(57)【要約】      （修正有）【課題】データ記憶の安全性を確保し、ハードディスクの使用寿命を延長させるマイクロ制振装置を提供する。【解決手段】本体と、カバーと、センサー素子と、制御素子とを含む。本体は、第１の表面と、第２の表面と、突起と、電流を導入して第１の磁極及び第２の磁極を有する磁界を形成するコイルとを備える。カバーは、第１の端面と、第２の端面と、第１の磁性素子とを備える。センサー素子は、本体の突起の対向側に設けられ、第２の表面の受けた第１の振動方向を測定する。制御素子は、センサー素子とコイルの間に電気的に接続される。センサー素子がこの第１の振動方向を測定した後、制御素子は、電流を制御して第１の磁極の極性及び強度を調節して、第１の磁極と第３の磁極の間に力を発生させ、本体を第１の振動方向とは反対の第２の振動方向に沿って運動させる。【選択図】図１
0003180920.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶装置に用いられ、
第１の表面及び前記第１の表面に対向する第２の表面と、前記本体の中心部に形成され、前記第１の表面と共に窪み部を画定する突起と、前記突起に巻き付け、前記窪み部に収納され、電流を導入して第１の磁極及び磁極が反対である第２の磁極を有する磁界を形成するコイルと、を備える本体と、
第１の端面及び前記本体の前記第１の表面に面する、前記第１の端面に対向する第２の端面と、前記カバーの中心部に収納され、前記第１の磁極に面する第３の磁極及び極性が反対である第４の磁極を生じるための第１の磁性素子とを備えるカバーと、
前記本体の前記突起の対向側に設けられ、前記第２の表面の受けた第１の振動方向を測定するためのセンサー素子と、
前記センサー素子と前記コイルの間に電気的に接続され、前記センサー素子で測定された前記第１の振動方向によって、前記電流を制御して前記第１の磁極の極性及び強度を調節して、前記第１の磁極と前記第３の磁極の間に力を発生させ、前記本体を前記第１の振動方向とは反対の第２の振動方向に沿って運動させる制御素子と、を含むマイクロ制振装置であって、
前記本体が前記データ記憶装置に設けられ、且つ前記本体の前記第２の表面が前記データ記憶装置に接触し、前記カバーが受け面に設けられ、前記カバーの前記第１の端面を前記受け面に接触させ、前記第１の振動方向が前記第２の表面から離れた時に、前記第１の磁極の極性が前記第３の磁極の極性とは異なり、前記力を吸引力とし、前記第１の振動方向が前記第２の表面に近接する時に、前記第１の磁極の極性が前記第３の磁極の極性と同じであり、前記力を斥力とする
マイクロ制振装置。
【請求項２】
前記第１の振動方向が第１の共振波形に対応し、前記第２の振動方向が前記第１の共振波形と相補する第２の共振波形に対応する、請求項１に記載のマイクロ制振装置。
【請求項３】
前記本体が前記磁界を強化するための導磁殻体である、請求項２に記載のマイクロ制振装置。
【請求項４】
前記センサー素子が加速度計である、請求項３に記載のマイクロ制振装置。
【請求項５】
前記本体と前記カバーの間に設けられる緩衝装置を更に含む、請求項１に記載のマイクロ制振装置。
【請求項６】
前記緩衝装置は、前記本体の前記突起と前記カバーの前記第１の磁性素子の間に設けられる第１の緩衝体と、前記本体の前記第１の表面と前記カバーの前記第２の端面の間に設けられる第２の緩衝体と、を備える、請求項５に記載のマイクロ制振装置。
【請求項７】
前記第１の緩衝体がスプリングである、請求項６に記載のマイクロ制振装置。
【請求項８】
前記第２の緩衝体がセパレイターである、請求項７に記載のマイクロ制振装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、マイクロ制振装置に関し、特に、データ記憶装置に設けられ、このデータ記憶装置の動作による振動を取り除くためのマイクロ制振装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、情報マルチメディアが盛んに発展している時代において、データ記憶装置（特に、伝統的なディスク式のハードディスク）の容量に対する使用者のニーズもますます高くなってきている。従って、個人使用者にとって、その高容量のニーズを満足させるために、絶えず拡充したり、より多いハードディスクに外部接続したりしなければならない。一方、企業ユーザーにとって、企業内部のデータファイルでも、外部取引先に使用されるクラウデータベースでも、その必要なハードディスクの容量は、一般の個人使用者の使用とは比較にならない。
