(57)【要約】  本願は、黒鉛ナノ粒子の層間挿入及び水溶液において連続的な剥離によるグラフェン量子ドットの製造方法を提供する。上記製造方法は、工程時間が短く、上記製造方法から製造されたグラフェン量子ドットは均一な大きさと形状を有し、欠陥量が最少化され、向上した電気的特性を有する。
2021535890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒を含む反応器に炭素系層状構造体を投入するステップと、
前記炭素系層状構造体の各層の間に層間挿入物を挿入して層間挿入複合体を形成するステップと、
前記層間挿入複合体の層間引力を弱化するために、基材上に前記層間挿入複合体を位置させて熱処理するステップと、
前記基材に電圧を印加して前記層間挿入複合体を剥離し、グラフェン量子ドットを得るステップと
を含むグラフェン量子ドットの製造方法。
【請求項２】
前記炭素系層状構造体と前記層間挿入物とは１０：９０の重量比を有する、請求項１に記載のグラフェン量子ドットの製造方法。
【請求項３】
前記溶媒は、ＮＭＰ（Ｎ−ｍｅｔｙｌ−２−ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｏｎｅ）、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｏｒｍａｍｉｄｅ）、又はジアセトンアルコール（ｄｉａｃｅｔｏｎｅ  ａｌｃｏｈｏｌ）を含む、請求項１に記載のグラフェン量子ドットの製造方法。
【請求項４】
前記炭素系層状構造体は、黒鉛ナノ粒子、グラフェンナノ粒子、又はグラフェンオキサイドナノ粒子を含む、請求項１に記載のグラフェン量子ドットの製造方法。
【請求項５】
前記層間挿入物は、アルカリ金属塩、又はアルカリ土類金属塩を含む、請求項１に記載のグラフェン量子ドットの製造方法。
【請求項６】
前記基材は、アルミニウムホイル、銅ホイル、又は黒鉛ホイルである、請求項１に記載のグラフェン量子ドットの製造方法。
【請求項７】
前記複合体を超音波処理するステップをさらに含む、請求項１に記載のグラフェン量子ドットの製造方法。
【請求項８】
請求項１の製造方法により製造される、グラフェン量子ドット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、グラフェン量子ドットの製造方法に関し、不純物が殆どない高品質のグラフェン量子ドットを大量に生産することが可能な製造方法を提供する。
【背景技術】
【０００２】
グラフェン量子ドット（ｇｒａｐｈｅｎｅ  ｑｕａｎｔｕｍ  ｄｏｔ：ＧＱＤ）は、一般に、２０ｎｍ未満の側面サイズを有する単一又は複数層のグラフェンを意味する。グラフェン量子ドットは、電子の輸送が全ての３次元情報（ｔｈｒｅｅ  ｓｐａｔｉａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）に局限されるので、大きさ、形状、及びエッジ−依存電気的性質を示す。
【０００３】
既存のグラフェンは、それ自体ではバンドギャップを持たないため、半導体的な特性がなく、電子機器部分での応用に制約がある。一般的に知られたグラフェンのバンドギャップ付与方式としては、異形物質のドーピング、グラフェン内部の結合誘導、グラフェン量子ドットに代表される量子閉じ込め効果（Ｑｕａｎｔｕｍ  ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  ｅｆｆｅｃｔ）がある。これらのうちグラフェン量子ドットは、導体物質であるグラフェンに半導体の性質を与えるために大きさを２０ｎｍ以下の点の形態にした物質であり、粒子が数十ナノメートル以下の場合、電子が空間壁によって閉じ込められ、特異的に導体物質が半導体特性を有する。グラフェン量子ドットは、光ルミネセンス現象（Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、高い透明度と表面積により、様々なエネルギー及びディスプレイ分野で脚光を浴びている。
【０００４】
