(57)【要約】本発明は、ナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に関するものであって、そのナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法は、ナノフロンからなる第１ナノフロン層の上部に第１絶縁層を位置させる段階；第１絶縁層上に第１導電層を形成する段階；第１導電層をエッチングして信号を送受信する第１パターンを形成する段階；及び第１ナノフロン層の下部と第１接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階；を含み、ナノフロンは、液相の樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造の物質である。本発明によれば、樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造物質を伝送線路の誘電体として使用することにより、伝送線路の誘電体の誘電率が小さく、誘電率が低い状態で損失タンジェント値を減らしうる。また、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路は、５世代移動通信（５Ｇ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）で使われる３．５ＧＨｚ及び２８ＧＨｚ帯域の超高周波信号の伝送損失を減らすための低損失平面ケーブルとして使われる。
2021535700.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノフロンからなる第１ナノフロン層の上部に第１絶縁層を位置させる段階と、
前記第１絶縁層上に第１導電層を形成する段階と、
前記第１導電層をエッチングして信号を送受信する第１パターンを形成する段階と、
前記第１ナノフロン層の下部と第１接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階と、を含み、
前記ナノフロンは、液相の樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造の物質である、電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
【請求項２】
第１絶縁層上に第１導電層を形成する段階と、
ナノフロンからなる第１ナノフロン層の上部に前記第１絶縁層を位置させる段階と、
前記第１導電層をエッチングして信号を送受信する第１パターンを形成する段階と、
前記第１ナノフロン層の下部に第１接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階と、を含み、
前記ナノフロンは、液相の樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造の物質である、電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
【請求項３】
前記第１パターン形成段階は、
前記第１導電層をエッチングして接地線及び信号線を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
【請求項４】
前記第１絶縁層上に形成された第１パターンと前記エッチングによって露出された第１絶縁層上に第２ナノフロン層を位置させる段階と、
前記第２ナノフロン層上に第２接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階と、
をさらに含む、請求項１または２に記載の電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
【請求項５】
前記第１絶縁層上に形成された第１パターンと前記エッチングによって露出された第１絶縁層に第２ナノフロン層を位置させる段階と、
前記第２ナノフロン層上に第２接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階と、
前記第２接地（ＧＮＤ）層上に第３ナノプローン層を位置させる段階と、
前記第３ナノフロン層上に第２絶縁層を位置させる段階と、
前記第２絶縁層上に第２導電層を形成する段階と、
前記第２導電層をエッチングして信号を送受信する第２パターンを形成する段階と、
をさらに含む、請求項１または２に記載の電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
【請求項６】
前記第２パターン形成段階は、
前記第２導電層をエッチングして伝送信号線及び接地（ＧＮＤ）端子を形成することを特徴とする請求項５に記載の電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
【請求項７】
前記第２絶縁層上に形成された第２パターンと前記エッチングによって露出された第２絶縁層上に第４ナノフロン層を位置させる段階と、
前記第４ナノフロン層上に第３接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階と、
をさらに含む、請求項５に記載の電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
【請求項８】
前記位置させることは、
接着テープ、粘着剤または接着テープに熱を加えた熱接着によって接着されることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項４、請求項５及び請求項７のうち何れか一項に記載の電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、伝送線路に係り、特に、液相の樹脂を高圧で電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
