(57)【要約】  圧力ポートを有する微細加工超音波トランスデューサが説明される。微細加工超音波トランスデューサは、空洞上で振動するように構成された柔軟膜を含み得る。空洞は、いくつかの例では、膜自体によって密閉することができる。圧力ポートは、空洞へのアクセス延いては空洞圧力の制御を提供することができる。いくつかの実施形態では、少なくともいくつかの超音波トランスデューサ用の圧力ポートを有する微細加工超音波トランスデューサのアレイを含む超音波デバイスが提供される。圧力ポートは、アレイにわたって圧力を制御するために使用することができる。
2021522734.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板及び膜を含む超音波トランスデューサであって、前記基板及び膜が、それらの間に密閉空洞を有するように位置付けられる、超音波トランスデューサと、
前記膜を通じるアクセス穴であって、前記密閉空洞へのアクセスを提供するように構成されたアクセス穴と
を含む、超音波デバイス。
【請求項２】
前記基板が、集積回路を含む集積回路基板と接合される、請求項１に記載の超音波デバイス。
【請求項３】
前記基板が集積回路を含む、請求項１に記載の超音波デバイス。
【請求項４】
前記アクセス穴が、一方の端部において密閉される、請求項１に記載の超音波デバイス。
【請求項５】
前記アクセス穴が、前記一方の端部において金属で密閉される、請求項４に記載の超音波デバイス。
【請求項６】
前記アクセス穴が、固体材料を実質的に有さない、請求項４に記載の超音波デバイス。
【請求項７】
前記アクセス穴が空隙を含む、請求項４に記載の超音波デバイス。
【請求項８】
前記空隙がガスで満たされている、請求項７に記載の超音波デバイス。
【請求項９】
前記アクセス穴が、前記密閉空洞の長軸に実質的に垂直に突出する、請求項１に記載の超音波デバイス。
【請求項１０】
前記アクセス穴が方向転換を含む、請求項１に記載の超音波デバイス。
【請求項１１】
前記アクセス穴が、９０度の方向転換を含む、請求項１０に記載の超音波デバイス。
【請求項１２】
前記アクセス穴が屈曲を含む、請求項１に記載の超音波デバイス。
【請求項１３】
密閉空洞と、
前記密閉空洞の圧力を制御するように構成された圧力ポートと
を含む、微細加工超音波トランスデューサ。
【請求項１４】
前記圧力ポートが、同一面内の部分と、実質的に垂直な部分とを含む、請求項１３に記載の微細加工超音波トランスデューサ。
【請求項１５】
前記実質的に垂直な部分が、前記同一面内の部分より薄い、請求項１３に記載の微細加工超音波トランスデューサ。
【請求項１６】
前記圧力ポートが、前記密閉空洞を含む２つの空洞を相互接続するチャネルの一部である、請求項１３に記載の微細加工超音波トランスデューサ。
【請求項１７】
前記圧力ポートが、９０度の屈曲を含む、請求項１３に記載の微細加工超音波トランスデューサ。
【請求項１８】
前記圧力ポートが、金属によって密閉される、請求項１３に記載の微細加工超音波トランスデューサ。
【請求項１９】
容量性微細加工超音波トランスデューサ及び圧電微細加工超音波トランスデューサの少なくとも１つを含む、請求項１３に記載の微細加工超音波トランスデューサ。
【請求項２０】
ハンドヘルド超音波プローブに配置される、請求項１３に記載の微細加工超音波トランスデューサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本出願は、米国特許法第１１９（ｅ）条の下で、代理人整理番号Ｂ１３４８．７００８０ＵＳ００の下で２０１８年５月３日に出願された「ＣＭＯＳセンサ上の超音波トランスデューサ用の圧力ポート（PRESSURE PORT FOR ULTRASONIC TRANSDUCER ON CMOS SENSOR）」と称する米国特許出願第６２／６６６，５５６号の利益を主張し、同特許は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本出願は、米国特許法第１１９（ｅ）条の下で、代理人整理番号Ｂ１３４８．７００８０ＵＳ０１の下で２０１８年７月１０日に出願された「ＣＭＯＳセンサ上の超音波トランスデューサ用の圧力ポート（PRESSURE PORT FOR ULTRASONIC TRANSDUCER ON CMOS SENSOR）」と称する米国特許出願第６２／６９６，３０５号の利益を主張し、同特許は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００３】
