(57)【要約】本発明は、クライオスタット（６，７，８，９）と、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステム（１）と共に使用される超電導コイル（２）の平坦コイル層（３）とを含むアセンブリを提供する。クライオスタットは、２つの絶縁被覆（８，９）を含む。コイル層は、２つの被覆の間に配置される。各被覆は、冷凍機冷却されるように構成された内側プレート（１０）と、内側プレートと平行な外側プレート（１１）と、内側プレートと外側プレートとの間に真空層（１３）を有する絶縁システムとを含む。被覆の絶縁システムは、円形体（１０１）の層を含み、この体の中心軸は、内側プレート及び外側プレートと垂直に延在し、絶縁システムは、円形体の２つの層の間又は円形体の層と内側プレート及び／又は外側プレートとの間に点接触の層を提供するように構成される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライオスタット及び超電導コイルのコイル層を含むアセンブリであって、
前記コイル層は、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで使用される又は前記リソグラフィ装置の前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムと共に使用されるように構成され、かつ平坦であり２つの対向層面を定め、
前記クライオスタットは、２つの絶縁被覆を含み、
前記コイル層は、前記２つの絶縁被覆の間に配置され、前記２つの対向層面の各々は、前記絶縁被覆のうちの一方によって覆われており、
各絶縁被覆は、
内側プレート及び前記内側プレートと平行な外側プレートであって、前記内側プレートは前記外側プレートと前記コイル層との間に配置される、内側プレート及び外側プレートと、
前記内側プレートと前記外側プレートとの間に配置された絶縁システムとを備え、
前記絶縁システムは、真空層を有するように構成され、
前記内側プレートは、冷凍機冷却されるように構成され、
前記絶縁被覆のうちの一方又は両方の前記絶縁システムは、
前記真空層において、少なくとも部分的に円形体の１つ以上の層を含み、各円形体は、少なくとも部分的に円形輪郭と、前記円形輪郭の中心を通って延在すると共に前記円形輪郭と垂直な中心軸とを定め、前記円形体の各層の前記円形体の前記中心軸は、前記内側プレート及び前記外側プレートと垂直に延在し、
前記円形体の２つの層の間又は前記円形体の層と前記内側プレート及び／又は前記外側プレートとの間に点接触の少なくとも１つの層を提供するように構成される、アセンブリ。
【請求項２】
前記円形体の少なくとも１つの層は、球体又は半球のような球状体の層である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
クライオスタット及び超電導コイルのコイル層を含むアセンブリであって、
前記コイル層は、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで使用される又は前記リソグラフィ装置の前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムと共に使用されるように構成され、かつ平坦であり２つの対向層面を定め、
前記クライオスタットは、２つの絶縁被覆を含み、
前記コイル層は、前記２つの絶縁被覆の間に配置され、前記２つの対向層面の各々は、前記絶縁被覆のうちの一方によって覆われており、
各絶縁被覆は、
内側プレート及び前記内側プレートと平行な外側プレートであって、前記内側プレートは前記外側プレートと前記コイル層との間に配置される、内側プレート及び外側プレートと、
前記内側プレートと前記外側プレートとの間に配置された絶縁システムとを備え、
前記絶縁システムは、真空層を有するように構成され、
前記内側プレートは、冷凍機冷却されるように構成され、
前記絶縁被覆のうちの一方又は両方の前記絶縁システムは、
前記真空層において、球体又は半球などの球状体の１つ以上の層を含み、前記球状体の少なくとも１つの層は、前記球体の層と前記内側プレート及び／又は前記外側プレートとの間に点接触の層を提供する、アセンブリ。
【請求項４】
前記球状体の少なくとも１つの層は、球体と、前記球体を収容するための円形の貫通孔のパターンが設けられたスペーサプレートとを含み、各貫通孔は、前記スペーサプレートが前記球体によって支持されるように前記球体に接触するように構成された直径を有し、前記スペーサプレートは、前記内側プレート及び前記外側プレートと平行に配置される、請求項２又は３に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記貫通孔の前記直径は、前記球体の直径の９０〜１００％などといったように７０〜１００％の範囲内にある、請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記スペーサプレートは、前記内側プレートの温度と前記外側プレートの温度との間の間で冷却されるように構成される、請求項４〜５に記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記スペーサプレートの熱膨張係数は、前記球体の熱膨張係数より大きいことにより、前記スペーサプレート及び前記球体が冷却されたとき、前記貫通孔において前記スペーサプレートと前記球体との間に収縮接続が得られる、請求項４〜６のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記スペーサプレートは、アルミニウム又はアルミニウム合金を含む、請求項４〜７のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記球状体の複数の層を含み、前記球状体の層の隣接する層の間には、分離板が配置され、前記分離板の各側には、前記分離板と前記球状体との間に追加の点接触の層が設けられる、請求項２〜８のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記分離板は、前記内側プレートの温度と前記外側プレートの温度との間の温度で冷却されるように構成される、請求項９に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
前記円形体の１つ以上の層は、円筒及び／又は半円筒などの直線の円筒体の２つの層の少なくとも１つのセットを含み、
前記２つの層のうちの一番目の前記円筒体は、隣接する円筒体の間に間隔を有して互いに平行に配置され、前記２つの層のうちの二番目の前記円筒体は、隣接する円筒体の間に間隔を有して互いに平行に配置され、
第１層及び第２層は、互いに直接積み重ねられ、前記第１層の円筒体は、前記第２層の円筒体に対して横方向であることにより前記第１層の前記円筒体と前記第２層の前記円筒体との間に前記点接触の層を提供する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
クライオスタット及び超電導コイルのコイル層を含むアセンブリであって、
前記コイル層は、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで使用される又は前記リソグラフィ装置の前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムと共に使用されるように構成され、かつ平坦であり２つの対向層面を定め、
前記クライオスタットは、２つの絶縁被覆を含み、
前記コイル層は、前記２つの絶縁被覆の間に配置され、前記２つの対向層面の各々は、前記絶縁被覆のうちの一方によって覆われており、
各絶縁被覆は、
内側プレート及び前記内側プレートと平行な外側プレートであって、前記内側プレートは前記外側プレートと前記コイル層との間に配置される、内側プレート及び外側プレートと、
前記内側プレートと前記外側プレートとの間に配置された絶縁システムとを備え、
前記絶縁システムは、真空層を有するように構成され、
前記内側プレートは、冷凍機冷却されるように構成され、
前記絶縁被覆のうちの一方又は両方の前記絶縁システムは、
前記真空層において、円筒又は半円筒などの直線の円筒体の２つの層の少なくとも１つのセットを含み、
前記２つの層のうちの一番目の前記円筒体は、隣接する円筒体の間に間隔を有して互いに平行に配置され、前記２つの層のうちの二番目の前記円筒体は、隣接する円筒体の間に間隔を有して互いに平行に配置され、
第１層及び第２層は、互いに直接積み重ねられ、前記第１層の円筒体は、前記第２層の円筒体に対して横方向であることにより前記第１層の前記円筒体と前記第２層の前記円筒体との間に点接触の層を提供する、アセンブリ。
【請求項１３】
前記円筒体はワイヤである、請求項１１〜１２のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
前記少なくとも部分的に円形体は、前記円形輪郭の中心から前記円形輪郭までの半径の二倍として定められた直径を有し、
前記直径は、５ｍｍより小さいなどといったように７ｍｍより小さい、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
前記直径は、０．５〜４ｍｍの範囲などといったように０．１〜５ｍｍの範囲内にある、請求項１４に記載のアセンブリ。
【請求項１６】
前記点接触の層における前記点接触は、１０〜１５ｍｍのピッチなどといったように５〜２０ｍｍのピッチで配置される、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１７】
前記絶縁被覆のうちの一方は、最高で７〜８ｍｍなどといったように最高で１０ｍｍの厚さを有し、前記厚さは、前記内側プレート及び前記外側プレートと垂直な方向で定められる、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１８】
前記円形体は、ジルコニア、ケブラー、ケブラー複合材、ケブラー繊維複合材、ガラス、ガラス複合材、ガラス繊維複合材及びチタン合金の群の１つ以上から選択される材料から成っている、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１９】
前記円形体は、少なくとも１．５Ｎ／Ｗｍなどといったように少なくとも１Ｎ／Ｗｍである、４Ｋ〜８０Ｋの温度範囲にわたる前記熱伝導率係数の整数に対するヤング率の比率を有する材料から成っている、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項２０】
前記内側プレートを、０〜４Ｋの範囲内のように、１０Ｋ未満などといったように３０Ｋ未満の温度に冷凍機冷却するように構成された冷凍機システムをさらに備える、請求項１〜１９のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項２１】
前記絶縁システム内に１０−３Ｐａ以下の真空を提供するように構成された真空システムをさらに備える、請求項１〜２０のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項２２】
前記内側プレート及び／又は外側プレートは、ステンレス鋼合金から成っている、請求項１〜２１のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項２３】
前記コイル層は、前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムのステータ部分として構成される、請求項１〜２２のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項２４】
前記コイル層は、前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムのムーバ部分として構成される、請求項１〜２３のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項２５】
前記超電導コイルの前記コイル層は、超電導電磁石のアレイであり、各電磁石は、前記コイル層と垂直に延在する南北の軸を有し、
前記電磁石のアレイは、隣接する電磁石が反対の極性を有するように構成され、
前記電磁石のアレイは、直流動作のために配線される、請求項１〜２４のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項２６】
前記超電導コイルの前記コイル層は、交流動作のために配線される、請求項１〜２５のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項２７】
前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムは、リニアモータシステムである、請求項１〜２６のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項２８】
前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムは、平面モータシステムである、請求項１〜２７のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項２９】
請求項１〜２８のいずれか一項に記載のアセンブリが設けられた少なくとも１つの平坦な磁気浮上及び／又は加速モータシステムを備える、リソグラフィ装置。
【請求項３０】
リソグラフィ装置であって、
パターニングデバイスを支持するように構築されたマスクサポートと、
前記マスクサポートを前記第１ポジショナに対して位置決めするように構成された第１ポジショナと、
基板を保持するように構築された基板サポートと、
前記基板サポートを前記第２ポジショナに対して位置決めするように構成された第２ポジショナと、
前記パターニングデバイスによって放射ビームに付与されるパターンを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムとを備え、
以下の
前記マスクサポートと、
前記第１ポジショナと、
前記基板サポートと、
前記第２ポジショナといった要素の１つ以上には、請求項１〜２８のいずれか一項に記載のアセンブリが設けられる、リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
[0001]  本願は、２０１８年６月５日に出願した欧州特許出願第１８１７５８９８．８号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
【０００２】
[0002]  本発明は、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで用いるアセンブリに関する。アセンブリは、クライオスタット(cryostat)及び超電導コイルの層を含む。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に付与するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えば、マスク）のパターン（「設計レイアウト」又は「設計」と呼ばれることが多い）を基板（例えば、ウェーハ）上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層上に投影することができる。
【０００４】
[0004]  半導体製造プロセスが発展し続けるにつれて、回路要素の寸法も縮小し続ける一方、１つのデバイス当たりのトランジスタなどの機能要素の量も数十年にわたって着実に増加しており、一般に「ムーアの法則」と呼ばれる傾向に沿う。ムーアの法則についていくために、半導体産業はますます小さいフィーチャを作り出すことを可能にする技術を追求している。パターンを基板上に投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用することができる。この放射の波長は、基板上にパターン形成されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在用いられている一般的な波長は、３６５ｎｍ（ｉライン）、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ及び１３．５ｎｍである。４ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内（例えば、６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍ）の波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を用いるリソグラフィ装置は、リソグラフィ装置（例えば、１９３ｎｍの波長を有する放射を用いる）のものより小さいフィーチャを基板上に形成するために用いることができる。
