(57)【要約】  計量ターゲット、ターゲット設計方法及び計量計測方法であり、計量オーバレイ推定とは独立に又はそれと併せ非対称収差の効果を推定するものを提供する。ターゲットは、一対又は複数対のセグメント化周期構造であり同じ粗ピッチ及び１：１なる同じライン対スペース比を有し且つ同じ細ピッチにて細要素へとセグメント化されているものを備え、それらセグメント化周期構造同士が、それらのうち１個にてそれに対応する細要素のうち少なくとも１個が省略されている点で、及び／又は、細ピッチの整数倍分だけ互いに分離された２個の細要素群がそれらセグメント化周期構造のうち１個に備わる点で、異なる。要素欠落個所（群）及び／又は中央間隙があるので、対応するセグメント化周期構造の計測結果から収差効果の推定結果を導出することができる。細ピッチは、対応する層におけるデバイス細ピッチに対応するよう選定すればよい。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じ粗ピッチ、１：１なる同じライン対スペース（Ｌ：Ｓ）比を有し且つ同じ細ピッチにて細要素へとセグメント化されている、少なくとも２個のセグメント化周期構造を備え、それらセグメント化周期構造のうち１個にて、それに対応する細要素のうち少なくとも１個を欠落させた点で、セグメント化周期構造同士が異なる計量ターゲット。
【請求項２】
請求項１に記載の計量ターゲットであって、前記少なくとも１個の細要素の欠落が対応する周期構造の諸要素に対し中央でのものである計量ターゲット。
【請求項３】
同じ粗ピッチ、１：１なる同じライン対スペース（Ｌ：Ｓ）比を有し且つ同じ細ピッチにて細要素へとセグメント化されている、少なくとも２個のセグメント化周期構造を備え、細ピッチの整数倍分だけ互いに分離された２個の細要素群がそれらセグメント化周期構造のうち１個に備わる点で、セグメント化周期構造同士が異なる計量ターゲット。
【請求項４】
請求項１〜３のうち何れか一項に記載の計量ターゲットであって、前記セグメント化周期構造が同じターゲット層内にある計量ターゲット。
【請求項５】
請求項１〜４のうち何れか一項に記載の計量ターゲットであって、前記セグメント化周期構造が、各対の細ピッチが異なる少なくとも２対のセグメント化周期構造を含む計量ターゲット。
【請求項６】
請求項５に記載の計量ターゲットであって、前記セグメント化周期構造の対の個数が、関連するフォトリソグラフィプロセスにおける特定済非対称収差源の個数と等しくなるよう選定されている計量ターゲット。
【請求項７】
請求項５に記載の計量ターゲットであって、前記セグメント化周期構造の対の個数が、所与デバイスデザインにおけるデバイスピッチの個数と等しくなるよう選定されている計量ターゲット。
【請求項８】
請求項１〜７のうち何れか一項に記載の計量ターゲットであって、更に、前記セグメント化周期構造のうち少なくとも１個に関しオーバレイ計測結果がもたらされるよう構成された少なくとも１個の周期構造を備える計量ターゲット。
【請求項９】
請求項１〜８のうち何れか一項に記載の計量ターゲットのターゲット設計ファイル。
【請求項１０】
請求項１〜８のうち何れか一項に記載の計量ターゲットの計量計測。
【請求項１１】
同じ粗ピッチ、１：１なる同じライン対スペース（Ｌ：Ｓ）比を有し且つ同じ細ピッチにて細要素へとセグメント化されている少なくとも２個のセグメント化周期構造を備えるものとなるよう、計量ターゲットを設計し、且つ
それらセグメント化周期構造のうち１個にてそれに対応する細要素のうち少なくとも１個を欠落させた点で、或いは細ピッチの整数倍分だけ互いに分離された２個の細要素群がそれらセグメント化周期構造のうち１個に備わる点で、セグメント化周期構造同士が異なるものとなるようそれらセグメント化周期構造を構成し、
前記設計及び／又は前記構成を少なくとも１個のコンピュータプロセッサにより実行する方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、前記少なくとも１個の細要素の欠落が対応する周期構造の諸要素に対し中央でのものである方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の方法であって、更に、設計された計量ターゲットを生産及び使用することで、前記少なくとも２個のセグメント化周期構造の計測結果から収差推定結果を導出する方法。
【請求項１４】
請求項１１又は１２に記載の方法であって、更に、前記少なくとも２個のセグメント化周期構造に少なくとも１個の周期構造を追加し、且つ、それらセグメント化周期構造のうち少なくとも１個に関しそれらの計測結果からオーバレイ推定結果をもたらすよう当該少なくとも１個の周期構造を構成する方法。
【請求項１５】
請求項１１〜１４のうち何れか一項に記載の方法であって、更に、所与デバイスピッチに対応するよう細ピッチを選定する方法。
【請求項１６】
請求項１１又は１２に記載の方法であって、更に、各対の細ピッチが異なる少なくとも２対のセグメント化周期構造を設計する方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、更に、所与デバイスピッチに対応するよう細ピッチを選定する方法。
