(57)【要約】  本発明の一実施形態は、電場を利用した電流経路範囲制御方法であって、自発分極性材料を含む活性層、及び前記活性層に隣接するように配置された印加電極に対して、前記印加電極を介して、前記活性層に電場を印加し、前記活性層の分極領域を形成するステップと、前記分極領域の境界に対応する変動低抵抗領域を形成するステップと、を含み、前記変動低抵抗領域は、前記活性層の領域のうち、前記変動低抵抗領域と隣接する他の領域よりも電気抵抗が低い領域であり、電気的パスを形成するようにする電流経路範囲制御方法を開示する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電場を利用した電流経路範囲制御方法であって、
自発分極性材料を含む活性層、及び前記活性層に隣接するように配置された印加電極に対して、
前記印加電極を介して、前記活性層に電場を印加し、前記活性層の分極領域を形成するステップと、
前記分極領域の境界に対応する変動低抵抗領域を形成するステップと、を含み、
前記変動低抵抗領域は、前記活性層の領域のうち、前記変動低抵抗領域と隣接する他の領域よりも電気抵抗が低い領域であり、電気的パスを形成するようにする電流経路範囲制御方法。
【請求項２】
前記変動低抵抗領域を形成するステップは、
前記活性層の分極領域が、前記活性層の厚さ方向に成長するステップと、前記分極領域が、前記活性層の厚さ方向と交差する方向に成長するステップと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の電流経路範囲制御方法。
【請求項３】
前記印加電極を介して電場を制御して、
前記変動低抵抗領域の生成及び消滅を制御し、それによる電気的パスの生成及び消滅を制御することを特徴とする請求項１に記載の電流経路範囲制御方法。
【請求項４】
前記変動低抵抗領域を形成するステップは、
前記印加電極を介して、前記活性層の抗電場よりも高い強度の電場を印加するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の電流経路範囲制御方法。
【請求項５】
前記変動低抵抗領域を形成するステップは、
前記印加電極を介して電場の強度を制御して、前記活性層の厚さ方向への前記変動低抵抗領域の深さを制御することを特徴とする請求項１に記載の電流経路範囲制御方法。
【請求項６】
前記変動低抵抗領域を形成するステップは、
前記印加電極から、前記変動低抵抗領域が、前記活性層の平面方向に距離をもって離隔されるように形成することを含むことを特徴とする請求項１に記載の電流経路範囲制御方法。
【請求項７】
前記変動低抵抗領域を形成するステップは、
前記印加電極を介して電場の印加の時間を制御して、前記変動低抵抗領域の大きさまたは幅を制御することを特徴とする請求項１に記載の電流経路範囲制御方法。
【請求項８】
前記変動低抵抗領域を形成するステップは、
互いに離隔されるように配置された複数の変動低抵抗領域を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の電流経路範囲制御方法。
【請求項９】
前記複数の変動低抵抗領域を形成するステップは、
前記印加電極から遠く配置された変動低抵抗領域を先に形成してから、前記印加電極に近く配置された変動低抵抗領域を形成するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載の電流経路範囲制御方法。
【請求項１０】
前記複数の変動低抵抗領域を形成するステップは、
前記１つの変動低抵抗領域を境界として、両側に異なる方向の分極領域が位置するように進行することを含むことを特徴とする請求項８に記載の電流経路範囲制御方法。
【請求項１１】
前記印加電極は、互いに離隔されて複数備えられ、前記複数の印加電極を介して、前記活性層に少なくとも１つの領域において離隔された分極領域を形成するステップと、それに対応する複数の変動低抵抗領域を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の電流経路範囲制御方法。
【請求項１２】
前記印加電極を介して電場を印加する時間を制御して、
前記互いに離隔された複数の分極領域が１つの領域で重なり合うステップを含み、それに対応する複数の変動低抵抗領域の１つの領域が互いに重なり合って統合されるステップを含むことを特徴とする請求項１１に記載の電流経路範囲制御方法。
【請求項１３】
少なくとも一つの接続電極を、前記変動低抵抗領域に隣接するように形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の電流経路範囲制御方法。
【請求項１４】
前記変動低抵抗領域は、前記印加電極を介して印加された電場が取り除かれても、前記分極領域の保持により保持されることを特徴とする請求項１に記載の電流経路範囲制御方法。
【請求項１５】
自発分極性材料を含む活性層と、
前記活性層に隣接するように配置された印加電極と、
前記印加電極を介して、前記活性層に電場を印加し、前記活性層に形成された分極領域と、
前記分極領域の境界に対応する変動低抵抗領域と、を含み、
前記変動低抵抗領域は、前記活性層の領域のうち、前記変動低抵抗領域と隣接する他の領域よりも電気抵抗が低い領域であり、電気的パスを形成するように形成された、
電子回路。
【請求項１６】
前記変動低抵抗領域は、前記印加電極を介して電場を制御して、前記分極領域の制御によって生成または消滅することを特徴とする請求項１５に記載の電子回路。
【請求項１７】
前記変動低抵抗領域は、
前記印加電極を介して電場の強度を制御して、前記活性層の厚さ方向への前記変動低抵抗領域の深さが制御されることを特徴とする請求項１５に記載の電子回路。
【請求項１８】
前記変動低抵抗領域は、
前記印加電極を介して電場の印加の時間を制御して、大きさまたは幅が制御されることを特徴とする請求項１５に記載の電子回路。
【請求項１９】
前記変動低抵抗領域は、互いに離隔されるように配置された複数の変動低抵抗領域を含むことを特徴とする請求項１５に記載の電子回路。
【請求項２０】
前記複数の変動低抵抗領域は、
前記印加電極から遠く配置された変動低抵抗領域が先に形成され、前記印加電極に近く配置された変動低抵抗領域が後に形成されることを特徴とする請求項１９に記載の電子回路。
【請求項２１】
前記複数の変動低抵抗領域の１つの変動低抵抗領域を境界として、両側に異なる方向の分極領域が形成されたことを特徴とする請求項１９に記載の電子回路。
【請求項２２】
前記印加電極は、互いに離隔されて複数備えられることを特徴とする請求項１５に記載の電子回路。
【請求項２３】
前記互いに離隔された複数の印加電極に対応する、複数の分極領域及び複数の変動低抵抗領域を含むことを特徴とする請求項２２に記載の電子回路。
【請求項２４】
前記印加電極を介して電場を印加する時間を制御して、
前記互いに離隔された複数の分極領域が１つの領域で重なり合った領域を含み、それに対応する複数の変動低抵抗領域の１つの領域が互いに重なり合って統合される領域を含むことを特徴とする請求項２３に記載の電子回路。
【請求項２５】
前記変動低抵抗領域に隣接するように形成された少なくとも一つの接続電極をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の電子回路。
【請求項２６】
前記活性層は、強誘電性材料を含むことを特徴とする請求項１５に記載の電子回路。
【請求項２７】
前記印加電極は、前記活性層の一面に形成されることを特徴とする請求項１５に記載の電子回路。
【請求項２８】
前記印加電極は、前記活性層と離隔されるように配置されることを特徴とする請求項１５に記載の電子回路。
【請求項２９】
前記変動低抵抗領域は、前記印加電極を介して印加された電場が取り除かれても保持されることを特徴とする請求項１５に記載の電子回路。
【請求項３０】
前記変動低抵抗領域は、前記印加電極の周辺に形成されることを特徴とする請求項１５に記載の電子回路。
【請求項３１】
前記変動低抵抗領域は、前記印加電極の周辺に線状形状を含むように形成されることを特徴とする請求項１５に記載の電子回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電場を利用した電流経路範囲制御方法及び電子回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
技術の発展及び人々の生活の利便性に対する関心が高くなるにつれて、様々な電子製品についての開発の試みが盛んになってきている。
【０００３】
また、このような電子製品は、益々小型化されつつ集積化されており、使用される場所が広範囲に増加している。
【０００４】
このような電子製品は、様々な電気素子を含み、例えば、ＣＰＵ、メモリ、その他の様々な電気素子を含む。当該電気素子は、様々な種類の電気回路を含む。
【０００５】
例えば、コンピュータ、スマートフォンだけでなく、ＩｏＴのための家庭用センサ素子、人間工学用バイオ電子素子など、様々な分野の製品において電気素子が使用されている。
【０００６】
一方、近年の技術の発達速度とユーザの生活水準の急激な向上に伴い、当該電気素子の使用と応用分野が急激に増加し、それによって、その需要も増加している。
【０００７】
このような傾向によって、一般に使用している様々な電気素子に容易かつ迅速に適用する電気回路を実装して制御するには限界がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、様々な用途に容易に適用することが可能な電流経路範囲制御方法及び電子回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態は、電場を利用した電流経路範囲制御方法であって、自発分極性材料を含む活性層、及び前記活性層に隣接するように配置された印加電極に対して、前記印加電極を介して、前記活性層に電場を印加し、前記活性層の分極領域を形成するステップと、前記分極領域の境界に対応する変動低抵抗領域を形成するステップと、を含み、前記変動低抵抗領域は、前記活性層の領域のうち、前記変動低抵抗領域と隣接する他の領域よりも電気抵抗が低い領域であり、電気的パスを形成するようにする電流経路範囲制御方法を開示する。
