(57)【要約】    電子デバイスのケージレセプタクル内に挿入される光トランシーバモジュールを利用する、電気通信又はデータネットワーキングハードウェアなどの電子デバイス用の熱界面構造体。効率的な熱伝達を提供するために、熱界面構造体は、光トランシーバモジュールとケージレセプタクルに関連付けられたヒートシンクとの間に配置され、これらと当接する。熱界面構造体は、相変化材料を含む熱界面層と、熱界面層に接続されたポリマー層と、を含む。  【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学トランシーバモジュールであって、
外壁を有するハウジングと、
前記外壁に接続された熱界面構造体であって、
相変化材料を含む熱界面材料であって、前記熱界面材料が第１の面及び第２の面を有し、前記第１の面が前記ハウジングの前記外壁に接続されている、熱界面材料と、
前記熱界面材料の前記第２の面に接続されたポリマー層と、含む熱界面構造体と、を備える、光学トランシーバモジュール。
【請求項２】
前記ハウジングが一対の対向する壁を含み、各壁が、前記各壁に接続されたそれぞれの熱界面構造体を有する、請求項１に記載の光トランシーバモジュール。
【請求項３】
前記熱界面構造体が、前記熱界面材料と前記ポリマー層とを接続する接着剤層を更に含む、請求項１に記載の光トランシーバモジュール。
【請求項４】
前記熱界面材料が、ポリマーマトリックス及び少なくとも１種の充填剤を更に含む、請求項１に記載の光トランシーバモジュール。
【請求項５】
電子部品であって、
ヒートシンクを含むケージレセプタクルと、
外壁を有するハウジングを含む光トランシーバモジュールと、
前記外壁と前記ヒートシンクとの間に配置され、前記外壁及び前記ヒートシンクと当接する熱界面構造体であって、
相変化材料を含む熱界面材料と、
前記熱界面材料に接続されたポリマー層と、を含む、熱界面構造体と、を備える、電子部品。
【請求項６】
前記熱界面材料が、第１の面及び第２の面を含み、前記第１の面が、前記ハウジングの前記外壁に接続され、前記第２の面が、前記ポリマー層に接続され、前記ポリマー層が、前記ケージレセプタクルの前記ヒートシンクと当接する、請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記熱界面材料が、第１の面及び第２の面を含み、前記第１の面が、前記ケージレセプタクルの前記ヒートシンクに接続され、前記第２の面が、前記ポリマー層に接続され、前記ポリマー層が、前記ハウジングの前記外壁と当接する、請求項５に記載の電子部品。
【請求項８】
前記熱界面構造体が、前記ポリマー層と、前記ケージレセプタクルの前記ヒートシンクとを接続する接着剤層を更に含む、請求項５に記載の電子部品。
【請求項９】
前記熱界面構造体が、前記ポリマー層と、前記光トランシーバモジュールの前記外壁とを接続する接着剤層を更に含む、請求項５に記載の電子部品。
【請求項１０】
電子部品であって、
ヒートシンクを含むケージレセプタクルと、
外壁を有するハウジングを含む光トランシーバモジュールと、
前記外壁と前記ヒートシンクとの間に配置され、前記外壁及び前記ヒートシンクと当接する熱界面構造体であって、
相変化材料を含む熱界面材料と、
前記熱界面材料の外周を取り囲む接着剤と、
前記熱界面材料及び前記接着剤に接続されたポリマー層と、を含む、熱界面構造体と、を備え、
前記熱界面材料及び前記接着剤はそれぞれ、第１の面及び第２の面を含み、各第１の面が前記ポリマー層に接続され、各第２の面が前記ケージレセプタクルの前記ヒートシンクに接続され、
前記ポリマー層が、第１の面及び第２の面を含み、前記第１の面が前記熱界面材料及び前記接着剤に接続され、前記第２の面が前記光トランシーバモジュールハウジングの前記外壁と当接する、電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、光トランシーバモジュールからの放熱に使用することができる熱界面構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光トランシーバモジュールは、典型的には、ＸＦＰモジュール又は他の業界標準フォーマットなどのスモールフォームファクタ（small form factor、ＳＦＦ）パッケージ又はスモールフォームファクタプラガブル（small form factor pluggable、ＳＦＦＰ）パッケージとしてパッケージ化されている。典型的には、光トランシーバモジュールは、電気通信／データネットワーキングハードウェアのデバイスなどの電子機器ユニットのケージレセプタクル内に挿入され、モジュールの電気接点は、データの伝送を可能にするために、電子機器ユニットのケージレセプタクル及び回路基板と関連付けられた対応する電気接点と係合する。
【０００３】
使用中、４０Ｇ、１００Ｇ、２００Ｇ又は更により高いデータ伝送速度の光トランシーバモジュールは大量の熱を生成する場合があるが、この熱は、所望の動作性能を確保するためにモジュールから放散させる必要がある。典型的には、光トランシーバモジュールを受容するケージレセプタクルは、熱熱のために、光トランシーバモジュールの壁に接触する金属ヒートシンクを含む。しかしながら問題なことに、金属−金属接点又は嵌合の品質は、多くの場合精密でなく、トランシーバモジュールとヒートシンクとの間の熱伝達接点の完全性を損なう。
【０００４】
別のアプローチでは、例えばゲルの形態の熱界面材料（thermal interface material、ＴＩＭ）が、トランシーバモジュールの外壁に適用されてもよく、トランシーバモジュールがケージレセプタクル内に受容されたときに、ゲルはヒートシンクに隣接して接触している。しかしながら、既知の熱界面ゲルは、最終的に乾燥して硬化し、熱伝達接続を損なう傾向がある。更に、トランシーバモジュールのケージレセプタクルへの繰り返しの取り外し及び挿入は、熱界面ゲルの変形、損傷、又は除去をもたらし、熱伝達を更に損なうことがある。
【０００５】
