(57)【要約】  基板上のアルミニウム層の反射率を増加させるための方法および装置。いくつかの実施形態において、アルミニウム層を基板上に堆積させる方法は、コバルトもしくはコバルト合金の層またはチタンもしくはチタン合金の層を基板上に化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセスにより堆積させることと、コバルトもしくはコバルト合金の層の上面が損なわれている場合、コバルトもしくはコバルト合金の層を摂氏約４００度の温度で熱水素アニールにより前処理することと、アルミニウムの層をコバルトもしくはコバルト合金の層またはチタンもしくはチタン合金の層の上に摂氏約１２０度の温度でＣＶＤプロセスにより堆積させることとを含む。コバルトもしくはコバルト合金の層の前処理は、約６０秒〜約１２０秒の期間で達成され得る。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム層を基板上に堆積させる方法であって、
コバルトもしくはコバルト合金の層またはチタンもしくはチタン合金の層を前記基板上に堆積させることと、
アルミニウムの層を前記コバルトもしくはコバルト合金の層または前記チタンもしくはチタン合金の層の上に堆積させることと
を含む、方法。
【請求項２】
前記アルミニウムの層を堆積させる前に、前記コバルトもしくはコバルト合金の層を熱水素アニールにより前処理すること
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コバルトもしくはコバルト合金の層を摂氏約３００度〜摂氏約４００度の温度で前処理すること
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記コバルトもしくはコバルト合金の層を約６０秒〜約１２０秒の期間前処理すること
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記アルミニウムの層が、約２５０ｎｍと約９００ｎｍとの間の波長に対して少なくとも約８０％の反射率を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記コバルトもしくはコバルト合金の層または前記チタンもしくはチタン合金の層を約２０オングストローム〜約３０オングストロームの厚さに堆積させること
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アルミニウムの層を約３００オングストローム〜約１０００オングストロームの厚さに堆積させること
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記アルミニウムの層を摂氏約６０度〜摂氏約２５０度の温度で堆積させること
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記アルミニウムの層をアランタイプ前駆体またはアルキルタイプ前駆体を使用して堆積させることであり、前記アランタイプ前駆体が、トリメチルアミンアランボラン（ＴＭＡＡＢ）、メチルピリジンアルミニウム、またはジメチルエチルアミンアランを含み、前記アルキルタイプ前駆体が、ジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）を含む、堆積させること
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記コバルトもしくはコバルト合金の層または前記チタンもしくはチタン合金の層を、前記基板上に堆積された窒化チタンの層の上に堆積させること
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
アルミニウム層を基板上に堆積させる方法であって、
コバルトもしくはコバルト合金の層またはチタンもしくはチタン合金の層を前記基板上に化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセスにより約２０オングストローム〜約３０オングストロームの厚さに堆積させることと、
前記コバルトもしくはコバルト合金の層の上面が損なわれている場合、前記コバルトもしくはコバルト合金の層を摂氏約４００度の温度で熱水素アニールにより前処理することと、
