(57)【要約】本開示で開示されている表示基板、その駆動方法、表示装置及び高精度メタルマスクは、表示領域が画素分布密度が大きい（即ち解像度が高い）第１表示サブ領域と画素分布密度が小さな（即ち解像度が低い）第２表示サブ領域とを含み、且つ第１表示サブ領域と第２表示サブ領域の間に画素分布密度（解像度）が両方の間にある遷移表示サブ領域を設置することによって、第１表示サブ領域の輝度が遷移表示サブ領域を介して第２表示サブ領域に遷移し、それにより第１表示サブ領域に近い第２表示サブ領域の境界での暗縞を回避する。
2021528672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示基板であって、
前記表示基板の表示領域は、
第１表示サブ領域と、
第２表示サブ領域と、
前記第１表示サブ領域と前記第２表示サブ領域の間に位置し且つ予め設定された幅を有する遷移表示サブ領域と、を備え、
前記第１表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域、及び前記第２表示サブ領域は、連続した表示領域を形成し、
前記第１表示サブ領域内の画素分布密度が、前記第２表示サブ領域内の画素分布密度より大きく、
前記遷移表示サブ領域内の画素分布密度が、前記第１表示サブ領域内の画素分布密度より小さく、且つ前記遷移表示サブ領域内の画素分布密度が、前記第２表示サブ領域内の画素分布密度より大きい表示基板。
【請求項２】
前記第２表示サブ領域の少なくとも一部の辺が前記表示領域の少なくとも一部の辺と重なり、且つ、前記第２表示サブ領域の残りの部分が前記遷移表示サブ領域で囲まれており、
前記第１表示サブ領域は、前記第２表示サブ領域から離れた前記遷移表示サブ領域の一側に位置する請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記第１表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第２表示サブ領域は、行方向に沿って配列され、又は前記第１表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第２表示サブ領域は、列方向に沿って配列される請求項２に記載の表示基板。
【請求項４】
前記表示領域は、略矩形状であり、前記第２表示サブ領域は、円形状、水滴形状、矩形状及び台形状のうちの１種である請求項２に記載の表示基板。
【請求項５】
前記遷移表示サブ領域は、凹字形である請求項２に記載の表示基板。
【請求項６】
前記遷移表示サブ領域は、前記第２表示サブ領域を囲んで設置され、前記第１表示サブ領域は、前記遷移表示サブ領域を囲んで設置される請求項１に記載の表示基板。
【請求項７】
前記第１表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第２表示サブ領域は、連続した表示領域を形成し、且つ前記表示領域の形状が略矩形状である請求項１に記載の表示基板。
【請求項８】
前記遷移表示サブ領域の面積が前記第２表示サブ領域の面積より小さく、前記第２表示サブ領域の面積が前記第１表示サブ領域の面積より小さい請求項１に記載の表示基板。
【請求項９】
前記第１表示サブ領域内には、隣接して設置された複数の第１画素ユニットと第２画素ユニットを含み、前記第１画素ユニットは、第１サブ画素と第２サブ画素を含み、前記第２画素ユニットは、第３サブ画素と第２サブ画素を含み、
前記第２表示サブ領域内には、複数の第３画素ユニットを含み、前記第３画素ユニットは、隣接して設置された第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含み、
前記遷移表示サブ領域内には、複数の第４画素ユニットを含み、前記第４画素ユニットは、隣接して設置された第１サブ画素、第２サブ画素、第３サブ画素を含む請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項１０】
前記第２表示サブ領域内のサブ画素は、前記第１表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一行にある請求項９に記載の表示基板。
【請求項１１】
前記第２表示サブ領域内のサブ画素は、前記第１表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一列にある請求項９に記載の表示基板。
【請求項１２】
前記遷移表示サブ領域内のサブ画素は、前記第１表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一行にある請求項９に記載の表示基板。
【請求項１３】
前記遷移表示サブ領域内のサブ画素は、前記第１表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一列にある請求項９に記載の表示基板。
【請求項１４】
前記予め設定された幅は、少なくとも１つの第４画素の第１方向に沿う幅を含み、前記第１方向が行方向と列方向のうちの１つである請求項９に記載の表示基板。
【請求項１５】
前記予め設定された幅は、複数の第４画素ユニットの前記第１方向に沿う幅を含み、且つ前記第１表示サブ領域に近い第４画素ユニットであるほど、それにおける同種類のサブ画素の発光面積が大きい請求項１４に記載の表示基板。
【請求項１６】
前記遷移表示サブ領域内には、列方向に沿って隣接する２つの第４画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が反対している請求項１５に記載の表示基板。
【請求項１７】
前記遷移表示サブ領域内には、行方向に沿って隣接する２つの第４画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が同じである請求項１５に記載の表示基板。
【請求項１８】
前記遷移表示サブ領域内の１つの第１サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの第１サブ画素の発光面積にほぼ等しく、
前記遷移表示サブ領域内の１つの第２サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの第２サブ画素の発光面積にほぼ等しく、
前記遷移表示サブ領域内の１つの第３サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの第３サブ画素の発光面積にほぼ等しい請求項９に記載の表示基板。
【請求項１９】
前記第２表示サブ領域内の１つの第１サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの第１サブ画素の発光面積より大きく又はそれにほぼ等しく、
前記第２表示サブ領域内の１つの第２サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの第２サブ画素の発光面積より大きく又はそれにほぼ等しく、
前記第２表示サブ領域内の１つの第３サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの第３サブ画素の発光面積より大きく又はそれにほぼ等しい請求項９に記載の表示基板。
【請求項２０】
前記遷移表示サブ領域内には、前記第４画素ユニットにおける前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は、同一行に設置される請求項９ないし請求項１９のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項２１】
前記第２表示サブ領域内には、複数の前記第３画素ユニットは、マトリクス状に配列される請求項９ないし請求項１９のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項２２】
前記第２表示サブ領域内には、複数の前記第３画素ユニットは、チェッカーボード状に配列される請求項９ないし請求項１９のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項２３】
前記第２表示サブ領域内の第３画素ユニットにおいて、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素は、同一行に設置され、前記第２サブ画素は、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素が位置する行に隣接する行にある請求項９ないし請求項１９のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項２４】
同一前記第３画素ユニットにおいて、前記第１サブ画素の中心と前記第３サブ画素の中心との接続線における前記第２サブ画素の中心の正投影が、前記第１サブ画素の中心と前記第３サブ画素の中心との間にある請求項２３に記載の表示基板。
【請求項２５】
前記第２表示サブ領域内には、前記第３画素ユニットにおける前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は、同一行に順次設置されている請求項９ないし請求項１９のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項２６】
前記第２表示サブ領域内には、行方向に沿って隣接する２つの第３画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が同じであり、列方向に沿って隣接する２つの第３画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が反対している請求項９ないし請求項１９のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項２７】
前記第２表示サブ領域内には、前記第３画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じである請求項９ないし請求項１９のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項２８】
前記第２表示サブ領域内には、同一列にある前記第３画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、
隣接する２列にある前記第３画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が反対している請求項９ないし請求項１９のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項２９】
前記第１表示サブ領域内には、前記第１画素ユニットと前記第２画素ユニットが列方向に交互して配列され、前記第１画素ユニットと前記第２画素ユニットが行方向に交互して配列される請求項９ないし請求項２８のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項３０】
前記第１画素ユニットにおいて、第２サブ画素と第１サブ画素が同一行に配列され、前記第２画素ユニットにおいて、第２サブ画素と第３サブ画素が同一行に配列され、
行方向に沿って隣接する第１画素ユニットと第２画素ユニットについて、前記第１画素ユニットにおける第２サブ画素と前記第２画素ユニットにおける第２サブ画素が直接隣接しない請求項２９に記載の表示基板。
【請求項３１】
前記第１表示サブ領域内には、１つの前記第１サブ画素の発光面積、１つの前記第２サブ画素の発光面積及び１つの前記第３サブ画素の発光面積がほぼ同じである請求項３０に記載の表示基板。
【請求項３２】
前記第１画素ユニットにおいて、前記第２サブ画素と前記第１サブ画素が同一行に配列され、前記第２画素ユニットにおいて、前記第２サブ画素と前記第３サブ画素が行及び列をずらして配列され、
列方向に沿って隣接する第１画素ユニットと第２画素ユニットを１つの画素群とし、同一前記画素群には、前記第１画素ユニットにおける前記第２サブ画素と前記第２画素ユニットにおける前記第２サブ画素が同一列にある請求項２９に記載の表示基板。
【請求項３３】
前記第１表示サブ領域内には、１つの前記第２サブ画素の発光面積が１つの前記第１サブ画素の発光面積より小さく、１つの前記第２サブ画素の発光面積が１つの前記第３サブ画素の発光面積より小さく、
同一前記画素群には、２つの前記第２サブ画素は、行方向に対して対称的に設置される請求項３２に記載の表示基板。
【請求項３４】
前記画素群では、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素の形状が一致し、且つ２つの前記第２サブ画素の組み合わせの形状が前記第１サブ画素の形状と一致する請求項３２に記載の表示基板。
【請求項３５】
前記第１表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第２表示サブ領域のうち、少なくとも１つのサブ領域内には、前記第１サブ画素及び前記第３サブ画素のうちの1種のサブ画素の形状がほぼ一致し、
前記第２表示サブ領域及び前記遷移表示サブ領域のうち、少なくとも１つのサブ領域内には、前記第２サブ画素の形状と前記第１表示サブ領域内の第２サブ画素の形状がほぼ一致している請求項９に記載の表示基板。
【請求項３６】
前記第１表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第２表示サブ領域のうち、少なくとも１つのサブ領域内には、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第３サブ画素の形状がほぼ一致している請求項９に記載の表示基板。
【請求項３７】
前記第１サブ画素の形状は、矩形状及び六角形のうちの少なくとも1種である請求項３５又は３６に記載の表示基板。
【請求項３８】
前記第１表示サブ領域内には、前記第１画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、前記第２画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じである請求項９ないし請求項３７のいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項３９】
表示装置であって、
請求項１ないし請求項３８のいずれか１項に記載の表示基板を備える表示装置。
【請求項４０】
前記表示基板を駆動するように配置される駆動器をさらに備え、前記駆動器は、
原画像データを受信し、
前記第１表示サブ領域内の各前記サブ画素について、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
前記遷移表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記遷移表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素に対応する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
