(57)【要約】  本発明は、オプトエレクトロニクス部品の製造方法に関する。本発明は、金属基板を設けることであって、この基板は、表面側と、その表面側とは反対側の裏面側とを有する、設けることと、基板材料の表面側の除去することであって、基板が表面側の領域に突出する基板部分とそれらの間に配置された凹部とを含む、除去することと、基板部分と隣り合うプラスチック体を形成することと、基板部分にオプトエレクトロニクス半導体チップを配置することと、基板が別個の基板部分に構成されるように、凹部の領域において基板材料の裏面側を除去することと、分離プロセスを実行することと、を含む。プラスチック体は、別個の基板部分に分割され、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップを有する複数の別個のオプトエレクトロニクス部品を形成する。本発明はまた、オプトエレクトロニクス部品に関する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属キャリア（１１０）を設けることであって、前記キャリアは、表面側（１１１）と前記表面側とは反対側の裏面側（１１２）とを備える、設けることと、
キャリア材料の表面側を除去することであって、前記キャリア（１１０）が表面側（１１１）の領域に突出するキャリア部分（１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６）と、前記キャリア部分の間に配置される凹部（１３０）とを備える、除去することと、
キャリア部分（１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６）と隣り合うプラスチック体（１５０）を形成することと、
キャリア部分（１２１，１２２，１２３，１２５）上にオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）を配置することと、
前記凹部（１３０）の領域でキャリア材料の裏面側を除去することであって、前記キャリア（１１０）が複数の別個のキャリア部分（１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６）に構造化される、除去することと、
個片化を実行することであって、前記プラスチック体（１５０）が複数の別個のキャリア部分の間で切断され、個片化されたオプトエレクトロニクス部品（１００）は、少なくとも１つの形成されたオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）を備える、実行することと、
を備える、オプトエレクトロニクス部品（１００）を製造する方法。
【請求項２】
前記プラスチック体（１５０）は、キャビティ（１５６，１５７）を含み、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）は、前記プラスチック体（１５０）のキャビティ（１５６）内のキャリア部分上に配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
充填材（１６１，１６２）がプラスチック体（１５０）のキャビティ（１５６，１５７）内に導入される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）は、前記プラスチック体（１５０）に埋め込まれる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プラスチック体（１５０）の形成は、第１のプラスチック材料および第２のプラスチック材料（１５１、１５２）の配置を含み、前記第１のプラスチック材料（１５１）は、反射性プラスチック材料であり、前記第１のプラスチック材料（１５１）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）の配置の前に、前記キャリア（１１０）の凹部（１３０）内に配置され、前記第２のプラスチック材料（１５２）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）の配置の後に、前記第１のプラスチック材料（１５１）、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）、およびキャリア部分（１２１，１２２）上に配置され、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）は、前記第２のプラスチック材料（１５２）に埋め込まれる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ドライバチップ（１９０）がキャリア部分（１２３，１２５）に配置され、個片化によって形成されるオプトエレクトロニクス部品がドライバチップ（１９０）を備える、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ドライバチップ（１９０）は、前記プラスチック体（１５０）に埋め込まれるか、または、前記プラスチック体（１５０）の、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）のためでなく前記ドライバチップ（１９０）のためにのみ設けられたキャビティ（１５７）内に配置される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
貫通孔（１３３）がキャリア（１１０）に形成され、前記プラスチック体（１５０）の形成は、前記プラスチック体（１５０）が前記貫通孔（１３３）に配置された固定部（１５８）を含むように行われる、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
キャリア（１１０）を複数の別個のキャリア部分に構造化した後、キャリア部分（１２１，１２２）の裏面側および側部フランク上に金属濡れ層（１４５）が形成される、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
キャリア（１１０）を複数の別個のキャリア部分に構造化した後、濡れ防止層（１４６）をキャリア部分（１２１，１２２）の側部フランクに形成し、金属濡れ層（１４５）をキャリア部分（１２１，１２２）の裏面側に形成する、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）の前記キャリア部分への配置は、前記キャリア材料の前記裏面側の除去の前に実行される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）の前記キャリア部分への配置は、前記キャリア材料の前記裏面側の除去の後に実行される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記キャリア材料の表面側の除去および裏面側の除去は、エッチングによって行われる、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）は、放射放出半導体チップである、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記キャリア（１１０）の事前構造化がキャリア材料の表面側の除去によって実行され、プラスチック体（１５０）の形成が事前構造化された前記キャリア（１１０）上で実行され、キャリア（１１０）を複数の別個のキャリア部分（１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６）に構造化するためのキャリア材料の裏面側の除去は、プラスチック体（１５０）の形成の後に実行される、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
複数の別個の金属キャリア部分（１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６）と、
前記キャリア部分と隣り合うプラスチックパッケージ体（１５５）と、
少なくとも１つのキャリア部分上に配置された少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）と、
を備え、
オプトエレクトロニクス部品の周方向側面（１０５）は、プラスチックパッケージ体（１５５）によって形成される、オプトエレクトロニクス部品（１００）。
【請求項１７】
前記オプトエレクトロニクス部品の裏面側（１０２）は、構造化され非平面である、請求項１６に記載のオプトエレクトロニクス部品。  
【請求項１８】
前記プラスチックパッケージ体（１５５）は、前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）が配置されるキャビティ（１５６）を備えるか、または、前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）は、前記プラスチックパッケージ体（１５５）に埋め込まれる、請求項１６および１７のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１９】
前記プラスチックパッケージ体（１５５）は、少なくとも１つの裏面側固定部（１５８）を備える、請求項１６から１８のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項２０】
前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）を電気的に駆動するためのドライバチップ（１９０）を備え、前記ドライバチップ（１９０）は、前記プラスチックパッケージ体（１５５）に埋め込まれるか、または、前記プラスチックパッケージ体（１５５）の、特に前記ドライバチップ（１９０）のために設けられたキャビティ（１５７）内に配置される、請求項１６から１９のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項２１】
前記金属キャリア部分の少なくともいくつかは、側部フランク上に濡れ防止層（１４６）を備える、請求項１６から２０のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項２２】
前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）を電気的に駆動するためのドライバチップ（１９０）を備え、前記ドライバチップ（１９０）は、前記プラスチックパッケージ体（１５５）の、特に前記ドライバチップ（１９０）のために設けられたキャビティ（１５７）内に配置され、前記キャビティは、放射不透過性の充填材（１６２）で充填される、請求項１６から２１のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項２３】
前記プラスチックパッケージ体（１５５）は、前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）が配置されるキャビティ（１５６）を備え、前記オプトエレクトロニクス部品は、前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）を電気的に駆動するためのドライバチップ（１９０）を備え、前記ドライバチップ（１９０）は、前記プラスチックパッケージ体（１５５）に埋め込まれるか、または、前記プラスチックパッケージ体（１５５）の、特に前記ドライバチップ（１９０）のために設けられたさらなるキャビティ（１５７）内に配置される、請求項１６から２２のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項２４】
前記プラスチックパッケージ体（１５５）は、第１のプラスチック材料および第２のプラスチック材料（１５１，１５２）から形成され、前記第１のプラスチック材料（１５１）は、反射性プラスチック材料であり、前記キャリア部分の横方向の隣に、かつ前記キャリア部分の間に配置され、前記第２のプラスチック材料（１５２）は、前記第１のプラスチック材料（１５１）、前記キャリア部分、および前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）上に配置され、前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）は、前記第２のプラスチック材料（１５２）に埋め込まれ、前記第２のプラスチック材料（１５２）は、放射透過性のプラスチック材料または蛍光体粒子を含む放射透過性のプラスチック材料である、請求項１６から２３のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オプトエレクトロニクス部品の製造方法に関する。本発明は、さらに、オプトエレクトロニクス部品に関する。
【０００２】
本特許出願は、独国特許出願第１０  ２０１７  １２８  ４５７．５号の優先権を主張し、その開示内容は、参照により本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００３】
光放射を発生するためのオプトエレクトロニクス部品は、表面実装可能なＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏ  Ｌｅａｄｓ）部品の形態で実装することができる。パネル上で実施することができるこのような部品の製造の間に、金属リードフレームを使用することができる。リードフレームは、リードフレーム部分と、リードフレーム部分を接続する接続バー（タイバーまたはサポートバーとも呼ばれる）と、を備える。リードフレーム部分は、半導体チップを運ぶため、および電気的接触のために使用される。接続バーは、リードフレームを一緒に保持するために使用される。
【０００４】
オプトエレクトロニクス部品は、１つまたは複数の放射放出半導体チップと、任意選択でドライバチップと、を用いて製造することもできる。さらに、１つまたは複数の半導体チップを収容するためのキャビティを備えるパッケージ体を形成することができる。この目的のために、リードフレームに接続され、キャビティを含むプラスチック体を形成することができ、プラスチック体は、本方法の終わりに実行される個片化中に、リードフレームの接続バーと一緒に切断される。
【０００５】
製造の間に、リードフレームの接続バーの反り、したがって生産性の損失が発生する可能性がある。オプトエレクトロニクス部品の設計および部品当たりのリードフレーム部分の数に応じて、リードフレームは、さらに、部品に割り当てられたフレーム部分を含むことができる。これは、スペース要件および対応するコストに関連する。放射放出半導体チップおよびドライバチップが配置された、キャビティを有するパッケージを含むオプトエレクトロニクス部品の場合、ドライバチップは、放射放出半導体チップによって照射を受けるかもしれず、照射によりその機能性を損なう可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、オプトエレクトロニクス部品の改良された製造のための解決策、ならびに改良されたオプトエレクトロニクス部品のための解決策を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的は、独立請求項の特徴によって達成される。本発明のさらなる有利な実施形態は、従属請求項において特定される。
【０００８】
本発明の一態様によれば、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法が提供される。本方法では、金属キャリアが提供される。キャリアは、表面側と、表面側とは反対側の裏面側と、を備える。さらなるステップは、キャリア材料の表面側の除去であり、その結果、キャリアは、表面側の領域に突出するキャリア部分と、それらの間に配置される凹部とを備える。本方法は、さらに、キャリア部分と隣り合うプラスチック体を形成することと、キャリア部分上にオプトエレクトロニクス半導体チップを配置することと、を含む。さらなるステップは、キャリアが複数の別個のキャリア部分に構造化されるように、凹部の領域におけるキャリア材料の裏面側を除去することである。本方法は、さらに、個片化を実行することを含む。このプロセスでは、プラスチック体が複数の別個のキャリア部分の間で切断され、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップを含む個片化されたオプトエレクトロニクス部品が形成される。
【０００９】
本方法では、提供される機械的キャリアの事前構造化は、キャリアの金属キャリア材料が表面側で除去されることによって実施される。このように事前構造化された金属キャリアは、表面側の領域に突出するキャリア部分と、それらの間に配置された凹部と、を備える。この状態では、突出したキャリア部分が依然として、裏面側のキャリア材料によって互いに接続されている。突出したキャリア部分は、凹部によって周方向に囲まれてもよい。凹部は、互いに合流し、連続したトレンチ構造を形成することができる。
【００１０】
プラスチック体は、金属キャリア材料の表面側の除去後に、したがって、事前構造化された金属キャリア上に形成されてもよい。プラスチック体の形成は、事前構造化されたキャリア上にプラスチック材料を配置することを含んでもよい。この場合、プラスチック材料は、少なくともキャリアの凹部に配置されてもよい。
【００１１】
プラスチック体のプラスチック材料を配置した後、またはプラスチック体を形成した後に実施することができる、キャリアの金属キャリア材料の裏面側の除去によって、キャリアは、複数の別個の金属キャリア部分、すなわち、キャリア材料によってもはや互いに接続されていない金属キャリア部分に構造化される。このプロセスは、前に生成された凹部の領域内の所定の位置で実行される。このようにして、キャリアの表面側の領域に突出する複数のキャリア部分は、複数の別個のキャリア部分に合流してもよく、またはそれらに変換されてもよく、換言すれば、以前に互いに接続されたキャリア部分は、互いに分離されてもよい。このようにして、キャリア部分の短絡開回路接続が破壊されうる。キャリアの事前構造化の後および構造化の後に、それぞれ対応する数のキャリア部分が存在する。複数の別個のキャリア部分は、少なくともプラスチック体によって一緒に保持されてもよい。
【００１２】
個片化の間に、プラスチック体、従って、以前に製造された部品パネルは、複数の別個の金属キャリア部分の間で切断される。このようにして、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップを含む個片化されたオプトエレクトロニクス部品が形成される。オプトエレクトロニクス部品は、複数の別個のキャリア部分と、切断によってプラスチック体から得られるプラスチックパッケージ体とを備えてもよい。少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップは、少なくとも１つのキャリア部分上に配置されてもよい。