超高周波信号を少ない損失で伝送または処理するためには、低損失及び高性能の伝送線路が必要である。一般的に、伝送線路での損失は、大きく金属による導電体損失と誘電体による誘電体損失とに区分される。特に、誘電体による損失は、誘電体の誘電率が高いほど大きくなり、抵抗が大きいほど電力損失が大きくなる。
したがって、超高周波信号伝送のための低損失及び高性能の伝送線路を製造するためには、誘電率（ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ）が小さく、損失タンジェント（ｌｏｓｓ  ｔａｎｇｅｎｔ）値が小さな物質を使用することが必要である。特に、５世代移動通信（５Ｇ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）で使われる３．５ＧＨｚ及び２８ＧＨｚ帯域の周波数を有する信号を効率的に伝送するためには、超高周波帯域でも損失が小さな伝送線路の重要性はさらに大きくなっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明が解決しようとする課題は、前述した低損失及び高性能の伝送線路に対する必要性を満たすために創出されたものであって、誘電体による伝送線路の損失を減らすために、誘電率が小さく、誘電率が低い状態で損失タンジェント値を減らしうる電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
前記技術的課題を果たすための本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法は、ナノフロンからなる第１ナノフロン層の上部に第１絶縁層を位置させる段階；前記第１絶縁層上に第１導電層を形成する段階；前記第１導電層をエッチングして信号を送受信する第１パターンを形成する段階；及び前記第１ナノフロン層の下部と第１接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階；を含み、前記ナノフロンは、液相の樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造の物質である。
前記技術的課題を果たすための本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法は、第１絶縁層上に第１導電層を形成する段階；ナノフロンからなる第１ナノフロン層の上部に前記第１絶縁層を位置させる段階；前記第１導電層をエッチングして信号を送受信する第１パターンを形成する段階；及び前記第１ナノフロン層の下部に第１接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階；を含み、前記ナノフロンは、液相の樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造の物質である。
前記第１パターン形成段階は、前記第１導電層をエッチングして接地線及び信号線を形成することを特徴とする。
【０００５】
本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法は、前記第１絶縁層上に形成された第１パターンと前記エッチングによって露出された第１絶縁層上に第２ナノフロン層を位置させる段階；及び前記第２ナノフロン層上に第２接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階；をさらに含む。
本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法は、前記第１絶縁層上に形成された第１パターンと前記エッチングによって露出された第１絶縁層に第２ナノフロン層を位置させる段階；前記第２ナノフロン層上に第２接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階；前記第２接地（ＧＮＤ）層上に第３ナノプローン層を位置させる段階；前記第３ナノフロン層上に第２絶縁層を位置させる段階：前記第２絶縁層上に第２導電層を形成する段階；及び前記第２導電層をエッチングして信号を送受信する第２パターンを形成する段階；をさらに含む。
前記第２パターン形成段階は、前記第２導電層をエッチングして伝送信号線及び接地（ＧＮＤ）端子を形成することを特徴とする。
【０００６】
本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法は、前記第２絶縁層上に形成された第２パターンと前記エッチングによって露出された第２絶縁層上に第４ナノフロン層を位置させる段階；及び前記第４ナノフロン層上に第３接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階；をさらに含む。
前記位置させることは、接着テープ、粘着剤または接着テープに熱を加えた熱接着によって接着されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法によれば、樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造物質を伝送線路の誘電体として使用することにより、伝送線路の誘電体の誘電率が小さく、誘電率が低い状態で損失タンジェント値を減らしうる。
特に、本発明の伝送線路の製造方法による伝送線路は、５世代移動通信（５Ｇ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）で使われる３．５ＧＨｚ及び２８ＧＨｚ帯域の超高周波信号の伝送損失を減らすための低損失平面ケーブル（ｆｌａｔ  ｃａｂｌｅ）として使われる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】電界紡糸を通じてナノフロンを製造する装置の一例を示した図面である。
【図２】ストリップライン伝送線路に係わる一例を示した図面である。