典型的には、グリースの形態の他の熱界面材料は、ケージレセプタクルと挿入されたトランシーバモジュールとの間のインタフェースギャップの変動を軽減する十分な厚さに適用することができない。ギャップパッドの形態の更に他の熱界面材料は、通常、トランシーバモジュールのケージレセプタクルからの繰り返し挿入及び除去中にギャップパッドの表面から浸食するギャップパッド内の充填剤から残留物を生成することがあり、残留物はデバイスの電気接点に悪影響を及ぼす恐れがある。更に、グリース及びギャップパッドの両方は、通常、シリコーンマトリックスに基づいており、マトリックスからのシリコーンオイルは、マトリックスから蒸発し、またデバイスの電気接点に悪影響を及ぼす恐れがある。
【０００６】
必要とされるものは、前記よりも改善された、光トランシーバモジュールのための熱界面構造体である。
【発明の概要】
【０００７】
本開示は、電子デバイスのケージレセプタクル内に挿入される光トランシーバモジュールを利用する、電気通信又はデータネットワーキングハードウェアなどの電子デバイス用の熱界面構造体を提供する。効率的な熱伝達を提供するために、熱界面構造体は、光トランシーバモジュールとケージレセプタクルに関連付けられたヒートシンクとの間に配置され、これらと当接する。熱界面構造体は、相変化材料を含む熱界面層と、熱界面層に接続されたポリマー層と、を含む。
【０００８】
その一形態では、本開示は、光学トランシーバモジュールであって、外壁を有するハウジングと、外壁に接続された熱界面構造体であって、熱界面構造体は、相変化材料を含む熱界面材料であって、熱界面材料は、第１の面及び第２の面を有し、第１の面がハウジングの外壁に接続された、熱界面材料と、熱界面材料の第２の面に接続されたポリマー層と、を含む熱界面構造体と、を含む、光学トランシーバモジュールを提供する。
【０００９】
ハウジングは、一対の対向する壁を含んでもよく、各壁は、そこに接続されたそれぞれの熱界面構造体を有する。
【００１０】
熱界面構造体は、熱界面材料とポリマー層とを接続する接着剤層を更に含んでもよい。
【００１１】
熱界面材料は、ポリマーマトリックス及び少なくとも１種の充填剤を更に含んでもよい。ポリマー層は、ポリエステル、ポリイミド、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリ乳酸、ポリウレタン、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアセテート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリシクロペンタジエン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、エチレン・テトラフルオロエチレン共重合体、六フッ化プロピレン−四フッ化エチレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリスチレン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種のポリマーから形成され得る。ポリマー層は、少なくとも０．２Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有し得る。相変化材料は、２０℃〜１００℃の融点を有し得る。
【００１２】
その別の形態では、本開示は、電子部品であって、ヒートシンクを含むケージレセプタクルと、外壁を有するハウジングを含む光トランシーバモジュールと、外壁とヒートシンクとの間に配置され、外壁及びヒートシンクと当接する熱界面構造体であって、熱界面構造体は、相変化材料を含む熱界面材料と、熱界面材料に接続されたポリマー層と、を含む、熱界面構造体と、を含む、電子部品を提供する。
【００１３】
熱界面材料は、第１の面及び第２の面を含んでもよく、第１の面はハウジングの外壁に接続され、第２の面はポリマー層に接続され、ポリマー層は、ケージレセプタクルのヒートシンクと当接する。
【００１４】
熱界面材料は、第１の面及び第２の面を含んでもよく、第１の面は、ケージレセプタクルのヒートシンクに接続され、第２の面はポリマー層に接続され、ポリマー層はハウジングの外壁と当接する。
【００１５】
熱界面構造体は、ポリマー層とケージレセプタクルのヒートシンクとを接続する接着剤層を更に含んでもよい。
【００１６】
熱界面構造体は、ポリマー層と光トランシーバモジュールの外壁とを接続する接着剤層を更に含んでもよい。
【００１７】
熱界面材料は、熱界面材料とポリマー層とを接続する接着剤層を更に含んでもよい。
【００１８】
熱界面材料は、ポリマーマトリックス及び少なくとも１種の充填剤を更に含んでもよい。ポリマー層は、ポリエステル、ポリイミド、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリ乳酸、ポリウレタン、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアセテート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリシクロペンタジエン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、エチレン・テトラフルオロエチレン共重合体、六フッ化プロピレン−四フッ化エチレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリスチレン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種のポリマーから形成され得る。ポリマー層は、少なくとも０．２Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有し得る。相変化材料は、２０℃〜１００℃の融点を有し得る。
【００１９】