【００１３】
本方法により製造されるオプトエレクトロニクス部品は、表面実装（ＳＭＴ、表面実装技術）に適したＱＦＮ部品であってもよい。オプトエレクトロニクス部品において、金属キャリア部分またはキャリア部分の少なくともいくつかは、部品の裏面側の接続面を形成することができる。これらのキャリア部分は、さらに、部品の裏面側に突出してもよい。このようにして、部品は、構造化された裏面側を含むことができる。
【００１４】
提案する方法は、一連の利点を提供する。事前構造化された金属キャリアは、高い安定性と堅牢性を有しうる。安定性は、リードフレーム部分および連結バーを含む従来のリードフレームの場合よりも高くなりうる。その結果、本方法は、高い信頼性および生産性をもって実施することができる。さらに、本方法は、経済的に実施することができる。これは、接続バーの他に、フレーム部品の使用も不要にすることができるからである。さらに、接続バーを省略することにより、外形寸法の小さいオプトエレクトロニクス部品を製造することが可能となる。また、キャリア部分の構成に関して高い柔軟性がもたらされうる。したがって、例えば、製造される部品のそれぞれについて、少なくとも１つの金属キャリア部分がキャリア部分のグループによって囲まれる構成を実施することができる。さらに、プラスチック体が複数の別個の金属キャリア部分の間で切断される個片化は、簡単かつ経済的に実施されうる。これは、この場合、金属キャリア材料の遅い分割またはソーイングが行われないからである。
【００１５】
本方法の過程で複数の別個のキャリア部分に構造化された金属キャリアを使用するため、オプトエレクトロニクス部品は、熱の効率的な放散と低い熱抵抗とによって差別化されうる。さらに、複数の別個の金属キャリア部分の間でプラスチック体が切断されるため、オプトエレクトロニクス部品は、プラスチックパッケージ体のみによって形成される周方向側面（外側面の全面）を含むことができる。このようにして、横方向外側に延びる切断予定の金属製の接続バーを有する従来の複数の部品の場合に生じるような問題（例えば、腐食、シール不良）を回避することができる。
【００１６】
本方法および本方法に従って製造されたオプトエレクトロニクス部品について想定されうる、さらなる可能な実施形態および詳細を以下に記載する。
【００１７】
提供される金属キャリアは、板状または帯状の構成を有する可能性がある。キャリアはまた、平面状または実質的に平面状の表面側、ならびに平面状または実質的に平面状の裏面側を有してもよい。さらに、キャリアは、例えば、銅から作製されてもよく、または銅を含んでもよい。また、キャリアは、異なる金属材料、例えば、鉄−ニッケル、アルミニウム、またはモリブデンから作られる構成または異なる金属材料を含む構成も可能である。
【００１８】
さらなる実施形態では、金属キャリア材料の表面側の除去および裏面側の除去がエッチングによって行われてもよい。例えば、等方性エッチングが可能である。これは、湿式化学エッチング法によって行うことができる。等方性エッチングの結果として、凹部は、丸い断面プロファイルを有しうる。凹部はまた、アンダーカットを備えてもよく、その結果、キャリアとプラスチック体との間、したがって、複数の別個のキャリア部分とプラスチック体との間でもインターロックが可能である。さらに、複数の別個のキャリア部分、またはキャリア部分の少なくともいくつかは、共通の縁部を形成する２つの湾曲した部分フランクを有する側部フランクを備えてもよい。
【００１９】
エッチングに関して、金属キャリアには、表面側にエッチングマスクを設け、裏面側にエッチングマスクを設けてもよい。エッチングマスクは、キャリアの表面側および裏面側の領域が覆われる別個の層部分を含んでもよい。
【００２０】
さらに、表面側エッチングマスクおよび／または裏面側エッチングマスクは、金属エッチングマスクであってもよい。そのようなエッチングマスクは、少なくとも１つのメタライゼーション法（メッキ）を使用することによって、金属キャリア上に形成されてもよい。金属エッチングマスクはキャリア材料の除去後にキャリアおよびキャリア部分上に依然として残ることができ、この程度まで、キャリアおよびキャリア部分の一体部分とみなすことができる。この場合、エッチングマスクは、例えばはんだ付け、接触構造、例えばボンドワイヤの接続などに適した、接触可能なコーティングとして使用することができる。
【００２１】
また、フォトレジスト材料からなるレジストマスクをエッチングマスクとして用いることも可能である。このような例は、裏面側のエッチングマスクに対して、また、裏面側のエッチングマスクが除去され、その後、金属キャリア部分に濡れ層が設けられる、以下に説明する場合に対して、想定されうる。フォトレジスト材料からなる構成は、エッチングマスクの単純な除去を可能にする。表面側エッチングマスクは、フォトレジスト材料からなるレジストマスクの形態で使用することもできる。
【００２２】
金属キャリアを複数の別個のキャリア部分に構造化する間に、凹部の領域だけでなく他の位置においても、裏面側のキャリア材料を除去するまたはエッチングする可能性がさらに存在する。これは、それに対して適合された裏面側エッチングマスクを使用して行うことができる。このようにして、例えば、裏面側の凹部、階段状の構成、または他のキャリア部分と比較してより薄い厚さを備える複数の別個のキャリア部分を形成することが可能である。
【００２３】
さらなる実施形態では、オプトエレクトロニクス半導体チップおよびキャリア部分の配置が金属キャリア材料の裏面側の除去の前に、したがって、キャリアを複数の別個のキャリア部分に構造化する前に実行されてもよい。この実施形態では、したがって、オプトエレクトロニクス半導体チップのチップ実装は、事前構造化された金属キャリア上で行われる。このプロセスは、プラスチック体のプラスチック材料をキャリア上に適用した後、またはプラスチック体を形成した後に実施することができる。
【００２４】
代替的な実施形態では、オプトエレクトロニクス半導体チップおよびキャリア部分の配置が、金属キャリア材料の裏面側の除去後に、したがって、キャリアの複数の別個のキャリア部分への構造化の後に実行される。この実施形態では、オプトエレクトロニクス半導体チップの実装がしたがって、複数の別個の金属キャリア部分上で行われる。このプロセスは、キャリア上にプラスチック体のプラスチック材料を配置した後、またはプラスチック体を形成した後に実行することができる。すでに分離されているキャリア部分上にオプトエレクトロニクス半導体チップを配置することにより、キャリア材料の裏面側の除去中の半導体チップの損傷を回避する可能性もたらされる。
【００２５】
上述の実施形態に関して、オプトエレクトロニクス半導体チップの実装は、複数の別個の金属キャリア部分およびプラスチック体を備える構成上で実行されてもよい。この構成は、プレモールドパッケージとも呼ばれるプレハブパッケージを形成することができる。
【００２６】
さらなる実施形態では、本方法で使用されるオプトエレクトロニクス半導体チップは、放射放出半導体チップである。このようにして、複数の放射放出オプトエレクトロニクス部品を、本方法を用いて製造することができる。半導体チップは、例えば、以下ではＬＥＤチップとも呼ばれる発光ダイオードチップであってもよい。
【００２７】
オプトエレクトロニクス半導体チップの実装は、半導体チップが、それぞれ、１つのみまたは複数のキャリア部分上に配置されるように実施されてもよい。このプロセスでは、半導体チップは、例えば、接着、はんだ付け、または焼結によって、キャリア部分上に固定されてもよい。半導体チップが１つまたは複数の裏面側接点を備える場合、半導体チップまたはそれらの裏面側接点は、このようにしてキャリア部分に電気的に接続されてもよい。１つまたは複数の表面側接点を有する半導体チップの構成では、さらに、表面側接点がキャリア部分に電気的に接続されることによって、電気的接触構造を形成することが可能である。例えば、ＰＩ（平面相互接続）接触またはＲＤＬ層（再分配層）とも呼ばれる、ボンドワイヤの接続または金属接点層の形成が可能である。接点層の形成の範囲では、キャリア部分の接触領域の空きを保つために、半導体チップがさらに凹部を有するように形成される限り、横方向に到達する１つまたは複数の絶縁層を形成することができる。接点層は、その上に形成されてもよい。
【００２８】
さらなる実施形態では、プラスチック体の形成がプラスチック体がキャビティを含むように行われる。オプトエレクトロニクス半導体チップは、その後、プラスチック体のキャビティ内のキャリア部分上に配置される。このようなプラスチック体の形成は、成形プロセスを用いて実施することができ、成形プロセスでは、成形ツールを使用することによって、プラスチック材料が事前構造化された金属キャリア上に適用される。例えば、反射性プラスチック材料を使用することができる。このようなプラスチック材料は、反射性粒子を含み、白色を有することができる。黒色のプラスチック材料を使用することも可能である。プラスチック体のキャビティによって、キャリア部分が少なくとも部分的に露出され、その結果、オプトエレクトロニクス半導体チップをキャリア部分上に配置することができる。キャビティは、製造されるオプトエレクトロニクス部品の表面側の方向に広がる断面形状を有してもよく、例えば、斜めの側壁を有してもよい。このようにして、キャビティは、オプトエレクトロニクス部品のリフレクタとして使用されてもよい。個片化の間に、プラスチック体は、少なくとも１つのキャビティを含む複数のプラスチックパッケージ体に再分割されてもよい。
【００２９】
さらなる実施形態では、充填材がプラスチック体のキャビティ内に導入される。このようにして、キャビティ内に配置された半導体チップを封止し、それによって外部の影響から保護することができる。本方法で使用されるオプトエレクトロニクスまたは放射放出半導体チップに関して、充填材は、放射透過性または透明なプラスチック材料であってもよい。充填材として、蛍光体粒子を含有する放射透過性プラスチック材料を使用することも可能である。このようにして、動作中に少なくとも１つの放射放出半導体チップによって放出される放射の放射変換をもたらすことができる。
【００３０】
放射変換の達成に関して、さらに、放射変換のために、層状または小板状の変換素子を既に含む放射放出半導体チップを使用する可能性がある。さらに、この種の変換層、または変換素子も、チップ実装後に半導体チップ上に形成または配置されてもよい。
【００３１】
本方法を用いて、単一のオプトエレクトロニクスまたは放射放出半導体チップを含む複数のオプトエレクトロニクス部品、または複数のオプトエレクトロニクスまたは放射放出半導体チップを含む複数の部品を製造することが可能である。複数の半導体チップは、任意選択で、異なる光放射を生成するように構成されてもよい。後者の変形例に関連して、例えば、赤色光放射を放出する半導体チップ、緑色光放射を放出する半導体チップ、および青色光放射を放出する半導体チップを含む複数のＲＧＢ部品を実装することが可能である。これに対応して、このチップ実装は、赤色発光半導体チップ、緑色発光半導体チップ、および青色発光半導体チップで行われる。キャビティを含むプラスチック体が形成される場合、オプトエレクトロニクス部品の一部を形成する複数のオプトエレクトロニクスチップまたは放射放出半導体チップを、それぞれ共通のキャビティに配置することができる。
【００３２】
さらなる実施形態では、オプトエレクトロニクス半導体チップに加えて、ドライバチップがキャリア部分上に配置される。さらに、個片化は、それによって形成されたオプトエレクトロニクス部品がドライバチップを含むような方法で行われる。ドライバチップを用いて、オプトエレクトロニクス部品のオプトエレクトロニクス半導体チップを電気的に駆動することができる。
【００３３】
ドライバチップの実装は、金属キャリア材料の裏面側の除去の前または後に行うことができる。さらに、キャリアチップおよびドライバチップは、オプトエレクトロニクス半導体チップと一緒に、または代替的に、オプトエレクトロニクス半導体チップの前に取り付けられてもよい。第２の変形例は、ドライバチップを備えたプレハブパッケージ（プレモールドパッケージ）を提供し、その後のみオプトエレクトロニクス半導体チップの実装を実施することを目的として実施されてもよい。
【００３４】
ドライバチップの実装に関して、オプトエレクトロニクス半導体チップについて上述した特徴および詳細が適宜使用されてもよい。例えば、ドライバチップは、接着、はんだ付け、または焼結によって１つ以上のキャリア部分上に固定されてもよい。ドライバチップは、複数の表面側接点を備えることができる。電気的接触構造は、その手段によって、駆動チップの表面側接点がキャリア部分に電気的に接続され、例えば、ボンドワイヤまたは金属接点層の形態で形成されてもよい。ドライバチップとオプトエレクトロニクス半導体チップとの間の電気接続は、このようにして生成されてもよい。このようにして製造されるオプトエレクトロニクス部品においては、ドライバチップとオプトエレクトロニクス半導体チップとは、少なくとも金属キャリア部分によって、任意選択で、さらなる部品、例えばボンドワイヤによって、電気的に接続されてもよい。
【００３５】
さらなる実施形態では、プラスチック体の形成は、ドライバチップがプラスチック体に埋め込まれるように行われる。別の実施形態によれば、プラスチック体にキャビティが形成される場合、ドライバチップは、プラスチック体のキャビティ内に配置されてもよい。これらは、ドライバチップにのみ設けられ、オプトエレクトロニクス半導体チップには設けられないキャビティであってもよい。このようなキャビティ内に充填材を導入することもできる。これは、放射不透過性プラスチック材料であってもよい。前述の実施形態では、オプトエレクトロニクス半導体チップの放射によるドライバチップの照射、したがってドライバチップの機能性の障害が抑制されうる。
【００３６】
ドライバチップの使用に関しては、放射放出半導体チップと、放射放出半導体チップを駆動するドライバチップと、を含むオプトエレクトロニクス部品を製造する可能性がある。
【００３７】
さらに、放射放出半導体チップを複数備えるオプトエレクトロニクス部品と、放射放出半導体チップを駆動する少なくとも１つのドライバチップとを製造することができる。半導体チップは、異なる光放射、例えば、赤色、緑色、および青色の光放射を生成するように構成することができる。この構成において、オプトエレクトロニクス部品は、例えば、自動車の内部用のインテリジェントＲＧＢ照明部品として使用されうる。この場合、部品は、自動車のバッテリ電圧から動作されてもよい。バッテリ電圧は、放射を放出する半導体チップの順方向電圧よりも実質的に高くすることができ、その結果、高い熱損失電力が生成されうる。金属キャリア部分を有する部品の構成によって、生成される熱エネルギーを効率的に消散させることができる。
【００３８】
さらなる実施形態では、金属キャリアに貫通孔が形成される。さらに、プラスチック体のその後の形成は、プラスチック体が貫通孔に配置された裏面側固定部を含むように行われる。この構成により固定が可能になり、したがって、金属キャリア上に、その結果、キャリアの構造化後に別体となる複数のキャリア部分上にも、プラスチック体を確実に固定することを可能にする。これに対応して、オプトエレクトロニクス部品の個片化後に得られる複数のプラスチックパッケージ体は、複数のプラスチックパッケージ体を複数の別個のキャリア部分に固定することができる１つまたは複数の裏面側固定部を含むことができる。個片化の間に、プラスチック体の固定部が切断され、それによって複数のプラスチックパッケージ体の間で分配されてもよい。固定部により、本方法の高い信頼性とオプトエレクトロニクス部品の高い機械的安定性および堅牢性とが達成されうる。
【００３９】
上述の実施形態に関して、事前構造化された金属キャリアの凹部の領域に貫通孔を形成する可能性があり、したがって、金属キャリア材料の裏面側の除去によって形成される可能性がある。このような貫通孔は、凹部に合流してもよい。加えて、または代替として、貫通孔もまた、予め構造化されたキャリアの突出キャリア部分の内側に設けられてもよい。これは、キャリア材料の表面側および裏面側の除去によって行うことができる。この場合、キャリア材料の表面側の除去は、凹部の形成の範囲内で行うことができる。キャリア材料の除去は、それぞれ、エッチングによって実行されてもよい。
【００４０】
固定部は、少なくとも部分的にはキャリアの裏面側の方向に、および、キャリアの構造化の後または個片化の後に、複数の別個のキャリア部分の裏面側の方向に広がる形状を有していてもよい。このようにして、確実な固定を達成することができる。この構成は、貫通孔の形成をエッチングや等方性エッチングにより行うことにより実現することができる。このようにして、貫通孔は、少なくとも一部がキャリアの裏面側の方向に拡幅する形状を有していてもよい。キャリア材料の裏面側の除去またはエッチングは、さらに、キャリアの裏面側の領域において、貫通孔が、階段状に広がるかまたは凹部に対して階段状に広がる形状を有するように実施されてもよい。これに対応して、固定部は、裏面側の領域において階段状に広がる形状を有してもよい。
【００４１】
さらなる実施形態では、プラスチック体の形成は、オプトエレクトロニクス半導体チップがプラスチック体に埋め込まれるように行われる。このようにしても、半導体チップを封止することができ、それによって外部の影響から保護することができる。
【００４２】
このようなカプセル化されたプラスチック体を形成するために、オプトエレクトロニクス半導体チップを備えた事前構造化された金属キャリア上にプラスチック材料を配置することができる。プラスチック材料は、オプトエレクトロニクス半導体チップを覆う連続層の形態で適用されてもよい。この目的のために、例えば、成形プロセスまたは鋳造プロセスを実施することができる。本方法において使用される、オプトエレクトロニクス、すなわち放射放出半導体チップに関して、プラスチック材料は、放射透過性であってもよいし、透明であってもよい。プラスチック材料は、放射透過性であり、蛍光体粒子を含有することも可能である。このようにして、オプトエレクトロニクス部品の動作中に、少なくとも１つの放射放出半導体チップによって放出される放射の放射変換をもたらすことができる。
【００４３】
プラスチック体へのオプトエレクトロニクス半導体チップの埋め込みに関して、以下の実施形態をさらに想定することができる。この場合、プラスチック体の形成は、第１のプラスチック材料および第２のプラスチック材料の配置を含む。第１のプラスチック材料は、反射性プラスチック材料であり、オプトエレクトロニクス半導体チップを配置する前に、事前構造化されたキャリアの凹部に配置される。この場合、第１のプラスチック材料は、表面側の領域に突出するキャリア部分と面一であってもよい。オプトエレクトロニクス半導体チップの配置の後、第２のプラスチック材料は、第１のプラスチック材料、オプトエレクトロニクス半導体チップ、およびキャリア部分上に配置される。このようにして、オプトエレクトロニクス半導体チップは、第２のプラスチック材料に埋め込まれる。