【０００３】
伝統的なディスク式のハードディスクは、磁極の変更によってデータの読み書き作業を行っており、従って、相当に高い精度を有する。そして、動作期間中において、ディスクの回転速度は極めて速く、ちょっとした不注意でハードディスクに外力を加えると、ディスクが振動状態で読み書き動作を絶えず行い続けるようになり、読み書きヘッドとディスクの双方が相互に衝突して、読み書きヘッド又は磁区の損傷を起こしてしまう。
【０００４】
以上に鑑みて、一般に、各ハードディスクを緩衝装置又は振動吸収装置に被せた後、ネジでハードディスク箱に固定するハードディスクの振動防止方法が知られている。しかしながら、ネジによってロッキングする必要があるため、取付けに時間がかかる。同時に、このように設けられたハードディスクは、ある特定の振動周波数で、生じた振動を直接にハードディスク箱に伝達する可能性があり、ハードディスク箱との間に共振効果を発生させ、更により大きい損傷を引き起こしてしまう。
【０００５】
以上のように、振動又は共振効果を効果的に解消して、ハードディスクの使用寿命を延長させ、更にデータの完備性と安全性を維持することができるマイクロ制振装置をどのように提供するかは、この業界に差し迫った目標である。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００６】
本考案の目的は、データ記憶の安全性を確保すると共に、ハードディスクの使用寿命を延長させるために、ハードディスクの振動と共振効果を除去できるマイクロ制振装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した目的を達成するために、本考案に係るマイクロ制振装置は、本体と、カバーと、センサー素子と、制御素子とを備える。本体は、第１の表面と、第２の表面と、突起と、電流を流して第１の磁極及び第２の磁極を有する磁界を形成するコイルとを備える。カバーは、第１の端面と、第２の端面と、第１の磁性素子とを備える。センサー素子は、本体の突起の対向側に設けられ、第２の表面の受けた第１の振動方向を測定するためのものである。制御素子は、センサー素子とコイルの間に電気的に接続される。センサー素子がこの第１の振動方向を測定した後、制御素子は、コイルに流れる電流を制御して第１の磁極の極性及び強度を調節して、第１の磁極と第３の磁極の間に力を発生させ、本体を第１の振動方向とは反対の第２の振動方向に沿って運動させる。
【０００８】
上述した目的、技術特徴及び長所を、当業者が実施できるように明らかにするために、以下、本考案の複数の好ましい実施例を、添付図面を用いて詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本考案に係るマイクロ制振装置の断面模式図である。
【図２】本考案に係るマイクロ制振装置の本体を１８０度回転した立体図である。
【図３】本考案に係るマイクロ制振装置が振動時に上向きの張力を受けた時の模式図である。
【図４】本考案に係るマイクロ制振装置が振動時に下向きの圧力を受けた時の模式図である。
【図５】本考案に係るマイクロ制振装置の取付模式図である。
【考案を実施するための形態】
【００１０】
図１は、本考案に係るマイクロ制振装置１００の実施例の模式図であり、そのうち、理解の便宜上、一部の素子は本来の大きさによって示されていない。図に示すように、本考案に係るデータ記憶装置２００に用いられるマイクロ制振装置１００は、主に本体１１０、カバー１２０、センサー素子１３０及び制御素子１４０等の素子を備える。各素子間の関係と技術的内容を順に以下説明する。
【００１１】
マイクロ制振装置１００の本体１１０を１８０度回転した立体図である図２を共に参照する。図に示すように、本体１１０は、データ記憶装置２００に付着するように設けられ、第１の表面１１１、第２の表面１１２、突起１１３、中心部１１４、窪み部１１５及びコイル１１６を備える。第１の表面１１１がカバー１２０に向かって設けられ、第２の表面１１２が第１の表面１１１に対向して設けられ、データ記憶装置２００に接触する。突起１１３は、本体１１０の中心部１１４に形成され、第１の表面１１１と共に窪み部１１５を画定する。コイル１１６は、突起１１３に巻き付けられ、窪み部１１５に収納されるように構成される。このように、制御素子１４０の制御によって、コイル１１６は電流を導入して第１の磁極Ｍ１及び磁極が反対である第２の磁極Ｍ２を有する磁界を形成する。この時に、本実施例において、本体１１０はこの磁界の強化に役立つための導磁殻体であることが好ましい。
