(57)【要約】  基板処理システムが開示されており、当該基板処理システムは、移送チャンバに連結された基板インプット／アウトプットチャンバ、及び移送チャンバに連結された１つ又は複数の処理チャンバを含み、基板インプット／アウトプットチャンバは、複数の積み重ねられたキャリアホルダを含み、キャリアホルダのうちの１つは、基板を支持する基板キャリアを含む。【選択図】図１
2021513223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理システムであって、
移送チャンバ、
前記移送チャンバに連結された基板インプット／アウトプットチャンバ、及び
前記移送チャンバに連結された処理チャンバ
を備え、
前記基板インプット／アウトプットチャンバが、複数の積み重ねられたキャリアホルダを含み、前記複数の積み重ねられたキャリアホルダのうちの１つが、基板を支持する基板キャリアを含む、基板処理システム。
【請求項２】
前記積み重ねられたキャリアホルダがそれぞれ、前記キャリアを支持するために前記キャリアホルダから延在する複数の支持部材を含む、請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
前記基板インプット／アウトプットチャンバが、複数のリフトピンを有するプラテンを含み、前記複数のリフトピンは、前記プラテンを貫通して移動可能に配置されている、請求項１に記載の処理システム。
【請求項４】
前記各リフトピンが、先端部及びシャフトを含み、前記先端部が、前記シャフトの材料より柔らかい材料で作られている、請求項３に記載の処理システム。
【請求項５】
前記各リフトピンが、専用アクチュエータに動作可能に連結されている、請求項３に記載の処理システム。
【請求項６】
前記各リフトピンが、前記プラテンにおいて形成された開口内に配置され、前記開口がそれぞれ真空システムに流体連結されている、請求項３に記載の処理システム。
【請求項７】
前記各リフトピンが、基部及びモータを備えた基板リフト機構に連結されている、請求項３に記載の処理システム。
【請求項８】
前記プラテンが、前記プラテン内に埋め込まれた熱伝達素子を含む、請求項１に記載の処理システム。
【請求項９】
前記プラテンが、前記キャリアを中央配置するための複数の位置合わせパッドを含む、請求項１に記載の処理システム。
【請求項１０】
前記処理チャンバがそれぞれ、溝を有するサセプタを含み、前記溝は、前記キャリアを受け入れるために前記サセプタにおいて形成されている、請求項１に記載の処理システム。
【請求項１１】
前記サセプタが、基板支持構造体によって支持されている、請求項１０に記載の処理システム。
【請求項１２】
前記サセプタ支持構造体が、複数のキャリアリフトピンを含む、請求項１１に記載の処理システム。
【請求項１３】
前記キャリアリフトピンがそれぞれ、前記溝に隣接する開口内に受け入れられる、請求項１２に記載の処理システム。
【請求項１４】
ロードロックチャンバであって、
内部に熱伝達素子が埋め込まれたプラテン、
前記プラテンの周りに位置付けされた複数のキャリアホルダ、
積み重ねられた前記キャリアホルダのそれぞれから延在する複数の支持部材、及び
前記積み重ねられた複数のキャリアホルダのうちの１つの前記支持部材上に位置付けされたキャリア
を備えているロードロックチャンバ。
【請求項１５】
前記キャリアホルダがそれぞれ、前記キャリアを支持するために前記キャリアホルダから延在する複数の支持部材を含む、請求項１４に記載のロードロックチャンバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［０００１］本開示は、概して、処理ツール内で基板を移送するための方法及び装置に関する。より具体的には、本開示は、処理ツールの１つ又は複数のチャンバ内で基板を移送するための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
［０００２］超大規模集積（ＵＬＳＩ）回路には、シリコン（Ｓｉ）基板などの半導体基板上に形成され、協働してデバイス内で様々な機能を実行する１００万個以上の電子デバイス（例えば、トランジスタ）が含まれ得る。
【０００３】
［０００３］多くの従来の熱処理は、トランジスタ及び他の電子デバイスの製造においてよく使用されている。これらの処理は、通常、複数のチャンバを有するツール（例えば、クラスタツール）内で実行される。所望の歩留まりを達成するためには、これらの処理中の粒子の発生及び／又は基板の損傷に対して最も関心が払われる。しかしながら、粒子及び／又は損傷の１つの要因は、基板の移送中、すなわち、基板がツール上の特定の処理チャンバの内部で移動させられているとき、又は、基板がツールのあるチャンバからツールの別のチャンバへと移動させられているときに生じる。
【０００４】
［０００４］移送中の基板の裏側（すなわち、堆積受容面の反対側の面）に接触する従来の基板リフトピンが、粒子及び／又は基板損傷の１つの原因であることが判明している。例えば、基板がリフトピンと接触することにより、基板が傷付き、かつ／又はその接触から粒子が生じることがある。接触により生じた粒子は、チャンバ、基板、又は後続の基板を汚染する可能性があり、これらすべてが歩留まりを減少させる。
【０００５】
［０００５］したがって、ツール内で基板を移送するための改善された方法及び装置が必要とされている。
【発明の概要】
【０００６】
［０００６］本開示は、概して、処理ツール内で基板を移送するための方法及び装置に関する。より具体的には、本開示は、処理ツールの１つ又は複数のチャンバ内で基板を移送するための方法及び装置に関する。
【０００７】
［０００７］一実施形態では、基板処理システムが開示されており、当該基板処理システムは、移送チャンバに連結された基板インプット／アウトプットチャンバ、及び移送チャンバに連結された１つ又は複数の処理チャンバを含み、基板インプット／アウトプットチャンバは、複数の積み重ねられたキャリアホルダを含み、キャリアホルダのうちの１つは、基板を支持する基板キャリアを含む。
【０００８】
［０００８］別の実施形態では、ロードロックチャンバが開示されており、当該ロードロックチャンバは、内部に熱伝達素子が埋め込まれたプラテン、プラテンの周りに位置付けされた複数のキャリアホルダ、積み重ねられたキャリアホルダのそれぞれから延在する複数の支持部材、及び積み重ねられた複数のキャリアホルダのうちの１つの支持部材上に位置付けされたキャリアを含む。
【０００９】
［０００９］別の実施形態では、処理チャンバが開示されており、当該処理チャンバは、溝を有するサセプタであって、溝が、処理チャンバの外周に隣接して処理チャンバにおいて形成されている、サセプタ、及び複数のキャリアリフトピンを含む基板支持構造体であって、キャリアリフトピンがそれぞれ、溝に隣接する開口内に受け入れられる、基板支持構造体を含む。