アルミニウムの層を、前記コバルトもしくはコバルト合金の層または前記チタンもしくはチタン合金の層の上に、摂氏約１２０度の温度でＣＶＤプロセスにより約３００オングストローム〜約１０００オングストロームの厚さに堆積させることと
を含む、方法。
【請求項１２】
前記コバルトもしくはコバルト合金の層を約６０秒〜約１２０秒の期間前処理すること
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記コバルトもしくはコバルト合金の層または前記チタンもしくはチタン合金の層を、前記基板上に堆積された窒化チタンの層の上に堆積させること
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記アルミニウムの層が、約２５０ｎｍと約９００ｎｍとの間の波長に対して少なくとも約８０％の反射率を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
半導体デバイスにおける様々な波長を反射させるための機器であって、
シリコンベース材料から形成された基板と、
前記基板の前記シリコンベース材料の上に堆積された窒化チタン層と、
前記窒化チタン層の上に堆積されたコバルトもしくはコバルト合金層またはチタンもしくはチタン合金層と、
前記コバルトもしくはコバルト合金層または前記チタンもしくはチタン合金層の上に堆積されたアルミニウム層であり、前記アルミニウム層が少なくとも８０％の反射率を有する、アルミニウム層と
を含む、機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本原理の実施形態は、一般に、半導体処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体は、制御された処理環境で基板（例えば、半導体ウエハ）を処理する能力を有する１つまたは複数のプロセスチャンバで形成される。プロセスチャンバのうちのいくつかは、例えばアルミニウムなどの基板上に材料を堆積させるために使用される。アルミニウムの導電性および反射性のために、アルミニウムは、半導体設計の多くの異なる要素に組み込まれている。イメージセンサは、多くの場合、センサの動作に必要な反射性を与えるためにアルミニウムを使用する。半導体プロセスは、一般に、シリコンで製作された基板上に、通常、基板上に堆積された窒化チタン（ＴｉＮ）層の上に、アルミニウム層を堆積させる。しかしながら、発明者らは、ＴｉＮ上に堆積されたときのアルミニウムの反射率が、一般に、広い波長帯域にわたって５０％未満の反射率で不十分であることを観察した。不十分な反射率は、イメージセンサの性能に悪影響を及ぼす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、発明者らは、高い反射率をもつアルミニウム層を堆積させるための改善された方法および装置を提供した。
【０００４】
方法および装置は、増加したアルミニウム反射率を半導体プロセスに提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
いくつかの実施形態において、アルミニウム層を基板上に堆積させる方法は、コバルトもしくはコバルト合金の層またはチタンもしくはチタン合金の層を基板上に堆積させることと、アルミニウムの層をコバルトもしくはコバルト合金の層またはチタンもしくはチタン合金の層の上に堆積させることとを含む。
【０００６】
いくつかの実施形態では、この方法は、アルミニウムの層を堆積させる前にコバルトもしくはコバルト合金の層を熱水素アニールにより前処理することと、コバルトもしくはコバルト合金の層を摂氏約３００度〜摂氏約４００度の温度で前処理することと、コバルトもしくはコバルト合金の層を約６０秒〜約１２０秒の期間前処理することと、ここで、アルミニウムの層は、約２５０ｎｍと約９００ｎｍとの間の波長に対して少なくとも約８０％の反射率を有し、コバルトもしくはコバルト合金の層またはチタンもしくはチタン合金の層を約２０オングストローム〜約３０オングストロームの厚さに堆積させることと、コバルトもしくはコバルト合金の層またはチタンもしくはチタン合金の層を化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセス、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）プロセス、または物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセスにより堆積させることと、ここで、コバルトもしくはコバルト合金の層はコバルトまたはコバルトシリコンを含み、そして、ここで、チタンもしくはチタン合金の層はチタン、チタンシリコン、またはチタンアルミニウムを含み、アルミニウムの層を約３００オングストローム〜約１０００オングストロームの厚さに堆積させることと、アルミニウムの層を摂氏約６０度〜摂氏約２５０度の温度で堆積させることと、アルミニウムの層を、反応ガスとして水素ガス、アンモニアガス、ヒドラジン化合物ガス、水素とアンモニアの混合ガス、または水素とヒドラジンの化合物ガスを使用して堆積させることと、アルミニウムの層をアランタイプ前駆体またはアルキルタイプ前駆体を使用して堆積させることと、ここで、アランタイプ前駆体は、トリメチルアミンアランボラン（ＴＭＡＡＢ）、メチルピリジンアルミニウム、またはジメチルエチルアミンアランを含み、ここで、アルキルタイプ前駆体は、ジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）を含み、および／またはコバルトもしくはコバルト合金の層またはチタンもしくはチタン合金の層を、基板上に堆積された窒化チタンの層の上に堆積させることとをさらに含むことができる。
【０００７】
いくつかの実施形態では、アルミニウム層を基板上に堆積させる方法は、コバルトもしくはコバルト合金の層またはチタンもしくはチタン合金の層を基板上に化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセスにより約２０オングストローム〜約３０オングストロームの厚さに堆積させることと、コバルトもしくはコバルト合金の層の上面が損なわれている場合、コバルトもしくはコバルト合金の層を摂氏約４００度の温度で熱水素アニールにより前処理することと、アルミニウムの層を、コバルトもしくはコバルト合金の層またはチタンもしくはチタン合金の層の上に、摂氏約１２０度の温度でＣＶＤプロセスにより約３００オングストローム〜約１０００オングストロームの厚さに堆積させることとを含む。
【０００８】
いくつかの実施形態では、この方法は、コバルトもしくはコバルト合金の層を約６０秒〜約１２０秒の期間前処理することと、コバルトもしくはコバルト合金の層またはチタンもしくはチタン合金の層を、基板上に堆積された窒化チタンの層の上に堆積させることとをさらに含み、および／またはアルミニウムの層は、約２５０ｎｍと約９００ｎｍとの間の波長に対して少なくとも約８０％の反射率を有する。
【０００９】
いくつかの実施形態では、半導体デバイスにおける様々な波長を反射させるための機器が、シリコンベース材料から形成された基板と、基板のシリコンベース材料上に堆積された窒化チタン層と、窒化チタン層の上に堆積されたコバルトもしくはコバルト合金層またはチタンもしくはチタン合金層と、コバルトもしくはコバルト合金層またはチタンもしくはチタン合金層の上に堆積されたアルミニウム層とを含む。
【００１０】
いくつかの実施形態では、この機器は、基板に形成された側面および底面をもつ開口を有する高アスペクト比フィーチャであり、アルミニウム層が高アスペクト比フィーチャの側面および底面と共形であり、および／またはアルミニウム層が少なくとも８０％の反射率を有する、高アスペクト比フィーチャをさらに含むことができる。
【００１１】
他のおよびさらなる実施形態が以下で開示される。
【００１２】
上述で簡潔に要約され、以下でより詳細に論じられる本原理の実施形態は、添付の図面に示される本原理の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかしながら、添付の図面は、本原理の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、本原理が他の等しく効果的な実施形態を認めることができるので、範囲を限定すると見なされるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本原理のいくつかの実施形態による高反射率アルミニウム層を形成する方法を示す図である。
【図２】本原理のいくつかの実施形態による図１の方法から形成された構造の断面図である。
【図３】本原理のいくつかの実施形態による図１の方法から形成されたアルミニウム層をもつ構造の断面図である。
【図４】本原理のいくつかの実施形態によるアルミニウム層をもつ高アスペクト比フィーチャの断面図である。
