(57)【要約】  金属構造は、パターン化モリブデンタンタル酸化物層及びパターン化金属層を含む。パターン化モリブデンタンタル酸化物層は、第一基板上に設けられており、該パターン化モリブデンタンタル酸化物層において、タンタルの原子百分率含有量は、約２％〜１２％であり、モリブデンの原子百分率含有量及び酸素の原子百分率含有量は、両方とも、タンタルの原子百分率含有量よりも多い。パターン化金属層は、該パターン化モリブデンタンタル酸化物層上に設けられている。
2021505971.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属構造であって、第一基板上に設けられたパターン化モリブデンタンタル酸化物層と、パターン化金属層を含み、該パターン化モリブデンタンタル酸化物層において、タンタルの原子百分率含有量は、２％〜１２％であり、モリブデンの原子百分率含有量及び酸素の原子百分率含有量は、両方とも、タンタルの原子百分率含有量よりも多く、
前記パターン化金属層は前記パターン化モリブデンタンタル酸化物層上に設けられる
ことを特徴とする金属構造。
【請求項２】
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層において、酸素の原子百分率含有量は、５％〜６０％である
ことを特徴とする請求項１に記載の金属構造。
【請求項３】
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層の厚さは、５０オングストローム〜６００オングストロームである
ことを特徴とする請求項１に記載の金属構造。
【請求項４】
該パターン化金属層の厚さは、５０オングストローム〜１００００オングストロームである
ことを特徴とする請求項１に記載の金属構造。
【請求項５】
該金属構造は、可視光範囲内の反射率が２％〜２０％である
ことを特徴とする請求項１に記載の金属構造。
【請求項６】
該金属構造の側面と底面との間は、１０度〜８０度の夾角を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の金属構造。
【請求項７】
表示パネルであって、第一基板と、第二基板と、表示媒体層と、パターン化モリブデンタンタル酸化物層と、パターン化金属層、を含み、
該第一基板は、外面、内面、及び、該第一基板の該外面と該内面とを接続する第一側辺を有し、且つ、該外面が該表示パネルの表示面として機能し、
該第二基板は、外面、内面、及び、該第一基板の該外面と該内面とを接続する第二側辺を有し、且つ、該第二基板の該内面は該第一基板の該内面に対向し、該第一側辺と該第二側辺は該表示パネルの同一側に位置し、該第一側辺は、実質的に該第二側辺と整合しているか、又は該第二側辺からはみ出ており、
該表示媒体層は、該第一基板と該第二基板との間に設けられており、
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層は、該第一基板の内面に設けられており、
該パターン化金属層は、該パターン化モリブデンタンタル酸化物層と該第二基板の内面との間に設けられている
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項８】
該第二基板に光を供給するためのバックライト素子を更に含み、該第二基板は、該第一基板と該バックライト素子との間に位置し、且つ、該光は、該第二基板、該表示媒体層及び該第一基板を順に通過する
ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項９】
該パターン化金属層は、ゲート線、ゲート、共通線、データ線、ソース又はドレインの少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項１０】
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層において、タンタルの原子百分率含有量は、２％〜１２％であり、且つ、モリブデンの原子百分率含有量及び酸素の原子百分率含有量は、両方とも、タンタルの原子百分率含有量よりも多い
ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項１１】
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層において、酸素の原子百分率含有量は、５％〜６０％である
ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。
【請求項１２】
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層の厚さは、５０オングストローム〜６００オングストロームである
ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項１３】
第一基板を提供するステップと、
該第一基板の内面に、モリブデンタンタル酸化物からなるモリブデンタンタル酸化物層を形成するステップであって、該モリブデンタンタル酸化物において、タンタルの原子百分率含有量は、２％〜１２％であり、且つ、モリブデンの原子百分率含有量及び酸素の原子百分率含有量は、両方とも、タンタルの原子百分率含有量よりも多いステップと、
該モリブデンタンタル酸化物層上に金属層を形成するステップと、
該モリブデンタンタル酸化物層及び該金属層に対してパターニングプロセスを行うステップであって、これにより、パターン化モリブデンタンタル酸化物層及びパターン化金属層が形成されるステップと、を含む
ことを特徴とする金属構造の作成方法。
【請求項１４】
該モリブデンタンタル酸化物層及び該金属層に対してパターニングプロセスを行うステップは、
該金属層上にパターン化フォトレジスト層を形成することと、
酸性エッチング液を用いて、該パターン化フォトレジスト層をマスクとして、該モリブデンタンタル酸化物層及び該金属層をエッチングすることと、を含む
ことを特徴とする請求項１３に記載の金属構造の作成方法。
【請求項１５】
該モリブデンタンタル酸化物層及び該金属層に対してパターニングプロセスを行うステップは、
アルカリ性フォトレジスト剥離液を用いて、該パターン化フォトレジスト層を除去することを含む
ことを特徴とする請求項１３に記載の金属構造の作成方法。
【請求項１６】
該モリブデンタンタル酸化物において、酸素の原子百分率含有量は、５％〜６０％である
ことを特徴とする請求項１３に記載の金属構造の作成方法。
【請求項１７】
該第一基板上に該モリブデンタンタル酸化物層を形成するステップは、非反応性スパッタリングプロセスを行うことを含む
ことを特徴とする請求項１３に記載の金属構造の作成方法。
【請求項１８】
