(57)【要約】  本発明は、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料上でエチレンとフラン化合物とを含む混合物を反応させることを含む、芳香族化合物の製造方法であって、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、有機テンプレートを用いない合成法により得ることができる及び／又は得られる、方法に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族化合物の製造方法であって、
（１）  エチレン及び式（Ｉ）
【化１】
2021525767.tif 000010
の化合物を含む混合物（Ｍ１）を調製する工程、
（２）  混合物（Ｍ１）を、触媒を含有する反応器に供給する工程であって、前記触媒がＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を含む工程、
（３）  混合物（Ｍ１）の少なくとも一部を反応させて式（ＩＩ）
【化２】
2021525767.tif 000011
の芳香族化合物を得るために、混合物（Ｍ１）を前記反応器内の前記触媒と接触させる工程、
（４）  式（ＩＩ）の前記芳香族化合物を含有する反応混合物（Ｍ２）を前記反応器から回収する工程、
を含み、
式中、Ｒ１及びＲ２が互いに独立して、Ｈ、又は置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ３）アルキルを表し、及び
前記触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有する前記ゼオライト材料が、有機テンプレートを用いない合成法により得ることができる及び／又は得られる、方法。
【請求項２】
ＢＥＡ型骨格構造を有する前記ゼオライト材料が、少なくとも次の反射を含むＸ線回折パターンを示し、
【表１】
2021525767.tif 000012
ここで１００％は、前記Ｘ線粉末回折パターンの２０〜４５°の２θ範囲の最高ピークの強度を意味し、及び
前記ＢＥＡ型骨格構造がＳｉＯ２及びＸ２Ｏ３を含み、Ｘは３価の元素である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
式（Ｉ）の化合物が、置換又は非置換のフラン、２−メチルフラン、２，５−ジメチルフラン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）が溶媒システムをさらに含有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
式（Ｉ）の化合物及び／又はエチレンがバイオマスに由来する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
工程（２）及び工程（３）において、前記触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有する前記ゼオライト材料がＨ型である、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
工程（２）及び工程（３）において、前記触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有する前記ゼオライト材料が、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有する前記ゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳＯ２に基づいて５質量％以下の金属ＡＭを含有し、ここで前記金属ＡＭがＮａを表す、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
工程（２）及び工程（３）において、前記触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有する前記ゼオライト材料が、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有する前記ゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて５質量％以下の金属ＴＭを含有し、ここで前記金属ＴＭがＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、及びＩｒを表す、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
工程（２）及び工程（３）において、前記触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有する前記ゼオライト材料が、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有する前記ゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて、５質量％以下のリンを含有する、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
工程（３）における混合物（Ｍ１）の前記触媒との接触を、１５０〜３５０℃の範囲の温度で行う、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記方法を連続モード及び／又はバッチモードで行う、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有する前記ゼオライト材料の前記３価の元素Ｘが、Ａｌ、Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有する前記ゼオライト材料が示すブレンステッド酸部位（ＢＡ）の量のルイス酸部位（ＬＡ）の量に対するＢＡ：ＬＡ比が、０．５〜８の範囲であり、
ここでブレンステッド酸部位及びルイス酸部位の量がそれぞれ、温度プログラムされたアンモニアの脱着（ＮＨ３−ＴＰＤ）により、又はトリメチルホスフィンオキシドを使用した３１Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲにより決定される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記有機テンプレートを用いない合成法が、
（Ａ）  ＳｉＯ２の１種以上の源、Ｘ２Ｏ３の１種以上の源、及び種結晶を含む混合物を調製する工程であって、前記種結晶がＢＥＡ型骨格構造を有する１種以上のゼオライト材料を含む工程、
（Ｂ）  ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を得るために、工程（Ａ）で得られた前記混合物を結晶化させる工程
を含み、
ここでＸが３価の元素であり、及び
工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる前記混合物が、構造指向剤としての有機テンプレートを含有しない、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる前記混合物が、元素として計算され、前記混合物に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて５質量％以下の炭素を含有する、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料上でエチレンとフラン化合物とを含む混合物を反応させることを含む、芳香族化合物の製造方法であって、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、有機テンプレートを用いない合成法により得ることができる及び／又は得られる、方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
広く使用されているバルク化学物質の、バイオマスからの持続可能な生産は、高コスト、市場の変動性、及び石油ベース原料の差し迫った枯渇のため、大きな注目を集めている。ｐ−キシレン（ＰＸ）は、テレフタル酸（ＴＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の製造、及びその後のポリエステル、合成繊維及びプラスチックボトル等の合成のため広範囲にわたり使用されているので、最も重要な特定の当該化学物質の１つである。近年、エチレンと２，５−ジメチルフラン（２，５−ＤＭＦ）との間のディールス−アルダー反応を使用した再生可能なｐ−キシレン製造のための有望な経路が提案されている（図１を参照）。特に、２，５−ＤＭＦ及びエチレンの両方がバイオマスに由来することができ、これによって、それら２，５−ＤＭＦ及びエチレンの生産の石油への依存を削減する可能性が提供される。
【０００３】
ＵＳ２０１３／０２４５３１６Ａ１は、触媒としてのルイス酸化合物の存在下で再生可能な源及びエチレンからｐ−キシレンを製造する方法に関するものである。Ｎｉ，Ｌ．ｅｔ  ａｌ．ＣｈｅｍＳｕｓＣｈｅｍ２０１７，１０，２３９４は、金属トリフラートを使用したバイオベースの２，５−ジメチルフランからのｐ−キシレンの合成に関する。Ｃｈａｎｇ，Ｃ．−Ｃ．ｅｔ  ａｌ．Ｇｒｅｅｎ  Ｃｈｅｍ．２０１４，１６，５８５は、バイオマス由来のエチレン及びジメチルフランのＨ−ゼオライトベータとの環化付加反応に関するものである。Ｃｈｏ，Ｈ．Ｊ．ｅｔ  ａｌ．ＣｈｅｍＣａｔＣｈｅｍ２０１７，９，３９８は、リン含有ゼオライトベータ触媒を使用した、２，５−ジメチルフラン及びエチレンからの再生可能なｐ−キシレンに関するものである。
【０００４】
バイオマスから芳香族化合物を調製するための方法は存在するが、特に反応の活性及び選択性に関して、転化を最適化する必要性が残っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】ＵＳ２０１３／０２４５３１６Ａ１
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｎｉ，Ｌ．ｅｔ  ａｌ．ＣｈｅｍＳｕｓＣｈｅｍ２０１７，１０，２３９４
【非特許文献２】Ｃｈａｎｇ，Ｃ．−Ｃ．ｅｔ  ａｌ．Ｇｒｅｅｎ  Ｃｈｅｍ．２０１４，１６，５８５
【非特許文献３】Ｃｈｏ，Ｈ．Ｊ．ｅｔ  ａｌ．ＣｈｅｍＣａｔＣｈｅｍ２０１７，９，３９８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、バイオマスから芳香族化合物を製造するための改善された方法、及び特にアルキレンと、フラン又はそのアルキル化誘導体とのディールス−アルダー環化付加反応、及びその後の水の除去を介して芳香族生成物を得る、改善された方法を提供することである。よって、驚くべきことに、有機テンプレートを用いない合成から得られるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を含む触媒を用いることにより、特に反応の活性及び選択性に関して、改善された方法が提供されることが見出された。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
従って本発明は、芳香族化合物の製造方法であって、
（１）  エチレン及び式（Ｉ）
【化１】
2021525767.tif 000002
の化合物を含む混合物（Ｍ１）を調製する工程、
（２）  混合物（Ｍ１）を、触媒を含有する反応器に供給する工程であって、前記触媒がＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を含む工程、
（３）  混合物（Ｍ１）の少なくとも一部を反応させて式（ＩＩ）
【化２】
2021525767.tif 000003
の芳香族化合物を得るために、混合物（Ｍ１）を反応器内の触媒と接触させる工程、
（４）  式（ＩＩ）の芳香族化合物を含有する反応混合物（Ｍ２）を反応器から回収する工程、
を含む方法に関し、
式中、Ｒ１及びＲ２は互いに独立して、Ｈ、又は置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ３）アルキル、好ましくはＨ、又は置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ２）アルキル、より好ましくはＨ、又は置換又は非置換のメチル、及びより好ましくはＨ、又は非置換のメチルを表し、及び
触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料は、有機テンプレートを用いない合成法により得ることができる及び／又は得られる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、２，５−ジメチルフラン（２，５−ＤＭＦ）が、エチレンのディールス−アルダー環化付加反応を介して、水の除去によりｐ−キシレンに転化する環化付加中間体となる反応スキームを示す。
【図２】図２は、２−メチルフランが、エチレンのディールス−アルダー環化付加反応を介して、水の除去によりトルエンに転化する環化付加中間体となる反応スキームを示す。
【図３】図３は、フランが、エチレンのディールス−アルダー環化付加反応を介して、水の除去によりベンゼンに転化する環化付加中間体となる反応スキームを示す。
【図４】図４は、参考例１、参考例２、参考例３、及び市販のゼオライトベータによる、ゼオライトベータ触媒による２，５−ジメチルフラン及びエチレンの転化における反応生成物及び選択性を示す。
【図５】図５は、参考例２による、ゼオライトベータ触媒上でのエチレン及び２，５−ジメチルフラン（２，５−ＤＭＦ）、２−メチルフラン（２−ＭＦ）、及びフランそれぞれの転化における反応生成物及び選択性を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の物理的及び／又は化学的特性、例えばＸＲＤパターンに関して、特別な制限は適用されない。触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料は、少なくとも次の反射を含むＸ線回折パターンを示すことが好ましく、
【表１】
2021525767.tif 000004
ここで１００％は、Ｘ線粉末回折パターンの２０〜４５°の２θ範囲の最高ピークの強度を意味し、及び
ＢＥＡ型骨格構造はＳｉＯ２及びＸ２Ｏ３を含み、Ｘは３価の元素である。
【００１１】
上記で開示したように、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｈ、又は置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ３）アルキル、好ましくはＨ、又は置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ２）アルキル、より好ましくはＨ、又は置換又は非置換のメチル、及びより好ましくはＨ、又は非置換のメチルを表す。Ｒ１及びＲ２が、互いに独立して、置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ３）アルキル、より好ましくは置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ２）アルキル、より好ましくは置換又は非置換のメチル、より好ましくは非置換のメチルを表すことが好ましい。
【００１２】
