(57)【要約】  電子デバイスは、SIMカードと同じ外観サイズを有するメモリカードが、ストレージ機能を実装して電子デバイスのスペースを節約するために使用されるとき、電子デバイスのカードインターフェースに挿入されたカードのタイプを識別するように構成される。電子デバイスは、カードインターフェースおよび処理モジュールを含む。カードインターフェースは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードまたはメモリカードがカードインターフェースに挿入されてよい。カードインターフェースはN個のスプリングを含み、N＞1であり、メモリカードがカードインターフェースに挿入されると、メモリカードは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードの1つの金属ピンはN個のスプリングの中の第1のスプリングおよび第1のスプリングに隣接する1つのスプリングに電気的に接続される。処理モジュールは、少なくとも第1のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断するように構成される。
2021512545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カードインターフェースおよび処理モジュールを備える電子デバイスであって、前記カードインターフェースが前記処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードまたはメモリカードが前記カードインターフェースに挿入されてよく、
前記カードインターフェースがN個のスプリングを備え、N＞1であり、メモリカードが前記カードインターフェースに挿入されると、前記メモリカードが前記処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードが前記カードインターフェースに挿入されると、前記SIMカードが前記処理モジュールに電気的に接続され、前記SIMカードの1つの金属ピンが、前記N個のスプリングの中の第1のスプリングおよび前記第1のスプリングに隣接する1つのスプリングに電気的に接続され、
前記処理モジュールが、少なくとも前記第1のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断するように構成される、
電子デバイス。
【請求項２】
前記SIMカードがNano SIMカードであり、前記メモリカードが前記Nano SIMカードと同じ外観を有するメモリカードである、請求項1に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記処理モジュールに接続された電力インターフェース、3つのアナログスイッチ、ならびに6個のストレージ通信インターフェースおよび3つのSIM通信インターフェースをさらに備え、
前記電力インターフェースが、前記N個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに電気的に接続され、前記3つのアナログスイッチの第1の端部が、前記N個のスプリングのうちの3つにそれぞれ接続され、前記3つのアナログスイッチの第2の端部が、切替え動作を介して前記6個のストレージ通信インターフェースのうちの3つにそれぞれ接続されるか、または切替え動作を介して前記3つのSIM通信インターフェースにそれぞれ接続され、前記3つのストレージ通信インターフェース以外の前記6個のストレージ通信インターフェースでは、第1のストレージ通信インターフェースが前記第1のスプリングに接続され、第2のストレージ通信インターフェースが前記N個のスプリングの中の第4のスプリングに接続され、第3のストレージ通信インターフェースが前記N個のスプリングの中の第5のスプリングに接続される、
請求項2に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記処理モジュールが、前記挿入されたカードがSIMカードであると判断すると、前記3つのSIM通信インターフェースにそれぞれ接続されるように前記3つのアナログスイッチの前記第2の端部を制御し、前記挿入されたカードがメモリカードであると判断すると、前記3つのストレージ通信インターフェースにそれぞれ接続されるように前記3つのアナログスイッチの前記第2の端部を制御する
ようにさらに構成される、請求項3に記載の電子デバイス。
【請求項５】
近距離無線通信NFCモジュールおよびNFCアナログスイッチをさらに備え、前記NFCアナログスイッチの第1の端部が前記第5のスプリングに接続され、前記NFCアナログスイッチの第2の端部が、切替え動作を介して前記第3のストレージ通信インターフェースに接続されるか、または切替え動作を介して前記NFCモジュールに接続され、前記NFCモジュールが前記NFCアナログスイッチに接続されると、前記NFCモジュールがNFC機能を実装するように構成される、
請求項3または4に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断するとき、前記処理モジュールが、
前記第1のスプリングが前記N個のスプリングの中の電源に接続するために使用される前記第2のスプリングに隣接し、前記第1のスプリングのデフォルトレベルが低レベルである場合、前記第1のスプリングが高レベルにあるとき、前記挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは前記第1のスプリングが低レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記挿入されたカードがメモリカードであると判断し、かつ／または、
前記第1のスプリングが前記N個のスプリングの中の接地に使用される第3のスプリングに隣接し、前記第1のスプリングのデフォルトレベルが高レベルである場合、前記第1のスプリングが低レベルにあるとき、前記挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは前記第1のスプリングが高レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記挿入されたカードがメモリカードであると判断する
ように構成される、請求項1から5のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断するとき、前記処理モジュールが、
前記第1のスプリングの前記デフォルトレベルが低レベルである場合、前記処理モジュールが前記第1のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルを高レベルに構成し、前記第1のスプリングが高レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは前記第1のスプリングが低レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記挿入されたカードがメモリカードであると判断し、かつ／または、
前記第1のスプリングの前記デフォルトレベルが高レベルである場合、前記処理モジュールが前記第1のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルを低レベルに構成し、前記第1のスプリングが低レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは前記第1のスプリングが高レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記挿入されたカードがメモリカードであると判断する
ように構成される、請求項1から6のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記処理モジュールが、
前記N個のスプリングの中の前記第4のスプリングのレベルに基づいて、前記挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断する
ようにさらに構成される、請求項1から7のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断するとき、前記処理モジュールが、
前記第4のスプリングが前記N個のスプリングの中の電源に接続するために使用される前記第2のスプリングに隣接し、前記第4のスプリングのデフォルトレベルが低レベルである場合、前記第4のスプリングが高レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは前記第4のスプリングが低レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記挿入されたカードがメモリカードであると判断し、かつ／または、
前記第4のスプリングが前記N個のスプリングの中の接地に使用される前記第3のスプリングに隣接し、前記第4のスプリングのデフォルトレベルが高レベルである場合、前記第4のスプリングが低レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは前記第4のスプリングが高レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記挿入されたカードがメモリカードであると判断する
ように構成される、請求項8に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断するとき、前記処理モジュールが、
前記第4のスプリングの前記デフォルトレベルが低レベルである場合、前記処理モジュールが前記第4のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルを高レベルに構成し、前記第4のスプリングが高レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは前記第4のスプリングが低レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記挿入されたカードがメモリカードであると判断し、かつ／または、
前記第4のスプリングの前記デフォルトレベルが高レベルである場合、前記処理モジュールが前記第4のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルを低レベルに構成し、前記第4のスプリングが低レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは前記第4のスプリングが高レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記挿入されたカードがメモリカードであると判断する
ように構成される、請求項8または9に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記処理モジュールが、
前記第1のスプリング以外の前記N個のスプリングのうち、前記N個のスプリングの中の電源に接続するために使用される前記第2のスプリングに隣接する、第1の指定されたスプリングのデフォルトレベルを低レベルに構成する
ようにさらに構成される、請求項1から10のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記処理モジュールが、前記第1のスプリングが前記N個のスプリングの中の電源に接続するために使用される前記第2のスプリングに隣接し、前記第1のスプリングの前記デフォルトレベルが低レベルである場合、前記第1のスプリングが低レベルにあり、前記第1の指定されたスプリングが高レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記第2のスプリングと前記第1の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、前記第2のスプリングと前記第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断するようにさらに構成される、請求項11に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
前記処理モジュールが、
前記第1のスプリングが前記N個のスプリングの中の電源に接続するために使用される前記第2のスプリングに隣接し、前記第1のスプリングの前記デフォルトレベルが低レベルである場合、前記第1のスプリングが低レベルにあり、前記第1の指定されたスプリングが低レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記第2のスプリングと前記第1の指定されたスプリングとの間で開路が発生し、前記第2のスプリングと前記第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断する
ようにさらに構成される、請求項11または12に記載の電子デバイス。
【請求項１４】
前記処理モジュールが、
前記第1のストレージ通信インターフェースに伝導されるように、前記電子デバイス内の前記電力インターフェースを制御し、前記第2のストレージ通信インターフェースに伝導されるように、前記電子デバイス内の接地インターフェースを制し、前記第1のストレージ通信インターフェースが前記第1のスプリングに接続され、前記第2のストレージ通信インターフェースが前記N個のスプリングの中の前記第4のスプリングに接続され、前記第4のスプリングと前記第1のスプリングが前記カードインターフェース上で対称的に配置される、
ようにさらに構成される、請求項12または13に記載の電子デバイス。
【請求項１５】
前記処理モジュールが、
前記第1のスプリングが前記N個のスプリングの中の電源に接続するために使用される前記第2のスプリングに隣接し、前記第1のスプリングの前記デフォルトレベルが低レベルである場合、前記第1のスプリングが高レベルにあり、前記第1の指定されたスプリングが高レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記第2のスプリングと前記第1の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、前記第2のスプリングと前記第1のスプリングとの間で短絡が発生すると判断する
ようにさらに構成される、請求項11から14のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項１６】
前記処理モジュールが、
第1のユーザプロンプト情報を生成し、前記第1のユーザプロンプト情報が、前記SIMカードが異常であることをユーザに通知するために使用される、
ようにさらに構成される、請求項15に記載の電子デバイス。
【請求項１７】
前記処理モジュールが、
前記第1のスプリング以外の前記N個のスプリングのうち、前記N個のスプリングの中の接地に使用される前記第3のスプリングに隣接する、第2の指定されたスプリングのデフォルトレベルを高レベルに構成する
ようにさらに構成される、請求項1から16のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項１８】
前記処理モジュールが、
前記第1のスプリングが前記N個のスプリングの中の接地に使用される前記第3のスプリングに隣接し、前記第1のスプリングの前記デフォルトレベルが高レベルである場合、前記第1のスプリングが高レベルにあり、前記第2の指定されたスプリングが低レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記第3のスプリングと前記第2の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、前記第3のスプリングと前記第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断する
ようにさらに構成される、請求項17に記載の電子デバイス。
【請求項１９】
前記処理モジュールが、
前記第1のスプリングが前記N個のスプリングの中の接地に使用される前記第3のスプリングに隣接し、前記第1のスプリングの前記デフォルトレベルが高レベルである場合、前記第1のスプリングが高レベルにあり、前記第2の指定されたスプリングが高レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記第3のスプリングと前記第2の指定されたスプリングとの間で開路が発生し、前記第3のスプリングと前記第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断する
ようにさらに構成される、請求項17または18に記載の電子デバイス。
【請求項２０】
前記処理モジュールが、
前記第1のストレージ通信インターフェースに伝導されるように、前記電子デバイス内の前記電力インターフェースを制御し、前記第2のストレージ通信インターフェースに伝導されるように、前記電子デバイス内の前記接地インターフェースを制し、前記第1のストレージ通信インターフェースが前記第1のスプリングに接続され、前記第2のストレージ通信インターフェースが前記N個のスプリングの中の前記第4のスプリングに接続され、前記第4のスプリングと前記第1のスプリングが前記カードインターフェース上で対称的に配置される、
ようにさらに構成される、請求項18または19に記載の電子デバイス。
【請求項２１】
前記処理モジュールが、
前記第1のスプリングが前記N個のスプリングの中の接地に使用される前記第3のスプリングに隣接し、前記第1のスプリングの前記デフォルトレベルが高レベルである場合、前記第1のスプリングが低レベルにあり、前記第2の指定されたスプリングが低レベルにあるとき、前記処理モジュールにより、前記第3のスプリングと前記第2の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、前記第3のスプリングと前記第1のスプリングとの間で短絡が発生すると判断する
ようにさらに構成される、請求項17から20のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項２２】
前記処理モジュールが、
第2のユーザプロンプト情報を生成し、前記第2のユーザプロンプト情報が、前記SIMカードが異常であることを前記ユーザに通知するために使用される、
ようにさらに構成される、請求項21に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願の実施形態は、端末技術の分野に関し、詳細には、電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
端末技術の発展に伴い、電子デバイス内のチップの集積レベルはますます高くなり、したがって、電子デバイスの空間利用に対してますます高い要件が課せられている。
【０００３】
現在、外部メモリカードおよび加入者識別モジュール（nano subscriber identity module）（略してNano SIMカード）が電子デバイスで使用されている。マイクロセキュアデジタルメモリカード（micro secure digital memory card）（略してMicro SDカード）などのメモリカードが一例として使用され、Micro SDカードのサイズは、通常、11mm×15mmであり、Nano SIMカードのサイズは、通常、8．8mm×12．3mmであり、2枚のカード間の面積の差は56mm2である。加えて、Micro SDカードインターフェースの面積は、Nano SIMカードインターフェースの面積より130mm2大きい。
【０００４】
外部メモリカードおよびカードインターフェースによって占有されるスペースが比較的大きく、携帯電話装置の構造がますますコンパクトになるように設計されているので、外部メモリカードおよびカードインターフェースによって占有されるスペースが比較的大きいという問題は、緊急に解決される必要がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本出願の実施形態では、電子デバイスのスペースを節約するために、Nano SIMカードと同じ外観サイズを有するメモリカードが使用され（説明を簡単にするために、「Nano SIMカードと同じ外観サイズを有するメモリカードカード」は、いくつかの実施形態では「Nanoメモリカード」と呼ばれる）、Nano SIMカードおよびNanoメモリカードは、電子デバイスのNano SIMカードインターフェースを介して互いに互換性がある。すなわち、Nano SIMカードは、ユーザ識別機能を実装するために、電子デバイスのNano SIMカードインターフェースに挿入されてよく、Nanoメモリカードも、ストレージ機能を実装するために、電子デバイスのNano SIMカードインターフェースに挿入されてよい。電子デバイスは、カードインターフェースに挿入されたカードがNano SIMカードまたはNanoメモリカードであることを識別し、次いで、ユーザ識別機能またはストレージ機能を実装するために、Nano SIMカードに対応する回路またはNanoメモリカードに対応する回路を切り替える。
