(57)【要約】リソグラフィシステムが、放射ビームを生成するように構成された照明システムと、ビームにパターンを付与するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、パターン付与されたビームを基板に投影するように構成された投影システムと、イルミネータを備えたアライメントシステムと、を備える。イルミネータは、光ファイバと、光ファイバプロテクタ（７１４）と、光ファイバプロテクタを支持するように構成された第１の支持アームアセンブリを含む光ファイバサポート（７００）と、光学システムと、光学システムを支持するように構成された第２の支持アームアセンブリを含む光学システムサポートと、を備える。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを生成するように構成された照明システムと、
前記ビームにパターンを付与するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、
前記パターン付与されたビームを基板に投影するように構成された投影システムと、
イルミネータを備えたアライメントシステムと、を備え、
前記イルミネータが、
光ファイバと、
光ファイバプロテクタと、
前記光ファイバプロテクタを支持するように構成された第１の支持アームアセンブリを含む光ファイバサポートと、
光学システムと、
前記光学システムを支持するように構成された第２の支持アームアセンブリを含む光学システムサポートと、を有する、
リソグラフィシステム。
【請求項２】
前記光ファイバサポートと前記光学システムサポートとが、モジュールである、請求項１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項３】
前記光ファイバサポートと前記光学システムサポートとが、前記光ファイバと前記光学システムとが位置合わせされるように結合されている、請求項１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項４】
前記光ファイバサポートと前記光学システムサポートとが、ねじ部品を介して結合されている、請求項３に記載のリソグラフィシステム。
【請求項５】
前記第１の支持アームアセンブリが、それぞれがフレクシャブレード及び接触パッドを含む３つのフレクシャを含む、請求項１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項６】
前記３つのフレクシャが、前記光ファイバプロテクタと接線方向に接触するように構成されている、請求項５に記載のリソグラフィシステム。
【請求項７】
前記３つのフレクシャが、動的に動作するように構成されている、請求項５に記載のリソグラフィシステム。
【請求項８】
前記３つのフレクシャのそれぞれが、さらにＬ字型を有する、請求項５に記載のリソグラフィシステム。
【請求項９】
前記３つのフレクシャが、前記光ファイバにおける光学特性の変化を回避するために閾値未満の圧力を加えることによって前記光ファイバプロテクタを支持するように構成されている、請求項５に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１０】
前記３つのフレクシャが、最大３０ｇのショック荷重によるアライメント変化を防ぐように構成されている、請求項５に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１１】
前記光ファイバプロテクタが、フェルールである、請求項１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１２】
前記光ファイバサポートが、フェルールホルダである、請求項１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１３】
前記第２の支持アームアセンブリが、それぞれがフレクシャブレード及び接触パッドを含む３つのフレクシャを含む、請求項１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１４】
前記３つのフレクシャが、前記光学システムと接線方向に接触するように構成されている、請求項１３に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１５】
前記３つのフレクシャが、動的に動作するように構成されている、請求項１３に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１６】
前記３つのフレクシャのそれぞれが、さらにＬ字型を有する、請求項１３に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１７】
前記３つのフレクシャが、前記光学システムにおける光学特性の変化を回避するために閾値未満の圧力を加えることによって前記光学システムを支持するように構成されている、請求項１３に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１８】
前記３つのフレクシャが、最大３０ｇのショック荷重によるアライメント変化を防ぐように構成されている、請求項１３に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１９】
前記光学システムが、第１のレンズ及び第２のレンズを備えている、請求項１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項２０】
前記第２の支持アームアセンブリが、前記第１のレンズ及び前記第２のレンズの一方と接触する、請求項１９に記載のリソグラフィシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  この出願は、２０１８年５月１６日出願の米国仮特許出願第６２／６７２，２６０号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本開示は、アライメント装置及びシステム、例えばリソグラフィ装置及びシステムのためのアライメント源に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナと、を含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００４】
[0004]  別のリソグラフィシステムは干渉リソグラフィシステムである。これにはパターニングデバイスは存在せず、光ビームは２つのビームに分割され、反射システムを用いてこれら２つのビームを基板のターゲット部分で干渉させる。干渉によって、基板のターゲット部分にラインが形成される。
【０００５】
[0005]  リソグラフィ動作の間、様々な処理ステップによって基板上に様々な層を順次形成しなければならない場合がある。したがって、以前形成されたパターンに対して基板を高精度で位置決めすることが必要な場合がある。一般に、位置合わせ対象の基板上にはアライメントマークが配置され、第２の物体を基準にして位置付けられる。リソグラフィ装置は、アライメントマークの位置を検出し、マスクからの正確な露光を確保するようにアライメントマークを用いて基板を位置合わせするためのアライメント装置を用いることがある。２つの異なる層にあるアライメントマーク間のミスアライメントはオーバーレイエラーとして測定される。
【０００６】
[0006]  リソグラフィプロセスをモニタするために、パターン基板のパラメータが測定される。パラメータには、例えば、パターン基板内又は上に形成された連続する層間のオーバーレイエラーや現像された感光性レジストの臨界線幅が含まれてよい。この測定は、製品基板上及び／又は専用のメトロロジターゲット上で実行することができる。走査電子顕微鏡及び様々な専用ツールの使用を含むリソグラフィプロセスで形成される微細構造を測定する様々な技術がある。専用検査ツールの高速で非侵襲的な形態は、放射ビームを基板表面上のターゲットに誘導し、散乱又は反射したビームの特性を測定するスキャトロメータである。基板により反射又は散乱される前後のビームの特性を比較することによって、基板の特性を決定することができる。これは、例えば既知の基板特性に関連した既知の測定値のライブラリに格納されたデータと反射ビームを比較することによって実行することができる。分光スキャトロメータは広帯域放射ビームを基板上に誘導し、特定の狭い角度範囲に散乱した放射のスペクトル（波長の関数としての強度）を測定する。これに対して、角度分解スキャトロメータは単色放射ビームを使用し、散乱した放射の強度を角度の関数として測定する。
【０００７】
[0007]  このような光学スキャトロメータは、現像された感光性レジストのクリティカルディメンションやパターン基板内又は上に形成された２つの層の間のオーバーレイエラー（ＯＶ）などのパラメータを測定するのに使用することができる。基板の特性は、基板により反射又は散乱される前後の照明ビームの特性を比較することによって測定することができる。
【０００８】
[0008]  アライメントアセンブリは、様々な環境条件に関する精密さを必要とする。したがって、環境条件に関わらずミスアライメントを緩和する光学アライメントアセンブリを提供する必要がある。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  一例では、リソグラフィシステムが、放射ビームを生成するように構成された照明システムと、ビームにパターンを付与するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、パターン付与されたビームを基板に投影するように構成された投影システムと、イルミネータを備えたアライメントシステムと、を備える。一例では、イルミネータは、光ファイバと、光ファイバプロテクタと、光ファイバプロテクタを支持するように構成された第１の支持アームアセンブリを含む光ファイバサポートと、光学システムと、光学システムを支持するように構成された第２の支持アームアセンブリを含む光学システムサポートと、を備える。
【００１０】
[0010]  一例では、イルミネータが、光ファイバと、光ファイバプロテクタと、光ファイバプロテクタを支持するように構成された第１の支持アームアセンブリを含む光ファイバサポートと、光学システムと、光学システムを支持するように構成された第２の支持アームアセンブリを含む光学システムサポートと、を備える。一例では、光ファイバサポートと光学システムサポートとはモジュールであって、光ファイバと光学システムとが位置合わせされるように結合される。
【００１１】
[0011]  一例では、アライメントに不可欠な光学コンポーネントを支持する方法が、光ファイバプロテクタに第１の接触圧を加えるように構成された第１の支持アームアセンブリを含む光ファイバサポートを使用して光ファイバを支持すること、及び、光学システムに第２の接触圧を加えるように構成された第２の支持アームアセンブリを含む光学システムサポートを使用して光学システムを支持すること、を含む。一例では、光ファイバサポートと光学システムサポートとは、光ファイバと光学システムとが位置合わせされるように結合される。
【００１２】
