(57)【要約】粒子ビーム検査装置を使用したサンプルの検査のための改良されたシステム及び方法、より具体的には、複数の荷電粒子ビームでサンプルをスキャンするシステム及び方法を提供する。荷電粒子の一次ビームを生成するための荷電粒子源、サンプルを保持するように構成されたステージ、及び一次ビームをビームのアレイに分割するように構成された荷電粒子源とステージとの間の偏向器システム、を含むビーム構成システムを備えるマルチビームツールが提供され、ビーム構成システムは、ビームのアレイの行内のビームの数に基づいて決定される回転角を伴う回転ビーム構成を提供するように構成される。【選択図】図１９
2021526716.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチビームツールであって、
ビーム構成システムを含み、前記ビーム構成システムは、荷電粒子の一次ビームを生成するための荷電粒子源、サンプルを保持するように構成されたステージ、及び前記一次ビームをビームのアレイに分割するように構成された前記荷電粒子源と前記ステージとの間の偏向器システム、を含み、
前記ビーム構成システムは、前記ビームのアレイの行内のビームの数に基づいて決定される回転角を伴う、回転ビーム構成を提供するように構成される、マルチビームツール。
【請求項２】
前記ビームのアレイは、前記マルチビームツールの光軸の周りに配置され、
前記回転ビーム構成は、前記光軸の周りを回転するように構成された前記ステージを含む、請求項１に記載のマルチビームツール。
【請求項３】
前記ビームのアレイは、前記マルチビームツールの光軸の周りに配置され、
前記回転ビーム構成は、前記ビームのアレイを前記光軸の周りで回転させるように構成された前記偏向器システムを含む、請求項１に記載のマルチビームツール。
【請求項４】
前記マルチビームツールは、前記サンプルの表面エリアの画像を生成するように構成され、
前記回転ビーム構成は、前記ビームのアレイが、前記画像化される表面エリアよりも大きなエリアをスキャンできるようにする、請求項１に記載のマルチビームツール。
【請求項５】
前記ステージは第１の方向に沿って移動するように構成され、
前記ビームのアレイが前記視野に渡りスキャンすることは、前記ビームのアレイが第２の方向に沿って前記視野をカバーする一組のスキャンラインをスキャンすることを含む、請求項１に記載のマルチビームツール。
【請求項６】
前記第２の方向は、前記サンプルを基準にして、前記第１の方向と実質的に垂直である、請求項５に記載のマルチビームツール。
【請求項７】
前記第２の方向は、前記サンプルを基準にして、前記第１の方向と実質的に平行である、請求項５に記載のマルチビームツール。
【請求項８】
前記一組のスキャンラインは、前記マルチビームツールによって生成される画像のピクセルサイズに対応した距離だけ、間隔をあけて配置される、請求項５に記載のマルチビームツール。
【請求項９】
前記ビーム構成システムは、前記ステージに結合されたコントローラを更に含み、前記コントローラは、前記ステージの動きを制御するように構成される、請求項１に記載のマルチビームツール。
【請求項１０】
前記ビーム構成システムは、前記偏向器システムに結合されたコントローラを更に含み、前記コントローラは、前記ビームのアレイを偏向させるように前記偏向器システムを制御するように構成される、請求項１に記載のマルチビームツール。
【請求項１１】
方法であって、
マルチビームツールによって、荷電粒子の一次ビームを生成することと、
前記マルチビームツールによって、前記一次ビームをビームのアレイに分割することと、
前記マルチビームツールによって、前記ビームのアレイが、前記ビームのアレイの行内のビームの数に基づいて決定される回転角だけ、スキャンされることになる前記サンプルに対して、回転した向きを有するようにすることと、を含む方法。
【請求項１２】
前記ビームのアレイが、前記サンプルに対して回転した向きを有するようにすることは、前記マルチビームツールの光軸の周りで前記サンプルを回転させることを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ビームのアレイが、前記サンプルに対して回転した向きを有するようにすることは、前記マルチビームツールの光軸の周りで前記ビームのアレイを回転させることを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ビームのアレイが前記サンプルに対して回転した向きを有するようにすることは、前記ビームのアレイが、前記マルチビームツールによって画像化されるサンプル表面エリアよりも大きなエリアをスキャンすることを可能にする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記マルチビームツールによって、前記サンプルを第１の方向に沿って移動させることを更に含み、
前記ビームのアレイは、第２の方向に沿って、前記画像化される表面エリアをカバーする一組のスキャンラインをスキャンする、請求項１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本出願は、２０１８年６月１２日に出願された米国特許出願第６２／６８４，１３８号、２０１８年１２月３１日に出願された米国特許出願第６２／７８７，２２７号、及び２０１９年５月２０日に出願された米国特許出願第６２／８５０，４６１号の優先権を主張するものであり、これらの特許出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本明細書で提供する実施形態は一般に、粒子ビーム検査装置を使用したサンプルの検査に関し、より具体的には、複数の荷電粒子ビームでサンプルをスキャンするシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  半導体集積回路（ＩＣ）チップを製造する際、製造プロセスの間にウェーハ又はマスク上にパターン欠陥又は招かれざる粒子（残留物）が不可避的に発生し、それによって歩留まりが低下する。例えば、招かれざる粒子は、ＩＣチップの一段とより高度化した性能要件を満たすために採用されてきた、重要フィーチャ寸法がより小さなパターンにとって、問題となり得る。
【０００４】
[0004]  荷電粒子ビームを用いたパターン検査ツールを使用して、欠陥又は招かれざる粒子を検出してきた。これらのツールは通常、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を採用している。ＳＥＭでは、比較的高いエネルギーを有する一次電子のビームを減速させて、比較的に低いランディングエネルギーでサンプルに入射させ、集束させてサンプル上にプローブスポットを形成する。一次電子のこの集束したプローブスポットに起因して、表面から二次電子が生成される。二次電子には、一次電子とサンプルとの相互作用から生じる、後方散乱電子、二次電子、又はオージェ電子が含まれることがある。サンプル表面に渡ってプローブスポットをスキャンさせ二次電子を収集することにより、パターン検査ツールはサンプル表面の画像を取得することができる。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  本明細書で提供する実施形態は、粒子ビーム検査装置、より具体的には、複数の荷電粒子ビームを使用した検査装置について開示する。
【０００６】
[0006]  実施形態によっては、マルチビームツールが提供される。マルチビームツールはビーム構成システムを含み、このビーム構成システムは、荷電粒子の一次ビームを生成するための荷電粒子源、サンプルを保持するステージ、及び一次ビームをビームのアレイに分割するように構成された荷電粒子源とステージとの間の偏向器システム、を含む。ビーム構成システムは、ビームのアレイの行内のビームの数に基づいて決定される回転角を伴う、回転ビーム構成を提供するように構成される。
【０００７】
[0007]  実施形態によっては、マルチビームツールが提供される。マルチビームツールは、荷電粒子の一次ビームを生成するための荷電粒子源、サンプルを保持するように構成され且つ第１の方向に移動するように構成されたステージ、及び荷電粒子源とステージとの間の偏向器システム、を含む。偏向器システムは、一次ビームをｎ個のビームに分割し（但しｎは整数で、ｎ≧２）、このｎ個のビームが第１の方向に沿って間隔をあけて配置されるように、ｎ個のビームを第１の方向を基準にして回転させ、またｎ個のビームを偏向させて、同時にｉ）ステージの移動に追従し、ｉｉ）サンプルの表面に渡って、ｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組をスキャンする、ように構成される。
【０００８】
[0008]  実施形態によっては、マルチビームツールが提供される。マルチビームツールは、荷電粒子の一次ビームを生成するように構成された荷電粒子源、サンプルを保持するように構成され且つ第１の方向に移動するように構成されたステージ、及び荷電粒子源とステージとの間の偏向器システム、を含むビーム構成システムを含む。偏向器システムは、一次ビームをビームのアレイに分割するように構成される。ビーム構成システムは、偏向器システムを介してビームのアレイを偏向させて、ｉ）ビーム構成システムの視野内の第１の組のスキャンラインをスキャンし、ｉｉ）第１の組のスキャンラインのスキャン中にステージの移動に追従し、ここで、第１の組のスキャンラインは第１の方向に沿って第１の距離に渡って広がっており；第１の組のスキャンラインがスキャンされた後で、ステージを第１の距離だけ第１の方向に移動させ；偏向器システムを介してビームのアレイを偏向させて、ｉ）ビーム構成システムの視野内の第２の組のスキャンラインをスキャンし、ｉｉ）第２の組のスキャンラインのスキャン中にステージの移動に追従し；第１及び第２の組のスキャンラインがスキャンされるときに、ステージを第１の方向に移動させる、ように構成される。
【０００９】
[0009]  実施形態によっては、サンプルをスキャンするように複数の荷電粒子ビームを制御する方法が提供される。この方法は、マルチビームツールによって、荷電粒子の一次ビームを生成すること；マルチビームツールによって、一次ビームをビームのアレイに分割すること；マルチビームツールによって、アレイのビームの行内のビームの数に基づいて決定される回転角だけ、ビームのアレイを、スキャンされることになるサンプルに対して回転させること、を含む。
【００１０】
[0010]  実施形態によっては、サンプルをスキャンするように複数の荷電粒子ビームを制御する方法が提供される。この方法は、マルチビームツールによって、サンプルを第１の方向に移動させること；マルチビームツールによって、荷電粒子の一次ビームを生成すること；マルチビームツールによって、一次ビームをｎ個のビームに分割すること、但し、ｎは整数でありｎ≧２である；ｎ個のビームが第１の方向に沿って間隔をあけて配置されるように、ｎ個のビームを第１の方向を基準にして回転させること；マルチビームツールによって、ｎ個のビームを偏向させて、同時にｉ）サンプルの移動に追従し、ｉｉ）サンプルの表面に渡って、ｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組をスキャンすること、を含む。
【００１１】
[0011]  実施形態によっては、サンプルをスキャンするように複数の荷電粒子ビームを制御する方法が提供される。この方法は、サンプルを第１の方向に移動させること；マルチビームツールによって、荷電粒子の一次ビームを生成すること；マルチビームツールによって、一次ビームをビームのアレイに分割すること；マルチビームツールによって、ビームのアレイを偏向させて、ｉ）マルチビームツールの視野内の第１の組のスキャンラインをスキャンし、ｉｉ）第１の組のスキャンラインのスキャン中にサンプルの移動に追従すること、ここで、第１の組のスキャンラインは第１の方向に沿って第１の距離に渡って広がっている；第１の組のスキャンラインがスキャンされた後で、マルチビームツールによって、サンプルを第１の距離だけ第１の方向に移動させること；マルチビームツールによって、ビームのアレイを偏向させて、ｉ）マルチビームツールの視野内の第２の組のスキャンラインをスキャンし、ｉｉ）第２の組のスキャンラインのスキャン中にサンプルの移動に追従すること；第１及び第２の組のスキャンラインがスキャンされるときに、マルチビームツールによって、サンプルを第１の方向に移動させること、を含む。
【００１２】
[0012]  実施形態によっては、一組の命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読媒体が提供される。この一組の命令は、マルチビームツールに結合されたコントローラによって実行可能であり、以下を含む方法、即ち、ビームのアレイの行内のビームの数に基づいて決定された回転角だけ、マルチビームツールによってスキャンされることになるサンプルに対して荷電粒子ビームのアレイを回転させるように、マルチビームツールのビーム構成システムに指示することを含む方法を、コントローラに実施させる。マルチビームツールは、荷電粒子の一次ビームを生成し、この一次ビームを荷電粒子ビームのアレイに分割する。
【００１３】
[0013]  実施形態によっては、一組の命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読媒体が提供される。この一組の命令は、マルチビームツールに結合されたコントローラによって実行可能であり、以下を含む方法をコントローラに実施させる。その方法とは、サンプルを第１の方向に移動させるようにマルチビームツールのサンプルステージに指示することであって、マルチビームツールは荷電粒子の一次ビームを生成し、一次ビームをｎ個のビームに分割し、ここでｎは整数でありｎ≧２であること；ｎ個のビームが第１の方向に沿って間隔をあけて配置されるように、第１の方向を基準にしてｎ個のビームを回転させるようにマルチビームツールのビーム構成システムに指示すること；ｎ個のビームを偏向させて、同時にｉ）サンプルの移動に追従し、ｉｉ）サンプルの表面に渡って、ｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組をスキャンするように、ビーム構成システムに指示すること、を含む方法である。
【００１４】
[0014]  実施形態によっては、一組の命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読媒体が提供される。この一組の命令は、マルチビームツールに結合されたコントローラによって実行可能であり、以下を含む方法をコントローラに実施させる。その方法とは、サンプルを第１の方向に移動させるようにマルチビームツールのサンプルステージに指示することであって、マルチビームツールは、荷電粒子の一次ビームを生成し一次ビームをビームのアレイに分割すること；ビームのアレイを偏向させて、ｉ）マルチビームツールの視野内の第１の組のスキャンラインをスキャンし、ｉｉ）第１の組のスキャンラインのスキャン中にサンプルの移動に追従する、ようにマルチビームツールのビーム構成システムに指示すること、ここで、第１の組のスキャンラインは第１の方向に沿って第１の距離に渡って広がっている；第１の組のスキャンラインがスキャンされた後で、サンプルを第１の距離だけ第１の方向に移動させるようにサンプルホルダーに指示すること；ビームのアレイを偏向させて、ｉ）マルチビームツールの視野内の第２の組のスキャンラインをスキャンし、ｉｉ）第２の組のスキャンラインのスキャン中にサンプルの移動に追従する、ようにビーム構成システムに指示すること；第１及び第２の組のスキャンラインがスキャンされるときに、サンプルを第１の方向に移動させること、を含む方法である。
【００１５】
[0015]  開示する実施形態は、Ｎ個の荷電粒子ビームを使用してサンプルのエリアをスキャンする方法を提供し、ここでＮは２以上の整数であり、サンプルのエリアは、Ｎ個の連続したスキャンラインの複数のスキャンセクションを含む。この方法は、サンプルの位置を第１の方向に移動させること；Ｎ個の荷電粒子ビームのうちの第１の荷電粒子ビームを用いて、第１の荷電粒子ビームのプローブスポットに向かって動いている複数のスキャンセクションのうちの少なくとも幾つかのスキャンセクションの第１のスキャンラインをスキャンすること；Ｎ個の荷電粒子ビームのうちの第２の荷電粒子ビームを用いて、第２の荷電粒子ビームのプローブスポットに向かって動いている複数のスキャンセクションのうちの少なくとも幾つかのスキャンセクションの第２のスキャンラインをスキャンすること、を含む。
【００１６】
[0016]  開示する実施形態は、一組の命令を記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体を提供し、この一組の命令は、荷電粒子ビームシステムの１つ又は複数のプロセッサによって実行可能であり、時系列にサンプルの表面にＮ個の荷電粒子ビームを送達するための荷電粒子ビーム源を用いて、荷電粒子ビームシステムにある方法を実施させる。この方法は、サンプルの位置を第１の方向に移動させること；Ｎ個の荷電粒子ビームのうちの第１の荷電粒子ビームを用いて、第１の荷電粒子ビームのプローブスポットに向かって動いている複数のスキャンセクションのうちの少なくとも幾つかのスキャンセクションの第１のスキャンラインをスキャンすること；Ｎ個の荷電粒子ビームのうちの第２の荷電粒子ビームを用いて、第２の荷電粒子ビームのプローブスポットに向かって動いている複数のスキャンセクションのうちの少なくとも幾つかのスキャンセクションの第２のスキャンラインをスキャンすること、を含む。
【００１７】
[0017]  開示する実施形態は、Ｎ×Ｍの荷電粒子ビームを利用するマルチビーム検査システムによってサンプルをスキャンする方法も提供し、Ｎは２以上の整数である。この方法は、Ｎ個の荷電粒子ビームの各ビームが第１の組のＮ個の隣接するスキャンラインのうちの異なるスキャンラインをスキャンできるように、Ｎ個の荷電粒子ビームを配置すること；Ｎ個の荷電粒子ビームを使用することにより、サンプルが第１の方向に第１の速度で移動している間にサンプルの第１の組のＮ個の隣接するスキャンラインをスキャンすること；第１の組のＮ個の隣接するスキャンラインのスキャンの開始を基準にして、Ｎ個の荷電粒子ビームの各ビームが第２の組の隣接するスキャンラインのうちの異なるスキャンラインをスキャンできるように、Ｎ個の荷電粒子ビームを再度配置すること；Ｎ個の荷電粒子ビームを使用することにより、サンプルが第１の方向に第１の速度で移動している間に、サンプルの第２の組のＮ個の隣接するスキャンラインをスキャンすること、を含む。
【００１８】
[0018]  開示する実施形態は、Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームを利用するマルチビーム検査システムによってステージ上に配置されたサンプルをスキャンする方法も提供し、Ｎ及びＭはそれぞれ２以上の整数である。この方法は、第１の組の位置にあるＮ×Ｍアレイの荷電粒子ビームの各ビームが、サンプルの第１の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションのうちの異なるスキャンセクションをスキャンできるように、Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームを配置することを含む。この方法は、Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームを使用することにより、ステージが第１の方向に第１の速度で移動している間に、サンプルの第１の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションのうちの少なくとも幾つかのスキャンセクションのスキャンラインをスキャンすることも含む。この方法は、第１の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションのスキャンの開始を基準にして、第２の組の位置にあるＮ×Ｍアレイの荷電粒子ビームの各ビームが、サンプルの第２の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションのうちの異なるスキャンセクションをスキャンできるように、Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームを再配置することも含む。この方法は、Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームを使用することにより、ステージが第１の方向に第１の速度で移動している間に、サンプルの第２の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションのうちの少なくとも幾つかのスキャンセクションのスキャンラインをスキャンすることも含む。
【００１９】
[0019]  本開示の他の利点が、添付の図面と併せて解釈される以下の説明から明らかになるであろう。添付の図面には、図示及び例示の目的で、本発明の特定の実施形態が記載されている。