その更なる形態では、本開示は、電子部品であって、ヒートシンクを含むケージレセプタクルと、外壁を有するハウジングを含む光トランシーバモジュールと、外壁とヒートシンクとの間に配置され、外壁及びヒートシンクと当接する熱界面構造体であって、熱界面構造体は、相変化材料を含む熱界面材料と、熱界面材料の外周を取り囲む接着剤と、熱界面材料及び接着剤に接続されたポリマー層と、を含む熱界面構造体と、を含み、熱界面材料及び接着剤はそれぞれ、第１の面と、第２の面と、を含み、各第１の面がポリマー層に接続され、各第２の面がケージレセプタクルのヒートシンクに接続され、ポリマー層は、第１の面と、第２の面と、を含み、第１の面が熱界面材料及び接着剤に接続され、第２の面が光トランシーバモジュールハウジングの外壁と当接する、電子部品を提供する。
【００２０】
熱界面材料は、ポリマーマトリックス及び少なくとも１種の充填剤を更に含んでもよい。相変化材料は、２０℃〜１００℃の融点を有し得る。ポリマー層は、少なくとも０．２Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有し得る。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
添付の図面と組み合わせて本開示の実施形態の以下の記載を参照することによって、本開示の上述及び他の特徴及び目的、並びにそれらを達成する方法がより明らかになり、本開示それ自体がより良好に理解されるであろう。
【００２２】
【図１】電子デバイスの光トランシーバモジュール及び関連するケージレセプタクルを示す斜視図である。
【００２３】
【図２】ケージレセプタクルを通る断面図であり、ケージレセプタクル内に受容された光トランシーバモジュールを示す。
【００２４】
【図３Ａ】第１の例示的な熱界面構造体の断面図である。
【００２５】
【図３Ｂ】第２の例示的な熱界面構造体の断面図である。
【００２６】
【図３Ｃ】第３の例示的な熱界面構造体の断面図である。
【００２７】
【図３Ｄ】第４の例示的な熱界面構造体の断面図である。
【００２８】
【図３Ｅ】第５の例示的な熱界面構造体の断面図である。
【００２９】
【図４】第１の光トランシーバモジュール及びケージレセプタクル構成の断面図である。
【００３０】
【図５】第２の光トランシーバモジュール及びケージレセプタクル構成の断面図である。
【００３１】
【図６】図３Ｃの熱界面構造体を含む、第３の光トランシーバモジュール及びケージレセプタクル構成の断面図である。
【００３２】
【図７】図３Ｃの熱界面構造体を含む、第４の光トランシーバモジュール及びケージレセプタクル構成の断面図である。
【００３３】
【図８】熱界面構造体を調製するための例示的な方法の第１の工程を示す断面図である。
【００３４】
【図９】熱界面構造体を調製するための例示的な方法の第２の工程を示す断面図である。
【００３５】
【図１０】熱界面構造体を調製するための例示的な方法の第３の工程を示す断面図である。
【００３６】
【図１１】熱界面構造体を調製するための例示的な方法の第４の工程を示す断面図である。
【００３７】
対応する参照文字は、いくつかの図にわたって対応する部分を示す。本明細書に記載される例証は、本開示の実施形態を例示するが、以下に開示される実施形態は、網羅的であることを意図するものではなく、又は開示される正確な形態に対する本開示の範囲を限定するものとして解釈されることを意図するものではない。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
本開示は、電子デバイスのケージレセプタクル内に挿入される光トランシーバモジュールを利用する、電気通信又はデータネットワーキングハードウェアなどの電子デバイス用の熱界面構造体を提供する。効率的な熱伝達を提供するために、熱界面構造体は、光トランシーバモジュールとケージレセプタクルに関連付けられたヒートシンクとの間に配置され、これらと当接する。熱界面構造体は、相変化材料を含む熱界面層と、熱界面層に接続されたポリマー層と、を含む。
Ｉ．背景
【００３９】
図１を参照すると、例えば、電気通信及び／又はデータネットワーキングハードウェアのデバイスであり得る電子部品１０が示されている。光トランシーバモジュール１２は、後述するように部品１０に取り外し可能に接続され、光ファイバインタフェース２０及び１つ以上の電気コネクタ２２と共に、上壁１４、一対の側壁１６、及び底壁１８を有するハウジングを含む。光ファイバケーブル２４は、光トランシーバモジュール１２のインタフェース２０内に解放可能に受容される末端部２６を含んでもよい。
【００４０】
使用中、光トランシーバモジュール１２は、部品１０のフロントベゼル３２を通してトランシーバモジュール１２を挿入することによって、部品１０のケージレセプタクル３０内に挿入することができる。更に図２を参照すると、トランシーバモジュール１２を完全に挿入すると、トランシーバモジュール１２の電気コネクタ２２は、回路基板及び／又は部品１０の他のハードウェアに関連付けられた部品１０の電気コネクタ３４と係合して、データ転送を可能にする。１つ以上のヒートシンク４０は、ケージレセプタクル３０の上部の開放した部分と整列して部品１０内に配置されてもよい。あるいは、１つ以上のヒートシンク４０は、ケージレセプタクル３０の側部又は下部と整列して配置されてもよい。
【００４１】
典型的には、光トランシーバモジュール１２は、約４５℃〜約６５℃の作動温度で動作するため、光トランシーバモジュール１２からの熱を伝達する必要がある。
【００４２】
以下で更に詳細に論じられるように、トランシーバモジュール１２がケージレセプタクル３０内に受容されるとき、熱界面構造体４６は、トランシーバモジュール１２のハウジングとケージレセプタクル３０に関連付けられた隣接するヒートシンク４０との間の当接接触部に配置されて、トランシーバモジュール１２からヒートシンク４０への放熱を促進することができる。以下で更に詳細に論じられるように、熱界面構造体４６は、一般に、熱界面材料（ＴＩＭ）４８、ポリマー層５０、及び接着剤５２を含む。