[0012]  本発明の別の特徴及び利点並びに本発明の様々な実施形態の構造及び作用は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書に記載する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に記載されている。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者はさらなる実施形態を容易に思いつくであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
[0013]  本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し説明とともに、更に本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるようにする働きをする。
【００１４】
【図１Ａ】[0014]  例示的な実施形態に係る反射型リソグラフィ装置の図である。
【図１Ｂ】[0015]  例示的な実施形態に係る透過型リソグラフィ装置の図である。
【図２】[0016]  例示的な実施形態に係る反射型リソグラフィ装置のより詳細な図である。
【図３】[0017]  例示的な実施形態に係るリソグラフィセルの図である。
【図４Ａ】[0018]  様々な例示的な実施形態に係るアライメント装置の図である。
【図４Ｂ】[0018]  様々な例示的な実施形態に係るアライメント装置の図である。
【図５】[0019]  例示的な実施形態に係るイルミネータの縦断面図である。
【図６】[0020]  例示的な実施形態に係る光ファイバサポートの縦断面図である。
【図７】[0021]  例示的な実施形態に係る光ファイバサポートの端面図である。
【図８】[0022]  例示的な実施形態に係る光学システムサポートの縦断面図である。
【図９】[0023]  例示的な実施形態に係る光学システムサポートの端面図である。
【図１０】[0024]  例示的な実施形態に係る光ファイバサポートの端面図である。
【図１１】[0025]  例示的な実施形態に係る歪み軽減サポートの縦断面図である。
【００１５】
[0026]  本発明の特徴及び利点は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことで更に明白になるであろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。さらに、一般に、参照番号の左端の桁は、参照番号が最初に表示される図面を識別する。他に示されない限り、本開示を通じて提供される図面は縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
[0027]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される１つ又は複数の実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される１つ又は複数の実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。
【００１７】
[0028]  記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。更に、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。更に、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。
【００１８】
[0029]  「下（beneath）」、「下（below）」、「下（lower）」、「上（above）」、「上（on）」、「上（upper）」などのような空間的に相対的な用語は、図に示すように、ある要素又は機能と別の１つ又は複数の要素又は１つ又は複数の機能との関係を説明するのを容易にするために、本明細書で使用され得る。空間的に相対的な用語は、図に示されている方向に加えて、使用中又は動作中のデバイスの様々な方向を包含することを意図している。装置は、他の方法で方向付けられてもよく（９０度又は他の方向に回転されてもよい）、本明細書で使用される空間的に相対的な記述語は、同様にそれに応じて解釈され得る。
【００１９】
[0030]  本明細書で使用される「約」という語は、特定の技術に基づいて変化し得る所与の量の値を示す。特定の技術に基づいて、「約」という語は、例えばその値の１０〜３０％（例えば、その値の±１０％、±２０％、又は±３０％）の範囲内で変化する所与の量の値を示す可能性がある。
【００２０】
[0031]  本開示の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらのいずれかの組み合わせにおいて実施可能である。また、本開示の実施形態は、１つ以上のプロセッサによって読み取り及び実行され得る機械読み取り可能媒体上に記憶された命令としても実施することができる。機械読み取り可能媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）によって読み取り可能な形態の情報を記憶又は送信するためのいずれかの機構を含み得る。例えば、機械読み取り可能媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音、又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）、及び他のものを含むことができる。更に、一定の動作を実行するものとして本明細書ではファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、及び／又は命令を記載することができる。しかしながらそのような記載は単に便宜上のものであり、そういった動作は実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスから得られることは認められよう。
【００２１】
[0032]  このような実施形態を詳述する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示の環境を提示することが有用であろう。
【００２２】
[0033]  例示的なリソグラフィシステム
【００２３】
[0034]  図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ本発明の実施形態が実装され得るリソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’の概略図である。リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’はそれぞれ以下の、放射ビームＢ（例えば深紫外放射又は極端紫外放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成されるとともに、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成されるとともに、基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、を備える。リソグラフィ装置１００及び１００’は、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影するように構成された投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型である。リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。
【００２４】
[0035]  照明システムＩＬは、放射ビームＢを誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００２５】
[0036]  支持構造ＭＴは、基準フレームに対するパターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置１００及び１００’のうちの少なくとも１つの設計等の条件、及びパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的、真空、静電、又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、フレーム又はテーブルでもよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。センサを使用することにより、支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが、例えば、投影システムＰＳに対して確実に所望の位置に来るようにできる。
【００２６】
[0037]  「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するために放射ビームＢの断面にパターンを付与するのに使用され得る何らかのデバイスを指すものと広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路を形成するためにターゲット部分Ｃに生成されるデバイスにおける特定の機能層に対応する可能性がある。
【００２７】
[0038]  パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’におけるように）透過型であっても、（図１Ａのリソグラフィ装置１００におけるように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例には、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、又はプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、又はハーフトーン型位相シフトマスク、さらには多様なハイブリッドマスクタイプなどのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、それぞれが入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜され得る小さいミラーのマトリクス配列を採用する。傾斜されたミラーは、小さいミラーのマトリクスにより反射される放射ビームＢにパターンを付与する。
【００２８】
[0039]  本明細書において使用する「投影システム」ＰＳという用語は、用いられる露光放射線に、又は、液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要素に適切な屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はそれらのあらゆる組み合わせを含むあらゆるタイプの投影システムを含んでいてもよい。その他のガスは放射線又は電子を吸収し過ぎる可能性があるため、ＥＵＶ又は電子ビーム放射線には真空環境を使用することがある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。
【００２９】
[0040]  リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであってよい。このような「マルチステージ」マシンにおいては、追加の基板テーブルＷＴが並行して使用されるか、あるいは１つ以上の基板テーブルＷＴが露光に使用されている間に、１つ以上の他のテーブルで準備工程が実行されてよい。ある状況では、追加のテーブルは基板テーブルＷＴでなくてもよい。