【００１０】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域を形成するステップは、前記活性層の分極領域が、前記活性層の厚さ方向に成長するステップと、前記分極領域が、前記活性層の厚さ方向と交差する方向に成長するステップと、を含んでもよい。
【００１１】
本実施形態では、前記印加電極を介して電場を制御して、前記変動低抵抗領域の生成及び消滅を制御し、それによる電気的パスの生成及び消滅を制御してもよい。
【００１２】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域を形成するステップは、前記印加電極を介して、前記活性層の抗電場よりも高い強度の電場を印加するステップを含んでもよい。
【００１３】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域を形成するステップは、前記印加電極を介して電場の強度を制御して、前記活性層の厚さ方向への前記変動低抵抗領域の深さを制御してもよい。
【００１４】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域を形成するステップは、前記印加電極から、前記変動低抵抗領域が、前記活性層の平面方向に距離をもって離隔されるように形成することを含んでもよい。
【００１５】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域を形成するステップは、前記印加電極を介して電場の印加の時間を制御して、前記変動低抵抗領域の大きさまたは幅を制御してもよい。
【００１６】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域を形成するステップは、互いに離隔されるように配置された複数の変動低抵抗領域を形成するステップを含んでもよい。
【００１７】
本実施形態では、前記複数の変動低抵抗領域を形成するステップは、前記印加電極から遠く配置された変動低抵抗領域を先に形成してから、前記印加電極に近く配置された変動低抵抗領域を形成するステップを含んでもよい。
【００１８】
本実施形態では、前記複数の変動低抵抗領域を形成するステップは、前記１つの変動低抵抗領域を境界として、両側に異なる方向の分極領域が位置するように進行することを含んでもよい。
【００１９】
本実施形態では、前記印加電極は、互いに離隔されて複数備えられ、前記複数の印加電極を介して、前記活性層に少なくとも１つの領域において離隔された分極領域を形成するステップと、それに対応する複数の変動低抵抗領域を形成するステップと、を含んでもよい。
【００２０】
本実施形態では、前記印加電極を介して電場を印加する時間を制御して、前記互いに離隔された複数の分極領域が１つの領域で重なり合うステップを含み、それに対応する複数の変動低抵抗領域の１つの領域が互いに重なり合って統合されるステップを含んでもよい。
【００２１】
本実施形態では、少なくとも一つの接続電極を、前記変動低抵抗領域に隣接するように形成するステップを含んでもよい。
【００２２】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域は、前記印加電極を介して印加された電場が取り除かれても、前記分極領域の保持により保持される。
【００２３】
本発明の他の実施形態は、自発分極性材料を含む活性層と、前記活性層に隣接するように配置された印加電極と、前記印加電極を介して、前記活性層に電場を印加し、前記活性層に形成された分極領域と、前記分極領域の境界に対応する変動低抵抗領域と、を含み、前記変動低抵抗領域は、前記活性層の領域のうち、前記変動低抵抗領域と隣接する他の領域よりも電気抵抗が低い領域であり、電気的パスを形成するように形成された電子回路を開示する。
【００２４】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域は、前記印加電極を介して電場を制御して、前記分極領域の制御によって生成または消滅する。
【００２５】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域は、前記印加電極を介して電場の強度を制御して、前記活性層の厚さ方向への前記変動低抵抗領域の深さが制御されてもよい。
【００２６】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域は、前記印加電極を介して電場の印加の時間を制御して、大きさまたは幅が制御されてもよい。
【００２７】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域は、互いに離隔されるように配置された複数の変動低抵抗領域を含んでもよい。
【００２８】
本実施形態では、前記複数の変動低抵抗領域は、前記印加電極から遠く配置された変動低抵抗領域が先に形成され、前記印加電極に近く配置された変動低抵抗領域が後に形成されてもよい。
【００２９】
本実施形態では、前記複数の変動低抵抗領域の１つの変動低抵抗領域を境界として、両側に異なる方向の分極領域が形成されてもよい。
【００３０】
本実施形態では、前記印加電極は、互いに離隔されて複数備えられてもよい。
【００３１】
本実施形態では、前記互いに離隔された複数の印加電極に対応する、複数の分極領域及び複数の変動低抵抗領域を含んでもよい。
【００３２】
本実施形態では、前記印加電極を介して電場を印加する時間を制御して、前記互いに離隔された複数の分極領域が１つの領域で重なり合った領域を含み、それに対応する複数の変動低抵抗領域の１つの領域が互いに重なり合って統合される領域を含んでもよい。
【００３３】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域に隣接するように形成された少なくとも一つの接続電極をさらに含んでもよい。
【００３４】
本実施形態では、前記活性層は、強誘電性材料を含んでもよい。
【００３５】
本実施形態では、前記印加電極は、前記活性層の一面に形成されてもよい。
【００３６】
本実施形態では、前記印加電極は、前記活性層と離隔されるように配置されてもよい。
【００３７】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域は、前記印加電極を介して印加された電場が取り除かれても保持される。
【００３８】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域は、前記印加電極の周辺に形成されてもよい。
【００３９】
本実施形態では、前記変動低抵抗領域は、前記印加電極の周辺に線状形状を含むように形成されてもよい。
【００４０】
前述した以外の他の側面、特徴及び利点は、以下の図面、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明から明らかになるであろう。
【発明の効果】
【００４１】
本発明に係る電流経路範囲制御方法及び電子回路は、様々な用途に容易に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子回路を示す概略的な平面図である。
【図２】図１のIII−III線に沿って切り取った断面図である。
【図３】図２のＫの拡大図である。
【図４Ａ−４Ｃ】図１の電子回路に関し、電流経路範囲制御方法を説明するための図面である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る電子回路を示す概略的な平面図である。
【図６】図５のVI−VI線に沿って切り取った断面図である。
【図７Ａ−７Ｄ】図５の電子回路に関し、電流経路範囲制御方法を説明するための図面である。
【図８】本発明の一実施形態に係る電子回路を示す概略的な平面図である。
【図９】図８のIII−III線に沿って切り取った断面図である。
【図１０】図８の電子回路の動作を説明するための図面である。
【図１１】図８の電子回路の動作を説明するための図面である。
【図１２】図８の電子回路の動作を説明するための図面である。
【図１３】図８の電子回路の動作を説明するための図面である。
【図１４】図８の電子回路の動作を説明するための図面である。
【図１５】本発明の他の実施形態に係る電子回路を示す概略的な平面図である。
【図１６】図１５のVIII−VIII線に沿って切り取った断面図である。
【図１７】本発明のさらに他の実施形態に係る電子回路を示す概略的な平面図である。
【図１８】本発明のさらに他の実施形態に係る電子回路を示す概略的な平面図である。
【図１９】本発明のさらに他の実施形態に係る電子回路を示す概略的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下、添付した図面に示した本発明に係る実施形態を参照して、本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
【００４４】
本発明は、様々な変換を加えることができ、様々な実施形態を有するが、特定の実施形態を図面に例示し、詳細な説明で詳細に説明する。本発明の効果及び特徴、並びにそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、様々な形態に実装可能である。
