(57)【要約】  本発明では、ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーとを取得するステップと、短時間パワー、長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得するステップと、現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報とを基にインデックスアドレスを取得するステップと、所定のマトリックス検索テーブルにおいてインデックスアドレスに対応する関数値を取得するステップと、関数値を基に遅延後のベースバンド信号を補償し、補償後のベースバンド信号を取得するステップと、を含む長時間の記憶効果を補償する方法が公開されている。本発明では、長時間の記憶効果を補償する装置及びデバイスも同時にさらに公開されている。
2021505052.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーとを取得するステップと、
前記短時間パワー、前記長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得するステップと、
前記現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報とを基にインデックスアドレスを取得するステップと、
所定のマトリックス検索テーブルにおいて前記インデックスアドレスに対応する関数値を取得するステップと、
前記関数値を基に遅延後の前記ベースバンド信号を補償し、補償後の前記ベースバンド信号を取得するステップと、を含む、
長時間の記憶効果を補償する方法。
【請求項２】
ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーとを取得する前記ステップの前に、
単音および／または多音信号を用いて、異なる電圧、温度及びパワーの条件において訓練を行い、多次元関数である異なる電圧、温度、パワーの条件における長時間記憶特性パラメータを取得することと、
異なる電圧、温度、パワーの条件における前記長時間記憶特性パラメータを基に前記所定のマトリックス検索テーブルを形成することと、をさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記短時間パワー、前記長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得する前記ステップは、
前記短時間パワーから前記長時間パワーを差し引いて差を取得することと、
前記差が第１の所定の閾値より大きい場合、前記現在の稼働状態指示信号を充電状態指示信号であると確定することと、
前記差が第２の所定の閾値より小さい場合、前記現在の稼働状態指示信号を放電状態指示信号であると確定することと、
前記差が第１の所定の閾値以下であり、第２の所定の閾値以上である場合、前記現在の稼働状態指示信号を保持状態指示信号であると確定することと、を含み、
前記所定の閾値範囲は、前記第１の所定の閾値と前記第２の所定の閾値とからなり、前記第１の所定の閾値は前記第２の所定の閾値より大きい、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記関数値を基に遅延後の前記ベースバンド信号を補償し、補償後の前記ベースバンド信号を取得する前記ステップは、
前記関数値と前記遅延後の前記ベースバンド信号を相乗して、前記補償後の前記ベースバンド信号を取得することを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーとを取得する前記ステップは、
下記公式に従って、前記ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーとをそれぞれ取得することを含み、
【数７】
2021505052.tif 000009
前記ＰｏｗＳ（ｎ）は前記短時間パワーであり、前記ＰｏｗＬ（ｎ）は前記長時間パワーであり、前記ｎは前記ベースバンド信号のサンプル番号であり、前記ｘ（ｉ）は前記ベースバンド信号であり、前記Ｎは短時間窓の長さであり、前記Ｍは長時間窓の長さであり、前記λＳ、λＬは記憶要素である、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記パラメータ情報は、電圧、温度、平均パワーおよび瞬時パワーを含む、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーとを取得する取得モジュールと、
前記短時間パワー、前記長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得する第１の処理モジュールと、
前記現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報とを基にインデックスアドレスを取得する第２の処理モジュールと、
所定のマトリックス検索テーブルにおいて前記インデックスアドレスに対応する関数値を取得する検索モジュールと、
前記関数値を基に遅延後の前記ベースバンド信号を補償し、補償後の前記ベースバンド信号を取得する補償モジュールと、を備える、
長時間の記憶効果を補償する装置。
【請求項８】
単音および／または多音信号を用いて、異なる電圧、温度及びパワーの条件において訓練を行い、多次元関数である異なる電圧、温度、パワーの条件における長時間記憶特性パラメータを取得し、異なる電圧、温度、パワーの条件における前記長時間記憶特性パラメータを基に前記所定のマトリックス検索テーブルを形成する訓練モジュールをさらに備える、
請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第１の処理モジュールは、
前記短時間パワーから前記長時間パワーを差し引いて差を取得し、
前記差が第１の所定の閾値より大きい場合、前記現在の稼働状態指示信号を充電状態指示信号であると確定し、
前記差が第２の所定の閾値より小さい場合、前記現在の稼働状態指示信号を放電状態指示信号であると確定し、
前記差が第１の所定の閾値以下であり、第２の所定の閾値以上である場合、前記現在の稼働状態指示信号を保持状態指示信号であると確定し、
前記所定の閾値範囲は、前記第１の所定の閾値と前記第２の所定の閾値とからなり、前記第１の所定の閾値は前記第２の所定の閾値より大きい、
