(57)【要約】  ここに記載される実施態様は、全体的な均一性が改善されたアドバンスドパターニングフィルムを堆積させるために、チャンバ内での中心からエッジへの圧力の変化を制御するための圧力スキューシステムに関する。圧力スキューシステムは、チャンバ内に形成されるように構成されたポンピングゾーンを含み、ポンピング領域には壁が配置される。チャンバは、処理領域、ポンピング領域、及びポンプに接続されてポンピング領域からプロセスガスを排出するポンピング経路を含む。各ポンピングゾーンは、壁に隣接したポンピング領域のスペースに対応する。供給コンジットは、対応するポンピングゾーンと対応する質量流量制御装置とに接続されて、処理領域のエリア内の圧力を制御するために対応するポンピングゾーンに提供される不活性ガスの流量を制御する。【選択図】図２
2021523556.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバリッドと、
中に配置されたペデスタル、
ポンピングリングに連結された内側ライナであって、ペデスタル、内側ライナ、ポンピングリング、及びチャンバリッドが一の処理領域を形成する、内側ライナ、並びに
外側ライナであって、
内側ライナと外側ライナが入口と出口を有するポンピング経路を形成し、
ポンピングリング、内側ライナ、外側ライナ、及び入口がポンピング領域を形成する、
外側ライナ
を有するチャンバ本体と、
ポンピング領域に配置された二以上の壁であって、ポンピング領域に配置された二以上の壁の隣接壁がポンピング領域内にポンピングゾーンを形成する、二以上の壁と、
各々がポンピングゾーンのうちの対応するポンピングゾーンと対応する流量制御装置とに流体接続される複数の供給コンジットであって、各流量制御装置が、対応するポンピングゾーンに供給されるガスの流量を制御して、処理領域の一のエリア内の圧力を制御し且つ処理領域から出口を通してプロセスガスを排出するように構成されている、複数の供給コンジットと
を備えるシステム。
【請求項２】
チャンバ本体の処理領域が、ペデスタルのエッジリングによってさらに画定される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
チャンバ本体のポンピング領域が、スペーサリングによってさらに画定される、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
ポンピングリング、スペーサリング、内側ライナ、及び外側ライナがセラミック含有材料を含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
ポンピングリングが酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含み、スペーサリングが６０６１アルミニウム合金を含み、内側ライナがＡｌ２Ｏ３及び６０６１アルミニウム合金のうちの少なくとも一方を含み、外側ライナが６０６１アルミニウム合金を含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
プロセスガスが処理領域からポンピング領域とポンピング経路とを通って流れることを可能にするために、ポンピングリングを貫通する孔が形成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
ポンピングゾーンの各々が、処理領域の複数のエリアのうちの一のエリアを制御し、各エリアがペデスタルの表面の一領域に対応している、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
各供給コンジットが、チャンバ本体のスペーサリングを貫通するチャネルに接続されており、各チャネルがポンピング領域に繋がっている、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
処理領域のエリア内の圧力が、処理領域内でのプロセスガスの水平速度に影響を与える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
チャンバリッドと、
中に配置されたペデスタル、
ポンピングリングに連結された内側ライナであって、ペデスタル、内側ライナ、ポンピングリング、及びチャンバリッドが一の処理領域を形成する、内側ライナ、並びに
外側ライナであって、
内側ライナと外側ライナが入口と出口を有するポンピング経路を形成し、
ポンピングリング、内側ライナ、外側ライナ、及び入口がポンピング領域を形成する、
外側ライナ
を有するチャンバ本体と、