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層の厚さは、５０オングストローム〜６００オングストロームである
ことを特徴とする請求項１３に記載の金属構造の作成方法。
【請求項１９】
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層は、可視光範囲内の反射率が２％〜２０％である
ことを特徴とする請求項１３に記載の金属構造の作成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属構造、その作成方法及びそれを応用した表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルは、薄型、低消費電力及び幅広い応用範囲等の特性を有するため、現在のディスプレイの主流商品になっている。より広い視覚効果を達成するために、狭額縁は、徐々に液晶表示パネルの開発目標とされている。その一方、液晶表示パネル内のリード線が外光を反射して視覚効果に影響を与えてしまうため、現在では、液晶表示パネル内にブラックマトリクス層を設けることが多いが、リード線による外光の反射を防止する反面で、開口率の低下、表示輝度の低下の問題を引き起こしている。
【０００３】
そこで、表示輝度を低下させることがなく、光の反射を効果的に低減できる狭額縁や、フルフラットで額縁レスの表示パネルを如何に開発するかが、現在の目標である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の複数の実施形態では、パターン化モリブデンタンタル酸化物層及びパターン化金属層を設けることで、アクティブ素子アレイ基板は、利用者に近接する（即ち、アクティブ素子アレイ基板は、表示面を提供する）ことができる。本発明の一部の実施形態によれば、金属構造は、パターン化モリブデンタンタル酸化物層及びパターン化金属層を含む。パターン化モリブデンタンタル酸化物層は、第一基板上に設けられているが、本発明は、これに限定されない。該パターン化モリブデンタンタル酸化物層において、タンタルの原子百分率含有量は、約２％〜１２％であり、モリブデンの原子百分率含有量及び酸素の原子百分率含有量は、両方とも、タンタルの原子百分率含有量よりも多い。パターン化金属層は、該パターン化モリブデンタンタル酸化物層上に設けられている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一部の実施形態では、パターン化モリブデンタンタル酸化物層において、酸素の原子百分率含有量は、約５％〜６０％である。
【０００６】
本発明の一部の実施形態では、パターン化モリブデンタンタル酸化物層の厚さは、約５０
2021505971.tif 000003
〜約６００オングストロームである。
【０００７】
本発明の一部の実施形態では、パターン化金属層の厚さは、約５０オングストローム〜約１００００オングストロームである。
【０００８】
本発明の一部の実施形態では、パターン化モリブデンタンタル酸化物層は、可視光範囲内の反射率が約２％〜約２０％である。
【０００９】
本発明の一部の実施形態では、金属構造の側面と底面との間は、１０度〜８０度の夾角を有する。
【００１０】
本発明の一部の実施形態によれば、表示パネルは、第一基板と、第二基板と、表示媒体層と、パターン化モリブデンタンタル酸化物層と、パターン化金属層と、を含む。第一基板は、外面、内面、及び、外面と内面とを接続する第一側辺を有し、且つ、外面が表示パネルの表示面として機能する。第二基板は、外面、内面、及び、外面と内面とを接続する第二側辺を有し、且つ、第二基板の内面は第一基板の内面に対向し、第一側辺及び第二側辺は表示パネルの同一側に位置し、第一側辺は実質的に第二側辺と整合しているか、又は第二側辺からはみ出ている。表示媒体層は、第一基板と第二基板との間に設けられている。パターン化モリブデンタンタル酸化物層は、第一基板の内面に設けられている。パターン化金属層は、パターン化モリブデンタンタル酸化物層と第二基板の内面との間に設けられている。
【００１１】
本発明の一部の実施形態では、表示パネルは、第二基板に光を供給するためのバックライト素子を含み、第二基板は、第一基板とバックライト素子との間に位置し、且つ、光は、第二基板、表示媒体層及び第一基板を順に通過する。
【００１２】
本発明の一部の実施形態では、パターン化金属層は、ゲート線、ゲート、共通線、データ線、ソース又はドレインの少なくとも１つを含む。
【００１３】
本発明の一部の実施形態では、パターン化モリブデンタンタル酸化物層において、タンタルの原子百分率含有量は、約２％〜１２％であり、且つ、モリブデンの原子百分率含有量及び酸素の原子百分率含有量は、両方とも、タンタルの原子百分率含有量よりも多い。
【００１４】
本発明の一部の実施形態では、パターン化モリブデンタンタル酸化物層において、酸素の原子百分率含有量は、約５％〜６０％である。
【００１５】
本発明の一部の実施形態では、パターン化モリブデンタンタル酸化物層の厚さは、約５０オングストローム〜約６００オングストロームである。
【００１６】
本発明の一部の実施形態によれば、金属構造の作成方法は、第一基板を提供するステップと、該第一基板の内面に、モリブデンタンタル酸化物からなるモリブデンタンタル酸化物層を形成するステップであって、該モリブデンタンタル酸化物において、タンタルの原子百分率含有量は、約２％〜１２％であり、且つ、モリブデンの原子百分率含有量及び酸素の原子百分率含有量は、両方とも、タンタルの原子百分率含有量よりも多いステップと、該モリブデンタンタル酸化物層上に金属層を形成するステップと、該モリブデンタンタル酸化物層及び該金属層に対してパターニングプロセスを行うステップであって、これにより、パターン化モリブデンタンタル酸化物層及びパターン化金属層が形成されるステップと、を含む。
【００１７】
本発明の一部の実施形態では、該モリブデンタンタル酸化物層及び該金属層に対してパターニングプロセスを行うステップは、金属層上にパターン化フォトレジスト層を形成することと、酸性エッチング液を用いて、パターン化フォトレジスト層をマスクとして、モリブデンタンタル酸化物層及び金属層をエッチングすることと、を含む。
【００１８】
本発明の一部の実施形態では、モリブデンタンタル酸化物層及び該金属層に対してパターニングプロセスを行うステップは、アルカリ性フォトレジスト剥離液を用いて、パターン化フォトレジスト層を除去することを含む。
【００１９】
本発明の一部の実施形態では、モリブデンタンタル酸化物において、酸素の原子百分率含有量は、約５％〜６０％である。
【００２０】
