(57)【要約】  基板をエッチングする方法は、エッチング処理システムのタンク内にエッチング液を提供することを含み、エッチング処理システムは、エッチング液の温度、エッチング液の濃度、及びタンク内部のエッチング液の流れを制御するように構成される。基板は、第１の材料と第２の材料の交互の層を有する微細加工構造を含み、エッチング液は酸を含み、この酸は、第１の材料をエッチングし、エッチング生成物が基板から移動するようになる。この方法は更に、エッチング液内のエッチング生成物の濃度を監視することと、エッチング液内のエッチング生成物の濃度を所定の値未満に維持して、エッチング液による第１の材料のエッチングを妨げる量での第２の材料上でのエッチング生成物の堆積を防止することと、を含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をエッチングする方法であって、
エッチング処理システムのタンク内にエッチング液を提供することであって、前記エッチング処理システムは、前記エッチング液の温度、前記エッチング液の濃度、及び前記タンク内部の前記エッチング液の流れを制御するように構成されることと、
前記エッチング液内に基板を浸漬させることであって、前記基板は、第１の材料と第２の材料の交互の層を有する微細加工構造を含み、前記エッチング液は前記第１の材料をエッチングする酸を含むことと、
第１のエッチング速度で前記第１の材料のエッチングを開始することであって、前記第１の材料のエッチングにより、エッチング生成物が前記基板から移動するようになることと、
前記エッチング液内の前記エッチング生成物の濃度を監視することと、
前記エッチング生成物の前記濃度が所定の値よりも大きいことを特定するのに応答して、前記第１のエッチング速度を第２のエッチング速度に減少させることと、を含む方法。
【請求項２】
前記第１のエッチング速度を減少させることは、前記エッチング液の温度を下げることにより実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のエッチング速度を減少させることは、前記エッチング液内の前記酸の濃度を下げることにより実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記エッチング生成物の前記濃度が第２の所定の値未満であることを特定するのに応答して、所与のエッチング速度を第３のエッチング速度に増加させること、を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記所与のエッチング速度を増加させることは、前記エッチング液の温度を上げることにより実行される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記所与のエッチング速度を増加させることは、前記エッチング液内の前記酸の濃度を上げることにより実行される、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の材料は窒化ケイ素を含み、前記第２の材料は酸化ケイ素を含み、前記エッチング生成物はシリカを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記酸はリン酸を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記エッチング生成物の前記濃度の前記所定の値は、前記エッチング液中で約７０ｐｐｍである、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板は、前記タンク内の複数の基板のうちの１つである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記複数の基板の間隔は、前記エッチング液の対流を可能にする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記微細加工構造はメモリデバイスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記メモリデバイスは３Ｄ  ＮＡＮＤデバイスを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
基板をエッチングする方法であって、