【００１０】
［００１０］本開示の上述の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによって得ることができる。そのうちの幾つかの実施形態は添付の図面で例示されている。しかし、本開示は、他の同等に効果的な実施形態も許容し得ることから、添付の図面は、この開示の典型的な実施形態のみを例示しており、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示を実施するのに適した例示的な処理装置の概略図を示す。
【図２】本開示の一実施形態に係るロードロックチャンバの断面図である。
【図３Ａ】ロードロックチャンバ内のキャリアホルダの一実施形態を示す。
【図３Ｂ】第１のキャリアホルダ及び第２のキャリアホルダの別の実施形態の等角図である。
【図４Ａ−Ｇ】図１のファクトリインターフェース、ロードロックチャンバ、及び移送チャンバの間の基板移送シーケンスを示す様々な図である。
【図５Ａ−Ｃ】冷却プラテン、及びロードロックチャンバの冷却プラテンに関連付けられた他の構成要素の様々な図である。
【図６】冷却プラテン及びキャリアの一部の概略断面図である。
【図７Ａ−Ｄ】ロードロックチャンバの詳細を示す様々な図である。
【図８】フレキシブル接合部材を介して支持プレートに連結されたモータの拡大断面図である。
【図９Ａ−Ｂ】真空システムの詳細を示すロードロックチャンバの等角図である。
【図１０】一実施形態に係る処理チャンバの概略断面図である。
【図１１】図１０のサセプタの等角図である。
【図１２】図１０のサセプタ及びキャリアの一部の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［００２４］理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。さらなる記載がなくても、ある実施形態の要素及び特徴を他の実施形態に有益に組み込むことができることが想定されている。
【００１３】
［００２５］本開示は、処理ツール内で基板を移送するための方法及び装置を提供する。具体的には、基板の主表面との接触を最小限にする基板移送機構を使用して基板を移送する。
【００１４】
［００２６］図１は、本開示を実施するのに適した基板移送機構の一実施形態を含む例示的な処理システム１００の概略上面図である。処理システム１００は、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２、真空気密処理プラットフォーム１０４、ファクトリインターフェース１０２、及びシステムコントローラ１４４を含む。基板インプット／アウトプットチャンバ１２２は、ロードロックチャンバであってもよい。一実施形態では、処理チャンバ１００は、カリフォルニア州サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販されているＣＥＮＴＲＡ（登録商標）一体型処理システムであってもよい。本開示から利点を得るために、他の処理システム（他の製造業者からのものを含む）が適合され得ると想定される。
【００１５】
［００２７］プラットフォーム１０４は、複数の処理チャンバ１１０、１１２、１３２、１２８、１２０、及び真空基板移送チャンバ１３６に連結された少なくとも１つの基板インプット／アウトプットチャンバ１２２を含む。２つの基板インプット／アウトプットチャンバ１２２が図１に示されている。ファクトリインターフェース１０２は、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２によって、移送チャンバ１３６に接続されている。
【００１６】
［００２８］一実施形態では、ファクトリインターフェース１０２は、基板の移送を促進するために、少なくとも１つのドッキングステーション１０８、及び少なくとも１つのファクトリインターフェースロボット１１４を備えている。ドッキングステーション１０８は、１つ又は複数の前方開口型統一ポッドを受け容れるように構成されている。２つのＦＯＵＰ１０６Ａ、１０６Ｂが、図１の実施形態に示されている。ロボット１１４の一端に配置されたブレード１１６を有するファクトリインターフェースロボット１１４は、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２を通した処理のために、基板をＦＯＵＰ１０６Ａ、１０６Ｂから処理プラットフォーム１０４に移送するように構成されている。
【００１７】
［００２９］基板インプット／アウトプットチャンバ１２２は、ファクトリインターフェース１０２に連結された第１のポート、及び移送チャンバ１３６に結合された第２のポートを有する。基板インプット／アウトプットチャンバ１２２は、圧力制御システム（図示せず）に連結される。圧力制御システムは、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２をポンプダウンし、かつ通気させて、移送チャンバ１３６の真空環境とファクトリインターフェース１０２の実質的な周囲（例えば、大気）環境との間で基板を通過させることを容易にする。
【００１８】
［００３０］移送チャンバ１３６は、その中に真空ロボット１３０が配置されている。真空ロボット１３０は、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２と処理チャンバ１１０、１１２、１３２、１２８、１２０との間で基板１２４を移送することが可能なブレード１３４を有する。
【００１９】
［００３１］システムコントローラ１４４は、処理システム１００に連結される。システムコントローラ１４４は、システム１００の処理チャンバ１１０、１１２、１３２、１２８、１２０の直接制御を使用して、又は代替的に、処理チャンバ１１０、１１２、１３２、１２８、１２０及びシステム１００に関連付けられたコンピュータ（又はコントローラ）を制御することによって、システム１００の動作を制御する。動作において、システムコントローラ１４４は、それぞれのチャンバ及びシステムコントローラ１４４からのデータ収集とフィードバックを可能にし、システム１００の性能を最適化する。
【００２０】
［００３２］システムコントローラ１４４は、概して、中央処理装置（ＣＰＵ）１３８、メモリ１４０、及び支持回路１４２を含む。ＣＰＵ１３８は、産業用設定で使用できる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサのうちの１つであり得る。支持回路１４２は、従来、ＣＰＵ１３８に連結され、キャッシュ、クロック回路、入出力サブシステム、電源等を含み得る。ソフトウェアルーチンは、ＣＰＵ１３８によって実行されると、ＣＰＵ１３８を特定用途コンピュータ（コントローラ）１４４に転換させる。ソフトウェアルーチンは、さらに、システム１００から遠隔に位置する第２のコントローラ（図示せず）によって記憶かつ／又は実行され得る。
