(57)【要約】  磁気微小集束の電子放出源装置が開示される。装置は、磁気エミッタユニットを含み得て、磁気エミッタユニットはエミッタを含む。更に、磁気エミッタユニットは、１つ以上の磁性材料から形成された１つ以上の磁気部分を含み得て、磁気エミッタユニットの１つ以上の磁気部分は、磁気エミッタユニットのエミッタの先端に近接する磁場を生成して、電子エミッタからの放出電子の集束を強化するように構成される。
2021530086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気エミッタユニットであって、エミッタを含み、１つ以上の磁性材料から形成された１つ以上の磁気部分を含み、前記磁気エミッタユニットの前記１つ以上の磁気部分は、前記磁気エミッタユニットの前記エミッタの先端に近接する磁場を生成して、電子エミッタからの放出電子の集束を強化するように構成される、磁気エミッタユニットを備える、
装置。
【請求項２】
前記磁気エミッタユニットは、
前記エミッタを取り囲む磁気スリーブ構造を含み、前記エミッタは非磁性材料から形成される、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記非磁性材料は、
１つ以上の非フェライト材料を含む、
請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記磁気エミッタユニットは、
磁気エミッタを含み、前記磁気エミッタは磁性材料から形成される、
請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記磁性材料は、
１つ以上のフェライト材料を含む、
請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記１つ以上のフェライト材料は、
ニッケル、鉄、又はコバルトのうちの少なくとも１つを含む、
請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記磁気エミッタユニットによって生成される前記磁場は、前記磁気エミッタユニットの前記エミッタの前記先端からの粒子放出のためのレンズ電界を生成するように構成される、
請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記レンズ電界は前記エミッタの前記先端の表面で０．５〜２．５テスラの強度を有する、
請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記エミッタの前記先端からの前記粒子放出は、
熱電子放出、ショットキー電子放出、拡張ショットキー電子放出、冷電界電子放出、又は光放出のうちの少なくとも１つを含む、
請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
磁気エミッタユニットを含む電子源であって、前記磁気エミッタユニットはエミッタを含み、前記磁気エミッタユニットは１つ以上の磁性材料から形成された１つ以上の磁性部分を含み、前記磁気エミッタユニットの前記１つ以上の磁気部分は、前記磁気エミッタユニットの前記エミッタの先端に近接する磁場を生成して、前記電子エミッタからの放出電子の集束を強化するように構成される、電子源と、
電子ビームをサンプルに向けるように構成された電子光学素子のセットを含む電子光学カラムと、
前記サンプルからの電子信号を検出するように構成された検出器アセンブリと、を備える、
装置。
【請求項１１】
前記磁気エミッタユニットは、
前記エミッタを取り囲む磁気スリーブ構造であって、前記エミッタは非磁性材料から形成される、磁気スリーブ構造を含む、
請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記非磁性材料は、
１つ以上の非フェライト材料を含む、
請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記磁気エミッタユニットは、
磁気エミッタを含み、前記磁気エミッタは磁性材料で形成される、
請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記磁性材料は、
１つ以上のフェライト材料を含む、
請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記１つ以上のフェライト材料は、
ニッケル、鉄、又はコバルトのうちの少なくとも１つを含む、
請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記磁気エミッタユニットによって生成される前記磁場は、前記磁気エミッタユニットの前記エミッタの前記先端からの粒子放出のためのレンズ電界を生成するように構成される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１７】