Ｒ１及びＲ２に関して、特に好ましくは、Ｒ１がＨを表し、及びＲ２が置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ３）アルキル、より好ましくは置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ２）アルキル、より好ましくは置換又は非置換のメチル、及びより好ましくは非置換のメチルを表す。
【００１３】
上記で開示したように、混合物（Ｍ１）は、エチレンと式（Ｉ）
【化３】
2021525767.tif 000005
の化合物とを含む。
【００１４】
式（Ｉ）の化合物は、置換又は非置換のフラン、２−メチルフラン、２，５−ジメチルフラン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくは、非置換のフラン、２−メチルフラン、２，５−ジメチルフラン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択されることが好ましく、ここでより好ましくは、式（Ｉ）の化合物が、２−メチルフラン及び／又は２，５−ジメチルフラン、好ましくは２，５−ジメチルフランである。
【００１５】
エチレン：式（Ｉ）の化合物のモル比に関して、特別な制限は適用されない。工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）中のエチレン：式（Ｉ）の化合物のモル比は、０．０１〜１．５、より好ましくは０．０５〜１、より好ましくは０．０８〜０．７、より好ましくは０．１〜０．５、より好ましくは０．１２〜０．３、より好ましくは０．１４〜０．２、及びより好ましくは０．１６〜０．１８の範囲であることが好ましい。
【００１６】
従って、特に好ましくは、式（Ｉ）の化合物が、置換又は非置換のフラン、２−メチルフラン、２，５−ジメチルフラン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくは、非置換のフラン、２−メチルフラン、２，５−ジメチルフラン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択され、ここでより好ましくは、式（Ｉ）の化合物が２−メチルフラン及び／又は２，５−ジメチルフラン、好ましくは２，５−ジメチルフランであり、及び工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）中のエチレン：式（Ｉ）の化合物のモル比が、０．０１〜１．５、より好ましくは０．０５〜１、より好ましくは０．０８〜０．７、より好ましくは０．１〜０．５、より好ましくは０．１２〜０．３、より好ましくは０．１４〜０．２、及びより好ましくは０．１６〜０．１８の範囲である。
【００１７】
工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）に関して、特別な制限は適用されず、さらなる成分、例えば水がそこに含まれてよい。工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）は、１００質量％の式（Ｉ）の化合物に基づいて５質量％以下の水、より好ましくは、１００質量％の式（Ｉ）の化合物に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下の水を含有することが好ましい。特に好ましくは、工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）は、実質的に水を含有しない。
【００１８】
上記で開示したように、工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）に関して、特別な制限は適用されず、さらなる成分、例えば溶媒システムがそこに含まれてよい。工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）は、溶媒システムをさらに含むことが好ましく、ここで溶媒システムが、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくはペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくはヘキサン、ヘプタン、オクタン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択される１種以上の溶媒を好ましくは含み、より好ましくは溶媒システムがヘプタンを含み、より好ましくは溶媒システムがヘプタンからなる。
【００１９】
工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）が溶媒システムをさらに含む場合、工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）が、式（Ｉ）の化合物の溶液を溶媒システム中に含有することが好ましく、ここで溶媒システムにおける式（Ｉ）の化合物の濃度は、０．１〜５Ｍ、０．５〜３Ｍ、より好ましくは１〜２．５Ｍ、より好ましくは１．３〜２Ｍ、より好ましくは１．４〜１．７Ｍ、及びより好ましくは１．５〜１．６Ｍの範囲である。
【００２０】
従って、特に好ましくは、工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）が、溶媒システムをさらに含み、ここで溶媒システムがブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくはペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくはヘキサン、ヘプタン、オクタン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択される１種以上の溶媒を含み、より好ましくは溶媒システムがヘプタンを含み、より好ましくは溶媒システムがヘプタンからなり、及び工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）が、式（Ｉ）の化合物の溶液を溶媒システム中に含有し、ここで溶媒システムにおける式（Ｉ）の化合物の濃度が０．１〜５Ｍ、０．５〜３Ｍ、より好ましくは１〜２．５Ｍ、より好ましくは１．３〜２Ｍ、より好ましくは１．４〜１．７Ｍ、及びより好ましくは１．５〜１．６Ｍの範囲であり、及び式（Ｉ）の化合物が、置換又は非置換のフラン、２−メチルフラン、２，５−ジメチルフラン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくは非置換のフラン、２−メチルフラン、２，５−ジメチルフラン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択され、ここでより好ましくは、式（Ｉ）の化合物が２−メチルフラン及び／又は２，５−ジメチルフラン、好ましくは２，５−ジメチルフランである。
【００２１】
工程（２）で混合物（Ｍ１）を供給し工程（３）で触媒を接触させる反応器におけるエチレンの分圧に関して、特別な制限は適用されない。工程（２）で混合物（Ｍ１）を供給し工程（３）で触媒を接触させる反応器におけるエチレンの分圧は、２５℃で測定して０．５〜１５、より好ましくは０．５〜１５ＭＰａ、より好ましくは１〜１０ＭＰａ、より好ましくは２〜８ＭＰａ、より好ましくは２．５〜６ＭＰａ、より好ましくは３〜５ＭＰａ、及びより好ましくは３．５〜４．５ＭＰａの範囲であることが好ましい。
【００２２】
式（Ｉ）の化合物及び／又はエチレンの起源に関して、特別な制限は適用されず、それは天然又は合成方法に由来してよい。式（Ｉ）の化合物及び／又はエチレン、好ましくは式（Ｉ）の化合物及びエチレンが、バイオマスに由来することが好ましい。
【００２３】
上記で開示したように、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料に関して、特別な制限は適用されない。工程（２）及び工程（３）において、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料は、Ｈ型であることが好ましい。
【００２４】
上記で開示したように、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料に関して、特別な制限は適用されず、さらなる成分、例えば１種以上の金属、好ましくは１種以上のアルカリ金属及びアルカリ土類金属がそこに含まれてよい。工程（２）及び工程（３）において、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料は、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳＯ２に基づいて５質量％以下の金属ＡＭ、好ましくは、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下の金属ＡＭを含有することが好ましく、ここで金属ＡＭは、Ｎａ、好ましくはＮａ及びＫ、より好ましくはアルカリ金属、及びより好ましくはアルカリ及びアルカリ土類金属を表す。
【００２５】
上記で開示したように、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料に関して、特別な制限は適用されず、さらなる成分、例えば１種以上の金属、好ましくは１種以上の遷移金属がそこに含まれてよい。工程（２）及び工程（３）において、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料は、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて５質量％以下の金属ＴＭ、好ましくは、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下の金属ＴＭを含有することが好ましく、ここで金属ＴＭは、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、及びＩｒを表し、及び好ましくは、第３〜１２族の遷移金属元素を表す。
【００２６】
反応器内に含有される触媒に関して、特別な制限は適用されず、さらなる成分、例えば１種以上の金属、好ましくは１種以上のアルカリ金属及びアルカリ土類金属がそこに含まれてよい。工程（２）及び工程（３）において、反応器内の触媒は、元素として計算され、１００質量％の触媒に基づいて５質量％以下の金属ＡＭ、より好ましくは、元素として計算され、１００質量％の触媒に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下の金属ＡＭを含有することが好ましく、ここで金属ＡＭは、Ｎａ、好ましくはＮａ及びＫ、より好ましくはアルカリ金属、及びより好ましくはアルカリ及びアルカリ土類金属を表す。
【００２７】
上記で開示したように、反応器内に含有される触媒に関して、特別な制限は適用されず、さらなる成分、例えば１種以上の金属、好ましくは１種以上の遷移金属がそこに含まれてよい。反応器内に含有される触媒は、元素として計算され、１００質量％の触媒に基づいて５質量％以下の金属ＴＭ、好ましくは、元素として計算され、１００質量％の触媒に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下の金属ＴＭを含有することが好ましく、ここで金属ＴＭは、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、及びＩｒを表し、及び好ましくは、第３〜１２族の遷移金属元素を表す。
【００２８】
上記で開示したように、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料に関して、特別な制限は適用されず、さらなる成分、例えばリンがそこに含まれてよい。工程（２）及び工程（３）において、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料は、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて、５質量％以下のリン、より好ましくは、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下のリンを含有することが好ましい。
【００２９】
上記で開示したように、反応器内に含有される触媒に関して、特別な制限は適用されず、さらなる成分、例えばリンがそこに含まれてよい。工程（２）及び工程（３）において、触媒は、元素として計算され、１００質量％の触媒に基づいて５質量％以下のリン、より好ましくは、元素として計算され、１００質量％の触媒に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下の金属ＡＭを含有することが好ましい。
【００３０】
工程（３）における混合物（Ｍ１）の触媒との接触に関して、特別な制限は適用されず、例えば温度の観点からの任意の適した条件を適用してよい。工程（３）における混合物（Ｍ１）の触媒との接触は、１５０〜３５０℃、より好ましくは２００〜３３０℃、より好ましくは２３０〜３２０℃、より好ましくは２５０〜３１５℃、より好ましくは２７０〜３１０℃、より好ましくは２８０〜３０５℃の範囲、及びより好ましくは２９０〜３００℃の範囲の温度で行うことが好ましい。
【００３１】
上記で開示したように、工程（３）における混合物（Ｍ１）の触媒との接触に関して、特別な制限は適用されず、例えば期間の観点からの任意の適した条件を適用してよい。工程（３）における混合物（Ｍ１）の触媒との接触の期間は、０．５〜７０時間、より好ましくは１〜５０時間、より好ましくは３〜４０時間、より好ましくは５〜３５時間、より好ましくは１０〜３０時間、より好ましくは１５〜２５時間、より好ましくは１８〜２３時間の範囲、及びより好ましくは１９〜２１時間の範囲であることが好ましい。
【００３２】
従って、特に好ましくは、工程（３）における混合物（Ｍ１）の触媒との接触を１５０〜３５０℃、より好ましくは２００〜３３０℃、より好ましくは２３０〜３２０℃、より好ましくは２５０〜３１５℃、より好ましくは２７０〜３１０℃、より好ましくは２８０〜３０５℃の範囲、及びより好ましくは２９０〜３００℃の範囲の温度で行い、及び工程（３）における混合物（Ｍ１）の触媒との接触の期間が、０．５〜７０時間、より好ましくは１〜５０時間、より好ましくは３〜４０時間、より好ましくは５〜３５時間、より好ましくは１０〜３０時間、より好ましくは１５〜２５時間、より好ましくは１８〜２３時間の範囲、及びより好ましくは１９〜２１時間の範囲である。
【００３３】
上記で開示したように、工程（３）における混合物（Ｍ１）の触媒との接触及び工程（４）における反応混合物（Ｍ２）の回収に関して、特別な制限は適用されず、例えば反応モードの観点からの任意の適した条件を適用してよい。工程（３）における混合物（Ｍ１）の触媒との接触及び工程（４）における反応混合物（Ｍ２）の回収は、連続モード及び／又はバッチモードで、より好ましくはバッチモードで行うことが好ましい。
【００３４】
方法を行う反応モードに関して、特別な制限は適用されない。方法を、連続モード及び／又はバッチモードで、好ましくはバッチモードで行うことが好ましい。
【００３５】
上記で開示したように、芳香族化合物の製造方法は、工程（１）、（２）、（３）、及び（４）を含む。前記方法に関して、方法工程の観点から特別な制限は適用されず、そこにさらなる方法工程が含まれてよい。方法が、
（５）  式（ＩＩ）の化合物を反応混合物（Ｍ２）から分離して、未反応の式（Ｉ）の化合物及び／又は未反応のエチレンを含有する混合物（Ｍ３）を得る工程
