(57)【要約】  パージガス加熱を備えたファクトリインターフェースチャンバパージ装置を含む電子デバイス処理装置である。ファクトリインターフェースチャンバのパージ装置は、パージガスを加熱するように構成された１又は複数の加熱要素を含む。幾つかの実施形態では、加熱されたパージガスをチャンバフィルタアセンブリに提供することにより、ファクトリインターフェースの整備のためにアクセスドアが開かれた後の水分汚染を迅速に低減することができる。さらなる実施形態では、加熱されたパージガスをファクトリインターフェースチャンバに提供することにより、低湿度環境が提供される場合、処理後に特定の化合物が基板から脱離しやすくなる。他の多くの態様と同様に、パージ制御方法及び装置が記載される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファクトリインターフェースパージ装置であって、
パージガスを含むファクトリインターフェースチャンバと、
前記ファクトリインターフェースチャンバ内の前記パージガスを加熱するように構成された１又は複数の加熱部材と
を備える、ファクトリインターフェースパージ装置。
【請求項２】
前記ファクトリインターフェースチャンバに連結され、前記ファクトリインターフェースチャンバを介した基板移送中に前記ファクトリインターフェースチャンバ内の１又は複数の環境条件を制御するために前記パージガスを供給するように構成された環境制御システム
を更に備える、請求項１に記載のファクトリインターフェースパージ装置。
【請求項３】
前記ファクトリインターフェースチャンバに提供される前記パージガスを濾過するように構成されたチャンバフィルタアセンブリを更に備える、請求項１に記載のファクトリインターフェースパージ装置。
【請求項４】
前記１又は複数の加熱部材が、前記チャンバフィルタアセンブリの上流に配置されたプレナムチャンバ内に含まれる、請求項３に記載のファクトリインターフェースパージ装置。
【請求項５】
前記１又は複数の加熱部材が、前記ファクトリインターフェースチャンバに連結されたガス流路に含まれる、請求項３に記載のファクトリインターフェースパージ装置。
【請求項６】
前記１又は複数の加熱部材が、前記チャンバフィルタアセンブリに戻りガス流を提供するように構成された流れ戻り経路に含まれる、請求項３に記載のファクトリインターフェースパージ装置。
【請求項７】
前記パージガスは、不活性ガス又はクリーンドライエアである、請求項１に記載のファクトリインターフェースパージ装置。
【請求項８】
前記パージガスが、アルゴンガス、Ｎ２ガス、ヘリウムガスからなる群から選択されるクリーンドライエア又は不活性ガスを含む、請求項７に記載のファクトリインターフェースパージ装置。
【請求項９】
加熱コントローラに通信可能に連結された温度センサであって、前記加熱コントローラは、
前記温度センサによって提供される信号に応じて駆動電流信号を提供し、前記１又は複数の加熱部材の加熱を引き起こすように構成される、温度センサ、
前記ファクトリインターフェースチャンバ内の相対湿度レベルを感知するように構成された湿度センサ、又は
前記ファクトリインターフェースチャンバ内の酸素レベルを感知するように構成された酸素センサ
のうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載のファクトリインターフェースパージ装置。
【請求項１０】
前記ファクトリインターフェースチャンバ内の１又は複数の環境条件を制御するように構成された環境制御システムを備え、前記１又は複数の環境条件は、
相対湿度レベル、Ｏ２の量、
パージガスの量、又は
前記ファクトリインターフェースチャンバ内の化学汚染物質の量
を含む、請求項１に記載のファクトリインターフェースパージ装置。
【請求項１１】
チャンバフィルタパージ装置であって、
アクセスドアを含むファクトリインターフェースチャンバと、
前記ファクトリインターフェースチャンバ内に提供されるパージガスを濾過するように構成されたチャンバフィルタアセンブリと、
前記チャンバフィルタアセンブリに提供される前記パージガスを加熱するように構成された１又は複数の加熱部材を備えるパージガス加熱装置と
を備える、チャンバフィルタパージ装置。
【請求項１２】
パージ制御方法であって、
職員にファクトリインターフェースチャンバへの整備用アクセスを提供するように構成されたアクセスドアを有する前記ファクトリインターフェースチャンバを提供することと、
前記アクセスドアを閉じることと、
前記ファクトリインターフェースチャンバにパージガスの流れを提供することと、
前記パージガスの加熱を開始することと
を含むパージ制御方法。
【請求項１３】
事前設定された閾値レベルに達したときにパージガスの加熱を停止又は低減することを含み、前記事前設定された閾値レベルは、前記ファクトリインターフェースチャンバ内の事前設定された相対湿度レベル、又は、前記ファクトリインターフェースチャンバ内の前記パージガスの事前設定された温度レベルのうちの少なくとも１つを含む、請求項１２に記載のパージ制御方法。
【請求項１４】
前記パージガスの流れを提供することが、
アクセスドアが閉じた後に、前記ファクトリインターフェースチャンバの大量パージを開始することと、
事前設定された閾値限界に達した後に、前記ファクトリインターフェースチャンバの少量パージに移行することと
を更に含む、請求項１２に記載のパージ制御方法。
【請求項１５】
前記ファクトリインターフェースチャンバが所定の低レベルの相対湿度に達したことを決定すること、又は
前記ファクトリインターフェースチャンバが所定の閾値レベルの温度に達したことを決定すること
のうちの少なくとも１つに応じて、前記ファクトリインターフェースチャンバを介した基板移送を開始すること
を更に含む、請求項１４に記載のパージ制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［０００１］実施形態は、電子デバイスの製造に関し、より具体的には、環境制御を含むファクトリインターフェース装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
［０００２］半導体部品製造における基板の処理は、プロセスツールで実行される。基板は、ツールのファクトリインターフェースにドッキングされ得、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）とも称される基板キャリア（前方開口型統一ポッド又はＦＯＵＰ等）のプロセスツール間を移動する。ファクトリインターフェースは、例えば、ファクトリインターフェースのロードポートにドッキングされたそれぞれのＦＯＵＰと１又は複数のロードロック又はプロセスチャンバとの間で基板を移送するように動作可能なロード／アンロードロボットを含み得るファクトリインターフェースチャンバを含む。幾つかの真空ツールでは、基板は基板キャリアとプロセスチャンバとの間をファクトリインターフェースチャンバを介して直接通過し、他の実施形態では、基板はファクトリインターフェースチャンバを通過し、基板キャリアとロードロックとの間を通過し、次に処理のために処理チャンバに入り得る。
【０００３】