前記レンズ電界は前記エミッタの前記先端の表面で０．５〜２．５テスラの強度を有する、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記エミッタの前記先端からの前記粒子放出は、
熱電子放出、ショットキー電子放出、拡張ショットキー電子放出、冷電界電子放出、又は光放出のうちの少なくとも１つを含む、
請求項１０に記載の装置。
【請求項１９】
前記装置は、走査型電子顕微鏡システムを含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項２０】
前記装置は検査システム又は画像ベースの計測システムのうちの少なくとも１つを含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項２１】
電子エミッタの先端から粒子ビームを放出する工程と、
前記電子エミッタの磁気部分又は前記電子エミッタを取り囲む磁気スリーブの少なくとも１つを用いて、前記電子エミッタの前記先端に近接して磁場を生成し、前記電子エミッタからの前記放出電子の集束を強化する工程と、を含む、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、電子放出ユニット、特に、磁気電子放出ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
（関連出願の相互参照）
本出願は、米国特許法第１１９条（ｅ）の定めにより、２０１８年７月３日に、「ＭＡＧＮＥＴＩＣＡＬＬＹ  ＭＩＣＲＯＦＯＣＵＳＥＤ  ＥＬＥＣＴＲＯＮ  ＥＭＩＳＳＩＯＮ  ＳＯＵＲＣＥ」と題し、発明者をＣｈｒｉｓｔｏｐｈｅｒ  Ｓｅａｒｓに指定して出願された米国仮出願シリアル番号第６２／６９３，８６９号の利益を主張し、通常の（非仮）特許出願を構成するものであり、その全体は参照することによって本明細書に組み込まれる。
【０００３】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）ツールは、材料特性評価のための強力なツールとなった。ＳＥＭツールは、サンプルの画像化のために電子源からの電子を使用する。電子は針状金属線の端部点から放出され、加熱されて電子放出を誘発するのを補助することが多い。多くの電子源の設計では、エミッタから短い距離又はエミッタの周囲に配置された０．１〜０．２テスラ（Ｔ）の範囲の低磁場を用いて、電子を集束させる。これらの現在のエミッタは、磁場との相互作用がない非フェライト材料で構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１５／０３７１８１０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
現在の電子エミッタは、磁気集束場を形成するための従来の方法に対する磁性鉄のサイズ又は高電圧スタンドオフ距離などの物理的制限を有する。本開示は、電子ビームを生成するための磁気微小焦点の電子放出源装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
装置は、本開示の１つ以上の実施形態により開示される。１つの実施形態では、装置は磁気エミッタユニットを含む。別の実施形態では、磁気エミッタユニットはエミッタを含む。別の実施形態では、磁気エミッタユニットは、１つ以上の磁性材料から形成される１つ以上の磁気部分を含む。別の実施形態では、磁気エミッタユニットの１つ以上の磁気部分は、磁気エミッタユニットのエミッタの先端に近接する磁場を生成し、電子エミッタからの放出電子の集束を強化するように構成される。
【０００７】
装置は、本開示の１つ以上の実施形態により開示される。１つの実施形態では、装置は、磁気エミッタユニットを含む電子源を含む。別の実施形態では、磁気エミッタユニットは、エミッタを含む。別の実施形態では、磁気エミッタユニットは、１つ以上の磁性材料から形成された１つ以上の磁気部分を含む。別の実施形態では、磁気エミッタユニットの１つ以上の磁気部分は、磁気エミッタユニットのエミッタの先端に近接する磁場を生成し、電子エミッタからの放出電子の集束を強化するように構成される。別の実施形態では、装置は、電子光学カラムを更に含み、それは電子ビームをサンプルに向けるように構成された電子光学素子のセットを含む。別の実施形態では、装置は、サンプルからの電子信号を検出するように構成された検出器アセンブリを含む。
【０００８】
