(57)【要約】  本発明は、下記化学式１の単位を含む高分子を提供し、2021530577.tif 000088  前記高分子を含む組成物、前記高分子の製造方法、前記高分子を含む電子素子、前記電子素子の製造方法及び前記高分子を誘電物質として用いる使用を提供する。
2021530577.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１の単位（ｕｎｉｔ）を含むことを特徴とする、高分子。
【化１】
2021530577.tif 000076
前記化学式１で、
Ｘ１及びＸ２は、独立的にＯ又はＳであり、
Ｌ１は、連結基（ｌｉｎｋｉｎｇ  ｇｒｏｕｐ）であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基（ａｌｋｙｌ）、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基（ｃｙｃｌｏａｌｋｙｌ）、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基（ａｒｙｌ）、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、５〜１４員（ｍｅｍｂｅｒｅｄ）ヘテロアリール基（ｈｅｔｅｒｏａｒｙｌ）及び一つ以上のＲｂ置換基に置換された５〜１４員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであるか；
または、Ｒ１とＲ２は、これらが結合された（ａｔｔａｃｈｅｄ）Ｃ−原子とともに５〜６員環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員環を形成し、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、５〜１４員ヘテロアリール基及び一つ以上のＲｂ置換基に置換された５〜１４員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであるか；
または、Ｒ２とＲ３は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員環を形成し、Ｒ１、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、５〜１４員ヘテロアリール基及び一つ以上のＲｂ置換基に置換された５〜１４員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであるか；
または、Ｒ３とＲ４は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員環を形成し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、５〜１４員ヘテロアリール基及び一つ以上のＲｂ置換基に置換された５〜１４員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであるか；
または、Ｒ４とＲ５は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員環を形成し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、５〜１４員ヘテロアリール基及び一つ以上のＲｂ置換基に置換された５〜１４員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであり；
ここで、Ｒａは、それぞれの場合に（ａｔ  ｅａｃｈ  ｏｃｃｕｒｒｅｎｃｅ）、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基(ｐｈｅｎｙｌ)、Ｏ−フェニル基、Ｃ（Ｏ）−フェニル基及び５〜９員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであり；
Ｒｂ及びＲｃは、独立的に、そしてそれぞれの場合に、Ｃ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基、Ｃ（Ｏ）−フェニル基及び５〜９員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものである。
【請求項２】
Ｘ１及びＸ２は、Ｏであることを特徴とする、請求項１に記載の高分子。
【請求項３】
Ｌ１は、Ｃ１−３０−アルキレン（ａｌｋｙｌｅｎｅ）連結基であることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の高分子。
【請求項４】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基及び一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか；
または、Ｒ１とＲ２は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員芳香族環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員芳香族環を形成し、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基及び一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか；
または、Ｒ２とＲ３は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員芳香族環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員芳香族環を形成し、Ｒ１、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基及び一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか；
または、Ｒ３とＲ４は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員芳香族環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員芳香族環を形成し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基及び一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか；
または、Ｒ４とＲ５は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員芳香族環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員芳香族環を形成し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基及び一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基からなる群より選択されたものであり、
ここで、Ｒａは、それぞれの場合に、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基及びＣ（Ｏ）−フェニル基からなる群より選択されたものであり、
Ｒｃは、それぞれの場合に、Ｃ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基及びＣ（Ｏ）−フェニル基からなる群より選択されたものであることを特徴とする、請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の高分子。
【請求項５】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＯ−Ｃ１−１０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか；
または、Ｒ１とＲ２は、これらが結合されたＣ−原子ととも６員芳香族環（ａｒｏｍａｔｉｃ  ｒｉｎｇ）である
2021530577.tif 000077
を形成し（ここで、＊表示されたＣ−原子は、Ｒ１とＲ２が結合されたＣ−原子である）、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＯ−Ｃ１−１０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか；
または、Ｒ２とＲ３は、これらが結合されたＣ−原子ととも６員芳香族環である
2021530577.tif 000078
を形成し（ここで、＊表示されたＣ−原子は、Ｒ２とＲ３が結合されたＣ−原子である）、Ｒ１、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＯ−Ｃ１−１０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか；
または、Ｒ３とＲ４は、これらが結合されたＣ−原子ととも６−員芳香族環である
2021530577.tif 000079
を形成し（ここで、＊表示されたＣ−原子は、Ｒ３とＲ４が結合されたＣ−原子である）、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＯ−Ｃ１−１０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか；
または、Ｒ４とＲ５は、これらが結合されたＣ−原子ととも６−員芳香族環である
2021530577.tif 000080
を形成し（ここで、＊表示されたＣ−原子は、Ｒ４とＲ５が結合されたＣ−原子である）、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＯ−Ｃ１−１０−アルキル基からなる群より選択されたものであることを特徴とする、請求項４に記載の高分子。
【請求項６】
下記化学式２の単位をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜請求項５のうちいずれか一項に記載の高分子。
【化２】
2021530577.tif 000081
前記化学式２で、
Ｘ３は、独立的にＯ又はＳであり、
Ｌ２は、共有結合（ｃｏｖａｌｅｎｔ  ｂｏｎｄ）又は連結基であり、
Ｒ６は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲｄ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｅ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｅ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、５〜１４員ヘテロアリール基及び一つ以上のＲｅ置換基に置換された５〜１４員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであり、
ここで、Ｒｄは、それぞれの場合に、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基、Ｃ（Ｏ）−フェニル基及び５〜９員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであり、
Ｒｅは、それぞれの場合に、Ｃ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基、Ｃ（Ｏ）−フェニル基及び５〜９員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものである。
【請求項７】
Ｘ３は、Ｏであることを特徴とする、請求項６に記載の高分子。
【請求項８】
Ｌ２は、共有結合又はフェニレン（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）連結基であることを特徴とする、請求項６又は請求項７に記載の高分子。
【請求項９】
Ｒ６は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲｄ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｅ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基からなる群より選択されたものであり、
ここで、Ｒｄは、それぞれの場合に、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基及びＣ（Ｏ）−フェニル基からなる群より選択されたものであり、
Ｒｅは、それぞれの場合に、Ｃ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基及びＣ（Ｏ）−フェニル基からなる群より選択されたものであることを特徴とする、請求項５、請求項６又は請求項７に記載の高分子。
【請求項１０】
Ｒ６は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＣ５−７−シクロアルキル基からなる群より選択されたものであることを特徴とする、請求項９に記載の高分子。
【請求項１１】
前記高分子の全ての繰り返し単位のモル数を基準に化学式１及び化学式２の単位を少なくとも８０ｍｏｌ％含むことを特徴とする、請求項６〜請求項１０のうちいずれか一項に記載の高分子。
【請求項１２】
下記化学式１の単位を含む請求項１に記載の高分子の製造方法であって、
前記製造方法は、請求項１に記載の高分子を収得（ｙｉｅｌｄ）するために、下記化学式３の化合物を含む単量体を重合するステップを含むことを特徴とする、高分子の製造方法。
【化１】
2021530577.tif 000082
前記化学式１で、Ｘ１及びＸ２、Ｌ１並びにＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、請求項１で定義された通りである。
【化３】
2021530577.tif 000083
前記化学式３で、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、化学式１の化合物に対して定義された通りである。
【請求項１３】
下記化学式１及び２の単位を含む請求項６に記載の高分子の製造方法であって、
請求項６に記載の高分子を収得するために、下記化学式３の化合物及び下記化学式４の化合物を含む単量体を重合するステップを含むことを特徴とする、高分子の製造方法。
【化１】