請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記補償モジュールは、
前記関数値と前記遅延後の前記ベースバンド信号とを相乗して、前記補償後の前記ベースバンド信号を取得する、
請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記取得モジュールは、下記公式に従って前記ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーとをそれぞれ取得するためのものであり、
【数８】
2021505052.tif 000010
前記ＰｏｗＳ（ｎ）は前記短時間パワーであり、前記ＰｏｗＬ（ｎ）は前記長時間パワーであり、前記ｎは前記ベースバンド信号のサンプル番号であり、前記ｘ（ｉ）は前記ベースバンド信号であり、前記Ｎは短時間窓の長さであり、前記Ｍは長時間窓の長さであり、前記λＳ、λＬは記憶要素である、
請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
前記パラメータ情報は、電圧、温度、平均パワーおよび瞬時パワーを含む、
請求項７〜１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
インターフェース、バス、メモリ、プロセッサを含む長時間の記憶効果を補償するデバイスであり、
前記インターフェース、メモリ、プロセッサは前記バスを介して互いに接続し、
前記メモリは実行可能なプログラムを記憶するためのものであり、
前記プロセッサは、前記実行可能なプログラムを実行して、
ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーとを取得するステップと、
前記短時間パワー、前記長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得するステップと、
前記現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報を基にインデックスアドレスを取得するステップと、
所定のマトリックス検索テーブルにおいて前記インデックスアドレスに対応する関数値を取得するステップと、
前記関数値を基に遅延後の前記ベースバンド信号を補償し、補償後の前記ベースバンド信号を取得するステップと、を実現するように配置される、
長時間の記憶効果を補償するデバイス。
【請求項１４】
前記プロセッサは、前記実行可能なプログラムを実行して、
単音および／または多音信号を用いて、異なる電圧、温度及びパワーの条件において訓練を行い、多次元関数である異なる電圧、温度、パワーの条件における長時間記憶特性パラメータを取得するステップと、
異なる電圧、温度、パワーの条件における前記長時間記憶特性パラメータを基に前記所定のマトリックス検索テーブルを形成するステップと、を実現するようにさらに配置される、
請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記プロセッサは、前記実行可能なプログラムを実行して、
前記短時間パワーから前記長時間パワーを差し引いて差を取得するステップと、
前記差が第１の所定の閾値より大きい場合、前記現在の稼働状態指示信号を充電状態指示信号であると確定するステップと、
前記差が第２の所定の閾値より小さい場合、前記現在の稼働状態指示信号を放電状態指示信号であると確定するステップと、
前記差が第１の所定の閾値以下であり、第２の所定の閾値以上である場合、前記現在の稼働状態指示信号を保持状態指示信号であると確定するステップと、を実現するように配置され、
前記所定の閾値範囲は、前記第１の所定の閾値と前記第２の所定の閾値とからなり、前記第１の所定の閾値は前記第２の所定の閾値より大きい、
請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記プロセッサは、前記実行可能なプログラムを実行して、
前記関数値と前記遅延後の前記ベースバンド信号とを相乗して、前記補償後の前記ベースバンド信号を取得するステップを実現するように配置される、
請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記プロセッサは、前記実行可能なプログラムを実行して、
下記公式に従って前記ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーとをそれぞれ取得するステップを実現するように配置され、
【数９】
2021505052.tif 000011
前記ＰｏｗＳ（ｎ）は前記短時間パワーであり、前記ＰｏｗＬ（ｎ）は前記長時間パワーであり、前記ｎは前記ベースバンド信号のサンプル番号であり、前記ｘ（ｉ）は前記ベースバンド信号であり、前記Ｎは短時間窓の長さであり、前記Ｍは長時間窓の長さであり、前記λＳ、λＬは記憶要素である、
請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記パラメータ情報は、電圧、温度、平均パワーおよび瞬時パワーを含む、
請求項１３〜１７のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１９】
プロセッサによって実行できるプログラムを記憶して、請求項１〜６のいずれか一項に記載の長時間の記憶効果を補償する方法のステップを実現する、
コンピュータ読み取り可能記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連する出願の参照］
本発明は、2018年3月23日に中国特許庁に提出された、出願番号を201810244204.8とし、発明の名称を「長時間の記憶効果を補償する方法、装置およびデバイス」とする中国特許出願の優先権を主張し、当該出願のすべての内容は引用して本発明に組み込まれている。
【０００２】
本発明は通信技術分野、特に長時間の記憶効果を補償する方法、装置およびデバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００３】