方法は、本開示の１つ以上の実施形態により開示される。１つの実施形態では、この方法は、電子エミッタの先端から粒子ビームを放出することを含む。別の実施形態では、この方法は、電子エミッタの磁気部分又は電子エミッタを取り囲む磁気スリーブのうちの少なくとも１つを用いて、電子エミッタの先端に近接する磁場を生成し、電子エミッタからの放出電子の集束を強化することを含む。
【０００９】
前述の一般的な説明、及び以下の詳細な説明の両方は、例示的かつ説明的なものであり、特許請求されるように本発明を必ずしも限定するものではないことを理解されたい。添付の図面は、本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成し、本発明の実施形態を一般的な説明とともに示し、本発明の原理を説明するのに役立つ。
【００１０】
本開示の多くの利点は、添付の図面を参照することにより、当業者によってよりよく理解され得る。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】本開示の１つ以上の実施形態による、磁気エミッタユニットの概略図を示す。
【図１Ｂ】本開示の１つ以上の実施形態による、磁気エミッタユニットの概略図を示す。
【図２Ａ】本開示の１つ以上の実施形態による、磁気エミッタユニットによって生成された磁場を示す。
【図２Ｂ】本開示の１つ以上の実施形態による、図２Ａに示された磁場の磁場強度のプロットを示す。
【図２Ｃ】本開示の１つ以上の実施形態による、磁気エミッタユニットのレンズ電界を示す。
【図３】本開示の１つ以上の実施形態による、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）装置の高レベルの概略図を示す。
【図４】本開示の１つ以上の実施形態による、磁気エミッタユニットを実装するための方法のプロセス流れ図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
ここで、開示された主題を詳細に参照し、それは添付の図面に示される。
【００１３】
一般に図１Ａ〜図４を参照すると、磁気微小焦点の電子放出源装置及び方法は、本開示により説明される。
【００１４】
現在の電子エミッタは、磁気集束場を形成するための従来の方法に対する磁性鉄のサイズ又は高電圧スタンドオフ距離などの物理的制限を有する。電子放出源の電子光学特性は、磁場を増加させ、それをエミッタ表面に近い容積に更に限局することによって改善され得る。これは、磁性材料からエミッタの少なくとも一部分を形成することによって実現され得る。磁気電子エミッタを作成することは、先端の近くで局所的に強化された強い磁場を作成し、強いレンズ電界を作成する。磁場強度を更に高め、その容積を限局する手段を見つけることは、良好な光学品質のより高い電流プローブビームを提供する上で利益をもたらし得る。
【００１５】
本開示の実施形態は、電子ビームを生成するための磁気微小焦点の電子放出源装置に関する。特に、本開示は、１つ以上の磁気部分を含む磁気エミッタユニットに関し、エミッタからの放出は、非常に強い磁場を用いて増強される。加えて、本開示の実施形態は、磁気エミッタユニットの１つ以上の磁気部分によって生成される強い磁場を用いて、強いレンズ電界（例えば、短い焦点距離）を作成することに関する。本開示の実施形態はまた、電子源に磁気エミッタユニットを利用するＳＥＭ装置に関する。
【００１６】
図１Ａと図１Ｂは、本開示の１つ以上の実施形態による、磁気エミッタユニット１００の概略図を示す。１つの実施形態では、磁気エミッタユニット１００は、エミッタ１０２を含む。エミッタ１０２は、先端１０６を含んでもよい。図１Ａと図１Ｂに示す先端１０６は、単に例示の目的で提供され、本開示の範囲を限定するものとして解釈されるものではない。エミッタ１０２は、任意の長さ及び直径を有してもよい。例えば、エミッタは、１．０〜１０．０ｍｍの間の長さを有してもよい。別の例として、エミッタは、０．１〜２．０ｍｍの間の直径を有してもよい。
【００１７】
別の実施形態では、磁気エミッタユニット１００は、エミッタ１０２の少なくとも一部分に配置された１つ以上の磁気部分１０４を含む。１つ以上の磁気部分１０４は、１つ以上の磁性材料から形成され得る。１つ以上の磁性材料は、当技術分野で周知の任意の磁性材料を含み得て、限定するものではないが、１つ以上のフェライト材料が挙げられる。例えば、１つ以上のフェライト材料は、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）などのうちの少なくとも１つを含み得る。
【００１８】
図１Ａを参照すると、１つの実施形態では、磁気エミッタユニット１００は、１つ以上の磁性材料から形成された磁気エミッタ（例えば、エミッタ１０２）を含む。この実施形態では、１つ以上の磁気部分１０４は、磁気エミッタ（例えば、エミッタ１０２）を形成してもよい。