上記グラフェン量子ドットを製造する方法として、化学気相蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）、溶液化学方法（ｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｔｈｏｄ）、熱水ルート（ｈｙｄｒｏｔｈｅｒｍａｌ  ｒｏｕｔｅ）、マイクロ流動化（ｍｉｃｒｏ  ｆｌｕｉｄｉｚａｔｉｏｎ）、及び電気化学的方法（ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｔｈｏｄ）などを利用することができる。
【０００５】
従来のグラフェン量子ドットを製造する方法の１つは、黒鉛を酸化させ、酸化グラフェンを利用して製造した後、それを再還元する工程に関するものであるが、このような工程は、酸化グラフェンの合成に厳しい酸性条件が求められ、複雑な反応工程により長い工程時間が必要であり、長い工程時間に比べて製造されるグラフェン量子ドットの収率は相対的に低く、酸化剤、強酸、還元剤などの使用による環境問題が発生する。また、酸化グラフェンが還元されたため、グラフェン量子ドットは純粋な炭素結合ではなく炭素結合と酸素結合が混在した状態に製造され、グラフェン量子ドットの純度が低いという短所がある。
【０００６】
また、従来技術として、大韓民国公開特許公報第１０−２０１５−００４７３２６号は、グラファイト及びアルカリ金属塩水和物からグラファイト層間化合物を生成し、グラファイトを剥離して、高品質のグラフェン量子ドットを製造する方法を開示しているが、反応物として数マイクロメートル〜数十マイクロメートルの大きさの天然黒鉛フレークを使用するので、グラファイト層間化合物の製造効率が低く、製造されるグラフェン量子ドットの大きさがばらつくという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
大韓民国公開特許公報第１０−２０１５−００４７３２６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本願は、黒鉛ナノ粒子の層間挿入及び水溶液において連続的な剥離によるグラフェン量子ドットの製造方法を提供する。上記製造方法は、工程時間が短く、反応物として数ナノメートルの黒鉛ナノ粒子を利用することによって、上記製造方法から製造されたグラフェン量子ドットが均一な大きさと形状を有し、欠陥量が最少化され、向上した電気的特性を有する。
【０００９】
また、本願は、黒鉛ナノ粒子に異種物質を挿入することで形成される層間挿入複合体を形成した後、上記層間挿入複合体をホイル形態の基材において電気化学的剥離方法（例えば、電圧を印加）を利用して上記層間複合体からグラフェン量子ドットを剥離することにより、高品質グラフェン量子ドットの製造収率が向上するものである。
【００１０】
しかし、本願が解決しようとする課題は、上記したような課題に限定されるものではなく、言及されていない他の課題は、以下の記載から通常の技術者にとって明確に理解できるはずである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願の第１の側面は、溶媒を含む反応器に炭素系層状構造体を投入するステップと、当該炭素系層状構造体の各層の間に層間挿入物を挿入して層間挿入複合体を形成するステップと、当該層間挿入複合体の層間引力を弱化するために、基材上に当該層間挿入複合体を位置させて熱処理するステップと、当該基材に電圧を印加して当該層間挿入複合体を剥離し、グラフェン量子ドットを得るステップとを含むグラフェン量子ドットの製造方法を提供する。
【００１２】
本願の第２の側面は、本願の第１の側面に係る製造方法により製造されるグラフェン量子ドットを提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本願の具現例に係るグラフェン量子ドットの製造方法は、溶媒を使用する溶液工程により、従来技術と比べて有害な化学溶媒や界面活性剤を使用しないので、環境に優しく、製造方法が単純で工程費用を節減できるので、費用効率が良く、高品質のグラフェン量子ドットを大量生産することができるという長所がある。
【００１４】
本願の具現例に係るグラフェン量子ドットの製造方法により製造されたグラフェン量子ドットは、欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）が最小化されて均一な大きさと形状を有するものであり、向上した電気的特性を有するという長所がある。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本願の一具現例に係るグラフェン量子ドットの製造方法に関するフローチャートを示すものである。