窒化ガリウム（GaN）パワー増幅器は、効率が良く、パワー密度が大きく、帯域幅が広いという利点から、通信分野の基地局に広く適用されている。しかしながら、GaNパワー増幅器はデバイス材料であるために特有の電子捕獲特性があり、GaNパワー増幅器は周期的なパルス信号のインパルスにおいて静的電流が緩やかに低下する現象を示し、これがGaNパワー増幅器の電子捕獲特性であり、この特性は一般的に数ミリ秒ではじめて安定することができ、このような特性はパワー増幅器の非線形歪みにより長時間の記憶効果を表現させ、GaNパワー増幅器の長時間の記憶効果は歪みによりミリ秒レベルの特性を示すが、従来のデジタルプリディストーション技術はパワー増幅器のナノ秒レベルの歪みを補正できるにすぎず、ミリ秒レベルの歪みを補正することはできず、さらに基地局の無線周波数の指標を低減する。
【発明の内容】
【０００４】
このため、本発明の実施例は、増幅器の電子捕獲効果を迅速に補正することができる、長時間の記憶効果を補償する方法、装置およびデバイスを提供しようとするものであり、即ち、パワー増幅器の長時間の記憶効果をリアルタイムで補償することができ、ミリ秒レベルの歪みを補正することができ、従来のプリディストーション技術ではミリ秒レベルの歪みを補償できないという課題を克服し、基地局の無線周波数の指標を向上させる。
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明の技術案は、次のように実現される。
【０００６】
本発明の実施例は、ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーとを取得するステップと、前記短時間パワー、前記長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得するステップと、前記現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報とを基にインデックスアドレスを取得するステップと、所定のマトリックス検索テーブルにおいて前記インデックスアドレスに対応する関数値を取得するステップと、前記関数値を基に遅延後の前記ベースバンド信号を補償し、補償後の前記ベースバンド信号を取得するステップと、を含む、長時間の記憶効果を補償する方法を提供する。
【０００７】
本発明の実施例は、ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーとを取得する取得モジュールと、前記短時間パワー、前記長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得する第1の処理モジュールと、前記現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報とを基にインデックスアドレスを取得する第2の処理モジュールと、所定のマトリックス検索テーブルにおいて前記インデックスアドレスに対応する関数値を取得する検索モジュールと、前記関数値を基に遅延後の前記ベースバンド信号を補償し、補償後の前記ベースバンド信号を取得する補償モジュールと、を備える、長時間の記憶効果を補償する装置を提供する。
【０００８】
本発明の実施例は、インターフェース、バス、メモリ、プロセッサを含むデバイスであり、前記インターフェース、メモリ、プロセッサは前記バスを介して互いに接続し、前記メモリは実行可能なプログラムを記憶するためのものであり、前記プロセッサは、前記実行可能なプログラムを実行して、ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーとを取得するステップと、前記短時間パワー、前記長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得するステップと、前記現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報を基にインデックスアドレスを取得するステップと、所定のマトリックス検索テーブルにおいて前記インデックスアドレスに対応する関数値を取得するステップと、前記関数値を基に遅延後の前記ベースバンド信号を補償し、補償後の前記ベースバンド信号を取得するステップと、を実現するように配置される、長時間の記憶効果を補償するデバイスを提供する。
【０００９】
本発明の実施例は、プロセッサによって実行できるプログラムを記憶し、前記長時間の記憶効果を補償する方法のステップを実現する、コンピュータ読み取り可能記憶媒体を提供する。
【００１０】
上記発明の目的を達成するために、本発明の実施例は、コンピュータプログラム製品をさらに提供しており、前記コンピュータプログラム製品は非一時的なコンピュータ読み取り可能記憶媒体に記憶されたコンピュータプログラムを含み、前記コンピュータプログラムはプログラム命令を含み、前記プログラム命令がコンピュータに実行される場合、上記の各形態に記載の方法をコンピュータに実行させる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の長時間の記憶効果を補償する方法の実施例1のフロー図である。
【図２】本発明の長時間の記憶効果を補償する方法の実施例2のフロー図である。
【図３】本発明の長時間の記憶効果を補償する方法の実施例2における現在の稼働状態指示信号を確定する模式図である。
【図４】本発明の長時間の記憶効果を補償する方法の実施例2における関数値を得る模式図である。
【図５】本発明の長時間の記憶効果を補償する方法の実施例2における補償後のベースバンド信号を出力する模式図である。
【図６】本発明の長時間の記憶効果を補償する方法を、4G基地局のパワー増幅器に適用した際の模式図である。
【図７】本発明の長時間の記憶効果を補償する装置の実施例の構造模式図である。
【図８】本発明の長時間の記憶効果を補償するデバイスの実施例の構造模式図である。
【本発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施例における図面を組み合わせて、本発明の実施例における技術案を明確かつ完全に説明する。
図1は本発明の長時間の記憶効果を補償する方法の実施例1のフロー図であり、図1に示す通り、本発明の実施例で提供される長時間の記憶効果を補償する方法は、長時間の記憶効果を補償する装置（以下、「装置」と省略する）に応用することができ、当該方法は以下のステップを含むことができる。
ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーを取得するステップ101であり、装置は、ベースバンド信号の短時間パワーおよび長時間パワーをリアルタイムに取得し、ベースバンド信号は移動通信（Mobile  Communications，MC）技術におけるベースバンド信号であることができ、当該MC技術は第2世代移動通信技術（2-Generation，2G）、第3世代移動通信技術（3rd-Generation，3G）、第4世代移動通信技術（4th-Generation，4G）、第5世代移動通信技術（5th-Generation，5G）、および未来の移動通信技術を含むが、これらに限定されない。
短時間パワー、長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得するステップ102であり、装置は取得された短時間パワー、長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得し、所定の閾値範囲は実際の必要に応じて設置することができ、ここでは制限されない。
現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報を基にインデックスアドレスを取得するステップ103であり、装置は現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報を基にインデックスアドレスを取得する。
所定のマトリックス検索テーブルにおいてインデックスアドレスに対応する関数値を取得するステップ104であり、装置は所定のマトリックス検索テーブルにおいてインデックスアドレスに対応する関数値を取得する。
関数値を基に遅延後のベースバンド信号を補償し、補償後のベースバンド信号を取得するステップ105であり、装置はステップ104で取得された関数値を基に遅延後のベースバンド信号を補償し、最終的に補償後のベースバンド信号を取得する。
本発明の実施例の提供する長時間の記憶効果を補償する方法は、ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーを取得し、短時間パワー、長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得し、現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報を基にインデックスアドレスを取得し、所定のマトリックス検索テーブルにおいてインデックスアドレスに対応する関数値を取得し、関数値を基に遅延後のベースバンド信号を補償し、補償後のベースバンド信号を取得することで、増幅器の電子捕獲効果を迅速に補正することができ、即ち、パワー増幅器の長時間の記憶効果をリアルタイムで補償し、ミリ秒レベルの歪みを補正することができ、従来のプリディストーション技術ではミリ秒レベルの歪みを補償できないという課題を克服し、基地局の無線周波数の指標を向上させた。
【００１３】
本発明の目的をさらに体現するために、上記実施例を基に、さらに例を挙げて説明する。
図2は本発明の長時間の記憶効果を補償する方法の実施例2のフロー図であり、図2に示すように、本発明の実施例の提供する長時間の記憶効果を補償する方法を、GaNパワー増幅器に対する長時間の記憶効果を補償する装置（以下、「装置」と省略する）に応用し、当該方法は以下のステップを含むことができる。
単音および/または多音信号を用いて、異なる電圧、温度及びパワーの条件において訓練を行い、異なる電圧、温度、パワーの条件における長時間記憶特性パラメータを取得するステップ201であり、装置は単音および/または多音信号を用いて、GaNパワー増幅器について異なる電圧、温度及びパワーの条件において訓練を行い、多次元関数である異なる電圧、温度、パワーの条件における長時間記憶特性パラメータを取得し、電圧、温度およびパワーの条件は実際の必要に応じて設置することができ、ここでは制限されない。
異なる電圧、温度、パワーの条件における長時間記憶特性パラメータを基に所定のマトリックス検索テーブルを形成するステップ202であり、装置はステップ201で取得した異なる電圧、温度、パワーにの条件おける長時間記憶特性パラメータを基に所定のマトリックス検索テーブルを形成する。
ベースバンド信号を遅延し、遅延後のベースバンド信号を取得するステップ203であり、装置は入力したベースバンド信号を遅延し、遅延後のベースバンド信号を取得し、具体的な遅延パラメータは実際の必要に応じて設置することができ、ここでは制限されない。
ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーを取得するステップ204であり、装置はベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーを取得し、下記公式を用いてベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーを取得することができるが、これに限定されない。
【数１】
2021505052.tif 000003
PowS(n)は短時間パワーであり、PowL(n)は長時間パワーであり、nはベースバンド信号のサンプル番号であり、x(i)はベースバンド信号であり、Nは短時間窓の長さであり、Mは長時間窓の長さであり、λS、λLは記憶要素である。
短時間パワー、長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得するステップ205である。
具体的には、まず装置は短時間パワーから長時間パワーを差し引いて差を取得し、差と所定の閾値範囲の関係から現在の稼働状態指示信号を確定し、そのうち、所定の閾値範囲は第1の所定閾値と第2の所定閾値からなり、第1の所定閾値は第2の所定閾値より大きく、具体的な所定閾値は実際の必要に応じて設置することができ、ここでは繰り返さない。
差が第1の所定の閾値より大きい場合、現在の稼働状態指示信号を充電状態指示信号であると確定し、差が第2の所定の閾値より小さい場合、現在の稼働状態指示信号を放電状態指示信号であると確定し、差が第1の所定の閾値以下であり、第2の所定の閾値以上である場合、現在の稼働状態指示信号を保持状態指示信号であると確定する。
【００１４】
図3は本発明の長時間の記憶効果を補償する方法の実施例2における現在の稼働状態指示信号を確定する模式図であり、図3に示すように、下記公式を用いて判断、比較し、現在の稼働状態指示信号を取得することができる。
【数２】
2021505052.tif 000004
