(57)【要約】  フォトレジスト組成物、フォトレジスト組成物の製造方法、及びフォトレジスト組成物の使用方法が提供される。一実施態様では、フォトレジスト組成物が、ノボラック(ノボラック)樹脂、ジアゾナフトキノン(DNQ)溶解抑制剤、ビス(アジド)クロスリンカー、及びキャスティング溶剤を含む。一実施態様では、ビス(アジド)クロスリンカーは、３２５ナノメートルと４００ナノメートルの間の範囲内の波長で吸収する。少なくとも１つの実施態様では、ビス(アジド)クロスリンカーが、芳香族ビス(アジド)クロスリンカーである。【選択図】図１Ｃ
2021530732.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノボラック樹脂と、
ジアゾナフトキノン(DNQ)溶解抑制剤と、
ビス(アジド)クロスリンカーと、
キャスティング溶剤とを含む、フォトレジスト組成物。
【請求項２】
前記ビス(アジド)クロスリンカーが、３２５ナノメートルと４００ナノメートルの間の範囲内の波長で吸収する、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３】
前記ビス(アジド)クロスリンカーが、芳香族ビ(アジド)クロスリンカーである、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４】
前記芳香族ビ(アジド)クロスリンカーが、p-フェニレンビスアジド、4,4'-ジアジドビフェニル、4,4'-ジアジド-3,3'-ジメチルビフェニル、4,4'-ジアジドビフェニルメタン、3,3'-ジクロロ-4,4'-ジアジドビフェニルメタン、4,4'-ジアジドビフェニルエーテル、4,4'-ジアジドビフェニルスルフィド、4,4'-ジアジドビフェニルジスルフィド、4,4'-ジアジドビフェニルスルホン、3,3'-ジジドビフェニルスルホン、4,4'-ジアジドベンゾフェノン、4,4'-ジアジドベンジル、4,4'-ジアジドスチルベン、4,4'-ジアジドカルコン、2,6-ビス（4-アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、2,6-ビス（4-アジドベンジリデン）-4-メチルシクロヘキサノン、2,7-ジアジドフルオレン、又はこれらの組み合わせから選択される、請求項３に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５】
前記キャスティング溶剤が、シクロヘキサノン、アセトン、乳酸エチル、NMP(1-メチル-2-ピロリジノン)、ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグリム)、ヘプタノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールメチルエーテル(PGME)、又はこれらの組み合わせから選択される、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項６】
クリセン、ピレン、フルオランテン、アントロン、ベンゾフェノン、チオキサントン、アントラセン、又はこれらの組み合わせから選択される増感剤を更に含む、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項７】
フォトレジスト組成物を調製する方法であって、
フェノールノボラック樹脂及びジアゾナフトキノン(DNQ)型溶解抑制剤を含む第１の割合のポジティブトーン成分を提供することと、
ビス(アジド)クロスリンカーを含む第２の割合のネガティブトーン成分を提供することと、
前記ポジティブトーン成分と前記ネガティブトーン成分を、単一露光に共に反応させるのに有効な量の混合物内の前記第１の割合と前記第２の割合で組み合わせることとを含み、それによって、
前記単一露光の第１の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの第１の部分が光活性のままであり、
前記単一露光の第２の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの第２の部分が実質的に光不活性になり、
前記第１の化学線エネルギーレベルと前記第２の化学線エネルギーレベルの中間範囲の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの第３の部分がデベロッパ液に可溶になる、方法。
【請求項８】
前記第１の化学線エネルギーレベルが、前記第２の化学線エネルギーレベルより低い、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の化学線エネルギーレベルが、前記第１の化学線エネルギーレベルより低い、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記単一露光の前記第１の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの前記第１の部分が、更に、デベロッパに不溶性のままである、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記単一露光の前記第２の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの前記第２の部分が、更に、デベロッパに不溶性になる、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の化学線エネルギーレベルと前記第２の化学線エネルギーレベルの中間範囲の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの前記第３の部分が、更に、光活性のままである、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の化学線エネルギーレベルの露光が、近似的にゼロ露光を含み、前記第２の化学線エネルギーレベルの露光が、完全露光を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記ビス(アジド)クロスリンカーが、３２５ナノメートルと４００ナノメートルの間の範囲内の波長で吸収する、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
前記ビス(アジド)クロスリンカーが、芳香族ビ(アジド)クロスリンカーである、請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001] 本明細書で説明される態様は、広くは、フォトレジスト組成物に関する。特に、フォトレジスト組成物、フォトレジスト組成物の製造方法、及びフォトレジスト組成物の使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002] 大面積基板は、多くの場合、電子デバイスにおいて使用される電気的フィーチャ（特徴）を支持するために利用される。一部の事例においては、大面積基板が、コンピュータ、タッチパネルデバイス、携帯情報端末（PDA）、携帯電話、テレビのモニタなどといった、アクティブマトリクスディスプレイ用の平面パネルの製造時に使用される。一般的に、平面パネルは、２枚のプレートの間に挟まれた、ピクセルを形成する液晶材料の層を備え得る。使用中に電源からの電力が液晶材料全体に印加されると、液晶材料を通過する光の量がピクセル位置において正確に制御され、画像の生成が可能になり得る。
