(57)【要約】  処理チャンバ内のガスを分配するための装置が開示される。装置は、本体を含み、本体は、結合部により囲まれた分配部から形成される。ヒータが、本体を高温に加熱するために、分配部の内部に配置されている。ブリッジが、結合部と分配部との間に延在している。ブリッジは、分配部と結合部との間の熱伝導を制限する。【選択図】図１
2021521648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための面板であって、
ヒータ層及び電極層から形成される本体であって、前記電極層の外径が前記本体の分配部を画定する、本体と、
前記分配部の内部に前記本体を貫通して形成された複数の開孔と、
前記ヒータ層の内部に配置されたヒータと、
前記分配部を囲むブリッジであって、前記分配部を結合部に結合するブリッジと
を含む、基板を処理するための面板。
【請求項２】
前記電極層の内部に配置された電極を更に含む、請求項１に記載の面板。
【請求項３】
前記ヒータ層の内部に配置された接地電極をさらに含む、請求項１に記載の面板。
【請求項４】
前記本体はセラミック材料を含む、請求項１に記載の面板。
【請求項５】
前記セラミック材料は窒化アルミニウムである、請求項４に記載の面板。
【請求項６】
前記ヒータ層と前記電極層との間に配置された接合層を更に含む、請求項１に記載の面板。
【請求項７】
前記ブリッジはサーマルチョークであり、厚さが前記結合部の厚さ及び前記分配部の厚さよりも薄い、請求項１に記載の面板。
【請求項８】
基板を処理するための面板であって、
電極層、
ヒータ層、
接地層、及び、
前記電極層と前記ヒータ層との間、及び前記ヒータ層と前記接地層との間に配置された接合層
を含む本体と、
前記本体を貫通して形成され、第１の末端及び第２の末端を有する複数の開孔であって、前記第１の末端は、前記本体の外表面に位置し、各開孔の前記第２の末端は、前記電極層内に配置された１つ以上のノズルに流体連結する、複数の開孔と、
サーマルチョークと
を含む、基板を処理するための面板。
【請求項９】
前記開孔と前記ノズルとの間に配置された分配容積室をさらに含む、請求項８に記載の面板。
【請求項１０】
前記サーマルチョークは、前記本体の内部に、前記複数の開孔から径方向に外側に配置された１つ以上の流体チャネルを含む、請求項８に記載の面板。
【請求項１１】
前記電極層、前記ヒータ層、及び前記接地層のそれぞれはセラミック材料から形成される、請求項８に記載の面板。
【請求項１２】
ヒータが前記ヒータ層内に配置され、前記サーマルチョークが、前記ヒータから、当該ヒータから径方向に外側に配置されたシールの近傍の領域への熱伝導を制限する、請求項８に記載の面板。
【請求項１３】
前記開孔の断面積は前記ノズルの断面積の約２倍である、請求項８に記載の面板。
【請求項１４】
基板を処理するためのガス分配装置であって、
第１の層、第２の層、及び第３の層から形成されたセラミック本体と、
前記セラミック本体を貫通して形成された複数の開孔と、
前記第１の層内に配置されたヒータと、
前記第２の層内に形成された電極と、
前記第３の層から垂直に延在するブリッジ部であって、結合部が前記第３の層とは反対側の前記ブリッジ部の一端に配置され、前記ブリッジ部は前記ヒータから前記結合部への熱伝導を制限するサーマルチョークである、ブリッジ部と
を含む、基板を処理するためのガス分配装置。
【請求項１５】
前記開孔がハニカム状の配列で配置されており、隣合う開孔間の中心間距離は、約２ｍｍと約６ｍｍとの間である、請求項１４に記載のガス分配装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、概して、処理チャンバ内でガスを分配するための装置に関し、特に、加熱されるセラミック面板に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の製造では、化学気相堆積（ＣＶＤ：ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又は原子層堆積（ＡＬＤ：ａｔｏｍｉｃ  ｌａｙｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）といった堆積プロセスが、半導体基板に様々な材料の膜を堆積させるために利用される。他の作業では、エッチングといった層変質プロセスが、更なる堆積のために層の一部を暴露するために利用される。これらのプロセスは、半導体素子といった電子デバイスの様々な層を作製するために繰り返し利用されることが多い。
【０００３】