［０００３］最近、半導体処理産業において、パージガス（例えば、不活性ガス）をファクトリインターフェースチャンバ及び／又はウエハＦＯＵＰに供給すること等によって、ファクトリインターフェース内の環境を制御する動きがある。ただし、上記システムでは、特定の性能問題が発生し得る。
【０００４】
［０００４］したがって、改善された処理能力を含むファクトリインターフェース装置及びファクトリインターフェース操作方法が所望される。
【発明の概要】
【０００５】
［０００５］一態様では、ファクトリインターフェースパージ装置が提供される。ファクトリインターフェースパージ装置は、パージガスを含むファクトリインターフェースチャンバと、ファクトリインターフェースチャンバ内のパージガスを加熱するように構成された１又は複数の加熱部材とを含む。
【０００６】
［０００６］別の態様では、チャンバフィルタパージ装置が提供される。チャンバフィルタパージ装置は、アクセスドアを含むファクトリインターフェースチャンバと、ファクトリインターフェースチャンバ内に提供されるパージガスを濾過するように構成されたチャンバフィルタアセンブリと、チャンバフィルタアセンブリに提供されるパージガスを加熱するように構成された１又は複数の加熱要素を備えるパージガス加熱装置とを含む。
【０００７】
［０００７］方法の態様では、パージ制御方法が提供される。パージ制御方法は、職員にファクトリインターフェースチャンバへの整備用アクセスを提供するように構成されたアクセスドアを有するファクトリインターフェースチャンバを提供することと、アクセスドアを閉じることと、ファクトリインターフェースチャンバにパージガスの流れを提供することと、パージガスの加熱を開始することとを含む。本方法は、事前設定された条件に達したときにパージガスの加熱を停止又は低減することを含み得る。
【０００８】
［０００８］本開示のこれら及び他の実施形態に従って、他の多くの態様が提供される。本開示の実施形態の他の特徴及び態様は、以下の詳細な説明、添付の図面、及び特許請求の範囲からより完全に明らかになるであろう。
【０００９】
［０００９］以下に記載する図面は例示のみを目的としており、必ずしも一定の縮尺で描かれているわけではない。図面は、いかなる方法においても本開示の範囲を限定することを意図するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本開示に係るパージガス加熱を備えたファクトリインターフェース装置を含む電子デバイス処理装置を示す概略上面図である。
【図２】本開示に係るパージガス加熱を備えたファクトリインターフェース装置を含む電子デバイス処理装置を示す第１の部分断面側面図である。
【図３】本開示に係るパージガス加熱を備えたファクトリインターフェース装置を含む電子デバイス処理装置を示す別の部分断面側面図である。
【図４Ａ】本開示に係るプレナムチャンバ内のパージガス加熱を含むファクトリインターフェース装置の第１の代替実施形態を含む電子デバイス処理装置を示す部分断面側面図である。
【図４Ｂ】本開示に係る、単独で図示したパージガス加熱装置の一実施形態を示す斜視図である。
【図５Ａ】本開示に係る、戻り流路のパージガス加熱を含むファクトリインターフェース装置の第２の代替実施形態を含む電子デバイス処理装置を示す別の部分断面側面図である。
【図５Ｂ】本開示に係る、戻り流路に設けられたパージガス加熱要素を示す部分斜視図である。
【図６】本開示に係る、フィルタアセンブリを加熱することによるパージガス加熱を備えたファクトリインターフェース装置の第２の代替実施形態を含む電子デバイス処理装置を示す別の部分断面側面図である。
【図７】１又は複数の実施形態に係る、ファクトリインターフェースチャンバのガス加熱方法を示すフロー図である。
【図８】１又は複数の実施形態に係る、ファクトリインターフェースチャンバのパージ制御方法を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［００２０］次に、添付の図面に示す例示的な実施形態を詳細に参照する。幾つかの図面を通して同じ又は同様の部品を参照するため、可能な限り、同じ又は同様の参照番号が図面全体で使用されている。本書の様々な実施形態に示す特徴は、特に明記しない限り、互いに組み合わせ可能である。
【００１２】
［００２１］既存の電子デバイス製造システムで、高い相対湿度レベル、高い酸素（Ｏ２）レベル、及び／又は高レベルの他の化学汚染物質が観測されると、問題が起こり得る。特に、基板を比較的高い湿度レベル、比較的高いＯ２レベル、及び／又は他の化学汚染物質や粒子に暴露すると、基板の特性が悪影響を受ける可能性がある。
【００１３】
［００２２］したがって、特定の電子デバイス処理装置は、ファクトリインターフェースチャンバを通過するときに基板が暴露される特定の環境条件を制御することによって、基板の製造における効率及び／又は処理の改善を提供する。ファクトリインターフェースは、その壁にドッキングされた（例えば、その前壁にドッキングされた）１又は複数の基板キャリアから基板を受け取り、ロード／アンロードロボットは、処理のために基板をファクトリインターフェースの別の壁（例えば、後壁）の別の開口部（例えば、１又は複数のロードロック）等に送達し得る。環境制御を備えた上記ファクトリインターフェースでは、不活性ガス等のパージガスをファクトリインターフェースチャンバに供給して、ファクトリインターフェースチャンバから酸素、水分、及び／又は汚染物質をパージし得る。
【００１４】
［００２３］パージガスをファクトリインターフェースチャンバに供給することで、１又は複数の環境パラメータ（相対湿度、Ｏ２の量、不活性ガスの量、又は化学汚染物質の量等）を監視及び制御することが可能である。ファクトリインターフェースチャンバの環境における上記構成因子の１又は複数に関する特定の前提条件を満たすまで、ファクトリインターフェース壁にドッキングされたそれぞれのＦＯＵＰの開放を遅らせることができる。
【００１５】
［００２４］ただし、相対湿度（ＲＨ）、酸素レベル、及び／又は汚染物質のレベル等の構成因子がファクトリインターフェースチャンバ内で事前に指定された量を下回るように制御されている場合でも、他の問題が発生する可能性がある。例えば、湿度が比較的低い環境のため、基板の表面から特定の汚染物質を脱離させるのが非常に困難であり得る。上記汚染物質は、例えば３００oＣを上回る温度で処理が行われる場合等の処理に起因してそこに存在し得る。
【００１６】
［００２５］例えば、特定のハロゲンガスを処理した結果、基板のシリコンと激しく反応して四ハロゲン化ケイ素が形成され得る。具体的には、シリコンがフッ素（Ｆ２）、塩素（Ｃｌ２）、及び／又は臭素（Ｂｒ２）と反応して、それぞれ四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）、及び／又は四臭化ケイ素（ＳｉＢｒ４）が形成され得る。有機化合物の四臭化ケイ素（ＳｉＢｒ４）は、特にファクトリインターフェースチャンバ内の環境の制御によって提供される湿度レベルが比較的低いため、水蒸気が比較的存在しない場合に脱離が特に困難になり得る。
【００１７】
［００２６］したがって、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）、及び／又は特に四臭化ケイ素（ＳｉＢｒ４）等のハロゲン化合物を基板から適切に脱離させ得るファクトリインターフェース装置及びパージ制御方法は、当技術分野における大幅な進歩と見なされるだろう。
