(57)【要約】本出願は、複数のマイクロ発光ダイオード（マイクロＬＥＤ）をターゲット基板上に転写する方法を開示する。前記方法は、前記複数のマイクロＬＥＤのアレイを有する第１基板を提供することと、複数のボンディング接点を有するボンディング層を有するターゲット基板を提供することと、前記複数のボンディング接点に電位を印加することと、前記複数のマイクロＬＥＤを、前記電位を有する複数のボンディング接点と整列させることと、前記第１基板における前記複数のマイクロＬＥＤを前記ターゲット基板上に転写することとを含む。
2021521625.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のマイクロ発光ダイオード（マイクロＬＥＤ）をターゲット基板上に転写する方法であって、
前記複数のマイクロＬＥＤのアレイを有する第１基板を提供することと、
複数のボンディング接点を含むボンディング層を有するターゲット基板を提供することと、
前記複数のボンディング接点に電位を印加することと、
前記複数のマイクロＬＥＤを、前記電位を有する複数のボンディング接点と整列させることと、
前記第１基板における前記複数のマイクロＬＥＤを前記ターゲット基板上に転写することと
を含む方法。
【請求項２】
前記複数のマイクロＬＥＤの各々は、マイクロｐｎ接合ダイオードと、前記マイクロｐｎ接合ダイオード上の金属化ブロックとを含み、
前記複数のマイクロＬＥＤを前記複数のボンディング接点と整列させることは、前記金属化ブロックを前記電位が印加された前記複数のボンディング接点のうち一つと整列させることを含み、
前記金属化ブロックは、前記マイクロｐｎ接合ダイオードと前記複数のボンディング接点のうち一つの間に配置される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のマイクロＬＥＤを前記複数のボンディング接点と整列させることは、
前記第１基板と前記ターゲット基板とを、前記第１基板と前記ターゲット基板とが互いに対向するように配置することと、
前記第１基板と前記ターゲット基板とを互いに向かって移動させることと
を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数のボンディング接点に電位を印加することは、前記第１基板と前記ターゲット基板とを互いに向かって移動中に実行される請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のボンディング接点に電位を印加することは、前記複数のボンディング接点に共通に接続された信号線に前記電位を印加することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ターゲット基板は、複数の薄膜トランジスタのアレイを含み、
前記複数の薄膜トランジスタの各々は、前記複数のボンディング接点のうち一つに電気的に接続されたドレイン電極と、共通電極に電気的に接続されたソース電極と、ゲート電極とを含み、
前記複数のボンディング接点に共通に接続された信号線に前記電位を印加することは、
前記複数の薄膜トランジスタの複数のゲート電極に複数のゲート走査信号をそれぞれ印加して、前記複数の薄膜トランジスタをオンにすることと、
前記複数の薄膜トランジスタの複数のソース電極に電気的に接続された共通電極に前記電位を印加することによって、前記複数のボンディング接点に前記電位を印加することと
を含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１基板は成長基板である請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１基板はフレキシブルキャリア基板であり、
前記方法は、
成長基板上に前記複数のマイクロＬＥＤを製造することと、
前記成長基板における前記複数のマイクロＬＥＤを前記第１基板上に転写することと
を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１基板における前記複数のマイクロＬＥＤを前記ターゲット基板上に転写する前に、
