(57)【要約】  表面処理銅箔は処理面を含み、処理面の空隙容積（Ｖｖ）が０．４から２．２μｍ３／μｍ２であり、かつ処理面の尖度（Ｓｋｕ）が１．６から４．０である。
2021529261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面処理銅箔であって、
前記表面処理銅箔が処理面を含み、
前記処理面の空隙容積（Ｖｖ）が０．４から２．２μｍ３／μｍ２であり、かつ前記処理面の尖度（Ｓｋｕ）が１．６から４．０であることを特徴とする、表面処理銅箔。
【請求項２】
前記処理面の算術平均うねり（Ｗａ）が０．４０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項３】
前記処理面の尖度（Ｓｋｕ）が２．０から４．０であることを特徴とする、請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項４】
前記処理面の算術平均うねり（Ｗａ）が０．１０から０．４０μｍであることを特徴とする、請求項３に記載の表面処理銅箔。
【請求項５】
前記処理面の空隙容積が０．４から１．９μｍ３／μｍ２であり、かつ、前記処理面の算術平均うねり（Ｗａ）が０．１０から０．３０μｍであることを特徴とする、請求項４に記載の表面処理銅箔。
【請求項６】
前記処理面のコア部空隙容積（Ｖｖｃ）が０．３から２．１μｍ３／μｍ２であることを特徴とする、請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項７】
前記処理面の谷部空隙容積（Ｖｖｖ）が０．０１から０．１０μｍ３／μｍ２であることを特徴とする、請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項８】
前記表面処理銅箔は、さらに、
本体銅箔と、
前記本体銅箔の少なくとも一つの表面に設置された表面処理層とを含み、
前記表面処理層の外側が前記処理面であることを特徴とする、請求項１から７の何れか一項に記載の表面処理銅箔。
【請求項９】
前記本体銅箔が圧延銅箔であることを特徴とする、請求項８に記載の表面処理銅箔。
【請求項１０】
前記本体銅箔が電解銅箔であり、かつドラム面及び堆積面を含み、
前記表面処理層が前記ドラム面に設置されていることを特徴とする、請求項８に記載の表面処理銅箔。
【請求項１１】
前記表面処理層がサブ層を含み、前記サブ層が粗化層であることを特徴とする、請求項１０に記載の表面処理銅箔。
【請求項１２】
前記表面処理層がさらに、少なくとも一つのその他のサブ層を含み、
前記少なくとも一つのその他のサブ層が不動態化層及びカップリング層からなるグループから選択されることを特徴とする、請求項１１に記載の表面処理銅箔。
【請求項１３】
前記不動態化層が少なくとも一種類の金属を含み、
前記金属がニッケル、亜鉛、クロム、コバルト、モリブデン、鉄、錫及びバナジウムからなるグループから選択されることを特徴とする、請求項１２に記載の表面処理銅箔。
【請求項１４】
銅箔基板であって、
搭載板と、
前記搭載板の少なくとも一つの表面に設置された表面処理銅箔とを含み、
前記表面処理銅箔が、前記搭載板に面した処理面を含み、
前記処理面の空隙容積（Ｖｖ）が０．４から２．２μｍ３／μｍ２であり、前記処理面の尖度（Ｓｋｕ）が１．６から４．０であることを特徴とする、銅箔基板。
【請求項１５】
前記表面処理銅箔の前記処理面が前記搭載板に直接接触することを特徴とする、請求項１４に記載の銅箔基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は銅箔の技術分野に関し、特に表面処理銅箔及びその銅箔基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子製品が次第に軽量薄型化及び高周波信号伝達へ発展する傾向に従って、銅箔と銅箔基板に対する要求も日に日に高まっている。一般的に言うと、銅箔基板の銅導電回路が絶縁搭載板に搭載され、かつ導電回路のレイアウト設計により、電気信号を予定の経路に沿って予定領域まで伝達することができる。また、高周波電気信号（例えば、１０ＧＨｚより高い）を伝達する銅箔基板において、表皮効果（ｓｋｉｎ  ｅｆｆｅｃｔ）によって発生する信号伝達ロス（ｓｉｇｎａｌ  ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｌｏｓｓ）を低減させるために、その銅箔基板の導電回路をより一層最適化する必要がある。所謂表皮効果とは、電気信号の周波数が増加するに従って、電流の伝達経路がより一層導線の表面、例えば搭載板に隣接する導線表面に集中する現象を言う。表皮効果によって発生する信号伝達ロスを低減させるために、今は銅箔基板中の搭載板に隣接する導線表面をできるだけ平坦化させる方法で対応している。また、導線表面と搭載板の間の付着性を同時に維持するために、リバース処理銅箔(ｒｅｖｅｒｓｅ  ｔｒｅａｔｅｄ  ｆｏｉｌ、ＲＴＦ)を用いて導線を製作してもよい。ここで、リバース処理銅箔とは、銅箔のドラム面(ｄｒｕｍ  ｓｉｄｅ)に粗化処理化が施される銅箔を言う。
【０００３】