【００４５】
以下、添付された図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。図面を参照して説明するとき、同一または対応する構成要素は、同じ図面符号を付与し、それについての重複説明は省略する。
【００４６】
以下の実施形態では、第１、第２などの用語は、限定的な意味ではなく、一つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用される。
【００４７】
以下の実施形態では、単数の表現は、文脈上明らかに別の方法で意味しない限り、複数の表現を含む。
【００４８】
以下の実施形態では、“含む”または“有する”などの用語は、明細書に記載された特徴または構成要素が存在することを意味するものであり、一つ以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性を予め排除するものではない。
【００４９】
図面では、説明の便宜上、構成要素の大きさが誇張されたり縮小されたりする。例えば、図面に示された各構成要素の大きさ及び厚さは、説明の便宜上、任意に表しているので、本発明は必ずしも図示されたところに限定されない。
【００５０】
以下の実施形態では、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、直交座標系上の三つの軸に限定されず、それらを含む広い意味で解釈される。例えば、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、互いに直交してもよいが、互いに直交しない異なる方向を指すこともある。
【００５１】
ある実施形態が異なって実装可能な場合に、特定の工程順序は、説明される順序と異なって行われることもある。例えば、連続して説明される二つの工程が実質的に同時に行われてもよいし、説明される順序と逆の順序で行われてもよい。
【００５２】
図１は、本発明の一実施形態に係る電子回路を示す概略的な平面図であり、図２は、図１のIII−III線に沿って切り取った断面図であり、図３は、図２のＫの拡大図である。
【００５３】
図１及び図２を参照すると、本実施形態の電子回路１０は、活性層１１と、印加電極１２と、変動低抵抗領域ＶＬとを含む。
【００５４】
活性層１１は、自発分極性材料を含む。例えば、活性層１１は、絶縁材料を含み、強誘電性材料を含む。すなわち、活性層１１は、電場の存在下で反転可能な自発的な電気分極（電気双極子）を有する材料を含む。
【００５５】
選択的な実施形態として、活性層１１は、ペロブスカイト系物質を含んでもよく、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＢｉＦｅ３、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９を含んでもよい。
【００５６】
また、他の例として、活性層１１は、ＡＢＸ３構造であり、Ａは、ＣｎＨ２ｎ＋１のアルキル基、及びペロブスカイト太陽電池の構造の形成が可能な、Ｃｓ、Ｒｕなどの無機物から選択される一つ以上の物質を含み、Ｂは、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＣｅから構成される群から選択される一つ以上の物質を含み、Ｘは、ハロゲン物質を含む。具体例として、活性層１１は、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩｘＣｌ３−ｘ、ＭＡＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩｘＢｒ３−ｘ、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌｘＢｒ３−ｘ、ＨＣ（ＮＨ２）２ＰｂＩ３、ＨＣ（ＮＨ２）２ＰｂＩｘＣｌ３−ｘ、ＨＣ（ＮＨ２）２ＰｂＩｘＢｒ３−ｘ、ＨＣ（ＮＨ２）２ＰｂＣｌｘＢｒ３−ｘ、（ＣＨ３ＮＨ３）（ＨＣ（ＮＨ２）２）１−ｙＰｂＩ３、（ＣＨ３ＮＨ３）（ＨＣ（ＮＨ２）２）１−ｙＰｂＩｘＣｌ３−ｘ、（ＣＨ３ＮＨ３）（ＨＣ（ＮＨ２）２）１−ｙＰｂＩｘＢｒ３−ｘ、または（ＣＨ３ＮＨ３）（ＨＣ（ＮＨ２）２）１−ｙＰｂＣｌｘＢｒ３−ｘ（０≦ｘ、ｙ≦１）を含む。
【００５７】
その他の様々な強誘電性材料を利用して、活性層１１を形成することができるので、これについての全ての例示の説明は省略する。また、活性層１１を形成する際、強誘電性材料にその他の様々な物質をドーピングして、付加的な機能を含むか、または電気的特性の向上を行うこともできる。
【００５８】
活性層１１は、自発分極性を有し、電場の印加によって、分極の程度及び方向を制御することができる。また、活性層１１は、印加された電場が取り除かれても、分極状態を維持することができる。
印加電極１２は、活性層１１に電場を印加するように形成され、例えば、電圧を活性層１１に印加する。
選択的な実施形態として、印加電極１２は、活性層１１の上面に接するように形成されてもよい。
【００５９】
また、印加電極１２は、活性層１１に様々な大きさの電圧を印加し、電圧印加時間が制御できるように形成される。
【００６０】
選択的な実施形態として、印加電極１２は、ゲート電極であってもよい。
【００６１】
例えば、印加電極１２は、電源（図示せず）または電源制御部と電気的に接続されてもよい。
【００６２】
印加電極１２は、様々な材料を含み、導電性の高い材料を含む。例えば、様々な金属を利用して、印加電極１２を形成することができる。
【００６３】
例えば、印加電極１２は、アルミニウム、クロム、チタン、タンタル、モリブデン、タングステン、ネオジム、スカンジウムまたは銅を含有するように形成することができる。または、それらの材料の合金を利用して形成してもよく、それらの材料の窒化物を利用して形成してもよい。
【００６４】
また、選択的な実施形態として、印加電極１２は、積層体構造を含んでもよい。
【００６５】
図示していないが、選択的な実施形態として、印加電極１２と活性層１１との間に、一層以上の絶縁層がさらに配置されてもよい。
【００６６】
変動低抵抗領域ＶＬは、活性層１１に形成された領域であり、かつ電流が流れる領域であり、また、図１に示すように、印加電極１２の周辺に線状形状を有する電流の通路として形成される。
【００６７】
具体的には、変動低抵抗領域ＶＬは、活性層１１の領域のうち、変動低抵抗領域ＶＬと隣接する他の領域よりも電気抵抗が低くなった領域である。
【００６８】
また、印加電極１２を介して変動低抵抗領域ＶＬを形成した後、印加電極１２を介して電場を取り除いても、例えば、電圧を取り除いても、活性層１１の分極状態は維持されるので、変動低抵抗領域ＶＬは保持され、電流の通路を形成した状態を維持することができる。
【００６９】
これにより、様々な電子回路を構成することが可能である。
【００７０】
変動低抵抗領域ＶＬは、高さＨＶＬを有し、当該高さＨＶＬは、活性層１１の全厚に対応する。
【００７１】
当該変動低抵抗領域ＶＬの高さＨＶＬは、印加電極１２を介して電場を印加する際、電場の強度、例えば、電圧の大きさに比例する。少なくとも当該電場の大きさは、活性層１１が有する固有の抗電場よりは大きい。
【００７２】
変動低抵抗領域ＶＬは、印加電極１２を介して、電圧が活性層１１に印加されれば形成される領域であり、印加電極１２の制御によって、変動、例えば、生成、消滅する。
活性層１１は、第１分極方向を有する第１分極領域１１Ｆを含み、変動低抵抗領域ＶＬは、当該第１分極領域１１Ｆの境界に形成される。
【００７３】
また、活性層１１は、第１分極領域１１Ｆに隣接するように、第２分極方向を有する第２分極領域１１Ｒを含み、変動低抵抗領域ＶＬは、当該第２分極領域１１Ｒの境界に形成される。第２方向は、少なくとも第１方向とは異なる方向であり、例えば、第１方向と逆方向であってもよい。
【００７４】
例えば、変動低抵抗領域ＶＬは、第１分極領域１１Ｆと第２分極領域１１Ｒとの間に形成されてもよい。
【００７５】
変動低抵抗領域ＶＬは、一方向の幅ＷＶＬを有し、それは、変動低抵抗領域ＶＬの移動距離に比例するが、それについては後述する。
【００７６】
選択的な実施形態として、このような厚さＴＶＬは、０．１〜０．３ｎｍであってもよい。
【００７７】
図４Ａ〜図４Ｃは、図１の電子回路に関し、電流経路範囲制御方法を説明するための図面である。
【００７８】
図４Ａを参照すると、活性層１１は、第２分極方向を有する第２分極領域１１Ｒを含む。選択的な実施形態として、印加電極１２を介して初期化電場を印加して、図４Ａのような活性層１１の分極状態を形成してもよい。
【００７９】
次に、図４Ｂを参照すると、活性層１１に第１分極領域１１Ｆが形成される。具体例として、印加電極１２の幅に対応するように、印加電極１２と重なり合った領域に、まず、第１分極領域１１Ｆが形成される。
【００８０】
印加電極１２を介して、活性層１１の抗電場よりも大きく、かつ少なくとも活性層１１の全厚に対応するように、第１分極領域１１Ｆの高さＨＶＬが形成可能な程度の大きさの電場を活性層１１に印加する。
【００８１】
このような印加電極１２を介して電場の印加により、活性層１１の第２分極領域１１Ｒの１つの領域に対する分極方向を変えて、第１分極領域１１Ｆに変化することができる。
【００８２】
選択的な実施形態として、第１分極領域１１Ｆの高さＨＶＬ方向への成長速度は非常に速いが、例えば、１ｋｍ／ｓｅｃ（秒）の速度で成長してもよい。
【００８３】
次に、印加電極１２を介して電場を保持し続ければ、すなわち、時間が経てば、第１分極領域１１Ｆは、水平方向Ｈ、すなわち、高さＨＶＬと直交する方向に移動して、その大きさが大きくなる。すなわち、第２分極領域１１Ｒの領域を漸進的に第１分極領域１１Ｆに変換することができる。
【００８４】