をさらに含むことが好ましい。
【００３６】
上記で開示したように、方法が工程（５）を含む場合、やはり方法工程の観点から特別な制限は適用されず、そこにさらなる方法工程が含まれてよい。方法が、
（６）  未反応の式（Ｉ）の化合物及び／又は未反応のエチレンを含有する混合物（Ｍ３）を工程（１）に再循環させる工程
をさらに含むことが好ましい。
【００３７】
上記で開示したように、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料に関して、特別な制限は適用されない。触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、１０〜２００、より好ましくは１５〜１５０、より好ましくは２０〜１００、より好ましくは２５〜７０、より好ましくは３０〜６５、より好ましくは３５〜６０、より好ましくは３８〜５５、より好ましくは４０〜５０、及びより好ましくは４２〜４６の範囲のＳｉＯ２：Ｘ２Ｏ３モル比を示すことが好ましく、ここで好ましくは、骨格構造のＳｉＯ２：Ｘ２Ｏ３モル比は、元素分析又はゼオライト材料の２９Ｓｉ  ＭＡＳ  ＮＭＲから、好ましくはゼオライト材料の２９Ｓｉ  ＭＡＳ  ＮＭＲから決定する。好ましくは、骨格構造のＳｉＯ２：Ｘ２Ｏ３モル比は、実験の項に記載の方法に従って、２９Ｓｉ  ＭＡＳ  ＮＭＲにより決定する。
【００３８】
触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の３価の元素Ｘに関して、特別な制限は適用されない。触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の３価の元素Ｘは、Ａｌ、Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくはＡｌ、Ｇａ、及びそれらの混合物からなる群から選択されることが好ましく、Ｘは、より好ましくはＡｌである。
【００３９】
上記で開示したように、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料に関して、特別な制限は適用されない。触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、１００〜９００μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１５０〜７００μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは２００〜６５０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは３５０〜６００μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは３８０〜５５０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは４１０〜５００μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは４３０〜４７０μｍｏｌ／ｇ、及びより好ましくは４４５〜４５０μｍｏｌ／ｇの範囲のブレンステッド酸部位（ＢＡ）の量を示すことが好ましく、ここでブレンステッド酸部位の量は、温度プログラムされたアンモニアの脱着（ＮＨ３−ＴＰＤ）又はトリメチルホスフィンオキシドを使用した３１Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲにより決定する。好ましくは、ブレンステッド酸部位の量は、実験の項に記載の方法に従って決定する。
【００４０】
上記で開示したように、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料に関して、特別な制限は適用されない。触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、１００〜３５０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１１０〜３００μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１２０〜２８０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１４０〜２６０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１５０〜２４０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１６０〜２２０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１７０〜２００μｍｏｌ／ｇ、及びより好ましくは１８０〜１９０μｍｏｌ／ｇの範囲のルイス酸部位（ＬＡ）の量を示すことが好ましく、ここでルイス酸部位の量は、温度プログラムされたアンモニアの脱着（ＮＨ３−ＴＰＤ）又はトリメチルホスフィンオキシドを使用した３１Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲにより決定する。好ましくは、ルイス酸部位の量は、実験の項に記載の方法に従って決定する。
【００４１】
従って、特に好ましくは、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、１００〜９００μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１５０〜７００μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは２００〜６５０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは３５０〜６００μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは３８０〜５５０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは４１０〜５００μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは４３０〜４７０μｍｏｌ／ｇ、及びより好ましくは４４５〜４５０μｍｏｌ／ｇの範囲の量のブレンステッド酸部位（ＢＡ）を示し、ここでブレンステッド酸部位の量は、温度プログラムされたアンモニアの脱着（ＮＨ３−ＴＰＤ）又はトリメチルホスフィンオキシドを使用した３１Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲにより決定し、及び触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、１００〜３５０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１１０〜３００μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１２０〜２８０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１４０〜２６０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１５０〜２４０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１６０〜２２０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１７０〜２００μｍｏｌ／ｇ、及びより好ましくは１８０〜１９０μｍｏｌ／ｇの範囲の量のルイス酸部位（ＬＡ）を示し、ここでルイス酸部位の量は、温度プログラムされたアンモニアの脱着（ＮＨ３−ＴＰＤ）又はトリメチルホスフィンオキシドを使用した３１Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲにより決定する。
【００４２】
さらに、特に好ましくは、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が示すブレンステッド酸部位（ＢＡ）の量のルイス酸部位（ＬＡ）の量に対するＢＡ：ＬＡ比が、０．５〜８、好ましくは１〜５、より好ましくは１．３〜４、より好ましくは１．６〜３．４、より好ましくは１．８〜３、より好ましくは２．０〜２．７、より好ましくは２．２〜２．６、及びより好ましくは、２．３〜２．５の範囲であり、ここでブレンステッド酸部位及びルイス酸部位の量はそれぞれ、温度プログラムされたアンモニアの脱着（ＮＨ３−ＴＰＤ）により、又はトリメチルホスフィンオキシドを使用した３１Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲにより決定する。
【００４３】
触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の物理的及び／又は化学的特性、例えばＢＥＴ表面積に関して、特別な制限は適用されない。ＩＳＯ９２７７：２０１０により決定する触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料のＢＥＴ表面積が、３５０〜８００ｍ２／ｇ、より好ましくは４００〜７００ｍ２／ｇ、より好ましくは４３０〜６５０ｍ２／ｇ、より好ましくは４５０〜６００ｍ２／ｇ、より好ましくは４６０〜５５０ｍ２／ｇ、より好ましくは４７０〜５３０ｍ２／ｇ、より好ましくは４８０〜５２０ｍ２／ｇ、及びより好ましくは４９０〜５１０ｍ２／ｇの範囲であることが好ましい。
【００４４】
触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の物理的及び／又は化学的特性、例えば総細孔容積に関して、特別な制限は適用されない。ＢＪＨ法からの窒素吸着により決定する触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の総細孔容積が、０．３〜０．５ｃｍ／ｇ、好ましくは０．３１〜０．４５ｃｍ３／ｇ、より好ましくは０．３２〜０．４２ｃｍ３／ｇ、より好ましくは０．３３〜０．４ｃｍ３／ｇ、より好ましくは０．３４〜０．３９ｃｍ３／ｇ、より好ましくは０．３５〜０．３８ｃｍ３／ｇ、及びより好ましくは０．３６〜０．３７ｃｍ３／ｇの範囲であることが好ましく、ここで総細孔容積は、好ましくは、ＤＩＮ６６１３４により決定する。
【００４５】
触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を得ることができる及び／又は得られる、有機テンプレートを用いない合成法に関して、特別な制限は適用されない。有機テンプレートを用いない合成法は、
（Ａ）  ＳｉＯ２の１種以上の源、Ｘ２Ｏ３の１種以上の源、及び種結晶を含む混合物を調製する工程であって、種結晶がＢＥＡ型骨格構造を有する１種以上のゼオライト材料を含む工程、
（Ｂ）  ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を得るために、工程（Ａ）で得られた混合物を結晶化させる工程
を含むことが好ましく、ここでＸは３価の元素であり、及び
工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物は、構造指向剤としての有機テンプレートを含有しない。
【００４６】
方法が、上記で開示したように工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に関して、特別な制限は適用されず、そこにさらなる成分、例えば炭素が含まれてよい。工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物は、元素として計算され、混合物に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて５質量％以下の炭素、より好ましくは、元素として計算され、混合物に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下の炭素を含有することが好ましい。
【００４７】
方法が、上記で開示したように工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、工程（Ｂ）で得られるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料に関して、特別な制限は適用されず、そこにさらなる成分、例えば１種以上のアルカリ金属Ｍが含まれてよい。工程（Ｂ）で得られるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、１種以上のアルカリ金属Ｍを含むことが好ましく、ここでＭは、好ましくは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、及びそれらの２種以上の組み合わせからなる群から、より好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、及びそれらの２種以上の組み合わせからなる群から選択され、より好ましくはアルカリ金属ＭはＮａ及び／又はＫ、より好ましくはＮａである。
【００４８】
工程（Ｂ）で得られるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、上記で開示したように１種以上のアルカリ金属Ｍを含む場合、工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物中のモル比Ｍ：ＳｉＯ２に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物中のモル比Ｍ：ＳｉＯ２は、０．０５〜５、より好ましくは０．１〜２、より好ましくは０．３〜１、より好ましくは０．４〜０．８、より好ましくは０．４５〜０．７、より好ましくは０．５〜０．６５、及びより好ましくは０．５５〜０．６の範囲であることが好ましい。
【００４９】
方法が、上記で開示したように工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有されるＳｉＯ２の１種以上の源に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有されるＳｉＯ２の１種以上の源は、１種以上のシリケート、好ましくは１種以上のアルカリ金属シリケートを含むことが好ましく、ここでアルカリ金属が、より好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選択され、より好ましくはアルカリ金属がＮａ及び／又はＫであり、及びより好ましくはアルカリ金属がＮａであり、ここでより好ましくは工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有されるＳｉＯ２の１種以上の源が、水ガラス、好ましくはナトリウムシリケート及び／又はカリウムシリケート、より好ましくはナトリウムシリケートを含む。
【００５０】
工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有されるＳｉＯ２の１種以上の源が、上記で開示したように１種以上のシリケートを含む場合、そこに含まれるさらなる成分の観点において、特別な制限は適用されない。工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有されるＳｉＯ２の１種以上の源は、１種以上のシリカ、より好ましくは１種以上のシリカヒドロゾル及び／又は１種以上のコロイダルシリカ、及びより好ましくは１種以上のコロイダルシリカをさらに含むことが好ましい。
