(57)【要約】  基板がたわんだり曲がったりしないように基板を均等に保持することによって、ウェーハの曲率、ｚ高さ値、及び他の表面特性のような基板の正確な形状測定を可能にする装置及び方法。技術は、基板の支持面として液体を使用することによって均等な支持を実現することを含む。使用される液体は、基板が液体に沈むことなく浮くことが可能なように、支持される基板の比重と同じ比重を有する。基板を均等に支持することにより、正確なメトロロジが可能になる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する装置であって、
液体を保持するように構成された容器であって、前記容器の上部開口は、前記容器が前記液体を保持しているときに、前記液体の上面が、前記液体の上面への基板設置、並びに前記液体の上面からの基板除去に利用しやすいように規定されている、前記容器と、
前記液体の上面への基板の設置、及び前記液体の上面からの前記基板の除去を行うように構成された基板ハンドリング機構と、
前記基板が前記液体の上面に載っているときに前記基板の動きを抑えるように構成された基板保持機構と、
を含む装置。
【請求項２】
前記液体の上面に配置された膜であって、前記膜は前記基板を前記液体から隔てており、それによって、前記基板ハンドリング機構が、前記膜の上に前記基板を設置することと、前記膜から前記基板を除去することと、を行うように構成されている、前記膜を更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記膜は、前記基板の一部が前記液体中に沈むことが可能なように十分可撓であるように構成されている、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記膜は、前記液体の上面と前記基板の上面とが互いに同じ高さにあることが可能なように、十分可撓である、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記液体は、比重が前記基板の比重と釣り合うように選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記基板保持機構は、前記基板が前記液体に載っている間に前記基板の底面に取り付けられるように構成された真空チャックを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記液体に接触している前記基板の表面積のうち、前記真空チャックが接触する面積は１０パーセント未満である、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記基板保持機構は外周部支持物を含み、前記外周部支持物は、前記基板の外周部において前記基板に接触し、前記基板が前記液体に載っている間に前記液体に対する横方向の動きを抑える、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記基板が前記液体の上面で保持されている間に前記基板の表側表面の形状を測定するように構成された測定装置を更に含み、前記基板の裏側表面が前記表側表面の反対側である、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
基板を保持する装置であって、
液体を保持するように構成された容器であって、前記容器の上部開口は、前記容器が前記液体を保持しているときに、前記液体の上面が、基板設置及び基板除去に利用しやすいように規定されている、前記容器と、
前記容器内に配置されて、前記容器が前記液体を保持しているときに、前記液体と接触するように構成されている膜と、
前記膜の上に基板を設置することと、前記膜から前記基板を除去するように構成された基板ハンドリング機構であって、前記膜は、前記基板の少なくとも一部が前記液体中に沈むことが可能なように十分可撓である、前記基板ハンドリング機構と、
前記基板が前記膜に載っていて前記液体で支持されているときに前記基板の動きを抑えるように構成されている基板保持機構と、
を含む装置。
【請求項１１】
前記液体は、比重が前記基板の比重以上であるように選択される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記基板保持機構は、前記基板が前記液体に載っている間に前記基板の底面に取り付けられるように構成された真空チャックを含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記基板保持機構は、前記基板の外周部で前記基板に接触して、前記基板が前記膜に載っている間に前記膜に対する横方向の動きを抑える外周部支持物を含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記基板が前記膜の上で保持されている間に前記基板の表側表面の曲率を測定するように構成された測定装置を更に含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
