(57)【要約】  本開示は、組織の電磁刺激のための方法およびデバイスに関する。いくつかの方法は、ａ）組織を含む体積を取り囲む電磁トランスデューサの配置構成を配設するステップと、ｂ）時間期間に活性化パターンに従って電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電磁場刺激を印加するステップとを含み、活性化パターンは電磁場ベクトルの強度および方向を変化させることを可能にする。  いくつかのデバイスはコンピューティングユニットと、コンピューティングユニットに接続されている外部電源と、外部電源およびコンピューティングユニットに接続されている減結合回路と、外部電源、減結合回路、およびコンピューティングユニットに接続されているスイッチング回路と、コンピューティングユニットおよびデスイッチング回路に接続されている電磁トランスデューサの配置構成とを備え、コンピューティングユニットは、組織の電磁刺激のための開示の方法を実装する。
2021512702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組織の電磁刺激のための方法であって、
ａ）組織を含む体積を取り囲む電磁トランスデューサの配置構成を配設するステップと、
ｂ）決定された時間期間に、活性化パターンに従って前記電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電磁場刺激を印加するステップとを含み、
前記活性化パターンは、前記電磁トランスデューサの配置構成によって生成される電磁場ベクトルの強度および方向を変化させることを可能にする方法。
【請求項２】
ステップ（ｂ）の後に、前記活性化パターンを変更し、ステップ（ｂ）に戻るステップがある請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記活性化パターンを変更するステップは、前記電磁トランスデューサの配置構成によって生成される電磁場の強度の測定結果、組織インピーダンス応答フィードバック、またはこれらの組合せに基づき実行される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ａ）において、前記電磁トランスデューサの配置構成は、磁場トランスデューサの一体的配置構成である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ａ）において、前記電磁トランスデューサの配置構成は、２つの電場トランスデューサを有する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ステップ（ａ）において、前記電磁トランスデューサの配置構成では、前記電磁トランスデューサは、エンジン、電極、光電変換素子、誘導アクチュエータ、抵抗器、誘導のために磁場を発生させるコイル、アンテナ、平行平板導体材料、およびこれらの組合せからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ａ）において、前記電磁トランスデューサの配置構成は、前記体積を取り囲むフレームの上に配設される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ステップ（ａ）において、前記電磁トランスデューサの配置構成の各電磁トランスデューサの活性面は、前記組織の外面と接触する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ステップ（ａ）において、前記電磁トランスデューサの配置構成の各電磁トランスデューサの活性面は、前記組織の外面から離間する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ステップ（ａ）において、前記電磁トランスデューサの配置構成における前記電磁トランスデューサのうちの１つの活性面は、前記組織の外面から離間する請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ステップ（ａ）において、前記電磁トランスデューサの配置構成における前記電磁トランスデューサの活性面の領域の一部は、前記組織の外面と接触する請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ステップ（ｂ）は、コンピューティングユニットで実行され、前記活性化パターンは、
Ａ）  初期値を伴う電場トランスデューサインデックスと、電場トランスデューサの対の最大数を前記コンピューティングユニットにおいて定義するステップと、
Ｂ）  ステップ（Ａ）の前記電場トランスデューサインデックスについて定義されている位置において前記電磁トランスデューサの配置構成から１対の電場トランスデューサを同時に選択するステップと、
Ｃ）  ステップ（Ｂ）において選択された電場トランスデューサの前記対を、決定された極性で、前記対の電場トランスデューサが決定された時間期間に前記対の他の電場トランスデューサに関して正の電位を有するように活性化するステップと、
Ｅ）  ステップ（Ｂ）において選択された電場トランスデューサの前記対を非活性化するステップと、
Ｆ）  電場トランスデューサに対するインデックスを増加し、前記電場トランスデューサインデックスを電場トランスデューサの対の前記最大数と比較するステップであって、
−  前記電場トランスデューサインデックスが電場トランスデューサの対の前記最大数より大きい場合、前記電場トランスデューサに対する前記インデックスをステップ（Ａ）で定義された値に等しい値にし、ステップ（Ｂ）に戻り、
−  前記電場トランスデューサの前記インデックスが電場トランスデューサの対の前記最大数以下である場合に、ステップ（Ｂ）に戻る、ステップとに従い、
前記電場トランスデューサインデックスは、電場トランスデューサの対の前記最大数より小さく、前記電磁トランスデューサの配置構成は、「ｎ」を２より大きい自然数として、「ｎ」対の電場トランスデューサを有する請求項５に記載の方法。
【請求項１３】
ステップ（Ｃ）の後に、ステップ（Ｂ）において選択された電場トランスデューサの前記対の前記極性がステップ（Ｃ）の前記極性に関して反転されるステップ（Ｄ）がある、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ステップ（ｂ）は、コンピューティングユニットで実行され、前記活性化パターンは、
Ａ）  磁気トランスデューサインデックスおよび磁気トランスデューサの最大数を定義するステップと、
Ｂ）  ステップ（Ａ）の前記磁場トランスデューサインデックスについて定義されている位置で同時に前記電磁トランスデューサの配置構成から磁場トランスデューサを選択するステップと、
Ｃ）  ステップ（Ｂ）で選択された前記磁気トランスデューサを決定された時間期間に活性化し、ステップ（Ｄ）に進むステップと、
Ｄ）  ステップ（Ｂ）で選択された前記磁気トランスデューサを非活性化し、ステップ（Ｅ）に進むステップと、
Ｅ）  磁気トランスデューサインデックスを増大させ、前記磁気トランスデューサインデックスを磁気トランスデューサの前記最大数と比較し、
−  前記磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの前記最大数より大きい場合、前記磁気トランスデューサインデックスをステップ（Ａ）で定義された値に等しい値にし、ステップ（Ｂ）に戻り、
−  前記磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの前記最大数以下である場合、ステップ（Ｂ）に戻る、ステップとに従い、
前記磁気トランスデューサインデックスは、磁気トランスデューサの前記最大数より小さい請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
組織を電磁場で刺激するためのデバイスであって、
−  コンピューティングユニットと、
−  前記コンピューティングユニットに接続されている外部電源と、
−  前記外部電源および前記コンピューティングユニットに接続されている減結合回路と、
−  前記外部電源、前記減結合回路、および前記コンピューティングユニットに接続されているスイッチング回路と、
−  前記コンピューティングユニットおよび前記デスイッチング回路に接続されている電磁トランスデューサの配置構成とを備え、
前記コンピューティングユニットは、組織の電磁刺激のための方法を実装し、前記方法はａ）組織を含む体積を取り囲む電磁トランスデューサの配置構成を配設するステップと、ｂ）決定された時間期間に、活性化パターンに従って前記電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電磁場刺激を印加するステップとを含み、前記活性化パターンは、前記電磁トランスデューサの配置構成によって生成される電磁場ベクトルの強度および方向を変化させることを可能にするデバイス。
【請求項１６】
ステップ（ｂ）は、前記コンピューティングユニットで実行され、前記活性化パターンは、
Ａ）  初期値を伴う電場トランスデューサインデックスと、電場トランスデューサの対の最大数を前記コンピューティングユニットにおいて定義するステップと、
Ｂ）  ステップ（Ａ）の前記電場トランスデューサインデックスについて定義されている位置において前記電磁トランスデューサの配置構成から１対の電場トランスデューサを同時に選択するステップと、
Ｃ）  ステップ（Ｂ）において選択された電場トランスデューサの前記対を、決定された極性で、前記対の電場トランスデューサが決定された時間期間に前記対の他の電場トランスデューサに関して正の電位を有するように活性化するステップと、
Ｅ）  ステップ（Ｂ）において選択された電場トランスデューサの前記対を非活性化するステップと、
Ｆ）  電場トランスデューサに対するインデックスを増加し、前記電場トランスデューサインデックスを電場トランスデューサの対の前記最大数と比較するステップであって、
−  前記電場トランスデューサインデックスが電場トランスデューサの対の前記最大数より大きい場合、前記電場トランスデューサに対する前記インデックスをステップ（Ａ）で定義された値に等しい値にし、ステップ（Ｂ）に戻り、
−  前記電場トランスデューサの前記インデックスが電場トランスデューサの対の前記最大数以下である場合に、ステップ（Ｂ）に戻る、ステップとに従い、
前記電場トランスデューサインデックスは、電場トランスデューサの対の前記最大数より小さく、前記電磁トランスデューサの配置構成は、「ｎ」を２より大きい自然数として、「ｎ」対の電場トランスデューサを有する請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
ステップ（ｂ）は、前記コンピューティングユニットで実行され、前記活性化パターンは、
Ａ）  磁気トランスデューサインデックスおよび磁気トランスデューサの最大数を定義するステップと、
Ｂ）  ステップ（Ａ）の前記磁場トランスデューサインデックスについて定義されている位置で同時に前記電磁トランスデューサの配置構成から磁場トランスデューサを選択するステップと、
Ｃ）  ステップ（Ｂ）で選択された前記磁気トランスデューサを決定された時間期間に活性化し、ステップ（Ｄ）に進むステップと、
Ｄ）  ステップ（Ｂ）で選択された前記磁気トランスデューサを非活性化し、ステップ（Ｅ）に進むステップと、
Ｅ）  磁気トランスデューサインデックスを増大させ、前記磁気トランスデューサインデックスを磁気トランスデューサの前記最大数と比較し、
−  前記磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの前記最大数より大きい場合、前記磁気トランスデューサインデックスをステップ（Ａ）で定義された値に等しい値にし、ステップ（Ｂ）に戻り、
−  前記磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの前記最大数以下である場合、ステップ（Ｂ）に戻る、ステップとに従い、
前記磁気トランスデューサインデックスは、磁気トランスデューサの前記最大数より小さい請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記コンピューティングユニットは、第１のＯＳＣ  １、第２の発振器ＯＣＳ  ２から発振器ＯＳＣ  「ｎ」までの発振器に接続されている中央演算処理装置（ＣＰＵ）（２１ａ）を備える専用コンピューティングユニットであり、各発振器は活性化信号出力を有し、「ｎ」はゼロ以上の自然数である請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記中央演算処理装置は、ほかにもあるがとりわけ、メモリユニット、データベース、およびハードドライブなどのストレージデバイス、キーボード、カメラ、タッチスクリーンディスプレイ、およびスキャナなどの入力デバイス、ディスプレイおよびプリンタなどの出力デバイスから選択された周辺デバイスにも接続される請求項１５に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年２月７日に出願したコロンビア出願第ＮＣ２０１８／０００１２８２号の優先利益を主張するものである。上述の特許出願は全体が参照により本明細書に組み込まれ、本出願の一部をなす。
【０００２】
本明細書に開示されている組織刺激は、２０１８年２月７日に出願したコロンビア出願第ＮＣ２０１８／０００１２８３号に関係する。
【０００３】
本開示は、電磁場、電場、および磁場により組織を刺激するための方法に関係する。より具体的には、本開示は、空間走査による電磁場、電場、および磁場による組織刺激に関するものであり、前記空間走査は３本の軸にわたる３次元空間内の電磁場、電場、または磁場ベクトルの変動を指す。
【背景技術】
【０００４】
生物は、移動し、食物を摂取し、環境と相互作用することを、生物の電気的活動も伴う、生化学的相互作用を通じて行う。
【０００５】
