(57)【要約】表示パネルが提供される。一実施形態による表示パネルは、表示領域、および前記表示領域の周辺に配置されたパッド領域を含む表示基板と、前記パッド領域の前記基板上に配置された少なくとも一つのパッド端子と、平面上前記パッド端子によって少なくとも部分的に囲まれたオープン部とを含む。【選択図】図５
2021535436.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域、および前記表示領域の周辺に配置されたパッド領域を含む表示基板と、
前記パッド領域の前記基板上に配置された少なくとも一つのパッド端子と、
平面上前記パッド端子によって少なくとも部分的に囲まれたオープン部とを含む、表示パネル。
【請求項２】
前記オープン部は、前記パッド端子の表面で厚さ方向に前記パッド端子を貫く、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記パッド端子は、第１パッド電極、および前記第１パッド電極上に配置されて前記第１パッド電極と電気的に接続された第２パッド電極を含む、請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記パッド端子は、前記第１パッド電極、および前記第２パッド電極の間に配置された絶縁層を含む、請求項３に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記絶縁層は複数の絶縁パターンを含み、前記絶縁パターンは前記第１パッド電極の上面を露出する、請求項４に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記第２パッド電極は、前記複数の絶縁パターン、および露出した前記第１パッド電極の上面を覆う、請求項５に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記第２パッド電極は、前記複数の絶縁パターンによる下部段差をコンフォーマルに反映して表面凹凸を含む、請求項６に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記オープン部は、前記第１パッド電極、前記第２パッド電極、および前記絶縁層を貫く貫通孔を含む、請求項４に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記貫通孔は、平面上前記パッド端子の内部に配置されて前記パッド端子によって完全に囲まれる、請求項２に記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記オープン部は、平面上前記パッド端子の一つのエッジからリセスされたトレンチ形状を有する、請求項２に記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記少なくとも一つのパッド端子は互いに隣り合う第１パッド端子および第２パッド端子を含み、前記第１パッド端子のオープン部と前記第２パッド端子のオープン部は互いに対向する、請求項１０に記載の表示パネル。
【請求項１２】
表示領域、および前記表示領域の周辺に配置されたパッド領域を含む表示基板と、
前記パッド領域の前記基板上に配置され、第１パッド電極および前記第１パッド電極上で前記第１パッド電極と電気的に接続された第２パッド電極を含むパッド端子と、
前記パッド端子によって少なくとも部分的に囲まれたオープン部と、
前記パッド領域に付着して前記パッド端子と接続するリード端子を含む回路基板とを含む、表示装置。
【請求項１３】
前記リード端子は、前記パッド端子のオープン部と重なる第１領域を含む、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記リード端子は、前記オープン部と重ならず前記第１領域の周辺に配置された第２領域を含む、請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１領域で前記リード端子は、前記オープン部の少なくとも一部を埋める、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記リード端子の前記第１領域での第１厚さは前記リード端子の前記第２領域での第２厚さより大きい、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記リード端子は、前記パッド端子と直接接触する、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記リード端子と前記パッド端子は超音波接合される、請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記オープン部は、前記第１パッド電極、および前記第２パッド電極を厚さ方向に貫く貫通孔を含む、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記貫通孔は、平面上前記パッド端子の内部に配置されて前記パッド端子によって完全に囲まれる、請求項１９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示パネル、およびそれを含む表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置はデータを視覚的に表示する装置である。このような表示装置は表示領域と非表示領域に区切られた基板を含む。前記表示領域で前記基板上には複数の画素が配置され、前記非表示領域で前記基板上には複数のパッド（ｐａｄ）などが配置される。前記複数のパッドには駆動回路などが取り付けられたフレキシブルフィルム（ＣＯＦ  Ｆｉｌｍ）などが結合されて前記画素に駆動信号を伝達する。
【０００３】
前記フレキシブルフィルムは前記複数のパッドと結合される複数のリードを含み、各リードは互いに分離されたパッドにボンディングされ得る。前記ボンディングは超音波ボンディング工程により行われる。
【０００４】
前記パッドと前記リードの間の超音波ボンディングの良好性を検査する方法としては破壊検査と非破壊検査がある。前記破壊検査は接触した前記パッドと前記リードを垂直方向に切断して前記パッドおよび前記リードのボンディング界面を観察する方法である。前記非破壊検査は接触した前記パッドと前記リードを破壊せず映像装置などを利用してそのボンディング界面を観察する方法である。
【０００５】
前記非破壊検査は前記破壊検査に比べて、検査にかかる時間所要が大きくない点で有利である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、表示パネルとフレキシブル印刷回路フィルムの間の超音波ボンディング接合性を検査できる表示装置を提供することにある。
【０００７】
本発明の課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための一実施形態による表示パネルは、表示領域、および前記表示領域の周辺に配置されたパッド領域を含む表示基板と、前記パッド領域の前記基板上に配置された少なくとも一つのパッド端子と、平面上前記パッド端子によって少なくとも部分的に囲まれたオープン部を含む。
【０００９】
前記オープン部は前記パッド端子の表面で厚さ方向に前記パッド端子を貫き得る。
【００１０】
前記パッド端子は、第１パッド電極、および前記第１パッド電極上に配置されて前記第１パッド電極と電気的に接続された第２パッド電極を含み得る。
【００１１】
前記パッド端子は、前記第１パッド電極、および前記第２パッド電極の間に配置された絶縁層を含み得る。
【００１２】
前記絶縁層は複数の絶縁パターンを含み、前記絶縁パターンは前記第１パッド電極の上面を露出し得る。
【００１３】
前記第２パッド電極は、前記複数の絶縁パターン、および露出した前記第１パッド電極の上面を覆い得る。
【００１４】
前記第２パッド電極は、前記複数の絶縁パターンによる下部段差をコンフォーマルに反映して表面凹凸を含み得る。
【００１５】
前記オープン部は、前記第１パッド電極、前記第２パッド電極、および前記絶縁層を貫く貫通孔を含み得る。
【００１６】
前記貫通孔は、平面上前記パッド端子の内部に配置されて前記パッド端子によって完全に囲まれ得る。
【００１７】
前記オープン部は、平面上前記パッド端子の一エッジからリセスされたトレンチ形状を有し得る。
【００１８】
前記少なくとも一つのパッド端子は互いに隣り合う第１パッド端子および第２パッド端子を含み、前記第１パッド端子のオープン部と前記第２パッド端子のオープン部は互いに対向し得る。
【００１９】
前記課題を解決するための他の実施形態による表示装置は、表示領域、および前記表示領域の周辺に配置されたパッド領域を含む表示基板と、前記パッド領域の前記基板上に配置され、第１パッド電極および前記第１パッド電極上で前記第１パッド電極と電気的に接続された第２パッド電極を含むパッド端子と、前記パッド端子によって少なくとも部分的に囲まれたオープン部と、前記パッド領域に付着して前記パッド端子と接続するリード端子を含む回路基板を含む。
【００２０】
前記リード端子は前記パッド端子のオープン部と重なる第１領域を含む。
【００２１】
前記リード端子は前記オープン部と重ならず前記第１領域の周辺に配置された第２領域を含み得る。
【００２２】
前記第１領域で前記リード端子は前記オープン部の少なくとも一部を埋め得る。
【００２３】
前記リード端子の前記第１領域での第１厚さは前記リード端子の前記第２領域での第２厚さより大きくてもよい。
【００２４】
前記リード端子は前記パッド端子と直接接触し得る。
【００２５】
前記リード端子と前記パッド端子は超音波接合され得る。
【００２６】
前記オープン部は前記第１パッド電極、および前記第２パッド電極を厚さ方向に貫く貫通孔を含み得る。
【００２７】
前記貫通孔は平面上前記パッド端子の内部に配置されて前記パッド端子によって完全に囲まれ得る。
【００２８】
その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の実施形態による表示装置はリード端子と超音波接合されるパッド端子内に貫通孔を含む。前記表示装置は前記貫通孔に挿入された一部のリード端子を観察して表示パネルとフレキシブル印刷回路フィルムの間の超音波ボンディング接合性を検査することができる。
【００３０】
