(57)【要約】複数のパターン構造要素を有する半導体ウェハの洗浄中における損傷を制御する方法であって、洗浄プロセス中に、半導体ウェハの表面に洗浄液を供給する工程と、洗浄プロセス中に音波トランスデューサから洗浄液に音波エネルギーを付与する工程であって、第１の周波数及び第１の電力レベルの第１の所定期間と、第２の周波数及び第２の電力レベルの第２の所定期間とが交互となるように、電力を音波トランスデューサに供給し、第１の所定期間及び第２の所定期間が互いに連続するように繋がるようにする音波エネルギー付与工程とを備えている。洗浄パラメータのうちの少なくとも１つを、音波エネルギーの付与の結果としての損傷したパターン構造要素の割合が所定閾値よりも小さくなるように決定する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパターン構造要素を有する半導体ウェハの洗浄中における損傷を制御する方法であって、
洗浄プロセス中に、半導体ウェハの表面に洗浄液を供給する工程と、
前記洗浄プロセス中に音波トランスデューサから前記洗浄液に音波エネルギーを付与する工程であって、第１の周波数及び第１の電力レベルの第１の所定期間と、第２の周波数及び第２の電力レベルの第２の所定期間とが交互となるように、電力を前記音波トランスデューサに供給し、前記第１の所定期間及び前記第２の所定期間が互いに連続するように繋がるようにする音波エネルギー付与工程と、
前記第１及び第２の所定期間、前記第１及び第２の電力レベル、並びに、前記第１及び第２の周波数のうちの少なくとも１つを、前記音波エネルギーの付与の結果としての損傷した前記パターン構造要素の割合が所定閾値よりも小さくなるように決定する損傷制御方法。
【請求項２】
前記洗浄液中における気泡サイズが、前記第１の所定期間中には音波エネルギーによって増大し、前記第２の所定期間中には減少する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記洗浄プロセス中に、前記半導体ウェハを回転させる工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記半導体ウェハをウェハチャック上に位置決めする工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記半導体ウェハを洗浄タンクに浸漬する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記洗浄液を供給する工程が、前記洗浄液をノズルで吹き付けることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記音波エネルギーを付与する工程が、流動性を持つ洗浄液に音波エネルギーを伝送することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記音波トランスデューサと前記半導体ウェハとの間の距離を交互に増減させる工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記洗浄液を、化学溶液、脱イオン水、及び前記２つの組み合わせからなる群より選択する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の期間と前記第２の期間との交替を所定の回数だけ繰り返す、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記半導体ウェハへの損傷を検査することによって、前記交替の前記所定の回数を実験によって決定する工程をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の電力レベルをゼロとする、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の周波数を前記第２の周波数に等しく、且つ、両方の前記周波数をそれぞれの期間において一定のままとしつつ、前記第１の電力レベルを前記第２の電力レベルよりも高く、且つ、両方の前記電力レベルをそれぞれの期間において一定のままとする、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の周波数を前記第２の周波数よりも高く、且つ、両方の前記周波数をそれぞれの期間において一定のままとしつつ、前記第１の電力レベルを前記第２の電力レベルよりも高く、且つ、両方の前記電力レベルをそれぞれの期間において一定のままとする、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の周波数を前記第２の周波数よりも低く、且つ、両方の前記周波数をそれぞれの期間において一定のままとしつつ、前記第１の電力レベルを前記第２の電力レベルと等しく、且つ、両方の前記電力レベルをそれぞれの期間において一定のままとする、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の周波数を前記第２の周波数よりも低く、且つ、両方の前記周波数をそれぞれの期間において一定のままとしつつ、前記第１の電力レベルを前記第２の電力レベルよりも高く、且つ、両方の前記電力レベルをそれぞれの期間において一定のままとする、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の周波数を前記第２の周波数よりも低く、且つ、両方の前記周波数をそれぞれの期間において一定のままとしつつ、前記第１の電力レベルを前記第２の電力レベルよりも低く、且つ、両方の前記電力レベルをそれぞれの期間において一定のままとする、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の電力レベルを、前記第１の所定期間中に増加させる、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の電力レベルを、前記第１の所定期間中に減少させる、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の電力レベルを、前記第１の所定期間中に増加も減少もさせる、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２の周波数を実質的に０近傍とし、前記第２の電力レベルを前記第２の所定期間において正の一定値とする、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記第２の周波数を実質的に０近傍とし、前記第２の電力レベルを前記第２の所定期間において負の一定値とする、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１の所定期間における前記音波トランスデューサからの音波と、前記第２の所定期間における前記音波トランスデューサからの音波とを、逆位相とする、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１の所定期間を、前記第１の周波数のサイクル周期の２，０００倍よりも短くする、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
内破温度をＴｉ、洗浄液の温度をＴ０、１回の圧縮を経ることによる温度上昇幅をΔＴ、１回の膨張を経ることによる温度下降幅をδＴ、前記第１の周波数をｆ１として、前記第１の所定期間を（（Ｔｉ−Ｔ０−ΔＴ）／（ΔＴ−δＴ）＋１）／ｆ１よりも短くする、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１の周波数を、前記第１の所定期間において、高い値から低い値に変化させる、請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
前記第１の周波数を、前記第１の所定期間において、低い値から高い値に変化させる、請求項１に記載の方法。
【請求項２８】
前記第１の周波数を、前記第１の所定期間において、低い値から高い値に変化させてから前記低い値に復帰させる、請求項１に記載の方法。
【請求項２９】
前記第１の周波数を、前記第１の所定期間において、高い値から低い値に変化させてから前記高い値に復帰させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３０】
ｆ４がｆ３より小さく、ｆ３がｆ１より小さいとして、前記第１の周波数を、前記第１の所定期間において、最初にｆ１、そしてｆ３、最後にｆ４とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３１】
ｆ４がｆ３より小さくｆ３がｆ１より小さいとして、前記第１の周波数を、前記第１の所定期間において、最初にｆ４、そしてｆ３、最後にｆ１とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３２】
ｆ４がｆ３より小さく、ｆ３がｆ１より小さいとして、前記第１の周波数を、前記第１の所定期間において、最初にｆ１、そしてｆ４、最後にｆ３とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３３】
ｆ４がｆ３より小さく、ｆ３がｆ１より小さいとして、前記第１の周波数を、前記第１の所定期間において、最初にｆ３、そしてｆ４、最後にｆ１とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３４】
ｆ４がｆ３より小さく、ｆ３がｆ１より小さいとして、前記第１の周波数を、前記第１の所定期間において、最初にｆ３、そしてｆ１、最後にｆ４とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３５】
ｆ４がｆ３より小さく、ｆ３がｆ１より小さいとして、前記第１の周波数を、前記第１の所定期間において、最初にｆ４、そしてｆ１、最後にｆ３とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３６】
前記音波トランスデューサに結合された音波発生器からの音波出力を検出する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３７】
前記検出する工程が、入力信号の振幅を検出して基準値と比較し、前記検出された振幅が前記基準値を超えているときに、アラーム信号を生成し、前記音波発生器をオフとすることを含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記基準値が、デジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ）によって生成される、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記検出する工程が、前記第１の所定期間を検出して所定値と比較し、前記第１の所定期間が前記所定値を超えているときに、アラーム信号を生成し、前記音波発生器をオフとすることを含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項４０】
前記検出する工程が、前記第２の所定期間を検出して所定値と比較し、前記第２の所定期間が前記所定値未満であるときに、アラーム信号を生成し、前記音波発生器をオフとすることを含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項４１】
前記半導体ウェハにおける前記パターン構造への損傷を検査することによって、前記洗浄液中における気泡の内破を回避するように、前記第１の所定期間を実験によって決定する、請求項１に記載の方法。
【請求項４２】
実験による前記決定は、前記第１及び第２の周波数並びに前記第１及び第２の電力レベルを一定値に維持すると共に、前記第２の所定期間を前記第１の所定期間よりも著しく長い一定値に維持しつつ、互いに異なる洗浄プロセスにおける前記第１の所定期間の値として異なる値を選択することを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
洗浄中の前記半導体ウェハにおける前記パターン構造への損傷が生じないような限定された気泡の内破を許容するように、前記第１の所定期間を実験によって決定する、請求項１に記載の方法。
【請求項４４】
実験による前記決定は、前記第１及び第２の周波数並びに前記第１及び第２の電力レベルを一定値に維持すると共に、前記第２の所定期間を前記第１の所定期間よりも著しく長い一定値に維持しつつ、互いに異なる洗浄プロセスにおける前記第１の所定期間の値として異なる値を選択することを含む、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記洗浄液における気泡内部の温度が所定温度まで低下可能となるように、前記第２の所定期間を実験によって決定する、請求項１に記載の方法。
【請求項４６】
前記所定温度が実質的に室温近傍である、請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
前記半導体ウェハにおける前記パターン構造への損傷を検査することによって、前記洗浄液中における気泡の内破を回避するように、前記第１の周波数及び前記第１の電力レベルを実験によって決定する、請求項１に記載の方法。
【請求項４８】
洗浄中の前記半導体ウェハにおける前記パターン構造への損傷が生じないような限定された気泡の内破を許容するように、前記第１の周波数及び前記第１の電力レベルを実験によって決定する、請求項１に記載の方法。
【請求項４９】
前記洗浄液における気泡内部の温度が所定温度まで低下可能となるように、前記第２の周波数及び前記第２の電力レベルを実験によって決定する、請求項１に記載の方法。