Staは現在の稼働状態指示信号を表し、Charge  Statusは充電状態指示信号を表し、Dis  Charge  Statusは放電状態指示信号を表し、Hold  Statusは保持状態指示信号を表し、TH1は第1の所定閾値を表し、TH0は第2の所定閾値を表している。
現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報を基にインデックスアドレスを取得するステップ206であり、装置はステップ205において確定された現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報を基に高次元関数インデックスアドレスを取得し、そのうち、パラメータ情報は電圧、温度、平均パワーおよび瞬時パワーを含む。
所定のマトリックス検索テーブルにおいてインデックスアドレスに対応する関数値を取得するステップ207であり、装置は所定のマトリックス検索テーブルにおいてステップ206におけるインデックスアドレスに対応する関数値を取得し、当該関数値は多次元非線形関数値である。
【００１５】
図4は本発明の長時間の記憶効果を補償する方法の実施例2における関数値を得る模式図であり、図4に示すように、装置は現在の稼働状態指示信号、電圧、温度、平均パワーおよび瞬時パワーを基に多次元関数インデックスアドレスを取得した後、所定のマトリックス検索テーブルにおいて当該多次元非線形関数値に対応する多次元非線形関数値を取得する。
関数値と遅延後のベースバンド信号を相乗して、補償後のベースバンド信号を取得するステップ208である。
【００１６】
図5は本発明の長時間の記憶効果を補償する方法の実施例2における補償後のベースバンド信号を出力する模式図であり、図5に示すように、装置は多次元非線形関数値と遅延後のベースバンド信号を相乗して、補償後のベースバンド信号を取得し、例えば、公式
【数３】
2021505052.tif 000005
を基に補償後のベースバンド信号を得、そのうち、y(n)は補償後のベースバンド信号であり、x’(n)は遅延後のベースバンド信号であり、f(n)は多次元関数検索テーブルの出力値である。
本発明の実施例で提供されている長時間の記憶効果を補償する方法は、単音および/または多音信号を用いて、異なる電圧、温度及びパワーの条件において訓練を行い、異なる電圧、温度、パワーの条件における長時間記憶特性パラメータを用いることで、異なる電圧、温度、パワーの条件における長時間記憶特性パラメータを基に所定のマトリックス検索テーブルを形成し、ベースバンド信号を遅延し、遅延後のベースバンド信号を取得し、ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーを取得し、短時間パワー、長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得し、現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報を基にインデックスアドレスを取得し、所定のマトリックス検索テーブルにおいてインデックスアドレスに対応する関数値を取得し、関数値と遅延後のベースバンド信号を相乗して、補償後のベースバンド信号を取得し、増幅器の電子捕獲効果を迅速に補正することができ、即ち、パワー増幅器の長時間の記憶効果をリアルタイムで補償し、ミリ秒レベルの歪みを補正することができ、従来のプリディストーション技術ではミリ秒レベルの歪みを補償できないという課題を克服し、基地局の無線周波数の指標、特に、バイパスパワーリーク比とベクトル誤差幅を向上させる。
本発明の目的をさらに体現するために、上記実施例を基に、さらにシナリオ実施例を挙げて説明する。
【００１７】
図6は本発明の長時間の記憶効果を補償する方法を、4G基地局のパワー増幅器に適用した際の模式図であり、図6に示すように、4G基地局のパワー増幅器は、ロングタームエボリューション（Long  Term  Evolution、LTE）ベースバンド信号入力モジュール、ピークカット（Crest  Factor  Reduction、CFR）/デジタルプリディストーション（Digital  Pr-Distration、DPD）モジュール、補償長時間記憶効果モジュール、デジタルアナログ変換（Digital  to  analog  converter，DAC）モジュール、無線周波数チャネル及び高効率パワー増幅モジュールを主に含んでおり、これらは順次に接続されている。
そのうち、LTEベースバンド信号入力モジュールは、LTEベースバンド信号を生成し、CFR/DPDモジュールは、パワー増幅器の短時間非線形歪み補償を行うために使用され、長時間の記憶効果を補償するモジュールは、LTEベースバンド信号に対してパワー増幅器の長時間記憶効果補償を行うために使用され、具体的には上記実施例の説明を参照することができ、ここでは説明を省略する。DACモジュールは、補償されたLTEベースバンド信号をデジタル化からアナログ化に変換するために用いられるものであり、無線周波数チャネル及び高効率パワー増幅モジュールは、アナログの補償後のLTEベースバンド信号をパワー増幅してアンテナに送り、電磁波で送信するためのものであり、最終的に、LTEベースバンド信号に対してパワー増幅器を行う長時間の記憶効果を補償する。
【００１８】
図7は本発明の長時間の記憶効果を補償する装置の実施例の構造模式図であり、図7に示すように、本発明の実施例で提供される長時間の記憶効果を補償する装置07は、ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーを取得する取得モジュール71と、前記短時間パワー、前記長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得する第1の処理モジュール72と、前記現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報を基にインデックスアドレスを取得する第2の処理モジュール73と、所定のマトリックス検索テーブルにおいて前記インデックスアドレスに対応する関数値を取得する検索モジュール74と、前記関数値を基に遅延後の前記ベースバンド信号を補償し、補償後の前記ベースバンド信号を取得する補償モジュール75とを備える。