本発明による効果は、以上で例示した内容によって制限されず、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】一実施形態による表示装置の平面配置図である。
【図２】図１の表示装置の断面図である。
【図３】一実施形態による表示パネルおよびフレキシブル印刷回路基板の平面配置図である。
【図４】一実施形態による表示パネルおよびフレキシブル印刷回路基板の付着した状態を示す平面配置図である。
【図５】図４の一実施形態による一つのパッド端子およびパッド端子に付着したリード端子を示す平面図である。
【図６】図５のＸ１−Ｘ１’線に沿って切断した断面図である。
【図７】図５のＸ２−Ｘ２’線に沿って切断した断面図である。
【図８】図５のＸ３−Ｘ３’、Ｘ４−Ｘ４’およびＸ５−Ｘ５’線に沿って切断した断面図である。
【図９】変形例によるパッド端子とパッド端子に付着したリード端子を示す平面図である。
【図１０】変形例によるパッド端子とパッド端子に付着したリード端子を示す平面図である。
【図１１】他の実施形態による表示パネルおよびフレキシブル印刷回路基板の付着した状態を示す平面配置図である。
【図１２】図１１のＸ６−Ｘ６’線に沿って切断した断面図である。
【図１３】また他の実施形態による表示パネルおよびフレキシブル印刷回路基板の付着した状態を示す平面配置図である。
【図１４】また他の実施形態にパッド端子とパッド端子に付着したリード端子を示す平面図である。
【図１５】図１４のＸ７−Ｘ７’線に沿って切断した断面図である。
【図１６】また他の実施形態にパッド端子とパッド端子に付着したリード端子を示す平面図である。
【図１７】図１６のＸ８−Ｘ８’線に沿って切断した断面図である。
【図１８】また他の実施形態による表示装置の断面図である。
【図１９】また他の実施形態による表示装置の断面図である。
【図２０】また他の実施形態による表示装置の断面図である。
【図２１】また他の実施形態による表示装置の断面図である。
【図２２】また他の実施例による表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は、添付する図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく他の形態で具現されることもできる。すなわち、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。
【００３３】
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層「の上（ｏｎ）」または「上（ｏｎ）」と称する場合、他の素子または層の真上だけでなく中間に他の層または他の素子を介在する場合をすべて含む。反面、素子が「直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ｏｎ）」または「真上」と称する場合、中間に他の素子または層を介在しない場合を示す。
【００３４】
明細書全体にわたって同一または類似の部分に対しては同じ図面符号を使う。
【００３５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００３６】
図１は一実施形態による表示装置の平面配置図である。
【００３７】
表示装置１は動画や静止映像を表示する装置として、表示装置はモバイルフォン、スマートフォン、タブレットＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、およびスマートウォッチ、ウォッチフォン、移動通信端末機、電子手帳、電子ブック、ＰＭＰ（Ｐｏｒｔａｂｌｅ  Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ  ＰＣＡｙｅｒ）、ナビゲーション、ＵＭＰＣ（Ｕｌｔｒａ  Ｍｏｂｉｌｅ  ＰＣ）などのような携帯用電子機器だけでなくテレビ、ノートブック、モニター、広告板、モノのインターネットなどの多様な製品の表示画面に使われる。
【００３８】
図１を参照すると、表示装置１は画像を表示する表示パネル１００、表示パネル１００と連結されるフレキシブル印刷回路基板２００を含み得る。
【００３９】
表示パネル１００は例えば、有機発光表示パネルが適用されることができる。以下の実施形態では表示パネル１００として有機発光表示パネルが適用された場合を例示するが、これに制限されず、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、量子ドット有機発光表示パネル（ＱＤ−ＯＬＥＤ）、量子ドット液晶ディスプレイ（ＱＤ−ＬＣＤ）、量子ナノ発光表示パネル（ＱＮＥＤ）、マイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ  ＬＥＤ）など異なる種類の表示パネルが適用されることもできる。
【００４０】
表示パネル１００は画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺に配置された非表示領域ＮＡを含む。表示領域ＤＡは平面上角が垂直である長方形または角が丸い長方形形状であり得る。表示領域ＤＡは短辺と長辺を有し得る。表示領域ＤＡの短辺は第１方向ＤＲ１に延びた辺であり得る。表示領域ＤＡの長辺は第２方向ＤＲ２に延びた辺であり得る。ただし、表示領域ＤＡの平面形状は長方形に制限されるものではなく、円形、楕円形やその他多様な形状を有し得る。非表示領域ＮＡは表示領域ＤＡの両短辺および両長辺に隣接して配置され得る。この場合、表示領域ＤＡのすべての辺を囲み、表示領域ＤＡの縁を構成することができる。ただし、これに制限されず、非表示領域ＮＡは表示領域ＤＡの両短辺または両長辺にのみ隣接して配置されてもよい。
【００４１】
非表示領域ＮＡは表示パネル１００の第２方向ＤＲ２の一側にパッド領域ＰＡをさらに含み得る。表示パネル１００は少なくとも一つのパネルパッド端子（図３の「ＰＥ」を参照）を含み得る。パッド端子ＰＥのパッド領域ＰＡに配置され得る。
【００４２】
表示パネル１００のパッド領域ＰＡの上面にはフレキシブル印刷回路基板２００が配置され得る。フレキシブル印刷回路基板２００はパッド領域ＰＡに付着し得る。
【００４３】
フレキシブル印刷回路基板２００はパッド領域ＰＡに付着する付着領域ＣＡを含み得る。付着領域ＣＡはパッド領域ＰＡと厚さ方向に重なり得る。フレキシブル印刷回路基板２００はリード端子（図３の「ＬＥ」）を含み得る。リード端子ＬＥは付着領域ＣＡに配置され得る。
【００４４】
フレキシブル印刷回路基板２００はフレキシブル印刷回路基板２００の一面上に配置されるデータ駆動集積回路２９０を含み得る。データ駆動集積回路２９０はデータ駆動チップで具現され、フレキシブル印刷回路基板２００を介して表示パネルに付着するチップオンフィルム（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｆｉｌｍ，ＣＯＦ）方式が適用されることができる。ただし、これに制限されず、データ駆動集積回路２９０はチップオンプラスチック（ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｐｌａｓｔｉｃ，ＣＯＰ）や、チップオングラス（ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ，ＣＯＧ）方式でプラスチック基板またはガラス基板に付着することもできる。以下ではデータ駆動集積回路２９０がデータ駆動チップで具現され、チップオンフィルム（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｆｉｌｍ，ＣＯＦ）方式が適用された場合を中心に説明する。
【００４５】
以下、表示パネル１００、フレキシブル印刷回路基板２００の構成について説明する。
【００４６】
図２は図１の表示装置の断面図である。図２は図１の一画素領域およびパッド領域ＰＡの断面形状を示す。
【００４７】
図２を参照すると、表示パネル１００はベース基板１０１、複数の導電層、これを絶縁する複数の絶縁層および有機層ＥＬなどを含み得る。
【００４８】
ベース基板１０１は表示領域ＤＡおよび非表示領域ＮＡ全体にかけて配置される。ベース基板１０１は上部に配置される様々なエレメントを支持する機能をすることができる。一実施形態でベース基板１０１は軟性ガラス、石英などのリジッドな物質を含むリジッド基板であり得る。
【００４９】
バッファ層１０２はベース基板１０１上に配置され得る。バッファ層１０２はベース基板１０１を介した外部からの水分および酸素の浸透を防止することができる。また、バッファ層１０２はベース基板１０１の表面を平坦化することができる。バッファ層１０２は一実施形態として窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜および酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のいずれか一つを含み得る。
【００５０】
バッファ層１０２上には半導体層１０５が配置され得る。半導体層１０５は薄膜トランジスタのチャネルをなす。半導体層１０５は表示領域ＤＡの各画素に配置され、場合によって非表示領域ＮＡにも配置され得る。半導体層１０５はソース／ドレイン領域および活性領域を含み得る。半導体層１０５は多結晶シリコンを含み得る。
【００５１】
半導体層１０５上には第１絶縁層１１１が配置され得る。第１絶縁層１１１はベース基板１０１の全体面にかけて配置され得る。第１絶縁層１１１はゲート絶縁機能を有するゲート絶縁膜であり得る。第１絶縁層１１１はシリコン化合物、金属酸化物などを含み得る。例えば、第１絶縁層１１１はシリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、チタン酸化物などを含み得る。これらは単独でまたは互いに組合わせて使用することができる。
【００５２】
第１絶縁層１１１上には第１導電層１２０が配置され得る。一実施形態で第１導電層１２０は薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極１２１、維持キャパシタＣｓｔの第１電極１２２、第１パッド電極１２３および第１信号配線（図３「Ｌ１」を参照）を含み得る。第１パッド電極１２３は後述するようにパッド端子ＰＥを構成することができる。
【００５３】
第１導電層１２０は金属物質を含み得る。第１導電層１２０は、それぞれモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）の中から選ばれた一つ以上の金属を含み得る。第１導電層１２０は前記例示した物質からなる単一膜または積層膜であり得る。