【請求項１８】
コンピュータ可読プログラムを体現する非一時的コンピュータ可読格納媒体を備え、そのコンピュータ可読プログラムが、請求項１１〜１７のうち何れか一項に記載の方法を実行するよう構成されているコンピュータプログラム製品。
【請求項１９】
請求項１８に記載のコンピュータプログラム製品を備える計量モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体計量分野に関し、より具体的には非対称収差の推定及び低減に関する。
【背景技術】
【０００２】
計量計測では様々な計量指標、例えばターゲット層間オーバレイを計測するため、広範なターゲットが利用されている。様々な収差が、半導体デバイスの印刷正確性及びそれら計量ターゲットの計測正確性に影響する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第９４７６８３８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、フォトリソグラフィプロセス又はシステムにおける非対称収差の効果を推定するための効率的且つ経済的な方法及び機構を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以下の簡略な概要では本発明についての初期的理解を図っている。本概要は、本発明の根幹要素を必ずしも特定せず技術的範囲も限定しないが、専ら後続する記述への序章としては役立つものである。
【０００６】
本発明の一態様にて提供される計量ターゲットは、同じ粗ピッチ、１：１なる同じライン対スペース（Ｌ：Ｓ）比を有し且つ同じ細ピッチにて細要素へとセグメント化されている少なくとも２個のセグメント化周期構造を備え、それに対応する細要素のうち少なくとも１個をそれらセグメント化周期構造のうち１個にて欠落させた点で、及び／又は、細ピッチの整数倍分だけ互いに分離された２個の細要素群がそれらセグメント化周期構造のうち１個に備わる点で、それらセグメント化周期構造同士が異なるものである。
【０００７】
本発明のこれらの、付加的な及び／又はその他の諸態様及び／又は長所については、後続する詳細記述中で説明され、恐らくはその詳細記述から推量可能であり、及び／又は、本発明の実施により学習可能である。
【０００８】
本発明の諸実施形態についてより良好な理解を図りそれをどう実施すればよいかを示すため、以下、全体を通じ対応諸要素又は諸部分に同様の符号が付されている添付図面を、純粋に例示の手法により、参照することにする。
【０００９】
添付図面は以下の通りである。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の幾つかの実施形態に係る計量ターゲット又はその諸部分の上位模式図である。
【図２】本発明の幾つかの実施形態に係る計量ターゲット又はその諸部分の上位模式図である。
【図３】本発明の幾つかの実施形態に係る計量ターゲットの上位模式図である。
【図４Ａ】本発明の幾つかの実施形態に係る要素欠落を伴うセグメント化周期構造の上位模式図である。
【図４Ｂ】本発明の幾つかの実施形態に係る要素欠落を伴わないセグメント化周期構造の上位模式図である。
【図５】本発明の幾つかの実施形態に係る方法を描いた上位フローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下の記述では本発明の様々な態様が述べられている。説明目的にて具体的な構成及び細部を説明し本発明の一貫理解を図っている。とはいえ、本件技術分野に習熟した者（いわゆる当業者）にはやはり明らかな通り、本発明を本願提示の具体的細部抜きで実施してもよい。更に、本発明を曖昧化させないため周知特徴を省略又は単純化したところがある。図面への具体的参照との関連では、図示事項が例示であり専ら本発明についての例証的議論を目的としていること、並びにそれらの提示理由が本発明の諸原理及び概念的諸側面についての最有用且つ理解容易な記述と思しきものの提供であることを、強調しておく。その関連で、本発明の基礎的理解に必要な以上に詳細に本発明の構造的細部を示す試みはせず、本明細書を図面と併用することで、本発明の幾つかの形態をどのように実施すればよいかをいわゆる当業者向けに明らかにしている。
【００１２】
本発明の少なくとも１個の実施形態を詳説するのに先立ち、後掲の記述中で説明され又は図面中に描出されている諸部材の構成及び配置の子細により本発明の用途が限定されない。本発明は、様々なやり方で実施又は実行されうる他の諸実施形態にも開示諸実施形態の組合せにも適用することができる。本願にて採用されている表現法及び用語法は記述目的のものであり、限定として解されるべきではない。
【００１３】
別様な具体的説明がない限り、後掲の議論から理解される通り、明細書の随所にあり「処理」、「計算」、「算出」、「判別」、「拡張」、「導出」等の語を利用している具体的議論は皆、コンピュータ若しくは情報処理システム又はそれに類する電子情報処理装置の動作及び／又はプロセスであり、その情報処理システムのレジスタ及び／又はメモリ内で物理量例えば電子量として表現されているデータを操作し、及び／又は、その情報処理システムのメモリ、レジスタその他の情報格納、伝送又は表示装置内で物理量として同様に表現される他のデータへと変換するもののことを、指すものと認められる。ある種の実施形態によれば、照明テクノロジを、可視域内電磁輻射、紫外線或いは更に短波長の輻射例えばＸ線により、恐らくは粒子ビームによってさえも、構成することができる。