前記第１基板における前記複数のマイクロＬＥＤの第１ピッチを、前記第１ピッチが前記ターゲット基板における前記複数のボンディング接点の第２ピッチにマッチするように調整することを更に含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数のマイクロＬＥＤを前記ターゲット基板上に転写することは、前記複数のマイクロＬＥＤを前記第１基板からデボンディングすることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記複数のマイクロＬＥＤを前記ターゲット基板上に転写することは、レーザリフトオフによって前記複数のマイクロＬＥＤを前記第１基板からデボンディングすることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数のマイクロＬＥＤを前記ターゲット基板上に転写した後に、前記複数のマイクロＬＥＤをそれぞれ前記複数のボンディング接点に半田付けすることを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数のマイクロＬＥＤをそれぞれ前記複数のボンディング接点に半田付けすることは、リフロー半田付けによって実行される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数のマイクロＬＥＤをそれぞれ前記複数のボンディング接点に半田付けすることは、レーザの補助による半田付けによって実行される請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記電位は正電位である請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数のマイクロＬＥＤを前記ターゲット基板上に転写した後に、前記第１基板を前記ターゲット基板から離れるように移動させることを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の方法により転写された複数のマイクロＬＥＤを含むアレイ基板。
【請求項１８】
請求項１７に記載のアレイ基板を含む表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示技術に関し、より詳しくは、複数のマイクロ発光ダイオードをターゲット基板に転写する方法、前記方法により転写された複数のマイクロＬＥＤを有するアレイ基板及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マイクロ発光ダイオード（マイクロＬＥＤ）を含む小型化電気光学機器が提案及び開発されている。マイクロＬＥＤ基盤の表示パネルは、高輝度、高コントラスト比、高速応答、低電力消費の利点がある。マイクロＬＥＤ基盤の表示技術は、スマートフォン及びスマートウォッチを含む表示分野における幅広い用途を見つけている。
【発明の概要】
【０００３】
一側面において、本発明は、複数のマイクロ発光ダイオード（マイクロＬＥＤ）をターゲット基板上に転写する方法を提供する。前記方法は、前記複数のマイクロＬＥＤのアレイを有する第１基板を提供することと、複数のボンディング接点を含むボンディング層を有するターゲット基板を提供することと、前記複数のボンディング接点に電位を印加することと、前記複数のマイクロＬＥＤを、前記電位を有する複数のボンディング接点と整列させることと、前記第１基板における前記複数のマイクロＬＥＤを前記ターゲット基板上に転写することとを含む。
【０００４】
選択的に、前記複数のマイクロＬＥＤの各々は、マイクロｐｎ接合ダイオードと、前記マイクロｐｎ接合ダイオード上の金属化ブロックとを含み、前記複数のマイクロＬＥＤを前記複数のボンディング接点と整列させることは、前記金属化ブロックを前記電位が印加された前記複数のボンディング接点のうち一つと整列させることを含み、前記金属化ブロックは、前記マイクロｐｎ接合ダイオードと前記複数のボンディング接点のうち一つの間に配置される。
【０００５】
選択的に、前記複数のマイクロＬＥＤを前記複数のボンディング接点と整列させることは、前記第１基板と前記ターゲット基板とを、前記第１基板と前記ターゲット基板とが互いに対向するように配置することと、前記第１基板と前記ターゲット基板とを互いに向かって移動させることとを含む。
【０００６】
選択的に、前記複数のボンディング接点に電位を印加することは、前記第１基板と前記ターゲット基板とを互いに向かって移動中に実行される。
【０００７】
選択的に、前記複数のボンディング接点に電位を印加することは、前記複数のボンディング接点に共通に接続された信号線に前記電位を印加することを含む。
【０００８】
