(57)【要約】  フレキシブル基板（１０）を誘導するためのローラデバイス（１００）が説明される。ローラデバイス（１００）は、フレキシブル基板（１０）に接触するための支持面（１１０）を含み、支持面（１１０）は、電気陰性ポリマーを含むコーティング（１２０）を有する。さらに、ローラデバイス（１００）を含む、フレキシブル基板を処理するための真空処理装置、及び真空処理装置内でフレキシブル基板を処理する方法が説明される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板（１０）を誘導するためのローラデバイス（１００）であって、当該ローラデバイスが、前記フレキシブル基板（１０）に接触するための支持面（１１０）を備え、前記支持面（１１０）が、電気陰性ポリマーを含むコーティング（１２０）を有する、ローラデバイス（１００）。
【請求項２】
前記コーティング（１２０）が、摩擦電気特性を有する、請求項１に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項３】
前記電気陰性ポリマーが誘電性である、請求項１又は２に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項４】
前記コーティング（１２０）が、μ≦０．１の摩擦係数μを有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項５】
前記コーティング（１２０）が、０．４×１０−７ＭＰａ−１≦ｋａ≦２．０×１０−６ＭＰａ−１の摩擦率定数ｋａを有する、請求項１から４のいずれか一項に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項６】
前記コーティング（１２０）が、２．５μｍ≦Ｔ≦１５μｍの厚さＴを有する、請求項１から５のいずれか一項に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項７】
前記コーティング（１２０）が、２．０ＭＶ／ｃｍ≦ＢＦＳ≦３０ＭＶ／ｃｍの絶縁破壊電界強度ＢＦＳを有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項８】
前記電気陰性ポリマーが、フルオロポリマーであり、特に、パーフルオロアルコキシポリマー（ＰＦＡ）又はポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）である、請求項１から７のいずれか一項に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項９】
前記ローラデバイスが、０．５ｍ≦Ｌ≦５．０ｍの長さＬを有する円筒形である、請求項１から８のいずれか一項に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項１０】
前記ローラデバイスが、１．０ｍ≦Ｄ≦３．０ｍの直径Ｄを有する、請求項１から９のいずれか一項に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項１１】
真空処理装置（２００）内でフレキシブル基板（１０）を搬送するためのローラデバイス（１００）の使用であって、当該ローラデバイスが、前記フレキシブル基板（１０）に接触するための支持面（１１０）を備え、前記支持面（１１０）が、電気陰性ポリマーを含むコーティング（１２０）を有する、ローラデバイス（１００）の使用。
【請求項１２】
フレキシブル基板（１０）を処理するための真空処理装置（２００）であって、
前記フレキシブル基板（１０）を供給するためのストレージスプール（２１２）を収容する第１のスプールチャンバ（２１０）、
前記第１のスプールチャンバ（２１０）から下流に配置された処理チャンバ（２２０）であって、当該処理チャンバ（２２０）が、少なくとも１つの堆積ユニットを備えた複数の処理ユニット（２２１）と、前記複数の処理ユニット（２２１）を通り過ぎるよう前記フレキシブル基板を誘導するためのローラデバイス（１００）とを備え、前記ローラデバイスが、前記フレキシブル基板（１０）に接触するための支持面（１１０）を備え、前記支持面（１１０）が、電気陰性ポリマーを含むコーティング（１２０）を有する、処理チャンバ（２２０）、及び
前記処理チャンバ（２２０）から下流に配置され、処理の後に前記フレキシブル基板（１０）を巻き取るための巻き取りスプール（２５２）を収容するための第２のスプールチャンバ（２５０）
を備えている真空処理装置（２００）。
【請求項１３】
前記ローラデバイス（１００）が、処理ドラムであり、前記処理ドラムが、前記処理ドラムに電位を加えるためのデバイス（２４０）に接続されている、請求項１２に記載の真空処理装置（２００）。
【請求項１４】
真空処理装置（２００）内でフレキシブル基板（１０）を処理するための方法（３００）であって、
第１のスプールチャンバ（２１０）内に設けられたストレージスプール（２１２）から前記フレキシブル基板（１０）を送り出すことと、
処理チャンバ（２２０）内に設けられたローラデバイス（１００）によって前記フレキシブル基板を誘導している間、前記フレキシブル基板（１０）を処理することであって、前記ローラデバイス（１００）が、前記フレキシブル基板（１０）に接触するための支持面（１１０）を備え、前記支持面（１１０）が、電気陰性ポリマーを含むコーティング（１２０）を有する、前記フレキシブル基板（１０）を処理することと、
処理の後、第２のスプールチャンバ（２５０）内に設けられた巻き取りスプール（２５２）上に前記フレキシブル基板を巻き取ること
を含む方法。
【請求項１５】
前記ローラデバイス（１００）に電位を加えること（３４０）をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、フレキシブル基板を誘導するためのローラに関する。さらに、本開示の実施形態は、フレキシブル基板処理の装置及び方法、具体的には、ロールツーロール処理を使用した、薄い層でのフレキシブル基板コーティングに関する。具体的には、本開示の実施形態は、例えば、薄膜太陽電池生産、薄膜電池生産、及びフレキシブルディスプレイ生産のために、層のスタックでフレキシブル基板をコーティングするための装置及び方法において、フレキシブル基板の搬送に利用されるローラに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラスチック膜又はプラスチック箔などのフレキシブル基板の処理は、パッケージング業界、半導体業界、及びその他の業界で需要が高い。特に、フレキシブル基板のロールツーロール（Ｒ２Ｒ：ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）処理は、低コストでの高いスループットの故に高い関心がもたれている。特に、薄膜電池の製造、ディスプレイ産業、及び太陽光発電（ＰＶ）産業においては、ロールツーロール堆積システムが高い関心を集めている。例えば、フレキシブルタッチパネル素子、フレキシブルディスプレイ、及びフレキシブルＰＶモジュールの需要が高まることにより、Ｒ２Ｒコーターで適切な層を堆積させる需要が高まる結果となっている。