【００２０】
[0020]  本開示の上記の及び他の態様が、添付の図面と併せて解釈される例示的な実施形態の説明により、一層明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】[0021]本開示の実施形態と一致した、例示的な荷電粒子ビーム検査システムを示す概略図である。
【図２】[0022]本開示の実施形態と一致した、例示的な電子ビームツールを示す概略図である。
【図３Ａ】[0023]荷電粒子の複数のビームを使用してサンプルを検査する様子を概略的に示す。
【図３Ｂ】[0023]荷電粒子の複数のビームを使用してサンプルを検査する様子を概略的に示す。
【図３Ｃ】[0024]期間Ｔ１、Ｔ２、及びＴ３のうちの１つの間の、サンプルに対する図３Ａのプローブスポットのうちの１つの動きを概略的に示す。
【図３Ｄ】[0024]期間Ｔ１、Ｔ２、及びＴ３のうちの１つの間の、サンプルに対する図３Ｂのプローブスポットのうちの１つの動きを概略的に示す。
【図４Ａ】[0025]本開示の実施形態と一致した、荷電粒子の複数のビームを使用してサンプルを検査する様子を概略的に示す。
【図４Ｂ】[0025]本開示の実施形態と一致した、荷電粒子の複数のビームを使用してサンプルを検査する様子を概略的に示す。
【図５Ａ】[0026]本開示の実施形態と一致した、荷電粒子の複数のビームを使用してサンプルを検査する様子を概略的に示す。
【図５Ｂ】[0026]本開示の実施形態と一致した、荷電粒子の複数のビームを使用してサンプルを検査する様子を概略的に示す。
【図６】[0027]本開示の実施形態と一致した、荷電粒子の複数のビームを使用してサンプルを検査する様子を概略的に示す。
【図７】[0028]本開示の実施形態と一致した、例示的なマルチビームスキャン方法のステップを示す流れ図である。
【図８Ａ】[0029]本開示の実施形態と一致した、図１に示す電子ビーム検査システムの光軸の周りに一次ビームレットを回転させる前及び後の、サンプルの表面上の複数の一次ビームレットの分布を示す概略図である。
【図８Ｂ】[0030]本開示の実施形態と一致した、図１に示す電子ビーム検査システムの光軸の周りに一次ビームレットを回転させる前及び後の、サンプルの表面上の複数の一次ビームレットのスキャンパターンを示す概略図である。
【図９】[0031]本開示の実施形態と一致した、図８Ａ及び図８Ｂに示した一次ビームレットの回転角を選択するためのプロセスを示す概略図である。
【図１０】[0032]本開示の実施形態と一致した、マルチビームスキャン方法の流れ図である。
【図１１】[0033]本開示の実施形態と一致した、マルチビームインターレース方式スキャンパターンを示す概略図である。
【図１２】[0034]本開示の実施形態と一致した、インターレース方式スキャン中のサンプルに対する複数のプローブスポットの移動軌跡を示す概略図である。
【図１３】[0035]本開示の実施形態と一致した、マルチビームインターレース方式スキャンパターンを示す概略図である。
【図１４】[0036]本開示の実施形態と一致した、マルチビームインターレース方式スキャン方法の流れ図である。
【図１５】[0037]本開示の実施形態と一致した、マルチビーム半インターレース方式スキャンパターンを示す概略図である。
【図１６】[0038]本開示の実施形態と一致した、マルチビーム半インターレース方式スキャン方法の流れ図である。
【図１７】[0039]本開示の実施形態と一致した、ビーム再配置の前及び後のサンプルの表面上の複数の一次ビームレットの分布を示す概略図である。
【図１８】[0040]本開示の実施形態と一致した、「連続スキャン」モードでのマルチビームスキャンパターンを示す概略図である。
【図１９】[0041]本開示の実施形態と一致した、回転した一次ビームレットの組を使用した例示的なスキャンパターンを示す概略図である。
【図２０Ａ】[0042]本開示の実施形態と一致した、図１９に示した回転した一次ビームレットを使用した例示的なマルチビームスキャンパターンを示す概略図である。
【図２０Ｂ】[0042]本開示の実施形態と一致した、図１９に示した回転した一次ビームレットを使用した例示的なマルチビームスキャンパターンを示す概略図である。
【図２０Ｃ】[0042]本開示の実施形態と一致した、図１９に示した回転した一次ビームレットを使用した例示的なマルチビームスキャンパターンを示す概略図である。
【図２０Ｄ】[0042]本開示の実施形態と一致した、図１９に示した回転した一次ビームレットを使用した例示的なマルチビームスキャンパターンを示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
[0043]  ここで、例示的な実施形態を詳細に参照する。これらの実施形態の例が、添付の図面に示されている。以下の説明は添付の図面を参照し、異なる図面中の同じ番号は、特に断りの無い限り、同じ又は同様の要素を表す。例示的な実施形態の以下の説明文中に記載される実装は、本発明と一致する全ての実装を表すものではない。その代わり、それらは、添付の特許請求の範囲に列挙されるような本発明に関連する態様と一致する装置及び方法の単なる例にすぎない。
【００２３】
[0044]  電子デバイスは、基板と呼ばれるシリコン片上に形成された回路から構成される。多数の回路が、同じシリコン片上に一緒に形成されることがあり、集積回路又はＩＣと呼ばれる。多数のより多くの回路を基板上に収めることができるように、これらの回路の寸法は劇的に減少された。例えば、スマートフォン内のＩＣチップは、親指の爪程小さいことがありながら、２０億個を超えるトランジスタを含むことができ、各トランジスタの寸法は、人間の髪の毛の寸法の１／１０００よりも小さい。
【００２４】
[0045]  これらの極端に小さなＩＣを製造することは、複雑で時間がかかり高価なプロセスであり、しばしば数百にのぼる個別ステップを含む。たった１つのステップでのエラーが、完成したＩＣにおける欠陥をもたらし、そのＩＣを使い物にならなくする可能性がある。従って、製造プロセスの１つのゴールは、そのような欠陥を回避して、プロセスにおいて作製される機能的ＩＣの数を最大化すること、即ち、プロセスの全体的歩留まりを向上させることである。
【００２５】
[0046]  歩留まりを向上させる１つの構成要素は、チップ作製プロセスを監視して、十分な数の機能的集積回路が製造されていることを確認することである。プロセスを監視する１つの方法は、チップ回路構造を形成する様々な段階において、チップ回路構造を検査することである。検査は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して実行することができる。ＳＥＭを使用すると、これらの非常に小さな構造を撮像する、要するに、これらの構造の「写真」を撮ることができる。この画像を使用して、構造が適切に形成されたかどうか、及び構造が適切な位置に形成されたかどうかを判断することができる。構造に欠陥がある場合、欠陥が再び発生する可能性が低くなるようにプロセスを調節することができる。
【００２６】
[0047]  ＳＥＭは、一次電子の集束ビームを用いてサンプルの表面をスキャンする。一次電子はサンプルと相互作用し、二次電子を生成する。集束ビームを用いてサンプルをスキャンすることにより、且つ検出器を用いて二次電子を捕捉することにより、ＳＥＭはサンプルのスキャンされたエリアの画像を生成する。
【００２７】
[0048]  従来のＳＥＭは、ステージ上に保持されたサンプルに渡って電子ビームをラスタースキャンすることにより、画像を生成する。ラスタースキャンは、一次ビームを移動させてサンプル全体に渡ってピクセルのラインをスキャンし、スキャンラインの最後のピクセルに達した後で、次のラインの最初のピクセルをスキャンするように一次ビームを戻すように移動させて、そのピクセルのラインをスキャンすることを繰り返すことにより、実施される。あるラインの最後のピクセルから次のラインの最初のピクセルまでビームを移動させるために必要な／費やされる余分な時間は、ラインオーバーヘッドと呼ばれる。通常、従来のＳＥＭシステムでは、ステージを静止状態に保ちながら、一次電子ビームは、その視野内のサンプルエリア（例えば、１つ又は複数のスキャンラインの組）をラスタースキャンする。エリアが完全にスキャンされた後、ステージは、まだスキャンされていないサンプルエリアを視野内に移動させるようにジャンプし、一次ビームが新たなエリアのスキャンを開始できるようにする。高スループット検査のために、より新しい検査システムのうちの幾つかは、複数の電子ビームを使用する。複数の電子ビームがウェーハの異なる部分を同時にスキャンできるので、マルチビーム電子検査システムはシングルビームシステムよりも、はるかに高速でウェーハを検査することができる。
【００２８】
[0049]  しかしながら、通常、複数の電子ビームを用いるこれらのより新しいシステムでさえ、サンプルステージを静止状態に保ちながら、同じラスタースキャン技術を依然として採用している。複数のビームがそれぞれの視野内の現在のサンプルエリアのスキャンを終えた後、サンプルステージ又はビームは、まだスキャンされていないサンプルエリアまで大きく「ジャンプ」する必要があり得る。更に、スキャンは、サンプルステージが移動する度に停止する必要があることがあり、また、ステージが完全に落ち着いた後でのみ再開することができ、これにより、結局、著しい量の非生産的な時間を生むことにもなる。
【００２９】
[0050]  本開示の態様の一つは、サンプルを同時且つ連続的にスキャンするように複数の電子ビームを配置、構成、又は制御するシステム及び方法に関する。以下に詳細に説明するように、開示するシステム及び方法は、ラスタースキャン又はステージ移動の待ち時間に関連するラインオーバーヘッドを低減又は最小化することができる。更に、開示するシステム及び方法は、まだスキャンされていないエリアへ大きく「ジャンプする」動きを必要とすることなく、複数の電子ビームの動きを単純な反復上下運動へと最適化し、それによって検査全体のスループットを向上させ、そのマルチビームツールの制御機構の複雑さを低減することができる。
【００３０】
[0051]  図面における構成要素の相対的な寸法は、理解しやすいように誇張されていることがある。以下の図面の説明では、同じ又は同様の参照番号は、同じ又は同様の構成要素又はエンティティを指しており、個々の実施形態に関して異なる点のみが説明されている。本明細書で使用する場合、特段の断りが無い限り、「又は」という用語は、実行不可能である場合を除いて、全ての可能な組み合わせを包含する。例えば、構成要素がＡ又はＢを含むことがあると記載されている場合、特段の断りが無い限り又は実行不可能で無い限り、構成要素はＡ、又はＢ、又はＡ及びＢを含むことがある。第２の例として、構成要素がＡ、Ｂ、又はＣを含むことがあると記載されている場合、特段の断りが無い限り又は実行不可能で無い限り、構成要素はＡ、又はＢ、又はＣ、又はＡ及びＢ、又はＡ及びＣ、又はＢ及びＣ、又はＡ及びＢ及びＣを含むことがある。
【００３１】
[0052]  ここで図１を参照すると、図１は本開示の実施形態と一致した、例示的な荷電粒子ビーム検査システム１００を示す概略図である。図１に示すように、荷電粒子ビーム検査システム１００は、メインチャンバ１０、装填ロックチャンバ２０、電子ビームツール４０、及び機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）３０を含む。電子ビームツール４０は、メインチャンバ１０内部に配置されている。説明及び図面は電子ビームに関係しているが、実施形態は、本開示を特定の荷電粒子に制限するために使用されるのではないことが、理解されよう。
【００３２】
[0053]  ＥＦＥＭ３０は、第１の装填ポート３０ａ及び第２の装填ポート３０ｂを含む。ＥＦＥＭ３０は、追加の装填ポートを含むことがある。第１の装填ポート３０ａ及び第２の装填ポート３０ｂは、例えば、検査されるべきウェーハ（例えば、半導体ウェーハ、又は他の材料で作られたウェーハ）又はサンプル（ウェーハ及びサンプルは、以降ではまとめて「ウェーハ」と呼ばれる）を収容するウェーハＦＯＵＰ（front opening unified pod）を受け取ることがある。ＥＦＥＭ３０内の１つ又は複数のロボットアーム（図示せず）が、ウェーハを装填ロックチャンバ２０に運ぶ。
【００３３】
[0054]  装填ロックチャンバ２０は、装填ロック真空ポンプシステム（図示せず）に接続されることがあり、このポンプシステムは、大気圧よりも低い第１の圧力に達するように、装填ロックチャンバ２０内のガス分子を除去する。第１の圧力に達した後、１つ又は複数のロボットアーム（図示せず）がウェーハを装填ロックチャンバ２０からメインチャンバ１０に運ぶ。メインチャンバ１０は、メインチャンバ真空ポンプシステム（図示せず）に接続され、このポンプシステムは、第１の圧力よりも低い第２の圧力に達するように、メインチャンバ１０内のガス分子を除去する。第２の圧力に達した後、ウェーハは電子ビームツール４０による検査にかけられる。実施形態によっては、電子ビームツール４０は、シングルビーム電子検査ツールを含むことがある。他の実施形態では、電子ビームツール４０は、マルチビーム電子検査ツールを含むことがある。
【００３４】
[0055]  コントローラ５０は、電子ビームツール４０に電子的に接続されている。コントローラ５０は、荷電粒子ビーム検査システム１００の様々な制御を行うように構成されたコンピュータであり得る。コントローラ５０は、様々な信号及び画像の処理機能を実行するように構成された処理回路も含むことがある。図１では、コントローラ５０は、メインチャンバ１０、装填ロックチャンバ２０、及びＥＦＥＭ３０を含む構造の外部にあるものとして示されているが、コントローラ５０はこの構造の一部とすることもできることが理解されよう。本開示は、電子ビーム検査ツールを収容するメインチャンバ１０の例を提供しているが、最も広い意味での本開示の態様は、電子ビーム検査ツールを収容するチャンバに限定されないことに、留意されたい。むしろ、前述の原理は、第２の圧力下で動作する他のツールにも適用され得ることが理解されよう。
【００３５】
[0056]  ここで図２を参照すると、図２は、本開示の実施形態と一致した、図１の例示的な荷電粒子ビーム検査システム１００の一部であるマルチビーム電子検査ツールを含む例示的な電子ビームツール４０を示す概略図である。マルチビーム電子ビームツール４０（本明細書では装置４０とも呼ばれる）は、電子源２０１、銃アパーチャプレート２７１、集光レンズ２１０、放射源変換ユニット２２０、一次投影光学系２３０、電動ステージ２０９、及び検査されるべきサンプル２０８（例えば、ウェーハ又はフォトマスク）を保持するために電動ステージ２０９によって支持されるサンプルホルダー２０７を含む。マルチビーム電子ビームツール４０は更に、二次投影系２５０及び電子検出デバイス２４０を含むことがある。一次投影光学系２３０は、対物レンズ２３１を含むことがある。電子検出デバイス２４０は、複数の検出素子２４１、２４２、及び２４３を含むことがある。ビームセパレータ２３３及び偏向走査ユニット２３２が、一次投影光学系２３０の内部に配置されることがある。
【００３６】
[0057]  電子源２０１、銃アパーチャプレート２７１、集光レンズ２１０、放射源変換ユニット２２０、ビームセパレータ２３３、偏向走査ユニット２３２、及び一次投影光学系２３０は、装置４０の一次光軸２０４と位置合わせされていることがある。二次投影系２５０及び電子検出デバイス２４０は、装置４０の二次光軸２５１と位置合わせされていることがある。
【００３７】
[0058]  電子源２０１は、カソード（図示せず）及び抽出器又はアノード（図示せず）を含むことがあり、動作中、電子源２０１は、カソードから一次電子を放出するように構成され、この一次電子は抽出器及び／又はアノードによって抽出されるか又は加速されて、一次電子ビーム２０２を形成し、これは、（仮想の又は現実の）一次ビームクロスオーバー２０３を形成する。一次電子ビーム２０２は、一次ビームクロスオーバー２０３から放出されるものとして視覚化されることがある。
【００３８】
[0059]  放射源変換ユニット２２０は、画像形成素子アレイ（図示せず）、フィールド湾曲補償器アレイ（図示せず）、非点収差補償器アレイ（図示せず）、及びビーム制限開口部アレイ（図示せず）を含むことがある。画像形成素子アレイは、複数のマイクロ偏向器又はマイクロレンズを含んで、一次電子ビーム２０２の複数の一次ビームレット２１１、２１２、２１３に影響を与え、且つ、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の夫々に対して１つずつ、一次ビームクロスオーバー２０３の複数の（仮想の又は現実の）平行画像を形成することがある。フィールド湾曲補償器アレイは、複数のマイクロレンズを含んで、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３のフィールド湾曲収差を補償することがある。非点収差補償器アレイは、複数のマイクロ非点収差補正器を含んで、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の非点収差を補償することがある。ビーム制限開口部アレイは、個々の一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の直径を制限するように構成されることがある。図２は、例として３つの一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３を示しており、放射源変換ユニット１２０は、任意の数の一次ビームレットを形成するように構成されてもよいことが理解されよう。コントローラ５０は、電子検出デバイス２４０、一次投影光学系２３０、又は電動ステージ２０９などの、図１の荷電粒子ビーム検査システム１００の様々な部分に接続されることがある。実施形態によっては、以下で更に詳細に説明するように、コントローラ５０は、様々な画像及び信号の処理機能を実行することがある。コントローラ５０は、様々な制御信号を生成して、荷電粒子ビーム検査システム１００の動作を制御することもある。
【００３９】
[0060]  集光レンズ２１０は、一次電子ビーム２０２を集束させるように構成される。集光レンズ２１０は更に、集光レンズ２１０の集束力を変化させることにより、放射源変換ユニット２２０の下流の一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の電流を調節するように構成されることがある。或いは、個々の一次ビームレットに対応するビーム制限開口部アレイ内部のビーム制限開口部の半径のサイズを変えることによって、電流を変化させることがある。電流は、ビーム制限開口部の半径のサイズ及び集光レンズ２１０の集束力の両方を変えることによって、変化させることがある。集光レンズ２１０は、第１の原理平面の位置が移動可能であるように構成され得る可動集光レンズであり得る。可動集光レンズは磁気性であるように構成されることがあり、これにより、オフアクシスのビームレット２１２及び２１３が回転角度を有してビームレット制限機構に入射することになり得る。回転角度は、集束力、及び可動集光レンズの第１の主平面の位置と共に変化する。実施形態によっては、可動集光レンズは、可動の回転防止集光レンズであることがあり、これは、可動の第１の主平面を有する回転防止レンズを含む。
【００４０】
[0061]  対物レンズ２３１は、検査のために、ビームレット２１１、２１２、及び２１３をサンプル２０８上に集束させるように構成されることがあり、また、現在の実施形態では、サンプル２０８の表面上に３つのプローブスポット２２１、２２２、及び２２３を形成することがある。銃アパーチャプレート２７１は、動作時に、一次電子ビーム２０２の周辺電子を遮断して、クーロン効果を低減するように構成される。クーロン効果は、一次ビームレット２１１、２１２、２１３のプローブスポット２２１、２２２、及び２２３の各々のサイズを拡大し、従って検査解像度を低下させることがある。
【００４１】
[0062]  ビームセパレータ２３３は、例えば、静電双極子場及び磁気双極子場（図２には図示せず）を生成する静電偏向器を含むウィーンフィルタであり得る。動作時には、ビームセパレータ２３３は、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の個々の電子に静電双極子場によって静電気力を及ぼすように構成されることがある。静電気力は、個々の電子にビームセパレータ２３３の磁気双極子場によって及ぼされる磁気力と、大きさは等しいが方向が反対である。従って、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３は、少なくとも実質的にゼロの偏向角で、ビームセパレータ２３３を少なくとも実質的に真っ直ぐに通過することがある。
【００４２】