本発明の一部の実施形態では、第一基板上に該モリブデンタンタル酸化物層を形成するステップは、非反応性スパッタリング（ｎｏｎ−ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）プロセスを行うことを含む。
【００２１】
本発明の一部の実施形態では、パターン化モリブデンタンタル酸化物層の厚さは、約５０オングストローム〜約６００オングストロームである。
【００２２】
本発明の一部の実施形態では、パターン化モリブデンタンタル酸化物層は、可視光範囲内の反射率が約２％〜約２０％である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の一部の実施形態による表示パネルの断面模式図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の一実施例の表示パネルの上面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、図１Ｂにおける切断線１Ｂ−１Ｂに沿って描かれた断面模式図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、図１Ｂにおける切断線１Ｃ−１Ｃに沿って描かれた断面模式図である。
【図２Ａ−Ｅ】図２Ａ〜図２Ｅは、本発明の一部の実施形態による金属構造のその作成方法における複数の段階の断面模式図である。
【図３Ａ−Ｄ】図３Ａ〜図３Ｄは、本発明の一部の実施形態による金属構造の走査型電子顕微鏡像である。
【図４Ａ−Ｄ】図４Ａ〜図４Ｄは、本発明の一部の実施形態による金属構造の透過型電子顕微鏡像である。
【図５】図５は、本発明の一部の実施形態による金属構造の反射スペクトル図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面によって本発明の複数の実施形態を開示するが、説明を明確にするために、数多くの実務上の詳細については、以下の記述においてー括して説明する。しかしながら、これらの実務上の詳細は、本発明を限定するためのものではないことが理解されるべきである。即ち、本発明の一部の実施形態では、これらの実務上の詳細は、必要ではない。また、図面を簡素化するために、一部の慣用の構造と素子については、簡単に模式的に図示する。
【００２５】
図面において、明確に表現するために、層、膜、パネル、領域等の厚さを拡大している。明細書全体にわたって、同一の符号は、同一の素子を示している。なお、例えば、層、膜、領域又は基板ようなの素子が、別の素子「上」に位置するか、或いは別の素子に「接続」されていると言及されている場合、別の素子上に直接位置したり、別の素子に接続されていたり、或いは中間素子が介在していることを意味する。逆に、素子が「別の素子上に直接位置する」か、或いは別の素子に「直接接続されている」と言及されている場合、中間素子が介在していないことを意味する。本明細書で使用されているように、「接続」は、物理的な接続及び／又は電気的な接続（カップリングともいう）を指し得る。ただし、電気的な接続（カップリングともいう）の場合、２つの素子の間に他の素子が介在することになる。
【００２６】
なお、用語「第一」、「第二」等は、本明細書において、様々な素子、部品、領域、層、及び／又は部分を説明するために使用され得るが、これらの素子、部品、領域、層、及び／又は部分は、これらの用語によって限定されるべきではない。これらの用語は、単に、一つの素子、部品、領域、層、及び／又は部分を他の素子、部品、領域、層、又は部分と区別するために使用される。したがって、以下で説明される「第一素子」、「部品」、「領域」、「層」、又は「部分」は、本明細書の教示から逸脱しない範囲で、第二素子、部品、領域、層、又は部分と名付けられ得る。
【００２７】
ここで使用される用語は、あくまでも、特定の実施例を説明するためのものであり、限定的なものではない。本明細書で使用されているように、単数形となる「一つ」、「一個」、及び「該」は、文脈が明確にそうでないことを示さない場合は、「少なくとも１つ」のような複数形も含むことを意図している。「又は」は、「及び／又は」を意味する。本文で使用されているように、用語「及び／又は」は、１つ又は複数の関連列挙項目のありとあらゆる組み合わせを含む。なお、本明細書で使用される場合、用語「含む」及び／又は「包含」は、記載された特徴、領域、全体、ステップ、操作、素子、及び／又は部品の存在を特定するが、一つ又は複数の他の特徴、領域、全体、ステップ、操作、素子、部品、及び／又は組み合わせの存在や追加を除外しない。
【００２８】
また、「下」や「底部」、及び、「上」や「頂部」のような空間的な相対語は、本明細書において、図面に示されるような一つの素子と別の要素との関係の説明に使用され得る。空間的な相対語は、図面に示される向き以外に、装置の様々な向きを包含することを意図している。例えば、図面中の装置が反転された場合、他の素子の「下」側に位置すると説明した素子は、他の素子の「上」側に位置することになる。したがって、例示的な用語である「下」は、図面の特定の向きに依存するが、上と下の向きの両方を包含し得る。同様に、図面中の装置が反転された場合、他の素子「の下」や他の素子の「下方」に位置すると説明した素子は、他の素子の「上方」に位置することになる。したがって、例示的な用語である「の下」や「下方」は、上方と下方の向きの両方を包含し得る。
【００２９】
本明細書で使用される「約」又は「実質的に」は、問題となっている測定、及び、測定に関連する誤差の特定数量（即ち、測定システムの制約）を考慮して、記載された値及び当業者によって定められる特定値の許容可能な偏差範囲内の平均値を含む。例えば、「約」は、記載された値の１つ又は複数の標準偏差内、又は、±３０％、±２０％、±１０％、±５％内であることを示し得る。さらに、本明細書で使用される「約」又は「実質的に」は、光学特性、エッチング特性又は他の特性に応じて、比較的許容可能な偏差範囲又は標準偏差を選択可能であり、必ずしも、全ての特性に１つの標準偏差を適用しなくてもよい。
【００３０】
別に定義されない限り、本明細書で使用されるすべての用語（技術および科学用語を含む）は、本発明の技術分野の当業者によって一般に理解されるのと同じ意味を有する。更に理解されたいのは、一般的に使用される辞書で定義されているような用語は、関連技術及び本発明の文脈における意味と一致する意味を有すると解釈されるべきであり、本明細書において、明確にそうであることを示さない限り、理想的な意味又は過度に正式な意味として解釈されない。
別に定義されない限り、本明細書で使用されるすべての用語（技術および科学用語を含む）は、本発明の技術分野の当業者によって一般に理解されるのと同じ意味を有する。本明細書において、本発明の説明で使用される用語は、具体的な実施形態を説明するためのものに過ぎず、本発明を制限することを意図するものではない。本明細書で使用される「及び／又は」という用語は、１つ又は複数の関連する列挙項目のありとあらゆる組み合わせを含む。