【０００３】
処理には、材料（例えば、金属、半導体、及び誘電材料）よるフレキシブル基板のコーティング、エッチング、及び対応する用途のために基板上で行われるその他の処理作業が関わり得る。例えば、フレキシブル基板上に薄い層を堆積するために、コーティング処理（例えば、ＣＶＤ処理又はＰＶＤ処理、特にスパッタ処理）が利用され得る。このような作業を実施するシステムには、概して、フレキシブル基板を搬送するためのローラアセンブリを備えた処理システムに連結されたコーティングドラム（例えば、円筒形ローラ）が含まれる。
【０００４】
フレキシブル基板において高品質コーティングを達成するためには、フレキシブル基板の搬送に関する様々な課題を克服しなければならない。例えば、真空条件下で移動するフレキシブル基板を処理する間、適切な基板張力、及び基板とローラとの良好な接触を実現することは依然として困難である。
【０００５】
したがって、特に、改善された均一性、改善された製品寿命、及び表面積当たりより少ない欠陥数を有する高品質層又は層スタックを有するフレキシブル基板をコーティングするために、ロールツーロール処理システムにおいてフレキシブル基板の搬送を改善する需要が継続的にある。
【発明の概要】
【０００６】
上記に照らして、独立請求項に係る、フレキシブル基板を誘導するためのローラデバイス、フレキシブル基板を搬送するためのローラデバイスの使用、フレキシブル基板を処理するための真空処理装置、及び真空処理装置内でフレキシブル基板を処理する方法が提供される。さらなる態様、利点、及び特徴は、従属請求項、本明細書の記載、及び添付図面から明らかである。
【０００７】
本開示の一態様によれば、フレキシブル基板を誘導するためのローラデバイスが提供される。ローラデバイスは、フレキシブル基板に接触するための支持面を含む。支持面は、電気陰性ポリマーを含むコーティングを有する。
【０００８】
本開示のさらなる態様によれば、真空処理装置内でフレキシブル基板を搬送するためのローラデバイスの使用が提供される。ローラデバイスは、フレキシブル基板に接触するための支持面を含む。支持面は、電気陰性ポリマーを含むコーティングを有する。
【０００９】
本開示の別の態様によれば、フレキシブル基板を処理するための真空処理装置が提供される。真空処理装置は、フレキシブル基板を供給するためのストレージスプールを収容する第１のスプールチャンバを含む。さらに、真空処理装置は、第１のスプールチャンバから下流に配置された処理チャンバを含む。処理チャンバは、少なくとも１つの堆積ユニットを含む複数の処理ユニットを含む。さらに、処理チャンバは、複数の処理ユニットを通り過ぎるようフレキシブル基板を誘導するためのローラデバイスを含む。ローラデバイスは、フレキシブル基板に接触するための支持面を含む。支持面は、電気陰性ポリマーを含むコーティングを有する。さらに、真空処理装置は、処理チャンバから下流に配置された第２のスプールチャンバを含む。第２のスプールチャンバは、処理の後にフレキシブル基板を巻き取るための巻き取りスプールを収容する。
【００１０】
本開示のさらなる態様によれば、真空処理装置内でフレキシブル基板を処理する方法が提供される。当該方法は、第１のスプールチャンバ内に設けられたストレージスプールからフレキシブル基板を送り出すことを含む。さらに、当該方法は、処理チャンバ内に設けられたローラデバイスによってフレキシブル基板を誘導している間、フレキシブル基板を処理することを含む。ローラデバイスは、フレキシブル基板に接触するための支持面を含む。支持面は、電気陰性ポリマーを含むコーティングを有する。さらに、当該方法は、処理の後、第２のスプールチャンバ内に設けられた巻き取りスプール上にフレキシブル基板を巻き取ることを含む。
【００１１】
諸実施形態は、開示された方法を実施するための装置も対象としており、それぞれ説明された方法の態様を実行するための装置の部品を含む。これらの方法の態様は、ハードウェア構成要素や、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータを用いて、これらの２つの任意の組合せによって、又はそれ以外の任意の方法で、実施され得る。さらに、本開示に係る実施形態は、記載された装置を作動させる方法も対象としている。記載された装置を作動させるための方法は、装置のあらゆる機能を実施するための方法の態様を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、諸実施形態を参照することによって、以上で簡潔に概説した本開示のより具体的な説明を得ることができる。添付の図面は本開示の実施形態に関連し、以下の記述において説明される。
【図１】本明細書に記載された実施形態に係る、ローラデバイスの概略図を示す。
【図２】本明細書に記載されたさらなる実施形態に係る、ローラデバイスの概略斜視図を示す。
【図３】本明細書に記載された実施形態に係る、真空処理装置の概略図を示す。
【図４】本明細書に記載されたさらなる実施形態に係る、真空処理装置の概略図を示す。
【図５Ａ】蒸発るつぼのセットを有する真空処理装置の概略側面図を示す。
【図５Ｂ】図５Ａの真空処理装置の概略底面図を示す。
【図６Ａ−６Ｂ】本明細書に記載された実施形態に係る、フレキシブル基板を処理する方法を例示するフロー図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本開示の様々な実施形態について、これより詳細に参照する。これらの実施形態の１つ又は複数の実施例は、図面で示されている。図面についての以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を表す。個々の実施形態に関しては、相違点についてのみ説明する。本開示の説明として各実施例が提供されているが、実施例は、本開示を限定することを意図するものではない。さらに、一実施形態の一部として図示且つ記載されている特徴を、他の実施形態において用いたり、又は他の実施形態と共に用いたりしてもよく、それにより、さらに別の実施形態が生じる。本記載がこのような修正例及び変形例を含むことが意図されている。  
【００１４】
図１を参照すると、本開示に係る、フレキシブル基板１０を誘導するためのローラデバイス１００が示されている。本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、ローラデバイス１００は、フレキシブル基板１０に接触するための支持面１１０を含む。支持面１１０は、電気陰性ポリマー（ｅｌｅｃｔｒｏｎｅｇａｔｉｖｅ  ｐｏｌｙｍｅｒ）を含むコーティング１２０を有する。
【００１５】