【００２１】
［００３３］図２は、本開示の一実施形態に係る基板インプット／アウトプットチャンバ  １２２の断面図である。基板インプット／アウトプットチャンバ１２２は、概して、チャンバ本体２０２、第１のキャリアホルダ２０４Ｂ、第２のキャリアホルダ２０４Ａ、温度制御ペデスタル２４０、及び任意選択的なヒータモジュール２７０を備えている。第１のキャリアホルダ２０４Ｂ及び第２のキャリアホルダ２０４Ａは、それぞれ、キャリア２０６によって支持された基板１２４を含む。チャンバ本体２０２は、アルミニウムなどの単体の材料から作成されてもよい。チャンバ本体２０２は、第１の側壁２０８、第２の側壁２１０、側方壁２４２（図２に１つだけ図示されている）、並びにチャンバ空間２１８を画定する上部２１４及び底部２１６を含む。窓（図示せず）をチャンバ本体の上部２１４に設けることができる。窓は、通常、石英から構成される。ヒータモジュール２７０が含まれる場合、チャンバ本体２０２の上部２１４は、少なくとも部分的にヒータモジュール２７０によって覆われる。
【００２２】
［００３４］チャンバ空間２１８の圧力を制御して、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２を、移送チャンバ１３６の環境に実質的に適合するように排気し、ファクトリインターフェース１０２の環境に実質的に適合するように通気することができる。チャンバ本体２０２は、１つ又は複数の通風路２３０及びポンプ通路２３２を含む。通気中及び排気中の基板インプット／アウトプットチャンバ１２２内の流れは、通風路２３０及びポンプ通路２３２の位置により、実質的に層流であり、粒子汚染を最小限に抑えるように構成されている。
【００２３】
［００３５］ポンプ通路２３２は、真空ポンプ２３６に連結されている。真空ポンプ２３６は、低振動を有しており、それにより、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２内のホルダ２０４Ｂ、２０４Ａに位置付けされた基板１２４の乱れを最小化する一方で、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２とポンプ２３６との間の流体経路を概して３フィート未満に最小化することにより、ポンプダウン効率及び時間を促進する。
【００２４】
［００３６］第１のローディングポート２３８がチャンバ本体２０２の第１の側壁２０８において配置されることにより、基板１２４を基板インプット／アウトプットチャンバ１２２とファクトリインターフェース１０２との間で移送することが可能になる。第１のスリットバルブ２４４は、第１のローディングポート２３８を選択的に封止して、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２をファクトリインターフェース１０２から隔離する。第２のローディングポート２３９がチャンバ本体２０２の第２の側壁２１０において配置されることにより、基板１２４を基板インプット／アウトプットチャンバ１２２と移送チャンバ１３６との間で移送することが可能になる。第１のスリットバルブ２４４と実質的に同様な第２のスリットバルブ２４６は、第２のローディングポート２３９を選択的に封止し、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２を移送チャンバ１３６の真空環境から隔離する。
【００２５】
［００３７］第１のキャリアホルダ２０４Ｂは、チャンバ底部２１６の上方に配置された第２のキャリアホルダ２０４Ａに同心円状に連結される（すなわち、上部に重ねられる）。キャリアホルダ２０４Ｂ、２０４Ａは、概して、チャンバ本体２０２の底部２１６を貫通して延在するシャフト２８２に連結された支持体２２０に取り付けられる。通常、各キャリアホルダ２０４Ｂ、２０４Ａは、それぞれのキャリア２０６上に位置付けされた１つの基板を保持するように構成されている。シャフト２８２は、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２の外側に配置されたリフト機構２９６に連結されている。リフト機構２９６は、チャンバ本体２０２内のキャリアホルダ２０４Ｂ及び２０４Ａの上昇を制御する。ベローズ２８４は、支持体２２０とチャンバ本体２０２の底部２１６との間に連結され、シャフト２８２の周りに配置されることにより、第２のキャリアホルダ２０４Ａと底部２１６との間にフレキシブルシールを設け、それにより、チャンバ本体２０２からの又はチャンバ本体２０２内への漏洩を防止し、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２内の圧力を損なうことなく、キャリアホルダ２０４Ｂ、２０４Ａの昇降を容易にする。
【００２６】
［００３８］第１のキャリアホルダ２０４Ｂが、ファクトリインターフェース１０２からの未処理基板を第１のキャリア２０６上で保持するように利用されると同時に、第２のキャリアホルダ２０４Ａは、処理済み基板（例えば、エッチングされた基板）を、移送チャンバ１３６から戻ってきた第２のキャリア２０６上で保持するように利用される。
【００２７】
［００３９］図３Ａは、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２内のキャリアホルダ２０４Ｂ、２０４Ａの一実施形態を示す。キャリア２０６は、明瞭性のために図３Ａに図示されない。第２のキャリアホルダ２０４Ａは、概して、支持体２２０によってチャンバ本体２０２の底部２１６の上方に保持される。第２のキャリアホルダ２０４Ａを支持体２２０に対して離間関係に維持するために、第１のスタンドオフ３０８が各部材３０４、３０６の間に配置される。第２のスタンドオフ３１０が、第１のキャリアホルダ２０４Ｂと第２のキャリアホルダ２０４Ａとの間に配置され、それらの間に離間関係が維持される。基板を回収してキャリアホルダ２０４Ｂ、２０４Ａ上に堆積するとき、スタンドオフ３０８、３１０は、移送及びファクトリインターフェースロボット１３０、１１４のブレード１３４、１１６がそれらの間を通過することを可能にする。各ホルダ２０４Ｂ、２０４Ａは、代替的に、ホルダ２０４Ｂ、２０４Ａと基板インプット／アウトプットチャンバ１２２の隣接する構成要素との間の離間関係を維持する部分を組み込む「Ｌ字型」構成を有し得る。
【００２８】
［００４０］各キャリアホルダ２０４Ｂ、２０４Ａは、第１の部材３０４及び第２の部材３０６を含む。各部材３０４、３０６は、そこから径方向内側に延びるリップ３１４を有する湾曲内側部分３１２を含む。湾曲内側部分３１２は、基板１２４がリップ３１４上に載ることを可能にするように構成される。湾曲内側部分３１２は、それらの間で基板１２４を捕捉し、それにより、基板１２４がリップ３１４から脱落するのを防止する。第１の部材３０４は、第２の部材３０６に面し、それぞれの湾曲内側部分３１２が他方に向いている。第１の部材３０４及び第２の部材３０６は、温度制御ペデスタル２４０の両側にある。温度制御ペデスタル２４０は、チャンバ１２２内の中央に配置され、チャンバ１２２の底部２１６から突出する。