改良されたデバイスに対する必要性は高まり続けるにつれ、このようなデバイスを製造する際に利用される方法に対する必要性も高まり続けている。前駆体ガスといった、新しいプロセスで利用される化学作用では、このようなプロセスを実施するために、温度制御といった増大したプロセス制御が絶えず必要とされている。従って、当該技術分野では、デバイスの製造及び処理のための増大した温度制御を提供可能な処理チャンバ構成要素に対する必要性が存在する。
【発明の概要】
【０００４】
一実施形態において、面板は、ヒータ層及び電極層から形成された本体を有する。電極層の外径が、本体の分配部を画定する。複数の開孔が、ガスを流過させるために分配部の内部に本体を貫通して形成されている。ヒータが、本体を加熱するために、ヒータ層の内部に配置されている。ブリッジが、分配部を囲んでおり、分配部を結合部に結合する。
【０００５】
他の実施形態において、面板が本体を有し、本体が電極層と、ヒータ層と、接地層とから形成される。接合層が、電極層とヒータとの間、及び、ヒータ層と接地層との間に配置されている。複数の開孔が、本体を貫通して形成されている。各開孔は、第１の末端及び第２の末端を有し、第１の末端は、本体の外表面に位置しており、各開孔の第２の末端は、電極層内に配置された１つ以上のノズルと流体連結している。本体は、サーマルチョークも含む。
【０００６】
他の実施形態において、ガス分配装置は、セラミック本体を有する。本体は、第１の層と、第２の層と、第３の層とから形成される。複数の開孔が、セラミック本体を貫通して形成される。ヒータが、第１の層内に配置され、電極が、第２の層内に配置されている。ブリッジ部が、第３の層から垂直に延在している。結合部が、第３の層とは反対側のブリッジ部の一端に配置されている。ブリッジ部は、ヒータから結合部への熱伝導を制限するサーマルチョークである。
【０００７】
本開示の上述の特徴を詳しく理解しうるように、上記で簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、実施形態の一部が添付の図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうるため、添付の図面は例示的な実施形態のみを示しており、従って、本開示の範囲を限定すると見做すべきではないことに注意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本開示の一実施形態に係る例示の処理チャンバの概略的な構成を示す。
【図２】本開示の一実施形態に係る例示の面板の断面での概略的な構成を示す。
【図３】本開示の他の実施形態に係る例示の面板の断面での概略的な構成を示す。
【図４】本開示の他の実施形態に係る例示の面板の断面での概略的な構成を示す。
【図５】本開示の他の実施形態に係る例示の面板の断面での概略的な構成を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、さらなる記載がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれ得ることが想定されている。
【００１０】
本開示は、概して、処理チャンバ内でのガス分配のための装置に関する。特に、本開示の態様はセラミック面板に関する。面板はセラミック本体を有し、セラミック本体は、結合部により囲まれた分配部から形成される。ヒータが、本体を高温に加熱するために、分配部の内部に配置されている。ブリッジが、結合部と分配部との間に延在している。ブリッジが、分配部と結合部との間の熱伝導を制限する。
【００１１】
図１は、一実施形態に係る例示の処理チャンバ１００の概略的な断面図を示している。処理チャンバ１００は、側壁１０４及び基部１０６を有する本体１０２を有する。リッドアセンブリ１０８が本体１０２に結合して、その内部の処理容積室１１０を画定する。本体１０２は、アルミニウム又はステンレス鋼といった金属から形成されるが、そこでの処理と共に利用するのに適した任意の材料が利用されうる。基板支持体１１２が処理容積室１１０内に配置されており、処理チャンバ１００内での処理の間、基板Ｗを支持する。基板支持体１１２は、シャフト１１６に結合された支持本体１１４を含む。シャフト１１６は、支持本体１１４の下面に結合されており、本体１０２から、基部１０６に設けられた開口１１８を通って延びている。シャフト１１６は、当該シャフト１１６、及び当該シャフトに結合された支持本体１１４を、基板ローディングポジションと処理ポジションとの間で垂直方向に動かすために、アクチュエータ１２０に結合されている。真空システム１３０が、処理容積室１１０からガスを逃がすために、処理容積室１１０に流体連結している。
