(57)【要約】本発明は、平坦な基板８上に層を堆積するための装置に関し、加熱装置６により加熱可能でありその上面に基板８及びそれを囲むカバープレート１０、１５、１６が配置されており、その上面がプロセスチャンバに対向するサセプタ１を有する。各内側カバープレート１０は、サセプタ１の中心Ｍに向き基板８の縁部８’に隣接するエッジ２０を形成し、中心Ｍの周りで周方向に互いに隣り合って配置された２つのカバープレート１０は、分離接合部１１で互いに隣接している。本発明によれば、分離接合部１１が、サセプタ１の中心Ｍ及び基板８の中心１３を径方向に通って引かれた半径ラインに対して角度αをなして配置されている。
2021527333.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な基板（８）上に層を堆積するための装置の形態である装置であって、加熱装置（６）により加熱可能なサセプタ（１）を有し、前記基板（８）及び前記基板を囲むカバープレート（１０，１５，１６）が、プロセスチャンバに対向する前記サセプタ（１）の上面に配置されており、内側カバープレート（１０）がそれぞれ、前記サセプタ（１）の中心（Ｍ）に向いた前記基板（８）の縁部（８’）との境界を画すエッジ（２０）を形成しており、かつ、前記中心（Ｍ）の周りで周方向に互いに隣り合って配置された２つのカバープレート（１０）が、分離接合部（１１）にて互いに境界を画している、前記装置において、
前記分離接合部（１１）が、前記サセプタ（１）の中心（Ｍ）及び前記基板（８）の中心（１３）を通って径方向に引かれた半径ライン（１２）に対して所定の角度（α）だけ角度的に逸れて延在し、かつ、前記分離接合部（１１）又は前記分離接合部（１１）を延ばしたライン（１１’）と前記半径ライン（１２）との交点（１４）が、前記中心（Ｍ）から径方向外側に位置することを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置用のサセプタ装置の形態の装置であって、前記基板（８）及び前記基板を囲むカバープレート（１０，１５，１６）が、プロセスチャンバに対向する前記サセプタ（１）の上面に配置されており、内側カバープレート（１０）がそれぞれ、前記サセプタ（１）の中心（Ｍ）に向いた前記基板（８）の縁部（８’）との境界を画すエッジ（２０）を形成しており、かつ、前記中心（Ｍ）の周りで周方向に互いに隣り合って配置された２つのカバープレート（１０）が、分離接合部（１１）にて互いに境界を画している、前記装置において、
前記分離接合部（１１）が、前記サセプタ（１）の中心（Ｍ）及び前記基板（８）の中心（１３）を通って径方向に引かれた半径ライン（１２）に対して所定の角度（α）だけ角度的に逸れて延在し、かつ、前記分離接合部（１１）又は前記分離接合部（１１）を延ばしたライン（１１’）と前記半径ライン（１２）との交点（１４）が、前記中心（Ｍ）から径方向外側に位置することを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の装置におけるカバープレートの形態の装置であって、前記カバープレート（１０）が、円弧ライン上に延在しかつ基板（８）の縁部（８’）に接触するために用いられるエッジ（２０）を形成し、かつ、複数の同形のカバープレート（１０）は、分離接合部（１１）にて側方エッジ（２２、２３）が互いに境界を画すように中心の周りで周方向に互いに隣り合って配置可能である、前記装置において、
前記分離接合部（１１）が、前記サセプタ（１）の中心（Ｍ）及び前記基板（８）の中心（１３）を通って径方向に引かれた半径ライン（１２）に対して所定の角度（α）だけ角度的に逸れて延在することを特徴とする装置。
【請求項４】
ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｓＰ、又はその他の半導体層を堆積するためのＣＶＤリアクタにおける請求項１に記載の装置、請求項２に記載のサセプタ装置、又は請求項３に記載のカバープレートの使用であって、ガス状開始物質、特にケイ素と炭素、又は、ガリウムと窒素、ガリウム、ヒ素と窒素、又は、ヒ素とリンを含む開始物質が、ガス入口（７）を通してＣＶＤリアクタのプロセスチャンバ（２）内に供給され、かつ、前記基板（８）が、加熱装置（６）により６００℃、８００℃、又は１０００℃、好ましくは１３００℃を超える温度に加熱される使用。
【請求項５】