ＩＩ．熱界面材料
【００４３】
熱界面材料（ＴＩＭ）４８は、固体熱界面層として提供されてもよく、一般に、マトリックス、少なくとも１つの充填剤、少なくとも１つの相変化材料、少なくとも１つのカップリング剤、及び任意の添加剤などの１つ以上の成分を含む処方を含む。
【００４４】
熱界面材料４８は、例えば、少なくは０．０１ｍｍ、０．０５ｍｍ、若しくは０．１ｍｍ、又は多くは１ｍｍ、２．０ｍｍ、若しくは１０．０ｍｍ、又は０．０１〜１０．０ｍｍ、０．０５〜２．０ｍｍ、若しくは０．１〜１ｍｍなど、前述の値のうちの任意の２つの間に規定される任意の範囲内の厚さを有してもよい。一般に、より高い厚みは、総熱インピーダンスに影響を及ぼす場合があり、より小さい厚みは、トランシーバモジュール１２又はケージレセプタクル３０の異なる表面粗さの変動を緩和するのに十分でない場合がある。
【００４５】
熱界面材料４８は、例えば、少なくは０．２Ｗ／ｍＫ、０．５Ｗ／ｍＫ、１Ｗ／ｍＫ、若しくは２Ｗ／ｍＫ、又は多くは４Ｗ／ｍＫ、６Ｗ／ｍＫ、１０Ｗ／ｍＫ、若しくは５００Ｗ／ｍＫ、又は、０．２Ｗ／ｍＫ〜５００Ｗ／ｍＫ、１Ｗ／ｍＫ〜６Ｗ／ｍＫ、若しくは２Ｗ／ｍＫ〜１０Ｗ／ｍＫなど、前述の値のうちの任意の２つの間に規定される任意の範囲内の熱伝導率を有してもよい。熱伝導率は、ＡＳＴＭ  Ｄ５４７０に従って決定することができる。
Ａ．マトリックス
【００４６】
熱界面材料４８のマトリックスは、熱伝導性充填剤を組み込むためのマトリックス又はスキャフォールドを提供し、熱及び圧力下でプレスされたときに流動性を提供するポリマー材料であってもよい。
【００４７】
例示的な一実施形態では、ポリマーマトリックス材料は、炭化水素ゴム化合物又はゴム化合物のブレンドを含む。例示的な材料としては、飽和及び不飽和ゴム化合物が挙げられる。いくつかの実施形態では、飽和ゴムは、不飽和ゴム化合物よりも熱酸化劣化に対して感度が低くなり得る。例示的な飽和ゴム化合物としては、エチレン−プロピレンゴム（ＥＰＲ、ＥＰＤＭ）、ポリエチレン／ブチレン、ポリエチレン−ブチレン−スチレン、ポリエチレン−プロピレン−スチレン、水素化ポリアルキルジエンジメチコーン「モノオール類」（例えば水素化ポリブタジエンモノオール、水素化ポリプロパジエンモノオール、水素化ポリペンタジエンモノオールなど）、水素化ポリアルキルジエン「ジオール類」（例えば水素化ポリブタジエンジオール、水素化ポリプロパジエンジオール、水素化ポリペンタジエンジオール）、及び水素化ポリイソプレン、ポリオレフィンエラストマー、又は他の任意の好適な飽和ゴム、又はこれらのブレンドが挙げられる。一実施形態では、ポリマーマトリックス材料は、ヒドロキシル末端エチレンブチレンコポリマー、特殊モノオールとも称され得る水素化ポリブタジエンモノオールである。
【００４８】
他の実施形態では、不飽和ゴムを使用してもよい。不飽和ゴム及びゴム化合物の例は、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリスチレン−ブタジエン、及び他の好適な不飽和ゴム、これらのブレンド、又は飽和及び不飽和ゴム化合物のブレンドである。ゴムが不飽和である場合、いくつかの実施形態では、化合物は水素化プロセスを経て、二重結合の少なくとも一部を破断又は除去してもよい。本明細書で使用するとき、語句「水素化プロセス」は、不飽和有機化合物が、水素を二重結合の一部若しくは全てに直接添加することによって水素と反応し、飽和生成物（添加水素化）をもたらすこと、又は二重結合を完全に破断させることによって水素と反応し、それによって断片が水素と更に反応（水素化分解）することのどちらかを意味する。
【００４９】
ゴム化合物は、組成物の他の成分に応じて、他のゴム分子と分子間で架橋するか、又はそれ自体と分子内で架橋することができるという点で、「自己架橋性」であってもよい。ゴム化合物との分子内及び分子間架橋は、以下で更に論じるように、任意の架橋剤によって促進され得る。
【００５０】
いくつかの例示的な実施形態では、熱界面材料４８は、熱界面材料４８の総重量に基づいて、少なくは１重量％、３重量％、５重量％、１０重量％、多くは１５重量％、２５重量％、５０重量％、７５重量％、又は前述の値のうちの任意の２つの間に規定される任意の範囲内の量で、上記に列挙したもののうちのいずれかのうちの１つ以上などのポリマーマトリックス材料を含んでもよい。
【００５１】
より好ましい実施形態では、熱界面材料４８は、例えば、熱界面材料４８の総重量に基づいて、少なくは１重量％、２重量％、若しくは３重量％、多くは７重量％、８重量％、若しくは１０重量％、又は１重量％〜１０重量％、２重量％〜８重量％、若しくは３重量％〜７重量％などの、上記の値のうちの任意の２つの間に規定される任意の範囲内の量で、上記に列挙したもののうちのいずれかのうちの１つ以上などのポリマーマトリックス材料を含んでもよい。
Ｂ．充填剤
【００５２】
熱伝導性充填剤は、一次熱伝導性充填剤を含んでもよく、また１つ以上の二次熱伝導性充填剤を含んでもよい。例示的な一実施形態では、一次熱伝導性充填剤は、二次熱伝導性充填剤の粒径よりも大きい粒径を有する。
【００５３】
一次及び二次の熱伝導性充填剤は、同じ材料の異なるサイズの粒子、又は異なる材料の異なるサイズの粒子であってもよい。熱伝導性充填剤は、アルミニウム、銅、銀、亜鉛、ニッケル、スズ、インジウム、又は鉛などの金属であってもよい。より具体的な実施形態では、第１の熱伝導性充填剤はアルミニウムである。
【００５４】
例示的な一実施形態では、熱伝導性充填剤は、小さくは１マイクロメートル、２マイクロメートル、３マイクロメートル、５マイクロメートル、８マイクロメートル、大きくは１０マイクロメートル、１２マイクロメートル、１５マイクロメートル、２０マイクロメートル、２５マイクロメートル、５０マイクロメートル、１００マイクロメートル、又は前述の値のうちの任意の２つの間に規定される任意の範囲内のサイズを有する粒子を含む。
【００５５】
