(57)【要約】  強化された音響性能を有するグレージング。本発明は、強化された音響性能を有するグレージング（１）に関し、前記グレージング（１）が、少なくとも一つの透明基板（２）及び複数の共振電気回路（８）を備え、この少なくとも一つの透明基板（２）が、少なくとも一つの面に、透明圧電トランスデューサ（３）の好ましくは周期的な配列を有し、  個々の前記透明圧電トランスデューサ（３）が、単一の共振電気回路（８）と接続されて、前記透明基板が、透明メタマテリアルを形成している。本発明によれば、可聴領域の周波数帯域でのグレージングの遮音性を強化することができる。【選択図】図２
2021525695.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強化された音響性能を有するグレージング（１）であって、
前記グレージング（１）が、少なくとも一つの透明基板（２）及び複数の共振電気回路（８）を備え、この少なくとも一つの透明基板（２）が、少なくとも一つの面に、透明圧電トランスデューサ（３）の好ましくは周期的な配列を有し、
個々の前記透明圧電トランスデューサ（３）が、単一の共振電気回路（８）と接続されて、前記透明基板（２）が、透明メタマテリアルを形成している、
グレージング。
【請求項２】
個々の共振電気回路（８）が、受動回路又は半受動回路である、請求項１に記載のグレージング（１）。
【請求項３】
個々の共振電気回路（８）が、少なくとも一つのインダクタンスを備え、前記インダクタンスが、コイル又は合成インダクタンスのいずれかである、請求項２に記載のグレージング（１）。
【請求項４】
個々の共振電気回路（８）が、さらに、合成負性静電容量を備える、請求項３に記載のグレージング（１）。
【請求項５】
個々の共振電気回路（８）が、さらに、抵抗を備える、請求項３又は４に記載のグレージング（１）。
【請求項６】
個々の共振電気回路（８）が、前記インダクタンス及び／又は前記静電容量を調整することによって、さらに適応可能な、請求項３〜５のいずれか一項に記載のグレージング（１）。
【請求項７】
個々の共振電気回路（８）が、多重共振電気回路である、請求項２〜６のいずれか一項に記載のグレージング（１）。
【請求項８】
前記共振電気回路（８）が、前記グレージング（１）に近接している回路基板（４）に設置されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載のグレージング（１）。
【請求項９】
平方メートルあたり、１０〜１０００、好ましくは、１０〜２００の透明圧電トランスデューサ（３）を備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載のグレージング（１）。
【請求項１０】
個々の透明圧電トランスデューサ（３）が、１〜１００ｃｍ２、好ましくは１〜２５ｃｍ２の面積を有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載のグレージング（１）。
【請求項１１】
個々の透明圧電トランスデューサ（３）が、１μｍ〜１ｍｍ、好ましくは１０μｍ〜１ｍｍ、さらに好ましくは１０μｍ〜５００μｍの全厚さを有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のグレージング（１）。
【請求項１２】
隣接する二つの透明圧電トランスデューサ（３）間のスペースが、０．５ｃｍ〜５０ｃｍ、好ましくは１ｃｍ〜１５ｃｍである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のグレージング（１）。
【請求項１３】
前記透明基板（２）が、その両面に、透明圧電トランスデューサ（３）の好ましくは周期的な配列を含み、前記透明圧電トランスデューサ（３）が、その二つの面で互いに対面して設置されており、互いに対面して配置された透明圧電トランスデューサ（３）の個々の組は、同一の共振電気回路（８）に接続されている、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のグレージング（１）。
【請求項１４】
個々の透明圧電トランスデューサ（３）が、酸化亜鉛、若しくはＢａＴｉＯ３型のチタンとバリウムの酸化物、若しくは窒化アルミニウム、若しくはチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、若しくはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、若しくはランタンドープチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＬＺＴ）、若しくはポリ（スチレン−ｂ−イソプレン）ブロックポリマーに基づいている、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のグレージング（１）。