前記基板が前記膜の上で保持されている間に前記基板の表面の各座標位置におけるｚ高さ値を測定するように構成された測定装置を更に含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１６】
基板を保持する方法であって、
容器内に第１の液体を用意するステップであって、前記容器の開口は、基板を受けるのに十分な大きさに規定されている、前記用意するステップと、
前記容器内に膜を配置して、前記膜が前記第１の液体の上面と接触するようにするステップと、
前記容器内の前記膜の上に前記基板を配置するステップであって、前記膜は、前記基板の少なくとも一部が前記第１の液体に沈むことが可能なように、十分可撓であるように選択される、前記配置するステップと、
前記基板の表面測定のために、前記基板が前記第１の液体で支持されている間に前記基板を固定して前記基板の横方向の動きを抑えるステップと、
を含む方法。
【請求項１７】
前記容器内に前記第１の液体を用意する前記ステップは、比重が前記基板の比重と釣り合う前記第１の液体を選択することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記容器内に前記第１の液体を用意する前記ステップは、比重が前記基板の比重以上である前記第１の液体を選択することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記容器内の前記第１の液体に第２の液体を添加するステップであって、前記第２の液体は前記第１の液体の粘度を高める、前記添加するステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記基板を固定する前記ステップは、前記基板の底面に取り付けられた真空チャックを使用することを含み、前記基板の底面の表面積のうち、前記真空チャックが接触する面積は１０パーセント未満である、請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、参照により完全な形で本明細書に組み込まれている、２０１８年３月１９日に出願された米国仮特許出願第６２／６４５，１２８号、題名「Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｈｏｌｄｉｎｇ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  Ｓｈａｐｅ  Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ」の利益を主張するものである。
【０００２】
本発明は、様々な処理及びメトロロジ技術のためにウェーハ等の基板を保持することに関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体ウェーハの処理は多様なステップを含む。これらは、ウェーハのコーディング、化学線のパターンに対するウェーハの露光、材料のエッチング、材料の蒸着、ウェーハ表面のクリーニング、構造の計測、電気試験、及びパッケージングを含んでよい。各プロセスステップは、典型的には、所与のプロセスの間はウェーハが確実又は十分に保持されることを必要とする。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
半導体の製造工程では、通常、超微細加工及び実装のプロセス制御を向上させるためにウェーハの様々な測定が実施される。従来式のメトロロジ技術は、限界寸法（ＣＤ）偏差、膜厚、人為的付着物等のような基板の特性を測定することを含む。新たに出現したメトロロジ及びプロセス制御技術は、ウェーハの湾曲又は曲率を修正することを含む。しかしながら、曲率をナノメートルスケールで正確に測定することは困難である。これは、従来式の基盤保持機構において、ある程度の湾曲が発生するか又は発生する可能性があるためである。
【０００５】
