(57)【要約】  本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクは、透明基板；前記透明基板上に備えられた遮光パターン；及び前記遮光パターン上に備えられたドライフィルムレジスト（Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｒｅｓｉｓｔ，ＤＦＲ）パターンを含む。
2021515407.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板、
前記透明基板上に備えられた遮光パターン、及び
前記遮光パターン上に備えられたドライフィルムレジストパターン
を含むインプリント用フォトマスク。
【請求項２】
前記遮光パターンは、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ及びこれらの合金のうち１種以上を含む、請求項１に記載のインプリント用フォトマスク。
【請求項３】
前記遮光パターンの隣接したパターン間の距離は、３０μｍ以下であり、前記遮光パターンの厚さは、１μｍ以下である、請求項１又は２に記載のインプリント用フォトマスク。
【請求項４】
前記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの合計は、１０μｍ以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のインプリント用フォトマスク。
【請求項５】
前記遮光パターンの隣接したパターン間の距離を基準にした前記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの比は、１以上である、請求項１から４のいずれか一項に記載のインプリント用フォトマスク。
【請求項６】
前記インプリント用フォトマスク上の全面に離型層をさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のインプリント用フォトマスク。
【請求項７】
透明基板上に遮光層を形成するステップ、
前記遮光層上にドライフィルムレジストパターンを形成するステップ、及び
前記ドライフィルムレジストパターンをマスクとして前記遮光層をエッチングすることにより、遮光パターンを形成するステップ
を含むインプリント用フォトマスクの製造方法。
【請求項８】
前記遮光層上にドライフィルムレジストパターンを形成するステップは、
前記遮光層上にドライフィルムレジストを貼り合わせるステップ、及び
フォト工程及び現像工程を用いてドライフィルムレジストパターンを形成するステップを含む、請求項７に記載のインプリント用フォトマスクの製造方法。
【請求項９】
前記遮光パターンを形成するステップの後に、
前記インプリント用フォトマスク上の全面に離型層を形成するステップをさらに含む、請求項７又は８に記載のインプリント用フォトマスクの製造方法。
【請求項１０】
基板上にＵＶ硬化型樹脂層を形成するステップ、及び
請求項１〜６のいずれか一項に記載のインプリント用フォトマスクを用いて、前記ＵＶ硬化型樹脂層にインプリントフォト工程を行って隔壁パターンを形成するステップ
を含む隔壁パターンの製造方法。
【請求項１１】
前記隔壁パターンの厚さは、１０μｍ以上である、請求項１０に記載の隔壁パターンの製造方法。
【請求項１２】
前記隔壁パターンの線幅を基準にした前記隔壁パターンの厚さの比は、１以上である、請求項１０又は１１に記載の隔壁パターンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、２０１８年５月３０日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１８−００６１６８３号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本願は、インプリント用フォトマスク及びこれの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
電気泳動方式の透過度可変フィルムは、反対電荷を持つ二枚の電極基板の間で形成される電場の方向と強さによって正又は負電荷に帯電された粒子が、特定に形成された電極に集中するか分散しながら光透過度が調節される機能性フィルムである。上記電気泳動方式の透過度可変フィルムは、外部から流入する光の透過と遮断が容易であって、建築用スマートウィンドウ、自動車用サンルーフ、透明ディスプレイの遮光フィルムなどとして活用されることができる。
【０００４】
二枚の電極基板の間の帯電粒子溶液を一様に分布させるためには、セルギャップ（Ｃｅｌｌ  Ｇａｐ）の維持が必須であり、このために、二枚の電極基板のうち少なくとも一つの電極基板上に隔壁パターンが備えられなければならない。