【０００３】
[0003] 一部の事例においては、ピクセルを形成する液晶材料層の部分として組み込まれた電気的フィーチャを生成するために、マイクロリソグラフィ技法が用いられる。この技法により、トラックシステム（track system）とコーターシステム（coater system）の何れかを用いて放射感応フォトレジスト（radiation-sensitive photoresist）を塗布し、基板表面上に層を形成して、基板の少なくとも一方の表面上に、典型的には１ミリメートル未満の厚さのフォトレジストを生成する。一般的に、これらの技法では、先ず、フォトレジスト組成物の膜の薄いコーティングが、下にある基板材料に塗布される。次いで、コーティングされた基板をベーク（bake）して、フォトレジスト組成物内の溶剤を蒸発させ、放射感応フォトレジストコーティングを基板上に定着させる。次に、基板のベークされたコート面（coated surface）に、像様露光（imagewise exposure）を照射する。
【０００４】
[0004] この放射露光（radiation exposure）は、コーティングされた表面の露光されたエリアにおいて化学的変化を引き起こす。この像様露光の後に、コーティングされた基板は、基板のコーティングされた表面の放射露光された（ポジ型フォトレジストの場合）エリア又は露光されていない（ネガ型フォトレジストの場合）エリアの何れかを溶解し、除去するために、デベロッパ液（developer solution）で処理される。
【０００５】
[0005] 一般的に使用されているフォトレジストには、ポジ型フォトレジスト（positive photoresist）とネガ型フォトレジスト（negative photoresist）の２つの種類がある。ポジ型フォトレジストは、紫外線光に露光されると、露光されたエリアがデベロッパ液に溶解して未露光エリアを残すように増感（sensitize）される。ネガ型フォトレジストは、紫外線光に露光されると硬化するため、露光エリアはデベロッパ液で溶解しないが、未露光エリアは溶解する。
【０００６】
[0006] より安価で大型且つ高性能な電子デバイスに対する需要は増大し続けている。このような電子デバイスに対する需要を満たすために、より小型且つより均一なフィーチャを有する大型基板が求められている。しかし現行の手法では、費用も時間もかかる可能性がある。したがって、大型基板上により小型且つより均一なパターンをより正確に生成するために、新たな手法が必要である。したがって、改善されたフォトレジスト組成物及びフォトレジストを使用する方法が必要とされている。
【発明の概要】
【０００７】
[0007] 本明細書で説明される態様は、広くは、フォトレジスト組成物に関する。特に、フォトレジスト組成物、フォトレジスト組成物の製造方法、及びフォトレジスト組成物の使用方法に関する。少なくとも１つの態様では、フォトレジスト組成物が提供される。フォトレジスト組成物は、ノボラック(ノボラック)樹脂、ジアゾナフトキノン(DNQ)溶解抑制剤、ビス(アジド)クロスリンカー、及びキャスティング溶剤を含む。一実施態様では、ビス(アジド)クロスリンカーが、３２５ナノメートルと４００ナノメートルの間の範囲内の波長で吸収する。少なくとも１つの態様では、ビス(アジド)クロスリンカーが、芳香族ビス(アジド)クロスリンカーである。
【０００８】
[0008] 少なくとも１つの態様では、フォトレジスト組成物の調製法が提供される。該方法は、第１の割合のポジティブトーン成分を提供することを含む。ポジティブトーン成分は、ノボラック樹脂とジアゾナフトキノン(DNQ)型溶解抑制剤を含む。該方法は、第２の割合のネガティブトーン成分を提供することを含む。ネガティブトーン成分は、ビス(アジド)クロスリンカーを含む。該方法は、ポジティブトーン成分とネガティブトーン成分を、単一露光に共に反応させるのに有効な量の混合物内の第１の割合と第２の割合で組み合わせることを含み、それによって、単一露光の第１の化学線（actinic）エネルギーレベルに露光されたフォトレジストの第１の部分が光活性のままであり、単一露光の第２の化学線エネルギーレベルに露光されたフォトレジストの第２の部分が実質的に光不活性になり、第１のエネルギーレベルと第２のエネルギーレベルの中間範囲の化学線エネルギーレベルに露光されたフォトレジストの第３の部分がデベロッパ液に可溶になる。
【０００９】
[0009] 少なくとも１つの態様では、基板上に像を生成するためのプロセスが提供される。このプロセスは、基板を組成物でコーティングすることを含む。この組成物は、ノボラック樹脂、ジアゾナフトキノン(DNQ)溶解抑制剤、ビス(アジド)クロスリンカー、及びキャスティング溶剤を含む。このプロセスは、マスクを通して紫外線放射で像様露光することを更に含む。該方法は、露光されたフォトレジスト組成物をデベロッパで現像することを更に含む。
【００１０】
[0010] 本開示の上述の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明は、実施態様を参照することによって、得ることができる。そのうちの幾つかの実施態様は、添付の図面で例示されている。しかしながら、本開示は、他の同等に効果的な実施態様も許容し得るため、添付の図面は、本開示の典型的な実施態様のみを示しており、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】[0011] 図１Ａ〜図１Ｇは、本明細書で説明される実施態様による、製造の様々な段階における構造の断面図を示す。
【図１Ｂ】図１Ａ〜図１Ｇは、本明細書で説明される実施態様による、製造の様々な段階における構造の断面図を示す。
【図１Ｃ】図１Ａ〜図１Ｇは、本明細書で説明される実施態様による、製造の様々な段階における構造の断面図を示す。
【図１Ｄ】図１Ａ〜図１Ｇは、本明細書で説明される実施態様による、製造の様々な段階における構造の断面図を示す。
【図１Ｅ】図１Ａ〜図１Ｇは、本明細書で説明される実施態様による、製造の様々な段階における構造の断面図を示す。
【図１Ｆ】図１Ａ〜図１Ｇは、本明細書で説明される実施態様による、製造の様々な段階における構造の断面図を示す。
【図１Ｇ】図１Ａ〜図１Ｇは、本明細書で説明される実施態様による、製造の様々な段階における構造の断面図を示す。