しかし、上記の方法は確かに銅箔基板によって発生する信号伝達ロスを有効に低減させることができるが、依然として克服すべき欠陥がある。例を挙げて言うと、導線表面が比較的に平坦であるため、通常導線と搭載板の間の付着性低い。このような場合、リバース処理銅箔を用いて導線を製作しても、銅箔基板中の導線が依然として搭載板の表面から非常に簡単に剥がれ、電気信号を予定経路に沿って予定領域まで伝達することができない。
【０００４】
従って、従来技術に存在する欠陥を補う表面処理銅箔及び銅箔基板を提供する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以上に鑑み、本発明は改良された表面処理銅箔及び銅箔基板を提供し、従来技術に存在する欠陥問題を解決した。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施例によれば、表面処理銅箔を提供し、表面処理銅箔が処理面を含み、処理面の空隙容積（ｖｏｉｄ  ｖｏｌｕｍｅ、Ｖｖ）が０．４から２．２μｍ３／μｍ２であり（μｍ３／μｍ２は単位面積が１μｍ２の表面が有する容積を意味する）、かつ、処理面の尖度（Ｓｋｕ）が１．６から４．０である。
【０００７】
本発明の別の実施例によれば、銅箔基板を提供する。銅箔基板は搭載板、及び搭載板お少なくとも一つの表面に設置された表面処理銅箔を含み、表面処理銅箔が搭載板に面した処理面を含み、かつ、処理面の空隙容積（Ｖｖ）が０．４から２．２μｍ３／μｍ２であり、処理面の尖度（Ｓｋｕ）が１．６から４．０である。
【０００８】
選択的に、本発明のさらに別の実施例によれば、表面処理銅箔を提供する。表面処理銅箔は本体銅箔、及び本体銅箔の少なくとも一つの表面に設置された表面処理層を含む。ここで、表面処理層の外側が表面処理銅箔の処理面であり、かつ表面処理層が粗化層を含む。処理面の空隙容積（Ｖｖ）が０．４から２．２μｍ３／μｍ２であり、処理面の尖度（Ｓｋｕ）が１．６から４．０である。
【０００９】
選択的に、本発明のさらに別の実施例によれば、表面処理銅箔を提供し、表面処理銅箔が電解銅箔、及び電解銅箔のドラム面に設置された表面処理層を含む。ここで、表面処理層の外側が表面処理銅箔の処理面であり、かつ、表面処理層が粗化層を含む。処理面の空隙容積（Ｖｖ）が０．４から２．２μｍ３／μｍ２であり、処理面の尖度（Ｓｋｕ）が１．６から４．０である。
【００１０】
前記実施例によれば、表面処理銅箔の処理面の空隙容積（Ｖｖ）を０．４から２．２μｍ３／μｍ２に制御し、かつ処理面の尖度（Ｓｋｕ）を１．６から４．０に制御することにより、後に表面処理銅箔を搭載板に圧接させる時に、処理面と搭載板の間の付着性がより良くなり、かつ比較的に低い信号伝達ロスレベルを維持できる。表面処理銅箔の処理面と搭載板との間の付着性を高めることにより、後のエッチングステップで形成される導電回路が搭載板の表面から剥がれにくくなり、銅箔基板の歩留まり及び耐用性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施例に基づく表面処理銅箔を示す断面概略図。
【図２】本発明の一実施例に基づく表面処理銅箔の表面高さと負荷率の間の関係図。
【図３】本発明の一実施例に基づくストリップライン（ｓｔｒｉｐｌｉｎｅ）を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下において、当業者が本発明を実現できるよう、表面処理銅箔、銅箔基板及びプリント回路板の具体的な実施形態を説明する。これらの具体的な実施形態では対応する図面を参照することができ、これらの図面が実施形態の一部である。本発明の実施例は以下に公開する通りであるが、本発明を限定するものではなく、本発明の精神と範疇から外れない限り、業者がこれらに対し若干の変更と修正を加えてもよい。なお、各実施例及び実験例で用いる方法は、特に説明がない限り、常用方法である。
【００１３】
本発明で言及される空間関連の説明用語について、「・・・の上」及び「・・・の上方」等の用語が本発明における意味を最も広い解釈にすべきであり、「・・・の上」及び「・・・の上方」等の用語がある物体の上に直接位置する状況のみならず、両者の間に中間特徴または中間層が設けられた場合にある物体の上に位置する状況も含む。また、「・・・の上」または「・・・の上方」はある物体の上または上方に位置する状況だけではなく、両者の間に中間特徴または中間層が設けられていない場合にある物体の上または上方に位置する状況も含む（即ち、ある物体の上に直接位置する）。
【００１４】
また、以下に異なる指定がない限り、本発明及び請求の範囲に記載の数値パラメータはいずれも概略値であり、必要に応じて変更可能であり、または、少なくとも公開された有意義な桁数数字に基づき、かつ常用の桁上げ方式で各数値パラメータを解読すべきである。本発明において、範囲は一端点から別の端点までを意味し、または二つの端点の間を意味する。特に説明がない限り、本発明におけるすべての範囲が端点を含むものである。
【００１５】
なお、本発明の精神から外れない限り、以下に記載の異なる実施形態における技術特徴を互いに置換、再組合せ、混合してその他の実施例を構成することができる。
【００１６】
