(57)【要約】【解決手段】  基板上で照明プロファイルをスキャンしてその上に機能領域を形成するように構成されたスキャン露光装置を制御する方法が開示される。方法は、機能領域を含む露光領域の露光中に照明プロファイルの動的制御の制御プロファイルを取得し、ａ）スキャン方向に露光領域の範囲を超えて制御プロファイルを拡張する、及び／又はｂ）制御プロファイルに折り畳み解放スキームを適用すること、により１つ又は複数の個別の機能領域の露光品質を向上させ、折り畳み解放スキームの構造は、スキャン方向における照明プロファイルの寸法に基づく。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上で照明プロファイルをスキャンしてその上に機能領域を形成するように構成されたスキャン露光装置を制御する方法であって、
機能領域を含む露光領域の露光中に照明プロファイルの動的制御の制御プロファイルを取得し、
ａ）スキャン方向に露光領域の範囲を超えて制御プロファイルを拡張する、及び／又は
ｂ）制御プロファイルに折り畳み解放スキームを適用すること、
により１つ又は複数の個別の機能領域の露光品質を向上させ、
折り畳み解放スキームの構造は、スキャン方向における照明プロファイルの寸法に基づく、方法。
【請求項２】
前記制御プロファイルが、スキャン露光動作を作動させる１つ又は複数のアクチュエータの経時的な設定点を定義する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
制御プロファイルを拡張することが、露光領域の露光に対応する露光期間の前及び／又は後の時間のアクチュエータの設定点を決定することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記制御プロファイルは、機能領域の寸法に依存する拡張プロファイルを追加することによって拡張される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
各機能領域は、領域上で繰り返され、露光された基板上の個々のダイに対応するパターンを含み、前記制御プロファイルは、露光期間に先行し、拡張スキャンイン領域に対応するスキャンイン拡張プロファイル、及び露光期間に続き、拡張スキャンアウト領域に対応するスキャンアウト拡張プロファイルを追加することによって拡張され、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
各機能領域に関する平均補正プロファイルを決定し、スキャンイン拡張プロファイル及びスキャンアウト拡張プロファイルを前記平均補正プロファイルとして定義するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記平均補正プロファイルは、前記制御プロファイルのダイ内コンポーネントに基づいて決定される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
制御プロファイルを前記ダイ内コンポーネント、基礎となる領域内コンポーネント、及び領域間コンポーネントに分解することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記制御プロファイルが、露光量、焦点、オーバーレイ及びレベリングの１つ又は複数を制御するためのものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記制御プロファイルが、露光スリットによって定義される前記照明プロファイルと折り畳みされる折り畳み制御プロファイルを含み、前記折り畳み解放スキームが、折り畳みから生じるエラーを最小化するために、折り畳み制御プロファイルを折り畳み解放する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記折り畳み解放スキームは、ノイズの存在下で折り畳み制御プロファイル及び照明プロファイルを折り畳み解放するウィナー折り畳み解放フィルタを決定することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
スキャン露光装置の制御を改善するために、前記ウィナーフィルタのノイズ項の値を選択することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法を実行するように動作可能なプロセッサを備えるスキャン露光装置。
【請求項１４】
適切な装置上で実行されたときに請求項１の方法を実行するように動作可能なプログラム命令を含むコンピュータプログラム。
【請求項１５】
光子又は粒子のビームを基板上でスキャンして機能デバイスを形成するように構成されたスキャン装置を制御する方法であって、
スキャン動作中にビームの動的制御のための制御プロファイルを取得し、ビームは少なくともスキャン方向におけるビームの空間的広がりに関する情報を含むビームプロファイルにより特徴付けられ、
制御プロファイルに折り畳み解放スキームを適用することによってビーム制御の品質を最適化し、折り畳み解放スキームの構造は、ビームプロファイルに基づく、方法。
【請求項１６】
基板上で照明プロファイルをスキャンして機能領域を含む露光領域を形成するように構成されたスキャン露光装置の制御プロファイルを決定する方法であって、
ａ）制御プロファイルを、露光領域を超えて拡張できるようにすること、及び／又は
ｂ）スキャン方向の照明プロファイルの寸法を考慮に入れることにより、１つ以上の個別の機能領域の露光品質を改善すること、
に基づいて照明プロファイルの動的制御のための制御プロファイルを決定するステップを含む、方法。
【請求項１７】
前記制御プロファイルが、スキャン露光装置を作動させる１つ又は複数のアクチュエータの経時的な設定点を定義する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記制御プロファイルに基づいて、スキャン露光装置のための制御レシピを生成することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記制御プロファイルが前記露光領域を超えて延びることを可能にすることは、前記露光領域の露光に対応する露光期間の前及び／又は後に、前記アクチュエータの設定点を決定することを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記照明プロファイルの寸法を考慮に入れることは、制御プロファイルを前記照明プロファイルで露光スリットによって定義されるように折り畳み、折り畳み解放スキームを使用して制御プロファイルを折り畳み解放することにより生じる誤差を最小にする請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１８年３月２９日に提出されたＥＰ出願１８１６４９６２．５及び２０１８年７月１２日に提出されたＮＬ出願２０２１２９６の優先権を主張し、参照により全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明は、リソグラフィプロセスにおいて基板にパターンを適用するための、及び／又は前記パターンを測定するための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、基板に、通常は基板のターゲット部分に所望のパターンを適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又はいくつかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は、典型的には、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）の層への結像を介して行われる。一般に、単一の基板は、連続的にパターン化される隣接するターゲット部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置は、各パターン全体を一度にターゲット部分に露光することによって各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパと、所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームによりパターンをスキャンするとともに基板をこの方向と平行又は逆平行にスキャンするようにして各目標部分が照射を受ける、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板にインプリントすることによって、パターン化デバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
リソグラフィプロセスを監視するために、パターン化された基板のパラメータが測定される。パラメータには、例えば、パターン化された基板の中又は上に形成された連続する層の間のオーバーレイ誤差、及び現像された感光性レジストのクリティカルディメンション（ＣＤ）が含まれる。この測定は、製品基板及び／又は専用の計測ターゲットで実行できる。スキャン型電子顕微鏡やさまざまな専用ツールの使用など、リソグラフィプロセスで形成された微細構造の測定を行うためのさまざまな手法がある。高速かつ非侵襲的な特殊な検査ツールは、基板の表面上のターゲットに放射ビームが向けられ、散乱又は反射されたビームの特性が測定されるスキャトロメータである。２つの主要なタイプのスキャトロメータが知られている。分光スキャトロメータは、広帯域ラジアンビームを基板に向け、特定の狭い角度範囲に散乱された放射線のスペクトル（波長の関数としての強度）を測定する。角度分解スキャトロメータは、単色の放射ビームを使用し、角度の関数として散乱した放射の強度を測定する。
【０００５】