2021530577.tif 000084
【化２】
2021530577.tif 000085
前記化学式１及び２で、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、請求項６で定義された通りである。
【化３】
2021530577.tif 000086
【化４】
2021530577.tif 000087
前記化学式３及び４で、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、化学式１の単位に対して定義された通りであり、Ｘ３、Ｌ２及びＲ６は、化学式２の単位に対して定義された通りである。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１１のうちいずれか一項に記載の高分子の一つ以上及び溶媒を含むことを特徴とする、組成物。
【請求項１５】
架橋剤（ｃｒｏｓｓｌｉｎｋｉｎｇ  ａｇｅｎｔ）)をさらに含むことを特徴とする、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
ｉ）請求項１〜請求項１１のうちいずれか一項に記載の高分子を含む；又は
ｉｉ）請求項１４及び請求項１５のうちいずれか一項に記載の組成物から形成された；層を含むことを特徴とする、電子素子（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ）。
【請求項１７】
電界効果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であることを特徴とする、請求項１６に記載の電子素子。
【請求項１８】
請求項１７に記載の電界効果トランジスタの製造方法であって、
請求項１４又請求項１５に記載の組成物を前記電界効果トランジスタの前駆体上に塗布するステップ、前記組成物の溶媒を除去するステップ及び誘電層（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｌａｙｅｒ）を形成するステップを含むことを特徴とする、電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１９】
請求項１〜請求項１１の高分子を誘電物質（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｍａｔｅｒｉａｌ）として用いることを特徴とする、使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビニルエーテル系高分子、前記高分子を含む組成物、前記高分子を製造するための工程、前記高分子を含む電子素子、前記電子素子を製造するための工程及び前記高分子の誘電物質としての使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電物質は、電界効果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ、ＦＥＴｓ）のような多様な電子素子に適用され得る。電界効果トランジスタは、ディスプレイ、大面積センサ及びＲＦＩＤタグのような電子機能が要求される応用分野に用いられ得る。
【０００３】
電界効果トランジスタは、薄い誘電層によりゲート電極から分離されている半導体層を含む。電圧がゲート電極と前記半導体に付着された電極、例えば、ソース電極の間に加えられたとき、半導体／誘電体の界面の近くの半導体から薄い移動電子電荷（ｍｏｂｉｌｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｃｈａｒｇｅｓ）が発生する。この電荷層は、ゲート層に位置した（互いに反対極性の）電荷の均衡を取る。ゲート−ソース電圧を調節（ｔｕｎｉｎｇ）することで、半導体チャンネルの電荷密度は広い範囲にわたって変調（ｍｏｄｕｌａｔｅｄ）され得、その結果として、電荷キャリア（ｃｈａｒｇｅ−ｃａｒｒｉｅｒ）チャンネルの電気伝導度が急激に変化する。したがって、前記半導体に付着された他の電極（ドレイン電極）により単純にゲート−ソース電圧を調節することだけで、前記トランジスタのソースからドレイン電極に流れる電流は、広い範囲にわたって効率的に制御され得る。
【０００４】
小型電池又は近距離ＲＦカップリング（ｎｅａｒ−ｆｉｅｌｄ  ｒａｄｉｏ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ）により電源の供給を受ける携帯用機器に適当な電界効果トランジスタは、理想的には低いゲート−ソース電圧の作動により高いドレイン電流を示さなければならない。低いゲート−ソース電圧での高いドレイン電流は、高いキャパシタンスを有した誘電層を用いて達成でき、また、高いキャパシタンスは、チャンネル内のキャリア（ｃａｒｒｉｅｒ）密度がドレイン−ソース電圧ではないゲート−ソース電圧により制御されるようにし、これは、短いチャンネル長さを有する電界効果トランジスタに対して特に重要である。したがって、誘電層を形成する誘電物質が高いキャパシタンス及び低いゲート−ソース電圧で動作できる電界効果トランジスタを生成することが好ましい。
【０００５】
また、液状工程技術は、電界効果トランジスタを含む電子素子を低コストで生産できるようにするので、誘電層を形成する誘電物質がスピンコーティングのような液状工程技術に適合し得る有機物質であることが好ましい。また、液状工程技術は、プラスチック基材と適合し、したがって、電界効果トランジスタを含むと共に軽量で且つ機械的に柔軟な電子素子を生産できるようにする。
【０００６】
ポリスチレンは、有機電界効果トランジスタに用いる一般的な誘電物質である。しかし、ポリスチレンを誘電物質として含む有機電界効果トランジスタは、ポリスチレンの比較的低い誘電定数により低いゲート−ソース電圧の作動で高いドレイン電流を生成せず、したがって、低いゲート−ソース電圧で作動するトランジスタに好ましくない。
【０００７】
ＵＳ２０１４／０００４４６４は、電子素子の形成にも用いられる物質である、アクリレートモノマー（Ｉ）、アクリルビニルエーテルモノマー（ＩＩ）及びサイクリックビニルエーテルモノマー（ＩＩＩ）から製造された共重合体を含むフォトレジスト組成物を記載している。（ＩＩ）の一例としては、フルオロ化された２−２（ビニルオキシエトキシ）ナフタレンがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】ＵＳ２０１４−０００４４６４  Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、低いゲート−ソース電圧で作動可能な電界効果トランジスタ内の誘電層の製造に適した誘電物質を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した目的は、請求項１の高分子、請求項１２及び１３の高分子の製造方法、請求項１４の高分子を含む組成物、請求項１６の電子素子、請求項１８の電子素子の製造方法及び請求項１９の高分子を誘電物質として用いる使用により解決され得る。
【００１１】
本発明の高分子は、下記化学式１の単位（ｕｎｉｔ）を含む高分子である。
【００１２】
【化１】
2021530577.tif 000003
【００１３】
前記化学式１で、
【００１４】
Ｘ１及びＸ２は、独立的にＯ又はＳであり、
【００１５】
Ｌ１は、連結基（ｌｉｎｋｉｎｇ  ｇｒｏｕｐ）であり、
【００１６】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、５〜１４員（ｍｅｍｂｅｒｅｄ）ヘテロアリール基及び一つ以上のＲｂ置換基に置換された５〜１４員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであるか、
【００１７】
または、Ｒ１とＲ２は、これらが結合された（ａｔｔａｃｈｅｄ）Ｃ−原子とともに５〜６員環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員環を形成し、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、５〜１４員ヘテロアリール基及び一つ以上のＲｂ置換基に置換された５〜１４員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであるか、
【００１８】
または、Ｒ２とＲ３は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員環を形成し、Ｒ１、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、５〜１４員ヘテロアリール基及び一つ以上のＲｂ置換基に置換された５〜１４員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであるか、
【００１９】
または、Ｒ３とＲ４は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員環を形成し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、５〜１４員ヘテロアリール基及び一つ以上のＲｂ置換基に置換された５〜１４員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであるか、
【００２０】
または、Ｒ４とＲ５は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員環を形成し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基、５〜１４員ヘテロアリール基及び一つ以上のＲｂ置換基に置換された５〜１４員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであり、
【００２１】
ここで、Ｒａは、それぞれの場合に（ａｔ  ｅａｃｈ  ｏｃｃｕｒｒｅｎｃｅ）、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基、Ｃ（Ｏ）−フェニル基及び５〜９員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであり、
【００２２】
Ｒｂ及びＲｃは、独立的に、そしてそれぞれの場合に、Ｃ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基、Ｃ（Ｏ）−フェニル基及び５〜９員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものである。
【００２３】
Ｃ１−６−アルキル基、Ｃ１−１０−アルキル基、Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ１−３０−アルキル基及びＣ６−３０−アルキル基は、分枝型又は非分枝型（ｕｎｂｒａｎｃｈｅｄ）であってもよい。Ｃ１−６−アルキル基の例には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、イソペンチル基、ｎ−（２，２−ジメチル）プロピル基、ｎ−（１−エチル）プロピル基及びｎ−ヘキシル基がある。Ｃ１−１０−アルキル基の例には、Ｃ１−６−アルキル基及びｎ−ヘプチル基、２−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−オクチル基、ｎ−（３−メチル）ヘプチル基、ｎ−（１，１，３，３−テトラメチル）ブチル基、ｎ−（２−エチル）ヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−（１，１，３，３−テトラメチル）ペンチル基及びｎ−デシル基がある。Ｃ１−２０−アルキル基の例には、Ｃ１−１０−アルキル基及びｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基及びｎ−イコシル基（Ｃ２０）がある。Ｃ１−３０−アルキル基の例には、Ｃ１−２０−アルキル基及びｎ−ドコシル基（Ｃ２２）、ｎ−テトラコシル基（Ｃ２４）、ｎ−ヘキサコシル基（Ｃ２６）、ｎ−オクタコシル基（Ｃ２８）及びｎ−トリアコンチル基（Ｃ３０）がある。Ｃ６−３０−アルキル基の例には、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、、２−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−オクチル基、ｎ−（３−メチル）ヘプチル基、ｎ−（１，１，３，３−テトラメチル）ブチル基、ｎ−（２−エチル）ヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−（１，１，３，３−テトラメチル）ペンチル基及びｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基（Ｃ２０）、ｎ−ドコシル基（Ｃ２２）、ｎ−テトラコシル基（Ｃ２４）、ｎ−ヘキサコシル基（Ｃ２６）、ｎ−オクタコシル基（Ｃ２８）及びｎ−トリアコンチル基（Ｃ３０）がある。
【００２４】
Ｃ５−６−シクロアルキル基の例には、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基がある。Ｃ５−７−シクロアルキル基の例には、Ｃ５−６−シクロアルキル基及びシクロヘプチル基がある。
【００２５】
Ｃ６−１４−アリール基は、一つの芳香族環又は２個又は３個の縮合芳香族環からなる１価芳香族環系であり、ここで、全ての環は、炭素原子から形成される。Ｃ６−１４−アリール基の例には、
2021530577.tif 000004
がある。
【００２６】
５〜９員ヘテロアリール基は、一つの芳香族環又は２個の縮合芳香族環からなる１価芳香族環系であり、ここで、一つ以上の芳香族環は、Ｓ、Ｏ、Ｎ及びＳｅからなる群より選択された一つ以上のヘテロ原子を含有する。
【００２７】
５〜９員ヘテロアリール基の例には、
2021530577.tif 000005
2021530577.tif 000006
がある。
【００２８】
ここで、Ｒ２００は、Ｈ又はＣ１−２０−アルキル基である。
【００２９】
５〜１４員ヘテロアリール基は、一つの芳香族環又は２〜４個の縮合芳香族環からなる１価芳香族環系であり、ここで、一つ以上の芳香族環は、Ｓ、Ｏ、Ｎ及びＳｅからなる群より選択された一つ以上のヘテロ原子を含有する。５〜１４員ヘテロアリール基の例には、５〜９員ヘテロアリール基及び
2021530577.tif 000007
がある。
【００３０】
ここで、Ｒ２００は、Ｈ又はＣ１−２０−アルキル基である。