【００１８】
［００２７］更に、ファクトリインターフェースチャンバは、ロードポートドアオープナ、ロード／アンロードロボット、スリットバルブ、他のファクトリインターフェースチャンバ構成要素等の、ファクトリインターフェースチャンバ内の様々な構成要素を整備するために整備職員によってアクセスされ得る。上記整備期間中は、ファクトリインターフェースチャンバへのアクセスドアが開かれ、整備職員が入って整備を実行することが可能になる。上記整備期間中は、パージガスの流れが停止される。
【００１９】
［００２８］その結果、粒子を濾過し、場合によってはパージガスから特定の化学物質を吸収するように構成されたチャンバフィルタアセンブリは、アクセスドアが開いている整備期間中に水分でかなり汚染される可能性がある。これは、工場環境からの周囲空気に水分が含まれ、室温（ＲＴ）における相対湿度が４０％にもなり得るからである。水分で汚染されると、チャンバフィルタアセンブリのパージに長時間、場合によっては２４時間もかかり得る。したがって、ツールは、整備の実行後に長時間オフラインにされ得る。更に、この長時間のパージを達成するために、大量のパージガスが排気され得る。したがって、ファクトリインターフェースチャンバをツールの操作が再開可能な条件にパージするためのコストと時間が過剰なものとなり得る。
【００２０】
［００２９］上記問題の１又は複数を改善するため、特に１）基板からハロゲン含有化合物等の特定の化学的化合物が脱離するのを助ける、及び／又は２）整備によって引き起こされるチャンバフィルタアセンブリの水分汚染をパージする時間を短縮するのを助けるため、パージガス加熱及びパージ制御方法を含むファクトリインターフェースパージ装置が本開示によって提供される。その結果、ダウンタイムとパージコストが大幅に削減され得る、及び／又は基板の品質が向上し得る。
【００２１】
［００３０］例示的なファクトリインターフェースパージ装置、パージガス加熱を含むファクトリインターフェースパージ装置、及びパージ制御方法のさらなる詳細を、本書に示す図１８を参照して説明する。
【００２２】
［００３１］図１〜図３に、本開示の１又は複数の実施形態に係る、ファクトリインターフェースパージ装置１０１を含む電子デバイス処理装置１００の第１の例示的な実施形態の概略図を示す。電子デバイス処理装置１００は、その中に基板２０５（図２）を処理するように構成された処理部分１０２を含み得る。処理部分１０２は、移送チャンバ１０３を画定するハウジング壁を有するメインフレームハウジングを含み得る。移送ロボット１０４（図１に点線の円として示す）は、少なくとも部分的に移送チャンバ１０３内に収容され得る。移送ロボット１０４は、その動作を介してプロセスチャンバ１０６Ａ〜１０６Ｆとの間で基板２０５を配置又は抽出するように構成及び適合され得る。本書で使用する基板２０５は、シリカ含有ディスク又はウエハ、パターニング又はマスクされたウエハ、シリカ含有プレート等のような電子デバイス又は回路構成要素を製造するために使用される物品を意味するものとする。
【００２３】
［００３２］図示した実施形態では、移送ロボット１０４は、例えば、米国特許公開第２０１０／０１７８１４７号に開示されているロボット等、移送チャンバ１０３に連結され、そこからアクセス可能な様々なチャンバ（図示したツインチャンバ等）で処理を行うように適合された任意の適切なタイプのロボットであり得る。他のタイプのロボットが使用可能である。更に、図示したツインチャンバ構成以外のメインフレーム構成が使用可能である。更に、幾つかの実施形態では、基板２０５は、すなわち、移送チャンバ１０３が存在しない場合に、プロセスチャンバに直接配置され得る。
【００２４】
［００３３］移送チャンバ１０３が存在する場合、移送ロボット１０４の様々なアーム構成要素の動きは、ロボットコントローラから（図示せず）命令される、移送ロボット１０４の複数の駆動モータを含む駆動アセンブリ（図示せず）への適切なコマンドによって制御され得る。ロボットコントローラからの信号は、移送ロボット１０４の様々な構成要素の動きを引き起こす。位置エンコーダ等のような様々なセンサによって、適切なフィードバック機構が１又は複数の構成要素に提供され得る。
【００２５】
［００３４］図示した実施形態の移送チャンバ１０３は、形状が概して正方形又はわずかに長方形であり得る。しかしながら、八角形、六角形、七角形、八角形等の他の適切な形状のメインフレームハウジングが使用され得る。更に他の数のファセット及び処理チャンバが可能である。基板２０５の宛先は、そこに送達される基板２０５上で１又は複数のプロセスを実行するように構成及び動作可能であり得る１又は複数のプロセスチャンバ１０６Ａ〜１０６Ｆであり得る。プロセスチャンバ１０６Ａ〜１０６Ｆによって実行されるプロセスは、プラズマ気相堆積（ＰＶＤ）又は化学気相堆積（ＣＶＤ）、エッチング、アニーリング、前洗浄、金属又は金属酸化物の除去等の任意の適切なプロセスであり得る。他のプロセスは、その中の基板２０５上で実行され得る。
【００２６】
［００３５］電子デバイス処理装置１００は、環境制御を含むファクトリインターフェース装置１０８を更に含み得る。ファクトリインターフェース装置１０８は、密閉されたエンクロージャを形成する壁を備えたハウジングを含む。基板２０５は、ファクトリインターフェース装置１０８から移送チャンバ１０３に受け入れられ、また、その処理後に移送チャンバ１０３を出て、ファクトリインターフェース装置１０８に入れられ得る。移送チャンバ１０３への出入りは、開口部を通して、又は真空ツールの場合、ファクトリインターフェース装置１０８の壁（例えば、後壁１０８Ｒ）に連結されたロードロック１１２を通してであり得る。ロードロック１１２は、例えば、１又は複数のロードロックチャンバ（例えば、ロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂ）を含み得る。ロードロック１１２に含まれるロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂは、シングルウエハロードロック（ＳＷＬＬ）チャンバ、又はマルチウエハロードロックチャンバ、あるいはバッチロードロック等、及び場合によってはそれらの組み合わせであり得る。
【００２７】
［００３６］ファクトリインターフェース装置１０８は、任意の適切なエンクロージャであり得、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを形成する壁（後壁１０８Ｒ、後壁１０８Ｒの反対側の前壁１０８Ｆ、２つの側壁、上壁、及び底壁を含み得る）を有し得る。側壁等の１又は複数の壁は、開かれるアクセスドア１２４を含み得、したがって、整備職員が、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内の１又は複数の構成要素が整備（例えば、修理、交換、清掃、較正等）されるときにファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃにアクセスすることが可能になる。
【００２８】
