(57)【要約】  本開示は、周波数走査によって電磁場で組織刺激を行うための方法およびデバイスに対応している。前記周波数走査は、組織インピーダンス応答のフィードバックに適応する周波数差のインクリメントを介して組織に印加される電磁場の変動を指す。  それに加えて、本開示のいくつかの方法は、組織インピーダンス応答が許容レベルに戻るか、または最大刺激時間を超えるまで、前記バンド内に刺激を集中させるための刺激周波数バンドを決定することを可能にする。  電磁場で組織を刺激するためのデバイスはコンピューティングユニットを備え、外部電源がコンピューティングユニットに接続され、減結合回路が外部電源およびコンピューティングユニットに接続され、電磁トランスデューサの配列構成はコンピューティングユニットおよび減結合回路に接続され、コンピューティングユニットは開示されている方法を実行して、電磁トランスデューサの配置構成が受信する活性化信号を発生する。
2021512714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組織を電磁場で刺激するための方法であって、
ａ）活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電場刺激を印加する段階であって、その周波数は、初期組織刺激周波数（ｆｉｅ）から最終組織刺激周波数（ｆｆｅ）まで、時間差（Δｔｅ）の間の周波数差（Δｆｅ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで変化する、段階と、
ｂ）段階（ａ）の前記刺激への前記組織インピーダンス応答を測定する段階と、
ｃ）段階（ｂ）において測定された前記組織インピーダンス応答で基準レベルを確定する段階と、
ｄ）段階（ｃ）において確定された前記基準レベルに対する許容値（ＮＴ）を確定する段階と、
ｅ）前記組織インピーダンス応答が段階（ｄ）において確定された前記許容値（ＮＴ）を下回る点として下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）を決定する段階と、
ｆ）前記組織インピーダンス応答が段階（ｄ）において確定された前記許容値（ＮＴ）に戻る点として上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）を決定する段階とを含み、
前記上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）は前記下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）よりも大きく、「ｘ」は１以上の自然数である、方法。
【請求項２】
前記初期組織刺激周波数（ｆｉｅ）、前記最終組織刺激周波数（ｆｆｅ）、前記周波数差（Δｆｅ）、前記時間差（Δｔｅ）、前記許容値（ＮＴ）、前記下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）、および前記上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）は、コンピューティングユニットでユーザによって確定され、メモリに記憶される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記許容値（ＮＴ）は、約２５％から約５０％の間である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
段階（ａ）において、活性化信号は、ほかにもあるがとりわけ、直流または交流信号、パルス信号または非交番パルス列、デューティサイクルの変動がある方形波信号、三角波信号、のこぎり波信号、振幅変調、周波数変調、位相変調、パルス位置変調、またはこれらの組合せから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記初期組織刺激周波数（ｆｉｅ）および前記最終組織刺激周波数（ｆｆｅ）は、約０．１Ｈｚから約１０００Ｈｚの間である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記周波数差（Δｆｅ）は、約０．１Ｈｚから約１ｋＨｚの間の値である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記時間差（Δｔｅ）は、約１秒から約１時間の間である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
段階（ｆ）の後に、
ｇ）段階（ｆ）において決定された前記上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）とともに段階（ｅ）において決定された前記下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）に基づき刺激周波数バンドを決定する段階、
ｈ）時間差（Δｔｅ）の間の周波数差（Δｆｅ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで段階（ｇ）において決定された前記刺激周波数バンドによって周波数が変化する活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電場刺激を印加する段階、
ｉ）最大刺激時間（ｔｍａｘ）を確定する段階、
ｊ）段階（ｈ）の前記刺激への前記組織インピーダンス応答を測定する段階、および
ｋ）段階（ｇ）において決定された前記刺激周波数バンドの段階（ｊ）において測定された前記組織インピーダンス応答が、段階（ｄ）において確定された前記許容値（ＮＴ）に戻るか、または前記最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えるかを検証する段階を完了させる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記最大刺激時間（ｔｍａｘ）は、約１時間から約１８時間の間である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
段階（ｋ）は、以下の検証、すなわち、
−  前記最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えた場合に、終了すること、
−  前記最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えず、段階（ｊ）において測定された前記組織インピーダンス応答が段階（ｄ）において確定された前記許容値（ＮＴ）未満である場合に、段階（ｈ）を繰り返すこと、および
−  段階（ｇ）において決定された前記刺激周波数バンドの段階（ｊ）において測定された前記組織インピーダンス応答が、段階（ｄ）において確定された前記許容値（ＮＴ）を超えた場合、終了すること、を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
段階（ａ）において、活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を用いて組織に磁場刺激が印加され、その周波数は、初期組織刺激周波数（ｆｉｍ）から最終組織刺激周波数（ｆｆｍ）まで、時間差（Δｔｍ）の間の周波数差（Δｆｍ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで変化する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
段階（ａ）において、前記磁場トランスデューサは、前記電場トランスデューサの電場に対して直交する磁場を発生するように配置構成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
段階（ｅ）において、前記下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）と前記上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）との間の周波数の範囲は、中心組織周波数に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記電場トランスデューサに対する前記活性化信号は、組織温度フィードバックとともに変化する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記刺激される生体組織は、動物体内の組織である、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記刺激される生体組織は、動物である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記電磁トランスデューサは、前記組織の外面と接触する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記電磁トランスデューサは、前記生体組織の外面から、決定された距離に配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記電磁トランスデューサの第１の部分は、前記生体組織の外面と接触し、前記電磁トランスデューサの第２の部分は、前記生体組織の前記外面から、決定された距離に配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記電磁トランスデューサは、定義されている順序に従って活性化される、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記電磁トランスデューサは、ランダムに活性化される、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記活性化信号は、決定された時刻に、順次、他の活性化信号もしくは様々な刺激信号に関して位相をずらして、ランダムに、または前記トランスデューサのうちの各１つに対して確定されているプログラムに従って、各トランスデューサに印加される、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
組織を磁場で刺激するための方法であって、
ａ’）活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に磁場刺激を印加する段階であって、その周波数は、初期組織刺激周波数（ｆｉｍ）から最終組織刺激周波数（ｆｆｍ）まで、時間差（Δｔｍ）の間の周波数差（Δｆｍ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで変化する、段階と、
ｂ’）電磁トランスデューサの前記配置構成の前記電場トランスデューサを通じて前記磁場刺激への前記組織インピーダンス応答を測定する段階と、
ｃ’）段階（ｂ’）において測定された前記組織インピーダンス応答で基準レベルを確定する段階と、
ｄ’）段階（ｃ’）において確定された前記基準レベルに対する許容値（ＮＴ）を確定する段階と、
ｅ’）前記組織インピーダンス応答が段階（ｄ’）において確定された前記許容値（ＮＴ）を下回る点として下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）を決定する段階と、
ｆ’）前記組織インピーダンス応答が段階（ｄ’）において確定された前記許容値（ＮＴ）に戻る点として上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）を決定する段階とを含み、
前記上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）は前記下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）よりも大きく、「ｘ」は１以上の自然数である、方法。
【請求項２４】
前記初期組織刺激周波数（ｆｉｍ）、前記最終組織刺激周波数（ｆｆｍ）、前記周波数差（Δｆｍ）、前記時間差（Δｔｍ）、前記許容値（ＮＴ）、前記下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）、および前記上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）は、コンピューティングユニットでユーザによって確定され、メモリに記憶される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記許容値（ＮＴ）は、約２５％から約５０％の間である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
段階（ａ’）において、前記活性化信号は、ほかにもあるがとりわけ、直流または交流信号、パルス信号または非交番パルス列、デューティサイクルの変動がある方形波信号、三角波信号、のこぎり波信号、振幅変調、周波数変調、位相変調、パルス位置変調、またはこれらの組合せのうちから選択される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
前記初期組織刺激周波数（ｆｉｍ）および前記最終組織刺激周波数（ｆｆｍ）は、約０．１Ｈｚから約１０００Ｈｚの間である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
前記周波数差（Δｆｍ）は、約０．１Ｈｚから約１ｋＨｚの間の値である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２９】
前記時間差（Δｔｍ）は、約１秒から約１時間の間である、請求項２３に記載の方法。
【請求項３０】
段階（ｆ）の後に、
ｇ’）段階（ｆ’）において決定された前記上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）とともに段階（ｅ’）において決定された前記下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）に基づき刺激周波数バンドを決定する段階、
ｈ’）時間差（Δｔｍ）の間の周波数差（Δｆｍ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで段階（ｇ’）において決定された前記刺激周波数バンドによって周波数が変化する活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に磁場刺激を印加する段階、
ｉ’）最大刺激時間（ｔｍａｘ）を確定する段階、
ｊ’）電磁トランスデューサの前記配置構成の電場トランスデューサを用いて段階（ｈ’）の前記刺激への前記組織インピーダンス応答を測定する段階、および
ｋ’）段階（ｇ’）において決定された前記刺激周波数バンドの段階（ｊ’）において測定された前記組織インピーダンス応答が、段階（ｄ’）において確定された前記許容値（ＮＴ）に戻るか、または前記最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えるかを検証する段階を完了させる、請求項２３に記載の方法。
【請求項３１】
前記最大刺激時間（ｔｍａｘ）は、約１時間から約１８時間の間である、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
段階（ｋ’）は、以下の検証、すなわち、
−  前記最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えた場合に、終了すること、
−  前記最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えず、段階（ｊ’）において測定された前記組織インピーダンス応答が段階（ｄ’）において確定された前記許容値（ＮＴ）未満である場合に、段階（ｈ’）を繰り返すこと、および
−  段階（ｇ’）において決定された前記刺激周波数バンドの段階（ｊ’）において測定された前記組織インピーダンス応答が、段階（ｄ’）において確定された前記許容値（ＮＴ）を超えた場合、終了すること、を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
段階（ｇ’）において、前記下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）と前記上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）との間の周波数の範囲は、中心組織周波数に対応する、請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
前記磁場トランスデューサに対する前記活性化信号は、組織温度フィードバックとともに変化するパターンに従う、請求項２３に記載の方法。
【請求項３５】
前記活性化信号は定義されたパターンに従い、
Ａ）トランスデューサの前記配置構成において各磁場トランスデューサに対するインデックスを定義するステップと、
Ｂ）前記コンピューティングユニットを使用してトランスデューサに割り振られた前記インデックスを選択するステップと、
Ｃ）前記選択されたインデックスに対応する前記磁場トランスデューサを活性化し、固定されている時間差（Δｔｍ）の間の周波数差（Δｆｍ）のインクリメント単位で初期組織刺激周波数（ｆｉｍ）から最終組織刺激周波数（ｆｆｍ）までを使用して前記組織を刺激するステップと、
Ｄ）前記帰されたインデックスのすべてが使用されるまで前記インデックスの前記値を増やし、ステップＣ）を繰り返すステップとに従う、請求項２３に記載の方法。
【請求項３６】
ステップＤ）で、前記インデックス値はランダムに変化し、ステップＣ）に戻る、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記刺激される生体組織は、動物体内の組織である、請求項２３に記載の方法。
【請求項３８】
前記刺激される生体組織は、動物である、請求項２３に記載の方法。
【請求項３９】
前記電磁トランスデューサは、前記組織の外面と接触する、請求項２３に記載の方法。
【請求項４０】
前記電磁トランスデューサは、前記生体組織の外面から、決定された距離に配置される、請求項２３に記載の方法。
【請求項４１】
前記電磁トランスデューサの第１の部分は、前記生体組織の外面と接触し、前記電磁トランスデューサの第２の部分は、前記生体組織の前記外面から、決定された距離に配置される、請求項２３に記載の方法。
【請求項４２】
前記電磁トランスデューサは、定義されている順序に従って活性化される、請求項２３に記載の方法。
【請求項４３】
前記電磁トランスデューサは、ランダムに活性化される、請求項２３に記載の方法。
【請求項４４】
前記活性化信号は、決定された時刻に、順次、他の活性化信号もしくは様々な刺激信号に関して位相をずらして、ランダムに、または前記トランスデューサのうちの各１つに対して確定されているプログラムに従って、各トランスデューサに印加される、請求項２３に記載の方法。
【請求項４５】
組織を電場および磁場で刺激するための方法であって、
ａ＊）活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電場および磁場刺激を印加する段階であって、前記活性化信号のパラメータが時間とともに変化する段階、と、
ｂ＊）電磁トランスデューサの前記配置構成を通じて段階（ａ＊）の前記刺激への前記組織インピーダンス応答を測定し、前記測定値をコンピューティングユニットのメモリレジスタに記憶する段階と、