ポンピング領域に配置された二以上の壁であって、ポンピング領域に配置された二以上の壁の隣接壁がポンピング領域内にポンピングゾーンを形成する、二以上の壁、及び
各々が隣接壁の対応するポンピングゾーンと対応する流量制御装置に接続される、複数の供給コンジット
を有する圧力スキューシステムと
を備えるチャンバ。
【請求項１１】
各流量制御装置が、処理領域の一のエリア内の圧力を制御し、処理領域から出口を通るプロセスガスを排出するために、対応するポンピングゾーンに提供される不活性ガスの流量を制御するように構成されている、請求項１０に記載のチャンバ。
【請求項１２】
プロセスガスが処理領域からポンピング領域とポンピング経路とを通って流れることを可能にするために、ポンピングリングを貫通する孔が形成されている、請求項１１に記載のチャンバ。
【請求項１３】
チャンバの処理領域が、ペデスタルのエッジリングによってさらに画定され、チャンバのポンピング領域がスペーサリングによってさらに画定される、請求項１０に記載のチャンバ。
【請求項１４】
ポンピングゾーンの各々が、処理領域の複数のエリアのうちの一のエリアを制御し、各エリアがペデスタルの表面の一領域に対応している、請求項１０に記載のチャンバ。
【請求項１５】
チャンバリッドと、
中に配置されたペデスタル、
ポンピングリングに連結された内側ライナであって、ペデスタル、内側ライナ、ポンピングリング、及びチャンバリッドが一の処理領域を形成する、内側ライナ、並びに
外側ライナであって、
内側ライナと外側ライナが入口と出口を有するポンピング経路を形成し、
ポンピングリング、内側ライナ、外側ライナ、及び入口がポンピング領域を形成する
外側ライナ
を有するチャンバ本体と、
ポンピング領域に配置された二以上の壁であって、ポンピング領域に配置された二以上の壁の隣接壁がポンピング領域内にポンピングゾーンを形成する、二以上の壁、及び
各々がポンピングゾーンのうちの対応するポンピングゾーンと対応する流量制御装置とに流体接続される複数の供給コンジットであって、各流量制御装置が、対応するポンピングゾーンに供給されるガスの流量を制御して、処理領域の一のエリア内の圧力を制御し且つ処理領域から出口を通してプロセスガスを排出するように構成されている、複数の供給コンジット
を有する圧力スキューシステムと
を備えるチャンバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施態様は、概して、全体的な均一性が改善されたアドバンスドパターニングフィルムを堆積させるための圧力スキューシステムを中に有する化学気相堆積チャンバに関する。
【背景技術】
【０００２】
化学気相堆積（ＣＶＤ）及びプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）は一般に、半導体ウエハ等の基板上にアドバンスドパターニングフィルムを堆積させるために用いられる。ＣＶＤ及びＰＥＣＶＤは通常、基板を含むチャンバ中にプロセスガスを導入することにより達成される。プロセスガスは、典型的には、チャンバの上部付近に置かれたガスディフューザーを通して下向きに導かれる。ＰＥＣＶＤの間に、チャンバ内のプロセスガスは、チャンバに連結された一又は複数のＲＦ源からチャンバへと高周波（ＲＦ）電力を印加することによってエネルギーを与えられ（例えば励起され）、プラズマになる。
【０００３】
プロセスガスの流れは、チャンバ内の基板の表面を横切って放射方向に（中心からエッジへ）分配される。プロセスガスの流れの大部分はガスディフューザーを通ってチャンバの中心へと流れる。プロセスガスは、ガスディフューザーに沿った地点で、基板に向かって下降する流れを有し、基板の表面に接触し、次いで基板の表面に並行な流れを有する。ガスディフューザーの各地点において、プロセスガスは基板まで鉛直速度を有し、これは基板を横切って放射方向外側に向かう水平速度の水平流へと移行する。ガスディフューザーの各地点において、プロセスガスの鉛直速度は等しくない場合がある。したがって、プロセスガスの水平速度も等しくない場合があり、これにより基板の表面の複数部分におけるプロセスガスの滞留時間は不均一となりうる。不均一な滞留時間は基板全体に不均一なプラズマ分配をもたらす。プロセスガスの不均一な滞留時間とその結果生じる不均一なプラズマ分配は、アドバンスドパターニングフィルムの不均一な堆積を引き起こす。特に、不均一な滞留時間はアドバンスドパターニングフィルムの平面及び残留均一性に影響を与える。
【０００４】
したがって、本技術分野において必要とされているのは、アドバンスドパターニングフィルムの平面及び残留均一性に影響を与えるプロセスガスの滞留時間を制御するためのシステムである。