【図２】本願の一具現例に係るグラフェン量子ドットの製造方法のうちステップＳ２００に対する模式図を示すものである。
【図３】本願の一具現例に係るグラフェン量子ドットの製造方法のうちステップＳ３００及びＳ４００に対する模式図を示すものである。
【図４】本願の一実施例において、本願のグラフェン量子ドットの製造方法により製造されたグラフェン量子ドットのＨＲＴＥＭイメージ及び大きさ分布グラフである。
【図５】本願の一実施例において、本願のグラフェン量子ドットの製造方法により製造されたグラフェン量子ドットのＡＦＭイメージである。
【図６】本願の一実施例において、本願のグラフェン量子ドットの製造方法により製造されたグラフェン量子ドットのＰＬスペクトルを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下では、添付した図面を参照しながら、本願の属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように本願の実施例を詳しく説明する。ところが、本願は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施例に限定されるものではない。そして、図面において、本願を明確に説明するために、説明とは関係ない部分は省略しており、明細書全体に亘って類似した部分に対しては類似した図面符号を付けている。
【００１７】
本願の明細書全体において、ある部分が他の部分と「連結」されているという場合、これは「直接的に連結」されている場合だけでなく、その中間に他の素子を挟んで「電気的に連結」されている場合も含む。
【００１８】
本願の明細書全体において、ある部材が他の部材の「上に」位置しているという場合、これは、ある部材が他の部材に接している場合だけでなく、両部材の間にまた他の部材が存在する場合も含む。
【００１９】
本願の明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」という場合、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。
【００２０】
本願の明細書全体において使用される程度の用語「約」、「実質的に」などは、言及された意味に固有の製造及び物質許容誤差が提示される場合、その数値で、又はその数値に近接した意味として使用され、本願の理解を助けるために、適確であるか絶対的な数値が言及された開示内容を非良心的な侵害者が不当に利用することを防止するために使用される。
【００２１】
本願の明細書全体において使用される程度の用語「〜（する）ステップ」又は「〜のステップ」は、「〜のためのステップ」を意味するものではない。
【００２２】
本願の明細書全体において、マーカッシュ形式の表現に含まれた「これらの組み合わせ（たち）」の用語は、マーカッシュ形式の表現に記載された構成要素からなる群より選択される１つ以上の混合又は組み合わせを意味するものであり、上記構成要素からなる群より選択される１つ以上を含むことを意味する。
【００２３】
本願の明細書全体において、「Ａ及び／又はＢ」の記載は、「Ａ又はＢ、あるいはＡ及びＢ」を意味する。
【００２４】
以下では、添付された図面を参照しながら本願の具現例及び実施例を詳しく説明する。しかし、本願がこのような具現例及び実施例と図面に限定されるものではない。
【００２５】
本願の第１の側面は、溶媒を含む反応器に炭素系層状構造体を投入するステップと、当該炭素系層状構造体の各層の間に層間挿入物を挿入して層間挿入複合体を形成するステップと、当該層間挿入複合体の層間引力を弱化するために、基材上に当該層間挿入複合体を位置させて熱処理するステップと、当該基材に電圧を印加して当該層間挿入複合体を剥離し、グラフェン量子ドットを得るステップとを含むグラフェン量子ドットの製造方法を提供する。
【００２６】
図１は、本願の一具現例に係るグラフェン量子ドットの製造方法に関するフローチャートを示すものである。
【００２７】
