(57)【要約】【解決手段】  半導体リソグラフィ中に、接着を減らし、かつウェハとウェハテーブルとの間の摩擦を制御できる方法及びシステムが開示され、ウェハテーブル上のバールの上部はナノスケールトポグラフィの層を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハテーブルであって、
ウェハテーブル本体と、
ウェハテーブル本体上に形成された複数のバールであって、各バールはバール本体を含み、
バール本体の上部に形成された層であって、層の上部は複数のナノスケール構造を有する、ウェハテーブル。
【請求項２】
ウェハテーブル及び複数のバールが一体であり、一緒に形成される、請求項１に記載のウェハテーブル。
【請求項３】
ウェハテーブル及び複数のバールの両方がＳｉ：ＳｉＣを含む、請求項１に記載のウェハテーブル。
【請求項４】
層がセラミック材料を含む、請求項１に記載のウェハテーブル。
【請求項５】
セラミック材料がＳｉＣである、請求項４に記載のウェハテーブル。
【請求項６】
層が金属材料を含む、請求項１に記載のウェハテーブル。
【請求項７】
金属材料がアルミニウムを含む、請求項６に記載のウェハテーブル。
【請求項８】
層が有機ポリマーを含む、請求項１に記載のウェハテーブル。
【請求項９】
ナノスケール構造は、ドーム形状の突起のアレイの形態を有する、請求項１に記載のウェハテーブル。
【請求項１０】
アレイが規則付けられている、条項１のウェハテーブル。
【請求項１１】
複数のバールを含むウェハテーブルであって、各バールは、バール本体と、バール本体の上部に形成されたセラミック材料を含む層とを含み、層の上部は、ナノスケールトポグラフィを有する、ウェハテーブル。
【請求項１２】
ウェハテーブル及び複数のバールが焼結材料を含む、請求項１１に記載のウェハテーブル。
【請求項１３】
焼結材料がＳｉ：ＳｉＣを含む、請求項１２に記載のウェハテーブル。
【請求項１４】
セラミック材料が非酸化物セラミックである、請求項１１のウェハテーブル。
【請求項１５】
非酸化物セラミックがＳｉＣを含む、請求項１４に記載のウェハテーブル。
【請求項１６】
層が、化学蒸着技術を使用してバール本体上に形成される、請求項１１に記載のウェハテーブル。
【請求項１７】
ナノスケールトポグラフィが、ドーム形状の突起のアレイを含む、請求項１１に記載のウェハテーブル。
【請求項１８】
複数のバールを含むウェハテーブルを提供し、
バールの上に層を形成することを含む方法。
【請求項１９】
ウェハテーブルがＳｉ：ＳｉＣを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
層がセラミック材料を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
セラミック材料がＳｉＣを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
層が金属材料を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
金属材料がアルミニウムを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
層が有機ポリマーを含む、請求項１８に記載のウェハテーブル。
【請求項２５】
層を形成することが、化学気相堆積を使用して層を堆積することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２６】
層を形成することに続き、研磨されたバール上部を形成するためにバールの上に形成された層を研磨し、
研磨されたバール上部に、複数のナノスケール構造を有する犠牲層を形成し、
犠牲層をエッチングし、パターンを研磨されたバールトップに転写する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２７】
犠牲層がＡｌ２Ｏ３を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２８】
犠牲層をエッチングすることが、イオンビーム加工を含む、請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、フォトリソグラフィ装置においてウェハ、レチクル、マスクなどを保持するために使用されるデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、半導体材料のウェハなどの基板に所望のパターンを適用する。マスク又はレチクルなどのパターニングデバイスを使用して、ウェハの個々の層上に形成される回路パターンを生成することができる。パターンの転写は、典型的には、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）の層上に画像化することによって達成される。一般に、単一の基板は、連続的にパターン化される隣接するターゲット部分を含む。