既知のスキャトロメータの例には、ＵＳ２００６０３３９２１Ａ１及びＵＳ２０１０２０１９６３Ａ１に記載されているタイプの角度分解スキャトロメータが含まれる。そのようなスキャトロメータによって使用されるターゲットは比較的大きく、例えば、４０ｐｍ  ｘ  ４０ｍｈｉのグレーティングであり、測定ビームはグレーティングよりも小さいスポットを生成する（つまり、グレーティングはアンダーフィルされる）。再構成による特徴形状の測定に加えて、回折に基づくオーバーレイは、公開された特許出願ＵＳ２００６０６６８５５Ａ１に記載されているような装置を使用して測定することができる。回折次数の暗視野イメージングを使用した回折ベースのオーバーレイ計測により、より小さなターゲットでのオーバーレイ測定が可能になる。暗視野画像計測の例は、国際特許出願ＷＯ２００９／０７８７０８及びＷＯ２００９／１０６２７９に見られ、これらの文章は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。この技術のさらなる発展は、特許公報ＵＳ２０１１００２７７０４Ａ、ＵＳ２０１１００４３７９１Ａ、ＵＳ２０１１１０２７５３Ａ１、ＵＳ２０１２００４４４７０Ａ、ＵＳ２０１２０１２３５８１Ａ、ＵＳ２０１３０２５８３１０Ａ、ＵＳ２０１３０２７１７４０Ａ及びＷＯ２０１３１７８４２２Ａ１に記載されている。これらのターゲットは、照明スポットよりも小さく、ウェハ上の製品構造に囲まれている場合がある。複合格子ターゲットを使用して、１つの画像で複数の格子を測定できる。これらすべての出願の内容も、参照により本明細書に組み込まれる。
【０００６】
基板へのパターンの適用又はそのようなパターンの測定などのリソグラフィプロセスを実行する際に、プロセス制御方法を使用してプロセスを監視及び制御する。そのようなプロセス制御技術は、一般に、基板全体（領域間）及び領域内（領域内）プロセスのフィンガープリントの修正を取得するために実行される。そのようなプロセス制御方法を改善することが望ましい。
【０００７】
さらに、一般的に、リソグラフィステージ又はサーボポジショニングパフォーマンスは、エラーの時間移動平均誤差（ＭＡエラー）及び時間移動標準偏差（ＭＳＤ）として表される。ここで重要な時間ウィンドウは、ダイ上の各ポイントが露光される（つまり、フォトンを受け取る）時間間隔である。この時間間隔中のダイ上のポイントの平均位置エラーが高い（つまり、ＭＡエラーが高い）場合、影響は露光された画像のシフトであり、オーバーレイエラーが発生する。この時間間隔における位置エラーの標準偏差が高い（つまり、ＭＳＤエラーが高い）場合、画像が不鮮明になり、フェージングエラーが発生することがある。ＭＳＤ及び／又はＭＡエラーを減らすことが望ましい。
【発明の概要】
【０００８】
本発明の第１の態様では、基板上で照明プロファイルをスキャンしてその上に機能領域を形成するように構成されたスキャン露光装置を制御する方法が提供され、方法は、機能領域を含む露光領域の露光中に照明プロファイルの動的制御の制御プロファイルを取得し、ａ）スキャン方向に露光領域の範囲を超えて制御プロファイルを拡張する、及び／又はｂ）制御プロファイルに折り畳み解放スキームを適用すること、により１つ又は複数の個別の機能領域の露光品質を向上させ、折り畳み解放スキームの構造は、スキャン方向における照明プロファイルの寸法に基づく。
【０００９】
本発明の第２の態様では、第１の態様のいずれかの方法を実行するように動作可能なプロセッサを含むスキャン露光装置が提供される。
【００１０】
本発明の第３の態様では、適切な装置で実行されたときに第２の態様の方法を実行するように動作可能なプログラム命令を含むコンピュータプログラムが提供される。
【００１１】
本発明の第４の態様では、基板上に照明プロファイルをスキャンして機能領域を含む露光領域を形成するように構成されたスキャン露光装置の制御プロファイルを決定する方法が提供され、方法はａ）制御プロファイルを、露光領域を超えて拡張できるようにすること、及び／又はｂ）スキャン方向の照明プロファイルの寸法を考慮に入れることにより、１つ以上の個別の機能領域の露光品質を改善すること、に基づいて照明プロファイルの動的制御のための制御プロファイルを決定するステップを含む。
【００１２】
本発明の第５の態様では、光子又は粒子のビームを基板上でスキャンして機能デバイスを形成するように構成されたスキャン装置を制御する方法が提供され、方法は、スキャン動作中にビームの動的制御のための制御プロファイルを取得し、ビームは少なくともスキャン方向におけるビームの空間的広がりに関する情報を含むビームプロファイルにより特徴付けられ、制御プロファイルに折り畳み解放スキームを適用することによってビーム制御の品質を最適化し、折り畳み解放スキームの構造は、ビームプロファイルに基づく。
【００１３】
本発明のさらなる態様、特徴及び利点、ならびに本発明の様々な実施形態の構造及び動作は、添付の図面を参照して以下で詳細に説明される。本発明は、本明細書に記載される特定の実施形態に限定されないことに留意すべきである。このような実施形態は、例示の目的でのみここに提示されている。追加の実施形態は、本明細書に含まれる教示に基づいて、当業者に明らかであろう。
【００１４】
次に、本発明の実施形態を、例として、添付の図面を参照して説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】リソグラフィ装置を、半導体デバイスの製造設備を形成する他の装置と共に示す図である。
【図２】ダイ内、レチクル内、及び領域間フィンガープリントの間の分離と、領域限界を超える拡張制御プロファイルを使用したリソグラフィプロセスの制御方法を示すフロー図である。
【図３】領域位置Ｙに対するオーバーレイメトリックｄｙのグラフであり、鋸歯状パターンの補正プロファイル、補正プロファイルに対するスリット折り畳みの影響、及び実施形態に従ってさらなるスリット折り畳み解放を実行することの影響を示す。
【図４】露光スリット内の強度プロファイルを伴う補正プロファイルの折り畳みの問題を示すフロー図である。
【図５】本発明の実施形態による、ワイナーフィルタを使用して補正プロファイルから露光スリット強度プロファイルを折り畳み解放する方法を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施形態を詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実装され得る例示的な環境を提示することは有益である。
【００１７】
図１の１００は、大量のリソグラフィ製造プロセスを実施する工業生産施設の一部としてのリソグラフィ装置ＬＡを示す。この例では、製造プロセスは、半導体ウェハなどの基板上の半導体製品（集積回路）の製造に適合されている。当業者は、このプロセスの変形において異なるタイプの基板を処理することにより、多種多様な製品を製造できることを理解するであろう。半導体製品の製造は、純粋に今日の商業的に重要な例として使用されている。
【００１８】
リソグラフィ装置（又は略して「リソツール」１００）内では、測定ステーションＭＥＡが１０２で示され、露光ステーションＥＸＰが１０４で示されている。制御ユニットＬＡＣＵは１０６で示されている。この例では、各基板が測定ステーションと露光ステーションを訪れ、パターンが適用される。光学リソグラフィ装置では、例えば、投影システムは、調整された放射及び投影システムを使用して、パターニングデバイスＭＡから基板上に製品パターンを転写するために使用される。これは、放射線に敏感なレジスト材料の層にパターンの画像を形成することによって行われる。
【００１９】
本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射線又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因の場合に適切な、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気及び静電光学システム、又はそれらの任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを包含すると広く解釈されるべきである。パターニングＭＡデバイスは、マスク又はレチクルとすることができ、パターニングデバイスによって透過又は反射される放射ビームにパターンを与える。よく知られている動作モードには、ステッピングモードとスキャンモードがある。よく知られているように、投影システムは、基板全体の多くのターゲット部分に所望のパターンを適用するために、さまざまな方法で基板及びパターニングデバイスのサポート及び位置決めシステムと協働することができる。固定パターンを有するレチクルの代わりに、プログラマブルパターニングデバイスを使用することができる。放射は、例えば、遠紫外線（ＤＵＶ）又は極端紫外線（ＥＵＶ）の波長帯の電磁放射を含み得る。本開示は、他のタイプのリソグラフィプロセス、例えばインプリントリソグラフィ及び例えば電子ビームによる直接書き込みリソグラフィにも適用可能である。
【００２０】
リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵは、様々なアクチュエータ及びセンサのすべての動き及び測定を制御して、基板Ｗ及びレチクルＭＡを受け取り、パターニング操作を実施する。ＬＡＣＵには、装置の操作に関連する望ましい計算を実装するための信号処理及びデータ処理機能も含まれる。実際には、制御ユニットＬＡＣＵは、それぞれが装置内のサブシステム又はコンポーネントのリアルタイムのデータ取得、処理及び制御を処理する多くのサブユニットのシステムとして実現される。
【００２１】