【００５１】
従って、特に好ましくは、方法が、上記で開示したように工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有されるＳｉＯ２の１種以上の源が、１種以上のシリケート、好ましくは１種以上のアルカリ金属シリケートを含み、ここでアルカリ金属がより好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選択され、より好ましくはアルカリ金属がＮａ及び／又はＫであり、及びより好ましくはアルカリ金属がＮａであり、ここでより好ましくは工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有されるＳｉＯ２の１種以上の源が水ガラス、好ましくはナトリウムシリケート及び／又はカリウムシリケート、より好ましくはナトリウムシリケートを含み、及び工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有されるＳｉＯ２の１種以上の源が１種以上のシリカ、より好ましくは１種以上のシリカヒドロゾル及び／又は１種以上のコロイダルシリカ、及びより好ましくは１種以上のコロイダルシリカをさらに含む。
【００５２】
方法が、上記で開示したように工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、Ｘに関して、上記で開示したようにそれが３価の元素である限り、特別な制限は適用されない。Ｘは、Ａｌ、Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくは、Ａｌ、Ｇａ、及びそれらの混合物からなる群から選択されることが好ましく、Ｘはより好ましくはＡｌである。
【００５３】
方法が、上記で開示したように工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有されるＸ２Ｏ３の１種以上の源に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有されるＸ２Ｏ３の１種以上の源は、１種以上のアルミネート塩、好ましくはアルカリ金属のアルミネートを含むことが好ましく、ここでアルカリ金属は、好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選択され、より好ましくはアルカリ金属はＮａ及び／又はＫであり、及びより好ましくはアルカリ金属はＮａである。
【００５４】
方法が、上記で開示したように工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物のモル比ＳｉＯ２：Ｘ２Ｏ３に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物のモル比ＳｉＯ２：Ｘ２Ｏ３は、１〜２００、より好ましくは５〜１００、より好ましくは１０〜５０、より好ましくは１５〜４０、より好ましくは２０〜３０、より好ましくは２３〜２５、及びより好ましくは２３．５〜２４の範囲であることが好ましい。
【００５５】
方法が、上記で開示したように工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に関して、特別な制限は適用されず、さらなる成分、例えば１種以上の溶媒がそこに含まれてよい。工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物が１種以上の溶媒をさらに含むことが好ましく、ここで前記１種以上の溶媒は、より好ましくは水、より好ましくは脱イオン水を含み、ここでより好ましくは、工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物中にさらに含まれる溶媒として、水、好ましくは脱イオン水を用いる。
【００５６】
工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物が、上記で開示したように１種以上の溶媒をさらに含む場合、工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物のモル比Ｈ２Ｏ：ＳｉＯ２に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物のモル比Ｈ２Ｏ：ＳｉＯ２は、５〜１００、好ましくは１０〜５０、より好ましくは１３〜３０、より好ましくは１５〜２０、及びより好ましくは１７〜１８の範囲であることが好ましい。
【００５７】
方法が、上記で開示したように工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、条件、例えば工程（Ｂ）の結晶化を行う混合物の温度に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ｂ）の結晶化は、混合物の加熱を伴うことが好ましく、より好ましくは温度が８０〜２００℃、より好ましくは９０〜１８０℃、より好ましくは１００〜１６０℃、より好ましくは１１０〜１４０℃、及びより好ましくは１１５〜１３０℃の範囲である。
【００５８】
方法が、上記で開示したように工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、条件、例えば工程（Ｂ）の結晶化を行う圧力に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ｂ）の結晶化は、自己圧力下で、より好ましくはソルボサーマル条件下で、及びより好ましくは水熱条件下で行うことが好ましい。
【００５９】
従って、特に好ましくは、工程（Ｂ）の結晶化が混合物の加熱を伴い、より好ましくは加熱の温度が８０〜２００℃、より好ましくは９０〜１８０℃、より好ましくは１００〜１６０℃、より好ましくは１１０〜１４０℃、及びより好ましくは１１５〜１３０℃の範囲であり、及び工程（Ｂ）の結晶化を自己圧力下で、より好ましくはソルボサーマル条件下で、及びより好ましくは水熱条件下で行う。
【００６０】
工程（Ｂ）の結晶化が上記で開示したように混合物の加熱を伴う場合、及び／又は工程（Ｂ）の結晶化を上記で開示したように自己圧力下で行う場合、工程（Ｂ）で混合物を加熱する期間に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ｂ）で、混合物を５〜２００時間、好ましくは２０〜１６０時間、より好ましくは６０〜１４０時間、及びより好ましくは１００〜１３０時間の範囲の期間で加熱することが好ましい。
【００６１】
方法が、上記で開示したように工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、そこに含まれるさらなる方法工程に関して、特別な制限は適用されない。ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を調製するための有機テンプレートを用いない合成法が、
（Ｃ）  工程（Ｂ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を単離する、好ましくは濾過による工程、及び
（Ｄ）  工程（Ｂ）又は（Ｃ）、好ましくは工程（Ｃ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を、任意に洗浄する工程、及び／又は、
（Ｅ）  工程（Ｂ）、（Ｃ）又は（Ｄ）、好ましくは工程（Ｄ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を、任意に乾燥させる工程
をさらに含むことが好ましく、
ここで、工程（Ｃ）及び／又は（Ｄ）及び／又は（Ｅ）は、任意の順序で行うことができ、及び
前記工程のうちの１つ以上を、好ましくは１回以上繰り返す。
【００６２】
方法が、上記で開示したように工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、任意に工程（Ｄ）、及び任意に工程（Ｅ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、そこに含まれるさらなる方法工程に関して、やはり特別な制限は適用されない。ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を調製するための有機テンプレートを用いない合成法が、
（Ｆ）  工程（Ｃ）、（Ｄ）、又は（Ｅ）で、好ましくは工程（Ｅ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料に含有される１種以上のイオン性非骨格要素を、Ｈ＋及び／又はＮＨ４＋に対して、好ましくはＮＨ４＋に対して交換する工程；及び／又は、好ましくは
（Ｇ）  工程（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、又は（Ｆ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を乾燥及び／又はか焼する、好ましくは乾燥及びか焼する工程
をさらに含むことが好ましく、
ここで、工程（Ｆ）及び／又は（Ｇ）を、好ましくは１回以上、好ましくは１〜３回、より好ましくは１回又は２回、及びより好ましくは１回繰り返す。
【００６３】
方法が、上記で開示したように工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、任意に工程（Ｄ）、任意に工程（Ｅ）、及び任意に工程（Ｆ）及び（Ｇ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、そこに含まれるさらなる方法工程に関しても、やはり特別な制限は適用されない。ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を調製するための有機テンプレートを用いない合成法が、
（Ｈ）  工程（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）、又は（Ｇ）で、好ましくは工程（Ｇ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を、ｐＨが最大でも５である水溶液で処理する工程、及び
（Ｉ）  工程（Ｈ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を単離する、好ましくは濾過による工程、及び／又は、
（Ｊ）  工程（Ｈ）又は（Ｉ）で、好ましくは工程（Ｉ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を、任意に洗浄する工程、及び／又は、
（Ｋ）  工程（Ｈ）、（Ｉ）、又は（Ｊ）で、好ましくは工程（Ｊ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を、任意に乾燥及び／又はか焼する、好ましくは乾燥する工程
をさらに含むことが好ましく、
ここで、工程（Ｉ）及び／又は（Ｊ）及び／又は（Ｋ）は、任意の順序で行うことができ、及び
前記工程の１つ以上を、好ましくは１回以上、好ましくは１〜３回、より好ましくは１回又は２回、及びより好ましくは１回繰り返す。
【００６４】
方法が、上記で開示したように工程（Ｈ）、（Ｉ）、任意に工程（Ｊ）、及び任意に工程（Ｋ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、条件、例えば工程（Ｈ）でゼオライト材料を処理するために使用する水溶液のｐＨに関して、水溶液のｐＨが最大でも５である限り、特別な制限は適用されない。工程（Ｈ）でゼオライト材料を処理するために使用する水溶液のｐＨが、−１．５〜３、好ましくは−１．２〜２、より好ましくは−１〜１．５、より好ましくは−０．８〜１、より好ましくは−０．６〜０．７、より好ましくは−０．５〜０．５、より好ましくは−０．３〜０．３、より好ましくは−０．２〜０．２、及びより好ましくは−０．１〜０．１の範囲であることが好ましい。
【００６５】
方法が、上記で開示したように工程（Ｈ）、（Ｉ）、任意に工程（Ｊ）、及び任意に工程（Ｋ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、工程（Ｈ）でゼオライト材料を処理するために用いる水溶液の性質に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ｈ）でゼオライト材料を鉱酸の水溶液を用いて処理することが好ましい。さらに、水溶液中の鉱酸の濃度が、０．０５〜４Ｍ、より好ましくは０．１〜３Ｍ、より好ましくは０．２〜２．５Ｍ、より好ましくは０．４〜２Ｍ、より好ましくは０．６〜１．５Ｍ、より好ましくは０．８〜１．２Ｍ、及びより好ましくは０．９〜１．１Ｍの範囲であることが好ましい。
【００６６】
上記で開示したように、工程（Ｈ）で鉱酸を使用する場合、鉱酸の性質に関して、特別な制限は適用されない。鉱酸が、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４、Ｈ２ＳＯ４、Ｈ３ＢＯ３、ＨＣｌＯ４、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくはＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、ＨＣｌＯ４、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくはＨＣｌ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択されることが好ましく、ここでより好ましくは鉱酸はＨＣｌ及び／又はＨＮＯ３、好ましくはＨＮＯ３である。
【００６７】
従って、特に好ましくは、工程（Ｈ）でゼオライト材料を鉱酸の水溶液を用いて処理する。さらに、水溶液中の鉱酸の濃度が０．０５〜４Ｍ、より好ましくは０．１〜３Ｍ、より好ましくは０．２〜２．５Ｍ、より好ましくは０．４〜２Ｍ、より好ましくは０．６〜１．５Ｍ、より好ましくは０．８〜１．２Ｍ、及びより好ましくは０．９〜１．１Ｍの範囲であり、及び鉱酸が、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４、Ｈ２ＳＯ４、Ｈ３ＢＯ３、ＨＣｌＯ４、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくはＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、ＨＣｌＯ４、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくはＨＣｌ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択され、より好ましくは鉱酸がＨＣｌ及び／又はＨＮＯ３、好ましくはＨＮＯ３であることが好ましい。
【００６８】