図１は本発明の一実施例に基づく表面処理銅箔を示す断面概略図である。図１が示すように、表面処理銅箔１００は少なくとも本体銅箔１１０を含む。本体銅箔１１０は圧延銅箔または電解銅箔であってもよく、その厚さが通常６μｍ以上であり、例えば、７μｍ〜２５０μｍの間、または９μｍ〜２１０μｍの間にある。本体銅箔１１０が電解銅箔である場合、この電解銅箔を電着（または電解、電気溶着、電気めっき）工程で形成することができる。本体銅箔１１０は対向して設置された二つの面である第一面１１０Ａと第二面１１０Ｂを有する。本発明の一実施例によれば、本体銅箔１１０が圧延銅箔である場合、第一面１１０Ａと第二面１１０Ｂの少なくとも一つの算術平均高さ（Ｒａ）が０．１μｍ〜０．４μｍであるが、これに限定されない。本発明の一実施例によれば、本体銅箔１１０が電解銅箔である場合、電解銅箔のドラム面（ｄｒｕｍ  ｓｉｄｅ）が本体銅箔１１０の第一面１１０Ａに対応し、電解銅箔の堆積面（ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ  ｓｉｄｅ）が本体銅箔１１０の第二面１１０Ｂに対応してもよいが、これに限定されない。
【００１７】
本発明の一実施例によれば、本体銅箔１１０の第一面１１０Ａと第二面１１０Ｂの上にそれぞれその他の層が設置されてもよく、例えば、第一面１１０Ａに表面処理層１１２が設置され、及び／または第二面１１０Ｂに別の表面処理層１１２を設置してもよい。本発明のその他の実施例によれば、本体銅箔１１０の第一面１１０Ａと第二面１１０Ｂにさらにその他の単層または多層構造を設置してもよく、または第一面１１０Ａと第二面１１０Ｂの表面処理層１１２の代わりにその他の単層または多層構造を用いてもよく、または第一面１１０Ａと第二面１１０Ｂに如何なる層も設置しなくてもよいが、これに限定されない。従って、これらの実施例において、表面処理銅箔１００の処理面１００Ａが表面処理層１１２の外側面に対応せず、その他の単層または多層構造の外側面に対応する可能性があり、または本体銅箔１１０の第一面１１０Ａと第二面１１０Ｂに対応する可能性があるが、これに限定されない。
【００１８】
前記表面処理層１１２が単層であっても、または複数のサブ層を含む積層であってもよい。表面処理層１１２が積層である場合、各サブ層を粗化層１１４、不動態化層（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）１１６、防錆層１１８及びカップリング層１２０によって構成されるグループから選択してもよい。表面処理層１１２が設置されている表面処理銅箔１００について言うと、表面処理層１１２の外側面を表面処理銅箔１００の処理面１００Ａと見なすことができ、後の表面処理銅箔１００を搭載板に圧接させる工程を経て、この処理面１００Ａが搭載板に接触する。なお、表面処理層１１２が複数の場合、表面処理層１１２のサブ層構造が互いに同じでも、または異なってもよい。本発明の一実施例によれば、本体銅箔１１０が圧延銅箔であり、かつ、表面処理層１１２が少なくとも粗化層１１４を含む。本発明の一実施例によれば、本体銅箔１１０が電解銅箔であり、表面処理層１１２が電解銅箔の堆積面に設置され、かつ粗化層１１４を含む。本発明の一実施例によれば、本体銅箔１１０が電解銅箔であり、表面処理層１１２が電解銅箔のドラム面に設置され、かつ粗化層１１４と不動態化層１１６を含む。
【００１９】
前記粗化層は粗化粒子（ｎｏｄｕｌｅ）を含む。粗化粒子は本体銅箔の表面粗さを高めるものであり、銅粗化粒子または銅合金粗化粒子であってもよい。ここで、粗化粒子が本体銅箔から剥離することを防止するために、粗化層の上にさらに被覆層を設置し、粗化粒子を被覆してもよい。
【００２０】
不動態化層が同じまたは異なる組成であってもよく、例えば金属層または金属合金層である。ここで、前記金属層はニッケル、亜鉛、クロム、コバルト、モリブデン、鉄、錫及びバナジウムから選択されてもよいが、これに限定されず、例えば、ニッケル層、ニッケル亜鉛合金層、亜鉛層、亜鉛錫合金層またはクロム層である。また、金属層及び金属合金層が単層または多層構造であってもよく、例えば、積層された亜鉛含有及びニッケル含有の単層である。多層構造である場合、必要に応じて各層間の積層順を調整することができ、制限がなく、例えば亜鉛含有層がニッケル含有層の上に積層され、またはニッケル含有層が亜鉛含有層の上に積層される。
【００２１】
防錆層は金属に加えられる被覆層であり、金属が腐食等によって劣化することを防ぐためのものである。防錆層は金属または有機化合物を含む。防錆層が金属を含む場合、前記金属がクロムまたはクロム合金であってもよいが、クロム合金がさらにニッケル、亜鉛、コバルト、モリブデン、バナジウム及びその組み合わせから選択された一つを含んでもよい。防錆層が有機化合物を含んでいる場合、前記有機化合物がトリアゾール、チアゾール、イミダゾール及びその誘導体からなるグループ中から選択される少なくとも一つであってもよい。
【００２２】