【００１２】
処理チャンバ１００内での基板Ｗの処理を容易にするために、基板Ｗは、シャフト１１６とは反対側の支持本体１１４の上面に載置されている。ポート１２２が、処理容積室１１０への基板Ｗの出し入れを容易にするため、側壁１０４に形成されている。スリットバルブといったドア１２４が、基板Ｗがポート１２２を通過して基板支持体１１２上にローディングされ又は基板支持体１１２から取り出されることを選択的に可能とするために作動される。電極１２６が、支持本体１１４の内部に配置されており、シャフト１１６を通って電源１２８に電気的に結合されている。電極１２６には、電磁場を生成するために電源１２８により選択的にバイアスが掛けられており、基板Ｗが支持本体１１４の上面へと放られ、及び／又は、プラズマ生成又は制御が促進される。或る特定の実施形態において、抵抗加熱器といったヒータ１９０が、支持本体１１４の内部に配置されており、その上に載置された基板Ｗを加熱する。
【００１３】
リッドアセンブリ１０８は、リッド１３２と、遮蔽板１３４と、面板１３６とを含む。遮蔽板１３４は、環状延長部１６２により囲まれた凹状の円形分配部１６０を含む。遮蔽板１３４は、リッド１３２と面板１３６との間に配置されており、環状延長部１６２でリッド１３２と面板１３６のそれぞれに結合されている。リッド１３２は、本体１０２とは反対側の環状延長部１６２の上面に結合している。面板１３６は、環状延長部１６２の下面に結合している。第１の容積室１４６が、遮蔽板１３４とリッド１３２との間で画定されている。第２の容積室１４８が、遮蔽板１３４と面板１３６との間で画定されている。複数の開孔１５０が遮蔽板１３４の分配部１６０を貫通して形成されており、第１の容積室１４６と第２の容積室１４８との間の流体連結を促進する。
【００１４】
入口ポート１４４が、リッド１３２の内部に配置されている。入口ポート１４４は、ガス導管１３８に流体連結している。ガス導管１３８によって、ガスが、処理ガス源といった第１のガス源１４０から、入口ポート１４４を通って第１の容積室１４６内に流れることが可能となる。洗浄ガス源といった第２のガス源１４２が、任意選択的に、ガス導管１３８に結合されている。
【００１５】
一実施例において、第１のガス源１４０は、基板Ｗ上でエッチングし又は層を堆積させるために、エッチングガス又は堆積ガスといった第１のガスを処理容積室１１０に供給する。第２のガス源１４２は、処理容積室１１０に面した側壁１０４といった、処理チャンバ１００の内側の表面から粒子堆積を除去するために、洗浄ガスといった第２のガスを処理容積室１１０に供給する。Ｏリングといったシール１５２が、遮蔽板１３４とリッド１３２との間の、第１の容積室１４６を取り囲む環状延長部１６２の上表面に配置され、従って、処理容積室１１０が外部の環境から隔離され、真空システム１３０による真空の維持が可能となる。
【００１６】
面板１３６は、分配部１６４と、当該分配部１６４から径方向に外側に配置された結合部１６６と、を有する。分配部１６４は、処理容積室１１０と第２の容積室１４８との間に配置されている。結合部１６６が、面板１３６の外周において分配部１６４を取り囲んでいる。基板Ｗの処理を促進するために、ＲＦ生成器１８０が、任意選択的に面板１３６に結合されており、第１のガス源１４０からの、第２のガス源１４２からの、又は、第１のガス源１４０と第２のガス源１４２との双方からのガスを励起して、イオン化種を形成する。一実施例において、ＲＦ生成器１８０及び面板１３６は、電極１２６及び電源１２８と連携して、処理容積室１１０内部での容量結合プラズマの生成を促進する。
【００１７】
１つ以上の開孔１５４が、分配部１６４の内部に面板１３６を貫通して配置されている。開孔１５４によって、処理容積室１１０と第２の容積室１４８との間の流体連結が可能となる。稼働中に、ガスは、入口ポート１４４から第１の容積室１４６の中へと流れ、遮蔽板１３４の開孔１５０を通って第２の容積室１４８の中に入る。第２の容積室１４８から、ガスは、面板１３６の開孔１５４を通って流れて、処理容積室１１０の中に入る。開孔１５４の配置及びサイジングによって、処理容積室１１０内へのガスの選択的な流過が可能となり、所望のガス分配が達成される。例えば、基板に亘る均一な分配が、或る特定のプロセスのために望まれうる。
【００１８】