【請求項１５】
少なくとも一つの透明基板（２）が下記を含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のグレージング（１）：
ａ）前記透明基板の全面にわたって配置された薄膜状の第一透明電極、又は、前記透明基板の全面にわたって、マトリックス配列で分散している複数の薄膜部状の複数の第一透明電極；
ｂ）前記透明基板の全面にわたって配置された薄膜状の透明圧電要素、又は、マトリックス配列で分散している複数の薄膜部状の複数の透明圧電要素、ここで、個々の透明圧電要素が、薄膜状の前記第一透明電極に、若しくは薄膜部状の単一の第一透明電極に配置されており、マトリックス配列で分散している前記透明圧電要素が、好ましくは、互いに絶縁材料によって絶縁されている；及び
ｃ）マトリックス配列で分散している複数の薄膜部状の複数の第二透明電極、ここで、個々の第二透明電極が、単一の透明圧電要素に、又は前記透明基板の全面にわたって配置された薄膜状の圧電要素で被覆された単一の第一透明電極の頂部に配置されている。
【請求項１６】
個々の透明電極が、透明導電性酸化物、例えば酸化チタン、及び／又は一つの金属薄膜の少なくとも一つの薄膜を備える薄膜スタックからなる、請求項１５に記載のグレージング（１）。
【請求項１７】
少なくとも一つの誘電体薄膜が、個々の第一及び第二透明電極と、一つ以上の透明圧電要素との間に配置されている、請求項１５又は１６に記載のグレージング（１）。
【請求項１８】
メタマテリアルを形成している前記透明基板（２）、粘弾性材料でできている、好ましくはポリビニル・ブチラールに基づく中間層（７）、及び透明基板（６）若しくはメタマテリアルを形成している第二透明基板（２）を備えている積層されたグレージングからなり、前記透明トランスデューサ（３）が、好ましくは、前記基板の、前記中間層（７）に面している面にある、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のグレージング（１）。
【請求項１９】
メタマテリアルを形成している透明基板（２）、及び透明基板若しくはメタマテリアルを形成している第二透明基板を備えている絶縁基板からなり、透明基板（２）と透明基板若しくは第二透明基板とが、空気充填キャビティ又はガス充填キャビティで隔てられており、前記透明圧電トランスデューサ（３）が、好ましくは、前記基板の、空気充填キャビティ又はガス充填キャビティに面している面にある、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のグレージング（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強化された音響性能を有するグレージングに関する。
【背景技術】
【０００２】
自動車において、グレージングの音響性能を強化するために、標準ＰＶＢ中間層に代えて、所謂音響ＰＶＢ中間層を積層したグレージングを使用することが実用化されていることが知られている。音響ＰＶＢ中間層は、例えば、通常の音響性能を有する二つの外側のＰＶＢ層（標準ＰＶＢ）を備え、その間に、外側の層よりも剛性が低い中央層が配置されている、三層の中間層である。この中央層は、標準ＰＶＢ層よりも可塑剤を多く含有しているＰＶＢに基づいている。しかし、このタイプの中間層は、可聴周波数の全帯域にわたって、音響波を均等に減衰させることはできない。
【０００３】
建物においては、外の騒音をできる限り減衰させるため、グレージングの遮音性も、非常に重要である。
【０００４】
特に、人間の耳は、１０００Ｈｚ〜４０００Ｈｚにわたる周波数帯域で、とりわけ敏感である。しかし、この周波数帯域において、自動車又は建物のグレージングで、音響減衰が常に最適である訳ではない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そのため、既存のグレージングに関して視野を失うことなく、可聴周波数、特に、１０００Ｈｚ〜４０００Ｈｚの間の音響性能が強化されたグレージングのニーズが存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的で、本発明は、
強化された音響性能を有するグレージングであって、
前記グレージングが、少なくとも一つの透明基板及び複数の共振電気回路を備え、この少なくとも一つの透明基板が、少なくとも一つの面に、透明圧電トランスデューサの好ましくは周期的な配列を有し、
個々の前記透明圧電トランスデューサが、単一の共振電気回路と接続されて、前記透明基板が、透明メタマテリアルを形成している、グレージング
を提案する。
【０００７】
別の特徴によれば、個々の共振電気回路が、受動回路又は半受動回路である。
【０００８】