上記図１において、Ｓ１００は、溶媒を含む反応器に炭素系層状構造体１００を投入するステップを含む。Ｓ２００は、当該炭素系層状構造体１００の各層の間に層間挿入物１１０を挿入して層間挿入複合体２００を形成するステップを含む。Ｓ３００は、当該層間挿入複合体２００の層間引力を弱化するために、基材上に当該層間挿入複合体２００を位置させて熱処理するステップを含む。Ｓ４００は、当該基材に電圧を印加して当該層間挿入複合体２００を剥離し、グラフェン量子ドット３００を得るステップを含む。上記Ｓ１００乃至Ｓ４００は、図１において表現されたように、各ステップが順に進行されても良い。
【００２８】
本願の一具現例において、上記溶媒は、ＮＭＰ（Ｎ−ｍｅｔｙｌ−２−ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｏｎｅ）、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｏｒｍａｍｉｄｅ）、又はジアセトンアルコール（ｄｉａｃｅｔｏｎｅ  ａｌｃｏｈｏｌ）などを含んでいても良いが、これに限定されるものではない。
【００２９】
本願の一具現例において、上記炭素系層状構造体１００は、黒鉛ナノ粒子、グラフェンナノ粒子、又はグラフェンオキサイドナノ粒子を含んでいても良いが、これに限定されるものではない。
【００３０】
本願の一具現例において、上記黒鉛ナノ粒子、グラフェンナノ粒子、又はグラフェンオキサイドナノ粒子は、約１ｎｍ〜約２０ｎｍの大きさを有していても良い。例えば、上記黒鉛ナノ粒子、グラフェンナノ粒子、又はグラフェンオキサイドナノ粒子は、約１ｎｍ〜約２０ｎｍ、約１ｎｍ〜約１５ｎｍ、約１ｎｍ〜約１０ｎｍ、約１ｎｍ〜約８ｎｍ、約１ｎｍ〜約５ｎｍ、約１ｎｍ〜約４ｎｍ、約１ｎｍ〜約３ｎｍ、約１ｎｍ〜約２ｎｍ、約２ｎｍ〜約２０ｎｍ、約２ｎｍ〜約１５ｎｍ、約２ｎｍ〜約１０ｎｍ、約２ｎｍ〜約８ｎｍ、約２ｎｍ〜約５ｎｍ、約２ｎｍ〜約４ｎｍ、約２ｎｍ〜約３ｎｍ、約３ｎｍ〜約２０ｎｍ、約３ｎｍ〜約１５ｎｍ、約３ｎｍ〜約１０ｎｍ、約３ｎｍ〜約８ｎｍ、約３ｎｍ〜約５ｎｍ、約３ｎｍ〜約４ｎｍ、約４ｎｍ〜約２０ｎｍ、約４ｎｍ〜約１５ｎｍ、約４ｎｍ〜約１０ｎｍ、約４ｎｍ〜約８ｎｍ、約４ｎｍ〜約５ｎｍ、約５ｎｍ〜約２０ｎｍ、約５ｎｍ〜約１５ｎｍ、約５ｎｍ〜約１０ｎｍ、約５ｎｍ〜約８ｎｍ、約８ｎｍ〜約２０ｎｍ、約８ｎｍ〜約１５ｎｍ、約８ｎｍ〜約１０ｎｍ、約１０ｎｍ〜約２０ｎｍ、約１０ｎｍ〜約１５ｎｍ、又は約１５ｎｍ〜約２０ｎｍであっても良いが、これに限定されるものではない。上記黒鉛ナノ粒子、グラフェンナノ粒子、又はグラフェンオキサイドナノ粒子が上記のような大きさを有することにより、層間挿入複合体２００の層間に層間挿入物１１０が大きさに合わせて挿入され、製造されるグラフェン量子ドットの品質、又は製造収率を向上させることができる。
【００３１】
本願の一具現例において、上記層間挿入物１１０は、アルカリ金属塩、又はアルカリ土類金属塩を含んでいても良い。上記層間挿入物１１０は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の陽イオン又は硫酸及びリン酸の陰イオンを含んでいても良いが、これに限定されるものではない。例えば、上記層間挿入物１１０は、酒石酸カリウムナトリウム水和物（ＫＮａＣ４Ｈ４Ｏ６・４Ｈ２Ｏ）であっても良く、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）、硫酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳＯ４）、硫酸ナトリウム（Ｎａ２ＳＯ４）、硫酸カリウム（Ｋ２ＳＯ４）などの無機塩で、アルドリッチ社（Ａｌｄｒｉｃｈ）から購入したものを使用しても良いが、種類には特に制限がない。
【００３２】
本願の一具現例において、上記アルカリ金属は、例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋなどであっても良く、上記アルカリ土類金属は、例えばＢｅ、Ｍｇ、Ｃａなどであっても良いが、これに限定されるものではない。
【００３３】
図２は、本願の一具現例に係るグラフェン量子ドットの製造方法のうちステップＳ２００に対する模式図を示すものである。
【００３４】
ステップＳ２００は、上記炭素系層状構造体１００の各層の間に層間挿入物１１０を挿入して層間挿入複合体２００を形成するステップを含んでいても良い。