１つ以上のヒータ１７４が、面板１３６の内部に配置されている。一実施形態において、ヒータ１７４は、開孔１５４から径方向に外側に配置されている。ヒータ１７４は、面板１３６に熱を供給することが可能な任意の素子でありうる。一実施例において、ヒータ１７４は、面板１３６に埋め込むことが可能であり面板１３６の開孔１５４を取り囲む抵抗加熱器を含む。他の実施例において、ヒータ１７４は、面板１３６に形成された流体源（図示せず）と連結するチャネルであり、そこを通る加熱された流体を循環させる。ヒータ１７４は、３００oＣ以上といった高温に面板を加熱する。例えば、ヒータ１７４は４００oＣ、５００oＣ、又はそれ以上に面板を加熱しうる。化学気層堆積（ＣＶＤ）プロセスといった処理の間に、面板の温度を３００oＣ、４００oＣ、又は５００oＣといった温度に上げることによって、結果的に、基板Ｗへの改良された堆積、及び基板Ｗへの改良された処理が得られる。
【００１９】
シール１７０が面板１３６と遮蔽板１３４との間に配置されており、処理容積室１１０内での真空の維持が可能となる。第２のシール１５６が、面板１３６と側壁１０４との間に配置されている。図１の実施形態において、シール１５６、シール１７０の双方は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ゴム、又はシリコーンといった材料から形成されるＯリングである。ガスケット又はボンドといった他のシール設計も考えられる。Ｏリングは、例えば、処理チャンバの予定された予防保守の間に、迅速に修理又は置換することが可能であり、従って、処理チャンバの保守による休止時間が大幅に低減される。
【００２０】
図２は、一実施形態に係る面板２３６の概略的な断面構成を示している。面板２３６が、図１に示す面板１３６の代わりに使用されうる。ここでは、面板２３６は、本体２００を有し、本体２００は、接合層２０６により連結された電極層２０２及びヒータ層２０４から形成される。本実施形態において、電極層２０２及びヒータ層２０４は、本体２００を形成するために連結された別個の部材である。しかしながら、単一の一体の部材が、本体２００を形成するために使用されてもよい。接合層２０６は、ヒータ層２０４と電極層２０２との間に配置された熱伝導層である。一実施例において、接合層２０６は拡散接合である。接合層２０６は、電極層２０２とヒータ層２０４との間で熱を適切に伝えながらそれらの間の十分な接着をもたらす任意のタイプの適切な接合でありうる。
【００２１】
分配部１６４は、上面２１０及び底面２１２によって部分的に確定されている。分配部１６４の外径は、電極層２０２の外径によって画定されている。開孔１５４が、分配部１６４内に本体２００を貫通して形成されている。開孔１５４は、上面２１０と底面２１２との間に、電極層２０２とヒータ層２０４の双方を貫通して形成されている。ここでは、開孔１５４は、ハニカム状の配列で配置されており、これにより、第１の開孔の中心は、約２ｍｍと約６ｍｍの間、例えば、約３ｍｍと約５ｍｍとの間の距離で隣合う第２の開孔の中心から離間している。例えば、開孔１５４は、第１の開孔の中心が４ｍｍの距離で隣合う第２の開孔の中心から離間するように、配置されている。他の実施例において、隣合う開孔１５４の中心間距離は約５ｍｍ〜約６ｍｍである。格子又はグリッド構成といった他の配置もここで利用されうることに注意されたい。
【００２２】
電極層２０２は、窒化アルミニウムといったセラミック材料から形成されている。電極２０８が、電極層２０２の内部に配置されている。電極２０８は、電極層２０２の製造中に電極層２０２の内部に形成される。電極２０８は、そこに電気を供給するために図１のＲＦ生成器１８０といった電源に電気的に結合されている。稼働中に、電極２０８は、電源からの電流を用いて、基板を処理するためのプラズマを形成及び／又は制御する機能を果たす。図示するように、電極２０８の部分は、開孔１５４間に配置されている。面板を製造するための従来の方法を用いると、隣合う開孔１５４間の短い中心間距離により、当該開孔間に電極を配置することが阻まれる。しかしながら、ヒータ層２０４とは別に電極層２０２を形成することで、電極２０８を、隣合う開孔１５４の間に配置することが可能であり、従って、電極２０８を用いて形成されるプラズマの制御が改善される。
【００２３】
ヒータ層２０４も、セラミック材料、例えば、窒化アルミニウムから形成されている。接地電極２１８が、任意選択的に、分配部１６４のヒータ層２０４内に配置される。接地電極２１８によって、電極層２０２内の電極２０８により生成される電界が、典型的に本体２００より上方の領域及び上面２１０の近傍の領域でプラズマを形成することが防止される。
【００２４】