背景
分野
[0003]  本出願は、微細加工超音波トランスデューサに関する。
【０００４】
関連技術
[0004]  いくつかの微細加工超音波トランスデューサは、基板の上方に懸架された柔軟膜を含む。空洞は、基板の一部と膜との間に位置し、基板、空洞及び膜の組合せにより、可変コンデンサが形成される。作動されれば、膜は、超音波信号を生成することができる。超音波信号を受信することに応答して、膜が振動し、出力電気信号が生じ得る。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
概要
[0005]  微細加工超音波トランスデューサ用の圧力ポートについて説明する。
【０００６】
図面の簡単な説明
[0006]  以下の図を参照して、本出願の様々な態様及び実施形態を説明する。図は必ずしも原寸に比例するとは限らないことを理解すべきである。複数の図に見られるアイテムは、それらのアイテムが見られるすべての図において、同じ参照番号によって示される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】[0007]微細加工超音波トランスデューサの空洞へのアクセスのための圧力ポートを含む微細加工超音波トランスデューサのアレイの斜視図である。
【図２】[0008]図１の構造の空洞層の概略上面図である。
【図３】[0009]空洞及びチャネルを含む図１のデバイスの層を示す。
【図４】[0010]それぞれの圧力ポートを有する超音波トランスデューサのアレイを有する図１の代替の形態を示す。
【図５】[0011]図４の構造の空洞層の概略上面図である。
【図６】[0012]空洞及び圧力ポートの一部分を含む図４の空洞層を示す。
【図７】[0013]超音波トランスデューサ及び圧力ポートの代替のアレイを示し、１つの超音波トランスデューサあたり２つの圧力ポートを含む。
【図８】[0014]超音波トランスデューサ及び圧力ポートの代替のアレイを示し、１つの超音波トランスデューサあたり２つの圧力ポートを含む。
【図９】[0015]超音波トランスデューサ及び圧力ポートの代替のアレイを示し、圧力ポートは、超音波トランスデューサの間で共有される。
【図１０】[0016]図９のデバイスにおいて使用することができるタイプの圧力ポートの断面図である。
【図１１】[0017]圧力ポートを有する微細加工超音波トランスデューサの非限定的な例の断面図である。
【図１２】[0018]いくつかの実施形態による、圧力ポートを有する超音波トランスデューサを形成するための製作プロセスのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
詳細な説明
[0019]  本出願の態様は、圧力ポートを含む微細加工超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）を提供する。ＭＵＴは、例えば、膜及び基板のそれぞれによって上側及び下側が密閉されたものなどの密閉空洞を含み得る。圧力ポートは、密閉空洞へのアクセス穴を表し得る。圧力ポートは、ＭＵＴの製造の間に密閉空洞内の圧力を制御するように機能することができる。１つ又は複数の空洞の圧力が要望通りに設定された時点で、圧力ポートを密閉することができる。
【０００９】
[0020]  ＭＵＴに圧力ポートを含めることにより、様々な利益を提供することができる。圧力ポートは、ＭＵＴの密閉空洞の圧力の制御を可能にすることができる。いくつかの超音波デバイスは、数百、数千又は数十万のＭＵＴなど、大多数のＭＵＴを含む。そのような超音波デバイスの操作は、ＭＵＴのエリアにわたって実質的に等しい又は均一な圧力を有することにより、精度及びダイナミックレンジの観点から（例えば、減衰を最小化することによって）有益であり得る。従って、超音波デバイスの個々のＭＵＴ又はＭＵＴのサブグループに圧力ポートを提供することにより、検知エリアにわたるさらに均一な圧力の達成を容易にすることができる。圧力ポートは、複数のＭＵＴを含む検知エリアにわたる空洞圧力の均等化を可能にすることができる。圧力ポートは、製造の間に使用して、空洞の圧力を均等化した後に密閉することができる。
【００１０】