【００３１】
図１Ａは、本発明の一部の実施形態による表示パネル１００の断面模式図である。表示パネル１００は、第一基板１２０、表示媒体層１３０及び第二基板１４０を含む。表示媒体層１３０は、第一基板１２０と第二基板１４０との間に設けられている。表示媒体層１３０は、自己発光材料（例えば、有機発光層や、マイクロ発光ダイオード）、又は、非自己発光材料（例えば、液晶層や、電気泳動層）であってもよい。本実施例では、表示媒体層１３０を非自己発光材料（例えば、液晶層）とする例を取っており、表示パネル１００には、選択的に、第二基板１４０に光を供給するためのバックライト素子１１０が更に設けられていてもよい。第二基板１４０は、第一基板１２０とバックライト素子１１０との間に位置し、且つ、光は、第二基板１４０、表示媒体層１３０及び第一基板１２０を順に通過する。本実施形態では、バックライト素子１１０は、サイド入光型の設計としてもよく、且つ、バックライト素子１１０は、光源１１２、導光板１１４又は他の適切な素子を含んでもよい。一方、光源１１２は、無機発光源、有機発光源、又は他の適切な材料、若しくはこれらの組み合わせを含んでもよい。一部の実施形態では、バックライト素子１１０は、直下型の設計としてもよく、且つ、バックライト素子１１０は、光源１１２又は他の適切な素子を含んでもよい。他の実施形態では、表示媒体層１３０が自己発光材料である場合、バックライト素子１１０が配置されなくてもよい。
【００３２】
第一基板１２０は、外面１２２、内面１２４、及び、外面１２２と内面１２４とを接続する第一側辺１２６を有し、且つ、外面１２２は表示パネル１００の表示面Ｉとして機能する。本発明の一部の実施形態では、第一基板１２０の内面１２４に金属構造が設けられている。これにより、表示媒体層１３０が制御される。例を挙げると、第一基板１２０は、アクティブ素子アレイ基板であってもよく、例えば、薄膜トランジスタ基板である。
【００３３】
第二基板１４０は、外面１４２、内面１４４、及び、外面１４２と内面１４４とを接続する第二側辺１４６を有し、且つ、第二基板１４０の内面１４４は第一基板１２０の内面１２４に対向している。一実施例では、第一側辺１２６及び第二側辺１４６は、両方とも、表示パネル１００の同一側に位置し、且つ、第一側辺１２６は、実質的に第二側辺１４６と整合しているか、或いは第二側辺１４６からはみ出ている。例を挙げると、第二基板１４０は、カラーフィルタ基板又は一般基板であってもよい。
【００３４】
表示パネル１００は、フレキシブル回路板１５０、回路板１６０及び筐体１７０を更に含んでもよい。フレキシブル回路板１５０は、第一基板１２０に貼り合わせられ、第一基板１２０及び第二基板１４０上の回路を回路板１６０に接続するためのものである。筐体１７０は、上述した表示パネル１００の様々な素子を収納するためのものである。ここで、第一基板１２０（例えば、アクティブ素子アレイ基板）を利用者に近接するように設ける（例えば、第一基板１２０が表示面Ｉ（例えば、図１Ａの白抜き矢印箇所）を提供する）ことで、フレキシブル回路板１５０等の回路構成を遮蔽するためにフレーム（図示せず）の追加設定を減らし、ひいては、狭額縁の効果を達成することができる。
【００３５】
図１Ｂは、本発明の一実施例の表示パネル１００の部分上面図である。図１Ｃは、図１Ｂにおける切断線１Ｂ−１Ｂに沿って描かれた断面模式図である。図１Ｄは、図１Ｂにおいける切断線１Ｃ−１Ｃに沿って描かれた断面模式図である。図１Ａ〜図１Ｄを、併せて参照されたい。
【００３６】
表示パネル１００は、データ線ＤＬ、ゲート線ＧＬ、ゲート誘電体層ＧＩ、アクティブ素子ＡＤ及び画素電極ＰＥを含む。これらは第一基板１２０の内面１２４に設けられてもよい。一部の実施例では、表示パネル１００は、選択的に、共通線ＣＬ又は他の適切な配線を更に含んでもよい。データ線ＤＬとゲート線ＧＬとは、複数の画素領域ＰＡを画定するように、互い違いに配置されているが、これに限定されない。一部の実施例では、１つの画素領域ＰＡは、少なくとも１つのアクティブ素子ＡＤと、少なくとも１つの画素電極ＰＥを含み、且つ、画素電極ＰＥがアクティブ素子ＡＤに電気的に接続される。一部の実施例では、１つの画素領域ＰＡは、少なくとも１本のデータ線ＤＬ、少なくとも１本のゲート線ＧＬ、又は、他の適切な配線を含んでもよい。
【００３７】
アクティブ素子ＡＤは、半導体層ＳＬ、ゲートＧＥ、ソースＳＥ、ドレインＤＥを含む。ソースＳＥ、ドレインＤＥは、それぞれ、半導体層ＳＬの両端に電気的に接続され、ゲートＧＥは、半導体層ＳＬの両端を導通させるかどうかを制御するためのものである。ゲートＧＥと半導体層ＳＬとは、ゲート誘電体層ＧＩによって分離されている。一部の実施形態では、ゲートＧＥはゲート線ＧＬに電気的に接続され、ソースＳＥはデータ線ＤＬに電気的に接続され、ドレインＤＥは画素電極ＰＥに電気的に接続されている。これにより、アクティブ素子ＡＤは、ゲート線ＧＬの制御を介してデータ線ＤＬと画素電極ＰＥとを導通させることができる。本実施形態では、好ましくは、アクティブ素子ＡＤは、ボトムゲート型薄膜トランジスタ（Ｂｏｔｔｏｍ  Ｇａｔｅ−ＴＦＴ）であり、例えば、ゲートＧＥは半導体層ＳＬと第一基板１２０の内面１２４との間に位置する。他の実施例では、アクティブ素子ＡＤは、トップゲート型薄膜トランジスタ（Ｔｏｐ  Ｇａｔｅ−ＴＦＴ）であり、例えば、半導体層ＳＬがゲートＧＥと第一基板１２０の内面１２４との間に位置してもよい。
【００３８】
また、画素電極ＰＥとアクティブ素子ＡＤとの間には、保護層１８０が設けられていてもよい。ここで、ゲート誘電体層ＧＩ及び保護層１８０には、絶縁材料が用いられており、絶縁材料としては、無機材料（例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素又は他の適切な材料）、有機材料（例えば、無色又は着色フォトレジスト、ポリイミド、ベンゾシクロブテン又は他の適切な材料）、又は、他の適切な材料を含む。
【００３９】
ここで、第一基板１２０（例えば、アクティブ素子アレイ基板）が利用者に近接している（例えば、アクティブ素子アレイ基板が表示面Ｉ（例えば、図１Ａの白抜き矢印箇所）を提供している）ため、第一基板１２０上の各金属層及び／又は合金層の材料は、光を反射し易く、視覚効果に影響を与えてしまう。本発明の複数の実施形態では、低反射層（例えば、金属又は合金層）を設けることで、反射率を低下させてもよい。一つの好ましい実施例では、第一基板１２０は、ブラックマトリクス（Ｂｌａｃｋ  Ｍａｔｒｉｘ）を追加的に設定しないことで、表示パネル１００の開口率を向上させてもよいが、本発明は、これに限定されず、当業者は、実際の需要に応じて選択可能である。