エッチング処理システムのタンク内にエッチング液を提供することであって、前記エッチング処理システムは、前記エッチング液の温度、前記エッチング液の濃度、及び前記タンク内部の前記エッチング液の流れを制御するように構成されることと、
前記エッチング液内に基板を浸漬させることであって、前記基板は、第１の材料と第２の材料の交互の層を有する微細加工構造を含み、前記エッチング液は前記第１の材料をエッチングする酸を含むことと、
第１のエッチング速度で前記第１の材料のエッチングを開始することであって、前記第１の材料のエッチングにより、エッチング生成物が前記基板から移動するようになることと、
前記エッチング液内の前記エッチング生成物の濃度を監視することと、
前記エッチング生成物の前記濃度が所定の値未満であることを特定するのに応答して、前記第１のエッチング速度を第２のエッチング速度に増加させることと、を含む方法。
【請求項１５】
前記第１の材料は窒化ケイ素を含み、前記第２の材料は酸化ケイ素を含み、前記エッチング生成物はシリカを含み、前記酸はリン酸を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
基板をエッチングする方法であって、
エッチング処理システムのタンク内にエッチング液を提供することであって、前記エッチング処理システムは、前記エッチング液の温度、前記エッチング液の濃度、及び前記タンク内部の前記エッチング液の流れを制御するように構成されることと、
前記エッチング液内に基板を浸漬させることであって、前記基板は、第１の材料と第２の材料の交互の層を有する微細加工構造を含み、前記エッチング液は前記第１の材料をエッチングする酸を含むことと、
第１のエッチング速度で前記第１の材料のエッチングを開始することであって、前記第１の材料のエッチングにより、エッチング生成物が前記基板から移動するようになることと、
前記エッチング液内の前記エッチング生成物の濃度を監視することと、
前記エッチング液内の前記エッチング生成物の前記濃度を所定の値未満に維持して、前記エッチング液による前記第１の材料のエッチングを妨げる量での前記第２の材料上での前記エッチング生成物の堆積を防止することと、を含む方法。
【請求項１７】
前記エッチング液内の前記エッチング生成物の前記濃度を所定の値未満に維持することは、前記エッチング液の前記温度を制御すること、前記酸の前記濃度を制御すること、又はその両方を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の材料は窒化ケイ素を含み、前記第２の材料は酸化ケイ素を含み、前記エッチング生成物はシリカを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記酸はリン酸を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記エッチング生成物の前記濃度の前記所定の値は、前記エッチング液中で約７０ｐｐｍ以下である、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年７月２０日に出願された「Ｅｔｃｈｉｎｇ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｎｉｔｒｉｄｅ  ａｎｄ  Ｓｉｌｉｃａ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  ｉｎ  ３Ｄ  ＮＡＮＤ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ」と題された米国仮特許出願第６２／７０１，３９８号明細書の優先権を主張するものであり、出願の開示内容は、その全体が参照により本明細書に明示的に組み込まれる。
【０００２】
本発明は、半導体製造及び半導体デバイスの分野に関し、より具体的には、微細加工構造をウェットエッチングするための方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