[0021]  超音波トランスデューサの圧力ポートの様々な特性は、本出願の態様に従って選択することができる。いくつかの態様によれば、各超音波トランスデューサは、１つ又は複数のそれぞれの圧力ポートを有し得る。代替の態様によれば、圧力ポートは、２つ以上の超音波トランスデューサによって共有することができる。本出願の態様によれば、超音波トランスデューサのアレイは、アレイに対して互いに同じ角度で配向されたそれぞれの圧力ポートを含み得る。代替の態様によれば、超音波トランスデューサのアレイは、それぞれの圧力ポートを含み得、２つ以上の圧力ポートは、アレイに対して異なる角度で配向される。超音波トランスデューサのアレイに提供される圧力ポートの数は、超音波トランスデューサの数より少なくとも、等しくとも、多くともよい。さらなる変形形態が可能である。
【００１１】
[0022]  上記で説明される態様及び実施形態並びに追加の態様及び実施形態は、以下でさらに説明される。本出願はこの点で制限されないため、これらの態様及び／又は実施形態は、個別に、すべてをまとめて又は２つ以上の任意の組合せで使用することができる。
【００１２】
[0023]  本出願の態様によれば、超音波トランスデューサのアレイに圧力ポートが提供される。いくつかの実施形態では、超音波トランスデューサは、相互接続チャネルによって互いに接続された密閉空洞を含み、多数の圧力ポートは、超音波トランスデューサのアレイによって共有される。図１は、非限定的な例であり、微細加工超音波トランスデューサの空洞へのアクセスのための圧力ポートを含む微細加工超音波トランスデューサのアレイの斜視図である。超音波デバイス１００は、９つのＭＵＴ  １０２のアレイを含み、ＭＵＴ  １０２のアレイは、膜１０４、絶縁層１０６及び空洞１０８によって形成される。圧力ポート１１０が提供され、チャネル１１２は空洞１０８を相互接続する。いくつかの実施形態では、絶縁層１０６は、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）ウェーハの一部であり得、空洞１０８は、ＣＭＯＳウェーハの絶縁層１０６に形成することができる。
【００１３】
[0024]  圧力ポート１１０は、適切ないかなる場所にも置くことができる。示される非限定的な例では、圧力ポート１１０は、アレイの周囲に位置付けられており、この非限定的な例では、アレイの周囲の２つの対向する側に位置付けられている。示されるように、圧力ポートがアレイの周囲に配置される際、空気チャネルであり得るチャネル１１２の存在により、依然として、アレイの内部の空洞の空洞圧力の制御を達成することができる。しかし、代替の構成も可能である。例えば、他の実施形態において示されるように、圧力ポートは、個々の空洞の各々に提供することができる。或いは、示される数より少ない圧力ポートを提供し、追加のチャネル１１２を提供して、アレイにわたる空洞圧力の制御を可能にすることができる。
【００１４】
[0025]  位置決め及びサイズを含めて、圧力ポート１１０の様々な特性について述べることができる。示される非限定的な例では、圧力ポート１１０は、アレイの２つの対向する側に位置付けられる。この非限定的な例では、２つの圧力ポートは、所定の行において超音波トランスデューサを２等分する線上に位置付けられる。しかし、圧力ポートの代替の位置決めも可能である。圧力ポートは、任意の適切な寸法を有し得、任意の適切な方法で形成することができる。いくつかの実施形態では、圧力ポートは、超音波トランスデューサの性能に悪影響を及ぼさないように十分に小さいものである。また、圧力ポートは、空洞１０８の圧力が所望の値に設定された時点で密閉できるように十分に小さいものでもあり得る。例えば、圧力ポートは、約０．１ミクロン〜２０ミクロンの直径（その範囲内の任意の値又は値の範囲を含む）を有し得る。圧力ポートは、金属材料でなど、任意の適切な方法で密閉することができる。例えば、圧力ポートを密閉するために、アルミニウムをスパッタすることができる。
【００１５】