【００２９】
［００４１］図３Ｂは、第１のキャリアホルダ２０４Ｂおよび第２のキャリアホルダ２０４Ａの別の実施形態の等角図である。第１のキャリアホルダ２０４Ｂ及び第２のキャリアホルダ２０４Ａは、それぞれ、キャリア２０６を支持するように示される。支持部材３２０は、キャリア２０６とスタンドオフ３０８、３１０との間に示されている。キャリア２０６は、システムを初期化するために手動で基板インプット／アウトプットチャンバ１２２内に移送されてもよい。例えば、キャリア２０６は、上部２１４（図２に図示）を開くことによって、又は第１のローディングポート２３８若しくは第２のローディングポート２３９のうちの１つを通して、スタンドオフ３０８、３１０上に配置され得る。位置付け処理については、以下で詳細に説明する。
【００３０】
［００４２］各支持部材３２０は、石英材料から作製され得る。各支持部材３２０は、締まり嵌め又はその他の適切な連結方法を介して、スタンドオフ３０８、３１０と接する。スタンドオフ３０８、３１０は、ステンレス鋼などの金属材料から作製され得る。スタンドオフ３０８、３１０は、約１インチのピッチ又は距離３２２だけ分離され得る。各キャリア２０６は、炭化ケイ素などのセラミック材料から作製され得る。温度制御ペデスタル２４０の上面とスタンドオフ３０８内のキャリア２０６の下面との間の距離３２４は、約０．７５インチであり得る。
【００３１】
［００４３］再び図２を参照すると、温度制御ペデスタル２４０は、チャンバ２０２内の中央に位置する支持体２７８によって、チャンバ本体２０２の底部２１６に連結されている。支持体２７８は、中空であってもよく、又は、流体、電気信号、センサなどをペデスタル２４０につなぐことを可能にする通路を含んでもよい。シャフト２８２及びリフト機構２９６は、支持体２７８の周縁に位置付けされる。
【００３２】
［００４４］温度制御ペデスタル２４０は、近傍の基板の熱制御のための温度制御面２９２を有する。温度制御ペデスタル２４０は、循環水ジャケットであり得る熱伝達素子２８６、ペルチェ素子のような熱電デバイス、又は温度制御面２９２の温度の制御のために利用され得る他の構造体を含む。例えば、熱伝達素子２８６は、冷却プラテン２８０内に配置され、かつ冷却流体源（図示せず）に流体的に連結された１つ又は複数のチューブを含んでもよく、これにより、冷却プラテン２８０を通して冷却流体を循環させる。
【００３３】
［００４５］キャリアホルダ２０４Ｂ、２０４Ａが連結された支持体２２０は、冷却プラテン２８０の上面２９２が近接する又は第２のキャリアホルダ２０４Ａによって支持された基板に接触する第１の位置まで下降し得る。この第１の位置では、冷却プラテン２８０は、冷却プラテン２８０上に（又はその近傍に）配置された基板の温度を調節するために使用され得る。例えば、処理から戻ってくる基板は、冷却プラテン２８０の上面２９２で基板を支持することによって、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２が排気されている間、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２内で冷却され得る。熱エネルギーは、基板から、冷却プラテン２８０を通して熱伝達素子２８６に伝達され、基板が冷却される。基板を冷却した後、キャリアホルダ２０４Ｂ、２０４Ａをチャンバ本体２０２の上部２１４に向けて上昇させることができ、それにより、ロボット１３０、１１４が、第２の基板支持体２０４Ａに置かれた基板にアクセスすることが可能になる。任意選択的に、ホルダ２０４Ｂ、２０４Ａは、上面２９２が、第１のキャリアホルダ２０４Ｂによって支持された基板に接触する又は近接する位置まで下降し得る。この位置では、冷却プラテン２８０は、基板を熱的に調節し、加熱するように使用され得る。
【００３４】
［００４６］図４Ａから４Ｇは、図１のファクトリインターフェース１０２、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２、及び移送チャンバ１３６の間の基板移送シーケンスを示す様々な図である。図４Ａは、基板入出力チャンバ１２２の概略側面図であり、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２の第１のローディングポート２３８を通って延びる第１のロボットブレード４００を示す。第１のロボットブレード４００は、図１のファクトリインターフェース１０２からの未処理の基板４０５を支持しているように示されている。第１のロボットブレード４００は、図１に示すファクトリインターフェースロボット１１４のブレード１１６のうちの１つであり得る。
【００３５】
［００４７］第１のローディングポート２３８に加えて、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２は、冷却プラテン２８０、第２のキャリアホルダ２０４Ａ、第１のキャリアホルダ２０４Ｂ、及び支持部材３２０を介してホルダ２０４Ｂ、２０４Ａ上に配置されたキャリア２０６を含む。さらに、リフトピン４１０は、そのうちの１つが断面で示されているが、冷却プラテン２８０を通って延びている。各々のリフトピン４１０は、リフトピン４１０をＺ方向に動かすアクチュエータ４１１に連結される。冷却プラテン２８０とアクチュエータ４１１との間には、ベローズアセンブリ４１６が設けられている。冷却プラテン２８０内には複数のブッシング４１７も設けられており、内部でリフトピン４１０の垂直運動を促進する。
【００３６】
［００４８］各々のリフトピン４１０は、基板４０５の下面の端部に接触するように構成されている。各々のリフトピン４１０は、シャフト４１３の端に配置された先端部４１２を含む。先端部４１２は、シャフト４１３の材料より柔らかい材料で作られる。例えば、シャフト４１３は、ステンレス鋼などの金属材料から作製され得るが、先端部４１２は、ポリマー材料から作製され得る。先端部４１２のより柔らかい材料は、基板４０５の裏側のスクラッチが防止するか、又は最小限にする。先端部４１２の例示的な材料は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、ペルフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、又は他の適切なプラスチック材料を含むフルオロポリマーである。先端部４１２は、締まり嵌めを通してそれぞれのシャフト４１３に連結されるように設計され得る。図４Ａに示す実施形態では、先端部４１２は、シャフト４１３に形成された窪み４１５にぴったりと嵌合する突出部分４１４を含む。