パターンが露光ステーションＥＸＰで基板に適用される前に、基板は、測定ステーションＭＥＡで処理され、その結果、様々な準備ステップを実行することができる。準備ステップは、レベルセンサーを使用して基板の表面高さをマッピングすること、及びアライメントセンサーを使用して基板上のアライメントマークの位置を測定することを含む。アライメントマークは、通常、規則的なグリッドパターンで配置される。ただし、マークの作成が不正確であるため、また処理中に基板が変形するため、マークは理想的なグリッドから外れる。したがって、装置が非常に高い精度で正しい位置に製品の特徴を印刷する場合、実際には、アライメントセンサーは、基板の位置と方向の測定に加えて、基板領域全体の多くのマークの位置を詳細に測定する必要がある。この装置は、それぞれが制御ユニットＬＡＣＵによって制御される位置決めシステムを備えた２つの基板テーブルを有する、いわゆるデュアルステージタイプのものとすることができる。１つの基板テーブル上の１つの基板が露光ステーションＥＸＰで露光されている間に、別の基板を測定ステーションＭＥＡで他の基板テーブルにロードして、様々な準備ステップを実行することができる。したがって、位置合わせマークの測定は非常に時間がかかり、２つの基板テーブルを設けると、装置のスループットを大幅に向上させることができる。位置センサＩＦが測定ステーションと露光ステーションにあるときに基板テーブルの位置を測定できない場合は、２番目の位置センサを使用して、両方のステーションで基板テーブルの位置を追跡できる。リソグラフィ装置ＬＡは、例えば、２つの基板テーブルと２つのステーション（露光ステーションと測定ステーション）とを有し、その間で基板テーブルを交換できる、いわゆるデュアルステージタイプのものであってよい。
【００２２】
生産設備内で、装置１００は、装置１００によるパターン化のために基板Ｗに感光性レジスト及び他のコーティングを塗布するためのコーティング装置１０８も含む「リソセル」又は「リソクラスタ」の一部を形成する。装置１００の出力側には、露光されたパターンを物理的なレジストパターンに現像するためのベーキング装置１１０及び現像装置１１２が設けられている。これらのすべての装置間で、基板処理システムが基板を支持し、基板をある装置から次の装置に移送する。これらの装置は、まとめてトラックと呼ばれることが多く、それ自体がリソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置を制御する監視制御システムＳＣＳによってそれ自体が制御されるトラック制御ユニットの制御下にある。したがって、スループット及び処理効率を最大化するように異なる装置を操作することができる。監視制御システムＳＣＳは、各パターン化された基板を作成するために実行されるステップの定義を非常に詳細に提供するレシピ情報Ｒを受け取る。
【００２３】
パターンがリソセルに適用されて現像されると、パターン化された基板１２０は、１２２、１２４、１２６で示されるような他の処理装置に移される。典型的な製造施設では、さまざまな装置によってさまざまな処理ステップが実行される。例として、この実施形態の装置１２２はエッチングステーションであり、装置１２４はエッチング後アニーリングステップを実行する。さらなる物理的及び／又は化学的処理ステップが、さらなる装置１２６などで適用される。実際のデバイスを作成するには、材料の堆積、表面材料特性の変更（酸化、ドーピング、イオン注入など）、化学機械研磨（ＣＭＰ）など、さまざまな種類の操作が必要になる場合がある。装置１２６は、実際には、１つ又は複数の装置で実行される一連の異なる処理ステップを表すことができる。別の例として、リソグラフィ装置によって配置された前駆体パターンに基づいて複数のより小さなフィーチャを生成するために、自己整合された複数のパターニングを実施するための装置及び処理ステップが提供されてもよい。
【００２４】
よく知られているように、半導体デバイスの製造は、適切な材料とパターンを備えたデバイス構造を基板上に層ごとに構築するために、そのような処理を何度も繰り返すことを伴う。したがって、リソクラスタに到達する基板１３０は、新たに準備された基板であってもよく、又はこれらは、このクラスター又は別の装置で完全に以前に処理された基板であってもよい。同様に、必要な処理に応じて、退出装置１２６上の基板１３２は、同じリソクラスタでの後続のパターン化操作に戻されるか、別のクラスターでのパターン化操作に送られるか、又はダイシングとパッケージングのために最終製品として送られてもよい。
【００２５】
製品構造の各層は、異なる一連のプロセスステップを必要とし、各層で使用される装置１２６は、タイプが完全に異なる場合がある。さらに、装置１２６によって適用される処理ステップが名目上同じである場合でも、大規模な施設では、異なる基板上でステップ１２６を実行するために並行して動作するいくつかの同一と思われる機械が存在する場合がある。これらのマシン間でセットアップ又は障害のわずかな違いは、それらがさまざまな方法でさまざまな基板に影響を与えることを意味する。エッチング（装置１２２）などの各層に比較的共通のステップでさえ、名目上は同一であるが並行して動作してスループットを最大化するいくつかのエッチング装置によって実装されてもよい。実際には、さらに、異なる層は、エッチングされる材料の詳細、及び例えば異方性エッチングなどの特別な要件に応じて、異なるエッチングプロセス、例えば化学エッチング、プラズマエッチングを必要とする。
【００２６】
前のプロセス及び／又は後続のプロセスは、今述べたように、他のリソグラフィ装置で実行されてもよく、異なるタイプのリソグラフィ装置で実行されてもよい。例えば、解像度やオーバーレイなどのパラメータが非常に要求されるデバイス製造プロセスの一部の層は、要求の少ない他の層よりも高度なリソグラフィツールで実行できる。したがって、一部の層は液浸タイプのリソグラフィツールで露光され、他の層は「ドライ」ツールで露光される。一部の層はＤＵＶ波長で動作するツールで露光され、他の層はＥＵＶ波長放射を使用して露光される。
【００２７】
リソグラフィ装置によって露光される基板が正確かつ一貫して露光されるためには、露光された基板を検査して、後続の層の間のオーバーレイエラー、線の太さ、クリティカルディメンション（ＣＤ）などの特性を測定することが望ましい。したがって、リソセルＬＣが配置されている製造施設は、リソセルで処理された基板Ｗの一部又はすべてを受け取る計測システムも含む。計測結果は、監視制御システムＳＣＳに直接又は間接的に提供される。エラーが検出された場合、特に同じバッチの他の基板がまだ露光されるように十分に迅速かつ迅速に計測を実行できる場合は、後続の基板の露光に調整を加えることができる。また、すでに露光された基板を剥がして再加工して歩留まりを向上させるか、廃棄して、欠陥があることがわかっている基板でのさらなる処理を回避することができる。基板の一部のターゲット部分のみに欠陥がある場合、良好なターゲット部分に対してのみさらなる露光を実行することができる。
【００２８】
図１には、製造プロセスの所望の段階で製品のパラメータの測定を行うために提供される計測装置１４０も示されている。現代のリソグラフィ製造施設の計測ステーションの一般的な例は、スキャトロメータ、例えば暗視野スキャトロメータ、角度分解スキャトロメータ、又は分光スキャトロメータであり、装置１２２でのエッチングの前に成長した基板の特性を１２０で測定するために適用できる。計測装置１４０を使用して、例えば、オーバーレイ又はクリティカルディメンション（ＣＤ）などの重要な性能パラメータが、現像されたレジストの指定された精度要件を満たさないことが決定され得る。エッチング工程の前に、現像されたレジストを剥がし、リソクラスタを通して基板１２０を再処理する機会が存在する。装置１４０からの計測結果１４２は、監視制御システムＳＣＳ及び／又は制御ユニットＬＡＣＵ１０６が経時的に微調整を行うことにより、リソクラスタ内のパターン形成操作の正確な性能を維持するために使用でき、製品が使用外に製造されるリスク、及び再作業の必要性を最少にする。
【００２９】
さらに、計測装置１４０及び／又は他の計測装置（図示せず）を適用して、処理された基板１３２、１３４、及び入ってくる基板１３０の特性を測定することができる。計測装置は、処理された基板上で使用して、オーバーレイやＣＤなどの重要なパラメータを決定できる。
【００３０】
実際のイメージング中又はその前に、処理パラメータには摂動があり、仕様外（例えば、プロセスウィンドウ、つまり仕様内でパターンが生成される処理パラメータのスペースの外側）に逸脱する可能性があり、欠陥につながる可能性がある。例えば、露光される基板のトポグラフィ、基板ステージのドリフト、投影光学系の変形などにより、焦点が変化する場合がある。線量は、線源強度、滞留時間などのドリフトにより変化する可能性がある。摂動される処理パラメータを識別し、その処理パラメータを修正するために、さまざまな技法を使用することができる。例えば、焦点が乱れている場合、例えば、基板の残りの部分からわずかに隆起している基板の領域が露光されているため、摂動を補償するために基板ステージを移動又は傾斜させることができる。
【００３１】
リソグラフィプロセスの制御は、通常、フィードバック又はフィードフォワードされた測定に基づいており、例えば領域間（基板間フィンガープリント）又は領域内（ホールド間フィンガープリント）モデルを使用してモデル化される。したがって、モデリングは通常、例えば典型的な領域が６個又は８個のダイを含む可能性がある、保持されたフィンガープリントコントロールよりも優れた解像度に制限されない。現在、サブダイレベル（ダイ内モデル）でのプロセス制御は通常行われない。ダイ内には、メモリ領域、ロジック領域、コンタクト領域などの個別の機能領域がある場合がある。機能領域ごと、又は機能領域タイプごとに、プロセスウィンドウの中央が異なるプロセスウィンドウがある場合がある。例えば、機能領域のタイプが異なると高さが異なるため、ベストフォーカス設定も異なる。また、機能エリアのタイプが異なれば、構造の複雑さが異なるため、各ベストフォーカスのフォーカス許容差（フォーカスプロセスウィンドウ）が異なる場合がある。ただし、これらの異なる機能領域のそれぞれは、制御グリッドの解像度の制限により、通常、同じ焦点（又は線量や位置など）設定を使用して形成される。
【００３２】
