(57)【要約】  本発明は、医療機器分野に関し、具体的に、網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング構造及びそのパッケージング方法であり、該パッケージング構造は、ガラス下地を加工してなる高密度の刺激電極アセンブリを含み、該刺激電極アセンブリは、ガラス下地、及び、ガラス下地上に設けられた幾つかの刺激電極とパッド構造とを含み、刺激電極は、金属上で金属柱をカットしてからガラスを流し込むように加工されたものであり、刺激電極アセンブリには、ＡＳＩＣチップが接続されており、ＡＳＩＣチップ上には、ガラスパッケージングカバーが被せられており、ガラスパッケージングカバー上には、刺激チップとの連通を実現するための金属フィードスルー構造が設けられており、パッケージングカバーは、前記パッド構造を被せてパッケージングしている。本発明におけるパッケージング構造では、下地及びパッケージングカバーは、いずれもガラス材質製であり、高密度の刺激電極アレイを製作することができる一方で、ガラスカバー上に金属フィードスルー構造が直接に採用されており、配線し易く、パッケージングカバーによるシーリング効果が良好である。【選択図】図１
2021510586.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング構造であって、刺激電極アセンブリを含み、前記刺激電極アセンブリは、ガラス下地を含み、前記ガラス下地上には、幾つかの刺激電極と、外部との信号接続を実現するためのパッド構造とが設けられており、前記刺激電極アセンブリには、ＡＳＩＣチップが接続されており、前記ＡＳＩＣチップ上には、パッケージングカバーが被せられており、前記パッケージングカバーは、ガラス材質製であり、前記パッケージングカバー上には、刺激電極アセンブリとの連通を実現するための金属フィードスルー構造が更に設けられており、前記パッケージングカバーによって、前記パッド構造とＡＳＩＣチップとがパッケージングされている
ことを特徴とする網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング構造。
【請求項２】
前記刺激電極アセンブリは、網膜を刺激する刺激部を有し、前記ガラス下地上のパッド構造は、前記刺激部と反対する面に設けられており、前記パッケージングカバー上の金属フィードスルー構造は、パッケージングカバーの頂部に設けられ、上から下に向かって前記ガラスを貫通して前記パッド構造にアライメントされている
ことを特徴とする請求項１に記載の網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング構造。
【請求項３】
前記パッド構造は複数であり、前記金属フィードスルー構造も複数である
ことを特徴とする請求項１に記載の網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング構造。
【請求項４】
前記パッケージングカバーとその中の金属フィードスルー構造とは、熱膨張係数がマッチングしている
ことを特徴とする請求項１に記載の網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング構造。
【請求項５】
前記ガラスカバー上の金属フィードスルー構造と、前記ガラス下地上のパッド構造とは、Ａｕ−Ａｕ接合又は半田付けによって互いに接続される
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング構造。
【請求項６】
前記ガラスカバーと前記ガラス下地とは、レーザー溶接によって互いにシーリングされる
ことを特徴とする請求項５に記載の網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング構造。
【請求項７】
前記パッケージングカバーにおける前記ガラス下地との接触面には、ＵＢＭ層が堆積されており、前記ガラス下地の周囲面における前記ガラスカバーとの接触部位にも、ＵＢＭ層が堆積されており、前記金属フィードスルー構造と前記パッド構造との接触部位の何れにも、ＵＢＭ層が堆積されており、前記ガラスカバーと前記ガラス下地の周囲とは、Ａｕ−Ａｕ接合によって互いに接続され、前記ガラスカバー上の金属フィードスルー構造と、前記ガラス下地上のパッド構造とも、Ａｕ−Ａｕ接合によって互いに接続される
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング構造。