【図３】本発明の伝送線路の製造方法による伝送線路に係わる第１実施形態の断面図である。
【図４】本発明の伝送線路の製造方法による第１ナノフロン層との接着を示す伝送線路の断面を示した図面である。
【図５】本発明の伝送線路の製造方法による伝送線路に係わる第２実施形態の断面図である。
【図６】本発明の伝送線路の製造方法による伝送線路に係わる第３実施形態の断面図である。
【図７】本発明の伝送線路の製造方法による第２ナノフロン層６１０との接着を示す伝送線路の断面を示した図面である。
【図８】本発明の伝送線路の製造方法による伝送線路に係わる第４実施形態の断面図である。
【図９】本発明の伝送線路の製造方法による伝送線路に係わる第５実施形態の断面図である。
【図１０】本発明の伝送線路の製造方法による伝送線路に係わる第６実施形態の断面図である。
【図１１】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第１実施形態を示した図面である。
【図１２】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第２実施形態を示した図面である。
【図１３】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第３実施形態を示した図面である。
【図１４】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第４実施形態を示した図面である。
【図１５】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第５実施形態を示した図面である。
【図１６】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第６実施形態を示した図面である。
【図１７ａ】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第７実施形態を示した図面である。
【図１７ｂ】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第７実施形態を示した図面である。
【図１７ｃ】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第７実施形態を示した図面である。
【図１８ａ】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第８実施形態を示した図面である。
【図１８ｂ】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第８実施形態を示した図面である。
【図１８ｃ】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第８実施形態を示した図面である。
【図１８ｄ】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第８実施形態を示した図面である。
【図１９ａ】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第９実施形態を示した図面である。
【図１９ｂ】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第９実施形態を示した図面である。
【図２０ａ】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第１０実施形態を示した図面である。
【図２０ｂ】本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第１０実施形態を示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳しく説明する。本明細書に記載の実施形態と図面とに示された構成は、本発明の望ましい一実施形態に過ぎず、本発明の技術的思想をいずれも代弁するものではないので、本出願時点において、これらを代替しうる多様な均等物と変形例とがあるということを理解しなければならない。
まず、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路で使われるナノ構造物質について説明する。前記ナノ構造物質は、液相の樹脂を高圧で電界紡糸（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｉｎｎｉｎｇ）して形成された物質を言い、本明細書において、ナノフロン（Ｎａｎｏｆｌｏｎ）と称する。
【００１０】
図１は、電界紡糸を通じてナノフロンを製造する装置の一例を示したものであって、注射器１１０に高分子のポリマー溶液１２０を注入して注射器１１０と放射する基板との間に高電圧１３０を加え、ポリマー溶液を一定の速度で流せば、表面張力によって電気が毛細管端にぶら下がっている液体に加えられながら、ナノサイズの細い糸１４０が作られ、時間が経てば、不織布形態のナノ構造の物質であるナノ繊維１５０が積もる。このようにナノ繊維が積もって形成された物質がナノフロンである。電界紡糸に使われる高分子物質の例を挙げると、ＰＵ（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、ＰＶＤＦ（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｉｄｉｎｅ  Ｄｉｆｌｏｕｒｉｄｅ）、Ｎｙｌｏｎ（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）、ＰＡＮ（ｐｏｌｙａｃｒｌｏｎｉｔｒｉｌｅ）などがある。ナノフロンは、誘電率が低く、空気が多くて、伝送線路の誘電体として使われる。
【００１１】
図２は、ストリップライン伝送線路に係わる一例を示したものである。図２を参照すれば、ストリップライン伝送線路に係わる一例は、信号を伝送する信号線２１０と信号線２１０を取り囲んでいる誘電体２２０及びアウタシールド（ｏｕｔｅｒ  ｓｈｉｅｌｄ）の役割を行う導体２３０からなる。