３Ｄ  ＮＡＮＤフラッシュは、メモリセルが多層状に垂直に積み重ねられたフラッシュメモリの一種であり、この構造は、半導体デバイスの製造における独特の難しさを意味している。３Ｄ  ＮＡＮＤ及び他の多層構造の製造において、ウェットエッチングプロセスは、異なる材料の層を選択的に除去するための重要なステップである。従来は、エッチング速度を高くし且つエッチングプロセスをできるだけ短くするために、エッチング槽の温度をできるだけ高くするのが、一般的な傾向であった。しかしながら、エッチング速度を高くすると、多層構造上でのエッチング生成物の再堆積を含めて、様々な問題が生じることがある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
微細加工構造をウェットエッチングする方法について説明する。この方法は、エッチング処理システムのタンク内にエッチング液を提供することであって、エッチング処理システムはエッチング液の温度、エッチング液の濃度、及びタンク内部のエッチング液の流れを制御するように構成されることと、エッチング液に基板を浸漬させることであって、基板は第１の材料と第２の材料の交互の層を有する微細加工構造を含み、エッチング液は第１の材料をエッチングする第１の酸を含むことと、第１のエッチング速度で第１の材料のエッチングを開始することであって、第１の材料のエッチングによりエッチング生成物が基板から移動するようになることと、を含む。この方法は更に、エッチング液内のエッチング生成物の濃度を監視することと、エッチング生成物の濃度が所定の値よりも大きいことを特定するのに応答して、第１のエッチング速度を第２のエッチング速度に減少させることと、を含む。
【０００５】
別の実施形態によれば、この方法は、エッチング液内のエッチング生成物の濃度を監視することと、エッチング生成物の濃度が所定の値未満であることを特定するのに応答して、第１のエッチング速度を第２のエッチング速度に増加させることと、を含む。
【０００６】
別の実施形態によれば、この方法は、エッチング液内のエッチング生成物の濃度を監視することと、エッチング液内のエッチング生成物の濃度を所定の値未満に維持して、エッチング液による第１の材料のエッチングを妨げる量での第２の材料上でのエッチング生成物の堆積を防止することと、を含む。
【０００７】
添付の図面と併せて考慮されると、以下の詳細な説明を参照することによってよりよく理解されるようになるので、本発明及びその付随する利点の多くについてのより完全な理解が容易に得られることになる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】３Ｄ  ＮＡＮＤ構造を製造する様子を断面図を通じて概略的に示す。
【図１Ｂ】３Ｄ  ＮＡＮＤ構造を製造する様子を断面図を通じて概略的に示す。
【図２】本発明の一実施形態による、エッチング時間の関数としての、シミュレートされたシリカ濃度対微細加工構造のトレンチ内の深さを示す。
【図３】本発明の一実施形態による、エッチング時間の関数としての、シミュレートされたシリカ濃度対微細加工構造のトレンチ内の深さを示す。
【図４】本発明の一実施形態による、エッチング時間の関数としての、シミュレートされたシリカ濃度対微細加工構造のトレンチ内の深さを示す。
【図５】図２〜図４における、異なる数の交互のＳｉＮ及びＳｉＯ２層を含む微細加工構造に対するシミュレーション結果を示す。
【図６】本発明の実施形態による、異なる数の交互のＳｉＮ及びＳｉＯ２層を含む微細加工構造に対するシミュレーション結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
基板をエッチングするための方法が提供される。この方法は、エッチング処理システムのタンク内にエッチング液を提供することを含み、エッチング処理システムは、エッチング液の温度、エッチング液の濃度、及びタンク内部のエッチング液の流れを制御するように構成される。エッチング処理システムは、複数の基板（ウェハ）を収容し、タンク内でエッチング液を循環させるように構成することができる。この方法は、エッチング液内に基板を浸漬させることを更に含み、基板は、第１の材料と第２の材料の交互の層を有する微細加工構造を含み、エッチング液は第１の材料をエッチングする酸を含む。この方法は、第１のエッチング速度で第１の材料のエッチングを開始することを更に含み、第１の材料のエッチングにより、エッチング生成物が基板から移動するようになる。一実施形態によれば、この方法は、エッチング液内のエッチング生成物の濃度を監視することと、エッチング生成物の濃度が所定の値より大きいことを特定するのに応答して、第１のエッチング速度を第２のエッチング速度に減少させることと、を含む。