【００３１】
５又は６員環は、芳香族又はＳ、Ｏ、Ｎ及びＳｅからなる群より選択された少なくとも一つのヘテロ原子を含む５若しくは６員ヘテロ芳香族環であってもよく、一つ又は２個のＣＨ２基がＯ、Ｓ又はＮＲ３００に置換され得る５〜６員脂肪族環であってもよい。ここで、Ｒ３００は、Ｃ１−２０−アルキル基である。
【００３２】
芳香族及びヘテロ芳香族の５〜６員環の例には、
2021530577.tif 000008
がある。
【００３３】
ここで、Ｒ３００は、Ｃ１−２０−アルキル基であり、＊表示されたＣ−原子は、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４及びＲ４とＲ５にそれぞれ結合されたＣ−原子である。
【００３４】
脂肪族５〜６員環であって、一つ又は２個のＣＨ２基がＯ、Ｓ又はＮＲ３００に置換可能であり、ここで、Ｒ３００は、Ｃ１−２０−アルキル基である、脂肪族５〜６員環の例には、
2021530577.tif 000009
がある。
【００３５】
ここで、Ｒ３００は、Ｃ１−２０−アルキル基であり、＊表示されたＣ−原子は、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４及びＲ４とＲ５にそれぞれ結合されたＣ−原子である。
【００３６】
Ｃ１−４−アルキレン基、Ｃ１−１０−アルキレン基及びＣ１−３０−アルキレン基は、分枝型又は非分枝型であってもよい。Ｃ１−４−アルキレン基の例には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基及びブチレン基がある。Ｃ１−１０−アルキレン基の例には、Ｃ１−４−アルキレン基及びペンチレン基、へキシレン基、へプチレン基、オクチレン基、ノニレン基及びデシレン基（ｄｅｃｙｌｅｎｅ）がある。Ｃ１−３０−アルキレン基の例には、Ｃ１−１０−アルキレン基及びウンデシレン基、ドデシレン基、トリデシレン基、テトラデシレン基、ペンタデシレン基、ヘキサデシレン基、ヘプタデシレン基、オクタデシレン基、ノナデシレン基及びイコシレン基（Ｃ２０）がある。
【００３７】
Ｃ５−７−シクロアルキレン基の例には、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基及びシクロへプチレン基がある。
【００３８】
ハロゲンの例には、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩがある。
【００３９】
好ましくは、Ｘ１及びＸ２は、Ｏである。
【００４０】
好ましくは、Ｌ１は、Ｃ１−３０−アルキレン基、Ｃ１−１０−アルキレン−フェニレン−Ｃ１−１０−アルキレン基、Ｃ１−１０−アルキレン−Ｃ５−７−シクロアルキレン−Ｃ１−１０−アルキレン基、フェニレン基及びＣ５−７−シクロアルキレン基からなる群より選択された連結基である。より好ましくは、Ｌ１は、Ｃ１−３０−アルキレン基である連結基である。さらに好ましくは、Ｌ１は、Ｃ１−１０−アルキレン基である連結基である。最も好ましくは、Ｌ１は、Ｃ１−４−アルキレン基である連結基である。
【００４１】
好ましくは、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基及び一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基からなる群より選択されたものであるか、
【００４２】
または、Ｒ１とＲ２は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員環を形成し、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基及び一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基からなる群より選択されたものであるか、
【００４３】
または、Ｒ２とＲ３は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員環を形成し、Ｒ１、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基及び一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基からなる群より選択されたものであるか、
【００４４】
または、Ｒ３とＲ４は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員環を形成し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基及び一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基からなる群より選択されたものであるか、
【００４５】
または、Ｒ４とＲ５は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員環を形成し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、Ｏ−Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＯ−Ｃ６−１４−アリール基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基及び一つ以上のＲｂ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ６−１４−アリール基からなる群より選択されたものであり、
【００４６】
ここで、Ｒａは、それぞれの場合に（ａｔ  ｅａｃｈ  ｏｃｃｕｒｒｅｎｃｅ）、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基及びＣ（Ｏ）−フェニル基からなる群より選択されたものであり、
【００４７】
Ｒｂ及びＲｃは、それぞれの場合に、Ｃ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基及びＣ（Ｏ）−フェニル基からなる群より選択されたものである。
【００４８】
より好ましくは、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基及び一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか、
【００４９】
または、Ｒ１とＲ２は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員芳香族環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員芳香族環を形成し、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基及び一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか、
【００５０】
または、Ｒ２とＲ３は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員芳香族環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員芳香族環を形成し、Ｒ１、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基及び一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか、
【００５１】
または、Ｒ３とＲ４は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員芳香族環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員芳香族環を形成し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基及び一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか、
【００５２】
または、Ｒ４とＲ５は、これらが結合されたＣ−原子とともに５〜６員芳香族環若しくは一つ以上のＲｃ置換基に置換された５〜６員芳香族環を形成し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲａ置換基に置換されたＯ−Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基及び一つ以上のＲａ置換基に置換されたＣ（Ｏ）−Ｃ１−３０−アルキル基からなる群より選択されたものであり、
【００５３】
ここで、Ｒａは、それぞれの場合に、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基及びＣ（Ｏ）−フェニル基からなる群より選択されたものであり、
【００５４】
Ｒｃは、それぞれの場合に、Ｃ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基及びＣ（Ｏ）−フェニル基からなる群より選択されたものである。
【００５５】
さらに好ましくは、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＯ−Ｃ１−１０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか、
【００５６】
または、Ｒ１とＲ２は、これらが結合されたＣ−原子ととも６−員芳香族環である
2021530577.tif 000010
を形成し（ここで、＊表示されたＣ−原子は、Ｒ１とＲ２が結合されたＣ−原子である）、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＯ−Ｃ１−１０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか、
【００５７】
または、Ｒ２とＲ３は、これらが結合されたＣ−原子ととも６−員芳香族環である
2021530577.tif 000011
を形成し（ここで、＊表示されたＣ−原子は、Ｒ２とＲ３が結合されたＣ−原子である）、Ｒ１、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＯ−Ｃ１−１０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか、
【００５８】
または、Ｒ３とＲ４は、これらが結合されたＣ−原子ととも６−員芳香族環である
2021530577.tif 000012
を形成し（ここで、＊表示されたＣ−原子は、Ｒ３とＲ４が結合されたＣ−原子である）、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＯ−Ｃ１−１０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか、
【００５９】
または、Ｒ４とＲ５は、これらが結合されたＣ−原子ととも６−員芳香族環である
2021530577.tif 000013
を形成し（ここで、＊表示されたＣ−原子は、Ｒ４とＲ５が結合されたＣ−原子である）、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＯ−Ｃ１−１０−アルキル基からなる群より選択されたものである。
【００６０】
最も好ましくは、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＯ−Ｃ１−１０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか、
【００６１】
または、Ｒ２とＲ３は、これらが結合されたＣ−原子ととも６−員芳香族環である
2021530577.tif 000014
を形成し（ここで、＊表示されたＣ−原子は、Ｒ２とＲ３が結合されたＣ−原子である）、Ｒ１、Ｒ４及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＯ−Ｃ１−１０−アルキル基からなる群より選択されたものであるか、
【００６２】
または、Ｒ３とＲ４は、これらが結合されたＣ−原子ととも６−員芳香族環である
2021530577.tif 000015
を形成し（ここで、＊表示されたＣ−原子は、Ｒ３とＲ４が結合されたＣ−原子である）、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＯ−Ｃ１−１０−アルキル基からなる群より選択されたものである。
【００６３】
化学式１の好ましい単位は、下記化学式１ａ、１ｂ及び１ｃがある。
【００６４】
【化１ａ】
2021530577.tif 000016
【００６５】
【化１ｂ】
2021530577.tif 000017
【００６６】
【化１ｃ】
2021530577.tif 000018
【００６７】
また、本発明の好ましい高分子は、下記化学式２の単位を含む。
【００６８】
【化２】
2021530577.tif 000019
【００６９】
前記化学式２で、
【００７０】
Ｘ３は、独立的にＯ又はＳであり、
【００７１】
Ｌ２は、共有結合（ｃｏｖａｌｅｎｔ  ｂｏｎｄ）又は連結基であり、
【００７２】
Ｒ６は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲｄ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｅ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、一つ以上のＲｅ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基、５〜１４員ヘテロアリール基及び一つ以上のＲｅ置換基に置換された５〜１４員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであり、
【００７３】
ここで、Ｒｄは、それぞれの場合に、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基、Ｃ（Ｏ）−フェニル基及び５〜９員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものであり、
【００７４】
Ｒｅは、それぞれの場合に、Ｃ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基、Ｃ（Ｏ）−フェニル基及び５〜９員ヘテロアリール基からなる群より選択されたものである。