【０００５】
上記隔壁パターンを実現するにおいて、隔壁パターンの高さとアスペクト比が増加することによって、一般的なフォトリソグラフィ工程では、要求されるパターン形状を実現するのが難しい。
【０００６】
したがって、当該技術分野においては、隔壁パターンの高さとアスペクト比を増加させることができる製造方法に関する技術の開発が必要とされる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本願は、インプリント用フォトマスク及びこれの製造方法を提供しようとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願の一実施態様は、
透明基板；
上記透明基板上に備えられた遮光パターン；及び
上記遮光パターン上に備えられたドライフィルムレジスト（Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｒｅｓｉｓｔ，ＤＦＲ）パターン
を含むインプリント用フォトマスクを提供する。
【０００９】
また、本願の別の実施態様は、
透明基板上に遮光層を形成するステップ；
上記遮光層上にドライフィルムレジストパターンを形成するステップ；及び
上記ドライフィルムレジストパターンをマスクとして上記遮光層をエッチングすることにより、遮光パターンを形成するステップ
を含むインプリント用フォトマスクの製造方法を提供する。
【００１０】
また、本願の別の実施態様は、
基板上にＵＶ硬化型樹脂層を形成するステップ、及び
上記インプリント用フォトマスクを用いて、上記ＵＶ硬化型樹脂層にインプリントフォト工程を行って隔壁パターンを形成するステップ
を含む隔壁パターンの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本願の一実施態様によれば、上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離を基準にした上記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの比が１以上であるインプリント用フォトマスクを提供することができる。
【００１２】
また、本願の一実施態様によれば、上記遮光パターンが、透明基板とドライフィルムレジストパターンとの間に備えられることにより、従来の技術の問題点である遮光層のピンホールの発生、モールドパターンの損傷などを防止することができる。
【００１３】
また、本願の一実施態様によれば、上記インプリント用フォトマスクを用いて隔壁パターンを製造することにより、厚さ１０μｍ以上、アスペクト比１以上を満す隔壁パターンを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクを概略的に示す図である。
【図２】本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクを概略的に示す図である。
【図３】本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクの製造方法を概略的に示す図である。
【図４】本願の一実施態様に係る隔壁パターンの製造方法を概略的に示す図である。
【図５】本願の一実施態様であって、実験例１のドライフィルムレジストの現像工程後の画像を示す図である。
【図６】本願の一実施態様であって、実験例１に係るインプリント用フォトマスクのＳＥＭ画像、透過モード画像及び反射モード画像を示す図である。
【図７】本願の一実施態様であって、実験例１に係る隔壁パターンのＳＥＭ画像を示す図である。
【図８】本願の一実施態様に係る遮光パターンの隣接したパターン間の距離及び厚さを示す図である。
【図９】本願の一実施態様であって、実験例３のインプリント用フォトマスクを概略的に示す図である。
【図１０】本願の一実施態様であって、実験例４のインプリント用フォトマスクを概略的に示す図である。
【図１１】本願の一実施態様であって、実験例４に係るインプリント用フォトマスクの透過モード画像を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本願について詳細に説明する。
【００１６】
本願において、「透明」は、可視光線領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）で約８０％以上の透過率特性を有することを意味することにする。
【００１７】
通常、電気泳動方式の透過度可変フィルムを製造するためには、透明電極フィルムと金属パターン電極フィルムの使用が必須である。また、２枚の電極フィルムの間に（−）帯電されたカーボンブラック粒子分散溶液のような電気泳動物質を注液するためには、セルギャップ（ｃｅｌｌ  ｇａｐ）の維持が必要であり、このために、ボールスペーサー、カラムスペーサーパターン又は隔壁パターンの具備が要求されていた。
