから算出された閾値電圧をなるべく実閾値電圧に近づかせることができ、表示パネルの補償後に増えた光点を最大限に除去することができる。
【００５０】
本願の実施例において、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと特徴値に基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断することは、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと特徴値の差が第２閾値差より大きくなるかを判断し、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと特徴値の差が第２閾値差より大きくなると、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であると特定することを含む。
【００５１】
たとえば、第２閾値差は、特徴値のＫ（０．１≦Ｋ≦０．２）倍である。
【００５２】
なお、Ｋの値は、サンプリングデータの離散性に応じて特定され、データが離散するほど、Ｋの値が大きくなる。たとえば、Ｋの大きさは、実際の必要に応じて調整され、これについて、本願の実施例において一切限定しない。
【００５３】
なお、表示中の画素の行数の更新に伴い、特徴値も更新され、対応する第２閾値差も同時に更新される。置換後の閾値電圧に基づいて、当該画素に対し正常な補償プロセスを行う。
【００５４】
本願の実施例において、第２閾値差をリアルタイムに更新されるデータとして設定し、表示パネルの駆動トランジスタの相違性を考慮しており、画素駆動回路のコンデンサの範囲が比較的に大きい。第２閾値差を小さく設定すると、電圧データのフィルタリングの誤処理が生じてしまい、正常の電圧データもろ過される。大きく設定すると、すべての異常の電圧データをろ過することが保証できない。
【００５５】
本願の実施例において、ステップ３００は、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データを特徴値に修正することを含む。
【００５６】
本願の実施例におけるデータ処理方法において、ステップ３００の後に、修正後の第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを記憶することをさらに含む。
【００５７】
本願の実施例におけるデータ処理方法において、ステップ３００の後に、修正後の第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素を補償することをさらに含む。
【００５８】
本願の実施例において、取得された表示中の第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データおよび記憶されている第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データは、実際にｍ×ｎのローカルフィルタリングウィンドウを構成することに相当する。ここで、ローカルフィルタリングウィンドウの第ｍ行のデータは、駆動ＩＣが表示中の第ｉ行、隣接するｎ列の画素をサンプリングして出力する電圧データである。
【００５９】
ｍ＝３、ｎ＝３を例としてデータ処理方法の動作プロセスを説明する。表示パネルで第１行が表示されるとき、第１行、たとえば第１列、第２列、第３列の隣接する３列の画素に対応する電圧データを取得して記憶する。第２行が表示されるとき、第２行、第１列、第２列、第３列の画素に対応する電圧データを取得して記憶する。第３行が表示されるとき、第３行、第１列、第２列、第３列の画素に対応する電圧データを取得する。記憶されている第１行、隣接する３列、第２行、隣接する３列および第３行、隣接する３列の画素に対応する電圧データの平均値または加重平均値を算出して特徴値とする。第３行第３列の画素に対応する電圧データと特徴値の差が第２閾値差より大きくなると、第３行第３列の画素に対応する電圧データが異常であると特定し、第３行第３列の画素に対応する電圧データを特徴値に置換する。第４行が表示されるとき、第４行、第１列、第２列、第３列の画素に対応する電圧データを取得し、記憶されている第２行、隣接する３列、第３行、隣接する３列および第４行、隣接する３列の画素に対応する電圧データの平均値または加重平均値を算出し、第４行第３列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断する。異常であれば、第４行第３列の画素に対応する電圧データを特徴値に置換する。すべての画素行のスキャンが終了するまで、上記のように類推する。
【００６０】
上記実施例の思想に基づき、本願の実施例は、Ｍ×Ｎアレイ配列の画素を含む表示パネルに応用されるデータ処理装置をさらに提供する。図４は、本願の実施例におけるデータ処理装置の構造図である。図４に示すように、本願の実施例におけるデータ処理装置は、取得回路１１と、判断回路１２と、フィルタリング回路１３を含む。
【００６１】
本願の実施例において、取得回路１１は、表示中の第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを取得する。
【００６２】
ここで、電圧データは、各画素に対応する駆動トランジスタの閾値電圧を算出するために用いられる。たとえば、電圧データは、画素に対応する駆動トランジスタのソース電圧を含む。
【００６３】
たとえば、隣接するｎ列は、第ｊ−ｎ＋１列、……、第ｊ−１列、第ｊ列を含み、ｎ−１＜ｊ≦Ｎ、１≦ｎ≦Ｎ。なお、ｎの値は、実際の需要に応じて特定されるが、これについて、本願の実施例において一切限定しない。
【００６４】
判断回路１２は、記憶されている第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断する。
【００６５】
本実施例において、第ｉ行の前のｍ−１行は、第ｉ−１行、第ｉ−２行、……、第ｉ−ｍ＋１行を指す。
【００６６】
ここで、ｍ−１＜ｉ≦Ｍ、１＜ｍ＜Ｍ。なお、ｎの値は、実際の需要に応じて特定されるが、これについて、本願の実施例において一切限定しない。
【００６７】
たとえば、判断回路１２は、第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データと第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、特徴値を算出し、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと特徴値の差が第２閾値差より大きくなるかを判断し、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データと特徴値の差が第２閾値差より大きくなると、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であると特定する。
【００６８】