【０００６】
本出願のいくつかの実施形態は、SIMカードと同じ外観サイズを有するメモリカードが、ストレージ機能を実装して電子デバイスのスペースを節約するために使用されるとき、電子デバイスのカードインターフェースに挿入されたカードのタイプを識別するように構成された電子デバイスを提供する。
【０００７】
第1の態様によれば、本出願の一実施形態は電子デバイスを提供し、電子デバイスは、カードインターフェースおよび処理モジュールを含み、カードインターフェースは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードまたはメモリカードはカードインターフェースに挿入されてよく、
カードインターフェースはN個のスプリングを含み、N＞1であり、メモリカードがカードインターフェースに挿入されると、メモリカードは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードの1つの金属ピンは、N個のスプリングの中の第1のスプリングおよび第1のスプリングに隣接する1つのスプリングに電気的に接続され、
処理モジュールは、少なくとも第1のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断するように構成される。
【０００８】
カードインターフェースはNano SIMカードインターフェースであってよく、カードインターフェースに挿入されたSIMカードはNano SIMカードであってよく、カードインターフェースに挿入されたメモリカードは、Nano SIMカードと同じ外観を有するNanoメモリカード（たとえば、SDカード）であってよい。カードインターフェースのN個のスプリングは、処理モジュールに電気的に接続される。カードがカードインターフェースに挿入されると、カードの金属ピンはカードインターフェースのN個のスプリングに電気的に接続され、カードはカードインターフェースのN個のスプリングを使用して処理モジュールに電気的に接続される。
【０００９】
前述の解決策によれば、電子デバイスはカードインターフェースおよび処理モジュールを含む。メモリカードがカードインターフェースに挿入されると、メモリカードは電子デバイスのストレージ機能を実装するために処理モジュールに電気的に接続される。SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードの1つの金属ピンは、N個のスプリングの中の第1のスプリングおよび第1のスプリングに隣接する1つのスプリングに電気的に接続される。処理モジュールは、少なくとも第1のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断する。SIMカードが挿入されると、第1のスプリングと隣接するスプリングとの間で短絡が発生し、短絡現象により、第1のスプリングの電流レベルはデフォルトレベルとは異なるものになる。第1のスプリングのレベルがデフォルトレベルであると処理モジュールが判断した場合、処理モジュールは、挿入されたカードがメモリカードであると判断することができる。第1のスプリングのレベルがデフォルトレベルではないと処理モジュールが判断した場合、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【００１０】
可能な設計では、カードインターフェースに挿入されたSIMカードはNano SIMカードであってよく、カードインターフェースに挿入されたメモリカードはNano SIMカードと同じ外観を有するSDカードであってよい。前述の解決策によれば、メモリカードは実装中のSDカードであってよい。
【００１１】
可能な設計では、電子デバイスは、処理モジュールに接続された電力インターフェース、3つのアナログスイッチ、ならびに6個のストレージ通信インターフェースおよび3つのSIM通信インターフェースをさらに含み、電力インターフェースは、N個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに電気的に接続され、3つのアナログスイッチの第1の端部は、N個のスプリングのうちの3つにそれぞれ接続され、3つのアナログスイッチの第2の端部は、切替え動作を介して6個のストレージ通信インターフェースのうちの3つにそれぞれ接続されるか、または切替え動作を介して3つのSIM通信インターフェースにそれぞれ接続され、3つのストレージ通信インターフェース以外の6個のストレージ通信インターフェースでは、第1のストレージ通信インターフェースは第1のスプリングに接続され、第2のストレージ通信インターフェースはN個のスプリングの中の第4のスプリングに接続され、第3のストレージ通信インターフェースはN個のスプリングの中の第5のスプリングに接続される。
【００１２】
カードが挿入されたことを電子デバイスが検出すると、電力インターフェースは電圧を与え、その結果、カードの電源がオンになり、処理モジュールは、第1のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードのタイプを特定する。
【００１３】
前述の解決策によれば、電子デバイスの構造が提供される。この構造では、メモリカードはSDカードであってよく、SIMカードはNano SIMカードであってよい。
【００１４】
可能な設計では、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断すると、3つのSIM通信インターフェースにそれぞれ接続されるように3つのアナログスイッチの第2の端部を制御し、挿入されたカードがメモリカードであると判断すると、3つのストレージ通信インターフェースにそれぞれ接続されるように3つのアナログスイッチの第2の端部を制御するようにさらに構成される。
【００１５】
前述の解決策によれば、挿入されたカードのタイプが識別された後、カードは、対応する機能を実装するために処理モジュールに通信可能に接続されてよい。
【００１６】
可能な設計では、電子デバイスは、近距離無線通信NFCモジュールおよびNFCアナログスイッチをさらに含む。NFCアナログスイッチの第1の端部は第5のスプリングに接続され、第2の端部は、切替え動作を介して第3のストレージ通信インターフェースまたはNFCモジュールに接続される。NFCモジュールがNFCアナログスイッチに接続されると、NFCモジュールはNFC機能を実装するように構成される。
【００１７】
前述の解決策によれば、電子デバイスが電子デバイスのNFC機能を実装するために、NFC機能とのインターフェースが提供されてよい。
【００１８】
以下で、処理モジュールが、少なくとも第1のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断する方式を記載する。
【００１９】
可能な設計では、処理モジュールは、以下の方式で挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断することができる：第1のスプリングがN個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが低レベルである場合、第1のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは第1のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがメモリカードであると判断し、かつ／または、第1のスプリングがN個のスプリングの中の接地に使用される第3のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが高レベルである場合、第1のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは第1のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがメモリカードであると判断する。
【００２０】
第1の方式では、第1のスプリングのデフォルトレベルは低レベルである。第1のスプリングは第2のスプリング（VCCスプリング）に隣接し、第1のスプリングに対応する金属ピンおよび第2のスプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第1のスプリングと第2のスプリングの両方を覆い、第1のスプリングと第2のスプリングとの間で短絡が発生し、第1のスプリングのレベルが第2のスプリングによって高レベルに引き上げられる。第1のスプリングが高レベルにあると判断すると、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【００２１】
第2の方式では、第1のスプリングのデフォルトレベルは高レベルである。第1のスプリングは第3のスプリング（GNDスプリング）に隣接し、第1のスプリングに対応する金属ピンおよび第3のスプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第1のスプリングと第3のスプリングの両方を覆い、第1のスプリングと第3のスプリングとの間で短絡が発生し、第1のスプリングのレベルが第3のスプリングによって低レベルに引き下げられる。第1のスプリングが低レベルにあると判断すると、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【００２２】
可能な設計では、処理モジュールは、以下の方式で挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断することができる：第1のスプリングのデフォルトレベルが低レベルであり、処理モジュールが第1のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルを高レベルに構成する場合、第1のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは第1のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがメモリカードであると判断し、かつ／または、第1のスプリングのデフォルトレベルが高レベルであり、処理モジュールが第1のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルを低レベルに構成する場合、第1のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは第1のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがメモリカードであると判断する。
【００２３】
第1の方式では、第1のスプリングのデフォルトレベルは低レベルであり、第1のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルは高レベルである。第1のスプリングに対応する金属ピンおよび隣接スプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第1のスプリングとそのスプリングの両方を覆い、第1のスプリングとそのスプリングとの間で短絡が発生し、第1のスプリングのレベルがそのスプリングによって高レベルに引き上げられる。第1のスプリングが高レベルにあると判断すると、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【００２４】
第2の方式では、第1のスプリングのデフォルトレベルは高レベルであり、第1のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルは低レベルである。第1のスプリングに対応する金属ピンおよび隣接スプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第1のスプリングとそのスプリングの両方を覆い、第1のスプリングとそのスプリングとの間で短絡が発生し、第1のスプリングのレベルがそのスプリングによって低レベルに引き下げられる。第1のスプリングが低レベルにあると判断すると、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【００２５】
可能な設計では、処理モジュールは、N個のスプリングの中の第4のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断するようにさらに構成される。前述の解決策によれば、処理モジュールは、処理モジュールがより正確にカードタイプを特定するように、第4のスプリングのレベルに基づいて挿入されたカードのタイプを特定することができる。
【００２６】
可能な設計では、処理モジュールは、以下の方式で挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断することができる：第4のスプリングがN個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに隣接し、第4のスプリングのデフォルトレベルが低レベルである場合、第4のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは第4のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがメモリカードであると判断し、かつ／または、第4のスプリングがN個のスプリングの中の接地に使用される第3のスプリングに隣接し、第4のスプリングのデフォルトレベルが高レベルである場合、第4のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは第4のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがメモリカードであると判断する。
【００２７】
第1の方式では、第4のスプリングのデフォルトレベルは低レベルである。第4のスプリングは第2のスプリング（VCCスプリング）に隣接し、第4のスプリングに対応する金属ピンおよび第2のスプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第4のスプリングと第2のスプリングの両方を覆い、第4のスプリングと第2のスプリングとの間で短絡が発生し、第4のスプリングのレベルが第2のスプリングによって高レベルに引き上げられる。第4のスプリングが高レベルにあると判断すると、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【００２８】
第2の方式では、第4のスプリングのデフォルトレベルは高レベルである。第4のスプリングは第3のスプリング（GNDスプリング）に隣接し、第4のスプリングに対応する金属ピンおよび第3のスプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第4のスプリングと第3のスプリングの両方を覆い、第4のスプリングと第3のスプリングとの間で短絡が発生し、第4のスプリングのレベルが第3のスプリングによって低レベルに引き下げられる。第4のスプリングが低レベルにあると判断すると、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【００２９】
可能な設計では、処理モジュールは、以下の方式で挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断することができる：第4のスプリングのデフォルトレベルが低レベルであり、処理モジュールが第4のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルを高レベルに構成する場合、第4のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは第4のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがメモリカードであると判断し、かつ／または、第4のスプリングのデフォルトレベルが高レベルであり、処理モジュールが第4のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルを低レベルに構成する場合、第4のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、もしくは第4のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュールは、挿入されたカードがメモリカードであると判断する。
【００３０】
第1の方式では、第4のスプリングのデフォルトレベルは低レベルであり、第4のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルは高レベルである。第4のスプリングに対応する金属ピンおよび隣接スプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第4のスプリングとそのスプリングの両方を覆い、第4のスプリングとそのスプリングとの間で短絡が発生し、第4のスプリングのレベルがそのスプリングによって高レベルに引き上げられる。第4のスプリングが高レベルにあると判断すると、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【００３１】
第2の方式では、第4のスプリングのデフォルトレベルは高レベルであり、第4のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルは低レベルである。第4のスプリングに対応する金属ピンおよび隣接スプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第4のスプリングとそのスプリングの両方を覆い、第4のスプリングとそのスプリングとの間で短絡が発生し、第4のスプリングのレベルがそのスプリングによって低レベルに引き下げられる。第4のスプリングが高レベルから低レベルに切り替わったと判断すると、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【００３２】
挿入されたカードがSIMカードである場合、第1の態様において提供される電子デバイスは、SIMカードが異常であるかどうかを判定するために、カードインターフェース上のスプリングのレベルをさらに検出することができる。以下では、SIMカードの異常状態を検出するための解決策を詳細に記載する。
【００３３】
可能な設計では、処理モジュールは、第1のスプリング以外のN個のスプリングのうち、N個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに隣接する、第1の指定されたスプリングのデフォルトレベルを低レベルに構成するようにさらに構成される。
【００３４】
第1の指定されたスプリングのデフォルトレベルを構成した後、処理モジュールは、以下の3つの方式でSIMカードの異常状態を検出することができる。
【００３５】
第1の方式
可能な設計では、処理モジュールは、第1のスプリングがN個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが低レベルである場合、第1のスプリングが低レベルにあり、第1の指定されたスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュールにより、第2のスプリングと第1の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第2のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断するようにさらに構成される。
【００３６】
第1のスプリングは低レベルにあり、第1の指定されたスプリングは高レベルにある。言い換えれば、SIMカードを切断する際のエラーのために、第2のスプリングは、SIMカード内の第1の指定されたスプリングに対応する金属ピンに接続され、第1のスプリングに対応する金属ピンから切り離される。この場合、第1のスプリングは低レベルにあり、第1の指定されたスプリングは高レベルにある。処理モジュールは、第1のスプリングのレベルおよび第1の指定されたスプリングのレベルに基づいて、第2のスプリングと第1の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第2のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断することができる。
【００３７】
第2の方式
可能な設計では、処理モジュールは、第1のスプリングがN個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが低レベルである場合、第1のスプリングが低レベルにあり、第1の指定されたスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュールにより、第2のスプリングと第1の指定されたスプリングとの間で開路が発生し、第2のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断するようにさらに構成される。