【００１８】
上記隔壁パターンの製造の際に、感光性樹脂組成物を用いたフォトリソグラフィ工程を適用する場合には、広い面積に均一な線幅の隔壁パターンを実現するのに限界がある。これはフォトマスクと感光性樹脂組成物層の露光ギャップ均一性及び感光性樹脂組成物層の塗布均一性に起因する。
【００１９】
上述した通り、隔壁パターンを実現するにおいて、パターンの高さとアスペクト比が増加することによって、一般的なフォトリソグラフィ工程では、要求されるパターン形状を実現するのが難しい。
【００２０】
高段差、高アスペクト比を有する隔壁パターンを形成するために、インプリント工程を用いる方法を考慮することができるが、一般的なインプリント工程では、隔壁パターン部以外の領域に樹脂組成物が残存する問題が発生し、これを除去するためには、スカム除去（ｄｅ‐ｓｃｕｍ）工程が追加されて、製造コストが増加する問題が発生する。
【００２１】
また、上記問題点を解決するために、インプリントモールドの凸部に選択的に遮光層を導入する方法を考慮することができるが、上記遮光層をインプリントモールドの上部に蒸着する工程で、ピンホール及びモールドパターンの損傷が発生するおそれがあり、インプリントモールドの凹部に不要に蒸着されている遮光層を選択的に除去するためには、別途のレジスト転写工程及びエッチング工程が追加される問題が発生する。
【００２２】
そこで、本願においては、高段差、高アスペクト比を有する隔壁パターンを製造することができるインプリント用フォトマスク及びこれの製造方法を提供しようとする。
【００２３】
本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクは、透明基板；上記透明基板上に備えられた遮光パターン；及び上記遮光パターン上に備えられたドライフィルムレジスト（Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｒｅｓｉｓｔ，ＤＦＲ）パターンを含む。
【００２４】
本願の一実施態様において、上記透明基板は、透明性、表面平滑性、取り扱い容易性及び防水性に優れたガラス基材又は透明プラスチック基材であってもよいが、これに限定されず、電子素子に通常使用される透明基材であれば、制限されない。具体的に、上記透明基材としては、ガラス；ウレタン樹脂；ポリイミド樹脂；ポリエステル樹脂；（メタ）アクリレート系高分子樹脂；ポリエチレン又はポリプロピレンなどのポリオレフィン系樹脂などからなるものであってもよい。
【００２５】
本願の一実施態様において、上記遮光パターンは、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ及びこれらの合金のうち１種以上を含むことができる。
【００２６】
上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離は、３０μｍ以下であってもよく、５μｍ〜３０μｍであってもよい。上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離が３０μｍを超過する場合、インプリント用フォト工程を通じて製造された隔壁パターンの線幅が過度に増加して、透過度可変フィルムの透過度可変範囲が減少するという問題が発生するおそれがある。また、上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離が５μｍ未満の場合には、遮光パターンを形成するために遮光層上部のＤＦＲパターンのパターン間の距離を５μｍ未満に形成しなければならないが、一般的な平行光露光機の使用では、これを実現するのが不可能である。
【００２７】
また、上記遮光パターンの厚さは、１μｍ以下であってもよく、０．１μｍ〜１μｍであってもよい。上記遮光パターンの厚さが１μｍを超過する場合、遮光層をエッチングした後にドライフィルムレジストパターンに対する遮光パターンの線幅が過度に減少することによって、ドライフィルムレジストパターンの下部にアンダーカットが形成される問題が発生し得る。この場合、隔壁パターンを形成する工程中に硬化が完了した隔壁パターンがインプリントフォトマスクから脱着されない問題が発生するおそれがある。上記遮光パターンの厚さが０．１μｍ未満の場合、遮光層にピンホールが多発する問題が発生するおそれがあるので、上記遮光パターンの厚さは、０．１μｍ以上であることが好ましい。
【００２８】
