(57)【要約】  半導体構造体を作製するための方法は、１つまたは複数のデバイス・エリアおよび１つまたは複数の相互接続エリアをシリコン基板の上に画定するステップと、シリコン基板の相互接続エリアの中にトレンチを形成するステップと、トレンチの中のシリコン基板を酸化し、二酸化ケイ素領域を形成するステップと、シリコン基板の表面の上にＩＩＩ族窒化物材料層を形成するステップと、窒化ガリウム層のデバイス・エリアの中にデバイスを形成するステップと、相互接続エリアの中に相互接続部を形成するステップとを含む。二酸化ケイ素領域は、相互接続部とグランドとの間の寄生容量を低減させる。
2021527323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造体を作製するための方法であって、前記方法は、
１つまたは複数のデバイス・エリアおよび１つまたは複数の相互接続エリアをシリコン基板の上に画定するステップと；
前記シリコン基板の前記相互接続エリアの中にトレンチを形成するステップと；
前記トレンチの中の前記シリコン基板を酸化し、二酸化ケイ素領域を形成するステップと；
前記シリコン基板の表面の上にＩＩＩ族窒化物材料層を形成するステップと；
前記窒化ガリウム層の前記デバイス・エリアの中にデバイスを形成するステップと；
前記相互接続エリアの中に相互接続部を形成するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
１つまたは複数の相互接続エリアを画定する前記ステップは、前記シリコン基板の上にマスク層を形成するステップと、前記１つまたは複数の相互接続エリアの中の前記マスク層を除去することによって前記マスク層をパターニングするステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記方法は、前記トレンチの中の前記シリコン基板を酸化した後に、パターニングされた前記マスク層を前記シリコン基板から引き剥がすステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記マスク層は、窒化ケイ素を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記マスク層は、低圧化学蒸着によって形成される、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記トレンチは、エッチングによって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記シリコン基板を酸化させるステップは、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）プロセスによって実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記二酸化ケイ素領域の前記上部表面は、前記シリコン基板の上部表面と同一平面上にある、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記方法は、前記ＩＩＩ族窒化物材料層を形成する前に、前記基板の表面および前記二酸化ケイ素領域を平坦化するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＩＩＩ族窒化物材料層を形成する前記ステップは、窒化ガリウム層のエピタキシャル成長を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
デバイスを形成するステップは、窒化ガリウム・デバイスを形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
相互接続部を形成するステップは、相互接続ラインおよび／またはボンド・パッドを形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記方法は、前記相互接続部を形成する前に、前記相互接続エリアの中の前記ＩＩＩ族窒化物材料層を除去するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記方法は、前記シリコン基板の裏表面の上に金属層を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記方法は、前記金属層を形成する前に、前記シリコン基板を薄化するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
半導体構造体であって、前記半導体構造体は、
１つまたは複数のデバイス・エリアおよび１つまたは複数の相互接続エリアを有するシリコン基板と；
少なくとも前記デバイス・エリアの中に前記シリコン基板の表側にあるＩＩＩ族窒化物材料層と；
前記デバイス・エリアの中の１つまたは複数のデバイスと；
前記相互接続エリアの中の１つまたは複数の相互接続部と；
前記相互接続部と前記基板の前記裏側にある前記金属層との間の、前記基板の前記相互接続エリアの中の二酸化ケイ素領域と
を含む、半導体構造体。
【請求項１７】
前記二酸化ケイ素領域の前記上部表面は、前記シリコン基板の上部表面と同一平面上にある、請求項１６に記載の半導体構造体。
【請求項１８】
前記ＩＩＩ族窒化物材料層は、前記デバイス・エリアの中に単結晶窒化ガリウムを含む、請求項１６に記載の半導体構造体。
【請求項１９】
前記デバイスは、窒化ガリウム・デバイスを含む、請求項１６に記載の半導体構造体。
【請求項２０】
前記相互接続部は、相互接続ラインおよび／またはボンド・パッドを含む、請求項１６に記載の半導体構造体。
【請求項２１】
前記半導体構造体は、前記シリコン基板の裏側に金属層をさらに含む、請求項１６に記載の半導体構造体。
【請求項２２】
半導体構造体を作製するための方法であって、前記方法は、
１つまたは複数のデバイス・エリアおよび１つまたは複数の相互接続エリアを基板の上に画定するステップと；
前記基板の前記相互接続エリアの中にトレンチを形成するステップと；
前記基板の誘電率よりも低い誘電率を有する材料を前記トレンチの中に形成するステップと
を含む、方法。
【請求項２３】
前記方法は、前記基板の裏表面の上に金属層を形成するステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記方法は、前記基板の表表面の上にＩＩＩ族窒化物材料層を形成するステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記低誘電率材料は、二酸化ケイ素を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記基板は、シリコン基板を含み、前記低誘電率材料を形成するステップは、二酸化ケイ素を形成するための前記シリコン基板の熱酸化を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