【００３８】
第1のスプリングは低レベルにあり、第1の指定されたスプリングは低レベルにある。言い換えれば、SIMカードを切断する際のエラーのために、第2のスプリングは、SIMカード内の第1の指定されたスプリングに対応する金属ピンから切り離され、第1のスプリングに対応する金属ピンからも切り離され、第2のスプリングは、SIMカード内の金属ピン間の絶縁ギャップに接続される。この場合、第1のスプリングと第1の指定されたスプリングの両方は低レベルにある。処理モジュールは、第1のスプリングのレベルおよび第1の指定されたスプリングのレベルに基づいて、第2のスプリングと第1の指定されたスプリングとの間で開路が発生し、第2のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断することができる。
【００３９】
処理モジュールは、異常を修正するために、第1の異常状態および第2の異常状態に対して対応する処理を実行することができる。処理モジュールは、第1のストレージ通信インターフェースに伝導されるように電力インターフェースを制御し、第2のストレージ通信インターフェースに伝導されるように接地インターフェースを制御することができる。第1のストレージ通信インターフェースは第1のスプリングに接続され、第2のストレージ通信インターフェースはN個のスプリングの中の第4のスプリングに接続され、第4のスプリングおよび第1のスプリングはカードインターフェース上で対称的に配置される。
【００４０】
前述の解決策によれば、カードインターフェース上の第1のスプリングのレベルを高レベルに変更するために、電力インターフェースは第1のストレージ通信インターフェースに伝導され、その結果、SIMカードの電源がオンになる。加えて、カードインターフェース上の第4のスプリングのレベルを低レベルに変更するために、接地インターフェースは第2のストレージ通信インターフェースに伝導され、その結果、SIMカードは接地される。
【００４１】
第3の方式
可能な設計では、処理モジュールは、第1のスプリングがN個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが低レベルである場合、第1のスプリングが高レベルにあり、第1の指定されたスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュールにより、第2のスプリングと第1の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第2のスプリングと第1のスプリングとの間で短絡が発生すると判断するようにさらに構成される。
【００４２】
第1のスプリングは高レベルにあり、第1の指定されたスプリングは高レベルにある。言い換えれば、SIMカードを切断する際のエラーのために、第2のスプリングは、SIMカード内の第1の指定されたスプリングに対応する金属ピンに接続され、第1のスプリングに対応する金属ピンにも接続される。この場合、第1のスプリングと第1の指定されたスプリングの両方は高レベルにある。処理モジュールは、第1のスプリングのレベルおよび第1の指定されたスプリングのレベルに基づいて、第2のスプリングと第1の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第2のスプリングと第1のスプリングとの間で短絡が発生すると判断することができる。
【００４３】
第3の異常状態は、電子デバイスでは解消することができない。この場合、処理モジュールは、第1のユーザプロンプト情報を生成することができ、第1のユーザプロンプト情報は、SIMカードが異常であることをユーザに通知するために使用される、すなわち、ユーザは、SIMカードの切断許容誤差が大き過ぎることを通知され、その結果、SIMカードは使用することができない。
【００４４】
加えて、SIMカードが異常であるかどうかは、第3のスプリング（GNDスプリング）に隣接するスプリングのレベルを検出することによってさらに判定されてよい。
【００４５】
可能な設計では、処理モジュールは、第1のスプリング以外のN個のスプリングのうち、N個のスプリングの中の接地に使用される第3のスプリングに隣接する、第2の指定されたスプリングのデフォルトレベルを高レベルに構成するようにさらに構成される。
【００４６】
第2の指定されたスプリングのデフォルトレベルを構成した後、処理モジュールは、以下の3つの方式でSIMカードの異常状態を検出することができる。
【００４７】
第1の方式
可能な設計では、処理モジュールは、第1のスプリングがN個のスプリングの中の接地に使用される第3のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが高レベルである場合、第1のスプリングが高レベルにあり、第2の指定されたスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュールにより、第3のスプリングと第2の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第3のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断するようにさらに構成される。
【００４８】
第1のスプリングは高レベルにあり、第2の指定されたスプリングは低レベルにある。言い換えれば、SIMカードを切断する際のエラーのために、第3のスプリングは、SIMカード内の第2の指定されたスプリングに対応する金属ピンに接続され、第1のスプリングに対応する金属ピンから切り離される。この場合、第1のスプリングは高レベルにあり、第2の指定されたスプリングは低レベルにある。処理モジュールは、第1のスプリングのレベルおよび第2の指定されたスプリングのレベルに基づいて、第3のスプリングと第2の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第3のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断することができる。
【００４９】
第2の方式
可能な設計では、処理モジュールは、第1のスプリングがN個のスプリングの中の接地に使用される第3のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが高レベルである場合、第1のスプリングが高レベルにあり、第2の指定されたスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュールにより、第3のスプリングと第2の指定されたスプリングとの間で開路が発生し、第3のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断するようにさらに構成される。
【００５０】
第1のスプリングは高レベルにあり、第2の指定されたスプリングは高レベルにある。言い換えれば、SIMカードを切断する際のエラーのために、第3のスプリングは、SIMカード内の第2の指定されたスプリングに対応する金属ピンから切り離され、第1のスプリングに対応する金属ピンからも切り離され、第3のスプリングは、SIMカード内の金属ピン間の絶縁ギャップに接続される。この場合、第1のスプリングと第2の指定されたスプリングの両方は高レベルにある。処理モジュールは、第1のスプリングのレベルおよび第2の指定されたスプリングのレベルに基づいて、第3のスプリングと第2の指定されたスプリングとの間で開路が発生し、第3のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断することができる。
【００５１】
処理モジュールは、異常を修正するために、第1の異常状態および第2の異常状態に対して対応する処理を実行することができる。処理モジュールは、第1のストレージ通信インターフェースに伝導されるように電力インターフェースを制御し、第2のストレージ通信インターフェースに伝導されるように接地インターフェースを制御することができる。第1のストレージ通信インターフェースは第1のスプリングに接続され、第2のストレージ通信インターフェースはN個のスプリングの中の第4のスプリングに接続され、第4のスプリングおよび第1のスプリングはカードインターフェース上で対称的に配置される。
【００５２】
前述の解決策によれば、カードインターフェース上の第1のスプリングのレベルを高レベルに変更するために、電力インターフェースは第1のストレージ通信インターフェースに伝導され、その結果、SIMカードの電源がオンになる。加えて、カードインターフェース上の第4のスプリングのレベルを低レベルに変更するために、接地インターフェースは第2のストレージ通信インターフェースに伝導され、その結果、SIMカードは接地される。
【００５３】
第3の方式
可能な設計では、処理モジュールは、第1のスプリングがN個のスプリングの中の接地に使用される第3のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが高レベルである場合、第1のスプリングが低レベルにあり、第2の指定されたスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュールにより、第3のスプリングと第2の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第3のスプリングと第1のスプリングとの間で短絡が発生すると判断するようにさらに構成される。
【００５４】
第1のスプリングは低レベルにあり、第2の指定されたスプリングは低レベルにある。言い換えれば、SIMカードを切断する際のエラーのために、第3のスプリングは、SIMカード内の第2の指定されたスプリングに対応する金属ピンに接続され、第1のスプリングに対応する金属ピンにも接続される。この場合、第1のスプリングと第2の指定されたスプリングの両方は低レベルにある。処理モジュールは、第1のスプリングのレベルおよび第2の指定されたスプリングのレベルに基づいて、第3のスプリングと第2の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第3のスプリングと第1のスプリングとの間で短絡が発生すると判断することができる。
【００５５】
第3の異常状態は、電子デバイスでは解消することができない。この場合、処理モジュールは、第2のユーザプロンプト情報を生成することができ、第2のユーザプロンプト情報は、SIMカードが異常であることをユーザに通知するために使用される、すなわち、ユーザは、SIMカードの切断許容誤差が大き過ぎることを通知され、その結果、SIMカードは使用することができない。
【００５６】
第2の態様によれば、本出願の一実施形態は電子デバイスを提供し、電子デバイスは、カードインターフェースおよび処理モジュールを含む。カードインターフェースは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードまたはメモリカードがカードインターフェースに挿入されてよい。カードインターフェースはN個のスプリングを含み、N＞1であり、メモリカードがカードインターフェースに挿入されると、メモリカードは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードは処理モジュールに電気的に接続される。
【００５７】
処理モジュールは、SIMカード初期化手順を介して、カードインターフェースに挿入されたカードに対して第1の初期化動作を実行し、第1の初期化動作が成功した場合、カードインターフェースに挿入されたカードがSIMカードであると判断し、または第1の初期化動作が失敗した場合、メモリカード初期化手順を介して、カードインターフェースに挿入されたカードに対して第2の初期化動作を実行し、第2の初期化動作が成功した場合、カードインターフェースに挿入されたカードがメモリカードであると判断し、または第2の初期化動作が失敗した場合、カードインターフェースにカードが挿入されていないか、もしくはカードインターフェースに挿入されたカードが無効であると判断するように構成される。
【００５８】
前述の解決策によれば、挿入されたカードのタイプは、挿入されたカードが対応する初期化動作を介して初期化され得るかどうかを判定することによって特定されてよい。
【００５９】
第3の態様によれば、本出願の一実施形態は電子デバイスを提供し、電子デバイスは、カードインターフェースおよび処理モジュールを含む。カードインターフェースは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードまたはメモリカードがカードインターフェースに挿入されてよい。カードインターフェースはN個のスプリングを含み、N＞1であり、メモリカードがカードインターフェースに挿入されると、メモリカードは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードは処理モジュールに電気的に接続される。
【００６０】
処理モジュールは、メモリカード初期化手順を介して、カードインターフェースに挿入されたカードに対して第3の初期化動作を実行し、第3の初期化動作が成功した場合、カードインターフェースに挿入されたカードがメモリカードであると判断し、または第3の初期化動作が失敗した場合、SIMカード初期化手順を介して、カードインターフェースに挿入されたカードに対して第4の初期化動作を実行し、第4の初期化動作が成功した場合、カードインターフェースに挿入されたカードがSIMカードであると判断し、または第4の初期化動作が失敗した場合、カードインターフェースにカードが挿入されていないか、もしくはカードインターフェースに挿入されたカードが無効であると判断するように構成される。前述の解決策によれば、挿入されたカードのタイプは、挿入されたカードが対応する初期化動作を介して初期化され得るかどうかを判定することによって特定されてよい。
【００６１】
前述の解決策によれば、挿入されたカードのタイプは、挿入されたカードが対応する初期化動作を介して初期化され得るかどうかを判定することによって特定されてよい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本出願の一実施形態による、Nano SIMカードの外観の概略図である。
【図２】本出願の一実施形態による、Nano SIMカードと同じ外観サイズを有するSDカードの金属ピン配置の第1の概略図である。
【図３】本出願の一実施形態による、Nano SIMカードと同じ外観サイズを有するSDカードの金属ピン配置の第2の概略図である。
【図４】本出願の一実施形態による、Nano SIMカードと同じ外観サイズを有するSDカードの金属ピン配置の第3の概略図である。
【図５】本出願の一実施形態による、Nano SIMカードと同じ外観サイズを有するSDカードの金属ピン配置の第4の概略図である。
【図６】本出願の一実施形態による、Nano SDカードのカードインターフェースの概略構造図である。
【図７】本出願の一実施形態による、システムアーキテクチャの概略構造図である。
【図８】本出願の一実施形態による、電子デバイスの第1の概略構造図である。
【図９】本出願の一実施形態による、第1の検出回路の概略構造図である。
【図１０】本出願の一実施形態による、電子デバイスの第2の概略構造図である。
【図１１】本出願の一実施形態による、電子デバイスの第3の概略構造図である。
【図１２】本出願の一実施形態による、SIMカードの異常状態の第1の概略図である。
【図１３】本出願の一実施形態による、SIMカードの異常状態の第2の概略図である。
【図１４】本出願の一実施形態による、SIMカードの異常状態の第3の概略図である。
【図１５Ａ】本出願の一実施形態による、処理モジュールによって実行される動作の概略フローチャートである。
【図１５Ｂ】本出願の一実施形態による、処理モジュールによって実行される動作の概略フローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００６３】
本出願の実施形態では、電子デバイスのスペースを節約するために、Nano SIMカードと同じ外観サイズを有するメモリカードが使用され（説明を簡単にするために、「Nano SIMカードと同じ外観サイズを有するメモリカードカード」は、いくつかの実施形態では「Nanoメモリカード」と呼ばれる）、Nano SIMカードおよびNanoメモリカードは、電子デバイスのNano SIMカードインターフェースを介して互いに互換性がある。すなわち、Nano SIMカードは、ユーザ識別機能を実装するために、電子デバイスのNano SIMカードインターフェースに挿入されてよく、Nanoメモリカードも、ストレージ機能を実装するために、電子デバイスのNano SIMカードインターフェースに挿入されてよい。電子デバイスは、カードインターフェースに挿入されたカードがNano SIMカードまたはNanoメモリカードであることを識別し、次いで、ユーザ識別機能またはストレージ機能を実装するために、Nano SIMカードに対応する回路またはNanoメモリカードに対応する回路を切り替える。
【００６４】
本出願のいくつかの実施形態では、Nano SIMカードの外観が図1に示され得る。Nano SIMカードは6個の金属ピン（pin）を含み、各金属ピンは1つの信号を送信するために使用され、金属ピンは絶縁ギャップを使用して互いに絶縁されている。
【００６５】
SIMカードの金属ピンは、接触域を有し、SIMカード上で伝導機能を有するピンである。
【００６６】
左側の3つの金属ピンは、CLK、RST、およびVCCの3つの信号を送信するために使用され、右側の3つの金属ピンは、DAT、VPP、およびGNDの3つの信号を送信するために使用されることに留意されたい。左側の3つの金属ピンと右側の3つの金属ピンはGNDを使用して絶縁されている、すなわち、左側の3つの金属ピンと右側の3つの金属ピンとの間の領域は接地されている。
【００６７】
図1に示されたNano SIMカードの金属ピンの定義が表1に示され得る。
【００６８】
【表１】
2021512545.tif 000003
【００６９】
表1に示されたSIMカードの金属ピンの定義では、CLKはクロック信号を表す。処理モジュールは、CLK金属ピンを使用してNano SIMカードにクロック信号を送信し、Nano SIMカードは、クロック信号を使用して決定された時間シーケンスで動作する。DATは、処理モジュールとNano SIMカードとの間でデータを送信するために使用される。RSTは、Nano SIMカードにリセット信号を送信するために処理モジュールによって使用される。VPPは、電子デバイスの納入前のテスト段階で使用される必要がある金属ピンである。電子デバイスの納入後、電子デバイスが近距離無線通信（near field communication、NFC）機能をもつ場合、VPP金属ピンはNFC機能を実装するために使用されてよく、または電子デバイスがNFC機能をもたない場合、VPP金属ピンは使用されない。VCCおよびGNDは、それぞれ、電源および接地に接続するために使用される。
【００７０】
Nano SIMカードと同じ外観サイズを有するメモリカードが設計されるとき、メモリカードの金属ピンの数および金属ピンの定義が考慮される必要がある。一例としてMicro SDカードなどのメモリカードが使用され、Micro SDカードの金属ピンの定義が表2に示され得る。
【００７１】
【表２】
2021512545.tif 000004
【００７２】
表2に示されたMicro SDカードの金属ピンの定義では、DAT0、DAT1、DAT2、およびDAT3は、処理モジュールとMicro SDカードとの間でデータを送信するために使用される。CMDは、コマンドメッセージおよび応答メッセージを送信するために使用される。CLKはクロック信号を表す。処理モジュールは、CLKを使用してMicro SDカードにクロック信号を送信し、Micro SDカードは、クロック信号を使用して決定された時間シーケンスで動作する。VCCおよびGNDは、それぞれ、電源および接地に接続するために使用される。
【００７３】
表2に示されたMicro SDカードの金属ピンの定義から、Nano SIMカードの金属ピンよりも2つ多いMicro SDカードの金属ピンが存在することが分かる。したがって、Nano SIMカードと同じ外観サイズを有するSDカード（説明を簡単にするために、以下「Nano SDカード」と呼ばれる）を使用してストレージ機能を実装するために、図1に示されたNano SIMカードの6個の金属ピンに2つの金属ピンが追加される必要がある。本出願のいくつかの実施形態では、金属ピン分割ソリューションが使用される、すなわち、Nano SIMカードの6個の金属ピンから2つの金属ピンが選択され、選択された各金属ピンが2つの金属ピンに分割され、その結果、8個の信号がNano SDカード内で送信される。
【００７４】
本出願のいくつかの実施形態では、Nano SDカードはNano SIMカードと同じ外観サイズを有するが、Nano SDカードの金属ピンの定義は、表2に示されたMicro SDカードの金属ピンの定義と同じであることに留意されたい。