【請求項８】
前記パッド構造と前記金属フィードスルー構造とは、信号接続線を介して互いに接続される
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング構造。
【請求項９】
網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング方法であって、
金属基板を用意し、金属基板に対して加工を行い、ガラス下地を備えた刺激電極アセンブリを形成し、該刺激電極アセンブリ上に複数の刺激電極と信号接続を実現するためのパッド構造とを加工し、ＡＳＩＣチップを刺激電極アセンブリに溶接するステップＳ１と、
金属フィードスルー構造付きのガラスカバーを加工するステップＳ２と、
ガラスカバーをガラス下地上に被せて、ガラスカバー上のフィードスルー構造がガラス下地上のパッド構造にアライメントされて接続が実現されるようにし、ガラスカバーの周囲とガラス下地とをシーリングして、ガラスカバーとガラス下地との接続及びパッケージングが実現されるようにするステップＳ３と、を含む
ことを特徴とする網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング方法。
【請求項１０】
前記ステップＳ１において、金属基板を加工する具体的な方法としては、
（１）：金属基板を用意し、金属基板上で幾つかの金属柱とパッド構造とをカットし、
（２）：カットされた金属柱へのガラス充填を行って、カットされた金属柱の全てがガラスで被覆されるようにし、
（３）：ガラスを溶融して流し込まれた金属基板の両面薄化を行って、金属基板のカット面のガラス被覆層を、金属柱が露出するまで薄化し、金属基板のもう一面の金属基板を、充填されたガラスの下地面が完全に露出するまで薄化し、
（４）：何れか一面に対して加工を行い、ガラス下地における金属柱によってガラス面に刺激部が形成されるようにし、全体として、ガラス下地を備えた刺激電極を形成する
ことを特徴とする請求項９に記載の網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング方法。
【請求項１１】
前記ステップＳ２において、ガラス材料に対して加工を行い、キャビティを備えたガラスカバーを形成してから、金属フィードスルー構造をガラスカバーに嵌め込む
ことを特徴とする請求項９に記載の網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング方法。
【請求項１２】
前記ステップＳ２において、金属フィードスルー構造付きのガラスカバーを加工する方法としては、
（１）：金属基板を用意し、金属基板のカットを行って金属柱を形成し、
（２）：カットされた金属柱へのガラス充填を行い、
（３）：ガラスが充填された金属基板に対して加工を行い、金属面を薄化して除去し、金属フィードスルー構造付きのガラス構造を形成し、このガラス構造に対して加工を行い、凹状キャビティを備えたガラスカバーを形成する
ことを特徴とする請求項９に記載の網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング方法。
【請求項１３】
前記ステップＳ３において、ガラスカバーとガラス下地との接続及びパッケージングの具体的なプロセスとしては、
（１）：ガラスカバーにおける前記ガラス下地との接触面には、ＵＢＭ層を堆積し、前記ガラス下地の周囲面における前記ガラスカバーとの接触部位にも、ＵＢＭ層を堆積し、
（２）：前記スルー構造と前記パッド構造との接触部位には、ＵＢＭ層を堆積し、
（３）：ガラスカバーをガラス下地上に正確に載せて、ガラス下地上のパッド構造及びＡＳＩＣチップの両方がパッケージングされるようにするとともに、ガラスカバー上の金属フィードスルー構造がガラス下地上のパッド構造にアライメントされ、ガラスカバーの周囲とガラス下地とが密着されるようにし、
（４）：ガラスカバーの周囲とガラス下地とが接触する箇所に対してＡｕ−Ａｕ熱圧接合を行い、ガラスカバーの金属フィードスルー構造とパッド構造とが接触する箇所に対してＡｕ−Ａｕ熱圧接合を行う
ことを特徴とする請求項９に記載の網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング方法。
【請求項１４】
前記ステップＳ３において、具体的なパッケージングプロセスとしては、