前記第２表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記サブ画素の発光面積、前記第２表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素に対応する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
その目標グレースケール値に基づいて表示するように、前記表示基板内の各サブ画素を駆動するように配置される請求項３９に記載の表示装置。
【請求項４１】
請求項１ないし請求項３８のいずれか１項に記載の表示基板を駆動する駆動方法であって、
原画像データを受信するステップと、
前記第１表示サブ領域内の各前記サブ画素について、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップと、
前記遷移表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記遷移表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップと、
前記第２表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記サブ画素の発光面積、前記第２表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップと、
その目標グレースケール値に基づいて表示するように、前記表示基板内の各サブ画素を駆動するステップと、を含む駆動方法。
【請求項４２】
前記第１表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップでは、
前記第１サブ画素について、式
【数１】
2021528672.tif 000029
（により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定し、ここで、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｘ1及びｘ2は、それぞれ原画像データにおいて前記第１サブ画素に対応する２つの第１サブ画素の初期グレースケール値であり、
前記第２サブ画素の目標グレースケール値Ｙが原画像データにおいて前記第２サブ画素に対応する１つの第２サブ画素の初期グレースケール値ｙに等しく、
前記第３サブ画素について、式
【数２】
2021528672.tif 000030
により、それに対応する目標グレースケール値Ｚを決定し、ここで、ｚ1及びｚ2は、それぞれ原画像データにおいて前記第３サブ画素に対応する２つの第３サブ画素の初期グレースケール値である請求項４１に記載の駆動方法。
【請求項４３】
前記第２表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップでは、
前記サブ画素について、式
【数３】
2021528672.tif 000031
比比により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定し、
ここで、ｎは、１〜Ｎの任意の整数であり、Ｎは、原画像データにおいて前記サブ画素に対応するサブ画素の数であり、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｓは、前記第１表示領域内の前記サブ画素の発光面積と前記第２表示サブ領域内の前記サブ画素の発光面積との比を表し、ρは、前記第１表示サブ領域内の画素分布密度と前記第２表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数であり、ｘnは、原画像データにおいて前記サブ画素に対応するｎ番目のサブ画素の初期グレースケール値であることを含む請求項４１に記載の駆動方法。
【請求項４４】
前記遷移表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
前記サブ画素について、式
【数４】
2021528672.tif 000032
（式中、Ｎは、原画像データにおいて前記サブ画素に対応するサブ画素の数であり、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｓは、前記第１表示領域内の前記サブ画素の発光面積と前記第２表示サブ領域内の前記サブ画素の発光面積との比を表し、ρは、前記第１表示サブ領域内の画素分布密度と前記第２表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数であり、ｘ1〜ｘNは、それぞれ原画像データにおいて前記サブ画素に対応するＮ個のサブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定することを含む請求項４１に記載の駆動方法。
【請求項４５】
前記遷移表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップでは、
前記第１サブ画素について、式
【数５】
2021528672.tif 000033
により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定し、ここで、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｘ1及びｘ2は、それぞれ原画像データにおいて前記第１サブ画素に対応する２つの第１サブ画素の初期グレースケール値であり、
前記第１サブ画素について、式
【数６】
2021528672.tif 000034
により、それに対応する目標グレースケール値Ｙを決定し、ここで、ｙは、原画像データにおいて前記第２サブ画素に対応する１つの第２サブ画素の初期グレースケール値ｙを表し、
前記第３サブ画素について、式
【数７】
2021528672.tif 000035
比比により、それに対応する目標グレースケール値Ｚを決定し、ここで、ｚ1及びｚ2は、それぞれ原画像データにおいて前記第３サブ画素に対応する２つの第３サブ画素の初期グレースケール値である。ｓは、前記第１表示領域内の前記サブ画素の発光面積と前記第２表示サブ領域内の前記サブ画素の発光面積との比を表し、ρは、前記第１表示サブ領域内の画素分布密度と前記第２表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数である請求項４１に記載の駆動方法。
【請求項４６】
請求項９ないし請求項３８のいずれか１項に記載の表示基板を製造するように配置される高精度メタルマスクであって、
前記第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素のうち１つのサブ画素の形状及び位置に対応する複数の開口領域を含む高精度メタルマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、２０１８年０６月２０日に中国特許庁に提出した、出願番号が２０１８１０６３８７１６．２、発明の名称が「表示基板、その駆動方法、表示装置及び高精度メタルマスク」の中国特許出願の優先権を主張し、その全内容が引用により本願に組み込まれる。
【０００２】
本開示は、表示技術分野、特に表示基板、その駆動方法、表示装置及び高精度メタルマスクに関する。
【背景技術】
【０００３】
表示技術の発展に伴い、全画面は、大きな画面占有率、極狭額縁を有するため、一般的な表示画面に比べて、視聴者の視覚効果を大幅に向上させるので、広く注目されている。現在、全画面を用いた携帯電話などの表示装置では、自分撮り、ビデオ通話及び指紋認識の機能を実現するために、表示装置の正面にフロントカメラ、マイク、指紋認識領域又は物理ボタンなどが設置されるのが一般的である。しかしながら、これら欠かせない機能性素子を設置することが画面占有率向上の制約因素の１つとなる。
【発明の概要】
【０００４】
本開示の実施例による表示基板であって、
前記表示基板の表示領域は、
第１表示サブ領域と、
第２表示サブ領域と、
前記第１表示サブ領域と前記第２表示サブ領域の間に位置し且つ予め設定された幅を有する遷移表示サブ領域と、を備え、
前記第１表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域、及び前記第２表示サブ領域は、連続した表示領域を形成し、
前記第１表示サブ領域内の画素分布密度が、前記第２表示サブ領域内の画素分布密度より大きく、
前記遷移表示サブ領域内の画素分布密度が、前記第１表示サブ領域内の画素分布密度より小さく、且つ前記遷移表示サブ領域内の画素分布密度が、前記第２表示サブ領域内の画素分布密度より大きい。
【０００５】
本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域の少なくとも一部の辺が前記表示領域の少なくとも一部の辺と重なり、且つ、前記第２表示サブ領域の残りの部分が前記遷移表示サブ領域で囲まれており、
前記第１表示サブ領域は、前記第２表示サブ領域から離れた前記遷移表示サブ領域の一側に位置するようにしてもよい。
【０００６】
本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第２表示サブ領域は、行方向に沿って配列され、又は前記第１表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第２表示サブ領域は、列方向に沿って配列されるようにしてもよい。
【０００７】
本開示の実施例では、前記表示領域は、略矩形状であり、前記第２表示サブ領域は、円形状、水滴形状、矩形状及び台形状のうちの１種であるようにしてもよい。
【０００８】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域は、凹字形であるようにしてもよい。
【０００９】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域は、前記第２表示サブ領域を囲んで設置され、前記第１表示サブ領域は、前記遷移表示サブ領域を囲んで設置されるようにしてもよい。
【００１０】
本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第２表示サブ領域は、連続した表示領域を形成し、且つ前記表示領域の形状が略矩形状であるようにしてもよい。
【００１１】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域の面積が前記第２表示サブ領域の面積より小さく、前記第２表示サブ領域の面積が前記第１表示サブ領域の面積より小さいようにしてもよい。
【００１２】
本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域内には、隣接して設置された複数の第１画素ユニットと第２画素ユニットを含み、前記第１画素ユニットは、第１サブ画素と第２サブ画素を含み、前記第２画素ユニットは、第３サブ画素と第２サブ画素を含み、
前記第２表示サブ領域内には、複数の第３画素ユニットを含み、前記第３画素ユニットは、隣接して設置された第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含み、
前記遷移表示サブ領域内には、複数の第４画素ユニットを含み、前記第４画素ユニットは、隣接して設置された第１サブ画素、第２サブ画素、第３サブ画素を含むようにしてもよい。
【００１３】
本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内のサブ画素は、前記第１表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一行にあるようにしてもよい。
【００１４】
本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内のサブ画素は、前記第１表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一列にあるようにしてもよい。
【００１５】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内のサブ画素は、前記第１表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一行にあるようにしてもよい。
【００１６】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内のサブ画素は、前記第１表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一列にあるようにしてもよい。
【００１７】
本開示の実施例では、前記予め設定された幅は、少なくとも１つの第４画素の第１方向に沿う幅を含み、前記第１方向が行方向と列方向のうちの１つであるようにしてもよい。
【００１８】
本開示の実施例では、前記予め設定された幅は、複数の第４画素ユニットの前記第１方向に沿う幅を含み、且つ前記第１表示サブ領域に近い第４画素ユニットであるほど、それにおける同種類のサブ画素の発光面積が大きいようにしてもよい。
【００１９】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内には、列方向に沿って隣接する２つの第４画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が反対しているようにしてもよい。
【００２０】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内には、行方向に沿って隣接する２つの第４画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が同じであるようにしてもよい。
【００２１】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内の１つの第１サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの第１サブ画素の発光面積にほぼ等しく、
前記遷移表示サブ領域内の１つの第２サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの第２サブ画素の発光面積にほぼ等しく、
前記遷移表示サブ領域内の１つの第３サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの第３サブ画素の発光面積にほぼ等しいようにしてもよい。
【００２２】
本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内の１つの第１サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの第１サブ画素の発光面積より大きく又はそれにほぼ等しく、
前記第２表示サブ領域内の１つの第２サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの第２サブ画素の発光面積より大きく又はそれにほぼ等しく、
前記第２表示サブ領域内の１つの第３サブ画素の発光面積が前記第１表示サブ領域内の１つの第３サブ画素の発光面積より大きく又はそれにほぼ等しいようにしてもよい。