【００４０】
具体的には、図１Ｃ及び図１Ｄを参照すると、本発明の一部の実施形態では、第一基板１２０の内面１２４上のゲート線ＧＬ、選択的に設けることが可能な共通線ＣＬ、アクティブ素子ＡＤのゲートＧＥ、又は他の適切な配線、若しくは、これらの配線のいずれか一方は、パターン化金属層３２０’により形成してもよい。このパターン化金属層３２０’と第一基板１２０の内面１２４との間には、パターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’が更に設けられている。例を挙げると、パターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’は、第一基板１２０の内面１２４とパターン化金属層３２０’との間に設けられ、パターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’とパターン化金属層３２０’とは、金属構造３００と総称される。ここで、パターン化金属層３２０’は、単層又は多層構造としてもよく、且つ、パターン化金属層３２０’の材料は、金属、合金、又はその塩類、若しくは、反射率を持つ他の材料を含んでもよい。パターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’も、単層又は多層構造であってもよい。
【００４１】
本発明の一部の実施形態では、第一基板１２０の内面１２４上のデータ線ＤＬ、アクティブ素子ＡＤのソースＳＥ、ドレインＤＥ、又は他の適切な配線、若しくは、これらの配線のいずれか一方は、パターン化金属層４２０’により形成されてもい。ボトムゲート型薄膜トランジスタ（Ｂｏｔｔｏｍ  Ｇａｔｅ−ＴＦＴ）を例とする場合、このパターン化金属層４２０’とゲート誘電体層ＧＩとの間には、パターン化モリブデンタンタル酸化物層４１０’が更に設けられている。例を挙げると、パターン化モリブデンタンタル酸化物層４１０’は、ゲート誘電体層ＧＩ上に設けられ、パターン化金属層４２０’は、該パターン化モリブデンタンタル酸化物層４１０’上に設けられている。トップゲート型薄膜トランジスタ（Ｔｏｐ  Ｇａｔｅ−ＴＦＴ）を例とする場合、このパターン化金属層４２０’と第一基板１２０の内面１２４との間には、パターン化モリブデンタンタル酸化物層４１０’が更に設けられている。例を挙げると、パターン化金属層４２０’は、該パターン化モリブデンタンタル酸化物層４１０’上に設けられている。パターン化モリブデンタンタル酸化物層４１０’とパターン化金属層４２０’とは、金属構造４００と総称される。ここで、パターン化金属層４２０’は、単層又は多層構造としてもよく、且つパターン化金属層４２０’の材料は、金属、合金、又はその塩類、若しくは、反射率を持つ他の材料を含んでもよい。パターン化モリブデンタンタル酸化物層４１０’も、単層又は多層構造であってもよい。
【００４２】
これによって、パターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’、４１０’は、第一基板１２０の外面１２２から表示パネル１００に入った光がパターン化金属層３２０’、４２０’で反射されて、視聴者の視覚効果に影響を与えてしまうことを防止できる。
【００４３】
ここで、パターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’、４１０’の厚さは、約５０オングストローム〜約６００オングストロームであってもよく、パターン化金属層３２０’、４２０’の厚さは、約５０オングストローム〜約１００００オングストロームであってもよいが、これに限定されない。
【００４４】
本発明の一部の実施形態では、パターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０、４１０において、タンタルの原子百分率（ａｔｏｍｉｃ  ｐｅｒｃｅｎｔ）含有量は、約２％〜約１２％であり、モリブデンの原子百分率含有量及び酸素の原子百分率含有量は、両方とも、タンタルの原子百分率含有量よりも多い。この含有量にすることで、パターン化過程におけるパターン化モリブデンタンタル酸化物層のオーバーエッチング（ｏｖｅｒ  ｅｔｃｈｉｎｇ）の問題を低減又は解消することができる。一部の実施形態では、パターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’、４１０’において、酸素の原子百分率含有量は、約５％〜約６０％であってもよい。モリブデンタンタル酸化物に他の元素や不純物がない場合、モリブデン原子百分率＋タンタル原子百分率＋酸素原子百分率の合計は、概ね１００％（単位無し）に等しい一方、モリブデンタンタル酸化物に他の元素や不純物がある場合、前記の原子百分率の合計に、他の元素又は不純物の合計を更に足すと、概ね１００％（単位無）に等しくなる。
【００４５】
本実施例では、選択的に、第二基板１４０上に設けられた共通電極ＣＥを更に含んでもよいが、本発明は、これに限定されず、共通電極ＣＥは、第一基板１２０又は第二基板１４０の一方に選択的に設けられてもよい。ここで、上下電極の配置を例としているが、本発明は、これに限定されない。一部の実施形態では、前記金属構造３００、４００は、横方向電界効果液晶表示パネル（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ、ＩＰＳ）パネルに配置されてもよい。或いは、他の実施形態では、前記金属構造３００、４００は、マルチドメイン垂直配向型（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ、ＭＶＡ）液晶表示パネルに配置されてもよい。
【００４６】
図２Ａ〜図２Ｅは、本発明の一部の実施形態による金属構造３００のその作成方法における複数の段階の断面模式図である。以下、金属構造３００の制造方法を詳しく述べる。
【００４７】
図２Ａを参照する。第一基板１２０を提供して、第一基板１２０の内面１２４に、モリブデンタンタル酸化物からなるモリブデンタンタル酸化物層３１０を形成し、モリブデンタンタル酸化物層３１０の厚さは、約５０オングストローム〜約６００オングストロームであってもよい。本発明の一部の実施形態では、第一基板１２０上にモリブデンタンタル酸化物層３１０を形成するステップは、非反応性スパッタリング（ｎｏｎ−ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）プロセス、又は、反応性スパッタリング（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）プロセスを行うことを含む。一実施例では、非反応性スパッタリングプロセスを例とする場合、物理気相堆積法（ｐｈｙｓｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＶＤ）を用いてもよい。本実施例では、反応性ガス（例えば、酸素ガス、窒素ガス、又は他の適切なガス、若しくは、これらのガスの混合物）を通気せずに物理気相堆積を行うと、モリブデンタンタル酸化物層３１０の成膜の均一性を向上させることができる。