カップリング層はシランで製作することができ、３−アミノプロピルトリエトキシシラン（３−ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ、ＡＰＴＥＳ）、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（Ｎ−（２−ａｍｉｎｏｅｔｈｙｌ）−３−ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、３―（グリシジルオキシプロピル）トリエトキシシラン（（３−ｇｌｙｃｉｄｙｌｏｘｙｐｒｏｐｙｌ）ｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、（８−グリシジルオキシオクチル）トリメトキシシラン（（８−ｇｌｙｃｉｄｙｌｏｘｙｏｃｔｙｌ）ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、メタクリロイルプロピルトリエトキシシラン（ｍｅｔｈａｃｒｙｌｏｙｌ  ｐｒｏｐｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、メタクリロイルオクチルトリメトキシシラン（ｍｅｔｈａｃｒｙｌｏｙｌ  ｏｃｔｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、メタクリロイルプロピルトリメトキシシラン（ｍｅｔｈａｃｒｙｌｏｙｌ  ｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、（３−メルカプトプロピル）トリメトキシシラン（（３−ｍｅｒｃａｐｔｏｐｒｏｐｙｌ）ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、（３−グリシジルオキシプロピル）トリメトキシシラン（（３−ｇｌｙｃｉｄｙｌｏｘｙｐｒｏｐｙｌ）ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）から選択することができるが、これらに限定されない。カップリング層は表面処理銅箔とその他の材料（例えば、搭載板）の間の付着性を促進するものである。
【００２３】
本発明の実施例によれば、表面処理層中の不動態化層とカップリング層の合計厚さが粗化層的厚さより遥かに小さいため、表面処理銅箔の処理面の表面粗さ、例えば、空隙容積（Ｖｖ）、コア部空隙容積（Ｖｖｃ）、谷部空隙容積（Ｖｖｖ）、尖度（Ｓｋｕ）、及び算術平均うねり（Ｗａ）等が主に粗化層の影響を受ける。
【００２４】
前記空隙容積（Ｖｖ）、コア部空隙容積（Ｖｖｃ）、及び谷部空隙容積（Ｖｖｖ）はＩＳＯ  ２５１７８−２（２０１２）に基づく定義であり、これらの測定は図２が例示する通りである。図２は本発明の一実施例の表面処理銅箔の表面高さと負荷率（ｍａｔｅｒｉａｌ  ｒａｔｉｏ、ｍｒ）との間の関係図である。ここで、空隙容積（Ｖｖ）２０２の算出は、曲線の上方及び水平分断線の下方に囲まれた空隙の容積を積分したものであり、この水平分断線はこの曲線が負荷率Ｐ１時に対応する高さである。即ち、空隙容積（Ｖｖ）２０２は、負荷率（ｍｒ）がＰ１（１０％）の高さ水平線の下方、負荷率（ｍｒ）が１００％までの区間内の曲線の上方に囲まれた範囲である。また、空隙容積（Ｖｖ）２０２は、谷部空隙容積（Ｖｖｖ）２０２Ａとコア部空隙容積（Ｖｖｃ）２０２Ｂを加算して得られる。さらに言うと、谷部空隙容積（Ｖｖｖ）２０２Ａの算出は、曲線の上方及びもう一つの水平分断線の下方に囲まれた空隙の容積を積分したものであり、このもう一つの水平分断線の位置はこの曲線が負荷率（ｍｒ）Ｐ２時に対応する高さである。コア部空隙容積（Ｖｖｃ）２０２Ｂの算出は、曲線及び二つの平分断線に囲まれた空隙の容積を積分したものであり、この二つの水平分断線の位置はこの曲線がそれぞれ負荷率（ｍｒ）Ｐ１とＰ２時に対応する高さである。なお、特に説明がない限り、本発明で言う空隙容積（Ｖｖ）が負荷率（ｍｒ）が１０％時に算出した値であり、谷部空隙容積（Ｖｖｖ）が負荷率（ｍｒ）が８０％時に算出した値であり、コア部空隙容積（Ｖｖｃ）は負荷率（ｍｒ）が１０％から８０％の間に算出した値である。
【００２５】
本発明において、処理面の空隙容積（Ｖｖ）が０．４〜２．２μｍ３／μｍ２であり、好ましくは０．４〜１．９μｍ３／μｍ２である。空隙容積（Ｖｖ）は谷部空隙容積（Ｖｖｖ）とコア部空隙容積（Ｖｖｃ）を加算して得られるものであり、本発明において、コア部空隙容積（Ｖｖｃ）は好ましくは０．３〜２．１μｍ３／μｍ２であり、かつ、谷部空隙容積（Ｖｖｖ）は好ましくは０．０１〜０．１０μｍ３／μｍ２である。
【００２６】
前記尖度（Ｓｋｕ）とは、表面の高度分布の鋭さ（ｓｈａｒｐｎｅｓｓ）を評価すう指標である。Ｓｋｕの数値が低い程、この表面の高度分布がより平坦であることを意味し、逆にＳｋｕの数値が高い程、この表面の山または谷の鋭さが高いことを意味し、即ち、急な山または谷がより多い。本発明において、処理面の尖度（Ｓｋｕ）が１．６〜４．０であり、好ましくは２．０〜４．０である。
【００２７】
前記算術平均うねり（Ｗａ）は、粗さの大きい間隔によって形成された表面の周期性起伏を意味する。なお、処理面の算術平均うねり（Ｗａ）は好ましくは０．１０〜０．４０μｍであり、より好ましくは０．１０〜０．３０μｍである。
【００２８】
本発明の実施例によれば、処理面の空隙容積（Ｖｖ）及び尖度（Ｓｋｕ）がそれぞれ０．４〜２．２μｍ３／μｍ２と１．６〜４．０の範囲にある場合、対応する銅箔基板とプリント回路板において、表面処理銅箔及び接触する搭載板が比較的に良い剥離強度（例えば、５．０１ｌｂ／ｉｎ以上）を有すると同時に、高周波電気信号が導電パターン中に伝達される時に発生する信号伝達ロスを低減させることができる（信号伝達ロスの絶対値が０．８２ｄＢ／ｉｎ以下）。
【００２９】
本発明の別の実施例によれば、処理面の空隙容積（Ｖｖ）及び尖度（Ｓｋｕ）がそれぞれ０．４〜２．２μｍ３／μｍ２と２．０〜４．０の範囲にある場合、対応する銅箔基板とプリント回路板において、高周波電気信号が導電パターン中に伝達される時に発生する信号伝達ロスをさらに低減させることができる（信号伝達ロスの絶対値が０．７７ｄＢ／ｉｎ以下）。