前記分離接合部（１１）を通って引かれたライン（１１’）が、前記基板（８）との境界を画す前記カバープレート（１０）のエッジ（２０）を通って延在することを特徴とする請求項１に記載の装置、請求項２に記載のサセプタ装置、請求項３に記載のカバープレート、又は請求項４に記載の使用。
【請求項６】
前記交点（１４）と前記中心（Ｍ）との間の距離が、１０ｍｍ又は２０ｍｍより大きいことを特徴とする請求項１若しくは５に記載の装置、請求項２若しくは５に記載のサセプタ装置、請求項３若しくは５に記載のカバープレート、又は、請求項４若しくは５に記載の使用。
【請求項７】
カバープレート（１０）が、少なくとも２つの基板（８）を径方向内側で囲むことを特徴とする前出請求項の１つに記載の装置又は使用。
【請求項８】
前記分離接合部（１１）を延ばしたライン（１１’）と前記半径ライン（１２）との角度（α）が、１０度〜４０度の範囲内に、好ましくは２０度〜３０度の範囲内にあることを特徴とする前出請求項の１つに記載の装置又は使用。
【請求項９】
前記内側カバープレート（１０）の径方向外側に配置された外側カバープレート（１５）を特徴とする前出請求項の１つに記載の装置又は使用。
【請求項１０】
中央カバープレート（１６）が設けられることを特徴とする前出請求項の１つに記載の装置又は使用。
【請求項１１】
外側カバープレート（１５）が、前記外側カバープレート（１０）の径方向外側のエッジに向いて開口するチャネル（１９）を形成することを特徴とする前出請求項の１つに記載の装置又は使用。
【請求項１２】
周方向に延在して外側カバープレート（１５）との境界を画す周囲エッジ（２５）がそれぞれ、円弧ラインに沿って延在するエッジ（２４）同士の間に延在することを特徴とする前出請求項の１つに記載の装置又は使用。
【請求項１３】
円弧ラインに沿って延在する内側エッジ（２１）が、中央カバープレート（１６）との境界を画すことを特徴とする前出請求項の１つに記載の装置又は使用。
【請求項１４】
分離接合部（１１）にて境界を画す側方エッジ（２２）が、前記基板（８）の中心（１３）と２つの隣り合う基板（８）の中心（１３）同士の間の接続ラインの中点とを通って延びる半径ラインと平行に延在することを特徴とする請求項１、２、３の基本概念による装置他は請求項４の基本概念による使用。
【請求項１５】
前出請求項の１つの特徴的な構成の１つ以上を特徴とする装置、サセプタ装置、カバープレート、又は使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平坦な基板上に層を堆積するための装置に関し、加熱装置により加熱可能なサセプタを有し、基板及び基板を囲むカバープレートが、プロセスチャンバに対向するサセプタの上面に配置されており、内側カバープレートがそれぞれ、サセプタの中心に向いた基板の縁部と境界と画すエッジを形成しており、かつ、中心の周りに周方向に互いに隣り合って配置された２つのカバープレートが、分離接合部にて互いに境界を画している。
【０００２】
本発明はさらに、そのような装置用のサセプタ装置に関する。
【０００３】
本発明はさらに、上述したタイプのカバープレート、並びにＳｉＣ層を堆積するための装置、サセプタカバー及びカバープレートの使用に関し、ケイ素及び炭素を含むガス状開始物質が、ガス入口を通ってＣＶＤリアクタのプロセスチャンバ内に供給され、かつ基板が、加熱装置により１０００℃を超える、好ましくは１３００℃を超える温度に加熱される。
【０００４】
ＳｉＣ層を堆積するための装置は、リアクタハウジングと、リアクタハウジング内に配置されたサセプタと、ガス入口と、ガス出口とを備えている。サセプタは、加熱装置により、特にその下面から、１０００℃を超える、特に１５００℃を超える温度に加熱される。２つのプロセスガスと搬送ガスとからなる混合ガスを、ガス入口を通してサセプタとプロセスチャンバ天井との間のプロセスチャンバ内に供給する。搬送ガスは、希ガス、水素又は窒素とすることができる。プロセスガスは、ケイ素と炭素とを含む。炭素を含むプロセスガスは、炭化水素から構成することができる。ケイ素を含むプロセスガスは、ケイ素と水素の化合物から構成することができる。
【０００５】
また、このようなプロセスチャンバには、プロセスチャンバを洗浄するために、ＨＣｌなどの洗浄ガスを供給してもよい。
【０００６】