【００３７】
［００４９］第１のロボットブレード４００は、Ｘ方向に第１のローディングポート２３８を通って基板インプット／アウトプットチャンバ１２２内に延在する。第１のロボットブレード４００は、基板４０５を、第２のキャリアホルダ２０４Ａ上に配置されたキャリア２０６と同心円上に位置付けするようにプログラミングされる。
【００３８】
［００５０］図４Ｂ及び図４Ｃは、第１のロボットブレード４００が図４Ａに示されるように配置された場合の基板インプット／アウトプットチャンバ１２２の概略断面図である。第１のロボットブレード４００、キャリア２０６、及び基板４０５に加えて、熱伝達素子２８６が、冷却プラテン２８０の内部でより明瞭に示されている。カバープレート４２８を用いて、熱伝達素子２８６を冷却プラテン２８０内にシールすることができる。カバープレート４２８は、円形であってもよく、アルミニウム材料から作製され得る。
【００３９】
［００５１］再び図４Ａを参照すると、第１のロボットブレード４００と基板インプット／アウトプットチャンバ１２２内の任意の他の構成要素との間の最小クリアランスは、この移送プロセスの間、約０．１２インチである。例えば、支持部材３２０の下面と基板４０５の上面との間の距離４４０は、約０．１２インチであり、基板４０５の上面と第１のローディングポート２３８の表面との間の距離４４２は、約０．１６インチであり、基板４０５の下面と先端部４１２の上面との間の距離４４４は、約０．２インチであり、先端部４１２の上面と冷却プラテン２８０の上面との間の距離４４６は、約０．６０インチ、又はそれより大きい。
【００４０】
［００５２］図４Ｄは、図４Ａから４Ｃの説明で論じた移送プロセスの別の部分を示す概略側面図である。図４Ｄは、第１のロボットブレード４００からリフトピン４１０に移送された基板４０５を示す。リフトピン４１０への基板４０５の移送は、第１のロボットブレード４００の垂直運動（Ｚ方向）によって達成され得る。この位置では、第１のロボットブレード４００の上面と基板４０５の下面との間の距離４４８は、約０．２インチであり得る。第１のロボットブレード４００の下面とキャリア２０６の上面との間の距離４５０は、この位置では約０．１３インチであり得る。この位置で、第１のロボットブレード４００は、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２から引き出され得る。
【００４１】
［００５３］図４Ｅは、図４Ａから４Ｄの説明で論じた移送プロセスの別の部分を示す概略側面図である。図４Ｅは、リフトピン４１０から、第２のキャリアホルダ２０４Ａ上に配置されたキャリア２０６に移送された基板４０５を示す。この図では、ホルダ２０４Ｂ、２０４ＡをＺ方向に移動させる（図２に示す）支持体２２０は、その最も高い位置にある。支持体２２０の最も高い位置により、ホルダ２０４Ｂ、２０４Ａの両方が上部２１４に向けて上昇させられる。さらに、リフトピン４１０が引き込まれる（Ｚ方向に下げられる）ことにより、図２に示すように、第２のロボットブレード４５２が、移送チャンバ１３６から第２のローディングポート２３９に入ることが可能になる。第２のロボットブレード４５２は、図１に示す真空ロボット１３０のブレード１３４であってもよい。
【００４２】
［００５４］第２のロボットブレード４５２は、基板４０５、並びにキャリア２０６を、移送チャンバ１３６を介して、図１に示す処理チャンバ１１０、１１２、１３２、１２８、１２０のうちの１つ又は複数に移送するように利用される。図４Ｅに示す位置では、上部２１４の下面と第１のキャリアホルダ２０４Ｂ上に配置されたキャリア２０６との間の距離４５４は、約０．２５インチであり、第２のロボットブレード４５２の上面とキャリア２０６の下面との間の距離４５６は、約０．１９インチであり得る。基板４０５を第２のロボットブレード４５２に移送するために、支持体２２０（図２）は、距離４５６よりも大きいな距離にわたってＺ方向に下降する。その後、キャリア２０６及び基板４０５が上部に載っている第２のロボットブレード４５２は、Ｘ方向に第２のローディングポート２３９から引き出され得る。
【００４３】
［００５５］図４Ｆは、図４Ａから４Ｅの説明で論じた移送プロセスの別の部分を示す概略側面図である。図４Ｆは、キャリア２０６によって支持される、（図１に示される）移送チャンバ１３６からの処理済み基板４５８を示す。キャリア２０６は、第２のロボットブレード４５２によって支持されている。この移送プロセスでは、支持体２２０は、最も低い位置にあり、その結果、上部２１４と第１のキャリアホルダ２０４Ｂとの間に空間が設けられる。さらに、リフトピン４１０が引き込まれる。図４Ｆでは、キャリア２０６が第１のキャリアホルダ２０４Ｂと同心円状に整列している状態で基板４５８が示されている。
【００４４】
［００５６］図４Ｇは、図４Ａから４Ｆの説明で議論された移送プロセスの別の部分を示す概略側面図である。図４Ｆと図４Ｇに示される両位置の間では、リフトピン４１０は、図４Ｆに示される位置から、リフトピン４１０が支持する基板４５８を示す図４Ｇに示される位置まで、垂直（Ｚ方向）に作動する。さらに、キャリア２０６は、第１のキャリアホルダ２０４Ｂによって支持される。図４Ｇに示されるように、一旦基板４５８がリフトピン４１０によって支持されると、第１のロボットブレード４００が、横方向（Ｘ方向）及び／又は縦方向（Ｚ方向）に作動し、基板４５８をリフトピン４１０から取り除く。一旦、基板４５８が第１のロボットブレード４００によって支持されると、基板４５８が載っている第１のロボットブレード４００は、第１のローディングポート２３８を通って移動することができ、基板４５８は、ファクトリインターフェース１０２内に配置され得る。
【００４５】
［００５７］図５Ａから図５Ｃは、冷却プラテン２８０、及び基板インプット／アウトプットチャンバ１２２の冷却プラテン２８０に関連付けられた他の構成要素の様々な図である。図５Ａは、冷却プラテン２８０、並びに支持体２２０に連結された第１のキャリアホルダ２０４Ｂ及び第２のキャリアホルダ２０４Ａの等角図である。図５Ｂは、冷却プラテン２８０、複数のキャリア２０６のうちの１つ、及び支持体２２０の等角部分断面図である。
【００４６】
［００５８］図５Ａでは、複数の位置決めピン５００が、冷却プラテン２８０の外周領域において冷却プラテン２８０に連結されているように示されている。位置決めピン５００は、それぞれ、冷却プラテン２８０（図５Ｂに示す）の外周に形成された開口５０５内に一時的に位置付けされ、キャリア２０６を第１のキャリアホルダ２０４Ｂ及び第２のキャリアホルダ２０４Ａ上に中央配置又は位置付けするために利用される。位置決めピン５００は、第１の又は第２のキャリアホルダ２０４Ａ又は２０４Ｂのうちの一方に位置付けされたとき、キャリア２０６の外縁位置を画定する。例えば、キャリア２０６は、手動で基板インプット／アウトプットチャンバ１２２内に移送され得、位置決めピン５００は、キャリア２０６を冷却プラテン２８０に対して位置付けするために利用される。キャリア２０６が第１の又は第２のキャリアホルダ２０４Ａ、２０４Ｂ上に位置付けされると、位置決めピン５００は、各キャリア２０６の外縁を密接に閉じ込め、キャリア２０６を処理のために位置付けする。一旦キャリア２０６が位置付けされると、位置決めピン５００を取り外すことができる。それぞれの位置決めピン５００は、石英材料から作製され得る。