この電気的活動は、電流ならびに電場および磁場の形態で測定することができ、これらは、たとえば、心臓の電気的活動の場合には心電計（ＥＣＧ）と呼ばれ、脳の電気的活動を測定する場合には脳波計（ＥＥＧ）と呼ばれる、筋電計（ＥＭＧ）によって記録される。
【０００６】
同様に、電磁場により生物に影響を及ぼすことが可能であり、これは、帯電しているか、または帯電し得る物質が影響を受ける仕方に類似している。研究では、これらの場は、生物に印加されたときに、細胞の再生および／または劣化を生じさせ得ることを実証している。磁場の印加に関する研究には、損傷もしくは麻痺した筋群の再建など、たとえば、ほかにもあるがとりわけ、心臓の磁気刺激および骨組織の再生などの、注目領域が含まれる。
【０００７】
他方では、電場の印加の研究は、たとえば、ほかにもあるがとりわけ、線維筋痛症、慢性疼痛、注意欠陥、双極性障害、慢性疲労、睡眠障害、抑鬱、および不安などの特定の機能不全の状態を扱う中枢神経系疾患の治療などの注目領域を含む。
【０００８】
たとえば、米国特許第９２７８２３１Ｂ２号および米国特許第９１３８５８５Ｂ２号によって開示されているものなどの、組織の電磁気刺激のための方法が開示されている。
【０００９】
米国特許第９２７８２３１Ｂ２号では、磁場を発生させるためのデバイスおよび方法（ＭＦＧ、磁場発生装置）を開示しており、このデバイスは、磁場発生デバイス内で円周方向に巻かれた電気コイルを備え、また、ＳＰＭＦ（逐次プログラム磁場（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌｌｙ  Ｐｒｏｇｒａｍｍｅｄ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｆｉｅｌｄ））と呼ばれる装置も開示しており、この装置は、焦点領域内にパルス磁場を発生させるためのＭＦＧの配置構成を備え、パルスは疾病および施される治療の種類に依存する組み込みロジックに基づきプロトコルを生成するコンピュータに接続されているスイッチ操作システムによって制御される。
【００１０】
米国特許第９２７８２３１Ｂ２号では、決定された周波数範囲の順序付けられた順次的パターンに従って、パルス磁場を標的組織に印加する方法を説明しており、他のモダリティでは、磁場は、同時に、位相をずらして活性化される複数の対向する対のＭＦＧによって生成され、各対のＭＦＧは、回転配置構成に従うパターンで活性化される。
【００１１】
しかし、米国特許第９２７８２３１Ｂ２号では、組織の形状に応じてＭＦＧの位置を調整することを開示せず、したがって、組織への磁場の印加は非効率である。
【００１２】
米国特許第９２７８２３１Ｂ２号は、磁場の使用を説明しているだけであり、電場を組み合わせることについては説明していない。電場を組織に印加する技術的効果は磁場の効果に勝るので、説明されている刺激は、磁場と電場とを組み合わせた刺激と比較して不十分である。
【００１３】
米国特許第９２７８２３１Ｂ２号では、活性化パターンを組織刺激の進行に応じて調整するためのフィードバックを開示していないが、これは、刺激を行っている間の組織の変動に適応できないからである。
【００１４】
米国特許第９２７８２３１Ｂ２号では、磁場ベクトルの変動が円形平面内で行われ、他の軸上では行われず、したがって、磁場ベクトルが円形平面に対して傾斜しているところでは組織が刺激され得ず、その結果、組織刺激が不十分なものとなる、ことを開示している。
【００１５】
米国特許第９１３８５８５Ｂ２号では、電極の多極システムとともに使用されるように医療デバイスを構成するための方法を開示しており、この方法は、ユーザに電気刺激ベクトルのインタラクティブなグラフィック表現を提供することと、前記ベクトルの選択を受けることと、前記選択の視覚的指示を提供することと、ベクトルの前記選択をインタラクティブに使用して、治療されるべき組織上で電気刺激試験を実行することとを含む。
【００１６】
米国特許第９１３８５８５Ｂ２号では、より多くの試験を実行するか、または停止するかを決定するためにインピーダンスレベルの測定を実行できることが開示されている。
【００１７】
米国特許第９１３８５８５Ｂ２号では、電場の印加が、組織インピーダンスを測定したにもかかわらず、治療中の組織の変動に適合され、電場の適用のパラメータは、電気刺激ベクトルのインタラクティブなグラフィック表現との相互作用を介してユーザによって調整されなければならないことを、開示していない。
【００１８】
米国特許第９１３８５８５Ｂ２号は、トランスデューサを埋め込むために、組織群を切開して標的組織に到達しなければならず、危険で複雑な手順により健常組織に損傷を与える可能性があるので、侵襲的に適用されるのみである。
【００１９】
米国特許第９１３８５８５Ｂ２号は、異なる種類の組織に使用することができるとしても、主に心臓に使用される。
【００２０】
実際、最新技術が、電場を伴う方法および組織の治療のための電場を使用する文献を含んでいる場合、これらの電場は、治療中の組織の変動に適応せず、また電磁場ベクトルを平面内で変化させることに限定されているので電磁場ベクトルの３次元空間内に変動を発生するように適用されず、組織に対する有益な効果を制限する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２１】
【特許文献１】米国特許第９２７８２３１Ｂ２号
【特許文献２】米国特許第９１３８５８５Ｂ２号
【特許文献３】コロンビア出願第ＮＣ２０１８／０００１２８３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
本開示は、空間走査による組織の電磁刺激のための方法およびデバイスに関するものであり、方法は、ａ）組織を含む体積を取り囲む電磁トランスデューサの配置構成を配設するステップと、ｂ）決定された時間期間の間、活性化パターンに従って電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電磁場刺激を印加するステップであって、活性化パターンは、電磁トランスデューサの配置構成によって生成される電磁場ベクトルの強度および方向を変化させることを可能にするステップとを含む。前記空間走査は、３次元空間内の、電磁場、電場または磁場のベクトルの変化を指す。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
任意選択で、ステップ（ｂ）の後に、活性化パターンの変更を伴い、ステップ（ｂ）に戻るステップがあり、活性化パターンの前記変更は、ユーザによって実行され得るか、コンピューティングユニット内でプログラムされ得るか、またはフィードバックを通じて手動でもしくは自動的に調整され得る。前記フィードバックは、電磁場強度、組織インピーダンス応答、温度、組織表面画像、組織インピーダンス応答、またはこれらの組合せであってよい。
【００２４】
組織を電磁界で刺激するためのデバイスが提供され、デバイスはコンピューティングユニットと、コンピューティングユニットに接続される外部電源と、外部電源およびコンピューティングユニットに接続される減結合回路と、外部電源、減結合回路、およびコンピューティングユニットに接続されるスイッチング回路と、コンピューティングユニットおよびスイッチング回路に接続される電磁トランスデューサの配置構成とを備え、コンピューティングユニットは、組織の電磁刺激のための方法を実装し、この方法はａ）組織を含む体積を取り囲む電磁トランスデューサの配置構成を配設するステップと、ｂ）決定された時間期間の間、活性化パターンに従って電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電磁場刺激を印加するステップであって、活性化パターンは、電磁トランスデューサの配置構成によって生成される電磁場ベクトルの強度および方向を変化させることを可能にするステップとを含む。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】組織を含む体積上でのトランスデューサの配置構成の一例を示す図である。
【図２Ａ】電場または磁場ベクトルが表現される３次元座標系を示す図である。
【図２Ｂ】平面ｘｙに関してある角度を成す電場または磁場ベクトルの表現を伴う組織切片の一例を示す図である。
【図２Ｃ】平面ｘｙに関して９０°の角度を成す電場または磁場ベクトルの表現を伴う組織切片の一例を示す図である。
【図２Ｄ】平面ｘｙに関して１８０°の角度を成す電場または磁場ベクトルの表現を伴う組織切片の一例を示す図である。
【図２Ｅ】平面ｘｙに関して３６０°の角度を成す電場または磁場ベクトルの表現を伴う組織切片の一例を示す図である。
【図３Ａ】初期時間１の活性化パターンが１対の電磁トランスデューサを活性化するトランスデューサの配置構成を示す上面図である。
【図３Ｂ】初期時間１の活性化パターンが１対の電磁トランスデューサを活性化するトランスデューサの配置構成を示す上面図である。
【図３Ｃ】初期時間１の活性化パターンが１対の電磁トランスデューサを活性化するトランスデューサの配置構成を示す正面図である。
【図４Ａ】初期時間２の活性化パターンが１対の電磁トランスデューサを活性化するトランスデューサの配置構成を示す上面図である。
【図４Ｂ】初期時間２の活性化パターンが１対の電磁トランスデューサを活性化するトランスデューサの配置構成を示す上面図である。
【図４Ｃ】初期時間２の活性化パターンが１対の電磁トランスデューサを活性化するトランスデューサの配置構成を示す正面図である。
【図５Ａ】初期時間３の活性化パターンが１対の電磁トランスデューサを活性化するトランスデューサの配置構成を示す等角図である。
【図５Ｂ】初期時間３の活性化パターンが１対の電磁トランスデューサを活性化するトランスデューサの配置構成を示す上面図である。
【図５Ｃ】初期時間３の活性化パターンが１対の電磁トランスデューサを活性化するトランスデューサの配置構成を示す正面図である。
【図６Ａ】２つの電磁トランスデューサが共線的形態で互いに向き合う活性面を有する状態を示す図である。
【図６Ｂ】２つの電磁トランスデューサが共線的形態で互いに向き合う活性面を有し、その活性面の領域の一部が組織と接触し、その活性面の別の一部が組織から離間する状態を示す図である。
【図７Ａ】電磁トランスデューサの配置構成を個人の腕組織と接触させ、腕組織を標的とする一例を示す図である。
【図７Ｂ】電磁トランスデューサの配置構成を個人の腕組織と接触させず、腕組織を標的とする一例を示す図である。
【図８Ａ】電磁トランスデューサの配置構成を個人の腹部領域中の組織と接触させ、腹部領域中の組織を標的とする一例を示す図である。
【図８Ｂ】電磁トランスデューサの配置構成を個人の腹部領域中の組織と接触させず、腹部領域中の組織を標的とする一例を示す図である。
【図９Ａ】電磁トランスデューサの配置構成を個人の膝領域中の組織と接触させ、膝領域中の組織を標的とする一例を示す図である。
【図９Ｂ】電磁トランスデューサの配置構成を個人の膝領域中の組織と接触させず、膝領域中の組織を標的とする一例を示す図である。
【図１０】本開示の組織刺激デバイスの一例のブロック図である。
【図１１】本開示の組織刺激デバイスの専用コンピューティングユニットの一例のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本開示は、電磁場の空間走査による組織の電磁刺激のための方法およびデバイスを開示し、前記空間走査は電磁トランスデューサの配置構成の活性化を介した３次元空間における電磁場、電場、または磁場ベクトルの変動を指し、場ベクトルは、電磁トランスデューサの配置構成の様々なトランスデューサが同時に組織に作用した結果得られるベクトルである。
【００２７】
空間走査による組織の電磁刺激の効果のうちの１つは、前記刺激に関連付けられている電磁エネルギーのより良い分布、言い換えると、刺激されている組織への電磁刺激のより良い用量を得ることである。
【００２８】
外部電源によって供給される電力はフィードバックに応じて、たとえば組織インピーダンス応答に応じて投与されるので、空間走査による組織の電磁刺激の別の効果は、空間走査による組織の電磁刺激のためのデバイスの優れた性能である。
【００２９】
電磁場の空間走査による組織の電磁刺激のための方法は、デバイスの電磁トランスデューサの配置構成によって生成される電磁場ベクトルの強度および方向を変化させる特定の活性化パターンを使用することによって、電磁トランスデューサの配列の過熱を回避することを可能にする。
【００３０】
図１を参照すると、本開示の方法の一例の流れ図が示されており、組織の電磁刺激の方法は、組織（３）を含む体積（２）を取り囲む電磁トランスデューサ（１）の配置構成を配設するステップａ）と、決定された時間期間の間、活性化パターンに従って電磁トランスデューサ（１）の配置構成を通じて組織に電磁場刺激を印加するステップｂ）であって、活性化パターンは、ｘｙｚ軸座標系、「ｘ」、「ｙ」、および「ｚ」の３次元空間内で、電磁トランスデューサ（１）の配置構成によって生成される電磁場ベクトルの強度および方向を変化させることを可能にする。
【００３１】
組織とは、１つまたは複数の細胞からなる生物の生体組織を指し、ただ１つのクラスの細胞、すべて同じ細胞、または秩序正しく配置構成されて器官または生命体を形成する様々な種類の細胞によって構成され得る。引用されている組織は、上皮組織、結合組織、筋肉組織、神経組織、またはこれらの組合せ、などの健常組織であってよい。また、組織は、健常組織中に全体的または部分的な生物化学的不均衡を有する組織であってもよく、前記生物化学的不均衡は、次いで、良性組織、新生物組織、悪性新生物組織、または恒常性から外れたもしくは恒常性のある任意の細胞に対応し得る。また、組織とは、生体内の細胞、または移植前では生体内環境内に入る前記細胞を指すものとしてよい。
【００３２】
組織は、限定はしないが、哺乳類、鶏、七面鳥、ガチョウおよびアヒルを含む鳥類、魚類、甲殻類（エビ、ロブスター、ザリガニ）、ならびにクロコダイルおよびアリゲーターなどの爬虫類を含む動物に由来するか、または由来するものであってよい。本明細書で使用されているような「哺乳類」という用語は、ヒト、カニクイザル、チンパンジー、ヒヒ、およびゴリラなどの、ヒト以外の霊長類、ウマ科の動物、ウシ科の動物、イノシシ科の動物、ヤギ科の動物、イヌ科の動物、ネコ科の動物、ヒツジ科の動物、ウサギ、ラマを含む家畜、ウシ、ヒツジ、ブタ、ウマ、ヤギなどの有蹄動物、イヌ、ネコ、ネズミ、ウサギ、ならびにモルモット、ハムスターおよびラットなどの齧歯類を含む、哺乳類に分類される任意の哺乳類を指す。