複数の基板が、プロセスチャンバに対向するサセプタの表面上に、特に、例えばコーティングされたグラファイトからなるサセプタの中心の周りに延在する円周ライン上に互いに隣り合って位置している。さらに、同様にコーティングすることができるカバープレートが、サセプタの表面上に配置されている。内側カバープレートが設けられており、その径方向外側に向いたエッジと、中心に向いた基板の縁部とが隣り合っている。同一形状のカバープレートが複数設けられており、それらのカバープレートは、周方向に隣接して配置され、分離接合部で互いに境界を画している。
【背景技術】
【０００７】
先行技術から知られた装置では、分離接合部が径方向に延びている。分離接合部を通って延びる仮想的な延長ラインは、サセプタの中心と基板の中心とを通って延びている。
【０００８】
厚い層が堆積すると、カバープレートに張力が発生する。その張力により、カバープレートのエッジが浮き上がる。これらの問題は、開始物質の流れ方向が径方向に延在する場合、特にサセプタが中心の周りで回転しているとき、基板上に不均一に堆積された層を生じることとなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、横方向における層の厚さの均一性を向上させるための手段を開示することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的は、請求の範囲で特定された本発明により達成される。
【００１１】
先ず、本質的に、分離接合部が、中心を通って径方向に引かれた半径ラインに対して所定の角度だけ角度的に逸れていることが提示される。驚くべきことに、このような分離接合部の延在方向の変更によって、先行技術よりも良好な層厚の均質性がもたらされることが決定された。これは特に、プロセスガスが、プロセスチャンバの中心に配置されたガス入口要素を通って供給され、内側カバープレート及びそれらにより囲まれた基板の上を径方向に外側に向かって流れる場合に言えることである。この場合、サセプタは、中心の周りで回転駆動されてもよい。さらに、中心の周りに円弧ライン上に配置された個々の基板を回転駆動することも可能である。このために、それらの基板は、円形ディスク形状を有してそれらの中心の周りで回転駆動可能な基板キャリア上に配置されている。これは、ガスジェット駆動を用いて実現される。ガスチャネルが、サセプタ内に延びてサセプタの上面へと繋がっている。基板キャリアは、これらのチャネルの出口領域に配置され、それらの出口により形成された適切な配置のノズルによりガスクッション上に載ると共に回転駆動される。
本発明の一態様によれば、分離接合部を通って引かれた線が、基板との境界を画す内側カバープレートのエッジを通って延びていることが提示される。このカバープレートのエッジは、好ましくは円弧ライン上に延在している。分離接合部を通るラインは、基板の中心も、サセプタの中心も通らないで延びている。本発明に一態様によれば、分離接合部の延長ラインと半径ラインとの交点が、サセプタ中心から径方向外側に位置することが提示される。その交点は、好ましくは、基板とサセプタの中心との間に位置する。中央の特に円形のカバープレートが、サセプタの中心領域に配置されてもよい。交点は、このカバープレートの領域にある。
本発明の内側カバープレートは、円弧ライン上に延びる内側エッジを有し、その内側エッジは、中央カバープレートの径方向外側エッジと境界を画している。全ての内側カバープレートが同一形状であることが好ましい。内側カバープレートは、円弧ライン上に延びる複数の外側エッジを有することができ、各外側エッジは基板と隣り合っている。複数の周囲エッジが、内側カバープレートの２つの外側エッジの間に延びていてもよい。これらの周囲エッジは、中心の周りに周方向に延在し、外側カバープレートとの境界を画している。
外側カバープレートは、径方向外側に向いて開口しかつ互いに平行に延びるチャネルを有することができる。それらのチャネルは、基板に対してほぼ接線方向に延びており、それぞれサセプタに基板を搭載するため、又はサセプタから基板を取り外すために使用することができる。グリップアームは、基板の縁部の下側に係合するために、チャネルに係合可能な平行なグリップフィンガーを有することができる。この装置は、特に、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｓＰ、又はその他の半導体材料系を堆積するのに適している。これは特に、パワー半導体部品の製造に用いられる材料系に関係する。
本発明は、例示的実施形態に基づいて以下にさらに詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明のサセプタ装置の平面図を示す。
【図２】図２は、ラインII−IIに沿った本発明の装置の断面図を示す。