【００３０】
[0041]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆うことができるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野でよく知られている。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００３１】
[0042]  図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合には、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００、１００’とは別個の物理的実体であってよい。この場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００又は１００’の一部を構成するとは見なされず、放射ビームＢは放射源ＳＯから、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）を介してイルミネータＩＬへ通過する。他の場合、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合には、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００、１００’の一体部分であってよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビームデリバリシステムＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと呼ばれることがある。
【００３２】
[0043]  イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を備えてよい。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ「σ‐outer」及び「σ‐inner」と呼ばれる）を調整することができる。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネント（図１Ｂ）を備えてもよい。イルミネータＩＬは、ビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームＢを調節するのに使用することができる。
【００３３】
[0044]  図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン付与される。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後に、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けによって、基板テーブルＷＴを（例えば、放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗを位置合わせすることができる。
【００３４】
[0045]  図１Ｂを参照すると、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に放射ビームＢが入射し、パターニングデバイスによってパターン付与される。マスクＭＡを横断した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは基板Ｗのターゲット部分Ｃにビームを合焦させる。投影システムは、照明システム瞳ＩＰＵと共役な瞳ＰＰＵを有する。放射の一部は、照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布から生じ、マスクパターンにおいて回折の影響を受けることなくマスクパターンを横切り、照明システム瞳ＩＰＵにおいて強度分布の像を作り出す。
【００３５】
[0046]  投影システムＰＳは、マスクパターンＭＰの像ＭＰ’を投影する。像ＭＰ’は、強度分布からの放射によりマスクパターンＭＰから生成された回折ビームによって、基板Ｗ上に被覆されたフォトレジスト層上に形成される。例えば、マスクパターンＭＰには、ラインとスペースのアレイが含まれてよい。アレイでの放射回折でゼロ次回折でないものからは、ラインと垂直な方向に方向が変わった誘導回折ビームが生成される。非回折ビーム（すなわち、いわゆるゼロ次回折ビーム）は、伝搬方向が変化することなくパターンを横断する。ゼロ次回折ビームは、投影システムＰＳの共役な瞳ＰＰＵの上流にある投影システムＰＳの上部レンズ又は上部レンズグループを横断して、共役な瞳ＰＰＵに到達する。ゼロ次回折ビームに関連する共役な瞳ＰＰＵの面における強度分布の部分が、照明システムＩＬの照明システム瞳ＩＰＵの強度分布の像である。開口デバイスＰＤは、例えば投影システムＰＳの共役な瞳ＰＰＵを含む平面に又は概ね平面に配置される。
【００３６】
[0047]  投影システムＰＳは、レンズ又はレンズグループＬによって、ゼロ次回折ビームのみならず、１次又は１次以上の回折ビーム（図示せず）も捉えるように配置される。一部の実施形態では、ラインに対して垂直な方向に延びるラインパターンを結像するためのダイポール照明を使用して、ダイポール照明の解像度向上効果を利用することができる。例えば、１次回折ビームは、対応するゼロ次回折ビームにウェーハＷのレベルで干渉して、ラインパターンＭＰの像を可能な限り最高の解像度及びプロセスウィンドウ（すなわち、使用可能焦点深度及び許容露光ドーズの変化の組み合わせ）で生成する。一部の実施形態では、照明システム瞳ＩＰＵの対向する象限に放射極（図示せず）を提供することによって非点収差を低減することができる。さらに、一部の実施形態では、対向する象限の放射極に関連付けられた投影システムの共役な瞳ＰＰＵでゼロ次ビームを遮断することによって非点収差を低減することができる。このことは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、２００９年３月３１日発行の米国特許第７，５１１，７９９号により詳細に説明されている。
【００３７】
[0048]  第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けにより、（例えば放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、（例えばマスクライブラリの機械的な取り出し後又はスキャン中に）第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１Ｂに図示せず）とを使用して、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。
【００３８】
[0049]  一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブラインアライメントマークとして周知である）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３９】
[0050]  マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは、真空チャンバＶ内にあってよい。真空内ロボットＩＶＲを用いて、マスクなどのパターニングデバイスを真空チャンバ内及び外に移動させることができる。代替的に、マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空チャンバの外側にある場合、真空内ロボットＩＶＲと同様に、様々な輸送作業のために真空外ロボットを用いることができる。真空内及び真空外ロボットは、共に中継ステーションの固定されたキネマティックマウントへの任意のペイロード（例えばマスク）のスムーズな移動のために較正される必要がある。
【００４０】
[0051]  図示のリソグラフィ装置１００及び１００’は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００４１】
[0052]  １．ステップモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
【００４２】
[0053]  ２．スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
【００４３】
[0054]  ３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。パルス放射線源ＳＯを使用することができ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００４４】
[0055]  上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００４５】
[0056]  さらなる実施形態では、リソグラフィ装置１００は、極端紫外（ＥＵＶ）放射源を備える。極端紫外放射源は、ＥＵＶリソグラフィのためにＥＵＶ放射ビームを発生させるように構成される。一般に、ＥＵＶ放射源は、放射システム内に構成され、対応する照明システムが、ＥＵＶ放射源のＥＵＶ放射ビームを調節するように構成される。
【００４６】
[0057]  図２は、ソースコレクタ装置ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを備えたリソグラフィ装置１００をより詳細に示している。ソースコレクタ装置ＳＯは、このソースコレクタ装置ＳＯの閉鎖構造２２０内に真空環境を維持できるように構築及び配置される。放電生成プラズマ源によってＥＵＶ放射放出プラズマ２１０を形成することができる。ＥＵＶ放射を生成するには、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気のようなガス又は蒸気によって、極めて高温のプラズマ２１０を生成して、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出させればよい。極めて高温のプラズマ２１０は、例えば放電によって少なくとも不完全電離プラズマを生じさせることによって生成される。効率的な放射発生のため、例えば分圧が１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎの蒸気又は他のいずれかの適切なガスもしくは蒸気が必要となることがある。ある実施形態では、励起したスズ（Ｓｎ）のプラズマを供給してＥＵＶ放射を生成する。
【００４７】
[0058]  高温プラズマ２１０が発した放射は、放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へ、放射源チャンバ２１１の開口内又は開口の後ろに位置決めされた任意選択のガスバリア又は汚染物質トラップ２３０（場合によっては汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介して送出される。汚染物質トラップ２３０はチャネル構造を含んでよい。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。本明細書でさらに示す汚染物質トラップ又は汚染物質バリア２３０は、少なくともチャネル構造を含む。
【００４８】