【００５４】
第１導電層１２０上には第２絶縁層１１２が配置され得る。第２絶縁層１１２は第１サブ絶縁層１１２ａ、および第２サブ絶縁層１１２ｂを含み得る。第１サブ絶縁層１１２ａは表示領域ＤＡに配置され、外側に延びてパッド領域ＰＡの一部にも配置され得る。第１サブ絶縁層１１２ａは表示領域ＤＡ、および一部のパッド領域ＰＡ上で一体に形成されることができる。第１サブ絶縁層１１２ａは表示領域ＤＡで第１導電層１２０と第２導電層１４０を絶縁させることができる。例えば、維持キャパシタの第１電極１２２と第２電極１３１を絶縁させることができる。
【００５５】
第２サブ絶縁層１１２ｂはパッド領域ＰＡに配置され得る。第２サブ絶縁層１１２ｂの両側面は第１パッド電極１２３から外側に突出し、後述する第２パッド電極１４４の両側面と整列され得る。
【００５６】
第２サブ絶縁層１１２ｂは複数の絶縁パターンを含み得る。前記絶縁パターンはそれぞれ一方向に離隔して分離され得る。第２サブ絶縁層１１２ｂは前記絶縁パターンが配置された領域と配置されていない領域の段差を含み得る。前記段差は複数であり得る。すなわち、第２サブ絶縁層１１２ｂは前記絶縁パターンが配置された領域で凸部を有し、前記絶縁パターンが配置されない領域で凹部を有し得る。第２サブ絶縁層１１２ｂは表面凹凸を含み得る。第２サブ絶縁層１１２ｂは前記絶縁パターンの間に配置されたビアホールＶＩＡを含み得る。ビアホールＶＩＡは第２サブ絶縁層１１２ｂの表面で厚さ方向に貫いて形成され得る。ビアホールＶＩＡは第１パッド電極１２３の上面を露出させ得る。第２サブ絶縁層１１２ｂはビアホールＶＩＡが配置された領域で凹部を有し得る。後述する第２パッド電極１４４はビアホールＶＩＡを介して第１パッド電極１２３と電気的に接続され得る。一実施形態で第２サブ絶縁層１１２ｂはパッド端子ＰＥを構成することができる。
【００５７】
第２絶縁層１１２は第１絶縁層１１１の例示した物質の中で選択され得る。
【００５８】
第２絶縁層１１２上には第２導電層１３０が配置され得る。第２導電層１３０は維持キャパシタＣｓｔの第２電極１３１を含み得る。第２導電層１３０の物質は上述した第１導電層１２０の例示した物質の中で選択され得る。維持キャパシタＣｓｔの第１電極１２２と維持キャパシタＣｓｔの第２電極１３１は第２絶縁層１１２を介してキャパシタを形成することができる。
【００５９】
第２導電層１３０上には第３絶縁層１１３が配置され得る。第３絶縁層１１３は上述した第１絶縁層１１１の例示した物質を含み得る。
【００６０】
第３絶縁層１１３上には第３導電層１４０が配置され得る。第３導電層１４０はソース電極１４１、ドレイン電極１４２、電源電圧電極１４３および第２パッド電極１４４を含み得る。第３導電層１４０は上述した第１導電層１２０の例示物質を含み得る。第３導電層１４０は前記例示した物質からなる単一膜であり得る。これに制限されず、第３導電層１４０は積層膜であり得る。例えば、第３導電層１４０はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／ＡｌＧｅ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕなどの積層構造で形成することができる。
【００６１】
第２パッド電極１４４は第２サブ絶縁層１１２ｂ上に配置され得る。第２パッド電極１４４は第２サブ絶縁層１１２ｂの複数の絶縁パターンの上面および側面を覆い得る。第２パッド電極１４４は第２サブ絶縁層１１２ｂの前記絶縁パターンが配置される領域と前記絶縁パターンが配置されない領域、すなわちビアホールＶＩＡが配置された領域上に配置され得る。第２パッド電極１４４は第２サブ絶縁層１１２ｂが形成する下部段差を部分的にコンフォーマルに反映することができる。すなわち、第２パッド電極１４４は前記絶縁パターンが配置された領域で表面が突出する凸部を有し、前記絶縁パターンが配置されない領域、すなわちビアホールＶＩＡが形成された領域で表面が湾入する凹部を有し得る。すなわち、下部に所定の段差を有する第２サブ絶縁層１１２ｂが配置され、第２パッド電極１４４は表面に凹凸形状を有し得る。
【００６２】
一方、前述したように第２導電層１３０上には第３絶縁層１１３が配置されるが、パッド領域ＰＡで第３絶縁層１１３を含んだ第２導電層１３０の上部に配置される構造は省略または除去されることができる。これによって、前記省略または除去された構造はパッド領域ＰＡに配置された第２パッド電極１４４の上面を露出することができる。これについては後述する。
【００６３】
第３導電層１４０上には第１ビア層１５１が配置され得る。第１ビア層１５１はアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙＣＡｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ  ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ  ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）またはベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ，ＢＣＢ）などの有機絶縁物質を含み得る。
【００６４】
第１ビア層１５１上には第４導電層１６０が配置され得る。第４導電層１６０は電源電圧ライン１６１，１６３、連結電極１６２を含み得る。電源電圧ライン１６１は第１ビア層１５１を貫くコンタクトホールを介して薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極１４１と電気的に接続され得る。連結電極１６２は第１ビア層１５１を貫くコンタクトホールを介して薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極１４２と電気的に接続され得る。電源電圧ライン１６３は第１ビア層１５１を貫くコンタクトホールを介して電源電圧電極１４３と電気的に接続され得る。
【００６５】
第４導電層１６０はアルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）の中から選ばれた一つ以上の金属を含み得る。第４導電層１６０が単一膜であり得るが、これに制限されるものではなく、多層膜からなることもできる。例えば、第４導電層１６０はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／ＡｌＧｅ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕなどの積層構造で形成することができる。
【００６６】
第４導電層１６０上には第２ビア層１５２が配置される。第２ビア層１５２は上述した第１ビア層１５１の例示した物質を含み得る。アクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙＣＡｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ  ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ  ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）またはベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ，ＢＣＢ）などの有機絶縁物質を含み得る。
【００６７】
第２ビア層１５２上にはアノード電極ＡＮＯが配置される。アノード電極ＡＮＯは第２ビア層１５２を貫くコンタクトホールを介して連結電極１６２と電気的に接続され得る。
【００６８】
アノード電極ＡＮＯ上には画素定義膜ＰＤＬが配置され得る。画素定義膜ＰＤＬはアノード電極ＡＮＯを露出する開口部を含み得る。画素定義膜ＰＤＬは有機絶縁物質または無機絶縁物質からなる。一実施形態として、画素定義膜ＰＤＬはフォトレジスト、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン化合物、ポリアクリル系樹脂などの材料を含み得る。
【００６９】
アノード電極ＡＮＯの上面および画素定義膜ＰＤＬの開口部内には有機層ＥＬが配置され得る。有機層ＥＬと画素定義膜ＰＤＬ上にはカソード電極ＣＡＴが配置される。カソード電極ＣＡＴは複数の画素にかけて配置された共通電極であり得る。
【００７０】
カソード電極ＣＡＴ上には薄膜封止層１７０が配置される。薄膜封止層１７０は有機発光素子（ＯＬＥＤ）を覆い得る。薄膜封止層１７０は無機膜と有機膜が交互に積層された積層膜であり得る。例えば、薄膜封止層１７０は順次積層された第１無機膜１７１、有機膜１７２、および第２無機膜１７３を含み得る。
【００７１】
上述した第２パッド電極１４４の上部にはフレキシブル印刷回路フィルム２００が配置され得る。フレキシブル印刷回路フィルム２００は第２パッド電極１４４が配置される表示パネル１００のパッド領域ＰＡに付着し得る。
【００７２】
フレキシブル印刷回路フィルム２００はベースフィルム２１０、リード端子ＬＥ、第２信号配線Ｌ２を含み得る。図面に示していないが、フレキシブル印刷回路フィルム２００はデータ駆動集積回路（図３「２９０」を参照）をさらに含み得る。リード端子ＬＥおよび第２信号配線Ｌ２はベースフィルム２１０上に配置され得る。具体的にはベースフィルム２１０の一面に配置され得る。リード端子ＬＥは第２信号配線Ｌ２を介してデータ駆動集積回路２９０と電気的に接続され得る。リード端子ＬＥと第２信号配線Ｌ２はパッド領域ＰＡに重なり得る。リード端子ＬＥは後述するパッド端子ＰＥと直接結合し得る。
【００７３】
一実施形態によるパッド端子ＰＥは第１パッド電極１２３、第２サブ絶縁層１１２ｂ、および第２パッド電極１４４を含み得る。パッド端子ＰＥの積層構造については表示パネル１００のパッド領域ＰＡの断面で説明したため省略する。
【００７４】
一方、いくつかの実施形態でパッド端子ＰＥの構成および積層構造は多様に変形することができる。例えば、パッド端子ＰＥは一実施形態による順次積層構造（第１パッド電極１２３、第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第２パッド電極１４４）を有するが、第２パッド電極１４４および第１パッド電極１２３のみを含んで定義されてもよく、第２パッド電極１４４のみを含んで定義されてもよい。