【００１４】
本発明の諸実施形態は、フォトリソグラフィプロセス又はシステムにおける非対称収差の効果を推定するための効率的且つ経済的な方法及び機構を提供することで、半導体計量の技術分野に改善をもたらすものである。計量ターゲット、ターゲット設計方法及び計量計測方法であり、計量オーバレイ推定とは独立に又はそれと併せ非対称収差の効果を推定するものを提供する。ターゲットは、同じ粗ピッチ、１：１なる同じライン対スペース比を有し且つ同じ細ピッチにて細要素へとセグメント化されている一対又は複数対のセグメント化周期構造を備えるものとし、それらセグメント化周期構造が、それに対応する細要素のうち少なくとも１個をそれらセグメント化周期構造のうち１個にて欠落させている点で、及び／又は、細ピッチの整数倍分だけ互いに分離された２個の細要素群がそれらセグメント化周期構造のうち１個に備わる点で、互いに異なるものとする。（複数の）要素欠落個所及び／又は中央間隙があるので、対応するセグメント化周期構造の計測結果から収差効果の推定結果を導出することができる。細ピッチは、対応する層におけるデバイス細ピッチに対応するよう選定すればよい。
【００１５】
図１及び図２は、本発明の幾つかの実施形態に係る計量ターゲット１００又はその諸部分の上位模式図である。図１には２個のターゲットセル及び対応する周期構造１００Ａ，１００Ｂが模式的に描かれており、これらは独立なターゲット１００として用いることも、より精巧なデザインを有するターゲット１００、例えば図２にて模式的に描かれているそれの一部分としても用いることができる。図２に模式的に描かれているターゲット１００は、計測方向が二通りありセルを複数対有するものであり、そのセルには、対応する周期構造１００Ａ，１００Ｂが各計測方向に沿い備わるほか、後に説明する通り付加的周期構造９０が備わっている。
【００１６】
計量ターゲット１００は少なくとも２個のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂを備えており、それらは同じ粗ピッチ（図１にて要素１１０に関しＰｃｏａｒｓｅと表記）、１：１なる同じライン対スペース比（Ｌ：Ｓ，要素１１０の寸法及びそれらの間のスペース１１５に関連）を有していて、ある同じ細ピッチ（図１にてＰｆｉｎｅと表記）にて細要素１２０へとセグメント化されている。セグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂは、それらのうち一方（図１では１００Ｂ）が、自身に対応する細要素のうち少なくとも１個を、図１にて要素欠落として模式的に表記されている通り欠いていて、それにより間隙１２５が形成されていることで、互いに異なっている。発明者が見出したところによれば、中央の要素を１個又は複数個欠落させて間隙１２５にすると、スキャナ非対称収差に対する１次高調波シフト計測結果の感度が増強される。間隙１２５、例えばその脇にあるライン（細要素１２０）の中心間を計測したそれを、細ピッチ複数個分とすることができる。本件開示のターゲット１００、具体的にはセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂを用いることで、ターゲットセル毎にＰＰＥ（パターン配置誤差）の推定を行うことができ、且つオーバレイ計測結果の補正や恐らくは収差振幅の推定を（例えばその全容が参照により本願に繰り入れられるところの米国特許出願第１５／７７６５８８号にて開示されている導出法を用い）行うことが可能となる。
【００１７】
例えば、（複数の）細要素欠落個所１２５を、対応する周期構造１００Ｂの要素に対し中央に所在させることができる。発明者が注目したのは、それら中央要素がターゲットコントラストに対し主たる影響を及ぼすのに対し、（各要素の側部にて）端部の要素が主ＣＤ変動影響に寄与することである。従って、中央要素無しのターゲットは、スキャナ収差や通常ターゲット要素１００Ａ・校正ターゲット１００Ｂ間格子位置シフトに対してより敏感となり、スキャナ収差により引き起こされた誤差に関する誤差補正に役立つ。セグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂは、マスク上に（印刷されない）支援フィーチャ（外形特徴）があるため同様のＣＤ変動値を呈するけれどもその通常ターゲット部に限ってはスキャナ瞳内に同様の光分布がもたらされるよう、構成することができる。それと同じ理由（スキャナ瞳における同様な光分布）故に、そのターゲットデザインのもととなる細ピッチを、補正後のターゲット位置がデバイス位置に極力近づくようやはりデバイスピッチに等しくすべきである。
【００１８】
