(57)【要約】本開示は、本体と、本体の被覆されるべき表面上に設けられる酸化皮膜層とを含む、反応室コンポーネントを提供する。本体は、５系アルミニウム合金材料から作られる。本開示は更に、反応室コンポーネントを作製するための方法と反応室とを提供する。本開示は、反応室コンポーネントの耐食性を改善することができ、それにより、反応室の寿命を増大させ、反応室コンポーネントの表面上の金属汚染を低減する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室コンポーネントであって、
本体と、
前記本体の被覆されるべき表面上に配置される酸化皮膜層と
を備え、前記本体は、５０００系アルミニウム合金材料から作られる、反応室コンポーネント。
【請求項２】
前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の表面を被覆するセラミック層を更に備える、請求項１に記載の反応室コンポーネント。
【請求項３】
前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面は、前記セラミック層と前記酸化皮膜層との間の粘着性を改善するための所定の粗さを有する、
請求項２に記載の反応室コンポーネント。
【請求項４】
前記所定の粗さは、３．２μｍ〜６．３μｍの値範囲を有する、請求項３に記載の反応室コンポーネント。
【請求項５】
前記セラミック層は、酸化イットリウム又は酸化ジルコニウムを備える、請求項２に記載の反応室コンポーネント。
【請求項６】
前記セラミック層の厚さは、５０μｍ〜２００μｍの範囲に及ぶ、請求項２に記載の反応室コンポーネント。
【請求項７】
前記酸化皮膜層は、前記本体の前記被覆されるべき表面を酸化させることによって作られる、請求項１に記載の反応室コンポーネント。
【請求項８】
前記酸化皮膜層の厚さは、５０μｍ〜６０μｍの範囲に及ぶ、請求項１に記載の反応室コンポーネント。
【請求項９】
請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載の前記反応室コンポーネントを備える、反応室。
【請求項１０】
反応室コンポーネントを作製するための方法であって、
５０００系アルミニウム合金材料を使用することによって本体を製造することと、
酸化皮膜層で前記本体の被覆されるべき表面を被覆することと
を備える、方法。
【請求項１１】
前記酸化皮膜層で前記本体の前記被覆されるべき表面を被覆するステップ中に、前記酸化皮膜層を形成するために、前記表面に酸化処理を実行する、請求項１０に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
【請求項１２】
前記酸化皮膜層を形成するために、前記本体の前記被覆されるべき表面上に酸化処理を実行するステップは、
前記コンポーネント本体を予熱することと、
前記酸化皮膜層を形成するために、陽極酸化処理のための硝酸及びシュウ酸を含む電気めっき槽中に前記本体を漬けることと
を備える、請求項１１に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
【請求項１３】
硝酸の質量分率とシュウ酸の質量分率との比は、０．８〜１．２の範囲に及ぶ、請求項１２に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
【請求項１４】
前記比は、１である、請求項１３に機作の反応室コンポーネントを作製するための方法。
【請求項１５】
前記酸化皮膜層で前記本体の前記被覆されるべき表面を被覆するステップ後に、前記方法は、
前記酸化皮膜層に封止処理を実行することを更に備える、請求項１０に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
【請求項１６】
前記本体の前記被覆されるべき表面上で酸化皮膜層を形成するステップ後に、前記方法は、
セラミック層で前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の表面を被覆することを更に備える、請求項１０に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
【請求項１７】
前記本体の前記被覆されるべき表面上に酸化皮膜層を形成するステップ後に、及び前記セラミック層で前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記皮膜層の前記表面を被覆する前に、前記方法は、
前記表面に、前記セラミック層と前記酸化皮膜層との間の粘着性を改善することができる所定の粗さを有させるために、前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面を粗化することを更に備える、請求項１６に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