【００３３】
生体組織の電磁刺激または組織の刺激は、ほかにもあるがとりわけ、組織インピーダンス応答、組織血管新生、組織温度、組織健康状態、組織増殖率などの、前記生体組織の特性の特定の変化を誘発するために前記生体組織にエネルギーを投与することを指す。
【００３４】
図１０を参照すると、本開示の組織刺激デバイスの一例が示されており、組織刺激デバイスは、コンピューティングユニット（２１）と、コンピューティングユニット（２１）に接続されている外部電源（２２）と、外部電源（２２）およびコンピューティングユニット（２１）に接続されている減結合回路（２３）と、減結合回路（２３）に接続されているスイッチング回路（４０）と、スイッチング回路（４０）に接続されている電磁トランスデューサ（１）の配置構成を備え、コンピューティングユニット（２１）は、電場の空間走査で組織を刺激するための方法、磁場の空間走査で組織を刺激するための方法、および電場の空間走査と磁場の空間走査とを組み合わせた方法を実装し、スイッチング回路（４０）を通じて電磁場トランスデューサ、電場または磁場の配置構成の電磁トランスデューサを活性化する活性化パターンを生成するための組織刺激デバイスを備えるように構成され得る。
【００３５】
任意選択で、コンピューティングユニット（２１）は、組織の電磁刺激のための方法を実装し、この方法はａ）組織を含む体積を取り囲む電磁トランスデューサの配置構成を配設するステップと、ｂ）決定された時間期間の間、活性化パターンに従って電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電磁場刺激を印加するステップであって、活性化パターンは、スイッチング回路（４０）を通じて電磁トランスデューサ、電場または磁場の配置構成によって生成される電磁場ベクトルの強度および方向を変化させることを可能にするステップとを含む。
【００３６】
任意選択で、スイッチング回路（４０）、電磁トランスデューサ（１）の配置構成、減結合回路（２３）の間になされる接続は、データバスを使用して行われる。
【００３７】
本明細書で使用されているように、バスは、データの輸送手段を提供する複数のコネクタまたは電線のセットを指し、前記データは、たとえば、活性化信号であるか、または活性化パターンに関連するものとしてよい。
【００３８】
前記組織刺激デバイスは、電磁場で組織を刺激するためのデバイス、または電場および磁場で組織を刺激するためのデバイス、または組織を刺激するための単なるデバイスとして理解されてもよい。
【００３９】
図１１を参照すると、コンピューティングユニット（２１）が、第１のＯＳＣ  １、第２の発振器ＯＣＳ  ２から発振器ＯＳＣ  ｎまでの発振器に接続され、各発振器は活性化信号出力（３１〜３３）を有し、「ｎ」はゼロ以上の自然数である、中央演算処理装置（ＣＰＵ）（２１ａ）を備える専用コンピューティングユニットである例が示されている。これによると、コンピューティングユニット（２１）は、最大「ｎ」個の出力を有し得る。任意選択で、「ｎ」は、約１から約１０００の間の値であり、代替的に、「ｎ」は１、および任意選択で２００であるが、この値に束縛されない。活性化信号出力は、チャネルとも称され得る。
【００４０】
本明細書おいて使用されているように「約」は、＋２０％から−２０％の変動を意味する。
【００４１】
任意選択で、各発振器の活性化信号出力（３１、３２、および３３）は、電磁トランスデューサ（１）の配置構成に直接的にまたは減結合回路（２３）を介して、接続される。
【００４２】
代替的に、各発振器の活性化信号出力（３１、３２、および３３）は、電磁トランスデューサ（１）の配置構成に直接的にまたはＣＰＵ（２１ａ）に接続されるスイッチング回路（４０）を通じて、接続される。
【００４３】
代替的に、ＣＰＵ（２１ａ）は、ほかにもあるがとりわけ、メモリユニット、データベース、およびハードドライブなどのストレージデバイス、キーボード、カメラ、タッチスクリーンディスプレイ、およびスキャナなどの入力デバイス、ディスプレイおよびプリンタなどの出力デバイスから選択された周辺デバイスにも接続される。
【００４４】
組織刺激デバイスの別の例では、発振器は信号発生器に置き換えられる。
【００４５】
任意選択で、周波数、位相、振幅、デューティサイクルなどの各活性化信号のパラメータは、組織刺激デバイスに接続されているＨＩＤを通じてユーザによって、リモートコンピューティングユニットの命令により修正することができる。
【００４６】
組織刺激デバイスのコンピューティングユニット（２１）は、トランスデューサによって受信され、組織に印加されて組織を刺激する活性化信号出力（３１〜３３）を動的に調整するために、フィードバック（３０）、たとえば、組織インピーダンス応答フィードバックを使用し得る。
【００４７】
フィードバック（３０）は、システムの挙動を制御することを目的とする、組織刺激デバイスの出力の特定の部分を入力にリダイレクトするメカニズムである。たとえば、電場、磁場、またはその両方で組織を刺激するときに、組織インピーダンス応答に変動があり得る。組織インピーダンス応答のフィードバックは、電場トランスデューサを採用することによって得られ、このフィードバックは組織インピーダンス応答の変動を感知し、活性化信号を動的に調整することを可能にする。
【００４８】
代替的に、フィードバック（３０）は、組織刺激に対する組織インピーダンス応答を得ることに限定されず、前記フィードバックは、組織に関連する測定データを伝達するバスであってよい。たとえば、フィードバック（３０）は、組織疲労を決定するための温度の測定、組織血管新生を決定するための組織表面の画像、組織インピーダンス応答の測定、またはこれらの組合せを組み込み得る。
【００４９】
電場、または磁場、またはその両方で組織を刺激するときに、組織の表面に温度上昇があり得る。温度の変化を感知し、電場、磁場、またはその両方の場の活性化パターンを動的に調整して、過熱による組織の損傷を回避するために、温度センサまたは温度測定デバイスが使用され得る。
【００５０】
本開示を理解する上で、コンピューティングユニットは、データを処理するデバイス、たとえば、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、ＤＳＣ（デジタルシグナルコントローラ）、ＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレイ）、ＣＰＬＤ（コンプレックスプログラマブルロジックデバイス）、ＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）、ＳｏＣ（システムオンチップ）、ＰＳｏＣ（プログラマブルシステムオンチップ）、コンピュータ、サーバ、タブレット、携帯電話、スマートフォン、および当業者に知られているコンピュータユニット、またはこれらの組合せである。このコンピューティングユニットは、ストレージデバイス、ディスプレイデバイスおよび／またはヒューマンインターフェースデバイス（ＨＩＤ）を含み、本開示の方法を実行するようにプログラムされている専用コンピューティングユニットであるか、またはそれを含んでいてもよい。
【００５１】
ストレージデバイスは、限定はしないが、ＲＡＭメモリ（キャッシュメモリ、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＤＤＲ）、ＲＯＭメモリ（フラッシュ、キャッシュ、ＨＤＤ、ＳＳＤ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、リムーバブルメモリＲＯＭ（ほかにもあるがとりわけ、ＳＤ（ｍｉｎｉＳＤ、ｍｉｃｒｏＳＤなど）、ＭＭＣ（マルチメディアカード）、コンパクトフラッシュ（登録商標）、ＳＭＣ（スマートメディアカード）、ＳＤＣ（セキュアデジタルカード）、ＭＳ（メモリスティック））、ＣＤ−ＲＯＭ、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）もしくは他の光学式記憶装置、磁気カセット、磁気テープ、ストレージ、または情報を記憶するために使用することができ、ほかにもあるがとりわけ、当業者に知られているコンピュータユニットによってアクセスすることができる他の任意の手段、およびこれらの組合せを含む。ストレージデバイスは、命令、データ構造体、およびソフトウェアモジュールが格納される、メモリレジスタを有する。
【００５２】
ディスプレイは、限定することなく、モニタを含み、これはコンピューティングユニットに接続され、その出力を表示することができる任意のものである。当業者に知られている、データをユーザに対して表示することができるデバイスはほかにもあるがとりわけ、ＣＲＴモニタ、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、アクティブマトリクスＬＣＤ、パッシブマトリクスＬＣＤ、ＬＥＤディスプレイ、ディスプレイプロジェクタ、ＴＶ（４ＫＴＶ、ＨＤＴＶ、プラズマＴＶ、スマートＴＶ）、ＯＬＥＤディスプレイ、ＡＭＯＬＥＤディスプレイ、量子ドット（ＱＤ）ディスプレイ、セグメントディスプレイ、およびこれらの組合せが含まれる。
【００５３】
ＨＩＤは、限定することなく、当業者に知られている、組織刺激デバイスのコンピューティングユニットにデータをユーザが入力することを可能にすることができるデバイスはほかにもあるがとりわけ、キーボード、マウス、トラックボール、タッチパッド、ポインティングスティック、ジョイスティック、タッチスクリーン、およびこれらの組合せを含む。
【００５４】
この減結合回路（２３）は、外部電源（２２）を電磁トランスデューサ（１）の配置構成から電気的に減結合することを可能にし、前記回路は、２つの電気回路または素子を電気的に減結合するために、オプトカプラ、リレー、機能増幅器、抵抗器、コンデンサ、トランス、これらおよび他の電子素子をダイオードとともに組み合わせたものの上に形成されてよい。減結合回路は、また、注目する組織を外部電源から電気的に絶縁し、組織にとって危険な電圧の変動を保証することも可能にする。
【００５５】
本開示において使用されているように、スイッチング回路（４０）は、マルチプレクサ（デジタルマルチプレクサまたはアナログマルチプレクサ）、デマルチプレクサ（デジタルデマルチプレクサまたはアナログデマルチプレクサ）、トランジスタの配置構成、コンデンサ、ダイオード、抵抗器、オペアンプを組み合わせた回路、および第１の電気回路から別の電気回路へのデータの伝達を行うものの組合せの群から選択され、これらは当業者に知られているものとしてよい。
【００５６】
スイッチング回路（４０）は、「ｎ」および「ｋ」をゼロより大きい自然数として、「ｎ」個の活性化信号出力（３１〜３３）と、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の各電磁トランスデューサに接続されている「ｋ」個の活性化信号出力との間の切り替えを可能にする。任意選択で、「ｎ」は、約１から約１０００の間の値であり、代替的に、「ｎ」は１、および任意選択で２００であるが、この値に束縛されない。任意選択で、「ｋ」は、約１から約１０００の間の値であり、代替的に、「ｋ」は１、および任意選択で２００であるが、この値に束縛されない。
【００５７】
本開示のデバイスおよび方法では、活性化信号とは独立して、決定された時間期間の間、活性化パターンに従って組織に電磁場刺激を印加することが可能である。
【００５８】
また、本開示の特定の例において、ＣＰＵ（２１ａ）は、電磁トランスデューサ（１）の配置構成における電磁トランスデューサを活性化するための活性化パターンを生成し、ＣＰＵ（２１ａ）は、次いで、以前に活性化されている電磁トランスデューサによって受信される活性化信号を生成し、それにより、組織内に誘発される強度および方向の電磁刺激ベクトルは強度を変化させる活性化信号と組み合わせて活性化パターンに応じて変化する。
【００５９】
外部電源（２２）は、電磁トランスデューサの配置構成の動作に必要な電力を供給することを可能にし、交流電源、直流電源、電池、光起電力電源、熱起電力電源などの２つまたはそれ以上の端子の間の電圧を維持することができるデバイス、ほかにもあるがとりわけ、当業者に知られている２つまたはそれ以上の端子間の電圧を維持することができるデバイス、またはこれらの組合せであってよい。
【００６０】
言い換えると、体積（２）は、３次元空間を占める身体として理解され、体積（２）は、固体であり得るか、または様々な空間を含み得る。
【００６１】
電磁トランスデューサを活性化すること、または電磁トランスデューサ（１）の配置構成を活性化することは、電磁トランスデューサまたは電磁トランスデューサ（１）の配置構成に電力を供給することを意味する。
【００６２】
電磁トランスデューサの配置構成は、「ｎ」個の電場トランスデューサもしくは磁場トランスデューサのセット、またはこれらの組合せであり、「ｎ」は１以上の自然数である。
【００６３】
前記電磁トランスデューサは、電磁場トランスデューサとして指定することができ、これらは、電場トランスデューサまたは磁場トランスデューサであり得るか、または電場トランスデューサと磁場トランスデューサとの組合せによって構成され得る。磁場トランスデューサも磁気トランスデューサとして指定することもでき、電場トランスデューサも電気トランスデューサとして指定することができる。電場が優勢な現象である場合に、前記電磁トランスデューサは電場トランスデューサであると理解され、言い換えると、優勢な現象が磁場であるときには、電磁トランスデューサは磁場トランスデューサであると理解される。
【００６４】
電磁トランスデューサ（１）の配置構成の電磁トランスデューサは、ほかにもあるがとりわけ、正方形、長方形、円、同心円、卵形、および当業者に知られている幾何学的図形などの、これらの組合せとともに、幾何学的図形の群から選択される幾何学的形状の活性面を有する。