【００７５】
また、パッド端子ＰＥは一実施形態による積層構造を有するが、第１パッド電極１２３が複数の導電パターンを含み、第２サブ絶縁層１１２ｂは絶縁パターンを含まない構造を有してもよく絶縁パターンを含む構造を有してもよい。この場合、第２パッド電極１４４は第１パッド電極１２３および／または第２サブ絶縁層１１２ｂが形成する段差を部分的にコンフォーマルに反映して表面凹凸を有することができる。
【００７６】
また、パッド端子ＰＥは第１パッド電極１２３と第２パッド電極１４４の間に第３パッド電極をさらに含むこともできる。第３パッド電極は第２導電層１３０に含まれ得る。
【００７７】
その他にも、パッド端子ＰＥの第１パッド電極は第１導電層１２０であるが、第２パッド電極は第４導電層１６０上に配置されてもよく、第１パッド電極は第２導電層１３０であり、第２パッド電極は第３導電層１４０または第４導電層１６０で構成されることもできる。
【００７８】
また、パッド端子ＰＥのパッド電極の間に配置された絶縁層は前記多様に変形されるパッド端子ＰＥの積層構造に従い同様に多様に変形され得ることはもちろんである。
【００７９】
以下で第１導電層１２０に配置された第１パッド電極１２３、第２サブ絶縁層１１２ｂ、および第３導電層１４０に配置された第２パッド電極１４４を含むパッド端子ＰＥを中心に説明する。
【００８０】
一実施形態によるパッド端子ＰＥおよびリード端子ＬＥは超音波ボンディングされ得る。パッド端子ＰＥとリード端子ＬＥは間に任意の構成や層を介在せず結合され得る。すなわち、パッド端子ＰＥとリード端子ＬＥは直接結合され得る。前記超音波ボンディングは超音波ボンディング装置５００により行われ得る。
【００８１】
図２に示すように、超音波装置５００は振動生成部５１０、振動生成部５１０と連結された振動部５２０、振動部５２０の振動幅を増幅させる加圧部５３０、振動部５２０と連結された振動伝達部５４０を含み得る。
【００８２】
振動生成部５１０は電気的エネルギを振動エネルギに変換することができる。振動部５２０は振動生成部５１０で変換された振動エネルギで振動し得る。振動部５２０は一定の振動方向を有して所定の振幅を有して振動し得る。振動部５２０は振動部５２０と連結された加圧部５３０を介して前記振動方向と並んだ方向に前記振幅が増幅され得る。振動伝達部５４０は振動部５２０の振動を超音波ボンディング対象体に伝達し得る。支持部５５０は振動部５２０の上面と下面を固定して前記振動で振動部５２０および振動伝達部５４０が上下に流動することを抑制することができる。
【００８３】
一実施形態で、超音波装置５００はフレキシブル印刷回路基板２００の他面と接触して下部に一定の加圧状態を保持して振動伝達部５４０が効率的に前記振動をフレキシブル印刷回路基板２００に伝達されるようにする。この時、超音波装置５００の振動伝達部５４０は図５に示すように、下部に配置されたフレキシブル印刷回路基板２００の全領域と重なって超音波（Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  Ｗａｖｅ）ボンディングすることができる。
【００８４】
超音波装置５００は所定の振動方向に振動しながら、リード端子ＬＥを前記振動方向に振動させることができる。ただし、この場合、パッド端子ＰＥは前記リード端子ＬＥを介して伝達される振動でわずかに前記振動方向に振動し得るが、その振動する幅はわずかであり得る。したがって、振動伝達部５４０の前記振動方向への振動幅は実質的にリード端子ＬＥがパッド端子ＰＥ上で前記振動方向に移動した距離と同一であると見ることができる。一実施形態で前記振動方向は第２方向ＤＲ２であり得る。すなわち、前記振動方向はパッド端子ＰＥとリード端子ＬＥの長辺が延長する方向であり得る。
【００８５】
パッド端子ＰＥの一面上でリード端子ＬＥを超音波振動させるとパッド端子ＰＥの一面とリード端子ＬＥの一面の界面で所定の摩擦力が発生し、前記摩擦力により摩擦熱が発生し得る。前記摩擦熱がパッド端子ＰＥとリード端子ＬＥをなす物質を溶かすほど充分である場合、パッド端子ＰＥのリード端子ＬＥと隣接するパネル溶融領域１４４ｂとリード端子ＬＥのパッド端子ＰＥと隣接するリード溶融領域ＬＥｂは溶融され得る。すなわち、パッド端子ＰＥはパネル非溶融領域１４４ａとパネル溶融領域１４４ｂを含み得る。また、リード端子ＬＥはリード非溶融領域ＬＥａとリード溶融領域ＬＥｂを含み得る。
【００８６】
パネル非溶融領域１４４ａはパッド端子ＰＥが含む物質のみを含む領域であり得る。リード非溶融領域ＬＥａはリード端子ＬＥが含む物質のみを含む領域であり得る。
【００８７】
パネル溶融領域１４４ｂはリード端子ＬＥが含む物質が拡散されてパッド端子ＰＥの物質とリード端子ＬＥの物質が混ざっている領域であり、リード溶融領域ＬＥｂはパッド端子ＰＥが含む物質が拡散されてリード端子ＬＥの物質とパッド端子ＰＥの物質が混ざっている領域であり得る。例えば、リード端子ＬＥが銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）を含み、パッド端子ＰＥがＴｉ／Ａｌ／Ｔｉを含む場合、パネル溶融領域１４４ｂはパッド端子ＰＥのＴｉおよび／またはＡｌとリード端子ＬＥの銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）が混ざっている領域であり得る。また、リード溶融領域ＬＥ１ｂはリード端子ＬＥの銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）とパッド端子ＰＥのＴｉおよび／またはＡｌが混ざっている領域であり得る。
【００８８】
パネル溶融領域１４４ｂとリード溶融領域ＬＥｂでパッド端子ＰＥとリード端子ＬＥは凝固を経て結合され得る。
【００８９】
パッド端子ＰＥとリード端子ＬＥの界面、すなわちパネル溶融領域１４４ｂとリード溶融領域ＬＥｂの界面は非平坦な形状を有し得る。
【００９０】
リード端子ＬＥとパッド端子ＰＥのボンディング信頼性を確認するために一実施形態によるパッド端子ＰＥは第２パッド電極１４４の表面で厚さ方向に形成された貫通領域ＴＲを含み得る。これについては後述する。
【００９１】
図３は一実施形態による表示パネルおよびフレキシブル印刷回路基板の平面配置図であり、図４は一実施形態による表示パネルおよびフレキシブル印刷回路基板の付着した状態を示す平面配置図である。
【００９２】
図３および図４を参照すると、複数のパッド端子ＰＥはパッド領域ＰＡ一端に隣接して配置され得る。複数のパッド端子ＰＥは第１方向ＤＲ１に沿って配列されてパッド行をなす。図面では前記一つのパッド行が示されているが、これに制限されず、前記パッド行は第２方向ＤＲ２に離隔した複数のパッド行であり得る。パッド端子ＰＥは第１信号配線Ｌ１と連結され得る。第１信号配線Ｌ１は第２方向ＤＲ２に沿って表示領域ＤＡを通過し得る。第１信号配線Ｌ１は図面に示していないが、表示領域ＤＡに配置された複数の画素のトランジスタＴＲと連結され得る。パッド端子ＰＥは表示領域ＤＡの複数のトランジスタＴＲと第１信号配線Ｌ１を介して電気的に接続され得る。
【００９３】
前述したように、第１信号配線Ｌ１はパッド端子ＰＥの第１パッド電極１２３と同一層（第１導電層１２０）に配置され得る。第１パッド電極１２３の平面形状は角が角ばった長方形または角が丸い長方形であり得る。第１パッド電極１２３は長辺エッジと短辺エッジを有し得る。第１パッド電極１２３の長辺エッジは第２方向ＤＲ２に延び得、短辺エッジは第１方向ＤＲ１に延び得る。第１パッド電極１２３の平面上幅は第１信号配線Ｌ１の平面上幅より大きくてもよい。
【００９４】
フレキシブル印刷回路フィルム２００は付着領域ＣＡを含み得る。フレキシブル印刷回路フィルム２００の付着領域ＣＡは表示パネル１００のパッド領域ＰＡに付着し得る。付着領域ＣＡには複数のリード端子ＬＥが配置され得る。複数のリード端子ＬＥは第１方向ＤＲ１に沿って配列されてリード行をなす。図面では前記一つのリード行が示されているが、これに制限されず、前記リード行は第２方向ＤＲ２に離隔した複数のリード行であり得る。リード端子ＬＥは第２信号配線Ｌ２と連結され得る。
【００９５】
フレキシブル印刷回路フィルム２００は上述したデータ駆動集積回路２９０を含み得る。データ駆動集積回路２９０はベースフィルム２１０の一面に配置され得る。第２信号配線Ｌ２はデータ駆動集積回路２９０と連結され得る。複数のリード端子ＬＥは第２信号配線Ｌ２を介してデータ駆動集積回路２９０と電気的に接続され得る。
【００９６】
リード端子ＬＥの平面形状は角が角ばった長方形または角が丸い長方形であり得る。リード端子ＬＥは長辺エッジと短辺エッジを有し得る。リード端子ＬＥの長辺エッジは第２方向ＤＲ２に延び得、短辺エッジは第１方向ＤＲ１に延び得る。リード端子ＬＥの平面上幅は第２信号配線Ｌ２の平面上幅より大きくてもよい。
【００９７】
図４を参照すると、前述したようにリード端子ＬＥはパッド端子ＰＥ上に付着して、パッド端子ＰＥと超音波ボンディングされ得る。以下、結合されたパッド端子ＰＥおよびリード端子ＬＥの構成について詳しく説明する。
【００９８】
図５は図４の一実施形態による一つのパッド端子およびパッド端子に付着したリード端子を示す平面図であり、図６は図５のＸ１−Ｘ１’線に沿って切断した断面図であり、図７は図５のＸ２−Ｘ２’線に沿って切断した断面図であり、図８は図５のＸ３−Ｘ３’、Ｘ４−Ｘ４’およびＸ５−Ｘ５’線に沿って切断した断面図である。
【００９９】
図２、図５ないし図８を参照すると、パッド端子ＰＥは前述したように、第１パッド電極１２３、第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第２パッド電極１４４を含み得る。第１パッド電極１２３は第１信号配線Ｌ１と連結され得る。第１パッド電極１２３は前述したように長辺エッジと短辺エッジを有する長方形形状であり得る。第２サブ絶縁層１１２ｂは第１パッド電極１２３上に配置され、第１パッド電極１２３と平面上同じ形状を有し得る。第２サブ絶縁層１１２ｂは平面上第１パッド電極１２３の平面上広さより大きくてもよい。第２サブ絶縁層１１２ｂは第１パッド電極１２３の外側に延びて形成され得る。第２サブ絶縁層１１２ｂは長辺エッジと短辺エッジを有し得る。第２サブ絶縁層１１２ｂの長辺エッジと短辺エッジは第１パッド電極１２３のそれと同様にそれぞれ第２方向ＤＲ２および第１方向ＤＲ１に延び得る。第２サブ絶縁層１１２ｂの長辺エッジと短辺エッジは第１パッド電極１２３の長辺エッジと短辺エッジに比べてそれぞれさらに大きくてもよい。