選択的な実施形態として、第１分極領域１１Ｆの水平方向Ｈへの成長速度は非常に速いが、例えば、１ｍ／ｓｅｃ（秒）の速度で成長してもよい。
【００８５】
これにより、変動低抵抗領域ＶＬの大きさを制御することが可能であるが、当該大きさは、例えば、変動低抵抗領域ＶＬの幅であり、第１分極領域１１Ｆの成長距離に対応するので、成長速度及び電場保持時間に比例する。例えば、成長距離は、成長速度と電場保持時間との積に比例する。
【００８６】
また、第１分極領域１１Ｆの成長速度は、高さＨＶＬ方向への成長速度と、水平方向Ｈへの成長速度との和に比例する。
【００８７】
したがって、変動低抵抗領域ＶＬの大きさは、電場保持時間を制御して、必要に応じて調節可能である。
【００８８】
具体的には、図４Ｃに示すように、第１分極領域１１Ｆは広がって大きくなり、それによって、変動低抵抗領域ＶＬも、印加電極１２から遠く離れる方向に移動することができる。
【００８９】
本実施形態は、印加電極を介して、活性層に電場を印加し、活性層に第２分極方向と異なる第１分極方向を有する第１分極領域を形成し、当該第１分極領域と第２分極領域との間の境界に該当する変動低抵抗領域を形成することができる。当該変動低抵抗領域は、抵抗が低い領域であり、かつ抵抗が低下した領域であり、電流の通路となることができるので、電子回路を容易に形成することができる。
【００９０】
また、本実施形態は、印加電極を介して電場の大きさを制御して、例えば、電圧の大きさを制御して、変動低抵抗領域の高さを決めることができ、具体的には、活性層の全厚に対応する高さを有するように制御することができる。
【００９１】
また、印加電極を介して電場を保持する時間を制御して、変動低抵抗領域の大きさ、例えば、幅を決めることができる。このような変動低抵抗領域の大きさの制御により、電流のフローの通路の大きさを容易に制御することができる。
【００９２】
また、印加電極を介して電場を取り除いても、分極領域の分極状態は維持されるので、電流の通路を容易に保持することができ、印加電極を介して電場を持続的に保持して、分極領域が拡大すれば、既に形成されていた変動低抵抗領域は、抵抗が低くなり、電流が流れなくなる。
【００９３】
これにより、電流の通路に対する消滅を制御することができ、結果として電流のフローに対する容易な制御が可能である。
【００９４】
本実施形態の電子回路を制御して、様々な用途に使用可能であり、例えば、変動低抵抗領域に接するように一つ以上の電極を接続してもよい。
【００９５】
図５は、本発明の他の実施形態に係る電子回路を示す概略的な平面図であり、図６は、図５のVI−VI線に沿って切り取った断面図である。
【００９６】
図５及び図６を参照すると、本実施形態の電子回路２０は、活性層２１と、印加電極２２と、変動低抵抗領域ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３とを含む。
【００９７】
活性層２１は、自発分極性材料を含む。例えば、活性層２１は、絶縁材料を含み、強誘電性材料を含む。すなわち、活性層２１は、電場の存在下で反転可能な自発的な電気分極（電気双極子）を有する材料を含む。
【００９８】
選択的な実施形態として、活性層２１は、ペロブスカイト系物質を含んでもよく、具体的な説明は、前述した実施形態と同じであるので省略する。
【００９９】
印加電極２２は、活性層２１に電場を印加するように形成され、例えば、電圧を活性層２１に印加する。具体的な内容は、前述した実施形態と同じであるので省略する。
変動低抵抗領域ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３は、第１変動低抵抗領域ＶＬ１と、第２変動低抵抗領域ＶＬ２と、第３変動低抵抗領域ＶＬ３とを含む。
【０１００】
第１変動低抵抗領域ＶＬ１は、第２変動低抵抗領域ＶＬ２よりも大きい幅を有し、第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、第３変動低抵抗領域ＶＬ３よりも大きい幅を有する。
【０１０１】
選択的な実施形態として、第１変動低抵抗領域ＶＬ１は、第２変動低抵抗領域ＶＬ２の外郭に配置され、第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、第３変動低抵抗領域ＶＬ３の外郭に配置されてもよい。
【０１０２】
第１変動低抵抗領域ＶＬ１、第２変動低抵抗領域ＶＬ２及び第３変動低抵抗領域ＶＬ３は、活性層２１に形成された領域であり、かつ電流が流れる領域であり、線状形状を有する電流の通路として形成される。
【０１０３】
具体的には、第１変動低抵抗領域ＶＬ１、第２変動低抵抗領域ＶＬ２及び第３変動低抵抗領域ＶＬ３は、活性層２１の領域のうち、第１変動低抵抗領域ＶＬ１、第２変動低抵抗領域ＶＬ２及び第３変動低抵抗領域ＶＬ３と隣接する他の領域よりも電気抵抗が低くなった領域である。
【０１０４】
また、印加電極２２を介して第１変動低抵抗領域ＶＬ１、第２変動低抵抗領域ＶＬ２及び第３変動低抵抗領域ＶＬ３を形成した後、印加電極２２を介して電場を取り除いても、例えば、電圧を取り除いても、活性層２１の分極状態は維持されるので、第１変動低抵抗領域ＶＬ１、第２変動低抵抗領域ＶＬ２及び第３変動低抵抗領域ＶＬ３は保持され、電流の通路を形成した状態を維持することができる。
【０１０５】
これにより、様々な電子回路を構成することが可能である。
【０１０６】
変動低抵抗領域ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３は、高さＨＶＬを有し、当該高さＨＶＬは、活性層２１の全厚に対応する。
【０１０７】
活性層２１は、第１分極方向を有する第１分極領域２１Ｆ１、２１Ｆ２、２１Ｆ３を含み、変動低抵抗領域ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３は、当該第１分極領域２１Ｆ１、２１Ｆ２、２１Ｆ３の境界に形成される。
【０１０８】
また、活性層２１は、第１分極領域２１Ｆ１、２１Ｆ２、２１Ｆ３に隣接するように、第２分極方向を有する第２分極領域２１Ｒ１、２１Ｒ２を含み、変動低抵抗領域ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３は、当該第２分極領域２１Ｒ１、２１Ｒ２の境界に形成される。第２方向は、少なくとも第１方向とは異なる方向であり、例えば、第１方向と逆方向であってもよい。
【０１０９】
例えば、第１変動低抵抗領域ＶＬ１は、第１分極領域２１Ｆ１と第２分極領域２１Ｒ１との間に形成される。
【０１１０】
また、第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、第１分極領域２１Ｆ１と第２分極領域２１Ｒ２との間に形成される。
【０１１１】
さらに、第３変動低抵抗領域ＶＬ３は、第１分極領域２１Ｆ３と第２分極領域２１Ｒ２との間に形成される。
【０１１２】
図７Ａ〜図７Ｄは、図５の電子回路に関し、電流経路範囲制御方法を説明するための図面である。
【０１１３】
図７Ａを参照すると、活性層２１は、第２分極方向を有する第２分極領域２１Ｒを含む。選択的な実施形態として、印加電極２２を介して初期化電場を印加して、図７Ａのような活性層２１の分極状態を形成してもよい。
【０１１４】
次に、図７Ｂを参照すると、活性層２１に第１分極領域２１Ｆが形成される。具体例として、印加電極２２の幅に対応するように、印加電極２２と重なり合った領域に、まず、第１分極領域２１Ｆが形成された後、水平方向に成長して、図７Ｂのような状態を形成することができる。また、図７Ａの第２分極領域２１Ｒは縮小して、図７Ｂのような形態の第２分極領域２１Ｒ１に変わり得る。
第１分極領域２１Ｆと第２分極領域２１Ｒ１との間に、第１変動低抵抗領域ＶＬ１が形成される。
【０１１５】
次に、図７Ｃを参照すると、図７Ｂと逆方向の電場を印加して、第１分極領域２１Ｆの一部の領域の分極方向を、第２方向の分極方向を有する第２分極領域２１Ｒ２に変換する。例えば、第１分極領域２１Ｆの第１分極方向と逆方向である第２方向の分極方向を有する第２分極領域２１Ｒ２が形成される。
【０１１６】
また、これにより、図７Ｂの第１分極領域２１Ｆは縮小して、図７Ｃのような形態の第１分極領域２１Ｆ１に変わり得る。
【０１１７】
前記第２分極領域２１Ｒ２と第１分極領域２１Ｆ１との間に、第２変動低抵抗領域ＶＬ２が形成される。
【０１１８】
このような分極状態を維持するので、第１変動低抵抗領域ＶＬ１はそのまま保持されることができる。
【０１１９】
次に、図７Ｄを参照すると、図７Ｃと逆方向の電場を印加して、第２分極領域２１Ｒ２の一部の領域の分極方向を、第１方向の分極方向を有する第１分極領域２１Ｆ３に変換する。例えば、第２分極領域２１Ｒ２の第２分極方向と逆方向である第１方向の分極方向を有する第１分極領域２１Ｆ３が形成される。
【０１２０】
また、これにより、図７Ｃの第２分極領域２１Ｒ２は縮小して、図７Ｄのような形態の第２分極領域２１Ｒ２に変わり得る。
【０１２１】
前記第２分極領域２１Ｒ２と第１分極領域２１Ｆ３との間に、第３変動低抵抗領域ＶＬ３が形成される。
【０１２２】
このような分極状態を維持するので、第１変動低抵抗領域ＶＬ１及び第２変動低抵抗領域ＶＬ２はそのまま保持され、かつ第３変動低抵抗領域ＶＬ３が追加される。
【０１２３】
本実施形態は、印加電極を介して、活性層に電場を印加し、活性層に第２分極方向と異なる第１分極方向を有する第１分極領域を形成し、当該第１分極領域と第２分極領域との間の境界に該当する変動低抵抗領域を形成することができる。当該変動低抵抗領域は、抵抗が低い領域であり、かつ抵抗が低下した領域であり、電流の通路となることができるので、電子回路を容易に形成することができる。
【０１２４】