【０００５】
[0005]  リソグラフィ装置では、パターニングデバイスが放射ビームを受ける。パターニングデバイスを通過する間、この放射ビームにパターンが付けられる。その後、パターンが付けられた放射ビームは、投影システムを通過し、この投影システムは付けられたパターンを基板上に投影する。基板に所望のパターンを設けるために、パターニングデバイス及び基板の両方は、投影システムに対して及び互いに対して移動される。この目的のために、リニア及び／又は平面モータシステムは、コイルによって生じた熱によって室温以上にある電流導電性コイル及び永久磁石を基に使用される。リニア及び平面モータシステムは、一般的に、ステータ部分及びムーバ部分を有しており、このムーバ部分は、電流導電性コイルを通じて電流を操作することによってステータ部分に対して制御された方法で移動可能である。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  リニア又は平面モータシステムのムーバのコイルにおける磁界密度を、４Ｋの温度の超電導コイル超電導電磁石を用いることにより４〜５倍改善できることが解析関係により示される。実際には、７０Ｋ〜１５０Ｋの範囲内のより高い極低温(cryogenic temperature)で超電導である超電導体が利用可能である。この超電導電磁石を実現するために、室温に対して所要の極低温からの断熱が必要であり、この断熱は小さい積み重ね高さ内に収まる必要がある。そうでない場合、ムーバのコイルと超電導磁石との間の距離は、絶縁により、コイルにおける磁界密度の増加が失われるほどに増大する。したがって、低い高さの断熱層が必要である。
【０００７】
[0007]  リソグラフィ装置で使用されるリニア及び平面モータシステムは、一般的に、電流導電性コイル及び磁石を基に使用される。さらに、リソグラフィ装置で使用されるリニア及び平面モータシステムは、一般的に、ステータ部分及びムーバ部分を有しており、ムーバ部分は、電流導電性コイルを通じて電流を操作することによりステータ部分に対して制御された方法で移動可能である。ａ）磁石をステータ部分に設け、電流導電性コイルをムーバ部分に設けるか、又はその反対である磁石をムーバ部分に設け、電流導電性コイルをステータ部分に設けてもよい一方、他方では、ｂ）磁石のみが超電導コイルを有する超電導磁石であり得るのではなく、付加的に又は代替えとして、電流導電性コイルが超電導コイルであってもよいことが理解されたい。
【０００８】
[0008]  上記の全てを考慮に入れると、本発明の課題は、クライオスタット及び超電導コイルのコイル層を含むアセンブリを提供することであり、コイル層は、平坦であり、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで用いるか又はそれと共に用いるように構成される。
【０００９】
[0009]  本発明の第１態様によると、クライオスタット及び超電導コイルのコイル層を含むアセンブリが提供され、コイル層は、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで用いるか又はそれと共に用いるように構成され、かつ平坦であり２つの対向層面を定める。
【００１０】
[00010]  コイル層は、磁気浮上及び／又は加速モータシステムのステータ部分として及び／又は磁気浮上及び／又は加速モータシステムのムーバ部分として構成されてもよい。さらに、コイル層は、交流動作のために配線されてもよく、及び／又は直流動作のために配線された電磁石アレイであってもよい。
【００１１】
[00011]  磁気浮上及び／又は加速モータシステムは、リニアモータシステム又は平面モータシステムであってもよい。
【００１２】
[00012]  クライオスタットは２つの絶縁被覆を含む。コイル層及び２つの絶縁被覆は、サンドイッチ状に配置されており、コイル層を、コイルの超電導性に必要な極低温状態で保つことができるために、コイル層は２つの絶縁被覆の間に配置され、コイル層の２つの対向層面のそれぞれは、一方の絶縁被覆によって覆われる。
【００１３】
[00013]  各絶縁被覆は、内側プレート及び内側プレートと平行する外側プレートを含み、内側プレートは、外側プレートとコイル層との間に配置され、絶縁システムは、内側プレートと外側プレートとの間に配置される。内側プレート及び／又は外側プレートは、ステンレス鋼合金から成っていてもよい。
【００１４】
[00014]  絶縁システムは、真空層を有するように構成される。絶縁システム内の真空層は、内側プレートと外側プレートとの間の熱伝導性を減少させる。この真空は、１０−３Ｐａ以下の真空であってもよい。ムーバが通常の空気圧の周囲にあった場合、絶縁被覆は１バールの圧力差に耐えなければならないことになる。リソグラフィ装置において基板を移動させるための平面モータシステムでは、ステータが、一般的に、１メートル×２メートル程度又はそれ以上の表面を有することを考慮に入れると、断熱は大きな力に耐えなければならないことを意味する。
【００１５】
[00015]  内側プレートは、コイル層を極低温状態に至らせてそれを維持するために冷凍機冷却(cryocool)されるように構成される。
【００１６】
[00016]  絶縁被覆のうちの一方又は両方の絶縁システムは、
−真空層において、少なくとも部分的に円形体の１つ以上の層を含み、各円形体は、少なくとも部分的に円形輪郭と、円形輪郭の中心を通って延在すると共に円形輪郭と垂直な中心軸とを定め、円形体の各層の体の中心軸は、内側プレート及び外側プレートと垂直に延在し、
−円形体の２つの層の間又は円形体の層と内側プレート及び／又は外側プレートとの間に点接触の少なくとも１つの層を提供することにより、内側プレートと外側プレートとの間の考えられる各熱伝導経路が少なくとも１つの点接触をどこかで通らなければならないように構成される。
円形体の層は、内側プレートと外側プレートとの間に配置され、かつ内側プレートが外側プレートの上に位置した場合に外側プレート上で内側プレートを支持するか、又は外側プレートが内側プレートの上に位置した場合に内側プレートの上で外側プレートを支持する。円形体は高い荷重負担能力を有する一方、他方では、点接触を提供する。点接触は非常に小さい接触面を有するため、点接触を通る熱伝導性は非常に低い。円形体の１つ以上の層が内側及び外側プレートと垂直な中心軸を有し、点接触の少なくとも１つの層を提供するように構成されることにより、内側プレートと外側プレートとの間の考えられる各熱伝導経路が少なくとも１つの点接触をどこかで通らなければならないことを確実にする。これにより、絶縁被覆は、一方では、最小熱伝導性を有し、他方では、高い荷重負担能力を有するという結果となる。
【００１７】
[00017]  円形体は、完全に円形、又は１８０°以下（６０°〜１２０°など）の角度にわたって延在する部分的に円形輪郭を有する部分的に円形であってもよい。円形体は、球体及び／又は半球のような球状体、及び／又は円筒及び／又は半円筒のような直線の円筒体であってもよい。例えば、半球又は半円筒の場合、半球及び半円筒のそれぞれは、外側プレートに面する内側プレートの面及び／又は内側プレートに面する外側プレートの面に接着され、かつ互いに積み重ねられてもよく、結果として半球と半球の間、半円筒と半円筒の間又は半球と半円筒の間の点接触の層となる。
【００１８】
[00018]  円形体の直径を、円形輪郭の中心から円形輪郭までの半径の二倍として定めると、少なくとも部分的に円形体の直径は、さらなる実施形態によると、７ｍｍより小さい、例えば、５ｍｍより小さくてよい。直径は、０．１〜５ｍｍの範囲、例えば、０．５〜４ｍｍの範囲内にあってよい。そのような直径を有する円形体は、例えば、玉軸受のための球体、針軸受のための円筒又はワイヤとして容易に利用可能である。さらに、そのような直径の円形体は、内側及び外側プレートと垂直の１０ｍｍ未満の厚さを有する絶縁被覆を可能にする。さらに小さい厚さも可能であり、及び／又はより小さい直径で点接触の複数の層が可能である一方、絶縁被覆の全厚さを１０ｍｍより低く保ち続けることができる。厚さは、例えば、最高で７〜８ｍｍであってもよい。
【００１９】
[00019]  点接触の層における点接触は、さらなる実施形態によると、５〜２０ｍｍのピッチ（例えば、１０〜１５ｍｍのピッチ）で配置されてもよい。
【００２０】
[00020]  アセンブリのある実施形態によると、円形体は、ジルコニア、ケブラー、ケブラー複合材、ケブラー繊維複合材、ガラス、ガラス複合材、ガラス繊維複合材及びチタン合金の群の１つ以上から選択される材料から成ってもよい。これらの材料は、配線及び球体の形態で市販されており、大きな力及び低い熱伝導性を有する。
【００２１】
[00021]  アセンブリのある実施形態によると、円形体は、少なくとも１．５Ｎ／Ｗｍなどといったように少なくとも１Ｎ／Ｗｍである、４Ｋ〜８０Ｋの温度範囲にわたる熱伝導率係数の整数に対するヤング率の比率を有する材料から成ってもよい。式で表すと、この比率は以下の通りである。
【数１】
2021525394.tif 000003
【００２２】
[00022]  アセンブリのさらなる実施形態によると、球状体の少なくとも１つの層は、球体と、球体を収容するための円形の貫通孔のパターンが設けられたスペーサプレートとを含んでもよく、各貫通孔は、スペーサプレートが球体によって支持されるように球体に接触するように構成された直径を有し、スペーサプレートは、内側プレート及び外側プレートと平行に配置される。スペーサプレートに対して垂直に見ると、スペーサプレートは、球体の対向端部のそれぞれからある程度の距離で配置される。このスペーサプレートは、貫通孔によって決定された配置に球体を保つことによって球体が転がっていくことを防ぐ。この実施形態では、スペーサプレートは、内側プレートの温度と外側プレートの温度との間の温度で冷却（例えば、冷凍機冷却）されるように構成されてもよい。スペーサプレートは、次いで、絶縁シールドとして機能し、かなりの断熱を増大させる。この実施形態では、貫通孔の直径は、例えば、球体の直径の９０〜１００％などといったように７０〜１００％の範囲内にある。さらに、この実施形態では、スペーサプレートの熱膨張係数は、球体の熱膨張係数より大きいことにより、スペーサプレート及び球体が冷却されたとき、貫通孔においてスペーサプレートと球体との間に収縮接続が得られる。この収縮接続は、球体に対する貫通孔を閉じるシーリングを提供することができ、これは絶縁システムの絶縁性能を改善する。この目的のために、スペーサプレートは、アルミニウム又はアルミニウム合金から成ってもよい。
【００２３】
[00023]  アセンブリのさらなる実施形態によると、アセンブリは、球状体の複数の層を含んでもよく、球状体の層の隣接する層の間には分離板が配置され、分離板の各側には、分離板と球状体との間に追加の点接触の層が設けられる。この実施形態では、分離板は、内側プレートの温度と外側プレートの温度との間の温度で冷却（例えば、冷凍機冷却）されるように構成されてもよい。
【００２４】
[00024]  アセンブリの別のさらなる実施形態によると、円形体の１つ以上の層は、円筒及び／又は半円筒などの直線の円筒体の２つの層の少なくとも１つのセットを含んでもよく、２つの層のうちの一番目の円筒体は、隣接する円筒体の間に間隔を有して互いに平行に配置され、２つの層のうちの二番目の円筒体は、隣接する円筒体の間に間隔を有して互いに平行に配置され、第１層及び第２層は、互いに直接積み重ねられ、第１層の円筒体は、第２層の円筒体に対して横方向であることにより第１層の円筒体と第２層の円筒体との間に点接触の層を提供する。この実施形態では、円筒体はワイヤであってもよい。横方向とは、９０°又は他のあらゆる角度（３０°〜９０°の範囲内の角度、例えば、約６０°の角度）であってもよい。
【００２５】
[00025]  アセンブリのさらなる実施形態によると、アセンブリは、内側プレートを冷凍機冷却するように構成された冷凍機(cryocooler)システムをさらに備えてもよい。
【００２６】
[00026]  アセンブリのさらなる実施形態によると、アセンブリは、１０−３Ｐａ以下の真空を真空層に提供するように構成された真空システムをさらに備えてもよい。
【００２７】
[00027]  さらなる態様によると、本発明は、本発明によるアセンブリが設けられたリソグラフィ装置に関する。そのようなリソグラフィ装置は、パターニングデバイスを支持するように構築されたマスクサポートと、第１ポジショナであって、マスクサポートを第１ポジショナに対して位置決めするように構成された第１ポジショナと、基板を保持するように構築された基板サポートと、第２ポジショナであって、基板サポートを第２ポジショナに対して位置決めするように構成された第２ポジショナと、パターニングデバイスによって放射ビームに付与されるパターンを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムとを備える。「マスクサポート、第１ポジショナ、基板サポート及び第２ポジショナ」の要素の１つ以上に、本発明によるアセンブリが設けられる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
[00028]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】図１は、リソグラフィ装置の図式的概観を示す。
【図２】図２は、図１のリソグラフィ装置の一部の詳細図を示す。
【図３】図３は、位置制御システムを概略的に示す。
【図４】図４は、本発明によるアセンブリの実施形態が設けられた平面モータシステムの断面を概略的に示す。
【図５】図５は、平面モータシステムの上面図を概略的に示す。
【図６】図６は、本発明によるアセンブリの絶縁被覆の第２実施形態を概略的に示す。
【図７】図７は、本発明によるアセンブリの絶縁被覆の第３実施形態を概略的に示す。
【図８】図８は、本発明によるアセンブリの絶縁被覆の第４実施形態の詳細を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
[00029]  本書では、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長を有する）、及びＥＵＶ（極端紫外線、例えば、約５〜１００ｎｍの範囲内の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含するように使用される。
【００３０】
[00030]  本明細書において使用される「レチクル」、「マスク」又は「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分に作り出されるべきパターンに対応するパターンを入射ビームの断面に与えるために使用できる一般的なパターニングデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。「ライトバルブ」といった用語もこの文脈で使用することができる。標準的なマスク（透過型又は反射型、バイナリ、位相シフト、ハイブリッド等）に加えて、そのような他のパターニングデバイスの例としては、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤアレイを含む。
【００３１】
[00031]  図１は、リソグラフィ装置ＬＡを概略的に示している。このリソグラフィ装置ＬＡは、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射、ＤＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータとも呼ぶ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたマスクサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板サポートを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板サポート（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されるパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００３２】
[00032]  以下にさらに説明がされる本発明によるアセンブリは、第１ポジショナＰＭ及び／又はマスクサポートＭＴで使用することができる。さらに、又は代替えとして、以下にさらに説明がされる本発明によるアセンブリは、第２ポジショナＰＷ及び／又は基板サポートＷＴで使用することができる。
【００３３】