[0059]  コレクタチャンバ２１２は、いわゆるかすり入射型コレクタの場合もある放射コレクタＣＯを含んでよい。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１及び下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを横断する放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射して、仮想光源点ＩＦに合焦させることができる。仮想光源点ＩＦは一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタ装置は、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０の開口２１９に又はその近傍に位置するように配置される。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。格子スペクトルフィルタ２４０は、特に赤外線（ＩＲ）放射を抑制するために用いられる。
【００４９】
[0060]  この後、放射は照明システムＩＬを横断する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２２１の所望の角度分布を与えるとともにパターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２２及びファセット瞳ミラーデバイス２２４を備えてよい。支持構造ＭＴにより保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２２１が反射されると、パターン付きビーム２２６が形成され、このパターン付きビーム２２６は、投影システムＰＳによって反射要素２２８、２２９を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。
【００５０】
[0061]  一般に、照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＳには、図示するよりも多くの要素が存在する場合がある。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意選択的に存在する場合がある。さらに、図２に示したものよりも多くのミラーが存在する場合があり、例えば投影システムＰＳには、図２に示したものに比べて１つから６つの追加の反射要素が存在することがある。
【００５１】
[0062]  図２に示すようなコレクタ系ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、かすり入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５を有する入れ子状のコレクタとして示されている。かすり入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５は、光軸Ｏを中心として軸方向に対称配置され、このタイプのコレクタ系ＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて好適に用いられる。
【００５２】
[0063]  例示的なリソグラフィセル
【００５３】
[0064]  図３は、リソセル又はクラスタと呼ばれることもあるリソグラフィセル３００を示している。リソグラフィ装置１００又は１００’はリソグラフィセル３００の一部を構成することがある。また、リソグラフィセル３００は、基板に露光前プロセス及び露光後プロセスを実行する１つ以上の装置を含んでよい。従来から、これらにはレジスト層を堆積させるためのスピンコータＳＣ、露光したレジストを現像するためのデベロッパＤＥ、冷却プレートＣＨ、及びベークプレートＢＫが含まれる。基板ハンドラ、すなわちロボットＲＯが、入出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板を取り出し、それらを様々なプロセス装置間で移動させ、リソグラフィ装置１００又は１００’のローディングベイＬＢに引き渡す。これらのデバイスは、まとめてトラックと呼ばれることも多く、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にある。ＴＣＵ自体は監視制御システムＳＣＳによって制御され、ＳＣＳはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、これらの様々な装置はスループット及び処理効率を最大化するように動作させることができる。
【００５４】
[0065]  例示的なアライメント装置
【００５５】
[0066]  リソグラフィプロセスを制御して、基板上にデバイスフィーチャを正確に配置するために、一般的にアライメントマークが基板上に設けられ、リソグラフィ装置は、基板上のマークの位置を正確に測定する必要がある１つ以上のアライメント装置及び／又はシステムを備える。これらのアライメント装置は、事実上、位置測定装置である。異なる時期及び異なる製造業者からの異なるタイプのマーク及び異なるタイプのアライメント装置及び／又はシステムが知られている。現在のリソグラフィ装置において広く使用されているシステムのタイプは、米国特許第６，９６１，１１６号（ｄｅｎ  Ｂｏｅｆ他）に記載されているような自己参照干渉計に基づくものである。一般的にマークは、Ｘ位置及びＹ位置を取得するために別々に計測される。しかしながら、米国特許出願公開第２００９／１９５７６８Ａ号（Ｂｉｊｎｅｎ他）に記載された技法を使用して、組み合わされたＸ及びＹ測定を実行することができる。これらの２つの開示の全内容は参照により本明細書に組み込まれる。
【００５６】
[0067]  図４Ａは、ある実施形態に係るリソグラフィ装置１００又は１００’の一部として実装可能なアライメント装置４００の断面図を示している。この実施形態のある例では、アライメント装置４００は、基板（例えば基板Ｗ）をパターニングデバイス（例えばパターニングデバイスＭＡ）に対して位置合わせするように構成されることがある。アライメント装置４００はさらに、基板上のアライメントマークの位置を検出し、アライメントマークの検出された位置を使用してパターニングデバイス又はリソグラフィ装置１００又は１００’の他のコンポーネントに対して基板を位置合わせするように構成されることがある。基板のこのようなアライメントによって、基板上の１つ以上のパターンの正確な露光が確保されることがある。
【００５７】
[0068]  ある実施形態によれば、アライメント装置４００は、この実施形態のある例に係る、照明システム４１２、ビームスプリッタ４１４、干渉計４２６、検出器４２８、ビームアナライザ４３０、及びオーバーレイ計算プロセッサ４３２を備えることがある。照明システム４１２は、１つ以上の通過帯域を有する狭帯域電磁放射ビーム４１３を供給するように構成されることがある。ある例では、１つ以上の通過帯域は、約５００ｎｍ〜約９００ｎｍの波長スペクトル内にあってよい。別の例では、１つ以上の通過帯域は、約５００ｎｍ〜約９００ｎｍの波長スペクトル内にある別個の狭い通過帯域であってもよい。照明システム４１２はさらに、長期間にわたって（例えば照明システム４１２の寿命にわたって）実質的に一定の中心波長（ＣＷＬ）値を有する１つ以上の通過帯域を提供するように構成されることがある。照明システム４１２のこのような構成は、現在のアライメントシステムにおける上述のような実際のＣＷＬ値の所望のＣＷＬ値からのずれを防止するのに役立つことがある。その結果、一定のＣＷＬ値の使用によって、現在のアライメント装置に比べてアライメントシステム（例えばアライメント装置４００）の長期的な安定性及び精度を向上させることができる。
【００５８】
[0069]  ある実施形態によれば、ビームスプリッタ４１４は、放射ビーム４１３を受け取り、放射ビーム４１３を少なくとも２つの放射サブビームに分割するように構成されることがある。ある例では、図４Ａに示すように、放射ビーム４１３は放射サブビーム４１５及び４１７に分割されることがある。ビームスプリッタ４１４はさらに、放射サブビーム４１５をステージ４２２上に載置された基板４２０に向けるように構成されることがある。一例では、ステージ４２２は方向４２４に沿って移動可能である。放射サブビーム４１５は、基板４２０上に位置付けられたアライメントマーク又はターゲット４１８を照明するように構成されることがある。この実施形態の例では、アライメントマーク又はターゲット４１８は、放射感応性フィルムで覆われることがある。別の例では、アライメントマーク又はターゲット４１８は、１８０度（すなわち１８０°）の対称性を有することがある。すなわち、アライメントマーク又はターゲット４１８がアライメントマーク又はターゲット４１８の面に対して垂直な対称軸の周りに１８０°回転されると、回転したアライメントマーク又はターゲット４１８は、回転していないアライメントマーク又はターゲット４１８と実質的に同一になることがある。基板４２０上のターゲット４１８は、（ａ）ソリッドなレジストラインから形成されるバーを含むレジスト層回折格子、（ｂ）プロダクトレイヤ回折格子、又は（ｃ）プロダクトレイヤ回折格子上に重ね合わされた又は交互配置されたレジスト回折格子を含むオーバーレイターゲット構造内の複合回折格子スタックであってよい。代替的に、バーは基板内にエッチングされることがある。このパターンは、リソグラフィ投影装置、特に投影システムＰＬにおける色収差に敏感であり、照明対称性及びそのような収差の存在は、プリントされた回折格子のばらつきとなって現れる。ライン幅、ピッチ、及びクリティカルディメンジョンを測定するためにデバイス製造で使用されるインライン方法の１つは、「スキャトロメトリ」として知られている技術を使用する。スキャトロメトリ法は、Raymond et al.「Multiparameter Grating Metrology Using Optical Scatterometry」J.Vac.Sci.Tech.B,Vol.15,no.2,pp.361-368(1997)及びNiu et al.「Specular Spectroscopic Scatterometry in DUV Lithography」SPIE,Vol.3677(1999)に記載されており、これらの文献は両方ともその全体が参照により本明細書に組み込まれる。スキャトロメトリでは、光はターゲット中の周期構造によって反射され、結果として得られる所与の角度での反射スペクトルが検出される。その反射スペクトルを生じさせる構造は、例えば厳密結合波分析（ＲＣＷＡ：Rigorous Coupled-Wave Analysis）を用いて、又はシミュレーションにより導出されたパターンのライブラリと比較することによって再構成される。したがって、プリントされた回折格子のスキャトロメトリデータを使用して回折格子を再構成する。プリント工程及び／又は他のスキャトロメトリプロセスの知識から、処理ユニットＰＵにより行われる再構成プロセスに、ライン幅及び形状などの回折格子のパラメータを入力することがある。
【００５９】
[0070]  ある実施形態によれば、ビームスプリッタ４１４はさらに、回折放射ビーム４１９を受け取り、回折放射ビーム４１９を少なくとも２つの放射サブビームに分割するように構成されることがある。ある例では、図４Ａに示すように、回折放射ビーム４１９は、回折放射サブビーム４２９及び４３９に分割されることがある。