[0063]  動作時には、偏向走査ユニット２３２は、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３を偏向させて、サンプル２０８の表面のセクション内の個々のスキャンエリア全体に渡ってプローブスポット２２１、２２２、及び２２３をスキャンさせるように構成される。プローブスポット２２１、２２２、及び２２３での一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の入射に応答して、サンプル２０８から電子が出現し、３つの二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３が生成される。二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３の各々は、通常、二次電子（５０ｅＶ以下の電子エネルギーを有する）及び後方散乱電子（５０ｅＶと一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３のランディングエネルギーとの間の電子エネルギーを有する）を含む、異なるエネルギーを有する電子を含む。ビームセパレータ２３３は、二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３を二次投影系２５０に向けて偏向させるように構成される。続いて、二次投影系２５０は、二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３を、電子検出デバイス２４０の検出素子２４１、２４２、及び２４３に集束させる。検出素子２４１、２４２、及び２４３は、対応する二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３を検出し、例えば、サンプル２０８の対応するスキャンエリアの画像を構築するために、コントローラ５０又は信号処理システム（図示せず）に送信される対応する信号を生成するように構成される。
【００４３】
[0064]  実施形態によっては、検出素子２４１、２４２、及び２４３は、対応する二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３をそれぞれ検出し、画像処理システム（例えば、コントローラ５０）に向けて対応する強度信号出力（図示せず）を生成する。実施形態によっては、各検出素子２４１、２４２、及び２４３は、１つ又は複数のピクセルを含むことがある。検出素子の強度信号出力は、検出素子内の全てのピクセルによって生成される信号の合計であり得る。
【００４４】
[0065]  実施形態によっては、コントローラ５０は、画像取得器（図示せず）、ストレージ（図示せず）を含む画像処理システムを含むことがある。画像取得器は、１つ又は複数のプロセッサを含むことがある。例えば、画像取得器は、コンピュータ、サーバ、メインフレームホスト、端末、個人用コンピュータ、任意の種類の携帯コンピュータ装置など、又はそれらの組み合わせを含むことがある。画像取得器は、媒体、中でもとりわけ導電体、光ファイバーケーブル、携帯型記憶媒体、ＩＲ、Bluetooth、インターネット、無線ネットワーク、無線通信、又はそれらの組み合わせなどを介して、装置４０の電子検出デバイス２４０に通信可能に結合されることがある。実施形態によっては、画像取得器は、電子検出デバイス２４０から信号を受け取ることがあり、画像を構築することがある。画像取得器は、このようにサンプル２０８の画像を取得することができる。画像取得器は、輪郭線を生成すること、インジケータを取得画像に重ね合わせることなど、様々な後処理機能も実施することがある。画像取得器は、取得画像の輝度及びコントラスト等の調節を実施するように構成されることがある。実施形態によっては、ストレージは、ハードディスク、フラッシュドライブ、クラウドストレージ、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、他の種類のコンピュータ可読メモリなどの記憶媒体であり得る。ストレージは、画像取得器に結合されることがあり、スキャンされた生の画像データを元画像として保存し、且つ処理後の画像を保存するために使用されることがある。
【００４５】
[0066]  実施形態によっては、画像取得器は、電子検出デバイス２４０から受け取った撮像信号に基づいて、サンプルの１つ又は複数の画像を取得することがある。撮像信号は、荷電粒子撮像を実施するためのスキャン動作に対応していることがある。取得画像は、複数の撮像エリアを含む単一の画像であり得る。この単一の画像は、ストレージ内に記憶されることがある。この単一の画像は、複数の領域に分割することができる元画像であり得る。これらの領域の各々は、サンプル２０８のフィーチャを包含する１つの撮像エリアを含むことがある。取得画像は、時系列に複数回サンプリングされた、サンプル２０８の単一の撮像エリアの複数の画像を含むことがある。この複数の画像は、ストレージ内に記憶されることがある。実施形態によっては、コントローラ５０は、サンプル２０８の同じ場所の複数の画像を用いて画像処理ステップを実行するように構成されることがある。
【００４６】
[0067]  実施形態によっては、コントローラ５０は、測定回路（例えば、アナログ／デジタル変換器）を含んで、検出された二次電子の分布を取得することがある。検出時間ウィンドウ中に収集された電子の分布データを、ウェーハ表面に入射する一次電子ビーム２０２の対応するスキャンパスデータと組み合わせて使用して、検査中のウェーハ構造の画像を再構成することができる。再構成された画像を使用して、サンプル２０８の内部構造又は外部構造の様々な特徴を明らかにすることができ、それによって、再構成された画像を使用して、ウェーハ内に存在する可能性がある欠陥を明らかにすることができる。
【００４７】
[0068]  実施形態によっては、コントローラ５０は、サンプル２０８の検査中にサンプル２０８を移動させるように、電動ステージ２０９を制御することがある。実施形態によっては、コントローラ５０は、電動ステージ２０９がある方向に連続的に一定の速度でサンプル２０８を移動できるようにすることがある。他の実施形態では、コントローラ５０は、電動ステージ２０９が、スキャンプロセスのステップに応じて、時間外にサンプル２０８の移動速度を変えられるようにすることがある。
【００４８】
[0069]  図２は装置４０が３つの一次電子ビームレットを使用することを示しているが、装置４０は、２つ以上の一次電子ビームレットを生成又は使用することがあることが、理解されよう。本開示は、装置４０で使用される一次電子ビームレットの数を制限するものではない。
【００４９】
[0070]  ここで図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、これらの図は、荷電粒子の複数のビームを使用してサンプルを検査する様子を概略的に示している。図３Ａ及び図３Ｂによって示される実施形態では、４つの一次ビームレットがサンプル（図２のサンプル２０８など）上に４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄを生成する。図３Ａは、サンプルに対する４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄの動きを示す。図３Ｂは、絶対基準座標系に対する４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄ及びサンプルの動きを示す。４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄは、必ずしもそうとは限らないが、一行に配置されることがある。図示した実施形態では、４つのプローブスポットの直径はＷである。しかしながら、開示する実施形態では、プローブスポットの直径は必ずしも同じとは限らない。検査されることになる領域３００は長方形の形状をしているが、必ずしもそうであるとは限らない。説明の便宜上、絶対基準座標系内に２つの方向ｘ及びｙを定義する。ｘ及びｙ方向は、互いに垂直である。
【００５０】
[0071]  実施形態によっては、プローブスポットの動きは、サンプルの動きと連係していることがある。例えば、図３Ａに示すように、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄは、サンプルに対して、期間Ｔ１の間にｙ方向には移動せずに、ｘ方向に長さＬだけ移動する。これに応じて、図３Ｂに示すように、同じ期間Ｔ１の間、サンプルは絶対基準座標系に対して長さＫだけｙ方向に移動するが、絶対基準座標系に対してｘ方向には移動せず、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄは、絶対基準座標系に対してｙ方向に長さＫだけ移動し、絶対基準座標系に対してｘ方向に長さＬだけ移動する。従って、期間Ｔ１の間、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄはｙ方向にサンプルと同じ速度で移動する。
【００５１】
[0072]  期間Ｔ１の間のプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄの移動方向は、同じである必要はない。期間Ｔ１の間にプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄが移動する長さは、同じである必要はない。プローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄは、互いに対して動くことも動かないこともある。
【００５２】
[0073]  図３Ａ及び図３Ｂによって示される実施形態では、期間Ｔ１の間に、４つのプローブスポット３１０Ａ、３１０Ｂ、３１０Ｃ、及び３１０Ｄによって、４つのサブ領域３０１Ａ、３０２Ａ、３０３Ａ、及び３０４Ａがそれぞれ検査される。期間Ｔ１の終了時に、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄは、絶対基準座標系に対して−ｘ方向に長さＬだけ移動し、絶対基準座標系に対して−ｙ方向に幅Ｗ（即ち、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄのうちの１つの幅）だけ移動する。従って、サンプルに対して、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄは、サブ領域３０１Ｂ、３０２Ｂ、３０３Ｂ、及び３０４Ｂの−ｘ端部にそれぞれ移動し、これらのサブ領域は、サブ領域３０１Ａ、３０２Ａ、３０３Ａ、及び３０４Ａにそれぞれ隣接することがある。このようにして、スキャンラインの最後のピクセルに達した後、各プローブスポットは次のスキャンラインの開始地点まで横切って戻る。隣接するスキャンラインは、電子ビームツールによって生成される画像のピクセルサイズに対応する距離だけ、離れていることがある。フライバックのために必要とされる余分な時間は、ラインオーバーヘッドと呼ばれる。場合によっては、このフライバックは、ラインオーバーヘッドが無視できるほど、十分に素早いことがある。更に、ラインオーバーヘッドは期間Ｔ１の中に含まれていることがある。
【００５３】
[0074]  期間Ｔ２及びＴ３の間、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄ及びサンプルは、期間Ｔ１の間と同じ態様で移動する。このようにして、４つのサブ領域３０１Ｂ、３０２Ｂ、３０３Ｂ、及び３０４ＢがＴ２の間に検査され、４つのサブ領域３０１Ｃ、３０２Ｃ、３０３Ｃ、及び３０４ＣがＴ３の間に４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄによって検査される。
【００５４】
[0075]  期間Ｔ２の終了時に、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄは、期間Ｔ１の終了時と同じ態様で、サブ領域３０１Ｃ、３０２Ｃ、３０３Ｃ、及び３０４Ｃの−ｘ端部までそれぞれ移動する。サブ領域３０１Ｃ、３０２Ｃ、３０３Ｃ、及び３０４Ｃは、サブ領域３０１Ｂ、３０２Ｂ、３０３Ｂ、及び３０４Ｂにそれぞれ隣接していることがある。
【００５５】
[0076]  図３Ａ及び図３Ｂによって示される実施形態では、ｙ方向における４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０ＤのピッチＳは３Ｗに等しい。従って、期間Ｔ３の終了時には、検査されたサブ領域３０１Ｃ、３０１Ｂ、３０１Ａ、３０２Ｃ、３０２Ｂ、３０２Ａ、．．．３０４Ａの組み合わせには、ｙ方向にギャップが無い。期間Ｔ３の終了時に、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄは、絶対基準座標系に対して−ｘ方向に長さＬだけ移動し、絶対基準座標系に対して−ｙ方向に１０Ｗだけ移動することがある。例えば、期間Ｔ３の終了時に、プローブスポット３１０Ｄは、サブ領域３０４Ｃの＋ｘ端部からサブ領域３０４Ｄの−ｘ端部まで移動することが必要である。要するに、プローブスポット３１０Ｄは、絶対基準座標系に対して−ｘ方向に長さＬだけ、及び−ｙ方向に１０Ｗだけ移動する。−ｙ方向の１０Ｗの移動は、４つの一次ビームレットを−ｙ方向に偏向させることによって実現することができる。その代わりに又はこれに加えて、そのような移動は、サンプルをｙ方向に移動させることにより実現することができる。従って、サンプルに対して、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄは、サブ領域３０１Ｄ、３０２Ｄ、３０３Ｄ、及び３０４Ｄの−ｘ端部にそれぞれ移動し、これらのサブ領域の中で、サブ領域３０４Ｄはサブ領域３０１Ｃに隣接することがある。この移動の後、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄは、期間Ｔ１の開始時と同じ、絶対基準座標系に対する位置にある。追加のサブ領域（例えば、３０１Ｄ、３０２Ｄ、３０３Ｄ、３０４Ｄ等）は、追加の期間（例えば、期間Ｔ４）の間に、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄによって検査されることがある。
【００５６】
[0077]  期間Ｔ１〜Ｔ３の間、サンプルは絶対基準座標系に対してｙ方向に３Ｋだけ（図３Ｂを参照）移動し、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄは、絶対基準座標系に対してｙ方向にゼロだけ移動し、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄはサンプルに対して−ｙ方向に１２Ｗだけ移動する。従って、３Ｋは１２Ｗに等しい、即ち、Ｋは４Ｗに等しい。期間Ｔ１〜Ｔ３の間のサンプルの速度は、一定のままであり得る。
【００５７】
[0078]  一般化すると、プローブスポットの数がＭであり、ｘ方向におけるプローブスポットのピッチがＳ＝ＮＷであり、ここでＮは２以上の整数である場合、ｘ方向にギャップを生まないための検査サブ領域の組み合わせに必要な期間の数はＮであり、各期間の間にサンプルが移動する距離ＫはＭＷに等しい。図３Ａ及び図３Ｂの例では、Ｎ＝３、Ｍ＝４、及びＫ＝４Ｗである。
【００５８】
[0079]  図３Ｃは、期間Ｔ１、Ｔ２、及びＴ３のうちの１つの間の、サンプルに対するプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄのうちの１つの動きを概略的に示す。サンプルに対しては、プローブスポットは、この期間の間に距離Ｌだけｘ方向にのみ移動するが、ｙ方向には移動しない。図３Ｄは、その期間の間の、絶対基準座標系に対するそのプローブスポットの動きを概略的に示す。絶対基準座標系に対しては、プローブスポットは、この期間の間に距離Ｌだけｘ方向に移動し、距離Ｋだけｙ方向に移動する。絶対基準座標系に対しては、プローブスポットの移動方向とサンプルの移動方向は、角度θ＝ａｒｃｔａｎ（Ｌ／Ｋ）を有する。
【００５９】
[0080]  上述した実施形態では、プローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄは、期間Ｔ３の終了時に、絶対基準座標系に対して−ｙ方向に１０Ｗの「ジャンプ」を行うことが必要である。しかしながら、実施形態によっては、期間Ｔ３の終了時にそのようなジャンプが行われない。その代わりに、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄは、期間Ｔ１及びＴ２の終了時と同じ態様で、次の隣接するサブ領域の端部に連続的に移動する。具体的には、図３Ａを参照すると、期間Ｔ３の終了時に、プローブスポット３１０Ｄは、プローブスポット３１０Ｃによって以前にスキャンされたサブ領域３０３Ａの−ｘ端部に移動し、プローブスポット３１０Ｃは、プローブスポット３１０Ｂによって以前にスキャンされたサブ領域３０２Ａの−ｘ端部に移動し、プローブスポット３１０Ｂは、プローブスポット３１０Ａによって以前にスキャンされたサブ領域３０１Ａの−ｘ端部に移動し、プローブスポット３１０Ａは、サブ領域３０１Ｃに隣接するサブ領域３０４Ｄの−ｘ端部に移動する。このようにして、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄの各々が、同じサブ領域を別々に検査する。即ち、幾つかのサブ領域は、一次ビームレットによって４回スキャンされることがある。従って、生成された複数の信号を使用して、構築されるサンプル画像の信号対雑音比を改善するように、フレーム平均化を行うことができる。
【００６０】
[0081]  ここで図４Ａ及び図４Ｂを参照すると、これらの図は、本開示の例示的な実施形態による、荷電粒子の複数のビームを使用してサンプルを検査する様子を概略的に示している。図４Ａ及び図４Ｂによって示される実施形態では、３つの一次ビームレットが、サンプル（図２のサンプル２０８など）上に３つのプローブスポット４５１、４５２、及び４５３を生成することがある。図４Ａは、サンプルに対する３つのプローブスポット４５１、４５２、４５３の動きを示す。図４Ｂは、絶対基準座標系に対する３つのプローブスポット４５１、４５２、４５３及びサンプルの動きを示す。３つのプローブスポット４５１、４５２、４５３は、必ずしもそうとは限らないが、一行に配置されることがある。説明の便宜上、絶対基準座標系内に２つの方向ｘ及びｙを定義する。ｘ及びｙ方向は、互いに垂直である。
【００６１】
[0082]  実施形態によっては、検査されることになるサンプルのスキャンエリア４６０は形状が長方形であるが、必ずしもそうである必要はない。サンプルのスキャンエリア４６０は、複数のスキャンライン４００、４０１、４０２、．．．、４３４、及び４３５に分割されることがある。スキャンラインの幅は、プローブスポットの幅と一致するか、又は実質的に同様であり得る。そのような実施形態では、あるスキャンラインは、あるプローブスポットによってスキャンされ検査されることがある。図４Ａは３６個のスキャンライン（スキャンライン４００〜４３５）を示しているが、スキャンエリア４６０は、スキャンエリア４６０のサイズ及びプローブスポットの幅に応じて、任意の数のスキャンラインを含むことがあることが理解されよう。
【００６２】
[0083]  実施形態によっては、３つの連続するスキャンライン毎にグループ化され、スキャンセクションが形成されることがある。例えば、第１の３つのスキャンライン４００、４０１、４０２は、スキャンセクション４７１を形成することがあり、次の３つのスキャンライン４０３、４０４、４０５は、スキャンセクション４７２を形成することがあり、次の３つのスキャンライン４０６、４０７、４０８は、スキャンセクション４７３を形成することがあり、以下同様である。実施形態によっては、３つのプローブスポット４５１、４５２、４５３は、各プローブスポットが、スキャンセクションの対応するスキャンラインのみをスキャンできるように、配置されることがある。例えば、図４Ａに示すように、プローブスポット４５１はスキャンセクション内の第１のスキャンライン（右端）をスキャンするように構成されることがあり、プローブスポット４５２はスキャンセクション内の第２のスキャンライン（中央）をスキャンするように構成されることがあり、プローブスポット４５３はスキャンセクション内の第３のスキャンライン（左端）をスキャンするように構成されることがある。従って、そのような実施形態では、プローブスポット４５１は期間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、．．．、Ｔ６の間にそれぞれ４００、４０３、４０６、．．．、４１５をスキャンすることがあり、以下同様であり、プローブスポット４５２は期間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、．．．、Ｔ６の間にそれぞれ４０４、４０７、４１０、．．．、４２３をスキャンすることがあり、以下同様であり、プローブスポット４５３は期間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、．．．、Ｔ６の間にそれぞれ４０８、４１１、４１４、．．．、４２３をスキャンすることがあり、以下同様である。図４Ａ及び図４Ｂは、最初の６つの期間（Ｔ１〜Ｔ６）の間のプローブスポットとサンプルの動きを示しているが、サンプルが完全にスキャンされ検査されるまで、シーケンスが続くことがあることが理解されよう。