また、本実施形態は、印加電極を介して電場の大きさを制御し、電場の方向を制御することができ、これにより、活性層に対して、複数の第１分極領域、または複数の第２分極領域を形成することができる。
【０１２５】
当該複数の第１分極領域、または複数の第２分極領域の間の境界線には、複数の変動低抵抗領域を形成することができる。当該複数の変動低抵抗領域それぞれは、電流の通路を形成することができるので、様々な形態と用途の電子回路を容易に生成及び制御することが可能である。
【０１２６】
図８は、本発明の一実施形態に係る電子回路を示す概略的な平面図であり、図９は、図８のIII−III線に沿って切り取った断面図である。
【０１２７】
図８及び図９を参照すると、本実施形態の電子回路１００は、活性層１１０と、印加電極１２０と、変動低抵抗領域ＶＬと、一つ以上の接続電極部１３１、１３２とを含む。
【０１２８】
活性層１１０は、自発分極性材料を含む。例えば、活性層１１０は、絶縁材料を含み、強誘電性材料を含む。すなわち、活性層１１０は、電場の存在下で反転可能な自発的な電気分極（電気双極子）を有する材料を含む。
【０１２９】
選択的な実施形態として、活性層１１０は、ペロブスカイト系物質を含んでもよく、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＢｉＦｅ３、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９を含んでもよい。
【０１３０】
また、他の例として、活性層１１０は、ＡＢＸ３構造であり、Ａは、ＣｎＨ２ｎ＋１のアルキル基、及びペロブスカイト太陽電池の構造の形成が可能な、Ｃｓ、Ｒｕなどの無機物から選択される一つ以上の物質を含み、Ｂは、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＣｅから構成される群から選択される一つ以上の物質を含み、Ｘは、ハロゲン物質を含む。具体例として、活性層１１０は、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩｘＣｌ３−ｘ、ＭＡＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩｘＢｒ３−ｘ、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌｘＢｒ３−ｘ、ＨＣ（ＮＨ２）２ＰｂＩ３、ＨＣ（ＮＨ２）２ＰｂＩｘＣｌ３−ｘ、ＨＣ（ＮＨ２）２ＰｂＩｘＢｒ３−ｘ、ＨＣ（ＮＨ２）２ＰｂＣｌｘＢｒ３−ｘ、（ＣＨ３ＮＨ３）（ＨＣ（ＮＨ２）２）１−ｙＰｂＩ３、（ＣＨ３ＮＨ３）（ＨＣ（ＮＨ２）２）１−ｙＰｂＩｘＣｌ３−ｘ、（ＣＨ３ＮＨ３）（ＨＣ（ＮＨ２）２）１−ｙＰｂＩｘＢｒ３−ｘ、または（ＣＨ３ＮＨ３）（ＨＣ（ＮＨ２）２）１−ｙＰｂＣｌｘＢｒ３−ｘ（０≦ｘ、ｙ≦１）を含む。
【０１３１】
その他の様々な強誘電性材料を利用して、活性層１１０を形成することができるので、これについての全ての例示の説明は省略する。また、活性層１１０を形成する際、強誘電性材料にその他の様々な物質をドーピングして、付加的な機能を含むか、または電気的特性の向上を行うこともできる。
【０１３２】
活性層１１０は、自発分極性を有し、電場の印加によって、分極の程度及び方向を制御することができる。また、活性層１１０は、印加された電場が取り除かれても、分極状態を維持することができる。
【０１３３】
印加電極１２０は、活性層１１０に電場を印加するように形成され、例えば、電圧を活性層１１０に印加する。
【０１３４】
選択的な実施形態として、印加電極１２０は、活性層１１０の上面に接するように形成されてもよい。
【０１３５】
また、印加電極１２０は、活性層１１０に様々な大きさの電圧を印加し、電圧印加時間が制御できるように形成される。
【０１３６】
選択的な実施形態として、印加電極１２０は、ゲート電極であってもよい。
【０１３７】
例えば、印加電極１２０は、電源（図示せず）または電源制御部と電気的に接続されてもよい。
印加電極１２０は、様々な材料を含み、導電性の高い材料を含む。例えば、様々な金属を利用して、印加電極１２０を形成することができる。
【０１３８】
例えば、印加電極１２０は、アルミニウム、クロム、チタン、タンタル、モリブデン、タングステン、ネオジム、スカンジウムまたは銅を含有するように形成することができる。または、それらの材料の合金を利用して形成してもよく、それらの材料の窒化物を利用して形成してもよい。
【０１３９】
また、選択的な実施形態として、印加電極１２０は、積層体構造を含んでもよい。
接続電極部１３１、１３２は、一つ以上の電極部材を含み、例えば、第１接続電極部材１３１及び第２接続電極部材１３２を含む。
【０１４０】
接続電極部１３１、１３２は、活性層１１０上に形成され、例えば、活性層１１０の上面に印加電極１２０と離隔されるように形成され、選択的な実施形態として、活性層１１０と接するように形成されてもよい。
【０１４１】
第１接続電極部材１３１及び第２接続電極部材１３２は、様々な導電性材料を利用して形成することができる。例えば、第１接続電極部材１３１及び第２接続電極部材１３２は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデンまたはタングステンを含有するように形成することができる。
選択的な実施形態として、第１接続電極部材１３１及び第２接続電極部材１３２は、複数の導電層を積層した構造を含んでもよい。
【０１４２】
選択的な実施形態として、第１接続電極部材１３１及び第２接続電極部材１３２は、導電性の金属酸化物を利用して形成してもよく、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム−酸化スズ合金（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）、または酸化インジウム−酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）を含有するように形成してもよい。
【０１４３】
選択的な実施形態として、接続電極部１３１、１３２は、電気的信号の入出力を含む端子部材であってもよい。
【０１４４】
また、具体例として、接続電極部１３１、１３２の第１接続電極部材１３１及び第２接続電極部材１３２は、ソース電極またはドレイン電極を含む。
図１０〜図１４は、図８の電子回路の動作を説明するための図面である。
【０１４５】
図１０は、印加電極１２０を介して、第１電場が印加された状態を示す図面であり、図１１は、図１０のIV−IV線に沿って切り取った断面図であり、図１２は、図１１のＫの拡大図である。
【０１４６】
図１０〜図１２を参照すると、印加電極１２０を介して、第１電場が活性層１１０に印加されれば、活性層１１０の少なくとも１つの領域は、分極領域１１０Ｆを含む。
【０１４７】
当該分極領域１１０Ｆは、印加電極１２０を中心に、印加電極１２０を取り囲む形態である。分極領域１１０Ｆは、境界線を有する。
【０１４８】
第１変動低抵抗領域ＶＬ１は、当該境界線の側面に対応する領域に形成される。図３を参照すると、印加電極１２０を中心に、印加電極１２０を取り囲む線状形状に形成される。
【０１４９】
例えば、第１変動低抵抗領域ＶＬ１は、印加電極１２０を取り囲むように、一方向に第１幅ＷＶＬ１を有する。
【０１５０】
また、第１変動低抵抗領域ＶＬ１は、分極領域１１０Ｆの境界線の側面の全体に対応するように形成され、分極領域１１０Ｆの側面から遠くなる方向に厚さＴＶＬ１を有する。
【０１５１】
選択的な実施形態として、当該厚さＴＶＬ１は、０．１〜０．３ｎｍであってもよい。
【０１５２】
選択的な実施形態として、印加電極１２０を介して、第１電圧が活性層１１０に印加される前に、初期化電場を活性層１１０に印加するプロセスを実行してもよい。
【０１５３】
このような初期化電場を活性層１１０に印加するプロセスにより、活性層１１０の領域を、分極領域１１０Ｆとは異なる方向の分極、例えば、逆方向の分極領域にいずれも切り替えるステップを含むことができる。
【０１５４】
次に、それと逆方向の電場を印加して、１つの領域に分極領域１１０Ｆを形成することができる。
【０１５５】
活性層１１０の分極領域１１０Ｆの境界に形成された第１変動低抵抗領域ＶＬ１は、活性層１１０の他の領域に比べて、抵抗が低い領域に変化することができる。例えば、第１変動低抵抗領域ＶＬ１は、活性層１１０の分極領域１１０Ｆ、及び第１変動低抵抗領域ＶＬ１の周辺の活性層１１０の領域よりも低い抵抗を有する。
【０１５６】
これにより、第１変動低抵抗領域ＶＬ１は、電流の通路を形成することができる。
【０１５７】
選択的な実施形態として、第１変動低抵抗領域ＶＬ１は、活性層１１０に備えられた複数のドメインウォールの１つの領域に対応してもよい。
【０１５８】
また、当該第１変動低抵抗領域ＶＬ１は、活性層１１０の分極領域１１０Ｆの分極状態が維持されれば、保持され続ける。すなわち、印加電極１２０を介して、活性層１１０に印加された第１電圧を取り除いても、第１変動低抵抗領域ＶＬ１の状態、すなわち、低抵抗状態を維持することができる。
【０１５９】
図１０及び図１１に示すように、第１変動低抵抗領域ＶＬ１を介して、電流の通路が形成される。但し、接続電極部１３１、１３２が第１変動低抵抗領域ＶＬ１に対応しないので、接続電極部１３１、１３２を介して電流のフローは生じないこともある。
【０１６０】
図１３は、印加電極１２０を介して、第１電場を一定の時間さらに維持した状態を示す図面であり、図１４は、図１３のVII−VII線に沿って切り取った断面図である。
【０１６１】
図１３及び図１４を参照すると、印加電極１２０を介して第１電場の維持時間が長くなり、図１１及び図１２の分極領域１１０Ｆが水平方向に移動して、分極領域１１０Ｆが大きくなり、それによって、第１変動低抵抗領域ＶＬ１よりも大きい第２変動低抵抗領域ＶＬ２が形成される。
