(57)【要約】  本発明は、回路基板アセンブリ、前記回路基板アセンブリを備えたＴＯＦ撮像モジュール、及びそれらの使用を提供する。回路基板アセンブリ（１）は、電子素子を支持するために使用され、導電部（１１）と絶縁部（１２）とを含む。絶縁部（１２）は導電部（１１）に一体に結合され、導電部（１１）は絶縁部（１２）を貫通し、前記電子素子は導電部（１１）によって支持されて導電部（１１）に接続されており、前記電子素子は作動時に導電部（１１）を通して直接に熱放散する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子を支持するための回路基板アセンブリであって、
導電部と、
前記導電部に一体に結合されている絶縁部とを含み、
前記導電部は、第１の導電部と第２の導電部を含み、前記電子素子が前記第１の導電部に支持され、前記第１の導電部が前記絶縁部を貫通し、前記第１の導電部と前記第２の導電部が前記絶縁部の少なくとも一部によって離間されており、前記第１の導電部が上面を有し、前記第２の導電部が上面を有し、前記第１の導電部の前記上面が前記第２の導電部の前記上面より大きい、ことを特徴とする、回路基板アセンブリ。
【請求項２】
前記第１の導電部は、傾斜するように設置された側面を有する、請求項１に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項３】
前記側面が内側に傾斜するように設置されている、請求項２に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項４】
前記側面が階段状に設置されている、請求項２に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項５】
前記第１の導電部は、対向して配置されている上面と下面を有し、前記上面が前記下面より大きい、請求項１に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項６】
前記回路基板アセンブリはさらに接続部材を含み、前記接続部材は２つの端部を有し、前記接続部材の一端は前記導電部に接続され、前記接続部材の他端は露出され、前記絶縁部は前記接続部材に一体に成形されている、請求項１に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項７】
前記導電部は側面を有し、前記絶縁部の少なくとも一部が前記導電部の前記側面に一体に結合されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項８】
前記導電部の前記側面の全面が前記絶縁部に覆われている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項９】
前記回路基板アセンブリはさらにホルダーを含み、前記ホルダーは光窓を形成し、前記回路基板に接続され、前記光窓は前記電子素子に光路を提供する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項１０】
前記ホルダーは、接続媒体を介して前記回路基板に接続されている、請求項９に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項１１】
前記ホルダーは前記導電部に一体に結合されている、または、前記ホルダーは前記絶縁部に一体に結合されている、または、前記ホルダーは前記導電部と前記絶縁部に一体に結合されている、請求項９に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項１２】
前記導電部は、第３の導電部と第４の導電部とを含み、前記絶縁部は、前記第３の導電部と前記第４の導電部に一体に成形され、前記第１の導電部、前記第２の導電部、前記第３の導電部、および前記第４の導電部はそれぞれ前記絶縁部によって離間されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項１３】
複数の導電部と複数の絶縁部を含み、前記導電部が第１の導電部と第２の導電部とを含み、前記絶縁部が前記第１の導電部と前記第２の導電部に一体に成形され、前記第１の導電部と前記第２の導電部が絶縁部の少なくとも一部によって離間されており、隣接する前記導電部が互いに接続されている、ことを特徴とする、
回路基板アセンブリ半製品。
【請求項１４】
１つの前記導電部の前記第１の導電部は、隣接する前記導電部の前記第１の導電部に接続されている、請求項１３に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項１５】
１つの前記導電部の前記第２の導電部は、隣接する前記導電部の前記第２の導電部に接続されている、請求項１３に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項１６】
１つの前記導電部の前記第２の導電部は、隣接する前記導電部の前記第２の導電部に接続されている、請求項１４に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項１７】
１つの前記導電部の前記第１の導電部は、隣接する前記導電部の前記第２の導電部に接続されている、請求項１３に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項１８】
前記第１の導電部は上面を有し、前記第２の導電部は上面を有し、前記第１の導電部の前記上面が前記第２の導電部の前記上面より大きい、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項１９】
前記第１の導電部は、対向して配置されている上面と下面を有し、前記第１の導電部の前記上面が前記第１の導電部の前記下面より大きい、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項２０】
前記第１の導電部は、傾斜するように設置された側面を有する、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項２１】
前記第１の導電部は、階段状に設置された側面を有する、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項２２】
前記導電部は第３の導電部を含み、前記絶縁部の少なくとも一部が前記第１の導電部と前記第３の導電部を離間しており、前記絶縁部の少なくとも一部が前記第２の導電部と前記第３の導電部を離間している、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項２３】
前記回路基板アセンブリはさらに複数のホルダーを含み、前記ホルダーは囲んで光窓を形成し、前記ホルダーは前記導電部に一体に成形されている、または、前記ホルダーは前記絶縁部に一体に成形されている、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項２４】
請求項１３〜２３のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ半製品が分割されてなる、ことを特徴とする、回路基板。
【請求項２５】
発光素子；
請求項１３〜２２のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ半製品が分割されてなる回路基板アセンブリ；および
前記回路基板アセンブリの第１の導電部に支持され、前記回路基板アセンブリに接続され、光窓を形成するホルダー
を含む、ことを特徴とする、投光器。
【請求項２６】
前記ホルダーは前記回路基板アセンブリに一体に成形されている、請求項２５に記載の投光器。
【請求項２７】
前記ホルダーは前記回路基板アセンブリに接着されている、請求項２５に記載の投光器。
【請求項２８】
撮影対象に光を放出するための、請求項２５〜２７のいずれか１項に記載の投光器；および
前記撮影対象によって反射された反射光を受信し、前記放出した光と前記反射光の情報に基づいて前記撮影対象の深度情報を取得するための受信ユニット
を含む、ことを特徴とする、ＴＯＦ撮像モジュール。
【請求項２９】
請求項２５〜２７のいずれか１項に記載の投光器；および
フレキシブル回路基板を備えた受信ユニットを含む、ＴＯＦ撮像モジュールであって、
前記受信ユニットは、レンズアセンブリ、感光素子、回路基板、及びフレキシブル回路基板を含み、前記レンズアセンブリは、光が前記感光素子に到達して光電変換するための光貫通孔を提供し、前記感光素子は電気的に前記回路基板に接続され、前記回路基板は電気的に前記フレキシブル回路基板に接続され、前記投光器は電気的に前記フレキシブル回路基板に接続されている、ことを特徴とする、ＴＯＦ撮像モジュール。
【請求項３０】
発光素子；
請求項１３〜２２のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ半製品が分割されてなる回路基板アセンブリ；
前記回路基板アセンブリの第１の導電部に支持され、前記回路基板アセンブリに接続され、光窓を形成するホルダー；および
前記回路基板アセンブリの前記導電部に電気的に接続されているフレキシブル回路基板
を含む、ことを特徴とする、投光器。
【請求項３１】
請求項３０に記載の投光器；および
受信ユニットを含む、ＴＯＦ撮像モジュールであって、
前記受信ユニットは、レンズアセンブリ、感光素子、及び回路基板を含み、前記レンズアセンブリは、光が前記感光素子に到達して光電変換するための光路を提供し、前記感光素子は電気的に前記回路基板に接続され、前記投光器の前記フレキシブル回路基板は電気的に前記受信ユニットの前記回路基板に接続されている、ことを特徴とする、ＴＯＦ撮像モジュール。
【請求項３２】
請求項３０に記載の投光器；
電子機器本体；および
主回路基板を含む、電子機器であって、
前記主回路基板は前記電子機器本体に配置され、前記投光器は前記主回路基板に取り付けられ、前記投光器の前記フレキシブル回路基板は電気的に前記主回路基板に接続されている、ことを特徴とする、電子機器。
【請求項３３】
前記電子機器は、撮像モジュール、受信ユニット、及び組立体を含み、前記撮像モジュールは前記組立体を介して１つの全体に組み立てられ、前記投光器及び前記撮像モジュールは前記電子機器本体に一緒に取り付けられている、請求項３２に記載の電子機器。
【請求項３４】
撮影対象に光を放出するための投光器；および
前記撮影対象によって反射された反射光を受信し、前記放出した光と前記反射光の情報に基づいて前記撮影対象の深度情報を取得するための受信ユニットを含む、ＴＯＦ撮像モジュールであって、
前記投光器は、ＴＯＦ発光素子と、請求項１３〜２２のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ半製品が分割されてなる回路基板アセンブリとを含み、前記ＴＯＦ発光素子は、前記回路基板アセンブリの前記導電部に支持されている、ことを特徴とする、ＴＯＦ撮像モジュール。
【請求項３５】
電子機器本体と、前記電子機器本体に配置されている請求項３１に記載のＴＯＦ撮像モジュールとを含む、ことを特徴とする、
電子機器。
【請求項３６】
前記電子機器は、撮像モジュール、受信ユニット、及び組立体を含み、前記撮像モジュールは前記組立体を介して１つの全体に組み立てられ、前記投光器及び前記撮像モジュールは前記電子機器本体に一緒に取り付けられている、請求項３５に記載の電子機器。
【請求項３７】
回路基板アセンブリ半製品の製造方法であって、前記回路基板アセンブリは、少なくとも１つの電子素子を支持するために使用され、前記方法は、次のステップ：
（ａ）複数の導電部を成形型に入れること；
（ｂ）前記成形型の上部型、下部型、及び前記導電部の間に成形スペースを形成するように前記成形型に対して型締め操作を行うこと；
（ｃ）絶縁性を備えた流体材料を前記成形スペースに加えて、前記流体材料が前記成形スペースを満たして成形スペース内で硬化するようにすること；および
（ｄ）前記成形型に対して離型操作を行った後、各導電部に一体に結合した絶縁部をその導電部に成形して回路基板アセンブリ半製品を得ること
を含む、ことを特徴とする、
製造方法。
【請求項３８】
上記の方法では、各前記導電部は、隣接する前記導電部に接続されている、請求項３７に記載の製造方法。
【請求項３９】
上記の方法では、前記導電部は第１の導電部と第２の導電部を含み、前記絶縁部は、前記第１の導電部と前記第２の導電部に一体に成形し、前記第１の導電部と前記第２の導電部が前記絶縁部の少なくとも一部によって離間される、請求項３７または３８に記載の製造方法。
【請求項４０】
１つの前記導電部の前記第１の導電部は、隣接する前記導電部の前記第１の導電部に接続されている、請求項３９に記載の製造方法。
【請求項４１】
１つの前記導電部の前記第２の導電部は、隣接する前記導電部の前記第２の導電部に接続されている、請求項３９に記載の製造方法。
【請求項４２】
１つの前記導電部の前記第１の導電部は、隣接する前記導電部の前記第２の導電部に接続されている、請求項３９に記載の製造方法。
【請求項４３】
銅板をエッチングして複数の前記導電部を形成すること
をさらに含む、請求項３７または３８に記載の製造方法。
【請求項４４】
上記の方法では、前記導電部に一体に結合された前記絶縁部とホルダーを前記導電部に形成する、請求項３７または３８に記載の製造方法。
【請求項４５】
前記ホルダーは前記導電部に一体に結合されている、または、前記ホルダーは前記導電部の１つの側面の前記絶縁部に一体に結合されている、または、前記ホルダーは前記導電部と前記絶縁部に一体に結合されている、請求項４４に記載の製造方法。
【請求項４６】
ホルダーを各前記回路基板アセンブリの前記導電部に接続する、または、ホルダーを各前記回路基板アセンブリの前記絶縁部に接続する、または、ホルダーを各前記回路基板アセンブリの前記導電部と前記絶縁部に接続すること
をさらに含む、請求項３７または３８に記載の製造方法。
【請求項４７】
請求項３７〜４６のいずれか１項に記載の製造方法；および
前記回路基板アセンブリを得るように前記回路基板アセンブリ半製品を分割すること
を含む、ことを特徴とする、回路基板アセンブリの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板の分野に関するものであり、特に、回路基板アセンブリおよびその半製品、投光器、撮像モジュールおよびそれらの使用に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
