(57)【要約】幾つかの実施形態は半導体パッケージを含む。半導体パッケージは集積回路を含む主要領域および位置合わせマーク位置の部分を含む端部領域を有する半導体ダイを有する。位置合わせマーク位置の部分は位置合わせマークの断片を含む。位置合わせマークはラインおよびスペースのパターンを含み、ラインは第一の方向に沿って伸びる。位置合わせマーク位置の部分は、また、第一の方向または第一の方向に実質的に直交する第二の方向のいずれかに沿って伸びるライン以外のパターンを有するテクスチャを含む。幾つかの実施形態は、半導体ウェーハに位置合わせマーク付けするための方法を含む。
2021535609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハに位置合わせマーク付けするための方法であって、
前記半導体ウェーハに関連付けられたダイ位置を画定することと、前記ダイ位置の間に位置合わせマーク位置を画定することと、
前記半導体ウェーハに関連付けられた処理の第一レベルで前記位置合わせマーク位置内に第一の位置合わせマークを形成することであって、前記第一の位置合わせマークは第一の方向に主に沿って伸びる第一の断片を含み、前記第一の方向に実質的に直交する第二の方向に主に沿って伸びる第二の断片を含む、ことと、
前記半導体ウェーハに関連付けられた処理の第二レベルで前記位置合わせマーク位置内に第二の位置合わせマークを形成することであって、処理の前記第二レベルは、処理の前記第一レベルの後に続くものであり、前記第二の位置合わせマークは前記第一の方向に主に沿って伸びる第三の断片を含み、前記第二の方向に主に沿って伸びる第四の断片を含む、ことと、
前記位置合わせマーク位置内にテクスチャを形成することであって、前記テクスチャは、前記第一の方向または前記第二の方向のいずれかに沿って伸びるライン以外のパターンを有する、ことと、
を含む方法。
【請求項２】
前記テクスチャは、前記第一の位置合わせマークの前記形成中に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記テクスチャは、前記第一の位置合わせマークの前記形成中に形成され、前記第二の位置合わせマークによって重ねられるであろう領域を全体的に覆う、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記テクスチャは、前記第二の位置合わせマークの前記形成中に形成され、前記第一の位置合わせマークを全体的に覆う、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記テクスチャは、前記第一レベルと前記第二レベルとの間の処理の中間レベルで形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記テクスチャは、前記第一の位置合わせマークを全体的に覆い、前記第二の位置合わせマークによって重ねられるであろう領域を全体的に覆う、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記テクスチャは、前記位置合わせマーク位置内にラインおよびスペースのパターンを含み、前記ラインは、前記第一の方向および前記第二の方向と交差する第三の方向に沿って伸びる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第三の方向は、約４５°の角度で前記第一の方向および前記第二の方向と交差する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記テクスチャは、前記第一の位置合わせマークおよび前記第二の位置合わせマークのうちの少なくとも一つによって含まれるスペースにわたって延びる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第一の位置合わせマークはスペースを有するパターンを含み、前記テクスチャは、このようなスペースにわたって延びる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
半導体ウェーハに位置合わせマーク付けするための方法であって、
前記半導体ウェーハに関連付けられたダイ位置を画定することと、前記ダイ位置の間に位置合わせマーク位置を画定することと、
前記半導体ウェーハに関連付けられた処理の第一レベルで前記位置合わせマーク位置内に第一の位置合わせマークを形成することであって、前記第一の位置合わせマークは第一のラインおよび第一のスペースの第一のパターンを有し、前記第一のラインは、第一の方向に主に沿って延び、第一のラインおよび第一のスペースの前記第一のパターンは、第一の方向に主に沿って伸びる第一の断片内で、かつ、前記第一の方向に実質的に直交する第二の方向に主に沿って伸びる第二の断片内に構成される、ことと、
前記半導体ウェーハに関連付けられた処理の第二レベルで前記位置合わせマーク位置内に第二の位置合わせマークを形成することであって、処理の前記第二レベルは、処理の前記第一レベルの後に続くものであり、前記第二の位置合わせマークは、第二のラインおよび第二のスペースの第二のパターンを有し、前記第二のラインは、前記第一の方向に主に沿って延び、前記第二の位置合わせマークは前記第一の方向に主に沿って伸びる第三の断片を含み、かつ、前記第二の方向に主に沿って伸びる第四の断片を含む、ことと、
前記位置合わせマーク位置内に第三のラインおよび第三のスペースの第三のパターンを有するテクスチャを形成することであって、前記第三のラインは前記第一の方向および前記第二の方向に交差する第三の方向に沿って伸びる、ことと、
を含む方法。
【請求項１２】
前記テクスチャは前記第一の位置合わせマークの上に重ねられる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記テクスチャは、前記第一の位置合わせマークの上に主に重ねられ、前記第一の位置合わせマークの間の領域内にはほぼ存在しない、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記テクスチャは、前記第一の位置合わせマークの上に重ねられ、前記第一の位置合わせマークの間の領域にわたって延びる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記テクスチャは、前記第一の位置合わせマークの前記形成中に形成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記テクスチャは、前記第二の位置合わせマークの前記形成中に形成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記テクスチャは、前記第一レベルと前記第二レベルとの間の処理の中間レベルで形成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第三の方向は、約４５°の角度で前記第一の方向および前記第二の方向と交差する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記テクスチャは、前記位置合わせマーク位置内に第四のラインおよび第四のスペースの第四のパターンを含み、前記第四のラインは、前記第三の方向と実質的に直交し、かつ約４５°の別の角度で前記第一の方向および前記第二の方向と交差する、第四の方向に沿って延びる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
第一のラインおよび第一のスペースの前記第一のパターンは第一のピッチを有し、
第二のラインおよび第二のスペースの前記第二のパターンは、前記第一のピッチと実質的に同一の第二のピッチを有し、
第三のラインおよび第三のスペースの前記第三のパターンは、前記第一のピッチおよび前記第二のピッチよりも大きい第三のピッチを有する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項２１】
前記第三のピッチは、前記第一のピッチおよび前記第二のピッチよりも少なくとも約１．５倍大きい、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記ダイ位置は、中間領域によって相互に離隔され、前記位置合わせマーク位置は、前記中間領域内にある、請求項１１に記載の方法。
【請求項２３】
前記ダイ位置内に集積回路を形成することであって、前記集積回路および前記中間領域の隣接部分はダイ構成である、ことと、
前記ダイ構成を相互に離隔するために、前記中間領域を通ってスライスすることであって、前記第三のパターンの部分は、前記スライスすることの後、前記ダイ構成内に残る、ことと、
前記ダイ構成をダイパッケージに組み込むことと、