別の特徴によれば、個々の共振電気回路が、少なくとも一つのインダクタンスを備え、前記インダクタンスが、コイル又は合成インダクタンスのいずれかである。
【０００９】
別の特徴によれば、個々の共振電気回路が、さらに、合成負性静電容量を備える。
【００１０】
別の特徴によれば、個々の共振電気回路が、さらに、抵抗を備える。
【００１１】
別の特徴によれば、個々の共振電気回路が、前記インダクタンス及び／又は前記静電容量を調整することによって、さらに適応可能である。
【００１２】
別の特徴によれば、個々の共振電気回路が、多重共振電気回路である。
【００１３】
別の特徴によれば、前記共振電気回路が、前記グレージングに近接している回路基板に設置されている。
【００１４】
別の特徴によれば、前記グレージングは、平方メートルあたり、１０〜１０００、好ましくは、１０〜２００の透明圧電トランスデューサを備える。
【００１５】
別の特徴によれば、個々の透明圧電トランスデューサが、１〜１００ｃｍ２、好ましくは１〜２５ｃｍ２の面積を有する。
【００１６】
別の特徴によれば、個々の透明圧電トランスデューサが、１μｍ〜１ｍｍ、好ましくは１０μｍ〜１ｍｍ、さらに好ましくは１０μｍ〜５００μｍの全厚さを有する。
【００１７】
別の特徴によれば、隣接する二つの透明圧電トランスデューサ間のスペースが、０．５ｃｍ〜５０ｃｍ、好ましくは１ｃｍ〜１５ｃｍである。
【００１８】
別の特徴によれば、前記透明基板が、その両面に、透明圧電トランスデューサの好ましくは周期的な配列を含み、前記透明圧電トランスデューサが、その二つの面で互いに対面して設置されており、互いに対面して配置された透明圧電トランスデューサの個々の組は、同一の共振電気回路に接続されている。
【００１９】
別の特徴によれば、個々の透明圧電トランスデューサが、酸化亜鉛、若しくはＢａＴｉＯ３型のチタンとバリウムの酸化物、若しくは窒化アルミニウム、若しくはチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、若しくはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、若しくはランタンドープチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＬＺＴ）、若しくはポリ（スチレン−ｂ−イソプレン）ブロックポリマーに基づいている。
【００２０】
別の特徴によれば、少なくとも一つの透明基板が下記を含む：
−前記透明基板の全面にわたって配置された薄膜状の第一透明電極、又は、前記透明基板の全面にわたって、マトリックス配列で分散している複数の薄膜部状の複数の第一透明電極；
−前記透明基板の全面にわたって配置された薄膜状の透明圧電要素、又は、マトリックス配列で分散している複数の薄膜部状の複数の透明圧電要素、ここで、個々の透明圧電要素が、薄膜状の前記第一透明電極に、若しくは薄膜部状の単一の第一透明電極に配置されており、マトリックス配列で分散している前記透明圧電要素が、好ましくは、互いに絶縁材料によって絶縁されている；及び
−マトリックス配列で分散している複数の薄膜部状の複数の第二透明電極、ここで、個々の第二透明電極が、単一の透明圧電要素に、又は前記透明基板の全面にわたって配置された薄膜状の圧電要素で被覆された単一の第一透明電極の頂部に配置されている。
【００２１】
別の特徴によれば、個々の透明電極が、透明導電性酸化物、例えば酸化チタン、及び／又は一つの金属薄膜の少なくとも一つの薄膜を備える薄膜スタックからなる。
【００２２】
別の特徴によれば、少なくとも一つの誘電体薄膜が、個々の第一及び第二透明電極と、一つ以上の透明圧電要素との間に配置されている。
【００２３】
別の特徴によれば、前記グレージングが、メタマテリアルを形成している前記透明基板、粘弾性材料でできている、好ましくはポリビニル・ブチラールに基づく中間層、及び透明基板若しくはメタマテリアルを形成している第二透明基板を備えている積層されたグレージングからなり、前記透明トランスデューサが、好ましくは、前記基板の、前記中間層に面している面にある。
【００２４】
別の特徴によれば、前記グレージングが、メタマテリアルを形成している透明基板、及び透明基板若しくはメタマテリアルを形成している第二透明基板を備え、透明基板と透明基板若しくは第二透明基板とが、空気充填キャビティ又はガス充填キャビティで隔てられており、前記透明圧電トランスデューサが、好ましくは、前記基板の、空気充填キャビティ又はガス充填キャビティに面している面にある。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
本発明の他の特徴及び利点は、以下の図面を参照して説明される：
【００２６】
【図１】透明基板の片面に透明圧電トランスデューサを備える、本発明のグレージングの断面図を示す；