回路基板は、電子機器の重要な部材であり、電子素子を支持し、電気信号を接続できる。回路基板には様々な種類があり、最も一般的なのはプリント回路基板であり、主に絶縁部分と導電部分の２つの部分を含む。プリント回路基板で支持されている電子素子の電源を入れると、電子素子は、特に光学分野で、それ自体の電力消費のために熱を発生することができる。電子素子によって発生した熱は散逸できず、電子素子自体の温度が上昇し、電子素子の正常な作業に不利である。
【０００３】
現在、広く使用されているプリント回路基板は、銅クラッド／エポキシガラスクロス基材またはフェノール樹脂ガラスクロス基材であり、これらの基材は、優れた電気的特性および加工特性を有するが、熱放散性が劣る。電子素子自体については、現在の電子機器の小型化に伴い、電子素子自体がますます小く設計されているため、電子素子の小さな表面のみによる熱放散はまだ不十分である。
【０００４】
さらに、プリント回路基板の表面に電子素子を取り付ける過程において、パッドを介して他の電子素子を固定して接続する必要があり、この操作を高温下で行う必要がある。しかしながら、プリント回路基板の絶縁部と導電部の熱膨張係数が同じではなく、パッド自体のサイズも小さい。これにより、特に光電子モジュールなど、高精度を必要とする電子素子の場合、電子素子とプリント回路基板との間のアライメントが困難になる可能性がある。
【０００５】
セラミック基板は、性能に優れた回路基板の一種であり、その電気絶縁性、熱伝導性、及び機械強度は比較的良好であるが、現在では、様々な電子機器に大規模に適用することは困難である。これは、セラミックの基本的な製造プロセスが複雑であり、生産能力が低く、価格も高いからである。
【０００６】
プリント回路基板にヒートシンクを追加することは、電子素子の熱放散の問題を部分的に軽減できるが、現在の電子機器の小型化および軽量化の傾向に反している。
【発明の概要】
【０００７】
本発明の１つの目的は、回路基板アセンブリおよびその半製品、投光器、撮像モジュールおよびそれらの使用を提供することであり、前記回路基板は、良い熱放散性を有する。
【０００８】
本発明の別の目的は、回路基板アセンブリおよびその半製品、投光器、撮像モジュールおよびそれらの使用を提供することであり、前記回路基板の製造コストは低い。
【０００９】
本発明の別の目的は、回路基板アセンブリおよびその半製品、投光器、撮像モジュールおよびそれらの使用を提供することであり、前記回路基板の製造方法は簡単で大規模の使用に便利である。
【００１０】
本発明の別の目的は、回路基板アセンブリおよびその半製品、投光器、撮像モジュールおよびそれらの使用を提供することであり、前記回路基板は、絶縁部と、電子素子の熱放散のために広い領域を提供した少なくとも１つの導電部とを含む。
【００１１】
本発明の別の目的は、回路基板アセンブリおよびその半製品、投光器、撮像モジュールおよびそれらの使用を提供することであり、前記導電部は、前記導電部への前記電子素子の正確な取付を容易にするために、大きい上面を有する。
【００１２】
本発明の別の目的は、回路基板アセンブリおよびその半製品、投光器、撮像モジュールおよびそれらの使用を提供することであり、前記回路基板はよい導電性を有する。
【００１３】
本発明の別の目的は、回路基板アセンブリおよびその半製品、投光器、撮像モジュールおよびそれらの使用を提供することであり、前記回路基板の前記絶縁部は前記導電部に一体に成形されている。
【００１４】
本発明の別の目的は、回路基板アセンブリおよびその半製品、投光器、撮像モジュールおよびそれらの使用を提供することであり、前記回路基板は高い機械強度を有する。
【００１５】
本発明の別の目的は、回路基板アセンブリおよびその半製品、投光器、撮像モジュールおよびそれらの使用を提供することであり、前記回路基板は、小さいサイズを維持しながらよい熱放散性能を有することができる。
【００１６】
本発明の別の目的は、回路基板アセンブリおよびその半製品、投光器、撮像モジュールおよびそれらの使用を提供することであり、その製造方法により、前記回路基板をバッチで製造することができ、それにより製造コストを低減することができる。
【００１７】
本発明の別の目的は、回路基板アセンブリおよびその半製品、投光器、撮像モジュールおよびそれらの使用を提供することであり、前記絶縁部の少なくとも一部は、短絡を防ぐように前記導電部の周りに一体に成形することができる。
【００１８】
本発明の別の目的は、回路基板アセンブリおよびその半製品、投光器、撮像モジュールおよびそれらの使用を提供することであり、前記回路基板を備えたＴＯＦ撮像モジュールは、小さいサイズを維持しながらよい熱放散性を有することができる。
【００１９】
本発明の別の目的は、回路基板アセンブリおよびその半製品、投光器、撮像モジュールおよびそれらの使用を提供することであり、前記回路基板を備えた前記ＴＯＦ撮像モジュールは、前記回路基板に一体に成形できる基台を含む。
【００２０】
本発明の一態様によれば、本発明は、電子素子を支持するための回路基板アセンブリであって、
導電部と、
前記導電部に一体に結合されている絶縁部とを含み、前記導電部は、第１の導電部と第２の導電部を含み、前記電子素子が前記第１の導電部に支持され、前記第１の導電部が前記絶縁部を貫通し、前記第１の導電部と前記第２の導電部が前記絶縁部の少なくとも一部によって離間されており、前記第１の導電部が上面を有し、前記第２の導電部が上面を有し、前記第１の導電部の前記上面が前記第２の導電部の前記上面より大きい、回路基板アセンブリを提供する。
【００２１】
本実用新案の一部の実施形態によれば、前記第１の導電部は、傾斜するように設置された側面を有する。
【００２２】
本実用新案の一部の実施形態によれば、前記側面が内側に傾斜するように設置されている。
【００２３】
本実用新案の一部の実施形態によれば、前記側面が階段状に設置されている。
【００２４】
本実用新案の一部の実施形態によれば、前記第１の導電部は、対向して配置されている上面と下面を有し、前記上面が前記下面より大きい。
【００２５】
本実用新案の一部の実施形態によれば、前記回路基板アセンブリはさらに接続部材を含み、前記接続部材は２つの端部を有し、前記接続部材の一端は前記導電部に接続され、前記接続部材の他端は露出され、前記絶縁部は前記接続部材に一体に成形されている。
【００２６】
本実用新案の一部の実施形態によれば、前記導電部は側面を有し、前記絶縁部の少なくとも一部が前記導電部の前記側面に一体に結合されている。
【００２７】
本実用新案の一部の実施形態によれば、前記導電部の前記側面がすべて前記絶縁部に覆われている。
【００２８】
本実用新案の一部の実施形態によれば、前記回路基板アセンブリはさらにホルダーを含み、前記ホルダーは光窓を形成し、前記回路基板に接続され、前記光窓は前記電子素子に光路を提供する。
【００２９】
本実用新案の一部の実施形態によれば、前記ホルダーは、接続媒体を介して前記回路基板に接続される。
【００３０】
本実用新案の一部の実施形態によれば、前記ホルダーは前記導電部に一体に結合されている、または、前記ホルダーは前記絶縁部に一体に結合されている、または、前記ホルダーは前記導電部と前記絶縁部に一体に結合されている。
【００３１】
本実用新案の一部の実施形態によれば、前記導電部は、第３の導電部と第４の導電部とを含み、前記絶縁部は、前記第３の導電部と前記第４の導電部に一体に成形され、前記第１の導電部、前記第２の導電部、前記第３の導電部、および前記第４の導電部はそれぞれ前記絶縁部によって離間されている。
【００３２】
本発明の別の態様によれば、本発明は、
複数の導電部と複数の絶縁部を含み、前記導電部が第１の導電部と第２の導電部とを含み、前記絶縁部が前記第１の導電部と前記第２の導電部に一体に成形され、前記第１の導電部と前記第２の導電部が前記絶縁部の少なくとも一部によって離間されており、隣接する前記導電部が互いに接続されている、
回路基板アセンブリ半製品を提供する。
【００３３】
本発明の一部の実施形態によれば、１つの前記導電部の第１の導電部は、隣接する前記導電部の前記第１の導電部に接続されている。
【００３４】
本発明の一部の実施形態によれば、１つの前記導電部の前記第２の導電部は、隣接する導電部の前記第２の導電部に接続されている。
【００３５】
本発明の一部の実施形態によれば、１つの前記導電部の前記第２の導電部は、隣接する前記導電部の前記第２の導電部に接続されている。
【００３６】
本発明の一部の実施形態によれば、１つの前記導電部の前記第１の導電部は、隣接する前記導電部の前記第２の導電部に接続されている。
【００３７】
本発明の一部の実施形態によれば、前記第１の導電部は上面を有し、前記第２の導電部は上面を有し、前記第１の導電部の前記上面が前記第２の導電部の前記上面より大きい。
【００３８】
本発明の一部の実施形態によれば、前記第１の導電部は、対向して配置されている上面と下面を有し、前記第１の導電部の前記上面が前記第１の導電部の前記下面より大きい。
【００３９】
本発明の一部の実施形態によれば、前記第１の導電部は、傾斜するように設置された側面を有する。
【００４０】
本発明の一部の実施形態によれば、前記第１の導電部は、階段状に設置された側面を有する。
【００４１】
本発明の一部の実施形態によれば、前記導電部は第３の導電部を含み、前記絶縁部の少なくとも一部が前記第１の導電部と前記第３の導電部を離間し、前記絶縁部の少なくとも一部が前記第２の導電部と前記第３の導電部を離間する。
【００４２】
本発明の一部の実施形態によれば、前記回路基板アセンブリはさらに複数のホルダーを含み、前記ホルダーは囲んで光窓を形成し、前記ホルダーは前記導電部に一体に成形されている、または、前記ホルダーは前記絶縁部に一体に成形されている。
【００４３】
本発明の別の態様によれば、本発明は、上記の回路基板アセンブリ半製品が分割されてなる回路基板を提供する。
【００４４】
本発明の別の態様によれば、本発明は、
発光素子；
上記の回路基板アセンブリ半製品が分割されてなる回路基板アセンブリ；および
前記回路基板アセンブリの第１の導電部に支持され、前記回路基板アセンブリに接続され、光窓を形成しているホルダー
を含む、投光器を提供する。
【００４５】
本発明の一部の実施形態によれば、前記ホルダーは前記回路基板アセンブリに一体に成形されている。
【００４６】
本発明の一部の実施形態によれば、前記ホルダーは前記回路基板アセンブリに接着されている。
【００４７】
本発明の別の態様によれば、本発明は、
撮影対象に光を放出するための、上記の投光器；および
前記撮影対象によって反射された反射光を受信し、前記放出した光と前記反射光の情報に基づいて前記撮影対象の深度情報を取得するための受信ユニット
を含む、ＴＯＦ撮像モジュールを提供する。
【００４８】
本発明の別の態様によれば、本発明は、
上記の投光器；および
フレキシブル回路基板を備えた受信ユニットを含む、ＴＯＦ撮像モジュールであって、
前記受信ユニットは、レンズアセンブリ、感光素子、回路基板、及びフレキシブル回路基板を含み、前記レンズアセンブリは、光が前記感光素子に到達して光電変換するための光貫通孔を提供し、前記感光素子は電気的に前記回路基板に接続され、前記回路基板は電気的に前記フレキシブル回路基板に接続され、前記投光器は電気的に前記フレキシブル回路基板に接続されていることを特徴とする、ＴＯＦ撮像モジュールを提供する。
【００４９】
本発明の別の態様によれば、本発明は、
発光素子；
上記の回路基板アセンブリ半製品が分割されてなる回路基板アセンブリ；
前記回路基板アセンブリの第１の導電部に支持され、前記回路基板アセンブリに接続され、光窓を形成しているホルダー；および
前記回路基板アセンブリの前記導電部に電気的に接続されているフレキシブル回路基板
を含む、投光器であって、
前記回路基板アセンブリ半製品は、
複数の導電部と複数の絶縁部を含み、前記導電部が第１の導電部と第２の導電部とを含み、前記絶縁部が前記第１の導電部と前記第２の導電部に一体に成形され、前記第１の導電部と前記第２の導電部が絶縁部の少なくとも一部によって離間されており、隣接する前記導電部が互いに接続されている、ことを特徴とする投光器を提供する。
【００５０】
本発明の別の態様によれば、本発明は、
上記の投光器；および
受信ユニットを含む、ＴＯＦ撮像モジュールであって、
前記受信ユニットは、レンズアセンブリ、感光素子、及び回路基板を含み、前記レンズアセンブリは、光が前記感光素子に到達して光電変換するための光路を提供し、前記感光素子は電気的に前記回路基板に接続され、前記投光器の前記フレキシブル回路基板は電気的に前記受信ユニットの前記回路基板に接続されている、ことを特徴とする、ＴＯＦ撮像モジュールを提供する。
【００５１】
本発明の別の態様によれば、本発明は、
上記の投光器；
電子機器本体；および
主回路基板を含む、電子機器であって、
前記主回路基板は前記電子機器本体に配置され、前記投光器は前記主回路基板に取り付けられ、前記投光器の前記フレキシブル回路基板は電気的に前記主回路基板に接続されている、ことを特徴とする、電子機器を提供する。
【００５２】
本発明の一部の実施形態によれば、前記電子機器は、撮像モジュール、受信ユニット、及び組立体を含み、前記撮像モジュールは前記組立体を介して１つの全体に組み立てられ、前記投光器及び前記撮像モジュールは前記電子機器本体に一緒に取り付けられている。
【００５３】
本発明の別の態様によれば、本発明は、
撮影対象に光を放出するための投光器；および
前記撮影対象によって反射された反射光を受信し、前記放出した光と前記反射光の情報に基づいて前記撮影対象の深度情報を取得するための受信ユニットを含む、ＴＯＦ撮像モジュールであって、
前記投光器は、ＴＯＦ発光素子と、上記の回路基板アセンブリ半製品が分割されてなる回路基板アセンブリとを含み、前記ＴＯＦ発光素子は、前記回路基板アセンブリの前記導電部に支持されている、ことを特徴とする、ＴＯＦ撮像モジュールを提供する。
【００５４】
本発明の別の態様によれば、本発明は、
電子機器本体と、電子機器本体に配置されている上記のＴＯＦ撮像モジュールとを含む、ことを特徴とする、電子機器を提供する。
【００５５】
本発明の一部の実施形態によれば、前記電子機器は、撮像モジュール、受信ユニット、及び組立体を含み、前記撮像モジュールは前記組立体を介して１つの全体に組み立てられ、前記投光器及び前記撮像モジュールは前記電子機器本体に一緒に取り付けられている。
【００５６】
本発明の別の態様によれば、本発明は、
少なくとも１つの電子素子を支持するための回路基板アセンブリの製造方法であって、次のステップ：
（ａ）少なくとも１つの導電部を成形型に入れること；
（ｂ）前記成形型の上部型、下部型、及び前記導電部の間に成形スペースを形成するように前記成形型を締め付けること；
（ｃ）前記成形スペースを満たして成形スペース内で硬化するように、絶縁性を備えた流体材料を前記成形スペースに加えること；および