【００７５】
加えて、本出願のいくつかの実施形態では、Nano SDカードの金属ピンの数とNano SIMカードの金属ピンの数との間の差を考慮することに加えて、Nano SDカード信号とNano SIMカード信号との間の対応関係が指定される必要がある。すなわち、カードインターフェース上のスプリングの場合、Nano SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、スプリングは、どのタイプの信号が指定されたかを送信するために使用され、それに対応して、Nano SDカードがカードインターフェースに挿入されると、スプリングは、どのタイプの信号が指定されたかを送信するために使用される。
【００７６】
たとえば、Nano SDカード信号とNano SIMカード信号との間の対応関係が指定されるとき、以下の情報が考慮されてよい。
【００７７】
1．Nano SDカードおよびNano SIMカードの各々の電力領域は1．8 V〜3．3 Vである。したがって、2つのカードは電力信号VCCの電力領域および接地信号GNDの電力領域を共有することができる。したがって、Nano SIMカードが挿入されたときにVCC信号を送信するために使用されるスプリングが、Nano SDカードが挿入されたときにNano SDカードのVCC信号を送信するためにも使用されると指定されてよく、Nano SIMカードが挿入されたときにGND信号を送信するために使用されるスプリングが、Nano SDカードが挿入されたときにNano SDカードのGND信号を送信するためにも使用されると指定されてよい。同じ電源を使用して、Nano SDカードおよびNano SIMカードに電力が供給される。したがって、カードインターフェースにNano SIMカードが挿入されているか、またはNano SDカードが挿入されているかにかかわらず、VCC信号もGND信号も切り替えられる必要はない。
【００７８】
2．Nano SDカードおよびNano SIMカードの動作中の基準としてクロック信号が使用される必要があるので、2つのカードのクロック信号は、1つのスプリングを使用して時分割で送信されてよい。すなわち、Nano SIMカードが挿入されたときにCLK信号を送信するために使用されるスプリングが、Nano SDカードが挿入されたときにNano SDカードのCLK信号を送信するためにも使用されると指定されてよい。Nano SDカードとNano SIMカードのクロック信号は異なるので、2つのCLK信号を切り替えるためにアナログスイッチが配置される必要があり、Nano SIMカードが挿入されと、アナログスイッチはNano SIMカードのCLK信号に切り替えられ、Nano SDカードが挿入されると、アナログスイッチはNano SDカードのCLK信号に切り替えられる。
【００７９】
3．Nano SIMカードのDAT信号はNano SDカードのDAT1信号に対応すると指定されてよく、2つの信号（DAT／DAT1）を切り替えるためにアナログスイッチが配置される。Nano SIMカードのRST信号はNano SDカードのDAT0信号に対応すると指定されてよく、2つの信号（RST／DAT0）を切り替えるためにアナログスイッチが配置される。Nano SIMカードのVPP信号がNano SDカードのCMD信号に対応すると指定されてよく、電子デバイスがNFC機能をもつ場合、2つの信号（VPP／CMD）を切り替えるためにアナログスイッチが配置されてよく、または電子デバイスがNFC機能をもたない場合、VPP信号はNano SIMカードを使用するプロセスに関与せず、したがって、信号切替えのためにアナログスイッチが配置される必要はない。
【００８０】
4．加えて、Nano SDカードのDAT2信号およびDAT3信号は、Nano SIMカード上で金属ピン分割が実行された後に得られた2つの追加の金属ピンを使用して送信されてよい。DAT2信号およびDAT3信号はNano SDカードのみによって使用されるので、信号切替えのためにアナログスイッチが配置される必要はない。
【００８１】
Nano SDカード信号とNano SIMカード信号との間の前述された対応関係は一例にすぎず、本出願は、実際の実装形態では前述の対応関係に限定されず、言い換えれば、Nano SDカード信号とNano SIMカード信号との間の対応関係は、本出願のいくつかの実施形態では限定されないことに留意されたい。確かに、好ましくは、Nano SIMカードのVCC信号がNano SDカードのVCC信号に対応し、Nano SIMカードのGND信号がNano SDカードのGND信号に対応すると、実装はより簡単である。
【００８２】
上述されたように、Nano SDカードのDAT2信号およびDAT3信号は、Nano SIMカード上で金属ピン分割が実行された後に得られた2つの追加の金属ピンを使用して送信されてよい。したがって、本出願のいくつかの実施形態では、分割を介してNano SDカードのDAT2金属ピンおよびDAT3金属ピンを得る方法がさらに考慮される必要がある。以下では、一例として前述の4つのケースに記載された対応関係を使用して、Nano SDカードの金属ピン配置を記載する。
【００８３】
例1
Nano SDカードの金属ピン配置が図2に示され得る。図2から、D2およびVCCは、図1に示されたNano SIMカードのVCC金属ピンの場所で分割を実行することによって得られた2つの金属ピンであり、D3およびGNDは、図1に示されたNano SIMカードのGND金属ピンの場所で分割を実行することによって得られた2つの金属ピンであることが分かる。言い換えれば、Nano SDカードのD2金属ピンおよびD3金属ピンは、Nano SIMカードのVCC金属ピンおよびGND金属ピンをそれぞれ分割することによって得られてよい。Nano SDカードのDAT2信号およびDAT3信号は、分割を介して得られた2つの追加の金属ピンを使用して送信されてよい。
【００８４】
図1に示されたNano SIMカードから、Nano SIMカードのVCC信号がNano SDカードのVCC信号に対応し、Nano SIMカードのGND信号がNano SDのGND信号に対応し、Nano SIMカードのCLK信号がNano SDカードのCLK信号に対応し、Nano SIMカードのRST信号がNano SDカードのDAT0信号に対応し、Nano SIMカードのDAT信号がNano SDカードのDAT1信号に対応し、Nano SIMカードのVPP信号がNano SDカードのCMD信号に対応することが分かる。
【００８５】
例2
Nano SDカードの金属ピン配置が図3に示され得る。図3から、D2およびCLKは、図1に示されたNano SIMカードのCLK金属ピンの場所で分割を実行することによって得られた2つの金属ピンであり、D3およびDAT1は、図1に示されたNano SIMカードのDAT金属ピンの場所で分割を実行することによって得られた2つの金属ピンであることが分かる。言い換えれば、Nano SDカードのD2金属ピンおよびD3金属ピンは、Nano SIMカードのCLK金属ピンおよびDAT金属ピンをそれぞれ分割することによって得られてよい。Nano SDカードのDAT2信号およびDAT3信号は、分割を介して得られた2つの追加の金属ピンを使用して送信されてよい。
【００８６】
例3
Nano SDカードの金属ピン配置が図4に示され得る。図4から、D2およびD0は、図1に示されたNano SIMカードのRST金属ピンの場所で分割を実行することによって得られた2つの金属ピンであり、D3およびCMDは、図1に示されたNano SIMカードのVPP金属ピンの場所で分割を実行することによって得られた2つの金属ピンであることが分かる。言い換えれば、Nano SDカードのD2金属ピンおよびD3金属ピンは、Nano SIMカードのRST金属ピンおよびVPP金属ピンをそれぞれ分割することによって得られてよい。Nano SDカードのDAT2信号およびDAT3信号は、分割を介して得られた2つの追加の金属ピンを使用して送信されてよい。
【００８７】
例4
Nano SDカードの金属ピン配置が図5に示され得る。図5から、D2およびVCCは、図1に示されたNano SIMカードのVCC金属ピンの場所で分割を実行することによって得られた2つの金属ピンであり、D3およびGNDは、図1に示されたNano SIMカードのGND金属ピンの場所で分割を実行することによって得られた2つの金属ピンであることが分かる。言い換えれば、Nano SDカードのD2金属ピンおよびD3金属ピンは、Nano SIMカードのVCC金属ピンおよびGND金属ピンをそれぞれ分割することによって得られてよい。Nano SDカードのDAT2信号およびDAT3信号は、分割を介して得られた2つの追加の金属ピンを使用して送信されてよい。
【００８８】
図5に示された金属ピン配置と図2に示された金属ピン配置との間の違いは、D2金属ピンとVCC金属ピンとの間の場所関係が異なり、D3金属ピンとGND金属ピンとの間の位置関係が異なることにある。
【００８９】
前述の4つのタイプの金属ピン配置は例にすぎない。実際の実装形態では、Nano SIMカードの2つの金属ピンのみが分割される必要があり、分割を介して得られた2つの金属ピンは、Nano SDカードのDAT2信号およびDAT3信号を送信するために使用される。
【００９０】
本出願のいくつかの実施形態では、Nano SIMカードと同じ外観サイズを有するメモリカードがストレージ機能を実装するために使用されるとき、前述の例では、メモリカードのタイプはSDカードに限定されないことに留意されたい。本出願のいくつかの実施形態では、メモリカードは、代替として、ユニバーサルシリアルバス（universal serial bus、USB）、周辺機器相互接続エクスプレス（peripheral component interconnect express、PCIE）、ユニバーサルフラッシュストレージ（universal flash storage、UFS）、マルチメディアカード（multimedia card、MMC）、または組込み型マルチメディアカード（embedded multimedia card、EMMC）などのインターフェースプロトコルに基づくメモリカードであってよい。
【００９１】
異なるインターフェースプロトコルのメモリカードが使用されると、メモリカードの金属ピンの数および金属ピンの定義がSDカードのそれらと異なる場合がある。したがって、本出願のいくつかの実施形態の実装プロセスでは、金属ピン分割および金属ピン信号間の対応関係を分析するための前述の方法を参照し、金属ピンの実際の数および金属ピンの定義を参照して、様々な構成が実行されてよい。本出願のいくつかの実施形態では、説明のための例としてSDカードのみが使用される。
【００９２】
Nano SDカードの金属ピン配置が決定された後、Nano SDカードの金属ピン配置に基づいて、Nano SDカードのカードインターフェースがさらに設計される必要がある。例1のNano SDカードの金属ピン配置が一例として使用され、金属ピン配置に対応するNano SDカードのカードインターフェースが図6に示されてよい（図6では底面図が使用されるが、図1〜図5および以下の図12〜図14では上面図が使用されることに留意されたい）。図6は、Nano SDカードのピンがカードインターフェースに接続されている図である。図6に示されたカードインターフェースは8個の金属スプリングを含み、8個の金属スプリングはNano SDカードの8個の信号を送信するように配置される。SIMカードが図6に示されたカードインターフェースに挿入されると、SIMカード内の電源に接続するために使用されるVCC金属ピンが2つの金属スプリングD2およびVCCを覆うので、2つの金属スプリングD2とVCCとの間で短絡が発生する、すなわち、2つの金属スプリングD2およびVCCの各々は高レベルにある。同様に、SIMカードが図6に示されたカードインターフェースに挿入されると、SIMカード内の接地に使用されるGND金属ピンが2つの金属スプリングD3およびGNDを覆うので、2つの金属スプリングD3とGNDとの間で短絡が発生する、すなわち、2つの金属スプリングD3およびGNDの各々は低レベルにある。この場合、Nano SIMカードの6個の信号を送信するために6個の金属スプリングが配置される。
【００９３】
加えて、本出願のいくつかの実施形態には、2つのスプリングが互いに隣接するという概念が含まれる。本出願のいくつかの実施形態では、2つのスプリングが互いに隣接することは、2つのスプリングがカードインターフェースの同じ側に位置し、2つのスプリングが1つの絶縁ギャップのみを使用して絶縁されることを意味する。たとえば、図6では、VCCスプリング、D2スプリング、D0スプリング、およびCLKスプリングは、カードインターフェースの同じ側に位置する。VCCスプリングはD2スプリングに隣接し、D2スプリングはD0スプリングに隣接し、D0スプリングはCLKスプリングに隣接する。GNDスプリング、D3スプリング、CMDスプリング、およびD1スプリングは、VCCスプリングとカードインターフェースの同じ側に位置しないので、GNDスプリング、D3スプリング、CMDスプリング、およびD1スプリングは、VCCスプリングに隣接しない。
【００９４】
Nano SIMカードと同じ外観サイズを有するメモリカードおよびNano SIMカードインターフェースと同じ外観サイズを有するメモリカードインターフェースを使用してストレージ機能が実装される設計ソリューションの前述の説明に基づいて、本出願のいくつかの実施形態におけるシステムアーキテクチャが図7に示され得る。
【００９５】
図7では、Nano SDカード信号とNano SIMカード信号との間の対応関係は、前述の例における対応関係と同じである。すなわち、Nano SIMカードのVCC信号はNano SDカードのVCC信号に対応し、Nano SIMカードのGND信号はNano SDカードのGND信号に対応し、Nano SIMカードのCLK信号はNano SDカードのCLK信号に対応し、Nano SIMカードのRST信号はNano SDカードのDAT0信号に対応し、Nano SIMカードのDAT信号はNano SDカードのDAT1信号に対応し、Nano SIMカードのVPP信号はNano SDカードのCMD信号に対応する。
【００９６】
システムの処理モジュールは3つのスイッチを含む。第1のスイッチの1つの端部はカードインターフェース上のSIM＿DATA／SD＿DATA1に接続され、他の端部は処理モジュール内のSD＿DATA1インターフェースおよびSIM＿DATAインターフェースに切替え方式で接続される。第2のスイッチの1つの端部はカードインターフェース上のSIM＿RST／SD＿DATA0に接続され、他の端部は処理モジュール内のSD＿DATA0インターフェースおよびSIM＿RSTインターフェースに切替え方式で接続される。第3のスイッチの1つの端部はカードインターフェース上のSIM＿CLK／SD＿CLKに接続され、他の端部は処理モジュール内のSD＿CLKインターフェースおよびSIM＿CLKインターフェースに切替え方式で接続される。SIMチップがカードインターフェースに挿入されると、3つのスイッチは、ユーザ識別機能を実装するために、それぞれSIM IO内のインターフェースに接続される。SDチップがカードインターフェースに挿入されると、3つのスイッチは、ストレージ機能を実装するために、それぞれSD IO内のインターフェースに接続される。
【００９７】
加えて、電子デバイスはNFCモジュールをさらに含む。NFCモジュールは、スイッチを使用してカードインターフェース上のSIM＿VPP／SD＿CMDスプリングに接続される。SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、スイッチはNFCモジュールに切り替わり、電子デバイスはNFC機能を実装することができる。SDカードがカードインターフェースに挿入されると、スイッチは処理モジュール内のSD＿CMDインターフェースに切り替わり、電子デバイスはストレージ機能を実装することができる。
【００９８】
以下では、添付図面を参照してさらに本出願のいくつかの実施形態を詳細に記載する。
【００９９】
本出願のいくつかの実施形態では、「複数の」は2つ以上を意味することに留意されたい。加えて、本出願の説明では、「第1の」および「第2の」という用語は、区別および説明のために使用されるにすぎず、相対的な重要性の指示または示唆として理解することはできず、順番の指示または示唆として理解することはできない。
【０１００】
本出願のいくつかの実施形態は、SIMカードと同じ外観サイズを有するメモリカードが、ストレージ機能を実装して電子デバイスのスペースを節約するために使用されるとき、電子デバイスのカードインターフェースに挿入されたカードのタイプを識別するように構成された電子デバイスを提供する。電子デバイスには、限定はしないが、スマートフォン、スマートウォッチ、タブレットコンピュータ、仮想現実（virtual reality、VR）デバイス、拡張現実（augmented reality、AR）デバイス、パーソナルコンピュータ、ハンドヘルドコンピュータ、および携帯情報端末が含まれる。
【０１０１】
図8は、本出願の一実施形態による、電子デバイスの概略構造図である。図8の電子デバイス800は、カードインターフェース801および処理モジュール802を含む。
【０１０２】
カードインターフェース801はN個のスプリングを含み、N＞1であり、メモリカードがカードインターフェース801に挿入されると、メモリカードは処理モジュール802に電気的に接続され、SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、SIMカードは処理モジュール802に電気的に接続され、SIMカードの1つの金属ピンはN個のスプリングの中の第1のスプリングおよび第1のスプリングに隣接する1つのスプリングに電気的に接続される。
【０１０３】
処理モジュール802は、少なくとも第1のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断するように構成される。
【０１０４】
処理モジュール802は、少なくとも第1のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードのタイプを特定することができる。言い換えれば、処理モジュール802は、代替として、別のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードのタイプを特定することができる。別のスプリングのレベルに基づいて挿入されたカードのタイプを特定する方式は後で記載され、詳細はここでは記載されない。
【０１０５】
たとえば、図8に示された電子デバイス800では、カードインターフェース801はNano SIMカードインターフェースであってよく、カードインターフェース801に挿入されたSIMカードはNano SIMカードであってよく、カードインターフェース801に挿入されたメモリカードは、Nano SIMカードと同じ外観を有するNanoメモリカード（たとえば、SDカード）であってよい。カードインターフェース801のN個のスプリングは、処理モジュール802に電気的に接続される。カードがカードインターフェース801に挿入されると、カードの金属ピンはカードインターフェースのN個のスプリングに電気的に接続され、カードはカードインターフェースのN個のスプリングを使用して処理モジュール802に電気的に接続される。
【０１０６】
本出願のこの実施形態では、処理モジュール802は、システムオンチップ（system on chip、SOC）、中央処理装置（central processing unit、CPU）、ARM（advanced RISC machine）プロセッサ、フィールドプログラマブルゲートアレイ（field programmable gate array、FPGA）、または専用プロセッサなどの、計算処理能力を有するデバイスであってよい。
【０１０７】
たとえば、カードインターフェース801に挿入されたメモリカードがSDカードである場合、N＝8である。
【０１０８】
本出願のこの実施形態では、SIMカードが挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンは、N個のスプリングの中の第1のスプリングおよび第1のスプリングに隣接するスプリングに電気的に接続される。この場合、第1のスプリングと第1のスプリングに隣接するスプリングとの間で短絡が発生する。言い換えれば、SIMカードの金属ピンおよびメモリカードの金属ピンの配置が異なるので、SIMカードがカードインターフェース801に挿入されたときに送信される信号の数は、メモリカードがカードインターフェース801に挿入されたときに送信される信号の数（N）よりも少ない。SIMカード信号とメモリカード信号の両方を送信するために同じカードインターフェース801が使用されることを可能にするために、SIMカード信号が送信されるときに、スプリングおよびスプリングに隣接するスプリングがSIMカードの同じ金属ピンによって覆われるケースが必然的に発生する。たとえば、図6において、SIMカード信号が送信されているとき、SIMカード内の電源に接続するために使用されるVCC金属ピンは、2つの金属スプリングD2およびVCCを覆い、SIMカード内の接地に使用されるGND金属ピンは2つの金属スプリングD3およびGNDを覆う。この場合、カードインターフェース801上のD2スプリングと隣接するVCCスプリングとの間で短絡が発生し、カードインターフェース801上のD3スプリングと隣接するGNDスプリングとの間で短絡が発生する。この例では、D2スプリングおよびD3スプリングの各々は、第1のスプリングと見なされてよい。