本明細書に記載の技術は、ウェーハの曲率、ｚ高さ値、及び他の表面特性等の形状測定を正確に行うことを可能にするために、基板を湾曲させずに均等に保持する装置及び方法を提供する。技術は、基板に対する支持面として液体を使用して均等な支持を実現することを含む。従来式の基板支持物は、真空チャック又はエッジ支持物を使用する。そのような支持物は、クリーニングやエッチングのような幾つかの処理には適切でありうるが、所与の基板が重力で曲がって形状測定が困難になる可能性がある。支持される所与の基板の比重と同じ比重を有する液体を選択することにより、その所与の基板は液体に沈まずに浮くことが可能である。本明細書に記載のそのような保持機構はメトロロジの精度を高める。
【０００６】
もちろん、本明細書で説明されるような異なるステップの議論の順序は、明確にするために提示されている。一般に、これらのステップは、任意の適切な順序で実行できる。加えて、本明細書の異なる特徴、技術、構成などのそれぞれは、本開示の異なる場所で議論され得るが、概念のそれぞれは、互いに独立して、又は互いと組み合わせて実行され得ることが意図される。従って、本発明は、多くの異なる方法で具現化及び検討することができる。
【０００７】
この要約セクションは、本開示又は特許請求される発明の全ての実施形態、及び／又は漸増的に新規な態様を指定するものではないことに留意されたい。代わりに、この要約は、異なる実施形態、及び従来の技術に対する新規性の対応するポイントの予備的な議論のみを提供する。本発明及び実施形態の更なる詳細及び／又は可能な展望については、この後に詳述されている、本開示の「発明を実施するための形態」セクション及び対応図面を参照されたい。
【０００８】
以下の詳細説明を参照し、添付図面と併せて検討することにより、本発明の様々な実施形態のより完全な評価、並びにそれらに付随する利点の多くが容易に明らかになるであろう。図面は必ずしも正確な縮尺ではなく、その代わりに特徴、原理及び概念の説明に重点が置かれている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本明細書に開示の実施形態による基板保持装置の、基板を受ける前の断面図である。
【図２】本明細書に開示の実施形態による基板保持装置の、基板を保持している状態での断面図である。
【図３】本明細書に開示の実施形態による基板保持装置の、基板を保持している状態での断面図である。
【図４】本明細書に開示の実施形態による基板保持装置の、基板を受ける前の断面図である。
【図５】本明細書に開示の実施形態による基板保持装置の、基板を保持している状態での断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本明細書に記載の技術は、ウェーハの曲率、ｚ高さ値、及び他の表面特性等の形状測定を正確に行うことを可能にするために、基板を湾曲させずに均等に保持する装置及び方法を提供する。技術は、基板に対する支持面として液体を使用することを含む。この液体は均等な支持を実現する。
【００１１】
従来式の基板支持物は、典型的には、真空チャック又はエッジ支持物を使用する。そのような支持物はクリーニングやエッチングのような幾つかの処理には適切でありうるが、このような従来式の支持物は、所与の基板が重力で曲がって形状測定が困難になる可能性がある。例えば、基板（例えば、円形ウェーハ）が比較的小さい真空チャックで支持される場合は、重力で引っ張られて曲がりが発生する可能性がある。例えば、所与の真空チャックが基板の裏面の中央部分に取り付けられる場合がある。この所与の真空チャックが接触するのは、基板の表面積の約２０％未満である場合がある。中央が支持されていて、エッジが支持されていない場合、重力が原因でウェーハのエッジが反る可能性がある。言い換えると、基板自体の重量が原因で曲がりが発生して、エッジが下方に曲がる可能性がある。実際には、そのような曲がりは人間の眼では気付きにくい場合があるが、顕微鏡スケールでは、そのような曲がりは、値が数百ナノメートル、数十ナノメートル、更には数ナノメートルであるような特性を測定しようとすると無視できない可能性がある。
【００１２】
曲がりは、エッジで支持されている基板でも発生する。その場合も、基板が比較的薄ければ、基板の周辺部分で保持された場合に基板自体の重量が原因で曲がりが発生する可能性がある。このとき、基板の中央部分が下向きに反る可能性がある。
【００１３】
従って、基板の曲がりは、様々なサイズの真空チャックにおいて発生する可能性がある。この問題に対処するための１つの選択肢は、チャックを小さくすること、又は保持力を弱くすることである。残念なことに、チャックを小さくするか又は保持力を弱くすると、ウェーハ形状が変化したり、基板の動きによる位置の変化が可能になったりする可能性がある。
【００１４】