ｃ＊）前記コンピューティングユニットを通じて段階（ｂ＊）において測定された前記組織インピーダンス応答に従って前記活性化信号の前記パラメータを変更し、段階（ａ＊）に戻る段階とを含み、
前記活性化信号の前記パラメータは、変調、位相、周波数、振幅、持続時間、デューティサイクル、および形状である、方法。
【請求項４６】
組織を電磁場で刺激するためのデバイスであって、
−  コンピューティングユニットと、
−  前記コンピューティングユニットに接続されている外部電源と、
−  前記外部電源および前記コンピューティングユニットに接続されている減結合回路と、
−  前記コンピューティングユニットおよび前記減結合回路に接続されている電磁トランスデューサの配置構成であって、前記組織の上に機能的に配設される、配置構成とを備え、
前記コンピューティングユニットは、組織を電磁場で刺激するための方法を実装し、前記方法はａ）活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電場刺激を印加する段階であって、その周波数は、初期組織刺激周波数（ｆｉｅ）から最終組織刺激周波数（ｆｆｅ）まで、時間差（Δｔｅ）の間の周波数差（Δｆｅ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで変化する、段階と、ｂ）段階（ａ）の前記刺激への前記組織インピーダンス応答を測定する段階と、ｃ）段階（ｂ）において測定された前記組織インピーダンス応答で基準レベルを確定する段階と、ｄ）段階（ｃ）において確定された前記基準レベルに対する許容値（ＮＴ）を確定する段階と、ｅ）前記組織インピーダンス応答が段階（ｄ）において確定された前記許容値（ＮＴ）を下回る点として下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）を決定する段階と、ｆ）前記組織インピーダンス応答が段階（ｄ）において確定された前記許容値（ＮＴ）に戻る点として上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）を決定する段階とを含み、前記上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）は前記下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）よりも大きく、「ｘ」は１以上の自然数である、デバイス。
【請求項４７】
前記許容値（ＮＴ）は、約２５％から約５０％の間である、請求項４６に記載のデバイス。
【請求項４８】
前記初期組織刺激周波数（ｆｉｅ）および前記最終組織刺激周波数（ｆｆｅ）は、約０．１Ｈｚから約１０００ｋＨｚの間である、請求項４６に記載のデバイス。
【請求項４９】
前記周波数差（Δｆｅ）は、約０．１Ｈｚから約１ｋＨｚの間の値である、請求項４６に記載のデバイス。
【請求項５０】
前記時間差（Δｔｅ）は、約１秒から約１時間の間である、請求項４６に記載のデバイス。
【請求項５１】
段階（ｆ）の後に、
ｇ）段階（ｆ）において決定された前記上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）とともに段階（ｅ）において決定された前記下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）に基づき刺激周波数バンドを決定する段階、
ｈ）時間差（Δｔｅ）の間の周波数差（Δｆｅ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで段階（ｇ）において決定された前記刺激周波数バンドによって周波数が変化する活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電場刺激を印加する段階、
ｉ）最大刺激時間（ｔｍａｘ）を確定する段階、
ｊ）段階（ｈ）の前記刺激への前記組織インピーダンス応答を測定する段階、および
ｋ）段階（ｇ）において決定された前記刺激周波数バンドの段階（ｊ）において測定された前記組織インピーダンス応答が、段階（ｄ）において確定された前記許容値（ＮＴ）に戻るか、または前記最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えるかを検証する段階を完了させる、請求項４６に記載のデバイス。
【請求項５２】
段階（ｋ）は、以下の検証、すなわち、
−  前記最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えた場合に、終了すること、
−  前記最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えず、段階（ｊ）において測定された前記組織インピーダンス応答が段階（ｄ）において確定された前記許容値（ＮＴ）未満である場合に、段階（ｈ）を繰り返すこと、および
−  段階（ｇ）において決定された前記刺激周波数バンドの段階（ｊ）において測定された前記組織インピーダンス応答が、段階（ｄ）において確定された前記許容値（ＮＴ）を超えた場合、終了すること、を含む、請求項５１に記載のデバイス。
【請求項５３】
組織を電磁場で刺激するためのデバイスであって、
−  コンピューティングユニットと、
−  前記コンピューティングユニットに接続されている外部電源と、
−  前記外部電源および前記コンピューティングユニットに接続されている減結合回路と、
−  前記コンピューティングユニットおよび前記減結合回路に接続されている電磁トランスデューサの配置構成であって、前記組織の上に機能的に配設される、配置構成とを備え、
前記コンピューティングユニットは、組織を磁場で刺激するための方法を実装し、前記方法はａ’）活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に磁場刺激を印加する段階であって、その周波数は、初期組織刺激周波数（ｆｉｍ）から最終組織刺激周波数（ｆｆｍ）まで、時間差（Δｔｍ）の間の周波数差（Δｆｍ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで変化する、段階と、ｂ’）電磁トランスデューサの前記配置構成の前記電場トランスデューサを通じて前記磁場刺激への前記組織インピーダンス応答を測定する段階と、ｃ’）段階（ｂ’）において測定された前記組織インピーダンス応答で基準レベルを確定する段階と、ｄ’）段階（ｃ’）において確定された前記基準レベルに対する許容値（ＮＴ）を確定する段階と、ｅ’）前記組織インピーダンス応答が段階（ｄ’）において確定された前記許容値（ＮＴ）を下回る点として下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）を決定する段階と、ｆ’）前記組織インピーダンス応答が段階（ｄ’）において確定された前記許容値（ＮＴ）に戻る点として上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）を決定する段階とを含み、前記上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）は前記下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）よりも大きく、「ｘ」は１以上の自然数である、デバイス。
【請求項５４】
段階（ｆ’）の後に、
ｇ’）段階（ｆ’）において決定された前記上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）とともに段階（ｅ’）において決定された前記下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）に基づき刺激周波数バンドを決定する段階、
ｈ’）時間差（Δｔｍ）の間の周波数差（Δｆｍ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで段階（ｇ’）において決定された前記刺激周波数バンドによって周波数が変化する活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に磁場刺激を印加する段階、
ｉ’）最大刺激時間（ｔｍａｘ）を確定する段階、
ｊ’）電磁トランスデューサの前記配置構成の電場トランスデューサを用いて段階（ｈ’）の前記刺激への前記組織インピーダンス応答を測定する段階、および
ｋ’）段階（ｇ’）において決定された前記刺激周波数バンドの段階（ｊ’）において測定された前記組織インピーダンス応答が、段階（ｄ’）において確定された前記許容値（ＮＴ）に戻るか、または前記最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えるかを検証する段階を完了させる、請求項５３に記載のデバイス。
【請求項５５】
前記コンピューティングユニットは、第１のＯＳＣ１、第２の発振器ＯＳＣ２から発振器ＯＳＣ  ｎまでの発振器に接続され、各発振器は活性化信号出力を有し、ｎはゼロ以上の自然数である、中央演算処理装置（ＣＰＵ）を備える専用コンピューティングユニットである、請求項４６に記載のデバイス。
【請求項５６】
前記中央演算処理装置は、ほかにもあるがとりわけ、メモリユニット、データベース、およびハードドライブなどのストレージデバイス、キーボード、カメラ、タッチスクリーンディスプレイ、およびスキャナなどの入力デバイス、ディスプレイおよびプリンタなどの出力デバイスから選択された周辺デバイスにも接続される、請求項５５に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年２月７日に出願したコロンビア出願第ＮＣ２０１８／０００１２８３号の優先利益を主張するものである。上述の特許出願は全体が参照により本明細書に組み込まれ、本出願の一部をなす。
【０００２】
本明細書に開示されている組織刺激は、２０１８年２月７日に出願したコロンビア出願第ＮＣ２０１８／０００１２８２号に関する。
【０００３】
本開示は、周波数走査によって電磁場、電場、および磁場により組織を刺激するための方法に関し、前記周波数走査は、初期の刺激周波数から最終的な刺激周波数までの周波数差のインクリメントを介して、電磁場、電場、または磁気ベクトルの変動を参照する。これらの刺激方法は、組織の異常を識別し、そのような異常を潜在的に補正するための用途を有しており、たとえば、癌組織の識別、および前記組織の成長および増殖を逆転させることを含む。
【背景技術】
【０００４】
細胞の電気的環境の変化は、細胞の正常な絶え間ない恒常性に影響を及ぼし得ることが適切に報告されている。より具体的には、細胞恒常性は健全な静止膜電位の維持に関係しており、この膜電位の変化は無制限細胞増殖や分化（転移）に関連している。ＹａｎｇおよびＢｒａｃｋｅｎｂｕｒｙ（２０１３）によって報告されているように、
【０００５】
「膜電位（Ｖｍ）は、原形質膜にかかる電圧であり、特定のイオン選択性および透過性を有する異なるイオンチャネル／トランスポーターが存在するので発生する。Ｖｍは、非興奮性細胞において重要な生物物理学的信号であり、増殖および分化などの重要な細胞活動を調節している。したがって、異なる細胞上に発現する様々なイオンチャネル／トランスポーターの多様性は、Ｖｍを調節するために微調整される。癌細胞が異なる生体電気的特性を有することは十分に確立されている。特に、癌細胞の多くの種類における電気生理学的分析によって、細胞増殖に有利に働く脱分極したＶｍが明らかになっている。イオンチャネル／トランスポーターは細胞の体積および移動を制御し、新たに生起するデータはＶｍのレベルが癌細胞の移動に機能的な役割を有していることも示唆している。．．．Ｖｍの変動が腫瘍形成、分化を機能的に制御し、癌の進行を促進し得ることを考えると、Ｖｍは予後値により腫瘍の検出および治療のための潜在的なマーカーとして働き得る。」
【０００６】
単に組織の異常を検出することを超えて、細胞膜の過分極を発生するように細胞環境に影響を及ぼすことで、実際には腫瘍の増殖および転移を逆転させることができることも、文献では一般的に示唆している（たとえば、Ｉｎｇｂｅｒ、「Ｃａｎ  ｃａｎｃｅｒ  ｂｅ  ｒｅｖｅｒｓｅｄ  ｂｙ  ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  ｔｈｅ  ｔｕｍｏｒ  ｍｉｃｒｏｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ？」、Ｓｅｍｉｎ  Ｃａｎｃｅｒ  Ｂｉｏｌ．  ２００８年１０月、１８（５）：  ３５６〜３６４頁、Ｌｏｂｉｋｉｎ、Ｃｈｅｒｎｅｔ、Ｌｏｂｏ、およびＬｅｖｉｎ、「Ｒｅｓｔｉｎｇ  Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ，  Ｏｎｃｏｇｅｎｅ−ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｕｍｏｒｉｇｅｎｅｓｉｓ，  ａｎｄ  Ｍｅｔａｓｔａｓｉｓ：  Ｔｈｅ  Ｂｉｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｂａｓｉｓ  ｏｆ  Ｃａｎｃｅｒ  ｉｎ  ｖｉｖｏ」、Ｐｈｙｓ  Ｂｉｏｌ．  ２０１２年１２月、９（６）：０６５００２、ならびにＫａｄｉｒ、Ｓｔａｃｅｙ、およびＢａｒｒｅｔｔ−Ｊｏｌｌｅｙ、「Ｅｍｅｒｇｉｎｇ  Ｒｏｌｅｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｍｅｍｂｒａｎｅ  Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ：  Ａｃｔｉｏｎ  Ｂｅｙｏｎｄ  ｔｈｅ  Ａｃｔｉｏｎ  Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ」、Ｆｒｏｎｔ．  Ｐｈｙｓｉｏｌ．、２０１８年１１月２１日、を参照）。Ｌｏｂｉｋｉｎら（２０１２）は、特に、「．．．宿主が癌細胞を再起動させる経路の機械的解剖は、腫瘍を殺しそれにより残っている任意の癌細胞による代償性増殖応答を引き起こす危険を冒そうとする現在のアプローチとは対照的に、癌を正常化する戦略を生み出す可能性がある［引用文献は削除された］。．．．最もエキサイティングなのは、分子遺伝学的または薬理学的のいずれかの手段を介した．．．強制過分極は、腫瘍発生を機能的に低減することができることである。．．．パターン形成における生体電気の基本的な役割を解明することによって、生物医学がいつの日か腫瘍組織を殺すのではなく、腫瘍組織を正常化するために再生能力の高いモデル種が使用する顕著な経路を意のままに活性化することができるようになることが期待されている．．．．」。
【０００７】
上に引用した論文などの先行技術は、イオンチャネルを標的とした薬学的および分子生物学的ツールを使用して膜電位を調節し、上で示唆されている抗癌結果を得るという示唆に溢れている。しかしながら、電場を印加して癌組織を識別するか、または腫瘍形成を逆転させることを試みる提案された解決策は、かなり限定的である。Ｋａｄｉｒら（２０１８）は「１９３０年代後半まで遡ってすら、腫瘍は、電圧計の読み取り値に基づいて検出されていたのである（Ｂｕｒｒら、１９３８年、Ｂｕｒｒ、１９４０年）。」と述べている。つい最近では、癌を治療するための電場の印加は、たとえば、Ｐａｌｔｉの米国特許第７３３３８５２Ｂ２号によって提案され、実施されている（腫瘍治療電場すなわちＴＴＦとして指定されている）。これらのＴＴＦの臨床結果は、刊行物、すなわち、Ｋｉｒｓｏｎ、Ｄｂａｌｙ、Ｔｏｖａｒｙｓ、Ｖｙｍａｚａｌ、Ｓｏｕｓｔｉｅｌ、Ｉｔｚｈａｋｉ、Ｍｏｒｄｅｃｈｏｖｉｃｈ、Ｓｔｅｉｎｂｅｒｇ−Ｓｈａｐｉｒａ、Ｇｕｒｖｉｃｈ、Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒｍａｎ、Ｗａｓｓｅｒｍａｎ、Ｓａｌｚｂｅｒｇ、Ｒｙｆｆｅｌ、Ｇｏｌｄｓｈｅｒ、Ｄｅｋｅｌ、およびＰａｌｔｉ、「Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄｓ  ａｒｒｅｓｔ  ｃｅｌｌ  ｐｒｏｌｉｆｅｒａｔｉｏｎ  ｉｎ  ａｎｉｍａｌ  ｔｕｍｏｒ  ｍｏｄｅｌｓ  ａｎｄ  ｈｕｍａｎ  ｂｒａｉｎ  ｔｕｍｏｒｓ」、ＰＮＡＳ  ２００７年６月１２日、１０４（２４）、１０１５２〜１０１５７頁において説明されている。ＴＴＦｉｅｌｄｓの腫瘍抑制効果は、主に、２つの別個のメカニズム、すなわち、紡錘体微小管の形成への干渉および分裂時の細胞の物理的破壊に起因し、これらは両方とも、有糸分裂軸対電場ベクトルの向きに強く依存している。ＯＰＴＵＮＥ商標の下でＴＴＦ溶液を商業化している会社であり、上述の’８５２特許の譲受人である、Ｎｏｖｏｃｕｒｅによって提供されている情報（ｈｔｔｐｓ：／／ｂｉｏｐｈａｒｍａｄｅａｌｍａｋｅｒｓ．ｎａｔｕｒｅ．ｃｏｍ／ｕｓｅｒｓ／３８００１−ｎｏｖｏｃｕｒｅ／ｐｏｓｔｓ／１６５３１−ｔｔｆｉｅｌｄｓ−ａ−ｒａｄｉｃａｌ−ｎｅｗ−ａｐｐｒｏａｃｈ−ｔｏ−ｃａｎｃｅｒ−ｔｒｅａｔｍｅｎｔ−ｕｓｉｎｇ−ｅｌｅｃｔｒｉｃ−ｆｉｅｌｄｓを参照）によれば、「ＴＴＦｉｅｌｄｓによる細胞増殖の阻害および細胞死の促進は、細胞の種類に応じて、１〜５Ｖｃｍ−１の強度および１００〜５００ｋＨｚの間の周波数で最適であり、紡錘体は膵臓癌およびＮＳＣＬＣでは１５０ｋＨｚで、卵巣癌およびＧＢＭでは２００ｋＨｚで最もよく破壊される。非癌性細胞における有糸分裂は、典型的には、約５０ｋＨｚの周波数で破壊される。」最適な結果を得るためには、ＴＴＦｉｅｌｄｓは１日に最低でも１８時間、印加されるべきであるとＮｏｖｏｃｕｒｅは付け加えている。この意味で、デバイスの毎日の平均使用量（すなわち、治療コンプライアンス）は臨床的有益性の重要な構成要素である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第７３３３８５２Ｂ２号
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｉｎｇｂｅｒ、「Ｃａｎ  ｃａｎｃｅｒ  ｂｅ  ｒｅｖｅｒｓｅｄ  ｂｙ  ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  ｔｈｅ  ｔｕｍｏｒ  ｍｉｃｒｏｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ？」、Ｓｅｍｉｎ  Ｃａｎｃｅｒ  Ｂｉｏｌ．  ２００８年１０月、１８（５）：  ３５６〜３６４頁
【非特許文献２】Ｌｏｂｉｋｉｎ、Ｃｈｅｒｎｅｔ、Ｌｏｂｏ、およびＬｅｖｉｎ、「Ｒｅｓｔｉｎｇ  Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ，  Ｏｎｃｏｇｅｎｅ−ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｕｍｏｒｉｇｅｎｅｓｉｓ，  ａｎｄ  Ｍｅｔａｓｔａｓｉｓ：  Ｔｈｅ  Ｂｉｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｂａｓｉｓ  ｏｆ  Ｃａｎｃｅｒ  ｉｎ  ｖｉｖｏ」、Ｐｈｙｓ  Ｂｉｏｌ．  ２０１２年１２月、９（６）：０６５００２