本願において、上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離は、それぞれの遮光パターンの一側面から隣接する遮光パターンの一側面までの最短距離を意味する。また、上記遮光パターンの厚さは、遮光パターンの上記透明基板と接する界面から界面の反対面までの距離を意味する。
【００２９】
下記図８に、本願の一実施態様に係る遮光パターンの隣接したパターン間の距離１００を示す。
【００３０】
本願の一実施態様において、上記ドライフィルムレジストは、上記遮光パターン上に備えられ、上記遮光パターンに対応する領域に備えられることができる。
【００３１】
上記ドライフィルムレジストは、当該技術分野に知られている材料を含むことができる。より具体的に、上記ドライフィルムレジストは、メタクリレートとその誘導体、アクリレートとその誘導体、メタクリロイルオキシエチル酸ホスフェート及びフタル酸誘導体のメタクリレートから構成された群より選択された単官能性単量体；ジメタクリレートとその誘導体、ジアクリレートとその誘導体、トリメタクリレートとその誘導体、テトラメタクリレートとその誘導体、トリアクリレートとその誘導体及びテトラアクリレートとその誘導体から構成された群より選択された多官能性単量体；及びこれらの混合物の中から選択された光重合単量体から製造されたものであってもよい。一般的に、ドライフィルムレジストの感光層組成は、光によって光重合をする光重合単量体（多官能性単量体）、光重合が起きるように光によってラジカルやラジカルを誘導する光重合開始剤、光重合組成物の機械的強度とテンディング性及び接着性を付与するバインダーポリマー、そして染料と安定剤、接着促進剤、熱重合防止剤などの添加剤を含むことができる。
【００３２】
本願の一実施態様において、上記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの合計は、１０μｍ以上であってもよく、１０μｍ〜５０μｍであってもよい。
【００３３】
本願において、上記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの合計は、遮光パターンの上記透明基板と接する界面からドライフィルムレジストパターンの遮光パターンと接する界面の反対面までの距離を意味する。
【００３４】
下記図８に、本願の一実施態様に係る遮光パターン及びフィルムレジストパターンの厚さの合計１１０を示す。
【００３５】
また、上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離を基準にした上記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの比は、１以上であってもよく、１〜３であってもよい。上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離を基準にした上記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの比が１未満の場合、インプリントフォト工程を通じて製造された隔壁パターンの面積が増加することによって透過度可変範囲が減少する問題が発生するおそれがある。
【００３６】
本願の一実施態様において、上記インプリント用フォトマスク上の全面に離型層をさらに含むことができる。
【００３７】
上記離型層は、フッ素系及びシリコーン系離型材料が混合した形態の層を導入することができ、上記離型層の厚さは、１００ｎｍ以下であることが好ましいが、これにのみ限定されるものではない。上記離型層を形成する方法は、ウェットコーティング（ｗｅｔ  ｃｏａｔｉｎｇ）法、気相蒸着法などがあり、段差を有する表面に均一な離型層を導入するためには、気相蒸着法が有利である。
【００３８】
上記離型層の導入を通じて、インプリントフォト工程を通じて硬化したＵＶ硬化型樹脂パターンが、上記インプリント用フォトマスクから容易に分離されることができる。
【００３９】
本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクを、下記図１及び図２に概略的に示す。下記図１のように、本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクは、透明基板１０；上記透明基板１０上に備えられた遮光パターン２０；及び上記遮光パターン２０上に備えられたドライフィルムレジストパターン３０を含む。また、下記図２のように、本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクは、上記インプリント用フォトマスク上の全面に離型層４０をさらに含むことができる。
【００４０】