【０００３】
リソグラフィ装置は、例えば、機械的、真空、静電、又は他のクランプ技術を使用してウェハを保持するように構成されたサポート構造（例えば、ウェハテーブル）を含む。サポート構造は、ウェハの対応する部分を支持するように構成されたバールを含む。ウェハに面する各バールの表面は、ナノメートルのオーダーの寸法を有するパターン化されたバンプの形成を含む。これらのバンプは、本明細書ではナノバンプと呼ばれる。ナノバンプは、ウェハとバールの間の減少した接触表面積を定める。接触面積の減少により、ウェハとバールの間の粘着効果が緩和され、クランププロセス中の摩擦が緩和される。
【０００４】
ウェハテーブルとその一体型バールは、通常、Ｓｉ：ＳｉＣ複合セラミック材料で作られる。ウェハテーブル表面は、それぞれが数百ミクロンのオーダーの直径と１００ミクロンのオーダーの高さを有するおよそ１０，０００のバールを含むことができる。バールは通常、ウェハテーブルの表面積の１％程度をカバーする。
【０００５】
バールトップトポグラフィは、ランダムな表面を提供し、ウェハとウェハテーブル間の接触面積をさらに減少させる。バールとウェハとの間の予測可能で、設計された、そして決定論的な（ランダムでない）相互作用領域を備えたバールトップを有することが望ましい。これらの特性を備えた相互作用領域により、初期のオーバーレイ性能が向上し、ウェハテーブルの寿命性能が向上する。ただし、前述のように、バールの本体はＳｉ：ＳｉＣセラミックで作られている。この材料は、その強度と安定性のために良い選択である。しかしながら、それは、比較的柔らかいシリコンのマトリックス中の本質的に比較的硬いＳｉＣ粒子である。これにより、滑らかにするのが本質的に難しい材料になる。
【０００６】
したがって、バールとウェハとの間の相互作用をより制御できるバールトップトポグラフィが必要とされている。
【発明の概要】
【０００７】
以下は、実施形態の基本的な理解を提供するために、１つ以上の実施形態の簡略化された概要を提示する。この概要は、考えられるすべての実施形態の広範な概要ではなく、すべての実施形態の主要な又は重要な要素を特定することも、任意又はすべての実施形態の範囲を線引きすることも意図していない。その唯一の目的は、後で提示されるより詳細な説明の前置きとして、１つ又は複数の実施形態のいくつかの概念を簡略化した形で提示することである。
【０００８】
一態様によれば、材料の層を追加することによって部分的に平滑化されたバールトップの上にナノ構造（「波」若しくは「バンプ」又は他のナノスケール構造）を印刷することによって作られたバールトップが開示され、これによりウェハとバールの間の接触面積を制御できる。バールを構成する材料を平滑化する際の本質的な困難に対処するために、バールの上部には、ナノスケール構造がインプリントされる炭化ケイ素などの材料の層が設けられている。これにより、非常に滑らかな表面にナノスケールの構造を形成できるようになり、その後の製造ステップが容易になる。
【０００９】
別の態様によれば、ウェハテーブル本体と、ウェハテーブル本体上に形成された複数のバールと、バールのそれぞれを含む複数のバールと、バール本体の上部に形成された層と、複数のナノスケール構造を有する層とを含むウェハテーブルが開示される。ウェハテーブル及び複数のバールは一体であり、一緒に形成されてもよい。ウェハテーブル及び複数のバールは両方とも、Ｓｉ：ＳｉＣを含み得る。層は、ＳｉＣであり得るセラミック材料を含み得る。層は、アルミニウムを含み得る金属材料を含み得る。層は有機ポリマーを含み得る。ナノスケール構造は、ドーム型の突起のアレイの形であってもよく、アレイは規則付けされてもよい。
【００１０】
別の態様によれば、複数のバールを備えるウェハテーブルが開示され、各バールは、バール本体と、バール本体の上部に形成されたセラミック材料を含む層とを含み、層の上部は、ナノスケールトポグラフィを有する。ウェハテーブル及び複数のバールは、Ｓｉ：ＳｉＣを含み得る焼結材料を含み得る。セラミック材料は、ＳｉＣを含み得る非酸化物セラミックであり得る。この層は、化学蒸着技術を使用してバール本体上に形成され得る。ナノスケールトポグラフィは、ドーム型の突起のアレイを含み得る。
【００１１】