【非特許文献３】Ｋａｄｉｒ、Ｓｔａｃｅｙ、およびＢａｒｒｅｔｔ−Ｊｏｌｌｅｙ、「Ｅｍｅｒｇｉｎｇ  Ｒｏｌｅｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｍｅｍｂｒａｎｅ  Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ：  Ａｃｔｉｏｎ  Ｂｅｙｏｎｄ  ｔｈｅ  Ａｃｔｉｏｎ  Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ」、Ｆｒｏｎｔ．  Ｐｈｙｓｉｏｌ．、２０１８年１１月２１日
【非特許文献４】Ｋｉｒｓｏｎ、Ｄｂａｌｙ、Ｔｏｖａｒｙｓ、Ｖｙｍａｚａｌ、Ｓｏｕｓｔｉｅｌ、Ｉｔｚｈａｋｉ、Ｍｏｒｄｅｃｈｏｖｉｃｈ、Ｓｔｅｉｎｂｅｒｇ−Ｓｈａｐｉｒａ、Ｇｕｒｖｉｃｈ、Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒｍａｎ、Ｗａｓｓｅｒｍａｎ、Ｓａｌｚｂｅｒｇ、Ｒｙｆｆｅｌ、Ｇｏｌｄｓｈｅｒ、Ｄｅｋｅｌ、およびＰａｌｔｉ、「Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄｓ  ａｒｒｅｓｔ  ｃｅｌｌ  ｐｒｏｌｉｆｅｒａｔｉｏｎ  ｉｎ  ａｎｉｍａｌ  ｔｕｍｏｒ  ｍｏｄｅｌｓ  ａｎｄ  ｈｕｍａｎ  ｂｒａｉｎ  ｔｕｍｏｒｓ」、ＰＮＡＳ  ２００７年６月１２日、１０４（２４）、１０１５２〜１０１５７頁
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示は、周波数走査を用いて電磁場で組織を刺激するための方法およびデバイスに言及しており、より具体的には、周波数変動により電場で組織を刺激するための第１の方法、周波数変動により磁場で組織を刺激するための第２の方法、周波数変動により電場で組織を刺激することと磁場で組織を刺激することとを組み合わせた第３の方法、および電磁場で組織を刺激するためのデバイスに言及する。
【００１１】
電磁場で組織を刺激するための第１の方法は、ａ）活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成（ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）を通じて組織に電場刺激を印加する段階であって、その周波数は、初期組織刺激周波数（ｆｉｅ）から最終組織刺激周波数（ｆｆｅ）まで、時間差（Δｔｅ）の間の周波数差（Δｆｅ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで変化する、段階と、ｂ）段階（ａ）の刺激への組織インピーダンス応答を測定する段階と、ｃ）段階（ｂ）において測定された組織インピーダンス応答で基準レベルを確定する段階と、ｄ）段階ｃ）において確定された基準レベルに対する許容値（ＮＴ）を確定する段階と、ｅ）組織インピーダンス応答が段階（ｄ）において確定された許容値（ＮＴ）を下回る点として下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）を決定する段階と、ｆ）組織インピーダンス応答が段階（ｄ）において確定された許容値（ＮＴ）に戻る点として上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）を決定する段階とを含み、上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）は下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）よりも大きく、「ｘ」は１以上の自然数である。
【００１２】
電磁場で組織を刺激するための第２の方法は、ａ’）活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に磁場刺激を印加する段階であって、その周波数は、初期組織刺激周波数（ｆｉｍ）から最終組織刺激周波数（ｆｆｍ）まで、時間差（Δｔｍ）の間の周波数差（Δｆｍ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで変化する、段階と、ｂ’）電磁トランスデューサの配置構成の電場トランスデューサを通じて磁場刺激への組織インピーダンス応答を測定する段階と、ｃ’）段階（ｂ’）において測定された組織インピーダンス応答で基準レベルを確定する段階と、ｄ’）段階ｃ’）において確定された基準レベルに対する許容値（ＮＴ）を確定する段階と、ｅ’）組織インピーダンス応答が段階（ｄ’）において確定された許容値（ＮＴ）を下回る点として下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）を決定する段階と、ｆ’）組織インピーダンス応答が段階（ｄ’）において確定された許容値（ＮＴ）に戻る点として上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）を決定する段階とを含み、上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）は下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）よりも大きく、「ｘ」は１以上の自然数である。
【００１３】
さらに、本開示は、電磁刺激信号を動的に調整するためのフィードバックを有する磁場と電場の組合せによる組織刺激のための他の手段を含む。
【００１４】
組織を電磁場で刺激するためのデバイスであって、コンピューティングユニットと、コンピューティングユニットに接続されている外部電源と、外部電源およびコンピューティングユニットに接続されている減結合回路と、コンピューティングユニットおよび減結合回路に接続されている電磁トランスデューサの配列構成とを備え、コンピューティングユニットは、減結合回路を介して電磁トランスデューサの配置構成が受信する活性化信号を生成するための方法を実装する、デバイスが提供される。
【００１５】
刺激過度を回避し、各特定の組織に応じて刺激を適応させるために、組織刺激の効率を向上させることが必要であることが長い間感じられている。本明細書において開示されている方法は、組織刺激応答のフィードバック、および刺激信号を動的に調整することを通じて、この問題を解決するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】組織を含む体積上でのトランスデューサの配置構成の一例を示す図である。
【図２Ａ】電磁トランスデューサの配置構成を個人の腕組織と接触させ、腕組織を標的とする配置の一例を示す図である。
【図２Ｂ】電磁トランスデューサの配置構成を個人の腕組織と接触させず、腕組織を標的とする配置の一例を示す図である。
【図３Ａ】電磁トランスデューサの配置構成を個人の腹部領域中の組織と接触させ、腹部領域中の組織を標的とする配置の一例を示す図である。
【図３Ｂ】電磁トランスデューサの配置構成を個人の腹部領域中の組織と接触させず、腹部領域中の組織を標的とする配置の一例を示す図である。
【図４Ａ】電磁トランスデューサの配置構成を個人の膝領域中の組織と接触させ、膝領域中の組織を標的とする配置の一例を示す図である。
【図４Ｂ】電磁トランスデューサの配置構成を個人の膝領域中の組織と接触させず、膝領域中の組織を標的とする配置の一例を示す図である。
【図５Ａ】時間の経過による刺激の周波数変動の一例を示す図である。
【図５Ｂ】正弦波活性化信号の一例を示す図である。
【図５Ｃ】方形波活性化信号の一例を示す図である。
【図６】デューティサイクルの変動を有する交互方形波活性化信号の一例を示す図である。
【図７】交互三角波形における活性化信号の一例を示す図である。
【図８】交互ランプ信号を交互方形波信号と組み合わせたセグメント化された活性化信号の一例を示す図である。
【図９Ａ】周波数走査電磁刺激によるバンドストップ形状における組織インピーダンス応答の一例を示す図である。
【図９Ｂ】周波数走査電磁刺激によるバンドストップ形状における組織インピーダンス応答の近似的表現の一例を示す図である。
【図９Ｃ】周波数走査電磁刺激のローパス形状における組織インピーダンス応答の一例を示す図である。
【図９Ｄ】周波数走査電磁刺激のローパス形状における組織インピーダンス応答の近似的表現の一例を示す図である。
【図１０Ａ】周波数走査電磁刺激の４つのバンドによるバンドストップ形状における組織インピーダンス応答の一例を示す図である。
【図１０Ｂ】周波数走査電磁刺激の４つのバンドによるバンドストップ形状における組織インピーダンス応答の近似的表現の一例を示す図である。
【図１１Ａ】電磁場の周波数走査で刺激される前の個人の頸部のある種の悪性組織の一例の写真である。
【図１１Ｂ】電磁場の周波数走査で刺激された後の、図１１Ａの同じ個人の頸部のある種の悪性組織の一例の写真である。
【図１１Ｃ】図１１Ａと図１１Ｂとの間の中間段階における個人の単一の電場チャネルの上の組織インピーダンス応答に対応する組織インピーダンス信号を示す図である。
【図１１Ｄ】図１１Ｃにおいて示されている組織インピーダンス信号の平滑化された組織インピーダンス信号を示す図である。
【図１２】周波数走査電場による組織刺激のための方法の流れ図である。
【図１３】追加の段階を有する周波数走査電場による組織刺激のための方法の流れ図である。
【図１４】段階ｋがバラバラにされている周波数走査電場による組織刺激のための方法の流れ図である。
【図１５】周波数走査磁場による組織刺激のための方法の流れ図である。
【図１６】段階ｋがバラバラにされている追加の段階を有する周波数走査電場による組織刺激のための方法の流れ図である。
【図１７】本開示の組織刺激デバイスの一例のブロック図である。
【図１８】本開示の組織刺激デバイスの専用コンピューティングユニットの一例のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本開示は、組織に適用される電場および磁場、またはそれらの組合せの周波数走査のための方法、ならびに電場および磁場刺激のためのデバイスを明らかにする。電場および磁場の周波数走査のための第１の方法は、電場による組織刺激を含み、これは
ａ）活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電場刺激を印加する段階であって、その周波数は、初期組織刺激周波数（ｆｉｅ）から最終組織刺激周波数（ｆｆｅ）まで、時間差（Δｔｅ）の間の周波数差（Δｆｅ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで変化する、段階と、
ｂ）段階（ａ）の刺激への組織インピーダンス応答を測定する段階と、
ｃ）段階（ｂ）において測定された組織インピーダンス応答で基準レベルを確定する段階と、
ｄ）段階（ｃ）において確定された基準レベルに対する許容値（ＮＴ）を確定する段階と、
ｅ）組織インピーダンス応答が段階（ｄ）において確定された許容値（ＮＴ）を下回る点として下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）を決定する段階と、
ｆ）組織インピーダンス応答が段階（ｄ）において確定された許容値（ＮＴ）に戻る点として上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）を決定する段階とを含み、
上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）は下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）よりも大きく、「ｘ」は１以上の自然数である。
【００１８】
組織とは、１つまたは複数の細胞からなる生物の生体組織を指し、ただ１つのクラスの細胞、すべて同じ細胞、または秩序正しく配置構成されて器官または生命体を形成する様々な種類の細胞によって構成され得る。引用されている組織は、上皮組織、結合組織、筋肉組織、筋肉パッケージ（ｍｕｓｃｕｌａｒ  ｐａｃｋａｇｅ）、神経組織、またはこれらの組合せ、などの健常組織であってよい。また、組織は、健常組織中に全体的または部分的な生物化学的不均衡を有する組織であってよく、前記生物化学的不均衡は、次いで、良性組織、新生物組織、悪性新生物組織、または恒常性から外れたもしくは恒常性のある任意の細胞に対応し得る。また、組織とは、生体内の細胞、または移植前では生体内環境内に入る前記細胞を指すものとしてよい。
【００１９】
組織は、限定はしないが、哺乳類、鶏、七面鳥、ガチョウおよびアヒルを含む鳥類、魚類、甲殻類（エビ、ロブスター、ザリガニ）、ならびにクロコダイルおよびアリゲーターなどの爬虫類を含む動物に由来するか、または由来するものであってよい。本明細書で使用されているような「哺乳類」という用語は、ヒト、カニクイザル、チンパンジー、ヒヒ、およびゴリラなどの、ヒト以外の霊長類、ウマ科の動物、ウシ科の動物、イノシシ科の動物、ヤギ亜科の動物、イヌ科の動物、ネコ科の動物、ヒツジ、ウサギ、ラマを含む家畜、ウシ、ヒツジ、ブタ、ウマ、ヤギなどの有蹄動物、イヌ、ネコ、ネズミ、ウサギ、ならびにモルモット、ハムスターおよびラットなどの齧歯類を含む、哺乳類に分類される任意の哺乳類を指す。
【００２０】
生体組織の刺激とは、ほかにもあるがとりわけ組織インピーダンス応答、組織血管新生、組織温度、組織健康状態、組織増殖率などの、前記生体組織の特性の特定の変化を誘発するために前記生体組織にエネルギーを投与することを指す。
【００２１】
図１７を参照すると、本開示の組織刺激デバイスの一例が示されており、組織刺激デバイスは、コンピューティングユニット（２１）と、コンピューティングユニット（２１）に接続されている外部電源（２２）と、外部電源（２２）およびコンピューティングユニット（２１）に接続されている減結合回路（２３）と、コンピューティングユニット（２１）および減結合回路（２３）に接続されている電磁トランスデューサ（１）の配置構成とを備え、コンピューティングユニット（２１）は、周波数走査電場で組織を刺激するための方法、周波数走査磁場で組織を刺激するための方法、および刺激を電場および磁場と組み合わせる方法を実装し、減結合回路（２３）を通じて電磁場トランスデューサの電場または磁場を受ける活性化信号を発生するための組織刺激デバイスを備えるように構成され得る。
【００２２】
前記制御システムは、組織刺激デバイス、電磁場で組織を刺激するためのデバイス、または単に組織を刺激するためのデバイスとして理解されてもよい。
【００２３】
図１８を参照すると、コンピューティングユニット（２１）の一例は、第１の発振器ＯＳＣ  １（２１ｂ）、第２の発振器ＯＳＣ  ２（２１ｃ）から発振器ＯＳＣ  ｎ（２１ｄ）までの発振器に接続され、各発振器は活性化信号出力（３１、３２、および３３）を有し、ｎはゼロ以上の自然数である、中央演算処理装置（ＣＰＵ）（２１ａ）を備える専用コンピューティングユニットであり、これにより、コンピューティングユニット（２１）は、最大ｎ個の活性化信号出力を有し得る。活性化信号出力は、チャネルとも呼ばれる。
【００２４】
任意選択で、各発振器の活性化信号出力（３１、３２、３３）は、電磁トランスデューサ（１）の配置構成に直接的にまたは減結合回路（２３）を介して、接続される。代替的に、ＣＰＵ（２１ａ）は、ほかにもあるがとりわけ、メモリユニット、データベース、およびハードドライブなどのストレージデバイス、キーボード、カメラ、タッチスクリーンディスプレイ、およびスキャナなどの入力デバイス、ディスプレイおよびプリンタなどの出力デバイスから選択された周辺デバイスにも接続される。
【００２５】
組織刺激デバイスの別の例では、発振器は信号発生器に置き換えられる。
【００２６】
任意選択で、周波数、位相、振幅、デューティサイクルなどの各活性化信号のパラメータは、組織刺激デバイスに接続されているＨＩＤを通じてユーザによって、リモートコンピューティングユニットの命令により修正することができる。
【００２７】
組織刺激デバイスのコンピューティングユニット（２１）は、トランスデューサによって受信され、組織に印加されて組織を刺激する活性化信号出力（３１、３２、および３３）を動的に調整するために、フィードバック（３０）、たとえば、組織インピーダンス応答フィードバックを使用し得る。
【００２８】
フィードバック（３０）は、システムの挙動を制御することを目的とする、システムの出力の特定の部分を入力にリダイレクトするメカニズムである。たとえば、電場、磁場、または電場と磁場の両方で組織を刺激するときに、組織インピーダンス応答に変動があり得るが、電場トランスデューサを採用することによって、組織インピーダンス応答のフィードバックが使用され、前記フィードバックは、組織インピーダンス応答の変動を感知し、活性化信号を動的に調整することを可能にし得る。
【００２９】
代替的に、フィードバックは、組織刺激への組織インピーダンス応答を取得することに限定されない。フィードバックは、たとえば、組織疲労を決定するための温度の測定、組織血管新生を決定するための組織表面の画像、組織インピーダンス応答の測定、またはこれらの組合せを組み込み得る。
【００３０】
電場、磁場、または電場と磁場の両方で組織を刺激するときに、組織の表面上で温度が徐々に高まることがあり、温度センサまたは温度測定デバイスは、温度変動を感知するために使用され得、たとえば過熱による組織上の損傷を回避するために、電場、磁場、または電場と磁場の両方の刺激活性化信号を動的に調整するために使用され得る。
【００３１】
本開示を理解する上で、コンピューティングユニットは、データを処理するデバイス、たとえば、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、ＤＳＣ（デジタルシグナルコントローラ）、ＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレイ）、ＣＰＬＤ（コンプレックスプログラマブルロジックデバイス）、ＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）、ＳｏＣ（システムオンチップ）、ＰＳｏＣ（プログラマブルシステムオンチップ）、コンピュータ、サーバ、タブレット、携帯電話、スマートフォン、および当業者に知られているコンピュータユニット、ならびにこれらの組合せである、ことに留意されたい。このコンピューティングユニットは、ストレージデバイス、ディスプレイデバイスおよび／またはヒューマンインターフェースデバイス（ＨＩＤ）を含み、本開示の方法を実行するようにプログラムされている専用コンピューティングユニットであってもよく、またはそれを含んでいてもよい。
【００３２】
ストレージデバイスは、限定はしないが、ＲＡＭメモリ（キャッシュメモリ、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＤＤＲ）、ＲＯＭメモリ（フラッシュ、キャッシュ、ＨＤＤ、ＳＳＤ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、リムーバブルメモリＲＯＭ（ほかにもあるがとりわけ、ＳＤ（ｍｉｎｉＳＤ、ｍｉｃｒｏＳＤなど）、ＭＭＣ（マルチメディアカード）、コンパクトフラッシュ（登録商標）、ＳＭＣ（スマートメディアカード）、ＳＤＣ（セキュアデジタルカード）、ＭＳ（メモリスティック））、ＣＤ−ＲＯＭ、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）もしくは他の光学式ストレージ、磁気カセット、磁気テープ、ストレージ、または情報を記憶するために使用することができ、ほかにもあるがとりわけ、当業者に知られているコンピュータユニットによってアクセスすることができる他の任意の手段、およびこれらの組合せを含む。ストレージデバイスは、命令、データ構造体、およびソフトウェアモジュールが格納される、メモリレジスタを有する。
