(57)【要約】パッケージ状弾性表面波デバイスとこれを作る方法とが与えられる。パッケージ状弾性表面波デバイスは相対的に薄く、２２０マイクロメートル未満の高さを有し得る。パッケージ状弾性表面波デバイスは、めっきプロセスにより形成され得る導電構造物の上に感光性樹脂を含む。導電構造物は、弾性表面波デバイスを封止するキャビティ画定構造物の上に横たわり、キャビティ画定構造物は壁及びルーフを含む。感光性樹脂はフェノール樹脂を含んでよい。感光性樹脂は相対的に薄くてよい。圧電基板のエッジ部分には感光性樹脂が存在しなくてよい。レーザマーキングパッケージ状弾性表面波デバイスとこれを作る方法もまた与えられる。パッケージ弾性表面波デバイスを支持する圧電基板の反対側には、レーザを使用して直接マーキングされる。圧電基板自体に直接マーキングすることにより、別個のマーキング膜の使用が回避され、パッケージ状弾性表面波デバイスが薄くなり得る。
2021535663.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ状弾性表面波デバイスであって、
弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極の上のキャビティルーフと、
前記キャビティルーフの上の導電構造物と、
前記導電構造物の上の感光性バッファコート層と
を含み、
前記パッケージ状弾性表面波デバイスは２２０マイクロメートル以下の高さを有する、パッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記パッケージ状弾性表面波デバイスは２００マイクロメートル以下の高さを有する、請求項１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記感光性バッファコート層は１５マイクロメートル以下の高さを有する、請求項１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記インターディジタルトランスデューサ電極が配置される第１側を有する圧電基板と、
前記圧電基板の前記第１側においてキャビティルーフを支持するキャビティ壁と
をさらに含む、請求項１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記圧電基板の前記第１側のエッジ部分には前記感光性バッファコート層が存在しない、請求項４のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項６】
第１側及び前記第１側とは反対側の第２側を有する圧電基板であって、前記第１側に前記インターディジタルトランスデューサ電極が存在する圧電基板と、
前記第２側の中へと延びるマーキングであって、前記圧電基板の中へと１マイクロメートル以下だけ延びるマーキングと
をさらに含む、請求項１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項７】
前記感光性バッファコート層における開口を通って前記導電構造物と物理的に接触する端子をさらに含む、請求項１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項８】
前記感光性バッファコート層はフェノール樹脂を含む、請求項１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項９】
前記感光性バッファコート層はネガ型感光性を有する、請求項１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項１０】
前記弾性表面波デバイスは、無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された複数の弾性表面波共振器を含む、請求項１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項１１】
パッケージ状弾性表面波デバイスであって、
ダイにより支持されて前記ダイと協働して弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極を封止するキャビティ構造物と、
前記キャビティ構造物の外面の一部分の上に延びる導電構造物と、
前記導電構造物の上に延びる絶縁層であって、前記導電構造物の一部分の上に横たわる前記絶縁層の一部分が１５マイクロメートル未満の厚さを有する、絶縁層と
を含む、パッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項１２】
前記キャビティ構造物は、前記ダイの第１表面により支持されるキャビティ壁と、前記インターディジタルトランスデューサ電極の上に延びて前記キャビティ壁により支持されるキャビティルーフとを含む、請求項１１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項１３】
複数の端子をさらに含み、各端子は、前記絶縁層の一部分を貫通して前記導電構造物の一部分に接触する、請求項１２のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項１４】
前記絶縁層はフォトレジスト材料を含む、請求項１１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項１５】
前記絶縁層はネガ型フォトレジストを含む、請求項１４のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項１６】
前記ダイは、第１側及び第２側を有するレーザマーキング圧電基板を含み、
前記レーザマーキング圧電基板の前記第１側は前記キャビティ構造物を支持し、前記第２側はレーザマーキングセクションを有する、請求項１４のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項１７】
パッケージ状弾性表面波デバイスであって、
圧電基板と、
前記圧電基板の第１表面に支持されてキャビティを画定するパッケージ構造物であって、感光性樹脂を含む外側層を含むパッケージ構造物と、
前記圧電基板に支持されて前記キャビティの中に配置される複数のインターディジタルトランスデューサ電極と
を含む、パッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項１８】
前記パッケージ構造物はキャビティルーフ及びキャビティ壁を含み、
前記キャビティルーフ及び前記キャビティ壁は双方ともが、前記外側層の一部分と前記複数のインターディジタルトランスデューサ電極との間に配置される、請求項１７のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項１９】
前記パッケージ構造物は、前記複数のインターディジタルトランスデューサ電極の少なくとも一つと電気通信する導電構造物を含む、請求項１７のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項２０】
前記パッケージ構造物は、前記外側層の一部分の上に横たわる少なくとも一つの端子を含み、
前記端子は、前記導電構造物に接触するべく前記外側層の一部分を貫通する、請求項１９のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項２１】
パッケージ状弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
導電構造物の上に感光性樹脂を形成することであって、前記導電構造物の一部分が、前記弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極の上のキャビティルーフの上に配置されることと、
前記導電構造物と接触する導電端子を形成することであって、前記導電端子の少なくとも一部分が前記感光性樹脂を貫通するアパチャを貫通することと
を含む、方法。
【請求項２２】
前記感光性樹脂の複数の部分を、前記感光性樹脂の複数の部分を現像するように露光することと、
前記感光性樹脂の複数の未露光部分を除去することと
をさらに含む、請求項２１の方法。
【請求項２３】
前記感光性樹脂を、前記感光性樹脂の複数の未露光部分を除去した後に硬化させることをさらに含む、請求項２２の方法。
【請求項２４】
前記感光性樹脂の複数の部分を露光することは、前記感光性樹脂を貫通する前記アパチャを形成するべく、前記導電構造物の一部分の上に延びる前記感光性樹脂の一部分をマスキングすることを含む、請求項２２の方法。
【請求項２５】
前記端子を形成することは、前記感光性樹脂を貫通する前記アパチャの上に延びる導電層を形成することを含む、請求項２１の方法。
【請求項２６】
前記アパチャは、１５マイクロメートル以下の厚さを有する前記感光性樹脂の一部分を貫通する、請求項２１の方法。
【請求項２７】
前記感光性樹脂はフェノール樹脂を含む、請求項２１の方法。
【請求項２８】
前記インターディジタルトランスデューサ電極が配置される圧電基板にレーザマーキングすることをさらに含む、請求項２１の方法。
【請求項２９】
前記パッケージ状弾性表面波デバイスは、２２０マイクロメートル未満の高さを有する、請求項２１の方法。
【請求項３０】
パッケージ状弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
弾性表面波デバイスの複数のインターディジタルトランスデューサ電極を封止するキャビティ構造物を形成することであって、前記インターディジタルトランスデューサ電極は圧電基板により支持されることと、
前記キャビティ構造物の外面の複数の部分の上に延びる導電構造物を形成することと、
前記導電構造物の上にフォトレジスト層を形成することであって、前記フォトレジスト層の一部分が、前記導電構造物の、厚さが１５マイクロメートル未満の一部分の上に延びることと
を含む、方法。
【請求項３１】
前記導電構造物及び前記キャビティ構造物の上に延びるフォトレジストバッファコートを形成するべく前記フォトレジスト層をパターニングすることと、
前記フォトレジスト層を硬化させることと
をさらに含む、請求項３０の方法。
【請求項３２】
前記フォトレジストバッファコートは、前記圧電基板と接触して前記キャビティ構造物の周囲を画定する側壁部分を含む、請求項３１の方法。
【請求項３３】
前記導電構造物の一部分が前記圧電基板と接触する、請求項３２の方法。
【請求項３４】
前記導電構造物の上に前記フォトレジスト層を形成することは、前記フォトレジスト層を平坦化するべくスピンオンプロセスを使用することを含む、請求項３０の方法。
【請求項３５】
前記ダイのエッジの１０マイクロメートル以内にある前記フォトレジスト層の複数の部分を除去することをさらに含む、請求項３０の方法。
【請求項３６】
パッケージ状弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
前記弾性表面波デバイスの複数のインターディジタルトランスデューサ電極の上に延びるキャビティ構造物を形成することと、
前記キャビティ構造物の外面の複数の部分の上に延びる導電構造物を形成することと、
前記導電構造物の上に感光性樹脂層を形成することであって、前記感光性樹脂層の一部分が、貫通して前記導電構造物の一部分を露出させるアパチャを有することと
を含む、方法。
【請求項３７】
前記導電構造物を形成することは、前記キャビティ構造物の上にシード層を堆積することと、前記シード層に前記導電構造物をめっきすることとを含む、請求項３６の方法。
【請求項３８】
前記導電構造物を形成することはさらに、前記導電構造物を前記シード層にめっきする前に前記シード層の複数の部分をマスキングすることを含む、請求項３７の方法。
【請求項３９】
前記導電構造物は、その一部分を貫通して前記キャビティ構造物の一部分を露出させる間隙を含み、前記感光性樹脂層が前記間隙を充填する、請求項３６の方法。
【請求項４０】
前記感光性樹脂層におけるアパチャを貫通して前記導電構造物と電気通信する導電端子を形成することをさらに含む、請求項３６の方法。
【請求項４１】
パッケージ状弾性表面波デバイスであって、
第１側及び第２側を有する圧電基板と、
パッケージ構造物の中に封止されて前記圧電基板の前記第１側により支持されるインターディジタルトランスデューサ電極と、
前記圧電基板の前記第２側に形成されるマーキングと
を含む、パッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項４２】
前記マーキングは、１マイクロメートル未満だけ前記圧電基板の前記第２側の中へと延びる、請求項４１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項４３】