前記方法は、前記デバイス・エリアの中にデバイスを形成するステップと、前記相互接続エリアの中に相互接続部を形成するステップとをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
半導体構造体であって、前記半導体構造体は、
１つまたは複数のデバイス・エリアおよび１つまたは複数の相互接続エリアを有する基板と；
少なくとも前記デバイス・エリアの中に前記基板の表側にあるＩＩＩ族窒化物材料層と；
前記基板の誘電率よりも低い誘電率を有する、前記基板の前記相互接続エリアの中の材料と
を含む、半導体構造体。
【請求項２９】
前記半導体構造体は、前記基板の裏表面に金属層をさらに含む請求項２８に記載の半導体構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示されている技術は、窒化ガリウム（ＧａＮ）−オン−シリコン半導体デバイスに関し、より具体的には、ＧａＮ−オン−シリコン半導体デバイスの中の寄生容量の低減に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ガリウム・トランジスターは、高い温度および高い電圧において動作することができるため、高周波電力増幅器に関して使用されている。そのようなデバイスは、たとえば、電子レンジ、磁気共鳴イメージングなどのような医療用途、携帯電話システムの基地局、および無線通信において使用され得る。
【０００３】
窒化ガリウム・トランジスターは、シリコン基板の上に製作され得る。ＧａＮ−オン−シリコン・デバイスは、シリコン基板と、シリコン基板の上に形成されたＧａＮ層とを含むことが可能である。
【０００４】
１つまたは複数の窒化ガリウム・トランジスターおよび１つまたは複数の相互接続部が、ＧａＮ層の上部表面の上に形成されている。相互接続部は、相互接続ラインおよびボンド・パッドを含むことが可能である。シリコン基板の底部表面は、グランド平面を提供するために金属化され得る。
【０００５】
窒化ガリウム・トランジスターは優れた性能を示すが、改善された半導体構造体および製作の方法に対する必要性が存在している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者は、ＧａＮ−オン−シリコン構造体のＲＦ性能が、基板の表側にある相互接続部とグランド（たとえば、基板の裏側にあるグランド平面など）との間の寄生容量によって部分的に制限されるということを発見した。そのような寄生容量は、高い周波数におけるデバイスの性能を劣化させる可能性がある。
【０００７】
したがって、基板の表側にある相互接続部とグランドとの間の寄生容量の影響が少なくとも部分的に克服されている、半導体構造体および方法に対する必要性が存在している。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
開示されている技術は、相互接続部とグランドとの間の基板の少なくとも一部分が、基板の誘電率よりも低い誘電率を有する材料と交換されている、半導体構造体を作製するための半導体構造体および方法を提供する。結果として、表側相互接続部とグランドとの間の静電容量は、表側相互接続部とグランドとの間のスペースのすべてまたはほとんどが基板材料になっている構造体と比較して低減される。
【０００９】
いくつかの実施形態では、基板は、シリコンであることが可能であり、低誘電率材料は、二酸化ケイ素であることが可能である。二酸化ケイ素は、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）プロセスを使用して形成され得る。表側相互接続部とグランドとの間の静電容量は、表側相互接続部とグランドとの間の材料の誘電率の関数であるので、誘電率の低減が、寄生容量を低減させる。
【００１０】
実施形態によれば、半導体構造体を作製するための方法は、１つまたは複数のデバイス・エリアおよび１つまたは複数の相互接続エリアをシリコン基板の上に画定するステップと、シリコン基板の相互接続エリアの中にトレンチを形成するステップと、トレンチの中のシリコン基板を酸化し、二酸化ケイ素領域を形成するステップと、シリコン基板の表面の上にＩＩＩ族窒化物材料層を形成するステップと、窒化ガリウム層のデバイス・エリアの中にデバイスを形成するステップと、相互接続エリアの中に相互接続部を形成するステップとを含む。
【００１１】
いくつかの実施形態では、１つまたは複数の相互接続エリアを画定するステップは、シリコン基板の上にマスク層を形成するステップと、１つまたは複数の相互接続エリアの中のマスク層を除去することによってマスク層をパターニングするステップとを含む。
【００１２】
いくつかの実施形態では、方法は、トレンチの中のシリコン基板を酸化した後に、パターニングされたマスク層をシリコン基板から引き剥がすステップをさらに含む。
【００１３】
いくつかの実施形態では、マスク層は、窒化ケイ素を含む。
【００１４】
いくつかの実施形態では、マスク層は、低圧化学蒸着によって形成される。
【００１５】
いくつかの実施形態では、トレンチは、エッチングによって形成される。
【００１６】
いくつかの実施形態では、シリコン基板を酸化させるステップは、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）プロセスによって実施される。
【００１７】
いくつかの実施形態では、二酸化ケイ素領域の上部表面は、シリコン基板の上部表面と同一平面上にある。
【００１８】
いくつかの実施形態では、方法は、ＩＩＩ族窒化物材料層を形成する前に、基板の表面および二酸化ケイ素領域を平坦化するステップをさらに含む。
【００１９】
いくつかの実施形態では、ＩＩＩ族窒化物材料層を形成するステップは、窒化ガリウム層のエピタキシャル成長を含む。
【００２０】
いくつかの実施形態では、デバイスを形成するステップは、窒化ガリウム・デバイスを形成するステップを含む。
【００２１】
いくつかの実施形態では、相互接続部を形成するステップは、相互接続ラインおよび／またはボンド・パッドを形成するステップを含む。
【００２２】
いくつかの実施形態では、方法は、相互接続部を形成する前に、相互接続エリアの中のＩＩＩ族窒化物材料層を除去するステップをさらに含む。
【００２３】
いくつかの実施形態では、方法は、シリコン基板の裏表面の上に金属層を形成するステップをさらに含む。
【００２４】
いくつかの実施形態では、方法は、金属層を形成する前に、シリコン基板を薄化するステップをさらに含む。
【００２５】
