(57)【要約】  高度な半導体コンタクトにおけるキャップ層形成のためのエリア選択的堆積の方法。本方法は、第１の誘電体層及び第１の金属層を含む平坦化された基板を提供することと、第１の金属層の表面を酸化させて酸化金属層を形成することと、酸化金属層上に第２の誘電体層を選択的に堆積させることとを含む。第２の誘電体層を選択的に堆積させることは、平坦化された基板を、空間気相堆積プロセス中、堆積ガスを分配するガス入口の下方に移動させることを含み得、堆積ガスは、第１の誘電体層の表面の上方に延びる酸化金属層に優先的に曝露される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の誘電体層及び第１の金属層を含む平坦化された基板を提供することと、
前記第１の金属層の表面を酸化させて酸化金属層を形成することと、
前記酸化金属層上に第２の誘電体層を選択的に堆積させることと
を含む基板処理方法。
【請求項２】
前記第２の誘電体層を前記選択的に堆積させることは、前記平坦化された基板を、空間気相堆積プロセス中、堆積ガスを分配するガス入口の下方に移動させることを含み、前記堆積ガスは、前記第１の誘電体層の表面の上方に延びる前記酸化金属層に優先的に曝露される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の金属層は、タングステン（Ｗ）金属、ルテニウム（Ｒｕ）金属、コバルト（Ｃｏ）金属、モリブデン（Ｍｏ）及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の金属層は、Ｗ金属を含み、及び前記酸化することは、酸化Ｗ金属層であって、前記酸化Ｗ金属層が前記第１の金属層及び前記第１の誘電体層の水平面の上方に延びるように体積の増加を伴う酸化Ｗ金属層を形成する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の誘電体層は、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＮ及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の誘電体層は、金属酸化物又は金属窒化物からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の誘電体層を後続のエッチングプロセスのためのハードマスクとして使用して、前記第１の誘電体層において完全自己整合ビア、自己整合コンタクト、スーパービア又は自己整合ゲートコンタクトを形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第１の誘電体層及び第１の金属層を含む平坦化された基板を提供することと、
前記第１の誘電体層上に第２の誘電体層を選択的に堆積させることであって、前記第１の金属層の上方に陥凹フィーチャを形成する、選択的に堆積させることと、
前記陥凹フィーチャを第２の金属層で満たすことと、
前記第２の誘電体層を前記基板から除去することと、
前記第１の金属層上に第３の誘電体層を選択的に堆積させることと
を含む基板処理方法。
【請求項９】
前記第３の誘電体層を前記選択的に堆積させることは、前記平坦化された基板を、空間気相堆積プロセス中、堆積ガスを分配するガス入口の下方に移動させることを含み、前記堆積ガスは、前記第１の誘電体層の表面の上方に延びる前記第２の金属層に優先的に曝露される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の金属層は、タングステン（Ｗ）金属、ルテニウム（Ｒｕ）金属、コバルト（Ｃｏ）金属、モリブデン（Ｍｏ）及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２の金属層は、タングステン（Ｗ）金属、ルテニウム（Ｒｕ）金属、コバルト（Ｃｏ）金属、モリブデン及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の誘電体層は、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＮ及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記第３の誘電体層は、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＮ及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記第３の誘電体層を後続のエッチングプロセスのためのハードマスクとして使用して、前記第１の誘電体層において完全自己整合ビア、自己整合コンタクト、スーパービア又は自己整合ゲートコンタクトを形成することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