【０１６２】
例えば、図１１及び図１２において印加した電圧を一定の時間維持して、図１３及び図１４のような構造を形成することができる。
【０１６３】
分極領域１１０Ｆは、印加電極１２０を中心に、印加電極１２０を取り囲む形態である。分極領域１１０Ｆは、境界線を有する。第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、当該分極領域１１０Ｆの境界線の側面に対応する領域に形成される。図１３を参照すると、印加電極１２０を中心に、印加電極１２０を取り囲む線状形状に形成される。
【０１６４】
例えば、第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、印加電極１２０を取り囲むように、一方向に第２幅ＷＶＬ２を有し、第２幅ＷＶＬ２は、第１幅ＷＶＬ１よりも広い。
【０１６５】
また、第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、分極領域１１０Ｆの境界線の側面の全体に対応するように形成され、分極領域１１０Ｆの側面から遠くなる方向に厚さを有し、選択的な実施形態として、当該厚さは、０．１〜０．３ｎｍであってもよい。
【０１６６】
活性層１１０の分極領域１１０Ｆの境界に形成された第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、活性層１１０の他の領域に比べて、抵抗が低い領域に変化することができる。例えば、第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、活性層１１０の分極領域１１０Ｆ、及び第２変動低抵抗領域ＶＬ２の周辺の活性層１１０の領域よりも低い抵抗を有する。
【０１６７】
これにより、第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、電流の通路を形成することができる。
【０１６８】
選択的な実施形態として、第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、活性層１１０に備えられた複数のドメインウォールの１つの領域に対応してもよい。
【０１６９】
また、当該第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、活性層１１０の分極領域１１０Ｆの分極状態が維持されれば、保持され続ける。すなわち、印加電極１２０を介して、活性層１１０に印加された第２電圧を取り除いても、第２変動低抵抗領域ＶＬ２の状態、すなわち、低抵抗状態を維持することができる。
【０１７０】
したがって、第２変動低抵抗領域ＶＬ２を介して、電流の通路が形成される。
【０１７１】
また、具体例として、接続電極部１３１、１３２が第２変動低抵抗領域ＶＬ２に対応するように形成され、例えば、接続電極部１３１、１３２の第１接続電極部材１３１及び第２接続電極部材１３２が互いに離隔されたまま、第２変動低抵抗領域ＶＬ２の上面と接するように配置されてもよい。
【０１７２】
これにより、接続電極部１３１、１３２の第１接続電極部材１３１及び第２接続電極部材１３２を介して、電流が流れる。
【０１７３】
また、様々な電気的信号を発生することができる。例えば、図１３及び図１４の状態における電場をさらに持続的に印加する場合、すなわち、印加時間が増加する場合、第２変動低抵抗領域ＶＬ２はさらに移動して、第１接続電極部材１３１及び第２接続電極部材１３２から離脱することとなる。それによって、第１接続電極部材１３１及び第２接続電極部材１３２を介して、電流が流れないことがある。
【０１７４】
また、選択的な実施形態として、活性層１１０の全体に対する初期化プロセスを行ってもよい。
【０１７５】
次に、再び印加電極１２０を介して、活性層１１０に電場を印加する場合、接続電極部１３１、１３２の第１接続電極部材１３１及び第２接続電極部材１３２に電流が流れることとなる。
【０１７６】
本実施形態の電子回路は、印加電極を介して、活性層に様々な大きさの電圧を印加することができ、印加される時間を制御することができる。
【０１７７】
これにより、所望の大きさの領域で活性層に分極領域を形成することができ、当該分極領域の境界に変動低抵抗領域を形成することができる。
【０１７８】
当該変動低抵抗領域に対応するように、例えば、接するように接続電極部を形成する場合、接続電極部を介して電流が流れ、電圧を取り除いても、強誘電性材料を含有する活性層は、分極状態を維持することができ、それによって、その境界の変動低抵抗領域も保持されるので、電流は流れ続けることができる。
【０１７９】
また、変動低抵抗領域を分極領域に変えるように、印加電極を介して、電圧を活性層に印加することができ、これにより電流が流れていた接続電極部には電流が流れなくなる。
【０１８０】
このような印加電極の電圧を制御して、電流のフローを制御することができ、このような電流のフローの制御により、電子回路は様々な用途に利用可能である。
【０１８１】
選択的な実施形態として、電子回路は、メモリとして使用してもよい。
【０１８２】
例えば、電流が流れることを１、流れないことを０と定義して、メモリとして使用でき、具体例として、電圧が取り除かれても電流が流れるところ、不揮発性メモリとしても使用できる。
【０１８３】
また、電子回路は、様々な信号を生成して伝達する回路部を構成し、スイッチング素子としても使用できる。
【０１８４】
さらに、その他に電気的信号の制御を要する部分に簡単な構造で適用することができるので、可変回路、ＣＰＵ、バイオチップなど様々な分野に適用可能である。
【０１８５】
図１５は、本発明の他の実施形態に係る電子回路を示す概略的な平面図であり、図１６は、図１５のVIII−VIII線に沿って切り取った断面図である。
【０１８６】
図１５及び図１６を参照すると、本実施形態の電子回路２００は、活性層２１０と、印加電極２２０と、変動低抵抗領域ＶＬと、接続電極部２３１、２３２とを含む。
説明の便宜上、前述した実施形態と相異なる点を中心に説明する。
【０１８７】
活性層２１０は、自発分極性材料を含む。例えば、活性層２１０は、絶縁材料を含み、強誘電性材料を含む。すなわち、活性層２１０は、電場の存在下で反転可能な自発的な電気分極（電気双極子）を有する材料を含む。
【０１８８】
活性層２１０を形成する材料についての説明は、前述した実施形態で説明したものと同じであるか、またはそれを変形して適用可能であるので、具体的な説明は省略する。
【０１８９】
印加電極２２０は、活性層２１０に電場を印加するように形成され、例えば、電圧を活性層２１０に印加する。
選択的な実施形態として、印加電極２２０は、活性層２１０の上面に接するように形成されてもよい。
【０１９０】
印加電極２２０を形成する材料についての説明は、前述した実施形態で説明したものと同じであるか、またはそれを変形して適用可能であるので、具体的な説明は省略する。
【０１９１】
接続電極部２３１、２３２は、一つ以上の電極部材を含み、例えば、第１接続電極部材２３１及び第２接続電極部材２３２を含む。
【０１９２】
接続電極部２３１、２３２は、活性層２１０上に形成され、例えば、印加電極２２０と離隔されるように、活性層２１０の面のうち、印加電極２２０が形成された面の反対面に形成される。
【０１９３】
印加電極２２０は、活性層２１０の上面に、接続電極部２３１、２３２は、活性層２１０の下面に形成される。
【０１９４】
選択的な実施形態として、接続電極部２３１、２３２は、活性層２１０と接するように形成されてもよい。
【０１９５】
第１接続電極部材２３１及び第２接続電極部材２３２は、様々な導電性材料を利用して形成することができる。
【０１９６】
第１接続電極部材２３１及び第２接続電極部材２３２を形成する材料についての説明は、前述した実施形態で説明したものと同じであるか、またはそれを変形して適用可能であるので、具体的な説明は省略する。
【０１９７】
図１６を参照すると、印加電極２２０を介して、電圧が活性層２１０に印加されれば、活性層２１０の少なくとも１つの領域は、分極領域２１０Ｆを含む。
【０１９８】
変動低抵抗領域ＶＬは、当該分極領域２１０Ｆの境界線の側面に対応する領域に形成され、図１５を参照すると、印加電極２２０を中心に、印加電極２２０を取り囲む線状形状に形成される。
【０１９９】
例えば、変動低抵抗領域ＶＬは、印加電極２２０を取り囲むように、一方向に幅を有する。
【０２００】
また、変動低抵抗領域ＶＬは、分極領域２１０Ｆの境界線の側面の全体に対応するように形成され、分極領域２１０Ｆの側面から遠くなる方向に厚さを有し、選択的な実施形態として、当該厚さは、０．１〜０．３ｎｍであってもよい。
【０２０１】
活性層２１０の分極領域２１０Ｆの境界に形成された変動低抵抗領域ＶＬは、活性層２１０の他の領域に比べて、抵抗が低い領域に変化することができる。例えば、変動低抵抗領域ＶＬは、活性層２１０の分極領域２１０Ｆ、及び変動低抵抗領域ＶＬの周辺の活性層２１０の領域よりも低い抵抗を有する。
【０２０２】
これにより、変動低抵抗領域ＶＬは、電流の通路を形成することができる。
【０２０３】
選択的な実施形態として、変動低抵抗領域ＶＬは、活性層２１０に備えられた複数のドメインウォールの１つの領域に対応してもよい。
【０２０４】
また、当該変動低抵抗領域ＶＬは、活性層２１０の分極領域２１０Ｆの分極状態が維持されれば、保持され続ける。すなわち、印加電極２２０を介して、活性層２１０に印加された電圧を取り除いても、変動低抵抗領域ＶＬの状態、すなわち、低抵抗状態を維持することができる。
したがって、変動低抵抗領域ＶＬを介して、電流の通路が形成される。
【０２０５】