【００４８】
図２Ｂを参照する。モリブデンタンタル酸化物層３１０上に金属層３２０を形成する。金属層３２０の厚さは、約５０オングストローム〜約１００００オングストロームであってもよい。金属層３２０の材料は、アルミニウム、銅、銀、チタン、モリブデン、タンタル、ニオブ、マグネシウム、亜鉛又はプラセオジムの少なくとも１つ、これらの材料の金属複合層、これらの材料の合金、これらの材料の塩類、又は、他の適切な金属導電材料であってもよい。本実施例では、金属層３２０は、単層の金属層であるが、本発明は、これに限定されず、金属層３２０は、金属材料の積層構造、又は、他の材料と金属材料との積層構造であってもよい。
【００４９】
図２Ｃ〜図２Ｅを参照する。モリブデンタンタル酸化物層３１０及び金属層３２０に対してパターニングプロセスを行い、これにより、パターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’及びパターン化金属層３２０’が形成され、両者は、金属構造３００と総称される。
【００５０】
具体的には、まず、図２Ｃを参照すると、金属層３２０上にパターン化フォトレジスト３３０を形成する。パターン化フォトレジスト３３０は、フォトレジスト層を塗布し、該フォトレジスト層を部分的に露光し、露光された／露光されなかったフォトレジスト層を取り除くことにより形成してもよい。パターン化フォトレジスト３３０は、ポジ型のフォトレジスト又はネガ型のフォトレジストであってもよいが、本発明は、これに限定されない。
【００５１】
次に、図２Ｄを参照すると、パターン化フォトレジスト３３０をマスクとして、金属層３２０及びモリブデンタンタル酸化物層３１０をエッチングして、パターン化金属層３２０’及びパターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’を形成する。両者は、金属構造３００と総称される。前述のように、パターン化金属層３２０’は、ゲート線ＧＬ、選択的に設けることが可能な共通線ＣＬ、アクティブ素子ＡＤのゲートＧＥ（図１Ｂ〜図１Ｄを参照）又は、他の適切な配線のいずれか１つを含んでもよい。一部の実施形態では、このエッチングは、例えば、過酸化水素水、硫酸や両者の組み合わせのような酸性エッチング液を用いて行われるが、これに限定されず、金属構造３００の成分に応じて、適切なエッチング液の成分を選択してもよい。
【００５２】
更に、図２Ｅを参照すると、他の層体がパターン化金属層３２０’上に設けられやすくなるように、パターン化フォトレジスト３３０を除去する。一部の実施形態では、パターン化フォトレジスト３３０の除去は、アルカリ性フォトレジスト剥離液を用いて行うことが好ましい。酸性エッチング液及びアルカリ性フォトレジスト剥離液を経て、金属構造３００における第一基板１２０に近接する側（例えば、金属構造３００のパターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’）アンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）の問題が生じる恐れがある。このアンダーカットの問題は、パターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’内のタンタル原子百分率含有量を調整することで改善することが可能であり、図３Ａ〜図３Ｄ及び図４Ａ〜図４Ｄを参照されたい。一部の実施形態では、理想的に、金属構造３００の側面３００Ａと底面３００Ｂとの間は、約１０度〜約８０度の夾角Ｑを有する。
【００５３】
ここで、金属構造３００（図１Ｂ、図２Ｅを参照）の作成方法のみに言及しているが、理解されたいのは、金属構造４００（図１Ｂを参照）も、同様な作成方法（図３Ａ〜図３Ｄを参照）により形成されることが可能であることである。パターン化金属層４２０’（図１Ｂを参照）は、データ線ＤＬ及びアクティブ素子ＡＤのソースＳＥ又はドレインＤＥ、或いは他の適切な配線のいずれか１つであってもよい。パターン化金属層４２０’の材料は、パターン化金属層３２０’と実質的に同じ又は異なってもよい。例を挙げると、パターン化金属層４２０’（図１Ｂを参照）の材料は、アルミニウム、銅、銀、チタン、モリブデン、タンタル、ニオブ、マグネシウム、亜鉛又はプラセオジムの少なくとも１つ、これらの材料の金属複合層、これらの材料の合金、これらの材料の塩類、又は、他の適切な金属導電材料であってもよい。パターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’、４１０’は、原子百分率が実質的に同じ又は異なる材料としてもよい。金属構造４００（図１Ｂを参照）の他の詳細は、金属構造３００の作成方法と大体同じであり、ここでは繰り返さない。
【００５４】
図３Ａ〜図３Ｄは、本発明の一部の実施形態による様々な原子比率の金属構造３００（図２Ｄを参照）のエッチング後且つフォトレジスト除去前の走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＳＥＭ）像である。図３Ａ〜図３Ｄにおいて、金属構造３００（図２Ｄを参照）のパターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’のタンタル（ｔａｎｔａｌｕｍ；Ｔａ）の原子比率は、それぞれ、約０％、約２％、約４％及び約６％である。これらの図面から分かるように、タンタルの原子比率が約０％である場合、金属構造３００には、明らかなアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）がある。図３Ａに示すように、マークＵＣに示す箇所では、金属構造３００のエッジに溝が存在し、第一基板１２０と繋がっていない。これは、アンダーカット現象である。タンタルの原子比率の増加につれて、アンダーカットの度合は、徐々に低下する。図３Ｂ〜図３Ｄに示すように、金属構造３００のエッジにおける溝は、タンタルの原子比率の増加につれて小さくなる。
【００５５】
図３Ａ〜図３Ｄにおいて、金属構造３００（図２Ｄを参照）が酸性エッチング液のみを経ており、アルカリ性フォトレジスト剥離液をまだ経ていないが、アンダーカットの度合とタンタルとの関係が既に分かる。
【００５６】