【００２７】
【図２】本発明のグレージングの正面図を示す；
【００２８】
【図３】同一の透明基板の両面に透明圧電トランスデューサを備える、本発明のグレージングの断面図を示す；
【００２９】
【図４】透明基板の片面に透明圧電トランスデューサを備える、本発明のグレージングの断面図を示す；
【００３０】
【図５】例示的な合成インダクタンスを示す；
【００３１】
【図６】例示的な合成負性静電容量を示す；
【００３２】
様々な図における同一の参照番号は、類似または同一の要素を表す。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
透明基板は、ガラスのような機能を有する基板、特に、ソーダ−ライムガラスでできている、又は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、若しくはエチレン・テトラフルオロエチレン共重（ＥＴＦＥ）などのプラスチックでできているもので定義される。
【００３４】
「透明」という用語は、人間の目に見える波長について、離散及び／又は連続線から構成されるスペクトルから、１％を超える、好ましくは４０％を超える全（直接及び拡散）透過をいう。これらの可視波長は、３５０〜８００ｎｍである。
【００３５】
透明トランスデューサは、二つの電極間に配置された圧電材料を備え、電気信号を機械的運動に、及びその逆に変換可能である。
【００３６】
本発明は、
強化された音響性能を有するグレージングに関し、
前記グレージングが、少なくとも一つの透明基板及び複数の共振電気回路を備え、この少なくとも一つの透明基板が、少なくとも一つの面に、透明圧電トランスデューサの好ましくは周期的な配列を有し、
個々の前記透明圧電トランスデューサが、単一の共振電気回路と接続されて、前記透明基板が、透明メタマテリアルを形成している。
【００３７】
本発明者らは、共振電気回路に接続された個々の圧電トランスデューサが、遥かに軽量かつ透明でありながら、ばね−質量システムと同等であることを実証した。複数ある、基板上のこれらの圧電トランスデューサ／共振回路システムは、メタマテリアルを形成し、可聴領域の周波数帯域での基板の遮音性を強化することができる。また、圧電トランスデューサは透明であるため、グレージングは透明のままである。したがって、視野を失うことはない。
【００３８】
図１は、透明基板（２）の片面に透明圧電トランスデューサ（３）を備える、本発明のグレージング（１）の断面図を示す。
【００３９】
図２は、本発明のグレージングからなるフロントガラスの正面図を示す。
【００４０】
図１において、グレージング（１）は、有機又は無機のガラスでできている単一の基板（２）を含み、その基板（２）の表面にわたって、好ましくは、周期的に、複数の透明圧電トランスデューサ（３）が分散している。
【００４１】
グレージングは、また、複数の共振電気回路（８）を含み、全ての共振電気回路（８）は、基板（２）から離れたところにある回路基板（４）に設置されることが好ましい。個々の透明圧電トランスデューサ（３）は、二つの導線（５ａ）、（５ｂ）を介して、単一の共振電気回路（８）に接続される。全ての導電性ワイヤ（５ａ）、（５ｂ）は、一緒にグループ化されて、グレージング周辺にスクリーン印刷で、回路基板（４）に配線されるバンドル（１０）にすることが好ましい。
【００４２】
図１の態様においては、同数の共振電気回路、透明圧電トランスデューサ（３）、及び個々の透明圧電トランスデューサ（３）をその共振電気回路（８）に接続する一対の導線（５ａ）、（５ｂ）がある。回路基板（４）は、車両の客室内、例えば、ダッシュボード内、又は建物の石膏ボード仕切りの後方に隠すことができる。
【００４３】
圧電トランスデューサ／共振電気回路の個々の組合せは、ばね−質量システムと同等である。これに関し、ばね−質量システムは、特定の周波数での支持体の絶縁を強化できることがよく知られている。基板全体にわたって、好ましくは周期的に分散している、このタイプの複数の組合せは、基板をメタマテリアルに変え、ある周波数帯域の遮音性を強化することができる。
【００４４】
個々の共振電気回路（８）は、少なくとも一つのインダクタンスを備え、そのインダクタンスは、コイル又は合成インダクタンスである。個々の透明圧電トランスデューサ（３）は、静電容量として動作する。静電容量は、ばね−質量システムのばねと同等であり、インダクタンスは、ばね−質量システムの質量と同等である。しかし、スペース及び重量を減じるために、この合成インダクタンスは、コイルよりも好ましい。合成インダンクタンスとしては、例えば、アントニュー（Ａｎｔｏｎｉｏｕ）インダクタンスがある。例示的な合成インダクタンスを図５に示す。
【００４５】