選択的に、前記ターゲット基板は、複数の薄膜トランジスタのアレイを含み、前記複数の薄膜トランジスタの各々は、前記複数のボンディング接点のうち一つに電気的に接続されたドレイン電極と、共通電極に電気的に接続されたソース電極と、ゲート電極とを含み、前記複数のボンディング接点に共通に接続された信号線に前記電位を印加することは、前記複数の薄膜トランジスタの複数のゲート電極に複数のゲート走査信号をそれぞれ印加して、前記複数の薄膜トランジスタをオンにすることと、前記複数の薄膜トランジスタの複数のソース電極に電気的に接続された共通電極に前記電位を印加することによって、前記複数のボンディング接点に前記電位を印加することとを含む。
【０００９】
選択的に、前記第１基板は成長基板である。
【００１０】
選択的に、前記第１基板はフレキシブルキャリア基板であり、前記方法は、成長基板上に前記複数のマイクロＬＥＤを製造することと、前記成長基板における前記複数のマイクロＬＥＤを前記第１基板上に転写することとを更に含む。
【００１１】
選択的に、前記第１基板における前記複数のマイクロＬＥＤを前記ターゲット基板上に転写する前に、前記方法は、前記第１基板における前記複数のマイクロＬＥＤの第１ピッチを、前記第１ピッチが前記ターゲット基板における前記複数のボンディング接点の第２ピッチにマッチするように調整することを更に含む。
【００１２】
選択的に、前記複数のマイクロＬＥＤを前記ターゲット基板上に転写することは、前記複数のマイクロＬＥＤを前記第１基板からデボンディングすることを含む。
【００１３】
選択的に、前記複数のマイクロＬＥＤを前記ターゲット基板上に転写することは、レーザリフトオフによって前記複数のマイクロＬＥＤを前記第１基板からデボンディングすることを含む。
【００１４】
選択的に、前記複数のマイクロＬＥＤを前記ターゲット基板上に転写した後に、前記方法は、前記複数のマイクロＬＥＤをそれぞれ前記複数のボンディング接点に半田付けすることを更に含む。
【００１５】
選択的に、前記複数のマイクロＬＥＤをそれぞれ前記複数のボンディング接点に半田付けすることは、リフロー半田付けによって実行される。
【００１６】
選択的に、前記複数のマイクロＬＥＤをそれぞれ前記複数のボンディング接点に半田付けすることは、レーザの補助による半田付けによって実行される。
【００１７】
選択的に、前記電位は正電位である。
【００１８】
選択的に、前記複数のマイクロＬＥＤを前記ターゲット基板上に転写した後に、前記方法は、前記第１基板を前記ターゲット基板から離れるように移動させることを更に含む。
【００１９】
別の側面において、本発明は、本明細書に記載される方法により転写された複数のマイクロＬＥＤを含むアレイ基板を提供する。
【００２０】
別の側面において、本発明は、本明細書に記載されるアレイ基板を含む表示装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
以下の図面は、単に様々な開示された実施例に係る例示目的のための例であり、本発明の範囲を限定することを意図していない。
【００２２】
【図１Ａ−１Ｆ】本開示に係るいくつかの実施例における複数のマイクロ発光ダイオードをターゲット基板に転写するプロセスを示す。
【図２】本開示に係るいくつかの実施例におけるターゲット基板における複数のボンディング接点に電位を印加するプロセスを示す。
【図３】本開示に係るいくつかの実施例における複数のマイクロ発光ダイオードをターゲット基板に転写するプロセス中の第１基板及びターゲット基板の構造を示す概略図である。
【図４Ａ−４Ｂ】本開示に係るいくつかの実施例における複数のマイクロ発光ダイオードと複数のボンディング接点との電界の補助による整列を示す。
【図５】本開示に係るいくつかの実施例における転写方法により転写された複数のマイクロＬＥＤを有するアレイ基板の構造を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下の実施例を参照しながら本開示をより具体的に説明することにする。いくつかの実施例の以下の記述は単に例示及び説明の目的のみで本明細書に提示されることに留意されたい。網羅的となること又は開示された正確な形態に限定されることを意図していない。
【００２４】
マイクロ発光ダイオード（マイクロＬＥＤ）表示パネルの製造において、マイクロＬＥＤの各々は、成長基板からターゲット基板に転写されるべきである。表示パネルが数千から数百万個のマイクロＬＥＤを含むことを考慮すると、ピックアンドプレース転写プロセスは非常に時間がかかるため、マイクロＬＥＤ表示パネルの大規模な製造に適していない。ピックアンドプレース転写の改良は、一度に複数のマイクロＬＥＤを転写するための印刷ヘッドを用いることである。それでも、印刷ヘッドを用いて多数のマイクロＬＥＤを転写するプロセスは、複雑過ぎて時間がかかる。さらに、ピックアンドプレース転写又は印刷ヘッドを用いる転写プロセスで、マイクロＬＥＤとターゲット基板におけるボンディング接点の間の不整列が頻発し、表示パネルの欠陥をもたらす。