[0026]  圧力ポートは、ＭＵＴの製造の間に作成して使用することができる。いくつかの実施形態では、密閉空洞は、ウェーハ接合技法を使用して形成することができる。ウェーハ接合技法は、ＭＵＴのウェーハ又はアレイにわたって均一な空洞圧力を達成するには不適切であり得る。また、ウェーハ接合のための化学物質は、ＭＵＴのアレイのいくつかの空洞を不均等に塞ぐか又は空洞内に残留し得る。空洞が密閉された後（例えば、ウェーハ接合によって）、圧力ポートを開くことができる。次いで、ウェーハに所望の制御圧力をかけることを通じて、密閉空洞の圧力を均等化するか又は実質的に等しくすることができる。また、圧力ポートを通じて、所望の化学物質（例えば、アルゴン）を空洞に導入することもできる。その後、圧力ポートを密閉することができる。
【００１６】
[0027]  従って、本発明人は、圧力ポートの使用を通じて、複数のＭＵＴの密閉空洞の圧力及び／又は化学物質含有量の制御を改善できることを理解している。圧力ポートは、これらのパラメータにわたって、密閉空洞を形成するために使用されるウェーハ接合プロセスより優れた制御を提供することができる。
【００１７】
[0028]  図２は、図１の超音波デバイス１００の空洞層の上面図を示す。示されるように、チャネル１１２によって相互接続された９つの空洞が含まれる。この場合もやはり、チャネル１１２は空気チャネルであり得、隣接する空洞の圧力を均一なレベルで設定することができる。この目的のため、チャネル１１２は、０．１ミクロン〜２０ミクロン（その範囲内の任意の値又は値の範囲を含む）などの任意の適切な寸法を有し得る。
【００１８】
[0029]  図１及び２の超音波デバイスは、非限定的な例である。示される微細加工超音波トランスデューサの数、形状、寸法及び位置決めはすべて変数である。例えば、図２は、円形の空洞を示しているが、多角形、正方形又は他の任意の適切な形状などの他の形状も可能である。また、特定の応用に対して、示される圧力ポートの位置決め及び数を選択することもできる。
【００１９】
[0030]  図３は、空洞及びチャネルを含む図１のデバイスの空洞層の斜視図を示す。この図では、超音波デバイス１００の膜層は省略されている。空洞１０８、チャネル１１２及び圧力ポート１１０の一部は、例えば、エッチングによって形成することができる。その後、膜層を作成することによって空洞１０８を密閉するための膜１０４を形成することができる。次いで、超音波デバイス１００を形成するために、膜１０４を通じて圧力ポート１１０の垂直部分をエッチングすることができる。
【００２０】
[0031]  以前に説明されるように、超音波トランスデューサのアレイに提供される圧力ポートの数及び位置決めは、図１に示されるものとは異なるものであってもよい。本出願の態様によれば、超音波トランスデューサのアレイは、それぞれの圧力ポートを有する空洞のアレイを含む。図４は、図１の代替の形態を表すその例を示し、それぞれの圧力ポートを有する超音波トランスデューサのアレイを有する。超音波デバイス４００は、空洞１０８、膜１０４及び絶縁層１０６を含む。この非限定的な実施形態では、各空洞１０８に対して圧力ポートが１つずつ提供されている。それに加えて、空洞は、チャネル１１２によって相互接続されていない。また、この非限定的な例では、圧力ポートはすべて、空洞に対して共通の角度で配向されており、すべてが空洞アレイの周囲に配置されるわけではないことが分かる。
【００２１】
[0032]  図５は、図４の構造の空洞層の概略上面図である。示されるように、空洞１０８は、圧力ポート１１０を含み、圧力ポート１１０は、空洞と同一面内の部分と、空洞に垂直な部分（空洞と同一面内の部分の端部において円によって表される）の両方を含む。
【００２２】
[0033]  図６は、空洞１０８及び圧力ポート１１０を含む図４の空洞層を示す。この図では、空洞と同一面内の圧力ポートの部分が示されている。上方に延伸し且つ空洞１０８に垂直な圧力部分の部分は、その部分は図６の一部ではない膜１０４を通じて延伸するため、示されていない。空洞１０８及び空洞１０８と同一面内の圧力ポート１１０の部分は、任意の適切な方法で形成することができる。例えば、絶縁層１０６をエッチングするための任意の適切な技法を使用して、空洞１０８及び圧力ポート１１０の同一面内の部分を形成することができる。図４の超音波デバイス４００は、図６の構造から、膜１０４を形成して圧力ポート１１０の垂直部分をエッチングすることによって形成することができる。
【００２３】