【００７５】
好ましくは、Ｘ３は、Ｏである。
【００７６】
好ましくは、Ｌ２は、共有結合又はＣ１−３０−アルキレン基、Ｃ１−１０−アルキレン−フェニレン−Ｃ１−１０−アルキレン基、Ｃ１−１０−アルキレン−Ｃ５−７−シクロアルキレン−Ｃ１−１０−アルキレン基、フェニレン基及びＣ５−７−シクロアルキレン基からなる群より選択された連結基である。より好ましくは、Ｌ２は、共有結合又はフェニレン基である連結基である。
【００７７】
好ましくは、
Ｒ６は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲｄ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基、一つ以上のＲｅ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基、Ｃ６−１４−アリール基、及び一つ以上のＲｅ置換基に置換されたＣ６−１４−アリール基からなる群より選択されたものであり、
【００７８】
ここで、Ｒｄは、それぞれの場合に、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基及びＣ（Ｏ）−フェニル基からなる群より選択されたものであり、
【００７９】
Ｒｅは、それぞれの場合に、Ｃ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基及びＣ（Ｏ）−フェニル基からなる群より選択されたものである。
【００８０】
より好ましくは、
Ｒ６は、独立的にＨ、Ｃ１−３０−アルキル基、一つ以上のＲｄ置換基に置換されたＣ１−３０−アルキル基、Ｃ５−７−シクロアルキル基及び一つ以上のＲｅ置換基に置換されたＣ５−７−シクロアルキル基からなる群より選択されたものであり、
【００８１】
ここで、Ｒｄは、それぞれの場合に、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基及びＣ（Ｏ）−フェニル基からなる群より選択されたものであり、
【００８２】
Ｒｅは、それぞれの場合に、Ｃ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ１−２０−アルキル基、Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｏ−Ｃ５−６−シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）−Ｃ５−６−シクロアルキル基、フェニル基、Ｏ−フェニル基及びＣ（Ｏ）−フェニル基からなる群より選択されたものである。
【００８３】
より好ましくは、
Ｒ６は、独立的にＨ、Ｃ１−１０−アルキル基及びＣ５−７−シクロアルキル基からなる群より選択されたものである。
【００８４】
化学式２の好ましい単位は、下記化学式２ａ、２ｂ及び２ｃがある。
【００８５】
【化２ａ】
2021530577.tif 000020
【００８６】
【化２ｂ】
2021530577.tif 000021
【００８７】
【化２ｃ】
2021530577.tif 000022
【００８８】
本発明の特に好ましい高分子は、下記化学式Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆ及びＰｇである。
【００８９】
【化Ｐａ】
2021530577.tif 000023
【００９０】
【化Ｐｂ】
2021530577.tif 000024
【００９１】
【化Ｐｃ】
2021530577.tif 000025
【００９２】
【化Ｐｄ】
2021530577.tif 000026
【００９３】
【化Ｐｅ】
2021530577.tif 000027
【００９４】
【化Ｐｆ】
2021530577.tif 000028
【００９５】
【化Ｐｇ】
2021530577.tif 000029
【００９６】
本発明の高分子は、本発明の高分子の全ての繰り返し単位のモル数を基準に少なくとも３ｍｏｌ％、好ましくは、少なくとも１０ｍｏｌ％の化学式１の単位を含む。
【００９７】
本発明の高分子は、通常的に、数平均分子量（ｎｕｍｂｅｒ  ａｖｅｒａｇｅ  ｍｏｌａｒ  ｍａｓｓ）Ｍｎが少なくとも１００００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは、少なくとも２００００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは、少なくとも４００００ｇ／ｍｏｌ、最も好ましくは、少なくとも２５００００ｇ／ｍｏｌである。
【００９８】
本発明の高分子は、通常的に、ｚ−平均分子量（ｚ−ａｖｅｒａｇｅ  ｍｏｌａｒ  ｍａｓｓ）Ｍｚが少なくとも４００００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは、少なくとも９００００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは、１５００００ｇ／ｍｏｌ、最も好ましくは、少なくとも５０００００ｇ／ｍｏｌである。
【００９９】
化学式１及び２の単位を含む本発明の高分子は、本発明の高分子の全ての繰り返し単位のモル数を基準に少なくとも５０ｍｏｌ％、好ましくは、少なくとも７０ｍｏｌ％、より好ましくは、少なくとも８０ｍｏｌ％、さらに好ましくは、少なくとも９０ｍｏｌ％の化学式１及び２の単位を含む。最も好ましくは、化学式１及び２の単位を含む本発明の高分子は、本質的に化学式１及び２の単位で構成され、これは化学式１及び２の単位を少なくとも９５ｍｏｌ％含むことを意味する。
【０１００】
化学式１及び２の単位を含む本発明の高分子は、通常的に、化学式１及び２の単位を２０：１〜１：３０のモル比、好ましくは、１０：１〜１：２０のモル比、より好ましくは、６：１〜１：５のモル比、さらに好ましくは、６：１〜１：１のモル比、最も好ましくは、６：１〜３：１のモル比で含む。
【０１０１】
また、本発明の一側面は、前記本発明の高分子の製造方法に関する。下記化学式１の単位を含む本発明の高分子の製造方法は、本発明の高分子を収得（ｙｉｅｌｄ）するために下記化学式３の化合物を含む単量体（ｍｏｎｏｍｅｒ）を重合するステップを含む。
【０１０２】
【化１】
2021530577.tif 000030
【０１０３】
前記化学式１で、Ｘ１とＸ２、Ｌ１及びＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記定義された通りである。
【０１０４】
【化３】
2021530577.tif 000031
【０１０５】
前記化学式３で、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、化学式１の化合物に対して定義された通りである。
【０１０６】
下記化学式１の単位及び化学式２の単位を含む本発明の高分子の製造方法は、本発明の高分子を収得するために下記化学式３の化合物及び下記化学式４の化合物を含む単量体を重合するステップを含む。
【０１０７】
【化１】
2021530577.tif 000032
【０１０８】
【化２】
2021530577.tif 000033
【０１０９】
前記化学式１及び２で、Ｘ３、Ｌ２及びＲ６だけでなく、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記定義された通りである。
【０１１０】
【化３】
2021530577.tif 000034
【０１１１】
【化４】
2021530577.tif 000035
【０１１２】
前記化学式３及び４で、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記化学式１で定義された通りであり、Ｘ３、Ｌ２及びＲ６は、前記化学式２で定義された通りである。
【０１１３】
単量体は、ラジカル、陽イオン、陰イオンの重合によって重合され得る。好ましくは、前記単量体は、陽イオン重合によって重合され得る。前記陽イオン重合は、通常的に、Ｈ２ＳＯ４若しくはＨ３ＰＯ４又はこれらの混合物のような無機酸（ｍｉｎｅｒａｌ  ａｃｉｄ）の存在下、又はＡｌＣｌ３、ＢＦ３、ＴｉＣｌ４又はＳｎＣｌ４又はこれらの混合物のようなルイス酸の存在下で行われる。全てのルイス酸の総合は、通常的に、全体単量体のモル数を基準に０．１〜１０％である。陽イオン重合は、通常的に、極性溶媒又は溶媒の混合物内で行われる。極性溶媒の例には、テトラクロロメタン（ｔｅｔｒａｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ）及び、好ましくは、ジクロロメタン（ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ）がある。重合は、通常的に、−５〜５０℃の温度で行われ、好ましくは、−４０〜０℃の温度で行われる。
【０１１４】
下記化学式３の化合物は、下記化学式８の化合物と下記化学式９の化合物を反応させることで製造され得る。
【０１１５】
【化３】
2021530577.tif 000036
【０１１６】
前記化学式３で、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記定義された通りである。
【０１１７】
【化８】
2021530577.tif 000037
【０１１８】
【化９】
2021530577.tif 000038
【０１１９】
前記化学式８及び９で、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記化学式３の化合物に対して定義された通りであり、ＬＧは、脱離基（ｌｅａｖｉｎｇ  ｇｒｏｕｐ）である。脱離基の例には、−ＯＳＯ２ＣＦ３、Ｏ−トシル基（Ｏ−ｔｏｓｙｌ）、Ｏ−メシル基（Ｏ−ｍｅｓｙｌ）及びＯ−フェニル基だけでなく、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩのようなハロゲンがある。好ましくは、前記脱離基は、ハロゲンであり、より好ましくは、Ｃｌ又はＢｒである。
【０１２０】
化学式８及び９の化合物は、通常的に、非極性非プロント性溶媒（ａｐｏｌａｒ  ａｐｒｏｔｉｃ  ｓｏｌｖｅｎｔ）、例えば、ジメチルホルムアミド（ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｆｏｒｍａｍｉｄｅ）内でＫ２ＣＯ３のような適当な塩基の存在下で反応できる。通常的に、前記反応は、５０〜１５０℃範囲の温度のように昇温（ｅｌｅｖａｔｅｄ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）で行われる。
【０１２１】
また、本発明の一例は、上述した本発明の高分子の一つ以上及び溶媒を含む組成物である。好ましくは、前記溶媒は、極性非プロント性溶媒（ｐｏｌａｒ  ａｐｒｏｔｉｃ  ｓｏｌｖｅｎｔ）又は極性非プロント性溶媒の混合物である。極性非プロント性溶媒の例には、エチルアセテート（ｅｔｈｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ）、ブチルアセテート（ｂｕｔｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ）、アセトン（ａｃｅｔｏｎｅ）、シクロペンタノン（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｎｏｎｅ）、テトラヒドロフラン（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ  ａｃｅｔａｔｅ）、アセトニトリル（ａｃｅｔｏｎｉｔｒｉｌｅ）、ジメチルホルムアミド（ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｏｒｍａｍｉｄｅ）及びジメチルスルホキシド（ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｓｕｌｆｏｘｉｄｅ）がある。好ましくは、極性非プロント性溶媒には、ブチルアセテート、シクロペンタノン及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートがある。最も好ましい有機溶媒は、ブチルアセテートである。前記組成物は、通常的に、前記組成物の重量を基準に１〜２０重量％、好ましくは、５〜１５重量％の本発明の高分子を含む。前記組成物は、好ましくは、溶液である。
【０１２２】
また、前記組成物は、少なくとも一つの架橋剤（ｃｒｏｓｓｌｉｎｋｉｎｇ  ａｇｅｎｔ）を含むことができる。好ましくは、前記架橋剤は、少なくとも二つ以上のアジド基（ａｚｉｄｅ  ｇｒｏｕｐｓ）を含み、より好ましくは、前記架橋剤は、２個のアジド基を含む。好ましくは、前記２個のアジド基を含む架橋剤は、下記化学式５の化合物である。
【０１２３】
【化５】
2021530577.tif 000039
【０１２４】
前記化学式５で、
【０１２５】
ａは、０又は１であり、
【０１２６】
Ｒ５０は、それぞれの場合に、Ｈ、ハロゲン、ＳＯ３Ｍ及びＣ１−２０−アルキル基からなる群より選択されたものであり、前記Ｃ１−２０−アルキル基は、一つ以上のハロゲンに置換され得、前記Ｍは、Ｈ、Ｎａ、Ｋ又はＬｉであり、
【０１２７】
Ｌ５０は、連結基である。
【０１２８】
好ましくは、ａは、０である。
【０１２９】
好ましくは、Ｒ５０は、それぞれの場合に、Ｆ、ＳＯ３Ｍ及びＣ１−２０−アルキル基からなる群より選択されたものであり、前記Ｃ１−２０−アルキル基は、一つ以上のＦに置換され得、
【０１３０】
前記Ｍは、Ｎａ、Ｋ又はＬｉである。
【０１３１】
より好ましくは、Ｒ５０は、それぞれの場合にＦである。
【０１３２】
Ｌ５０は、任意の適切な連結基であってもよい。
【０１３３】
より好ましくは、Ｌ５０は、下記化学式６の連結基である。
【０１３４】
【化６】
2021530577.tif 000040
【０１３５】
前記化学式６で、
【０１３６】
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ及びｈは、互いに独立的に０又は１であり、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ及びｈが全て同時に０ではなく、
【０１３７】
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４は、独立的にＣ（Ｏ）、Ｃ（Ｏ）Ｏ、Ｃ（Ｏ）−ＮＲ５１、ＳＯ２−ＮＲ５１、ＮＲ５１、Ｎ＋Ｒ５１Ｒ５１、ＣＲ５１＝ＣＲ５１及びエチニレン基（ｅｔｈｙｎｙｌｅｎｅ）からなる群より選択されたものであり、
【０１３８】