【００１９】
図１Ｂを参照すると、別の実施形態では、磁気エミッタユニット１００は、磁気スリーブ構造（例えば、１つ以上の磁気部分１０４）を含む。磁気スリーブ構造（例えば、１つ以上の磁気部分１０４）は、エミッタ１０２の一部分を取り囲んでもよく、その結果、エミッタ１０２の先端１０６は１つ以上の磁性材料で覆われない。この実施形態では、１つ以上の磁性材料は、当技術分野で周知の任意の磁性材料を含んでもよく、限定するものではないが、１つ以上のフェライト材料（例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏなど）が挙げられる。この実施形態では、エミッタ１０２は、当技術分野で周知の任意の非磁性材料から形成されてもよく、限定するものではないが、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、カーボン（Ｃ）ナノワイヤ、六ホウ化ランタン（ＬａＢ６）、六ホウ化セリウム（ＣｅＢ６）などのうちの少なくとも１つが挙げられる。磁気スリーブ構造を含むエミッタ１０２は、当技術分野で周知の任意の長さ及び直径を有し得る。例えば、磁気スリーブを含むエミッタ１０２の長さは、１．０〜１０．０ｍｍであり得る。別の例として、磁気スリーブを含むエミッタ１０２は、１．０〜３．０ｍｍの間の直径を有し得る。
【００２０】
本明細書では、磁気スリーブ構造（例えば、１つ以上の磁気部分１０４）は、当技術分野で周知の任意の製造プロセスを使用してエミッタ１０２に接続され得ることに留意する。例えば、磁気スリーブ構造は、エミッタ１０２に摩擦嵌めされてもよい。例えば、磁気スリーブ構造１０４は、内側エミッタ１０２を冷却し、及び／又は外側磁気スリーブ構造１０４を加熱し、次いでエミッタ１０２を磁気スリーブ構造１０４の内側に配置し、アセンブリが平衡に至るのを可能にすることによって、エミッタ１０２に接続されてもよい。別の例として、磁気スリーブ構造はエミッタ１０２にスポット溶接されてもよい。
【００２１】
別の実施形態では、磁気エミッタユニット１００の１つ以上の磁気部分１０４は、エミッタ１０２の先端１０６に近接する磁場を生成して、エミッタ１０２の先端１０６からの粒子放出を増強するように構成される。例えば、磁気エミッタユニット１００の１つ以上の磁気部分１０４は、エミッタ１０２の先端１０６に近接する磁場を生成して、電子エミッタ１０２からの放出電子の集束を強化するように構成される。図１Ａと図１Ｂに示される磁力線は、単に例示の目的で提供され、本開示の範囲を限定するものとして解釈されるものではない。
【００２２】
別の実施形態では、磁気エミッタユニット１００によって生成される磁場は、磁気エミッタユニット１００のエミッタ１０２の先端１０６からの粒子放出のためのレンズ電界を生成するように構成される。レンズ電界は、当技術分野で周知の任意の強度を有してもよい。例えば、レンズ電界は、エミッタ１０２の先端１０６の表面で０．５〜２．５テスラ（Ｔ）の間の強度を有し得る。例えば、レンズ電界は、１．５Ｔの強度を有し得る。
【００２３】
エミッタ１０２の先端１０６からの粒子放出は、当技術分野で周知の任意のタイプの放出プロセスを含み得る。例えば、粒子放出は、熱電子放出、ショットキー電子放出、拡張ショットキー電子放出、冷電界電子放出、光放出などのうちの少なくとも１つを含み得る。
【００２４】
図２Ａは、本開示の１つ以上の実施形態による、磁気エミッタユニット１００によって生成される磁場を示す。図２Ｂは、本開示の１つ以上の実施形態による、図２Ａに示された磁場の磁場強度のプロット２００を示す。１つの実施形態では、エミッタ１０２の１つ以上の磁気部分１０４によって生成された磁場（Ｂｚ）は、図２Ａと図２Ｂに示されるように、先端１０６から離れて急速に減衰する。例えば、エミッタ１０２の１つ以上の磁気部分１０４は、より大きな磁気回路によって供給される磁束を、電子放出のパワー又はその近くのはるかに強い局所場（例えば、エミッタ１０２の１つ以上の磁気部分１０４）に集束させるように構成される。出願人は、磁場が磁気エミッタユニット１００全体にわたってより強い場合、電子は過剰に集束され、多くの中間焦点を通過するであろうことに特に言及する。
【００２５】
図２Ｂを参照すると、磁場（Ｂｚ）の強さは、エミッタ１０２の１つ以上の磁気部分１０４又はその近くでより強い。プロット２００の平坦部分は、比較的一定の強い磁場を示し、エミッタ１０２及び先端１０６の長さに対応する。プロット２００は、磁場（Ｂｚ）の強さが、先端１０６から距離（Ｚ）離れて移動する間に急速に減少することを示す。
【００２６】