【００１２】
図３は、本発明の伝送線路の製造方法による伝送線路の第１実施形態の断面図である。図３を参照すれば、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第１実施形態は、第１ナノフロン層３１０、第１絶縁層３２０、第１パターン３４０及び第１接地（ＧＮＤ）層３５０を含んでなる。
【００１３】
第１ナノフロン層３１０は、ナノフロンからなる。第１絶縁層３２０は、絶縁物質が第１ナノフロン層３１０の上部に位置し、例えば、接着によって位置しうる。前記絶縁物質は、エッチング溶液の吸収を防ぐことができる物質であって、例えば、熱的耐久性が高いプラスチックとして高分子有機化合物であるＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）が使われる。
第１パターン３４０は、第１絶縁層３２０上に形成された第１導電層３３０をエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）して形成され、伝送線路を通じて信号が伝送される伝送線の役割を果たす。そして、第１接地層３５０が第１ナノフロン層３１０の下部に位置し、例えば、接着によって位置しうる。
前記第１ナノフロン層３１０との接着は、接着テープ、粘着剤または接着テープに熱を加えた熱接着によってなされうる。
【００１４】
図４は、本発明の伝送線路の製造方法による第１ナノフロン層３１０との接着を示す伝送線路の断面を示したものであって、参照番号４１０は、第１ナノフロン層３１０と第１絶縁層３２０との接着を示し、参照番号４２０は、第１ナノフロン層３１０と第１接地層３５０との接着を示す。
【００１５】
図５は、本発明の伝送線路の製造方法による伝送線路に係わる第２実施形態の断面図である。図５を参照すれば、本発明によって製造された伝送線路に係わる第２実施形態は、前述した本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の第１実施形態の第１パターン３４０を形成する時、接地線５１０、５２０をさらに形成し、第１パターン３４０は、信号線として使われる。すなわち、前記第１導電層３３０をエッチングして接地線５１０、５２０と信号線５３０とを形成する。
【００１６】
図６は、本発明の伝送線路の製造方法による伝送線路に係わる第３実施形態の断面図である。図６を参照すれば、本発明の製造方法によって製造された伝送線路に係わる第３実施形態は、前述した本発明の製法によって製造された伝送線路の第１実施形態（図３）に第２ナノフロン層６１０と第２接地（ＧＮＤ）層６２０とをさらに含んでなる。
第２ナノフロン層６１０は、第１絶縁層３２０上に形成された第１パターン３４０と前記エッチングによって露出された第１絶縁層３２０上に位置し、前記位置は、接着によってなされうる。第２接地層６２０は、前記第２ナノフロン層上に位置し、前記位置は、接着によってなされうる。前記第２ナノフロン層６１０との接着は、接着テープ、粘着剤または接着テープに熱を加えた熱接着によってなされうる。
【００１７】
図７は、本発明の伝送線路の製造方法による第２ナノフロン層６１０との接着を示す伝送線路の断面を示したものであって、参照番号７１０は、第２ナノフロン層６１０と第１絶縁層３２０及び第１パターン３４０との接着を示し、参照番号７２０は、第２ナノフロン層６１０と第２接地層６２０との接着を示す。
【００１８】
図８は、本発明の伝送線路の製造方法による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第４実施形態の断面図である。図８を参照すれば、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第４実施形態は、前述した本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の第３実施形態（図６）に第３ナノフロン層８１０、第２絶縁層８２０、第２パターン８４０をさらに含んでなる。第３ナノフロン層８１０は、第２接地層６２０上に位置し、前記位置させることは、接着によってなされうる。第２絶縁層８２０は、第３ナノフロン層８１０上に位置し、前記位置させることは、接着によってなされうる。第２パターン８４０は、第２絶縁層８２０上に形成された第２導電層８３０をエッチングして形成され、信号を伝送する信号線として使われる。前記第３ナノフロン層８１０との接着は、接着テープ、粘着剤または接着テープに熱を加えた熱接着によってなされうる。
【００１９】
図９は、本発明の伝送線路の製造方法による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第５実施形態の断面図である。図９を参照すれば、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第５実施形態は、前述した本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の第４実施形態の第２パターン８４０を形成する時、接地線９１０、９２０をさらに形成し、第２パターン９３０は、信号線として使われる。すなわち、前記第２導電層８３０をエッチングして接地線９１０、９２０と信号線９３０とを形成する。
【００２０】
図１０は、本発明の伝送線路の製造方法による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第６実施形態の断面図である。図１０を参照すれば、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第６実施形態は、前述した本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の第４実施形態（図８）に第４ナノフロン層１０１０と第３接地層１０２０とをさらに含んでなる。