ヒータ１７４が、開孔１５４を径方向に取り囲んでヒータ層２０４の内部に配置されている。ヒータ１７４は、電気的抵抗加熱器の場合には電源、又は、流体チャネルの場合には流体源といったヒータ源２１４に結合されている。稼働中に、ヒータ１７４はヒータ源２１４によって作動され、分配部１６４の温度を高温に、例えば、３５０oＣ以上といった約３００oＣより高い温度に上げる。ヒータ１７４から供給される熱がそこから伝わって、ヒータ層２０４全体に亘って、特に隣合う開孔１５４間の材料全体に亘って発散させられる。従って、分配部１６４の加熱の均一性が非常に上がる。分配部１６４の温度を上げることで、開孔１５４を流過するガスが本体２００によって加熱される。
【００２５】
図２の実施形態では、結合部１６６が、分配部１６４を取り囲んで径方向に配置されている。ここでは、分配部１６４がディスク状の本体を画定する。結合部１６６は、分配部１６４の周りに配置された環状フランジである。ブリッジ２１６が、分配部１６４と結合部１６６の間に延在してこれらを繋いている。ブリッジ２１６は、結合部１６６及び／又は分配部１６４の厚さに対して低減された厚さＴ１を有する。熱伝導のための表面積及び／又は質量を制限することで、ブリッジ２１６は、分配部１６４と結合部１６６との間の熱伝導を防止するためのサーマルチョークとして機能する。一実施例において、結合部１６６は、約２８０oＣより低いといった、３００oＣよりの低い温度に維持され、例えば、例えば約２５０oＣに維持される。
【００２６】
他の実施例において、ブリッジ２１６は、厚さが結合部１６６及び／又は分配部１６４と等しい。本構成において、挿入されたチャネル、流体循環チャネル等といった他の種類のサーマルチョークが、分配部１６４から結合部１６６への熱伝導を防止するために利用されうる。
【００２７】
図３は、他の実施形態に係る面板３３６を示している。面板３３６は、本体３００を形成するために三層構造を利用する。電極層３０２が、第１の接合層３０６によって、ヒータ層３０４の第１の表面に結合されている。接地層３５０が、第２の接合層３５６によって、ヒータ層３０４の第２の表面に結合されている。従って、ヒータ層３０４は、接地層３５０と電極層３０２との間に配置されている。電極層３０２、ヒータ層３０４、及び接地層３５０は一般に、窒化アルミニウムといったセラミック材料から形成されるが、他の材料も考えられる。接地電極３１８が、接地層３５０の内部に配置されている。同様に、電極３０８が、電極層３０２の中に配置されている。接地電極３１８及び電極３０８の機能は、図２の接地電極２１８及び電極２０８のそれぞれの機能と同様である。ヒータ３７４も、本体３００を加熱するために、ヒータ層３０４の中に配置されている。ヒータ３７４の機能は、図２のヒータ２７４の機能と同様である。一実施例において、ヒータ３７４、電極３０８、及び接地電極３１８は、設備導管３９０を通じて処理チャンバの外の電源（図示せず）に結合されている。
【００２８】
図３の実施形態では、１つ以上の開孔３５４が、接地層３５０及びヒータ層３０４の中に形成されている。開孔３５４が、本体３００の外表面から、典型的には上面から、接地層３５０を通って、分配容積室３６０に連通している。分配容積室３６０は、ヒータ層３０４内に形成されており、従って、開孔３５４を流過したガスが、当該開孔３５４を通じて分散し、加熱された本体３００と相互作用させるためにガスの滞留時間が増大するよう促される。一実施例において、分配容積室３６０は、本体３００の内部に非線形的な流路を生成することで、滞留時間の増大を促進する。一実施例において、非線形的な流路は複数の垂直な流路を含む。複数のノズル３６２が、電極層３０２の中に形成されており、分配容積室３６０と流体連結している。一実施例において、ノズル３６２は断面積が、開孔３５４の断面積の約半分である。従って、ノズル３６２が、分配容積室３６０を流過するガスの流れを制限して、分配容積室３６０内でのガスの滞留時間をさらに増大させる。開孔３５４が、ハニカム状の配列で配置されており、これにより、第１の開孔の中心は、約４ｍｍと約６ｍｍの間の距離で、隣合う第２の開孔の中心から離間している。隣合うノズル３６２の間の中心間距離は約３ｍｍである。ここでは、２つの開孔３５４、分配容積室３６０、及び、各分配容積室３６０に結合された接合ノズル３６２のみが示されている。しかしながら、他の数及び構成もここでは利用されうる。
【００２９】