【００１２】
図１を続けて参照すると、カバー１２０は、第１の端面１２１、第２の端面１２２及び第１の磁性素子１２３を備える。第２の端面１２２は、第１の端面１２１に対向して設けられ、且つ本体１１０の第１の表面１１１に面する。第１の磁性素子１２３は、カバー１２０の中心部１２４に設けられ、コイル１１６によって形成した磁界の有する第１の磁極Ｍ１に面する第３の磁極Ｍ３、及び極性が反対である第４の磁極Ｍ４を生じるためのものである。図に示すように、本実施例において、第３の磁極Ｍ３がＮ極であり、且つ本体１１０に面するように設けられ、第４の磁極Ｍ４がＳ極であり、且つ第１の端面１２１に面するように設けられる。
【００１３】
センサー素子１３０は、本体１１０の突起１１３の対向側に設けられる。更に詳しく述べると、センサー素子１３０は、第２の表面１１２の中心に設けられ、データ記憶装置２００に接触できる。センサー制御素子１４０に電気的に接続されることによって、センサー素子１３０は、第２の表面１１２の受けた第１の振動方向Ｓ１を測定し、第１の振動方向Ｓ１を対応した第１の共振波形に転換するためのものである。本実施例において、センサー素子１３０は、加速度計又は他の振動測定可能な素子であってよく、即時に第１の振動方向Ｓ１の方向と大きさを測定する。
【００１４】
前述のように、制御素子１４０がセンサー素子１３０とコイル１１６の間に電気的に接続され、且つセンサー素子１３０で測定された第１の振動方向Ｓ１及び第１の共振波形によって電流の大きさ及び方向（時計回り又は反時計回り）を制御して、対応して第１の磁極Ｍ１及び第２の磁極Ｍ２の極性及び強度を調節するようになっているので、第１の磁極Ｍ１と第３の磁極Ｍ３の間に力を発生させて、本体１１０を第１の振動方向Ｓ１とは反対の第２の振動方向Ｓ２に沿って運動させる。この時に、第２の振動方向Ｓ２の発生に応じて、センサー素子１３０は、同様に第２の振動方向Ｓ２を対応する第２の共振波形に転換することができる。
【００１５】
図３に示すように、そのようにデータ記憶装置２００が動作することによって、第１の振動方向Ｓ１を第２の表面１１２から離れた方向にし、且つ第１の共振波形を持たせた時に、第１の磁極Ｍ１の極性が制御素子１４０によって第３の磁極Ｍ３と異なる極性に制御され、この力が異性の磁極が相互に吸引しあう原理によって吸引力になり、同時に第１の共振波形と相補する第２の共振波形とを有し、データ記憶装置２００が第２の表面１１２から離れた方向に向かって移動することを抑える。
【００１６】
同様に、図４に示すように、データ記憶装置２００が動作することによって第１の振動方向Ｓ１を第２の表面１１２に近接する方向にし、且つ第１の共振波形を持たせた時に、第１の磁極Ｍ１の極性が制御素子１４０によって第３の磁極Ｍ３と同じ極性に制御される。この力が同性の磁極が相互に排斥しあう原理によって斥力になり、同時に第１の共振波形と相補する第２の共振波形を有し、データ記憶装置２００が第２の表面１１２に近接する方向に向かって移動することを回避する。
【００１７】
換言すると、前述した第１の振動方向Ｓ１が適切に転換された後、同時に第１の共振波形に対応するが、前述した第２の振動方向Ｓ２が転換された後、同時に第１の共振波形と相補する第２の共振波形にも対応する。
【００１８】
図１を再び参照すると、マイクロ制振装置１００は、本体１１０とカバー１２０の間に設けられ、第１の緩衝体１５１及び第２の緩衝体１５２を備える緩衝装置１５０を更に含む。図に示すように、第１の緩衝体１５１は、本体１１０の突起１１３とカバー１２０の第２の端面１２２の間に設けられることが好ましく、第２の緩衝体１５２は、カバー１２０の第２の端面１２２の周縁に対応的に設けられるために、第１の表面１１１の周縁に沿って囲んで設けられることが好ましい。また、本実施例において、第１の緩衝体１５１はスプリングであることが好ましく、第２の緩衝体１５２はセパレイターであることが好ましい。
【００１９】
以下、本考案に係るマイクロ制振装置１００の動作メカニズムを詳しく説明する。
【００２０】
まず、図３に示すように、データ記憶装置２００（例えば、前述したハードディスク）は動作することによって振動を生じ、且つこの振動が有する第１の振動方向Ｓ１が第２の表面１１２から離れたものである時に、制御素子１４０は、反時計回り電流がコイル１１６に流れるように制御して、コイル１１６にＳ極である第１の磁極Ｍ１及びＮ極である第２の磁極Ｍ２を有する磁界を形成させる。