【００６５】
トランスデューサの活性面は、前記トランスデューサによって生成される、電場の強度、磁場の強度、または電磁場の強度がより大きい強度を有するトランスデューサの表面である。
【００６６】
任意選択で、開示されている方法において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成におけるステップ（ａ）で、電磁トランスデューサは、エンジン、電極、光電変換素子、誘導アクチュエータ、抵抗器、誘導のために磁場を発生させるコイル、アンテナ、平行平板導体材料、およびこれらの組合せからなる群から選択される。
【００６７】
図１を参照すると、たとえば、電磁トランスデューサ（１）の配置構成は、体積（２）の表面上に配設され、その配置構成は、電磁トランスデューサ（１ａ）から電磁トランスデューサ（１ｅ’）を含み、図示されている例では、トランスデューサの対を含み、第１の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ａ）およびトランスデューサ（１ａ’）からなり、第２の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｂ）およびトランスデューサ（１ｂ’）からなり、第３の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｃ）およびトランスデューサ（１ｃ’）からなり、第４の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｄ）およびトランスデューサ（１ｄ’）からなり、第５の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｅ）およびトランスデューサ（１ｅ’）からなる。トランスデューサの各対は、互いに向き合い、各々注目している組織（３）を含む体積（２）の内部を標的とするように活性面とともに方向付けられる。任意選択で、トランスデューサの活性面は、組織（３）の方へ向けられている。
【００６８】
この配置構成は、本開示の方法とともに、電磁トランスデューサを活性化し、組織（３）を含む体積（２）の内部に分布する電磁場を印加することを可能にし、これにより、長い時間期間または短い時間期間にわたって組織（３）を刺激することを可能にする。
【００６９】
任意選択で、ステップ（ｂ）の後に、活性化パターンを変更し、ステップ（ｂ）に戻るステップがあり、活性化パターンの前記変更は、ユーザによって実行され得るか、コンピューティングユニット内でプログラムされ得るか、またはコンピューティングユニット内の電磁場組織（３）インピーダンスの強度フィードバックを介して手動でもしくは自動的に調整され得る。パターンの変化は、組織（３）への悪影響を抑制するか、または電磁トランスデューサ（１）によって送達される電磁エネルギーを調節するか、または電磁場で組織を刺激するためのデバイスに接続されている外部電源の電力を調節し得る。
【００７０】
代替的に、本開示の方法において、活性化パターンの変化は順次またはランダムであってよく、電磁トランスデューサの配置構成によって生成される電磁場の強度の測定、組織インピーダンス応答フィードバック、またはこれらの組合せに基づき変化する。たとえば、電場の強度を測定するためにホール効果センサを使用することによって、組織（３）上の磁場の特定のレベルの強度を超えた場合に、活性化パターンの適用に要する時間は、組織（３）上の磁場の強度の増大に比例して短くなる。代替的に、開示された方法において、組織インピーダンス応答フィードバックの測定結果に基づき活性化パターンの変更が実行されるときに、前記変更は、前記測定値に比例してもよく、たとえば、組織インピーダンス応答が特定の組織インピーダンス応答レベルより大きい場合に、活性化パターンの活性化信号のデューティサイクルは増大する。
【００７１】
図２Ａは、互いに直交するように配設され、「Ｏｘ」、「Ｏｙ」および「Ｏｚ」と指定された、原点の座標軸と交差する３つの平面からなる３次元の直交座標系を示しており、この直交座標系で、軸「ｘ」および「ｙ」によって生成される平面に関して角度αを有する電場
【００７２】
【数１】
2021512702.tif 000003
【００７３】
および／または磁場
【００７４】
【数２】
2021512702.tif 000004
【００７５】
の変動の結果として生じるベクトルに対応する電磁場ベクトルが表される。
【００７６】
図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、図２Ｄ、図２Ｅを参照すると、一例において、軸「ｘ」および「ｙ」によって形成される平面内の組織（３）の一部の切片（３ａ）、角度αを有する電磁場ベクトルを示しており、前記ベクトルは組織（３）切片（３ａ）の表面上の電場
【００７７】
【数３】
2021512702.tif 000005
【００７８】
および／または磁場
【００７９】
【数４】
2021512702.tif 000006
【００８０】
の変動の結果生じるベクトルに対応し、電磁場の軸「ｘ」、「ｙ」、および「ｚ」におけるベクトル成分の大きさは決定された時間期間にわたる活性状態の電磁トランスデューサ（１）の配置構成の電磁トランスデューサの組合せの結果生じる電磁場の強度を表す。図２Ｂ、図２Ｃ、図２Ｄ、図２Ｅは例にすぎず、電磁場ベクトルが軸「ｘ」および「ｙ」によって形成される平面の原点に配置されることを制限せず、前記電磁場ベクトル、さらには３次元の座標系の原点は、組織（３）を含む体積（２）内の空間内の任意の点のところにあり得る。
【００８１】
図２Ｂを参照すると、角度αは、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の電磁トランスデューサの活性化パターンを用いることで、本開示の方法により平面「ｘ」および「ｙ」によって形成される平面に関して０度から３６０度の間の任意の値を取る。
【００８２】
図２Ｃを参照すると、角度αは、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の電磁トランスデューサの活性化パターンを用いることで、本開示の方法により平面「ｘ」および「ｙ」によって形成される平面に関して９０度に等しい値を取る。
【００８３】
一例において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成からの１対の電場トランスデューサは、正の「ｚ」軸上で決定された距離を有する「ｘ」および「ｙ」軸によって形成される平面に平行な平面上の第１の電場トランスデューサ（１ｅ’）と、負の「ｚ」軸上で決定された距離を有する「ｘ」および「ｙ」軸によって形成される平面に平行な平面上の第２の電場トランスデューサ（１ｅ）とを備え、前記１対のトランスデューサは互いに向き合っているか、または向き合っておらず、整列していてもよいし、整列していなくてもよい。たとえば、第１の電場トランスデューサ（１ｅ’）および第２の電場トランスデューサ（１ｅ）を活性化した後、第２のトランスデューサに関して第１のトランスデューサに負の電位を供給することで、正の「ｚ」軸の方向（αは９０度に等しい）に電場ベクトル成分が強められ、前記１対の電場トランスデューサの極性が反転された場合に、電場ベクトルは負の「ｚ」軸の方向（αは２７０度に等しい）を指す。
【００８４】
図２Ｄを参照すると、角度αは、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の電磁トランスデューサの活性化パターンを用いることで、本開示の方法により平面「ｘ」および「ｙ」によって形成される平面に関して１８０度に等しい値を取る。
【００８５】
図２Ｅを参照すると、角度αは、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の電磁トランスデューサの活性化パターンを用いることで、本開示の方法により平面「ｘ」および「ｙ」によって形成される平面に関して３６０度に等しい値を取る。
【００８６】
別の例において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成からの１対の電場トランスデューサは、正の「ｘ」軸上で決定された距離を有する「ｘ」および「ｚ」軸によって形成される平面に平行な平面上の第３の電場トランスデューサ（１ａ’）と、負の「ｘ」軸上で決定された距離を有する「ｘ」および「ｚ」軸によって形成される平面に平行な平面上の第４の電場トランスデューサ（１ａ）とを備え、前記１対のトランスデューサは互いに向き合っているか、または向き合っておらず、整列していてもよいし、整列していなくてもよい。たとえば、第３の電場トランスデューサ（１ａ’）および第４の電場トランスデューサ（１ａ）を活性化した後、第２のトランスデューサに関して第１のトランスデューサに負の電位を供給することで、正の「ｘ」軸の方向（αは０または３６０度に等しい）に電場ベクトル成分が強められ、前記１対の電場トランスデューサの極性が反転された場合に、電場ベクトルは負の「ｘ」軸の方向（αは１８０度に等しい）を指す。
【００８７】
電磁場ベクトルは、標的組織（３）を含む体積（２）内の空間内の任意の方向に方向付けられ、また、体積（２）内の任意の点の上に位置決めされ得る。
【００８８】
図３Ａから図５Ｃの図には、活性化パターンを印加した後の３次元空間内の電場の変化の一例が例示されている。
【００８９】
図３Ａから図５Ｃの図には、電磁トランスデューサの配置構成の図１に示されているのと同じ配置が例示され、３本の軸（ｘ、ｙ、ｚ）を有する３次元の直交座標系、直交座標系の原点を中心とする体積（２）、トランスデューサの３つのグループに分けられる５対のトランスデューサを備える電磁トランスデューサ（１）の配置構成が示されている。
【００９０】
第１のグループのトランスデューサは、トランスデューサ（１ａ）およびトランスデューサ（１ａ’）からなる第１の対の電磁トランスデューサ、およびトランスデューサ（１ｂ）およびトランスデューサ（１ｂ’）からなる第２の対の電磁トランスデューサである。
【００９１】
第２のグループのトランスデューサは、トランスデューサ（１ｃ）およびトランスデューサ（１ｃ’）からなる第１の対の電磁トランスデューサ、およびトランスデューサ（１ｄ）およびトランスデューサ（１ｄ’）によって形成される第２の対の電磁トランスデューサによって形成される。
【００９２】
第３のグループのトランスデューサは、トランスデューサ（１ｅ）およびトランスデューサ（１ｅ’）からなる１対の電磁トランスデューサによって形成される。
【００９３】
電磁トランスデューサ（１）の配置構成のトランスデューサの第１のグループは、原点からの距離Ｚ１のところで軸ｚ上で半径方向に配設され、このグループの各対のトランスデューサは、その活性面で互いに向き合い、活性面が標的組織（３）を含む体積（２）の内部を指すように方向付けられ、任意選択で、トランスデューサの活性面は、組織（３）の方向にあり、第１の対のトランスデューサの活性面の表面に平行な任意の平面は、第２の対のトランスデューサの活性面の表面に平行な任意の平面に直交する。
【００９４】
電磁トランスデューサの配置構成（１）の第２のグループは、原点からの距離Ｚ２のところで軸ｚの周りに半径方向に配設され、このグループの各対のトランスデューサは、その活性面で互いに向き合い、活性面が標的組織（３）を含む体積（２）の内部の方を指すように方向付けられ、任意選択で、トランスデューサの活性面は、組織（３）の方向にあり、第１の対のトランスデューサの活性面の表面に平行な任意の平面は、第２の対のトランスデューサの活性面の表面に平行な任意の平面に直交する。
【００９５】
図３から図５Ｃに示されている例では、Ｚ１はＺ２より大きい。
【００９６】
電磁トランスデューサ（１）の配置構成のトランスデューサの第３のグループは、正の距離Ｚ３のところで軸ｚ上で長手方向に配設され、第２のトランスデューサは負の距離Ｚ４のところに配設され、このグループの前記１対のトランスデューサは、その活性面で互いに向き合い、活性面が標的組織（３）を含む体積（２）の内部を指すように方向付けられ、任意選択で、トランスデューサの活性面は、組織（３）の方向にあり、第１の対のトランスデューサの活性面の表面に平行な任意の平面は、電磁トランスデューサ（１）の配置構成のトランスデューサの活性面に平行な他の平面のうちのどれかに平行な平面の第２の対のトランスデューサの活性面の表面に平行な任意の平面に直交する。
【００９７】
一例において、方法を実装するコンピューティングユニットからのプログラムは、電場の活性化パターンの３バリエーションを、第１の時間ｔ１、第２の時間ｔ２、および第３の時間ｔ３の３つの異なる時間に分けて実行する。
【００９８】
図３Ａは、ｔ１において、トランスデューサ（１ａ’）の極性に関して負の極性でトランスデューサ（１ａ）を活性化する活性化パターンを示しており、前記電場ベクトルは、軸「ｘ」の正方向および軸「ｙ」の負方向の３次元のうちの２つの次元における成分を有する。
【００９９】
図３Ｂは、ｔ１における活性化パターンの上面図である。
【０１００】
図３Ｃは、ｔ１における活性化パターンの「ｙ」および「ｚ」軸によって形成される平面の垂直正面図である。
【０１０１】
図４Ａは、ｔ２において、トランスデューサ（１ｅ’）の極性に関して負の極性でトランスデューサ（１ａ）を活性化する活性化パターンを示しており、前記電場ベクトルは、軸「ｙ」の負方向および軸「ｚ」の正方向の３次元内の成分を有する。
【０１０２】
図４Ｂは、ｔ２における活性化パターンの上面図である。
【０１０３】
図４Ｃは、ｔ２における活性化パターンの「ｙ」および「ｚ」軸によって形成される平面の垂直正面図である。
【０１０４】
図５Ａは、ｔ３において、トランスデューサ（１ｂ）の極性に関して負の極性でトランスデューサ（１ａ）を活性化し、またトランスデューサ（１ａ）の極性に関して正の極性を、トランスデューサ（１ｂ）に関して等しい極性でトランスデューサ（１ｄ）も活性化する、活性化パターンを示しており、前記電場ベクトルは、軸「ｙ」の負方向、軸「ｙ」の負方向、および軸「ｚ」の正方向の３次元内の成分を有する。