【図２】[0012] 図２は、本明細書で説明される実施態様による、フォトマスク材料を用いて構造を形成する一方法の実施態様を要約したプロセスフローチャートを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[0013] 理解を容易にするために、可能な場合には、図面に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号が使用された。ある実施態様の要素及び特徴は、特に記載がなくとも、他の実施態様に有利に組み込み可能なことが意図されている。
【００１３】
[0014] 以下、フォトレジスト組成物、及び、前述のフォトレジスト組成物を用いたフォトリソグラフィ／マイクロリソグラフィ技法について説明する。本開示の様々な実施態様を完全に理解させるため、特定の詳細が以下の明細書の記載及び図１Ａ〜図２で説明される。様々な実施態様の説明を不必要に不明確化するのを避けるため、マイクロリソグラフィにしばしば関連付けられる周知の構造及びシステムを説明する他の詳細は、以下の開示では明記しない。
【００１４】
[0015] 図面に示す詳細例、寸法、角度、及びその他の特徴の多くは、特定の実施態様の例示に過ぎない。したがって、他の態様は、本開示の主旨及び範囲から逸脱することなく、他の詳細、構成要素、寸法、角度、及び特徴を有することが可能である。加えて、本開示の更なる態様は、以下で説明される詳細のうちの幾つかがなくても、実施することが可能である。
【００１５】
[0016] 大面積基板では、現行の最先端フォトレジストが、単一トーンのノボラック‐DNQベースのレジストである。しかし、この現行の最先端レジストは、産業界で現在目標とされている５０ナノメートルのライン／スペースパターンを達成することができない。現行の最先端の半導体レジストは、５０ナノメートルのライン／スペースパターンを達成できる。しかし、これらの半導体レジストは、より低い波長光源、ならびに露光後ベーク（Post Exposure Bake：PEB）プロセスを必要とする。より低い波長光源とPEBプロセスは、どちらも高価であり、大面積基板には実用的ではない。大面積基板は、しばしばガラス基板であり、これらの大面積ガラス基板を、しばしばPEBプロセスの一部であるアニール温度に曝すことは望ましくない。
【００１６】
[0017] 本開示の態様は、露光に対してポジティブトーン及びネガティブトーンの両方の反応を同時に有するフォトレジスト材料を提供する。ポジティブトーン反応は、より低い露光量で優勢であり、一方、ネガティブ反応は、より高い露光量で優勢である。このレジストの露光により、スペース／ライン／スペースの組み合わせが生成されるが、一方で、従来のレジストは単一のフィーチャしか生成しない。本明細書で説明されるフォトレジスト材料は、従来のレジストでは達成できない５０ナノメートルのライン／スペースパターンを可能にする。更に、本明細書で説明されるフォトレジスト材料は、PEBプロセスを含まない。
【００１７】
[0018] 本開示の頻度倍増（frequency doubling）フォトレジスト材料では、ポジティブトーン反応が、レチクル像（reticle image）の縁部付近のエリアのように、回折効果が露光強度を低減させたエリアにおける溶解度の増大を引き起こす。露光量が増加するにつれて、ネガティブトーン反応が支配的になり、より高度に露光されたエリアにおける溶解度の低下を引き起こす。このようにして、像が「頻度倍増」されて、普通であれば従来のフォトレジストで得られるであろう数より二倍の数のフィーチャを生成する。
【００１８】
[0019] 頻度倍増フォトレジスト材料は、典型的には、既存のポジティブトーンレジスト及びネガティブトーンレジストの一部の成分を用いて配合される。これには、例えば、ノボラック樹脂、DNQ型抑制剤、ビス(アジド)クロスリンカー、キャスティング溶剤、並びに任意選択的に塩基添加物（base additive）及び光増感剤（photosensitizer）が含まれる。
【００１９】
[0020] 本明細書で説明される頻度倍増フォトレジスト材料のポジティブトーン機能及びネガティブトーン機能の相対的な反応は、露光状態を修正することによって変更することもできる。例えば、ハイブリッドレジストのネガティブトーンラインは、従来のレジストの挙動と同様に、露光量及びレチクル寸法によって変化する。したがって、露光量が増加するにつれて、例えば、ネガティブトーンラインの幅が増加し、スペースは同じサイズのままであるが、スペースはネガティブラインに近接しているので、スペースは基板上の新しい位置にシフトされる。同様に、ポジティブトーンラインは、露光量又はレチクル寸法が変化するにつれてサイズが変化する。
【００２０】
[0021] 別の一実施例として、２つのレチクルを使用して、レジスト内に２つの別個のパターンを印刷（print）することができる。１つのレチクルを高い量で露光することができ、これにより、ハイブリッド機能を、頻度倍増フォトレジスト材料で表現することができる。別のレチクルは、同じレジスト膜内でより低い量で露光され、ポジティブトーン機能のみが、フォトレジスト材料のその一部分で表現されるようにすることができる。この作用は、例えば、レチクルが、より低い露光量が目標とされたエリア内の化学線放射の部分フィルタを含んでいた場合、単一露光プロセスで達成することもできる。これは、より狭いフィーチャと同時により広いスペースを印刷することを可能にし、これは、幾つかのデバイス用途において望ましい。
【００２１】
[0022] この二相撮像手法の一変形例では、本明細書で説明される頻度倍増フォトレジスト材料を使用して、標準的なネガティブトーンパターンを生成することができる。フォトレジスト材料を標準的なネガティブトーンレチクルで像様露光し、次いで化学線放射でブランケット露光し、現像すると、結果は標準ネガティブトーン像となる。この方法の代わりとして、レジストは、像様露光後に低い量の化学線エネルギーにブランケット露光されてもよい。この方法の望ましさは、溶解抑制保護基（solubility inhibiting protective group）が樹脂上に存在するかどうか、及びポジティブトーン反応が温度依存性であるかどうかに依存する。
【００２２】
[0023] 少なくとも１つの態様では、本明細書で説明される頻度倍増フォトレジスト材料が、露光後ベーク（PEB）プロセスを含まないポジ型非化学的増幅型フォトレジストと、例えば３２５から４００ナノメートルの範囲内の波長を有する光に露光されたときにネガティブ像を生成するポジ型非化学的増幅型レジストの成分にクロスリンクすることができるビス(アジド)化合物とを含む配合物から生成される。
【００２３】