別の態様によれば、複数のバールを含むウェハテーブルを提供するステップと、バールの上部に層を形成するステップとを含む方法が開示される。ウェハテーブルは、Ｓｉ：ＳｉＣを含み得る。層は、ＳｉＣを含み得るセラミック材料を含み得る。層は、アルミニウムを含み得る金属材料を含み得る。層は有機ポリマーを含み得る。層を形成するステップは、化学気相堆積を使用して層を堆積することを含むことができる。方法は、バールの上部に形成された層を研磨して研磨されたバールトップを作成し、研磨されたバールトップ上に犠牲層を形成する層形成ステップに続くステップをさらに含み、犠牲層は複数のナノスケール構造を有し、犠牲層をエッチングして、パターンを研磨されたバールトップに転写する。犠牲層は、Ａｌ２Ｏ３を含み得る。犠牲層をエッチングするステップは、イオンビーム加工を含み得る。
【００１２】
本発明のさらなる特徴及び利点、ならびに本発明の様々な実施形態の構造及び動作は、添付の図面を参照して以下で詳細に説明される。本発明は、本明細書に記載される特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示の目的でのみ本明細書に提示されている。追加の実施形態は、本明細書に含まれる教示に基づいて、当業者には明らかであろう。
【００１３】
本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を例示し、説明と共に、本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作り、使用できるようにするのに役立つ。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】ナノスケールトポグラフィを備えたトップを有するバールの縮尺通りではない図である。
【図３Ａ】実施形態の一態様による、ナノスケールトポグラフィを備えたトップを有するバールを作製するためのプロセスの縮尺通りではない図である。
【図３Ｂ】実施形態の一態様による、ナノスケールトポグラフィを備えたトップを有するバールを作製するためのプロセスの縮尺通りではない図である。
【図３Ｃ】実施形態の一態様による、ナノスケールトポグラフィを備えたトップを有するバールを作製するためのプロセスの縮尺通りではない図である。
【図３Ｄ】実施形態の一態様による、ナノスケールトポグラフィを備えたトップを有するバールを作製するためのプロセスの縮尺通りではない図である。
【図３Ｅ】実施形態の一態様による、ナノスケールトポグラフィを備えたトップを有するバールを作製するためのプロセスの縮尺通りではない図である。
【図３Ｆ】実施形態の一態様による、ナノスケールトポグラフィを備えたトップを有するバールを作製するためのプロセスの縮尺通りではない図である。
【図４】一実施形態の態様による、ナノスケールトポグラフィを備えたトップを有するバールを作製するためのプロセスを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の特徴及び利点は、同様の参照文字が全体を通して対応する要素を識別する図面と併せて解釈すると、以下に記載される詳細な説明からより明らかになるであろう。図面において、同様の参照番号は、概して、同一の、機能的に同様の、及び／又は構造的に同様の要素を示す。
【００１６】
本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示している。開示された実施形態は、本発明を単なる例示である。本発明の範囲は、開示された実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。
【００１７】
説明される実施形態、及び本明細書における「一実施形態」、「実施形態」、「例示的な実施形態」などへの言及は、説明される実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含み得ることを示す。しかし、すべての実施形態は、必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含むとは限らない。さらに、そのような語句は、必ずしも同じ実施形態を指しているわけではない。さらに、特定の特徴、構造、又は特性が実施形態に関連して説明される場合、他の実施形態に関連してそのような特徴、構造、又は特性をもたらすかどうかは、明示的な説明がなされているかに関わらず当業者の知識の範囲内であると理解される。
【００１８】
以下の説明及び特許請求の範囲では、「上」、「下」、「上」、「下」、「垂直」、「水平」などの用語を使用する場合がある。これらの用語は、相対的な方向のみを示すことを目的としており、重力に関する方向を示すものではない。同様に、左、右、前、後などの用語は、相対的な向きのみを示すことを目的とする。