リソグラフィ装置の制御は、関連するパラメータの補正プロファイル（例えば、制御プロファイル）をモデル化することによって（又は複数のパラメータに対して共同最適化して）達成することができる。各パラメータのモデル化された修正プロファイルは、リソグラフィ装置に供給され、リソグラフィ装置は、所望の修正プロファイルを作動させて、リソグラフィプロセス（露光）を制御する。制御は、（例えば、露光前にリソグラフィ装置内で測定されたデータからの）フィードフォワードモデルに基づくことができる。スキャナ自体には、スキャナによる露光中に作動する必要がある自己補正機能がある。これらの自己補正は、例えば、レチクル加熱やウェハ加熱などのフィードフォワードモデル、ウェーハテーブル形状などの機械のキャリブレーション、レイアウト依存の補正で構成される。
【００３３】
フォーカス制御は、メインフィードフォワード制御ループの例であり、表面トポグラフィを補正するその基板上の露光の補正を決定するために使用される、各基板について収集された大量のレベリングデータに基づく。その他の補正は、フィードバック制御ループに基づく。フォーカスコントロールは、前述のメインフィードフォワードコントロールに加えて、露光した構造からのフォーカスの測定に基づいたフィードバック要素も持つことがある。オーバーレイ制御は通常、処理された基板からのオーバーレイの測定に基づく、フィードバックループに基づく。線量制御には、平均線量以外のフィードフォワード制御がなく、領域ごと（例えば、スキャン方向とスリット方向で別々に）に決定される補正プロファイルを介した、ポスト露光（例えば、エッチング後）測定からのフィードバックループで制御される。
【００３４】
これらすべての補正ソースはリソグラフィ装置に入力され、露光ごとのすべての補正を組み合わせてそれらを作動させ、オーバーレイ、フォーカス、ドーズ、及びイメージングのパフォーマンスを最適化する。例えば焦点／線量及び／又はオーバーレイの制御のために、リソグラフィプロセスが補正プロファイルを作動させるための多くの方法がある。本質的にフィルタとして動作するアルゴリズムは、補正をステージとレンズ／ミラーのセットポイントに変換する。セットポイントは、時間依存の軌跡として定義される。例えば、露光中にレチクルステージやウェハステージの互いに対する位置決めや傾斜を定義する。それに応じて移動することにより、アクチュエータは、基板上へのレチクルの像の焦点合わせと位置決めを動的に制御する。そのような方法及び他の方法は、当業者には容易に明らかであり、これ以上説明しない。
【００３５】
領域全体の制御性は一定ではなく、制御性の制約は異なる場合がある。例えば、スキャン方向に沿って、制御の空間スケールに制限（空間周波数制限）がある場合がある。これにより、領域内のさまざまなダイ間で（スキャン方向に沿った）品質に望ましくない変動が生じる。
【００３６】
これに対処するために、領域の露光について、通常の（関連する）領域寸法を超えて、露光補正プロファイル（例えば、フォーカス／ドーズ又は他のアクチュエータへの入力用）を拡張することが提案されている。そのため、通常のプロファイルの開始及び／又は終了を超えて追加の設定値を定義するために、領域外の領域を含むように修正プロファイルをモデル化できる。より具体的には、各領域の補正プロファイルは、スキャン方向の領域の直前及び直後の制御点（設定点）を含むように拡張されてもよい。これは、領域のすぐ外側（拡張エリアなど）からの関連データを使用することで実現できる。しかしながら、領域内のダイレイアウト情報に基づいて、領域エリア外の追加の設定値を決定することが好ましい場合がある。一実施形態では、この補正プロファイル拡張は、領域外の１つ又は複数の（平均）ダイプロファイルを追加することを含むことができ、したがって、領域内の（平均）ダイプロファイルの知識に基づくことができる。生成された補正プロファイルにより、補正品質のダイ内変動が減少する（例えば、対象のダイはすべて効果的に中央ダイになる）。
【００３７】
一実施形態では、方法は、測定された領域内フィンガープリントを、ダイ内と「基礎となる領域内フィンガープリント」に分解することを含むことができる。これは、ダイごとの繰り返しのダイ内コンポーネントが無い、領域内のフィンガープリントである。次に、ダイ内のフィンガープリントは、拡張された補正プロファイルの追加されたダイを含むすべてのダイに対して等しく補正されることが提案されている。必要に応じて、スケーリング係数フィンガープリントをダイ内フィンガープリントに、場合によりレチクル内のフィンガープリントに適用できる（又は、場合により、既知の基礎となる物理学、実験データ、又はデータ分析に応じて適用できない）。
【００３８】
図２は、この実施形態を示している。入力は、生の（例えば、測定された）データ２００である。これは、決定される補正プロファイルに関連する、レベリングデータ、オーバーレイデータ、フォーカスデータ、アライメントデータ、寸法データ（クリティカルディメンションＣＤなど）などの基板全体のデータを含む。生データは、処理される基板からのフィードフォワードデータ（例えば、レベリングデータ又はアライメントデータ）、又は１つ以上の以前に処理された基板に関するフィードバックデータ（例えば、オーバーレイデータ、フォーカスデータ、又はＣＤデータ）を含み得る。第１のレベルでは、生データ２００は、領域内フィンガープリント２１０と領域間フィンガープリント２２０に分解され、領域内フィンガープリント２１０は、領域ごとに繰り返される傾向がある生データのコンポーネントである。参考のため、露光スリット２２５とスキャン方向ＳＤを示している。第２のレベルでは、領域内フィンガープリント２１０はさらに、ダイ内フィンガープリント２３０及び基礎となる領域内フィンガープリント２４０に分解される。ダイ内フィンガープリント２３０は、ダイごとに繰り返される傾向がある領域内フィンガープリント２４０のコンポーネントである。このステップは、ダイ内フィンガープリント２３０を決定し、それを領域内フィンガープリント２１０から差し引いて、基礎となる領域内フィンガープリント２４０を明らかにすることを含むことができる。
【００３９】
最後のステップで、複数のダイを含む領域の露光の補正プロファイルを拡張して、領域より大きい領域を補正する。補正プロファイルは、領域間フィンガープリント２２０、ダイ内フィンガープリント２３０、及び基礎となる領域内フィンガープリント２４０のうちの１つ又は複数に関連する（例えば、それを修正する）ことができる。したがって、補正プロファイルは、拡張された領域全体でこれらのフィンガープリントのそれぞれを同時に（可能な限り）同時に補正する、同時最適化された補正プロファイルを含むことができる。より具体的には、ダイ内フィンガープリント２３０を補正するための補正プロファイルは、スキャン方向ＳＤにおいて領域内ダイ２６０（例えば、領域領域内のダイ）の前後に、追加のダイ２５０（点線の境界及びシェーディングなし）にわたって拡張され得る。追加のダイ２５０に起因するダイ内フィンガープリントは、（ダイ内フィンガープリントはすべてのダイについて同じであると想定されるため）領域ダイ２６０に対して決定されたものと同じであると想定される。基礎となる領域内フィンガープリント２４０を補正するための補正プロファイルは、領域エリア２６０’を超えて（例えば、基礎となる領域内フィンガープリント２４０データの外挿を介して）、追加のダイ２５０に関連する追加の領域２５０’の補正を含むよう拡張される。領域間フィンガープリント２２０を補正する補正プロファイルは、例えば、この領域２５０’に関連する領域間フィンガープリント２２０データに補正プロファイルを適合させることにより、この追加の領域２５０’に対する補正を含むように同様に拡張される。
【００４０】
一実施形態では、データが反復ダイ内フィンガープリント２３０を示すという事実を使用することにより、制御目的でデータのモデリングを強化することも提案される。この知識は、モデルに制約を効果的に課すために使用でき、同様の傾向を示すソリューションに重みを付けする。したがって、そのような制約を使用して、スキャン方向及びスリット方向のいずれか又は両方におけるダイ内フィンガープリント及び／又はダイ間フィンガープリントのモデリングを改善することができる。特に、このダイ内フィンガープリントは、スリット方向における領域内フィンガープリント推定を改善するために使用されてもよい。これは、スリット全体の線量制御に特に役立つ。
【００４１】
このようなリソグラフプロセスの修正及び制御に関するさらなる問題は、「退色」又はコントラストの欠如の問題である。フェージングは、スリットの有限サイズとその中の光強度プロファイルが結像性能に及ぼす影響である。水平面（すなわち、オーバーレイに関連する）及び／又は垂直面（すなわち、焦点に関連する）におけるステージの作動のために、現在の制御アルゴリズムは、決定された修正を作動設定点に変換し、例えば、通常、入力補正のＲＭＳ（二乗平均）残差を最小化する。他の最適化戦略には、機能デバイスの数を最大化することが含まれる場合がある（仕様内ダイ）。フェージングの影響は、最適化中には考慮されない。これは、露光した画像のオーバーレイとイメージングに影響を与える可能性がある。
【００４２】
ステージの同期は、各イメージポイントが照明スリット幅を移動する時間ウィンドウにわたって、レチクルステージに対する基板ステージの相対位置の移動標準偏差（ＭＳＤ）と移動平均（ＭＡ）によって特徴付けられ。フェージングは、決定された高周波補正（制御プロファイル）と有限スリット内の光強度とのたたみ込みによって引き起こされ、ＭＡ及びＭＳＤに悪影響を及ぼす。例えば、水平ステージ作動の一般的な現在の戦略は、入力フィンガープリントのＲＭＳ残差を最小化するフィッティングアルゴリズムによってウェハステージの軌道を定義することである。この背後にある仮定は、スリットが非常に小さいということである。その結果、フェージングは考慮されず、レジストのパフォーマンスはステージの軌跡の残差（つまり、適合残差）を直接変換したものである。この仮定は、高周波の軌跡が存在する場合に破綻し始め、その結果生じるフェージング効果により、ＭＳＤを通じてイメージングペナルティが発生する。さらに、オーバーレイ又はフォーカスへの期待、つまりＭＡ評価は、単純なフィッティング残差に関して大幅な悪化を示す。
【００４３】