【００２３】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内には、前記第４画素ユニットにおける前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は、同一行に設置されるようにしてもよい。
【００２４】
本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、複数の前記第３画素ユニットは、マトリクス状に配列されるようにしてもよい。
【００２５】
本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、複数の前記第３画素ユニットは、チェッカーボード状に配列されるようにしてもよい。
【００２６】
本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内の第３画素ユニットにおいて、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素は、同一行に設置され、前記第２サブ画素は、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素が位置する行に隣接する行にあるようにしてもよい。
【００２７】
本開示の実施例では、同一前記第３画素ユニットにおいて、前記第１サブ画素の中心と前記第３サブ画素の中心との接続線における前記第２サブ画素の中心の正投影が、前記第１サブ画素の中心と前記第３サブ画素の中心との間にあるようにしてもよい。
【００２８】
本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、前記第３画素ユニットにおける前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は、同一行に順次設置されているようにしてもよい。
【００２９】
本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、行方向に沿って隣接する２つの第３画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が同じであり、列方向に沿って隣接する２つの第３画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が反対しているようにしてもよい。
【００３０】
本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、前記第３画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであるようにしてもよい。
【００３１】
本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内には、同一列にある前記第３画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、
隣接する２列にある前記第３画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が反対しているようにしてもよい。
【００３２】
本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域内には、前記第１画素ユニットと前記第２画素ユニットが列方向に交互して配列され、前記第１画素ユニットと前記第２画素ユニットが行方向に交互して配列されるようにしてもよい。
【００３３】
本開示の実施例では、前記第１画素ユニットにおいて、第２サブ画素と第１サブ画素が同一行に配列され、前記第２画素ユニットにおいて、第２サブ画素と第３サブ画素が同一行に配列され、
行方向に沿って隣接する第１画素ユニットと第２画素ユニットについて、前記第１画素ユニットにおける第２サブ画素と前記第２画素ユニットにおける第２サブ画素が直接隣接しないようにしてもよい。
【００３４】
本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域内には、１つの前記第１サブ画素の発光面積、１つの前記第２サブ画素の発光面積及び１つの前記第３サブ画素の発光面積がほぼ同じであるようにしてもよい。
【００３５】
本開示の実施例では、前記第１画素ユニットにおいて、前記第２サブ画素と前記第１サブ画素が同一行に配列され、前記第２画素ユニットにおいて、前記第２サブ画素と前記第３サブ画素が行及び列をずらして配列され、
列方向に沿って隣接する第１画素ユニットと第２画素ユニットを１つの画素群とし、同一前記画素群には、前記第１画素ユニットにおける前記第２サブ画素と前記第２画素ユニットにおける前記第２サブ画素が同一列にあるようにしてもよい。
【００３６】
本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域内には、１つの前記第２サブ画素の発光面積が１つの前記第１サブ画素の発光面積より小さく、１つの前記第２サブ画素の発光面積が１つの前記第３サブ画素の発光面積より小さく、
同一前記画素群には、２つの前記第２サブ画素は、行方向に対して対称的に設置されるようにしてもよい。
【００３７】
本開示の実施例では、前記画素群では、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素の形状が一致し、且つ２つの前記第２サブ画素の組み合わせの形状が前記第１サブ画素の形状と一致するようにしてもよい。
【００３８】
本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第２表示サブ領域のうち、少なくとも１つのサブ領域内には、前記第１サブ画素及び前記第３サブ画素のうちの1種のサブ画素の形状がほぼ一致し、
前記第２表示サブ領域及び前記遷移表示サブ領域のうち、少なくとも１つのサブ領域内には、前記第２サブ画素の形状と前記第１表示サブ領域内の第２サブ画素の形状がほぼ一致しているようにしてもよい。
【００３９】
本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第２表示サブ領域のうち、少なくとも１つのサブ領域内には、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第３サブ画素の形状がほぼ一致しているようにしてもよい。
【００４０】
本開示の実施例では、前記第１サブ画素の形状は、矩形状及び六角形のうちの少なくとも1種であるようにしてもよい。
【００４１】
本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域内には、前記第１画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、前記第２画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであるようにしてもよい。
【００４２】
それに対応して、本開示の実施例は、上記表示基板を備える表示装置をさらに提供する。
【００４３】
本開示の実施例では、前記表示基板を駆動するように配置される駆動器を備え、前記駆動器は、
原画像データを受信し、
前記第１表示サブ領域内の各前記サブ画素について、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
前記遷移表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記遷移表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素に対応する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
前記第２表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記サブ画素の発光面積、前記第２表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素に対応する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
その目標グレースケール値に基づいて表示するように、前記表示基板内の各サブ画素を駆動するように配置されるようにしてもよい。
【００４４】
それに対応して、本開示の実施例は、上記表示基板を駆動する駆動方法をさらに提供し、
原画像データを受信するステップと、
前記第１表示サブ領域内の各前記サブ画素について、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップと、
前記遷移表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記遷移表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップと、
前記第２表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記サブ画素の発光面積、前記第２表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップと、
その目標グレースケール値に基づいて表示するように、前記表示基板内の各サブ画素を駆動するステップと、を含む。
【００４５】
本開示の実施例では、前記第１表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
前記第１サブ画素について、式
【００４６】
【数１】
2021528672.tif 000003
【００４７】
（式中、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｘ1及びｘ2は、それぞれ原画像データにおいて前記第１サブ画素に対応する２つの第１サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定することと、
前記第２サブ画素の目標グレースケール値Ｙが原画像データにおいて前記第２サブ画素に対応する１つの第２サブ画素の初期グレースケール値ｙに等しいことと、
前記第３サブ画素について、式
【００４８】
【数２】
2021528672.tif 000004
【００４９】
（式中、ｚ1及びｚ2は、それぞれ原画像データにおいて前記第３サブ画素に対応する２つの第３サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｚを決定することと、を含むようにしてもよい。
【００５０】
本開示の実施例では、前記第２表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
前記サブ画素について、式
【００５１】
【数３】
2021528672.tif 000005
【００５２】
（式中、ｎは、１〜Ｎの任意の整数であり、Ｎは、原画像データにおいて前記サブ画素に対応するサブ画素の数であり、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｓは、前記第１表示領域内の前記サブ画素の発光面積と前記第２表示サブ領域内の前記サブ画素の発光面積との比を表し、ρは、前記第１表示サブ領域内の画素分布密度と前記第２表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数であり、ｘnは、原画像データにおいて前記サブ画素に対応するｎ番目のサブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定することを含むようにしてもよい。
【００５３】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
前記サブ画素について、式
【００５４】
【数４】
2021528672.tif 000006
【００５５】
（式中、Ｎは、原画像データにおいて前記サブ画素に対応するサブ画素の数であり、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｓは、前記第１表示領域内の前記サブ画素の発光面積と前記第２表示サブ領域内の前記サブ画素の発光面積との比を表し、ρは、前記第１表示サブ領域内の画素分布密度と前記第２表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数であり、ｘ1〜ｘNは、それぞれ原画像データにおいて前記サブ画素に対応するＮ個のサブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定することを含むようにしてもよい。
【００５６】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
前記第１サブ画素について、式
【００５７】
【数５】
2021528672.tif 000007
【００５８】
（式中、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｘ1及びｘ2は、それぞれ原画像データにおいて前記第１サブ画素に対応する２つの第１サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定することと、
前記第１サブ画素について、式
【００５９】
【数６】
2021528672.tif 000008
【００６０】
（ｙは、原画像データにおいて前記第２サブ画素に対応する１つの第２サブ画素の初期グレースケール値ｙを表す。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｙを決定することと、
前記第３サブ画素について、式
【００６１】
【数７】
2021528672.tif 000009
【００６２】
（式中、ｚ1及びｚ2は、それぞれ原画像データにおいて前記第３サブ画素に対応する２つの第３サブ画素の初期グレースケール値である。ｓは、前記第１表示領域内の前記サブ画素の発光面積と前記第２表示サブ領域内の前記サブ画素の発光面積との比を表し、ρは、前記第１表示サブ領域内の画素分布密度と前記第２表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｚを決定することとを、含むようにしてもよい。
【００６３】
それに対応して、本開示の実施例は、上記表示基板を製造するように配置される高精度メタルマスクであって、前記第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素のうち１つのサブ画素の形状及び位置に対応する複数の開口領域を含む高精度メタルマスクをさらに提供する。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１ａ】本開示の実施例による表示基板の構造模式図１である。
【図１ｂ】本開示の実施例による表示基板の構造模式図２である。
【図１ｃ】本開示の実施例による表示基板の構造模式図３である。
【図１ｄ】本開示の実施例による表示基板の構造模式図４である。
【図１ｅ】本開示の実施例による表示基板の構造模式図５である。
【図１ｆ】本開示の実施例による表示基板の構造模式図６である。