【請求項１８】
前記表面に、前記セラミック層と前記酸化皮膜層との間の粘着性を改善することができる所定の粗さを有させるために、前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面を粗化するステップは、
前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面をサンドブラストすることと、
前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面を洗浄することと
を備える、請求項１７に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
【請求項１９】
前記セラミック層で前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面を被覆するステップは、
前記酸化皮膜層を予熱することと、
事前設定された純度及び事前設定された粒度を有するセラミック粉末を選択することと、前記セラミック層を形成するために、前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面に前記セラミック粉末をスプレーすることと、
前記セラミック層をアニールすることと
を備える、請求項１６に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
【請求項２０】
前記事前設定された純度は、９９．９９％よりも高く、前記事前設定された粒度の値範囲は、５μｍ〜１０μｍである、請求項１９に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]本開示は、マイクロエレクトロニクス処理の技術分野に属し、特に、反応室コンポーネント、作製方法、及び反応室に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]半導体製造プロセスでは、プラズマの生成用の反応室コンポーネントを製造するために、アルミニウム合金が広く使用されている。これは、アルミニウム合金が高い強度と良好な溶接性を有するだけでなく、アルミニウム合金の陽極酸化皮膜が良好な耐食性も有するためである。しかしながら、アルミニウム合金は、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｉ、等などの多く合金元素を含有する。プラズマエッチング処理では、反応室中で使用される反応ガスは、ＣＦ4／Ｏ2、ＮＦ3、Ｃｌ2、ＣＨ4／Ａｒ、等を含み、これらの反応ガスは、Ｃｌ及びＦなどの多数の活性フリーラジカルを発生させ、アルミニウム合金の合金元素と反応して、金属化合物粒子を生成する可能性があり、それは、反応室の表面上に金属汚染を容易に引き起こし、デバイスの電気的性能に深刻な影響を及ぼし得る。加えて、反応室中の金属化合物粒子は、洗浄することが困難であり、長期間の蓄積は、反応室全体を故障させ得る。
【０００３】
[0003]現在、反応室コンポーネントの基材は通常、Ａ６０６１などの６０００系アルミニウム合金から作られ、反応室コンポーネントがプラズマによって腐食されるのを防止するために、硫酸陽極法によってコンポーネントの表面上に酸化アルミニウム皮膜の層が形成される。しかしながら、実際の応用では、反応室コンポーネントは、プラズマ衝撃の環境において依然として容易に腐食される可能性があり、それは、反応室の寿命を低減するだけでなく、室への金属汚染も引き起こす。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]本開示は、既存の技術に存在する技術的問題のうちの少なくとも１つを解決することを目的としており、反応室コンポーネント、作製方法、及び反応室を提案するもので、それらは、反応室コンポーネントの耐食性を改善することができ、それにより、反応室の寿命を改善させ、反応室コンポーネントの表面上の金属汚染を低減する。
【０００５】
[0005]上記の問題のうちの１つを解決するために、本開示は、本体と、本体の被覆されるべき表面上に配置される酸化皮膜層とを含む、反応室コンポーネントを提供する。本体は、５０００系アルミニウム合金材料から作られる。
【０００６】
[0006]いくつかの実施形態では、反応室コンポーネントは更に、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面を被覆するセラミック層を含む。
【０００７】
[0007]いくつかの実施形態では、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面は、セラミック層と酸化皮膜層との間の粘着性を改善するための所定の粗さを有する。