【００４７】
［００５９］図５Ａは、冷却プラテン２８０に連結された複数の位置合わせパッド５１０をさらに示す。図５Ａには２つのパッド５１０のみが示されているが、別のパッドが、第１のキャリアホルダ２０４Ｂ及び第２のキャリアホルダ２０４Ａによって隠されている。
【００４８】
［００６０］パッド５１０の断面が図５Ｂ及び図５Ｃに示される。各パッド５１０は、キャリア２０６と冷却プラテン２８０との間の接触を防止するために利用され得る。さらに、冷却中にキャリア２０６がパッド５１０によって支持されるので、基板（図示せず）とプラテン２８０との接触が防止される。例えば、基板がキャリア２０６の基板受容面５１５に置かれると、パッド５１０は、冷却プラテン２８０の上面とキャリア２０６の基板受容面５１５との間に間隙５２０を設ける。キャリア２０６の基板受容面５１５は、その上に取り付けられる基板の下面と一致することになり、間隙５２０は、基板の下面から冷却プラテン２８０の上面まで延びることになる。位置決めピン５００と同様に、パッド５１０は石英材料から作られる。
【００４９】
［００６１］図５Ｃは、冷却プラテン２８０、複数のパッド５１０のうちの１つのパッド５１０、及びキャリア２０６の拡大断面図である。それぞれのパッド５１０は、断面が概して「Ｔ」字形であり、各パッド５１０は、平坦な肩部５３０を含む。肩部５３０は、そこから延びる突出部５３５を取り囲む。肩部５３０と突出部５３５との間には、傾斜面５４０が設けられている。ここでは、突出部５３５は円錐台状である。傾斜面５４０を利用して、キャリア２０６を冷却プラテン２８０に対して中央配置することができる。それぞれのパッド５１０は、冷却プラテン２８０に形成された開口５５０内に挿入されるピン部分５４５をさらに含む。肩部５３０は、冷却プラテン２８０の凹状フランジ５５５内に嵌合する。肩部５３０の高さ５６０は、間隙５２０を設けるために、凹状フランジ５５５の深さよりもわずかに大きい。
【００５０】
［００６２］図６は、冷却プラテン２８０及びキャリア２０６の一部の概略断面図である。キャリア２０６は、基板受容面５１５上に支持された基板６００を有する。キャリア２０６は、円形本体６０５を含み、円形本体６０５には、基板受容面５１５の反対側に形成された凹溝６１０がある。ここでは、円形本体６０５は、環状である。凹溝６１０に隣接する周縁部６１５が、パッド５１０の肩部５３０に接触する（いずれも図５Ｃに示される）。周縁部６１５と肩部５３０（図５Ｃに示される）との間の接触が、間隙５２０を設ける。斜面縁部６２０が、周縁部６１５のうちの１つ（例えば、外周縁）を外壁６２５と接続させる。斜面縁部６２０は、パッド５１０の傾斜面５４０と接触し得る（両方とも図５Ｃに示される）。
【００５１】
［００６３］図７Ａから７Ｄは、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２の詳細を示す様々な図である。図７Ａは、リフトピン４１０を動かす基板リフト機構７００を示す、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２の等角底面図である。基板リフト機構７００は、冷却プラテン２８０に連結されたモータ７０４と、複数のリフトピンアセンブリ７０６とを支持する支持プレート７０２を含む。複数の一次真空チューブ７１０を有する真空システム７０８もさらに示されている。一次真空チューブ７１０は、冷却プラテン２８０に連結され、冷却プラテン２８０内に配置されたリフトピン４１０に関連付けられた通路を排気するために利用される。真空システム７０８と一次真空チューブ７１０は互いに流体連通しており、図９Ａでより詳細に説明される。
【００５２】
［００６４］図７Ｂ及び図７Ｃは、基板リフト機構７００によってもたらされる運動を示す、冷却プラテン２８０の一部の側断面図である。図７Ｂは、伸張位置のリフトピン４１０を示し、図７Ｃは、引っ込み位置のリフトピン４１０を示す。図７Ｄは、図７Ｂの基板リフト機構７００の拡大断面図である。図７Ｂから７Ｄには、１つのリフトピン４１０及び関連付けられた基板リフト機構７００のみが示されているが、支持プレート７０２上の複数のリフトピン４１０の各リフトピン４１０は、関連付けられた基板リフト機構７００を有することに留意されたい。
【００５３】
［００６５］図７Ｂから図７Ｄに示すように、リフトピンアセンブリ７０６は、冷却プラテン２８０と支持プレート７０２に連結されたベースハウジング７１１との間に配置されたベローズ７０８を含む。ベローズ７０８は、低熱膨張係数及び高強度有する金属合金から作製されてもよい。一例では、ベローズ７０８は、Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｒ合金（例えば、商品名ＨＡＹＮＥＳ（登録商標）２４２（登録商標）で販売されている合金材料）であってもよい。ベースハウジング７１１と支持プレート７０２との間の界面には、Ｏリングのようなシール７０９が設けられ得る。取り付けプレート７１３が、冷却プラテン２８０とベローズ７０８との間に連結され得る。取り付けプレート７１３は、ファスナを介して冷却プラテン２８０に連結され得る。
【００５４】
［００６６］リフトピン４１０のシャフト４１３の一部が、ベースハウジング７１１内に配置される。例えば、図７Ｂ及び図７Ｄに最も良く示されるように、先端部４１２の反対側のシャフト４１３の端部が把持部材７１２に連結される。把持部材７１２は、高熱環境で使用可能なプラスチック材料（例えば、商品名ＶＥＳＰＥＬ（登録商標）で販売されているポリイミド系ポリマー）から作製され得る。把持部材７１２は、リテーナハウジング７１４に連結されている。リテーナハウジング７１４は、その一端で把持部材７１２のリップ７１６を受け入れる。リテーナハウジング７１４の反対側の端部は、ベースピン７１８に連結される。ベースピン７１８は、支持プレート７０２に連結され得る。ベースピン７１８、ベースハウジング７１１、及びリテーナハウジング７１４のための材料は、ステンレス鋼などの金属を含む。
【００５５】
［００６７］再び図７Ｂ及び図７Ｃを参照すると、リフターピン４１０のうちの１つの周りに配置されたブッシング４１７が示されている。それぞれのブッシング４１７は、高熱環境で使用可能なプラスチック材料から作製され得る。それぞれのブッシング４１７は、内部リテーナ７２４（例えば、スナップリングリテーナ）によって固定され得る。ボルト又はネジ軸であり得る制限部材７２６が、支持プレート７０２に連結されているように示されている。図７Ｂに示すように、制限部材７２６の高さを例えばＺ方向に調整して、リフトピン４１０の運動をＺ方向に制限することができる。