ここで、Ｒ５１は、それぞれの場合に、Ｈ又はＣ１−１０−アルキル基であるか、又は二つのＲ５１基が（互いに異なるＷ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４基から）連結原子（ｃｏｎｎｅｃｔｉｎｇ  ａｔｏｍｓ）とともに５、６又は７員環を形成し、前記環は、１〜３個のＣ１−６−アルキル基に置換され得、
【０１３９】
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は、独立的にＣ１−１０−アルキレン基、Ｃ５−７−シクロアルキレン基、Ｃ６−１４−アリーレン基（ａｒｙｌｅｎｅ）、５〜１４員ヘテロアリーレン基；並びにＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員ヘテロ芳香族環のうち選択された少なくとも一つの環を含む多環系（ｐｏｌｙｃｙｃｌｉｃ  ｓｙｓｔｅｍ）；からなる群より選択されたものであり、
【０１４０】
ここで、Ｃ１−１０−アルキレン基、Ｃ５−７−シクロアルキレン基、Ｃ６−１４員アリーレン基、５〜１４員ヘテロアリーレン基；並びにＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員ヘテロ芳香族環のうち選択された少なくとも一つの環を含む多環系；は、１〜５個のＣ１−２０−アルキル基又はフェニル基に置換され得る。
【０１４１】
Ｃ６−１４−アリーレン基は、芳香族単一環、又は２個若しくは３個の縮合芳香族環を含む２価（ｂｉｖａｌｅｎｔ）芳香族環系であり、全ての環が炭素原子から形成されたものである。Ｃ６−１４−アリーレン基の例には、
2021530577.tif 000041
がある。
【０１４２】
５〜１４員ヘテロアリーレン基は、芳香族単一環、又は２〜４個の縮合された芳香族環を含む２価芳香族環系であり、これらのうち少なくとも一つの芳香族環は、Ｓ、Ｏ、Ｎ及びＳｅからなる群より選択された少なくとも一つのヘテロ原子を含む。５〜１４員ヘテロアリーレン基の例には、
2021530577.tif 000042
がある。
【０１４３】
Ｃ６−１４−芳香族環及び５〜１４員ヘテロ芳香族環からなる群より選択された少なくとも一つの環を含む多環系の例には、
2021530577.tif 000043
がある。
【０１４４】
連結基Ｌ５０の例には、
2021530577.tif 000044
2021530577.tif 000045
がある。
【０１４５】
より好ましくは、Ｌ５０は、下記化学式６の連結基である。
【０１４６】
【化６】
2021530577.tif 000046
【０１４７】
前記化学式６で、
【０１４８】
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ及びｈは、互いに独立的に０又は１であるが、ｃ、ｅ及びｇのうち少なくとも一つは、１であり、
【０１４９】
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４は、独立的にＣ（Ｏ）、Ｃ（Ｏ）Ｏ、Ｃ（Ｏ）−ＮＲ５１、ＳＯ２−ＮＲ５１、ＮＲ５１、Ｎ＋Ｒ５１Ｒ５１、ＣＲ５１＝ＣＲ５１及びエチニレン基からなる群より選択されたものであり、
【０１５０】
ここで、Ｒ５１は、それぞれの場合に、Ｈ又はＣ１−１０−アルキル基であるか、又は二つのＲ５１基が（互いに異なるＷ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４基から）連結原子とともに５、６又は７員環を形成し、前記環は、１〜３個のＣ１−６−アルキル基に置換され得、
【０１５１】
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は、互いに独立的にＣ１−１０−アルキレン基、Ｃ５−７−シクロアルキレン基、Ｃ６−１４−アリーレン基、５〜１４員ヘテロアリーレン基；並びにＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員ヘテロ芳香族環のうち選択された少なくとも一つの環を含む多環系；のうち選択されたものであり、
【０１５２】
ここで、Ｃ１−１０−アルキレン基、Ｃ５−７−シクロアルキレン基、Ｃ６−１４員アリーレン基、５〜１４員ヘテロアリーレン基；並びにＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員ヘテロ芳香族環のうち選択された少なくとも一つの環を含む多環系；は、１〜５個のＣ１−２０−アルキル基又はフェニル基に置換され得、
【０１５３】
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３のうち少なくとも一つは、Ｃ６−１４−アリーレン基、５〜１４員ヘテロアリーレン基；又はＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員ヘテロ芳香族環のうち選択された少なくとも一つの環を含む多環系である。
【０１５４】
最も好ましくは、Ｌ５０は、下記化学式６の連結基である。
【０１５５】
【化６】
2021530577.tif 000047
【０１５６】
前記化学式６で、
【０１５７】
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ及びｈは、互いに独立的に０又は１であるが、ｃ、ｅ及びｇのうち少なくとも一つは、１であり、
【０１５８】
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３及びＷ４は、互いに独立的にＣ（Ｏ）、ＣＲ５１＝ＣＲ５１及びエチニレン基からなる群より選択されたものであり、
【０１５９】
ここで、Ｒ５１は、Ｈであり、
【０１６０】
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は、互いに独立的にＣ１−１０−アルキレン基、Ｃ６−１４−アリーレン基、５〜１４員ヘテロアリーレン基；並びにＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員ヘテロ芳香族環のうち選択された少なくとも一つの環を含む多環系；からなる群より選択されたものであり、
【０１６１】
ここで、Ｃ１−１０−アルキレン基、Ｃ６−１４員アリーレン基、５〜１４員ヘテロアリーレン基；並びにＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員ヘテロ芳香族環のうち選択された少なくとも一つの環を含む多環系；は、１〜２個のＣ１−２０−アルキル基又はフェニル基に置換され得、
【０１６２】
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３のうち少なくとも一つは、Ｃ６−１４−アリーレン基、５〜１４員ヘテロアリーレン基；又はＣ６−１４−芳香族環及び５〜１４員ヘテロ芳香族環のうち選択された少なくとも一つの環を含む多環系である。
【０１６３】
少なくとも２個のアジド基を含む架橋剤の製造方法は、多様な文献（ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ）に記述されており、例えば、ＷＯ２０１５／００４５６３、Ｃａｉ、Ｓ．Ｘ；Ｇｌｅｎｎ、Ｄ．Ｊ；Ｋａｎｓｋａｒ、Ｍ．；Ｗｙｂｏｕｒｎｅ、Ｍ．Ｎ．；Ｋｅａｎａ、Ｊ．Ｆ．Ｗ．Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１９９４、６、1８２２−１８２９、Ｙａｎ、Ｍ．；Ｃａｉ、Ｓ．Ｘ．；Ｗｙｂｏｕｒｎｅ、Ｍ．Ｎ．；Ｋｅａｎａ、Ｊ．Ｆ．Ｗ．Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．１９９６、６、1２４９−１２５２、Ｔｏｕｗｓｌａｇｅｒ、Ｆ．Ｊ．；Ｗｉｌｌａｒｄ、Ｎ．Ｐ．；Ｌｅｅｕｗ、Ｄ．Ｍ．Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ２００２、８１、４５５６、ＷＯ０４/１００２８２、ＷＯ２００７／００４９９５、ＷＯ２００９／０６８８８４、Ｐｎｇ、Ｒ．−Ｑ．；Ｃｈｉａ、Ｐ．−Ｊ．；Ｔａｎｇ、Ｊ．−Ｃ．；Ｌｉｕ、Ｂ．；Ｓｉｖａｒａｍａｋｒｉｓｈｎａｎ  Ｓ．；Ｚｈｏｕ、Ｍ．；Ｋｈｏｎｇ、Ｓ．−Ｈ．；Ｃｈａｎ、Ｈ．Ｓ．Ｏ．；Ｂｕｒｒｏｕｇｈｅｓ、Ｊ．Ｈ．；Ｃｈｕａ、Ｌ．−Ｌ．；Ｆｒｉｅｎｄ、Ｒ．Ｈ．；Ｈｏ、Ｐ．Ｋ．Ｈ．Ｎａｔｕｒｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ２０１０、９（２）、１５２−１５２、及びＷＯ２０１１／０６８４８２などがある。
【０１６４】
本発明の組成物は、前記本発明の高分子を溶媒と、または随意的に架橋剤と混合することで製造され得る。
【０１６５】
また、本発明の一側面は、ｉ）本発明の高分子を含む；又は、ｉｉ）本発明の組成物から形成された；層を含む電子素子である。
【０１６６】
前記電子素子は、電界−効果トランジスタ（ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、コンデンサ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）、発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、太陽電池（ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ）、感知装置（ｓｅｎｓｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）又はＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグであってもよい。
【０１６７】
好ましくは、前記電子素子は、電界効果トランジスタである。電界効果トランジスタは、多様なデザインを有することができ、例えば、トップ−ゲート、ボトム−コンタクト電界効果トランジスタ又はボトム−ゲート、トップ−コンタクト電界効果トランジスタがある。前記トップ−ゲート、ボトム−コンタクト電界効果トランジスタは、以下の順に基材、ソース／ドレイン電極、半導体層、誘電層及びゲート電極を含むことができる。前記ボトム−ゲート、トップ−コンタクト電界効果トランジスタは、下記の順に基材、ゲート電極、誘電層、半導体層及びソース／ドレイン電極を含むことができる。
【０１６８】
好ましくは、前記電子素子は、電界効果トランジスタであり、ｉ）前記本発明の高分子を含む；又は、ｉｉ）本発明の組成物から形成された；前記層は、前記誘電層である。
【０１６９】
前記誘電層は、１０〜２０００ｎｍの厚さ、好ましくは、５０〜１０００ｎｍの厚さ、より好ましくは、１００〜８００ｎｍの厚さ、最も好ましくは、４００〜６００ｎｍの厚さを有することができる。
【０１７０】
好ましくは、前記半導体層は、有機半導体物質を含むことができる。
【０１７１】
有機半導体物質の例には、アントラセン（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ペンタセン（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ）及びこれらの誘導体のように線形で縮合された芳香族環からなる多環芳香族炭化水素；ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ペリレンジイミド（ｄｉｉｍｉｄｅ）誘導体、ペリレンジアンヒドリド（ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）誘導体及びナフタレン（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）ジイミド誘導体、トリフェニルアミン（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）誘導体のように２次元的に縮合された芳香族環からなる多環芳香族炭化水素；オリゴチオフェン（ｏｌｉｇｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、オリゴフェニレン−ビニレン（ｏｌｉｇｏｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−ｖｉｎｙｌｅｎｅ）、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ポリチエチレンビニレンポリパラフェニレン（ｐｏｌｙｔｈｉｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ  ｐｏｌｙｐａｒａｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、ポリピロール（ｐｏｌｙｐｙｒｒｏｌｅ）及びポリアニリン（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）のように芳香族単位を含むオリゴマー又は高分子；ポリアセンチレン（ｐｏｌｙａｃｅｔｙｌｅｎｅｓ）及びジケトピロロピロール系（ｄｉｋｅｔｏｐｙｒｒｏｌｏｐｙｒｒｏｌｅ−ｂａｓｅｄ）物質のような炭化水素鎖がある。
【０１７２】
例えば、線形−縮合された芳香族環からなるビス−アルキニル（ｂｉｓ−ａｌｋｉｎｙｌ）置換された多環芳香族炭化水素は、ＷＯ２００７／０６８６１８に記述されている。
【０１７３】
例えば、ペリレンジイミド誘導体、ペリレンジアンヒドリド誘導体及びナフタレンジイミド誘導体は、ＷＯ２００７／０７４１３７、ＷＯ２００７／０９３６４３、ＷＯ２００９／０２４５１２、ＷＯ２００９／１４７２３７、ＷＯ２０１２／０９５７９０、ＷＯ２０１２／１１７０８９、ＷＯ２０１２／１５２５９８、ＷＯ２０１４／０３３６２２、ＷＯ２０１４／１７４４３５及びＷＯ２０１５／１９３８０８に記述されている。
【０１７４】
例えば、チオフェン単位を含む高分子は、ＷＯ２０１０／０００６６９に記述されており、ベンゾチアジアゾール−シクロペンタジチオフェン（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｄｉａｚｏｌ−ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）単位を含む高分子は、ＷＯ２０１０／０００７５５に記述されており、ジチエノベンザチエノチオフェン（ｄｉｔｈｉｅｎｏｂｅｎｚａｔｈｉｅｎｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）単位を含む高分子は、ＷＯ２０１１／０６７１９２に記述されており、ジチエノフタルイミド（ｄｉｔｈｉｅｎｏｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ）単位を含む高分子は、ＷＯ２０１１／００４７３０に記述されており、チエノチオフェン−２，５−ジオン（ｔｈｉｅｎｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２，５−ｄｉｏｎｅ）単位を含む高分子は、ＷＯ２０１２／１４６５０６に記述されており、イソインジゴ系（ｉｓｏｉｎｄｉｇｏ−ｂａｓｅｄ）単位を含む高分子は、ＷＯ２００９／０５３２９１に記述されている。