実施形態によれば、半導体構造体は、１つまたは複数のデバイス・エリアおよび１つまたは複数の相互接続エリアを有するシリコン基板と、少なくともデバイス・エリアの中にシリコン基板の表側にあるＩＩＩ族窒化物材料層と、デバイス・エリアの中の１つまたは複数のデバイスと、相互接続エリアの中の１つまたは複数の相互接続部と、相互接続部と基板の裏側にある金属層との間の、基板の相互接続エリアの中の二酸化ケイ素領域とを含む。
【００２６】
いくつかの実施形態では、二酸化ケイ素領域の上部表面は、シリコン基板の上部表面と同一平面上にある。
【００２７】
いくつかの実施形態では、ＩＩＩ族窒化物材料層は、デバイス・エリアの中に単結晶窒化ガリウムを含む。
【００２８】
いくつかの実施形態では、デバイスは、窒化ガリウム・デバイスを含む。
【００２９】
いくつかの実施形態では、相互接続部は、相互接続ラインおよび／またはボンド・パッドを含む。
【００３０】
いくつかの実施形態では、半導体構造体は、シリコン基板の裏側に金属層をさらに含む。
【００３１】
実施形態によれば、半導体構造体を作製するための方法は、１つまたは複数のデバイス・エリアおよび１つまたは複数の相互接続エリアを基板の上に画定するステップと、基板の相互接続エリアの中にトレンチを形成するステップと、基板の誘電率よりも低い誘電率を有する材料をトレンチの中に形成するステップとを含む。
【００３２】
いくつかの実施形態では、方法は、基板の裏表面の上に金属層を形成するステップをさらに含む。
【００３３】
いくつかの実施形態では、方法は、基板の表表面の上にＩＩＩ族窒化物材料層を形成するステップをさらに含む。
【００３４】
いくつかの実施形態では、低誘電率材料は、二酸化ケイ素を含む。
【００３５】
いくつかの実施形態では、基板は、シリコン基板を含み、低誘電率材料を形成するステップは、二酸化ケイ素を形成するためのシリコン基板の熱酸化を含む。
【００３６】
いくつかの実施形態では、方法は、デバイス・エリアの中にデバイスを形成するステップと、相互接続エリアの中に相互接続部を形成するステップとをさらに含む。
【００３７】
実施形態によれば、半導体構造体は、１つまたは複数のデバイス・エリアおよび１つまたは複数の相互接続エリアを有する基板と、少なくともデバイス・エリアの中に基板の表側にあるＩＩＩ族窒化物材料層と、基板の誘電率よりも低い誘電率を有する、基板の相互接続エリアの中の材料とを含む。
【００３８】
開示されている技術は、添付の図面を参照して理解され得り、添付の図面は、参照により本明細書に組み込まれている。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】実施形態による半導体構造体の簡略断面図である。
【図２】実施形態による半導体構造体を作製するためのプロセスを図示する図である。
【図３】実施形態による半導体構造体を作製するためのプロセスを図示する図である。
【図４】実施形態による半導体構造体を作製するためのプロセスを図示する図である。
【図５】実施形態による半導体構造体を作製するためのプロセスを図示する図である。
【図６】実施形態による半導体構造体を作製するためのプロセスを図示する図である。
【図７】実施形態による半導体構造体を作製するためのプロセスを図示する図である。
【図８】実施形態による半導体構造体を作製するためのプロセスを図示する図である。
【図９】実施形態による半導体構造体を作製するためのプロセスを図示する図である。
【図１０】実施形態による半導体構造体を作製するためのプロセスを図示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
実施形態による半導体構造体１０の簡略断面図が、図１に示されている。半導体構造体１０は、基板（たとえば、シリコン基板２０など）と、ＩＩＩ族窒化物材料層（たとえば、窒化ガリウム層２２など）と、パッシベーション／カプセル化層２４と、１つまたは複数のデバイス３０および３２（図１に概略的に示されている）と、１つまたは複数の相互接続部４０、４２、および４４とを含む。デバイス３０および３２は、シリコン基板２０の１つまたは複数のデバイス・エリア５０の中に位置付けされており、相互接続部４０、４２、および４４は、シリコン基板２０の１つまたは複数の相互接続エリア５２の中に位置付けされている。デバイス３０および３２は、たとえば、窒化ガリウム・トランジスターを含むことが可能であり、相互接続部４０、４２、および４４は、たとえば、１つまたは複数の金属相互接続ライン、および／または、１つまたは複数の金属ボンド・パッドを含むことが可能である。相互接続部は、基板の上のデバイスを相互接続することが可能であり、および／または、外部接続部を提供することが可能である。金属層６０は、シリコン基板２０の裏側に形成され得り、グランド平面としての役割を果たすことが可能である。
【００４１】
さらに図１に示されているように、半導体構造体１０は、シリコン基板２０の中に形成された低誘電率材料領域７０、７２、および７４を含む。低誘電率材料領域７０、７２、および７４において、シリコン基板２０のシリコンは、シリコン基板の誘電率よりも低い誘電率を有する材料と交換されている。図１の実施形態において、低誘電率材料は、二酸化ケイ素であり、領域７０、７２、および７４は、二酸化ケイ素領域７０、７２、および７４と称されることとなる。シリコンは、１１．６５の誘電率を有しており、二酸化ケイ素は、３．９の誘電率を有している。二酸化ケイ素領域７０、７２、および７４は、それぞれ、相互接続部４０、４２、および４４の下にある。結果として、二酸化ケイ素領域７０、７２、および７４は、それぞれの相互接続部とシリコン基板２０の裏側にある金属層６０との間に位置付けされている。
【００４２】
寄生容量
相互接続部４２と金属層６０との間の寄生容量は、図１の中に寄生キャパシター８０として表されている。相互接続部４２は、寄生キャパシターの第１のプレートを形成しており、金属層６０は、寄生キャパシターの第２のプレートを形成しており、相互接続部４２と金属層６０との間の構造体の層は、寄生キャパシターの誘電体を形成している。また、寄生キャパシターは、相互接続部４０および４４のそれぞれと金属層６０との間に形成されている。寄生キャパシターは、半導体構造体の性能を劣化させる。寄生容量は、相互接続部４０、４２、４４および金属層６０のエリアにわたる分配効果であるということが理解されることとなる。知られているように、平行平板キャパシターの静電容量は、平行平板間の誘電材料の誘電率に比例する。したがって、寄生容量は、シリコンの誘電率よりも低い誘電率を有する誘電材料をキャパシターのプレート間に提供することによって低減され得る。
【００４３】
いくつかの実施形態では、半導体構造体は、基板の裏表面の上に金属層を含まない。しかし、そのような実施形態では、半導体構造体は、使用時に接地され得り、半導体構造体がその裏表面の上に金属層を含むかどうかにかかわらず、寄生容量が相互接続部とグランドとの間に存在する。
【００４４】