[0034]  以前に説明されるように、超音波トランスデューサのアレイで圧力ポートの様々な構成を使用することができる。図１及び４は、２つの非限定的な例を示す。図７は、さらなる代替の形態を示す。図７の非限定的な例では、２つの圧力ポートが各空洞に提供される。１つの空洞あたり複数の圧力ポートを提供することにより、空洞からの望ましくない成分（水又は他の成分など）の除去を容易にすることができる。また、１つの空洞あたり複数のポートを有することにより、空洞に対する所望の圧力の達成を容易にすることもできる。超音波デバイス７００では、圧力ポートは、チャネル又は拡張部によって表され、端部に開口部７０２を有する。圧力ポート１１０は、仰角方向に関して角度θで配向されていることが分かる。その角度は、５度〜４０度又は他の任意の適切な数値であり得る。また、図７には、金属線７０４及び７０６も示されている。金属線７０４は方位角方向に伸びる一方で、金属線７０６は仰角方向に伸びている。金属線７０４及び７０６は、超音波トランスデューサに／超音波トランスデューサから信号を提供するための導電性トレースを表し得る。いくつかの実施形態では、すべての圧力ポートを方位角方向にのみ又は仰角方向にのみ配向して金属線上で終端させることが好ましい場合があり、従って、圧力ポートを角度θに角度付けすることにより、そのような構成を容易にすることができる。例えば、示されるように、図７のすべての圧力ポートは、方位角方向に配向して金属線で終端させている。金属線の金属は、圧力ポートの端部を密閉することができる。例えば、金属線を形成するためにアルミニウムをスパッタすることにより、圧力ポートを密閉することができる。
【００２４】
[0035]  図８は、超音波トランスデューサ及び圧力ポートの代替のアレイを示し、１つの超音波トランスデューサあたり２つの圧力ポートを含む。示される超音波デバイス８００は、近隣の空洞に対する圧力ポートが互いに異なるように配向されるという点で、図７のものとは異なる。この例では、所定の空洞に対する圧力ポートが方位角方向に沿って配向されると、そのすぐ近隣の空洞に対する圧力ポートは仰角方向に沿って配向されるなど、その逆も同様である。
【００２５】
[0036]  図９は、超音波トランスデューサ及び圧力ポートの代替のアレイを示し、圧力ポートは、超音波トランスデューサの間で共有される。超音波デバイス９００は、空洞１０８、金属線９０４及び９０６、チャネル１１０並びにアクセス穴９０２を含む。圧力ポートは、チャネル１１０とアクセス穴９０２の組合せを表し得る。アクセス穴は、垂直に延伸し得、例えば、図９において開口部９０２として示されるように、空洞１０８に垂直に延伸し得る。チャネル１１０は、示されるように、近隣の空洞１０８を相互接続することができる。この例では、同じ数の圧力ポートと空洞が提供されており、圧力ポートは、アレイの周囲に配置されるのとは対照的に、アレイの内部でアクセス可能である。
【００２６】
[0037]  図１０は、図９のデバイスにおいて使用することができるタイプの圧力ポートの断面図１０である。圧力ポートは、幅Ｘ１を有する９０２によって表される垂直部分と、幅Ｘ２を有する同一面内の部分又はチャネルとを含む。Ｘ１の値は、超音波トランスデューサの操作に悪影響を及ぼさないように十分小さくなるように、また、容易な充填が可能になるように十分小さくなるように、選択することができる。いくつかの実施形態では、Ｘ１は、圧力ポート及びアクセス穴寸法に関して本明細書で以前に説明された値（０．１ミクロン〜２０ミクロンなど）のいずれかであると想定することができる。Ｘ２の値も同様に、そのような値のいずれかであると想定することができる。示される例では、Ｘ１はＸ２より小さい。
【００２７】
[0038]  いくつかの実施形態では、膜１０４は、異なる材料組成を有する１つ又は複数の層で形成することができる。膜１０４は、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）ウェーハから形成することができる。ＳＯＩウェーハは、いくつかの層を含み得、これらに限定されないが、埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層１０４ａ、単結晶層１０４ｂ及び熱酸化物層１０４ｃを含む。ＳＯＩウェーハは、処理用ウェーハをさらに含み得、処理用ウェーハは、化学機械研磨（ＣＭＰ）などの任意の適切な技法によって、ウェーハ接合の後に除去される。ＢＯＸ層１０４ａは、０．５〜２ミクロンの厚さ又は他の任意の適切な値など、任意の適切な厚さのものであり得る。単結晶層１０４ｂは、単結晶Ｓｉ又は任意の適切な単結晶材料のものであり得る。また、単結晶層１０４ｂは、ＭＵＴの操作を可能にするために、４〜１０ミクロンの厚さを含む任意の適切な厚さのものであり得る。熱酸化物層１０４ｃは、１００〜３００ｎｍの厚さなど、任意の適切な厚さのものであり得る。