電気陰性ポリマーを含むコーティングと共にローラデバイスを提供することにより、フレキシブル基板の搬送中、フレキシブル基板とローラデバイスとの接触の改善が有益にもたらされる。したがって、特にロールツーロール真空処理装置において、フレキシブル基板を誘導するために使用される従来のローラと比較して、本明細書に記載されたローラデバイスの実施形態は改善されている。より具体的には、本明細書に記載されたローラデバイスでは、フレキシブル基板とローラデバイスとの間に実質的に一定の且つ均質な接触力を達成することができ、その結果、ローラデバイスに対するフレキシブル基板のクランプ又は接着が改善され得る。接触力は、クランプ力とも呼ばれ得る。さらに、本明細書に記載されたコーティングを有するローラデバイスを利用することにより、従来技術と比較して、フレキシブル基板からローラデバイスへの熱伝達を改善することができる。これは、感熱性フレキシブル基板、特に、０．３ｍ≦Ｗ≦８ｍの基板幅Ｗを有する薄いポリマーフレキシブル基板を処理するのに有利であり得る。この改善された熱伝達は、本開示のローラデバイスでフレキシブル基板を誘導する間に、基板とコーティングされた支持面との直接接触を実質的に完全な接触面において実現することができるという事実、すなわち、フレキシブル基板とコーティングされた支持面との間の（微小スケールまでの）間隙を有する領域を減少させることができるか、又は実質的になくすことができるという事実の結果として生じる。
【００１６】
さらに、最先端技術では、通常、基板と基板搬送ローラとの間の接触を改善するために基板張力を向上させるが、薄いフレキシブル基板（例えば、２０μｍ≦ＳＴ≦１ｍｍの基板厚さＳＴを有するフレキシブル基板）が使用される場合、これは幾つかの問題を引き起こし得ることに留意されたい。したがって、より薄い基板の有効な基板剛性の低下を補うために、基板幅の増大に伴ってフレキシブル基板とローラとの間の有効な接触力又はクランプ力を向上させる必要があることに留意されたい。
【００１７】
したがって、本明細書に記載されたローラデバイスの実施形態は、基板幅Ｗが０．３ｍ≦Ｗ≦８ｍであり、基板厚さＳＴが２０μｍ≦ＳＴ≦１ｍｍであるポリマーフレキシブル基板を誘導するのに有益によく適している。
【００１８】
さらに、フレキシブル基板と搬送ローラ又は誘導ローラとの間の接触を改善するための他の従来手段（例えば、基板及び／又は搬送ローラ／誘導ローラへの静電荷の印加）を低減するか、又はさらに除外することができる。この点に関して、（例えば、スケーラブル線形電子ビーム源を使用することによって）基板に及び／又は（例えば、搬送ローラ／誘導ローラにＤＣ電圧を印加することによって）搬送ローラ／誘導ローラに静電荷を印加することは、例えば、動作中のアーク放電に起因して、フレキシブル基板及び／又はローラ面に損傷を引き起こし得ることに留意されたい。したがって、有益には、本開示のローラデバイスは、フレキシブル基板と搬送ローラとの間の接触を改善するための従来の手段に関連する問題を実質的に低減したり、又はさらに解消したりすることができる。
【００１９】
本開示の様々なさらなる実施形態をより詳細に説明する前に、本明細書で使用する幾つかの用語に関連する幾つかの態様を説明する。
【００２０】
本開示では、「ローラデバイス」は、フレキシブル基板に接触するための基板支持面を有するドラム又はローラであると理解することができる。具体的には、ローラデバイスは、回転軸を中心として回転可能であり得、基板誘導領域を含み得る。典型的には、基板誘導領域は、ローラデバイスの湾曲した基板支持面（例えば、円筒対称面）である。ローラデバイスの湾曲した基板支持面は、フレキシブル基板を誘導している間、フレキシブル基板と（少なくとも部分的に）接触するように適合され得る。基板誘導領域は、基板を誘導している間に基板が湾曲した基板表面と接触するローラデバイスの角度範囲であると規定することができ、ローラデバイスの巻き付け角（ｅｎｌａｃｅｍｅｎｔ  ａｎｇｌｅ）に対応し得る。幾つかの実施形態では、ローラデバイスの巻き付け角は、１２０°以上、具体的には、１８０°以上、又はさらには２７０°以上であり得る。
【００２１】
本開示では、「フレキシブル基板」は、曲げることが可能な基板であると理解することができる。例えば、「フレキシブル基板」は、「箔」又は「ウェブ」であってよい。本開示では、「フレキシブル基板」という用語及び「基板」という用語は、同義的に使用され得る。例えば、本明細書に記載されたフレキシブル基板には、ＰＥＴ、ＨＣ−ＰＥＴ、ＰＥ、ＰＩ、ＰＵ、ＴａＣ、ＯＰＰ、ＢＯＯＰ、ＣＰＰのような材料、１つ又は複数の金属、紙、これらの組み合わせ、及びハードコートＰＥＴ（例えば、ＨＣ−ＰＥＴ、ＨＣ−ＴａＣ）などのコーティング済の基板等が含まれ得る。幾つかの実施形態では、フレキシブル基板は、その両側に指数が一致した（ＩＭ）層が設けられたＣＯＰ基板である。例えば、基板の厚さは、１μｍ以上及び２００μｍ以下であり得る。より具体的には、基材の厚さは、例えば食品包装用途のために、８μｍの下限及び２５μｍの上限を有する範囲から選択され得る。
【００２２】
本開示では、「フレキシブル基板に接触するための支持面」という表現は、フレキシブル基板の誘導又は搬送の間、フレキシブル基板に接触するように構成されたローラデバイスの外面であると理解することができる。通常、支持面は、ローラデバイスの湾曲した外面、特に円筒状外面である。
【００２３】
本開示では、「コーティングを有する支持面」という表現は、ローラデバイスの支持面がコーティングを含む、すなわち、支持面がコーティングされていることであると理解することができる。具体的には、コーティングは、電気陰性ポリマーを含む。「電気陰性ポリマー」は、電気陰性特性を有するポリマーであると理解することができる。通常、完全な支持面にコーティングが設けられる。具体的には、コーティングは、一定の厚さ（例えば、２．５μｍ≦Ｔ≦１５μｍの範囲から選択される厚さＴ）を有する。
【００２４】
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、コーティング１２０は、摩擦電気特性（ｔｒｉｂｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ）を有する。言い換えれば、電気陰性ポリマーは、フレキシブル基板との摩擦接触によって静電荷を生成するように構成され得る。具体的には、電気陰性ポリマー（例えば、フルオロポリマー）は、摩擦電気効果による誘導中にフレキシブル基板表面にミラー電荷（ｍｉｒｒｏｒ  ｃｈａｒｇｅ）を生成するように構成され得る。摩擦電気効果（摩擦帯電とも呼ばれる）とは、ある材料が別の材料と摩擦接触した後に帯電する接触帯電の一種である。言い換えれば、摩擦電気効果とは、摩擦接触又は摺動接触の後に、ある材料から別の材料へ電荷（電子）が移動することであると説明することができる。２つの材料間の全電荷移動は、２つの接触する材料表面間の電荷親和性の差によって規定される。
【００２５】