【００３０】
本発明のさらに別の実施例によれば、処理面の空隙容積（Ｖｖ）及び尖度（Ｓｋｕ）がそれぞれ０．４〜２．２μｍ３／μｍ２と１．６〜４．０の範囲にあり、かつ算術平均うねり（Ｗａ）が０．４０μｍ以下である場合、対応する銅箔基板とプリント回路板において、高周波電気信号が導電パターン中に伝達される時に発生する信号伝達ロスをさらに低減させることができる（信号伝達ロスの絶対値が０．７７ｄＢ／ｉｎ以下）。算術平均うねり（Ｗａ）がさらに０．３０μｍより小さい場合、信号伝達ロスの絶対値がさらに抑制されて０．７５ｄＢ／ｉｎより低くなる。従って、本発明の各実施例によれば、表面処理銅箔の処理面の表面粗さパラメータを制御することにより、対応する銅箔基板とプリント回路板において、表面処理銅箔と搭載板との間の付着性を高めると同時に、高周波電信号が導電パターン中に伝達される時に発生する信号伝達ロスを低減させることができる。
【００３１】
前記表面処理銅箔をさらに加工して銅箔基板を製作することができる。銅箔基板は少なくとも搭載板と表面処理銅箔を含む。この表面処理銅箔がこの搭載板の少なくとも一つの表面に設置され、かつ処理面を含む。また、表面処理銅箔の処理面は搭載板に面し、かつ直接接触する。
【００３２】
なお、前記搭載板にベーク板、高分子板またはガラス繊維板を用いることができるが、これに限定されない。前記高分子板の高分子成分は例えば、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎｓ）、ポリエステル樹脂（ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ  ｒｅｓｉｎｓ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎｓ）、アクリル（ａｃｒｙｌｉｃｓ）、ホルムアルデヒド樹脂（ｆｏｒｍａｌｄｅｈｙｄｅ  ｒｅｓｉｎｓ）、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  ｔｒｉａｚｉｎｅ  ｒｅｓｉｎｓ、またはＢＴ樹脂と呼ぶ）、シアン酸エステル樹脂（ｃｙａｎａｔｅ  ｅｓｔｅｒ  ｒｅｓｉｎ）、フルオロポリマ（ｆｌｕｏｒｏｐｏｌｙｍｅｒｓ）、ポリエーテルサルホン（ｐｏｌｙ  ｅｔｈｅｒ  ｓｕｌｆｏｎｅ）、セルロース熱可塑性プラスチック（ｃｅｌｌｕｌｏｓｉｃ  ｔｈｅｒｍｏｐｌａｓｔｉｃｓ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリオレフィン（ｐｏｌｙｏｌｅｆｉｎｓ）、ポリプロピレン（ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ポリスルフィド（ｐｏｌｙｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリウレタン（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、液晶高分子（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ、ＬＣＰ）、ポリフェニレンオキサイド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｏｘｉｄｅ、ＰＰＯ）である。前記ガラス繊維板は、ガラス繊維不織物材料を前記高分子（例えば：エポキシ樹脂）に浸した後に形成されたプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）であってもよい。
【００３３】
以下において、表面処理銅箔及び銅箔基板の製作方法についてさらに例示的に説明する。製作方法中の各ステップをそれぞれ以下に説明する。
【００３４】
（１）ステップＡ
ステップＡを実施し、本体銅箔を提供する。なお、本体銅箔が圧延銅箔または電解銅箔であってもよい。本体銅箔が圧延銅箔である場合、この圧延銅箔の表面の算術平均高さ（Ｒａ）が特定区域、例えば０．１〜０．４μｍ、または０．１５〜０．２５μｍであってもよい。一方、本体銅箔が電解銅箔である場合、電気溶着（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の方式で電解銅箔を形成することができる。電気溶着の過程において、金属陰極ドラムが継続して回転し、電解銅箔が金属陰極ドラムの表面に連続して形成され、かつ金属陰極ドラムのある一側から剥離される。なお、電解銅箔において金属陰極ドラムに面した表面をドラム面と呼び、電解銅箔において金属陰極ドラムから離れている表面を堆積面と呼んでもよい。また、電気溶着の過程において、金属陰極ドラムの表面が少し酸化されて非平坦な表面が生成されるため、電解銅箔のドラム面の平坦度がさらに低下することになる。従って、金属陰極ドラムの隣接する位置にさらに研磨ドラム（ｐｏｌｉｓｈ  ｂｕｆｆ）を設置し、金属陰極ドラムと研磨ドラムとの間に接触面を有するようにしてもよい。金属陰極ドラムと研磨ドラムを逆方向に回転させることで、金属陰極ドラム表面の酸化層が研磨ドラムによって除去され、金属陰極ドラムの表面の平坦度を維持できる。
【００３５】
圧延銅箔について、その特徴が以下に例示する通りである。
【００３６】
＜１．１圧延銅箔＞