【００２８】
[0039]  図１１は、空洞１０８及び圧力ポート１１０を有するＭＵＴ  １１００の非限定的な例の断面図である。示されるように、圧力ポートは、密閉することができるものであり、従って、示されるデバイスは、空洞圧力が所望の値に設定された後のデバイスの状態を表し得る。その時点では、圧力ポートは、時間の関数として密閉空洞内における実質的に一定の圧力を提供するために、密閉部１１０２で密閉することができる。
【００２９】
[0040]  ＭＵＴ  １１００のようなＭＵＴの製作プロセスは、図１２のプロセス１２００によって説明される。最初に、動作１２０２では、これらに限定されないが、空洞１０８、圧力ポート１１０及び／又はチャネル１１２などのフィーチャが絶縁層１０６に形成される。空洞１０８、圧力ポート１１０及び／又はチャネル１１２は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、深掘反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）、イオンミリング、プラズマエッチング又は他の任意の適切な方法を含む、任意の適切なエッチングプロセスによって形成することができる。絶縁層１０６は、より大きなＣＭＯＳウェーハの一部であり得、その結果、空洞は、ＣＭＯＳウェーハの他の要素に電気的に結合される。
【００３０】
[0041]  動作１２０４では、フィーチャを有する絶縁層１０６を膜ウェーハにウェーハ接合することができ、膜ウェーハは、以前に論じたタイプのＳＯＩウェーハであり得る。ウェーハ接合プロセスは、低温ウェーハ接合プロセスであり得る。また、ウェーハ接合プロセスは、後工程のアニーリングステップも含み得る。アニーリングの間、空洞１０８の中の圧力を制御する上で役立てるために、ゲッタリング材料を置いておくことができる。例えば、ゲッタリング材料は、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＳｒＯ及び／又はＺｒ−Ａｌを含み得る。動作１２０６では、膜ウェーハの処理用ウェーハを研削除去し、空洞１０８の上方の膜１０４に柔軟性を持たせるようにすることができる。処理用ウェーハは、化学機械研磨を含む任意の適切な方法で研削除去することができる。
【００３１】
[0042]  動作１２０８では、圧力ポート１１０を開くために開口部９０２などの開口部が形成され、空洞１０８の圧力が均等化されるようにすることができる。開口部は、ＲＩＥ及び／又はＤＲＩＥなどの任意の適切なエッチングプロセスを使用して形成することができる。いくつかの実施形態では、最初に、ＢＯＸ層１０４ａを通じてエッチングするためにＲＩＥが使用される。次いで、単結晶層１０４ｂをエッチングするためにＤＲＩＥが使用され、熱酸化物層１０４ｃを通じてエッチングするためにＲＩＥが再び使用される。圧力ポート１１０は真空下で開かれるため、ウェーハ接合及び／又はアニーリングプロセスから放出されたいかなるガス材料も動作１２０８の間に抜け出て、空洞１０８の圧力は、真空チャンバの圧力と均等化される。
【００３２】
[0043]  動作１２１０では、空洞１０８が操作に適した圧力にとどまるように、圧力ポート１１０が密閉される。圧力ポート１１０は、任意の適切な材料によって又は任意の適切なプロセス（これに限定されないが、スパッタリングプロセスなど）によって密閉することができる。圧力ポート１１０は、複数の材料から形成される多層構造によって密閉することができる。材料の例は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｌ／Ｃｕ合金及びＴｉＮの任意の適切な組合せを含む。
【００３３】
[0044]  本明細書で説明される微細加工超音波トランスデューサは、様々なタイプのものであり得る。いくつかの実施形態では、微細加工超音波トランスデューサは、容量性微細加工超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）であり得る。そのような状況では、微細加工超音波トランスデューサは、ウェーハ接合又は犠牲剥離方法によって形成することができる。いくつかの実施形態では、微細加工超音波トランスデューサは、圧電微細加工超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）である。