【０１０９】
本出願のこの実施形態では、第1のスプリングは、電子デバイス800内のストレージ通信インターフェースのみに接続されたスプリングであることに留意されたい。たとえば、図7のSD＿DATA2スプリングおよびSD＿DATA3スプリングの各々は第1のスプリングと見なされてよいが、SIM＿DATA／SD＿DATA1スプリング、SIM＿RST／SD＿DATA0スプリング、SIM＿CLK／SD＿CLKスプリングなどはいずれも第1のスプリングと見なされない。
【０１１０】
電子デバイス800では、処理モジュール802は、少なくとも第1のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードのタイプ（SIMカードまたはメモリカード）を特定し、処理モジュール802は、第1のスプリングのレベルを検出するように構成された第1の検出回路を含んでよい。たとえば、第1の検出回路は一般的なGPIO回路であってよい。すなわち、第1の検出回路は、第1のPMOS、第1のNMOS、および第1の収集回路を含む。第1のPMOSのゲートは第1のNMOSのゲートに接続され、第1のPMOSのドレインは第1のNMOSのソースに接続され、第1のPMOSのソースは電源に接続され、第1のNMOSのドレインは接地される。第1のPMOSのゲートと第1のNMOSのゲートの両方は第1のスプリングに接続される。第1の収集回路の入力端は第1のスプリングに接続され、第1の収集回路の出力端は処理モジュール802に接続され、入力状態は第1の検出回路に対して構成される。
【０１１１】
たとえば、第1の検出回路の構造が図9に示され得る。図9において、そのソースが電源の正極に接続されたMOSは第1のPMOSと見なされてよく、そのドレインが接地されたMOSは第1のNMOSと見なされてよい。第1のPMOSのゲートは第1のNMOSのゲートに接続され、第1のスプリングに接続される。第1の収集回路の入力端は第1のスプリングに接続され、出力端は制御ユニットに接続される。
【０１１２】
制御ユニットは、電子デバイス800内の関連するスイッチの切替え動作を制御するために、第1の検出回路の検出結果に基づいてカードインターフェース801に挿入されたカードのタイプを特定することができる。
【０１１３】
GPIO回路に対して入力状態または出力状態が構成されてよいことに留意されたい。GPIO回路に対して入力状態が構成されると、GPIO回路は回路に入力された信号のレベルを検出するように構成されてよく、GPIO回路の入力インピーダンスは比較的大きい（10kΩのオーダーの大きさ）。GPIO回路に対して出力状態が構成されると、GPIO回路は回路によって必要とされるレベルを構成するように構成されてよく、GPIO回路の入力インピーダンスは比較的小さい（100Ωのオーダーの大きさ）。本出願のこの実施形態では、第1の検出回路は第1のスプリングのレベルを検出するように構成されるので、第1の検出回路に対して入力状態が構成されてよい。
【０１１４】
加えて、GPIO回路は、プルアップ回路またはプルダウン回路に構成されてよい。GPIO回路がプルアップ回路に構成されると、GPIO回路内のPMOSのゲートとNMOSのゲートの接続点のデフォルトレベルは高レベルである。GPIO回路がプルダウン回路に構成されると、GPIO回路内のPMOSのゲートとNMOSのゲートの接続点のデフォルトレベルは低レベルである。本出願のこの実施形態では、第1の検出回路がプルアップ回路に構成されるかプルダウン回路に構成されるかは、様々なシナリオに基づいて指定されてよい。
【０１１５】
本出願のこの実施形態では、処理モジュール802が少なくとも第1のスプリングの少なくともレベルに基づいて挿入されたカードのタイプを特定するとき、処理モジュール802による特定のための根拠は以下の通りであってよい：SIMカードが挿入されると、SIMカードの金属ピンが第1のスプリングおよび第1のスプリングに隣接するスプリングに電気的に接続され、したがって、第1のスプリングと隣接するスプリングとの間で短絡が発生する。この短絡現象により、第1のスプリングのレベルが第1のスプリングのデフォルトレベルとは異なるようになる（たとえば、これは、第1の検出回路をプルアップ回路またはプルダウン回路に構成することによって実現されてよい）。第1のスプリングのレベルがデフォルトレベルであると処理モジュール802が判断した場合、処理モジュール802は、挿入されたカードがメモリカードであると判断することができる。第1のスプリングのレベルがデフォルトレベルではないと処理モジュール802が判断した場合、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【０１１６】
たとえば、第1の検出回路はプルダウン回路に設定され、第1のスプリングに隣接するスプリングはVCCスプリングである。この場合、SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、第1のスプリングとVCCスプリングとの間で短絡が発生し、第1のスプリングのレベルは、プルダウン回路によって構成された低レベルから高レベルに引き上げられる。第1のスプリングの高レベルを特定すると、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【０１１７】
別の例では、第1の検出回路はプルアップ回路に設定され、第1のスプリングに隣接するスプリングはGNDスプリングである。この場合、SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、第1のスプリングとGNDスプリングとの間で短絡が発生し、第1のスプリングのレベルは、プルアップ回路によって構成された高レベルから低レベルに引き下げられる。第1のスプリングの低レベルを特定すると、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【０１１８】
上述されたように、本出願のこの実施形態におけるSIMカードは、Nano SIMカード（すなわち、M＝6）であってよく、メモリカードは、SDカード（すなわち、N＝8）であってよい。この場合、電子デバイス800は、処理モジュール802に接続された電力インターフェース、3つのアナログスイッチ、ならびに6個のストレージ通信インターフェースおよび3つのSIM通信インターフェースをさらに含んでよい。
【０１１９】
電力インターフェースは、N個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに電気的に接続され、3つのアナログスイッチの第1の端部は、N個のスプリングのうちの3つにそれぞれ接続され、3つのアナログスイッチの第2の端部は、切替え動作を介して6個のストレージ通信インターフェースのうちの3つにそれぞれ接続されるか、または切替え動作を介して3つのSIM通信インターフェースにそれぞれ接続され、3つのストレージ通信インターフェース以外の6個のストレージ通信インターフェースでは、第1のストレージ通信インターフェースは第1のスプリングに接続され、第2のストレージ通信インターフェースはN個のスプリングの中の第4のスプリングに接続され、第3のストレージ通信インターフェースはN個のスプリングの中の第5のスプリングに接続される。
【０１２０】
加えて、電子デバイス800は接地インターフェースをさらに含んでよく、接地インターフェースは、N個のスプリングの中の接地に使用される第3のスプリングに電気的に接続される。
【０１２１】
言い換えれば、6個のストレージ通信インターフェース、電力インターフェース、および接地インターフェースが、カードインターフェース801上の8個のスプリングに別々に通信可能に接続されるとき、電子デバイス800はストレージ機能を実装することができる。3つのストレージ通信インターフェース、電力インターフェース、および接地インターフェースが、カードインターフェース801上の5個のスプリングに別々に通信可能に接続されるとき、電子デバイス800はユーザ識別機能を実装することができる。
【０１２２】
加えて、カードが挿入されたことを電子デバイス800が検出すると、電力インターフェースは電圧を与え、その結果、カードの電源がオンになり、処理モジュール802は、第1のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードのタイプを特定する。
【０１２３】
電子デバイス800の構成の前述の説明を参照して、電子デバイス800の可能な構造が図10に示され得る。
【０１２４】
図10において、カードインターフェースは8個のスプリングを含み、第1の検出回路は、カードがカードインターフェースに挿入されたときに第1のスプリングのレベルを検出するために第1のスプリングに接続される。処理モジュールは、制御ユニット、SD IO、SIM IO、電力インターフェース、および接地インターフェースを含む。電力インターフェースは第2のスプリングに接続され、接地インターフェースは第3のスプリングに接続される。処理モジュールは制御ユニットに接続され、制御ユニットは、3つのアナログスイッチの切替え動作を制御するように構成されてよい。処理モジュール802は、少なくとも第1のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断するように構成される。SD IOは6個のストレージ通信インターフェースを含み、SIM IOは3つのSIM通信インターフェースを含み、3つのアナログスイッチの第1の端部は、N個のスプリングのうちの3つにそれぞれ接続され、3つのアナログスイッチの第2の端部は、切替え動作を介して6個のストレージ通信インターフェースのうちの3つにそれぞれ接続するか、または切替え動作を介して3つのSIM通信インターフェースにそれぞれ接続される。
【０１２５】
図10において、メモリカードが挿入されると、カードインターフェースは8個のスプリングを使用して処理モジュールとメモリカードとの間の通信を実装するように構成され、SIMカードが挿入されると、カードインターフェースは第2のスプリング、第3のスプリング、および3つのスプリングを使用して処理モジュール802とSIMカードとの間の通信を実装するように構成される。SIMカードが挿入されると、第1のスプリングと第1のスプリングに隣接するスプリングとの間で短絡が発生し、第4のスプリングと第4のスプリングに隣接するスプリングとの間で短絡が発生する。すなわち、第1のスプリングと、カードインターフェース上に配置され、第1のスプリングに隣接するスプリングとの間で短絡が発生し、第4のスプリングと、カードインターフェース上に配置され、第4のスプリングに隣接するスプリングとの間で短絡が発生する。
【０１２６】
加えて、電子デバイスがNFC機能を有する場合、電子デバイスは、NFCモジュールおよびNFCアナログスイッチをさらに含んでよい。NFCアナログスイッチの第1の端部は第5のスプリングに接続され、NFCアナログスイッチの第2の端部は切替え動作を介して第3のストレージ通信インターフェースに接続されるか、または切替え動作を介してNFCモジュールに接続される。NFCモジュールがNFCアナログスイッチに接続されると、NFCモジュールはNFC機能を実装するように構成される。
【０１２７】
前述の実装形態において、挿入されたカードがSIMカードであると判断すると、処理モジュール802は、3つのSIM通信インターフェースにそれぞれ接続されるように3つのアナログスイッチの第2の端部をさらに制御することができ、挿入されたカードがメモリカードであると判断すると、処理モジュール802は、3つのストレージ通信インターフェースにそれぞれ接続されるように3つのアナログスイッチの第2の端部をさらに制御することができる。
【０１２８】
処理モジュール802は、処理モジュール802内の制御ユニットを使用して3つのアナログスイッチの切替えを制御することができる。
【０１２９】
同様に、電子デバイスがNFC機能を有する場合、挿入されたカードがSIMカードであると判断すると、処理モジュール802は、NFCモジュールに接続されるようにNFCアナログスイッチの第2の端部をさらに制御することができ、挿入されたカードがメモリカードであると判断すると、処理モジュール802は、第3のストレージ通信インターフェースに接続されるようにNFCアナログスイッチの第2の端部をさらに制御することができる。
【０１３０】
前述の解決策によれば、挿入されたカードのタイプが識別された後、カードは、対応する機能を実装するために処理モジュール802に通信可能に接続されてよい。
【０１３１】
以下では、処理モジュール802が、少なくとも第1のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断する実装形態を記載する。
【０１３２】
方式1
第1のスプリングがN個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが低レベルである（たとえば、第1の検出回路がプルダウン回路に構成された）場合、第1のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、または第1のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがメモリカードであると判断する。
【０１３３】
第1のスプリングが第2のスプリングに隣接する場合の意味については、前述の説明を参照されたい。すなわち、第1のスプリングおよび第2のスプリングはカードインターフェースの同じ側に位置し、第1のスプリングおよび第2のスプリングは1つの絶縁ギャップのみを使用して絶縁される。詳細は本明細書では再び記載されない。
【０１３４】
方式1では、第1のスプリングのデフォルトレベルは低レベルである。第1のスプリングは第2のスプリング（VCCスプリング）に隣接し、第1のスプリングに対応する金属ピンおよび第2のスプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第1のスプリングと第2のスプリングの両方を覆い、第1のスプリングと第2のスプリングとの間で短絡が発生し、第1のスプリングのレベルが第2のスプリングによって高レベルに引き上げられる。第1のスプリングが高レベルにあると判断すると、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【０１３５】
方式2
第1のスプリングがN個のスプリングの中の接地に使用される第3のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが高レベルである（たとえば、第1の検出回路がプルアップ回路に構成された）場合、第1のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、または第1のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがメモリカードであると判断する。
【０１３６】
方式2では、第1のスプリングのデフォルトレベルは高レベルである。第1のスプリングは第3のスプリング（GNDスプリング）に隣接し、第1のスプリングに対応する金属ピンおよび第3のスプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第1のスプリングと第3のスプリングの両方を覆い、第1のスプリングと第3のスプリングとの間で短絡が発生し、第1のスプリングのレベルが第3のスプリングによって低レベルに引き下げられる。第1のスプリングが低レベルにあると判断すると、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【０１３７】
前述の方式1および方式2は、第1のスプリングが第2のスプリング（VCCスプリング）に隣接するか、または第3のスプリング（GNDスプリング）に隣接する場合に挿入されたカードのタイプを識別するための解決策である。カードインターフェースのスプリング配置において、第1のスプリングが第2のスプリング（VCCスプリング）にも第3のスプリング（GNDスプリング）にも隣接しない場合（たとえば、図3に示された金属ピン配置において、第1のスプリングがD2金属ピンに対応するスプリングであり、第1のスプリングが第2のスプリングにも第3のスプリングにも隣接しない場合）、本出願のこの実施形態では、第1のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルは、第1のスプリングのレベルの検出を助けるように構成される必要があり、それにより、処理モジュール802が挿入されたカードのタイプを特定するのを助ける。
【０１３８】
たとえば、第2の検出回路は、スプリングのデフォルトレベルを構成するために、第1のスプリングに隣接するスプリングに対して構成されてよい。第2の検出回路は、第1のスプリング、第2のスプリング、および第3スプリング以外のN個のスプリングのうち、第1のスプリングに隣接するスプリングに接続され、第2の検出回路に対して出力状態が構成される。
【０１３９】
第2の検出回路はGPIO回路であってもよい。第2の検出回路の構造については、図9に示された第1の検出回路を参照されたい。上述されたように、GPIO回路に対して入力状態または出力状態が構成されてよい。GPIO回路に対して出力状態が構成されると、GPIO回路は回路によって必要とされるレベルを構成するように構成されてよい。したがって、本出願のこの実施形態では、第2の検出回路に対して出力状態が構成される。
【０１４０】
本出願のこの実施形態において提供された電子デバイスでは、上記の第1の検出回路および第2の検出回路、ならびに以下の第3の検出回路、第4の検出回路、第5の検出回路、および第6の検出回路などの複数の検出回路が構成されてよいことに留意されたい。これらの検出回路の実装形態は、検出回路がスプリングのレベルを検出するか、またはスプリングのデフォルトレベルを構成することができるという条件で、本出願のこの実施形態に限定されない。加えて、これらの検出回路は、処理モジュール802の一部と見なされてもよく、処理モジュール802から独立した回路と見なされてもよい。
【０１４１】
処理モジュール802が、少なくとも第1のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断する具体的な実装形態が、以下の方式3および方式4に示され得る。
【０１４２】
方式3
第1のスプリングのデフォルトレベルが低レベルであり、処理モジュール802が第1のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルを高レベルに構成する（たとえば、第2の検出回路がプルアップ回路に構成された）場合、第1のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、または第1のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがメモリカードであると判断する。
【０１４３】
方式3では、第1のスプリングのデフォルトレベルは低レベルであり、第1のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルは高レベルである。第1のスプリングに対応する金属ピンおよび隣接スプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第1のスプリングとそのスプリングの両方を覆い、第1のスプリングとそのスプリングとの間で短絡が発生し、第1のスプリングのレベルがそのスプリングによって高レベルに引き上げられる。第1のスプリングが高レベルにあると判断すると、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【０１４４】
方式4
第1のスプリングのデフォルトレベルが高レベルであり、処理モジュール802が第1のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルを低レベルに構成する（たとえば、第2の検出回路がプルアダウン回路に構成された）場合、第1のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、または第1のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがメモリカードであると判断する。
【０１４５】