【０１００】
第２サブ絶縁層１１２ｂの外側には上述した第１サブ絶縁層１１２ａが配置され得る。第１サブ絶縁層１１２ａは第２サブ絶縁層１１２ｂの両長辺および短辺エッジを囲むことができる。
【０１０１】
第２サブ絶縁層１１２ｂは上述したビアホールＶＩＡを有し得る。ビアホールＶＩＡは第２サブ絶縁層１１２ｂの表面で厚さ方向に形成されて第１パッド電極１２３の上面を露出し得る。
【０１０２】
ビアホールＶＩＡは第１方向ＤＲ１に延び、第２方向ＤＲ２に離隔して分離し得る。図５では１０個のビアホールＶＩＡが示されているが、個数が制限されるものではない。これに制限されず、ビアホールＶＩＡは第２方向ＤＲ２に延び、第１方向ＤＲ１に離隔して分離し得る。
【０１０３】
ビアホールＶＩＡは平面上長辺と短辺を有し得る。ビアホールＶＩＡは第１方向ＤＲ１に長辺を有し、第２方向ＤＲ２に短辺を有し得る。ただし、これに制限されず、ビアホールＶＩＡの長辺は第２方向ＤＲ２に延び得、短辺は第１方向ＤＲ１に延び得る。
【０１０４】
ビアホールＶＩＡは平面上第１パッド電極１２３の内側に配置され得る。第１パッド電極１２３は前記絶縁パターンを囲むことができる。
【０１０５】
ビアホールＶＩＡの外側には第２サブ絶縁層１１２ｂの前記絶縁パターンが形成され得る。前記絶縁パターンは第１パッド電極１２３上に配置され、さらに第１パッド電極１２３の外側に延びて配置され得る。前記絶縁パターンは第１パッド電極１２３上ではビアホールＶＩＡを取り囲む形状を有し、第１パッド電極１２３の外側では平面上第１パッド電極１２３を外側で取り囲む形状を有し得、第１パッド電極１２３の縁を形成することができる。
【０１０６】
第２パッド電極１４４は第１パッド電極１２３および第２サブ絶縁層１１２ｂ上に配置され得る。第２パッド電極１４４は第１パッド電極１２３の外側に突出して延び得る。第２パッド電極１４４は第２サブ絶縁層１１２ｂを覆い得る。第２パッド電極１４４のすべての側面は第２サブ絶縁層１１２ｂの各側面と厚さ方向に重なって整列される。また、平面上第１サブ絶縁層１１２ａは第２パッド電極１４４の外側に配置されて第２パッド電極１４４のすべての辺を外側で取り囲み得る。すなわち、第１サブ絶縁層１１２ａは第２パッド電極１４４の縁を構成することができる。第２パッド電極１４４は第２サブ絶縁層１１２ｂの複数の絶縁パターンの上面および側面を覆い得る。第２パッド電極１４４は前記絶縁パターンの間に配置されたビアホールＶＩＡ上に配置され、露出した第１パッド電極１２３を覆い得る。第２パッド電極１４４はビアホールＶＩＡを介して第１パッド電極１２３と電気的に接続され得る。
【０１０７】
前述したように第２パッド電極１４４は第２サブ絶縁層１１２ｂが形成する下部段差を部分的にコンフォーマルに反映することができる。すなわち、第２パッド電極１４４は前記絶縁パターンが配置された領域で表面が突出する凸部を有し、前記絶縁パターンが配置されない領域、すなわちビアホールＶＩＡが形成された領域で表面が湾入する凹部を有し得る。すなわち、下部に所定の段差を有する第２サブ絶縁層１１２ｂが配置され、第２パッド電極１４４は表面に凹凸形状を有し得る。
【０１０８】
パッド端子ＰＥは第２パッド電極１４４の表面から厚さ方向に形成された貫通領域ＴＲを含み得る。
【０１０９】
本明細書はパッド端子の厚さ方向に形成された構造を貫通領域ＴＲというが、前記構造を指す用語は貫通領域に制限されない。例えば、貫通領域はオープン部、オープン領域、湾入部、湾入領域、リセス部、リセス領域など多様な用語に解釈されることもできる。また、一実施形態のように平面上パッド端子の内部に配置されてパッド端子によって完全に囲まれた貫通領域は貫通孔と解釈されることもできる。また、後述するように図１２、および図１４に例示した貫通領域は前記パッド端子の一エッジからリセスされてトレンチ形状を有し得る。このような場合にも、上述したオープン部、オープン領域、湾入部、湾入領域、リセス部、リセス領域などその形状によって多様に解釈されることができる。
【０１１０】
貫通領域ＴＲはパッド端子ＰＥの中心領域付近に形成され得る。貫通領域ＴＲは平面上第２サブ絶縁層１１２ｂの前記絶縁パターンの間に配置され得る。貫通領域ＴＲは第２パッド電極１４４、第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第１パッド電極１２３を厚さ方向に貫くことができる。貫通領域ＴＲはパッド領域ＰＡの第１絶縁層１１１の上面を露出させ得る。さらに、貫通領域ＴＲは第２パッド電極１４４、第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第１パッド電極１２３の両側面を露出させ得る。貫通領域ＴＲが形成された領域で第２パッド電極１４４、第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第１パッド電極１２３の両側面は互いに整列され得る。
【０１１１】
図４に示すように、貫通領域ＴＲは平面上長方形であり得る。貫通領域ＴＲは長辺と短辺を有し得る。貫通領域ＴＲの長辺は第１方向ＤＲ１に延び、短辺は第２方向ＤＲ２に延び得る。貫通領域ＴＲの長辺は平面上ビアホールＶＩＡの長辺より小さくてもよく、貫通領域ＴＲの短辺はビアホールＶＩＡの短辺より大きくてもよい。貫通領域ＴＲの両長辺は後述するリード端子ＬＥの短辺と厚さ方向に重なって整列され得る。貫通領域ＴＲの長辺はリード端子ＬＥの短辺の幅と同一であり得るが、これに制限されず、貫通領域ＴＲの長辺の幅はリード端子ＬＥの短辺の幅に比べて小さくてもよく、大きくてもよい。いくつかの実施形態で、貫通領域ＴＲは平面上長方形ではなく、円、楕円およびその他多角形形状を有し得る。
【０１１２】
一実施形態で貫通領域ＴＲはパッド端子ＰＥにより囲まれる。すなわち、貫通領域ＴＲは平面上パッド端子ＰＥの内部に配置され得る。
【０１１３】
前述したようにパッド端子ＰＥ上にはリード端子ＬＥが付着し得る。
【０１１４】
平面視点で、リード端子ＬＥはパッド端子ＰＥの形状と実質的に同一であり得る。すなわち、リード端子ＬＥは平面上角が直角である長方形であり得る。リード端子ＬＥは長辺と短辺を有し得る。リード端子ＬＥの長辺は第２方向ＤＲ２に延び、短辺は第１方向ＤＲ１に延び得る。リード端子ＬＥの長辺および短辺はパッド端子ＰＥの長辺および短辺より小さくてもよい。パッド端子ＰＥはリード端子ＬＥの外側に突出して形成されることができる。パッド端子ＰＥはリード端子ＬＥの縁を構成することができる。
【０１１５】
パッド端子ＰＥはリード端子ＬＥとの結合の有無によってボンディング領域ＢＲと非ボンディング領域ＮＢＲを含み得る。具体的には、パッド端子ＰＥはリード端子ＬＥと結合されたボンディング領域ＢＲとリード端子ＬＥと結合されない非ボンディング領域ＮＢＲを含み得る。
【０１１６】
パッド端子ＰＥのボンディング領域ＢＲは第１ボンディング領域ＢＲ１および第２ボンディング領域ＢＲ２を含み得る。第１ボンディング領域ＢＲ１および第２ボンディング領域ＢＲ２でパッド端子ＰＥはリード端子ＬＥと厚さ方向に重なり得る。第１ボンディング領域ＢＲ１および第２ボンディング領域ＢＲ２でパッド端子ＰＥはリード端子ＬＥと超音波ボンディングされ得る。すなわち、パッド端子ＰＥは第１ボンディング領域ＢＲ１および第２ボンディング領域ＢＲ２でリード端子ＬＥとの間に任意の構成や層を介在せず結合することができる。
【０１１７】
パッド端子ＰＥの非ボンディング領域ＮＢＲは第１非ボンディング領域ＮＢＲ１ないし第３非ボンディング領域ＮＢＲ３を含み得る。前述したようにパッド端子ＰＥはリード端子ＬＥの平面上大きさより大きいので、リード端子ＬＥと厚さ方向に重なる領域と重ならない領域を有し得る。第２非ボンディング領域ＮＢＲ２および第３非ボンディング領域ＮＢＲ３でパッド端子ＰＥはリード端子ＬＥと重ならなくてもよい。第２非ボンディング領域ＮＢＲ２および第３非ボンディング領域ＮＢＲ３でパッド端子ＰＥはリード端子ＬＥと結合しなくてもよい。すなわち、第２非ボンディング領域ＮＢＲ２および第３非ボンディング領域ＮＢＲ３でパッド端子ＰＥはリード端子ＬＥと超音波ボンディングされなくてもよい。
【０１１８】
図６を参照すると、第１ボンディング領域ＢＲ１で第２サブ絶縁層１１２ｂの上面と第２パッド電極１４４の一面の間の第２パッド厚さＤ２は第２非ボンディング領域ＮＢＲ２で第２サブ絶縁層１１２ｂの上面と第２パッド電極１４４の一面の間の第１パッド厚さＤ１より小さくてもよい。第１ボンディング領域ＢＲ１でパッド電極ＰＥ（第２パッド電極１４４）とリード端子ＬＥが超音波ボンディングされることにより第２パッド電極１４４のリード端子ＬＥとの界面の周囲の一部領域の物質が溶融し得る。前記溶融した物質は第２パッド電極１４４の凹部に移動して第１ボンディング領域ＢＲ１での第２パッド電極１４４の第２パッド厚さＤ２は第１パッド厚さＤ１より小さくなる。
【０１１９】
パッド端子ＰＥの貫通領域ＴＲは第１非ボンディング領域ＮＢＲ１に配置され得る。貫通領域ＴＲは第２パッド電極１４４の表面から厚さ方向に第２パッド電極１４４、第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第１パッド電極１２３を貫くので、第１非ボンディング領域ＮＢＲ１でパッド端子ＰＥはリード端子ＬＥと超音波ボンディングされないこともある。一実施形態による貫通領域ＴＲは第１絶縁層１１１の上面を露出させ得る。第１非ボンディング領域ＮＢＲ１でリード端子ＬＥは露出した第１絶縁層１１１の上面と部分的に接触し得る。
【０１２０】
図２で説明したように、ボンディング領域ＢＲ１，ＢＲ２でリード端子ＬＥとパッド端子ＰＥ（第２パッド電極１４４）の界面ＬＥｂ、１４４ｂが溶融し得る。第１非ボンディング領域ＮＢＲ１と隣接するリード溶融領域ＬＥｂで溶融した物質は第１非ボンディング領域ＮＢＲ１に下降し得る。すなわち、第１非ボンディング領域ＮＢＲ１はパッド端子ＰＥの貫通領域ＴＲが形成されるが、第１非ボンディング領域ＮＢＲ１と隣接するリード溶融領域ＬＥｂで溶融した物質は貫通領域ＴＲに下降し得る。これによって、第１ボンディング領域ＮＢＲ１でリード端子ＬＥのベースフィルム２１０からの第２厚さＴ２はボンディング領域ＢＲ１，ＢＲ２でリード端子ＬＥのベースフィルム２１０からの第１厚さＴ１より大きくてもよい。
【０１２１】
第１非ボンディング領域ＮＢＲ１は接触領域ＣＲ、接触領域ＣＲを間に置いて離隔した第１非接触領域ＮＣＲ１および第２非接触領域ＮＣＲ２を含み得る。第１非接触領域ＮＣＲ１は接触領域ＣＲと第１ボンディング領域ＢＲ１の間に配置され得る。第２非接触領域ＮＣＲ２は接触領域ＣＲと第２ボンディング領域ＢＲ２の間に配置され得る。