【図１ｇ】本開示の実施例による表示基板の構造模式図７である。
【図１ｈ】本開示の実施例による表示基板の構造模式図８である。
【図２】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図１である。
【図３】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図２である。
【図４】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図３である。
【図５】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図４である。
【図６】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図５である。
【図７】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図６である。
【図８】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図７である。
【図９】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図８である。
【図１０】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図９である。
【図１１】本開示の実施例による表示基板の駆動方法の模式的フローチャートである。
【図１２】本開示の実施例による高精度メタルマスクの構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００６５】
本開示の実施例は、表示基板、その駆動方法、表示装置及び高精度メタルマスクを提供する。本開示の目的、技術案及び利点をより明瞭にするために、以下、図面を参照しながら本開示をさらに詳細に説明するが、明らかなように、説明する実施例は、本開示の実施例の一部に過ぎず、すべての実施例ではない。本開示における実施例に基づいて、当業者が創造的な努力を必要とせずに想到しうるほかのすべての実施例は、本開示の特許範囲に属する。
【００６６】
図面における各部材の形状及びサイズが実際な割合ではなく、本開示の内容を模式的に説明するためのものに過ぎない。
【００６７】
本開示の実施例による表示基板では、図１ａ及び図１ｅに示すように、表示基板の表示領域は、第１表示サブ領域Ａ１、第２表示サブ領域Ａ２、及び第１表示サブ領域Ａ１と第２表示サブ領域Ａ２の間に位置し且つ予め設定された幅を有する遷移表示サブ領域Ａ３を備える。
【００６８】
且つ、第１表示サブ領域Ａ１内の画素分布密度が第２表示サブ領域Ａ２内の画素分布密度より大きく、遷移表示サブ領域Ａ３内の画素分布密度が第１表示サブ領域Ａ１内の画素分布密度より小さく、且つ遷移表示サブ領域Ａ３内の画素分布密度が第２表示サブ領域Ａ２内の画素分布密度より大きい。
【００６９】
本開示の実施例による表示基板では、表示領域は、画素分布密度が大きな（即ち解像度が高い）第１表示サブ領域と画素分布密度が小さな（即ち解像度が低い）第２表示サブ領域を含むことによって、第２表示サブ領域内の画素分布密度が小さいため、カメラ、センサ、マイクなどの素子を第２表示サブ領域に設置することができ、つまり、局所の画素分布密度を低減させることで画面の光透過率を向上させる方式によって、表示基板の画面占有率を向上させる。且つ第１表示サブ領域と第２表示サブ領域との間には画素分布密度（解像度）が両方の画素分布密度の間にある遷移表示サブ領域を設置することで、第１表示サブ領域の輝度が遷移表示サブ領域を介して第２表示サブ領域に遷移し、それによって第１表示サブ領域に近い第２表示サブ領域の境界に暗縞が生じるという問題を回避する。
【００７０】
なお、画素分布密度とは、単位面積に均等に設置された画素の個数をいう。単位面積に設置された画素の個数が多いと、画素分布密度が大きくなり、解像度が高くなる。逆には、単位面積に設置された画素の個数が少ないと、画素分布密度が小さくなり、解像度が低くなる。
【００７１】
特定の実施形態では、遷移表示サブ領域を設置しないと、第２表示サブ領域の画素分布密度が第１表示サブ領域の画素分布密度より小さいため、表示する際に、第２表示サブ領域の輝度と第１表示サブ領域の輝度とに有意な差異があることで、第１表示サブ領域と第２表示サブ領域の境界部位に人間の目により視認可能な明らかな暗縞が生じる。暗縞を緩和させるために、本開示の実施例では、第１表示サブ領域と第２表示サブ領域の間には遷移表示サブ領域が設置され、遷移表示サブ領域を利用して第２表示サブ領域の境界での輝度の差異を低減させることで、暗縞を緩和させる。
【００７２】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第２表示サブ領域は、１つ又は複数であってもよい。且つ、第１表示サブ領域は、連続した領域であってもよく、第１表示サブ領域は、連続していない領域であってもよく、実際の適用場面に応じて設計すればよく、ここで限定しない。
【００７３】
さらに、本開示の実施例では、画素分布密度の計算式は、具体的には、
【００７４】
【数８】
2021528672.tif 000010
【００７５】
（式中、ρは、画素分布密度を表し、ｘは、行方向における表示画素の数を表し、ｙは、列方向における表示画素の数を表し、Ｓは、画面面積を表す。）である。
【００７６】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図１ａ〜図１ｆに示すように、第２表示サブ領域Ａ２の少なくとも一部の辺が表示領域の少なくとも一部の辺と重なり、且つ、第２表示サブ領域Ａ２の残りの部分が遷移表示サブ領域Ａ３で囲まれている。さらに、第１表示サブ領域Ａ１は、第２表示サブ領域Ａ２から離れた遷移表示サブ領域Ａ３の一側に位置する。このようにして、第２表示サブ領域Ａ２と遷移表示サブ領域Ａ３を表示領域の縁部に設置することができる。表示領域は、略矩形状であるようにしてもよく、たとえば、表示領域の頂角がすべて直角である場合、表示領域は、矩形状となる。或いは、表示領域の頂角がアーチ状の角である場合、表示領域の形状が略矩形状となる。さらに、特定の実施形態では、第２表示サブ領域Ａ２の形状を規則的な形状に設置してもよく、たとえば、図１ａに示すように、第２表示サブ領域Ａ２を矩形状に設置してもよい。該矩形状の頂角がアーチ状の角であってもよい。図１ｂに示すように、第２表示サブ領域Ａ２を台形状に設置してもよい。該台形状の頂角がアーチ状の角であってもよい。図１ｃに示すように、第２表示サブ領域Ａ２を円形状に設置してもよい。勿論、第２表示サブ領域Ａ２の形状を非規則的な形状に設置してもよい。たとえば、図１ｄに示すように、第２表示サブ領域Ａ２を水滴形状に設置してもよい。勿論、実際に適用する場合、第２表示サブ領域の形状を第２表示サブ領域に設置された素子の形状に応じて設計してもよく、ここで限定しない。
【００７７】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図１ｅに示すように、第１表示サブ領域Ａ１、遷移表示サブ領域Ａ３及び第２表示サブ領域Ａ２が行方向に沿って配列されてもよい。第２表示サブ領域Ａ２、遷移表示サブ領域Ａ３及び第１表示サブ領域Ａ１が上方から下方への順番に配列されてもよい。このようにして、第２表示サブ領域Ａ２が位置する領域には、センサ、たとえば、顔認識を行うセンサ（たとえば、赤外線センサなど）が設置されてもよい。
【００７８】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図１ｆに示すように、第１表示サブ領域Ａ１、遷移表示サブ領域Ａ３及び第２表示サブ領域Ａ２が列方向に沿って配列されてもよい。第２表示サブ領域Ａ２、遷移表示サブ領域Ａ３及び第１表示サブ領域Ａ１が左から右への順番に配列されてもよい。このようにして、第２表示サブ領域Ａ２が位置する領域には、センサ、たとえば、顔認識を行うセンサ（たとえば、赤外線センサなど）が設置されてもよい。
【００７９】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図１ａ〜図１ｄに示すように、遷移表示サブ領域Ａ３を凹字形に設置してもよい。たとえば、図１ａ及び図１ｂに示すように、遷移表示サブ領域Ａ３は、６個の辺を有し、この６個の辺には、第２表示サブ領域に隣接する遷移表示サブ領域Ａ３の３個の辺及び第１表示サブ領域に隣接する遷移表示サブ領域Ａ３の３個の辺が含まれる。それによって、第２表示サブ領域、遷移表示サブ領域及び第１表示サブ領域は、補完的な形状となり、矩形状をなす。
【００８０】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図１ｅ及び図１ｆに示すように、遷移表示サブ領域Ａ３は、第２表示サブ領域Ａ２を囲んで設置され、第１表示サブ領域Ａ１は、遷移表示サブ領域Ａ２を囲んで設置される。このようにして、第２表示サブ領域Ａ２及び遷移表示サブ領域Ａ３を表示領域の内部に設置することができる。特定の実施形態では、第２表示サブ領域Ａ２の形状を円形状又は楕円形状にすることができ、この場合、遷移表示サブ領域Ａ３の形状を環状に設置できるようにしてもよい。勿論、実際に適用する場合、第２表示サブ領域の形状を第２表示サブ領域に設置された素子の形状に応じて設計してもよく、ここで限定しない。
【００８１】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図１ａ〜図１ｆに示すように、第１表示サブ領域Ａ１、遷移表示サブ領域Ａ３及び第２表示サブ領域Ａ２は、連続した表示領域を形成し、且つ表示領域の形状が略矩形状である。
【００８２】
なお、本開示の実施例では、矩形状の頂角が直角であってもよく、アーチ状の角であってもよく、ここで限定しない。
【００８３】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第１表示サブ領域と第２表示サブ領域との相対位置関係及び形状について特に限定がなく、表示基板の画面に応じて設置してもよい。携帯電話を例にすると、図１ａ〜図１ｄに示すように、第２表示サブ領域Ａ２が第１表示サブ領域Ａ１の中央よりも上側に設置されてもよく、図１ｅに示すように、第２表示サブ領域Ａ２が第１表示サブ領域Ａ１の中央に設置されてもよく、図１ｆに示すように、第２表示サブ領域Ａ２が第１表示サブ領域Ａ１の左上隅に設置されてもよく、ここで限定しない。
【００８４】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図１ａ〜図１ｆに示すように、遷移表示サブ領域Ａ３の面積を第２表示サブ領域Ａ２の面積より小さく、第２表示サブ領域Ａ２の面積を第１表示サブ領域Ａ１の面積より小さくすることができる。勿論、実際に適用する場合、第２表示サブ領域の面積は、第２表示サブ領域に設置された素子に応じて設計してもよく、ここで限定しない。
【００８５】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第２表示サブ領域内の画素分布密度が第２表示サブ領域に設置されるべき素子に応じて决定され、ここで限定しない。たとえば、第２表示サブ領域にカメラが設置される場合を例にすると、画素分布密度が大きすぎると、良好な表示効果を確保できるが、撮像の明瞭さに悪影響を及ぼす。画素分布密度が小さすぎると、高い撮像の明瞭さを確保できるが、表示効果を損なう。特定の実施形態では、従来の表示パネルにより達成可能な解像度でも、一般には、第２表示サブ領域の画素分布密度が第１表示サブ領域の画素分布密度の１／４である。たとえば、第２表示サブ領域の画素分布密度が第１表示サブ領域の画素分布密度の１／２、１／３又は１／４である。勿論、表示パネルの解像度をより高くすることができると、第２表示サブ領域の画素分布密度と第１表示サブ領域の画素分布密度との比を小さく設定することができ、ここで特に限定しない。
【００８６】
一般に、表示領域には、画素ユニットが設置され、画素ユニットには、複数のサブ画素が設置され、本開示の実施例における画素とは、１つの画素点を独立して表示可能なサブ画素の組み合わせであってもよく、たとえば、１つの画素とは、１つの画素ユニットである。本開示の実施例による表示基板において、図２〜図９に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、隣接して設置された複数の第１画素ユニット１０と第２画素ユニット２０を含み、第１画素ユニット１０は、第１サブ画素１と第２サブ画素２を含み、第２画素ユニット２０は、第３サブ画素３と第２サブ画素２を含むようにしてもよい。表示する際に、第１表示サブ領域Ａ１内の画素の数が第１画素ユニット１０の数と第２画素ユニット２０の数との和に等しい。即ち、第１表示サブ領域Ａ１内の画素配列がＰａｎｔｉｌｅ配列であり、表示する際に、画素ユニットは、隣接する画素ユニットにおけるサブ画素を利用して、物理的解像度よりも高い解像度を実現できる。
【００８７】
第２表示サブ領域Ａ２内には、複数の第３画素ユニット３０を含み、第３画素ユニット３０は、隣接して設置された第１サブ画素１、第２サブ画素２及び第３サブ画素３を含む。表示する際に、第２表示サブ領域Ａ２内の画素の数が第３画素ユニット３０の数に等しい。即ち、第２表示サブ領域Ａ２内の画素の物理的解像度がその表示解像度となる。
【００８８】
遷移表示サブ領域Ａ３内には、複数の第４画素ユニット４０を含み、第４画素ユニット４０は、隣接して設置された第１サブ画素１、第２サブ画素２、第３サブ画素３を含む。表示する際に、遷移表示サブ領域Ａ３内の画素の数が第４画素ユニット４０の数に等しい。即ち、遷移表示サブ領域Ａ３内の画素の物理的解像度がその表示解像度となる。
【００８９】
特定の実施形態では、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素は、一般に、それぞれ赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素のうちの1種である。本開示の実施例による表示基板において、第２サブ画素は、緑色サブ画素であり、第１サブ画素は、赤色又は青色サブ画素であり、第３サブ画素は、青色又は赤色サブ画素であるようにしてもよい。
【００９０】
なお、画素ユニットは、１つの画素点を表示するサブ画素の組み合わせであってもよく、たとえば、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素のうちの２個、３個、４個以上のサブ画素の組み合わせである。或いは、画素ユニットは、基本繰り返しユニット又は画素の組み合わせであってもよく、たとえば、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素の組み合わせである。
【００９１】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示パネルにおいて、２つのサブ画素が隣接して設置されるとは、該２つのサブ画素の間にほかのサブ画素が存在しないことをいう。
【００９２】