第４ナノフロン層１０１０は、第２絶縁層８２０上に形成された第２パターン８４０と前記エッチングによって露出された第２絶縁層８２０上に位置し、前記位置させることは、接着によってなされうる。第３接地層１０２０は、第４ナノフロン層１０１０上に位置し、前記位置させることは、接着によってなされうる。前記第４ナノフロン層１０１０との接着は、接着テープ、粘着剤または接着テープに熱を加えた熱接着によってなされうる。
【００２１】
図１１は、本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第１実施形態を示したものである。図１１の（ａ）を参照すれば、ナノフロンからなる第１ナノフロン層１１１０の上部に第１絶縁層１１２０を位置させる。例えば、第１絶縁層１１２０を第１ナノフロン層１１１０の上部に位置させることは、第１ナノフロン層１１１０に接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を通じてなされうる。第１絶縁層１１２０上に第１導電層１１３０を形成する。
図１１の（ｂ）を参照すれば、第１導電層１１３０をエッチングして信号を送受信する第１パターン１１４０を形成する。第１ナノフロン層１１１０の下部に第１接地（ＧＮＤ）層を位置させる。例えば、第１ナノフロン層１１１０の下部に接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を通じて第１ナノフロン層１１１０の下部に第１接地層１１５０を位置させることができる。
【００２２】
図１２は、本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第２実施形態を示したものである。図１２を参照すれば、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第２実施形態は、図１１の（ｂ）に示したように、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法の第１実施形態の第１パターン１１４０を形成する時、接地線１２１０、１２２０をさらに形成し、第１パターン１１４０は、信号線として使われる。すなわち、前記第１導電層１１３０をエッチングして接地線１２１０、１２２０と信号線１２３０とを形成しうる。
【００２３】
図１３は、本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第３実施形態を示したものである。まず、第１絶縁層１１２０上に第１導電層１１３０が形成されている絶縁導電物品１３を準備する。第１ナノフロン層１１１０上に絶縁導電物品１３を位置させる。
第１ナノフロン層１１１０上に絶縁導電物品１３を位置させた後、第１導電層１１３０をエッチングして信号を送受信する第１パターン１３１０を形成する。第１ナノフロン層１１１０の下部に第１接地層１１５０を位置させる。
絶縁導電物品１３を第１ナノフロン層１１１０の上部に位置させ、第１ナノフロン層１１１０の下部に第１接地層１１５０を位置させることは、接着１１１５、１１５５を通じて、例えば、第１ナノフロン層１１１０に接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を通じてなされうる。
【００２４】
図１４は、本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第４実施形態を示したものである。図１４を参照すれば、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第４実施形態は、図１３の（ｃ）に示したように、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法の第３実施形態の第１パターン１３１０を形成する時、接地線１４１０、１４２０をさらに形成し、第１パターン１３１０は、信号線として使われる。すなわち、前記第１導電層１１３０をエッチングして接地線１４１０、１４２０と信号線１４３０とを形成しうる。
【００２５】
図１５は、本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第５実施形態を示したものである。図１５の（ａ）は、図１１の（ｂ）に示された本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第１実施形態である。図１５の（ｂ）に示したように、前記伝送線路の製造方法の第１実施形態の結果物に第２ナノフロン層１５１０を位置させる。例えば、伝送線路の製造方法の第１実施形態の第１絶縁層１１２０上に形成された第１パターン１１４０とエッチングによって露出された第１絶縁層１１２０上に第２ナノフロン層１５１０を接着１５２５することができる。また、第２ナノフロン層１５１０上に第２接地層１５２０を位置させることができる。前記位置させることは、接着１５１５を通じてなしうる。前記接着１５１５、１５２５は、接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を通じてなされうる。
【００２６】
図１６は、本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第６実施形態を示したものである。また、図１６の（ａ）は、図１３の（ｃ）に示された本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第３実施形態である。図１６（ｂ）に示したように、前記伝送線路の製造方法の第３実施形態の結果物に第２ナノフロン層１６１０を位置させる。例えば、伝送線路の製造方法の第３実施形態の第１絶縁層１１２０上に形成された第１パターン１３１０とエッチングによって露出された第１絶縁層１１２０上に第２ナノフロン層１６１０を接着１６１５することができる。また、第２ナノフロン層１6１０上に第２接地層１６２０を位置させることができる。前記位置させることは、接着１６２５を通じてなしうる。前記接着１６１５、１６２５は、接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を通じてなされうる。