図２Ｃは、本開示の１つ以上の実施形態による、磁気エミッタユニット１００のレンズ電界２１０、２２０を示す。１つの実施形態では、強いレンズ電界２１０は、磁気エミッタユニット１００によって生成され、先端１０６の近くでより強く（短い焦点距離を有する）、一方、対応する電子光学システム（例えば、システム３００）の主磁石は、先端１０６から更に移動する間、より弱いレンズ電界２２０（長い焦点距離を有する）を生成する。更に、出願人は、先端１０６の近くにより短い焦点距離を形成することにより、レンズ収差が低減されることを特に言及する。
【００２７】
図３は、本開示の１つ以上の実施形態による、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）装置３００の高レベルの概略図を示す。本明細書では、図１Ａ〜図２Ｃに関して本明細書で前述した様々な実施形態、構成要素、及びアーキテクチャは、特に別様に記載のない限り、図３のＳＥＭ装置３００にまで及ぶと解釈されるべきであることに留意する。
【００２８】
１つの実施形態では、ＳＥＭ装置３００は、１つ以上の電子ビーム３０６を生成するための電子源３０２を含む。
【００２９】
別の実施形態では、電子源３０２は、１つ以上のエミッタを含む。例えば、電子源３０２は、図１Ａと図１Ｂに示される磁気エミッタユニット１００を含んでもよい。電子源３０２及び磁気エミッタユニット１００は、１つ以上の電子ビーム３０６を放出するのに適した当技術分野で周知の任意のエミッタを含んでもよい。例えば、電子源３０２及び磁気エミッタユニット１００は、単一の電子エミッタを含み得る。別の例として、電子源３０２及び磁気エミッタユニット１００は、複数の電子エミッタを含み得る。
【００３０】
電子源３０２及び磁気エミッタユニット１００は、電子放出の当技術分野で周知の任意の電子エミッタを含んでもよい。例えば、電子源３０２及び磁気エミッタユニット１００は、１つ以上の電界放出銃（ＦＥＧ）を含み得るが、これに限定されない。別の例として、１つ以上の電界放出銃は、限定するものではないが、カーボンナノチューブエミッタ、ナノ構造カーボンフィルムエミッタ、ミュラー型エミッタ、スピント型エミッタ、又はショットキー型エミッタを含んでもよい。
【００３１】
別の実施形態では、電子源３０２は、１つ以上の抽出器３０４を含む（図２Ｂと図３に示されるように）。動作中、１つ以上の抽出器３０４は、電子ビーム３０６の少なくとも一部分を磁気エミッタユニット１００から抽出し、電子ビーム３０６を電子光学カラム３０８に透過し、次に、電子ビーム３０６をサンプル３１２に向ける。電子源３０２の１つ以上の抽出器３０４は、当技術分野で周知の任意の電子ビーム抽出器を含み得る。
【００３２】
別の実施形態では、ＳＥＭ装置３００は、サンプルステージ３１４を含む。１つの実施形態では、サンプルステージ３１４は、作動可能ステージである。例えば、サンプルステージ３１４は、限定するものではないが、１つ以上の直線方向（例えば、ｘ方向、ｙ方向、及び／又はｚ方向）に沿ってサンプル３１２を選択的に並進させるのに適した１つ以上の並進ステージを含み得る。別の例として、サンプルステージ３１４は、限定するものではないが、回転方向に沿ってサンプル３１２を選択的に回転させるのに適した１つ以上の回転ステージを含み得る。別の例として、サンプルステージ３１４は、限定するものではないが、選択的に、サンプル３１２を直線方向に沿って並進させる、及び／又はサンプル３１２を回転方向に沿って回転させるのに適した回転ステージ及び並進ステージを含み得る。
【００３３】
別の実施形態では、ＳＥＭ装置３００は、電子ビーム３０６をサンプルステージ３１４上に配置されたサンプル３１２に向け、及び／又は集束させるための電子光学カラム３０８を含む。サンプル３１２は、電子ビーム顕微鏡法（例えば、ＳＥＭ）を用いた検査／レビューに適した当技術分野で周知の任意のサンプルを含み得る。１つの実施形態では、サンプル３１２は、ウェハを含む。例えば、サンプル３１２は、半導体ウェハを含み得るが、これに限定されない。本開示を通じて使用される場合、「ウェハ」という用語は、半導体及び／又は非半導体材料で形成された基板を指す。例えば、半導体又は半導体材料は、限定するものではないが、単結晶シリコン、ガリウム砒素、及びリン化インジウムを含み得る。別の実施形態では、サンプルはフォトマスクを含む。別の実施形態では、サンプル３１２はレチクルを含む。別の実施形態では、サンプル３１２は、１つ以上の電子ビーム３０６に応答して電子３１６を放出及び／又は散乱させる。
【００３４】
別の実施形態では、電子光学カラム３０８は、電子ビームをサンプル３１２に向けるように構成された電子光学素子３１０ａ〜３１０ｃのセットを含む。電子光学素子３１０ａ