【発明の概要】
【０００５】
一実施態様において、一のシステムが提供される。このシステムは、チャンバリッドとチャンバ本体とを含む。チャンバ本体は、その中に配置されたペデスタル、ポンピングリングに連結された内側ライナ、及び外側ライナを有する。ペデスタル、内側ライナ、ポンピングリング、及びチャンバリッドは、処理領域を形成する。内側ライナと外側ライナは、入口と出口を有するポンピング経路を形成する。ポンピングリング、内側ライナ、外側ライナ、及び入口は、ポンピング領域を形成する。二以上の壁がポンピング領域内に配置される。ポンピング領域に配置された二以上の壁の隣接壁は、ポンピング領域内にポンピングゾーンを形成する。複数の供給コンジットが含まれる。各供給コンジットは、ポンピングゾーンのうちの対応するポンピングゾーンと対応する流量制御装置とに流体接続される。各流量制御装置は、対応するポンピングゾーンに提供されるガスの流量を制御するように構成されて、処理領域の一のエリア内の圧力と処理領域から出口を通るプロセスガスの排出とを制御する。
【０００６】
別の実施態様では、一のチャンバが提供される。このチャンバは、チャンバリッドとチャンバ本体とを含む。チャンバ本体は、その中に配置されたペデスタル、ポンピングリングに連結された内側ライナ、及び外側ライナを有する。ペデスタル、内側ライナ、ポンピングリング、及びチャンバリッドは、処理領域を形成する。内側ライナと外側ライナは、入口と出口を有するポンピング経路を形成する。ポンピングリング、内側ライナ、外側ライナ、及び入口は、ポンピング領域を形成する。チャンバは圧力スキューシステムを含む。圧力スキューシステムは、ポンピング領域内に配置された二以上の壁と複数の供給コンジットとを有する。ポンピング領域に配置された二以上の壁、ポンピング領域に配置された二以上の壁の隣接壁は、ポンピング領域内にポンピングゾーンを形成する。各供給コンジットは、隣接壁の対応するポンピングゾーンと、対応する流量制御装置とに接続される。
【０００７】
また別の実施態様において、一のチャンバが提供される。このチャンバは、チャンバリッドとチャンバ本体とを含む。チャンバ本体は、その中に配置されたペデスタル、ポンピングリングに連結された内側ライナ、及び外側ライナを有する。ペデスタル、内側ライナ、ポンピングリング、及びチャンバリッドは、処理領域を形成する。内側ライナと外側ライナは、入口と出口を有するポンピング経路を形成する。ポンピングリング、内側ライナ、外側ライナ、及び入口は、ポンピング領域を形成する。チャンバは圧力スキューシステムを含む。圧力スキューシステムは、ポンピング領域内に配置された二以上の壁と複数の供給コンジットとを有する。ポンピング領域に配置された二以上の壁、ポンピング領域に配置された二以上の壁の隣接壁は、ポンピング領域内にポンピングゾーンを形成する。各供給コンジットは、隣接壁の対応するポンピングゾーンと、対応する流量制御装置とに接続される。各流量制御装置は、対応するポンピングゾーンに提供されるガスの流量を制御するように構成されて、処理領域の一のエリア内の圧力と処理領域から出口を通るプロセスガスの排出とを制御する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示の上述の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施態様を参照することによって得られ、それらの実施態様の一部が添付図面に示される。しかしながら、添付図面は例示的な実施態様を示しているにすぎず、したがって本開示の範囲を限定するとみなすべきではなく、その他の等しく有効な実施態様が許容されうることに留意されたい。
【０００９】
【図１Ａ】一実施態様による、中に圧力スキューシステムを有する化学気相堆積チャンバの概略断面図である。
【図１Ｂ】一実施態様による、中に圧力スキューシステムを有する化学気相堆積チャンバの概略断面図である。
【図１Ｃ】一実施態様による、中に圧力スキューシステムを有する化学気相堆積チャンバの概略断面図である。
【図２】一実施態様による圧力スキューシステムの概略上面図である。
【００１０】
理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号を使用した。一実施態様の要素及び特徴は、さらなる記述なしで他の実施態様に有益に組み込まれうると考えられる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