【００２５】
したがって、本開示は、とりわけ先行技術の制限及び欠点による一つ又は複数の問題を実質的に解消する複数のマイクロ発光ダイオードをターゲット基板に転写する方法、前記方法により転写された複数のマイクロＬＥＤを有するアレイ基板及び表示装置を提供する。一側面において、本開示は、複数のマイクロ発光ダイオードをターゲット基板に転写する方法を提供する。いくつかの実施例において、前記方法は、前記複数のマイクロＬＥＤのアレイを有する第１基板を提供することと、複数のボンディング接点を含むボンディング層を有するターゲット基板を提供することと、前記複数のボンディング接点に電位を印加することと、前記複数のマイクロＬＥＤを、前記電位を有する複数のボンディング接点と整列させることと、前記第１基板における前記複数のマイクロＬＥＤを前記ターゲット基板上に転写することとを含む。
【００２６】
図１Ａ乃至図１Ｆは、本開示に係るいくつかの実施例における複数のマイクロ発光ダイオードをターゲット基板に転写するプロセスを示す。図１Ａを参照すると、いくつかの実施例に係る方法は、第１ベース基板１００上に複数のマイクロＬＥＤ１１のアレイを有する第１基板１を提供することを含む。図１Ｂを参照すると、いくつかの実施例に係る方法は、第２ベース基板２００上に複数のボンディング接点２１０を含むボンディング層２１を有するターゲット基板２を提供することを更に含む。図１Ｃを参照すると、いくつかの実施例に係る方法は、第１基板１とターゲット基板２とを、第１基板１とターゲット基板２とが互いに対向するように配置することと、第１基板１とターゲット基板２とを互いに向かって移動させることとを更に含む。図１Ｄを参照すると、いくつかの実施例に係る方法は、複数のボンディング接点２１０に電位（例えば、図１Ｄで正電荷として示される正電位）を印加することと、複数のマイクロＬＥＤ１１を、前記電位を有する複数のボンディング接点２１０と整列させることとを更に含む。図１Ｅを参照すると、いくつかの実施例に係る方法は、第１基板１における複数のマイクロＬＥＤ１１をターゲット基板２上に転写することを更に含む。図１Ｆを参照すると、いくつかの実施例に係る方法は、第１基板１をターゲット基板２から離れるように移動させることにより、アレイ基板３を形成することを更に含む。アレイ基板３は、複数のボンディング接点２１０に転写された複数のマイクロＬＥＤ１１を含む。
【００２７】
選択的に、複数のボンディング接点２１０に印加される電位は、正電位（例えば、１Ｖより高い、５Ｖより高い、及び１０Ｖより高い）である。選択的に、複数のボンディング接点２１０に印加される電位は、負電位（例えば、−１Ｖより低い、−５Ｖより低い、及び−１０Ｖより低い）である。
【００２８】
本方法において、複数のマイクロＬＥＤ１１と複数のボンディング接点２１０との整列は、ボンディング層２１に印加された電位によって補助される。整列プロセス中、複数のボンディング接点２１０上の電位は複数のマイクロＬＥＤ１１を極化し、これにより複数のボンディング接点２１０と複数のマイクロＬＥＤ１１（現在、極化されている）の間の引力が生成される。前記引力は、整列プロセスの精度及び信頼性を大幅に高め、第１基板１からターゲット基板２への複数のマイクロＬＥＤ１１の非常に効率的で正確な転写を達成する。
【００２９】
いくつかの実施例において、複数のマイクロＬＥＤ１１の各々は、マイクロｐｎ接合ダイオード１１０と、マイクロｐｎ接合ダイオード１１０上の金属化ブロック１２０とを含む。複数のマイクロＬＥＤ１１を複数のボンディング接点２１０と整列させるステップは、金属化ブロック１２０を、前記電位が印加された複数のボンディング接点２１０のうち一つと整列させることを含み、当該整列プロセス中、金属化ブロック１２０は、マイクロｐｎ接合ダイオード１１０と複数のボンディング接点２１０のうち一つの間に配置される。選択的に、ボンディング層２１は、整列プロセス全体にわたって前記電位が印加される。選択的に、複数のボンディング接点２１０に前記電位を印加するステップは、第１基板１とターゲット基板２とを互いに向かって移動中に実行される。選択的に、複数のボンディング接点２１０に前記電位を印加するステップは、第１基板１とターゲット基板２とを互いに向かって移動させるステップの前に実行される。選択的に、複数のボンディング接点２１０に前記電位を印加するステップは、第１基板１とターゲット基板２とを互いに向かって移動させるステップの前に実行され、複数のボンディング接点２１０での電位は、整列プロセスが完了するまで、第１基板１とターゲット基板２とを互いに向かって移動させるステップ全体にわたって維持される。