【００１９】
実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実装することができる例示的な環境を提示することは有益である。
【００２０】
図１を参照して、照明システム１０５を含むフォトリソグラフィシステム１００を示す。
照明システム１０５は、パルス光ビーム１１０を生成し、それをフォトリソグラフィ露光装置又はスキャナ１１５に向ける光源を含む。スキャナ１１５は、サポート構造１１７上にパターニングデバイス１１６、例えば、マスク又はレチクルを含む。パターニングデバイス１１６は、ビーム１１０に転写されるパターンを担持して、ウェハ１２０上にマイクロエレクトロニクスフィーチャをパターニングするパターン化ビーム１１９を作成する。ウェハ１２０は、ウェハ１２０を保持するように構成され、特定のパラメータに従ってウェハ１２０を正確に位置決めするように構成されたポジショナに接続されたウェハテーブル１２５上に配置される。
【００２１】
フォトリソグラフィシステム１００は、例えば、２４８ナノメートル（ｎｍ）又は１９３ｎｍの波長を有する、深紫外（ＤＵＶ）範囲の波長を有する光ビーム１１０を使用する。ウェハ１２０上にパターン化されたマイクロエレクトロニクスフィーチャのサイズは、光ビーム１１０の波長に依存し、波長が低いほど、最小フィーチャサイズが小さくなる。光ビーム１１０の波長が２４８ｎｍ又は１９３ｎｍである場合、超小型電子機構の最小サイズは、例えば、５０ｎｍ以下であり得る。光ビーム１１０の帯域幅は、その光スペクトル（又は発光スペクトル）の実際の瞬間的な帯域幅であり得、これは、光ビーム１１０の光エネルギーが異なる波長にわたってどのように分布するかに関する情報を含む。スキャナ１１５は、例えば、１つ又は複数のコンデンサレンズを有する光学構成と、対物構成とを含む。パターニングデバイス１１６は、光ビーム１１０の光軸に沿って、又は光軸に垂直な平面内など、１つ又は複数の方向に沿って移動可能である。対物レンズ構成は、投影レンズを含み、パターニングデバイス１１６からウェハ１２０上のフォトレジストへの画像転写を可能にする。照明システム１０５は、マスクに衝突する光ビーム１１０の角度範囲を調整する。照明システム１０５はまた、マスクにわたる光ビーム１１０の強度分布を均質化する（均一にする）。
【００２２】
スキャナ１１５は、とりわけ、リソグラフィコントローラ１３０、空調装置、及び様々な電気コンポーネント用の電源を含むことができる。リソグラフィコントローラ１３０は、層がウェハ１２０上にどのように印刷されるかを制御する。リソグラフィコントローラ１３０は、プロセスレシピなどの情報を格納するメモリを含む。プロセスプログラム又はレシピは、ウェハ１２０上の露光の長さ、使用されるレチクル、及び露光に影響を与える他の要因を決定する。リソグラフィの間、光ビーム１１０の複数のパルスは、ウェハ１２０の同じ領域を照明して、照明ドーズを構成する。
【００２３】
フォトリソグラフィシステム１００はまた、好ましくは、制御システム１３５を含む。一般に、制御システム１３５は、デジタル電子回路、コンピュータハードウェア、ファームウェア、及びソフトウェアのうちの１つ又は複数を含む。  制御システム１３５はまた、読み取り専用メモリ及び／又はランダムアクセスメモリであり得るメモリを含む。コンピュータプログラム命令及びデータを実体的に具現化するのに適した記憶装置は、例としてＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、及びフラッシュメモリ装置などの半導体メモリ装置、内蔵ハードディスクやリムーバブルディスクなどの磁気ディスク、光磁気ディスク、並びにＣＤ−ＲＯＭディスクを含む、あらゆる形態の不揮発性メモリを含む。
【００２４】
サポート構造１１７は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているかどうかなどの他の条件に依存する方法で、パターニングデバイス１１６を保持する。サポート構造１１７は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電又は他のクランプ技術を使用することができる。サポート構造１１７は、例えば、必要に応じて固定され又は稼働できるフレーム又はテーブルとすることができる。サポート構造１１７は、例えば投影システムに対して、パターニングデバイス１１６が確実に所望の位置にあるようにすることができる。
【００２５】