[00033]  動作中、イルミネータＩＬは、例えば、ビームデリバリシステムＢＤを介して放射源ＳＯから放射ビームを受ける。照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、整形し、及び／又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、及び／又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームＢを調整すれば、パターニングデバイスＭＡの平面において放射ビームの断面に所望の空間及び角強度分布をもたせることができる。
【００３４】
[00034]  本明細書において使用される「投影システム」ＰＳという用語は、使われている露光放射にとって、及び／又は液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、アナモルフィック型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」ＰＳという用語と同義であると考えるとよい。
【００３５】
[00035]  また、リソグラフィ装置ＬＡは、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい（液浸リソグラフィとも呼ぶ）。液浸技術についての詳細は、全体が本願に参考として組み込まれている米国特許第６９５２２５３号明細書に記載されている。
【００３６】
[00036]  リソグラフィ装置ＬＡは、２つ以上の基板サポートＷＴ（デュアルステージとも呼ぶ）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、基板サポートＷＴは並行して使うことができ、及び／又は基板Ｗの後続の露光の予備工程を１つの基板サポートＷＴ上に配置された基板Ｗ上で実行しつつ、別の基板サポートＷＴ上の別の基板Ｗを他の基板Ｗ上でパターンを露光するために使うこともできる。さらに、２つ以上の基板サポートＷＴの場合、以下にさらに説明がされる本発明によるアセンブリは、第２ポジショナＰＷ及び／又は２つ以上の基板サポートで使用することができる。
【００３７】
[00037]  基板サポートＷＴに加えて、リソグラフィ装置ＬＡは、測定ステージを備えてもよい。測定ステージは、センサ及び／又はクリーニングデバイスを保持するように配置される。センサは、投影システムＰＳの性質又は放射ビームＢの性質を測定するように配置されてもよい。測定ステージは、複数のセンサを保持することができる。クリーニングデバイスは、リソグラフィ装置の一部、例えば、投影システムＰＳの一部又は液浸液を提供するシステムの一部を洗浄するように配置されてもよい。測定ステージは、基板サポートＷＴが投影システムＰＳから離れているときに投影システムＰＳの下で移動することができる。
【００３８】
[00038]  動作中、放射ビームＢは、マスクサポートＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスＭＡ上にあるパターン（設計レイアウト）によってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷ及び位置測定システムＰＭＳを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内の合焦かつ位置合わせされた位置に位置決めするように、基板サポートＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び可能な限り別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークＰ１及びＰ２が専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる。基板アライメントマークＰ１及びＰ２は、ターゲット部分Ｃとターゲット部分Ｃとの間に配置されているときにスクライブラインアライメントマークとして公知である。
【００３９】
[00039]  本発明を明確にするためにデカルト座標系が使用される。デカルト座標系は、３つの軸、すなわち、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸を有する。３つの軸のそれぞれは、他の２つの軸に直交する。ｘ軸を回る回転をＲｘ回転と呼ぶ。ｙ軸を回る回転をＲｙ回転と呼ぶ。ｚ軸を回る回転をＲｚ回転と呼ぶ。ｘ軸及びｙ軸が水平面を定める一方、ｚ軸は垂直方向にある。デカルト座標系は、本発明を限定するのではなく、説明目的のみに使用される。代わりに、円筒座標系のような別の座標系を用いて本発明を説明することもできる。デカルト座標系の向きは、例えば、ｚ軸が水平面に沿って構成要素を有するように異なっていてもよい。
【００４０】
[00040]  図２は、図１のリソグラフィ装置ＬＡの一部のより詳細な図を示している。リソグラフィ装置ＬＡには、ベースフレームＢＦ、バランスマスＢＭ、メトロロジフレームＭＦ及び振動絶縁システムＩＳを設けることができる。メトロロジフレームＭＦは、投影システムＰＳを支持する。さらに、メトロロジフレームＭＦは、位置測定システムＰＭＳの一部を支持することができる。メトロロジフレームＭＦは、振動絶縁システムＩＳを通じてベースフレームＢＦによって支持される。振動絶縁システムＩＳは、振動がベースフレームＢＦからメトロロジフレームＭＦへと伝搬することを防止又は減少させるように配置される。
【００４１】
[00041]  第２ポジショナＰＷは、基板サポートＷＴとバランスマスＢＭとの間に駆動力を提供することによって基板サポートＷＴを加速させるように配置される。駆動力は、基板サポートＷＴを所望の方向に加速させる。運動量の保存により、駆動力はバランスマスＢＭにも同等の大きさで加えられるが、所望の方向とは反対方向に加えられる。一般的には、バランスマスＢＭの質量は、第２ポジショナＰＷの可動部及び基板サポートＷＴの質量よりかなり大きい。
【００４２】
[00042]  ある実施形態では、第２ポジショナＰＷは、バランスマスＢＭによって支持される。例えば、第２ポジショナＰＷは、基板サポートＷＴをバランスマスＢＭの上に及び／又はそれに対して浮上又は加速させるために平面モータシステムの一部を備える。この平面モータシステムは、以下にさらに説明される本発明によるアセンブリが設けられた磁気浮上及び／又は加速モータシステムであってもよい。別の実施形態では、第２ポジショナＰＷは、ベースフレームＢＦによって支持される。例えば、第２ポジショナＰＷは、リニアモータのステータを含み、第２ポジショナＰＷは、基板サポートＷＴをベースフレームＢＦの上に浮上させるためにベアリング、例えばガスベアリングを含む。別の例によると、第２ポジショナは、以下にさらに説明される本発明によるアセンブリが設けられたリニアモータシステムを含んでもよい。
【００４３】
[00043]  位置測定システムＰＭＳは、基板サポートＷＴの位置を決定するのに適したあらゆる種類のセンサを含んでもよい。位置測定システムＰＭＳは、マスクサポートＭＴの位置を決定するのに適したあらゆる種類のセンサを含んでもよい。センサは、干渉計又はエンコーダなどの光センサであってもよい。位置測定システムＰＭＳは、干渉計及びエンコーダの複合システムを含んでもよい。センサは、磁気センサ、静電容量センサ又は誘導センサなどの別の種類のセンサであってもよい。位置測定システムＰＭＳは、基準、例えば、メトロロジフレームＭＦ又は投影システムＰＳに対する位置を決定することができる。位置測定システムＰＭＳは、位置を測定することによって又は速度若しくは加速度などといった位置の時間微分を測定することによって基板テーブルＷＴ及び／又はマスクサポートＭＴの位置を決定することができる。
【００４４】
[00044]  位置測定システムＰＭＳは、エンコーダシステムを含んでもよい。エンコーダシステムは、例えば、全体を本願に参考として組み込まれる、２００６年９月７日に出願された米国特許出願公開第２００７／００５８１７３号明細書により知られている。エンコーダシステムは、エンコーダヘッド、格子及びセンサを含む。エンコーダシステムは、一次放射ビーム及び二次放射ビームを受けることができる。一次放射ビームとともに二次放射ビームは、同じ放射ビーム、すなわち、原放射ビームから始まる。一次放射ビーム及び二次放射ビームのうちの少なくとも１つは、原放射ビームを格子で回折することによって作り出される。原放射ビームを格子で回折することによって一次放射ビーム及び二次放射ビームの両方が作り出される場合、一次放射ビームは、二次放射ビームとは異なる回折次数を有する必要がある。異なる回折次数は、例えば、＋一次、−一次、＋二次及び−二次である。エンコーダシステムは、一次放射ビーム及び二次放射ビームを組み合わせ放射ビームへと光学的に組み合わせる。エンコーダヘッド内のセンサは、組み合わせ放射ビームの位相又は位相差を決定する。センサは、位相又は位相差に基づいて信号を生成する。信号は、格子に対するエンコーダヘッドの位置を表す。エンコーダヘッド及び格子のうちの一方は、基板構造ＷＴ上に配置されてもよい。エンコーダヘッド及び格子のうちの他方は、メトロロジフレームＭＦ又はベースフレームＢＦ上に配置されてもよい。例えば、複数のエンコーダヘッドがメトロロジフレームＭＦ上に配置される一方、格子は基板サポートＷＴの上面上に配置される。別の例では、格子は基板サポートＷＴの底面に配置され、エンコーダヘッドは基板サポートＷＴの下に配置される。
【００４５】
[00045]  位置測定システムＰＭＳは、干渉計システムを含んでもよい。干渉計システムは、例えば、全体を本願に参考として組み込まれる、１９９８年７月１３日に出願された米国特許第６０２０９６４号明細書により知られている。干渉計システムは、ビームスプリッタ、ミラー、基準ミラー及びセンサを含んでもよい。放射ビームは、ビームスプリッタによって基準ビーム及び測定ビームに分割される。測定ビームは、ミラーへと伝搬され、ミラーに反射されてビームスプリッタに戻る。基準ビームは、基準ミラーへと伝搬され、基準ミラーに反射されてビームスプリッタに戻る。ビームスプリッタでは、測定ビーム及び基準ビームは、組み合わせ放射ビームへと組み合わされる。組み合わせ放射ビームはセンサに入射する。センサは、組み合わせ放射ビームの位相又は周波数を決定する。センサは、位相又は周波数に基づいて信号を生成する。信号は、ミラーの変位を表す。ある実施形態では、ミラーは、基板サポートＷＴに接続される。基準ミラーは、メトロロジフレームＭＦに接続されてもよい。ある実施形態では、測定ビーム及び基準ビームは、ビームスプリッタの代わりに追加の光学コンポーネントによって組み合わせ放射ビームへと組み合わされる。
【００４６】
[00046]  第１ポジショナＰＭは、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを含んでもよい。ショートストロークモジュールは、小さい移動範囲にわたって高い精度でマスクサポートＭＴをロングストロークモジュールに対して移動させるように配置される。ロングストロークモジュールは、大きい移動範囲にわたって比較的低い精度でショートストロークモジュールを投影システムＰＳに対して移動させるように配置される。ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールとの組み合わせにより、第１ポジショナＰＭは、大きい移動範囲にわたって高い精度でマスクサポートＭＴを投影システムＰＳに対して移動させることができる。同様に、第２ポジショナＰＷは、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを含んでもよい。ショートストロークモジュールは、小さい移動範囲にわたって高い精度で基板サポートＷＴをロングストロークモジュールに対して移動させるように配置される。ロングストロークモジュールは、大きい移動範囲にわたって比較的低い精度でショートストロークモジュールを投影システムＰＳに対して移動させるように配置される。ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールとの組み合わせにより、第２ポジショナＰＷは、大きい移動範囲にわたって高い精度で基板サポートＷＴを投影システムＰＳに対して移動させることができる。
【００４７】
[00047]  第１ポジショナＰＭ及び第２ポジショナＰＷのそれぞれには、マスクサポートＭＴ及び基板サポートＷＴのそれぞれを移動させるためのアクチュエータが設けられる。第１ポジショナ及び／又は第２ポジショナのアクチュエータは、単一の軸、例えばｙ軸に沿って駆動力を提供するためのリニアアクチュエータであってもよい。このリニアアクチュエータには、本発明によるアセンブリが設けられてもよい。本発明によるアセンブリが設けられてもよい複数のリニアアクチュエータを適用して、複数の軸に沿って駆動力を提供することができる。アクチュエータは、複数の軸に沿って駆動力を提供するための平面アクチュエータであってもよい。この平面アクチュエータには、本発明によるアセンブリが設けられてもよい。例えば、平面アクチュエータは、基板サポートＷＴを６自由度で移動させるように配置されてもよい。アクチュエータは、少なくとも１つのコイル及び少なくとも１つの磁石を含む電磁アクチュエータであってもよい。アクチュエータは、電流を少なくとも１つのコイルに加えることによって少なくとも１つのコイルを少なくとも１つの磁石に対して移動させるように配置される。アクチュエータは、マスクサポートＭＴに対して基板サポートＷＴに結合された少なくとも１つの磁石を有する可動磁石型のアクチュエータであってもよい。アクチュエータは、マスクサポートＭＴに対して基板サポートＷＴに結合された少なくとも１つのコイルを有する可動コイル型のアクチュエータであってもよい。アクチュエータは、音声コイルアクチュエータ、リラクアンスアクチュエータ、ローレンツアクチュエータ若しくはピエゾアクチュエータ又は他のあらゆる適切なアクチュエータであってもよい。
【００４８】
[00048]  図３に概略的に示されるように、リソグラフィ装置ＬＡは、位置制御システムＰＣＳを含む。位置制御システムＰＣＳは、セットポイントジェネレータＳＰ、フィードフォワードコントローラＦＦ及びフィードバックコントローラＦＢを含む。位置制御システムＰＣＳは、アクチュエータＡＣＴに駆動信号を提供する、アクチュエータＡＣＴは、第１ポジショナＰＭ又は第２ポジショナＰＷのアクチュエータであってもよい。アクチュエータＡＣＴは、基板サポートＷＴ又はマスクサポートＭＴを含み得るプラントＰを駆動する。プラントＰの出力は、位置、速度又は加速度などの位置量である。位置量は、位置測定システムＰＭＳを用いて測定される。位置測定システムＰＭＳは、プラントＰの位置量を表す位置信号である信号を生成する。セットポイントジェネレータＳＰは、プラントＰの所望の位置量を表す基準信号である信号を生成する。例えば、基準信号は、基板サポートＷＴの所望の軌跡を表す。基準信号と位置信号との間の差は、フィードバックコントローラＦＢのための入力を形成する。入力に基づいて、フィードバックコントローラＦＢは、アクチュエータＡＣＴのために駆動信号の少なくとも一部を提供する。基準信号は、フィードフォワードコントローラＦＦのための入力を形成することができる。入力に基づいて、フィードフォワードコントローラＦＦは、アクチュエータＡＣＴのために駆動信号の少なくとも一部を提供する。フィードフォワードＦＦは、質量、堅牢性、共振モード及び固有振動数などといったプラントＰの動特性についての情報を使用することができる。
【００４９】
[00049]  図４は、本発明による磁気浮上及び／又は加速モータシステム１の断側面図を概略的に示しており、このシステムは、電磁石２の平坦なコイル層３を有し、本発明によるアセンブリ６，７，８及び９が設けられている。コイル層３が平坦であることにより、この磁気浮上及び／又は加速モータシステム１は、リニアモータシステム又は平面モータシステムである。電磁石２が平面に配置されるため、コイル層３は平坦である。図４の例では、平面モータシステムである。示される例では、この平面モータシステム１は、リソグラフィ装置のウェーハステージで使用される。このため、基板Ｗ、基板サポートＷＴ及び第２ポジショナＰＷは、図１〜図３で使用されるものと同じ参照符号で示される。加えて又は代替えとして、本発明による磁気浮上及び／又は加速モータシステム１は、リソグラフィ装置のマスクステージにおける平面又はリニアモータシステムとして使用することもできる。この場合、基板ＷはパターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）であり、基板サポートＷＴはマスクサポートＭＴであり、第２ポジショナＰＷは第１ポジショナであってもよい。
【００５０】
[00050]  図５は、図４の詳細を示しており、図４では、図５で示す矢印ＩＶに従った断面を詳細に示している。
【００５１】