前記マーキングは、前記圧電基板の厚さの１％未満だけ中へと延びる、請求項４１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項４４】
前記マーキングはレーザにより形成される、請求項４１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項４５】
前記圧電基板はニオブ酸リチウムを含む、請求項４１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項４６】
前記圧電基板はタンタル酸リチウムを含む、請求項４１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項４７】
前記パッケージ構造物は、前記インターディジタルトランスデューサ電極を封止するキャビティ構造物と、感光性樹脂を含む外側コートとを含む、請求項４１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項４８】
前記パッケージ状弾性表面波デバイスの合計厚さは２２０マイクロメートル未満である、請求項４１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項４９】
前記パッケージ構造物は感光性樹脂バッファコートを含む、請求項４１のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項５０】
前記感光性樹脂バッファコートはフェノール樹脂を含む、請求項４９のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項５１】
前記感光性樹脂バッファコートはネガ型フォトレジストを含む、請求項４９のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項５２】
前記感光性樹脂バッファコートにおける複数のアパチャを貫通する複数の端子をさらに含む、請求項４９のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項５３】
パッケージ状弾性表面波デバイスであって、
第１側及び第２側を有するレーザマーキング圧電基板であって、前記レーザマーキング圧電基板の前記第２側がレーザマーキングセクションを有する、レーザマーキング圧電基板と、
前記レーザマーキング圧電基板の前記第１側により支持されるインターディジタルトランスデューサ電極と、
前記インターディジタルトランスデューサ電極を封入するキャビティを画定する前記レーザマーキング圧電基板の前記第１側により支持される構造物と
を含む、パッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項５４】
前記レーザマーキングセクションは深紫外線レーザへの露光が完了している、請求項５３のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項５５】
前記レーザマーキングセクションは、１マイクロメートル未満だけ前記圧電基板の前記第２側の中へと延びるレーザマーキングを含む、請求項５３のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項５６】
前記圧電基板はニオブ酸リチウムを含む、請求項５３のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項５７】
前記圧電基板はタンタル酸リチウムを含む、請求項５３のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項５８】
前記パッケージ構造物は感光性樹脂バッファコートを含む、請求項５３のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項５９】
前記感光性樹脂バッファコートはフェノール樹脂を含む、請求項５８のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項６０】
前記感光性樹脂バッファコートはネガ型フォトレジストを含む、請求項５８のパッケージ状弾性表面波デバイス。
【請求項６１】
パッケージ状弾性表面波デバイスをマーキングする方法であって、
圧電基板の裏側をグラインディングすることであって、前記裏側は、前記弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極が配置される前記圧電基板の表側の反対側に存在することと、
前記圧電基板をレーザマーキングすることと
を含む、方法。
【請求項６２】
前記レーザマーキングすることにより、前記圧電基板の中へ１ミクロン未満だけ延びるマーキングが形成される、請求項６１の方法。
【請求項６３】
前記レーザマーキングすることは、前記圧電基板に構造上の完全性を維持させるレーザ光の波長を適用することを含む、請求項６１の方法。
【請求項６４】
前記レーザマーキングすることは、深紫外線レーザを使用することを含む、請求項６１の方法。
【請求項６５】
前記レーザマーキングすることは、波長が約２６６ナノメートルのレーザを使用することを含む、請求項６１の方法。
【請求項６６】
前記圧電基板の前記裏側をグラインディングすることは、前記圧電基板の厚さが約１３０マイクロメートルになるまで前記圧電基板の前記裏側をグラインディングすることを含む、請求項６１の方法。
【請求項６７】
前記圧電基板はニオブ酸リチウムを含む、請求項６１の方法。
【請求項６８】
前記圧電基板はタンタル酸リチウムを含む、請求項６１の方法。
【請求項６９】
前記圧電基板の前記表側により支持される構造物であって、前記インターディジタルトランスデューサ電極を封入するキャビティを画定する構造物を形成することをさらに含む、請求項６１の方法。
【請求項７０】
前記圧電基板の前記表側により支持される前記構造物は、前記圧電基板の前記裏側をグラインディングする前に形成される、請求項６９の方法。
【請求項７１】
前記圧電基板の前記表側により支持される前記構造物を形成することは、前記感光性樹脂バッファコートを形成することを含む、請求項６９の方法。
【請求項７２】
パッケージ状弾性表面波デバイスをマーキングする方法であって、
前記弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極が配置される圧電基板の第１表面にパッケージ構造物を形成することであって、前記パッケージ構造物は前記インターディジタルトランスデューサ電極をキャビティに封止することと、
前記圧電基板のマーキング部分を形成するべく前記圧電基板の第２表面に直接マーキングすることと
を含む、方法。
【請求項７３】
前記圧電基板の前記第２表面に直接マーキングすることは、前記圧電基板の前記第２表面の前記マーキング部分をレーザ光に露光させることを含む、請求項７２の方法。
【請求項７４】
前記レーザ光は深紫外線レーザを含む、請求項７３の方法。
【請求項７５】
前記レーザ光は約２６６ナノメータの波長を有する、請求項７３の方法。
【請求項７６】
前記パッケージ構造物を形成することは、感光性樹脂の層を形成することと、前記感光性樹脂の層をパターニングすることとを含む、請求項７２の方法。
【請求項７７】
前記感光性樹脂はフェノール樹脂を含む、請求項７６の方法。
【請求項７８】
前記パッケージ構造物を形成することは、前記感光性樹脂の層を貫通する導電端子を形成することを含む、請求項７６の方法。
【請求項７９】
前記マーキングは、前記圧電基板の中へ１ミクロン未満だけ延びる、請求項７２の方法。
【請求項８０】
前記パッケージ状弾性表面波デバイスは、２２０マイクロメートル未満の厚さを有する、請求項７２の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
優先権出願の相互参照
本願とともに提出された出願データシートにおいて外国又は国内の優先権主張が特定される任意の及びすべての出願が、米国特許規則セクション１．５７により、ここに参照として組み入れられる。本願は、２０１８年８月３０日に出願された「パッケージ状弾性表面波デバイス」との名称の米国仮出願第６２／７２５，１３３号に係る米国特許法セクション１１９（ｅ）の優先権の利益を主張する。その開示は、その全体がここに参照として組み入れられる。
【０００２】
本開示の実施形態は、パッケージ状弾性表面波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００３】
弾性表面波フィルタが、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された複数の弾性表面波共振器を含み得る。各共振器が、一の弾性表面波デバイスを含み得る。弾性表面波フィルタは、無線周波数電子システムに実装することができる。例えば、携帯電話機の無線周波数フロントエンドにおけるフィルタは、弾性波フィルタを含み得る。複数の弾性波フィルタを、マルチプレクサとして配列することができる。例えば、２つの弾性表面波フィルタをデュプレクサとして配列することができる。
【０００４】
弾性表面波デバイスは、当該弾性表面波デバイスを保護するべくパッケージ内に封入することができる。パッケージは、パッケージにされた弾性表面波デバイスのサイズを増加させ得る。パッケージにされた弾性表面波デバイスを小さくかつ薄くしたいとの要望が存在する。
【発明の概要】
【０００５】
特許請求の範囲に記載のイノベーションはそれぞれが、いくつかの側面を有し、その単独の一つのみが、その所望の属性に対して関与するわけではない。ここで、特許請求の範囲を制限することなく、本開示のいくつかの卓越した特徴の概要が記載される。
【０００６】
本開示の一つの側面は、パッケージ状弾性表面波デバイスである。パッケージ状弾性表面波デバイスは、弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極の上のキャビティルーフと、当該キャビティルーフの上の導電構造物と、当該導電構造物の上の感光性バッファコート層とを含み、当該パッケージ状弾性表面波デバイスは、２２０マイクロメートル以下の高さを有する。
【０００７】
パッケージ状弾性表面波デバイスは、２００マイクロメートル以下の高さを有し得る。感光性バッファコート層は、１５マイクロメートル以下の高さを有し得る。
【０００８】
パッケージ状弾性表面波デバイスはさらに、当該インターディジタルトランスデューサ電極が配置される第１側を有する圧電基板と、当該圧電基板の第１側においてキャビティルーフを支持するキャビティ壁とを含み得る。圧電基板の第１側のエッジ部分には、感光性バッファコート層が存在しなくてよい。
【０００９】
パッケージ状弾性表面波デバイスはさらに、第１側及び当該第１側とは反対側の第２側を有する圧電基板であって、当該第１側にはインターディジタルトランスデューサ電極が配置される圧電基板と、当該第２側の中へと延びるマーキングであって、当該圧電基板の中へと１マイクロメートル以下だけ延びるマーキングとを含み得る。請求項１のパッケージ状弾性表面波デバイスはさらに、感光性バッファコート層における開口を通って導電構造物と物理的に接触する端子を含み得る。
【００１０】
感光性バッファコート層はフェノール樹脂を含み得る。感光性バッファコート層は、ネガ型感光性を有し得る。
【００１１】
弾性表面波デバイスは、無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された複数の弾性表面波共振器を含み得る。
【００１２】
本開示の他側面は、ダイにより支持されて当該ダイと協働して弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極を封止するキャビティ構造物と、当該キャビティ構造物の外面の一部分の上に延びる導電構造物と、当該導電構造物の上に延びる絶縁層とを含むパッケージ状弾性表面波デバイスであり、当該導電構造物の一部分に上に横たわる当該絶縁層の一部分が、１５マイクロメートル未満の厚さを有する。
【００１３】
キャビティ構造物は、ダイの第１表面により支持されるキャビティ壁と、インターディジタルトランスデューサ電極の上に延びて当該キャビティ壁により支持されるキャビティルーフとを含み得る。パッケージ状弾性表面波デバイスはさらに複数の端子を含み、各端子は、絶縁層の一部分を通るように延びて導電構造物の一部分に接触してよい。
【００１４】
絶縁層は、フォトレジスト材料を含み得る。絶縁層は、ネガ型フォトレジストを含み得る。
【００１５】
ダイは、第１側及び第２側を有するレーザマーキング圧電基板を含んでよく、当該レーザマーキング圧電基板の第１側はキャビティ構造物を支持し、第２側はレーザマーキングセクションを有する。