なお、本開示の実施例による表示パネルにおいて、表示サブ領域の縁部の空間が制限されるので、第１表示サブ領域内のサブ画素の配置、第２表示サブ領域内のサブ画素の配置及び遷移表示サブ領域内のサブ画素の配置は、主に表示サブ領域の内部のことを意味し、表示領域の縁部では、一部のサブ画素の配置がほかの領域と異なる可能性があり、ここで限定しない。
【００９３】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第３画素ユニットの配列構造は、第４画素ユニットの配列構造とは、同じであってもよく、異なってもよく、ここで限定しない。
【００９４】
本開示の実施例による表示基板において、第３画素ユニットと第４画素ユニットの配列構造が同じであるようにしてもよい。プロセスのパターニングを容易にする一方、表示基板全体のパターニングに有利である。
【００９５】
本開示の実施例による表示基板において、図２〜図５に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内のサブ画素は、第１表示サブ領域Ａ１内のサブ画素の一部とは、同一行にあるようにしてもよい。このようにして、第２表示サブ領域Ａ２及び第１表示サブ領域Ａ１内のサブ画素のサブ画素が行方向において行又は列をずらして設置されるのではなく、対応することに相当する。このようにして、製造をするときに、もともと表示領域全体に規則的に配列されたサブ画素マスクのうち、第２表示サブ領域Ａ２内のサブ画素の一部を省略することに相当し、製造プロセスがより容易になる。
【００９６】
本開示の実施例による表示基板において、図２〜図９に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内のサブ画素は、第１表示サブ領域Ａ１内のサブ画素の一部とは、同一列にあるようにしてもよい。このようにして、第２表示サブ領域Ａ２及び第１表示サブ領域Ａ１内のサブ画素のサブ画素が列方向において行又は列をずらして設置されるのではなく、対応することに相当する。このようにして、製造をするときに、もともと表示領域全体に規則的に配列されたサブ画素マスクのうち、第２表示サブ領域Ａ２内のサブ画素の一部を省略することに相当し、製造プロセスがより容易になる。
【００９７】
本開示の実施例による表示基板において、図２〜図５に示すように、遷移表示サブ領域Ａ３内のサブ画素は、第１表示サブ領域Ａ１内のサブ画素の一部とは、同一行にあるようにしてもよい。このようにして、遷移表示サブ領域Ａ３内のサブ画素と第１表示サブ領域Ａ１内のサブ画素が、行方向において行又は列をずらして設置されるのではなく、対応することに相当する。このようにして、製造をするときに、もともと表示領域全体に規則的に配列されたサブ画素マスクのうち、遷移表示サブ領域Ａ３内のサブ画素の一部を省略することに相当し、製造プロセスがより容易になる。
【００９８】
本開示の実施例による表示基板において、図２〜図９に示すように、遷移表示サブ領域Ａ３内のサブ画素は、第１表示サブ領域Ａ１内のサブ画素位の一部とは、同一列にあるようにしてもよい。このようにして、遷移表示サブ領域Ａ３内のサブ画素と第１表示サブ領域Ａ１内のサブ画素が、列方向において行又は列をずらして設置されるのではなく、対応することに相当する。このようにして、製造をするときに、もともと表示領域全体に規則的に配列されたサブ画素マスクのうち、遷移表示サブ領域Ａ３内のサブ画素の一部を省略することに相当し、製造プロセスがより容易になる。
【００９９】
このようにして、第２表示サブ領域Ａ２及び遷移表示サブ領域Ａ３内のサブ画素と第１表示サブ領域Ａ１内のサブ画素が、行方向又は列方向において行又は列をずらして設置されるのではなく、対応することに相当するようにしてもよい。このようにして、製造をするときに、もともと表示領域全体に規則的に配列されたサブ画素マスクのうち、第２表示サブ領域Ａ２内のサブ画素の一部を省略し、遷移表示サブ領域Ａ３内のサブ画素の一部を省略することに相当し、製造プロセスがより容易になる。たとえば、図２に示すように、第１表示サブ領域Ａ１に比べて遷移表示サブ領域Ａ２が半分の第２サブ画素２を省略するため、その解像度が第１表示サブ領域Ａ１の１／２である。第１表示サブ領域Ａ１に比べて第２表示サブ領域Ａ２が３／４の第２サブ画素２、半分の第１サブ画素１及び半分の第３サブ画素３を省略するため、その解像度が第１表示サブ領域Ａ１の１／４である。
【０１００】
特定の実施形態では、遷移表示サブ領域の幅、即ち予め設定された幅は、具体的には、表示効果及び表示基板の画面寸法に応じて設計できる。予め設定された幅は、少なくとも１つの第４画素ユニットの第１方向に沿う幅を含むようにしてもよい。第１方向は、行方向及び列方向のうちの１つであってもよい。たとえば、予め設定された幅は、少なくとも１つの第４画素ユニットの行方向に沿う幅を含んでもよい。特定の実施形態では、遷移表示サブ領域を設置することが表示基板の解像度を犠牲にするため、予め設定された幅は、一般に広すぎてはならない。一般には、１つの第４画素ユニットの行方向に沿う幅であれば、本開示が達成できる効果を実現できる。勿論、表示基板の画面寸法が大きい場合、予め設定された幅も広く設定することができ、たとえば、予め設定された幅は、複数の第４画素ユニットの行方向に沿う幅であってもく、ここで限定しない。なお、予め設定された幅は、少なくとも第４画素ユニットの行方向に沿う幅、及び第４画素ユニットの間の隙間を含んでもよい。
【０１０１】
特定の実施形態では、予め設定された幅は、少なくとも１つの第４画素ユニットの列方向に沿う幅を含んでもよい。さらに、予め設定された幅は、一般に広すぎてはならない。一般には、１つの第４画素ユニットの列方向に沿う幅であれば、本開示が達成できる効果を実現できる。勿論、表示基板の画面寸法が大きい場合、予め設定された幅も広く設定することができ、たとえば、予め設定された幅は、複数の第４画素ユニットの列方向に沿う幅であってもよく、ここで限定しない。なお、予め設定された幅は、少なくとも１つの第４画素ユニットの列方向に沿う幅、及び第４画素ユニットの間の隙間を含んでもよい。
【０１０２】
なお、本開示の実施例による表示基板において、予め設定された幅は、行方向に沿う予め設定された幅と、列方向に沿う予め設定された幅のうちの少なくとも１つを含んでもよい。行方向に沿う予め設定された幅は、第４画素ユニットの行方向に沿う幅であってもよく、列方向に沿う予め設定された幅は、第４画素ユニットの列方向に沿う幅であってもよい。たとえば、図２〜図５に示すように、遷移表示サブ領域Ａ３の行方向に沿う予め設定された幅は、１つの第４画素ユニット４０の行方向に沿う幅であり、遷移表示サブ領域Ａ３の列方向に沿う予め設定された幅は、１つの第４画素ユニット４０の列方向に沿う幅である。図６に示すように、遷移表示サブ領域Ａ３の列方向に沿う予め設定された幅は、１つの第４画素ユニット４０の列方向に沿う幅である。
【０１０３】
特定の実施形態では、第２表示サブ領域が正常に表示できるように、一般には、第２表示サブ領域の画素分布密度が小さすぎてはならない。第２表示サブ領域の画素分布密度が第１表示サブ領域の画素分布密度の１／４に設定できるようにしてもよい。それによって、遷移表示サブ領域の画素分布密度が第１表示サブ領域の画素分布密度の１／２に設定できる。
【０１０４】
勿論、特定の実施形態では、第２表示サブ領域と第１表示サブ領域との画素分布密度の差異が大きい場合、遷移表示サブ領域の画素分布密度は、第１表示サブ領域から第２表示サブ領域に向けて減少できる。
【０１０５】
特定の実施形態では、製造プロセスの観点からは、遷移表示サブ領域内のサブ画素の発光面積が第１表示サブ領域内のサブ画素の発光面積と一致する。即ち、本開示の実施例による表示基板において、図２〜図９に示すように、遷移表示サブ領域Ａ３内の１つの第１サブ画素１の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内の１つの第１サブ画素１の発光面積にほぼ等しい。遷移表示サブ領域Ａ３内の１つの第２サブ画素２の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内の１つの第２サブ画素２の発光面積にほぼ等しい。遷移表示サブ領域Ａ３内の１つの第３サブ画素３の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内の１つの第３サブ画素３の発光面積にほぼ等しい。実際のプロセスでは、プロセス条件による制限又はほかの因素、たとえば、配線又はビアの設置のため、偏差が生じることがあり、したがって、各サブ画素の発光面積の関係が上記条件を大体満足できれば、本発明の特許範囲に属する。
【０１０６】
特定の実施形態では、第２表示サブ領域の境界での暗縞を改善する観点からは、本発明の実施例では、図１１に示すように、予め設定された幅には複数の第４画素ユニットの幅を含む場合、本開示の実施例による表示基板において、第１表示サブ領域Ａ１に近い第４画素ユニット４０であるほど、それにおける同種類のサブ画素の発光面積が大きくなる。このようにして、サブ画素の発光面積を調整することによって、遷移表示サブ領域の輝度を第１表示サブ領域から第２表示サブ領域に向けて減少させることができる。図１１に示すように、予め設定された幅には３個の第４画素ユニットの幅、及び第１サブ画素１が含まれる場合を例にして説明すると、３行目の第４画素ユニット４０は、第１表示サブ領域Ａ１に最も近いので、その第１サブ画素１の発光面積が最大である。２行目の第４画素ユニット４０は、第１表示サブ領域Ａ１から最も離れているので、その第１サブ画素１の発光面積が１行目の第４画素ユニット４０におけるサブ画素の発光面積よりも小さくなる。１行目の第４画素ユニット４０は、第１表示サブ領域Ａ１から最も離れているので、その第１サブ画素１の発光面積が最小である。且つ、第２サブ画素２及び第３サブ画素３についても同様であるため、ここで詳しく説明しない。
【０１０７】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図１１に示すように、遷移表示サブ領域Ａ３内には、列方向に沿って隣接する２つの第４画素ユニット４０におけるサブ画素の配列順番が反対している。たとえば、１列目を例にすると、１行目及び３行目にある第４画素ユニット４０では、それぞれ第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素は、左から右への順に配列される。２行目にある第４画素ユニット４０では、第３サブ画素、第２サブ画素及び第１サブ画素は、左から右への順に配列される。
【０１０８】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図１１に示すように、遷移表示サブ領域Ａ３内には、行方向に沿って隣接する２つの第４画素ユニット４０におけるサブ画素の配列順番が同じである。たとえば、１行目を例にすると、１列目及び２列目にある第４画素ユニット４０では、それぞれ第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素は、左から右への順に配列される。さらに、各行にある各第４画素ユニット４０におけるサブ画素の配列順番を同じにしてもよい。たとえば、１行目を例にすると、１列目〜６列目にある第４画素ユニット４０では、それぞれ第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素は、左から右への順に配列される。
【０１０９】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第４画素ユニットにおける第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素の配列構造は、第１表示領域内には隣接して設置された第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素の配列構造と同じであってもよく、このようにして、プロセスのパターニングが容易になる。同様に、特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第３画素ユニットにおける第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素の配列構造は、第１表示領域には隣接して設置された第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素の配列構造と同じであってもよい。
【０１１０】
本開示の実施例による表示基板において、図２〜図１０に示すように、遷移表示サブ領域Ａ３内には、第４画素ユニット４０における第１サブ画素１、第２サブ画素２及び第３サブ画素３は、同一行に設置されるようにしてもよい。或いは、同一列に順次隣接して設置されてもよく、ここで限定しない。
【０１１１】
本開示の実施例による表示基板において、第２表示サブ領域内の１つの第１サブ画素の発光面積が第１表示サブ領域内の１つの第１サブ画素の発光面積より大きく又はそれにほぼ等しい。第２表示サブ領域内の１つの第２サブ画素の発光面積が第１表示サブ領域内の１つの第２サブ画素の発光面積より大きく又はそれにほぼ等しい。第２表示サブ領域内の１つの第３サブ画素の発光面積が第１表示サブ領域内の１つの第３サブ画素の発光面積より大きく又はそれにほぼ等しいようにしてもよい。
【０１１２】
特定の実施形態では、第２表示サブ領域の画素分布密度が第１表示サブ領域の画素分布密度より小さいため、表示する際に、第２表示サブ領域の輝度が第１表示サブ領域の輝度より低く、このため、第１表示サブ領域と第２表示サブ領域の境界部位に人間の目により視認可能な明らかな暗縞が生じる。該暗縞の現象を緩和させるために、本開示の実施例による表示基板において、図９に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内の１つの第１サブ画素１の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内の１つの第１サブ画素１の発光面積より大きく、第２表示サブ領域Ａ２内の１つの第２サブ画素２の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内の１つの第２サブ画素２の発光面積より大きく、第２表示サブ領域Ａ２内の１つの第３サブ画素３の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内の１つの第３サブ画素３の発光面積より大きいようにしてもよい。即ち、第２表示サブ領域Ａ２内のサブ画素の発光面積を増大することで第２表示サブ領域Ａ２と第１表示サブ領域Ａ１との輝度の差を低減させ、それにより第２表示サブ領域Ａ２と第１表示サブ領域Ａ１との境界での暗縞を改善する。
【０１１３】
勿論、本開示の実施例による表示基板において、図２〜図８に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内の１つの第１サブ画素１の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内の１つの第１サブ画素１の発光面積にほぼ等しく、第２表示サブ領域Ａ２内の１つの第３サブ画素３の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内の１つの第３サブ画素３の発光面積にほぼ等しいようにしてもよい。図２〜図５に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内の１つの第２サブ画素２の発光面積が第１表示サブ領域Ａ１内の１つの第２サブ画素２の発光面積にほぼ等しい。勿論、上記発光面積の特定の実施形態については、実際の適用場面に応じて設計してもよく、ここで限定しない。