（１）：ガラスカバーをガラス下地上に載せて、ガラス下地上のパッド構造及びＡＳＩＣチップの両方がパッケージングされるようにし、ガラスカバー上の金属フィードスルー構造をガラス下地上のパッド構造にアライメントさせ、Ａｕ−Ａｕ接合、半田付け、又はレーザー溶接によって、金属フィードスルー構造とパッド構造との接続を実現し、
（２）：ガラスカバーの周囲とガラス下地とを密着させて、ガラスカバーの周囲とガラス下地とが接触する箇所に対してレーザー溶接を行う
ことを特徴とする請求項９に記載の網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療機器分野に関し、具体的に、網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング構造及びそのパッケージング方法である。
【背景技術】
【０００２】
埋込型神経刺激器は、医学で幅広く利用されており、マイクロ電極刺激器は、神経疾患の治療の重要な器具として、人々からますます広く注目を集め、今は、重要な研究方向になっている。
【０００３】
現在、網膜プロテーゼの刺激電極のほとんどは、フレキシブルＭＥＭＳによるマイクロ電極であり、このようなマイクロ電極は、複数本の接続線を介して眼球外壁のパッケージに接続され、眼球内部の刺激電極にチップを接続する必要がないため、非常に厳格な気密パッケージングを要せずに、表面をシリカゲルで包むだけで済む。
【０００４】
網膜プロテーゼの性能を向上させるため、一部の研究方向としては、刺激電極の密度を増やして、その刺激効果を向上させることがある。刺激電極の密度が高くなると、刺激電極の数が増え、接続線の数が非常に多くなるため、接続が不便となり、手術創傷が大きくなってしまう。この問題を解決するため、我々の研究方向は、眼球内部の刺激電極にＡＳＩＣチップを設けることである。
【０００５】
このようなマイクロ電極にＡＳＩＣチップをフリップチップ接続する必要のある網膜刺激電極の場合は、チップが人体の体液環境による腐食を受けないようにする一方で、パッケージ内の物質が人体の組織に悪影響を及ぼすことを防止するために、チップを気密パッケージングしなければならない。
【０００６】
しかし、如何にしてそのシーリング効果を保証して、そのシーリング信頼性を向上させるかは、非常に大きな難題である。
【発明の概要】
【０００７】
上述したチップのパッケージング信頼性を向上させるために、本発明は、網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング構造を提供している。詳しくは、以下の通りである。
【０００８】
網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング構造であって、刺激電極アセンブリを含み、前記刺激電極アセンブリは、ガラス下地を含み、前記ガラス下地上には、幾つかの刺激電極と、外部との信号接続を実現するためのパッド構造とが設けられており、前記刺激電極アセンブリには、ＡＳＩＣチップが接続されており、前記ＡＳＩＣチップ上には、パッケージングカバーが被せられており、前記パッケージングカバーは、ガラス材質製であり、前記パッケージングカバー上には、刺激電極アセンブリとの連通を実現するための金属フィードスルー構造が更に設けられており、前記パッケージングカバーによって、前記パッド構造とＡＳＩＣチップとがパッケージングされている。本発明において、刺激電極の下地はガラス下地であり、ガラス材質の下地を用いることにより、その上に高密度の刺激電極を加工することができ、パッケージングカバーが緊密にガラス材質の下地上にパッケージングされることを保証するために、パッケージングカバーもガラス材質製であり、ガラスカバーによって、ＡＳＩＣチップ及びパッド構造の両方がパッケージングされ、直接にガラスカバー上の金属フィードスルー構造とパッド構造との接続を介して信号接続が実現されており、パッケージの内部から接続線を引き出す必要がなく、シーリング効果が良好である。
【０００９】
好ましくは、前記刺激電極アセンブリは、網膜を刺激する刺激部を有し、前記ガラス下地上のパッド構造は、前記刺激部と反対する面に設けられており、前記パッケージングカバー上の金属フィードスルー構造は、パッケージングカバーの頂部に設けられ、上から下に向かって前記ガラスを貫通して前記パッド構造にアライメントされている。パッド構造は、外部との信号接続を実現するためのものであり、刺激電極における刺激部と同一側に付けられると、パッケージング中に刺激部への干渉を引き起こしやすいため、本発明において、ガラス下地上のパッド構造は、前記刺激部と反対する面に設けられている。
【００１０】