【００２７】
図１７ａ、図１７ｂ及び図１７ｃは、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第７実施形態を示したものである。本発明による伝送線路の製造方法の第２実施形態の結果物である図１７ａまたは第４実施形態の結果物である図１７ｂに図１７ｃのように第２ナノフロン層１７１０を位置させ、第２ナノフロン層１７１０上に第２接地層１７２０を位置させる。接地線１２１０、１２２０、１４１０、１４２０及び第１絶縁層１１２０上に第２ナノフロン層１７１０を位置させることと第２ナノフロン層１７１０上に第２接地層１７２０を位置させることは、接着１７１５、１７２５を通じてなされうる。
【００２８】
図１８ａ、図１８ｂ、図１８ｃ及び図１８ｄは、本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第８実施形態を示したものである。図１８ａは、図１５の（ｃ）を図示したものであって、本発明による伝送線路の製造方法の第５実施形態の結果物である。図１８ｂは、図１６の（ｂ）を図示したものであって、本発明による伝送線路の製造方法の第６実施形態の結果物である。図１８ｃを参照すれば、図１８ａに示された本発明による伝送線路の製造方法の第５実施形態の結果物または図１８ｂに示された本発明による伝送線路の製造方法の第６実施形態の結果物の第２接地層１５２０、１６２０に第３ナノフロン層１８１０を位置させた後、第３ナノフロン層１８１０の上部に第２絶縁層１８２０を位置させる。
図１８ｄを参照すれば、第２絶縁層１８２０上に第２導電層１８３０を形成した後、前記第２導電層１８３０をエッチングして信号線である第２パターン１８４０を形成する。
第３ナノフロン層１８１０と接触される第２接地層１５２０、１６２０及び第２絶縁層１８２０は、接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を行うことにより、接着１８１５、１８２５される。
【００２９】
図１９ａ及び図１９ｂは、本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第９実施形態を示したものである。図１９ａは、図１８ｂを図示したものであって、本発明による伝送線路の製造方法の第８実施形態で第２絶縁層１８２０上に第２導電層１８３０を形成したことを示したものである。図１９ｂを参照すれば、図１９ａに示された本発明による伝送線路の製造方法の第８実施形態の第２導電層１８３０を形成した後、前記第２導電層１８３０をエッチングして伝送信号線１９３０及び接地線１９１０、１９２０を形成する。第３ナノフロン層１８１０と接触される第２接地層１５２０、１６２０及び第２絶縁層１８２０は、接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を行うことにより、接着１８１５、１８２５される。
【００３０】
図２０ａ及び図２０ｂは、本発明による電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第１０実施形態を示したものである。図２０ａは、図１８ｄを図示したものであって、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第８実施形態の結果物を示したものである。
図２０ｂを参照すれば、前記伝送線路の製造方法の第８実施形態で形成された第２パターン１８４０とエッチングによって露出された第２絶縁層１８２０上に第４ナノフロン層２０１０を位置させ、第４ナノフロン層２０１０上に第３接地層２０２０を形成する。この際、第２パターン１８４０とエッチングによって露出された第２絶縁層１８２０上に第４ナノフロン層２０１０を位置させることは、接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を行うことにより、接着２０１５、２０２５を通じてなされうる。
【００３１】
本発明は、図面に示された実施形態を参考にして説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７ａ】
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【図１７ｂ】
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【図１７ｃ】
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【図１８ａ】
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【図１８ｂ】
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【図１８ｃ】
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【図１８ｄ】
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【図１９ａ】
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【図１９ｂ】
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【図２０ａ】
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【図２０ｂ】
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【国際調査報告】
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