【請求項５０】
前記所定温度が実質的に室温近傍である、請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
前記音波エネルギーを付与することによる洗浄効果によって生じる歩留まり向上が、前記音波エネルギーを付与することによる損傷によって生じる歩留まり低下よりも大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項５２】
前記音波エネルギーを付与することで損傷する前記パターン構造要素の割合が０％である、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの洗浄に関し、より詳細には、制御された音波エネルギーを使用する湿式洗浄方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスは、トランジスタ及び相互接続要素を製造する一連の処理工程を用いて半導体ウェハ上に製造又は作製される。これらのトランジスタは、従来、２次元的に構成されているが、最近では、ＦｉｎＦＥＴトランジスタなどのように３次元的に構成されている。相互接続要素は、絶縁材料中に形成された導電性（例えば金属）のトレンチ、ビアホールなどを含む。
【０００３】
これらのトランジスタ及び相互接続素子を形成する際に、半導体ウェハには複数のマスキング、エッチング、及び堆積プロセスが施されて、半導体デバイスのための所望の構造が形成される。特に、複数のマスキング及びプラズマエッチング工程を行うことによって、半導体ウェハの誘電層に、ｆｉｎＦＥＴトランジスタのフィン及び相互接続要素のトレンチやビアホールとして機能する凹部領域を形成することができる。ポストエッチング又はフォトレジストアッシングによって、フィン構造及び／又はトレンチやビアホールにある粒子及び異物を除去するためには、湿式洗浄工程が必要である。しかし、化学薬品による湿式洗浄は、側壁損失をもたらし得る。特にデバイス製造ノードが１４ｎｍ又は１６ｎｍさらにそれ以上に縮小したとき、フィン、トレンチ及びビアホールの側壁損失は、臨界寸法を維持する上で危機的事態である。側壁損失を低減又は削減するには、中程度の又は希釈された化学薬品、又は、場合によっては脱イオン水のみを使用することが重要となる。しかし、通常、中程度の又は希釈された化学薬品や脱イオン水では、フィン構造及び／又はトレンチやビアホール内の粒子を効率的に除去できない。したがって、これらの粒子を効率的に除去するには、例えば超音波（ultra sonic）又は高周波超音波（mega sonic）エネルギーなどで生成された機械的な力が必要である。超音波又は高周波超音波は、洗浄中にウェハ構造に機械的な力を加えるための気泡キャビテーションを発生させる。
【０００４】
しかしながら、キャビテーションは、無秩序な現象である。キャビテーション気泡の発生及びその崩壊が生じることは、多くの物理パラメータの影響を受ける。トランジットキャビテーション又はマイクロジェットなどの激しいキャビテーションは、パターン構造（フィン、トレンチ及びビアホール）を損傷させる可能性がある。従来の超音波又は高周波超音波洗浄プロセスにおいては、電力が十分に高い場合、例えば、５−１０ワットよりも大きい場合にのみ、顕著な粒子除去効率（ＰＲＥ）が得られる。しかしながら、電力が約２ワットを超える場合には、顕著なウェハ損傷が発生し始める。したがって、大きな損傷を引き起こすことなく、ウェハを効率的に洗浄することができるような電力の窓領域を見つけることは困難である。すなわち、安定した又は制御されたキャビテーションを維持することは、パターン構造から異物粒子を効率的に除去することを可能としつつ音波機械力を損傷限界未満に制御するために、重要な役割を果たす。
【０００５】
したがって、ウェハの洗浄プロセス中に超音波又は高周波超音波デバイスによって生成される気泡キャビテーションを制御するためのシステム及び方法であって、ウェハ上のパターン構造を損傷させることなく、微細な異物粒子を効率的に除去することができるシステム及び方法を提供することが望ましい。
【発明の概要】
【０００６】
洗浄プロセス中に、半導体ウェハの表面に洗浄液を供給する工程と、前記洗浄プロセス中に音波トランスデューサから洗浄液に音波エネルギーを付与する工程であって、第１の設定値の第１の所定期間と、第２の設定値の第２の所定期間とが交互となるように、電力を前記音波トランスデューサに供給する音波エネルギー付与工程とを備えている。洗浄液内の気泡キャビテーションは、第１の所定期間において増加し、第２の所定期間において減少する。第１の所定期間及び第２の所定期間は、互いに連続するように繋がっている。そのため、洗浄液中の気泡を、各第１の所定期間での洗浄後に十分に冷却することができ、半導体ウェハの損傷を回避することができる。
【０００７】
以下の実施形態の詳細な説明を考慮して、他の態様、特徴及び技術が当業者に明らかとなるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
添付した本明細書の一部を構成する図面は、本開示のいくつかの態様を説明するために含まれている。本開示のより明確な概念、及び本開示を提供されるシステムの構成要素及び動作のより明確な概念は、図面に示される例示的な、したがって非限定的な実施形態を参照することによって、より容易に明らかになるであろう。ここで、同じ参照符号（２つ以上の図面にある場合）は、同じ要素を示す。本開示は、以下に提示される説明と組み合わせて、これらの図面のうちの一又は複数を参照することによって、よりよく理解され得る。なお、図面に示された特徴は必ずしも縮尺通りに描かれていないことに留意すべきである。
【０００９】
【図１Ａ】本発明の一実施形態による超音波又は高周波超音波デバイスを使用するウェハ洗浄装置を示す図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態による超音波又は高周波超音波デバイスを使用するウェハ洗浄装置を示す図である。
【図２Ａ】超音波又は高周波超音波トランスデューサの各種形状を示す図である。
【図２Ｂ】超音波又は高周波超音波トランスデューサの各種形状を示す図である。
【図２Ｃ】超音波又は高周波超音波トランスデューサの各種形状を示す図である。
【図２Ｄ】超音波又は高周波超音波トランスデューサの各種形状を示す図である。
【図２Ｅ】超音波又は高周波超音波トランスデューサの各種形状を示す図である。
【図２Ｆ】超音波又は高周波超音波トランスデューサの各種形状を示す図である。
【図２Ｇ】超音波又は高周波超音波トランスデューサの各種形状を示す図である。
【図３】ウェハ洗浄プロセス中における気泡内破を示す図である。
【図４Ａ】ウェハ洗浄プロセスにおいてウェハ上のパターン構造に損傷を与えるトランジットキャビテーションを示す図である。
【図４Ｂ】ウェハ洗浄プロセスにおいてウェハ上のパターン構造に損傷を与えるトランジットキャビテーションを示す図である。
【図５Ａ】音波ウェハ洗浄プロセスにおいて気泡内部の熱エネルギーの変化を示す図である。
【図５Ｂ】音波ウェハ洗浄プロセスにおいて気泡内部の熱エネルギーの変化を示す図である。
【図５Ｃ】音波ウェハ洗浄プロセスにおいて気泡内部の熱エネルギーの変化を示す図である。
【図６Ａ】最終的にマイクロジェットが発生する音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図６Ｂ】最終的にマイクロジェットが発生する音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図６Ｃ】最終的にマイクロジェットが発生する音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図７Ｃ】本発明の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図７Ｄ】本発明の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図７Ｅ】本発明の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図８Ａ】本発明の別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図８Ｂ】本発明の別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図８Ｃ】本発明の別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図８Ｄ】本発明の別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図９Ａ】本発明のさらに別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図９Ｂ】本発明のさらに別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図９Ｃ】本発明のさらに別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図９Ｄ】本発明のさらに別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１０Ａ】本発明のまた別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１０Ｂ】本発明のまた別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１０Ｃ】本発明のまた別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１１Ａ】本発明のまたさらに別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１１Ｂ】本発明のまたさらに別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１２Ａ】本発明のさらにまた別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１２Ｂ】本発明のさらにまた別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１３Ａ】本発明のさらなる別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１３Ｂ】本発明のさらなる別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１４Ａ】本発明のまた別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１４Ｂ】本発明のまた別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１５Ａ】音波ウェハ洗浄プロセスにおいてウェハ上のパターン構造に損傷を与える安定したキャビテーションを示す図である。
【図１５Ｂ】音波ウェハ洗浄プロセスにおいてウェハ上のパターン構造に損傷を与える安定したキャビテーションを示す図である。
【図１５Ｃ】音波ウェハ洗浄プロセスにおいてウェハ上のパターン構造に損傷を与える安定したキャビテーションを示す図である。
【図１５Ｄ】本発明の一実施形態による代替的なウェハ洗浄プロセスを示すフローチャートである。
【図１６Ａ】本発明の一実施形態によるウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１６Ｂ】本発明の一実施形態によるウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１６Ｃ】本発明の一実施形態によるウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１７】本発明の別の一実施形態によるウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図１８Ａ】半導体ウェハのビアホール又はトレンチ内における新鮮な洗浄液の循環を向上させる気泡キャビテーション制御を示す図である。
【図１８Ｂ】半導体ウェハのビアホール又はトレンチ内における新鮮な洗浄液の循環を向上させる気泡キャビテーション制御を示す図である。
【図１８Ｃ】半導体ウェハのビアホール又はトレンチ内における新鮮な洗浄液の循環を向上させる気泡キャビテーション制御を示す図である。
【図１８Ｄ】半導体ウェハのビアホール又はトレンチ内における新鮮な洗浄液の循環を向上させる気泡キャビテーション制御を示す図である。
【図１８Ｅ】半導体ウェハのビアホール又はトレンチ内における新鮮な洗浄液の循環を向上させる気泡キャビテーション制御を示す図である。
【図１８Ｆ】半導体ウェハのビアホール又はトレンチ内における新鮮な洗浄液の循環を向上させる気泡キャビテーション制御を示す図である。
【図１８Ｇ】半導体ウェハのビアホール又はトレンチ内における新鮮な洗浄液の循環を向上させる気泡キャビテーション制御を示す図である。
【図１８Ｈ】半導体ウェハのビアホール又はトレンチ内における新鮮な洗浄液の循環を向上させる気泡キャビテーション制御を示す図である。
【図１８Ｉ】半導体ウェハのビアホール又はトレンチ内における新鮮な洗浄液の循環を向上させる気泡キャビテーション制御を示す図である。
【図１８Ｊ】半導体ウェハのビアホール又はトレンチ内における新鮮な洗浄液の循環を向上させる気泡キャビテーション制御を示す図である。
【図１９Ａ】音波エネルギーに応じた気泡体積の変化を示す図である。
【図１９Ｂ】音波エネルギーに応じた気泡体積の変化を示す図である。