[00051]  図４及び図５の実施形態では、本発明によるアセンブリが、平面モータシステム１のステータ部分に提供される。この例ではＷＴと示される平面モータシステムのムーバ部分の下面には、導電性コイル２１，２２の平坦層が設けられ、ここでは、ステータ部分ＰＷ；８，３，９に対するムーバ部分ＷＴの位置を制御するためにコントローラを用いて電流を操作することができる。
【００５２】
[00052]  本発明によるアセンブリは、コイル層３における超電導電磁石２を極低温、例えば、図４に示すように３０Ｋ未満の温度で冷凍機冷却するように構成されたクライオスタット６，７，８及び９を含む。現在では、７０Ｋ〜１５０Ｋの範囲内で超電導な利用可能な材料が存在することを考慮すると、この温度も３０Ｋより高くてもよい。
【００５３】
[00053]  図４及び図５の実施形態では、コイル層３は超電導電磁石２の層である。コイル層は平坦であり対向層面４，５を有する。図４では、層面４はコイル層３の下面であり、層面５はコイル層３の上面である。
【００５４】
[00054]  クライオスタットは、冷凍機システム６、真空システム７及び２つの絶縁被覆８，９を含む。コイル層３及び２つの絶縁被覆８，９は、サンドイッチ状に配置されており、コイル層３は２つの絶縁被覆８，９の間に配置されることにより、２つの対向層面４，５が絶縁被覆８，９のうちの一方によって覆われる。
【００５５】
[00055]  絶縁被覆のうちの一方又は絶縁被覆８，９の両方のうちのそれぞれは、内側プレート１０と、内側プレート１０と平行する外側プレート１１とを含んでもよい。内側プレート１０は、コイル層３に最も近く、外側プレート１０とコイル層３との間に配置される。絶縁被覆８，９のうちの一方又は両方は、内側プレート１０と外側プレート１１との間に配置された絶縁システム１２をさらに含んでもよい。
【００５６】
[00056]  真空システムは、真空（層）１３を絶縁システムに提供するように構成される。
【００５７】
[00057]  冷凍機システムは、内側プレート１０を冷凍機冷却するように構成され、この目的のため、１４において絶縁被覆９の内側プレート１０に接続される。絶縁被覆８の内側プレート１０が絶縁被覆９の内側プレート１０に熱的接続されているため、絶縁被覆の内側プレート１０も冷凍機冷却される。この熱的接続は、例えば、磁石２又は図示されていない熱橋を介して提供することができる。
【００５８】
[00058]  本発明によると、絶縁被覆８，９のうちの一方又は両方の絶縁システム１２は、真空（層）１３において、少なくとも部分的に円形体１０１の１つ以上の層を含み、それぞれは、少なくとも部分的に円形輪郭１０２及び円形輪郭１０２の中心１０３を通りかつ円形輪郭１０２と垂直に延在する中心軸を定める。円形体の各層の円形体１０１の中心軸は、内側プレート１０及び外側プレート１１と垂直に延在する。図４に示すような実施形態では、少なくとも部分的に円形体は球体であり、この場合、全球であるが、これらの円形体は半球又は直線の円筒体（例えば、全円筒体又は半円筒体）であってもよい。「全」という用語は、円形体の内側ではなく、特に、円形体の外側輪郭に関する。全円形体の内側は、例えば、中空であってよく、又は、全円形体は、体の重量を軽減するため及び／又は熱伝導率を減少させるために貫通孔を有してもよい。
【００５９】
[00059]  本発明による絶縁被覆８，９は、円形体１０１の２つの層の間又は円形体１０１の１つの層と内側プレート１０及び／又は外側プレート１１との間に点接触１０６の少なくとも１つの層１０４，１０５を提供するようにさらに構成される。この構成は、内側プレート１０と外側プレート１１との間の考えられる各熱伝導経路がどこかで少なくとも１つの点接触１０６を通らなければならないようになっている。これにより、点接触の層による最小の熱伝導率を有する絶縁被覆となる一方、他方では、少なくとも部分的に円形体による高い荷重負担能力という結果となる。図４の例では、点接触１０６の２つの層１０４及び１０５がある。１つの層１０５は外側プレート１１の側面にあり、１つの層１０４は内側プレートの側面にある。
【００６０】
[00060]  図４の実施形態では、円形体１０１は、７ｍｍの直径を有するジルコニウムの（全）球体であってもよい。これらの球体は、内側プレート１０と外側プレート１１との間にある。リニアモータでは、電磁石２の層３及び導電性コイル２１，２２との間の垂直距離Ｄが限定される。これは、特に絶縁被覆８の垂直の厚み（二重矢印Ｄの方向）を低く保つ必要あることを意味する。０．７５ｍｍの厚さをそれぞれが有するアルミニウム内側プレート１０及び外側プレート１１並びに７ｍｍの直径を有する球体により、絶縁被覆の厚さの合計は約９ｍｍである。この厚さは、より薄い内側プレート１０及びより薄い外側プレート１１を用いることにより及び／又はより小さい直径の球体１０１を用いることにより容易に縮小することができる。この点において、０．２ｍｍからの直径を有するジルコニウム球体は、市場において安価で容易に得ることができることに留意されたい。
【００６１】
[00061]  絶縁被覆９は非常に薄く設計することもできるが、超電導電磁石２の層３のこの側面では、空間は一般的には実際の問題ではないことを考慮に入れると、絶縁被覆９における球体１０１は、絶縁被覆８における球体１０１より大きくてもよい。絶縁被覆における球体は、例えば、１５〜２０ｍｍの範囲であってよい。
【００６２】
[00062]  これらの球体が転がっていくことを防ぐために、スペーサプレート１０７を設けてもよい。このスペーサプレート１０７には、貫通孔のパターンが設けられてよく、各貫通孔は、球体の直径の７０〜１００％の範囲の直径を有する。球体の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有するスペーサプレートを用いることにより、内側プレートが冷凍機冷却されたときに球体１０１とスペーサプレート１０７との間に封止縮小接続が得られる。さらに、この例では、スペーサプレート１０７を、冷凍機によって約８０Ｋの温度で維持することができる。この目的のために、冷凍機６は、絶縁被覆９（及び／又は８、図示せず）のスペーサプレート１０７と１０８で接続される。スペーサプレート１０７は次いで、絶縁被覆８，９の絶縁能力を改善するシールドとして役に立つ。両方のスペーサプレート１０７を冷却するために、スペーサプレート１０７は、熱的接続１０９により熱接続される。
【００６３】
[00063]  表示温度を使って図４に示すように、基板サポートＷＴは室温であってよく、コイル２１及び２２は、コイル２１及び２２における熱発生により室温より高い温度を有してもよく、フレーム１５も室温であってもよい。さらに、冷凍機は、両方の内側プレート１０を極低温（この例では、３０Ｋ未満）で冷凍機冷却する。絶縁を改善するために、スペーサプレート１０７は、内側プレート１０の温度（この例では、＜３０Ｋ）と外側プレートの温度（この例では、２９５Ｋ）との間の温度を有するように冷凍機によって冷却される。スペーサプレートの温度は、例えば、８０Ｋである。
【００６４】
[00064]  図４及び図５の例では、本発明による平面モータシステムは、超電導電磁石２の平坦層が設けられたステータ部分及び常導電性コイル２１，２２の平坦層が設けられたムーバ部分（一般的に、使用時では室温以上であり、コイル２１，２２は熱を生成する）を有する（図４及び図５を参照）。加えて又は代替えとして、本発明によると、コイル２１の平坦層は、真空層に少なくとも部分的に円形体を有する本発明による絶縁被覆８，９を平坦層の両側又は片側に有する超電導コイルの平坦層であってもよいことに留意されたい。この場合、コイル層３は、永久磁石、通常の電磁石又は超電導電磁石のコイル層であってもよい。
【００６５】
[00065]  図６及び図７において非常に概略的な断面図で示すように、絶縁被覆８及び／又は絶縁被覆９は、中間プレートで離された球体の複数の層も含んでもよい。
【００６６】
[00066]  図６は、球体２０１及び２１１の２つの層２００，２１０のそれぞれを示している。層２００における球体２０１は、スペーサプレート２０７によって適切な位置で維持されてもよく、層２１０における球体２１１は、スペーサプレート２１７によって適切な位置で維持されてもよい。球体２０１及び２１１の２つの層２００及び２１０は、中間層２４０によって離されてもよい。この構成は、点接触２０６及び２１６の合計４つの層２０４，２０５，２１４及び２１５を提供する。小さい直径の球体を用いることにより、図６の絶縁被覆の厚さは、図４に関連して言及したように、依然として厚さ９ｍｍ以下で維持することができる。
【００６７】
[00067]  図７は、球体３０１，３１１，３２１及び３３１の４つの層３００，３１０，３２０，３３０のそれぞれを示している。層３００における球体３０１は、スペーサプレート３０７によって適切な位置で維持されてもよく、層３１０における球体３１１は、スペーサプレート３１７によって適切な位置で維持されてもよく、層３２０における球体３２１は、スペーサプレート３２７によって適切な位置で維持されてもよく、層３３０における球体３３１は、スペーサプレート３３７によって適切な位置で維持されてもよい。球体３０１及び３１１の２つの層３００及び３１０は、中間層３４０によって離されてもよく、球体３１１及び３２１の２つの層３１０及び３２０は、中間層３５０によって離されてもよく、球体３２１及び３３１の２つの層３２０及び３３０は、中間層３６０によって離されてもよい。この構成は、点接触２０６，２１６，２２６及び２３６の合計８つの層３０４，３０５，３１４，３１５，３２４，３２５，３３４及び３３５を提供する。より小さい直径の球体を用いることにより、図７の絶縁被覆の厚さは、図４に関連して言及したように、依然として厚さ９ｍｍ以下で維持することができる。
【００６８】
[00068]  図８の非常に概略的な斜視図で示すように、点接触の少なくとも１つの層を提供する絶縁システムは、それぞれが円形外周４０２，４１２を有するワイヤ４０１及び４０２のような直線の円筒体の横方向の積み重ね層を有して得ることもできる。ワイヤ４０１及び４１１の交差箇所では、図８における４つの交差箇所で概略的に示すように点接触４０６がある。図８の構造では、各層の円筒体４０１，４０２が直線であって層が横方向に積み重ねられていることは、内側プレートと外側プレートとの間の考えられる各熱伝導経路が少なくとも１つの点接触をどこかで通らなければならないようになっていることを確実にする。
総論
【００６９】
[00069]  本発明によると、「極低温冷却（cryogenic cooling）」又は「コイル層を極低温に冷却する」とは、コイルが超電導動作を示す温度にコイル層を冷却し、かつコイルをそのような温度で保つプロセスを意味する。したがって、そのような温度に冷却された場合、オーム損を実質的に生成することなく、コイルに電流を供給することができる。当業者には明らかであるように、所要の温度又は冷却は、適用されるコイルの材料又は組成及び／又は現行の圧力状況に依存し得る。
【００７０】
[00070]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、他の用途を有し得ることが理解されるべきである。考えらえる他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などが挙げられる。
【００７１】
[00071]  本明細書において、リソグラフィ装置の関連での本発明の実施形態について具体的な言及がなされたが、本発明の実施形態は、他の装置に使われてもよい。本発明の実施形態は、マスクインスペクション装置、メトロロジ装置又はウェーハ（又は他の基板）若しくはマスク（又は他のパターニングデバイス）などの物体を測定若しくは処理する任意の装置の一部を形成してもよい。これらの装置を、一般には、リソグラフィツールと呼ぶことができる。このようなリソグラフィツールは、真空状態又は周囲（非真空）状態を使用してもよい。
【００７２】
[00072]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはなく、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよい。
【００７３】
[00073]  本発明の実施形態は、状況が許すのであれば、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらのあらゆる組合せにおいて実施され得る。本発明の実施形態はまた、機械可読媒体に記憶され、１つ又は複数のプロセッサにより読み出され実行され得る命令として実施されてもよい。機械可読媒体は、機械（例えばコンピュータデバイス）によって読み取りが可能な形態で情報を記憶又は送信するためのあらゆるメカニズムを含み得る。例えば、機械可読媒体は、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、又は電気、光、音、若しくはその他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）などを含み得る。さらに、本明細書において、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令が何らかの動作を行うと説明されることがある。しかし、そのような説明は単に便宜上のものであり、かかる動作は実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスによるものであることが理解されるべきであり、それを行うことにより、アクチュエータ又は他のデバイスが物質的世界と相互作用し得る。
【００７４】
[00074]  本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
2021525394.tif 000004
【図２】
2021525394.tif 000005
【図３】
2021525394.tif 000006
【図４】
2021525394.tif 000007
【図５】
2021525394.tif 000008
【図６】
2021525394.tif 000009
【図７】
2021525394.tif 000010
【図８】
2021525394.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月21日(2021.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライオスタット及び超電導コイルのコイル層を含むアセンブリであって、
前記コイル層は、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで使用される又は前記リソグラフィ装置の前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムと共に使用されるように構成され、かつ平坦であり２つの対向層面を定め、
前記クライオスタットは、２つの絶縁被覆を含み、
前記コイル層は、前記２つの絶縁被覆の間に配置され、前記２つの対向層面の各々は、前記絶縁被覆のうちの一方によって覆われており、
各絶縁被覆は、
内側プレート及び前記内側プレートと平行な外側プレートであって、前記内側プレートは前記外側プレートと前記コイル層との間に配置される、内側プレート及び外側プレートと、
前記内側プレートと前記外側プレートとの間に配置された絶縁システムとを備え、
前記絶縁システムは、真空層を有するように構成され、
前記内側プレートは、冷凍機冷却されるように構成され、
前記絶縁被覆のうちの一方又は両方の前記絶縁システムは、
前記真空層において、少なくとも部分的に円形体の１つ以上の層を含み、各円形体は、少なくとも部分的に円形輪郭と、前記円形輪郭の中心を通って延在すると共に前記円形輪郭と垂直な中心軸とを定め、前記円形体の各層の前記円形体の前記中心軸は、前記内側プレート及び前記外側プレートと垂直に延在し、
前記円形体の２つの層の間又は前記円形体の層と前記内側プレート及び／又は前記外側プレートとの間に点接触の少なくとも１つの層を提供するように構成される、アセンブリ。
【請求項２】
前記円形体の少なくとも１つの層は、球体又は半球のような球状体の層である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
クライオスタット及び超電導コイルのコイル層を含むアセンブリであって、
前記コイル層は、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで使用される又は前記リソグラフィ装置の前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムと共に使用されるように構成され、かつ平坦であり２つの対向層面を定め、
前記クライオスタットは、２つの絶縁被覆を含み、
前記コイル層は、前記２つの絶縁被覆の間に配置され、前記２つの対向層面の各々は、前記絶縁被覆のうちの一方によって覆われており、
各絶縁被覆は、