また、具体例として、接続電極部２３１、２３２が変動低抵抗領域ＶＬに対応するように形成され、例えば、接続電極部２３１、２３２の第１接続電極部材２３１及び第２接続電極部材２３２が互いに離隔されたまま、変動低抵抗領域ＶＬの下面と接するように配置されてもよい。
【０２０６】
これにより、接続電極部２３１、２３２の第１接続電極部材２３１及び第２接続電極部材２３２を介して、電流が流れる。
【０２０７】
本実施形態の電子回路は、印加電極を介して、活性層に様々な大きさの電圧を印加することができ、印加される時間を制御することができる。
【０２０８】
これにより、所望の大きさの領域で活性層に分極領域を形成することができ、当該分極領域の境界に変動低抵抗領域を形成することができる。
【０２０９】
また、活性層の一面に印加電極を形成し、他面に接続電極部を形成して、電子回路の精密なパターニング及び微細化を容易に行うことができる。
【０２１０】
図１７は、本発明のさらに他の実施形態に係る電子回路を示す概略的な平面図である。
【０２１１】
図１７を参照すると、本実施形態の電子回路６００は、活性層６１０、第１及び第２印加電極６２１、６２２、第１及び第２変動低抵抗領域ＶＬ１、ＶＬ２、並びに接続電極部６３１、６３２、６４１、６４２を含む。
【０２１２】
活性層６１０は、自発分極性材料を含む。例えば、活性層６１０は、絶縁材料を含み、強誘電性材料を含む。すなわち、活性層６１０は、電場の存在下で反転可能な自発的な電気分極（電気双極子）を有する材料を含む。
【０２１３】
活性層６１０を形成する材料についての説明は、前述した実施形態で説明したものと同じであるか、またはそれを変形して適用可能であるので、具体的な説明は省略する。
【０２１４】
第１及び第２印加電極６２１、６２２は、活性層６１０に電場を印加するように形成され、例えば、電圧を活性層６１０に印加する。
【０２１５】
選択的な実施形態として、第１及び第２印加電極６２１、６２２は、活性層６１０の上面に接するように形成され、第１印加電極６２１及び第２印加電極６２２は、互いに離隔されるように配置されてもよい。
【０２１６】
第１及び第２印加電極６２１、６２２を形成する材料についての説明は、前述した実施形態で説明した印加電極と同じであるか、またはそれを変形して適用可能であるので、具体的な説明は省略する。
【０２１７】
接続電極部６３１、６３２、６４１、６４２は、一つ以上の電極部材を含み、例えば、第１接続電極部材６３１、第２接続電極部材６３２、第３接続電極部材６４１及び第４接続電極部材６４２を含む。
【０２１８】
接続電極部６３１、６３２、６４１、６４２は、活性層６１０上に形成され、例えば、活性層６１０の上面に印加電極６２０と離隔されるように形成され、選択的な実施形態として、活性層６１０と接するように形成されてもよい。
【０２１９】
第１接続電極部材６３１、第２接続電極部材６３２、第３接続電極部材６４１及び第４接続電極部材６４２は、様々な導電性材料を利用して形成することができる。
【０２２０】
第１接続電極部材６３１、第２接続電極部材６３２、第３接続電極部材６４１及び第４接続電極部材６４２は、前述した実施形態における接続電極部についての説明と同じであるか、またはそれを変形して適用可能であるので、具体的な説明は省略する。
図１７は、第１及び第２印加電極６２１、６２２を介して、第１電場が印加された状態を示す図面である。
【０２２１】
図１７を参照すると、第１印加電極６２１を介して、第１電圧が活性層６１０に印加されれば、活性層６１０の少なくとも１つの領域は、分極領域（例えば、ＶＬ１の内側領域）を含む。
【０２２２】
当該活性層６１０の分極領域は、第１印加電極６２１を中心に、印加電極６２０を取り囲む形態である。すなわち、第１変動低抵抗領域ＶＬ１の内側領域が、活性層６１０の分極領域に対応する。
【０２２３】
第１変動低抵抗領域ＶＬ１は、当該境界線の側面に対応する領域に形成される。図１７を参照すると、印加電極６２０を中心に、印加電極６２０を取り囲む線状形状に形成される。
【０２２４】
また、第１変動低抵抗領域ＶＬ１は、活性層６１０の分極領域の境界線の側面の全体に対応するように形成され、分極領域の側面から遠くなる方向に厚さを有する。
選択的な実施形態として、当該厚さは、０．１〜０．３ｎｍであってもよい。
【０２２５】
図１７を参照すると、第２印加電極６２２を介して、第１電場が活性層６１０に印加されれば、活性層６１０の少なくとも１つの領域は、分極領域（例えば、ＶＬ２の内側領域）を含む。
【０２２６】
当該活性層６１０の分極領域は、第２印加電極６２２を中心に、印加電極６２０を取り囲む形態である。すなわち、第２変動低抵抗領域ＶＬ２の内側領域が、活性層６１０の分極領域に対応する。
【０２２７】
第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、当該境界線の側面に対応する領域に形成される。図１７を参照すると、印加電極６２０を中心に、印加電極６２０を取り囲む線状形状に形成される。
【０２２８】
また、第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、活性層６１０の分極領域の境界線の側面の全体に対応するように形成され、分極領域の側面から遠くなる方向に厚さを有する。
【０２２９】
選択的な実施形態として、当該厚さは、０．１〜０．３ｎｍであってもよい。
【０２３０】
第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、第１変動低抵抗領域ＶＬ１と離隔されるように形成される。
【０２３１】
例えば、第１変動低抵抗領域ＶＬ１及び第２変動低抵抗領域ＶＬ２は、それぞれ多角形または閉曲線のような形態を有する。
【０２３２】
第１及び第２変動低抵抗領域ＶＬ１、ＶＬ２は、それぞれ電流の通路を形成することができる。
【０２３３】
第１変動低抵抗領域ＶＬ１を介して、電流の通路が形成され、接続電極部６３１、６３２が第１変動低抵抗領域ＶＬ１に対応して、接続電極部６３１、６３２を介して電流のフローが発生する。
【０２３４】
また、第２変動低抵抗領域ＶＬ２を介して、電流の通路が形成され、接続電極部６４１、６４２が第２変動低抵抗領域ＶＬ２に対応して、接続電極部６４１、６４２を介して電流のフローが発生する。
【０２３５】
すなわち、第１及び第２印加電極６２１、６２２を介して電圧の印加を制御すると共に、各領域別に相異なる電流の通路を形成することができる。
【０２３６】
選択的な実施形態として、第１接続電極部材６３１及び第２接続電極部材６３２の形成位置を、第３接続電極部材６４１及び第４接続電極部材６４２の形成位置を互いに対向するように配置し、電流の通路の位置が区別されるように制御してもよい。
【０２３７】
本実施形態の電子回路は、印加電極を介して、活性層に様々な大きさの電圧を印加することができ、印加される時間を制御することができる。
【０２３８】
これにより、所望の大きさの領域で活性層に分極領域を形成することができ、当該分極領域の境界に第１変動低抵抗領域及び第２変動低抵抗領域を形成することができる。
【０２３９】
当該第１変動低抵抗領域及び第２変動低抵抗領域に対応するように、例えば、接するように接続電極部を形成する場合、接続電極部を介して電流が流れ、電圧を取り除いても、強誘電性材料を含有する活性層は、分極状態を維持することができ、それによって、その境界の変動低抵抗領域も保持されるので、電流は流れ続けることができる。
【０２４０】
また、変動低抵抗領域を分極領域に変えるように、印加電極を介して、電圧を活性層に印加することができ、これにより電流が流れていた接続電極部には電流が流れなくなる。
【０２４１】
このような印加電極の電圧を制御して、電流のフローを制御することができ、このような電流のフローの制御により、電子回路は様々な用途に利用可能である。
【０２４２】
また、第１変動低抵抗領域及び第２変動低抵抗領域の二つの電流の通路を形成することができるので、様々な信号の発生及び利用を容易にすることができる。
【０２４３】
図１８は、本発明のさらに他の実施形態に係る電子回路を示す概略的な平面図である。
【０２４４】
図１８を参照すると、本実施形態の電子回路７００は、活性層７１０、第１及び第２印加電極７２１、７２２、変動低抵抗領域ＶＬ、並びに接続電極部７３１、７３２、７４１、７４２を含む。
【０２４５】
活性層７１０は、自発分極性材料を含む。例えば、活性層７１０は、絶縁材料を含み、強誘電性材料を含む。すなわち、活性層７１０は、電場の存在下で反転可能な自発的な電気分極（電気双極子）を有する材料を含む。
【０２４６】
活性層７１０を形成する材料についての説明は、前述した実施形態で説明したものと同じであるか、またはそれを変形して適用可能であるので、具体的な説明は省略する。
【０２４７】
第１及び第２印加電極７２１、７２２は、活性層７１０に電場を印加するように形成され、例えば、電圧を活性層７１０に印加する。
【０２４８】
選択的な実施形態として、第１及び第２印加電極７２１、７２２は、活性層７１０の上面に接するように形成され、第１印加電極７２１及び第２印加電極７２２は、互いに離隔されるように配置されてもよい。
【０２４９】
第１及び第２印加電極７２１、７２２を形成する材料についての説明は、前述した実施形態で説明した印加電極と同じであるか、またはそれを変形して適用可能であるので、具体的な説明は省略する。
【０２５０】
接続電極部７３１、７３２、７４１、７４２は、一つ以上の電極部材を含み、例えば、第１接続電極部材７３１、第２接続電極部材７３２、第３接続電極部材７４１及び第４接続電極部材７４２を含む。
【０２５１】
接続電極部７３１、７３２、７４１、７４２は、活性層７１０上に形成され、例えば、活性層７１０の上面に印加電極７２０と離隔されるように形成され、選択的な実施形態として、活性層７１０と接するように形成されてもよい。
【０２５２】