【００６３】
[0084]  実施形態によっては、各期間の間、サンプルは、プローブスポット４５１、４５２、及び４５３がスキャンラインをスキャンしている間に、絶対基準座標系に対して長さＫだけｙ方向に移動することがある。そのような実施形態では、サンプルは、絶対基準座標系に対してｘ方向には移動しないことがある。これに応じて、各期間の間、プローブスポット４５１、４５２、及び４５３は、ｘ方向に移動してスキャンラインをスキャンしながら、サンプルと同じ速度（例えば、速度Ｋ）でｙ方向にも移動し、それによって、スキャンラインをスキャンしながらサンプルの移動に追従することがある。スキャンが完了した後、プローブスポット４５１、４５２、及び４５３は、スキャンラインの次の組の開始地点まで、−ｘ方向及び−ｙ方向に戻ることがある。他の実施形態では、各期間の間に、プローブスポット４５１、４５２、及び４５３は、絶対基準座標系に対してｘ方向にのみ移動するが、ｙ方向には移動しないことがある。従って、そのような実施形態では、スキャンラインは、サンプルの移動に対応するために、サンプルに対して、サンプル移動方向から離れるように傾斜する（即ち、ｙ方向に垂直ではない）ことがある。
【００６４】
[0085]  例えば、図４Ｂに示すように、サンプルは、期間毎に３Ｗ（即ち、スキャンセクションの幅）だけ移動し（即ち、１期間当たりＫ＝３Ｗ）、それによって、各期間において新たなスキャンセクションをプローブスポットに提供することがある。そのような実施形態では、期間Ｔ１の前半の間に、プローブスポット４５１、４５２、４５３はｘ方向に移動してそれぞれスキャンライン４００、４０４、４０８をスキャンしながら、１．５Ｗだけｙ方向にも移動することがある。スキャンが完了した後、期間Ｔ１の後半の間に、プローブスポット４５１、４５２、及び４５３は、−ｘ方向に移動して戻りながら、スキャンラインの次の組（例えば、４０３、４０７、及び４１１）の開始地点まで１．５Ｗだけ−ｙ方向にも移動することがある。このようにして、スキャンラインの最後のピクセルに達した後、各プローブスポットは次のスキャンラインの開始地点まで横切って戻る。これ以降の期間（例えば、Ｔ２、Ｔ３、．．．）の間、プローブスポット４５１、４５２、４５３及びサンプルは、期間Ｔ１の間と同じ態様で繰り返し移動することがある。従って、スキャンライン４０３、４０７、及び４１１が、期間Ｔ２の間にスキャンされることがあり、スキャンライン４０６、４１０、４１４が、期間Ｔ３の間にスキャンされることがあり、以下同様である。
【００６５】
[0086]  プローブスポットが期間Ｔ３の終了時に−ｙ方向に「ジャンプ」を行う必要がある、図３Ａ及び図３Ｂに関して説明した実施形態とは対照的に、図４Ａ及び図４Ｂに示した実施形態では、そのような「ジャンプ」を行う必要はない、というのも、各プローブスポットは、スキャンセクションのうちの対応するスキャンラインの組のみをスキャンするからである。「ジャンプ」を行う代わりに、プローブスポット４５１、４５２、及び４５３は、上述した動きを連続的に繰り返して、サンプルが移動している間にスキャンラインをスキャンすることがある。
【００６６】
[0087]  一般的には、サンプルの移動速度Ｋは、以下のように決定されることがある。
Ｋ＝ＭＷ／期間      式（１）
但し、Ｍはプローブスポットの数であり、Ｗはプローブスポットの幅である。更に、プローブスポットのピッチＳは以下のように決定されることがある。
Ｓ＝（ｎＭ＋１）×Ｗ      式（２）
但し、ｎは２以上の整数である。図４Ａ及び図４Ｂの例では、プローブスポットの数は３（即ち、Ｍ＝３）でｎ＝１であり、従って、１期間あたりＫ＝３ＷでＳ＝４Ｗになる。図４Ａ及び図４Ｂは３つのプローブスポット（即ち、Ｍ＝３）を使用した例示的な実施形態を示しているが、任意の数のプローブスポットを使用してサンプルをスキャンしてもよいことが理解されよう。
【００６７】
[0088]  実施形態によっては、最初の２つのスキャンセクション（例えば、スキャンセクション４７１及び４７２）内の幾つかのスキャンラインは、上述したスキャンシーケンスによってスキャンされないことがある。従って、実施形態によっては、スキャンエリア４６０は、検査される必要がないバッファエリア４９０を含むことが必要であり得る。そのような実施形態では、バッファエリア４９０内のスキャンラインは別にして、全てのスキャンライン（例えば、スキャンライン４０６、４０７、４０８、４０９、．．．、等）は、ギャップ無しで連続的にスキャンされることがある。図４Ａ及び図４Ｂには１つのバッファエリア（例えば、バッファエリア４９０）のみが示されているが、スキャンエリア４６０は、２つ以上のバッファエリアを含むことがあることが理解されよう。例えば、スキャンエリア４６０の端部に、別のバッファエリア（図示せず）が含まれることがある（例えば、左端のスキャンセクション）。
【００６８】
[0089]  ここで図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、これらの図は、本開示の例示的な実施形態による、荷電粒子の複数のビームを使用してサンプルを検査する様子を概略的に示している。図５Ａ及び図５Ｂは、図４Ａ及び図４Ｂと同じスキャン構成を有する実施形態を示しているが、図５Ａ及び図５Ｂに示す実施形態では、プローブスポットのピッチＳ（例えば、図５Ａでプローブスポット５５１とプローブスポット５５２との間の距離）が、より大きくなっている点が異なる。
【００６９】
[0090]  図４Ａと同様に、サンプルのスキャンエリア５６０は、複数のスキャンライン５００、５０１、５０２、．．．、５３４、及び５３５に分割されることがある。スキャンラインの幅は、プローブスポットの幅と一致するか、又は実質的に同様であり得る。そのような実施形態では、あるスキャンラインは、あるプローブスポットによってスキャンされ検査されることがある。図５Ａは３６個のスキャンライン（スキャンライン５００〜５３５）を示しているが、スキャンエリア５６０は、スキャンエリア５６０のサイズ及びプローブスポットの幅に応じて、任意の数のスキャンラインを含むことがあることが理解されよう。
【００７０】
[0091]  実施形態によっては、３つの連続するスキャンライン毎にグループ化され、スキャンセクションが形成されることがある。例えば、第１の３つのスキャンライン５００、５０１、５０２は、スキャンセクション５７１を形成することがあり、次の３つのスキャンライン５０３、５０４、５０５は、スキャンセクション５７２を形成することがあり、以下同様である。実施形態によっては、３つのプローブスポット５５１、５５２、５５３は、各プローブスポットが、スキャンセクションの対応するスキャンラインのみをスキャンできるように、配置されることがある。例えば、図５Ａに示すように、プローブスポット５５１はスキャンセクション内の第１のスキャンライン（右端）をスキャンするように構成されることがあり、プローブスポット５５２はスキャンセクション内の第２のスキャンライン（中央）をスキャンするように構成されることがあり、プローブスポット５５３はスキャンセクション内の第３のスキャンライン（左端）をスキャンするように構成されることがある。従って、そのような実施形態では、プローブスポット５５１は期間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、．．．、Ｔ８の間にそれぞれ５００、５０３、５０６、．．．、５２１をスキャンすることがあり、以下同様であり、プローブスポット５５２は期間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、．．．、Ｔ８の間にそれぞれ５０７、５１０、５１３、．．．、５２８をスキャンすることがあり、以下同様であり、プローブスポット５５３は期間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、．．．、Ｔ８の間にそれぞれ５１４、５１７、５２０、．．．、５３５をスキャンすることがあり、以下同様である。図５Ａ及び図５Ｂは、最初の８つの期間（Ｔ１〜Ｔ８）の間のプローブスポットとサンプルの動きを示しているが、サンプルが完全にスキャンされ検査されるまで、シーケンスが続くことがあることが理解されよう。
【００７１】
[0092]  図４Ａ及び図４Ｂに示した実施形態と同様に、各期間の間、サンプルは、プローブスポット５５１、５５２、及び５５３がスキャンラインをスキャンしている間に、絶対基準座標系に対して長さＫだけｙ方向に移動することがある。そのような実施形態では、サンプルは、絶対基準座標系に対してｘ方向には移動しないことがある。これに応じて、各期間の間、プローブスポット５５１、５５２、及び５５３は、ｘ方向に移動してスキャンラインをスキャンしながら、サンプルと同じ速度（例えば、速度Ｋ）でｙ方向にも移動し、それによって、スキャンラインをスキャンしながらサンプルの移動に追従することがある。スキャンが完了した後、プローブスポット５５１、５５２、及び５５３は、スキャンラインの次の組の開始地点まで、−ｘ方向及び−ｙ方向に戻ることがある。
【００７２】
[0093]  例えば、図５Ｂに示すように、サンプルは、１期間あたり３Ｗ（即ち、スキャンセクションの幅）だけ移動し（即ち、１期間当たりＫ＝３Ｗ）、それによって、各期間において新たなスキャンセクションをプローブスポットに提供することがある。そのような実施形態では、期間Ｔ１の前半の間に、３つのプローブスポット５５１、５５２、５５３はｘ方向に移動してそれぞれスキャンライン５００、５０７、５１４をスキャンしながら、１．５Ｗだけｙ方向にも移動することがある。スキャンが完了した後、期間Ｔ１の後半の間に、プローブスポット５５１、５５２、及び５５３は、−ｘ方向に移動して戻りながら、スキャンラインの次の組（例えば、５０３、５１０、及び５１７）の開始地点まで１．５Ｗだけ−ｙ方向にも移動することがある。このようにして、スキャンラインの最後のピクセルに達した後、各プローブスポットは次のスキャンラインの開始地点まで横切って戻る。これ以降の期間（例えば、Ｔ２、Ｔ３、．．．）の間、プローブスポット５５１、５５２、５５３及びサンプルは、期間Ｔ１の間と同じ態様で繰り返し移動することがある。従って、スキャンスキャンライン５０３、５１０、及び５１７が、期間Ｔ２の間にスキャンされることがあり、スキャンライン５０６、５１３、５２０が、期間Ｔ３の間にスキャンされることがあり、以下同様である。
【００７３】
[0094]  図４Ａ及び図４Ｂに関して説明した実施形態と同様に、図５Ａ及び図５Ｂに示した実施形態では、「ジャンプ」を行う必要はない、というのも、各プローブスポットは、スキャンセクションのうちの対応するスキャンラインの組のみをスキャンするからである。「ジャンプ」を行う代わりに、プローブスポット５５１、５５２、及び５５３は、上述した動きを連続的に繰り返して、サンプルが移動している間にスキャンラインをスキャンすることがある。
【００７４】
[0095]  図４Ａ及び図４Ｂに関して説明したように、サンプルの移動速度Ｋは、以下のように決定されることがある。
Ｋ＝ＭＷ／期間      式（３）
但し、Ｍはプローブスポットの数であり、Ｗはプローブスポットの幅である。更に、プローブスポットのピッチＳは以下のように決定されることがある。
Ｓ＝（ｎＭ＋１）×Ｗ      式（４）
但し、ｎは２以上の整数である。
【００７５】
[0096]  図５Ａ及び図５Ｂは、プローブスポットの数が３（即ち、Ｍ＝３）で、ｎ＝２である実施形態を示している。従って、速度Ｋは１期間当たり３Ｗに等しく、ピッチＳは７Ｗに等しい。
【００７６】
[0097]  実施形態によっては、最初の４つのスキャンセクション（例えば、スキャンセクション５７１、５７２、５７３、及び５７４）内の幾つかのスキャンラインは、上述したスキャンシーケンスによってスキャンされないことがある。従って、実施形態によっては、スキャンエリア５６０は、検査される必要がないバッファエリア５９０を含むことが必要であり得る。そのような実施形態では、バッファエリア５９０内のスキャンラインは別にして、全てのスキャンライン（例えば、スキャンライン５１２、５１３、５１４、５１５、．．．、等）は、ギャップ無しで連続的にスキャンされることがある。図５Ａ及び図５Ｂには１つのバッファエリア（例えば、バッファエリア５９０）のみが示されているが、スキャンエリア５６０は、２つ以上のバッファエリアを含むことがあることが理解されよう。例えば、スキャンエリア５６０の端部に、別のバッファエリア（図示せず）が含まれることがある（例えば、左端のスキャンセクション）。
【００７７】
[0098]  ここで図６を参照すると、この図は、本開示の例示的な実施形態による、荷電粒子の複数のビームを使用してサンプルを検査する様子を概略的に示している。図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａ、及び図５Ｂは、３つのプローブスポット（例えば、図４Ａ及び図４Ｂのプローブスポット４５１、４５２、４５３、並びに図５Ａ及び図５Ｂのプローブスポット５５１、５５２、５５３）が、サンプル（図２のサンプル２０８など）の移動方向に沿って一列に整列している様子を示しているが、プローブスポット、従って一次ビームレットは、他の空間的配置を有することがある。実施形態によっては、複数の一次ビームレットがマトリックス状に配置されることがある。例えば、図６に示すように、９つのプローブスポット６０１、６０２、．．．、６０９が、３×３のマトリックス構成で配置されることがある。そのような実施形態では、第１の行のプローブスポット（６０１、６０２、６０３）は、第１のスキャンエリア６６０Ａをスキャンすることがある。同様に、第２の行（６０４、６０５、６０６）及び第３の行（６０７、６０８、６０９）は、それぞれ第２のスキャンエリア６６０Ｂ及び第３のスキャンエリア６６０Ｃをスキャンすることがある。図６は、隣接する行のプローブスポットが隣接するスキャンエリアをスキャンすることを示しているが、隣接する行のプローブスポットは、隣接していないスキャンエリアをスキャンすることもできることが、理解されよう。例えば、第１の行のプローブスポット（６０１、６０２、６０３）は第１のスキャンエリア６６０Ａをスキャンすることがあり、一方、第２の行のプローブスポット（６０４、６０５、６０６）は、第３のスキャンエリア６６０Ｃをスキャンすることがある。
【００７８】
[0099]  上記に示した実施形態と同様に、スキャンエリア６６０Ａ、６６０Ｂ、及び６６０Ｃを含むサンプルは、絶対基準座標系に対して速度Ｋでｙ方向に常に移動することがあり、その間に、スキャンエリア６６０Ａ、６６０Ｂ、及び６６０Ｃ内のスキャンラインは、３つの行のプローブスポットによって同時にスキャンされる。そのような実施形態では、各スキャンエリア（例えば、６６０Ａ、６６０Ｂ、又は６６０Ｃ）は、図４Ａ及び図４Ｂに関して説明したのと同じ態様でスキャンされることがある。
【００７９】
[00100]  図４Ａ及び図４Ｂに関して説明したように、最初の２つのスキャンセクション（例えば、スキャンセクション６７１及び６７２）内の幾つかのスキャンラインは、上述したスキャンシーケンスによってスキャンされないことがある。従って、実施形態によっては、スキャンエリア６６０Ａ、６６０Ｂ、及び６６０Ｃは、検査される必要がないバッファエリア６９０を含むことが必要であり得る。そのような実施形態では、バッファエリア６９０内のスキャンラインは別にして、全てのスキャンライン（例えば、スキャンセクション６７３、６７４、６７５、．．．、等内のスキャンライン）は、ギャップ無しで連続的にスキャンされることがある。図６には１つのバッファエリア（例えば、バッファエリア６９０）のみが示されているが、スキャンエリア６６０Ａ、６６０Ｂ、及び６６０Ｃは、２つ以上のバッファエリアを含むことがあることが理解されよう。例えば、スキャンエリア６６０Ａ、６６０Ｂ、及び６６０Ｃの端部に、別のバッファエリア（図示せず）が含まれることがある（例えば、左端のスキャンセクション）。
【００８０】
[00101]  図６は、３×３のマトリックス状に配置された９つのプローブスポット６０１〜６０９を備えた一次ビームレットの構成を示しているが、本明細書に開示する原理は、任意の数及び構成の一次ビームレット、例えば、３×２、４×４、５×５、３×５、８×５、２０×２０、又は任意のサイズのマトリックス構成に配置された一次ビームレットなどに適用されることがあることが、理解されよう。
【００８１】
[00102]  ここで図７を参照すると、図７は、本開示の実施形態と一致した、例示的なマルチビームスキャン方法のステップを示す流れ図である。この方法は、マルチビーム電子ビームツール（図１の電子ビームツール４０など）によって実施されることがある。
【００８２】
[00103]  ステップ７１０では、マルチビーム電子ビームツールは、検査中のサンプル（図２のサンプル２０８など）のエリアの表面にＮ個の荷電粒子ビームレットを送達し、このＮ個の荷電粒子ビームレットは、サンプル上にＮ個のプローブスポット（図４Ａのプローブスポット４５１、４５２、及び４５３など）を生成する。実施形態によっては、サンプルのスキャンエリアは、複数のスキャンライン（図４Ａのスキャンライン４００、４０１、４０２、．．．、４３５など）に分割されることがあり、また、Ｎ個の連続するスキャンライン毎にグループ化され、スキャンセクションが形成されることがある。例えば、３つのプローブスポットが使用される図４Ａに示すように、最初の３つのスキャンライン４００、４０１、４０２は、スキャンセクション４７１を形成することがあり、次の３つのスキャンライン４０３、４０４、４０５は、スキャンセクション４７２を形成することがあり、以下同様である。
【００８３】
[00104]  ステップ７２０では、マルチビーム電子ビームツールは、電動サンプルステージ（図２の電動ステージ２０９など）を制御して、サンプルがスキャンされ検査されている間に第１の方向にサンプルを動かす。実施形態によっては、サンプルは一定の速度で連続的に移動することがある。他の実施形態では、サンプルの移動速度は、スキャンプロセスのステップに応じて、時間外に変化することがある。ステップ７２０は、ステップ７１０の前に行われてもよく、又は、ステップ７１０及び７２０の動作は、同時に開始されてもよいことが、理解されよう。
【００８４】
[00105]  ステップ７３０及び７４０では、マルチビーム電子ビームツールは、Ｎ個の荷電粒子ビームレットを偏向させて、サンプルの表面上でＮ個のプローブスポットを移動させてスキャンラインをスキャンする。例えば、各期間の間に、マルチビーム電子ビームツールは、Ｎ個のプローブスポットを第２の方向（図４Ａ及び図４Ｂのｘ方向など）に移動させてスキャンラインをスキャンしながら、サンプルと同じ速度（例えば、速度Ｋ）で第１の方向（即ち、図４Ａ及び図４Ｂのｙ方向などの、サンプルの移動方向）にも移動させて、それによって、スキャンラインをスキャンしながらサンプルの移動に追従する。スキャンが完了した後、Ｎ個のプローブスポットは、次の組のスキャンラインの開始地点まで戻ることがある。
【００８５】
[00106]  実施形態によっては、Ｎ個のプローブスポットは、各プローブスポットが、スキャンセクションの対応するスキャンラインをスキャンできるように、配置される。例えば、第１のプローブスポット（図４Ａのプローブスポット４５１など）は、スキャンセクションの第１のスキャンラインのみをスキャンするように構成されることがあり、第２のプローブスポット（図４Ａのプローブスポット４５２など）は、スキャンセクションの第２のスキャンラインのみをスキャンするように構成されることがあり、同様に、Ｎ番目のプローブスポットはスキャンセクションのＮ番目のスキャンラインのみをスキャンするように構成されることがある。このようにして、マルチビーム電子ビームツールは、大きな「ジャンプ」移動を行う必要はない、というのも、各プローブスポットは、オーバーラップがあるとしても大して無く、対応するスキャンラインの組のみをスキャンするからである。「ジャンプ」を行う代わりに、Ｎ個のプローブスポットは、サンプルが第１の方向に移動している間に、サンプルのスキャンラインに沿って、上述した動きを連続的に繰り返すことがある。
【００８６】
[00107]  図３Ａ及び図３Ｂは、４つのプローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄがサンプルの移動方向に沿って一列に整列していることを示しているが、プローブスポット、従って一次ビームレットは、他の空間的配置を有することがある。例えば、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、複数の一次ビームレットがマトリックス状に配置されることがある。図８Ａは、本開示の実施形態と一致した、光軸（例えば、図２の一次光軸２０４）の周りに一次ビームレットを回転させる前及び後の、サンプルの表面上の複数の一次ビームレット（例えば、図２の一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３）の分布を示す概略図である。図８Ｂは、本開示の実施形態と一致した、回転の前及び後のサンプルの表面上の複数の一次ビームレットのスキャンパターンを示す概略図である。図８Ａ及び図８Ｂは、２×２のマトリックスに配置された４つのプローブスポット（又は一次ビームレット）を示しているが、本明細書に開示する原理は、任意の数の一次ビームレット、例えば３×３、４×５、５×５、又は２０×２０のマトリックスに配置された一次ビームレットなどに適用され得ることが企図されている。