例えば、本明細書に記載の基板材料は、−９０ｎＣ／Ｊ≦ＣＡ≦−４０ｎＣ／Ｊの電荷親和性（ｃｈａｒｇｅ  ａｆｆｉｎｉｔｙ）ＣＡを有する。例えば、ＰＥＴは、ＣＡ≒−４０ｎＣ／Ｊの電荷親和性ＣＡを有し、ＢＯＯＰは、ＣＡ≒−８５ｎＣ／Ｊの電荷親和性ＣＡを有し、ＬＤＥＰ、ＨＤＰＥ、及びＰＰは、ＣＡ≒−９０ｎＣ／Ｊの電荷親和性ＣＡを有する。本明細書に記載された電気陰性ポリマーを含むコーティング、具体的には、フルオロポリマーを含むか又はそれからなるコーティング、具体的には、ＰＴＦＥ及び／又はＰＦＡを含むか又はそれらからなるコーティングは、ＣＡ≒−１９０ｎＣ／Ｊの電荷親和性ＣＡを有する。  
【００２６】
したがって、有益には、本明細書に記載されたローラデバイスの支持面に設けられるコーティングは、外部から印加される電界がない場合であっても、コーティングされたローラデバイスが、基板と比較して負に帯電されることを確実なものとする。したがって、本明細書の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、ローラデバイスの支持面のコーティングは、ローラデバイスによって誘導されるフレキシブル基板に対して電荷親和性差ΔＣＡをもたらすように構成され得ることを理解されたい。具体的には、コーティングと基板との間の電荷親和性差ΔＣＡは、５０ｎＣ／Ｊ≦ΔＣＡ≦２００ｎＣ／Ｊ、具体的には、１００ｎＣ／Ｊ≦ΔＣＡ≦１５０ｎＣ／Ｊであり得る。
【００２７】
上記で概説したように、本明細書に記載されたローラデバイスの実施形態では、ローラデバイスの支持面に設けられた電気陰性ポリマーのコーティングは、フレキシブル基板の誘導中にフレキシブル基板との接触帯電をもたらすように構成され得る。通常、フレキシブル基板は、図１の矢印で例示的に示されるように、ローラデバイスの回転軸１１１を中心としてローラデバイス１００を回転させることによって誘導される。例えば、ローラデバイスは、能動的に駆動され得る。言い換えれば、ローラデバイスを回転させるために駆動が付与され得る。
【００２８】
したがって、基板の誘導中にロールデバイスと接触しているフレキシブル基板表面にミラー電荷を発生させるように構成された、ローラデバイスの支持面上の電気陰性ポリマーを含むコーティングを提供することにより、フレキシブル基板のローラデバイスへの接着の改善が有益にもたらされる。言い換えれば、ローラデバイスの支持面上に摩擦電気特性を有するコーティングを提供することにより、コーティングとフレキシブル基板との間の電荷移動が有益にもたらされ、その結果、フレキシブル基板とローラデバイスとの間の一定且つ均質な接触力（ピン止め力又はクランプ力とも呼ばれる）が確実なものとされ得る。さらに、摩擦電気効果を利用することにより、フレキシブル基板とローラデバイスの支持表面に設けられたコーティングとの間の滑りが有益に低減する。
【００２９】
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、電気陰性ポリマーは誘電性であり得る。具体的には、電気陰性ポリマーは、電気絶縁材料であり得、これは分極することができる。例えば、電気陰性ポリマーは、フルオロポリマー、具体的には、例えば、パーフルオロアルコキシポリマー（ＰＦＡ）及び／又はポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含むエラストマーフルオロポリマーであり得る。特に、フルオロポリマーは、ＰＦＡ又はＰＴＦＥからなり得る。フルオロポリマー（例えば、ＰＦＡ又はＰＴＦＥ）を含むか又はそれからなるコーティングは、非常に高い誘電破壊強度を有するコーティングを有益に提供する。さらに、フルオロポリマー（例えば、ＰＦＡ又はＰＴＦＥ）を含むか又はそれからなるコーティングは、低い摩擦係数、具体的には、超低摩擦係数を有益に提供する。したがって、有益には、例えば鋼に匹敵するようなコーティングの低い摩耗率がもたらされ、コーティングの寿命を保証する。言い換えると、フッ素化ポリマーコーティング面を設けるフルオロポリマーコーティングは、有効なコーティング摩耗を低減する優れた低摩擦性能レベルを有益に提供する。
【００３０】
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、コーティング１２０は、μ≦０．１の摩擦係数μ、特にμ≦０．０５の摩擦係数μを有し得る。より具体的には、非潤滑フルオロポリマー摩擦係数μは、μ≦０．１、特にμ≦０．０５であり得る。コーティングの隆起からの部分的な摩耗は、高度に疎水性の流体力学的境界潤滑をもたらすことができ、有益には、約Ｆ＝１０の係数Ｆだけ摩擦係数をさらに低減することに留意されたい。したがって、有益には、鋼の固有摩耗率レベルに近い有効なコーティング材料摩耗率を達成することができる。
【００３１】
例えば、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、コーティング１２０は、０．４×１０−７ＭＰａ−１≦ｋａ≦２．０×１０−６ＭＰａ−１の摩耗速度定数ｋａを有し得る。言い換えれば、コーティングは、０．４×１０−７ＭＰａ−１≦ｋａ≦２．０×１０−６ＭＰａ−１の範囲から選択される摩耗速度定数ｋａを有するように構成され得る。摩耗速度定数ｋａは、無次元摩耗速度定数ｋを硬さ［ＭＰａ］で割った値であり、すなわち、ｋａ［ＭＰａ−１］＝ｋ／硬さ［ＭＰａ］である。
【００３２】
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、コーティング１２０は、２．５μｍ≦Ｔ≦１５μｍの厚さＴを有し得る。２．５μｍ≦Ｔ≦１５μｍの範囲から選択される厚さＴを有するコーティングを設けることは、フレキシブル基板とローラデバイスのコーティングされた支持面との間の十分なピン止め力を確実にする十分なキャパシタンスを確保するのに有益であり得る。
【００３３】
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、コーティング１２０は、２．０ＭＶ／ｃｍ≦ＢＦＳ≦３０ＭＶ／ｃｍの絶縁破壊電界強度ＢＦＳを有する。例えば、Ｔ＝５μｍの厚さＴを有するＰＦＡのコーティングは、３００Ｖの電界が印加されたとき、２．０ＭＶ／ｃｍのＢＦＳを有する。Ｔ＝１０μｍの厚さＴを有するＰＴＦＥのコーティングは、３００Ｖの電界を印加した場合、２４ＭＶ／ｃｍのＢＦＳを有する。
【００３４】
図２を例示的に参照すると、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、ローラデバイス１００は、円筒形であり、０．５ｍ≦Ｌ≦８．５ｍの長さＬを有する。さらに、ローラデバイス１００は、１．０ｍ≦Ｄ≦３．０ｍの直径Ｄを有し得る。したがって、有益には、ローラデバイスは、大きな幅を有するフレキシブル基板を誘導且つ搬送するように構成されている。
【００３５】