【０１２２】
前述したようにパッド端子ＰＥの接触領域ＣＲはリード端子ＬＥと第１絶縁層１１１の露出した上面が接触する領域であり得る。接触領域ＣＲでリード端子ＬＥは貫通領域ＴＲの内部に位置し、露出した第１絶縁層１１１の上面と接触し得る。第１非接触領域ＮＣＲ１および第２非接触領域ＮＣＲ２でリード端子ＬＥは貫通領域ＴＲの内部に位置するが、第１絶縁層１１１の上面と接触しない。
【０１２３】
接触領域ＣＲでリード端子ＬＥは第１絶縁層１１１の露出した上面と接触するが、結合しなくてもよい。ただし、超音波振動によりリード端子ＬＥと第１絶縁層１１１の露出した上面は界面の周辺の一部領域が溶融して混ざって結合されることができる。このような場合にも、接触領域ＣＲでのリード端子ＬＥと第１絶縁層１１１の結合力はボンディング領域ＢＲ１，ＢＲ２でのリード端子ＬＥと第２パッド電極１４４の間の結合力より小さくてもよい。
【０１２４】
一実施形態によるパッド端子ＰＥは貫通領域ＴＲを含み、パッド端子ＰＥと結合されるリード端子ＬＥは第１非ボンディング領域ＮＢＲ１で貫通領域ＴＲの内部に下降および／または挿入されて露出した第１絶縁層１１１と接触することができる。第１絶縁層１１１と接触するリード端子ＬＥの下部の第１絶縁層１１１、バッファ層１０２およびベース基板１０１は透明な物質であり得る。また、リード端子ＬＥは不透明な金属物質を含み得る。前述したようにリード端子ＬＥが含む金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）などは不透明な物質であり得る。
【０１２５】
リード端子ＬＥの第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅および広さはリード端子ＬＥの超音波ボンディングがうまく行われると増加する。具体的には、超音波ボンディングがうまく行われると、第１非ボンディング領域ＮＢＲ１と隣接する第１ボンディング領域ＢＲ１および第２ボンディング領域ＢＲ２で溶融したリード端子ＬＥの物質が貫通領域ＴＲにさらに多く移動する。
【０１２６】
パッド端子ＰＥとリード端子ＬＥの間の超音波ボンディング信頼性を検査するために映像装置（図示せず）で、ベース基板１０１の下部で貫通領域ＴＲに下降および／または挿入されたリード端子ＬＥを観察して必要なデータを抽出することができる。一実施形態によるパッド端子ＰＥは貫通領域ＴＲを含み、リード端子ＬＥは不透明な物質を含むので、ベース基板１０１の下面で貫通領域ＴＲに配置されたリード端子ＬＥを見ると、リード端子ＬＥの形状および配置などを観察することができる。前記映像装置はリード端子ＬＥの第２厚さＴ２と接触領域ＣＲの幅、および広さを観察して抽出された第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅、広さデータを抽出することができる。その次に、前記映像装置は抽出されたデータを第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅、広さに関する標準データと比較してパッド端子ＰＥとリード端子ＬＥ間の超音波ボンディング信頼性を検査することができる。
【０１２７】
パッド端子ＰＥとリード端子ＬＥの工程如何によって第１非ボンディング領域ＮＢＲ１でリード端子ＬＥはパッド端子ＰＥが露出させる第１絶縁層１１１の上面に接触しないため、接触領域ＣＲを形成しない。ただし、このような場合にもリード端子ＬＥは貫通領域ＴＲの内部に下降および／または挿入されて第２厚さＴ２が増加するので超音波ボンディング信頼性を検査することができる。
【０１２８】
以下、他の実施形態による表示装置について説明する。以下の実施形態で既に説明した実施形態と同じ構成に対しては同じ参照符号を付け、その説明は省略または簡略化する。
【０１２９】
図９は変形例によるパッド端子とパッド端子に付着したリード端子を示す平面図であり、図１０は変形例によるパッド端子とパッド端子に付着したリード端子を示す平面図である。
【０１３０】
図９および図１０を参照すると、変形実施形態による貫通領域ＴＲが形成された領域（第１非ボンディング領域ＮＢＲ１）がパッド端子ＰＥの中心領域におらず、それぞれパッド端子ＰＥの上側（第２方向ＤＲ２）、下側（第１方向ＤＲ１）に位置する点で一実施形態によるパッド端子ＰＥとは差がある。
【０１３１】
前述したように第１非ボンディング領域ＮＢＲ１でパッド端子ＰＥはリード端子ＬＥと超音波ボンディングされない。変形実施形態のように第１非ボンディング領域ＮＢＲ１がパッド端子ＰＥの上部、または、下部に配置されるとパッド端子ＰＥはリード端子ＬＥの上部または下部と結合せず、中心領域でリード端子ＬＥと結合することができる。
【０１３２】
この場合にも、パッド端子ＰＥと結合されるリード端子ＬＥは第１非ボンディング領域ＮＢＲ１で貫通領域ＴＲの内部に下降および／または挿入されて露出した第１絶縁層１１１と接触することができる。第１絶縁層１１１と接触するリード端子ＬＥの下部の第１絶縁層１１１、バッファ層１０２およびベース基板１０１は透明な物質であり得る。
【０１３３】
リード端子ＬＥの第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅および広さはリード端子ＬＥ超音波ボンディングがうまく行われると増加する。具体的には、超音波ボンディングがうまく行われると、第１非ボンディング領域ＮＢＲ１と隣接する第１ボンディング領域ＢＲ１および第２ボンディング領域ＢＲ２で溶融したリード端子ＬＥの物質が貫通領域ＴＲにさらに多く移動する。
【０１３４】
パッド端子ＰＥとリード端子ＬＥの間の超音波ボンディング信頼性を検査するために映像装置（図示せず）で、ベース基板１０１の下部で貫通領域ＴＲに下降および／または挿入されたリード端子ＬＥを観察して必要なデータを抽出することができる。前記映像装置はリード端子ＬＥの第２厚さＴ２と接触領域ＣＲの幅、および広さを観察して抽出された第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅、広さデータを抽出することができる。その次に、前記映像装置は抽出されたデータを第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅、広さに関する標準データと比較してパッド端子ＰＥとリード端子ＬＥの間の超音波ボンディング信頼性を検査することができる。
【０１３５】
図１１は他の実施形態による表示パネルおよびフレキシブル印刷回路基板の付着した状態を示す平面配置図であり、図１２は図１１のＸ６−Ｘ６’線に沿って切断した断面図である。
【０１３６】
図１１および図１２を参照すると、他の実施形態によるパッド端子ＰＥ＿１は貫通領域ＴＲ＿１がパッド端子ＰＥ＿１の長辺でパッド端子ＰＥ＿１の内部に形成される点で一実施形態によるパッド端子ＰＥとは差がある。
【０１３７】
さらに具体的に説明すると、本実施形態によるパッド端子ＰＥ＿１は貫通領域ＴＲ＿１がパッド端子ＰＥ＿１の長辺または一側エッジでパッド端子ＰＥ＿１の内部に形成され得る。すなわち、本実施形態による貫通領域ＴＲ＿１はパッド端子ＰＥ＿１の長辺または一側エッジを含んでその内部に形成され得る。また、本実施形態によるパッド端子ＰＥ＿１は、貫通領域ＴＲ＿１の第１方向ＤＲ１の隣接する領域に第２サブ絶縁層１１２ａがさらに配置され得る。前記領域の第２サブ絶縁層１１２ａはビアホールＶＩＡａをさらに含み得る。貫通領域ＴＲ＿１の第１方向ＤＲ１の隣接する領域に配置される第２サブ絶縁層１１２ａは厚さ方向に上部に配置されるリード端子ＬＥと超音波ボンディングされ得る。
【０１３８】
本実施形態によるパッド端子ＰＥ＿１はビアホールＶＩＡａをさらに含む第２サブ絶縁層１１２ａを有することによってリード端子ＬＥとのボンディングされる領域を広げて全体的な結合力が増加することができる。
【０１３９】
この場合にも、パッド端子ＰＥ＿１と結合されるリード端子ＬＥは第１非ボンディング領域ＮＢＲ１で貫通領域ＴＲ＿１の内部に下降および／または挿入されて露出した第１絶縁層１１１と接触することができる。第１絶縁層１１１と接触するリード端子ＬＥの下部の第１絶縁層１１１、バッファ層１０２およびベース基板１０１は透明な物質であり得る。
【０１４０】
リード端子ＬＥの第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅および広さはリード端子ＬＥ超音波ボンディングがうまく行われると増加する。具体的には、超音波ボンディングがうまく行われると、第１非ボンディング領域ＮＢＲ１と隣接する第１ボンディング領域ＢＲ１および第２ボンディング領域ＢＲ２で溶融したリード端子ＬＥの物質が貫通領域ＴＲ＿１にさらに多く移動する。
【０１４１】
パッド端子ＰＥ＿１とリード端子ＬＥの間の超音波ボンディング信頼性を検査するために映像装置（図示せず）で、ベース基板１０１の下部で貫通領域ＴＲ＿１に下降および／または挿入されたリード端子ＬＥを観察して必要なデータを抽出することができる。前記映像装置はリード端子ＬＥの第２厚さＴ２と接触領域ＣＲの幅、および広さを観察して抽出された第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅、広さデータを抽出することができる。その次に、前記映像装置は抽出されたデータを第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅、広さに関する標準データと比較してパッド端子ＰＥ＿１とリード端子ＬＥの間の超音波ボンディング信頼性を検査することができる。
【０１４２】
図１３はまた他の実施形態による表示パネルおよびフレキシブル印刷回路基板の付着した状態を示す平面配置図である。
【０１４３】
図１３を参照すると、また他の実施形態による表示装置３は図１１および図１２によるパッド端子ＰＥ＿１とこれと異なるパッド端子ＰＥ＿２を含む点で一実施形態によるパッド端子ＰＥとは差がある。
【０１４４】
さらに具体的に説明すると、本実施形態による表示装置は図１１および図１２によるパッド端子ＰＥ＿１と本実施形態によるパッド端子ＰＥ＿２を含み得る。パッド端子ＰＥ＿１と本実施形態によるパッド端子ＰＥ＿２は互いに繰り返し配置され得る。本実施形態によるパッド端子ＰＥ＿２は図１１および図１２によるパッド端子ＰＥ＿１と第２方向ＤＲ２を基準として対称形状を有する。図１１および図１２によるパッド端子ＰＥ＿１がパッド端子ＰＥ＿１の一側長辺またはエッジを含んで貫通領域ＴＲ＿１を含む場合、本実施形態によるパッド端子ＰＥ＿２はパッド端子ＰＥ＿２の他側長辺またはエッジを含んで貫通領域ＴＲ＿２を含み得る。