をさらに含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記集積回路はメモリを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記集積回路は論理回路を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記集積回路はセンサを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
集積回路を含む主要領域および位置合わせマーク位置の部分を含む端部領域を有する半導体ダイを含む半導体パッケージであって、
前記位置合わせマーク位置の前記部分は位置合わせマークの断片を含み、前記位置合わせマークはラインおよびスペースのパターンを含み、前記ラインは第一の方向に沿って延び、前記位置合わせマーク位置の前記部分は、また、前記第一の方向または前記第一の方向に実質的に直交する第二の方向のいずれかに沿って伸びるライン以外のパターンを有するテクスチャを含む、半導体パッケージ。
【請求項２８】
前記断片は、前記第一の方向または前記第二の方向のいずれかに沿って伸びる、請求項２７に記載の半導体パッケージ。
【請求項２９】
ラインおよびスペースの前記パターンは、第一のラインおよび第一のスペースの第一のパターンであって、前記テクスチャは、第二のラインおよび第二のスペースの第二のパターンを含み、前記第二のラインは前記第一の方向および前記第二の方向と交差する第三の方向に沿って伸びる、請求項２７に記載の半導体パッケージ。
【請求項３０】
前記第三の方向は、約４５°の角度で前記第一の方向および前記第二の方向と交差する、請求項２９に記載の半導体パッケージ。
【請求項３１】
前記テクスチャは、第三のラインおよび第三のスペースの第三のパターンを含み、前記第三のラインは、前記第三の方向に実質的に直交し、かつ、前記第一の方向および前記第二の方向と約４５°の別の角度で交差する第四の方向に沿って伸びる、請求項３０に記載の半導体パッケージ。
【請求項３２】
第一のラインおよび第一のスペースの前記第一のパターンは第一のピッチを有し、
第二のラインおよび第二のスペースの前記第二のパターンは、前記第一のピッチよりも大きい第二のピッチを有する、
請求項３０に記載の半導体パッケージ。
【請求項３３】
前記第二のピッチは、前記第一のピッチよりも少なくとも約１．５倍大きい、請求項３２に記載の半導体パッケージ。
【請求項３４】
前記テクスチャは、前記位置合わせマークの前記断片上に重ねられる、請求項３０に記載の半導体パッケージ。
【請求項３５】
前記主要領域は集積メモリを含む、請求項２７に記載の半導体パッケージ。
【請求項３６】
前記主要領域は集積論理回路を含む、請求項２７に記載の半導体パッケージ。
【請求項３７】
前記主要領域は集積センサを含む、請求項２７に記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連する特許出願データ］
本出願は、２０１８年８月３１日に出願された、米国特許出願番号１６／１１８，９０２に対する優先権を享受する権利を主張し、米国特許出願番号１６／１１８，９０２は、本明細書に参照によって組み入れられる。
【０００２】
半導体ウェーハに位置合わせマークを付ける方法および位置合わせマーク部分を有する半導体パッケージ。
【背景技術】
【０００３】
半導体デバイスは、例えば、集積メモリ、集積論理回路、集積センサなどの集積回路を含み得る。集積回路の作製は、しばしば、複雑な処理ステップを含む。集積回路の製造中、異なる材料の多くの層が相互に重ねられて適用され得る。これらの層は、半導体デバイスの適切な動作を保証するために正確に位置決めされなければならない。層が適切に配列されない場合、デバイスは良好に動作し得ないか、または作動し得ない。
【０００４】
半導体デバイス内で上に重なる層の位置決めを補助するために、位置合わせマーク（即ち、位置決めマーク）が作成中に様々な層に含まれる。位置合わせマークは正確に位置決めされると所定の関係を有する。特定のウェーハプロセス層上に適切なマークをパターン化するためにレチクルが使用される。
【０００５】
位置合わせマークの使用中に遭遇する問題点は、集積回路の作製用に使用されるプロセスステップのうちの幾つかは位置合わせマークを望ましくないように改変し得ることである。例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）は、集積回路の作製中、プロセスステップとして使用され得る。研磨は、研磨された層内の位置合わせマークの一部を除去し得、問題となることがある。このように位置合わせマークを改変することで、研磨された層の上に積層される他の層に対して、適切な位置決めを達成するために、位置合わせマークをその後使用することが困難となる。このような問題点を克服する方法および構造を開発することが望まれている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】半導体ウェーハの領域を上から見た図である。
【図２】図１の半導体ウェーハの一部を上から見た図である。
【図３】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマーク位置を上から見た図である。
【図３Ａ】図３の位置合わせマーク位置内の位置合わせマークの形成に関連付けられ得るプロセス順序を表す図であり、また、図３のマークは、図５由来の位置合わせマークと図４の位置合わせマークとの重ね合わせの結果として生じ得ることを図示する。
【図４】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマーク位置を上から見た図であり、例示的位置合わせマークを図示する。
【図５】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマーク位置を上から見た図であり、例示的位置合わせマークを図示する。
【図６】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマーク位置を上から見た図であり、例示的位置合わせマークおよび例示的テクスチャを図示する。
【図７】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマークを上から見た図である。位置合わせマーク位置に隣接する記述は、図７のマークおよびテクスチャが図５由来の位置合わせマークと図６の位置合わせマークおよびテクスチャの重ね合わせの結果として生じ得ることを図示する。
【図８】例示的テクスチャ内で使用され得る例示的ラインの断面側面図である。図７の線８−８に沿っている。
【図９】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマーク位置を上から見た図であり、例示的位置合わせマークおよび例示的テクスチャを図示する。
【図１０】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマーク位置を上から見た図である。位置合わせマーク位置に隣接する記述は、図１０のマークおよびテクスチャが図９由来の位置合わせマークおよびテクスチャと図４の位置合わせマークとの重ね合わせの結果として生じ得ることを図示する。
【図１１】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマーク位置を上から見た図であり、例示的位置合わせマークおよび例示的テクスチャを図示する。
【図１２】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマーク位置を上から見た図である。位置合わせマーク位置に隣接する記述は、図１２のマークおよびテクスチャが図１１由来の位置合わせマークおよびテクスチャと図４の位置合わせマークとの重ね合わせから生じ得ることを図示する。
【図１３】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマーク位置を上から見た図であり、例示的テクスチャを図示する。
【図１４】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマーク位置を上から見た図である。位置合わせマーク位置に隣接する記述は、図１４のマークおよびテクスチャが図５の位置合わせマークと図１３由来のテクスチャと、図４の位置合わせマークとの重ね合わせから生じ得ることを図示する。
【図１５】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマーク位置を上から見た図であり、例示的テクスチャを図示する。
【図１６】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマーク位置を上から見た図である。位置合わせマーク位置に隣接する記述は、図１６のマークおよびテクスチャが、図５の位置合わせマークと、図１３および図１５由来のテクスチャと、図４の位置合わせマークとの重ね合わせの結果として生じ得ることを図示する。