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、ローラデバイスは、１つ又は複数のＥチャックデバイス（明示的には図示せず）を有し得る。Ｅチャックデバイスは、静電力によって基板を保持するための静電荷を供給するように構成されたデバイスであると理解することができる。具体的には、１つ又は複数のＥチャックデバイスは、フレキシブル基板を保持し、且つ／又はウェブをローラデバイスの湾曲面と接触させて保持するための誘引力を付与し得る。したがって、フレキシブル基板とローラデバイスとの間の一定且つ均質な接触力がさらに改善され得る。
【００３６】
上記に鑑みて、本開示のさらなる態様によれば、真空処理装置、具体的には、図３及び図４を参照して説明された実施形態に係る真空処理装置内でフレキシブル基板を搬送するための、本明細書に記載された任意の実施形態に係るローラデバイスの使用が提供されることを理解されたい。
【００３７】
図３を例示的に参照すると、本開示に係る真空処理装置２００が記載されている。本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、真空処理装置２００は、フレキシブル基板１０を供給するためのストレージスプール２１２を収容する第１のスプールチャンバ２１０を含む。さらに、真空処理装置２００は、第１のスプールチャンバ２１０から下流に配置された処理チャンバ２２０を含む。処理チャンバ２２０は、複数の処理ユニット２２１を含む。複数の処理ユニット２２１は、少なくとも１つの堆積ユニットを含む。例えば、複数の処理ユニットが、図３及び図４に概略的に示すように、ローラデバイス１００の周りで周方向に配置され得る。ローラデバイス１００が回転すると、フレキシブル基板は、ローラデバイスの湾曲した基板支持面に対向する処理ユニットを通り過ぎるように誘導されるので、フレキシブル基板の表面は、所定の速度で処理ユニットを通過する間に処理され得る。例えば、複数の処理ユニットは、堆積ユニット、エッチングユニット、及び加熱ユニットからなる群から選択される１つ又は複数のユニットを含み得る。本明細書に記載された真空処理装置の堆積ユニットは、スパッタ堆積ユニット（例えば、ＡＣ（交流）スパッタ源又はＤＣ（直流）スパッタ源、ＣＶＤ堆積ユニット、ＰＥＣＶＤ堆積ユニット、又はＰＶＤ堆積ユニット）であり得る。
【００３８】
さらに、処理チャンバ２２０は、複数の処理ユニット２２１を通り過ぎるようにフレキシブル基板を誘導するためのローラデバイス１００を含む。ローラデバイス１００は、フレキシブル基板１０に接触するための支持面１１０を含む。支持面１１０は、電気陰性ポリマーを含むコーティング１２０を有する。具体的には、ローラデバイスは、本明細書に記載された任意の実施形態に係るローラデバイスである。さらに、真空処理装置２００は、処理チャンバ２２０から下流に配置された第２のスプールチャンバ２５０を含む。第２のスプールチャンバ２５０は、処理の後にフレキシブル基板１０を巻き取るための巻き取りスプール２５２を収容する。
【００３９】
したがって、本明細書に記載された真空処理装置の実施形態は、従来の真空処理装置に比べて改善されている。具体的には、本明細書に記載されるようなローラデバイスを備えた真空処理装置を設けることによって、有益には、改善されたフレキシブル基板の誘導及び搬送が実現する。より具体的には、本明細書に記載されたローラデバイスは、フレキシブル基板とローラデバイスとの間に実質的に一定且つ均質な接触力をもたらし、フレキシブル基板のローラデバイスに対するクランプ又は接着を改善することができるので、フレキシブル基板の誘導及び搬送が改善され得る。したがって、有益には、実質的にしわのないフレキシブル基板の搬送を確実に行うことができ、その結果、より高品質の処理結果（例えば、フレキシブル基板上のより高品質なコーティング）が得られる。
【００４０】
本開示では、「真空処理装置」は、基板、特に本明細書に記載されたフレキシブル基板を処理するように構成された装置であると理解することができる。具体的には、真空処理装置は、フレキシブル基板を層のスタックでコーティングするように構成されたロールツーロール（Ｒ２Ｒ）処理装置であり得る。通常、真空処理装置は、少なくとも１つの真空チャンバ、具体的には、真空処理チャンバを有する。さらに、処理装置は、基板長が５００ｍ以上、１０００ｍ以上、又は数ｋｍであるように構成され得る。基板の幅は、３００ｍｍ以上、具体的には、５００ｍｍ以上、より具体的には、１ｍ以上であり得る。さらに、基板幅は、８ｍ以下、特に６ｍ以下であり得る。
【００４１】
本開示では、「処理チャンバ」は、基板上に材料を堆積させるための少なくとも１つの堆積ユニットを有するチャンバであると理解することができる。したがって、処理チャンバは、堆積チャンバとも呼ばれてよい。本明細書で使用される「真空」という用語は、例えば１０ｍｂａｒ未満の真空圧を有する技術的真空の意味であると理解することができる。典型的には、本明細書に記載された真空チャンバ内の圧力は、１０−５ｍｂａｒから約１０−８ｍｂａｒの間、より典型的には、１０−５ｍｂａｒから１０−７ｍｂａｒの間、さらにより典型的には、約１０−６ｍｂａｒから約１０−７ｍｂａｒの間であってもよい。
【００４２】
本明細書に記載された「から上流（ｕｐｓｔｒｅａｍ  ｆｒｏｍ）」及び「から下流（ｄｏｗｎｓｔｒｅａｍ  ｆｒｏｍ）」という表現は、各チャンバや各構成要素が、基板搬送経路に沿って、別のチャンバ又は構成要素に対してどの位置にあるかを表し得る。例えば、動作中、基板は、第１のスプールチャンバ２１０から処理チャンバ２２０を通して誘導され、続いて、ローラアセンブリを介して、基板搬送経路に沿って第２のスプールチャンバ２５０まで誘導される。したがって、処理チャンバ２２０は、第１のスプールチャンバ２１０から下流に配置され、第１のスプールチャンバ２１０は、処理チャンバ２２０から上流に配置される。動作中、基板は、最初に第１のローラ又は第１の構成要素を通過するように誘導又は搬送され、続いて、第２のローラ又は第２の構成要素を通過するように誘導又は搬送される。第２のローラ又は第２の構成要素は、第１のローラ又は第１の構成要素から下流に配置されている。
【００４３】
図３及び図４に例示するように、第１のスプールチャンバ２１０は、典型的に、ストレージスプール２１２を収納するように構成されており、ストレージスプール２１２は、フレキシブル基板１０が巻かれた状態で設けられ得る。動作中、フレキシブル基板１０をストレージスプール２１２から送り出し、基板搬送経路（図３及び図４の矢印によって図示）に沿って、第１のスプールチャンバ２１０から処理チャンバ２２０に向けて搬送することができる。本明細書で使用される「ストレージスプール（ｓｔｏｒａｇｅ  ｓｐｏｏｌ）」という用語は、コーティングされるフレキシブル基板が収容されるロールであると理解することができる。したがって、本明細書で使用される「巻き取りスプール（ｗｉｎｄ−ｕｐ  ｓｐｏｏｌ）」という用語は、コーティングされたフレキシブル基板を受け入れるように適合されたロールであると理解することができる。さらに、用語「ストレージスプール」は、「供給ロール（ｓｕｐｐｌｙ  ｒｏｌｌ）」と呼ばれることもあり、用語「巻き取りスプール（ｗｉｎｄ−ｕｐ  ｓｐｏｏｌ）」は、「取り込みロール（ｔａｋｅ−ｕｐ  ｒｏｌｌ）」と呼ばれることもある。