【図１９Ｃ】音波エネルギーに応じた気泡体積の変化を示す図である。
【図１９Ｄ】音波エネルギーに応じた気泡体積の変化を示す図である。
【図２０Ａ】本発明の一実施形態による高いアスペクト比のビアホール及びトレンチといったパターン構造要素を効果的に洗浄する音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図２０Ｂ】本発明の一実施形態による高いアスペクト比のビアホール及びトレンチといったパターン構造要素を効果的に洗浄する音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図２０Ｃ】本発明の一実施形態による高いアスペクト比のビアホール及びトレンチといったパターン構造要素を効果的に洗浄する音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図２０Ｄ】本発明の一実施形態による高いアスペクト比のビアホール及びトレンチといったパターン構造要素を効果的に洗浄する音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図２１Ａ】本発明の一実施形態による別の洗浄プロセスを示す図である。
【図２１Ｂ】本発明の一実施形態による別の洗浄プロセスを示す図である。
【図２１Ｃ】本発明の一実施形態による別の洗浄プロセスを示す図である。
【図２２Ａ】本発明の別の一実施形態による音波エネルギーを用いたウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図２２Ｂ】本発明の別の一実施形態による音波エネルギーを用いたウェハ洗浄プロセスを示す図である。
【図２３】本発明の一実施形態による図７−２２に示されたウェハ洗浄プロセスを実行するためのウェハ洗浄装置の一例を示す図である。
【図２４】本発明の一実施形態による図７−２２に示されたウェハ洗浄プロセスを実行するための別のウェハ洗浄装置の断面図である。
【図２５】本発明の一実施形態による音波エネルギーを採用したウェハ洗浄プロセスの動作パラメータをモニタリングするための制御システムを示す図である。
【図２６】本発明の一実施形態による図２５に示す検出システムのブロック図である。
【図２７】本発明の別の一実施形態による図２５に示す検出システムのブロック図である。
【図２８Ａ】本発明の一実施形態による図２６に示す電圧減衰回路の例を示す図である。
【図２８Ｂ】本発明の一実施形態による図２６に示す電圧減衰回路の例を示す図である。
【図２８Ｃ】本発明の一実施形態による図２６に示す電圧減衰回路の例を示す図である。
【図２９Ａ】本発明の一実施形態による図２６に示す整形回路の例を示す図である。
【図２９Ｂ】本発明の一実施形態による図２６に示す整形回路の例を示す図である。
【図２９Ｃ】本発明の一実施形態による図２６に示す整形回路の例を示す図である。
【図３０Ａ】本発明の一実施形態による図２６及び図２７のメインコントローラの例を示す図である。
【図３０Ｂ】本発明の一実施形態による図２６及び図２７のメインコントローラの例を示す図である。
【図３０Ｃ】本発明の一実施形態による図２６及び図２７のメインコントローラの例を示す図である。
【図３１】ホストコンピュータが音波電源を停止した後で、音波電源が数回振動している様子を示す図である。
【図３２Ａ】本発明の一実施形態による図２７に示す振幅検出回路の例を示す図である。
【図３２Ｂ】本発明の一実施形態による図２７に示す振幅検出回路の例を示す図である。
【図３２Ｃ】本発明の一実施形態による図２７に示す振幅検出回路の例を示す図である。
【図３３】本発明の一実施形態によるウェハ洗浄プロセスを示すフローチャートである。
【図３４】本発明の別の一実施形態によるウェハ洗浄プロセスを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本開示の一態様は、音波エネルギーを用いた半導体ウェハ洗浄における気泡キャビテーションの制御に関する。以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の一実施形態による超音波または高周波超音波装置を使用するウェハ洗浄装置を示す図である。図１Ａは、ウェハ１０１０を保持するウェハチャック１０１４と、ウェハチャック１０１４を駆動する回転駆動モジュール１０１６と、ウェハ１０１０の表面に洗浄液１０３２を供給するノズル１０１２とを含むウェハ洗浄装置の断面図である。洗浄液１０３２は、洗浄化学物質又は脱イオン水であってよい。また、ウェハ洗浄装置は、ウェハ１０１０の上方に配置された超音波又は高周波超音波デバイス１００３を含む。そして、ウェハ１０１０の回転及びノズル１０１２からの洗浄液１０３２の一定の流れに伴って、ウェハ１０１０と音波デバイス１００３との間に、厚さｄの洗浄液１０３２の膜が維持される。超音波又は高周波超音波デバイス１００３は、清浄液と接触する共振器１００８に音響的に結合された圧電トランスデューサ１００４をさらに含んでいる。圧電トランスデューサ１００４は電気的に励起されて振動し、共振器１００８は洗浄液１０３２に高周波音波エネルギーを伝達する。高周波音響エネルギーによって発生した気泡のキャビテーションは、ウェハ１０１０の表面にある異物、すなわち汚染物質を振動させ、そこから除去させる。
【００１２】
再び図１Ａを参照すると、ウェハ洗浄装置はアーム１００７も含んでいる。アーム１００７は、音波デバイス１００３を垂直方向Ｚに移動させることによって液膜厚さｄを変化させるために、音波デバイス１００３に結合されている。垂直駆動モジュール１００６は、アーム１００７を垂直方向に移動させる。垂直駆動モジュール１００６及び回転駆動モジュール１０１６の両方は、制御装置１０８８によって制御される。
【００１３】
図１Ａに示すウェハ洗浄装置の平面図である図１Ｂに示すように、音波デバイス１００３は、ウェハ１０１０の小さな領域のみを覆っている。したがって、ウェハ１０１０は、その全体にわたって均一な音波エネルギーを受け取るために回転しなければならない。図１Ａ及び図１Ｂには１つの音波デバイス１００３だけが示されているが、他の実施形態では、複数の音波デバイスが同時にまた間欠的に用いられてもよい。同様に、２個以上のノズル１０１２が、洗浄液１０３２をより均一に吹き付けるために使用されてもよい。
【００１４】
図２Ａ〜図２Ｇは、超音波または高周波超音波トランスデューサの各種形状を示す図である。図２Ａは三角形又はパイ形状を示し、図２Ｂは矩形を示し、図２Ｃは八角形を示し、図２Ｄは楕円形を示し、図２Ｅは半円形状を示し、図２Ｆは１／４円形状を示し、図２Ｇは真円形状を示している。これらの形状の各々における音波トランスデューサが、図１に示す音波デバイス１００３の圧電トランスデューサ１００４の代わりに使用されてもよい。
【００１５】
図３は、ウェハ洗浄プロセス中における気泡の内破を示す図である。気泡３０１２の形状は、音波エネルギーが気泡３０１２に印加されるにつれて、球状Ａからリンゴ形状Ｇへと徐々に圧縮される。最終的に、気泡３０１２は、内破状態Ｉに達し、マイクロジェットを形成する。図４Ａ及び図４Ｂに示すように、マイクロジェットは非常に猛烈な（数千気圧及び数千℃に達することもある）、特にパターン構造要素のサイズｔが７０ｎｍ以下に収縮すると、半導体ウェハ４０１０上の微細パターン構造４０３４に損傷を与えうる。
【００１６】
図４Ａ及び図４Ｂは、ウェハ洗浄プロセスにおいてウェハ上のパターン構造に損傷を与えるトランジットキャビテーションを示す図である。図４Ａに示すように、気泡４０４０、４０４２及び４０４４は、半導体ウェハ４０１０にあるパターン構造４０３４の上方における音波キャビテーションによって形成される。パターン構造４０３４は、これらに限定されるものではないが、フィン、ビアホール、トレンチ等を含む、洗浄される必要がある複数の要素を含む。気泡４０４４は、数１０００気圧及び数１０００℃に達する非常に猛烈なマイクロジェットとなる。図４Ｂに示すように、マイクロジェットが発生すると、パターン構造４０３４の一部が吹き飛ばされる。このような損傷は、７０ｎｍ以下のデバイス要素サイズを有するウェハに対してより深刻である。
【００１７】
図５Ａ〜図５Ｃは、ウェハ洗浄プロセスにおいて気泡５０１６内部の熱エネルギーの変化を示す図である。気泡５０１６に音波正圧が作用すると、気泡５０１６は、図５Ａに示すように、その体積を減少させる。この体積が収縮する過程で、音波圧力ＰＭが気泡５０１６に作用し、機械的仕事が気泡５０１６内にて熱エネルギーに変換される。したがって、気泡５０１６内部の気体及び／又は蒸気の温度Ｔは、図５Ｂに示すように、増加する。様々なパラメータ間の関係は、次の式によって表すことができる。
【００１８】
ｐ０ｖ０／Ｔ０＝ｐｖ／Ｔ                            （１）
【００１９】
ここで、ｐ０は圧縮前の気泡内の圧力、ｖ０は圧縮前の気泡５０１６の初期体積、Ｔ０は圧縮前の気泡内部の気体の温度であり、ｐは圧縮中における気泡内部の圧力、ｖは圧縮中における気泡の体積、Ｔは圧縮中における気泡内部の気体の温度である。
【００２０】
計算を単純化するために、圧縮中には気体の温度が変化しない、又は、圧縮が非常にゆっくりで、気泡周辺の液体によって温度上昇が相殺されると仮定する。この場合、一回の気泡圧縮（体積Ｎ単位から体積１単位、つまり圧縮比＝Ｎ）中における、音波圧力ＰＭによる機械的仕事ｗｍは以下のように表すことができる。
【数１】
2021510008.tif 000002
【００２１】
ここで、Ｓはシリンダの断面積、Ｘ０はシリンダの長さ、ｐ０は圧縮前におけるシリンダ内部の気体圧力である。上記式（２）では、圧縮中における温度上昇要因を考慮していないため、気泡内の実際の圧力は温度上昇のためにより高くなる。したがって、音波圧力による実際の機械的仕事は、式（２）によって計算されるものよりも大きくなる。
【００２２】
音波圧力による機械的仕事の一部が、気泡内部の高圧気体及び／又は蒸気の熱エネルギー及び部分的に機械的エネルギーに変換され、その熱エネルギーは気泡内部の温度上昇に完全に寄与する（気泡の周囲の液体分子にエネルギーが移らない）と仮定し、さらに、気泡内部の気体の質量が圧縮の前後で一定のままであると仮定すると、気泡の１回の圧縮を経ることによる温度上昇ΔＴは、以下の式によって表すことができる。
【００２３】
ΔＴ＝Ｑ／（ｍｃ）＝βｗｍ／（ｍｃ）＝βＳｘ０ｐ０ｌｎ（ｘ０）／（ｍｃ）      （３）
【００２４】
上記式で、Ｑは機械的仕事から変換された熱エネルギーであり、βは音波圧力によるトータルの機械的作用に対する熱エネルギーの比であり、ｍは気泡内部の気体の質量であり、ｃは気体比熱係数である。β＝０．６５、Ｓ＝１Ｅ−１２ｍ２、ｘ０＝１０００μｍ＝１Ｅ−３ｍ（圧縮比Ｎ＝１０００）、ｐ０＝１ｋｇ／ｃｍ２＝１Ｅ４ｋｇ／ｍ２、ｍ＝８．９Ｅ−１７ｋｇ（水素ガスの場合）、ｃ＝９．９Ｅ３Ｊ／（ｋｇ０ｋ）を上記式（３）に代入すると、ΔＴ＝５０．９℃となる。
【００２５】
図５Ｂに示すように、気泡が最小サイズの１ミクロンに達したとき、最初の圧縮後の気泡内の気体温度Ｔ１は以下の通り計算される。
【００２６】
Ｔ１＝Ｔ０＋ΔＴ＝２０℃＋５０．９℃＝７０．９℃      （４）
【００２７】
このような高温下では、気泡周辺の液体分子には蒸発するものもある。その後、音波圧力が負になり、気泡サイズが拡大し始める。この逆プロセスでは、圧力ＰＧを有する高温気体及び／又は蒸気が、周囲の液体表面に仕事をすることになる。同時に図５Ｃに示すように、音波圧力ＰＭが、気泡を膨張方向に引っ張るため、負の音波圧力ＰＭも周囲の液体に部分的に仕事をする。これらの作用が協働する結果、気泡内部の熱エネルギーが完全に放出されたり機械的エネルギーに変換されたりすることができないため、元の気体温度Ｔ０又は液体温度にまで気泡内部の気体の温度を冷却することができない。キャビテーションの第１サイクルの後、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度Ｔ２は、図６Ｂに示すように、Ｔ０とＴ１の間のいずれかとなる。ここで、Ｔ２を以下のように表すことができる。
Ｔ２＝Ｔ１−δＴ＝Ｔ０＋ΔＴ−δＴ        （５）
ここで、δＴは気泡が一回膨張した後の温度低下幅であり、δＴはΔＴより小さい。
気泡キャビテーションの第２サイクルが最小気泡サイズに達すると、気泡内の気体及び／又は蒸気の温度Ｔ３は、以下の通りとなる。
Ｔ３＝Ｔ２＋ΔＴ＝Ｔ０＋ΔＴ−δＴ＋ΔＴ＝Ｔ０＋２ΔＴ−δＴ      （６）
気泡キャビテーションの第２サイクルが終了すると、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度Ｔ４は、以下のようになる。
Ｔ４＝Ｔ３−δＴ＝Ｔ０＋２ΔＴ−δＴ−δＴ＝Ｔ０＋２ΔＴ−２δＴ      （７）
同様に、気泡キャビテーションのｎ番目のサイクルが最小気泡サイズに達したとき、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度Ｔ２ｎ−１は、以下の通りである。
Ｔ２ｎ−１＝Ｔ０＋ｎΔＴ−（ｎ−１）δＴ                （８）
【００２８】
気泡キャビテーションのｎ番目サイクルが終了すると、気泡内の気体及び／又は蒸気の温度Ｔ２ｎは、以下のようになる。
Ｔ２ｎ＝Ｔ０＋ｎΔＴ−ｎδＴ＝Ｔ０＋ｎ（ΔＴ−δＴ）            （９）
式（８）から、内破サイクル数ｎｉは以下のように表すことができる。
ｎｉ＝（Ｔｉ−Ｔ０−ΔＴ）／（ΔＴ−δＴ）＋１    （１０）
式（１０）から、内破時間τｉは以下のように表すことができる。
τｉ＝ｎｉｔ１＝ｔ１（（Ｔｉ−Ｔ０−ΔＴ）／（ΔＴ−δＴ）＋１）
＝ｎｉ／ｆ１＝（（Ｔｉ−Ｔ０−ΔＴ）／（ΔＴ-δＴ）＋１）／ｆ１      （１１）