【図１７】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマーク位置を上から見た図であり、例示的位置合わせマークおよび例示的テクスチャを図示する。
【図１８】半導体ウェーハに関連付けられた位置合わせマーク位置を上から見た図である。位置合わせマーク位置に隣接する記述は、図１８のマークおよびテクスチャが、図５由来の位置合わせマークと図１７の位置合わせマークおよびテクスチャとの重ね合わせの結果として生じ得ることを図示する。
【図１９】図１の半導体ウェーハの領域を上から見た図であり、ウェーハからダイをシンギュレーションするために使用される切断位置を示す。
【図２０】図１９のウェーハから切断されたシンギュレーションされたダイを上から見た図であり、位置合わせマーク位置の一部を図示する拡大領域を示す。
【図２１】パッケージに組み込まれた図２０のシンギュレーションされたダイを上から見た図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
幾つかの実施形態は、研磨プロセス（例えば、ＣＭＰ）は、概して、比較的均質な下方にあるテクスチャにわたって表面を平坦化することを意図するという認識を含む。例えば、集積回路は、一貫したピッチに沿ったラインおよびスペースを含み得、上方にある材料は、そのラインおよびスペースの上に提供され得る。研磨プロセスは、その後、上方にある材料のうちの幾らかを除去して、ラインおよびスペースにわたって延びる平坦化された表面を形成するために使用され得る。位置合わせマークは、位置合わせマーク位置内に提供され、このような位置では、集積回路に関連付けられたものと同様に、下方にあるテクスチャを欠く。したがって、位置合わせマーク位置は、ディッシングおよび／または研磨プロセス中の他の問題のある挙動で特に生じやすい。このような問題のある挙動は、位置合わせマークの一部を除去する。幾つかの実施形態は、研磨プロセス中の集積回路に関連付けられたテクスチャと合理的に一致する位置合わせマーク位置内にテクスチャを提供することによって、研磨プロセス中に遭遇する問題のある挙動が軽減され得、または、回避さえされ得るという認識を含む。例示的実施形態は、図１ー図２１を参照して記述される。
【０００８】
図１を参照すると、半導体ウェーハ１０の一部が図示される。この部分は、集積回路が形成されるであろうダイ位置１２を含む。ダイ位置は、中間領域１４によって相互に離隔される。位置合わせマーク位置（即ち、位置決めマーク位置）１６は中間領域内にある。
【０００９】
半導体ウェーハは、任意の適切な半導体材料を含み得る。幾つかの実施形態においては、シリコン、ゲルマニウム、ＩＩＩ／Ｖ半導体材料（例えば、リン化ガリウム）、半導体酸化物などのうちの一つ以上を含み得るか、実質的にそれらで構成され得るか、またはそれらで構成され得る。ここで、ＩＩＩ／Ｖ半導体材料という用語は、周期表のＩＩＩ族およびＶ族から選択された元素を含む半導体材料のことを呼ぶ（ＩＩＩ族およびＶ族は旧式の命名法であり、現在は１３族および１５族と呼ばれる）。幾つかの実施形態においては、半導体ウェーハは、単結晶性シリコンを含み得る。
【００１０】
ダイ位置１２は、半導体ウェーハに沿って画定され、そこに集積回路が作製されるであろう位置であると考えられ得る。位置合わせマーク位置１６は、位置合わせマークの形成用に画定される位置であると考えられ得る。ダイ位置１２は、任意の適切な形状を有し得、図示された実施形態においては、長方形であるように示される。位置合わせマーク位置は、ダイ位置に関連して任意の適切な関係で提供され得、図示された実施形態においては、ダイ位置の角部および端部に隣接して提供される。
【００１１】
図２は、半導体ウェーハ１０の領域の拡大図を示す。位置合わせマーク位置１６は、４つのダイ位置１２の角部に隣接する。ダイ位置１２の各々は、ダイ位置内に最終的に作成される機能的集積回路の端部を図で表す外周１５を有する。集積回路に関連付けられたパターン（例えば、ワード線、デジット線などに関連付けられたラインおよびスペースパターン）は、外周１５を超えて延び得る。破線は、ダイ位置１２に関連付けられ得、集積回路に関連付けられたパターンを含み得る第二の外周１７を図示するために提供される。
【００１２】
位置合わせマーク位置１６は、外周１５を超えて、かつ、第二の外周１７を超えて、開けた広がり内にある。したがって、位置合わせマーク位置は、ダイ位置１２内に形成されるパターンに関連付けられた如何なるテクスチャも含まない。上記で議論されたように、幾つかの実施形態は、そのことが、研磨プロセスに関連付けられた問題点を軽減するために、位置合わせマーク位置にわたってテクスチャを提供するのに有利であり得るという認識を含む。このような実施形態は、図６−図１９に関連して以下により詳細に記述される。
【００１３】
図３−図５を参照して、例示的位置合わせマークが例示的位置合わせマーク位置１６に関連して図示される。位置合わせマークは、より初期のプロセスステップ“Ｂ”由来の第一の集合１８（ここで“Ｂ”は、プロセスステップの示された順序内で底部（Ｂｏｔｔｏｍ）層に対応するものと考えられ得る）を含み、かつ、より後のプロセスステップ“Ａ”由来の第二の集合２０を含む。図３Ａは、プロセスステップ“Ａ”および“Ｂ”の相対的順序を図示する。ステップ“Ａ”およびステップ“Ｂ”の間に一つ以上の中間プロセスステップが存在し得、プロセスステップ“Ｂ”よりも初期のプロセスステップが存在し得、また、プロセスステップ“Ａ”の後のプロセスステップが存在し得ることに留意されたい。更なる位置合わせマーク（図示せず）は、さらなるプロセスステップの一つ以上に関連付けられ得る。
【００１４】
幾つかの実施形態においては、位置合わせマーク１８は、半導体ウェーハ１０に関連付けられた処理の第一レベルで位置合わせマーク位置１６内に形成される第一の位置合わせマークと呼ばれ得る（位置合わせマーク１８が形成される“第一の”レベルは、本明細書に記述される他のレベルと比較する目的で、より初期のレベルであり、全体のプロセス順序の観点から考えると、より初期のレベルであってもよいし、そうでなくてもよい）。幾つかの実施形態においては、位置合わせマーク２０は、処理の第一レベルの後に続く処理の第二レベルで、位置合わせマーク位置１６内に形成される第二の位置合わせマークと呼ばれ得る。
【００１５】
図４および図５は、第一の位置合わせマーク（図４）および第二の位置合わせマーク２０（図５）を相互に分離して図示する。
【００１６】
図４を参照すると、第一の位置合わせマーク１８は、ライン２２およびスペース２４のパターンを含むものとして図示される（ここで、ライン２２およびスペース２４のうちの幾つかのみがラベル付けされている）。ライン２２およびスペース２４は、其々、第一のラインおよび第一のスペースと呼ばれ得、このようなラインおよびスペースのパターンは、第一のパターンと呼ばれ得る。
【００１７】
ライン２２は、軸５によって表される第一の方向に主に沿って延びる（軸５は、図４の上から見た図に隣接して示される）。ライン２２は、軸５に“主に”沿って延びるものとして示され、幾つかの実施形態においては、ラインは、波状または湾曲し得るが、ラインの大体の方向は軸５に沿っていることを示す。
【００１８】
ライン２２およびスペース２４はピッチ“Ｐ１”で存在する。ライン２２およびスペース２４は、幾つかの実施形態においては、全て実質的に均一なピッチ（図示されるように）であり得、他の実施形態においては、ライン２２およびスペース２４のうちの幾つかは、ライン２２およびスペース２４のうちの他の物とは異なるピッチで存在し得る。
【００１９】
ライン２２およびスペース２４のパターンは、図４の実施形態においては、断片２６および２８に分割されるものとして図示され、断片２６は、軸５によって表される第一の方向に主に沿って延び、断片２８は、軸７によって表される第二の方向に主に沿って延びる。図示された実施形態においては、軸７によって表される第二の方向は、軸５によって表される第一の方向に対して実質的に直交している（ここで、“実質的に直交している（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ  ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ）”という用語は、作製および測定の合理的許容誤差内で直交していることを意味する）。
【００２０】
断片２６および２８は、其々、第一および第二の断片と呼ばれ得る。
【００２１】
図示された実施形態においては、ライン２２およびスペース２４のパターンは、断片２６および２８の複数のタイプに分割される。他の実施形態においては、断片の全ては、相互に実質的に同一であり得る。
【００２２】
図５を参照すると、第二の位置合わせマーク２０は、ライン３０およびスペース３２のパターンを含むように図示される（ライン３０およびスペース３２のうちの幾つかのみがラベル付けされている）。ライン３０およびスペース３２は、其々、第二のラインおよび第二のスペースと呼ばれ得、このようなラインおよびスペースのパターンは第二のパターンと呼ばれ得る。