図１を参照すると、相互接続部４２と金属層６０との間の領域は、二酸化ケイ素領域７２によって部分的に充填されている。相互接続部４２と金属層６０との間に二酸化ケイ素領域７２を提供することによって、寄生キャパシターの誘電材料の誘電率が、誘電材料としてシリコンと比較して低減され、それによって、寄生容量を低減させる。他の実施形態では、低誘電率材料は、低誘電率を有しており、その後に形成されるＩＩＩ族窒化物材料のエピタキシャル成長温度に耐え抜く、材料であることが可能である。
【００４５】
二酸化ケイ素領域７０、７２、および７４は、半導体構造体１０の上の相互接続部のうちのいくつかまたはすべての下にあることが可能である。さらに、二酸化ケイ素領域７０、７２、および７４のそれぞれは、寄生容量の最大の低減を実現するために、それぞれの相互接続部のうち実用な限り多くの下にあるべきである。
【００４６】
基板
上記に説明されているように、基板は、シリコンを含むことが可能である（すなわち、基板は、任意の形態の元素シリコンを含有する）。いくつかの実施形態は、基板に関係しており、基板の少なくとも一部分は、シリコンから作製されている。特定の実施形態は、基板に関係しており、基板の少なくとも一部分（または、基板のすべて）は、バルク・シリコンから作製されている。本明細書で使用されているように、バルク・シリコンは、任意の形態のドープされているまたはドープされていない元素状Ｓｉを指す。バルク・シリコンを含有する基板は、酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素などとは対照的に、たとえば、少なくとも、ドープされているまたはドープされていないシリコンの層を含むことが可能である。さまざまな実施形態において使用され得るシリコンを含む基板の例は、それに限定されないが、バルク・シリコン・ウエハー、シリコン・オン・インシュレーター基板、および、シリコンの合金から作製された基板（たとえば、シリコンゲルマニウムおよび炭化ケイ素基板）を含むことが可能である。いくつかの実施形態では、基板は、シリコン基板を含む。本明細書で使用されているように、シリコン基板は、シリコン表面を含む任意の基板を指す。適切なシリコン基板の例は、完全にシリコンから構成される基板（たとえば、バルク・シリコン・ウエハー）、シリコン・オン・インシュレーター（ＳＯＩ）基板、およびシリコン・オン・サファイヤ（ＳＯＳ）基板を含む。また、適切なシリコン基板は、別の材料（たとえば、ダイヤモンドもしくは他の結晶学的形態の炭素、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、または他の結晶性材料もしくは多結晶性材料など）に結合されたシリコン・ウエハーを有する複合基板を含む。異なる結晶学的配向を有するシリコン基板が使用され得るが、特定の実施形態（必ずしもすべての実施形態であるわけではない）では、単結晶シリコン基板が好適である場合がある。いくつかの実施形態では、シリコン（１１１）基板が使用されている。特定の実施形態では、シリコン（１００）または（１１０）基板が使用されている。本明細書で使用されているように、炭化ケイ素基板は、炭化ケイ素表面を含む任意の基板を指す。適切な炭化ケイ素基板の例は、完全に炭化ケイ素から構成される基板（たとえば、バルク炭化ケイ素ウエハー）、および炭化ケイ素複合ウエハー（たとえば、炭化ケイ素層と炭化ケイ素でない材料の第２の層とを含むウエハー）などを含む。
【００４７】
いくつかの実施形態では、基板は、さまざまな適切な厚さのうちのいずれかを有することが可能である。いくつかの実施形態によれば、基板は、１５０マイクロメートル未満の、加工および任意のウエハー薄化の後の最終的な厚さを有している。特定の実施形態によれば、基板は、１００マイクロメートル未満の、５０マイクロメートル未満の、または、それ以下の最終的な厚さを有している。特定の実施形態によれば、基板の最終的な厚さは、たとえば、成功的な高収率の半導体製作の必要に応じて、最終的なデバイスおよびヘテロエピタキシャル仕様（たとえば、ウエハー・ワープおよびボウ）に基づいて選択され得る。いくつかの実施形態では、基板の厚さは、大量のウエハー・シリコン製造において使用されるウエハー直径に特有のｓｅｍｉスペックの厚さであることが可能である。
【００４８】
ＩＩＩ族窒化物材料
本明細書で使用されているように、「ＩＩＩ族窒化物材料」という用語は、任意の第ＩＩＩ族元素窒化物化合物を指す。ＩＩＩ族窒化物材料の非限定的な例は、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、および窒化タリウム（ＴＩＮ）、ならびに、第ＩＩＩ族元素および第Ｖ族元素を含む任意の合金（たとえば、ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ、ＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ、ＩｎｙＧａ（１−ｙ）Ｎ、ＡｌｘＩｎ（１−ｘ）Ｎ、ＧａＡｓａＰｂＮ（１−ａ−ｂ）、およびＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）ＡｓａＰｂＮ（１−ａ−ｂ）など）を含む。典型的に、存在するときには、ヒ素および／またはリンは、低濃度（たとえば、５重量パーセント未満）になっている。ＩＩＩ族窒化物材料は、ドープされたｎ型もしくはｐ型であることが可能であり、または、真性のものであることが可能である。ＩＩＩ族窒化物材料は、任意の極性を有することが可能であり、それは、Ｇａ極性の、Ｎ極性の、半極性の、または非極性の結晶配向を含むが、それに限定されない。また、ＩＩＩ族窒化物材料は、ウルツ鉱、亜鉛ブレンド、または、混合ポリタイプのいずれかを含むことが可能であり、また、単結晶性の、多結晶性の、またはアモルファス構造体を含むことが可能である。
【００４９】
いくつかの実施形態では、ＩＩＩ族窒化物材料領域は、窒化ガリウム材料を含む。本明細書で使用されているように、「窒化ガリウム材料」という語句は、窒化ガリウム（ＧａＮ）およびその合金のいずれか、たとえば、なかでも、アルミニウム窒化ガリウム（ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎ）、窒化インジウム・ガリウム（ＩｎｙＧａ（１−ｙ）Ｎ）、窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム（ＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ）、窒化ガリウム・ヒ素・リン（ＧａＡｓａＰｂＮ（１−ａ−ｂ））、窒化アルミニウム・インジウム・ガリウム・ヒ素・リン（ＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）ＡｓａＰｂＮ（１−ａ−ｂ））を指す。特定の実施形態では、ＩＩＩ族窒化物材料領域は、ＧａＮを含む。いくつかの実施形態によれば、ＩＩＩ族窒化物材料領域は、エピタキシャルＩＩＩ族窒化物材料領域である。特定の実施形態では、ＩＩＩ族窒化物材料領域は、ヘテロ接合、２次元電子ガス（２ＤＥＧ）領域、または２次元ホール・ガス（２ＤＨＧ）を含む。いくつかの実施形態では、ＩＩＩ族窒化物材料領域は、ドープされたホモ接合および／またはドープされたヘテロ接合を含む。