【００３３】
ディスプレイは、限定はしないが、モニタを含み、これはコンピューティングユニットに接続され、その出力を表示することができる任意のものである。当業者に知られている、データをユーザに対して表示することができるデバイスはほかにもあるがとりわけ、ＣＲＴモニタ、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、アクティブマトリクスＬＣＤ、パッシブマトリクスＬＣＤ、ＬＥＤディスプレイ、ディスプレイプロジェクタ、ＴＶ（４ＫＴＶ、ＨＤＴＶ、プラズマＴＶ、スマートＴＶ）、ＯＬＥＤディスプレイ、ＡＭＯＬＥＤディスプレイ、量子ドット（ＱＤ）ディスプレイ、セグメントディスプレイ、およびこれらの組合せが含まれる。
【００３４】
ＨＩＤは、限定はしないが、当業者に知られている、組織刺激デバイスのコンピューティングユニットにデータをユーザが入力することを可能にすることができるデバイスはほかにもあるがとりわけ、キーボード、マウス、トラックボール、タッチパッド、ポインティングスティック、ジョイスティック、タッチスクリーン、およびこれらの組合せを含む。
【００３５】
この減結合回路は、外部電源を電磁トランスデューサの配置構成から電気的に減結合することを可能にし、前記回路は、２つの電気回路または素子を電気的に減結合するために、オプトカプラ、リレー、オペアンプ、抵抗器、コンデンサ、トランス、これらおよび他の電子素子をダイオードとともに組み合わせたものに基づくものとしてよい。
【００３６】
外部電源は、電磁トランスデューサの配置構成の動作に必要な電力を提供することを可能にし、当業者に知られている２つまたはそれ以上の端子の間の電圧を維持することができるデバイスはほかにもあるがとりわけ、交流電源、直流電源、電池、光起電力電源、熱起電力電源、またはこれらの組合せなどの、２つまたはそれ以上の端子の間の電力差を維持することができるデバイスであってよい。
【００３７】
電磁トランスデューサ（１）、電場トランスデューサ、または磁場トランスデューサの配置構成のトランスデューサによって受信される活性化信号は、直流または交流信号、パルス信号、交互または非交互インパルス信号列、デューティサイクルの変動がある方形波信号、三角波信号、のこぎり波信号、振幅変調（ＡＭ）、周波数変調（ＦＭ）、位相変調（ＰＭ）、パルス位置変調（ＰＰＭ）、パルス幅変調（ＰＷＭ）、およびこれらの組合せのうちから選択された信号であってよい。これらの信号は、プログラムおよびフィードバックに従って、コンピューティングユニットによって、または信号発生器によって、またはこれらの組合せによって生成される。
【００３８】
本開示によって引用されるプログラムは、コンピューティングユニット内の、符号化されているか符号化されていない、情報に対応し、これらのプログラムは配置構成トランスデューサ（１）を活性化する活性化信号のパラメータのすべてを修正する。
【００３９】
信号発生器は、プロ用の波形発生器、集積回路シンセサイザＤＤＳ（ダイレクトデジタルシンセサイザ）／ＤＡＣ（デジタル／アナログ変換）、ＮＣＯ（数値制御発振器）、波形発生器構成のオペアンプのアレイ、双安定発振回路、および上記の組合せからなる群から選択することができる。信号発生器は、波形発生器とも称され得る。
【００４０】
さらに、コンピューティングユニット（２１）は、１つまたは複数の活性化信号が各トランスデューサに、決定された時刻に、順次、他の活性化信号または様々な刺激信号に関して位相をずらして、ランダムに、またはトランスデューサのうちの各１つについて定められているプログラムに従って、印加されることを可能にする。
【００４１】
電磁トランスデューサ（１）の配置構成のトランスデューサを活性化する活性化信号は、電磁刺激信号、優勢な現象が電場に由来するときの電気刺激信号、優勢な現象が磁場に由来するときの磁気刺激信号として理解され得る。
【００４２】
電場トランスデューサを活性化するために、活性化信号は、ほかにもあるがとりわけ、直流または交流信号、パルス信号、交互または非交互インパルス信号列、デューティサイクルの変動がある方形波信号、三角波信号、のこぎり波信号、振幅変調（ＡＭ）、周波数変調（ＦＭ）、位相変調（ＰＭ）、パルス位置変調（ＰＰＭ）、パルス幅変調（ＰＷＭ）、およびこれらの組合せのうちから選択され得る。
【００４３】
本開示の方法の段階ａ）において、この方法は、ユーザによって制限できるか、またはコンピューティングユニットにおいてプログラムできる特定の期間に決定された周波数を有する信号を印加して組織を刺激することを開始する。たとえば、この方法は、１秒のΔｔｅに対して１Ｈｚのｆｉｅを印加することから開始し、周波数ｆｉｅを１Ｈｚに等しいΔｆｅずつインクリメントし、１秒のΔｔｅにおいて２Ｈｚの新しいｆｉｅを印加し、同じΔｆｅでインクリメントを続け、１秒のΔｔｅにおいて新しいｆｉｅを印加する。
【００４４】
電磁トランスデューサの配置構成は、「ｎ」個の電場トランスデューサもしくは磁場トランスデューサのセット、またはこれらの組合せであってよく、「ｎ」は１以上の自然数である。
【００４５】
前記電磁トランスデューサは、電磁場トランスデューサとして指定することができ、これらは、電場トランスデューサまたは磁場トランスデューサであり得るか、または電場トランスデューサと磁場トランスデューサとの組合せによって構成され得る。磁場トランスデューサも磁気トランスデューサとして指定することができ、電場トランスデューサも電気変換器として指定することができる。電場が優勢な現象である場合に、前記電磁トランスデューサは電場トランスデューサであると理解され、それと同時に、優勢な現象が磁場であるときには、電磁トランスデューサは磁場トランスデューサであると理解される。
【００４６】
電磁トランスデューサの配置構成のトランスデューサは、注目している組織を含む体積の外面の異なる領域を覆うように、ほかにもあるがとりわけ、正方形、長方形、円、卵形、同心円、およびこれらの組合せなどの幾何学的図形からなる群から選択できる異なる形状の活性面を有している。
【００４７】
トランスデューサの活性面とは、通ることにより電場信号、磁場信号、または電磁場信号がより大きな強度を有するトランスデューサの表面である。
【００４８】
電場トランスデューサは、ほかにもあるがとりわけ、エンジン、電極、光電トランスデューサ、電気誘導アクチュエータ、電場を発生させる導電板、アンテナ、またはこれらの組合せからなる群から選択される。電場トランスデューサは、ほかにもあるがとりわけ、エンジン、電極、磁気誘導アクチュエータ、コアを有する、もしくは有しない磁場発生コイル、電磁石、アンテナ、およびこれらの組合せからなる群から選択される。
【００４９】
図１を参照すると、たとえば、電磁トランスデューサ（１）の配置構成は、体積（２）の表面上に置かれ、その配置構成は、電磁トランスデューサ（１ａ）から電磁トランスデューサ（１ｅ’）を含み、図示されている例では、トランスデューサの対を含み、第１の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ａ）およびトランスデューサ（１ａ’）からなり、第２の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｂ）およびトランスデューサ（１ｂ’）からなり、第３の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｃ）およびトランスデューサ（１ｃ’）からなり、第４の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｄ）およびトランスデューサ（１ｄ’）からなり、第５の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｅ）およびトランスデューサ（１ｅ’）からなる。トランスデューサの各対は、互いに向き合い、各々注目している組織（３）を含む体積（２）の内部を標的とするように活性面とともに向き付けられる。任意選択で、トランスデューサの活性面は、組織（３）の方へ向けられている。
【００５０】
それに加えて、配置構成（１）は、任意選択で、第１の対のトランスデューサの活性面の表面のいずれかに平行な平面が、第２、第３、第４、および第５の対のトランスデューサの活性面の表面のいずれかに平行な別の平面に直交し、それに加えて、第２の対のトランスデューサの活性面の表面のいずれかに平行な任意の平面が、第３、第４、および第５の対のトランスデューサの活性面の表面のいずれかに平行な他の任意の平面に直交し、それに加えて、第３の対のトランスデューサの活性面の表面に平行な任意の平面は、第４および第５の対のトランスデューサの活性面の表面のいずれかに平行な他の任意の平面に直交し、また第４の対のトランスデューサの活性面の表面に平行な任意の平面は、第５の対のトランスデューサの活性面の表面のいずれかに平行な他の任意の平面に直交し、それに加えて、組織の方を指す活性面の平面の突出部は、前記組織の可能な最大の表面を覆い、この構成により組織への最適な刺激を確実にするという点で直交性の条件を満たす。
【００５１】
また、トランスデューサの各対を含むトランスデューサは完全に整列していないかもしくは互いに平行になっていないか、または前の段落で説明されているトランスデューサの直交性の条件を保たない可能性もあり得、また組織（３）を刺激することに成功する可能性がある。
【００５２】
本開示の１つの例において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成における電場トランスデューサの活性面は、組織（３）の外面と接触している。このような点で、電場トランスデューサが組織（３）の外面から、決定された距離に配置される他の代替的形態と比較して、電場トランスデューサの動作に必要な電力はより少なくて済む。
【００５３】
別の例では、電磁トランスデューサ（１）の配置構成を含むトランスデューサの活性面は、組織（３）の外面から決定された距離だけ離間されている（たとえば、組織の外面と物理的に接触する可能性がないときに必要である）。このような点で、電場トランスデューサが組織（３）の外面と接触する代替的形態と比較して、電場トランスデューサの動作に必要な電力はより多くなり得る。
【００５４】
代替的に、電磁トランスデューサ（１）の配置構成を含むトランスデューサの活性面は、組織（３）の外面から決定された距離だけ離間され、電磁トランスデューサ（１）の配置構成のトランスデューサの第２のグループは、組織（３）の外面と接触している。このトランスデューサの位置決めの混合構成は、たとえば、体積（２）内に見られる組織（３）に効率的に到達することを可能にし、その場合、一部の領域がトランスデューサの活性面との物理的接触を許容し、他の領域が接近しにくいか、またはそのような物理的接触を許容しないように前記組織（３）の表面が変化する。
【００５５】
任意選択で、段階（ａ）において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成における電場トランスデューサのうちの少なくとも１つの活性面は、組織（３）の外面と接触している。
【００５６】
トランスデューサの活性面の平面の突出部は、組織（３）の方向に配置構成され、前記組織（３）の可能な最大の表面積を覆い、この構成は組織の最適な刺激を確実にする。
【００５７】
それに加えて、トランスデューサが完全には整列していないかまたは互いに平行になっていない可能性がある。
【００５８】
体積（２）の内部に向かう電場のベクトルの強度および方向パラメータは、組織（３）を含む体積（２）の周りのトランスデューサの配列に依存する。たとえば、電場トランスデューサの配置構成により、活性面が体積（２）の表面と接触している場合、電場の強度は２Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍの間になる。他方では、電場トランスデューサが表面から定義された距離のところに配置されている場合、電場の強度値は、０．０１ｃｍと５０ｃｍとの間および任意選択で、０．０１ｃｍと４ｃｍとの間の距離について３３０Ｖ／ｃｍと２０ｋＶ／ｃｍとの間の値となる。
【００５９】
代替的に、組織の表面と接触する活性面を有するトランスデューサに対する電場の強度値は、２Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、２．１Ｖ／ｃｍから４．９Ｖ／ｃｍ、２．２Ｖ／ｃｍから４．８Ｖ／ｃｍ、２．３Ｖ／ｃｍから４．７Ｖ／ｃｍ、２．４Ｖ／ｃｍから４．６Ｖ／ｃｍ、２．５Ｖ／ｃｍから４．５Ｖ／ｃｍ、２．６Ｖ／ｃｍから４．４Ｖ／ｃｍ、２．７Ｖ／ｃｍから４．３Ｖ／ｃｍ、２．８Ｖ／ｃｍから４．２Ｖ／ｃｍ、２．９Ｖ／ｃｍから４．１Ｖ／ｃｍ、３Ｖ／ｃｍから４Ｖ／ｃｍ、３．１Ｖ／ｃｍから３．９Ｖ／ｃｍ、３．２Ｖ／ｃｍから３．８Ｖ／ｃｍ、３．３Ｖ／ｃｍから３．７Ｖ／ｃｍ、３．４Ｖ／ｃｍから３．６Ｖ／ｃｍ、２．２Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、２．４Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、２．６Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、２．８Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、３Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、３．２Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、３．４Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、３．６Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、３．８Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、４Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、４．２Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、４．４Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、４．６Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、４．８Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍ、２Ｖ／ｃｍから４．８Ｖ／ｃｍ、２Ｖ／ｃｍから４．６Ｖ／ｃｍ、２Ｖ／ｃｍから４．４Ｖ／ｃｍ、２Ｖ／ｃｍから４．２Ｖ／ｃｍ、２Ｖ／ｃｍから４Ｖ／ｃｍ、２Ｖ／ｃｍから３．８Ｖ／ｃｍ、２Ｖ／ｃｍから３．６Ｖ／ｃｍ、２Ｖ／ｃｍから３．４Ｖ／ｃｍ、２Ｖ／ｃｍから３．２Ｖ／ｃｍ、２Ｖ／ｃｍから３Ｖ／ｃｍ、２Ｖ／ｃｍから２．８Ｖ／ｃｍ、２Ｖ／ｃｍから２．６Ｖ／ｃｍ、２Ｖ／ｃｍから２．４Ｖ／ｃｍ、２Ｖ／ｃｍから２．２Ｖ／ｃｍ、２．２Ｖ／ｃｍから２．４Ｖ／ｃｍ、２．４Ｖ／ｃｍから２．６Ｖ／ｃｍ、２．６Ｖ／ｃｍから２．８Ｖ／ｃｍ、２．８Ｖ／ｃｍから３Ｖ／ｃｍ、３Ｖ／ｃｍから３．２Ｖ／ｃｍ、３．２Ｖ／ｃｍから３．４Ｖ／ｃｍ、３．４Ｖ／ｃｍから３．６Ｖ／ｃｍ、３．６Ｖ／ｃｍから３．８Ｖ／ｃｍ、３．８Ｖ／ｃｍから４Ｖ／ｃｍ、４Ｖ／ｃｍから４．２Ｖ／ｃｍ、４．２Ｖ／ｃｍから４．４Ｖ／ｃｍ、４．４Ｖ／ｃｍから４．６Ｖ／ｃｍ、４．６Ｖ／ｃｍから４．８Ｖ／ｃｍ、４．８Ｖ／ｃｍから５Ｖ／ｃｍの範囲のうちから選択され得る。
【００６０】
任意選択で、組織の表面から定義された距離のところに配置されているトランスデューサに対する電場の強度値は、０．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、０．８３ｋＶ／ｃｍから１９．５ｋＶ／ｃｍ、１．３３ｋＶ／ｃｍから１９ｋＶ／ｃｍ、１．８３ｋＶ／ｃｍから１８．５ｋＶ／ｃｍ、２．３３ｋＶ／ｃｍから１８ｋＶ／ｃｍ、２．８３ｋＶ／ｃｍから１７．５ｋＶ／ｃｍ、３．３３ｋＶ／ｃｍから１７ｋＶ／ｃｍ、３．８３ｋＶ／ｃｍから１６．５ｋＶ／ｃｍ、４．３３ｋＶ／ｃｍから１６ｋＶ／ｃｍ、４．８３ｋＶ／ｃｍから１５．５ｋＶ／ｃｍ、５．３３ｋＶ／ｃｍから１５ｋＶ／ｃｍ、５．８３ｋＶ／ｃｍから１４．５ｋＶ／ｃｍ、６．３３ｋＶ／ｃｍから１４ｋＶ／ｃｍ、６．８３ｋＶ／ｃｍから１３．５ｋＶ／ｃｍ、７．３３ｋＶ／ｃｍから１３ｋＶ／ｃｍ、７．８３ｋＶ／ｃｍから１２．５ｋＶ／ｃｍ、８．３３ｋＶ／ｃｍから１２ｋＶ／ｃｍ、８．８３ｋＶ／ｃｍから１１．５ｋＶ／ｃｍ、９．３３ｋＶ／ｃｍから１１ｋＶ／ｃｍ、９．８３ｋＶ／ｃｍから１０．５ｋＶ／ｃｍ、１．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、２．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、３．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、４．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、５．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、６．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、７．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、８．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、９．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、１０．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、１１．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、１２．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、１３．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、１４．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、１５．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、１６．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、１７．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、１８．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、１９．