【００１０】
別の実施形態によれば、この方法は、エッチング液内のエッチング生成物の濃度を監視することと、エッチング生成物の濃度が所定の値未満であることを特定するのに応答して、第１のエッチング速度を第２のエッチング速度に増加させることと、を含む。
【００１１】
別の実施形態によれば、この方法は、エッチング液内のエッチング生成物の濃度を監視することを含み、エッチング液内のエッチング生成物の濃度を所定の値未満に維持して、エッチング液による第１の材料のエッチングを妨げる量での第２の材料上でのエッチング生成物の再堆積を防止する。
【００１２】
図１Ａは、第１の材料１０１と第２の材料１０２の交互の層を含む微細加工構造１を概略的に示す。一般的に、本発明の実施形態は、異なる材料の交互の層を含む、単純な又は高度な微細構造に適用することができる。一実施形態によれば、微細加工構造１は、部分的に製造された３Ｄ  ＮＡＮＤデバイスを含む。３Ｄ  ＮＡＮＤは通常、交互の層の総数によって定量化される。現在、３Ｄ  ＮＡＮＤデバイスは６４層を含んでいるが、将来のデバイスノードは、９６層、１２８層以上もの層を含むことが企図されている。一実施形態によれば、第１の材料１０１は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）を含むことがあり、第２の材料１０２は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含むことがある。微細加工構造１は、コア１０４（例えば、ＳｉＯ２）、キャップ層１０３、及び微細加工構造１の上部を微細加工構造１の底部に接続するトレンチ１０５、を更に含む。例によっては、交互の層の数は、約８０、約１５０、約２００、又はそれより多数であり得る。
【００１３】
図１Ｂは、第１の材料１０１の層を選択的に除去するウェットエッチング処理の後の微細加工構造１を示す。デバイス製造プロセスの一部として、第１の材料１０１はエッチング除去され、コア１０４に取り付けられた第２の材料のフィンが残る。３Ｄ  ＮＡＮＤデバイス中のＳｉＮのみをエッチングするという材料選択性要件に起因して、ＳｉＯ２を変えないままにしながら、エッチングプロセスは、ＳｉＯ２エッチングを阻止するためのシリカ（ＳｉＯ２）添加剤を含む高濃度の高温リン酸（Ｈ３ＰＯ４）槽内での浸漬を含むことがあり、これは、適切に調節すると、ＳｉＮ：ＳｉＯ２のエッチングについて１００：１より大きな選択性を有することがある。別の重要な要素は、Ｈ３ＰＯ４内でのＳｉＮエッチングのエッチング生成物はシリカ（即ち、ＳｉＯ２）であり、これにより、Ｈ３ＰＯ４槽内での、特に、微細加工構造１内部のトレンチ１０５などの小さなフィーチャ内での、溶解シリカの濃度が増加することである。シリカが事前に供給された（pre-seeded  with  silica）Ｈ３ＰＯ４槽内でのＳｉＮエッチングの更なる問題は、臨界のシリカ濃度を上回ると、基板上にシリカの堆積が起きる可能性があることである。これは、図１Ｂに示されるシリカ膜１０６を含むことがあり、このシリカ膜１０６は、第２の材料１０２上に堆積するが、処理条件が変更された場合には、後で溶液中に溶解して戻ることができる。シリカ膜１０６の存在は、第２の材料１０２のフィンの間の第１の材料１０１の完全な除去を妨げることがあり、深刻な場合には、第１の材料１０１が完全に除去される前に、第２の材料１０２の隣接する層間のトレンチ１０５及びチャネルを完全にふさぐことがある。
【００１４】
新しい３Ｄ  ＮＡＮＤデバイスノード毎にＳｉＮとＳｉＯ２が交互になった層の数が増えるにつれて、ＳｉＯ２表面上のシリカの望ましくない堆積が、益々大きな問題になってきている。ＳｉＯ２層上のシリカの堆積は、Ｈ３ＰＯ４槽内の高いシリカ濃度と相関がある、というのも、これは飽和した溶質の析出／結晶化を伴うからであり、シリカ濃度を使用して、微細加工構造１内のシリカの堆積との相関を特定することができる。より多くの層を有するより深いトレンチは、たとえＳｉＮエッチング速度が同じであっても、より浅いトレンチよりもトレンチ内のシリカ濃度が高くなり、これは、シリカ堆積と相関している。
【００１５】