【００５０】
プロセス
実施形態による半導体構造体を作製するためのプロセスが、図２〜図１０を参照して説明されており、図２〜図１０は、プロセスのステップを図示している。本明細書で説明されている１つまたは複数のステップは省略され得るということ、および、追加的なステップが全体的なプロセスの中に含まれ得るということが理解されることとなる。いくつかの実施形態では、プロセスのステップは、本明細書で説明されている順序とは異なる順序で実施され得る。
【００５１】
図２を参照すると、プロセスは、シリコン基板２０から始まる。シリコン基板２０は、ｐ型またはｎ型であることが可能であり、任意の適切な導電性を有することが可能である。シリコン基板２０は、５００μｍから１０００μｍの範囲の中の厚さを有することが可能であるが、これは、限定ではない。１つの例では、シリコン基板は、６２５μｍ、１００ｍｍ直径、０．０２Ω−ｃｍのホウ素がドープされたシリコンであることが可能である。シリコン基板２０は、表側２８および裏側２６を有するものとして表されている。基板の他の例は、限定することなく、６７５μｍ、１５０ｍｍ直径、０．０２Ω−ｃｍのシリコン；７２５μｍ、２００ｍｍ直径、０．０２Ω−ｃｍのシリコン；および、７７５μｍ、３００ｍｍ直径、０．０２Ω−ｃｍのシリコンを含む。
【００５２】
図３を参照すると、窒化ケイ素マスキング層１１０などのようなマスキング層が、シリコン基板２０の上部表面の上に形成されている。窒化ケイ素マスキング層１１０は、低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）によって形成され得り、２０００Åから４０００Åの厚さを有することが可能であるが、これは、限定ではない。他の適切なマスキング層は、プラズマ強化（ＰＥＣＶＤ）窒化ケイ素（＞５５０Ｃ堆積温度／ゼロ捕捉水素）、スパッタされた窒化ケイ素、窒化ケイ素の原子層堆積（ＡＬＤ）、または、追加されたＬＰＣＶＤ窒化ケイ素層を伴うかもしくは伴わないこれらのフィルムの層状の組み合わせを含む。シリコン基板に付着しており、標準的なフォトリソグラフィー・プロセスによってパターニングされ得り、シリコン酸化温度に耐え抜くことができる、任意の非酸化材料が用いられ得る。
【００５３】
図４を参照すると、窒化ケイ素マスキング層１１０が、従来のパターニング技法を使用してパターニングされている。たとえば、除去されることとなる窒化ケイ素層１１０のエリアを画定するマスクが、窒化ケイ素層１１０の上方に設置され、エッチング・ステップが実施される。パターニング・マスクが、窒化ケイ素マスキング層の表面に一時的に適用される感光性有機ポリマー（フォトレジスト）を用いる典型的なフォトリソグラフィー・プロセスによって形成される。フォトレジスト・パターンは、標準的なドライ・エッチング・プラズマ、ＲＩＥ（反応性イオン・エッチング）、またはＩＣＰ（誘導結合プラズマ）技法を介して、窒化ケイ素マスキング層に転写される。次いで、一時的なパターニング・フォトレジストが、乾式化学プロセスまたは湿式化学プロセスを介して除去される。
【００５４】
パターニングの後、窒化ケイ素層１１０は、デバイス・エリア５０の中に残り、相互接続エリア５２の中で除去され、シリコン基板２０を露出させる。デバイス・エリア５０は、必ずしも、デバイスによって占有されるエリアとマッチしているとは限らないということ、および、相互接続エリア５２は、必ずしも、相互接続部によって占有されるエリアとマッチしているとは限らないということが理解されることとなる。その代わりに、相互接続エリア５２は、シリコン基板２０が低誘電率材料と少なくとも部分的に交換されているエリアを画定しており、デバイス・エリア５０は、シリコン基板２０が低誘電率材料と交換されていないエリアを画定している。相互接続部は、デバイスに接続するために、相互接続エリアからデバイス・エリアの中へ延在することが可能である。
【００５５】
図５を参照すると、エッチング・ステップが、パターニングされた窒化ケイ素層１１０によって部分的にカバーされた基板２０の上で実施される。エッチング・プロセスは、窒化ケイ素層１１０によってカバーされていないシリコン基板の部分を除去する。とりわけ、エッチング・プロセスは、相互接続エリア５２の中の基板２０のシリコンを除去し、トレンチ１３０、１３２、および１３４を形成する。トレンチ１３０、１３２、および１３４は、その後に形成される酸化物領域の所望の厚さに基づいて、制御された深さ１３６を有するように形成されている。トレンチ１３０、１３２、および１３４の深さ１３６は、トレンチ形成の後のおよび酸化の前の、デバイス・エリア５０の中のシリコン基板２０の上部表面からトレンチ１３０、１３２、および１３４の中のシリコン基板２０の表面１３８への深さとして定義され得る。トレンチの深さは、最終的な構造体の中の基板２０の厚さに依存し、基板厚さの０．５％から１０％になっていることが可能である。１つの例では、トレンチ１３０、１３２、および１３４の深さ１３６は、約１０ミクロンの深さを有する酸化物領域を形成するために約５ミクロンであることが可能である。この例は限定するものではないということが理解されることとなる。窒化ケイ素層１１０の部分１２０および１２２の下のデバイス・エリア５０は、エッチング・プロセスによって影響を受けない。
【００５６】
図６を参照すると、熱酸化ステップが、窒化ケイ素層１１０の部分１２０および１２２によってマスクされた基板２０の上で実施される。熱酸化ステップは、シリコン基板２０がトレンチ１３０、１３２、および１３４の中で酸化されることを引き起こし、一方、窒化ケイ素層１１０の部分１２０および１２２によってマスクされたデバイス・エリア５０は、影響を受けない。とりわけ、トレンチ１３０、１３２、および１３４の中のシリコンは酸化され、二酸化ケイ素を形成する。二酸化ケイ素がトレンチ１３０、１３２、および１３４を充填し、二酸化ケイ素領域７０、７２、および７４をそれぞれ形成するまで、熱酸化ステップは継続される。二酸化ケイ素領域７０、７２、および７４の上部表面がデバイス・エリア５０の中のシリコン基板２０の上部表面と実質的に同一平面上になるまで、熱酸化ステップは実施される。熱酸化ステップは、ＬＯＣＯＳプロセスの一部であることが可能である。
【００５７】