さらに、前記装置は単音および/または多音信号を用いて、異なる電圧、温度及びパワーの条件において訓練を行い、多次元関数である異なる電圧、温度、パワーの条件における長時間記憶特性パラメータを取得し、前記異なる電圧、温度、パワーの条件における長時間記憶特性パラメータを基に前記所定のマトリックス検索テーブルを形成する訓練モジュール76をさらに備える。
さらに、前記第1の処理モジュール72は、具体的に、前記短時間パワーから前記長時間パワーを差し引いて差を取得し、前記差が第1の所定の閾値より大きい場合、前記現在の稼働状態指示信号を充電状態指示信号であると確定し、前記差が第2の所定の閾値より小さい場合、前記現在の稼働状態指示信号を放電状態指示信号であると確定し、前記差が第1の所定の閾値以下であり、第2の所定の閾値以上である場合、前記現在の稼働状態指示信号を保持状態指示信号であると確定し、前記所定の閾値範囲は、前記第1の所定の閾値と前記第2の所定の閾値からなり、前記第1の所定の閾値は前記第2の所定の閾値より大きい。
さらに、前記補償モジュール75は、前記関数値と前記遅延後の前記ベースバンド信号を相乗して、前記補償後の前記ベースバンド信号を取得するために用いられる。
さらに、前記取得モジュール71は、下記公式に従って前記ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーをそれぞれ取得するためのものであり、
【数４】
2021505052.tif 000006
前記PowS(n)は前記短時間パワーであり、前記PowL(n)は前記長時間パワーであり、前記nは前記ベースバンド信号のサンプル番号であり、前記x(i)は前記ベースバンド信号であり、前記Nは短時間窓の長さであり、前記Mは長時間窓の長さであり、前記λS、λLは記憶要素である。
さらに、前記パラメータ情報は、電圧、温度、平均パワーおよび瞬時パワーを含む。
本実施例の装置は、上記に示した方法の実施例の技術案を実行するために用いることができ、実現する原理と技術効果が類似しているため、ここでは説明を省略する。
【００１９】
図8は、本発明の長時間の記憶効果を補償するデバイスの実施例の構造模式図であり、図8に示すように、本発明の実施例で提供される長時間の記憶効果を補償するデバイス08は、インターフェース81、バス82、メモリ83、プロセッサ84を含むデバイスであり、前記インターフェース81、メモリ83、プロセッサ84は前記バス82を介して互いに接続し、前記メモリ83は実行可能なプログラムを記憶するためのものであり、前記プロセッサ84は前記実行可能なプログラムを実行して、ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーを取得し、前記短時間パワー、前記長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得し、前記現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報を基にインデックスアドレスを取得し、所定のマトリックス検索テーブルにおいて前記インデックスアドレスに対応する関数値を取得し、前記関数値を基に遅延後の前記ベースバンド信号を補償し、補償後の前記ベースバンド信号を取得するステップを実現するように配置される。
さらに、前記プロセッサ84は前記実行可能なプログラムを実行して、単音および/または多音信号を用いて、異なる電圧、温度及びパワーの条件において訓練を行い、多次元関数である異なる電圧、温度、パワーの条件における長時間記憶特性パラメータを取得し、前記異なる電圧、温度、パワーの条件における長時間記憶特性パラメータを基に前記所定のマトリックス検索テーブルを形成するステップを実現するように配置される。
さらに、前記プロセッサ84は前記実行可能なプログラムを実行して、具体的に、前記短時間パワーから前記長時間パワーを差し引いて差を取得し、前記差が第1の所定の閾値より大きい場合、前記現在の稼働状態指示信号を充電状態指示信号であると確定し、前記差が第2の所定の閾値より小さい場合、前記現在の稼働状態指示信号を放電状態指示信号であると確定し、前記差が第1の所定の閾値以下であり、第2の所定の閾値以上である場合、前記現在の稼働状態指示信号を保持状態指示信号であると確定するステップを実現するように配置され、前記所定の閾値範囲は、前記第1の所定の閾値と前記第2の所定の閾値からなり、前記第1の所定の閾値は前記第2の所定の閾値より大きい。
さらに、前記プロセッサ84は前記実行可能なプログラムを実行して、前記関数値と前記遅延後の前記ベースバンド信号を相乗して、前記補償後の前記ベースバンド信号を取得するステップを実現するように配置される。
さらに、前記プロセッサ84は前記実行可能なプログラムを実行して、具体的に、下記公式に従って前記ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーをそれぞれ取得するステップを実現するように配置され、
【数５】
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前記PowS(n)は前記短時間パワーであり、前記PowL(n)は前記長時間パワーであり、前記nは前記ベースバンド信号のサンプル番号であり、前記x(i)は前記ベースバンド信号であり、前記Nは短時間窓の長さであり、前記Mは長時間窓の長さであり、前記λS、λLは記憶要素である。
さらに、前記パラメータ情報は、電圧、温度、平均パワーおよび瞬時パワーを含む。
図8に示すように、時間の記憶効果を補償するデバイス08における各コンポーネントは、バス82を介して結合されており、バス82はこれらのコンポーネント間の接続通信を実現するために用いられ、バス82は、データバスの他に、電源バス、制御バス、および状態信号バスを含むと理解できるが、明確に説明するために、図8においては各種類のバスをすべてバス82として標記している。
そのうち、インターフェース81は、ディスプレイ、キーボード、マウス、トラックボール、ホイール、ボタン、タッチパネル、またはタッチスクリーンなどを含むことができる。