個々の共振電気回路（８）は、さらに、合成負性静電容量を備えてもよく、これは、圧電トランスデューサの静電容量に従って選ばれる。具体的には、透明圧電トランスデューサ（３）の静電容量は、必要なものに対して高すぎることがある。合成負性静電容量は、透明圧電トランスデューサ（３）のみの静電容量よりも低い結果として得られる等価静電容量Ｃｅｑをもたらすことを可能にし、このことは、遮音性の強化に関する要件をより適切に満たすことを可能にする。例示的な合成負性静電容量を図６に示す。
【００４６】
遮音性を強化することが望まれる周波数帯域に対応する周波数バンドギャップは、共振周波数ｆＲで始まる。共振周波数ｆＲは、次の式で決まる。
【００４７】
【数１】
2021525695.tif 000003
【００４８】
ここで、Ｌｅｑは、従来のコイル又は合成インダクタンスを使用して形成されたインダクタンスのインダクタンス値であり、Ｃｅｑは、透明圧電トランスデューサのみの静電容量、あるいは、透明圧電トランスデューサの静電容量と合成負性静電容量の静電容量との合計のいずれかと等しい。システムの安定性を保証するには、Ｃｅｑ＞０であることを確認する必要がある。
【００４９】
次に、１０００Ｈｚから始まる、ある周波数帯域で遮音性を強化したい場合には、所望の共振周波通、例えば１０００Ｈｚに従って、合成インダクタンスのインダクタンス値、そして、必要に応じて、負性静電容量の静電容量値が設定する。
【００５０】
個々の共振電気回路（８）が、さらに、電気抵抗を備えてもよい。共振電気回路に抵抗が存在することで、共振のＱ値（ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）を調整することを可能にする。
【００５１】
全ての透明圧電トランスデューサ（３）は同一であり、全ての共振電気回路は同一であり、それによって、メタマテリアルを形成することができるようにされている。
【００５２】
合成インダクタンス及び／又は合成静電容量を調整することによって、個々の共振電気回路（８）が、さらに適応可能であってよい。この調整は、上記の式を用いて、好ましいバンドギャップに従って行われる。これを達成するため、合成インダクタンスの回路及び／又は合成静電容量の回路は、例えば、調整可能な抵抗を含む。個々の共振電気回路（８）が適応可能であることは、直面する可能性のある様々なノイズ又は計画仕様に合わせて調整することを可能にする。
【００５３】
個々の共振電気回路（８）は、さらに、多重共振電気回路であってもよい。これにより、少なくとも二つのバンドギャップを有することで、遮音性が強化される周波数帯域を広げることができる。この場合、個々の共振電気回路は、例えば、少なくとも二つコイル又は二つの合成インダクタンスを備えてもよく、好ましくは、様々なインダクタンス間の干渉を回避するために、静電容量によって対に接続される。個々の多重共振電気回路は、最大で五つの共振を含むことが好ましい。
【００５４】
個々の共振電気回路（８）は、受動回路又は半受動回路である。具体的には、それは、一つ又は複数のコイルのみを含む場合には受動的であり、少なくとも一つの合成コンポーネントを含む場合には半受動的である。具体的には、合成コンポーネントは、動作のために少量の電流を供給する必要があるオペアンプを含む。したがって、本発明のシステムは、能動的減衰とは無関係である。受動システムである、ばね−質量システム配列がそうであるように、本発明のメタマテリアルは、好ましくは周期的な透明圧電変換器（３）の配列に形成され、それぞれが共振電気回路に接続され、基板の動きを捕捉し、応答して、これらの動きを受動的または半受動的に変化させる。システムにエネルギーが加えられないため、アクティブ制御システムとは異なり、不安定になる危険性はない。
【００５５】
可能な限り最大の周波数バンドギャップ幅を有するためには、グレージング（１）は、例えば、平方メートルあたり、１０〜１０００、好ましくは、１０〜５００、さらに好ましくは、１０〜２００の透明圧電トランスデューサを備える。可能な限り最大の周波数バンドギャップ幅を有するためには、個々の透明圧電トランスデューサ（３）は、１〜１００ｃｍ２、好ましくは１〜２５ｃｍ２の面積を有する。
【００５６】
可能な限り最大の周波数バンドギャップ幅を有するためには、個々の透明圧電トランスデューサ（３）は、例えば、１μｍ〜１ｍｍ、好ましくは１０μｍ〜１ｍｍ、さらに好ましくは１０μｍ〜５００μｍの全厚さを有する。
【００５７】
可能な限り最大の周波数バンドギャップ幅を有するためには、隣接する二つの透明圧電トランスデューサ（３）間のスペースが、例えば、０．５ｃｍ〜５０ｃｍ、好ましくは１ｃｍ〜１５ｃｍである、
【００５８】