（ｄ）前記成形型から離型操作を行った後、前記導電部に一体に結合した絶縁部をその導電部に成形して前記回路基板アセンブリを得ること
を含む、製造方法を提供する。
【００５７】
本発明の一実施形態によれば、上記の方法では、前記導電部は第１の導電部と第２の導電部を含み、前記導電部は前記第１の導電部と前記第２の導電部との間に、それらを離間するための前記絶縁部が形成されている。
【００５８】
本発明の一実施形態によれば、上記の方法では、前記導電部に一体に結合された前記絶縁部とホルダーを前記導電部に形成する。
【００５９】
本発明の一実施形態によれば、前記ホルダーは前記導電部に一体に結合されている、または、前記ホルダーは前記導電部の１つの側面の前記絶縁部に一体に結合されている、または、前記ホルダーは前記導電部と前記絶縁部に一体に結合されている。
【００６０】
本発明の一実施形態によれば、上記方法は、
回路基板アセンブリ半製品を形成するように前記成形型に対して離型操作をすること；および
前記回路基板アセンブリを得るように前記回路基板アセンブリ半製品を分割すること
をさらに含み、前記回路基板アセンブリ半製品は、複数の導電部と、導電部に一体に結合された絶縁部とを含む。
【００６１】
本発明の一実施形態によれば、上記方法では、前記導電部の１つの側面に一体に結合された前記絶縁部の少なくとも一部が前記導電部に形成されている。
【００６２】
本発明の一実施形態によれば、上記方法では、前記導電部の上面に一体に結合された前記絶縁部の少なくとも一部が前記導電部に形成されている、または、前記導電部の下面に一体に結合された前記絶縁部の少なくとも一部が前記導電部に形成されている。
【００６３】
本発明の一実施形態によれば、上記方法では、前記絶縁部の少なくとも一部が前記導電部の下面に一体に結合されることは、前記絶縁部の厚さを、前記導電部の前記下面が露出するまで小さくするステップをさらに含む。
【００６４】
本発明の一実施形態によれば、上記方法では、各前記導電部は互いに独立している。
【００６５】
本発明の一実施形態によれば、上記方法では、１つの前記導電部は、隣接する前記導電部に接続されている。
【００６６】
本発明の別の態様によれば、下記のステップ：
電子素子によって生成された熱を、前記電子素子の裏面から第１の導電部の上面に伝達するように誘導すること；
熱を前記第１の導電部の下面に熱伝導すること；および
熱を外へ放散すること
を含む、回路基板アセンブリの熱放散方法が提供される。
【００６７】
本発明の一実施形態によれば、上記方法では、前記電子素子は発光素子である。
【００６８】
本発明の一実施形態によれば、上記方法では、前記電子素子の前面は、第２の導電部に電気的に接続されている。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の好ましい実施形態による回路基板アセンブリの模式図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の好ましい実施形態による回路基板アセンブリを備えたＴＯＦ撮像モジュールの模式図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の好ましい実施形態による電子機器の模式図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の好ましい実施形態による回路基板アセンブリの製造プロセスの模式図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の好ましい実施形態による回路基板アセンブリの製造プロセスの模式図である。
【図３】図３は、本発明の好ましい実施形態による回路基板アセンブリ半製品の模式図である。
【図４】図４は、本発明の好ましい実施形態による回路基板アセンブリの模式図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の好ましい実施形態による回路基板アセンブリの模式図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の好ましい実施形態による回路基板アセンブリの模式図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、本発明の好ましい実施形態による回路基板アセンブリの模式図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、本発明の好ましい実施形態による回路基板アセンブリの模式図である。
【図６】図６は、本発明の好ましい実施形態による回路基板アセンブリの模式図である。
【図７】図７は、本発明の好ましい実施形態による前記回路基板アセンブリを備えたＴＯＦ撮像モジュールの模式図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本発明の好ましい実施形態による回路基板アセンブリの製造プロセスの模式図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、本発明の好ましい実施形態による回路基板アセンブリの製造プロセスの模式図である。
【図９】図９は、本発明の好ましい実施形態による前記回路基板アセンブリを備えたＴＯＦ撮像モジュールの模式図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本発明の好ましい実施形態による投光器の使用の模式図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、本発明の好ましい実施形態による投光器の使用の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００７０】
以下の記載は本発明を開示して当業者が本発明を実現できるようにするものである。以下に記載の好ましい実施例は例示に過ぎず、当業者は他の明らかな変化形に容易に想到できる。以下の記載において定義された本発明の基本的な原理は他の実施形態、変形形態、改善形態、均等形態及び本発明の趣旨と範囲から離脱しない他の技術構成に応用できる。
【００７１】
当業者は以下のように理解できる。本発明の開示において、用語の「縦方向」、「横方向」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「垂直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」等が示す方位または位置関係は図面に示された方位または位置関係に基づくもので、本発明を説明しやすく及び簡単に説明するためのものであり、対象の装置または素子が必然的に特定の方位、特定の方位のある構造及び操作を示しまたは示唆するものではなく、このため、前記用語は本発明に対する制限と理解することはできない。
【００７２】
以下のように理解できる。用語の「一」は「少なくとも一つの」または「一つまたは複数の」と理解すべきであり、即ち一つの実施形態において、一つの素子の数量は一つとすることができ、他の実施形態において、該素子の数量は複数とすることができ、用語「一」は数量に対する制限と理解してはならない。
【００７３】
図１Ａから図１Ｃは、本発明による回路基板アセンブリ１と、前記回路基板アセンブリ１の使用の好ましい実施形態を示している。
【００７４】
前記回路基板アセンブリ１は、電子素子を支持し、前記電子素子を良好な作動状態に保つように前記電子素子が作動状態での熱放散に寄与する。
【００７５】
具体的には、前記回路基板アセンブリ１は回路基板１０を含み、回路基板１０は、導電部１１と、導電部１１に一体に結合されている絶縁部１２とを含み、導電部１１は、絶縁部１２に延伸する、例えば、高さ方向に沿って絶縁部１２を貫通している。言い換えれば、導電部１１の両端がそれぞれ導電できるように、導電部１１の両端の少なくとも一部が外に露出している。導電部１１は、導電する役割を果たす一方、電子素子の熱放散に寄与することができる。
【００７６】
前記電子素子は、導電部１１に支持され、導電部１１に電気接続可能に接続されている。より具体的には、導電部１１は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２を含み、第１の導電部１１１は前記電子素子を支持するために使用され、第２の導電部１１２と第１の導電部１１１との間は絶縁部１２によって離間されており、これにより、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２は直接に接触しておらず、使用中の短絡が避けられる。
【００７７】
第１の導電部１１１は、上面、下面、及び側面を有し、前記側面は前記上面と前記下面の周辺位置に延伸し、前記上面と前記下面は対向して配置されている。前記電子素子は、第１の導電部１１１の前記上面に支持されている。
【００７８】
第２の導電部１１２は、上面、前記下面、及び側面を有し、前記側面は前記上面と前記下面の周辺位置に延伸し、前記上面と前記下面は対向して配置されている。
【００７９】
前記電子素子は上面と下面を有し、前記電子素子の前記下面は、第１の導電部１１１の前記上面に接続されている。さらに、前記電子素子の前記上面のパッドは、ワイヤーボンディングプロセスを介して第２の導電部１１２に接続され、前記電子素子の前記下面は、第１の導電部１１１の前記上面に直接に接続されている。つまり、前記電子素子の前記下面は電極として実施され、もう１つの電極は前記上面に設けられ、パッドを介して導電する。
【００８０】
さらに、第１の導電部１１１は、前記電子素子の熱放散に寄与するように広い領域を有する様に設計されている。好ましくは、第１の導電部１１１は広い領域に設計され、第２の導電部１１２は狭い領域に設計される。第１の導電部１１１は、導電するだけではなく、熱放散する効果を有し、第２の導電部１１２は主に導電する役割を果たすから、回路基板１０の小型化をさらに確保すると同時に良い熱放散性を有させるために、好ましくは、第１の導電部１１１の全体のサイズは、第２の導電部１１２よりも大きい。
【００８１】
なお、絶縁部１２は、一体成形プロセスによって導電部１１に結合されている。このようにして、一方では、回路基板１０の製造プロセスがより簡単になり、他方では、絶縁部１２と導電部１１が一定の結合強度を有するようになる。導電部１１は、回路基板１０がよい熱放散性能を有するように、特定のサイズに設計されている。
【００８２】
さらに、第１の導電部１１１の前記上面は、前記電子素子の熱放散を容易にするために、より大きいサイズを有するように設計されている。第１の導電部１１１の前記上面は、面積を節約するために、第２の導電部１１２の前記上面より大きい。好ましくは、第１の導電部１１１の前記上面はより大きいサイズを有するように設計されていると同時に、第１の導電部１１１の前記下面はより小さいサイズを有するように設計されており、これによって、第１の導電部１１１の前記側面は傾斜するようになり、第１の導電部１１１と周りの絶縁部１２との結合強度に寄与する。さらに、第１の導電部１１１の前記下面はより小さいサイズを有するように設計されると、回路基板１が導電する必要がある場合に下面が大きすぎて、短絡など、通常の導電に影響を及ぼすことを効果的に防ぐことができる。なお、第１の導電部１１１の前記上面のサイズは、必要に応じて、すなわち、前記電子素子のサイズに従って設計すべきである。
【００８３】
本発明の別の一部の実施形態では、第１の導電部１１１の前記上面は、第１の導電部１１１の前記下面より小さいように設けられている。本発明の別の一部の実施形態では、第１の導電部１１１の前記上面は、第１の導電部１１１の前記下面に等しいように設けられている。
【００８４】
導電部１１は、単一の金属または合金、或いは熱伝導性を有する電気伝導性材料、例えば、銅、ニッケル、アルミニウム、または優れた熱伝導性および電気伝導性を有する他の材料からなることができる。第１の導電部１１１と第２の導電部１１２は、同じ材料で作られていてもよく、異なる材料で作られていてもよいことが理解できる。
【００８５】
導電部１１は特定の形状を有する。本実施形態では、導電部１１は、略長方形の構造に配置され、第１の導電部１１１の前記上面と第２の導電部１１２の上面はいずれも長方形である。第１の導電部１１１の前記上面と第２の導電部１１２の前記上面はの形状は、三角形、多角形、または円形であってもよい。第１の導電部１１１の前記上面の形状は、第２の導電部１１２の前記上面の形状に類似していてもよく、全く異なっていてもよく、例えば、１つは円形であるか、または１つは長方形である。上記の例は、第１の導電部１１１および第２の導電部１１２を限定するものではないことが理解できる。
【００８６】
さらに、この例では、第１の導電部１１１は三次元空間にボス構造を有し、第２の導電部１１２は三次元空間に直方体構造を有する。第１の導電部１１１は直方体であってもよく、第２の導電部１１２はボス構造であってもよい。または、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２はいずれもボス構造である。あるいは、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２はいずれも直方体である。上記の例は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２を限定するものではないことが理解できる。
【００８７】
まず、導電部１１は、金型プレスプロセスまたは化学エッチングプロセスによって形成されることができ、次いで、絶縁部１２は、一体成形プロセスによって導電部１１上に形成されることができる。
【００８８】
さらに、絶縁部１２は、絶縁本体１２１と絶縁フレーム１２２を含み、絶縁フレーム１２２は絶縁本体１２１に一体に形成され、絶縁フレーム１２２は絶縁本体１２１の周りに配置されている。絶縁本体１２１は、導電部１１の第１の導電部１１１と第２の導電部１１２との間に形成されている。絶縁本体１２１は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２を離間するので、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２は直接に接触できず、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２との間の直接な接触導電による短絡を避ける。
【００８９】
導電部１１は、上面、下面、及び側面を有し、前記上面と前記下面は対向して配置されており、前記側面は前記上面と前記下面の周辺位置に延伸する。導電部１１の前記上面は、第１の導電部１１１の前記上面と第２の導電部１１２の前記上面を含む。導電部１１の前記下面は、第１の導電部１１１の前記下面と第２の導電部１１２の前記下面を含む。導電部１１の前記側面は、第１の導電部１１１の前記側面の一部と第２の導電部１１２の前記側面の一部を含む。