【００６０】
[0071]  なお、ビームスプリッタ４１４は、放射サブビーム４１５をアライメントマーク又はターゲット４１８に向け、回折放射サブビーム４２９を干渉計４２６に向けるように示されているが、本開示はこれに限定されない。基板４２０上のアライメントマーク又はターゲット４１８を照明し、アライメントマーク又はターゲット４１８の像を検出するのと同様の結果を得るために他の光学的構成を使用できることは、当業者には明らかであろう。
【００６１】
[0072]  図４Ａに示すように、干渉計４２６は、ビームスプリッタ４１４を介して放射サブビーム４１７及び回折放射サブビーム４２９を受け取るように構成されることがある。例示的な実施形態では、回折放射サブビーム４２９は、アライメントマーク又はターゲット４１８から反射され得る放射サブビーム４１５の少なくとも一部分であってよい。この実施形態の例では、干渉計４２６は、任意の適切な光学素子のセット、例えば、受け取った回折放射サブビーム４２９に基づいてアライメントマーク又はターゲット４１８の２つの像を形成するように構成され得るプリズムの組み合わせを備える。なお、高品質の像を形成する必要はないが、アライメントマーク４１８のフィーチャが解像されるべきであることを理解されたい。干渉計４２６はさらに、この２つの像のうちの一方を、この２つの像のうちの他方に対して１８０°回転させ、回転した像と回転していない像とを干渉法によって再結合するように構成されることがある。
【００６２】
[0073]  ある実施形態では、検出器４２８は、アライメント装置４００のアライメント軸４２１がアライメントマーク又はターゲット４１８の対称中心（図示せず）を通過するときに、再結合された像を干渉計信号４２７を介して受け取り、再結合された像の結果である干渉を検出するように構成されることがある。このような干渉は、例示的な実施形態によれば、アライメントマーク又はターゲット４１８が１８０°対称であり、再結合された像が強め合うように又は弱め合うように干渉することに起因することがある。検出された干渉に基づいて、検出器４２８はさらに、アライメントマーク又はターゲット４１８の対称中心の位置を決定し、その結果、基板４２０の位置を検出するように構成されることがある。ある例によれば、アライメント軸４２１は、基板４２０に対して垂直でかつ像回転干渉計４２６の中心を通過する光ビームと位置合わせされることがある。検出器４２８はさらに、センサ特性を実装し、かつウェーハマークのプロセス変動と相互作用することによって、アライメントマーク又はターゲット４１８の位置を推定するように構成されることがある。
【００６３】
[0074]  さらなる実施形態では、検出器４２８は、以下の測定のうちの１つ以上を実施することによって、アライメントマーク又はターゲット４１８の対称中心の位置を決定する。
１．様々な波長に対する位置変動（色間の位置シフト）を測定すること、
２．様々な次数に対する位置変動（回折次数間の位置シフト）を測定すること、及び
３．様々な偏光に対する位置変動（偏光間の位置シフト）を測定すること。
このデータは、任意の種類のアライメントセンサ、例えば、単一の検出器及び４つの異なる波長を用いる自己参照干渉計を採用し、アライメント信号をソフトウェアで抽出する米国特許第６，９６１，１１６号に記載されているＳＭＡＳＨ（SMart Alignment Sensor Hybrid）センサ、又は、７つの回折次数のそれぞれを専用の検出器に向ける米国特許第６，２９７，８７６号に記載されているＡｔｈｅｎａ（Advanced Technology using High order ENhancement of Alignment）を用いて取得することができる。これらの特許はいずれも参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【００６４】
[0075]  ある実施形態では、ビームアナライザ４３０は、回折放射サブビーム４３９を受け取り、その光学的状態を決定するように構成されることがある。光学的状態とは、ビーム波長、偏光、又はビームプロファイルの測度であってよい。ビームアナライザ４３０はさらに、ステージ４２２の位置を決定し、ステージ４２２の位置をアライメントマーク又はターゲット４１８の対称中心の位置と相関させるように構成されることがある。したがって、アライメントマーク又はターゲット４１８の位置、ひいては基板４２０の位置をステージ４２２を基準にして正確に知ることができる。代替的に、ビームアナライザ４３０は、アライメントマーク又はターゲット４１８の対称中心をアライメント装置４００又は任意の他の基準要素を基準にして知ることができるように、アライメント装置４００又は任意の他の基準要素の位置を決定するように構成されることがある。ビームアナライザ４３０は、何らかの形態の波長帯域選択性を有するポイント又はイメージング偏光計であってよい。ある実施形態によれば、ビームアナライザ４３０は、アライメント装置４００に直接的に組み込まれるか、又は他の実施形態によれば、偏光保存シングルモード、マルチモード、又はイメージングなどのいくつかの種類の光ファイバを介して接続されることがある。
【００６５】
[0076]  ある実施形態では、ビームアナライザ４３０はさらに、基板４２０上の２つのパターン間のオーバーレイデータを測定するように構成されることがある。これらのパターンのうちの一方は、基準層上の基準パターンであってよい。他方のパターンは、露光された層上の露光パターンであってよい。基準層は、基板４２０上に既に存在するエッチングされた層であってよい。基準層は、リソグラフィ装置１００及び／又は１００’により基板上に露光された基準パターンによって生成されることがある。露光された層は、基準層に隣接して露光されたレジスト層であってよい。露光された層は、リソグラフィ装置１００又は１００’により基板４２０上に露光された露光パターンによって生成されることがある。基板４２０上の露光パターンは、ステージ４２２による基板４２０の移動に対応することがある。ある実施形態では、測定されたオーバーレイデータは、基準パターンと露光パターンとの間のオフセットを示すこともある。測定されたオーバーレイデータを較正データとして使用して、リソグラフィ装置１００又は１００’により露光された露光パターンを較正することができ、その結果、較正後、露光された層と基準層との間のオフセットを最小限に抑えることができる。
【００６６】
[0077]  ある実施形態では、ビームアナライザ４３０はさらに、基板４２０のプロダクトスタックプロファイルのモデルを決定するように構成されることがあり、一回の測定でターゲット４１８のオーバーレイ、クリティカルディメンジョン、及び焦点を測定するように構成されることがある。プロダクトスタックプロファイルは、アライメントマーク、ターゲット４１８、又は基板４２０などの積層されたプロダクトの情報を含んでおり、また、照明変動の関数である、マーク処理変動に誘導された光学特徴計測を含むことがある。プロダクトスタックプロファイルは、プロダクト回折格子プロファイル、マークスタックプロファイル、及びマーク非対称性情報を含むこともある。ビームアナライザ４３０の一例としては、米国特許第８，７０６，４４２号に記載されているオランダのＶｅｌｄｈｏｖｅｎのＡＳＭＬ社によって製造されているＹｉｅｌｄｓｔａｒ（登録商標）があり、この特許は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。ビームアナライザ４３０はさらに、その層内の露光パターンの特定の特性に関連した情報を処理するように構成されることがある。例えば、ビームアナライザ４３０は、その層内の描写された像のオーバーレイパラメータ（基板上の前の層に対するその層の位置決め精度、又は基板上のマークに対する第１の層の位置決め精度の指標）、焦点パラメータ、及び／又はクリティカルディメンジョンパラメータ（例えば、ライン幅及びその変動）を処理することがある。他のパラメータとしては、露光パターンの描写された像の品質に関連した像パラメータがある。
【００６７】
[0078]  一部の実施形態では、検出器のアレイ（図示せず）がビームアナライザ４３０に接続されることがあり、以下で考察するように正確なスタックプロファイル検出の可能性を許容する。例えば、検出器４２８は検出器のアレイであってよい。検出器アレイについては、いくつかの選択肢、すなわちマルチモードファイバ束、チャネル毎の個別のピン検出器、又はＣＣＤ若しくはＣＭＯＳ（リニア）アレイが可能である。マルチモードファイバ束を使用することによって、安定性上の理由により放散素子を離して設置することが可能になる。個別のＰＩＮ検出器は、大きなダイナミックレンジを提供するが、そのそれぞれが別々のプリアンプを必要とする。したがって、素子の数は限られる。ＣＣＤリニアアレイは、高速で読み出すことができる多数の素子を提供し、また、位相ステッピング検出が用いられる場合には特に興味深い。
【００６８】
[0079]  ある実施形態では、図４Ｂに示すように、第２のビームアナライザ４３０’が、回折放射サブビーム４２９を受け取り、その光学的状態を決定するように構成されることがある。光学的状態とは、ビーム波長、偏光、又はビームプロファイルの測度であってよい。第２のビームアナライザ４３０’はビームアナライザ４３０と同一であってよい。代替的に、第２のビームアナライザ４３０’は、ステージ４２２の位置を決定すること、及びステージ４２２の位置をアライメントマーク又はターゲット４１８の対称中心の位置と相関させることなど、ビームアナライザ４３０の少なくとも全ての機能を実行するように構成されることもある。したがって、アライメントマーク又はターゲット４１８の位置、ひいては基板４２０の位置をステージ４２２を基準にして正確に知ることができる。第２のビームアナライザ４３０’はまた、アライメントマーク又はターゲット４１８の対称中心がアライメント装置４００又は任意の他の基準要素を基準にして知ることができるように、アライメント装置４００又は任意の他の基準要素の位置を決定するように構成されることがある。第２のビームアナライザ４３０’はさらに、２つのパターン間のオーバーレイデータ及び基板４２０のプロダクトスタックプロファイルのモデルを決定するように構成されることがある。第２のビームアナライザ４３０’は、一回の測定でターゲット４１８のオーバーレイ、クリティカルディメンジョン、及び焦点を測定するように構成されることもある。
【００６９】
[0080]  ある実施形態では、第２のビームアナライザ４３０’は、アライメント装置４００に直接的に組み込まれるか、又は、他の実施形態によれば、偏光保存シングルモード、マルチモード、又はイメージングなどのいくつかの種類の光ファイバを介して接続されることがある。代替的に、第２のビームアナライザ４３０’及びビームアナライザ４３０を組み合わせて、回折放射サブビーム４２９及び４３９の両方を受け取り、これらの光学的状態を決定するように構成された単一のアナライザ（図示せず）を形成することもある。
【００７０】