【００４４】
上述の実施形態では、プラスチック体が２つの異なるプラスチック材料、すなわち、第１のプラスチック材料および第２のプラスチック材料から形成される。これに対応して、個片化後に得られる複数のオプトエレクトロニクス部品の複数のプラスチックパッケージ体は、第１のプラスチック材料および第２のプラスチック材料を含む。この場合、オプトエレクトロニクス部品の動作中の裏面側放射放出は、反射性の第１のプラスチック材料を用いて防止することができる。第１のプラスチック材料は、反射性粒子を含み、白色を有することができる。第２のプラスチック材料は、放射透過性であっても、透明であってもよい。第２のプラスチック材料が放射透過性であり、蛍光体粒子を含むことも可能であり、その結果、放射変換もたらされうる。
【００４５】
上述したように、本方法で製造されるオプトエレクトロニクス部品においては、金属キャリア部分の少なくとも一部が部品の裏面側に突出していてもよい。これらのキャリア部分は、オプトエレクトロニクス部品の裏面側の接続面を形成することができ、それを援用して、さらなる装置、例えば、回路基板の接続面上の表面実装の範囲で、部品をはんだ付けすることによって配置することができる。信頼性のある表面実装のために、関連するキャリア部分は、さらに、はんだによるキャリア部分の規定された濡れが、所定の位置で達成されうるように構成されうる。これに関連して、以下の実施形態を想定することができる。
【００４６】
さらなる実施形態では、金属キャリアを複数の別個のキャリア部分に構造化した後、金属濡れ層がキャリア部分の裏面側および側部フランク上に形成される。この目的のために、キャリア部分上の裏面側に依然として存在するエッチングマスク（存在する場合）を最初に除去し、続いて、またはキャリア部分の追加の洗浄後に、少なくとも１つのメタライゼーション法を使用することによって、金属濡れ層の形成を実施することができる。これらのプロセスは、個片化の前に実行されてもよい。裏面側および側部フランクに濡れ層が存在するキャリア部分の構成は、比較的大きな濡れ領域にわたって、はんだによるキャリア部分の多面濡れを可能にする。このようにして、表面実装されたオプトエレクトロニクス部品の高い剪断強度を達成することができる。さらに、はんだ制御が可能である。
【００４７】
別の実施形態では、金属キャリアを複数の別個のキャリア部分に構造化した後、濡れ防止層を側部フランクに適用し、金属濡れ層をキャリア部分の裏面側に適用する。濡れ防止層は、はんだによる濡れが全く起こらないか、またはわずかしか起こらない層である。この目的のために、キャリア部分上の裏面側に依然として存在するエッチングマスク（存在する場合）を最初に除去し、続いて、またはキャリア部分の追加の洗浄後に、キャリア部分の側部フランクおよび裏面側に濡れ防止層を形成することができる。この目的のために、金属層、例えばニッケル層）を、メタライゼーション法によって、関連するキャリア部分上に形成し、続いて酸化することができる。それによって形成された濡れ防止層は、その後、例えば研削またはラッピングによって機械的に、キャリア部分の裏面側上で少なくとも部分的に除去されてもよい。これに続いて、金属濡れ層は、少なくとも１つのメタライゼーション法を使用することによって、キャリア部分の裏面側に形成されてもよい。この構成では、制御された方法で、単にキャリア層のはんだによる裏面側平面濡れをもたらすことができる。これは、小さなキャリア部分およびキャリア部分間の小さな距離を提供する可能性をもたらし、その結果、小さな寸法のオプトエレクトロニクス部品を生成する可能性をもたらす。
【００４８】
本発明の一態様によれば、オプトエレクトロニクス部品が提供される。オプトエレクトロニクス部品は、複数の別個の金属キャリア部分と、キャリア部分と隣り合うプラスチックパッケージ体と、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップと、を備える。オプトエレクトロニクス半導体チップは、少なくとも１つのキャリア部分上に配置される。オプトエレクトロニクス部品の周方向側面は、プラスチックパッケージ体によって形成される。
【００４９】
オプトエレクトロニクス部品は、プラスチックパッケージ体によって形成された側面を含む。したがって、側面には金属材料が存在しない。オプトエレクトロニクス部品は、上述した本方法に従って、または上述した本方法の実施形態のうちの１つまたは複数に従って製造することができる。したがって、以下に述べる実施形態および特徴のいくつかまたはいくつかは、オプトエレクトロニクス部品に存在することができる。
【００５０】
オプトエレクトロニクス部品は、表面実装可能な部品であってもよい。部品は、ＱＦＮ部品であってもよい。プラスチックパッケージ体および金属キャリア部分によって形成されうる、部品の裏面側は、構造化され、非平面であってもよい。キャリア部分の少なくとも一部は、裏面側に突出してもよい。裏面側に突出するキャリア部分は、部品の裏面側の接続面を形成することができる。キャリア部分またはキャリア部分の少なくともいくつかはまた、共通の縁部を形成する２つの湾曲した部分フランクを有する側部フランクを備えてもよい。
【００５１】
構造化された裏面側を参照すると、キャリア部分は、プラスチックパッケージ体、またはプラスチックパッケージ体のプラスチック材料に対して突出してもよい。張り出しは、例えば、数十マイクロメータ範囲内に存在してもよい。例えば、５０μｍの範囲の張り出しが考えられる。例えば、２０μｍまたは３０μｍの範囲の他の張り出しも可能である。
【００５２】
金属キャリア部分の少なくともいくつかは、裏面側および側部フランクに金属濡れ層を含んでもよい。また、金属キャリア部分の少なくともいくつかが、側部フランク上に濡れ防止層を含むことも可能である。これらのキャリア部分は、裏面側に金属濡れ層をさらに含むことができる。この場合、オプトエレクトロニクス部品の接続面は、キャリア部分の濡れ層によって形成されてもよい。
【００５３】
少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップは、放射放出半導体チップまたはＬＥＤチップであってもよい。オプトエレクトロニクス部品は、赤色発光半導体チップ、緑色発光半導体チップ、および青色発光半導体チップを含むＲＧＢ部品であってもよい。
【００５４】
プラスチックパッケージ体は、プラスチック材料、例えば、白色反射性材料または黒色プラスチック材料から形成されてもよい。オプトエレクトロニクス部品の表面側は、プラスチックパッケージ体によって少なくとも部分的に形成することができる。
【００５５】
さらなる実施形態では、プラスチックパッケージ体は、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップが配置されるキャビティを備える。キャビティは、放射透過性であってもよく、任意選択で蛍光体粒子を含んでもよい充填材で充填されてもよい。
【００５６】
さらなる実施形態では、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップがプラスチックパッケージ体に埋め込まれる。この場合、プラスチックパッケージ体は、少なくとも部分的に、任意選択で、蛍光体粒子を含有する放射透過性プラスチック材料から形成されてもよい。さらに、プラスチックパッケージ体は、第１のプラスチック材料および第２のプラスチック材料から形成されてもよい。第１のプラスチック材料は、反射性プラスチック材料であってもよく、キャリア部分の横方向の隣に、かつキャリア部分の間に配置される。この場合、第１のプラスチック材料は、キャリア部分の表面側と面一であってもよい。第２のプラスチック材料は、第１のプラスチック材料、キャリア部分、および少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ上に配置されてもよく、その結果、半導体チップは第２のプラスチック材料に埋め込まれる。第２のプラスチック材料は、放射透過性であってもよく、任意選択で、蛍光体粒子を含んでもよい。
【００５７】
さらなる実施形態では、プラスチックパッケージ材料が少なくとも１つの裏面側固定部を含む。固定部は、少なくとも１つの金属キャリア部分と裏面側で面一であってもよく、または少なくともキャリア部分によって形成された裏面側の接続面と面一であってもよい。固定部は、少なくとも１つのキャリア部分に横方向に隣り合ってもよい。固定部は、さらに、部品の縁部にまたは部品の複数の金属キャリア部分の間の領域に配置されてもよい。キャリア部分の内側の位置も可能である。固定部は、少なくとも部分的には部品の裏面側の方向に広がる形状を有していてもよい。固定部が裏面側の領域にステップ状に突出した形状を有する構成も可能である。複数の固定部を含むプラスチックパッケージ材料の構成において、複数の固定部は、１つ以上のキャリア部分に対して横方向に、および／または１つ以上のキャリア部分の内側に存在してもよい。
【００５８】
さらなる実施形態では、オプトエレクトロニクス半導体チップが少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップを電気的に駆動するためのドライバチップを含む。ドライバチップは、少なくとも１つのキャリア部分上に配置されてもよい。ドライバチップは、プラスチックパッケージ体に埋め込まれてもよいし、または、特にドライバチップのために設けられた、プラスチックパッケージ体のキャビティ内に配置されてもよい。このキャビティは、放射透過性であってもよい充填材で充填されてもよい。
【００５９】
オプトエレクトロニクス部品のドライバチップおよび少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップは、さらに、少なくとも金属キャリア部分、および任意選択で、さらなる部品パーツ、例えばボンドワイヤによって、少なくとも電気的に接続されてもよい。関連するキャリア部分は、部品のプラスチックパッケージ体の、オプトエレクトロニクス半導体チップを配置することができるキャビティによって部分的に露出させることができる。
【００６０】
製造方法に関連して言及された態様および詳細は、オプトエレクトロニクス部品にも対応して使用することができ、オプトエレクトロニクス部品に関連して言及された態様および詳細は、製造方法にも使用することができることを指摘しておく。
【００６１】
上述され、および／または従属請求項に提示される本発明の構成および改良は、例えば、一意的な依存性または互換性のない代替物の場合を除いて、個々に、また互いに任意の所望の組み合わせで使用されてもよい。
【００６２】
本発明の上述の特性、特徴、および利点、ならびにそれらが達成される方法は、概略図に関連してより詳細に説明される、例示的な実施形態の以下の説明と併せて、より明確かつ容易に理解されるのであろう。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】図１は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示しており、ここでは、金属層が事前構造化され、キャビティを含むプラスチック体が形成され、オプトエレクトロニクス半導体チップがキャビティ内のキャリア部分上に配置され、キャビティが充填され、キャリアが構造化され、個片化プロセスが実行される。
【図２】図２は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示しており、ここでは、金属層が事前構造化され、キャビティを含むプラスチック体が形成され、オプトエレクトロニクス半導体チップがキャビティ内のキャリア部分上に配置され、キャビティが充填され、キャリアが構造化され、個片化プロセスが実行される。
【図３】図３は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示しており、ここでは、金属層が事前構造化され、キャビティを含むプラスチック体が形成され、オプトエレクトロニクス半導体チップがキャビティ内のキャリア部分上に配置され、キャビティが充填され、キャリアが構造化され、個片化プロセスが実行される。
【図４】図４は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示しており、ここでは、金属層が事前構造化され、キャビティを含むプラスチック体が形成され、オプトエレクトロニクス半導体チップがキャビティ内のキャリア部分上に配置され、キャビティが充填され、キャリアが構造化され、個片化プロセスが実行される。
【図５】図５は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示しており、ここでは、金属層が事前構造化され、キャビティを含むプラスチック体が形成され、オプトエレクトロニクス半導体チップがキャビティ内のキャリア部分上に配置され、キャビティが充填され、キャリアが構造化され、個片化プロセスが実行される。
【図６】図６は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示しており、ここでは、金属層が事前構造化され、キャビティを含むプラスチック体が形成され、オプトエレクトロニクス半導体チップがキャビティ内のキャリア部分上に配置され、キャビティが充填され、キャリアが構造化され、個片化プロセスが実行される。
【図７】図７は、平面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示しており、ここでは、金属層が事前構造化され、キャビティを含むプラスチック体が形成され、オプトエレクトロニクス半導体チップがキャビティ内のキャリア部分上に配置され、キャビティが充填され、キャリアが構造化され、個片化プロセスが実行される。
【図８】図８は、平面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示しており、ここでは、金属層が事前構造化され、キャビティを含むプラスチック体が形成され、オプトエレクトロニクス半導体チップがキャビティ内のキャリア部分上に配置され、キャビティが充填され、キャリアが構造化され、個片化プロセスが実行される。
【図９】図９は、平面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示しており、ここでは、金属層が事前構造化され、キャビティを含むプラスチック体が形成され、オプトエレクトロニクス半導体チップがキャビティ内のキャリア部分上に配置され、キャビティが充填され、キャリアが構造化され、個片化プロセスが実行される。
【図１０】図１０は、平面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示しており、ここでは、金属層が事前構造化され、キャビティを含むプラスチック体が形成され、オプトエレクトロニクス半導体チップがキャビティ内のキャリア部分上に配置され、キャビティが充填され、キャリアが構造化され、個片化プロセスが実行される。
【図１１】図１１は、図１〜図１０の方法シーケンスによって製造されたオプトエレクトロニクス部品の側面図を示す。
【図１２】図１２は、図１〜図１０の方法シーケンスによって製造されたオプトエレクトロニクス部品の平面図を示す。
【図１３】図１３は、プレハブパッケージの側面図を示す。
【図１４】図１４は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するためのさらなる方法シーケンスを示しており、オプトエレクトロニクス部品は、固定構造を含む。
【図１５】図１５は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するためのさらなる方法シーケンスを示しており、オプトエレクトロニクス部品は、固定構造を含む。
【図１６】図１６は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するためのさらなる方法シーケンスを示しており、オプトエレクトロニクス部品は、固定構造を含む。
【図１７】図１７は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するためのさらなる方法シーケンスを示しており、オプトエレクトロニクス部品は、固定構造を含む。
【図１８】図１８は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するためのさらなる方法シーケンスを示しており、オプトエレクトロニクス部品は、固定構造を含む。
【図１９】図１９は、平面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するためのさらなる方法シーケンスを示しており、オプトエレクトロニクス部品は、固定構造を含む。
【図２０】図２０は、平面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するためのさらなる方法シーケンスを示しており、オプトエレクトロニクス部品は、固定構造を含む。
【図２１】図２１は、図１４〜図２０の方法シーケンスによって製造されたオプトエレクトロニクス部品の平面図を示す。
【図２２】図２２は、プラスチック体と固定構造とを含む金属キャリアの側面図を示す。
【図２３】図２３は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するためのさらなる方法シーケンスを示しており、オプトエレクトロニクス部品は、オプトエレクトロニクス半導体チップおよびドライバチップを備える。
【図２４】図２４は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するためのさらなる方法シーケンスを示しており、オプトエレクトロニクス部品は、オプトエレクトロニクス半導体チップおよびドライバチップを備える。
【図２５】図２５は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するためのさらなる方法シーケンスを示しており、オプトエレクトロニクス部品は、オプトエレクトロニクス半導体チップおよびドライバチップを備える。
【図２６】図２６は、平面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するためのさらなる方法シーケンスを示しており、オプトエレクトロニクス部品は、オプトエレクトロニクス半導体チップおよびドライバチップを備える。
【図２７】図２７は、平面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するためのさらなる方法シーケンスを示しており、オプトエレクトロニクス部品は、オプトエレクトロニクス半導体チップおよびドライバチップを備える。