【００５６】
［００６８］図８は、フレキシブル接合部材８００を介して支持プレート７０２に連結されたモータ７０４の拡大断面図である。フレキシブル接合部材８００は、複数のベースファスナ８１０によって支持プレート７０２に連結された基部８０５を含む。それぞれの基部ファスナ８１０は、支持プレート７０２に形成されたオーバーサイズ孔８１５を通過する。それぞれのオーバーサイズ孔８１５は、基部ファスナ８１０の直径よりも大きい直径を有し、これにより、基部ファスナ８１０が孔８１５を通り、基部８０５に固定されることが可能になる。基部８０５は、中央ファスナ８２５の一部を受け入れる貫通スロット８２０を含む。中央ファスナ８２５は、モータ７０４を基部８０５に連結する。貫通スロット８２０は、中央ファスナ８２５の頭部８３０の少なくとも一部を露出させ、これにより、中央ファスナ８２５の回転が中央ファスナ８２５をＺ方向に沿って移動させることが可能になる。作動すると、フレキシブル接合部材８００は、支持プレート７０２と基部８０５の外周領域との間に数ミリメートルの間隙８３５を設ける。
【００５７】
［００６９］図９Ａ及び図９Ｂは、真空システム７０８の詳細を示す、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２の等角図である。図９Ａは、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２の等角底面図であり、図９Ｂは、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２の底部の等角断面図である。
【００５８】
［００７０］図９Ａ及び図９Ｂでは、支持プレート７０２が、冷却プラテン２８０の下方に配置され、モータ７０４及び複数のリフトピンアセンブリ７０６が、それらの間に連結されている。複数の一次真空チューブ７１０が図９Ａに示されている。各一次真空チューブ７１０は、それぞれのリフトピンアセンブリ７０６に関連付けられ、１つ又は複数の二次真空チューブ９０５によって前方ライン９００に連結されている。隔離弁９１０が、一次真空チューブ７１０と前方ライン９００との間に配置されているよう示されている。
【００５９】
［００７１］図９Ｂに示されるように、それぞれの一次真空チューブ７１０（図９Ｂでは１つのみが示される）は、ボア９２０によってリフトピン通路９１５に流体的に連結される。ボア９２０とリフトピン通路９１５の両方が、冷却プラテン２８０内に形成される。例えば、リフトピン通路９１５は、冷却プラテン２８０の２つの主要面間に形成された貫通孔であり、ボア９２０は、リフトピン通路９１５の長さに沿って、一次真空チューブ７１０と接続する冷却プラテン２８０の片方の主要面へと形成された通路であり得る。作動中、真空システム７０８は、真空ポンプ２３６（図２に示される）に連結された前方ライン９００に連結される。真空ポンプ２３６は、リフトピン通路９１５を排気するために利用されるが、基板インプット／アウトプットチャンバ１２２のチャンバ空間２１８を排気するためにも利用される。
【００６０】
［００７２］図１０は、一実施形態に係る処理チャンバ１０００の概略断面図である。処理チャンバ１０００は、図１に示す処理チャンバ１１０、１１２、１３２、１２８、１２０のうちの１つ又は複数であってもよい。
【００６１】
［００７３］サセプタ１００６は、処理チャンバ１０００内部で、上方ドーム１０２８と下方ドーム１０１４との間に位置する。処理チャンバ１０００は、基板１２４の上面への材料の堆積を含む、１つ又は複数の基板の処理のために使用され得る。処理チャンバ１０００は、他の構成要素の中でもとりわけ処理チャンバ１０００内に配置されたサセプタ１００６の背面１００４を加熱するための放射加熱ランプ１００２のアレイを含み得る。ここで使用される「サセプタ」は、放射エネルギーを吸収し、吸収した放射エネルギーを熱エネルギーに変換する物体として定義される。この熱エネルギーは、サセプタの上又は近傍に置かれた別の物体を加熱する。処理チャンバ１０００は、サセプタ１００６を含むが、ここに記載されたキャリア２０６の実施形態が、他の種類の基板支持体又はペデスタルと共に使用されてもよく、サセプタ１００６と同様に構成されてもよい。上方ドーム１０２８、下方ドーム１０１４、及び上方ドーム１０２８と下方ドーム１０１４との間に配置された基部リング１０３６は、概して、処理チャンバ１０００の内部領域を画定する。ここに記載されるように、デバイス側１０１６が上を向き、キャリア２０６上のサセプタ１００６の前側１０１０に位置付けされる基板１２４は、処理チャンバ１０００内に持ち込まれ、ローディングポート１００３を通してサセプタ１００６上に位置付けされ得る。サセプタ１００６は、サセプタ支持構造体１０９０によって支持され得る。サセプタ支持構造体１０９０は、中心シャフト１０３２によって支持された少なくとも３つの第１の支持アーム１０９２（２つだけが示されている）を含む。一実施形態では、中心シャフト１０３２上のサセプタ１００６を下降させることにより、キャリアリフトピン１００５がキャリア２０６と接触することが可能になる。キャリアリフトピン１００５は、第１の支持アーム１０９２の孔及びサセプタ１００６の孔を通過し、キャリア２０６及び基板１２４をサセプタ１００６から引き上げる。キャリア２０６は、サセプタ１００６の前側１０１０に形成された凹部又は溝１０２５内に配置され得る。サセプタ１００６は、図示されているように処理位置に配置されている間、処理チャンバ１０００の内部空間を、基板１２４の上方の処理ガス領域１０５６とサセプタ１００６の下方のパージガス領域１０５８とに分割する。サセプタ１００６は、回転させることができ、さらに基板１２４及びキャリア２０６を上下方向１０３４に移動させる。ランプ１００２は、電球１０４１を含むように構成されてもよく、基板１２４を加熱するために使用される。基板１２４の温度測定／制御のために、光高温計１０１８が使用され得る。ランプ１００２は、ランプヘッド１０４５の内部に含まれ得る。ランプヘッド１０４５は、例えば、複数のランプ１００２間に位置するチャネル１０４９内に導入される冷却流体によって、処理中又は処理後に冷却され得る。処理ガス供給源１０７２から供給される処理ガスは、基部リング１０３６に形成された処理ガス注入口１０７４を通じて、処理ガス領域１０５６内に導入される。処理ガスは、処理ガス領域１０５６から（流路１０７５に沿って）、処理チャンバ１０００の、処理ガス注入口１０７４とは反対側に位置するガス排出口１０７８を通って排出される。ガス排出口１０７８を通る処理ガスの除去は、そこに連結された真空ポンプ１０８０によって促進され得る。