【００２３】
ライン３０は、（軸５によって表される）第一の方向に主に沿って延びる。ライン３０およびスペース３２は、ピッチ“Ｐ２”で存在する。ライン３０およびスペース３２は、幾つかの実施形態においては、実質的に均一のピッチ（図示されるように）で全て存在し得、他の実施形態においては、ライン３０およびスペース３２のうちの幾つかは、ライン３０およびスペース３２のうちの他の物とは異なるピッチで存在し得る。ピッチＰ２は、幾つかの実施形態においては、ピッチＰ１（図４）と実質的に同一であり得、他の実施形態においては、ピッチＰ１とは異なり得る。“実質的に同一（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ  ｔｈｅ  ｓａｍｅ）”という用語は、作製および測定の合理的許容誤差内で同一であることを意味する。
【００２４】
ライン３０およびスペース３２のパターンは、図５の実施形態においては、断片３４、３５、３６に分割されるものとして図示され、断片３４および３６は、軸５によって表される第一の方向に主に沿って延び、断片３５は、軸７によって表される第二の方向に主に沿って延びる。
【００２５】
断片３４、３５および３６は、其々、第三、第四および第五の断片と呼ばれ得る。
【００２６】
図示された実施形態においては、ライン３０およびスペース３２のパターンは、複数のタイプの断片に分割される。他の実施形態においては、断片のうちの全ては、相互に実質的に同一であり得る。
【００２７】
図４および図５の位置合わせマーク１８および２０は、任意の適切な処理で形成され得る。例えば、位置合わせマークをパターン化するためにレチクルが構成され得る。処理段階“Ａ”および“Ｂ”に対して同一のレチクルが使用され得、位置合わせマークがダイ位置１２（図１）にわたって形成されるパターンに関連して位置決めされるようにする。図４のライン２２および図５のライン３０は、（複数の）任意の適切な材料内で形成され得る。幾つかの実施形態においては、ライン２２および３０のうちの一方またはその双方は、フォトレジスト内で形成され得る。幾つかの実施形態においては、ライン２２および３０のうちの一方またはその双方は、半導体材料（例えば、シリコン）、絶縁性材料（例えば、二酸化シリコン）および導電性材料（例えば、金属）のうちの一つ以上に延び得る。
【００２８】
図３は、プロセス段階“Ｂ”の位置合わせマーク１８に隣接するプロセス段階“Ａ”の位置合わせマーク２０を図示する。位置合わせマーク２０は、プロセス段階“Ａ”に関連付けられたパターン化がプロセス段階“Ｂ”に関連付けられたパターン化に関連して適切に位置決めされているか否かを決定するために、位置合わせマーク１８と比較され得る。図３は、図３のプロセス段階における位置合わせマーク１８が図４のより早期のプロセス段階で形成された位置合わせマークと同一であるような理想的な状況を図示する。しかしながら、上記で議論されたように、プロセス段階“Ｂ”と“Ａ”との間の中間プロセス段階は、望ましくないが位置合わせマーク１８を改変し得る。例えば、中間プロセス段階が研磨プロセスを使用する場合、位置合わせマーク１８は、研磨プロセスのディッシングおよび／または他の望ましくない影響を通じて改変され得る。
【００２９】
図６および図７は、図３のプロセス段階“Ｂ”および“Ａ”の間の中間プロセス段階中に位置合わせマーク１８の問題となる改変を軽減、または回避し得る例示的プロセスを図示する。
【００３０】
図６は、図４を参照して上述されたプロセス段階と類似のプロセス段階で位置合わせマーク位置１６を図示する。しかしながら、テクスチャ４０は、位置合わせマーク位置１６にわたって形成されている。テクスチャ４０は、位置合わせマーク位置の広がりにわたってパターンを含む。このようなテクスチャは、位置合わせマーク１８を望ましくなく改変するプロセス段階に関連して、上述された問題を軽減または回避し得る。具体的には、テクスチャ４０は、ダイ位置１２（図１）にわたって形成されたテクスチャに合理的に類似し得、その後のプロセス段階が位置合わせマーク位置１６を問題となるように変化させないようにする（例えば、その後の研磨段階がダイ位置を問題となるようにディッシングしないようにする）。
【００３１】
テクスチャ４０は、（軸５によって表される）第一の方向か、（軸７によって表される）第二の方向のいずれかに沿って延びるライン以外のパターンを有する。テクスチャ４０は、ダイ位置にわたって延びる、例えば、開口、空洞、ピラーなどのパターンを含む任意の適切なパターンであり得る。図示された実施形態においては、テクスチャ４０は、ライン４２およびスペース４４（そのうちの幾つかのみがラベル付けされている）のパターンである。ライン４２およびスペース４４は、其々第三のラインおよび第三のスペースと呼ばれ得、（図４を参照して上述された）位置合わせマーク１８および（図５を参照して上述された）位置合わせマーク２０の第一のラインおよびスペース（２２および２４）と第二のラインおよびスペース（３０および３２）とそれらを区別する。ライン４２およびスペース４４から形成されたパターン４０は、（図４を参照して上述された）ライン２２およびスペース２４の第一のパターンならびに、（図５を参照して上述された）ライン３０およびスペース３２の第二のパターンから区別するために、第三のパターンと呼ばれ得る。他の実施形態においては、パターン４０は、ライン２２およびスペース２４（図４）の第一のパターンから単に区別するために第二のパターンと呼ばれ得、このような実施形態においては、ライン４２およびスペース４４は、第二のラインおよびスペースと呼ばれ得る。
【００３２】
ライン４２は、（軸５および７によって表される）第一および第二の方向に交差する（軸９によって表される）第三の方向に沿って延びる。図示された実施形態においては、（軸９によって表される）第三の方向は、約４５°の角度１１で、（軸５および７によって表される）第一および第二の方向と交差する。“約４５°（ａｂｏｕｔ  ４５°）”という用語は、作製および測定の合理的許容誤差内で４５°であることを意味する。位置合わせマーク位置の反対側で一対の光源で位置合わせマーク位置が照射される適用に対して特に適切であり得るという点で、４５°の角度は、幾つかの実施形態では有利であり得る。他の実施形態においては、ライン４２は、（軸５および７によって表される）第一および第二の方向と関連して、４５°以外の角度で延び得る。
【００３３】
ライン４２およびスペース４４は、ピッチ“Ｐ３”で存在し、これは第三のピッチと呼ばれ得る。ライン４２およびスペース４４は、幾つかの実施形態においては、全て（図示されるように）実質的に均一のピッチで存在し得、他の実施形態においては、ライン４２およびスペース４４のうちの幾つかは、ライン４２およびスペース４４のうちの他の物とは異なるピッチで存在し得る。第三のピッチＰ３は、幾つかの実施形態においては、第一および第二のピッチＰ１およびＰ２（図４および図５）と実質的に同一であり得、他の実施形態においては、ピッチＰ１およびＰ２のうちの一方またはその双方と異なり得る。幾つかの実施形態においては、第一および第二のピッチＰ１およびＰ２は、相互に実質的に同一であり得、第三のピッチＰ３は、第一および第二のピッチよりも少なくとも約１．５倍大きいものであり得る。第一および第二のピッチよりも第三のピッチを大きく形成することは有利であり得る。なぜなら、より大きいピッチでラインを形成することは、より狭いピッチでラインを形成するよりも概して容易であり、テクスチャ４０の利点は、概して、第一および第二のピッチＰ１およびＰ２よりも大きい第三のピッチで達成され得るからである。無論、第三のピッチをより狭く形成することが有利であるとわかった場合には、第三のピッチＰ３は第一および第二のＰ１およびＰ２と同一であってもよく、または第一および第二のピッチよりも小さいものでさえあってもよい。
【００３４】
図６に図示された実施形態においては、テクスチャ４０は、第一の位置合わせマーク１８の形成中に形成され得る。具体的には、位置合わせマーク位置１６にわたる材料内にテクスチャ４０および位置合わせマーク１８を同時にパターン化するように構成されるレチクルが提供され得る。図示された実施形態においては、テクスチャ４０は、位置合わせマーク１８にわたって延びない。他の実施形態においては、テクスチャ４０は、位置合わせマーク１８のうちの少なくとも幾つかの少なくとも幾らかの領域にわたって延び得る。
【００３５】
図７を参照すると、位置合わせマーク位置１６は、図３のプロセス段階と類似のプロセス段階で図示される。しかしながら、図４の構成の代わりに図６の構成を使用している。具体的には、図７のマークおよびテクスチャは、（図７の右側に沿って図示されるように）図６のテクスチャおよびマークと図５由来の位置合わせマークとの重ね合わせの結果として生じ得る。図７の構成は、位置合わせマーク位置１６の領域に沿って延びるテクスチャ４０を含む。