【０１１４】
本開示の実施例による表示基板において、図３及び図４に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、複数の第３画素ユニット３０は、マトリクス状に配列されるようにしてもよい。
【０１１５】
本開示の実施例による表示基板において、図２、図５〜図１０に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、複数の第３画素ユニット３０は、チェッカーボード状に配列されるようにしてもよい。即ち、複数の第３画素ユニット３０は、行方向において１列おきに設置され、列方向において１行おきに設置される。たとえば、図６に示すように、奇数の行では、第３画素ユニット３０は、偶数の列の位置に設置され、偶数の行では、第３画素ユニット３０は、奇数の列の位置に設置され、それによって、第３画素ユニット３０は、行方向と沿列方向の両方において均等に分布しており、第２表示サブ領域Ａ２での輝度の均一性が確保される。且つ、このようにして、画面の下方におけるカメラで容易に撮像できるとともに、センサが外界環境からの信号を受信することに有利となるように、画素の隙間の透過率を向上できる。また、たとえば、奇数の行では、第３画素ユニット３０は、奇数の列の位置に設置され、偶数の行では、第３画素ユニット３０は、偶数の列の位置に設置され、それによって、いずれか２つの第３画素ユニットの間に一定の間隔があり、間隔は、たとえば、行方向では少なくとも１つの第３画素ユニットの行方向の長さであり、列方向では少なくとも１つの第３画素ユニットの列方向の長さであり、本開示の実施例では、これらについて限定しない。
【０１１６】
本開示の実施例による表示基板において、図４に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内の第３画素ユニット３０において、第１サブ画素１と第３サブ画素３は、同一行に設置され、第２サブ画素２は、第１サブ画素１と第３サブ画素３が位置する行に隣接する行にあり、即ち第２サブ画素２と第１サブ画素１は、行をずらして設置されるようにしてもよい。たとえば、同一第３画素ユニット３０において、第１サブ画素１と第３サブ画素３は、１行目にあり、第２サブ画素２は、２行目にある。このようにして、同一第３画素ユニット３０における第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素の中心の接続線が１つの三角形をなす。このようにして、第２表示サブ領域Ａ２に横方向の明縞や暗縞が生じることを回避できる。
【０１１７】
なお、本開示の実施例による表示パネルにおいて、サブ画素の中心とは、サブ画素の発光領域の中心である。ＯＬＥＤ表示パネルを例にすると、サブ画素は、一般に、陽極層、発光層及び陰極層から構成される積層構造を含み、表示する際に、該積層構造に対応する発光領域が該サブ画素の発光領域となる。このようにして、発光領域の占める面積を発光面積とすることができる。勿論、発光面積は、たとえば、画素画定層により限定された開口領域の占める面積としてもよく、ここで限定しない。
【０１１８】
本開示の実施例による表示基板において、図４に示すように、同一第３画素ユニット３０において、第１サブ画素１の中心と第３サブ画素３の中心との接続線Ｌ１における第２サブ画素２の中心の正投影が、第１サブ画素１の中心と第３サブ画素３の中心との間にあり、たとえば、第１サブ画素１の中心と第３サブ画素３の中心との接続線Ｌ１における第２サブ画素２の中心の正投影が、接続線Ｌ１と直線Ｌ２の交差点にあるようにしてもよい。このようにして、第３画素ユニット３０における第２サブ画素２の中心と第１サブ画素１の中心との間隔が、第２サブ画素２の中心と第３サブ画素３の中心との間隔に等しくなり、それにより３個のサブ画素が二等辺三角形状に配列され、第２表示サブ領域Ａ２に縦方向の明縞や暗縞が生じることを回避する。
【０１１９】
特定の実施形態では、第２サブ画素２の中心と第１サブ画素１の中心との間の間隔及び第２サブ画素２の中心と第３サブ画素３の中心との間隔が完全に同じではない可能性があり、実際のプロセスでは、プロセス条件による制限又はほかの因素のため、たとえば、配線又はビアの設置のため、偏差が生じることがあり、したがって、各サブ画素の形状、位置及び相対位置関係が上記条件を大体満足できれば、本開示の特許範囲に属する。
【０１２０】
本開示の実施例による表示基板において、図２、図３、図５〜図１１に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、第３画素ユニット３０における第１サブ画素１、第２サブ画素２及び第３サブ画素３は、同一行に設置されるようにしてもよい。或いは、同一列に設置されてもよく、ここで限定しない。
【０１２１】
勿論、特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図２、図３、図５〜図１０に示すように、第３画素ユニット３０において、第１サブ画素１、第２サブ画素２及び第３サブ画素３は、同一行に順次設置される。たとえば、第３画素ユニット３０において、第１サブ画素１、第２サブ画素２及び第３サブ画素３は、左から右への順に同一行に順次設置される。或いは、同一列に順次設置されてもよく、ここで限定しない。さらに、図２、図３、図５〜図１１に示すように、第３画素ユニット３０において、第１サブ画素１、第２サブ画素２及び第３サブ画素３は、同一行に順次隣接して設置される。或いは、同一列に順次隣接して設置されてもよく、ここで限定しない。
【０１２２】
本開示の実施例による表示基板において、図３〜図５、図７〜図１０に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、行方向に沿って隣接する２つの第３画素ユニット３０におけるサブ画素の行方向での配列順番が同じであり、列方向に沿って隣接する２つの第３画素ユニット３０におけるサブ画素の行方向での配列順番が反対しているようにしてもよい。それによって、第２表示サブ領域Ａ２内には、列方向において第１サブ画素１と第３サブ画素３が交互して配列され、列方向での色偏りの発生が抑えられる。なお、行方向に沿って隣接する２つの第３画素ユニット３０におけるサブ画素の行方向での配列順番が同じであるとは、この２つの第３画素ユニット３０における第１サブ画素１、第２サブ画素２、第３サブ画素３がすべて同じ順に配列されることを意味してもよい。たとえば、図３に示すように、１行目の第３画素ユニット３０を例とすると、行方向において、隣接する２つの第３画素ユニット３０における第１サブ画素１、第２サブ画素２、第３サブ画素３は、いずれも左から右へ順次配列される。たとえば、図４に示すように、１行目の第３画素ユニット３０を例とすると、行方向において、隣接する２つの第３画素ユニット３０における第１サブ画素１、第３サブ画素３、第２サブ画素２は、いずれも逆三角形状に配列される。
【０１２３】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図６に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、第３画素ユニット３０の各々におけるサブ画素の配列順番が同じであるようにすることができる。たとえば、図６に示すように、第３画素ユニット３０の各々における第１サブ画素１、第２サブ画素２、第３サブ画素３は、いずれも左から右へ順次配列される。
【０１２４】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図２及び図９に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、同一列にある第３画素ユニット３０の各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、且つ隣接する２列にある第３画素ユニット３０におけるサブ画素の配列順番が反対している。たとえば、図２に示すように、１列目及び３列目にある第３画素ユニット３０の各々における第３サブ画素３、第２サブ画素２、第１サブ画素１は、いずれも左から右へ順次配列される。２列目及び４列目にある第３画素ユニット３０の各々における第１サブ画素１、第２サブ画素２、第３サブ画素３は、いずれも左から右へ順次配列される。
【０１２５】
本開示の実施例による表示基板において、図２〜図１１に示すように、第１表示サブ領域内には、第１画素ユニット１０の各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、第２画素ユニット２０の各々におけるサブ画素の配列順番が同じであるようにしてもよい。たとえば、図２〜図５に示すように、第１画素ユニット１０の各々における第１サブ画素１、第２サブ画素２は、いずれも左から右へ順次配列される。第２画素ユニット２０の各々における第３サブ画素３、第２サブ画素２は、いずれも左から右へ順次配列される。図６〜図１１に示すように、第１画素ユニット１０の各々における第１サブ画素１、第２サブ画素２は、いずれも左から右へ順次配列される。第２画素ユニット２０の各々における第３サブ画素３、第２サブ画素２は、左上から右下への方向に順次配列される。
【０１２６】
本開示の実施例による表示基板において、図２〜図１０に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、第１画素ユニット１０と第２画素ユニット２０は、いずれか1種のＰａｎｔｉｌｅ配列方式で配列されるようにしてもよく、ここで限定しない。
【０１２７】
本開示の実施例による表示基板において、図２〜図１０に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、第１画素ユニット１０と第２画素ユニット２０が列方向に交互して配列され、且つ第１画素ユニット１０と第２画素ユニット２０が行方向に交互して配列されるようにしてもよい。
【０１２８】
本開示の実施例による表示基板において、図２〜図５に示すように、第１画素ユニット１０において、第２サブ画素２と第１サブ画素１が同一行に配列され、第２画素ユニット２０において、第２サブ画素２と第３サブ画素３が同一行に配列されるようにしてもよい。且つ、行方向に沿って隣接する第１画素ユニット１０及び第２画素ユニット２０の場合、第１画素ユニット１０における第２サブ画素２と第２画素ユニット２０における第２サブ画素２が直接隣接しない。たとえば、行方向に沿って隣接する第１画素ユニット１０及び第２画素ユニット２０の場合、第１画素ユニット１０における第１サブ画素１と第２サブ画素２は、左から右へ順次配列され、第２画素ユニット２０における第３サブ画素３と第２サブ画素２は、左から右へ順次配列される。
【０１２９】
本開示の実施例による表示基板において、図２〜図５に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、１つの第１サブ画素１の発光面積、１つの第２サブ画素２の発光面積及び１つの第３サブ画素３の発光面積がほぼ同じであるようにしてもよい。
【０１３０】
本開示の実施例による表示基板において、図６〜図１０に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、第１画素ユニット１０において、第２サブ画素２と第１サブ画素１が同一行に配列され、第２画素ユニット２０において、第２サブ画素２と第３サブ画素３が行及び列をずらして配列され、且つ行方向に沿って隣接する第１画素ユニット１０と第２画素ユニット２０において、２つの第２サブ画素２が隣接しないようにしてもよい。且つ、列方向に沿って隣接する第１画素ユニット１０と第２画素ユニット２０を１つの画素群１００とし、同一画素群１００には、第１画素ユニット１０における第２サブ画素２と第２画素ユニット２０における第２サブ画素２が同一列にある。即ち、隣接する２行の画素ユニットは、列方向において半分の列だけずらしている。
【０１３１】
本開示の実施例による表示基板において、図６〜図１０に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、１つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第１サブ画素１の発光面積より小さく、１つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第３サブ画素３の発光面積より小さいようにしてもよい。それは、第１表示サブ領域Ａ１内には、第１サブ画素１の数が第３サブ画素３の数と同じであり、一方、第２サブ画素２の数が第１サブ画素１の２倍であるため、第２サブ画素２の発光面積を小さくすることができるからである。さらに、同一画素群１００には、２つの第２サブ画素２は、行方向に対して対称的に設置できる。即ち、同一画素群１００における２つの第２サブ画素２は、ミラーリングして設置できる。さらに、第１表示サブ領域Ａ１内には、第２サブ画素２が緑色サブ画素である場合、２つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第１サブ画素１の発光面積より小さく、且つ２つの第２サブ画素２の発光面積が１つの第３サブ画素３の面積より小さく、それは、緑色サブ画素の発光効率がほかの色のサブ画素の発光効率より高いからである。
【０１３２】
具体的には、本開示の実施例による表示基板において、第１表示サブ領域内には、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素の形状について限定がなく、規則的な形状としてもよいし、非規則的な形状としてもよい。特定の実施形態では、一般に、プロセスの実現しやすさから、規則的な形状が好適である。
【０１３３】
具体的には、本開示の実施例による表示基板において、遷移表示サブ領域内には、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素の形状について限定がなく、規則的な形状としてもよいし、非規則的な形状としてもよい。特定の実施形態では、一般に、プロセスの実現しやすさから、規則的な形状が好適である。
【０１３４】
具体的には、本開示の実施例による表示基板において、第２表示サブ領域内には、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素の形状について限定がなく、規則的な形状としてもよいし、非規則的な形状としてもよい。特定の実施形態では、一般に、プロセスの実現しやすさから、規則的な形状が好適である。
【０１３５】