方法が、上記で開示したように工程（Ｈ）、（Ｉ）、任意に工程（Ｊ）、及び任意に工程（Ｋ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、工程（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）、又は（Ｇ）で、好ましくは工程（Ｇ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を、ｐＨが最大でも５である水溶液で処理する方式に関して、特別な制限は適用されない。第１の代替法によれば、工程（Ｈ）で、ゼオライト材料を水溶液に添加し、及び混合物を、好ましくは３０〜１００℃、より好ましくは３５〜９０℃、より好ましくは４０〜８０℃、より好ましくは４５〜７５℃、より好ましくは５０〜７０℃、及びより好ましくは５５〜６５℃の範囲の温度で加熱することが好ましい。第２の代替法によれば、工程（Ｈ）で、ゼオライト材料を水溶液に添加し、及び混合物を、５〜４０℃、より好ましくは１０〜３５℃、より好ましくは１５〜３０℃、より好ましくは１７〜２５℃、より好ましくは１９〜２３℃、及びより好ましくは２０〜２２℃の範囲の温度で処理することが好ましい。
【００６９】
方法が、上記で開示したように工程（Ｈ）、（Ｉ）、任意に工程（Ｊ）、及び任意に工程（Ｋ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、条件、例えば混合物を工程（Ｈ）で処理する期間に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ｈ）で、混合物を０．１〜１０時間、より好ましくは０．１〜７時間、より好ましくは０．５〜５時間、より好ましくは０．５〜４．５時間、より好ましくは１〜４時間、より好ましくは１〜３．５時間、より好ましくは１．５〜３時間、及びより好ましくは１．５〜２．５時間の範囲の期間、処理することが好ましい。
【００７０】
方法が、上記で開示したように少なくとも工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、任意に工程（Ｄ）、及び任意に工程（Ｅ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、条件、例えば工程（Ｅ）及び／又は（Ｇ）及び／又は（Ｋ）での、好ましくは工程（Ｅ）、（Ｇ）及び（Ｋ）での乾燥を行う温度に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ｅ）及び／又は（Ｇ）及び／又は（Ｋ）での、好ましくは工程（Ｅ）、（Ｇ）及び（Ｋ）での乾燥は、８０〜２００℃、より好ましくは９０〜１８０℃、より好ましくは１００〜１６０℃、より好ましくは１１０〜１４０℃、及びより好ましくは１１５〜１３０℃の範囲の温度で行うことが好ましい。
【００７１】
方法が、上記で開示したように、少なくとも工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、任意に工程（Ｄ）、及び任意に工程（Ｅ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、条件、例えば工程（Ｅ）及び／又は（Ｇ）及び／又は（Ｋ）での、好ましくは工程（Ｅ）、（Ｇ）及び（Ｋ）での乾燥を行う期間に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ｅ）及び／又は（Ｇ）及び／又は（Ｋ）での、好ましくは工程（Ｅ）、（Ｇ）及び（Ｋ）での乾燥は、１〜１２０時間、好ましくは５〜９６時間、より好ましくは８〜７２時間、より好ましくは１０〜６０時間、より好ましくは１２〜４８時間、より好ましくは１４〜４２時間、より好ましくは１６〜３６時間、より好ましくは１８〜３０時間、より好ましくは２０〜２４時間、及びより好ましくは２１〜２３時間の範囲の期間、行うことが好ましい。
【００７２】
従って、特に好ましくは、方法が、上記で開示したように少なくとも工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、任意に工程（Ｄ）、及び任意に工程（Ｅ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、工程（Ｅ）及び／又は（Ｇ）及び／又は（Ｋ）での、好ましくは工程（Ｅ）、（Ｇ）及び（Ｋ）での乾燥を、８０〜２００℃、より好ましくは９０〜１８０℃、より好ましくは１００〜１６０℃、より好ましくは１１０〜１４０℃、及びより好ましくは１１５〜１３０℃の範囲の温度で行い、及び工程（Ｅ）及び／又は（Ｇ）及び／又は（Ｋ）での、好ましくは工程（Ｅ）、（Ｇ）及び（Ｋ）での乾燥を、１〜１２０時間、好ましくは５〜９６時間、より好ましくは８〜７２時間、より好ましくは１０〜６０時間、より好ましくは１２〜４８時間、より好ましくは１４〜４２時間、より好ましくは１６〜３６時間、より好ましくは１８〜３０時間、より好ましくは２０〜２４時間、及びより好ましくは２１〜２３時間の範囲の期間、行う。
【００７３】
方法が、上記で開示したように、少なくとも工程（Ｆ）及び（Ｇ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、条件、例えばか焼を行う工程（Ｇ）及び／又は（Ｋ）（工程（Ｋ）が該当する場合）でのか焼の温度に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ｇ）及び／又は（Ｋ）（工程（Ｋ）が該当する場合）での、より好ましくは工程（Ｇ）でのか焼は、２５０〜１，０００℃、好ましくは３００〜９００℃、より好ましくは３５０〜８５０℃、より好ましくは４００〜８００℃、より好ましくは４５０〜７５０℃、より好ましくは５００〜７００℃、及びより好ましくは５５０〜６５０℃の範囲の温度で行うことが好ましい。
【００７４】
方法が、上記で開示したように、少なくとも工程（Ｆ）及び（Ｇ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、条件、例えばか焼を行う工程（Ｇ）及び／又は（Ｋ）（工程（Ｋ）が該当する場合）でのか焼の期間に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ｇ）及び／又は（Ｋ）（工程（Ｋ）が該当する場合）での、より好ましくは工程（Ｇ）でのか焼は、０．５〜３６時間、より好ましくは１〜２４時間、より好ましくは１．５〜１８時間、より好ましくは２〜１２時間、より好ましくは２．５〜９時間、より好ましくは３〜７時間、より好ましくは３．５〜６．５時間、より好ましくは４〜６時間、及びより好ましくは４．５〜５．５時間の範囲の期間、行うことが好ましい。
【００７５】
従って、特に好ましくは、方法が、上記で開示したように、少なくとも工程（Ｆ）及び（Ｇ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、工程（Ｇ）及び／又は（Ｋ）（工程（Ｋ）が該当する場合）での、より好ましくは工程（Ｇ）でのか焼を、２５０〜１，０００℃、好ましくは３００〜９００℃、より好ましくは３５０〜８５０℃、より好ましくは４００〜８００℃、より好ましくは４５０〜７５０℃、より好ましくは５００〜７００℃、及びより好ましくは５５０〜６５０℃の範囲の温度で行い、及び工程（Ｇ）及び／又は（Ｋ）（工程（Ｋ）が該当する場合）での、より好ましくは工程（Ｇ）でのか焼を、０．５〜３６時間、より好ましくは１〜２４時間、より好ましくは１．５〜１８時間、より好ましくは２〜１２時間、より好ましくは２．５〜９時間、より好ましくは３〜７時間、より好ましくは３．５〜６．５時間、より好ましくは４〜６時間、及びより好ましくは４．５〜５．５時間の範囲の期間、行う。
【００７６】
方法が、上記で開示したように、少なくとも工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の物理的及び／又は化学的性質に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ｂ）で形成されたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料がゼオライトベータを含むことが好ましく、ここで好ましくは、工程（Ｂ）で形成されたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料がゼオライトベータである。
【００７７】
方法が、上記で開示したように、少なくとも工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を含む有機テンプレートを用いない合成法を含む場合、工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有される種結晶の物理的及び／又は化学的性質に関して、特別な制限は適用されない。工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有される種結晶は、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料、より好ましくはゼオライトベータ、及びより好ましくは本明細書に開示するＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の製造のための有機テンプレートを用いない合成法により得ることができる及び／又は得られるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を含むことが好ましい。
【００７８】
本発明を、それぞれの従属関係及び後方参照によって示すように、次の実施形態及び実施形態の組み合わせによって、さらに例示する。特に、実施形態の組み合わせが範囲として言及される各例において、例えば「実施形態１から４のいずれか一項に記載の方法」のような用語の文脈では、この範囲内のすべての実施形態が当業者に明示的に開示されることが意図されており、すなわち、この用語の文言は、「実施形態１、２、３、及び４のいずれか一項に記載の方法」と同義であると当業者には理解されることに留意されたい。よって本発明は、次の実施形態を含み、ここでこれらは、そこに定義されたそれぞれの相互関係によって示される実施形態の特定の組み合わせを含む。
【００７９】
１．  芳香族化合物の製造方法であって、
（１）  エチレン及び式（Ｉ）
【化４】
2021525767.tif 000006
の化合物を含む混合物（Ｍ１）を調製する工程、
（２）  混合物（Ｍ１）を、触媒を含有する反応器に供給する工程であって、前記触媒がＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を含む工程、
（３）  混合物（Ｍ１）の少なくとも一部を反応させて式（ＩＩ）
【化５】
2021525767.tif 000007
の芳香族化合物を得るために、混合物（Ｍ１）を反応器内の触媒と接触させる工程、
（４）  式（ＩＩ）の芳香族化合物を含有する反応混合物（Ｍ２）を反応器から回収する工程、
を含み、
式中、Ｒ１及びＲ２が互いに独立して、Ｈ、又は置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ３）アルキル、好ましくはＨ、又は置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ２）アルキル、より好ましくはＨ、又は置換又は非置換のメチル、及びより好ましくはＨ、又は非置換のメチルを表し、及び
触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、有機テンプレートを用いない合成法により得ることができる及び／又は得られる、方法。
【００８０】
２．  ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、少なくとも次の反射を含むＸ線回折パターンを示し、
【表２】
2021525767.tif 000008
ここで１００％が、Ｘ線粉末回折パターンの２０〜４５°の２θ範囲の最高ピークの強度を意味し、及び
ＢＥＡ型骨格構造がＳｉＯ２及びＸ２Ｏ３を含み、Ｘは３価の元素である、実施形態１に記載の方法。
【００８１】
３．  Ｒ１及びＲ２が、互いに独立して、置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ３）アルキル、好ましくは置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ２）アルキル、より好ましくは置換又は非置換のメチル、より好ましくは非置換のメチルを表す、実施形態１又は２に記載の方法。
【００８２】
４．  Ｒ１がＨを表し、及びＲ２が置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ３）アルキル、好ましくは置換又は非置換の（Ｃ１〜Ｃ２）アルキル、より好ましくは置換又は非置換のメチル、及びより好ましくは非置換のメチルを表す、実施形態１から３のいずれか一項に記載の方法。
【００８３】
５．  式（Ｉ）の化合物が、置換又は非置換のフラン、２−メチルフラン、２，５−ジメチルフラン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、好ましくは、非置換のフラン、２−メチルフラン、２，５−ジメチルフラン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択され、ここでより好ましくは、式（Ｉ）の化合物が、２−メチルフラン及び／又は２，５−ジメチルフラン、好ましくは２，５−ジメチルフランである、実施形態１から４のいずれか一項に記載の方法。
【００８４】
６．  工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）中のエチレンの、式（Ｉ）の化合物に対するエチレン：式（Ｉ）の化合物のモル比が、０．０１〜１．５、好ましくは０．０５〜１、より好ましくは０．０８〜０．７、より好ましくは０．１〜０．５、より好ましくは０．１２〜０．３、より好ましくは０．１４〜０．２、及びより好ましくは０．１６〜０．１８の範囲である、実施形態１から５のいずれか一項に記載の方法。
【００８５】
７．  工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）が、１００質量％の式（Ｉ）の化合物に基づいて５質量％以下の水、好ましくは、１００質量％の式（Ｉ）の化合物に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下の水を含有する、実施形態１から６のいずれか一項に記載の方法。
【００８６】
８．  工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）が、溶媒システムをさらに含有し、ここで溶媒システムが、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、好ましくはペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくはヘキサン、ヘプタン、オクタン、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択される１種以上の溶媒を好ましくは含み、より好ましくは溶媒システムがヘプタンを含み、より好ましくは溶媒システムがヘプタンからなる、実施形態１から７のいずれか一項に記載の方法。
【００８７】
９．  工程（１）で調製し工程（３）で反応させる混合物（Ｍ１）が、式（Ｉ）の化合物の溶液を溶媒システム中に含有し、ここで溶媒システムにおける式（Ｉ）の化合物の濃度が、０．１〜５Ｍ、０．５〜３Ｍ、より好ましくは１〜２．５Ｍ、より好ましくは１．３〜２Ｍ、より好ましくは１．４〜１．７Ｍ、及びより好ましくは１．５〜１．６Ｍの範囲である、実施形態８に記載の方法。
【００８８】