【０００８】
[0008]いくつかの実施形態では、所定の粗さは、３．２μｍ〜６．３μｍの値範囲を有する。
【０００９】
[0009]いくつかの実施形態では、セラミック層は、酸化イットリウム又は酸化ジルコニウムを含む。
【００１０】
[0010]いくつかの実施形態では、セラミック層の厚さは、５０μｍ〜２００μｍの範囲に及ぶ。
【００１１】
[0011]いくつかの実施形態では、酸化皮膜層は、本体の被覆されるべき表面を酸化させることによって作られる。
【００１２】
[0012]いくつかの実施形態では、酸化皮膜層の厚さは、５０μｍ〜６０μｍの範囲に及ぶ。
【００１３】
[0013]別の技術的解決策として、本開示はまた、本開示によって提供される上述された反応室コンポーネントを含む反応室を提供する。
【００１４】
[0014]別の技術的解決策として、本開示はまた、５０００系アルミニウム合金材料で本体を製造することと、酸化皮膜層で本体の被覆されるべき表面を被覆することとを含む、反応室コンポーネントを作製するための方法を提供する。
【００１５】
[0015]いくつかの実施形態では、酸化皮膜層で本体の被覆されるべき表面を被覆する処理中に、酸化処理が、酸化皮膜層を形成するために、本体の被覆されるべき表面上に実行され得る。
【００１６】
[0016]いくつかの実施形態では、酸化皮膜層を形成するために、本体の被覆されるべき表面上に酸化処理を実行することは、本体を予熱することと、酸化皮膜層を形成するために、陽極酸化処理のための硝酸及びシュウ酸を含む電気めっき槽中に本体を漬けることとを含む。
【００１７】
[0017]いくつかの実施形態では、硝酸の質量分率とシュウ酸の質量分率との比は、０．８〜１．２の範囲に及ぶ。
【００１８】
[0018]いくつかの実施形態では、その比は、１であることができる。
【００１９】
[0019]いくつかの実施形態では、酸化皮膜層で本体の被覆されるべき表面を被覆するステップ後に、方法は更に、酸化皮膜層に封止処理を実行することを含む。
【００２０】
[0020]いくつかの実施形態では、本体の被覆されるべき表面上に酸化皮膜層を形成した後に、方法は更に、セラミック層で本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面を被覆することを含む。
【００２１】
[0021]いくつかの実施形態では、本体の被覆されるべき表面上に酸化皮膜層を形成した後に、しかしセラミック層で本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面を被覆する前に、方法は更に、表面に、セラミック層と酸化皮膜層との間の粘着性を改善することができる所定の粗さを有させるために、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面に粗化処理を実行することを含む。
【００２２】
[0022]いくつかの実施形態では、表面に、セラミック層と酸化皮膜層との間の粘着性を改善することができる所定の粗さを有させるために、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面に粗化処理を実行することは、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面をサンドブラストすることと、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面を洗浄することとを含む。
【００２３】
[0023]いくつかの実施形態では、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面上のセラミック層を被覆することは、酸化皮膜層を予熱することと、事前設定された純度及び事前設定された粒度を有するセラミック粉末を選択することと、セラミック層を形成するために、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面上にセラミック粉末をスプレーすることと、セラミック層をアニールすることとを含む。
【００２４】
[0024]いくつかの実施形態では、事前設定された純度は、９９．９９％よりも高くあり得、事前設定された粒度の値範囲は、５μｍ〜１０μｍであり得る。
【００２５】
[0025]本開示は、以下の有益な効果を有する：
【００２６】
[0026]本開示は、反応室コンポーネントのより高い強度の必要性のみを考慮し、６０００系アルミニウム合金を使用する既存の技術における技術的偏見を克服する。本開示では、反応室コンポーネントの本体を製造するために、５０００系アルミニウム合金が使用される。５０００系アルミニウム合金は、Ｓｉ元素をほとんど含有しないＡ５０５２などの加工硬化型ＡｌーＭｇアルミニウム合金であるため、粒界腐食しにくい。それ故に、反応室コンポーネントの耐食性は改善されることができ、それにより、反応室の寿命を増大させ、反応室の表面上の金属汚染を低減する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】[0027]本開示のある実施形態による、反応室コンポーネントの概略構造図である。