ある種の実施形態によれば、同じ細ピッチ（Ｐｆｉｎｅ）にてセグメント化され且つＰｆｉｎｅのちょうど倍数（整数倍）だけ相互分離されており、２個（恐らくはより多数）の群１２２をなす細要素１２０を、セグメント化周期構造１００Ｂに具備させることができる；例えば、間隙１２５から偶数本のライン（細要素１２０）を欠落させた場合はＰｆｉｎｅの奇数倍、間隙１２５から奇数本のライン（細要素１２０）を欠落させた場合はＰｆｉｎｅの偶数倍だけ、細要素を相互分離させる。
【００１９】
諸実施形態では、本件開示のターゲット１００が、そのデザインが例えばそれらの細ピッチの面でデバイスデザインに近く、非対称収差に対し敏感なものとされる。本件開示のデザインは、通常のオーバレイターゲットの一部分とすることも、別個なターゲットとして設計することもできる。スキャナ非対称収差に対する信号シフト計測結果の感度が異なる２個以上のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂ（例．格子）を同じ層内に同時配置し用いることで、非対称収差がデバイスに及ぼす効果の推定結果を提供することができる。具体的には、発明者が見出したところによれば、１：１なるライン対スペース比を用いることで、像（撮像ツールを用い集められた信号）の１次高調波のシフトの感度が増強される。特殊なＯＰＣ（光学近接補正）戦略（例えばこの参照によりその全容が本願に繰り入れられるところの米国特許出願第１５／７７６５８８号にて開示されているそれ）を適用することでも、ターゲット１００のマスクデザインの収差感度を増強することができる。
【００２０】
少なくとも２個のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂ、なるものは、図１に模式的に描かれている一対のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂで構成することも、１個又は複数個の細要素が異なり及び／又はそれに備わる細要素１２０の構成若しくは配列が異なる二対以上のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂで構成することもできる。ある種の実施形態によれば、セグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂのうち一方から１個又は複数個の中央要素を除去することで、もたらされるセグメント化構造の中心対称性を保つと共に、間隙１２５の幅を細ピッチの整数倍にすることができる。
【００２１】
諸実施形態によれば、１個又は複数個の細要素によりセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂ間に差異を付けること、例えば一方の構造にて中央の細要素を欠落させること、２個以上の細要素を欠落させること、或いは細要素欠落個所１２５の在処をセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂ間で異ならせること、例えば要素欠落個所１２５をそれら構造のうち一方では中央、他構造では側方寄りとすることができる。ある種の実施形態によれば、本願開示の一対又は複数対のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂを、三つ組（ことによると四つ組或いは５個以上の群）をなすセグメント化周期構造により置き換えることができる；各三つ組その他の群の成員たるセグメント化周期構造間では、粗ピッチを全て同じにし、Ｌ：Ｓ比を全て同じ１：１とし、細要素１２０へとセグメント化する際の細ピッチを全て同じ細ピッチとし、また要素欠落個所即ち間隙１２５を異ならせる。
【００２２】
諸実施形態によれば、複数個のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂをターゲット１００の一部分とすることができる；例えば、３個、４個又はより多数のセグメント化周期構造にて細ピッチを異ならせること（例．二対のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂにて細ピッチを異ならせること）、及び／又は、要素群１１０内の異なる位置に要素欠落個所即ち間隙１２５を設け（例．要素群の中央又は脇にし）若しくは要素欠落個所即ち間隙１２５の個数を異ならせること、例えば個別のセグメント化周期構造１００Ｂから要素を１個、２個又は３個欠落させることができる。
【００２３】
例えば、相異なるピッチ例えば９０ｎｍ及び１３０ｎｍが設計上同じデバイス層内にある場合、計量ターゲット１００に、Ｐｆｉｎｅ＝１３０ｎｍなる一対のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂと、Ｐｆｉｎｅ＝９０ｎｍなる別対のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂとを具備させることで、両ピッチに関し収差推定結果を提供することができる。ある種の実施形態によれば、ターゲット１００に、そのデバイスデザインにて用いられる細ピッチ毎に少なくとも一対のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂを、一層又は複数層、ことによると全層に亘り具備させることができる。
【００２４】