内側プレート及び前記内側プレートと平行な外側プレートであって、前記内側プレートは前記外側プレートと前記コイル層との間に配置される、内側プレート及び外側プレートと、
前記内側プレートと前記外側プレートとの間に配置された絶縁システムとを備え、
前記絶縁システムは、真空層を有するように構成され、
前記内側プレートは、冷凍機冷却されるように構成され、
前記絶縁被覆のうちの一方又は両方の前記絶縁システムは、
前記真空層において、球体又は半球などの球状体の１つ以上の層を含み、前記球状体の少なくとも１つの層は、前記球体の層と前記内側プレート及び／又は前記外側プレートとの間に点接触の層を提供する、アセンブリ。
【請求項４】
前記球状体の少なくとも１つの層は、球体と、前記球体を収容するための円形の貫通孔のパターンが設けられたスペーサプレートとを含み、各貫通孔は、前記スペーサプレートが前記球体によって支持されるように前記球体に接触するように構成された直径を有し、前記スペーサプレートは、前記内側プレート及び前記外側プレートと平行に配置される、請求項２又は３に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記球状体の複数の層を含み、前記球状体の層の隣接する層の間には、分離板が配置され、前記分離板の各側には、前記分離板と前記球状体との間に追加の点接触の層が設けられる、請求項２〜４のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記分離板は、前記内側プレートの温度と前記外側プレートの温度との間の温度で冷却されるように構成される、請求項５に記載のアセンブリ。
【請求項７】
クライオスタット及び超電導コイルのコイル層を含むアセンブリであって、
前記コイル層は、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで使用される又は前記リソグラフィ装置の前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムと共に使用されるように構成され、かつ平坦であり２つの対向層面を定め、
前記クライオスタットは、２つの絶縁被覆を含み、
前記コイル層は、前記２つの絶縁被覆の間に配置され、前記２つの対向層面の各々は、前記絶縁被覆のうちの一方によって覆われており、
各絶縁被覆は、
内側プレート及び前記内側プレートと平行な外側プレートであって、前記内側プレートは前記外側プレートと前記コイル層との間に配置される、内側プレート及び外側プレートと、
前記内側プレートと前記外側プレートとの間に配置された絶縁システムとを備え、
前記絶縁システムは、真空層を有するように構成され、
前記内側プレートは、冷凍機冷却されるように構成され、
前記絶縁被覆のうちの一方又は両方の前記絶縁システムは、
前記真空層において、円筒又は半円筒などの直線の円筒体の２つの層の少なくとも１つのセットを含み、
前記２つの層のうちの一番目の前記円筒体は、隣接する円筒体の間に間隔を有して互いに平行に配置され、前記２つの層のうちの二番目の前記円筒体は、隣接する円筒体の間に間隔を有して互いに平行に配置され、
第１層及び第２層は、互いに直接積み重ねられ、前記第１層の円筒体は、前記第２層の円筒体に対して横方向であることにより前記第１層の前記円筒体と前記第２層の前記円筒体との間に点接触の層を提供する、アセンブリ。
【請求項８】
前記円筒体はワイヤである、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記絶縁被覆のうちの一方は、最高で７〜８ｍｍなどといったように最高で１０ｍｍの厚さを有し、前記厚さは、前記内側プレート及び前記外側プレートと垂直な方向で定められる、請求項１〜８のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記円形体は、ジルコニア、ケブラー、ケブラー複合材、ケブラー繊維複合材、ガラス、ガラス複合材、ガラス繊維複合材及びチタン合金の群の１つ以上から選択される材料から成っている、請求項１〜９のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
前記円形体は、少なくとも１．５Ｎ／Ｗｍなどといったように少なくとも１Ｎ／Ｗｍである、４Ｋ〜８０Ｋの温度範囲にわたる前記熱伝導率係数の整数に対するヤング率の比率を有する材料から成っている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
前記内側プレート及び／又は外側プレートは、ステンレス鋼合金から成っている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
前記コイル層は、前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムのステータ部分として構成される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
前記コイル層は、前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムのムーバ部分として構成される、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
リソグラフィ装置であって、
パターニングデバイスを支持するように構築されたマスクサポートと、
前記マスクサポートを前記第１ポジショナに対して位置決めするように構成された第１ポジショナと、
基板を保持するように構築された基板サポートと、
前記基板サポートを前記第２ポジショナに対して位置決めするように構成された第２ポジショナと、
前記パターニングデバイスによって放射ビームに付与されるパターンを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムとを備え、
以下の
前記マスクサポートと、
前記第１ポジショナと、
前記基板サポートと、
前記第２ポジショナといった要素の１つ以上には、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のアセンブリが設けられる、リソグラフィ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
[0001]  本願は、２０１８年６月５日に出願した欧州特許出願第１８１７５８９８．８号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
【０００２】
[0002]  本発明は、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで用いるアセンブリに関する。アセンブリは、クライオスタット(cryostat)及び超電導コイルの層を含む。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に付与するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えば、マスク）のパターン（「設計レイアウト」又は「設計」と呼ばれることが多い）を基板（例えば、ウェーハ）上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層上に投影することができる。
【０００４】
[0004]  半導体製造プロセスが発展し続けるにつれて、回路要素の寸法も縮小し続ける一方、１つのデバイス当たりのトランジスタなどの機能要素の量も数十年にわたって着実に増加しており、一般に「ムーアの法則」と呼ばれる傾向に沿う。ムーアの法則についていくために、半導体産業はますます小さいフィーチャを作り出すことを可能にする技術を追求している。パターンを基板上に投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用することができる。この放射の波長は、基板上にパターン形成されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在用いられている一般的な波長は、３６５ｎｍ（ｉライン）、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ及び１３．５ｎｍである。４ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内（例えば、６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍ）の波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を用いるリソグラフィ装置は、リソグラフィ装置（例えば、１９３ｎｍの波長を有する放射を用いる）のものより小さいフィーチャを基板上に形成するために用いることができる。
【０００５】
[0005]  リソグラフィ装置では、パターニングデバイスが放射ビームを受ける。パターニングデバイスを通過する間、この放射ビームにパターンが付けられる。その後、パターンが付けられた放射ビームは、投影システムを通過し、この投影システムは付けられたパターンを基板上に投影する。基板に所望のパターンを設けるために、パターニングデバイス及び基板の両方は、投影システムに対して及び互いに対して移動される。この目的のために、リニア及び／又は平面モータシステムは、コイルによって生じた熱によって室温以上にある電流導電性コイル及び永久磁石を基に使用される。リニア及び平面モータシステムは、一般的に、ステータ部分及びムーバ部分を有しており、このムーバ部分は、電流導電性コイルを通じて電流を操作することによってステータ部分に対して制御された方法で移動可能である。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  リニア又は平面モータシステムのムーバのコイルにおける磁界密度を、４Ｋの温度の超電導コイル超電導電磁石を用いることにより４〜５倍改善できることが解析関係により示される。実際には、７０Ｋ〜１５０Ｋの範囲内のより高い極低温(cryogenic temperature)で超電導である超電導体が利用可能である。この超電導電磁石を実現するために、室温に対して所要の極低温からの断熱が必要であり、この断熱は小さい積み重ね高さ内に収まる必要がある。そうでない場合、ムーバのコイルと超電導磁石との間の距離は、絶縁により、コイルにおける磁界密度の増加が失われるほどに増大する。したがって、低い高さの断熱層が必要である。
【０００７】
[0007]  リソグラフィ装置で使用されるリニア及び平面モータシステムは、一般的に、電流導電性コイル及び磁石を基に使用される。さらに、リソグラフィ装置で使用されるリニア及び平面モータシステムは、一般的に、ステータ部分及びムーバ部分を有しており、ムーバ部分は、電流導電性コイルを通じて電流を操作することによりステータ部分に対して制御された方法で移動可能である。ａ）磁石をステータ部分に設け、電流導電性コイルをムーバ部分に設けるか、又はその反対である磁石をムーバ部分に設け、電流導電性コイルをステータ部分に設けてもよい一方、他方では、ｂ）磁石のみが超電導コイルを有する超電導磁石であり得るのではなく、付加的に又は代替えとして、電流導電性コイルが超電導コイルであってもよいことが理解されたい。
【０００８】
[0008]  上記の全てを考慮に入れると、本発明の課題は、クライオスタット及び超電導コイルのコイル層を含むアセンブリを提供することであり、コイル層は、平坦であり、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで用いるか又はそれと共に用いるように構成される。
【０００９】
[0009]  本発明の第１態様によると、クライオスタット及び超電導コイルのコイル層を含むアセンブリが提供され、コイル層は、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで用いるか又はそれと共に用いるように構成され、かつ平坦であり２つの対向層面を定める。
【００１０】
[00010]  コイル層は、磁気浮上及び／又は加速モータシステムのステータ部分として及び／又は磁気浮上及び／又は加速モータシステムのムーバ部分として構成されてもよい。さらに、コイル層は、交流動作のために配線されてもよく、及び／又は直流動作のために配線された電磁石アレイであってもよい。
【００１１】
[00011]  磁気浮上及び／又は加速モータシステムは、リニアモータシステム又は平面モータシステムであってもよい。
【００１２】
[00012]  クライオスタットは２つの絶縁被覆を含む。コイル層及び２つの絶縁被覆は、サンドイッチ状に配置されており、コイル層を、コイルの超電導性に必要な極低温状態で保つことができるために、コイル層は２つの絶縁被覆の間に配置され、コイル層の２つの対向層面のそれぞれは、一方の絶縁被覆によって覆われる。
【００１３】
[00013]  各絶縁被覆は、内側プレート及び内側プレートと平行する外側プレートを含み、内側プレートは、外側プレートとコイル層との間に配置され、絶縁システムは、内側プレートと外側プレートとの間に配置される。内側プレート及び／又は外側プレートは、ステンレス鋼合金から成っていてもよい。
【００１４】
[00014]  絶縁システムは、真空層を有するように構成される。絶縁システム内の真空層は、内側プレートと外側プレートとの間の熱伝導性を減少させる。この真空は、１０−３Ｐａ以下の真空であってもよい。ムーバが通常の空気圧の周囲にあった場合、絶縁被覆は１バールの圧力差に耐えなければならないことになる。リソグラフィ装置において基板を移動させるための平面モータシステムでは、ステータが、一般的に、１メートル×２メートル程度又はそれ以上の表面を有することを考慮に入れると、断熱は大きな力に耐えなければならないことを意味する。
【００１５】
[00015]  内側プレートは、コイル層を極低温状態に至らせてそれを維持するために冷凍機冷却(cryocool)されるように構成される。
【００１６】
[00016]  絶縁被覆のうちの一方又は両方の絶縁システムは、
−真空層において、少なくとも部分的に円形体の１つ以上の層を含み、各円形体は、少なくとも部分的に円形輪郭と、円形輪郭の中心を通って延在すると共に円形輪郭と垂直な中心軸とを定め、円形体の各層の体の中心軸は、内側プレート及び外側プレートと垂直に延在し、
−円形体の２つの層の間又は円形体の層と内側プレート及び／又は外側プレートとの間に点接触の少なくとも１つの層を提供することにより、内側プレートと外側プレートとの間の考えられる各熱伝導経路が少なくとも１つの点接触をどこかで通らなければならないように構成される。
円形体の層は、内側プレートと外側プレートとの間に配置され、かつ内側プレートが外側プレートの上に位置した場合に外側プレート上で内側プレートを支持するか、又は外側プレートが内側プレートの上に位置した場合に内側プレートの上で外側プレートを支持する。円形体は高い荷重負担能力を有する一方、他方では、点接触を提供する。点接触は非常に小さい接触面を有するため、点接触を通る熱伝導性は非常に低い。円形体の１つ以上の層が内側及び外側プレートと垂直な中心軸を有し、点接触の少なくとも１つの層を提供するように構成されることにより、内側プレートと外側プレートとの間の考えられる各熱伝導経路が少なくとも１つの点接触をどこかで通らなければならないことを確実にする。これにより、絶縁被覆は、一方では、最小熱伝導性を有し、他方では、高い荷重負担能力を有するという結果となる。
【００１７】
[00017]  円形体は、完全に円形、又は１８０°以下（６０°〜１２０°など）の角度にわたって延在する部分的に円形輪郭を有する部分的に円形であってもよい。円形体は、球体及び／又は半球のような球状体、及び／又は円筒及び／又は半円筒のような直線の円筒体であってもよい。例えば、半球又は半円筒の場合、半球及び半円筒のそれぞれは、外側プレートに面する内側プレートの面及び／又は内側プレートに面する外側プレートの面に接着され、かつ互いに積み重ねられてもよく、結果として半球と半球の間、半円筒と半円筒の間又は半球と半円筒の間の点接触の層となる。
【００１８】
[00018]  円形体の直径を、円形輪郭の中心から円形輪郭までの半径の二倍として定めると、少なくとも部分的に円形体の直径は、さらなる実施形態によると、７ｍｍより小さい、例えば、５ｍｍより小さくてよい。直径は、０．１〜５ｍｍの範囲、例えば、０．５〜４ｍｍの範囲内にあってよい。そのような直径を有する円形体は、例えば、玉軸受のための球体、針軸受のための円筒又はワイヤとして容易に利用可能である。さらに、そのような直径の円形体は、内側及び外側プレートと垂直の１０ｍｍ未満の厚さを有する絶縁被覆を可能にする。さらに小さい厚さも可能であり、及び／又はより小さい直径で点接触の複数の層が可能である一方、絶縁被覆の全厚さを１０ｍｍより低く保ち続けることができる。厚さは、例えば、最高で７〜８ｍｍであってもよい。