【００２１】
この時に、磁界の第１の磁極Ｍ１（Ｓ極）が第１の磁性素子１２３の第３の磁極Ｍ３（Ｎ極）と異なるので、本体１１０は、異性の磁極が相互に吸引しあう原理によって吸引力を生じ、相補する第１の共振波形と第２の共振波形によって、データ記憶装置２００の第１の振動方向Ｓ１に沿った運動を除去して、データ記憶装置２００をバランスがとれている状態に回復させる。また、この吸引力によって、第１の緩衝体１５１及び第２の緩衝体１５２に圧縮変形が発生する。
【００２２】
同様に、図４に示すように、データ記憶装置２００（例えば、前述したハードディスク）が動作することによって振動を生じ、且つこの振動の有する第１の振動方向Ｓ１が第２の表面１１２に近接する場合に、制御素子１４０は、時計回り電流がコイル１１６に流れるように制御して、コイル１１６にＮ極である第１の磁極Ｍ１及びＳ極である第２の磁極Ｍ２を有する磁界を形成させる。
【００２３】
この時に、磁界の第１の磁極Ｍ１（Ｎ極）は第１の磁性素子１２３の第３の磁極Ｍ３（Ｎ極）と同じであるので、本体１１０は、同性の磁極が相互に排斥しあう原理によって斥力を生じ、相補する第１の共振波形と第２の共振波形によって、データ記憶装置２００の第１の振動方向Ｓ１に沿った運動を除去して、データ記憶装置２００をバランスがとれている状態に回復させる。また、この斥力によって、第１の緩衝体１５１及び第２の緩衝体１５２に引張り変形が発生して、本体１１０とカバー１２０の間における大きすぎる斥力によって本体１１０とカバー１２０が相互に離脱する状況を同時に回避することができる。
【００２４】
図５はマイクロ制振装置１００の取付模式図を示す。図に示すように、使用者が複数のデータ記憶装置２００を層毎にハードディスク箱の固定ブラケットに置く場合に、１つ又は複数のマイクロ制振装置１００（不図示）を、このデータ記憶装置２００のそれぞれの間に取り付けたり、データ記憶装置２００とハードディスク箱の固定ブラケットの受け面３００との間に取り付けたりすることができ、データ記憶装置２００の発生した外在の振動を除去する。そのように、データ記憶装置２００が長期の振動によって内部部品を損傷する状況を回避することができるだけではなく、データ記憶装置２００の使用寿命を更に延長させることもできる。
【００２５】
以上のように、コイル１１６に電流を通すことによって発生した第１の磁極Ｍ１と第１の磁性素子１２３の有する第３の磁極Ｍ３との間の磁性関係によって、本考案に係るマイクロ制振装置１００の本体１１０を振動方向Ｓ１に対して往復移動させて（例えば、図３及び図４に示すように）、本考案に係るマイクロ制振装置１００が奏しようとする制振效果を達成する。なお、マイクロ制振装置１００は、上下振動方向への取付のみに限定されなく、データ記憶装置２００の上、下、左、右及び前、後の方向に設けられた時に、協同してセンサーが働き且つ外在振動と方向が反対である作用力を生じることができ、そして、使用者の制振ニーズによって、マイクロ制振装置１００の数を調節することができる。
【００２６】
本考案の態様及び技術的特徴を、前記実施例を例として開示したが、これは決して本考案の保護範囲を限定するものではなく、当該分野の技術を熟知しているものであれば、本考案の精神を逸脱しない範囲内で、多様な変更や修正を加えることができる。従って本考案の技術的範囲は、実用新案登録請求の範囲の記載に基づいて定められる。
【符号の説明】
【００２７】
１００  マイクロ制振装置
１１０  本体
１１１  第１の表面
１１２  第２の表面
１１３  突起
１１４  中心部
１１５  窪み部
１１６  コイル
１２０  カバー
１２１  第１の端面
１２２  第２の端面
１２３  第１の磁性素子
１２４  中心部
１３０  センサー素子
１４０  制御素子
１５０  緩衝装置
１５１  第１の緩衝体
１５２  第２の緩衝体
２００  データ記憶装置
３００  受け面
Ｍ１    第１の磁極
Ｍ２    第２の磁極
Ｍ３    第３の磁極
Ｍ４    第４の磁極
Ｓ１    第１の振動方向
Ｓ２    第２の振動方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
0003180920.tif 000006
【図５】
0003180920.tif 000007