円形シールド１０６７又は予熱リングが、サセプタ１００６の周囲に任意選択的に配置されてもよい。サセプタ１００６は、さらにライナアセンブリ１０６３によって囲まれてもよい。シールド１０６７は、処理ガスのための予熱ゾーンを設けながら、ランプ１００２から基板１２４のデバイス側１０１６への熱／光ノイズの漏出を防止又は最小化する。ライナアセンブリ１０６３は、処理チャンバ１０００の金属壁から処理空間（すなわち、処理ガス領域１０５６及びパージガス領域１０５８）を遮蔽する。金属壁は、前駆体と反応して、処理空間内に汚染を生じさせ得る。シールド１０６７及び／又はライナアセンブリ１０６３は、ＣＶＤ  ＳｉＣ、ＳｉＣでコーティングされた焼結グラファイト、成長ＳｉＣ、不透明石英、コーティングされた石英、又は処理ガス及びパージガスによる化学分解に対して耐性を有する任意の類似した適切な材料から作製されてもよい。クランプリング１０３０を用いて上方ドーム１０２８に固定されるリフレクタ１０２２が、上方ドーム１０２８の外側に任意選択的に配置されてもよい。冷却源（図示せず）に接続するために、リフレクタ１０２２は、１つ又は複数のチャネル１０２６を有し得る。チャネル１０２６は、リフレクタ１０２２の側面に形成された通路（図示せず）に接続される。
【００６２】
［００７４］図１１は、図１０のサセプタ１００６の等角図である。キャリア２０６は、キャリアリフトピン１００５によって支持されて、基板１２４（キャリア２０６によって支持されている部分が示される）をサセプタ１００６の前側１０１０から離間させる。図１１に示すキャリア２０６と基板１２４の位置は、ロボット（図示せず）がサセプタ１００６の前側１０１０と基板１２４との間の空間に入り得る移送位置であり得る。
【００６３】
［００７５］基板支持体１９０は、中央シャフト１０３２、及び中央シャフト１０３２の周囲に配置された外側シャフト１１００を含む。中央シャフト１０３２及び外側シャフト１１００の一方又は両方は、他方に対して直線的に移動可能である。一実施形態では、サセプタ１００６をキャリアリフトピン１００５に対して上下させるために、外側シャフト１１００が静止している間、中央シャフト１０３２をＺ方向に移動させることが可能である。キャリアリフトピン１００５は、第１の支持アーム１０９２と略平行である第２の支持アーム１１０５上に配置される。第２の支持アーム１１０５の端部は、キャリア２０６の移送中にキャリアリフトピン１００５が支持されるパッド１１１０を含む。第１の支持アーム１０９２は、サセプタ１００６の外周１１２０においてサセプタ１００６の裏側１００４に接触する角度付けられた延長部１１１５を含む。キャリアリフトピン１００５は、第１の支持アーム１０９２に形成された開口１１２５を通して移動可能に配置され、これにより、キャリアリフトピン１００５は、第１の支持アーム１０９２に対してＺ方向に動くことが可能になる。
【００６４】
［００７６］図１２は、図１０のサセプタ１００６及びキャリア２０６の一部の拡大断面図である。図１０で説明されたように、キャリア２０６は、サセプタ１００６の前側１０１０に形成された溝１０２５内に配置される。キャリアリフトピン１００５のうちの１つは、溝１０２５に隣接してサセプタ１００６に形成された開口１２００を通して設けられる。図１０及び図１２に示す処理位置では、キャリア２０６が溝１０２５内に静止するか又は受け入れられるように、キャリアリフトピン１００５がキャリア２０６から離脱する。例えば、溝１０２５は、キャリア２０６の周縁部６１５が支持され得る基準面１２０５を含む。図示の処理位置では、溝１０２５及びキャリア２０６は、キャリア２０６の上面１２１０が、サセプタ１００６の前側１０１０及び基板１２４の上面の平面の一方又は両方の平面の下方にあるように構築される。キャリアリフトピン１００５は、フレア状ヘッド１２１５を含む。フレア状ヘッド１２１５は、キャリアリフトピン１００５が、サセプタ１００６内で吊り下げられ、キャリア２０６から離間されることを可能にする。例えば、キャリアリフトピン１００５は、開口１２００の角度付けられた側壁１２２５に適合する円形の角度付けられた側壁１２２０を含む。
【００６５】
［００７７］しかしながら、移送中、基板１２４が載っているキャリア２０６は、サセプタ１００６から持ち上げられて離されてもよい。例えば、フレア状ヘッド１２１５の凸部１２３０がキャリア２０６の凹溝６１０に接触するように、サセプタ１００６が下向きに（Ｚ方向に）付勢され得る。リフトピン１００５をＺ方向に継続的に持ち上げることにより、図１１に示すように、基板１２４をサセプタ１００６の前側１０１０から離間させる。基板１２４及びキャリア２０６をサセプタ１００６から離間させることによって、ロボットブレード（図示せず。例えば、図１に示す真空ロボット１３０のブレード１３４）が、それらの間に入ることが可能になる。
【００６６】
［００７８］以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱しない限り、本開示の他の実施形態及びさらなる実施形態を考案してもよい。本開示の範囲は、下記の特許請求の範囲によって決定される。
【図１】
2021513223.tif 000003
【図２】
2021513223.tif 000004
【図３Ａ】
2021513223.tif 000005
【図３Ｂ】
2021513223.tif 000006
【図４Ａ】
2021513223.tif 000007
【図４Ｂ】
2021513223.tif 000008
【図４Ｃ】
2021513223.tif 000009
【図４Ｄ】
2021513223.tif 000010
【図４Ｅ】
2021513223.tif 000011
【図４Ｆ】
2021513223.tif 000012
【図４Ｇ】
2021513223.tif 000013
【図５Ａ】
2021513223.tif 000014
【図５Ｂ】
2021513223.tif 000015
【図５Ｃ】
2021513223.tif 000016
【図６】
2021513223.tif 000017
【図７Ａ】
2021513223.tif 000018
【図７Ｂ】
2021513223.tif 000019
【図７Ｃ】
2021513223.tif 000020
【図７Ｄ】
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【図８】
2021513223.tif 000022
【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
2021513223.tif 000024
【図１０】
2021513223.tif 000025
【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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