［００３７］１又は複数のロードポート１１５がファクトリインターフェース装置１０８の１又は複数の壁（例えば、前壁１０８Ｆ）に設けられ得、そこで１又は複数の基板キャリア１１６（例えば、前方開口型統一ポッド又はＦＯＵＰ等）を受け入れるように構成及び適合され得る。ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃは、その中に従来の構造のロード／アンロードロボット１１７（図１に点線のボックス１１７として示す）を含み得る。ロード／アンロードロボット１１７は、基板キャリア１１６のキャリアドア２１６Ｄ（図２）が開かれると、１又は複数の基板キャリア１１６から基板２０５を抽出し、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを通して基板２０５を１又は複数の開口部（例えば、１又は複数のロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂ）に供給するように構成され、動作可能であり得る。ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃと１又は複数の処理チャンバ１０６Ａ〜１０６Ｆ（例えば、処理チャンバ１０６Ａ〜１０６Ｆ）との間での基板２０５の移送を可能にする開口部の任意の適切な構造が使用可能である。任意の数の処理チャンバ及びその構成が使用可能である。
【００２９】
［００３８］幾つかの実施形態では、フェイスクランプ２３３（図２において矢印で示す）が２つ以上の場所（例えば、周辺の周り）等で、基板キャリア１１６のフランジと係合するように含まれ得る。フェイスクランプ２３３は、フランジをそのロードポートバックプレート等の前壁１０８Ｆにシールするように動作する。任意の適切なフェイスクランプ機構が使用可能である。
【００３０】
［００３９］幾つかの真空の実施形態では、移送チャンバ１０３は、様々なプロセスチャンバ１０６Ａ〜１０６Ｆへの入口／出口にスリットバルブを含み得る。同様に、ロードロック１１２のロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂは、図２に示すように、内側ロードロックスリットバルブ２２３ｉ及び外側ロードロックスリットバルブ２２３ｏを含み得る。スリットバルブは、基板２０５を様々なプロセスチャンバ１０６Ａ〜１０６Ｆとロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂとの間で配置及び抽出するときに開閉するように適合されている。スリットバルブは、Ｌ運動スリットバルブ等の任意の適切な従来の構造のものであり得る。
【００３１】
［００４０］図示した実施形態では、ファクトリインターフェースパージ装置１０１が提供される。ファクトリインターフェースパージ装置１０１は、そこに環境制御された雰囲気を提供することによって、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内のガス環境の環境制御を提供し得る。環境制御された雰囲気は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを介した基板２０５の移送中及び整備後に提供され得る。特に、ファクトリインターフェースパージ装置１０１は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃに連結され、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内の１又は複数の環境条件を監視及び／又は制御するように動作可能である。
【００３２】
［００４１］幾つかの実施形態では、特定の時間に、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃは、その中にパージガス１０９を受け入れ得る。例えば、パージガス１０９は、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、又はヘリウム（Ｈｅ）等の不活性ガスであり得る。パージガス１０９は、パージガス供給源１１９から供給され得る。パージガス供給源１１９は、パージガス１０９の容器であり得、可変バルブ又はマスフローコントローラ等の１又は複数のバルブ１２２を含む１又は複数の導管等の任意の適切な手段によってファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃに連結され得る。バルブ１２２は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃへのパージガス１０９の流れの変調を可能にする。
【００３３】
［００４２］パージガス供給源１１９から供給されるパージガス１０９は、比較的低い湿度レベルを有し得る。特に、１つの適切な手段によって、パージガス１０９は、室温において１％以下の相対湿度レベルを有し得る。幾つかの実施形態では、別の手段によって、パージガス１０９は、５００ｐｐｍＶ未満のＨ２Ｏ、１００ｐｐｍＶ未満のＨ２Ｏ、又は１０ｐｐｍＶ未満のＨ２Ｏを有し得る。
【００３４】
［００４３］より詳細には、ファクトリインターフェースパージ装置１０１は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内の環境内で以下のうちの少なくとも１つを制御し得る。
１）相対湿度レベル（室温における％ＲＨ）
２）Ｏ２の量
３）不活性ガスの量
４）化学汚染物質の量（例えば、アミン、塩基、ある量の１又は複数の揮発性有機化合物（ＶＯＣ）等）
【００３５】
［００４４］ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃへの、又はファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃからのガス流量、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内のチャンバ圧力、又はその両方等、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃの他の環境条件が監視及び／又は制御され得る。
【００３６】
［００４５］ファクトリインターフェースパージ装置１０１は、１又は複数のセンサ１３０（例えば、相対湿度センサ、酸素センサ、化学成分センサ、圧力センサ、フローセンサ、温度センサ等）から１又は複数の信号入力を受信するように構成及び適合された適切なプロセッサ、メモリ、及び電子周辺部品を含み、コントローラ１２５からの適切な制御信号を介して、１又は複数のバルブ１２２を通るフローパージガス１０９を制御するコントローラ１２５を更に含む。
【００３７】
［００４６］コントローラ１２５は、閉ループ又は他の適切な制御スキームを実行し得る。幾つかの実施形態では、制御スキームにより、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃに導入されるパージガス１０９の流量が変更され得る。例えば、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃに導入されるパージガス１０９の流量は、１又は複数のセンサ１３０からの測定条件に応じたものとなり得る。別の実施形態では、制御スキームにより、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内に存在する１又は複数の測定された環境条件に基づき、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを通して基板２０５をいつ移送するかが決定され得る。