[0081]  ある実施形態では、プロセッサ４３２は、検出器４２８及びビームアナライザ４３０から情報を受け取る。例えばプロセッサ４３２は、オーバーレイ計算プロセッサであってよい。情報は、ビームアナライザ４３０により構築されたプロダクトスタックプロファイルのモデルを含むことがある。代替的に、プロセッサ４３２は、プロダクトマークに関する受け取った情報を使用してプロダクトマークプロファイルのモデルを構築することがある。いずれにしても、プロセッサ４３２は、プロダクトマークプロファイルのモデルを使用して又は組み込んで、積層されたプロダクト及びオーバーレイマークプロファイルのモデルを構築する。次いで、スタックモデルは、オーバーレイオフセットを決定するのに使用され、オーバーレイオフセット測定へのスペクトル効果を最小限に抑える。プロセッサ４３２は、照明ビームの光学的状態、アライメント信号、関連付けられた位置推定値、瞳面、像面、及び追加の面での光学的状態を含むがこれらに限定されない、検出器４２８及びビームアナライザ４３０から受け取った情報に基づいて、基本的な補正アルゴリズムを生成することがある。瞳面は、放射の半径方向位置が入射角を画定し、角度位置が放射のアジマス角を画定する面である。プロセッサ４３２は、その基本的な補正アルゴリズムを利用して、ウェーハマーク及び／又はアライメントマーク４１８を基準にしてアライメント装置４００を特徴付けることがある。
【００７１】
[0082]  ある実施形態では、プロセッサ４３２はさらに、検出器４２８及びビームアナライザ４３０から受け取った情報に基づいて、各マークのセンサ推定値に対するプリントされたパターンの位置オフセットエラーを決定するように構成されることがある。この情報には、プロダクトスタックプロファイル、基板４２０上の各アライメントマーク又はターゲット４１８のオーバーレイ、クリティカルディメンジョン、及び焦点の測定値が含まれるが、これらに限定されない。プロセッサ４３２は、クラスタリングアルゴリズムを利用して、マークを類似の一定のオフセットエラーのセットにグループ分けし、その情報に基づいてアライメントエラーオフセット補正テーブルを生成することがある。クラスタリングアルゴリズムは、オーバーレイ測定値、位置推定値、及びオフセットエラーの各セットに関連付けられた追加の光学スタック処理情報に基づくことがある。オーバーレイは、複数の異なるマーク、例えば、プログラムされたオーバーレイオフセットの周辺の正及び負のバイアスを有するオーバーレイターゲットについて計算される。最小のオーバーレイを測定するターゲットを基準とする（最高の精度で測定されるからである）。この測定された小さなオーバーレイと、その対応するターゲットの既知のプログラムされたオーバーレイから、オーバーレイエラーを推定することができる。表１は、これをどのようにして行うことができるかを示している。示した例において測定された最小のオーバーレイは−１ｎｍである。しかしながら、これはプログラムされたオーバーレイが−３０ｎｍであるターゲットに関係している。その結果、プロセスは２９ｎｍのオーバーレイエラーを持ち込んだはずである。
【００７２】
【表１】
2021522538.tif 000003
【００７３】
最小値を基準点とすることができ、これに対して、測定されたオーバーレイとプログラムされたオーバーレイに起因して予測されるオーバーレイとの間のオフセットを計算することができる。このオフセットは、各マーク又は類似のオフセットを有するマークのセットについてのオーバーレイエラーを決定する。したがって、表１の例では、測定された最小のオーバーレイは、プログラムされたオーバーレイが３０ｎｍであるターゲット位置において−１ｎｍであった。他のターゲットにおける予測されたオーバーレイと測定されたオーバーレイとの差をこの基準と比較する。表１などの表は、異なる照明設定の下でのマーク及びターゲット４１８から取得されることもあり、最小のオーバーレイエラーをもたらす照明設定、及びその対応する較正係数を決定し選択することがある。これに続いて、プロセッサ４３２は、マークを類似のオーバーレイエラーのセットにグループ分けすることがある。マークをグループ分けする基準は、例えば異なるプロセスに対する異なる誤差範囲などの異なるプロセス制御に基づいて調整されることがある。
【００７４】
[0083]  ある実施形態では、プロセッサ４３２は、グループの全ての又はほとんどのメンバーが類似のオフセットエラーを有することを確認し、また、その追加の光学スタック計測に基づいて、クラスタリングアルゴリズムからの個別のオフセット補正を各マークに適用することがある。プロセッサ４３２は、各マークに対する補正値を決定し、例えば、補正値をアライメント装置４００に供給することによってオーバーレイにおけるエラーを補正するために、それらの補正値をリソグラフィ装置１００又は１００’にフィードバックすることがある。
【００７５】
[0084]  例示的なイルミネータ安定化装置
【００７６】
[0085]  アライメント装置は、典型的には基板上の位置を測定する精密光学アセンブリを備えた安定した照明源を必要とする。また、アライメント装置は、環境条件の変化にかかわらずアライメントを維持できるものでなければならない。
【００７７】
[0086]  アライメント装置の典型的な照明源は、光ファイバコリメートアセンブリであってよい。アセンブリは、所望のビーム広がり、方向、及び偏光を示すように位置合わせされた光ファイバ及びレンズシステムを有することがある。これらの特性を維持する１つの方法は、接着剤又は他の接着材料でコンポーネントを所定の位置に取り付けることであってよい。しかしながら、接着剤を使用することは、温度、圧力、湿度などの環境変化がある場合に安定性問題を引き起こす可能性がある。接着剤の感応性の１つは、接着剤が湿度の変化とともに寸法的に変化する可能性があることであり、これによってファイバコリメータアセンブリを出射する放射ビームの指向性及び偏光のドリフトが生じる可能性がある。これは、ファイバコリメータアセンブリがリソグラフィシステム内でアライメント装置用の光源として使用される場合の基板位置決めの信頼性に影響を与える可能性がある。
【００７８】
[0087]  図５は、例示的な実施形態に係るイルミネータ５００の縦断面図を示している。一例では、イルミネータ５００はリソグラフィ装置１００（図１Ａ）又は１００’（図１Ｂ）の一部として実装されることがある。一例では、イルミネータ５００は、アライメント装置４００の照明システム４１２の代わりに実装されることがある。一例では、イルミネータ５００は、光ファイバ５０２、歪み軽減サポート５０４、光ファイバサポート５０６、及び光学システムサポート５０８を含む光ファイバコリメーションアセンブリである。一例では、光ファイバサポート５０６及び光学システムサポート５０８はモジュールとなるように構成される。
【００７９】
[0088]  以上で考察したように、光ファイバ５０２は、接着剤などの接着材料を用いて光ファイバサポート５０６に固定されることがある。動作中、接着剤は、ロード経路内の接着材料がクリティカルアライメントの不安定性をもたらす可能性があるため性能に影響を及ぼす可能性がある。この例では、ウェーハアライメント精度は、リソグラフィ装置１００（図１Ａ）又は１００’（図１Ｂ）内のアライメント装置４００（図４Ａ及び４Ｂ）で接着剤に関連する不安定性を経験するイルミネータ５００が用いられている場合に悪化する可能性がある。例えば、照明誤差は、これらの不安定性の結果であるイルミネータ５００を出射する放射ビームの傾きによって支配されることがある。本明細書で考察される他の実施形態は、機械構造、例えば密着した構成を使用して、クリティカルな光学コンポーネントのアライメントをサポートする。
【００８０】
[0089]  図６は、例示的な実施形態に係る光ファイバサポート６００の縦断面図を示している。一例では、光ファイバサポート６００は、光ファイバプロテクタ６０４（例えばフェルール）を支持するように構成された支持アームアセンブリ６０２を備える。一例では、光ファイバ６０６が光ファイバプロテクタ６０４に挿入される。
【００８１】
[0090]  一例では、光ファイバプロテクタ６０４はジルコニウム材料で製造されるが、他の例では、セラミック材料又は複合材料であってもよい。
【００８２】
[0091]  一例では、光ファイバサポート６００は、光軸６１０が中心を通る円筒形状の本体６０８である。この例では、本体６０８は、光軸６１０に沿って走る、光ファイバプロテクタ６０４及び光ファイバ６０６を収容するように構成された開口６１２を備える。また、入口開口６１４及び出口開口６１６が本体６０８に形成されて、接続デバイス、例えば歪み軽減サポート５０４（図５）及び光学システムサポート５０８（図５）を収容する。この例では、開口６１６は、光ファイバ６０４が放出した放射を光ファイバサポート６００から出射させるように構成される。
【００８３】
[0092]  一例では、支持アームアセンブリ６０４は、光ファイバプロテクタ６０４に接触し、これを支持するように構成された１つ以上のアーム６１８、例えば、フレクシャアーム、動的フレクシャアーム、収縮可能なアームなどを含む。一例では、アーム６１８は、光ファイバ６０６が放出した放射のビーム特性（例えば偏光）を調整するための、光ファイバプロテクタ６０４及び光ファイバ６０６の並進及び回転位置調整を可能にするように構成される。
【００８４】
[0093]  一例では、各アーム６１８は、光ファイバプロテクタ６０４の端から端までの部分と接触する隣接接触領域を有するように構成されることがある。しかしながら、各アーム６１８に沿った隣接接触領域は、光ファイバプロテクタ６０４のアライメントに不安定性をもたらす可能性がある。そこで、別の例では、各アーム６１８を下方接触領域６２０及び上方接触領域６２２で光ファイバプロテクタ６０４と接触するように構成し、アライメント安定性を向上させることができる。
【００８５】
[0094]  一例では、温度変化は、アライメントに不可欠なコンポーネントの寸法を変化させる可能性があるという理由で懸念事項である。寸法の変化は、特定のコンポーネントに許容範囲内の熱膨張係数を示すジルコニウムやチタンなどを使用する場合に大幅に低減することができる。そこで、一例では、本体６０８、支持アームアセンブリ６０２、及び／又はアーム６１８はこれらの材料から製造される。
【００８６】
[0095]  図７は、例示的な実施形態に係る光ファイバサポート７００の端面図を示している。一例では、光ファイバサポート７００は、本体７０２及び３つのフレクシャアーム７０４を含んでいるが、他の例では３つよりも多いか又は少ないフレクシャアーム７０４を採用することがある。一例では、各フレクシャアーム７０４は、フレクシャブレード７０６及び接触パッド７０８を含む。接触パッド７０８の熱膨張係数が懸念事項である場合、一例では、接触パッド７０８は、Ｌ字型の継ぎ目のない構造のフレクシャアーム７０４と同じ材料（例えばチタン）を含むことがある。
【００８７】
[0096]  一例では、フレクシャアーム７０４は、ばね作用をする、すなわち屈曲し元の位置に復元するように構成される結果、動的に動作する（すなわち、動的フレクシャアーム）。
【００８８】
[0097]  一例では、本体７０２は円筒形状を有し、その中心を走る光軸７１０を有する。この例では、本体７０２は、光軸７１０に沿って走る開口７１２を備え、開口７１２は光ファイバプロテクタ７１４を収容するように構成される。
【００８９】
[0098]  一例では、フレクシャアーム７０４は、光ファイバプロテクタ７１４の外周７１６の周りに接線方向に光ファイバプロテクタ７１４と接触するように構成される。一例では、フレクシャアーム７０４のばね作用は、接触パッド７０８が光ファイバサポート７１４に接触圧をかけて摩擦によって光ファイバサポート７１４を所定の位置に保持するように構成され、これによって、例えば密着しているなど、光ファイバサポート７１４の位置及びアライメントを固定する接着剤の必要性がなくなる。
【００９０】