したがって、スキャナを介してフィンガープリントを操作するときに、バランスのとれた最適なＭＡ−ＭＳＤパフォーマンスの戦略を定義することにより、この問題に対処することが提案される。この提案は、補正プロファイルを決定するときに、既知の有限スリット幅（スキャン方向のスリット寸法）を考慮することを含む。これは、適切なスキームを使用して、スリット幅の影響（例えば、スリット内の強度プロファイル）を補正プロファイルから折り畳みを解き、露光中に改善された性能を提供する折り畳み解放補正プロファイルを決定することを含み得る。より具体的な実施形態では、この方法は、補正プロファイルを決定し、スキャナアクチュエータの軌跡を定義するときに、ウィナーフィルタベースのアルゴリズムを使用して、フェージングの問題に対処することを含み得る。提案された手法は、ＭＡパフォーマンス、オーバーレイパフォーマンス、フォーカスパフォーマンス、ＭＳＤパフォーマンス、したがってイメージングパフォーマンスを最適化する。提案された手法は、特定のアプリケーションのＭＡとＭＳＤのバランスの点で柔軟にすることもできる。
【００４４】
（例えば、３ＤＮＡＮＤ製造プロセスにおいて）遭遇する可能性がある高周波ダイ内フィンガープリントの１つの例は、ダイごとのスキャン方向の拡大によって引き起こされるものである。このフィンガープリントは本質的に、スキャン方向に沿って鋸歯状の形状を形成し、特に理想的ではない補正の有無にかかわらず、鋸歯オーバーレイパターンをもたらす可能性がある。図３はこの問題を示す。それは、スキャン方向Ｙに対するｄｙ（すなわち、オーバーレイ）のプロットを含む。各ドット３００は、（例えば、測定された）データポイントを表す。適合された実線３１０は、作動されるべき補正プロファイルであり、これは、データ点（例えば、ＲＭＳ最小化ステージ軌道）に適合されたダイ内フィンガープリントに対応する。フィンガープリントに見られる鋸歯のパターンは明らかである。点線３２０は、現在の方法を使用して実際に達成されるであろう予測ＭＡ結果であり、これは、スリット強度プロファイルを伴う補正プロファイル３１０の折り畳みを表す。
【００４５】
図４は、フェージングをスリット内の強度プロファイルとの折り畳みに関連付けて、問題を数学的に再構成している。この問題は、必要な補正で注入されたノイズに対しても一般化される。その理由を以下に述べる。図４は、現在の折り畳みノイズ補正プロファイルｙが、入力補正プロファイル又はスリット強度プロファイルｈで折り畳まれた設定点５を含み、ノイズｎの注入を受けるノイズのない折り畳み補正プロファイルｒを得ることを示す。（ノイズの多い）たたみ込み補正プロファイルｙとスリット強度プロファイルｈ（つまり、図の太字で表されている用語）のみが既知である。目的は、所与のスリット密度プロファイルｈ及び折り畳みノイズ補正プロファイルｙについて、補正された（又は「デスリットされた（ｄｅｓｌｉｔｔｉｎｇ）」）補正プロファイル、又はセットポイントｓ（キャレット付きｓ）及び入力補正プロファイルｓの間の差を最小にする（測定された誤差又はＲＭＳ誤差を最小にする）「デスリット」又は折り畳み解放プロファイルｇを決定するためにスリットプロファイル４１０の折り畳みを解くことである。（この場合のように）折り畳みノイズの多い補正プロファイルｙが利用可能な補正である場合、問題は、作動した場合にスリットの折り畳みエラーを最小化するはずの補正プロファイルｓを推定することにある。ノイズが存在する場合、変数はランダム変数であるため、折り畳み解放プロファイルｇの期待値は次のようになる：
【数１】
2021517277.tif 000003
【００４６】
一実施形態では、この問題を解決するためにワイナーフィルタを使用することが提案されている。ワイナーフィルタは、観測されたノイズの多いプロセスから目的の信号を抽出するために信号処理で使用される手法である。ワイナーフィルタは、例えば、既知のローパスフィルタによってぼやけた画像を復元するために使用できる。ワイナーフィルタ処理は、逆フィルタ処理とノイズ平滑化の間の最適なトレードオフを実行する。
【００４７】
図５は、ワイナーフィルターソリューションを示す。これにより、図４に示す各変数のフーリエ変換又はＦＦＴを実行することにより、周波数領域の問題が解決される（図５の大文字の変数は、図４の変数と同等の変換された変数を表す）。これにより、折り畳みが乗算になるため、ソリューションが簡素化され、問題は次のようになる：
【数２】
2021517277.tif 000004
これは、次のように解決される。
【数３】
2021517277.tif 000005
ここで、ＳＰＳＤ（ｆ）は元の補正プロファイル５の平均パワースペクトル密度、ＮＰＳＤ（／）はノイズｎの平均パワースペクトル密度、上付き文字＊は複素共役を示す。
【００４８】
さらなる実施形態では、ノイズＮｐｓｏ（ｆ）項を使用して、ＭＡとＭＳＤとの間の最適化を調整することができる。一実施形態では、ノイズ項ＮＰＳＤは、すべての周波数ｆにわたって単一の値（ホワイトノイズ）を取ると仮定することができる。ノイズ項ＮＰＳＤの値が小さいほどＭＡが向上し、ＭＳＤが低下し、値が大きいほど、逆になる。
【００４９】
信号のＰＳＤを考慮することで、いくつかのノイズレベルを調べることができる。ここで検討されている鋸歯状パターンの場合、ノイズレベルが１０−１９桁、より具体的には（例えば）７ｘ１０−１９のノイズレベルが最高のＭＡパフォーマンスに最適であることがわかっている。そして、最高で１０−１７桁、より具体的には（例えば）４ｘ１０−１９のノイズレベルが、最良のＭＳＤ性能のために最適であり得る。これらの値は、鋸歯形状のさまざまな振幅、及び鋸歯形状ではなくＳ形状の繰り返しを含むフィンガープリントに対して考慮され、最高のＭＡ／ＭＳＤを提供する上で安定していることが証明されている。
【００５０】
そのため、ワイナーフィルタを使用して、図４に示す問題を解決し、スキャナのアクチュエータに折り畳みが解かれた、補正された（ずれた）設定値ｓを提供できる。図３に戻って参照すると、これにより、図５に記載された方法を使用して決定された折り畳み及び折り畳み解放補正プロファイル（灰色の線）３３０が、作動される元の補正プロファイル３１０と非常によく一致する。これは特に、ノイズ項がＭＡに対して最適化されている（例えば、最適なフォーカス／オーバーレイのために最適化されている）場合に当てはまる。アプリケーションによっては、代わりにノイズ項をＭＳＤ用に最適化して、コントラストとプロセスの許容範囲を改善することもできる。
【００５１】
この実施形態は、３Ｄ−ＮＡＮＤプロセスにおけるダイ内応力によって引き起こされるオーバーレイに関して具体的に説明されているが、スキャン方向における他の高次（例えば、オーバーレイ又はフォーカス）フィンガープリントを補正するためにも使用できる。
【００５２】
両方の主要な概念（領域外の補正プロファイルの拡張と、補正プロファイルの折り畳みの解放又は分割）を組み合わせることができることに注意すべきである。実際、折り畳み解放スキームは典型的に、補正プロファイルの境界点のより合理的な結果を生成するために露光領域の外側のいくつかの設定値の条件で改善するので、折り畳み解放の実施形態を制御信号の（例えば、小さな）拡張と組み合わせることに著しい利点がある。
【００５３】
さらに、ワイナーフィルタに基づく折り畳み解放スキームは、本明細書に記載されるリソグラフィツールよりもはるかに広範な用途を有することを理解されたい。そのような概念は、光子又は粒子（例えば、電子）のビームを使用して所望の画像を基板上に（例えば、レジスト内に／又はマスクなどを生成するために）印刷する任意のイメージングツールに拡張することができる。
【００５４】
特に、基板に対する光子又は粒子のビームの位置決めの制御プロファイルを改善するための折り畳み解放スキームの使用を採用することができる。有限長の照明プロファイルを有するスキャン露光装置と同様に、光子又は粒子のビームも、基板に適用する必要がある機能デバイスのサイズと比較した場合、比較的大きくなる可能性がある寸法を有する。この例における基板は、フォトレジストでコーティングされたレチクルブランクであり得る。この例のビームは、電子ビームの書き込みツールを使用して通常レチクル（パターン化デバイス）がパターン化されるため、多くの場合、電子ビームとなる。ビーム位置の制御（通常、基板の平面内の座標に関して、基板上のレイヤー間のオーバーレイエラーが重要）に加えて、ビームフォーカス、ビーム強度（線量）、及びビーム拡張（発散）の制御及びビームプロファイル）は、機能デバイスの品質を最適化するために追求され得る。ビーム制御の品質は、パターニングデバイス又は別の基板（ウェハ）上に適切に製造された機能デバイスを保証するための重要な特性であり得る。
【００５５】
一実施形態では、基板上で光子又は粒子のビームをスキャンして機能デバイスを形成するように構成されたスキャン露光装置を制御する方法が開示され、方法は、スキャン動作中にビームの動的制御の制御プロファイルを決定するステップを含み、ビームは、少なくともスキャン方向におけるビームの空間的広がりの情報を含むビームプロファイルによって特徴付けられ、制御プロファイルに折り畳み解放スキームを適用することによってビーム制御の品質を最適化し、折り畳み解放スキームの構造は、ビームプロファイルに基づいている。
【００５６】
別の実施形態では、制御プロファイルは、露光量（ビームエネルギー又は強度）、ビームの焦点、基板の平面内のビームの位置（オーバーレイ）の１つ又は複数を制御するためのものである。
【００５７】
別の実施形態では、制御プロファイルは、ビームプロファイルと折り畳みされる折り畳み制御プロファイルを含み、折り畳み解放スキームは、折り畳みから生じるエラーを最小化するために、折り畳み制御プロファイルを解放する。
【００５８】
別の実施形態では、折り畳み解放スキームは、ノイズの存在下で、折り畳み制御プロファイル及びビームプロファイルを折り畳み解放するウィナー折り畳み解放フィルタを決定することを含む。
【００５９】