【００１６】
本開示の他側面は、圧電基板と、当該圧電基板の第１表面により支持されてキャビティを画定するパッケージ構造物と、当該圧電基板により支持されて当該キャビティ内に配置される複数のインターディジタルトランスデューサ電極とを含むパッケージ状弾性表面波デバイスであって、当該パッケージ構造物は、感光性樹脂を含む外側層を含む。
【００１７】
パッケージ構造物は、キャビティルーフ及びキャビティ壁を含んでよく、当該キャビティルーフ及びキャビティ壁は双方ともが、外側層の一部分と当該複数のインターディジタルトランスデューサ電極との間に配置される。
【００１８】
パッケージ構造物は、複数のインターディジタルトランスデューサ電極の少なくとも一つと電気通信する導電構造物を含み得る。パッケージ構造物は、外側層の一部分の上に横たわる少なくとも一つの端子を含み得る。この端子は、導電構造物に接触するべく外側層の一部分を貫通する。
【００１９】
本開示の他側面は、パッケージ状弾性表面波デバイスを製造する方法であり、この方法は、導電構造物の上に感光性樹脂を形成することであって、当該導電構造物の一部分が当該弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極の上のキャビティルーフの上に配置されることと、当該導電構造物に接触する導電端子を形成することであって、当該導電端子の少なくとも一部分が、当該感光性樹脂を貫通するアパチャを貫通することとを含む。
【００２０】
方法は、付加的に、感光性樹脂の複数の部分を、当該感光性樹脂の複数の部分を現像するように露光することと、当該感光性樹脂の複数の未露光部分を除去することとを含み得る。方法は、付加的に、感光性樹脂を、当該感光性樹脂の複数の未露光部分を除去した後に硬化させることを含み得る。感光性樹脂の複数の部分を露光することは、当該感光性樹脂を貫通するアパチャを形成するべく、導電構造物の一部分の上に延びる当該感光性樹脂の一部分をマスキングすることを含み得る。
【００２１】
端子を形成することは、付加的に、感光性樹脂を貫通するアパチャの上に延びる導電層を形成することを含み得る。アパチャは、１５マイクロメートル以下の厚さを有する感光性樹脂の一部分を貫通してよい。
【００２２】
感光性樹脂はフェノール樹脂を含んでよい。感光性樹脂はネガ型感光性を有してよい。
【００２３】
これは、付加的に、インターディジタルトランスデューサ電極が配置される圧電基板にレーザマーキングすることを含んでよい。
【００２４】
パッケージ状弾性表面波デバイスは、２２０マイクロメートル未満の高さを有し得る。
【００２５】
本開示の他側面は、パッケージ状弾性表面波デバイスを製造する方法であり、この方法は、弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極を封止するキャビティ構造物を形成することであって、当該インターディジタルトランスデューサ電極は圧電基板により支持されることと、当該キャビティ構造物の外面の複数の部分の上に延びる導電構造物を形成することと、当該導電構造物の上にフォトレジスト層を形成することとを含み、当該フォトレジスト層の一部分が、１５マイクロメートル未満の厚さを有する当該導電構造物の一部分の上に延びる。
【００２６】
方法は、付加的に、導電構造物及びキャビティ構造物の上に延びるフォトレジストバッファコートを形成するべくフォトレジスト層をパターニングすることと、当該フォトレジスト層を硬化させることとを含み得る。フォトレジストバッファコートは、圧電基板と接触してキャビティ構造物の周囲を画定する側壁部分を含んでよい。導電構造物の一部分は、圧電基板と接触してよい。
【００２７】
導電構造物の上にフォトレジスト層を形成することは、フォトレジスト層を平坦化するべくスピンオンプロセスを使用することを含み得る。方法は、付加的に、ダイのエッジの１０マイクロメートル以内にあるフォトレジスト層の複数の部分を除去することを含み得る。
【００２８】
本開示の他側面は、パッケージ状弾性表面波デバイスを製造する方法であり、この方法は、当該弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極の上に延びるキャビティ構造物を形成することと、当該キャビティ構造物の外面の複数の部分の上に延びる導電構造物を形成することと、当該導電構造物の上に感光性樹脂層を形成することとを含み、当該感光性樹脂層の一部分が、これを貫通して当該導電構造物の一部分を露出させるアパチャを有する。
【００２９】
導電構造物を形成することは、キャビティ構造物の上にシード層を堆積することと、当該シード層に当該導電構造物をめっきすることとを含み得る。導電構造物を形成することはさらに、導電構造物をシード層にめっきする前に当該シード層の複数の部分をマスキングすることを含み得る。
【００３０】
導電構造物は、その一部分を貫通してキャビティ構造物の一部分を露出させる間隙を含み、感光性樹脂層がその間隙を充填することができる。方法は、付加的に、感光性樹脂層におけるアパチャを貫通して導電構造物と電気通信する導電端子を形成することを含み得る。
【００３１】
本開示の他側面は、第１側及び第２側を有する圧電基板と、パッケージ構造内に封止されて当該圧電基板の第１側により支持されるインターディジタルトランスデューサ電極と、当該圧電基板の第２側に形成されたマーキングとを含むパッケージ状弾性表面波デバイスである。
【００３２】
マーキングは、１マイクロメートル未満だけ圧電基板の第２側の中へと延び得る。マーキングは、圧電基板の厚さの１％未満だけ延び得る。マーキングは、レーザによって形成してよい。
【００３３】
圧電基板はニオブ酸リチウムを含み得る。圧電基板はタンタル酸リチウムを含み得る。
【００３４】
パッケージ構造物は、インターディジタルトランスデューサ電極を封止するキャビティ構造物と、感光性樹脂を含む外側コートとを含み得る。パッケージ状弾性表面波デバイスの合計厚さは、２２０マイクロメートル未満としてよい。
【００３５】
パッケージ構造物は、感光性樹脂バッファコートを含み得る。感光性樹脂バッファコートはフェノール樹脂を含んでよい。感光性樹脂バッファコートはネガ型フォトレジストを含んでよい。パッケージ状弾性表面波デバイスは、付加的に、感光性樹脂バッファコートにおける複数のアパチャを貫通する複数の端子を含み得る。
【００３６】
本開示の他側面は、第１側及び第２側を有するレーザマーキング圧電基板であって、当該第２側はレーザマーキングセクションを有するレーザマーキング圧電基板と、当該レーザマーキング圧電基板の第１側により支持されるインターディジタルトランスデューサ電極と、当該インターディジタルトランスデューサ電極を封入するキャビティを画定する当該レーザマーキング圧電基板の第１側により支持される一構造物とを含むパッケージ状弾性表面波デバイスである。
【００３７】
レーザマーキングセクションは、深紫外線への露光が完了していてよい。レーザマーキングセクションは、圧電基板の第２側の中に１マイクロメートル未満だけ延びるレーザマーキングを含み得る。
【００３８】
レーザマーキング圧電基板はニオブ酸リチウムを含み得る。レーザマーキング圧電基板はタンタル酸リチウムを含み得る。
【００３９】
パッケージ構造物は感光性樹脂バッファコートを含み得る。感光性樹脂バッファコートはフェノール樹脂を含んでよい。感光性樹脂バッファコートは、ネガ型フォトレジストを含んでよい。本開示の他側面は、パッケージ状弾性表面波デバイスにマーキングする方法であり、この方法は、圧電基板の裏側をグラインディングすることであって、当該裏側は、当該弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極が配置される当該圧電基板の表側の反対側であることと、当該圧電基板にレーザマーキングすることとを含む。
【００４０】
レーザマーキングすることにより、圧電基板の中に１ミクロン未満だけ延びるマーキングが形成され得る。レーザマーキングは、圧電基板に構造上の完全性を維持させ得るレーザ光の波長を含み得る。
【００４１】
レーザマーキングすることは、深紫外線レーザを使用することを含み得る。レーザマーキングすることは、波長が約２６６ナノメートルのレーザを使用することを含み得る。
【００４２】
圧電基板の裏側をグラインディングすることは、当該圧電基板の厚さが約１３０マイクロメートルになるまで当該圧電基板の裏側をグラインディングすることを含み得る。
【００４３】
圧電基板はニオブ酸リチウムを含み得る。請求項６２の方法では、圧電基板がタンタル酸リチウムを含んでよい。
【００４４】
方法は、付加的に、圧電基板の表側により支持される一構造物であって、インターディジタルトランスデューサ電極を封入するキャビティを画定する一構造物を形成することを含み得る。圧電基板の表側により支持される一構造物は、当該圧電基板の裏側をグラインディングする前に形成してよい。圧電基板の表側により支持される一構造物を形成することは、感光性樹脂バッファコートを形成することを含んでよい。
【００４５】
本開示の他側面は、パッケージ状弾性表面波デバイスにマーキングする方法であり、この方法は、当該弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極が配置される圧電基板の第１表面にパッケージ構造物を形成することであって、当該パッケージ構造物は当該インターディジタルトランスデューサ電極をキャビティの中に封止することと、当該圧電基板のマーキング部分を形成するべく当該圧電基板の第２表面に直接マーキングすることとを含む。
【００４６】
圧電基板の第２表面に直接マーキングすることは、当該圧電基板の第２表面のマーキング部分をレーザ光に露光させることを含み得る。レーザ光は深紫外光を含み得る。レーザ光は、約２６６ナノメートルの波長を有し得る。
【００４７】
パッケージ構造物を形成することは、感光性樹脂の層を形成することと、当該感光性樹脂の層をパターニングすることとを含み得る。感光性樹脂はフェノール樹脂を含んでよい。パッケージ構造物を形成することは、感光性樹脂の層を貫通する導電端子を形成することを含んでよい。
【００４８】
マーキングは、圧電基板の中へと１ミクロン未満だけ延びてよい。パッケージ状弾性表面波デバイスは、２２０マイクロメートル未満の厚さを有してよい。
【００４９】
本開示の他側面は、弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサの上のキャビティルーフと、当該キャビティルーフの上のプレートと、当該プレートの上の感光性バッファコート層とを含むパッケージ状弾性表面波デバイスであり、このパッケージ状弾性表面波デバイスは、２２０マイクロメートル以下の高さを有する。
【００５０】
パッケージ状弾性表面波デバイスは、２００マイクロメートル以下の高さを有し得る。感光性バッファコート層は、１５マイクロメートル以下の高さを有し得る。
【００５１】
パッケージ状弾性表面波デバイスは、付加的に、第１側にインターディジタルトランスデューサが配置される圧電基板を含み、当該圧電基板の第１側のエッジ部分には、感光性バッファコート層が存在しなくてよい．
【００５２】
パッケージ状弾性表面波デバイスは、付加的に、第１側と当該第１側とは反対側の第２側とを有する圧電基板を含み、インターディジタルトランスデューサが第１側に存在し、マーキングが第２側の中へと延びる。マーキングは、圧電基板の中に１マイクロメートル以下だけ延びてよい。
【００５３】
パッケージ状弾性表面波デバイスは、付加的に、感光性バッファコート層における開口を通ってプレートと物理的に接触する端子を含んでよい。
【００５４】
感光性バッファコート層はフェノール樹脂を含んでよい。感光性バッファコート層はネガ型感光性を有してよい。
【００５５】
パッケージ状弾性表面波デバイスは、無線周波数信号をフィルタするべく構成された弾性表面波デバイスを含み得る。
【００５６】
本開示の他側面は、パッケージ状弾性表面波デバイスであり、これは、第１側、及び当該第１側とは反対側において中に延びるマーキングを有する第２側を有する圧電基板と、当該圧電基板の第１側における当該弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサの上のキャビティルーフと、当該キャビティルーフの上のプレートと、当該プレートの上の絶縁層とを含む。
【００５７】
本開示の他側面は、パッケージ状弾性表面波デバイスであり、これは、圧電基板と、当該弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサの上のキャビティルーフであって、当該インターディジタルトランスデューサは当該圧電基板に配置されるキャビティルーフと、当該キャビティルーフの上のプレートと、当該プレートの上の絶縁層とを含み、当該圧電基板のエッジ部分には当該絶縁層が存在しない。