【０１０５】
図５Ｂは、ｔ３における活性化パターンの上面図である。
【０１０６】
図５Ｃは、ｔ３における活性化パターンの「ｙ」および「ｚ」軸によって形成される平面の垂直正面図である。
【０１０７】
上で説明され、図３Ａから図５Ｃの図に例示されている例と同じ図に従って磁場刺激を印加することが可能である。
【０１０８】
本開示の一例において、ステップ（ａ）において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の各電磁トランスデューサの活性面は、組織（３）の外面に接触し、電磁トランスデューサが組織（３）の外面から決定された距離のところに配置される別の代替的形態と比較して、組織（３）を刺激するために電磁トランスデューサに供給する電位が少なくて済み、いずれにせよ、とにかく、トランスデューサは組織（３）に対して非侵襲的である。
【０１０９】
組織（３）の外面は、被験者の皮膚、または電磁トランスデューサ（１）の配置構成の外科的侵襲的植え込みをすることなく到達可能な器官であってよい。
【０１１０】
電磁場の強度パラメータおよび角度αは、組織（３）を含む体積（２）を取り囲む電磁トランスデューサ（１）の配置構成の配設および活性化に依存する。
【０１１１】
一例において、ステップ（ａ）で、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の電場トランスデューサの活性面は組織（３）の外面に接触し、次いで、電場トランスデューサによって生成される電場の強度は、約２Ｖ／ｃｍ（１ｃｍ当たりのボルト）と約５Ｖ／ｃｍ（１ｃｍ当たりのボルト）との間である。
【０１１２】
代替的に、組織の表面と接触する活性面を有するトランスデューサに対する電場の強度値は、約２Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約２．１Ｖ／ｃｍから約４．９Ｖ／ｃｍ、約２．２Ｖ／ｃｍから約４．８Ｖ／ｃｍ、約２．３Ｖ／ｃｍから約４．７Ｖ／ｃｍ、約２．４Ｖ／ｃｍから約４．６Ｖ／ｃｍ、約２．５Ｖ／ｃｍから約４．５Ｖ／ｃｍ、約２．６Ｖ／ｃｍから約４．４Ｖ／ｃｍ、約２．７Ｖ／ｃｍから約４．３Ｖ／ｃｍ、約２．８Ｖ／ｃｍから約４．２Ｖ／ｃｍ、約２．９Ｖ／ｃｍから約４．１Ｖ／ｃｍ、約３Ｖ／ｃｍから約４Ｖ／ｃｍ、約３．１Ｖ／ｃｍから約３．９Ｖ／ｃｍ、約３．２Ｖ／ｃｍから約３．８Ｖ／ｃｍ、約３．３Ｖ／ｃｍから約３．７Ｖ／ｃｍ、約３．４Ｖ／ｃｍから約３．６Ｖ／ｃｍ、約２．２Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約２．４Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約２．６Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約２．８Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約３Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約３．２Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約３．４Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約３．６Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約３．８Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約４Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約４．２Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約４．４Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約４．６Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約４．８Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、約２Ｖ／ｃｍから約４．８Ｖ／ｃｍ、約２Ｖ／ｃｍから約４．６Ｖ／ｃｍ、約２Ｖ／ｃｍから約４．４Ｖ／ｃｍ、約２Ｖ／ｃｍから約４．２Ｖ／ｃｍ、約２Ｖ／ｃｍから約４Ｖ／ｃｍ、約２Ｖ／ｃｍから約３．８Ｖ／ｃｍ、約２Ｖ／ｃｍから約３．６Ｖ／ｃｍ、約２Ｖ／ｃｍから約３．４Ｖ／ｃｍ、約２Ｖ／ｃｍから約３．２Ｖ／ｃｍ、約２Ｖ／ｃｍから約３Ｖ／ｃｍ、約２Ｖ／ｃｍから約２．８Ｖ／ｃｍ、約２Ｖ／ｃｍから約２．６Ｖ／ｃｍ、約２Ｖ／ｃｍから約２．４Ｖ／ｃｍ、約２Ｖ／ｃｍから約２．２Ｖ／ｃｍ、約２．２Ｖ／ｃｍから約２．４Ｖ／ｃｍ、約２．４Ｖ／ｃｍから約２．６Ｖ／ｃｍ、約２．６Ｖ／ｃｍから約２．８Ｖ／ｃｍ、約２．８Ｖ／ｃｍから約３Ｖ／ｃｍ、約３Ｖ／ｃｍから約３．２Ｖ／ｃｍ、約３．２Ｖ／ｃｍから約３．４Ｖ／ｃｍ、約３．４Ｖ／ｃｍから約３．６Ｖ／ｃｍ、約３．６Ｖ／ｃｍから約３．８Ｖ／ｃｍ、約３．８Ｖ／ｃｍから約４Ｖ／ｃｍ、約４Ｖ／ｃｍから約４．２Ｖ／ｃｍ、約４．２Ｖ／ｃｍから約４．４Ｖ／ｃｍ、約４．４Ｖ／ｃｍから約４．６Ｖ／ｃｍ、約４．６Ｖ／ｃｍから約４．８Ｖ／ｃｍ、約４．８Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍ、の範囲のうちから選択され得る。
【０１１３】
別の例では、ステップ（ａ）において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成を形成する磁場トランスデューサの活性面は、組織（３）の外面に接触し、次いで、磁場トランスデューサによって発生する磁場の強度は、約１ガウスに相当する約０．１ｍＴ（ミリテスラ）と約２０００ガウスに相当する約２００ｍＴ（ミリテスラ）との間である。
【０１１４】
任意選択で、磁場トランスデューサによって発生する強度は、約１ｍＴから約１０ｍＴ、約１０ｍＴから約２０ｍＴ、約２０ｍＴから約３０ｍＴ、約３０ｍＴから約４０ｍＴ、約４０ｍＴから約５０ｍＴ、約５０ｍＴから約６０ｍＴ、約６０ｍＴから約７０ｍＴ、約７０ｍＴから約８０ｍＴ、約８０ｍＴから約９０ｍＴ、約９０ｍＴから約１００ｍＴ、約１００ｍＴから約１１０ｍＴ、約１１０ｍＴから約１２０ｍＴ、約１２０ｍＴから約１３０ｍＴ、約１３０ｍＴから約１４０ｍＴ、約１４０ｍＴから約１５０ｍＴ、約１５０ｍＴから約１６０ｍＴ、約１６０ｍＴから約１７０ｍＴ、約１７０ｍＴから約１８０ｍＴ、約１８０ｍＴから約１９０ｍＴ、約１９０ｍＴから約２００ｍＴ、約１ｍＴから約１０ｍＴ、約１ｍＴから約２０ｍＴ、約１ｍＴから約３０ｍＴ、約１ｍＴから約４０ｍＴ、約１ｍＴから約５０ｍＴ、約１ｍＴから約６０ｍＴ、約１ｍＴから約７０ｍＴ、約１ｍＴから約８０ｍＴ、約１ｍＴから約９０ｍＴ、約１ｍＴから約１００ｍＴ、約１ｍＴから約１１０ｍＴ、約１ｍＴから約１２０ｍＴ、約１ｍＴから約１３０ｍＴ、約１ｍＴから約１４０ｍＴ、約１ｍＴから約１５０ｍＴ、約１ｍＴから約１６０ｍＴ、約１ｍＴから約１７０ｍＴ、約１ｍＴから約１８０ｍＴ、約１ｍＴから約１９０ｍＴ、約１ｍＴから約２００ｍＴ、約１ｍＴから約２００ｍＴ、約２００ｍＴから約１９０ｍＴ、約１９０ｍＴから約１８０ｍＴ、約１８０ｍＴから約１７０ｍＴ、約１７０ｍＴから約１６０ｍＴ、約１６０ｍＴから約１５０ｍＴ、約１５０ｍＴから約１４０ｍＴ、約１４０ｍＴから約１３０ｍＴ、約１３０ｍＴから約１２０ｍＴ、約１２０ｍＴから約１１０ｍＴ、約１１０ｍＴから約１００ｍＴ、約１００ｍＴから約９０ｍＴ、約９０ｍＴから約８０ｍＴ、約８０ｍＴから約７０ｍＴ、約７０ｍＴから約６０ｍＴ、約６０ｍＴから約５０ｍＴ、約５０ｍＴから約４０ｍＴ、約４０ｍＴから約３０ｍＴ、約３０ｍＴから約２０ｍＴ、約２０ｍＴから約１０ｍＴ、の範囲から選択される。
【０１１５】
別の例では、ステップ（ａ）において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の各トランスデューサの活性面は、組織（３）の外面から離間し、したがって、電磁トランスデューサが組織（３）の外面と接触している代替的形態と比較して組織（３）を刺激するためにより大きな電位を供給する必要があり、限定されないとしても、たとえば、組織（３）の外面と物理的に接触することが可能でないときに使用される。
【０１１６】
一例において、ステップ（ａ）で、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の電場トランスデューサの活性面は、組織（３）の外面から離間し、電場トランスデューサによって発生する電場の強度は、約０．０１ｃｍと約５０ｃｍとの間、好ましくは約０．０１ｃｍと約４ｃｍとの間の電場電磁トランスデューサの活性面と組織（３）の表面との間の固定距離に対して約３３０Ｖ／ｃｍ（１センチメートル当たりのボルト）と約２００００Ｖ／ｃｍ（１センチメートル当たりのボルト）との間である。
【０１１７】
任意選択で、組織の表面から固定されている距離のところに配置されているトランスデューサに対する電場の強度値は、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約０．８３ｋＶ／ｃｍから約１９．５ｋＶ／ｃｍ、約１．３３ｋＶ／ｃｍから約１９ｋＶ／ｃｍ、約１．８３ｋＶ／ｃｍから約１８．５ｋＶ／ｃｍ、約２．３３ｋＶ／ｃｍから約１８ｋＶ／ｃｍ、約２．８３ｋＶ／ｃｍから約１７．５ｋＶ／ｃｍ、約３．３３ｋＶ／ｃｍから約１７ｋＶ／ｃｍ、約３．８３ｋＶ／ｃｍから約１６．５ｋＶ／ｃｍ、約４．３３ｋＶ／ｃｍから約１６ｋＶ／ｃｍ、約４．８３ｋＶ／ｃｍから約１５．５ｋＶ／ｃｍ、約５．３３ｋＶ／ｃｍから約１５ｋＶ／ｃｍ、約５．８３ｋＶ／ｃｍから約１４．５ｋＶ／ｃｍ、約６．３３ｋＶ／ｃｍから約１４ｋＶ／ｃｍ、約６．８３ｋＶ／ｃｍから約１３．５ｋＶ／ｃｍ、約７．３３ｋＶ／ｃｍから約１３ｋＶ／ｃｍ、約７．８３ｋＶ／ｃｍから約１２．５ｋＶ／ｃｍ、約８．３３ｋＶ／ｃｍから約１２ｋＶ／ｃｍ、約８．８３ｋＶ／ｃｍから約１１．５ｋＶ／ｃｍ、約９．３３ｋＶ／ｃｍから約１１ｋＶ／ｃｍ、約９．８３ｋＶ／ｃｍから約１０．５ｋＶ／ｃｍ、約１．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約２．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約３．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約４．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約５．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約６．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約７．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約８．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約９．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約１０．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約１１．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約１２．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約１３．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約１４．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約１５．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約１６．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約１７．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約１８．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約１９．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約１９ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約１８ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約１７ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約１６ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約１５ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約１４ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約１３ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約１２ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約１１ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約１０ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約９ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約８ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約７ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約６ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約５ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約４ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約３ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約２ｋＶ／ｃｍ、約０．３３ｋＶ／ｃｍから約１ｋＶ／ｃｍ、約１．３３ｋＶ／ｃｍから約２．３３ｋＶ／ｃｍ、約２．３３ｋＶ／ｃｍから約３．３３ｋＶ／ｃｍ、約３．３３ｋＶ／ｃｍから約４．３３ｋＶ／ｃｍ、約４．３３ｋＶ／ｃｍから約５．３３ｋＶ／ｃｍ、約５．３３ｋＶ／ｃｍから約６．３３ｋＶ／ｃｍ、約６．３３ｋＶ／ｃｍから約７．３３ｋＶ／ｃｍ、約７．３３ｋＶ／ｃｍから約８．３３ｋＶ／ｃｍ、約８．３３ｋＶ／ｃｍから約９．３３ｋＶ／ｃｍ、約９．３３ｋＶ／ｃｍから約１０．３３ｋＶ／ｃｍ、約１０．３３ｋＶ／ｃｍから約１１．３３ｋＶ／ｃｍ、約１１．３３ｋＶ／ｃｍから約１２．３３ｋＶ／ｃｍ、約１２．３３ｋＶ／ｃｍから約１３．３３ｋＶ／ｃｍ、約１３．３３ｋＶ／ｃｍから約１４．３３ｋＶ／ｃｍ、約１４．３３ｋＶ／ｃｍから約１５．３３ｋＶ／ｃｍ、約１５．３３ｋＶ／ｃｍから約１６．３３ｋＶ／ｃｍ、約１６．３３ｋＶ／ｃｍから約１７．３３ｋＶ／ｃｍ、約１７．３３ｋＶ／ｃｍから約１８．３３ｋＶ／ｃｍ、約１８．３３ｋＶ／ｃｍから約１９．３３ｋＶ／ｃｍ、約１９．３３ｋＶ／ｃｍから約２０ｋＶ／ｃｍ、の範囲から選択され得る。