[0024] 少なくとも１つの態様では、本明細書で説明される頻度倍増フォトレジスト材料が、第１の割合のポジティブトーン成分を提供し、第２の割合のネガティブトーン成分を提供することによって生成される。ポジティブトーン成分は、ノボラック樹脂及びジアゾナフトキノン(DNQ)型溶解抑制剤を含む。ネガティブトーン成分は、ビス(アジド)クロスリンカーを含む。ポジティブトーン成分とネガティブトーン成分が、単一露光に共に反応するのに有効な量の混合物内の第１の割合と第２の割合で組み合わされ、それによって、単一露光の第１の化学線エネルギーレベルに露光されたフォトレジストの第１の部分が光活性のままであり、単一露光の第２の化学線エネルギーレベルに露光されたフォトレジストの第２の部分が実質的に光不活性になり、第１のエネルギーレベルと第２のエネルギーレベルの中間範囲の化学線エネルギーレベルに露光されたフォトレジストの第３の部分がデベロッパ液に可溶になる。
【００２４】
[0025] 少なくとも１つの態様では、本明細書で説明される頻度倍増フォトレジスト層の調製のための反応系が提供される。この反応系は、(a)ノボラック樹脂、(b)DNQ型溶解抑制剤、(c)ビス(アジド)クロスリンカー、及び(d)キャスティング溶剤を含む。少なくとも１つの態様では、反応系が、(e)塩基添加物を更に含む。少なくとも１つの態様では、反応系が、(f)増感剤を更に含む。
【００２５】
[0026] 成分(a)は、ノボラック樹脂などのフェノール−ホルムアルデヒド樹脂を含む。少なくとも１つの態様では、ノボラックベースの樹脂が、フェノールベース及びアルデヒドベースの化合物の重縮合（polycondensation）によって調製される。フェノールベースの化合物としては、フェノール、m−クレゾール、p−クレゾールなどの群から選択された少なくとも１つを用いることができる。アルデヒドベースの化合物としては、ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒドなどを用いることができる。フェノールベース及びアルデヒドベースの化合物の凝縮反応は、一般的な酸性触媒を使用することができる。少なくとも１つの態様では、ノボラック樹脂が、約1,000から約30,000の平均分子量を有する。
【００２６】
[0027] 少なくとも１つの態様では、ノボラック樹脂が、フォトレジストの当業者に周知であるように、フェノール又は置換フェノール（若しくはそれらの組み合わせ）と、アルデヒド又はケトン（若しくはそれらの組み合わせ）との付加凝縮反応（addition-condensation reaction）を、酸又は二価金属塩触媒の存在下で、適切な反応溶剤中で行うことによって調製される。適切なフェノールには、フェノールの当業者に周知であるように、フェノール、クロロフェノール、フルオロフェノール、m-クレゾール、o-クレゾール、p-クレゾール、m-エチルフェノール、o-エチルフェノール、p-エチルフェノール、m-ブチルフェノール、o-ブチルフェノール、p-ブチルフェノール、トリメチルシリルフェノール、クロロメチルフェノール、2,3-キシレノール、2,4-キシレノール、2,5-キシレノール、2,6-キシレノール、3,4-キシレノール、3,5-キシレノール、3,6-キシレノール、o-フェニルフェノール、m-フェニルフェノール、p-フェニルフェノール、2,3,5-トリメチルフェノール、2,3,5-トリエチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノール、4-tert-ブチルフェノール、3-tert-ブチルフェノール、2-tert-ブチルフェノール、2-tert-ブチル-4-メチルフェノール、2-tert-ブチル-5-メチルフェノール、及び他のアルキル置換フェノール、p-メトキシフェノール、m-メトキシフェノール、o-メトキシフェノール、p-エトキシフェノール、m-エトキシフェノール、o-エトキシフェノール、o-プロポキシフェノール、p-プロポキシフェノール、プロポキシフェノール、及び他のアルコキシ置換フェノール、o-イソプロペニルフェノール、p-イソプロペニルフェノール、2-メチル-4-イソプロペニルフェノール、2-エチル-4-イソプロペニルフェノール、及び他のイソプロペニル置換フェノール、2-フェニルフェノール、及び他のアリール置換フェノール;4,4'-ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールA、ヒドロキノン、レゾルシノール、2-メチルレゾルシノール、5-メチルレゾルシノール、ピロガロール、カテコール、及び他のポリヒドロキシフェノールが含まれるが、それらに限定されるものではない。これらのフェノールは、目標とする溶解速度に応じて、単独で、又は２種以上の混合物としての何れかで使用することができる。
【００２７】
[0028] 単独で又は組み合わせでの何れかで使用され得るアルデヒドの例には、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、フルフラール、トリオキサン、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、トリメチルアセトアルデヒド、アクロレイン(アクリルアルデヒド)、クロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、フリルアクロレイン、テレフタルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α-フェニルプロピルアルデヒド、β-フェニルプロピルアルデヒド、o-ヒドロキシベンズアルデヒド、m-ヒドロキシベンズアルデヒド、p-ヒドロキシベンズアルデヒド、o-メチルベンズアルデヒド、m-メチルベンズアルデヒド、p-メチルベンズアルデヒド、o-クロロベンズアルデヒド、m-クロロベンズアルデヒド、p-クロロベンズアルデヒド、及びシンナムアルデヒドなどが含まれる。
【００２８】
[0029] ケトンの例としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、及びジフェニルケトンが挙げられる。これらのケトンのそれぞれは、単独で又は組み合わせで使用することができる。更に、任意のアルデヒドと任意のケトンの任意選択的な組み合わせを使用することができる。
【００２９】
[0030] 利用できる酸触媒の例には、例えば、塩酸、硝酸、硫酸などの無機酸、ギ酸、シュウ酸、マレイン酸などの有機酸、及び、銅、コバルト、マグネシウム、マンガン、ニッケル、亜鉛などの二価の無機金属塩が含まれる。反応溶剤は、通常、メタノールやジオキサンなどの親水性溶剤である。好適なアルカリ可溶性膜形成ノボラック樹脂には、フェノール−ホルムアルデヒドノボラック、クレゾール−ホルムアルデヒドノボラック、及びフェノール変性キシレノール−ホルムアルデヒドノボラックが含まれる。
【００３０】
[0031] 成分(b)は、ジアゾナフトキノン(「DNQ」)又はDNQ誘導体を含む。DNQは、溶解抑制剤として機能する。
【００３１】