【００５８】
本開示の他側面は、弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサの上のキャビティルーフと、当該キャビティルーフの上のプレートと、当該プレートの上の絶縁層とを含むパッケージ状弾性表面波デバイスであり、当該絶縁層は１０マイクロメートル以下の厚さを有し、当該パッケージ状弾性表面波デバイスは２００マイクロメートル以下の高さを有する。
【００５９】
本開示の他側面は、パッケージ状弾性表面波デバイスを製造する方法であり、この方法は、プレートの上に感光性樹脂を形成することであって、当該プレートは当該弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサを封入するキャビティルーフの上に配置されることと、当該感光性樹脂の上に当該弾性表面波デバイスの端子を、当該端子が当該プレートに接触するように形成することとを含む。
【００６０】
方法は、付加的に、感光性樹脂の複数の部分を露光することと、当該感光性樹脂を通る開口を設けるように当該感光性樹脂の他の部分を作ることとを含み、当該端子を形成することは、当該端子の材料により当該開口を充填することを含み得る。
【００６１】
方法は、付加的に、感光性樹脂を露光することと、当該感光性樹脂が存在しない圧電基板のエッジを設けるように当該感光性樹脂の他の部分を作ることとを含み、当該インターディジタルトランスデューサ電極は当該圧電基板に配置され得る。
【００６２】
感光性樹脂は、１５マイクロメートル以下の厚さを有してよい。感光性樹脂はフェノール樹脂を含んでよい。
【００６３】
方法は、付加的に、インターディジタルトランスデューサが配置される圧電基板にレーザマーキングすることを含み得る。
【００６４】
本開示の他側面は、パッケージ状弾性表面波デバイスにマーキングする方法であり、この方法は、圧電基板の裏側をグラインディングすることであって、当該裏側は、当該弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサが配置される当該圧電基板の表側の反対側であることと、当該圧電基板にレーザマーキングすることとを含む。
【００６５】
マーキングは、圧電基板の中へと１ミクロン未満だけ延びてよい。
【００６６】
レーザマーキングすることは、圧電基板に構造上の完全性を維持させ得るレーザ光の波長を適用することを含み得る。レーザマーキングすることは、深紫外線レーザを使用することを含み得る。
【００６７】
本開示をまとめる目的で本イノベーションの所定の側面、利点及び新規な特徴が、ここに記載されてきた。理解すべきことだが、かかる利点のすべてが必ずしも、本発明の任意の特定実施形態によって達成できるわけではない。よって、本イノベーションは、ここに教示される一つの利点又は一群の利点を、ここに教示又は示唆される他の利点を必ずしも達成することなく、達成又は最適化する態様で、具体化し又は実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
ここで、本開示の実施形態が、添付図面を参照する非限定的な例を介して記載される。
【００６９】
【図１】一実施形態に係るパッケージ状弾性表面波デバイスの一断面図である。
【図２Ａ】他実施形態に係るパッケージ状弾性表面波デバイスの他断面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのセクションＢの詳細図である。
【図３Ａ】一実施形態に係る製造プロセスの様々なステージにおけるパッケージ状弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図３Ｂ】一実施形態に係る製造プロセスの様々なステージにおけるパッケージ状弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図３Ｃ】一実施形態に係る製造プロセスの様々なステージにおけるパッケージ状弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図３Ｄ】一実施形態に係る製造プロセスの様々なステージにおけるパッケージ状弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図３Ｅ】一実施形態に係る製造プロセスの様々なステージにおけるパッケージ状弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図３Ｆ】一実施形態に係る製造プロセスの様々なステージにおけるパッケージ状弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図３Ｇ】一実施形態に係る製造プロセスの様々なステージにおけるパッケージ状弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図３Ｈ】一実施形態に係る製造プロセスの様々なステージにおけるパッケージ状弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図３Ｉ】一実施形態に係る製造プロセスの様々なステージにおけるパッケージ状弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図３Ｊ】一実施形態に係る製造プロセスの様々なステージにおけるパッケージ状弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図４Ａ】他実施形態に係る多数のフォトレジスト露光を含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図４Ａ】他実施形態に係る多数のフォトレジスト露光を含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図４Ｂ】他実施形態に係る多数のフォトレジスト露光を含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図４Ｃ】他実施形態に係る多数のフォトレジスト露光を含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図４Ｄ】他実施形態に係る多数のフォトレジスト露光を含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図４Ｅ】他実施形態に係る多数のフォトレジスト露光を含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図４Ｆ】他実施形態に係る多数のフォトレジスト露光を含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図５Ａ】他実施形態に係るめっきプロセスを含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図５Ｂ】他実施形態に係るめっきプロセスを含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図５Ｃ】他実施形態に係るめっきプロセスを含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図５Ｄ】他実施形態に係るめっきプロセスを含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図５Ｅ】他実施形態に係るめっきプロセスを含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図６Ａ】他実施形態に係るスピンコーティングプロセスを含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図６Ｂ】他実施形態に係るスピンコーティングプロセスを含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図６Ｃ】他実施形態に係るスピンコーティングプロセスを含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【図７】一実施形態に係る感光性バッファコートを含むパッケージ状弾性表面波デバイスを製造するプロセスのフロー図である。
【図８】一実施形態に係る圧電層のレーザマーキングを含むパッケージ状弾性表面波デバイスを製造するプロセスのフロー図である。
【図９】一実施形態に係るＳＡＷ共振器を備えたフィルタを含む無線周波数モジュールの模式的な図である。
【図１０】一実施形態に係る弾性表面波共振器を有するデュプレクサを含む無線周波数モジュールの模式的な図である。
【図１１】電力増幅器と、無線周波数スイッチと、一実施形態に係る一以上の弾性表面波共振器を含むデュプレクサとを含むモジュールの模式的なブロック図である。
【図１２】低雑音増幅器、無線周波数スイッチ、及び一実施形態に係る弾性表面波フィルタを含むモジュールの模式的なブロック図である。
【図１３】アンテナスイッチと、一実施形態に係る弾性表面波共振器を含むデュプレクサとを含むモジュールの模式的なブロック図である。
【図１４】一以上の実施形態に係る弾性表面波フィルタを含む一の無線通信デバイスの模式的なブロック図である。
【図１５】一以上の実施形態に係る弾性表面波フィルタを含む他の無線通信デバイスの模式的なブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００７０】
所定の実施形態の以下の詳細な説明は、特定の実施形態の様々な記載を表す。しかしながら、ここに記載のイノベーションは、例えば特許請求の範囲によって画定され及びカバーされる多数の異なる態様で具体化することができる。本記載において、同じ参照番号が同一の又は機能的に類似の要素を示し得る図面が参照される。理解されることだが、図面に示される要素は必ずしも縮尺どおりではない。さらに理解されることだが、所定の実施形態は、図面に示されるよりも多くの要素を含んでよく、及び／又は図面に示される要素の部分集合を含んでよい。さらに、いくつかの実施形態は、２つ以上の図面からの特徴のいずれかの適切な組み合わせを組み入れてよい。
【００７１】
半導体市場の競争が激化するにつれ、パッケージにされた弾性表面波デバイスを小さくかつ薄くしたいとの要望が存在する。例えば、所定のアプリケーションにおいて、仕様は、パッケージ状弾性表面波デバイスがモジュールの中にフィットし得るように２００ミクロン以下の弾性表面波デバイスパッケージ高さを要求する。開示されるパッケーグングの方法によれば、弾性表面波デバイスのパッケージに対して低プロファイルかつ低コストを達成することができる。薄いパッケージによる弾性表面波フィルタのための、ウェハレベルチップスケーリングパッケージング（ＷＬ−ＣＳＰ）による弾性表面波デバイスが開示される。
【００７２】
パッケージ高さを低減し、及び／又はパッケージングコストを下げるための弾性表面波デバイスをパッケージングする方法が開示される。ここに開示されるパッケージ構造物は、銅（Ｃｕ）めっきを覆う保護層として作用する感光性バッファコート層を含む。薄い感光性バッファコート層により、パッケージ構造物を、当該パッケージの内部導電構造物に端子を接続する柱構造物なしで形成することができる。ここに開示されるパッケージ構造物は、弾性表面波デバイスの圧電基板上にマーキングを含む。レーザにより、圧電基板の機能を損ねることなく圧電基板にマーキングすることができる。ここに開示されるパッケージ構造物は、電気性能及び成形性の強度仕様を満たし得る。ここに開示されるパッケージ状弾性表面波デバイスは、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された弾性表面波フィルタを含み得る。
【００７３】
図１は、一実施形態に係るパッケージ状弾性表面波デバイスの一断面図である。パッケージ状弾性表面波デバイス１００の所定の態様により、パッケージの厚さの低減が許容される。例えば、パッケージ状弾性表面波デバイス１００は、２２０マイクロメートル（ｕｍ）未満のパッケージ高さＨ１を有し得る。所定の実施形態において、パッケージ高さＨ１は２００ｕｍ未満としてよい。一つの典型的な実施形態において、パッケージ状弾性表面波デバイス１００は、近似的に１９０ｕｍのパッケージ高さＨ１を有する。
【００７４】
図１に示されるように、パッケージ状弾性表面波デバイス１００は、ダイ１０２と、ダイ１０２上のインターディジタルトランスデューサ電極１０４とを含む。ダイ１０２は圧電基板である。ダイ１０２は、例えばニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムのような、リチウム含有圧電材料を含み得る。いくつかの例において、ダイ１０２は多層圧電基板を含む。ダイ１０２は、所定の例において近似的に１３０ｕｍの高さとなり得る。他の適切な厚さもまた、他実施形態において使用されてよい。