本開示の実施例による表示基板において、図２〜図８及び図１１に示すように、第１表示サブ領域Ａ１、遷移表示サブ領域Ａ３及び第２表示サブ領域Ａ２のうち、少なくとも１つのサブ領域内には、第１サブ画素１及び第３サブ画素３のうち1種のサブ画素の形状がほぼ一致しているようにしてもよい。たとえば、第１表示サブ領域Ａ１内の各第１サブ画素１と各第３サブ画素３の形状をほぼ一致させてもよい。第１表示サブ領域Ａ１内の各第１サブ画素１の形状をほぼ一致させてもよい。第１表示サブ領域Ａ１内の各第３サブ画素３の形状をほぼ一致させてもよい。遷移表示サブ領域Ａ３内の各第１サブ画素１の形状をほぼ一致させてもよい。遷移表示サブ領域Ａ３内の各第３サブ画素３の形状をほぼ一致させてもよい。遷移表示サブ領域Ａ３内の各第１サブ画素１と各第３サブ画素３の形状をほぼ一致させてもよい。第２表示サブ領域Ａ２内の各第１サブ画素１と各第３サブ画素３の形状をほぼ一致させてもよい。第２表示サブ領域Ａ２内の各第１サブ画素１の形状をほぼ一致させてもよい。第２表示サブ領域Ａ２内の各第３サブ画素３の形状をほぼ一致させてもよい。遷移表示サブ領域Ａ３内の各第１サブ画素１の形状と第１表示サブ領域Ａ１内の各第１サブ画素１の形状をほぼ一致させてもよい。遷移表示サブ領域Ａ３内の各第３サブ画素３の形状と第１表示サブ領域Ａ１内の各第３サブ画素３の形状をほぼ一致させてもよい。遷移表示サブ領域Ａ３内の各第１サブ画素１と各第３サブ画素３の形状、及び第１表示サブ領域Ａ１内の各第１サブ画素１と各第３サブ画素３の形状をほぼ一致させてもよい。残りは同様であるため、ここで詳しく説明しない。
【０１３６】
本開示の実施例による表示基板において、図２〜図７に示すように、第２表示サブ領域Ａ２及び遷移表示サブ領域Ａ３のうち、少なくとも１つのサブ領域内の第２サブ画素２の形状は、第１表示サブ領域Ａ１内のそれの形状とほぼ一致しているようにしてもよい。たとえば、第２表示サブ領域Ａ２内の第２サブ画素２の形状と第１表示サブ領域Ａ１内の第２サブ画素２の形状をほぼ一致させてもよい。遷移表示サブ領域Ａ３内の第２サブ画素２の形状と第１表示サブ領域Ａ１内の第２サブ画素２の形状をほぼ一致させている。第２表示サブ領域Ａ２及び遷移表示サブ領域Ａ３のいずれの第２サブ画素２の形状も第１表示サブ領域Ａ１内の第２サブ画素２の形状とほぼ一致させてもよい。
【０１３７】
本開示の実施例による表示基板において、図２〜図５に示すように、第１表示サブ領域Ａ１、遷移表示サブ領域Ａ３及び第２表示サブ領域Ａ２のうち、少なくとも１つのサブ領域内には、第１サブ画素１、第２サブ画素２、第３サブ画素３の形状がほぼ一致しているようにしてもよい。たとえば、第１表示サブ領域Ａ１内には、各第１サブ画素１、各第２サブ画素２、各第３サブ画素３の形状をほぼ一致させてもよい。或いは、第２表示サブ領域Ａ２内には、各第１サブ画素１、各第２サブ画素２、各第３サブ画素３の形状をほぼ一致させてもよい。或いは、遷移表示サブ領域Ａ３内には、各第１サブ画素１、各第２サブ画素２、各第３サブ画素３の形状をほぼ一致させてもよい。或いは、第１表示サブ領域Ａ１、遷移表示サブ領域Ａ３及び第２表示サブ領域Ａ２内には、各第１サブ画素１、各第２サブ画素２、各第３サブ画素３の形状をほぼ一致させてもよい。
【０１３８】
なお、同じサブ領域内の各第１サブ画素１、各第２サブ画素２、各第３サブ画素３の形状がほぼ一致している場合を例とすると、この３種類のサブ画素の形状がほぼ一致し、この場合、この３種類のサブ画素の発光面積が異なってもよい。たとえば、図８及び図１１に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、第２サブ画素２の発光面積が第１サブ画素１の発光面積より小さく、且つ第２サブ画素２の発光面積が第３サブ画素３の発光面積より小さい。且つ、実際に適用する場合、たとえば、青色サブ画素の発光面積＞赤色サブ画素の発光面積＞緑色サブ画素の発光面積、或いは青色サブ画素の発光面積＞緑色サブ画素の発光面積＞赤色サブ画素の発光面積という実施形態に基づいて設置してもよく、ここで限定しない。
【０１３９】
勿論、異なる表示サブ領域におけるサブ画素の形状が一致しなくてもよく、ここで限定しない。
【０１４０】
本開示の実施例による表示基板において、第１サブ画素の形状は、矩形状及び六角形のうちの少なくとも1種であるようにしてもよい。たとえば、図２〜図５に示すように、各表示サブ領域における第１サブ画素１の形状が矩形状である。或いは、図６〜図８及び図１１に示すように、各表示サブ領域における第１サブ画素１の形状は、六角形であってもよい。或いは、図９に示すように、第１表示サブ領域Ａ１及び遷移表示サブ領域Ａ３における第１サブ画素１の形状は、六角形であり、第２表示サブ領域Ａ２における第１サブ画素１の形状は、矩形状である。勿論、第１サブ画素の形状は、丸みを帯びたパターン、或いは楕円形状などとしてもよく、ここで限定しない。
【０１４１】
本開示の実施例による表示基板において、図６〜図１０に示すように、第１表示サブ領域Ａ１内には、第１サブ画素１及び第３サブ画素３のいずれの形状も六角形であり、２つの第２サブ画素２を組み合わせた後の形状が１つの六角形となるようにしてもよい。
【０１４２】
なお、本開示の実施例による表示パネルにおいて、サブ画素の形状とは、サブ画素の発光領域の形状をいう。勿論、サブ画素の形状は、実際の適用場面に応じて設計してもよく、ここで限定しない。
【０１４３】
本開示の実施例による表示基板において、図６〜図８に示すように、第２表示サブ領域Ａ２内には、第２サブ画素２が緑色サブ画素である場合、第２サブ画素２の発光面積が第１サブ画素１の発光面積より小さく、第２サブ画素２の発光面積が第３サブ画素３の発光面積より小さいようにしてもよい。
【０１４４】
本開示の実施例による表示基板において、図６〜図１０に示すように、遷移表示サブ領域Ａ３内の第１サブ画素１の形状と第１表示サブ領域Ａ１内の第１サブ画素１の形状が一致し、遷移表示サブ領域Ａ３内の第２サブ画素２の形状と第１表示サブ領域Ａ１内の第２サブ画素２の形状が一致し、遷移表示サブ領域Ａ３内の第３サブ画素３の形状と第１表示サブ領域Ａ１内の第３サブ画素３の形状が一致するようにしてもよい。
【０１４５】
本開示の実施例による表示基板において、図６〜図１０に示すように、遷移表示サブ領域Ａ３内には、第２サブ画素２が緑色サブ画素である場合、第２サブ画素２の発光面積が第１サブ画素１の発光面積より小さく、第２サブ画素２の発光面積が第３サブ画素３の発光面積より小さいようにしてもよい。
【０１４６】
同じ発明構想に基づいて、本開示の実施例は、上記いずれか1つの表示基板を駆動する駆動方法をさらに提供し、図１１に示すように、該駆動方法は、
原画像データを受信するステップ１００１（Ｓ１００１）と、
第１表示サブ領域内の各サブ画素について、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、遷移表示サブ領域内の各サブ画素について、遷移表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、第２表示サブ領域内の各サブ画素について、サブ画素の発光面積、第２表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップ（Ｓ１００２）と、
その目標グレースケール値に基づいて表示するように、表示基板内の各サブ画素を駆動するステップ（Ｓ１００３）とを、含む。
【０１４７】
具体的には、第１表示サブ領域内のサブ画素に対しては、第１表示サブ領域内の１つの物理画素が画像データにおける１つの画素に対応する場合、一般に、サブ画素の目標グレースケール値がその初期グレースケール値である。第１表示領域内の物理画素が画像データにおける画素の数より少ない場合、表示する際に、サブ画素を借りる関係が生じ、このため、１つのサブ画素は、画像データにおける２つ以上の画素に対応することができ、したがって、サブ画素の目標グレースケール値は、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて換算する必要がある。
【０１４８】
第２表示サブ領域内のサブ画素に対しては、解像度が低いため、表示する際に、１つの物理画素が画像データにおける１つの画素に対応し、一般的には、サブ画素の目標グレースケール値がその初期グレースケール値である。しかしながら、このような場合には、第２表示サブ領域の解像度が低いため、初期グレースケール値に基づいて直接表示すると、第２表示サブ領域と第１表示サブ領域内の輝度には大きさな差が生じて、その結果として第２表示サブ領域と第１表示サブ領域との境界に明らかな暗縞が発生するという問題がある。この該問題を解決するために、本開示の実施例による駆動方法は、サブ画素の発光面積、第２表示サブ領域の画素分布密度に基づいて、第２表示サブ領域内のサブ画素のグレースケールを調整する。たとえば、サブ画素の発光面積が大きいほど、第２表示サブ領域全体の輝度が高くなり、また、第２表示サブ領域に分布しているサブ画素の数が多いほど、第２表示サブ領域全体の輝度が高くなる。
【０１４９】
遷移表示サブ領域内のサブ画素に対しては、表示する際に、１つの物理画素が画像データにおける１つの画素に対応し、画素分布密度が第２表示サブ領域と第１表示サブ領域との間にあることから、理論的には、輝度が第１表示サブ領域と第２表示サブ領域との間にあり、表示する際に、その画素分布密度に基づいて、サブ画素の輝度は、画像データにおいて対応するサブ画素の輝度の平均値として設定できる。
【０１５０】
なお、１つの物理画素は、一般に、少なくともＲＧＢの３個のサブ画素を含む。
【０１５１】
特定の実施形態では、第１表示サブ領域内には、画素配列がＰａｎｔｉｌｅ配列である場合、第１サブ画素及び第３サブ画素が借りられるため、表示する際に、一般に、１つの第１サブ画素は、画像データにおける２つの画素に対応し、１つの第３サブ画素は、画像データにおける２つの画素に対応し、第２サブ画素が借りられないので、１つの第２サブ画素は、一般に、画像データにおける１つの画素に対応する。したがって、本開示の実施例による駆動方法では、第１表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
第１サブ画素について、式
【０１５２】
【数９】
2021528672.tif 000011
【０１５３】
（式中、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｘ1及びｘ2は、それぞれ原画像データにおいて第１サブ画素に対応する２つの第１サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定することと、
第２サブ画素の目標グレースケール値Ｙが原画像データにおいて第２サブ画素に対応する１つの第２サブ画素の初期グレースケール値ｙに等しいことと、
第３サブ画素について、式
【０１５４】
【数１０】
2021528672.tif 000012
【０１５５】
（式中、ｚ1及びｚ2は、それぞれ原画像データにおいて第３サブ画素に対応する２つの第３サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｚを決定することと、を含むようにしてもよい。
【０１５６】
特定の実施形態では、第２表示サブ領域と第１表示サブ領域との境界に生じる暗縞を改善するために、第２表示サブ領域の輝度を適切に調整できる。輝度は、発光面積及び画素分布密度のいずれにも比例する。このため、本開示の実施例による駆動方法では、第２表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
サブ画素について、式
【０１５７】
【数１１】
2021528672.tif 000013
【０１５８】
（式中、ｎは、１〜Ｎの任意の整数であり、Ｎは、原画像データにおいてサブ画素に対応するサブ画素の数であり、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｓは、第１表示領域におけるサブ画素の発光面積と第２表示サブ領域におけるサブ画素の発光面積との比を表し、ρは、第１表示サブ領域内の画素分布密度と第２表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数であり、ｘnは、原画像データにおいてサブ画素に対応するｎ番目のサブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定することを含むようにしてもよい。
【０１５９】
特定の実施形態では、誤差調整係数ｋは、表示基板の実際の表示効果に応じて調整することができ、ここで限定しない。
【０１６０】
特定の実施形態では、第２表示サブ領域内には、単位面積あたりｍ個の第３画素ユニットがあり、対応領域の画像データにはｊ個の画素があるとすれば、１つの第３画素ユニットは、画像データにおけるｊ／ｍ個の画素に対応し、即ち、Ｎ＝ｊ／ｍである。サブ画素の目標グレースケールを決定するときに、該サブ画素の目標グレースケール値は、それに対応するＮ個のサブ画素のうちのいずれか１つ又は複数のサブ画素に基づいて決定できる。たとえば、Ｎ＝４の場合、１つのサブ画素は、それに対応する画素における４個のサブ画素のうちのいずれか１つ又は複数のサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定できる。たとえば、そのうちの１つのサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定する場合、
【０１６１】
【数１２】
2021528672.tif 000014
【０１６２】
（ここで、ｘiは、４個のサブ画素のうちのいずれか１つのサブ画素の初期グレースケール値を表す。）である。たとえば、そのうちの２つのサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定する場合、
【０１６３】
【数１３】
2021528672.tif 000015
【０１６４】
（ここで、ｘ1及びｘ2は、４個のサブ画素のうちのいずれか２つのサブ画素の初期グレースケール値を表す。）である。たとえば、そのうちの３個のサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定する場合、
【０１６５】
【数１４】
2021528672.tif 000016
【０１６６】
（ここで、ｘ1、ｘ2及びｘ3は、４個のサブ画素のうちいずれか３個のサブ画素の初期グレースケール値を表す。）である。たとえば、４個のサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定する場合、
【０１６７】
【数１５】
2021528672.tif 000017
【０１６８】
（ここで、ｘ1、ｘ2、ｘ3及びｘ4は、４個のサブ画素の初期グレースケール値を表す。）である。
【０１６９】
本開示の実施例による駆動方法では、遷移表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
サブ画素について、式
【０１７０】
【数１６】
2021528672.tif 000018
【０１７１】
（式中、Ｎは、原画像データにおいてサブ画素に対応するサブ画素の数であり、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｓは、第１表示領域におけるサブ画素の発光面積と第２表示サブ領域におけるサブ画素の発光面積との比を表し、ρは、第１表示サブ領域内の画素分布密度と第２表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数であり、ｘ1〜ｘNは、それぞれ原画像データにおいてサブ画素に対応するＮ個のサブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定することを含むようにしてもよい。