ここで、ｔ１はサイクル周期であり、ｆ１は超音波／高周波超音波の周波数である。
【００２９】
式（１０）及び（１１）により、内破サイクル数ｎｉ及び内破時間τｉを計算することができる。Ｔｉ＝３０００℃、ΔＴ＝５０．９℃、Ｔ０＝２０℃、ｆ１＝５００ＫＨｚ、１ＭＨｚ、２ＭＨｚと仮定したときにおける、内破サイクル数ｎｉ、内破時間τｉ、及び、（ΔＴ−δＴ）の計算された関係を表１に示す。
【表１】
2021510008.tif 000003
【００３０】
図６Ａ〜図６Ｃは、マイクロジェットが最終的に発生し、処理パラメータが式（１）〜（１１）に従う場合における、音波ウェハ洗浄プロセスを示す。図６Ａに示すように、洗浄液中に気泡キャビテーションを発生させるために、音波デバイスに電力（Ｐ）が連続的に供給される。気泡キャビテーションのサイクル数ｎが増加するにつれて、気体及び／又は蒸気の温度は、図６Ｂに示されるように増加する。そのため、気泡表面のより多くの分子が、気泡６０８２の内部へ向かって蒸発し、その結果、図６Ｃに示すように、時間の経過と共にそのサイズが増加する。最終的に、圧縮中における気泡６０８２内の温度は、内破温度Ｔｉに達し（通常、Ｔｉは数１０００℃程度と高くなる）、図６Ｃに示すように、激しいマイクロジェット６０８０が発生する。したがって、洗浄中におけるウェハのパターン構造の損傷を回避するために、安定したキャビテーションが維持されなければならず、気泡の内破つまりマイクロジェットは回避されなければならない。
【００３１】
図７Ａ〜図７Ｅは、本発明の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。図７Ａは、洗浄液中に気泡キャビテーションを発生させるために、音波デバイスに間欠的に供給される電源出力の波形を示す。図７Ｂは、キャビテーションの各サイクルに対応する温度曲線を示す。図７Ｃは、キャビテーションの各サイクル中に、期間τ１においては気泡サイズが増加し、期間τ２において電力供給が終了したときに減少することを示している。
【００３２】
本発明の第１の実施形態による気泡内破を回避するための詳細な処理の複数工程が、図７Ｄに示されている。この処理は、超音波又は高周波超音波デバイスを洗浄中のウェハの上面近傍に配置する工程７０１０から始まる。工程７０２０において、化学物質又は気体がドープされた水のいずれかである洗浄液をウェハ上に導入し、ウェハと音波デバイスとの間のギャップを洗浄液で満たす。工程７０３０において、チャックによって保持されたウェハの回転又は振動を開始させる。工程７０４０において、周波数ｆ１及び電力レベルＰ１を有する電源を、音波デバイスに印加する。工程７０５０において、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度が内破温度Ｔｉに達するか、又は期間τ１が式（１１）によって計算される時間τｉに達する前に、電源出力を０とする。すると、洗浄液の温度が気体温度よりもはるかに低いため、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度が低下し始める。工程７０６０において、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度が室温Ｔ０まで低下した後、又は持続時間がτ２に達した後（期間τ２の間、電源出力は０とされる）、電源出力を、周波数ｆ１及び電力レベルＰ１に復帰させる。工程７０７０において、ウェハの清浄度を検査する。そして、ウェハが所望の程度までまだ清浄になっていない場合、工程７０１０から工程７０６０までを繰り返す。代替的には、清浄度の検査をサイクル毎に行わなくてもよい。実用されるサイクルの数を、サンプルウェハを使用して予め実験によって決定してもよい。
【００３３】
再び図７Ｄを参照すると、工程７０５０において、気泡の内破を回避するために、期間τ１は式（１１）を用いて計算されるτｉよりも短くなければならない。工程７０６０において、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度は、室温又は洗浄液温度まで冷却される必要がない。むしろ、それは、室温又は洗浄液温度よりも高い温度であることができる。好ましくは、この温度は、内破温度Ｔｉよりも十分に低い。
【００３４】
式（８）及び（９）によれば、（ΔＴ−δＴ）が分かっている場合には、内破時間τｉを計算することができる。しかし、通常、（ΔＴ−δＴ）は、計算することができず、容易に直接的な測定をすることができない。一方において、τｉは実験によって決定することができる。
【００３５】
図７Ｅは、内破時間τｉを実験によって決定するための処理を示すフローチャートである。まず、工程７２１０において、５つの異なる期間τ１を、表１に基づいて実験計画法（ＤＯＥ）条件として例示的に選択する。工程７２２０において、期間τ２を、選択された期間τ１の少なくとも１０倍、第１のスクリーニング試験では好ましくは１００倍長い時間に設定する。工程７２３０において、電力レベルをＰ０に固定し、上記の５つのＤＯＥ条件で、同じ特定パターン構造を有する５つの異なるウェハを別々に洗浄する。ここで、Ｐ０は図６Ａに示すような連続モード（非パルスモード）を行うと、パターン構造が確実に損傷する電力レベルである。工程７２４０において、５枚のウェハの損傷状態を、電子顕微鏡（ＳＥＭ）又はＡＭＡＴ  ＳＥＭビジョン又はＨｉｔａｃｈｉ  ＩＳ３０００のようなウェハパターン損傷調査ツールによって検査する。これにより、内破時間τｉを特定の範囲に狭めることができる。損傷したパターン構造要素のパーセンテージは、ＳＥＭによって検査された損傷したパターン構造要素の総数を、パターン構造要素の総数で除算することによって計算することができる。損傷したパターン構造要素のパーセンテージを決定するその他の方法が存在してもよい。例えば、損傷したパターン構造要素の割合の指標として、最終的なウェハ歩留まりが使用されてもよい。
【００３６】
上記の工程７２１０〜７２４０を繰り返すことにより、内破時間τｉの範囲を狭くすることができる。内破時間τｉを取得した後、期間τ１を、安全マージンのために０．５＊τｉより小さい値に設定してもよい。以下の段落は、そのような実験の例を記載している。
【００３７】
パターン構造が５５ｎｍのポリシリコンゲートラインによって形成されると仮定すると、超音波周波数は１ＭＨｚであり、この超音波は、ウェハ内及びウェハからウェハへの均一なエネルギー付与量を達成するために、ギャップ発振モード（ＰＣＴ出願番号ＰＣＴ／ＣＮ２００８／０７３４７１号の明細書に開示されている）で動作するＰｒｏｓｙｓ社によって製造された超音波／高周波超音波デバイスによって生成される。他の実験パラメータ及び最終的なパターン損傷データを以下の表２にまとめる。
【表２】
2021510008.tif 000004
【００３８】
実験では、τ１＝２ｍｓ（２０００サイクル）の場合、上述の音波洗浄プロセスによって、５５ｎｍの要素サイズを有するパターン構造に対して１２１６個の損傷部位が発生する。τ１＝０．１ｍｓ（１００サイクル）の場合、音波洗浄プロセスによって、同じパターン構造に対してゼロ（０）個の損傷部位が発生する。したがって、内破時間τｉは、０．１ｍｓから２ｍｓの間の値である。よりτ１の範囲を狭くした追加の試験によって、τｉの範囲をより狭くすることができる。
【００３９】
上記の実験では、サイクル数は、超音波又は高周波超音波のパワー密度及び周波数に依存しており、パワー密度が大きいほどサイクル数が少なく、周波数が低いほどサイクル数が少ない。上記の実験から、超音波又は高周波超音波のパワー密度が０．１ワット／ｃｍ２より大きく、超音波又は高周波超音波の周波数が１ＭＨｚ以下である場合、損傷のないサイクル数は２，０００より小さいと予測することができる。周波数が１ＭＨｚより大きな範囲に上昇するか、電力密度が０．１ｗａｔｔｓ／ｃｍ２未満になれば、サイクル数が上昇することが予測される。
【００４０】
期間τ１を取得した後、上記したのと同様のＤＯＥ法に基づいて、期間τ２を実験によって取得することができる。この場合、τ１は所定の値に固定され、パターン構造に損傷が観察されるまで、各ＤＯＥを行う際にτ２を徐々に短くする。期間τ２が短くなるにつれて、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度が十分に低下できず、気泡内部の気体及び／又は蒸気の平均温度が徐々に増加し、最終的には気泡の内破を引き起こす。この内破を引き起こす時間を、臨界冷却時間τｃという。臨界冷却時間τｃを知ることによって、安全マージンをとって期間τ２を２＊τｃよりも大きい値に設定することができる。
【００４１】
したがって、洗浄プロセスの複数のパラメータは、音波エネルギーを付与することによる洗浄効果によって生じる歩留まり向上が、前記音波エネルギーを付与することによる損傷によって生じる歩留まり低下よりも大きくなるように決定されてもよい。損傷率についての所定の閾値が、例えば顧客によって指定されてもよい。洗浄プロセスのパラメータは、損傷の割合が所定の閾値よりも小さく、又は実質的に０若しくは０丁度となるように決定されてもよい。所定の閾値は、例えば、１０％、５％、２％又は１％であってよい。損傷率は、ウェハ製造の最終歩留まりが、洗浄プロセスによって引き起こされるいかなる損傷の影響も実質的に受けない場合、実質的に０である。換言すれば、洗浄プロセスによって引き起こされる損傷は、製造プロセス全体の観点から許容可能である。損傷率は、上述のように、電子顕微鏡を使用してサンプルウェハを検査することによって決定することができる。
【００４２】
図８Ａ〜図８Ｄは、本発明の別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。この音波ウェハ洗浄プロセスでは、電源Ｐの振幅を、図７Ａ及び図７Ｄの工程７０４０のように一定のレベルＰ１に維持するのではなく、時間とともに変化させるが、その他の面では図７Ａ〜７Ｄに示したものと同じままである。一実施形態では、図８Ａに示すように、電源の振幅Ｐが、期間τ１の間に増大する。別の実施形態では、図８Ｂに示すように、電源振幅Ｐが、期間τ１の間に減少する。さらに別の実施形態では、図８Ｃに示すように、電源振幅Ｐが、期間τ１の最初に減少し、その後、増加する。図８Ｄに示す実施形態では、電源振幅Ｐが、期間τ１の最初に増加し、その後、減少する。
【００４３】
図９Ａ〜図９Ｄは、本発明のさらに別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。この音波ウェハ洗浄プロセスでは、電源の周波数を、図７Ａ及び図７Ｄの工程７０４０のように一定値ｆ１に維持するのではなく、時間とともに変化させるが、その他の面では図７Ａ〜７Ｄに示したものと同じままである。一実施形態では、図９Ａに示すように、電源の周波数が、期間τ１の最初にｆ１で、次にｆ３となる。ここでｆ１はｆ３よりも高い周波数である。図９Ｂに示すように、一実施形態では、電源の周波数が、期間τ１の最初にｆ３で、その後にｆ１へと高くなる。図９Ｃに示すように、一実施形態では、電源の周波数が、期間τ１の間にｆ３からｆ１に変化し、次いで、ｆ３に戻る。図９Ｄに示すように、一実施形態では、電源の周波数が、期間τ１の間にｆ１からｆ３に変化し、次いで、ｆ１に戻る。
【００４４】
図９Ｃに示す洗浄プロセスと同様に、一実施形態では、電源周波数は、期間τ１においてまずｆ１に設定され、その後ｆ３に設定され、最後にｆ４に設定される。ここで、ｆ４がｆ３より小さく、ｆ３がｆ１より小さい。
【００４５】
さらに、図９Ｃに示す洗浄プロセスと同様に、一実施形態では、電源周波数は、期間τ１においてまずｆ４に設定され、その後ｆ３に設定され、最後にｆ１に設定される。ここで、ｆ４がｆ３より小さく、ｆ３がｆ１より小さい。
【００４６】
さらに、図９Ｃに示す洗浄プロセスと同様に、一実施形態では、電源周波数は、期間τ１においてまずｆ１に設定され、その後ｆ４に設定され、最後にｆ３に設定される。ここで、ｆ４がｆ３より小さく、ｆ３がｆ１より小さい。
【００４７】
さらに、図９Ｃに示す洗浄プロセスと同様に、一実施形態では、電源周波数は、期間τ１においてまずｆ３に設定され、その後ｆ４に設定され、最後にｆ１に設定される。ここで、ｆ４がｆ３より小さく、ｆ３がｆ１より小さい。
【００４８】
さらに、図９Ｃに示す洗浄プロセスと同様に、一実施形態では、電源周波数は、期間τ１においてまずｆ３に設定され、その後ｆ１に設定され、最後にｆ４に設定される。ここで、ｆ４がｆ３より小さく、ｆ３がｆ１より小さい。
【００４９】
さらに、図９Ｃに示す洗浄プロセスと同様に、一実施形態では、電源周波数は、期間τ１においてまずｆ４に設定され、その後ｆ１に設定され、最後にｆ３に設定される。ここで、ｆ４がｆ３より小さく、ｆ３がｆ１より小さい。
【００５０】
図１０Ａ〜図１０Ｃは、本発明のまた別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。図１０Ａを参照すると、図７Ａに示される洗浄プロセスと同様に、期間τ１において、電力レベルＰ１及び周波数ｆ１を有する電源が、音波デバイスに印加される。しかし、期間τ２において、電力を、図７Ａに示すように０に落とすのではなく、レベルＰ２まで低下させる。したがって、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度は、図１０Ｂに示すように、Ｔ０＋ΔＴ２まで低下する。
【００５１】