【００７５】
ダイ１０２は、インターディジタルトランスデューサ電極１０４の反対側にあるダイ１０２の一側に、マーキングセクション１０８を含み得る。マーキングセクション１０８は、ダイ１０２の全体的な厚さと比べて相対的に浅くてよい。いくつかの実施形態において、マーキングセクション１０８のマーキングは、ダイの中へと１ｕｍ未満だけ延びてよい。直接ダイ１０２の中へとマーキングすることにより、付加的なマーキング膜が、図１のパッケージ状弾性表面波デバイス１００に含まれることがない。これにより、マーキング膜を含むパッケージ状弾性表面波デバイスと比べてパッケージ状弾性表面波デバイス１００の全体的な高さを低減することができる。
【００７６】
弾性表面波共振器のインターディジタルトランスデューサ電極１０４が、ダイ１０２に配置される。弾性表面波共振器は、無線周波数信号をフィルタリングするべく構成されたフィルタとして配列してよい。任意の適切な数の弾性表面波共振器及び／又は弾性表面波フィルタを、パッケージ状弾性表面波デバイス１００に含めてよい。
【００７７】
インターディジタルトランスデューサ電極１０４は、キャビティ１１６の中に配置される。キャビティ１１６の両側が、ダイ１０２により支持されるキャビティ壁１１２によって形成される。キャビティ１１６のルーフが、キャビティルーフ１１４によって形成される。キャビティルーフ１１４は、キャビティ壁１１２により支持されてインターディジタルトランスデューサ電極１０４の上に延びる。キャビティ１１６はエアキャビティとしてよい。いくつかの実施形態において、キャビティ１１６は、約２５ｕｍの高さとしてよい。ただし、他の適切なキャビティ高さも使用されてよい。
【００７８】
いくつかの実施形態において、キャビティルーフ１１４及びキャビティ壁１１２の一方又は双方が、以下に詳述されるように、フォトレジスト材料を含み得る。
【００７９】
キャビティルーフ１１４及びキャビティ壁１１２の外面の複数の部分が、導電層１２２によって覆われる。いくつかの実施形態において、導電層１２２は、キャビティルーフ１１４及びキャビティ壁１１２の外面をシード層により覆った後に、めっきプロセスを使用してシード層の上に導電層１２２を形成することによって形成される。導電層１２２は、一つを超えるセクションを含んでよく、これらのセクションは、導電層１２２における少なくとも一つの間隙１２４によって電気的に分離され得る。導電層１２２は、所定の実施形態において厚さが約２５ｕｍである。ただし、他の適切な厚さもまた使用してよい。
【００８０】
いくつかの実施形態において、導電層１２２は、銅及び／又はチタンを含むシード層にめっきされた銅の層を含む。
【００８１】
導電層１２２は、キャビティ壁１１２の側部に沿って延びてダイ１０２へと降りる。ここで、導電層１２２は、ダイ１０２上の電子トレースのような相互接続構造物に接触し、パッケージ状弾性表面波デバイス１００内の弾性表面波共振器構造物のインターディジタルトランスデューサ電極１０４との電気通信を許容する。導電層１２２は、所定のアプリケーションにおいてプレート層と称してよい。
【００８２】
絶縁層１３２が、導電層１２２の外面の上に延びて導電層１２２における間隙１２４を充填する。絶縁層１３２の側方部分１３６が、ダイ１０２まで導電層１２２の側部を降りるように延びる。所定の実施形態において、絶縁層１３２は感光性樹脂である。いくつかの実施形態において、導電層１２２はネガ型フォトレジストとしてよい。いくつかの実施形態において、感光性樹脂は、ゴムフィラーを備えたフェノール樹脂としてよい。かかる樹脂は、約７００センチポアズ（ｃＰ）の粘度を有してよく、５℃で約９か月のシェルフライフ（ｓｈｅｌｆ  ｌｉｆｅ）、及び約４か月のフロアライフ（ｆｌｏｏｒ  ｌｉｆｅ）を有してよい。硬化した樹脂は、約２．２ギガパスカル（ＧＰａ）のヤング率、及びおよそ５５／℃の熱膨張係数を有してよい。
【００８３】
絶縁層１３２は、相対的に薄く作ることができる。いくつかの実施形態において、絶縁層は、厚さ約１５ｕｍ以下としてよい。いくつかの実施形態において、ゴムフィラーを備えたフェノール樹脂を含む絶縁層１３２の厚さは、約６ｕｍから約１４ｕｍまでの範囲としてよい。いくつかの特実施形態において、ゴムフィラーを備えたフェノール樹脂を含む絶縁層１３２の厚さは、約１０ｕｍとしてよい。感光性樹脂のような材料を使用する絶縁層１３２の形成により、パッケージ状弾性表面波デバイス１００の全体的な高さを、厚い絶縁層を備えた他のデバイスと比べて低減することができる。
【００８４】
厚さの低減に加え、ダイがダイシング及び個片化される開口及びソー・ストリートエリアのようなダイ１０２の他の部分に有意な残留物を与えないようにするべく、絶縁層１３２としての感光性バッファコート層を除去することができる。感光性バッファコート層の使用により、バッファコート硬化後の有意な銅酸化がなくなり、銅導電層の表面上に良好なカバレッジが得られる。感光性バッファコート層はまた、ボールせん断試験及び信頼性試験に合格することもできる。
【００８５】
絶縁層１３２を感光性バッファコート層としてよい。いくつかの実施形態において、ネガ型感光性材料を、感光性バッファコート層として使用することができる。感光性バッファコート層は、キャビティ壁、キャビティルーフ及び導電層の高さにより作られるトレンチゆえに、デバイスのエッジのソー・ストリートにおいては厚くなり得る。除去予定の感光性材料のエリアが露光されるポジ型感光性材料に対しては、残留物除去において露光エネルギーが有意な因子となり得る。ポジ型感光性材料を現像するべく相対的に高い露光量が適用され、デバイスのエッジにおいて相対的に厚いバッファコートを貫通させることができる。これによると、露光エネルギーが十分高くないときにポジ材料を現像することが困難になる。相対的に高い露光エネルギーがあれば、ソー・ストリートに近いエッジを薄くすることができる。
【００８６】
これとは対照的に、ネガ型感光性材料に対しては、完成デバイスにおいて残すべきと意図された感光性バッファのエリアが露光される。現像速度は、感光性材料の特性に依存し得る。ネガ型感光性材料は、パッケージ状弾性表面波デバイスの側部のソー・ストリートエリアにおいて容易に現像することができる。
【００８７】
パッケージ状弾性表面波デバイス１００はまた、導電層１２２の対応部分の上方に配置された端子１４２ａ及び１４２ｂも含む。これらは、絶縁層１３２におけるアパチャを通って導電層１２２に物理的に接触する。端子１４２ａ及び１４２ｂの部分１４４ａ及び１４４ｂはそれぞれが、絶縁層１３２のアパチャを貫通する。はんだ層１４６ａ及び１４６ｂが、端子１４２ａ及び１４２ｂそれぞれを覆う。
【００８８】
パターン状の絶縁層１３２の上に横たわるコンフォーマル層が、接続部分１４４ａ及び１４４ｂと端子１４２ａ及び１４２ｂの残りとの双方を形成してよい。かかる実施形態において、端子及びその下の導電層を、当該２つの間の分離柱なしで形成して接続することができる。端子は、銅又は他の適切な材料を含んでよい。いくつかの実施形態において、端子は、約１０ｕｍの厚さを有してよい。はんだ層１４６ａ及び１４６ｂは錫を含んでよい。
【００８９】
図２Ａは、一実施形態に係るパッケージ状弾性表面波デバイス２００の図である。図２Ｂは、図２ＡのセクションＢの詳細図であり、パッケージ状弾性表面波デバイス２００のエッジ部分を例示する。図２Ｂに見えるように、キャビティ壁２１２は厚さＴＷを有し、デバイスのエッジ沿いの導電材料２２２の側壁２２６は厚さＴＣを有し、導電材料２３２の側壁２３６の外側エッジからダイ２０２のエッジまでの距離が、厚さＴＥを有する。いくつかの実施形態において、キャビティ壁２１２の厚さＴＷは約３０ｕｍであり、導電材料２２２の側壁２２６の、ダイ２０２に接触する部分の厚さＴＣは約１５ｕｍであり、導電材料２３２の側壁２３６の外側エッジからダイ２０２のエッジまでの厚さＴＥは約３０ｕｍである。
【００９０】
図２Ｂは、ウェハ基板のエッジ部分２０６には、絶縁層２３２を形成する感光性樹脂が存在しないことを例示する。絶縁層２３２の側部２３６は、ダイ２０２の外側エッジから後退している。エッジ部分は、絶縁層２３２のエッジからダイ２０２のエッジまで、約１０ｕｍから２０ｕｍまでの範囲の距離だけ延びる。これにより、ダイがダイシング及び個片化されるソー・ストリートエリアに、絶縁層の封止体が存在しないことが許容される。これによりひいては、ダイを個片化するのに相対的に薄いブレードを使用することが許容される。これにより、隣接するダイと、所与サイズのウェハ上の隣接ダイとさらなるダイとの間のスペーシングを小さくすることが容易となる。さらに、個片化用の薄いブレードによりチッピングを低減し、信頼性を向上させることができる。
【００９１】
図３Ａ〜図３Ｊは、一実施形態に係る製造プロセスの様々なステージにおけるパッケージ状弾性表面波デバイスの一部分の断面である。図３Ａに示されるステージにおいて、一以上の弾性表面波共振器のインターディジタルトランスデューサ電極３０４を含むダイ３０２が設けられる。ダイ３０２は、いくつかの実施形態において、インターディジタルトランスデューサ電極を包含する複数の不連続領域を備えたウェハとしてよい。これらの電極は、別個のパッケージ状弾性表面波デバイスへとパッケージ化された後に個片化プロセスにおいて分離される。ダイ３０２は、図示のとおり単一の圧電層としてよい。他実施形態において、ダイ３０２は、圧電基板に加えて支持基板も含む多層圧電基板としてよい。多層圧電基板は、支持基板及び圧電基板とともに一以上の付加層を含み得る。一例として、支持基板はシリコン基板としてよい。ダイ３０２上には、インターディジタルトランスデューサ電極３０４に加え、インターディジタルトランスデューサ電極３０４から離れるように延びる相互接続構造物も設けてよい。
【００９２】
図３Ｂにおいて、インターディジタルトランスデューサ電極３０４の周囲を画定するキャビティ壁３１２が形成されている。キャビティ壁３１２は、複数の曲線セクションを備えた単一壁としてよく、又は、矩形のような所望形状を形成するべく複数の角度で互いに接続し合う複数の壁セグメントを含んでもよい。キャビティ壁３１２は、フォトレジスト又は他の感光性材料を含んでよい。キャビティ壁３１２の高さは、得られるキャビティの所望の高さに対応し得る。キャビティ壁３１２は、ダイ３０２により支持される相互接続構造物の上に、相互接続構造物の一部分が、キャビティ壁３１２の外側に配置されるように延びてよい。複数のキャビティ壁３１２が、圧電材料を含む一のウェハにわたる多数箇所に形成されてよい。各キャビティ壁３１２が、一のパッケージの一箇所に形成される。
【００９３】
図３Ｃにおいて、キャビティ壁３１２の一側から他側へと延びるキャビティルーフ３１４が形成されている。図示の実施形態において、キャビティルーフ３１４は、互いに対してかつダイ３０２の下部表面に対して一般に平行な上面及び下面を備えた平面構造物である。いくつかの他実施形態において、インターディジタルトランスデューサ電極３０４に面するキャビティルーフの下面に凹みを備えた形状を含む他形状のキャビティルーフも形成してもよい。図示の実施形態において、キャビティルーフ３１４のエッジは、キャビティ壁３１２のエッジを超えて外方に延びることはない。この形状により、キャビティ画定構造物の上への後続材料の堆積が容易となる。
【００９４】
図３Ｄにおいて、キャビティルーフ３１４及びキャビティ壁３２０の外面の上にシード層が堆積されている。所定の箇所においてシード層の上に横たわる導電層３２２が形成されている。導電層３２２は、導電層３２２の２つの部分の間に間隙３２４を含む。導電層３２２はまた、キャビティルーフ３１４及びキャビティ壁３１２の側部に沿って延びてダイ３０２まで降りるように延びる側壁部分３２６も含む。
【００９５】
図３Ｅにおいて、シード層の露出された部分が除去されている。導電層３２２の上にはバッファコート絶縁層３３２が形成されている。絶縁層３３２は、下に横たわる導電層３２２の複数セクションを露出させるアパチャ３３４を有する。絶縁層３３２はまた、導電層３２２の側部に沿って延びてダイ３０２まで降りる側壁部分３３６も含む。絶縁層３３２はネガ型感光性材料を含み得る。絶縁層３３２は感光性樹脂を含み得る。絶縁層３３２は、ゴムフィラーを備えたフェノール樹脂を含んでよい。
【００９６】