【０１１８】
代替的に、トランスデューサは、組織の表面から一定の距離のところ、すなわち、約０．０１ｃｍから約５０ｃｍ、約２ｃｍから約４８ｃｍ、約４ｃｍから約４６ｃｍ、約６ｃｍから約４４ｃｍ、約８ｃｍから約４２ｃｍ、約１０ｃｍから約４０ｃｍ、約１２ｃｍから約３８ｃｍ、約１４ｃｍから約３６ｃｍ、約１６ｃｍから約３４ｃｍ、約１８ｃｍから約３２ｃｍ、約２０ｃｍから約３０ｃｍ、約２２ｃｍから約２８ｃｍ、約２４ｃｍから約２６ｃｍ、約５ｃｍから約５０ｃｍ、約１０ｃｍから約５０ｃｍ、約１５ｃｍから約５０ｃｍ、約２０ｃｍから約５０ｃｍ、約２５ｃｍから約５０ｃｍ、約３０ｃｍから約５０ｃｍ、約３５ｃｍから約５０ｃｍ、約４０ｃｍから約５０ｃｍ、約４５ｃｍから約５０ｃｍ、約０．０１ｃｍから約４５ｃｍ、約０．０１ｃｍから約４０ｃｍ、約０．０１ｃｍから約３５ｃｍ、約０．０１ｃｍから約３０ｃｍ、約０．０１ｃｍから約２５ｃｍ、約０．０１ｃｍから約２０ｃｍ、約０．０１ｃｍから約１５ｃｍ、約０．０１ｃｍから約１０ｃｍ、約０．０１ｃｍから約５ｃｍ、約５ｃｍから約１０ｃｍ、約１０ｃｍから約１５ｃｍ、約１５ｃｍから約２０ｃｍ、約２０ｃｍから約２５ｃｍ、約２５ｃｍから約３０ｃｍ、約３０ｃｍから約３５ｃｍ、約３５ｃｍから約４０ｃｍ、約４０ｃｍから約４５ｃｍ、約４５ｃｍから約５０ｃｍの範囲から選択された距離のところに配置され得る。
【０１１９】
別の例では、ステップ（ａ）において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の磁場のトランスデューサの活性面は、組織（３）の外面から離間し、磁場トランスデューサによって発生する組織（３）上の磁場の強度の値は、約１ガウスに相当する約０．１ｍＴ（ミリテスラ）と約２０００ガウスに相当する約２００ｍＴ（ミリテスラ）との間、および任意選択で、約４００ガウスに相当する約４０ｍＴ（ミリテスラ）と約２０００ガウスに相当する約２００ｍＴ（ミリテスラ）との間である。
【０１２０】
一例では、ステップ（ａ）において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成における電磁トランスデューサのうちの１つの活性面は、組織（３）の外面から離間する。
【０１２１】
別の例では、ステップ（ａ）において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の電磁トランスデューサの活性面の領域の一部は組織（３）に接触し、活性面の領域の他の部分は組織（３）から離間し、トランスデューサの配設に対するこの構成は、たとえば、体積（２）内に見つかる組織（３）を刺激することを可能にし、前記組織（３）の表面は、いくつかの部分がトランスデューサの活性面との物理的接触を許容し、組織（３）表面の他の部分はアクセスしにくいか、または許容されないような変化を呈する。
【０１２２】
一例として、ステップ（ａ）において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の電磁トランスデューサの活性面の領域の一部は、組織（３）と接触しており、電磁トランスデューサとの接触に利用可能な組織（３）の表面積がトランスデューサの活性面の領域よりも小さい場合に、組織（３）は電磁トランスデューサの活性面の領域の一部のみで刺激されることができる。
【０１２３】
本開示の方法の一例において、ステップ（ａ）で、電磁トランスデューサ（１）の配置構成は、磁場トランスデューサの一体的配置構成であり、磁場は、単一の磁場電磁トランスデューサを介して、または様々な磁場電磁トランスデューサを用いて生成される。
【０１２４】
電磁トランスデューサ（１）、電場トランスデューサ、または磁場トランスデューサの配置構成のトランスデューサによって受信される活性化信号は、直流または交流信号、パルス信号、交互または非交互インパルス信号列、デューティサイクルの変動がある方形波信号、三角波信号、のこぎり波信号、振幅変調（ＡＭ）信号、周波数変調（ＦＭ）信号、位相変調（ＰＭ）信号、パルス位置変調（ＰＰＭ）信号、パルス幅変調（ＰＷＭ）信号、およびこれらの組合せのうちから選択された信号であってよい。これらの信号は、プログラムおよびフィードバックに従って、コンピューティングユニットによって、または信号発生器によって、またはこれらの組合せによって生成される。
【０１２５】
本開示によって引用されるプログラムは、コンピューティングユニット内の、符号化されているか符号化されていない、情報に対応し、これらは配置構成トランスデューサ（１）を活性化する活性化信号および活性化パターンのパラメータのすべてを修正する。トランスデューサの一体的配置構成は、１つのトランスデューサを有する電磁トランスデューサの一配置構成として理解され得る。
【０１２６】
本開示の一例において、ステップ（ａ）において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成は、決定された時間期間に、活性化パターンに従って同時に活性化される２つの電場トランスデューサを有する。これらの信号は、コンピューティングユニットによって、または信号発生器によって、またはこれらの組合せによって生成される。
【０１２７】
信号発生器は、プロ用の波形発生器、集積回路シンセサイザＤＤＳ（ダイレクトデジタルシンセサイザ）／ＤＡＣ（デジタル／アナログ変換）、ＮＣＯ（数値制御発振器）、波形発生器構成のオペアンプのアレイ、双安定発振回路、および上記の組合せからなる群から選択することができる。信号発生器は、波形発生器とも称され得る。
【０１２８】
本開示の方法の別の例において、ステップ（ａ）で、電磁トランスデューサ（１）の配置構成は、体積（２）を取り囲むフレーム（４）の上に配設され、その目的は、活性面が注目している組織（３）の方を指している状態で配設されている電磁トランスデューサに対する支持構造を提供することである。
【０１２９】
別の例では、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の電磁トランスデューサは、手動で、電子的に、空気圧で、粘着テープ締結システム、もしくは接着剤、ベルクロ（登録商標）締結システムもしくは当業者に知られている他の締結システム、またはこれらの組合せで活性化される真空把持器システムを用いて組織（３）上に直接配設される。
【０１３０】
任意選択で、真空把持器システムは、電磁把持器の活性面上にあるが、この位置に限定されず、真空把持器システムは、活性面が刺激されるべき標的組織（３）の表面上に位置決めされることを可能にする。
【０１３１】
また、フレーム（４）を使用して体積（２）の表面の形状を変更し、組織（３）を刺激するために電磁場の最適な強度が得られるように電場トランスデューサの位置を調整することを可能にする平面を形成することができる。
【０１３２】
フレーム（４）は、同じ組織の上で支持され得るか、または固定または移動可能な基部上で機械的に支持され得る。フレーム（４）の種類は、シャツ、ベスト、手袋、ヘルメット、眼鏡、ズボンつり、ストッキング、ブーツ、靴、スカーフ、カラー、およびトランスデューサを支持する他の構造物、ならびにこれらの組合せからなる群から選択される。それに加えて、フレーム（４）は、体積（２）を全体としてまたは部分的に、のいずれかで取り囲むことができる。
【０１３３】
任意選択で、フレーム（４）をセットする基部は、組織（３）を取り囲む体積（２）の表面に関してトランスデューサの配置構成（１）を移動することが可能なように移動可能であり、したがって異なる組織を取り囲む異なる体積に到達し、電磁場のベクトルを変化させることができるものとしてよい。
【０１３４】
任意選択で、本開示の方法のステップ（ａ）において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の電磁トランスデューサは、前記配置構成によって取り囲まれる体積（２）の内部の組織（３）の表面から離間する。
【０１３５】
図６Ａを参照すると、組織（３）を含む体積（２）、体積（２）を取り囲むように配設されている電磁トランスデューサ（１）の配置構成が示されており、電磁トランスデューサ（１）の前記配置構成は、体積（２）の外面と完全に接触する活性面（１Ａ）を有し、活性面（１Ａ’）を有する第２の電場トランスデューサ（１ａ’）に向かい合い、体積（２）の内部の組織（３）の方向にある、第１の電気トランスデューサ（１ａ）を備え、第２の電場トランスデューサ（１ａ’）の活性面（１Ａ’）も体積（２）の外面と完全に接触する。
【０１３６】
図６Ｂを参照すると、組織（３）を含む体積（２）、体積（２）を取り囲むように配設されている電磁トランスデューサ（１）の配置構成が示されており、電磁トランスデューサ（１）の前記配置構成は、体積（２）の外面と部分的に接触する活性面（１Ａ）を有し、活性面（１Ａ’）を有する第２の電場トランスデューサ（１ａ’）に向かい合い、体積（２）の内部の組織（３）の方向にある、第１の電気トランスデューサ（１ａ）を備え、第２の電場トランスデューサ（１ａ’）の活性面（１Ａ’）も体積（２）の外面と部分的に接触する。
【０１３７】
それに加えて、各対を含むトランスデューサが完全には整列しておらず互いに平行もない可能性があり、組織（３）を刺激することも可能である。
【０１３８】
図７Ａを参照すると、個人の腕に対応する体積（２）の上に電磁トランスデューサ（１）の配置構成を配設している状態が例示されている。腕の内部には、電磁気的に刺激することが望まれる組織（３）がある。電磁トランスデューサ（１）の前記の配置構成は、以下で詳述されるようなトランスデューサの２つのグループを含む。
【０１３９】
トランスデューサの第１のグループは、電磁トランスデューサの２つの対で構成される。第１の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｆ）およびトランスデューサ（１ｆ’）であり、電磁トランスデューサの第２の対はトランスデューサ（１ｇ）およびトランスデューサ（１ｇ’）であり、第１の対および第２の対の電磁トランスデューサは、その活性面が皮膚の表面に接触している上腕骨の周りに半径方向に配設され、
トランスデューサの第２のグループは１対の電磁トランスデューサ、すなわち、トランスデューサ（１ｈ）およびトランスデューサ（１ｈ’）で構成され、前記１対の電磁トランスデューサは、上腕骨の軸の法線方向の平面の上に配設され、トランスデューサ（１ｈ）の活性面は肩の上にあり皮膚と接触し、前記トランスデューサ（１ｈ’）の活性面は肘の上にあり皮膚と接触している。
【０１４０】
各対のトランスデューサは、前記対を含むトランスデューサの活性面が部分的に互いに向き合い、組織（３）の位置の方向の活性面および皮膚と接触している活性面と整列するように配設される。
【０１４１】
また、トランスデューサの各対を含むトランスデューサは完全には整列しないもしくは互いに平行になっているか、または前の段落で説明されているトランスデューサの直交性の条件を保たない可能性もあり、また組織（３）を刺激することに成功する可能性がある。
【０１４２】
組織（３）の配置を知るための様々な診断手段があり、たとえば、ほかにもあるがとりわけ、核磁気共鳴画映像法、コンピュータ断層映像法、ＰＥＴ（陽電子放出断層映像法）走査、Ｘ線映像法、ドップラーエコー法、心電図、触診による診断、画像誘導フックワイヤ定位法（Ｉｍａｇｉｎｇ−Ｇｕｉｄｅｄ  Ｈｏｏｋｗｉｒｅ  Ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ）がある。
【０１４３】
また、組織インピーダンス応答の測定値を使用して組織（３）の配置を知ることも可能である。
【０１４４】
図７Ｂは、トランスデューサの同様の配設を例示しているが、トランスデューサの活性面は、フレーム（４）に支持されている、個人の皮膚の表面から約０．０１ｃｍから約５０ｃｍの間、任意選択で約０．０１ｃｍから約４ｃｍの間の距離だけ離間している。
【０１４５】
図８Ａは、個人の腹部からなる体積（２）の上に電磁トランスデューサ（１）の配置構成を配設している状態を例示している。腹部の内部には、電磁気的に刺激することが望まれる組織（３）がある。電磁トランスデューサ（１）の前記の配置構成は以下で詳述されるようなトランスデューサの５つのグループを含む。