本明細書に記載の技術は、重力によるサグが発生しない均等な基板支持を実現することによって、基板表面の正確な測定を可能にする。本明細書に記載の技術は、液体を使用して所与の基板を支持することを含む。液体は、容器又はたらいに収容されてよい。支持されるべき特定の基板の比重と釣り合う液体が選択されることが好ましい。基板と液体の比重が釣り合うことは、基板が液体中に部分的に沈みながらも液体上に浮いていることが可能なことを意味する。任意の様々な液体が選択されてよい。例えば、ジブロモメタンやその誘導体のような重油が使用されてよい。半導体基板（ウェーハ）を支持する場合、そのような油は比重がシリコンと同等であってよい。液体の他の例として、所望の比重を実現するための、臭化亜鉛又は他の添加物を含有する塩水があってよい。適切な液体の選択によって、又は、グリセロールのような、粘度を高める添加物を含有することによって、粘度が比較的高くなるように所与の液体が選択されてよい。当然のことながら、所望の比重の液体が得られるように、様々なタイプの液体が選択されてよく、様々な添加物が含有されてよい。
【００１５】
比重が釣り合う液体を支持に使用することにより、基板の裏面が均等に支持されるが、それでも基板の動きが発生する可能性がある。（例えば、流体の動きに起因する）基板のそれ以上の動きを阻止することにより、測定精度を高めることが可能である。そのような追加固定機構は、ウェーハの変形を最小化するために比較的小さい真空チャックを使用することを含んでよい。それらが軽量であることにより、半導体ウェーハに対する所与の保持力を最小化することが可能である。別の機構は、主に基板が液体によって均等に支持されている間の基板の横方向の動きを抑えるエッジ支持物を含む。
【００１６】
幾つかの実施形態では、基板を液体から隔てるために比較的薄い膜が使用されてよい。そのような実施形態では、基板は膜に載っており、その膜は液体に載っている。膜は可撓であって薄いように選択されてよく、これは、基板を支持するものがやはり液体であって、膜は、基板が濡れるのを防ぐために液体を基板から隔てるものに過ぎないようにするためである。膜が十分に薄く、且つ／又は可撓であれば、基板は、上面が液体の上面と同じ高さになるまで、部分的に液体中に沈むことが可能である。
【００１７】
ここで図１を参照すると、一実施形態は、基板（例えば、ウェーハ）を保持する装置１００を含む。装置１００は、液体１１５を保持するように構成された容器１１０を含む。容器１１０の上部開口は、容器が液体を保持しているときに、液体上面が、液体上面への基板設置、並びに液体上面からの基板除去に利用しやすいように規定されている。容器は、液体を保持するように構成された任意のタイプのたらい又は桶であってよい。装置１００は、基板の設置及び取り出しのための側部開口（図示せず）を有する上部エンクロージャを有してよい。様々なフォームファクタが作成可能である。本装置は、液体１１５の上面への基板１０５の設置、及び液体上面からの基板の除去を行うように構成された基板ハンドリング機構１４０を含む。基板ハンドリング機構１４０は、様々なハンドリングアーム及びハンドリング機構を使用して実施されてよい。
【００１８】
次に図２及び３を参照すると、基板１０５が液体１１５の上面に載っているときに基板１０５の動きを抑えるように、基板保持機構が構成されてよい。そのような基板保持機構は、真空チャック１２０及び／又はエッジ支持物１２２であってよい。基板１０５は基板の底面が液体１１５によって支持されてはいるが、液体に対する基板の横方向の動きを抑えるために、剛体の保持機構が使用されてよい。そして、そのような真空チャック１２０は、基板の底面に取り付けられてよい。チャック力は、典型的には強くなくてよい。真空チャックが接触する表面積は比較的小さくてよく、例えば、基板の裏面の表面積の１０パーセント又は５パーセント未満でよい。もちろん、チャック面積はもっと大きくてもよい。基板測定は、チャック面積が比較的小さいことが有利となることが可能であり、これは、基板のほとんどが液体で支持されることによって均等に支持されるためであり、液体が重力による曲がりを抑えるためである。真空チャックの代わりに、又は真空チャックに加えてエッジ支持物１２２が使用されてよく、これによって、液体に対する横方向の動きが抑えられ、且つ／又は、設置後の流体のあらゆる動きが素早く安定する。
【００１９】