【００３０】
いくつかの実施例において、マイクロｐｎ接合ダイオード１１０は、スペクトラム内の特定の領域に対応するバンドギャップを有する化合物半導体を含む。選択的に、マイクロｐｎ接合ダイオード１１０は、ＩＩ-ＶＩ材料（例えば、ＺｎＳｅ）又はＩＩＩ-Ｖ窒化物材料（例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、及びそれらの合金）基盤の一つ又は複数の層を含む。選択的に、マイクロｐｎ接合ダイオード１１０は、第１ベース基板１００上に形成される。選択的に、第１ベース基板１００は、成長基板である。選択的に、第１ベース基板１００は、フレキシブルキャリア基板である。選択的に、前記成長基板は、シリコン、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＮ及びサファイア（Ａｌ２Ｏ３）の一つ又は組み合わせで作られている。選択的に、第１ベース基板１００は、サファイア成長基板であり、マイクロｐｎ接合ダイオード１１０は、ＧａＮで形成される。
【００３１】
いくつかの実施例において、第１基板１は、複数のマイクロＬＥＤ１１において複数の金属化ブロック１２０を有する金属化層１２を含む。選択的に、金属化層１２は、電極層と、オプションとして、バリア層とを含む。一例において、前記電極層は、マイクロｐｎ接合ダイオード１１０のｐドープＧａＮ層にオーミック接触する。選択的に、前記電極層は、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ及びＰｔ等の高仕事関数金属を含む。選択的に、前記電極層は、反射性材料で作られている。選択的に、前記電極層は、透明材料で作られている。前記バリア層は、マイクロｐｎ接合ダイオード１１０への不純物の拡散を防ぐために機能し、例えば、前記ボンディング層からのコンポーネントのマイクロｐｎ接合ダイオード１１０への拡散を防止する。選択的に、前記バリア層は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ及びＴｉＷを含む。
【００３２】
選択的に、金属化層１２は、約０．１μｍ乃至約２０μｍ、例えば、約０．１μｍ乃至約０．２μｍ、約０．２μｍ乃至約０．５μｍ、約０．５μｍ乃至約１μｍ、約１μｍ乃至約２μｍ、約２μｍ乃至約５μｍ、約５μｍ乃至約１０μｍ、約１０μｍ乃至約１５μｍ、及び約１５μｍ乃至約２０μｍの範囲内の厚さを有する。
【００３３】
様々な適切な材料および様々な適切な製造方法がボンディング層２１を形成するために用いられ得る。適切なボンディング層材料の例は、インジウム、錫、金、銀、モリブデン、アルミニウム、その積層体又は合金を含む。選択的に、ボンディング層２１は、約０．１μｍ乃至約５μｍ、例えば、約０．１μｍ乃至約０．２μｍ、約０．２μｍ乃至約０．５μｍ、約０．５μｍ乃至約１μｍ、約１μｍ乃至約２μｍ、約２μｍ乃至約３μｍ、約３μｍ乃至約４μｍ、及び約４μｍ乃至約５μｍの範囲内の厚さを有する。
【００３４】
いくつかの実施例において、ボンディング層２１に前記電位を印加するステップは、複数のボンディング接点２１０に共通に接続された信号線に前記電位を印加することを含む。図２は、本開示に係るいくつかの実施例におけるターゲット基板における複数のボンディング接点に電位を印加するプロセスを示す。図２を参照すると、複数のボンディング接点２１０に共通に接続された信号線ＳＬを介して複数のボンディング接点２１０に電位Ｖを印加する。一例において、パッシブマトリックスマイクロＬＥＤ表示パネルを作るために、複数のマイクロＬＥＤ１１がターゲット基板に転写される。選択的に、前記電位は、複数のボンディング接点２１０に共通に接続された共通電極信号線を介して複数のボンディング接点２１０に印加される。
【００３５】