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから１９ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから１８ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから１７ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから１６ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから１５ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから１４ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから１３ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから１２ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから１１ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから１０ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから９ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから８ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから７ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから６ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから５ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから４ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから３ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから２ｋＶ／ｃｍ、０．３３ｋＶ／ｃｍから１ｋＶ／ｃｍ、１．３３ｋＶ／ｃｍから２．３３ｋＶ／ｃｍ、２．３３ｋＶ／ｃｍから３．３３ｋＶ／ｃｍ、３．３３ｋＶ／ｃｍから４．３３ｋＶ／ｃｍ、４．３３ｋＶ／ｃｍから５．３３ｋＶ／ｃｍ、５．３３ｋＶ／ｃｍから６．３３ｋＶ／ｃｍ、６．３３ｋＶ／ｃｍから７．３３ｋＶ／ｃｍ、７．３３ｋＶ／ｃｍから８．３３ｋＶ／ｃｍ、８．３３ｋＶ／ｃｍから９．３３ｋＶ／ｃｍ、９．３３ｋＶ／ｃｍから１０．３３ｋＶ／ｃｍ、１０．３３ｋＶ／ｃｍから１１．３３ｋＶ／ｃｍ、１１．３３ｋＶ／ｃｍから１２．３３ｋＶ／ｃｍ、１２．３３ｋＶ／ｃｍから１３．３３ｋＶ／ｃｍ、１３．３３ｋＶ／ｃｍから１４．３３ｋＶ／ｃｍ、１４．３３ｋＶ／ｃｍから１５．３３ｋＶ／ｃｍ、１５．３３ｋＶ／ｃｍから１６．３３ｋＶ／ｃｍ、１６．３３ｋＶ／ｃｍから１７．３３ｋＶ／ｃｍ、１７．３３ｋＶ／ｃｍから１８．３３ｋＶ／ｃｍ、１８．３３ｋＶ／ｃｍから１９．３３ｋＶ／ｃｍ、１９．３３ｋＶ／ｃｍから２０ｋＶ／ｃｍの範囲から選択され得る。
【００６１】
代替的に、トランスデューサは、０．０１ｃｍから５０ｃｍ、２ｃｍから４８ｃｍ、４ｃｍから４６ｃｍ、６ｃｍから４４ｃｍ、８ｃｍから４２ｃｍ、１０ｃｍから４０ｃｍ、１２ｃｍから３８ｃｍ、１４ｃｍから３６ｃｍ、１６ｃｍから３４ｃｍ、１８ｃｍから３２ｃｍ、２０ｃｍから３０ｃｍ、２２ｃｍから２８ｃｍ、２４ｃｍから２６ｃｍ、５ｃｍから５０ｃｍ、１０ｃｍから５０ｃｍ、１５ｃｍから５０ｃｍ、２０ｃｍから５０ｃｍ、２５ｃｍから５０ｃｍ、３０ｃｍから５０ｃｍ、３５ｃｍから５０ｃｍ、４０ｃｍから５０ｃｍ、４５ｃｍから５０ｃｍ、０．０１ｃｍから４５ｃｍ、０．０１ｃｍから４０ｃｍ、０．０１ｃｍから３５ｃｍ、０．０１ｃｍから３０ｃｍ、０．０１ｃｍから２５ｃｍ、０．０１ｃｍから２０ｃｍ、０．０１ｃｍから１５ｃｍ、０．０１ｃｍから１０ｃｍ、０．０１ｃｍから５ｃｍ、５ｃｍから１０ｃｍ、１０ｃｍから１５ｃｍ、１５ｃｍから２０ｃｍ、２０ｃｍから２５ｃｍ、２５ｃｍから３０ｃｍ、３０ｃｍから３５ｃｍ、３５ｃｍから４０ｃｍ、４０ｃｍから４５ｃｍ、４５ｃｍから５０ｃｍの範囲のうちから選択された距離の組織の表面からの距離のところに配置され得る。
【００６２】
本開示の別の例では、段階（ａ）において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成は、少なくとも２つの電場トランスデューサを有し、前記トランスデューサのうちの少なくとも２つは、決定された期間に周波数走査を行うことによって同時に活性化する。
【００６３】
代替的に、配置構成（１）の電磁トランスデューサは、体積（２）を囲むフレーム（４）の上に配設され、その目的は、活性面が注目している組織の方を指している状態で配設されている電場トランスデューサに対する支持構造を提供することである。また、フレーム（４）を使用して体積（２）の表面の形状を変更し、組織（３）を刺激するために電場の最適な強度が得られるように電場トランスデューサの位置を調整することを可能にする平面を形成することができる。フレーム（４）は、同じ組織の上で支持され得るか、または固定または移動可能な基部上で機械的に支持され得る。フレーム（４）の種類は、シャツ、ベスト、手袋、ヘルメット、眼鏡、ブレース、ストッキング、ブーツ、靴、スカーフ、カラー、およびトランスデューサを支持する他の構造物、ならびにこれらの組合せからなる群から選択することができる。それに加えて、フレーム（４）は、体積（２）を全体としてまたは部分的に、のいずれかで覆うことができる。
【００６４】
任意選択で、フレーム（４）をセットする基部は、体積（２）の表面に関して配置構成（１）を移動することが可能なように移動可能であり、したがって異なる外部ポイントから異なる体積に到達し、電場のベクトルを変化させることができるものとしてよい。
【００６５】
図２Ａは、個人の腕からなる体積（２）の上に電磁トランスデューサ（１）の配置構成を配設している状態を例示している。腕の内部には、電磁気的に刺激することが望まれる組織（３）がある。電磁トランスデューサ（１）の前記の配置構成は、以下で詳述されるようなトランスデューサの２つのグループを含む。
【００６６】
トランスデューサの第１のグループは、電磁トランスデューサの２つの対で構成される。第１の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｆ）およびトランスデューサ（１ｆ’）であり、第２の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｇ）およびトランスデューサ（１ｇ’）であり、第１の対および第２の対の電磁トランスデューサは、その活性面が皮膚の表面と接触している上腕骨の周りに半径方向に配設されている。
【００６７】
トランスデューサの第２のグループは、一対の電磁トランスデューサ、すなわち、トランスデューサ（１ｈ）およびトランスデューサ（１ｈ’）で構成され、前記一対の電磁トランスデューサは、上腕骨の軸の法線方向の平面の上に配設され、トランスデューサ（１ｈ）の活性面は肩の上にあり皮膚と接触し、前記トランスデューサ（１ｈ’）の活性面は肘の上にあり皮膚と接触している。
【００６８】
各対のトランスデューサは、前記対を含むトランスデューサの活性面が部分的に互いに向き合い、組織（３）の位置の方向の活性面および皮膚と接触している活性面と整列するように配設される。
【００６９】
それに加えて、配置構成（１）は、任意選択で、第１の対のトランスデューサの活性面の表面のいずれかに平行な平面が、第２の対のトランスデューサおよび第３の対のトランスデューサの活性面の表面のいずれかに平行な別の平面に直交し、それに加えて、第２の対のトランスデューサの活性面の表面に平行な任意の平面は、第１の対のトランスデューサおよび第３の対のトランスデューサの活性面の表面のいずれかに平行な他の任意の平面に直交し、それに加えて、組織の方を指している活性面の平面の突出部は、前記組織の可能な最大の表面を覆い、この構成は組織の最適な刺激を確実にするという点で直交性の条件を満たす。
【００７０】
また、トランスデューサの各対を含むトランスデューサは完全に整列していないかもしくは互いに平行になっていないか、または前の段落で説明されているトランスデューサの直交性の条件を保たない可能性があり得、また組織（３）を刺激することに成功する可能性がある。
【００７１】
組織（３）の配置を知るための様々な診断手段があり、たとえば、ほかにもあるがとりわけ、核磁気共鳴画映像法、コンピュータ断層映像法、ＰＥＴ（陽電子放出断層映像法）走査、Ｘ線映像法、ドップラーエコー法、心電図、触診による診断、矢印によるマーキング法がある。
【００７２】
また、組織インピーダンス応答の測定値を使用して組織（３）の配置を知ることが可能であり得る。
【００７３】
図２Ｂは、トランスデューサの同様の配設の仕方を例示しているが、トランスデューサの活性面は、フレーム（４）に支持されている、個人の皮膚の表面から０．０１ｃｍから５０ｃｍの間、任意選択で０．０１ｃｍから４ｃｍの間の距離である。
【００７４】
図３Ａは、個人の腹部からなる体積（２）の上に電磁トランスデューサ（１）の配置構成を配設している状態を例示している。腹部の内部には、電磁気的に刺激することが望まれる組織（３）がある。電磁トランスデューサ（１）の前記の配置構成は、以下で詳述されるようなトランスデューサの５つのグループを含む。
【００７５】
第１の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｉ）およびトランスデューサ（１ｉ’）であり、第２の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｊ）およびトランスデューサ（１ｊ’）であり、第３の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｋ）およびトランスデューサ（１ｋ’）であり、第４の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｌ）およびトランスデューサ（１ｌ’）である。
【００７６】
前記対のトランスデューサは、トランスデューサの活性面が互いに向き合い、組織（３）の位置の方向にあり、活性面が皮膚と接触するように、腹部および背部領域の上で、脊柱に平行な軸の周りに半径方向に配設される。
【００７７】
トランスデューサの活性面の平面の突出部は、組織の方向に配置構成され、前記組織の可能な最大の表面積を覆い、この構成は組織の最適な刺激を確実にする。
【００７８】
それに加えて、各対を含むトランスデューサが完全には整列していないかまたは互いに平行になっていない可能性がある。
【００７９】
図３Ｂは、トランスデューサの同様の配設の仕方を例示しているが、トランスデューサの活性面は、フレーム（４）に支持されている、個人の皮膚の表面から０．０１ｃｍから５０ｃｍの間、任意選択で０．０１ｃｍから４ｃｍの間の距離である。
【００８０】
図４Ａは、個人の膝からなる体積（２）の上に電磁トランスデューサ（１）の配置構成を配設している状態を例示している。膝の内部には、電磁気的に刺激することが望まれる組織（３）がある。電磁トランスデューサ（１）の前記の配置構成は、以下で詳述されるような２つの対のトランスデューサを含む。
【００８１】
第１の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｍ）およびトランスデューサ（１ｍ’）であり、第２の対の電磁トランスデューサはトランスデューサ（１ｎ）およびトランスデューサ（１ｎ’）である。
【００８２】
前記対のトランスデューサは、膝蓋骨の高さにある組織（３）の位置で、トランスデューサの活性面が組織（３）の位置の方向に互いに向き合うように、膝の周りに配設される。
【００８３】
それに加えて、配置構成（１）は、任意選択で、第１の対のトランスデューサの活性面の表面のいずれかに平行な平面が、第２の対のトランスデューサおよび第３の対のトランスデューサの活性面の表面のいずれかに平行な別の平面に直交し、それに加えて、第２の対のトランスデューサの活性面の表面に平行な任意の平面は、第１の対のトランスデューサおよび第３の対のトランスデューサの活性面の表面のいずれかに平行な他の任意の平面に直交し、それに加えて、組織の方を指している活性面の平面の突出部は、前記組織の可能な最大の表面を覆い、この構成は組織の最適な刺激を確実にするという点で直交性の条件を満たす。
【００８４】
また、トランスデューサの各対を含むトランスデューサは完全に整列していないかもしくは互いに平行になっていないか、または前の段落で説明されているトランスデューサの直交性の条件を保たない可能性があり得、また組織（３）を刺激することに成功する可能性がある。
【００８５】
図４Ｂは、トランスデューサの同様の配設の仕方を例示しているが、トランスデューサの活性面は、フレーム（４）に支持されている、個人の皮膚の表面から０．０１ｃｍから５０ｃｍの間、任意選択で０．０１ｃｍから４ｃｍの間の距離である。
【００８６】
本開示の方法の段階（ｂ）に進むと、段階（ｂ）は、段階（ａ）で刺激された組織インピーダンス応答を測定することからなる。周波数走査が組織に印加されたときに、組織は、任意選択で同じ電磁トランスデューサを使用して、測定されるそのパラメータの変動に応答する。刺激された組織のこの測定値はフィードバックとして作用し、段階（ａ）の信号の特性を動的に変化させることを可能にする。
【００８７】
後に、この方法の段階（ｃ）は、段階（ｂ）で測定された組織インピーダンス応答で基準レベルを確定することを可能にする。前記基準レベルは、決定された時間の間に使用者によって確定され得るかまたは最大組織インピーダンス応答として決定され得る。
【００８８】
この方法の段階（ｄ）を続けると、この段階は、段階（ｃ）において確定された基準レベルに許容値（ＮＴ）を設定することからなる。このＮＴは、段階（ｃ）において確定された基準レベルのパーセンテージの値に対応し、コンピューティングユニットにおいて定義され得るか、またはユーザによって入力され得る。
【００８９】
方法の一例において、たとえば、段階（ｄ’）において、ＮＴは、５％から６０％の間、および任意選択で、２５％から５０％の間であり得る。
【００９０】
任意選択で、ＮＴは、５％から１０％、１０％から１５％、１５％から２０％、２０％から２５％、２５％から３０％、３０％から３５％、３５％から４０％、４０％から４５％、４５％から５０％、５０％から５５％、５５％から６０％、５％から１０％、５％から１５％、５％から２０％、５％から２５％、５％から３０％、５％から３５％、５％から４０％、５％から４５％、５％から５０％、５％から５５％、５％から６０％、５％から６０％、６０％から５５％、５５％から５０％、５０％から４５％、４５％から４０％、４０％から３５％、３５％から３０％、３０％から２５％、２５％から２０％、２０％から１５％、１５％から１０％、１０％から５％の範囲のうちから選択することができる。
【００９１】
方法の次の段階ｅ）は、組織インピーダンス応答が段階（ｄ）において確定された許容値（ＮＴ）を下回る点として下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）を決定する段階からなる。たとえば、３つのｆｂｘが決定され、第１のｆｂ１は７５ｋＨｚに等しく、第２のｆｂ２は３００ｋＨｚに等しく、第３のｆｂ３は４５０ｋＨｚに等しい。
【００９２】
次に、方法の段階ｆ）は、組織インピーダンス応答が段階（ｄ）において確定された許容値（ＮＴ）に戻る点としてより高い組織刺激周波数（ｆｔｘ）を決定することを可能にする。たとえば、３つのｆｔｘが決定され、第１のｆｔ１は１００ｋＨｚに等しく、第２のｆｔ２は３５０ｋＨｚに等しく、第３のｆｔ３は４９５ｋＨｚに等しい。
【００９３】
代替的に、１つの例において、ｆｔｘはｆｂｘよりも大きい。
【００９４】
方法の別の例では、段階（ｅ）において、下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）と上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）との間の周波数の範囲は、中心組織周波数に対応する。
【００９５】
中心組織周波数は、組織内のエネルギー吸収の効果により電磁刺激が減衰する周波数を指し、たとえば、電磁刺激信号は許容レベル（ＮＴ）の２５％未満に低下する。
【００９６】
上で述べたことに加えて、本開示の次の態様において、組織インピーダンス応答が許容レベルに戻るか、または最大刺激時間を超えるまで、前記バンド内に刺激を集中させるための刺激周波数バンドを決定することが可能になる。
【００９７】
図１２を参照すると、周波数走査の電場による組織刺激の第１の方法は、追加の段階として、
段階（ｇ）において、段階（ｆ）で決定されたより高い組織刺激周波数（ｆｔｘ）とともに段階（ｅ）において決定されたより低い組織刺激周波数（ｆｂｘ）に基づく刺激周波数バンドが決定される段階と、
段階ｈ）において、時間差（Δｔｅ）の間の周波数差（Δｆｅ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで段階（ｇ）において決定された周波数刺激バンドによって周波数が変化する活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に磁場刺激を印加する段階を含む。このような仕方で、たとえば、前記周波数バンドに集中して周波数走査を実行するために注目している周波数範囲を定義することが可能であり、ｆｉｅとｆｆｅとの間の周波数の範囲全体を走査するよりも高速に組織を刺激することが可能である。
【００９８】
特定の例において、２つのｆｔｘ、すなわち、１００ｋＨｚに等しい第１のｆｔ１および３５０ｋＨｚに等しい第２のｆｔ２が段階（ｅ）において決定され、２つのｆｂｘ、すなわち、７５ｋＨｚに等しい第１のｆｂ１および３００ｋＨｚに等しい第２のｆｂ２が段階（ｆ）において決定される。第１の周波数刺激バンドはｆｂ１とｆｔ１との間の周波数に対応し、第２の周波数刺激バンドはｆｂ２とｆｔ２との間の周波数に対応する。
【００９９】
周波数刺激バンドの個数「ｘ」が決定され、「ｘ」は１以上の自然数、すなわち、ｆｂ１とｆｔ１との間のバンドから、ｆｂ２とｆｔ２との間の第２のバンドに続き、ｆｂｘとｆｔｘとの間のバンドに至るまでの個数「ｘ」である、とすることができる。
【０１００】
方法の１つの例において、１０分に等しいΔｔｅの時間差で１００ＨｚのΔｆｅのステップ単位による７５ｋＨｚに等しいｆｂ１および１００ｋＨｚに等しいｆｔ１の周波数からの刺激周波数の第１のバンド内の刺激が印加され、５分に等しいΔｔｅの時間差で１ｋＨｚのΔｆｅのステップ単位による３００ｋＨｚに等しいｆｂ２および３５０ｋＨｚに等しいｆｔ２の周波数からの刺激周波数の第２のバンド内の第２の刺激が印加される。
【０１０１】
ｆｉｅおよびｆｆｅ、Δｆｅ、ＮＴ、ならびにΔｔｅは、すべて、コンピューティングユニット内でユーザによって設定され得、メモリレコードに記憶され得る。
【０１０２】
Δｆｅは０．１Ｈｚから１ｋＨｚの間の値であってよく、Δｔｅは約１秒から約１時間の間であってよく、任意選択で、約１分から約１時間の間であってよい。
【０１０３】
本明細書において使用されているように「約」は、＋２０％から−２０％の変動を意味する。
【０１０４】