【００３６】
図８は、テクスチャ４０の一部を図示し、ピッチＰ３でライン４２およびスペース４４を図示する。ライン４２は、任意の適切な材料内に形成され得る。幾つかの実施形態においては、ライン４２は、マスキング材料（例えば、フォトレジスト）、導電性材料（例えば、金属）、絶縁性材料（例えば、二酸化シリコン）および／または半導体材料（例えば、シリコン）に伸び得る。
【００３７】
図７に図示された実施形態においては、テクスチャ４０は、位置合わせマーク１８と位置合わせマーク２０との間の広がり全体にわたって延び、位置合わせマークのうちのいずれの上にも重ねられない。他の実施形態においてはテクスチャ４０は、位置合わせマークのうちの幾つかの上に重ねられ得る。このような他の実施形態の一実施例は、図９および図１０を参照して記述される。
【００３８】
図９は、図３を参照して上述された（即ち、図５において上記で使用された図面に類似の）第二のプロセスステップ“Ａ”中に形成される部分のみを有する位置合わせマーク位置１６を有する構造１０を図示する。プロセス段階“Ａ”および“Ｂ”が図３の位置合わせマーク１８および２０と比較される実際の適用においては、図９の構造は生じない。その代わりに、より初期のプロセス段階“Ｂ”で位置合わせマーク位置１６にわたって形成される任意の他のパターンとともに、位置合わせマーク１８は存在する。しかしながら、図９の図は、プロセス段階“Ａ”でどのパターンが形成され、より初期のプロセス段階“Ｂ”でどれが形成されるかを読者が理解することを支援するため、より初期のプロセス段階“Ｂ”で形成されるパターンとは分離して、プロセス段階“Ａ”中に形成されるパターンを示すために提供される。
【００３９】
図９の構造１０は、位置合わせマーク位置１６にわたって、かつ、位置合わせマーク２０の間に形成されるテクスチャ４０を有する。図９のテクスチャ４０は、図６に関連して上述された構成のうちの任意の構成を含み得、図示された実施形態においては、ライン４２およびスペース４４（そのうちの幾つかのみがラベル付けされている）のパターンを有する。図９のライン４２およびスペース４４は、幾つかの実施形態においては、其々第三のラインおよび第三のスペースと呼ばれ得る。図９のパターン４０は、第三のパターンと呼ばれ得る。他の実施形態においては、図９のパターン４０は、第二のパターンと呼ばれ得、このような実施形態においては、図９のライン４２およびスペース４４は、第二のラインおよび第二のスペースと呼ばれ得る。
【００４０】
図９のライン４２およびスペース４４は、図６を参照して上述されたピッチ“Ｐ３”で存在する。
【００４１】
図９の図示された実施形態においては、テクスチャ４０は、第二の位置合わせマーク２０の形成中に形成され得る。具体的には、位置合わせマーク位置１６にわたる材料内にテクスチャ４０および位置合わせマーク２０を同時にパターン化するように構成されたレチクルが提供され得る。図示された実施形態においては、テクスチャ４０は位置合わせマーク２０にわたって延びない。他の実施形態においては、テクスチャ４０は、位置合わせマーク２０のうちの少なくとも幾つかの少なくとも幾らかの領域にわたって延び得る。
【００４２】
図１０を参照すると、位置合わせマーク位置１６は、図３のプロセス段階と類似のプロセス段階で図示される。しかしながら、図５の構成の代わりに図９の構成を使用している。具体的には、図１０のマークおよびテクスチャは、（図１０の右側に沿って図示されるように）図４由来の位置合わせマークと図９由来の位置合わせマークおよびテクスチャとの重ね合わせの結果として生じ得る。
【００４３】
幾つかの実施形態においては、図１０の構成は、プロセス段階“Ｂ”に関連付けられる位置合わせマーク１８に隣接して形成される、プロセス段階“Ａ”に関連付けられた位置合わせマーク２０を含むものと考えられ得る。パターン４０は、位置合わせマーク２０とともに形成され、位置合わせマーク１８にわたって延びる。他の実施形態（図示せず）においては、位置合わせマーク２０と形成されたパターン４０は、位置合わせマーク１８の上に重ねられるのではなく、位置合わせマーク１８の周囲にあるように構成され得る。このような他の実施形態は、図７の構造と実質的に同一の構造を形成し得る。しかしながら、軸５の第一の方向および軸７の第二の方向に関して、４５°の角度で伸びるラインでパターン４０を使用する利点は、マークの二つ以上の集合の位置決めを確認するプロセス中に、パターンの下に重ねられた位置合わせマークを読み取ることをそのパターンが妨げないことが分かっていることである。
【００４４】
図１０のパターン４０は、第一の位置合わせマーク１８上に重ねられ、（パターンが第二の位置合わせマーク２０上に重ねられることを除いて）第一の位置合わせマークの間の領域全体にわたって延びる。他の実施形態においては、パターン４０は、第一の位置合わせマーク上に主に重ねられ得、第一の位置合わせマークの間の領域内にはほぼ存在し得ない。このような他の実施形態の一実施例は、図１１および図１２を参照して記述される。
【００４５】
図１１は、（図９の図と類似の）第二のプロセスステップ“Ａ”中に形成される部分のみを有する位置合わせマーク位置１６を有する構造１０を図示する。実際の適用においては、図１１の構造は、図９を参照して上記で議論された理由と類似の理由で生じ得ない（具体的には、プロセス段階“Ａ”はプロセス段階“Ｂ”の後に生じ、したがって、プロセス段階“Ｂ”から分離して存在しない）。しかしながら、図１１の図は、プロセス段階“Ａ”でどのパターンが形成され、より初期のプロセス段階“Ｂ”でどれが形成されるかを読者が理解することを支援するために、より初期のプロセス段階“Ｂ”で形成されたパターンとは分離して、プロセス段階“Ａ”中に形成されたパターンを図示するために提供される。
【００４６】
図１１の構造１０は、（図１２に図示されるように）位置合わせマーク１８上に重ねられるように構成されたパッド４６内に形成されたテクスチャ４０を有する。図１１のテクスチャ４０は、図６に関連して上述された構成のうちの任意の構成を含み得、図示された実施形態においては、ライン４２およびスペース４４（そのうちの幾つかのみがラベル付けされている）のパターンを有する。図１１のライン４２およびスペース４４は、其々、幾つかの実施形態においては、第三のラインおよび第三のスペースと呼ばれ得、図１１のパターン４０は第三のパターンと呼ばれ得る。他の実施形態においては、図１１のパターン４０は第二のパターンと呼ばれ得、このような実施形態においては、図１１のライン４２およびスペース４４は、第二のラインおよび第二のスペースと呼ばれ得る。
【００４７】
図１１のライン４２およびスペース４４は、図６を参照して上述されたピッチ“Ｐ３”で存在する。
【００４８】
図１１の図示された実施形態においては、テクスチャ４０は、第二の位置合わせマーク２０の形成中に形成され得る。具体的には、位置合わせマーク位置１６にわたる材料内でテクスチャ４０および位置合わせマーク２０を同時にパターン化するように構成されたレチクルが提供され得る。図示された実施形態においては、テクスチャ４０は、位置合わせマーク２０にわたって延びない。他の実施形態においては、テクスチャ４０は、位置合わせマーク２０のうちの少なくとも幾つかの少なくとも幾らかの領域にわたって延び得る。
【００４９】
図１２を参照すると、位置合わせマーク位置１６は、図３のプロセス段階と類似のプロセス段階で図示される。しかしながら、図５の構成の代わりに図１１の構成を使用する。具体的には、図１２のマークおよびテクスチャは、（図１２の右側に沿って図示されるように）図４由来の位置合わせマークと、図１１由来の位置合わせマークおよびテクスチャとの重ね合わせの結果として生じ得る。
【００５０】
幾つかの実施形態においては、図１２の構成は、プロセス段階“Ｂ”に関連付けられた位置合わせマーク１８に隣接して形成される、プロセス段階“Ａ”に関連付けられた位置合わせマーク２０を含むものと考えられ得る。パターン４０は、位置合わせマーク２０とともに形成され、位置合わせマーク１８上に重ねられる。
【００５１】
図１２の構成と類似の構成は、他の処理の結果として生じ得ることに留意されたい。例えば、パターン４０は、図３のプロセス段階“Ｂ”（即ち、図４のプロセス段階と類似のプロセス段階）で位置合わせマーク１８上に重ねられ得、その後、位置合わせマーク２０は、その後のプロセス段階“Ａ”で形成され得る（このような実施形態においては、パターンが、プロセス段階“Ｂ”で形成されたパターンから分離されて見える場合には、プロセス段階“Ａ”で形成されるパターンは、図５のパターンと類似の外観であり得る）。
【００５２】
幾つかの実施形態においては、図１０および図１２のパターン４０のうちのいずれかは、図３のプロセス段階“Ｂ”より前のプロセス段階で形成され得、その後、位置合わせマーク１８はプロセス段階“Ｂ”で形成され得る。例えば、位置合わせマーク１８は、パターン４０に伸びるトレンチを含むように形成され得る。
【００５３】