１０．  工程（２）で混合物（Ｍ１）を供給し工程（３）で触媒を接触させる反応器におけるエチレンの分圧が、２５℃で測定して０．５〜１５、好ましくは０．５〜１５ＭＰａ、より好ましくは１〜１０ＭＰａ、より好ましくは２〜８ＭＰａ、より好ましくは２．５〜６ＭＰａ、より好ましくは３〜５ＭＰａ、及びより好ましくは３．５〜４．５ＭＰａの範囲である、実施形態１から９のいずれか一項に記載の方法。
【００８９】
１１．  式（Ｉ）の化合物及び／又はエチレン、好ましくは式（Ｉ）の化合物及びエチレンがバイオマスに由来する、実施形態１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【００９０】
１２．  工程（２）及び工程（３）において、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料がＨ型である、実施形態１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【００９１】
１３．  工程（２）及び工程（３）において、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳＯ２に基づいて５質量％以下の金属ＡＭ、好ましくは、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下の金属ＡＭを含有し、ここで金属ＡＭがＮａ、好ましくはＮａ及びＫ、より好ましくはアルカリ金属、及びより好ましくはアルカリ及びアルカリ土類金属を表す、実施形態１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【００９２】
１４．  工程（２）及び工程（３）において、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて５質量％以下の金属ＴＭ、好ましくは、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下の金属ＴＭを含有し、
ここで金属ＴＭがＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、及びＩｒを表し、及び好ましくは第３〜１２族の遷移金属元素を表す、実施形態１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【００９３】
１５．  工程（２）及び工程（３）において、反応器内の触媒が、元素として計算され、１００質量％の触媒に基づいて５質量％以下の金属ＡＭ、好ましくは、元素として計算され、１００質量％の触媒に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下の金属ＡＭを含有し、
ここで金属ＡＭが、Ｎａ、好ましくはＮａ及びＫ、より好ましくはアルカリ金属、及びより好ましくはアルカリ及びアルカリ土類金属を表す、実施形態１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【００９４】
１６.  反応器内に含有される触媒が、元素として計算され、１００質量％の触媒に基づいて５質量％以下の金属ＴＭ、好ましくは、元素として計算され、１００質量％の触媒に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下の金属ＴＭを含有し、
ここで金属ＴＭがＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、及びＩｒを表し、及び好ましくは第３〜１２族の遷移金属元素を表す、実施形態１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【００９５】
１７.  工程（２）及び工程（３）において、触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて、５質量％以下のリン、好ましくは、元素として計算され、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の骨格構造中に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下のリンを含有する、実施形態１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【００９６】
１８．  工程（２）及び工程（３）において、触媒が、元素として計算され、１００質量％の触媒に基づいて５質量％以下のリン、好ましくは、元素として計算され、１００質量％の触媒に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下の金属ＡＭを含有する、実施形態１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【００９７】
１９.  工程（３）における混合物（Ｍ１）の触媒との接触を、１５０〜３５０℃、好ましくは２００〜３３０℃、より好ましくは２３０〜３２０℃、より好ましくは２５０〜３１５℃、より好ましくは２７０〜３１０℃、より好ましくは２８０〜３０５℃の範囲、及びより好ましくは２９０〜３００℃の範囲の温度で行う、実施形態１から１８のいずれか一項に記載の方法。
【００９８】
２０.  工程（３）における混合物（Ｍ１）の触媒との接触の期間が、０．５〜７０時間、好ましくは１〜５０時間、より好ましくは３〜４０時間、より好ましくは５〜３５時間、より好ましくは１０〜３０時間、より好ましくは１５〜２５時間、より好ましくは１８〜２３時間の範囲、及びより好ましくは１９〜２１時間の範囲である、実施形態１から１９のいずれか一項に記載の方法。
【００９９】
２１.  工程（３）における混合物（Ｍ１）の触媒との接触及び工程（４）における反応混合物（Ｍ２）の回収を、連続モード及び／又はバッチモードで、好ましくはバッチモードで行う、実施形態１から２０のいずれか一項に記載の方法。
【０１００】
２２.  方法を、連続モード及び／又はバッチモードで、好ましくはバッチモードで行う、実施形態１から２１のいずれか一項に記載の方法。
【０１０１】
２３.  方法が、
（５）  式（ＩＩ）の化合物を反応混合物（Ｍ２）から分離して、未反応の式（Ｉ）の化合物及び／又は未反応のエチレンを含有する混合物（Ｍ３）を得る工程
をさらに含む、実施形態１から２２のいずれか一項に記載の方法。
【０１０２】
２４.  方法が、
（６）  未反応の式（Ｉ）の化合物及び／又は未反応のエチレンを含有する混合物（Ｍ３）を工程（１）に再循環させる工程
をさらに含む、実施形態２３に記載の方法。
【０１０３】
２５.  触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、１０〜２００、好ましくは１５〜１５０、より好ましくは２０〜１００、より好ましくは２５〜７０、より好ましくは３０〜６５、より好ましくは３５〜６０、より好ましくは３８〜５５、より好ましくは４０〜５０、及びより好ましくは４２〜４６の範囲のＳｉＯ２：Ｘ２Ｏ３モル比を示し、ここで好ましくは、骨格構造のＳｉＯ２：Ｘ２Ｏ３モル比が、元素分析又はゼオライト材料の２９Ｓｉ  ＭＡＳ  ＮＭＲから、好ましくはゼオライト材料の２９Ｓｉ  ＭＡＳ  ＮＭＲから決定される、実施形態１から２４のいずれか一項に記載の方法。
【０１０４】
２６.  触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の３価の元素Ｘが、Ａｌ、Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択され、Ｘが好ましくはＡｌである、実施形態１から２５のいずれか一項に記載の方法。
【０１０５】
２７.  触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、１００〜９００μｍｏｌ／ｇ、好ましくは１５０〜７００μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは２００〜６５０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは３５０〜６００μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは３８０〜５５０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは４１０〜５００μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは４３０〜４７０μｍｏｌ／ｇ、及びより好ましくは４４５〜４５０μｍｏｌ／ｇの範囲のブレンステッド酸部位（ＢＡ）の量を示し、
ここでブレンステッド酸部位の量が、温度プログラムされたアンモニアの脱着（ＮＨ３−ＴＰＤ）又はトリメチルホスフィンオキシドを使用した３１Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲにより決定される、実施形態１から２６のいずれか一項に記載の方法。
【０１０６】
２８.  触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、１００〜３５０μｍｏｌ／ｇ、好ましくは１１０〜３００μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１２０〜２８０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１４０〜２６０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１５０〜２４０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１６０〜２２０μｍｏｌ／ｇ、より好ましくは１７０〜２００μｍｏｌ／ｇ、及びより好ましくは１８０〜１９０μｍｏｌ／ｇの範囲のルイス酸部位（ＬＡ）の量を示し、
ここでルイス酸部位の量が、温度プログラムされたアンモニアの脱着（ＮＨ３−ＴＰＤ）又はトリメチルホスフィンオキシドを使用した３１Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲにより決定される、実施形態１から２７のいずれか一項に記載の方法。
【０１０７】
２９.  触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が示すブレンステッド酸部位（ＢＡ）の量のルイス酸部位（ＬＡ）の量に対するＢＡ：ＬＡ比が、０．５〜８、好ましくは１〜５、より好ましくは１．３〜４、より好ましくは１．６〜３．４、より好ましくは１．８〜３、より好ましくは２．０〜２．７、より好ましくは２．２〜２．６、及びより好ましくは、２．３〜２．５の範囲であり、
ここでブレンステッド酸部位及びルイス酸部位の量がそれぞれ、温度プログラムされたアンモニアの脱着（ＮＨ３−ＴＰＤ）により、又はトリメチルホスフィンオキシドを使用した３１Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲにより決定される、実施形態１から２８のいずれか一項に記載の方法。
【０１０８】
３０.  ＩＳＯ９２７７：２０１０により決定する触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料のＢＥＴ表面積が、３５０〜８００ｍ２／ｇ、好ましくは４００〜７００ｍ２／ｇ、より好ましくは４３０〜６５０ｍ２／ｇ、より好ましくは４５０〜６００ｍ２／ｇ、より好ましくは４６０〜５５０ｍ２／ｇ、より好ましくは４７０〜５３０ｍ２／ｇ、より好ましくは４８０〜５２０ｍ２／ｇ、及びより好ましくは４９０〜５１０ｍ２／ｇの範囲である、実施形態１から２９のいずれか一項に記載の方法。
【０１０９】
３１.  ＢＪＨ法からの窒素吸着により決定する触媒に含まれるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の総細孔容積が、０．３〜０．５ｃｍ／ｇ、好ましくは０．３１〜０．４５ｃｍ３／ｇ、より好ましくは０．３２〜０．４２ｃｍ３／ｇ、より好ましくは０．３３〜０．４ｃｍ３／ｇ、より好ましくは０．３４〜０．３９ｃｍ３／ｇ、より好ましくは０．３５〜０．３８ｃｍ３／ｇ、及びより好ましくは０．３６〜０．３７ｃｍ３／ｇの範囲であり、
ここで総細孔容積は、好ましくは、ＤＩＮ６６１３４により決定される、実施形態１から３０のいずれか一項に記載の方法。
【０１１０】
３２.  有機テンプレートを用いない合成法が、
（Ａ）  ＳｉＯ２の１種以上の源、Ｘ２Ｏ３の１種以上の源、及び種結晶を含む混合物を調製する工程であって、種結晶がＢＥＡ型骨格構造を有する１種以上のゼオライト材料を含む工程、
（Ｂ）  ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を得るために、工程（Ａ）で得られた混合物を結晶化させる工程
を含み、
ここでＸが３価の元素であり、及び
工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物が、構造指向剤としての有機テンプレートを含有しない、実施形態１から３１のいずれか一項に記載の方法。
【０１１１】
３３．  工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物が、元素として計算され、混合物に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて５質量％以下の炭素、好ましくは、元素として計算され、混合物に含有される１００質量％のＳｉＯ２に基づいて１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、より好ましくは０．００１質量％以下、より好ましくは０．０００５質量％以下、及びより好ましくは０．０００１質量％以下の炭素を含有する、実施形態１から３２のいずれか一項に記載の方法。
【０１１２】
３４．  工程（Ｂ）で得られるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料が、１種以上のアルカリ金属Ｍを含み、ここでＭが、好ましくは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、及びそれらの２種以上の組み合わせからなる群から、より好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、及びそれらの２種以上の組み合わせからなる群から選択され、より好ましくはアルカリ金属ＭがＮａ及び／又はＫ、より好ましくはＮａである、実施形態３２又は３３のいずれかに記載の方法。
【０１１３】
３５．  工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物中のモル比Ｍ：ＳｉＯ２が、０．０５〜５、好ましくは０．１〜２、より好ましくは０．３〜１、より好ましくは０．４〜０．８、より好ましくは０．４５〜０．７、より好ましくは０．５〜０．６５、及びより好ましくは０．５５〜０．６の範囲である、実施形態３４に記載の方法。
【０１１４】
３６．  工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有されるＳｉＯ２の１種以上の源が、１種以上のシリケート、好ましくは１種以上のアルカリ金属シリケートを含み、ここでアルカリ金属が、好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選択され、より好ましくはアルカリ金属がＮａ及び／又はＫであり、及びより好ましくはアルカリ金属がＮａであり、ここでより好ましくは工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有されるＳｉＯ２の１種以上の源が、水ガラス、好ましくはナトリウムシリケート及び／又はカリウムシリケート、より好ましくはナトリウムシリケートを含む、実施形態３２から３５のいずれか一項に記載の方法。