任意選択で、Δｆｅは、約０．１Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．３Ｈｚから約０．８Ｈｚ、約０．５Ｈｚから約０．６Ｈｚ、約０．７Ｈｚから約０．４Ｈｚ、約０．９Ｈｚから約０．２Ｈｚ、約０．３Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．５Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．７Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．９Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約０．８Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約０．６Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約０．４Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約０．２Ｈｚ、約０．３Ｈｚから約０．５Ｈｚ、約０．５Ｈｚから約０．７Ｈｚ、約０．７Ｈｚから約０．９Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約１００Ｈｚから約９００Ｈｚ、約２００Ｈｚから約８００Ｈｚ、約３００Ｈｚから約７００Ｈｚ、約４００Ｈｚから約６００Ｈｚ、約５００Ｈｚから約５００Ｈｚ、約６００Ｈｚから約４００Ｈｚ、約７００Ｈｚから約３００Ｈｚ、約８００Ｈｚから約２００Ｈｚ、約９００Ｈｚから約１００Ｈｚ、約１０００Ｈｚから約０．１Ｈｚ、約１００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約２００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約３００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約４００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約５００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約６００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約７００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約８００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約９００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約９００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約８００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約７００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約６００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約５００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約４００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約３００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約２００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約１００Ｈｚ、約１００Ｈｚから約２００Ｈｚ、約２００Ｈｚから約３００Ｈｚ、約３００Ｈｚから約４００Ｈｚ、約４００Ｈｚから約５００Ｈｚ、約５００Ｈｚから約６００Ｈｚ、約６００Ｈｚから約７００Ｈｚ、約７００Ｈｚから約８００Ｈｚ、約８００Ｈｚから約９００Ｈｚ、約９００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、のうちから選択することができる。
【０１０５】
それに加えて、この方法の例は、たとえば、ｆｔｘがｆｂｘよりも小さく、段階（ａ）において、活性化信号の周波数においてΔｔｅの間にΔｆｅの周波数差のステップ単位でデクリメントが行われる場合に可能である。
【０１０６】
この方法の段階（ａ）に戻ると、初期組織刺激周波数（ｆｉｅ）から最終組織刺激周波数（ｆｆｅ）まで変化する周波数を有する活性化信号は、１つまたは複数の電場刺激信号が、決定された時刻に、順次、他の刺激信号もしくは様々な刺激信号に関して位相をずらして、ランダムに、またはトランスデューサの各々について設定されたプログラムに従って、各トランスデューサに印加されることを可能にするマルチプレクサの配置構成を用いてトランスデューサに印加され得る。
【０１０７】
図７および図８を参照すると、活性化信号は、変調信号（８）およびキャリア信号（９）から構成されてよく、キャリア信号（９）は、任意選択で変調信号（８）よりも大きい周波数次数であることが理解されるであろう。
【０１０８】
この方法の一例において、変調信号（８）は１００ｋＨｚの周波数を有するが、キャリア信号（９）は１ｋＨｚ未満の周波数を有する。
【０１０９】
この方法の一例において、キャリア信号（９）および変調信号（８）の両方に対して、ｆｉｅおよびｆｆｅは、０．１Ｈｚから１０００ｋＨｚの間である。
【０１１０】
任意選択で、ｆｉｅおよびｆｆｅの周波数は、約０．１Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．３Ｈｚから約０．８Ｈｚ、約０．５Ｈｚから約０．６Ｈｚ、約０．７Ｈｚから約０．４Ｈｚ、約０．９Ｈｚから約０．２Ｈｚ、約０．３Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．５Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．７Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．９Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約０．８Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約０．６Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約０．４Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約０．２Ｈｚ、約０．３Ｈｚから約０．５Ｈｚ、約０．５Ｈｚから約０．７Ｈｚ、約０．７Ｈｚから約０．９Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約１００Ｈｚから約９００Ｈｚ、約２００Ｈｚから約８００Ｈｚ、約３００Ｈｚから約７００Ｈｚ、約４００Ｈｚから約６００Ｈｚ、約５００Ｈｚから約５００Ｈｚ、約６００Ｈｚから約４００Ｈｚ、約７００Ｈｚから約３００Ｈｚ、約８００Ｈｚから約２００Ｈｚ、約９００Ｈｚから約１００Ｈｚ、約１０００Ｈｚから約０．１Ｈｚ、約１００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約２００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約３００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約４００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約５００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約６００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約７００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約８００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約９００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約９００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約８００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約７００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約６００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約５００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約４００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約３００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約２００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約１００Ｈｚ、約１００Ｈｚから約２００Ｈｚ、約２００Ｈｚから約３００Ｈｚ、約３００Ｈｚから約４００Ｈｚ、約４００Ｈｚから約５００Ｈｚ、約５００Ｈｚから約６００Ｈｚ、約６００Ｈｚから約７００Ｈｚ、約７００Ｈｚから約８００Ｈｚ、約８００Ｈｚから約９００Ｈｚ、約９００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約１００ｋＨｚから約９００ｋＨｚ、約２００ｋＨｚから約８００ｋＨｚ、約３００ｋＨｚから約７００ｋＨｚ、約４００ｋＨｚから約６００ｋＨｚ、約１００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約２００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約３００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約４００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約５００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約６００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約７００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約８００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約９００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約９００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約８００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約７００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約６００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約５００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約４００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約３００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約２００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約１００ｋＨｚ、約１００ｋＨｚから約２００ｋＨｚ、約２００ｋＨｚから約３００ｋＨｚ、約３００ｋＨｚから約４００ｋＨｚ、約４００ｋＨｚから約５００ｋＨｚ、約５００ｋＨｚから約６００ｋＨｚ、約６００ｋＨｚから約７００ｋＨｚ、約７００ｋＨｚから約８００ｋＨｚ、約８００ｋＨｚから約９００ｋＨｚ、約９００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約１Ｈｚから約５００ｋＨｚ、約１ｋＨｚから約５００ｋＨｚ、約１ｋＨｚから約５０ｋＨｚ、約１Ｈｚから約５０ｋＨｚ、の範囲から選択され得る。
【０１１１】
図５Ａを参照すると、周波数走査電磁場による組織刺激のための活性化信号に対する変調信号（８）に対応する周波数対時間のグラフが観察される。この例では、前記変調信号（８）は、１Ｈｚの初期周波数から５Ｈｚの最終周波数まで、１ＨｚのΔｆを印加することによって１秒毎にその周波数を高め、各周波数は１秒のΔｔの間印加される。
【０１１２】
図５Ｂを参照すると、変調信号（８）が正弦波形を有し、その周波数が１Ｈｚの初期周波数から５Ｈｚまで、１から５秒まで１秒毎に１ＨｚのΔｆで変化する電磁トランスデューサに印加される電磁刺激による活性化信号の一例が示されている。キャリア信号（９）は、２ｍｓの固定周期（１０）または５００Ｈｚの固定周波数を有するインパルス型信号である。
【０１１３】
図５Ｃを参照すると、変調信号（８）が方形波形を有し、その周波数が１Ｈｚの初期周波数から５Ｈｚまで、１から５秒まで１秒毎に１ＨｚのΔｆで変化する電磁刺激に対する活性化信号の一例が示されている。キャリア信号（９）は、１００ｍｓの固定周期（１０）または１０ｋＨｚの固定周波数を有するパルス状信号である。
【０１１４】
図６を参照すると、変調信号（８）がデューティサイクルの交互方形波形および変動を有し、その周波数は固定されたままであり、キャリア信号（９）は２００μｓの固定周期（１０）または５ｋＨｚの固定周波数を有するパルス状信号である電磁刺激に対する活性化信号の例が示されている。
【０１１５】
図７を参照すると、変調信号（８）が交互三角波形を有し、その周波数は固定されており、キャリア信号（９）は２μｓの固定周期（１０）または５００ｋＨｚの固定周波数を有するパルス状信号である電磁刺激に対する活性化信号の一例が示されている。
【０１１６】
図８を参照すると、変調信号（８）が交互ランプ波形信号と交互方形波形信号とを組み合わせたセグメント分割型機能を有し、キャリア信号（９）が２μｓの固定周期（１０）または５００ｋＨｚの固定周波数を有するパルス状信号である電磁刺激に対する活性化信号の一例が示されている。
【０１１７】
本開示の一例において、変調信号（８）は、段階（ｂ）において測定された組織インピーダンス応答の応答に基づきデューティサイクルを動的に変化させる。前記デューティサイクルは、０％から１００％の間であり、１つまたは複数のトランスデューサ毎に組織（３）に印加される電力を変化させることを可能にする。０％のデューティサイクルは、たとえば、決定された時間期間において信号の活性化を停止させるために使用することができる。
【０１１８】
任意選択で、活性化信号の変調信号（８）および／またはキャリア信号（９）は、０％から１００％、５％から９５％、１０％から９０％、１５％から８５％、２０％から８０％、２５％から７５％、３０％から７０％、３５％から６５％、４０％から６０％、４５％から５５％、１０％から１００％、２０％から１００％、３０％から１００％、４０％から１００％、５０％から１００％、６０％から１００％、７０％から１００％、８０％から１００％、９０％から１００％、０％から９０％、０％から８０％、０％から７０％、０％から６０％、０％から５０％、０％から４０％、０％から３０％、０％から２０％、０％から１０％、１０％から２０％、２０％から３０％、３０％から４０％、４０％から５０％、５０％から６０％、６０％から７０％、７０％から８０％、８０％から９０％、９０％から１００％、の範囲から選択することができる。
【０１１９】
図９Ａを参照すると、組織インピーダンス応答の一例が示されており、組織は、初期周波数刺激（ｆｉ）から最終刺激周波数（ｆｆ）までの周波数走査電磁場で刺激される。
【０１２０】
組織インピーダンス応答は、ｆｉから始めて測定され、グラフ化されるが、前記応答は、組織刺激周波数が各決定されたΔｔ毎にΔｆからのステップ単位で増大するときに最大振幅値（Ａ１）を中心として振動する組織インピーダンスに対する応答値から始まる。
【０１２１】
刺激周波数値のインクリメントを続けると、組織インピーダンス応答値は、組織インピーダンス応答の許容レベル値（ＮＴ）を下回る。この周波数値は、下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）に指定される。
【０１２２】
組織刺激周波数が増大するにつれ、組織インピーダンス応答は最小振幅値（Ａ０）まで下がり続け、前記最小値は組織刺激周波数の上昇に合わせて維持される。
【０１２３】
周波数値が増大するにつれ、組織インピーダンス応答値は上昇し始め、（Ａ１）を中心として振動する組織インピーダンス応答値に達するまで上昇する。この周波数値は、ｆｆに達するまで維持される上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）に指定される。
【０１２４】
下付き文字「ｅ」（ｆｉｅ、ｌａ  ｆｆｅ、Δｆｅ、およびΔｔｅ）または「ｍ」（ｆｉｍ、ｆｆｍ、Δｆｍ、およびΔｔｍ）のないｆｉ、ｆｆ、Δｆ、およびΔｔを引用する場合、これらは、２つの現象、すなわち、磁場または電場のいずれかを指すと理解される。
【０１２５】
図９Ｂを参照すると、これは図９Ａで説明されている例の応答の近似表現に対応しており、ここで、組織インピーダンス応答は、組織インピーダンス応答のインピーダンス値の平均値を使用することで平滑化され、たとえば、デジタルフィルタを使用することによって前記平滑化を行う。
【０１２６】
デジタルフィルタは、当業者に知られているほかにもあるがとりわけ、ＦＩＲ、Ｐａｒｋｓ−ＭｃＣｌｅｌｌａｎ、最小２乗、カイザー窓、およびバターワース、チェビシェフ、楕円フィルタなどのＩＩＲフィルタからなるフィルタの群から、ほかにもあるがとりわけ、選択される。信号を平滑化する目的は、信号ノイズを除去すること、または単純平均を通じて、もしくはデジタルフィルタを通じて非定型値を除去することであることは理解される。
【０１２７】
図９Ｃを参照すると、組織インピーダンス応答の一例が示されており、ここで組織は、初期周波数刺激（ｆｉ）から最終刺激周波数（ｆｆ）までの周波数走査による電磁場で刺激される。
【０１２８】
組織インピーダンス応答は、ｆｉｅから始めて測定され、グラフ化されるが、前記応答は、組織刺激周波数が各決定されたΔｔ毎にΔｆからのステップ単位で増大するときに最大振幅値（Ａ１）を中心として振動する組織インピーダンスに対する応答値から始まる。
【０１２９】
刺激周波数値のインクリメントを続けると、組織インピーダンス応答値は、組織インピーダンス応答の許容レベル値（ＮＴ）を下回る。この周波数値は、下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）に指定される。
【０１３０】
組織刺激周波数が増大するにつれ、組織インピーダンス応答は最小振幅値（Ａ０）まで下がり続け、前記最小値は組織刺激周波数の上昇に合わせて、最終刺激周波数（ｆｆ）に達するまで、維持される。
【０１３１】