【００１９】
[00019]  点接触の層における点接触は、さらなる実施形態によると、５〜２０ｍｍのピッチ（例えば、１０〜１５ｍｍのピッチ）で配置されてもよい。
【００２０】
[00020]  アセンブリのある実施形態によると、円形体は、ジルコニア、ケブラー、ケブラー複合材、ケブラー繊維複合材、ガラス、ガラス複合材、ガラス繊維複合材及びチタン合金の群の１つ以上から選択される材料から成ってもよい。これらの材料は、配線及び球体の形態で市販されており、大きな力及び低い熱伝導性を有する。
【００２１】
[00021]  アセンブリのある実施形態によると、円形体は、少なくとも１．５Ｎ／Ｗｍなどといったように少なくとも１Ｎ／Ｗｍである、４Ｋ〜８０Ｋの温度範囲にわたる熱伝導率係数の整数に対するヤング率の比率を有する材料から成ってもよい。式で表すと、この比率は以下の通りである。
【数１】
2021525394.tif 000012
【００２２】
[00022]  アセンブリのさらなる実施形態によると、球状体の少なくとも１つの層は、球体と、球体を収容するための円形の貫通孔のパターンが設けられたスペーサプレートとを含んでもよく、各貫通孔は、スペーサプレートが球体によって支持されるように球体に接触するように構成された直径を有し、スペーサプレートは、内側プレート及び外側プレートと平行に配置される。スペーサプレートに対して垂直に見ると、スペーサプレートは、球体の対向端部のそれぞれからある程度の距離で配置される。このスペーサプレートは、貫通孔によって決定された配置に球体を保つことによって球体が転がっていくことを防ぐ。この実施形態では、スペーサプレートは、内側プレートの温度と外側プレートの温度との間の温度で冷却（例えば、冷凍機冷却）されるように構成されてもよい。スペーサプレートは、次いで、絶縁シールドとして機能し、かなりの断熱を増大させる。この実施形態では、貫通孔の直径は、例えば、球体の直径の９０〜１００％などといったように７０〜１００％の範囲内にある。さらに、この実施形態では、スペーサプレートの熱膨張係数は、球体の熱膨張係数より大きいことにより、スペーサプレート及び球体が冷却されたとき、貫通孔においてスペーサプレートと球体との間に収縮接続が得られる。この収縮接続は、球体に対する貫通孔を閉じるシーリングを提供することができ、これは絶縁システムの絶縁性能を改善する。この目的のために、スペーサプレートは、アルミニウム又はアルミニウム合金から成ってもよい。
【００２３】
[00023]  アセンブリのさらなる実施形態によると、アセンブリは、球状体の複数の層を含んでもよく、球状体の層の隣接する層の間には分離板が配置され、分離板の各側には、分離板と球状体との間に追加の点接触の層が設けられる。この実施形態では、分離板は、内側プレートの温度と外側プレートの温度との間の温度で冷却（例えば、冷凍機冷却）されるように構成されてもよい。
【００２４】
[00024]  アセンブリの別のさらなる実施形態によると、円形体の１つ以上の層は、円筒及び／又は半円筒などの直線の円筒体の２つの層の少なくとも１つのセットを含んでもよく、２つの層のうちの一番目の円筒体は、隣接する円筒体の間に間隔を有して互いに平行に配置され、２つの層のうちの二番目の円筒体は、隣接する円筒体の間に間隔を有して互いに平行に配置され、第１層及び第２層は、互いに直接積み重ねられ、第１層の円筒体は、第２層の円筒体に対して横方向であることにより第１層の円筒体と第２層の円筒体との間に点接触の層を提供する。この実施形態では、円筒体はワイヤであってもよい。横方向とは、９０°又は他のあらゆる角度（３０°〜９０°の範囲内の角度、例えば、約６０°の角度）であってもよい。
【００２５】
[00025]  アセンブリのさらなる実施形態によると、アセンブリは、内側プレートを冷凍機冷却するように構成された冷凍機(cryocooler)システムをさらに備えてもよい。
【００２６】
[00026]  アセンブリのさらなる実施形態によると、アセンブリは、１０−３Ｐａ以下の真空を真空層に提供するように構成された真空システムをさらに備えてもよい。
【００２７】
[00027]  さらなる態様によると、本発明は、本発明によるアセンブリが設けられたリソグラフィ装置に関する。そのようなリソグラフィ装置は、パターニングデバイスを支持するように構築されたマスクサポートと、第１ポジショナであって、マスクサポートを第１ポジショナに対して位置決めするように構成された第１ポジショナと、基板を保持するように構築された基板サポートと、第２ポジショナであって、基板サポートを第２ポジショナに対して位置決めするように構成された第２ポジショナと、パターニングデバイスによって放射ビームに付与されるパターンを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムとを備える。「マスクサポート、第１ポジショナ、基板サポート及び第２ポジショナ」の要素の１つ以上に、本発明によるアセンブリが設けられる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
[00028]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】図１は、リソグラフィ装置の図式的概観を示す。
【図２】図２は、図１のリソグラフィ装置の一部の詳細図を示す。
【図３】図３は、位置制御システムを概略的に示す。
【図４】図４は、本発明によるアセンブリの実施形態が設けられた平面モータシステムの断面を概略的に示す。
【図５】図５は、平面モータシステムの上面図を概略的に示す。
【図６】図６は、本発明によるアセンブリの絶縁被覆の第２実施形態を概略的に示す。
【図７】図７は、本発明によるアセンブリの絶縁被覆の第３実施形態を概略的に示す。
【図８】図８は、本発明によるアセンブリの絶縁被覆の第４実施形態の詳細を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
[00029]  本書では、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長を有する）、及びＥＵＶ（極端紫外線、例えば、約５〜１００ｎｍの範囲内の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含するように使用される。
【００３０】
[00030]  本明細書において使用される「レチクル」、「マスク」又は「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分に作り出されるべきパターンに対応するパターンを入射ビームの断面に与えるために使用できる一般的なパターニングデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。「ライトバルブ」といった用語もこの文脈で使用することができる。標準的なマスク（透過型又は反射型、バイナリ、位相シフト、ハイブリッド等）に加えて、そのような他のパターニングデバイスの例としては、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤアレイを含む。
【００３１】
[00031]  図１は、リソグラフィ装置ＬＡを概略的に示している。このリソグラフィ装置ＬＡは、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射、ＤＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータとも呼ぶ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたマスクサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板サポートを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板サポート（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されるパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００３２】
[00032]  以下にさらに説明がされる本発明によるアセンブリは、第１ポジショナＰＭ及び／又はマスクサポートＭＴで使用することができる。さらに、又は代替えとして、以下にさらに説明がされる本発明によるアセンブリは、第２ポジショナＰＷ及び／又は基板サポートＷＴで使用することができる。
【００３３】
[00033]  動作中、イルミネータＩＬは、例えば、ビームデリバリシステムＢＤを介して放射源ＳＯから放射ビームを受ける。照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、整形し、及び／又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、及び／又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームＢを調整すれば、パターニングデバイスＭＡの平面において放射ビームの断面に所望の空間及び角強度分布をもたせることができる。
【００３４】
[00034]  本明細書において使用される「投影システム」ＰＳという用語は、使われている露光放射にとって、及び／又は液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、アナモルフィック型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」ＰＳという用語と同義であると考えるとよい。
【００３５】
[00035]  また、リソグラフィ装置ＬＡは、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい（液浸リソグラフィとも呼ぶ）。液浸技術についての詳細は、全体が本願に参考として組み込まれている米国特許第６９５２２５３号明細書に記載されている。
【００３６】
[00036]  リソグラフィ装置ＬＡは、２つ以上の基板サポートＷＴ（デュアルステージとも呼ぶ）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、基板サポートＷＴは並行して使うことができ、及び／又は基板Ｗの後続の露光の予備工程を１つの基板サポートＷＴ上に配置された基板Ｗ上で実行しつつ、別の基板サポートＷＴ上の別の基板Ｗを他の基板Ｗ上でパターンを露光するために使うこともできる。さらに、２つ以上の基板サポートＷＴの場合、以下にさらに説明がされる本発明によるアセンブリは、第２ポジショナＰＷ及び／又は２つ以上の基板サポートで使用することができる。
【００３７】
[00037]  基板サポートＷＴに加えて、リソグラフィ装置ＬＡは、測定ステージを備えてもよい。測定ステージは、センサ及び／又はクリーニングデバイスを保持するように配置される。センサは、投影システムＰＳの性質又は放射ビームＢの性質を測定するように配置されてもよい。測定ステージは、複数のセンサを保持することができる。クリーニングデバイスは、リソグラフィ装置の一部、例えば、投影システムＰＳの一部又は液浸液を提供するシステムの一部を洗浄するように配置されてもよい。測定ステージは、基板サポートＷＴが投影システムＰＳから離れているときに投影システムＰＳの下で移動することができる。
【００３８】
[00038]  動作中、放射ビームＢは、マスクサポートＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスＭＡ上にあるパターン（設計レイアウト）によってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷ及び位置測定システムＰＭＳを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内の合焦かつ位置合わせされた位置に位置決めするように、基板サポートＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び可能な限り別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークＰ１及びＰ２が専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる。基板アライメントマークＰ１及びＰ２は、ターゲット部分Ｃとターゲット部分Ｃとの間に配置されているときにスクライブラインアライメントマークとして公知である。
【００３９】
[00039]  本発明を明確にするためにデカルト座標系が使用される。デカルト座標系は、３つの軸、すなわち、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸を有する。３つの軸のそれぞれは、他の２つの軸に直交する。ｘ軸を回る回転をＲｘ回転と呼ぶ。ｙ軸を回る回転をＲｙ回転と呼ぶ。ｚ軸を回る回転をＲｚ回転と呼ぶ。ｘ軸及びｙ軸が水平面を定める一方、ｚ軸は垂直方向にある。デカルト座標系は、本発明を限定するのではなく、説明目的のみに使用される。代わりに、円筒座標系のような別の座標系を用いて本発明を説明することもできる。デカルト座標系の向きは、例えば、ｚ軸が水平面に沿って構成要素を有するように異なっていてもよい。
【００４０】
[00040]  図２は、図１のリソグラフィ装置ＬＡの一部のより詳細な図を示している。リソグラフィ装置ＬＡには、ベースフレームＢＦ、バランスマスＢＭ、メトロロジフレームＭＦ及び振動絶縁システムＩＳを設けることができる。メトロロジフレームＭＦは、投影システムＰＳを支持する。さらに、メトロロジフレームＭＦは、位置測定システムＰＭＳの一部を支持することができる。メトロロジフレームＭＦは、振動絶縁システムＩＳを通じてベースフレームＢＦによって支持される。振動絶縁システムＩＳは、振動がベースフレームＢＦからメトロロジフレームＭＦへと伝搬することを防止又は減少させるように配置される。
【００４１】
[00041]  第２ポジショナＰＷは、基板サポートＷＴとバランスマスＢＭとの間に駆動力を提供することによって基板サポートＷＴを加速させるように配置される。駆動力は、基板サポートＷＴを所望の方向に加速させる。運動量の保存により、駆動力はバランスマスＢＭにも同等の大きさで加えられるが、所望の方向とは反対方向に加えられる。一般的には、バランスマスＢＭの質量は、第２ポジショナＰＷの可動部及び基板サポートＷＴの質量よりかなり大きい。
【００４２】
[00042]  ある実施形態では、第２ポジショナＰＷは、バランスマスＢＭによって支持される。例えば、第２ポジショナＰＷは、基板サポートＷＴをバランスマスＢＭの上に及び／又はそれに対して浮上又は加速させるために平面モータシステムの一部を備える。この平面モータシステムは、以下にさらに説明される本発明によるアセンブリが設けられた磁気浮上及び／又は加速モータシステムであってもよい。別の実施形態では、第２ポジショナＰＷは、ベースフレームＢＦによって支持される。例えば、第２ポジショナＰＷは、リニアモータのステータを含み、第２ポジショナＰＷは、基板サポートＷＴをベースフレームＢＦの上に浮上させるためにベアリング、例えばガスベアリングを含む。別の例によると、第２ポジショナは、以下にさらに説明される本発明によるアセンブリが設けられたリニアモータシステムを含んでもよい。
【００４３】
[00043]  位置測定システムＰＭＳは、基板サポートＷＴの位置を決定するのに適したあらゆる種類のセンサを含んでもよい。位置測定システムＰＭＳは、マスクサポートＭＴの位置を決定するのに適したあらゆる種類のセンサを含んでもよい。センサは、干渉計又はエンコーダなどの光センサであってもよい。位置測定システムＰＭＳは、干渉計及びエンコーダの複合システムを含んでもよい。センサは、磁気センサ、静電容量センサ又は誘導センサなどの別の種類のセンサであってもよい。位置測定システムＰＭＳは、基準、例えば、メトロロジフレームＭＦ又は投影システムＰＳに対する位置を決定することができる。位置測定システムＰＭＳは、位置を測定することによって又は速度若しくは加速度などといった位置の時間微分を測定することによって基板テーブルＷＴ及び／又はマスクサポートＭＴの位置を決定することができる。
【００４４】