【図２８】図２８は、平面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するためのさらなる方法シーケンスを示しており、オプトエレクトロニクス部品は、オプトエレクトロニクス半導体チップおよびドライバチップを備える。
【図２９】図２９は、ドライバチップを含むプレハブパッケージの横方向表示を示す。
【図３０】図３０は、３つのオプトエレクトロニクス半導体チップおよびドライバチップを含むオプトエレクトロニクス部品を製造するための事前構造化されたキャリアの平面図を示す。
【図３１】図３１は、３つのオプトエレクトロニクス半導体チップおよびドライバチップを含むオプトエレクトロニクス部品の平面図を示す。
【図３２】図３２は、図３１のオプトエレクトロニクス部品の裏面図を示す。
【図３３】図３３は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品の製造のためのさらなる方法シーケンスを示し、金属キャリアは、事前構造化され、オプトエレクトロニクス半導体チップは、キャリア部分上に配置され、半導体チップを封止するプラスチックボディが形成され、キャリアは、構造化され、個片化プロセスが実施される。
【図３４】図３４は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品の製造のためのさらなる方法シーケンスを示し、金属キャリアは、事前構造化され、オプトエレクトロニクス半導体チップは、キャリア部分上に配置され、半導体チップを封止するプラスチックボディが形成され、キャリアは、構造化され、個片化プロセスが実施される。
【図３５】図３５は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品の製造のためのさらなる方法シーケンスを示し、金属キャリアは、事前構造化され、オプトエレクトロニクス半導体チップは、キャリア部分上に配置され、半導体チップを封止するプラスチックボディが形成され、キャリアは、構造化され、個片化プロセスが実施される。
【図３６】図３６は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品の製造のためのさらなる方法シーケンスを示し、金属キャリアは、事前構造化され、オプトエレクトロニクス半導体チップは、キャリア部分上に配置され、半導体チップを封止するプラスチックボディが形成され、キャリアは、構造化され、個片化プロセスが実施される。
【図３７】図３７は、平面図を用いてオプトエレクトロニクス部品の製造のためのさらなる方法シーケンスを示し、金属キャリアは、事前構造化され、オプトエレクトロニクス半導体チップは、キャリア部分上に配置され、半導体チップを封止するプラスチックボディが形成され、キャリアは、構造化され、個片化プロセスが実施される。
【図３８】図３８は、平面図を用いてオプトエレクトロニクス部品の製造のためのさらなる方法シーケンスを示し、金属キャリアは、事前構造化され、オプトエレクトロニクス半導体チップは、キャリア部分上に配置され、半導体チップを封止するプラスチックボディが形成され、キャリアは、構造化され、個片化プロセスが実施される。
【図３９】図３９は、平面図を用いてオプトエレクトロニクス部品の製造のためのさらなる方法シーケンスを示し、金属キャリアは、事前構造化され、オプトエレクトロニクス半導体チップは、キャリア部分上に配置され、半導体チップを封止するプラスチックボディが形成され、キャリアは、構造化され、個片化プロセスが実施される。
【図４０】図４０は、図３３〜図３９の方法シーケンスによって製造されたオプトエレクトロニクス部品の側面図を示す。
【図４１】図４１は、図３３〜図３９の方法シーケンスによって製造されたオプトエレクトロニクス部品の平面図を示す。
【図４２】図４２は、さらなるオプトエレクトロニクス部品の側面図を示す。
【図４３】図４３は、さらなるオプトエレクトロニクス部品の平面図を示す。
【図４４】図４４は、オプトエレクトロニクス半導体チップとプラスチック体と固定構造とを備える金属キャリアの平面図を示す。
【図４５】図４５は、固定構造の領域における、図４４のキャリアおよびプラスチック体の側面図を示す。
【図４６】図４６は、側面図を用いて、第１のプラスチック材料および第２のプラスチック材料を含むプラスチック体が形成されるオプトエレクトロニクス部品の製造のためのさらなる方法シーケンスを示す。
【図４７】図４７は、側面図を用いて、第１のプラスチック材料および第２のプラスチック材料を含むプラスチック体が形成されるオプトエレクトロニクス部品の製造のためのさらなる方法シーケンスを示す。
【図４８】図４８は、側面図を用いて、第１のプラスチック材料および第２のプラスチック材料を含むプラスチック体が形成されるオプトエレクトロニクス部品の製造のためのさらなる方法シーケンスを示す。
【図４９】図４９は、側面図を用いて、第１のプラスチック材料および第２のプラスチック材料を含むプラスチック体が形成されるオプトエレクトロニクス部品の製造のためのさらなる方法シーケンスを示す。
【図５０】図５０は、図４６〜図４９の方法シーケンスによって製造されたオプトエレクトロニクス部品の側面図を示す。
【図５１】図５１は、さらなるオプトエレクトロニクス部品の側面図を示す。
【図５２】図５２は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示し、濡れ層を含むキャリア部分が形成される。
【図５３】図５３は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示し、濡れ層を含むキャリア部分が形成される。
【図５４】図５４は、濡れ層を含むキャリア部分を備え、回路基板上に配置されたオプトエレクトロニクス部品の側面図を示す。
【図５５】図５５は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示しており、ここでは、濡れ防止層と濡れ層とを含む金属キャリア部分が形成される。
【図５６】図５６は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示しており、ここでは、濡れ防止層と濡れ層とを含む金属キャリア部分が形成される。
【図５７】図５７は、側面図を用いてオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法シーケンスを示しており、ここでは、濡れ防止層と濡れ層とを含む金属キャリア部分が形成される。
【図５８】図５８は、濡れ防止層と濡れ層とを含むキャリア部分を含み、回路基板上に配置されたオプトエレクトロニクス部品の側面図を示す。
【図５９】図５９は、３つのオプトエレクトロニクス半導体チップを備えるオプトエレクトロニクス部品の側面図を示す。
【図６０】図６０は、３つのオプトエレクトロニクス半導体チップを備えるオプトエレクトロニクス部品の平面図を示す。
【図６１】図６１は、３つのオプトエレクトロニクス半導体チップを備えるさらなるオプトエレクトロニクス部品の側面図を示す。
【図６２】図６２は、３つのオプトエレクトロニクス半導体チップを備えるさらなるオプトエレクトロニクス部品の平面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００６４】
添付の図面を用いて、放射放出オプトエレクトロニクス部品１００の可能な構成および関連する製造方法について説明する。オプトエレクトロニクス部品１００は、表面実装可能なＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏ  Ｌｅａｄｓ）部品である。製造の範囲では、半導体技術およびオプトエレクトロニクス部品の製造業者から知られているプロセスを実施することができ、これらの分野で従来の材料を使用することができるので、これについては、部分的にしか議論しない。同様に、示されるとともに説明されるプロセスに加えて、さらなるプロセスが実行されてもよく、部品１００は、示されるとともに説明される部品に加えて、さらなる部品および構造を用いて製造されてもよい。
【００６５】
図面は、本質的に概略的なものに過ぎず、正確な縮尺ではないことを指摘しておく。したがって、図面に示された構成部品および構造は、大きさが誇張して大きくまたは縮小されて示されることがある。以下に説明する方法シーケンスは、図面に詳細に示されている。それぞれ示される部分は、何度も繰り返されてもよい。いくつかの図は、分離線２９０を示し、それに沿って、部品パネルが本方法の終わりに提供される。分離線２９０を用いて、それぞれの部品１００に関して以前に存在していた状況が明らかになる。平面図は、関連する断面側面図の断面に関連する断面線を部分的に含む。平面図に関して、隠蔽された部品および構造は、破線を用いて示されることがあることが、さらに指摘されるべきである。
【００６６】
図１〜図１０は、横方向の断面表示および平面図を用いて、複数の放射放出オプトエレクトロニクス部品１００の共同の製造（ｃｏｍｍｏｎ  ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ）のために取りうる方法を示す。本方法では、図１に示されるように、板状または帯状の金属キャリア１１０が設けられる。キャリア１１０は、例えば、銅から作られ、例えば、０．１５ｍｍの厚さ２１０を有することができる。キャリア１１０は、２つの対向する主側面１１１，１１２、すなわち、表面側１１１および裏面側１１２を備える。
【００６７】
図１にさらに表わされるように、設けられた金属キャリア１１０は、表面側エッチングマスク１４１と裏面側エッチングマスク１４２とを備える。２つのエッチングマスク１４１，１４２は、キャリア１１０の構造化されたコーティングの形態で実施され、互いに隣り合って配置された層部分を含み、その層部分とともに、キャリア１１０の表面側１１１および裏面側１１２の領域が覆われる。このようにして、キャリア１１０の表面側１１１および裏面側１１２の所定位置での選択的エッチング除去が、続いて行われるエッチングプロセスにおいて達成されうる。エッチングマスク１４１，１４２は、少なくとも０．１ｍｍでありうる層部分の間の開口幅および距離２４１，２４２を有する。例えば、少なくとも０．０２５ｍｍのより小さい距離２４１，２４２も可能である。この場合、キャリア１１０は、前述の厚さ２１０よりも小さい、例えば０．０５ｍｍの厚さ２１０を有することができる。
【００６８】
エッチングマスク１４１，１４２は、金属エッチングマスクであり、金属キャリア１１０上に少なくとも１つのメタライゼーション法（メッキ）を実施することによって形成することができる。エッチングマスク１４１，１４２またはそれらの層部分は、例えば、ＮｉＡｕ、ＮｉＰｄＡｕ、またはＮｉＡｇからなる層スタックの形態で実施することができる。メタライゼーションの前に、メタライゼーションが起きることを意図しないキャリア１１０の表面側１１１および裏面側１１２の領域は、構造化されたフォトレジスト層の形態のフォトレジストマスクを形成することによって覆われてもよい。メタライゼーションの後、フォトレジストマスクを除去することができる（図示せず）。
【００６９】
本方法シーケンスでは、エッチングマスク１４１，１４２は、キャリア１１０から除去されず、依然として生成されたオプトエレクトロニクス部品１００内に残る。したがって、エッチングマスク１４１，１４２は、以下ではキャリア１１０、したがって、後に得られるキャリア部分１２１，１２２の一体部分と見なされる。この意味で、キャリア１１０の表面側１１１および裏面側１１２は、エッチングマスク１４１，１４２自体によって部分的に形成される。さらに、エッチングマスク１４１，１４２は、キャリア１１０の接触可能なコーティング、および後に得られるキャリア部分１２１，１２２の接触可能なコーティングを形成し、これらは、例えば、接触構造のはんだ付けおよび接続、ボンドワイヤ１８０に好適である。
【００７０】
金属キャリア１１０にエッチングマスク１４１，１４２を設けた後、図２および図７に示されるように、キャリア１１０の事前構造化は、金属キャリア材料の表面側の除去によって行われる。このために、キャリア１１０の表面側等方性エッチングが行われる。これは、湿式化学エッチング法によって行うことができる。このステップでは、キャリア１１０が表面側エッチングマスク１４１で覆われていない位置でエッチングされる。エッチング後に得られる事前構造化された金属キャリア１１０は、表面側１１１の領域に突出するキャリア部分１２１，１２２と、それらの間に存在する凹部１３０と、を含む。突出したキャリア部分１２１，１２２は、依然として、裏面側キャリア材料によって一緒に保持されている。キャリア部分１２１，１２２は、また、凹部１３０によって周方向に囲まれている。この場合、凹部１３０は、互いに合体し、連続した格子状のトレンチ構造を形成する。
【００７１】
図７に示されるように、キャリア部分１２１，１２２は、この場合、異なる横方向寸法で形成されている。製造される各オプトエレクトロニクス部品１００に対して、キャリア部分１２１およびより小さいキャリア部分１２２が製造される。
【００７２】
等方性エッチングのため、凹部１３０は、図２に示されるように、丸い断面プロファイルを有し、凹部１３０は、わずかな横方向のアンダーカットを含んでもよい。金属キャリア１１０の表面側エッチングは、凹部１３０が提供される元々のキャリア１１０の厚さ２１０の３分の２とすることができる深さ２３０を有する程度まで実施することができる（図１および図２を参照）。異なる深さ２３０も可能であり、これは、例えば、キャリア１１０の厚さ２１０の半分であってもよい。
【００７３】
続いて、図３および図８に示されるように、プラスチック体１５０が、事前構造化された金属キャリア１１０の表面側１１１上に形成される。プラスチックボディ１５０は、キャビティ１５６から構成されており、その手段によってキャリア１１０またはそのエッチングマスク層部１４１が表面側に一部露出されている。プラスチック体１５０を形成するために、成形工具を用いて成形プロセスを実行することによって、プラスチック材料がキャリア１１０上に適用される（図示せず）。
【００７４】
プラスチック体１５０に使用されるプラスチック材料は、例えば、熱硬化性または熱可塑性であってもよい。プラスチック材料は、さらに、反射性プラスチック材料であってもよく、それはプラスチック材料に埋め込まれた反射性粒子（図示せず）を含んでもよく、したがって、白色を有してもよい。代替として、プラスチック材料は、黒色を有してもよい。
【００７５】
プラスチック体１５０の形成中に、プラスチック材料は、金属キャリア１１０の凹部１３０内に配置され、キャビティ１５６の縁部に配置され、部分的にはキャリア部分１２１、１２２上にも配置される（図３および図８参照）。凹部１３０の横方向のアンダーカットのため、キャリア１１０とプラスチック体１５０との間でインターロックが可能である。
【００７６】
プラスチック体１５０は、製造される各オプトエレクトロニクス部品１００のための別個のキャビティ１５６を備える。したがって、キャビティ１５６によって、キャリア部分１２１およびキャリア部分１２２は、それぞれ、表面側で部分的に露出される。キャビティ１５６の領域において、キャリア部分１２１，１２２の間に存在する凹部１３０は、プラスチック体１５０がこの位置において金属キャリア１１０またはその表面側エッチングマスク１４１と面一になるように、プラスチック体１５０のプラスチック材料で充填される。このようにして、図３に示されるように、キャビティ１５６は、平面状の底部を備える。さらに、図３を参照すると、キャビティ１５６は、製造されるオプトエレクトロニクス部品１００の表面側の方向に広がる断面形状を有し、側壁は、キャリア１１０に対して斜めに延びていることが分かる。この構成により、キャビティ１５６は、部品１００用のリフレクタとして使用することができる。
【００７７】
プラスチック体１５０の形成の後、図４および図９に示されるように、放射放出オプトエレクトロニクス半導体チップ１７０は、金属キャリア１１０の表面側１１１上のプラスチック体１５０のキャビティ１５６内に配置され、キャリア１１０に電気的に接続される。単一の半導体チップ１７０が、各キャビティ１５６に取り付けられている。
【００７８】
使用される半導体チップ１７０は、例えば、ＬＥＤチップであってもよい。さらに、本方法シーケンスでは、半導体チップ１７０が表面側接点１７５と裏面側接点（図示せず）とを備える構成が用いられる。表面側接点１７５は、図９に示されるように、１つの円形接点部分と、そこから延びる１つの直線状接点部分と、を含むことができる。
【００７９】
チップ実装の間に、放射放出半導体チップ１７０は、キャリア１１０のキャリア部分１２１上に配置される。この場合、半導体チップ１７０は、例えば、接着、はんだ付け、または焼結によって、キャリア部分１２１上に固定されてもよい。このようにして、半導体チップ１７０の裏面側接点は、それぞれのプロセスで使用される導電性接続材料（接着剤、はんだ、または焼結ペースト）（図示せず）によって、キャリア部分１２１に電気的に接続されてもよい。半導体チップ１７０の表面側接点１７５は、ボンドワイヤ１８０の形態の接触構造によって、同じキャビティ１５６を介してアクセス可能なそれぞれ隣り合うキャリア部分１２２に電気的に接続される。この場合、ボンドワイヤ１８０は、チップ接点１７５の円形の接点部分に接続される。
【００８０】
チップ実装後、プラスチック体１５０のキャビティ１５６は、図４に示されるのと同様に、充填材１６１で充填される。これは、充填材１６１がプラスチック体１５０の表面側と面一になるように行われる。充填材１６１を用いて、キャビティ１５６内に配置された放射放出半導体チップ１７０を封止することができ、したがって、外部の影響から保護することができる。キャビティ１５６内への充填材１６１の導入は、例えば、ディスペンサ（図示せず）を用いて行うことができる。
【００８１】
使用される充填材１６１は、放射透過性または透明なプラスチック材料、例えば、シリコーン材料またはエポキシド材料であってもよい。任意選択で、充填材１６１は、蛍光体粒子を追加的に含むことができる（図示せず）。このようにして、動作中に半導体チップ１７０によって放射される光放射の放射変換をもたらすことができる。図９の平面図およびそれに続く平面図では、充填材１６１は、透明な材料として表されている。
【００８２】