図９Ｄを参照すると、これは図９Ｃで説明されている例の応答の近似表現の一例に対応しており、ここで、組織インピーダンス応答は、組織インピーダンス応答のインピーダンス値の平均値を使用することで平滑化され、たとえば、デジタルフィルタを使用することによって前記平滑化を行う。
【０１３２】
この方法の別の例において、図１３を参照すると、上ですでに説明されている方法の段階（ｈ）の後に続く追加の段階は、
ｉ）最大刺激時間（ｔｍａｘ）を確定し、それによって組織が過度に刺激されないように保護することを可能にする段階、
ｊ）段階（ｈ）の刺激への組織インピーダンス応答を測定する段階、
ｋ）段階（ｇ）において決定された刺激周波数バンドの段階（ｊ）において測定された組織インピーダンス応答が、段階（ｄ）において確定された許容値（ＮＴ）に戻るか、または最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えるかを検証する段階である。
【０１３３】
この方法の一例の例では、段階（ｉ）のｔｍａｘは、約１時間から約１８時間の間であってよい。ｔｍａｘに言及するときに、「約」は最大刺激時間の５％の変動として理解されるべきである。
【０１３４】
この方法の特定の例において、図１４を参照すると、段階（ｋ）において、検証、すなわち、
−  最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えた場合に、終了であること、
−  最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えず、段階（ｊ）において測定された組織インピーダンス応答が段階（ｄ）において確定された許容値（ＮＴ）未満である場合に、段階（ｈ）を繰り返すこと、
−  段階（ｇ）において決定された刺激周波数バンドの段階（ｊ）において測定された組織インピーダンス応答が、段階（ｄ）において確定された許容値（ＮＴ）を超えた場合、終了であること、が実施される。
【０１３５】
図１０Ａを参照すると、ｆｉからの周波数走査によって電場または磁場で刺激された組織の組織インピーダンス応答の一例が示されている。組織インピーダンス応答は同時に測定およびグラフ化される。前記応答は、最大振幅値（Ａ１）を中心として振動する組織インピーダンス応答値から始まる。
【０１３６】
組織刺激周波数がΔｆからステップ単位で増大するにつれ、組織インピーダンス応答値がＮＴを下回る点に対応する、第１の下側組織刺激周波数（ｆｂ１）に到達するまで、（Ａ１）を中心とする振動を続ける。
【０１３７】
組織刺激周波数が増加し続けると、組織インピーダンス応答値は、組織インピーダンス応答値が増加し始めて（Ａ１）に達するまで維持される最小振幅値（Ａ０）を中心として振動する組織インピーダンス応答値まで下り続ける。この点は、第１の上側組織刺激周波数（ｆｔ１）である。
【０１３８】
ｆｂ１とｆｔ１との間の周波数範囲が第１の刺激バンドである。
【０１３９】
組織刺激周波数の上昇が続くと、周波数刺激がｆｆに達するまで、第２の刺激周波数バンド範囲はｆｂ２とｆｔ２との間の周波数範囲内にあり、第３の刺激周波数バンド範囲はｆｂ３とｆｔ３との間の周波数範囲内にあり、第４の刺激周波数バンド範囲はｆｂ４とｆｔ４との間の周波数範囲内にある。
【０１４０】
これらの刺激バンドは、生化学的不均衡を呈する中心組織周波数の範囲を指す。
【０１４１】
任意選択で、段階（ｅ）において、電磁場で組織を刺激するための方法の別の例は、下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）と上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）との間の周波数の範囲は、中心組織周波数に対応する。
【０１４２】
代替的に、電磁場で組織を刺激するための方法の別の例では、電場トランスデューサに対する活性化信号は、組織の温度フィードバックに応じて変化する。
【０１４３】
組織を電磁場で刺激するための方法の別の例では、刺激された生体組織は動物の体内の組織である。
【０１４４】
組織を電磁場で刺激するための方法の別の例では、刺激された生体組織は動物である。
【０１４５】
代替的に、組織を電磁場で刺激するための方法の別の例では、電磁トランスデューサは、組織の外面と接触している。
【０１４６】
組織を電磁場で刺激するための方法のさらに別の例では、電磁トランスデューサは、生体組織の外面から、決定された距離に配置されている。
【０１４７】
組織を電磁場で刺激するための方法の一例において、電磁トランスデューサの第１の部分は、生体組織の外面と接触し、電磁トランスデューサの第２の部分は、生体組織の外面から、決定された距離に配置される。
【０１４８】
任意選択で、電磁場で組織を刺激するための方法の別の例では、電磁トランスデューサは、定義された順序に従って活性化される。
【０１４９】
代替的に、電磁場で組織を刺激するための方法の別の例では、電磁トランスデューサは、ランダムに活性化される。
【０１５０】
任意選択で、組織を電磁場で刺激するための方法の別の例では、活性化信号は、決定された時刻に、順次、他の活性化信号もしくは様々な刺激信号に関して位相をずらして、ランダムに、またはトランスデューサのうちの各１つに対して確定されているプログラムに従って、各トランスデューサに印加される。
【０１５１】
図１０Ｂを参照すると、これは、図１０Ａで説明されている例の応答の近似表現に対応しており、ここで、組織インピーダンス応答は、たとえば、上で説明されている手段を使用し振幅における応答値の平均値を使用することで、平滑化される。
【０１５２】
それに加えて、この方法の１つの例では、段階（ａ）において、磁場刺激は、活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて印加され、その周波数は、初期組織刺激周波数（ｆｉｍ）から最終組織刺激周波数（ｆｆｍ）まで、時間差（Δｔｍ）の間の周波数差（Δｆｍ）のステップ単位の増加または減少を伴って変化し、これにより、たとえば、組織の電場刺激領域を広げるなど、磁場と電場による組み合わされた刺激を利用することが可能になる。別の例では、段階（ａ）において、磁場刺激は電場刺激に直交している。
【０１５３】
磁場トランスデューサは任意選択で配置構成され、それにより磁場トランスデューサは電場トランスデューサの電場に直交する磁場を発生し、それにより組織の最適な刺激がもたらされる。
【０１５４】
それにもかかわらず、磁場トランスデューサは、前記磁場トランスデューサによって生成される磁場がその配置構成における電場トランスデューサによって生成される電場に直交しない、異なる構成で配置構成されることが可能であり得る。
【０１５５】
本開示の別の例において、たとえば、電磁トランスデューサ（１）の配置構成のトランスデューサは、磁場トランスデューサであり、別の磁場トランスデューサまたは別の電場トランスデューサが向き合う場合も向き合わない場合もある。
【０１５６】
磁場トランスデューサを活性化するために、活性化信号は、ほかにもあるがとりわけ、直流または交流信号、パルス信号、交互または非交互インパルス信号列、デューティサイクルの変動がある方形波信号、三角波信号、のこぎり波信号、振幅変調（ＡＭ）、周波数変調（ＦＭ）、位相変調（ＰＭ）、パルス位置変調（ＰＰＭ）、パルス幅変調（ＰＷＭ）、およびこれらの組合せのうちから選択され得る。
【０１５７】
図１および図１５を参照すると、本開示の別の方法は、磁場を使用する組織刺激であり、これは
ａ’）活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に磁場刺激を印加する段階であって、その周波数は、初期組織刺激周波数（ｆｉｍ）から最終組織刺激周波数（ｆｆｍ）まで、時間差（Δｔｍ）の間の周波数差（Δｆｍ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで変化する、段階と、
ｂ’）電磁トランスデューサの配置構成の電場トランスデューサを通じて磁場刺激への組織インピーダンス応答を測定する段階と、
ｃ’）段階（ｂ’）において測定された組織インピーダンス応答で基準レベルを確定する段階と、
ｄ’）段階（ｃ’）において確定された基準レベルに対する許容値（ＮＴ）を確定する段階と、
ｅ’）組織インピーダンス応答が段階（ｄ’）において確定された許容値（ＮＴ）を下回る点として下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）を決定する段階と、
ｆ’）組織インピーダンス応答が段階（ｄ’）において確定された許容値（ＮＴ）に戻る点として上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）を決定する段階とを含み、
上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）は下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）よりも大きく、「ｘ」は１以上の自然数である。
【０１５８】
磁気トランスデューサは、刺激されるべき組織（３）を含む体積（２）の上に配置構成される。各磁気トランスデューサは、組織（３）に印加される磁場を発生させる。各トランスデューサにより発生する磁場は、任意選択で、時間の経過とともに変化する初期周波数（ｆｉｍ）から初期周波数よりも高い、または低い、または等しいものとしてよい最終周波数（ｆｆｍ）を有する活性化信号によって制御される。
【０１５９】
１つの例において、活性化信号によって活性化されたときに磁場トランスデューサによって生成される磁場の強度は、１ガウスに相当する０．１ｍＴ（ミリテスラ）から２０００ガウスに相当する２００ｍＴ（ミリテスラ）との間、任意選択で、４００ガウスに相当する４０ｍＴ（ミリテスラ）と２０００ガウスに相当する２００ｍＴ（ミリテスラ）との間であり得る。
【０１６０】
任意選択で、磁場トランスデューサによって発生する強度は、１ｍＴから１０ｍＴ、１０ｍＴから２０ｍＴ、２０ｍＴから３０ｍＴ、３０ｍＴから４０ｍＴ、４０ｍＴから５０ｍＴ、５０ｍＴから６０ｍＴ、６０ｍＴから７０ｍＴ、７０ｍＴから８０ｍＴ、８０ｍＴから９０ｍＴ、９０ｍＴから１００ｍＴ、１００ｍＴから１１０ｍＴ、１１０ｍＴから１２０ｍＴ、１２０ｍＴから１３０ｍＴ、１３０ｍＴから１４０ｍＴ、１４０ｍＴから１５０ｍＴ、１５０ｍＴから１６０ｍＴ、１６０ｍＴから１７０ｍＴ、１７０ｍＴから１８０ｍＴ、１８０ｍＴから１９０ｍＴ、１９０ｍＴから２００ｍＴ、１ｍＴから１０ｍＴ、１ｍＴから２０ｍＴ、１ｍＴから３０ｍＴ、１ｍＴから４０ｍＴ、１ｍＴから５０ｍＴ、１ｍＴから６０ｍＴ、１ｍＴから７０ｍＴ、１ｍＴから８０ｍＴ、１ｍＴから９０ｍＴ、１ｍＴから１００ｍＴ、１ｍＴから１１０ｍＴ、１ｍＴから１２０ｍＴ、１ｍＴから１３０ｍＴ、１ｍＴから１４０ｍＴ、１ｍＴから１５０ｍＴ、１ｍＴから１６０ｍＴ、１ｍＴから１７０ｍＴ、１ｍＴから１８０ｍＴ、１ｍＴから１９０ｍＴ、１ｍＴから２００ｍＴ、１ｍＴから２００ｍＴ、２００ｍＴから１９０ｍＴ、１９０ｍＴから１８０ｍＴ、１８０ｍＴから１７０ｍＴ、１７０ｍＴから１６０ｍＴ、１６０ｍＴから１５０ｍＴ、１５０ｍＴから１４０ｍＴ、１４０ｍＴから１３０ｍＴ、１３０ｍＴから１２０ｍＴ、１２０ｍＴから１１０ｍＴ、１１０ｍＴから１００ｍＴ、１００ｍＴから９０ｍＴ、９０ｍＴから８０ｍＴ、８０ｍＴから７０ｍＴ、７０ｍＴから６０ｍＴ、６０ｍＴから５０ｍＴ、５０ｍＴから４０ｍＴ、４０ｍＴから３０ｍＴ、３０ｍＴから２０ｍＴ、２０ｍＴから１０ｍＴの範囲のうちから選択される。
【０１６１】
定義されるΔｔｍは、この方法を使用するために必要な印加に応じて変化し得る時間期間を指す。
【０１６２】
ｆｉｍおよびｆｆｍ、ΔｆｍおよびΔｔｍは、ユーザによってコンピューティングユニット内で設定され、メモリレコードに記憶される。磁気刺激に対するｆｉｍ、ｆｆｍ、Δｆｍ、およびΔｔｍの適用可能な範囲値は、本開示において前に引用されている電磁刺激におけるｆｉｅ、ｆｆｅ、Δｆｅ、およびΔｔｅに使用されるものと同じである。
【０１６３】
任意選択で、ｆｉｍおよびｆｆｍは、約０．１Ｈｚから約１０００ｋＨｚの間、および任意選択で、約２５Ｈｚから約１０００ｋＨｚの間の周波数範囲内にある。
【０１６４】
代替的に、ｆｉｍおよびｆｆｍの周波数は、約０．１Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．３Ｈｚから約０．８Ｈｚ、約０．５Ｈｚから約０．６Ｈｚ、約０．７Ｈｚから約０．４Ｈｚ、約０．９Ｈｚから約０．２Ｈｚ、約０．３Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．５Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．７Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．９Ｈｚから約１Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約０．８Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約０．６Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約０．４Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約０．２Ｈｚ、約０．３Ｈｚから約０．５Ｈｚ、約０．５Ｈｚから約０．７Ｈｚ、約０．７Ｈｚから約０．９Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約１００Ｈｚから約９００Ｈｚ、約２００Ｈｚから約８００Ｈｚ、約３００Ｈｚから約７００Ｈｚ、約４００Ｈｚから約６００Ｈｚ、約５００Ｈｚから約５００Ｈｚ、約６００Ｈｚから約４００Ｈｚ、約７００Ｈｚから約３００Ｈｚ、約８００Ｈｚから約２００Ｈｚ、約９００Ｈｚから約１００Ｈｚ、約１０００Ｈｚから約０．１Ｈｚ、約１００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約２００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約３００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約４００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約５００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約６００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約７００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約８００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約９００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約９００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約８００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約７００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約６００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約５００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約４００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約３００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約２００Ｈｚ、約０．１Ｈｚから約１００Ｈｚ、約１００Ｈｚから約２００Ｈｚ、約２００Ｈｚから約３００Ｈｚ、約３００Ｈｚから約４００Ｈｚ、約４００Ｈｚから約５００Ｈｚ、約５００Ｈｚから約６００Ｈｚ、約６００Ｈｚから約７００Ｈｚ、約７００Ｈｚから約８００Ｈｚ、約８００Ｈｚから約９００Ｈｚ、約９００Ｈｚから約１０００Ｈｚ、約１００ｋＨｚから約９００ｋＨｚ、約２００ｋＨｚから約８００ｋＨｚ、約３００ｋＨｚから約７００ｋＨｚ、約４００ｋＨｚから約６００ｋＨｚ、約１００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約２００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約３００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約４００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約５００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約６００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約７００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約８００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約９００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約９００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約８００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約７００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約６００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約５００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約４００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約３００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約２００ｋＨｚ、約０．０００１ｋＨｚから約１００ｋＨｚ、約１００ｋＨｚから約２００ｋＨｚ、約２００ｋＨｚから約３００ｋＨｚ、約３００ｋＨｚから約４００ｋＨｚ、約４００ｋＨｚから約５００ｋＨｚ、約５００ｋＨｚから約６００ｋＨｚ、約６００ｋＨｚから約７００ｋＨｚ、約７００ｋＨｚから約８００ｋＨｚ、約８００ｋＨｚから約９００ｋＨｚ、約９００ｋＨｚから約１０００ｋＨｚ、約１Ｈｚから約５００ｋＨｚ、約１ｋＨｚから約５００ｋＨｚ、約１ｋＨｚから約５０ｋＨｚ、約１Ｈｚから約５０ｋＨｚ、の範囲から選択され得る。
【０１６５】
本開示の１つの例において、電場刺激に使用される活性化信号と同様に、磁場に使用される活性化信号も、キャリア信号（９）および変調信号（８）によって構成され得る。たとえば、キャリア信号（９）および変調信号（８）の両方に対してｆｉｍおよびｆｆｍは、０．１Ｈｚと５００ｋＨｚとの間であり、キャリア信号（９）は任意選択で変調信号（８）の周波数よりも大きい次数の周波数を有する。