第１の誘電体層及び第１の金属層を含む平坦化された基板を提供することと、
前記第１の金属層の上面の下方に前記第１の誘電体層を凹ませることと、
前記第１の金属層上に第２の誘電体層を選択的に堆積させることと
を含む基板処理方法。
【請求項１６】
前記第２の誘電体層を前記選択的に堆積させることは、前記平坦化された基板を、空間気相堆積プロセス中、堆積ガスを分配するガス入口の下方に移動させることを含み、前記堆積ガスは、前記第１の誘電体層の表面の上方に延びる前記第１の金属層に優先的に曝露される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２の誘電体層を前記選択的に堆積させる前に、前記第１の金属層の表面を酸化させて酸化金属層を形成することをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の金属層は、タングステン（Ｗ）金属、ルテニウム（Ｒｕ）金属、コバルト（Ｃｏ）金属、モリブデン及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２の誘電体層は、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＮ及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の誘電体層を後続のエッチングプロセスのためのハードマスクとして使用して、前記第１の誘電体層において完全自己整合ビア、自己整合コンタクト、スーパービア又は自己整合ゲートコンタクトを形成することをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年４月２７日に出願された米国仮特許出願第６２／６６３，９１６号明細書に関連し、且つそれに対する優先権を主張するものであり、その内容全体が参照により本明細書に援用される。
【０００２】
本発明は、基板を処理するための方法に関し、より具体的には高度なコンタクトにおけるキャップ層形成のためのエリア選択的堆積に関する。
【背景技術】
【０００３】
より小型のトランジスタが製造されるにつれて、パターン形成されたフィーチャの限界寸法（ＣＤ）又は解像度は、生産するのがより困難になっている。ＥＵＶ導入後であってもコスト効率の良いスケーリングが継続できるようにするには、自己整合パターン形成がオーバーレイ駆動パターン形成に取って代わる必要がある。ばらつきの減少、スケーリングの拡張並びにＣＤ及びプロセス制御の強化を可能にするパターン形成オプションが必要とされる。薄膜の選択的堆積は、高度にスケーリングされた技術ノードにおけるパターン形成における重要な工程である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
高度な半導体コンタクトにおけるキャップ層形成のためのエリア選択的堆積方法が説明される。エリア選択的堆積により、リソグラフィベースのパターン形成を減らす必要がある単純化されたメタライゼーションスキームが可能になる。
【０００５】
一実施形態によれば、本方法は、高度な半導体コンタクトにおけるキャップ層形成を含む。本方法は、第１の誘電体層及び第１の金属層を含む平坦化された基板を提供することと、第１の金属層の表面を酸化させて酸化金属層を形成することと、第１の金属層の酸化表面上に第２の誘電体層を選択的に堆積させることとを含む。第２の誘電体層を選択的に堆積させることは、平坦化された基板を、空間気相堆積プロセス中、堆積ガスを分配するガス入口の下方に移動させることを含み得、堆積ガスは、第１の誘電体層の表面の上方に延びる酸化金属層に優先的に曝露される。
【０００６】
別の実施形態によれば、本方法は、第１の誘電体層及び第１の金属層を含む平坦化された基板を提供することと、第１の誘電体層上に第２の誘電体層を選択的に堆積させることであって、第１の金属層の上方に陥凹フィーチャを形成する、選択的に堆積させることと、陥凹フィーチャを第２の金属層で満たすことと、第２の誘電体層を基板から除去することと、第２の金属層上に第３の誘電体層を選択的に堆積させることとを含む。
【０００７】
別の実施形態によれば、本方法は、第１の誘電体層及び第１の金属層を含む平坦化された基板を提供することと、第１の金属層の上面の下方に第１の誘電体層を凹ませることと、第１の金属層上に第２の誘電体層を選択的に堆積させることとを含む。
【０００８】
本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成する添付の図面は、本発明の実施形態を例示し、上記の本発明の概要及び下記の詳細な説明と共に本発明を説明する役割を果たす。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ−１Ｃ】本発明の一実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通して概略的に示す。