図３Ｆにおいて、端子３４０ａ及び３４０ｂが、絶縁層３３２におけるアパチャ３３４の上に横たわるように形成される。端子３４０ａ及び３４０ｂは、アパチャ３３４の少なくとも一部分を充填し、絶縁層３３２の、アパチャ３３４に隣接する複数部分の上に延びる。いくつかの実施形態において、端子３４０ａ及び３４０ｂは、銅又は他の適切な導電材料を含み得る。端子３４０ａ及び３４０ｂは、一層のコンフォーマル材料を含み、このコンフォーマル材料は、アパチャ３３４の上に、かつ、絶縁層３３２の、アパチャ３３４に隣接する部分の上に堆積される。その結果、端子３４０ａ及び３４０ｂは、アパチャ３３４内のそれぞれの接続部分３４４ａ及び３４４ｂと、当該接続部分３４４ａ及び３４４ｂの上方の広い上側セクション３４２ａ及び３４２ｂとを含む。
【００９７】
図３Ｇにおいて、端子３４０ａ及び３４０ｂそれぞれの上面の上に、はんだ部分３４６ａ及び３４６ｂが形成されている。はんだは、いくつかの実施形態において錫を含んでよい。ただし、他の適切なはんだ材料も同様に使用してよい。はんだ部分３４６ａ及び３４６ｂは、端子３４０ａ及び３４０ｂの外部デバイスへの接合を容易にすることができる。キャビティ３１６内の弾性表面波共振器との接続が、導電材料３２２を介してなされる。
【００９８】
図３Ｈにおいて、ダイ３０２の、インターディジタルトランスデューサ電極３０４の反対側の側部がグラインディングされ、ダイ３０２の厚さが所望の最終厚さまで低減されるようにダイ３０２の一部分３０９が除去される。いくつかの実施形態において、得られるトリミングされたダイ３０２’は、約１３０ｕｍの究極厚さを有し得る。ただし、他のダイ厚さもまた使用してよい。
【００９９】
図３Ｉにおいて、トリミングされたダイ３０２’の、インターディジタルトランスデューサ電極３０４とは反対側の側部３０７が、マーキングレーザからの照明３９０に露光され、マーキング部分３０８を有するマーキングかつトリミングされたダイ３０２’’が形成される。レーザマーキングは、モジュールの整列を目的として、並びに／又はウェハ及びモジュールのロットの特定を目的として、使用することができる。レーザマーキングは、例示のように、トリミングされたダイ３０２’の圧電材料に直接行ってよい。マーキングのための付加的な膜又は層を形成するのではなく、トリミングされたダイ３０２’に直接マーキングすることにより、得られるパッケージ状弾性表面波デバイス３００の全体的な厚さを低減することができる。
【０１００】
この直接のマーキングには、深紫外線レーザからの照明３９０を使用することができる。一実施形態において、かかるレーザは、弾性表面波デバイスのためのリチウム系基板の機能を損ねることなくリチウム系基板にマーキングを入れることができる波長を有する光を発することができる。一例として、レーザ光は、２６６ナノメートル（ｎｍ）の波長を有する。このレーザ光波長又は同様の波長は、ニオブ酸リチウム基板又はタンタル酸リチウム基板のようなリチウム系基板に、１ミクロン未満の深さのような相対的に浅い深さまでのマーキングを入れることができる。この浅いマーキング深さにより、トリミングかつマーキングされたダイ３０２’’の強度の有意な低下を防止することができる。加えて、この波長のレーザ光は、ニオブ酸リチウム基板を貫通してはならない。多層圧電基板も、適切なレーザ波長を使用して同様にマーキングを入れることができる。
【０１０１】
図３Ｊは、マーキングされたパッケージ状弾性表面波デバイス３００を示し、トリミングされたダイ３０２’の、インターディジタルトランスデューサ電極３０４とは反対側の側部３０７のマーキング部分３０８の詳細図を含む。この詳細図は、ダイ３０２’’の下側３０７のマーキング部分３０８におけるマーキング３９２を例示する。英数字マーキング又は他の記号を含む任意の適切なマーキングを形成してよい。マーキング部分３０８の箇所は、ダイ３０２’’上の任意の適切な一つ又は複数の箇所としてよい。
【０１０２】
得られたパッケージ状弾性表面波デバイス３００は、２２０ｕｍ未満の全体パッケージ高さＨ１を有してよく、所定の実施形態においては、２００ｕｍ未満、又は近似的に１９０ｕｍであってもよい。デバイス３００の全体パッケージ高さＨ１を低減する特徴は、絶縁層３３２を形成するべくバッファコート層を使用することと、別個の層を形成及びマーキングするのではなく、ダイ３０２’’を直接マーキングすることとを含む。加えて、図３Ａ〜図３Ｊに例示されるプロセスでは、弾性表面波デバイスを、所定の従前の方法よりも少ない処理ステップ（例えば約２５ステップ以下）でパッケージ化することができる。
【０１０３】
図３Ｂ及び図３Ｃがキャビティ壁３１２及びキャビティルーフ３１４を広く例示するにもかかわらず、図４Ａ〜図４Ｆは、キャビティ壁及びキャビティルーフを形成する製造プロセスの特定の実施形態をさらに詳細に例示する。詳しくは、図４Ａ〜図４Ｆは、部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の、多数フォトレジスト露光を含む製造プロセスの様々なステージにおける断面を示す。
【０１０４】
図４Ａは、ダイ４０２の上の感光層４５０、及びダイ４０２により支持されるインターディジタルトランスデューサ電極４０４の形成を示す。ダイ４０２及びインターディジタルトランスデューサ電極４０４は、図３Ａのダイ３０２及びインターディジタルトランスデューサ電極３０４と同様としてよい。感光層４５０は、感光性材料を含み、キャビティ壁の所望の厚さと等しい厚さを有するように形成される。ダイ４０２により支持されるインターディジタルトランスデューサ電極４０４及び他のコンポーネントは、感光層４５０が形成されるでこぼこした上面を与え得るので、感光層４５０は、液体フォトレジンのような液体タイプの感光性材料を使用することによって形成され得る。液体感光性材料の使用により、ダイ４０２にわたる、かつ、インターディジタルトランスデューサ電極４０４の上の、実質的に一定厚さの感光層４５０の形成が許容される。
【０１０５】
図４Ｂは、マスク４５２を使用した感光層４５０の複数の部分の、照明４９０への選択可能な露光を示す。図示の実施形態において、感光層４５０はポジ型感光性材料を含み、感光層４５０の、デバイスに残されるべき部分が、光から遮蔽され、感光層４５０の、除去されるべき部分４５４が露光される。感光層４５０のマスクされた部分がフォトレジスト現像液に対して不溶のままとなり、感光層４５０の、露光された非マスク部分４５４がフォトレジスト現像液に対して可溶となる。
【０１０６】
図４Ｃは、図４Ｂの感光層４５０のマスクされた部分が、当該感光層の非マスク部分が除去された後にキャビティ壁４１２として残っていることを示す。この除去は、例えば、感光層４５０をフォトレジスト現像液にさらして当該感光層の可溶部分を除去することを含む。
【０１０７】
図４Ｄにおいて、キャビティ壁４１２の上にフォトレジスト層４６０が形成されている。でこぼこした表面の上に一定厚さを与える液体タイプのフォトレジンを含むフォトレジスト材料４５０とは対照的に、ダイ４０２により支持されるインターディジタルトランスデューサ電極４０４及び他のコンポーネントの上に横たわる一般に平坦な構造物を形成するべく、フォトレジスト層４６０を、キャビティ壁により支持される膜として堆積することができる。
【０１０８】
図４Ｅにおいて、感光層４６０は、マスク４６２を使用して選択的に照明４９０に露光される。図示の実施形態において、感光層４６０はネガ型感光性材料を含み、感光層４６０の、デバイスに残されるべき部分が露光され、感光層４６０の、除去されるべき部分４６４が光から遮蔽される。感光層４５０のマスクされた部分がフォトレジスト現像液に対して可溶のままとなり、感光層４５０の、露光された非マスク部分４５４がフォトレジスト現像液に対して不溶のままとなる。
【０１０９】
図４Ｆは、図４Ｅの感光層４６０の非マスク部分が、当該感光層のマスクされた部分が除去された後にキャビティルーフ４１４として残っていることを示す。この除去は、例えば、感光層４６０をフォトレジスト現像液にさらして当該感光層の可溶部分を除去することを含む。
【０１１０】
図３Ｄが導電層３２２の形成を広く例示するにもかかわらず、図５Ａ〜図５Ｆは、めっきプロセスを使用して導電層を形成する製造プロセスの特定の実施形態をさらに詳細に例示する。詳しくは、図５Ａ〜図５Ｅは、めっきプロセスを含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【０１１１】
図５Ａは、キャビティ壁５１２及びキャビティルーフ５１４の外面の上にシード層５２０が形成されていることを示す。図４Ｆの部分的にパッケージ状にされたデバイスと同様に、キャビティ壁５１２及びキャビティルーフ５１４がダイ５０２により支持されてキャビティ５１６を画定する。キャビティ５１６は、ダイ５０２により支持されるインターディジタルトランスデューサ電極５０４を封入する。シード層５２０を形成することは、キャビティルーフ５１４の露光面又は他の表面の表面修正を行うことを含み得る。すなわち、これらの表面をクリーニングすることを含み得る。その後、金属をキャビティルーフ５１４とキャビティ壁５１２の露出された表面の上にスパッタリングしてシード層５２０を形成することができる。いくつかの実施形態において、チタン及び銅をスパッタリングして、めっきのためのベース金属を形成することができる。シード層５２０は、キャビティ壁５１２に隣接するダイ５０２の露出された部分へと延びる。
【０１１２】
図５Ｂにおいて、シード層５２０の上に感光層５７０が形成されている。感光層５７０は、図示のように、下に横たわる構造物の上において一般にコンフォーマルであるが、他実施形態では、キャビティルーフ５１４の上においてダイの上よりも薄くなっていてもよい。感光層５７０は、シード層５２０にめっきされる導電層の形状を画定するべく感光層５７０を使用することができるように、キャビティルーフ５１４の上に横たわるエリアにおける厚さを、シード層にめっきされる最終的な導電層と少なくとも同じ厚さとしてよい。
【０１１３】
図５Ｃにおいて、感光層５７０の、照明への選択可能露光と、引き続いての感光層５７０の可溶部分の除去とを介して、感光層５７０がパターニングされている。感光層の複数部分をこのように除去することにより、下に横たわるシード層５２０の複数部分が露出される。
【０１１４】
残りの感光層部分は、形成予定の導電層のエッジを画定する側方部分５７４を含む。これらの側方部分５７４は、キャビティ壁５１２から離れたダイ５０２上のシード層５２０の複数部分のみの上に横たわってよい。残りの感光層部分はまた、キャビティルーフ５１４の一部分の上に延びる間隙画定部分５７２も含む。間隙画定部分５７２は、いくつかの実施形態において、一方の側方部分５７４から他方の側方部分５７４まで延び、シード層５２０の２つの露出されたセクションを互いから完全に分離させる。いくつかの実施形態において、シード層５３０の露出された部分を多数の別個のセクションに分離するべく、付加的な間隙画定部分を含めてもよい。
【０１１５】
図５Ｄにおいて、シード層５２０の露出された部分に厚い導電層５２２がめっきされている。厚い導電層５２２の形状は、側方部分５７４及び間隙画定部分５７２を含む感光層の残りの部分によって画定される。導電層５２２は、銅又は任意の他の適切な材料を含んでよい。
【０１１６】
図５Ｅにおいて、側方部分５７４及び間隙画定部分５７２を含む感光層の残りの部分が除去されている。加えて、感光層のこれらの部分の下に横たわるシード層５２０の露出された部分も除去されている。得られる導電層５２２は、キャビティルーフ５１４の上に横たわる不連続の複数セクションを含み得る。これらのセクションは、キャビティルーフ５１４及びキャビティ壁５１２の側部に沿って延びてダイ５０２まで延びる側壁セクション５２６とともに、間隙５２４によって分離される。
【０１１７】
図３Ｅが絶縁層３３２の形成を広く例示するにもかかわらず、図６Ａ〜図６Ｃは、絶縁層を形成する製造プロセスの特定の実施形態をさらに詳細に例示する。詳しくは、図６Ａ〜図６Ｃは、スピンコーティングプロセスを含む製造プロセスの様々なステージにおける部分的にパッケージ状にされた弾性表面波デバイスの一部分の断面である。
【０１１８】
図６Ａは、キャビティ壁６１２及びキャビティルーフ６１４の上に形成された導電層６２２の外面の上にバッファコート層６８０が形成されていることを示す。図５Ｅの部分的にパッケージ状にされたデバイスと同様に、キャビティ壁６１２及びキャビティルーフ６１４がダイ６０２により支持されてキャビティ６１６を画定する。キャビティ６１６は、ダイ６０２により支持されるインターディジタルトランスデューサ電極６０４を封入する。いくつかの実施形態において、バッファコート層は、フェノール樹脂のような感光性樹脂を含み得る。バッファコート層はまた、ゴムフィラーも含んでよい。
【０１１９】