１つ以上の特定の実施形態では、一次伝導性充填剤及び二次伝導性充填剤のそれぞれは、約１〜約２５マイクロメートルの粒径を有する。１つ以上の特定の実施形態では、一次熱伝導性充填剤は、約３〜約５マイクロメートルの粒径を有する。１つ以上の特定の実施形態では、二次熱伝導性充填剤は、約３〜約１５マイクロメートルの粒径を有する。１つ以上の特定の実施形態では、二次熱伝導性充填剤は、約８〜約１２マイクロメートルの粒径を有する。１つ以上の特定の実施形態では、一次熱伝導性充填剤は、約３マイクロメートルの粒径を有する。１つ以上の特定の実施形態では、二次熱伝導性充填剤は、約１０マイクロメートルの粒径を有する。
【００５６】
熱界面材料４８は、熱界面材料４８の総重量に基づいて、少なくは１０重量％、２５重量％、５０重量％、７５重量％、８０重量％、８５重量％、多くは９０重量％、９２重量％、９５重量％、９７重量％、９８重量％、９９重量％、又は前述の値のうちの任意の２つの間に規定される任意の範囲内の量で、合計の充填剤含有量を含んでもよい。
【００５７】
より好ましい実施形態では、熱界面材料４８は、例えば、熱界面材料４８の総重量に基づいて、少なくは８０重量％、８５重量％、若しくは９０重量％、多くは９５重量％、９７重量％、若しくは９８重量％、又は８０重量％〜９８重量％、８５重量％〜９７重量％、若しくは９０重量％〜９５重量％などの、上記の値のうちの任意の２つの間に規定される任意の範囲内の量で、合計の充填剤含有量を含んでもよい。
Ｃ．相変化材料
【００５８】
いくつかの例示的な実施形態では、熱界面材料４８は、１種以上の相変化材料を含む。相変化材料は、熱界面材料４８が使用される電子デバイス部分の動作温度、又はそれ以下の融点又は融点範囲を有する材料である。例示的な相変化材料は、パラフィンワックスなどのワックスである。パラフィンワックスは、一般式ＣｎＨ２ｎ＋２を有し、約２０℃〜１００℃の範囲の融点を有する固体炭化水素の混合物である。ポリマーワックスとしては、ポリエチレンワックス及びポリプロピレンワックスが挙げられ、典型的には、約４０℃〜１６０℃の範囲の融点を有する。他の例示的な相変化材料としては、ウッドメタル、フィールドメタル、又は約２０℃〜９０℃の融点を有する金属若しくは合金などの低融点合金が挙げられる。
【００５９】
いくつかの実施形態では、相変化材料の量を使用して、熱界面材料４８の硬度を調整することができる。例えば、相変化材料の充填が低いいくつかの実施形態では、組成物は軟質ゲルの形態であってもよく、相変化材料の充填が高いいくつかの実施形態では、組成物は硬質固体であってもよい。
【００６０】
７０未満のＡＳＴＭ  Ｄ１３２１針入度値を有する例示的なワックスとしては、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｇｒｏｕｐ，Ｉｎｃ．から入手可能なＴＡＣワックス、及びＨａｎｇｚｈｏｕ  Ｒｕｈｒ  Ｔｅｃｈから入手可能なＲＴ４４ＨＣが挙げられる。ワックスの硬度は、２５℃でＡＳＴＭ  Ｄ１３２１に従って測定された針入度値などの針入度値を特徴としてもよく、その開示は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【００６１】
熱界面材料４８は、熱界面材料４８の総重量に基づいて、少なくは０．１重量％、１重量％、５重量％、１０重量％、多くは１５重量％、２５重量％、５０重量％、７５重量％、又は前述の値のうちの任意の２つの間に規定される任意の範囲内の量で、１種以上の相変化材料を含んでもよい。
【００６２】
より好ましい実施形態では、熱界面材料４８は、熱界面材料４８の総重量に基づいて、少なくは０．１重量％、０．２重量％、若しくは０．５重量％、多くは１重量％、２重量％、若しくは３重量％、又は０．１重量％〜３重量％、０．２重量％〜２重量％、若しくは０．５重量％〜１重量％などの、上記の値のうちの任意の２つの間に規定される任意の範囲内の量で、１種以上の相変化材料を含んでもよい。
Ｄ．カップリング剤
【００６３】
いくつかの例示的な実施形態では、熱界面材料４８は、１種以上のカップリング剤を含む。いくつかの例示的な実施形態では、カップリング剤の含有は、比較的高い温度における特性などの熱特性を改善し得る。例示的なカップリング剤としては、米国特許出願公開第２０１１／０３０８７８２号に開示されているものなどの、チタン酸塩カップリング剤が挙げられ、その開示は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。例示的なカップリング剤としては、チタンＩＶ  ２，２（ビス２−プロペノールアトメチル）ブタノラート、トリス（ジオクチル）ピロホスフェート−Ｏ；ジルコニウムＩＶ  ２，２（ビス２−プロペノールアトメチル）ブタノラート、トリス（ジオイソオクチル）ピロホスフェート−Ｏ；１モルのジイソオクチルホスファイトを有するチタンＩＶ  ２−プロパノレート、トリス（ジオクチル）−ピロホスフェート−Ｏ）付加体；チタンＩＶビス（ジオクチル）ピロホスフェート−Ｏ、オキソエチレンジオレート、（付加体）、ビス（ジオクチル）（水素）ホスファイト−Ｏ；チタンＩＶビス（ジオクチル）ピロホスフェート−Ｏ、エチレンジオボレート（付加体）、ビス（ジオクチル）水素ホスファイト；及びジルコニウムＩＶ  ２，２−ビス（２−プロペノールアトメチル）ブタノラート、シクロジ［２，２−（ビス２−プロペノールアトメチル）ブタノラート］、ピロホスフェート−Ｏ，Ｏが挙げられる。例示的な一実施形態では、カップリング剤は、チタンＩＶ  ２，２（ビス２−プロペノールアトメチル）ブタノラート、トリス（ジオクチル）ピロホスフェート−Ｏである。
【００６４】
いくつかの例示的な実施形態では、熱界面材料４８は、熱界面材料４８の総重量に基づいて、例えば、少なくは０．１重量％、０．３重量％、０．５重量％、多くは１重量％、２重量％、３重量％、５重量％、又は０．１重量％〜５重量％、０．３重量％〜３重量％、若しくは０．５重量％〜１重量％などの、上記の値のうちの任意の２つの間に規定される任意の範囲内の量で１種以上のカップリング剤を含んでもよい。