【図２Ａ−２Ｅ】本発明の一実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通して概略的に示す。
【図３Ａ−３Ｃ】本発明の一実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通して概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の一実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通して概略的に示す。図１Ａに示す例示的な基板１００は、半導体デバイスに一般的に見られる様々な材料層を含むが、本発明の実施形態は、より単純な半導体デバイス又はより高度な半導体デバイスに適用され得る。基板１００は、酸化物層１０２（例えば、ＳｉＯ２）、窒化物層１０４（例えば、ＳｉＮ）、ゲートコンタクト層１０６、キャップ層１０８（例えば、ＳｉＮ又はＳｉＣＮ）、ソース／ドレイン層１１２（例えば、Ｓｉ又はＳｉＣ）、誘電体層１１０（例えば、ＳｉＯ２）及び金属含有層１１４（例えば、トレンチシリサイド層：ＣｏＳｉ２、ＮｉＳｉ又はＭｏＳｉ２）を含む。例示的な基板１００では、金属含有層１１４及びソース／ドレイン層１１２は、コンタクト領域の一部であり得る。基板１００は、第１の誘電体層１３０と第１の金属層１１８とをさらに含む。第１の誘電体層１３０は、例えば、ＳｉＯ２又は低誘電率材料を含み得る。第１の金属層１１８は、例えば、タングステン（Ｗ）金属、ルテニウム（Ｒｕ）金属、コバルト（Ｃｏ）金属、モリブデン（Ｍｏ）及びそれらの組み合わせからなる群から選択され得る。基板１００は、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスを使用して平坦化され得る。
【００１１】
図１Ｂは、露出した第１の金属層１１８を酸化させて、第１の金属層１１８上に酸化金属層１３２を形成する酸化プロセス後の基板１００を示す。酸化プロセスは、基板１００をプラズマ励起Ｏ２ガスに曝露することを含み得る。一例では、Ｗ金属層が酸化されて、酸化Ｗ金属層を形成する。酸化プロセスは、酸化Ｗ（例えば、ＷＯ３）がＷ金属よりも大きい体積を占めるため、体積の増加を伴う。これにより、酸化Ｗ金属層は、Ｗ金属層及び第１の誘電体層１３０の水平面の数ナノメートル（ｎｍ）上方に延びる。
【００１２】
図１Ｃは、酸化金属層１３２上に第２の誘電体層１３４を選択的に堆積させた後の基板１００を示す。一例では、第２の誘電体層１３４は、金属酸化物層又は金属窒化物層を含み得る。別の例では、第２の誘電体層１３４は、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＮ及びそれらの組み合わせからなる群から選択され得る。第２の誘電体層１３４の選択的堆積は、少なくとも部分的に、第１の金属層１１８及び第１の誘電体層１３０の水平面の上方に延びる酸化金属層１３２によって可能になる。一実施形態によれば、第２の誘電体層１３４は、基板１００を、空間気相堆積プロセス、例えば空間原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又は空間化学蒸着（ＣＶＤ）中、堆積ガスを分配するガス入口の下方に移動させることにより、空間堆積によって堆積され得る。基板支持体の回転速度及びガス曝露パラメータは、堆積ガスが、隆起した酸化金属層１３２の上面に優先的に曝露されるが、隆起した酸化金属層１３２の上面の下方にある第１の誘電体層１３０の表面に優先的に曝露されないように選択され得る。他の実施形態によれば、第２の誘電体層１３４は、隆起した酸化金属層１３２の上面を優先的に曝露するために、ガス流、曝露時間）を含めて前駆体の曝露を慎重に制御して堆積され得る。
【００１３】
キャップ層としても知られる第２の誘電体層１３４は、後続のエッチングプロセスのためのハードマスクとして使用されて、第１の金属層１１８に隣接する第１の誘電体層１３０において完全自己整合ビア、自己整合コンタクト、スーパービア又は自己整合ゲートコンタクトを形成し得る。第２の誘電体層１３４は、第１の金属層１１８のエッチングを防止又は低減することにより、エッチングプロセス中に第１の金属層１１８を保護する。
【００１４】
図２Ａ〜図２Ｅは、本発明の一実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通して概略的に示す。図１Ａに示す基板１００が図２Ａで基板２００として再現されている。図２Ｂは、第１の誘電体層１３０上に第２の誘電体層１４０を選択的に堆積させた後の基板２００を示す。第２の誘電体層１４０の選択的堆積は、第１の金属層１１８の上方に陥凹フィーチャ１３３を形成する。いくつかの例では、第２の誘電体層１４０は、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＮ及びそれらの組み合わせからなる群から選択され得る。