【００８７】
[00108]  図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、４つのプローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄが、初めは２×２のマトリックスに配置されることがあり、このマトリックスの各列は、サンプルの移動方向に沿っている（図８Ａ及び図８Ｂの左側を参照）。プローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄの各々は、図３Ａ〜図３Ｄで示したのと同様の態様で、サンプル上の領域８００の一部のｘ−ｙスキャンを実施することがある。開示する実施形態と一致して、４つのプローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄは、４つのプローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄの各々がオーバーラップのないスキャンライン上を移動することができるように、サンプルに対して回転されていることがある（図８Ａ及び図８Ｂの右側を参照）。隣接するスキャンラインは、電子ビームツールによって生成される画像のピクセルサイズに対応する距離だけ、離れていることがある。この回転は、これらに限定するものではないが、一次ビームレットを回転させるように図２の偏向走査ユニット２３２を制御することによって、又は、電子ビームツール４０内の画像形成素子のアレイを再配置することによって、又はサンプルを回転させることによって、実現されることがある。回転の後、プローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄの各々は、オーバーラップすることなく、より長いスキャンライン上を移動することがある。プローブスポットがスキャンラインを切り替える時間は固定なので、各スキャンラインに関連した時間オーバーヘッドが低減されることがあり、電子ビームツール４０の全体的なスループットが向上することがある。
【００８８】
[00109]  図８Ｂの右側によって示されるように、ビーム回転の後、４つのプローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄは、最早サンプルの移動方向に沿って整列されていない。従って、４つのプローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄによってスキャンされる実際のエリア（スキャンラインによって覆われるエリア）は、電子ビームツールの視野よりも大きくなる。具体的には、図８Ｂでは、エリア８００は電子ビームツールによって撮像されるエリアである。スキャンライン１、２、３、４、．．．、の各々はエリア８００の幅よりも長く、その結果、全てのスキャンラインが集合的にエリア８００をカバーすることができる。
【００８９】
[00110]  図９は、本開示の実施形態と一致した、図８Ａ及び図８Ｂに示した回転プロセスの回転角を選択する方法を示す概略図である。例示目的のみのために、図９はマトリックス状に配置された９つのプローブスポット１、２、３、４、．．．、９を示す。回転が起きる前は、プローブスポットはサンプルの移動方向に沿ってピッチサイズＳを有する。プローブスポットのパターンがある角度だけ回転された後、移動方向に沿ったビーム距離Ｄには、以下の関係がある。
Ｄ１２＝Ｄ２３＝Ｄ４５＝Ｄ５６＝Ｄ７８＝Ｄ８９＝Ｓｓｉｎφ      式（５）
Ｄ３４＝Ｄ６７＝Ｓｃｏｓφ−２Ｓｓｉｎφ      式（６）
【００９０】
[00111]  開示する実施形態と一致して、１つの回転角φは、プローブスポットが、移動方向に沿って同じビーム距離Ｄを有するようにすることができる。即ち、
Ｄ１２＝Ｄ３４      式（７）
上記の式（５）〜（７）は、以下をもたらす。
Ｓｃｏｓφ−２Ｓｓｉｎφ＝Ｓｓｉｎφ      式（８）
従って、
【数１】
2021526716.tif 000003
【００９１】
[00112]  上記の計算を、Ｍ×Ｎのマトリックス（即ち、Ｍ個の行とＮ個の列を有するマトリックスで、マトリックスの列は、当初、サンプルの移動方向と整列している）に配置されたプローブスポット（即ち、一次ビームレット）に一般化するためには、移動方向に沿ったビーム距離Ｄは、以下を満足する必要がある。
Ｄ１、２＝ＤＮ、Ｎ＋１      式（１０）
また、回転角は以下を満足する必要がある。
Ｓｃｏｓφ−（Ｎ−１）Ｓｓｉｎφ＝Ｓｓｉｎφ  式（１１）
従って、適切な回転角φは、以下の通りである。
【数２】
2021526716.tif 000004
但し、Ｎは、プローブスポットによって形成されるパターン（例えば、マトリックス）内の列の数、又はプローブスポットによって形成されるパターンの行内のプローブスポットの数である。
【００９２】
[00113]  実施形態によっては、プローブスポットは、各プローブスポットの丸い、光学収差の無いゾーンに対してより優れた充填率を達成するために、Ｎ×Ｎマトリックス又は六角形の形状に配置されることが好ましいことがある。そうではあるが、回転角は
【数３】
2021526716.tif 000005
のままである。
【００９３】
[00114]  図１０は、図８Ａ、図８Ｂ、及び図９に示した実施形態と一致した、マルチビームスキャン方法１０００の流れ図である。例えば、方法１０００は、システムのスループットを改善するために電子ビームツール４０内で使用されることがある。図１０を参照すると、方法１０００は以下のステップを含む。
【００９４】
[00115]  ステップ１０１０では、電子ビームツール（例えば、図１及び図２の電子ビームツール４０）は、一次ビームレットのアレイを生成し、それをサンプル（例えば、図２のサンプル２０８）の表面上に投射する。一次ビームレットは、検査されることになる領域内にプローブスポットのアレイを形成する。プローブスポットのアレイは、Ｎ×Ｎマトリックスなどの所定のパターンを形成する。実施形態によっては、Ｎ×Ｎマトリックスの各列は、サンプルの移動方向と整列されていることがある。
【００９５】
[00116]  ステップ１０２０では、電子ビームツールは、電子ビームツールの一次光軸（例えば、図２の一次光軸２０４）の周りで一次ビームレットのアレイを回転させる。この回転は、図９で説明したのと同様の態様で行われることがある。回転は、サンプルを基準にして行われる。様々な実施形態では、電子ビームツールは、一次ビームレットを回転させるように偏向走査ユニット２３２を制御することによって、又は、電子ビームツール４０内の画像形成素子のアレイを再配置することによって、又はサンプルを回転させることによって、回転を行うことがある。回転角は、とりわけ、
【数４】
2021526716.tif 000006
に等しくなるように設定されることがある。
【００９６】
[00117]  ステップ１０３０では、電子ビームツールは、一次ビームレットのアレイを偏向させて、ツールの視野全体に渡ってスキャンする。ビームが回転されると、一次ビームレットのアレイは、図８Ｂ及び図１１の右側に示されるように、オーバーラップの無いより長いスキャンラインに沿ってスキャンできるようになり得る。隣接するスキャンラインは、電子ビームツールによって生成される画像のピクセルサイズに対応する距離だけ、離れていることがある。
【００９７】
[00118]  ステップ１０４０では、視野下のサンプルのエリアがスキャンされた後、電子ビームツールはサンプルのまだスキャンされていないエリアを、視野内に移動させる。例えば、図３Ａに示すように、Ｔ３の終了時に、プローブスポット３１０Ａ〜３１０Ｄは、サブ領域３０１Ｄ、３０２Ｄ、３０３Ｄ、３０４Ｄ等を含む次のまだスキャンされていないエリアに移動することがある。従って、ステップ１０３０を繰り返して、まだスキャンされていないエリアのスキャンを続けることができる。
【００９８】
[00119]  開示する実施形態では、ステップ１０３０及び１０４０は、サンプル全体が検査されるまで繰り返されることがある。従って、電子ビームツールは、「ステップアンドスキャン」モードで動作することが必要であることがあり、このモードでは、サンプルステージ（例えば、電動ステージ２０９）は、一次ビームレットのアレイを偏向させて視野内にあるエリアをスキャンする（ステップ１０３０）間は、ある位置に留まり、まだスキャンされていないエリアが電子ビームツールの視野内に「ジャンプ」する（ステップ１０３０）ように、次の位置に移動する（又は「歩を進める（ステップする）」）。例えば、図３Ａ及び図３Ｂに関連して説明したように、期間Ｔ３の終了時に、サンプルをｙ方向に移動させることにより、−ｙ方向への１０Ｗの移動が達成されることがある。しかしながら、「ステップアンドスキャン」モードでは、スキャンは、サンプルステージが歩を進め且つ落ち着くのを繰り返し待つので、「ステップアンドスキャン」モードは通常、「連続スキャン」モードよりも遅くなり、「連続スキャン」モードでは、一次ビームレットを偏向させてサンプルをスキャンする間、サンプルステージは低速で連続的に移動する。
【００９９】
[00120]  上述したビーム回転方法を、より速い「連続スキャン」モードで使用できるようにするために、回転された一次ビームレットは、図１１で説明するようなインターレース方式スキャンパターンを使用してサンプルをスキャンするように構成されることがあり、図１１は、本開示の実施形態と一致した、例示的なマルチビームインターレース方式スキャンパターンを示している。図１１に示すように、図８Ａ及び図８Ｂにおけるプローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄが回転された後、電子ビームツールは、以下のように、即ち、プローブスポット８１０Ａがスキャンライン１、５、９、１３、１７、等に沿って移動し、プローブスポット８１０Ｂがスキャンライン２、６、１０、１４、１８、等に沿って移動し、プローブスポット８１０Ｃがスキャンライン３、７、１１、１５、１９、等に沿って移動し、プローブスポット８１０Ｄがスキャンライン４、８、１２、１６、２０、等に沿って移動するように、一次ビームレットを制御することがある。これらのスキャンラインは、実質的に互いに平行である。このようにして、プローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄは、サンプルステージが連続的に移動している間に、異なるスキャンライン間を移動することができる。そのような技術を利用することにより、サンプルステージの大きな「ジャンプ」を回避することができる。
【０１００】
[00121]  図１１の右側は、絶対基準座標系に対するプローブスポットの例示的な移動軌跡を示している。この軌跡は、４つのフェーズに分割することができる。フェーズ１では、プローブスポットはサンプルの移動に追従し、且つ第１の方向に沿ってスキャンする。フェーズ２では、プローブスポットは、第２のスキャンラインの開始地点に到達するように、サンプルの移動方向とは逆に移動する。フェーズ３では、プローブスポットはサンプルの移動に追従し、且つ第２の方向に沿ってスキャンする。フェーズ４では、プローブスポットは、第３のスキャンラインの開始地点に到達するように、サンプルの移動方向とは逆に移動する。これらの４つのフェーズは、インターレース方式スキャンの間に繰り返される。
【０１０１】
[00122]  図１２は、図１１に示した実施形態と一致した、インターレース方式スキャン中の、サンプルに対するプローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄの例示的な移動軌跡を示す。図１２を参照すると、移動軌跡８１、８２、８３、及び８４は、それぞれプローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄに対応する。移動軌跡８１、８２、８３、及び８４の各々は、サンプルの連続的な移動の間に形成される、連続的なパターンを有する。
【０１０２】
[00123]  上述した実施形態では、インターレース方式スキャンはビーム回転と併せて用いられているが、インターレース方式スキャンは、ビーム回転の無いマルチビームスキャンにも適用され得ることが企図されている。図１３は、本開示の実施形態と一致した、ビーム回転無しのマルチビームインターレース方式スキャンパターンを示す概略図である。図１３を参照すると、プローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄは２×２のマトリックス状に配置され、マトリックスの各列はサンプルの移動方向と整列されている。即ち、プローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄのパターンは、サンプルに対して回転されていない。サンプルが特定の方向（例えば、図１３に示すように下流方向）に沿って連続的に移動するにつれて、領域８００内のまだスキャンされていないエリアはプローブスポット８１０Ａ及び８１０Ｂの視野にまず入り、次いで、プローブスポット８１０Ｃ及び８１０Ｄの視野に入る。プローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄの各々は、領域８００上にスキャンラインを形成することができる。サンプルの移動方向に沿ったプローブスポット８１０Ａと８１０Ｃとの間のビーム距離、即ちビームピッチを適切に制御することにより、プローブスポット８１０Ａ及び８１０Ｃによって形成されるスキャンラインは、インターレース方式パターンを有することができる。同様に、サンプルの移動方向に沿ったプローブスポット８１０Ｂと８１０Ｄとの間のビーム距離、即ちビームピッチを適切に制御することにより、プローブスポット８１０Ｂ及び８１０Ｄによって形成されるスキャンラインは、インターレース方式パターンを有する。インターレース方式スキャンを用いると、マルチビームスキャンは、ビーム回転の有無に関わらず、高速の「連続スキャンモード」と組み合わせることができる。従って、システムのスループットが向上する。更に、ビーム回転が必要なくなるので、ビーム回転と結びついた検出器（例えば、図２の電子検出器２４０）の複雑化を回避することができる。
【０１０３】
[00124]  図１４は、図１１〜１３に示した実施形態と一致した、マルチビームインターレース方式スキャン方法１４００の流れ図である。例えば、方法１４００は、システムのスループットを改善するために電子ビームツール４０内で使用されることがある。図１４を参照すると、方法１４００は以下のステップを含む。
【０１０４】
[00125]  ステップ１４１０では、電子ビームツール（例えば、図１及び図２の電子ビームツール４０）は、Ｎ個の一次ビームレットのアレイを生成し、それをサンプル（例えば、図２のサンプル２０８）の表面上に投射する。Ｎは２以上の整数である。一次ビームレットは、検査されることになる領域内にＮ個のプローブスポットのアレイを形成する。
【０１０５】
[00126]  ステップ１４２０では、電子ビームツールは、連続的に移動するようにサンプルを制御する。例えば、電子ビームツールは、サンプルを連続的に移動させるように、ステージ（例えば、図２の電動ステージ２０９）を制御することがある。
【０１０６】
[00127]  ステップ１４３０では、図１１〜１３に示したように、電子ビームツールは、Ｎ個の一次ビームレットを偏向させて、同時にｉ）サンプルの移動に追従し、ｉｉ）サンプルの表面に渡って、Ｎ個のスキャンラインをそれぞれスキャンする。
【０１０７】
[00128]  ステップ１４４０では、Ｎ個のスキャンラインがスキャンされた後、電子ビームツールは、サンプルの移動方向と反対の方向にＮ個のスキャンラインだけ、Ｎ個の一次ビームレットをサンプルに対して偏向させ、一次ビームレットによって形成されるそのようなプローブスポットは、新たなグループのスキャンラインの開始地点に到達する。開示する実施形態と一致して、ステップ１４３０及び１４４０は、例えば、図１１〜１３に示したインターレース方式スキャンパターンパターンなどの、インターレース方式スキャンパターンを形成するように、繰り返し実行される。
【０１０８】
[00129]  上述したように、インターレース方式スキャンパターンを形成するためには、一次ビームレット又は対応するプローブスポットを、慎重に間隔をおいて配置することが必要であり得る。例えば、ビームピッチが１０μｍの場合、サンプルの一部をスキャンされないままにしてしまう、隣接するプローブスポット間の望ましくないギャップを回避するために、ビームアライメント誤差を１ｎｍ以内に制限する必要があり得る。ビームアライメントに対する要件を緩和するために、実施形態によっては、半インターフェイススキャンが使用されることがある。
【０１０９】
[00130]  図１５は、本開示の実施形態と一致した、マルチビーム半インターレース方式スキャンパターンを示す概略図である。図１５に示すように、プローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄの各々は、サンプルステージが連続的に移動する間に、小さなエリア内で連続的なｘ−ｙスキャンをまず行う（例えば、複数のスキャンラインをスキャンする）ことができる。ｘ−ｙスキャンが完了した後、サンプルは小さな「ジャンプ」を行って、プローブスポット８１０Ａ〜８１０Ｄの視野内の次のまだスキャンされていないエリアに移動する。従って、プローブスポット８１０Ａ及び８１０Ｃによってスキャンされるエリアは、インターレース方式パターンを形成することがあり、プローブスポット８１０Ｂ及び８１０Ｄによってスキャンされるエリアは、インターレース方式パターンを形成することがある。
【０１１０】
[00131]  半インターフェイス方式スキャンは、プローブスポット８１０Ａと８１０Ｃとの間、及びプローブスポット８１０Ｂと８１０Ｄとの間で、適切な間隔を使用する。しかしながら、インターレース方式スキャンと比較すると、半インターフェイス方式スキャンではビームアライメントはそれほど重要ではない、というのも、インターレースされるエリアは幾らかオーバーラップできるからである。更に、典型的な「ステップアンドスキャン」モードと比較すると、半インターフェイス方式スキャンでは、サンプルステージは比較的に小さな「ジャンプ」を行うので、ジャンプし落ち着くのにかかる時間がより短くなる。従って、半インターフェイス方式スキャンは、システムのスループットを向上させることがある。
【０１１１】
[00132]  図１６は、本開示の実施形態と一致した、マルチビーム半インターレース方式スキャン方法の流れ図である。例えば、方法１６００は、システムのスループットを向上させるために、電子ビームツール（例えば、図１及び図２の電子ビームツール４０）内で使用されることがある。図１６を参照すると、方法１６００は以下のステップを含む。
【０１１２】
[00133]  ステップ１６１０では、電子ビームツールはＮ個の一次ビームレットのアレイを生成し、それをサンプル（例えば、図２のサンプル２０８）の表面上に投射する。Ｎは２以上の整数である。一次ビームレットは、検査されることになる領域内にＮ個のプローブスポットのアレイを形成する。
【０１１３】
[00134]  ステップ１６２０では、電子ビームツールは、連続的に移動するようにサンプルを制御する。例えば、電子ビームツールは、サンプルを連続的に移動させるように、ステージ（例えば、図２の電動ステージ２０９）を制御することがある。
【０１１４】
[00135]  ステップ１６３０では、図１５に示したように、電子ビームツールは、Ｎ個の一次ビームレットを偏向させて、同時にｉ）サンプルの移動に追従し、ｉｉ）サンプルの表面に渡って、各ビームレットの視野内のＭ個のスキャンラインの組をそれぞれスキャンする。Ｍは２以上の整数である。
【０１１５】
[00136]  ステップ１６４０では、図１５に示したように、Ｎ個の一次ビームレットが、それぞれの視野内のＭ個のスキャンラインの組をスキャンした後、電子ビームツールはサンプルを移動させて、まだスキャンされていないエリアを、Ｎ個の一次ビームレットの視野に露出させる。実施形態によっては、電子ビームツールは、Ｍ個のスキャンラインの分だけサンプルを移動させることがある。このようにして、一次ビームレットによってスキャンされたエリアは、インターレース方式パターンを形成することができる。
【０１１６】
[00137]  開示する実施形態と一致して、ステップ１６３０及び１６４０は、図１５に示したのと同様のインターレース方式スキャンパターンを形成することができるように、繰り返し実行される。更に、図１５及び図１６によって示される半インターフェイス方式スキャンプロセスは、ビーム回転の有無に関わらず使用され得る。
【０１１７】