また、本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクの製造方法は、透明基板上に遮光層を形成するステップ；上記遮光層上にドライフィルムレジストパターンを形成するステップ；及び上記ドライフィルムレジストパターンをマスクとして上記遮光層をエッチングすることにより、遮光パターンを形成するステップを含む。
【００４１】
本願の一実施態様において、上記透明基板上に遮光層を形成するステップは、当該技術分野に知られている方法を用いることができる。より具体的に、上記透明基板上に遮光層を形成するステップは、蒸着工程などを用いることができるが、これにのみ限定されるものではない。
【００４２】
本願の一実施態様において、上記遮光層上にドライフィルムレジストパターンを形成するステップは、上記遮光層上にドライフィルムレジストを貼り合わせるステップ；及びフォト工程及び現像工程を用いてドライフィルムレジストパターンを形成するステップを含むことができる。
【００４３】
本願の一実施態様において、上記遮光パターンを形成するステップの後に、上記インプリント用フォトマスク上の全面に離型層を形成するステップをさらに含むことができる。上記インプリント用フォトマスク上の全面に離型層を形成するステップは、当該技術分野に知られている方法を用いることができる。より具体的に、上記インプリント用フォトマスク上の全面に離型層を形成するステップは、蒸着工程などを用いることができるが、これにのみ限定されるものではない。
【００４４】
本願の一実施態様によれば、透明基板上に遮光層を形成した後、その上部にドライフィルムレジストパターンを形成するので、別途のレジスト転写工程が必要でない。すなわち、本願の一実施態様によれば、ドライフィルムレジストパターンがインプリントモールドの役割と、遮光層の選択的エッチングのためのレジストの役割とを同時に果たすことができる。
【００４５】
本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクの製造方法を、下記図３に概略的に示す。
【００４６】
また、本願の一実施態様に係る隔壁パターンの製造方法は、基板上にＵＶ硬化型樹脂層を形成するステップ、及び上記インプリント用フォトマスクを用いて、上記ＵＶ硬化型樹脂層にインプリントフォト工程を行って隔壁パターンを形成するステップを含む。
【００４７】
本願の一実施態様において、上記ＵＶ硬化型樹脂層は、当該技術分野に知られている材料を用いることができ、より具体的に、上記ＵＶ硬化型樹脂層は、アクリル系モノマー、アクリル系オリゴマー、光開始剤などを１種以上含むことができるが、これにのみ限定されるものではない。
【００４８】
本願の一実施態様において、上記隔壁パターンの厚さは、１０μｍ以上であってもよく、１０μｍ〜５０μｍであってもよい。また、上記隔壁パターンの線幅は、３０μｍ以下であってもよく、５μｍ〜３０μｍであってもよい。
【００４９】
また、上記隔壁パターンの線幅を基準にした上記隔壁パターンの厚さの比は、１以上であってもよく、１〜３であってもよい。
【００５０】
本願の一実施態様に係る隔壁パターンの製造方法を、下記図４に概略的に示す。
【００５１】
また、本願の一実施態様は、上記隔壁パターンを含む透過度可変フィルムを提供する。
【００５２】
本願の一実施態様に係る透過度可変フィルムは、上述した隔壁パターンを含むこと以外には、当該技術分野に知られている材料及び方法を用いて形成することができる。
【００５３】
例えば、上記透過度可変フィルムは、上記隔壁パターンフィルム上に第２電極パターンが備えられた第２透明基板が備えられることができる。上記隔壁パターンの電極層と上記第２電極パターンとの間には（−）帯電されたナノ粒子を含む。
【００５４】
上記（−）帯電されたナノ粒子は、カーボンブラックナノ粒子であってもよいが、これにのみ限定されるものではない。
【００５５】
上記透過度可変フィルムは、上述したような透過度可変フィルムを準備した後、上記隔壁パターンの電極層と第２電極パターンとの間に（−）帯電されたナノ粒子が分散した溶液を注入する方法などを用いて製造することができるが、これにのみ限定されるものではない。
【００５６】
本願において、上記透過度可変フィルムは、電気泳動方式で駆動されることができる。本願の一実施態様に係る透過度可変フィルムがＯＦＦモードの場合には、透過度が減少し、電極層及び第２電極パターンに電圧が印加されたＯＮモードの場合には、電気泳動現象によって（−）帯電されたナノ粒子が（＋）電極である金属パターンに密集して透過度が増加することができる。
【００５７】
以下、実施例を通じて、本明細書に記載された実施態様を例示する。しかしながら、以下の実施例によって、上記実施態様の範囲が限定されることを意図するものではない。
【００５８】
＜実施例＞
＜実験例１＞
１）インプリント用フォトマスクの作製