本発明の実施形態は、この問題に対処し、３Ｄ  ＮＡＮＤデバイス及び異なる材料が交互になった層を含む他の構造において、ＳｉＯ２表面上のシリカの堆積を低減するか又は解消するための方法を提供する。この方法は、ＳｉＮのエッチング速度を下げることによってトレンチ内のシリカ濃度を低減し、エッチング処理中のシリカ濃度の制御を提供する。本発明の実施形態によれば、トレンチ内のシリカの濃度は、以下のうちの１つ又は複数によって制御され得る。１）Ｈ３ＰＯ４内のＳｉＮエッチング速度を下げるために、低減された槽温度を使用すること、２）ＳｉＮエッチング速度を下げるために、希釈したＨ３ＰＯ４（例えば、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）との混合）を使用すること、及び３）エッチングが低シリカ濃度で始まるが、エッチングの終了に向けてより高いシリカ濃度を使用するように、能動フィードバック制御か又は複数の槽を使用すること。
【００１６】
図２は、本発明の一実施形態による、エッチング時間の関数としての、シミュレートされたシリカ濃度対微細加工構造のトレンチ内の深さを示す。ウェハ上の微細加工構造は、図１Ａの構造と同様であるが、合計で７７層の交互のＳｉＮ層とＳｉＯ２層を含んでいた。このシミュレーションは、以下を含むドメインのマルチスケールモデルを含んでいた。１）Ｈ３ＰＯ４槽の対流を捕捉するための、Ｈ３ＰＯ４槽内の２つのウェハ（基板）間のギャップ、２）マクロスケールウェハシミュレーションとナノスケールエッチングシミュレーションとの間の中間シミュレーションのためのウェハ表面近傍の局所流、及び３）窒化ケイ素のエッチング並びにトレンチ内外への反応物及びエッチング生成物の拡散を捕捉するための、３Ｄ  ＮＡＮＤ構造。結果は、Ｈ３ＰＯ４槽内のエッチングからのシリカ濃度は、窒化ケイ素のエッチングの開始時にトレンチの底部で最も高くなっており、シリカ濃度はトレンチ内で約７０ｐｐｍに達したことを示している。その後、トレンチ内部の体積の増加に起因して、シリカ濃度は、トレンチ全体の中で時間と共に低下した。槽温度は１５０℃であり、Ｈ３ＰＯ４濃度は８５．８〜８６．６重量％であり、ＳｉＮエッチング速度は６２Å／分であった。
【００１７】
図３は、本発明の一実施形態による、エッチング時間の関数としての、シミュレートされたシリカ濃度対微細加工構造のトレンチ内の深さを示す。ウェハ上の微細加工構造は、図１Ａの構造と同様であるが、合計で１５０層の交互のＳｉＮ層とＳｉＯ２層を含んでいた。図３は、Ｈ３ＰＯ４槽内のエッチングからのシリカ濃度は、窒化ケイ素のエッチングのまさに開始時にトレンチの底部で最も高くなっており、シリカ濃度は約１１２ｐｐｍに達したことを示している。その後、トレンチ内部の体積の増加に起因して、シリカ濃度は、トレンチ全体の中で時間と共に低下した。槽温度は１５０℃であり、Ｈ３ＰＯ４濃度は８５．８〜８６．６重量％であり、ＳｉＮエッチング速度は６２Å／分であった。
【００１８】
図４は、本発明の一実施形態による、エッチング時間の関数としての、シミュレートされたシリカ濃度対微細加工構造のトレンチ内の深さを示す。ウェハ上の微細加工構造は、図１Ａの構造と同様であるが、合計で２００層の交互のＳｉＮ層とＳｉＯ２層を含んでいた。図４は、Ｈ３ＰＯ４槽内のエッチングからのシリカ濃度は、窒化ケイ素のエッチングのまさに開始時にトレンチの底部で最も高くなっており、シリカ濃度は約１６２ｐｐｍに達したことを示している。その後、トレンチ内部の体積の増加に起因して、シリカ濃度は、トレンチ全体の中で時間と共に低下した。槽温度は１５０℃であり、Ｈ３ＰＯ４濃度は８５．８〜８６．６重量％であり、ＳｉＮエッチング速度は６２Å／分であった。
【００１９】
図５は、図２〜図４における、異なる数の交互のＳｉＮ層及びＳｉＯ２層を含む微細加工構造に対するシミュレーション結果を示す。７７層の交互のＳｉＮ層とＳｉＯ２層を含む微細加工構造におけるシリカ濃度及びシリカ堆積は、ＳｉＮ層の効率的なエッチングのために許容できる。同じ又は類似の処理条件の場合、シリカ濃度及びシリカ堆積は、より多数のＳｉＮ層及びＳｉＯ２層、例えば１５０層及び２００層を含む微細加工構造については、許容できないほど高くなる。しかしながら、シリカ濃度が図２に示したのと同様のレベル以下に保たれる場合、エッチングプロセス全体を通じて、シリカの堆積を最小限に抑えるか又は回避することができ、ＳｉＮ層の完全なエッチングを実現することができる。これは、１５０層の場合には４．３時間の間２５Å／分のエッチング速度、２００層の場合には７．０時間の間１５Å／分のエッチング速度を必要とする。