【図３】図３は、本発明のカバープレートの平面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図２は、リアクタハウジング４を備えたＣＶＤリアクタの半分の概略断面図を示している。サセプタ１は、円形ディスク状のグラファイト本体からなり、リアクタハウジング４の内部に位置している。サセプタ１の表面は、適切にコーティングすることができる。
【００１４】
加熱装置６は、サセプタ１の下方に位置しており、サセプタ１を通常１６００℃の温度に加熱することが可能である。
【００１５】
内側にある円形の中央カバープレート１６はグラファイトからなり、プロセスチャンバ２に対向するサセプタ１の上面に配置されている。中央カバープレート１６の中心は、サセプタ１の中心Ｍに位置する。
【００１６】
中央カバープレート１６の円形エッジは、中央カバープレート１６の周りに周方向に配置された全部で４つの内側カバープレート１０との境界を画している。図示しない例示的実施形態では、これより多い又は少ないカバープレート１０を設けることもできる。
【００１７】
同形の内側カバープレート１０の各々は、円弧ライン上に延在しかつ中央カバープレート１６との境界を画す内側エッジ２１を有する。カバープレート１０はさらに、それぞれ直線状に延びる２つの側方エッジ２２、２３を有する。２つの外側エッジ２４はそれぞれ円弧ライン上に延在し、内側エッジ２１の反対側に位置する。外側エッジ２４は斜面２６を形成している。周囲エッジ２５、２５’はそれぞれ、２つの外側エッジ２４の間に延在している。
【００１８】
中心Ｍの周りで周方向に隣り合って配置されている２つのカバープレート１０の側方エッジ２２、２３が互いに境界を画すことによって、分離接合部１１が形成されている。異なるカバープレート１０のエッジ２２、２３は、互いに接触して隣接している。直線状に延びる分離接合部１１が形成されている。
【００１９】
図１に示すように、直線状に延びる分離接合部１１を通って引かれた延長ライン１１’は、半径ライン１２と角度αをなしている。この半径ライン１２は、一方ではサセプタ１の中心Ｍを通り、他方では基板８の中心１３を通って引かれている。先行技術では、２つのカバープレートの互いに境界を画す分離接合部がそのような半径ライン１２を通って延在するのに対し、本発明の分離接合部１１は、半径ライン１２に対して角度αをなして角度的に逸れている。しかしながら、分離接合部１１又は分離接合部１１を延ばしたライン１１’が、円弧ライン上に延びる外側エッジ２４と交差することによって、延長ライン１１’はなお、基板８の縁部を通って延在する。
【００２０】
図１はさらに、分離接合部１１を延ばしたライン１１’が、中心Ｍから径方向外側に位置する交点１４にて半径ライン１２と交差することを示している。径方向における中心Ｍから交点１４までの距離は、中心Ｍから縁部８’までの距離の約２０％〜３５％とすることができる。しかしながら、その距離は、中心Ｍから基板８の中心１３までの径方向距離の１０％〜４０％とすることもできる。
【００２１】
内側カバープレート１０は、グラファイト又はコーティングされたグラファイトで構成されてもよい。その材料厚さは、０．５ｍｍ〜３ｍｍの範囲内にある。
【００２２】
外側カバープレート１５は、カバープレート１０の径方向外側に配置されており、その径方向内側に向いたエッジにより、カバープレート１０の周囲エッジ２５、２５’と境界を画している。
【００２３】
周囲エッジ２５、２５’は、基板８の中心１３を通って延在する周方向ライン上に延在する。
【００２４】
外側カバープレート１５は、径方向外側に向いて開口しかつ上方に開口した凹部からなるチャネル１９を有する。チャネル１９は、基板８のエッジの接線方向にある。グリッパのフォークプロングは、搬送用リング１８のの下側に横から係合するためにチャネル１９内に係合することができる。搬送用リング１８は基板８を取り囲み、その上に基板８が載置されており、それによって装置に基板を搭載したり、装置から基板を取り外したりする。
【００２５】
本発明の装置では、その縁部８’がカバープレート１０の外側エッジ２４と隣り合っている平坦な円形の基板８が、ＳｉＣによりコーティングされる。このために、プロセスガスがプロセスチャンバ内に供給される。これは、プロセスチャンバ２の中心Ｍにおいてガス入口３を通して行われ、それによってガスが径方向の内側から外側にプロセスチャンバ２を通って流れる。このとき、サセプタ１は回転駆動することができる。基板キャリア９も同様にそれらの幾何学的軸の周りで回転駆動することができる。