[00138]  上述のように、連続スキャンモードは、通常、ステップアンドスキャンモードよりも高速で従ってより高いスループットを達成することができる。図１７は、本開示の実施形態と一致した、連続スキャンモードでの複数の一次ビームレットの分布を示す概略図である。図１７を参照すると、電子ビームツール（例えば、図１及び図２の電子ビームツール４０）は、９つの一次ビームレット１７１、１７２、１７３、．．．、及び１７９を有することがある。実施形態によっては、電子ビームツールを連続スキャンモードで適用できるようにするために、９つの一次ビームレットは、サンプル移動方向に対して垂直な直線状に並んでおり、等間隔で分離されていることがある（図１７の左側を参照）。このようにして、各一次ビームレットは、ジャンプを行うことなく、サンプルを連続的にスキャンすることができる。しかしながら、図８Ａ及び図８Ｂに関連して上述したように、この配置の下では、プローブスポットの視野が重なり、従って、システムのスループットは最大化されていない。システムのスループットを改善するために、サンプルに垂直な方向に沿ったビーム距離が効果的に長くなるように、一次ビームレットの一部又は全部を、サンプルの移動方向に沿って他の一次ビームレットに対して再配置することがある（図１７の右側を参照）。このようにして、図８Ａ及び図８Ｂに示したビーム回転と同様に、各一次ビームレットは、より長いスキャンラインをスキャンすることができる。更に、電子ビームツールが連続スキャンモードで動作し続けるように、電子ビームツールは、図７及び図８に示したのと同様の態様で、インターレース方式スキャンを実施するように、再配置された一次ビームレットを制御することがある。
【０１１８】
[00139]  図１７の実施形態は、サンプル移動方向に沿って並んだ複数の一次ビームレットを含むようにも適合され得る。例えば、図１８を参照すると、電子ビームツールは、一次ビームレット１８１〜１８９を更に含むことがあり、これらの一次ビームレットは、サンプルの移動方向に沿って、それぞれ一次ビームレット１７１〜１７９と整列されており、サンプルの移動方向に沿って等距離だけ、それぞれ一次ビームレット１７１〜１７９から離れている。サンプル移動方向に沿って並んだ一次ビームレットの各ペアは、大きなジャンプを減らすか又は回避するために、図１５に示したのと同様の態様で、半インターレース方式スキャンを実施するように制御されることがある。或いは、一次ビームレット１７１〜１７９のグループ及び一次ビームレット１８１〜１８９のグループは、別々にインターレース方式スキャンを実施することがあり（図１８には図示せず）、この場合には、サンプルの移動方向に沿って並んだ一次ビームレットの各ペアは、同じエリアを連続的にスキャンし、従ってフレーム平均が実施されることがある。
【０１１９】
[00140]  ここで図１９を参照すると、図１９は、本開示の実施形態と一致した、回転した一次ビームレットの組を使用した例示的なスキャンパターンを示す概略図である。前述のように、より高いシステムスループットを達成するためには、各一次ビームレットがより長いスキャンラインをスキャンすることが望ましい。検査の間、サンプルの連続的で一定の動きを維持することにより、検査システムのスループットを高めることもできる（例えば、前のセクションで説明した連続スキャンモード）。
【０１２０】
[00141]  図１９は、３×３のマトリックス構成に配置された９つのプローブスポット１９０１、１９０２、．．．、１９０９を生成する、一次ビームレットの３×３のアレイを有するマルチビーム検査システムを示す。前述の実施形態と同様に、サンプル（例えば、図２のサンプル２０８）は、サンプルが３×３のアレイのプローブスポット１９０１〜１９０９によってスキャンされている間に、一定の速度Ｋでｙ方向に移動することがある。実施形態によっては、３×３のアレイの一次ビームレットは、サンプル移動方向に対してある角度だけ回転されることがある。回転角は、図９に関して式（１２）で説明したように、行内の一次ビームレットの数（例えば、３×３のアレイ構成では３）によって決定されることがある。実施形態によっては、サンプルがその回転角だけ回転されることがあり、その結果、プローブスポットがサンプル移動方向に対して効果的に回転される。実施形態によっては、ビームレットとサンプルが同時に回転されることがあり、それによって、ビームレットが、サンプル移動方向に対して回転角だけ回転されるようになる。
【０１２１】
[00142]  実施形態によっては、プローブスポット１９０１〜１９０９は、サンプル移動方向に垂直な方向にサンプルをスキャンすることがある。例えば、プローブスポット１９０１〜１９０９は、サンプルがｙ方向に移動する間に、矢印１９２１〜１９２９によって示されるようにｘ方向にスキャンすることがある。そのような実施形態では、一次ビームレットのスキャン幅は、各一次ビームレットが、隣接する一次ビームレットによってスキャンされる領域間にあまり大きなオーバーラップをもたらすことなく、どの位幅広くサンプルをスキャンできるか、によって決定されることがある（例えば、矢印１９２１の長さによって示されるような、プローブスポット１９０１の移動範囲）。この回転されたビームレット構成は、連続スキャンモードをサポートすることができるものの、この比較的に短いｘ方向のスキャン幅は、システムのスループットの向上を制限することがある、というのも、スキャンパターンのオーバーヘッド（例えば、スキャンビームの動きに対する非スキャンビームの動きの相対的な割合）が、著しく高いことがあるからである。
【０１２２】
[00143]  実施形態によっては、プローブスポット１９０１〜１９０９は、サンプル移動方向と平行な方向にサンプルをスキャンすることがある。例えば、プローブスポット１９０１〜１９０９は、サンプルもｙ方向に移動する間に、矢印１９３１〜１９３９によって示されるようにｙ方向に移動することがある。そのような実施形態では、一次ビームレットのスキャン幅は、一次ビームレットの構成（例えば、ピッチ又は回転角）によって制限されない、というのも、スキャン幅を長くしても、隣接するビームレットによってスキャンされる領域間にオーバーラップは生じないからである。また、スキャン幅を長くすると、システムのスループットが改善されることがある、というのも、スキャンパターンのオーバーヘッドが大幅に低減され得るからである。
【０１２３】
[00144]  図１９は、３×３のマトリックス状に配置された９つのプローブスポット１９０１〜１９０９を備えた一次ビームレットの構成を示しているが、本明細書に開示する原理は、任意の数及び構成の一次ビームレット、例えば、３×２、４×４、５×５、３×５、８×５、２０×２０、又は任意のサイズのマトリックス構成に配置された一次ビームレットなどに適用されることがあることが、理解されよう。
【０１２４】
[00145]  ここで、図２０Ａ、図２０Ｂ、図２０Ｃ、及び図２０Ｄを参照すると、これらの図は、本開示の実施形態と一致した、図１９に示した回転した一次ビームレットを使用した例示的なマルチビームスキャンパターンを示す概略図である。実施形態によっては、プローブスポット１９０１〜１９０９のスキャン方向は、サンプルの移動方向と平行である。そのような実施形態では、各プローブスポットは、サンプル移動方向に沿って配置される複数のスキャンセクションをスキャンする。例えば、図２０Ａに示すように、第１の行のスキャンセクション（例えば、スキャンセクション２０１１、２０２１、等）は、プローブスポット１９０１に対応する一次ビームレットによってスキャンされることがある。同様に、第２の行のスキャンセクション（例えば、スキャンセクション２０１２、２０２２、等）は、プローブスポット１９０２に対応する一次ビームレットによってスキャンされることがある。同様に、第３、第４、第５、第６、第７、第８、及び第９の行のスキャンセクションは、それぞれ、プローブスポット１９０３、１９０４、１９０５、１９０６、１９０７、１９０８、及び１９０９によってスキャンされることがある。
【０１２５】
[00146]  実施形態によっては、各スキャンセクションは、ラスタースキャンパターンを用いてスキャンされる。例えば、セクション２０１１内部では、プローブスポット１９０１は、スキャンルート２０７１を通ってスキャンラインをスキャンし、その後、次のスキャンラインのスキャンを開始するために、他方の側まで戻る後戻りルート２０７２を通る。これらのステップは、スキャンセクションの全てのスキャンラインがスキャンされるまで、繰り返し実施されることがある。図２０Ａは、各スキャンセクション内部のラスタースキャンパターンを示しているが、任意の他のスキャン方法を使用して各スキャンセクションをスキャンできることが、理解されよう。例えば、実施形態によっては、プローブスポット１９０１は、反対方向にスキャンし戻る、例えば、右から左にスキャンし、左から右に戻る、ことがある。
【０１２６】
[00147]  実施形態によっては、プローブスポット１９０１〜１９０９は、第１の組のスキャンセクション（例えば、スキャンセクション２０１１、２０１２、２０１３、．．．、２０１９）をまずスキャンすることがある。第１の組のスキャンセクションのスキャンが完了した後、プローブスポット１９０１〜１９０９は、第２の組のスキャンセクション（例えば、スキャンセクション２０２１、２０２２、２０２３、．．．、２０２９）をスキャンする準備をするように、再配置されることがある。図２０Ｂに示すように、一次ビームレットの再配置には、矢印２０８１、２０８２、２０８３、．．．、２０８９で示されるように、各プローブスポットを、第１の組のスキャンが終了した地点から、第２の組のスキャンを開始する地点まで移動させることが含まれることがある。再配置の後、プローブスポット１９０１〜１９０９は、第２の組のスキャンセクションのスキャンを開始することがある。実施形態によっては、スキャンのステップ及び再配置のステップは、関心対象のサンプルエリア全体がスキャンされ検査されるまで、繰り返されることがある。図２０Ｂは、第１の組のスキャンが右端の隅で終了することを示しているが、スキャンの終了地点は、使用される様々なスキャンパターンによって異なることがあることが、理解されよう。例えば、前の章で説明したように、スキャン及び後戻りのために反対方向が使用される（例えば、右から左にスキャンし、左から右に戻る）場合、第１の組のスキャンは、左端の隅で終了することがある。そのような場合には、再配置の距離はより短くなることがある。
【０１２７】
[00148]  一次ビームレットの再配置中に持ち込まれる可能性がある、隣接するスキャンセクション間の（例えば、スキャンセクション２０１１と２０２１との間の）スキャン済データにおけるギャップを回避するために、隣接するスキャンセクションは、部分的にオーバーラップすることがある。例えば、図２０Ｃに示すように、スキャンセクション２０１１及び２０２１は、部分的にオーバーラップし、それによってオーバーラップ領域２０９１を生成することがある。同様に、スキャンセクション２０１２及び２０２２は、オーバーラップ領域２０９２を生成することがある。これらのオーバーラップ領域は、２回以上スキャンされることがある。例えば、オーバーラップ領域２０９１は、まず、スキャンセクション２０１１のスキャン中にスキャンされ、次いで２回目に、スキャンセクション２０２１のスキャン中にスキャンされることがある。コントローラ（例えば、図２のコントローラ５０）は、各オーバーラップ領域からの複数のスキャンデータを含むスキャンデータを収集し、そのスキャンデータを処理して検査のためにサンプルの連続画像を生成することがある。
【０１２８】
[00149]  実施形態によっては、スキャンステップ及び再配置ステップは、サンプルを保持するステージが一定の速度で連続的に移動している間に行われることがある。そのような実施形態では、プローブスポットの動きを調節して、ステージの連続的な移動に対応することがある。例えば、図２０Ｄは、サンプルが連続的にｙ方向に移動している間にスキャンが行われる場合の、マルチビーム検査ツールの固定位置に対する、プローブスポット１９０１の経時的な動きを示している。そのような状況では、スキャン（例えば、スキャンルート２０７１）及び後戻り（例えば、後戻りルート２０７２）のステップのためのビームレットのルートは、ステージの移動に対応するように調節されることがある。例えば、スキャンルート２０７１は、延びることがある、というのも、サンプルも同じ方向に移動しているからである。後戻りルート２０７２は短くなることがある、というのも、サンプルは、後戻りの方向に対して反対の方向に移動している、例えば、プローブスポット１９０１が左側に戻るまでに、サンプルは更に右に移動していることがあるからである。
【０１２９】
[00150]  これまでの実施形態に関して説明したように、実施形態によっては、コントローラは、一次ビームレットがある移動パターンを単に繰り返せばよいように、一次ビームレット及びステージの動きを制御することがある。コントローラが、スキャン、後戻り、再配置、及びステージ移動の速度を制御することにより、プローブスポット１９０１は、図２０Ｂに示すような移動パターンを連続的に繰り返すことができる。
【０１３０】
[00151]  例えば、図２０Ｄに関して、Ｔ１において、プローブスポット１９０１は、スキャンセクション２０１１のスキャンを開始するために位置Ａに配置される。Ｔ１からＴ２までの期間の間、プローブスポット１９０１は、プローブスポット１９０１がセクションの最後のスキャンラインのスキャンを完了するまで、サンプルがｙ方向に連続的に移動している間に、行ったり来たりしてスキャン及び後戻りを行う。Ｔ２において、プローブスポット１９０１は、スキャンセクション２０１１のスキャンの完了時に位置Ｂに到達する。Ｔ２からＴ３までの期間の間、サンプルがｙ方向に連続的に移動している間に、プローブスポット１９０１は戻って位置Ａに再配置される。Ｔ３において、プローブスポット１９０１は戻って位置Ａに再配置されている。同時に、Ｔ３において、次のスキャンセクション（例えば、スキャンセクション２０２１）が近づいてきて、スキャンセクション２０２１の左上隅（セクション内部のスキャンが開始される場所）が位置Ａと整列することがある。従って、そのようなシナリオでは、プローブスポット１９０１は、図２０Ｄに示すように、位置Ａと位置Ｂとの間でのこの移動パターンを単に連続的に繰り返すことがある。プローブスポット１９０１のこの繰り返しの動きにより、対応する行のスキャンセクション（例えば、スキャンセクション２０１１、２０２１、２０３１、等）が、プローブスポット１９０１によって連続的にスキャンされることがある。
【０１３１】
[00152]  図２０Ａ、図２０Ｂ、及び図２０Ｃは、３×３のマトリックス状に配置された９つのプローブスポット１９０１〜１９０９を備えた一次ビームレットの構成を示しているが、本明細書に開示する原理は、任意の数及び構成の一次ビームレット、例えば、３×２、４×４、５×５、３×５、８×５、２０×２０、又は任意のサイズのマトリックス構成に配置された一次ビームレットなどに適用されることがあることが、理解されよう。
【０１３２】
[00153]  実施形態については、以下の条項を使用して更に説明することができる。
条項１．マルチビームツールであって、
ビーム構成システムを含み、このビーム構成システムは、荷電粒子の一次ビームを生成するための荷電粒子源、サンプルを保持するステージ、及び一次ビームをビームのアレイに分割するように構成された荷電粒子源とステージとの間の偏向器システム、を含み、
ビーム構成システムは、ビームのアレイの行内のビームの数に基づいて決定される回転角を伴う、回転ビーム構成を提供するように構成される、マルチビームツール。
条項２．ビームのアレイは、マルチビームツールの光軸の周りに配置され、
回転ビーム構成は、光軸の周りを回転するように構成されたステージを含む、条項１に記載のマルチビームツール。
条項３．ビームのアレイは、マルチビームツールの光軸の周りに配置され、
回転ビーム構成は、ビームのアレイを光軸の周りで回転させるように構成された偏向器システムを含む、条項１に記載のマルチビームツール。
条項４．マルチビームツールは、サンプルの表面エリアの画像を生成するように構成されており、
回転ビーム構成は、ビームのアレイが、画像化される表面エリアよりも大きなエリアをスキャンできるようにする、条項１〜３の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項５．ステージは第１の方向に沿って移動するように構成され、
ビームのアレイが視野に渡りスキャンすることは、ビームのアレイが第２の方向に沿って視野をカバーする一組のスキャンラインをスキャンすることを含む、条項１〜４の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項６．第２の方向は、サンプルを基準にして、第１の方向と実質的に垂直である、条項５に記載のマルチビームツール。
条項７．第２の方向は、サンプルを基準にして、第１の方向と実質的に平行である、条項５に記載のマルチビームツール。
条項８．一組のスキャンラインは、マルチビームツールによって生成される画像のピクセルサイズに対応した距離だけ、間隔をあけて配置される、条項５〜７の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項９．ビーム構成システムは、ステージに結合されたコントローラを更に含み、コントローラは、ステージの動きを制御するように構成される、条項１〜８の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項１０．ビーム構成システムは、偏向器システムに結合されたコントローラを更に含み、コントローラは、ビームのアレイを偏向させるように偏向器システムを制御するように構成される、条項１〜９の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項１１．マルチビームツールであって、
荷電粒子の一次ビームを生成するための荷電粒子源、サンプルを保持するように構成され且つ第１の方向に移動するように構成されたステージ、及び荷電粒子源とステージとの間の偏向器システム、を含むビーム構成システムを含み、ビーム構成システムは、
一次ビームをｎ個のビームに分割し、但しｎは整数でｎ≧２であり、
ｎ個のビームが第１の方向に沿って間隔をあけて配置されるように、ｎ個のビームを第１の方向を基準にして回転させ、
ｎ個のビームを偏向させて、同時にｉ）ステージの移動に追従し、ｉｉ）サンプルの表面に渡ってｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組をスキャンする、ように構成される、マルチビームツール。
条項１２．ｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組は、第１の方向に沿って第１の距離に渡って広がっている第１の組のｎ個のスキャンラインを含み、
ビーム構成システムは更に、
第１の組のｎ個のスキャンラインがスキャンされた後、第１の方向と反対の方向に沿って、第１の距離だけｎ個のビームをオフセットさせ、
ｎ個のビームを偏向させて、同時にｉ）ステージの移動に追従し、ｉｉ）サンプルの表面に渡って第２の組のｎ個のスキャンラインをスキャンする、ように構成される、条項１１に記載のマルチビームツール。
条項１３．第１及び第２の組のｎ個のスキャンラインは、実質的に平行なラインである、条項１２に記載のマルチビームツール。
条項１４．第１及び第２の組のｎ個のスキャンラインの各々は、マルチビームツールによって生成される画像のピクセルサイズに対応した距離だけ、間隔をあけて配置される、条項１２及び１３の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項１５．ｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組は、サンプルを基準にして、第１の方向に実質的に垂直な第２の方向に沿っている、条項１１〜１４の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項１６．ｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組は、サンプルを基準にして、第１の方向と実質的に平行な第２の方向に沿っている、条項１１〜１４の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項１７．ｎ個のビームは、サンプルの表面に投射され、表面上にｎ個のプローブスポットを形成し、
ｎ個のビームがステージの移動に追従することは、ｎ個のプローブスポットがステージと同じ速度で第１の方向に移動することを含む、条項１１〜１６の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項１８．ステージは一定の速度で移動する、条項１１〜１７の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項１９．ビーム構成システムは、