図２に描かれている例では、それぞれ内寄り，中葉にある周期構造９０，１００Ａが通常オーバレイ計測に用いられ、中葉，外寄りにある周期構造１００Ａ，１００Ｂが本願開示の収差推定に用いられる。
【００２５】
ある種の実施形態によれば、ターゲット１００に備わるセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂの対の個数を、相異なる非対称収差源（所与のリソグラフィ用スキャナシステム及び／又は関連するフォトリソグラフィプロセスにて顕著なことが判明しているもの）の個数と同程度にすることで、全収差コンテンツを回復させることができる。後者の方が利用可能ターゲット資産よりも多い場合は、一組の非対称収差がもたらされるよう、ターゲット１００内セグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂの対を選定し用いることで、それらターゲットにて用いられた個別的なピッチに係る既存収差を補償することができる；実デバイスに対する収差の影響に相当する非対称収差の推定結果が得られるので、実際のフル非対称収差コンテンツの厳密推定無しで有効な補償を行うことができる。ある種の実施形態によれば、従って、ターゲット１００に備わるセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂの対の個数を、そのデバイスデザイン内の相異なるピッチの個数（例．層毎）と同程度とすることができる。
【００２６】
計量ターゲット１００の計測は、様々な顕微テクノロジ例えば計量撮像テクノロジにより実行することができ、且つシミュレーション又は初期計測適用による学習段階を含むもの、恐らくは生産ラインでの実施に先立ちその学習段階にて機械学習アルゴリズムが実施されるものとすることができる。
【００２７】
図３は、本発明の幾つかの実施形態に係る計量ターゲット１００の上位模式図である。この模式例にて描かれているターゲット１００は、対をなす周期構造（９５Ａ，９５Ｂと表記）を同じ層内又は二層内にて二通りの計測方向（Ｘ及びＹと表記）に沿い有しており、オーバレイその他の計量指標を層９５Ａ，９５Ｂ及び計測方向Ｘ，Ｙとの関連で推定しうるよう構成されている。周期構造９５Ａ，９５Ｂを、本件開示のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂとして設計し一層内に設けてもよいし、どちらかの周期構造９５Ａ，９５Ｂを、本件開示の２個以上のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂでありオーバレイ推定に加え非対称収差推定を行えるよう構成されているものにより置換又は補強してもよい。非対称収差の影響の監視及び補正は、計測方向Ｘ，Ｙに別れている既説のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂにより行うことができる。
【００２８】
ある種の実施形態によれば、（複数の）訓練段階を用い、本件開示のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂの計測結果を１個又は複数個の相異なる非対称収差源に（例．大きな収差が誘起されている１枚又は２枚のウェハを用い）関連付けることができる。ある種の実施形態によれば、非対称収差源の詳細分析を、例えば、参照によりその全容が本願に繰り入れられるところの米国特許出願第１５／２８７３８８号にて開示されているゼルニケ多項式を用いること、複数個のターゲット１００であり、恐らくはそれらのセグメント化要素の存否１２０，１２５がそれぞれ異なる複数対又は複数個のセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂを有するそれらを用いること、並びに恐らくは精巧なシミュレーション（例．メタダイナミクス及び／又はフル電磁シミュレーション）を用いることで、実行することができる。
【００２９】
図４Ａ及び図４Ｂは、順に、本発明の幾つかの実施形態に係る要素欠落個所１２５が有り又は無いセグメント化周期構造１００Ｂ，９２の上位模式図である。描かれているセグメント化周期構造１００Ｂ，９２はマスクを対象にして設計されたもの及びウェハ上に印刷されたものであり、非対称収差の非限定的な例たるコマ収差は１０ｍλである。（要素欠落個所１２５が無い）セグメント化周期構造９２に対する非対称収差の効果がＣＤ（限界寸法）及びＰＰＥ（パターン配置誤差）値により示されており、ΔＣＤ＝０．５ｎｍ、位置ずれ計測結果＝０．７ｎｍとなっている。要素欠落個所１２５が有るセグメント化周期構造９２に対する非対称収差の効果はかなり増強されており、図示例ではΔＣＤ＝３．８ｎｍ、位置ずれ計測結果＝８．１５ｎｍに達している。こうした増強を用い、非対称収差の高感度推定結果を提供することができる。
【００３０】