【００９０】
絶縁フレーム１２２は、導電部１１の前記側面に形成されている。この例では、絶縁フレーム１２２は、導電部１１の前記側面に完全に一体に結合されており、導電部１１を保護する役割を果たす一方、導電部１１の前記側面が露出して短絡などの異常を防止することができる。
【００９１】
図１Ｂは、本発明による回路基板アセンブリ１の使用である、ＴＯＦ撮像モジュール１００の好ましい実施形態を示す。
【００９２】
ＴＯＦとは、パルス信号の送信から受信までの時間間隔ｔ、または、レーザーが測定対象に１回行き来する位相（位相差による測距法）を測定することにより、測定対象または測定領域の三次元構造または三次元プロファイルの測定を実現する飛行時間、すなわち、Ｔｉｍｅ  ｏｆ  Ｆｌｉｇｈｔのことである。ＴＯＦ原理を利用して製造された機器は、グレイスケール画像と距離画像を取得でき、体性感覚制御、行動分析、モニタリング、自動運転、人工知能など多くの分野で広く使用されている。
【００９３】
ＴＯＦ撮像モジュール１００は、投光器１１０と受信ユニット１２０とを含み、投光器１１０は、撮影対象に光を放出するために使用され、光は前記撮影対象によって反射され、受信ユニット１２０は反射光を受信し、放出した光と反射光の情報に基づいて前記撮影対象の深度情報を取得する。
【００９４】
受信ユニット１２０は、光を受信するレンズアセンブリ１２０１と、光を受信して光電変換の原理に基づいて光信号を電気信号に変換する感光回路１２０２とを含む。レンズアセンブリ１２０１は、光学レンズ１２０１１と基台１２０１２とをさらに含み、感光回路１２０２は感光素子１２０２１と回路基板１２０２２とを含み、光学レンズ１２０１１と投光器１１０はそれぞれ基台１２０１２に支持されており、感光素子１２０２１は電気的に回路基板１２０２２に接続されている。この例では、基台１２０１２は回路基板１２０２２に一体に成形されている。投光器１１０は電気的に基台１２０１２に接続されている。
【００９５】
本実施形態では、前記電子素子は発光素子２として実施され、投光器１１０は、発光素子２と回路基板アセンブリ１とを含み、発光素子２は回路基板アセンブリ１に支持され、電気的に回路基板アセンブリ１に接続されている。発光素子２は、通電後、励起されて外に光を放出することができる。
【００９６】
発光素子２は、前面と裏面を有し、発光素子２の前記前面は、ワイヤを介して導電部１１の第２の導電部１１２に接続されており、発光素子２の前記裏面は、導電部１１に直接に支持され、導電部１１に接続されている。
【００９７】
回路基板アセンブリ１は、回路基板１０とホルダー２０とを含み、ホルダー２０は、回路基板アセンブリ１に配置され、例えば、ホルダー２０は回路基板アセンブリ１に一体に成形されている。回路基板アセンブリ１は、導電部１１と絶縁部１２とを含む。導電部１１は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２とを含み、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２が直接に接触しないように絶縁部１２によって離間されている。ホルダー２０は、回路基板１０の成形後に、例えば、接続媒体接着剤によって回路基板１０に接着されることで、回路基板１０に接続されてもよいことが理解できる。
【００９８】
投光器１１０は、光学補助素子３をさらに含み、ホルダー２０は、光学補助素子３を回路基板１０上に支持し、光学補助素子３は、発光素子２の光路に保持される。光学補助素子３は、例えば、発光素子２によって放出される光を屈折、回折、及びフィルタリングするように変更または改善するために使用される。光学補助素子３は、屈折レンズまたは回折レンズであってもよい。当業者が理解できるように、上記の例は、光学補助素子３のタイプを制限するものではない。ホルダー２０は光窓２１を有し、発光素子２は、ホルダー２０と組み合わせて光窓２１を形成し、これによって、光は光窓２１を通って外へ射出される。
【００９９】
さらに、本発明のいくつかの例では、発光素子２は、垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）として実施されることができる。通電後、垂直キャビティ面発光レーザは励起されてレーザー光を放出することができる。
【０１００】
なお、前記垂直キャビティ面発光レーザは、正常に作動するためには特定の温度範囲内に維持する必要がある。つまり、回路基板アセンブリ１の熱放散性能は、前記垂直キャビティ面発光レーザの作動状態にとって非常に重要である。回路基板アセンブリ１の第１の導電部１１１は大きい熱放散領域を提供するので、前記垂直キャビティ面発光レーザは、第１の導電部１１１に支持されて正常に機能することができる。
【０１０１】
さらに、前記垂直キャビティ面発光レーザの裏面は負極であり、前面は正極である。前記垂直キャビティ面発光レーザが第１の導電部１１１と第２の導電部１１２にそれぞれ接続される場合、第１の導電部１１１は負極であり、第２の導電部１１２は正極である。
【０１０２】
投光器１１０は、少なくとも１つの電子素子４をさらに含み、電子素子４は、電気的に回路基板アセンブリ１に接続されている。この例では、電子素子４の少なくとも一部は、受信ユニット１２０の回路基板１２０２２に配置され、基台１２０２１上で覆われている。電子素子４は、電気的に回路基板アセンブリ１に接続されている。具体的には、電子素子４は、受信ユニット１２０の回路基板１２０２２を介して、投光器１１０の回路基板アセンブリ１に電気的に接続されている。
【０１０３】
図１Ｃは、本発明による電子機器１０００の好ましい実施形態を示す図である。電子機器１０００は、ＴＯＦ撮像モジュール１００と電子機器本体２００とを含み、ＴＯＦ撮像モジュール１００は、深度画像情報を取得するように電子機器本体２００上に配置されている。
【０１０４】
図２Ａと図２Ｂを参照すると、本発明による回路基板アセンブリ１の製造方法の好ましい実施形態は示されている。回路基板アセンブリ１は、電子素子を支持するために使用され、前記電子素子を良好な作動状態に保つように前記電子素子が作動状態での熱放散に寄与する。
【０１０５】
図２Ａに示される段階において、成形型３００によるモールド成形工程を行うために、少なくとも１つの導電部１１が成形型３００に固定されている。
【０１０６】
具体的には、成形型３００は、上部型３０１と下部型３０２とを含み、成形型３００に対して型締および離型操作ができるように、上部型３０１と下部型３０２のうちの少なくとも１つを操作することができる。例えば、本発明の一実施形態では、導電部１１を下部型３０２に入れて、上部型３０１と締め付けた後、上部型３０１と下部型３０２との間に成形スペース３０３を形成する。つまり、下部型３０２と上部型３０１は、型締操作を行った後に互いに連通する。上部型３０１と下部型３０２および導電部１１は、成型スペース３０３を画定する。流体材料は、前記成形スペースを満たすことができ、これによって導電部１１に一体に結合される絶縁部１２を形成する。
【０１０７】
図２Ａを参照すると、上部型３０１は、上部成形部３０１１と上部プレス部３０１２とをさらに含み、上部プレス部３０１２は、上部成形部３０１１の周囲に配置されている。成形型３００に対して型締め工程を行った後、上部型３０１の上部プレス部３０１２は、上部型３０１の上面を押し付けることができる。
【０１０８】
上部成形部３０１１は下面を有する。成形型３００に対して型締め工程を行う時、上部成形部３０１１の下面の一部が導電部１１に押し付けられ、上部成形部３０１１の前記下面の一部および対応する下部型３０２の上面の一部は、流体材料の通過のための成形スペース３０３を形成する。
【０１０９】
この例では、回路基板アセンブリ１の回路基板１０の上面および下面はいずれも平坦な表面であるため、上部成形部３０１１に対応する前記下面および下部型３０２本体の前記上面もいずれも平坦な表面である。成形型３００全体の構造は簡単であり、製造難しさおよび製造コストが低い。
【０１１０】
さらに、上部成形部３０１１は、少なくとも１つの導電部プレス部３０１１１と、少なくとも１つの絶縁位置成形部３０１１２とを含み、導電部プレス部３０１１１は、第１の導電部プレス部３０１１１１と第２の導電部プレス部３０１１１２とをさらに含み、絶縁位置成形部３０１１２は、第１の導電部プレス部３０１１１１と、隣接する第１の導電部プレス部３０１１１１との間に位置し、絶縁位置成形部３０１１２は、第１の導電部プレス部３０１１１１と、隣接する第２の導電部プレス部３０１１１２との間に位置する。
【０１１１】
本発明の一部の実施形態では、絶縁位置成形部３０１１２は、第２の導電部プレス部３０１１１２と、隣接する第２の導電部プレス部３０１１１２との間に位置する。
【０１１２】
下部型３０２は、下部成形部３０２１と下部プレス部３０２２とを含み、下部プレス部３０２２は、下部成形部３０２１の周囲に配置されている。成形型３００に対して型締め工程を行う時、下部型３０２の下部プレス部３０２２は、上部型３０１の上部プレス部３０１２に支持されることができる。
【０１１３】
下部成形部３０２１は、少なくとも１つの支持部３０２１１と、少なくとも１つの下部成形ガイド部３０２１２とを含み、支持部３０２１１と下部成形ガイド部３０２１２は、間隔を置いて配置されている。支持部３０２１１は導電部１１の下面に対応し、下部成形ガイド部３０２１２は絶縁位置成形部３０１１２に対応する。次のステップで導電部１１に一体に成形された絶縁部１２を形成するように、成形スペース３０３は下部成形ガイド部３０２１２と絶縁位置成形部３０１１２との間に形成されている。
【０１１４】
さらに、支持部３０２１１は、第１の導電部支持部３０２１１１と第２の導電部支持部３０２１１２とを含む。任意選択で、導電部１１の数が複数である場合、少なくとも１つの下部成形ガイド部３０２１２は、第１の導電部支持部３０２１１１と隣接する第２の導電部支持部３０２１１２との間に位置し、少なくとも１つの下部成形ガイド部３０２１２は、第１の導電部支持部３０２１１１と隣接する第１の導電部支持部３０２１１１との間に位置し、少なくとも１つの下部成形ガイド部３０２１２は、第２の導電部支持部３０２１１２と隣接する第２の導電部支持部３０２１１２との間に位置する。
【０１１５】
成形型３００に対して型締め操作を行う場合、上部型３０１の上部成形部３０１１の導電部プレス部３０１１１と、下部型３０２の下部成形部３０２１の支持部３０２１１との間の距離は、導電部１１を収容できるちょうどいい距離に設定され、これによって、流体材料による導電部１１の前記上面の汚染を避けることができる。
【０１１６】
この例では、導電部１１に一体に形成されている絶縁部１２は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２を離間させるだけではなく、導電部１１の前記側面を覆うこともできる。本発明の別の一部の実施形態では、導電部１１に一体に形成されている絶縁部１２は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２を離間させ、導電部１１の前記側面の一部を覆う。本発明の別の一部の実施形態では、導電部１１に一体に形成されている絶縁部１２は、導電部１１の第１の導電部１１１と第２の導電部１１２のみに形成されている。
【０１１７】
さらに、成形型３００は、少なくとも１つのフィルム層３０４を含んでもよい。例えば、本発明のこの具体的な例では、フィルム層３０４の数は、２つであってもよく、１つのフィルム層３０４は、上部型３０１の前記下面に配置され、フィルム層３０４と前記下面が重なり、他のフィルム層３０４は、下部型３０２の内面に配置され、フィルム層３０４と下部型３０２の前記上面が重なる。フィルム層３０４と上部型３０１の前記内面と重なって互いに接続するように、フィルム層３０４を上部型３０１の前記下面に貼り付けてもよく、フィルム層３０４と下部型３０２の前記上面と重なって互いに接続するように、フィルム層３０４を下部型３０２の前記上面に貼り付けてもよい。
【０１１８】
フィルム層３０４は、製造プロセス中の導電部１１への引っかき傷などの損傷を低減するように緩衝の役割を果たすことができる。
【０１１９】
成形型３００に対して型締め操作を行う時、フィルム層３０４は、導電部１１と、上部型３０１の上部成形部３０１１の導電部プレス部３０１１１との間に保持され、また、導電部１１と、下部型３０２の下部成形部３０２１の支持部３０２１１との間に保持され、これによって、フィルム層３０４は、押される時に変形することにより、上下型３０２と導電部１１との間のギャップの生成を防止し、その結果、後続のモールド成形工程では、前記流体材料が導電部１１の前記上面と前記下面に入るのが防がれ、最終的に成形された回路基板アセンブリ１の上下両側は導電部１１を介して直接に導電することができ、導電部１１、特に導電部１１の前記上面が汚染されないようにすることができ、回路基板アセンブリ１の歩留まりを確保できる。
【０１２０】
成形型３００に対して型締め操作を行った後、上部型３０１の上部プレス部３０１２と下部型３０２の下部プレス部３０２２が直接に互いに圧入され、成形スペース３０３は導電部１１と上部型３０１、下部型３０２との間に形成される。
【０１２１】
この例では、隣接する導電部１１は互いに独立しており、各導電部１１は独立して下部型３０２の予定位置に配置され、型締めの後に流体材料が注入される。
【０１２２】
本発明の別の一部の例では、導電部１１の前記上面は平坦な面ではなく、溝があり、前記電子素子を溝内に収納して、組み立てられた前記電子素子と前記回路基板アセンブリ１の全体の高さを低減することができる。これに応じて、成形型３００の構造と形状についても対応する調整をすることができる。
【０１２３】
本発明の別の一部の実施形態では、隣接する導電部１１は、成形型３００内への導電部１１の配置を容易にするように互いに接続されている。
【０１２４】
図２Ａを参照し続けると、前記流体材料は少なくとも１つの成形スペース３０３に添加され、トランスファーモールド成形工程またはプレスモールド成形工程を通して、前記流体材料は、すべての成形スペース３０３を満たして絶縁部１２を形成し、その結果、絶縁部１２と導電部１１は一体に成形される。
【０１２５】
前記流体材料は、流れることができれば、液体、固体、または固体と液体の混合物などであってもよい。前記流体材料は熱硬化性材料であってもよい。勿論、当業者は、流体材料の材料がこれらに限られていないことを知っているべきである。
【０１２６】
図２Ａを参照し続けると、成形型３００から離型加工を行い、図２Ａに示すように、まず上部型３０１を引抜くことができる。