幾つかの実施形態においては、パターン４０は、図３のプロセス段階“Ｂ”とプロセス段階“Ａ”との中間にあるプロセス段階で形成され得る。このような実施形態の実施例は、図１３−図１６を参照して記述される。
【００５４】
図１３は、ステップ“Ｂ”とステップ“Ａ”との間の中間プロセスステップ中に形成される部分のみを有する位置合わせマーク位置１６を有する構造１０を図示する。実際の適用においては、図１３の構造は生じない（その代わりに、より初期のプロセス段階“Ｂ”で位置合わせマーク位置１６にわたって形成された任意の他のパターンとともに、位置合わせマーク１８は存在する）。しかしながら、図１３の図は、どのパターンが中間プロセス段階で形成されるかを読者が理解することを支援するため、より初期のプロセス段階“Ｂ”から分離して、中間プロセス段階を図示するために提供される。
【００５５】
図１３の構造１０は、位置合わせマーク位置１６にわたって形成されたテクスチャ４０を有する。図１３のテクスチャ４０は、図６に関連して上述された構成のうちの任意の構成を含み得、図示された実施形態においては、ライン４２およびスペース４４（そのうちの幾つかのみがラベル付けされている）のパターンを有する。図１３のライン４２およびスペース４４は、幾つかの実施形態においては、其々、第三のラインおよび第三のスペースと呼ばれ得、図１３のパターン４０は、第三のパターンと呼ばれ得る。他の実施形態においては、図１３のパターン４０は、第二のパターンと呼ばれ得、このような実施形態においては、図１３のライン４２およびスペース４４は、第二のラインおよびスペースと呼ばれ得る。
【００５６】
図１３のライン４２およびスペース４４は、図６を参照して上述されたピッチ“Ｐ３”で存在する。
【００５７】
図１３の図示された実施形態においては、テクスチャ４０は、位置合わせマーク位置１６の全体にわたって延びる。他の実施形態においては、テクスチャ４０は、位置合わせマーク位置１６の一部にわたってのみ延びるように形成され得る。例えば、テクスチャ４０が位置合わせマーク１８の上に重ねられないように、パターン４０を通って第一のプロセス段階の位置合わせマーク１８にウインドウが伸びるように、テクスチャ４０はパターン化され得る。別の実施例として、テクスチャが第二の位置合わせマーク２０に最終的に組み込まれる領域にわたらないように、テクスチャ４０はパターン化され得る。
【００５８】
図１４を参照すると、位置合わせマーク位置１６は、図１３のプロセス段階と類似のプロセス段階で図示される。しかしながら、図４および図５の構成の間の中間プロセス段階で提供される図１３の構成を使用している。具体的には、図１４のマークおよびテクスチャは、（図１４の右側に沿って図示されるように）図１３のテクスチャと、図４の位置合わせマークと、図５の位置合わせマークの重ね合わせの結果として生じ得る。
【００５９】
幾つかの実施形態においては、図１４の構成は、プロセス段階“Ｂ”に関連付けられた位置合わせマーク１８に隣接して形成される、プロセス段階“Ａ”に関連付けられた位置合わせマーク２０を含むものと考えられ得る。中間プロセス段階（図１３）で形成されたパターン４０は、位置合わせマーク１８にわたって延びる。他の実施形態（図示せず）においては、パターン４０は、位置合わせマーク１８の上に重ねられるのではなく、位置合わせマーク１８の周囲にあるように構成され得る。図示された実施形態においては、第二のプロセス段階“Ａ”に関連付けられた位置合わせマーク２０は、パターン４０によって影響を受けない（例えば、パターン４０は、位置合わせマーク２０が形成される領域から外側に出され得る）。他の実施形態においては、位置合わせマーク２０は、パターン４０に形成されるトレンチを含み得、これによって、パターン４０は位置合わせマーク２０の少なくとも幾らかの領域にわたって延び得る。
【００６０】
図１３のパターン４０は、中間レベル（即ち、プロセス段階“Ｂ”のレベルとプロセス段階“Ａ”のレベルとの間のレベル）で形成され得るパターンの一実施例である。幾つかの実施形態においては、位置合わせマーク位置の少なくとも一部にわたって延びる全体のパターンを形成するために、複数の中間レベルが最終的に組み合わせるパターンを提供し得る。例えば、図１５は、図１３のレベル以外の別の中間レベルで形成されるパターンを有する位置合わせマーク位置１６を有する構造１０を図示する。実際の適用においては、図１５の構造は生じない（その代わりに、位置合わせマーク１８は、より初期のプロセス段階“Ｂ”で位置合わせマーク位置１６にわたって形成された任意の他のパターンとともに存在する）。しかしながら、図１５の図は、どのパターンが中間プロセス段階で形成されるかを読者が理解することを支援するため、より初期のプロセス段階“Ｂ”からは分離して、中間プロセス段階を図示するために提供される。
【００６１】
図１５の構造１０は、位置合わせマーク位置１６にわたって形成される第二のテクスチャ５０を有する。図１５のテクスチャ５０は、図６に関連して上述された構成のうちの任意の構成を含み得、図示された実施形態においては、ライン５２およびスペース５４（そのうちの幾つかのみがラベル付けされている）のパターンを有する。図１５のライン５２およびスペース５４は、幾つかの実施形態においては、其々、第四のラインおよび第四のスペースと呼ばれ得、図１５のパターン５０は、第四のパターンと呼ばれ得る。第四のライン５２は、（軸９によって表される）第三の方向と実質的に直交し、約４５°の角度で（軸５および軸７によって表される）第一および第二の方向と交差する（軸５３によって表される）第四の方向に沿って延びる。
【００６２】
図１５のライン５２およびスペース５４は、図６を参照して上述されたピッチ“Ｐ３”で存在する。他の実施形態においては、ライン５２およびスペース５４は、ピッチＰ３とは異なるピッチで存在し得る。
【００６３】
図１５の図示された実施形態においては、テクスチャ５０は、位置合わせマーク位置１６の全体にわたって延びる。他の実施形態においては、テクスチャ５０は、位置合わせマーク位置１６の一部にわたってのみ延びるように形成され得る。例えば、テクスチャ５０が位置合わせマーク１８の上に重ねられないように、ウインドウが第一のプロセス段階の位置合わせマーク１８にパターン５０を通って延びるように、テクスチャ５０はパターン化され得る。別の実施例として、テクスチャが第二の位置合わせマーク２０に最終的に組み込まれるような領域にわたらないように、テクスチャ５０はパターン化され得る。
【００６４】
図１６を参照すると、位置合わせマーク位置１６は、図３のプロセス段階と類似のプロセス段階で図示される。しかしながら、図４および図５の構成の間の中間プロセス段階で提供される図１３および図１５の構成を使用している。具体的には、図１６のマークおよびテクスチャは、（図１６の右側に沿って図示されるように）図１３および図１５のテクスチャと、図４の位置合わせマークと、図５の位置合わせマークとの重ね合わせの結果として生じ得る。
【００６５】
図１６の構成は、プロセス段階“Ｂ”に関連付けられた位置合わせマーク１８に隣接して形成される、プロセス段階“Ａ”に関連付けられた位置合わせマーク２０を含むものと考えられ得る。中間プロセス段階で形成されるパターン４０および５０（図１３および図１５）は、位置合わせマーク１８にわたって延びる。他の実施形態（図示せず）においては、パターン４０および５０は、位置合わせマーク１８上に重ねられるのではなく、位置合わせマーク１８の周囲にあるように構成され得る。図示された実施形態においては、第二のプロセス段階“Ａ”に関連付けられた位置合わせマーク２０は、パターン４０および５０によって影響を受けない（例えば、パターン４０および５０は、位置合わせマーク２０が形成される領域から外に出され得る）。他の実施形態においては、パターン４０および５０は、位置合わせマーク２０の領域にわたって延び得る。
【００６６】
パターン４０および５０は、パターン５８を形成するためにともに組み合わせられる。パターン５８は、二つの異なる中間ステップから二つの異なるパターンの組み合わせによって形成されるものとして記述されるが、他の実施形態においては、パターン５８は、構造１０の位置合わせマーク位置１６に関連付けられた材料上に、パターン５８を組み入れるようにレチクルを構成することによって、単一の中間ステップで形成され得る。パターン５８に類似するパターンは、図６−図１２の実施形態に関連して記述されたパターン４０のうちの任意のものに置換され得る。
【００６７】
幾つかの実施形態においては、パターン４０の領域は、位置合わせマーク位置のスペース内に伸び得る。例えば、図１７は、図６を参照して上述されたプロセス段階と類似のプロセス段階で位置合わせマーク位置１６を図示する。しかしながら、テクスチャ４０は、位置合わせマーク１８内のスペース２４にわたって延びる。図１７は、また、スペース８２によって相互に離隔されるバー８０に“ライン”２２の各々が分割され得ることを示すために、ライン２２のうちの一つの拡大領域を図示する。バー８０は、相互にほぼ同一の幅であってもよいし、そうでなくてもよく、同様に、スペース８２は、相互に同一の幅であってもよく、また、そうでなくてもよい。バー８０は、本明細書で提供される図面のうちの任意の図面を参照して記述されるライン２２のうちの任意のラインに沿って存在し得、類似のバーは本明細書で記述されるライン３０（例えば、図５）のうちの任意のラインに沿って存在し得る。