ｎ個のビームの行内にあるビームの数に基づいて決定される回転角でｎ個のビームを回転させるように構成される、条項１１〜１８の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項２０．ｎ個のビームは、マルチビームツールの光軸の周りに配置され、
ビーム構成システムがｎ個のビームを回転させるように構成されることは、ビーム構成システムが光軸の周りでステージを回転させるように構成されることを含む、条項１９に記載のマルチビームツール。
条項２１．ｎ個のビームは、マルチビームツールの光軸の周りに配置され、
ビーム構成システムがｎ個のビームを回転させるように構成されることは、偏向器システムが光軸の周りでｎ個のビームを回転させるように構成されることを含む、条項１９に記載のマルチビームツール。
条項２２．ビーム構成システムは、ステージに結合されたコントローラを更に含み、コントローラは、ステージの動きを制御するように構成される、条項１１〜２１の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項２３．ビーム構成システムは、偏向器システムに結合されたコントローラを更に含み、コントローラは、ｎ個のビームの偏向を制御するように構成される、条項１１〜２２の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項２４．マルチビームツールであって、
荷電粒子の一次ビームを生成するように構成された荷電粒子源、サンプルを保持するように構成され且つ第１の方向に移動するように構成されたステージ、及び一次ビームをビームのアレイに分割するように構成された荷電粒子源とステージとの間の偏向器システム、を含むビーム構成システムを含み、
ビーム構成システムは、
偏向器システムを介してビームのアレイを偏向させて、ｉ）ビーム構成システムの視野内の第１の組のスキャンラインをスキャンし、ｉｉ）第１の組のスキャンラインのスキャン中にステージの移動に追従し、ここで、第１の組のスキャンラインは第１の方向に沿って第１の距離に渡って広がっており、
第１の組のスキャンラインがスキャンされた後、ステージを第１の距離だけ第１の方向に移動させ、
偏向器システムを介してビームのアレイを偏向させて、ｉ）ビーム構成システムの視野内の第２の組のスキャンラインをスキャンし、ｉｉ）第２の組のスキャンラインのスキャン中にステージの移動に追従し、
第１及び第２の組のスキャンラインがスキャンされるときに、ステージを第１の方向に移動させる、ように構成される、マルチビームツール。
条項２５．ビームのアレイは、第１のビームを含み、
偏向器システムを介してビームのアレイを偏向させて、ｉ）ビーム構成システムの視野内の第１の組のスキャンラインをスキャンし、ｉｉ）第１の組のスキャンラインのスキャン中にステージの移動に追従する、ように構成されるビーム構成システムは、
第１のビームを偏向させて、同時にｉ）ステージの移動に追従し、ｉｉ）第１のスキャンラインをスキャンし、
第１のスキャンラインがスキャンされた後、第１の方向と反対の方向に沿って、所定の距離だけ第１のビームを偏向させ、
第１のビームを偏向させて、同時にｉ）ステージの移動に追従し、ｉｉ）第２のスキャンラインをスキャンする、ように構成されるビーム構成システムを含む、条項２４に記載のマルチビームツール。
条項２６．ビーム構成システムは更に、
ビームのアレイをサンプルの表面に投射して、表面上にプローブスポットのアレイを形成する、ように構成され、
ビームのアレイがステージの移動に追従することは、プローブスポットのアレイがステージと同じ速度で第１の方向に移動することを含む、条項２４及び２５の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項２７．第１及び第２の組のスキャンラインのスキャン中に、ビーム構成システムは更に、ステージを一定の速度で第１の方向に移動させるように構成される、条項２４〜２６の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項２８．第１及び第２の組のスキャンラインの各々は、マルチビームツールによって生成される画像のピクセルサイズに対応した距離だけ、間隔をあけて配置される、条項２４〜２７の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項２９．第１及び第２の組のスキャンラインは、サンプルを基準にして、第１の方向に実質的に垂直である、条項２４〜２８の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項３０．第１及び第２の組のスキャンラインは、実質的に平行なラインである、条項２４〜２９の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項３１．ビーム構成システムは、ステージに結合されたコントローラを更に含み、コントローラは、ステージの動きを制御するように構成される、条項２４〜３０の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項３２．ビーム構成システムは、偏向器システムに結合されたコントローラを更に含み、コントローラは、ビームのアレイの偏向を制御するように構成される、条項２４〜３１の何れか一項に記載のマルチビームツール。
条項３３．方法であって、
マルチビームツールによって、荷電粒子の一次ビームを生成することと、
マルチビームツールによって、一次ビームをビームのアレイに分割することと、
マルチビームツールによって、スキャンされることになるサンプルに対して、ビームのアレイの行内のビームの数に基づいて決定される回転角だけ、ビームのアレイを回転させることと、を含む方法。
条項３４．サンプルに対してビームのアレイを回転させることは、マルチビームツールの光軸の周りでサンプルを回転させることを含む、条項３３に記載の方法。
条項３５．サンプルに対してビームのアレイを回転させることは、マルチビームツールの光軸の周りでビームのアレイを回転させることを含む、条項３３に記載の方法。
条項３６．サンプルに対してビームのアレイを回転させることにより、ビームのアレイが、マルチビームツールによって画像化されるサンプルの表面エリアよりも大きなエリアをスキャンできるようになる、条項３３〜３５の何れか一項に記載の方法。
条項３７．マルチビームツールによって、サンプルを第１の方向に沿って移動させることを更に含み、
ビームのアレイは、第２の方向に沿って、画像化される表面エリアをカバーする一組のスキャンラインをスキャンする、条項３３〜３６の何れか一項に記載の方法。
条項３８．第２の方向は、サンプルを基準にして、第１の方向と実質的に垂直である、条項３７に記載の方法。
条項３９．第２の方向は、サンプルを基準にして、第１の方向と実質的に平行である、条項３７に記載の方法。
条項４０．一組のスキャンラインは、マルチビームツールによって生成される画像のピクセルサイズに対応した距離だけ、間隔をあけて配置される、条項３７〜３９の何れか一項に記載の方法。
条項４１．方法であって、
マルチビームツールによって、サンプルを第１の方向に移動させることと、
マルチビームツールによって、荷電粒子の一次ビームを生成することと、
マルチビームツールによって、一次ビームをｎ個のビームに分割することであって、但しｎは整数でｎ≧２であることと、
ｎ個のビームが第１の方向に沿って間隔をあけて配置されるように、マルチビームツールによって、ｎ個のビームを第１の方向を基準にして回転させることと、
マルチビームツールによってｎ個のビームを偏向させて、同時にｉ）サンプルの移動に追従し、ｉｉ）サンプルの表面に渡って、ｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組をスキャンすることと、を含む方法。
条項４２．ｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組は、第１の方向に沿って第１の距離に渡って広がっている第１の組のｎ個のスキャンラインを含み、この方法は更に、
第１の組のｎ個のスキャンラインがスキャンされた後、マルチビームツールによって、第１の方向と反対の方向に沿って、その距離だけｎ個のビームをオフセットさせることと、
マルチビームツールによってｎ個のビームを偏向させて、同時にｉ）サンプルの移動に追従し、ｉｉ）サンプルの表面に渡って、第２の組のｎ個のスキャンラインをスキャンすることと、を含む、条項４１に記載の方法。
条項４３．第１及び第２の組のｎ個のスキャンラインは、実質的に平行なラインである、条項４２に記載の方法。
条項４４．第１及び第２の組のｎ個のスキャンラインの各々は、マルチビームツールによって生成される画像のピクセルサイズに対応した距離だけ、間隔をあけて配置される、条項４２及び４３の何れか一項に記載の方法。
条項４５．ｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組は、サンプルを基準にして、第１の方向に実質的に垂直な第２の方向に沿っている、条項４２〜４４の何れか一項に記載の方法。
条項４６．ｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組は、サンプルを基準にして、第１の方向と実質的に平行な第２の方向に沿っている、条項４２〜４４の何れか一項に記載の方法。
条項４７．第１の組のｎ個のスキャンラインは、第２の方向に沿ってマルチビームツールの視野をカバーする、条項４５〜４６の何れか一項に記載の方法。
条項４８．ｎ個のビームは、サンプルの表面に投射され、表面上にｎ個のプローブスポットを形成し、この方法は更に、
ｎ個のビームを偏向させて、ｎ個のプローブスポットがサンプルと同じ速度で第１の方向に移動できるようにすること、を含む、条項４２〜４７の何れか一項に記載の方法。
条項４９．サンプルを第１の方向に移動させることは、サンプルを一定の速度で第１の方向に移動させることを含む、条項４２〜４８の何れか一項に記載の方法。
条項５０．方法であって、
サンプルを第１の方向に移動させることと、
マルチビームツールによって、荷電粒子の一次ビームを生成することと、
マルチビームツールによって、一次ビームをビームのアレイに分割することと、
マルチビームツールによってビームのアレイを偏向させて、ｉ）マルチビームツールの視野内の第１の組のスキャンラインをスキャンし、ｉｉ）第１の組のスキャンラインのスキャン中にサンプルの移動に追従することであって、ここで、第１の組のスキャンラインは第１の方向に沿って第１の距離に渡って広がっていることと、
第１の組のスキャンラインがスキャンされた後、マルチビームツールによって、サンプルを第１の距離だけ第１の方向に移動させることと、
マルチビームツールによって、ビームのアレイを偏向させて、ｉ）マルチビームツールの視野内の第２の組のスキャンラインをスキャンし、ｉｉ）第２の組のスキャンラインのスキャン中にサンプルの移動に追従することと、
第１及び第２の組のスキャンラインがスキャンされるときに、マルチビームツールによって、サンプルを第１の方向に移動させることと、を含む方法。
条項５１．ビームのアレイを偏向させて、ｉ）マルチビームツールの視野内の第１の組のスキャンラインをスキャンし、ｉｉ）第１の組のスキャンラインのスキャン中にサンプルの移動に追従することは、
ビームのアレイ内の第１のビームを偏向させて、同時にｉ）サンプルの移動に追従し、ｉｉ）第１のスキャンラインをスキャンすることと、
第１のスキャンラインがスキャンされた後、第１の方向と反対の方向に沿って、所定の距離だけ第１のビームを偏向させることと、
第１のビームを偏向させて、同時にｉ）サンプルの移動に追従し、ｉｉ）第２のスキャンラインをスキャンすることと、を含む、条項５０に記載の方法。
条項５２．ビームのアレイを偏向させてサンプルの移動に追従することは、ビームのアレイを偏向させて、サンプル上にビームのアレイによって形成されるプローブスポットのアレイが、サンプルと同じ速度で第１の方向に移動できるようにすることを含む、条項５０及び５１の何れか一項に記載の方法。
条項５３．第１及び第２の組のスキャンラインのスキャン中に、サンプルを一定の速度で第１の方向に移動させることを更に含む、条項５０〜５２の何れか一項に記載の方法。
条項５４．第１及び第２の組のスキャンラインの各々は、マルチビームツールによって生成される画像のピクセルサイズに対応した距離だけ、間隔をあけて配置される、条項５０〜５３の何れか一項に記載の方法。
条項５５．第１及び第２の組のスキャンラインは、サンプルを基準にして、第１の方向に実質的に垂直である、条項５０〜５４の何れか一項に記載の方法。
条項５６．第１及び第２の組のスキャンラインは、実質的に平行なラインである、条項５０〜５５の何れか一項に記載の方法。
条項５７．マルチビームツールに結合されたコントローラによって実行可能であり、コントローラに以下を含む方法を実施させる、一組の命令を記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、以下を含む方法とは即ち、
ビームのアレイの行内のビームの数に基づいて決定された回転角だけ、マルチビームツールによってスキャンされることになるサンプルに対して荷電粒子ビームのアレイを回転させるように、マルチビームツールのビーム構成システムに指示することを含み、
マルチビームツールは、荷電粒子の一次ビームを生成し、この一次ビームを荷電粒子ビームのアレイに分割する、方法である、媒体。
条項５８．荷電粒子ビームのアレイは、マルチビームツールの光軸の周りに配置され、一組の命令は更に、コントローラが、
サンプルを光軸の周りで回転させるようにマルチビームシステムのサンプルステージに指示するようにする、条項５７に記載の媒体。
条項５９．ビームのアレイは、マルチビームツールの光軸の周りに配置され、一組の命令は更に、コントローラが、
荷電粒子ビームのアレイを光軸の周りで回転させるようにビーム構成システムに指示するようにする、条項５７に記載の媒体。
条項６０．一組の命令は更に、コントローラが、
サンプルの表面エリアの画像を生成するようにマルチビームツールを制御し、
荷電粒子ビームのアレイを、画像化される表面エリアよりも大きなエリアに渡って移動させるようにビーム構成システムに指示する、ようにする、条項５７〜５９の何れか一項に記載の媒体。
条項６１．一組の命令は更に、コントローラが、
サンプルを第１の方向に沿って移動させるようにマルチビームツールのサンプルステージに指示し、
荷電粒子ビームのアレイを移動させて、第２の方向に沿って、視野をカバーする一組のスキャンラインをスキャンするように、ビーム構成システムに指示する、ようにする、条項６０に記載の媒体。
条項６２．第２の方向は、サンプルを基準にして、第１の方向と実質的に垂直である、条項６１に記載の媒体。
条項６３．第２の方向は、サンプルを基準にして、第１の方向と実質的に平行である、条項６１に記載の媒体。
条項６４．一組のスキャンラインは、マルチビームツールによって生成される画像のピクセルサイズに対応した距離だけ、間隔をあけて配置される、条項６１〜６３の何れか一項に記載の媒体。
条項６５．マルチビームツールに結合されたコントローラによって実行可能であり、コントローラに以下を含む方法を実施させる、一組の命令を記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、以下を含む方法とは即ち、
サンプルを第１の方向に移動させるようにマルチビームツールのサンプルステージに指示することであって、マルチビームツールは荷電粒子の一次ビームを生成し、一次ビームをｎ個のビームに分割し、ここでｎは整数でありｎ≧２であることと、
ｎ個のビームが第１の方向に沿って間隔をあけて配置されるように、ｎ個のビームを第１の方向を基準にして回転させるようにマルチビームツールのビーム構成システムに指示することと、
ｎ個のビームを偏向させて、同時にｉ）サンプルの移動に追従し、ｉｉ）サンプルの表面に渡って、ｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組をスキャンする、ようにビーム構成システムに指示することと、を含む方法である、媒体。
条項６６．ｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組は、第１の方向に沿って第１の距離に渡って広がっている第１の組のｎ個のスキャンラインを含み、一組の命令は更に、コントローラが、
第１の組のｎ個のスキャンラインがスキャンされた後、第１の方向と反対の方向に沿って、その距離だけｎ個のビームをオフセットさせるようにビーム構成システムに指示し、
ｎ個のビームを偏向させて、同時にｉ）サンプルの移動に追従し、ｉｉ）サンプルの表面に渡って、第２の組のｎ個のスキャンラインをスキャンする、ようにビーム構成システムに指示する、ようにする、条項６５に記載の媒体。
条項６７．第１及び第２の組のｎ個のスキャンラインは、実質的に平行なラインである、条項６６に記載の媒体。
条項６８．第１及び第２の組のｎ個のスキャンラインの各々は、マルチビームツールによって生成される画像のピクセルサイズに対応した距離だけ、間隔をあけて配置される、条項６６及び６７の何れか一項に記載の媒体。
条項６９．一組の命令は更に、コントローラが、
サンプルを基準にして、第１の方向に実質的に垂直な第２の方向に沿って、ｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組を移動させるようにビーム構成システムに指示する、ようにする、条項６５〜６８の何れか一項に記載の媒体。
条項７０．一組の命令は更に、コントローラが、
サンプルを基準にして、第１の方向と実質的に平行な第２の方向に沿って、ｎ個のスキャンラインの１つ又は複数の組を移動させるようにビーム構成システムに指示する、ようにする、条項６５〜６８の何れか一項に記載の媒体。
条項７１．第１の組のｎ個のスキャンラインは、第２の方向に沿ってマルチビームツールの視野をカバーする、条項６９及び７０の何れか一項に記載の媒体。
条項７２．ｎ個のビームは、サンプルの表面に投射され、表面上にｎ個のプローブスポットを形成し、一組の命令は更に、コントローラが、
ｎ個のビームを偏向させてｎ個のプローブスポットがサンプルと同じ速度で第１の方向に移動できるように、ビーム構成システムに指示する、ようにする、条項６５〜７１の何れか一項に記載の媒体。
条項７３．一組の命令は更に、コントローラが、
サンプルを一定の速度で第１の方向に移動させるようにサンプルステージに指示する、ようにする、条項６５〜７２の何れか一項に記載の媒体。
条項７４．マルチビームツールに結合されたコントローラによって実行可能であり、コントローラに以下を含む方法を実施させる、一組の命令を記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、以下を含む方法とは即ち、
サンプルを第１の方向に移動させるようにマルチビームツールのサンプルステージに指示することであって、マルチビームツールは荷電粒子の一次ビームを生成し、一次ビームをビームのアレイに分割することと、
ビームのアレイを偏向させて、ｉ）マルチビームツールの視野内の第１の組のスキャンラインをスキャンし、ｉｉ）第１の組のスキャンラインのスキャン中にサンプルの移動に追従するように、マルチビームツールのビーム構成システムに指示することであって、ここで、第１の組のスキャンラインは第１の方向に沿って第１の距離に渡って広がっていることと、
第１の組のスキャンラインがスキャンされた後、サンプルを第１の距離だけ第１の方向に移動させるようにサンプルホルダーに指示することと、
ビームのアレイを偏向させて、ｉ）マルチビームツールの視野内の第２の組のスキャンラインをスキャンし、ｉｉ）第２の組のスキャンラインのスキャン中にサンプルの移動に追従する、ように、ビーム構成システムに指示することと、
第１及び第２の組のスキャンラインがスキャンされるときに、サンプルを第１の方向に移動させるようにサンプルホルダーに指示することと、を含む方法である、媒体。
条項７５．ビームのアレイは第１のビームを含み、一組の命令は更に、コントローラがビーム構成システムに、
第１のビームを偏向させて、同時にｉ）サンプルの移動に追従し、ｉｉ）第１のスキャンラインをスキャンし、
第１のスキャンラインがスキャンされた後、第１の方向と反対の方向に沿って、所定の距離だけ第１のビームを偏向させ、
第１のビームを偏向させて、同時にｉ）サンプルの移動に追従し、ｉｉ）第２のスキャンラインをスキャンする、ように指示するようにする、条項７４に記載の媒体。
条項７６．ビームのアレイは、サンプルの表面に投射され、表面上にプローブスポットのアレイを形成し、一組の命令は更に、コントローラが更に、
ビームのアレイを偏向させてプローブスポットのアレイがサンプルと同じ速度で第１の方向に移動できるように、ビーム構成システムに指示する、ようにする、条項７４及び７５の何れか一項に記載の媒体。
条項７７．一組の命令は更に、コントローラが、
第１及び第２の組のスキャンラインのスキャン中に、サンプルを一定の速度で第１の方向に移動させるようにサンプルステージに指示する、ようにする、条項７４〜７６の何れか一項に記載の媒体。
条項７８．第１及び第２の組のスキャンラインの各々は、マルチビームツールによって生成される画像のピクセルサイズに対応した距離だけ、間隔をあけて配置される、条項７４〜７７の何れか一項に記載の媒体。