図５は、本発明の幾つかの実施形態に係る方法２００を描いた上位フローチャートである。本方法の諸段階は、上述の計量ターゲット１００との関連で実行することができ、付随的には方法２００を実施しうるようその計量ターゲットを構成することができる。方法２００は、少なくとも１個のコンピュータプロセッサ、例えば計量モジュール内のそれにより少なくとも部分的に実施することができる。ある種の実施形態には、コンピュータ可読格納媒体を有するコンピュータプログラム製品であり、そのコンピュータ可読格納媒体により体現されるコンピュータ可読プログラムが方法２００の関連諸段階を実行するよう構成されているものが、備わる。ある種の実施形態には、方法２００の諸実施形態により設計された個別ターゲットのターゲット設計ファイルが備わり、またターゲット１００の計量計測及び／又は方法２００の諸段階を用い実行される計量計測が含まれる。方法２００は、その順序如何を問わず、後掲の諸段階で構成することができる。
【００３１】
方法２００では、同じ粗ピッチ、１：１なる同じライン対スペース（Ｌ：Ｓ）比を有し且つ同じ細ピッチにて細要素へとセグメント化されている少なくとも２個のセグメント化周期構造を備えるものとなるよう、計量ターゲットを設計し（段階２１０）、それらセグメント化周期構造を、それらのセグメント構成の面で（段階２１２）、及び／又は、整数個の細ピッチにより互いに分離された２個の細要素群がそれらセグメント化周期構造のうち１個に備わる点で、異なるように構成する；例えば、それに対応する細要素のうち少なくとも１個を欠落させることで（段階２１４）、例えば（複数の）細要素欠落個所をそれに対応する周期構造の対応する諸要素に対し中央に設けてもよい。方法２００にて、対毎に細ピッチが異なるよう少なくとも２対のセグメント化周期構造を設計してもよい（段階２１６）。
【００３２】
方法２００にて、更に、設計された計量ターゲットを作成及び使用することで、前記少なくとも２個のセグメント化周期構造の計測結果から収差推定結果を導出することができる（段階２２０）。ある種の実施形態によれば、更に、（複数の）学習段階を適用すること例えば（複数の）シミュレーション又は（複数の）実計測を用いることで、例えば、初期近似を行い又は機械学習アルゴリズムを実施して収差推定結果の導出を補強することができる（段階２２２）。
【００３３】
幾つかの実施形態によれば、方法２００にて、更に、少なくとも１個の周期構造を前記少なくとも２個のセグメント化周期構造に追加すること（段階２３０）、並びにそれらセグメント化周期構造のうち少なくとも１個に関しその計測結果からオーバレイ推定結果がもたらされるよう当該少なくとも１個の周期構造を構成することができる（段階２３２）。
【００３４】
方法２００では、更に、所与デバイスピッチ（群）に対応するよう細ピッチを選定することができ、セグメント化周期構造が複数対ある場合は選定される細ピッチを複数にすることができる（段階２４０）。
【００３５】
ある種の実施形態によれば、同じ粗ピッチ、１：１なるＬ：Ｓ比及び同じ細ピッチを有し（複数の）要素欠落個所即ち（複数の）間隙１２５が互いに異なるセグメント化周期構造１００Ａ，１００Ｂを、参照によりその全容が本願に繰り入れられるところの米国特許出願第１５／７７６５８８号にて開示されているターゲット構造を用い実施することができる；同出願では、ターゲットのマスクデザイン内の（複数個の）周期構造に連なりそれと同じ周期にて副分解支援フィーチャ群を追加すること、並びにそれら副分解支援フィーチャのＣＤを対応する印刷適性閾値より小さくすることを教示している。本願開示のターゲットデザインを本件開示の文脈に沿い用いることで、スキャナ非対称収差についての計測結果を提供することができる。
【００３６】
開示されている諸実施形態では、オーバレイ誤差バジェットに対する非対称スキャナ収差の顕著な影響を取り扱うソリューションが提供される。異なる構造に対する非対称収差の効果が異なりうるため、印刷されたターゲットのパターン配置シフトが異なりうることで、従来技術におけるそれらの計測（例．スキャナ＼ターゲットについて複雑な校正手順を用いるそれ）が込み入ったものになっていた；これは、参照によりその全容が本願に繰り入れられるところの米国特許出願第１５／７７６５８８号で論ぜられている通り、それらが収差によるデバイスシフト及びデバイスデザインに係る計量ターゲットシフト間差異の双方に関連しているためである。
【００３７】
開示されている諸実施形態では、（デバイスに影響したのと同じ収差により影響されるよう）デバイスピッチと同じセグメント化ピッチを有する反面で、収差の効果及びオーバレイ計測へのその影響の推定を行う付加的機構を有するターゲット構造を用い、非対称収差を推定する、より単純なソリューションが提供される。具体的には、本件開示の諸実施形態では非対称収差影響の撮像依拠推定を行うことができ、具体的にはそれを、カスタマ別周期構造、オンプロダクトスキャナ収差影響計測手順、スキャナ非対称収差に対し高度に感応的なターゲット、オーバレイ及び収差を同時に計測できるターゲット、並びにデバイスデザイン毎に収差等価量の計測結果を提供するターゲット及び計測方法として設計することができる。
【００３８】