好ましくは、前記パッド構造は複数であり、前記金属フィードスルー構造も複数である。
【００１１】
好ましくは、前記パッケージングカバーとその中の金属フィードスルー構造とは、熱膨張係数がマッチングしている。
【００１２】
好ましくは、前記ガラスカバーと前記ガラス下地とは、レーザー溶接によって互いにシーリングされる。
【００１３】
好ましくは、前記パッケージングカバーの内側における前記ガラス下地との接触面には、ＵＢＭ層が堆積されており、前記ガラス下地の周囲面における前記ガラスカバーとの接触部位にも、ＵＢＭ層が堆積されており、前記金属フィードスルー構造と前記パッド構造との接触部位の何れにも、ＵＢＭ層が堆積されており、前記ガラスカバーと前記ガラス下地の周囲とは、Ａｕ−Ａｕ接合によって互いに接続され、前記ガラスカバー上の金属フィードスルー構造と、前記ガラス下地上のパッド構造とも、Ａｕ−Ａｕ接合によって互いに接続される。
【００１４】
好ましくは、前記ガラスカバーと前記ガラス下地とは、レーザー溶接によって互いにシーリングされ、前記ガラスカバー上の金属フィードスルー構造と、前記ガラス下地上のパッド構造とは、Ａｕ−Ａｕ接合、半田付け、又はレーザー溶接によって互いに接続される。
【００１５】
好ましくは、前記パッド構造と前記金属フィードスルー構造とは、信号接続線を介して互いに接続される。
【００１６】
本発明は、網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング方法を更に提供しており、このパッケージング方法は、
金属基板を用意し、金属基板に対して加工を行い、ガラス下地を備えた刺激電極アセンブリを形成し、該刺激電極アセンブリ上に複数の刺激電極と信号接続を実現するためのパッド構造とを加工し、ＡＳＩＣチップを刺激電極アセンブリに溶接するステップＳ１と、
金属フィードスルー付きのガラスカバーを加工するステップＳ２と、
ガラスカバーをガラス下地上に被せて、ガラスカバー上の金属フィードスルー構造がガラス下地上のパッド構造にアライメントされて接続が実現されるようにし、ガラスカバーの周囲とガラス下地とをシーリングして、ガラスカバーとガラス下地との接続及びパッケージングが実現されるようにするステップＳ３と、を含む。
【００１７】
好ましくは、前記ステップ１Ｓにおいて、金属基板を加工する具体的な方法としては、
（１）：金属基板を用意し、金属基板上で幾つかの金属柱とパッド構造とをカットし、
（２）：カットされた金属柱へのガラス充填を行って、カットされた金属柱の全てがガラスで被覆されるようにし、
（３）：ガラスを溶融して充填された金属基板の両面薄化を行って、金属基板のカット切り面のガラス被覆層を、金属柱が露出するまで薄化し、金属基板のもう一面の金属基板を、充填されたガラスの下地面が完全に露出するまで薄化して除去し、
（４）：何れか一面に対して加工を行い、ガラス下地における金属柱をガラス面から突出させて刺激部を形成し、全体として、ガラス下地を備えた刺激電極を形成する。
【００１８】
好ましくは、前記ステップＳ２において、ガラス材料を用いて加工を行い、キャビティを備えたガラスカバーを形成してから、金属フィードスルー構造をガラスカバーに嵌め込む。
【００１９】
好ましくは、前記ステップＳ２において、金属フィードスルー付きのガラスカバーを加工する方法としては、
（１）：金属基板を用意し、金属基板のカットを行って金属柱を形成し、
（２）：カットされた金属柱へのガラス充填を行い、
（３）：ガラスが充填された金属基板に対して加工を行い、金属面を薄化して除去し、金属フィードスルー付きのガラス構造を形成し、このガラス構造に対して加工を行い、凹状キャビティを備えたガラスカバーを形成する。
【００２０】
好ましくは、前記ステップＳ３において、具体的なパッケージングプロセスとしては、
（１）：ガラスカバーにおける前記ガラス下地との接触面には、ＵＢＭ層を堆積し、前記ガラス下地の周囲面における前記ガラスカバーとの接触部位にも、ＵＢＭ層を堆積し、
（２）：前記フィードスルー構造と前記パッド構造との接触部位には、ＵＢＭ層を堆積し、
（３）：ガラスカバーをガラス下地上に正確に載せて、ガラス下地上のパッド構造及びＡＳＩＣチップの両方がパッケージングされるようにするとともに、ガラスカバー上の金属フィードスルー構造がガラス下地上のパッド構造にアライメントされ、ガラスカバーの周囲とガラス下地とが密着されるようにし、
（４）：ガラスカバーの周囲とガラス下地とが接触する箇所に対してＡｕ−Ａｕ熱圧接合を行い、ガラスカバーの金属フィードスルー構造とパッド構造とが接触する箇所に対してＡｕ−Ａｕ熱圧接合を行う。