ここに記載される実施態様は、全体的な均一性が改善されたアドバンスドパターニングフィルムを堆積させるために、チャンバ内での中心からエッジへの圧力の変化を制御するための圧力スキューシステムに関する。圧力スキューシステムは、チャンバ内に形成されるように構成されたポンピングゾーンを含み、ポンピング領域には壁が配置される。チャンバは、処理領域、ポンピング領域、及びポンプに接続されてポンピング領域からプロセスガスを排出するポンピング経路を含む。各ポンピングゾーンは、壁に隣接したポンピング領域のスペースに対応する。供給コンジットは、対応するポンピングゾーンと対応する質量流量制御装置とに接続されて、処理領域のエリア内の圧力を制御するために対応するポンピングゾーンに提供される不活性ガスの流量を制御する。
【００１２】
図１Ａは、中に圧力スキューシステム２００を有する化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ１００の概略断面図である。チャンバ１００の一実施例は、カリフォルニア州サンタクララに居所を有する本出願人により製造されるＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標）チャンバ又はＸＰ  ＰＲＥＣＩＳＩＯＮＴＭチャンバである。チャンバ１００は、チャンバ本体１０２とチャンバリッド１０４とを有する。チャンバ本体は、処理容積１０６とポンピング容積１０８とを含む。処理容積１０６は、チャンバリッド１０４、外側アイソレータとしても知られるポンピングリング１１８、内側ポンピングライナ１２０、底部ポンピングプレート１２２、及び底部ヒータ１２４によって画定されるスペースである。内側ポンピングライナ１２０は、ポンピングリング１１８と底部ポンピングプレート１２２とに連結されている。底部ポンピングプレート１２２は底部ヒータ１２４に連結されて処理容積１０６を画定する。処理容積１０６は、チャンバ１００内部で基板（図示しない）を取り囲むペデスタル１２６を有する。ペデスタル１２６は、一般的に加熱要素（図示しない）を含む。ペデスタル１２６は、底部ヒータ１２４とチャンバ本体１０２とを通って延びるステム１２８により処理容積１０６内に可動に配置される。ステム１２８は、ペデスタル１２６を上方の処理位置（図示）との間で動かすリフトシステム１３０に接続される。チャンバ本体１０２とポンピング容積１０８とを貫通して形成されたスリットバルブ１３２を通して処理容積１０６へ及び処理容積１０６から基板を搬送することを容易にする下方位置について、ここで詳細に記載する。上方の処理位置は、チャンバリッド１０４、ペデスタル１２６、ペデスタル１２６のエッジリング１３４、内側ポンピングライナ１２０、及びポンピングリング１１８によって画定される処理領域１１０に対応する。
【００１３】
ポンピング容積１０８は、ポンピング領域１１２とポンピング経路１１４とを含む。ポンピング領域１１２は、ポンピングリング１１８、スペーサリング１３６、内側ポンピングライナ１２０、及びポンピング経路１１４の入口１３８によって画定されるスペースである。ポンピング経路１１４は、ポンピング経路１１４の入口１３８、チャンバ本体１０２に連結された外側ポンピングライナ１４０、底部ヒータ１２４、及び底部ヒータ１２４とチャンバ本体１０２とを貫通して配置された出口によって画定されるスペースである。ポンピング経路１１４の出口１４２は、コンジット１４６を介してポンプ１４４に接続される。ここに記載される他の実施態様と組み合わせることのできる一実装態様では、ポンピングリング１１８、スペーサリング１３６、内側ポンピングライナ１２０、外側ポンピングライナ１４０、底部ポンピングプレート１２２、及び底部ヒータ１２４は、セラミック含有材料を含む。ここに記載される他の実施態様と組み合わせることのできる別の実施態様では、ポンピングリング１１８は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含み、スペーサリングは６０６１アルミニウム合金を含み、内側ポンピングライナ１２０はＡｌ２Ｏ３  及び／又は６０６１アルミニウム合金を含み、外側ポンピングライナ１４０は６０６１アルミニウム合金を含み、底部ポンピングプレート１２２はＡｌ２Ｏ３を含み、底部ヒータ１２４は６０６１アルミニウム合金を含む。ポンピングリング１１８は、ポンプ１４４が、処理領域１１０内部の圧力を制御し、ポンピング領域１１２とポンピング経路１１４とを通して処理領域１１０からガスと副生成物とを排出することを可能にする孔１４８（図１Ｃ及び図２に示す）を含む。ポンピングリング１１８の孔１４８を示すチャンバ１００の断面図である図１Ｃに示すように、孔１４８は、排出ガスと副生成物が処理領域１１０からポンピング領域１１２とポンピング経路１１４とを通って流れることを可能にするポンピングリング１１８を貫通して形成される。ポンピングリング１１８は、チャンバ１００内部での処理を促進するように、処理領域１１０からポンピング容積１０８へのガスの流れを可能にする。一実装態様では、処理領域１１０内部の全体の圧力は、約３トルから約５トルである。しかしながら、他の圧力も考慮される。