〜３１０ｃのセットは、当技術分野で周知の電子光学素子の任意の組み合わせを含んでもよい。例えば、電子光学素子３１０ａ〜３１０ｃのセットは、１つ以上のコンデンサレンズ３１０ａを含み得る。別の例として、電子光学素子３１０ａ〜３１０ｃのセットは、１つ以上の対物レンズ３１０ｃを含み得る。１つ以上のコンデンサレンズ３１０ａ及び１つ以上の対物レンズ３１０ｃは、電子ビーム３０６及び／又は電子信号３１６を成形することが可能な電子光学の当該技術分野で周知の任意のレンズ技術を含んでもよい。更なる例として、電子光学素子３１０ａ〜３１０ｃのセットは、１つ以上のビーム偏向器ユニット３１０ｂ（例えば、四重極偏向器又は八重極偏向器）を含み得る。
【００３５】
別の実施形態では、ＳＥＭ装置３００は、サンプル３１２からの電子信号３１６を検出するように構成された検出器アセンブリ３１８を含む。検出器アセンブリ３１８は、サンプル３１２からの電子信号３１６（例えば、二次電子及び／又は後方散乱電子）を検出することが可能な当技術分野で周知の任意の検出器技術を含む。例えば、二次電子検出器は、電子コレクタを含んでもよく、それはサンプル３１２の表面によって放出された二次電子３１６を収集する。更に、電子検出器アセンブリ３１８は、二次電子３１６を検出するための検出器を含み得る。例えば、電子検出器アセンブリ３１８は、限定するものではないが、エバーハート−ソーンリー(Everhart-Thornley)検出器を含み得る。別の例として、検出器素子は、限定するものではないが、シンチレーティング素子及び光電子増倍管（ＰＭＴ）検出器を含み得る。別の実施形態では、検出器アセンブリ３１８は、１つ以上のマイクロチャネルプレート（ＭＣＰ）、ＰＩＮ又はｐ−ｎ接合検出器、例えばダイオード又はダイオードアレイ、あるいは１つ以上のアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）を含み得る。
【００３６】
図４は、本開示の１つ以上の実施形態による、磁気エミッタユニット１００を実装する方法４００を示すプロセス流れ図である。図１Ａ〜図３において本明細書で前述した様々な実施形態、構成要素、及びアーキテクチャは、図４の方法４００に及ぶと解釈するべきであることに留意する。
【００３７】
工程４０２において、電子エミッタ１０２の先端１０６からの粒子ビームは、磁気エミッタユニット１００によって放出される。
【００３８】
工程４０４において、電子エミッタ１０２の先端１０６に近接する磁場が生成されて、電子エミッタ１０２からの放出電子の集束を強化する。
【００３９】
動作中、磁気エミッタユニット１００は、１つ以上の電子ビーム３０６を放出する。１つ以上の抽出器３０４は、１つ以上の電子ビーム３０６の一部分を抽出し、電子光学カラム３０８に透過させる。電子光学素子３１０ａ〜３１０ｃのセットは、１つ以上の電子ビーム３０６を、サンプルステージ３１４上に配置されたサンプル３１２に向け、及び／又は集束させる。次に、サンプル３１２は、電子信号３１６を放出し、それはＳＥＭ装置３００の検出器アセンブリ３１８によって検出される。
【００４０】
当業者は、本明細書に記載の構成要素、装置、物体、及びそれらに付随する説明が、概念を明確にするための例として使用され、様々な構成の変更が企図されることを認識するであろう。したがって、本明細書で使用されるように、記載された特定の例示（exemplars）及び付随する議論は、それらのより一般的な分類を表すことを意図する。一般に、特定の例示の使用は、その分類を表すことを意図しており、特定の構成要素、装置、及び物体を含まないことを、制限するものと見なすべきではない。
【００４１】
本明細書における実質的に任意の複数形及び／又は単数形の用語の使用に関して、当業者は、複数形から単数形へ、及び／又は単数形から複数形へ、文脈及び／又は用途に適切なように解釈し得る。様々な単数形／複数形の順列は、明確にするために、本明細書では明示的に記載されていない。
【００４２】
本明細書に記載の主題は、他の構成要素内に含有される、又は他の構成要素と接続される異なる構成要素を示す場合がある。そのような描写されたアーキテクチャは単なる例示であり、実際に、同じ機能を実現する他の多くのアーキテクチャが実装され得ることが理解されるべきである。概念的な意味では、同じ機能を実現するための構成要素の任意の配置は、効果的に「関連付け」られて、所望の機能が実現される。したがって、特定の機能を実現するために組み合わされた本明細書の任意の２つの構成要素は、互いに「関連付けられている」と見なすことができ、その結果、所望の機能はアーキテクチャ又は中間構成要素に関係なく実現される。同様に、そのように関連付けられた任意の２つの構成要素はまた、互いに「接続」又は「結合」されて所望の機能を実現すると見なし得て、かつそのように関連付けられている可能性がある任意の２つの構成要素は、互いに「結合可能」であると見なして、所望の機能を実現し得る。結合可能な特定の例には、限定するものではないが、物理的に接合可能及び／又は物理的に相互作用する構成要素、及び／又は無線的に相互作用可能及び／又は無線的に相互作用する構成要素、及び／又は論理的に相互作用する及び／又は論理的に相互作用可能な構成要素を含む。