図３は、本開示に係るいくつかの実施例における複数のマイクロ発光ダイオードをターゲット基板に転写するプロセス中の第１基板及びターゲット基板の構造を示す概略図である。図３を参照すると、ターゲット基板２は、複数の薄膜トランジスタＴＦＴのアレイを含む。複数の薄膜トランジスタＴＦＴの各々は、複数のボンディング接点２１０のうち一つに電気的に接続されたドレイン電極Ｄと、共通電極２２０に電気的に接続されたソース電極Ｓと、ゲート線ＧＬに電気的に接続されたゲート電極Ｇとを含む。いくつかの実施例において、複数のボンディング接点２１０に共通に接続された信号線に前記電位を印加するステップは、複数の薄膜トランジスタＴＦＴの複数のゲート電極に複数のゲート走査信号をそれぞれ印加して複数の薄膜トランジスタＴＦＴをオンにすることと、複数の薄膜トランジスタＴＦＴの複数のソース電極に電気的に接続された共通電極２２０に前記電位を印加することで複数のボンディング接点２１０に前記電位を印加することとを含む。選択的に、共通電極２２０は、陰極である。
【００３６】
図４Ａ及び図４Ｂは、本開示に係るいくつかの実施例における複数のマイクロ発光ダイオードと複数のボンディング接点との電界の補助による整列を示す。図４Ａを参照すると、複数のボンディング接点２１０のうち一つに前記電位を印加して、複数の金属化ブロック１２０のうち一つを極化する電界Ｅを形成する。電界Ｅは、複数の金属化ブロック１２０のうち一つにおける極化された電荷分布を誘導する。一例において、図４Ａに示す如く、前記電位は、正電位である。電界Ｅは、負電荷が複数の金属化ブロック１２０のうち一つの、複数のボンディング接点２１０のうち一つに近接する第１側に蓄積し、正電荷が複数の金属化ブロック１２０のうち一つの、複数のボンディング接点２１０のうち一つから遠い第２側に蓄積するように、複数の金属化ブロック１２０のうち一つにおける極化された電荷分布を誘導する。負電荷が蓄積されている複数の金属化ブロック１２０のうち一つの前記第１側は、複数のボンディング接点２１０のうち一つに引き付けられる。複数の金属化ブロック１２０のうち一つと複数のボンディング接点２１０のうち一つの間の当該引力により、両者は相互に対して整列される。
【００３７】
図４Ｂを参照すると、複数の金属化ブロック１２０のうち一つと複数のボンディング接点２１０のうち一つとは正確に整列されていない。電界Ｅの分布により、複数の金属化ブロック１２０のうち一つは、複数の金属化ブロック１２０のうち一つを複数のボンディング接点２１０のうち一つに向かって引っ張る第１力Ｆｄと複数の金属化ブロック１２０のうち一つと複数のボンディング接点２１０のうち一つとを相互に対して再整列させる第２力Ｆｃとの２つの力を受ける。
【００３８】
いくつかの実施例において、複数のマイクロＬＥＤ１１をターゲット基板２上に転写するステップは、複数のマイクロＬＥＤ１１を第１基板１からデボンディングすることを含む。様々な適切なデボンディング方法が複数のマイクロＬＥＤ１１を第１基板１からデボンディングするために用いられ得る。いくつかの実施例において、レーザリフトオフプロセスを実行して、複数のマイクロＬＥＤ１１を第１基板１から分離し得る（図１Ｅを参照）。前記レーザリフトオフプロセスは、コリメートされた高エネルギーＵＶレーザビーム（例えば、２６６ｎｍ）を用いる。選択的に、前記レーザリフトオフプロセスは、エキシマレーザリフトオフプロセスである。いくつかの実施例において、化学的リフトオフプロセスを実行して、複数のマイクロＬＥＤ１１を第１基板１から分離し得る。いくつかの実施例において、機械的リフトオフプロセスを実行して、複数のマイクロＬＥＤ１１を第１基板１から分離し得る。いくつかの実施例において、複数のマイクロＬＥＤ１１を第１基板１からデボンディングするステップは、レーザリフトオフプロセス、化学的リフトオフプロセス、及び機械的リフトオフプロセスの一つ又は組み合わせを含む。選択的に、そして、複数のマイクロＬＥＤ１１をバス（例えば、アセトンバス）に浸漬して、複数のマイクロＬＥＤ１１を第１基板１からさらに分離する。
【００３９】
いくつかの実施例において、複数のマイクロＬＥＤ１１をターゲット基板２上に転写した後に、前記方法は、複数のマイクロＬＥＤ１１をそれぞれ複数のボンディング接点２１０に半田付けすることを更に含む。選択的に、複数のマイクロＬＥＤ１１をそれぞれ複数のボンディング接点２１０に半田付けするステップは、リフロー半田付けによって実行される。選択的に、複数のマイクロＬＥＤ１１をそれぞれ複数のボンディング接点２１０に半田付けするステップは、レーザの補助による半田付けによって実行され、当該レーザの補助による半田付けにおいて、レーザ放射が複数のボンディング接点２１０により吸収されることで複数のマイクロＬＥＤ１１をそれぞれ複数のボンディング接点２１０に半田付けする。選択的に、複数のマイクロＬＥＤ１１をそれぞれ複数のボンディング接点２１０に半田付けするステップは、レーザ溶接によって実行される。選択的に、複数のマイクロＬＥＤ１１をそれぞれ複数のボンディング接点２１０に半田付けするステップは、赤外線半田付けによって実行される。