【００２６】
プロセスガスは、アルゴン、Ｈ２、Ｎ２などの不活性ガスと共にプロセスチャンバ２内に供給される。プロセスガスは、ケイ素を含むガスと、炭素を含むガスとを有する。ケイ素を含むガスは、ＳｉＨ４からなることができる。炭素を含むガスはＣ２Ｈ８などの炭化水素からなることができる。
【００２７】
ＳｉＣ層が、通常のプロセス温度１６００℃で１０〜２０μｍの成長速度で堆積される。プロセスガスは、堆積プロセス中にカバープレート１０及び基板８の熱い表面で熱分解する。層は、基板８上と同様にカバープレート１０上に堆積する。例えばグラファイトからなるカバープレート１０においては、このことが、カバープレートのエッジ２２、２３を浮き上がらせる張力を生じさせる。本発明では分離接合部１１が半径ライン１２に対して角度αだけ逸れていることによって、浮き上がったエッジ２２、２３によるプロセスチャンバ２を通る横方向の流れに対する影響が、基板８上に堆積される層の層厚が先行技術よりも均一な層厚分布を有するように変えられる。
【００２８】
角度αは、１０度〜４０度の範囲内であり、特に２０〜３０度の範囲内であることが好ましい。例示的実施形態では、この角度は約２５度である。
【００２９】
図３は、互いに直角に延在する２つの側方エッジ２２、２３を具備するカバープレート１０を示している。２つのエッジ２２、２３は、この図に一点鎖線で示す半径ラインに対して平行に延びるラインに沿って延在している。分離接続部１１にて境界を画するエッジ２２は、外側の周囲エッジ２５とサセプタ１の中心とを通って延びるラインと平行に延在している。外側のエッジ２５は、実質的に２つの隣り合う基板８の中心１３同士の間の中央に位置する。２つの隣り合う基板８の中心１３同士の間の接続ラインは中点を有する。エッジ２２に対し平行に延びる半径ラインは、この中点を通って延びている。
【００３０】
上述した説明は、本願に含まれるすべての発明を明確とするためのものであり、それぞれが、少なくとも以下の特徴の組み合わせで独立して先行技術を改良し、ここで、これらの特徴の組合せのうちの２つ、複数、又はすべてがまた、互いに組み合わされてもよい。
【００３１】
分離接続部１１が、サセプタ１の中心Ｍ及び基板８の中心１３を通って径方向に引かれた半径ライン１２に対して角度αだけ角度的に逸れて延在することを特徴とする装置。
【００３２】
分離接続部１１が、サセプタ１の中心Ｍ及び基板８の中心１３を通って径方向に引かれた半径ライン１２に対して角度αだけ角度的に逸れて延在することを特徴とするサセプタ装置。
【００３３】
分離接続部１１が、サセプタ１の中心Ｍ及び基板８の中心１３を通って径方向に引かれた半径ライン１２に対して角度αだけ角度的に逸れて延在することを特徴とする、装置のカバープレート。
【００３４】
ケイ素及び炭素を含むガス状開始物質が、ガス入口７を通ってＣＶＤリアクタのプロセスチャンバ２内に供給されると共に、基板８が、加熱装置６により１０００℃を超える、好ましくは１３００℃を超える温度に加熱される、ＳｉＣを堆積するためのＣＶＤリアクタにおける装置、サセプタ装置、又はカバープレートの使用。
【００３５】
分離接続部１１を通って引かれたライン１１’が、基板８との境界を画するカバープレート１０のエッジ２０を通って延びることを特徴とする装置。
【００３６】
分離接続部１１を延ばしたライン１１’と半径ライン１２との交点１４が、中心Ｍから径方向外側に位置することを特徴とする装置。
【００３７】
カバープレート１０が、少なくとも２つの基板を、径方向内側にて囲むことを特徴とする装置。
【００３８】
分離接続部１１を延ばしたライン１１’と半径ライン１２とのなす角度が１０度〜４０度の範囲内、好ましくは２０度〜３０度の範囲内にあることを特徴とする装置。
【００３９】
外側カバープレート１５及び／又は中央カバープレート１６が、内側カバープレート１０の径方向外側に設けられていること、及び／又は、外側カバープレート１５が、外側カバープレート１５の径方向外側のエッジに向いて開口するチャネル１９を形成していること、及び／又は、周方向に延在して外側カバープレート１５との境界を画する周囲エッジ２５がそれぞれ、円弧ラインに沿って延在するエッジ２４同士の間に延在すること、及び／又は、円弧ラインに沿って延在する内側エッジ２１が中央カバープレート１６との境界を画することを特徴とする装置。
【００４０】