方式4では、第1のスプリングのデフォルトレベルは高レベルであり、第1のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルは低レベルである。第1のスプリングに対応する金属ピンおよび隣接スプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第1のスプリングとそのスプリングの両方を覆い、第1のスプリングとそのスプリングとの間で短絡が発生し、第1のスプリングのレベルがそのスプリングによって低レベルに引き下げられる。第1のスプリングが低レベルにあると判断すると、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【０１４６】
前述の4つの方式について、以下では、処理モジュール802がカードインターフェースに挿入されたカードのタイプを特定する例を提供する。
【０１４７】
メモリカードの金属ピン配置が図5に示され、システムアーキテクチャが図10に示されると仮定する。この場合、第1のスプリングがD2金属ピンに対応するスプリングである場合、SIMカードおよびメモリカードがカードインターフェースに別々に挿入されたときに処理モジュールによって識別されるステータスが表3に示され得る。
【０１４８】
【表３】
2021512545.tif 000005
【０１４９】
第1のスプリングがD3金属ピンに対応するスプリングである場合、SIMカードおよびメモリカードがカードインターフェースに別々に挿入されたときに処理モジュール802によって識別されるステータスが表4に示され得る。
【０１５０】
【表４】
2021512545.tif 000006
【０１５１】
メモリカードの金属ピン配置が図3に示され、システムアーキテクチャが図10に示されると仮定する。第1のスプリングがD2金属ピンに対応するスプリングである場合、第2の検出回路は、CLK金属ピンに対応するスプリング上に配置されてよい。この場合、第1の検出回路および第2の検出回路の異なる構成で、SIMカードおよびメモリカードがカードインターフェースに別々に挿入されるときに、処理モジュール802によって識別されるステータスが表5に示され得る。
【０１５２】
【表５】
2021512545.tif 000007
【０１５３】
上述されたように、処理モジュール802は、第1のスプリングのレベルに基づいて、または別のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードのタイプを特定することができる。したがって、本出願のこの実施形態では、第1のスプリングのレベルを検出することに加えて、少なくとも1つのスプリングの中の第4のスプリングのレベルがさらに検出されてよい。
【０１５４】
たとえば、第4のスプリングのレベルは第3の検出回路を使用して検出されてよい。第3の検出回路は、第4のスプリングに接続され、カードがカードインターフェース801に挿入されたときに第4のスプリングのレベルを検出するように構成される。この場合、処理モジュール802は、第4のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断することができる。
【０１５５】
第3の検出回路はGPIO回路であってもよい。第3の検出回路の構造については、図9に示された第1の検出回路を参照されたい。
【０１５６】
電子デバイス800が第3の検出回路を含むとき、図10に示された電子デバイス800の構造が図11に示され得る。
【０１５７】
第3の検出回路が配置され、処理モジュール802は、処理モジュール802がより正確にカードタイプを特定するように、第4のスプリングのレベルに基づいて挿入されたカードのタイプを特定することができる。
【０１５８】
本出願のこの実施形態では、SIMカードが挿入されると、第4のスプリングと第4のスプリングに隣接するスプリングとの間で短絡が発生する。第4のスプリングのレベルを検出する方式、および第4のスプリングのレベルに基づいて処理モジュール802によって挿入されたカードのタイプを特定する方式は、上述された方式と同様である。詳細については以下の4つの方式を参照されたい。
【０１５９】
方式1
第4のスプリングがN個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに隣接し、第4のスプリングのデフォルトレベルが低レベルである場合、第4のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、または第4のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがメモリカードであると判断する。
【０１６０】
方式1では、第4のスプリングのデフォルトレベルは低レベルである。第4のスプリングは第2のスプリング（VCCスプリング）に隣接し、第4のスプリングに対応する金属ピンおよび第2のスプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第4のスプリングと第2のスプリングの両方を覆い、第4のスプリングと第2のスプリングとの間で短絡が発生し、第4のスプリングのレベルが第2のスプリングによって高レベルに引き上げられる。第4のスプリングが高レベルにあると判断すると、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【０１６１】
方式2
第4のスプリングがN個のスプリングの中の接地に使用される第3のスプリングに隣接し、第4のスプリングのデフォルトレベルが高レベルである場合、第4のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、または第4のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがメモリカードであると判断する。
【０１６２】
方式2では、第4のスプリングのデフォルトレベルは高レベルである。第4のスプリングは第3のスプリング（GNDスプリング）に隣接し、第4のスプリングに対応する金属ピンおよび第3のスプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第4のスプリングと第3のスプリングの両方を覆い、第4のスプリングと第3のスプリングとの間で短絡が発生し、第4のスプリングのレベルが第3のスプリングによって低レベルに引き下げられる。第4のスプリングが低レベルにあると判断すると、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【０１６３】
カードインターフェースのスプリング配置において、第4のスプリングが第2のスプリング（VCCスプリング）にも第3のスプリング（GNDスプリング）にも隣接しない場合、第4のスプリングのレベルの検出を助けるために、本出願のこの実施形態では、第4のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルが構成されてよい。
【０１６４】
たとえば、第4の検出回路は第4のスプリングに隣接するスプリングに対して構成されてよい。第4の検出回路は、第2のスプリング、第3スプリング、および第4のスプリング以外のN個のスプリングのうち、第4のスプリングに隣接するスプリングに接続され、第4の検出回路に対して出力状態が構成される。
【０１６５】
第4の検出回路はGPIO回路であってもよい。第4の検出回路の構造については、図9に示された第1の検出回路を参照されたい。上述されたように、GPIO回路に対して入力状態または出力状態が構成されてよい。GPIO回路に対して出力状態が構成されると、GPIO回路は回路によって必要とされるレベルを構成するように構成されてよい。したがって、本出願のこの実施形態では、第4の出力回路に対して出力状態が構成される。
【０１６６】
処理モジュール802が、第4のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断する具体的な実装形態が、以下の方式3および方式4に示され得る。
【０１６７】
方式3
第4のスプリングのデフォルトレベルが低レベルであり、処理モジュール802が第4のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルを高レベルに構成する（たとえば、第4の検出回路がプルアップ回路に構成された）場合、第4のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、または第4のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがメモリカードであると判断する。
【０１６８】
方式3では、第4のスプリングのデフォルトレベルは低レベルであり、第4のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルは高レベルである。第4のスプリングに対応する金属ピンおよび隣接スプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第4のスプリングとそのスプリングの両方を覆い、第4のスプリングと隣接するスプリングとの間で短絡が発生し、第4のスプリングのレベルがそのスプリングによって高レベルに引き上げられる。第4のスプリングが高レベルにあると判断すると、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【０１６９】
方式4
第4のスプリングのデフォルトレベルが高レベルであり、処理モジュール802が第4のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルを低レベルに構成する（たとえば、第4の検出回路がプルダウン回路に構成された）場合、第4のスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断し、または第4のスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュール802は、挿入されたカードがメモリカードであると判断する。
【０１７０】
方式4では、第4のスプリングのデフォルトレベルは高レベルであり、第4のスプリングに隣接するスプリングのデフォルトレベルは低レベルである。第4のスプリングに対応する金属ピンおよび隣接スプリングに対応する金属ピンは、SIMカードの1つの金属ピンを分割することによって得られる。したがって、SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、SIMカードの1つの金属ピンが第4のスプリングとそのスプリングの両方を覆い、第4のスプリングとそのスプリングとの間で短絡が発生し、第4のスプリングのレベルがそのスプリングによって低レベルに引き下げられる。第4のスプリングが高レベルから低レベルに切り替わったと判断すると、処理モジュール802は、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【０１７１】
カードインターフェース801に挿入されたカードのタイプを特定した後、本出願のこの実施形態において提供される電子デバイスは、挿入されたカードがSIMカードである場合、SIMカードが異常であるかどうかを判定するために、カードインターフェース801上のスプリングのレベルをさらに検出することができる。ここに記載された異常は、通常、SIMカードの切断許容誤差が大き過ぎるときに発生する異常である。
【０１７２】
実際の使用では、ユーザは既存のMicro SIMカードを切断し、切断されたMicro SIMカードをNano SIMカードとして使用することができる。切断後、切断許容誤差が大き過ぎる場合、SIMカードを使用することができない。本出願のこの実施形態は、切断によって引き起こされるSIMカード異常を検出するための以下の解決策を提供する。
【０１７３】
本出願のこの実施形態では、処理モジュール802は、第1のスプリング以外のN個のスプリングのうち、N個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに隣接する、第1の指定されたスプリングのデフォルトレベルを低レベルに構成するようにさらに構成される。
【０１７４】
第1の指定されたスプリングのレベルが検出され、その結果、処理モジュール802はSIMカードの異常を判定することができる。
【０１７５】
たとえば、第1の指定されたスプリングのレベルを検出するために、第1の指定されたスプリングに対して第5の検出回路が配置されてよい。第5の検出回路は、第1のスプリング以外のN個のスプリングのうち、第2のスプリングに隣接する第1の指定されたスプリングに接続され、第5の検出回路は、第1の指定されたスプリングのレベルを検出し出力するように構成され、第5の検出回路はプルダウン回路に構成される（すなわち、第1の指定されたスプリングのデフォルトレベルは低レベルである）。
【０１７６】
第5の検出回路はGPIO回路であってもよい。第5の検出回路の構造については、図9に示された第1の検出回路を参照されたい。
【０１７７】
第1の指定されたスプリングは、第1のスプリング以外のN個のスプリングのうち、第2のスプリングに隣接する任意のスプリングであってよい。たとえば、図5に示された金属ピン配置では、D2金属ピンに対応するスプリングが第1のスプリングである場合、D0金属ピンに対応するスプリングは第1の指定されたスプリングと見なされてよい。
【０１７８】
第1の指定されたスプリングのデフォルトレベルを構成した後、処理モジュール802は以下の3つの方式でSIMカードの異常状態を検出することができる。
【０１７９】
方式1
第1のスプリングがN個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが低レベルである場合、第1のスプリングが低レベルにあり、第1の指定されたスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュール802は、第2のスプリングと第1の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第2のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断する。
【０１８０】
第1のスプリングは第2のスプリングに隣接し、第1の指定されたスプリングも第2のスプリングに隣接する。通常サイズのSIMカードが挿入されると、SIMカード内の電源に接続するために使用されるVCC金属ピンは、第1のスプリングおよび第2のスプリングを覆い（すなわち、メモリカードが挿入されると、第1のスプリングに対応する金属ピンおよび第2のスプリングに対応する金属ピンは、VCC金属ピンが分割された後に得られた2つの金属ピンであり）、それにより、第1のスプリングと第2のスプリングとの間で短絡が発生する。この場合、切断されたSIMカードが挿入されると、SIMカードの切断許容誤差に起因してSIMカード内の金属ピンとカードインターフェース上のスプリングとの間の誤配置が引き起こされる可能性があり、その結果、第1のスプリングのレベルおよび第1の指定されたスプリングのレベルが異常である。
【０１８１】
方式1では、第1のスプリングは低レベルにあり、第1の指定されたスプリングは高レベルにある。言い換えれば、SIMカードを切断する際のエラーのために、第2のスプリングは、SIMカード内の第1の指定されたスプリングに対応する金属ピンに接続され、第1のスプリングに対応する金属ピンから切り離される。この場合、第1のスプリングは低レベルにあり、第1の指定されたスプリングは高レベルにある。処理モジュール802は、第1のスプリングのレベルおよび第1の指定されたスプリングのレベルに基づいて、第2のスプリングと第1の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第2のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断することができる。
【０１８２】
たとえば、方式1の異常状態の説明については、図12を参照されたい。図12において、SIMカードは、左側の3つの金属ピンおよび右側の3つの金属ピンを含み、D2はカードインターフェース801上の第1のスプリングであり、VCCはカードインターフェース801上の第2のスプリングであり、RSTはカードインターフェース801上の第1の指定されたスプリングである。SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、VCCスプリングは、SIMカード内のRSTスプリングに対応する金属ピンに接続され、D2スプリングに対応する金属ピンから切り離される。
【０１８３】
説明を簡単にするために、SIMカードのこの異常状態は、本出願のこの実施形態では「スプリングの誤配置」と呼ばれる。
【０１８４】
方式2
第1のスプリングがN個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが低レベルである場合、第1のスプリングが低レベルにあり、第1の指定されたスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュール802は、第2のスプリングと第1の指定されたスプリングとの間で開路が発生し、第2のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断する。
【０１８５】
方式2では、第1のスプリングは低レベルにあり、第1の指定されたスプリングは低レベルにある。言い換えれば、SIMカードを切断する際のエラーのために、第2のスプリングは、SIMカード内の第1の指定されたスプリングに対応する金属ピンから切り離され、第1のスプリングに対応する金属ピンからも切り離され、第2のスプリングは、SIMカード内の金属ピン間の絶縁ギャップに接続される。この場合、第1のスプリングと第1の指定されたスプリングの両方は低レベルにある。処理モジュール802は、第1のスプリングのレベルおよび第1の指定されたスプリングのレベルに基づいて、第2のスプリングと第1の指定されたスプリングとの間で開路が発生し、第2のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断することができる。
【０１８６】
たとえば、方式2の異常状態の説明については、図13を参照されたい。図13において、SIMカードは、左側の3つの金属ピンおよび右側の3つの金属ピンを含み、D2はカードインターフェース801上の第1のスプリングであり、VCCはカードインターフェース801上の第2のスプリングであり、RSTはカードインターフェース801上の第1の指定されたスプリングである。SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、VCCスプリングは、SIMカード内のRSTスプリングに対応する金属ピンから切り離され、D2スプリングに対応する金属ピンからも切り離される。
【０１８７】
説明を簡単にするために、SIMカードのこの異常状態は、本出願のこの実施形態では「臨界開路」と呼ばれる。
【０１８８】
方式3
第1のスプリングがN個のスプリングの中の電源に接続するために使用される第2のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが低レベルである場合、第1のスプリングが高レベルにあり、第1の指定されたスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュール802は、第2のスプリングと第1の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第2のスプリングと第1のスプリングとの間で短絡が発生すると判断する。
【０１８９】
方式3では、第1のスプリングは高レベルにあり、第1の指定されたスプリングは高レベルにある。言い換えれば、SIMカードを切断する際のエラーのために、第2のスプリングは、SIMカード内の第1の指定されたスプリングに対応する金属ピンに接続され、第1のスプリングに対応する金属ピンにも接続される。この場合、第1のスプリングと第1の指定されたスプリングの両方は高レベルにある。処理モジュール802は、第1のスプリングのレベルおよび第1の指定されたスプリングのレベルに基づいて、第2のスプリングと第1の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第2のスプリングと第1のスプリングとの間で短絡が発生すると判断することができる。
【０１９０】
たとえば、方式3の異常状態の説明については、図14を参照されたい。図14において、SIMカードは、左側の3つの金属ピンおよび右側の3つの金属ピンを含み、D2はカードインターフェース801上の第1のスプリングであり、VCCはカードインターフェース801上の第2のスプリングであり、RSTはカードインターフェース801上の第1の指定されたスプリングである。SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、VCCスプリングは、SIMカード内のRSTスプリングに対応する金属ピンに接続され、D2スプリングに対応する金属ピンにも接続される。