【０１７２】
特定の実施形態では、遷移表示サブ領域内には、単位面積あたりｍ個の第３画素ユニットがあり、対応領域の画像データにはｊ個の画素があるとすれば、１つの第４画素ユニットは、画像データにおけるｊ／ｍ個の画素に対応し、即ち、Ｎ＝ｊ／ｍである。サブ画素の目標グレースケールを決定するときに、該サブ画素の目標グレースケール値は、それに対応するＮ個のサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定できる。
【０１７３】
或いは、本開示の実施例による駆動方法では、遷移表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
第１サブ画素について、式
【０１７４】
【数１７】
2021528672.tif 000019
【０１７５】
（式中、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｘ1及びｘ2は、それぞれ原画像データにおいて第１サブ画素に対応する２つの第１サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定することと、
第１サブ画素について、式
【０１７６】
【数１８】
2021528672.tif 000020
【０１７７】
（ｙは、原画像データにおいて第２サブ画素に対応する１つの第２サブ画素の初期グレースケール値ｙを表す。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｙを決定することと、
第３サブ画素について、式
【０１７８】
【数１９】
2021528672.tif 000021
【０１７９】
（式中、ｚ1及びｚ2は、それぞれ原画像データにおいて第３サブ画素に対応する２つの第３サブ画素の初期グレースケール値である。ｓは、第１表示領域におけるサブ画素の発光面積と第２表示サブ領域におけるサブ画素の発光面積との比を表し、ρは、第１表示サブ領域内の画素分布密度と第２表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｚを決定することと、を含むようにしてもよい。
【０１８０】
即ち、遷移表示サブ領域内には、サブ画素に対応する目標グレースケール値のアルゴリズムは、第１表示サブ領域内のサブ画素に対応する目標グレースケール値のアルゴリズムを基にして、第１表示領域内の発光面積と第２表示サブ領域におけるサブ画素の発光面積との比、第１表示サブ領域内の画素分布密度と第２表示サブ領域内の画素分布密度との比に基づいて調整するものである。
【０１８１】
同じ発明構想に基づいて、本開示の実施例は、本開示の実施例による上記いずれか１つの表示基板を備える表示装置をさらに提供する。該表示装置は、携帯電話、タブレット、テレビ、モニター、ラップトップパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーターなど、表示機能を有する任意の製品又は部材であってもよい。該表示装置の実施については、上記表示基板の実施例を参照すればよく、ここで重複説明を省略する。
【０１８２】
本開示の実施例による表示装置では、該表示基板を駆動するように配置される駆動器をさらに備えるようにしてもよく、表示基板の駆動器は、たとえば、ＩＣ、或いは外付けＣＰＵ、マイクロプロセッサなどとしてもよい。駆動器は、
原画像データを受信し、
第１表示サブ領域内の各サブ画素について、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、遷移表示サブ領域内の各サブ画素について、遷移表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素に対応する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、第２表示サブ領域内の各サブ画素について、サブ画素の発光面積、第２表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素に対応する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
その目標グレースケール値に基づいて表示するように、表示基板内の各サブ画素を駆動するように構成されてもよい。
【０１８３】
本開示の実施例による表示装置では、駆動器は、下記方法によって第１表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するようにしてもよく、具体的には、
第１表示領域内の第１サブ画素について、式
【０１８４】
【数２０】
2021528672.tif 000022
【０１８５】
（式中、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、Ｇａｍｍａは、一般に、２．２であり、ｘ1及びｘ2は、それぞれ原画像データにおいて第１サブ画素に対応する２つの第１サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定し、
第２サブ画素の目標グレースケール値Ｙが原画像データにおいて第２サブ画素に対応する１つの第２サブ画素の初期グレースケール値ｙに等しく、
第１表示領域内の第３サブ画素について、式
【０１８６】
【数２１】
2021528672.tif 000023
【０１８７】
（式中、ｚ1及びｚ2は、それぞれ原画像データにおいて第３サブ画素に対応する２つの第３サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｚを決定する。
【０１８８】
特定の実施形態では、第２表示サブ領域と第１表示サブ領域との境界に生じる暗縞を改善するために、第２表示サブ領域の輝度を適切に調整できる。輝度は、発光面積及び画素分布密度のいずれにも比例する。このため、本開示の実施例による表示装置では、駆動器は、下記方法によって第２表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するようにしてもよく、具体的には、
サブ画素について、式
【０１８９】
【数２２】
2021528672.tif 000024
【０１９０】
（式中、ｎは、１〜Ｎの任意の整数であり、Ｎは、原画像データにおいてサブ画素に対応するサブ画素の数であり、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｓは、第１表示領域におけるサブ画素の発光面積と第２表示サブ領域におけるサブ画素の発光面積との比を表し、ρは、第１表示サブ領域内の画素分布密度と第２表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数であり、ｘnは、原画像データにおいてサブ画素に対応するｎ番目のサブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定する。
【０１９１】
特定の実施形態では、誤差調整係数ｋは、表示基板の実際の表示効果に応じて調整することができ、ここで限定しない。
【０１９２】
本開示の実施例による表示装置では、駆動器は、下記方法によって遷移表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するようにしてもよく、具体的には、
サブ画素について、式
【０１９３】
【数２３】
2021528672.tif 000025
【０１９４】
（式中、Ｎは、原画像データにおいてサブ画素に対応するサブ画素の数であり、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｓは、第１表示領域におけるサブ画素の発光面積と第２表示サブ領域におけるサブ画素の発光面積との比を表し、ρは、第１表示サブ領域内の画素分布密度と第２表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数であり、ｘ1〜ｘNは、それぞれ原画像データにおいてサブ画素に対応するＮ個のサブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定する。
【０１９５】
或いは、本開示の実施例による表示装置では、駆動器は、下記方法によって遷移表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するようにしてもよく、具体的には、
第１サブ画素について、式
【０１９６】
【数２４】
2021528672.tif 000026
【０１９７】
（式中、Ｇａｍｍａは、表示基板のガンマ値を表し、ｘ1及びｘ2は、それぞれ原画像データにおいて第１サブ画素に対応する２つの第１サブ画素の初期グレースケール値である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｘを決定し、
第１サブ画素について、式
【０１９８】
【数２５】
2021528672.tif 000027
【０１９９】
（ｙは、原画像データにおいて第２サブ画素に対応する１つの第２サブ画素の初期グレースケール値ｙを表す。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｙを決定し、
第３サブ画素について、式
【０２００】
【数２６】
2021528672.tif 000028
【０２０１】
（式中、ｚ1及びｚ2は、それぞれ原画像データにおいて第３サブ画素に対応する２つの第３サブ画素の初期グレースケール値である。式中、ｓは、第１表示領域におけるサブ画素の発光面積と第２表示サブ領域におけるサブ画素の発光面積との比を表し、ρは、第１表示サブ領域内の画素分布密度と第２表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、ｋは、誤差調整係数である。）により、それに対応する目標グレースケール値Ｚを決定する。
【０２０２】
具体的には、本開示の実施例による駆動器の駆動方法については、上記表示装置における駆動方法の実施を参照すればよく、ここで詳しく説明しない。
【０２０３】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示装置では、駆動器は、各サブ領域内のサブ画素の目標グレースケール値のアルゴリズムのすべてをＩＣに集積させている。表示する際に、駆動器は、受信した画像データに基づいて各サブ画素に対応する目標グレースケール値を決定し、目標グレースケール値に基づいて表示するように表示基板を駆動する。
【０２０４】
さらに、表示基板は、目標グレースケール値に基づいて表示する前に、輝度の均一性を向上させるために、通常Ｄｅｍｕｒａアルゴリズム処理を行う。Ｄｅｍｕｒａアルゴリズムとしては、具体的には、従来技術を参照すればよく、ここで詳しく説明しない。
【０２０５】
同じ発明構想に基づいて、本開示の実施例は、本開示の実施例による上記いずれか１つの表示基板を製造するように配置される高精度メタルマスクをさらに提供する。図１２に示すように、該高精度メタルマスクは、第１サブ画素、第２サブ画素又は第３サブ画素の形状及び位置に対応する複数の開口領域０１を含む。
【０２０６】
特定の実施形態では、サブ画素は、一般に、陽極層、発光層及び陰極層を含み、発光層は、一般に、上記高精度メタルマスクを用いて蒸着するものである。図８に示した表示基板を例にすると、第１サブ画素を形成するように配置される高精度メタルマスクでは、図１２に示すように、開口領域０１は、表示基板の第１サブ画素１の発光層の形状及び位置に対応する。且つ、プロセスによる制限のため、開口領域０１の面積は、一般に、対応する発光層の面積より大きい。第２サブ画素を形成するように配置される高精度メタルマスク及び第３サブ画素を形成するように配置される高精度メタルマスクの原理は、第１サブ画素と類似したため、ここで詳しく説明しない。
【０２０７】
本開示の実施例による表示基板、その駆動方法、表示装置及び高精度メタルマスクでは、表示領域は、画素分布密度が大きな（即ち解像度が高い）第１表示サブ領域と画素分布密度が小さな（即ち解像度が低い）第２表示サブ領域を含むことによって、第２表示サブ領域内の画素分布密度が小さいため、カメラ、センサ、マイクなどの素子を第２表示サブ領域に設置することができ、つまり、局所の画素分布密度を低減させることで画面の光透過率を向上させる方式によって、表示基板の画面占有率を向上させる。且つ第１表示サブ領域と第２表示サブ領域との間には画素分布密度（解像度）がこの両方の画素分布密度の間にある遷移表示サブ領域を設置することで、第１表示サブ領域の輝度が遷移表示サブ領域を介して第２表示サブ領域に遷移し、それによって第１表示サブ領域に近い第２表示サブ領域の境界に暗縞が生じるという問題を回避する。また、該表示基板が駆動されるとき、第２表示サブ領域内のサブ画素の発光面積と画素分布密度に基づいて第２表示サブ領域のサブ画素のグレースケール値を調整するので、第１表示サブ領域と第２表示サブ画素の画素分布密度のムラによる第２表示サブ領域と第１表示サブ領域内の輝度の大きな差異を補償し、それにより第２表示サブ領域と第１表示サブ領域との境界に存在する暗縞を減少させ、全画面での均一な表示を実現する。
【０２０８】
勿論、当業者であれば、本開示の精神及び範囲から逸脱することなく本開示について様々な変化及び変形をすることができる。このため、本開示のこのような修正及び変形が本開示の特許請求の範囲及びその等同技術の範囲に属すると、本開示は、これら変化及び変形を含むことを意図する。
【図１ａ】
2021528672.tif 000036
【図１ｂ】
2021528672.tif 000037
【図１ｃ】
2021528672.tif 000038
【図１ｄ】
2021528672.tif 000039
【図１ｅ】
2021528672.tif 000040
【図１ｆ】
2021528672.tif 000041
【図１ｇ】
2021528672.tif 000042
【図１ｈ】
2021528672.tif 000043
【図２】
2021528672.tif 000044
【図３】
2021528672.tif 000045
【図４】
2021528672.tif 000046
【図５】
2021528672.tif 000047
【図６】
2021528672.tif 000048
【図７】
2021528672.tif 000049
【図８】
2021528672.tif 000050
【図９】
2021528672.tif 000051
【図１０】
2021528672.tif 000052
【図１１】
2021528672.tif 000053
【図１２】
2021528672.tif 000054
【国際調査報告】
2021528672.tif 000055
2021528672.tif 000056
2021528672.tif 000057
2021528672.tif 000058
2021528672.tif 000059
2021528672.tif 000060