【００２０】
Ｈ３ＰＯ４内のＳｉＮのエッチング速度は、標準的なアレニウスの速度則に従い、その結果、槽の温度がより高いとＳｉＮエッチング速度がより速くなり、槽の温度がより低いとＳｉＮエッチング速度がより遅くなる。低温を使用して、ＳｉＮエッチング速度を、トレンチ内のケイ素濃度又はシリカ濃度を所望の閾値未満に保つ値に、維持することができる。例えば、１５０の交互の層に対しては、約１２３℃の槽温度を使用して、約２５Å／分のＳｉＮエッチング速度及び約７０ｐｐｍのシリカ濃度を達成することができ、２００の交互の層に対しては、約１０８℃の槽温度を使用して、約２５Å／分又は約１５Å／分のＳｉＮエッチング速度及び約７０ｐｐｍのシリカ濃度を達成することができる。これらの処理条件は、７７の交互の層に対する、約１５０℃の槽温度及び約６２Å／分のＳｉＮエッチング速度及び約７０ｐｐｍのシリカ濃度に、匹敵することができる。これは、図６に示されている。例によっては、ＳｉＮエッチング速度を、（例えば、槽温度を上げる／下げることにより）処理中に徐々に又は段階的に増加／減少させることがある。
【００２１】
ＳｉＮのエッチング速度は、Ｈ３ＰＯ４及び水（Ｈ２Ｏ）の濃度に依存し、したがって、ＳｉＮエッチング速度は、これらの化学物質の両方の濃度を下げることにより、低減することができる。これは、Ｈ３ＰＯ４、ＳｉＮ、並びに露出したＳｉＯ２に対して不活性である第３の化学物質を追加することにより、行われることがある。この役割には、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）が効果的であり得るが、他の化学物質、例えば、フッ素化炭化水素及び高分子量炭化水素なども使用することができる。槽温度並びに／又はＨ３ＰＯ４及びＨ２Ｏ濃度は、例えば、ＳｉＮエッチングの開始時により低い温度及び／又はより低い酸濃度を使用し、その後、ＳｉＮエッチングプロセス中には温度及び／又は酸濃度を増加させることなどにより、ＳｉＮエッチングプロセス全体を通じて、変化させることもできる。これは、フィードバックループ制御を備えた単一の槽を使用して、又は異なる温度及び／若しくは酸濃度を有する一連の連続する槽を用いて、行われることがある。この方式により、ＳｉＮエッチングプロセスの重要な開始時にトレンチ内部でシリカ濃度が低くなり、エッチングプロセスにおいてその後、トレンチ内部の体積の増加に起因してトレンチ内のシリカ濃度が低下したときに、ＳｉＮエッチング速度がより速くなる。
【００２２】
一実施形態によれば、トレンチ内のシリカの濃度は、能動フィードバック制御又は複数のＨ３ＰＯ４槽を使用して制御することができる。例えば、エッチング時間に伴うトレンチ内のシリカ濃度の低下は、能動フィードバック制御を使用して処理条件の変更をトリガーするために使用されることがある。これは、時間と共にシリカ濃度を変化させる単一のＨ３ＰＯ４槽を使用して、又は異なるシリカ濃度を有する一連のＨ３ＰＯ４槽の間で基板を移行させて、行われることがある。一例では、ＳｉＮエッチングプロセスの初期には、適切なＳｉＮ／ＳｉＯ２エッチング選択性をもたらす低シリカ濃度が使用されることがあり、ＳｉＮエッチングプロセスの後半では、トレンチ内部のシリカの堆積を防止するために所定の閾値未満にシリカ濃度を維持しながら、より高いシリカ濃度及びより高いＳｉＮ／ＳｉＯ２エッチング選択性が使用されることがある。
【００２３】
異なる材料が交互になった層を有する微細加工構造をエッチングする方法のための複数の実施形態について説明してきた。本発明の実施形態の上述の説明は、例示及び説明を目的として提示したものである。この説明は、網羅的であること、又は開示されているまさにその形態に本発明を限定することを意図するものではない。本明細書及び以下の特許請求の範囲は、説明目的でのみ使用され、限定するものとして解釈されるべきではない用語を含む。関連する技術分野の当業者であれば、上記教示に照らして多くの修正及び変形が可能であることを理解することができる。したがって、本発明の範囲は、この詳細な説明によってではなく、むしろ本明細書に添付の特許請求の範囲によって限定されることが意図されている。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
2021530874.tif 000010
2021530874.tif 000011