【００４４】
本開示では、「処理ユニット」は、本明細書に記載されたフレキシブル基板を処理するように構成されたユニット又はデバイスであると理解することができる。例えば、処理ユニットは、堆積ユニットであってもよい。具体的には、堆積ユニットは、スパッタ堆積ユニット（例えば、ＡＣスパッタ源又はＤＣスパッタ源）であってもよい。しかしながら、本明細書に記載された処理装置は、スパッタ堆積に限定されず、他の堆積ユニットも追加的に又は代替的に使用され得る。例えば、幾つかの実装形態では、ＣＶＤ堆積ユニット、蒸発堆積ユニット、ＰＥＣＶＤ堆積ユニット、又は他の堆積ユニットが利用されてもよい。したがって、堆積ユニット（例えば、プラズマ堆積源）は、フレキシブル基板上に薄膜を堆積し、例えば、フレキシブルディスプレイデバイス、タッチスクリーンデバイス構成要素、又は他の電子デバイス若しくは光学デバイスを形成するように適合可能であり得ることが理解するべきである。
【００４５】
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、真空処理装置のローラデバイス１００は、処理ドラムである。本開示では、「処理ドラム」は、処理中にフレキシブル基板に接触するための基板支持面を有するドラム又はローラであると理解することができる。具体的には、処理ドラムは、回転軸１１１を中心として回転可能であり得、基板誘導領域を含み得る。典型的には、基板誘導領域は、処理ドラムの湾曲した基板支持面（例えば、円筒対称面）である。処理ドラムの湾曲した基板支持面は、本明細書に記載された処理装置の動作中にフレキシブル基板に（少なくとも部分的に）接触するように適合され得る。
【００４６】
具体的には、図４を例示的に参照すると、ローラデバイス１００を、処理ドラムに電位を印加するためのデバイス２４０に接続することができる。処理ドラムは、本明細書に記載された任意の実施形態に係るローラデバイス１００である。
【００４７】
本開示では、「処理ドラムに電位を印加するためのデバイス」は、処理ドラム、具体的には、処理ドラムの基板支持面に電位を印加するように構成されたデバイスであると理解することができる。特に、電位を印加するためのデバイスは、中周波（ＭＦ）電位を供給するように構成され得る。例えば、中間周波（ＭＦ）電位は、１ｋＨｚから１００ｋＨｚであり得る。本開示では、「電位を印加するためのデバイス」は、「電位印加デバイス」とも呼ばれ得る。処理ドラムにＭＦ電位を印加することは、基板、特に基板に堆積された層のチャージアップを実質的に回避することができ、又はさらになくすことができるという利点を有する。したがって、より高い品質（例えば、均一性がより高い、欠陥がより少ないなど）の層を基板上に堆積させることができる。したがって、電位印加装置を設けることは、フレキシブル基板とローラデバイスとの間の一定且つ均質な接触力をさらに改善するために有益であり、その結果、基板処理中に、改善された実質的にしわのないフレキシブル基板搬送がもたらされ得る。
【００４８】
図３及び図４を例示的に参照すると、典型的には、真空処理装置２００は、フレキシブル基板１０を基板搬送経路に沿って第１のスプールチャンバ２１０から第２のスプールチャンバ２５０へと誘導できるように構成されていることを理解されたい。基板搬送経路は、処理チャンバ２２０を通り抜けることができる。例えば、フレキシブル基板は、堆積チャンバ内で層のスタックでコーティングされ得る。さらに、図３及び図４に例示されているように、複数のロール又はローラを備えたローラアセンブリが、基板搬送経路に沿って基板を搬送するように設けられ得る。図３及び図４は、４つのローラを備えるローラアセンブリが示されている。異なる構成によれば、ローラアセンブリは、ストレージスプールと巻き取りスプールとの間に配置された、５つ以上のローラ、特に１０個以上のローラを含み得ることを理解するべきである。
【００４９】
例示的に図３及び図４を参照すると、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる本明細書の幾つかの実施形態によれば、ローラアセンブリは、第１のスプールチャンバから第２のスプールチャンバへの部分的に凸状で部分的に凹状の基板搬送経路に沿ってフレキシブル基板を搬送するように構成され得る。言い換えるならば、基板搬送経路は、部分的に右方に湾曲し、部分的に左方に湾曲してもよく、それにより、幾つかの誘導ローラがフレキシブル基板の第１の主要面に接触し、幾つかの誘導ローラがフレキシブル基板の第１の主要面の反対側の第２の主要面に接触する。
【００５０】
例えば、図４の第１の誘導ローラ２０７は、フレキシブル基板の第２の主要面に接触しており、フレキシブル基板は、第１の誘導ローラ２０７によって誘導される間に左方に曲げられる（基板搬送経路の「凸状」部分）。図４の第２の誘導ローラ２０８は、フレキシブル基板の第１の主要面に接触しており、フレキシブル基板は、第２の誘導ローラ２０８によって誘導される間に右方に曲げられる（基板搬送経路の「凹状」部分）。
【００５１】
幾つかの実施形態では、ローラアセンブリの１つ又は複数のローラ（例えば、誘導ローラ）が、ストレージスプール２１２と処理ドラム（すなわち、ローラデバイス１００）との間に、且つ／又は処理ドラムの下流に配置され得る。例えば、図３に示す実施形態では、２つの誘導ローラが、ストレージスプール２１２と処理ドラムとの間に設けられ、少なくとも１つの誘導ローラが、第１のスプールチャンバ内に配置されてもよく、少なくとも１つの誘導ローラが、処理ドラムから上流の処理チャンバ内に配置されてもよい。幾つかの実施形態では、３つ、４つ、５つ以上、特に８つ以上の誘導ローラが、ストレージスプールと処理ドラムとの間に設けられる。誘導ローラは、能動型又は受動型のローラであってもよい。
【００５２】
本明細書で使用される「能動型」ローラ又はロールは、それぞれのローラを能動的に動かす又は回転させるための駆動部又はモータが設けられたローラであると理解することができる。例えば、能動型ローラを調整して、所定のトルク又は所定の回転速度を出すことができる。典型的には、ストレージスプール２１２及び巻き取りスプール２５２は、能動型ローラとして設けられ得る。さらに、能動型ローラは、動作中に所定の張力で基板を張力調整するように構成された基板張力ローラとして構成され得る。「受動型」ローラは、受動型ローラを能動的に動かす又は回転させるための駆動部が設けられていないローラ又はロールであると理解することができる。動作中に外側ローラ面に直接接触し得るフレキシブル基板の摩擦力によって、受動型ローラは回転することができる。
【００５３】