[0032] 成分(c)は、ビス(アジド)クロスリンカーを含む。任意の好適なビス(アジド)クロスリンカーを使用することができる。少なくとも１つの態様では、ビス(アジド)クロスリンカーが、３２５ナノメートルと４００ナノメートルの間の範囲内の波長で吸収する。ビス(アジド)クロスリンカーの例には、芳香族ビス(アジド)が含まれる。芳香族ビス(アジド)の例には、p-フェニレンビスアジド、4,4'-ジアジドビフェニル、4,4'-ジアジド-3,3'-ジメチルビフェニル、4,4'-ジアジドビフェニルメタン、3,3'-ジクロロ-4,4'-ジアジドビフェニルメタン、4,4'-ジアジドビフェニルエーテル、4,4'-ジアジドビフェニルスルフィド、4,4'-ジアジドビフェニルジスルフィド、4,4'-ジアジドビフェニルスルホン、3,3'-ジアジドビフェニルスルホン、4,4'-ジアジドベンゾフェノン、4,4'-ジアジドベンジル、4,4'-ジアジドスチルベン、4,4'-ジアジドハルコン、2,6-ビス(4-アジドベンジリデン)シクロヘキサノン、2,6-ビス(4-アジドベンジリデン)-4-メチルシクロヘキサノン、2,7-ジアジドフルオレン、又はこれらの組み合わせが含まれるが、それらに限定されるものではない。
【００３２】
[0033] 成分(d)は、キャスティング溶剤を含む。キャスティング溶剤は、組成物全体に適切な不変性を与えるために、層が厚すぎたり薄すぎたりすることなく基板面に塗布できるように使用される。任意の適切なキャスティング溶剤を使用することができる。キャスティング溶剤の例には、シクロヘキサノン、アセトン、乳酸エチル、NMP(1−メチル−2−ピロリジノン)、ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグリム)、ヘプタノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールメチルエーテル(PGME)、又はこれらの組み合わせが含まれるが、それらに限定されるものではない。
【００３３】
[0034] 成分(e)は、塩基添加物を含む。任意の適切な塩基添加物を使用することができる。塩基添加物の例には、ジメチルアミノピリジン、7−ジエチルアミノ−4−メチルクマリン、第三級アミン、プロトンスポンジ、ベルベリン、及びBASFからの「Pluronic」又は「Tetronic」系列におけるようなポリマーアミンが含まれるが、それらに限定されるものではない。更に、PAGがオニウム塩であるときに、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド又はセチルトリメチルアンモニウムヒドロキシドを使用することができる。
【００３４】
[0035] 成分(f)は、増感剤を含む。任意の適切な増感剤を使用することができる。適切な増感剤の例には、クリセン、ピレン、フルオランテン、アントロン、ベンゾフェノン、チオキサントン、及び9-アントラセンメタノール(9-AM)などのアントラセンが含まれるが、それらに限定されるものではない。増感剤は、酸素又は硫黄を含んでよい。好的な増感剤は、窒素（例えば、アミン又はフェノチアジン基）の存在が、露光プロセス中に生成される遊離酸を隔離する傾向があり、そして配合物が感光性を失うこととなるので、窒素を含まないだろう。
【００３５】
[0036] 図１Ａ〜図１Ｇは、本明細書で説明される実施態様による、製造の様々な段階における構造の断面図を示している。図２は、本明細書で説明される実施態様による、フォトマスク材料を使用して構造を形成する処理シーケンス２００の一態様を要約するプロセスフローチャートを示している。図２に記載の処理シーケンス２００は、図１Ａから図１Ｇで描かれている製造段階（後述する）に対応している。
【００３６】
[0037] 処理シーケンス２００は、基板１０２を提供することによって動作２１０で開始する。少なくとも１つの態様では、基板１０２が、液晶ディスプレイ（LCD）、フラットパネルディスプレイ、有機発光ダイオード（OLED）、又は太陽電池アレイ用の光電池セルの製造に使用するための大面積基板である。少なくとも１つの態様では、基板１０２が、他の適切な材料の中でとりわけ、金属、プラスチック、有機材料、ケイ素、ガラス、石英、又はポリマーの薄板であってよい。少なくとも１つの態様では、基板１０２が、約２平方メートルを超えるなど、約１平方メートルを超える表面積を有する。
【００３７】
[0038] 少なくとも１つの態様では、基板１０２が、ケイ素又は他の材料から作製される。これに代えて又はこれに加えて、基板１０２は、ゲルマニウムのような他の元素の半導体材料を含む。少なくとも１つの態様では、基板１０２が、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム、又はリン化インジウムなどの化合物半導体から作製される。少なくとも１つの態様では、基板１０２が、シリコンゲルマニウム、シリコンゲルマニウム炭化物、ガリウムヒ素リン化物、又はガリウムインジウムリン化物などの合金半導体から作製される。
【００３８】
[0039] 動作２２０では、材料層１０４が、基板１０２上に形成される。材料層１０４は、特定のパターンを形成するように設計されている。少なくとも１つの態様では、材料層１０４が誘電体層である。少なくとも１つの態様では、材料層が、高誘電率の誘電体層である。少なくとも１つの態様では、高誘電率の誘電材料が、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化ハフニウム(HfO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、及びそれらの組み合わせから選択される。少なくとも１つの態様では、材料層１０４が金属層である。少なくとも１つの態様では、高誘電率の誘電材料が、ドープされている。少なくとも１つの態様では、ドープされた高誘電率の誘電材料が、アルミニウム-ドープされた酸化ジルコニウム含有材料である。
【００３９】
[0040] 動作２３０では、材料層１０４を形成した後に、本開示の幾つかの態様に従って、図１Ｃで示されているように、材料層１０４上にフォトレジスト層１０６を形成する。少なくとも１つの態様では、フォトレジスト層１０６が、本明細書で説明されるフォトレジスト組成物から形成された頻度倍増フォトレジスト層である。少なくとも１つの態様では、フォトレジスト層１０６の堆積が、フォトレジストコーティング（例えばスピンオンコーティング）、ソフトベーキング、マスク位置合わせ、露光、フォトレジストの現像、リンス（rinsing）、乾燥（例えばハードベーキング）、又は他の適切なプロセスを含む。
【００４０】
[0041] 動作２４０では、フォトレジスト層１０６が、所定のパターンに露光される。図１Ｃを参照すると、フォトレジスト層１０６が材料層１０４上に形成された後に、フォトレジスト層１０６は、マスク１１２を通るように示されている放射ビーム１１０に露光される。少なくとも１つの態様では、マスク１１２が、放射ビーム１１０を通過させない遮断部分１１４を含む。マスク１１２のパターンは、フォトレジスト層１０６に転写される。したがって、フォトレジスト層１０６はパターニングされ、露光領域１０６ａ及び非露光領域１０６ｂを含む。
【００４１】