【０１６６】
方法の一例において、たとえば、段階（ｄ’）において、ＮＴは、５％から６０％の間、および任意選択で、２５％から５０％の間であり得る。磁気刺激に対するＮＴの適用可能な範囲値は、本明細書において前の方で引用されている電磁刺激に対するＮＴに使用されるものと同じである。
【０１６７】
この方法の別の例では、段階（ｅ’）において、下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）と上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）との間の周波数の範囲は、中心組織周波数に対応する。
【０１６８】
それに加えて、制御ユニットは、初期刺激周波数（ｆｉｍ）、最終組織刺激周波数（ｆｆｍ）、および周波数差（Δｆｍ）を選択するようにプログラムすることができ、任意選択で、これらの特性は、ユーザによって設定され、この方法を適用するためにメモリに記憶される。
【０１６９】
磁場を活性化するためにパルス発生機能が使用されてよく、ここで、ｆｉｍおよびｆｆｍは０．１Ｈｚから１０００ｋＨｚの間であり、Δｆｍは０．１Ｈｚから１ｋＨｚの間の範囲を有し、Δｔｍは１秒から１時間の間、および任意選択で、１分から１時間の間である。
【０１７０】
それに加えて、１Ｈｚから５０ｋＨｚまでの周波数の方形波形の周波数走査磁気刺激に活性化信号を使用することが可能であり得る。１Ｈｚ〜５ｋＨｚの周波数については、２０００ガウスに相当する２００ｍＴ（ミリテスラ）の最大磁場強度に対して０．４％から５％の間のデューティサイクルの変動を適用する。その後、５ｋＨｚ〜５０ｋＨｚの周波数については、４００ガウスに相当する４０ｍＴ（ミリテスラ）の最大磁場強度に対して５％から２５％の間のデューティサイクルの変動を適用する。この周波数走査は１時間のｔｍａｘに対して適用され、６日間毎日繰り返されるものとしてよい。
【０１７１】
上記に加えて、図１５を参照すると、この方法の別の例において、段階（ｆ’）の後に続いて完了させる段階は、
ｇ’）段階（ｆ’）において決定された上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）とともに段階（ｅ’）において決定された下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）に基づき刺激周波数バンドを決定する段階、
ｈ’）時間差（Δｔｍ）の間の周波数差（Δｆｍ）のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントで段階（ｇ’）において決定された刺激周波数バンドによって周波数が変化する活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に磁場刺激を印加する段階である。
【０１７２】
この方法の別の例において、図１６を参照すると、上ですでに説明されている方法の段階（ｈ’）の後に続く追加の段階は、
ｉ’）最大刺激時間（ｔｍａｘ）を確定し、それによって組織が過度に刺激されないように保護することを可能にする段階、
ｂ’）電磁トランスデューサの配置構成の電場トランスデューサを介して段階（ｈ’）の刺激への組織インピーダンス応答を測定する段階と、
ｋ’）段階（ｇ’）において決定された刺激周波数バンドの段階（ｊ’）において測定された組織インピーダンス応答が、段階（ｄ’）において確定された許容値（ＮＴ）に戻るか、または最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えるかを検証する段階である。
【０１７３】
この方法の一例の例では、段階（ｉ’）におけるｔｍａｘは、約１時間から約１８時間の間であってよい。ｔｍａｘに言及するときに、「約」は最大刺激時間の５％の変動として理解されるべきである。
【０１７４】
この方法の特定の例では、段階（ｋ’）において、検証、すなわち、
−  最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えた場合に、終了であること、
−  最大刺激時間（ｔｍａｘ）を超えず、段階（ｊ’）において測定された組織インピーダンス応答が段階（ｄ’）において確定された許容値（ＮＴ）未満である場合に、段階（ｈ’）を繰り返すこと、
−  段階（ｇ’）において決定された刺激周波数バンドの段階（ｊ’）において測定された組織インピーダンス応答が、段階（ｄ’）において確定された許容値（ＮＴ）を超えた場合、終了であること、が実行される。
【０１７５】
上記に加えて、組織刺激は、２０１８年２月７日に出願したコロンビア出願ＮＣ２０１８／０００１２８２において説明されているように、空間走査を使用することによっても印加され得る。
【０１７６】
この方法の別の例において、活性化信号は定義されたパターンに従い、
Ａ）トランスデューサの配置構成において各磁場トランスデューサに対するインデックスを定義するステップと、
Ｂ）コンピューティングユニットを使用してトランスデューサに割り振られるインデックスを選択するステップと、
Ｃ）選択されたインデックスに対応する磁場トランスデューサを活性化し、決定された時間差（Δｔｍ）の間の周波数差（Δｆｍ）のインクリメント単位で初期組織刺激周波数（ｆｉ）から最終組織刺激周波数（ｆｆｍ）までを使用して組織を刺激するステップと、
Ｄ）帰された（ａｔｔｒｉｂｕｔｅｄ）インデックスのすべてが使用されるまでインデックスの値を増やし、ステップＣ）を繰り返すステップとに従う。
【０１７７】
代替的に、この方法の特定の例において、ステップＤ）で、このインデックス値はランダムに変化し、ステップＣ）に戻る。
【０１７８】
したがって、トランスデューサはランダムに活性化されてよく、標的組織の刺激に依存する、定義された順序でこれらを活性化することも可能である。
【０１７９】
任意選択で、段階（ｅ’）において、磁場で組織を刺激するための方法の別の例で、下側組織刺激周波数（ｆｂｘ）と上側組織刺激周波数（ｆｔｘ）との間の周波数の範囲は、中心組織周波数に対応する。
【０１８０】
代替的に、磁場で組織を刺激するための方法の別の例では、電場トランスデューサに対する活性化信号は、組織の温度フィードバックに応じて変化する。
【０１８１】
組織を磁場で刺激するための方法の別の例では、刺激された生体組織は動物の体内の組織である。
【０１８２】
組織を磁場で刺激するための方法の別の例では、刺激された生体組織は動物である。
【０１８３】
代替的に、組織を磁場で刺激するための方法の別の例では、電磁トランスデューサは、組織の外面と接触している。
【０１８４】
組織を磁場で刺激するための方法のさらに別の例では、電磁トランスデューサは、生体組織の外面から、決定された距離に配置されている。
【０１８５】
組織を磁場で刺激するための方法の異なる例において、電磁トランスデューサの第１の部分は、生体組織の外面と接触し、電磁トランスデューサの第２の部分は、生体組織の外面から、決定された距離に配置される。
【０１８６】
任意選択で、磁場で組織を刺激するための方法の別の例では、電磁トランスデューサは、定義された順序に従って活性化される。
【０１８７】
代替的に、電磁場で組織を刺激するための方法の別の例では、電磁トランスデューサは、ランダムに活性化される。
【０１８８】
任意選択で、組織を磁場で刺激するための方法の別の例では、活性化信号は、決定された時刻に、順次、他の活性化信号もしくは様々な刺激信号に関して位相をずらして、ランダムに、またはトランスデューサのうちの各１つに対して確定されているプログラムに従って、各トランスデューサに印加される。
【０１８９】
本開示の別の例では、電磁トランスデューサ（１）の配置構成を使って組織（３）を刺激することが可能であり、電場トランスデューサおよび磁場トランスデューサが組織に印加される磁場の強度のフィードバック、組織インピーダンスのフィードバック、またはこれら２つの組合せに基づき特性を組み合わせた電気刺激信号と磁気刺激信号の組合せを印加する。
【０１９０】
組織刺激のための第３の方法は、電場および磁場の両方で組織を刺激するための方法であり、この方法は
ａ＊）活性化信号を受信する電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電場および磁場刺激を印加することであって、活性化信号のパラメータは時間とともに変化する、印加することと、
ｂ＊）電磁トランスデューサの配置構成を通じて段階（ａ＊）の刺激への組織インピーダンス応答を測定し、前記測定値をコンピューティングユニットのメモリレジスタに記憶することと、
ｃ＊）コンピューティングユニットを通じて段階（ｂ＊）において測定された組織インピーダンス応答に従って活性化信号のパラメータを変更し、段階（ａ＊）に戻ることとを含み、
活性化信号のパラメータは、変調、位相、周波数、振幅、持続時間、デューティサイクル、および形状である。
【０１９１】
それに加えて、刺激されている組織がいつ影響を受けるかを決定するために組織の上から温度を測定することが可能であり、温度レベルに基づき、コンピューティングユニットは組織の損傷を回避するために刺激を停止する決定を行う。
【０１９２】
すなわち、磁気トランスデューサの活性化信号は、組織温度のフィードバックに応じて変化するパターンに従う可能性があり、これは電場トランスデューサの活性化信号にも当てはまる。
【０１９３】
周波数走査の電場による方法を用いる組織刺激と周波数走査の磁場による方法を用いる組織刺激とを組み合わせることが可能であり得る。一例において、電磁トランスデューサ（１）の配置構成は、互いに重なり合い、互いに直交するように配設され、その活性面が組織（３）の方向にある磁場トランスデューサと電場トランスデューサとを備え、これにより、活性化パターンに従う電場および磁場による組み合わされた刺激を印加する。
【０１９４】
個人に適用される本開示の方法の例
本開示の一例において、図１１Ａに示されている低分化悪性新生組織形成の次の初期診断により個人に組織刺激が実行される。免疫組織化学的マーカーは次の結果を示す。
−  サイトケラチン５／６：腫瘍細胞中で陽性、
−  Ｐ６３：腫瘍細胞中で陽性、
−  高分子量サイトケラチン：腫瘍細胞中で陽性、
−  ＳＯＸ１０：腫瘍細胞中で陰性、および
−  Ｂｅｒ−ＥＰ４：腫瘍細胞中で陰性。
【０１９５】
組織は、本開示の組織を刺激するための方法を実装する電磁場で組織を刺激するためのデバイスを用いて刺激された。このデバイスは、電磁トランスデューサの次の配置構成を使用した。
−  直交するように配設されている２対の電場トランスデューサ（患者の皮膚と電気刺激装置との間の使い捨て型導電性接着接合部として使用するための、Ｃｏｍｐａｓｓ  Ｈｅａｌｔｈ  Ｂｒａｎｄｓ  Ｃｏｒｐ．社によって製造された使い捨て型２×３．５インチ電気療法電極）、および
−  ２対の電場トランスデューサに直交するように配設されている１対の磁場トランスデューサ。
【０１９６】
説明されている配置構成により、磁場刺激および電場刺激は、互いに直交して印加される。
【０１９７】
デバイスのコンピューティングユニットは、各磁気トランスデューサに対して確定されたプログラムに従って活性化信号を発生する。具体的には、この対の磁場トランスデューサは、デバイスの第１および第２のチャネルに接続され、７２Ｖｐｐ（ピークツーピーク電圧）の振幅を有し、１Ｈｚに等しい初期組織刺激周波数ｆｉｍから５０ｋＨｚに等しい最終組織刺激周波数ｆｆｍまでの範囲内の周波数走査で印加される活性化信号を受信した。前記周波数走査から、２つの刺激周波数バンドがコンピューティングユニットによって決定され、第１の刺激周波数バンドは、１Ｈｚに等しい第１の下側組織刺激周波数ｆｂ１から５ｋＨｚに等しい第１の上側組織刺激周波数ｆｔ１までの周波数範囲に対応し、第２の刺激周波数バンドは、５ｋＨｚに等しい第２の下側組織刺激周波数ｆｂ２から５０ｋＨｚに等しい第２の上側組織刺激周波数ｆｔ２までの周波数範囲に対応した。
【０１９８】
これらの２対の電場トランスデューサは、それぞれ、デバイスの第３、第４、第５、および第６のチャネルに接続された。各対は、７２Ｖｐｐ（ピークツーピーク電圧）の振幅を有する活性化信号を受信した。キャリア信号は、１５％のデューティサイクルを有するＰＷＭで変調された１５０ｋＨｚの固定周波数の交番インパルス列であり、変調信号は、周波数が変化する三角波形であった。この活性化信号は、１ｋＨｚに等しい初期組織刺激周波数ｆｉｅから５００ｋＨｚに等しい最終組織刺激周波数ｆｆｅまでの範囲内の周波数走査で印加された。前記周波数走査から、３つの刺激周波数バンドがコンピューティングユニットによって決定され、第１の刺激周波数バンドは、１ｋＨｚに等しい第１の下側組織刺激周波数ｆｂ１から５０ｋＨｚに等しい第１の上側組織刺激周波数ｆｔ１までの周波数範囲に対応し、第２の刺激周波数バンドは、１５０ｋＨｚに等しい第２の下側組織刺激周波数ｆｂ２から２５０ｋＨｚに等しい第２の上側組織刺激周波数ｆｔ２までの周波数範囲に対応し、第３の刺激周波数バンドは、３２０ｋＨｚに等しい第３の下側組織刺激周波数ｆｂ３から４２０ｋＨｚに等しい第３の上側組織刺激周波数ｆｔ３までの周波数範囲に対応した。
【０１９９】
上記の例の組織に送達された測定済み平均電力は、０．２Ｗから０．５Ｗの範囲内であった。電極温度は４０℃を超えることはなかった。
【０２００】
刺激周波数バンドを決定した後、電磁場で組織を刺激するためのデバイスは、これらの刺激周波数バンドの各々の活性化信号を毎日１時間、合計で６日間印加した。すべての場合において、周波数差（Δｆ）のステップは５００Ｈｚであり、時間差（Δｔ）のステップは１秒であった。
【０２０１】
図１１Ｂを参照すると、上で指摘されている送達スケジュールの後の悪性腫瘍の腫瘤の著しい減少を示す同じ個人の写真が示されている。それに加えて、刺激後に報告された検査所見は、転移について陰性であった。
【０２０２】
図１１Ｃを参照すると、グラフは、上述の第３の刺激周波数バンド（ｆｂ３＝３２０ｋＨｚ、ｆｔ３＝４２０ｋＨｚ）に対するチャネル５および６にわたる組織インピーダンス応答に対応する組織インピーダンス信号（３４）を示しており、図１１Ａと図１１Ｂとの間の個人の応答の中間段階に時間的に相関している。グラフに示されているように、組織インピーダンス信号（３４）は、印加された組織刺激周波数が約３２０ｋＨｚであったときに、約１４０秒で落ち込みを示し始める。この落ち込み、すなわち谷は、印加された組織刺激周波数が約４２０ｋＨｚに達したときに、約３４０秒まで続いた。
【０２０３】
前述の組織インピーダンス応答の谷が毎回の印加の過程で特定の周波数に束縛されない傾向が観察された。その代わりに、組織インピーダンス応答のわずかな周波数シフトが観察され、典型的には±２０％の変動を示した。６日間の送達の過程で、組織インピーダンスの谷は消失する傾向にあった。
【０２０４】
図１１Ｄは、平滑化された組織インピーダンス応答信号（３５）を示し、組織インピーダンス応答信号（３４）を平均することによって得られた。
【０２０５】
定義および頭字語
ＡＭ  振幅変調
ＡＭＯＬＥＤ  アクティブマトリクス有機発光ダイオード
ＡＳＩＣ  特定用途向け集積回路
ＣＰＬＤ  コンプレックスプログラマブルロジックデバイス
ＤＳＣ  デジタルシグナルコントローラ
ＥＥＧ  脳波図
ＥＭＦ  電磁場
ｆｂｘ  下側組織刺激周波数：周波数走査刺激に対する刺激バンドの最低周波数を指す。
ｆｆｅ  最終組織刺激周波数：電場による周波数走査刺激の最終周波数を指す。
ｆｆｍ  最終組織刺激周波数：磁場による周波数走査刺激の最終周波数を指す。
ｆｉｅ  初期組織刺激周波数：電場による周波数走査刺激の開始周波数を指す。
ｆｉｍ  初期組織刺激周波数：磁場による周波数走査刺激の開始周波数を指す。
ＦＭ  周波数変調
ＦＰＧＡ  フィールドプログラマブルゲートアレイ
ｆｔｘ  上側組織刺激周波数：周波数走査刺激の最終周波数を指す。
ＨＩＤ  ヒューマンインターフェースデバイス
ＬＣＤ  液晶ディスプレイ
ＬＥＤ  発光ダイオード
ＭＦＧ  磁場発生器
ＮＴ  許容値は、基準レベル値のパーセンテージ値であり、これにより方法は、組織インピーダンス応答が前記パーセンテージ値を超えるか超えないかに基づきｆｂｘまたはｆｔｘを決定する。
ＯＬＥＤ  有機発光ダイオード
ＰＥＭＦ  パルス電磁場
ＰＭ  位相変調
ＰＰＭ  パルス位置変調
ＰＳｏＣ  プログラマブルシステムオンチップ
ＰＷＭ  パルス幅変調
ＱＤ  量子ディスプレイ
ＳｏＣ  システムオンチップ
ＳＰＭＦ  プログラム磁場
Δｆｅ  周波数差：電場による周波数走査刺激の周波数のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントを指す。
Δｆｍ  周波数差：磁場による周波数走査刺激の周波数のステップ単位のインクリメントまたはデクリメントを指す。
Δｔｅ  時間差：電場による周波数走査刺激の持続時間または時間期間を指す。
Δｔｍ  時間差：磁場による周波数走査刺激の持続時間または時間期間を指す。
基準レベル  ユーザに対して提示または分析されるべき振幅範囲値の組織インピーダンス応答を段階的に増大するか、または当てはめるか、または固定するためにユーザまたはコンピューティングユニットによって確定される値を指す。
刺激周波数バンド  組織インピーダンスの振幅が許容値を下回る周波数の範囲を指す。
【０２０６】
本開示は、当業者には明らかとなるであろうように、次の請求項によってのみ定義される、本開示の精神から逸脱しない変更形態および修正形態が可能なので、説明された図解例に限定されない。
【符号の説明】
【０２０７】
１  電磁トランスデューサ
１ａ  電磁トランスデューサ
１ａ’  トランスデューサ
１ｂ  トランスデューサ
１ｂ’  トランスデューサ
１ｃ  トランスデューサ
１ｃ’  トランスデューサ
１ｄ  トランスデューサ
１ｄ’  トランスデューサ
１ｅ  トランスデューサ
１ｅ’  電磁トランスデューサ
１ｆ  トランスデューサ
１ｆ’  トランスデューサ
１ｇ  トランスデューサ
１ｇ’  トランスデューサ
１ｈ  トランスデューサ
１ｈ’  トランスデューサ
１ｉ  トランスデューサ
１ｉ’  トランスデューサ
１ｊ  トランスデューサ
１ｊ’  トランスデューサ
１ｋ  トランスデューサ
１ｋ’  トランスデューサ
１ｌ  トランスデューサ
１ｌ’  トランスデューサ
１ｍ  トランスデューサ
１ｍ’  トランスデューサ
１ｎ  トランスデューサ
１ｎ’  トランスデューサ
２  体積
３  組織
４  フレーム
５  チャネル
６  チャネル
８  変調信号
９  キャリア信号
１０  固定周期
２１  コンピューティングユニット
２１ａ  中央演算処理装置（ＣＰＵ）
２１ｂ  第１の発振器ＯＳＣ  １
２１ｃ  第２の発振器ＯＳＣ  ２
２１ｄ  発振器ＯＳＣ  ｎ
２２  外部電源
２３  減結合回路
３０  フィードバック
３１、３２、３３  活性化信号出力
３４  組織インピーダンス信号
【図１】
2021512714.tif 000003
【図２Ａ】
2021512714.tif 000004
【図２Ｂ】
2021512714.tif 000005
【図３Ａ】
2021512714.tif 000006
【図３Ｂ】
2021512714.tif 000007
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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