【００６８】
図１８は、図７のプロセス段階に類似のプロセス段階で位置合わせマーク位置１６を図示する。しかしながら、図６の構成の代わりに図１７の構成を使用している。具体的には、図１８のマークおよびテクスチャは、（図１８の右側に沿って図示されるように）図１７由来のマークおよびテクスチャと、図５由来の位置合わせマークとの重ね合わせの結果として生じ得る。図１７および図１８は、図４を参照して上述されたタイプの位置合わせマーク１８内のスペースにわたって延びるテクスチャ４０を図示する。類似の処理において、テクスチャ４０は、追加的または代替的に、図５を参照して上述されたタイプの位置合わせマーク２０内のスペースにわたって延び得る。
【００６９】
図１９を参照すると、集積回路６０（例えば、集積メモリ、集積論理回路、集積センサなどの回路）は、ダイ位置１２内に最終的に作製される。その後、ウェーハ１０は、相互に完成したダイを分離するために、中間領域１４に沿ってスライスされ、それによってダイをシンギュレーションする。図１９は、相互にダイを分離するために使用される切断を示すためにカーフ（切溝）６２を図示する。
【００７０】
図１９の図示された実施形態においては、カーフは位置合わせマーク位置１６を通って伸びる。カーフは、（図示されるように）位置合わせマーク位置よりも薄くなり得、したがって、位置合わせマーク位置の一部は、シンギュレーション後にダイ構成に隣接して残り得る。位置合わせマーク位置の残りの部分は、上記で議論された図６−図１８の実施形態のうちの任意の実施形態の位置合わせマーク１８および２０の一部を含み得、図６−図１８の実施形態に関連して上述されたテクスチャ（例えば、テクスチャ４０、５０および５８）のうちの任意のテクスチャの一部を含み得る。
【００７１】
各完成したダイは、ダイ構成６４の一部である。図２０は、ダイ構成６４を図示し、このようなダイ構成は集積回路６０を含む主要領域６６を有し、主要領域６６を包囲する端部領域６８を有することを示す。端部領域６８は、中間領域１４（図１９）の一部を含み、このような一部は、位置合わせマーク位置１６の一部を含む。
【００７２】
位置合わせマーク位置１６の一部のうちの一つの拡大図が図２０に図示される。このような一部は、位置合わせマーク１８の断片２８および位置合わせマーク２０の断片３４を含む。断片２８は、ライン２２およびスペース２４（そのうちの一対のみがラベル付けされている）を含み、断片３４は、ライン３０およびスペース３２（そのうちの一対のみがラベル付けされている）を含む。断片２８および３４は、軸５によって表される第一の方向および軸７によって表される第二の方向に沿って延びる。位置合わせマーク位置１６は、また、テクスチャ４０を含む。図示された実施形態においては、テクスチャ４０は、軸９によって表される第三の方向に沿って延びるライン４２およびスペース４４（そのうちの一対のみがラベル付けされている）を含む。図示されたテクスチャ４０は、一実施例のテクスチャであって、図６−図１６を参照して上述されたテクスチャ（例えば、テクスチャ４０、５０および５８）のうちの任意のテクスチャが、図２０の処理段階で位置合わせマーク位置１６内に存在し得る。
【００７３】
図２０のダイ構成６４は、図２１に図示されるように、半導体パッケージ７０へと組み込まれ得る。パッケージ７０は、ダイ構成６４の上にカプセル化材料を含み得、したがって、ダイ構成が他の材料の下にあり得ることを示すために、ダイ構成は破線（即ち、ファントム（幻影））図で図示される。パッケージ７０は、パッケージ７０の外部の回路と、ダイ構成６４の回路を電気的に結合するために、ピン、パッド、ワイヤなど（図示せず）を含み得る。半導体パッケージ７０は、単一のダイのみを含むように図示されるが、他の実施形態においては、個々の半導体パッケージは、複数のダイを含んでもよい。
【００７４】
上記で議論されたアセンブリおよび構造は、電子システムに組み込まれ得る。このような電子システムは、例えば、メモリモジュール、デバイスドライバ、電源モジュール、通信モデム、プロセッサモジュールおよび特定用途向けモジュールで使用され得、マルチレイヤ、マルチチップモジュールを含み得る。電子システムは、例えば、カメラ、無線デバイス、ディスプレイ、チップセット、セットトップボックス、ゲーム、照明、車両、時計、テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ、自動車、産業制御システム、航空機などの広範囲のシステムのうちの任意のシステムであり得る。
【００７５】
他に特に指定されない限り、本明細書で記述された様々な材料、物質、組成などは、例えば、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）などを含む、現在既知か、または未開発のいずれかの任意の適切な方法で形成され得る。
【００７６】
図面における様々な実施形態の特定の方向付けは、例示の目的のためだけのものであって、実施形態は、幾つかの適用においては、図示された方向付けに対して回転されてもよい。本明細書に提供される記述およびそれに続く特許請求の範囲は、その構造が図面内の特定の方向にあるか否か、またはその方向に対して回転されているか否かにかかわらず、様々な特徴間で記述された関係を有する任意の構造に関する。
【００７７】
添付の図面の断面図は、断面平面内の特徴のみを図示するものであって、図面を簡略化するために、他に示されない限りは、断面平面の背後にある材料は図示していない。
【００７８】
幾つかの実施形態は、半導体ウェーハに位置合わせマークを付けるための方法を含む。ダイ位置は、半導体ウェーハに関連付けられるように画定され、位置合わせマーク位置は、そのダイ位置の間にあるように画定される。第一の位置合わせマークは、半導体ウェーハに関連付けられた処理の第一レベルで位置合わせマーク位置内に形成される。第一の位置合わせマークは、第一の方向に主に沿って延びる第一の断片を含み、第一の方向に実質的に直交する第二の方向に主に沿って延びる第二の断片を含む。第二の位置合わせマークは、半導体ウェーハに関連付けられた処理の第二レベルで位置合わせマーク位置内に形成される。処理の第二レベルは、処理の第一レベルの後に続くものである。第二の位置合わせマークは、第一の方向に主に沿って延びる第三の断片を含み、第二の方向に主に沿って延びる第四の断片を含む。テクスチャは、位置合わせマーク位置内に形成される。テクスチャは、第一の方向または第二の方向のいずれかに沿って延びるライン以外のパターンを有する。
【００７９】
幾つかの実施形態は、半導体ウェーハに位置合わせマークを付けるための方法を含む。ダイ位置は、半導体ウェーハに関連付けられるように画定され、位置合わせマーク位置は、そのダイ位置の間にあるように画定される。第一の位置合わせマークは、半導体ウェーハに関連付けられた処理の第一レベルで位置合わせマーク位置内に形成される。第一の位置合わせマークは第一のラインおよび第一のスペースの第一のパターンを有し、第一のラインは、第一の方向に主に沿って延びる。第一のラインおよび第一のスペースの第一のパターンは、第一の方向に主に沿って延びる第一の断片内に構成され、かつ、第一の方向に実質的に直交する第二の方向に主に沿って延びる第二の断片内に構成される。第二の位置合わせマークは、半導体ウェーハに関連付けられた処理の第二レベルで位置合わせマーク位置内に形成される。処理の第二レベルは、処理の第一レベルの後に続くものである。第二の位置合わせマークは、第二のラインおよび第二のスペースの第二のパターンを有し、第二のラインは第一の方向に主に沿って伸びる。第二の位置合わせマークは、第一の方向に主に沿って伸びる第三の断片を含み、第二の方向に主に沿って延びる第四の断片を含む。テクスチャは、位置合わせマーク位置内に第三のラインおよび第三のスペースの第三のパターンを有するように形成される。第三のラインは、第一の方向および第二の方向に交差する第三の方向に沿って伸びる。テクスチャは、第一の位置合わせマークの形成中、第二の位置合わせマークの形成中、および／または、処理の第一レベルと第二レベルとの間の処理の中間レベルで形成され得る。
【００８０】
幾つかの実施形態は、集積回路を含む主要領域と、位置合わせマーク位置の一部を含む端部領域とを有する半導体ダイを有する半導体パッケージを含む。位置合わせマーク位置の一部は、位置合わせマークの断片を含む。位置合わせマークは、ラインおよびスペースのパターンを含み、ラインは、第一の方向に沿って伸びる。位置合わせマーク位置の一部は、また、第一の方向、または第一の方向に実質的に直交する第二の方向のいずれかに沿って伸びるライン以外のパターンを有するテクスチャを含む。幾つかの実施形態においては、断片は、第一の方向または第二の方向のいずれかに沿って伸び得る。