図１０Ｃは、図１０Ａ及び図１０Ｂに示されるウェハ洗浄プロセスの処理を示すフローチャートである。工程１００１０において、超音波又は高周波超音波デバイスを、洗浄中のウェハの上面近傍に配置する。工程１００２０において、化学物質又は気体がドープされた水のいずれかである洗浄液をウェハ上に導入し、ウェハと音波デバイスとの間のギャップを洗浄液で満たす。工程１００３０において、ウェハを保持するチャックを、洗浄プロセスのために回転させ始める。工程１００４０において、周波数ｆ１及び電力レベルＰ１を有する電源を、音波デバイスに印加する。工程１００５０において、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度が内破温度Ｔｉに達するか、又は期間τ１が式（１１）によって計算される期間τｉに達する前に、周波数をｆ１に維持しつつ、電力レベルをＰ２に下げる。工程１００６０において、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度が室温Ｔ０近傍まで低下した後、又は持続時間がτ２に達した後、電力レベルをＰ１に復帰させる。工程１００７０において、ウェハの清浄度を検査する。そして、ウェハが所望の程度までまだ清浄になっていない場合、工程１００１０から工程１００６０までを繰り返す。代替的には、清浄度の検査をサイクル毎に行わなくてもよい。実用されるサイクルの数を、サンプルウェハを使用して予め実験によって決定してもよい。
【００５２】
図１１Ａ〜図１１Ｂは、本発明のまたさらに別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。この音波ウェハ洗浄プロセスは、図１０Ａ〜図１０Ｃに示されたものと同様であり、相違点は、工程１００５０のみである。図１１Ａ及び図１１Ｂに示すウェハ洗浄プロセスでは、電源周波数をｆ１に維持する代わりに、期間τ２の間、周波数をｆ２に低下させる。気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度を室温Ｔ０近傍まで低下させられるように、電力レベルＰ２は、Ｐ１よりも十分に小さく、好ましくは１／５又は１／１０であるべきである。
【００５３】
図１２Ａ〜図１２Ｂは、本発明のさらにまた別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。本洗浄プロセスと図１０Ａ〜図１０Ｃに示すものとの間の差は、工程１００５０のみである。本ウェハ洗浄工程では、期間τ２における電力レベルＰ２をＰ１と実質的に同じとしつつ、電源周波数をｆ２に高める。
【００５４】
図１３Ａ〜図１３Ｂは、本発明のさらなる別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。本洗浄プロセスと図１０Ａ〜図１０Ｃに示すものとの間の差は、工程１００５０のみである。本ウェハ洗浄工程では、期間τ２における電力レベルをＰ１からＰ２へと低下させつつ、電源周波数をｆ２に高める。
【００５５】
図１４Ａ〜図１４Ｂは、本発明のまた別の一実施形態による音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。本洗浄プロセスと図１０Ａ〜図１０Ｃに示すものとの間の差は、工程１００５０のみである。本ウェハ洗浄工程では、期間τ２における電力レベルをＰ１からＰ２へと増大させつつ、電源周波数をｆ１からｆ２に高める。周波数ｆ２はｆ１よりも高いために音波エネルギーは気泡をそれほど強く加熱しないので、電力レベルＰ２は、Ｐ１よりわずかに高くてもよいが、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度が図１４Ｂに示すように期間τ２の間に減少することを確実にするためには、高すぎてはならない。
【００５６】
図１５Ａ〜１５Ｃは、音波ウェハ洗浄プロセスにおいてウェハ上のパターン構造に損傷を与える安定したキャビテーションを示す図である。図１５Ａに示すように、ウェハ１５０１０上には、間隔Ｗを有するパターン構造１５０３４が形成されている。キャビテーションプロセスで形成されたいくつかの気泡１５０４６は、パターン構造１５０３４の間隙中にある。図１５Ｂに示すように、気泡キャビテーションが継続するにつれて、気泡１５０４８内の気体及び／又は蒸気の温度が上昇し、気泡１５０４８のサイズが増大する。気泡１５０４８の大きさが間隔Ｗよりも大きくなると、図１５Ｃに示すように、気泡キャビテーションの膨張力によって、パターン構造１５０３４を損傷させる可能性がある。したがって、新しいウェハ洗浄プロセスが必要とされる。
【００５７】
図１５Ｃに示された気泡膨張によって引き起こされる損傷部位は、図４Ｂに示された気泡内破による損傷部位よりも小さくてよい。例えば、気泡の膨張は、１００ｎｍのオーダーの損傷部位をもたらす可能性があり、一方で気泡の内破は、１μｍのオーダーのより大きな損傷部位をもたらす場合がある。
【００５８】
図１５Ｄは、本発明の一実施形態による代替的なウェハ洗浄プロセスを示すフローチャートである。代替のウェハ洗浄プロセスは、超音波又は高周波超音波デバイスを、洗浄中のウェハの上面近傍に配置する工程１５２１０から始まる。工程１５０２０において、化学物質又は気体がドープされた水のいずれかである洗浄液をウェハ上に導入し、ウェハと音波デバイスとの間のギャップを洗浄液で満たす。工程１５２３０において、チャックによって保持されたウェハの回転又は振動を開始させる。工程１５２４０において、周波ｆ１及び電力レベルＰ１を有する電源を、音波デバイスに印加する。工程１５２５０において、気泡のサイズが間隔Ｗの値に達する前に、電源出力を０とする。すると、洗浄液の温度が気体温度よりもはるかに低いため、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度が低下し始める。工程１５２６０において、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度が室温Ｔ０まで低下した後、又は持続時間がτ２に達した後（期間τ２の間、電源出力は０とされる）、電源出力を、周波数ｆ１及び電力レベルＰ１に復帰させる。工程１５２７０において、ウェハの清浄度を検査する。そして、ウェハが所望の程度までまだ清浄になっていない場合、工程１５２１０から工程１５２６０までを繰り返す。代替的には、清浄度の検査をサイクル毎に行わなくてもよい。実用されるサイクルの数を、サンプルウェハを使用して予め実験によって決定してもよい。
【００５９】
再び図１５Ｄを参照すると、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度は、室温Ｔ０まで冷却される必要がないが、好ましくは、内破温度Ｔｉよりはるかに低い温度に冷却されるべきである。工程１５２５０では、気泡の膨張力がパターン構造１５０３４を破損又は損傷しない限り、気泡の大きさをパターン構造１５０３４の間隔Ｗより若干大きくすることができる。
【００６０】
再び図１５Ｄを参照すると、工程１５２４０の持続時間は、図７Ｅに示す手順から、τ１として実験によって取得することができる。いくつかの実施形態では、図７−１４に示すウェハ洗浄プロセスを、図１５に示すウェハ洗浄プロセスと組み合わせることができる。
【００６１】
図１６Ａ〜図１６Ｃは、本発明の一実施形態によるウェハ洗浄プロセスを示す図である。このウェハ洗浄プロセスは、図７Ｄの工程７０５０を除いて、図７Ａ〜図７Ｅに示したものと同様である。このウェハ洗浄プロセスでは、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度が、内破温度Ｔｉに達するか、又は持続時間τ１が式（１１）によって計算されるτｉに達する前に、電源出力を、図１６Ａに示される正のＤＣ値又は図１６Ｂ及び１６Ｃに示される負のＤＣ値に設定する。その結果、洗浄液の温度が気体及び／又は蒸気の温度よりもはるかに低いため、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度が低下し始める。いくつかの実施形態では、正又は負のいずれのＤＣ出力の振幅についても、洗浄液中の気泡キャビテーションを生成するための期間τ１に印加される電力レベルＰ１の振幅よりも大きくても（図示せず）、等しくても（図１６Ａ及び図１６Ｂ参照）、小さくても（図１６Ｃ参照）よい。
【００６２】
図１７は、本発明の別の一実施形態によるウェハ洗浄プロセスを示す図である。このウェハ洗浄プロセスはまた、図７Ｄの工程７０５０を除いて、図７Ａ〜図７Ｅに示すものと同様である。このウェハ洗浄工程は、期間τ１に印加されるのと同じ周波数ｆ１を維持しつつ、電源出力の位相を反転させ、その結果、気泡キャビテーションを迅速に停止させることができる。その結果、洗浄液の温度が気体及び／又は蒸気の温度よりもはるかに低いため、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度が低下し始める。
【００６３】
再び図１７を参照すると、期間τ２における電力レベルは、Ｐ２であり、これは、それぞれ異なる実施形態において、期間τ１における電力レベルであるＰ１より大きい、Ｐ１に等しい、又は、Ｐ１より小さいものであってよい。一実施形態では、期間τ２における電源周波数は、位相が反転されていれば、ｆ１とは異なるものであってよい。いくつかの実施形態では、超音波又は高周波超音波電源の周波数ｆ１は、０．１ＭＨｚから１０ＭＨｚまでの間である。
【００６４】
図１８Ａ〜１８Ｊは、半導体ウェハのビアホールまたはトレンチ内における新鮮な洗浄液の循環を向上させる気泡キャビテーション制御を示す図である。図１８Ａは、ウェハ１８０１０内に形成された複数のビアホール１８０３４の断面図である。ここで、ビアホール開口の直径をＷ１として示している。音波エネルギーによってビアホール１８０３４内に生成された気泡１８０１２は、残留物及びそこからの粒子などの不純物の除去を促進する。図１８Ｂは、図１８Ａに示されたビアホールの平面図である。
【００６５】
図１８Ｃは、ウェハ１８０１０内に形成された複数のトレンチ１８０３６の断面図である。同様に、音波エネルギーによってトレンチ１８０３６内に生成された気泡１８０１２は、残留物及びそこからの粒子などの不純物の除去を促進する。図１８Ｄは、図１８Ｃに示されたトレンチ１８０３６の平面図である。
【００６６】
ビアホール１８０３４、トレンチ１８０３６又は別の凹部領域といったパターン構成要素の中に含まれ得る気泡の最大量によって、飽和点Ｒｓを定義する。気泡の量が飽和点Ｒｓを超えると、洗浄液が気泡によって遮断され、ビアホール１８０３４又はトレンチ１８０３６の側壁の底部に到達しにくくなり、洗浄性能が悪影響を受けることになる。気泡の量が飽和点Ｒｓ未満であると、ビアホール１８０３４又はトレンチ１８０３６といったパターン構成要素の内部で洗浄液に十分な有効性があり、良好な洗浄性能を得ることができる。
【００６７】
飽和点未満では、ビアホール又はトレンチすなわち凹部空間ＶＶＴＲの体積に対する総気泡体積ＶＢの比Ｒは、以下の通りである。
Ｒ＝ＶＢ／ＶＶＴＲ＜Ｒｓ
そして、飽和点Ｒｓにおける比Ｒは以下の通りである。
Ｒ＝ＶＢ／ＶＶＴＲ＜Ｒｓ
ビアホール１８０３４、トレンチ１８０３６又は他の凹部空間といったパターン構成要素における全気泡の体積は、以下の通りである。
ＶＢ＝Ｎ＊ＶＢ
ここで、Ｎは、パターン構成要素内の気泡の数であり、ＶＢは、単一の気泡の平均体積である。
【００６８】
図１８Ｅ〜図１８Ｈに示されるように、超音波又は高周波超音波エネルギーが洗浄液に印加されたとき、気泡１８０１２のサイズはある程度の体積まで徐々に膨張し、これにより、ビアホール又はトレンチすなわち凹部空間ＶＶＴＲの体積に対する総気泡体積ＶＢの比Ｒは、飽和点Ｒｓ近傍又はそれよりも大きくなる。膨張した気泡１８０１２は、ビアホール又はトレンチにおける洗浄液の入れ替え及び不純物除去の経路を遮断する。このような場合、音響エネルギーがビアホール又はトレンチに効率的に移動してそれらの底部及び側壁に達することができず、粒子、残渣及び他の不純物１８０４８は、ビアホール又はトレンチ内にトラップされる。これは、臨界寸法Ｗ１がより小さくなる高度な半導体プロセスで容易に発生し得る。
【００６９】
図１８Ｉ〜図１８Ｊに示されるように、超音波又は高周波超音波エネルギーによる気泡１８０１２のサイズ拡大は限界内であり、ビアホール、トレンチ又は凹部空間ＶＶＴＲの体積に対する総気泡体積ＶＢの比Ｒは、飽和点Ｒｓよりもはるかに低い。新鮮な洗浄液１８０４７は、パターン構造要素内部の小さな気泡キャビテーションのために、ビアホール又はトレンチ内で自由に循環し、その結果、例えば、残留物及び粒子のような不純物１８０４８は、パターン構造要素から容易に押し出されて良好な洗浄性能が得られる。
【００７０】
ビアホール又はトレンチといったパターン構造要素における気泡の総体積は気泡の数及びサイズによって決定されるので、キャビテーションによる気泡サイズの膨張を制御することは、高アスペクト比のパターン構造要素を有するウェハの洗浄性能にとって重要である。
【００７１】
図１９Ａ〜１９Ｄは、音波エネルギーに応じた気泡体積の変化を示す図である。キャビテーションの第１のサイクル中、気泡の体積は、正の音波パワーサイクルを経てＶ０からＶ１に圧縮され、それから負の音波パワーサイクルを経てＶ２まで膨張する。しかし、Ｖ２に対応する気泡の温度Ｔ２は、Ｖ０に対応する温度Ｔ０よりも高くなるので、図１９Ｂに示すように、体積Ｖ２は体積Ｖ０よりも大きくなる。この体積増加は、気泡を取り囲む液体分子がより高い温度下で蒸発することによって引き起こされる。同様に、２回目の圧縮後の気泡の体積Ｖ３は、図１９Ｂに示されるように、Ｖ１とＶ２の間のいずれかの値となる。Ｖ１、Ｖ２及びＶ３を以下のように表すことができる。
Ｖ１＝Ｖ０−ΔＶ        （１２）
Ｖ２＝Ｖ１＋δＶ        （１３）
Ｖ３＝Ｖ２−ΔＶ＝Ｖ１＋δＶ−ΔＶ＝Ｖ０−ΔＶ＋δＶ−ΔＶ＝Ｖ０＋δＶ−２ΔＶ        （１４）
【００７２】