【図２】[0028]本開示のある実施形態による、反応室コンポーネントを作製するための方法のフローチャートである。
【図３】[0029]本開示のある実施形態による、反応室コンポーネントを作製するための方法の別のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
[0030]当業者が本開示の技術的解決策をより良好に理解することを可能にするために、本開示によって提供される反応室コンポーネント、作製方法、及び反応室が、添付の図面を参照して以下で詳細に説明されることになる。
【００２９】
[0031]本明細書では、反応室コンポーネントは、反応室の内壁、内壁上に配置されたライニング、調整ブラケット、及び静電チャックを含み得るが、それらに限定されない。
【００３０】
[0032]図１は、反応室コンポーネントの概略構造図である。図１に示されるように、本開示のある実施形態は、本体１と、本体１の表面の酸化皮膜層１１とを含む、反応室コンポーネントを提供する。本体の被覆されるべき表面は、本体１の被覆されるべき外面全体であることができるか、又はそれは、本体１の被覆されるべき外面の一部を選択的に被覆することもできる。例えば、本体の被覆されるべき表面は、反応室中に露出される本体１の被覆されるべき表面であることができる。
【００３１】
[0033]本体１は、５０００系アルミニウム合金材料から作られことができる。
【００３２】
[0034]多くの場合、本体を製造するために、６０００系アルミニウム合金が使用される。６０００系アルミニウム合金は、熱処理可能な強化型Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉアルミニウム合金（例えば、Ａ６０６１）である。アルミニウム合金は、より多くのＳｉ元素を添加してＭｇ2Ｓｉ強化相を形成し、それにより、基板の強度を増大させる。しかしながら、過剰なＳｉ元素は、粒界腐食を引き起こす可能性があり、それは、反応室コンポーネントの耐食性に影響を及ぼす。
【００３３】
[0035]この実施形態では、反応室コンポーネントのより高い強度の必要性のみを考慮し、６０００系アルミニウム合金を使用する既存の技術における技術的バイアスが克服されることができる。本体１を製造するために、５０００系アルミニウム合金が使用される。５０００系アルミニウム合金は、加工硬化型Ａｌ−Ｍｇアルミニウム合金（例えば、Ａ５０５２、Ａ５０５４、Ａ５０８３、等）であり、Ｓｉ元素をほとんど含有しないので、粒界腐食しにくい。それ故に、反応室コンポーネントの耐食性は改善されることができ、それにより、反応室の寿命を改善し、反応室コンポーネントの表面上の金属汚染を低減する。
【００３４】
[0036]この実施形態では、酸化皮膜層１１は、本体１の被覆されるべき表面を酸化させることによって作られる。酸化皮膜層１１は、高い粗さと、良好な耐食性及び耐磨耗性とを有する。いくつかの実施形態では、酸化皮膜層１１の厚さは、５０μｍ〜６０μｍの範囲に及ぶ。
【００３５】
[0037]この実施形態では、反応室コンポーネントは更に、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面を被覆するセラミック層１２を含む。セラミック層１２は、プラズマによる腐食を防止するためのバリア層として使用されることができるため、反応室コンポーネントの耐食性は、更に改善されることができる。
【００３６】
[0038]いくつかの実施形態では、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面は、セラミック層１２と酸化皮膜層１１との間の粘着性を改善するための所定の粗さを有する。好ましくは、所定の粗さは、３．２μｍ〜６．３μｍの範囲に及び、この範囲内では、酸化皮膜層１１及びセラミック層１２は、強固な粘着性を有する。
【００３７】
[0039]ここで、上述された所定の粗さは、プラズマサンドブラストによって得られることができるが、それに限定されないことに留意されたい。
【００３８】
[0040]いくつかの実施形態では、上述されたセラミック層１２は、まず、本体１の温度が１００℃〜１２０℃に達するまで本体１を予熱し、次いで、９９．９９％よりも高い純度及び５μｍ〜１０μｍの粒度範囲を有するセラミック粉末を選択し、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面上にセラミック粉末をスプレーして、上述されたセラミック層１２を形成し、その後、セラミック層１２をアニールし、好ましくは、ただしそれに限定されないが、１００℃〜１２０℃の温度で２〜５時間アニールするという方法によって得られることができる。この方法によって形成されたセラミック層１２は、より高い純度及び密度を有することができるだけでなく、より小さい気孔率も有することができ、それは、プラズマによる腐食をより良好に防止することができる。