図４Ａ〜図４Ｄは、本発明の一部の実施形態による様々な原子比率の金属構造３００（図２Ｅを参照）のフォトレジスト除去後の透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＴＥＭ）像である。図４Ａ〜図４Ｄにおいて、金属構造３００（図２Ｅを参照）のパターン化モリブデンタンタル酸化物層のタンタル（ｔａｎｔａｌｕｍ；Ｔａ）の原子比率は、それぞれ、約６％、約８％、約１０％及び約１２％である。これらの図面から分かるように、タンタルの原子比率の増加につれて、アンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）の度合は、徐々に低下する。ただし、タンタルの原子比率の増加につれて、必要となるエッチング時間も徐々に長くなる。本実施例では、パターン化金属層３２０’の材料が銅である場合を例とすると、図３Ａ〜図３Ｄ内の金属構造３００（図２Ｅを参照）エッチングは、それぞれ、約１０８秒、約１２０秒、約１３５秒、約１４８秒のエッチング時間を経ないと、金属構造３００をパターン化する効果を達成できないが、このエッチング時間は、試験条件によって異なり得るが、この例は、材料の組成の違いによるエッチング時間の相対的な関係についての説明に過ぎない。
【００５７】
これにより、本発明の一部の実施形態では、モリブデンタンタル酸化物中タンタルの原子百分率含有量は、アンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）の度合を軽減してプロセスの効率を向上させるために、約２％〜１２％になるように設けられている。この設計では、モリブデンの原子百分率含有量及び酸素の原子百分率含有量は、両方とも、タンタルの原子百分率含有量よりも多くなる。本発明の一部の実施形態では、モリブデンタンタル酸化物において、酸素の原子百分率含有量は、約５％〜６０％である。ここで、モリブデンタンタル酸化物内のタンタル、モリブデン、酸素の原子百分率は、エネルギー分散アナライザー（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；ＥＤＳ）で、パターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’（図２Ｄ、図２Ｅを参照）内の元素の含有量を分析して得られる。
【００５８】
図５は、本発明の一部の実施形態による金属構造３００の反射スペクトル図である。番号１〜４は、それぞれ、パターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’（図２Ｅを参照）のタンタル（ｔａｎｔａｌｕｍ；Ｔａ）の原子比率がそれぞれ約６％、約８％、約１０％及び約１２％である場合の金属構造３００（図２Ｅを参照）の反射率を表す。同図に示すように、金属構造３００（即ち、パターン化金属層３２０’及びパターン化モリブデンタンタル酸化物層３１０’）は、可視光範囲内の反射率が概ね２％〜２０％であり、環境光の反射を低減して、視聴者の視覚効果に影響を与えてしまうことを回避することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明の複数の実施形態では、アクティブ素子アレイ基板を利用者に近接するように設ける（即ち、アクティブ素子アレイ基板が表示面を提供する）ことで、回路構成がディスプレイの額縁を占めてしまうことを回避し、ひいては、狭額縁の効果を達成することができる。更に、アクティブ素子アレイ基板において、低反射層を金属層と基板との間に位置するように設計することで、環境光の反射を低減して、より良好な視覚効果を達成することができる。これにより、本発明の実施形態における表示パネルは、狭額縁や、フルフラット且つ額縁レス（ｆｏｕｒ  ｓｉｄｅ  ｂｅｚｅｌ−ｌｅｓｓ）で、表示輝度を低下させることなく、光の反射を有効に防止する効果を達成することができる。
【００６０】
勿論、本発明は、他の様々な実施例を有することが可能であり、本発明の精神及びその本質から逸脱することなく、当業者は、本発明に従って様々な対応する変更及び変形を行えるが、これらの対応する変更及び変形は、全て本発明の請求項の保護範囲に属すべきである。
【符号の説明】
【００６１】
１００      ：表示パネル
３２０’    ：パターン化金属層
１１０      ：バックライト素子
３３０      ：パターン化フォトレジスト
１１２      ：光源
４００      ：金属構造
１１４      ：導光板
４１０’    ：パターン化モリブデンタンタル酸化物層
１２０      ：第一基板
４２０’    ：パターン化金属層
１２２      ：外面
ＤＬ        ：データ線
１２４      ：内面
ＧＬ        ：ゲート線
１２６      ：第一側辺
ＣＬ        ：共通線
１３０      ：表示媒体層
ＧＩ        ：ゲート誘電体層
１４０      ：第二基板
ＡＤ        ：アクティブ素子
１４２      ：外面
ＰＥ        ：画素電極
１４４      ：内面
ＰＡ        ：画素領域
１４６      ：第二側辺
ＳＬ        ：半導体層
１５０      ：フレキシブル回路板
ＧＥ        ：ゲート
１６０      ：回路板
ＳＥ        ：ソース
１７０      ：筐体
ＤＥ        ：ドレイン
１８０      ：保護層
Ｑ          ：夾角
３００      ：金属構造
１Ｂ−１Ｂ  ：切断線
３１０      ：モリブデンタンタル酸化物層
１Ｃ−１Ｃ  ：切断線
３１０’    ：パターン化モリブデンタンタル酸化物層
ＵＣ        ：マーク
３２０      ：金属層
Ｉ：表示面
【図１Ａ】
2021505971.tif 000004
【図１Ｂ】
2021505971.tif 000005
【図１Ｃ】
2021505971.tif 000006
【図１Ｄ】
2021505971.tif 000007
【図２Ａ】
2021505971.tif 000008
【図２Ｂ】
2021505971.tif 000009
【図２Ｃ】
2021505971.tif 000010
【図２Ｄ】
2021505971.tif 000011
【図２Ｅ】
2021505971.tif 000012
【図３Ａ】
2021505971.tif 000013
【図３Ｂ】
2021505971.tif 000014
【図３Ｃ】
2021505971.tif 000015
【図３Ｄ】
2021505971.tif 000016
【図４Ａ】
2021505971.tif 000017
【図４Ｂ】
2021505971.tif 000018
【図４Ｃ】
2021505971.tif 000019
【図４Ｄ】
2021505971.tif 000020