【０１２７】
図２Ｂを参照すると、成形型３００から離型操作を行った後、回路基板アセンブリ半製品が得られる。前記回路基板アセンブリ半製品を分割した後、単一の回路基板アセンブリ１を得ることができる。
【０１２８】
本発明の別の一部の実施形態では、隣接する導電部１１の接続部は完全な金属領域であり、すなわち、導電部１１の第２の導電部１１２と隣接する別の導電部１１の第２の導電部１１２とは直接に接触している。下記の分割工程では、２つの第２の導電部１１２からなる金属ブロックを分割する必要がある。
【０１２９】
より具体的には、本発明のいくつかの例では、回路基板アセンブリ１の絶縁部１２は、回路基板アセンブリ１の上面にある一端が第１の導電部１１１と第２の導電部１１２との間でのみ観察することができる。製造工程中、隣接する第１の導電部１１１は完全な金属板であり、隣接する第２の導電部１１２は完全な金属板である。いくつかの変形例においてさえ、導電部１１の第１の導電部１１１および隣接する別の導電部１１の第２の導電部１１２は完全な金属板である。次の分割により、単一の導電部１１、および単一の導電部１１を備えた回路基板アセンブリ１が得られる。
【０１３０】
さらに、この例では、横方向において、隣接する導電部１１の第２の導電部１１２が隣接して配置され、隣接する導電部１１の第１の導電部１１１が隣接して配置される。分割過程において、単一の回路基板アセンブリ１を得ることもでき、アレイタイプの電子機器の要求を満たすように複数の回路基板アセンブリ１を得ることもできる。
【０１３１】
本発明の別のいくつかの例では、横方向において、隣接する導電部１１の第１の導電部１１１と第２の導電部１１２は、間隔を置いて配置され、すなわち、導電部１１の第１の導電部１１１と、隣接する別の導電部１１の第２の導電部１１２とが隣接する。
【０１３２】
本発明の別の態様によれば、本発明は、回路基板アセンブリ１の製造方法をさらに提供し、回路基板アセンブリ１は、電子素子を支持するために使用され、製造方法は、次のステップ：
（ａ）少なくとも１つの導電部１１を成形型３００に入れること；
（ｂ）成形型３００の上部型３０１、下部型３０２、及び導電部１１の間に成形スペース３０３を形成するように成形型３００に対して型締め操作を行うこと；
（ｃ）流体材料を成形スペース３０３に加え、成形スペース３０３を満たして成形スペース３０３内で硬化するようにすること；および
（ｄ）成形型３００に対して離型操作を行った後、回路基板アセンブリ１に一体に結合した少なくとも１つの絶縁部１２をその回路基板アセンブリ１に成形することを含む。
【０１３３】
本発明の一実施形態によれば、前記ステップ（ｄ）はさらに、下記のステップ：
複数の導電部１１と、導電部１１に一体に結合されている絶縁部１２とを含む回路基板アセンブリ半製品を形成するように、成形型３００に対して離型操作を行うこと；および
回路基板アセンブリ１を得るように回路基板アセンブリ半製品を分割することを含む。
【０１３４】
本発明の一実施形態によれば、上記の方法において、絶縁部１２の少なくとも一部は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２との間に配置され、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２を離間させる。
【０１３５】
本発明の一実施形態によれば、上記の方法において、絶縁部１２の少なくとも一部は、導電部１１の前記側面の少なく一部に形成される。
【０１３６】
本発明の一実施形態によれば、前記ステップ（ｄ）が次のように実施される。すなわち、成形型に対して離型操作を行った後、導電部１１に一体に結合されている絶縁部１２、および絶縁部１２に一体に結合されているホルダー２０が導電部１１に形成される。
【０１３７】
本発明の一実施形態によれば、上記の方法において、導電部１１の側面に一体に結合されている絶縁部１２が導電部１１に形成される。
【０１３８】
本発明の一実施形態によれば、前記ステップ（ｄ）において、導電部１１の側面と上面に一体に結合されている絶縁部１２が導電部１１に形成され、前記上面は前記電子素子を支持するために使用される。
【０１３９】
本発明の一実施形態によれば、前記ステップ（ｄ）において、導電部１１の側面と下面に一体に結合されている絶縁部１２が導電部１１に形成される。
【０１４０】
本発明の一実施形態によれば、絶縁部１２の厚さを、導電部１１の前記下面が露出するまで小さくするステップがさらに含まれる。
【０１４１】
本発明の一実施形態によれば、絶縁部１２の厚さを、導電部１１の前記上面が露出するまで小さくするステップがさらに含まれる。
【０１４２】
本発明の一実施形態によれば、絶縁部１２の厚さを、導電部１１の前記側面が露出するまで小さくするステップがさらに含まれる。
【０１４３】
本発明の一実施形態によれば、上記の方法において、導電部１１は第１の導電部１１１と第２の導電部１１２とを含み、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２は、絶縁層１２の少なくとも一部によって離間される。
【０１４４】
本発明の一実施形態によれば、上記方法では、各導電部１１は互いに独立している。
【０１４５】
本発明の一実施形態によれば、上記方法では、１つの導電部１１は、隣接する導電部１１に接続されている。
【０１４６】
さらに、この実施形態では、上部型３０１は導電部１１の前記上面に対応し、下部型３０２は導電部１１の前記下面に対応することが理解できる。言い換えれば、導電部１１は、反転して下部型３０２に入る。本発明の別のいくつかの例では、導電部１１は反転せずに下部型３０２に入ってもよい。言い換えれば、上部型３０１は導電部１１の前記下面に対応し、下部型３０２は導電部１１の前記上面に対応する。
【０１４７】
図３に、本発明による回路基板アセンブリ半製品の別の実施形態が示され、図２Ａと図２Ｂは同時に参照される。
【０１４８】
この例では、回路基板アセンブリ半製品は、複数の導電部１１と、導電部１１に一体に結合されている絶縁部１２とを含む。
【０１４９】
なお、この例では、下部型３０２への導電部１１の迅速な配置を容易にするように、導電部１１が互いに接続されている。複数の導電部１１は互いに接続されてフレームを形成する。操作するために導電部１１を下部型３０２に配置する必要がある場合、複数の導電部１１の配置を１回の操作で完成することができ、操作時間を節約し、作業効率を向上させることができる。
【０１５０】
回路基板アセンブリ半製品は、隣接する各導電部１１を接続する接続部材１３をさらに含む。接続位置によって、接続部材１３は、第１の接続部材と第２の接続部材に分けることができる。第１の接続部材は、隣接する導電部１１の第１の導電部１１１に接続されており、第２の接続部材は、隣接する導電部１１の第２の導電部１１２に接続されている。
【０１５１】
具体的には、導電部１１の第１の導電部１１１は、第１の接続部材を介して隣接する別の導電部１１の第１の導電部１１１に接続されており、導電部１１の第２の導電部１１２は、第２の接続部材を介して別の導電部１１の第２の導電部１１２に接続されている。同じ導電部１１の第１の導電部１１１と第２の導電部１１２との間には直接な接触はない。
【０１５２】
好ましくは、この例では、最終的に回路基板アセンブリ１が平坦な表面を有するように、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２は同じ高さを有する。
【０１５３】
第１の接続部材の高さは、第１の導電部１１１の高さより低く設定され、第２の接続部材の高さは、第２の導電部１１２の高さより低く設定される。
【０１５４】
成形スペース３０３は、少なくとも１つの横方向ガイド溝と、少なくとも１つの縦方向ガイド溝とを含み、前記流体材料が流れて成形型３００全体を満たすために、横方向ガイド溝と縦方向ガイド溝は互いに垂直でありかつ、互いに連通している。第１の接続部材と第２の接続部材は、それぞれ第１の前記横方向ガイド溝と前記縦方向ガイド溝にまたがる。第１の接続部材と第２の接続部材の高さがそれぞれ周りの第１の導電部１１１と第２の導電部１１２よりも低い場合、前記流体材料は、成形型３００と第１の接続部材および第２の接続部材との間の隙間を直接に通過することができるので、成形型３００全体に対して、単一の前記横方向ガイド溝または単一の前記縦方向ガイド溝が完全に貫通されることができ、成形型３００の片側に注入することで、前記流体材料を注入するプロセス全体を完成することができる。
【０１５５】
本発明のいくつかの例では、第１の接続部材および第２の接続部材の高さは、導電部１１の高さに等しく、前記横方向ガイド溝と前記縦方向ガイド溝は貫通できないので、成形スペース３０３は単一の独立した空間に仕切られ、単一の独立した空間に対して成形型３００の上下方向に流体材料を注入して、最終的に前記流体材料を成形スペース３０３全体を満たすことができる。
【０１５６】
図４は、本発明による回路基板アセンブリ１の別の実施形態を示す。
【０１５７】
回路基板アセンブリ１は回路基板１０を含み、回路基板１０は、導電部１１と、導電部１１に一体に結合されている絶縁部１２とを含み、導電部１１は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２とを含み、第１の導電部１１１は、絶縁部１２の少なくとも一部によって第２の導電部１１２と離間されている。
【０１５８】
第１の導電部１１１の縦方向断面は逆台形である。第１の導電部１１１は、上面、下面、および側面を有し、前記上面の面積が前記下面の面積よりも大きく、前記側面が内側に傾斜するように設けられている。
【０１５９】
傾斜した側面により、第１の導電部１１１は絶縁部１２によりよく支持されることが可能になり、第１の導電部１１１と絶縁部１２との間の結合強度に寄与することができる。
【０１６０】
回路基板１０は、接続部材１３の少なくとも一部をさらに含み、回路基板アセンブリ１は、回路基板アセンブリ半製品を分割してなるため、接続部材１３の一部は単一の回路基板アセンブリ１に残される。接続部材１３は、第１の導電部１１１および第２の導電部１１２にそれぞれ接続されている。
【０１６１】
さらに、本発明の別のいくつかの例では、第２の導電部１１２は、第２の導電部１１２と絶縁部１２との間の結合強度を促進するための特定の形状に設計されてもよい。第２の導電部１１２は、側面に階段状構造を形成することができ、または、第２の導電部１１２は、縦方向断面において逆台形に設計される。
【０１６２】
図５Ａを参照し、図３を参照すると、本発明による回路基板アセンブリ１の別の実施形態が示される。
【０１６３】
回路基板アセンブリ１は回路基板１０を含み、回路基板１０は、導電部１１と絶縁部１２とを含み、絶縁部１２は導電部１１に一体に形成されており、導電部１１は絶縁部１２を貫通する。導電部１１は第１の導電部１１１と第２の導電部１１２とを含み、絶縁部１２の少なくとも一部は第１の導電部１１１と第２の導電部１１２との間に位置し、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２を離間させる。
【０１６４】
絶縁部１２の少なくとも一部は第１の導電部１１１の下面の一部に支持されている。言い換えれば、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２との間に位置していない絶縁部１２は、回路基板アセンブリ１全体の面積の増加に寄与しない。
【０１６５】
導電部１１と絶縁部１２は同じ高さを有し、導電部１１、絶縁部１２、および回路基板アセンブリ１は、いずれも立方体構造である。導電部１１の第１の導電部１１１および第２の導電部１１２は、円形、三角形、または多角形であってもよく、上記の形状について説明は、本発明を限定するものではないことが理解できる。
【０１６６】
なお、この例では、回路基板アセンブリ半製品の分割過程において、最終の回路基板アセンブリ１に接続部材１３が現れないように、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２の周辺に沿って分割することができる。
【０１６７】
図５Ｂを参照し、図３を参照すると、本発明による回路基板アセンブリ１の別の実施形態が示される。
【０１６８】
回路基板アセンブリ１は回路基板１０を含み、回路基板１０は、導電部１１と絶縁部１２とを含み、絶縁部１２は導電部１１に一体に成形されており、導電部１１は絶縁部１２を貫通する。
【０１６９】
絶縁部１２は、絶縁本体１２１と絶縁フレーム１２２を含み、絶縁フレーム１２２は、導電部１１の外側に形成され、回路基板アセンブリ１の面積を水平方向に拡大することに寄与し、絶縁フレーム１２２と絶縁本体１２１は一体成形され、絶縁本体１２１は、垂直方向での回路基板アセンブリ１の面積の増加に寄与する。
【０１７０】
絶縁フレーム１２２は、導電部１１の側面に形成され、または、導電部１１の前記側面は絶縁材料によって完全に包まれている。
【０１７１】
導電部１１は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２とを含み、絶縁部１２の一部は第１の導電部１１１と第２の導電部１１２との間に位置し、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２を離間させる。絶縁部１２の一部は第１の導電部１１１に支持されている。
【０１７２】
第２の導電部１１１の上面は、第２の導電部１１１の下面より大きく、第２の導電部１１１の前記上面と他の回路基板との接触面積の減少に寄与する。
【０１７３】
回路基板アセンブリ１は、接続部材１３の少なくとも一部をさらに含み、接続部材１３は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２の側面にそれぞれ接続されている。
【０１７４】
本発明の別の一部の実施形態では、絶縁本体１２１の一部は第２の導電部１１２に支持されている。
【０１７５】
図５Ｃを参照し、図３を参照すると、本発明による回路基板アセンブリ半製品の別の実施形態が示される。
【０１７６】
ここでは、単一の回路基板アセンブリ１を例として示しているが、実際には、回路基板アセンブリ半製品は、複数の回路基板アセンブリ１を含むことができる。
【０１７７】
回路基板アセンブリ１は回路基板１０を含み、回路基板１０は、導電部１１と絶縁部１２とを含み、絶縁部１２は導電部１１に一体に成形されている。導電部１１は、上面、下面、及び側面を有し、前記上面と前記下面は対向して配置されており、前記側面は前記上面および前記下面にそれぞれ接続され、前記上面と前記下面との間に形成されている。
【０１７８】
この例では、絶縁部１２の一部は、導電部１１が絶縁部１２を貫通できないように、導電部１１の前記上面を覆う。