Ｅ．添加剤
【００６５】
いくつかの例示的な実施形態では、熱界面材料４８は、１種以上の添加剤を含む。例示的な添加剤としては、酸化防止剤、イオン捕捉剤、及び架橋剤が挙げられる。
【００６６】
例示的な酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、若しくは任意の他の好適な種類の酸化防止剤、又はこれらの組み合わせが挙げられる。いくつかの例示的な実施形態では、熱界面材料４８は、熱界面材料４８の総重量に基づいて、例えば、少なくは０．１重量％、０．５重量％、１重量％、又は多くは１．５重量％、２重量％、５重量％、１０重量％、又は０．１重量％〜１０重量％、０．５重量％〜５重量％、若しくは１重量％〜１．５重量％などの、上記の値のうちの任意の２つの間に規定される任意の範囲内の量で１種以上の酸化防止剤を含んでもよい。
【００６７】
例示的なイオン捕捉剤は、国際出願ＰＣＴ／ＣＮ２０１４／０８１７２４号に開示されており、その開示は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。いくつかの例示的な実施形態では、熱界面材料４８は、熱界面材料４８の総重量に基づいて、少なくは０．１重量％、０．５重量％、１重量％、多くは１．５重量％、２重量％、５重量％、１０重量％、又は０．１重量％〜１０重量％、０．５重量％〜５重量％、若しくは１重量％〜２重量％、又は例などの、上記の値のうちの任意の２つの間に規定される任意の範囲内の量で１種以上のイオン捕捉剤を含んでもよい。
【００６８】
例示的な架橋剤は、その開示が参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許第７，２４４，４９１号に開示されている。例示的な架橋剤は、アルキル化メラミン樹脂を含む。いくつかの例示的な実施形態では、熱界面材料４８は、熱界面材料４８の総重量に基づいて、少なくは０．１重量％、０．５重量％、１重量％、多くは１．５重量％、２重量％、５重量％、１０重量％、又は０．１重量％〜１０重量％、０．５重量％〜５重量％、若しくは１重量％〜２重量％、又は例などの、上記の値のうちの任意の２つの間に規定される任意の範囲内の量で１種以上の架橋剤を含んでもよい。
ＩＩＩ．ポリマー層
【００６９】
熱界面構造体４６はまた、熱界面材料４８と関連付けられたポリマー層５０を含んでもよい。ポリマー層は、例えば、ポリエステル、ポリイミド、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリ乳酸、ポリウレタン、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアセテート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリシクロペンタジエン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、エチレン・テトラフルオロエチレン共重合体、六フッ化プロピレン−四フッ化エチレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリスチレン、ポリエーテルスルホン、若しくはポリエーテルエーテルケトン、又はこれらの組み合わせのうちの１種以上に基づく熱伝導性ポリマー又はプラスチックの形態である。
【００７０】
ポリマー層は、単一のプラスチックの複数の層、又は上記に列挙したものから選択される異なるプラスチックの複数の層を含む多層積層体の形態であってもよい。ポリマー層は、フィルムの熱伝導率を高めるために、上記のような１種以上の伝導性充填剤を更に含んでもよい。ポリマー層は、潤滑剤及び／又は顔料などの１種以上の他の作用物質を更に含んでもよい。
【００７１】
例示的なプラスチックフィルムとしては、全てＧｕｏｆｅｎｇから入手可能なＨＭ、ＨＰＤ、ＰＰＹ、ＰＡＣ、ＰＥＴ、ＰＰ、ＰＴＤ、及びＰＴＳ；全てＦＳＰＧから入手可能なＯＡ−１、ＯＡ−２、ＢＯＡ、ＴＯＡ、ＬＸ、Ｎ−ＣＯ、ＲＳ、ＲＣＯ、ＣＯ２、ＰＧＬＳ、ＶＩＬＢＯ、及びＥＡＳＹＴＥＸ；全てＴｏｒａｙから入手可能なＬｕｍｉｒｒｏｒ（商標）、Ｔｏｒｅｌｉｎａ（商標）、ｍｉｃｔｒｏｎ（商標）、ＴＯＲＡＹＦＡＮ（商標）、ＲＡＹＦＡＮ（商標）、ＴＯＹＯＦＬＯＮ（商標）、及びＴＯＲＥＴＥＣ（商標）；全てＴＯＹＯＢＯから入手可能なＰＹＬＥＮ（登録商標）、ＥＳＴＥＲ（登録商標）、ＥＳＰＥＴ（登録商標）、ＨＡＲＤＥＮ（登録商標）、及びＬＩＸ（登録商標）；全てＤｕｐｏｎｔ  Ｔｅｉｊｉｎ  Ｆｉｌｍｓから入手可能なＭｙｌａｒ（登録商標）、Ｍｅｌｉｎｅｘ（登録商標）、及びＴｅｏｎｅｘ（登録商標）；全てＡｕｔｏｔｙｐｅから入手可能なＡｕｔｏｆｌｅｘ（登録商標）、Ａｕｔｏｓｔａｔ（登録商標）、及びＡｕｔｏｆｌｅｘ（登録商標）；全てＤｕｐｏｎｔから入手可能なＴｅｆｌｏｎ（登録商標）、Ｔｅｆｚｅｌ（商標）、及びＴｅｄｌａｒ（登録商標）；全てＳＡＢＩＣから入手可能なＬＥＸＡＮ（商標）、ＶＡＬＯＸ（商標）、ＵＬＴＥＭ（商標）、及びＮＯＲＹＬ（商標）；全てＣｏｖｅｓｔｒｏから入手可能なＭａｋｒｏｌｏｎ（登録商標）、Ｂａｙｂｌｅｎｄ（登録商標）、及びＭａｋｒｏｂｌｅｎｄ（登録商標）；両方ともＨｏｎｅｙｗｅｌｌから入手可能なＡｃｌａｒ（登録商標）及びＨａｌａｒ（登録商標）；Ｓｏｌｖａｙから入手可能なＳｏｌｅｆ（登録商標）；Ｐｏｌｙｆｌｏｎから入手可能なＦＬＯＮＦＩＬＭ（商標）；ＡＲＫＥＭＡから入手可能なＫｙｎａｒ（登録商標）が挙げられる。更なる例示的な熱伝導性プラスチックフィルムは、Ｄｕｐｏｎｔから入手可能なＫａｐｔｏｎ（登録商標）、ＵＢＥから入手可能なＵＰＩＬＥＸ（登録商標）、Ｋａｎｅｋａから入手可能なＡＰＩＣＡＬ（商標）、ＳＫＣ  Ｋｏｌｏｎから入手可能なＣＰＩ（商標）、及びＫｙｉｎｇから入手可能なＫＹＰＩを含むポリイミドである。
【００７２】