[0042] 少なくとも１つの態様では、放射ビーム１１０が、紫外線（UV）又は極紫外線（EUV）レーザである。少なくとも１つの態様では、レーザが、エキシマレーザ（excimer laser）からの３９７nmビーム、エキシマレーザからの３９５nmビーム、エキシマレーザからの３７５nmビーム、エキシマレーザからの３６０nmビーム、エキシマレーザからの３５５nmビーム、エキシマレーザからの３５１nmビーム、又はエキシマレーザからの３４９nmビームのような、３２５nmから４００nmの範囲内の波長を有する。
【００４２】
[0043] フォトレジスト層１０６が放射ビーム１１０によって露光された後に、本開示の幾つかの態様に従って、フォトレジスト層１０６は熱によってベークされる。ベーキングの働きは、フォトレジスト層１０６中の光反応性ポリマーを分解し、溶剤を蒸発させることである。少なくとも１つの態様では、放射ビーム１１０がフォトレジスト層１０６を露光させた後に、本開示の幾つかの態様に従って、フォトレジスト層１０６を熱によってベークする。ベーキングの働きは、フォトレジスト層１０６中の光反応性ポリマーを分解し、溶剤を蒸発させることである。
【００４３】
[0044] 動作２５０では、フォトレジスト層が、パターニングされたレジスト層を形成するために現像される。少なくとも１つの態様では、フォトレジスト層１０６が、本開示の幾つかの態様に従って、図示されているように、デベロッパ液に曝される。少なくとも１つの態様では、デベロッパ液が水溶液である。少なくとも１つの態様では、デベロッパ液が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)溶液である。少なくとも１つの態様では、デベロッパ液が、水酸化ナトリウム(NaOH)溶液である。少なくとも１つの態様では、フォトレジスト層１０６のデベロッパ液への曝露時間が、デベロッパ液の組成物に依存する。
【００４４】
[0045] 図１Ｄは、現像されたフォトレジスト層１０６がポジ型レジストである構造の断面図を示している。ポジ型レジストでは、フォトレジスト層１０６の最初に露光されていない領域１０６ｂが、デベロッパに不溶であり、一方で、露光されたレジストは、露光量が閾値を超えて増加するにつれてより溶解性になる。図１Ｅは、現像されたフォトレジスト層１０６がネガ型レジストである構造の断面図を示している。ネガ型レジストでは、フォトレジスト層１０６の最初に露光されていない領域１０６ｂが、デベロッパに可溶であるが、一方で、レジストの露光された領域１０６ａが、比較的不溶である。図１Ｄのポジ型レジスト及び図１Ｅのネガ型レジストは、図１Ｆで描かれているポジ型レジスト、ネガ型レジスト、及び頻度倍増レジストの間の差異を示すために提供されている。
【００４５】
[0046] 図１Ｆは、本開示の態様による、現像されたフォトレジスト層１０６が、露光に対するポジティブトーンとネガティブトーンの両方の反応を有する頻度倍増レジスト１２２である構造の断面図を示している。ポジティブトーン反応は、より低い露光量で優勢であり、一方、ネガティブ反応は、より高い露光量で優勢である。このハイブリッドレジストの露光は、空間／ライン／空間の組み合わせを生成するが、一方で、従来のレジストの何れかは、単一のフィーチャのみを生成するであろう。
【００４６】
[0047] 動作２６０では、図１Ｇで示されているように、パターニングされた材料層１２０を形成するためのマスクとして、パターニングされたフォトレジスト層１０６を用いて、材料層１０４がエッチングされる。材料層は、既知のエッチング化学物質を用いてエッチングされてよい。
【００４７】
[0048] 態様
【００４８】
[0049] 条項１．ノボラック樹脂と、ジアゾナフトキノン(DNQ)溶解抑制剤と、ビス(アジド)クロスリンカーと、キャスティング溶剤とを含む、フォトレジスト組成物。
【００４９】
[0050] 条項２．前記ビス(アジド)クロスリンカーが、３２５ナノメートルと４００ナノメートルの間の範囲内の波長で吸収する、条項１に記載のフォトレジスト組成物。
【００５０】
[0051] 条項３．前記ビス(アジド)クロスリンカーが、芳香族ビ(アジド)クロスリンカーである、条項１又は２に記載のフォトレジスト組成物。
【００５１】
[0052] 条項４．前記芳香族ビ(アジド)クロスリンカーが、p-フェニレンビスアジド、4,4'-ジアジドビフェニル、4,4'-ジアジド-3,3'-ジメチルビフェニル、4,4'-ジアジドビフェニルメタン、3,3'-ジクロロ-4,4'-ジアジドビフェニルメタン、4,4'-ジアジドビフェニルエーテル、4,4'-ジアジドビフェニルスルフィド、4,4'-ジアジドビフェニルジスルフィド、4,4'-ジアジドビフェニルスルホン、3,3'-ジジドビフェニルスルホン、4,4'-ジアジドベンゾフェノン、4,4'-ジアジドベンジル、4,4'-ジアジドスチルベン、4,4'-ジアジドカルコン、2,6-ビス（4-アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、2,6-ビス（4-アジドベンジリデン）-4-メチルシクロヘキサノン、2,7-ジアジドフルオレン、又はこれらの組み合わせから選択される、条項１から条項３のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【００５２】
[0053] 条項５．前記キャスティング溶剤が、シクロヘキサノン、アセトン、乳酸エチル、NMP(1-メチル-2-ピロリジノン)、ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグリム)、ヘプタノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールメチルエーテル(PGME)、又はこれらの組み合わせから選択される、条項１から４のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【００５３】
[0054] 条項６．クリセン、ピレン、フルオランテン、アントロン、ベンゾフェノン、チオキサントン、アントラセン、又はこれらの組み合わせから選択される増感剤を更に含む、条項１から５のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【００５４】
[0055] 条項７．フォトレジスト組成物を調製する方法であって、フェノールノボラック樹脂及びジアゾナフトキノン(DNQ)型溶解抑制剤を含む第１の割合のポジティブトーン成分を提供することと、ビス(アジド)クロスリンカーを含む第２の割合のネガティブトーン成分を提供することと、前記ポジティブトーン成分と前記ネガティブトーン成分を、単一露光に共に反応させるのに有効な量の混合物内の前記第１の割合と前記第２の割合で組み合わせることとを含み、それによって、前記単一露光の第１の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの第１の部分が光活性のままであり、前記単一露光の第２の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの第２の部分が実質的に光不活性になり、前記第１の化学線エネルギーレベルと前記第２の化学線エネルギーレベルの中間範囲の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの第３の部分がデベロッパ液に可溶になる、方法。