【００３８】
［００４７］以下から明らかなように、本開示の広い態様において、ファクトリインターフェースパージ装置１０１は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃに含まれるパージガス１０９を加熱するように構成された１又は複数の加熱部材１２６を含み得る。更に、ファクトリインターフェースパージ装置１０１は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内のパージガス１０９の温度を測定するように構成された温度センサ１３０を含み得る。図１〜図３に示す実施形態では、温度センサ１３０は、ロード／アンロードロボット１１７の動作面又はその近く等、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内に設けられ得る。しかしながら、温度センサ１３０は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを流れるパージガス１０９の温度に相関する適切な推定値が得られ得る任意の場所に位置し得る。
【００３９】
［００４８］ファクトリインターフェースパージ装置１０１は、パージガス供給源１１９からファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃに提供されるパージガス１０９と、戻り流路２３５を通過する任意の再循環パージガス１０９とを濾過するように構成されたチャンバフィルタアセンブリ１３２を更に備える。チャンバフィルタアセンブリ１３２は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ、又はファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃに連結された戻り流路２３５に設置され得る。図示した実施形態では、チャンバフィルタアセンブリ１３２は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃにプレナムチャンバ２３５を形成するように設置され得る。特に、チャンバフィルタアセンブリ１３２は、任意の適切な構造のものであり得る。例えば、チャンバフィルタアセンブリ１３２は、例えば、粒子フィルタのみ、汚染物質フィルタのみ、又はその両方を含み得る。
【００４０】
［００４９］チャンバフィルタアセンブリ１３２が粒子フィルタを含む場合、フィルタは、パージガス供給源１１９、供給導管、及び／又はバルブ１２２、及び／又は戻り流路２３５に含まれる全ての微粒子がファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを通過する基板２０５に暴露されないように、パージガス１０９の流れから非常に小さな微粒子を濾過するように構成される。チャンバフィルタアセンブリ１３２は、任意の適切な構造のものであり得、例えば、高性能濾過空気（ＨＥＰＡ）タイプのフィルタであり得る。９９．９７％を超える粒径０．３ミクロン以上の粒子を除去できるＨＥＰＡフィルタが使用され得る。ただし、最大９９．９％以上の更に高い粒子濾過機能を有する様々なクラスのＨＥＰＡフィルタが使用可能である。９９．５％を超える粒径の中央値が０．３ミクロン以上の粒子を除去できる、他のタイプの微粒子フィルタが使用可能である。
【００４１】
［００５０］チャンバフィルタアセンブリ１３２が汚染物質フィルタを使用する場合、汚染物質フィルタは、例えば、酸形成凝縮性ガス、フッ素、塩素及び／又は臭素等のハロゲンガス、及び塩基等の特定の化学的化合物汚染物質をパージガス１０９の流れから除去するように構成され得る。
【００４２】
［００５１］１又は複数の加熱部材１２６は、パージガス１０９を直接的又は間接的に加熱するように構成された任意の適切なタイプであり得る。例えば、幾つかの実施形態では、１又は複数の加熱部材１２６は、パージガス１０９が１又は複数の加熱部材１２６のそばを通るとき、上を通過するとき、又は中を通るときにパージガス１０９を加熱し得る。他の実施形態では、１又は複数の加熱部材１２６は、チャンバフィルタアセンブリ１３２等のパージガス１０９と熱接触している別の構成要素を加熱するように構成され得る。
【００４３】
［００５２］図１〜図３に示すように、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内のパージガス１０９を加熱するように構成された１又は複数の加熱部材１２６は、チャンバフィルタアセンブリ１３２の下に図示され、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内に位置する。パージガス１０９は、入口２３４を通ってファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃに流れ込む。次に、パージガス１０９は、チャンバフィルタアセンブリ１３２によって濾過される。チャンバフィルタアセンブリ１３２を通過した後、パージガス１０９は、１又は複数の加熱部材１２６によって加熱され得る。一実施形態では、アクセスドア１２４が開いてチャンバフィルタアセンブリ１３２が湿った工場の空気に暴露される整備後に、アクセスドアが閉じられ、パージガス１０９の初期の流れは非常に大きい。流れは、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを通り、排気２５０を通じて出る。初期目標は、湿った空気を置換し、パージガス１０９と交換することである。この初期のパージは、相対湿度センサ１３０によって感知される相対湿度（ＲＨ）が特定の事前設定されたレベルに達するまで継続され得る。この後、入口２３４を通るパージガスの流量は、初期流量よりも低い流量レベルまで低減され得る。ここで、パージガス１０９の流れは戻り流路３２５を通って提供され得、流れはそこで、流入部２３６を通って入り、戻り流路３２５を通り、流出部２３８からプレナムチャンバ２３５に出る。幾つかの実施形態では、フローバルブ３４０が流路３２５に設けられ得、初期の高流量パージの後等に開かれ得る。
【００４４】