【００１４】
チャンバ１００は、一又は複数のガスの流れを処理領域１１０中に送達する、チャンバリッド１０４に連結されたガス分配アセンブリ１１６も含む。ガス分配アセンブリ１１６は、一又は複数のガス源１５２からガスの流れを受け取るチャンバリッド１０４内に形成されたガス入口通路１５４に連結されたガスマニホルド１５０を含む。ガスの流れはガスボックス１５６全体に分配され、バッキング板１６０の複数の孔１５８を通って流れ、バッキング板１６０と面板１６２とによって画定されるプレナム１６８全体にさらに分配され、面板１６２の複数の孔（図示しない）を通って処理領域１１０へと流れる。ＲＦ（高周波）源１６４は、ガス分配アセンブリ１１６に連結される。ＲＦ源１６４は、処理領域１１０内でガスからプラズマの生成を促すガス分配アセンブリ１１６に電力を供給する。ペデスタル１２６は接地されるか、又はペデスタル１２６は電源に接続されるとカソードとして機能し、面板１６２とペデスタル１２６との間に容量性の電界を生成し、プラズマ種を基板に向かって加速させ、アドバンスドパターニングフィルムを堆積させることができる。コントローラ１０１は、チャンバ１００と、チャンバ１００の圧力スキューシステム２００とに連結される。コントローラ１０１は、処理の間にチャンバ１００と圧力スキューシステム２００の態様を制御するように構成される。
【００１５】
ガスの流れは、処理領域１１０内で基板の表面を横切って放射方向に（中心からエッジへ）分配される。ここに記載される他の実施態様と組み合わせることのできる一実装態様では、ガスの流れの大部分が面板１６２を通って処理領域１１０の中心へと流れる。ガスは、面板１６２に沿った地点で、基板へと下降する流れを有し、基板の表面に接触し、そして基板の表面に並行な流れを有する。面板１６２の各地点において、ガスは基板まで鉛直速度を有し、それは基板を横切って放射方向外側に向かう水平速度の水平流に移行する。ポンプ１４４は、ポンピングリング１１８、ポンピング領域１１２、及びポンピング経路１１４を通してガスを排出し、その結果、基板を横切る方向の圧力が中心からエッジへと変化する。面板１６２の各地点において、ガスの鉛直速度は等しくない場合がある。したがって、ガスの水平速度は等しくなく、基板の表面の複数部分におけるガスの滞留時間が不均一となる。不均一な滞留時間は基板全体に不均一なプラズマ分配をもたらす。ガスの不均一な滞留時間とその結果生じる不均一なプラズマ分配は、アドバンスドパターニングフィルムの不均一な堆積を引き起こす。特に、不均一な滞留時間はアドバンスドパターニングフィルムの平面及び残留均一性に影響を与える。したがって、チャンバ１００は、平面及び残留均一性を制御するために、基板を横切る中心からエッジへの圧力の変化を制御する圧力スキューシステム２００を含む。
【００１６】
図２は、処理チャンバ（例えばチャンバ１００）内において中心からエッジへの圧力の変化を制御するための圧力スキューシステム２００の概略上面図である。圧力スキューシステム２００は、少なくとも二のポンピングゾーンを含む。ここに記載される他の実施態様と組み合わせることのできる一実装態様では、圧力スキューシステム２００（図示）は、四のポンピングゾーン２０２ａ−２０２ｄを含む。圧力スキューシステム２００は、アドバンスドパターニングフィルムの平面及び残留均一性をもたらすために必要な数のポンピングゾーンを含む。ポンピングゾーン２０２ａ−２０２ｄの各ポンピングゾーンは、不活性ガス供給２０６に接続されたマニホルド２０４に接続される。ポンピングゾーン２０２ａ−２０２ｄの各ポンピングゾーンは、複数の供給コンジット２０８によってマニホルド２０４に接続される。各供給コンジット２０８は、マニホルド２０４からポンピングゾーン２０２ａ−２０２ｄのうちの一のポンピングゾーンに提供される窒素ガス（Ｎ２）、水素ガス（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、及びヘリウム（Ｈｅ）といった不活性ガスの流量を正確に制御する、質量流量制御（ＭＦＣ）装置といった流量制御装置２１０を有する。図１Ａに示されるように、各供給コンジット２０８は、ポンピング領域１１２に繋がるスペーサリング１３６を貫通するチャネル１６６に接続される。ポンピングゾーン２０２ａ−２０２ｄの各ポンピングゾーンは、ポンピング領域１１２内に配置された壁２１２（図１Ｂに示す）に隣接するポンピング領域１１２のスペースに対応する。