【００３５】
上記図２を参照すると、炭素系層状構造体１００が反応器に投入された後、層間挿入物１１０を投入する場合、拡散（ｄｉｆｆｕｓｅ）によって上記層間挿入物１１０が上記炭素系層状構造体１００の層間に挿入され、結果的に層間挿入複合体２００を形成しても良い。
【００３６】
上記炭素系層状構造体１００は、例えば、黒鉛ナノ粒子であっても良く、上記黒鉛ナノ粒子は、層状構造を有していても良い。
【００３７】
上記層間挿入複合体２００は、黒鉛ナノ粒子の層間に層間挿入物１１０として、例えば、酒石酸カリウムナトリウム水和物（ＫＮａＣ４Ｈ４Ｏ６・４Ｈ２Ｏ）を含んでいても良く、内部的に上記炭素系層状構造体１００と上記層間挿入物１１０との間で引力が作用しても良い。
【００３８】
本願の一具現例において、上記層間挿入物１１０が上記アルカリ金属又は上記アルカリ土類金属元素を含むことにより、炭素系層状構造体１００に挿入される場合に炭素系層状構造体１００の層間引力を減少させ、層状構造体のそれぞれの層が互いに容易に分離できるものであっても良いが、これに限定されるものではない。
【００３９】
本願の一具現例において、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）を陽イオンに有しているアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属（Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）を陽イオンに有しているアルカリ土類金属塩からアルカリ金属イオン又はアルカリ土類金属イオンを得るには、２つの方法が可能である。
【００４０】
本願の一具現例において、アルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩からアルカリ金属イオン又はアルカリ土類金属イオンを得る１つの方法は、アルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩を融点以上に共に加熱することである。このとき、２つ以上の塩を共に入れる場合、２つ以上の塩の特定の混合モル比において融点が低くなる。このときのモル比と温度の点を共融点（ｅｕｔｅｃｔｉｃ  ｐｏｉｎｔ）といい、２つ以上の塩の状態図（ｐｈａｓｅ  ｄｉａｇｒａｍ）から分かる。
【００４１】
アルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩からアルカリ金属イオン又はアルカリ土類金属イオンを得るもう１つの方法は、溶媒を入れて塩を溶かすことである。１つ目の方法に比べると、工程温度を塩の融点まで上げる必要がなくなるので、工程温度をより低くすることができる。
【００４２】
アルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩からアルカリ金属イオン又はアルカリ土類金属イオンを得るには、好ましくは２つ以上の塩を含む塩混合物を利用する。このとき、ＫＩとＫＣｌのように陽イオンは同一で陰イオンは異なる塩を利用しても良く、ＫＩ、ＬｉＩのように陽イオンは異なっていても陰イオンが同一な塩を利用しても良い。それだけでなく、ＫＩ、ＬｉＣｌのように陰イオン、陽イオンが全て異なっていても可能である。つまり、陽イオンにアルカリ金属又はアルカリ土類金属が入っている塩であればどのような種類でも可能である。
【００４３】
本願の一具現例において、２種類以上のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩を含む塩混合物は、黒鉛と混合して混合物に製造しても良い。また、混合物を塩混合物の共融温度（ｅｕｔｅｃｔｉｃ  ｐｏｉｎｔ）以上に加熱することで塩混合物を融解させたり、混合物に溶媒を添加することで塩混合物を溶解させても良い。
【００４４】
本願の一具現例において、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の陽イオン又は硫酸及びリン酸の陰イオンを利用して黒鉛層間化合物、即ち、層間挿入複合体２００を形成しても良い。
【００４５】
本願の一具現例において、上記基材は、アルミニウムホイル、銅ホイル、又は黒鉛ホイルを含んでいても良いが、これに限定されるものではない。