シリコンの熱酸化の後、二酸化ケイ素領域は、トレンチ形成の後におよび酸化の前に、トレンチ表面１３８の上方および下方に延在している。とりわけ、二酸化ケイ素厚さのおおよそ５４％（厚さ１４０として示されている）が、酸化の前のトレンチ表面１３８の上方にあり、二酸化ケイ素厚さのおおよそ４６％（厚さ１４２として示されている）が、酸化の前のトレンチ表面１３８の下方にある。トレンチ深さおよび熱酸化パラメーターの適当な選択によって、トレンチの深さのほぼ２倍であり、デバイス・エリア５０の中のシリコン基板２０の上部表面とほぼ同一平面上にある、二酸化ケイ素領域７０、７２、および７４が形成され得る。
【００５８】
大気圧力に関して、典型的な酸化温度は、摂氏１０００度から摂氏１２００度の範囲にある。酸化種は、水素および酸素を組み合わせて飽和蒸気環境を作り出すことによって形成される。時間は、所望の二酸化ケイ素厚さを成長させるための可変パラメーターとして使用される。ＨｉＰＯＸ（高圧酸化）システムの使用は、所望の二酸化ケイ素厚さを作り出すために必要とされる温度および時間の両方を低減させることが可能である。このＨｉＰＯＸプロセスにおいて、水素および酸素が再び組み合わせられ、蒸気を作り出すが、それは、大幅に増加した圧力になっており、典型的に大気の１０倍から２５倍の範囲にある。
【００５９】
図７を参照すると、窒化ケイ素層１１０は、エッチングによってシリコン基板２０の表面から剥がされている。窒化ケイ素マスキング層は、典型的に摂氏１２０度から摂氏２００度の間の範囲の中の上昇した温度において、リン酸を介して除去される。代替的に、窒化ケイ素フィルムは、シリコン表面への化学的機械的研磨によって除去され得る。窒化ケイ素層１１０の除去の後に、シリコン基板２０の表面は、デバイス・エリア５０の中で露出されており、二酸化ケイ素は、相互接続エリア５２の中で露出されている。好ましくは、表面の平面性は、デバイス・エリア５０の中のシリコンと相互接続エリア５２の中の二酸化ケイ素との間の境界を横切って維持されいている。いくつかの実施形態では、シリコン基板の表面は、平坦な表面を確保するために研磨され得る。
【００６０】
図８を参照すると、エピタキシャル成長ステップが実施される。とりわけ、窒化ガリウム層２２または他のＩＩＩ族窒化物材料層が、エピタキシャル成長によってシリコン基板２０の上部表面の上に形成されている。窒化ガリウム層２２は、０．８μｍから６μｍの範囲の中の厚さを有することが可能であるが、これは、限定ではない。図８に示されているように、窒化ガリウム層２２は、デバイス・エリア５０の中に単結晶窒化ガリウム１５２を含むことが可能であり、相互接続エリア５２の中に多結晶性窒化ガリウム１５４を含むことが可能である。単結晶窒化ガリウム１５２は、シリコン基板２０の上に形成しており、多結晶性窒化ガリウム１５４は、二酸化ケイ素領域７０、７２、および７４の上に形成している。次いで、パッシベーション／カプセル化層２４は、窒化ガリウム層２２の上に形成されている。いくつかの実施形態では、相互接続エリア５２の中の多結晶性窒化ガリウム１５４は、相互接続部４０、４２、および４４の製作の前に除去され得る。
【００６１】
図９を参照すると、デバイス３０および３２が、デバイス・エリア５０の中に製作されており、相互接続部４０、４２および４４が、相互接続エリア５２の中に製作されている。デバイス３０および３２は、パッシベーション／カプセル化層２４の中に開口部をエッチングすることによって、ならびに、たとえば、ソース構造体、ゲート構造体、およびドレイン構造体を形成することによって形成される。相互接続部４０、４２、４４は、パッシベーション／カプセル化層２４の上部表面の上に堆積されており、デバイス３０および３２のうちの１つまたは複数に電気的に接続されている。デバイス３０および３２への接続は示されておらず、図面の平面の外で起こる可能性がある。
【００６２】
たとえば、窒化ガリウム・トランジスターなどのような１つまたは複数のデバイスが、それぞれのデバイス・エリア５０の中に形成され得る。加えて、１つまたは複数の相互接続部が、それぞれの相互接続エリア５２の中に形成され得る。相互接続部は、デバイスおよび／もしくはボンド・パッドを相互接続するために使用される相互接続ライン、外部接続ワイヤーのボンディングのためのボンド・パッド、または、その両方であることが可能である。相互接続ラインおよびボンド・パッドは、少なくとも１つのパターニングされた金属層として製作され得る。アクティブ・デバイス３０および３２ならびに相互接続部４０、４２、および４４は、公知の技法にしたがって製作され得る。
【００６３】
図１０を参照すると、シリコン基板２０は、裏側を薄化することによって厚さを低減されている。シリコン・ウエハーの上のＧａＮが、キャリア基板の上に表側を下にして装着され、それは、キャリア・ウエハーに一時的な結合を提供するためにワックスまたは他の有機ポリマーを使用して、薄化プロセスが実施されるときにアクティブ・デバイス・ウエハーを支持するための頑丈なハンドルを提供する。キャリア材料は、サファイヤ、ガラス、シリコン、または炭化ケイ素であることが可能である。実際の薄化は、不要なシリコンの大部分を除去するために典型的な半導体ダイヤモンド・ホイール研削プロセスを用いることによって達成される。次いで、シリコンの研削の後に、残留研削損傷を除去するためにコロイド状シリカを利用する化学的機械的研磨が続く。基板２０は、５０μｍから１００μｍの範囲の中の最終的な厚さまで厚さが低減され得るが、これは、限定ではない。
シリコン基板２０の薄化の後に、金属層６０が、薄化された基板の裏表面の上に形成される。金属層６０は、１μｍから６μｍの範囲の中の厚さを有することが可能であり、半導体デバイスのためのグランド平面としての役割を果たすことが可能である。
【００６４】
完成した半導体構造体１０において、相互接続部４０、４２、および４４のそれぞれは、多結晶性窒化ガリウム１５４、二酸化ケイ素領域７０、７２、および７４、ならびにシリコン基板２０によって、相互接続エリア５２の中の金属層６０から分離され得る。シリコン基板２０が、相互接続エリア５２において、シリコンよりも低い誘電率を有する二酸化ケイ素によって部分的に交換されているので、相互接続部４０、４２、および４４のそれぞれと金属層６０との間の材料の全体的な誘電率が低減される。そして、誘電率の低減は、相互接続部４０、４２、および４４と金属層６０との間の寄生容量を低減させ、それによって、（とりわけ、高い周波数における）性能を改善する。二酸化ケイ素領域７０、７２、および７４の有益な効果は、シリコン基板２０の合計厚さに対してこれらの領域の厚さを増加させることによって、および／または、相互接続部４０、４２、および４４の下にある二酸化ケイ素領域７０、７２、および７４の面積を増加させることによって、増加され得るということが理解されることとなる。
【００６５】