ここで、ΔＶは、超音波／高周波超音波によって生成される正圧による１回の圧縮を経ることによる気泡の体積圧縮量であり、δＶは、超音波／高周波超音波によって生成される負圧による１回の膨張を経ることによる気泡の体積増加量であり、（δＶ−ΔＶ）は、式（５）によって算出される１サイクルを経ることによる温度上昇（ΔＴ−δＴ）による体積増加量である。
【００７３】
気泡キャビテーションの第２のサイクルを経ても、温度が上昇し続け、気泡がより大きなサイズまで膨張する。気泡内部の気体及び／又は蒸気の体積Ｖ４は、以下のようになる。
Ｖ４＝Ｖ３＋δＶ＝Ｖ０＋δＶ−２ΔＶ＋δＶ＝Ｖ０＋２（δＶ−ΔＶ）    （１５）
３回目の圧縮後、気泡内部の気体及び／又は蒸気の体積Ｖ５は、以下のようになる。
Ｖ５＝Ｖ４−ΔＶ＝Ｖ０＋２（δＶ−ΔＶ）−ΔＶ＝Ｖ０＋２δＶ−３ΔＶ    （１６）
【００７４】
同様に、気泡キャビテーションのｎ番目のサイクルが最小気泡サイズに達したとき、気泡内部の気体及び／又は蒸気の体積Ｖ２ｎ−１は、以下の通りである。
Ｖ２ｎ−１＝Ｖ０＋（ｎ−１）δＶ−ｎΔＶ＝Ｖ０＋（ｎ−１）δＶ−ｎΔＶ    （１７）
【００７５】
気泡キャビテーションのｎ番目サイクルが終了したとき、気泡内の気体及び／又は蒸気の体積Ｖ２ｎは、以下のようになる。
Ｖ２ｎ＝Ｖ０＋ｎ（δＶ−ΔＶ）    （１８）
【００７６】
十分な物理的移動可能性を有する値又は飽和点未満となる所望の体積Ｖｉに気泡の体積を制限し、ビアホール、トレンチ、又はその他の凹部領域といったパターン構造要素での洗浄液入れ替えの経路が遮断されるのを防止するために、サイクル数ｎｉは、次のように表すことができる。
ｎｉ＝（Ｖｉ−Ｖ０−ΔＶ）／（δＶ−ΔＶ）＋１    （１９）
【００７７】
式（１９）から、Ｖｉを達成するための所望の時間τｉは、以下のように表すことができる。
τｉ＝ｎｉｔ１＝ｔ１（（Ｖｉ−Ｖ０−ΔＶ）／（δＶ−ΔＶ）＋１）
＝ｎｉ／ｆ１＝（（Ｖｉ−Ｖ０−ΔＴ）／（δＶ−ΔＶ）＋１）／ｆ１      （２０）
ここで、ｔ１はサイクル周期であり、ｆ１は超音波／高周波超音波の周波数である。したがって、気泡寸法がパターン構造要素の遮断レベルに達するのを防止するための所望のサイクル数ｎｉ及び所望の時間τｉは、式（１９）及び式（２０）から計算することができる。
【００７８】
気泡キャビテーションのサイクル数ｎが増加すると、気泡内部の気体及び／又は蒸気の温度が上昇し、そのため気泡表面のより多くの分子が気泡内部へと蒸発することに留意されたい。したがって、気泡１９０８２のサイズは、さらに増加することになって、式（１８）によって計算される値よりも大きくなる。動作中において、気泡サイズは、以下に開示される実験方法によって決定されるので、温度上昇に起因した気泡内部表面への液体又は水の蒸発によって影響される気泡の大きさは、ここでは、理論的な詳細を議論しない。平均単一気泡体積が増加するにつれて、図１９Ｄに示すように、ビアホール、トレンチ、又は他の凹部空間の体積ＶＶＴＲに対する総気泡体積ＶＢの比Ｒは、Ｒ０から連続的に増加する。
【００７９】
気泡体積が増加するにつれて、気泡の直径は、最終的には、図１８Ａ及び図１８Ｂに示すビアホール１８０３４又は図１８Ｃ及び図１８Ｄに示すトレンチ１８０３６のパターン構造要素Ｗ１と同じサイズ又は同じオーダーのサイズに達することになる。そして、特にアスペクト比（深さ／幅）が３以上の場合、ビアホール１８０３４及びトレンチ１８０３６の内部の気泡は、超音波／高周波超音波エネルギーがこれら底部へとさらに入らないように遮断する。したがって、そのような深いビアホール又はトレンチの底部の汚染物質又は粒子は、効果的に除去又は洗浄することができない。そこで、ビアホール又はトレンチのパターン構造要素における洗浄液の入れ替え経路を遮断するような臨界的寸法まで気泡が成長するのを防止するための、新しい洗浄処理が提案される。
【００８０】
図２０Ａ〜図２０Ｄは、本発明の一実施形態による高いアスペクト比のビアホール及びトレンチといったパターン構造要素を効果的に洗浄する音波ウェハ洗浄プロセスを示す図である。このウェハ洗浄プロセスは、音波エネルギーによるキャビテーションにおける気泡のサイズを制限する。図２０Ａは、期間τ１においては電力レベルがＰ１とされ、期間τ２においてはオフにされる電源出力の波形を示している。図２０Ｂは、キャビテーションの各サイクルに対応する気泡体積曲線を示している。図２０Ｃは、キャビテーションの各サイクルにおける気泡サイズが膨張する様子を示している。図２０Ｄは、ビアホール、トレンチ、又は他の凹部空間の体積ＶＶＴＲに対する総気泡体積ＶＢの比Ｒの曲線を示している。
【００８１】
Ｒ＝ＶＢ／ＶＶＴＲ＝Ｎｖｂ／ＶＶＴＲ
上記の式によると、平均単一気泡体積が、期間τ１において、所定のサイクル数ｎを経て音波キャビテーションによって膨張する場合、ビアホール、トレンチ、又は他の凹部空間の体積ＶＶＴＲに対する総気泡体積ＶＢの比Ｒは、Ｒ０からＲｎまで増加する。そして、Ｒｎは、以下のように、飽和点Ｒｓ未満に制御される。
Ｒｎ＝ＶＢ／ＶＶＴＲ＝Ｎｖｂ／ＶＶＴＲ＜Ｒｓ
そして、平均単一気泡体積が期間τ２における冷却プロセスにおいて元のサイズに戻る場合、ビアホール、トレンチ又は他の凹部空間ＶＶＴＲの体積に対する総気泡体積ＶＢの比Ｒは、ＲｎからＲ０へ減少する。
【００８２】
再び図２０Ｂを参照すると、気泡は、期間τ１において洗浄液に印加される超音波／高周波超音波パワーで大体積Ｖｎに膨張する。この状態では、物質移動の経路が部分的に遮断される。そして、新鮮な洗浄液が、ビアホール又はトレンチの底部及び側壁へと十分に流れ込むことができない。その間、ビアホール及びトレンチにトラップされた粒子、残渣及び他の不純物を、効率的に除去することができない。しかし、この状態は、図２０Ａに示すように、期間τ２において気泡を冷却するために超高／高周波超音波電力がオフにされたとき、気泡が収縮する次の状態へと遷移する。この冷却状態では、新鮮な洗浄液がビアホール及びトレンチの中に流入することによって、その底部及び側壁を洗浄することが可能である。次のサイクルで超音波／高周波超音波電力が再びオンにされると、粒子、残留物、及び他の不純物は、気泡体積の増加によって発生する引っ張り力によって、ビアホール及びトレンチから除去され得る。超音波／高周波超音波を用いた洗浄プロセスにおいて２つの状態が交互になるとき、ウェハ基板上のビアホール、トレンチ、及び他の凹部領域の高アスペクト比のパターン構造要素を効果的に洗浄することができる。
【００８３】
期間τ２における冷却状態は、この洗浄工程において重要な役割を果たす。また、気泡の大きさを制限するためには、条件（τ１＜τｉ）が望ましい。以下の方法では、冷却状態の間に気泡サイズを収縮させるための期間τ２と、経路遮断サイズまでに気泡膨張を制限するための期間τ１とを実験的に決定することができる。この実験は、化学液と結合された超音波／高周波超音波デバイスを用いて実施され、トレース可能な残留物が存在するビアホール及びトレンチといった小さなパターン構造要素を有するパターン加工された基板を洗浄し、洗浄性能を評価する。
【００８４】
第１のステップは、パターン構造要素を遮断するのに十分な長さのτ１を選択することであり、これは、式（２０）に基づいてτｉを計算することであってもよい。第２のステップは、ＤＯＥを実行するための複数の異なる期間τ２を選択することである。期間τ２の選択は、最初のスクリーンテストでは、τ１の少なくとも１０倍であり、好ましくは、１００倍である。第３のステップは、期間τ１及び電力Ｐ０を固定し、特定のパターン構造を有する基板を個別に洗浄することを、少なくとも５つの条件下で実行することである。ここで、Ｐ０は、連続モード（非パルスモード）で動作しているときに、基板上のビアホール又はトレンチのパターン構造要素が確実に洗浄されない電力である。第４のステップは、ＳＥＭ又はＥＤＸなどの素子分析ツールによって、上記５つの基板のビアホール又はトレンチのパターン構造要素内のトレース可能な残留物の状態を検査することである。上記の第１のステップから第４のステップまでを数回繰り返すことで、ビアホール又はトレンチのパターン構造要素内のトレース可能な残留物が観察されるまで、期間τ２を徐々に短くすることができる。期間τ２が短くなるにつれて、気泡の体積は十分に縮小することができず、これによって、パターン構造要素が徐々に遮断され、洗浄性能に影響を及ぼす。この期間を、臨界冷却期間τＣと称する。臨界冷却期間τＣが得られた後、安全マージンを確保するために、期間τ２を２τＣより大きい値とする。
【００８５】
より詳細な例を以下に示す。第１のステップは、表３に示されるように、実験計画法（ＤＯＥ）条件として、τ１０，２τ１０，４τ１０、８τ１０，１６τ１０、３２τ１０、６４τ１０、１２８τ１０、２５６τ１０、５１２τ１０のような１０個の異なる期間τ１選択することである。第２のステップは、表３に示すように、最初のスクリーンテストにおいて、５１２τ１０の少なくとも１０倍、好ましくは２０倍の期間τ２を選択することである。第３のステップは、電力Ｐ０を固定して、上記の１０個の条件の下で、特定のパターン構造を有する基板を個別に洗浄することである。ここで、Ｐ０は、連続モード（非パルスモード）で動作しているときに、基板上のビアホール又はトレンチのパターン構造要素が確実に洗浄されない電力である。第４のステップは、表３に示す条件を使用して、プラズマエッチング後にビアホール又はトレンチのパターン構造要素を有する１０個の基板を処理することである。プラズマエッチング後の基板を選択する理由は、エッチングプロセス中に生成されたポリマーが、トレンチ及びビアホールの側壁上に形成されているからである。ビアホールの底部又は側壁上に形成されたこれらのポリマーは、従来の方法によって除去することが困難である。次のステップは、基板の断面における、１０個の基板上のビアホール又はトレンチのパターン構造要素の洗浄状態を、ＳＥＭによって検査することである。得られたデータを以下の表３に示す。表３から、洗浄効果が、τ１＝３２τ１０である基板＃６において最良点となることが明らかとなった。つまり、最適な期間τ１は３２τ１０である。
【表３】
2021510008.tif 000005
【００８６】
ピークが見つからない場合、期間τ１を見つけるために、上記の第１〜第４のステップが、τ１をより広い時間範囲として再び繰り返されてる。初期のτ１を見つけた後、上述の第１及び第４のステップが、期間τ１の範囲を狭くするために、より狭い時間範囲τ１で再び繰り返される。期間τｉを知った後、期間τ２を５１２τ２から清掃効果が減少し始める値まで減少させることによって、期間τ２を最適化することができる。詳細な手順を、下記の表４に開示する。表４から、洗浄効果が、τ２＝２５６τ１０である基板＃５において最良点に達するので、最適な期間τ２は２５６τ１０である。
【表４】
2021510008.tif 000006
【００８７】
図２１Ａ〜図２１Ｃは、本発明の一実施形態による別の洗浄プロセスを示す図である。本洗浄プロセスは、図２０Ａ〜図２０Ｄに示されたものと同様であり、キャビテーションが飽和点Ｒｓに達した後でも、ｍτ１の期間、現在の洗浄プロセスの電力がオンのままであるという点でのみ相違している。ここで、ｍは、０．１〜１００の任意の数、好ましくは２であり、これは、ビアホール及びトレンチの構造及び使用される洗浄液に依存する。そして、ｍの値は、図２０Ａ〜図２０Ｄに示される実施形態と同様の実験によって最適化される必要がある。
【００８８】
図２２Ａ及び図２２Ｂは、本発明の別の一実施形態による音波エネルギーを用いたウェハ洗浄プロセスを示す図である。音波電力Ｐ１が洗浄液に印加される期間τ１において、最初の気泡の温度が内破温度Ｔｉに達したときに、気泡内破が生じ始め、次いで、ＴｉからＴｎへの温度上昇中（期間Δτの間）にもいくらかの気泡内破が生じ続ける。期間τ２において音波出力をオフにした後、気泡の温度は、周囲の液体によってＴｎから元のＴ０に冷却される。Ｔｉは、ビアホール及びトレンチのパターン構造要素における気泡内破の温度閾値として決定されるものであり、これは、最初の気泡内破を引き起こす。
【００８９】
熱伝達は、パターン構造要素内で正確に一様ではないので、温度がＴｉに達した後により多くの気泡が発生し続けることがある。気泡の内破強度は、気泡温度Ｔが増加するにつれて、ますます高くなる。しかしながら、気泡内破は、パターン構造に損傷をもたらすことになる内破強度より低くなるように制御されなければならない。気泡内破は、時間Δτの調整で温度Ｔｎを温度Ｔｄより低く制御することによって、制御することができる。ここで、Ｔｎは、ｎサイクルの間に洗浄液に印加される音波電力に起因する気泡の最大温度であり、Ｔｄは、パターン構造を損傷させる原因となる高強度（又は電力）における、ある量の気泡内破の蓄積物の温度である。本洗浄プロセスにおいて、気泡内破強度は、洗浄でパターン構造の損傷を引き起こすような過度に高い気泡内破強度となるのを回避しつつ、所望の洗浄性能及び効率を達成できるように、最初の気泡内破が開始した後の時間Δτを調整することで制御される。
【００９０】
粒子除去効率（ＰＲＥ）を高めるために、図２２Ａ〜図２２Ｂに示すように、超音波又は高周波超音波洗浄プロセスにおいてトランジットキャビテーション（transit cavitation）が制御されていることが望ましい。制御されたトランジットキャビテーションは、音波電源をτ１より短い時間間隔で電力Ｐ１を有するものとし、次にτ２より長い時間間隔で電力Ｐ２を有するものとし、ウェハが洗浄されるまで上記工程を繰り返すことによって達成される。ここで、電力Ｐ２は、０に等しいか、又は電力Ｐ１よりもはるかに小さく、τ１は気泡内部の温度が臨界内破温度よりも高くなる時間間隔であり、τ２は気泡内部の温度が臨界内破温度よりも低い温度に低下する時間間隔である。制御されたトランジットキャビテーションは、洗浄プロセスにおいて特定の気泡内破を伴うので、制御された輸送キャビテーションは、パターン構造の損傷を最小限に抑えて、より高いＰＲＥ（粒子除去効率）を提供することになる。臨界内破温度は、最初の気泡内破が生じる気泡内部の最低温度である。ＰＲＥをさらに増大させるためには、気泡の温度をさらに上昇させる必要があり、したがって、期間τ１をより長くすることが必要とされる。また、気泡の温度は、期間τ２を短縮することによって上昇させることができる。