【００４６】
本願の一具現例において、上記複合体２００を超音波処理するステップをさらに含んでいても良いが、これに限定されるものではない。本願の製造方法が上記複合体を超音波処理（ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃａｔｉｏｎ）するステップをさらに含むことにより、上記層間挿入複合体２００が上記超音波によって容易で且つ欠陥なしに剥離され、グラフェン量子ドット３００の製造収率が向上することができる。
【００４７】
上記炭素系層状構造体１００の各層の間に層間挿入物１１０を挿入して層間挿入複合体２００を形成するステップは、上記溶媒を含む反応器に上記炭素系層状構造体１００及び層間挿入物１１０を投入して混合するステップを含んでいても良い。上記炭素系層状構造体１００及び層間挿入物１１０を投入して共に混合するステップを含むことにより、上記炭素系層状構造体１００の層間に層間挿入物１１０が位置し、層間の引力を弱化して剥離する役割をしても良いが、これに限定されるものではない。
【００４８】
アルカリ金属又はアルカリ土類金属元素を含む層間挿入複合体２００の形成は、炭素系層状構造体の層間にアルカリ金属及びアルカリ土類金属の陽イオン又は硫酸及びリン酸の陰イオンが拡散過程を通じて挿入されることで自発的に行われても良い。アルカリ金属及びアルカリ土類金属の陽イオン又は硫酸及びリン酸の陰イオンが拡散係数（ｄｉｆｆｕｓｉｖｉｔｙ）を通じて拡散距離を計算しても良く、これにより生成物の平均サイズを予測することができる。
【００４９】
本願の一具現例において、層間挿入物（アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む）を利用して層間挿入複合体２００を形成する場合、層間挿入物（アルカリ金属又はアルカリ土類金属元素を含む）が拡散を通じて黒鉛ナノ粒子の層間に挿入されても良い。
【００５０】
図３は、本願の一具現例に係るグラフェン量子ドットの製造方法のうちステップＳ３００及びＳ４００によりグラフェン量子ドットが得られることに関する模式図を示す。
【００５１】
上記図３を参照すると、上記ステップＳ２００において得られた層間挿入複合体２００が、ステップＳ３００及びＳ４００を経て熱処理され、電圧を印加することにより、上記層間挿入複合体２００からグラフェン量子ドット３００が容易に剥離されて得られても良い。また、上記層間挿入複合体２００を基材上に位置させ、電圧を印加することでグラフェン量子ドット３００と層間挿入物１１０とを分離しても良い。
【００５２】
上記層間挿入複合体２００の層間引力を弱化するために、基材上に上記層間挿入複合体２００を位置させて熱処理するステップにおいて、上記熱処理は、約１００℃〜約３００℃の温度で行われても良い。例えば、上記熱処理は、約１００℃〜約３００℃、約１００℃〜約２５０℃、約１００℃〜約２００℃、約１００℃〜約１５０℃、約１５０℃〜約３００℃、約１５０℃〜約２５０℃、約１５０℃〜約２００℃、約２００℃〜約３００℃、約２００℃〜約２５０℃、又は約２５０℃〜約３００℃の温度範囲で実行されても良い。上記熱処理が上記温度範囲で行われることにより、製造された上記層間挿入複合体２００内部の層間挿入物１１０が炭素系層状構造体１００の層間引力を弱化し、層の分離をさらに容易に起こしても良い。
【００５３】
上記基材に電圧を印加することで上記層間挿入複合体２００からグラフェン量子ドット３００を得るステップにおいて、上記基材に印加される電圧は、約−０．１Ｖ〜約−５Ｖであっても良いが、これに限定されるものではない。例えば、上記電圧は、約−０．１Ｖ〜約−５Ｖ、約−０．１Ｖ〜約−３Ｖ、約−０．１Ｖ〜約−２Ｖ、約−０．１Ｖ〜約−１Ｖ、約−１Ｖ〜約−５Ｖ、約−１Ｖ〜約−３Ｖ、約−１Ｖ〜約−２Ｖ、約−２Ｖ〜約−５Ｖ、約−２Ｖ〜約−３Ｖ、又は約−３Ｖ〜約−５Ｖであっても良い。上記印加される電圧により、基材上に位置した層間挿入複合体２００からグラフェン量子ドット３００が均一な大きさで剥離又は分離されて得られても良いが、これに限定されるものではない。
【００５４】
本願の一具現例において、上記炭素系層状構造体１００と層間挿入物１１０とは約１０：９０の重量比を有しても良いが、これに限定されるものではない。
【００５５】