[0099]  一例では、本体７０２は、各フレクシャアーム７０４のためのバンパー７１８を含む。バンパー７１８は、フレクシャアーム７０４が移動するとき、例えば光ファイバプロテクタ７１４を挿入するときの衝撃を吸収するように構成される。
【００９１】
[0100]  一例では、本体７０２は、別のデバイス、例えば光学システムサポート５０８に結合するためのねじ部品（図示せず）を受けるように構成された１つ以上のねじ穴７２０を含む。一例では、光ファイバサポート７００は、光ファイバサポート７００を別のデバイス、例えばアライメント装置４００（図４Ａ及び４Ｂ）に結合するように構成された１つ以上の穴７２４を有するフランジ７２２を含む。
【００９２】
[0101]  図８は、例示的な実施形態に係る光学システムサポート８００の縦断面図である。一例では、光学システムサポート８００は、本体８０２及び支持アームアセンブリ８０４を含む。
【００９３】
[0102]  一例では、本体８０２は、光軸８０６がその中心を走る円筒形の本体である。この例では、本体８０２は、光学システム８１０を収容するように構成される、光軸８０６に沿って走る開口８０８を備える。
【００９４】
[0103]  一例では、光学システム８１０は、第１のレンズ８１２及び第２のレンズ８１４（例えば、複レンズ）を含む。
【００９５】
[0104]  一例では、本体８０２は入口開口８１６を含む。開口８１６は、別のデバイス、例えば光ファイバサポート６００（図６）を収容することができるとともに、放射、例えば光ファイバサポート６００（図６）を出射した放射が光学システムサポート８００に入射することを可能にする。この例では、入口開口８１６から入射する放射は、光軸８０６に沿って光学システム８１０を通過するように構成される。この例では、光ファイバサポート６０４（図６）及び光ファイバ６０６（図６）は、光サポート６００（図６）内で並進的及び回転的に調整されて、それぞれビームコリメーション及びビーム偏光を調整する。
【００９６】
[0105]  一例では、本体８０２は、光学システム８１０を通り抜けた放射が光学システムサポート８００を出射できるように構成された出口開口８１８を含む。
【００９７】
[0106]  一例では、支持アームアセンブリ８０４は、光学システム８１０を支持するように構成された１つ以上のアーム８２０、例えば、フレクシャアーム、動的フレクシャアーム、収縮可能なアームなどを含む。
【００９８】
[0107]  一例では、第１のレンズ８１２と第２のレンズ８１４は接着剤などの接着材料で結合される。一例では、アーム８２０による第１のレンズ８１２と第２のレンズ８１４との境界８２２への圧力が、第１のレンズ８１２と第２のレンズ８１４の相対アライメントの変化を引き起こし、光学システム８１０を横断する放射のビーム特性の変化をもたらす可能性がある。したがって、この例では、各アーム８２０は、接触領域８２４上の第１のレンズ８１２と接触することによって光学システム８１０を支持するように構成され、これによって第１のレンズ８１２と第２のレンズ８１４との境界８２２における歪みを大幅に低減する又は除去することができる。別の例では、各アーム８２０は第２のレンズ８１４と接触するように構成される。
【００９９】
[0108]  図９は、例示的な実施形態に係る光学システムサポート９００の端面図を示している。一例では、光ファイバサポート９００は本体９０２を含む。この例では、本体９０２は３つのフレクシャアーム９０４を含んでいるが、他の例では３つよりも多いか又は少ないフレクシャアーム９０４を採用することがある。一例では、各フレクシャアーム９０４は、フレクシャブレード９０６及び接触パッド９０８を含む。一例では、接触パッド９０８は、Ｌ字型の継ぎ目のない構造のフレクシャアーム９０４と同じ材料（例えばチタン）を含む。
【０１００】
[0109]  一例では、フレクシャアーム９０４は動的に動作するように構成される（すなわち、動的フレクシャアーム）。
【０１０１】
[0110]  一例では、本体９０２は円筒形状を有し、光軸９１０がその中心を走っている。この例では、本体９０２は、光軸９１０に沿って走る開口９１２を備え、開口９１２は光学システム９１４を収容するように構成される。図８について考察した例と同様、光学システム９１４は、第１のレンズ８１２及び第２のレンズ８１４を含むことがある。
【０１０２】
[0111]  一例では、フレクシャアーム９０４は、光学システム９１４の外周９１６の周りに接線方向に光学システム９１４と接触するように構成される。一例では、フレクシャアーム９０４は、接触パッド９０８が光学システム９１４に接触圧をかけて摩擦によって光学システム９１４を所定の位置に保持するように構成され、これによって、例えば密着したアセンブリなど、光学システム９１４の位置及びアライメントを維持する接着剤の必要性がなくなる。
【０１０３】
[0112]  一例では、光学コンポーネント（例えばレンズ）が、高いクランプ力負荷の下で光学特性を変化させることが知られている。そこで、光学システム９１４においてこれらの影響を大幅に低減する又は排除するために、フレクシャアーム９０４は、クランプ力を与えることによって光学システム９１４を支持するように構成される。一例では、最大クランプ力が約０．６１Ｎであってよい。
【０１０４】
[0113]  一例では、本体９０２は、デバイス、例えば光ファイバサポート７００（図７）に結合するための固定具（図示せず）を受けるように構成された１つ以上の穴９１８を含む。この例では、光学システムサポート９００は、光サポート７００と光学システムサポート９００とを共有光軸に沿って位置合わせできるように、光軸９１０に対して垂直な面で光ファイバサポート７００（図７）に対して並進的に調整可能に構成される。
【０１０５】
[0114]  図１０は、例示的な実施形態に係る光ファイバサポート１０００の端面図を示している。一例では、光ファイバサポート１０００は、本体１００２、収縮可能なアーム１００４、及び支持片１００６を含む。
【０１０６】
[0115]  一例では、収縮可能なアーム１００４は、接触パッド１００８、アーム１０１０、及び収縮可能なアタッチメント１０１２（例えば、ばね、フレクシャなど）を含む。一例では、収縮可能なアタッチメント１０１２は、収縮可能なアーム１００４にばね力を加えるように構成される。
【０１０７】
[0116]  一例では、支持片１００６は、本体１００２の継ぎ目のない剛性構造物である。他の例では、支持片１００６は、１つ以上のアーム（図示せず）、例えば、収縮可能なアーム、又はフレクシャアームを含むことがある。
【０１０８】
[0117]  一例では、本体１００２は、円筒形をなし、光軸１０１４がその中心を走っている。この例では、本体１００２は、光軸１０１４に沿って走る開口１０１６を備え、開口１０１６は光ファイバプロテクタ１０１８を収容するように構成される。
【０１０９】
[0118]  一例では、光ファイバプロテクタ１０１８は、支持片１００６と接触パッド１００８との間に配置される。一例では、収縮可能なアーム１００４及び支持片１００６は、光ファイバプロテクタ１０１８の外周１０２０の周りで光ファイバプロテクタ１０１８と接触するように構成される。一例では、支持片１００６はＶ字型であり、光ファイバサポート１０００をより動的にするために２つの接触位置で光ファイバプロテクタ１０１８と接触するように構成される。一例では、収縮可能なアーム１００４は、接触パッド１００８及び支持片１００６が光ファイバプロテクタ１０１８に接触圧をかけて摩擦によって光ファイバプロテクタ１０１８を所定の位置に保持するように構成され、これによって、例えば密着など、光ファイバプロテクタの位置及びアライメントを固定する接着剤の必要性がなくなる。
【０１１０】
[0119]  一例では、本体１００２は、デバイス、例えば光学システムサポート５０８（図５）に結合するためのねじ部品を受けるように構成された１つ以上のねじ穴１０２２を含む。一例では、光ファイバサポート１０００は、光ファイバサポート１０００を装置、例えばアライメント装置４００（図４）に結合するように構成された１つ以上の穴１０２６を有するフランジ１０２４を含む。
【０１１１】
[0120]  収縮可能なアーム１００４と支持片１００６とが光ファイバサポート１０１８を支持する構成及び動作と同様に、一例では、収縮可能なアーム１００４及び支持片１００６は、光学システムサポート９００（図９）の３つのフレクシャアーム９０４（図９）に取って代わって光学システム９１４（図９）を支持するように構成されることがある。以上で説明したように、光学システム９１４（図９）は、高いクランプ力負荷の下で光学特性を変化させることが知られているレンズを含むことがある。そこで、これらの影響を大幅に低減する又は排除するために、この例では、収縮可能なアーム１００４と支持片１００６とは、クランプ力を与えることによって光学システム９１４（図９）を支持するように構成される。一例では、最大クランプ力が約０．６１Ｎであってよい。
【０１１２】
[0121]  一例では、密着したアーム構成は、イルミネータ５００（図５）、アライメント装置４００（図４Ａ及び４Ｂ）、又はリソグラフィ装置１００（図１Ａ）若しくは１００’（図１Ｂ）へのショック荷重によって、位置合わせされた光学コンポーネントの位置がずれるかもしれないという可能性を示す。ショック荷重の例には、製品の出荷、ユーザによる衝撃、及び他の物体による衝撃が含まれるが、これらに限定されない。そこで、一例では、光学コンポーネントを支持するアーム（例えば、図７のフレクシャアーム７０４、図９のフレクシャアーム９０４、及び図１０の収縮可能なアーム１００４）は、最大３０ｇのショック荷重によるアライメント変化を防ぐように構成される。
【０１１３】
[0122]  図１１は、例示的な実施形態に係る歪み軽減サポート１１００の縦断面図を示している。一例では、歪み軽減サポート１１００は、ねじ（図示せず）を介して入口開口６１４（図６）から光ファイバサポート６００（図６）に接続するように構成される。この例では、歪み軽減サポート１１００は、光ファイバサポート６０４（図６）が光ファイバサポート６００（図６）内で静止したままであるように光ファイバ６０６（図６）の動きを吸収し、弱めるように構成される。
【０１１４】
[0123]  一例では、歪み軽減サポート１１００は、歪み軽減ハウジング１１０２、ブート１１０４、及び１つ以上の歪み軽減クリップ１１０６を含む。一例では、ブート１１０４は、ショック及び衝撃を吸収し、弱めるように構成された可撓性材料から製造される。一例では、歪み軽減ハウジング１１０２及びブート１１０４は円筒形をなし、光軸１１０８がこれらの中心を走っている。この例では、歪み軽減ハウジング１１０２及びブート１１０４は、光軸１１０８に沿って走る、光ファイバ１１１０を収容するように構成された開口を備える。
【０１１５】
[0124]  一例では、歪み軽減クリップ１１０６は、歪み軽減サポート１１００内で光ファイバ１１１２を支持し、かつこれが移動することを防ぐように構成される。
【０１１６】
[0125]  実施形態は、以下の条項によってさらに記述することができる。
１．放射ビームを生成するように構成された照明システムと、
ビームにパターンを付与するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、
パターン付与されたビームを基板に投影するように構成された投影システムと、
イルミネータを備えたアライメントシステムと、を備え、
イルミネータが、
光ファイバと、