【図５】
2021505971.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月12日(2020.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属構造であって、第一基板上に設けられたパターン化モリブデンタンタル酸化物層と、パターン化金属層を含み、該パターン化モリブデンタンタル酸化物層において、タンタルの原子百分率含有量は、２％〜１２％であり、モリブデンの原子百分率含有量及び酸素の原子百分率含有量は、両方とも、タンタルの原子百分率含有量よりも多く、
前記パターン化金属層は前記パターン化モリブデンタンタル酸化物層上に設けられる
ことを特徴とする金属構造。
【請求項２】
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層において、酸素の原子百分率含有量は、５％〜６０％である
ことを特徴とする請求項１に記載の金属構造。
【請求項３】
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層の厚さは、５０オングストローム〜６００オングストロームである
ことを特徴とする請求項１に記載の金属構造。
【請求項４】
該パターン化金属層の厚さは、５０オングストローム〜１００００オングストロームである
ことを特徴とする請求項１に記載の金属構造。
【請求項５】
該金属構造は、可視光範囲内の反射率が２％〜２０％である
ことを特徴とする請求項１に記載の金属構造。
【請求項６】
該金属構造の側面と底面との間は、１０度〜８０度の夾角を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の金属構造。
【請求項７】
表示パネルであって、第一基板と、第二基板と、表示媒体層と、パターン化モリブデンタンタル酸化物層と、パターン化金属層、を含み、
該第一基板は、外面、内面、及び、該第一基板の該外面と該内面とを接続する第一側辺を有し、且つ、該外面が該表示パネルの表示面として機能し、
該第二基板は、外面、内面、及び、該第二基板の該外面と該内面とを接続する第二側辺を有し、且つ、該第二基板の該内面は該第一基板の該内面に対向し、該第一側辺と該第二側辺は該表示パネルの同一側に位置し、該第一側辺は、実質的に該第二側辺と整合しているか、又は該第二側辺からはみ出ており、
該表示媒体層は、該第一基板と該第二基板との間に設けられており、
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層は、該第一基板の内面に設けられ、該パターン化モリブデンタンタル酸化物層において、タンタルの原子百分率含有量は、２％〜１２％であり、且つ、モリブデンの原子百分率含有量及び酸素の原子百分率含有量は、両方とも、タンタルの原子百分率含有量よりも多く、
該パターン化金属層は、該パターン化モリブデンタンタル酸化物層と該第二基板の内面との間に設けられている
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項８】
該第二基板に光を供給するためのバックライト素子を更に含み、該第二基板は、該第一基板と該バックライト素子との間に位置し、且つ、該光は、該第二基板、該表示媒体層及び該第一基板を順に通過する
ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項９】
該パターン化金属層は、ゲート線、ゲート、共通線、データ線、ソース又はドレインの少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項１０】
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層において、酸素の原子百分率含有量は、５％〜６０％である
ことを特徴とする請求項９に記載の表示パネル。
【請求項１１】
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層の厚さは、５０オングストローム〜６００オングストロームである
ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項１２】
第一基板を提供するステップと、
該第一基板の内面に、モリブデンタンタル酸化物からなるモリブデンタンタル酸化物層を形成するステップであって、該モリブデンタンタル酸化物において、タンタルの原子百分率含有量は、２％〜１２％であり、且つ、モリブデンの原子百分率含有量及び酸素の原子百分率含有量は、両方とも、タンタルの原子百分率含有量よりも多いステップと、
該モリブデンタンタル酸化物層上に金属層を形成するステップと、
該モリブデンタンタル酸化物層及び該金属層に対してパターニングプロセスを行うステップであって、これにより、パターン化モリブデンタンタル酸化物層及びパターン化金属層が形成されるステップと、を含む
ことを特徴とする金属構造の作成方法。
【請求項１３】
該モリブデンタンタル酸化物層及び該金属層に対してパターニングプロセスを行うステップは、
該金属層上にパターン化フォトレジスト層を形成することと、
酸性エッチング液を用いて、該パターン化フォトレジスト層をマスクとして、該モリブデンタンタル酸化物層及び該金属層をエッチングすることと、を含む
ことを特徴とする請求項１２に記載の金属構造の作成方法。
【請求項１４】
該モリブデンタンタル酸化物層及び該金属層に対してパターニングプロセスを行うステップは、
アルカリ性フォトレジスト剥離液を用いて、該パターン化フォトレジスト層を除去することを含む
ことを特徴とする請求項１２に記載の金属構造の作成方法。
【請求項１５】
該モリブデンタンタル酸化物において、酸素の原子百分率含有量は、５％〜６０％である
ことを特徴とする請求項１２に記載の金属構造の作成方法。
【請求項１６】
該第一基板上に該モリブデンタンタル酸化物層を形成するステップは、非反応性スパッタリングプロセスを行うことを含む
ことを特徴とする請求項１２に記載の金属構造の作成方法。
【請求項１７】
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層の厚さは、５０オングストローム〜６００オングストロームである
ことを特徴とする請求項１２に記載の金属構造の作成方法。
【請求項１８】
該パターン化モリブデンタンタル酸化物層は、可視光範囲内の反射率が２％〜２０％である
ことを特徴とする請求項１２に記載の金属構造の作成方法。
【国際調査報告】
2021505971.tif 000022
2021505971.tif 000023
2021505971.tif 000024
2021505971.tif 000025