【００１５】
一例では、第２の誘電体層１４０は、ＳｉＯ２を含むことができ、選択的堆積は、金属含有前駆体とシラノールガスとの交互の曝露によって実現され得る。金属含有前駆体は、第１の誘電体層１３０上に選択的に吸着し、続いてシラノールガスの反応を触媒して、ＳｉＯ２材料を堆積させる。シラノールガスは、トリス（ｔｅｒｔ−ペントキシ）シラノール（ＴＰＳＯＬ）、トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）シラノール及びビス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（イソプロポキシ）シラノールからなる群から選択され得る。シラノールガスへの曝露は、いかなる酸化剤及び加水分解剤の非存在下でも行うことができ、基板は、約１５０℃以下の基板温度において、シラノールガスを含むプロセスガスに曝露されて、ＳｉＯ２膜を堆積できる。ＳｉＯ２膜の厚さは、金属含有前駆体層上へのシラノールガスの自己律速型吸着によって制御される。この触媒効果は、ＳｉＯ２膜の厚さが約３ｎｍになるまで観察され、その後、ＳｉＯ２の堆積は、停止した。別の実施形態では、基板温度は、約１２０℃以下であり得る。さらに別の実施形態では、基板温度は、約１００℃以下であり得る。
【００１６】
金属含有前駆体の例としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）又はアルミニウム及びチタンの両方が挙げられる。アルミニウム含有前駆体の例としては、ＡｌＭｅ３、ＡｌＥｔ３、ＡｌＭｅ２Ｈ、［Ａｌ（ＯｓＢｕ）３］４、Ａｌ（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）３、ＡｌＣｌ３、ＡｌＢｒ３、ＡｌＩ３、Ａｌ（ＯｉＰｒ）３、［Ａｌ（ＮＭｅ２）３］２、Ａｌ（ｉＢｕ）２Ｃｌ、Ａｌ（ｉＢｕ）３、Ａｌ（ｉＢｕ）２Ｈ、ＡｌＥｔ２Ｃｌ、Ｅｔ３Ａｌ２（ＯｓＢｕ）３及びＡｌ（ＴＨＤ）３が挙げられる。「Ｔｉ−Ｎ」分子内結合を有するチタン含有前駆体の例としては、Ｔｉ（ＮＥｔ２）４（ＴＤＥＡＴ）、Ｔｉ（ＮＭｅＥｔ）４（ＴＥＭＡＴ）、Ｔｉ（ＮＭｅ２）４（ＴＤＭＡＴ）が挙げられる。「Ｔｉ−Ｃ」分子内結合を含むチタン含有前駆体を含む他の例としては、Ｔｉ（ＣＯＣＨ３）（η５−Ｃ５Ｈ５）２Ｃｌ、Ｔｉ（η５−Ｃ５Ｈ５）Ｃｌ２、Ｔｉ（η５−Ｃ５Ｈ５）Ｃｌ３、Ｔｉ（η５−Ｃ５Ｈ５）２Ｃｌ２、Ｔｉ（η５−Ｃ５（ＣＨ３）５）Ｃｌ３、Ｔｉ（ＣＨ３）（η５−Ｃ５Ｈ５）２Ｃｌ、Ｔｉ（η５−Ｃ９Ｈ７）２Ｃｌ２、Ｔｉ（（η５−Ｃ５（ＣＨ３）５）２Ｃｌ、Ｔｉ（（η５−Ｃ５（ＣＨ３）５）２Ｃｌ２、Ｔｉ（η５−Ｃ５Ｈ５）２（μ−Ｃｌ）２、Ｔｉ（η５−Ｃ５Ｈ５）２（ＣＯ）２、Ｔｉ（ＣＨ３）３（η５−Ｃ５Ｈ５）、Ｔｉ（ＣＨ３）２（η５−Ｃ５Ｈ５）２、Ｔｉ（ＣＨ３）４、Ｔｉ（η５−Ｃ５Ｈ５）（η７−Ｃ７Ｈ７）、Ｔｉ（η５−Ｃ５Ｈ５）（η８−Ｃ８Ｈ８）、Ｔｉ（Ｃ５Ｈ５）２（η５−Ｃ５Ｈ５）２、Ｔｉ（（Ｃ５Ｈ５）２）２（η−Ｈ）２、Ｔｉ（η５−Ｃ５（ＣＨ３）５）２、Ｔｉ（η５−Ｃ５（ＣＨ３）５）２（Ｈ）２及びＴｉ（ＣＨ３）２（η５−Ｃ５（ＣＨ３）５）２が挙げられる。ＴｉＣｌ４は、「Ｔｉ−ハロゲン」結合を含むハロゲン化チタン前駆体の例である。
【００１７】
別の例では、第２の誘電体層１４０は、ＴｉＯ２を含むことができ、選択的堆積は、Ｔｉ含有前駆体と酸素含有ガスとの交互の曝露によって実現され得る。
【００１８】
図２Ｃは、陥凹フィーチャ１３３において第１の金属層１１８上に第２の金属層１３６を選択的に堆積させた後の基板２００を示す。第１の金属層１１８は、陥凹フィーチャ１３３を完全に満たすことができる。第２の金属層１３６は、タングステン（Ｗ）金属、ルテニウム（Ｒｕ）金属、コバルト（Ｃｏ）金属、モリブデン（Ｍｏ）及びそれらの組み合わせからなる群から選択され得る。
【００１９】
一例では、第２の金属層１３６の選択的堆積は、第１の誘電体層１３０上への金属の堆積を阻止することにより、ボトムアップ方式で行われ得る。金属の堆積は、第１の誘電体層１３０上に吸着するが、第１の金属層１１８上に吸着しない親水性官能基を含む反応ガスに基板２００を曝露することによって阻止され得る。反応ガスは、アルキルシラン、アルコキシシラン、アルキルアルコキシシラン、アルキルシロキサン、アルコキシシロキサン、アルキルアルコキシシロキサン、アリールシラン、アシルシラン、アリールシロキサン、アシルシロキサン、シラザン又はそれらの任意の組み合わせを含むケイ素含有ガスを含み得る。いくつかの例では、反応ガスは、ジメチルシランジメチルアミン（ＤＭＳＤＭＡ）、トリメチルシランジメチルアミン（ＴＭＳＤＭＡ）、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）及び他のアルキルアミンシランから選択され得る。