本願の一具現例において、上記炭素系層状構造体１００と層間挿入物１１０との重量比は、例えば、約５：９５、約１０：９０、約２０：８０、約３０：７０、約４０：６０、又は約５０：５０であっても良いが、これに限定されるものではない。上記のような重量比を有することで、上記炭素系層状構造体の層間に層間挿入物が挿入される場合、層間引力を所望のレベルに合わせて調整することにより、上記炭素系層状構造体の剥離（ｅｘｆｏｌｉａｔｉｏｎ）がより活発に行われても良いが、これに限定されるものではない。
【００５６】
本願の第２の側面は、本願の第１の側面に係るグラフェン量子ドットの製造方法により製造されるグラフェン量子ドットを提供する。
【００５７】
本願の第２の側面において、本願の第１の側面に係る記載が適用されても良く、記載を省略したからと言ってその適用が排除されるものではない。
【００５８】
本願の一具現例において、本願の第２の側面に係るグラフェン量子ドットは、本願の第１の側面に係る製造方法により製造されることによって、界面活性剤及び／又は化学溶媒を使用しない溶液工程を使用するので、欠陥が最小化され、紫外線下において青色発光特性（３６５ｎｍ）を有し、均一な大きさ及び形状を有していても良いが、これに限定されるものではない。
【００５９】
［実施例］
１．グラフェン量子ドットの製造方法
グラフェン量子ドットを製造するために、炭素系層状構造体１００として、約３ｎｍ〜約４ｎｍの直径を有する黒鉛ナノ粒子（ＳｋｙＳｐｒｉｎｇ  Ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌｓ、ＵＳＡ）を用意した。上記黒鉛ナノ粒子を酒石酸カリウムナトリウム水和物（ＫＮａＣ４Ｈ４Ｏ６・４Ｈ２Ｏ、Ａｌｄｒｉｃｈ社）と１０：９０の重量比で乳鉢を利用して１時間混合した。その後、混合物を水熱合成反応器（Ｔｅｆｌｏｎ−ｌｉｎｅｄ  ａｕｔｏｃｌａｖｅ）に入れて２５０℃の温度で１０時間処理することにより、黒鉛ナノ粒子の層間に上記酒石酸カリウムナトリウム水和物が挿入された黒鉛層間挿入化合物（２００：ｇｒａｐｈｉｔｅ  ｉｎｔｅｒｃａｌａｔｉｏｎ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ、ＧＩＣ）を製造した。これにより製造された黒鉛層間挿入化合物をアルミニウムホイル上に位置させ、アルミニウムホイル上に電圧を印加することで黒鉛の各層を剥離（ｅｘｆｏｌｉａｔｉｏｎ）させて約３ｎｍ〜約４ｎｍの直径を有するグラフェン量子ドット３００を製造した。製造されたグラフェン量子ドットは、遠心分離機を利用して１３，０００ｒｐｍで３０分間処理することにより得られた。
【００６０】
上側液を除去した後、上記グラフェン量子ドットは精製水において再分散し、残りの塩を除去するために５日間セルロース透析膜（ＭＷＣＯ  ６０００−８０００  Ｄａ）で透析した。グラフェン量子ドット水溶液は、２０ｎｍの気孔サイズを有するシリンジフィルタ（Ｗｈａｔｍａｎ、Ａｎｏｔｏｐ、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ）を利用して限外濾過（ｕｌｔｒａ−ｆｉｌｔｒａｔｅｄ）した。合成されたグラフェン量子ドットの収率は蛍光分析により測定した。
【００６１】
２．特性分析
図４は、本願の一実施例において、本願のグラフェン量子ドットの製造方法により製造されたグラフェン量子ドットのＨＲＴＥＭイメージ及び大きさ分布グラフである。ＨＲＴＥＭ（Ｈｉｇｈ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  ＴＥＭ）イメージは、ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）イメージを拡大して得られた高配率のイメージを意味する。
【００６２】
グラフェン量子ドットの直径は約２ｎｍ〜約５ｎｍであり、上記グラフェン量子ドットの平均直径は約３．５ｎｍであって、狭い幅の大きさ分布を有する。このようなグラフェン量子ドットは、ｄ１１００のグラフェンの六角格子面に一致する、約０．２１ｎｍの格子間距離を持つ均一な結晶構造を示した。
【００６３】
図５は、本願の一実施例において、本願のグラフェン量子ドットの製造方法により製造されたグラフェン量子ドットのＡＦＭイメージである。
【００６４】