「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを作成するなど、断面にパターンを有する放射ビームを与えるために使用できる任意のデバイスを指すと広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作成されるデバイスの特定の機能層に対応することがある。
【００２６】
パターニングデバイスは、透過性又は反射性であり得る。ここで示しているように、パターニングデバイス１１６は、（例えば、透過マスクを使用する）透過タイプのものである。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィでよく知られており、バイナリ、交互位相シフト、減衰位相シフトなどのマスクタイプや、さまざまなハイブリッドマスクタイプが含まれる。プログラマブルミラーアレイの例では、小さなミラーのマトリックス配置を使用し、各ミラーは、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾けることができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを与える。
【００２７】
投影システムは、照明システムと同様に、使用される露光放射線に応じて、屈折、反射、磁気、電磁気、静電又は他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。真空の使用のような他の要因のため。ガスは過度の放射線を吸収する可能性があるため、ＥＵＶ放射線には真空を使用することが望ましい場合がある。したがって、真空壁及び真空ポンプの助けを借りて、真空環境がビーム経路全体に提供され得る。
【００２８】
前述のように、ウェハテーブルには規則付けられた又は不規則な（ランダムな）配列のバールが供給され、各バールの上面（つまり、ウェハと接触することを目的とした表面）にはナノスケール構造、つまり、ナノメートル又は数十ナノメートルのオーダーのフィーチャサイズを持つ構造のトポグラフィが設けられる。これは図２に示されている。図２は、バール３００を有するウェハテーブルＷＴの上面を示す。バール３００の上面は、ナノスケールトポグラフィ３１０を有する。ナノスケールのトポグラフィは、半球状のバンプのアレイとして示されているが、ピラーなどの他の形状が使用されてもよいことが理解されよう。これらはすべて、本明細書ではナノバンプと呼ばれる。
【００２９】
次に、ナノスケールのトポグラフィを備えた頂部を有するバールを作製する方法を、図３Ａ〜３Ｇを参照して説明する。図３Ａは、バール３００を備えたウェハテーブルＷＴのセグメントを示す。明確化のために、ウェハテーブルＷＴに対するバール３００の相対的なサイズは、図３Ａ〜図３Ｃでは誇張されている。ウェハテーブルＷＴ及びバール３００は、例えば、Ｓｉ：ＳｉＣで作られてもよい。
【００３０】
図３Ｂでは、バール３００及びウェハテーブルＷＴの上面は、層４００でコーティングされている。層４００は、例えば、ＳｉＣなどのセラミック材料で作られてもよいが、例えば、金属、シリコンなどの半金属、又は有機ポリマーなどの他の材料が使用されてもよい。層４００の厚さは、例えば、約０．５ミクロンから約２０ミクロンの範囲である。層４００の厚さは、図３Ｂでは誇張されている。層４００は、例えば、従来の化学蒸着技術を使用して堆積されてもよい。上記のように、バール３００の本体を作るために使用される材料は、滑らかにするのが比較的難しい。層４００は、その後のステップを実行するための非多孔性の滑らかな表面を提供する。層４００は、例えば、バール３００間のレーザーアブレーションによって、又はウェハテーブルＷＴをマスク（例えば、カプトンから作られる）で覆うがバール３００を露出したままにすることによって、応力が緩和され得る。
【００３１】
図３Ｃに示されるように、層４００の上部４１０は、例えば鏡面仕上げに研磨されて、上部４１０の一部が除去される。研磨は、ナノメートルのオーダーの粗さ算術平均Ｒａを達成するために実行され、その結果、上部４１０の厚さは、約０．１ミクロンから約２ミクロンの範囲内である。あるいは、レーザーアブレーションを使用して、上部４１０の一部を除去することにより、バールの高さを所望の仕様に下げることができる。
【００３２】
図３Ｄでは、パターン化層４２０が上部４１０に追加されている。このパターン化層４２０は、例えば、Ａｌ２Ｏ３などの酸化物材料、アルミニウムなどの典型的な堆積金属、又はフォトレジストなどの有機ポリマーで作られた犠牲層である。パターン化層４２０は、ウェハテーブルＷＴから特定の距離に配置されたマスク（例えば、メッシュふるい）を介した蒸発によって追加されてもよい。
【００３３】