これに続いて、図５に示されるように、キャリア１１０の構造化は、プラスチック体１５０に到達するまで、凹部１３０の領域内の金属キャリア材料を裏面側で除去することによって実行される。このプロセスの間に、プラスチック体１５０は、裏面側で部分的に露出され、キャリア１１０は、別個の、すなわち、金属キャリア材料によってもはや互いに接続されていない複数の金属キャリア部分１２１，１２２に構造化される。この場合、キャリア１１０の表面側１１１の領域にそれまで突出しているキャリア部分１２１，１２２は複数の別個のキャリア部分１２１，１２２に合流する、すなわち、換言すれば、それまで互いに接続されているキャリア部分１２１，１２２は、互いに分離される。事前構造化に従って、キャリア１１０の構造化中に、複数の別個のキャリア部分１２１およびより小さいキャリア部分１２２が、製造される各オプトエレクトロニクス部品１００に対して製造される。この状態では、複数の別個のキャリア部分１２１，１２２は、プラスチック体１５０および充填材１６１によって一緒に保持される。
【００８３】
金属キャリア１１０を複数の別個のキャリア部分１２１，１２２に構造化するために、キャリア１１０の裏面側等方性エッチングが行われる。これは、同様に、湿式化学エッチング法によって実行することができる。このステップでは、キャリア１１０が裏面側エッチングマスク１４２で覆われていない位置でエッチングされる。等方性エッチングのため、キャリア部分１２１，１２２は、図５に示されるように、断面において、共通の横方向に突出する縁部を形成する２つの湾曲した部分フランクを伴う側部フランク１３１を有する。
【００８４】
金属キャリア１１０の構造化の間に、キャリア材料は、凹部１３０の領域だけでなく、他の位置においても、裏面側でエッチングされうる。本方法のシーケンスにおいて、このことは、図５に示すキャリア部分１２１に関連して例示的に示される。この場合、裏面側エッチングマスク１４２は、キャリア部分１２１の領域に開口部を備えている。この結果、裏面側エッチング中に凹部１３２が形成される。等方性エッチングのため、裏面側の凹部１３２は、丸い断面プロファイルを有する。このような凹部１３２は、全てのキャリア部分１２１に設けられていてもよい。
【００８５】
金属キャリア１１０の構造化後に得られた本発明の部品パネルは、図６および図１０に示されるように、その後、複数の別個のオプトエレクトロニクス部品１００に個片化される。このプロセスの間に、プラスチック体１５０の切断は、分離線２９０に沿って複数の別個のキャリア部分１２１，１２２の間で行われる。このようにして、プラスチック体１５０は、複数の別個の部品１００に属する複数のプラスチックパッケージ体１５５に分離される。プラスチック体１５０の切断は、機械的に、例えばソーイング（図示せず）によって実施することができる。
【００８６】
図１〜図１０の方法を用いて製造された個々の放射放出オプトエレクトロニクス部品１００は、図１１および図１２に断面側面図および平面図で示されている。部品１００は、裏面側で接触させることができる２つの別個の金属キャリア部分１２１，１２２と、キャリア部分１２１，１２２と隣り合って接続され、キャビティ１５６を備えるプラスチックパッケージ体１５５と、キャビティ１５６内に配置された単一の放射放出半導体チップ１７０と、を備える。キャビティ１５６は、充填材１６１で充填されている。半導体チップ１７０は、キャリア部分１２１上に配置され、キャリア部分１２１と電気的に接続される。半導体チップ１７０は、ボンドワイヤ１８０によって、他方のキャリア部分１２２に電気的に接続される。このようにして、半導体チップ１７０は、部品１００の動作中に、キャリア部分１２１，１２２を介して電気エネルギーを供給することができる。
【００８７】
図１１を参照すると、オプトエレクトロニクス部品１００は、プラスチックパッケージ体１５５とキャリア部分１２１，１２２とによって形成された構造化された裏面側１０２を備えることがさらに分かる。キャリア部分１２１，１２２は、プラスチックパッケージ体１５５に対して裏面側に突出している。この場合、張り出しは、例えば、数十マイクロメータ範囲内に存在してもよい。張り出しは、例えば、５０μｍとすることができる。例えば、２０μｍまたは３０μｍの範囲の他の張り出しも可能である。キャリア部分１２１，１２２またはそれらのエッチングマスク層部１４２は、部品１００の裏面側の接続面１３５をさらに形成し、それを用いて、部品１００をさらなる装置（図示せず）上に表面実装（ＳＭＴ、表面実装技術）の範囲内に実装することができる。部品１００は、部品１００の全ての外側側面から構成され、プラスチックパッケージ体１５５のみによって形成される周方向側面１０５を備える。部品１００の表面側１０１は、プラスチックパッケージ体１５５および充填材１６１によって形成される。部品１００の動作中、光放射は、充填材１６１を介して表面側で省かれてもよい。
【００８８】
図１〜図１０を用いて説明した方法は、経済的かつ高い信頼性で実施することができる。これは、従来のリードフレームと比較して高い安定性および堅牢性によって差別化されうる金属キャリア１１０の使用に起因する。プラスチック体１５０のみが切断される個片化は、簡単かつ経済的に実施することもできる。本方法は、さらに、コンパクトな寸法を有するオプトエレクトロニクス部品１００を製造する可能性をもたらす。キャリア部分１２１，１２２のために、オプトエレクトロニクス部品１００は、さらに、熱の効率的な放散と低い熱抵抗とによって差別化されうる。プラスチックパッケージ体１５５によってのみ形成される側面１０５のために、部品１００は、さらに、高い堅牢性を有することができる。
【００８９】
上述された方法シーケンスおよびそれによって製造されたオプトエレクトロニクス部品１００に関連して想定されうる可能な変形形態および修正形態を以下で説明する。対応する方法ステップおよび特徴、ならびに同じであるかまたは同じ効果を有する構成部品については、以下では、再び詳細に説明しない。その詳細については、代わりに上述の説明を参照されたい。さらに、１つの構成に関連して言及された態様および詳細は、別の構成に関連して使用されてもよく、２つ以上の構成の特徴は、互いに組み合わされてもよい。
【００９０】
表面側接点１７５および裏面側接点を備える、前述の図に示されたオプトエレクトロニクス半導体チップ１７０の代わりに、他の設計を使用してもよい。例えば、以下に説明する方法シーケンス（例えば、図３４参照）で使用されるような、２つの表面側接点１７５，１７６を含む半導体チップ１７０が可能である。この場合、２つの表面側接点１７５，１７６は、ボンドワイヤ１８０を用いて金属キャリア部分に電気的に接続することができる。さらに、いわゆるフリップチップの形態で実現されうる、２つの裏面側接点を含むオプトエレクトロニクス半導体チップを使用することも可能である。このような半導体チップは、接着、はんだ付け、または焼結によって２つのキャリア部分上に実装されてもよく、これにより、同時に裏面側接点が１つのキャリア部分にそれぞれ電気的に接続されてもよい（図示せず）。
【００９１】
さらなる変更は、ボンドワイヤ１８０によってではなく、他の接触構造によって、半導体チップ１７０の表面側接点１７５，１７６を金属キャリア部分に接続することからなる。１つの例は、ＰＩ接触（プレーナ相互接続）またはＲＤＬ層（再分配層）とも呼ばれる金属接点層である。このような接触構造に関して、半導体チップ１７０まで横方向に到達する１つ以上の絶縁層は、キャリア部分の接触領域の空きを保つために、凹部を有するように形成されてもよい。その後、表面側チップ接点１７５、１７６をキャリア部分に電気的に接続するために、接点層を形成することができる（図示せず）。
【００９２】
さらなる変形は、異なる順序で本方法のステップを実行することにある。例えば、金属キャリア１１０を複数の別個のキャリア部分に構成し、その結果、既に分離された金属キャリア部分上に半導体チップを配置するために、金属キャリア１１０の裏面側エッチングの前にではなく後にチップ実装を行うことが考えられる。この手順により、裏面側エッチング中に起こる可能性がある半導体チップの損傷を回避することができる。このようにして、チップ実装は、プレモールドパッケージまたは半完成品とも呼ばれうるプレハブパッケージ上で実施されてもよい。
【００９３】
例示的な説明のために、図１３は、そのようなプレハブパッケージ２００を断面側面図で示す。プレハブパッケージ２００は、複数の別個の金属キャリア部分１２１，１２２と、キャビティ１５６を備えるキャリア部分１２１，１２２に接続されたプラスチック体１５０と、を備える。プレハブパッケージ２００の製造は、まず、上述した本方法と同様の方法、すなわち、エッチングマスク１４１，１４２を含む金属キャリア１１０が設けられ（図１参照）、キャリア１１０は、表面側エッチングによって事前構造化され、その結果、表面側１１１の領域に突出するキャリア部分１２１，１２２およびそれらの間の凹部１３０（図２および図７参照）を含み、プラスチック体１５０には、キャリア１１０上にキャビティ１５６が形成される（図３および図８参照）。続いて、キャリア１１０は、図１３に示されるプレハブパッケージ２００を提供するために、裏面側エッチングによって複数の別個のキャリア部分１２１，１２２に構造化される。オプトエレクトロニクス部品１００のさらなる製造も、上述の本方法に従って行うことができる。すなわち、オプトエレクトロニクス半導体チップ１７０は、プラスチック体１５０のキャビティ１５６内のキャリア部分１２１上に実装され、ボンドワイヤ１８０によってキャリア部分１２２に接続され、キャビティ１５６は、充填材１６１で充填され、続いて得られる本部品パネルは、キャリア部分１２１，１２２の間の分離線２９０に沿ってプラスチック体１５０を切断することによって、複数の別個のオプトエレクトロニクス部品１００に個片化される（図５、図６、および図１０参照）。
【００９４】
上述のように、キャリア１１０の表面側エッチングによって生成される凹部１３０は、アンダーカットを含んでもよく、その結果、キャリア１１０とプラスチック体１５０との間にインターロックをもたらすことができる。しかしながら、さらに、制御された方法で固定を提供する可能性がある。
【００９５】
この態様を図示するために、図１４〜図２０は、断面側面図および平面図を援用した、放射放出オプトエレクトロニクス部品１００の製造のためのさらなる方法シーケンスを示す。これは、本質的に、図１〜図１０の方法シーケンスに対応する。本方法では、図１４および図１９に示されるように、表面側および裏面側エッチングマスク１４１，１４２を備える事前構造化された金属キャリア１１０が提供される。キャリア１１０は、ここでも、表面側１１１の領域に突出するキャリア部分１２１，１２２と、それらの間の凹部１３０と、を備える。さらに、キャリア１１０は、裏面側１１２の領域に存在し凹部１３０に合流する貫通孔１３３を備える。図示される構成では、３つの貫通孔１３３がそれぞれ、製造される異なる複数の部品１００のために設けられた隣り合うキャリア部分１２１，１２２の間に、したがって分離線２９０の領域に配置されている（図１９参照）。
【００９６】
貫通孔１３３は、等方性エッチングによる金属キャリア材料の裏面側の除去によって製造することができる。このようにして、図１４に示されるように、貫通孔１３３は、丸い断面プロファイルを有する可能性がある。キャリア１１０を上述のように事前構造化し、その後、貫通孔１３３を形成することが可能である。代替として、裏面側凹部を最初にキャリア１１０に形成し、続いてキャリア１１０の事前構造化を実施して、貫通孔１３３を凹部から得ることができる。
【００９７】
続いて、図１５に示されるように、キャビティ１５６を有するプラスチック体１５０が、事前構造化された金属キャリア１１０上に形成される。成形プロセスを用いて実施されるこのステップでは、プラスチック体１５０のプラスチック材料が、凹部１３０内、貫通孔１３３内、およびキャビティ１５６の縁部において、部分的にキャリア部分１２１，１２２上に配置される。この場合、貫通孔１３３内に形成されたプラスチック材料は、プラスチック体１５０をキャリア１１０に固定するためのプラスチック体１５０の固定部１５８を形成する。固定部１５８は、キャリア１１０またはそのエッチングマスク１４２と裏面側で面一である。貫通孔１３３の丸い断面プロファイルのため、固定部１５８は、キャリア１１０の裏面側１１２の方向に広がる断面形状を有する。この構成は、プラスチック体１５０の確実な固定を可能にする。
【００９８】
これに続いて、放射放出オプトエレクトロニクス半導体チップ１７０をプラスチック体１５０のキャビティ１５６内のキャリア部分１２１上に配置する、半導体チップ１７０をボンドワイヤ１８０によって隣り合うキャリア部分１２２上に接続する、プラスチック体１５０のキャビティ１５６を充填材１６１（図１６参照）で充填する、キャリア１１０が複数の別個のキャリア部分１２１，１２２に構造化されるように、キャリア１１０の裏面側エッチングする、などのステップが実行される（図１７参照）。次に、図１８および図２０に示されるように、プラスチック体１５０をキャリア部分１２１，１２２の間の分離線２９０に沿って切断することによって、部品パネルを複数の別個のオプトエレクトロニクス部品１００に個片化する。このプロセスの間に、プラスチック体１５０は、複数の別個の部品１００に属する複数のプラスチックパッケージ体１５５に分離される。分離線２９０の領域に位置する固定部１５８も切断され、それによって、この場合、２つのプラスチックパッケージ体１５５の間にそれぞれ分配される。
【００９９】
このようにして製造された複数のオプトエレクトロニクス部品１００、またはその複数のプラスチックパッケージ体１５５は、その縁部でキャリア部分１２１，１２２に係合する追加の固定部１５８を備える。部品１００の裏面側１０２の方向に広がる断面形状を有する固定部１５８は、それぞれ、キャリア部分１２１，１２２と横方向に隣り合い、関連するキャリア部分１２１，１２２と、またはキャリア部分１２１，１２２によって形成された接続面１３５と、裏面側で面一である。このようにして製造された個々のオプトエレクトロニクス部品１００は、図２１の平面図に図示されている。固定部１５８のため、部品１００は、高い機械的安定性を有することができる。
【０１００】
固定部１５８を設けることに関して、それに対応させた変更を想定することができる。これは、例えば、固定部１５８の位置に関する。例えば、オプトエレクトロニクス部品１００の製造は、図２１とは対照的に、このような固定部１５８が、短辺の領域に存在するだけでなく、部品１００の長辺の領域に加えてまたは代替として存在するように実施されてもよい。さらに、固定部１５８は、縁部だけでなく、複数の部品１００の複数のキャリア部分の間にも設けることができる（図示せず）。さらなる可能な位置は、以下に説明する方法シーケンス（図２６および図４４を参照）の場合のように、部品１００の角またはキャリア部分の内側でさえある。
【０１０１】
図２２は、プラスチック体１５０を備えた事前構造化された金属キャリア１１０の断面側面図を用いて、固定部１５８に関して考えられる別の可能な構成を示す。この場合、キャリア１１０は、凹部１３０に合流し、凹部１３０に対して階段状に突出する形状を有する裏面側貫通孔１３３を備える。これに対応して、貫通孔１３３内に配置された固定部１５８は、凹部１３０内に位置するプラスチック体１５０の小部分に対して階段状に突出する形状を有する。この構成は、プラスチック体１５０の安定した固定を可能にする。本方法の終わりに行われる個片化の間に、このような固定部１５８は、対応して切断され、それによって、複数のまたは２つのプラスチックパッケージ体１５５の間に分配されてもよい。この場合、複数のプラスチックパッケージ体１５５から形成される固定部１５８は、それぞれ、キャリア部分１２１，１２２（図示せず）の方向に横方向に突出する形状を有してもよい。
【０１０２】
金属キャリア１１０を準備し、事前構造化し、プラスチック体１５０を形成し、キャリア１１０を複数の別個のキャリア部分に構造化することによって製造することができるプレハブパッケージ２００には、それに対応してプラスチック体１５０の固定部１５８を設けることができる。さらに、ドライバチップ１９０をさらに備えるオプトエレクトロニクス部品１００を製造することができる。集積回路を含み、したがってＩＣ（集積回路）とも呼ばれるドライバチップ１９０を用いて、部品１００のオプトエレクトロニクス半導体チップ１７０を電気的に駆動することができる。このような部品１００を実装するために、チップ実装は、対応するキャリア部分上にドライバチップ１９０を実装することをさらに含む。
【０１０３】
図２３〜図２８は、断面側面図および平面図を用いて、放射放出オプトエレクトロニクス部品１００を製造するためのさらなる方法シーケンスを示しており、この場合、上述の２つの態様を一緒に使用することができる。本方法では、図２３および図２６に示されるように、複数の別個の金属キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４と、金属キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４に接続され、キャビティ１５６，１５７を備えるプラスチック体１５０と、を備えるプレハブパッケージ２００が提供される。図示される構成では、パッケージ２００は、製造される各部品１００に対して、キャリア部分１２１、キャリア部分１２２、キャリア部分１２３、および４つのキャリア部分１２４を備える。プラスチック体１５０は、製造される各部品１００のための２つのキャビティ１５６，１５７を備え、キャビティ１５６によってキャリア部分１２１，１２２が表面側で部分的に露出され、キャリア部分１２１，１２３，１２４が他方のキャビティ１５７によって表面側で部分的に露出される。プレハブパッケージ２００またはそのプラスチック体１５０は、さらに、固定部１５８を有する。これらは、製造される異なる複数の部品１００のために、したがって分離線２９０の領域に設けられた隣り合うキャリア部分１２２，１２３の間に位置する固定部１５８と、キャリア部分１２１の内側にそれぞれ配置された固定部１５８と、を含む。
【０１０４】
図２３および図２６に示されるプレハブパッケージ２００の製造（図示せず）は、マスク１４１，１４２と、表面側１１１の領域に突出するキャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４と、キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４を周方向に取り囲む凹部１３０と、貫通孔１３３と、を備える、事前構造化された金属キャリア１１０を設けることによって実施されてもよい。この場合、分離線２９０の領域に固定部１５８を形成するために設けられた貫通孔１３３は、凹部１３０に合流する。これらの貫通孔１３３は、キャリア１１０の裏面側エッチングによって作製することができる。キャリア部分１２１の内側の固定部１５８の製造のために設けられた他の貫通孔１３３は、キャリア１１０の表面側および裏面側のエッチングによって製造することができる。この場合、突出キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４を囲む凹部１３０は、表面側エッチングによって同時に形成されてもよい。続いて、キャビティ１５６，１５７を有するプラスチック体１５０を、事前構造化されたキャリア１１０上に形成することができる。固定部１５８は、この場合、貫通孔１３３内にプラスチック体１５０のプラスチック材料を配置することによって製造することができる。プレハブパッケージ２００を完成させるために、キャリア１１０は、裏面側エッチングによって構造化されてもよく、それによって、複数の別個の金属キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４が設けられてもよい。