個々の透明圧電トランスデューサ（３）は、例えば、酸化亜鉛、若しくはＢａＴｉＯ３型のチタンとバリウムの酸化物、若しくは窒化アルミニウム、若しくはチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、若しくはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、若しくはランタンドープチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＬＺＴ）、若しくはポリ（スチレン−ｂ−イソプレン）ブロックポリマーに基づいている。個々の第一電極は、導線（５ａ）、（５ｂ）の一つと接続され、個々の第二電極は、別の導線（５ａ）、（５ｂ）の一つと接続される。
【００５９】
透明圧電トランスデューサ（３）の配列を製造するため、少なくとも一つの透明基板（２）が下記を含む：
−前記透明基板の全面にわたって配置された薄膜状の第一透明電極、又は、前記透明基板の全面にわたって、マトリックス配列で分散している複数の薄膜部状の複数の第一透明電極；
−前記透明基板の全面にわたって配置された薄膜状の透明圧電要素、又は、マトリックス配列で分散している複数の薄膜部状の複数の透明圧電要素、ここで、個々の透明圧電要素が、薄膜状の前記第一透明電極に、若しくは薄膜部状の単一の第一透明電極に配置されており、マトリックス配列で分散している前記透明圧電要素が、好ましくは、互いに絶縁材料によって絶縁されている；及び
−マトリックス配列で分散している複数の薄膜部状の複数の第二透明電極、ここで、個々の第二透明電極が、単一の透明圧電要素に、又は前記透明基板の全面にわたって配置された薄膜状の圧電要素で被覆された単一の第一透明電極の頂部に配置されている。
【００６０】
個々の透明電極が、透明導電性酸化物、例えば酸化チタン、及び／又は一つの金属薄膜の少なくとも一つの薄膜を備える薄膜スタックからなる。
【００６１】
好ましくは、少なくとも一つの誘電体薄膜が、個々の第一及び第二透明電極と、一つ以上の透明圧電要素との間に配置されている。
【００６２】
図３は、同一の透明基板の両面に透明圧電トランスデューサ（３）を備える、本発明のグレージングの断面図を示す。この図において、グレージング（１）は、また、有機又は無機ガラスでできた単一の基板（２）も含むが、今回は、透明基板（２）の両面にわたって、好ましくは周期的に、複数の透明圧電トランスデューサ（３）が分散されている。図１の場合のように、グレージング（１）は、複数の共振電気回路（８）を含み、全ての共振電気回路が、基板（２）から離れている回路基板（４）に設置されていることが好ましい。個々の透明圧電トランスデューサ（３）は、二つの導線（５ａ）、（５ｂ）を介して、単一の共振電気回路（８）と接続されている。図３の態様では、共振電気回路（８）と同じ数の２倍の数の透明圧電トランスデューサ（３）、及び個々の透明圧電トランスデューサ（３）をその共振電気回路（８）に接続する導線５ａ、５ｂの対が存在する。透明圧電トランスデューサ（３）は、透明基板の二つの面に、互いに対面して設置されている。対面する透明圧電トランスデューサの個々の対は、一つの同じの共振電気回路に接続されている。したがって、二つの透明圧電トランスデューサ（３）は、基板（２）の同一の変形を経験するが、これは、これらが、基板の同じ位置にあり、同じ共振電気回路（８）に接続されているからである。これによって、システムの効率が高められ、周波数バンドギャップが増加する。
【００６３】
本発明のグレージングは、単一の基板、又は絶縁若しくは積層グレージングと組み合わされた基板の形態で、自動車又は建物で使用することができる。
【００６４】
図４は、透明グレージング（２）の片面に透明圧電トランスデューサ（３）を備える、本発明の積層グレージングの断面図を示す。グレージング（１）は、従来の透明基板（６）と同様に、メタマテリアルを形成している透明基板（２）を有する積層グレージングであり、基板（２）と基板（６）は、粘弾性材料でできている、例えばポリビニル・ブチラールに基づく中間層（７）を用いて積層されている。変形として、従来の透明基板を、メタマテリアルを形成している第二透明基板で置き換える。この態様では、透明圧電トランスデューサ（３）は、一つ以上の基板の、中間層に面している面に配置されていることが好ましい。
【００６５】
グレージング（１）は、また、メタマテリアルを形成している透明基板（２）、及び従来の透明基板若しくはメタマテリアルを形成している第二透明基板（２）を備えている絶縁グレージングからなり、透明基板（２）と従来の透明基板若しくはメタマテリアルを形成する第二透明基板（２）とは、空気充填キャビティ若しくはガス充填キャビティで隔てられており、前記透明圧電トランスデューサ（３）は、好ましくは、基板の、空気充填キャビティ又はガス充填キャビティに面している面にある。
【図１】
2021525695.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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