【００９１】
内破レベルを制御するための別のパラメータとして、超音波又は高周波超音波の周波数がある。制御されたトランジットキャビテーションは、音波電源をτ１より短い時間間隔で周波数ｆ１を有するものとし、次にτ２より長い時間間隔で周波数ｆ２を有するものとし、ウェハが洗浄されるまで上記工程を繰り返すことによって達成される。ここで、ｆ２はｆ１よりもはるかに高く、好ましくは２倍又は４倍である。通常、周波数が高いほど、内破レベル又は強度が低くなる。ここでも、τ１は、気泡内部の温度が臨界内破温度よりも高くなる時間間隔であり、τ２は、気泡内部の温度が臨界内破温度よりもはるかに低い温度まで低下する時間間隔である。制御されたトランジットキャビテーションは、パターン構造への損傷を最小限に抑えつつ、より高いＰＲＥ（粒子除去効率）を提供する。臨界内破温度は、最初の気泡内破が生じる気泡内部の最低温度である。ＰＲＥをさらに増大させるためには、気泡の温度をさらに上昇させる必要があり、したがって、期間τ１をより長くすることが必要とされる。また、気泡の温度は、期間τ２を短縮することによって上昇させることができる。一般的に、本発明に開示する方法では、周波数０．１ＭＨｚ〜１０ＭＨｚの超音波又は高周波超音波がウェハ洗浄プロセスに印加されてよい。
【００９２】
図２３は、本発明の一実施形態による図７−２２に示されたウェハ洗浄プロセスを実行するためのウェハ洗浄装置の一例を示す図である。このウェハ洗浄装置は、ウェハ２３０１０を載置するためのウェハチャック２３０１４を含んでいる。ウェハチャック２３０１４は、回転駆動機構２３０１６によって駆動される洗浄プロセスにおいて、ウェハ２３０１０とともに回転する。また、ウェハ洗浄装置は、洗浄化学物質又は脱イオン水２３０６０などの洗浄液をウェハ２３０１０に供給するためのノズル２３０６４を含んでいる。ノズル２３０６４には、超音波又は高周波超音波エネルギーを洗浄液に付与するために、超音波又は高周波超音波デバイス２３０６２が結合されている。超音波又は高周波超音波デバイス２３０６２が発生させた超音波又は高周波超音波は、ノズル２３０６４から洗浄液２３０６０を経由してウェハ２３０１０へと伝播する。
【００９３】
図２４は、本発明の一実施形態による図７−２２に示されたウェハ洗浄プロセスを実行するための別のウェハ洗浄装置の断面図である。このウェハ洗浄装置は、洗浄液２４０７０の大部分を収容した洗浄タンク２４０７４と、洗浄液２４０７０中に浸漬された複数のウェハ２４０１０を保持するウェハカセット２４０７６とを含んでいる。また、ウェハ洗浄装置は、洗浄タンク２４０７４の壁に取り付けられて、洗浄液に対して超音波又は高周波超音波エネルギーを付与する超音波又は高周波超音波デバイス２４０７２をさらに含んでいる。洗浄プロセス中にウェハ２４０１０が洗浄液２４０７０中に浸漬されるように、洗浄タンク２４０７４に洗浄液２４０７０を充填するための少なくとも１つの注入口（図示せず）が設けられている。
【００９４】
上記の実施形態では、もし電力レベル、周波数、パワーオン時間（τ１）及びパワーオフ時間（τ２）などの、音波電源の臨界プロセスパラメータの全てが、ウェハ洗浄プロセス中のリアルタイムモニタリングなしに電源コントローラに予め設定されているのであれば、ウェハ洗浄プロセスの間の何らかの異常条件のために依然としてパターン構造の損傷が生じ得る。したがって、音波電源の稼働状態をリアルタイムでモニタリングする装置及び方法が必要となる。パラメータが正常範囲内にない場合は、音波電源を停止して、アラーム信号が送信され報告されるべきである。
【００９５】
図２５は、本発明の一実施形態による音波エネルギーを採用したウェハ洗浄プロセスの動作パラメータをモニタリングするための制御システムを示す図である。この制御システムは、ホストコンピュータ２５０８０、音波発生器２５０８２、音波トランスデューサ１００３、検出システム２５０８６、及び、通信ケーブル２５０８８を含んでいる。ホストコンピュータ２５０８０は、電力設定Ｐ１、電源オン期間設定τ１、電力設定Ｐ２、電源オフ期間設定τ２、周波数設定などの音波パラメータ設定、及び、電源投入コマンドなどの制御コマンドを音波発生器２５０８２に送信する。これらのコマンドを受信後、音波発生器２５０８２は音波波形を生成し、当該音波波形をウェハ１０１０を洗浄するための音波トランスデューサ１００３に送信する。一方、ホストコンピュータ２５０８０からのパラメータ設定と、音波発生器２５０８２からの実際の出力とが、検出システム２５０８６によって読み取られる。検出システム２５０８６は、音波発生器２５０８２からの実際の出力を、ホストコンピュータ２５０８０からのパラメータ設定と比較する。比較結果は、通信ケーブル２５０８８を介してホストコンピュータ２５０８０に送信される。音波発生器２５０８２の出力がホストコンピュータ２５０８０によって送信されたパラメータ設定と異なる場合、検出システム２５０８６は、アラーム信号をホストコンピュータ２５０８０に送信する。アラーム信号を受信したホストコンピュータ２５０８０は、音波発生器２５０８２を停止してウェハ１０１０のパターン構造へのさらなる損傷を防止する。
【００９６】
図２６は、本発明の一実施形態による、図２５に示された検出システム２５０８６のブロック図である。この検出システム２５０８６は、例として、電圧減衰回路２６０９０と、整形回路２６０９２と、メインコントローラ２６０９４と、通信回路２６０９６と、電力回路２６０９８とを含んでいる。メインコントローラ２６０９４は、ＦＰＧＡが実装されたものでよい。通信回路２６０９６は、ホストコンピュータ２５０８０とのインターフェースとして確立されている。通信回路２６０９６は、ホストコンピュータ２５０８０とのＲＳ２３２／ＲＳ４８５シリアル通信を実行して、ホストコンピュータ２５０８０からパラメータ設定を読み出し、ホストコンピュータ２５０８０に比較結果を送信する。電源回路２６０９８は、ＤＣ１５Ｖを、全システムについて目標電圧であるＤＣ１．２Ｖ、ＤＣ３．３Ｖ、ＤＣ５Ｖに変換するように設計されている。
【００９７】
図２７は、本発明の別の実施形態に係る検出システム２５０８６のブロック図である。検出システム２５０８６は、例として、電圧減衰回路２６０９０と、振幅検出回路２７０９２と、メインコントローラ２６０９４と、通信回路２６０９６と、電力回路２６０９８とを含んでいる。
【００９８】
図２８Ａ〜図２８Ｃは、本発明の一実施形態による電圧減衰回路２６０９０の例示的な実装形態を示す。音波発生器２５０８２からの音波信号出力が最初に読み込まれたとき、振幅の値は図２８Ｂに示すように比較的高い値である。電圧減衰回路２６０９０は、図２８Ｃに示すような波形の振幅値を低減するために、２つのオペアンプ２８１０２及び２８１０４を使用するように設計されている。電圧減衰回路２６０９０の減衰率は、５〜１００の範囲に設定され、好ましくは２０に設定されている。電圧の減衰は以下の式で表すことができる。
Ｖｏｕｔ＝（Ｒ２／Ｒ１）＊Ｖｉｎ
Ｒ１＝２００ｋであり、Ｒ２＝Ｒ３＝Ｒ４＝１０Ｋであると仮定すると、Ｖｏｕｔ＝（Ｒ２／Ｒ１）＊Ｖｉｎ＝Ｖｉｎ／２０である。
ここで、Ｖｏｕｔは、電圧減衰回路２６０９０が出力する振幅値であり、Ｖｉｎは、電圧減衰回路２６０９０に入力される振幅値であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、２つのオペアンプ２８１０２、２８１０４の抵抗値である。
【００９９】
図２９Ａ〜図２９Ｃは、本発明の一実施形態による、図２６に示す整形回路２６０９２の例を示す図である。再び図２６を参照すると、電圧減衰回路２６０９０の出力は、整形回路２６０９２に接続されている。電圧減衰回路２６０９０から出力された波形が整形回路２６０９２に入力されて、メインコントローラ（ＦＰＧＡ）２６０９４によって処理できるように正弦波が矩形波に変換される。整形回路２６０９２は、図２９Ａに示すように、ウインドウコンパレータ２９１０２と、ＯＲゲート２９１０４とを含んでいる。Ｖｃａｌ−＜Ｖｉｎ＜Ｖｃａｌ＋であれば、Ｖｏｕｔ＝０であり、そうでなければＶｏｕｔ＝１である。ここで、Ｖｃａｌ−とＶｃａｌ＋は二つの閾値であり、Ｖｉｎは整形回路の入力値であり、Ｖｏｕｔは整形回路の出力値である。電圧減衰回路２１９０を通過する波形は、図２９Ｂに示すような正弦波である。整形回路２６０９２は、正弦波を図２９Ｃに示すような矩形波に変換する。
【０１００】
図３０Ａ〜図３０Ｃは、本発明の一実施形態による、図２６及び図２７のメインコントローラ２６０９４の例示的な実装形態を示す。図３０Ａに示すように、メインコントローラ２６０９４は、パルス変換モジュール３０１０２と、周期測定モジュール３０１０４とを含んでいる。パルス変換モジュール３０１０２は、図３０Ｂ及び図３０Ｃに示すように、期間τ１のパルス信号をハイレベル信号に変換し、期間τ２の間、ローレベル信号をそのままに維持する。図３０Ａに示されたパルス変換モジュール３０１０２の回路記号は、Ｃｌｋ＿Ｓｙｓが５０ＭＨｚのクロック信号であり、Ｐｕｌｓｅ＿Ｉｎが入力信号であり、Ｐｕｌｓｅ＿Ｏｕｔが出力信号である。周期測定モジュール３０１０４は、以下の式を用いたカウンタによって高レベル及び低レベルの持続時間を測定するのに使用される。
τ１＝Ｃｏｕｎｔｅｒ＿Ｈ＊２０ｎｓ、τ２＝Ｃｏｕｎｔｅｒ＿Ｌ＊２０ｎｓ
ここでＣｏｕｎｔｅｒ＿Ｈは、高レベルの数であり、Ｃｏｕｎｔｅｒ＿Ｌは低レベルの数である。
【０１０１】
メインコントローラ２６０９４は、算出されたパワーオン時間と予め設定された期間τ１とを比較する。算出されたパワーオン時間が予め設定された期間τ１よりも長い場合、メインコントローラ２６０９４は、ホストコンピュータ２５０８０にアラーム信号を送出する。アラーム信号を受信したホストコンピュータ２５０８０は、音波発生器２５０８２を停止する。メインコントローラ２６０９４は、算出されたパワーオフ時間と予め設定された期間τ２とを比較する。算出されたパワーオフ時間が予め設定された期間τ２よりも短い場合、メインコントローラ２６０９４は、ホストコンピュータ２５０８０にアラーム信号を送出する。アラーム信号を受信したホストコンピュータ２５０８０は、音波発生器２６０８２を停止する。一実施形態では、メインコントローラ２６０９４としては、ＡｌｔｅｒａサイクロンＩＶ  ＦＰＧＡモデル番号ＥＰ４ＣＥ２２Ｆ１７Ｃ６Ｎを使用して実装することができる。
【０１０２】
図３１は、ホストコンピュータが音波電源を停止した後において、音波装置の特性のために音波電源が数回振動している様子を示す図である。パワーダウン後に音波発生器２５０８２が数サイクル発振する期間τ３は、メインコントローラ２６０９４によって測定される。期間τ３は実験によって求めることができる。したがって、周期的測定モジュール２５１０４によって計算された時間をτとすると、実際のパワーオン時間はτ−τ３に等しい。メインコントローラ２６０９４は、算出されたパワーオン時間と予め設定された期間τ１とを比較する。算出されたパワーオン時間が予め設定された期間τ１よりも長い場合、メインコントローラ２６０９４は、ホストコンピュータ２５０８０にアラーム信号を送出する。
【０１０３】
図３２Ａ〜図３２Ｃは、本発明の一実施形態による図２７に示す振幅検出回路２７０９２の例を示す図である。振幅検出回路２７０９２は、基準電圧発生回路と比較回路とを含んでいる。図３２Ｂに示すように、基準電圧発生回路は、図２７Ｃに示すように、メインコントローラ２６０９４からのデジタル入力をアナログＤＣ基準電圧Ｖｒｅｆ＋及びＶｒｅｆ−に変換するＤ／Ａ変換器３２１１８を使用するように設計されている。比較回路は、ウィンドウコンパレータ３２１１４及びＡＮＤゲート３２１１６を使用して、電圧減衰回路２６０９０からの出力である減衰された振幅Ｖｉｎと、基準電圧Ｖｒｅｆ＋及びＶｒｅｆ−とを比較するように設計されている。減衰振幅Ｖｉｎが基準電圧Ｖｒｅｆ＋及び／又はＶｒｅｆ−を超える場合、振幅検出回路２７０９２は、アラーム信号をホストコンピュータ２５０８０に送出する。アラーム信号を受信したホストコンピュータ２５０８０は、音波発生器２５０８２を停止してウェハ１０１０のパターン構造へのさらなる損傷を防止する。
【０１０４】
図３３は、本発明の一実施形態に係るウェハ洗浄プロセスを示すフローチャートである。ウェハ洗浄プロセスは、ウェハと超音波／高周波超音波デバイスとの間の空間に洗浄液を付与する工程３３０１０から始まる。工程３３０２０において、超音波／高周波超音波電源を周波数ｆ１及び電力レベルＰ１に設定して、超音波／高周波超音波デバイスを駆動する。工程３３０３０において、検出されたパワーオン時間を、予め設定された期間τ１と比較する。検出されたパワーオン時間が期間τ１よりも長い場合、電源を遮断し、さらにアラーム信号を送信する。工程３３０４０において、洗浄液中の気泡キャビテーションがウェハ上のパターン構造を損傷させる前に、超音波／高周波超音波電源を出力０に設定する。工程３３０５０では、気泡内部の温度があるレベルまで低下した後に、音波電源を周波数ｆ１及び電力レベルＰ１に復帰させる。工程３３０６０において、検出されたパワーオフ時間を、予め設定された期間τ２と比較する。検出されたパワーオフ時間が期間τ２よりも短い場合、超音波／高周波超音波電源を遮断し、さらにアラーム信号を送信する。工程３３０７０において、ウェハの清浄度を検査する。そして、ウェハが所望の程度までまだ清浄になっていない場合、工程３３０１０から工程３３０６０までを繰り返す。代替的には、清浄度の検査をサイクル毎に行わなくてもよい。実用されるサイクルの数を、サンプルウェハを使用して予め実験によって決定してもよい。