サーマルチョーク３８０が、電極層３０２の内部に配置されている。同様に、サーマルチョーク３８２が接地層３５０内に配置されている。サーマルチョーク３８０、３８２は、開孔３５４から径方向に外側に配置されている。サーマルチョーク３８０、３８２によって、ヒータ３７４からシール１５６、１７０に向かう熱伝導が制限される。サーマルチョーク３８０、３８２は例えば、それを通じた熱伝導を制限するための、ガス又は液体といった流体を循環させるチャネルである。サーマルチョーク３８０、３８２は設備導管３９０を通じて、循環される流体を冷却するための、熱交換器といった冷却システム（図示せず）に任意選択的に結合されている。他の実施例において、サーマルチョーク３８０、３８２は、空隙又は一連の挿入された細管であり、サーマルチョーク３８０、３８２の近傍の熱伝導について各電極層３０２及び接地層３５０の断面積を最小に抑える。
【００３０】
図４は、他の実施形態に係る面板４３６を示している。面板４３６は、本体４００を有し、本体４００は、図３の本体３００と同様に三層構造を利用するが、ブリッジ４１６を含んでいる。本体４００は、接合層４０６、４５６により結合される電極層４０２、ヒータ層４０４、及び接地層４５０を含む。電極４０８及び接地電極４１８も、本体４００の内部に配置されている。ブリッジ４１６が、典型的に上方に向かって延在しており、結合部４６６から面板４３６が宙に浮いている。ブリッジ４１６は厚さが低減されており、従って、ヒータ４７４からシール１５６、１７０と接触する結合部４６６へと向かう熱伝導を制限するサーマルチョークを形成する。例示の実施例において、ブリッジ４１６は、結合部４６６及び本体４００から垂直に延在している。しかしながら、他の構成も考えられる。
【００３１】
１つ以上の開孔４５４が、接地層４５０、ヒータ層４０４を貫通して電極層４０２内へと形成されている。開孔４５４はその一端が、図３のノズル３６２と同様の複数のノズル４６２に結合されている。このような実施例において、ノズル４６２は、直径が開孔４５４の直径よりも小さいく、例えば、開孔４５４の直径の約半部の直径である。繰り返すが、隣合うノズル４６２間、及び、各開孔４５４間の中心間距離は、約２ｍｍから約６ｍｍ、例えば、約５ｍｍ〜約６ｍｍである。
【００３２】
図５は、他の実施形態に係る面板５３６を示している。面板５３６は、面板４３６と同様であるが、開孔５５４の異なる構成を利用している。ここでは、開孔５５４は、第１の末端で、本体４００の表面から延在しており、第２の末端が、分配容積室５６０に連通している。分配容積室５６０は、ヒータ層５０４の内部に形成されており、従って、開孔５５４を流過したガスが、当該開孔５５４を通じて分散し、加熱された本体４００と相互作用させるためにガスの滞留時間が増大するよう促される。複数のノズル５６２が、電極層４０２の中に形成されており、分配容積室５６０と流体連結している。一実施例において、ノズル５６２は断面積が、開孔５５４の断面積の約半分である。従って、ノズル５６２が、分配容積室５６０を流過するガスの流れを制限して、分配容積室５６０内でのガスの滞留時間をさらに増大させる。隣合う開孔５５４間の中心間距離は約６ｍｍであり、隣合うノズル５６２間の中心間距離は約３ｍｍである。
【００３３】
従来の設計では、面板は一般に、本明細書に記載するような高温（例えば、約３００oＣ、４００oＣ、又は５００oＣ）には加熱されない。なぜならば、このような従来の面板の構造のために利用される材料、例えばアルミニウムは、昇温状態における強度が充分ではないからである。しかしながら、窒化アルミニウムといったセラミック材料は、本明細書で記載の昇温状態において所望の強度及び熱膨張を有する。加えて、シール材料が、３００oＣ以上といった高温では劣化する。しかしながら、本明細書に記載するブリッジ及び／又はサーマルチョークを含む面板を利用することで、分配部の近傍の面板の領域からシール、図ではシール１５６、１７０を有する結合部への、ヒータにより供給される熱の伝導が、面板の内部で低減される。従って、処理容積室の近傍の面板の内側の部分が、高温まで加熱可能であり、処理される基板Ｗへの堆積が改善され、その一方で、シール１５６、１７０の近傍の外側の部分は、シール１５６、１７０を熱による劣化から護るために、低温で維持される。
【００３４】
本明細書に記載の実施形態は、有利に、例えば３００oＣを上回るような、高温に加熱されうる面板を提供する。セラミック材料が、昇温状態において適切な強度を提供する。その一方で、面板に結合されたシールは、シールの熱的劣化を防止する温度に維持される。
【００３５】
以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてもよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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