メモリ83は揮発性メモリまたは不揮発性メモリであってもよく、揮発性メモリと不揮発性メモリの両方を含んでもよいことが理解される。そのうち、不揮発性メモリは、リードオンリーメモリ（ROM、Read  Only  Memory）、プログラマブル読取り専用メモリ（PROM、Programmable  Read-Only  Memory）、消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（EPROM、Erasable  Programmable  Read-Only  Memory）、電気的消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（EEPROM，Electrically  Erasable  Programmable  Read-Only  Memory）、磁気ランダムアクセスメモリ（FRAM（登録商標）、ferromagnetic  random  access  memory）、フラッシュメモリ（Flash  Memory）、磁気表面メモリ、光ディスク、またはリードオンリーディスク（CD-ROM、Compact  Disc  Read-Only  Memory）であってよく、磁気表面メモリは磁気ディスクメモリまたはテープメモリであってよい。揮発性メモリは、外部キャッシュとして機能するランダムアクセスメモリ（RAM、Random  Accessメモリ）であってもよい。例示的であるが、限定的ではない説明から、多くの形態のRAMを使用することができ、例えば、静的ランダムアクセスメモリ（SRAM、Static  Random  Access  Memory）、同期静的ランダムアクセスメモリ（SSRAM、Synchronous  Static  Random  Access  Memory）、動的ランダムアクセスメモリ（DRAM、Dynamic  Random  Access）、同期ダイナミックランダムアクセスメモリ（SDRAM、Synchronous  Dynamic  Random  Access  Memory）、ダブルデータレート同期ダイナミックランダムアクセスメモリ（DDRSDRAM、Double  Data  Rate  Synchronous  Dynamic  Random  Access  Memory）、強化型同期ダイナミックドライブアクセスメモリ（ESDRAM，Enhanced  Synchronous  Dynamic  Random  Access  Memory）、同期接続ダイナミックランダムアクセスメモリ（SLDRAM、SyncLink  Dynamic  Random  Access  Memory）、直接メモリバスランダムアクセスメモリ（DRRAM、Direct  Ramus  Random  Access  Memory）を使用することができ、本発明の実施例で説明するメモリ83はこれらおよび他の適切なタイプのメモリを含むが、これらに限定されない。
本発明の実施例におけるメモリ83は、長時間の記憶効果を補償するデバイス08の動作をサポートする各種類のデータを記憶するためのものであり、これらのデータは、例えば、オペレーティングシステムやアプリケーションなど、長時間の記憶効果を補償するデバイス08において動作するコンピュータプログラムであり、オペレーティングシステムは、さまざまなシステムプログラム、例えばフレーム層、コアライブラリ層、駆動層などを含み、各種の基礎サービスを実現し、ハードウェアに基づくタスクを処理するためのものであり、アプリケーションは、メディアプレイヤー（Media  Player）、ブラウザ（Browser）などのような、様々なアプリケーションサービスを実現するための各種アプリケーションを含むことができ、本発明の実施例の方法を実現するプログラムは、アプリケーションに含まれてもよい。
【００２０】
上記の本発明の実施例によって開示された方法は、プロセッサ84に適用されてもよく、またはプロセッサ84によって実現されてもよい。プロセッサ84は、信号の処理能力を有する集積回路チップであってもよく、実現過程において、上記方法の各ステップは、プロセッサ84におけるハードウェアの集積論理回路またはソフトウェア形式の命令によって完了されてもよく、上記プロセッサ84は共通のプロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP、Digital  Signal  Processor）、または他のプログラマブル論理デバイス、分立ゲートまたはトランジスタ論理デバイス、分立ハードウェアコンポーネントなどであってよい。プロセッサ84は、本発明の実施例において公開された各方法、ステップ、および論理ブロック図を実現または実行してもよく、共通のプロセッサはマイクロプロセッサまたは任意の従来のプロセッサなどであってもよく、本発明の実施例で公開された方法のステップを組み合わせて、ハードウェアコードプロセッサの実行完了か、またはコードプロセッサのハードウェアおよびソフトウェアモジュールの組み合わせで実行完了するかして直接体現できる。ソフトウェアモジュールは記憶媒体に位置し、当該記憶媒体はメモリ83に位置させることができ、プロセッサ84はメモリ83の情報を読み取り、そのハードウェアに関連して前記方法のステップを完了させる。
例示的な実施例では、長時間の記憶効果を補償するデバイス08は、1つまたは複数のアプリケーション専用集積回路（ASIC、Application  Specific  Integrated  Circuit）、DSP、プログラマブルロジックデバイス（PLD、Programmable  Logic  Device）、コンプレックスプログラマブルロジックデバイス（CPLD、Complex  Programmable  Logic  Device）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（FPGA、Field-Programmable  Gate  Array）、共通プロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ（MCU、Micro  Controller  Unit）、マイクロプロセッサ（Microprocessor）、またはその他の電子要素により実現されてよく、前記方法を実行するために使用される。
【００２１】
本実施例のデバイスは、上記に示した方法の実施例の技術案を実行するために用いることができ、実現する原理と技術効果が類似しているため、ここでは説明を省略する。