光ファイバプロテクタと、
光ファイバプロテクタを支持するように構成された第１の支持アームアセンブリを含む光ファイバサポートと、
光学システムと、
光学システムを支持するように構成された第２の支持アームアセンブリを含む光学システムサポートと、を有する、
リソグラフィシステム。
２．光ファイバサポートと光学システムサポートとが、モジュールである、条項１に記載のリソグラフィシステム。
３．光ファイバサポートと光学システムサポートとが、光ファイバと光学システムとが位置合わせされるように結合されている、条項１に記載のリソグラフィシステム。
４．光ファイバサポートと光学システムサポートとが、ねじ部品を介して結合されている、条項３に記載のリソグラフィシステム。
５．第１の支持アームアセンブリが、それぞれがフレクシャブレード及び接触パッドを含む３つのフレクシャを含む、条項１に記載のリソグラフィシステム。
６．３つのフレクシャが、光ファイバプロテクタと接線方向に接触するように構成されている、条項５に記載のリソグラフィシステム。
７．３つのフレクシャが、動的に動作するように構成されている、条項５に記載のリソグラフィシステム。
８．３つのフレクシャのそれぞれが、さらにＬ字型を有する、条項５に記載のリソグラフィシステム。
９．３つのフレクシャが、光ファイバにおける光学特性の変化を回避するために閾値未満の圧力を加えることによって光ファイバプロテクタを支持するように構成されている、条項５に記載のリソグラフィシステム。
１０．３つのフレクシャが、最大３０ｇのショック荷重によるアライメント変化を防ぐように構成されている、条項５に記載のリソグラフィシステム。
１１．光ファイバプロテクタが、フェルールである、条項１に記載のリソグラフィシステム。
１２．光ファイバサポートが、フェルールホルダである、条項１に記載のリソグラフィシステム。
１３．第２の支持アームアセンブリが、それぞれがフレクシャブレード及び接触パッドを含む３つのフレクシャを含む、条項１に記載のリソグラフィシステム。
１４．３つのフレクシャが、光学システムと接線方向に接触するように構成されている、条項１３に記載のリソグラフィシステム。
１５．３つのフレクシャが、動的に動作するように構成されている、条項１３に記載のリソグラフィシステム。
１６．３つのフレクシャのそれぞれが、さらにＬ字型を有する、条項１３に記載のリソグラフィシステム。
１７．３つのフレクシャが、光学システムにおける光学特性の変化を回避するために閾値未満の圧力を加えることによって光学システムを支持するように構成されている、条項１３に記載のリソグラフィシステム。
１８．３つのフレクシャが、最大３０ｇのショック荷重によるアライメント変化を防ぐように構成されている、条項１３に記載のリソグラフィシステム。
１９．光学システムが、第１のレンズ及び第２のレンズを備えている、条項１に記載のリソグラフィシステム。
２０．第２の支持アームアセンブリが、第１のレンズ及び第２のレンズの一方と接触する、条項１９に記載のリソグラフィシステム。
２１．第１の支持アームアセンブリが、
接触パッドを含む収縮可能なアームと、
支持片と、
を含む、条項１に記載のリソグラフィシステム。
２２．光ファイバプロテクタが、接触パッドと支持片との間に配置される、条項２１に記載のリソグラフィシステム。
２３．収縮可能なアームが、光ファイバにおける光学特性の変化を回避するために閾値未満の圧力を加えることによって光ファイバプロテクタを支持するように構成されている、条項２１に記載のリソグラフィシステム。
２４．収縮可能なアーム及び支持片が、最大３０ｇのショック荷重によるアライメント変化を防ぐように構成されている、条項２１に記載のリソグラフィシステム。
２５．第２の支持アームアセンブリが、
接触パッドを含む収縮可能なアームと、
支持片と、
を含む、条項１に記載のリソグラフィシステム。
２６．光学システムが、接触パッドと支持片との間に配置されている、条項２５に記載のリソグラフィシステム。
２７．収縮可能なアームが、光学システムにおける光学特性の変化を回避するために閾値未満の圧力を加えることによって光学システムを支持するように構成されている、条項２５に記載のリソグラフィシステム。
２８．収縮可能なアーム及び支持片が、最大３０ｇのショック荷重によるアライメント変化を防ぐように構成されている、条項２５に記載のリソグラフィシステム。
２９．光ファイバサポートと光学システムサポートとが、密着している、条項１に記載のリソグラフィシステム。
３０．イルミネータがさらに、
歪み軽減ハウジングと、
ブートと、
歪み軽減クリップと、
を含む、条項１に記載のリソグラフィシステム。
３１．歪み軽減ハウジングが、ねじを介して光ファイバサポートに結合されている、条項３０に記載のリソグラフィシステム。
３２．光ファイバと、
光ファイバプロテクタと、
光ファイバプロテクタを支持するように構成された第１の支持アームアセンブリを含む光ファイバサポートと、
光学システムと、
光学システムを支持するように構成された第２の支持アームアセンブリを含む光学システムサポートと、を備え、
光ファイバサポートと光学システムサポートとがモジュールであって、光ファイバと光学システムとが位置合わせされるように結合されている、イルミネータ。
３３．光ファイバプロテクタに第１の接触圧を加えるように構成された第１の支持アームアセンブリを含む光ファイバサポートを使用して光ファイバを支持することと、
光学システムに第２の接触圧を加えるように構成された第２の支持アームアセンブリを含む光学システムサポートを使用して光学システムを支持することと、を含み、
光ファイバサポートと光学システムサポートとが、光ファイバと光学システムとが位置合わせされるように結合されている、方法。
３４．第１の支持アームアセンブリ及び第２の支持アームアセンブリが、最大３０ｇのショック荷重によるアライメント変化を防ぐように構成されている、条項３３に記載の方法。
３５．第１の支持アームアセンブリ及び第２の支持アームアセンブリが、動的に動作するように構成されている、条項３３に記載の方法。
３６．第１の接触圧が、光ファイバにおける光学特性の変化を回避するために閾値未満である、条項３３に記載の方法。
３７．第２の接触圧が、光学システムにおける光学特性の変化を回避するために閾値未満である、条項３３に記載の方法。
【０１１７】
[0126]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１１８】
[0127]  光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを適用することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。
【０１１９】
[0128]  本明細書中の言い回し又は専門用語は説明を目的とするものであって限定を目的とするものではないことが理解されるべきであり、従って、本明細書の専門用語又は言い回しは、本明細書中の教示に照らして当業者によって解釈されるべきである。
【０１２０】
[0129]  本明細書で使用される「基板」という用語は、その上に材料層が追加される材料を記述する。一部の実施形態では、基板自体にパターンが付与されると共に、その上に追加された材料にもパターンが付与されるか、又はパターン付与されないままである場合がある。
【０１２１】
[0130]  本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらのいずれかの組み合わせにおいて実施可能である。また、本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサによって読み取り及び実行され得る機械読み取り可能媒体上に記憶された命令としても実施することができる。機械読み取り可能媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）によって読み取り可能な形態の情報を記憶又は送信するためのいずれかの機構を含み得る。例えば、機械読み取り可能媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音、又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）、及び他のものを含むことができる。更に、一定の動作を実行するものとして本明細書ではファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、及び／又は命令を記載することができるが、そのような記載は単に便宜上のものであり、そういった動作は実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、及び／又は命令を実行する他のデバイスから得られることは認められよう。
【０１２２】
[0131]  以下の例はこの開示の実施形態を説明するものであるが限定的ではない。本技術分野で通常見られ、当業者に自明と思われる各種の条件及びパラメータのその他の適切な変更形態及び適応形態も本開示の趣旨及び範囲内にある。
【０１２３】
[0132]  本文では、ＩＣの製造における本発明による装置及び／又はシステムの使用について特に言及しているが、そのような装置及び／又はシステムは他の多くの可能な用途を有することを明確に理解されるべきである。例えば、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤパネル、薄膜磁気ヘッドなどに使用できる。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「レチクル」、「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「マスク」、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。
【０１２４】
[0133]  本発明の特定の実施形態が上に記載されているが、本発明は、記載されている以外の方法で実施され得ることが理解されるであろう。この説明は、本発明を限定することを意図するものではない。
【０１２５】
[0134]  特許請求の範囲を解釈するには、「発明の概要」及び「要約書」の項ではなく、「発明を実施するための形態」の項を使用するよう意図されていることを理解されたい。「発明の概要」及び「要約書」の項は、本発明者が想定するような本発明の１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。
【０１２６】
[0135]  以上では、特定の機能の実施態様を例示する機能的構成要素及びその関係を用いて本発明について説明してきた。これらの機能的構成要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的境界を画定することができる。
【０１２７】
[0136]  特定の実施形態の前述の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び変更は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。
【０１２８】
[0137]  本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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