図３Ｅでは、パターン化層４２０のパターンは、本質的に上部４１０にインプリントされて、パターン化上部４３０を作成する。これは、例えば、イオンビーム加工（ＩＢＦ）、又は反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を使用して、パターン化層４２０をエッチングすることによって行える。図３Ｆでは、現在ナノ構造を有するパターン化された上部４３０が、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）などの低摩擦／低摩耗コーティングでコーティングされている。その後、ウェハテーブルＷＴが組み立てられ、例えばＩＢＦを使用して所望の仕様に平坦化される。
【００３４】
次に、ナノスケールのトポグラフィを備えたトップを有するバールを製造する方法を、図４を参照して説明する。ステップＳ５０において、バールは、ＳｉＣなどの平滑化材料の層でコーティングされる。ステップＳ５２において、層の上部が研磨される。ステップＳ５４において、パターン化された層がＳｉＣ層の上部に追加される。ステップＳ５６において、パターン化された層がエッチングされて、ＳｉＣ層の上部にパターンがインプリントされる。ステップＳ５８において、ＳｉＣ層のパターン化された上部が、低摩擦コーティングでコーティングされる。
【００３５】
開示された構成の別の利点は、粗さと平坦さを同時に達成することが非常に技術的に困難な場合があることである。特に、非常に高い平坦度を有すると同時に適度に粗いバールトップを有するウェハテーブルを作ることは困難である。本明細書に開示されるプロセスは、最初のステップで滑らかなバールトップを作成し、それを所定の方法で粗面化することが、最初のステップでラフバールトップを作成するよりも簡単であるため、ウェハテーブルの製造プロセスを簡略化できる。さらに、ナノバンプを製造するために開示された方法を使用して、現場から戻ってくるテーブルを安価に改造することができる。
【００３６】
前述のように、他の決定論的（非ランダム）トポグラフィ、例えばさまざまなサイズのピラーは、制御されたバール−ウェハ相互作用を可能にするため、使用することもできる。もう１つの方法は、「ドーム型」バールを作成し、ここでは名目上平らなバールのエッジから材料を取り除き、クランプされていない接触領域を減らせる。
【００３７】
実施形態は、以下の条項を使用してさらに説明できる：
１．ウェハテーブルであって、
ウェハテーブル本体と、
ウェハテーブル本体上に形成された複数のバールであって、各バールはバール本体を含み、
バール本体の上部に形成された層であって、層の上部は複数のナノスケール構造を有する、ウェハテーブル。
２．ウェハテーブル及び複数のバールが一体であり、一緒に形成される、条項１に記載のウェハテーブル。
３．ウェハテーブル及び複数のバールの両方がＳｉ：ＳｉＣを含む、条項１に記載のウェハテーブル。
４．  層がセラミック材料を含む、条項１に記載のウェハテーブル。
５．  セラミック材料がＳｉＣである、条項４に記載のウェハテーブル。
６．  層が金属材料を含む、条項１に記載のウェハテーブル。
７．  金属材料がアルミニウムを含む、条項６に記載のウェハテーブル。
８．  層が有機ポリマーを含む、条項１に記載のウェハテーブル。
９．  ナノスケール構造は、ドーム形状の突起のアレイの形態を有する、条項１に記載のウェハテーブル。
１０．  アレイが規則付けられている、条項１のウェハテーブル。
１１．  複数のバールを含むウェハテーブルであって、各バールは、バール本体と、バール本体の上部に形成されたセラミック材料を含む層とを含み、層の上部は、ナノスケールトポグラフィを有する、ウェハテーブル。
１２．  ウェハテーブル及び複数のバールが焼結材料を含む、条項１１に記載のウェハテーブル。
１３．  焼結材料がＳｉ：ＳｉＣを含む、条項１２に記載のウェハテーブル。
１４．  セラミック材料が非酸化物セラミックである、条項１１のウェハテーブル。
１５．  非酸化物セラミックがＳｉＣを含む、条項１４に記載のウェハテーブル。
１６．  層が、化学蒸着技術を使用してバール本体上に形成される、条項１１に記載のウェハテーブル。
１７．  ナノスケールトポグラフィが、ドーム形状の突起のアレイを含む、条項１１に記載のウェハテーブル。
１８．  複数のバールを含むウェハテーブルを提供し、
バールの上に層を形成することを含む方法。
１９．  ウェハテーブルがＳｉ：ＳｉＣを含む、条項１８に記載の方法。
２０．  層がセラミック材料を含む、条項１８に記載の方法。
２１．  セラミック材料がＳｉＣを含む、条項２０に記載の方法。
２２．  層が金属材料を含む、条項１８に記載の方法。
２３．  金属材料がアルミニウムを含む、条項２２に記載の方法。