【００８１】
法律に従い、本明細書に開示された本発明の主題は、構造的および方法的特徴に関して、多少具体的に言語で記述されてきた。しかしながら、特許請求の範囲は図示され、記述された具体的特徴に限定されることはないことを理解されたい。なぜなら、本明細書に開示された手段は、例示的実施形態を含むからである。したがって、特許請求の範囲は、言語で表される全範囲に権利を付与されるべきものであって、均等物の教義に従い適切に解釈されるべきものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図３Ａ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【手続補正書】
【提出日】令和3年4月15日(2021.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハに位置合わせマークを付けるための方法であって、
前記半導体ウェーハに関連付けられたダイ位置を画定することと、前記ダイ位置の間に位置合わせマーク位置を画定することと、
前記半導体ウェーハに関連付けられた処理の第一レベルで前記位置合わせマーク位置内に第一の位置合わせマークを形成することであって、前記第一の位置合わせマークは第一の方向に主に沿って伸びる第一の断片を含み、前記第一の方向に実質的に直交する第二の方向に主に沿って伸びる第二の断片を含む、ことと、
前記半導体ウェーハに関連付けられた処理の第二レベルで前記位置合わせマーク位置内に第二の位置合わせマークを形成することであって、処理の前記第二レベルは、処理の前記第一レベルの後に続くものであり、前記第二の位置合わせマークは前記第一の方向に主に沿って伸びる第三の断片を含み、前記第二の方向に主に沿って伸びる第四の断片を含む、ことと、
前記位置合わせマーク位置内にテクスチャを形成することであって、前記テクスチャは、前記第一の方向または前記第二の方向のいずれかに沿って伸びるライン以外のパターンを有する、ことと、
を含む方法。
【請求項２】
前記テクスチャは、前記第一の位置合わせマークの前記形成中に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記テクスチャは、前記第一の位置合わせマークの前記形成中に形成され、前記第二の位置合わせマークによって重ねられるであろう領域を全体的に覆う、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記テクスチャは、前記第二の位置合わせマークの前記形成中に形成され、前記第一の位置合わせマークを全体的に覆う、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記テクスチャは、前記第一レベルと前記第二レベルとの間の処理の中間レベルで形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記テクスチャは、前記第一の位置合わせマークを全体的に覆い、前記第二の位置合わせマークによって重ねられるであろう領域を全体的に覆う、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記テクスチャは、前記位置合わせマーク位置内にラインおよびスペースのパターンを含み、前記ラインは、前記第一の方向および前記第二の方向と交差する第三の方向に沿って伸びる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記テクスチャは、前記第一の位置合わせマークおよび前記第二の位置合わせマークのうちの少なくとも一つによって含まれるスペースにわたって延びる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第一の位置合わせマークはスペースを有するパターンを含み、前記テクスチャは、このようなスペースにわたって延びる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
半導体ウェーハに位置合わせマークを付けるための方法であって、
前記半導体ウェーハに関連付けられたダイ位置を画定することと、前記ダイ位置の間に位置合わせマーク位置を画定することと、
前記半導体ウェーハに関連付けられた処理の第一レベルで前記位置合わせマーク位置内に第一の位置合わせマークを形成することであって、前記第一の位置合わせマークは第一のラインおよび第一のスペースの第一のパターンを有し、前記第一のラインは、第一の方向に主に沿って延び、第一のラインおよび第一のスペースの前記第一のパターンは、第一の方向に主に沿って伸びる第一の断片内で、かつ、前記第一の方向に実質的に直交する第二の方向に主に沿って伸びる第二の断片内に構成される、ことと、
前記半導体ウェーハに関連付けられた処理の第二レベルで前記位置合わせマーク位置内に第二の位置合わせマークを形成することであって、処理の前記第二レベルは、処理の前記第一レベルの後に続くものであり、前記第二の位置合わせマークは、第二のラインおよび第二のスペースの第二のパターンを有し、前記第二のラインは、前記第一の方向に主に沿って延び、前記第二の位置合わせマークは前記第一の方向に主に沿って伸びる第三の断片を含み、かつ、前記第二の方向に主に沿って伸びる第四の断片を含む、ことと、
前記位置合わせマーク位置内に第三のラインおよび第三のスペースの第三のパターンを有するテクスチャを形成することであって、前記第三のラインは前記第一の方向および前記第二の方向に交差する第三の方向に沿って伸びる、ことと、
を含む方法。
【請求項１１】
前記テクスチャは前記第一の位置合わせマークの上に重ねられる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記テクスチャは、前記第一の位置合わせマークの上に主に重ねられ、前記第一の位置合わせマークの間の領域内にはほぼ存在しない、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記テクスチャは、前記第一の位置合わせマークの上に重ねられ、前記第一の位置合わせマークの間の領域にわたって延びる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
第一のラインおよび第一のスペースの前記第一のパターンは第一のピッチを有し、
第二のラインおよび第二のスペースの前記第二のパターンは、前記第一のピッチと実質的に同一の第二のピッチを有し、
第三のラインおよび第三のスペースの前記第三のパターンは、前記第一のピッチおよび前記第二のピッチよりも大きい第三のピッチを有する、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記ダイ位置は、中間領域によって相互に離隔され、前記位置合わせマーク位置は、前記中間領域内にある、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記ダイ位置内に集積回路を形成することであって、前記集積回路および前記中間領域の隣接部分はダイ構成である、ことと、
前記ダイ構成を相互に離隔するために、前記中間領域を通ってスライスすることであって、前記第三のパターンの部分は、前記スライスすることの後、前記ダイ構成内に残る、ことと、
前記ダイ構成をダイパッケージに組み込むことと、
をさらに含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
集積回路を含む主要領域および位置合わせマーク位置の部分を含む端部領域を有する半導体ダイを含む半導体パッケージであって、
前記位置合わせマーク位置の前記部分は位置合わせマークの断片を含み、前記位置合わせマークはラインおよびスペースのパターンを含み、前記ラインは第一の方向に沿って延び、前記位置合わせマーク位置の前記部分は、また、前記第一の方向または前記第一の方向に実質的に直交する第二の方向のいずれかに沿って伸びるライン以外のパターンを有するテクスチャを含む、半導体パッケージ。
【請求項１８】
前記断片は、前記第一の方向または前記第二の方向のいずれかに沿って伸びる、請求項１７に記載の半導体パッケージ。
【請求項１９】
ラインおよびスペースの前記パターンは、第一のラインおよび第一のスペースの第一のパターンであって、前記テクスチャは、第二のラインおよび第二のスペースの第二のパターンを含み、前記第二のラインは前記第一の方向および前記第二の方向と交差する第三の方向に沿って伸びる、請求項１７に記載の半導体パッケージ。
【請求項２０】
前記第三の方向は、約４５°の角度で前記第一の方向および前記第二の方向と交差する、請求項１９に記載の半導体パッケージ。
【国際調査報告】
2021535609.tif 000025
2021535609.tif 000026