【０１１５】
３７．  工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有されるＳｉＯ２の１種以上の源が、１種以上のシリカ、好ましくは１種以上のシリカヒドロゾル及び／又は１種以上のコロドシリカ、及びより好ましくは１種以上のコロイダルシリカをさらに含む、実施形態３２から３６のいずれか一項に記載の方法。
【０１１６】
３８．  Ｘが、Ａｌ、Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択され、Ｘが好ましくはＡｌである、実施形態３２から３７のいずれか一項に記載の方法。
【０１１７】
３９．  工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有されるＸ２Ｏ３の１種以上の源が、１種以上のアルミネート塩、好ましくはアルカリ金属のアルミネートを含み、ここでアルカリ金属が、好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選択され、より好ましくはアルカリ金属がＮａ及び／又はＫであり、及びより好ましくはアルカリ金属がＮａである、実施形態３２から３８のいずれか一項に記載の方法。
【０１１８】
４０．  工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物のモル比ＳｉＯ２：Ｘ２Ｏ３が、１〜２００、好ましくは５〜１００、より好ましくは１０〜５０、より好ましくは１５〜４０、より好ましくは２０〜３０、より好ましくは２３〜２５、及びより好ましくは２３．５〜２４の範囲である、実施形態３２から３９のいずれか一項に記載の方法。
【０１１９】
４１．  工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含まれる種結晶の量が、混合物中の１００質量％のＳｉＯ２の１種以上の源に基づいて、ＳｉＯ２として計算して、０．１〜３０質量％、好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは１〜１０質量％、より好ましくは１．５〜５質量％、より好ましくは２〜４質量％、及びより好ましくは２．５〜３．５質量％の範囲である、実施形態３２から４０のいずれか一項に記載の方法。
【０１２０】
４２．  工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物が１種以上の溶媒をさらに含み、ここで前記１種以上の溶媒が、好ましくは水、より好ましくは脱イオン水を含み、ここでより好ましくは、工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物中にさらに含まれる溶媒として、水、好ましくは脱イオン水を用いる、実施形態３２から４１のいずれか一項に記載の方法。
【０１２１】
４３．  工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物のモル比Ｈ２Ｏ：ＳｉＯ２が、５〜１００、好ましくは１０〜５０、より好ましくは１３〜３０、より好ましくは１５〜２０、及びより好ましくは１７〜１８の範囲である、実施形態４２に記載の方法。
【０１２２】
４４．  工程（Ｂ）の結晶化が混合物の加熱を伴い、好ましくは加熱の温度が８０〜２００℃、より好ましくは９０〜１８０℃、より好ましくは１００〜１６０℃、より好ましくは１１０〜１４０℃、及びより好ましくは１１５〜１３０℃の範囲である、実施形態３２から４３のいずれか一項に記載の方法。
【０１２３】
４５．  工程（Ｂ）の結晶化を自己圧力下で、好ましくはソルボサーマル条件下で、及びより好ましくは水熱条件下で行う、実施形態３２から４４のいずれか一項に記載の方法。
【０１２４】
４６．  工程（Ｂ）で混合物を５〜２００時間、好ましくは２０〜１６０時間、より好ましくは６０〜１４０時間、及びより好ましくは１００〜１３０時間の範囲の期間で加熱する、実施形態４４又は４５に記載の方法。
【０１２５】
４７．  ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を調製するための有機テンプレートを用いない合成法が、
（Ｃ）  工程（Ｂ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を単離する、好ましくは濾過による工程、及び
（Ｄ）  工程（Ｂ）又は（Ｃ）、好ましくは工程（Ｃ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を、任意に洗浄する工程、及び／又は、
（Ｅ）  工程（Ｂ）、（Ｃ）又は（Ｄ）、好ましくは工程（Ｄ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を、任意に乾燥させる工程
をさらに含み、
ここで、工程（Ｃ）及び／又は（Ｄ）及び／又は（Ｅ）を、任意の順序で行うことができ、及び
前記工程のうちの１つ以上を、好ましくは１回以上繰り返す、実施形態３２から４６のいずれか一項に記載の方法。
【０１２６】
４８．  ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を調製するための有機テンプレートを用いない合成法が、
（Ｆ）  工程（Ｃ）、（Ｄ）、又は（Ｅ）で、好ましくは工程（Ｅ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料に含有される１種以上のイオン性非骨格要素を、Ｈ＋及び／又はＮＨ４＋に対して、好ましくはＮＨ４＋に対して交換する工程；及び／又は、好ましくは
（Ｇ）  工程（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、又は（Ｆ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を乾燥及び／又はか焼する、好ましくは乾燥及びか焼する工程
をさらに含み、
ここで、工程（Ｆ）及び／又は（Ｇ）を、好ましくは１回以上、好ましくは１〜３回、より好ましくは１回又は２回、及びより好ましくは１回繰り返す、実施形態４７に記載の方法。
【０１２７】
４９．  ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を調製するための有機テンプレートを用いない合成法が、
（Ｈ）  工程（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）、又は（Ｇ）で、好ましくは工程（Ｇ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を、ｐＨが最大でも５である水溶液で処理する工程、及び
（Ｉ）  工程（Ｈ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を単離する、好ましくは濾過による工程、及び／又は、
（Ｊ）  工程（Ｈ）又は（Ｉ）で、好ましくは工程（Ｉ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を、任意に洗浄する工程、及び／又は、
（Ｋ）  工程（Ｈ）、（Ｉ）、又は（Ｊ）で、好ましくは工程（Ｊ）で得られたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を、任意に乾燥及び／又はか焼する、好ましくは乾燥する工程
をさらに含み、
ここで、工程（Ｉ）及び／又は（Ｊ）及び／又は（Ｋ）を、任意の順序で行うことができ、及び
前記工程の１つ以上を、好ましくは１回以上、好ましくは１〜３回、より好ましくは１回又は２回、及びより好ましくは１回繰り返す、実施形態４７又は４８に記載の方法。
【０１２８】
５０．  工程（Ｈ）でゼオライト材料を処理するために使用する水溶液のｐＨが、−１．５〜３、好ましくは−１．２〜２、より好ましくは−１〜１．５、より好ましくは−０．８〜１、より好ましくは−０．６〜０．７、より好ましくは−０．５〜０．５、より好ましくは−０．３〜０．３、より好ましくは−０．２〜０．２、及びより好ましくは−０．１〜０．１の範囲である、実施形態４９に記載の方法。
【０１２９】
５１．  工程（Ｈ）でゼオライト材料を鉱酸の水溶液を用いて処理し、ここで溶液中の鉱酸の濃度が０．０５〜４Ｍ、好ましくは０．１〜３Ｍ、より好ましくは０．２〜２．５Ｍ、より好ましくは０．４〜２Ｍ、より好ましくは０．６〜１．５Ｍ、より好ましくは０．８〜１．２Ｍ、及びより好ましくは０．９〜１．１Ｍの範囲である、実施形態４９又は５０に記載の方法。
【０１３０】
５２．  鉱酸が、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４、Ｈ２ＳＯ４、Ｈ３ＢＯ３、ＨＣｌＯ４、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、好ましくはＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、ＨＣｌＯ４、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から、より好ましくはＨＣｌ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、及びそれらの２種以上の混合物からなる群から選択され、より好ましくは鉱酸がＨＣｌ及び／又はＨＮＯ３、好ましくはＨＮＯ３である、実施形態５１に記載の方法。
【０１３１】
５３．  工程（Ｈ）でゼオライト材料を水溶液に添加し、及び混合物を、好ましくは３０〜１００℃、より好ましくは３５〜９０℃、より好ましくは４０〜８０℃、より好ましくは４５〜７５℃、より好ましくは５０〜７０℃、及びより好ましくは５５〜６５℃の範囲の温度で加熱する、実施形態４９から５２のいずれか一項に記載の方法。
【０１３２】
５４．  工程（Ｈ）で、ゼオライト材料を水溶液に添加し、及び混合物を、５〜４０℃、より好ましくは１０〜３５℃、より好ましくは１５〜３０℃、より好ましくは１７〜２５℃、より好ましくは１９〜２３℃、及びより好ましくは２０〜２２℃の範囲の温度で処理する、実施形態４９から５２のいずれか一項に記載の方法。
【０１３３】
５５．  工程（Ｈ）で、混合物を０．１〜１０時間、好ましくは０．１〜７時間、より好ましくは０．５〜５時間、より好ましくは０．５〜４．５時間、より好ましくは１〜４時間、より好ましくは１〜３．５時間、より好ましくは１．５〜３時間、及びより好ましくは１．５〜２．５時間の範囲の期間処理する、実施形態４９から５４のいずれか一項に記載の方法。
【０１３４】
５６．  工程（Ｅ）及び／又は（Ｇ）及び／又は（Ｋ）での、好ましくは工程（Ｅ）、（Ｇ）及び（Ｋ）での乾燥を、８０〜２００℃、より好ましくは９０〜１８０℃、より好ましくは１００〜１６０℃、より好ましくは１１０〜１４０℃、及びより好ましくは１１５〜１３０℃の範囲の温度で行う、実施形態４７から５５のいずれか一項に記載の方法。
【０１３５】
５７．  工程（Ｅ）及び／又は（Ｇ）及び／又は（Ｋ）での、好ましくは工程（Ｅ）、（Ｇ）及び（Ｋ）での乾燥を、１〜１２０時間、好ましくは５〜９６時間、より好ましくは８〜７２時間、より好ましくは１０〜６０時間、より好ましくは１２〜４８時間、より好ましくは１４〜４２時間、より好ましくは１６〜３６時間、より好ましくは１８〜３０時間、より好ましくは２０〜２４時間、及びより好ましくは２１〜２３時間の範囲の期間行う、実施形態４７から５６のいずれか一項に記載の方法。
【０１３６】
５８．  工程（Ｇ）及び／又は（Ｋ）での、好ましくは工程（Ｇ）でのか焼を、２５０〜１，０００℃、好ましくは３００〜９００℃、より好ましくは３５０〜８５０℃、より好ましくは４００〜８００℃、より好ましくは４５０〜７５０℃、より好ましくは５００〜７００℃、及びより好ましくは５５０〜６５０℃の範囲の温度で行う、実施形態４８から５７のいずれか一項に記載の方法。
【０１３７】
５９．  工程（Ｇ）及び／又は（Ｋ）での、好ましくは工程（Ｇ）でのか焼を、０．５〜３６時間、より好ましくは１〜２４時間、より好ましくは１．５〜１８時間、より好ましくは２〜１２時間、より好ましくは２．５〜９時間、より好ましくは３〜７時間、より好ましくは３．５〜６．５時間、より好ましくは４〜６時間、及びより好ましくは４．５〜５．５時間の範囲の期間行う、実施形態４８から５８のいずれか一項に記載の方法。
【０１３８】
６０．  工程（Ｂ）で形成されたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料がゼオライトベータを含み、ここで好ましくは、工程（Ｂ）で形成されたＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料がゼオライトベータである、実施形態３２から５９のいずれか一項に記載の方法。
【０１３９】
６１．  工程（Ａ）で調製し工程（Ｂ）で結晶化させる混合物に含有される種結晶が、ＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料、好ましくはゼオライトベータ、及びより好ましくは実施形態３２から５９のいずれか一項に定義するＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料の製造のための有機テンプレートを用いない合成法により得ることができる及び／又は得られるＢＥＡ型骨格構造を有するゼオライト材料を含む、実施形態３２から６０のいずれか一項に記載の方法。
【０１４０】
図面の説明
図１は、２，５−ジメチルフラン（２，５−ＤＭＦ）が、エチレンのディールス−アルダー環化付加反応を介して、水の除去によりｐ−キシレンに転化する環化付加中間体となる反応スキームを示す。３−メチル−シクロペンタノンへの、及び１−ｎ−プロピル−４−メチルベンゼンへのさらなるアルキル化の主要な副反応も示す。
【０１４１】
図２は、２−メチルフランが、エチレンのディールス−アルダー環化付加反応を介して、水の除去によりトルエンに転化する環化付加中間体となる反応スキームを示す。オリゴマーへの、環化付加物の異性化によるエポキシドへの、生成物のさらなるアルキル化を介する１−エチル−４−メチルベンゼンへの、及び二量化を介するオリゴマーへの主要な副反応も示す。
【０１４２】
図３は、フランが、エチレンのディールス−アルダー環化付加反応を介して、水の除去によりベンゼンに転化する環化付加中間体となる反応スキームを示す。二量化を介したオリゴマーへの、環化付加物の異性化を介したケトンへの、及びエチルベンゼンへのさらなるアルキル化の主要な副反応も示す。
【０１４３】
図４は、参考例１（Ｓｉ／Ａｌ＝７）、参考例２（Ｓｉ／Ａｌ＝２２）、参考例３（Ｓｉ／Ａｌ＝３６）、及び市販のゼオライトベータ（Ｓｉ／Ａｌ＝１９）による、ゼオライトベータ触媒による２，５−ジメチルフラン及びエチレンの転化における反応生成物及び選択性を示す。この図では、転化率、ｐ−キシレン及びアルキル化生成物１−ｎ−プロピル−４−メチルベンゼンに対する選択性、及びｐ−キシレンの収率（「★」で示す）を％単位で示す。
【０１４４】