【０１４６】
第１の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｉ）およびトランスデューサ（１ｉ’）であり、第２の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｊ）およびトランスデューサ（１ｊ’）であり、第３の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｋ）およびトランスデューサ（１ｋ’）であり、第４の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｌ）およびトランスデューサ（１ｌ’）である。
【０１４７】
前記対のトランスデューサは、トランスデューサの活性面が互いに向き合い、組織（３）の位置の方向にあり、活性面が皮膚と接触するように、腹部領域および背部領域の上で、脊柱に平行な軸の周りに半径方向に配設される。
【０１４８】
トランスデューサの活性面の平面の突出部は、組織の方向に配置構成され、前記組織の可能な最大の表面積を覆っており、この構成は組織の最適な刺激を確実にする。
【０１４９】
図８Ｂは、トランスデューサの同様の配設を例示しているが、トランスデューサの活性面は、フレーム（４）に支持されている、個人の皮膚の表面から０．０１ｃｍから５０ｃｍの間、任意選択で０．０１ｃｍから４ｃｍの間の距離である。
【０１５０】
図９Ａは、個人の膝からなる体積（２）の上に電磁トランスデューサ（１）の配置構成を配設している状態を例示している。膝の内部には、電磁気的に刺激することが望まれる組織（３）がある。電磁トランスデューサ（１）の前記の配置構成は以下で詳述されるような２つの対のトランスデューサを含む。
【０１５１】
第１の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｍ）およびトランスデューサ（１ｍ’）であり、第２の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｎ）およびトランスデューサ（１ｎ’）である。
【０１５２】
前記対のトランスデューサは、膝蓋骨の高さにある組織（３）の位置で、トランスデューサの活性面が組織（３）の位置の方向に互いに向き合うように、膝の周りに配設される。
【０１５３】
図９Ｂは、トランスデューサの同様の配設を例示しているが、トランスデューサの活性面は、フレーム（４）に支持されている、個人の皮膚の表面から約０．０１ｃｍから約５０ｃｍの間、任意選択で約０．０１ｃｍから約４ｃｍの間の距離だけ離間している。
【０１５４】
任意選択で、本開示の例の電磁トランスデューサ（１）の配置構成において、向き合うトランスデューサが動作可能であることを必要としない磁場電磁トランスデューサは、電磁トランスデューサに対する活性化パターンに従って磁場空間走査を可能にするように位置決めされる。
【０１５５】
他方では、電磁トランスデューサ（１）の配置構成は、任意選択で、各対のトランスデューサの活性面の表面のいずれかに平行な平面が、第２の対のトランスデューサおよび第３の対のトランスデューサの活性面の表面のいずれかに平行な平面、およびそれに加えて、電磁トランスデューサ（１）の配置構成の内側の他の対のトランスデューサの活性面の表面に平行な任意の平面に直交し、それに加えて、組織の方を指している活性面の平面の突出部は、前記組織（３）の可能な最大の表面を覆い、この構成は組織（３）の最適な刺激を確実にするという点で直交性の条件を満たす。
【０１５６】
また、各対を含む電磁トランスデューサ（１）の配置構成のトランスデューサは完全には整列しておらずもしくは互いに平行であり、前の段落で説明されているトランスデューサの直交性の条件を保たず、組織（３）を刺激することに成功し得るという可能性もある。
【０１５７】
本開示の方法のステップ（ｂ）に続いて、これはコンピューティングユニットで実行され、活性化パターンは
ステップＡ）  初期値を伴う電場トランスデューサインデックスと、電場トランスデューサの対の最大数をコンピューティングユニットにおいて定義するステップ、
ステップＢ）  ステップ（Ａ）の電場トランスデューサインデックスについて定義されている位置において電磁トランスデューサ（１）の配置構成から１対の電場トランスデューサを同時に選択するステップ、
ステップＣ）  ステップ（Ｂ）において選択された電場トランスデューサの対を、決定された極性で、前記対の電場トランスデューサが決定された時間期間に前記対の他の電場トランスデューサに関して正の電位を有するように活性化し、ステップ（Ｄ）に進む、ステップ、
ステップＥ）  ステップ（Ｂ）において選択された電場トランスデューサの対を非活性化するステップ、
ステップＦ）  電場トランスデューサインデックスを増やし、電場トランスデューサインデックスを電場トランスデューサの対の最大数と比較し、電場トランスデューサインデックスが電場トランスデューサの対の最大数より大きい場合に、電場トランスデューサインデックスをステップ（Ａ）で定義された値に等しい値にし、ステップ（Ｂ）に戻り、電場トランスデューサインデックスが電場トランスデューサの対の最大数以下である場合に、ステップ（Ｂ）に戻る、ステップに従い、
電場トランスデューサインデックスは、電場トランスデューサの対の最大数より小さく、電磁トランスデューサ（１）の配置構成は、「ｎ」を２より大きい自然数として、「ｎ」対の電場トランスデューサを有する。
【０１５８】
代替的に、ステップ（ｂ）のステップＦ）において、インデックス値はランダムに変化し、ステップＣ）に戻る。
【０１５９】
したがって、トランスデューサはランダムに活性化されてよく、標的組織の刺激に依存する、定義された順序でこれらを活性化することも可能である。
【０１６０】
それに加えて、ステップ（ｂ）のステップＦ）において、インデックスの値は組織インピーダンス応答フィードバックに応じて変化し、ステップＣ）に戻る。
【０１６１】
本開示の一例では、ステップ（Ｃ）の後に、ステップ（Ｂ）において選択された電場トランスデューサの対の極性がステップ（Ｃ）の極性に関して反転され、電場ベクトルの突然の変化を可能にするように極性を反転させるステップ（Ｄ）がある。
【０１６２】
したがって、電場トランスデューサの活性化は、組織インピーダンス応答の変化に従って動的に行われ得る。たとえば、組織が低いインピーダンスを有する場合、長時間刺激し、活性化信号のデューティサイクルを増大させるか、または活性化信号の振幅を増大させる。
【０１６３】
ステップ（Ｅ）において、電場トランスデューサの対を非活性化することは、電場トランスデューサの対に供給される電力の供給を停止すること、または電場トランスデューサに同じ電力を供給することに対応する。
【０１６４】
代替的に、ステップ（ａ）において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成は、少なくとも２つの電場トランスデューサを有し、前記電場トランスデューサの配設は、
ステップａ）  第１の電場トランスデューサ（１ａ）を、第１の電場トランスデューサの活性面が組織（３）の方向を指すように第１の位置に位置決めするステップ、
ステップｂ）  第２の電場トランスデューサ（１ａ’）を、その活性面がステップ（ａ）で位置決めされた第１の電場トランスデューサ（１ａ）の活性面に向き合うように第２の位置に位置決めするステップに従って実行され、
第１の電場トランスデューサ（１ａ）および第２の電場トランスデューサ（１ａ’）は、１対の連結された活性化トランスデューサを形成する。
【０１６５】
ステップ（ｂ）において、第２のトランスデューサ（１ａ’）の活性面は、第１の電場トランスデューサ（１ａ）の活性面に部分的に向き合う。
【０１６６】
任意選択で、ステップ（ｂ）の後、連結されている電場活性化トランスデューサの対は、ステップ（ａ）および（ｂ）に従って異なる位置からその後配設される。
【０１６７】
代替的に、ステップ（ｂ）は、コンピューティングユニットで実行され、活性化パターンは、
Ａ）  磁気トランスデューサインデックスおよび磁気トランスデューサの最大数を定義するステップ、
Ｂ）  ステップ（Ａ）の磁気トランスデューサインデックスについて定義されている位置で同時に電磁トランスデューサの配置構成から磁場トランスデューサを選択するステップ、
Ｃ）  ステップ（Ｂ）で選択された磁気トランスデューサを決定された時間期間に活性化し、ステップ（Ｄ）に進むステップ、
Ｄ）  ステップ（Ｂ）で選択された磁気トランスデューサを非活性化し、ステップ（Ｅ）に進むステップ、
Ｅ）  磁気トランスデューサインデックスを増大させ、磁気トランスデューサインデックスを磁気トランスデューサの最大数と比較し、
−磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの最大数より大きい場合、磁気トランスデューサインデックスをステップ（Ａ）で定義された値に等しい値にし、ステップ（Ｂ）に戻り、
−磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの最大数以下である場合、ステップ（Ｂ）に戻る、ステップに従い、
磁気トランスデューサインデックスは、磁気トランスデューサの最大数より小さい。
【０１６８】
代替的に、ステップ（ｂ）のステップＦ）において、インデックス値はランダムに変化し、ステップＣ）に戻る。
【０１６９】
それに加えて、複数の磁場トランスデューサが同時に活性化される可能性がある。
【０１７０】
前記磁場トランスデューサは、その活性化面が組織の表面上で平行である状態で互いに向き合う場合も向き合わない場合もあり、それに加えて、互いに整列していても整列していなくてもよい。
【０１７１】
磁場トランスデューサはランダムに活性化されてよく、標的組織の刺激に依存する、定義された順序でこれらを活性化することも可能である。
【０１７２】
それに加えて、別の特定の例では、ステップ（ｂ）のステップＦ）において、インデックスの値は組織インピーダンス応答フィードバックに応じて変化し、ステップＣ）に戻る。
【０１７３】
したがって、磁場トランスデューサの活性化は、組織インピーダンス応答の変化に従って動的に行われ得る。たとえば、組織が低いインピーダンスを有する場合、長時間刺激し、活性化信号のデューティサイクルを増大させるか、または活性化信号の振幅を増大させる。
【０１７４】
ステップ（Ｄ）において、磁場トランスデューサの対を非活性化することは、磁場トランスデューサに供給される電力の供給を停止することに対応する。
【０１７５】
上記に加えて、組織刺激は、２０１８年２月７日に出願したコロンビア出願第ＮＣ２０１８／０００１２８３号において説明されているように、周波数走査を使用することによっても印加され得る。
【０１７６】
本開示の方法と上で引用されている周波数走査の開示との組合せの例において、組織刺激は、活性トランスデューサを通じて特定の活性化信号を同時に印加しながらトランスデューサを活性化する活性化パターンを使用して行うことができる。
定義および頭字語
【０１７７】
ＲＡＭ  ランダムアクセスメモリ
ＳＲＡＭ  スタティックランダムアクセスメモリ
ＤＲＡＭ  ダイナミックランダムアクセスメモリ
ＤＤＲメモリ  ダブルデータレートメモリ
ＲＯＭ  リードオンリーメモリ
ＨＤＤ  ハードディスクドライブ
ＳＳＤ  ソリッドステートドライブ
ＥＰＲＯＭ  消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ
ＥＥＰＲＯＭ  電気的消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ
ＳＭＣ  スマートメディアカード
ＳＤＣ  セキュアデジタルメモリカード
ＭＳ  メモリスティック
ＣＤ−ＲＯＭ  コンパクトディスクリードオンリーメモリ
ＤＶＤ  デジタル多用途ディスク
ＡＭ  振幅変調
ＥＭＧ  筋電計
ＥＣＧ  心電計
ＳＰＭＦ  逐次プログラム磁場
ＡＭＯＬＥＤ  アクティブマトリクス有機発光ダイオード
ＡＳＩＣ  特定用途向け集積回路
ＣＰＬＤ  コンプレックスプログラマブルロジックデバイス
ＤＳＣ  デジタルシグナルコントローラ
ＥＥＧ  脳波図
ＦＭ  周波数変調
ＦＰＧＡ  フィールドプログラマブルゲートアレイ
ＨＩＤ  ヒューマンインターフェースデバイス
ＬＣＤ  液晶ディスプレイ
ＬＥＤ  発光ダイオード
ＭＦＧ  磁場発生器
ＯＬＥＤ  有機発光ダイオード
ＰＭ  位相変調
ＰＰＭ  パルス位置変調
ＰＳｏＣ  プログラマブルシステムオンチップ
ＰＷＭ  パルス幅変調
ＱＤ  量子ディスプレイ
ＳｏＣ  システムオンチップ
【０１７８】
本開示は、当業者には明らかなように、次の請求項によってのみ定義される、本開示の精神から逸脱しない変更形態および修正形態が可能なので、説明された図解例に限定されない。
【符号の説明】
【０１７９】
１  初期時間
１  電磁トランスデューサ
１ａ  トランスデューサ
１ａ’  トランスデューサ
１ｂ  トランスデューサ
１ｂ’  トランスデューサ
１ｃ  トランスデューサ
１ｃ’  トランスデューサ
１ｄ  トランスデューサ
１ｄ’  トランスデューサ
１ｅ  トランスデューサ
１ｅ’  トランスデューサ
１ｆ  トランスデューサ
１ｆ’  トランスデューサ
１ｇ  トランスデューサ
１ｇ’  トランスデューサ
１ｈ  トランスデューサ
１ｈ’  トランスデューサ
１ｉ  トランスデューサ
１ｉ’  トランスデューサ
１ｊ  トランスデューサ
１ｊ’  トランスデューサ
１ｋ  トランスデューサ
１ｋ’  トランスデューサ
１ｌ  トランスデューサ
１ｌ’  トランスデューサ
１ｍ  トランスデューサ
１ｍ’  トランスデューサ
１ｎ  トランスデューサ
１ｎ’  トランスデューサ
１Ａ、１Ａ’  活性面
２  体積
３  組織
３ａ  切片
４  フレーム
２１  コンピューティングユニット
２１ａ  ＣＰＵ
２２  外部電源
２３  減結合回路
３０  フィードバック
３１、３２、３３  活性化信号出力
４０  スイッチング回路