【０１７５】
例えば、ジケトピロロピロール系物質及びこれらの合成は、ＷＯ２００５／０４９６９５、ＷＯ２００８／０００６６４、ＷＯ２０１０／０４９３２１、ＷＯ２０１０／０４９３２３、ＷＯ２０１０／１０８８７３、ＷＯ２０１０／１３６３５２、ＷＯ２０１０／１３６３５３、ＷＯ２０１２／０４１８４９、ＷＯ２０１２／１７５５３０、ＷＯ２０１３／０８３５０６、ＷＯ２０１３／０８３５０７及びＷＯ２０１３／１５０００５に記述されている。
【０１７６】
有機電界効果トランジスタにおいて半導体物質として適当なジケトピロロピロール系高分子の要約された内容は、Ｃｈｒｉｓｔｉａｎ  Ｂ．Ｎｉｅｌｓｅｎ、Ｍａｔｈｉｅｕ  Ｔｕｒｂｉｅｚ  ａｎｄ  Ｉａｉｎ  ＭｃＣｕｌｌｏｃｈ、Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ２０１３、２５、１８５９−１８８０に提示されている。
【０１７７】
好ましくは、前記有機半導体物質は、少なくとも一つのジケトピロロピロール系物質を含んでいる。より好ましくは、前記有機半導体物質は、少なくとも一つのジケトピロロピロール系高分子を含んでいる。さらに好ましくは、前記有機半導体物質は、下記化学式７の単位を含む少なくとも一つのジケトピロロピロール系高分子を含む。
【０１７８】
【化７】
2021530577.tif 000048
【０１７９】
前記化学式７で、
【０１８０】
Ｒ６０は、それぞれの場合に、Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ２−３０−アルケニル基又はＣ２−３０−アルキニル基であり、前記Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ２−３０−アルケニル基及びＣ２−３０−アルキニル基が一つ以上の−Ｓｉ（Ｒ１００）３若しくは−ＯＳｉ（Ｒ１００）３に置換され得、又はＣ１−３０−アルキル基、Ｃ２−３０−アルケニル基及びＣ２−３０−アルキニル基のうち一つ以上のＣＨ２基が−Ｓｉ（Ｒ１００）２若しくは−［Ｓｉ（Ｒ１００）２−Ｏ］ｑ−Ｓｉ（Ｒ１００）２−に置換され得、
【０１８１】
前記Ｒ１００は、それぞれの場合にＣ１−１０−アルキル基であり、ｑは、１〜２０の整数であり、
【０１８２】
ｊ及びｋは、独立的に０又は１であり、
【０１８３】
Ａｒ１及びＡｒ２は、独立的にアリーレン基又はヘテロアリーレン基であり、ここで、アリーレン基及びヘテロアリーレン基は、一つ以上のＣ１−３０−アルキル基、Ｃ２−３０−アルケニル基、Ｃ２−３０−アルキニル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基に置換され得るか、前記Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ２−３０−アルケニル基、Ｃ２−３０−アルキニル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、アリール基及びヘテロアリール基は、一つ以上のＣ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基又はフェニル基に置換され得、
【０１８４】
Ｌ６０及びＬ６１は、独立的に、
2021530577.tif 000049
からなる群より選択されたものであり、
【０１８５】
ここで、Ａｒ３は、それぞれの場合にアリーレン基又はヘテロアリーレン基であり、ここで、前記アリーレン基及びヘテロアリーレン基は、一つ以上のＣ１−３０−アルキル基、Ｃ２−３０−アルケニル基、Ｃ２−３０−アルキニル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基に置換され得、前記Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ２−３０−アルケニル基、Ｃ２−３０−アルキニル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、アリール基及びヘテロアリール基は、一つ以上のＣ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基又はフェニル基に置換され得、隣接したＡｒ３は、ＣＲ１０１Ｒ１０１、ＳｉＲ１０１Ｒ１０１又はＧｅＲ１０１Ｒ１０１リンカー（ｌｉｎｋｅｒ）により連結され得、前記Ｒ１０１は、それぞれの場合に、Ｈ、Ｃ１−３０−アルキル基又はアリール基であり、前記Ｃ１−３０−アルキル基及びアリール基は、一つ以上のＣ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基又はフェニル基に置換され得、
【０１８６】
ｐは、それぞれの場合に１〜８の整数であり、
【０１８７】
Ａｒ４は、それぞれの場合に、アリール基又はヘテロアリール基であって、前記アリール基及びヘテロアリール基は、一つ以上のＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基又はフェニル基に置換され得、前記フェニル基は、Ｃ１−２０−アルキル基又はＯ−Ｃ１−２０−アルキル基に置換され得る。
【０１８８】
Ｃ２−３０−アルケニル基は、分枝型又は非分枝型（ｕｎｂｒａｎｃｈｅｄ）であってもよい。Ｃ２−３０−アルケニル基の例には、ビニル基（ｖｉｎｙｌ）、プロペニル基（ｐｒｏｐｅｎｙｌ）、ｃｉｓ−２−ブテニル基（ｂｕｔｅｎｙｌ）、ｔｒａｎｓ−２−ブテニル基、３−ブテニル基、ｃｉｓ−２−ペンテニル基（ｐｅｎｔｅｎｙｌ）、ｔｒａｎｓ−２−ペンテニル基、ｃｉｓ−３−ペンテニル基、ｔｒａｎｓ−３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、２−メチル−３−ブテニル基、ヘキセニル基（ｈｅｘｅｎｙｌ）、ヘプテニル基（ｈｅｐｔｅｎｙｌ）、オクテニル基（ｏｃｔｅｎｙｌ）、ノネニル基（ｎｏｎｅｎｙｌ）、ドセニル基（ｄｏｃｅｎｙｌ）、リノレイル基（ｌｉｎｏｌｅｙｌ、Ｃ１８）、リノレニル基（ｌｉｎｏｌｅｎｙｌ、Ｃ１８）、オレイル（Ｃ１８）、アラキドニル（ａｒａｃｈｉｄｏｎｙｌ、Ｃ２０）及びエルシル（ｅｒｕｃｙｌ、Ｃ２２）がある。
【０１８９】
Ｃ２−３０−アルキニル基は、分枝型又は非分枝型であってもよい。Ｃ２−３０−アルキニル基の例には、エチニル基（ｅｔｈｙｎｙｌ）、２−プロピニル基（ｐｒｏｐｙｎｙｌ）、２−ブチニル基（ｂｕｔｙｎｙｌ）、３−ブチニル基、ペンチニル基（ｐｅｎｔｙｎｙｌ）、へキシニル基（ｈｅｘｙｎｙｌ）、へプチニル基（ｈｅｐｔｙｎｙｌ）、オクチニル基（ｏｃｔｙｎｙｌ）、ノニニル基（ｎｏｎｙｎｙｌ）、デシニル基（ｄｅｃｙｎｙｌ）、ウンデシニル基（ｕｎｄｅｃｙｎｙｌ）、ドデシニル基（ｄｏｄｅｃｙｎｙｌ）、ウンデシニル基、ドデシニル基、トリデシニル基（ｔｒｉｄｅｃｙｎｙｌ）、テトラデシニル基（ｔｅｔｒａｄｅｃｙｎｙｌ）、ペンタデシニル基（ｐｅｎｔａｄｅｃｙｎｙｌ）、ヘキサデシニル基（ｈｅｘａｄｅｃｙｎｙｌ）、ヘプタデシニル基（ｈｅｐｔａｄｅｃｙｎｙｌ）、オクタデシニル基（ｏｃｔａｄｅｃｙｎｙｌ）、ノナデシニル基（ｎｏｎａｄｅｃｙｎｙｌ）及びイコシニル基（ｉｃｏｓｙｎｙｌ、Ｃ２０）がある。
【０１９０】
アリーレン基（ａｒｙｌｅｎｅ）は、芳香族単一環又は２〜８個の縮合芳香族環からなる２価芳香族環系であり、全ての環は、炭素原子からなる。好ましくは、アリーレン基は、芳香族単一環又は２〜４個の縮合芳香族環からなる２価芳香族環系であり、全ての環が炭素からなるものである。
【０１９１】
アリーレン基の例には、
2021530577.tif 000050
がある。
【０１９２】
ヘテロアリーレン基は、芳香族単一環又は２〜８個の縮合芳香族環からなる２価芳香族環系であって、少なくとも一つの芳香族環がＳ、Ｏ、Ｎ及びＳｅからなる群より選択された少なくとも一つのヘテロ原子を含む。
【０１９３】
好ましくは、ヘテロアリーレン基は、芳香族単一環又は２〜４個の縮合芳香族環からなる２価芳香族環系であって、少なくとも一つの芳香族環がＳ、Ｏ、Ｎ及びＳｅからなる群より選択された少なくとも一つのヘテロ原子を含む。
【０１９４】
ヘテロアリーレン基の例には、
2021530577.tif 000051
がある。
【０１９５】
ここで、Ｒｋは、Ｈ、Ｃ１−２０−アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基であり、前記Ｃ１−２０−アルキル基、アリール基及びヘテロアリール基は、一つ以上のＣ１−６−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−６−アルキル基又はフェニル基に置換され得る。
【０１９６】
ＣＲ１００Ｒ１００、ＳｉＲ１００Ｒ１００又はＧｅＲ１００Ｒ１００リンカー（ここで、Ｒ１００は、それぞれの場合に、Ｈ、Ｃ１−３０−アルキル基又はアリール基であって、前記Ｃ１−３０−アルキル基及びアリール基は、一つ以上のＣ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基又はフェニル基に置換され得、ｐは、それぞれの場合に１〜８の整数である）により連結された隣接したＡｒ３の例には、
2021530577.tif 000052
がある。
【０１９７】
アリール基は、芳香族単一環又は２〜８個の縮合芳香族環からなる１価芳香族環系であり、全ての環が炭素原子から形成されたものである。好ましくは、アリール基は、芳香族単一環又は２〜４個の縮合芳香族環からなる１価の芳香族環系であり、全ての環が炭素原子から形成されたものである。
【０１９８】
アリール基の例には、
2021530577.tif 000053
2021530577.tif 000054
がある。
【０１９９】
ヘテロアリール基は、芳香族単一環又は２〜８個の縮合芳香族環からなる１価の芳香族環系であり、少なくとも一つの芳香族環は、Ｓ、Ｏ、Ｎ及びＳｅからなる群より選択された少なくとも一つのヘテロ原子を含む。好ましくは、ヘテロアリール基は、芳香族単一環又は２〜４個の縮合芳香族環からなる１価芳香族環系であり、少なくとも一つの芳香族環は、Ｓ、Ｏ、Ｎ及びＳｅからなる群より選択された少なくとも一つのヘテロ原子を含む。
【０２００】
ヘテロアリール基の例には、
2021530577.tif 000055
がある。
【０２０１】
ここで、Ｒｍは、Ｈ、Ｃ１−２０−アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基であり、前記Ｃ１−２０−アルキル基、アリール基及びヘテロアリール基は、一つ以上のＣ１−６−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−６−アルキル基又はフェニル基に置換され得る。
【０２０２】
Ｌ６０及びＬ６１の例には、
2021530577.tif 000056
2021530577.tif 000057
がある。
【０２０３】
化学式７の単位を含むジケトピロロピロール系（ｄｉｋｅｔｏｐｙｒｒｏｌｏｐｙｒｒｏｌｅ−ｂａｓｅｄ）高分子は、他の繰り返し単位を含むことができる。化学式７の単位を含む前記ジケトピロロピロール系高分子は、ホモポリマー又はコポリマーであってもよい。前記コポリマーは、ランダム又はブロック形態であってもよい。
【０２０４】
好ましくは、化学式７の単位を含む前記ジケトピロロピロール系高分子は、化学式７の単位を前記高分子の重量を基準に少なくとも５０％含み、より好ましくは、少なくとも７０％、さらに好ましくは、前記高分子の重量を基準に少なくとも９０重量％の化学式７の単位を含む。最も好ましくは、ジケトピロロピロール系高分子は、本質的に化学式７の単位からなる。本質的に化学式７の単位からなる前記ジケトピロロピロール系高分子は、ホモポリマー又はコポリマーであってもよい。
【０２０５】
より好ましくは、化学式７の単位を含む前記ジケトピロロピロール系高分子は、本質的に下記化学式７の単位からなる。
【０２０６】
【化７】
2021530577.tif 000058
【０２０７】
ここで、Ｒ６０は、Ｃ６−３０−アルキル基であり、
【０２０８】
ｊ及びｋは、独立的に０又１であるが、ｎ及びｍが同時に０ではなく、
【０２０９】
Ａｒ１及びＡｒ２は、独立的に
2021530577.tif 000059
であり、
【０２１０】
Ｌ６０及びＬ６１は、独立的に
2021530577.tif 000060
2021530577.tif 000061
からなる群より選択され、
【０２１１】
ここで、Ａｒ３は、それぞれの場合にアリーレン基又はヘテロアリーレン基であり、前記アリーレン基及びヘテロアリーレン基は、一つ以上のＣ１−３０−アルキル基、Ｃ２−３０−アルケニル基、Ｃ２−３０−アルキニル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基に置換され得、前記Ｃ１−３０−アルキル基、Ｃ２−３０−アルケニル基、Ｃ２−３０−アルキニル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基、アリール基及びヘテロアリール基は、一つ以上のＣ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基又はフェニル基に置換され得、隣接したＡｒ３は、ＣＲ１０１Ｒ１０１、ＳｉＲ１０１Ｒ１０１又はＧｅＲ１０１Ｒ１０１リンカーにより連結され得、ここで、前記Ｒ１０１は、それぞれの場合に、Ｈ、Ｃ１−３０−アルキル基又はアリール基であり、前記Ｃ１−３０−アルキル基及びアリール基は、一つ以上のＣ１−２０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−２０−アルキル基又はフェニル基に置換され得、
ｐは、それぞれの場合に１〜８の整数であり、
【０２１２】
Ａｒ４は、それぞれの場合にアリール基又はヘテロアリール基であり、ここで、アリール基及びヘテロアリール基は、一つ以上のＣ１−３０−アルキル基、Ｏ−Ｃ１−３０−アルキル基又はフェニル基に置えされ得、前記フェニル基は、Ｃ１−２０−アルキル基又はＯ−Ｃ１−２０−アルキル基に置換され得る。
【０２１３】