【０１０５】
その後のチップ実装の間に、部品１００に関連して図２４および図２７に示されるように、生成される各オプトエレクトロニクス部品１００について、放射放出オプトエレクトロニクス半導体チップ１７０がキャビティ１５６内のキャリア部分１２１上に実装され、ボンドワイヤ１８０によって隣り合うキャリア部分１２２に接続され、ドライバチップ１９０がキャリア部分１２３上に実装され、ボンドワイヤ１８０によって隣り合うキャリア部分１２１，１２４に接続される。本構成では、ドライバチップ１９０が５つの表面側接点（図示せず）を備え、そのうちの１つの接点は、ボンドワイヤ１８０によってキャリア部分１２１に接続され、他の接点は、ボンドワイヤ１８０によってキャリア部分１２４に接続される。オプトエレクトロニクス部品１００では、キャリア部分１２４がドライバチップ１９０のエネルギー供給およびドライバチップ１９０への制御信号の形態での情報の伝送のために使用されてもよい。
【０１０６】
チップ実装後、同様に図２４に示されるように、キャビティ１５６，１５７は、充填され、半導体チップ１７０およびドライバチップ１９０は、封止され、外部の影響から保護される。この目的のために、ディスペンサ（図示せず）を使用することができる。放射放出半導体チップ１７０を含むキャビティ１５６に関して、上述の充填材１６１（任意選択で蛍光体粒子を含む放射透過性プラスチック材料）が使用される。ドライバチップ１９０を含むキャビティ１５７に関して、異なる充填材１６２が使用される。これは、例えば、放射不透過性プラスチック材料であってもよい。図２７および図２８の平面図では、両方の充填材１６１，１６２は、透明な材料として示されている。
【０１０７】
キャビティ１５６，１５７を充填した後に得られた本発明の部品パネルは、その後、図２５および図２８に示されるように、キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４の間の分離線２９０に沿ってプラスチック体１５０を切断することによって、複数の別個のオプトエレクトロニクス部品１００に個片化される。このようにして、プラスチック体１５０は、複数の別個の部品１００に属する複数のプラスチックパッケージ体１５５に分離される。分離線２９０の領域に位置する固定部１５８の幾つかは、２つのプラスチックパッケージ体１５５の間でそれぞれ切断され、分配される。
【０１０８】
このようにして製造されたオプトエレクトロニクス部品１００は、複数の別個の金属キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４と、３つの固定部１５８および２つのキャビティ１５６，１５７を含むプラスチックパッケージ体１５５と、を備え、放射放出半導体チップ１７０がキャビティ１５６内に配置され、ドライバチップ１９０が他方のキャビティ１５７内に配置される。この構成により、かつ、ドライバチップキャビティ１５７内に放射不透過性充填材１６２を使用することにより、半導体チップ１７０によって生成され任意選択で変換される光放射によってドライバチップ１９０が照射を受けることを回避することができる。この結果、ドライバチップ１９０の機能性が損なわれることを回避することができる。金属キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４は、裏面側の接続面１３５を形成する。ドライバチップ１９０は、ボンドワイヤ１８０によってキャリア部分１２１に電気的に接続され、このキャリア部分にはその上に配置された半導体チップ１７０も電気的に接続される。このようにして、半導体チップ１７０とドライバチップ１９０との間に間接的な電気接続が存在し、その結果、ドライバチップ１９０を用いて半導体チップ１７０を電気的に駆動することができる。
【０１０９】
ドライバチップ１９０の使用に関して、１つの可能な変更はプラスチック体１５０のキャビティ１５７内にドライバチップ１９０を配置せず、代わりに、プラスチック体１５０の形成中にプラスチック体１５０内にドライバチップ１９０を埋め込み、それによってドライバチップ１９０を封止することにある。このような構成では、ドライバチップ１９０の実装がオプトエレクトロニクス半導体チップ１７０の実装前に行われる。
【０１１０】
前述の態様を図示するために、図２９は、図２３〜図２８の方法で使用されるパッケージ２００の修正を表す、さらなるプレハブパッケージ２００の断面側面図を示す。パッケージ２００は、複数の別個の金属キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４を備え、そのうちのキャリア部分１２１，１２２，１２３のみが図２９に示されている。キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４に関して、構造は、図２６に対応するものである。さらに、パッケージ２００は、製造される各オプトエレクトロニクス部品１００に対して、オプトエレクトロニクス半導体チップ１７０を受け入れるためのキャビティ１５６のみを備えるプラスチック体１５０を備える。さらに、製造される各部品１００について、パッケージ２００は、キャリア部分１２３上に予め取り付けられ、プラスチック体１５０に埋め込まれたドライバチップ１９０を備える。ドライバチップ１９０は、ボンドワイヤ１８０によってキャリア部分１２１および他のキャリア部分１２４（図２９には図示せず）に接続される。ドライバチップ１９０の配線に関連して、構成は、図２７に対応するものである。
【０１１１】
図２９のプレハブパッケージ２００の製造は、突出キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４、凹部１３０、および貫通孔１３３を備える事前構造化された金属キャリア１１０を設け、キャリア部分１２３上にドライバチップ１９０を実装し、ボンドワイヤ１８０によってそれらをキャリア部分１２１，１２４に接続し、ドライバチップ１９０を埋め込むキャリア１１０上にプラスチック体１５０を形成し、続いて、裏面側エッチングによってキャリア部分１１０を複数の別個のキャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４に構造化することによって実施されてもよい。オプトエレクトロニクス部品１００をさらに製造するために、オプトエレクトロニクス半導体チップ１７０をプラスチック体１５０のキャビティ１５６内のキャリア部分１２１上に配置し、ボンドワイヤ１８０によってキャリア部分１２２に接続し、キャビティ１５６を充填し、続いてプラスチック体１５０を切断することによって部品パネルを個片化することができる。このようにして製造されたオプトエレクトロニクス部品１００は、ドライバチップ１９０が埋め込まれたプラスチックパッケージ体１５５を含む（図示せず）。この構成では、ドライバチップ１９０の照射、したがってドライバチップ１９０の機能性の低下も回避することができる。
【０１１２】
ドライバチップ１９０を含むオプトエレクトロニクス部品１００の製造に関して、プレハブパッケージ２００なしで製造が実施されることも可能である。この意味で、例えば、図２３〜図２８を用いて説明した方法は、事前構造化されたキャリア１１０を複数の別個のキャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４に構造化することが、キャリア１１０上に形成されたプラスチック体１５０のキャビティ１５６または１５７内にオプトエレクトロニクス半導体チップ１７０およびドライバチップ１９０を取り付けるまで行われないように変更することができる。図２９に関連して、事前構造化されたキャリア１１０の複数の別個のキャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４への構造化は、プラスチック体１５０のキャビティ１５６へのオプトエレクトロニクス半導体チップ１７０の実装後、プラスチック体１５０がドライバチップ１９０を装備したキャリア１１０上に前もって形成されるまでに実施されなくてもよい。
【０１１３】
さらに、単一ではなく複数の、放射放出オプトエレクトロニクス半導体チップ１７０を備えるオプトエレクトロニクス部品１００を製造することが可能である。複数の半導体チップ１７０は、プラスチックパッケージ体１５５内のキャビティ１５６内に一緒に設けることができる。また、複数の半導体チップ１７０は、別々に駆動可能であってもよく、それは金属キャリア部分および半導体チップ１７０の対応する相互接続の、そのために適合された構成によって実施されてもよい。この場合、さらに、異なる光放射を生成するための複数の半導体チップ１７０を含む複数の部品１００の構成が実施されてもよい。これらは、例えば、赤色、緑色、および青色の光放射を生成するための３つの半導体チップ１７０を有する複数のＲＧＢ部品１００を含む。
【０１１４】
前述の態様を説明するために、図３０は、３つの放射放出半導体チップ１７０およびドライバチップ１９０を備える複数のオプトエレクトロニクス部品１００の製造に適した、表面側に突出する複数のキャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６と、それらの間に存在する連続的な凹部１３０とを備える、事前構造化された金属キャリア１１０の平面図を示す。図３０は、製造される部品１００の領域におけるキャリア１１０の詳細を示す。このキャリア１１０を使用することによって生成されるオプトエレクトロニクス部品１００は、図３１の平面図に示されている。部品１００は、キャリア部分１２１，１２２，１２３のうちの１つの上にそれぞれ配置される３つの放射放出半導体チップ１７０を含む。３つの半導体チップ１７０は、赤色、緑色、および青色の光放射を生成するように構成されてもよく、その結果、部品１００はＲＧＢ部品である。
【０１１５】
図３１のオプトエレクトロニクス部品１００は、キャリア部分１２５上に配置されたドライバチップ１９０をさらに備える。ドライバチップ１９０は、ボンドワイヤ１８０によってキャリア部分１２６に接続されている。このようにして、ドライバチップ１９０に電気エネルギーを供給し、情報を受信することができる。ドライバチップ１９０は、ボンドワイヤ１８０によって、４つのキャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４にさらに接続されている。また、半導体チップ１７０は、ボンドワイヤ１８０によってキャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４に接続されている。このようにして、ドライバチップ１９０とキャリアチップ１７０との間に、とりわけキャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４によって実施される間接的な電気接続が存在する。このようにして、半導体チップ１７０は、ドライバチップ１９０を用いて、互いに別々に電気的に駆動されてもよい。
【０１１６】
図３１の部品１００のさらに一体化された部分は、ドライバチップ１９０が埋め込まれたプラスチックパッケージ体１５５である。プラスチックパッケージ体１５５は、キャビティ１５６を備え、その手段によりキャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４が少なくとも表面側に部分的に露出される。従って、上方から見て、キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４は、キャビティ１５６の内側および外側に部分的に配置されている。半導体チップ１７０は、キャビティ１５６内に配置される。キャビティ１５６は、さらに、放射透過性または透明な充填材１６１で充填される。
【０１１７】
図３１のオプトエレクトロニクス部品１００は、図２９を用いて説明した方法と同様の方法で製造することができる。すなわち、ドライバチップ１９０は、まず、図３０に詳細として示され、事前構造化されたキャリア１１０のキャリア部分１２５上に配置され、配線される。続いて、駆動チップ１９０を封止し、キャビティ１５６を含むプラスチック体１５０をキャリア１１０上に形成し、キャリア１１０を裏面側エッチングによって複数の別個のキャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６に構造化し、半導体チップ１７０をキャビティ１５６内に取り付け、配線することができる。続いて、キャビティ１５６を充填し、個片化を行うことができる（図示せず）。
【０１１８】
図３２は、図３１のオプトエレクトロニクス部品１００の裏面図を示す。この図を援用すると、事前構造化されたキャリア１１０の凹部１３０の領域だけでなく、キャリア部分、この場合、キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４の領域において、裏面側キャリアエッチング中に行われるキャリア材料の除去に関連して、さらなる可能な構成が分かる可能性がある。図３２では、関連するキャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４が追加的にエッチングされた裏面側エッチング領域がハッチングによって強調表示されている。このようにして、キャリア部分１２１，１２２，１２３（および１２５，１２６）によって形成され、図３２においてハッチングによって表されていない裏面側の接続面１３５は、対称的な構成を有する。これにより、部品１００を位置ずれなく確実に表面実装することができる。裏面側で完全にエッチングされたキャリア部分１２４は、他のキャリア部分１２１，１２２，１２３，１２５，１２６よりも厚さが小さく、裏面側の接続面１３５を形成していない。
【０１１９】
図３１および図３２のオプトエレクトロニクス部品１００は、例えば、インテリジェントＲＧＢ照明部品として、および自動車の内部に使用されてもよい。この場合、ドライバチップ１９０は、例えば、半導体チップ１７０が発光すべき輝度および時系列に関するデータバスを介して情報を受信することができる。さらに、部品１００は、自動車のバッテリ電圧で作動させることができる。バッテリ電圧は、半導体チップ１７０の順方向電圧よりも実質的に高くてもよく、その結果、高い熱損失電力が生成されうる。金属キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６を有する部品１００の構成は、この場合、生成された熱エネルギーを効率的に放散することを可能にする（図示せず）。
【０１２０】
オプトエレクトロニクス部品１００の製造に関連して考えられるさらなる方法の変形例は、キャビティのないプラスチック体１５０を形成し、その中にオプトエレクトロニクス半導体チップ１７０を埋め込むことからなる。このようにして、複数の部品１００を経済的に製造することができる。
【０１２１】
前述の態様を説明するために、図３３〜図３９は、断面側面図および平面図を用いて、放射放出オプトエレクトロニクス部品１００を製造するためのさらなる方法シーケンスを表す。本方法では、図３３および３７に示されるように、表面側および裏面側エッチングマスク１４１，１４２を備える事前構造化された金属キャリア１１０が設けられ、金属キャリア１１０は、表面側１１１の領域に突出するキャリア部分１２１，１２２と、それらの間の凹部１３０とを備える。キャリア部分１２１，１２２は、一致する横方向寸法を有する。製造される各部品１００に対して、キャリア部分１２１およびキャリア部分１２２が設けられる。事前構造化は、エッチングマスク１４１を使用することによって、キャリア１１０の表面側等方性エッチングによって上述した方法で行われる。
【０１２２】
これに続いて、図３４および３８に示されるように、放射放出オプトエレクトロニクス半導体チップ１７０が、事前構造化された金属キャリア１１０の表面側１１１上に配置され、これに電気的に接続される。この場合、半導体チップ１７０は、２つの表面側接点１７５，１７６を備える。接点１７５は、１つの円形接点部と１つの直線状接点部とを含む。他方の接点１７６は、１つの円形接触部と２つの直線状接触部とを備える。チップ実装中、半導体チップ１７０は、２つの隣り合うキャリア部分１２１，１２２上にそれぞれ固着される。このプロセスは、例えば、接着、はんだ付け、または焼結によって実施することができる。さらに、半導体チップ１７０の表面側接点１７５，１７６は、ボンドワイヤ１８０によって、半導体チップ１７０が配置されているキャリア部分１２１，１２２のうちの１つにそれぞれ電気的に接続される。この場合、ボンドワイヤ１８０は、チップ接点１７５，１７６の円形の接点部分に接続される。
【０１２３】
次に、図３４に示されるように、半導体チップ１７０を備えた金属キャリア１１０の表面側１１１にプラスチック体１５０を形成する。これは、オプトエレクトロニクス半導体チップ１７０がボンドワイヤ１８０とともにプラスチック体１５０に埋め込まれるようにして行われる。プラスチック体１５０は、さらに、キャリア１１０の凹部１３０内に配置されている。等方性エッチングのため、凹部１３０は、アンダーカットを含みうるので、キャリア１１０とプラスチック体１５０との間でインターロックが可能である。
【０１２４】
プラスチック体１５０の形成のために、オプトエレクトロニクス半導体チップ１７０を覆う連続層の形態のプラスチック材料が、キャリア１１０上に適用される。この目的のために、例えば、成形プロセスを実施することができる。プラスチック材料の試験も可能であり、これは、ダムと呼ばれる境界構造（いわゆるダム＆フィル法、図示せず）を使用することによって実施することができる。使用されるプラスチック材料は、放射透過性または透明なプラスチック材料、例えば、シリコーン材料またはエポキシド材料であってもよい。熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を使用することも可能である。さらに、プラスチック材料は、蛍光体粒子（図示せず）を付加的に含んでもよく、その結果、動作中に半導体チップ１７０によって放射される光放射の放射変換もたらされうる。図３８の平面図およびそれに続く平面図では、プラスチック材料は、透明な材料として表されている。
【０１２５】
続いて、図３５に示されるように、キャリア１１０は、エッチングマスク１４２を使用することによって、凹部１３０の領域における裏面側等方性エッチングによって、複数の別個の金属キャリア部分１２１，１２２に構造化される。エッチングは、プラスチック体１５０に到達するまで行われ、その結果、プラスチック体１５０は、部分的に裏面側に露出する。この状態では、複数の別個のキャリア部分１２１，１２２は、プラスチック体１５０によって一緒に保持される。キャリア部分１２１，１２２は、横断面において、共通の横方向に突出する縁部を形成する２つの湾曲した部分フランクを伴う側部フランク１３１を有する。