図４に例示されているように、１つ又は複数の誘導ローラ２１３が、処理ドラム（すなわち、ローラデバイス１００）から下流、及び第２のスプールチャンバ２５０から上流に配置され得る。例えば、フレキシブル基板１０を巻き取りスプール２５２へと円滑に誘導するために、少なくとも１つの誘導ローラは、フレキシブル基板１０を処理チャンバ２２０から下流に配置された第２のスプールチャンバ２５０に向けて誘導するための処理ドラムから下流の処理チャンバ２２０内に配置されてもよく、又は、少なくとも１つの誘導ローラは、フレキシブル基板を処理ドラムの基板支持面に対して実質的に接線方向に誘導するための処理ドラムから上流の第２のスプールチャンバ２５０内に配置されてもよい。
【００５４】
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、ローラアセンブリの１つ又は複数の誘導ローラは、本明細書に記載された任意の実施形態に係るローラデバイスについて例示されたように、電気陰性ポリマーを含むコーティングを含み得る。
【００５５】
幾つかの実施形態によれば、真空処理装置２００の幾つかのチャンバ又はすべてのチャンバは、排気可能な真空チャンバとして構成され得る。例えば、真空処理装置は、第１のスプールチャンバ２１０及び／又は処理チャンバ２２０及び／又は第２のスプールチャンバ２５０内で真空の生成又は維持を可能にする構成要素及び装置を含み得る。具体的には、真空処理装置は、第１のスプールチャンバ２１０及び／又は処理チャンバ２２０及び／又は第２のスプールチャンバ２５０内で真空を生成又は維持するための真空ポンプ、排気ダクト、真空シールなどを含み得る。
【００５６】
図４を例示的に参照すると、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、密封デバイス２０５は、隣接するチャンバ間、例えば、第１のスプールチャンバ２１０と処理チャンバ２２０との間、及び／又は処理チャンバ２２０と第２のスプールチャンバ２５０との間に設けられ得る。したがって、有益には、巻き取りチャンバ（すなわち、第１のスプールチャンバ２１０及び第２のスプールチャンバ２５０）は、独立して排気又は真空引きされ得るが、特に処理チャンバから独立して排気又は真空引きされ得る。密閉デバイス２０５は、基板を平坦なシール面に押し付けるように構成された膨張可能なシールを含み得る。
【００５７】
図４に例示されるように、典型的には、処理ドラム（すなわち本明細書に記載されたローラデバイス）は、複数の堆積ユニットを通り過ぎるように（例えば、第１の堆積ユニット２２１Ａ、第２の堆積ユニット２２１Ｂ、及び第３の堆積ユニット２２１Ｃを通り過ぎるように）フレキシブル基板１０を誘導するように構成される。図４に示されるように、個々の堆積ユニットは、別々の区画に設けられてもよい。別々の区画に設けられることにより、幾つかの異なる後続の堆積処理（例えば、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、及び／又はＰＶＤ）のモジュール式の組み合わせが可能となり、種々の後続の堆積処理間の非常に優れたガス分離が確実に行われる。したがって、堆積ユニットの選択されたシーケンスに応じて、種々の異なる積層層をフレキシブル基板に堆積することができる。
【００５８】
図５Ａは、代替的構成に係る処理装置の概略側面図を示し、図５Ｂは、図５Ａに示す処理装置の概略底面図を示す。特に、図５Ａ及び図５Ｂを例示的に参照すると、複数の処理ユニットは、ローラデバイス１００の回転軸１１１に対して平行に延びる線２２２に沿って整列した蒸発るつぼのセット２３０を含むか、又は蒸発るつぼのセット２３０として構成され得る。したがって、真空処理装置は、基板１０に蒸着材料を堆積するために蒸発装置であり得る。例えば、図５Ａに示される蒸発るつぼのセット２３０は、るつぼ２１１から２１７を含む。図５Ｂに例示されるように、蒸発るつぼは、典型的に、フレキシブル基板１０に堆積される蒸発材料のクラウド２５５を生成するように構成されている。図５Ｂに示すように、複数の処理ユニットが、基板幅Ｗにわたる方向に配置され得る。
【００５９】
「蒸発るつぼ（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ  ｃｒｕｃｉｂｌｅ）」とは、蒸発るつぼを加熱することによって蒸発する材料のためのリザーバであると理解することができる。より具体的には、蒸発るつぼには、蒸発する材料をるつぼに供給する材料供給部が備え付けられ得る。例えば、蒸発する材料は、蒸発るつぼによって溶融できるワイヤの形態で蒸発るつぼに供給されてもよい。幾つかの実施形態によれば、蒸発るつぼは、特に、蒸発する材料がワイヤの形態で供給される場合、蒸発器ボートとして構成され得る。したがって、本明細書に記載された蒸発るつぼのセットは、蒸発器ボートのセットであり得る。蒸着する材料は、金属（例えば、アルミニウム、銅、又は任意の他の金属）であってもよい。図５Ａ及び５Ｂを参照して例示的に説明される処理装置は、包装産業、特に食品包装産業で使用される基板をコーティングするのに特によく適している。
【００６０】
図６Ａに示されるフロー図を例示的に参照すると、本開示に係る真空処理装置２００内でフレキシブル基板１０を処理する方法３００が説明されている。本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、本方法は、第１のスプールチャンバ２１０内に設けられたストレージスプール２１２からフレキシブル基板１０を送り出すこと（図６Ａのブロック３１０によって示される）を含む。さらに、当該方法は、処理チャンバ２２０内に設けられたローラデバイス１００によってフレキシブル基板を誘導している間、フレキシブル基板１０を処理すること（図６Ａのブロック３２０によって示される）を含む。ローラデバイス１００は、フレキシブル基板１０に接触するための支持面１１０を含む。支持面１１０は、電気陰性ポリマーを含むコーティング１２０を有する。具体的には、ローラデバイス１００は、本明細書に記載された任意の実施形態に係るローラデバイスであり得る。さらに、本方法は、処理の後、第２のスプールチャンバ２５０内に設けられた巻き取りスプール２５２上にフレキシブル基板を巻き取ること（図６Ａのブロック３３０によって表される）を含む。
【００６１】
例示的に図６Ｂを参照すると、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、本方法は、ローラデバイス１００に電位を加えること（図６Ｂのブロック３４０によって表される）をさらに含む。例えば、ローラデバイスに電位を加えること（ブロック３４０）は、１ｋＨｚから１００ｋＨｚの周波数を有する中間周波電位を加えることを含み得る。具体的には、ローラデバイス１００に電位を加えることは、例えば図４を参照して説明されるように、典型的には、電位を加えるためのデバイス２４０を使用することを含む。
【００６２】
さらに、真空処理装置内でフレキシブル基板を処理する方法は、例えば、図３及び図４を参照して本明細書で説明される任意の実施形態に係る真空処理装置２００を使用することによって実施され得ることを理解されたい。