前記トップ−ゲート、ボトム−コンタクト有機電界効果トランジスタの基材は、シリコーン、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリスルホン（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＮ）のようなプラスチック基材又はガラスのような任意の適当な基材であってもよい。
【０２１４】
ソース及びドレイン電極は、任意の適当な物質から製造され得る。適当な物質の例には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）又は銅（Ｃｕ）だけでなく、これらのうち少なくとも一つの金属を含む合金がある。ソース及びドレイン電極は、１〜１００ｎｍ、好ましくは、２０〜７０ｎｍの厚さを有することができる。
【０２１５】
前記ゲート電極は、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、インジウムスズ酸化物（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）又は金（Ａｕ）や、前記金属のうち少なくとも一つを含む合金、又は高度にドーピングされた（ｈｉｇｈｌｙ  ｄｏｐｅｄ）シリコンのような任意の適当なゲート物質から製造され得る。前記ゲート電極は、１〜２００ｎｍ、好ましくは、５〜１００ｎｍの厚さを有することができる、
【０２１６】
有機電界効果トランジスタのチャンネル長さ（Ｌ）、ソースとドレイン電極の間の距離は、典型的に３〜２０００μｍ、好ましくは、３〜２０μｍの範囲にあってもよい。前記有機電界効果トランジスタの幅（Ｗ）／長さ（Ｌ）の比は、通常的に３／１〜１０／１である。
【０２１７】
前記電界効果トランジスタは、他の半導体又は誘電層、又は自己組織化単分子膜（self-ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ、ＳＡＭｓ）のような追加的な（ａｄｄｉｔｉｏｎａｌ）層を含むことができる。
【０２１８】
また、本発明の一側面は、前記本発明の組成物を前記電界効果トランジスタの前駆体上に塗布するステップ、前記本発明の組成物の溶媒を除去するステップ及び誘電層を形成するステップを含む電界効果トランジスタの製造のための工程に関する。
【０２１９】
前記前駆体は、基材、ソース／ドレイン電極及び半導体層を順に含む前駆体又は基材、及びゲート電極を順に含む前駆体のような任意の前駆体であってもよい。
【０２２０】
本発明の組成物は、当業界に知られている方法によって塗布され得る。好ましくは、前記本発明による組成物は、スピンコーティング、ブレーディング、スロット−ダイコーティング、ドロップ−キャスティング、スプレー−コーティング、インクジェット、又は電子素子の基材を前記組成物内に浸漬する（ｓｏａｋｉｎｇ）などの液状工程技術により塗布され得る。好ましくは、本発明の組成物は、スピンコーティングにより塗布され得る。前記本発明の組成物を塗布した後に、例えば、４０〜１２０℃、好ましくは、７０〜１００℃の温度の熱処理のように当業界に知られている方法を通じて溶媒が除去される。また、前記本発明の組成物が光架橋性の架橋剤をさらに含む場合、追加的な光処理ステップが行われ得る。好ましくは、前記光処理は、ＵＶ光処理であってもよく、より好ましくは、ＵＶ光処理を３６５ｎｍの波長で行うことができる。
【０２２１】
前記半導体物質は、当業界に知られている技術により塗布され得る。好ましくは、前記有機半導体層を含む組成物は、スピンコーティング、ブレーディング、スロット−ダイコーティング、ドロップ−キャスティング、スプレー−コーティング、インクジェット、前記電子素子の基材を前記組成物に浸漬するなどのような液状工程技術により塗布され得る。好ましくは、有機半導体層を含む組成物は、スピンコーティングにより塗布され得る。前記半導体層は、４０〜１２０℃、好ましくは、７０〜１００℃の温度で熱処理され得る。
【０２２２】
前記ソース／ドレイン電極及びゲート電極は、当業界に知られている技術により塗布され得、例えば、マスクを用いた蒸着がある。前記ゲート電極は、高度にドーピングされたシリコン、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、インジウムスズ酸化物、金（Ａｕ）又はこれら金属のうち少なくとも一つを含む合金のような任意の適当なゲート物質から製造され得る。
【０２２３】
また、本発明の一側面は、前記本発明の高分子を誘電物質として用いる使用に関する。
【発明の効果】
【０２２４】
本発明の高分子は、前記高分子が低いゲート／ソース電圧で高いドレイン電流を示す電界効果トランジスタの誘電物質として適しており、低ゲート - ソース電圧で動作することができるという長所がある。また、前記本発明の高分子は、前記高分子がスピンコーティングのような液状工程技術と適合するという長点がある。また、本発明の高分子は、電界効果トランジスタの誘電物質として用いられたとき、高い電荷キャリア（ｃｈａｒｇｅ  ｃａｒｒｉｅｒ）移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）を示す電界効果トランジスタを具現することができる。
【０２２５】
また、本発明の高分子は、８時間以下の反応時間を要求する経済的な工程を通じて高い収得率で製造され得る。
【図面の簡単な説明】
【０２２６】
図１〜図７は、Ｐａ（図１）、Ｐｂ（図２）、Ｐｃ（図３）、Ｐｄ（図４）、Ｐｅ（図５）、Ｐｆ（図６）及びＰｇ（図７）をそれぞれ誘電物質として含む実施例４のトップ−ゲート、ボトム−コンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果トランジスタのドレイン−ソース電圧Ｖｄｓ−３０Ｖでのゲート−ソース電圧Ｖｇｓに対するドレイン電流Ｉｄ（転移曲線）を示している。黒い実線の曲線は、ログスケール（左側ｙ軸）によってプロットされたドレイン電流を示す。暗い灰色実線は、線形スケール（右側ｙ軸）によってプロットされたドレイン電流の平方根を示す。また、図１〜７は、ログスケール（左側ｙ軸）によってプロットされたゲート電流を明るい灰色点線で示している。
図８は、Ｐａを含む実施例４のトップ−ゲート、ボトム−コンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果トランジスタ及び、ポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）を含む比較例１のトップ−ゲート、ボトム−コンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果トランジスタにおける、線形スケール（左側ｙ軸）によってプロットされたドレイン電流を示している。
【発明を実施するための形態】
【０２２７】
＜実施例１ａ＞
高分子Ｐａの製造
2021530577.tif 000062
【０２２８】
三つ口丸底フラスコに、実施例２ａに記述された方法で製造された化合物３ａ（２ｇ、９．３ｍｍｏｌ）及びビニルブチルエーテル（ｖｉｎｙｌｂｕｔｙｌ  ｅｔｈｅｒ）４ａ（０．２３ｇ、２．３ｍｍｏｌ）がジクロロメタン（ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ）（１０ｍＬ）に触媒量のエチルアセテート（ｅｔｈｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ）（０．１ｍＬ）と一緒に溶解された。その後、前記溶液は、−４０℃までアセトニトリル／ドライアイス浴槽で冷却された。前記冷却された溶液に、ＳｎＣｌ４（０．５％ｍｏｌ）及び１Ｍ  ＤＣＭ内のＢＦ３溶液（０．５％ｍｏｌ）をさらに添加し、温度を−４０℃に維持した。５〜６時間の間撹拌した後、高分子ＰａがｉＰｒＯＨ内に沈澱された。前記得られた白色の固体を濾過して乾燥した後、最小量のトルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）内に溶解させることで、ｉＰｒＯＨ内で２回さらに沈澱させた。高分子Ｐａが白色の固体として定量収得され、ゲル浸透クロマトグラフィー（ｇｅｌ  ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）及び１Ｈ−ＮＭＲにより分析された。δｐｐｍ、ＣＣｌ２Ｄ２：７．７−６．８（ｍ、ｂｒｏａｄ）；４．２−３．５（ｍ、ｂｒｏａｄ）；３．５−３．２（ｍ、ｂｒｏａｄ）；２．０−１．２（ｍ、ｂｒｏａｄ）；０．７−０．９５（ｍ、ｂｒｏａｄ）。Ｍｎ＝３１２０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｚ＝８３７０００ｇ／ｍｏｌ。ＰＤＩ＝２．７。
【０２２９】
＜実施例１ｂ＞
高分子Ｐｂの製造
2021530577.tif 000063
【０２３０】
三つ口丸底フラスコに、実施例２ａに記述された方法で製造された化合物３ａ（２．０ｇ、９ｍｍｏｌ）及びメトキシスチレン（ｍｅｔｈｙｏｘｙｓｔｙｒｅｎｅ）４ｂ（０．４２ｇ、３ｍｍｏｌ）を触媒量のエチルアセテート（０．１ｍＬ）と一緒にジクロロメタン（１０ｍＬ）内に溶解させた。その後、前記溶液は、−４０℃までアセトニトリル／ドライアイス浴槽で冷却させた。前記冷却された溶液に、ＳｎＣｌ４（０．５％ｍｏｌ）及び１Ｍ  ＤＣＭ内のＢＦ３溶液（０．５％ｍｏｌ）をさらに添加し、温度を−４０℃に維持した。６時間の間撹拌した後、高分子ＰｂがｉＰｒＯＨ内に沈澱された。前記得られた白色の固体を濾過及び乾燥した後、最小量のトルエン内に溶解させることで２回さらにｉＰｒＯＨ内に沈澱させた。
【０２３１】
高分子Ｐｂが９５％の収得率で白色の固体として得られ、ゲル浸透クロマトグラフィー及び１Ｈ−ＮＭＲにより分析した。（δｐｐｍ、ＣＣｌ２Ｄ２：７．８−６．３（ｍ、ｂｒｏａｄ）；４．１−３．５（ｍ、ｂｒｏａｄ）；２．０−１．２（ｍ、ｂｒｏａｄ）。Ｍｎ＝２９０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｚ＝９８０００ｇ／ｍｏｌ。ＰＤＩ＝２．０）。
【０２３２】
＜実施例１ｃ＞
高分子Ｐｃの製造
2021530577.tif 000064
【０２３３】
三つ口丸底フラスコに、実施例２ａに記述された方法で製造された化合物３ａ（１．５ｇ、７ｍｍｏｌ）及びメトキシスチレン４ｂ（０．９４ｇ、７ｍｍｏｌ）を触媒量のエチルアセテート（０．１ｍＬ）と一緒にジクロロメタン（１０ｍＬ）内に溶解させた。その後、前記溶液は、アセトニトリル／ドライアイス浴槽で−４０℃まで冷却させた。前記冷却された溶液に、ＳｎＣｌ４（０．５％ｍｏｌ）及び１Ｍ  ＤＣＭ内のＢＦ３溶液（０．５％ｍｏｌ）をさらに添加し、温度を−４０℃に維持した。６時間の間撹拌した後、高分子ＰｃがｉＰｒＯＨ内に沈澱された。前記得られた白色の固体を濾過及び乾燥した後、最小量のトルエン内に溶解させることでｉＰｒＯＨ内に２回さらに沈澱させた。
【０２３４】
高分子Ｐｃが白色の固体として９５％の収得率で得られ、ゲル浸透クロマトグラフィー及び１Ｈ−ＮＭＲにより分析した。１Ｈ−ＮＭＲ  δｐｐｍ、ＣＣｌ２Ｄ２：７．８−６．３（ｍ、ｂｒｏａｄ）；４．１−３．８（ｍ、ｂｒｏａｄ）；３．８−３．５（ｍ、ｂｒｏａｄ）；２．０−１．２（ｍ、ｂｒｏａｄ）。Ｍｎ＝４３０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｚ＝１１７０００ｇ／ｍｏｌ。ＰＤＩ＝１．７。
【０２３５】
＜実施例１ｄ＞
誘電体高分子Ｐｄの製造
2021530577.tif 000065
【０２３６】
三つ口丸底フラスコに、実施例２ｂに記述された方法で製造された化合物３ｂ（１．０ｇ、５ｍｍｏｌ）及びメトキシスチレン４ｂ（１．３４ｇ、５ｍｍｏｌ）を触媒量のエチルアセテート（０．１ｍＬ）と一緒にジクロロメタン（１０ｍＬ）内に溶解させた。その後、前記溶液をアセトニトリル／ドライアイス浴槽で−４０℃まで冷却させた。前記冷却された溶液に、ＳｎＣｌ４（０．５％ｍｏｌ）及び１Ｍ  ＤＣＭ内のＢＦ３溶液（０．５％ｍｏｌ）をさらに添加し、温度を−４０℃に維持した。６時間の間撹拌した後、高分子ＰｄがｉＰｒＯＨ内に沈澱された。前記得られた白色の固体を濾過及び乾燥した後、最小量のトルエン内に溶解させることで２回さらにｉＰｒＯＨ内に沈澱させた。高分子Ｐｄが白色の固体として６７％の収得率で得られ、ゲル浸透クロマトグラフィー及び１Ｈ−ＮＭＲにより分析した。１Ｈ−ＮＭＲ  δｐｐｍ、ＣＣｌ２Ｄ２：７．１−６．９（ｍ、ｂｒｏａｄ）；６．８−６．３（ｍ、ｂｒｏａｄ）；４．０−３．５（ｍ、ｂｒｏａｄ）；２．７−２．８（ｍ、ｂｒｏａｄ）；２．０−１．２（ｍ、ｂｒｏａｄ）；１．２−１．１（ｍ、ｂｒｏａｄ）。Ｍｎ＝１４０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｚ＝４４０００ｇ／ｍｏｌ。ＰＤＩ＝１．９。
【０２３７】
＜実施例１ｅ＞
高分子Ｐｅの製造
2021530577.tif 000066
【０２３８】
三つ口丸底フラスコに、実施例２ｂに記述された方法で製造された化合物３ｂ（１．０３ｇ、０．５ｍｍｏｌ）及びシクロヘキシルビニルエーテル（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｖｉｎｙｌｅｔｈｅｒ）４ｃ（０．６５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を触媒量のエチルアセテート（０．１ｍＬ）と一緒にジクロロメタン（１０ｍＬ）内に溶解させた。その後、前記溶液をアセトニトリル／ドライアイス浴槽で−４０℃まで冷却させた。前記冷却された溶液に、ＳｎＣｌ４（０．５％ｍｏｌ）及び１Ｍ  ＤＣＭ溶液内のＢＦ３（０．５％ｍｏｌ）をさらに添加し、温度を−４０℃に維持した。６時間の間撹拌した後、高分子ＰｅがｉＰｒＯＨ内に沈澱された。前記得られた白色の固体を濾過及び乾燥し、最小量のトルエン内に溶解させることでｉＰｒＯＨ内に２回さらに沈澱させた。高分子Ｐｅが白色の固体として定量が収得され、ゲル浸透クロマトグラフィー及び１Ｈ−ＮＭＲにより分析した。１Ｈ−ＮＭＲ  δｐｐｍ、ＣＣｌ２Ｄ２：７．１−６．９（ｍ、ｂｒｏａｄ）；６．８−６．６（ｍ、ｂｒｏａｄ）；４．０−３．４（ｍ、ｂｒｏａｄ）；３．３−３．２（ｍ、ｂｒｏａｄ）；２．８−２．７（ｍ、ｂｒｏａｄ）；１．９−１．３（ｍ、ｂｒｏａｄ）；１．３−１．１（ｍ、ｂｒｏａｄ）。Ｍｎ＝２５０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｚ＝１２５０００ｇ／ｍｏｌ。ＰＤＩ＝２．４。
【０２３９】
＜実施例１ｆ＞
高分子Ｐｆの製造
2021530577.tif 000067