厚さ２５０μｍのＰＥＴフィルムの上部に真空蒸着方式を用いてＣｕを２００ｎｍの厚さで形成した。上記Ｃｕ蒸着フィルムの上部に２５μｍ厚さのＤＦＲ（旭化成社）を温度１１０℃、圧力０．４ＭＰａ、ロールスピード１．５ｍ／ｍｉｎの条件でロール貼り合わせした。上記積層体のＤＦＲ具備面と、線幅２５μｍ、線間距離が５００μｍであり、中央部にドット（Ｄｏｔ）パターンを含むフォトマスクとを、常温で貼り合わせた後、３６５ｎｍ波長の平行光露光機を活用して、１５０ｍＪ／ｃｍ２の条件で露光した。露光完了した上記積層体を１ｗｔ％のＮａ２ＣＯ３水溶液を用いて２分間スプレー現像して、凹部の線幅が２１μｍ、ＤＦＲパターンの線幅が５００μｍ及び凹部の深さが２５μｍであるＤＦＲパターンを形成した。
【００５９】
上記ドライフィルムレジストの現像工程後の画像を、下記図５に示す。
【００６０】
５ｗｔ％の塩化第二鉄水溶液を用いて３０秒間スプレーエッチングして、ＤＦＲが備えられていない領域の露出したＣｕ層をエッチングした。
【００６１】
上記Ｃｕ層が選択的にエッチングされたＤＦＲパターンフィルム上に気相蒸着法を用いてフッ素系及びシリコーン系離型材料が混合した形態の離型層を１００ｎｍの厚さで形成して、インプリント用フォトマスクを完成した。製造されたインプリント用フォトマスクの構造は、下記図２の通りである。
【００６２】
上記インプリント用フォトマスクのＳＥＭ画像、透過モード画像及び反射モード画像を、下記図６に示す。上記反射モードは、インプリント用フォトマスクの上部に照明が位置して反射する光を画像で確認したものであり（反射率の差を画像化）、透過モードは、インプリント用フォトマスクの背面に照明が位置して光を透過する領域と遮光される領域を画像で確認したものである（吸収率の差を画像化）。
【００６３】
２）透明ＵＶ硬化型樹脂組成物の製造
下記表１の組成で透明ＵＶ硬化型樹脂組成物を製造した。
【００６４】
【表１】
2021515407.tif 000003
【００６５】
３）隔壁パターンフィルムの製造
シート抵抗が１５０Ω／ｓｑであるＩＴＯフィルムの上部に上記透明ＵＶ硬化型樹脂組成物を塗布した後、上記インプリント用フォトマスクを圧力０．５ＭＰａ、速度０．１ｍｐｍでロールプレスした。上記積層体の上部で３６５ｎｍ波長のＵＶ硬化器を用いて２５０ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギーを照射した後、インプリント用フォトマスクをＩＴＯフィルムから分離して、隔壁パターンが備えられているＩＴＯフィルムを製造した。
【００６６】
上記インプリントフォト工程を通じて製造された隔壁パターンの線幅は２１．２μｍ、高さは  ２５μｍであり、線間間隔は５００μｍであった。
【００６７】
上記隔壁パターンのＳＥＭ画像を、下記図７に示す。
【００６８】
＜実験例２＞
１）インプリント用フォトマスクの作製
５０μｍ厚さのＤＦＲ（旭化成社）を使用したこと以外には、実験例１と同様の方法でインプリントフォトマスクを作製した（凹部の線幅が２０μｍ、ＤＦＲパターンの線幅が５００μｍ及び凹部の深さが５０μｍ）。製造されたインプリント用フォトマスクの構造は、下記図２の通りである。
【００６９】
２）透明ＵＶ硬化型樹脂組成物の製造
実験例１と同様に行った。
【００７０】
３）隔壁パターンフィルムの製造
実験例１と同様に行った。
【００７１】
上記インプリントフォト工程を通じて製造された隔壁パターンの線幅は２０μｍ、高さは５０μｍであり、線間間隔は５００μｍであった。
【００７２】
＜実験例３＞
１）インプリント用フォトマスクの作製
厚さ２５０μｍのＰＥＴフィルムの上部に電解めっき方式を用いてＣｕを８μｍの厚さで形成した。上記Ｃｕめっきフィルムの上部に、２５μｍ厚さのＤＦＲ（旭化成社）を温度１１０℃、圧力０．４ＭＰａ、ロールスピード１．５ｍ／ｍｉｎの条件でロール貼り合わせした。上記積層体のＤＦＲ具備面と、線幅２５μｍ、線間距離が５００μｍであり、中央部にドットパターンを含むフォトマスクとを、常温で貼り合わせた後、３６５ｎｍ波長の平行光露光機を活用して、１５０ｍＪ／ｃｍ２の条件で露光した。露光完了した上記積層体を１ｗｔ％のＮａ２ＣＯ３水溶液を用いて２分間スプレー現像して、凹部の線幅が２０μｍ、ＤＦＲパターンの線幅が５００μｍ及び凹部の深さが２５μｍであるＤＦＲパターンを形成した。
【００７３】
５ｗｔ％の塩化第二鉄水溶液を用いて１８０秒間スプレーエッチングして、ＤＦＲが備えられていない領域の露出したＣｕ層をエッチングした。
【００７４】
上記Ｃｕ層が選択的にエッチングされたＤＦＲパターンフィルム上に気相蒸着法を用いてフッ素系及びシリコーン系離型材料が混合した形態の離型層を１００ｎｍの厚さで形成して、インプリント用フォトマスクを完成した。製造されたインプリント用フォトマスクの構造は、下記図９の通りである。