【００６３】
上記に鑑みて、従来技術と比較して、本明細書に記載された実施形態は、より薄くて幅の広いフレキシブル基板を処理することができ、且つ処理結果を改善できるように、ロールツーロール処理装置における改善されたフレキシブル基板搬送を提供することを理解されたい。
【００６４】
以上の説明は実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱せずに、他の実施形態及びさらなる実施形態を考案してもよく、本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲によって定められる。
【図１】
2021527170.tif 000003
【図２】
2021527170.tif 000004
【図３】
2021527170.tif 000005
【図４】
2021527170.tif 000006
【図５Ａ】
2021527170.tif 000007
【図５Ｂ】
2021527170.tif 000008
【図６Ａ】
2021527170.tif 000009
【図６Ｂ】
2021527170.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月19日(2021.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板（１０）を誘導するためのローラデバイス（１００）であって、当該ローラデバイスが、前記フレキシブル基板（１０）に接触するための支持面（１１０）を備え、前記支持面（１１０）が、電気陰性ポリマーを含むコーティング（１２０）を有する、ローラデバイス（１００）。
【請求項２】
前記コーティング（１２０）が、摩擦電気特性を有する、請求項１に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項３】
前記電気陰性ポリマーが誘電性である、請求項１又は２に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項４】
前記コーティング（１２０）が、μ≦０．１の摩擦係数μを有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項５】
前記コーティング（１２０）が、０．４×１０−７ＭＰａ−１≦ｋａ≦２．０×１０−６ＭＰａ−１の摩擦率定数ｋａを有する、請求項１から４のいずれか一項に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項６】
前記コーティング（１２０）が、２．５μｍ≦Ｔ≦１５μｍの厚さＴを有する、請求項１から５のいずれか一項に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項７】
前記コーティング（１２０）が、２．０ＭＶ／ｃｍ≦ＢＦＳ≦３０ＭＶ／ｃｍの絶縁破壊電界強度ＢＦＳを有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項８】
前記電気陰性ポリマーが、フルオロポリマー、パーフルオロアルコキシポリマー（ＰＦＡ）及びポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のうちの１つである、請求項１から７のいずれか一項に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項９】
前記ローラデバイスが、０．５ｍ≦Ｌ≦５．０ｍの長さＬを有する円筒形である、請求項１から８のいずれか一項に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項１０】
前記ローラデバイスが、１．０ｍ≦Ｄ≦３．０ｍの直径Ｄを有する、請求項１から９のいずれか一項に記載のローラデバイス（１００）。
【請求項１１】
真空処理装置（２００）内でフレキシブル基板（１０）を搬送するためのローラデバイス（１００）の使用であって、当該ローラデバイスが、前記フレキシブル基板（１０）に接触するための支持面（１１０）を備え、前記支持面（１１０）が、電気陰性ポリマーを含むコーティング（１２０）を有する、ローラデバイス（１００）の使用。
【請求項１２】
フレキシブル基板（１０）を処理するための真空処理装置（２００）であって、
前記フレキシブル基板（１０）を供給するためのストレージスプール（２１２）を収容する第１のスプールチャンバ（２１０）、
前記第１のスプールチャンバ（２１０）から下流に配置された処理チャンバ（２２０）であって、当該処理チャンバ（２２０）が、少なくとも１つの堆積ユニットを備えた複数の処理ユニット（２２１）と、前記複数の処理ユニット（２２１）を通り過ぎるよう前記フレキシブル基板を誘導するためのローラデバイス（１００）とを備え、前記ローラデバイスが、前記フレキシブル基板（１０）に接触するための支持面（１１０）を備え、前記支持面（１１０）が、電気陰性ポリマーを含むコーティング（１２０）を有する、処理チャンバ（２２０）、及び
前記処理チャンバ（２２０）から下流に配置され、処理の後に前記フレキシブル基板（１０）を巻き取るための巻き取りスプール（２５２）を収容するための第２のスプールチャンバ（２５０）
を備えている真空処理装置（２００）。
【請求項１３】
前記ローラデバイス（１００）が、処理ドラムであり、前記処理ドラムが、前記処理ドラムに電位を加えるためのデバイス（２４０）に接続されている、請求項１２に記載の真空処理装置（２００）。
【請求項１４】
真空処理装置（２００）内でフレキシブル基板（１０）を処理するための方法（３００）であって、
第１のスプールチャンバ（２１０）内に設けられたストレージスプール（２１２）から前記フレキシブル基板（１０）を送り出すことと、
処理チャンバ（２２０）内に設けられたローラデバイス（１００）によって前記フレキシブル基板を誘導している間、前記フレキシブル基板（１０）を処理することであって、前記ローラデバイス（１００）が、前記フレキシブル基板（１０）に接触するための支持面（１１０）を備え、前記支持面（１１０）が、電気陰性ポリマーを含むコーティング（１２０）を有する、前記フレキシブル基板（１０）を処理することと、
処理の後、第２のスプールチャンバ（２５０）内に設けられた巻き取りスプール（２５２）上に前記フレキシブル基板を巻き取ること
を含む方法。
【請求項１５】
前記ローラデバイス（１００）に電位を加えること（３４０）をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【国際調査報告】
2021527170.tif 000011
2021527170.tif 000012
2021527170.tif 000013
2021527170.tif 000014
2021527170.tif 000015
2021527170.tif 000016