算術平均高さ（Ｒａ）：０．１μｍ〜０．４μｍ
電解銅箔について、その製造パラメータ範囲が以下に例示する通りである。
＜１．２硫酸銅電解液の組成及び電解条件＞
硫酸銅（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）：３２０ｇ／Ｌ
硫酸：１００ｇ／Ｌ
塩素イオン（塩酸由来、ＲＣＩ  Ｌａｂｓｃａｎ  Ｌｔｄ．）：２０ｍｇ／Ｌ
ゼラチン（ＳＶ，Ｎｉｐｐｉ，Ｉｎｃ）：０．３５ｍｇ／Ｌ
液温：５０℃
電流密度：７０Ａ／ｄｍ２
＜１．３金属陰極ドラム＞
材質：チタン
回転速度：３ｍ／ｍｉｎ
＜１．４研磨ドラム＞
型番（Ｎｉｐｐｏｎ  Ｔｏｋｕｓｈｕ  Ｋｅｎｔｏ  Ｃｏ.,Ｌｔｄ）：♯５００、♯１０００、♯１５００、♯２０００
回転速度：２５０〜５５０ｒｐｍ
（２）ステップＢ
ステップＢでは前記本体銅箔に対し表面クリーニング工程を実施して、銅箔の表面に汚染物（例えば、油汚れ、酸化物）がないことを確実に保ち、その製造パラメータの範囲が以下に例示する通りである。
【００３７】
＜２．１洗浄液の組成及びクリーニング条件＞
硫酸銅：１３０ｇ／Ｌ
硫酸：５０ｇ／Ｌ
液温：２７℃
浸漬時間：３０秒
（３）ステップＣ
ステップＣでは前記本体銅箔の表面に粗化層を形成する。電気溶着によって、粗化層を銅箔ある一面、例えばドラム面に形成する。ここで、粗化層が粗化粒子または結節構造（ｎｏｄｕｌｅ）と呼ばれるもの、及び粗化粒子を被覆する被覆層を含んでもよい。なお、粗化粒子を形成する時に、選択により、電解液の中に適切な塩類、例えば、タングステン酸ナトリウムまたは硫酸第一鉄（ｆｅｒｒｏｕｓ  ｓｕｌｆａｔｅ）を添加して、粗化粒子の分布状況を制御することができる。製造パラメータ範囲が以下に例示する通りである。
【００３８】
＜３．１粗化粒子を製作するパラメータ＞
硫酸銅（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）：７０ｇ／Ｌ
硫酸：１００ｇ／Ｌ
タングステン酸ナトリウム（Ｎａ２ＷＯ４）：５０〜４５０ｍｇ／Ｌ（ｐｐｍ）
硫酸第一鉄（ＦｅＳＯ４）：１０００〜３０００ｍｇ／Ｌ（ｐｐｍ）
ｏ−スルホベンズイミド（サッカリン、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ  Ｃｏｍｐａｎｙ）：５〜２０ｍｇ／Ｌ（ｐｐｍ）
液温：２５℃
電流密度：１０Ａ／ｄｍ２
時間：１０秒
（４）ステップＤ
ステップＤでは前記粗化層の上に被覆層を形成し、その製造パラメータの範囲が以下に例示する通りである。
【００３９】
＜４．１被覆層を製作するパラメータ＞
硫酸銅（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）：３２０ｇ／Ｌ
硫酸：１００ｇ／Ｌ
液温：４０℃
電流密度：１５Ａ／ｄｍ２
時間：１０秒
（５）ステップＥ
ステップＥでは前記銅箔の少なくとも一つの表面に不動態化層を形成する。電気溶着工程によって不動態化層を形成することができ、不動態化層は例えばニッケル、亜鉛によって構成される二層積層構造であり、その製造パラメータの範囲が以下に例示する通りである。
【００４０】
＜５．１ニッケル含有層の電解液組成及び電解条件＞
硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４）：１８８ｇ／Ｌ
ホウ酸（Ｈ３ＢＯ３）：３２ｇ／Ｌ
亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）：４ｇ／Ｌ
液温：２０°Ｃ
溶液ｐＨ：３．５
電流密度：０．７Ａ／ｄｍ２
時間：３秒
＜５．２亜鉛含有層の電解液組成及び電解条件＞
硫酸亜鉛（ＺｎＳＯ４）：１１ｇ／Ｌ
メタバナジン酸アンモニウム（ＮＨ４ＶＯ３）：０．２５ｇ/Ｌ
液温：１５°Ｃ
溶液ｐＨ：１３
電流密度：０．５Ａ／ｄｍ２
時間：２秒
（６）ステップＦ
ステップＦでは前記銅箔上に防錆層を形成し、その製造パラメータの範囲が以下に例示する通りである。
【００４１】
＜６．１クロム含有層の電解液組成及び電解条件＞
クロム酸：５ｇ／Ｌ
液温：３５°Ｃ
溶液ｐＨ：１２．５
電流密度：１０Ａ／ｄｍ２
時間：５秒
（７）ステップＧ
ステップＧでは前記銅箔の粗化層を設置した一側にカップリング層を形成する。例を挙げて言うと、前記電解工程が完了した後、水で銅箔を洗浄するが、銅箔表面を乾燥させない。その後、シランカップリング剤を含む水溶液を銅箔の粗化層を設けた一側の防錆層上に吹き付けて、シランカップリング剤を不動態化層の表面に吸着させる。製造パラメータの範囲が以下に例示する通りである。
【００４２】
＜７．１シランカップリング剤のパラメータ＞
シランカップリング剤：３−アミノプロピルトリエトキシシラン（３−ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）
水溶液のシランカップリング剤濃度：０．２５ｗｔ．％
吹き付け時間：１０秒
（８）ステップＨ
ステップＨでは前記ステップを経て形成された表面処理銅箔を搭載板に圧接させて、銅箔基板を形成する。本発明の一実施例によれば、図１が示す表面処理銅箔１００を搭載板に加熱圧接させて、銅箔基板を形成することができる。
【００４３】