第１接続電極部材７３１、第２接続電極部材７３２、第３接続電極部材７４１及び第４接続電極部材７４２は、様々な導電性材料を利用して形成することができる。
【０２５３】
第１接続電極部材７３１、第２接続電極部材７３２、第３接続電極部材７４１及び第４接続電極部材７４２は、前述した実施形態における接続電極部についての説明と同じであるか、またはそれを変形して適用可能であるので、具体的な説明は省略する。
【０２５４】
図１８は、第１及び第２印加電極７２１、７２２を介して、第２電場が印加された状態を示す図面である。
【０２５５】
選択的な実施形態として、図１８は、図１７の構造と同じであり、第１及び第２印加電極７２１、７２２を介して、第１電場を図１７の状態よりもさらに維持したものであってもよい。具体例として、図１７において形成された二つの分極領域が互いに重なり合って統合されたものであり、これにより、変動低抵抗領域ＶＬも変形されたことが見られる。
【０２５６】
これにより、変動低抵抗領域も重なり合わない、一つの変動低抵抗領域ＶＬを形成することができる。
【０２５７】
変動低抵抗領域ＶＬは、長く延びて、活性層７１０の一側面及びそれと対向する他の側面に対応する。
【０２５８】
変動低抵抗領域ＶＬは、電流の通路を形成することができる。
【０２５９】
接続電極部７３１、７４１が変動低抵抗領域ＶＬの一つの線に対応して、電流のフローが発生する。
【０２６０】
また、接続電極部７３２、７４２が変動低抵抗領域ＶＬの一つの線に対応して、電流のフローが発生する。
【０２６１】
これにより、活性層７１０の領域のうち、第１印加電極７２１及び第２印加電極７２２を中心に置いて、両側にそれぞれ電流のフローが発生する。
【０２６２】
本実施形態の電子回路は、複数の印加電極を介して、活性層に様々な大きさの電圧を印加することができ、印加される時間を制御することができる。
【０２６３】
これにより、所望の大きさの領域で活性層に分極領域を形成することができ、当該分極領域を重なり合うように制御することができる。
【０２６４】
このように重なり合った大きさの分極領域の境界に変動低抵抗領域を形成し、活性層の側面に対応するように形成することができる。
【０２６５】
当該変動低抵抗領域を介して、活性層の様々な領域に対して、電流のフローを形成することができる。
【０２６６】
図１９は、本発明のさらに他の実施形態に係る電子回路を示す概略的な平面図である。
【０２６７】
図１９を参照すると、本実施形態の電子回路８００は、活性層８１０、第１、第２及び第３印加電極８２１、８２２、８２３、変動低抵抗領域ＶＬ、並びに接続電極部８３１、８３２を含む。
【０２６８】
活性層８１０は、自発分極性材料を含む。例えば、活性層８１０は、絶縁材料を含み、強誘電性材料を含む。すなわち、活性層８１０は、電場の存在下で反転可能な自発的な電気分極（電気双極子）を有する材料を含む。
【０２６９】
活性層８１０を形成する材料についての説明は、前述した実施形態で説明したものと同じであるか、またはそれを変形して適用可能であるので、具体的な説明は省略する。
【０２７０】
第１、第２及び第３印加電極８２１、８２２、８２３は、活性層８１０に電場を印加するように形成され、例えば、電圧を活性層８１０に印加する。
【０２７１】
選択的な実施形態として、第１、第２及び第３印加電極８２１、８２２、８２３は、活性層８１０の上面に接するように形成され、第１印加電極８２１、第２印加電極８２２及び第３印加電極８２３は、互いに離隔されるように配置されてもよい。
【０２７２】
第１、第２及び第３印加電極８２１、８２２、８２３を形成する材料についての説明は、前述した実施形態で説明した印加電極と同じであるか、またはそれを変形して適用可能であるので、具体的な説明は省略する。
【０２７３】
接続電極部８３１、８３２は、一つ以上の電極部材を含み、例えば、第１接続電極部材８３１及び第２接続電極部材８３２を含む。
【０２７４】
接続電極部８３１、８３２は、活性層８１０上に形成され、例えば、活性層８１０の上面に印加電極８２０と離隔されるように形成され、選択的な実施形態として、活性層８１０と接するように形成されてもよい。
【０２７５】
第１接続電極部材８３１及び第２接続電極部材８３２は、様々な導電性材料を利用して形成することができる。第１接続電極部材８３１及び第２接続電極部材８３２は、前述した実施形態における接続電極部についての説明と同じであるか、またはそれを変形して適用可能であるので、具体的な説明は省略する。
【０２７６】
図１９は、第１、第２及び第３印加電極８２１、８２２、８２３を介して、電場が印加された状態を示す図面である。
【０２７７】
例えば、図１９を参照すると、第１印加電極８２１を介して、電圧が活性層８１０に印加され、第２印加電極８２２を介して、電圧が活性層８１０に印加され、第３印加電極８２３を介して、電圧が活性層８１０に印加された状態を示すものである。
【０２７８】
第１印加電極８２１を介して分極領域、第２印加電極８２２を介して分極領域、及び第３印加電極８２２が重なり合わない、これにより変動低抵抗領域も重なり合って、一つの変動低抵抗領域ＶＬを形成することができる。
【０２７９】
選択的な実施形態として、一つの変動低抵抗領域ＶＬの内側の領域は、第１印加電極８２１を介して分極領域、第２印加電極８２２を介して分極領域、及び第３印加電極８２２が重なり合った領域であってもよい。
【０２８０】
変動低抵抗領域ＶＬは、電流の通路を形成することができる。
【０２８１】
接続電極部８３１、８３２が変動低抵抗領域ＶＬに対応して、電流のフローが発生する。
【０２８２】
本実施形態の電子回路は、複数の印加電極を介して、活性層に様々な大きさの電圧を印加することができ、印加される時間を制御することができる。
【０２８３】
これにより、所望の大きさの領域で活性層に分極領域を形成することができ、当該分極領域を重なり合うように制御することができる。
【０２８４】
このように重なり合った大きさの分極領域の境界に変動低抵抗領域を形成し、活性層の側面に対応するように形成することができる。
【０２８５】
当該変動低抵抗領域を介して、活性層の様々な領域に対して、電流のフローを形成することができる。
【０２８６】
このように、本発明は、図面に示した実施形態を参考にして説明したが、それは、例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、それから様々な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められなければならない。
【０２８７】
実施形態で説明する特定の実施は、一実施形態であり、いかなる方法でも実施形態の範囲を限定するものではない。また、“必須な”、“重要に”のような具体的な断りがなければ、必ずしも本発明の適用のために必要な構成要素ではないことがある。
【０２８８】
実施形態の明細書（特に、特許請求の範囲）において、“前記”の用語及びそれと類似した指示用語の使用は、単数及び複数の両方に該当するものである。また、実施形態において、範囲（range）を記載した場合、前記範囲に属する個別的な値を適用した発明を含むものであり（それに反する記載がなければ）、詳細な説明に前記範囲を構成する各個別的な値を記載したものと同じである。最後に、実施形態による方法を構成するステップについて、明らかに順序を記載するか、または反する記載がなければ、前記ステップは、適当な順序で行われる。必ずしも前記ステップの記載順序によって、実施形態が限定されるものではない。実施形態において、全ての例または例示的な用語（例えば、など）の使用は、単に実施形態を詳細に説明するためのものであり、特許請求の範囲によって限定されない限り、前記の例または例示的な用語によって、実施形態の範囲が限定されるものではない。また、当業者は、様々な修正、組み合わせ及び変更が付加された特許請求の範囲、またはその均等物の範疇内で、設計条件及びファクターによって構成されることが分かる。
【産業上利用可能性】
【０２８９】
本発明の一実施形態は、電場を利用した電流経路範囲制御方法であって、自発分極性材料を含む活性層、及び前記活性層に隣接するように配置された印加電極に対して、前記印加電極を介して、前記活性層に電場を印加し、前記活性層の分極領域を形成するステップと、前記分極領域の境界に対応する変動低抵抗領域を形成するステップと、を含み、前記変動低抵抗領域は、前記活性層の領域のうち、前記変動低抵抗領域と隣接する他の領域よりも電気抵抗が低い領域であり、電気的パスを形成するようにする電流経路範囲制御方法を開示する。
【図１】
2021527390.tif 000003
【図２】
2021527390.tif 000004
【図３】
2021527390.tif 000005
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
2021527390.tif 000007
【図４Ｃ】
2021527390.tif 000008
【図５】
2021527390.tif 000009
【図６】
2021527390.tif 000010
【図７Ａ】
2021527390.tif 000011
【図７Ｂ】
2021527390.tif 000012
【図７Ｃ】
2021527390.tif 000013
【図７Ｄ】
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【図８】
2021527390.tif 000015
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
2021527390.tif 000027
2021527390.tif 000028
2021527390.tif 000029
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