［００５３］初期の高流量パージが完了すると、１又は複数の加熱部材１２６によるパージガス１０９の加熱が開始され得る。加熱の目標は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内を循環するパージガスの温度を、ＲＴより少なくとも１０℃、又は３２℃以上に上げることである。さらなる実施形態では、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内を循環するパージガス１０９の温度を、ＲＴより少なくとも１５℃、又は３７℃以上に上げることが所望され得る。図１〜図３に示す実施形態では、１又は複数の加熱部材１２４は、１又は複数の抵抗電気ヒータであり得る。例えば、１又は複数の抵抗電気ヒータは、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを横切って延在する平行フィラメント等の一連のフィラメントを含み得る。１又は複数の抵抗電気ヒータをパージガス１０９の流れが横切ることによって、パージガス１０９が効果的に加熱される。したがって、パージガス１０９が流路３２５を通って再循環するとき、パージガス１０９は、各循環で加熱され続ける。パージガスの流れを目標温度より上に十分に加熱するには、１０分から１時間以上かかり得る。ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを介した基板２０５の移送の開始は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃにおける所望のガス条件が達成された後に開始され得る。例えば、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃで達成される所望のガス条件は、所定の閾値を上回る温度と組み合わされた所定の閾値を下回る相対湿度のレベルであり得る。例えば、基板２０５の移送は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内の相対湿度のレベルが５％ＲＨ未満であり、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃの温度が３２℃以上となった後に開始され得る。これにより、基板移送に有利な条件が得られ、また、処理後に基板２０５からの四ハロゲン化ハロゲン、特に四ハロゲン化臭素等の特定の科学的化合物の脱離が可能になり得る。
【００４５】
［００５４］温度センサ１３０は、加熱コントローラに通信可能に連結され、パージガス１０９の温度に相関する信号を提供するように構成される。閉ループ制御戦略を使用して、前提条件を満たすまで加熱が引き起こされ得る。
【００４６】
［００５５］オプションとして、１又は複数の加熱部材１２６は他の場所に位置し得る。例えば、図４Ａに示す電子デバイス製造装置４００の代替実施形態では、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃのパージガス１０９を加熱するように構成された１又は複数の加熱部材１２６は、チャンバフィルタアセンブリ１３２から上流に配置されるプレナムチャンバ２３５に含まれ得る。プレナムチャンバ２３５は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃの一部と見なされる。この実施形態では、図４Ｂに示すように、ファクトリインターフェースチャンバパージ装置４０１は、パージガス１０９がチャンバフィルタアセンブリ２３２に入る前に、プレナムチャンバ２３５のパージガス１０９を加熱することによってファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃのパージガス１０９を加熱するように構成された加熱部材４２６を含む。加熱は、加熱要素４２６の複数の抵抗フィラメント４２６Ｆによって達成され得る。したがって、加熱要素４２６は、チャンバフィルタアセンブリ２３２の上流の流路に提供される。加熱要素４２６は、チャンバフィルタアセンブリ２３２を損傷しないように、チャンバフィルタアセンブリ２３２から十分な距離を置いて配置され得る。加熱要素４２６は、例えば、約１０００ワットから３０００ワットの電力を生成し得る。他の適切な電力レベルが使用可能である。
【００４７】
［００５６］電子デバイス製造装置５００の別の実施形態では、ファクトリインターフェースパージ装置５０１の１又は複数の加熱部材５２６は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃに連結されたガス流路３２５に含まれ得る。例えば、一実施形態では、図５Ａ〜図５Ｂに示すように、１又は複数の加熱部材５２６は、パージガス１０９の戻り流（矢印５２７で示す）をチャンバフィルタアセンブリ１３２に提供するように構成された流れ戻り経路３２５に含まれ得る。例えば、平行な抵抗フィラメントを含むもの等の一連の小型抵抗加熱要素５２６Ｒは、戻り流路３２５に沿って段式化され得る。小型抵抗加熱要素５２６Ｒはそれぞれ、例えば、約２００ワットから６００ワットの電力を生成し得る。５つの小型抵抗加熱要素５２６Ｒが図示されている。しかしながら、さらに多い又は少ない数の小型抵抗加熱要素５２６Ｒが使用可能である。
【００４８】
［００５７］別の実施形態では、図６に最もよく示すように、ファクトリインターフェースパージ装置６００が提供される。この実施形態では、１又は複数の加熱部材６２６は、パージガス１０９と熱接触している構成要素を加熱するように構成される。例えば、１又は複数の加熱部材６２６がプレナムチャンバ２３５に常在し得、放射加熱によってチャンバフィルタアセンブリ１３２を加熱し得る。１又は複数の加熱部材６２６は、１又は複数の赤外線加熱要素であり得る。例えば、１又は複数の赤外線加熱要素は、１又は複数の赤外線電球又は管状赤外線ランプであり得、約１．５μｍから約８μｍの範囲の波長の赤外線放射を放出し得る。その場合、１又は複数の加熱部材６２６の総電力出力は、例えば、１０００ワットから３０００ワットであり得る。
【００４９】
［００５８］本書に記載の各ファクトリインターフェースパージ装置１０１、４０１、５０１、及び６０１は、１又は複数の実施形態において、相対湿度センサ１３０でファクトリインターフェースチャンバ１０８ＣのＲＨを感知することによって、相対湿度（ＲＨ）を監視し得る。容量式又は他のセンサ等の、任意の適切なタイプの相対湿度センサが使用可能である。ＲＨセンサ１３０は、例えば、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内に、又は戻り流路３２５を有するもの等の、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃに接続された導管内に位置し得る。
【００５０】
［００５９］コントローラ１２５によりＲＨが監視され得、コントローラ１２５に提供される測定されたＲＨ信号値が所定の低いＲＨ閾値を上回る場合には、ファクトリインターフェース１０８のロードポート１１５に連結された１又は複数の基板キャリア１１６のキャリアドア２１６Ｄは閉まったままとなる。同様に、ロードロック１１２のスリットバルブ２２３ｏは、測定されたＲＨ信号レベルが所定の低いＲＨ閾値を下回るようになるまで、閉じたままであり得る。幾つかの実施形態では、所定の相対湿度レベルは、室温（ＲＴ）で１０％未満、ＲＴで５％未満、ＲＴで２％未満、又はＲＴで１％未満でさえあり得る。
【００５１】
［００６０］所定のレベルを下回るＨ２ＯのｐｐｍＶ等、湿度制御の他の測定値が測定され、所定の低湿度閾値として使用され得る。１又は複数の実施形態では、湿度レベルの所定の低閾値は、幾つかの実施形態では、そこに含まれる１０００ｐｐｍＶ  Ｈ２Ｏ未満、３００ｐｐｍＶ  Ｈ２Ｏ未満、１００ｐｐｍＶ  Ｈ２Ｏ未満、又は５０ｐｐｍＶ  Ｈ２Ｏ未満でさえあり得る。所定の低閾値は、基板２０５上で実行されている特定のプロセスにおいて許容され得る水分レベルに基づき得る。
【００５２】