当業者が本発明を実現できるよう、以下は本発明の各具体的な実施例をより詳しく説明することで、本発明の表面処理銅箔及び銅箔基板を具体的に示す。なお、以下の実施例は例示であり、これを以って本発明を限定的に解釈すべきではない。即ち、本発明の範囲から離れない限り、各実施例に用いられる材料、材料の用量及び比率及び処理の流れ等を適宜変更することができる。
【００４４】
実施例１
実施例１は表面処理銅箔に関し、その製造過程が前記製作方法中のステップＡからステップＧに対応する。実施例１が前記製作方法と異なる製造パラメータは表１に記載した通りである。なお、本体銅箔が電解銅箔であり、かつ粗化層が電解銅箔のドラム面に設置されている。
【００４５】
実施例２−１９
実施例２−１９の製造過程は実施例１の製造過程を略同じであり、互いに異なる製造パラメータは表１に記載した通りである。なお、実施例２−１、１３−１８における本体銅箔は電解銅箔であり、かつ粗化層が電解銅箔のドラム面に設置されている。
【００４６】
実施例１２及び１９の製作方法で用いた本体銅箔は圧延銅箔（Ｒａ＝０．２μｍ）であり、電解銅箔ではない。
【００４７】
【表１】
2021529261.tif 000003
以下、前記各実施例１−１９の各検査結果、例えば、＜算術平均うねり（Ｗａ）＞、＜尖度（Ｓｋｕ）＞、＜コア部空隙容積（Ｖｖｃ）＞、＜谷部空隙容積（Ｖｖｖ）＞、＜空隙容積（Ｖｖ）＞、＜剥離強度＞及び＜信号伝達ロス＞についてさらに説明する。
【００４８】
＜算術平均うねり（Ｗａ）＞
規格ＪＩＳＢ０６０１‐２０１３  ４．２.１に基づき、表面粗さ測定装置（ＳＥ  ６００  Ｓｅｒｉｅｓ，  Ｋｏｓａｋａ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ  Ｌｔｄ．）を用いて各実施例の表面処理銅箔の処理面の算術平均うねり（Ｗａ）を検出する。具体的な測定条件は以下の通りである。ポイントゲージの先端の直径が２μｍであり、ポイントゲージ先端のテーパー角度が９０°であり、測定長さが７．５ｍｍであり、輪郭曲線フィルターのカットオフ値λｃ＝０．８ｍｍ、λｆ＝２．５ｍｍである。検査結果は表２に記載されている。
【００４９】
＜尖度（Ｓｋｕ）＞
規格ＩＳＯ２５１７８−２：２０１２に基づき、レーザー顕微鏡（ＬＥＸＴ  ＯＬＳ５０００−ＳＡＦ、Ｏｌｙｍｐｕｓ）の表面模様分析により、表面処理銅箔の処理面の尖度（Ｓｋｕ）を測定した。具体的な測定条件は以下の通りである。
【００５０】
光源波長：４０５ｎｍ
対物レンズ倍率：１００倍対物レンズ（ＭＰＬＡＰＯＮ−１００ｘ  ＬＥＸＴ、Ｏｌｙｍｐｕｓ）
光学ズーム：１．０倍
観察面積：１２９μｍ×１２９μｍ
解像度：１０２４画素×１０２４画素
条件：レーザー顕微鏡の自動傾き補正機能（Ａｕｔｏ  ｔｉｌｔ  ｒｅｍｏｖａｌ）を起用する
フィルター：フィルター無し（ｕｎｆｉｌｔｅｒｅｄ）
空気温度：２４±３℃
相対湿度：６３±３％
＜コア部空隙容積（Ｖｖｃ）＞、＜谷部空隙容積（Ｖｖｖ）＞、＜空隙容積（Ｖｖ）＞
規格ＩＳＯ２５１７８−２：２０１２に基づき、レーザー顕微鏡（ＬＥＸＴ  ＯＬＳ５０００−ＳＡＦ、Ｏｌｙｍｐｕｓ）の表面模様分析により、表面処理銅箔の処理面のコア部空隙容積（Ｖｖｃ）、谷部空隙容積（Ｖｖｖ）及び空隙容積（Ｖｖ）を測定した。ここで、コア部空隙容積（Ｖｖｃ）は負荷率（ｍｒ）のＰ１値及びＰ２値をそれぞれ１０％及び８０％に設定して得られたものであり、谷部空隙容積（Ｖｖｖ）は負荷率（ｍｒ）Ｐ２値を８０％に設定して得られたものであり、空隙容積（Ｖｖ）は前記コア部空隙容積（Ｖｖｃ）及び谷部空隙容積（Ｖｖｖ）の和である。検査結果は表２に記載されている。具体的な測定条件は以下の通りである。
【００５１】
光源波長：４０５ｎｍ
対物レンズ倍率：１００倍対物レンズ（ＭＰＬＡＰＯＮ−１００ｘ  ＬＥＸＴ、Ｏｌｙｍｐｕｓ）
光学ズーム：１．０倍
観察面積：１２９μｍ×１２９μｍ
解像度：１０２４画素×１０２４画素
条件：レーザー顕微鏡の自動傾き補正機能（Ａｕｔｏ  ｔｉｌｔ  ｒｅｍｏｖａｌ）を起用する
フィルター：フィルター無し（ｕｎｆｉｌｔｅｒｅｄ）
空気温度：２４±３℃
相対湿度：６３±３％
＜剥離強度＞
厚さがそれぞれ０．０７６ｍｍである市販の樹脂シート（Ｓ７４３９Ｇ、ＳｙＴｅｃｈ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ．）を積層させて、樹脂シート積層を形成し、かつ前記任意一つの実施例の表面処理銅箔を樹脂シート積層の上に設置する。続いて、表面処理銅箔を樹脂シート積層に圧接させて、積層板を形成する。圧接条件は以下の通りである。温度２００°Ｃ、圧力４００ｐｓｉ、及び圧接時間が１２０分間である。
【００５２】
その後、規格ＪＩＳＣ６４７１に基づき、万能試験機を用いて、表面処理銅箔を９０°の角度で積層板から剥離させる。検査結果は表２に記載されている。
【００５３】
＜信号伝達ロス＞