【００３４】
[0045]  様々なタイプの超音波デバイスは、本明細書で説明されるタイプの圧力ポートを有するＭＵＴを実装することができる。いくつかの実施形態では、ハンドヘルド超音波プローブは、圧力ポートを有するＭＵＴを含む超音波オンチップを含み得る。いくつかの実施形態では、超音波パッチは、その技術を実装することができる。また、ピルもその技術を利用することができる。従って、本出願の態様は、そのような超音波デバイスが、圧力ポートを有するＭＵＴを含むように提供する。
【００３５】
[0046]  この出願の技術のいくつかの態様及び実施形態をこうして説明したが、様々な改変、変更及び改善が当業者に容易に思い当たることを理解されたい。そのような改変、変更及び改善は、本出願で説明される技術の精神及び範囲内にあることが意図される。従って、前述の実施形態は単なる例として提示されること、添付の特許請求の範囲及びその均等物の範囲内で、具体的に説明されるもの以外で本発明の実施形態を実践できることを理解されたい。
【００３６】
[0047]  説明されるように、いくつかの態様は、１つ又は複数の方法として具体化することができる。方法の一部として実行される動作は、任意の適切な方法で順序付けることができる。それに従って、示されるものとは異なる順番で動作が実行される実施形態を構築することができ、それは、示される実施形態において順次動作として示される場合であっても、いくつかの動作を同時に実行することを含み得る。
【００３７】
[0048]  すべての定義は、本明細書で定義される及び使用される場合は、辞書の定義、参照によって組み込まれる文書の定義及び／又は定義される用語の一般的な意味を制御するものと理解すべきである。
【００３８】
[0049]  「及び／又は」という記載は、本明細書及び特許請求の範囲で使用される場合は、そのように結合された要素の「一方又は両方」、すなわち、いくつかの事例において連言的に存在する要素及び他の事例において選言的に存在する要素を意味するものと理解すべきである。
【００３９】
[0050]  本明細書及び特許請求の範囲で使用される場合は、１つ又は複数の要素のリストを言及する際の「少なくとも１つ」という記載は、要素のリスト内の要素のいずれか１つ又は複数から選択された少なくとも１つの要素を意味するが、必ずしも要素のリスト内で具体的にリストされる各要素及びあらゆる要素の少なくとも１つを含むわけではなく、要素のリスト内の要素のいかなる組合せも除外しないものと理解すべきである。
【００４０】
[0051]  本明細書で使用される場合は、数の文脈において使用される「間」という用語は、別段の指示がない限り、包括的なものである。例えば、「ＡとＢとの間」は、別段の指示がない限り、Ａ及びＢを含む。
【００４１】
[0052]  「約」及び「およそ」という用語は、いくつかの実施形態では目標値の±２０％以内、いくつかの実施形態では目標値の±１０％以内、いくつかの実施形態では目標値の±５％以内、及び、いくつかの実施形態では目標値の±２％以内を意味するように使用することができる。「約」及び「およそ」という用語は、目標値を含み得る。
【図１】
2021522734.tif 000003
【図２】
2021522734.tif 000004
【図３】
2021522734.tif 000005
【図４】
2021522734.tif 000006
【図５】
2021522734.tif 000007
【図６】
2021522734.tif 000008
【図７】
2021522734.tif 000009
【図８】
2021522734.tif 000010
【図９】
2021522734.tif 000011
【図１０】
2021522734.tif 000012
【図１１】
2021522734.tif 000013
【図１２】
2021522734.tif 000014
【国際調査報告】
2021522734.tif 000015
2021522734.tif 000016
2021522734.tif 000017