［００６１］ＲＨレベルは、適切な量のパージガス１０９をパージガス供給源１１９からファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃに流すことによって低減することができる。本書に記載するように、パージガス１０９は、パージガス供給源１１９からの不活性ガスであり得、アルゴン、窒素ガス（Ｎ２）、ヘリウム、又はそれらの混合物であり得る。基板２０５上で実行される特定のプロセスにおいて酸素への曝露が許容される場合、幾つかの実施形態では、クリーンドライエアがパージガス１０９として使用され得る。乾燥窒素ガス（Ｎ２）の供給は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内の環境条件を制御するのに非常に効果的であり得る。（本書に記載するように）低いＨ２Ｏレベルを有する圧縮バルクガスが、パージガス供給源１１９として使用され得る。パージガス供給源１１９から供給されたパージガス１０９は、基板処理中に基板２０５がファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを介して移送されるときに、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを満たし得る。更に、パージガス供給１１９からパージガス１０９が流れている間、加熱部材１２６、４２６、５２６、６２６がパージガス１０９を加熱するために作動され得る。
【００５３】
［００６２］場合によっては、初期パージ中に（すなわち、アクセスドア１２４が閉じた後に）ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃに提供されるパージガス１０９の流量は、コントローラ１２５からの制御信号に応じてパージガス供給源１１９に連結されたバルブ１２２を調整することによって提供され得る。これらの初期パージ段階の間に、５００ｓｌｍから７５０ｓｌｍの範囲のパージガス１０９の流量が提供され得る。初期パージ段階の間、加熱要素１２６、４２６、５２６、６２６は作動されない場合がある。流量は、供給ライン上の適切なフローセンサ（図示せず）によって監視され得る。
【００５４】
［００６３］ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃへのパージガス（例えば、Ｎ２又は他のパージガス）の流れは、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内の相対湿度（ＲＨ）レベルを第１の所定の閾値レベル未満に低減するように操作可能であり得る。第１の所定の閾値が満たされると、１又は複数の加熱部材１２６、４２６、５２６、６２６にスイッチが入り、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃのパージガス１０９が加熱され得る。１又は複数の加熱部材１２６、４２６、５２６、６２６による加熱は、第１の所定の閾値よりも低い第２の相対湿度閾値に達するまで継続され得る。オプションとして、１又は複数の加熱部材１２６、４２６、５２６、６２６は、目標温度閾値に達するまで作動され得る。例えば、目標閾値温度は、室温（ＲＴ）より１０oＣ高い、室温（ＲＴ）より１５oＣ高い、又は室温（ＲＴ）より２０oＣ高い、又はそれ以上であり得る。
【００５５】
［００６４］１又は複数の実施形態では、１又は複数のセンサ１３０は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内のパージガス１０９の温度を感知するように構成及び適合された温度センサを含む。幾つかの実施形態では、温度センサ１３０は、ロード／アンロードロボット１１７上の基板２０５がファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを通過するときに、基板２０５の経路に近接して配置され得る。幾つかの実施形態では、温度センサ１３０は、熱電対又はサーミスタであり得る。他の適切なタイプの温度センサが使用され得る。
【００５６】
［００６５］パージガス１０９を加熱することで、チャンバフィルタアセンブリ１３２の整備に起因する水分汚染が確実にそこから迅速に除去されやすくなり、その結果、整備期間が完了した後の基板２０５の処理を再び開始することが可能になる。したがって、整備期間の後に基板２０５の処理を再開するまでの時間が劇的に短縮され得る。例えば、アクセスドア１２４の閉鎖から基板２０５の処理までの時間は、例えば、１０時間未満、５時間未満、又は更には３時間未満であり得る。
【００５７】
［００６６］更に、基板２０５の処理が再び開始されると、パージガス１０９の加熱は、基板２０５に吸収された化学的化合物を低湿度環境でより迅速に脱離させるというさらなる効果を有する。したがって、ロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂを出て、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを通過する基板２０５は、適切に低い湿度環境だけでなく、四ハロゲン化ケイ素、特に四ハロゲン化臭素等の特定の化学的化合物が脱離するのを助ける加熱環境に暴露される。
【００５８】
［００６７］基板処理に低酸素（Ｏ２）レベルが所望される幾つかの実施形態では、例えば、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃで測定された酸素（Ｏ２）レベルが所定の酸素閾値レベルを下回る場合、環境前提条件が満たされ得る。酸素（Ｏ２）レベルは、酸素センサ等の１又は複数のセンサ１３０によって感知され得る。測定された酸素（Ｏ２）レベルが所定の酸素閾値レベルを下回る場合（例えば、５０ｐｐｍ  Ｏ２未満、１０ｐｐｍ  Ｏ２未満、５ｐｐｍ  Ｏ２未満、又は３ｐｐｍ  Ｏ２未満、あるいはそれ以下）、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを介して基板２０５の交換が行われ得る。行われる処理に応じて、他の適切な酸素レベルの閾値が使用可能である。前と同様に、初期Ｏ２閾値を満たすと、初期の整備後パージが達成された後に、加熱要素１２６、５２６、５２６、６２６は、Ｏ２レベル、及び／又はＲＨレベル及び／又はパージガス１０９の温度等の追加の閾値を達成するように作動され得る。ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内の所定の酸素閾値レベルが満たされない場合、コントローラ１２５は、パージガス供給源１１９に連結されたバルブ１２２への制御信号を開始し、Ｏ２センサ１３０から信号を受信するコントローラ１２５によって決定される所定の低酸素閾値レベルを満たすまで、パージガス１０９をファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃに流す。
【００５９】