[00044]  位置測定システムＰＭＳは、エンコーダシステムを含んでもよい。エンコーダシステムは、例えば、全体を本願に参考として組み込まれる、２００６年９月７日に出願された米国特許出願公開第２００７／００５８１７３号明細書により知られている。エンコーダシステムは、エンコーダヘッド、格子及びセンサを含む。エンコーダシステムは、一次放射ビーム及び二次放射ビームを受けることができる。一次放射ビームとともに二次放射ビームは、同じ放射ビーム、すなわち、原放射ビームから始まる。一次放射ビーム及び二次放射ビームのうちの少なくとも１つは、原放射ビームを格子で回折することによって作り出される。原放射ビームを格子で回折することによって一次放射ビーム及び二次放射ビームの両方が作り出される場合、一次放射ビームは、二次放射ビームとは異なる回折次数を有する必要がある。異なる回折次数は、例えば、＋一次、−一次、＋二次及び−二次である。エンコーダシステムは、一次放射ビーム及び二次放射ビームを組み合わせ放射ビームへと光学的に組み合わせる。エンコーダヘッド内のセンサは、組み合わせ放射ビームの位相又は位相差を決定する。センサは、位相又は位相差に基づいて信号を生成する。信号は、格子に対するエンコーダヘッドの位置を表す。エンコーダヘッド及び格子のうちの一方は、基板構造ＷＴ上に配置されてもよい。エンコーダヘッド及び格子のうちの他方は、メトロロジフレームＭＦ又はベースフレームＢＦ上に配置されてもよい。例えば、複数のエンコーダヘッドがメトロロジフレームＭＦ上に配置される一方、格子は基板サポートＷＴの上面上に配置される。別の例では、格子は基板サポートＷＴの底面に配置され、エンコーダヘッドは基板サポートＷＴの下に配置される。
【００４５】
[00045]  位置測定システムＰＭＳは、干渉計システムを含んでもよい。干渉計システムは、例えば、全体を本願に参考として組み込まれる、１９９８年７月１３日に出願された米国特許第６０２０９６４号明細書により知られている。干渉計システムは、ビームスプリッタ、ミラー、基準ミラー及びセンサを含んでもよい。放射ビームは、ビームスプリッタによって基準ビーム及び測定ビームに分割される。測定ビームは、ミラーへと伝搬され、ミラーに反射されてビームスプリッタに戻る。基準ビームは、基準ミラーへと伝搬され、基準ミラーに反射されてビームスプリッタに戻る。ビームスプリッタでは、測定ビーム及び基準ビームは、組み合わせ放射ビームへと組み合わされる。組み合わせ放射ビームはセンサに入射する。センサは、組み合わせ放射ビームの位相又は周波数を決定する。センサは、位相又は周波数に基づいて信号を生成する。信号は、ミラーの変位を表す。ある実施形態では、ミラーは、基板サポートＷＴに接続される。基準ミラーは、メトロロジフレームＭＦに接続されてもよい。ある実施形態では、測定ビーム及び基準ビームは、ビームスプリッタの代わりに追加の光学コンポーネントによって組み合わせ放射ビームへと組み合わされる。
【００４６】
[00046]  第１ポジショナＰＭは、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを含んでもよい。ショートストロークモジュールは、小さい移動範囲にわたって高い精度でマスクサポートＭＴをロングストロークモジュールに対して移動させるように配置される。ロングストロークモジュールは、大きい移動範囲にわたって比較的低い精度でショートストロークモジュールを投影システムＰＳに対して移動させるように配置される。ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールとの組み合わせにより、第１ポジショナＰＭは、大きい移動範囲にわたって高い精度でマスクサポートＭＴを投影システムＰＳに対して移動させることができる。同様に、第２ポジショナＰＷは、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを含んでもよい。ショートストロークモジュールは、小さい移動範囲にわたって高い精度で基板サポートＷＴをロングストロークモジュールに対して移動させるように配置される。ロングストロークモジュールは、大きい移動範囲にわたって比較的低い精度でショートストロークモジュールを投影システムＰＳに対して移動させるように配置される。ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールとの組み合わせにより、第２ポジショナＰＷは、大きい移動範囲にわたって高い精度で基板サポートＷＴを投影システムＰＳに対して移動させることができる。
【００４７】
[00047]  第１ポジショナＰＭ及び第２ポジショナＰＷのそれぞれには、マスクサポートＭＴ及び基板サポートＷＴのそれぞれを移動させるためのアクチュエータが設けられる。第１ポジショナ及び／又は第２ポジショナのアクチュエータは、単一の軸、例えばｙ軸に沿って駆動力を提供するためのリニアアクチュエータであってもよい。このリニアアクチュエータには、本発明によるアセンブリが設けられてもよい。本発明によるアセンブリが設けられてもよい複数のリニアアクチュエータを適用して、複数の軸に沿って駆動力を提供することができる。アクチュエータは、複数の軸に沿って駆動力を提供するための平面アクチュエータであってもよい。この平面アクチュエータには、本発明によるアセンブリが設けられてもよい。例えば、平面アクチュエータは、基板サポートＷＴを６自由度で移動させるように配置されてもよい。アクチュエータは、少なくとも１つのコイル及び少なくとも１つの磁石を含む電磁アクチュエータであってもよい。アクチュエータは、電流を少なくとも１つのコイルに加えることによって少なくとも１つのコイルを少なくとも１つの磁石に対して移動させるように配置される。アクチュエータは、マスクサポートＭＴに対して基板サポートＷＴに結合された少なくとも１つの磁石を有する可動磁石型のアクチュエータであってもよい。アクチュエータは、マスクサポートＭＴに対して基板サポートＷＴに結合された少なくとも１つのコイルを有する可動コイル型のアクチュエータであってもよい。アクチュエータは、音声コイルアクチュエータ、リラクアンスアクチュエータ、ローレンツアクチュエータ若しくはピエゾアクチュエータ又は他のあらゆる適切なアクチュエータであってもよい。
【００４８】
[00048]  図３に概略的に示されるように、リソグラフィ装置ＬＡは、位置制御システムＰＣＳを含む。位置制御システムＰＣＳは、セットポイントジェネレータＳＰ、フィードフォワードコントローラＦＦ及びフィードバックコントローラＦＢを含む。位置制御システムＰＣＳは、アクチュエータＡＣＴに駆動信号を提供する、アクチュエータＡＣＴは、第１ポジショナＰＭ又は第２ポジショナＰＷのアクチュエータであってもよい。アクチュエータＡＣＴは、基板サポートＷＴ又はマスクサポートＭＴを含み得るプラントＰを駆動する。プラントＰの出力は、位置、速度又は加速度などの位置量である。位置量は、位置測定システムＰＭＳを用いて測定される。位置測定システムＰＭＳは、プラントＰの位置量を表す位置信号である信号を生成する。セットポイントジェネレータＳＰは、プラントＰの所望の位置量を表す基準信号である信号を生成する。例えば、基準信号は、基板サポートＷＴの所望の軌跡を表す。基準信号と位置信号との間の差は、フィードバックコントローラＦＢのための入力を形成する。入力に基づいて、フィードバックコントローラＦＢは、アクチュエータＡＣＴのために駆動信号の少なくとも一部を提供する。基準信号は、フィードフォワードコントローラＦＦのための入力を形成することができる。入力に基づいて、フィードフォワードコントローラＦＦは、アクチュエータＡＣＴのために駆動信号の少なくとも一部を提供する。フィードフォワードＦＦは、質量、堅牢性、共振モード及び固有振動数などといったプラントＰの動特性についての情報を使用することができる。
【００４９】
[00049]  図４は、本発明による磁気浮上及び／又は加速モータシステム１の断側面図を概略的に示しており、このシステムは、電磁石２の平坦なコイル層３を有し、本発明によるアセンブリ６，７，８及び９が設けられている。コイル層３が平坦であることにより、この磁気浮上及び／又は加速モータシステム１は、リニアモータシステム又は平面モータシステムである。電磁石２が平面に配置されるため、コイル層３は平坦である。図４の例では、平面モータシステムである。示される例では、この平面モータシステム１は、リソグラフィ装置のウェーハステージで使用される。このため、基板Ｗ、基板サポートＷＴ及び第２ポジショナＰＷは、図１〜図３で使用されるものと同じ参照符号で示される。加えて又は代替えとして、本発明による磁気浮上及び／又は加速モータシステム１は、リソグラフィ装置のマスクステージにおける平面又はリニアモータシステムとして使用することもできる。この場合、基板ＷはパターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）であり、基板サポートＷＴはマスクサポートＭＴであり、第２ポジショナＰＷは第１ポジショナであってもよい。
【００５０】
[00050]  図５は、図４の詳細を示しており、図４では、図５で示す矢印ＩＶに従った断面を詳細に示している。
【００５１】
[00051]  図４及び図５の実施形態では、本発明によるアセンブリが、平面モータシステム１のステータ部分に提供される。この例ではＷＴと示される平面モータシステムのムーバ部分の下面には、導電性コイル２１，２２の平坦層が設けられ、ここでは、ステータ部分ＰＷ；８，３，９に対するムーバ部分ＷＴの位置を制御するためにコントローラを用いて電流を操作することができる。
【００５２】
[00052]  本発明によるアセンブリは、コイル層３における超電導電磁石２を極低温、例えば、図４に示すように３０Ｋ未満の温度で冷凍機冷却するように構成されたクライオスタット６，７，８及び９を含む。現在では、７０Ｋ〜１５０Ｋの範囲内で超電導な利用可能な材料が存在することを考慮すると、この温度も３０Ｋより高くてもよい。
【００５３】
[00053]  図４及び図５の実施形態では、コイル層３は超電導電磁石２の層である。コイル層は平坦であり対向層面４，５を有する。図４では、層面４はコイル層３の下面であり、層面５はコイル層３の上面である。
【００５４】
[00054]  クライオスタットは、冷凍機システム６、真空システム７及び２つの絶縁被覆８，９を含む。コイル層３及び２つの絶縁被覆８，９は、サンドイッチ状に配置されており、コイル層３は２つの絶縁被覆８，９の間に配置されることにより、２つの対向層面４，５が絶縁被覆８，９のうちの一方によって覆われる。
【００５５】
[00055]  絶縁被覆のうちの一方又は絶縁被覆８，９の両方のうちのそれぞれは、内側プレート１０と、内側プレート１０と平行する外側プレート１１とを含んでもよい。内側プレート１０は、コイル層３に最も近く、外側プレート１０とコイル層３との間に配置される。絶縁被覆８，９のうちの一方又は両方は、内側プレート１０と外側プレート１１との間に配置された絶縁システム１２をさらに含んでもよい。
【００５６】
[00056]  真空システムは、真空（層）１３を絶縁システムに提供するように構成される。
【００５７】
[00057]  冷凍機システムは、内側プレート１０を冷凍機冷却するように構成され、この目的のため、１４において絶縁被覆９の内側プレート１０に接続される。絶縁被覆８の内側プレート１０が絶縁被覆９の内側プレート１０に熱的接続されているため、絶縁被覆の内側プレート１０も冷凍機冷却される。この熱的接続は、例えば、磁石２又は図示されていない熱橋を介して提供することができる。
【００５８】
[00058]  本発明によると、絶縁被覆８，９のうちの一方又は両方の絶縁システム１２は、真空（層）１３において、少なくとも部分的に円形体１０１の１つ以上の層を含み、それぞれは、少なくとも部分的に円形輪郭１０２及び円形輪郭１０２の中心１０３を通りかつ円形輪郭１０２と垂直に延在する中心軸を定める。円形体の各層の円形体１０１の中心軸は、内側プレート１０及び外側プレート１１と垂直に延在する。図４に示すような実施形態では、少なくとも部分的に円形体は球体であり、この場合、全球であるが、これらの円形体は半球又は直線の円筒体（例えば、全円筒体又は半円筒体）であってもよい。「全」という用語は、円形体の内側ではなく、特に、円形体の外側輪郭に関する。全円形体の内側は、例えば、中空であってよく、又は、全円形体は、体の重量を軽減するため及び／又は熱伝導率を減少させるために貫通孔を有してもよい。
【００５９】
[00059]  本発明による絶縁被覆８，９は、円形体１０１の２つの層の間又は円形体１０１の１つの層と内側プレート１０及び／又は外側プレート１１との間に点接触１０６の少なくとも１つの層１０４，１０５を提供するようにさらに構成される。この構成は、内側プレート１０と外側プレート１１との間の考えられる各熱伝導経路がどこかで少なくとも１つの点接触１０６を通らなければならないようになっている。これにより、点接触の層による最小の熱伝導率を有する絶縁被覆となる一方、他方では、少なくとも部分的に円形体による高い荷重負担能力という結果となる。図４の例では、点接触１０６の２つの層１０４及び１０５がある。１つの層１０５は外側プレート１１の側面にあり、１つの層１０４は内側プレートの側面にある。
【００６０】
[00060]  図４の実施形態では、円形体１０１は、７ｍｍの直径を有するジルコニウムの（全）球体であってもよい。これらの球体は、内側プレート１０と外側プレート１１との間にある。リニアモータでは、電磁石２の層３及び導電性コイル２１，２２との間の垂直距離Ｄが限定される。これは、特に絶縁被覆８の垂直の厚み（二重矢印Ｄの方向）を低く保つ必要あることを意味する。０．７５ｍｍの厚さをそれぞれが有するアルミニウム内側プレート１０及び外側プレート１１並びに７ｍｍの直径を有する球体により、絶縁被覆の厚さの合計は約９ｍｍである。この厚さは、より薄い内側プレート１０及びより薄い外側プレート１１を用いることにより及び／又はより小さい直径の球体１０１を用いることにより容易に縮小することができる。この点において、０．２ｍｍからの直径を有するジルコニウム球体は、市場において安価で容易に得ることができることに留意されたい。
【００６１】
[00061]  絶縁被覆９は非常に薄く設計することもできるが、超電導電磁石２の層３のこの側面では、空間は一般的には実際の問題ではないことを考慮に入れると、絶縁被覆９における球体１０１は、絶縁被覆８における球体１０１より大きくてもよい。絶縁被覆における球体は、例えば、１５〜２０ｍｍの範囲であってよい。
【００６２】
[00062]  これらの球体が転がっていくことを防ぐために、スペーサプレート１０７を設けてもよい。このスペーサプレート１０７には、貫通孔のパターンが設けられてよく、各貫通孔は、球体の直径の７０〜１００％の範囲の直径を有する。球体の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有するスペーサプレートを用いることにより、内側プレートが冷凍機冷却されたときに球体１０１とスペーサプレート１０７との間に封止縮小接続が得られる。さらに、この例では、スペーサプレート１０７を、冷凍機によって約８０Ｋの温度で維持することができる。この目的のために、冷凍機６は、絶縁被覆９（及び／又は８、図示せず）のスペーサプレート１０７と１０８で接続される。スペーサプレート１０７は次いで、絶縁被覆８，９の絶縁能力を改善するシールドとして役に立つ。両方のスペーサプレート１０７を冷却するために、スペーサプレート１０７は、熱的接続１０９により熱接続される。
【００６３】
[00063]  表示温度を使って図４に示すように、基板サポートＷＴは室温であってよく、コイル２１及び２２は、コイル２１及び２２における熱発生により室温より高い温度を有してもよく、フレーム１５も室温であってもよい。さらに、冷凍機は、両方の内側プレート１０を極低温（この例では、３０Ｋ未満）で冷凍機冷却する。絶縁を改善するために、スペーサプレート１０７は、内側プレート１０の温度（この例では、＜３０Ｋ）と外側プレートの温度（この例では、２９５Ｋ）との間の温度を有するように冷凍機によって冷却される。スペーサプレートの温度は、例えば、８０Ｋである。
【００６４】
[00064]  図４及び図５の例では、本発明による平面モータシステムは、超電導電磁石２の平坦層が設けられたステータ部分及び常導電性コイル２１，２２の平坦層が設けられたムーバ部分（一般的に、使用時では室温以上であり、コイル２１，２２は熱を生成する）を有する（図４及び図５を参照）。加えて又は代替えとして、本発明によると、コイル２１の平坦層は、真空層に少なくとも部分的に円形体を有する本発明による絶縁被覆８，９を平坦層の両側又は片側に有する超電導コイルの平坦層であってもよいことに留意されたい。この場合、コイル層３は、永久磁石、通常の電磁石又は超電導電磁石のコイル層であってもよい。
【００６５】
[00065]  図６及び図７において非常に概略的な断面図で示すように、絶縁被覆８及び／又は絶縁被覆９は、中間プレートで離された球体の複数の層も含んでもよい。
【００６６】
[00066]  図６は、球体２０１及び２１１の２つの層２００，２１０のそれぞれを示している。層２００における球体２０１は、スペーサプレート２０７によって適切な位置で維持されてもよく、層２１０における球体２１１は、スペーサプレート２１７によって適切な位置で維持されてもよい。球体２０１及び２１１の２つの層２００及び２１０は、中間層２４０によって離されてもよい。この構成は、点接触２０６及び２１６の合計４つの層２０４，２０５，２１４及び２１５を提供する。小さい直径の球体を用いることにより、図６の絶縁被覆の厚さは、図４に関連して言及したように、依然として厚さ９ｍｍ以下で維持することができる。