【０１７９】
回路基板アセンブリ１は、接続部材１３の少なくとも一部をさらに含み、接続部材１３は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２の側面にそれぞれ接続されている。
【０１８０】
さらに、回路基板アセンブリ半製品の製造プロセスは、
電子素子を導電部１１の前記上面に接続することができるように、導電部１１の前記上面を露出するステップを含む。
【０１８１】
導電部１１の前記上面にある絶縁部１２を、研磨または切削などのプロセスにより除去することができる。
【０１８２】
なお、回路基板アセンブリ半製品をまず単一または複数の回路基板アセンブリ１に分割し、次に研磨や切削によって導電部１１の前記上面を露出させてもよいこと。あるいは、研磨や切削によって導電部１１の前記上面を露出させてから、単一または複数の回路基板アセンブリ１に分割してもよい。絶縁部１２の上面を完全に除去して高さを導電部１１の上面が露出するまでに低くしてもよいし、導電部１１の対応する位置を除去して導電部１１の上面を露出するための溝を形成してもよく、この溝は、電子素子を取り付ける際の接着剤のオーバーフローを防ぐために使用できることが理解できる。
【０１８３】
図５Ｄを参照し、図３を参照すると、本発明による回路基板アセンブリ半製品の別の実施形態が示される。
【０１８４】
ここでは、単一の回路基板アセンブリ１を例として示しているが、実際には、前記回路基板アセンブリ半製品は、複数の回路基板アセンブリ１を含むことができる。
【０１８５】
回路基板アセンブリ１は回路基板１０を含み、回路基板１０は、導電部１１と絶縁部１２とを含み、絶縁部１２は導電部１１に一体に成形されている。導電部１１は、上面、下面、及び側面を有し、前記上面と前記下面は対向して配置されており、前記側面は前記上面および前記下面にそれぞれ接続され、前記上面と前記下面との間に形成されている。
【０１８６】
この例では、絶縁部１２の一部は、導電部１１が絶縁部１２を貫通できないように、導電部１１の前記下面を覆う。
【０１８７】
回路基板アセンブリ１は、接続部材１３の少なくとも一部をさらに含み、接続部材１３は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２の側面にそれぞれ接続されている。
【０１８８】
さらに、回路基板アセンブリ半製品の製造プロセスは、
電子素子を導電部１１の前記上面に接続することができるように、導電部１１の前記下面を露出するステップを含む。
【０１８９】
導電部１１の前記下面にある絶縁部１２を、研磨または切削などのプロセスにより除去することができる。
【０１９０】
なお、回路基板アセンブリ半製品をまず単一または複数の回路基板アセンブリ１に分割し、次に研磨や切削によって導電部１１の前記下面を露出させてもよい。あるいは、研磨や切削によって導電部１１の前記下面を露出させてから、単一または複数の回路基板アセンブリ１に分割してもよい。
【０１９１】
なお、本発明のいくつかの例では、絶縁部１２の一部は導電部１１の前記側面を覆い、研磨や切削によって導電部１１の前記側面を外部に露出させることができる。
【０１９２】
図６は、本発明による回路基板アセンブリ１の好ましい実施形態を示す。
【０１９３】
回路基板アセンブリ１は、回路基板１０とホルダー２０とを含み、ホルダー２０は、回路基板アセンブリ１に一体に結合されて、ホルダー２０は囲って光窓２１を形成する。回路基板アセンブリ１は、導電部１１と絶縁部１２とを含み、絶縁部１２は導電部１１に一体に成形されている。
【０１９４】
導電部１１は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２とを含み、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２は、絶縁部１２の一部により離間される。ホルダー２０は、導電部１１の側面に一体に成形されている。
【０１９５】
この例では、絶縁部１２とホルダー２０は導電部１１に一体に結合されている。絶縁部１２とホルダー２０は同じ材料で製造されており、外側にあるホルダー２０は保護機能を果たし、導電部１１の前記上面の電子素子にほこりなどが落下するのを防ぐことができ、回路基板アセンブリ１の側辺の短絡などの故障を防ぐこともできる。
【０１９６】
本発明の別のいくつかの例では、ホルダー２０は、回路基板アセンブリ１の導電部１１に接続されている；または、ホルダー２０は回路基板アセンブリ１の絶縁部１２に接続されている；または、ホルダー２０は回路基板アセンブリ１の導電部１１と絶縁部１２に接続されている。ホルダー２０の接続方法として、接着剤などの接続媒体を介する接続が挙げられる。
【０１９７】
図７は、本発明による回路基板アセンブリ１の使用方式、ＴＯＦ撮像モジュール１００を示す。
【０１９８】
ＴＯＦ撮像モジュール１００は、投光器１１０と受信ユニット１２０とを含み、投光器１１０は、撮影対象に光を放出するために使用され、光は撮影対象によって反射され、受信ユニット１２０は反射光を受信し、放出光と反射光の情報に基づいて撮影対象の深度情報を取得する。
【０１９９】
受信ユニット１２０は、光を受信するレンズアセンブリ１２０１と、光を受信して光電変換の原理に基づいて光信号を電気信号に変換する感光回路１２０２とを含む。
【０２００】
レンズアセンブリ１２０１は、光学レンズ１２０１１と基台１２０１２とをさらに含み、感光回路１２０２は感光素子１２０２１と回路基板１２０２２とを含み、光学レンズ１２０１１と投光器１１０はそれぞれ基台１２０１２に支持されており、感光素子１２０２１は電気的に回路基板１２０２２に接続されている。この例では、基台１２０１２は回路基板１２０２２に一体に成形されている。投光器１１０は電気的に基台１２０１２に接続されている。
【０２０１】
本実施形態では、電子素子は発光素子２として実施され、投光器１１０は、発光素子２と回路基板アセンブリ１とを含み、発光素子２は回路基板アセンブリ１に支持され、電気的に連通可能に回路基板アセンブリ１に接続されている。回路基板アセンブリ１は光路を提供し、発光素子２は、通電後、励起されて光路を通って外向きに光を放出することができる。
【０２０２】
回路基板アセンブリ１は、回路基板１０とホルダー２０とを含み、ホルダー２０は回路基板１０に支持されている。ホルダー２０は光窓２１を有し、発光素子２は、ホルダー２０と組み合わせて光窓２１を形成し、これによって、光は光窓２１を通って外へ放出される。
【０２０３】
発光素子２は、前面と裏面を有し、発光素子２の上記前面は、ワイヤ（配線）を介して導電部１１の第２の導電部１１２に接続されており、発光素子２の前記裏面は、導電部１１の第２の導電部１１２に直接に支持され、導電部１１に接続されている。
【０２０４】
投光器１１０は、光学補助素子３をさらに含み、ホルダー２０は、光学補助素子３を回路基板アセンブリ１上に支持し、光学補助素子３は、発光素子２の光路に保持される。光学補助素子３は、例えば、屈折、回折、及びフィルタリングの方式で発光素子２によって放出される光を変更または改善するために使用される。光学補助素子３は、屈折レンズまたは回折レンズであってもよい。当業者が理解できるように、上記の例は、光学補助素子３のタイプを制限するものではない。
【０２０５】
投光器１１０は、少なくとも１つの電子素子４をさらに含み、電子素子４は電気的に導通可能に回路基板アセンブリ１に接続されている。この例では、電子素子４の少なくとも一部は、受信ユニット１２０の回路基板１２０２２に配置され、基台１２０２１で覆われている。電子素子４は電気的に回路基板アセンブリ１に接続されている。具体的には、電子素子４は、受信ユニット１２０の回路基板１２０２２を介して投光器１１０の回路基板アセンブリ１に電気的に接続されている。
【０２０６】
さらに、本発明のいくつかの例では、発光素子２は、垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）として実施されることができる。通電後、垂直キャビティ面発光レーザは励起されてレーザー光を放出することができる。
【０２０７】
なお、垂直キャビティ面発光レーザは、正常に作動するためには特定の温度範囲内に維持する必要がある。つまり、回路基板アセンブリ１の熱放散性能は、垂直キャビティ面発光レーザの作動状態にとって非常に重要である。回路基板アセンブリ１の第１の導電部１１１は大きい熱放散面積を提供するので、前記垂直キャビティ面発光レーザは、第１の導電部１１１に支持されて正常に機能することができる。
【０２０８】
さらに、垂直キャビティ面発光レーザの裏面は負極であり、前面は正極である。垂直キャビティ面発光レーザが第１の導電部１１１と第２の導電部１１２にそれぞれ接続される場合、第１の導電部１１１は負極であり、第２の導電部１１２は正極である。
【０２０９】
図８Ａと図８Ｂは、本発明による回路基板アセンブリ１の製造プロセスを示す。
【０２１０】
図８Ａに示される段階において、成形型３００によるモールド成形工程を行うために、少なくとも１つの導電部１１を成形型３００に貼り付ける。
【０２１１】
具体的には、成形型３００は、上部型３０１と下部型３０２とを含み、成形型３００に対して型締めおよび離型操作ができるように、上部型３０１と下部型３０２のうちの少なくとも１つを操作することができる。例えば、本発明の一実施形態では、導電部１１を下部型３０２に入れて、上部型３０１と型締めた後、上部型３０１と下部型３０２との間に成形スペース３０３を形成する。つまり、下部型３０２と上部型３０１は、型締めた後に互いに連通する。上部型３０１と下部型３０２および導電部１１は、成型スペース３０３を画定する。流体材料は、成形スペース３０３を満たすことができ、これによって導電部１１に一体に結合される絶縁部１２を形成する。
【０２１２】
図８Ａを参照すると、上部型３０１は、上部成形部３０１１と上部プレス部３０１２とをさらに含み、上部プレス部３０１２は、上部成形部３０１１の周囲に配置されている。成形型３００に対して型締め工程を行った後、上部型３０１の上部プレス部３０１２は、上部型３０１の上面を押し付けることができる。
【０２１３】
上部成形部３０１１は下面を有する。成形型３００に対して型締め工程を行う時、上部成形部３０１１の前記下面の一部が導電部１１に押し付けられ、上部成形部３０１１の前記下面の一部および対応する下部型３０２の上面の一部は、流体材料の通過のための成形スペース３０３を形成する。
【０２１４】
この例では、回路基板アセンブリ１の上面および下面はいずれも平坦な表面であるため、上部成形部３０１１に対応する前記下面および下部成形型３０２１の前記上面もいずれも平坦な表面である。成形型３００全体の構造は簡単であり、製造難しさおよび製造コストが低い。
【０２１５】
さらに、上部成形部３０１１は、少なくとも１つの導電部プレス部３０１１１と、少なくとも１つの絶縁位置成形部３０１１２とを含み、導電部プレス部３０１１１は、絶縁位置成形部３０１１２に一体に延伸している。導電部プレス部３０１１１は、第１の導電部プレス部３０１１１１と第２の導電部プレス部３０１１１２とをさらに含み、絶縁位置成形部３０１１２は、第１の導電部プレス部３０１１１１と、隣接する第１の導電部プレス部３０１１１１との間に位置し、絶縁位置成形部３０１１２は、第１の導電部プレス部３０１１１１と、隣接する第２の導電部プレス部３０１１１２との間に位置し、絶縁位置成形部３０１１２は、第２の導電部プレス部３０１１１２と、隣接する第２の導電部プレス部３０１１１２との間に位置する。
【０２１６】
下部型３０２は、下部成形部３０２１と下部プレス部３０２２とを含み、下部プレス部３０２２は、下部成形部３０２１の周囲に配置されている。成形型３００に対して型締め工程を行う時、下部型３０２の下部プレス部３０２２は、上部型３０１の上部プレス部３０１２に支持されることができる。
【０２１７】
下部型３０２は、下部成形ガイド溝３０２３をさらに含み、下部成形ガイド溝３０２３は、下部プレス部３０２２と下部成形部３０２１との間に形成され、または、隣接する下部成形部３０２１と下部成形との間に形成される。
【０２１８】
下部成形部３０２１は、少なくとも１つの支持部３０２１１と、少なくとも１つの下部成形ガイド部３０２１２とを含み、支持部３０２１１と下部成形ガイド部３０２１２は、間隔を置いて配置されている。支持部３０２１１は導電部１１の下面に対応し、下部成形ガイド部３０２１２は絶縁位置成形部３０１１２と下部成形ガイド溝３０２３に対応する。後続ステップで導電部１１に一体に成形される絶縁部１２とホルダー２０を形成するように、成形スペース３０３は下部成形ガイド部３０２１２と絶縁位置成形部３０１１２および下部成形ガイド溝３０２３の間に形成されている。
【０２１９】
さらに、支持部３０２１１は、第１の導電部支持部３０２１１１と第２の導電部支持部３０２１１２とを含む。必要に応じて、導電部１１の数が複数である場合、少なくとも１つの下部成形ガイド部３０２１２は、第１の導電部支持部３０２１１１と隣接する第２の導電部支持部３０２１１２との間に位置し、少なくとも１つの下部成形ガイド部３０２１２は、第１の導電部支持部３０２１１１と隣接する第１の導電部支持部３０２１１１との間に位置し、少なくとも１つの下部成形ガイド部３０２１２は、第２の導電部支持部３０２１１２と隣接する第２の導電部支持部３０２１１２との間に位置する。
【０２２０】
成形型３００に対して型締め操作を行う場合、上部型３０１の上部成形部３０１１の導電部プレス部３０１１１と、下部型３０２の下部成形部３０２１の支持部３０２１１との間の距離は、導電部１１を収容できるちょうどいい距離に設定され、これによって、前記流体材料による導電部１１の前記上面の汚染を避けることができる。
【０２２１】
この例では、導電部１１に一体に形成されている絶縁部１２は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２を離間させるだけではなく、導電部１１の前記側面を覆うこともできる。本発明の別の一部の実施形態では、導電部１１に一体に形成されている絶縁部１２は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２を離間させ、導電部１１の前記側面の一部を覆う。本発明の別の一部の実施形態では、導電部１１に一体に形成されている絶縁部１２は、導電部１１の第１の導電部１１１と第２の導電部１１２のみに形成されている。
【０２２２】