【００４０】
いくつかの実施例において、第１基板１は、成長基板であり、複数のマイクロＬＥＤ１１が直接ターゲット基板２上に転写されて、複数のマイクロＬＥＤ１１を有するアレイ基板が形成される。
【００４１】
いくつかの実施例において、第１基板１は、キャリア基板、例えば、フレキシブルキャリア基板である。したがって、複数のマイクロＬＥＤ１１を第１基板１からターゲット基板２に転写する前に、いくつかの実施例に係る方法は、成長基板上に複数のマイクロＬＥＤ１１を製造することと、前記成長基板における複数のマイクロＬＥＤ１１を第１基板１上に転写することとを更に含む。
【００４２】
いくつかの実施例において、第１基板１における複数のマイクロＬＥＤ１１をターゲット基板２上に転写する前に、前記方法は、第１基板１における複数のマイクロＬＥＤ１１の第１ピッチを、前記第１ピッチがターゲット基板２における複数のボンディング接点２１０の第２ピッチにマッチするように調整することを更に含む。選択的に、第１基板１における複数のマイクロＬＥＤ１１の第１ピッチは、第１基板１（例えば、フレキシブルキャリア基板）を延伸することによって調整される。
【００４３】
別の側面において、本開示は、本明細書に記載される方法により転写された複数のマイクロＬＥＤを有するアレイ基板を提供する。図５は、本開示に係るいくつかの実施例における転写方法により転写された複数のマイクロＬＥＤを有するアレイ基板の構造を示す概略図である。図５を参照すると、いくつかの実施例におけるアレイ基板３は、第２ベース基板２００と、第２ベース基板２００上に複数のボンディング接点２１０を有するボンディング層２１と、複数の金属化ブロック１２０を有しかつボンディング層２１の、第２ベース基板２００から遠い側に位置する金属化層１２と、金属化層１２の、ボンディング層２１から遠い側に位置する複数のマイクロｐｎ接合ダイオード１１０とを含む。
【００４４】
別の側面において、本開示は、本明細書に記載される又は本明細書に記載される方法により製造されるアレイ基板を有する表示装置を提供する。表示装置の適切な例は、電子ペーパー、携帯電話、タブレットＰＣ、テレビ、モニタ、ノートブックコンピュータ、デジタルアルバム、ＧＰＳ等を含むが、これらに限定されない。
【００４５】
本発明の実施例の前述の説明は、例示及び説明の目的で提示されたものである。網羅的となること、又は本発明を開示された正確な形式又は開示された例示的な実施例に限定することを意図したものではない。従って、前述の説明は、限定的なものではなく、説明的なものと見なされるべきである。明らかに、当業者にとって、多様な修正及び変形は自明なものとなる。実施例は、本発明の原理及びその最適形態の実用的な適用を説明するために選択及び記載され、これにより、当業者が本発明の特定用途又は意図される具現方式に適した様々な実施例及び様々な修正を理解できるようにする。本発明の範囲は、ここに添付される特許請求の範囲及びその均等物により定義されることが意図されており、その中で、すべての用語は、特に明記しない限り、その最も広い合理的な意味である。従って、「発明」、「本発明」等の用語は、必ずしも特許請求の範囲を具体的な実施例に限定するものではなく、本発明の例示的な実施例に対する言及は、本発明に対する限定を意味するものではなく、且つこのような限定が推論されるべきではない。本発明は、添付される請求項の精神及び範囲のみにより限定される。なお、これらの請求項は、名詞又は要素の前に「第１」、「第２」等の用語を使用してもよい。このような用語は、命名法として理解されるべきであり、既に具体的な数量が与えられていない限り、このような命名法により修飾される要素の数量に対する限定として解釈されるべきではない。記載された効果及び利点が本発明のすべての実施例に適用されるわけではない。理解すべきことは、当業者は、以下の請求項により限定される本発明の範囲を逸脱せずに、記載された実施例に対する変形を行うことができる。なお、本開示におけるいかなる要素及び構成部品も、当該要素又は構成部品が以下の請求項に明示的に列挙されているか否かを問わず、公衆に捧げることを意図するものではない。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【国際調査報告】
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