別の実施形態では、ウィナーフィルタのノイズ項の値は、ビーム制御の特定の側面を最適化するように選択される。
【００６０】
別の実施形態では、ノイズ項の値の選択は、移動平均の最適化と移動標準偏差の最適化の間のバランスを調整し、基板に対するビームの位置決め性能を記述することを含む。
【００６１】
さらなる実施形態では、制御領域は、露光領域の長さを超える制御プロファイルの拡張が許可されることを考慮に入れてコンピュータシステムによって決定され、及び／又は制御プロファイルは、スキャン方向における照明プロファイルの寸法を考慮して決定される。したがって、拡張及び／又は折り畳み解放スキャンにより、既存の制御プロフィールを改善することは必須ではなく、拡張及び／又は照射プロファイルの有限次元を考慮することは、露光領域内の１つ又はそれ以上の機能領域に本来的に高品質の露光を提供する制御プロファイルを生成するのに使用できる。
【００６２】
一実施形態では、照射プロファイルの動的制御のための制御プロファイルは、ａ）制御プロファイルが露光領域を超えて拡張することを可能にし、及び／又はｂ）スキャン方向の照射プロファイルの寸法をとることによって、１つ又は複数の個々の機能領域の露光品質を改善することに基づく。
【００６３】
別の実施形態では、制御プロファイルは、スキャン露光装置を作動させる１つ又は複数のアクチュエータの経時的な設定点を定義する。
【００６４】
別の実施形態では、制御プロファイルが露光領域を超えて延びることを可能にすることは、露光領域の露光に対応する露光期間の前及び／又は後の時間に対するアクチュエータの設定点を決定することを含む。
【００６５】
別の実施形態では、制御プロファイルは、機能領域の寸法に依存する量だけ露光領域を超えて延びることができる。
【００６６】
別の実施形態では、各機能領域は、領域にわたって繰り返され、露光された基板上の個々のダイに対応するパターンを含み、制御プロファイルは、露光時間に先行し、拡張スキャンイン領域に対応する少なくとも１つのスキャンイン拡張プロファイル、露光期間に続き、拡張スキャンアウト領域に対応する少なくとも１つのスキャンアウト拡張プロファイルによって拡張することができる。
【００６７】
別の実施形態では、制御プロファイルは、被曝線量、焦点、オーバーレイ及びレベリングの１つ又は複数を制御するためのものである。
【００６８】
別の実施形態では、照明プロファイルの寸法を考慮に入れることは、制御プロファイルを露光スリットによって定義された前記照明プロファイルで折り畳み、折り畳みから生じる誤差を最小限にするために折り畳み解放スキームを使用して制御プロファイルを折り畳み解放することを含む。
【００６９】
別の実施形態では、折り畳み解放スキームは、ノイズの存在下で、折り畳み制御プロファイルと照明プロファイルを折り畳み解放するウィナー折り畳み解放フィルタを決定することを含む。
【００７０】
別の実施形態では、ウィナーフィルタでノイズ項の値を選択することを使用して、制御プロファイルを改善する。
【００７１】
別の実施形態では、スキャン露光装置の制御レシピは、制御プロファイルに基づいて生成される。
【００７２】
本発明のさらなる実施形態は、以下の番号付けされた条項のリストに開示される：
１．  基板上で照明プロファイルをスキャンしてその上に機能領域を形成するように構成されたスキャン露光装置を制御する方法であって、
スキャン露光動作において、機能領域を含む露光領域の露光中に照明プロファイルを動的に制御するための制御プロファイルを決定し、
個々の機能領域の露光の質を最適化することを含み、最適化は、
ａ）スキャン方向の露光領域の範囲を超えて制御プロファイルを拡張し、及び／又は
ｂ）制御プロファイルに折り畳み解放スキームを適用し、折り畳み解放スキームの構造は、走査方向における照明プロファイルの寸法に基づく、方法。
２．  制御プロファイルは、スキャン露光動作を作動させる１つ又は複数のアクチュエータの経時的な設定点を定義し、制御プロファイルを拡張するステップは、アクチュエータの前後の露光領域の露光に対応する露光時間のアクチュエータの設定点を決定することを含む、条項１に記載の方法。
３．  制御プロファイルは、機能領域の寸法に依存する拡張プロファイルを追加することによって拡張される、条項１又は２に記載の方法。
４．  各機能領域が、領域上で繰り返され、露光した基板上の個々のダイに対応するパターンを含み、制御プロファイルが、露光期間の前にあり、拡張スキャンイン領域に対応する少なくとも１つのスキャンイン拡張プロファイル、及び露光期間に続き、拡張スキャンアウト領域に対応する少なくとも１つのスキャンアウト拡張プロファイルを追加することによって拡張される、条項３に記載の方法。
５．  各機能領域に関する平均補正プロファイルを決定し、スキャンイン拡張プロファイル及びスキャンアウト拡張プロファイルを前記平均補正プロファイルとして定義するステップを含む、条項４に記載の方法。
６．  平均補正プロファイルは、制御プロファイルのダイ内成分に基づいて決定される、条項５に記載の方法。
７．  制御プロファイルをダイ内コンポーネント、基礎となる領域内コンポーネント及び領域間コンポーネントに分解することを含む、条項６に記載の方法。
８．  拡張されたスキャンイン領域及び拡張されたスキャンアウト領域の上にダイ内構成要素の繰り返しを付加することによって制御信号のダイ内構成要素を拡張することを含む、条項７に記載の方法。
９．  拡張スキャンイン領域及び拡張スキャンアウト領域にわたって推定することにより、制御信号の基礎となる領域内成分を拡張し、及び／又は拡張スキャンイン領域及び拡張スキャンアウト領域に関連する領域間成分データをフィッティングすることにより、領域間成分を拡張することをさらに含む、条項７又は８に記載の方法。
１０．  モデリングステップにおいてダイ内部品からの制約を決定し、スキャン方向及びスリット方向の一方又は両方におけるスキャン露光動作の制御をモデル化し、制御プロファイルを決定する、条項６乃至９のいずれか１つに記載の方法。
１１．  制御プロファイルが、露光量、焦点、オーバーレイ及びレベリングのうちの１つ又は複数を制御するためのものである、前述のいずれかの条項に記載の方法。
１２．  制御プロファイルが、露光スリットによって定義される照明プロファイルと折り畳まれた折り畳み制御プロファイルを含み、折り畳み解放スキームが、折り畳みから生じるエラーを最小化するために、折り畳み制御プロファイルを折り畳み解放する、上述のいずれかの条項に記載の方法。
１３．  折り畳み解放スキームは、ノイズの存在下で、折り畳まれた制御プロファイル及び照明プロファイルを折り畳み解放するウィナー折り畳み解放フィルタを決定することを含む、条項１２に記載の方法。
１４．  制御の特定の態様を最適化するために、ウィナーフィルタのノイズ項の値を選択することを含む、条項１３に記載の方法。
１５．  ノイズ項の値を選択することは、基板を保持するための基板ステージとパターニングデバイスを保持するためのレチクルステージの相対位置に関連する位置決め性能を記述する、移動平均の最適化又は移動標準偏差の最適化の間のバランスを調整することを含む、条項１４に記載の方法。
１６．  制御プロファイルに従って１つ以上の後続の露光動作を実行することを含む、上述の何れかの条項に記載の方法。
１７．  条項１から１６のいずれかの方法を実行するように動作可能なプロセッサを含むスキャン露光装置。
１８．  露光照明を提供するための照明源と、
前記露光照明をパターニングするパターニングデバイスを保持するためのレチクルステージと、
基板を保持する基板ステージとを更に含む条項１７に記載の露光装置。
１９．適切な装置で実行されたときに第１項から第１６項のいずれかの方法を実行するように動作可能なプログラム命令を含むコンピュータプログラム。
２０．  条項１９のコンピュータプログラムを含む非一時的なコンピュータープログラムキャリア。
２１．  光子又は粒子のビームを基板全体にわたってスキャンして機能デバイスをその上に形成するように構成されたスキャン露光装置を制御する方法であって、
スキャン動作中にビームの動的制御のための制御プロファイルを取得し、
前記ビームは、少なくともスキャン方向におけるビームの空間的広がりの情報を含むビームプロファイルを含み、
制御プロファイルに折り畳み解放スキームを適用することによりビーム制御の品質を最適化し、折り畳み解放スキームの構造はビームプロファイルに基づく、方法。
２２．  制御プロファイルが、露光量、焦点、オーバーレイ及びレベリングのうちの１つ又は複数を制御するためのものである、条項２１に記載の方法。
２２．  制御プロファイルは、ビームプロファイルと折り畳まれた折り畳み制御プロファイルを含み、折り畳み解放スキームは、折り畳みから生じるエラーを最小化するために、折り畳み制御プロファイルを解放する、条項２１又は２２に記載の方法。
２３．  折り畳み解放スキームは、ノイズの存在下で、折り畳まれた制御プロファイル及びビームプロファイルを折り畳み解放するウィナー折り畳み解放フィルタを決定することを含む、条項２２に記載の方法。
２４．  ビーム制御の特定の態様を最適化するために、ウィナーフィルタにおけるノイズ項の値を選択することを含む、条項２３に記載の方法。
２５．  ノイズ項の値を選択するステップが、移動平均の最適化又は移動標準偏差の最適化の間のバランスを調整することを含み、基板及びビームを保持するための基板ステージの相対位置に関連する位置決め性能を記述する、条項２４に記載の方法。
２６．  制御プロファイルに従って１つ又は複数の後続のスキャン動作を実行することをさらに含む、条項２１乃至条項２５のいずれか１項に記載の方法。
２７．  条項２１乃至２６のいずれか１項の方法を実行するように動作可能なプロセッサを備える露光装置。
２８．  光子又は粒子を提供するための源と、
基板を保持するための基板ステージとを含む条項２７に記載の露光装置。
２９．  適切な装置で実行されたときに条項２１乃至条項２６のいずれか１項の方法を実行するように動作可能なプログラム命令を含むコンピュータプログラム。