【図５】本原理のいくつかの実施形態によるある波長範囲にわたるアルミニウム層の反射率のグラフを示す図である。
【図６】本原理のいくつかの実施形態によるアルミニウム層の相対的粒子サイズのグラフを示す図である。
【図７】本原理のいくつかの実施形態によるアニーリングプロセスを受けた後のアルミニウム層の相対的反射率のグラフを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
理解しやすくするために、図に共通する同一の要素を指定するのに、可能であれば、同一の参照番号が使用されている。図は、正しい縮尺で描かれておらず、明瞭にするために簡単化されていることがある。ある実施形態の要素および特徴は、さらなる詳述なしに、他の実施形態に有利に組み込むことができる。
【００１５】
この方法および装置は、高反射率アルミニウム層を半導体基板上に設ける。コバルトもしくはコバルト合金下層またはチタンもしくはチタン合金下層は、有利には、アルミニウム層の平滑性を向上させ、その結果、広い波長帯域にわたって反射率が増加する。この方法および装置はまた、反射率の増加を維持しながら高度に共形のアルミニウム層を設ける。高い反射率は、熱処理を必要とする後続の半導体プロセスの後でも有益に維持される。
【００１６】
タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、または窒化チタン（ＴｉＮ）などの下層を使用すると、広い波長帯域にわたって５０％未満の反射率の数値がもたらされることを発明者らは見いだした。タングステン、Ｒｕ、およびＴｉＮは、アルミニウム堆積に対して良好な下層を提供せず、そのため、不十分な反射率が生じる。発明者らは、コバルトもしくはコバルト合金またはチタンもしくはチタン合金の下層が、アルミニウム層に対して非常に高い反射率（例えば、波長帯域にわたって約８５％）およびより大きい堆積速度を提供することを発見した。発明者らはまた、アルミニウム層の堆積温度を低下させると、より高い反射率がアルミニウム層にもたらされ、より良好なステップカバレッジおよび間隙充填が提供されることを見いだした。本原理の方法および装置は、基板界面での凝集のために、コバルトもしくはコバルト合金またはチタンもしくはチタン合金の下層の上にアルミニウム堆積に関して改善された核生成を提供し、それにより、より平滑でより連続的なアルミニウム膜および増加した反射率がもたらされる。
【００１７】
図１は、いくつかの実施形態による高反射率アルミニウム層を形成する方法１００である。ブロック１０２において、この方法は、図１の方法から形成される構造２００の断面図を示す図２に示されるように、コバルトもしくはコバルト合金層またはチタンもしくはチタン合金層２０８を基板２０２上に堆積させることによって始まる。いくつかの実施形態では、コバルトもしくはコバルト合金層は、コバルト、または限定はしないがコバルトシリコン（ＣｏＳｉ）などのようなコバルト合金を含むことができる。いくつかの実施形態では、チタンもしくはチタン合金層は、チタン、または限定はしないがチタンアルミニウム（ＴｉＡｌ）、チタンシリコン（ＴｉＳｉ）などのようなチタン合金を含むことができる。いくつかの実施形態では、ＴｉＡｌ層は、ＴｉＣｌ4（四塩化チタン）＋ＴＥＡ（トリエチルアルミニウム）を使用して堆積させることができる。アルミニウムおよび／または塩化物濃度は、プロセス条件および／または用途に応じて、約１０％〜約４０％の間で変わることができる。いくつかの実施形態では、基板２０２は、シリコンベース材料から形成することができ、基板２０２の上面に酸化ケイ素層２０４の層を有してもよい。いくつかの実施形態では、基板２０２は、さらに、コバルトもしくはコバルト合金層またはチタンもしくはチタン合金層２０８を堆積する前に、基板２０２上に窒化チタン（ＴｉＮ）層２０６を堆積させてもよい。いくつかの実施形態では、コバルトもしくはコバルト合金層またはチタンもしくはチタン合金層２０８は、約２０オングストローム〜約３０オングストロームとすることができる。いくつかの実施形態では、コバルトもしくはコバルト合金層またはチタンもしくはチタン合金層２０８は、コバルトもしくはコバルト合金またはチタンもしくはチタン合金の材料を使用して、化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセス、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ）プロセス、または物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセスにより堆積させることができる。