【００４３】
さらに、本発明は、添付の特許請求の範囲によって定められることが理解されるべきである。一般に、本明細書で、特に添付の特許請求の範囲（例えば、添付の特許請求の範囲の本文）で使用される用語は、一般に「開放(open)」用語として意図されていることが当業者によって理解されるであろう（例えば、「含んでいる(including)」という用語は「含んでいるがこれに限定されない」と解釈されるべきであり、「有している(having)」という用語は「少なくとも有している」と解釈されるべきであり、「含む(includes)」という用語は「含むが、それに限定されない」と解釈されるべきであるなど）。特定数の導入された請求項の記載（claim recitation）が意図されている場合、そのような意図は請求の範囲に明示的に記載され、そのような記載がない場合、そのような意図は存在しないことが当業者によって更に理解されるであろう。例えば、理解を助けるために、以下の添付の請求項には、請求項の記載を導入するために、導入句「少なくとも１つ」及び「１つ以上」の使用を含んでしてもよい。しかしながら、そのような句の使用は、不定冠詞「ａ」又は「ａｎ」による請求項の記載の導入が、そのように導入された請求項の記載を含む任意の特定の請求の範囲を、そのような記載を１つのみ含む発明に限定することを意味すると解釈されるべきではなく、たとえ同じ請求項が導入句「１つ以上」又は「少なくとも１つ」と不定冠詞「ａ」又は「ａｎ」（例えば、「ａ」及び／又は「ａｎ」は通常、「少なくとも１つ」又は「１つ以上」を意味すると解釈されるべきである）を含む場合であっても同様であり、同じことが請求項の記載を導入するために用いられる定冠詞の使用に対しても当てはまる。加えて、導入された請求項の記載の特定数が明示的に記載されている場合でも、当業者は、そのような記載は通常、少なくとも記載された数を意味すると解釈されるべきであることを認識するであろう（例えば、他の修飾語がない「２つの記載」の素の記載(bare recitation)は、通常、少なくとも２つの記載、又は２つ以上の記載を意味する）。更に、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ、など」に類似した慣用語が用いられる例において、一般に、そのような構成は、当業者がその慣用語を理解するであろう意味に意図されている（例えば、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つを有するシステム」は、限定するものではないが、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡとＢを一緒に、ＡとＣを一緒に、ＢとＣを一緒に、及び／又はＡ、ＢとＣを一緒に有するシステムを含む、など）。「Ａ、Ｂ又はＣの少なくとも１つ、など」に類似した慣用語が用いられる例において、一般に、そのような構成は、当業者がその慣用語を理解するであろう意味に意図されている（例えば、「Ａ、Ｂ又はＣの少なくとも１つを有するシステム」は、限定するものではないが、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡとＢを一緒に、ＡとＣを一緒に、ＢとＣを一緒に、及び／又はＡ、Ｂ、Ｃを一緒に有するシステムを含む、など）。２つ以上の代替用語を表す実質的に任意の離接語及び／又は句は、説明、特許請求の範囲又は図面においても、用語の１つ、用語のいずれか、又は両方の用語を含む可能性を考慮するように理解すべきであることは、当業者によって更に理解されるであろう���例えば句「Ａ又はＢ」は、「Ａ」又は「Ｂ」又は「Ａ及びＢ」の可能性を含むと理解されるであろう。
【００４４】
本開示及びその付随する利点の多くは、前述の説明によって理解されると考えられ、開示された主題から逸脱することなく、又はその重要な利点のすべてを犠牲にすることなく、構成要素の形態、構造、及び配置に様々な変更を加え得ることは明らかであろう。説明される形式は単なる説明であり、以下の請求の範囲の意図はそのような変更を包含及び含むことである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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