さらに、成形型３００は、少なくとも１つのフィルム層３０４を含んでもよい。例えば、本発明のこの具体的な例では、フィルム層３０４の数は、２つであってもよく、１つのフィルム層３０４は、上部型３０１の前記下面に配置され、フィルム層３０４と前記下面が重なり、他のフィルム層３０４は、下部型３０２の内面に配置され、フィルム層３０４と下部型３０２の前記上面が重なる。フィルム層３０４と上部型３０１の前記内面と重なって互いに接続するように、フィルム層３０４を上部型３０１の前記下面に貼り付けてもよく、フィルム層３０４と下部型３０２の前記上面と重なって互いに接続するように、フィルム層３０４を下部型３０２の前記上面に貼り付けてもよい。
【０２２３】
フィルム層３０４は、製造プロセス中の導電部１１への引っかき傷などの損傷を低減するように緩衝の役割を果たすことができる。
【０２２４】
成形型３００に対して型締め操作を行う時、フィルム層３０４は、導電部１１と、上部型３０１の上部成形部３０１１の導電部プレス部３０１１１との間に保持され、また、導電部１１と、下部型３０２の下部成形部３０２１の支持部３０２１１との間に保持され、これによって、フィルム層３０４は、押される時に変形することにより、上下型３０２と導電部１１との間のギャップの生成を防止し、その結果、下記のモールド成形工程では、前記流体材料が導電部１１の前記上面と前記下面に入るのが防がれ、最終的に成形された回路基板アセンブリ１の上下両側は導電部１１を介して直接に導電することができ、導電部１１、特に導電部１１の前記上面が汚染されないようにすることができ、回路基板アセンブリ１の製品歩留りを確保できる。
【０２２５】
成形型３００に対して型締め操作を行った後、上部型３０１の上部プレス部３０１２と下部型３０２の下部プレス部３０２２が直接に互いに圧接され、成形スペース３０３は導電部１１と上、下部型３０２との間に形成される。
【０２２６】
好ましくは、この例では、最終の回路基板アセンブリ１は平坦な表面を有するように、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２は同じ高さを有する。
【０２２７】
成形スペース３０３は、少なくとも１つの横方向ガイド溝と、少なくとも１つの縦方向ガイド溝とを含み、前記流体材料が流れて成形型３００全体を満たすために、前記横方向ガイド溝と前記縦方向ガイド溝は互いに垂直であり、互いに連通している。成形型３００全体に対して、単一の前記横方向ガイド溝または単一の前記縦方向ガイド溝が完全に貫通されることができ、成形型３００の片側に注入することで、流体材料を注入するプロセス全体を完成することができる。
【０２２８】
図８Ａを参照し続けると、前記流体材料は少なくとも１つの成形スペース３０３に添加され、トランスファーモールド成形工程またはプレスモールド成形工程を通して、前記流体材料は、すべての成形スペース３０３を満たして絶縁部１２を形成し、その結果、絶縁部１２と導電部１１は一体に成形される。
【０２２９】
前記流体材料は、流れることができれば、液体、固体、または固体と液体の混合物などであってもよい。前記流体材料は熱硬化性材料であってもよい。勿論、本技術分野の当業者は、前記流体材料の材料がこれらに限られていないことを知っているべきである。
【０２３０】
図８Ａを参照し続けると、成形型３００に対して離型操作を行い、図８Ａに示すように、まず上部型３０１を引抜くことができる。
【０２３１】
図８Ｂを参照すると、成形型３００に対して離型操作を行った後、前記回路基板アセンブリ半製品が得られる。前記回路基板アセンブリ半製品を分割した後、単一の回路基板アセンブリ１を得ることができる。
【０２３２】
さらに、この例では、横方向において、隣接する導電部１１の第２の導電部１１２が隣接して配置され、隣接する導電部１１の第１の導電部１１１が隣接して配置される。分割過程において、単一の回路基板アセンブリ１を得ることもでき、複数の回路基板アセンブリ１を得ることもできるので、アレイタイプの電子機器の要求を満たすことができる。
【０２３３】
本発明の別のいくつかの例では、横方向において、隣接する導電部１１の第１の導電部１１１と第２の導電部１１２は、間隔を置いて配置され、すなわち、導電部１１の第１の導電部１１１と、隣接する別の導電部１１の第２の導電部１１２とが隣接している。
【０２３４】
なお、下部型３０２の下部成形ガイド溝３０２３の対応する位置にホルダー２０の上端が形成される。下部成形ガイド溝３０２３の形状は、ホルダー２０の形状を決定する。
【０２３５】
ホルダー２０は、高い端と低い端とを有し、前記低い端は回路基板アセンブリ１に接続され、前記高い端は、光学補助素子３を支持するために使用でき、ホルダー２０の前記高い端は、光学補助素子３を安定的に支持するように、傾斜した構造を有してもよい。光学補助素子３は、上から下に向かって内側に傾斜するように設けられた側面を有する。
【０２３６】
本発明の別の態様によれば、回路基板アセンブリ１の製造方法が提供され、製造方法は、次のステップ：
（ａ）少なくとも１つの導電部１１を成形型３００に入れること；
（ｂ）成形型３００の上部型３０１、下部型３０２、及び導電部１１の間に成形スペース３０３を形成するように成形型３００に対して型締め操作を行うこと；
（ｃ）流体材料を成形スペース３０３に加え、前記流体材料が成形スペース３０３を満たして成形スペース３０３内で硬化するようにすること；および
（ｄ）成形型３００に対して離型操作を行った後、回路基板アセンブリ１に一体に結合した少なくとも１つの絶縁部１２と少なくとも１つのホルダー２０をその回路基板アセンブリ１に成形して回路基板アセンブリ１を形成することを含む。
【０２３７】
本発明の一実施形態によれば、導電部１１はエッチングプロセスにより形成され、導電部１１の側面は、内側に傾斜するように設けられている。
【０２３８】
本発明の一実施形態によれば、ステップ（ｄ）はさらに、下記のステップ：
複数の導電部１１と、導電部１１に一体に結合されている絶縁部１２とホルダー２０とを含む回路基板アセンブリ半製品を形成するように、成形型３００に対して離型操作を行うこと；および
回路基板アセンブリ１を得るように回路基板アセンブリ半製品を分割することを含む。
【０２３９】
本発明の一実施形態によれば、ホルダー２０は導電部１１の側面に一体に結合されている。
【０２４０】
本発明の一実施形態によれば、ホルダー２０は絶縁部１２の側面に一体に結合されている。
【０２４１】
本発明の一実施形態によれば、上記の方法において、絶縁部１２の少なくとも一部は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２との間に配置され、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２を離間させる。
【０２４２】
本発明の一実施形態によれば、上記の方法において、絶縁部１２の少なくとも一部は、導電部１１の前記側面の少なく一部に形成される。
【０２４３】
本発明の一実施形態によれば、ステップ（ｄ）が次のように実施される。すなわち、成形型３００に対して離型操作を行った後、導電部１１に一体に結合されている絶縁部１２、および絶縁部１２に一体に結合されているホルダー２０が、導電部１１に形成される。
【０２４４】
本発明の一実施形態によれば、上記の方法において、導電部１１の側面に一体に結合されている絶縁部１２が導電部１１に形成される。
【０２４５】
本発明の一実施形態によれば、ステップ（ｄ）において、導電部１１の側面と上面に一体に結合されている絶縁部１２が導電部１１に形成され、前記上面は電子素子を支持するために使用される。
【０２４６】
本発明の一実施形態によれば、ステップ（ｄ）において、導電部１１の側面と下面に一体に結合されている絶縁部１２が導電部１１に形成される。
【０２４７】
本発明の一実施形態によれば、絶縁部１２の厚さを、導電部１１の前記下面が露出するまで小さくするステップがさらに含まれる。
【０２４８】
本発明の一実施形態によれば、絶縁部１２の厚さを、導電部１１の前記上面が露出するまで小さくするステップがさらに含まれる。
【０２４９】
本発明の一実施形態によれば、絶縁部１２の厚さを、導電部１１の前記側面が露出するまで小さくするステップがさらに含まれる。
【０２５０】
本発明の一実施形態によれば、上記の方法において、導電部１１は第１の導電部１１１と第２の導電部１１２とを含み、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２は、絶縁層１２の少なくとも一部によって離間される。
【０２５１】
本発明の一実施形態によれば、上記方法では、各導電部１１は互いに独立している。
【０２５２】
本発明の一実施形態によれば、上記方法では、１つの導電部１１は、隣接する導電部１１に接続されている。
【０２５３】
本発明の別の方面によれば、回路基板アセンブリ半製品の製造方法が提供され、製造方法は、次のステップ：
（ａ）複数の導電部１１を成形型３００に入れること；
（ｂ）成形型３００の上部型３０１、下部型３０２、及び導電部１１の間に成形スペース３０３を形成するように成形型３００に対して型締め操作を行うこと；
（ｃ）絶縁性を有する流体材料を成形スペース３０３に加えて、前記流体材料が成形スペース３０３を満たして成形スペース３０３内で硬化するようにすること；および
（ｄ）成形型３００に対して離型操作を行った後、各導電部１１に一体に結合した絶縁部１２をその導電部１１に形成して回路基板アセンブリ半製品を得ることを含む。
【０２５４】
なお、複数の導電部１１が導電性ジョイントパネルであってもよい。このようにして、導電部１１の配置を一つの成形型３００において一度に完成することができ、プロセスを節約し、作業効率を高めることができる。
【０２５５】
本発明の一実施形態によれば、上記方法では、各導電部１１は、隣接する導電部１１に接続されている。
【０２５６】
本発明の一実施形態によれば、上記の方法において、導電部１１は第１の導電部１１１と第２の導電部１１２とを含み、絶縁部１２は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２に一体に成形されており、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２は、絶縁層１２の少なくとも一部によって離間される。
【０２５７】
本発明の一実施形態によれば、１つの導電部１１の第１の導電部１１１は、隣接する導電部１１の第１の導電部１１１に接続されている。
【０２５８】
本発明の一実施形態によれば、１つの導電部１１の第２の導電部１１２は、隣接する導電部１１の第２の導電部１１２に接続されている。
【０２５９】
本発明の一実施形態によれば、１つの導電部１１の第１の導電部１１１は、隣接する導電部１１の第２の導電部１１２に接続されている。
【０２６０】
本発明の一部の実施形態によれば、上記方法において、
複数の導電部１１を形成するように銅板をエッチングするステップをさらに含む。
【０２６１】
図９は、本発明によるＴＯＦ撮像モジュール１００の別の実施形態を示す。
【０２６２】
ＴＯＦ撮像モジュール１００は、投光器１１０と受信ユニット１２０とを含み、投光器１１０は、撮影対象に光を放出するために使用され、光は前記撮影対象によって反射され、受信ユニット１２０は反射光を受信し、放出光と反射光の情報に基づいて撮影対象の深度情報を取得する。
【０２６３】
受信ユニット１２０は、光を受信するレンズアセンブリ１２０１と、光を受信して光電変換の原理に基づいて光信号を電気信号に変換する感光回路１２０２とを含む。レンズアセンブリ１２０１は、光学レンズ１２０１と基台１２０２とをさらに含み、感光回路１２０２は感光素子１２０２１と回路基板１２０２２とを含み、光学レンズ１２０１と投光器１１０はそれぞれ基台１２０２に支持されており、感光素子１２０２１は電気的に回路基板１２０２２に接続されている。この例では、基台１２０２は回路基板１２０２２に一体に成形されている。投光器１１０は電気的に基台１２０２に接続されている。
【０２６４】
回路基板アセンブリ１は、導電部１１と絶縁部１２とを含む。導電部１１は、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２とを含み、第１の導電部１１１と第２の導電部１１２が直接に接触しないように絶縁部１２によって離間されている。
【０２６５】
導電部１１は、第３の導電部１１３と第４の導電部１１４とをさらに含む。第３の導電部１１３をその他の導電部１１と離間するように、第３の導電部１１３の周りは絶縁部１２によって包まれ、第４の導電部１１４をその他の導電部１１と離間するように、第４の導電部１１４の周りは絶縁部１２によって包まれる。さらに、第３の導電部１１３は、絶縁部１２に延伸し、例えば、絶縁部１２を貫通し、他の電子素子は、第３の導電部１１３に配置して第３の導電部１１３を介して導電することができる。
【０２６６】
第１の導電部１１１に前記電子素子が配置されてもよい。本実施形態では、電子素子は発光素子２として実施され、投光器１１０は、発光素子２と回路基板アセンブリ１とを含み、発光素子２は回路基板アセンブリ１に支持され、電気的に連通可能に回路基板アセンブリ１に接続されている。回路基板アセンブリ１は光路を提供し、発光素子２は、通電後、励起されて光路を通って外向きに光を放出することができる。
【０２６７】
発光素子２は、前面と裏面を有し、発光素子２の前記前面は、ワイヤを介して導電部１１の第２の導電部１１２に接続されており、発光素子２の前記裏面は、導電部１１に直接に支持され、導電部１１に接続されている。
【０２６８】
投光器１１０は、少なくとも１つの電子素子４をさらに含み、電子素子４は電気的に回路基板アセンブリ１に接続されている。この例では、電子素子４の少なくとも一部は、受信ユニット１２０の回路基板１２０２２に配置され、基台１２０２１上で覆われている。電子素子４は電気的に回路基板アセンブリ１に接続されている。具体的には、電子素子４は、受信ユニット１２０の回路基板１２０２２を介して投光器１１０の回路基板アセンブリ１に電気的に接続されている。
【０２６９】
本発明のいくつかの例では、発光素子２は、垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）として実施されることができる。通電後、前記垂直キャビティ面発光レーザは励起されてレーザー光を放出することができる。
【０２７０】
なお、垂直キャビティ面発光レーザは、正常に作動するためには特定の温度範囲内に維持する必要がある。つまり、回路基板アセンブリ１の熱放散性能は、前記垂直キャビティ面発光レーザの作動状態にとって非常に重要である。回路基板アセンブリ１の第１の導電部１１１は大きい熱放散面積を提供するので、前記垂直キャビティ面発光レーザは、第１の導電部１１１に支持されて正常に機能することができる。
【０２７１】
さらに、前記垂直キャビティ面発光レーザの裏面は負極であり、前面は正極である。前記垂直キャビティ面発光レーザが第１の導電部１１１と第２の導電部１１２にそれぞれ接続される場合、第１の導電部１１１は負極であり、第２の導電部１１２は正極である。