図示の実施形態において、導電層６２２の上に横たわるバッファコート層６８０の厚さは、導電層６２２から離れたダイ６０２上に横たわるバッファコート層６８０の厚さよりも薄い。バッファコート層６８０の上面は一般に平坦となり得る。いくつかの実施形態において、バッファコート層６８０は、スピンコーティングプロセスを使用して堆積されてよい。スピンコーティングプロセスの使用により、下に横たわる導電層６２２及びダイ６０２のでこぼこしたプロファイルにもかかわらず、一般に平坦な上面を得ることができる。キャビティルーフ６１４の上に横たわるエリアのバッファコート層６８０の厚さは、いくつかの実施形態において約１０ｕｍ未満となり得る。ただし、他の適切な厚さも使用してよい。
【０１２０】
図６Ｂにおいて、バッファコート層６８０は、マスク６８２を使用して選択的に照明６９０に露光される。図示の実施形態において、バッファコート層６８０はネガ型感光性材料を含む。ここで、バッファコート層６８０の、デバイスに残されるべき複数部分が露光され、バッファコート層６８０の、除去されるべき部分６８４が光から遮蔽される。バッファコート層６８０のマスクされた部分６８４がフォトレジスト現像液に対して可溶のままとなり、バッファコート層６８０の露光された部分がフォトレジスト現像液に対して不溶性となる。バッファコート層６８０を露光するべく広帯域光を使用してよい。
【０１２１】
図６Ｃにおいて、バッファコート層６８０のマスクされた部分が除去されており、残りの部分が硬化されて絶縁層６３２を形成する。絶縁層６３２は導電層６２２の上に延びる。絶縁層６３２は、下に横たわる導電層６２２の複数セクションを露出させるアパチャ６３４を有する。絶縁層６３２はまた、導電層６２２の側部に沿って延びてダイ６０２まで降りる側壁部分６３６も含む。
【０１２２】
図７は、一実施形態に係る感光性バッファコートを含むパッケージ状弾性表面波デバイスを製造するプロセスのフロー図である。プロセス７００は、キャビティ構造物が少なくとも一つのインターディジタルトランスデューサ電極を支持するダイに形成されるステージ７０５から開始する。キャビティ構造物は、少なくとも一つのインターディジタルトランスデューサ電極を封止する。キャビティ構造物の形成は、少なくとも一つのインターディジタルトランスデューサ電極を取り囲む単数又は複数のキャビティ壁の形成と、当該キャビティ壁により支持されて当該少なくとも一つのインターディジタルトランスデューサ電極の上に延びるキャビティルーフの形成とを含み得る。
【０１２３】
プロセス７００は、キャビティルーフ及びキャビティ壁を含むキャビティ構造物の上に導電層が形成されるステージ７１０へと移る。導電層は、めっきプロセスによって形成されてよい。めっきプロセスは、例えばスパッタリングを介したシード層の堆積を含んでよい。それに引き続いて導電層がシード層にめっきされる。導電層は、ダイと接触する側壁部分を含み得る。導電層は、互いから電気的に分離された複数セクションを含み得る。
【０１２４】
プロセス７００は、スピンコーティングプロセスを使用して導電層の上に絶縁層が形成されるステージ７１５へと移る。絶縁層はバッファコート層を含み得る。バッファコート層はフェノール樹脂を含んでよく、ゴムフィラーも含んでよい。絶縁層はネガ型フォトレジスト材料を含んでよい。絶縁層は、導電層の異なる部分を露出される複数のアパチャを含んでよい。絶縁層は、ダイと接触する側壁部分を含んでよい。
【０１２５】
プロセス７００は、複数の端子が形成されるステージ７２０へと移る。各端子は、絶縁層の上に横たわり、当該絶縁層におけるアパチャの中へと延びて導電層に接触する。これらの端子は銅を含んでよい。これらの端子は、当該端子の頂部にはんだ層を含んでよい。
【０１２６】
図８は、一実施形態に係る圧電層のレーザマーキングを含むパッケージ状弾性表面波デバイスを製造するプロセスのフロー図である。プロセス８００は、所定のアプリケーションにおいてプロセス７００と組み合わせて行うことができる。プロセス８００は、パッケージ状弾性表面波デバイスを支持する圧電基板が設けられるステージ８０５から開始する。パッケージ状弾性表面波デバイスは、キャビティ構造物の中に封止された少なくとも一つのインターディジタルトランスデューサ電極を含み得る。パッケージ状弾性表面波デバイスは、スピンオンプロセスにより形成された絶縁層を含み得る。絶縁層はネガ型フォトレジストを含んでよい。ネガ型フォトレジストはフェノール樹脂としてよく、ゴムフィラーを含んでよい。パッケージ状弾性表面波デバイス。
【０１２７】
プロセス８００は、圧電基板に直接レーザマーキングがされるステージ８１０へと移る。このマーキングプロセスは、別個のマーキング層を含まないので、パッケージ状弾性表面波デバイスの厚さを増加させることがない。レーザマーキングは、深ＵＶレーザを使用して圧電基板にマーキングすることを含む。レーザマーキングは、所定例において、２６６ｎｍの波長を有するレーザ光を適用することを含み得る。かかる波長は、ニオブ酸リチウム及び／又はタンタル酸リチウム基板にマーキングを入れるのに適切である。圧電基板のマーキング部分は、当該圧電基板の中に１ｕｍ未満だけ延びてよい。
【０１２８】
ここに開示されるパッケージ状弾性表面波デバイスは、無線周波数モジュールにおけるスタンドアロン型弾性表面波フィルタ等のような様々なアプリケーションにおいて実装することができる。ここに開示される任意の適切な原理及び利点に係るパッケージ状弾性表面波デバイスを含む無線周波数モジュールはまた、電力増幅器、無線周波数スイッチ、低雑音増幅器、インダクタ等の一以上を含み得る。かかる無線周波数モジュールは、当該パッケージ状弾性表面波デバイスの低減された高さ及び／又はサイズの利益を受け得る。
【０１２９】
図９は、一実施形態に係る弾性表面波コンポーネント１０７６を含む無線周波数モジュール９００の模式的な図である。図示の無線周波数モジュール１２００は、ＳＡＷコンポーネント１０７６及び他の回路１０７７を含む。ＳＡＷコンポーネント１０７６は、ここに開示されるＳＡＷパッケージの特徴の任意の適切な組み合わせを備えた一以上のパッケージ状ＳＡＷフィルタを含み得る。
【０１３０】
図９に示されるＳＡＷコンポーネント１０７６は、フィルタ１０７８と、端子１０７９Ａ及び１０７９Ｂとを含む。フィルタ１０７８は、複数のＳＡＷ共振器を含み、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従ってパッケージ状にされる。端子１１０５Ａ及び１１０５Ｂは、例えば、入力接点及び出力接点としての役割を果たし、バッファコート樹脂絶縁層を貫通してよい。ＳＡＷコンポーネント１０７６及び他の回路１０７７は、図９における共通パッケージ基板１０８０上に存在し、又は共通パッケージ基板１０８０により支持される。パッケージ基板１０８０は積層基板としてよい。端子１０７９Ａ及び１０７９Ｂは、パッケージ基板１０８０上の又はパッケージ基板１０８０に支持された接点１０８１Ａ及び１０８１Ｂそれぞれに、電気コネクタ１０８２Ａ及び１０８２Ｂそれぞれを経由して電気的に接続される。電気コネクタ１０８２Ａ及び１０８２Ｂは、例えばバンプ又はワイヤボンドとしてよい。他の回路１０７７は、任意の適切な付加回路を含み得る。例えば、他の回路は、一以上の電力増幅器、一以上の無線周波数スイッチ、一以上の付加フィルタ、一以上の低雑音増幅器等、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。無線周波数モジュール１２００は、例えば、無線周波数モジュール１２００を保護し及び／又はその容易な扱いを促すべく、一以上のパッケージ構造物を含み得る。かかるパッケージ構造物は、パッケージ基板１２００を覆うように形成されたオーバーモールド構造物を含み得る。オーバーモールド構造物は、無線周波数モジュール１０００のコンポーネントの一部又はすべてを封止することができる。
【０１３１】
図１０は、一実施形態に係る弾性表面波コンポーネントを含む無線周波数モジュール１０００の模式的な図である。図示のように、無線周波数モジュール１３００は、送信フィルタ１１８６Ａ１〜１１８６Ｎ１それぞれ、及び受信フィルタ１１８６Ａ２〜１１８６Ｎ２それぞれを含むデュプレクサ１１８５Ａ〜１１８５Ｎと、電力増幅器１１８７と、選択スイッチ１１８８と、アンテナスイッチ１１８９とを含む。無線周波数モジュール１３００は、図示の素子を封入するパッケージを含み得る。図示の素子は、共通パッケージ基板１１８０上に配置することができる。パッケージ基板は、例えば、積層基板としてよい。
【０１３２】
デュプレクサ１１８５Ａ〜１１８５Ｎはそれぞれが、共通ノードに結合された２つの弾性波フィルタを含み得る。２つの弾性波フィルタは、送信フィルタ及び受信フィルタとしてよく、ここに説明されるように互いにパッケージ状にされてよい。図示のように、送信フィルタ及び受信フィルタはそれぞれが、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された帯域通過フィルタを含み得る。ここに開示される任意の適切な原理及び利点に係るパッケージ状ＳＡＷデバイスは、送信フィルタ１１８６Ａ１〜１１８６Ｎ１の一以上及び／又は受信フィルタ１１８６Ａ２〜１１８６Ｎ２の一以上の、一以上のＳＡＷ共振器を含み得る。図１０がデュプレクサを例示するにもかかわらず、ここに開示の任意の適切な原理及び利点は、他のマルチプレクサ（例えばクアッドプレクサ、ヘキサプレクサ、オクタプレクサ等）に、及び／又はスイッチプレクサに実装することができる。
【０１３３】
電力増幅器１１８７は、無線周波数信号を増幅することができる。図示のスイッチ１１８８は多投無線周波数スイッチである。スイッチ１１８８は、電力増幅器１１８７の出力を、送信フィルタ１１８６Ａ１〜１１８６Ｎ１の選択された送信フィルタに電気的に結合することができる。いくつかの例において、スイッチ１１８８は、電力増幅器１１８７の出力を、送信フィルタ１１８６Ａ１〜１１８６Ｎ１の一を超える送信フィルタに電気的に接続することができる。アンテナスイッチ１１８９は、デュプレクサ１１８５Ａ〜１１８５Ｎの一以上からの信号をアンテナポートＡＮＴに選択的に結合することができる。デュプレクサ１１８５Ａ〜１１８５Ｎは、異なる周波数帯域及び／又は異なる動作モード（例えば異なる電力モード、異なる信号モード等）に関連付けることができる。
【０１３４】
図１１は、電力増幅器１２１２、無線周波数スイッチ１２１４、及び一以上の実施形態に係るデュプレクサ１２９１Ａ〜１２９１Ｎを含むモジュール１２１０の模式的なブロック図である。電力増幅器１２１２は、無線周波数信号を増幅することができる。無線周波数スイッチ１２１４は多投無線周波数スイッチとしてよい。無線周波数スイッチ１２１４は、電力増幅器１２１２の出力を、デュプレクサ１２９１Ａ〜１２９１Ｎの選択された送信フィルタに電気的に結合することができる。ここに開示される任意の適切な原理及び利点に係るパッケージ状ＳＡＷデバイスは、デュプレクサ１２９１Ａ〜１２９１Ｎ及び／又は一以上のデュプレクサ１２９１Ａ〜１２９１Ｎの、一以上のフィルタの一以上のＳＡＷ共振器を含み得る。
【０１３５】
図１２は、フィルタ１２７１Ａ〜１２７１Ｎ、無線周波数スイッチ１２７４、及び一実施形態に係る低雑音増幅器１２７２を含むモジュール１２７０の模式的なブロック図である。ここに開示される任意の適切な原理及び利点に係るパッケージ状ＳＡＷデバイスは、フィルタ１２７１Ａ〜１２７１Ｎのうち一以上のフィルタの一以上のＳＡＷ共振器を含み得る。これらのフィルタの一部又はすべてが、ここに説明されるようにパッケージ状にされ得る。任意の適切な数のフィルタ１２７１Ａ〜１２７１Ｎを実装することができる。図示のフィルタ１２７１Ａ〜１２７１Ｎは受信フィルタである。いくつかの実施形態（例示せず）において、フィルタ１２７１Ａ〜１２７１Ｎの一つ以上を、送信フィルタも含むマルチプレクサに含めることができる。無線周波数スイッチ１２７４は多投無線周波数スイッチとしてよい。無線周波数スイッチ１２７４は、フィルタ１２７１Ａ〜１２７１Ｎの選択されたフィルタの出力を、低雑音増幅器１２７２に電気的に結合することができる。いくつかの実施形態（例示せず）において、複数の低雑音増幅器を実装することができる。モジュール１２７０は、所定のアプリケーションにおいて、ダイバーシティ受信特徴部を含み得る。
【０１３６】
図１３は、デュプレクサ１３９１Ａ〜１３９１Ｎ及びアンテナスイッチ１３９４を含むモジュール１３９５の模式的なブロック図である。デュプレクサ１３９１Ａ〜１３９１Ｎの、一以上のフィルタが、ここに記載されるようにパッケージ状にされ、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に係る任意の適切な数の弾性表面波共振器を含み得る。任意の適切な数のデュプレクサ１３９１Ａ〜１３９１Ｎを実装することができる。アンテナスイッチ１３９４は、デュプレクサ１３９１Ａ〜１３９１Ｎの数に対応する一定数の投を有し得る。アンテナスイッチ１３９４は、選択されたデュプレクサをモジュール１３９５のアンテナポートに電気的に結合することができる。
【０１３７】