【００２１】
好ましくは、前記ステップＳ３において、具体的なパッケージングプロセスとしては、
（１）：ガラスカバーをガラス下地上に載せて、ガラス下地上のパッド構造及びＡＳＩＣチップの両方がパッケージングされるようにし、ガラスカバー上の金属フィードスルー構造をガラス下地上のパッド構造にアライメントさせ、Ａｕ−Ａｕ接合、半田付け、又はレーザー溶接によって、金属フィードスルー構造とパッド構造との接続を実現し、
（２）：ガラスカバーの周囲とガラス下地とを密着させて、ガラスカバーの周囲とガラス下地とが接触する箇所に対してレーザー溶接を行う。
【００２２】
本発明の有益な効果は、以下の通りである。
１、刺激電極の下地及びパッケージングカバーは、いずれもガラス材料製であり、チップをパッケージングする際、ガラスカバーによって、ガラス下地上のパッド構造もパッケージングされることになり、パッド構造が外に露出されて溶接時に気密性の問題が発生しやすいという欠陥を回避した。
２、ガラスカバー上に金属フィードスルー構造が設けられており、金属フィードスルー構造が直接にガラス下地上のパッド構造と接して信号連通が実現され、簡便に信号接続を実現でき、気密性の問題の発生を回避した。
３、気密パッケージング中では、Ａｕ−Ａｕ熱圧接合を用いてパッド構造とガラスカバー上のフィードスルー構造とを接続しており、Ａｕ−Ａｕ熱圧接合によれば、低温で接続を実現でき、高温によるチップへの影響を回避した。
４、ガラス充填の方法を用いて刺激電極部品を加工しており、高密度の刺激電極アセンブリが実現された。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明における刺激電極アセンブリの構造模式図である。
【図２】金属柱付きのガラス下地の加工の構造模式図である。
【図３】本発明に係るパッケージの実施例一の構造模式図である。
【図４】本発明に係るパッケージの実施例二の構造模式図である。
【図５】本発明に係るパッケージの実施例三の構造模式図である。
【図６】本発明におけるパッケージングのフロー模式図である。
【図７】本発明におけるガラス下地付きの刺激電極の加工のフロー模式図である。
【図８】本発明におけるガラス下地付きの刺激電極の加工の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明に対するさらなる理解を容易にするために、以下、図面を参照して更に説明する。
【００２５】
本発明は、先ず、網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング構造を開示しており、このパッケージング構造は、刺激電極アセンブリ１を含み、該刺激電極アセンブリ１は、ガラス下地３を含み、ガラス下地３上には、幾つかの刺激電極４と、外部との信号接続を実現するためのパッド構造５とが設けられており、該刺激電極アセンブリ１は、金属基板のカットを行ってからガラスを流し込むことで作られたものであり、高密度の刺激電極を製作することができる。刺激電極アセンブリには、ＡＳＩＣチップ６が更に接続されており、該ＡＳＩＣチップ６は、フリップチップ溶接を介して刺激電極と互いに接続され、ＡＳＩＣチップには、少数の信号伝送総合制御点があり、これらの伝送総合制御点は、少数の接続線を介して眼球外部の通信アセンブリと信号相互接続を行うようにしており、中間接続線の数が大幅に削減された。該ＡＳＩＣチップ６は、人体の眼球内部に埋め込まれるもので、体液の侵食によるチップの損壊を回避するために、ＡＳＩＣチップ６上にパッケージングカバー２が被せられており、パッケージングカバー２上には、刺激電極アセンブリ１との信号連通を実現するための金属フィードスルー構造７が更に設けられており、該パッケージングカバー２によって、前記パッド構造５及びＡＳＩＣチップ６がパッケージングされる。パッケージングの気密性を保証するために、パッケージングカバーもガラス材質製であり、ガラスカバーによって、ＡＳＩＣチップ６及びパッド構造５の両方がパッケージングされ、直接にガラスカバー２上の金属フィードスルー構造７とパッド構造５との接続を介して信号接続が実現されており、パッケージの内部から接続線を引き出す必要がなく、シーリング効果が良好である。
【００２６】