本発明の実施例は、コンピュータ読み取り可能記憶媒体をさらに提供しており、前記コンピュータ読み取り可能記憶媒体は、FRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash  Memory、磁気表面メモリ、光ディスク、またはCD-ROMなどのメモリであってよく、上記メモリのうちの1つまたは任意の組合せを含む各種類のデバイスであってもよい。前記コンピュータ読み取り可能記憶媒体は、プログラムを記憶し、前記プログラムはベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーを取得し、前記短時間パワー、前記長時間パワーおよび所定の閾値範囲を基に、現在の稼働状態指示信号を取得し、前記現在の稼働状態指示信号とパラメータ情報を基にインデックスアドレスを取得し、所定のマトリックス検索テーブルにおいて前記インデックスアドレスに対応する関数値を取得し、前記関数値を基に遅延後の前記ベースバンド信号を補償し、補償後の前記ベースバンド信号を取得するというステップを実現するためにプロセッサによって実行される。
さらに、前記プログラムは、単音および/または多音信号を用いて、異なる電圧、温度及びパワーの条件において訓練を行い、多次元関数である異なる電圧、温度、パワーの条件における長時間記憶特性パラメータを取得し、前記異なる電圧、温度、パワーの条件における長時間記憶特性パラメータを基に前記所定のマトリックス検索テーブルを形成するステップを実現するために、前記プロセッサによって実行されることができる。
さらに、前記プログラムは、前記短時間パワーから前記長時間パワーを差し引いて差を取得し、前記差が第1の所定の閾値より大きい場合、前記現在の稼働状態指示信号を充電状態指示信号であると確定し、前記差が第2の所定の閾値より小さい場合、前記現在の稼働状態指示信号を放電状態指示信号であると確定し、前記差が第1の所定の閾値以下であり、第2の所定の閾値以上である場合、前記現在の稼働状態指示信号を保持状態指示信号であると確定し、前記所定の閾値範囲は、前記第1の所定の閾値と前記第2の所定の閾値からなり、前記第1の所定の閾値は前記第2の所定の閾値より大きいというステップを具体的に実現するために、前記プロセッサによって実行されることができる。
さらに、前記プログラムは、前記関数値と前記遅延後の前記ベースバンド信号を相乗して、前記補償後の前記ベースバンド信号を取得するというステップを具体的に実現するために、前記プロセッサによって実行されることができる。
さらに、前記プログラムは、下記公式に従って、前記ベースバンド信号の短時間パワーと長時間パワーをそれぞれ取得し、
【数６】
2021505052.tif 000008
前記PowS(n)は前記短時間パワーであり、前記PowL(n)は前記長時間パワーであり、前記nは前記ベースバンド信号のサンプル番号であり、前記x(i)は前記ベースバンド信号であり、前記Nは短時間窓の長さであり、前記Mは長時間窓の長さであり、前記λS、λLは記憶要素であるというステップを具体的に実現するために、前記プロセッサによって実行されることができる。
さらに、前記パラメータ情報は、電圧、温度、平均パワーおよび瞬時パワーを含む。
本実施例のコンピュータ読み取り可能記憶媒体は、上記に示した方法の実施例の技術案を実行するために用いることができ、実現する原理と技術効果が類似しているため、ここでは説明を省略する。
【００２２】
本発明の実施例は、コンピュータプログラム製品をさらに提供しており、前記コンピュータプログラム製品は非一時的なコンピュータ読み取り可能記憶媒体に記憶されたコンピュータプログラムを含み、前記コンピュータプログラムはプログラム命令を含み、前記プログラム命令がコンピュータに実行される場合、上記の任意の方法実施例における方法を前記コンピュータに実行させる。
【００２３】
本発明の実施例は、方法、システム、またはコンピュータプログラム製品として提供され得ることを当業者は理解するであろう。したがって、本発明は、ハードウェアの実施例、ソフトウェアの実施例、またはソフトウェアおよびハードウェアを組み合わせた実施例の形態を採用することができる。さらに、本発明は、コンピュータ利用可能なプログラムコードを含む1つまたは複数のコンピュータ利用可能な記憶媒体（磁気ディスクメモリや光学メモリなどを含むが、これらに限定されない）上で実施されるコンピュータプログラム製品の形態を採用することができる。
【００２４】
本発明は、本発明の実施例による方法、デバイス（システム）、およびコンピュータプログラム製品のフロー図および/またはブロック図を参照して説明される。フロー図および/またはブロック図のそれぞれのフローおよび/またはブロック、ならびにフロー図および/またはブロック図におけるフローおよび/またはブロックの組み合わせは、コンピュータプログラム命令によって実行され得ることが理解されるべきである。これらのコンピュータプログラム命令は、共通コンピュータ、専用コンピュータ、埋め込み式プロセッサ、または他のプログラマブルデータ処理装置のプロセッサに提供されることができ、コンピュータまたは他のプログラマブルデータ処理装置のプロセッサによって実行される命令によって、フロー図の1つのフローまたは複数のフロー、および/またはブロック図の1つのブロックまたは複数のブロックで指定される機能を実現するための装置である。
これらのコンピュータプログラム命令は、コンピュータまたは他のプログラム可能データ処理装置を特定の方法で動作させることもできるコンピュータ読み取り可能メモリに記憶することができ、当該コンピュータ読み取り可能メモリに記憶された命令は、フロー図の1つのフローまたは複数のフロー、および/またはブロック図の1つまたは複数のブロックで指定された機能を実現する命令デバイスを含む製造品を生成する。
これらのコンピュータプログラム命令は、コンピュータまたは他のプログラマブルデータ処理デバイスにアップロードされてもよく、コンピュータまたは他のプログラマブルデバイス上で一連の動作ステップを実行して、コンピュータによって実現される処理を生成し、それによって、コンピュータまたは他のプログラマブルデバイス上で実行される命令は、フロー図の1つのフローまたは複数のフローおよび/またはブロック図の1つのブロックまたは複数のブロックで指定される機能のステップを実現するために提供される。
上記内容は、本発明のより好ましい実施例であるに過ぎず、本発明の請求する範囲を限定するものではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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