図５のＡＦＭイメージは、トポグラフィク模式図とグラフェン量子ドットの厚さ分布を示す。製造されたグラフェン量子ドットの平均厚さが約１．０９ｎｍで、厚さ分布が約０．５〜約１．５ｎｍの範囲にあることを示す。連続的なグラフェン層の間の間隔が０．３４ｎｍという点を考慮すると、上記ＡＦＭ結果は、製造されたグラフェン量子ドットが約１層〜約３層の構造からなっていることが分かる。
【００６５】
図６は、本願の一実施例において、本願のグラフェン量子ドットの製造方法により製造されたグラフェン量子ドットのＰＬスペクトルを示すグラフである。
【００６６】
合成されたグラフェン量子ドットの分散度は、昼光下において明るい茶色系に示され、紫外線下において明るい青色（３６５ｎｍ）の蛍光特性（ＰＬ）を示した。他の製造方法により製造されたグラフェン量子ドットと類似するように、本願の製造方法により製造されたグラフェン量子ドットは効率良く紫外線を吸収した。芳香性化合物のｓｐ２ドメインのd−d＊遷移が３００ｎｍ以下の強い紫外線を吸収することが知られている。製造されたグラフェン量子ドットのＵＶ吸収スペクトルは、約２５０ｎｍ及び約３６０ｎｍで２つの吸収バンドを示し、それぞれグラフェン量子ドットのジグザグ端（ｚｉｇ−ｚａｇ  ｅｄｇｅ）のカルビン（ｃａｒｂｉｎｅ）のような３重結合状態からσ−d、及びd−d＊遷移を示した。グラフェン量子ドット懸濁液は、異なるＰＬ強度と異なる励起波長を示した。励起波長は、約３００ｎｍから約４６０ｎｍまで様々であった。ＰＬ強度は、励起波長の増加に従って減少した。グラフェン量子ドットからの最大放射強度は、３００ｎｍで励起された際に約４２０ｎｍで達成された。
【００６７】
結果的に、本願のグラフェン量子ドットを製造する方法は、炭素系層状構造体と層間挿入物を利用して層間挿入複合体を形成し、これを剥離して、均一で且つ高品質のグラフェン量子ドットが得られた。上記製造方法は、有機溶媒又は界面活性剤なしに水を利用するため、費用効率が良く、環境に優しい。上記酒石酸カリウムナトリウム水和物は、上記合成工程において、グラフェン量子ドットの剥離及び層間挿入物の役割だけでなく、溶液工程の溶媒としての役割も行った。合成工程時間は最大１４時間程度であり、従来技術に比べて著しく減少した。上記製造方法により製造されたグラフェン量子ドットは、大きさが均等であって、直径３．５ｎｍ、約１〜３層構造の円形の形態を示し、紫外線下において青色の蛍光特性を示した（３６５ｎｍ）。
【００６８】
上記結果から、本願の製造方法により製造されるグラフェン量子ドットは、均等な大きさに大量生産が可能であり、欠陥量を最少化するものであって、電極、発光素子、センサ（温度センサ又はガスセンサ）、太陽電池など様々な分野で活用されることができる。また、本願の製造方法は、反応物として数〜数十ナノメートルサイズの黒鉛ナノ粒子を使用することにより、製造されるグラフェン量子ドットの大きさが均一という長所があり、層間挿入複合体を電気化学的剥離方法を利用して剥離することにより、高品質のグラフェン量子ドットの製造収率が向上する長所がある。
【００６９】
上述した本願の説明は例示のためのものであり、本願の属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本願の技術的思想や必須の特徴を変更せずに他の具体的な形態に容易に変形可能であるということを理解できるはずである。それゆえ、上記した実施例は全ての面において例示的なものであり、限定的なものではないと理解すべきである。例えば、単一型で説明されている各構成要素は分散して実施されても良く、同様に、分散したものと説明されている構成要素も結合された形態で実施されても良い。
【００７０】
本願の範囲は、上記詳細な説明よりは後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲、並びにその均等概念から導出される全ての変更又は変形された形態が本願の範囲に含まれると解釈されなければならない。
【符号の説明】
【００７１】
１００：炭素系層状構造体
１１０：層間挿入物
２００：層間挿入複合体
３００：グラフェン量子ドット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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