【００３９】
[0041]いくつかの実施形態では、セラミック層１２は、酸化イットリウム又は酸化ジルコニウムを含むが、それらに限定されない。酸化イットリウムと酸化ジルコニウムとの両方は、酸化アルミニウムよりも良好なプラズマ耐食性及びより長い寿命を有するので、酸化アルミニウムのみがバリア層として使用される既存の技術におけるバリア層と比較して、酸化皮膜層１１及びセラミック層１２の２つのバリア層の使用は、反応室コンポーネントの耐食性及び寿命を大幅に改善することができる。
【００４０】
[0042]加えて、セラミック層１２の厚さは、５０μｍ〜２００μｍの範囲に及び、それは、耐食性の要件を十分に満たすことができる。
【００４１】
[0043]本開示のある実施形態によると、本開示の前述の実施形態において提供される反応室コンポーネントを含む反応室が更に提供される。
【００４２】
[0044]具体的には、反応室は、物理蒸着室、化学蒸着室、エッチング室を含むが、それらに限定されない。
【００４３】
[0045]本開示の実施形態によって提供される反応室は、上記の実施形態において提供される反応室コンポーネントを使用することによって、反応室の耐食性を改善することができ、それにより、反応室の寿命を増大し、反応室コンポーネントの表面上の金属汚染を低減する。
【００４４】
[0046]図１及び図２を参照すると、本開示の実施形態によって提供される反応室コンポーネントを作製するための方法は、以下を含む：
Ｓ１：５０００系アルミニウム合金材料を使用することによって本体１を製造すること、及び、
Ｓ２：酸化皮膜層１１で本体１の被覆されるべき表面を被覆すること。
【００４５】
[0047]反応室コンポーネントを作製するために、本開示の実施形態において提供された上記の作製方法を使用することは、反応室コンポーネントの耐食性を改善することができ、それにより、反応室の寿命を増大させ、反応室コンポーネントの表面上の金属汚染を低減する。
【００４６】
[0048]上記のステップＳ２では、酸化皮膜層１１を形成するために、本体１の被覆されるべき表面が酸化され得る。酸化皮膜層１１は、高い強度と、良好な耐食性及び耐磨耗性とを有し得る。いくつかの実施形態では、酸化皮膜層の厚さは、５０μｍ〜６０μｍの範囲に及ぶ。
【００４７】
[0049]いくつかの実施形態では、前述のＳ２は、以下を含む：
Ｓ２１：本体１を予熱すること、及び、
Ｓ２２：酸化皮膜層１１を形成するために、陽極酸化処理を実行するための硝酸及びシュウ酸を含む電気めっき槽中に本体１を漬けること。
【００４８】
[0050]上記のステップＳ２１では、好ましくは、コンポーネント本体１を３０℃〜４０℃の温水に漬けて予熱することができる。具体的には、攪拌法を使用して電気めっき槽中の溶液を均一な温度に保つことができ、実際の処理温度に応じて温度を設定することができる。
【００４９】
[0051]上記のステップＳ２２では、混酸陽極酸化法を適用することによって、酸化皮膜層１１が形成されることができる。多くの場合、６０００系アルミニウム合金は、より多くのＳｉ材料を含有する。陽極酸化処理中に、ケイ素は、元素粒子として皮膜中に残存し、酸化又は溶解されないことがある。混酸系陽極酸化は、高電圧を必要とする。皮膜中に残存したケイ素は、酸化皮膜の気孔率を容易により大きくする可能性があり、皮膜が厚いとクラックを形成しやすくなる。この実施形態では、本体１が５０００系アルミニウム合金材料から作られ、酸化皮膜層１１が混酸陽極酸化法によって形成されているので、それは、強度の要件を満たすことができるだけでなく、酸化皮膜層１１の密度についての要件も満たすことができる。
【００５０】
[0052]従って、５０００系アルミニウム合金材料を使用することによって本体１を製造するための方法に基づいて、上記のステップＳ２２は、混酸陽極酸化法を使用して酸化皮膜層１１を形成することであり、それは、酸化皮膜層１１の気孔率を低減することができるだけでなく、高温（例えば、８０℃〜１２０℃）でのクラックの発生を回避するためにより良好な温度耐性を有する酸化皮膜層１１を得ることもでき、１４ｎｍを超えるエッチング装置の要件を満たすのにより適している。当然ながら、実際の応用では、酸化皮膜層１１を形成するために、他の酸化法が使用されることもできる。
【００５１】
[0053]好ましくは、硝酸の質量分率とシュウ酸の質量分率との比は、０．８〜１．２の範囲に及ぶ。より好ましくは、その比は、１とすることができ、それは更に、酸化皮膜層１１の気孔率を低減することができる。
【００５２】