【０１０５】
図３４は、本発明の別の一実施形態によるウェハ洗浄プロセスを示すフローチャートである。ウェハ洗浄プロセスは、ウェハと超音波／高周波超音波デバイスとの間の空間に洗浄液を付与する工程３４０１０から始まる。工程３４０２０において、超音波／高周波超音波電源が周波数ｆ１及び電力レベルＰ１に設定されて、超音波／高周波超音波デバイスを駆動する。工程３４０３０において、音波出力の振幅を検出し、規定値と比較する。検出された振幅が規定値よりも大きい場合、電源を遮断し、さらにアラーム信号を送信する。工程３４０４０において、洗浄液中の気泡キャビテーションがウェハ上のパターン構造を損傷させる前に、音波供給を出力０に設定する。工程３１０５０では、気泡内部の温度があるレベルまで低下した後に、音波電源を周波数ｆ１及び電力レベルＰ１に復帰させる。工程３４０６０において、ウェハの清浄度を検査し、そして、ウェハが所望の程度までまだ清浄になっていない場合、工程３４０１０から工程３４０５０までを繰り返す。代替的には、清浄度の検査をサイクル毎に行わなくてもよい。実用されるサイクルの数を、サンプルウェハを使用して予め実験によって決定してもよい。
【０１０６】
いくつかの例において、本開示の全体を通して様々な図に描写された複数のウェハ洗浄プロセスを、所望の洗浄結果を生成するために組み合わせることができる。一例として、図３４の工程３４０３０の振幅検出は、図３３に示されたウェハ洗浄プロセスに組み込むことができる。別の例として、図２６の電圧減衰２６０９０及び整形回路２６０９２、並びに、図２７の振幅検出回路２７０９２を、図３３及び図３４に示されたウェハ洗浄プロセスに適用することができる。
【０１０７】
本発明は、超音波／高周波超音波デバイスを用いて半導体基板を洗浄する装置を提供するものであり、チャックと、超音波／高周波超音波デバイスと、少なくとも一つのノズルと、超音波／高周波超音波電源と、ホストコンピュータと、検出システムとを備えている。チャックは、半導体基板を保持する。超音波／高周波超音波デバイスは、半導体基板に隣接して配置されている。少なくとも一つのノズルは、前記半導体基板上、及び、前記半導体基板と前記超音波／高周波超音波デバイスとの間のギャップに薬液を導入する。ホストコンピュータは、超音波／高周波超音波電源を周波数ｆ１及び電力Ｐ１に設定し、超音波／高周波超音波デバイスを駆動し、半導体基板上のパターン構造を液体内の気泡キャビテーションが破壊する前に、超音波／高周波超音波電源を出力ゼロに設定し、気泡内の温度が設定温度まで冷却された後、超音波／高周波超音波電源を周波数ｆ１及び電力Ｐ１に再び設定する。検出システムは、電力Ｐ１及び周波数ｆ１におけるパワーオン時間及びパワーオフ時間を別々に検出し、電力Ｐ１及び周波数ｆ１の検出されたパワーオン時間を予め設定された期間τ１と比較する。検出されたパワーオン時間が予め設定された期間τ１よりも長い場合、検出システムはアラーム信号をホストコンピュータに送信し、そして、ホストコンピュータはアラーム信号を受信し、超音波／高周波超音波電源をシャットダウンする。また、検出システムは、検出されたパワーオフ時間を予め設定された期間τ２と比較する。検出されたパワーオフ時間が予め設定された期間τ２よりも短い場合、検出システムはアラーム信号をホストコンピュータに送信し、そして、ホストコンピュータはアラーム信号を受信し、超音波／高周波超音波電源をシャットダウンする。
【０１０８】
一実施形態において、超音波／高周波超音波デバイスはさらにノズルと結合され、半導体基板に隣接して配置されており、超音波／高周波超音波デバイスのエネルギーは、ノズルから液柱（liquid column）を通して半導体基板に伝達される。
【０１０９】
本発明は、超音波／高周波超音波デバイスを用いて半導体基板を洗浄する別の装置を提供するものであり、チャックと、超音波／高周波超音波デバイスと、少なくとも一つのノズルと、超音波／高周波超音波電源と、ホストコンピュータと、検出システムとを備えている。チャックは、半導体基板を保持する。超音波／高周波超音波デバイスは、半導体基板に隣接して配置されている。少なくとも一つのノズルは、前記半導体基板上、及び、前記半導体基板と前記超音波／高周波超音波デバイスとの間のギャップに薬液を導入する。ホストコンピュータは、超音波／高周波超音波電源を周波数ｆ１及び電力Ｐ１に設定し、超音波／高周波超音波デバイスを駆動し、半導体基板上のパターン構造を液体内の気泡キャビテーションが破壊する前に、超音波／高周波超音波電源を出力ゼロに設定し、気泡内の温度が設定温度まで冷却された後、超音波／高周波超音波電源を周波数ｆ１及び電力Ｐ１に再び設定する。検出システムは、超音波／高周波超音波電源から出力される各波形の振幅を検出し、各波形の検出された振幅を規定値と比較する。任意の波形の検出された振幅が規定値より大きい場合、検出システムは、ホストコンピュータにアラーム信号を出力し、ホストコンピュータは、アラーム信号を受信して、超音波／高周波超音波電源を停止する。ここで、既定値は、通常の動作時の波形振幅よりも大きい値である。
【０１１０】
一実施形態において、超音波／高周波超音波デバイスはさらにノズルと結合され、半導体基板に隣接して配置されており、超音波／高周波超音波デバイスのエネルギーは、ノズルから液柱を通して半導体基板に伝達される。
【０１１１】
本発明は、超音波／高周波超音波デバイスを用いて半導体基板を洗浄する別の装置を提供するものであり、カセットと、タンクと、超音波／高周波超音波デバイスと、少なくとも一つの注入口と、超音波／高周波超音波電源と、ホストコンピュータと、検出システムとを備えている。カセットは、少なくとも一つの半導体基板を保持する。タンクはカセットを保持する。超音波／高周波超音波デバイスは、タンクの外壁に装着されている。少なくとも一つの注入口は、前記半導体基板を浸漬するためのタンク内に薬液を充填する。ホストコンピュータは、超音波／高周波超音波電源を周波数ｆ１及び電力Ｐ１に設定し、超音波／高周波超音波デバイスを駆動し、半導体基板上のパターン構造を液体内の気泡キャビテーションが破壊する前に、超音波／高周波超音波電源を出力ゼロに設定し、気泡内の温度が設定温度まで冷却された後、超音波／高周波超音波電源を周波数ｆ１及び電力Ｐ１に再び設定する。検出システムは、電力Ｐ１及び周波数ｆ１におけるパワーオン時間及びパワーオフ時間を別々に検出し、電力Ｐ１及び周波数ｆ１の検出されたパワーオン時間を予め設定された期間τ１と比較する。検出されたパワーオン時間が予め設定された期間τ１よりも長い場合、検出システムはアラーム信号をホストコンピュータに送信し、そして、ホストコンピュータはアラーム信号を受信し、超音波／高周波超音波電源をシャットダウンする。また、検出システムは、検出されたパワーオフ時間を予め設定された期間τ２と比較する。検出されたパワーオフ時間が予め設定された期間τ２よりも短い場合、検出システムはアラーム信号をホストコンピュータに送信し、そして、ホストコンピュータはアラーム信号を受信し、超音波／高周波超音波電源をシャットダウンする。
【０１１２】
本発明は、超音波／高周波超音波デバイスを用いて半導体基板を洗浄する別の装置を提供するものであり、カセットと、タンクと、超音波／高周波超音波デバイスと、少なくとも一つの注入口と、超音波／高周波超音波電源と、ホストコンピュータと、検出システムとを備えている。カセットは、少なくとも一つの半導体基板を保持する。タンクはカセットを保持する。超音波／高周波超音波デバイスは、タンクの外壁に装着されている。少なくとも一つの注入口は、前記半導体基板を浸漬するためのタンク内に薬液を充填する。ホストコンピュータは、超音波／高周波超音波電源を周波数ｆ１及び電力Ｐ１に設定し、超音波／高周波超音波デバイスを駆動し、半導体基板上のパターン構造を液体内の気泡キャビテーションが破壊する前に、超音波／高周波超音波電源を出力ゼロに設定し、気泡内の温度が設定温度まで冷却された後、超音波／高周波超音波電源を周波数ｆ１及び電力Ｐ１に再び設定する。検出システムは、超音波／高周波超音波電源から出力される各波形の振幅を検出し、各波形の検出された振幅を規定値と比較する。いずれかの波形の検出された振幅が規定値より大きい場合、検出システムは、ホストコンピュータにアラーム信号を出力し、ホストコンピュータは、アラーム信号を受信して、超音波／高周波超音波電源を停止する。ここで、既定値は、通常の動作時の波形振幅よりも大きい値である。
【０１１３】
本開示は、その例示的な実施形態を参照して特に示され説明されているが、当業者は、特許請求の範囲の趣旨から逸脱することなく、形態及び詳細の様々な変更を行い得ると理解するであろう。
【図１Ａ】
2021510008.tif 000007
【図１Ｂ】
2021510008.tif 000008
【図２Ａ】
2021510008.tif 000009
【図２Ｂ】
2021510008.tif 000010
【図２Ｃ】
2021510008.tif 000011
【図２Ｄ】
2021510008.tif 000012
【図２Ｅ】
2021510008.tif 000013
【図２Ｆ】
2021510008.tif 000014
【図２Ｇ】
2021510008.tif 000015
【図３】
2021510008.tif 000016
【図４Ａ】
2021510008.tif 000017
【図４Ｂ】
2021510008.tif 000018
【図５Ａ−５Ｃ】
2021510008.tif 000019
【図６Ａ−６Ｃ】
2021510008.tif 000020
【図７Ａ−７Ｃ】
2021510008.tif 000021
【図７Ｄ】
2021510008.tif 000022
【図７Ｅ】
2021510008.tif 000023
【図８Ａ】
2021510008.tif 000024
【図８Ｂ】
2021510008.tif 000025
【図８Ｃ】
2021510008.tif 000026
【図８Ｄ】
2021510008.tif 000027
【図９Ａ】
2021510008.tif 000028
【図９Ｂ】
2021510008.tif 000029
【図９Ｃ】
2021510008.tif 000030
【図９Ｄ】
2021510008.tif 000031
【図１０Ａ−１０Ｂ】
2021510008.tif 000032
【図１０Ｃ】
2021510008.tif 000033
【図１１Ａ−１１Ｂ】
2021510008.tif 000034
【図１２Ａ−１２Ｂ】
2021510008.tif 000035
【図１３Ａ−１３Ｂ】
2021510008.tif 000036
【図１４Ａ−１４Ｂ】
2021510008.tif 000037
【図１５Ａ】
2021510008.tif 000038
【図１５Ｂ】
2021510008.tif 000039
【図１５Ｃ】
2021510008.tif 000040
【図１５Ｄ】
2021510008.tif 000041
【図１６Ａ】
2021510008.tif 000042
【図１６Ｂ】
2021510008.tif 000043
【図１６Ｃ】
2021510008.tif 000044
【図１７】
2021510008.tif 000045
【図１８Ａ】
2021510008.tif 000046
【図１８Ｂ】
2021510008.tif 000047
【図１８Ｃ】
2021510008.tif 000048
【図１８Ｄ】
2021510008.tif 000049
【図１８Ｅ】
2021510008.tif 000050
【図１８Ｆ】
2021510008.tif 000051
【図１８Ｇ】
2021510008.tif 000052
【図１８Ｈ】
2021510008.tif 000053
【図１８Ｉ】
2021510008.tif 000054
【図１８Ｊ】
2021510008.tif 000055
【図１９Ａ−１９Ｃ】
2021510008.tif 000056
【図１９Ｄ】
2021510008.tif 000057
【図２０Ａ−２０Ｄ】
2021510008.tif 000058
【図２１Ａ−２１Ｃ】
2021510008.tif 000059
【図２２Ａ−２２Ｂ】
2021510008.tif 000060
【図２３】
2021510008.tif 000061
【図２４】
2021510008.tif 000062
【図２５】
2021510008.tif 000063
【図２６】
2021510008.tif 000064
【図２７】
2021510008.tif 000065
【図２８Ａ】
2021510008.tif 000066
【図２８Ｂ】
2021510008.tif 000067
【図２８Ｃ】
2021510008.tif 000068
【図２９Ａ】
2021510008.tif 000069
【図２９Ｂ】
2021510008.tif 000070
【図２９Ｃ】
2021510008.tif 000071
【図３０Ａ】
2021510008.tif 000072
【図３０Ｂ】
2021510008.tif 000073
【図３０Ｃ】
2021510008.tif 000074
【図３１】
2021510008.tif 000075
【図３２Ａ】
2021510008.tif 000076
【図３２Ｂ】
2021510008.tif 000077
【図３２Ｃ】
2021510008.tif 000078
【図３３】
2021510008.tif 000079
【図３４】
2021510008.tif 000080
【国際調査報告】
2021510008.tif 000081
2021510008.tif 000082