開示された全ての特徴は、（それ自体のために、また互いに組み合わされて）本発明に不可欠である。ここでの出願の開示は、関連する／追加された優先権書類（先の出願の写し）の開示内容をその内容全体に含み、それはこれらの書類の特徴を本願の請求項に組み込む目的でもある。従属請求項は、特にこれらの請求項に基づいて分割出願を行うために、引用される請求項の特徴がなくても、先行技術の独立した発明性のあるさらなる発展を特徴とする。各請求項で特定された発明は、前述の説明で特定された、特に参照符号が付与された、及び／又は符号の説明で特定された、１つ以上の機能を追加で有することができる。本発明はまた、特に、それらがそれぞれの使用目的に明らかに不要であるか、または技術的に同じ効果を有する他の手段で置き換えることができる限り、前述の説明で述べた特徴の個々のものが実装されない実施形態に関する。
【符号の説明】
【００４１】
１  サセプタ
２  プロセスチャンバ
３  ガス入口
４  リアクタハウジング
５  プロセスチャンバ天井
６  加熱装置
７  ガス出口
８  基板
８’  縁部
９  基板キャリア
１０  （内側）カバープレート
１１  分離接合部
１１’  延長ライン
１２  半径ライン
１３  中心
１４  交点
１５  外側カバープレート
１６  中央カバープレート
１７  分離接合部
１８  搬送用リング
１９  チャネル
２０  エッジ
２１  内側エッジ
２２  側方エッジ
２３  側方エッジ
２４  外側エッジ
２５  エッジ（周囲エッジ）
２６  斜面
α  角度
【図１】
2021527333.tif 000003
【図２】
2021527333.tif 000004
【図３】
2021527333.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月12日(2021.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な基板上に層を堆積するための装置用のサセプタ装置であって、前記基板（８）及び前記基板を囲むカバープレート（１０，１５，１６）が、プロセスチャンバに対向する前記サセプタ（１）の上面に配置されており、内側カバープレート（１０）がそれぞれ、前記サセプタ（１）の中心（Ｍ）に向いた前記基板（８）の縁部（８’）との境界を画すエッジ（２０）を形成しており、かつ、前記中心（Ｍ）の周りで周方向に互いに隣り合って配置された２つのカバープレート（１０）が、分離接合部（１１）にて互いに境界を画している、前記サセプタ装置において、
前記分離接合部（１１）が、前記サセプタ（１）の中心（Ｍ）及び前記基板（８）の中心（１３）を通って径方向に引かれた半径ライン（１２）に対して所定の角度（α）だけ角度的に逸れて延在し、かつ、前記分離接合部（１１）又は前記分離接合部（１１）を延ばしたライン（１１’）と前記半径ライン（１２）との交点（１４）が、前記中心（Ｍ）から径方向外側に位置することを特徴とするサセプタ装置。
【請求項２】
前記カバープレート（１０）が、円弧ライン上に延在しかつ基板（８）の縁部（８’）に接触するために用いられるエッジ（２０）を形成し、かつ、複数の同形のカバープレート（１０）は、分離接合部（１１）にて側方エッジ（２２、２３）が互いに境界を画すように中心の周りで周方向に互いに隣り合って配置可能である、前記装置において、
前記分離接合部（１１）が、前記サセプタ（１）の中心（Ｍ）及び前記基板（８）の中心（１３）を通って径方向に引かれた半径ライン（１２）に対して所定の角度（α）だけ角度的に逸れて延在することを特徴とする請求項１に記載のサセプタ装置。
【請求項３】
前記分離接合部（１１）を通って引かれたライン（１１’）が、前記基板（８）との境界を画す前記カバープレート（１０）のエッジ（２０）を通って延在することを特徴とする請求項１又は２に記載のサセプタ装置。
【請求項４】
前記交点（１４）と前記中心（Ｍ）との間の距離が、１０ｍｍ又は２０ｍｍより大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のサセプタ装置。
【請求項５】
カバープレート（１０）が、少なくとも２つの基板（８）を径方向内側で囲むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のサセプタ装置。
【請求項６】
前記分離接合部（１１）を延ばしたライン（１１’）と前記半径ライン（１２）との角度（α）が、１０度〜４０度の範囲内に、好ましくは２０度〜３０度の範囲内にあることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のサセプタ装置。