好ましくは、熱伝導性プラスチックフィルムは、ＡＳＴＭ  Ｄ５４７０に従って決定される０．２Ｗ／ｍＫを超える熱伝導率を有する。熱伝導性プラスチックフィルムはまた、ＡＳＴＭ  Ｄ８８２に従って測定される、１００ＭＰａを超える引張強度を有してもよい。
【００７３】
ポリマーフィルムの熱伝導率が熱界面材料４８の熱伝導率ほど高くないため、ポリマー層５０の厚さは、熱界面構造体４６の全体的な熱抵抗に影響を及ぼす。したがって、一般に、フィルムの構造的信頼性を提供し、ケージレセプタクル３０に対する光トランシーバモジュール１２の挿入及び取り外し中にフィルムの損傷を防止するために好適な厚さを維持しながら、ポリマーフィルムの厚さを最小化することが望ましい。この点で、ポリマーフィルムの厚さは、例えば、小さくは５マイクロメートル、１０マイクロメートル、若しくは１５マイクロメートル、又は大きくは５０マイクロメートル、１００マイクロメートル、若しくは２０００マイクロメートルであってもよいか、又は５マイクロメートル〜２０００マイクロメートル、１０マイクロメートル〜１００マイクロメートル、若しくは１５マイクロメートル〜５０マイクロメートルなどの、上記の値のうちの任意の２つの間に規定される任意の範囲内であってもよい。
【００７４】
使用時には、ポリマー層５０は、ヒートシンク４０の表面又は光トランシーバモジュール１２の壁などの隣接する表面に解放可能に係合又は当接し、熱界面構造体４６の熱界面材料４８に摩擦保護を提供する。
ＩＶ．接着剤
【００７５】
熱界面構造体４６はまた、ポリマー層５０と熱界面材料４８との間、及び／又は熱界面構造体４６と、ケージレセプタクル３０の光トランシーバモジュール１２の壁若しくはヒートシンク４０の壁との間に接着を提供するための接着剤５２を含んでもよい。接着剤は、例えば、アクリル樹脂、ポリウレタン、シリコーン、ポリオレフィン、フェノール樹脂、メラミン樹脂、又はエポキシ樹脂系に基づいてもよい。接着剤は、一成分系又は二成分系に基づいてもよい。接着剤は、溶剤型接着剤（例えば、有機溶剤系又は水系）、放射線硬化性接着剤（例えば、紫外線硬化）、ホットメルト接着剤、湿気硬化性接着剤、嫌気性接着剤、又は前述の特性のうちの２つ以上を組み込んだ組み合わせ系であってもよい。接着剤は感圧接着剤（ＰＳＡ）であってもよく、接着剤は、例えば、ブラシ、ディスペンシング、スプレーコーティング、スクリーン印刷、ステンシル印刷、又はラミネートによって塗布されてもよい。例示のＰＳＡは、３Ｍ、Ｈｅｎｋｅｌ、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ、及びＤｕｐｏｎｔから市販されている。
Ｖ．例示的な構成
【００７６】
熱界面構造体４６の例示的な構成を図３Ａ〜図３Ｅに示す。図３Ａを参照すると、熱界面構造体４６の第１の構成が示されており、第１の構成は一般に、ポリマー層５０に取り付けられた熱界面材料４８を含む。図３Ｂを参照すると、熱界面材料４８は、一対の対向する下部ポリマー層５０と上部ポリマー層５０との間に配置され、取り付けられている。
【００７７】
図３Ｃに示すように、熱界面材料４８の一方の面はポリマー層５０によって囲まれ、接着層５２は、熱材料４８の外周の周りに配置されて、ポリマー層５０を熱界面材料４８に固定し、また、以下の図６及び図７に示すように、熱界面構造体４６を光トランシーバモジュール１２（図６）、又はケージレセプタクル３０のヒートシンク４０（図７）にも固定する。
【００７８】
図３Ｄでは、熱界面材料４８は、接着層５２を介して下層のポリマー層５０に固定され、接着剤層５２は、熱界面材料４８とポリマー層５０との間に延在し、これを接続する。
【００７９】
図３Ｅを参照すると、熱界面材料４８は、図３Ｂと同様の下部ポリマー層５０と上部ポリマー層５０との間に配置され、接着剤層５２は、下部ポリマー層５０又は上部ポリマー層５０のうちの１つ（例えば、図３Ｅに示される上部ポリマー）に提供される。
【００８０】
図４〜図７を参照すると、本開示の熱界面材料を電子デバイスの光トランシーバモジュール及びケージレセプタクルと関連付けるための例示的な構成が示されている。
【００８１】
図４を参照すると、ケージレセプタクル３０は、図１及び図２を参照して上述したように、ケージレセプタクル３０と関連付けられた上部ヒートシンク４０及び下部ヒートシンク４０の両方を含む。光トランシーバモジュール２０は、その対向する上壁１４及び底壁１８のそれぞれに取り付けられた熱界面構造体４６を含み、それにより、光トランシーバモジュール２０がケージレセプタクル３０内に挿入されると、熱界面構造体４６は当接して、使用中に光トランシーバモジュール２０から熱を伝達するための上部及び下部ヒートシンク４０との係合に熱が伝導し、熱は、次に、例えば好適なファン又は他の冷却システムを介して電子デバイスの内部又は電子デバイスの外面に放散するためにヒートシンク４０を通じて伝達される。
【００８２】
図５では、同様の配置が示されており、熱界面構造体４６は、ヒートシンク４０に接続され、熱界面材料が当接した状態でケージレセプタクル３０内に配設されており、使用中に光トランシーバモジュール２０から熱を伝達するための光トランシーバモジュール２０の上壁１４及び底壁１８との係合に熱が伝導する。
【００８３】
図６及び図７では、図３Ｃに示す熱界面構造体４６を含む例示的な構成が示されている。図６では、ケージレセプタクル３０は、単一のヒートシンク４０のみを含み、光トランシーバモジュール２０は、使用中にヒートシンク４０に当接する上壁１４などの、その壁のうちの１つに単一の熱界面構造体４６のみを含む。図７では、同様の配置が示されており、ケージレセプタクル３０は、単一のヒートシンク４０のみを含み、単一の熱界面構造体４６がヒートシンクに取り付けられ、使用中に光トランシーバモジュール２０の上壁１４に当接する。
【００８４】
図８〜図１１を参照すると、熱界面構造を形成するための１つの例示的な方法が示されている。図８を参照すると、熱界面材料４８の１つ以上の層を、例えばシリコーンゴムローラー５４を使用して圧延プロセスによってポリマー層５０上に押し付けてもよく、ここで、底部剥離ライナ５６は、まず熱界面材料４８の層から除去されて、ローラを介してポリマー層５０上に押圧することができる。その後、熱界面材料４８の層から対向する剥離ライナ５８を除去して、熱界面材料４８の上面を露出させることができる。