条項７９．第１及び第２の組のスキャンラインは、サンプルを基準にして、第１の方向に実質的に垂直である、条項７４〜７８の何れか一項に記載の媒体。
条項８０．第１及び第２の組のスキャンラインは、実質的に平行なラインである、条項７４〜７９の何れか一項に記載の媒体。
条項８１．Ｎ個の荷電粒子ビームを使用してサンプルのエリアをスキャンする方法であって、Ｎは２以上の整数であり、サンプルのエリアは、Ｎ個の連続したスキャンラインの複数のスキャンセクションを含み、この方法は、
サンプルの位置を第１の方向に移動させることと、
Ｎ個の荷電粒子ビームのうちの第１の荷電粒子ビームを用いて、第１の荷電粒子ビームのプローブスポットに向かって移動する複数のスキャンセクションのうちの少なくとも幾つかのスキャンセクションの第１のスキャンラインをスキャンすることと、
Ｎ個の荷電粒子ビームのうちの第２の荷電粒子ビームを用いて、第２の荷電粒子ビームのプローブスポットに向かって移動する複数のスキャンセクションのうちの少なくとも幾つかのスキャンセクションの第２のスキャンラインをスキャンすることと、を含む、方法。
条項８２．サンプルの位置を第１の方向に移動させることは、サンプルの位置を常に第１の速度で移動させることを含む、条項８１に記載の方法。
条項８３．スキャンラインは第１の方向と垂直に配置される、条項８１及び８２の何れか一項に記載の方法。
条項８４．スキャンラインは、サンプルの位置の第１の方向への移動に対応するために、第１の方向から離れるように傾斜している、条項８１及び８２の何れか一項に記載の方法。
条項８５．複数のスキャンセクションの第１のスキャンラインは、複数のスキャンセクションの第２のスキャンラインと平行に配置される、条項８１〜８４の何れか一項に記載の方法。
条項８６．Ｎ個の荷電粒子ビームを偏向させて、Ｎ個の荷電粒子ビームのプローブスポットを、それぞれの開始位置からそれぞれの終了位置まで第２の方向に移動させて、一組のスキャンラインをスキャンしながら、サンプルの移動に追従すること、を更に含む、条項８１〜８５の何れか一項に記載の方法。
条項８７．Ｎ個の荷電粒子ビームを偏向させて、Ｎ個の荷電粒子ビームのプローブスポットを、それぞれの終了位置からそれぞれの開始位置まで第３の方向に移動させて、次の組のスキャンラインのスキャンに備えて、プローブスポットをそれぞれの開始位置まで戻すように再配置すること、を更に含む、条項８６に記載の方法。
条項８８．第２の方向は第３の方向と実質的に反対である、条項８１〜８７の何れか一項に記載の方法。
条項８９．Ｎ個の荷電粒子ビームを偏向させて、Ｎ個の荷電粒子ビームのプローブスポットを第２の方向に移動させることは、Ｎ個の荷電粒子ビームを偏向させて、Ｎ個の荷電粒子ビームのプローブスポットを第２の速度で第２の方向に移動させることを含み、
Ｎ個の荷電粒子ビームを偏向させて、Ｎ個の荷電粒子ビームのプローブスポットを第３の方向に移動させることは、Ｎ個の荷電粒子ビームを偏向させて、Ｎ個の荷電粒子ビームのプローブスポットを第３の速度で第３の方向に移動させることを含む、条項８６〜８８の何れか一項に記載の方法。
条項９０．第２の速度と第３の速度は同じである、条項８９に記載の方法。
条項９１．第１の速度はスキャンセクションのサイズに関連している、条項８２〜９０の何れか一項に記載の方法。
条項９２．第１の速度は、スキャンラインの長さ、第２の速度、及び第３の速度に基づいて決定される、条項８２〜９０の何れか一項に記載の方法。
条項９３．サンプルは、ウェーハ又はフォトマスクを含む、条項８１〜９２の何れか一項に記載の方法。
条項９４．一組の命令を記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、この一組の命令は、荷電粒子ビームシステムの１つ又は複数のプロセッサによって実行可能であり、時系列にサンプルの表面にＮ個の荷電粒子ビームを送達するための荷電粒子ビーム源を用いて、荷電粒子ビームシステムに、以下を含む方法、即ち、
サンプルの位置を第１の方向に移動させることと、
Ｎ個の荷電粒子ビームのうちの第１の荷電粒子ビームを用いて、第１の荷電粒子ビームのプローブスポットに向かって移動する複数のスキャンセクションのうちの少なくとも幾つかのスキャンセクションの第１のスキャンラインをスキャンすることと、
Ｎ個の荷電粒子ビームのうちの第２の荷電粒子ビームを用いて、第２の荷電粒子ビームのプローブスポットに向かって移動する複数のスキャンセクションのうちの少なくとも幾つかのスキャンセクションの第２のスキャンラインをスキャンすることと、を含む方法を実施させる、コンピュータ可読媒体。
条項９５．サンプルの位置を第１の方向に移動させることは、サンプルの位置を常に第１の速度で移動させることを含んだ、条項９４に記載のコンピュータ可読媒体。
条項９６．スキャンラインは第１の方向と実質的に垂直に配置される、条項９４及び９５の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
条項９７．複数のスキャンセクションの第１のスキャンラインは、複数のスキャンセクションの第２のスキャンラインと実質的に平行に配置される、条項９４〜９６の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
条項９８．１つ又は複数のプロセッサによって実行可能であり、コントローラが、更に、
Ｎ個の荷電粒子ビームを偏向させて、Ｎ個の荷電粒子ビームのプローブスポットを、それぞれの開始位置からそれぞれの終了位置まで第２の方向に移動させて、一組のスキャンラインをスキャンしながら、サンプルの移動に追従する、ようにする、一組の命令である、条項９４〜９７の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
条項９９．１つ又は複数のプロセッサによって実行可能であり、コントローラが、更に、
Ｎ個の荷電粒子ビームを偏向させて、Ｎ個の荷電粒子ビームのプローブスポットを、それぞれの終了位置からそれぞれの開始位置まで第３の方向に移動させて、次の組のスキャンラインのスキャンに備えて、プローブスポットをそれぞれの開始位置まで戻すように再配置する、ようにする、一組の命令である、条項９８に記載のコンピュータ可読媒体。
条項１００．第２の方向は第３の方向と実質的に反対である、条項９４〜９９の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
条項１０１．Ｎ個の荷電粒子ビームを偏向させて、Ｎ個の荷電粒子ビームのプローブスポットを第２の方向に移動させることは、Ｎ個の荷電粒子ビームを偏向させて、Ｎ個の荷電粒子ビームのプローブスポットを第２の速度で第２の方向に移動させることを含み、
Ｎ個の荷電粒子ビームを偏向させて、Ｎ個の荷電粒子ビームのプローブスポットを第３の方向に移動させることは、Ｎ個の荷電粒子ビームを偏向させて、Ｎ個の荷電粒子ビームのプローブスポットを第３の速度で第３の方向に移動させることを含む、条項９８〜１００の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
条項１０２．第２の速度と第３の速度は実質的に同じである、条項１０１に記載のコンピュータ可読媒体。
条項１０３．第１の速度はスキャンセクションのサイズに関連している、条項９５〜１０２の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
条項１０４．第１の速度は、スキャンラインの長さ、第２の速度、及び第３の速度に基づいて決定される、条項９５〜１０２の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
条項１０５．少なくともＮ個の荷電粒子ビームを利用するマルチビーム検査システムによってサンプルをスキャンする方法であって、Ｎは２以上の整数であり、この方法は、
Ｎ個の荷電粒子ビームの各ビームが、第１の組のＮ個の隣接するスキャンラインの異なるスキャンラインをスキャンできるように、Ｎ個の荷電粒子ビームを配置することと、
Ｎ個の荷電粒子ビームを使用することにより、サンプルが第１の方向に第１の速度で移動している間に、サンプルの第１の組のＮ個の隣接するスキャンラインをスキャンすることと、
Ｎ個の荷電粒子ビームの各ビームが、第２の組の隣接するスキャンラインの異なるスキャンラインをスキャンできるように、Ｎ個の荷電粒子ビームを、第１の組のＮ個の隣接するスキャンラインのスキャンの開始を基準にして、再配置することと、
Ｎ個の荷電粒子ビームを使用することにより、サンプルが第１の方向に第１の速度で移動している間に、サンプルの第２の組のＮ個の隣接するスキャンラインをスキャンすることと、を含む、方法。
条項１０６．マルチビーム検査システムは、Ｎ×Ｍ荷電粒子ビームを利用し、Ｍは１以上の整数である、条項１０５に記載の方法。
条項１０７．Ｎ×Ｍ荷電粒子ビームは、Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームを形成し、Ｍは２以上の整数であり、Ｎ個の荷電粒子ビームは、Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームのＮ個の荷電粒子ビームの第１の直線的配置である、条項１０６に記載の方法。
条項１０８．ＭはＮに等しい、条項１０７に記載の方法。
条項１０９．第２の組のＮ個の荷電粒子ビームは、Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームのＮ個の荷電粒子ビームの第２の直線的配置であり、この方法は更に、
Ｎ個の荷電粒子ビームの第２の直線的配置の各ビームが、第３の組のＮ個の隣接するスキャンラインの異なるスキャンラインをスキャンできるように、Ｎ個の荷電粒子ビームの第２の直線的配置を配置することと、
第２の組のＮ個の荷電粒子ビームを使用することにより、サンプルが第１の方向に第１の速度で移動している間に、サンプルの第３の組のＮ個の隣接するスキャンラインをスキャンすることと、
Ｎ個の荷電粒子ビームの第２の直線的配置の各ビームが、第４の組の隣接するスキャンラインの異なるスキャンラインをスキャンできるように、Ｎ個の荷電粒子ビームの第２の直線的配置を、第３の組のＮ個の隣接するスキャンラインのスキャンの開始を基準にして、再配置することと、
第２の組のＮ個の荷電粒子ビームを使用することにより、サンプルが第１の方向に第１の速度で移動している間に、サンプルの第４の組のＮ個の隣接するスキャンラインをスキャンすることと、を含む、条項１０７に記載の方法。
条項１１０．第１の組のスキャンは、第３の組のスキャンと一致し、第２の組のスキャンは第４の組のスキャンと一致する、条項１０９に記載の方法。
条項１１１．第１の組のスキャンは、第３の組のスキャンと実質的に同時に行われ、第２の組のスキャンは第４の組のスキャンと実質的に同時に行われる、条項１１０に記載の方法。
条項１１２．Ｎ個の荷電粒子ビームの配置は、第１の組のスキャンの前に行われ、第１の組のスキャンは、再配置の前に行われ、再配置は第２の組のスキャンの前に行われ、サンプルは、第１の組のスキャンが開始する時刻から第２の組のスキャンが終了する時刻まで、実質的に第１の速度で連続的に移動する、条項１０５に記載の方法。
条項１１３．Ｎ個の荷電粒子ビームの各ビームが、第３の組の隣接するスキャンラインの異なるスキャンラインをスキャンできるように、Ｎ個の荷電粒子ビームを、第２の組のＮ個の隣接するスキャンラインのスキャンの開始を基準にして、再配置することと、
Ｎ個の荷電粒子ビームを使用することにより、サンプルが第１の方向に第１の速度で移動している間に、サンプルの第３の組のＮ個の隣接するスキャンラインをスキャンすることと、を更に含み、
サンプルは、第１の組のスキャンが開始する時刻から第３の組のスキャンが開始する時刻まで、実質的に第１の速度で連続的に移動し、
第１の方向は、サンプルのｙ軸と実質的に平行であり、第１の方向へのサンプルに対する移動は、ｙ軸のｙ座標値が増加する方向への移動であり、
第１の組の開始端部にあるスキャンラインは、第１の組の他の全てのスキャンライン並びに第２の組及び第３の組のスキャンラインのｙ座標よりも大きな、サンプルのｙ座標に配置され、
第３の組の開始端部にあるスキャンラインは、第１の組及び第２の組の全てのスキャンラインのｙ座標よりも小さな、且つ、第３の組の他の全てのスキャンラインのｙ座標よりも大きな、サンプルのｙ座標に配置され、
第１の組のスキャンが開始する時刻から第３の組のスキャンが開始する時刻までに、マルチビーム検査システムの固定地点を基準にして、サンプルが移動する距離は、第１の組の開始端部にあるスキャンラインから、第３の組の開始でのスキャンラインまでのｙ軸に沿った距離に実質的に等しい、条項１０５に記載の方法。
条項１１４．Ｎ個の荷電粒子ビームの配置は第１の組のスキャンの前に行われ、第１の組のスキャンは、第２の組のスキャンを可能にするための再配置の前に行われ、第２の組のスキャンを可能にするための再配置は、第２の組のスキャンの前に行われ、第２の組のスキャンは、第３の組のスキャンを可能にするための再配置の前に行われ、第２の組のスキャンを可能にするための再配置は、第３の組のスキャンの前に行われる、条項１１３に記載の方法。
条項１１５．Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームを利用するマルチビーム検査システムによってステージ上に配置されたサンプルをスキャンする方法であって、Ｎ及びＭはそれぞれ２以上の整数であり、この方法は、
第１の組の位置にあるＮ×Ｍアレイの荷電粒子ビームの各ビームが、サンプルの第１の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションのうちの異なるスキャンセクションをスキャンできるように、Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームを配置することと、
Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームを使用することにより、ステージが第１の方向に第１の速度で移動している間に、サンプルの第１の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションのうちの少なくとも幾つかのスキャンセクションのスキャンラインをスキャンすることと、
第２の組の位置にあるＮ×Ｍアレイの荷電粒子ビームの各ビームが、サンプルの第２の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションのうちの異なるスキャンセクションをスキャンできるように、第１の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションのスキャンの開始を基準にして、Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームを再配置することと、
Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームを使用することにより、ステージが第１の方向に第１の速度で移動している間に、サンプルの第２の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションのうちの少なくとも幾つかのスキャンセクションのスキャンラインをスキャンすることと、を含む方法。
条項１１６．スキャンラインは第１の方向と実質的に平行に配置される、条項１１５に記載の方法。
条項１１７．Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームを偏向させて、スキャンラインをスキャンしながらステージの移動に対応することを更に含む、条項１１５及び１１６の何れか一項に記載の方法。
条項１１８．Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームの再配置は、ステージが第１の方向に第１の速度で移動している間に行われる、条項１１５〜１１７の何れか一項に記載の方法。
条項１１９．Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームを偏向させて、Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームの再配置を行いながらステージの移動に対応することを更に含む、条項１１８に記載の方法。
条項１２０．マルチビーム検査システムの固定地点を基準にした、Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームの第１の組の位置及び第２の組の位置の対応する位置は、実質的に同じである、条項１１５〜１１９の何れか一項に記載の方法。
条項１２１．Ｎ×Ｍアレイの荷電粒子ビームをマルチビーム検査システムの光軸の周りで回転させること、を更に含む、条項１１５〜１２０の何れか一項に記載の方法。
条項１２２．ステージをマルチビーム検査システムの光軸の周りで回転させること、を更に含む、条項１１５〜１２０の何れか一項に記載の方法。
条項１２３．サンプルの第１の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションのうちのあるスキャンセクションは、サンプルの第２の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションのうちのあるスキャンセクションと部分的にオーバーラップして、オーバーラップ領域を生成する、条項１１５〜１２２の何れか一項に記載の方法。
条項１２４．オーバーラップ領域は複数回スキャンされる、条項１２３に記載の方法。
条項１２５．オーバーラップ領域は、サンプルの第１の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションがスキャンされるときに１回目としてスキャンされ、オーバーラップ領域は、サンプルの第２の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションがスキャンされるときに２回目としてスキャンされる、条項１２４に記載の方法。
条項１２６．サンプルの第１の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションをスキャンしながら、オーバーラップ領域の第１のスキャンデータを取得することと、
サンプルの第２の組のＮ掛けるＭ個のスキャンセクションをスキャンしながら、オーバーラップ領域の第２のスキャンデータを取得することと、
オーバーラップ領域の第１及び第２のスキャンデータを処理して、サンプルの連続画像を生成することと、を更に含む、条項１２５に記載の方法。
条項１２７．ステージに結合されたコントローラによって、ステージの動きを制御すること、を更に含む、条項１１５〜１２６の何れか一項に記載の方法。
条項１２８．ＭはＮに等しい、条項１１５〜１２７の何れか一項に記載の方法。
【０１３３】
[00154]  マルチビーム電子ビームツールは、ソフトウェアを使用して上述した機能を実行することがあることが、理解されよう。例えば、マルチビーム電子ビームツールは、スキャンの進行中にサンプルを移動させるように、電動サンプルステージを制御することがある。また、マルチビーム電子ビームツールは、サンプルが常に移動している間に、一次ビームレットを制御し偏向させて、スキャンラインに沿ってプローブスポットを移動させることがある。更に、マルチビーム電子ビームツールは、画像処理を行って、受け取った二次電子ビームのビームスポット画像を生成することがある。ソフトウェアは、非一時的なコンピュータ可読媒体に記憶されることがある。非一時的な媒体の一般的な形態としては、例えば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、ソリッドステートドライブ、磁気テープ、又は他の任意の磁気データ記録媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、他の任意の光学データ記録媒体、穴のパターンを有する任意の物理的媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、及びＥＰＲＯＭ、クラウドストレージ、ＦＬＡＳＨ−ＥＰＲＯＭ若しくは他の任意のフラッシュメモリ、ＮＶＲＡＭ、キャッシュ、レジスタ、他の任意のメモリチップ若しくはカートリッジ、及び前述のもののネットワーク化されたもの、が挙げられる。
【０１３４】
[00155]  開示される実施形態について、好ましい実施形態に関係して説明してきたが、以降で特許請求される主題の趣旨及び範囲から逸脱することなく、他の修正及び変更を加えることができることを、理解されたい。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２０Ｄ】
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【国際調査報告】
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