【０１２６】
次に、図３６および図３９に示されるように、部品パネルは、キャリア部分１２１，１２２の間の分離線２９０に沿ってプラスチック体１５０を切断することによって、複数の別個のオプトエレクトロニクス部品１００に個片化される。このプロセスの間に、プラスチック体１５０は、複数の別個の部品１００に属する複数のプラスチックパッケージ体１５５に分離される。
【０１２７】
図３３〜図３９の方法を用いて製造された個々の放射放出オプトエレクトロニクス部品１００は、図４０および図４１に断面側面図および平面図で示されている。部品１００は、２つの別個の金属キャリア部分１２１，１２２と、キャリア部分１２１，１２２上に配置され、ボンドワイヤ１８０によってそれらに電気的に接続された放射放出半導体チップ１７０と、キャリア部分１２１，１２２および半導体チップ１７０と隣り合い、半導体チップ１７０を封止するプラスチックパッケージ体１５５と、を備える。プラスチックパッケージ体１５５は、部品１００の表面側１０１および周方向側面１０５を形成する。部品１００の構造化された裏面側１０２は、プラスチックパッケージ体１５５とキャリア部分１２１，１２２とによって形成される。部品１００の動作中、光放射は、プラスチックパッケージ体１５５を通して、したがって、表面側１０２、側面１０５、および部分的には部品１００の裏面側１０２を通して放射されうる。
【０１２８】
図４２および図４３は、図４０および図４１に示す部品１００と同様の構造を有するさらなるオプトエレクトロニクス部品１００の断面側面図および平面図を示す。部品１００は、異なる横方向寸法を有する２つの別個の金属キャリア部分１２１，１２２を備える。２つの表面側接点１７５，１７６を備える放射放出半導体チップ１７０がキャリア部分１２１上に配置され、ボンドワイヤ１８０によってキャリア部分１２１，１２２に接続される。別の一体部分は、キャリア部分１２１，１２２と隣り合い、半導体チップ１７０を封止するプラスチックパッケージ体１５５である。図４２および図４３に示す構成を有する部品１００の製造（図示せず）は、図３３〜図３９の方法シーケンスに従って実施することができるが、この場合、異なる横方向寸法を有するキャリア部分１２１，１２２が製造され、半導体チップ１７０は、キャリア部分１２１上にのみ取り付けられる。半導体チップ１７０をキャリア部分１２１上にのみ配置することによって、半導体チップ１７０が両方のキャリア部分１２１，１２２上に配置され、したがって、プラスチックパッケージ体１５５のキャリア部分１２１，１２２の間に位置する部分領域を覆う図４０、図４１に示される構成とは対照的に、部品１００の動作中に、より低い裏面側の放射放出が達成されうる。
【０１２９】
半導体チップ１７０がプラスチックパッケージ体１５５に埋め込まれているオプトエレクトロニクス部品１００の製造に関しては、キャリア１１０を設け、貫通孔１３３を備え、キャリア１１０上にプラスチック体１５０を形成する間に、貫通孔１３３に使用されるプラスチック材料を配置することによって、対応させて固定を実施することができる。説明のために、図３３〜図３９の方法の可能な変更を、図４４および図４５を用いて以下により詳細に説明する。
【０１３０】
図４４は、半導体チップ１７０を備え、その上に半導体チップ１７０を封止するプラスチック体１５０が形成される、事前構造化された金属キャリア１１０の図３８に対応する平面図を示す。キャリア１１０は、凹部１３０に合流する裏面側貫通孔１３３を備える。図示される構成では、貫通孔１３３は、製造される異なる複数の部品１００のために設けられた隣り合うキャリア部分１２１，１２２の角の領域に、したがって分離線２９０の領域に位置する。キャリア１１０上にプラスチック体１５０を形成する間に、使用されるプラスチック材料は、図４５に断面側面図で示す貫通孔１３３の領域で示されるように、貫通孔１３３内に導入される。それによってプラスチック体１５０から形成される固定部１５８は、裏面側でキャリア１１０と面一である。この場合、貫通孔１３３は、凹部１３０に対して階段状に突出した形状を有している。これに対応して、固定部１５８は、凹部１３０内に配置されたプラスチック体１５０の小部分に対して階段状に突出する形状を有する。固定部１５８は、本方法の終わりに行われる個片化の間に切断され、それによって、複数の、または４つのプラスチックパッケージ体１５５（図示せず）の間に分配されてもよい。
【０１３１】
図４６〜図４９は、断面側面図を用いて、オプトエレクトロニクス部品１００を製造するためのさらなる方法シーケンスを示す。これは、図３３〜図３９の方法のさらなる変形であり、プラスチック体１５０は、１つでなく２つの異なるプラスチック材料１５１，１５２から形成される。本方法の開始時には、図４６に示されるように、表面側および裏面側エッチングマスク１４１，１４２を備える事前構造化された金属キャリア１１０がここでも設けられ、金属キャリア１１０は、表面側１１１の領域に突出するキャリア部分１２１，１２２と、それらの間の凹部１３０と、を備える。上記から分かるように、事前構造化されたキャリア１１０は、図３７に対応する構造を有することができ、続いて、同様に図４６に示されるように、第１のプラスチック材料１５１が、キャリア１１０の表面側１１１上に配置される。プラスチック材料１５１は、キャリア１１０の凹部１３０にのみ導入される。これは、プラスチック材料１５１がキャリア部分１２１，１２２または関連する表面側エッチングマスク１４１と面一になるように行われる。この目的のために、例えば、成形プロセスが実行されてもよい（図示せず）。プラスチック材料１５１は、反射性材料であり、反射性粒子（図示せず）を含み、したがって白色を有することができる。可塑性材料１５１は、例えば、反射性ＴｉＯ２粒子が埋め込まれたシリコーン材料またはエポキシド材料であってもよい。
【０１３２】
その後のチップ実装の間に、図４７に示されるように、放射放出オプトエレクトロニクス半導体チップ１７０は、２つの隣り合うキャリア部分１２１，１２２上にそれぞれ配置され、キャリア部分１２１，１２２のうちの１つにそれぞれボンドワイヤ１８０によって接続される。さらに、図４７に同様に示されるように、第２のプラスチック材料１５２が第１のプラスチック材料１５１、キャリア部分１２１，１２２、および半導体チップ１７０上に配置され、その結果、半導体チップ１７０は、ボンドワイヤ１８０とともにプラスチック材料１５２に埋め込まれる。このようにして、２つのプラスチック材料１５１、１５２を含むプラスチック体１５０が、キャリア１１０上に同時に設けられる。図４７に関連して図３８の平面図が使用されてもよく、第２のプラスチック材料１５２は、半導体チップ１７０を覆う連続層の形態で適用される。この目的のために、例えば、成形プロセスまたは鋳造プロセスが実行されてもよい（図示せず）。第２のプラスチック材料１５２は、放射透過性または透明なプラスチック材料、例えば、シリコーン材料またはエポキシド材料とすることができ、放射変換のための蛍光体粒子（図示せず）を任意に含むことができる。
【０１３３】
これに続いて、図４８に示されるように、キャリア１１０は、凹部１３０の領域における裏面側エッチングによって、複数の別個のキャリア区域１２１，１２２に構造化される。エッチングは、プラスチック体１５０の第１のプラスチック材料１５１に到達するまで行われ、その結果、プラスチック材料１５１は、部分的に裏面側で露出される。
【０１３４】
続いて、図４９に示されるように、部品パネルは、プラスチック体１５０のプラスチック材料１５１，１５２をキャリア部分１２１，１２２の間の分離線２９０に沿って切断することによって、複数の別個のオプトエレクトロニクス部品１００に個片化される。図４９に関連して、図３９の平面図を対応させて使用することができる。個片化の間に、プラスチック体１５０は、複数の別個の部品１００に属する複数のプラスチックパッケージ体１５５に分離される。
【０１３５】
上述の本方法を用いて製造された個々の放射放出オプトエレクトロニクス部品１００は、図５０の断面側面図に示されている。上記から分かるように、部品１００は、図４１に対応する構造を有することができる。部品１００は、プラスチックパッケージ体１５５が２つの異なるプラスチック材料１５１，１５２を含むという点で、図４０に示された構成とは異なる。第１のプラスチック材料１５１は、キャリア部分１２１，１２２の横方向に隣に、かつそれらの間に位置する。この場合、第１のプラスチック材料１５１は、キャリア部分１２１，１２２の表面側と面一であるか、またはキャリア部分１２１，１２２の表面側に存在する表面側エッチングマスク１４１と面一である。第２のプラスチック材料１５２は、第１のプラスチック材料１５１、キャリア部分１２１，１２２、および半導体チップ１７０上に配置される。部品１００の表面側１０１は、第２のプラスチック材料１５２によって形成される。部品１００の周方向側面１０５は、２つのプラスチック材料１５１，１５２によって形成されている。部品１００の構造化された裏面側１０２は、第１のプラスチック材料１５１およびキャリア部分１２１，１２２によって形成される。部品１００の動作中、光放射は、プラスチックパッケージ体１５５の第２のプラスチック材料１５２を通って、したがって、表面側１０２および側面１０５を通って放射されうる。反射性の第１のプラスチック材料１５１を用いて、裏面側の放射放出を抑制することができる。
【０１３６】
図５１は、図４２、４３と同様の構造を有し、上述した部品１００に従って、２つのプラスチック材料１５１、１５２から構成されたプラスチックパッケージ体１５５を備える、さらなるオプトエレクトロニクス部品１００の断面側面図を示す。この場合にも、部品１００の動作中に裏面側の放射放出が回避されうる。図５１に示す構成１００を有する部品１００の製造（図示せず）は、上述した本方法と同様の方法で実施することができるが、この場合、異なる横方向寸法を有するキャリア部分１２１，１２２が製造され、半導体チップ１７０は、キャリア部分１２１上にのみ実装される。
【０１３７】
上述の方法シーケンスでは、オプトエレクトロニクス部品１００が製造され、該オプトエレクトロニクス部品は、キャリア部分によって形成された裏面側の接続面１３５を含むか、または関連するエッチングマスク層部分１４２によって形成される。オプトエレクトロニクス部品１００の表面実装の範囲では、接続面１３５がはんだで接液されてもよい。濡れは、フラックスが付加的に使用される場合であっても、キャリア部分の側部フランク１３１に関しても起こりうる。これは、望ましくても望ましくなくてもよい。これに関連して、はんだによる所定の濡れを達成することができる濡れ層１４５が金属キャリア部分から形成されるように、本方法を変更することが考えられる。
【０１３８】
説明のために、図４６〜図４９の方法に関する可能な手順を、図５２および５３の側面図を用いて以下により詳細に説明する。この場合、金属キャリア１１０を複数の別個のキャリア部分１２１，１２２（図４８参照）に構造化するために、裏面側エッチングの後、および個片化の前に、図５２に示されるように、裏面側エッチングマスク１４２がキャリア部分１２１，１２２から除去される。金属エッチングマスク１４２の場合、このプロセスは、例えば、研削またはラッピングによって機械的に実行されてもよい（図示せず）。この処理を簡潔に行うことができるように、上述の説明とは対照的に、裏面側エッチングマスク１４２を、金属製のエッチングマスクの形態ではなく、フォトレジスト材料からなるフォトレジストマスクの形態で実装することも考えられる。この構成において、エッチングマスク１４２の除去は、例えば、溶媒（図示せず）を用いて行うことができる。
【０１３９】
続いて、プラスチック体１５０に対して突出するキャリア部分１２１，１２２が洗浄され（図示せず）、その結果、むき出しの元々の金属キャリア材料（銅）が、キャリア部分１２１，１２２の裏面側および側部フランク１３１上に存在しうる。さらに、図５３に示されるように、金属濡れ層１４５は、キャリア部分１２１，１２２の裏面側および側部フランクに形成されてもよい。この目的のために、無電解メタライゼーション法（無電解めっき）を実施することができ、本方法では、濡れ層１４５を、マスクまたはフォトレジストマスクを使用せずに、キャリア部分１２１，１２２上に選択的に生成する。例えば、ＥＮＥＰＩＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｐａｌｌａｄｉｕｍ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｇｏｌｄ）法が可能であり、濡れ層１４５は、ＮｉＰｄＡｕから形成される。続いて、部品パネルは、プラスチック体１５０を複数の別個のオプトエレクトロニクス部品１００（図示せず）に切断することによって個片化されてもよい。
【０１４０】
図５４は、表面実装を実施した後に回路基板２６０上に配置される、上述の方法で製造されたオプトエレクトロニクス部品１００の断面側面図を示す。回路基板２６０は、接点２６１を含む。部品１００は、金属キャリア部分１２１，１２２に接続され、はんだ２７０を使用することによって、回路基板２６０の接点２６１に電気的および機械的に接続される。裏面側および側部フランクに濡れ層１４５が存在するキャリア部分１２１，１２２の構成は、比較的大きな濡れ領域にわたって、はんだ２７０によるキャリア部分１２１，１２２の多面濡れを可能にする。これは、回路基板２６０上に実装された部品１００の高い剪断強度をもたらす。さらに、横方向のはんだ制御を可能にしてもよい。
【０１４１】
図５５〜図５７は、図４６〜図４９の方法に関連して考えられるさらなる手順を、断面側面図を用いて示す。この場合、金属キャリア１１０を複数の別個のキャリア部分１２１，１２２に構造化するために裏面側エッチング（図４８参照）が行われ、個片化の前に、裏面側エッチングマスク１４２がキャリア部分１２１，１２２から除去され（図５２参照）、プラスチック体１５０に対して突出するキャリア部分１２１，１２２が洗浄され（図示せず）、図５５に示されるように、キャリア部分１２１，１２２の裏面側および側面側に濡れ防止層１４６が形成される。濡れ防止層１４６を形成するために、金属、例えばニッケルを、無電解メタライゼーション法によってキャリア部分１２１，１２２上に堆積させ、続いて酸化させることができる。このようにして形成された濡れ防止層１４６は、その後、図５６に示されるように、キャリア部分１２１，１２２の裏面側で除去される。このプロセスは、例えば、研削またはラッピングによって機械的に実施することができる。濡れ防止層１４６を部分的にのみ除去または研削することも可能である（図示せず）。続いて、図５７に示されるように、金属濡れ層１４５がキャリア部分１２１，１２２の裏面側に形成される。これは、上述したように、無電解メタライゼーション法、例えばＥＮＥＰＩＧ法を用いて実施することができ、この場合、濡れ層１４５は、キャリア部分１２１，１２２の裏面側に（フォトレジスト）マスクを用いずに選択的に生成される。続いて、部品パネルは、プラスチック体１５０を切断することによって、複数の別個のオプトエレクトロニクス部品１００に個片化されてもよい（図示せず）。
【０１４２】
図５８は、表面実装を実施した後に回路基板２６０上に配置される、上述の方法で製造されたオプトエレクトロニクス部品１００の断面側面図を示す。部品１００は、金属キャリア部分１２１，１２２に接続され、はんだ２７０を使用することによって回路基板２６０の接点２６１に電気的および機械的に接続される。側部フランクに配置された濡れ防止層１４６と裏面側に存在する濡れ層１４５とを有するキャリア部分１２１，１２２の構成によって、はんだ２７０によるキャリア部分１２１，１２２の平面状の濡れが可能になる。キャリア部分１２１，１２２の側部フランクの濡れは、濡れ防止層１４６によって防止することができる。この場合、濡れ防止層１４６は、フラックスに関してさえ、高い安定性によって差別化されうるという事実が利用される。これは、例えば、酸化ニッケルから濡れ防止層１４６を形成する場合である。このようにして、キャリア部分１２１，１２２を小さくし、キャリア部分１２１，１２２間の距離を小さくすることができる。
【０１４３】
上述した他の方法シーケンスは、個片化の前に、キャリア部分に濡れ層１４５および任意選択で濡れ防止層１４６が設けられるように、対応させて修正することもできる（図示せず）。
【０１４４】
プラスチックパッケージ体１５５に埋め込まれた放射放出半導体チップ１７０を含むオプトエレクトロニクス部品１００の製造に関して、図３３〜図３９の方法シーケンスおよび後続の図を用いて説明したように、さらなる可能な変更は、単一ではなく複数の半導体チップ１７０を含む複数のオプトエレクトロニクス部品１００を製造することで構成される。複数の半導体チップ１７０は、別々に駆動可能であってもよく、それは、そのために適合された、金属キャリア部分と半導体チップ１７０の対応する相互接続との構成によって実施されてもよい。さらに、複数の半導体チップ１７０は、異なる光放射を生成するように構成されてもよく、複数の部品１００は、例えば、複数のＲＧＢ部品の形態で実装されてもよい。
【０１４５】
前述の態様を説明するために、図５９および図６０は、さらなるオプトエレクトロニクス部品１００の断面側面図および平面図を示す。部品１００は、裏面側で接触可能な４つの別個の金属キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４と、キャリア部分１２１上に配置された３つの放射放出半導体チップ１７０と、キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４および半導体チップ１７０と隣り合い、半導体チップ１７０を封止するプラスチックパッケージ体１５５と、を備える。プラスチックパッケージ体１５５は、放射透過性または透明なプラスチック材料から形成される。半導体チップ１７０は、赤色、緑色、および青色の光放射を生成するように構成されてもよく、その結果、部品１００は、ＲＧＢ部品である。
【０１４６】
この場合、半導体チップ１７０は、裏面側接点（図示せず）と表面側接点１７５とを備える。半導体チップ１７０は、裏面側接点および導電性の接続材（接着剤、はんだ、または焼結ペースト）（図示せず）により、キャリア部分１２１に電気的に接続されている。半導体チップ１７０の表面側接点１７５は、ボンドワイヤ１８０によってキャリア部分１２２，１２３，１２４のうちの１つにそれぞれ接続される。図５９の断面図は、明確性の理由から、２つの半導体チップ１７０がボンドワイヤ１８０と共に共通の断面に横たわるように示されていることにより、図６０と多少異なっている。図５９および図６０に示す構成を有するオプトエレクトロニクス部品１００の製造（図示せず）は、図３３〜図３９の方法シーケンスと同様の方法で実施することができるが、この場合、キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４は、製造される各部品１００に対して製造され、半導体チップ１７０は、図５９および図６０に従ってキャリア部分１２１上に実装され配線される。