【００７５】
２）透明ＵＶ硬化型樹脂組成物の製造
実験例１と同様に行った。
【００７６】
３）隔壁パターンフィルムの製造
実験例１と同様に行ったが、インプリントフォトマスクから隔壁パターンが分離できなくて、パターンの実現が不可能であった。
【００７７】
上記実験例３の結果のように、上記遮光パターンの厚さが１μｍを超過する場合、遮光層をエッチングした後にドライフィルムレジストパターンに対する遮光パターンの線幅が過度に減少することによって、下記図９のようにドライフィルムレジストパターンの下部にアンダーカットが形成される問題が発生し得る。この場合、隔壁パターンを形成する工程中に硬化が完了した隔壁パターンがインプリントフォトマスクから脱着されない問題が発生するおそれがある。
【００７８】
したがって、本願の一実施態様において、上記遮光パターンの厚さが１μｍ以下であることがより好ましい。
【００７９】
＜実験例４＞
１）インプリント用フォトマスクの作製
厚さ２５０μｍのＰＥＴフィルムの上部に２５μｍ厚さのＤＦＲ（旭化成社）を温度１１０℃、圧力０．４ＭＰａ、ロールスピード１．５ｍ／ｍｉｎの条件でロール貼り合わせした。上記積層体のＤＦＲ具備面と、線幅２５μｍ、線間距離が５００μｍであり、中央部にドットパターンを含むフォトマスクとを、常温で貼り合わせた後、３６５ｎｍ波長の平行光露光機を活用して、１５０ｍＪ／ｃｍ２の条件で露光した。露光完了した上記積層体を１ｗｔ％のＮａ２ＣＯ３水溶液を用いて２分間スプレー現像して、凹部の線幅が２０μｍ、ＤＦＲパターンの線幅が５００μｍ及び凹部の深さが２５μｍであるＤＦＲパターンを形成した。
【００８０】
上記積層体の上部に真空蒸着方式を用いてＣｕを２００ｎｍの厚さで形成した後、反転オフセット印刷工程を用いて、上記積層体の凸部にエッチングレジスト層を形成した。
【００８１】
５ｗｔ％の塩化第二鉄水溶液を用いて３０秒間スプレーエッチングして、エッチングレジスト層が備えられていない領域の露出したＣｕ層をエッチングした。
【００８２】
上記Ｃｕ層が選択的にエッチングされたＤＦＲパターンフィルム上に、気相蒸着法を用いてフッ素系及びシリコーン系離型材料が混合した形態の離型層を１００ｎｍの厚さで形成して、インプリント用フォトマスクを完成した。製造されたインプリント用フォトマスクの構造は、下記図１０の通りである。
【００８３】
２）透明ＵＶ硬化型樹脂組成物の製造
実験例１と同様に行った。
【００８４】
３）隔壁パターンフィルムの製造
実験例１と同様に行った。
【００８５】
上記インプリントフォト工程を通じて製造された隔壁パターンの線幅は２０μｍ、高さは２５μｍであり、線間間隔は５００μｍであった。
【００８６】
＜実験例５＞
上記実験例１〜４のインプリント用フォトマスクの特性、遮光パターンのピンホール不良の評価、パターン成形特性などを、下記表２に記載する。また、上記実験例４に係るインプリント用フォトマスクの透過モード画像を、下記図１１に示す。
【００８７】
【表２】
2021515407.tif 000004
【００８８】
アスペクト比：（ＤＦＲの厚さ＋遮光パターンの厚さ）／遮光パターンの隣接したパターン間の距離
【００８９】
上記結果のように、本願の一実施態様によれば、上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離を基準にした上記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの比が１以上であるインプリント用フォトマスクを提供することができる。
【００９０】
また、本願の一実施態様によれば、上記遮光パターンが、透明基板とドライフィルムレジストパターンとの間に備えられることにより、従来の技術の問題点である遮光層のピンホール発生、モールドパターンの損傷などを防止することができる。
【００９１】
また、本願の一実施態様によれば、上記インプリント用フォトマスクを用いて隔壁パターンを製造することにより、厚さ１０μｍ以上、アスペクト比１以上を満す隔壁パターンを製造することができる。
【符号の説明】
【００９２】
１０：透明基板
２０：遮光パターン
３０：ドライフィルムレジストパターン
４０：離型層
５０：遮光層
６０：ドライフィルムレジスト
７０：ＵＶ硬化型樹脂層
８０：隔壁パターン
９０：基板
１００：遮光パターンの隣接したパターン間の距離
１１０：遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの合計
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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