【００１７】
図１Ｂは、中に圧力スキューシステム２００を有するチャンバ１００の別の概略断面図であり、ポンピング領域１１２に配置された壁２１２を示している。ポンピング領域１１２に配置された壁２１２は、ポンピング領域１１２内でポンピングゾーン２０２ａ−２０２ｄの各ポンピングゾーンを画定する。ポンピングゾーン２０２ａ−２０２ｄの各ポンピングゾーンを画定する壁２１２は、壁２１２により遮断されて、ガスが、ポンピングリング１１８の孔１４８を通ってポンピング領域１１２へ流れること及びポンピング経路１１４を通って流れることができないため、各ポンピングゾーン内の圧力を独立して制御することを可能にする。ポンピングゾーン２０２ａ−２０２ｄの各ポンピングゾーンは、処理領域１１０の一のエリア内の圧力の変化を制御し、基板を横切るガスの水平速度に影響を与え、さらには堆積されるアドバンスドパターニングフィルムの平面及び残留均一性を制御することができ、したがって堆積されるアドバンスドパターニングフィルムの全体的な均一性を制御するポンピング領域２１２に提供される不活性ガスの流量を有することができる。
【００１８】
図２に示したように、ポンピングゾーン２０２ａ−２０２ｄの各ポンピングゾーンは、処理領域１１０のエリア２１４ａ−２１４ｄを制御する。エリア２１４ａ−２１４ｄの各エリアは、基板の表面の一領域に対応する。例えば、処理領域１１０のエリア２１４ａを横切るガスの水平速度を低下させ、基板の表面の一領域上でのガスの滞留時間を延ばすために、流量制御装置２１０は、マニホルド２０４からポンピングゾーン２０２ａに提供される不活性ガスの流量を制御する。ポンピングゾーン２０２ａに提供される不活性ガスの流量は、処理領域１１０のエリア２１４ａにおける中心からエッジへの圧力の変化を制御するポンピング領域１１２内の圧力を設定する。ここに記載される他の実施態様と組み合わせることのできる一実装態様では、処理領域１１０のエリア２１４ａ−２１４ｄ内の中心からエッジへの圧力の変化は、処理領域１１０内部の全体の圧力より約１トルから約２トル大きいか又は小さい。ここに記載される他の実施態様と組み合わせることのできる一実装態様では、不活性ガスの流量を増加させることにより、水平速度が低下し、エリア２１４ａ−２１４ｄに対応する基板の表面の領域上での滞留時間が延びる。ここに記載される他の実施態様と組み合わせることのできる一実装態様では、不活性ガスの流量を減少させることにより、水平速度が上昇し、エリア２１４ａ−２１４ｄに対応する基板の表面の領域上での滞留時間が短縮する。ポンピングゾーン２０２ａ−２０２ｄの各ポンピングゾーンに提供される流量は、処理領域１１０の各エリア２１４ａ−２１４ｄ内の中心からエッジへの圧力の変化を制御するために最適化され、堆積されるアドバンスドパターニングフィルムの全体の均一性を改善する。
【００１９】
まとめると、ここには、全体的な均一性が改善されたアドバンスドパターニングフィルム（例えば、炭素含有又はホウ素ドープ炭素ハードマスク）を堆積させるためのＣＶＤチャンバ内での中心からエッジへの圧力の変化を制御するための圧力スキューシステムが記載されている。各ポンピングゾーンが、各ポンピングゾーンに提供される不活性ガスの流量を正確に制御するＭＦＣ装置を有する不活性ガス供給へのマニホルドに接続されている、少なくとも二のポンピングゾーンを有する圧力スキューシステムの利用。各ポンピングゾーンに提供される不活性ガスの流量は、処理領域の一のエリア内の圧力の変化を制御して、基板を横切るガスの水平速度に影響を与え、次に堆積されるアドバンスドパターニングフィルムの平面及び残留均一性を制御し、これにより堆積されるアドバンスドパターニングフィルムの全体の均一性を制御する。
【００２０】
以上の説明は本開示の実施例を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく本開示の他の実施例及びさらなる実施例が考案可能であり、本開示の範囲は特許請求の範囲によって決定される。
【図１Ａ】
2021523556.tif 000003
【図１Ｂ】
2021523556.tif 000004
【図１Ｃ】
2021523556.tif 000005
【図２】
2021523556.tif 000006
【国際調査報告】
2021523556.tif 000007
2021523556.tif 000008