【０１４５】
貫通領域ＴＲ＿１，ＴＲ＿２を形成するために、第２パッド電極１４４、第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第１パッド電極１２３を厚さ方向に所定の幅を有してカッティングしなければならないが、本実施形態のようなパッド端子ＰＥ＿１，ＰＥ＿２は互いに貫通領域が形成された領域が対向しており、前記カッティング工程時に一度に貫通領域ＴＲ＿１，ＴＲ＿２を形成することができる。
【０１４６】
図１４はまた他の実施形態にパッド端子とパッド端子に付着したリード端子を示す平面図であり、図１５は図１４のＸ７−Ｘ７’線に沿って切断した断面図である。
【０１４７】
図１４および図１５を参照すると、また他の実施形態による表示装置４はパッド端子ＰＥ＿３の貫通領域ＴＲ＿３が上部に配置されるリード端子ＬＥと一部領域のみが重なる点で一実施形態による表示装置１とは差がある。
【０１４８】
さらに具体的に説明すると、本実施形態による表示装置４はパッド端子ＰＥ＿３の貫通領域ＴＲ＿３がパッド端子ＰＥ＿３の第２方向ＤＲ２の上側に配置されるが（パッド端子ＰＥ＿３の上側短辺に隣接して配置）、リード端子ＬＥと一部領域のみが重なり得る。
【０１４９】
この場合にも、パッド端子ＰＥ＿３と結合されるリード端子ＬＥの一端部は貫通領域ＴＲ＿３の内部に下降および／または挿入されて露出した第１絶縁層１１１と接触することができる。第１絶縁層１１１と接触するリード端子ＬＥ下部の第１絶縁層１１１、バッファ層１０２およびベース基板１０１は透明な物質であり得る。
【０１５０】
リード端子ＬＥの第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅および広さはリード端子ＬＥ超音波ボンディングがうまく行われると増加する。具体的には、超音波ボンディングがうまく行われると、貫通領域ＴＲ＿３と隣接する第１ボンディング領域ＢＲ１および第２ボンディング領域ＢＲ２で溶融したリード端子ＬＥの物質が貫通領域ＴＲ＿３にさらに多く移動する。
【０１５１】
パッド端子ＰＥ＿３とリード端子ＬＥの間の超音波ボンディング信頼性を検査するために映像装置（図示せず）で、ベース基板１０１の下部で貫通領域ＴＲ＿３に下降および／または挿入されたリード端子ＬＥを観察して必要なデータを抽出することができる。前記映像装置はリード端子ＬＥの第２厚さＴ２と接触領域ＣＲの幅、および広さを観察して抽出された第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅、広さデータを抽出することができる。その次に、前記映像装置は抽出されたデータを第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅、広さに関する標準データと比較してパッド端子ＰＥ＿３とリード端子ＬＥの間の超音波ボンディング信頼性を検査することができる。
【０１５２】
図１６はまた他の実施形態にパッド端子とパッド端子に付着したリード端子を示す平面図であり、図１７は図１６のＸ８−Ｘ８’線に沿って切断した断面図である。
【０１５３】
図１６および図１７を参照すると、また他の実施形態による表示装置５はパッド端子ＰＥ＿４の貫通領域ＴＲ＿４が上部に配置されるリード端子ＬＥと一部領域のみが重なる点で一実施形態による表示装置１とは差がある。
【０１５４】
さらに具体的に説明すると、本実施形態による貫通領域ＴＲ＿４は長辺と短辺を有し得る。貫通領域ＴＲ＿４の長辺は第２方向ＤＲ２に延び、短辺は第１方向ＤＲ１に延び得る。貫通領域ＴＲ＿４はパッド端子ＰＥ＿４の長辺と短辺が接する角付近に形成され得る。図面では図面上左上側に貫通領域ＴＲ＿４が配置されることが示されているが、これに制限されず、左下側、右上側、および右下側に貫通領域ＴＲ＿４が配置され得る。
【０１５５】
この場合にも、パッド端子ＰＥ＿４と結合されるリード端子ＬＥの一端部は貫通領域ＴＲ＿４の内部に下降および／または挿入されて露出した第１絶縁層１１１と接触することができる。第１絶縁層１１１と接触するリード端子ＬＥの下部の第１絶縁層１１１、バッファ層１０２およびベース基板１０１は透明な物質であり得る。
【０１５６】
リード端子ＬＥの第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅および広さはリード端子ＬＥ超音波ボンディングがうまく行われると増加する。具体的には、超音波ボンディングがうまく行われると、貫通領域ＴＲ＿４と隣接する第１ボンディング領域ＢＲ１および第２ボンディング領域ＢＲ２で溶融したリード端子ＬＥの物質が貫通領域ＴＲ＿４にさらに多く移動する。
【０１５７】
パッド端子ＰＥ＿４とリード端子ＬＥの間の超音波ボンディング信頼性を検査するために映像装置（図示せず）で、ベース基板１０１の下部で貫通領域ＴＲ＿４に下降および／または挿入されたリード端子ＬＥを観察して必要なデータを抽出することができる。前記映像装置はリード端子ＬＥの第２厚さＴ２と接触領域ＣＲの幅、および広さを観察して抽出された第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅、広さデータを抽出することができる。その次に、前記映像装置は抽出されたデータを第２厚さＴ２、接触領域ＣＲの幅、広さに関する標準データと比較してパッド端子ＰＥ＿４とリード端子ＬＥの間の超音波ボンディング信頼性を検査することができる。
【０１５８】
図１８はまた他の実施形態による表示装置の断面図である。
【０１５９】
図１８を参照すると、本実施形態による貫通領域ＴＲ＿５は第２パッド電極１４４の表面で厚さ方向に第１絶縁層１１１＿１まで貫いて形成される点で一実施形態による貫通領域ＴＲとは差がある。
【０１６０】
さらに詳細に説明すると、本実施形態によるパッド端子ＰＥ＿５は第２パッド電極１４４の表面で厚さ方向に第１絶縁層１１１＿１まで貫く貫通領域ＴＲ＿５を有し得る。貫通領域ＴＲ＿５はバッファ層１０２の上面を露出させ得る。第１非ボンディング領域ＮＢＲ１でリード端子ＬＥは貫通領域ＴＲ＿５の内部に位置し、露出したバッファ層１０２の上面と接触しない。ただし、これに制限されず、リード端子ＬＥは露出したバッファ層１０２の上面と接触してもよい。この場合、第１非ボンディング領域ＮＢＲ１でリード端子ＬＥはバッファ層１０２の露出した上面と接触するが、結合しなくてもよい。ただし、超音波振動によりリード端子ＬＥとバッファ層１０２の露出した上面は界面の周辺の一部領域が溶融して混ざって結合されることができる。このような場合にも、第１非ボンディング領域ＮＢＲ１でのリード端子ＬＥとバッファ層１０２の結合力はボンディング領域ＢＲ１，ＢＲ２でのリード端子ＬＥと第２パッド電極１４４の間の結合力より小さくてもよい。
【０１６１】
リード端子ＬＥが貫通領域ＴＲ＿５の内部で露出したバッファ層１０２の上面と接触しない場合にも前記領域でリード端子ＬＥの第２厚さＴ２は超音波ボンディングがうまく行われると増加する。具体的には、超音波ボンディングがうまく行われると、第１非ボンディング領域ＮＢＲ１と隣接する第１ボンディング領域ＢＲ１および第２ボンディング領域ＢＲ２で溶融したリード端子ＬＥの物質が貫通領域ＴＲ＿５にさらに多く移動する。
【０１６２】
パッド端子ＰＥ＿５とリード端子ＬＥの間の超音波ボンディング信頼性を検査するために映像装置で、ベース基板１０１の下部で貫通領域ＴＲ＿５に下降および／または挿入されてバッファ層１０２の上部に配置されたリード端子ＬＥを観察して必要なデータを抽出することができる。前記映像装置はリード端子ＬＥの第２厚さＴ２を観察して抽出された第２厚さＴ２に対するデータを抽出することができる。その次に、前記映像装置は抽出されたデータを第２厚さＴ２に関する標準データと比較してパッド端子ＰＥ＿５とリード端子ＬＥの間の超音波ボンディング信頼性を検査することができる。
【０１６３】
図１９はまた他の実施形態による表示装置の断面図である。
【０１６４】
図１９を参照すると、本実施形態による貫通領域ＴＲ＿６は第２パッド電極１４４の表面で厚さ方向にバッファ層１０２にまで貫いて形成される点で一実施形態による貫通領域ＴＲとは差がある。
【０１６５】
さらに詳細に説明すると、本実施形態によるパッド端子ＰＥ＿６は第２パッド電極１４４の表面で厚さ方向にバッファ層１０２＿１まで貫く貫通領域ＴＲ＿６を有することができる。すなわち、貫通領域ＴＲ＿６は第２パッド電極１４４、第２サブ絶縁層１１２ｂ、第１パッド電極１２３、第１絶縁層１１１＿１およびバッファ層１０２＿１を貫く。貫通領域ＴＲ＿６はベース基板１０１の上面を露出させ得る。第１非ボンディング領域ＮＢＲ１でリード端子ＬＥは貫通領域ＴＲ＿６の内部に位置し、露出したベース基板１０１の上面と接触しなくてもよい。ただし、これに制限されず、リード端子ＬＥは露出したベース基板１０１の上面と接触してもよい。この場合、第１非ボンディング領域ＮＢＲ１でリード端子ＬＥはベース基板１０１の露出した上面と接触するが、結合しなくてもよい。ただし、超音波振動によりリード端子ＬＥとベース基板１０１の露出した上面は界面の周辺の一部領域が溶融して混ざって結合され得る。このような場合にも、第１非ボンディング領域ＮＢＲ１でのリード端子ＬＥとベース基板１０１の結合力はボンディング領域ＢＲ１，ＢＲ２でのリード端子ＬＥと第２パッド電極１４４間の結合力より小さくてもよい。
【０１６６】
リード端子ＬＥが貫通領域ＴＲ＿６の内部で露出したベース基板１０１の上面と接触しない場合にも前記領域でリード端子ＬＥの第２厚さＴ２は超音波ボンディングがうまく行われると増加する。具体的には、超音波ボンディングがうまく行われると、第１非ボンディング領域ＮＢＲ１と隣接する第１ボンディング領域ＢＲ１および第２ボンディング領域ＢＲ２で溶融したリード端子ＬＥの物質が貫通領域ＴＲ＿６にさらに多く移動する。
【０１６７】
パッド端子ＰＥ＿６とリード端子ＬＥの間の超音波ボンディング信頼性を検査するために映像装置で、ベース基板１０１の下部で貫通領域ＴＲ＿６に下降および／または挿入されてベース基板１０１上部に配置されたリード端子ＬＥを観察して必要なデータを抽出することができる。前記映像装置はリード端子ＬＥの第２厚さＴ２を観察して抽出された第２厚さＴ２に対するデータを抽出することができる。その次に、前記映像装置は抽出されたデータを第２厚さＴ２に関する標準データと比較してパッド端子ＰＥ＿６とリード端子ＬＥの間の超音波ボンディング信頼性を検査することができる。