図５は、参考例２（Ｓｉ／Ａｌ＝２２）による、ゼオライトベータ触媒上でのエチレン及び２，５−ジメチルフラン（２，５−ＤＭＦ）、２−メチルフラン（２−ＭＦ）、及びフランそれぞれの転化における反応生成物及び選択性を示す。この図では、転化率、ｐ−キシレン及び副生成物（アルキル化及び異性化された副生成物及びオリゴマー）に対する選択性、及びｐ−キシレンの収率（「★」で示す）を％単位で示す。
【実施例】
【０１４５】
実験の項
気孔率の決定
表面積、細孔容積及び細孔径分布は、Ｍｉｃｒｏｍｅｒｉｔｉｃｓ  ＡＳＡＰ−２０２０分析器で、−１９６℃でのＮ２吸着／脱着実験によって決定した。各測定の前に、サンプルを４００℃及び１０−３Ｐａ未満で６時間、ガス放出した。
【０１４６】
温度プログラムされたアンモニアの脱着（ＮＨ３−ＴＰＤ）及び酸性度の決定
温度プログラムされたＮＨ３脱着（ＮＨ３−ＴＰＤ）は、化学吸着分析器（ＦＩＮＥＴＥＣＨ、Ｆｉｎｅｓｏｒｂ３０１０Ｃ、中国）を使用して実行し、ＴＣＤを使用して排出ガスを検出した。測定前に、サンプルを５００℃のＨｅ流で前処理し、所望の温度に冷却した。Ｈｅ中の５０００ｐｐｍのＮＨ３（１００ｍｌ／分）を１００℃で０．５時間導入し、続いてＨｅを１．５時間パージした後、温度を１００〜７００℃まで１０℃／分の速度で上昇させた。
【０１４７】
温度プログラムされたＮＨ３脱着（ＴＰＤ）プロファイルのデコンボリューション後、すべてのサンプルはそれぞれ、約２００℃（低温）、２５０℃（中温）、及び３４０℃（高温）を中心とする３つの脱着ピークを示した。後者の２つのピークは、大まかにブレンステッド酸部位（ＢＡ）の強弱でのＮＨ３脱着に起因する可能性があり、一方で低温ピークはルイス酸部位（ＬＡ）でのＮＨ３脱着に起因する可能性があった。これに基づいて、ブレンステッド（ＢＡ）酸部位及びルイス（ＬＡ）酸部位のそれぞれの量、及びＢ／Ｌ比を、脱着シグナルの積分によって算出した。
【０１４８】
３１Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲ測定及びＴＭＰＯを使用した酸性度の決定
すべての固体マジックアングルスピニング（ＭＡＳ）ＮＭＲ実験は、Ａｇｉｌｅｎｔ  ＤＤ２−５００ＭＨｚ分光計で行った。３１Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲシングルパルススペクトルは、２０２．３ＭＨｚ、速度１４ｋＨｚ、π／４励起パルス１．２μｓで、リサイクル遅延１０秒で測定された。化学シフトは８５％のＨ３ＰＯ４を基準にした。
【０１４９】
様々なＳｉ／Ａｌ比のＨ−ベータゼオライトの酸量及び強度をより深く理解するために、３１Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲ実験を行った。これは、トリメチルホスフィンオキシド（ＴＭＰＯ）をプローブ分子として使用する、酸性特性を調査するための効果的なツールである。酸部位の種類（ブレンステッド酸又はルイス酸）を区別できるだけでなく、３１Ｐ−ＴＭＰＯ  ＭＡＳ  ＮＭＲアプローチは、ゼオライト触媒のブレンステッド酸強度を識別するのにも有用であり、弱酸性、中酸性、強酸性から超酸性の全範囲を網羅することができる。
【０１５０】
酸性度の定量的測定では、すべてのサンプルの質量を測定し、より長い９０秒のパルス遅延を除いて同じ条件で行った既知量の（ＮＨ４）２ＨＰＯ４を測定することによってスペクトルを較正した。測定用サンプルの調製中のトリメチルホスフィンオキシド（ＴＭＰＯ、９９％、アルファ）の吸着のために、サンプルを最初に真空下で２０時間完全に脱水した。その後、無水ＣＨ２Ｃｌ２中に溶解した既知量のＴＭＰＯを、Ｎ２雰囲気で脱水した固体サンプルを含有する容器に導入し、約５０℃で排気してＣＨ２Ｃｌ２溶媒を除去した。ゼオライトへのプローブ分子の均一な吸着を確実にするために、それらを１６５℃で１時間の熱処理にさらに供した。最後に、サンプルをＮＭＲローターに移してから、Ｎ２グローブボックス内の気密エンドキャップで密封した。
【０１５１】
３１Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲのデコンボリューション後、７つのピークが低磁場から高磁場に現れた。約４３ｐｐｍの物理吸着ＴＭＰＯに加えて、５０〜８４ｐｐｍへの３１Ｐ  ＮＭＲ化学シフトは、ブレンステッド酸部位又はルイス酸部位の化学吸着ＴＭＰＯに起因した。より具体的には、約８３、６９、及び５５〜６２ｐｐｍでのピークは、最強、中強度、及び最弱のブレンステッド酸部位に吸着されたＴＭＰＯにそれぞれ割り当てられ、６５及び５０ｐｐｍのピークは、ルイス酸部位に吸着されたＴＭＰＯに割り当てられる。前記分類に基づいて、ブレンステッド酸（ＢＡ）及びルイス（ＬＡ）酸部位の総量を定量化し、得られた値に基づいてＢ／Ｌ比を算出した。
【０１５２】
２９Ｓｉ  ＭＡＳ  ＮＭＲ測定
すべての固体マジックアングルスピニング（ＭＡＳ）ＮＭＲ実験は、Ａｇｉｌｅｎｔ  ＤＤ２−５００ＭＨｚ分光計で行った。２９Ｓｉ  ＭＡＳ  ＮＭＲスペクトルは、９９．３ＭＨｚで６ｍｍのＭＡＳプローブを使用して、速度４ｋＨｚ、スキャン数４００、リサイクル遅延４秒で回収した。化学シフトは、４，４−ジメチル−４−シラペンタンスルホネートナトリウム（ＤＳＳ）を基準にした。
【０１５３】
それぞれの材料の骨格におけるＳｉ／Ａｌモル比は、対応する２９Ｓｉ  ＭＡＳ  ＮＭＲスペクトルのデコンボリューションによって決定した。
【０１５４】
参考例１：有機テンプレートを用いないＨ−ＢＥＡの合成
１２．６９３ｋｇの蒸留水を、攪拌手段を備えた６０Ｌのオートクレーブに入れた。０．９５５ｋｇのＮａＡｌＯ２を５Ｌの蒸留水に溶解し、攪拌しながらオートクレーブ内の水に加えた。次に、２１．４４７ｋｇのナトリウム水ガラス（２６質量％のＳｉＯ２、８質量％のＮａ２Ｏ、及び６６質量％のＨ２Ｏ）を攪拌しながら加えたところ、混合物の粘度が急激に増加し、その後再び減少した。次に、３．７６２ｋｇのＬｕｄｏｘ（登録商標）ＡＳ４０（４０質量％のＳｉＯ２及び６０質量％のＨ２Ｏ）を添加し、得られたゲルを２００ｒｐｍで３時間撹拌した後、０．７１７ｋｇのゼオライトベータ種の懸濁液（Ｚｅｏｌｙｓｔ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ社、Ｖａｌｌｅｙ  Ｆｏｒｇｅ、ＰＡ１９４８２、米国から、商品名ＣＰ８１４Ｃで市販されており、ＣＡＳ登録番号１３１８−０２−１で、５５０℃で５時間か焼（か焼温度を得るため１℃／分の加熱上昇を使用した）することにより、Ｈ型に転化した）を、１００ｒｐｍで撹拌しながら１Ｌの蒸留水中に加えた。このようにして得られた混合物は、アルミノシリケートゲルを含有しており、モル比が１．００のＳｉＯ２：０．０４２２のＡｌ２Ｏ３：０．２９１のＮａ２Ｏ：１７．５０のＨ２Ｏであった。反応混合物を、一定の加熱上昇を使用して、１００ｒｐｍで撹拌しながら３時間で１２０℃の温度に加熱し、次いで、前記温度を同じ撹拌速度で６０時間維持した。反応混合物を室温まで冷却した後、固体を濾過により分離し、蒸留水で繰り返し洗浄してから、１２０℃で１６時間乾燥させて、Ｎａゼオライトベータを得た。生成物のＸ線回折により、得られた結晶性材料のＢＥＡ型骨格構造が確認された。得られた白色結晶性材料は、ゼオライトベータ種材料（Ｚｅｏｌｙｓｔ社からのＣＰ８１４Ｃ）の結晶化度と比較して、１８〜２５°の範囲の２°シータで９３％の結晶化度を示した。
【０１５５】
１，０００ｇの蒸留水を２Ｌの反応容器に入れた。次に、参考例１により得られた１２５ｇのアンモニウムニトレート及び１２５ｇのＮａ−ゼオライトベータを、漏斗を介して混合物に加え、次いで、これを１２５ｇの蒸留水ですすいだ。次に、得られた懸濁液を８０℃に加熱し、２時間連続撹拌しながらこの温度に保った。固体を濾過し、次にフィルターケーキを、洗浄水の導電率が２０マイクロシーメンス／ｃｍ未満になるまで蒸留水で洗浄した。フィルターケーキを１２０℃で一晩乾燥させて、１３８．５ｇのゼオライトベータをそのアンモニウムの形で得た。この手順を、参考例１からのさらなる１２５ｇのＮａ−ゼオライトベータを用いて繰り返し、さらなる１３１．５ｇのゼオライトベータをそのアンモニウムの形で得た。最後に、両方のバッチを５００℃で５時間（加熱上昇２Ｋ／分）か焼する工程により、２３６ｇのゼオライトベータをそのＨ型で得た。
【０１５６】
１，０００ｇの蒸留水を２Ｌの反応容器に入れた。次に、最初のアンモニウムイオン交換手順から得られた１１８ｇのアンモニウムニトレート及び１１８ｇのＨ−ゼオライトベータを、漏斗を介して混合物に加え、次いで、これを１１８ｇの蒸留水ですすいだ。次に、得られた懸濁液を８０℃に加熱し、２時間連続撹拌しながらこの温度に保った。固体を濾過し、次にフィルターケーキを、洗浄水の導電率が１０マイクロシーメンス／ｃｍ未満になるまで蒸留水で洗浄した。フィルターケーキを１２０℃で一晩乾燥させて、１１１ｇのゼオライトベータをそのアンモニウムの形で得た。この手順を、最初のアンモニウムイオン交換手順からの１２５ｇのアンモニウムニトレート及びさらなる１２５ｇのＨ−ゼオライトベータを用いて繰り返し、このようにして、さらなる１１０ｇのゼオライトベータをそのアンモニウムの形で得た。Ｈ−ゼオライトベータのサンプルを結合し、その６５ｇのサンプルを、７５０℃で５時間（加熱上昇２Ｋ／分）のか焼工程により、５９．５ｇのゼオライトベータをそのＨ型で得た。２９Ｓｉ  ＭＡＳ  ＮＭＲスペクトルから決定されたＨ−ゼオライトベータのＳｉ：Ａｌモル比は７であった。
【０１５７】
参考例２：有機テンプレートを用いない合成から得られたＨ−ＢＥＡの脱アルミニウム
１，２５０ｍｌの硝酸の１Ｍ溶液を、スターラーを備えたビーカーに入れた。参考例１から得られた２５ｇのＨ−ゼオライトベータを加え、混合物を室温で２時間撹拌した。固体を濾別し、洗浄水の導電率が１６５マイクロシーメンス／ｃｍになるまで蒸留水で洗浄した。次に、固体を１２０℃で一晩乾燥させて、２３．７ｇのゼオライトベータを得た。ここで元素分析から、４０：２．６のＳｉ：Ａｌ質量比を得た。２９Ｓｉ  ＭＡＳ  ＮＭＲスペクトルから決定された脱アルミニウム化ゼオライトベータのＳｉ：Ａｌモル比は２２であった。
【０１５８】
参考例３：有機テンプレートを用いない合成から得られたＨ−ＢＥＡの脱アルミニウム
１，２１９ｍｌの硝酸の１Ｍ溶液を、スターラーを備えたビーカーに入れた。参考例１から得られた２４．３８ｇのＨ−ゼオライトベータを加え、混合物を室温で５時間撹拌した。固体を濾別し、洗浄水の導電率が６５マイクロシーメンス／ｃｍになるまで蒸留水で洗浄した。次に、固体を１２０℃で一晩乾燥させて、２１．４ｇのゼオライトベータを得た。ここで元素分析から、４０：２．１のＳｉ：Ａｌ質量比を得た。２９Ｓｉ  ＭＡＳ  ＮＭＲスペクトルから決定された脱アルミニウム化ゼオライトベータのＳｉ：Ａｌモル比は３６であった。
【０１５９】
実施例１：芳香族化合物の合成
エチレンを有する２，５−ジメチルフラン、２−メチルフラン、又はフランの触媒転化を、５０ｍｌのステンレス鋼オートクレーブで行った。反応前に、オートクレーブを窒素でパージし、次に０．３ｇのＨ−ベータゼオライトを反応器に入れ、所望の量の２，５−ジメチルフラン、２−メチルフラン又はフランを溶媒とオートクレーブに移した。より具体的には、ヘプタン中のそれぞれの化合物の１．５６Ｍ溶液を用いた。次に、反応器をエチレンガスで加圧し、混合物を機械式スターラーを用いて１０００ｒｐｍで攪拌して、システム内での物質移動が確実に容易になるようにし、最終温度まで加熱した。反応において、エチレンの２，５−ジメチルフランに対するモル比は０．１８であり、エチレンの２−メチルフランに対するモル比は０．１８であり、エチレンのフランに対するモル比は０．１６であった。
【０１６０】
反応後、遠心分離によって液体生成物と固体触媒を分離した。生成物を、３０ｍのＨＰ−５キャピラリカラム及び水素炎イオン化検出器を備えたガスクロマトグラフ（島津製作所、ＧＣ−２０１４Ｃ）を使用して分析した。生成物は、標準化学物質の保持時間及び応答係数に基づいて識別し、外部標準として既知量のｎ−デカンを使用して定量した。生成物を、３０ｍのＨＰ−５ＭＳカラムを備えたＧＣ／ＭＳ（Ａｇｉｌｅｎｔ社、ＨＰ６８９０／５９７３ＭＳＤ）によってさらに識別した。
【０１６１】
比較のため、有機テンプレートを介した合成（ＣＰ８１４Ｃ、ＮＨ４＋型、Ｚｅｏｌｙｓｔ社）からのＳｉ／Ａｌ＝１９の市販のゼオライトベータを、５５０℃で４時間のか焼によりＨ＋型に転化し、その後、比較試験実行に使用した。２９Ｓｉ  ＭＡＳ  ＮＭＲスペクトルから決定された市販のゼオライトベータのＳｉ：Ａｌモル比は１９であった。
【０１６２】
試験実験で使用したゼオライトベータ触媒の特性を表１に示す。特に、２９Ｓｉ  ＭＡＳ  ＮＭＲスペクトルから決定したＳｉ：Ａｌのモル比、温度プログラムされたアンモニアの脱着（ＮＨ３−ＴＰＤ）によって、及びトリメチルホスフィンオキシドを使用した３１Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲによってそれぞれ決定したブレンステッド酸部位（ＢＡ）の量のルイス酸部位（ＬＡ）の量に対するＢＡ：ＬＡの比、ＮＨ３−ＴＰＤによるブレンステッド酸部位及びルイス酸部位の絶対量、及びＢＥＴ表面積及び総細孔容積を示す。
【０１６３】
表１：試験実験で使用されたゼオライトベータ触媒の特性
【０１６４】
【表３】
2021525767.tif 000009
【０１６５】
エチレンを有する２，５−ジメチルフランの反応における様々なゼオライトベータ触媒の比較試験の結果を図４に示す。反応は３００℃で２０時間行い、反応前に反応器をエチレンで加圧して、加熱前に４．０ＭＰａの初期圧力を得た。このように結果から分かるように、全く予想外にも、有機テンプレートを用いない合成から得られるゼオライトベータ上での転化は、テンプレート合成から得られる市販のゼオライトベータよりも実質的に高いことが見出された。特に、結果から分かるように、非常に驚くべきことに、より高い転化率はＳｉ／Ａｌモル比に関連していないが、本発明の方法で使用する触媒の改善された結果は、それらが有機テンプレートを用いない合成法から得られるという事実から得られることが見出された。よって、それぞれ７及び２２のＳｉ／Ａｌモル比を示す、有機テンプレートを用いない合成から得られたゼオライトベータサンプルを使用して得られた結果から分かるように、１９の、すなわち前述のＳｉ／Ａｌモル比の間にあるＳｉ／Ａｌモル比を有するテンプレート合成から得られる市販のゼオライトベータよりも、両方とも実質的に高い転化率を示すことが見出された。
【０１６６】
前述の試験に加えて、参考例２からのゼオライトベータを、エチレンの２，５−ジメチルフラン、２−メチルフラン、及びフランとの反応にそれぞれ使用した。その結果を図５に示す。ディールス−アルダー環化付加反応及びその後の水の除去による所望の芳香族生成物への反応経路、及び主要な副生成物への反応経路を、図１〜３に示す。図５に示す結果から分かるように、２，５−ジメチルフランの反応では、所望の生成物への転化率及び反応の選択性は、それぞれほぼ１００％であるが、エチレンを２−メチルフラン及びフランとそれぞれ反応させると、転化率及び選択性が大幅に低下した。
【０１６７】
引用文献のリスト
−  ＵＳ２０１３／０２４５３１６Ａ１
−  Ｎｉ，Ｌ．  ｅｔ  ａｌ．ＣｈｅｍＳｕｓＣｈｅｍ２０１７，１０，２３９４
−  Ｃｈａｎｇ，Ｃ．−Ｃ．ｅｔ  ａｌ．Ｇｒｅｅｎ  Ｃｈｅｍ．２０１４，１６，５８５
−  Ｃｈｏ，Ｈ．Ｊ．ｅｔ  ａｌ．ＣｈｅｍＣａｔＣｈｅｍ２０１７，９，３９８
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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