次に図４及び５を参照すると、膜１２５が液体１１５の上面に配置されてよく、これによって、基板１０５が液体から隔てられる。そのような膜１２５により、基板１０５は乾いたままであることが可能であり、或いは（使用される液体にもよるが）油で汚れないことが可能である。膜１２５は、ウェーハの一部が液体中に沈むことが可能なように十分可撓であってよく、或いは十分なたるみがあってよい。この膜は、基板の一部が液体中に沈むことが可能であって、基板の上面とウェーハの上面とが互いに同一面内にあるか、又は互いにほぼ同じ高さにあることが可能なように、十分可撓であってよい。図４は、基板１０５が膜１２５上に設置される前の装置１００を示しており、図５は、基板が液体１１５で支持されていて、膜１２５が基板と液体とを隔てている様子を示している。
【００２０】
液体は、比重が基板の比重と釣り合うように選択されてよい。言い換えると、液体の比重は基板の比重にほぼ等しい。
【００２１】
本装置は、基板が（中間膜の有無にかかわらず）液体上面に保持されている間に基板の上面の形状を測定するように構成された測定装置１５０を含んでよい。そのような形状測定は、例えば、基板の作用面の端から端までの相対的なｚ高さ値を収集して、ｚ高さの偏差のマップを形成することを含んでよい。形状測定は、基板の湾曲又は曲率を全体的又は局所的にマッピングすることを含んでよい。基板の作用面の測定のために、様々な従来式のメトロロジ装置が容器の上方に配置されてよい。
【００２２】
別の実施形態は、基板を保持する装置を含む。この装置は、液体を保持するように構成された容器を含む。容器の上部開口は、容器が液体を保持しているときに、液体上面が基板設置及び基板除去に利用しやすいように規定されている。膜が容器内に配置されていて、容器が液体を保持しているときに、液体と接触するように構成されている。基板を膜の上に設置すること、及び基板を膜から除去することを行うように、基板ハンドリング機構が構成されている。膜は、基板の少なくとも一部が液体中に沈むことが可能なように十分可撓であり、従って、有利なことに、基板の裏面全体を流体で均等に支持する。本装置は、基板が膜に載っていて液体で支持されているときに基板の動きを抑えるように構成された基板保持機構を含んでよい。
【００２３】
代替実施形態では、液体の比重が基板の比重以上である液体が選択されて使用される。基板保持機構は、基板が液体に載っている間に基板の底面に取り付けられるように構成された真空チャックを含んでよい。基板保持機構は、真空チャックの代わりに、又は真空チャックに加えて、基板の外周部で基板に接触して、基板が膜に載っている間に膜に対する横方向の動きを抑える外周部支持物を含んでよい。本装置は、基板が膜の上で保持されている間に基板の表側表面の曲率を測定すること、及び／又は、他のウェーハ特性（例えば、基板の表面の各座標位置におけるｚ高さ）を測定することを行うように構成された測定装置を含んでよい。
【００２４】
他の実施形態は、基板を保持する方法を含む。そのような方法では、第１の液体が容器内に用意される。容器の開口は、基板を受けるのに十分な大きさに規定される。膜が第１の液体の上面と接触するように容器内に配置される。基板は、容器内の膜の上に配置される。膜は、基板の少なくとも一部が第１の液体中に沈むことが可能なように、十分可撓であるように選択される。基板は、基板の表面測定のために基板が第１の液体で支持されている間に基板の横方向の動きを抑えるために固定されてよい。
【００２５】
第１の液体は、第１の液体の比重が基板の比重と釣り合うように、又は基板の比重以上であるように、選択及び／又は修正されてよい。容器内の第１の液体に第２の液体が添加されてよい。第２の液体は第１の液体の粘度を高める。基板は、基板の底面に取り付けられる真空チャックで固定されてよく、真空チャックが接触する表面積は、基板の底面の表面積の１０パーセント未満である。基板を固定することは、基板が第１の液体で支持されている間に基板の横方向の動きを抑えるように構成された外周部支持機構を使用することを含んでよい。方法は更に、基板が第１の液体で支持されている間に基板の曲率値を測定すること、基板が第１の液体で支持されている間に基板の各座標位置における基板の上面のｚ高さ値を測定すること、又は基板若しくは基板上のデバイスの他の特性を測定することを含んでよい。
【００２６】
別の実施形態は、基板を保持する方法を含む。この方法では、第１の液体が容器内に用意される。容器の開口は、基板を受けるのに十分な大きさに規定される。基板は、容器内の第１の液体の上に配置される。基板は、基板が第１の液体に載っている間に基板の横方向の動きを抑えるように固定される。容器内に第１の液体を用意することは、第１の液体の比重が基板の比重と釣り合うように、又は基板の比重以上であるように、第１の液体を選択することを含んでよい。容器内の第１の液体に第２の液体が添加されてよい。第２の液体は第１の液体の粘度を高める。基板を固定することは、基板の底面に取り付けられる真空チャックを使用することを含んでよく、真空チャックが接触する表面積は、基板の底面の表面積の１０パーセント未満である。基板を固定することは、基板が第１の液体で支持されている間に基板の横方向の動きを抑えるように構成された外周部支持機構を使用することを含んでよい。方法は更に、基板が第１の液体の上で支持されている間に基板の表面特性を測定することを含んでよい。