【００１８】
ブロック１０４において、アルミニウム層を堆積する前に、コバルトもしくはコバルト合金層を洗浄するために、コバルトもしくはコバルト合金層に前処理をオプションとして実行することができる。いくつかの環境において、コバルトもしくはコバルト合金層は、酸素にさらされることがあり、酸素は、コバルトもしくはコバルト合金層の上に酸化物を形成することがある。酸化物および／または他の汚染物質は、前処理プロセスによって除去される。いくつかの実施形態では、前処理は、熱水素アニールプロセスである。いくつかの実施形態では、前処理は、摂氏４００度（Ｃ）の温度で約６０秒間水素を用いて実行される。実施形態によっては、前処理は、約６０秒〜約１２０秒の持続時間の間水素を用いて実行される。実施形態によっては、前処理は、約３００度Ｃ〜約４００度Ｃの温度で水素を用いて実行される。コバルトもしくはコバルト合金層の前処理により、コバルトもしくはコバルト合金層の表面上のいかなる汚染物質も除去することによって、アルミニウムをコバルトもしくはコバルト合金層の上により良好に堆積させることができる。いくつかの実施形態では、コバルトもしくはコバルト合金層の堆積は、第１の半導体プロセスツールで実行され、次いで、前処理のために第２の半導体プロセスツールに移動される。発明者らは、水素がアンモニウムよりも良好なアルミニウム堆積結果を提供し、前処理の期間が、処理されたコバルトもしくはコバルト合金層の薄さに起因する影響が強くないことを見いだした。
【００１９】
ブロック１０６において、アルミニウム層３１０が、例えば図２および図３に示されるように、コバルトもしくはコバルト合金層またはチタンもしくはチタン合金層２０８の上に堆積される。いくつかの実施形態では、アルミニウム層３１０は、それぞれ、コバルトもしくはコバルト合金層またはチタンもしくはチタン合金層２０８および前処理に使用される第１および第２の半導体プロセスツール以外の第３の半導体プロセスツール（例えば、ＭＯＣＶＤまたはＣＶＤチャンバ）で堆積されてもよい。アルミニウム層３１０は、コバルトもしくはコバルト合金層またはチタンもしくはチタン合金層２０８とともに界面核生成部３０８を有する。アルミニウム層３１０とコバルトもしくはコバルト合金層またはチタンもしくはチタン合金層２０８との間の混合は、アルミニウム層３１０の核生成を支援し、それは、アルミニウム層３１０のより良好な堆積を可能にする。いくつかの実施形態では、アルミニウム層３１０の堆積は、タングステンおよびＴｉＮ下層と比較して約８０％〜約９５％の堆積速度の増加があり得る。界面核生成部は、より高い膜連続性を提供し、それは、高反射率をもつより薄いアルミニウム層を可能にする。いくつかの実施形態では、アルミニウム堆積温度は、約６０度Ｃ〜約２５０度Ｃにわたることができる。発明者らは、温度を低下させることが、堆積されたアルミニウム層３１０の反射率を増加させるのに役立つ可能性があることを見いだした。いくつかの実施形態では、アルミニウム堆積温度は、アルミニウム堆積層により高いレベルの反射率（少なくとも約８５％）を与えるように約１２０度Ｃとすることができる。
【００２０】
いくつかの実施形態では、アルミニウム層３１０の反射率は、５０％超〜約９０％以上であり得る。発明者らは、使用される堆積前駆体、堆積の厚さ、および堆積温度がアルミニウム層の反射率に影響を与える可能性があることを見いだした。いくつかの実施形態では、アルミニウム堆積前駆体は、例えば、トリメチルアミンアランボラン（ＴＭＡＡＢ）、メチルピリジンアルミニウム、またはジメチルエチルアミンアラン（ＤＭＥＡＡ）などのアランタイプの前駆体とすることができる。いくつかの実施形態では、アルミニウム堆積前駆体は、例えば、ジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）などのアルキルタイプの前駆体とすることができる。ＤＭＡＨは、ＤＭＡＨが高い粘度を有するため、取り扱うことが困難となることがある。実施形態によっては、ＤＭＡＨは、取り扱いを容易にするために、少量（約０．１％〜約５％）の溶媒または添加剤がＤＭＡＨに添加されてもよい。いくつかの実施形態では、アルミニウム堆積プロセスは、例えば、水素ガス（Ｈ2）、アンモニアガス（ＮＨ3）、ヒドラジン化合物ガス、または混合ガス（例えば、Ｈ2＋ＮＨ3、Ｈ2＋ヒドラジン化合物ガス、など）などの反応ガスを使用することができる。