[0054]いくつかの実施形態では、上記のステップＳ２の後に、方法は更に、酸化皮膜層１１に封止処理を実行することを含む。具体的には、封止処理は、加圧（例えば１１０ｋＰａ）水蒸気封止又は沸騰水封止などの方法を採用することができる。
【００５３】
[0055]実際の用途では、他の混酸、例えば、硝酸とクロム酸、硝酸とリン酸、等が使用されることもできる。
【００５４】
[0056]図３を参照すると、好ましくは、上記のステップＳ２の後に、方法は更に以下を含む：
Ｓ３：セラミック層１２で本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面を被覆すること。
【００５５】
[0057]セラミック層１２は、プラズマによる腐食を防止するためのバリア層として使用されることができるので、反応室コンポーネントの耐食性が更に改善されることができる。
【００５６】
[0058]いくつかの実施形態では、セラミック層１２の厚さは、５０μｍ〜２００μｍの範囲に及び、この範囲は、耐食性要件を十分に満たすことができる。
【００５７】
[0059]いくつかの実施形態では、ステップＳ２の後且つステップＳ３の前に、方法は更に以下を含む：
【００５８】
[0060]ステップ２３では、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面は、表面がセラミック層１２と酸化皮膜層１１との間の粘着性を改善するための所定の粗さを有することができるように、粗化され得る。
【００５９】
[0061]更に、前述された所定の粗さの値範囲は、３．２μｍ〜６．３μｍであり得、この範囲内では、酸化皮膜層１１とセラミック層１２との間の粘着性は、強固であることができる。
【００６０】
[0062]加えて、好ましくは、上記のステップＳ２３は、以下を含む：
Ｓ２３１：本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面をサンドブラストすること、及び、
Ｓ２３２：本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面を洗浄すること。
【００６１】
[0063]上記のステップＳ２３１では、サンドブラストの方法は、プラズマサンドブラストの方法であることができるが、それに限定されない。
【００６２】
[0064]いくつかの実施形態では、上記のステップＳ３は、以下を含む：
Ｓ３１：酸化皮膜層１１を予熱すること、
Ｓ３２：事前設定された純度及び事前設定された粒度を有するセラミック粉末を選択すること、及び、セラミック層１２を形成するために、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面にセラミック粉末をスプレーすること、及び、
Ｓ３３：セラミック層をアニールすること。
【００６３】
[0065]上記のステップＳ３１では、本体１の温度が１００℃〜１２０℃に達するまで、本体１は予熱され得る。
【００６４】
[0066]上記のステップＳ３２では、いくつかの実施形態では、事前設定された純度は、９９．９９％よりも高くあることができ、事前設定された粒度の値範囲は、５μｍ〜１０μｍであることができる。
【００６５】
[0067]上記のステップＳ３３では、１００℃〜１２０℃の温度で２〜５時間アニールすることが好ましいが、それに限定されない。
【００６６】
[0068]この方法によって形成されたセラミック層１２は、より高い純度及び密度を有することができるだけでなく、より小さい気孔率も有することができ、それは、プラズマによる腐食をより良好に防止することができる。
【００６７】
[0069]いくつかの実施形態では、セラミック層１２は、酸化イットリウム又は酸化ジルコニウムを含む。酸化イットリウムと酸化ジルコニウムとの両方が、酸化アルミニウムよりも良好なプラズマ耐食性及びより長い寿命を有するので、酸化アルミニウムのみがバリア層として使用される既存の技術と比較して、酸化皮膜層１１及びセラミック層１２の２つのバリア層の使用は、反応室コンポーネントの耐食性及び寿命を大きく改善することができる。
【００６８】
[0070]上記の実装形態は、本開示の原理を例示するために使用される単に例証的な実装形態に過ぎず、本開示はそれに限定されないことを理解されたい。当業者であれば、本開示の趣旨及び本質から逸脱することなく様々な修正及び改善を行うことができ、これらの修正及び改善もまた本開示の範囲と見なされる。
【図１】
2021515849.tif 000003
【図２】
2021515849.tif 000004
【図３】
2021515849.tif 000005
【国際調査報告】
2021515849.tif 000006
2021515849.tif 000007
2021515849.tif 000008
2021515849.tif 000009