３０．  条項２９のコンピュータプログラムを含む非一時的なコンピュータープログラムキャリア。
３１．  基板上で照明プロファイルをスキャンしてその上に機能領域を形成するように構成されたスキャン露光装置を制御する方法であって、
機能領域を含む露光領域の露光中に照明プロファイルを動的に制御するための制御プロファイルを取得し、
ａ）制御プロファイルをスキャン方向の露光領域の範囲を超えて拡張し、及び／又は
ｂ）折り畳み解放スキームの構造が、スキャン方向における照明プロファイルの寸法に基づく折り畳み解放スキームを制御プロファイルに適用すること
により、制御プロファイルを変更して、１つ以上の個々の機能領域の露光品質を補正する、方法。
３２．  基板上で照明プロファイルをスキャンして機能領域を含む露光領域を形成するように構成されたスキャン露光装置の制御プロファイルを決定する方法であって、方法は、
ａ）制御プロファイルを露光領域を超えて拡張できるようにすること、及び／又は
ｂ）スキャン方向の照明プロファイルの寸法を考慮に入れることにより、
１つ又はそれ以上の個々の機能領域の露光品質を向上させることにより照明プロファイルの動的制御のための制御プロファイルを決定するステップを含む、方法。
３３．  制御プロファイルが、スキャン露光装置を作動させる１つ又は複数のアクチュエータの経時的な設定点を定義する、条項３２に記載の方法。
３４．  制御プロファイルが露光領域を超えて拡張することを可能にすることは、露光領域の露光に対応する露光期間の前及び／又は後に、アクチュエータの設定値を決定することを含む、条項３３に記載の方法。
３５．  前記制御プロファイルが、機能領域の寸法に依存する量だけ露光領域を超えて延びることが許可される、請求項３４に記載の方法。
３６．  各機能領域が、領域上で繰り返され、露光した基板上の個々のダイに対応するパターンを含み、前記制御プロファイルが、少なくとも１つのスキャンイン拡張プロファイルによって拡張できる、条項３５に記載の方法。は、露光期間の前にあり、拡張スキャンイン領域に対応し、露光期間に続き、拡張スキャンアウト領域に対応する少なくとも１つのスキャンアウト拡張プロファイル。
３７．  前記制御プロファイルが、被曝線量、焦点、オーバーレイ及びレベリングのうちの１つ又は複数を制御するためのものである、条項３２に記載の方法。
３８．  照明プロファイルの寸法を考慮に入れる前記ステップが、制御プロファイルを、露光スリットによって定義される前記照明プロファイルで折り畳み、折り畳みから生じるエラーを最小化するために逆折り畳みスキームを使用して制御プロファイルを逆折り畳みすることを含む、条項３２に記載の方法。
３９．  前記折り畳み解放スキームは、ノイズの存在下で、折り畳まれた制御プロファイル及び照明プロファイルを折り畳み解放するウィナー折り畳み解放フィルタを決定することを含む、条項３８に記載の方法。
４０．  制御プロファイルを改善するために、前記ウィナーフィルタのノイズ項の値を選択することを含む、第３９項に記載の方法。
４１．  制御プロファイルに基づいてスキャン露光装置のための制御レシピを生成することをさらに含む、条項１〜２６又は条項３１〜４０のいずれか１つに記載の方法。
【００７３】
リソグラフィ装置の制御アルゴリズムのクラスは、いわゆるダイイン仕様（ＤＩＳ）制御である。この方法は、基板上に製造される機能デバイスの最大数を取得することを目的とした制御戦略を利用する。通常、これは、パフォーマンスパラメータの最大絶対値がクリティカル閾値を超える機会の数を制限しようとする非線形最適化方法を利用して達成される（「最大絶対最適化」とも呼ばれる）。
【００７４】
典型的なＤｉｅｓ  Ｉｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ（ＤＩＳ）（ｍａｘ  ａｂｓ最適化ベース）制御アルゴリズムに対する一般的な異論は、基板全体にまばらに分布している測定データ（スパースサンプリング）に依存するときの外れ値に対する感度と信頼性の低下のため、堅牢ではないことである。外れ値を処理する一般的な方法は、測定データの推定モデル（及びその後のスキャナ設定値プロファイルを作成するための最適化モデル）を使用することである。推定モデルは外れ値をフィルタリングすることになっており、通常、データコンテンツを予期される種類の形状（モデル）に制限する。
【００７５】
現行のスキャン露光装置は、レチクル上のダイの露光中に補正デバイスの動的制御を可能にする。したがって、（関与するアクチュエータ及びスキャン方向の照明プロファイルの寸法に応じて）特定の解像度で、補正デバイスの制御プロファイルをスキャン方向に沿って動的に適合させることができる。これにより、パターニングデバイス（レチクル）上のダイのスキャン露光中にスリット方向に定義された補正プロファイルを動的に最適化できる。
【００７６】
ここで提案する制御戦略は、静的ＤＩＳベースのフォーカス又はオーバーレイ制御（例えば、レベリング）アルゴリズムを変更する。静的ＤＩＳ制御方法は、ダイ領域に関連する測定値を考慮し、ダイのスキャン露光中に一定であり、ダイが機能する（例えば、機能デバイスを生成する）可能性を最大にする制御プロファイルを計算する。
【００７７】
ただし、ＤＩＳ制御戦略を実行する場合は、制御プロファイルの動的調整が考慮されないため、この静的戦略は最適ではない。したがって、新しい制御戦略は、（静的）２Ｄ最適化を２つのＩＤ最適化（スリット方向とスキャン方向に分離）に分割することにより、最大量のダイを達成することを目的として提案される。アルゴリズムの重要な前提は、実際の場合、ＤＩＳ最適化はスリット方向にわたるパフォーマンスパラメータ（通常はプロセスの歩留まりに関連）の変動によって制限されるため、スキャン方向が二次的に重要であることである。さらに、最初にスキャン方向に沿った位置ごとの補正デバイスのセットポイントを決定し、次に（ローパス）これらのセットポイントをフィルタリングして、作動可能な制御プロファイルを作成する。作動可能とは、ここでは、スキャン方向にわたる制御プロファイルの達成可能な動的制御を指す（主に、スキャン方向の照明プロファイルの有限次元によって制限される）。
【００７８】
スリット方向ＤＩＳの最適化は、スキャン方向にわたる複数の位置に対して最初に行われる。これには、スリット方向（Ｘ軸）に沿って配向された領域に関連付けられたパフォーマンスパラメータデータに適用される最大ａｂｓ最適化に基づく制御プロファイルの決定が含まれるが、Ｙ位置の特定の範囲（Ｙ軸はここではスキャン方向）に限られる。この制御プロファイルの決定は、さまざまなＹ座標に対して繰り返される。制御プロファイルのセットをフィルタリングして、リソグラフィ装置の補正能力（例えば、制御プロファイルに関連する補正のＹ方向の解像度）と互換性のある動的制御プロファイル戦略を導出することができる。あるいは、制御プロファイルを決定するために使用される領域に関連するＹ座標の選択された範囲は、補正の解像度制限に従って選択されてもよい。あるいは、制御プロファイルは、各エリアが異なるＹ座標にある複数のエリアに関連付けられたパフォーマンスパラメータデータに基づいて決定される。さらに、制御プロファイルパラメータを定義し、ＤＩＳベースの制御アルゴリズムを使用してＹ座標の関数として決定し、その後、フィッティング関数を使用して、制御プロファイルをＹ座標の関数として記述することができる。
【００７９】
一実施形態では、基板の処理を制御する方法が開示され、この方法は以下を含む：
ａ）基板の領域全体の歩留まりに関連する性能パラメータの値を取得し、
ｂ）領域を複数のサブ領域に分割し、各サブ領域は、プロセス制御の空間分解能に依存して寸法が決められ、
ｃ）個々のサブ領域又は複数のサブ領域のサブセットごとの性能パラメータの値の非線形モデリングに基づいて制御プロファイル設定を決定する。
【００８０】
一実施形態では、この方法は、空間解像度に基づいて制御プロファイル設定をフィルタリングするステップをさらに含む。
【００８１】
一実施形態では、方法は、制御プロファイル設定パラメータを、領域にわたって定義された関数に適合させるステップをさらに含む。
【００８２】
実際には、仕様状況で１００％ダイを達成することが常に可能であるとは限らない。最適な量の降伏するダイを依然として有するのに十分な制御ポテンシャルが利用可能であることを保証するために、ウェハ全体の特定のダイに対する制御制約を解放することは有利であろう。この提案された戦略を実行可能にするために、仕様を満たすダイの許容可能な数を有する確率を最も制限するダイの選択を定量化する必要がある。
【００８３】
本明細書では、線形／二次計画法（ＬＰ  ／  ＱＰ）の原則を使用して、歩留まりを最も制限するダイを選択することを提案する。
【００８４】
目的関数は、制御プロファイルを期待されるパフォーマンスパラメータ分布にマッピングするように定義される。制御プロファイルは、領域全体で最適な制御プロファイルを決定するために最適化される（例えば、パフォーマンスパラメータが領域内の任意の位置でクリティカルリミットを超えない）。この分野は一般に、複数のダイ（機能デバイスを表す）を含む。各ダイが制御プロファイルを生成することを保証するために、設定は、制御プロファイルをマッピングする目的関数も各ダイの仕様の範囲内であるパフォーマンスパラメータデータを生成するという要件に制限される（１００％制御）。さらに、制御プロファイル設定は、（例えば、制御に使用されるアクチュエータの特性に基づいて）達成可能な制御プロファイル設定に制限される。
【００８５】
ただし、前述のように、「すべてのダイが仕様通り」という解決策は常に存在するとは限らないため、１つ又は複数のダイを犠牲にする必要がある。可能性としては、制約からダイを取り除き、どの特定のダイ除去が最適であるかを確認する。ここでは、ダイ固有の制約を目的関数として考えることが提案されている。これらの目的関数に関連付けられたラグランジュ乗数が計算される。制約によって制御が最も制限されるダイには、ゼロ以外の値を持つラグランジュ乗数の最大数がある。これらのダイは最初に削除される。このようにして、ほとんどの制御ポテンシャルが他のダイに解放されることが期待される。