フィルタリング回路１３は、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であれば、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データのフィルタリング処理を行い、フィルタリング処理後の電圧データから算出された閾値電圧と実閾値電圧との差を第１閾値差以下にする。
【００６９】
たとえば、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常でなければ、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素を補償する。
【００７０】
ここで、第１閾値差の値は、実際の需要に応じて特定されるが、これについて、本願の実施例において一切限定しない。
【００７１】
たとえば、フィルタリング回路は、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データを特徴値に修正する。
【００７２】
本願の実施例のデータ処理装置は、Ｍ×Ｎアレイ配列の画素を含む表示パネルに応用される。当該データ処理装置は、表示中の第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを取得する取得回路と、記憶されている第ｉ行の前のｍ−１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データに基づいて、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断する判断回路と、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データが異常であれば、第ｉ行第ｊ列の画素に対応する電圧データのフィルタリング処理を行い、フィルタリング処理後の電圧データから算出された閾値電圧と実閾値電圧との差を第１閾値差以下にするフィルタリング回路とを含む。本願の実施例における技術手段として、表示中の画素に対応する電圧データが異常であるかを判断し、異常である場合に該画素のフィルタリング処理を行い、フィルタリング処理後の電圧データから算出された閾値電圧が実閾値電圧に近いことを保証し、表示パネルに対する補償後に増えた光点を除去し、表示パネルの表示効果を向上させる。
【００７３】
本願の実施例におけるデータ処理装置は、ｍ−１個の記憶回路をさらに含み、ここで、第ｋ（１≦ｋ≦ｍ−１）個の記憶回路は、第ｉ−ｍ＋ｋ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを記憶する。
【００７４】
本願の実施例において、記憶回路は、行バッファを含む。
【００７５】
本願の実施例において、第ｉ＋１行の画素が表示される場合、すなわち表示パネルで次の行の画素が表示される場合、第ｉ＋１行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを、第ｍ−１個の記憶回路に記憶し、第ｋ個の記憶回路に記憶されているデータは、ストリーム形式で第ｋ−１個の記憶回路に入力され、第ｋ−１個の記憶回路に記憶されているデータを置換する。
【００７６】
たとえば、第ｉ行の画素が表示中であれば、ｍ−１個の記憶回路のデータおよび駆動ＩＣによって現在サンプリングされて出力される第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データを取得し、フィルタリングの後に、第２個の記憶回路の中のデータをストリーム形式で第１個の記憶回路に入力し、第３個の記憶回路の中のデータをストリーム形式で第２個の記憶回路に入力し、駆動ＩＣによって現在サンプリングされて出力される第ｉ行、隣接するｎ列の画素に対応する電圧データをストリーム形式で第ｍ−１個の記憶回路に入力する。
【００７７】
上記実施例の思想に基づき、本願の実施例は、プロセッサで実行可能なコンピュータプログラムが記憶されているコンピュータ読み取り可能な媒体をさらに提供する。コンピュータプログラムがプロセッサによって実行されると、本願の実施例におけるデータ処理方法が実現される。
【００７８】
以上に記載の方法のすべてまたは一部のステップ、システム、装置の中の機能的モジュール／ユニットが、ソフトウェア、ファームウェア、ハードウェアおよび適切な組み合わせで実施されうることは、当業者が理解可能である。ハードウェアの実施形態において、以上の記載に言及された機能的モジュール／ユニットの区分は、必ずしも物理的構成要素の区分に対応するというわけではない。たとえば、１つの物理的構成要素が複数の機能を有してもよく、または１つの機能やステップは、複数の物理的な構成要素によって共同で実行される。一部の構成要素またはすべての構成要素は、デジタル信号プロセッサやマイクロプロセッサなどのプロセッサによって実行されるソフトウェアとして実施され、または、ハードウェアとして実施され、または、専用集成回路などの集成回路として実施される。このようなソフトウェアは、コンピュータ読み取り可能な媒体に分布可能である。コンピュータ読み取り可能な媒体は、コンピュータ記憶媒体（または非一時的な媒体）と通信媒体（または一時的な媒体）を含む。当業者に周知されるように、コンピュータ記憶媒体という用語は、情報（たとえばコンピュータ読み取り可能なコマンド、データ構造、プログラムモジュールまたはほかのデータ）を記憶するためのあらゆる方法や技術で実施される揮発性／非揮発性、取り外し可能な／取り外し不可能な媒体を含む。コンピュータ記憶媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリまたはほかの記憶装置技術、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤまたはほかの光ディスク記憶媒体、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスクまたはほかの磁気記憶装置、所望情報の記憶に用いられかつコンピュータからアクセス可能なほかの媒体を含むが、それらに限られない。また、当業者に周知されるように、通信媒体は、通常、コンピュータ読み取り可能なコマンド、データ構造、プログラムモジュールまたは搬送波やほかの伝送機構の変調データ信号のうちのほかのデータを含み、あらゆる情報伝達媒体を含む。
【００７９】
本願の実施例の添付図面は、本願の実施例に係る構造のみに係り、ほかの構造は、通常の設計を参照されたい。
【００８０】
矛盾しない限り、本願の実施例および実施例における特徴は、互いに組み合わせて新規の実施例を得ることができる。
【００８１】
以上、本願の実施形態を開示したが、記載の内容は、単に本願を容易に理解するための実施形態であり、本願を限定するためのものではない。当業者は、本願に開示された精神や範囲を逸脱せずに、実施の形式や細部においてあらゆる修正や変更を行うことができる。ただし、本願の特許保護範囲は、添付の特許請求の範囲によって決められた範囲を基準としなければならない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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