以上、本発明の諸実施形態に係る方法、装置（システム）及びコンピュータプログラム製品のフローチャート描写及び／又は部分図を参照して本発明の諸態様を述べてきた。ご理解頂けるように、それらフローチャート描写及び／又は部分図の各部分、並びにそれらフローチャート描写及び／又は部分図の諸部分の組合せを、コンピュータプログラム命令群により実施・実現することができる。それらコンピュータプログラム命令を汎用コンピュータ、専用コンピュータその他、プログラマブルデータ処理装置のプロセッサに供給してマシンを構築すること、ひいてはコンピュータその他のプログラマブルデータ処理装置のプロセッサによりそれらの命令を実行することで、そのフローチャート及び／又は部分図若しくはその諸部分にて特定されている諸機能／諸動作を実施・実現する手段を、生み出すことができる。
【００３９】
それらコンピュータプログラム命令は、また、そこからコンピュータその他のプログラマブルデータ処理装置或いはその他の装置に指令して特定要領で機能させることができるコンピュータ可読媒体内に格納できるので、それら命令群をコンピュータ可読媒体内に格納することで、フローチャート及び／又は部分図若しくはその諸部分にて特定されている機能／動作を実施・実現する命令群が組み込まれた製品を、生産することができる。
【００４０】
それらコンピュータプログラム命令を、コンピュータその他のプログラマブルデータ処理装置或いはその他の装置上にロードし、そのコンピュータその他のプログラマブルデータ処理装置或いはその他の装置上で一連の動作ステップを実行させることでコンピュータ実施プロセスをもたらすことができ、ひいてはそのコンピュータその他のプログラマブル装置上で実行される命令群により、そのフローチャート及び／又は部分図若しくはその諸部分にて特定される諸機能／諸動作を実現するためのプロセスを提供することもできる。
【００４１】
上掲のフローチャート及び図面には、本発明の諸実施形態に係るシステム、方法及びコンピュータプログラム製品の潜在的諸実現形態のアーキテクチャ、機能及び動作が描かれている。その関係で、そのフローチャート又は部分図の各部分にて、特定されている論理機能（群）を実現するための可実行命令１個又は複数個で構成されたコードのモジュール、セグメント又は部分が表されていることがある。これも注記すべきことに、幾つかの代替的実現形態によれば、その部分に記されている諸機能を、図中に記されている順序とは異なる順序で生起させることができる。例えば、相連続する態で示されている二部分が、実際にはほぼ同時に実行されることも、それらの部分がときとして逆の順序で実行されることもあり、これは関わる機能により左右される。やはり注記されることに、それら部分図及び／又はフローチャート描写の各部分、並びにそれら部分図及び／又はフローチャート描写中の諸部分の組合せを、指定されている諸機能又は諸動作を実行する専用ハードウェアベースのシステムでも、専用ハードウェアとコンピュータ命令との組合せでも、実施・実現することができる。
【００４２】
上掲の記述における実施形態は本発明の一例又は実現形態である。「ある実施形態」、「一実施形態」、「ある種の実施形態」又は「幾つかの実施形態」なる様々な表現が、必ずしも全て同じ実施形態を指すわけではない。本発明の様々な特徴がある単一の実施形態の文脈に沿い述べられもしているが、それらの特徴が個別に提供されることも何らかの好適な組合せで提供されることもありうる。逆に、本願では本発明が明瞭化のため個々別々の実施形態の文脈に沿い述べられもしているが、その発明が単一実施形態の態で実施されることもありうる。本発明のある種の実施形態が先に開示した別の諸実施形態に由来する諸特徴を含んでいてもよいし、先に開示した他の諸実施形態からある種の実施形態へと諸要素を取り入れてもよい。本発明の諸要素がある特定の実施形態の文脈に沿い開示されていることを以て、それらの用途がその特定実施形態のみに限定されるものと解すべきではない。更に、本発明は様々なやり方で実行又は実施することができ、また本発明は上掲の記述にて概括されたものとは異なる何らかの実施形態にて実現することもできる。
【００４３】
本発明はそれらの図面や対応する記述により限定されない。例えば、図示されているボックス又は状態それぞれをフローが通り抜ける必要はないし、図示及び記述されているそれと厳密に同じ順序で通り抜ける必要もない。本願にて用いられている技術用語及び科学用語の意味は、別様に定義されているのでない限り、本発明が属する分野でいわゆる当業者が理解する通り通例に従い理解されるべきである。ある有限個数の実施形態を基準にして本発明を述べてきたが、それらを本発明の技術的範囲に対する限定事項として解すべきではなく、寧ろ好適な諸実施形態のうち幾つかの例示として解すべきである。他の潜在的な変形、修正及び応用もまた本発明の技術的範囲内とする。従って、本発明の技術的範囲は、これまでに述べられたものではなく、別項の特許請求の範囲及びその法的等価物により限定されるものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【手続補正書】
【提出日】令和3年10月22日(2021.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じ粗ピッチ、１：１なる同じライン対スペース（Ｌ：Ｓ）比を有し且つ同じ細ピッチにて細要素へとセグメント化されている、少なくとも２個のセグメント化周期構造を備え、同じＬ：Ｓ比を維持しながらそれらセグメント化周期構造のうち１個にて、それに対応する細要素のうち少なくとも１個を欠落させた点で、或いは同じＬ：Ｓ比を維持しながら細ピッチの整数倍分だけ互いに分離された２個の細要素群がそれらセグメント化周期構造のうち１個に備わる点で、セグメント化周期構造同士が異なる計量ターゲット。