【０１９１】
説明を簡単にするために、SIMカードのこの異常状態は、本出願のこの実施形態では「臨界短絡」と呼ばれる。
【０１９２】
方式1の異常状態および方式2の異常状態の場合、本出願のこの実施形態では、処理モジュール802は、前述の2つの異常状態を解消するために、第1のストレージ通信インターフェースに伝導されるように電力インターフェースを制御し、第2のストレージ通信インターフェースに伝導されるように接地インターフェース制御することができる。第1のストレージ通信インターフェースは第1のスプリングに接続され、第2のストレージ通信インターフェースはN個のスプリングの中の第4のスプリングに接続され、第4のスプリングおよび第1のスプリングはカードインターフェース上で対称的に配置される。
【０１９３】
カードインターフェース801上の第1のスプリングのレベルを高レベルに変更するために、電力インターフェースは第1のストレージ通信インターフェースに伝導され、その結果、SIMカードの電源がオンになる。加えて、カードインターフェース801上の第4のスプリングのレベルを低レベルに変更するために、接地インターフェースは第2のストレージ通信インターフェースに伝導され、その結果、SIMカードは接地される。
【０１９４】
SIMカードの金属ピン配置では、通常、VCC金属ピンとGND金属ピンは左側と右側に対称的に位置する。たとえば、図1に示されたSIMカードでは、VCC金属ピンは左側の3番目の場所に位置し、GND金属ピンは右側の3番目の場所に位置する。したがって、SIMカードの切断許容誤差が大き過ぎると、レベル異常は、VCC金属ピンに隣接するスプリングに発生するだけでなく、GND金属ピンに隣接するスプリングにも発生する。（たとえば、図12では、D3スプリングのレベルおよびVPPスプリングのレベルも異常である可能性がある）。したがって、異常状態が解消されるとき、電力インターフェースと第1のストレージ通信インターフェースが伝導される必要があるだけでなく、接地インターフェースと第2のストレージ通信インターフェースも伝導される必要がある。
【０１９５】
加えて、異常状態が解消されるとき、以下の考慮事項のために、第2の通信インターフェースが接地インターフェースに伝導されるように選択される。カードインターフェース上の金属スプリングは対称なので、第1のスプリングと第4のスプリングの両方は、情報を送信するためのメモリカードのスプリングのみであり、第1のスプリングおよび第4のスプリング、たとえば、図12のD2スプリングおよびD3スプリングは、通常、カードインターフェースの両側に対称的に配置される。第1のスプリングが第2のスプリング（VCCスプリング）に隣接する場合、第4のスプリングは、通常、第3のスプリング（GNDスプリング）に隣接する。したがって、SIMカードの切断許容誤差が大き過ぎるために前述の2つの異常状態が発生すると、第2の通信インターフェースが接地インターフェースに伝導されるように選択され、その結果、SIMカードが接地されると見なされてよい。
【０１９６】
本出願のこの実施形態では、方式3の異常状態は、処理モジュール802によって回復することができない。この場合、処理モジュール802は、第1のユーザプロンプト情報を生成することができ、第1のユーザプロンプト情報は、SIMカードが異常であることをユーザに通知するために使用される、すなわち、ユーザは、SIMカードの切断許容誤差が大き過ぎることを通知され、その結果、SIMカードは使用することができない。
【０１９７】
様々な異常状態の前述の説明を参照して、以下では、処理モジュール802がレベルに基づいて異常状態を判定する例を提供する。
【０１９８】
メモリカードの金属ピン配置が図5に示され、システムアーキテクチャが図10に示されると仮定する。D2はカードインターフェース801上の第1のスプリングであり、GNDはカードインターフェース801上の第3のスプリングであり、RSTはカードインターフェース801上の第1の指定されたスプリングである。この場合、異常状態および正常状態の各スプリングのレベルが表6に示され得る。
【０１９９】
【表６】
2021512545.tif 000008
【０２００】
処理モジュール802が挿入されたカードのタイプをより正確に特定することを可能にするために、様々なスプリングのレベルを検出するように複数の検出回路が電子デバイス800内に配置されてよいことに留意されたい。
【０２０１】
たとえば、表6に示された異常状態が実際の実装形態において現れた場合、挿入されたカードのタイプは、D2スプリングのレベルを検出するだけでは、正確に特定することができない場合がある。たとえば、メモリカードが正常状態で挿入されると、D2スプリングは低レベルである。しかしながら、SIMカードが挿入され、SIMカードがスプリングの誤配置または臨界開路などの異常状態にあるときも、D2スプリングは低レベルである。この場合、挿入されたカードがメモリカードであると判断することは明らかに正しくない。すなわち、D2スプリングのレベルのみが検出された場合、カードタイプを特定する際にエラーが発生する可能性がある。したがって、RSTスプリングのレベルを検出するために、別の検出回路が電子デバイス800内に配置されてよい。したがって、処理モジュール802は、RSTスプリングのレベルおよびD2スプリングのレベルを参照して、挿入されたカードのタイプおよびSIMカードの異常状態を特定することができる。
【０２０２】
加えて、SIMカードが異常であるかどうかは、第3のスプリング（GNDスプリング）に隣接するスプリングのレベルを検出することによってさらに判定されてよい。
【０２０３】
本出願のこの実施形態では、処理モジュール802は、第1のスプリング以外のN個のスプリングのうち、N個のスプリングの中の接地に使用される第3のスプリングに隣接する、第2の指定されたスプリングのデフォルトレベルを高レベルに構成するようにさらに構成される。
【０２０４】
第2の指定されたスプリングのレベルが検出され、その結果、処理モジュール802はSIMカードの異常を判定することができる。
【０２０５】
たとえば、第2の指定されたスプリングに対して第6の検出回路が配置されてよい。第6の検出回路は、第1のスプリング以外のN個のスプリングのうち、第3のスプリングに隣接する第2の指定されたスプリングに接続され、第5の検出回路は、第2の指定されたスプリングのレベルを検出し出力するように構成され、第6の検出回路はプルアップ回路に構成される（すなわち、第2の指定されたスプリングのデフォルトレベルは高レベルである）。
【０２０６】
第6の検出回路はGPIO回路であってもよい。第6の検出回路の構造については、図9に示された第1の検出回路を参照されたい。
【０２０７】
第2の指定されたスプリングのデフォルトレベルを構成した後、処理モジュール802は、以下の3つの方式でSIMカードの異常状態を検出することができる。
【０２０８】
方式1
第1のスプリングがN個のスプリングの中の接地に使用される第3のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが高レベルである場合、第1のスプリングが高レベルにあり、第2の指定されたスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュール802は、第3のスプリングと第2の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第3のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断する。
【０２０９】
方式1では、第1のスプリングは高レベルにあり、第2の指定されたスプリングは低レベルにある。言い換えれば、SIMカードを切断する際のエラーのために、第3のスプリングは、SIMカード内の第2の指定されたスプリングに対応する金属ピンに接続され、第1のスプリングに対応する金属ピンから切り離される。この場合、第1のスプリングは高レベルにあり、第2の指定されたスプリングは低レベルにある。処理モジュール802は、第1のスプリングのレベルおよび第2の指定されたスプリングのレベルに基づいて、第3のスプリングと第2の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第3のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断することができる。
【０２１０】
たとえば、方式1の異常状態の説明については、図12を参照されたい。図12において、SIMカードは、左側の3つの金属ピンおよび右側の3つの金属ピンを含み、D3はカードインターフェース801上の第1のスプリングであり、GNDはカードインターフェース801上の第3のスプリングであり、VPPはカードインターフェース801上の第2の指定されたスプリングである。SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、GNDスプリングは、SIMカード内のVPPスプリングに対応する金属ピンに接続され、D3スプリングに対応する金属ピンから切り離される。
【０２１１】
説明を簡単にするために、SIMカードのこの異常状態は、本出願のこの実施形態では「スプリングの誤配置」と呼ばれる。
【０２１２】
方式2
第1のスプリングがN個のスプリングの中の接地に使用される第3のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが高レベルである場合、第1のスプリングが高レベルにあり、第2の指定されたスプリングが高レベルにあるとき、処理モジュール802は、第3のスプリングと第2の指定されたスプリングとの間で開路が発生し、第3のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断する。
【０２１３】
方式2では、第1のスプリングは高レベルにあり、第2の指定されたスプリングは高レベルにある。言い換えれば、SIMカードを切断する際のエラーのために、第3のスプリングは、SIMカード内の第2の指定されたスプリングに対応する金属ピンから切り離され、第1のスプリングに対応する金属ピンからも切り離され、第3のスプリングは、SIMカード内の金属ピン間の絶縁ギャップに接続される。この場合、第1のスプリングと第2の指定されたスプリングの両方は高レベルにある。処理モジュール802は、第1のスプリングのレベルおよび第2の指定されたスプリングのレベルに基づいて、第3のスプリングと第2の指定されたスプリングとの間で開路が発生し、第3のスプリングと第1のスプリングとの間で開路が発生すると判断することができる。
【０２１４】
たとえば、方式2の異常状態の説明については、図13を参照されたい。図13において、SIMカードは、左側の3つの金属ピンおよび右側の3つの金属ピンを含み、D3はカードインターフェース801上の第1のスプリングであり、GNDはカードインターフェース801上の第3のスプリングであり、VPPはカードインターフェース801上の第2の指定されたスプリングである。SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、GNDスプリングは、SIMカード内のVPPスプリングに対応する金属ピンから切り離され、D3スプリングに対応する金属ピンからも切り離される。
【０２１５】
説明を簡単にするために、SIMカードのこの異常状態は、本出願のこの実施形態では「臨界開路」と呼ばれる。
【０２１６】
方式3
第1のスプリングがN個のスプリングの中の接地に使用される第3のスプリングに隣接し、第1のスプリングのデフォルトレベルが高レベルである場合、第1のスプリングが低レベルにあり、第2の指定されたスプリングが低レベルにあるとき、処理モジュール802は、第3のスプリングと第2の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第3のスプリングと第1のスプリングとの間で短絡が発生すると判断する。
【０２１７】
方式3では、第1のスプリングは低レベルにあり、第2の指定されたスプリングは低レベルにある。言い換えれば、SIMカードを切断する際のエラーのために、第3のスプリングは、SIMカード内の第2の指定されたスプリングに対応する金属ピンに接続され、第1のスプリングに対応する金属ピンにも接続される。この場合、第1のスプリングと第2の指定されたスプリングの両方は低レベルにある。処理モジュール802は、第1のスプリングのレベルおよび第2の指定されたスプリングのレベルに基づいて、第3のスプリングと第2の指定されたスプリングとの間で短絡が発生し、第3のスプリングと第1のスプリングとの間で短絡が発生すると判断することができる。
【０２１８】
たとえば、方式3の異常状態の説明については、図14を参照されたい。図14において、SIMカードは、左側の3つの金属ピンおよび右側の3つの金属ピンを含み、D3はカードインターフェース801上の第1のスプリングであり、GNDはカードインターフェース801上の第3のスプリングであり、VPPはカードインターフェース801上の第2の指定されたスプリングである。SIMカードがカードインターフェース801に挿入されると、GNDスプリングは、SIMカード内のVPPスプリングに対応する金属ピンに接続され、D3スプリングに対応する金属ピンにも接続される。
【０２１９】
説明を簡単にするために、SIMカードのこの異常状態は、本出願のこの実施形態では「臨界短絡」と呼ばれる。
【０２２０】
同様に、方式1の異常状態および方式2の異常状態の場合、本出願のこの実施形態では、処理モジュール802は、前述の2つの異常状態を解消するために、第1のストレージ通信インターフェースに伝導されるように電力インターフェースを制御し、第2のストレージ通信インターフェースに伝導されるように接地インターフェース制御することができる。第1のストレージ通信インターフェースは第1のスプリングに接続され、第2のストレージ通信インターフェースはN個のスプリングの中の第4のスプリングに接続され、第4のスプリングおよび第1のスプリングはカードインターフェース上で対称的に配置される。
【０２２１】
本出願のこの実施形態では、方式3の異常状態は、ソフトウェアによって回復することができない。この場合、処理モジュール802は、第2のユーザプロンプト情報を生成することができ、第2のユーザプロンプト情報は、SIMカードが異常であることをユーザに通知するために使用される、すなわち、ユーザは、SIMカードの切断許容誤差が大き過ぎることを通知され、その結果、SIMカードは使用することができない。
【０２２２】
様々な異常状態の前述の説明を参照して、以下では、処理モジュール802がレベルに基づいて異常状態を判定する例を提供する。
【０２２３】
メモリカードの金属ピン配置が図5に示され、システムアーキテクチャが図10に示されると仮定する。D3はカードインターフェース801上の第1のスプリングであり、GNDはカードインターフェース801上の第3のスプリングであり、VPPはカードインターフェース801上の第2の指定されたスプリングである。この場合、異常状態および正常状態の各スプリングのレベルが表7に示され得る。
【０２２４】
【表７】
2021512545.tif 000009
【０２２５】
処理モジュール802が挿入されたカードのタイプをより正確に特定することを可能にするために、様々なスプリングのレベルを検出するように複数の検出回路が電子デバイス800内に配置されてよいことに留意されたい。
【０２２６】
たとえば、表6に示された異常状態が実際の実装形態において現れた場合、挿入されたカードのタイプは、D3スプリングのレベルを検出するだけでは、正確に特定することができない場合がある。たとえば、メモリカードが正常状態で挿入されると、D3スプリングは高レベルである。しかしながら、SIMカードが挿入され、SIMカードがスプリングの誤配置または臨界開路などの異常状態にあるときも、D3スプリングは高レベルである。この場合、挿入されたカードがメモリカードであると判断することは明らかに正しくない。すなわち、D3スプリングのレベルのみが検出された場合、カードタイプを特定する際にエラーが発生する可能性がある。したがって、VPPスプリングのレベルを検出するために、別の検出回路が電子デバイス800内に配置されてよい。したがって、処理モジュール802は、VPPスプリングのレベルおよびD3スプリングのレベルを参照して、挿入されたカードのタイプおよびSIMカードの異常状態を特定することができる。
【０２２７】
本出願のこの実施形態では、電子デバイスはカードインターフェースおよび処理モジュールを含む。メモリカードがカードインターフェースに挿入されると、メモリカードは電子デバイスのストレージ機能を実装するために処理モジュールに電気的に接続される。SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードの1つの金属ピンは、N個のスプリングの中の第1のスプリングおよび第1のスプリングに隣接する1つのスプリングに電気的に接続される。処理モジュールは、少なくとも第1のスプリングのレベルに基づいて、挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであると判断する。SIMカードが挿入されると、第1のスプリングと隣接するスプリングとの間で短絡が発生し、短絡現象により、第1のスプリングの電流レベルはデフォルトレベルとは異なるものになる。第1のスプリングのレベルがデフォルトレベルであると処理モジュールが判断した場合、処理モジュールは、挿入されたカードがメモリカードであると判断することができる。第1のスプリングのレベルがデフォルトレベルではないと処理モジュールが判断した場合、処理モジュールは、挿入されたカードがSIMカードであると判断することができる。
【０２２８】
加えて、本出願のこの実施形態では、挿入されたカードのタイプは、代替として、最初に仮定を行い、次いで試行錯誤を繰り返して識別されてよい。カードホルダにカードが挿入されたことが検知されると、最初に、挿入されたカードがSIMカードであると仮定し、SIMカードの初期化動作を介してカード情報が読み取られる。読取りが成功した場合、挿入されたカードはSIMカードとして識別される。読取りが失敗した場合、挿入されたカードがメモリカードであると仮定し、メモリカードの初期化動作を介してカード情報が読み取られる。読取りが成功した場合、挿入されたカードはメモリカードであると識別される。再び読取りが失敗した場合、カードが挿入されていないか、またはカードが無効であると判断される。
【０２２９】
最初に仮定を行い、次いで試行錯誤を繰り返す前述の方式に基づいて、本出願の一実施形態は電子デバイスを提供し、電子デバイスはカードインターフェースおよび処理モジュールを含む。カードインターフェースは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードまたはメモリカードがカードインターフェースに挿入されてよい。カードインターフェースはN個のスプリングを含み、N＞1であり、メモリカードがカードインターフェースに挿入されると、メモリカードは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードは処理モジュールに電気的に接続される。
【０２３０】
処理モジュールは、SIMカード初期化手順を介して、カードインターフェースに挿入されたカードに対して第1の初期化動作を実行し、第1の初期化動作が成功した場合、カードインターフェースに挿入されたカードがSIMカードであると判断し、または第1の初期化動作が失敗した場合、メモリカード初期化手順を介して、カードインターフェースに挿入されたカードに対して第2の初期化動作を実行し、第2の初期化動作が成功した場合、カードインターフェースに挿入されたカードがメモリカードであると判断し、または第2の初期化動作が失敗した場合、カードインターフェースにカードが挿入されていないか、もしくはカードインターフェースに挿入されたカードが無効であると判断するように構成される。
【０２３１】
同様に、挿入されたカードのタイプは、代替として、最初にメモリカードの初期化を実行し、次いでSIMの初期化を実行する方式で識別されてよい。
【０２３２】
したがって、本出願の一実施形態は電子デバイスを提供し、電子デバイスは、カードインターフェースおよび処理モジュールを含む。カードインターフェースは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードまたはメモリカードがカードインターフェースに挿入されてよい。カードインターフェースはN個のスプリングを含み、N＞1であり、メモリカードがカードインターフェースに挿入されると、メモリカードは処理モジュールに電気的に接続され、SIMカードがカードインターフェースに挿入されると、SIMカードは処理モジュールに電気的に接続される。
【０２３３】