【請求項７】
前記内側カバープレート（１０）の径方向外側に配置された外側カバープレート（１５）を特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のサセプタ装置。
【請求項８】
中央カバープレート（１６）が設けられることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のサセプタ装置。
【請求項９】
外側カバープレート（１５）が、前記外側カバープレート（１０）の径方向外側のエッジに向いて開口するチャネル（１９）を形成することを特徴とする請求項７又は８に記載のサセプタ装置。
【請求項１０】
周方向に延在して外側カバープレート（１５）との境界を画す周囲エッジ（２５）がそれぞれ、円弧ラインに沿って延在するエッジ（２４）同士の間に延在することを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載のサセプタ装置。
【請求項１１】
円弧ラインに沿って延在する内側エッジ（２１）が、中央カバープレート（１６）との境界を画すことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のサセプタ装置。
【請求項１２】
分離接合部（１１）にて境界を画す側方エッジ（２２）が、前記サセプタ（１）の中心（Ｍ）と２つの隣り合う基板（８）の中心（１３）同士の間の接続ラインの中点とを通って延びる半径ラインと平行に延在することを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のサセプタ装置。
【請求項１３】
平坦な基板上に層を堆積するための装置用のサセプタ装置であって、前記基板（８）及び前記基板を囲むカバープレート（１０，１５，１６）が、プロセスチャンバに対向する前記サセプタ（１）の上面に配置されており、内側カバープレート（１０）がそれぞれ、前記サセプタ（１）の中心（Ｍ）に向いた前記基板（８）の縁部（８’）との境界を画すエッジ（２０）を形成しており、かつ、前記中心（Ｍ）の周りで周方向に互いに隣り合って配置された２つのカバープレート（１０）が、分離接合部（１１）にて互いに境界を画している、前記サセプタ装置において、
分離接合部（１１）にて境界を画す側方エッジ（２２）が、前記サセプタ（１）の中心（Ｍ）と２つの隣り合う基板（８）の中心（１３）同士の間の接続ラインの中点とを通って延びる半径ラインと平行に延在することを特徴とするサセプタ装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３に記載のサセプタ装置用のカバープレートであって、前記カバープレート（１０）が、円弧ライン上に延在しかつ基板（８）の縁部（８’）に接触するために用いられるエッジ（２０）を形成し、かつ、複数の同形のカバープレート（１０）は、分離接合部（１１）にて側方エッジ（２２、２３）が互いに境界を画すように中心の周りで周方向に互いに隣り合って配置可能である、前記装置において、
前記分離接合部（１１）が、前記サセプタ（１）の中心（Ｍ）及び前記基板（８）の中心（１３）を通って径方向に引かれた半径ライン（１２）に対して所定の角度（α）だけ角度的に逸れて延在することを特徴とするカバープレート。
【請求項１５】
ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｓＰ、又はその他の半導体層を堆積するためのＣＶＤリアクタにおける請求項１〜１３に記載のサセプタ装置の使用であって、ガス状開始物質、特にケイ素と炭素、又は、ガリウムと窒素、ガリウム、ヒ素と窒素、又は、ヒ素とリンを含む開始物質が、ガス入口（７）を通してＣＶＤリアクタのプロセスチャンバ（２）内に供給され、かつ、前記基板（８）が、加熱装置（６）により６００℃、８００℃、又は１０００℃、好ましくは１３００℃を超える温度に加熱される使用。
【請求項１６】
請求項２〜１１のいずれか１つの特徴的な構成を特徴とする請求項１２に記載のサセプタ装置。
【請求項１７】
請求項２〜１１のいずれか１つの特徴的な構成を特徴とする請求項１３に記載のカバープレート。
【請求項１８】
請求項２〜１１のいずれか１つの特徴的な構成を特徴とする請求項１４に記載の使用。
【国際調査報告】
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