【００５５】
[0056] 条項８．前記第１の化学線エネルギーレベルが、前記第２の化学線エネルギーレベルより低い、条項７に記載の方法。
【００５６】
[0057] 条項９．前記第２の化学線エネルギーレベルが、前記第１の化学線エネルギーレベルより低い、条項７又は８に記載の方法。
【００５７】
[0058] 条項１０．前記単一露光の前記第１の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの前記第１の部分が、更に、デベロッパに不溶性のままである、条項７から９のいずれか一項に記載の方法。
【００５８】
[0059] 条項１１．前記単一露光の前記第２の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの前記第２の部分が、更に、デベロッパに不溶性になる、条項７から１０のいずれか一項に記載の方法。
【００５９】
[0060] 条項１２．前記第１の化学線エネルギーレベルと前記第２の化学線エネルギーレベルの中間範囲の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの前記第３の部分が、更に、光活性のままである、条項７から１１のいずれか一項に記載の方法。
【００６０】
[0061] 条項１３．前記第１の化学線エネルギーレベルの露光が、近似的にゼロ露光を含み、前記第２の化学線エネルギーレベルの露光が、完全露光（full exposure）を含む、条項７から１２のいずれか一項に記載の方法。
【００６１】
[0062] 条項１４．前記ビス(アジド)クロスリンカーが、３２５ナノメートルと４００ナノメートルの間の範囲内の波長で吸収する、条項７から１３のいずれか一項に記載の方法。
【００６２】
[0063] 条項１５．前記ビス(アジド)クロスリンカーが、芳香族ビ(アジド)クロスリンカーである、条項７から１４のいずれか一項に記載の方法。
【００６３】
[0064] 条項１６．前記芳香族ビ(アジド)クロスリンカーが、p-フェニレンビスアジド、4,4'-ジアジドビフェニル、4,4'-ジアジド-3,3'-ジメチルビフェニル、4,4'-ジアジドビフェニルメタン、3,3'-ジクロロ-4,4'-ジアジドビフェニルメタン、4,4'-ジアジドビフェニルエーテル、4,4'-ジアジドビフェニルスルフィド、4,4'-ジアジドビフェニルジスルフィド、4,4'-ジアジドビフェニルスルホン、3,3'-ジジドビフェニルスルホン、4,4'-ジアジドベンゾフェノン、4,4'-ジアジドベンジル、4,4'-ジアジドスチルベン、4,4'-ジアジドカルコン、2,6-ビス（4-アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、2,6-ビス（4-アジドベンジリデン）-4-メチルシクロヘキサノン、2,7-ジアジドフルオレン、又はこれらの組み合わせから選択される、条項７から１５のいずれか一項に記載の方法。
【００６４】
[0065] 条項１７．ノボラック樹脂と、ジアゾナフトキノン(DNQ)溶解抑制剤と、ビス(アジド)クロスリンカーと、キャスティング溶剤とを含む、フォトレジスト組成物で基板をコーティングすること、マスクを通して前記フォトレジスト組成物を紫外線放射で像様露光させること、及び露光された前記フォトレジスト組成物をデベロッパで現像することを含む、基板上に像を生成するための方法。
【００６５】
[0066] 条項１８．前記基板が、金属、プラスチック、有機材料、シリコン、ガラス、石英、又はポリマーのシートである、条項１７に記載の方法。
【００６６】
[0067] 条項１９．前記基板は、1メートルを超える表面積を有する大面積基板である、条項１７又は１８に記載の方法。
【００６７】
[0068] 条項２０．前記紫外線放射は、３２５nmから４００nmの範囲内の波長を有する、条項１７から１９のいずれか一項に記載の方法。
【００６８】
[0069] 本開示の要素、又は、それらの例示的な態様若しくは（１以上の）実施態様を紹介する場合、冠詞「a」、「an」、「the」、及び「said」は、要素が１以上存在することを意味することが意図されている。
【００６９】
[0070] 備える（comprising）」、「含む（including）」、及び「有する（having）」という表現は、包括的であるように意図されており、列挙された要素以外に追加の要素があり得ることを意味する。
【００７０】
[0071] 以上の記述は本開示の実施態様を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく本開示の他の実施態様及び更なる実施態様が考案されてよく、本開示の範囲は、下記の特許請求の範囲によって決定される。
【図１Ａ】
2021530732.tif 000003
【図１Ｂ】
2021530732.tif 000004
【図１Ｃ】
2021530732.tif 000005
【図１Ｄ】
2021530732.tif 000006
【図１Ｅ】
2021530732.tif 000007
【図１Ｆ】
2021530732.tif 000008
【図１Ｇ】
2021530732.tif 000009
【図２】
2021530732.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月16日(2021.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノボラック樹脂と、
ジアゾナフトキノン(DNQ)溶解抑制剤と、
ビス(アジド)クロスリンカーと、
キャスティング溶剤とを含む、フォトレジスト組成物。
【請求項２】
前記ビス(アジド)クロスリンカーが、３２５ナノメートルと４００ナノメートルの間の範囲内の波長で吸収する、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３】
前記ビス(アジド)クロスリンカーが、芳香族ビ(アジド)クロスリンカーである、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４】