【００２０】
図２Ｄは、第１の誘電体層１３０を除去した後の基板２００を示す。除去は、ドライエッチングプロセス又はウェットエッチングプロセスを含み得る。
【００２１】
図２Ｅは、第２の金属層１３６上に第３の誘電体層１３８を選択的に堆積させた後の基板２００を示す。任意選択で、第２の金属層１３６の表面は、酸化プロセスを使用して酸化されて酸化金属層を形成し、その後、酸化金属層上に第３の誘電体層１３８が選択的に堆積され得る。一例では、第３の誘電体層１３８は、金属酸化物層又は金属窒化物層を含み得る。別の例では、第３の誘電体層１３８は、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＮ及びそれらの組み合わせからなる群から選択され得る。第３の誘電体層１３８の選択的堆積は、少なくとも部分的に、第１の金属層１１８及び第１の誘電体層１３０の水平面の上方に延びる第２の金属層１３６によって可能になる。
【００２２】
一実施形態によれば、第３の誘電体層１３８は、基板１００を、空間気相堆積プロセス、例えば空間原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又は空間化学蒸着（ＣＶＤ）中、堆積ガスを分配するガス入口の下方に移動させることにより、空間堆積によって堆積され得る。基板支持体の回転速度及びガス曝露パラメータは、堆積ガスが、隆起した第２の金属層１３６の上面に優先的に曝露されるが、隆起した第２の金属層１３６の上面の下方にある第１の誘電体層１３０の表面に優先的に曝露されないように選択され得る。他の実施形態によれば、第３の誘電体層１３８は、隆起した第２の金属層１３６の上面を優先的に曝露するために、ガス流、曝露時間）を含めて前駆体の曝露を慎重に制御して堆積され得る。
【００２３】
図３Ａ〜図３Ｃは、本発明の一実施形態による基板を処理する方法を、断面図を通して概略的に示す。図１Ａに示す基板１００が図３Ａで基板３００として再現されている。図３Ｂは、第１の金属層１１８の上面の下方に第１の誘電体層を凹ませるエッチングプロセス後の基板３００を示す。その後、基板３００は、第１の金属層１１８上に堆積された第２の誘電体層１４０を選択的に堆積することを含めて、図２Ｅに示すように処理され得る。任意選択で、第１の金属層１１８の表面は、酸化プロセスを使用して酸化されて酸化金属層を形成し、その後、酸化金属層上に第２の誘電体層１４０が選択的に堆積され得る。一例では、第２の誘電体層１４０は、金属酸化物層又は金属窒化物層を含み得る。別の例では、第２の誘電体層１４０は、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＮ及びそれらの組み合わせからなる群から選択され得る。第２の誘電体層１４０の選択的堆積は、少なくとも部分的に、第１の誘電体層１３０の水平面の上方に延びる第１の金属層１１８によって可能になる。
【００２４】
高度な半導体コンタクトにおけるキャップ層形成のためのエリア選択的堆積の複数の実施形態を説明してきた。本発明の実施形態の上述の説明は、例示及び説明を目的として提示したものである。それは、網羅的であるか又は開示された形態に本発明を限定するように意図されていない。本明細書及び以下の特許請求の範囲は、説明目的でのみ使用され、限定するものと解釈されるべきでない用語を含む。関連する技術分野の当業者は、上記の教示を踏まえて、多くの修正形態及び変形形態が可能であることを理解し得る。当業者であれば、図に示された様々な構成要素に対する様々な均等な組み合わせ及び置換を認識するであろう。したがって、本発明の範囲は、この詳細な説明によってではなく、本明細書に添付された特許請求の範囲によって限定されることが意図されている。
【図１Ａ】
2021522680.tif 000003
【図１Ｂ】
2021522680.tif 000004
【図１Ｃ】
2021522680.tif 000005
【図２Ａ】
2021522680.tif 000006
【図２Ｂ】
2021522680.tif 000007
【図２Ｃ】
2021522680.tif 000008
【図２Ｄ】
2021522680.tif 000009
【図２Ｅ】
2021522680.tif 000010
【図３Ａ】
2021522680.tif 000011
【図３Ｂ】
2021522680.tif 000012
【図３Ｃ】
2021522680.tif 000013
【国際調査報告】
2021522680.tif 000014
2021522680.tif 000015