【図１】
2021512702.tif 000007
【図２Ａ】
2021512702.tif 000008
【図２Ｂ】
2021512702.tif 000009
【図２Ｃ】
2021512702.tif 000010
【図２Ｄ】
2021512702.tif 000011
【図２Ｅ】
2021512702.tif 000012
【図３Ａ】
2021512702.tif 000013
【図３Ｂ】
2021512702.tif 000014
【図３Ｃ】
2021512702.tif 000015
【図４Ａ】
2021512702.tif 000016
【図４Ｂ】
2021512702.tif 000017
【図４Ｃ】
2021512702.tif 000018
【図５Ａ】
2021512702.tif 000019
【図５Ｂ】
2021512702.tif 000020
【図５Ｃ】
2021512702.tif 000021
【図６Ａ】
2021512702.tif 000022
【図６Ｂ】
2021512702.tif 000023
【図７Ａ】
2021512702.tif 000024
【図７Ｂ】
2021512702.tif 000025
【図８Ａ】
2021512702.tif 000026
【図８Ｂ】
2021512702.tif 000027
【図９Ａ】
2021512702.tif 000028
【図９Ｂ】
2021512702.tif 000029
【図１０】
2021512702.tif 000030
【図１１】
2021512702.tif 000031
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月7日(2019.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組織の電磁刺激のための方法であって、
ａ）組織を含む体積を取り囲む電磁トランスデューサの配置構成を配設するステップと、
ｂ）決定された時間期間に、活性化パターンに従って前記電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電磁場刺激を印加するステップとを含み、
前記活性化パターンは、３次元空間内の前記電磁トランスデューサの配置構成によって生成される電磁場ベクトルの強度および方向を変化させる方法。
【請求項２】
ステップ（ｂ）の後に、前記活性化パターンを変更し、ステップ（ｂ）に戻るステップがある請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記活性化パターンを変更するステップは、前記電磁トランスデューサの配置構成によって生成される電磁場の強度の測定結果、組織インピーダンス応答フィードバック、またはこれらの組合せに基づき実行される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ａ）において、前記電磁トランスデューサの配置構成は、磁場トランスデューサの一体的配置構成である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ａ）において、前記電磁トランスデューサの配置構成の各電磁トランスデューサの活性面は、前記組織の外面から離間する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ステップ（ａ）において、前記電磁トランスデューサの配置構成における前記電磁トランスデューサのうちの１つの活性面は、前記組織の外面から離間する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ｂ）は、コンピューティングユニットで実行され、前記活性化パターンは、
Ａ）  初期値を伴う電場トランスデューサインデックスと、電場トランスデューサの対の最大数を前記コンピューティングユニットにおいて定義するステップと、
Ｂ）  ステップ（Ａ）の前記電場トランスデューサインデックスについて定義されている位置において前記電磁トランスデューサの配置構成から１対の電場トランスデューサを同時に選択するステップと、
Ｃ）  ステップ（Ｂ）において選択された電場トランスデューサの前記対を、決定された極性で、前記対の電場トランスデューサが決定された時間期間に前記対の他の電場トランスデューサに関して正の電位を有するように活性化するステップと、
Ｅ）  ステップ（Ｂ）において選択された電場トランスデューサの前記対を非活性化するステップと、
Ｆ）  電場トランスデューサに対するインデックスを増加し、前記電場トランスデューサインデックスを電場トランスデューサの対の前記最大数と比較するステップであって、
−  前記電場トランスデューサインデックスが電場トランスデューサの対の前記最大数より大きい場合、前記電場トランスデューサに対する前記インデックスをステップ（Ａ）で定義された値に等しい値にし、ステップ（Ｂ）に戻り、
−  前記電場トランスデューサの前記インデックスが電場トランスデューサの対の前記最大数以下である場合に、ステップ（Ｂ）に戻る、ステップとに従い、
前記電場トランスデューサインデックスは、電場トランスデューサの対の前記最大数より小さく、前記電磁トランスデューサの配置構成は、「ｎ」を２より大きい自然数として、「ｎ」対の電場トランスデューサを有する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ステップ（ｂ）は、コンピューティングユニットで実行され、前記活性化パターンは、
Ａ）  磁気トランスデューサインデックスおよび磁気トランスデューサの最大数を定義するステップと、
Ｂ）  ステップ（Ａ）の前記磁場トランスデューサインデックスについて定義されている位置で同時に前記電磁トランスデューサの配置構成から磁場トランスデューサを選択するステップと、
Ｃ）  ステップ（Ｂ）で選択された前記磁気トランスデューサを決定された時間期間に活性化し、ステップ（Ｄ）に進むステップと、
Ｄ）  ステップ（Ｂ）で選択された前記磁気トランスデューサを非活性化し、ステップ（Ｅ）に進むステップと、
Ｅ）  磁気トランスデューサインデックスを増大させ、前記磁気トランスデューサインデックスを磁気トランスデューサの前記最大数と比較し、
−  前記磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの前記最大数より大きい場合、前記磁気トランスデューサインデックスをステップ（Ａ）で定義された値に等しい値にし、ステップ（Ｂ）に戻り、
−  前記磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの前記最大数以下である場合、ステップ（Ｂ）に戻る、ステップとに従い、
前記磁気トランスデューサインデックスは、磁気トランスデューサの前記最大数より小さい請求項１に記載の方法。
【請求項９】
組織の電磁刺激のための方法であって、
ａ）組織を含む体積を取り囲む電磁トランスデューサの配置構成を配設するステップと、
ｂ）決定された時間期間に、活性化パターンに従って前記電磁トランスデューサの配置構成を通じて前記組織に電磁場刺激を印加するステップとを含み、
前記電磁場刺激は、前記組織上の磁場または電場のいずれかの、またはこれらの組合せの、強度を、
磁場トランスデューサによって生成される前記磁場が約０．１ｍＴから２００ｍＴの間になるように、または
電場トランスデューサによって生成される前記電場が約２Ｖ／ｃｍから約５Ｖ／ｃｍの間になるように、もたらす方法。
【請求項１０】
ステップ（ｂ）の後に、前記活性化パターンを変更し、ステップ（ｂ）に戻るステップがある請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記活性化パターンを変更するステップは、前記電磁トランスデューサの配置構成によって生成される電磁場の強度の測定結果、組織インピーダンス応答フィードバック、またはこれらの組合せに基づき実行される請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
ステップ（ａ）において、前記電磁トランスデューサの配置構成は、磁場トランスデューサの一体的配置構成である請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
ステップ（ａ）において、前記電磁トランスデューサの配置構成の各電磁トランスデューサの活性面は、前記組織の外面から離間する請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
ステップ（ａ）において、前記電磁トランスデューサの配置構成における前記電磁トランスデューサのうちの１つの活性面は、前記組織の外面から離間する請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
組織を電磁場で刺激するためのデバイスであって、
−  コンピューティングユニットと、
−  前記コンピューティングユニットに接続されている外部電源と、
−  前記外部電源および前記コンピューティングユニットに接続されている減結合回路と、
−  前記外部電源、前記減結合回路、および前記コンピューティングユニットに接続されているスイッチング回路と、
−  前記コンピューティングユニットおよび前記スイッチング回路に接続されている電磁トランスデューサの配置構成とを備え、
前記コンピューティングユニットは、組織の電磁刺激のための方法を実装し、前記方法はａ）組織を含む体積を取り囲む電磁トランスデューサの配置構成を配設するステップと、ｂ）決定された時間期間に、活性化パターンに従って前記電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電磁場刺激を印加するステップとを含み、前記活性化パターンは、３次元空間内の前記電磁トランスデューサの配置構成によって生成される電磁場ベクトルの強度および方向を変化させるデバイス。
【請求項１６】
ステップ（ｂ）は、前記コンピューティングユニットで実行され、前記活性化パターンは、
Ａ）  初期値を伴う電場トランスデューサインデックスと、電場トランスデューサの対の最大数を前記コンピューティングユニットにおいて定義するステップと、
Ｂ）  ステップ（Ａ）の前記電場トランスデューサインデックスについて定義されている位置において前記電磁トランスデューサの配置構成から１対の電場トランスデューサを同時に選択するステップと、
Ｃ）  ステップ（Ｂ）において選択された電場トランスデューサの前記対を、決定された極性で、前記対の電場トランスデューサが決定された時間期間に前記対の他の電場トランスデューサに関して正の電位を有するように活性化するステップと、
Ｅ）  ステップ（Ｂ）において選択された電場トランスデューサの前記対を非活性化するステップと、
Ｆ）  電場トランスデューサに対するインデックスを増加し、前記電場トランスデューサインデックスを電場トランスデューサの対の前記最大数と比較するステップであって、
−  前記電場トランスデューサインデックスが電場トランスデューサの対の前記最大数より大きい場合、前記電場トランスデューサに対する前記インデックスをステップ（Ａ）で定義された値に等しい値にし、ステップ（Ｂ）に戻り、
−  前記電場トランスデューサの前記インデックスが電場トランスデューサの対の前記最大数以下である場合に、ステップ（Ｂ）に戻る、ステップとに従い、
前記電場トランスデューサインデックスは、電場トランスデューサの対の前記最大数より小さく、前記電磁トランスデューサの配置構成は、「ｎ」を２より大きい自然数として、「ｎ」対の電場トランスデューサを有する請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
ステップ（ｂ）は、前記コンピューティングユニットで実行され、前記活性化パターンは、
Ａ）  磁気トランスデューサインデックスおよび磁気トランスデューサの最大数を定義するステップと、
Ｂ）  ステップ（Ａ）の前記磁場トランスデューサインデックスについて定義されている位置で同時に前記電磁トランスデューサの配置構成から磁場トランスデューサを選択するステップと、
Ｃ）  ステップ（Ｂ）で選択された前記磁気トランスデューサを決定された時間期間に活性化し、ステップ（Ｄ）に進むステップと、
Ｄ）  ステップ（Ｂ）で選択された前記磁気トランスデューサを非活性化し、ステップ（Ｅ）に進むステップと、
Ｅ）  磁気トランスデューサインデックスを増大させ、前記磁気トランスデューサインデックスを磁気トランスデューサの前記最大数と比較し、
−  前記磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの前記最大数より大きい場合、前記磁気トランスデューサインデックスをステップ（Ａ）で定義された値に等しい値にし、ステップ（Ｂ）に戻り、
−  前記磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの前記最大数以下である場合、ステップ（Ｂ）に戻る、ステップとに従い、
前記磁気トランスデューサインデックスは、磁気トランスデューサの前記最大数より小さい請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記コンピューティングユニットは、第１の発振器、第２の発振器から発振器「ｎ」までの発振器に接続されている中央演算処理装置（２１ａ）を備える専用コンピューティングユニットであり、各発振器は活性化信号出力を有し、「ｎ」はゼロ以上の自然数である請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記中央演算処理装置は、ほかにもあるがとりわけ、メモリユニット、データベース、およびハードドライブなどのストレージデバイス、キーボード、カメラ、タッチスクリーンディスプレイ、およびスキャナなどの入力デバイス、ディスプレイおよびプリンタなどの出力デバイスから選択された周辺デバイスにも接続される請求項１５に記載のデバイス。
【国際調査報告】
2021512702.tif 000032