ガラス下地３上のパッド構造５は、刺激部４１と反対する面に設けられ、パッケージングカバー２上の金属フィードスルー構造７は、パッケージングカバー２の頂部に設けられ、上から下に向かって前記ガラスを貫通して前記パッド構造５にアライメントされている。パッド構造５は、外部との信号接続を実現するためのもので、刺激電極４における刺激部４１と同一側に付けられると、それに起因して、刺激部と網膜との貼り合わせへの信号接続線による影響をもたらし、刺激効果に影響を与えるため、本発明において、ガラス下地上のパッド構造は、前記刺激部と反対する面に設けられている。
【００２７】
溶接又は加工中に熱を受けることによる金属フィードスルー構造及びガラスパッケージングカバーの膨張および収縮に起因して隙間が生じてしまうのを回避するために、一般的に、ガラスパッケージングカバー２とその中の金属フィードスルー構造７とは、熱膨張係数がマッチングしている。
【００２８】
ガラスカバー２をガラス下地３上に被せて、ガラスカバーによるガラス下地の効果的なパッケージングを達成するために、パッド構造と金属フィードスルー構造との接続、及び、ガラスカバーとガラス下地とのシーリングは、両方ともＡｕ−Ａｕ接合によって実現されてもよい。具体的に、以下の通りである。
パッケージングカバー２の内側におけるガラス下地３との接触面には、ＵＢＭ層が堆積されており、ガラス下地の周囲面におけるガラスカバーとの接触部位にも、ＵＢＭ層が堆積されており、金属フィードスルー構造とパッド構造との接触部位のいずれにも、ＵＢＭ層が堆積されており、ガラスカバーとガラス下地の周囲とは、Ａｕ−Ａｕ接合によって互いに接続され、ガラスカバー上の金属フィードスルー構造と、前記ガラス下地上のパッド構造も、Ａｕ−Ａｕ接合によって互いに接続される。
【００２９】
また、レーザー溶接によって、ガラスカバー２とガラス下地３とがシーリングされ、ガラスカバー上の金属フィードスルー構造７とガラス下地３上のパッド構造５とがＡｕ−Ａｕ接合、半田付け、又はレーザー溶接等によって互いに接続されるようにしてもよい。
【００３０】
本発明は、網膜プロテーゼ埋込チップのパッケージング方法を更に提供しており、このパッケージング方法は、
金属基板を用意し、金属基板に対して加工を行い、ガラス下地を備えた刺激電極アセンブリであって、複数の刺激電極と信号接続を実現するためのパッド構造とを含む刺激電極アセンブリを形成し、ＡＳＩＣチップを刺激電極アセンブリに溶接するステップＳ１と、
金属フィードスルー付きのガラスカバーを加工するステップＳ２と、
ガラスカバーをガラス下地上に被せて、ガラスカバー上の金属フィードスルー構造がガラス下地上のパッド構造にアライメントされて接続が実現されるようにし、ガラスカバーの周囲とガラス下地とをシーリングして、ガラスカバーとガラス下地との接続及びパッケージングが実現されるようにするステップＳ３と、を含む。
【００３１】
上記の加工方法において、第一ステップにおける金属基板の加工方法は、具体的には、以下の通りである。
（１）：金属基板を用意し、金属基板上で金属柱を幾つかカットする。
そのカット方式としては、レーザーを用いてカットしてもよいし、機械を用いてカットしてもよく、カットされた金属柱は、アレイ配列をなし、一般的に、金属柱のカットと同時にパッド構造もカットされる。
（２）：カットされた金属柱に対してガラスの溶融及び流込を行い、溶融されたガラスを金属柱上に流し込んで、カットされた金属柱の全てがガラスで被覆されるようにする。
（３）：ガラス流込層の冷却成型後、ガラスを溶融して流し込まれた金属基板の両面薄化を行って、金属基板のカット面のガラス被覆層を、金属柱が露出するまで薄化し、金属基板のもう一面の金属基板を、流れ込んだガラスの下地面が完全に露出するまで薄化して除去する。こうすれば、金属層が完全に除去され、ガラス下地を備え、且つその上に複数の刺激電極が一体成型された神経刺激器を残すことができる。
（４）：上述したステップが完了した後、何れか一面を更に加工して、カットという方法で、その一面の金属柱の周囲のガラス下地を除去し、ガラス下地における金属柱をガラス面から突出させて刺激部を形成し、全体として、ガラス下地を備えた刺激電極を形成する。
【００３２】
該神経刺激器を人体の組織内部に埋め込む必要があるため、その使用される材料の生体適合性への要求が高い。従って、金属柱及びパッド構造が加工される金属基板は、一般的に、チタン、プラチナ、イリジウム、タンタル、金、又はその合金等の生体適合性を備えた金属材料製である。
【００３３】
該金属基板の厚さは、一般的に０．３ｍｍ〜１．５ｍｍである。こうすれば、カットされた金属柱の長さを保証するとともに後続の両面薄化中でも、金属層が厚すぎることに起因した加工効率の低下が生じない。一方で、ガラス下地の厚さ及び刺激部の刺激長さを保証するために、カットされた金属柱の深さは、一般的に１５０μｍ〜１０００μｍであり、カットされた金属柱の直径又は辺の長さは、５０μｍ〜１５０μｍであるが、その具体的な数値は、実際のニーズに応じて変更可能である。