図１４は、一実施形態に係る無線周波数フロントエンド１４０２にフィルタ１４０３を含む無線通信デバイス１４００の模式的な図である。フィルタ１４０３は、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に係る一以上のＳＡＷ共振器を含み得る。無線通信デバイス１４００は、任意の適切な無線通信デバイスとしてよい。例えば、無線通信デバイス１４００は、スマートフォンのような携帯電話機としてよい。例示のように、無線通信デバイス１４００は、アンテナ１４０１、ＲＦフロントエンド１４０２、送受信器１４０４、プロセッサ１４０５、メモリ１４０６及びユーザインタフェイス１４０７を含む。アンテナ１４０１は、ＲＦフロントエンド１４０２により与えられたＲＦ信号を送信することができる。そのようなＲＦ信号は、キャリアアグリゲーション信号を含み得る。図示されないにもかかわらず、無線通信デバイス１４００は、所定のアプリケーションにおいてマイクロホン及びスピーカを含み得る。
【０１３８】
ＲＦフロントエンド１４０２は、一以上の電力増幅器、一以上の低雑音増幅器、一以上のＲＦスイッチ、一以上の受信フィルタ、一以上の送信フィルタ、一以上のデュプレクスフィルタ、一以上のマルチプレクサ、一以上の周波数マルチプレクシング回路等、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。ＲＦフロントエンド１４０２は、任意の適切な通信規格に関連付けられたＲＦ信号を送信及び受信することができる。複数のフィルタ１４０３は、互いに又はフィルタ１４０３のサブセットとともにパッケージ状にすることができ、ここに説明される任意の実施形態を参照して記載される特徴の任意の適切な組み合わせを含むパッケージ状ＳＡＷデバイスを含み得る。
【０１３９】
ＲＦ送受信器１４０４は、増幅及び／又は他の処理を目的としてＲＦ信号をＲＦフロントエンド１４０２に与えることができる。送受信器１４０４はまた、ＲＦフロントエンド１４０２の低雑音増幅器が与えるＲＦ信号を処理することもできる。送受信器１４０４はプロセッサ１４０５と通信する。プロセッサ１４０５は、ベース帯域プロセッサとしてよい。プロセッサ１４０５は、無線通信デバイス１４００のための、任意の適切なベース帯域処理機能を与えることができる。メモリ１４０６には、プロセッサ１４０５がアクセス可能である。メモリ１４０６は、無線通信デバイス１４００のための任意の適切なデータを記憶することができる。ユーザインタフェイス１４０７は、タッチスクリーン能力を有するディスプレイのような、任意の適切なユーザインタフェイスとしてよい。
【０１４０】
図１５は、無線周波数フロントエンド１５０２にフィルタ１５０３を、ダイバーシティ受信モジュール１５１２に第２フィルタ１５１３を含む無線通信デバイス１５１０の模式的な図である。無線通信デバイス１５１０は図１４の無線通信デバイス１４００と同様であるが、無線通信デバイス１５１０がさらにダイバーシティ受信機能を含む点が異なる。図１５に示されるように、無線通信デバイス１５１０は、ダイバーシティアンテナ１５１１と、ダイバーシティアンテナ１５１１が受信した信号を処理するべく構成されてフィルタ１５１３を含むダイバーシティモジュール１５１２と、無線周波数フロントエンド１５０２及びダイバーシティ受信モジュール１５１２双方と通信する送受信器１５０４とを含む。複数のフィルタ１５１３は、互いに又はフィルタ１５１３のサブセットとともにパッケージ状にすることができ、ここに説明される任意の実施形態を参照して記載される特徴の任意の適切な組み合わせを含むパッケージ状ＳＡＷデバイスを含み得る。
【０１４１】
ここに開示される弾性表面波デバイスの任意の適切な原理及び利点は、一以上の温度補償ＳＡＷ共振器に実装してよい。温度補償ＳＡＷ共振器は、周波数温度係数をゼロに近付けるべくインターディジタルトランスデューサ電極の上に温度補償層（例えば二酸化ケイ素層）を含み得る。
【０１４２】
ここに開示されるパッケージ状弾性表面波デバイスは、第４世代（４Ｇ）ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）動作帯域の無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタに含まれる一以上の弾性表面波共振器を含み得る。ここに開示されるパッケージ状弾性表面波デバイスは、周波数レンジ１（ＦＲ１）内の第５世代（５Ｇ）ニューラジオ（ＮＲ）動作帯域の無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタに含まれる一以上の弾性表面波共振器を含み得る。ＦＲ１は、現行の５ＧＮＲ仕様に特定されるように、例えば４１０メガヘルツ（ＭＨｚ）から７．１２５ギガヘルツ（ＧＨｚ）とすることができる。ここに開示されるパッケージ状弾性表面波デバイスは、ＦＲ１内の４ＧＬＴＥ動作帯域及び５ＧＮＲ動作帯域双方に対応する通過帯域を備えたフィルタに含まれる一以上の弾性表面波共振器を含み得る。
【０１４３】
上述された実施形態のいずれもが、セルラーハンドセットのような無線周波数システム及び／又は携帯デバイスに関連して実装され得る。実施形態の原理及び利点は、ここに記載される実施形態のいずれから利益を得る任意のシステム又は装置のために使用することができる。ここでの教示は、様々なシステムに適用可能である。本開示が実施形態例を含むにもかかわらず、ここに説明される教示は、様々な構造に適用することができる。ここに説明される原理及び利点はいずれも、約３０ｋＨｚから３００ＧＨｚの周波数範囲、例えば約４５０ＭＨｚから８．５ＧＨｚの周波数範囲、にある信号を処理するべく構成されたＲＦ回路に関連して実装することができる。
【０１４４】
本開示の複数の側面は、様々な電子デバイスに実装することができる。電子デバイスの例は、消費者用電子製品、半導体ダイ及び／又はパッケージ状無線周波数モジュールのような消費者用電子製品の部品、電子試験機器、アップリンク無線通信デバイス、パーソナルエリアネットワーク通信デバイス等を含み得るがこれらに限られない。消費者電子製品の例は、スマートフォンのような携帯電話機、スマートウォッチ又はイヤピースのようなウェアラブルコンピューティングデバイス、電話機、テレビジョン、コンピュータモニタ、コンピュータ、ルータ、モデム、ハンドヘルドコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、パーソナルディジタルアシスタント（ＰＤＡ）、電子レンジ、冷蔵庫、自動車電子システムのような車両電子システム、ステレオシステム、ＤＶＤプレーヤ、ＣＤプレーヤ、ＭＰ３プレーヤのようなディジタル音楽プレーヤ、ラジオ、ビデオカメラ、カメラ、ディジタルカメラ、携帯型メモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯／乾燥機、周辺デバイス、時計等を含んでよいが、これらに限られない。さらに、電子デバイスは未完成の製品も含んでよい。
【０１４５】
本明細書及び特許請求の範囲全体にわたり、文脈上そうでないことが明らかでない限り、「含む」、「備える」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包括的意味に、すなわち「〜を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。ここで一般に使用される用語「結合」は、直接接続されるか又は一つ以上の中間要素を介して接続されるかいずれかとなり得る２以上の要素を言及する。同様に、ここで一般に使用される単語「接続」は、直接接続されるか又は一つ以上の中間要素を介して接続されるかのいずれかとなり得る２つ以上の要素を言及する。加えて、単語「ここ」、「上」、「下」及び同様の趣旨の単語は、本願において使用される場合、本願全体を言及し、本願の任意の固有部分を言及するわけではない。文脈が許容する場合、単数又は複数を使用する上述の詳細な説明における用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。２つ以上の項目のリストを参照する用語「又は」及び「若しくは」について、当該用語は以下の解釈のすべてをカバーする。すなわち、当該リストの任意の項目、当該リストのすべての項目、及び当該リストの項目の任意の組み合わせである。
【０１４６】
さらに、とりわけ「できる」、「し得る」、「してよい」、「かもしれない」、「例えば」、「のような」等のようなここに記載の条件付き言語は一般に、特にそうでないことが述べられ、又は使用の文脈上そうでないことが理解される場合を除き、所定の実施形態が所定の特徴、要素及び／又は状態を含む一方で他の実施形態がこれらを含まないことを伝えるように意図される。すなわち、かかる条件的言語は、特徴、要素及び／若しくは状態が一以上の実施形態にとって必要な任意の態様にあること、又は一以上の実施形態が必ず、筆者のインプット若しくは促しありで若しくはなしで、これらの特徴、要素及び／若しくは状態が任意の固有実施形態に含まれ若しくは当該実施形態で行われるか否かを決定する論理を含むこと、を示唆することを一般には意図しない。
【０１４７】
所定の実施形態が記載されてきたが、これらの実施形態は、例により提示されたにすぎないので、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際のところ、ここに記載される新規な方法、装置及びシステムは、様々な他の形態で具体化することができる。さらに、ここに記載される方法及びシステムの形態における様々な省略、置換及び変更が、本開示の要旨から逸脱することなくなし得る。例えば、複数のブロックが所与の配列で提示されるが、代替実施形態は、異なる部品及び／又は回路トポロジで同様の機能を果たすことができ、いくつかのブロックは削除、移動、追加、細分化、結合、及び／又は修正することができる。これらのブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装することができる。上述した様々な実施形態の要素及び工程の任意の適切な組み合わせを、さらなる実施形態を与えるように組み合わせることができる。添付の特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び要旨に収まるかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。
【図１】
2021535663.tif 000003
【図２Ａ】
2021535663.tif 000004
【図２Ｂ】
2021535663.tif 000005
【図３Ａ】
2021535663.tif 000006
【図３Ｂ】
2021535663.tif 000007
【図３Ｃ】
2021535663.tif 000008
【図３Ｄ】
2021535663.tif 000009
【図３Ｅ】
2021535663.tif 000010
【図３Ｆ】
2021535663.tif 000011
【図３Ｇ】
2021535663.tif 000012
【図３Ｈ】
2021535663.tif 000013
【図３Ｉ】
2021535663.tif 000014
【図３Ｊ】
2021535663.tif 000015
【図４Ａ】
2021535663.tif 000016
【図４Ｂ】
2021535663.tif 000017
【図４Ｃ】
2021535663.tif 000018
【図４Ｄ】
2021535663.tif 000019
【図４Ｅ】
2021535663.tif 000020
【図４Ｆ】
2021535663.tif 000021
【図５Ａ】
2021535663.tif 000022
【図５Ｂ】
2021535663.tif 000023
【図５Ｃ】
2021535663.tif 000024
【図５Ｄ】
2021535663.tif 000025
【図５Ｅ】
2021535663.tif 000026
【図６Ａ】
2021535663.tif 000027
【図６Ｂ】
2021535663.tif 000028
【図６Ｃ】
2021535663.tif 000029
【図７】
2021535663.tif 000030
【図８】
2021535663.tif 000031
【図９】
2021535663.tif 000032
【図１０】
2021535663.tif 000033
【図１１】
2021535663.tif 000034
【図１２】
2021535663.tif 000035
【図１３】
2021535663.tif 000036
【図１４】
2021535663.tif 000037
【図１５】
2021535663.tif 000038
【国際調査報告】
2021535663.tif 000039
2021535663.tif 000040