２４．  層が有機ポリマーを含む、条項１８に記載のウェハテーブル。
２５．  層を形成することが、化学気相堆積を使用して層を堆積することを含む、条項１８に記載の方法。
２６．  層を形成することに続き、研磨されたバール上部を形成するためにバールの上に形成された層を研磨し、
研磨されたバール上部に、複数のナノスケール構造を有する犠牲層を形成し、
犠牲層をエッチングし、パターンを研磨されたバールトップに転写する、条項１８に記載の方法。
２７．  犠牲層がＡｌ２Ｏ３を含む、条項１８に記載の方法。
２８．  犠牲層をエッチングすることが、イオンビーム加工を含む、条項１８に記載の方法。
【００３８】
本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特定の言及がなされているが、本明細書に記載されるリソグラフィ装置は、集積光学システムの製造、磁区メモリ、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド用のガイダンス及び検出パターンなどのその他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者は、そのような代替用途の文脈において、本明細書における「ウェハ」又は「ダイ」という用語の使用はそれぞれ、より一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語の同義語と見なすことができることを理解するであろう。本明細書で言及される基板は、露光の前又は後に、例えばトラック（通常、レジスト層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツールで処理することができる。適用可能な場合、本明細書の開示は、そのような及び他の基板処理ツールに適用されてもよい。さらに、例えば、多層ＩＣを作成するために、基板は２回以上処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、既に複数の処理された層を含む基板を指すこともある。
【００３９】
以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、本発明は、説明された以外にも実施できることを理解されたい。上記の説明は、限定ではなく例示を意図したものである。したがって、以下の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載された本発明に変更を加えることができることが当業者には明らかであろう。
【００４０】
概要及び要約のセクションではなく、詳細な説明のセクションは、特許請求の範囲を解釈するために使用されることが意図されていることを理解されたい。概要及び要約のセクションは、発明者によって企図される本発明の例示的な実施形態のすべてではなく、１つ又は複数を説明することがあり、したがって、決して本発明及び添付の特許請求の範囲を限定するものではない。
【００４１】
本発明は、指定された機能及びそれらの関係の実装を示す機能的ビルディングブロックを用いて上記で説明されてきた。これらの機能的構成要素の境界は、説明の便宜上、本明細書では任意に定義されている。指定された機能とその関係が適切に実行される限り、代替境界を定義できる。
【００４２】
特定の実施形態の前述の説明は、本発明の一般的な性質を完全に明らかにするので、第三者は、当業者の知識内で知識を適用することにより、過度の実験なしに、特定の実施形態のような様々な用途に容易に修正及び／又は適応することができる。本発明の一般的な概念から逸脱する。したがって、そのような適合及び変更は、本明細書に提示された教示及びガイダンスに基づいて、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲内であることが意図されている。本明細書の専門用語又は専門用語は、本明細書の専門用語又は専門用語が教示及びガイダンスに照らして当業者によって解釈されるように、限定ではなく説明を目的とすることを理解されたい。
【００４３】
本発明の幅及び範囲は、上記の例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲及びそれらの均等物に従ってのみ定義されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図４】
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【国際調査報告】
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