【００３４】
後続の操作では、該神経刺激器に対して信号接続又はチップの溶接を行う必要があるため、下地全体は、頻繁に熱を受けることになり、その温度上昇に起因してガラス下地とその中の金属柱との間に隙間を形成してしまうのを回避するために、該溶融して流れ込んだガラスの熱膨張係数は、前記金属基板の熱膨張係数とマッチングする。
【００３５】
上記の加工方法において、第二ステップにおける金属フィードスルー構造付きのガラスカバーの加工方法は、以下の通りである。
ガラス材料を用いてカットし、キャビティを備えたガラスカバーを形成してから、金属フィードスルー構造をガラスカバーに嵌め込む。
【００３６】
また、以下の方法を採用してもよい。
（１）：金属基板を用意し、金属基板のカットを行って金属柱を形成する。
（２）：カットされた金属柱に対してガラスの溶融及び流込を行う。
（３）：溶融及び流込後の金属基板に対して加工を行い、金属面を薄化して除去し、金属フィードスルー付きのガラス構造を形成し、このガラス構造のカットを行って凹状キャビティを備えたガラスカバーを形成する。
【００３７】
上記の加工方法において、ステップ３における具体的なパッケージング方法は、以下の通りである。
【００３８】
実施例一
（１）：ガラスカバーにおけるガラス下地との接触面には、ＵＢＭ層を堆積し、ガラス下地の周囲面における前記ガラスカバーとの接触部位にも、ＵＢＭ層を堆積する。
（２）：金属フィードスルー構造とパッド構造との接触部位には、ＵＢＭ層を堆積する。
（３）：ガラスカバーをガラス下地上に正確に載せて、ガラス下地上のパッド構造及びＡＳＩＣチップの両方がパッケージングされるようにするとともに、ガラスカバー上の金属フィードスルー構造がガラス下地上のパッド構造にアライメントされ、ガラスカバーの周囲とガラス下地とが密着されるようにする。
（４）：ガラスカバーの周囲とガラス下地とが接触する箇所に対してＡｕ−Ａｕ熱圧接合を行い、ガラスカバーの金属フィードスルー構造とパッド構造とが接触する箇所に対してＡｕ−Ａｕ熱圧接合を行う。
この場合、ガラスカバー上の金属フィードスルー構造は、Ａｕ−Ａｕ熱圧接合によって、パッド構造との信号接続が実現され、ガラスカバーの周囲も、Ａｕ−Ａｕ熱圧接合によって、金属下地とのシーリングが実現され、熱圧接合温度は、温度が高すぎることによるチップへの損傷を引き起こさないように、一般的に１５０℃〜４００℃とされる。
【００３９】
実施例二
（１）：ガラスカバーをガラス下地上に載せて、ガラス下地上のパッド構造及びＡＳＩＣチップの両方がパッケージングされるようにし、ガラスカバー上の金属フィードスルー構造をガラス下地上のパッド構造にアライメントさせ、Ａｕ−Ａｕ接合、半田付け、又はレーザー溶接によって、金属フィードスルー構造とパッド構造との接続を実現する。
（２）：ガラスカバーの周囲とガラス下地とを密着させて、ガラスカバーの周囲とガラス下地とが接触する箇所に対してレーザー溶接を行う。
この場合、レーザー溶接によって、ガラスカバーとガラス下地とが互いにシーリングされ、ガラスカバー上の金属フィードスルー構造とガラス下地上のパッド構造とは、Ａｕ−Ａｕ接合、半田付け、又はレーザー溶接等によって互いに接続される。
【００４０】
実施例三
ガラスカバーとガラス下地とをレーザー溶接又は他の溶接によってシーリングして、ガラスカバー上の金属フィードスルー構造と下地上のパッド構造とを信号接続線を介して接続する。
【００４１】
上記の実施例は、本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明を制限するものではなく、本発明の精神及び原則内で行われた如何なる修正、同等的置換、改良等も、全て本発明の保護範囲内に含まれることが留意されたい。
【符号の説明】
【００４２】
１  刺激電極アセンブリ
２  パッケージングカバー
３  ガラス下地
４  刺激電極
４１  刺激部
５  パッド構造
６  ＡＳＩＣチップ
７  金属フィードスルー構造
８  ＵＢＭ堆積層
【図１】
2021510586.tif 000003
【図２】
2021510586.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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