【００８６】
一実施形態では、プロセスを制御する方法が開示され、この方法は：ａ）プロセスを受ける基板上の領域全体にわたるプロセスの歩留まりに関連する性能パラメータの値を取得する、ｂ）領域を複数のサブ領域に分割する、ｃ）性能パラメータの値及び１つ又は複数のサブ領域の予想収量に基づいて、領域を処理するための制御設定を決定することを含む。
【００８７】
物理的レチクルの形のパターニングデバイスについて説明してきたが、本出願における「パターニングデバイス」という用語は、例えばプログラム可能なパターニングデバイスと併せて使用される、デジタル形式でパターンを伝えるデータ製品も含む。
【００８８】
上記では、光学リソグラフィの文脈での本発明の実施形態の使用について具体的に言及してきたが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途で使用されてもよく、文脈が許せば、光リソグラフィに限定されない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが基板上に作成されるパターンを定義する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジストの層に押し付けられ、その後、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを加えることによってレジストが硬化される。レジストが硬化した後、パターニングデバイスがレジストから取り除かれて、そこにパターンが残る。
【００８９】
リソグラフィ装置に関連して使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの波長を有する）を含むすべてのタイプの電磁放射を包含する）、及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、並びにイオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを意味する。
【００９０】
「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電光学コンポーネントを含む、さまざまなタイプの光学コンポーネントのいずれか、又はその組み合わせを指す場合がある。
【００９１】
特定の実施形態の前述の説明は、本発明の一般的な性質を完全に明らかにするため、当業者の知識内で知識を適用することにより、過度の実験をすることなく、本発明の一般的な概念から逸脱せずに特定の実施形態のような様々な用途に容易に修正及び／又は適合できる。したがって、そのような適応及び変更は、本明細書に提示された教示及びガイダンスに基づいて、開示された実施形態の均等物の意味及び範囲内であることが意図されている。本明細書の用語又は表現は、本明細書の用語又は表現が教示及びガイダンスに照らして当業者によって解釈されるように、限定ではなく例として説明することを目的としていることを理解されたい。
【００９２】
本発明の幅及び範囲は、上記の例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲及びそれらの均等物に従ってのみ定義されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【手続補正書】
【提出日】令和2年10月1日(2020.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上で照明プロファイルをスキャンしてその上に機能領域を形成するように構成されたスキャン露光装置を制御する方法であって、
機能領域を含む露光領域の露光中に照明プロファイルの動的制御の制御プロファイルを取得し、
ａ）機能領域の寸法に依存する拡張プロファイルを追加することによりスキャン方向に露光領域の範囲を超えて制御プロファイルを拡張する、及び／又は
ｂ）制御プロファイルに折り畳み解放スキームを適用すること、
により露光領域内の１つ又は複数の個別の機能領域の露光品質を向上させるために制御プロファイルを構成し、
折り畳み解放スキームの構造は、スキャン方向における照明プロファイルの寸法に基づく、方法。
【請求項２】
前記制御プロファイルが、スキャン露光動作を作動させる１つ又は複数のアクチュエータの経時的な設定点を定義する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
制御プロファイルを拡張することが、露光領域の露光に対応する露光期間の前及び／又は後の時間のアクチュエータの設定点を決定することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記制御プロファイルを構成することは、折り畳み解放スキームを適用することにより実行され、方法はさらに、折り畳み解放制御プロファイルによる１つ又は複数の後続の露光を実行することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
各機能領域は、領域上で繰り返され、露光された基板上の個々のダイに対応するパターンを含み、前記制御プロファイルは、露光期間に先行し、拡張スキャンイン領域に対応するスキャンイン拡張プロファイル、及び露光期間に続き、拡張スキャンアウト領域に対応するスキャンアウト拡張プロファイルを追加することによって拡張され、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
各機能領域に関する平均補正プロファイルを決定し、スキャンイン拡張プロファイル及びスキャンアウト拡張プロファイルを前記平均補正プロファイルとして定義するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記平均補正プロファイルは、前記制御プロファイルのダイ内コンポーネントに基づいて決定される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
制御プロファイルを前記ダイ内コンポーネント、基礎となる領域内コンポーネント、及び領域間コンポーネントに分解することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記制御プロファイルが、露光量、焦点、オーバーレイ及びレベリングの１つ又は複数を制御するためのものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記制御プロファイルが、露光スリットによって定義される前記照明プロファイルと折り畳みされる折り畳み制御プロファイルを含み、前記折り畳み解放スキームが、折り畳みから生じるエラーを最小化するために、折り畳み制御プロファイルを折り畳み解放する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記折り畳み解放スキームは、ノイズの存在下で折り畳み制御プロファイル及び照明プロファイルを折り畳み解放するウィナー折り畳み解放フィルタを決定することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
スキャン露光装置の制御を改善するために、前記ウィナーフィルタのノイズ項の値を選択することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法を実行するように動作可能なプロセッサを備えるスキャン露光装置。
【請求項１４】
適切な装置上で実行されたときに請求項１の方法を実行するように動作可能なプログラム命令を含むコンピュータプログラム。
【請求項１５】
光子又は粒子のビームを基板上でスキャンして機能デバイスを形成するように構成されたスキャン装置を制御する方法であって、
スキャン動作中にビームの動的制御のための制御プロファイルを取得し、ビームは少なくともスキャン方向におけるビームの空間的広がりに関する情報を含むビームプロファイルにより特徴付けられ、
制御プロファイルに折り畳み解放スキームを適用することによってビーム制御の品質を最適化し、折り畳み解放スキームの構造は、ビームプロファイルに基づく、方法。
【請求項１６】
基板上で照明プロファイルをスキャンして機能領域を含む露光領域を形成するように構成されたスキャン露光装置の制御プロファイルを決定する方法であって、
ａ）制御プロファイルを、露光領域を超えて拡張できるようにすること、及び／又は
ｂ）スキャン方向の照明プロファイルの寸法を考慮に入れることにより、１つ以上の個別の機能領域の露光品質を改善すること、
に基づいて照明プロファイルの動的制御のための制御プロファイルを決定するステップを含む、方法。
【請求項１７】
前記制御プロファイルが、スキャン露光装置を作動させる１つ又は複数のアクチュエータの経時的な設定点を定義する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記制御プロファイルに基づいて、スキャン露光装置のための制御レシピを生成することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記制御プロファイルが前記露光領域を超えて延びることを可能にすることは、前記露光領域の露光に対応する露光期間の前及び／又は後に、前記アクチュエータの設定点を決定することを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記照明プロファイルの寸法を考慮に入れることは、制御プロファイルを前記照明プロファイルで露光スリットによって定義されるように折り畳み、折り畳み解放スキームを使用して制御プロファイルを折り畳み解放することにより生じる誤差を最小にする請求項１６に記載の方法。
【国際調査報告】
2021517277.tif 000011
2021517277.tif 000012
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