前記芳香族ビ(アジド)クロスリンカーが、p-フェニレンビスアジド、4,4'-ジアジドビフェニル、4,4'-ジアジド-3,3'-ジメチルビフェニル、4,4'-ジアジドビフェニルメタン、3,3'-ジクロロ-4,4'-ジアジドビフェニルメタン、4,4'-ジアジドビフェニルエーテル、4,4'-ジアジドビフェニルスルフィド、4,4'-ジアジドビフェニルジスルフィド、4,4'-ジアジドビフェニルスルホン、3,3'-ジジドビフェニルスルホン、4,4'-ジアジドベンゾフェノン、4,4'-ジアジドベンジル、4,4'-ジアジドスチルベン、4,4'-ジアジドカルコン、2,6-ビス（4-アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、2,6-ビス（4-アジドベンジリデン）-4-メチルシクロヘキサノン、2,7-ジアジドフルオレン、又はこれらの組み合わせから選択される、請求項３に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５】
前記キャスティング溶剤が、シクロヘキサノン、アセトン、乳酸エチル、NMP(1-メチル-2-ピロリジノン)、ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグリム)、ヘプタノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールメチルエーテル(PGME)、又はこれらの組み合わせから選択される、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項６】
クリセン、ピレン、フルオランテン、アントロン、ベンゾフェノン、チオキサントン、アントラセン、又はこれらの組み合わせから選択される増感剤を更に含む、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項７】
フォトレジスト組成物を調製する方法であって、
フェノールノボラック樹脂及びジアゾナフトキノン(DNQ)型溶解抑制剤を含む第１の割合のポジティブトーン成分を提供することと、
ビス(アジド)クロスリンカーを含む第２の割合のネガティブトーン成分を提供することと、
前記ポジティブトーン成分と前記ネガティブトーン成分を、単一露光に共に反応させるのに有効な量の混合物内の前記第１の割合と前記第２の割合で組み合わせることとを含み、それによって、
前記単一露光の第１の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジスト組成物から生成されたフォトレジストの第１の部分が光活性のままであり、
前記単一露光の第２の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの第２の部分が実質的に光不活性になり、
前記単一露光の前記第１の化学線エネルギーレベルと前記単一露光の前記第２の化学線エネルギーレベルの中間範囲の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの第３の部分がデベロッパ液に可溶になる、方法。
【請求項８】
前記単一露光の前記第１の化学線エネルギーレベルが、前記第２の化学線エネルギーレベルより低い、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記単一露光の前記第２の化学線エネルギーレベルが、前記第１の化学線エネルギーレベルより低い、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記単一露光の前記第１の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの前記第１の部分が、更に、デベロッパに不溶性のままである、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記単一露光の前記第２の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの前記第２の部分が、更に、デベロッパに不溶性になる、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の化学線エネルギーレベルと前記第２の化学線エネルギーレベルの中間範囲の化学線エネルギーレベルに露光された前記フォトレジストの前記第３の部分が、更に、光活性のままである、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の化学線エネルギーレベルの前記単一露光が、近似的にゼロ露光を含み、前記第２の化学線エネルギーレベルの前記単一露光が、完全露光を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記ビス(アジド)クロスリンカーが、３２５ナノメートルと４００ナノメートルの間の範囲内の波長で吸収する、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
前記ビス(アジド)クロスリンカーが、芳香族ビ(アジド)クロスリンカーである、請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
前記芳香族ビ(アジド)クロスリンカーが、p-フェニレンビスアジド、4,4'-ジアジドビフェニル、4,4'-ジアジド-3,3'-ジメチルビフェニル、4,4'-ジアジドビフェニルメタン、3,3'-ジクロロ-4,4'-ジアジドビフェニルメタン、4,4'-ジアジドビフェニルエーテル、4,4'-ジアジドビフェニルスルフィド、4,4'-ジアジドビフェニルジスルフィド、4,4'-ジアジドビフェニルスルホン、3,3'-ジジドビフェニルスルホン、4,4'-ジアジドベンゾフェノン、4,4'-ジアジドベンジル、4,4'-ジアジドスチルベン、4,4'-ジアジドカルコン、2,6-ビス（4-アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、2,6-ビス（4-アジドベンジリデン）-4-メチルシクロヘキサノン、2,7-ジアジドフルオレン、又はこれらの組み合わせから選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ノボラック樹脂と、
ジアゾナフトキノン(DNQ)溶解抑制剤と、
ビス(アジド)クロスリンカーと、
キャスティング溶剤とを含む、フォトレジスト組成物で基板をコーティングすること、
マスクを通して前記フォトレジスト組成物を紫外線放射で像様露光させること、及び
露光された前記フォトレジスト組成物をデベロッパで現像することを含む、基板上に像を生成するための方法。
【請求項１８】
前記基板が、金属、プラスチック、有機材料、シリコン、ガラス、石英、又はポリマーのシートである、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板は、1メートルを超える表面積を有する大面積基板である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記紫外線放射は、３２５nmから４００nmの範囲内の波長を有する、請求項１７に記載の方法。
【国際調査報告】
2021530732.tif 000011
2021530732.tif 000012