［００６８］所定の低酸素閾値レベルが満たされ、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃのパージガス１０９のＲＨ又は温度の第２の閾値に達すると、キャリアドア２１６Ｄ及び／又は１又は複数のロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂのロードロックスリットバルブ２２３０  が開かれ得る。これにより、ロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂを出て、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃを通過する基板２０５が、比較的低い酸素レベルだけでなく、処理後の基板２０５から特定の化学的化合物を脱離させやすくし得る適切に加熱された環境に確実に暴露されるようになる。
【００６０】
［００６９］本書に記載の図示した実施形態では、ファクトリインターフェースチャンバパージ装置１０１、４０１、５０１、６０１に加えて、電子デバイス処理装置１００、４００、５００、６００は、キャリアパージ装置１３６を更に含み得る。キャリアパージ装置１３６は、キャリア１１６に連結されたパージガス供給源（例えば、パージガス供給源１１９）を含む。特に、パージガス１０９は、導管１４６と、パージガス供給源１１９からのパージガス１０９の流れを制御するように構成及び適合された１又は複数のバルブ１２２を介して提供され得る。キャリアドア２１６Ｄが開く前に、キャリア１１６の内部２４７（図２）をパージするために、パージガス１０９が提供され得る。キャリアドア２１６Ｄは、ＲＨ閾値及び温度閾値が満たされたとき等、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ内で環境条件が満たされたときに開かれ得る。
【００６１】
［００７０］幾つかの実施形態では、ファクトリインターフェースチャンバパージ装置１０１、４０１、５０１、６０１は、アクセスドア１２４が開いているときに、クリーンドライエアを含むパージガスをチャンバフィルタアセンブリ１３２に供給するように構成され得る。クリーンドライエアを含むパージガスの流れは、アクセスドア１２４が開く直前に開始され、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃからすべての不活性ガスを流出させて、アクセスドアが開いたときに整備職員が入るのに適した呼吸可能な空気環境が提供され得る。クリーンドライエアの流れは、アクセスドア１２４が開いている間ずっと流れ続け得る。アクセスドア１２４が開いているときに、クリーンドライエアを含むパージガスをチャンバフィルタ１３２を通して流すことにより、ファクトリインターフェース１０８の外側の工場環境からアクセスドア１２４を通してファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃに入る周囲空気に含まれる湿度（水分）によるチャンバフィルタ１３２の汚染が最小限に抑えられ得る。
【００６２】
［００７１］整備後にアクセスドア１２４が閉じると、本開示のパージ制御方法７００が実施され得る。図７に最もよく示すように、方法７００は、７０２において、ファクトリインターフェースチャンバ（例えば、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ）を提供することと、７０４において、ファクトリインターフェースチャンバにパージガス（例えば、パージガス１０９）を提供することとを含む。パージガス１０９の流れは、任意の適切なパージガス供給源１１９からのものであり得る。ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃのパージガス１０９の適切な閾値レベル、例えば第１の低ＲＨ閾値に達すると、次に、７０６において、パージガス１０９の加熱が開始され得る。加熱は、第１の閾値又は温度閾値、あるいはその両方を下回る第２の低ＲＨレベル閾値等の第２の閾値に達するまで継続され得る。幾つかの実施形態では、加熱のレベルは継続的であり得るが、適切な閾値を満たすと、より低い電力レベルとなる。
【００６３】
［００７２］別の実施形態によれば、整備期間が完了した後に使用されるように適合されたパージ制御方法８００を説明する。パージ制御方法８００は、８０２において、ファクトリインターフェースチャンバ（例えば、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃ）へのアクセスドア（例えば、アクセスドア１２４）を閉じることを含む。８０４において、方法８００は、ファクトリインターフェースチャンバにパージガス流を提供することを含む。８０４におけるパージガス流の供給は、パージガスがＮ２等の不活性ガスである場合、アクセスドア１２４の閉鎖後に開始され得る。オプションとして、パージガスの供給は、ドア１２４が開く前に、また、アクセスドア１２４が開いている整備期間中、パージガス１０９がクリーンドライエアであるときに継続的に行われ得る。
【００６４】
［００７３］方法８００は、８０６において、パージガスの加熱を開始することを更に含む。パージガスの加熱は、初期の高流量パージが完了した後に開始され得る。加熱要素１２６、４２６、５２６、６２６がパージガス１０９を加熱するために電力を供給される時点は、例えば、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃにおいて第１の低ＲＨレベル閾値に到達したときであり得る。
【００６５】
［００７４］方法８００は、８０８において、パージガス１０９の所望の閾値レベルに達したときにパージガスの加熱を停止することを更にオプションとして含み得る。例えば、所望の閾値レベルは、第２の低ＲＨレベル又はパージガス１０９の温度、あるいはその両方であり得る。オプションとして、８１０において、パージ加熱を停止する代わりに、パージガス１０９の所望の閾値レベル（例えば、ＲＨレベル、温度、又はその両方）に達したときに、パージ加熱のレベルを低減することができる。
【００６６】
［００７５］前述から明らかなように、本書に記載のファクトリインターフェースチャンバパージ装置１０１、４０１、５０１、６０１の使用は、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃの環境を制御して特定の環境条件を満たすように動作可能であり得るが、適切なパージガスの加熱を提供することでチャンバフィルタ１３２の全ての水分汚染が最小化される及び／又は容易に除去されるようにすることによって、整備期間後のもっと迅速な基板２０５の処理の再開も可能になり得る。
【００６７】
［００７６］したがって、ファクトリインターフェースチャンバ１０８Ｃの構成要素の整備後、基板２０５の処理を再開する時間は、アクセスドア１２４が閉じてから約１０時間未満、約５時間未満、４時間未満、２時間未満、又は約１時間未満等、かなり短縮され得る。
【００６８】
［００７７］前述の説明は、本開示の例示的な実施形態のみを開示するものである。本開示の範囲内に含まれる上記に開示された装置及び方法の変更は、当業者には容易に明らかであろう。したがって、特許請求の範囲によって定義されるように、他の実施形態が本開示の範囲内に含まれ得ることを理解されたい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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