本明細書で説明されている実施形態において、相互接続部の下にあるシリコン基板２０の部分は、二酸化ケイ素と交換されており、二酸化ケイ素は、下側シリコンよりも低い誘電率を有している。他の実施形態では、相互接続エリア５２の中のシリコンは、寄生容量の低減を実現するために、他の材料と交換され得り、他の材料は、シリコンよりも低い誘電率を有しており、その後に形成されるＩＩＩ族窒化物材料のエピタキシャル成長温度に耐え抜くことが可能である。さらなる実施形態では、基板２０は、たとえば、炭化ケイ素などのような、シリコン以外の材料であることが可能である。
【００６６】
追加の実施形態において、デバイス・エリア５０の中のデバイスは、任意の適切なアクティブ回路コンポーネントおよび／またはパッシブ回路コンポーネントであることが可能であり、それぞれのデバイス・エリア５０は、同じまたは異なるタイプの１つまたは複数の回路コンポーネントを含むことが可能である。いくつかの実施形態では、半導体構造体は、単一のデバイス・エリア５０および単一の相互接続エリア５２を含む。デバイス・エリア５０の数および相互接続エリア５２の数は、限定ではない。
【００６７】
半導体構造体は、ＩＩＩ族窒化物材料層を含むものとして説明されてきた。いくつかの実施形態では、半導体構造体は、ＩＩＩ族窒化物材料層に加えてを１つまたは複数の層を含み、それは、拡散バリア層、核形成層、および／またはバッファー層を含むが、それに限定されない。
【００６８】
半導体構造体を使用するデバイス
本明細書で説明されている半導体構造体は、特定の実施形態によれば、さまざまな半導体デバイスの基礎を形成することが可能である。適切なデバイスは、それに限定されないが、トランジスター（たとえば、電界効果トランジスター（ＦＥＴ）；エンハンスメント・モードまたはデプレッション・モードのいずれか）、ショットキー・ダイオード、ならびに、発光ダイオード（ＬＥＤ）およびレーザー・ダイオードを含む発光デバイスのような、ディスクリート・デバイスを含む。同様に、適切なデバイスは、また、集積回路（たとえば、モノリシック・マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）、（たとえば、フロント・エンド・モジュール（ＦＥＭ）の組み立てのための）２つ以上のディスクリート・デバイスの組み合わせを含む。特定の実施形態（必ずしもすべての実施形態であるわけではない）によれば、高い周波数において（たとえば、特定のパワー・マネージメント用途に関して１００ＭＨｚ以上の周波数において、特定のＲＦ用途に関して１ＧＨｚ以上の周波数において）動作するデバイスの中の構造体を使用するということが、とりわけ有利である可能性がある。より高い周波数において動作するＩＩＩ族窒化物デバイスを使用する用途の非限定的な例は、ソースから負荷へ電力を切り換えるか、整流するか、モニタリングするか、または制御するために使用されるパワー・マネージメント・ディスクリートおよび集積回路（たとえば、降圧コンバーター、ブースト・コンバーター、ハーフ・ブリッジ、Ｈブリッジ、フル・ブリッジ、３相ブリッジ、および多相ブリッジ）を含む。ＲＦ用途の他の非限定的な例は、無線通信および有線通信、ＲＦエネルギー、ＲＦプラズマ照明、ワイヤレス充電、ＲＦ誘導およびマイクロ波加熱、ＲＦスパーク・プラグ、ＩＳＭ、医療用デバイス、レーダー、ならびに、電子戦闘および対策デバイスに関連付けられる送信機能および受信機能のために使用されるディスクリートおよび集積回路を含む。特定の実施形態では、ソースから負荷への電力送達をモニタリングするか、切り換えるか、または制御するために使用されるＲＦデバイスおよびスイッチング・デバイスの両方を組み合わせるチップの上の集積回路および／または複数のダイスが存在することが可能である。
【００６９】
特定の実施形態によれば、デバイスは、典型的に、少なくとも部分的に、ＩＩＩ族窒化物材料領域の中に（たとえば、ＩＩＩ族窒化物材料デバイス領域の１つまたは複数の層の中に、たとえば、１つまたは複数の窒化ガリウム材料層などの中に）形成されているアクティブ領域を有している。いくつかの実施形態によれば、デバイスは、さまざまな他の機能的な層および／または特徴（たとえば、電極、誘電体領域、フィールド・プレート層など）を含む。
【００７０】
特定の実施形態によれば、半導体構造体は、トランジスター（たとえば、電界効果トランジスター（ＦＥＴ））を含む。トランジスターは、特定の実施形態によれば、ソース電極およびドレイン電極を含むことが可能である。ソース電極およびドレイン電極は、互いに電子的に隔離され得る。たとえば、いくつかの実施形態では、ソース電極およびドレイン電極は、誘電材料によって空間的に分離されている。いくつかの実施形態では、トランジスターは、ゲート電極をさらに含む。ゲート電極は、ショットキー・ゲートまたは絶縁されたゲート電極であることが可能である。特定の実施形態によれば、使用の間に、ゲート電極における電圧の印加は、ソース電極とドレイン電極との間に少なくとも部分的に位置決めされている電界を生成および／または修正することが可能であり、電子がソース電極からドレイン電極へ移送されるようになっている。本明細書で説明されている実施形態のうちの特定のものに関連して使用され得る適切なトランジスター（たとえば、ＦＥＴ）は、デプレッション・モード（ノーマリー・オン）トランジスターおよびエンハンスメント・モード（ノーマリー・オフ）トランジスターを含む。
【００７１】
いくつかの実施形態が本明細書で説明および図示されてきたが、本明細書で説明されている機能を実施するための、ならびに／または、結果および／もしくは利点のうちの１つまたは複数取得するための、さまざまな他の手段および／または構造体、ならびに、そのような変形例および／または修正例のそれぞれが、本技術の範囲内にあると見なされるということを当業者は容易に想像することとなる。より一般的には、本明細書で説明されているすべてのパラメーター、寸法、材料、および構成は、例示的なものであることを意味しているということ、ならびに、実際のパラメーター、寸法、材料、および／または構成は、本技術の教示が使用される１つまたは複数の特定の用途に依存することとなるということを当業者は容易に認識することとなる。当業者は、単に日常的な実験を使用して、本明細書で説明されている技術の特定の実施形態に対する多くの均等物を認識するかまたは確認することができることとなる。したがって、先述の実施形態は単なる例として提示されているに過ぎないということ、ならびに、添付の特許請求の範囲およびその均等の範囲内において、本技術は、具体的に説明および特許請求されているもの以外の方法で実施され得るということが理解されるべきである。本技術は、本明細書で説明されているそれぞれの個々の特徴、システム、物品、材料、および／または方法に関係している。加えて、２つ以上のそのような特徴、システム、物品、材料、および／または方法の任意の組み合わせは、そのような特徴、システム、物品、材料、および／または方法が相互に矛盾していない場合には、本技術の範囲内に含まれる。