前記任意一つの実施例の表面処理銅箔を用いてストリップライン（ｓｔｒｉｐｌｉｎｅ）を製作し、かつその対応する信号伝達ロスを測定する。なお、ストリップラインの構造は図３が例示する通りである。ストリップライン３００は、１５２．４μｍの樹脂（ＳｙＴｅｃｈ  ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎのＳ７４３９Ｇ）の上にまず前記任意一つの実施例の表面処理銅箔を貼り合わせ、その後表面処理銅箔で導線３０２を製作し、さらに別の二枚の樹脂（Ｓ７４３９Ｇ、ＳｙＴｅｃｈ  ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎのＳ７４３９Ｇ）を用いて両側の表面をそれぞれ被覆し、導線３０２を樹脂搭載板（Ｓ７４３９Ｇ、ＳｙＴｅｃｈ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ．）３０４の中に設置する。ストリップライン３００はさらに二つの接地電極３０６−１と接地電極３０６−２を含み、それぞれ樹脂搭載板３０４の対向する両側に設置されている。接地電極３０６−１と接地電極３０６−２の間は導電貫通孔を通して電気的に接続することが可能であり、接地電極３０６−１と接地電極３０６−２を同電位にすることができる。
【００５４】
ストリップライン３００中の各部品の規格は以下の通りである。導線３０２の長さが１００ｍｍ、幅ｗが１２０μｍ、厚さｔが３５μｍであり、樹脂搭載板３０４のＤｋが３．７４、Ｄｆが０．００６（ＩＰＣ−ＴＭ６５０Ｎｏ．２．５．５．５に基づき、１０  Ｈｚ信号で測定）であり、特性インピーダンスが５０Ωである。
【００５５】
規格ＣｉｓｃｏＳ３の方法に基づき、信号分析装置（ＰＮＡ  Ｎ５２３０Ｃ  ｎｅｔｗｏｒｋ  ａｎａｌｙｚｅｒ、Ａｇｉｌｅｎｔ）を用いて、接地電極３０６−１、３０６−２が何れも接地電位である場合、電気信号を導線３０２のある一端から入力し、かつ導線３０２の異なる一端の出力値を測定することで、ストリップライン３００で発生した信号伝達ロスを判断する。具体的な測定条件は以下の通りである。電気信号周波数が２００ＭＨｚから１５ＧＨｚであり、走査数が６４０１点であり、校正方式がＴＲＬである。
【００５６】
最後に、電気信号周波数が８ＧＨｚの場合、対応するストリップラインの信号伝達ロスの程度を判断し、検査結果が表２に示す通りである。ここで、信号伝達ロスの絶対値が小さい程、信号が伝達される時に損失する程度が低いことを意味する。具体的に言うと、信号伝達ロスの絶対値が０．８２ｄＢ／ｉｎより大きい場合、信号伝達が悪いことを意味し、信号伝達ロスの絶対値が０．８２ｄＢ／ｉｎ以下の場合、信号伝達が良好であることを意味し、信号伝達ロスの絶対値が０．７５ｄＢ／ｉｎより小さい場合、信号伝達が最も良いことを意味する。
【００５７】
【表２】
2021529261.tif 000004
前記実施例１−１４によれば、処理面の空隙容積（Ｖｖ）及び尖度（Ｓｋｕ）がそれぞれ０．４〜２．２μｍ３／μｍ２と１．６〜４．０の範囲にある場合、対応する銅箔基板とプリント回路板について言うと、表面処理銅箔及び接触する搭載板が比較的良い剥離強度（例えば、５．０１ｌｂ／ｉｎ以上）を有すると同時に、高周波電気信号が導電パターン中に伝達される時に発生する信号伝達ロスを低減させることができる（信号伝達ロスの絶対値が０．８２ｄＢ／ｉｎ以下）。
【００５８】
本発明の実施例１−１２によれば、処理面の空隙容積（Ｖｖ）及び尖度（Ｓｋｕ）がそれぞれ０．４〜２．２μｍ３／μｍ２と１．６〜４．０の範囲にあり、かつ、算術平均うねり（Ｗａ）が０．４０μｍ以下である場合、対応する銅箔基板とプリント回路板について言うと、高周波電気信号が導電パターン中に伝達される時に発生する信号伝達ロスをさらに低減させることができる（信号伝達ロスの絶対値が０．７７ｄＢ／ｉｎ以下）。
【００５９】
本発明の実施例１−１２によれば、処理面の空隙容積（Ｖｖ）及び尖度（Ｓｋｕ）がそれぞれ０．４〜２．２μｍ３／μｍ２と２．０〜４．０の範囲にある場合、対応する銅箔基板とプリント回路板について言うと、高周波電気信号が導電パターン中に伝達される時に発生する信号伝達ロスをさらに低減させることができる（信号伝達ロスの絶対値が０．７７ｄＢ／ｉｎ以下）。
【００６０】
本発明の前記各実施例によれば、表面処理銅箔の処理面の前記表面粗さパラメータを特定範囲に制御することにより、対応する銅箔基板とプリント回路板において、表面処理銅箔と搭載板との間の付着性を高める（剥離強度が５ｌｂ／ｉｎより大きい）と同時に、高周波電気信号が導電パターン中に伝達される時に発生する信号伝達ロスを低減させることができる（信号伝達ロスの絶対値が０．７５ｄＢ／ｉｎより小さい）。
【００６１】
以上は本発明の好ましい実施例のみであり、本発明の請求項に基づいて行った等価な変更と修正はすべて本発明の保護範囲に属する。
【符号の説明】
【００６２】
１００      表面処理銅箔
１００Ａ    処理面
１１０      本体銅箔
１１０Ａ    第一面
１１０Ｂ    第二面
１１２      表面処理層
１１４      粗化層
１１６      不動態化層
１１８      防錆層
１２０      カップリング層
２０２      空隙容積
２０２Ａ    谷部空隙容積
２０２Ｂ    コア部空隙容積
３００      ストリップライン
３０２      導線
３０４      樹脂搭載板
３０６−１  接地電極
３０６−２  接地電極
ｈ          厚さ
ｔ          厚さ
ｗ          幅
【図１】
2021529261.tif 000005
【図２】
2021529261.tif 000006
【図３】
2021529261.tif 000007
【国際調査報告】
2021529261.tif 000008
2021529261.tif 000009
2021529261.tif 000010
2021529261.tif 000011