【０１４７】
図６１および図６２は、同様に構成された別のオプトエレクトロニクス部品１００の断面側面図および平面図を示す。部品１００は、裏面側で接触することができる６つの別個の金属キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６を含み、放射放出半導体チップ１７０は、キャリア部分１２１，１２３，１２５上にそれぞれ配置される。部品１００は、さらに、キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４，１２４，１２６および半導体チップ１７０と隣り合い、半導体チップ１７０を封止するプラスチックパッケージ体１５５を備える。プラスチックパッケージ体１５５は、放射透過性または透明なプラスチック材料から形成される。半導体チップ１７０は、赤色、緑色、および青色の光放射を生成するように構成されてもよく、その結果、部品１００は、ＲＧＢ部品である。
【０１４８】
半導体チップ１７０は、裏面側接点に電気的に接続され、導電性接続材料によってキャリア部分１２１，１２３，１２５に電気的に接続される（これは表されない）。半導体チップ１７０の複数の表面側接点１７５は、それぞれ、ボンドワイヤ１８０によってキャリア部分１２２，１２４，１２６のうちの１つに接続される。図６１および図６２に示す構造を有するオプトエレクトロニクス部品１００の製造（図示せず）は、図３３〜図３９の方法シーケンスと同様の方法で実施することができるが、この場合、製造される各部品１００に対してキャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６が形成され、半導体チップ１７０は、図６１および図６２に従ってキャリア部分１２１，１２３，１２５上に実装され配線される。
【０１４９】
上述され、図面に示された実施形態に加えて、さらなる実施形態が想定されてもよく、さらなる実施形態は、特徴のさらなる修正および／または組み合わせを含んでもよい。
【０１５０】
例えば、上で特定された材料の代わりに他の材料を用いることも可能である。この意味で、キャリア１１０は、例えば、銅以外の金属材料から形成されてもよい。可能なキャリア材料は、例えば、鉄−ニッケル、アルミニウムまたはモリブデンである。さらに、上述の数値仕様は、単に、他の仕様によって置き換えられうる例としてみなされるべきである。
【０１５１】
放射変換を引き起こすために、放射変換のための層状または小板状の変換素子を含む放射放出半導体チップを使用することが可能である。代替例として、このような変換層または変換素子を、チップ実装後に半導体チップ上に形成または配置することもできる。
【０１５２】
さらなる変形例は、金属エッチングマスクの形態ではなく、フォトレジスト材料からなるフォトレジストマスクの形態で、表面側エッチングマスク１４１を実装することである。
【０１５３】
本発明は、好ましい例示的な実施形態によって詳細に例示され説明されてきたが、本発明は、開示された例によって限定されず、本発明の保護範囲から逸脱することなく、当業者によって、それから他の変形形態を導出することができる。
【符号の説明】
【０１５４】
１００    オプトエレクトロニクス部品
１０１    表面側
１０２    裏面側
１０５    側面
１１０    キャリア
１１１    表面側
１１２    裏面側
１２１    キャリア部分
１２２    キャリア部分
１２３    キャリア部分
１２４    キャリア部分
１２５    キャリア部分
１２６    キャリア部分
１３０    凹部
１３１    側部フランク
１３２    凹部
１３３    貫通孔
１３５    接続面
１３９    エッチング領域
１４１    エッチングマスク
１４２    エッチングマスク
１４５    濡れ層
１４６    濡れ防止層
１５０    プラスチック体
１５１    プラスチック材料
１５２    プラスチック材料
１５５    プラスチックパッケージ体
１５６    キャビティ
１５７    キャビティ
１５８    固定部
１６１    充填材
１６２    充填材
１７０    オプトエレクトロニクス半導体チップ
１７５    接点
１７６    接点
１８０    ボンドワイヤ
１９０    ドライバチップ
２００    プレハブパッケージ
２１０    厚さ
２３０    深さ
２４１    距離
２４２    距離
２６０    回路基板
２６１    接点
２７０    はんだ
２９０    分離線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2021504938.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2021504938.tif 000013
【図１２】
2021504938.tif 000014
【図１３】
2021504938.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2021504938.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
2021504938.tif 000020
【図１９】
2021504938.tif 000021
【図２０】
2021504938.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【手続補正書】
【提出日】令和2年7月10日(2020.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属キャリア（１１０）を設けることであって、前記キャリアは、表面側（１１１）と前記表面側とは反対側の裏面側（１１２）とを備える、設けることと、
キャリア材料の表面側を除去することであって、前記キャリア（１１０）が表面側（１１１）の領域に突出するキャリア部分（１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６）と、前記キャリア部分の間に配置される凹部（１３０）とを備える、除去することと、
キャリア部分（１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６）と隣り合うプラスチック体（１５０）を形成することと、
キャリア部分（１２１，１２２，１２３，１２５）上にオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）を配置することと、
前記凹部（１３０）の領域でキャリア材料の裏面側を除去することであって、前記キャリア（１１０）が複数の別個のキャリア部分（１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６）に構造化される、除去することと、
個片化を実行することであって、前記プラスチック体（１５０）が複数の別個のキャリア部分の間で切断され、個片化されたオプトエレクトロニクス部品（１００）は、少なくとも１つの形成されたオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）を備える、実行することと、
を備え、
前記キャリア（１１０）の事前構造化がキャリア材料の表面側の除去によって実行され、プラスチック体（１５０）の形成が事前構造化された前記キャリア（１１０）上で実行され、キャリア（１１０）を複数の別個のキャリア部分（１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６）に構造化するためのキャリア材料の裏面側の除去は、プラスチック体（１５０）の形成の後に実行される、
オプトエレクトロニクス部品（１００）を製造する方法。
【請求項２】
前記プラスチック体（１５０）は、キャビティ（１５６，１５７）を含み、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）は、前記プラスチック体（１５０）のキャビティ（１５６）内のキャリア部分上に配置されること、および、
前記プラスチック体（１５０）は、キャビティ（１５６，１５７）を含み、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）は、前記プラスチック体（１５０）のキャビティ（１５６）内のキャリア部分上に配置され、充填材（１６１，１６２）がプラスチック体（１５０）のキャビティ（１５６，１５７）内に導入されること、
の少なくとも１つが満たされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）は、前記プラスチック体（１５０）に埋め込まれる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記プラスチック体（１５０）の形成は、第１のプラスチック材料および第２のプラスチック材料（１５１、１５２）の配置を含み、前記第１のプラスチック材料（１５１）は、反射性プラスチック材料であり、前記第１のプラスチック材料（１５１）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）の配置の前に、前記キャリア（１１０）の凹部（１３０）内に配置され、前記第２のプラスチック材料（１５２）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）の配置の後に、前記第１のプラスチック材料（１５１）、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）、およびキャリア部分（１２１，１２２）上に配置され、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）は、前記第２のプラスチック材料（１５２）に埋め込まれる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ドライバチップ（１９０）がキャリア部分（１２３，１２５）に配置され、個片化によって形成されるオプトエレクトロニクス部品がドライバチップ（１９０）を備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記ドライバチップ（１９０）は、前記プラスチック体（１５０）に埋め込まれるか、または、前記プラスチック体（１５０）の、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）のためでなく前記ドライバチップ（１９０）のためにのみ設けられたキャビティ（１５７）内に配置される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
貫通孔（１３３）がキャリア（１１０）に形成され、前記プラスチック体（１５０）の形成は、前記プラスチック体（１５０）が前記貫通孔（１３３）に配置された固定部（１５８）を含むように行われる、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
キャリア（１１０）を複数の別個のキャリア部分に構造化した後、キャリア部分（１２１，１２２）の裏面側および側部フランク上に金属濡れ層（１４５）が形成される、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
キャリア（１１０）を複数の別個のキャリア部分に構造化した後、濡れ防止層（１４６）をキャリア部分（１２１，１２２）の側部フランクに形成し、金属濡れ層（１４５）をキャリア部分（１２１，１２２）の裏面側に形成する、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）の前記キャリア部分への配置は、前記キャリア材料の前記裏面側の除去の前に実行される、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）の前記キャリア部分への配置は、前記キャリア材料の前記裏面側の除去の後に実行される、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記キャリア材料の表面側の除去および裏面側の除去は、エッチングによって行われること、および、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）は、放射放出半導体チップであること、
の少なくとも１つが満たされる、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
複数の別個の金属キャリア部分（１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６）と、
前記キャリア部分と隣り合うプラスチックパッケージ体（１５５）と、
少なくとも１つのキャリア部分上に配置された少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）と、
を備え、
オプトエレクトロニクス部品の周方向側面（１０５）は、プラスチックパッケージ体（１５５）のみによって形成される、オプトエレクトロニクス部品（１００）。
【請求項１４】
前記オプトエレクトロニクス部品の裏面側（１０２）は、構造化され非平面であること、および、
前記プラスチックパッケージ体（１５５）は、少なくとも１つの裏面の固定部（１５８）を備えること、
の少なくとも１つが満たされる、請求項１３に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１５】
前記プラスチックパッケージ体（１５５）は、前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）が配置されるキャビティ（１５６）を備えるか、または、前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）は、前記プラスチックパッケージ体（１５５）に埋め込まれる、請求項１３および１４のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）を電気的に駆動するためのドライバチップ（１９０）を備え、前記ドライバチップ（１９０）は、前記プラスチックパッケージ体（１５５）に埋め込まれるか、または、前記プラスチックパッケージ体（１５５）の、前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）のためでなく前記ドライバチップ（１９０）のためにのみ設けられたキャビティ（１５７）内に配置される、請求項１３から１５のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１７】
前記金属キャリア部分の少なくともいくつかは、側部フランク上に濡れ防止層（１４６）を備える、請求項１３から１６のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）を電気的に駆動するためのドライバチップ（１９０）を備え、前記ドライバチップ（１９０）は、前記プラスチックパッケージ体（１５５）の、前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）のためでなく前記ドライバチップ（１９０）のためにのみ設けられたキャビティ（１５７）内に配置され、前記キャビティは、放射不透過性の充填材（１６２）で充填される、請求項１３から１７のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１９】
前記プラスチックパッケージ体（１５５）は、前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）が配置されるキャビティ（１５６）を備え、前記オプトエレクトロニクス部品は、前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）を電気的に駆動するためのドライバチップ（１９０）を備え、前記ドライバチップ（１９０）は、前記プラスチックパッケージ体（１５５）に埋め込まれるか、または、前記プラスチックパッケージ体（１５５）のさらなるキャビティ（１５７）内に配置される、請求項１３から１８のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項２０】
前記プラスチックパッケージ体（１５５）は、第１のプラスチック材料および第２のプラスチック材料（１５１，１５２）から形成され、前記第１のプラスチック材料（１５１）は、反射性プラスチック材料であり、前記キャリア部分の横方向の隣に、かつ前記キャリア部分の間に配置され、前記第２のプラスチック材料（１５２）は、前記第１のプラスチック材料（１５１）、前記キャリア部分、および前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）上に配置され、前記少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１７０）は、前記第２のプラスチック材料（１５２）に埋め込まれ、前記第２のプラスチック材料（１５２）は、放射透過性のプラスチック材料または蛍光体粒子を含む放射透過性のプラスチック材料である、請求項１３から１９のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
図６１および図６２は、同様に構成された別のオプトエレクトロニクス部品１００の断面側面図および平面図を示す。部品１００は、裏面側で接触することができる６つの別個の金属キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６を含み、放射放出半導体チップ１７０は、キャリア部分１２１，１２３，１２５上にそれぞれ配置される。部品１００は、さらに、キャリア部分１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２６および半導体チップ１７０と隣り合い、半導体チップ１７０を封入するプラスチックパッケージ体１５５を備える。プラスチックパッケージ体１５５は、放射透過性または透明なプラスチック材料から形成される。半導体チップ１７０は、赤色、緑色、および青色の光放射を生成するように構成されてもよく、その結果、部品１００は、ＲＧＢ部品である。
【国際調査報告】
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