【００８５】
図９を参照すると、熱界面材料層４８の層を下層のポリマー層５０により完全に固定するために、接着層５２は、熱界面材料層４８の周囲のポリマー層５０上に印刷されてもよい。
【００８６】
その後、図１０に示すように、例えば、輸送及び保管中に、熱界面材料４８及び露出した接着剤層５２の層の上面に剥離ライナ６０を適用してもよい。図１１を参照すると、熱界面材料４８の個々の層を最終サイズに切断して、熱界面材料４８を、ケージレセプタクル３０内の関連する光受信機モジュール２０又はヒートシンク４０上に設置することができる。例えば、剥離ライナ６０を除去し、続いて、図４〜図７に関連して上述したように、熱界面材料４８をケージレセプタクル３０の光トランシーバモジュール２０又はヒートシンク４０に固定する。
【００８７】
本明細書で使用するとき、「前述の値のうちの任意の２つの間で定義される任意の範囲内」という句は、それらの値が列挙のより低い部分にあるか又は列挙のより高い部分にあるかにかかわらず、任意の範囲がそのようなフレーズの前に列挙された値のうちの任意の２つから選択され得ることを意味する。例えば、一対の値は、２つのより低い値、２つのより高い値、又はより低い値及びより高い値から選択されてもよい。
【実施例】
【００８８】
実施例１
熱界面材料の調製
剥離ライナを、ＰＴＩＭ  ３１８０パッド（０．２５ｍｍ、３８ｍｍ幅、Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｃ．から供給）の一方から剥離し、室温でシリコーンローラーを用いてパッドを熱伝導性ポリイミドフィルム（熱伝導率０．３６Ｗ／ｍＫ、厚さ２５マイクロメートル）に積層させた。次いで、剥離層をパッドの他方の面から剥離し、パッドを４ｍｍのギャップを介して部分に切り取った。パッドで覆われていないポリイミドフィルムの露出部分に、感圧接着剤（酢酸ビニルとアクリル酸エステルとのコポリマーに基づく）を印刷した。剥離ライナ（ＮＩＰＰＡから供給されるＰＥＴライナ）を、露出したパッド及び接着剤上に積層させて、熱界面材料及び接着剤を保護した。次いで、各縁部に沿って２ｍｍの露出した接着剤幅を有する４２×６６ｍｍのサイズをそれぞれ有する個々の部分に切断した。
実施例２
熱及び信頼性試験
【００８９】
上記実施例１の熱界面材料の剥離ライナを剥離し、熱界面材料を熱界面試験機（Ａｎａｌｙｓｉｓ  Ｔｅｃｈ  Ｃｏｍｐａｎｙから供給）上にペーストし、露出した熱界面面を高温面に貼り付け、ポリイミドフィルム面を冷却板に接触させた。初期熱インピーダンスは、３．４２℃ｃｍ２／Ｗであった。次いで、アルミニウム板を、室温にて４５ｐｓｉの圧力下で、ポリイミドフィルム面で前後に１００回擦った。次いで、ポリイミド面を再び冷却板と接触させ、熱インピーダンスを初期読み取り値と比較して５％減少させることが見出された。
【００９０】
本開示は、好ましい設計を有するものとして説明したが、本開示は、本開示の趣旨及び範囲内で更に修正することができる。したがって、本出願は、その一般的原理を利用した本開示のあらゆる変形、使用、又は適応を包含することが意図されている。更に、本出願は、本開示が関連し、添付の「特許請求の範囲」の範囲内に入る技術分野における既知の又は慣習的な実践に属する本開示からのそのような逸脱を包含することが意図されている。
【図１】
2021507288.tif 000003
【図２】
2021507288.tif 000004
【図３Ａ】
2021507288.tif 000005
【図３Ｂ】
2021507288.tif 000006
【図３Ｃ】
2021507288.tif 000007
【図３Ｄ】
2021507288.tif 000008
【図３Ｅ】
2021507288.tif 000009
【図４】
2021507288.tif 000010
【図５】
2021507288.tif 000011
【図６】
2021507288.tif 000012
【図７】
2021507288.tif 000013
【図８】
2021507288.tif 000014
【図９】
2021507288.tif 000015
【図１０】
2021507288.tif 000016
【図１１】
2021507288.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月19日(2020.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品であって、
ヒートシンクを含むケージレセプタクルと、
外壁を有するハウジングを含む光トランシーバモジュールと、
前記外壁と前記ヒートシンクとの間に配置され、前記外壁及び前記ヒートシンクと当接する熱界面構造体であって、
相変化材料を含む熱界面材料と、
前記熱界面材料の外周を取り囲む接着剤と、
前記熱界面材料及び前記接着剤に接続されたポリマー層と、を含む、熱界面構造体と、を備え、
前記熱界面材料及び前記接着剤はそれぞれ、第１の面及び第２の面を含み、各第１の面が前記ポリマー層に接続され、各第２の面が前記ケージレセプタクルの前記ヒートシンクに接続され、
前記ポリマー層が、第１の面及び第２の面を含み、前記第１の面が前記熱界面材料及び前記接着剤に接続され、前記第２の面が前記光トランシーバモジュールハウジングの前記外壁と当接する、電子部品。
【請求項２】
前記熱界面材料が、ポリマーマトリックス及び少なくとも１種の充填剤を更に含む、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記相変化材料が、２０℃〜１００℃の融点を有する、請求項２に記載の電子部品。
【国際調査報告】
2021507288.tif 000018
2021507288.tif 000019