【００２７】
本明細書に記載の技術は更に、基板を保持する方法と、基板を測定する方法と、を含む。そのような方法は、容器内に第１の液体を用意することを含む。容器の開口は、基板を受けるのに十分な大きさに規定される。膜が第１の液体の上面に接触するように容器内に配置される。基板は、容器内の膜の上に配置される。膜は、基板が第１の液体で支持されるように、十分可撓であるように選択される。任意選択で、膜は省略され、基板は液体の上に直接設置される。基板は、基板が第１の液体で支持されている間に基板の横方向の動きを抑えるように固定される。
【００２８】
容器内の第１の液体は、比重が基板の比重と釣り合うか、又は基板の比重以上である第１の液体を選択することを含む。容器内の第１の液体に第２の液体が添加されてよい。第２の液体は第１の液体の粘度を高める。真空チャック、上述の他の固定装置、又は他の従来式の固定装置が使用されてよい。本方法は、様々なメトロロジ動作を実行することを含んでよく、例えば、基板が第１の液体で支持されている間に基板の曲率値を測定すること、基板が第１の液体で支持されている間に基板の各座標位置における基板の上面のｚ高さ値を測定すること、又は基板が第１の液体で支持されている間に基板の他の表面特性を測定することを含んでよい。
【００２９】
前述の説明では、処理システムの特定の形状、及びそこで使用される様々な構成要素及びプロセスの説明など、特定の詳細を説明してきた。しかしながら、本明細書の技術は、これらの特定の詳細から逸脱する他の実施形態で実施することができ、そのような詳細は説明のためのものであり、限定のためのものではないことを理解されたい。本明細書で開示される実施形態が、添付の図面を参照して説明されてきた。同様に、説明の目的で、完全な理解を提供するために、特定の番号、材料、及び構成が示されてきた。それにもかかわらず、そのような特定の詳細なしで、実施形態を実施することができる。実質的に同じ機能的構成を有する構成要素は、同様の参照記号によって示され、従って、任意の冗長な説明は省略され得る。
【００３０】
様々な実施形態の理解を支援するために、様々な技術が、複数の個別の動作として説明されてきた。説明の順序は、これらの動作が必ず順序に依存することを意味すると解釈されるべきではない。実際に、これらの動作は表示の順序で実行される必要はない。説明された動作は、説明された実施形態とは異なる順序で実行されてもよい。追加の実施形態では、様々な追加の動作を実行することができ、及び／又は説明した動作を省略することができる。
【００３１】
本明細書で使用される「基板」又は「ターゲット基板」は、一般的に、本発明に従って処理されている物体を指す。基板は、デバイス、特に半導体又は他の電子デバイスの任意の材料部分又は構造を含むことができ、例えば、半導体ウェーハ、レチクルなどのベース基板構造、又は薄膜などのベース基板構造上、若しくはそれをオーバーレイする層であってもよい。従って、基板は、任意の特定のベース構造、下層又は上層、パターン付き又はパターンなしに限定されず、むしろ任意のそのような層若しくはベース構造、並びに層及び／又はベース構造の任意の組み合わせを含むと考えられる。説明では特定の種類の基板を参照している場合があるが、これは説明のみを目的とするものである。
【００３２】
また、当業者であれば、本発明の同じ目的をなおも達成しながら、上記で説明した技術の動作に対して多くの変形を行い得ることを理解するであろう。そのような変形は、本開示の範囲に含まれることが意図されている。従って、本発明の実施形態の前述の説明は、限定されることを意図したものではない。むしろ、本発明の実施形態に対する任意の限定は、以下の特許請求の範囲に提示される。
【図１】
2021518664.tif 000003
【図２】
2021518664.tif 000004
【図３】
2021518664.tif 000005
【図４】
2021518664.tif 000006
【図５】
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【国際調査報告】
2021518664.tif 000008
2021518664.tif 000009