【００６７】
[00067]  図７は、球体３０１，３１１，３２１及び３３１の４つの層３００，３１０，３２０，３３０のそれぞれを示している。層３００における球体３０１は、スペーサプレート３０７によって適切な位置で維持されてもよく、層３１０における球体３１１は、スペーサプレート３１７によって適切な位置で維持されてもよく、層３２０における球体３２１は、スペーサプレート３２７によって適切な位置で維持されてもよく、層３３０における球体３３１は、スペーサプレート３３７によって適切な位置で維持されてもよい。球体３０１及び３１１の２つの層３００及び３１０は、中間層３４０によって離されてもよく、球体３１１及び３２１の２つの層３１０及び３２０は、中間層３５０によって離されてもよく、球体３２１及び３３１の２つの層３２０及び３３０は、中間層３６０によって離されてもよい。この構成は、点接触２０６，２１６，２２６及び２３６の合計８つの層３０４，３０５，３１４，３１５，３２４，３２５，３３４及び３３５を提供する。より小さい直径の球体を用いることにより、図７の絶縁被覆の厚さは、図４に関連して言及したように、依然として厚さ９ｍｍ以下で維持することができる。
【００６８】
[00068]  図８の非常に概略的な斜視図で示すように、点接触の少なくとも１つの層を提供する絶縁システムは、それぞれが円形外周４０２，４１２を有するワイヤ４０１及び４０２のような直線の円筒体の横方向の積み重ね層を有して得ることもできる。ワイヤ４０１及び４１１の交差箇所では、図８における４つの交差箇所で概略的に示すように点接触４０６がある。図８の構造では、各層の円筒体４０１，４０２が直線であって層が横方向に積み重ねられていることは、内側プレートと外側プレートとの間の考えられる各熱伝導経路が少なくとも１つの点接触をどこかで通らなければならないようになっていることを確実にする。
【００６９】
[00069]  
本発明はまた以下の条項によって特徴付けることができる。
１．クライオスタット及び超電導コイルのコイル層を含むアセンブリであって、
前記コイル層は、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで使用される又は前記リソグラフィ装置の前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムと共に使用されるように構成され、かつ平坦であり２つの対向層面を定め、
前記クライオスタットは、２つの絶縁被覆を含み、
前記コイル層は、前記２つの絶縁被覆の間に配置され、前記２つの対向層面の各々は、前記絶縁被覆のうちの一方によって覆われており、
各絶縁被覆は、
内側プレート及び前記内側プレートと平行な外側プレートであって、前記内側プレートは前記外側プレートと前記コイル層との間に配置される、内側プレート及び外側プレートと、
前記内側プレートと前記外側プレートとの間に配置された絶縁システムとを備え、
前記絶縁システムは、真空層を有するように構成され、
前記内側プレートは、冷凍機冷却されるように構成され、
前記絶縁被覆のうちの一方又は両方の前記絶縁システムは、
前記真空層において、少なくとも部分的に円形体の１つ以上の層を含み、各円形体は、少なくとも部分的に円形輪郭と、前記円形輪郭の中心を通って延在すると共に前記円形輪郭と垂直な中心軸とを定め、前記円形体の各層の前記円形体の前記中心軸は、前記内側プレート及び前記外側プレートと垂直に延在し、
前記円形体の２つの層の間又は前記円形体の層と前記内側プレート及び／又は前記外側プレートとの間に点接触の少なくとも１つの層を提供するように構成される、アセンブリ。
２．前記円形体の少なくとも１つの層は、球体又は半球のような球状体の層である、条項１に記載のアセンブリ。
３．クライオスタット及び超電導コイルのコイル層を含むアセンブリであって、
前記コイル層は、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで使用される又は前記リソグラフィ装置の前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムと共に使用されるように構成され、かつ平坦であり２つの対向層面を定め、
前記クライオスタットは、２つの絶縁被覆を含み、
前記コイル層は、前記２つの絶縁被覆の間に配置され、前記２つの対向層面の各々は、前記絶縁被覆のうちの一方によって覆われており、
各絶縁被覆は、
内側プレート及び前記内側プレートと平行な外側プレートであって、前記内側プレートは前記外側プレートと前記コイル層との間に配置される、内側プレート及び外側プレートと、
前記内側プレートと前記外側プレートとの間に配置された絶縁システムとを備え、
前記絶縁システムは、真空層を有するように構成され、
前記内側プレートは、冷凍機冷却されるように構成され、
前記絶縁被覆のうちの一方又は両方の前記絶縁システムは、
前記真空層において、球体又は半球などの球状体の１つ以上の層を含み、前記球状体の少なくとも１つの層は、前記球体の層と前記内側プレート及び／又は前記外側プレートとの間に点接触の層を提供する、アセンブリ。
４．前記球状体の少なくとも１つの層は、球体と、前記球体を収容するための円形の貫通孔のパターンが設けられたスペーサプレートとを含み、各貫通孔は、前記スペーサプレートが前記球体によって支持されるように前記球体に接触するように構成された直径を有し、前記スペーサプレートは、前記内側プレート及び前記外側プレートと平行に配置される、条項２又は３に記載のアセンブリ。
５．前記貫通孔の前記直径は、前記球体の直径の９０〜１００％などといったように７０〜１００％の範囲内にある、条項４に記載のアセンブリ。
６．前記スペーサプレートは、前記内側プレートの温度と前記外側プレートの温度との間の間で冷却されるように構成される、条項４〜５に記載のアセンブリ。
７．前記スペーサプレートの熱膨張係数は、前記球体の熱膨張係数より大きいことにより、前記スペーサプレート及び前記球体が冷却されたとき、前記貫通孔において前記スペーサプレートと前記球体との間に収縮接続が得られる、条項４〜６のいずれか一項に記載のアセンブリ。
８．前記スペーサプレートは、アルミニウム又はアルミニウム合金を含む、条項４〜７のいずれか一項に記載のアセンブリ。
９． 前記球状体の複数の層を含み、前記球状体の層の隣接する層の間には、分離板が配置され、前記分離板の各側には、前記分離板と前記球状体との間に追加の点接触の層が設けられる、条項２〜８のいずれか一項に記載のアセンブリ。
１０． 前記分離板は、前記内側プレートの温度と前記外側プレートの温度との間の温度で冷却されるように構成される、条項９に記載のアセンブリ。
１１．前記円形体の１つ以上の層は、円筒及び／又は半円筒などの直線の円筒体の２つの層の少なくとも１つのセットを含み、
前記２つの層のうちの一番目の前記円筒体は、隣接する円筒体の間に間隔を有して互いに平行に配置され、前記２つの層のうちの二番目の前記円筒体は、隣接する円筒体の間に間隔を有して互いに平行に配置され、
第１層及び第２層は、互いに直接積み重ねられ、前記第１層の円筒体は、前記第２層の円筒体に対して横方向であることにより前記第１層の前記円筒体と前記第２層の前記円筒体との間に前記点接触の層を提供する、条項１〜１０のいずれか一項に記載のアセンブリ。
１２． クライオスタット及び超電導コイルのコイル層を含むアセンブリであって、
前記コイル層は、リソグラフィ装置の磁気浮上及び／又は加速モータシステムで使用される又は前記リソグラフィ装置の前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムと共に使用されるように構成され、かつ平坦であり２つの対向層面を定め、
前記クライオスタットは、２つの絶縁被覆を含み、
前記コイル層は、前記２つの絶縁被覆の間に配置され、前記２つの対向層面の各々は、前記絶縁被覆のうちの一方によって覆われており、
各絶縁被覆は、
内側プレート及び前記内側プレートと平行な外側プレートであって、前記内側プレートは前記外側プレートと前記コイル層との間に配置される、内側プレート及び外側プレートと、
前記内側プレートと前記外側プレートとの間に配置された絶縁システムとを備え、
前記絶縁システムは、真空層を有するように構成され、
前記内側プレートは、冷凍機冷却されるように構成され、
前記絶縁被覆のうちの一方又は両方の前記絶縁システムは、
前記真空層において、円筒又は半円筒などの直線の円筒体の２つの層の少なくとも１つのセットを含み、
前記２つの層のうちの一番目の前記円筒体は、隣接する円筒体の間に間隔を有して互いに平行に配置され、前記２つの層のうちの二番目の前記円筒体は、隣接する円筒体の間に間隔を有して互いに平行に配置され、
第１層及び第２層は、互いに直接積み重ねられ、前記第１層の円筒体は、前記第２層の円筒体に対して横方向であることにより前記第１層の前記円筒体と前記第２層の前記円筒体との間に点接触の層を提供する、アセンブリ。
１３．前記円筒体はワイヤである、条項１１〜１２のいずれか一項に記載のアセンブリ。
１４．前記少なくとも部分的に円形体は、前記円形輪郭の中心から前記円形輪郭までの半径の二倍として定められた直径を有し、
前記直径は、５ｍｍより小さいなどといったように７ｍｍより小さい、条項１〜１３のいずれか一項に記載のアセンブリ。
１５．前記直径は、０．５〜４ｍｍの範囲などといったように０．１〜５ｍｍの範囲内にある、条項１４に記載のアセンブリ。
１６．前記点接触の層における前記点接触は、１０〜１５ｍｍのピッチなどといったように５〜２０ｍｍのピッチで配置される、条項１〜１５のいずれか一項に記載のアセンブリ。
１７．前記絶縁被覆のうちの一方は、最高で７〜８ｍｍなどといったように最高で１０ｍｍの厚さを有し、前記厚さは、前記内側プレート及び前記外側プレートと垂直な方向で定められる、条項１〜１６のいずれか一項に記載のアセンブリ。
１８．前記円形体は、ジルコニア、ケブラー、ケブラー複合材、ケブラー繊維複合材、ガラス、ガラス複合材、ガラス繊維複合材及びチタン合金の群の１つ以上から選択される材料から成っている、条項１〜１７のいずれか一項に記載のアセンブリ。
１９．前記円形体は、少なくとも１．５Ｎ／Ｗｍなどといったように少なくとも１Ｎ／Ｗｍである、４Ｋ〜８０Ｋの温度範囲にわたる前記熱伝導率係数の整数に対するヤング率の比率を有する材料から成っている、条項１〜１８のいずれか一項に記載のアセンブリ。
２０．前記内側プレートを、０〜４Ｋの範囲内のように、１０Ｋ未満などといったように３０Ｋ未満の温度に冷凍機冷却するように構成された冷凍機システムをさらに備える、条項１〜１９のいずれか一項に記載のアセンブリ。
２１．前記絶縁システム内に１０−３Ｐａ以下の真空を提供するように構成された真空システムをさらに備える、条項１〜２０のいずれか一項に記載のアセンブリ。
２２．前記内側プレート及び／又は外側プレートは、ステンレス鋼合金から成っている、条項１〜２１のいずれか一項に記載のアセンブリ。
２３．前記コイル層は、前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムのステータ部分として構成される、条項１〜２２のいずれか一項に記載のアセンブリ。
２４．前記コイル層は、前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムのムーバ部分として構成される、条項１〜２３のいずれか一項に記載のアセンブリ。
２５．前記超電導コイルの前記コイル層は、超電導電磁石のアレイであり、各電磁石は、前記コイル層と垂直に延在する南北の軸を有し、
前記電磁石のアレイは、隣接する電磁石が反対の極性を有するように構成され、
前記電磁石のアレイは、直流動作のために配線される、条項１〜２４のいずれか一項に記載のアセンブリ。
２６．前記超電導コイルの前記コイル層は、交流動作のために配線される、条項１〜２５のいずれか一項に記載のアセンブリ。
２７．前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムは、リニアモータシステムである、条項１〜２６のいずれか一項に記載のアセンブリ。
２８．前記磁気浮上及び／又は加速モータシステムは、平面モータシステムである、条項１〜２７のいずれか一項に記載のアセンブリ。
２９．条項１〜２８のいずれか一項に記載のアセンブリが設けられた少なくとも１つの平坦な磁気浮上及び／又は加速モータシステムを備える、リソグラフィ装置。
３０．リソグラフィ装置であって、
パターニングデバイスを支持するように構築されたマスクサポートと、
前記マスクサポートを前記第１ポジショナに対して位置決めするように構成された第１ポジショナと、
基板を保持するように構築された基板サポートと、
前記基板サポートを前記第２ポジショナに対して位置決めするように構成された第２ポジショナと、
前記パターニングデバイスによって放射ビームに付与されるパターンを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムとを備え、
以下の
前記マスクサポートと、
前記第１ポジショナと、
前記基板サポートと、
前記第２ポジショナといった要素の１つ以上には、条項１〜２８のいずれか一項に記載のアセンブリが設けられる、リソグラフィ装置。
総論
【００７０】
[00070]  本発明によると、「極低温冷却（cryogenic cooling）」又は「コイル層を極低温に冷却する」とは、コイルが超電導動作を示す温度にコイル層を冷却し、かつコイルをそのような温度で保つプロセスを意味する。したがって、そのような温度に冷却された場合、オーム損を実質的に生成することなく、コイルに電流を供給することができる。当業者には明らかであるように、所要の温度又は冷却は、適用されるコイルの材料又は組成及び／又は現行の圧力状況に依存し得る。
【００７１】
[00071]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、他の用途を有し得ることが理解されるべきである。考えらえる他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などが挙げられる。
【００７２】
[00072]  本明細書において、リソグラフィ装置の関連での本発明の実施形態について具体的な言及がなされたが、本発明の実施形態は、他の装置に使われてもよい。本発明の実施形態は、マスクインスペクション装置、メトロロジ装置又はウェーハ（又は他の基板）若しくはマスク（又は他のパターニングデバイス）などの物体を測定若しくは処理する任意の装置の一部を形成してもよい。これらの装置を、一般には、リソグラフィツールと呼ぶことができる。このようなリソグラフィツールは、真空状態又は周囲（非真空）状態を使用してもよい。
【００７３】
[00073]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはなく、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよい。
【００７４】
[00074]  本発明の実施形態は、状況が許すのであれば、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらのあらゆる組合せにおいて実施され得る。本発明の実施形態はまた、機械可読媒体に記憶され、１つ又は複数のプロセッサにより読み出され実行され得る命令として実施されてもよい。機械可読媒体は、機械（例えばコンピュータデバイス）によって読み取りが可能な形態で情報を記憶又は送信するためのあらゆるメカニズムを含み得る。例えば、機械可読媒体は、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、又は電気、光、音、若しくはその他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）などを含み得る。さらに、本明細書において、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令が何らかの動作を行うと説明されることがある。しかし、そのような説明は単に便宜上のものであり、かかる動作は実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスによるものであることが理解されるべきであり、それを行うことにより、アクチュエータ又は他のデバイスが物質的世界と相互作用し得る。
【００７５】
[00075]  本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【国際調査報告】
2021525394.tif 000013
2021525394.tif 000014
2021525394.tif 000015