【００２１】
いくつかの実施形態では、少なくとも８５％のアルミニウム反射率を、約２５０ｎｍ〜約９００ｎｍにわたる波長に対して得ることができる。いくつかの実施形態では、アルミニウム層の厚さは、約３００オングストローム〜約１０００オングストロームとすることができる。厚さが薄いほど、特に基板の高アスペクト比のフィーチャに対して、アルミニウム層が共形になるのに役立つ。タングステンおよびＴｉＮ下層では、アルミニウムが連続的になるのに先だってアルミニウムの厚い層が必要とされる。コバルトもしくはコバルト合金下層またはチタンもしくはチタン合金下層は、アルミニウムのより薄い層でより高い連続性を可能にし、それにより、高い反射率および広範囲の用途をもつ薄い共形アルミニウム層をもたらす。本原理の方法および装置によるアルミニウム層の特性により、アルミニウム層は、高分解能導電性パターニングが様々な段差高さにわたって使用される高アスペクト比フィーチャおよび再分線層（ＲＤＬ）で、そして、さらに、後続の処理が追加の加熱ステップを使用する用途（例えば、バックエンド（ＢＥＯＬ）プロセスなど）で使用するのに理想的なものになる。
【００２２】
図４は、いくつかの実施形態による共形アルミニウム層４１０をもつ高アスペクト比フィーチャ４００の断面図を示す。高アスペクト比フィーチャ４００は、開口４０４、側面４０６、および底面４０８を有する。基板２０２は、シリコンベース材料で製作され、基板２０２の表面に酸化ケイ素層２０４がある場合がある。コバルトもしくはコバルト合金層またはチタンもしくはチタン合金層２０８は、基板２０２上に堆積されたＴｉＮ層２０６の上に堆積される。共形アルミニウム層４１０は、コバルトもしくはコバルト合金層またはチタンもしくはチタン合金層２０８の上に堆積され、その結果、共形アルミニウム層４１０は、高アスペクト比フィーチャ４００でさえ、高反射率を維持しながら、底面４０８および側面４０６において高アスペクト比フィーチャ４００に沿っている。いくつかの実施形態では、共形アルミニウム層４１０は、約５００オングストロームの厚さを有することができる。本原理の方法および装置によって提供される薄さにより、フィーチャが高アスペクト比を有する場合でさえ、アルミニウムを共形に堆積させることができる。本原理の方法および装置の共形特性はまた、再配線層（ＲＤＬ）の構築中に生じるものなどの様々な段差高さにわたるアルミニウム層の堆積を可能にする。
【００２３】
図５は、いくつかの実施形態によるある波長範囲にわたるアルミニウム層の反射率のグラフ５００を示す。グラフ５００は、本原理の方法および装置を使用して、広い波長範囲に対して発明者らによって発見された高いレベルの反射率を示す。いくつかの実施形態では、その波長で、アルミニウム層によって少なくとも約８５％の反射率が示された。図６は、いくつかの実施形態によるアルミニウム層の相対的粒子サイズのグラフ６００を示す。発明者らは、コバルト（Ｃｏ）６０６がタングステン（Ｗ）６０４またはルテニウム（Ｒｕ）６０２と比較してはるかに小さいアルミニウム粒子サイズを生成することを見いだした。コバルト６０６のより小さい粒子サイズは、厚さの薄いアルミニウム層に高い膜連続性を与えるのに役立つと発明者らは考える。図７は、いくつかの実施形態によるアニーリングプロセスを受けた後のアルミニウム層の相対的反射率のグラフ７００を示す。発明者らは、本原理に従って堆積されたアルミニウム層の反射率への後続の半導体熱処理ステップの影響を示すために、高反射率をもつアルミニウム層をアニーリングプロセスにかけた。アニール後の反射率７０４は、テストされた波長帯域にわたって、アニール前の反射率７０２の無視できる割合内にあった。本原理の方法および装置の有利な堅牢性ために、熱加熱を使用する後続の半導体プロセスは、反射率にほとんど悪影響を与えないであろう。
【００２４】
前述は本原理の実施形態を対象にしているが、本原理の他のおよびさらなる実施形態が、その基本的な範囲から逸脱することなく考案され得る。
【図１】
2021521349.tif 000003
【図２】
2021521349.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2021521349.tif 000009
【国際調査報告】
2021521349.tif 000010
2021521349.tif 000011