【０１６８】
図２０はまた他の実施形態による表示装置の断面図である。
【０１６９】
図２０を参照すると、本実施形態によるパッド端子ＰＥ＿７は露出した第２パッド電極１４４、第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第１パッド電極１２３の両側面がそれぞれ第１スクラッチＳＣ１４４、第２スクラッチＳＣ１１２、第３スクラッチＳＣ１２３を含み、第２パッド電極１４４、第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第１パッド電極１２３の両側面と対向するリード端子ＬＥの各側面は第４スクラッチＳＣＬを有し、露出した第１絶縁層１１１の一面は第５スクラッチＳＣ１１１を有する点で一実施形態によるパッド端子ＰＥとは差がある。
【０１７０】
さらに具体的に説明すると、第２パッド電極１４４は第１スクラッチＳＣ１４４を有し得る。第２サブ絶縁層１１２ｂは第２スクラッチＳＣ１１２を有し得る。第１パッド電極１２３は第３スクラッチＳＣ１２３を有し得る。リード端子ＬＥは第４スクラッチＳＣＬを有し得る。第１絶縁層１１１は第５スクラッチＳＣ１１１を有し得る。
【０１７１】
前述したように超音波装置５００は所定の振動方向に振動しながら、リード端子ＬＥを前記振動方向に振動させ得る。例えば、超音波装置５００は第２方向ＤＲ２（パッド端子ＰＥ＿７の長辺方向）に振動し得る。この場合、貫通領域ＴＲに挿入および／または下降して対向する第２パッド電極１４４（第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第１パッド電極１２３を含む）の両側面の間に配置されたリード端子ＬＥは第２方向ＤＲ２に振動しながら、第２パッド電極１４４、第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第１パッド電極１２３の両側面と接触し得る。これによって、露出した第２パッド電極１４４、第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第１パッド電極１２３の両側面はそれぞれ第１スクラッチＳＣ１４４、第２スクラッチＳＣ１１２、第３スクラッチＳＣ１２３を含み、第２パッド電極１４４、第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第１パッド電極１２３の両側面と対向するリード端子ＬＥの各側面は第４スクラッチＳＣＬを有し得る。また、超音波ボンディング工程を行いながら第１絶縁層１１１の露出した上面は前記上面に接触するリード端子ＬＥの一面と摩擦することにより第５スクラッチＳＣ１１１を有し得る。
【０１７２】
このような構成がスクラッチＳＣ１４４，ＳＣ１１２，ＳＣ１２３，ＳＣＬを有することは超音波ボンディング時超音波の強度、振幅などによって非意図的に形成されたものであり得る。
【０１７３】
さらに、第１および第２ボンディング領域ＢＲ１，ＢＲ２で第２パッド電極１４４は第２パッド電極１４４のリード端子ＬＥと対向する一面の第１粗度Ｒ１を有し得る。第１非ボンディング領域ＮＢＲ１で第２パッド電極１４４の露出した側面は第２粗度Ｒ２を有し得る。
【０１７４】
超音波ボンディング工程進行中に、第２パッド電極１４４は第２パッド電極１４４のリード端子ＬＥと対向する一面（パッド端子ＰＥ＿７の表面）は第２方向ＤＲ２に振動するリード端子ＬＥにより摩擦するが、第２パッド電極１４４のリード端子ＬＥと対向する一面は繰り返し一定の振動方向に摩擦を受けると少なくとも一部領域にスクラッチが形成されることができる。
【０１７５】
ただし、このようなスクラッチは超音波ボンディング工程が進行されることにより、ボンディング領域ＢＲ１，ＢＲ２で一部溶融したリード端子ＬＥおよび／またはパッド端子ＰＥにより少なくとも埋められたり覆われ得る。
【０１７６】
ただし、第１非ボンディング領域ＮＢＲ１で第２パッド電極１４４の露出した側面の第１ストレッチＳＣ１４４は超音波ボンディング工程が進行されても、リード端子ＬＥおよびパッド端子ＰＥが互いに溶融しないかまたは少なくとも結合されるほど十分に溶融せず埋められないかまたは覆われない。これによって、第２パッド電極１４４の露出した側面はボンディング領域ＢＲ１，ＢＲ２の一面よりスクラッチＳＣがさらに多いかその数が同じでも厚さ方向に切れ込みの程度が大きい。したがって、パッド端子ＰＥの第１非ボンディング領域ＮＢＲ１の側面の表面粗度Ｒ２はボンディング領域ＢＲ１，ＢＲ２の一面の表面粗度Ｒ１より大きくてもよい。
【０１７７】
図２１はまた他の実施形態による表示装置の断面図である。
【０１７８】
図２１を参照すると、本実施形態によるパッド端子ＰＥ＿８は第２パッド電極１４４＿１が第１ボンディング領域ＢＲ１と第１非ボンディング領域ＮＢＲ１の境界、第２ボンディング領域ＢＲ２と第１非ボンディング領域ＮＢＲ１の境界で第１非ボンディング領域ＮＢＲ１にさらに延びて第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第１パッド電極１２３の露出した両側面を覆う点で一実施形態によるパッド端子ＰＥとは差がある。
【０１７９】
さらに具体的に説明すると、本実施形態によるパッド端子ＰＥ＿８は、第２パッド電極１４４＿１が第１ボンディング領域ＢＲ１と第１非ボンディング領域ＮＢＲ１の境界、第２ボンディング領域ＢＲ２と第１非ボンディング領域ＮＢＲ１の境界で第１非ボンディング領域ＮＢＲ１にさらに延びた第２サブパッド電極１４５をさらに含み得る。第２サブパッド電極１４５は第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第１パッド電極１２３の露出した両側面を覆い得る。
【０１８０】
本実施形態による第２パッド電極１４４＿１は貫通領域ＴＲが形成された後形成されたものであり得る。
【０１８１】
第２サブパッド電極１４５の貫通領域ＴＲに配置されるリード端子ＬＥと対向する側面は第６スクラッチＳＣ１４５を有し得る。
【０１８２】
第１非ボンディング領域ＮＢＲ１で第２サブパッド電極１４５が露出し、リード端子ＬＥと対向する側面は第３粗度Ｒ３を有し得る。第３粗度Ｒ３は第１粗度Ｒ１より大きくてもよい。
【０１８３】
図２２はまた他の実施形態による表示装置の断面図である。
【０１８４】
図２２を参照すると、本実施形態によるパッド端子ＰＥ＿９は第２パッド電極１４４＿２が第１ボンディング領域ＢＲ１と第１非ボンディング領域ＮＢＲ１の境界、第２ボンディング領域ＢＲ２と第１非ボンディング領域ＮＢＲ１の境界で第１非ボンディング領域ＮＢＲ１にさらに延びて第２サブ絶縁層１１２ｂおよび第１パッド電極１２３の露出した両側面を覆って、第２サブパッド電極１４４＿２は第１非ボンディング領域ＮＢＲ１に配置されて貫通領域ＴＲの内部に配置されたリード端子ＬＥ＿１と超音波ボンディングされる点で一実施形態によるパッド端子ＰＥとは差がある。
【０１８５】
さらに具体的に説明すると、本実施形態によるパッド端子ＰＥ＿９は図２０によるパッド端子ＰＥ＿８と配置は実質的に同一であるが、第２サブパッド電極１４４＿２が第１非ボンディング領域ＮＢＲ１に配置されて貫通領域ＴＲの内部に配置されたリード端子ＬＥ＿１と超音波ボンディングされ得る。
【０１８６】
パッド端子ＰＥ＿９の一面上でリード端子ＬＥ＿１を超音波振動させると貫通領域ＴＲの内部で第２サブパッド端子１４５の側面とリード端子ＬＥ＿１の側面の界面で所定の摩擦力が発生し、前記摩擦力により摩擦熱が発生し得る。前記摩擦熱が第２サブパッド端子１４５とリード端子ＬＥ＿１をなす物質を溶かすほど充分であれば、第２サブパッド端子１４５のリード端子ＬＥ＿１と隣接するパネル溶融領域１４５ａとリード端子ＬＥ＿１の第２サブパッド端子１４５と隣接するリード溶融領域ＬＥ＿１ａは溶融することができる。すなわち、第２サブパッド端子１４５はパネル溶融領域１４５ａを含み得る。また、リード端子ＬＥ＿１はリード溶融領域ＬＥ＿１ａを含み得る。
【０１８７】
パネル溶融領域１４５ａはリード端子ＬＥ＿１が含む物質が拡散されて第２サブパッド端子１４５の物質とリード端子ＬＥ＿１の物質が混ざっている領域であり、リード溶融領域ＬＥ＿１ａは第２サブパッド端子１４５が含む物質が拡散されてリード端子ＬＥ＿１の物質と第２サブパッド端子１４５の物質が混ざっている領域であり得る。例えば、リード端子ＬＥ＿１が銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）を含み、第２サブパッド端子１４５がＴｉ／Ａｌ／Ｔｉを含む場合、パネル溶融領域１４５ａは第２サブパッド端子１４５のＴｉおよび／またはＡｌとリード端子ＬＥ＿１の銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）が混ざっている領域であり得る。また、リード溶融領域ＬＥ＿１ａはリード端子ＬＥの銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）と第２サブパッド端子１４５のＴｉおよび／またはＡｌが混ざっている領域であり得る。
【０１８８】
パネル溶融領域１４５ａとリード溶融領域ＬＥ＿１ａで第２サブパッド端子１４５とリード端子ＬＥ＿１は凝固を経ることにより結合され得る。
【０１８９】
第２サブパッド端子１４５とリード端子ＬＥ＿１の界面、すなわちパネル溶融領域１４５ａとリード溶融領域ＬＥ＿１ａの界面は非平坦な形状を有し得る。
【０１９０】
以上、本発明の実施形態を中心に説明したが、これは単に例示であるだけであり、本発明を限定するのではなく、本発明の属する分野の通常の知識を有する者であれば本発明の実施形態の本質的な特性を逸脱しない範囲で以上に例示していない様々な変形と応用が可能であること分かる。例えば、本発明の実施形態に具体的に示す各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形と応用に関係する差異点は添付する特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれると解釈されなければならない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【国際調査報告】
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