【請求項２】
請求項１に記載の計量ターゲットであって、
前記細ピッチの整数倍分だけ互いに分離された２個の細要素群がそれらセグメント化周期構造のうち１個に備わる点で、セグメント化周期構造同士が異なる計量ターゲット。
【請求項３】
請求項１に記載の計量ターゲットであって、前記セグメント化周期構造が同じターゲット層内にある計量ターゲット。
【請求項４】
請求項１に記載の計量ターゲットであって、前記セグメント化周期構造が、各対の細ピッチが異なる少なくとも２対のセグメント化周期構造を含む計量ターゲット。
【請求項５】
請求項４に記載の計量ターゲットであって、前記セグメント化周期構造の対の個数が、関連するフォトリソグラフィプロセスにおける特定済非対称収差源の個数と等しくなるよう選定されている計量ターゲット。
【請求項６】
請求項４に記載の計量ターゲットであって、前記セグメント化周期構造の対の個数が、所与デバイスデザインにおけるデバイスピッチの個数と等しくなるよう選定されている計量ターゲット。
【請求項７】
請求項１に記載の計量ターゲットであって、更に、前記セグメント化周期構造のうち少なくとも１個に関しオーバレイ計測結果がもたらされるよう構成された少なくとも１個の周期構造を備える計量ターゲット。
【請求項８】
コンピュータプログラム製品であって、コンピュータ可読プログラムを体現する非一時的コンピュータ可読格納媒体を備え、前記コンピュータ可読プログラムは、請求項１に記載の計量ターゲットのターゲット設計ファイルを含む、コンピュータプログラム製品。
【請求項９】
請求項１に記載の計量ターゲットであって、セグメント化周期構造のうち１個にて、それに対応する細要素のうち少なくとも１個を欠落させた点で、セグメント化周期構造同士が異なる計量ターゲット。
【請求項１０】
請求項９に記載の計量ターゲットであって、少なくとも１個の細要素の欠落が対応する周期構造の諸要素に対し中央でのものである計量ターゲット。
【請求項１１】
同じ粗ピッチ、１：１なる同じライン対スペース（Ｌ：Ｓ）比を有し且つ同じ細ピッチにて細要素へとセグメント化されている少なくとも２個のセグメント化周期構造を備えるものとなるよう、計量ターゲットを設計し、且つ
同じＬ：Ｓ比を維持しながらそれらセグメント化周期構造のうち１個にてそれに対応する細要素のうち少なくとも１個を欠落させた点で、或いは同じＬ：Ｓ比を維持しながら細ピッチの整数倍分だけ互いに分離された２個の細要素群がそれらセグメント化周期構造のうち１個に備わる点で、セグメント化周期構造同士が異なるものとなるようそれらセグメント化周期構造を構成し、
前記設計及び／又は前記構成を少なくとも１個のコンピュータプロセッサにより実行する方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、前記セグメント化周期構造のうち１個にてそれに対応する細要素のうち少なくとも１個を欠落させた点でセグメント化周期構造同士が異なるものとし、前記少なくとも１個の細要素の欠落が対応する周期構造の諸要素に対し中央でのものである方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、更に、設計された計量ターゲットを生産及び使用することで、前記少なくとも２個のセグメント化周期構造の計測結果から収差推定結果を導出する方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の方法であって、更に、前記少なくとも２個のセグメント化周期構造に少なくとも１個の周期構造を追加し、且つ、それらセグメント化周期構造のうち少なくとも１個に関しそれらの計測結果からオーバレイ推定結果をもたらすよう当該少なくとも１個の周期構造を構成する方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の方法であって、更に、所与デバイスピッチに対応するよう細ピッチを選定する方法。
【請求項１６】
請求項１１に記載の方法であって、更に、各対の細ピッチが異なる少なくとも２対のセグメント化周期構造を設計する方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、更に、所与デバイスピッチに対応するよう細ピッチを選定する方法。
【請求項１８】
コンピュータ可読プログラムを体現する非一時的コンピュータ可読格納媒体を備え、そのコンピュータ可読プログラムが、請求項１１に記載の方法を実行するよう構成されているコンピュータプログラム製品。
【請求項１９】
請求項１８に記載のコンピュータプログラム製品を備える計量モジュール。
【請求項２０】
請求項１１に記載の方法であって、前記細ピッチの整数倍分だけ互いに分離された２個の細要素群がそれらセグメント化周期構造のうち１個に備わる点で、セグメント化周期構造同士が異なるものとなる方法。
【国際調査報告】
2021535445.tif 000009
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