【０２７２】
本発明の別の方面によれば、回路基板アセンブリ１の熱放散方法は、下記のステップ：
電子素子によって生成された熱を、前記電子素子の前記裏面から第１の導電部１１１の前記上面に伝達するように誘導すること；
熱を第１の導電部１１１の前記下面に熱伝導すること；および
熱を外へ放散することを含む。
【０２７３】
本発明の一部の実施形態によれば、前記電子素子は発光素子２である。
【０２７４】
本発明の一部の実施形態によれば、前記電子素子の前記前面は、第２の導電部１１２に電気的に接続されている。
【０２７５】
本発明の別の方面によれば、本発明は、電子機器本体２００と、主回路基板とを含む、電子機器１０００を提供し、主回路基板は電子機器本体２００に配置され、電気的に電子機器本体２００に接続されている。
【０２７６】
電子機器１０００は、フレキシブル回路基板を備えた投光器１１０をさらに含み、投光器１１０は、電子機器の主回路基板に電気的に接続されることができる。
【０２７７】
本発明の別のいくつかの例では、電子機器１０００は投光器１１０をさらに含み、投光器１１０は、電子機器１０００の前記主回路基板に電気的に取り付けられている。具体的には、投光器１１０の回路基板アセンブリは、電子機器１０００の主回路基板に電気的に接続できる。
【０２７８】
なお、投光器１１０、受信ユニット１２０、および撮像モジュールは、電子機器本体２００に同時に取り付けられることができ、投光器１１０、受信ユニット１２０、および撮像モジュールは組立体によって１つの全体を形成することができる。
【０２７９】
図１０Ａは、本発明による投光器１１０Ａの一実施形態を示す。具体的には、本発明の別の態様によれば、本発明は、フレキシブル回路基板５Ａを備えた投光器１１０Ａを提供し、投光器１１０Ａは、受信ユニット１２０Ａに取り付けられてＴＯＦ撮像モジュール１００Ａを組み立てることができる。
【０２８０】
投光器１１０Ａは、上記の製造方法によって製造された回路基板アセンブリ１Ａ、発光素子２Ａ、ホルダー２０Ａ、少なくとも１つの電子素子４Ａ、およびフレキシブル回路基板５Ａを含み、ホルダー２０Ａは光窓２１Ａを形成し、発光素子２Ａは、回路基板アセンブリ１Ａに電気的に支持されており、フレキシブル回路基板５Ａは、回路基板アセンブリ１Ａに電気的に接続されており、電子素子４Ａは、回路基板アセンブリ１Ａおよび発光素子２Ａに電気的に接続されている。投光器１１０Ａは、光学補助素子３Ａをさらに含むことができ、光学補助素子３Ａはホルダー２０Ａに支持され、発光素子２Ａから放出された光は、光学補助素子３Ａの作用下で外へ放出される。フレキシブル回路基板５Ａは、導電性接着剤によって回路基板アセンブリ１Ａに電気的に接続されてもよいし、係止溝によって回路基板アセンブリ１Ａに電気的に接続されてもよい。
【０２８１】
回路基板アセンブリ１Ａは、回路基板１０Ａとホルダー２０Ａとを含み、ホルダー２０Ａは回路基板１０Ａに接続されており、回路基板１０Ａは、導電部１１Ａと絶縁部１２Ａとを含み、絶縁部１２Ａは導電部１１Ａに一体に形成されており、導電部１１Ａは、第１の導電部１１１Ａと第２の導電部１１２Ａとを含み、第１の導電部１１１Ａと第２の導電部１１２Ａは絶縁部１２Ａにより離間され、発光素子２Ａは第１の導電部１１１Ａに電気的に支持されている。
【０２８２】
受信ユニット１２０Ａは、レンズアセンブリ１２０１Ａと、感光回路１２０２Ａとを含み、感光回路１２０２Ａは、感光素子１２０２１Ａと第１の回路基板１２０２２Ａとを含み、レンズアセンブリ１２０１Ａは光路を提供し、光がその光路を通って感光素子１２０２１Ａに到達して光電変換される。感光素子１２０２１Ａは第１の回路基板１２０２２Ａに電気的に接続されている。この例では、投光器１１０Ａのサイズの減少のために、投光器１１０Ａの電子素子４Ａの少なくとも一部が受信ユニット１２０Ａの第１の回路基板１２０２２Ａに配置されている。
【０２８３】
フレキシブル回路基板５Ａを備えた投光器１１０Ａは、フレキシブル回路基板５Ａを通して受信ユニット１２０Ａに取り付けられることができる。受信ユニット１２０Ａの第１の回路基板１２０２２Ａは、フレキシブル回路基板５Ａに電気的に接続されている。
【０２８４】
図１０Ｂを参照すると、本発明の別の態様によれば、投光器１１０Ｂが提供されている。投光器１１０Ｂは、フレキシブル回路基板を備えた受信ユニット１２０Ｂに取り付けられてＴＯＦ撮像モジュール１００Ｂを組み立てることができる。
【０２８５】
投光器１１０Ｂは、上記の製造方法によって製造された回路基板アセンブリ１Ｂ、発光素子２Ｂ、ホルダー２０Ｂ、少なくとも１つの電子素子４Ｂ、およびフレキシブル回路基板５Ｂを含み、ホルダー２０Ｂは光窓２１Ｂを形成し、発光素子２Ｂは、回路基板アセンブリ１Ｂに電気的に接続され、回路基板アセンブリ１Ｂに支持されており、電子素子４Ｂは、回路基板アセンブリ１Ｂおよび発光素子２Ｂに電気的に接続されている。投光器１１０Ｂは、光学補助素子３Ｂをさらに含むことができ、光学補助素子３Ｂはホルダー２０Ｂに支持され、発光素子２Ｂから放出された光は、光学補助素子３Ｂの作用下で外へ放出される。
【０２８６】
回路基板アセンブリ１Ｂは、回路基板１０Ｂとホルダー２０Ｂとを含み、ホルダー２０Ｂは回路基板１０Ｂに接続されており、回路基板１０Ｂは、導電部１１Ｂと絶縁部１２Ｂとを含み、絶縁部１２Ｂは導電部１１Ｂに一体に成形されており、導電部１１Ｂは、第１の導電部１１１Ｂと第２の導電部１１２Ｂとを含み、第１の導電部１１１Ｂと第２の導電部１１２Ｂは絶縁部１２Ｂにより離間され、発光素子２Ｂは第１の導電部１１１Ｂに電気的に支持されている。
【０２８７】
受信ユニット１２０Ｂは、レンズアセンブリ１２０１Ｂと、感光アセンブリ１２０２Ｂとを含み、感光アセンブリ１２０２Ｂは、感光素子１２０２１Ｂと第１の回路基板１２０２２Ｂとを含み、レンズアセンブリ１２０１Ｂは光路を提供し、光がその光路を通って感光素子１２０２１Ｂに到達して光電変換される。感光素子１２０２１Ｂは第１の回路基板１２０２２Ｂに電気的に接続されている。フレキシブル回路基板５Ｂは、第１の回路基板１２０２２Ｂに電気的に接続されている。フレキシブル回路基板５Ｂは、導電性接着剤によって受信ユニット１２０Ｂの第１の回路基板１２０２２Ｂに接続されてもよいし、係止溝によって受信ユニット１２０Ｂの第１の回路基板１２０２２Ｂに接続されてもよいことが理解できる。この例では、投光器１１０Ｂのサイズの減少のために、投光器１１０Ｂの電子素子４Ｂの少なくとも一部が受信ユニット１２０Ｂの第１の回路基板１２０２２Ｂに配置されている。
【０２８８】
投光器１１０Ｂは、受信ユニット１２０Ｂのフレキシブル回路基板５Ｂに電気的に接続されることによって受信ユニット上に組み立てられ、ＴＯＦ撮像モジュール１００Ｂを形成する。
【０２８９】
上記記載および図面に示された本発明の実施形態は例示に過ぎず、本発明を限定するものではないと当業者は理解すべきである。本発明の目的は完全で効果的に実現されている。本発明の機能および構造の原理は実施例において開示および説明されており、前記原理に反しない限り、本発明の実施形態について如何なる変形または改善をすることができる。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【手続補正書】
【提出日】令和3年2月22日(2021.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子を支持するための回路基板アセンブリであって、
導電部と、
前記導電部に一体に結合されている絶縁部とを含み、
前記導電部は、第１の導電部と第２の導電部を含み、前記電子素子が前記第１の導電部に支持され、前記第１の導電部が前記絶縁部を貫通し、前記第１の導電部と前記第２の導電部が前記絶縁部の少なくとも一部によって離間されており、前記第１の導電部が上面を有し、前記第２の導電部が上面を有し、前記第１の導電部の前記上面が前記第２の導電部の前記上面より大きい、ことを特徴とする、回路基板アセンブリ。
【請求項２】
前記第１の導電部は、傾斜するように設置された側面を有する、請求項１に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項３】
前記側面が内側に傾斜するように設置されている、請求項２に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項４】
前記側面が階段状に設置されている、請求項２に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項５】
前記第１の導電部は、対向して配置されている上面と下面を有し、前記上面が前記下面より大きい、請求項１に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項６】
前記回路基板アセンブリはさらに接続部材を含み、前記接続部材は２つの端部を有し、前記接続部材の一端は前記導電部に接続され、前記接続部材の他端は露出され、前記絶縁部は前記接続部材に一体に成形されている、請求項１に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項７】
前記導電部は側面を有し、前記絶縁部の少なくとも一部が前記導電部の前記側面に一体に結合されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項８】
前記導電部の前記側面の全面が前記絶縁部に覆われている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項９】
前記回路基板アセンブリはさらにホルダーを含み、前記ホルダーは光窓を形成し、前記回路基板に接続され、前記光窓は前記電子素子に光路を提供する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項１０】
前記ホルダーは、接続媒体を介して前記回路基板に接続されている、請求項９に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項１１】
前記ホルダーは前記導電部に一体に結合されている、または、前記ホルダーは前記絶縁部に一体に結合されている、または、前記ホルダーは前記導電部と前記絶縁部に一体に結合されている、請求項９に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項１２】
前記導電部は、第３の導電部と第４の導電部とを含み、前記絶縁部は、前記第３の導電部と前記第４の導電部に一体に成形され、前記第１の導電部、前記第２の導電部、前記第３の導電部、および前記第４の導電部はそれぞれ前記絶縁部によって離間されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ。
【請求項１３】
複数の導電部と複数の絶縁部を含み、前記導電部が第１の導電部と第２の導電部とを含み、前記絶縁部が前記第１の導電部と前記第２の導電部に一体に成形され、前記第１の導電部と前記第２の導電部が絶縁部の少なくとも一部によって離間されており、隣接する前記導電部が互いに接続されている、ことを特徴とする、
回路基板アセンブリ半製品。
【請求項１４】
１つの前記導電部の前記第１の導電部は、隣接する前記導電部の前記第１の導電部に接続されている、請求項１３に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項１５】
１つの前記導電部の前記第２の導電部は、隣接する前記導電部の前記第２の導電部に接続されている、請求項１３に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項１６】
１つの前記導電部の前記第２の導電部は、隣接する前記導電部の前記第２の導電部に接続されている、請求項１４に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項１７】
１つの前記導電部の前記第１の導電部は、隣接する前記導電部の前記第２の導電部に接続されている、請求項１３に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項１８】
前記第１の導電部は上面を有し、前記第２の導電部は上面を有し、前記第１の導電部の前記上面が前記第２の導電部の前記上面より大きい、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項１９】
前記第１の導電部は、対向して配置されている上面と下面を有し、前記第１の導電部の前記上面が前記第１の導電部の前記下面より大きい、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【請求項２０】
前記導電部は第３の導電部を含み、前記絶縁部の少なくとも一部が前記第１の導電部と前記第３の導電部を離間しており、前記絶縁部の少なくとも一部が前記第２の導電部と前記第３の導電部を離間している、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の回路基板アセンブリ半製品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７２】
第１の導電部１１１の上面は、第１の導電部１１１の下面より大きく、第１の導電部１１１の前記上面と他の回路基板との接触面積の減少に寄与する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１７】
下部型３０２は、下部成形ガイド溝３０２３をさらに含み、下部成形ガイド溝３０２３は、下部プレス部３０２２と下部成形部３０２１との間に形成され、または、隣接する下部成形部３０２１の間に形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６３】
受信ユニット１２０は、光を受信するレンズアセンブリ１２０１と、光を受信して光電変換の原理に基づいて光信号を電気信号に変換する感光回路１２０２とを含む。レンズアセンブリ１２０１は、光学レンズ１２０１１と基台１２０１２とをさらに含み、感光回路１２０２は感光素子１２０２１と回路基板１２０２２とを含み、光学レンズ１２０１１と投光器１１０はそれぞれ基台１２０１２に支持されており、感光素子１２０２１は電気的に回路基板１２０２２に接続されている。この例では、基台１２０１２は回路基板１２０２２に一体に成形されている。投光器１１０は電気的に基台１２０１２に接続されている。
【国際調査報告】
2021535598.tif 000021
2021535598.tif 000022
2021535598.tif 000023
2021535598.tif 000024