【０２４０】
三つ口丸底フラスコに、実施例２ｃに記述された方法で製造された化合物３ｃ（１．０ｇ、５ｍｍｏｌ）及びメトキシスチレン４ｂ（１．３４ｇ、５ｍｍｏｌ）を触媒量のエチルアセテート（０．１ｍＬ）と一緒にジクロロメタン（１０ｍＬ）に溶解させた。その後、前記溶液を−４０℃までアセトニトリル／ドライアイス浴槽で冷却させた。前記冷却された溶液に、ＳｎＣｌ４（０．５％ｍｏｌ）及び１Ｍ  ＤＣＭ溶液内のＢＦ３（０．５％ｍｏｌ）をさらに添加し、温度を−４０℃に維持した。６時間の間撹拌した後、高分子ＰｆがｉＰｒＯＨ内に沈澱された。前記得られた白色の固体を濾過及び乾燥し、最小量のトルエン内に溶解させることで２回さらにｉＰｒＯＨ内に沈澱させた。高分子Ｐｆが白色の固体として定量が収得され、ゲル浸透クロマトグラフィー及び１Ｈ−ＮＭＲにより分析した。１Ｈ−ＮＭＲ  δｐｐｍ、ＣＣｌ２Ｄ２：６．８−６．６（ｍ、ｂｒｏａｄ）；３．９−３．６（ｍ、ｂｒｏａｄ）；１．９−１．６（ｍ、ｂｒｏａｄ）。Ｍｎ＝２８０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｚ＝９８０００ｇ／ｍｏｌ。ＰＤＩ＝１．９。
【０２４１】
＜実施例１ｇ＞
高分子Ｐｇの製造
2021530577.tif 000068
【０２４２】
三つ口丸底フラスコに、実施例２ａに記述された方法で製造された化合物３ａ（１２．０ｇ、５６ｍｍｏｌ）を触媒量のエチルアセテート（０．１ｍＬ）と一緒に乾燥ジクロロメタン（５０ｍＬ）に溶解させた。その後、前記溶液をアセトニトリル／ドライアイス浴槽で−４０℃まで冷却させた。前記冷却された溶液に、ＳｎＣｌ４（０．５６ｍｏｌ）及び１Ｍ  ＤＣＭ溶液内のＢＦ３（０．５６％ｍｏｌ）をさらに添加し、温度を−４０℃に維持した。６時間の間撹拌した後、高分子ＰｇがｉＰｒＯＨ（２５０ｍＬ）内に沈澱された。前記得られた白色の固体を濾過及び乾燥し、最小量のトルエン内に溶解させることで２回さらにｉＰｒＯＨ内に沈澱させた。前記高分子は、薄い灰色の固体として８８％の収得率（１０．６ｇ）で収得され、ゲル浸透クロマトグラフィー及び１Ｈ−ＮＭＲにより分析した。Ｍｎ＝５０Ｋ、Ｍｚ＝６２２ｋ、ＰＤＩ＝３．５  １Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ、ＣＣｌ２Ｄ２：７．７−７．３（ｍ、ｂｒｏａｄ）；６．９−６．７（ｍ、ｂｒｏａｄ）；４．１−３．６（ｍ、ｂｒｏａｄ）；２．０−１．６（ｍ、ｂｒｏａｄ）。
【０２４３】
＜実施例２ａ＞
化合物３ａの製造
2021530577.tif 000069
【０２４４】
化合物８ａ（０．２ｍｏｌ）をＫ２ＣＯ３（５７．５ｇ、０．４ｍｏｌ）及び化合物９ａ（２７．１ｇ、０．２５ｍｏｌ）と一緒にジメチルホルムアミド（ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｆｏｒｍａｍｉｄｅ）（１００ｍＬ）に溶解させた。前記反応混合物を一晩８０℃で加熱した。冷却された溶液に固体単量体の沈澱が誘導されるか水から液体の相分離が行われるまで水を添加した。収得率：９２％、シクロヘキサンからの再結晶で薄い灰色粉末が得られた。１Ｈ−ＮＭＲ  δｐｐｍ、ＣＣｌ２Ｄ２：７．７７−７．７２（ｍ、３Ｈ）、７．４３（ｔｄ、１Ｈ、δ１＝７Ｈｚ、δ２＝１Ｈｚ）、７．３３（ｔｄ、１Ｈ、δ１＝７Ｈｚ、δ２＝１Ｈｚ）、７．１７−７．１４（ｍ、２Ｈ）、６．５５（ｄｄ、１Ｈ、δ１＝１４Ｈｚ、δ２＝７Ｈｚ）、４．０９−４．０６（ｍ、２Ｈ）、４．２４（ｄ、１Ｈ、δ１＝２Ｈｚ）、４．３３−４．２７（ｍ、３Ｈ）。
【０２４５】
＜実施例２ｂ＞
化合物３ｂの製造
2021530577.tif 000070
【０２４６】
化合物８ｂ（０．２ｍｏｌ）をＫ２ＣＯ３（５７．５ｇ、０．４ｍｏｌ）及び化合物９ａ（２７．１ｇ、０．２５ｍｏｌ）と一緒にジメチルホルムアミド（１００ｍＬ）に溶解させた。前記反応混合物を一晩８０℃で加熱した。冷却された溶液に固体単量体の沈澱が誘導されるか水から液体の相分離が行われるまで水を添加した。収得率：８９％、粗製物（ｃｒｕｄｅ）を蒸溜（２．２  １０−１ｍｂａｒ、Ｔ＝１１０℃）して無色のオイルを得た。１Ｈ−ＮＭＲ  δｐｐｍ、ＣＣｌ２Ｄ２：７．１３（ｄ、２Ｈ、δ１＝８Ｈｚ）、６．８３（ｄ、２Ｈ、δ１＝８Ｈｚ）、６．５２（ｄｄ、１Ｈ、δ１＝１４Ｈｚ、δ２＝７Ｈｚ）、４．２３（ｄｄ、１Ｈ、δ１＝１４Ｈｚ、δ２＝２Ｈｚ）、４．１５−４．１３（ｍ、２Ｈ）、４．０７（ｄｄ、１Ｈ、δ１＝７Ｈｚ、δ２＝２Ｈｚ）、４．００−３．９８（ｍ、２Ｈ）、２．８４（ｓｅｑ、１Ｈ、δ１＝４Ｈｚ）、１．２０（ｄ、６Ｈ、δ１＝４Ｈｚ）。
【０２４７】
＜実施例２ｃ＞
化合物３ｃの製造
2021530577.tif 000071
【０２４８】
化合物８ｃ（０．２ｍｏｌ）をＫ２ＣＯ３（５７．５ｇ、０．４ｍｏｌ）及び化合物９ａ（２７．１ｇ、０．２５ｍｏｌ）と一緒にジメチルホルムアミド（１００ｍＬ）に溶解させた。前記反応混合物を一晩８０℃で加熱した。冷却された溶液に固体単量体の沈澱が誘導されるか水から液体の相分離が行われるまで水を添加した。収得率：９０％、粗製物を追加的な精製（ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ）なしに用いた。１Ｈ−ＮＭＲ  δｐｐｍ、ＣＣｌ２Ｄ２：６．８５−６．８０（ｍ、４Ｈ）、６．５３（ｄｄ、１Ｈ、δ１＝１４Ｈｚ、δ２＝６Ｈｚ）、４．２３（ｄ、１Ｈ、δ１＝１４Ｈｚ）、４．１３−４．１１（ｍ、２Ｈ）、４．０４（ｄ、１Ｈ、δ１＝６Ｈｚ）、３．９９−３．９８（ｍ、２Ｈ）、３．７３（ｓ、３Ｈ）。
【０２４９】
＜実施例３＞
高分子Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆ及びＰｇをそれぞれ含むキャパシタの製造
高分子Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆ及びＰｇをそれぞれ含み、下記表１に羅列された溶媒を含む組成物を０．７μｍフィルタで濾過した。高分子Ｐａを含む組成物を下記表１に言及された条件下でスピンコーティングにより伝導性インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層で覆われたガラス基材上に塗布した。高分子Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆ及びＰｇをそれぞれ含む組成物を、リソグラフィーでパターン化された金電極を有するＰＥＴ基材上に、下記表１に言及された条件下でスピンコーティングにより塗布した。得られた濡れたフィルムを９０℃で３０分間ホットプレート上で焼いて表１に示された厚さを有する高分子層を得た。金（ｇｏｌｄ）トップ−電極（面積は下記表１参照）を高分子層上に１×１０−５ｍｂａｒ以下の圧力でシャドーマスクを通じて真空蒸着した。
【０２５０】
【表１】
2021530577.tif 000072
【０２５１】
得られたキャパシタは、ＬＣＲメータＡｇｉｌｅｎｔ  ４２８４Ａ（信号振幅  １Ｖ）で複素キャパシタンスを測定して比誘電率（ｒｅｌａｔｉｖｅ  ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ）Ｋ＝Ｋ’＋ｉＫ’’が得られる。ここで、Ｋ’は、誘電定数であり、Ｋ’’は、誘電損失の測定値である。
【０２５２】
Ｋ’は、下記式により計算される。
Ｋ’＝Ｃ×ｄ／（Ａ×ε０）
Ｃは、ＬＣＲメータで測定されたキャパシタンスであり、ｄは、誘電層の厚さであり、Ａは、キャパシタの面積であり、ε０は、真空誘電率（８．８５Ｅ−１２Ｆ／ｍ）である。
【０２５３】
Ｋ’’は、下記式で計算される。
Ｋ’’＝ｔａｎ（δ）×Ｋ’
ｔａｎ（δ）は、ＬＣＲメータで測定される。
【０２５４】
【表２】
2021530577.tif 000073
【０２５５】
＜実施例４＞
高分子Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄ、Ｐｅ、Ｐｆ及びＰｇをそれぞれ誘電物質として含むトップ−ゲート、ボトム−コンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果トランジスタの製造
ＰＥＴ基材上に金をスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ）して約４０ｎｍの厚さを有する金ソース／ドレイン電極を形成した。メシチレン（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）内のＷＯ２０１３／０８３５０６の実施例１のジケトピロロピロール半導体高分子１％（重量／重量）溶液を０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルタで濾過し、スピンコーティング（１，０００ｒｐｍ、６０秒）により塗布した。濡れた有機半導体層をホットプレート上で１２０℃で６０秒間乾燥した。表３に羅列された誘電体高分子及び溶媒を含む組成物を０．７μｍのフィルタで濾過し、半導体層上に下記表３に言及された条件下でスピンコーティングして塗布した。コーティングした後、濡れた誘電層を９０℃で３０分間焼き、下記表３に示された厚さを有する高分子層を得た。金（ｇｏｌｄ）ゲート電極（厚さ約７０ｎｍ）を前記誘電層上にシャドーマスクを通じて蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｅｄ）させた。
【０２５６】
【表３】
2021530577.tif 000074
【０２５７】
前記トップ−ゲート、ボトム−コンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果トランジスタは、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ半導体分析システムを用いて測定された。
【０２５８】
トップ−ゲート、ボトム−コンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果トランジスタの、ドレイン−ソース電圧Ｖｄｓ−３０Ｖでのゲート−ソース電圧Ｖｇｓに対するドレイン電流Ｉｄ（転移曲線）が図１（Ｐａ）、図２（Ｐｂ）、図３（Ｐｃ）、図４（Ｐｄ）、図（Ｐｅ）、図６（Ｐｆ）及び図７（Ｐｇ）にそれぞれ図示されている。黒い実線曲線は、ログスケール（左側ｙ軸）によってプロットされたドレイン電流を示す。暗い灰色実線は、線形スケール（右側ｙ軸)によってプロットされたドレイン電流の平方根を示す。また、図１〜７は、ログスケール（左側ｙ軸）によってプロットされたゲート電流を明るい灰色点線で示す。
【０２５９】
電荷キャリア移動度μは、下記式で計算される。
μ＝ｍ２×２Ｌ／（ＣＧ×Ｗ）、ここで、ＣＧ＝Ｋ’×ε０／ｄ
【０２６０】
ここで、ｍは、図１〜７の転移曲線でドレイン電流の平方根に対する線形適合（ｌｉｎｅａｒ  ｆｉｔ）から抽出されたドレイン電流の平方根Ｉｄ１／２の傾きであり、Ｌ＝１０μｍは、トランジスタのチャンネル長さであり、Ｗ＝２５０μｍは、トランジスタのチャンネル幅であり、ＣＧは、面積正規化された（ａｒｅａ  ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ）キャパシタンスであり、ここで、ε０は、真空誘電率（８．８５×１０−１２Ｆ／／ｍであり、Ｋ’は、２０Ｈｚで測定された（表２参照）各材料の誘電定数であり、ｄは、有機半導体（表３参照）の最上層の誘電体高分子の厚さである。
【０２６１】
閾値電圧Ｖｔｈは、下記式を用いて計算される。
Ｖｔｈ＝−１×ｍ／ｂ
【０２６２】
ここで、ｍは、転移曲線から抽出されたドレイン電流の平方根Ｉｄｓ１／２の傾きであり、ｂは、適合曲線（ｆｉｔｔｅｄ  ｃｕｒｖｅ）のｙ軸の交点である。
【０２６３】
Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆ比は、下記式を用いて計算される。
Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆ＝ＩＤｍａｘ／ＩＤｍｉｎ
【０２６４】
少なくとも１０個の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から取られた有機電界効果トランジスタに対する電荷キャリア移動度μの平均値、Ｉｏｎ／Iｏｆｆ比及び閾値電圧Ｖｔｈは、表４に示されている。
【０２６５】
【表４】
2021530577.tif 000075
【０２６６】
＜比較例１＞
ポリスチレンを誘電物質として含むトップ−ゲート、ボトム−コンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果トランジスタの製造
実施例４と同一であるが（ｉｎ  ａｎａｌｏｇｙ  ｔｏ）、Ｐａの代わりにポリスチレン（ＭＷ２，０００，０００ｇ／ｍｏｌ）を誘電物質として含むトップ−ゲート、ボトム−コンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果トランジスタを製造し、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ半導体分析システムを用いて実施例４のように測定した。
【０２６７】
図８は、Ｐａを誘電物質として含む実施例４とポリスチレンを誘電物質として含む比較例１のトランジスタに対して線形スケール（左側ｙ軸）によってプロットされたドレイン電流を示す。
【０２６８】
図８は、Ｐａを誘電物質として含む実施例４の電界効果トランジスタを用いる場合、ポリスチレンを誘電物質として含む電界効果トランジスタを用いる場合と比較して、特定ゲート−ソース電圧（作動電圧）で一層高いドレイン電流が達成されることを示す。言い換えると、低い特定のゲート−ソース電圧（作動電圧）での特定のドレイン電流は、ポリスチレンを誘電物質として含む電界効果トランジスタを用いる場合と比較して、Ｐａを誘電物質として含む実施例４の電界効果トランジスタを用いるときに達成することができる。
【図１】
2021530577.tif 000089
【図２】
2021530577.tif 000090
【図３】
2021530577.tif 000091
【図４】
2021530577.tif 000092
【図５】
2021530577.tif 000093
【図６】
2021530577.tif 000094
【図７】
2021530577.tif 000095
【図８】
2021530577.tif 000096
【国際調査報告】
2021530577.tif 000097
2021530577.tif 000098
2021530577.tif 000099