【００７２】
本明細書で定義および使用されているようなすべての定義は、辞書の定義、参照により組み込まれる文献の中の定義、および／または、定義される用語の通常の意味を支配するように理解されるべきである。
【００７３】
本明細書および特許請求の範囲の中で使用されているような不定冠詞「ａ」および「ａｎ」は、反対のことが明示的に示されていない限り、「少なくとも１つの」を意味するように理解されるべきである。本明細書および特許請求の範囲の中で使用されているような「および／または」という語句は、そのように結合されたエレメント（すなわち、いくつかのケースでは結合的に存在し、他のケースでは分離的に存在するエレメント）のうちの「いずれかまたは両方」を意味するように理解されるべきである。他のエレメントは、随意的に、反対のことが明示的に示されていない限り、具体的に識別されているそれらのエレメントに関係するかまたは関係しないかにかかわらず、「および／または」節によって具体的に識別されているエレメント以外に存在することが可能である。したがって、非限定的な例として、「Ａおよび／またはＢ」への言及は、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」などのような開放型の言語とともに使用されるときには、１つの実施形態では、Ｂを伴わないＡ（随意的に、Ｂ以外のエレメントを含む）を指すことが可能であり；別の実施形態では、Ａを伴わないＢ（随意的に、Ａ以外のエレメントを含む）を指すことが可能であり；さらなる別の実施形態では、ＡおよびＢの両方（随意的に、他のエレメントを含む）などを指すことが可能である。
【００７４】
本明細書で使用されているように本明細書および特許請求の範囲の中で、「または」は、上記に定義されているような「および／または」を同じ意味を有するように理解されるべきである。たとえば、リストの中の項目を分離しているときには、「または」または「および／または」は、包含的であるとして解釈されるものとする（すなわち、複数のまたはリストのエレメント、ならびに、随意的に、追加的な列挙されていない項目の少なくとも１つ（２つ以上も含む）を含む）。反対であることを明示的に示されている用語だけは（たとえば、「のうちの１つだけ」もしくは「のうちの正確に１つ」、または、特許請求の範囲の中で使用されるときには、「からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｏｆ）」など）、複数のまたはリストのエレメントのうちの正確に１つのエレメントを含むことを指すこととなる。一般的に、本明細書で使用されているような「または」という用語は、「いずれか」、「の一方」、「の１つのみ」、または「の正確に１つ」などのような、排他性の用語によって先行されているときには、排他的な二者択一を示すものとしてだけ解釈されるものとする（すなわち、「一方または他方、しかし、両方ではない」）。「本質的に〜からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ  ｏｆ）」は、特許請求の範囲の中で使用されるときには、特許法の分野において使用されるようなその通常の意味を有するものとする。
【００７５】
本明細書および特許請求の範囲の中で使用されているように、１つまたは複数のエレメントのリストを参照した「少なくとも１つの」という語句は、エレメントのリストの中のエレメントの任意の１つまたは複数から選択される少なくとも１つのエレメントを意味するように理解されるべきであり、必ずしも、エレメントのリストの中に具体的に列挙されているそれぞれのおよびすべてのエレメントの少なくとも１つを含むわけではなく、また、必ずしも、エレメントのリストの中のエレメントの任意の組み合わせを除外するわけではない。また、この定義は、具体的に識別されているそれらのエレメントに関係しているかまたは関係していないかにかかわらず、「少なくとも１つの」という語句が言及しているエレメントのリストの中に具体的に識別されているエレメント以外のエレメントが随意的に存在することができるということを許容している。したがって、非限定的な例として、「ＡおよびＢの少なくとも１つ」（または、同等には、「ＡまたはＢの少なくとも１つ」、または、同等には、「Ａおよび／またはＢの少なくとも１つの」）は、１つの実施形態では、Ｂが存在しない状態で（および、随意的に、Ｂ以外のエレメントを含む）、少なくとも１つのＡ（随意的に、２つ以上のＡを含む）ことを指すことが可能であり；別の実施形態では、Ａが存在しない状態で（および、随意的に、Ａ以外のエレメントを含む）、少なくとも１つのＢ（随意的に、２つ以上のＢを含む）ことを指すことが可能であり；さらなる別の実施形態では、少なくとも１つのＡ（随意的に、２つ以上のＡを含む）および少なくとも１つのＢ（随意的に、２つ以上のＢを含む）（および、随意的に、他のエレメントを含む）などを指すことが可能である。
【００７６】
特許請求の範囲において、および、上記の明細書において、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「担持する（ｃａｒｒｙｉｎｇ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」、「含有する（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｖｏｌｖｉｎｇ）」、および「保持する（ｈｏｌｄｉｎｇ）」などのようなすべての移行句は、開放型であると理解されるべきであり、すなわち、「含むが、それに限定されない」を意味するように理解されるべきである。「からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｏｆ）」および「本質的に〜からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ  ｏｆ）」という移行句だけは、米国特許庁の特許審査手続きのマニュアルの章２１１１．０３に記載されているように、それぞれ、閉鎖型のまたは半閉鎖型の移行句であるものとする。
【００７７】
本明細書で説明されている技法のいくつかの実施形態を詳細に説明してきたので、さまざまな修正例および改善例が、当業者に容易に考え付くこととなる。そのような修正例および改善例は、本開示の精神および範囲の中にあることを意図している。したがって、先述の説明は、単なる例としてのものに過ぎず、限定するものとして意図されていない。本技法は、以下の特許請求の範囲およびその均等物によって定義されるようにのみ限定されている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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