処理モジュールは、メモリカード初期化手順を介して、カードインターフェースに挿入されたカードに対して第3の初期化動作を実行し、第3の初期化動作が成功した場合、カードインターフェースに挿入されたカードがメモリカードであると判断し、または第3の初期化動作が失敗した場合、SIMカード初期化手順を介して、カードインターフェースに挿入されたカードに対して第4の初期化動作を実行し、第4の初期化動作が成功した場合、カードインターフェースに挿入されたカードがSIMカードであると判断し、または第4の初期化動作が失敗した場合、カードインターフェースにカードが挿入されていないか、もしくはカードインターフェースに挿入されたカードが無効であると判断するように構成される。前述の解決策によれば、挿入されたカードのタイプは、挿入されたカードが対応する初期化動作を介して初期化され得るかどうかを判定することによって特定されてよい。
【０２３４】
加えて、最初に仮定を行い、次いで試行錯誤を繰り返す前述の方式は、図8に示された電子デバイス800内の処理モジュール802が挿入されたカードのタイプを特定する方式と組み合わされてよい。たとえば、処理モジュール802が最初に、レベルを識別する方式で、カードインターフェース801に挿入されたカードがSIMカードであると判断した場合、SIMカード初期化動作を介してカード情報を読み取る。読取りが成功した場合、カードインターフェース801に挿入されたカードがSIMカードであると判断される。あるいは、処理モジュール802が最初に、レベルを識別する方式で、カードインターフェース801に挿入されたカードがメモリカードであると判断した場合、メモリカード初期化動作を介してカード情報を読み取る。読取りが成功した場合、カードインターフェース801に挿入されたカードがメモリカードであると判断される。
【０２３５】
本出願のこの実施形態では、処理モジュールは、各スプリングのレベルに基づいて、カードインターフェース801に挿入されたカードのタイプを識別し、SIMカードの異常状態を検出することができる。検出された異常状態が（スプリングの誤配置または臨界開路などの）回復可能な異常状態であるとき、前述の異常状態は、通信インターフェースの伝導関係を制御することによって解消することができる。検出された異常状態が（臨界短絡などの）回復不可能な異常状態であるとき、ユーザは通知されてよい。
【０２３６】
処理モジュールの前述の機能を参照して、本出願のこの実施形態では、処理モジュールによって実行される動作のフローチャートが図15Aおよび図15Bに示され得る。図15Aおよび図15Bにおいて、処理モジュールは以下のステップを実行する。
【０２３７】
（1）カードインターフェースにカードが挿入されたことを検出する。
【０２３８】
（2）SD＿D2／VCCおよびSD＿D3／GNDなどのIOインターフェースのステータスを判定することにより、挿入されたカードがSIMカードであるかNano SDカードであるかを判定する。挿入されたカードがSIMカードである場合ステップ3に進み、挿入されたカードがNano SDカードである場合ステップ4に進み、または異常状態が検出された場合ステップ9に進む。
【０２３９】
SD＿D2は第1のスプリングの一例と見なされてよく、VCCは第2のスプリングの一例と見なされてよく、SD＿D3は第4のスプリングの一例と見なされてよく、GNDは第3のスプリングの一例と見なされてよい。
【０２４０】
ステップ2の判定方式については、電子デバイス800の関連する説明を参照されたい。
【０２４１】
（3）SIMカードが検出されると、SIMカード初期化の実行を開始する。SIMカード初期化が異常である場合ステップ5に進み、またはSIMカード初期化が正常である場合ステップ5に進む。
【０２４２】
（4）Nano SDが検出されると、Nano SDカード初期化の実行を開始する。Nano SDカード初期化が正常である場合ステップ7に進み、またはNano SDカード初期化が異常である場合ステップ8に進む。
【０２４３】
（5）SIMの初期化が異常である。
【０２４４】
（6）SIMカードの機能が正常である。
【０２４５】
（7）SDカードの機能が正常である。
【０２４６】
（8）SDカードの機能が異常である。
【０２４７】
（9）異常状態が回復可能な異常状態であるかどうかを検出する。異常状態が回復可能な異常状態である場合ステップ11に進み、または異常状態が回復不可能な異常状態である場合ステップ10に進む。
【０２４８】
（10）Nano SIMカードの切断許容誤差が大き過ぎるために回復不可能な異常現象が発生した場合、この現象をユーザに通知する。
【０２４９】
（11）回復可能な異常現象に対して異常回復回路を有効にし、回復後、ステップ6に進んでSIMカードの初期化を開始する。
【０２５０】
図15Aおよび図15Bは、電子デバイス800内の処理モジュール802によって実行される動作の一例であることに留意されたい。図15Aおよび図15Bに示された手順では詳細に記載されない実装形態については、図8に示された電子デバイス800の関連する説明を参照されたい。
【０２５１】
前述の実施形態に基づいて、本出願の一実施形態はコンピュータ可読媒体をさらに提供する。記憶媒体はソフトウェアプログラムを記憶し、1つまたは複数の処理モジュールによって読み取られ実行されると、ソフトウェアプログラムは、前述の実施形態において提供された処理モジュール802によって実行される方法を実施することができる。
【０２５２】
上記を考慮して、本出願の一実施形態は電子デバイスを提供する。本出願のこの実施形態において提供される電子デバイスによれば、カードが電子デバイスのカードインターフェースに挿入されると、挿入されたカードがSIMカードまたはメモリカードであることが識別されてよい。
【０２５３】
本出願のいくつかの実施形態は、方法、システム、またはコンピュータプログラム製品として提供されてよいことを当業者なら理解されよう。したがって、本出願は、ハードウェアのみの実施形態、ソフトウェアのみの実施形態、またはソフトウェアとハードウェアの組合せを有する実施形態の形態を使用することができる。その上、本出願は、コンピュータ使用可能プログラムコードを含む、（限定はしないが、磁気ディスクメモリ、CD−ROM、光メモリなどを含む）1つまたは複数のコンピュータ使用可能記憶媒体に実装されたコンピュータプログラム製品の形態を使用することができる。
【０２５４】
本出願は、本出願のいくつかの実施形態による、方法、デバイス（システム）、およびコンピュータプログラム製品のフローチャートおよび／またはブロック図を参照して記載されている。コンピュータプログラム命令は、フローチャートおよび／またはブロック図の各プロセスおよび／または各ブロック、ならびにフローチャートおよび／またはブロック図のプロセスおよび／またはブロックの組合せを実装するために使用されてよいことを理解されたい。これらのコンピュータプログラム命令は、機械を生成するために、汎用コンピュータ、専用コンピュータ、組込み型プロセッサ、または別のプログラマブルデータ処理デバイスの処理モジュールに提供されてよく、その結果、コンピュータまたは別のプログラマブルデータ処理デバイスの処理モジュールによって実行される命令は、フローチャートの1つもしくは複数のプロセス内、および／またはブロック図の1つもしくは複数のブロック内の機能を実装するための装置を生成する。
【０２５５】
これらのコンピュータプログラム命令は、ある方式で動作するようにコンピュータまたは別のプログラマブルデータ処理デバイスに命令することができるコンピュータ可読メモリに記憶されてもよく、その結果、コンピュータ可読メモリに記憶された命令は、命令装置を含む人工物を生成する。命令装置は、フローチャートの1つもしくは複数のプロセス内、および／またはブロック図の1つもしくは複数のブロック内の機能を実装する。
【０２５６】
これらのコンピュータプログラム命令は、コンピュータまたは別のプログラマブルデータ処理デバイスにロードされてよく、その結果、一連の動作およびステップは、コンピュータまたは別のプログラマブルデバイス上で実行され、それにより、コンピュータ実装処理が生成される。したがって、コンピュータまたは別のプログラマブルデバイス上で実行される命令は、フローチャートの1つもしくは複数のプロセス内、および／またはブロック図の1つもしくは複数のブロック内の機能を実装するためのステップを提供する。
【０２５７】
明らかに、当業者は、本出願のいくつかの実施形態の趣旨および範囲から逸脱することなく、本出願のいくつかの実施形態に対して様々な修正および変形を行うことができる。本出願は、以下の特許請求の範囲およびそれらの等価な技術によって規定される保護範囲内に入るという条件で、これらの修正および変形を包含するものである。
【符号の説明】
【０２５８】
800  電子デバイス
801  カードインターフェース
802  処理モジュール
【図１】
2021512545.tif 000010
【図２】
2021512545.tif 000011
【図３】
2021512545.tif 000012
【図４】
2021512545.tif 000013
【図５】
2021512545.tif 000014
【図６】
2021512545.tif 000015
【図７】
2021512545.tif 000016
【図８】
2021512545.tif 000017
【図９】
2021512545.tif 000018
【図１０】
2021512545.tif 000019
【図１１】
2021512545.tif 000020
【図１２】
2021512545.tif 000021
【図１３】
2021512545.tif 000022
【図１４】
2021512545.tif 000023
【図１５Ａ】
2021512545.tif 000024
【図１５Ｂ】
2021512545.tif 000025
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月29日(2020.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カードインターフェースを備える電子デバイスであって、前記カードインターフェースがカードと接続するように構成され、前記カードの寸法が8.8mm×12.3mmであり、
前記カードインターフェースが8個の金属スプリングを備え、前記8個の金属スプリングが、第1の金属スプリング、第2の金属スプリング、第3の金属スプリング、第4の金属スプリング、第5の金属スプリング、第6の金属スプリング、第7の金属スプリング、および第8の金属スプリングを備え、前記第1の金属スプリングが前記第2の金属スプリングに隣接し、前記第3の金属スプリングが前記第4の金属スプリングに隣接し、
前記カードインターフェースにカードが挿入されるとき、前記カードが8個の金属ピンを備えるメモリカードであり、前記8個の金属スプリングがそれぞれ前記8個の金属ピンに対応し、
前記カードインターフェースにカードが挿入されるとき、前記カードが6個の金属ピンを備えるSIMカードであり、前記6個の金属ピンが、第1の金属ピン、第2の金属ピン、第3の金属ピン、第4の金属ピン、第5の金属ピン、および第6の金属ピンを備え、
前記第1の金属ピンが、前記第1の金属スプリングおよび前記第2の金属スプリングに電気的に接続され、
前記第2の金属ピンが、前記第3の金属スプリングおよび前記第4の金属スプリングに電気的に接続され、
前記第3の金属ピンが、前記第5の金属スプリングに電気的に接続され、
前記第4の金属ピンが、前記第6の金属スプリングに電気的に接続され、
前記第5の金属ピンが、前記第7の金属スプリングに電気的に接続され、
前記第6の金属ピンが、前記第8の金属スプリングに電気的に接続される、
電子デバイス。
【請求項２】
ストレージインターフェースをさらに備え、
前記第2の金属スプリングが電源に電気的に接続され、
前記第4の金属スプリングが接地用であり、
前記カードインターフェースにカードが挿入されるとき、前記カードがメモリカードであり、前記第1の金属スプリングおよび前記第3の金属スプリングが、前記ストレージインターフェースに電気的に接続され、前記第1の金属スプリングおよび前記第3の金属スプリングが、前記電子デバイスと前記メモリカードとの間でデータを送信するように構成され、
前記カードインターフェースにカードが挿入されるとき、前記カードがSIMカードであり、前記第1の金属スプリングが前記第2の金属スプリングと短絡され、前記第3の金属スプリングが前記第4の金属スプリングと短絡される、
請求項1に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記電子デバイスにより、前記カードインターフェースにカードが挿入されたことが検出されると、第1の初期化動作を実行し、
前記電子デバイスにより、前記第1の初期化動作が成功すると、前記カードインターフェースに挿入された前記カードがメモリカードであると判断し、
前記電子デバイスにより、前記第1の初期化動作が失敗すると、第2の初期化動作を実行し、
前記電子デバイスにより、前記第2の初期化動作が成功すると、前記カードインターフェースに挿入された前記カードがSIMカードであると判断し、
前記電子デバイスにより、前記第2の初期化動作が失敗すると、前記カードインターフェースにカードが挿入されていないか、または前記カードインターフェースに挿入された前記カードが無効であると判断する、
請求項1または2に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記電子デバイスにより、前記カードインターフェースにカードが挿入されたことが検出されると、第1の初期化動作を実行し、
前記電子デバイスにより、前記第1の初期化動作が成功すると、前記カードインターフェースに挿入された前記カードがSIMカードであると判断し、
前記電子デバイスにより、前記第1の初期化動作が失敗すると、第2の初期化動作を実行し、
前記電子デバイスにより、前記第2の初期化動作が成功すると、前記カードインターフェースに挿入された前記カードがメモリカードであると判断し、
前記電子デバイスにより、前記第2の初期化動作が失敗すると、前記カードインターフェースにカードが挿入されていないか、または前記カードインターフェースに挿入された前記カードが無効であると判断する、
請求項1から3のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
スイッチ、ストレージインターフェース、およびSIMインターフェースをさらに備え、
前記カードインターフェースにカードが挿入されるとき、前記カードがSIMカードであり、前記スイッチを介して、前記第6の金属スプリング、前記第7の金属スプリング、および前記第8の金属スプリングを前記SIMインターフェースと接続し、
前記カードインターフェースにカードが挿入されるとき、前記カードがメモリカードであり、前記スイッチを介して、前記第6の金属スプリング、前記第7の金属スプリング、および前記第8の金属スプリングを前記ストレージインターフェースと接続する、
請求項1から4のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記カードインターフェースにカードが挿入されるとき、前記カードがSIMカードであり、
前記第6の金属スプリングがSIMインターフェースのデータを送信するように構成され、前記第7の金属スプリングが前記SIMインターフェースのリセット信号を送信するように構成され、第8の金属接点スプリングが前記SIMインターフェースのクロック信号を送信するように構成され、
前記カードインターフェースにカードが挿入されるとき、前記カードがメモリカードであり、
前記第6の金属スプリングおよび前記第7の金属スプリングが両方ともデータを送信するように構成され、前記第8の金属接点スプリングがクロック信号を送信するように構成される、
請求項1から5のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記第2の金属スプリングが電源に電気的に接続され、
前記第1の金属スプリングの電圧レベルが高レベルであるとき、前記カードインターフェースに挿入された前記カードがSIMカードであると判断し、
前記第1の金属スプリングの電圧レベルが低レベルであるとき、前記カードインターフェースに挿入された前記カードがメモリカードであると判断する、
請求項1から6のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記第7の金属スプリングが前記第2の金属スプリングに隣接し、前記第2の金属スプリングが前記第7の金属スプリングと前記第1の金属スプリングとの間に位置し、
前記カードインターフェースにカードが挿入されるとき、前記カードがSIMカードであり、
前記第7の金属スプリングの電圧レベルが高レベルであるとき、前記第2の金属スプリングが前記第7の金属スプリングと短絡されたと判断する、
請求項7に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記第4の金属スプリングが接地用であり、
前記第3の金属スプリングの電圧レベルが低レベルであるとき、前記カードインターフェースに挿入された前記カードがSIMカードであると判断し、
前記第3の金属スプリングの電圧レベルが高レベルであるとき、前記カードインターフェースに挿入された前記カードがメモリカードであると判断する、
請求項1から8のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記第4の金属スプリングが前記第5の金属スプリングに隣接し、前記第4の金属スプリングが前記第3の金属スプリングと前記第5の金属スプリングとの間に位置し、
前記カードインターフェースにカードが挿入されるとき、前記カードがメモリカードであり、前記第3の金属スプリングの電圧レベルが低レベルであるとき、前記第4の金属スプリングが前記第5の金属スプリングと短絡されたと判断する、
請求項9に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記第2の金属スプリングが前記第7の金属スプリングと短絡されるとプロンプト情報を出力し、前記プロンプト情報が、前記SIMカードが異常であることをユーザに通知するために使用される、
請求項8に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記第4の金属スプリングが前記第5の金属スプリングと短絡されるとプロンプト情報を出力し、前記プロンプト情報が、前記SIMカードが異常であることをユーザに通知するために使用される、
請求項10に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
メモリカードであって、前記メモリカードの形状が長方形であり、前記メモリカードの寸法が8.8mm×12.3mmであり、前記メモリカードの1つの隅がチャンファであり、前記メモリカードが8個の金属ピンを備え、前記8個の金属ピンが、4つのデータピン、クロックピン、コマンド／応答ピン、電源ピン、および接地ピンを備え、
前記4つのデータピンが、第1のデータピン、第2のデータピン、第3のデータピン、および第4のデータピンを備え、前記4つのデータピンがすべてデータを送信するように構成され、
前記クロックピンがクロック信号を受信するように構成され、
前記コマンド／応答ピンがコマンドメッセージを受信するか、または応答を出力するように構成され、
前記電源ピンが電源と接続するように構成され、
前記接地ピンが接地用である、
メモリカード。
【請求項１４】
前記8個の金属ピンが前記メモリカードの表面に露出され、前記8個の金属ピンが前記メモリカードの同じ表面上に位置する、請求項13に記載のメモリカード。
【請求項１５】
前記メモリカードが、第1の側面、第2の側面、第3の側面、および第4の側面を備え、
前記チャンファが前記第1の側面と前記第2の側面との間に位置し、
前記第1の側面が前記第3の側面と平行であり、
前記第2の側面が前記第4の側面と平行であり、
前記第1の側面の長さが前記第2の側面の長さより大きく、
前記第2のデータピン、前記コマンド／応答ピン、前記接地ピン、および前記第4のデータピンが、前記第2の側面の延長方向に沿って順番に配置され、
前記クロックピン、前記第1のデータピン、前記電源ピン、および前記第3のデータピンが、前記第4の側面の延長方向に沿って順番に配置される、
請求項13または14に記載のメモリカード。
【請求項１６】
前記第2のデータピンが第1の側面の延長方向に沿って前記クロックピンに隣接し、
前記第4のデータピンが第3の側面の延長方向に沿って前記第3のデータピンに隣接する、
請求項13から15のいずれか一項に記載のメモリカード。
【請求項１７】
前記電源ピンが前記メモリカードの長さ方向に沿って前記接地ピンに隣接する、請求項13から16のいずれか一項に記載のメモリカード。
【請求項１８】
前記第1のデータピンが前記メモリカードの長さ方向に沿って前記コマンド／応答ピンに隣接する、請求項13から17のいずれか一項に記載のメモリカード。
【請求項１９】
前記チャンファが前記第2のデータピンに隣接する、請求項13から18のいずれか一項に記載のメモリカード。
【請求項２０】
前記8個の金属ピンが絶縁ギャップを介して互いに絶縁される、請求項13から18のいずれか一項に記載のメモリカード。
【国際調査報告】
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